(57)【要約】【課題】記録用の光の照射および磁場の供給を受けることで、供給された磁場に応じた向きに磁化された所定の大きさのマークが所定方向に連続して形成され、再生用の光の照射を受けることでそのマークが読みとられる光磁気記録媒体等に関し、大きな再生信号が得られることと、マークの大きさよりも大きな領域をスムーズに出現させることを両立することができる光磁気記録媒体等を提供する。【解決手段】磁性層１２が、平行関係を保って所定方向に延在し、マークが記録される複数のトラックＴと、隣り合うトラックＴの間それぞれに延在する複数のトラック間ラインＬとを有し、トラックＴおよびトラック間ラインＬはともに、酸素および窒素のいずれか一方を含むことで磁気異方性が変化する材料からなるものであり、さらに、トラック間ラインＬが、トラックＴよりも酸素および窒素のいずれか一方を多く含むものである。【選択図】        図１
2004206781.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録用の光の照射および磁場の供給を受けることで、供給された磁場に応じた向きに磁化された所定の大きさのマークが所定方向に連続して記録され、再生用の光の照射を受けることで該マークが読みとられる光磁気記録媒体において、
基板と、
前記基板上に形成された層であって、記録時には前記マークが記録され、再生時には該マークの磁化方向と同一方向に磁化された、該マークの大きさよりも大きな領域が出現する磁性層とを備え、
前記磁性層が、平行関係を保って前記所定方向に延在し、前記マークが記録される複数のトラックと、隣り合うトラックの間それぞれに延在する複数のトラック間ラインとを有し、該トラックおよび該トラック間ラインはともに、酸素および窒素のいずれか一方を含むことで磁気異方性が変化する材料からなるものであり、さらに、該トラック間ラインが、該トラックよりも酸素および窒素のいずれか一方を多く含むものであることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】
記録用の光の照射および磁場の供給を受けることで、供給された磁場に応じた向きに磁化された所定の大きさのマークが所定方向に連続して記録され、再生用の光の照射を受けることで該マークが読みとられる光磁気記録媒体において、
基板と、
前記基板上に形成された層であって、記録時には前記マークが記録され、再生時には該マークの磁化方向と同一方向に磁化された、該マークの大きさよりも大きな領域が出現する磁性層とを備え、
前記磁性層が、平行関係を保って前記所定方向に延在し、前記マークが記録される複数のトラックと、隣り合うトラックの間それぞれに延在する複数のトラック間ラインとを有し、該トラック間ラインは、該トラックよりも放熱性が劣るものであることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項３】
記録用の光の照射および磁場の供給を受けることで、供給された磁場に応じた向きに磁化された所定の大きさのマークが所定方向に連続して記録され、再生用の光の照射を受けることで該マークが読みとられる光磁気記録媒体の製造方法において、
基板よりも上層に、表面が露出した状態で平行関係を保って前記所定方向に延在し、主成分の元素と結合しきれずに残った、酸素および窒素のいずれか一方を含む誘電体ラインを形成する誘電体ライン形成工程と、
前記誘電体ライン形成工程実施後に、記録時には前記マークが記録され、再生時には該マークの磁化方向と同一方向に磁化された、該マークの大きさよりも大きな領域が出現する磁性層を形成する磁性層形成工程とを有し、
前記磁性層形成工程は、前記誘電体ライン形成工程が実施されることで形成された複数の誘電体ラインそれぞれの表面に、該誘電体ラインに含まれた、主成分の元素と結合しきれずに残った酸素によって酸化され、酸化されることで磁気異方性が変化する複数のトラック間ライン、および該誘電体ラインに含まれた、主成分の元素と結合しきれずに残った窒素によって窒化され、窒化されることで磁気異方性が変化する複数のトラック間ラインのいずれか一方を形成するとともに、隣り合うトラック間ラインの間それぞれに延在し、前記マークが記録される複数のトラックを形成する第１工程を有するものであることを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
記録用の光の照射および磁場の供給を受けることで、供給された磁場に応じた向きに磁化された所定の大きさのマークが所定方向に連続して記録され、再生用の光の照射を受けることで該マークが読みとられる光磁気記録媒体の製造方法において、
基板よりも上層に、所定の熱伝導率を有し、表面が露出した状態で平行関係を保って前記所定方向に延在する複数の放熱ラインを形成する放熱ライン形成工程と、
前記放熱ライン形成工程実施後に、記録時には前記マークが記録され、再生時には該マークの磁化方向と同一方向に磁化された、該マークの大きさよりも大きな領域が出現する磁性層を形成する磁性層形成工程とを有し、
前記磁性層形成工程は、前記放熱ライン形成工程が実施されることで形成された複数の放熱ラインそれぞれの表面に複数のトラックを形成するとともに、隣り合う放熱ラインの間それぞれに延在し、前記所定の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する複数のトラック間ラインを形成する第１工程と、前記第１工程が実施されることで形成されたトラックおよびトラック間ラインの双方に同時に熱を加える第２工程とを有することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
記録用の光の照射および磁場の供給を受けることで、供給された磁場に応じた向きに磁化された所定の大きさのマークが所定方向に連続して記録され、再生用の光の照射を受けることで該マークが読みとられる光磁気記録媒体の製造方法において、
基板よりも上層に、所定の熱伝導率を有し、表面が露出した状態で平行関係を保って前記所定方向に延在する複数の断熱ラインを形成する断熱ライン形成工程と、
前記断熱ライン形成工程実施後に、記録時には前記マークが記録され、再生時には該マークの磁化方向と同一方向に磁化された、該マークの大きさよりも大きな領域が出現する磁性層を形成する磁性層形成工程とを有し、
前記磁性層形成工程は、前記断熱ライン形成工程が実施されることで形成された複数の断熱ラインそれぞれの表面に複数のトラック間ラインを形成するとともに、隣り合う放熱ラインの間それぞれに延在し、前記所定の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する複数のトラックを形成する第１工程と、前記第１工程が実施されることで形成されたトラックおよびトラック間ラインの双方に同時に熱を加える第２工程とを有することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、記録用の光の照射および磁場の供給を受けることで、供給された磁場に応じた向きに磁化された所定の大きさのマークが所定方向に連続して形成され、再生用の光の照射を受けることで該マークが読みとられる光磁気記録媒体、およびそのような光磁気記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、光と磁気の双方を用いて情報を記録する光磁気ディスク等の光磁気記録媒体が広く使用されている。この光磁気記録媒体は、磁性を有する記録層を備えており、光磁気記録媒体に記録用の光ビームの照射および磁場の供給を行うことで、この記録層に、供給された磁場に応じた向きに磁化された所定の大きさのマークが記録され、光磁気記録媒体に再生用の光ビームの照射を行うことで、そのマークが読みとられ、再生信号が生成される。
【０００３】
このような光磁気記録媒体について近年一層の記録密度の向上が要求されてきている。光磁気記録媒体の記録密度の向上を実現するには、いかにしてマークを高密度に記録するかという記録時の課題とは別に、高密度に記録した微小なマークをいかにして読み出すかという再生時の課題もある。この再生時の課題を解決する技術の一つとして、記録層の上に再生層を設け、再生時に、この再生層に、記録されたマークの磁化方向と同一方向に磁化された、そのマークの大きさよりも大きな領域を出現させ、マークを拡大して読み出すといった技術が知られている。このような技術の中には、再生時に再生層で磁壁の移動を行わせることでマークを拡大して読み出すＤＷＤＤ（Ｄｏｍａｉｎ  Ｗａｌｌ  Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）といった技術がある。
【０００４】
光磁気記録媒体は一般的に円盤状であり、記録層には、周方向に延びる凹溝と凸条が平行関係を保って交互に繰り返し設けられている。このような凹溝と凸条はランド・グルーブと称されており、ここでは、マークがランドに記録されるものとして説明する。すなわち、ランドがトラックになり、グルーブが隣り合うトラックの間に延在するトラック間ラインになる。
【０００５】
ところで、光磁気記録媒体の再生信号の強度は、記録したマークが大きければ大きいほど高くなる。高密度記録を実現する場合には、ランドの延在方向に短くランド内で幅方向に長いマークを記録することが好ましい。このため、ランドにマークを記録するにあたっては、マークを、ランドの幅いっぱいに記録することが望まれるが、実際には、ランドの幅いっぱいのマークを常に記録し続けることは困難である。このため、ランドの幅方向にややオーバー気味のマークを記録し続けることで、ランドの幅いっぱいのマークを保証することがある。マークがランドの幅を超えて記録されると、マークの、ランドの幅を超えた部分はグルーブに達する。このようなランドの幅を超えて記録されたマークは、ランドの延在方向の両端に位置する磁壁と、そのランドを挟み込むグルーブ内に位置する磁壁とで囲まれたものとなる。グルーブ内に磁壁が位置していると、交換結合力により、グルーブ内の磁壁には、グルーブ内の磁化をマークの磁化方向と同一方向に揃えようとする力が働き、ＤＷＤＤの技術が採用された光磁気記録媒体では、この力によって再生層における磁壁移動が阻害される。すなわち、記録媒体としての問題は、再生時に、記録したマークの大きさよりも大きな領域を出現させることが阻害されることにある。
【０００６】
また、光磁気記録媒体の製造方法からみると、特許文献１には、磁性膜に熱を加えると磁性膜の磁気異方性が変化することを利用し、生産段階で、ランドと同じ磁気異方性を有するグルーブに１本ずつ熱を加え、グルーブの磁気異方性を変化させ、グルーブ内の磁壁に働く力を極めて小さなものにする技術が開示されている。ところが、この技術では、グルーブに１本ずつ熱を加えるため、総てのグルーブに熱を加えるには長時間要してしまい生産効率が低下する。そこで、特許文献２には、複数のグルーブにまたがって熱を加えることで、時間短縮を図る製造方法が提案されている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平６−２９０４９６号公報
【特許文献２】
特開２０００−２６８４３３号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献２に記載された製造方法では、グルーブとともにランドにも同じ熱量が与えられるため、トラックであるランドの磁気異方性までもがトラック間ラインであるグルーブと同じように変化してしまう恐れがある。トラックの磁気異方性が変化してしまった光磁気記録媒体からは、大きな再生信号を得ることができず問題になる。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑み、大きな再生信号が得られることと、マークの大きさよりも大きな領域をスムーズに出現させることを両立することができる光磁気記録媒体、および生産段階において、トラックの磁気的異方性への影響を抑えつつ、総てのトラック間ラインの磁気異方性を短時間のうちに変化させることができる光磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明のうちの第１の光磁気記憶媒体は、記録用の光の照射および磁場の供給を受けることで、供給された磁場に応じた向きに磁化された所定の大きさのマークが所定方向に連続して記録され、再生用の光の照射を受けることでそのマークが読みとられる光磁気記録媒体において、
基板と、
上記基板上に形成された層であって、記録時には上記マークが記録され、再生時にはそのマークの磁化方向と同一方向に磁化された、そのマークの大きさよりも大きな領域が出現する磁性層とを備え、
上記磁性層が、平行関係を保って上記所定方向に延在し、上記マークが記録される複数のトラックと、隣り合うトラックの間それぞれに延在する複数のトラック間ラインとを有し、そのトラックおよびそのトラック間ラインはともに、酸素および窒素のいずれか一方を含むことで磁気異方性が変化する材料からなるものであり、さらに、そのトラック間ラインが、そのトラックよりも酸素および窒素のいずれか一方を多く含むものであることを特徴とする。
【００１１】
この第１の光磁気記憶媒体では、上記トラックおよび上記トラック間ラインはともに、酸素および窒素のいずれか一方を含むことで磁気異方性が変化する材料からなるものであり、これらのうちの上記トラック間ラインは、上記トラックよりも酸素および窒素のいずれか一方を多く含むものであることから、上記トラック間ラインの方が上記トラックよりも磁気異方性が大きく変化している。このため、再生信号の強度低下に結びつく、上記トラックの磁気異方性の変化が抑えられ、この第１の光磁気記憶媒体からは、大きな再生信号を得ることができる。また、上記トラック間ラインの磁気異方性が変化していることから、そのトラック間ライン内の磁壁に働く力が極めて小さくなり、この第１の光磁気記憶媒体によれば、マークの大きさよりも大きな領域をスムーズに出現させることもできる。なお、全体が１本の螺旋状に繋がった多数周のトラックは、１周を１トラックとしてカウントし、ここにいう複数のトラックに含まれる（以下においても同じ）。
【００１２】
上記目的を達成する本発明のうちの第２の光磁気記憶媒体は、記録用の光の照射および磁場の供給を受けることで、供給された磁場に応じた向きに磁化された所定の大きさのマークが所定方向に連続して記録され、再生用の光の照射を受けることでそのマークが読みとられる光磁気記録媒体において、
基板と、
上記基板上に形成された層であって、記録時には上記マークが記録され、再生時にはそのマークの磁化方向と同一方向に磁化された、そのマークの大きさよりも大きな領域が出現する磁性層とを備え、
上記磁性層が、平行関係を保って上記所定方向に延在し、上記マークが記録される複数のトラックと、隣り合うトラックの間それぞれに延在する複数のトラック間ラインとを有し、そのトラック間ラインは、そのトラックよりも放熱性が劣るものであることを特徴とする。
【００１３】
この第２の光磁気記憶媒体では、上記トラックの放熱性と上記トラック間ラインとの放熱性に差を設けることにより、上記トラックと上記トラック間ラインとの間で、同じ熱量に対する磁気異方性の変化の程度を異ならせている。すなわち、上記トラック間ラインは、上記トラックよりも放熱性が劣るものであるため、同じ熱量が与えられた上記トラック間ラインと上記トラックでは、上記トラック間ラインのほうが上記トラックよりも磁気異方性が大きく変化している。このため、この第２の光磁気記憶媒体によっても、大きな再生信号が得られることと、マークの大きさよりも大きな領域をスムーズに出現させることを両立することができる。
【００１４】
上記目的を達成する本発明のうちの第１の光磁気記憶媒体の製造方法は、記録用の光の照射および磁場の供給を受けることで、供給された磁場に応じた向きに磁化された所定の大きさのマークが所定方向に連続して記録され、再生用の光の照射を受けることでそのマークが読みとられる光磁気記録媒体の製造方法において、
基板よりも上層に、表面が露出した状態で平行関係を保って上記所定方向に延在し、主成分の元素と結合しきれずに残った、酸素および窒素のいずれか一方を含む誘電体ラインを形成する誘電体ライン形成工程と、
上記誘電体ライン形成工程実施後に、記録時には上記マークが記録され、再生時にはそのマークの磁化方向と同一方向に磁化された、そのマークの大きさよりも大きな領域が出現する磁性層を形成する磁性層形成工程とを有し、
上記磁性層形成工程は、上記誘電体ライン形成工程が実施されることで形成された複数の誘電体ラインそれぞれの表面に、その誘電体ラインに含まれた、主成分の元素と結合しきれずに残った酸素によって酸化され、酸化されることで磁気異方性が変化する複数のトラック間ライン、およびその誘電体ラインに含まれた、主成分の元素と結合しきれずに残った窒素によって窒化され、窒化されることで磁気異方性が変化する複数のトラック間ラインのいずれか一方を形成するとともに、隣り合うトラック間ラインの間それぞれに延在し、上記マークが記録される複数のトラックを形成する第１工程を有するものであることを特徴とする。
【００１５】
この第１の光磁気記録媒体の製造方法では、過剰な酸素または窒素を含む誘電体ラインを形成し、その誘電体ラインに含まれた過剰な酸素または窒素を用いて上記トラック間ラインを酸化又は窒化させることで、上記トラック間ラインの磁気異方性を変化させる。一方、上記トラックには、その誘電体ラインに含まれた過剰な酸素または窒素が供給されず、上記トラックの磁気異方性をそのままに保つことができる。したがって、第１の光磁気記録媒体の製造方法によれば、酸素又は窒素の選択的な供給が、上記誘電体ライン形成工程と上記第１工程を実施することで準備でき、トラックの磁気的異方性への影響を抑えつつ、総てのトラック間ラインの磁気異方性を短時間のうちに変化させることができる。
【００１６】
上記目的を達成する本発明のうちの第２の光磁気記憶媒体の製造方法は、記録用の光の照射および磁場の供給を受けることで、供給された磁場に応じた向きに磁化された所定の大きさのマークが所定方向に連続して記録され、再生用の光の照射を受けることでそのマークが読みとられる光磁気記録媒体の製造方法において、
基板よりも上層に、所定の熱伝導率を有し、表面が露出した状態で平行関係を保って上記所定方向に延在する複数の放熱ラインを形成する放熱ライン形成工程と、
上記放熱ライン形成工程実施後に、記録時には上記マークが記録され、再生時にはそのマークの磁化方向と同一方向に磁化された、そのマークの大きさよりも大きな領域が出現する磁性層を形成する磁性層形成工程とを有し、
上記磁性層形成工程は、上記放熱ライン形成工程が実施されることで形成された複数の放熱ラインそれぞれの表面に複数のトラックを形成するとともに、隣り合う放熱ラインの間それぞれに延在し、上記所定の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する複数のトラック間ラインを形成する第１工程と、上記第１工程が実施されることで形成されたトラックおよびトラック間ラインの双方に同時に熱を加える第２工程とを有することを特徴とする。
【００１７】
この第２の光磁気記録媒体の製造方法では、上記放熱ラインを形成しておくことで、上記第２工程実施時の各トラックでは、与えられた熱が、この放熱ラインによって逃がされ、総てのトラックの磁気異方性をそのままに保つことができる。一方、上記第２工程実施時の各トラック間ラインの磁気異方性は、与えられた熱によって変化する。したがって、第２の光磁気記録媒体の製造方法によっても、トラックの磁気的異方性への影響を抑えつつ、総てのトラック間ラインの磁気異方性を短時間のうちに変化させることができる。
【００１８】
上記目的を達成する本発明のうちの第３の光磁気記憶媒体の製造方法は、記録用の光の照射および磁場の供給を受けることで、供給された磁場に応じた向きに磁化された所定の大きさのマークが所定方向に連続して記録され、再生用の光の照射を受けることでそのマークが読みとられる光磁気記録媒体の製造方法において、
基板よりも上層に、所定の熱伝導率を有し、表面が露出した状態で平行関係を保って上記所定方向に延在する複数の断熱ラインを形成する断熱ライン形成工程と、
上記断熱ライン形成工程実施後に、記録時には上記マークが記録され、再生時にはそのマークの磁化方向と同一方向に磁化された、そのマークの大きさよりも大きな領域が出現する磁性層を形成する磁性層形成工程とを有し、
上記磁性層形成工程は、上記断熱ライン形成工程が実施されることで形成された複数の断熱ラインそれぞれの表面に複数のトラック間ラインを形成するとともに、隣り合う放熱ラインの間それぞれに延在し、上記所定の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する複数のトラックを形成する第１工程と、上記第１工程が実施されることで形成されたトラックおよびトラック間ラインの双方に同時に熱を加える第２工程とを有することを特徴とする。
【００１９】
この第３の光磁気記録媒体の製造方法では、上記断熱ラインを形成しておくことで、上記第２工程実施時の各トラック間ラインでは、与えられた熱が、この断熱ラインによってトラック間ラインに留まり、総てのトラック間ラインの磁気異方性はその熱によって変化する。一方、この第３の光磁気記録媒体の製造方法では、上記第２工程実施時の各トラックの磁気異方性をそのままに保つことができる。したがって、この第３の光磁気記録媒体の製造方法によっても、トラックの磁気的異方性への影響を抑えつつ、総てのトラック間ラインの磁気異方性を短時間のうちに変化させることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。ここでは複数の光磁気記録媒体について説明するが、いずれの光磁気記録媒体も、記録用の光ビームの照射および磁場の供給を受けて、供給された磁場に応じた向きに磁化された所定の大きさのマークを記録するものであり、再生用の光ビームを照射することで、そのマークが読みとられる。各光磁気記録媒体は、円盤状の基板と、その基板の上に記録層を備えており、この記録層それぞれには、基板の周方向に延びる凹溝と凸条が平行関係を保って交互に繰り返すランド・グルーブが設けられている。さらに、各光磁気記録媒体は、記録層よりも上の層にカバー層を備えており、記録用や再生用の光ビームが基板側からではなくこのカバー層側から照射されるフロントイルミネーション方式に対応した層構造を有する。カバー層は、以下の説明で用いるいずれの図にも図示省略されているが、いずれの光磁気記録媒体においても、フロントイルミネーション方式の層構造における保護の役目を成すものであって、透明な紫外線硬化樹脂からなる厚さ１５μｍの層である。
【００２１】
図１は、第１実施形態の光磁気記録媒体を、基板の半径方向に断面したときの、模式的断面図である。
【００２２】
図１に示す光磁気記録媒体１は、本発明の第１の光磁気記録媒体に相当し、基板１０の上に、放熱層１１、磁性層１２、および保護層１３を有する。
【００２３】
図１に示す基板１０は、直径５インチのポリカーボネート基板であって、その表面形状は、凹溝１０ａと凸条１０ｂが交互に繰り返し設けられた凹凸形状である。この凹凸形状の高低差は４８ｎｍである。また、凹凸形状を構成する凹溝１０ａと凸条１０ｂはいずれも、基板の周方向に延在し全部をつなぎ合わせると１本の螺旋形状になるものであり、凹溝１０ａの幅は０．２５μｍ、凸条１０ｂの幅は０．２５μｍである。
【００２４】
放熱層１１は、基板１０の表面に設けられた、膜厚３０ｎｍのＡｇＰｄＣｕＳｉ膜である。このＡｇＰｄＣｕＳｉ膜は、磁性層１２の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する膜である。このような放熱層１１には、基板の凹溝１０ａの底面に接する部分と、基板の凸条１０ｂの先端面に接する部分がある。これらの部分はいずれも、全部をつなぎ合わせると１本の螺旋形状になるライン状のものであり、以下、放熱層１１の、基板の凹溝１０ａの底面に接する部分を第１放熱ライン１１１と称し、基板の凸条１０ｂの先端面に接する部分を第２放熱ライン１１２と称することにする。
【００２５】
図１に示す第２放熱ライン１１２の表面には、厚さ２０ｎｍの誘電体ライン１４１が形成されている。誘電体ライン１４１の主成分はケイ素であり、このケイ素は窒素と結合している。図１に示す誘電体ライン１４１は、主成分であるケイ素と結合しきれずに残った窒素を含むものではない。
【００２６】
磁性層１２は、記録層、中間層、および再生層からなる３層構造であるが、この図１では、磁性層を３層に分けずに１つの層として示している。記録層は、第１放熱ライン１１１の表面および誘電体ライン１４１の表面に形成された、厚さ６０ｎｍの層である。この記録層には、基板表面の凹凸形状を反映した凹凸パターンが設けられている。この凹凸パターンを構成する凹溝の底面は第１放熱ライン１１１の表面に接した状態にあり、凸条の先端面は誘電体ライン１４１の表面に接した状態にある。図１に示す光磁気記録媒体１では、凹凸パターンを構成する凸条がランドに相当し、凹溝がグルーブに相当する。このような光磁気記録媒体１に情報を記録するには、光磁気記録媒体１を回転させながら記録用の光ビームの照射および磁場の供給を行い、光ビームの照射によって記録層をこの記録層のキュリー温度以上まで加熱し、この記録層のグルーブに、供給された磁場に応じた向きに磁化されたマークを連続して形成する。したがって、この光磁気記録媒体１では、グルーブがトラックＴになり、ランドが、隣り合うトラックの間に延在するトラック間ラインＬになる。トラックＴは、全体が１本の螺旋状に繋がった多数周のものであり、ここでは、１周を１トラックとしてカウントする（以下の説明においても同じ）。各トラックＴは、ＴｂＦｅＣｏ膜であり、その具体的な組成は、Ｔｂ２７ａｔ％，Ｆｅ５３ａｔ％，Ｃｏ２０ａｔ％である。このＴｂＦｅＣｏ膜は、基板１０に対して垂直な方向を向く磁化容易軸を有する。一方、各トラック間ラインは、窒化されたＴｂＦｅＣｏ膜である。ＴｂＦｅＣｏ膜は、窒化されることにより磁気異方性が変化する。すなわち、磁化容易軸の方向が基板に対して垂直な方向から基板の面内方向（水平方向）に変化する。
図１では、磁化容易軸の向く方向を矢印で表している。
【００２７】
中間層は、記録層の表面に形成された層である。この中間層の具体的な組成は、Ｔｂ２２ａｔ％，Ｆｅ７８ａｔ％であり、厚さは１０ｎｍである。中間層は、磁性層を構成する３層のうちでキュリー温度が最も低い層である。
【００２８】
再生層は、中間層の表面に形成された層である。この再生層の具体的な組成は、Ｇｄ２７ａｔ％，Ｆｅ５９ａｔ％，Ｃｏ１２ａｔ％，Ａｌ２ａｔ％であり、厚さは３０ｎｍである。図１に示す光磁気記録媒体１から記録された情報を読み出すには、光磁気記録媒体１を回転させながら再生用の光ビームの照射を行う。再生用の光ビームの照射によって、磁性層１２を構成する３層は加熱される。中間層の温度が中間層のキュリー温度に達するまでは、中間層には、記録層との交換結合が作用し、再生層には、記録層に形成されたマークの磁化方向と同一方向に磁化された、そのマークの大きさと同じ大きさの領域が形成されている。光ビームの照射によって中間層の温度がそのキュリー温度以上になると、中間層の磁化が消失して記録層との交換結合が切断され、再生層には、記録層に形成されたマークの磁化方向と同一方向に磁化された、そのマークの大きさよりも大きな領域が出現する。すなわち、光ビームの照射によって加熱された再生層には、トラックに沿って温度勾配が形成されており、再生層内の磁壁はその温度勾配にしたがって高温側に移動し、記録層に形成されたマークの磁化方向と同一方向に磁化された、そのマークの大きさよりも大きな領域が出現する。
【００２９】
保護層１３は、磁性層１２の表面に形成されたものであり、湿気等から磁性層等を保護する機能といわゆるエンハンス層としての機能を有するＳｉＮ膜である。このＳｉＮ膜は、膜厚５０ｎｍのものであって、過剰な窒素を含むものではなく、この膜内の窒素は主成分であるケイ素と総て結合している。
【００３０】
また、保護層１３の表面には、図示省略した上述のカバー層が設けられている。
【００３１】
次に、図１に示す光磁気記録媒体１の製造方法について説明する。この製造方法は、本発明の第１の光磁気記録媒体の製造方法に相当する。
【００３２】
図２は、図１に示す光磁気記録媒体を製造する過程を段階的に示した図である。
【００３３】
図２（ａ）には、表面が凹凸形状である基板１０のその表面に放熱層１１を形成し、さらに放熱層１１の表面に窒素過剰誘電体層１４を形成した状態が示されている。放熱層１１は、ガス圧０．１５Ｐａ，放電電力０．５ｋＷの条件において実施するマグネトロンスパッタ法により形成される。ここでのスパッタリングには、ターゲット表面のうちの周縁部分のみを覆う遮蔽板が用いられる。
【００３４】
図３は、ターゲット表面のうちの周縁部分のみを覆う遮蔽板を用いたスパッタリングの様子を概念的に示す図である。
【００３５】
この図３には、ターゲット５の中心部分を残して周縁部分を覆う遮蔽板６が示されている。このような遮蔽板６を用いてスパッタリングを行うと、ターゲット５から叩き出されたスパッタ粒子のうち、基板１０に対して斜めに向かうスパッタ粒子は遮蔽板６により跳ね返され基板１０に到達しないが、図３中の矢印が示すように、基板１０に対して垂直に向かうスパッタ粒子は基板１０に到達する。放熱層１１の形成におけるマグネトロンスパッタ法では、図３に示す遮蔽板６を用いることで、基板１０の、凸条１０ｂの先端面に到達するスパッタ粒子の数と同程度の数のスパッタ粒子を、凹溝１０ａの底面にも到達させることができ、図２（ａ）に示す放熱層１１の、凸条１０ｂの先端面上の部分の厚さと凹溝１０ａの底面上の部分の厚さはほぼ同じ厚さになる。
【００３６】
図２（ａ）に示す窒素過剰誘電体層１４は、主成分であるケイ素と結合しきれずに残った窒素を含むＳｉＮ膜である。このＳｉＮ膜は、アルゴンガスと窒素ガスを混合させた雰囲気中で行う反応性スパッタ法により形成される。ここでの反応性スパッタ法は、アルゴンガスと窒素ガスとの流量比を８対７（アルゴンガス６．６６８０×１０-4Ｌ／ｓ対して窒素ガス５．８３４５×１０-4Ｌ／ｓ）にし、ガス圧０．４０Ｐａ，放電電力０．５ｋＷの条件下で行われる。また、窒素過剰誘電体層１４を形成するスパッタリングには、図３に示す遮蔽板６とは異なる遮蔽板が用いられる。なお、窒素過剰誘電体層１４は、主成分であるケイ素と結合しきれずに残った窒素を含むＳｉＮ膜に限らず、主成分であるケイ素と結合しきれずに残った窒素を含むＳｉＣＮ膜や、主成分であるアルミニウムと結合しきれずに残った窒素を含むＡｌＮ膜であってもよい。
【００３７】
図４は、ターゲット表面のうちの中心部分のみを覆う遮蔽板を用いたスパッタリングの様子を概念的に示す図である。
【００３８】
この図４には、ターゲット５の周縁部分を残して中心部分を覆う遮蔽板７が示されている。このような遮蔽板７を用いてスパッタリングを行うと、先とは反対に、ターゲット５から叩き出されたスパッタ粒子のうち、基板１０に対して垂直に向かうスパッタ粒子は遮蔽板７により跳ね返され基板１０に到達しないが、図４中の矢印が示すように、基板１０に対して斜めに向かうスパッタ粒子は基板１０に到達する。図２（ａ）に示す窒素過剰誘電体層１４を形成する反応性スパッタ法では、この図４に示す遮蔽板７を用いる。本来、凹凸形状の面にスパッタリングを行うと、凹溝底面に到達するスパッタ粒子の数の方が、凸条先端面に到達するスパッタ粒子の数より少なくなりやすい傾向にある。この傾向は、凹溝の幅が狭くなればなるほど、また凹凸形状の高低差が大きくなればなるほど自然に強まるものであるが、本実施形態では、基板１０の、凹溝１０ａの底面上に到達するスパッタ粒子の数を減らすため、図４に示す遮蔽板７を意図的に用いる。この結果、窒素過剰誘電体層１４の、凹溝１０ａの底面上の部分の厚さが、凸条１０ｂの先端面上の部分の厚さの半分程度にまで薄くなる。走査型電子顕微鏡を用いて断面観察を行ったところ、窒素過剰誘電体層１４の、凸条１０ｂの先端面上の部分の厚さは４５ｎｍであったのに対し、窒素過剰誘電体層１４の、凹溝１０ａの底面上の部分の厚さは２５ｎｍしかなかった。
【００３９】
続いて、窒素過剰誘電体層１４のエッチングを逆スパッタリングにより行う。逆スパッタリングは、ＣＨＦ3ガスを導入し、放電電力を０．１ｋＷ，基板１０側へのバイアス電力を１５Ｗにして行う。窒素過剰誘電体層１４の、凸条１０ｂの先端面上の部分を除いた部分は、この逆スパッタリングにより除去される。
【００４０】
図２（ｂ）は、窒素過剰誘電体層１４のエッチングが終了した状態を示す図である。図２（ｂ）に示す基板１０の、凹溝１０ａの底面上には、図１に示す第１放熱ライン１１１が表面を露出させた状態で設けられている。また、基板の、凸条１０ｂの先端面上には、図１に示す第２放熱ライン１１２が設けられており、その第２放熱ライン１１２の表面には、図１に示す誘電体ライン１４１が設けられている。この誘電体ライン１４１の表面は露出した状態にある。
【００４１】
次に、記録層、中間層、および再生層からなる磁性層を形成する。まず、基板１０の全面にわたったて記録層を形成する。この記録層の形成が、本発明の第１の光磁気記録媒体の製造方法にいう第１工程に相当する。ここでは、ＴｂターゲットとＦｅＣｏターゲットを同時に別々に放電させるコスパッタ法を用いる。Ｔｂターゲットへの投入電力は４５Ｗであり、ＦｅＣｏターゲットへの投入電力は２５０Ｗである。また、ガス圧は１．５Ｐａである。このようなコスパッタ法を用いて形成される層は、垂直方向の磁気異方性を有する磁性層であって、その具体的な組成は、Ｔｂ２７ａｔ％，Ｆｅ５３ａｔ％，Ｃｏ２０ａｔ％になる。この磁性層は、窒化されることで磁気異方性が、垂直方向から水平方向に変化する。
【００４２】
次いで、記録層の表面に中間層を形成する。中間層の形成は、ＴｂターゲットとＦｅターゲットを用いたコスパッタ法により行う。Ｔｂターゲットへの投入電力は４０Ｗであり、Ｆｅターゲットへの投入電力は１００Ｗである。また、ガス圧は１．０Ｐａである。
【００４３】
続いて、中間層の表面に再生層を形成し、磁性層が完成する。再生層の形成は、ＧｄターゲットとＦｅＣｏＡｌターゲットを用いたコスパッタ法により行う。Ｇｄターゲットへの投入電力は４５Ｗであり、ＦｅＣｏＡｌターゲットへの投入電力は２５０Ｗである。また、ガス圧は０．５Ｐａである。
【００４４】
次に、磁性層１２の表面に保護層１３を形成する。保護層１３の形成には、アルゴンガスと窒素ガスを混合させた雰囲気中で行う反応性スパッタ法が用いられる。ここでの、アルゴンガスと窒素ガスとの流量比は２対１（アルゴンガス６．６６８×１０-4Ｌ／ｓ対して窒素ガス３．３３４×１０-4Ｌ／ｓ）であり、アルゴンガスと窒素ガスを混合させた混合ガスの圧力は０．３Ｐａである。また、ターゲットへの投入電力は０．５ｋＷである。
【００４５】
図２（ｃ）は、磁性層１２および保護層１３の形成が終了した状態を示す図である。この図２（ｃ）では、磁性層１２を３層に分けずに１つの層として示しているが、磁性層１２を構成する記録層には、基板表面の凹凸形状を反映した、ランド・グルーブが設けられている。基板１０の凹溝１０ａの底面上には、第１放熱ライン１１１，磁性層１２，保護層１３が基板１０側からこの記載順に形成されている。磁性層１２を構成する記録層の、基板１０の凹溝１０ａの底面上の部分は、グルーブに相当しトラックＴになる。各トラックＴには、基板１０に対して垂直な方向に向いた矢印が示されている。この矢印は、トラックＴにおける磁化容易軸の向きを示すものであり、各トラックＴは、垂直方向の磁化容易軸を有する。一方、基板１０の凸条１０ｂの先端面上には、第２放熱ライン１１２，誘電体ライン１４１，磁性層１２，保護層１３が基板１０側からこの記載順に形成されている。磁性層１２を構成する記録層の、基板１０の凸条１０ｂの先端面上の部分は、ランドに相当し隣り合うトラックＴに挟まれたトラック間ラインＬになる。各トラック間ラインＬには、基板１０に対して垂直な方向から水平方向に多少傾いた斜めの矢印が示されている。この斜めの矢印は、図２（ｃ）に示すトラック間ラインＬにおける磁化容易軸の向きを示すものである。トラック間ラインＬは、記録層の形成段階で、トラックＴと同時に形成されたものであり、本来は、垂直方向の磁化容易軸を有するものであるが、トラック間ラインＬに接する誘電体ライン１４１から窒素の供給を受け、いく分窒化し、磁気異方性にわずかな変化が生じている。
【００４６】
続いて、保護層１３の表面にカバー層を形成した後、図２（ｃ）に示すトラック間ラインＬの窒化を促進させるため熱処理を行う。ここでの熱処理は、レーザービームの照射を複数のトラック間ラインＬにまたがって行う。
【００４７】
図５は、レーザービームの照射を複数トラックにまたがって行う様子を示す図である。
【００４８】
図５には、図２（ｃ）に示した状態の中間生成物１’が示されている。この図５に示す中間生成物１’には、記録層に設けられた複数のトラックＴと、トラック間ラインＬとが仮想的に示されている。ここでの熱処理では、図２（ｃ）に示した状態の中間生成物１’を線速７．５ｍ／ｓで定速回転させ、カバー層の表面に、波長８１０ｎｍのレーザビームを照射する。このレーザビームのビームスポットＢの形状は、基板の周方向に１．２７μｍ，半径方向に２１０μｍの楕円であり、複数のトラック間ラインＬは、同時に加熱される。レーザビームの照射にあたっては、レーザビームのビームスポットＢを基板の半径方向に移動させながら照射し、基板全面を照射する。直径５インチの基板全面の照射に要する時間は、わずか３９秒である。この熱処理では、レーザビームの照射パワーを６７０ｍＷに抑え、レーザビームの基板全面への照射を２回繰り返す。図２（ｃ）に示すように、トラックＴの裏面は熱伝導率が大きな第１放熱ライン１１１に接しているが、トラック間ラインＬの裏面と熱伝導率が大きな第２放熱ライン１１２の表面との間には誘電体ライン１４１が介在し、トラック間ラインＬは第２放熱ライン１１２とは非接触である。このため、レーザビームを照射することで与えられた熱によりトラック間ラインＬは加熱され、トラック間ラインＬでは、誘電体ライン１４１に含まれた過剰な窒素による窒化が促進される。この結果、わずか３９秒という短時間のうちに、総てのトラック間ラインＬの磁化容易軸は、完全に面内方向のものとなる。この結果、トラック間ラインＬ内の磁壁に働く力が極めて小さくなり、再生時に、再生層での磁壁の移動がスムーズに行われる。一方、レーザビームの照射を受けて、トラックＴに与えられた熱は、第１放熱ライン１１１によって逃がされる。ここで、記録層であるＴｂＦｅＣｏ膜は、加熱されることでも磁気異方性が変化する性質を有し、この熱処理では、基板の半径方向に長いビームスポットＢのレーザービームを用いるため、複数のトラック間ラインＬが同時に加熱される一方、加熱されたトラック間ラインＬに挟まれたトラックＴも加熱されることになる。しかしながら、第１放熱ライン１１１の放熱効果により、再生信号の強度低下に結びつく、トラックＴの磁気異方性の変化は抑えられている。
【００４９】
なお、基板全面への照射を１回ですませるため、レーザビームの照射パワーを７５０ｍＷにまで上げると、熱量が大きくなり、第１放熱ライン１１１の放熱効果が及ばず、トラックＴの磁気異方性に変化が生じ始める。このため、照射パワーを抑えて複数回照射することが好ましい。
【００５０】
以上説明した各過程を経て、図１に示す光磁気記録媒体１が完成する。図２を用いて説明した製造方法により光磁気記録媒体を作製し、作製した光磁気記録媒体についての評価試験を行ったので、以下説明する。まず、作製した光磁気記録媒体を、Ｎ方向に消去したサンプルと、Ｓ方向に消去したサンプルをそれぞれ用意し、各サンプルを磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）で観察した。ＭＦＭ像は、磁化の方向をコントラストで表す像であり、この像では、例えば、上向き磁化は黒色に示され、下向き磁化は白色に示され、水平方向の磁化は灰色に示される。Ｎ方向に消去した場合のＭＦＭ像とＳ方向に消去した場合のＭＦＭ像では、トラック（グルーブ）のコントラストは反転していたが、トラック間ライン（ランド）のコントラストは同じであった。このことから、この光磁気記録媒体では、トラック間ライン（ランド）が効果的に熱処理され、トラック間ラインの磁化が、垂直磁化から面内磁化に変化したことがわかる。続いて、波長４０５ｎｍの青色レーザ光を用いて、この光磁気記録媒体に記録・再生を行った。記録時、再生時ともに、光磁気記録媒体の回転速度は線速３．０ｍ／ｓであった。また、記録時の対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、記録時には、トラック（グルーブ）に、マーク長０．２μｍのマークと、マーク長０．１μｍのマークとの２種類のマークを記録した。ここで、ＤＷＤＤ媒体では、再生層の磁壁移動の速度が速いと、再生信号は矩形波になり、磁壁移動の速度が遅いと再生信号はサイン波に近くなる。作製した光磁気記録媒体では、マーク長を０．２μｍにした場合でも、０．１μｍにした場合でも、再生信号は矩形波であった。また、この光磁気記録媒体のトラック間ライン（ランド）に記録を行ったが、再生時に信号は何も観測されなかった。ここで、比較のため、図１に示す誘電体ライン１４１を省略した光磁気記録媒体を作製し、これについても同様な記録・再生を行った。その結果、誘電体ライン１４１を省略した光磁気記録媒体では、マーク長が０．２μｍの場合には、図２を用いて説明した製造方法により作製した光磁気記録媒体に比べ、再生波形の振幅が小さく、再生信号はサイン波に近い波形であった。また、マーク長が０．１μｍの場合には、ほとんど振幅が得られなかった。これらのことから、図２を用いて説明した製造方法により作製した光磁気記録媒体では、トラックとトラック間ラインとが磁気的に分断されており、再生時に、再生層における磁壁移動がスムーズに行われていることがわかる。また、大きな再生信号を得ることができることもわかる。
【００５１】
なお、図１に示す光磁気記録媒体は、トラック間ラインＬがランドであるため、図２を用いて説明したその製造方法は、そのランド（凸条）の磁気異方性を効率的に変化させる方法であったが、トラック間ラインＬがグルーブである場合には、そのグルーブ（凹溝）の磁気異方性を効率的に変化させる必要がある。この場合には、放熱層１１の形成と窒素過剰誘電体層１４の形成との順序を入れ替え、まず、基板１０の表面に厚さ３５ｎｍの窒素過剰誘電体層１４を形成し、その窒素過剰誘電体層１４の表面に放熱層１１を形成する。次いで、放熱層１１のエッチングを逆スパッタリングにより行う。ここでの逆スパッタリングでは、放熱層１１の、基板１０の凸条１０ｂの先端面上の部分（厚さ４０ｎｍ）の方が、基板１０の凹溝１０ａの底面上の部分（厚さ２０ｎｍ）よりも厚いため、窒素過剰誘電体層１４の、基板１０の凹溝１０ａの底面上の部分が先に露出する。逆スパッタリングは、この底面上の部分が露出した時点で終了する。逆スパッタリングに要する時間は４０秒程度である。この逆スパッタリングを終了した時点では、基板１０の凹溝１０ａの底面には、誘電体ライン１４１が表面を露出した状態で形成されており、基板１０の凸条１０ｂの先端面上には、放熱ラインが表面を露出した状態で形成されている。この状態で磁性層を形成すると、トラック間ラインＬになるグルーブ（凹溝）は誘電体ライン１４１に接し、トラックＴになるランド（凸条）は放熱ラインに接する。そのため、レーザビームの照射による熱処理を行うと、グルーブが、誘電体ライン１４１に含まれた過剰な窒素によって窒化され、グルーブの磁化容易軸が面内方向の磁化容易軸になる。一方、ランドでは、レーザビームの照射により与えられた熱が放熱ラインによって逃がされ、ランドの磁化容易軸は垂直方向の磁化容易軸のままである。なおここでも、レーザビームの基板全面への照射を２回繰り返すが、図１に示す光磁気記録媒体の誘電体ラインは放熱ライン（第２放熱ライン１１２）に接しているのに対し、ここでの誘電体ライン１４１は放熱ラインに接していないため、レーザビームの照射により、誘電体ライン１４１に効率良く熱を与えることができ、照射パワーは６００ｍＷで足りる。このように、放熱層１１の形成と窒素過剰誘電体層１４の形成との順序を入れ替えて製造した光磁気記録媒体についても、上述の評価試験と同じ評価試験を行い、ＭＦＭ像および再生信号の波形を得た。ＭＦＭ像から、グルーブの磁化が、垂直磁化から面内磁化に変化していることを確認することができた。また、再生信号の波形から、グルーブとランドとが磁気的に分断され、再生時に、再生層における磁壁移動がスムーズに行われていることと、大きな再生信号を得ることができることを確認することができた。
【００５２】
続いて、本発明の光磁気記録媒体の第２実施形態について説明するが、第１実施形態の光磁気記録媒体の構成要素の名前と同じ名前の構成要素には、第１実施形態の光磁気記録媒体の説明で用いた符号と同じ符号を用いることにする。
【００５３】
図６は、第２実施形態の光磁気記録媒体を、基板の半径方向に断面したきの、模式的断面図である。
【００５４】
図６に示す光磁気記録媒体１も、本発明の第１の光磁気記録媒体に相当する。この光磁気記録媒体１は、基板１０の上に、窒素過剰誘電体層１４、磁性層１２、保護層１３、および不図示のカバー層を有する。
【００５５】
第２実施形態の光磁気記録媒体１に備えられた基板１０は、直径５インチのガラスディスク基板であって、その表面形状は、図１に示す基板の表面形状とは異なり平坦である。
【００５６】
窒素過剰誘電体層１４は、基板１０の表面に、その表面全面にわたって形成された、主成分をケイ素とするＳｉＮ膜であり、その膜厚は３０ｎｍである。
【００５７】
図６に示す窒素過剰誘電体層１４の表面には、所定間隔をあけて周方向に延びる突条のレジストライン１５１が複数設けられている。なお、これらのレジストライン１５１を全部つなぎ合わせると１本の螺旋形状になる。ここでは、窒素過剰誘電体層１４の、隣り合うレジストライン１５１の間の部分を、誘電体ライン１４１と称することにする。レジストライン１５１の表面には、ＡｇＰｄＣｕＳｉからなる放熱ライン１１３が延在している。この放熱ライン１１３の厚さは２０ｎｍである。
【００５８】
図６に示す磁性層１２は、第１実施形態の光磁気記録媒体１に備えられた磁性層と同じく、記録層、中間層、および再生層からなる３層構造であるが、この図６でも、磁性層を３層に分けずに１つの層として示している。図６に示す磁性層１２を構成する各層の組成および厚さは、図１に示す磁性層１２を構成する各層の組成および厚さと同じである。図６に示す磁性層１２を構成する各層のうち、記録層には、平坦な基板１０上に設けられた複数のレジストライン１５１の形状を反映した凹凸パターンが設けられており、ここでは、凹凸パターンを構成する凸条（ランド）がトラックＴになり、凹溝（グルーブ）がトラック間ラインＬになる。この図６でも、磁化容易軸の向く方向を矢印で表しており、トラックＴの磁化容易軸は垂直方向を向き、トラック間ラインＬの磁化容易軸は水平方向を向いている。
【００５９】
図６に示す保護層１３の組成および厚さは、図１に示す保護層のそれらと同じであり、機能についても同じである。
【００６０】
次に、第２実施形態の光磁気記録媒体１の製造方法について説明する。この製造方法も、本発明の第１の光磁気記録媒体の製造方法に相当する。
【００６１】
図７は、図６に示す光磁気記録媒体を製造する過程を段階的に示した図である。
【００６２】
図７（ａ）には、表面が平坦な基板１０のその表面に窒素過剰誘電体層１４を形成し、さらに窒素過剰誘電体層１４の表面全体にフォトレジストを塗布した状態が示されている。図７（ａ）に示す窒素過剰誘電体層１４は、反応性スパッタ法により形成される。反応性スパッタ法の条件は、図２（ａ）に示す窒素過剰誘電体層１４の形成における反応性スパッタ法の条件と同じである。窒素過剰誘電体層１４の表面全体には、スピンコート法によりフォトレジストが塗布され、厚さ１００ｎｍのフォトレジスト膜１５が形成される。なお、膜厚が５００ｎｍ程度の厚いフォトレジスト膜１５を形成してもよい。
【００６３】
続いて、全体が１本の螺旋状に繋がった多数周のスリット１６１を有するマスク板１６をフォトレジスト膜１５の上に載置し、そのマスク板１６の上から紫外線Ｕを照射する。図７（ｂ）には、マスク板１６越しに紫外線Ｕを照射している様子が示されている。図７（ｂ）に示すフォトレジスト膜１５の、紫外線Ｕが照射された部分は窒素過剰誘電体層１４の表面に残り、紫外線が照射されなかった部分はその表面から除去される。フォトレジスト膜１５の、紫外線Ｕが照射された部分は、図６に示すレジストライン１５１になる。図７（ｃ）には、窒素過剰誘電体層１４の表面に、複数のレジストライン１５１が形成された状態が示されている。窒素過剰誘電体層１４の、隣り合うレジストライン１５１間の部分は、誘電体ライン１４１になる。
【００６４】
続いて、マグネトロンスパッタ法により、基板１０の全面に放熱層１１を形成する。図７（ｄ）には、放熱層１１が形成された状態が示されている。ここでのマグネトロンスパッタ法の条件は、図２（ａ）に示す放熱層１１の形成におけるマグネトロンスパッタ法の条件と同じである。
【００６５】
そして、放熱層１１をエッチングし、放熱ライン１１３を形成する。図７（ｅ）には、放熱ライン１１３が形成された状態が示されている。基板１０の全面に形成された放熱層１１は、レジストライン１５１の上面に接する部分を残し、エッチングにより除去される。図７（ｅ）に示す基板１０の上には、所定間隔をあけて周方向に延びる複数の放熱ライン１１３それぞれの表面と、誘電体ライン１４１の表面がともに露出している。
【００６６】
次に、記録層、中間層、および再生層からなる磁性層と保護層を、それぞれスパッタリングにより形成する。各層を形成するためのスパッタリングの条件は、図２（ｃ）に示す磁性層１２を構成する各層と保護層１３それぞれの形成におけるスパッタリングの条件と同じである。図７（ｆ）は、磁性層１２および保護層１３の形成が終了した状態を示す図である。この図７（ｆ）でも、磁性層１２を３層に分けずに１つの層として示しているが、磁性層１２を構成する記録層には、複数の突条のレジストライン１５１の形状を反映した凹凸パターンが設けられている。レジストライン１５１の突出面には放熱ライン１１３が設けられており、その放熱ライン１１３の表面には磁性層１２が積層されている。磁性層１２を構成する記録層の、放熱ライン１１３の表面に接する部分はランドに相当し、トラックＴになる。また、誘電体ライン１４１の表面にも磁性層１２が積層されており、磁性層１２を構成する記録層の、誘電体ライン１４１の表面に接する部分はグルーブに相当し、トラック間ラインＬになる。図７（ｆ）に示す各トラックＴおよび各トラック間ラインＬには、それぞれの磁化容易軸の向きを示す矢印が示されている。各トラックＴは、垂直方向の磁化容易軸を有する。一方、図７（ｆ）に示す各トラック間ラインＬは、誘電体ライン１４１から窒素の供給を受け、いく分窒化し、垂直方向から水平方向に多少傾いた磁化容易軸を有する。
【００６７】
続いて、保護層１３の表面にカバー層を形成した後、図７（ｆ）に示すトラック間ラインＬの窒化を促進させるため、図５を用いて説明した、複数のトラック間ラインＬにまたがったレーザービームの照射を行う。ここでも、基板全面への照射を２回繰り返すが、わずかな時間で完了することができる。なお、レーザビームの照射パワーは５８０ｍＷで足りる。
【００６８】
以上説明した各過程を経て、図６に示す光磁気記録媒体１が完成する。ここでも、図６を用いて説明した製造方法により光磁気記録媒体を作製し、作製した光磁気記録媒体について上述の評価試験と同じ評価試験を行い、ＭＦＭ像および再生信号の波形を得た。ＭＦＭ像から、作製した光磁気記録媒体のトラック間ラインＬ（グルーブ）は効果的に熱処理され、そのトラック間ラインＬの磁化が、垂直磁化から面内磁化に変化していることを確認することができた。また、再生信号の波形から、作製した光磁気記録媒体のトラックＴとトラック間ラインＬとが磁気的に分断され、再生時に、再生層における磁壁移動がスムーズに行われていることと、大きな再生信号を得ることができることを確認することができた。
【００６９】
なお、図２を用いて説明した製造方法および図７を用いて説明した製造方法ではいずれも、主成分であるケイ素と結合しきれずに残った窒素を含む窒素過剰誘電体層１４を、放電ガス中の窒素ガスの濃度を高めて反応性スパッタすることにより得ているが、このような窒素過剰誘電体層１４の形成に代えて、酸素曝露を用いた酸素過剰誘電体層の形成を行ってもよい。ここにいう酸素曝露を用いた酸素過剰誘電体層の形成では、まず、放電用の混合ガス中の酸素ガスの濃度を高めずに反応性スパッタリングを行うことで、主成分であるケイ素に酸素が総て結合したＳｉＯ2膜を形成し、次いで、そのＳｉＯ2膜面に酸素ガス（１．６６７×１０-4Ｌ／ｓ）を導入し、そのＳｉＯ2膜を６０秒間酸素曝露させる。こうすることにより、主成分であるケイ素と結合しきれずに残った酸素を含む酸素過剰誘電体層を得る。記録層のＴｂＦｅＣｏ膜は、酸化されることでも磁気異方性が変化するものである。このため、酸素曝露を用いた酸素過剰誘電体層の形成工程を経て製造された光磁気記録媒体では、図１に示す光磁気記録媒体や図６に示す光磁気記録媒体と同様、トラックの磁化は垂直磁化であるのに対し、トラック間ラインの磁化は面内磁化である。なお、主成分であるケイ素に窒素が総て結合したＳｉＮ膜や、窒素を含まないＣ膜を形成し、窒素雰囲気中に曝すことで窒素曝露を行って窒素過剰誘電体層１４を形成してもよい。
【００７０】
また、図１に示す光磁気記録媒体および図６に示す光磁気記録媒体いずれの光磁気記録媒体においても、磁性層１２の表面に、主成分であるケイ素に窒素が総て結合した保護層１３に代えて、主成分であるケイ素と結合しきれずに残った窒素を含むＳｉＮ膜や主成分であるケイ素と結合しきれずに残った酸素を含むＳｉＯ2膜を設けることが好ましい。こうすることにより、磁性層１２を構成する再生層の表面に、余剰窒素を含むＳｉＮ膜や余剰酸素を含むＳｉＯ2膜が接した状態になり、熱処理工程におけるレーザビームの照射で、磁壁が移動する再生層の、トラックＴ上の部分の磁気異方性はそのままにして、その再生層の、トラック間ラインＬ上の部分の磁気異方性を変化させることができ、再生層では、よりスムーズな磁壁移動が行われる。
【００７１】
続いて、本発明の光磁気記録媒体の第３実施形態について説明するが、ここでも、これまでに説明した光磁気記録媒体の構成要素の名前と同じ名前の構成要素には、これまでの説明で用いた符号と同じ符号を用いることにする。
【００７２】
図８は、第３実施形態の光磁気記録媒体を、基板の半径方向に断面したきの、模式的断面図である。
【００７３】
図８に示す光磁気記録媒体１は、本発明の第２の光磁気記録媒体に相当し、基板１０の上に、磁性層１２、保護層１３、および不図示のカバー層を有する。
【００７４】
図８に示す基板１０は、直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのガラス２Ｐ製基板であって、その表面形状は、凹溝１０ａと凸条１０ｂが交互に繰り返す凹凸形状である。この凹凸形状を構成する凹溝１０ａと凸条１０ｂはいずれも、基板の円周方向に延在し、全部をつなぎ合わせると１本の螺旋形状になるものである。凹凸形状の高低差は４６ｎｍであり、凹溝１０ａの幅と凸条１０ｂの幅はいずれも０．２５μｍである。
【００７５】
基板１０の凸条１０ｂの先端面それぞれには、その先端面に沿って延びる放熱ライン１１３が設けられている。この放熱ライン１１３は、基板１０の周方向に延在する、厚さ３０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ合金膜であって、その具体的組成は、Ａｇ９８ａｔ％，Ｐｄ１ａｔ％，Ｃｕ１ａｔ％である。なお、基板１０の凹溝１０ａの底面にも、放熱ライン１１３と組成を同じにする、厚さ２ｎｍ程度のＡｇＰｄＣｕ合金ライン１１４が設けられている。
【００７６】
図８に示す磁性層１２は、記録層、スイッチング層、コントロール層および再生層からなる４層構造であるが、この図８では、磁性層を４層に分けずに１つの層として示している。
【００７７】
記録層は、放熱ライン１１３の表面およびＡｇＰｄＣｕ合金ライン１１４の表面に形成されたＴｂＦｅＣｏ膜である。この記録層の作用は、図１を用いて説明した記録層の作用と同じである。図８に示す光磁気記録媒体１では、記録層の、放熱ライン１１３の表面に接する部分がランドに相当し、トラックＴになる。一方、記録層の、ＡｇＰｄＣｕ合金ライン１１４に接する部分がグルーブに相当し、トラック間ラインＬになる。放熱ライン１１３やＡｇＰｄＣｕ合金ライン１１４であるＡｇＰｄＣｕ膜の熱伝導率は、記録層であるＴｂＦｅＣｏ膜の熱伝導率よりも高く、放熱ライン１１３は、ＡｇＰｄＣｕ合金ライン１１４よりも１５倍程度厚いことから、ＡｇＰｄＣｕ合金ライン１１４の表面に接するトラック間ラインＬは、放熱ライン１１３の表面に接するトラックＴに比べ熱に対する感度が高い。すなわち、図８に示す光磁気記録媒体では、グルーブ（トラック間ラインＬ）の方が、ランド（トラックＴ）に比べ放熱性が劣る。図８に示す光磁気記録媒体では、このような放熱性の違いにより、ランドに記録する方が、グルーブに記録する場合に比べて２ｍＷも弱いレーザ光で記録することができる。なお、図８に示す放熱ライン１１３はＡｇ合金からなるものであるが、放熱ラインが、Ａｕ合金、Ａｌ合金、あるいはＣｕ合金からなるものであっても、グルーブとランドとの間に放熱性の違いが生じる。
【００７８】
スイッチング層は、記録層の表面に形成されたＴｂＦｅＡｌ膜である。このスイッチング層の作用は、図１を用いて説明した中間層の作用と同じである。コントロール層は、スイッチング層の表面に形成されたＴｂＦｅＣｏ膜である。このコントロール層は、中間層と再生層の間のキュリー温度を有し、媒体移動方向後方端部からの磁壁の移動を抑制するものである。再生層は、コントロール層の表面に形成されたＧｄＦｅＣｏ膜である。この再生層の作用は、図１を用いて説明した再生層の作用と同じである。
【００７９】
図８に示す保護層１３の組成および厚さは、図１に示す保護層のそれらと同じであり、機能についても同じである。
【００８０】
次に、第３実施形態の光磁気記録媒体１の製造方法について説明する。この製造方法は、本発明の第２の光磁気記録媒体の製造方法に相当する。
【００８１】
図９は、図８に示す光磁気記録媒体を製造するにあたっての各工程を示したフローチャートである。
【００８２】
図９に示すように、図８に示す光磁気記録媒体１を製造するにあたっては、放熱ライン形成工程９＿１、記録層形成工程９＿２、スイッチング層形成工程９＿３、コントロール層形成工程９＿４、再生層形成工程９＿５、保護層形成工程９＿６、カバー層形成工程９＿７、および熱処理工程９＿８をこの記載順に実施することで図８に示す光磁気記録媒体１を製造する。
【００８３】
放熱ライン形成工程９＿１は、基板１０の凸条１０ｂの先端面それぞれに、図８に示す放熱ライン１１３を形成する。この工程では、Ａｇを主成分とし、ＰｄとＣｕが添加された合金ターゲットとＳｉターゲットとの２つのターゲットを用いてコスパッタ法を実施する。放電用ガスの圧力は０．５Ｐａであり、合金ターゲットへの投入電力は５００Ｗ，Ｓｉターゲットへの投入電力は３２０Ｗである。ここでのスパッタリングには、図４に示す、ターゲット表面のうちの中心部分のみを覆う遮蔽板７を用いる。こうすることにより、基板１０に対して斜めに向かうスパッタ粒子のみが基板１０に到達し、基板１０の凹溝１０ａ内に入り込むスパッタ粒子の数が激減する。ここで、図４に示す遮蔽板７を用いず、ターゲットとカソード電極の距離を近づけたり、凹凸形状の高低差が大きな基板を用いたり、あるいは放電用ガスの圧力を高めたりすることでも、基板１０の凹溝１０ａ内に入り込むスパッタ粒子の数を減らすことができる。この放熱ライン形成工程９＿１実施後に、走査型電子顕微鏡を用いて断面観察を行ったところ、図４に示す遮蔽板７を用いた場合には、基板１０の凸条１０ｂの先端面には、厚さ３０ｎｍにもなる放熱ライン１１３が形成されていた。一方、基板１０の凹溝１０ａの底面には僅か２ｎｍ程度の厚さのＡｇＰｄＣｕ合金ライン１１４しか形成されておらず、場所によっては、ＡｇＰｄＣｕ膜が何ら形成されていない所もあった。なお、図９に示す各工程のうち、この放熱ライン形成工程９＿１以外の工程において行われるスパッタリングでは、図４に示す遮蔽板７の代わりに、図３に示す、ターゲット表面のうちの周縁部分のみを覆う遮蔽板６を用い、均一な厚さの膜を形成する。また、この放熱ライン形成工程９＿１におけるスパッタリング条件では、厚さ３０ｎｍの放熱ライン１１３の表面粗さは、ＡｇＰｄＣｕ合金ライン１１４の表面粗さと同程度に抑えることができるが、ＡｇＰｄＣｕ合金ライン１１４との厚さの違いを拡大するため、放熱ライン１１３の厚さを５０ｎｍ以上に厚くすると、基板表面の凹凸形状が基板よりも上の層に反映できないほど、放熱ライン１１３の表面粗さが悪化する。放熱ライン１１３の表面粗さが悪化した場合には、この放熱ライン形成工程９＿１実施後に、放熱ライン１１３の表面にエッチング処理を施すことで、ＡｇＰｄＣｕ合金ライン１１４との厚さの違いを大きく保ったまま、放熱ライン１１３の表面粗さを改善することができる。
【００８４】
放熱ライン形成工程９＿１終了時点では、放熱ライン１１３の表面は露出した状態にある。また、基板１０の凹溝１０ａの底面も露出した状態にある。記録層形成工程９＿２は、露出した状態にある、放熱ライン１１３の表面および基板１０の凹溝１０ａの底面の双方に記録層を形成する工程であって、本発明の第２の光磁気記録媒体の製造方法にいう第１工程に相当する。ここでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットに５００Ｗの投入電力を加え、放電用ガスの圧力を１．０Ｐａにしてスパッタリングを行う。こうすることにより、放熱ライン１１３の露出した表面には、ランドに相当するトラックＴが形成されるとともに、基板１０の露出した凹溝１０ａ底面には、グルーブに相当するトラック間ラインＬが形成される。
【００８５】
スイッチング層形成工程９＿３は、ＴｂＦｅ合金ターゲットにＡｌチップをのせてスパッタリングすることでスイッチング層を形成する工程であり、コントロール層形成工程９＿４は、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットに８００Ｗの投入電力を加え、放電用ガスの圧力を０．８Ｐａにしてスパッタリングすることでコントロール層を形成する工程である。また、再生層形成工程９＿５は、スパッタリングにより再生層を形成する工程であり、ここでのスパッタリングの条件は、図２（ｃ）に示す磁性層１２を構成する再生層の形成におけるスパッタリングの条件と同じである。
【００８６】
保護層形成工程９＿６は、ＢをドープしたＳｉターゲットに８００Ｗの投入電力を加え、放電用の窒素ガスの圧力を０．５Ｐａにしてスパッタリングすることで保護層を形成する工程である。
【００８７】
カバー層形成工程９＿７は、保護層の１６の表面に、スピンコート法によって紫外線硬化樹脂を１５μｍの厚さに塗布した後、紫外線を３０秒程度照射して硬化させることでカバー層を形成する工程である。
【００８８】
熱処理工程９＿８は、図１に示す光磁気記録媒体を製造する際に行う熱処理と同様のレーザービームの照射を行う（図５参照）。すなわち、レーザービームの照射を複数のトラック間ラインＬにまたがって行う。薄いＡｇＰｄＣｕ合金ライン１１４に接するトラック間ラインＬ（グルーブ）の方が、厚い放熱ライン１１３に接するトラックＴ（ランド）に比べ放熱性が劣っているため、レーザービームの照射を受けたトラック間ラインＬは、そのレーザービームの照射を同時に受けたトラックＴよりもはるかに高温になる。その結果、トラック間ラインＬのほうがトラックＴよりも磁気異方性が大きく変化する。このような熱処理工程９＿８は、本発明の第２の光磁気記録媒体の製造方法にいう第２工程に相当する。
【００８９】
これらの工程を実施することで製造した光磁気記録媒体に、マーク長が０．１５μｍのマークを記録し、再生信号の強度（キャリア）と媒体ノイズの大きさとの比を表すＣＮＲ（Ｃａｒｒｉｅｒ ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ    Ｒａｔｉｏ）を得たところ、４５．０ｄＢのＣＮＲの値が得られ、良好な磁壁移動を確認した。
【００９０】
続いて、本発明の光磁気記録媒体の第４実施形態について、第３実施形態の光磁気記録媒体との相違点を中心に説明する。ここでも、これまでに説明した光磁気記録媒体の構成要素の名前と同じ名前の構成要素には、これまでの説明で用いた符号と同じ符号を用いることにする。
【００９１】
図１０は、第４実施形態の光磁気記録媒体を、基板の半径方向に断面したきの、模式的断面図である。
【００９２】
図１０に示す光磁気記録媒体１も、本発明の第２の光磁気記録媒体に相当する。この光磁気記録媒体１は、基板１０の上に、放熱層１１、磁性層１２、保護層１３、および不図示のカバー層を有する。
【００９３】
図１０に示す基板１０は、図８に示す基板と同じ材質、大きさ、および表面形状のものである。このような、表面が凹凸形状である基板１０のその表面には放熱層１１が設けられている。図１０に示す放熱層１１は、厚さ３０ｎｍの均一な膜厚を有するＡｇＰｄＣｕ合金膜である。
【００９４】
この放熱層１１の、基板１０の凸条１０ｂの先端面上の部分には、その凸条１０ｂの先端面に沿って延びる断熱ライン１７１が設けられている。図１０に示す光磁気記録媒体１が、図８に示す光磁気記録媒体と異なる点は、均一の厚さの放熱層１１を有する点と、この断熱ライン１７１を有する点との２点である。図１０に示す断熱ライン１７１は、厚さ４ｎｍのＳｉＣ膜である。なお、放熱層１１の、基板１０の凹溝１０ａの底面上の部分にも、断熱ライン１７１と組成を同じにする、厚さ２ｎｍ程度のＳｉＣライン１７２が設けられている。
【００９５】
図１０に示す磁性層１２は、図８に示す磁性層と同じ層構造のものである。また、図１０に示す磁性層１２を構成する各層の組成および厚さについても、図８に示す磁性層を構成する各層のそれらと同じである。ここでは、磁性層１２を構成する各層のうち、記録層についてのみ説明する。図１０に示す磁性層１２を構成する記録層は、断熱ライン１７１の表面およびＳｉＣライン１７２の表面に接するＴｂＦｅＣｏ膜である。図１０に示す光磁気記録媒体１では、記録層の、断熱ライン１７１の表面に接する部分がランドに相当し、トラック間ラインＬになる。一方、記録層の、ＳｉＣライン１７２に接する部分がグルーブに相当し、トラックＴになる。記録層であるＴｂＦｅＣｏ膜の熱伝導率は、断熱ライン１７１やＳｉＣライン１７２であるＳｉＣ膜の熱伝導率より高く、断熱ライン１７１は、ＳｉＣライン１７２よりも１５倍程度厚いことから、厚い断熱ライン１７１に接するトラックＴの方が、薄いＳｉＣライン１７２に接するトラック間ラインＬに比べ熱に対する感度が高い。すなわち、図１０に示す光磁気記録媒体では、ランド（トラック間ラインＬ）の方が、グルーブ（トラックＴ）に比べ放熱性が劣る。
【００９６】
図１０に示す保護層１３の組成および厚さは、図１に示す保護層のそれらと同じである。
【００９７】
次に、第４実施形態の光磁気記録媒体１の製造方法について説明する。この製造方法も、本発明の第２の光磁気記録媒体の製造方法に相当する。
【００９８】
図１１は、図１０に示す光磁気記録媒体を製造するにあたっての各工程を示したフローチャートである。
【００９９】
図１１に示すように、図１０に示す光磁気記録媒体１を製造するにあたっては、放熱層形成工程１１＿１、断熱ライン形成工程１１＿２、記録層形成工程１１＿３、スイッチング層形成工程１１＿４、コントロール層形成工程１１＿５、再生層形成工程１１＿６、保護層形成工程１１＿７、カバー層形成工程１１＿８、および熱処理工程１１＿９をこの記載順に実施することで図１０に示す光磁気記録媒体１を製造する。図１１に示す製造工程が、図９に示す製造工程と異なる点は、図９に示す放熱ライン形成工程９＿１に代えて放熱層形成工程１１＿１を有する点と、記録層形成工程の前に断熱ライン形成工程１１＿２を有する点との２点であり、その他の各工程は、図９に示す同じ名前の工程と同じである。ここでは、放熱層形成工程１１＿１、断熱ライン形成工程１１＿２、および熱処理工程１１＿９について説明する。なお、図１１に示す記録層形成工程１１＿３が、本発明の第２の光磁気記録媒体の製造方法にいう第１工程に相当し、熱処理工程１１＿９が、本発明の第２の光磁気記録媒体の製造方法にいう第２工程に相当する。
【０１００】
図１１に示す放熱層形成工程１１＿１は、スパッタリングにより図１０に示す放熱層１１を形成する。図９に示す放熱ライン形成工程９＿１におけるスパッタリングでは、図４に示す遮蔽板７を用いたが、この放熱層形成工程１１＿１では、図３に示す、ターゲットの中心部分を残して周縁部分を覆う遮蔽板６が用いられる。こうすることにより、基板１０に対して垂直に向かうスパッタ粒子のみが基板１０に到達し、基板１０の表面全面に均一な膜厚のＡｇＰｄＣｕ膜が形成される。
【０１０１】
図１１に示す断熱ライン形成工程１１＿２も、スパッタリングにより図１０に示す断熱ライン１７１を形成する。この工程では、ＳｉターゲットとＣターゲットとの２つのターゲットを用いてコスパッタ法を実施する。放電用ガスの圧力は０．８Ｐａであり、ターゲットへの投入電力は、ＳｉターゲットであってもＣターゲットであっても５００Ｗである。ここでのスパッタリングには、図４に示す、ターゲットの表面のうち中心部分のみを覆う遮蔽板７を用いる。すなわち、図９に示す放熱ライン形成工程９＿１のスパッタリングにおいて使用される遮蔽板と同じ遮蔽板を用いて、同様の作用により、基板１０の凹溝１０ａ内に入り込むスパッタ粒子の数を激減させる。この断熱ライン形成工程１１＿２実施後に、走査型電子顕微鏡を用いて断面観察を行ったところ、放熱層１１の、基板１０の凸条１０ｂの先端面上の部分には、厚さ３０ｎｍにもなる断熱ライン１７１が形成されていた。一方、放熱層１１の、基板１０の凹溝１０ａの底面上の部分には、僅か２ｎｍ程度の厚さのＳｉＣライン１７２しか形成されておず、場所によっては、ＳｉＣ膜が何ら形成されていない所もあった。
【０１０２】
図１１に示す熱処理工程１１＿９は、図９に示す熱処理工程と同じ処理を施す。ここでは、厚い断熱ライン１７１に接するトラック間ラインＬ（ランド）の方が、薄いＳｉＣライン１７２に接するトラックＴ（グルーブ）に比べ放熱性が劣るため、レーザービームの照射を受けた複数のトラック間ラインＬは、そのレーザービームの照射を同時に受けたトラックＴよりもはるかに高温になる。その結果、トラック間ラインＬのほうがトラックＴよりも磁気異方性が大きく変化する。
【０１０３】
これらの工程を実施することで製造した、図１０に示す光磁気記録媒体１に、マーク長が０．１５μｍのマークを記録し、ＣＮＲを得たところ、４５．２ｄＢのＣＮＲの値が得られ、良好な磁壁移動を確認した。
【０１０４】
以上、第１実施形態の光磁気記録媒体から第４実施形成の光磁気記録媒体までを説明したが、これらの光磁気記録媒体は、いずれも、再生信号の強度低下に結びつく、トラックＴの磁気異方性の変化を抑えつつ、トラック間ラインＬの磁気異方性を変化させてたものであるため、大きな再生信号が得られることと、マークの大きさよりも大きな領域をスムーズに出現させることを両立することができる。また、これらの光磁気記録媒体の製造方法はいずれも、レーザービームの照射を複数のトラック間ラインＬにまたがって行うものであるため、総てのトラック間ラインの磁気異方性を短時間のうちに変化させることができる。
【０１０５】
なお、第１実施形態の光磁気記録媒体から第４実施形成の光磁気記録媒体までの光磁気記録媒体はいずれもフロントイルミネーション方式に対応した層構造を有するものであるが、本発明の第１の光磁気記録媒体および第２の光磁気記録媒体はいずれも、記録用の光や再生用の光をカバー層側から照射する方式に対応した層構造を有する光磁気記録媒体に適用することができる。
【０１０６】
以下、本発明の各種態様を付記する。
【０１０７】
（付記１）  記録用の光の照射および磁場の供給を受けることで、供給された磁場に応じた向きに磁化された所定の大きさのマークが所定方向に連続して記録され、再生用の光の照射を受けることで該マークが読みとられる光磁気記録媒体において、
基板と、
前記基板上に形成された層であって、記録時には前記マークが記録され、再生時には該マークの磁化方向と同一方向に磁化された、該マークの大きさよりも大きな領域が出現する磁性層とを備え、
前記磁性層が、平行関係を保って前記所定方向に延在し、前記マークが記録される複数のトラックと、隣り合うトラックの間それぞれに延在する複数のトラック間ラインとを有し、該トラックおよび該トラック間ラインはともに、酸素および窒素のいずれか一方を含むことで磁気異方性が変化する材料からなるものであり、さらに、該トラック間ラインが、該トラックよりも酸素および窒素のいずれか一方を多く含むものであることを特徴とする光磁気記録媒体。
【０１０８】
（付記２）  前記基板と前記磁性層との間に、前記複数のトラックそれぞれに接する、該磁性層の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する複数の放熱ラインを備えたことを特徴とする付記１記載の光磁気記録媒体。
【０１０９】
（付記３）  前記磁性層が、前記所定方向に延びる凹溝と、該凹溝に対して平行関係を保って延びる凸条とが交互に繰り返された凹凸パターンを有し、
前記トラックが、前記凹凸パターンの、凹溝および凸条のいずれか一方であり、前記トラック間ラインが、前記凹凸パターンの、凹溝および凸条のいずれか他方であることを特徴とする付記１記載の光磁気記録媒体。
【０１１０】
（付記４）  記録用の光の照射および磁場の供給を受けることで、供給された磁場に応じた向きに磁化された所定の大きさのマークが所定方向に連続して記録され、再生用の光の照射を受けることで該マークが読みとられる光磁気記録媒体において、
基板と、
前記基板上に形成された層であって、記録時には前記マークが記録され、再生時には該マークの磁化方向と同一方向に磁化された、該マークの大きさよりも大きな領域が出現する磁性層とを備え、
前記磁性層が、平行関係を保って前記所定方向に延在し、前記マークが記録される複数のトラックと、隣り合うトラックの間それぞれに延在する複数のトラック間ラインとを有し、該トラック間ラインは、該トラックよりも放熱性が劣るものであることを特徴とする光磁気記録媒体。
【０１１１】
（付記５）  前記基板と前記磁性層との間に、前記複数のトラックそれぞれに接する、該磁性層の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する複数の放熱ラインを備えたことを特徴とする付記４記載の光磁気記録媒体。
【０１１２】
（付記６）  前記基板と前記磁性層との間に、前記複数のトラック間ラインそれぞれに接する、該磁性層の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する複数の断熱ラインを備えたことを特徴とする付記４記載の光磁気記録媒体。
【０１１３】
（付記７）  前記磁性層は、前記所定方向に延びる凹溝と、該凹溝に対して平行関係を保って延びる凸条とが交互に繰り返された凹凸パターンを有し、
前記トラックが、前記凹凸パターンの、凹溝および凸条のいずれか一方であり、前記トラック間ラインが、前記凹凸パターンの、凹溝および凸条のいずれか他方であることを特徴とする付記４記載の光磁気記録媒体。
【０１１４】
（付記８）  記録用の光の照射および磁場の供給を受けることで、供給された磁場に応じた向きに磁化された所定の大きさのマークが所定方向に連続して記録され、再生用の光の照射を受けることで該マークが読みとられる光磁気記録媒体の製造方法において、
基板よりも上層に、表面が露出した状態で平行関係を保って前記所定方向に延在し、主成分の元素と結合しきれずに残った、酸素および窒素のいずれか一方を含む誘電体ラインを形成する誘電体ライン形成工程と、
前記誘電体ライン形成工程実施後に、記録時には前記マークが記録され、再生時には該マークの磁化方向と同一方向に磁化された、該マークの大きさよりも大きな領域が出現する磁性層を形成する磁性層形成工程とを有し、
前記磁性層形成工程は、前記誘電体ライン形成工程が実施されることで形成された複数の誘電体ラインそれぞれの表面に、該誘電体ラインに含まれた、主成分の元素と結合しきれずに残った酸素によって酸化され、酸化されることで磁気異方性が変化する複数のトラック間ライン、および該誘電体ラインに含まれた、主成分の元素と結合しきれずに残った窒素によって窒化され、窒化されることで磁気異方性が変化する複数のトラック間ラインのいずれか一方を形成するとともに、隣り合うトラック間ラインの間それぞれに延在し、前記マークが記録される複数のトラックを形成する第１工程を有するものであることを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
【０１１５】
（付記９）  誘電体ライン形成工程は、基板よりも上層に、主成分の元素と結合しきれずに残った酸素および窒素のいずれか一方を含む誘電体層を該基板の全面にわたって積層し、その後、該誘電体層をエッチングすることにより前記複数の誘電体ラインを形成する工程であることを特徴とする付記８記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【０１１６】
（付記１０）  前記誘電体ライン形成工程は、基板よりも上層に、主成分の元素と結合しきれずに残った酸素および窒素のいずれか一方を含む誘電体層を該基板の全面にわたって積層し、その後、該誘電体層の表面に、平行関係を保って前記所定方向に延在する複数の突条を形成することにより、隣り合う突条の間から表面が露出した前記誘電体ラインを形成する工程であることを特徴とする付記８記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【０１１７】
（付記１１）  前記第１工程実施後に、前記複数のトラック間ラインの一部又は全部にまたがって複数回熱照射する第２工程を有することを特徴とする付記８記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【０１１８】
（付記１２）  記録用の光の照射および磁場の供給を受けることで、供給された磁場に応じた向きに磁化された所定の大きさのマークが所定方向に連続して記録され、再生用の光の照射を受けることで該マークが読みとられる光磁気記録媒体の製造方法において、
基板よりも上層に、所定の熱伝導率を有し、表面が露出した状態で平行関係を保って前記所定方向に延在する複数の放熱ラインを形成する放熱ライン形成工程と、
前記放熱ライン形成工程実施後に、記録時には前記マークが記録され、再生時には該マークの磁化方向と同一方向に磁化された、該マークの大きさよりも大きな領域が出現する磁性層を形成する磁性層形成工程とを有し、
前記磁性層形成工程は、前記放熱ライン形成工程が実施されることで形成された複数の放熱ラインそれぞれの表面に複数のトラックを形成するとともに、隣り合う放熱ラインの間それぞれに延在し、前記所定の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する複数のトラック間ラインを形成する第１工程と、前記第１工程が実施されることで形成されたトラックおよびトラック間ラインの双方に同時に熱を加える第２工程とを有することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
【０１１９】
（付記１３）  放熱ライン形成工程が、基板よりも上層に、前記所定の熱伝導率を有する放熱層を該基板の全面にわたって積層し、その後、該放熱層をエッチングすることにより前記複数の放熱ラインを形成する工程であることを特徴とする付記１２記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【０１２０】
（付記１４）  前記第２工程が、前記複数のトラック間ラインの一部又は全部にまたがって複数回熱照射する工程であることを特徴とする付記１２記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【０１２１】
（付記１５）  記録用の光の照射および磁場の供給を受けることで、供給された磁場に応じた向きに磁化された所定の大きさのマークが所定方向に連続して記録され、再生用の光の照射を受けることで該マークが読みとられる光磁気記録媒体の製造方法において、
基板よりも上層に、所定の熱伝導率を有し、表面が露出した状態で平行関係を保って前記所定方向に延在する複数の断熱ラインを形成する断熱ライン形成工程と、
前記断熱ライン形成工程実施後に、記録時には前記マークが記録され、再生時には該マークの磁化方向と同一方向に磁化された、該マークの大きさよりも大きな領域が出現する磁性層を形成する磁性層形成工程とを有し、
前記磁性層形成工程は、前記断熱ライン形成工程が実施されることで形成された複数の断熱ラインそれぞれの表面に複数のトラック間ラインを形成するとともに、隣り合う放熱ラインの間それぞれに延在し、前記所定の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する複数のトラックを形成する第１工程と、前記第１工程が実施されることで形成されたトラックおよびトラック間ラインの双方に同時に熱を加える第２工程とを有することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
【０１２２】
（付記１６）  断熱ライン形成工程は、基板よりも上層に、前記所定の熱伝導率を有する断熱層を該基板の全面にわたって積層し、その後、該断熱層をエッチングすることにより前記複数の断熱ラインを形成する工程であることを特徴とする付記１５記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【０１２３】
（付記１７）  前記第２工程が、前記複数のトラック間ラインの一部又は全部にまたがって複数回熱照射する工程であることを特徴とする付記１５記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【０１２４】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明の光磁気記録媒体によれば、大きな再生信号が得られることと、マークの大きさよりも大きな領域をスムーズに出現させることを両立することができ、また、本発明の光磁気記録媒体の製造方法によれば、生産段階において、トラックの磁気的異方性への影響を抑えつつ、総てのトラック間ラインの磁気異方性を短時間のうちに変化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態の光磁気記録媒体を、基板の半径方向に断面したきの、模式的断面図である。
【図２】図１に示す光磁気記録媒体を製造する過程を段階的に示した図である。
【図３】ターゲット表面のうちの周縁部分のみを覆う遮蔽板を用いたスパッタリングの様子を概念的に示す図である。
【図４】ターゲット表面のうちの中心部分のみを覆う遮蔽板を用いたスパッタリングの様子を概念的に示す図である。
【図５】レーザービームの照射を複数トラックにまたがって行う様子を示す図である。
【図６】第２実施形態の光磁気記録媒体を、基板の半径方向に断面したきの、模式的断面図である。
【図７】図６に示す光磁気記録媒体を製造する過程を段階的に示した図である。
【図８】第３実施形態の光磁気記録媒体を、基板の半径方向に断面したきの、模式的断面図である。
【図９】図８に示す光磁気記録媒体を製造するにあたっての各工程を示したフローチャートである。
【図１０】第４実施形態の光磁気記録媒体を、基板の半径方向に断面したきの、模式的断面図である。
【図１１】図１０に示す光磁気記録媒体を製造するにあたっての各工程を示したフローチャートである。
【符号の説明】
１    光磁気記録媒体
１０    基板１０
１０ａ    凹溝
１０ｂ    凸条
１１    放熱層
１１１    第１放熱ライン
１１２    第２放熱ライン
１１３    放熱ライン
１１４    ＡｇＰｄＣｕ合金ライン
１２    磁性層
１３    保護層
１４    窒素過剰誘電体層
１４１    誘電体ライン
１５    フォトレジスト膜
１５１    レジストライン
１６    マスク板
１６１  スリット
１７１    断熱ライン
１７２    ＳｉＣライン
Ｔ    トラック
Ｌ    トラック間ライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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