(57)【要約】【課題】ＲＦコンポーネントを備えた電子機器たとえば移動無線通信機器のためのプリント配線板に対する電子回路や導体路構造の実装密度を高める【解決手段】プリント配線板支持体において片面または両面にまずはじめにマイクロビア層が被着される。最終的に、プリント配線板支持体のＲＦグラウンド層に関係してＲＦ回路およびＲＦ導体路構造が、マイクロビア層のすぐ下に位置するプリント配線板支持体の支持体層に配置された阻止領域によって、そのつど設定すべきＲＦ回路やＲＦ導体路構造のＲＦパラメータに悪影響を及ぼす障害作用から保護される。【選択図】図６
2004119986.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　ＲＦ回路、非ＲＦ回路、ＲＦ導体路構造、ならびに非ＲＦ導体路構造がプリント配線板（ＬＰ３〜ＬＰ５）上に配置されている形式の、ＲＦコンポーネントを備えた電気機器のためのプリント配線板において、
ａ）第１の外側層（ＬＰＬ２）と第２の外側層（ＬＰＬ３，ＬＰＬ５）を備えた支持体（ＬＰＴ３〜ＬＰＴ５）が設けられており、該支持体は、前記の外側層（ＬＰＬ２，ＬＰＬ３，ＬＰＬ５）を貫通する複数のホール（ＤＢ１ＬＰＴ３〜５，ＤＢ２ＬＰＴ３〜５）を有しており、
ｂ）マイクロビア層（ＬＰＬ１，ＬＰＬ４，ＬＰＬ６，ＭＶ１〜ＭＶ３）が設けられており、該マイクロビア層は両方の外側層（ＬＰＬ２，ＬＰＬ３，ＬＰＬ５）のうち少なくとも一方の外側層（ＬＰＬ２，ＬＰＬ３，ＬＰＬ５）の上において少なくとも平面の一部分に被着されており、ここでマイクロビア層とはプリント配線板技術においてμｍのオーダで層間接続が行われる層のことであり、
ｃ）前記マイクロビア層（ＬＰＬ１，ＬＰＬ４，ＬＰＬ６，ＭＶ１〜ＭＶ３）の上および／または前記マイクロビア層によりそれぞれ覆われた外側層（ＬＰＬ２，ＬＰＬ３，ＬＰＬ５）の上に、非ＲＦ回路および非ＲＦ導体路構造（ＬＢＳ２ＮＨＦ〜ＬＢＳ４ＮＨＦ）のための阻止領域（ＳＢ２〜ＳＢ４）が設けられていて、前記支持体（ＬＰＴ３〜ＬＰＴ５）のＲＦグラウンド層（ＬＰＬ３，ＭＳ４ＨＦ〜ＭＳ６ＨＦ）に関して前記阻止領域（ＳＢ２〜ＳＢ４）の上方および／または下方に配置されたＲＦ回路およびＲＦ導体路構造（ＬＢＳ３ＨＦ〜ＬＢＳ５ＨＦ）のＲＦ特性（ＦＬ３〜ＦＬ５）が保護されており、
ｄ）プリント配線板が組み立てられた状態で前記マイクロビア層（ＬＰＬ１，ＬＰＬ４，ＬＰＬ６，ＭＶ１〜ＭＶ３）の上にＲＦ回路および非ＲＦ回路のコンポーネントが配置されており、前記阻止領域（ＳＢ２〜ＳＢ４）により、ＲＦグラウンド層（ＬＰＬ３，ＭＳ４ＨＦ〜ＭＳ６ＨＦ）とＲＦ回路およびＲＦ導体路構造（ＬＢＳ３ＨＦ〜ＬＢＳ５ＨＦ）との間のフィールドライン（ＦＬ３〜ＦＬ５）が広範囲にわたり囲まれ、
ｅ）少なくとも前記マイクロビア層（ＬＰＬ１，ＬＰＬ４，ＬＰＬ６，ＭＶ１〜ＭＶ３）の上および／または前記マイクロビア層（ＬＰＬ１，ＬＰＬ４，ＬＰＬ６，ＭＶ１〜ＭＶ３）によりそれぞれ覆われた外側層（ＬＰＬ２，ＬＰＬ３，ＬＰＬ５）の上に、回路の配線（ＳＶＤ２ＮＨＦ〜ＳＶＤ４ＮＨＦ）が配置されており、
ｆ）少なくとも前記マイクロビア層（ＬＰＬ１，ＬＰＬ４，ＬＰＬ６，ＭＶ１〜ＭＶ３）の上および／または前記マイクロビア層（ＬＰＬ１，ＬＰＬ４，ＬＰＬ６，ＭＶ１〜ＭＶ３）によりそれぞれ覆われた外側層（ＬＰＬ２，ＬＰＬ３，ＬＰＬ５）の上に、導体路構造（ＬＢＳ２ＮＨＦ〜ＬＢＳ４ＮＨＦ，ＬＢＳ３ＨＦ〜ＬＢＳ５ＨＦ）が配置されていることを特徴とする、
　ＲＦコンポーネントを備えた電気機器のためのプリント配線板。
【請求項２】
　前記の外側層とマイクロビア層との間の間隔は、マイクロビア層がシーケンシャルビルトアッププロセス（ＳＢＵプロセス、Sequential Built Up Process）によって製造できるように選定されている、請求項１記載のプリント配線板。
【請求項３】
　前記の外側層とマイクロビア層との間の間隔は、マイクロビア層がＣＯ２レーザによるレーザドリリングによって製造できるように選定されている、請求項１記載のプリント配線板。
【請求項４】
　前記の外側層とマイクロビア層との間の間隔は、マイクロビア層がシルバーバンププロセス（ＳＢプロセス、Silver Bump Process）によって製造できるように選定されている、請求項１記載のプリント配線板。
【請求項５】
　前記の外側層とマイクロビア層との間の間隔は５０μｍである、請求項２、３または４記載のプリント配線板。
【請求項６】
　第１のホール（ＤＢ１ＬＰＴ３，４；図６、図８）は、阻止領域の設けられていないマイクロビア層により覆われており、該第１のホールを覆うマイクロビア層の上にＲＦ回路が取り付けられており、および／またはＲＦシールドのために金属層が被着されている、請求項１から５のいずれか１項記載のプリント配線板。
【請求項７】
　前記第１のホールは充填材料で充填されている、請求項６記載のプリント配線板。
【請求項８】
　前記支持体は多層支持体である、請求項１〜７のいずれか１項記載のプリント配線板。
【請求項９】
　前記多層支持体はハイブリッドマスラムプロセス（Hybrid-Masslam Process）によって形成されている、請求項８記載のプリント配線板。
【請求項１０】
　ＤＥＣＴ通信機器において使用する、請求項１〜９のいずれか１項記載のプリント配線板の用途。
【請求項１１】
　ＧＳＭ通信機器において使用する、請求項１〜９のいずれか１項記載のプリント配線板の用途。
【請求項１２】
　Personal Handyphone System 通信機器において使用する、請求項１〜９のいずれか１項記載のプリント配線板の用途。
【請求項１３】
　ＩＳ−９５通信機器において使用する、請求項１〜９のいずれか１項記載のプリント配線板の用途。
【請求項１４】
　基本伝送方式ＦＤＭＡ，ＴＤＭＡ，ＣＤＭＡのうち単一のまたは複合的な伝送方式をベースとする無線通信機器において使用する、請求項１〜９のいずれか１項記載のプリント配線板の用途。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、請求項１の上位概念に記載のＲＦコンポーネントを有する電気機器たとえば移動無線通信機器のためのプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
　高周波コンポーネントまたは高周波ディバイス部分（ＲＦコンポーネント、ＲＦディバイス）を有する電気機器の場合、それらの高周波コンポーネントと非高周波コンポーネントとを、各コンポーネント間に相互作用が生じることから分離しなければならず、あるいは互いに影響を及ぼし合わないよう保護しなければならない［（１）：低周波コンポーネントが高周波コンポーネントに対し密に配置されていると、高周波信号により低周波コンポーネントの低周波特性に影響が及ぼされる；（２）高周波（ＲＦ）コンポーネントの近くに配置された低周波（ＡＦ）コンポーネントにより、高周波コンポーネントは高周波パラメータセッティングに関して影響を受ける］。ＲＦコンポーネント（ＲＦ配線およびＲＦコンポーネントを有するＲＦ回路）も非ＲＦコンポーネント（非ＲＦ配線および非ＲＦコンポーネントを有する非ＲＦ回路）も密に詰め込まれて配置されている典型的な場所は、電気機器のプリント配線板または電子フラットモジュールである。しかも、小さい配線板をもつ小さい機器であれば、各コンポーネント間で障害を及ぼす相互作用が一段と激しくなる。他方、いっそう小さくコンパクトな電気機器に対する需要が高まっている。これは殊に、小型化された機器を携帯可能にするような事例であり、つまり小型化された機器をユーザがほとんどどこへでも（いかなる地理的な場所にでも）いっしょにもっていけるような事例である。そのような小さい携帯機器とは、たとえば移動無線通信機器などである。
【０００３】
　たとえば音声、パケットおよび／または画像データなど種々の目的でメッセージ伝送のために用いられる多数の（移動）無線通信機器たとえばＤＥＣＴ通信機器、ＧＳＭ通信機器、Personal Handyphone System 通信機器いわゆるＰＨＳ通信機器、”ＩＳ−９５”通信機器、ならびに基本伝送方式ＦＤＭＡ，ＴＤＭＡ，ＣＤＭＡによる単一のまたは複合的な伝送方式（たとえばＤＳ−ＣＤＭＡ方式またはＪＤ−ＣＤＭＡ方式）をベースとする通信機器（たとえばそれらにおいて上述の問題点である一方では小型化への他方ではＲＦコンポーネントとＡＦコンポーネントとの間の相互障害作用回避への要求が、いっそう低コスト化された機器への要求＜キーワード：大量生産＞への要求と相まって発生する）のうち、以下ではここで挙げた機器すべての代表として、ＤＥＣＴ移動体を実例として発生する作用について説明していくことにする。
【０００４】
　図１に示されている１つめのプリント配線板ＬＰ１は、Siemens DECT 移動体 "GIGASET 1000 S,C" において使用されており、製造技術的な理由から有利には片側にコンポーネントが装着されている。プリント配線板ＬＰ１は図２にその断面図が描かれているように、４つのプリント配線板レイヤＬＰＬ１〜 ＬＰＬ４から成る多層の第１配線板支持体ＬＰＴ１を有しており、これは約１３５０μｍの厚さであり、有利には周知の Hybrid-Masslam プロセスに従って形成されている。これによればプリント配線板支持体ＬＰＴ１は、厚さ約３６０μｍの第１コアＫ１を有している。その際、コアＫ１は、その下面に配置され有利には銅製であって第１のＲＦグラウンド層ＭＳ１ＨＦとして構成された第１の金属層Ｍ１Ｋ１（第３プリント配線板レイヤＬＰＬ３）と、コアＫ１の上面に配置され有利には銅から成る第２の金属層Ｍ２Ｋ１（第２プリント配線板レイヤＬＰＬ２）を備えている。さらに金属層Ｍ１Ｋ１，Ｍ２Ｋ１の上にはそれぞれ、厚さ約３６０μｍである第１「プリプレグ」層Ｐ１が配置されている。この場合、ガラス繊維で増強されたエポキシ層のことを「プリプレグ」層と呼んでいる。金属層Ｍ１Ｋ１の上に配置された「プリプレグ」層Ｐ１は金属層Ｍ１Ｋ１に対向する面に、有利には銅から成る第３金属層Ｍ１Ｐ１(第４プリント配線板レイヤＬＰＬ４）を有しており、さらに金属層Ｍ２Ｋ１に対向する面に、有利には銅から成る第４金属層Ｍ２Ｐ１（第１プリント配線板レイヤＬＰＬ１）を有している。第１プリント配線板レイヤＬＰＬ１にはたとえばクリティカルなＲＦ導体路構造ＬＢＳ１ＨＦが配置されている一方、第２プリント配線板レイヤＬＰＬ２にはたとえば第１非ＲＦ導体路構造ＬＢＳ１ＮＨＦおよび／または第１非ＲＦ回路配線ＳＶＤ１ＮＨＦが設けられている。第３プリント配線板レイヤＬＰＬ３におけるＲＦグラウンド層に関係して、導体路構造ＬＢＳ１ＨＦを非ＲＦ導体路構造ＬＢＳ１ＮＨＦおよび／または第１非ＲＦ回路配線ＳＶＤ１ＮＨＦによる影響から保護する目的で、第２プリント配線板レイヤＬＰＬ２にＲＦ信号の第１フィールドライン（磁力線）ＦＬ１を広範囲にわたって取り囲む第１阻止領域ＳＢ１が設けられている。さらにプリント配線板支持体ＬＰＴ１には、第１プリント配線板レイヤＬＰＬ１と第４プリント配線板レイヤＬＰＬ４との間のＲＦコネクションおよび非ＲＦコネクションのための第１スルーホールＤＢ１ＬＰＴ１と、外部のモジュール（たとえばイヤホン、マイクロホンなど）の接続用の第２スルーホールＤＢ２ＬＰＴ１が設けられている。
【０００５】
　図３には、図２に破線で書き込まれた領域が拡大されて３次元で描かれている。
【０００６】
　図４に示されている２つめのプリント配線板ＬＰ２は、 Siemens DECT 移動体 "GIGASET 2000 S,C" において使用されており、これもやはり製造技術的な理由から片側にコンポーネントが装着されている。プリント配線板ＬＰ２は図５にその断面図が示されているように、やはり４つのプリント配線板レイヤＬＰＬ１〜ＬＰＬ４から成り、約１３５０μｍの厚さをもつ多層の第２プリント配線板支持体ＬＰＴ２を有しており、これはやはり有利には周知の Hybrid-Masslam プロセスで形成されている。これによればプリント配線板支持体ＬＰＴ２は、厚さ約３６０μｍの第２コアＫ２を有しており、この第２コアＫ２はその下面に配置され有利には銅から成る第５金属層Ｍ１Ｋ２(第３プリント配線板レイヤＬＰＬ３）と、コアＫ２の上面に配置され有利には銅から成り第２ＲＦグラウンド層ＭＳ２ＨＦとして構成された第６金属層Ｍ２Ｋ２（第２プリント配線板レイヤＬＰＬ２）を備えている。金属層Ｍ１Ｋ２，Ｍ２Ｋ２にはそれぞれ約３６０μｍの厚さの第２「プリプレグ」層Ｐ２が配置されている。金属層Ｍ１Ｋ２上に配置された「プリプレグ」層Ｐ２は金属層Ｍ１Ｋ２に対向する面に、有利には銅から成る第６金属層Ｍ１Ｐ２（第４プリント配線板レイヤＬＰＬ４）を有しており、さらに金属層Ｍ２Ｋ２に対向する面に、有利には銅から成る第８金属層Ｍ２Ｐ２(第１プリント配線板レイヤＬＰＬ１）を有している。プリント配線板レイヤＬＰＬ２〜ＬＰＬ４には、周知のトライステート構造が配置されている。この構造は、第３プリント配線板レイヤＬＰＬ３におけるクリティカルな第２ＲＦ導体路構造ＬＢＳ２ＨＦ、第２プリント配線板レイヤＬＰＬ２におけるＲＦグラウンド層ＭＳ２ＨＦ、および第４プリント配線板レイヤＬＰＬ４においてＲＦ信号の第２フィールドライン（磁力線）ＦＬ２のために広範囲にわたって設計された第３ＲＦグラウンド層ＭＳ３ＨＦによって構成されている。さらにプリント配線板支持体ＬＰＴ２にはやはり、第１プリント配線板レイヤＬＰＬ１と第４プリント配線板レイヤＬＰＬ４との間のＲＦコネクションおよび非ＲＦコネクションのための第１スルーホールＤＢ１ＬＰＴ２と、外部のモジュール（たとえばイヤホン、マイクロホンなど）の接続用の第２スルーホールＤＢ２ＬＰＴ２が設けられている。
【０００７】
　プリント配線板ＬＰ１，ＬＰ２のサイズを小さくし、ひいては（冒頭で説明したように）いっそうコンパクトなＤＥＣＴ移動体を製造できるようにする目的で、プリント配線板の両側にモジュールを装着させることが知られている。しかしそのためには、いっそう高い製造技術的コストが必要とされる。
【０００８】
　ＲＦコンポーネントの設けられていない電気機器のプリント配線板コンセプトにおいて、電気機器の既述の小型化を促進させる目的で、周知の「マイクロビア（micro via）」技術（ＭＶ技術）を利用することが知られている。ＭＶ技術は、同様に周知の機械的なブラインドスルーホール（plating-through blind hole）の代案である。ＭＶ技術は、ＲＦ回路やＲＦ導体路構造の設けられていないプリント配線板を低コストで製造するための接続技術である。この場合、機械的なブラインドホールの穴あけや材料の付加および除去のほかに、ホールのばり取りも不要となることで、コストが節約される。目下のところ、たとえば大面積の「マイクロビア」層を製造するために複数の製造方法が知られている。これらの方法とは、"Sequential Built Up" プロセス（ＳＢＵプロセス）、"Silver Bump" 法（ＳＢ法）、プラズマエッチング法、ＣＯ２レーザによるレーザドリリング、ならびにＹＡＧレーザによるレーザドリリングである。大規模な使用に対しては、現在の視点ではコスト的な面でおそらく最初の２つの製造方法しか考慮されない。そしてそれらの技術によって形成される「マイクロビア（micro via、スルーホール）」は、実例として５０〜１５０μｍの直径を有しており、たとえば０．１２ｍｍ〜０．３５ｍｍの範囲のはんだのランドを必要とする。さらに「マイクロビア」の直径は、「マイクロビア」層（"micro via" layer）と次の層（レイヤ）との間隔に依存しており、直径／レイヤ間隔＞１としなければならない。５０μｍの導体路幅をもつ超微細導体路技術と組み合わせて、きわめて高い配線密度が達成される。
【０００９】
　プリント配線板の大きさは、ＭＶ技術の代案として知られている標準技術（たとえばブラインドスルーホール）の場合、スルーホールの所要スペースやプリント配線板のコンポーネント面上に位置する導体路構造によってかなり決まってしまう。その際、ＭＶ技術によれば、コンポーネントの「パッド（pad）」においてダイレクトに第１の内部層へ「潜らせる」ことができるので、スルーホールや導体路構造のための所要スペースはほとんど重要ではなくなる。ＲＦ問題が重要視されないのであれば、製造技術的な視点で許容される範囲で密にコンポーネントを並置させることができる。ＭＶ技術の場合であるとプリント配線板のサイズは既述の条件のもとではもっぱら、使用される（構成素子）コンポーネントの個数と形状によってほとんど決まってしまう。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
　本発明の課題は、電子回路や導体路構造をＲＦコンポーネントを備えた電気機器たとえば移動無線通信機器のための配線板に組み込む際の実装密度を高め、それによって配線板の寸法を小さくすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
　本発明によればこの課題は、以下の構成を備えたプリント配線板によって解決される。すなわち、
ａ）第１の外側層と第２の外側層を備えた支持体が設けられており、該支持体は、前記の外側層を貫通する複数のホールを有しており、
ｂ）マイクロビア層が設けられており、該マイクロビア層は両方の外側層のうち少なくとも一方の外側層の上において少なくとも平面の一部分に被着されており、ここでマイクロビア層とはプリント配線板技術においてμｍのオーダで層間接続が行われる層のことであり、
ｃ）前記マイクロビア層の上および／または前記マイクロビア層によりそれぞれ覆われた外側層の上に、非ＲＦ回路および非ＲＦ導体路構造のための阻止領域が設けられていて、前記支持体のＲＦグラウンド層に関して前記阻止領域の上方および／または下方に配置されたＲＦ回路およびＲＦ導体路構造のＲＦ特性が保護されており、
ｄ）プリント配線板が組み立てられた状態で前記マイクロビア層の上にＲＦ回路および非ＲＦ回路のコンポーネントが配置されており、前記阻止領域により、ＲＦグラウンド層とＲＦ回路およびＲＦ導体路構造との間のフィールドラインが広範囲にわたり囲まれ、
ｅ）少なくとも前記マイクロビア層の上および／または前記マイクロビア層によりそれぞれ覆われた外側層の上に、回路の配線が配置されており、
ｆ）少なくとも前記マイクロビア層の上および／または前記マイクロビア層によりそれぞれ覆われた外側層の上に、導体路構造が配置されていることにより解決される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
　本発明が基礎とする着想は以下の通りである。すなわち、プリント配線板支持体上において片側または両側にマイクロビア層が設けられており、このマイクロビア層の上に回路配線や構成素子ならびに導体路構造を有する機器固有の回路（たとえば請求項９〜１２に記載された通信機器用のＲＦ回路配線やＲＦコンポーネントならびにＲＦ導体路構造を備えたＲＦ回路あるいは非ＲＦ回路配線や非ＲＦコンポーネントならびに非ＲＦ導体路構造を備えた非ＲＦ回路など）が、少なくとも平面の一部に取り付けられている。また、プリント配線板支持体のＲＦグラウンド層に関係してＲＦ回路とＲＦ導体路構造が、マイクロビア層のすぐ下に位置するプリント配線板支持体の支持体層に配置された阻止領域いわゆるウィンドウによって、それぞれ設定すべきＲＦ回路ないしはＲＦ導体路構造のＲＦパラメータに悪影響を及ぼす障害作用（たとえばやはりマイクロビア層のすぐ下に位置するプリント配線板支持体の支持体層の上に配置された非ＲＦ導体路構造および／または非ＲＦ回路配線）から保護されている。
【００１３】
　プリント配線板構造のための上述のやり方は、（上記の実施形態とは異なり）ＲＦ回路のＲＦ回路配線およびＲＦ導体路構造がマイクロビア層のすぐ下に位置するプリント配線板支持体の支持体層の上に配置されている一方、阻止領域ならびにＲＦ回路のＲＦコンポーネント、非ＲＦ導体路構造および／または回路配線やコンポーネントを含む非ＲＦ回路がマイクロビア層の上に配置されているときも有効であるし、あるいは適用可能である。さらに、これらの構成の組み合わせも可能である。
【００１４】
　マイクロビア技術およびウィンドウ技術を利用する場合、プリント配線板上における回路と導体路構造の所定の実装ボリュームのために、マイクロビア技術およびウィンドウ技術を用いない技術に比べプリント配線板レイヤの数が多くなる。もっとも、プリント配線板レイヤの数は、マイクロビア技術およびウィンドウ技術を用いない技術と変わらないように抑えることもできるが、これは本発明の基礎とする課題に反して実装密度を低くしたときだけであり、これでは電気機器の所期の小型化（ミニチュア化）が達成されない。
【００１５】
　しかしながら、たとえば移動無線通信機器などＲＦコンポーネントを備えた電気機器のためのプリント配線板を、本発明で提案するやり方に従って形成するならば、機器固有の回路や導体路構造をプリント配線板に取り付けるのに必要とされるスペースが、慣用のやり方で形成されたプリント配線板よりも著しく小さくなる。
【００１６】
　請求項２に記載の別の実施形態によれば、マイクロビア層と、このマイクロビア層のすぐ下に位置するプリント配線板の支持体層との間の間隔が、周知のシーケンシャルビルトアッププロセス（ＳＢＵプロセス、Sequential Built Up Process）に従ってマイクロビア層を低コストで製造するのに必要なオーダにあるようにすれば有利であり、さらに実装密度が高まることからプリント配線基板の設計が小さくなることに加えて、プリント配線板の製造コストが著しく低下する。
【００１７】
　同様の効果（利点）は、請求項３および４に記載の実施形態によっても得られる。
【００１８】
　さらに請求項５に記載の本発明の実施形態によれば、マイクロビアのホールの直径と、マイクロビア層とマイクロビア層のすぐ下に位置するプリント配線板支持体の支持体層との間の間隔とが１よりも大きく、典型的なホールの直径が５０μｍ〜１５０μｍであり、はんだランド直径が０．１２ｍｍ〜０．３５ｍｍである。
【００１９】
　請求項６に記載の本発明の実施形態によれば、プリント配線板設計を請求項１の構成よりもさらに小さくすることができる。その理由は、最初のホール（標準ビア）を覆うマイクロビア層の上に付加的に取り付けることのできるＲＦ回路によって、実装密度をいっそう高めることができるからである。
【００２０】
　さらに請求項７記載の本発明の実施形態によれば、マイクロビア層における最初の穴を覆う際に、カバー処理によりホール内で発生する微環境ゆえに吹き出し（破裂）が確実に発生しないようになる。
【００２１】
　従属請求項には本発明の有利な実施形態が示されている。次に、図６〜１０を参照しながら本発明の実施例について説明する。
【実施例】
【００２２】
　図６に示されている３つめのプリント配線板ＬＰ３は、ＭＶ技術をそれに適合されたウィンドウ技術といっしょに使用することで、前述のプリント配線板ＬＰ１，ＬＰ２に対し変形の施されたものであり、これは製造技術的な理由から有利にはやはり片側にコンポーネントが装着されている。もっとも、両側での装着も可能である。そのようにするならば、プリント配線板ＬＰ３のサイズがさらに小さくなるだろう。
【００２３】
　プリント配線板ＬＰ３は図６の断面図に示されているとおり、（プリント配線板ＬＰ１，ＬＰ２とは異なり）６つのプリント配線板レイヤＬＰＬ１〜ＬＰＬ６から成る多層の第３のプリント配線板支持体ＬＰＴ３を有しており、これは厚さ約１４００μｍであって、このうちプリント配線板レイヤＬＰＬ２〜ＬＰＬ５はやはり有利には周知の Hybrid-Masslam プロセスに従って形成されているのに対し、プリント配線板レイヤＬＰＬ１，ＬＰＬ６はＭＶ技術に従って形成されている。これによればプリント配線板支持体ＬＰＴ３には厚さ約３６０μｍの第３コアＫ３が含まれており、このコアＫ３はその下面に配置され有利には銅から形成された金属層Ｍ１Ｋ３と、このコアＫ３の上面に配置され有利には銅から成り第４ＲＦ金属層ＭＳ４ＨＦとして構成された第１０金属層Ｍ２Ｋ３（第３プリント配線板レイヤＬＰＬ３）を備えている。さらに金属層Ｍ１ｋ３，Ｍ２Ｋ３の上にはそれぞれ、厚さ約３６０μｍのプリプレグ層Ｐ３が配置されている。金属層Ｍ１Ｋ３上に配置されたプリプレグ層Ｐ３は金属層Ｍ１Ｋ３に対向する面上に、有利には銅から成る第１１金属層Ｍ１Ｐ３（第５プリント配線板レイヤＬＰＬ５）を有しており、さらに金属層Ｍ２Ｋ３に対向する面上に、有利には銅から成る第１２金属層Ｍ２Ｐ３(第２プリント配線板レイヤＬＰＬ２）を有している。
【００２４】
　また、金属層Ｍ１Ｐ３，Ｍ２Ｐ３上にはそれぞれ、厚さ約５０μｍの第１マイクロビア（micro via）層ＭＶ１が配置されている。金属層Ｍ１Ｐ３上に配置されたマイクロビア層ＭＶ１は金属層Ｍ１Ｐ３に対向する面に、有利には銅から成る第１３金属層Ｍ１Ｍ１（第６プリント配線板レイヤＬＰＬ６）を有しており、さらに金属層Ｍ２Ｐ３に対向する面に、有利には銅から成る第１４金属層Ｍ２Ｍ１（第１プリント配線板レイヤＬＰＬ１）を有している。第１プリント配線板レイヤＬＰＬ１にはたとえばクリティカルな第２ＲＦ導体路構造ＬＢＳ２ＨＦが配置されているのに対し、第２プリント配線板レイヤＬＰＬ２にはたとえば第２非ＲＦ導体路構造ＬＢＳ２ＮＨＦおよび／または第２非ＲＦ回路配線ＳＶＤ２ＮＦＨが設けられている。第３プリント配線板レイヤＬＰＬ３内におけるＲＦグラウンド層ＭＳ４ＨＦと関係してＲＦ導体路構造ＬＢＳ２ＨＦを、非ＲＦ導体路構造ＬＢＳＮＨＦおよび／または非ＲＦ回路配線ＳＶＤ２ＮＨＦによる影響から保護する目的で、第２プリント配線板レイヤＬＰＬ２内に、ＲＦ信号の第３フィールドライン（磁力線）ＦＬ３を広範囲にわたって取り囲む第３阻止領域ＳＢ３が設けられている。
【００２５】
　ＲＦ導体路構造ＬＢＳ２ＨＦを択一的および／または付加的に、第２プリント配線板レイヤＬＰＬ２、第５プリント配線板レイヤＬＰＬ５、および／または第６プリント配線板レイヤＬＰＬ６内に配置させてもよい。最後の事例であれば、矛盾のないよう第５プリント配線板レイヤＬＰＬ５内に阻止領域が配置されていなければならない。また、最初の２つの事例であれば、第１プリント配線板レイヤＬＰＬ１または第６プリント配線板レイヤＬＰＬ６内に阻止領域が設けられることになる。
【００２６】
　さらにプリント配線板支持体ＬＰＴ３には、第１プリント配線板レイヤＬＰＬ１と第６プリント配線板レイヤＬＰＬ６との間のＲＦコネクションおよび非ＲＦコネクションのための第１スルーホールＤＢ１ＬＰＴ３と、外部のモジュール（たとえばイヤホン、マイクロホンなど）の接続用の第２スルーホールＤＢ２ＬＰＴ３が設けられている。図示されているようにスルーホールＤＢ１ＬＰＴ３が開放されたままであればそれらのホールから、プリント配線板上のＲＦ回路やＲＦ導体路構造により引き起こされるＲＦ放射が漏れ出てくる（望ましくない作用）。図７には、図６に破線で書き込んだ領域が拡大されて３次元表示で描かれている。
【００２７】
　図８には、図６に示したプリント配線板ＬＰ３に対し若干変形された４つめのプリント配線板ＬＰ３が示されており、これもやはり製造技術的な理由から有利には片側にコンポーネントが装着されている。この場合も両側に装着させることができる。このプリント配線板ＬＰ４は図８の断面図に描かれているように、６つのプリント配線板レイヤＬＰＬ１〜ＬＰＬ６から成る多層の第４プリント配線板支持体ＬＰＴ４を有しており、これは厚さ約１４００μｍであって、このうちプリント配線板レイヤＬＰＬ２〜ＬＰＬ５はやはり有利には周知の Hybrid-Masslam プロセスに従って形成されているのに対し、プリント配線板レイヤＬＰＬ１，ＬＰＬ６はＭＶ技術に従って形成されている。
【００２８】
　これによればプリント配線板支持体ＬＰＴ４は厚さ約３６０μｍの第４コアＫ４を有しており、このコアＫ４はその下面に配置され有利には銅から成る第１５金属層Ｍ１Ｋ４（第４プリント配線板レイヤＬＰＬ４）と、このコアＫ４の上面に配置され有利には銅から成り第５ＲＦグラウンド層ＭＳ５ＨＦとして構成された第１６金属層Ｍ２Ｋ４（第３プリント配線板レイヤＬＰＬ３）を備えている。金属層Ｍ１Ｋ４，Ｍ２Ｋ４の上にはそれぞれ、厚さ約３６０μｍの第４プリプレグ層Ｐ４が配置されている。金属層Ｍ１Ｋ４の上に配置されたプリプレグ層４は金属層Ｍ１Ｋ４に対向する面に、有利には銅から成る第１６金属層Ｍ１Ｐ４（第５プリント配線板レイヤＬＰＬ５）を有しており、さらに金属層Ｍ２Ｋ４に対向する面に、有利には銅から成る第１８金属層Ｍ２Ｐ４（第２プリント配線板レイヤＬＰＬ２）を有している。金属層Ｍ１Ｐ４，Ｍ１Ｐ４上にはそれぞれ、厚さ約５０μｍの第２マイクロビア層ＭＶ２が配置されている。また、金属層Ｍ１Ｐ４上に配置されたマイクロビア層ＭＶ２は金属層Ｍ１Ｐ４に対向する面に、有利には銅から成る第１９金属層Ｍ１Ｍ２（第６プリント配線板レイヤＬＰＬ６）を有しており、さらに金属層Ｍ２Ｐ４に対向する面には、有利には銅から成る第１４金属層Ｍ２Ｍ２（第１プリント配線板レイヤＬＰＬ１）を有している。
【００２９】
　第１プリント配線板レイヤＬＰＬ１にはたとえばクリティカルな第３ＲＦ導体路構造ＬＢＳ３ＨＦが配置されているのに対し、第２プリント配線板レイヤＬＰＬ２にはたとえば第３非ＲＦ導体路構造ＬＢＳ３ＮＨＦおよび／または第３非ＲＦ回路配線ＳＶＤ３ＮＨＦが設けられている。第３プリント配線板レイヤＬＰＬ３におけるＲＦグラウンド層ＭＳ５ＨＦに関係してＲＦ構造体導体路ＬＢＳ３ＨＦを、非ＲＦ導体路構造ＬＢＳ３ＮＨＦおよび／または非ＲＦ回路配線ＳＶＤ３ＮＨＦによる影響から保護する目的で、第２プリント配線板レイヤＬＰＬ２にＲＦ信号の第４フィールドラインＦＬ４を広範囲に取り囲む第４阻止領域ＳＢ４が設けられている。
【００３０】
　やはりＲＦ導体路構造ＬＢＳ３ＨＦも、択一的または付加的に第２プリント配線板レイヤＬＰＬ２、第５プリント配線板レイヤＬＰＬ５、および／または第６プリント配線板レイヤＬＰＬ６に配置させることができる。最後の事例であれば、矛盾のないよう第５プリント配線板レイヤＬＰＬ５内に阻止領域が配置されていなければならない。また、最初の２つの事例であれば、第１プリント配線板レイヤＬＰＬ１または第６プリント配線板レイヤＬＰＬ６内に阻止領域が設けられることになる。
【００３１】
　さらにプリント配線板支持体ＬＰＴ４には、第１プリント配線板レイヤＬＰＬ１と第６プリント配線板レイヤＬＰＬ６との間のＲＦコネクションおよび非ＲＦコネクションのための第１スルーホールＤＢ１ＬＰＴ４と、外部のモジュール（たとえばイヤホン、マイクロホンなど）の接続用の第２スルーホールＤＢ２ＬＰＴ４が設けられている。図６の場合と異なりスルーホールＤＢ１ＬＰＴ４は、図示されているようにマイクロビア層ＭＶ２を介して金属層Ｍ１Ｍ２または金属層Ｍ２Ｍ２と接続されている。金属層Ｍ２Ｍ２では、この処置によりＲＦ回路またはＲＦ導体路構造のための付加的なスペースが得られる一方、金属層Ｍ１Ｍ２ではこれが連続的なグラウンド層として形成されることで、ホールが「ＲＦ密に」あるいはＲＦを通さないようにされていて、その結果、このホール開口部からはプリント配線板上のＲＦ回路やＲＦ導体路により引き起こされるＲＦ放射が漏れ出てくる可能性がもはやなくなる。他のホール開口部の上にはＲＦ回路またはＲＦ導体路構造が配置されているので、そこから漏れ出るＲＦ放射はクリティカルなものではない。
【００３２】
　このようにしてカバーされるホールＤＢＬＰＴ４が、覆われるときにこのことでホールから発生する微環境によって吹き出されないようにする目的で、ホールは有利には充填材料で充填される。
【００３３】
　図９には、このようにして実現可能なプリント配線板ＬＰ４の大きさが示されている。
【００３４】
　さらに図１０には、択一的な実施形態が示されている。図６〜図８に示した実施形態とは異なり、２つのマイクロビア層を考慮していないプリント配線板支持体は、単一の支持体層によって構成されている。これによって、プリント配線板支持体構造に関して製造コストの低減が実現される。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】Siemens DECT 移動体 "GIGASET 1000 S,C" において使用されているプリント配線板を示す図である。
【００３６】
【図２】図１の断面図である。
【００３７】
【図３】図２に破線で書き込まれた領域を拡大して３次元で描いた図である。
【００３８】
【図４】Siemens DECT 移動体 "GIGASET 2000 S,C" において使用されているプリント配線板を示す図である。
【００３９】
【図５】図４の断面図である。
【００４０】
【図６】ＭＶ技術をウィンドウ技術といっしょに使用した本願発明の１つの実施形態を示す図である。
【００４１】
【図７】図６に破線で書き込んだ領域を拡大して３次元で示す図である。
【００４２】
【図８】図６に示したプリント配線板の変形実施形態を示す図である。
【００４３】
【図９】本発明の実施形態により実現可能なプリント配線板の大きさを表した図である。
【００４４】
【図１０】本発明の択一的な実施形態を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
　ＬＰ３〜ＬＰ５　プリント配線板
　ＬＰＬ２，ＬＰＬ５　外側層
　ＤＢ１ＬＰＴ３〜５，ＤＢ２ＬＰＴ３〜５
　ＬＰＬ１，ＬＰＬ４，ＬＰＬ６，ＭＶ１〜ＭＶ３　マイクロビア層
　ＬＢＳ２ＮＨＦ〜ＬＢＳ４ＮＨＦ　非ＲＦ回路および非ＲＦ導体路構造
　ＳＢ２〜ＳＢ４　阻止領域
　ＬＰＴ３〜ＬＰＴ５　支持体
　ＬＰＬ３，ＭＳ４ＨＦ〜ＭＳ６ＨＦ　ＲＦグラウンド層
　ＬＢＳ３ＨＦ〜ＬＢＳ５ＨＦ　ＲＦ回路およびＲＦ導体路構造
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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