(57)【要約】【課題】記憶容量の増加に従って半導体記憶装置の面積の増大、記憶容量の増加に従って記憶された情報へのアクセスの時間の増大、及びシステム自体の構成の複雑化を抑制可能な半導体記憶装置の提供。【解決手段】情報を記憶する記憶装置１と、記憶された情報の強度を経時的に減衰させる情報強度減衰装置２と、記憶装置に記憶された情報の強度が所定強度以上であるか否かによって情報の有無を判定する情報有無判定装置３と、情報有と判定された情報についてアクセスがなされた場合その情報については所定の強度へ復帰する情報強度復帰装置４と、を備える。【選択図】    図１
2004178625.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報を記憶する半導体記憶装置において、
情報を記憶する記憶装置と、
記憶された情報の強度を経時的に減衰させる情報強度減衰装置と、
前記記憶装置に記憶された情報の強度が所定強度以上であるか否かによって情報の有無を判定する情報有無判定装置と、
情報有と判定された情報についてアクセスがなされた場合その情報については所定の強度へ復帰する情報強度復帰装置と、を有することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
情報を記憶する半導体記憶装置において、
情報を記憶する記憶装置と、
前記記憶装置に記憶された情報の使用頻度を判定する使用頻度判定装置と、
記憶された情報について判定された使用頻度が所定頻度以下の情報については記憶装置から除去する除去装置と、を有することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項３】
情報を記憶する前記記憶装置は、電荷の保持によるものであり、
前記情報強度減衰装置は、抵抗を介した電荷の放出あるいは絶縁膜を介した電荷の放出によるものであることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報を記憶する半導体記憶装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
これまでの、情報を記憶する半導体記憶装置には、情報を記憶する記憶装置を有するが、記憶された情報の強度が経時的に減衰しないものがあった。また、情報を記憶する他の半導体記憶装置には、情報を記憶する記憶装置を有し、記憶された情報の強度が経時的に減衰するが、記憶された情報について使用頻度に関わらず所定の強度へ一定の時間内に復帰する情報強度復帰装置を有するものがあった。
【０００３】
一方これまでのデータベースシステムにおいては、情報を記憶する第１のファイル装置と、第１のファイル装置に記憶された情報の使用頻度を判定する第１の使用頻度判定装置と、情報を記憶するアクセス時間が前記第１のファイル装置より低速な第２のファイル装置と、前記第１の使用頻度判定装置にて前記第１のファイル装置に記憶された情報について判定された使用頻度が所定頻度以下の情報については、前記第１のファイル装置に記憶されない状態にし、前記第２のファイル装置に記憶された状態になるよう制御する記憶制御装置とを有する。さらに、情報の検索に際し、所望の情報が前記第１のファイル装置には記憶されておらず前記第２のファイル装置に記憶されているとき前記第２のファイル装置に記憶されている前記所望の情報を検索要求先へ転送するとともに前記第１のファイル装置にも記憶させる検索制御装置とを有する。さらに、前記第２のファイル装置に記憶されている情報の使用頻度を判定する第２の使用頻度判定装置と、前記第２の使用頻度判定装置にて前記第２のファイル装置に記憶された情報について判定された使用頻度が所定頻度以下の情報については前記第２のファイル装置から除去する除去装置と、を備えているものがあった（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献】
特開平１１−１４９５１５公報（第１図）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、情報を記憶する記憶装置を有するが記憶された情報の強度が経時的に減衰しない半導体記憶装置や、情報を記憶する記憶装置を有し、記憶された情報の強度が経時的に減衰するが、記憶された情報について使用頻度に関わらず所定の強度へ一定の時間内に復帰する情報強度復帰装置を有する他の半導体記憶装置では、記憶容量の増加に従って半導体記憶装置の面積が増大するという欠点や、記憶容量の増加に従って記憶された情報へのアクセスの時間が増大するという欠点があった。
【０００６】
一方前記これまでのデータベースシステムでは、多くの構成要素を備えていたためシステム自体の構成が大掛かりになるという欠点があった。
【０００７】
本発明の目的は、従来の半導体記憶装置やデータベースシステムがもつ上記のような問題点を解消させることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体記憶装置は、上述した目的を達成するため次のような構成としている。即ち、本願発明の半導体記憶装置は、少なくとも、情報を記憶する記憶装置と、記憶された情報の強度を経時的に減衰させる情報強度減衰装置と、記憶装置に記憶された情報の強度が所定強度以上であるか否かによって情報の有無を判定する情報有無判定装置と、情報有と判定された情報についてアクセスがなされた場合その情報については所定の強度へ復帰する情報強度復帰装置とを備えたことを特徴とする。
【０００９】
さらに、情報を記憶する記憶装置が電荷の保持によるものであり、記憶された情報の強度を経時的に減衰させる手段が抵抗を介した電荷の放出あるいは絶縁膜を介した電荷の放出によるものであることを特徴とする。
【００１０】
本願発明の半導体記憶装置は、情報を記憶する記憶装置と、記憶装置に記憶された情報の使用頻度を判定する使用頻度判定装置と、記憶された情報について判定された使用頻度が所定頻度以下の情報については記憶装置から除去する除去装置とを備えたことを特徴とする。
【００１１】
本願発明においては、情報を記憶する記憶装置と、記憶された情報の強度を経時的に減衰させる情報強度減衰装置と、記憶装置に記憶された情報の強度が所定強度以上であるか否かによって情報の有無を判定する情報有無判定装置と、情報有と判定された情報についてアクセスがなされた場合その情報については所定の強度へ復帰する情報強度復帰装置とからなるので、使用頻度の低い情報が実効的に除去されて、記憶容量の増加に従って半導体記憶装置の面積が増大するということは抑制される。記憶容量の増加に従って記憶された情報へのアクセスの時間が増大するということは抑制される。システム自体の構成が大掛かりになるということは抑制される。
【００１２】
本願発明、情報を記憶する記憶装置と、記憶装置に記憶された情報の使用頻度を判定する使用頻度判定装置と、記憶された情報について判定された使用頻度が所定頻度以下の情報については記憶装置から除去する除去装置とからなるので、使用頻度の低い情報が実効的に除去されて、記憶容量の増加に従って半導体記憶装置の面積が増大するということは抑制される。記憶容量の増加に従って記憶された情報へのアクセスの時間が増大するということは抑制される。システム自体の構成が大掛かりになるということは抑制される。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体記憶装置の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。図１は本発明における半導体記憶装置の第１の実施例を示す構成図である。
【００１４】
この半導体記憶装置は、情報を記憶する記憶装置１と、記憶された情報の強度を経時的に減衰させる情報強度減衰装置２と、記憶装置に記憶された情報の強度が所定強度以上であるか否かによって情報の有無を判定する情報有無判定装置３と、情報有と判定された情報についてアクセスがなされた場合その情報については所定の強度へ復帰する情報強度復帰装置４とから構成されている。
【００１５】
前記記憶装置１と前記情報強度減衰装置２と前記情報有無判定装置３および前記情報強度復帰装置４についてはひとつの半導体集積回路中に備えられて、ひとつの前記半導体集積回路によってひとつの半導体記憶装置を構成するが、前記記憶装置１と前記情報強度減衰装置２と前記情報有無判定装置３および前記情報強度復帰装置４のうちの１部分が他の半導体集積回路中に備えられ、複数の半導体集積回路によってひとつの半導体記憶装置を構成してもよい。前記記憶装置１としてはメモリセルが用いられる。前記情報強度減衰装置２としては電気抵抗、または薄い絶縁膜が用いられる。前記情報有無判定装置３および前記情報強度復帰装置４としては論理回路が用いられる。
【００１６】
図２は本発明における半導体記憶装置の第２の実施例を示す構成図である。この半導体記憶装置は、情報を記憶する記憶装置１と、記憶装置に記憶された情報の使用頻度を判定する使用頻度判定装置５と記憶された情報について判定された使用頻度が所定頻度以下の情報については記憶装置から除去する除去装置６とから構成されている。前記記憶装置１と前記使用頻度判定装置５および前記除去装置６についてはひとつの半導体集積回路中に備えられて、ひとつの前記半導体集積回路によってひとつの半導体記憶装置を構成するが、前記記憶装置１と前記使用頻度判定装置５および前記除去装置６のうちの１部分が他の半導体集積回路中に備えられ、複数の半導体集積回路によってひとつの半導体記憶装置を構成してもよい。前記記憶装置１としてはメモリセルが用いられる。前記使用頻度判定装置５および前記除去装置６としては論理回路が用いられる。
【００１７】
図３は本発明における半導体記憶装置の第３の実施例を示すフローチャートである。図１の構成図における各種装置もあわせて参照しつつ説明する。まず初めに、記憶装置１に情報が入力されると（７）、この情報の強度は情報強度減衰装置２によって経時的に減衰される（８）。読み出し（９）がなされないと、その情報の強度は情報強度減衰装置２によって引き続き経時的に減衰される（８）。読み出し（９）がなされると情報有無判定装置３によってその情報の強度が所定の強度以上か否か判定され（１０）、所定の強度以上である場合は情報強度復帰装置４によって情報強度の復帰がなされて（１１）情報が出力される（１２）。所定の強度以上でない場合は情報無しとの判定が出力される（１３）。
【００１８】
図４は本発明の請求項２における半導体記憶装置の一実施の形態を示すフローチャートである。図２の構成図における各種装置もあわせて参照しつつ説明する。まず初めに、記憶装置１に情報が入力されると（７）、この情報の使用頻度は使用頻度判定装置５によって所定のタイミングで判定される（１４）。所定の頻度以上である場合は記憶装置１によって継続的に保存される（１５）。所定の頻度以上でない場合は除去装置６によって情報の除去がなされる（１６）。
【００１９】
【発明の効果】
以上、本願発明の半導体記憶装置においては、使用頻度の低い情報が実効的に除去されて、記憶容量の増加に従って半導体記憶装置の面積が増大するということは抑制される。記憶容量の増加に従って記憶された情報へのアクセスの時間が増大するということは抑制される。システム自体の構成が大掛かりになるということは抑制される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における半導体記憶装置の一実施の形態を示す図である。
【図２】本発明における半導体記憶装置の一実施の形態を示す図である。
【図３】本発明における半導体記憶装置の一実施の形態を示すフローチャートである。
【図４】本発明の請求項２における半導体記憶装置の一実施の形態を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１  記憶装置
２  情報強度減衰装置
３  情報有無判定装置
４  情報強度復帰装置
５  使用頻度判定装置
６  除去装置
７  情報の入力のステップ
８  情報強度の減衰のステップ
９  読み出しのステップ
１０  情報有無判定のステップ
１１  情報強度の復帰のステップ
１２  情報の出力のステップ
１３  情報無し判定の出力のステップ
１４  使用頻度判定のステップ
１５  情報の継続保存のステップ
１６  情報の除去のステップ
【図１】
2004178625.tif 000003
【図２】
2004178625.tif 000004
【図３】
2004178625.tif 000005
【図４】
2004178625.tif 000006