(57)【要約】　　　（修正有）【課題】被温調ウェハの温度を正確に推定して温度制御を行なうことにより、被温調ウェハをより目標温度に近づけることの可能なウェハ温調装置を提供する。【解決手段】被温調ウェハ２３に対して加熱及び冷却のうち少なくとも一方の温調を行なう温調機構としての熱電モジュール１４と、熱電モジュール１４と被温調ウェハ２３との間に介挿された樹脂製の載置台３９と、被温調ウェハ２３の外周部近傍に配置された、被温調ウェハ２３と類似の熱的特性を有するダミー及びこれに接触させた外乱センサ３０と、載置台３９の温度を測定する温度センサ２９とを備え、温度センサ２９及び外乱センサ３０の検出値に基づいて、被温調ウェハ２３の温度を推定し、被温調ウェハ２３を目標温度に温度制御することを特徴とするウェハ温調装置１１。【選択図】図１
2004119630.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被温調ウェハ（２３）に対して加熱及び冷却のうち少なくとも一方の温調を行なう温調機構と、
被温調ウェハ（２３）の外周近傍に配置されて温度を測定する外乱センサ（３０）とを備えたことを特徴とするウェハ温調装置。
【請求項２】
請求項１に記載のウェハ温調装置において、
被温調ウェハ（２３）が載置された載置台（３９）の温度を測定する温度センサ（２９）を備えたことを特徴とするウェハ温調装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンウェハを所定の目標温度に温度制御するウェハ温調装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、シリコンウェハの温度を制御するためのウェハ温調装置が知られている（例えば特許文献１、特許文献２）。図１３は、特許文献１に開示されたウェハ温調装置１１の構成図を概略示しており、以下図１３に基づいて従来技術を説明する。
【０００３】
図１３において、ウェハ温調装置１１は、被温調ウェハ２３を温調する載置プレート１２（特許文献１では熱板）を備えている。載置プレート１２の内部には、ヒータ２７が設けられており、コントローラ２８は、電源４０を通じてヒータ２７に電流を流し、被温調ウェハ２３を加熱する。
載置プレート１２の内部には、温度センサ２９が埋め込まれている。コントローラ２８は、温度センサ２９の検出値に基づいて載置プレート１２の温度を検出し、被温調ウェハ２３の温度を推測する。そして、ヒータ２７に流す電流量を制御して、被温調ウェハ２３が所定の目標温度となるように温度制御を行なっている。
【０００４】
また、特許文献２に開示された技術においては、ウェハ温調装置は、半導体処理チャンバの内部に設置されている。載置プレート（特許文献２では温度調節プレート）の内部には、ヒータに加えて、冷却流体源から冷却流体を流す流路が設けられている。
ウェハ温調装置は、温度センサの検出値に基づいて、被温調ウェハの温度を推定し、ヒータの電流量及び冷却流体の流量を制御して、被温調ウェハを目標温度に温度制御している。
【０００５】
【特許文献１】
特開平３−２９１２号公報
【特許文献２】
特開２００１−３１８７２０号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来技術には、次に述べるような問題がある。
即ち、上記従来技術においては、温度センサ２９を載置プレート１２の内部に埋め込み、その温度に基づいて、被温調ウェハ２３の温度を推定している。ところが、被温調ウェハ２３の周囲の気体の流れによって、被温調ウェハ２３の温度が予測不能に変化することがある。
このとき、温度センサ２９は載置プレート１２の内部に埋め込まれているために、このような空気の流れによる被温調ウェハ２３の温度変化を、正確に検知することが難しい。その結果、温度制御を行なっているのにも拘らず、被温調ウェハ２３の温度が目標温度に一致しないといった問題がある。
【０００７】
一方、特許文献２によれば、被温調ウェハを、密閉された半導体処理チャンバの内部に設置している。
このような場合には気体の流れによる温度変化は起きにくいが、被温調ウェハ２３の出し入れなどの際に、半導体処理チャンバの内部に、次第に微小な塵が溜まってしまう。このような塵が、被温調ウェハ２３の表面に付着して、悪影響を及ぼすことがある。
【０００８】
また、被温調ウェハ２３を加熱処理する際には、例えば被温調ウェハ２３の表面にレジスト等の薬液を塗布した状態で、加熱処理を行なわなければならないような場合がある。
このような加熱処理においては、加熱によって薬液の一部が気化して半導体処理チャンバ内部に気化した薬液が充満し、これが半導体処理チャンバの内壁に付着したり、被温調ウェハに再付着するといった問題がある。
即ち、半導体処理チャンバ内部等の密閉された空間での温調は、すべての被温調ウェハ２３に対して適用することが困難であり、空気の出入りする空間においても、正確な温度制御を行なえるような技術が望まれている。
【０００９】
図１４に、ウェハ温調装置１１を設置する、クリーンブース３４の構成例を示す。図１４において、図示しないクリーンルームの内部には、クリーンブース３４が設置されており、その内部には、一部が開放されたケース４１の内部に設置されたウェハ温調装置１１が、複数段重ねられている。
【００１０】
クリーンブース３４の天井部には、ファン３５と、微小な塵を除去するＨＥＰＡ等の防塵フィルタ３７と、空気から所定の化学物質（例えばレジストに悪影響を与えるアルカリ系物質）を除去するケミカルフィルタ３６とが設置されている。フィルタを、さらにファン３５の上方に配置する場合もある。
ファン３５から、フィルタ３６，３７を通してクリーンブース３４内部に空気４２を送り込むことにより、下向きの空気の流れ（ダウンフロー）を作り出す。これにより、クリーンブース３４の内部を、塵や化学的な不純物の非常に少ない状況にすることが可能となっている。
その結果、ウェハ温調装置１１の内部には、不規則な空気の流れが生じ、このような空気の流れが、被温調ウェハ２３に影響を与えて、その温度を目標温度から遠ざけている。
【００１１】
さらには、ウェハ表面を吸引したり、ウェハ表面に窒素等の低反応性のパージガスを吹きつけることにより、レジスト等の気化した薬液が半導体処理チャンバの壁面に付着するのを、防止している場合もある。
その結果、パージガスや吸引によって発生する微小な気流により、ウェハ表面や、その周囲の温度が予測不能に乱れてしまうことがある。
【００１２】
このような問題に鑑み、被温調ウェハ２３の周囲に温度センサを配置し、周囲の気体の温度（以下、雰囲気温度と呼ぶ）を測定することによって被温調ウェハ２３の温度を推定し、これに基づいて温度制御をより精密なものにするという技術も知られている。
【００１３】
しかしながら、上述したように被温調ウェハ２３の周囲には不規則な空気の流れが常に生じているため、雰囲気温度は空気の流れの変化に基づいて、非常に頻繁に変動する。これに対して、被温調ウェハ２３の温度は、空気の温度変化に追随するほど速くは変動しない。従って、そのような雰囲気温度の変動に基づいて温度制御を行なうと、制御が発散してしまうようなことがある。
【００１４】
また、温度制御を発散させないために、測定した雰囲気温度に対し、遅延処理や平均処理等の統計処理を施して、その結果に基づいて温度制御を行なうということも考えられる。しかしながら、雰囲気温度の変化と被温調ウェハ２３の温度変化との関係は、空気の流れの強さ等のさまざまな条件によって変化するため、両者の関係を正確に把握し、温度制御に応用することは、非常に困難である。
しかも、ウェハ温調装置１１の規模が変わったり、甚だしきはウェハ温調装置１１ごとに、制御パラメータを変更しなければならないといったことも起こり得る。
【００１５】
本発明は、上記の問題に着目してなされたものであり、被温調ウェハの温度を正確に推定して温度制御を行なうことにより、被温調ウェハをより目標温度に近づけることの可能なウェハ温調装置を提供することを目的としている。
【００１６】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
上記の目的を達成するために、本発明に係るウェハ温調装置は、
ウェハに対して加熱及び冷却のうち少なくとも一方の温調を行なう温調機構と、
ウェハの外周近傍に配置されて温度を測定する外乱センサとを備えている。
これにより、ウェハの外周近傍の温度の変化を察知し、ウェハの温度変化を、より正確に応答性よく推測することができる。従って、これに基づいて温調を行なうことにより、正確な温調が可能である。
【００１７】
また本発明によれば、
ウェハが載置された載置台の温度を測定する温度センサをも備えている。
これにより、載置台の温度と外乱センサの温度とに基づき、ウェハの温度をより正確に推測することができる。従って、これに基づいて温調を行なうことにより、正確な温調が可能である。
【００１８】
また本発明によれば、
被温調ウェハに対して加熱及び冷却のうち少なくとも一方の温調を行なう温調機構と、
被温調ウェハの周囲近傍の物体に接触させた外乱センサとを備え、
外乱センサの検出値に基づいて、被温調ウェハを目標温度に温度制御している。
これにより、周囲の雰囲気の変化による、被温調ウェハの温度変動を予め察知することができる。従って、被温調ウェハの温度が大きく目標温度から外れるのを防止し、温度制御の精度を上げることができる。
【００１９】
また本発明によれば、
前記温調機構と被温調ウェハとの間に介挿された載置台と、
載置台の温度を測定する温度センサとを備え、
温度センサ及び外乱センサの検出値に基づいて、被温調ウェハを目標温度に温度制御している。
載置台の温度を検出することにより、被温調ウェハの温度をより正確に推測することができ、温度制御の精度を上げることができる。
【００２０】
また本発明によれば、
前記温調機構が熱電モジュールである。
熱電モジュールを用いることにより、より精密な温度制御が可能となっている。
【００２１】
また本発明によれば、
前記載置台が樹脂であり、
前記外乱センサの少なくとも１つが、載置台の表面に一体化されて構成された銅の薄膜と、銅とは異なる金属とを接合してなる熱電対である。
これにより、熱電対が載置台に一体化されて構成されるので、載置台の温度を、より正確に測定することができる。
【００２２】
また本発明によれば、
前記外乱センサを接触させた物体が、被温調ウェハの外周部近傍に配置された、被温調ウェハと類似の熱的特性を有するダミーである。
類似の熱的特性を有する物体を被温調ウェハの周囲に置き、その温度を測定することにより、被温調ウェハの温度変化を、より正確に検知することができる。
【００２３】
また本発明によれば、
前記ダミーが、被温調ウェハと同一材質からなっている。
これにより、ダミーが被温調ウェハと非常に類似した温度変化を示すので、被温調ウェハの温度変化を、より正確に検知することができる。
【００２４】
また本発明によれば、
前記ダミーが、被温調ウェハが載置されているものと略同一高さで同一材質の突起上に搭載されている。
これにより、ダミーの温度変化が被温調ウェハの温度変化によりよく追随するので、被温調ウェハの温度変化を正確に検知することができる。
【００２５】
また本発明によれば、
前記ダミーが、被温調ウェハの外周部を取り囲むようにリング状に配置されている。
これにより、被温調ウェハに熱的な影響を与える外乱が、ダミーにも同様の影響を与えるので、被温調ウェハの温度変化を、より正確に検知することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図を参照しながら、本発明に係る実施形態を詳細に説明する。
まず、第１実施形態を説明する。図１は、第１実施形態に係る熱電モジュール１４を用いたウェハ温調装置１１の正面断面図を示している。また図２は、図１のＡ−Ａ視図を示している。
図１、図２において熱電モジュール１４は、複数個のｐ型熱電素子１６とｎ型熱電素子１７とを、交互に配置している。そして、隣接するｐ型熱電素子１６及びｎ型熱電素子１７の上端部同士及び下端部同士を、銅製の温調側電極１８及び吸放熱側電極１９でそれぞれ接続することにより構成されている。熱電素子１６，１７と電極１８，１９との間は、ハンダづけによって固着されている。
【００２７】
載置シート３９は、電気的に絶縁で、かつ高熱伝導率を有するポリイミド樹脂製となっており、その一面に予め銅を貼付したものに、エッチングを施して不要箇所を除去することにより、温調側電極１８を形成する。
熱電モジュール１４に、コントローラ２８の指示に基づいて図示しない電源から電流を流すと、ペルチェ効果によって、上下の電極１８，１９間に温度差が生じる。これにより、載置シート３９が冷却又は加熱され、その上面に設けられた突起２４に載置された、温度制御対象物であるシリコンウェハ（以下、被温調ウェハ２３と言う）の温度制御を行なっている。
【００２８】
このとき、突起２４は、載置シート３９上面に、ポリイミドの小片を接着することにより、形成されている。
被温調ウェハ２３の上方には、被温調ウェハ２３の温度を均一化するための均一化プレート３３が、図示しない手段によって設置されている。均一化プレート３３と被温調ウェハ２３との間の距離は、５〜１０ｍｍ程度となっている。
【００２９】
また、熱電モジュール１４の吸放熱側電極１９の下面には、ポリイミド製の絶縁シート２１を介して、バッファプレート２２が接着固定されている。バッファプレート２２の材質としては、アルミニウムが好適である。尚、バッファプレート２２は必須とは限らない。
バッファプレート２２の下面には、冷却水を流す水路２６を有する冷却プレート１３が、例えば高熱伝導率を有するグリース（図示せず）を介して固定されている。冷却プレート１３の材質としては、ステンレスや銅が好適である。尚、冷却プレート１３で水冷する代わりに、冷却フィンを設けて空冷するようにしてもよい。
【００３０】
また、載置シート３９下面の、温調側電極１８間には、熱電対や白金抵抗体等の温度センサ２９が複数個配置されている。温度センサ２９の出力は、コントローラ２８に入力され、被温調ウェハ２３下方の載置シート３９の温度Ｔ２を測定することができるようになっている。尚、温度センサ２９は、例えば載置シート３９上面の、被温調ウェハ２３の下方に配設してもよい。
【００３１】
さらには、載置シート３９上面の被温調ウェハ２３の周囲には、熱電対や白金抵抗体等の温度センサが、複数個設置されている（図２参照）。これらを、外乱センサ３０と呼ぶ。外乱センサ３０と載置シート３９との間は、例えば接着剤等によって固定される。外乱センサ３０の出力は、コントローラ２８に入力され、被温調ウェハ２３周囲にある物体（ここでは載置シート３９の外周部）の温度Ｔ１を測定することができるようになっている。
【００３２】
上記のような構成のウェハ温調装置１１において、コントローラ２８は、被温調ウェハ２３の温度を目標温度に一致させるべく、熱電モジュール１４に電流を流して温度制御を行なっている。
このとき、例えば載置シート３９の温度Ｔ２から被温調ウェハ２３の温度を推測し、被温調ウェハ２３の温度を目標温度に近づけるように、温度制御を行なう。そして、この制御に対して、外乱センサ３０による被温調ウェハ２３周囲の物体の温度Ｔ１の変化に基づいて温度制御の補正を行なうようにする。
【００３３】
即ち、被温調ウェハ２３周囲の空気に流れが生じるなどして、被温調ウェハ２３に温度変化が起きた場合に、外乱センサ３０の接触した載置シート３９の外周部にも類似の温度変化が起きる。従って、外乱センサ３０の検出値Ｔ１に基づいて、被温調ウェハ２３の温度変化の兆候を読み取ることができる。そして、読み取った被温調ウェハ２３の温度変化の兆候に基づいて温度制御を補正することにより、被温調ウェハ２３の温度を、目標温度から大きくずれないようにすることが可能となっている。
【００３４】
或いはコントローラ２８は、被温調ウェハ２３周囲の物体の温度Ｔ１と載置シート３９の温度Ｔ２との差分を検出し、これに基づいて被温調ウェハ２３の温度変化の兆候を読み取って補正を行なってもよい。
またコントローラ２８は、被温調ウェハ２３周囲の物体の温度Ｔ１に基づいて温度制御を行ない、載置シート３９の温度Ｔ２に基づいて温度制御を補正してもよい。また、被温調ウェハ２３周囲の物体の温度Ｔ１と、載置シート３９の温度Ｔ２とに対して所定の演算を行ない、これに基づいて温度制御を行なってもよい。
さらには、被温調ウェハ２３周囲の物体の温度Ｔ１のみに基づいて、温度制御を行なってもよい。
【００３５】
このとき、外乱センサ３０の接触した物体が、被温調ウェハ２３と略同一高さに設置されている場合に、上記物体は、被温調ウェハ２３と最も類似した温度変化を受けると考えられる。
従って、図３に示すように、載置シート３９上に被温調ウェハ２３を載置したのと略同じ高さか、被温調ウェハ２３の分だけわずかに高い突起２４を設け、その上に外乱センサ３０を貼付するようにしてもよい。突起２４上に固定する場合には、突起２４が被温調ウェハ２３周囲の物体となり、外乱センサ３０は、主に突起２４の温度を測定することになる。
尚、図３以下の正面断面図においては、コントローラ２８及び均一化プレート３３は、図示を省略する。
【００３６】
また、図４に示すように、載置シート３９の上面にさらにアルミニウム製の載置プレート１２を接着して、その上に被温調ウェハ２３を載置してもよい。このような場合には、突起２４は、例えば載置プレート１２上面に設けられた図示しない小さな凹部の内部に固定される。
このとき、外乱センサ３０は、載置プレート１２上に接着剤等で付着させてもよく、或いは図３に示したように、被温調ウェハ２３の外周部の載置プレート１２上に突起２４を設け、その上に固定してもよい。
【００３７】
次に、第２実施例について、説明する。
図５に第２実施形態に係るウェハ温調装置１１の正面断面図、図６にそのＢ−Ｂ視図を示す。図５、図６において、載置シート３９の裏面の、温調側電極１８よりも外周側には、温調側電極１８と略同一厚さの銅の薄いリング３２（以下、銅リング３２と呼ぶ）が、温調側電極１８には触れないように形成されている。
このような銅リング３２は、第１実施形態で説明した温調側電極１８をエッチングによって形成する際に、周囲に銅の膜をリング状に残しておくことによって形成される。
【００３８】
銅リング３２には、銅線４３とコンスタンタン線４４とを１組としたペアリード線４３，４４の一端部が、例えばスポット溶接によって、接続されている。これにより、銅リング３２とコンスタンタン線４４との接点で、熱電対が形成される。
ペアリード線４３，４４の他端部は、それぞれ端子台４５に接続されている。この端子台４５を所定の基準温度雰囲気中に設置し、銅線４３とコンスタンタン線４４との間の電圧をコントローラ２８から測定することにより、銅リング３２とコンスタンタン線４４との接点における温度を、正確に測定することができる。第２実施形態においては、この熱電対を外乱センサ３０として用いている。
【００３９】
或いは、図７に示したように、接点Ｃ１〜Ｃ４において、銅リング３２とコンスタンタン線４４Ａ〜４４Ｄとをそれぞれ接続し、銅リング３２上の任意の接点Ｄ１において、銅リング３２と銅線４３とを接続してもよい。そして、端子台４５を所定の基準温度雰囲気中に設置し、銅線４３とコンスタンタン線４４Ａ〜４４Ｄとの間の電圧Ｖ１〜Ｖ４を測定することにより、接点Ｃ１〜Ｃ４における温度を、正確に測定することができる。
このようにすることにより、銅線４３と銅リング３２との接点が減少し、溶接等の手間が減少する。また、銅線４３の本数を減らすことができる。
【００４０】
即ち、第１実施形態のように外乱センサ３０を接着剤等で載置シート３９に固定すると、接着剤のつけ方等によって、温度Ｔ１の測定値が変化することがある。
これに対して第２実施形態によれば、載置シート３９に熱電対となる銅リング３２を予め密着させており、これに銅線４３及びコンスタンタン線４４を溶接しているので、外乱センサ３０による温度測定がより正確になる。従って、温度制御の補正を、より正確に行なうことが可能となっている。
【００４１】
このように、第１、第２実施形態によれば、被温調ウェハ２３の周囲における載置シート３９の温度Ｔ１を測定し、この温度Ｔ１に基づいて、被温調ウェハ２３の温度変化の兆候を察知し、温度制御の補正を行なっている。これにより、被温調ウェハ２３を、所定の目標温度に正確に温度制御することができる。
尚、温度センサ２９についても、温調側電極１８の間に温調側電極１８に触れないように銅薄膜を残しておき、そこに銅線４３及びコンスタンタン線４４を溶接して熱電対を形成してもよい。
【００４２】
次に、第３実施例について、説明する。
図８に、第３実施例に係るウェハ温調装置１１の正面断面図、図９にその平面図を示す。図８、図９において、被温調ウェハ２３の周囲には被温調ウェハ２３を囲むように複数個の突起２４が配設され、突起２４状にはウェハの小片３１が、被温調ウェハ２３と略同一高さに載置されている。これを、ダミー３１と呼ぶ。
【００４３】
ダミー３１の上には、外乱センサ３０が付設されている。コントローラ２８は、第１実施形態と同様に被温調ウェハ２３の周囲に配設された外乱センサ３０の検出値に基づき、被温調ウェハ２３の温度変化の兆候を推測し、温度制御を行なうようにする。
【００４４】
第１実施形態においては、外乱センサ３０を載置シート３９上に設置したのに対し、第３実施形態によれば、ダミー３１を被温調ウェハ２３周辺に別途設けて、その上に外乱センサ３０を設置している。
これは、載置シート３９よりもダミー３１のほうが、被温調ウェハ２３と類似した温度変化を示すと考えられるためである。従って、ダミー３１の温度を外乱センサ３０で測定することにより、被温調ウェハ２３の温度変化をより正確に検知することができる。その結果として、被温調ウェハ２３の温度を目標温度に保つための温度制御を、より正確に行なうことが可能となる。
【００４５】
実測例としては、例えば均一化プレート３３と被温調ウェハ２３との間の距離が１０ｍｍのとき、ダミー３１上に載置した外乱センサ３０の温度が１度変化した際に、被温調ウェハ２３の温度は０．３度変化していた。このように、両者の間には、強い相関があると考えられる。この相関をより正確に測定し、温度変化の対応テーブル等を作成することにより、温度制御をより精密に行なうことが、可能である。
【００４６】
次に、第４実施形態について説明する。
図１０に、第４実施形態に係るウェハ温調装置１１の平面図を示す。尚、正面断面図は図８と同様である。図１０に示すように、被温調ウェハ２３の周辺には、ダミー３１が被温調ウェハ２３を囲むように、突起２４上に被温調ウェハ２３と略同一高さに載置されている。ダミー３１上には、外乱センサ３０が固定されている。
【００４７】
即ち第４実施形態によれば、被温調ウェハ２３の周囲にダミー３１をリング状に形成している。
これにより、ダミー３１が被温調ウェハ２３の周囲を隙間なく囲むので、ダミー３１の温度変化が、より被温調ウェハ２３に近くなる。その結果、外乱センサ３０が、被温調ウェハ２３の温度変化をより正確に測定できるようになり、温度制御がより正確になる。
【００４８】
図１１に、リング状のダミー３１の製造方法の一例を示す。即ち、リング状のダミー３１は、直径の大きなウェハから中抜きによって一体に製造するようにしてもよいが、大きなウェハを製造することは、製造コストの増大に繋がる。従って、図１１に示すように円板状のウェハ４６から一部（斜線部）を切り取り、これを複数個組み合わせることによって、リング状のダミー３１を形成している。
【００４９】
尚、上記第３・第４実施形態において、ダミー３１の材質として、被温調ウェハ２３と同一の材質（シリコンウェハ）を用いるのが最も好ましいが、これに限られるものではない。但し、被温調ウェハ２３に熱伝導率や比熱等の熱的特性の少なくとも１つが類似しているものが好ましく、例えば窒化アルミやカーボン等を用いるとよい。
従って、ダミー３１と称する場合、必ずしもシリコンウェハを指しておらず、被温調ウェハ２３の温度を推定するために、外乱センサ３０を設置する物体を指すものとして用いられる。
【００５０】
また、ダミー３１を被温調ウェハ２３と略同一高さとしたが、これに限られるものではなく、被温調ウェハ２３よりも高かったり、低かったりしてもよい。さらには、ダミー３１を、突起２４を介さずに載置シート３９に直接固定してもよく、或いはダミー３１を、被温調ウェハ２３の外周部ではなく、その上方や下方に設置してもよい。
即ち、ダミー３１の設置位置だけではなく、その厚さや大きさを含めて、被温調ウェハ２３の温度変化を、より正確に反映できるように選択することにより、より正確な温度制御が可能となる。
【００５１】
以上説明したように本発明によれば、被温調ウェハ２３の周囲の物体の温度を検出することにより、被温調ウェハ２３の温度変化の兆候を察知し、これに基づいて被温調ウェハ２３の温度制御を行なっている。これにより、被温調ウェハ２３の温度を正確に検知できるので、これを目標温度により近づけることが可能となっている。
【００５２】
尚、上記第１、第２実施形態と、第３、第４実施形態とは、組み合わせて用いることが可能である。即ち、第１、第２実施形態においては、載置シート３９の温度を測定して被温調ウェハ２３の温度変化を察知する外乱センサ３０を備えている。また、第３、第４実施形態に示したように、被温調ウェハ２３の周囲に配置されたダミー３１の温度を測定して被温調ウェハ２３の温度変化を察知する外乱センサ３０を備えている。これらの外乱センサ３０を、どちらも備えることにより、さらに精密な温度制御が可能となっている。
【００５３】
尚、上記説明においては兆候という言葉を用いたが、必ずしも被温調ウェハ２３の温度が変化する前に検知すると限られるものではなく、被温調ウェハ２３の温度が変化し始めた場合や、或いは変化してしまったことを検知する場合も含む。
即ち、被温調ウェハ２３の温度が変化する前に温度制御を行なうか、変化しつつあるときに温度制御を行なうか、或いは変化してから温度制御を行なうかは、温調装置の応答性などの諸条件により、適宜選択するものである。
【００５４】
尚、上記の説明において、載置シート３９や載置プレート１２を加熱／冷却する機構として、単一の熱電モジュール１４のみがあるように説明したが、これに限られるものではない。即ち、図１２に示すように、複数の熱電モジュール１４Ａ〜１４Ｄを、載置シート３９の下部に設置し、外乱センサ３０Ａ〜３０Ｄ及び温度センサ２９Ａ〜２９Ｄの出力に基づいて、熱電モジュール１４Ａ〜１４Ｄごとにその出力を変えることにより、より精密な温度制御が可能となる。
【００５５】
また、熱電モジュール１４を用いた温度調整装置を例にとって説明を行なったが、これに限られるものではなく、例えば載置プレート１２の内部にヒータや冷却器を備えた温度調整装置においても、同様に応用が可能である。さらには、温度調整装置のみならず、加熱装置や冷却装置についても、同様である。
また、ウェハを樹脂性の載置シート上に載置するように説明したが、これに限られるものではなく、載置台であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係るウェハ温調装置の正面断面図。
【図２】図１のＡ−Ａ視図。
【図３】第１実施形態に係るウェハ温調装置の正面断面図。
【図４】第１実施形態に係るウェハ温調装置の正面断面図。
【図５】第２実施形態に係るウェハ温調装置の正面断面図。
【図６】図５のＢ−Ｂ視図。
【図７】第２実施形態に係るウェハ温調装置の他の構成例を示す平面図。
【図８】第３実施例に係るウェハ温調装置の正面断面図。
【図９】第３実施例に係るウェハ温調装置の平面図。
【図１０】第４実施形態に係るウェハ温調装置の平面図。
【図１１】第４実施形態に係るダミーの製造方法の一例を示す説明図。
【図１２】複数の熱電モジュールを備えたウェハ温調装置の平面図。
【図１３】従来技術に係るウェハ温調装置の構成図。
【図１４】従来技術に係るクリーンブースの構成図。
【符号の説明】
１１：ウェハ温調装置、１２：載置プレート、１３：冷却プレート、１４：熱電モジュール、１６：ｐ型熱電素子、１７：ｎ型熱電素子、１８：温調側電極、１９：吸放熱側電極、２１：絶縁シート、２２：バッファプレート、２３：被温調ウェハ、２４：突起、２６：、２７：ヒータ、２８：コントローラ、２９：温度センサ、３０：外乱センサ、３１：ダミー、３２：リング、３３：均一化プレート、３４：クリーンブース、３５：ファン、３６：ケミカルフィルタ、３７：防塵フィルタ、３９：載置シート、４０：電源、４１：ケース、４２：空気、４３：銅線、４４：コンスタンタン線、４５：端子台、４６：ウェハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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