(57)【要約】【課題】マスクのパターン欠陥検査を高精度で短時間に行うことのできるマスク検査方法及び装置等を提供する。【解決手段】まず、マスクの代表図形パターンの実画像データと、この代表図形パターンのＣＡＤデータとを比較し、実画像データが設計基準を満たしていれば、この実画像データを基準実画像データとしてメモリに保存する。その後、被検マスクの代表図形パターンの実画像データと、メモリから呼び出した基準実画像データと比較し（Ｓ１３）、この実画像データと基準実画像データとの差が許容範囲内にあれば、この被検マスクの代表図形パターンは、設計基準を満たすと判定する。代表図形パターン以外のパターンについては、実画像データと設計ＣＡＤデータとを比較する（Ｓ１７）。代表図形パターンについては画像データ同士で比較するため、全てのパターンを画像データと設計ＣＡＤデータとで比較する場合に比べて、短時間で検査できる。【選択図】      図２
2004177446.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感応基板上に転写すべきデバイスパターンの形成されたマスク（レチクル含む）の検査方法であって、
前記パターンの設計データから、該パターン中の繰り返し頻度の高い代表図形パターンを抽出し、
該代表図形パターンの設計データと実画像データとの比較により合格と判定されたパターンの実画像データを基準実画像データとして記憶しておき、
前記代表図形パターンについては、検査対象のパターンの実画像データと前記基準実画像データとを比較して合否の判定を行い、
前記代表図形パターン以外のパターンについては、検査対象のパターンの実画像データと前記設計データとの比較により合否を判定することを特徴とするマスク検査方法。
【請求項２】
前記画像データは、前記デバイスパターンの電子線透過像又は二次電子像（ＳＥＭ像）を変換して得られたものあることを特徴とする請求項１記載のマスク検査方法。
【請求項３】
感応基板上に転写すべきデバイスパターンの形成されたマスク（レチクル含む）の検査装置であって、
検査対象となるパターンの実画像データを得る撮像手段と、
前記パターンの設計データ及び設計基準を満たす実画像データ（基準実画像データ）を記憶する記憶手段と、
前記実画像データと前記基準実画像データとを比較する比較手段と、
を備えることを特徴とするマスク検査装置。
【請求項４】
感応基板に転写すべきデバイスパターンをマスク上に形成し、
該マスクをエネルギ線照明し、
該マスクを通過又は反射したエネルギ線を感応基板上に当て、
もって前記デバイスパターンを感応基板上に転写する露光方法であって、
前記マスクを請求項１記載のマスク検査方法により検査した後に露光を行うことを特徴とする露光方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、感応基板（ウェハ等）上に転写露光するパターンの原版であるマスク（レチクルを含む）の検査方法及び検査装置に関する。また、そのようなマスクを用いる露光方法に関する。特には、検査時間を短縮できるよう改良を加えたマスク検査方法等に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路等のリソグラフィ工程では、マスク上に形成されたパターンを、露光装置を用いてウェハ（感応基板）上に露光転写する。ここで、マスクのパターンに欠陥や歪みがあると、転写露光したパターンの位置や形状の正確さ（露光精度）が低下する。このような事態となるのを防ぐため、露光装置に用いるマスクのパターン位置誤差（Ｉｍａｇｅ  Ｐｌａｃｅｍｅｎｔエラー、ＩＰエラー）や欠陥、歪みについて検査している。
【０００３】
マスクの欠陥を検査する方法として、画像データ検査方法がある。この画像データ検査方法には、チップ比較法と設計データ比較法とがある。チップ比較法は、作製された２枚のマスク上の同じサブフィールドのパターンを比較し、異なっている部分を欠陥とする。この方法では、検査に要する時間は比較的短時間であるが、両サブフィールドに共通した欠陥があった場合はその欠陥を検出できない。
【０００４】
一方、設計データ比較法は、設計データと、ＳＥＭ等で観察されたマスクパターンの実画像データとを比較する方法である。この方法では欠陥を詳細に検出できるが、設計データ（一般にＣＡＤデータ）を画像データに変換するためのデータ処理時間が長くなって検査時間が長くなる。
【０００５】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであって、マスクのパターン欠陥検査を高精度で短時間に行うことのできるマスク検査方法及び装置等を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明のマスク検査方法は、  感応基板上に転写すべきデバイスパターンの形成されたマスク（レチクル含む）の検査方法であって、  前記パターンの設計データから、該パターン中の繰り返し頻度の高い代表図形パターンを抽出し、  該代表図形パターンの設計データと実画像データとの比較により合格と判定されたパターンの実画像データを基準実画像データとして記憶しておき、  前記代表図形パターンについては、検査対象のパターンの実画像データと前記基準実画像データとを比較して合否の判定を行い、  前記代表図形パターン以外のパターンについては、検査対象のパターンの実画像データと前記設計データとの比較により合否を判定することを特徴とする。
代表図形パターンにおいては、設計データと比較して合格と判定された実画像データを基準実画像データとして、この基準実画像データと、検査対象のパターンの画像データとを比較する。この際画像データ同士で比較するため、設計データ（ＣＡＤデータ）を画像データに変換する必要がなく、マスク検査時間を短縮できる。
【０００７】
本発明においては、  前記画像データは、前記デバイスパターンの電子線透過像あるいは二次電子像（ＳＥＭ像）を変換して得られたものあることとすれば、比較的容易に画像データを得ることができる。
【０００８】
本発明のマスク検査装置は、  感応基板上に転写すべきデバイスパターンの形成されたマスク（レチクル含む）の検査装置であって、  検査対象となるパターンの実画像データを得る撮像手段と、  前記パターンの設計データ及び設計基準を満たす実画像データ（基準実画像データ）を記憶する記憶手段と、  前記実画像データと前記基準実画像データとを比較する比較手段と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明の露光方法は、  感応基板に転写すべきデバイスパターンをマスク上に形成し、  該マスクをエネルギ線照明し、  該マスクを通過又は反射したエネルギ線を感応基板上に当て、  もって前記デバイスパターンを感応基板上に転写する露光方法であって、  前記マスクを請求項１記載のマスク検査方法により検査した後に露光を行うことを特徴とする。
エネルギ線の種類は特に限定されず、光、紫外光、Ｘ線、電子線、イオンビームなどを適用できる。また、露光転写方式も特に限定されず、縮小投影式、近接等倍転写式などを適用できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ説明する。
まず、分割転写方式の電子線投影露光に用いられるマスクの詳細例について、図５を参照しつつ説明する。
図５は、電子線投影露光用のマスクの構成例を模式的に示す図である。（Ａ）は全体の平面図であり、（Ｂ）は一部の斜視図であり、（Ｃ）は一つの小メンブレン領域の平面図である。
このようなマスクは、例えばシリコンウェハに電子線描画・エッチングを行うことにより製作できる。
【００１１】
図５（Ａ）には、マスク１０における全体のパターン分割配置状態が示されている。同図中に多数の正方形４１で示されている領域が、一つのサブフィールドに対応したパターン領域を含む小メンブレン領域（厚さ０．１μｍ〜数μｍ）である。図５（Ｃ）に示すように、小メンブレン領域４１は、中央部のパターン領域（サブフィールド）４２と、その周囲の額縁状の非パターン領域（スカート４３）とからなる。サブフィールド４２は転写すべきパターンの形成された部分である。スカート４３はパターンの形成されてない部分であり、照明ビームの縁の部分が当たる。パターンは、メンブレンに孔開き部として形成される。
【００１２】
一つのサブフィールド４２は、現在検討されているところでは、マスク上で１ｍｍ角程度の大きさを有する。投影の縮小率を１／４とすると、サブフィールドがウェハ上に縮小投影された投影像の大きさは、０．２５ｍｍ角である。小メンブレン領域４１の周囲の直交する格子状のマイナーストラットと呼ばれる部分４５は、マスクの機械強度を保つための、例えば厚さ０．７ｍｍ程度の梁である。
マイナーストラット４５の幅は、例えば０．１ｍｍ程度である。なお、スカート４３の幅は、例えば０．０５ｍｍ程度である。
【００１３】
図５（Ａ）に示すように、図の横方向（Ｘ方向）に多数の小メンブレン領域４１が並んで一つのグループ（エレクトリカルストライプ４４）をなし、そのようなエレクトリカルストライプ４４が図の縦方向（Ｙ方向）に多数並んで１つのメカニカルストライプ４９を形成している。エレクトリカルストライプ４４の長さ（メカニカルストライプ４９の幅）は照明光学系の偏向可能視野の大きさによって制限される。
【００１４】
メカニカルストライプ４９は、Ｘ方向に並列に複数存在する。
隣り合うメカニカルストライプ４９の間にメジャーストラット４７として示されている幅の太い梁は、マスク全体のたわみを小さく保つためのものである。メジャーストラット４７はマイナーストラット４５と一体である。
【００１５】
図３は、本発明の実施の形態に係るマスク検査装置の構成を模式的に示す図である。
このマスク検査装置５０は、図の下部に描かれている被検マスク１０を電子線で照明する照明光学系６０と、図の中段部に描かれている被検マスク１０が設置されるステージ部７０と、被検マスク１０を上方へと透過した電子線を受光部９０に拡大投影する二次光学系８０と、制御装置（ＣＰＵ）１００とを備える。
ステージ部７０に設置された被検マスク１０は、撮像手段（照明光学系６０、二次光学系８０、受光部９０）で撮像され、実画像データに変換されて制御装置（ＣＰＵ）１００に送られる。制御装置１００に接続するメモリ（記憶手段）１０１には、パターンの設計データ及び設計基準を満たす実画像データ（基準実画像データ）が保存されている。そして、同装置１００（比較手段）で、実画像データと、基準実画像データ又は設計データとを比較する。
【００１６】
以下、詳細に説明する。
照明光学系６０は、マスク検査装置５０の最下部に配置された光学鏡筒６１を有する。光学鏡筒６１の最下流には電子銃６３が配置されており、同電子銃は、上方に向けて電子線を放射する。電子銃６３の加速電圧は、露光装置の電子銃の加速電圧と同一か、これより低い電圧であってもよい。電子銃６３の上方には成形開口６５が備えられている。成形開口６５の上方には３段のレンズ６７が備えられており、最下方のレンズと真中のレンズとの間にはブランキング開口６９が配置されている。電子線は、最下方のレンズ６７によって収束され、ブランキング開口６９にクロスオーバーＣ．Ｏ．を結像する。そして、上の２つのレンズ６７によって、マスク１０上にビーム成形開口の像を結像させる。
電子銃６３、各レンズ６７は、制御部６３ａ、６７ａを介して、制御装置１００で制御される。
【００１７】
ステージ部７０は、光学鏡筒６１の上方の真空チャンバ７１内に配置されているマスクステージ７３を有する。同ステージ７３の中央には、上述の照明光学系６０から照射された電子線を通す開口７４が開けられている。同ステージ上に載置された被検マスク１０は、開口７４を通過した電子線で照明される。マスクステージ７３は、制御装置１００から、Ｄ／Ａコンバータ７３ａと制御系７３ｂを介して、マスク全面が照明されるように駆動される。また、マスクステージ７３には、レーザ干渉計７５、ＡＦ用Ｚ位置センサ７７が備えられており、同ステージ７３の移動量や位置を計測する。干渉計７５、Ｚ位置センサ７７の検出値は、各々Ａ／Ｄコンバータ７５ａ、７７ａを介して電気信号に変換され制御装置１００に送られる。
【００１８】
この検査装置においては、被検マスク１０は、マスクステージ７３上に、パターン面が下向き（ストラット等は上向き）となるように載置される。この状態は、露光装置におけるマスクの保持状態と、重力方向が同じ（上下関係が同じ）であり、マスクがステージに保持されたときの吸着力によるたわみや、重力によるたわみが、検査時と露光時で同じである。そして、マスク１０の下方からパターン面に向かって電子線を照明している。このように、露光装置でのマスクの保持状態を極めて近似した状態でマスクの検査を行うことができ、得られるデータの信頼性が向上する。
【００１９】
二次光学系８０は、真空チャンバ７１の上方に配置された光学鏡筒８１を有する。光学鏡筒８１の最下方には対物レンズ８３が配置されており、同レンズ８３の上方には開口８５が配置されている。この開口８５は、マスク１０の非孔開き部（メンブレン）で散乱された電子をカットするためのものである。開口８５の上方には、三段の投影レンズ８７が設けられている。マスクの１つのサブフィールドを通過した電子線は、これらのレンズ８３、８７によって受光部９０に結像する。
各レンズ８３、８７は、レンズ制御系８３ａを介して制御装置１００で制御される。
【００２０】
受光部９０は、下方から順に配置された、電子を光に変換する蛍光板９１、信号を増幅するフォトマルチプライヤー９２、耐圧窓９３、リレーレンズ系９４、ＣＣＤ９５から構成される。この受光部９０に、マスクを透過した電子像が結像し、フォトマルチプライヤー９１及びＣＣＤ９５で光電変換された電気信号が制御装置１００に送られる。ここで、この電気信号は、ステージ位置検出用の干渉計７５の検出信号と同期しており、マスク全面のパターン像の画像データが得られる。
【００２１】
制御装置（ＣＰＵ）１００は、メモリ１０１と接続している。メモリ１０１は、マスクの実画像データを保存するメモリ１０３と、マスクパターンの設計データが保存されているメモリ１０５からなる。設計データは、マスクに形成されたパターンのＣＡＤデータである。
【００２２】
この例においては、マスク検査装置を電子線透過型としたが、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）型や光学式のマスク検査装置を適用してもよい。また、マスク上のパターンの形成形態が、電子線の高散乱体からなるパターン層がメンブレン上に形成された散乱メンブレンタイプの場合は、ＳＥＭ型のマスク検査装置で画像データを得ることができる。
【００２３】
次に、このマスク検査装置を用いてマスクを検査する方法を説明する。
図１、図２は、本発明の実施の形態に係るマスク検査方法を説明するフローチャートである。
まず、図１を参照して、マスク検査装置５０のマスクステージ７３上に設置された被検マスク１０の代表図形パターンの実画像データを取り込む一次判定について説明する。
最初に、Ｓ１において、パターンのＣＡＤデータから、代表図形パターンが形成されたサブフィールドを抽出する。代表図形パターンは、異なるサブフィールドにおいても繰り返し現れるパターン（例えばＤＲＡＭ等でみられる並列ラインパターン）とする。このような代表図形パターンは複数であってもよい。そして、Ｓ２で、マスクステージ７３を走査して、抽出された代表図形パターンの一つが形成されたサブフィールドを選ぶ。このサブフィールドにおいて、Ｓ３で、検査対象の代表図形パターン像を撮像手段（照明光学系６０、二次光学系８０、受像部９０）で撮像する。撮像されたデータは画像処理されて実画像データが得られる。この実画像データは制御装置１００に送られる。
【００２４】
次に、Ｓ４で、この実画像データと、メモリ１０５から呼び出した設計データとを比較する。この設計データは、代表図形パターンの一つのＣＡＤデータを画像データに変換したものである。比較の結果、Ｓ５において、実画像データが設計基準を満たしていれば（合格であれば）、Ｓ６で、この実画像データを基準実画像データとして、メモリ１０１の基準実画像データ保存メモリ１０３に保存する。
なお、Ｓ５において、実画像データが設計基準を満たしていなければ、Ｓ２に戻って代表図形パターンがある別のサブフィールドを選択して同様の撮像、比較を行う。代表図形パターンの一つの設計基準を満たすサブフィールドが選択されるまで、サブフィールドを選び直す。なお、Ｓ５で、代表図形パターンの設計基準を満たす実画像データを有するサブフィールドが見つからない場合、マスクそのものを不合格とする。
【００２５】
代表図形パターンの一つについて基準実画像データが得られた後、Ｓ７において、抽出された全ての代表図形パターンについて基準実画像データが得られたかを判定する。得られていなければ、Ｓ３に戻って、他の代表図形パターンの撮像、比較を行い、最終的に、抽出された全ての代表図形パターンの実画像データを得る。
【００２６】
この一次判定によって、代表図形パターンは、ＣＡＤデータとしてではなく、基準実画像データとしてメモリ１０３に保存される。
【００２７】
次に、図２を参照して、被検マスクを最終的に検査するマスク検査工程について説明する。
まず、Ｓ１１において、被検マスクをマスク検査装置５０のステージ７３上に載置し、同ステージ７３を走査しながら抽出された代表図形パターンが形成されたサブフィールドを選択する。そして、同サブフィールドにおいて、Ｓ１２で、検査対象の代表図形パターン像を撮像し、画像処理して実画像データを得る。次に、Ｓ１３において、この実画像データを、基準実画像データ保存メモリ１０３から呼び出した基準実画像データと比較する。Ｓ１４において、この実画像データと基準実画像データとの差が許容範囲内にあれば、この被検マスクの代表図形パターンは、設計基準を満たす（一次合格）と判定する。
なお、Ｓ１２〜Ｓ１４までのステップは、抽出された全ての代表図形パターンについて行う。
【００２８】
Ｓ１４で比較の結果、実画像データと基準実画像データとの差が許容範囲内になければ、Ｓ１５で、この被検マスクを不合格とする。
【００２９】
次に、Ｓ１６で、この被検マスクの代表図形パターン以外のパターンを撮像し、画像処理して実画像データを得る。そして、Ｓ１７で、代表図形以外のパターンの設計ＣＡＤデータを設計画像データに変換する。その後、この設計画像データと実画像データとを比較する。Ｓ１８で、実画像データと設計画像データとの差が許容範囲内にあれば、この被検マスクの代表図形以外のパターンは、設計基準を満たすと判定でき、この被検マスクを最終的に合格と判定する。
【００３０】
Ｓ１８で比較の結果、実画像データと基準実画像データとの差が許容範囲内になければ、Ｓ１９でこの被検マスクを不合格とする。
【００３１】
そして、Ｓ２０において、全てのパターンについて上述の代表図形パターン及び代表図形以外のパターンの撮像、比較を行ったかどうかを判定する。全てのパターンについて撮像、判定が終了していなければ、Ｓ１１に戻って全てのパターンについて行う。
この方法においては、代表図形パターンについては画像データ同士で比較するため、全てのパターンを画像データと設計ＣＡＤデータとで比較する場合に比べて、短時間で検査できる。
【００３２】
次に、本発明の実施の形態に係る露光方法を説明する。
図４は、電子線露光装置の光学系全体における結像関係及び制御系の概要を示す図である。この例では、分割転写方式の電子線露光装置を示す。
光学系の最上流に配置されている電子銃１は、下方に向けて電子線を放射する。電子銃１の下方には２段のコンデンサレンズ２、３が備えられており、電子線は、これらのコンデンサレンズ２、３によって収束されブランキング開口７にクロスオーバーＣ．Ｏ．を結像する。
【００３３】
二段目のコンデンサレンズ３の下には、矩形開口４が備えられている。この矩形開口（照明ビーム成形開口）４は、マスク１０の一つのサブフィールド（露光の１単位となるパターン小領域）を照明する照明ビームのみを通過させる。この開口４の像は、レンズ９によってマスク１０に結像される。
【００３４】
ビーム成形開口４の下方には、ブランキング偏向器５が配置されている。同偏向器５は、必要時に照明ビームを偏向させてブランキング開口７の非開口部に当て、ビームがマスク１０に当たらないようにする。
ブランキング開口７の下には、照明ビーム偏向器（照明光学系の主偏向器）８が配置されている。この偏向器８は、主に照明ビームを図５の横方向（Ｘ方向）に順次走査して、照明光学系の視野内にあるマスク１０の各サブフィールドの照明を行う。偏向器８の下方には、照明レンズ９が配置されている。照明レンズ９は、マスク１０上にビーム成形開口４を結像させる。
【００３５】
図３に示すマスク検査装置で合格と判断されたマスク１０は、移動可能なマスクステージ１１上に載置される。マスク１０を光軸垂直方向（ＸＹ方向）に動かすことにより、照明光学系の視野よりも広い範囲に広がるマスク上の各サブフィールドを照明することができる。
マスクステージ１１には、レーザ干渉計を用いた位置検出器１２が付設されており、マスクステージ１１の位置をリアルタイムで正確に把握することができる。
【００３６】
マスク１０の下方には、投影レンズ１５及び１９並びに投影光学系の主偏向器（像位置調整偏向器）１６が設けられている。マスク１０の１つのサブフィールドを通過した電子線は、投影レンズ１５、１９、主偏向器１６によって感応基板（ウェハ）２３上の所定の位置に結像される。ウェハ２３上には、適当なレジストが塗布されており、レジストに電子線のドーズが与えられ、マスク上のパターンが縮小されてウェハ２３上に転写される。
【００３７】
マスク１０とウェハ２３の間を縮小率比で内分する点にクロスオーバーＣ．Ｏ．が形成され、同クロスオーバー位置にはコントラスト開口１８が設けられている。コントラスト開口１８は、マスク１０の非パターン部で散乱された電子線がウェハ２３に到達しないよう遮断する。
【００３８】
ウェハ２３は、静電チャック（図示されず）を介して、ＸＹ方向に移動可能なウェハステージ２４上に載置されている。上記マスクステージ１１とウェハステージ２４とを、互いに逆の方向に同期走査することにより、投影光学系の視野を越えて広がるチップパターン内の各部を順次露光することができる。なお、ウェハステージ２４にも、上述のマスクステージ１１と同様の位置検出器２５が装備されている。
【００３９】
ウェハ２３の直上には、反射電子検出器２２が配置されている。この反射電子検出器２２は、ウェハ２３の被露光面やステージ上のマークで反射される電子の量を検出する。例えばマスク１０上のマークパターンを通過したビームでウェハ２３上のマークを走査し、その際のマークからの反射電子を検出することにより、マスク１０とウェハ２３の相対的位置関係や電子線（ビーム）の性状を知ることができる。
【００４０】
上記各レンズ２、３、９、１５、１９及び各偏向器５、８、１６は、各々のコイル電源制御部２ａ、３ａ、９ａ、１５ａ、１９ａ及び５ａ、８ａ、１６ａを介してコントローラ３１によりコントロールされる。また、マスクステージ１１及びウェハステージ２４も、ステージ制御部１１ａ、２４ａを介して、コントローラ３１により制御される。ステージ位置検出器１２、２５は、アンプやＡ／Ｄ変換器等を含むインターフェース１２ａ、２５ａを介してコントローラ３１に信号を送る。また、反射電子検出器２２も同様のインターフェース２２ａを介してコントローラ３１に信号を送る。
【００４１】
コントローラ３１は、ステージ位置の制御誤差を把握し、その誤差を主偏向器１６で補正する。これにより、マスク１０上のサブフィールドの縮小像がウェハ２３上の目標位置に合わせるよう制御できる。そして、ウェハ２３上で各サブフィールド像が繋ぎ合わされて、マスク１０上のチップパターン全体がウェハ２３上に転写される。
【００４２】
マスク１０は、マスク検査装置５０で検査されて上述のマスク検査方法で合格と判定されているため、設計パターンウェハ上に忠実に露光転写できる。
【００４３】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、マスクを代表図形パターンと、それ以外のパターンに分け、代表図形パターンの比較については、画像データ同士で比較するため、全てのパターンを画像データと設計ＣＡＤデータとで比較する場合に比べて、マスク検査時間を短縮できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係るマスク検査方法を説明するフローチャートである。
【図２】本発明の実施の形態に係るマスク検査方法を説明するフローチャートである。
【図３】本発明の実施の形態に係るマスク検査装置の構成を模式的に示す図である。
【図４】電子線露光装置の光学系全体における結像関係及び制御系の概要を示す図である。
【図５】電子線投影露光用のマスクの構成例を模式的に示す図である。（Ａ）は全体の平面図であり、（Ｂ）は一部の斜視図であり、（Ｃ）は一つの小メンブレン領域の平面図である。
【符号の説明】
１  電子銃                        ２、３  コンデンサレンズ
４  成形開口                      ５  ブランキング偏向器
７  ブランキング開口                ８  偏向器
９  レンズ                        １０  マスク
１１  マスクステージ                １２  位置検出器
１５、１９  投影レンズ              １６  主偏向器
１８  コントラスト開口              ２３  ウェハ
２４  ウェハステージ                ２５  位置検出器
３１  コントローラ                  ４１  小メンブレン領域
４２  サブフィールド                ４３  スカート
４４  エレクトリカルストライプ      ４５  マイナーストラット
４７  メジャーストラット            ４９  メカニカルストライプ
５０  マスク検査装置                ６０  照明光学系
６１  光学鏡筒                      ６３  電子銃
６５  成形開口                      ６７  レンズ
６９  ブランキング開口              ７０  ステージ部
７１  真空チャンバ                  ７３  マスクステージ
７４  開口                          ７５  レーザ干渉計
７７  ＡＦ用Ｚ位置センサ            ８０  二次光学系
８１  光学鏡筒                      ８３  対物レンズ
８５  開口                          ８７  投影レンズ
９０  受光部                        ９１  蛍光板
９２  フォトマルチプライヤー        ９３  耐圧窓
９４  リレーレンズ系                ９５  ＣＣＤ
１００  制御装置（ＣＰＵ）          １０１  メモリ
１０３、１０５  メモリ
【図１】
2004177446.tif 000003
【図２】
2004177446.tif 000004
【図３】
2004177446.tif 000005
【図４】
2004177446.tif 000006
【図５】
2004177446.tif 000007