(57)【要約】【課題】ゲート・ソース間のリーク不良及び付加容量のリーク不良を確実に検出する。【解決手段】ソース線に検査用の検査用ソース電圧である第１の電圧を印加する第２の電圧印加処理（ステップＳ２　）と、前記第１及び第２の電圧印加処理による第１の検査モードにおいて、前記ソース線に流れる電流及び前記走査線に流れる電流を検出する第１の電流検出処理（ステップＳ３　）と、前記ソース線に検査用の検査用ソース電圧であり前記第１の電圧とは異なる第２の電圧を印加する第３の電圧印加処理と（ステップＳ６　）、前記第１及び第３の電圧印加処理による第２の検査モードにおいて、前記ソース線に流れる電流及び前記走査線に流れる電流を検出する第２の電流検出処理と（ステップＳ７　）、前記第１及び第２の電流検出処理によって前記スイッチング素子のリーク不良及び前記付加容量のリーク不良を判定する判定処理（ステップＳ４　，Ｓ８　）とを具備したことを特徴とする。【選択図】　　　図４
2004109823.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線及び複数のソース線と、前記走査線及びソース線の交差部分に対応して設けられるスイッチング素子と、前記スイッチング素子と所定の共通電位との間に接続された付加容量とを有するマトリクス基板の前記走査線に、検査用の検査用走査電圧を印加する第１の電圧印加処理と、
前記ソース線に検査用の検査用ソース電圧である第１の電圧を印加する第２の電圧印加処理と、
前記第１及び第２の電圧印加処理による第１の検査モードにおいて、前記ソース線に流れる電流及び前記走査線に流れる電流を検出する第１の電流検出処理と、
前記ソース線に検査用の検査用ソース電圧であり前記第１の電圧とは異なる第２の電圧を印加する第３の電圧印加処理と、
前記第１及び第３の電圧印加処理による第２の検査モードにおいて、前記ソース線に流れる電流及び前記走査線に流れる電流を検出する第２の電流検出処理と、
前記第１及び第２の電流検出処理によって前記スイッチング素子のリーク不良及び前記付加容量のリーク不良を判定する判定処理とを具備したことを特徴とするリーク検査方法。
【請求項２】
前記第１の電圧は、前記スイッチング素子のリーク不良の検出のために前記検査用ソース電圧であり、
前記第２の電圧は、前記付加容量のリーク不良の検出のために前記検査用ソース電圧であって、
前記第１の電圧は前記検査用走査電圧との差が前記第２の電圧よりも大きく、前記第２の電圧は前記共通電位との差が前記第１の電圧よりも大きいことを特徴とする請求項２に記載のリーク検査方法。
【請求項３】
前記スイッチング素子は、前記マトリクス基板上に半導体プロセスによって形成されたトランジスタであり、
前記判定処理は、前記トランジスタのゲート・ソース間のリーク不良及び前記トランジスタのドレインと前記所定の共通電位との間に接続された前記付加容量のリーク不良を判定することを特徴とする請求項１に記載のリーク検査方法。
【請求項４】
前記複数のソース線は、画像信号が供給されるビデオ線に接続されており、
前記第１及び第２の電流検出処理は、前記ビデオ線に流れる電流を検出することにより前記ソース線に流れる電流を検出することを特徴とする請求項１に記載のリーク検査方法。
【請求項５】
前記第３の電圧印加処理は、前記検査用ソース電圧である前記第２の電圧として、前記ビデオ線に供給される画像信号のレベルに基づく電圧値を設定することを特徴とする請求項４に記載のリーク検査方法。
【請求項６】
複数の走査線及び複数のソース線と、前記走査線及びソース線の交差部分に対応して設けられるスイッチング素子と、前記スイッチング素子と所定の共通電位との間に接続された付加容量とを有するマトリクス基板の前記ソース線に流れる電流を検出する第１の電流検出手段と、
前記走査線に流れる電流を検出する第２の電流検出手段と、
前記走査線に検査用の検査用走査電圧を印加する第１の電圧印加手段と、
前記ソース線に検査用の検査用ソース電圧を印加する第２の電圧印加手段と、
前記第２の電圧印加手段による前記検査用ソース電圧を２種類以上切換えながら、前記第１及び第２の電流検出手段の検出結果によって、前記スイッチング素子のリーク不良及び前記付加容量のリーク不良を判定する検査制御手段とを具備したことを特徴とするリーク検査装置。
【請求項７】
前記検査制御手段は、前記スイッチング素子のリーク不良の検出のために前記検査用ソース電圧として第１の電圧を発生させ、前記付加容量のリーク不良の検出のために前記検査用ソース電圧として第２の電圧を発生させ、
前記第１の電圧は前記検査用走査電圧との差が前記第２の電圧よりも大きく、前記第２の電圧は前記共通電位との差が前記第１の電圧よりも大きいことを特徴とする請求項６に記載のリーク検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス方式の液晶パネル等のリーク検査に好適なリーク検査装置及びリーク検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に電気光学装置、例えば、電気光学物質に液晶を用いて所定の表示を行う液晶装置は、一対の基板間に液晶が挟持された構成となっている。このうち、ＴＦＴ駆動、ＴＦＤ駆動等によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置等の電気光学装置においては、縦横に夫々配列された多数の走査線（ゲート線）及びデータ線（ソース線）の各交点に対応して、画素電極及びスイッチング素子を基板（アクティブマトリクス基板）上に設けて構成される。
【０００３】
各走査線には、走査線駆動回路から走査信号が順次供給されるようになっている。一方、データ線には、データ線駆動回路により駆動されたサンプリング回路によって画像信号が供給される。即ち、データ線駆動回路は、画像信号線上の画像信号をデータ線毎にサンプリングするサンプリング回路に対して、走査信号の順次供給動作と平行して、サンプリング回路駆動信号を供給するように構成されている。
【０００４】
データ線駆動回路は、一般には、複数のラッチ回路（シフトレジスタ回路）を備え、水平走査期間の最初に供給される転送信号をクロック信号に応じて順次シフトして、これをサンプリング信号として出力するものであり、同様に、走査線駆動回路は、複数のラッチ回路を備え、垂直走査期間の最初に供給される転送信号をクロック信号に応じて順次シフトして、これを走査信号として出力するものである。また、サンプリング回路は、各データ線毎に設けられるサンプリング用のスイッチを備え、外部から供給される画像信号を、データ線駆動回路によるサンプリング信号にしたがいサンプリングして、各データ線に供給するものである。
【０００５】
ＴＦＴ素子等のスイッチング素子は、ゲート線に供給されるオン信号によってオンとなり、ソース線を介して供給される画像信号を画素電極に書込む。これにより、画素電極と対向電極相互間の液晶装置に画像信号に基づく電圧を印加して、液晶分子の配列を変化させる。こうして、画素の透過率を変化させ、画素電極及び液晶層を通過する光を画像信号に応じて変化させて画像表示を行う。なお、液晶層における電圧保持特性を向上させてコントラスト比の高い画像表示が可能とするために、通常、付加容量が採用される。
【０００６】
このようなアクティブマトリクス基板を備えた液晶装置の不良原因として、ゲート・ソース間のリーク不良、付加容量のリーク不良及びゲート線と容量線とのリーク不良等が挙げられる。このような、液晶パネルの欠陥の検出方法としては、特許文献１に開示の方法等もある。
【０００７】
また、他の検査方法として、ビデオ線及びゲート線に検査用の電圧を印加して行う方法がある。この方法では、ビデオ線に印加する検査用の電圧としては例えば５Ｖが採用されている。一方、ゲート線に印加する検査用の電圧としては例えば１７Ｖが採用される。なお、容量線は電圧が０Ｖのラインこのようなリーク不良の検出は、ソース線に接続されたビデオ線、ゲート線に検査用の電圧を印加し、このときにビデオ線及びゲート線に流れる電流を検出するパネル検査において行われる。に接続される。この場合には、ゲート・ソース間の電位差は１２Ｖとなり、ゲート・ソース間のリーク不良の確実な検査が可能である。また、この検査用電圧を用いると、ゲート線と容量線との間の電位差は１７Ｖであり、ゲート線と容量線との間のショートを確実に検査可能である。
【０００８】
【特許文献１】
特開平９−１５９９９７号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この検査用電圧では、付加容量の端子間に印加される検査用電圧は５Ｖと比較的小さい電位差に設定される。従って、パネル検査において確実に付加容量のリーク不良を検出することができるとは限らない。例えば、実使用においてはビデオ線に５Ｖよりも高い電圧が印加されることがある。この場合には、検査時に発見することができなかった付加容量のリーク不良が実使用で発生することが考えられる。
【００１０】
なお、ビデオ線に印加する検査用電圧を単に大きくしただけでは、これに伴ってゲート・ソース間の電位差が小さくなってしまい、ゲート・ソース間のリーク不良の検出が確実に行われなくなってしまう。
【００１１】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、検査用電圧として２つ以上の電圧設定を行うことにより、アクティブマトリクス基板のリーク不良を確実に検出することができるリーク検査装置及びリーク検査方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るリーク検査方法は、複数の走査線及び複数のソース線と、前記走査線及びソース線の交差部分に対応して設けられるスイッチング素子と、前記スイッチング素子と所定の共通電位との間に接続された付加容量とを有するマトリクス基板の前記走査線に、検査用の検査用走査電圧を印加する第１の電圧印加処理と、前記ソース線に検査用の検査用ソース電圧である第１の電圧を印加する第２の電圧印加処理と、前記第１及び第２の電圧印加処理による第１の検査モードにおいて、前記ソース線に流れる電流及び前記走査線に流れる電流を検出する第１の電流検出処理と、前記ソース線に検査用の検査用ソース電圧であり前記第１の電圧とは異なる第２の電圧を印加する第３の電圧印加処理と、前記第１及び第３の電圧印加処理による第２の検査モードにおいて、前記ソース線に流れる電流及び前記走査線に流れる電流を検出する第２の電流検出処理と、前記第１及び第２の電流検出処理によって前記スイッチング素子のリーク不良及び前記付加容量のリーク不良を判定する判定処理とを具備したことを特徴とする。
【００１３】
このような構成によれば、第１の電圧印加処理、第２の電圧印加処理及び第３の電圧印加処理によって、走査線には検査用の検査用走査電圧が印加され、前記ソース線には検査用の検査用ソース電圧である第１の電圧又は第１の電圧とは異なる第２の電圧が印加される。検査用走査電圧及び第１の電圧を用いた第１の検査モードにおいて、ソース線に流れる電流及び走査線に流れる電流を検出する第１の電流検出処理が実施される。また、検査用走査電圧及び第２の電圧を用いた第２の検査モードにおいて、ソース線に流れる電流及び走査線に流れる電流を検出する第２の電流検出処理が実施される。スイッチング素子のリーク不良が生じている場合には、第１及び第２の検査モードにおいてソース線及び走査線に電流が流れることが考えられ、また、付加容量のリーク不良が生じている場合にはソース線に電流が流れることが考えられる。従って、第１及び第２の検査モードにおける第１及び第２の電流検出処理によって、スイッチング素子のリーク不良及び付加容量のリーク不良を判定することができる。この場合において、第１の電圧と第２の電圧とは相互に異なり、第１の検査モードと第２の検査モードとの間で、スイッチング素子に印加される電圧の設定と付加容量に印加される電圧の設定とを独立して変化させることができる。これにより、第１の検査モードと第２の検査モードとで、スイッチング素子のリーク不良の判定のために最適な電圧設定と付加容量のリーク不良の判定のために最適な電圧設定とが可能となり、確実なリーク不良の判定が可能となる。
【００１４】
また、前記第１の電圧は、前記スイッチング素子のリーク不良の検出のために前記検査用ソース電圧であり、前記第２の電圧は、前記付加容量のリーク不良の検出のために前記検査用ソース電圧であって、前記第１の電圧は前記検査用走査電圧との差が前記第２の電圧よりも大きく、前記第２の電圧は前記共通電位との差が前記第１の電圧よりも大きいことを特徴とする。
【００１５】
このような構成によれば、第１の検査モードに使用される第１の電圧は前記検査用走査電圧との差が第２の電圧よりも大きい。これにより、第１の検査モードではスイッチング素子に印加される電圧が大きく、そのリーク不良を判定しやすい。一方、第２の検査モードに用いる第２の電圧は、共通電位との差が第１の電圧よりも大きい。これにより、第２の検査モードでは付加容量に印加される電圧が大きく、そのリーク不良を判定しやすい。
【００１６】
また、前記スイッチング素子は、前記マトリクス基板上に半導体プロセスによって形成されたトランジスタであり、前記判定処理は、前記トランジスタのゲート・ソース間のリーク不良及び前記トランジスタのドレインと前記所定の共通電位との間に接続された前記付加容量のリーク不良を判定することを特徴とする。
【００１７】
このような構成によれば、第１の検査モードによってトランジスタのゲート・ソース間のリーク不良を判定し、第２の検査モードによって付加容量のリーク不良を判定する。これらの判定に際して、第１の検査モードと第２の検査モードとで夫々最適な電圧設定が行われる。
【００１８】
また、前記複数のソース線は、画像信号が供給されるビデオ線に接続されており、前記第１及び第２の電流検出処理は、前記ビデオ線に流れる電流を検出することにより前記ソース線に流れる電流を検出することを特徴とする。
【００１９】
このような構成によれば、複数のソース線に流れる電流を検出する必要はなく、ビデオ線に流れる電流のみを検出すればよく、良不良の判定が容易となる。
【００２０】
また、前記第３の電圧印加処理は、前記検査用ソース電圧である前記第２の電圧として、前記ビデオ線に供給される画像信号のレベルに基づく電圧値を設定することを特徴とする。
【００２１】
このような構成によれば、マトリクス基板が画像信号用である場合に、実使用時の画像信号が入力された場合と同様の判定基準で、付加容量のリーク不良を判定することができる。
【００２２】
また、本発明に係るリーク検査装置は、複数の走査線及び複数のソース線と、前記走査線及びソース線の交差部分に対応して設けられるスイッチング素子と、前記スイッチング素子と所定の共通電位との間に接続された付加容量とを有するマトリクス基板の前記ソース線に流れる電流を検出する第１の電流検出手段と、前記走査線に流れる電流を検出する第２の電流検出手段と、前記走査線に検査用の検査用走査電圧を印加する第１の電圧印加手段と、前記ソース線に検査用の検査用ソース電圧を印加する第２の電圧印加手段と、前記第２の電圧印加手段による前記検査用ソース電圧を２種類以上切換えながら、前記第１及び第２の電流検出手段の検出結果によって、前記スイッチング素子のリーク不良及び前記付加容量のリーク不良を判定する検査制御手段とを具備したことを特徴とする。
【００２３】
このような構成によれば、第１の電圧印加手段によって、走査線には検査用走査電圧が印加される。また、検査制御手段は、ソース線には、第１又は第２の電圧印加手段によって、検査用ソース電圧である第１の電圧又は第１の電圧とは異なる第２の電圧を印加する。第１の電流検出手段はソース線に流れる電流を検出し、第２の電流検出手段は走査線に流れる電流を検出する。ソース電圧と第１の電圧とを用いた場合とソース電圧と第２の電圧とを用いた場合とで、スイッチング素子に印加される電圧は変化し、また、付加容量に印加される電圧も変化する。これにより、スイッチング素子のリーク不良の判定のために最適な電圧設定と付加容量のリーク不良の判定のために最適な電圧設定とが可能となり、確実なリーク不良の判定が可能となる。
【００２４】
また、前記検査制御手段は、前記スイッチング素子のリーク不良の検出のために前記検査用ソース電圧として第１の電圧を発生させ、前記付加容量のリーク不良の検出のために前記検査用ソース電圧として第２の電圧を発生させ、前記第１の電圧は前記検査用走査電圧との差が前記第２の電圧よりも大きく、前記第２の電圧は前記共通電位との差が前記第１の電圧よりも大きいことを特徴とする。
【００２５】
このような構成によれば、第１の電圧は前記検査用走査電圧との差が第２の電圧よりも大きい。これにより、この場合にはスイッチング素子に印加される電圧が大きく、そのリーク不良を判定しやすい。一方、第２の電圧は、共通電位との差が第１の電圧よりも大きい。これにより、この場合には、付加容量に印加される電圧が大きく、そのリーク不良を判定しやすい。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は本発明の第１実施の形態に係るリーク検査装置を説明するための説明図である。本実施の形態は検査対象のパネルとしてアクティブマトリクス基板を用いた液晶パネルに適用した例である。図２は検査対象の液晶パネルの構成を示す斜視図であり、図３は図２のＡ−Ａ’線の断面図である。
【００２７】
検査対象の液晶パネルは、素子基板と対向基板とが、互いに一定の間隙を保って貼付され、その間隙に電気光学材料である液晶が挟持される構成となっている。素子基板及び対向基板としてはガラス基板等の透明基板が用いられ、素子基板上には画素を駆動するトランジスタと共に、周辺駆動回路等が形成されている。
【００２８】
先ず、図２及び図３を参照して検査対象の液晶パネルについて説明する。
【００２９】
図２及び図３において、液晶パネル１００は、各種素子や画素電極１１８等が形成された素子基板１０１と、対向電極１０８等が設けられた対向基板１０２とが、スペーサ（図示省略）を含むシール材１０４によって一定の間隙を保って、互いに電極形成面が対向するように貼り合わせられると共に、この間隙に電気光学物質として例えばＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶１０５が封入された構成となっている。
【００３０】
素子基板１０１には、ガラスや、半導体、石英などが用いられるが、対向基板１０２には、ガラスなどが用いられる。なお、素子基板１０１に不透明な基板が用いられる場合には、透過型ではなく反射型として用いられることとなる。また、シール材１０４は、対向基板１０２の周辺に沿って形成されるが、液晶１０５を封入するために一部が開口している。このため、液晶１０５の封入後に、その開口部分が封止材１０６によって封止されている。
【００３１】
素子基板１０１の対向面であって、シール材１０４の外側一辺の領域１４０においては、Ｘドライバ（図１のＸドライバ５００）が形成されて、サンプリング信号を出力する構成となっている。さらに、この一辺においてシール材１０４が形成される近傍の領域１５０には、画像信号線やサンプリング回路などを形成してもよい。一方、この一辺の外周部分には、複数の実装端子１０７が形成されて、外部回路（図示省略）から各種信号を入力する構成となっている。
【００３２】
また、この一辺に隣接する２辺の領域１３０には、夫々Ｙドライバ（図１のＹドライバ４００）が形成されて、走査線を両側から駆動する構成となっている。なお、走査線に供給される走査信号の遅延が問題にならないのであれば、Ｙドライバを片側１個だけに形成する構成でもよい。
【００３３】
一方、対向基板１０２に設けられる対向電極１０８は、素子基板１０１との貼合部分における４隅のうち少なくとも一ヶ所において導通材により、素子基板１０１と電気的に接続される構成となっている。
【００３４】
また、対向基板１０２には、特に図示はしないが、画素電極１１８と対向する領域に、必要に応じて着色層（カラーフィルタ）が設けられる。ただし、後述する複板式のプロジェクタのように色光変調の用途に適用する場合には、対向基板１０２に着色層を形成する必要はない。
【００３５】
素子基板１０１及び対向基板１０２の対向面には、ラビング処理された配向膜（図３では省略）が設けられる。また、基板１０１，１０２の各背面側には配向膜の配向方向に応じた偏光子（図示省略）が夫々設けられる。なお、図３においては、対向電極１０８や、画素電極１１８、実装端子１０７等には厚みを持たせているが、これは、形成位置を示すための便宜的な措置であり、実際には、基板に対して充分に無視できるほど薄い。
【００３６】
図１において、ビデオ線電流計１２４、ゲート線電流計１２５、検査電圧発生回路１２６及び検査電圧制御回路１２７以外の部分によって図２及び図３の液晶パネルが構成される。なお、図１では、マトリクス状に形成された複数の画素のうち１個の画素のみについて示している。実際には、ビデオ線電流計１２４、ゲート線電流計１２５、検査電圧発生回路１２６及び検査電圧制御回路１２７は、実装端子１０７中の所定の端子に接続されるようになっている。
【００３７】
液晶パネル１００は、素子基板にあっては、図１に示すように、Ｘ方向に沿って平行に複数本の走査線１１２が配列して形成され、また、これと直交するＹ方向に沿って平行に複数本のソース線１１４が形成されている。そして、これらの走査線１１２とソース線１１４との各交点においては、各画素を制御するためのスイッチング素子であるＴＦＴ１１６のゲート電極が走査線１１２に接続される一方、ＴＦＴ１１６のソース電極がソース線１１４に接続されると共に、ＴＦＴ１１６のドレイン電極が画素電極１１８に接続されている。
【００３８】
そして、各画素は、画素電極１１８と、対向基板に形成された共通電極１０８（電位ＬＣＣＯＭ）と、これら両電極間に挟持された液晶とによって構成されて、走査線１１２とソース線１１４との各交点に対応して、マトリクス状に配列される。また、液晶層における電圧保持特性を向上させてコントラスト比の高い画像表示が可能とするために、各画素毎に、電気的にみて、画素電極１１８と共通電極とに挟持された液晶に対して並列に付加容量１１９が形成される。即ち、付加容量１１９は、電気的にはＴＦＴ１１６のドレインと共通電位線（容量線）１２０との間に接続される。
【００３９】
Ｘドライバ５００は、水平走査期間の最初に供給される転送開始パルスＤＸを、クロック信号ＣＬＸに従って順次シフトすることによって、サンプリング信号Ｓ１〜Ｓｎを所定の順番で出力するものである。
このようなサンプリング信号は互いに排他的に発生させる必要がある。ところが、サンプリング信号が、何らかの理由によりオーバーラップして出力されることがある。そうすると、あるデータ線に本来サンプリングされるべき画像信号は、これに隣接するデータ線にもサンプリングされてしまう。この結果、いわゆるゴーストやクロストークなどが発生して、表示品位が低下するという問題が生じる。
【００４０】
そこで、サンプリング信号がオーバーラップすることを防止するために、Ｘドライバ５００内には図示しないイネーブル回路が導入されている。イネーブル回路は、相前後するサンプリング回路駆動信号同士が、時間軸上で部分的に重なったまま、これらの信号に応じてサンプリングスイッチがサンプリングしてしまうことがないように、イネーブル信号と呼ばれるイネーブル用のクロック信号と各サンプリング回路駆動信号との論理積をとることにより、各サンプリング回路駆動信号のパルス幅を、イネーブル信号のパルス幅にまで狭める技術である。
【００４１】
このようにパルス幅を制限することにより、相前後する二つのサンプリング回路駆動信号の間には、若干の時間間隔が時間的マージンとして置かれることになる。このため、たとえ高周波数駆動に伴って、サンプリング回路、Ｘドライバ等を構成するＴＦＴ等の能動素子や各種配線におけるオン抵抗や配線抵抗、時定数、容量、遅延時間などの悪影響が相対的に増大しても、上述した時間的マージンにより、この悪影響を部分的に又は完全に吸収することが可能となる。
【００４２】
この結果、画像信号が相展開されていない場合には相隣接するデータ線間における、或いは、画像信号が相展開されている場合には同一の画像信号に接続されていると共に相前後して駆動されるデータ線間における、所謂クロストークやゴーストが生じるのを効率的に防ぐことが可能となる。
【００４３】
Ｘドライバ５００は、入力されたイネーブル信号（パルス幅制限信号）ＥＮＢを用いて、隣接するサンプリング信号Ｓ１〜Ｓｎ同士が同時にハイレベル（以下、Ｈレベルという）となることを確実に防止するようになっている。
【００４４】
Ｘドライバ５００からのサンプリング信号Ｓ１　〜Ｓｎはビデオ線１１３とｎ本の各ソース線１１４とを接続するｎ個の各スイッチングトランジスタ１２２のゲートに与えられる。トランジスタ１２２はＨレベルのサンプリング信号によってオンとなって、ビデオ線１１３の信号を各ソース線１１４に供給する。なお、ソース線１１４はトランジスタ１２３を介して共通信号線ＮＲＳに接続されている。トランジスタ１２３はゲートに印加される信号ＮＲＧによってオンとなり、ソース線１１４の一端に共通信号線ＮＲＳの電圧を供給するようになっている。なお、信号ＮＲＧによってトランジスタ１２３をオフ状態にすることによって、ソース線１１４をフローティング状態にすることができる。
【００４５】
Ｙドライバ４００は、出力信号の引き出し方向と、入力される信号とが異なる以外、基本的にＸドライバ５００の構成と同様である。すなわち、Ｙドライバ４００は、Ｘドライバ５００を９０度左回転して配置したものであり、図１に示すように、パルスＤＸに代えて転送開始パルスパルスＤＹが入力されると共に、クロック信号ＣＬＸに代えて、水平走査期間毎に、クロック信号ＣＬＹが入力される構成となっている。
【００４６】
Ｙドライバ４００には、正の電源電圧としてはＶＤＤＹが供給され、負の電源電圧としてＶＳＳＹが供給される。Ｙドライバ４００は、走査期間において選択する走査線には正の電源電圧ＶＤＤＹ（例えば１７Ｖ）の走査信号を印加し、その他の走査線には負の電電電圧ＶＳＳＹ（例えば０Ｖ）の走査信号を印加するようになっている。
【００４７】
液晶パネル１００の実使用時においては、ビデオ線１１３には、図示しない画像処理回路からの画像信号が供給される。この画像信号は、サンプリング信号によってオンとなったスイッチングトランジスタ１２２を介してソース線１１４に供給され、走査信号によってオンとなったＴＦＴ１１６を介して画素電極１１８に印加される。
【００４８】
本実施の形態においては、リーク検査時においてビデオ線１１３に検査用の電圧を供給する検査電圧発生回路１２６が設けられている。検査電圧発生回路１２６は、後述する検査電圧制御回路１２７に制御されて、ビデオ線１１３に少なくとも２種類の電圧を印加することができるようになっている。
【００４９】
検査電圧制御回路１２７は、リーク検査時には、Ｘドライバ５００に常にＨレベルの転送開始パルスＤＸを供給すると共に、Ｙドライバ４００にも常にＨレベルの転送開始パルスＤＹを供給するようになっている。また、検査電圧制御回路１２７は、ゲート・ソース間のリーク不良、付加容量のリーク不良及びゲート線と容量線とのリーク不良を検出する第１の検査モードと、特に付加容量のリーク不良を検出するための第２の検査モードとを設定可能であり、第１の検査モード時には、検査電圧発生回路１２６を制御して、比較的低い電圧をビデオ線１１３に供給させ、第２の検査モード時には、検査電圧発生回路１２６を制御して、比較的高い電圧をビデオ線１１３に供給させるようになっている。
【００５０】
例えば、検査電圧発生回路１２６は、第１の検査モード時に５Ｖの電圧をビデオ線１１３に印加し、第２の検査モード時に１２Ｖの電圧をビデオ線１１３に印加するようになっている。
ビデオ線電流計１２４は、ビデオ線１１３に流れる電流量を計測する。また、ゲート線電流計１２５は、走査線１１２に流れる電流量を計測する。
【００５１】
次に、このように構成された実施の形態におけるリーク検査方法について図４のフローチャートを参照して説明する。
【００５２】
検査が開始されると、検査電圧制御回路１２７は、図４のステップＳ１　において、第１の検査モードを設定する。即ち、Ｙドライバ４００に供給する転送開始パルスＤＹを常時Ｈレベルに設定すると共に、Ｘドライバ５００に供給する転送開始パルスＤＸを常時Ｈレベルに設定する。そして、検査電圧制御回路１２７は、検査電圧発生回路１２６を制御して、ビデオ線１１３に比較的低い電圧値である例えば５Ｖを印加させる（ステップＳ２　）。
【００５３】
転送開始パルスＤＹが常にＨレベルであることから、Ｙドライバ４００からの全ての走査線１１２への出力は電圧ＶＤＤＹとなる。例えば電圧ＶＤＤＹとして１７Ｖを採用するものとする。また、転送開始パルスＤＸが常にＨレベルであることから、Ｘドライバ５００は全てのサンプリング信号Ｓ１　〜ＳｎとしてＨレベルの信号を出力する。これにより、全ての列のスイッチングトランジスタ１２２はオンとなり、ビデオ線１１３に印加された電圧は全てのソース線１１４にも供給される。一方、信号ＮＲＧはＬレベルに設定されてトランジスタ１２３はオフであり、ソース線１１４はフローティング状態である。
【００５４】
従って、この状態では、ソース線１１４は全て５Ｖに設定され、走査線１１２は全て１７Ｖに設定される。そして、全ての画素のＴＦＴ１１６はオンである。次に、ステップＳ３　において電流値が検出される。第１の検査モードにおいては、ＴＦＴ１１６のゲートには１７Ｖが印加され、ソースには５Ｖが印加されており、ゲート・ソース間は１２Ｖの電位差に設定されている。また、付加容量１１９には、容量線１２０に供給される共通電圧ＶＳＳＹ（０Ｖ）とドレイン電圧（略５Ｖ）との差電圧が印加されている。また、走査線１１２と容量線１２０との間の電位差は、１７Ｖ−０Ｖ＝１７Ｖである。
【００５５】
いま、ＴＦＴ１１６のゲート・ソース間、付加容量１１９及び走査線１１２と容量線１２０との間にリーク電流が生じていないものとする。この場合には、ビデオ線１１３及び走査線１１２のいずれにも電流は流れない。これに対し、これらの検査部位に欠陥が生じている場合には、これらの検査部位に印加された電圧によってリーク電流が流れる。
【００５６】
即ち、ＴＦＴ１１６のゲート・ソース間のリーク電流は、ソース線１１４を介してビデオ線１１３に流れると共に走査線１１２にも流れる。また、付加容量１１９に生じるリーク電流は、容量線１２０に流れ、ビデオ線１１３にも流れる。また、走査線１１２と容量線１２０との間のリーク電流は、走査線１１２に流れる。
【００５７】
従って、ゲート・ソース間のリーク不良は、ビデオ線電流計１２４及びゲート線電流計１２５によって検出可能である。付加容量１１９のリーク不良は、ビデオ線電流計１２４によって検出可能である。また、走査線１１２と容量線１２０との間のリーク不良は、ゲート線電流計１２５によって検出可能である。
【００５８】
ステップＳ３　において、これらの電流計１２４，１２５によってビデオ線１１３及びゲート線１２５に流れる電流を計測する。そして、ステップＳ４　において、電流計１２４，１２５の計測結果から、良不良の判定を行う。例えば、ゲート線電流計１２５のみにおいて所定レベル以上の電流値を検出した場合には、走査線１１２と容量線１２０との間のリーク不良が生じているものと判定することができる。また、ビデオ線電流計１２４のみにおいて所定レベル以上の電流値を検出した場合には、付加容量１１９のリーク不良が生じているものと判定することができる。なお、ゲート線電流計１２５とビデオ線電流計１２４の両方において所定レベル以上の電流値を検出した場合には、ゲート・ソース間のリーク不良、付加容量１１９のリーク不良、走査線１１２と容量線１２０との間のリーク不良の少なくとも１つが生じているものと判定することができる。
【００５９】
一方、ビデオ線電流計１２４及びゲート線電流計１２５のいずれも計測電流値が０である場合には、第１の検査モードでは、ゲート・ソース間のリーク不良、付加容量１１９のリーク不良及び走査線１１２と容量線１２０との間にリーク不良は生じていないものと判定する。
【００６０】
しかしながら、第１の検査モードにおいては、ゲート・ソース間の印加電圧は１２Ｖと十分に高く、また、走査線１１２と容量線１２０との間の印加電圧も１７Ｖと十分に高いことから検査の信頼性が高いのに対し、付加容量１１９の端子電圧は５Ｖと比較的低い。実使用時には、画像信号の平均レベルが約１２Ｖであることを考慮すると、付加容量１１９についての検査結果の信頼性は比較的低い。
【００６１】
そこで、本実施の形態においては、次のステップＳ５　において、検査電圧制御回路１２７は、第２の検査モードを設定するようになっている。即ち、検査電圧制御回路１２７は、検査電圧発生回路１２６を制御して、ビデオ線１１３に比較的高い電圧である例えば１２Ｖを供給する（ステップＳ６　）。即ち、この場合には、全ソース線１１４は１２Ｖに設定される。
【００６２】
従って、この第２の検査モードにおいては、ゲート・ソース間の印加電圧は（１７−１２）Ｖ＝５Ｖとなり、走査線１１２と容量線１２０との間の印加電圧も１２Ｖとなり、付加容量１１９の端子電圧は１２Ｖとなる。次のステップＳ７　においては、ゲート線電流計１２５とビデオ線電流計１２４の電流値を計測し、ステップＳ８　において良不良を判定する。この場合にも、第１の検査モードと同様の判定を行う。
【００６３】
第２の検査モードにおいては、付加容量１１９の端子電圧が実使用時と同様の比較的高い電圧値に設定されることから、付加容量１１９についての検査結果の信頼性は十分に高い。
【００６４】
即ち、ゲート・ソース間のリーク不良については第１の検査モードによって良不良を判定し、走査線１１２と容量線１２０との間のリーク不良については、第１及び第２の検査モードにおいて良不良を判定し、付加容量１１９のリーク不良については第２の検査モードにおいて良不良を判定する。検査電圧制御回路１２７は、第１の検査モード及び第２の検査モードによる良不良の判定結果を検査者に提示する（ステップＳ９　）。
【００６５】
このように本実施の形態においては、検査用電圧として相互に異なる２種類の電圧を用いた第１の検査モード及び第２の検査モードによって、ゲート・ソース間のリーク不良、走査線１１２と容量線１２０との間のリーク不良及び付加容量１１９のリーク不良の良不良を判定している。いずれの検査部位においても、十分な印加電圧を印加した検査が可能であり、信頼性が高い検査結果を得ることができる。
【００６６】
即ち、第１の検査モードでは、走査線に印加する電圧との差をなるべく大きくする電圧をビデオ線に印加することによって、確実にゲート・ソース間のリーク不良を検出可能にし、一方、第２の検査モードでは、容量線の共通電位との差をなるべく大きくする電圧をビデオ線に印加することによって、確実に付加容量のリーク不良を検出可能にしている。
【００６７】
特に、近年、容量線の絶縁膜が薄くなっていることから付加容量のリーク不良が発生しやすくなっており、本実施の形態は極めて有用である。また、上記実施の形態においては、第１の検査モード後に第２の検査モードを実施したが、第２の検査モードを行った後に第１の検査モードを実施するようにしてもよいことは明らかである。
【００６８】
また、上記実施の形態においては、走査線に１７Ｖを印加し、ビデオ線に５Ｖ又は１２Ｖを印加した例を示したが、検査電圧としてはこれに限定されず種々の電圧を選択可能である。例えば、ビデオ線に低い電圧として２Ｖを印加してもよく、この場合には、より一層ゲート・ソース間のリーク不良を検出しやすくなる。
【００６９】
なお、上記実施の形態においては、検査対象として液晶パネルを例に説明したが、アレイ状に配置されたスイッチング素子をＸアドレス及びＹアドレスによって指定すると共に、スイッチング素子と所定の共通電位との間に付加容量が形成された各種マトリクス基板に適用することができる。
【００７０】
また、走査線に印加する電圧及びビデオ線に印加する電圧を適宜切換えることにより、ドレインと前段の走査線との間で付加容量を形成する前段ゲート方式の液晶パネルにも適用可能である。
【００７１】
また、本発明はＥＬ装置や電気泳動装置等にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施の形態に係るリーク検査装置を説明するための説明図。
【図２】図１中の液晶パネル１００の構成を示す斜視図。
【図３】図２のＡ−Ａ’線の断面図。
【図４】実施の形態におけるリーク検査方法を説明するためのフローチャート。
【符号の説明】
１００…液晶パネル、１１２…走査線、１１３…ビデオ線、１１４…ソース線、１１６…ＴＦＴ、１１９…付加容量、１２４…ビデオ線電流計、１２５…ゲート線電流計、１２６…検査電圧発生回路、１２７…検査電圧制御回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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