(57)【要約】【課題】ガラスセラミックスからなる配線基板の配線層の表面に形成されたニッケルめっき層上の金めっき層の表面に、電子部品を低融点ロウ材を介して接続する際の熱等によって、斑点状のしみが発生し外観不良を生じる。【解決手段】ガラスセラミックスからなる絶縁基体１に電子部品３の電極が低融点ロウ材５を介して接続される銅を主成分とした配線層２を被着形成してなる配線基板４であって、配線層２のうち電子部品３の電極が低融点ロウ材５を介して接続される領域の表面に、セレンまたはアンチモンを０．０５〜０．３ｐｐｍ含有しているニッケルめっき層６と、金めっき層７とが無電解法によって順次被着されている配線基板である。ニッケルめっき層６における異常析出部の発生を抑制してめっき液の残留をなくすことができ、残留しためっき液が金めっき層の表面に斑点状のしみを形成して外観不良を生じることを防止することができる。【選択図】　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスセラミックスからなる絶縁基体に電子部品の電極が低融点ロウ材を介して接続される銅を主成分とした配線層を被着形成してなる配線基板であって、前記配線層のうち前記電極が前記低融点ロウ材を介して接続される領域の表面に、セレンまたはアンチモンを０．０５〜０．３ｐｐｍ含有しているニッケルめっき層と、金めっき層とが無電解法によって順次被着されていることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子や容量素子、抵抗器等の電子部品が半田を介して搭載される配線基板であって、その表面の配線層に無電解法によってめっき層が被着されている配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子や容量素子，抵抗器等の電子部品が搭載される配線基板は、一般に、酸化アルミニウム質焼結体から成る絶縁基体と、この絶縁基体の上面から下面にかけて形成されたタングステン，モリブデン等の高融点金属材料から成る複数個の配線層とから構成されており、絶縁基体の上面に半導体素子や容量素子，抵抗器等の電子部品を搭載するとともにこのような電子部品の各電極を配線層に半田を介して電気的に接続するようになっている。
【０００３】
このような配線基板は、配線層の絶縁基体下面に導出されている部位を外部電気回路基板の配線導体に半田等を介し接続することによって外部電気回路基板上に実装され、同時に配線基板に搭載されている電子部品の各電極が所定の外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【０００４】
また、上述の配線基板は配線層のうち少なくとも電子部品が半田を介して接続される領域に、ニッケル−リン合金またはニッケル−ホウ素合金から成るニッケルめっき層と金めっき層とが順次被着されており、このニッケルめっき層によってタングステン等の高融点金属材料から成る配線層に対する半田の接合を良好とし、金めっき層によってニッケルめっき層の表面にニッケルの酸化物が形成されて半田接合性等が劣化するのを防止している。
【０００５】
また、これらニッケルめっき層および金めっき層を被着させる方法としては、配線基板の小型化に伴なう配線層の高密度化によって配線層に対するめっき電力供給用の引き出し線の形成が困難なことから、無電解法が多用されつつある。
【０００６】
一方、金めっき層の下地めっき層となるニッケルめっき層には、タングステン，モリブデン等の高融点金属材料から成る配線層に強固に被着させるとともに、ニッケルめっき層に内在する応力によるクラックやピンホール等のめっき皮膜欠陥をニッケルの結晶成長により抑制する目的のために、例えば８００℃〜１０００℃の熱処理が加えられる。その結果、めっき液が残留しやすいクラックやピンホールがニッケルめっき層において極めて少なくなるため、電子部品を配線層に半田を介して接続させる際の熱によって残留していためっき液が金めっき層上にしみ出し、それが斑点状のしみを形成して外観不良を生じるという問題が発生しにくかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
近年の高度情報化時代を迎え、信号に使用される周波数帯域はますます高周波帯に移行しつつある。このような高周波の信号の伝送を行なう高周波用の配線基板においては、高周波信号を高速で伝送する上で、配線層を形成する導体の抵抗が小さいことが要求され、絶縁基板にもより低い誘電率が要求される。
【０００８】
しかし、従来の配線層に用いられているタングステン，モリブデン等の高融点金属は導体抵抗が大きいため、信号の伝播速度が遅く、また３０ＧＨｚ以上の高周波領域の信号伝播も困難であることから、このようなタングステン，モリブデン等の金属に代えて銅，銀，金等の低抵抗金属を使用することが必要である
このため、最近では、ガラスとセラミックス（無機質フィラー）との混合物を焼成して得られるガラスセラミックスを絶縁基板として用いることが注目されている。ガラスセラミックスは、誘電率が低いため高周波用絶縁基板として好適であり、また８００〜１０００℃の低温で焼成することができることから、銅，銀，金等の低抵抗金属を配線層として使用できるという利点がある。
【０００９】
なお、配線層として使用される低抵抗金属としては、高周波特性に優れた銅を主成分とした導体が用いることが主流となっている。
【００１０】
しかしながら、これらガラスセラミックスに使用される銅を主成分とする導体は、めっき層が被着形成されにくいガラス成分を多量に含有し、そのガラス成分が表面に多数露出して表面が粗面となっており、かつ、焼成の際に絶縁基板の上面に設置され絶縁基板に反りが生ずることを防ぐ役目を果たすセッターの成分が配線層の表面に付着していることが多く、そのため配線層の表面全体にニッケルめっき層を均一に被着させることができないという問題点があった。
【００１１】
そこで、配線層の表面のガラスおよび付着物を、フッ化物を主成分としたガラスエッチング液に浸漬して化学的に除去したり、ブラスト装置等で物理的に除去したりすることが行なわれ、外観的には配線層の表面の全面にニッケルめっき層を均一に被着させることが行なわれている。
【００１２】
ところが、これらの化学的や物理的なガラスおよび付着物の除去においても、その処理条件には絶縁基板や配線層の強度低下を避ける必要性があるため制限があることから、ガラスおよび付着物を完全に除去することができなかった。そのため、配線層の表面には微量のガラスや付着物が残留することになり、この微量の残留したガラスや付着物は、特に初期のめっき析出を阻害することから、ニッケルめっき層に応力の高い部分を形成してしまい、そのため、走査型電子顕微鏡でニッケルめっき層の表面を観察すると斑点状に微細なクラック状の異常析出部を形成してしまうこととなるという問題点があった。
【００１３】
この微細なクラック状の異常析出部には、めっき液が残留し易く、ここに残留しためっき液が電子部品を配線層に半田を介して接続させる際の熱によってニッケルめっき層上の金めっき層の表面にしみ出し、斑点状のしみを形成して外観不良を生じるという問題点があった。
【００１４】
この異常析出部を抑制するためには、例えば熱処理を加えることが考えられるが、ニッケルめっき層の結晶成長に必要な８００℃〜１０００℃の熱処理を加えると、銅から成る配線層にフクレ等の問題が誘発されるという問題点があった。
【００１５】
本発明は以上のような従来の技術における問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、配線層の表面のニッケルめっき層に熱処理を加えることなく、電子部品を配線層に半田を介して接続させる際の熱によってニッケルめっき層上の金めっき層の表面に斑点状のしみを形成して外観不良を生じることを防止できる配線基板を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線基板は、ガラスセラミックスからなる絶縁基体に電子部品の電極が低融点ロウ材を介して接続される銅を主成分とした配線層を被着形成してなる配線基板であって、前記配線層のうち前記電極が前記低融点ロウ材を介して接続される領域の表面に、セレンまたはアンチモンを０．０５〜０．３ｐｐｍ含有しているニッケルめっき層と、金めっき層とが無電解法によって順次被着されていることを特徴とするものである。
【００１７】
本発明の配線基板によれば、銅を主成分とした配線層の表面に、セレンまたはアンチモンを０．０５〜０．３ｐｐｍ含有しているニッケルめっき層と、金めっき層とを無電解法によって順次被着したことから、ニッケルめっき層に含有させたセレンまたはアンチモンが、配線層の表面に微量に存在するガラスおよび付着物の上に被着されることにより部分的に応力が高くなるニッケルめっき層の応力を緩和することができるとともに、配線層の表面に微量に存在するガラスおよび付着物の上にも付き回り良くニッケルめっき層を形成することができるため、ニッケルめっき層における微細なクラック状の異常析出部の発生を抑制することができる。その結果、ニッケルめっき層にめっき液が残留し難くなることから、ニッケルめっき層に熱処理を加えることなく、電子部品を配線層に低融点ロウ材を介して接続させる際の熱によってニッケルめっき層に残留しためっき液が金めっき層の表面に斑点状のしみを形成して外観不良を生じることを防止することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の配線基板を添付図面に基づき詳細に説明する。
図１は、本発明の配線基板を半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージに適用した場合の実施の形態の一例を示し、１は絶縁基体、２は配線層である。この絶縁基体１と配線導体２とで半導体素子等の電子部品３を塔載するための配線基板４が形成される。
【００１９】
絶縁基体１は、ガラス粉末，フィラー粉末（セラミック粉末）、さらに有機バインダ，可塑剤，有機溶剤等を混合したガラスセラミックグリーンシートを焼結することで形成される。
【００２０】
ガラス成分としては、例えばＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系，ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系，ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭＯ系（但し、ＭはＣａ，Ｓｒ，Ｍｇ，ＢａまたはＺｎを示す），ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系（但し、Ｍ１およびＭ２は同一または異なってＣａ，Ｓｒ，Ｍｇ，ＢａまたはＺｎを示す），ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系（但し、Ｍ１およびＭ２は前記と同じである），ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｍ３２Ｏ系（但し、Ｍ３はＬｉ，ＮａまたはＫを示す），ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ３２Ｏ系（但し、Ｍ３は前記と同じである），Ｐｂ系ガラス，Ｂｉ系ガラス等が挙げられる。
【００２１】
また、フィラーとしては、例えばＡｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＺｒＯ２とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物，ＴｉＯ２とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物，Ａｌ２Ｏ３およびＳｉＯ２から選ばれる少なくとも１種を含む複合酸化物（例えばスピネル，ムライト，コージェライト）等が挙げられる。
【００２２】
これらガラスとフィラーとの混合割合は質量比で４０：６０〜９９：１であるのが好ましい。
【００２３】
ガラスセラミックグリーンシートに配合される有機バインダとしては、従来からセラミックグリーンシートに使用されているものが使用可能であり、例えばアクリル系（アクリル酸，メタクリル酸またはそれらのエステルの単独重合体または共重合体、具体的にはアクリル酸エステル共重合体，メタクリル酸エステル共重合体，アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体等），ポリビニルブチラ−ル系，ポリビニルアルコール系，アクリル−スチレン系，ポリプロピレンカーボネート系，セルロース系等の単独重合体または共重合体が挙げられる。
【００２４】
ガラスセラミックグリーンシートは、上記ガラス粉末，フィラー粉末，有機バインダに必要に応じて所定量の可塑剤，溶剤（有機溶剤，水等）を加えてスラリーを得て、これをドクターブレード，圧延，カレンダーロール，金型プレス等により厚さ約５０〜５００μｍに成形することによって得られる。
【００２５】
このようにして得られたガラスセラミックグリーンシートに切断加工や打ち抜き加工等を施して適当な形状にするとともにこれを複数枚積層した後、有機成分の除去および焼成を行なう。有機成分の除去は、１００〜８００℃の温度範囲でこの積層体を加熱することによって行ない、有機成分を分解，揮散させる。また、焼成温度はガラスセラミック組成により異なるが、通常は約８００〜１１００℃の範囲内である。焼成は通常、大気中で行なうが、導体材料に銅を使用する場合には１００〜７００℃の水蒸気を含む窒素雰囲気中で有機成分の除去を行ない、次いで窒素雰囲気中で焼成を行なう。
【００２６】
また、絶縁基体１は、上面の搭載部から下面にかけて多数の配線層２が被着形成され、配線層２の搭載部に露出した部位には電子部品３の電極が半田等の低融点ロウ材５を介して電気的に接続され、下面に導出された部位は外部電気回路と半田等の低融点ロウ材５を介して電気的に接続される。
【００２７】
配線層２は、例えば銅粉末と１重量％以下のガラスから成り、これに適当な有機バインダや溶剤を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体１となるセラミックグリーンシートに予め従来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布しておくことによって、絶縁基体１の上面から下面にかけて被着される。
【００２８】
なお、配線層２は、ガラスを主成分とする絶縁基体１となるセラミックグリーンシートから焼成の際に移動拡散したガラスを含有しており、配線層２の表面においてはガラスが面積比として１〜３％存在している。さらに、配線層２の表面には、焼成の際に付着したセッター等の焼成付着物が微量に存在する。
【００２９】
また、配線層２は図２に要部拡大断面図で示すように、その表面のうち少なくとも電子部品３の電極が低融点ロウ材５を介して接続される領域の表面に、ニッケルめっき層６および金めっき層７が順次被着されている。
【００３０】
なお、ここで低融点ロウ材５とは、配線層２と、電子部品３および外部電気回路とを電気的，機械的に接続する役割を有する２００℃〜３００℃程度の温度で溶融する共晶合金をいう。一般に半田と呼ばれる錫−鉛系合金の他、鉛−インジウム系，金−錫系，金−ゲルマニウム系，金−インジウム系等の共晶合金が主なものであり、また、一般に鉛フリー半田と称される錫−銀系等の合金も使用することができ、目的や用途に応じてその組成を選択すればよい。
【００３１】
ニッケルめっき層６は、低融点ロウ材５を配線層２に強固に接続するための金属層として作用するとともに、配線層２に金めっき層７を密着性良く被着させるための下地金属層として作用する。
【００３２】
本発明においては、このニッケルめっき層６にセレンまたはアンチモンを０．０５〜０．３ｐｐｍ含有させておくことが重要である。ここで、セレンまたはアンチモンの含有量（ｐｐｍ）は、ニッケルめっき層６を硝酸に溶解して発光分光分析すること等によって得た、ニッケルめっき層６の全重量に対する重量比を表している。
【００３３】
ニッケルめっき層６にセレンまたはアンチモンを０．０５〜０．３ｐｐｍ含有させておくと、詳細は明らかではないが、セレンまたはアンチモンがニッケルめっき層６のニッケル結晶間に発生した歪みを復元する作用を有すると考えられるため、配線層２の表面に微量に存在するガラスおよび付着物の上に被着される部分的に応力の高いニッケルめっき層６の応力を緩和することができるとともに、ニッケルめっき層６のニッケル結晶が横方向、すなわち配線層２の表面に平行な方向へ成長しやすくなるため、配線層２の表面に微量に存在するガラスおよび付着物の上にも付き回り良くニッケルめっき層６を形成することができるため、ニッケルめっき層６にクラック状の異常析出部が形成されることを抑制することができる。その結果、ニッケルめっき層６にはめっき液が残留しにくくなり、残留しためっき液が電子部品を配線層２に低融点ロウ材５を介して接続させる際の熱によって金めっき層７の表面に斑点状のしみを形成して外観不良を生じることを防止することができる。
【００３４】
なお、ニッケルめっき層６に含有されるセレンまたはアンチモンは、その量が０．０５ｐｐｍ未満であると、配線層２の表面に微量に存在するガラスおよび付着物の上に被着される部分的に応力の高いニッケルめっき層６の応力を緩和する作用が不十分となり、ニッケルめっき層６におけるクラック状の異常析出部の発生を抑制することができなくなる。また、０．３ｐｐｍを超えると、ニッケルめっき層６の表面の組成にムラが発生したり、表面の凹凸が大きくなったりするため、ニッケルめっき層６上に金めっき層７を均一かつ強固に被着することができなくなる。従って、ニッケルめっき層６に含有されるセレンおよびアンチモンは、その量を０．０５〜０．３ｐｐｍにする必要がある。
【００３５】
また、ニッケルめっき層６は、その厚みが０．５μｍ未満と薄いものとなった場合は、配線層２を完全に被覆することができず、この上に被着される金めっき層７の被着強度が弱くなってしまう傾向にあり、また１０μｍを超えると、ニッケルめっき層６の内部応力が大きくなって配線層２への被着強度が低いものとなってしまう傾向がある。従って、ニッケルめっき層６は、その厚さを０．５μｍ〜１０μｍの範囲としておくことが好ましい。
【００３６】
本発明においては、ニッケルめっき層６は無電解法によって配線層２の表面に被着される。無電解法によりニッケルめっき層６を被着させる無電解ニッケルめっき液としては、硫酸ニッケル等のニッケル化合物と、ジメチルアミンボラン等のホウ素系還元剤または次亜リン酸ナトリウム等のリン系還元剤とを主成分とする水溶液に錯化剤，ｐＨ緩衝剤，安定剤等を添加して成る無電解ニッケルめっき液が用いられる。
【００３７】
例えば、次亜リン酸ナトリウム等のリン系還元剤を主成分とし、一般に無電解ニッケル−リンめっき液と呼ばれるニッケルめっき液を用いてニッケルめっき層６を形成する場合には、還元剤としての次亜リン酸ナトリウムと、錯化剤およびｐＨ緩衝剤としてのクエン酸，コハク酸，リンゴ酸のナトリウム塩やカリウム塩等のオキシカルボン酸と、安定剤として鉛の塩化物等とで構成された水溶液に、セレン酸ナトリウム等のセレン化合物または塩化アンチモン等のアンチモン化合物を添加した無電解ニッケル−リンめっき液を用い、ｐＨが５〜７，液温が８０〜９５℃の条件で配線層２を所定時間浸漬すればよい。
【００３８】
また、ニッケルめっき層６中のセレンまたはアンチモンの含有量を上記所定の範囲内に制御するには、ニッケルと、セレンまたはアンチモンを共析させるために、セレン酸ナトリウム等のセレン化合物または塩化アンチモン等のアンチモン化合物無電解ニッケル−リンめっき液中に添加することによってその濃度を０．１〜５ｐｐｍにすればよい。これは、セレン酸ナトリウム等のセレン化合物または塩化アンチモン等のアンチモン化合物の濃度が０．１ｐｐｍ未満であると、セレンまたはアンチモンの共析量が不足し、ニッケルめっき層６のセレンまたはアンチモンの含有量を０．０５ｐｐｍ以上とすることができなくなるからであり、またその濃度が５ｐｐｍを超えた場合には、めっき析出速度が極端に低下することによってセレンまたはアンチモンの共析量が増加し、ニッケルめっき層６のセレンまたはアンチモンの含有量が０．３ｐｐｍを大きく超えた過剰な量となってしまうとともに、めっき工程の効率が低下してしまうという不具合が生じるためである。
【００３９】
さらに、ニッケルめっき層６のセレンまたはアンチモンの含有量を安定して０．０５〜０．３ｐｐｍとするためには、ニッケル，セレンまたはアンチモンとの安定度定数（錯化力）が異なる錯化剤を２〜３種類組み合わせたり、ｐＨ，液温，撹拌スピード等のめっき条件を配線基板４の形状や材質および配線層２の表面状態等に応じて調整したりすることによって、含有量を制御するとよい。
【００４０】
また、ニッケルめっき層６はその表面に金めっき層７が無電解法によって形成されている。
【００４１】
この金めっき層７は、ニッケルめっき層６の耐食性を向上させるとともに低融点ロウ材５の濡れ性，接合特性を向上させるためのものである。
【００４２】
金めっき層７を無電解法により形成する場合は、通常は図２の要部拡大断面図に示すように、置換型の無電解金めっき層７ａ上に自己触媒型の無電解金めっき層７ｂを析出させた２層構造の金めっき層７が用いられる。
【００４３】
置換型の無電解金めっき層７ａは、ニッケルめっき層６の表面に金めっき層７を被着させるために必要なものであり、ニッケルめっき層６の表面のニッケルと置換型無電解金めっき層７ａを形成するためのめっき液中に含有される金とを化学的に置換させることによってニッケルめっき層６の表面に無電解金めっき層７ａを被着させるものである。
【００４４】
この置換型の無電解金めっき層７ａの形成には、例えば、金の供給源であるシアン化金カリウムと、錯化剤としてのエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ），クエン酸等と、ｐＨ調整剤等とから成る無電解めっき液を用いる。このめっき液中に配線層２の表面にニッケルめっき層６が被着形成された配線基板４をｐＨが４〜７程度，液温が８５〜９５℃程度の条件で約３０秒〜３０分程度浸漬することにより、配線層２の表面に被着されたニッケルめっき層６上に置換型の無電解金めっき層７ａを被着させることができる。
【００４５】
置換型の無電解金めっき層７ａは、その厚みが０．０１μｍ未満では、ニッケルめっき層６の表面を均質に覆うことが困難となる傾向にあり、また０．０７μｍを超えると、ニッケルめっき層６が金との置換反応により腐食されて、その結果、ニッケルめっき層６と低融点ロウ材５との濡れ性が低下してしまう傾向にある。従って、置換型の無電解金めっき層７ａの厚みは０．０１〜０．０７μｍの範囲が好ましい。
【００４６】
また、自己触媒型の無電解金めっき層７ｂは、ニッケルめっき層６の表面に被着される金めっき層７を緻密かつ所定の厚みとするためのものであり、ニッケルめっき層６の表面に被着された置換型の金めっき層７ａの表面の金を触媒として、この金めっき層７ａ上に自己触媒型の無電解金めっき層７ｂが緻密にかつ所定の厚みに被着される。
【００４７】
この自己触媒型の無電解金めっき層７ｂの形成には、例えば、金の供給源であるシアン化金カリウムと、還元剤としての水酸化ナトリウム，ジメチルアミンボランと、錯化剤としてのシアン化カリウム等とから成る無電解めっき液を用いる。このめっき液中に配線層２の表面のニッケルめっき層６に置換型の無電解金めっき層７ａが被着形成された配線基板４をｐＨが１２〜１４程度，液温が５０〜６０℃程度の条件で約６０秒〜３０分程度浸漬することにより、置換型の無電解金めっき層７ａ上に自己触媒型の無電解金めっき層７ｂを被着させることができる。
【００４８】
これら置換型の無電解金めっき層７ａおよび自己触媒型の無電解金めっき層７ｂの合計厚みすなわち金めっき層７の厚みは、０．０３μｍ未満であると、ニッケルめっき層６の表面に形成された置換型の無電解めっき層７ａは緻密性が低く、多量のピンホールを有しているのに対し、この無電解めっき層７ａのピンホールを自己触媒型の無電解金めっき層７ｂで十分にカバーリングすることができず、金めっき層７に多量のピンホールが形成され、金めっき層７によりニッケルめっき層６の耐食性を向上させることが困難となる傾向にある。他方、１μｍを超えると、配線層２を電子部品３の電極に半田等の低融点ロウ材５を介して接続する際に脆弱な金−錫合金が多量に形成されてしまい、その結果、低融点ロウ材５の配線層２に対する接合強度が極めて弱いものとなってしまう傾向にある。従って、ニッケルめっき層６上に被着される金めっき層７の厚みは０．０３〜１．０μｍの範囲が好ましい。
【００４９】
かくして本発明の配線基板４によれば、絶縁基体１の上面に形成した配線層２に電子部品３の電極を低融点ロウ材５を介して電気的，機械的に接続し、しかる後、絶縁基体１の上面に金属やセラミックスから成る蓋体８をガラスや樹脂，ロウ材等の封止材を介して接合させ、絶縁基体１と蓋体８とから成る容器内部に電子部品３を気密に収容することによって製品としての半導体装置が完成する。
【００５０】
なお、本発明は上述の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば、上述の例では本発明の配線基板を半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージに適用したが、混成集積回路基板等の他の用途に適用してもよい。
【００５１】
【発明の効果】
本発明の配線基板によれば、銅を主成分とした配線層の表面に、セレンまたはアンチモンを０．０５〜０．３ｐｐｍ含有しているニッケルめっき層と、金めっき層とを無電解法によって順次被着したことから、ニッケルめっき層に含有させたセレンまたはアンチモンが、配線層の表面に微量に存在するガラスおよび付着物の上に被着されることにより部分的に応力が高くなるニッケルめっき層の応力を緩和することができるとともに、配線層の表面に微量に存在するガラスおよび付着物の上にも付き回り良くニッケルめっき層を形成することができるため、ニッケルめっき層における微細なクラック状の異常析出部の発生を抑制することができる。その結果、ニッケルめっき層にめっき液が残留し難くなることから、ニッケルめっき層に熱処理を加えることなく、電子部品を配線層に低融点ロウ材を介して接続させる際の熱によってニッケルめっき層に残留しためっき液が金めっき層の表面に斑点状のしみを形成して外観不良を生じることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示す配線基板の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
１・・・・絶縁基体
２・・・・配線層
３・・・・電子部品
４・・・・配線基板
５・・・・低融点ロウ材
６・・・・ニッケルめっき層
７・・・・金めっき層
７ａ・・・・置換型の金めっき層
７ｂ・・・・自己触媒型の金めっき層
８・・・・蓋体
【図１】
2004039995.tif 000003
【図２】
2004039995.tif 000004