(57)【要約】【課題】デスミア処理などの樹脂組成物残渣の除去を行うにあたり、樹脂成分が未硬化・半硬化の状態であっても、樹脂組成物残渣の除去を可能とする。【解決手段】未硬化・半硬化の樹脂が蒸発しない圧力条件、特に大気圧近傍の圧力下で対向電極１及び電源４等によりプラズマ放電を発生させ、その放電中の活性種によって被処理物Ｓの樹脂組成物残渣を除去するという方法を採用することで、樹脂成分が未硬化または半硬化の状態であっても樹脂組成物残渣を除去できるようにする。また、樹脂成分が未硬化または半硬化の状態のときに放電処理を行うことで、除去スピードを大幅に向上させる。【選択図】図１
2004115731.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に配置された未硬化または半硬化の状態の樹脂組成物を大気圧近傍の圧力下での放電処理により除去することを特徴とする樹脂組成物の除去方法。
【請求項２】
基材上に積層された樹脂組成物層に所定のパターン形成を行った後に残存する樹脂組成物の残渣を除去する方法であって、未硬化または半硬化の状態の樹脂組成物残渣に大気圧近傍の圧力下での放電処理を行うことを特徴とする樹脂組成物の除去方法。
【請求項３】
除去対象とする樹脂組成物残渣が、樹脂組成物層を貫通する孔の内周面及び／または底部に残存する樹脂組成物であることを特徴とする請求項２記載の樹脂組成物の除去方法。
【請求項４】
前記放電処理がグロー放電プラズマ処理であることを特徴する請求項１〜３のいずれかに記載の樹脂組成物の除去方法。
【請求項５】
前記樹脂組成物がエポキシ系樹脂であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の樹脂組成物の除去方法。
【請求項６】
前記樹脂組成物がポリイミド系樹脂であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の樹脂組成物の除去方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基材上に配置された樹脂組成物の除去方法に関し、特に基材上に積層された樹脂組成物層に所定のパターン形成を行った後に残存する樹脂組成物残渣の除去方法に好適であり、例えばプリント配線基板などのビア内に残存するスミアの除去に適用される。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話、ノート型パソコン、デジタルカメラ等をはじめとする電子機器においては高密度実装による軽薄短小化が要求されている。これに伴って半導体パッケージ用のプリント配線板においても微細高密度化が求められており、これに応えるものとして、ビルドアップ基板が注目されている。
【０００３】
ビルドアップ基板は、コア材（基材）の表面に所定のパターンを形成した後、その上に例えばエポキシ系樹脂等の絶縁樹脂層を積層し、さらに絶縁樹脂層上に銅箔を貼り付け・パターニングして導体層を形成する。次に、レーザ加工等により絶縁樹脂層に孔あけを行ってビア（ｖｉａ）を形成した後、このビアの内周面にメッキによる導電層を形成することにより、コア材のパターンと絶縁層上の導体層パターンとを電気的に接続するというプロセスで作製されている。
【０００４】
ビルドアップ基板の作製プロセスにおいて、レーザ加工等により形成されたビアの内部（ビア底部及び内周面）に、絶縁樹脂層を構成する樹脂組成物の残渣（スミア）が残存する場合がある。このような残渣が残存していると、後工程でのメッキによる導電層を良好に形成することができなくなる。これを解消するため、一般に、ビアを形成した後にスミアを除去するデスミア処理を行っている（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）。
【０００５】
デスミア処理などの樹脂組成物残渣の除去方法としては、従来、過マンガン酸系の溶液を用いたウェット処理や、減圧プラズマを用いた処理が一般に採用されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−０３６２５５号公報
【特許文献２】
特開２００２−０５０６０３号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、過マンガン酸系の溶液を用いたウェット処理では、後工程として溶液の洗浄及び乾燥などの処理が必要である。また、プリント配線基板（ビルドアップ基板）などが汚染される場合があり、さらに、過マンガン酸系の溶液の取り扱いが難しいという問題がある。
【０００８】
一方、減圧プラズマを用いた処理は、ドライ処理であるので溶液洗浄・乾燥などの後工程は不要である。しかしながら、樹脂組成物が未硬化・半硬化の状態のときに処理を行うと、低圧であるため樹脂の蒸発が発生し、その蒸発物によってプラズマ処理が阻害されるため、残渣の除去処理が不可能になる場合がある。従って、減圧プラズマ処理では、樹脂組成物が完全硬化した状態でないと処理を行うことができない。
【０００９】
本発明はそのような実情に鑑みてなされたもので、デスミア処理などの樹脂組成物残渣の除去を行うにあたり、樹脂成分が未硬化・半硬化の状態であっても、樹脂組成物残渣を良好に除去することが可能な樹脂組成物の除去方法の提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基材上に配置された未硬化または半硬化の状態の樹脂組成物を大気圧近傍の圧力下での放電処理により除去することによって特徴づけられる。
【００１１】
本発明は、基材上に積層された樹脂組成物層に所定のパターン形成を行った後に残存する樹脂組成物の残渣を除去する方法であって、未硬化または半硬化の状態の樹脂組成物残渣に大気圧近傍の圧力下での放電処理を行うことによって特徴づけられる。
【００１２】
本発明において、未硬化・半硬化の樹脂が蒸発しない圧力条件、特に大気圧近傍の圧力下で放電を発生させ、その放電中の活性種によって樹脂組成物を除去することで、樹脂成分が未硬化または半硬化の状態であっても樹脂組成物の除去が可能になる。さらに、樹脂成分が未硬化または半硬化の状態で放電処理を行うことで、除去スピードを大幅に向上させることができる。
【００１３】
本発明において除去対象とする樹脂組成物残渣として、樹脂組成物層を貫通する孔（ビア）の内周面及び／または底部に残存する樹脂組成物を挙げることができる。なお、このような孔は、樹脂組成物層と基材と共に貫通する孔（スルーホール）と、基材は貫通しない孔があり、いずれの場合にも本発明は適用可能である。また、樹脂組成物としては、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂を挙げることができる。
【００１４】
本発明において、樹脂組成物をグロー放電プラズマ処理にて除去することが好ましい。
【００１５】
なお、本発明の除去処理としては、デスミア、洗浄、アッシング、エッチングなどが挙げられる。
【００１６】
次に、本発明を更に詳しく説明する。
【００１７】
まず、本発明で言う「未硬化の状態」とは、モノマーなどが混合され反応が進行していない状態を指し、「半硬化の状態」とは、例えばモノマーが重合を完全に完了してない状態のことを指す。殆どの場合、未硬化の状態と半硬化の状態は混在しており、区別できない。具体的には、エピクロヒドリン、ビスフェノール類及びアミン硬化剤を混合して１５０℃で加熱すると、通常約２時間で反応が完結（完全硬化）するが、この時間を待たず、反応が０〜９０％進んだ状態を未硬化または半硬化の状態という。本発明では、この未硬化または半硬化の状態の樹脂組成物に放電処理を行うものである。
【００１８】
本発明において処理できる樹脂組成物としては、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂などを挙げることができる。樹脂組成物の形状としては、特に限定されず、例えば板状またはフィルム状などの任意の形状を挙げることができる。
【００１９】
樹脂組成物の作製方法としては、溶媒、モノマーと重合開始剤と添加剤、骨材（例えばガラスクロスやフィラーなど）を混合させた後に溶媒を除去する方法が一般的であるが、このほか、溶媒を使用していない方法などで作製された樹脂組成物の処理、あるいは樹脂組成物をフィルム間で形成し、その後、銅箔などに貼り付けた物の処理にも本発明は適用可能である。なお、重合開始を刺激する方法は、特に限定されないが、熱による方法や光による方法などが挙げられる。
【００２０】
さらに、他の被処理物としては、完全硬化でない樹脂組成物の表面に保護部材（樹脂シートなど）を積層した物も挙げることができる。
【００２１】
また、より具体的な被処理物としては、、プリント配線基板を挙げることができ、特に、前記したビルドアップ基板のデスミア処理に本発明は適している。
【００２２】
本発明において処理できる被処理物としては、上記したもの以外に、例えば、プリプレグや更に揮発成分を多く含んだ未硬化の樹脂組成物も挙げることができる。それらの中には、有機または無機の充填剤が含有されていてもよい。充填剤の形態としては、粒状、針状または繊維状（例えばガラス繊維やケブラー繊維など）などを挙げることができる。なお、樹脂組成物の揮発成分としては、溶媒、モノマー、重合開始剤などが挙げられるが、混合溶媒やオリゴマー、その他の揮発性を有する添加剤も含まれる。
【００２３】
本発明に適用する放電処理としては、コロナ放電、グロー放電またはプラズマ放電などを利用した処理を挙げることができる。これら放電のうち、グロー放電が好ましく、特にグロー放電プラズマが好ましい。
【００２４】
本発明において放電処理は、常圧放電処理、特に、大気圧近傍の圧力下で行われることが好ましい。大気圧近傍の圧力下とは、１．３３３×１０４〜１０．６６４×１０４Ｐａの圧力下を指す。中でも、圧力調整が容易で、装置構成が簡便になる９．３３１×１０４〜１０．３９７×１０４Ｐａの範囲である。
【００２５】
また、放電処理方法としては、放電空間中に被処理物を配置して処理を行う体レクト方式、あるいは、被処理物を放電空間外に配置し、放電空間からのプラズマなどを被処理物に吹き付けるリモート方式があり、いずれの方式の放電処理を採用しても本発明を実施できる。
【００２６】
前記放電処理には、一対の放電電極からなる対向電極に電界を印加することにより放電を発生させる放電処理装置を用いることが好ましい。
【００２７】
対向電極間に印加する電界としては、高周波、パルス波、サイン波、マイクロ波等の電界を挙げることができる。
【００２８】
これら電界のうち、パルス電界を印加してプラズマ放電を発生させることが好ましく、特に、電界の立ち上がり及び／または立ち下がり時間が１０μｓ以下であるパルス電界が好ましい。１０μｓを超えると放電状態がアークに移行しやすく不安定なものとなり、パルス電界による高密度プラズマ状態を保持しにくくなる。また、立ち上がり時間及び立ち下がり時間が短いほどプラズマ発生の際のガスの電離が効率よく行われるが、４０ｎｓ未満の立ち上がり時間のパルス電界を実現することは、実際には困難である。立ち上がり時間及び立ち下がり時間のより好ましい範囲は５０ｎｓ〜５μｓである。なお、ここでいう立ち上がり時間とは、電圧（絶対値）が連続して増加する時間、立ち下がり時間とは、電圧（絶対値）が連続して減少する時間を指すものとする。
【００２９】
上記パルス電界の電界強度は、１〜１０００ｋＶ／ｃｍであり、好ましくは２０〜３００ｋＶ／ｃｍである。電界強度が１ｋＶ／ｃｍ未満であると処理に時間がかかりすぎ、１０００ｋＶ／ｃｍを超えるとアーク放電が発生しやすくなる。
【００３０】
上記パルス電界の周波数は、０．５ｋＨｚ以上であることが好ましい。０．５ｋＨｚ未満であると処理に時間がかかりすぎる。上限は特に限定されないが、常用されている１３．５６ＭＨｚ、試験的に使用されている５００ＭＨｚといった高周波帯でも構わない。負荷との整合性のとり易さや取扱い性を考慮すると、５００ｋＨｚ以下が好ましい。このようなパルス電界を印加することにより、処理速度を大きく向上させることができる。
【００３１】
また、上記パルス電界における１つのパルス継続時間は、２００μｓ以下であることが好ましく、より好ましくは３〜２００μｓである。２００μｓを超えるとアーク放電に移行しやすくなる。ここで、１つのパルス継続時間とは、ＯＮ／ＯＦＦの繰り返しからなるパルス電界における、１つのパルスの連続するＯＮ時間を言う。
【００３２】
本発明において放電処理に用いる放電電極の材質としては、例えば、鉄、銅、アルミニウム等の金属単体、ステンレス、真鍮等の合金、金属間化合物等などが挙げられる。また、放電電極は、電界集中によるアーク放電の発生を避けるために、電極間距離（放電ギャップ）が一定となるように配置することが好ましい。具体的な電極構造としては、平行平板型、ロール−平板型、ロール−ロール型、同軸円筒型の構造などが挙げられる。
【００３３】
また、放電処理に用いる放電電極（対向電極は）、一対の電極のうち少なくとも一方の電極対向面に固体誘電体が配置されている必要がある。この際、固体誘電体と設置される側の電極が密着し、かつ、接する電極の対向面を完全に覆うようにすることが好ましい。固体誘電体によって覆われずに電極同士が直接対向する部位があると、そこからアーク放電が生じやすくなる。
【００３４】
上記固体誘電体の形状は、シート状もしくはフィルム状のいずれであってもよい。固体誘電体の厚みは、０．０１〜４ｍｍであることが好ましい。固体誘電体の厚みが厚すぎると放電プラズマを発生するのに高電圧を要することがあり、薄すぎると電圧印加時に絶縁破壊が起こり、アーク放電が発生することがある。なお、固体誘電体は溶射法にて電極表面にコーティングされた膜であってもよい。
【００３５】
上記固体誘電体としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチック、石英、ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン等の金属酸化物、チタン酸バリウム等の複酸化物等が挙げられる。
【００３６】
また、固体誘電体は、比誘電率が２以上（２５℃環境下、以下同じ）であることが好ましい。比誘電率が２以上の固体誘電体の具体例としては、ポリテトラフルオロエチレン、ガラス、金属酸化膜等を挙げることができる。さらに高密度の放電プラズマを安定して発生させるためには、比誘電率が１０以上の固体誘電体を用いることが好ましい。比誘電率の上限は特に限定されるものではないが、現実の材料では１８，５００程度のものが知られている。上記比誘電率が１０以上である固体誘電体としては、例えば、酸化チタニウム５〜５０重量％、酸化アルミニウム５０〜９５重量％で混合された金属酸化物被膜、または、酸化ジルコニウムを含有する金属酸化物被膜からなるものを挙げることができる。
【００３７】
固体誘電体の厚みは、０．０１〜４ｍｍであることが好ましい。厚すぎると放電プラズマを発生するのに高電圧を要することがあり、薄すぎると電圧印加時に絶縁破壊が起こり、アーク放電が発生することがある。
【００３８】
上記対向電極の電極間距離は、固体誘電体の厚さ、印加電圧の大きさ、プラズマを利用する目的等を考慮して適宜決定されるが、０．１〜５ｍｍであることが好ましい。電極間の距離が０．１ｍｍ未満であると、電極間距離を置いて設置するのに充分でないことがあり、一方、５ｍｍを超えると、均一な放電プラズマを発生させにくい。さらに好ましい電極間距離は放電が安定しやすい０．５〜３ｍｍである。
【００３９】
また、対向電極には、冷却機構を備えていることが好ましい。冷却機構は、対向電極の電圧印加側の電極に設けることが好ましく、さらに、一対の電極の両方に備えられることがより好ましい。冷却機構としては、電極に冷媒を通す流路を備えた構造や電極の放電面と反対側に放冷フィンを設けた構造などを挙げることができるが、電極に冷媒を通す流路を備えた構造にするのが好ましい。
【００４０】
本発明に用いる処理ガスとしては、電界を印加することによってプラズマを発生するガスであれば、特に限定されず、除去処理の目的に応じて種々のガスを使用できる。また、常温状態であっても、処理系内で気化できる物質であれば使用可能である。処理ガスとしては、例えば、空気、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ＣＦ４等のフッ素ガス、アルコール等の有機物質、ＴＥＯＭ［テトラエトキシシラン：Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４　］、チタンテトライソプロポキシド等の金属酸化物の原料（前駆体）となるアルコキシドなどが挙げられる。これらは単独でも２種以上を混合して用いてもよい。
【００４１】
なお、本発明の除去方法を放電プラズマ処理装置にて実施すれば、プラズマ発生空間中に存在する気体の種類を問わずグロー放電プラズマを発生させることが可能になる。また、特定のガス雰囲気下の大気圧プラズマ処理においては、外気から遮断された密閉容器内で処理を行うことが必須であったが、本発明を実施する放電プラズマ処理装置においては、開放系、あるいは、気体の自由な流失を防ぐ程度の低気密系での処理が可能となる。
【００４２】
さらに、放電プラズマ処理装置では、対向電極間において直接大気圧下で放電を生じさせることが可能であり、より単純化された電極構造、放電手順による大気圧プラズマ装置、及び処理手法でかつ高速処理を実現することができる。また、印加電界の周波数、電圧、電極間距離等のパラメータにより処理に関するパラメータも調整できる。
【００４３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００４４】
図１は本発明の除去方法を実施する放電プラズマ処理装置の一例を模式的に示す図である。
【００４５】
この例の放電プラズマ処理装置は、ダイレクト方式の処理装置であって、上部電極２と下部電極３からなる平行平板型の対向電極１、電源４、ガス導入部５及びガス排気部６などを備えている。
【００４６】
対向電極１の上部電極２と下部電極３とは所定の距離（電極間距離）をあけて対向配置されており、この上部電極２と下部電極３との間に放電空間１０が形成される。上部電極２及び下部電極３の各電極対向面にはそれぞれ誘電体プレート（例えば石英ガラス板）２Ａ，３Ａが配置されている。
【００４７】
上部電極２には電源４が接続されており、下部電極３は接地に置かれている。下部電極３は可動電極であり、この下部電極３上に置かれた被処理物Ｓを図中矢印の方向に搬送することができる。
【００４８】
上部電極２の前後方向の両端部にはそれぞれガス導入部５とガス排気部６が配置されている。ガス導入部５とガス排気部６には、それぞれガス供給源と排気装置（ともに図示せず）が接続されている。これらガス導入部５及びガス排気部６は、被処理物Ｓの搬送方向と平行な方向に沿う搬送方向とは逆向きのガス流が形成されるように配置されている。
【００４９】
そして、本実施形態では、図１に示す放電プラズマ処理（ダイレクト方式）を用いて、基材上に積層された樹脂組成物層に所定のパターン形成を行った後に残存する樹脂組成物残渣（例えばビア内等に残存するスミア）を、その樹脂成分が未硬化または半硬化の状態で除去する。
【００５０】
具体的には、図１の放電プラズマ処理装置において、対向電極１を大気圧近傍の圧力下に配置し、樹脂組成物残渣が未硬化または半硬化の状態にあるときに被処理物Ｓを対向電極１の下部電極３上に配置する。次に、上部電極２と下部電極３との間に、ガス導入部５から処理ガス（例えば乾燥空気）を供給するとともに、ガス排気部６にて排気を行い大気圧近傍の圧力下の状態にして、上部電極２と下部電極３との間に電源４からの電界（例えば高電圧パルス電界）を印加する。この電界印加により、上部電極２と下部電極３との間に形成される放電空間１０にグロー放電プラズマが発生し、そのプラズマが被処理物Ｓの表面に接触することにより、被処理物Ｓのビア内等に残存する樹脂組成物残渣が除去される。
【００５１】
図２は本発明の除去方法を実施する放電プラズマ処理装置の他の例を模式的に示す図である。
【００５２】
図２に示す放電プラズマ処理装置は、リモート方式の処理装置であって、一対の放電電極１２，１２からなる対向電極１１、電源１３、及び、乾燥空気などの処理ガスを供給するためのガス供給源１４などを備えている。
【００５３】
対向電極１１の一対の放電電極１２，１２は、所定の距離（電極間距離）をあけて互いに平行となるように対向配置されており、これら一対の放電電極１２，１２の電極間に電源１３から電界を印加することにより放電空間２０が形成される。各放電電極１２，１２の対向する電極表面はそれぞれ固体誘電体（例えばアルミナ）１２Ａによって被覆されている。
【００５４】
対向電極１１における放電空間２０の一端側にガス導入口１１Ａが設けられ、他端側にガス吹き出し口１１Ｂが設けられている。ガス導入口１１Ａにはガス供給源１４が接続されており、一対の放電電極１２，１２間の放電空間２０に乾燥空気などの処理ガスを流量調整した状態で供給することができる。
【００５５】
そして、本実施形態では、図２に示す放電プラズマ処理（リモート方式）を用いて、基材上に積層された樹脂組成物層に所定のパターン形成を行った後に残存する樹脂組成物残渣（例えばビア内等に残存するスミア）を、その樹脂成分が未硬化または半硬化の状態で除去する。
【００５６】
具体的には、図２の放電プラズマ処理装置において、対向電極１１を大気圧近傍の圧力下に配置し、樹脂組成物残渣が未硬化または半硬化の状態にあるときに被処理物Ｓを対向電極１１のガス吹き出し口１１Ａと対向する位置に配置する。次に、一対の放電電極１２，１２間の放電空間２０にガス供給源１４からの処理ガス（例えば乾燥空気）を供給して大気圧近傍の圧力下の状態とし、一対の放電電極２，２の電極間に電源１３からの電界（例えばパルス電界）を印加する。この電界印加により、一対の放電電極１２，１２間に形成される放電空間２０にグロー放電プラズマが発生し、その発生プラズマがガス吹き出し口１１Ｂを通じて放電空間２０の外に吹き出して被処理物Ｓの表面に吹き付けられ、被処理物Ｓのビア内等に残存する樹脂組成物残渣が除去される。
【００５７】
【実施例】
以下、本発明の実施例を比較例とともに説明する。
【００５８】
＜実施例１＞
［装置構成］
図１の放電プラズマ処理装置において、上部電極２（ＳＵＳ３０４製、Ｌ２００ｍｍ×Ｗ６００ｍｍ×ｔ２０ｍｍ、誘電体プレート：石英ガラス）と、下部電極３（ＳＵＳ３０４製、Ｌ５００ｍｍ×Ｗ６００ｍｍ×ｔ２０ｍｍ、誘電体プレート：石英ガラス）とを２ｍｍの電極間距離をあけて配置した。また、上部電極２及び下部電極３にはそれぞれ電極内部に流路を設けて水冷を行った。
【００５９】
［処理ガス］
乾燥空気：５０ｓｌｍ
［電界条件］
電源波形：パルス、電圧：１５ｋＶ、周波数：８ｋＨｚ
［搬送速度］
５００ｍｍ／ｍｉｎ
［サンプル］
ＰＥＴフィルム／エポキシ系未硬化樹脂（ガラス繊維含有）／銅箔、ビア径：２００μｍ
［サンプル作製方法］
溶媒としてメチルエチルケトンを含有したエポキシ系樹脂組成物をガラス繊維に含浸させたものを、ＰＥＴフィルム上に積層した後に溶媒を飛ばし、その上から銅箔を貼り付けた。次に、ＣＯ２レーザにより、ＰＥＴフィルム側から２００μｍの孔をあけるビア加工を行ってサンプルを作製した。
【００６０】
このようにして作製したサンプル（未硬化）を、上記した構造・サイズの放電プラズマ処理装置（図１）の下部電極３上に配置した状態で搬送しながら、上部電極２と下部電極３との間に乾燥空気（５０ｓｌｍ）を供給するとともに、それら上部電極２と下部電極３との間に上記した電界条件でパルス電界を印加した。この電界印加により、均一で良好なプラズマ放電状態が得られた。また、処理後のサンプル表面を顕微鏡で観察したところ、ビア底部のスミアが完全に除去（デスミア）されていることを確認できた。
【００６１】
＜実施例２＞
実施例１において、電源波形がサインカーブ（連続波）、周波数が２００ｋＨｚの電界を印加したこと以外は、実施例１と同じとして処理を行ったところ、実施例１と同様の処理結果が得られた。
【００６２】
＜実施例３＞
実施例１において、電源波形がサインカーブ（連続波）、周波数が１３．５６ｋＨｚの電界を印加したこと、及び、処理ガスとしてＡｒ／Ｏ２混合ガス（Ｏ２：５体積％）を用いたこと以外は、実施例１と同じとして処理を行ったところ、実施例１と同様の処理結果が得られた。
【００６３】
＜実施例４＞
［装置構成］
図２の放電プラズマ処理装置において、一対の放電電極１２，１２（ＳＵＳ３０４製、Ｌ５０ｍｍ×Ｗ６００ｍｍ×ｔ２０ｍｍ、固体誘電体：アルミナ）を２ｍｍの電極間距離をあけて配置した。また、一対の放電電極１２，１２にはそれぞれ電極内部に流路を設けて水冷を行った。
【００６４】
［処理ガス］
乾燥空気：５０ｓｌｍ
［電界条件］
電源波形：パルス、電圧：１５ｋＶ、周波数：２０ｋＨｚ
［搬送速度］
１００ｍｍ／ｍｉｎ
［サンプル］
ＰＥＴフィルム／ポリイミド系未硬化樹脂／銅箔、ビア径：５０μｍ
［サンプル作製方法］
実施例１と同じ方法で作製
作製したサンプル（未硬化）を、上記した構造・サイズの放電プラズマ処理装置（図２）の対向電極１１のガス吹き出し口１１Ｂに対向した状態で配置し、次いで、一対の放電電極１２，１２間に乾燥空気（５０ｓｌｍ）を供給するとともに、一対の放電電極１２，１２間に上記した電界条件でパルス電界を印加した。この電界印加により、均一で良好なプラズマ放電状態が得られた。また、処理後のサンプル表面を顕微鏡で観察したところ、ビア底部のスミアが完全に除去（デスミア）されていることを確認できた。
【００６５】
＜実施例５＞
実施例４において、電源電波の波形がサインカーブ（連続波）、周波数が２００ｋＨｚの電界を印加したこと以外は、実施例４と同じとして処理を行ったところ、実施例４と同様の処理結果が得られた。
【００６６】
＜実施例６＞
実施例４において、電源電波の波形がサインカーブ（連続波）、周波数が１３．５６ｋＨｚの電界を印加したこと、及び、処理ガスとしてＡｒ／Ｏ２混合ガス（Ｏ２：５体積％）を用いたこと以外は、実施例１と同じとして処理を行ったところ、実施例１と同様の処理結果が得られた。
【００６７】
＜比較例１＞
実施例１で作製したサンプルを、１７０℃で３０分間プレス加熱して完全に硬化させたサンプルを用いたこと以外は、実施例１と同じとして処理を行ったところ、ビア底部に残存しているスミアが観察されたので、搬送速度を変えて処理を試みた。搬送速度が１００ｍｍ／ｍｉｎ（実施例１に対して１／５）で同様の除去が可能となり、処理速度が実施例１に対して１／５になった。
【００６８】
＜比較例２＞
実施例１で作製したサンプルについて、過マンガン酸ウェット処理を行ったところ、骨材であるガラス繊維のみになり、処理が全くできなかった。
【００６９】
＜比較例３＞
実施例１で作製したサンプルについて、減圧系処理を行ったところ、エポキシ系樹脂組成物からモノマーなどが揮発して処理ができなかった。
【００７０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、未硬化または半硬化の状態の樹脂組成物残渣を除去することが可能であるので、除去スピードを大幅に向上させることができる。これにより、例えば、ビルドアップ基板の作製プロセスにおいて、ビアのデスミア処理の処理時間を短縮することができ、作製プロセスの効率化を達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の除去方法を実施する放電プラズマ処理装置の一例を模式的に示す図である。
【図２】本発明の除去方法を実施する放電プラズマ処理装置の他の例を模式的に示す図である。
【符号の説明】
１　対向電極
２　上部電極
３　下部電極
２Ａ，３Ａ　誘電体プレート
４　電源
５　ガス導入部
６　ガス排気部
１１　対向電極
１１Ａ　ガス導入口
１１Ｂ　ガス吹き出し口
１２　放電電極
１２Ａ　誘電体
１３　電源
１４　ガス供給源
【図１】
2004115731.tif 000003
【図２】
2004115731.tif 000004