(57)【要約】　　　（修正有）【課題】半導体基板に形成された内径が小さく、アスペクト比が大きい貫通孔を導体部材により埋め込む。【解決手段】半導体基板１に形成された貫通孔２の内周面に絶縁膜４を形成し、半導体基板の一方の表面と、表面に導電膜６が形成されたシード基板５の導電膜が形成された表面とを接合し、一体化した半導体基板とシード基板をメッキ処理する事により該貫通孔の内部を、導電膜からメッキ成長する導体部材３により埋め込み、一体化した半導体基板とシード基板を剥離することにより、内径が小さく、アスペクト比が大きい貫通孔であっても、均一な導体部材で埋め込むことができる。特に導電膜にハンダ材を使用する事により、貫通孔をより均一な導体部材で埋め込むことができる。【選択図】　　　　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔が形成された半導体基板の該貫通孔の内周面に絶縁膜を形成する工程と、該半導体基板の一方の表面と、導電膜が形成されたシード基板の該導電膜が形成された表面とを接合し一体化する工程と、該一体化した半導体基板とシード基板をメッキ処理する事により、該貫通孔の内部を該導電膜からメッキ成長する導体部材により埋め込む工程と、該一体化した半導体基板とシード基板を剥離する工程とを経ることを特徴とするより半導体基板の貫通孔埋め込み方法。
【請求項２】
前記貫通孔の最小内径は３０μｍ以下であり、アスペクト比は１０〜１００であることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の貫通孔埋め込み方法。
【請求項３】
前記一体化する工程は、該導電膜の該半導体基板と接合する表面に接着剤を塗布した後、所定の圧力で加圧する事を特徴とする請求項１に記載の半導体基板の貫通孔埋め込み方法。
【請求項４】
前記接着剤の膜厚は１０μｍ以下である事を特徴とする請求項３に記載の半導体基板の貫通孔埋め込み方法。
【請求項５】
前記導電膜はハンダ材であり、前記一体化する工程は該ハンダ材を融点以上に加熱した状態で半導体基板とガラス基板を圧着した後冷却して行われ、前記剥離する工程は該ハンダ材を再度融点以上に加熱した状態で行われる事を特徴とする請求項１に記載の半導体基板の貫通孔埋め込み方法。
【請求項６】
前記ハンダ材は融点が２００度以下である事を特徴とする請求項５に記載の半導体基板の貫通孔埋め込み方法。
【請求項７】
前記ハンダ材は膜厚が０．１μｍ〜１０μｍであることを特徴とする請求項５に記載の半導体基板の貫通孔埋め込み方法。
【請求項８】
前記半導体基板の前記シード基板と接合する表面には、金属膜が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体基板の貫通孔埋め込み方法。
【請求項９】
前記請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の半導体基板の貫通孔埋め込み方法により形成した事を特徴とする半導体基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板に形成された貫通孔の埋め込み方法及びそれにより形成される半導体基板に関わるものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、半導体基板に貫通孔を形成しその内部を導体部材で埋め込み、半導体基板の表裏面の導通をとる事で三次元的な配線を形成し、高密度配線を実現した半導体装置が知られている。その半導体装置の製造方法は特開平９−０９２６７５に記載されている様に、まず半導体基板の表面に保護膜と、保護膜の形成されていない開口部を形成する。次に、開口部をエッチングする事で貫通孔を形成する。次に、熱酸化法もしくは化学的気相成長法を用いて半導体基板の表面及び貫通孔の内側表面に絶縁層を形成する。次に、メッキ処理する事により貫通孔を導電物で埋め込み、且つ半導体基板の表面及び裏面に導電体層を形成する。次に、半導体基板の表裏面の導電体層をエッチバックし、貫通孔に導電体層を残して半導体基板の表裏面の導電体層を除去する。この様にして、半導体基板に形成された貫通孔を導電物で埋め込む事により、半導体基板の表裏面の導通をとっている。
【０００３】
また特開平２−２３９６２７には、半導体基板に貫通孔を形成し、その内部をハンダメッキで埋め込むことにより、表裏面に導通をとる事が記載されている。また、実施例における貫通孔の内径は２００μｍである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら近年半導体装置は、更なる高密度配線が要求されており、貫通孔の内径はより小さく、またアスペクト比はより大きくなってきている。また、単に表裏面の導通が取れているだけではなく、貫通孔を埋め込んだ導体部材をより均質に形成する事が必要となっている。
【０００５】
特開平２−２３９６２７に記載されたようなハンダメッキは、図７に示す様に、半導体基板１のメッキを形成したい貫通孔２の内周面にシード金属１００を形成し、半導体基板１をハンダメッキ液中に浸漬し電界をかける事により、シード金属１００からメッキが成長するように形成される。しかしながら、一般にメッキは半導体基板１を浸漬するメッキ液の電流密度が高いほど成長しやすい。貫通孔２を形成した半導体基板１では、貫通孔２の開口部周辺の電流密度が高くなるため、貫通孔２の開口部におけるメッキ１０１の成長が、貫通孔内部のメッキの成長よりも早くなる。従って、貫通孔２の内径が３０μｍ以下と小さく、アスペクト比が１０以上と大きい場合には、図８に示す様に貫通孔２を完全にメッキで埋め込む前に開口部が塞がってしまう。そのため、貫通孔内部に空洞ができてしまい、均質な導体部材による埋め込みを行うことができない。ただし、メッキ速度を極端に遅くすれば良好な導体部材を形成することができるが、メッキ速度が遅くなると製造タクトが長くなるため製造コストが大幅にアップしてしまい、生産上使用する事ができるものではない。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため本発明においては、貫通孔が形成された半導体基板の貫通孔の内周面に絶縁膜を形成する工程と、該半導体基板の一方の表面と、表面に導電膜が形成されたシード基板の導電膜が形成された表面とを接合し一体化する工程と、該一体化した半導体基板とシード基板をメッキ処理する事により該貫通孔の内部を、該導電膜からメッキ成長する導体部材により埋め込む工程と、該一体化した半導体基板とシード基板を剥離する工程を経る半導体基板の貫通孔埋め込み方法を提供している。
【０００７】
また本発明においては、前記貫通孔の最小内径は３０μｍ以下であり、アスペクト比は１０〜１００であることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の貫通孔埋め込み方法。
【０００８】
半導体基板の貫通孔埋め込み方法を提供している。
【０００９】
また本発明においては、前記一体化する工程は、該導電膜の表面の該半導体基板と接触する接合面に接着剤を塗布し、所定の圧力で加圧している半導体基板の貫通孔埋め込み方法を提供している。
【００１０】
また本発明においては、前記接着剤の膜厚は１０μｍ以下である半導体基板の貫通孔埋め込み方法を提供している。
【００１１】
また本発明においては、前記導電膜はハンダ材であり、前記一体化する工程は、該ハンダ材を融点以上に加熱した状態で半導体基板とガラス基板を圧着した後冷却して行われ、前記剥離する工程は該ハンダ材を再度融点以上に加熱した状態で行われる半導体基板の貫通孔埋め込み方法を提供している。
【００１２】
また本発明においては、前記ハンダ材は融点が２００度以下である半導体基板の貫通孔埋め込み方法を提供している。
【００１３】
また本発明においては、前記ハンダ材は膜厚が０．１μｍ〜１０μｍである半導体基板の貫通孔埋め込み方法を提供している。
【００１４】
また本発明においては、前記半導体基板の一方の表面には、金属膜が形成されている半導体基板の貫通孔埋め込み方法を提供している。
【００１５】
また本発明においては、前記半導体基板の貫通孔埋め込み方法により形成した半導体基板を提供している。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００１７】
図１は本発明の実施の形態を示す半導体基板の断面図である。図中１はシリコン等からなる半導体基板である。半導体基板１の厚さは１００〜５００μｍ程度である。２は半導体基板１に均等間隔に形成された複数の貫通孔である。貫通孔の内径は５〜３０μｍ程度である。また貫通孔２のアスペクト比は１０〜１００であり、この値は一般的に半導体基板の貫通孔としては高アスペクト比と言うことができる。貫通孔の形状は円形以外に楕円形状や矩形状であっても良い。楕円形状や矩形状の場合貫通孔の最小内径が５〜３０μｍ程度であれば良く、アスペクト比は、半導体基板の厚さに対するこの最小内径の比とする。３は貫通孔２の内部を埋め込んでいる導体部材であり、メッキ処理により形成されている。メッキの材料としてはＮｉ・Ｃｕ・Ｓｎ・Ａｇ・Ａｕ・Ａｌなどの単体又はその合金を用いる事ができる。
【００１８】
次に前述の半導体基板の製造方法を説明する。図２は、各製造工程（ステップ）を示すフローチャートであり、図３（ａ）〜（ｈ）は図２に示した半導体装置の各製造工程（ステップ）における断面図である。
【００１９】
まずＳ１（ステップ１）において、図３（ａ）に示す様に、厚さは１００〜５００μｍのシリコンウエハ等の半導体基板１を準備する。半導体基板の形状はウエハ状ではなく正方形や長方形の矩形状であってもかまわない。
【００２０】
次にＳ２（ステップ２）において、図３（ｂ）に示す様に、半導体基板１に内径５〜５０μｍの複数の貫通孔２を形成する。貫通孔２は湿式エッチングによる化学処理、レーザ加工、プラズマ加工、Ｄ−ＲＩＥなどによる物理処理、ドリル等による機械処理の何れも使用可能である。特にＤ−ＲＩＥやエキシマレーザを使用すれば、直線的で、貫通孔の内周面の表面精度が良好な貫通孔を形成することができる。
【００２１】
次にＳ３（ステップ３）において、図３（ｃ）に示す様に、半導体基板１の表裏面と、貫通孔２の内周面に絶縁膜４を形成する。絶縁膜４は半導体基板１の表面を酸化しＳｉＯ膜を形成する。絶縁膜４は貫通孔３の内周面には必ず必要であるが、半導体基板１の表裏面の少なくとも一方の面に形成されていれば良い。
【００２２】
次にＳ４（ステップ４）において、図３（ｄ）に示す様に、後述のＳ６のメッキ処理に使用する治具となるシード基板５を準備する。シード基板５は厚さ２０ｍｍ程度のガラス等からなる基板を使用する。尚、シード基板５の外形は、半導体基板１の外形よりも大きくなっている。
【００２３】
次にＳ５（ステップ５）において、図３（ｅ）に示す様に、シード基板５の表面にメッキ等により導電膜６を形成する。導電膜６には、Ｎｉ・Ｃｕ・Ｓｎ・Ａｇ・Ａｕ・Ａｌ、ハンダ材等の金属を使用することができる。尚前述のＳ１〜Ｓ３とＳ４〜Ｓ５は並行して行われる。
【００２４】
次にＳ６（ステップ６）において、図３（ｆ）に示す様に、Ｓ１〜Ｓ３を経た半導体基板１とＳ４〜Ｓ５を経たシード基板５の導電膜６側表面とを接合し一体化する。接合方法は、シード基板５の導電膜６がＮｉ・Ｃｕ・Ｓｎ・Ａｇ・Ａｕ・Ａｌの場合は、シード基板５の導電膜の表面に貫通孔２の位置をマスクした状態で接着剤を塗布し、所定の圧力で加圧して接合する。接着剤の膜厚は後述のＳ７のメッキ処理における、メッキをより均一に形成するためには薄い方が良く１０μｍ以下が好ましい。また後述のＳ８の基板剥離を容易に行うため、特定の処理によりその密着力が低下するものが好ましい。また、導電膜６がハンダ材であれば、ハンダ材自体に密着力があるため、ハンダ材を融点以上に加熱した状態で半導体基板１と所定時間圧着した後、冷却して事により接合する。Ｓ６においては、両基板を空隙が無く高密着力で接合する事ができる。
【００２５】
次にＳ７（ステップ７）において、図３（ｇ）に示す様に、図３（ｆ）に示した半導体基板１とシード基板４を接合し一体化した状態で、メッキ浴に浸漬し、メッキ処理を行う。図４はメッキ処理の方法を示した図である。図中１０は保持具であり、ワークである接合された半導体基板１とシード基板４を保持している。保持具１０により、シード基板４の半導体基板１と接合されていない部分は完全に覆われた状態となっている。１１はメッキ槽である。１２はメッキ槽１１に満たされたメッキ液であり、通常硫酸銅を使用する。１３は電極板であり通常銅板を使用する。１４は電源であり、シード基板５の導電膜６にはマイナス（−）電極が接続され、電極板１３にはプラス（＋）電極が接続されている。１５は定電流回路である。電源１４により電流を供給する事により、貫通孔２内の導電膜６からメッキが成長し、貫通孔２の内部を導体部材３により完全に埋め込む事ができる。この時、保持具１０により、シード基板４の半導体基板１と接合されていない部分は完全に覆っているため、半導体基板以外の部分ではメッキが進行せずメッキ処理の効率を高めている。
【００２６】
次にＳ８（ステップ８）において、図３（ｈ）に示す様に、半導体基板１とシード基板４を剥離する。導電膜６がＮｉ・Ｃｕ・Ｓｎ・Ａｇ・Ａｕ・Ａｌの場合は、接着剤を引き剥がすが、接着剤の密着力が低下するような処理を施してから剥離することが好ましい。尚、導電膜に使用する金属と、メッキにより成長する金属が同じ場合は、引き剥がすことが困難となるため、異なる材料にすることが好ましい。また導電膜６がハンダ材の場合は再度融点以上に加熱する事により容易に剥離する事ができる。
【００２７】
以上説明したようにＳ１〜Ｓ８を経ることにより、貫通孔に導体部材３を埋め込んだ半導体基板１に形成する事ができる。
【００２８】
次に、前述の導電膜６の材質について述べる。導電膜６には前述のように、Ｎｉ・Ｃｕ・Ｓｎ・Ａｇ・Ａｕ・Ａｌ、ハンダ材等の金属を使用することができるが、より均質な導体部材３により貫通孔２を埋め込むためには、ハンダ材が最も好適である。
【００２９】
均質な導体部材３により貫通孔２を埋め込むためには、導電膜６から均一にメッキが成長する事が必要である。メッキの成長にばらつきがあるとボイド等の発生要因となり、貫通孔３の内部に均質な導体部材３を形成することができない。半導体基板１とシード基板４の間に少しでも間隙が存在すると、メッキ液の電流密度にばらつきが生じ、電界集中が発生してしまう。電界集中が発生すると、その部分からメッキが成長するため、均等にメッキが成長する事は困難となる。従って、電界集中が発生せず均等な電流密度を得るため、導電膜６には非常に強い密着力で隙間のないように半導体基板１とシード基板４を接合する必要がある。
【００３０】
また、Ｓ６の基板接合における加熱、冷却により半導体基板１とシード基板４に反りが発生する可能性もある。そのため、より低温で接合し基板の温度変化を少なくする事が必要である。また加熱温度が低ければ製造上のタクトが短くなり、また取り扱いが容易となる。
【００３１】
また、Ｓ７の基板剥離において半導体基板１とシード基板４に損傷を与えることなく剥離することが必要である。またこの際の加熱温度も低温である事が好ましい。
【００３２】
以上を考慮すると、導電膜６に低融点金属であるハンダ材を使用する事が最も好ましい。ハンダ材は常温でそれ自体が強い密着性を有している。また、接着剤等を使用する必要がないため、導電膜と半導体基板１の間には接着剤の厚みによる１０μｍ程度の隙間も発生しない。そのため、非常に強い密着力で隙間のないように半導体基板１とシード基板４を接合する事ができる。また、低温で溶融する事が可能であるため、半導体基板１とシード基板４の温度変化による反りも少ない。また、再加熱することにより簡便に半導体基板１とシード基板４を剥離する事ができ、半導体基板の接合面に損傷を与えることもない。また、あらかじめ半導体基板１の接合面にＮｉ・Ｃｕ・Ｓｎ・Ａｇ・Ａｕ・Ａｌ等の金属膜をスパッタ等で形成しておくことにより、ハンダ材との接合面を、機械的接合のみではなく金属結合させる事もできるため、接合の信頼性を更に向上させることができる。尚、ハンダ材には、Ｓｎ・ビスマス・鉛・インジウムなどの単体又はその合金が使用できる。望ましくは２００度以下の融点を有する低融点金属が、製造上のタクトや取り扱いを考慮すると好適であると思われる。
【００３３】
尚ハンダ材の膜厚は、１０μｍ以上だとシリコンウエハとガラス基板を接合する際に、溶融したハンダ材がシリコンウエハに形成された貫通孔に流入してしまい、メッキ処理において形成される導体部材の形状精度を損なってしまう。また０．１μｍ以下だとシリコンウエハとガラス基板の密着力が弱く簡単に剥がれてしまう。従ってハンダ材の膜厚は、０．１〜１０μｍが好ましい範囲である。
【００３４】
（実施例１）
前述の半導体基板の製造方法に従い、以下のようにして貫通孔に導電部材を埋め込んだ。まず、直径６ｉｎｃｈ、厚さ２００μｍのシリコンウエハを準備し、内径２０μｍの複数の貫通孔をＤ−ＲＩＥにより形成した。したがって貫通孔のアスペクト比は１０である。シリコンウエハの表面及び貫通孔の内周面に絶縁膜である２μｍのＳｉＯ２を形成した。これと平行して、直径１６０ｍｍ、厚さ１ｍｍのガラス基板を準備する。ガラス基板の表面に２ｍｍの厚さのＡｕを導電膜として形成した。この様に処理したガラス基板は、後工程のメッキ処理の際のシード基板となる。
【００３５】
次に、ガラス基板の導電膜の表面に貫通孔の位置をマスクした状態で接着剤７を１０μｍ塗布し、接着剤を介してガラス基板とシリコンウエハを所定の圧力で加圧する事により接合した。次に接合して一体化したシリコンウエハとガラス基板を、ガラス基板の接合面以外の表面を覆うように保持具により保持し、硫酸銅５ｇ／Ｌ、水塩９５ｇ／Ｌ、硫酸１８０ｇ／Ｌの硫酸銅メッキ浴に浸漬し、１．５Ａ／ｄｍ２の電解条件にて１５時間メッキ処理した。この時の貫通孔内部の導電膜との接合部における電流密度の分布を図５に示す。導電膜と半導体基板の間には接着剤７の厚み分に相当する１０μｍの隙間がある。そのため図５に示す様に、貫通孔の内部には電流密度は接合面で若干差があるが、概ね均一であると言える。従って貫通孔の底面となる導電膜の表面から、ほぼ一応に銅メッキが成長し、貫通孔は銅で完全に埋め込まれる。
【００３６】
次に、一体化したシリコンウエハとガラス基板を硫酸銅メッキ浴から取り出し、所定の力を加えることにより、シリコンウエハとガラス基板を剥離した。剥離したシリコンウエハの接合面は、剥離の際に損傷する可能性もあるので、必要に応じてＣＭＰにより研磨し平滑化した。また接合面の裏面に銅メッキが盛り上がっている場合も、ＣＭＰにより研磨し平滑化した。この様にしてシリコンウエハに形成された、小径で高アスペクトの貫通孔に埋め込まれた金属は、ボイド等のない良好な状態をなしていた。
【００３７】
（実施例２）
前述の半導体基板の製造方法に従い、以下のようにして貫通孔に導電部材を埋め込んだ。前述の実施例１と異なり実施例２では、導電膜にハンダ材を使用した。まず、直径６ｉｎｃｈ、厚さ３００μｍのシリコンウエハを準備し、内径１０μｍの複数の貫通孔をＤ−ＲＩＥにより形成した。したがって貫通孔のアスペクト比は３０である。シリコンウエハの表面及び貫通孔の内周面に絶縁膜である２μｍのＳｉＯ２を形成した。更に、シリコン基板の接合面には、Ｎｉ膜をスパッタにより形成する。
【００３８】
これと平行して、直径１６０ｍｍ、厚さ１ｍｍのガラス基板を準備する。ガラス基板の表面にスパッタにより０．１μｍのＴｉ膜、続いて０．１μｍのＡｕ膜を形成した。Ｔｉ膜はガラス基板との密着製を向上させるための膜であり、Ａｕ膜は次に行うハンダメッキのシードとなるための膜である。更にその表面にハンダメッキ法にて、Ｓｎ・鉛ハンダの比率が６対４となるハンダ材を０．２μ析出させ導電膜とした。このハンダ材の融点は１８３℃である。この様に処理したガラス基板は、後工程のメッキ処理の際のシード基板となる。
【００３９】
次に、シリコンウエハの一方の面とガラス基板の導電膜側の面とを、１８５℃に加熱した状態で圧着する事により接合した。次に接合して一体化したシリコンウエハとガラス基板を、ガラス基板の接合面以外の表面を覆うように保持具により保持し、硫酸銅５ｇ／Ｌ、水塩９５ｇ／Ｌ、硫酸１８０ｇ／Ｌの硫酸銅メッキ浴に浸漬し、１．５Ａ／ｄｍ２の電解条件にて１５時間メッキ処理した。この時の貫通孔内部の導電膜との接合部における電流密度の分布を図６に示す。図６に示す様に、貫通孔の内部には電流密度の差が全くないことがわかる。従って貫通孔の底面となる導電膜の表面から、一応に銅メッキが成長し、貫通孔は銅で完全に埋め込まれる。
【００４０】
次に、一体化したシリコンウエハとガラス基板を硫酸銅メッキ浴から取り出し、再度１８５℃に加熱する事により、ハンダ材が溶けシリコンウエハとガラス基板を剥離した。剥離したシリコンウエハの接合面には全く損傷はなかった。また接合面の裏面に銅メッキが盛り上がっている場合は、ＣＭＰにより研磨し平滑化した。この様にしてシリコンウエハに形成された、小径で高アスペクトの貫通孔に埋め込まれた金属は、ボイド等のない良好な状態をなしていた。
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明においては、貫通孔が形成された半導体基板の貫通孔の内周面に絶縁膜を形成する工程と、該半導体基板の一方の表面と、表面に導電膜が形成されたガラス基板の導電膜が形成された表面とを接合し一体化する工程と、該一体化した半導体基板とガラス基板をメッキ処理する事により該貫通孔の内部を、該導電膜からメッキ成長する導体部材により埋め込む工程と、該一体化した半導体基板とガラス基板を剥離する工程とを経ることにより、半導体基板に形成された貫通孔を生産上問題とならない短いタクトで完全に導体部材で埋め込むことができる。
【００４２】
また、貫通孔の最小内径は５〜３０μｍであり、アスペクト比は１０〜１００である場合においても、貫通孔を完全に導体部材で埋め込むことができる。
【００４３】
また、導電膜に常温でそれ自体が強い密着性を有するハンダ材を使用することにより、基板を一体化する工程はハンダ材を融点以上に加熱した状態で半導体基板とガラス基板を圧着した後冷却して行う事ができるため、接着剤を使用することなく強い密着力で接合する事ができる。また、接着剤を使用しないため、半導体基板とガラス基板を隙間ない状態で接合できるため、貫通孔により均一にメッキを成長させることができる。また、基板を剥離する工程はハンダ材を再度融点以上に加熱する事で行う事ができるため、大きな力で引き剥がす事なく、簡便に基板を剥離する事ができ、両基板に損傷を与えることもない。また、半導体基板の接合面にあらかじめ金属膜を形成しておけば、機械的接合のみではなく金属結合する事もできるため、接合の信頼性を更に向上させることができる。
【００４４】
また、ハンダ材の融点が２００度以下のものを使用することにより、基板を加熱する事により発生する反りを小さくすることができ、温度変化により基板が剥離することがなく接合状態を保つことができる。また加熱温度が低ければ製造上のタクトが短くなり、取り扱いも容易となる。
【００４５】
また、ハンダ材は膜厚を０．１μｍ〜１０μｍとする事により、溶融したハンダ材がシリコンウエハに形成された貫通孔に流入してしまい、メッキ処理において形成される導体部材の形状精度を損なうこともなく、また、シリコンウエハとガラス基板の密着力が弱く簡単に剥がれてしまう事もない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態を示す半導体基板の断面図
【図２】本発明の実施の形態の各製造工程を示すフローチャート
【図３】図２に示した半導体装置の各製造工程における断面図
【図４】メッキ処理の方法を示した断面図
【図５】実施例１における貫通孔内部の電流密度の分布を示した図
【図６】実施例２における貫通孔内部の電流密度の分布を示した図
【図７】従来の技術を示す断面図
【図８】従来の技術を示す断面図
【符号の説明】
１　半導体基板
２　貫通孔
３　導体部材
４　絶縁膜
５　シード基板
６　導電膜
１０　保持具
１１　メッキ槽
１２　メッキ液
１３　電極板
１４　電源
１５　定電流回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
2004119606.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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