(57)【要約】【課題】表面に直接接した指先等の被検体を検知するのに適した接触型センサを提供すること。【解決手段】固体撮像デバイス２は、透明基板１７と、透明基板１７上にマトリクス状に配列された複数のＤＧ−ＴＦＴ２０と、全てのＤＧ−ＴＦＴ２０を被覆する保護絶縁膜３１と、保護絶縁膜３１上に形成された放電用導電膜３２と、放電用導電膜３２上に形成された撥液膜３３と、を備える。被験者が撥液膜３３の表面３３ａに指先１００を載置し、各ＤＧ−ＴＦＴ２０が指先１００の反射光を受光することによって、指先１００の指紋画像が固体撮像デバイス２によって撮像される。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
載置面に載置された被検体を検知する接触型センサにおいて、
前記載置面に撥液膜が形成されていることを特徴とする接触型センサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被検体をセンシングする接触型センサ、特に指紋センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
指紋は、個人特有の模様を呈しているため、個人認証をおこなう上で非常に有用な手段である。近年では、指紋を個人認証に適用する指紋認証装置が開発されている。指紋認証装置の中には、固体撮像デバイスで光学的に撮像した指紋画像を、予め登録された登録者の指紋画像データと照合することにより個人認証を行うものがあり、ＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ）、携帯電話等の情報機器にも搭載されている。
【０００３】
一般的に、固体撮像デバイスは、被検体から離れて、レンズを介して被検体の反射光を入射することによって被検体を撮像するために用いられているが、固体撮像デバイスの表面に被検体を直接接して被検体を撮像するような接触型固体撮像デバイスを用いる試みが為されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−９４０４０号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、固体撮像デバイスの表面に指先が直接接するため、指先の汗や皮脂が固体撮像デバイスの表面に残留し、固体撮像デバイスの表面に指先の指紋が残る。固体撮像デバイスの表面に指紋が残ると、固体撮像デバイスの表面に残った指紋が撮像されてしまうこともあり、悪意のある第三者がその指紋を紙などに写し取って悪用してしまうこともある。つまり、従来のような接触型固体撮像デバイスは、安全管理の面で問題があった。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、表面に直接接した指先等の被検体を検知するのに適した接触型センサを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、例えば図１〜図３に示すように、
載置面（例えば、載置面３３ａ）に載置された被検体（例えば、指先１００）を検知する接触型センサにおいて、前記載置面に撥液膜（例えば、撥液膜３３）が形成されていることを特徴とする。
【０００８】
請求項１に記載の発明では、撥液膜が載置面に形成されているため、載置面に被検体が接することで被検体から載置面に油分・水分等が付着しても、油分・水分が撥液膜によってはじかれて、載置面に油分・水分が残留しない。仮に載置面に油分・水分が残留したものとしても、載置面に残留した油分・水分がランダムにはじかれているので被検体の接触した形状（例えば、指紋）に応じたパターンでは残らない。そのため、本発明の接触型センサでは、載置面に残ったパターンを検知してしまうこともないし、悪意のある第三者が載置面に残留した油分・水分によるパターンを紙などで重ねて写し取ってしまうこともできなくなる。従って、本発明の接触型センサは、表面に直接接した被検体を検知するのに適している。
なお、接触型センサは、指先の皮膚の厚さに応じた容量の違いから指紋を検知するものであっても良いし、指紋の凹凸に光を照射し光の反射量を検知することで指紋を検知するものであっても良い。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下に、図面を用いて本発明の具体的な態様について説明する。ただし、発明の範囲を図示例に限定するものではない。
【００１０】
図１は、本発明が適用された指紋認証装置１をその回路構成として示した平面図であり、図２は、図１の破断線Ｃ−Ｃで破断して示した断面図である。
【００１１】
指紋認証装置１は、被検体である指先１００の反射光の光量を電気信号に変換することによって指先１００の指紋を光学的に検知するドライバ一体型の接触型の固体撮像デバイス２と、固体撮像デバイス２からの電気信号を検知することによって指先１００の指紋画像を取得する撮像回路１０と、撮像回路１０によって取得された指紋画像が登録指紋画像に一致するか否かを判定するための演算処理装置４と、光を発する光源１４と、光源１４から発せられた光を固体撮像デバイス２に導いて固体撮像デバイス２の裏面に向かって光を照射するための導光板１５と、を具備する。
【００１２】
導光板１５は、略平板状であり、光源１４に対向した側面及び固体撮像デバイス２の裏面に対向した表面を除き光反射材で覆われている。光源１４からの光が導光板１５にて面拡散して、導光板１５の表面から面放射した光が固体撮像デバイス２の裏面に均等に照射されるようになっている。なお、導光板１５と光源１４の代わりに、有機ＥＬ素子といった面発光素子を固体撮像デバイス２の裏面に対向するように設けても良い。
【００１３】
演算処理装置４は、ＣＰＵと、このＣＰＵの演算処理において作業領域として用いられるＲＡＭと、このＣＰＵにとって実行可能なプログラムを格納したＲＯＭと、登録者数分の登録指紋画像を記憶した記憶媒体（何れも図示せず）と、を備えている。ＣＰＵは、ＲＯＭに格納されたプログラムに従って、撮像回路１０を駆動したり、撮像回路１０から指紋画像データを入力したり、入力した指紋画像データを記憶媒体に記憶された登録指紋画像データと比較することによって指紋が登録指紋画像データの指紋と一致するとみなすか否かを判断したりする。
【００１４】
図１〜図３を用いて固体撮像デバイス２について説明する。図３（ａ）は、固体撮像デバイス２の一画素を示した平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）の破断線Ａ−Ａで破断して示した断面図である。
【００１５】
固体撮像デバイス２は、略平板状の透明基板１７と、透明基板１７の一方の面上にｎ行ｍ列（ｎ、ｍともに整数である。）のマトリクス状に配列された複数のダブルゲート型トランジスタ（以下、ＤＧ−ＴＦＴという。）２０，２０，…と、ＤＧ−ＴＦＴ２０，２０，…が配列された画像入力領域８の周囲であって透明基板１７上に形成されたトップゲートドライバ１１、ボトムゲートドライバ１２及びドレインドライバ１３と、ドライバ１１，１２，１３並びにＤＧ−ＴＦＴ２０，２０，…を被覆する保護絶縁膜３１と、保護絶縁膜３１上に形成された放電用導電膜３２と、放電用導電膜３２上に形成された撥液膜３３と、を備える。
【００１６】
透明基板１７は、光に対して透過性（以下、単に透光性という。）を有するとともに絶縁性を有し、石英ガラス等といったガラス基板又はポリカーボネート等といったプラスチック基板である。この透明基板１７が、固体撮像デバイス２の裏面を成しており、この透明基板１７に導光板１５が対向している。
【００１７】
それぞれのＤＧ−ＴＦＴ２０は、画素となる光電変換素子である。それぞれのＤＧ−ＴＦＴ２０は、透明基板１７上に形成されたボトムゲート電極２１と、ボトムゲート電極２１と層間絶縁膜２２を挟むとともにボトムゲート電極２１に対向した半導体膜２３と、半導体膜２３の中央部上に形成されたチャネル保護膜２４と、半導体膜２３の両端部上に互いに離間して形成された不純物半導体膜２５，２６と、不純物半導体膜２５上に形成されたソース電極２７と、不純物半導体膜２６上に形成されたドレイン電極２８と、半導体膜２３と層間絶縁膜２９及びチャネル保護膜２４を挟むとともに半導体膜２３に対向したトップゲート電極３０と、を具備する。
【００１８】
透明基板１７上には、ボトムゲート電極２１がＤＧ−ＴＦＴ２０ごとにマトリクス状となって透明基板１７に形成されている。また、透明基板１７上には横方向に延在するｎ本のボトムゲートライン４１，４１，…が形成されており、横方向に配列された同一行の各ＤＧ−ＴＦＴ２０のボトムゲート電極２１は共通のボトムゲートライン４１と一体となって形成されている。ボトムゲート電極２１及びボトムゲートライン４１は、導電性及び遮光性を有し、例えばクロム、クロム合金、アルミ若しくはアルミ合金又はこれらの合金からなる。
【００１９】
ボトムゲート電極２１及びボトムゲートライン４１上には、全てのＤＧ−ＴＦＴ２０，２０，…に共通した層間絶縁膜２２が形成されている。層間絶縁膜２２は、絶縁性及び透光性を有し、例えば窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。
【００２０】
層間絶縁膜２２上には、半導体膜２３がＤＧ−ＴＦＴ２０ごとに形成されている。半導体膜２３は、平面視して略矩形状を呈しており、アモルファスシリコン又はポリシリコンで形成された層である。半導体膜２３上には、チャネル保護膜２４が形成されている。チャネル保護膜２４は、パターニングに用いられるエッチャントから半導体膜２３の界面を保護する機能を有し、絶縁性及び透光性を有し、例えば窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。半導体膜２３に光が入射すると半導体膜２３が感光し、光量に従った量の電子−正孔対がチャネル保護膜２４と半導体膜２３との界面付近を中心に発生するようになっている。
【００２１】
半導体膜２３の一端部上には、不純物半導体膜２５が一部チャネル保護膜２４に重なるようにして形成されており、半導体膜２３の他端部上には、不純物半導体膜２６が一部チャネル保護膜２４に重なるようにして形成されている。不純物半導体膜２５，２６は、ｎ型の不純物イオンを含むアモルファスシリコン（ｎ＋シリコン）からなる。
【００２２】
不純物半導体膜２５上には、ＤＧ−ＴＦＴ２０ごとにパターニングされたソース電極２７が形成されている。不純物半導体膜２６上には、ＤＧ−ＴＦＴ２０ごとにパターニングされたドレイン電極２８が形成されている。また、縦方向に延在するｍ本のソースライン４２，４２，…及びドレインライン４３，４３，…が層間絶縁膜２２上に形成されており、縦方向に配列された同一列の各ＤＧ−ＴＦＴ２０のソース電極２７は共通のソースライン４２と一体に形成されており、縦方向に配列された同一列の各ＤＧ−ＴＦＴ２０のドレイン電極２８は共通のドレインライン４３と一体に形成されている。ソース電極２７、ドレイン電極２８、ソースライン４２及びドレインライン４３は、導電性及び遮光性を有しており、例えばクロム、クロム合金、アルミ若しくはアルミ合金又はこれらの合金からなる。
【００２３】
全てのＤＧ−ＴＦＴ２０，２０，…のチャネル保護膜２４、ソース電極２７及びドレイン電極２８並びにソースライン４２，４２，…及びドレインライン４３，４３，…上には、全てのＤＧ−ＴＦＴ２０，２０，…に共通した層間絶縁膜２９が形成されている。層間絶縁膜２９は、絶縁性及び透光性を有し、例えば窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。
【００２４】
層間絶縁膜２９上には、ＤＧ−ＴＦＴ２０ごとにパターニングされたトップゲート電極３０が形成されている。また、層間絶縁膜２９上には横方向に延在するｎ本のトップゲートライン４４が形成されており、横方向に配列された同一行の各ＤＧ−ＴＦＴ２０のトップゲート電極３０は共通のトップゲートライン４４と一体に形成されている。トップゲート電極３０及びトップゲートライン４４は、導電性及び透光性を有した金属酸化物であり、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛若しくは酸化スズ又はこれらのうちの少なくとも一つを含む混合物（例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム）で形成されている。
【００２５】
全てのＤＧ−ＴＦＴ２０，２０，…のトップゲート電極３０及びトップゲートライン４４上には、共通の保護絶縁膜３１が形成されている。保護絶縁膜３１は、絶縁性及び透光性を有し、例えば窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。
以上のように構成されたＤＧ−ＴＦＴ２０は、半導体膜２３を受光部とした光電変換素子である。
【００２６】
保護絶縁膜３１上には、放電用導電膜３２が一面に形成されている。放電用導電膜３２は、導電性及び透光性を有し、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛若しくは酸化スズ又はこれらのうちの少なくとも一つを含む混合物（例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム）で形成されている。放電用導電膜３２は、指先１００に帯電した電荷を放電することによってＤＧ−ＴＦＴ２０，２０，…の静電破壊を防止するものである。
【００２７】
放電用導電膜３２上には、撥液膜３３が一面に形成されている。撥液膜３３は、透光性を有する。つまり、撥液膜３３は、光を透過するように非常に薄く形成されているか、又は、透明な素材からなる。撥液膜３３の表面３３ａは、固体撮像デバイス２の表面を成しており、指先１００が載置される載置面である。
【００２８】
また、撥液膜３３は、表面に付着した液体をはじく性質を有し、特に指先１００で発した汗や皮脂をはじくようになっている。撥液膜３３は、フッ素樹脂若しくはシリコン樹脂又はこれらの混合物で形成されている。例えば、撥液膜３３は、一般式Ｒ３ｎＳｉＲ４４−ｎ（ｎ＝１〜３）で表される珪素化合物の１種または２種以上の加水分解縮合物、共加水分解化合物からなる。前記一般式では、Ｒ３は例えばアルキル基、フルオロアルキル基、ビニル基、アミノ基またはエポキシ基であることができ、Ｒ４は例えばハロゲンやハロゲンを含む官能基、メトキシル基、エトキシル基、またはアセチル基であることができる。また、撥液膜３３として、フルオロアルキル基を含有するポリシロキサンを用いることができ、具体的には、フルオロアルキルシランの１種または２種以上の加水分解縮合物、共加水分解縮合物が挙げられ、また、一般にフッ素系シランカップリング剤として知られているものを使用してもよい。フルオロアルキル基としては、例えば、次の一般式（１），（２）で表す官能基が挙げられる。
−（ＣＨ２）ａ（ＣＦ２）ｂＣＦ３  …（１）
−（ＣＨ２）ｃ（ＣＦ２）ｄＣＦ（ＣＦ３）２  …（２）
一般式（１），（２）において、ａ，ｂ，ｃ，ｄはいずれも０以上の整数である。
【００２９】
また、撥液膜３３としては、下記一般式（３）で表される骨格を持つ化合物を挙げることができる。
−（Ｓｉ（Ｒ１）（Ｒ２）Ｏ）ｎ−  …（３）
一般式（３）において、ｎは２以上の整数、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ炭素数１〜１０の置換もしくは非置換のアルキル、アルケニル、アリールあるいはシアノアルキル基であることができる。好ましくは全体の４０モル％以下がビニル、フェニル、ハロゲン化フェニルであることができる。また、Ｒ１とＲ２のうちの少なくとも一方がメチル基であるものは表面エネルギーが最も小さくなるので好ましく、好ましくはメチル基が６０モル％以上であり、鎖末端または側鎖には、分子鎖中に少なくとも１個以上の水酸基などの反応性基を有する。
【００３０】
固体撮像デバイス２のドライバについて説明する。図１に示すように、ソースライン４２，４２，…は、一定電圧に保たれており、例えば接地されて０〔Ｖ〕に保たれている。ボトムゲートライン４１，４１，…はボトムゲートドライバ１２の出力に接続されている。トップゲートライン４４，４４，…は、トップゲートドライバ１１の出力に接続されている。
【００３１】
トップゲートドライバ１１は、シフトレジスタであり、１行目のトップゲートライン４４からｎ行目のトップゲートライン４４の順（ｎ行目に達したら必要に応じて１行目に戻る。）にリセットパルスを出力するようになっている。リセットパルスは、リセット期間に、半導体膜２３及びチャネル保護膜２４に蓄積された正孔を除去するためのハイレベルのリセット電位と、キャリア蓄積期間に、半導体膜２３で光を受光することにより生成された電子−正孔対のうち、正孔を保持するローレベルのキャリア蓄積電位と、で構成されている。
【００３２】
ボトムゲートドライバ１２は、シフトレジスタであり、一行目のボトムゲートライン４１からｎ行目のボトムゲートライン４１の順にハイレベルのリードパルスを出力するようになっている。リードパルスは、キャリア蓄積期間に、半導体膜２３にｎチャネルを形成しようとする読取電位で構成され、ｎチャネルの領域は半導体膜２３に入射された光の量に依存される。
【００３３】
トップゲートドライバ１１がｉ行目（ｉは１〜ｎの何れかの整数。）のトップゲートライン４４にリセットパルスを出力してから、ボトムゲートドライバ１２がｉ行目のボトムゲートライン４１にリードパルスを出力するように、トップゲートドライバ１１及びボトムゲートドライバ１２は出力信号をシフトするようになっている。
【００３４】
ドレインドライバ１３は、リセットパルスが出力されてからリードパルスが出力されるまでの間に、全てのドレインライン４３，４３，…に所定レベル（ハイレベル）のプリチャージパルスを出力するようになっている。更に、ドレインドライバ１３は、プリチャージパルスの出力後にドレインライン４３，４３，…の電圧を増幅して、撮像回路１０に出力するようになっている。
【００３５】
なお、ドライバ１１，１２，１３は、ＭＯＳ型のトランジスタが幾つか組み合わせられることによって構成されている。
【００３６】
撮像回路１０は、演算処理装置４に駆動されることによって、ボトムゲートドライバ１２に制御信号群Ｂｃｎｔを出力することでボトムゲートドライバ１２に適宜リードパルスを出力させ、トップゲートドライバ１１に制御信号群Ｔｃｎｔを出力することでトップゲートドライバ１１に適宜リセットパルスを出力させ、ドレインドライバ１３に制御信号群Ｄｃｎｔを出力することでドレインドライバ１３に適宜プリチャージパルスを出力させる。また、撮像回路１０は、リードパルスが出力されてから所定時間経過後に受光量に応じて変位するドレインライン４３，４３，…の電圧を検出することによって、又はリードパルスが出力されてからドレインライン４３，４３，…の電圧が所定閾値電圧に至るまでの時間を検出することによって、指先１００の指紋画像を取得するようになっている。
【００３７】
次に、固体撮像デバイス２の製造方法について説明する。
まず、透明基板１７に対してＰＶＤ法及びＣＶＤ法といった成膜工程、フォトリソグラフィー法といったマスク工程、エッチング法といった薄膜の形状加工工程を適宜行うことによって、以下の（１）〜（９）の順に形成していく。（１）全てのＤＧ−ＴＦＴ２０，２０，…のボトムゲート電極２１並びにボトムゲートライン４１，４１，…、（２）層間絶縁膜２２、（３）全てのＤＧ−ＴＦＴ２０，２０，…の半導体膜２３、（４）全てのＤＧ−ＴＦＴ２０，２０，…のチャネル保護膜２４、（５）全てのＤＧ−ＴＦＴ２０，２０，…の不純物半導体膜２５，２６、（６）全てのＤＧ−ＴＦＴ２０，２０，…のソース電極２７及びドレイン電極２８並びにソースライン４２，４２，…及びドレインライン４３，４３，…、（７）層間絶縁膜２９、（８）全てのＤＧ−ＴＦＴ２０，２０，…のトップゲート電極３０並びにトップゲートライン４４，４４，…、（９）保護絶縁膜３１。なお、ドライバ１１，１２，１３を構成したトランジスタのゲート電極、層間絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜、ソース電極及びドレイン電極についても、上記（１）〜（７）を形成するのと同時にまとめて形成する。
【００３８】
次に、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法等によって保護絶縁膜３１上に放電用導電膜３２を成膜する。
次に、撥液膜３３を形成するための材料を含んだ塗布液を、スプレーコート、ディップコート、ロールコート、ビードコート等の方法で放電用導電膜３２に塗布することによって、放電用導電膜３２上に撥液膜３３を成膜する。
そして、撥液膜３３が露出するように固体撮像デバイス２を封止する。
【００３９】
以上のように構成された固体撮像デバイス２及び指紋認証装置１の動作及び使用方法について説明する。
被験者が撥液膜３３に指先１００を載置すると、光源１４が発光し、導光板１５で発した光が固体撮像デバイス２を介して指先１００に入射し、指先１００で反射した反射光がＤＧ−ＴＦＴ２０，２０，…の半導体膜２３に入射する。そして、ドライバ１１，１２，１３が動作することによって、ＤＧ−ＴＦＴ２０，２０，…に入射した光の強度又は光量に応じた電気信号がドレインドライバ１３を介して撮像回路１０に転送され、撮像回路１０によって電気信号のレベルを検知することによって指先１００の指紋画像が取得され、指紋画像が演算処理装置４に出力される。演算処理装置４は、入力した指紋画像データが登録指紋画像とデータとを比較し、読取った指紋が登録指紋と一致するとみなすか否かを判定することによって被験者の認証を行う。
【００４０】
以上のように本実施の形態では、撥液膜３３が固体撮像デバイス２の表面に成膜されているため、指先１００の汗が撥液膜３３によってはじかれ、汗が撥液膜３３に付着せず、指紋の跡が撥液膜３３に残りにくい。従って、付着した汗によって固体撮像デバイス２が誤った像を取得することを防止することができる。
また、第三者が登録者の指紋を撥液膜３３から写し取ることができない。そのため、指紋認証装置１は個人認証用の装置として非常に優れている。
また、指先１００の汗や皮脂が撥液膜３３によってはじかれることによって、汗や皮脂によって放電用導電膜３２が腐食することも防止することができ、更には、保護絶縁膜３１に存するピンホールを通じてＤＧ−ＴＦＴ２０，２０，…に汗が浸透することもなくなり、ＤＧ−ＴＦＴ２０，２０，…の損傷を防止することができる。
【００４１】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行っても良い。
【００４２】
上記実施形態では、指先１００を撮像しているが、指先１００に限らずその他様々な被検体を撥液膜３３の表面３３ａに押し付けて撮像しても良い。被検体を撥液膜３３の表面３３ａに押し当てれば、被検体の表面に描写された模様（文字、数字、絵等を含む意である。）を固体撮像デバイス２で光学的に検知したり、被検体の表面の凹凸により定義されたパターンを固体撮像デバイス２で光学的に検知したりする。
【００４３】
また、上記実施形態では、光電変換素子としてのＤＧ−ＴＦＴ２０，２０，…を用いた固体撮像デバイス２を例にして説明したが、光電変換素子としてのフォトダイオードを用いた固体撮像デバイスに本発明を適用しても良い。フォトダイオードを用いた固体撮像デバイスとしては、ＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサがある。
【００４４】
ＣＣＤイメージセンサにおいては、フォトダイオードが基板上にマトリクス状となって画素ごとに形成されており、それぞれのフォトダイオードの周囲には、フォトダイオードで光電変換された電気信号を転送するための垂直ＣＣＤ、水平ＣＣＤが形成されている。また、上記固体撮像デバイス２と同様に、保護絶縁膜が複数のフォトダイオードを被覆するように一面に成膜されており、保護絶縁膜上に放電用導電膜が一面に成膜されており、放電用導電膜上に撥液膜が成膜されている。
【００４５】
ＣＭＯＳイメージセンサにおいては、フォトダイオードが基板上にマトリクス状となって画素ごとに形成されており、それぞれのフォトダイオードの周囲にはフォトダイオードで光電変換された電気信号を増幅するための画素回路が設けられている。上記固体撮像デバイス２と同様に、保護絶縁膜が複数のフォトダイオードを被覆するように一面に成膜されており、保護絶縁膜上に放電用導電膜が一面に成膜されており、放電用導電膜上に撥液膜が成膜されている。
また接触型指紋センサであれば、指紋を光学的に検知する固体撮像デバイスに限らず、指先の皮膚の厚さに応じた容量の違いから指紋を検知する静電容量方式の指紋センサであっても良い。静電容量方式の指紋センサの場合でも、表層に撥液膜が形成され、撥液膜は指紋が載置される載置面を構成している。
【００４６】
【発明の効果】
本発明によれば、載置面に被検体が接することで被検体から載置面に油分・水分等が付着しても、油分・水分が撥液膜によってはじかれて、載置面に油分・水分が残留しない。従って、載置面に残ったパターンを検知してしまうこともないし、悪意のある第三者が載置面に残留したパターンを紙などに写し取ってしまうこともできなくなる。そのため、本発明の接触型センサは、載置面に直接接した被検体を検知するのに適している。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用された固体撮像デバイスを示した平面図である。
【図２】上記固体撮像デバイスを破断して示した断面図である。
【図３】図３（ａ）は上記固体撮像デバイスの一画素を示した平面図であり、図３（ｂ）はＡ−Ａ断面の断面図である。
【符号の説明】
２      固体撮像デバイス
２０      ダブルゲート型トランジスタ
３３      撥液膜
３３ａ    撥液膜の表面（載置面）
１００      指先（被検体）
【図１】
2004178166.tif 000003
【図２】
2004178166.tif 000004
【図３】
2004178166.tif 000005