(57)【要約】【課題】フォトリソグラフィーの解像性に影響されないで、開口率を向上させた半透過型液晶表示装置を提供する。【解決手段】一方部材については、ガラス基板４上に光反射膜１０と透明導電膜１１とを組合せてなるストライプ状の一方電極１４を多数平行に配列形成し、さらに配向膜８を形成する。そして、ストライプ状の一方電極１４に対し、その透明導電膜１１にて透過モードとなし、その光反射膜１０にて反射モードとなし、さらに透明導電膜１１の長辺部の上に光反射膜１０の長辺部が重なるような積層部Ｓ１を長手方向にわたって設ける。【選択図】図２
2004177871.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一主面上に光反射膜と透明導電膜とを組合せてなるストライプ状の一方電極と配向膜とを順次積層してなる一方部材と、透明基板上に透明導電膜からなるストライプ状の他方電極と配向層とを順次積層してなる他方部材とを、これら一方電極と他方電極とを交差して、これら各交差部にて画素を形成するように液晶層を介して貼り合わせるとともに、上記ストライプ状の一方電極に対し、その透明導電膜にて透過モードとなし、その光反射膜にて反射モードとなすとともに、この透明導電膜の長辺部の上に光反射膜の長辺部が重なるような積層部を長手方向にわたって設けた半透過型液晶表示装置。
【請求項２】
順次、下記（Ａ）〜（Ｄ）の各工程を経てストライプ状の一方電極を形成し、この一方電極の上に配向膜を積層して一方部材を作製し、透明基板上に透明導電膜からなるストライプ状の他方電極と配向層とを順次積層してなる他方部材を作製し、これら一方電極と他方電極とを交差して、これら各交差部にて画素を形成するように液晶層を介して貼り合わせる工程を経て、上記ストライプ状の一方電極に対し、その透明導電膜にて透過モードとなし、その光反射膜にて反射モードとなすとともに、この透明導電膜の長辺部の上に光反射膜の長辺部が重なるような積層部を長手方向にわたって設けた半透過型液晶表示装置の製造方法。
（Ａ）・・・基板の一主面上に透明導電材からなる膜を形成し、ついでこの膜の上にフォトレジスト層を形成し、つづけてプリベークを行う。
（Ｂ）・・・フォトレジスト法により透明導電膜をストライプ状に形成する。
（Ｃ）・・・前工程により形成したストライプ状の透明導電膜の上に光反射性の膜を被覆し、ついでこの膜の上にフォトレジスト層を形成し、つづけてプリベークを行う。
（Ｄ）・・・フォトレジスト法により光反射膜をストライプ状に、かつ当該透明導電膜と光反射膜との双方からなる積層部を長手方向にわたって設けるように形成する。
【請求項３】
（Ｂ）工程のフォトレジスト法に用いるフォトマスクと、（Ｄ）工程のフォトレジスト法に用いるフォトマスクとを共通にした請求項２記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
基板の一主面上に光反射膜と透明導電膜とを組合せてなるストライプ状の一方電極と配向膜とを順次積層してなる一方部材と、透明基板上に透明導電膜からなるストライプ状の他方電極と配向層とを順次積層してなる他方部材とを、これら一方電極と他方電極とを交差して、これら各交差部にて画素を形成するように液晶層を介して貼り合わせるとともに、上記ストライプ状の一方電極に対し、その透明導電膜にて透過モードとなし、その光反射膜にて反射モードとなすとともに、この光反射膜の長辺部の上に透明導電膜の長辺部が重なるような積層部を長手方向にわたって設けた半透過型液晶表示装置。
【請求項５】
順次、下記（Ａ）〜（Ｄ）の各工程を経てストライプ状の一方電極を形成し、この一方電極の上に配向膜を積層して一方部材を作製し、透明基板上に透明導電膜からなるストライプ状の他方電極と配向層とを順次積層してなる他方部材を作製し、これら一方電極と他方電極とを交差して、これら各交差部にて画素を形成するように液晶層を介して貼り合わせる工程を経て、上記ストライプ状の一方電極に対し、その透明導電膜にて透過モードとなし、その光反射膜にて反射モードとなすとともに、この光反射膜の長辺部の上に透明導電膜の長辺部が重なるような積層部を長手方向にわたって設けた半透過型液晶表示装置の製造方法。
（Ａ）・・・基板の一主面上に光反射性の膜を形成し、ついでこの膜の上にフォトレジスト層を形成し、つづけてプリベークを行う。
（Ｂ）・・・フォトレジスト法により光反射膜をストライプ状に形成する。
（Ｃ）・・・前工程により形成したストライプ状の光反射膜の上に透明導電材からなる膜を被覆し、ついでこの膜の上にフォトレジスト層を形成し、つづけてプリベークを行う。
（Ｄ）・・・フォトレジスト法により透明導電膜をストライプ状に、かつ当該透明導電膜と光反射膜との双方からなる積層部を長手方向にわたって設けるように形成する。
【請求項６】
（Ｂ）工程のフォトレジスト法に用いるフォトマスクと、（Ｄ）工程のフォトレジスト法に用いるフォトマスクとを共通にした請求項５記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は単純マトリックス型の半透過型液晶表示装置ならびにその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶表示装置は小型もしくは中型の携帯情報端末やノートパソコンの他に、大型かつ高精細のモニターにまで使用されている。さらにバックライトを使用しない反射型液晶表示装置の技術も開発されており、薄型、軽量および低消費電力化に優れている。
【０００３】
反射型液晶表示装置には、後方に配設した基板の内面に対し凹凸形状の光反射層を形成した散乱反射型があるが、バックライトを用いないことで、周囲の光を有効に利用している。
【０００４】
また、光反射層に代えて、半透過膜を形成し、バックライトを設け、反射モードや透過モードに使い分ける半透過型液晶表示装置も開発されている。
【０００５】
この半透過型液晶表示装置によれば、太陽光、蛍光灯などの外部照明によって反射型の装置として用いたり、あるいはバックライトを装着して透過型の装置として使用するが、双方の機能を併せ持たせるために、半透過膜を使用している（特許文献１参照）。また、アクティブマトリクス型半透過型液晶表示装置に同様な目的で半透過膜を使用することが提案されている（特許文献２参照）。
【０００６】
また、かかるハーフミラーの半透過膜を使用すると、反射率と透過率の双方の機能をともに向上させることが難しいという課題があり、この課題を解消するために、光透過用ホールを設けた反射膜を上記の半透過膜に代えて使用した半透過型液晶表示装置が提案されている（特許文献３参照）。
【０００７】
【特許文献１】
特開平８−２９２４１３号公報
【特許文献２】
特開平７−３１８９２９号公報
【特許文献３】
特許第２８７８２３１号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、光透過用ホールを設けた反射膜を半透過膜として使用する半透過型液晶表示装置によれば、そのホールを形成する当たり、開口率がフォトリソグラフィーの解像性に依存し、そのために精度の高いホールを均等にかつ所通りに形成するには、限度があった。
【０００９】
したがって、本発明の目的は、フォトリソグラフィーの解像性に影響されないで、開口率を向上させた半透過型液晶表示装置を提供することにある。
【００１０】
また、本発明の他の目的は、開口率を向上させたことで、透過モードにおける輝度を大きくした半透過型液晶表示装置を提供することにある。
【００１１】
また、本発明の目的は、かかる本発明の半透過型液晶表示装置の製造歩留まりを高めて、製造コストを下げ、これによって低コスト化をはかった半透過型液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の半透過型液晶表示装置は、基板の一主面上に光反射膜と透明導電膜とを組合せてなるストライプ状の一方電極と配向膜とを順次積層してなる一方部材と、透明基板上に透明導電膜からなるストライプ状の他方電極と配向層とを順次積層してなる他方部材とを、これら一方電極と他方電極とを交差して、これら各交差部にて画素を形成するように液晶層を介して貼り合わせるとともに、上記ストライプ状の一方電極に対し、その透明導電膜にて透過モードとなし、その光反射膜にて反射モードとなすとともに、この透明導電膜の長辺部の上に光反射膜の長辺部が重なるような積層部を長手方向にわたって設けたことを特徴とする。
【００１３】
本発明の半透過型液晶表示装置の製造方法は、順次、下記（Ａ）〜（Ｄ）の各工程を経てストライプ状の一方電極を形成し、この一方電極の上に配向膜を積層して一方部材を作製し、透明基板上に透明導電膜からなるストライプ状の他方電極と配向層とを順次積層してなる他方部材を作製し、これら一方電極と他方電極とを交差して、これら各交差部にて画素を形成するように液晶層を介して貼り合わせる工程を経て、上記ストライプ状の一方電極に対し、その透明導電膜にて透過モードとなし、その光反射膜にて反射モードとなすとともに、この透明導電膜の長辺部の上に光反射膜の長辺部が重なるような積層部を長手方向にわたって設けたことを特徴とする。
（Ａ）・・・基板の一主面上に透明導電材からなる膜を形成し、ついでこの膜の上にフォトレジスト層を形成し、つづけてプリベークを行う。
（Ｂ）・・・フォトレジスト法により透明導電膜をストライプ状に形成する。
（Ｃ）・・・前工程により形成したストライプ状の透明導電膜の上に光反射性の膜を被覆し、ついでこの膜の上にフォトレジスト層を形成し、つづけてプリベークを行う。
（Ｄ）・・・フォトレジスト法により光反射膜をストライプ状に、かつ当該透明導電膜と光反射膜との双方からなる積層部を長手方向にわたって設けるように形成する。
【００１４】
本発明の他の半透過型液晶表示装置の製造方法は、（Ｂ）工程のフォトレジスト法に用いるフォトマスクと、（Ｄ）工程のフォトレジスト法に用いるフォトマスクとを共通にしたことを特徴とする。
【００１５】
また、上記の発明によれば、透明導電膜の長辺部の上に光反射膜の長辺部が重なるような積層部を長手方向にわたって設けた構成であるが、このような構成に代えて、下記のような発明のごとく、光反射膜の長辺部の上に透明導電膜の長辺部が重なるような積層部を長手方向にわたって設けた構成でもよく、このような構成にしたがって、下記のような発明がある。
【００１６】
すなわち、本発明の半透過型液晶表示装置によれば、基板の一主面上に光反射膜と透明導電膜とを組合せてなるストライプ状の一方電極と配向膜とを順次積層してなる一方部材と、透明基板上に透明導電膜からなるストライプ状の他方電極と配向層とを順次積層してなる他方部材とを、これら一方電極と他方電極とを交差して、これら各交差部にて画素を形成するように液晶層を介して貼り合わせるとともに、上記ストライプ状の一方電極に対し、その透明導電膜にて透過モードとなし、その光反射膜にて反射モードとなすとともに、この光反射膜の長辺部の上に透明導電膜の長辺部が重なるような積層部を長手方向にわたって設けたことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の半透過型液晶表示装置の製造方法によれば、順次、下記（Ａ）〜（Ｄ）の各工程を経てストライプ状の一方電極を形成し、この一方電極の上に配向膜を積層して一方部材を作製し、透明基板上に透明導電膜からなるストライプ状の他方電極と配向層とを順次積層してなる他方部材を作製し、これら一方電極と他方電極とを交差して、これら各交差部にて画素を形成するように液晶層を介して貼り合わせる工程を経て、上記ストライプ状の一方電極に対し、その透明導電膜にて透過モードとなし、その光反射膜にて反射モードとなすとともに、この光反射膜の長辺部の上に透明導電膜の長辺部が重なるような積層部を長手方向にわたって設けたことを特徴とする。
（Ａ）・・・基板の一主面上に光反射性の膜を形成し、ついでこの膜の上にフォトレジスト層を形成し、つづけてプリベークを行う。
（Ｂ）・・・フォトレジスト法により光反射膜をストライプ状に形成する。
（Ｃ）・・・前工程により形成したストライプ状の光反射膜の上に透明導電材からなる膜を被覆し、ついでこの膜の上にフォトレジスト層を形成し、つづけてプリベークを行う。
（Ｄ）・・・フォトレジスト法により透明導電膜をストライプ状に、かつ当該透明導電膜と光反射膜との双方からなる積層部を長手方向にわたって設けるように形成する。
【００１８】
さらにまた、本発明の半透過型液晶表示装置の製造方法によれば、（Ｂ）工程のフォトレジスト法に用いるフォトマスクと、（Ｄ）工程のフォトレジスト法に用いるフォトマスクとを共通にしたことを特徴とする。
【作用】
以上のごとく、本発明の半透過型液晶表示装置によれば、単純マトリックス型の構成において、基板の一主面上に光反射膜と透明導電膜とを組合せてなるストライプ状の一方電極と配向膜とを順次積層してなる一方部材を形成するに当たり、その透明導電膜にて透過モードとなし、その光反射膜にて反射モードとなし、これによって半透過型液晶表示装置としている。
【００１９】
そして、本発明によれば、この透明導電膜の長辺部の上に光反射膜の長辺部が重なるような積層部を長手方向にわたって設けたことで、一方電極の一方端には透明導電膜のみが形成されるが、光反射膜が形成されなくなり、また、一方電極の他方端には反射膜のみが形成されるが、透明導電膜が形成されなくなり、このような構造にしたことで、隣り合った一方電極が重ならなくなり、これにより、上記のごとく透明導電膜と反射膜が交互に隣合わせになる。そして、透明導電膜と反射膜は別々にフォトリソにより形成することで、各一方電極間はフォトリソの解像性と無関係になり、その結果、従来例に比べ、各画素電極間を狭くすることができ、開口率を大きくすることができる。
【００２０】
また、他の本発明によれば、この光反射膜の長辺部の上に透明導電膜の長辺部が重なるような積層部を長手方向にわたって設けたことで、同様に一方電極の一方端には透明導電膜のみが形成されるが、光反射膜が形成されなくなり、また、一方電極の他方端には反射膜のみが形成されるが、透明導電膜が形成されなくなり、このような構造にしたことで、隣り合った一方電極が重ならなくなり、これにより、上記のごとく透明導電膜と反射膜が交互に隣合わせになる。そして、透明導電膜と反射膜は別々にフォトリソにより形成することで、各一方電極間はフォトリソの解像性と無関係になり、その結果、従来例に比べ、各画素電極間を狭くすることができ、開口率を大きくすることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、請求項１〜請求項３に係る各発明を述べる。
（例１）、（例３）および（例４）にて本発明のＳＴＮ型単純マトリックス方式の半透過型液晶表示装置を説明し、（例２）にて従来のＳＴＮ型単純マトリックス方式の半透過型液晶表示装置を説明する。
【００２２】
（例１）
以下、本発明を図面にて詳述する。
図１は本例の半透過型液晶表示装置の概略断面図であり、図２と図３はストライプ状の一方電極を示し、図２はその平面図、図３は図２において切断面線ａ−ａによる断面図である。
【００２３】
本例の半透過型液晶表示装置において、一方部材については、ガラス基板４上に、アルミニウム金属材などからなる光反射膜１０とＩＴＯからなる透明導電膜１１とを組合せてなるストライプ状の一方電極１４を多数平行に配列形成し、さらに一定方向にラビングしたポリイミド樹脂からなる配向膜８を形成している。
【００２４】
なお、光反射膜１０の材料としてＡｌ材に代えて、ＡｌＮｄなどのＡｌ合金、Ａｇ金属およびＡｇ合金等の金属膜を使用してもよい。
【００２５】
そして、本発明によれば、ストライプ状の一方電極１４に対し、その透明導電膜１１にて透過モードとなし、その光反射膜１０にて反射モードとなしている。その上、この透明導電膜１１の長辺部の上に光反射膜１０の長辺部が重なるような積層部Ｓ１を長手方向にわたって設けたことを特徴とする。
【００２６】
本例によれば、光反射膜１０に対し、くぼみを形成したが、このようなくぼみは、下記のような利点がある。
【００２７】
すなわち、画素の周辺部は、隣接する画素からの電界の影響等で、透過率、反射率が低くなる傾向があり、そのために、透過モードにおいて画素中央部も利用できるように光反射膜１０にくぼみを形成しています。
【００２８】
他方部材については、前記透明基板であるガラス基板４上に、カラーフィルター５、アクリル系樹脂から成るオーバーコート層６、多数平行にストライプ状配列したＩＴＯから成る前記他方電極である透明電極７、および一定方向にラビングしたポリイミド樹脂から成る配向膜８が順次積層されている。なお、透明電極７と配向膜８との間に樹脂やＳｉＯ２等から成る絶縁膜を介在させてもよい。
【００２９】
カラーフィルター５は顔料分散方式、すなわちあらかじめ顔料（赤、緑、青）により調合された感光性レジストを基板上に塗布し、フォトリソグラフィにより形成している。なお、カラーフィルター５を形成するに当り、上記のような顔料分散方式に代えて、染色法を用いてもよい。
【００３０】
そして、このような構成の一方部材および他方部材を、たとえば２００°〜２６０°の角度でツイストされたカイラルネマチック液晶からなる液晶９を介してシール部材により貼り合わせる。また、両部材間には液晶９の厚みを一定にするためにスペーサを多数個配している。
【００３１】
さらに一方部材のガラス基板４の外側にポリカーボネイト等から成る位相差板１２とヨウ素系の偏光板１３とを順次形成する。また、他方部材のガラス基板４の外側にポリカーボネイト等から成る第１位相差板３と第２位相差板２とヨウ素系の偏光板１とを順次形成する。これらの配設については、粘着材を塗布することで行う。
【００３２】
そして、偏光板１３に対し、光源部と導光板から成るバックライトユニットを密着させて配設する。
【００３３】
上記構成の半透過型液晶表示装置において、一例として、１画素のピッチを８０μｍ×２４０μｍとなし、そして、反射モードとなる反射部の面積と、透過モードとなる透過部の面積について、これらの比率は６０：４０であり、また、ストライプ状の一方電極１４の間隔は３μｍである。
【００３４】
このような構成の半透過型液晶表示装置によれば、開口率は、９１．６％である。
【００３５】
（例２）
本例は従来の半透過型液晶表示装置であり、一方部材の電極構造が本発明と違っており、その他の構成は、（例１）に示す半透過型液晶表示装置と同じである。
【００３６】
この構成を図１１と図１２により示す。
図１１と図１２はストライプ状の一方電極を示し、図１１はその平面図、図１２は図１１において切断面線ｂ−ｂによる断面図である。
【００３７】
本例の一方部材については、ガラス基板４上に、ＩＴＯからなる透明導電膜１１とアルミニウム金属材などからなる光反射膜１０とを積層した構造であり、これにより、ストライプ状の一方電極１４をなす。この光反射膜１０に対し、光通過穴１０ａを形成している。
【００３８】
そして、上記構成のストライプ状の一方電極１４を形成するには、フォトリソグラフィ技術を用いるが、このように光反射膜１０に光通過穴１０ａを形成したことで、ストライプ状の透明導電膜１１の上に、ストライプ状の光反射膜１０を高い精度でもって、すなわち双方の長辺部に対し精確に位置を合わせるように形成することで、これら一方電極１４の間隔は、フォトリソグラフィ技術の解像性に依存する。
【００３９】
本例においては、１画素のピッチは８０μｍ×２４０μｍであり、反射部の面積と透過部の面積の比率は６０：４０であり、電極間の間隔は１０μｍで形成され、かかる構成により、開口率は、８２．０％になる。
【００４０】
以上のとおり、（例１）の本発明の半透過型液晶表示装置を、本例のごとき従来例の半透過型液晶表示装置と対比した場合、開口率が１１．６％が向上した。
【００４１】
（例３）
（例１）の半透過型液晶表示装置においては、透明導電膜１１の長辺部の上に光反射膜１０の長辺部が重なるような積層部Ｓ１を長手方向にわたって設けるに当たり、くぼみを光反射膜１０の他の長辺部に形成し、その積層部Ｓ１を長辺付近に形成したが、これに代えて、同様な積層部を一方電極１４の内部に形成している。このような積層部をＳ２と付記する。
【００４２】
この構成を図４と図５により示す。
図４と図５はストライプ状の一方電極を示し、図４はその平面図、図５は図４において切断面線ｃ−ｃによる断面図である。
【００４３】
上記構成の半透過型液晶表示装置において、１画素のピッチを８０μｍ×２４０μｍとなし、そして、反射モードとなる反射部の面積と、透過モードとなる透過部の面積について、これらの比率は６０：４０であり、また、ストライプ状の一方電極１４の間隔は３μｍである。
【００４４】
このような構成の半透過型液晶表示装置によれば、開口率は、９１．６％である。
【００４５】
また、本例によれば、積層部Ｓ２を一方電極１４の内部に形成するに当たり、その積層部Ｓ２の幅を小さくしているが、この点は、下記のような利点がある。
【００４６】
すなわち、反射部と透過部で段差ができると液晶層のギャップが反射部と透過部との双方にて異なり、そのために理想的には光反射膜と透明導電膜の重なりがない方が良い。しかしながら、実際には形成が困難であるため、できるだけ光反射膜と透明導電膜の重なりを小さくしている。
【００４７】
（例４）
（例３）の半透過型液晶表示装置においては、積層部Ｓ２を一方電極１４の内部に形成するに当たり、その積層部Ｓ２の幅を小さくしているが、これに代えて、その幅を大きくした積層部をＳ３を設ける。
【００４８】
この構成を図６と図７により示す。
図６と図７はストライプ状の一方電極を示し、図４はその平面図、図５は図４において切断面線ｄ−ｄによる断面図である。
【００４９】
上記構成の半透過型液晶表示装置において、１画素のピッチを８０μｍ×２４０μｍとなし、そして、反射モードとなる反射部の面積と、透過モードとなる透過部の面積について、これらの比率は６０：４０であり、また、ストライプ状の一方電極１４の間隔は３μｍである。
【００５０】
このような構成の半透過型液晶表示装置によれば、開口率は、９１．６％である。
【００５１】
以上のとおり、本発明の半透過型液晶表示装置によれば、一方電極の一方端には透明導電膜１１のみが形成され、光反射膜１０が形成されず、また、一方電極の他方端には反射膜１０のみが形成され、透明導電膜１１が形成されない構造になり、このような構造にしたことで、隣り合った画素電極（一方電極１４）が重ならなくなり、これにより、透明導電膜１１と光反射膜１０が交互に隣合わせになる。そして、透明導電膜１１と光反射膜１０は別々にフォトリソにより形成することで、各画素電極（一方電極１４）間はフォトリソの解像性と無関係になり、その結果、従来例に比べ、各画素電極間を狭くすることができ、開口率を大きくすることができる。
【００５２】
（本発明の半透過型液晶表示装置の製造方法）
つぎに（例１）、（例３）および（例４）にかかる本発明の装置の製造方法を述べる。
【００５３】
本発明によれば、一方部材を作製するに当たり、順次、下記（Ａ）〜（Ｄ）の各工程を経てストライプ状の一方電極１４を形成した点が特徴である。そして、この一方電極１４の上に配向膜８を積層して一方部材を作製する。
【００５４】
また、前記透明基板であるガラス基板４上に、顔料分散方式によりカラーフィルター５を形成し、このカラーフィルター５の上にアクリル系樹脂から成るオーバーコート層６を被覆し、さらに多数平行にストライプ状配列したＩＴＯから成る前記他方電極であるストライプ状に配列した透明電極７を形成し、そして、これら透明電極７の上に一定方向にラビングしたポリイミド樹脂から成る配向膜８を順次積層する。
【００５５】
しかる後に、一方部材１４と他方部材とを、これら一方電極と他方電極とを交差して、これら各交差部にて画素を形成するように液晶層を介して貼り合わせる工程を経る。
【００５６】
上記のごとき、本発明の製造方法において、カラー液晶表示化にするために、ガラス基板４上に、顔料分散方式によりカラーフィルター５を形成し、このカラーフィルター５の上にアクリル系樹脂から成るオーバーコート層６を塗布法により被覆し、さらに多数平行にストライプ状配列したＩＴＯから成るストライプ状に配列した透明電極７をフォトレジスト法により形成し、そして、これら透明電極７の上に一定方向にラビングしたポリイミド樹脂から成る配向膜８を塗布法により順次積層する。
【００５７】
以下、（Ａ）〜（Ｄ）の各工程を述べる。これら各工程を図８と図９に示す。
（Ａ）工程：
図８の（Ａ）に示すように、ガラス基板４もしくはガラス基板４を一度に多く作製するために用いる大きなマザーガラス基板の一主面上にＩＴＯなどの透明導電材からなる膜１１ａを形成し、ついでこの膜１１ａの上にフォトレジスト層１６を２μｍの厚さで形成し、つづけてプリベークを１００℃・２分間行う。
（Ｂ）工程：
フォトレジスト法により透明導電材からなる膜１１ａをストライプ状に形成する。
【００５８】
この工程によれば、図１０に示すごとく、ストライプ状のＣｒ遮光膜１５ａを有するフォトマスク１５を用いて、図８の（Ｂ１）に示すように、透明導電膜１１に対応する領域に対し露光３００ｍｊ（ｉ線）を行う。
【００５９】
その後、現像を９０秒間行い、しかる後、ポストベークを１８０℃の温度でもって１０分間行う。
【００６０】
次に、透明導電材からなる膜１１ａに対し、エッチングを行うことで、図１０に示すようなフォトマスク１５のストライプ状Ｃｒ遮光膜１５ａと同じパターンが得られる。
【００６１】
そして、残余のフォトレジスト層１６をＮａＯＨの溶液を用いて剥離し、図８の（Ｂ２）に示すように、ストライプ状の透明導電膜１１を得る。
（Ｃ）工程：
図９（Ｃ）に示すように、前工程により形成したストライプ状の透明導電膜１１の上にアルミニウム金属からなる光反射性の膜１０ａを被覆し、ついでこの膜１０ａの上にフォトレジスト層１６を２μｍの厚さで形成し、つづけてプリベークを１００℃・２分間行う。
（Ｄ）工程：
図１０に示すごとく、ストライプ状のＣｒ遮光膜１５ａを有するフォトマスク１５を用いて、すなわち前工程にて使用したフォトマスク１５を用いて、その配置の位置をずらして、図９の（Ｄ１）に示すように光反射膜１０に対応する部分に対し露光を３００ｍｊ（ｉ線）の条件でもって行う。
【００６２】
そして、現像を９０秒間行ったのち、ポストベーク１８０℃・１０分間行う。
【００６３】
しかる後、光反射性の膜１０ａに対し、エッチングすることで、光反射膜１０がパターン形成される。
【００６４】
その後、残余のフォトレジスト層１６をＮａＯＨで剥離し、ストライプ状の光反射膜１０を得る。
【００６５】
以上のような本工程により、光反射膜１０をストライプ状に形成するに当たり、透明導電膜１１と光反射膜１０との双方からなる積層部を長手方向にわたって設けるように形成する。
【００６６】
なお、上述した工程を経ることで、（Ｂ）工程のフォトレジスト法に用いるフォトマスクと、（Ｄ）工程のフォトレジスト法に用いるフォトマスクとを共通でき、これにより、一枚のフォトマスク１５を用いるだけで、透明導電膜１１と光反射膜１０との双方をパターン形成することができる。
【００６７】
なお、本発明は上記のような実施形態例に限るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の変更や改良等はなんら差し支えない。
【００６８】
たとえば、上記の実施形態例においては、透明導電膜の長辺部の上に光反射膜の長辺部が重なるような積層部を長手方向にわたって設けた構成であるが、このような構成に代えて、光反射膜の長辺部の上に透明導電膜の長辺部が重なるような積層部を長手方向にわたって設けても同じであり、本発明者が繰り返し行った実験によれば、上述した実施例において、単に透明導電膜を光反射膜に代え、さらに光反射膜を透明導電膜に代えることで、同様に隣り合った一方電極が重ならなくなり、透明導電膜と反射膜が交互に隣合わせになり、そして、透明導電膜と反射膜は別々にフォトリソにより形成することで、各一方電極間はフォトリソの解像性と無関係になり、その結果、従来例に比べ、各画素電極間を狭くすることができ、開口率を大きくすることができたことを確認している。
【００６９】
【発明の効果】
以上のとおり、本発明の半透過型液晶表示装置によれば、一方電極において透明導電膜の長辺部の上に光反射膜の長辺部が重なるような積層部を長手方向にわたって設けたことで、もしくは一方電極において光反射膜の長辺部の上に透明導電膜の長辺部が重なるような積層部を長手方向にわたって設けたことで、隣り合った一方電極が重ならなくなり、透明導電膜と反射膜が交互に隣合わせになり、そして、透明導電膜と反射膜は別々にフォトリソにより形成することで、各一方電極間はフォトリソの解像性と無関係になり、その結果、各画素電極間を狭くすることができ、開口率を大きくすることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半透過型液晶表示装置の概略断面図である
【図２】本発明の半透過型液晶表示装置に係る一方電極の平面図である。
【図３】図２に示す切断面線ａ−ａによる断面図である。
【図４】本発明の他の半透過型液晶表示装置に係る一方電極の平面図である。
【図５】図４に示す切断面線ｃ−ｃによる断面図である。
【図６】本発明のさらに他の半透過型液晶表示装置に係る一方電極の平面図である。
【図７】図６に示す切断面線ｄ−ｄによる断面図である。
【図８】（Ａ），（Ｂ１），（Ｂ２）は、本発明の一方電極を形成する工程図である。
【図９】（Ｃ），（Ｄ１），（Ｄ２）は、本発明の一方電極を形成する工程図である。
【図１０】フォトマスクの平面図である。
【図１１】従来の半透過型液晶表示装置に係る一方電極の平面図である。
【図１２】図１１に示す切断面線ｂ−ｂによる断面図である。
【符号の説明】
１、１３・・・偏光板
２、３、１２・・・位相差板
４・・・ガラス基板
５・・・カラーフィルター
６・・・オーバーコート層
７・・・透明電極
８・・・配向膜
９・・・液晶
１０・・・光反射膜
１１・・・透明導電膜
１４・・・一方電極
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３・・・積層部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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