(57)【要約】【課題】高記録密度条件下でも良好な電磁変換特性を有する垂直磁気記録媒体およびその製造方法を提供すること。【解決手段】磁気記録層７をグラニュラー構造を有するＣｏＣｒ系合金膜で構成し、軟磁性裏打層４と磁気記録層７との間に、グラニュラー構造を有するＲｕ金属膜あるいはＲｕ系合金膜からなる第１の中間層６ａを設けることとした。また、軟磁性裏打層４と第１の中間層６ａとの間に、Ｒｕ金属膜あるいはＲｕ系合金膜の非グラニュラー構造の第２の中間層６ｂを備えるようにした。さらに、軟磁性裏打層４の上面側に、第１の中間層６ａまたは第２の中間層６ｂの下面に接するシード層５を備えるようにし、非磁性基体１と軟磁性裏打層４の間に、少なくとも１層の下地層２と磁区制御層３とを順次積層して備えるようにした。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基体上に、少なくとも、軟磁性裏打層と磁気記録層とが順次積層されて構成されている垂直磁気記録媒体であって、
前記磁気記録層はグラニュラー構造を有するＣｏＣｒ系合金膜からなり、
前記軟磁性裏打層と前記磁気記録層との間には、グラニュラー構造を有するＲｕ金属膜あるいはＲｕ系合金膜からなる第１の中間層が設けられていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記軟磁性裏打層と前記第１の中間層との間に、非グラニュラー構造の第２の中間層を備え、
当該第２の中間層が、Ｒｕ金属膜あるいはＲｕ系合金膜で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記軟磁性裏打層の上面側には、前記第１の中間層または前記第２の中間層の下面に接するシード層を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記非磁性基体と前記軟磁性裏打層の間には、少なくとも１層の下地層と磁区制御層とを順次積層して備えていることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
前記シード層は、面心立方構造もしくは六方最密充填構造を有する単金属膜あるいは合金膜で構成されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
前記軟磁性裏打層は、非晶質のＣｏ系合金で構成されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
前記磁区制御層は、Ｍｎ合金系の反強磁性膜または前記非磁性基体の半径方向に磁化配向させた硬質磁性膜の何れかであり、
前記下地層は、前記磁区制御層が前記反強磁性膜である場合には面心立方構造を有する非磁性単金属あるいは非磁性合金であり、前記磁区制御層が前記硬質磁性膜である場合にはＣｒ合金である、ことを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項８】
前記非磁性基体は、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金基板、強化ガラス基板、または、結晶化ガラス基板、の何れかであることを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れかに記載の垂直磁気記録媒体を製造するための方法であって、
前記第１の中間層を、１０〜１００ｍＴｏｒｒのガス圧条件下でスパッタ成膜することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
請求項２乃至８の何れかに記載の垂直磁気記録媒体を製造するための方法であって、
前記第２の中間層を、３０ｍＴｏｒｒ以下のガス圧条件下でスパッタ成膜することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は垂直磁気記録媒体およびその製造方法に関し、より詳細には、高記録密度条件下でも良好な電磁変換特性を有する垂直磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年のパーソナルコンピュータやワークステーションの記憶装置には、大容量で小型の磁気記録装置が用いられており、このような磁気記録装置の記録メディアである磁気ディスクには、さらなる高記録密度化が要求されている。
【０００３】
垂直磁気記録方式で作製される磁気ディスクは、磁性膜の磁化容易軸が基板面に対して垂直方向に配向した磁気記録媒体であり、磁化遷移領域において隣り合った磁化同士が互いに向き合っていないためにビット長が短くなっても磁化安定性が高くかつ磁束の減少も心配なく高密度磁気記録媒体として適しているとの理由から、従来の長手磁気記録方式に代えて垂直磁気記録方式が注目されてきている。
【０００４】
垂直磁気記録媒体に設けられる磁気記録層の材料としては、現在、主としてＣｏＣｒ系合金結晶質膜が検討されており、垂直磁気記録に用いるべく、ｈｃｐ構造をもつＣｏＣｒ系合金のｃ軸が膜面に垂直（ｃ面が膜面に平行）になるように結晶配向を制御している。また、ＣｏＣｒ系合金を磁気記録層とする垂直磁気記録媒体の今後の更なる高記録密度化のために、ＣｏＣｒ系結晶粒の微細化、粒径ばらつきの低減、磁気的な粒間相互作用の低減などが試みられている。
【０００５】
一方、長手記録媒体の高記録密度化のための磁性層構造制御の一方式として、磁性結晶粒の周囲を酸化物や窒化物のような非磁性非金属物質で囲んだ構造をもつ磁性層（グラニュラー磁性層）が、特許文献１や特許文献２などで提案されている。グラニュラー磁性膜は、非磁性非金属の粒界相が磁性粒子を物理的（空間的）に分離するため、磁性粒子間の磁気的な相互作用が低下し、記録ビットの遷移領域に生じるジグザグ磁壁の形成を抑制するため、低ノイズ特性が得られるものと考えられている。
【０００６】
また、これらの技術を組み合わせ、垂直磁気記録媒体の記録層としてグラニュラー磁性層を用いることも提案されている。例えば非特許文献１には、Ｒｕを下地層とし、グラニュラー構造のＣｏＰｔＣｒＯ合金を磁性層とした垂直磁気記録媒体が記載されており、このような垂直磁気記録媒体では、グラニュラー磁性層の下地層であるＲｕ層の膜厚を厚くするに伴ってグラニュラー磁性層のｃ軸配向性が向上し、それにより優れた磁気特性と電磁変換特性とが得られている。
【０００７】
上述したグラニュラー垂直磁気記録媒体は、比較的良好な磁気特性と電磁変換特性を示すものの、更に高記録密度化を図るためには、グラニュラー磁性層の結晶粒径を微細化し、かつ、粒界に析出される酸化物の量を増大させることによって、磁性粒子間の磁気的相互作用を極力低減していく必要があると考えられる。
【０００８】
【特許文献１】
特開平８−２５５３４２号公報
【０００９】
【特許文献２】
米国特許第５，６７９，４７３号明細書
【００１０】
【非特許文献１】
ＩＲＲＲ  Ｔｒａｎｓ．  Ｍａｇ．，  Ｖｏｌ．３６，  ｐ．２３９３  （２０００）．
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、グラニュラー構造を有する磁気記録層の初期成長段階から、粒界への酸化物の偏析を充分に促進させることは非常に困難であった。これは、高分解能化・低ノイズ化のために磁気記録層の膜厚を薄くした場合には、磁気記録層の膜厚が薄くなればなるほど、ますます成長初期層での偏析の影響が大きくなってくることを意味している。
【００１２】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、磁気記録層の初期成長の段階から偏析を促進させ、高記録密度条件下でも良好な電磁変換特性を有する垂直磁気記録媒体およびその製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、非磁性基体上に、少なくとも、軟磁性裏打層と磁気記録層とが順次積層されて構成されている垂直磁気記録媒体であって、前記磁気記録層はグラニュラー構造を有するＣｏＣｒ系合金膜からなり、前記軟磁性裏打層と前記磁気記録層との間には、グラニュラー構造を有するＲｕ金属膜あるいはＲｕ系合金膜からなる第１の中間層が設けられていることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の垂直磁気記録媒体において、前記軟磁性裏打層と前記第１の中間層との間に、非グラニュラー構造の第２の中間層を備え、当該第２の中間層が、Ｒｕ金属膜あるいはＲｕ系合金膜で構成されていることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の垂直磁気記録媒体において、前記軟磁性裏打層の上面側には、前記第１の中間層または前記第２の中間層の下面に接するシード層を備えていることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３の何れかに記載の垂直磁気記録媒体において、前記非磁性基体と前記軟磁性裏打層の間には、少なくとも１層の下地層と磁区制御層とを順次積層して備えていることを特徴とする。
【００１７】
また、請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４の何れかに記載の垂直磁気記録媒体において、前記シード層は、面心立方構造もしくは六方最密充填構造を有する単金属膜あるいは合金膜で構成されていることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５の何れかに記載の垂直磁気記録媒体において、前記軟磁性裏打層は、非晶質のＣｏ系合金で構成されていることを特徴とする。
【００１９】
また、請求項７に記載の発明は、請求項１乃至６の何れかに記載の垂直磁気記録媒体において、前記磁区制御層は、Ｍｎ合金系の反強磁性膜または前記非磁性基体の半径方向に磁化配向させた硬質磁性膜の何れかであり、前記下地層は、前記磁区制御層が前記反強磁性膜である場合には面心立方構造を有する非磁性単金属あるいは非磁性合金であり、前記磁区制御層が前記硬質磁性膜である場合にはＣｒ合金である、ことを特徴とする。
【００２０】
また、請求項８に記載の発明は、請求項１乃至７の何れかに記載の垂直磁気記録媒体において、前記非磁性基体は、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金基板、強化ガラス基板、または、結晶化ガラス基板、の何れかであることを特徴とする。
【００２１】
また、請求項９に記載の発明は、請求項１乃至８の何れかに記載の垂直磁気記録媒体を製造するための方法であって、前記第１の中間層を、１０〜１００ｍＴｏｒｒのガス圧条件下でスパッタ成膜することを特徴とする。
【００２２】
さらに、請求項１０に記載の発明は、請求項２乃至８の何れかに記載の垂直磁気記録媒体を製造するための方法であって、前記第２の中間層を、３０ｍＴｏｒｒ以下のガス圧条件下でスパッタ成膜することを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下に、図面を参照して本発明の垂直磁気記録媒体について説明する。
【００２４】
図１〜４は、本発明の垂直磁気記録媒体の第１〜４の構成例を説明するための図である。
【００２５】
図１に示した第１の構成例は、非磁性基体１上に、軟磁性裏打層４と、第１の中間層６ａと、グラニュラー構造の磁気記録層７と、保護層８と、が順次積層された構造を有しており、保護層８の上には液体潤滑剤層９が設けられている。また、図２に示した第２の構成例では、第１の構成例における軟磁性裏打層４と第１の中間層６ａとの間に、第２の中間層６ｂを設けた構造となっており、図３に示した第３の構成例では、第２の構成例における軟磁性裏打層４と第２の中間層６ｂとの間にシード層５を設けた構造となっている。さらに、図４に示した第４の構成例では、第３の構成例における非磁性基体１と軟磁性裏打層４の間に、少なくとも１層からなる下地層２と磁区制御層３とを順次積層して備えて垂直磁気記録媒体が構成されている。
【００２６】
本発明の垂直磁気記録媒体の非磁性基体１としては、通常の磁気記録媒体用基板に用いられるＮｉＰメッキを施したＡｌ合金や強化ガラスあるいは結晶化ガラス等を用いることができる。
【００２７】
軟磁性裏打層４は、ＮｉＦｅ系合金やセンダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金等の材料で形成することができるが、より良好な電磁変換特性を得るためには、非晶質のＣｏ合金（例えば、ＣｏＮｂＺｒ、ＣｏＴａＺｒなど）を用いることが好ましい。なお、軟磁性裏打層４の最適な膜厚は、磁気記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性に応じて変化するが、生産性の観点からは、１０〜３００ｎｍとすることが好ましい。
【００２８】
第１の中間層６ａは、後述する磁気記録層７の結晶成長の初期から粒界への酸化物の偏析を促進させるために用いられるためのもので、この第１の中間層６ａは、Ｒｕ金属若しくはＲｕ系合金からなるグラニュラー構造を有する結晶質膜である。この中間層のより具体的な構造は、Ｒｕ金属またはＲｕ系合金の結晶粒とそれを取り巻く粒界とからなり、その粒界には、金属の酸化物または窒化物が存在して結晶粒同士を物理的に分離している。このような粒界を形成する酸化物や窒化物を構成する金属元素としては、Ｃｒ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｚｒ等が挙げられる。
【００２９】
このようなグラニュラー構造は、例えば、粒界を構成する酸化物や窒化物を含有するＲｕ合金ターゲットを用いてスパッタリングする方法や、粒界を形成する金属元素を含有するＲｕ系合金をターゲットとして用い、酸素あるいは窒素を混合させたＡｒガス中で反応性スパッタリングする方法で成膜することで得ることが可能である。
【００３０】
なお、第１の中間層６ａの膜厚には特に限定はないが、記録再生分解能や生産性を向上させる観点からは、磁気記録層７の構造を制御するために必要最小限の膜厚とすることが好ましい。さらに、第１の中間層６ａを成膜する際には、成膜時に使用するガスの圧力を１０〜１００ｍＴｏｒｒに設定して実行することが好ましい。
【００３１】
磁気記録層７は、強磁性を有するＣｏＣｒ系合金結晶粒とそれを取り巻く非磁性粒界とからなり、かつ、その非磁性粒界が金属の酸化物または窒化物からなるグラニュラー構造を有する磁性層である。なお、この磁気記録層７を構成する強磁性材料のＣｏＣｒ系合金を、ＣｏＣｒ合金にＰｔ，Ｎｉ，Ｔａ，Ｂのうちの少なくとも１つの元素を添加した合金とすることにより優れた磁気特性と記録再生特性とを得ることができる。また、非磁性粒界を構成する材料として、Ｃｒ，Ｃｏ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｚｒのうちの少なくとも１つの元素の酸化物を用いると、安定なグラニュラー構造が形成される。
【００３２】
このようなグラニュラー構造は、例えば、非磁性粒界を構成する酸化物や窒化物を含有させた強磁性金属をターゲットとしてスパッタリング成膜したり、強磁性金属をターゲットとして酸素や窒素を混合させたＡｒガス中で反応性スパッタリング成膜することなどの方法で得られる。なお、良好な磁気特性を得るためには、成膜時のガス圧を１０ｍＴｏｒｒ以上にすることが望ましい。
【００３３】
磁気記録層７の膜厚は５〜３０ｎｍの範囲に設定することが好ましい。膜厚が５ｎｍよりも薄い場合には磁気記録層としての特性が充分には得られず、また、記録再生分解能を高めるためには３０ｎｍよりも薄くする必要があるためである。
【００３４】
第２〜４の構成例で示した第２の中間層６ｂは、第１の中間層６ａの結晶配向性と結晶粒径およびグラニュラー構造の粒界偏析を好適に制御するために用いられるための層で、この第２の中間層６ｂの材料としては、ｈｃｐ構造を有するＲｕ金属膜またはＲｕ系合金膜が用いられる。
【００３５】
その膜厚は特に限定されるものではないが、記録再生分解能および生産性の向上の観点からは、第１の中間層６ａの構造制御のために必要最小限の膜厚とすることが好ましい。なお、第１の中間層６ａの構造制御を高い精度で行なうためには、この第２の中間層６ｂを成膜する際のガス圧力を３０ｍＴｏｒｒ以下に設定することが好ましい。
【００３６】
第３および第４の構成例で示したシード層５は、第２の中間層６ｂの結晶配向性と結晶粒径の制御を介して、最終的には第１の中間層６ａの結晶配向性と結晶粒径およびグラニュラー構造の粒界偏析を好適に制御するために設けられるもので、その構成材料としては、面心立方（ｆｃｃ）構造あるいは六方最密充填（ｈｃｐ）構造を有する単金属膜あるいは合金膜が好ましい。
【００３７】
このシード層５としてＮｉＦｅ系合金のような軟磁性材料を用いると、磁気記録ヘッドと軟磁性裏打層４との空間的な距離を必要以上に広げることなく第２の中間層６ｂの構造制御が可能となるために特に好ましい。また、その膜厚は特に限定されるものではないが、第２の中間層６ｂの構造制御のために必要な最小限の膜厚とすることが望ましい。
【００３８】
第４の構成例で示した磁区制御層３は、軟磁性裏打層４に形成される磁壁に起因して発生するスパイクノイズを抑制するために設けられるものであり、下地層２はこの磁区制御層３の成長の下地として設けられるものである。
【００３９】
磁区制御層３としては、Ｍｎを含む合金系からなる反強磁性膜や、非磁性基体１の半径方向に磁化を配向させた硬質磁性膜を用いることができる。なお、この磁区制御層３の膜厚は５〜３００ｎｍ程度に設計することが好ましい。
【００４０】
磁区制御層３としてＭｎ合金系の反強磁性膜を用いる場合の下地層２としては、面心立方構造を有する非磁性単金属あるいは非磁性合金等を用いることが望ましい。また、磁区制御層３として硬質磁性膜を用いる場合の下地層２としては、Ｃｒ合金等を用いることができる。このような下地層２は単一の層で構成する必要はなく、所望により、非磁性基体１と磁区制御層３との間に複数の層を設けて下地層２を構成し、磁区制御層３の微細構造を制御するようにしてもよい。
【００４１】
なお、保護層８および液体潤滑剤層９は、一般的に使用されている保護膜で構成することが可能であり、保護層８としては、例えば、カーボンを主体とする保護膜を用いることができ、液体潤滑剤層９としては、例えば、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を用いることができる。また、保護層８および液体潤滑剤層９の膜厚等の条件は、通常の磁気記録媒体で用いられる諸条件をそのまま用いることができる。
【００４２】
以下に、実施例により本発明の垂直磁気記録媒体についてより詳しく説明する。なお、以下の実施例は本発明を好適に説明するための例に過ぎず、本発明をなんら限定するものではない。また、特に説明しない限り、各層の成膜は、実施例１で説明する条件で実行されたものである。
【００４３】
（実施例１）
非磁性基体１として、表面が平滑な化学強化ガラス基板を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、ＣｏＺｒＮｂターゲットを用いてＣｏＺｒＮｂ軟磁性裏打ち層を２００ｎｍ成膜した。これに連続して、ＲＦスパッタ法により、酸化物あるいは窒化物を含むＲｕあるいはＲｕ系合金ターゲットを用いて第１の中間層６ａを３０ｎｍ成膜した後、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２ターゲットを用いて磁気記録層７を２０ｎｍ成膜した。最後にカーボンからなる５ｎｍの保護層８を成膜した後、真空装置から取り出してパーフルオロポリエーテルの２ｎｍの液体潤滑剤層９をディップ法で形成して、図１に示した構造の垂直磁気記録媒体とした。なお、第１の中間層６ａの形成に際しては、成膜ガスの全流量並びに真空装置と真空ポンプとの間に設けられたバルブの開度を調整することにより、真空装置内のガス圧を５〜１５０ｍＴｏｒｒまで変化させた。また、磁気記録層７の成膜は２０ｍＴｏｒｒ、保護膜８の成膜は５ｍＴｏｒｒのガス圧条件下にて実行した。
【００４４】
さらに、比較のため、非グラニュラー構造を有するＲｕからなる第１の中間層を備えた垂直磁気記録媒体（比較例１）、および、同じく非グラニュラー構造を有するＴｉＣｒからなる第１の中間層を備えた垂直磁気記録媒体（比較例２）、を作製した。なお、これらの比較例の垂直磁気記録媒体の構成は、上記第１の中間層の構造以外は同じものである。
【００４５】
表１は、第１の中間層の膜組成と磁気記録層の膜特性との関係を説明するためのもので、実施例１および比較例１〜２の垂直磁気記録媒体の結晶性（Ｘ線ロッキングカーブの半値幅（Δθ５０））および磁気特性（保磁力（Ｈｃ））および電磁変換特性として線記録密度４００ｋＦＣＩでの信号とノイズの強度比（ＳＮＲ））を評価した結果を纏めたものである。
【００４６】
【表１】
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【００４７】
ここで、Ｘ線ロッキングカーブの半値幅Δθ５０は、ＣｏＣｒ系結晶粒の配向性を調べるためのもので、ｈｃｐ（００２）面からの回折Ｘ線のロッキングカーブを測定しその半値幅を求めてΔθ５０とした。また、磁気特性は、Ｋｅｆｆ効果測定装置による測定結果、および、電磁変換特性は、ＳＰＴ／ＧＭＲヘッドを用いたスピンスタンドテスターによる測定結果に基づくものである。
【００４８】
第１の中間層としてＴｉＣｒを用いた比較例２の垂直磁気記録媒体のＸ線ロッキングカーブの半値幅Δθ５０は１８．０°とかなり大きい値を示しており、磁気記録層の結晶配向性が低いことを意味している。そして、この結晶配向性の低さに対応して、保磁力Ｈｃも比較的低く、かつ、ＳＮＲも悪くなっている。
【００４９】
これに対して、ｈｃｐ構造を有するＲｕを第１の中間とする比較例１の垂直磁気記録媒体では、Ｘ線ロッキングカーブの半値幅Δθ５０が４．８°となっており、磁気記録層の結晶配向性が格段に向上していることを示している。また、この結晶配向性の向上に対応してＨｃとＳＮＲも良好な値を示している。
【００５０】
この比較例１の垂直磁気記録媒体と、ＳｉＯ２入りのＲｕ（Ｒｕ−ＳｉＯ２）を第１の中間層とした実施例１の垂直磁気記録媒体とを比較すると、実施例１の垂直磁気記録媒体のＸ線ロッキングカーブの半値幅Δθ５０は比較例１の垂直磁気記録媒体に比較して若干高い値を示すものの、磁気記録層内での偏析構造の形成が促進されることに起因して、Ｈｃが増加するとともにＳＮＲも良好な値を示すようになることがわかる。
【００５１】
表２は、第１の中間層の成膜時のガス圧と磁気記録層の膜特性との関係を説明するためのもので、Ｃｒ２Ｏ３を含有するＲｕで第１の中間層を構成し、この第１の中間層の成膜時のガス圧をパラメータとした場合の垂直磁気記録媒体の各特性を纏めたものである。
【００５２】
【表２】
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【００５３】
５ｍＴｏｒｒで成膜した第１の中間層を備える垂直磁気記録媒体では、この第１の中間層の上に成膜される磁気記録層の結晶配向性が向上することに対応してΔθ５０は５．８°と比較的小さな値を示す。しかしながら、磁気記録層を構成する結晶粒間への酸化物の偏析が不充分であることから、ＳＮＲは８．３ｄＢとかなり低い値しか得られない。
【００５４】
一方、１５０ｍＴｏｒｒで成膜した第１の中間層を備える垂直磁気記録媒体では、磁気記録層を構成する結晶粒間への酸化物の偏析の進行は助長されるものの結晶配向性が低く、Δθ５０は１０．１°と大きな値となってしまい、ＳＮＲも１０ｄＢ以下の値（９．７ｄＢ）となってしまう。
【００５５】
これらの垂直磁気記録媒体に対し、１０〜１００ｍＴｏｒｒのガス圧条件で作製した垂直磁気記録媒体では、磁気記録層の結晶配向性も高く、かつ、結晶粒間への酸化物の偏析も充分に進行するため、１２ｄＢ前後の良好なＳＮＲが得られている。
【００５６】
これらの結果より、第１の中間層は１０〜１００ｍＴｏｒｒのガス圧範囲で成膜することが好ましいことがわかる。
【００５７】
（実施例２および実施例３）
実施例２の垂直磁気記録媒体は、非磁性基体１として表面が平滑な化学強化ガラス基板を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、ＣｏＺｒＮｂターゲットを用いてＣｏＺｒＮｂ軟磁性裏打層４を２００ｎｍ成膜した。これに続いて、ＲＦスパッタ法により、Ａｌ窒化物を含むＲｕあるいはＲｕ系合金ターゲットを用いてＲｕ−ＡｌＮの組成のグラニュラー構造の第１の中間層６ａを１５ｎｍ成膜した後、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２ターゲットを用いて磁気記録層７を２０ｎｍ成膜した。最後にカーボンからなる５ｎｍの保護層８を成膜した後、真空装置から取り出してパーフルオロポリエーテルの２ｎｍの液体潤滑剤層９をディップ法で形成して、図１に示した構造の垂直磁気記録媒体とした。
【００５８】
実施例３の垂直磁気記録媒体は、上述した実施例２におけるＣｏＺｒＮｂ軟磁性裏打層４の成膜後、Ｒｕ−ＡｌＮの組成の第１の中間層６ａの成膜前に、ＲｕあるいはＲｕ系合金ターゲットを用いてＲｕＷの組成の非グラニュラー構造の第２の中間層６ｂを１５ｎｍ成膜して図２に示した構成とした。
【００５９】
表３は、このようにして作製した実施例２および実施例３の垂直磁気記録媒体の各特性を纏めたものである。
【００６０】
【表３】
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【００６１】
この表から判るように、非グラニュラー構造を有する第２の中間層を付与した実施例３の垂直磁気記録媒体では、磁気記録層の結晶配向性の度合いを示すΔθ５０の値（４．７°）が、第２の中間層を設けない構成の実施例２の垂直磁気記録媒体のΔθ５０の値（６．０°）よりも低く、磁気記録層の結晶配向が促進されている。また、この配向性の向上に伴って、ＨｃおよびＳＮＲも向上している。
【００６２】
（実施例４）
第２の中間層の組成をＲｕＣｒとし、第１の中間層の組成をＲｕ−ＢＮとして、図２に示した構成の垂直磁気記録媒体を作製した。また、第２の中間層の成膜ガス圧をパラメータとして２〜５０ｍＴｏｒｒの範囲で変化させて５つの垂直磁気記録媒体を作製した。なお、第２の中間層以外の成膜条件は、上述した実施例３と同様である。
【００６３】
表４は、このようにして作製した垂直磁気記録媒体の各特性を、第２の中間層の成膜ガス圧をパラメータとして纏めたものである。
【００６４】
【表４】
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【００６５】
第２の中間層を３０ｍＴｏｒｒ以下のガス圧で成膜すると、その上に形成される第１の中間層の結晶配向性が高くなり、その結果磁気記録層の結晶配向性も向上してΔθ５０の値は５°以下となる。また、Ｈｃも４５００Ｏｅ以上の高い値が得られており、結果としてＳＮＲも１２ｄＢ以上の良好な値が得られている。
【００６６】
これに対し、第２の中間層を３０ｍＴｏｒｒよりも高いガス圧で成膜した場合には、第１の中間層の結晶配向性が低下するため、磁気記録層の結晶配向性も低下し、その結果、ＨｃおよびＳＮＲも低い値となってしまう。
【００６７】
このように、第２の中間層を成膜する際のガス圧は３０ｍＴｏｒｒ以下にする必要があることがわかる。
【００６８】
（実施例５および実施例６）
Ｒｕの第２の中間層およびＲｕ−Ａｌ２Ｏ３の第１の中間層の成膜に先立ち、軟磁性裏打層の上に、ＮｉＦｅＮｂＭｏターゲットを用いてＮｉＦｅＮｂＭｏの組成のシード層を２０ｎｍの膜厚で成膜して、図３に示した構成の垂直磁気記録媒体を作製した。また、このシード層を設けた効果を確認するために、シード層なしの図２に示した構成の垂直磁気記録媒体も同様に作製した。
【００６９】
表５は、このようにして作製された、シード層なしの垂直磁気記録媒体（実施例５）およびシード層ありの垂直磁気記録媒体（実施例６）の各特性を纏めたものである。
【００７０】
【表５】
2004220737.tif 000007
【００７１】
この結果から判るように、第２の中間層の下にシード層を設けることにより、磁気記録層のΔθ５０の値は４．８°から４．３°となって結晶配向成が向上している。これは、シード層の介在により、第２および第１の中間層の結晶性が高まり、これによって磁気記録層の結晶配向成が向上したことに起因しており、これに伴って、ＨｃおよびＳＮＲも高い値を示すようになる。
【００７２】
（実施例７および実施例８）
非磁性基体として、表面が平滑な化学強化ガラス基板を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、この基板上に、下地層と磁区制御層とを順次積層させ、この磁区制御層上に２００ｎｍのＣｏＺｒＮｂの軟磁性裏打層を成膜して図４に示した構成の垂直磁気記録媒体を作製した（実施例７）。
【００７３】
ここで設けた下地層は２層からなり、基板側の第１の下地層として５ｎｍのＴａ膜、軟磁性裏打層側の第２の下地層として５ｎｍのＮｉＦｅＣｒ膜を用いた。また、磁区制御層として１０ｎｍのＩｒＭｎ膜を用いている。
【００７４】
また、比較のため、下地層および磁区制御層を設けない構成の垂直磁気記録媒体（実施例８）も同時に作製し、これらの層を設けることにより得られる効果を確認することとした。なお、何れの垂直磁気記録媒体においても、第２の中間層はＲｕ膜、第１の中間層はＲｕ−Ａｌ２Ｏ３膜である。
【００７５】
図５は、このようにして得られた実施例７および実施例８の垂直磁気記録媒体から得られた、スピンスタンドテスターによる１周分の出力波形を説明するための図である。下地層と磁区制御層を設けていない実施例８の垂直磁気記録媒体の出力波形は、全周に渡り不均一にスパイクノイズが発生しているのに対して、下地層と磁区制御層を設けた実施例７の垂直磁気記録媒体では、スパイクノイズは全く発生していない。これは、下地層と磁区制御層を付与することで軟磁性裏打層に磁壁が形成され難くなり、これによりノイズが低減されるためである。
【００７６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の垂直磁気記録媒体では、磁気記録層をグラニュラー構造を有するＣｏＣｒ系合金膜で構成し、軟磁性裏打層と磁気記録層との間に、グラニュラー構造を有するＲｕ金属膜あるいはＲｕ系合金膜からなる第１の中間層を設けることとした。また、軟磁性裏打層と第１の中間層との間に、Ｒｕ金属膜あるいはＲｕ系合金膜の非グラニュラー構造の第２の中間層を備えるようにした。さらに、軟磁性裏打層の上面側に、第１の中間層または第２の中間層の下面に接するシード層を備えるようにし、非磁性基体と軟磁性裏打層の間に、少なくとも１層の下地層と磁区制御層とを順次積層して備えるようにした。
【００７７】
垂直磁気記録媒体をこのように構成することにより、高記録密度条件下でも良好な電磁変換特性を有する垂直磁気記録媒体およびその製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の垂直磁気記録媒体の第１の構成例を説明するための図である。
【図２】本発明の垂直磁気記録媒体の第２の構成例を説明するための図である。
【図３】本発明の垂直磁気記録媒体の第３の構成例を説明するための図である。
【図４】本発明の垂直磁気記録媒体の第４の構成例を説明するための図である。
【図５】実施例７および実施例８で示した本発明の垂直磁気記録媒体のスピンスタンドテスターによる１周分の出力波形である。
【符号の説明】
１  非磁性基体
２  下地層
３  磁区制御層
４  軟磁性裏打層
５  シード層
６ａ  第１の中間層
６ｂ  第２の中間層
７  磁気記録層
８  保護層
９  液体潤滑剤層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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