(57)【要約】【課題】基板周縁部へのパージガスの供給をより簡素な構成で実現する。【解決手段】処理ガスを用いたウエハＷの処理が行われる処理室１と、該処理室１内でウエハＷを支持する基板支持部材２と、該基板支持部材２によって支持されたウエハＷの周縁部へパージガスを供給するパージガス供給口３を出口とするパージガス流路４とを具備する基板処理装置において、基板支持部材２を取囲むことにより、この基板支持部材２との間にパージガスのバッファ空間Ｓを構成するカバー部材５を設け、このバッファ空間Ｓを含めてパージガス流路４を構成した。【選択図】  図１
2004217956.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理ガスを用いた基板の処理が行われる処理室と、
この処理室内で基板を支持する基板支持部材と、
この基板支持部材によって支持された基板の周縁部へパージガスを供給するパージガス供給口を出口とするパージガス流路と、を備える基板処理装置であって、
前記基板支持部材を取り囲むことにより、この基板支持部材との間に前記パージガスのバッファ空間を構成するカバー部材を備え、
前記パージガス流路が、前記バッファ空間を含んで構成されていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイスの製造方法の実施に使用する基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＤＲＡＭ等の半導体デバイスの製造において、ＣＶＤ法等によってウエハに薄膜を形成する場合、一部のプロセスでは、該ウエハの裏面や周縁部等への成膜を防止する必要ある。例えば、ウエハの裏面や周縁部に付着した膜が他工程において汚染物質として扱われることになる場合や、膜材料によってはウエハの周縁部等において付着膜が剥がれ易く、パーティクルの原因となる場合である。
この解決手段としては、ウエハの周縁部へパージガスを流しながら成膜を行う技術が知られている（特許文献１参照）。こうすると、その流されたパージガスによって、成膜ガスがウエハの周縁部等へ至るのが遮られるから、その部分の成膜を防止できる。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１０−４１２５３号公報（第３−７頁，第３図）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の技術を行えるようにするためには、パージガスの流路を装置に別途設ける必要があるので、該装置の構成が複雑になりやすいという課題がある。例えば、上記特許文献１のものでは、パージガスの流路を、ヒータが埋め込まれたぺディスタルの内部に形成しているので、該ぺディスタルそのものの構成が極めて複雑になるばかりでなく、そのような流路をぺディスタルの内部に精度良く形成するのは困難であり、結果としてコスト高となる。さらに、ヒータが埋め込まれ、かつパージガスの流路が内部に形成された複雑な構成のペディスタルは、メンテナンス性が良好であるとは言い難い。
【０００５】
そこで本発明は、基板外周部へのパージガスの供給をより簡素な構成で実現できるようにすることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の態様によれば、処理ガスを用いた基板の処理が行われる処理室と、この処理室内で基板を支持する基板支持部材と、この基板支持部材によって支持された基板の外周部へパージガスを供給するパージガス供給口を出口とするパージガス流路とを備える基板処理装置において、前記基板支持部材を取り囲むことにより、この基板支持部材との間にバッファ空間を構成するカバー部材を設け、前記パージガス流路を、前記バッファ空間を含んで構成したことを特徴とする基板処理装置が提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給口と、前記処理室内を排気する排気口と、前記処理室内で基板を支持する基板支持部材と、前記基板支持部材との間にバッファ空間を構成するカバー部材と、前記バッファ空間にパージガスを導入するパージガス導入口と、前記バッファ空間に連通し、前記基板の外周部から前記処理室内にパージガスを供給するパージガス供給口とを有することを特徴とする基板処理装置が提供される。
【０００８】
ここで処理ガスとしては、成膜に寄与するガスを用いることができる。具体的には、処理ガスとしては、ルテニウム（Ｒｕ）若しくは酸化Ｒｕの成膜用原料ガス、Ｔａ２Ｏ５の成膜用原料ガス、又はＺｒＯ２の成膜用原料ガス等を用いることができる。
【０００９】
ここでパージガスとしては、成膜に寄与しないガス（いわば非成膜ガス）を用いることができる。具体的には、パージガスとしては、例えば窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガスを用いることができる。
【００１０】
ここで基板の外周部とは、基板における成膜を回避したい部分を指す。具体的には図４に示すように、基板の外周部とは、該基板の表面（被処理面）上における周縁部５０、若しくは該基板の端面６０（図４（ｂ）のように基板が面取りされている場合は、その面を含む。）、若しくは該基板の裏面上における周縁部７０、又はそれら全部若しくは一部を組合わせた領域を指す。尚、基板は平面視において円形であってもよいし、四角形であってもよい。
【００１１】
本発明の第３の態様によれば、第１又は第２の態様において、前記バッファ空間内に配置され、前記基板を加熱する加熱手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。ここで前記加熱手段は、前記基板支持部材に設けられているのが好ましい。
【００１２】
本発明の第４の態様によれば、第１乃至第３の態様において、前記基板支持部材は、前記基板が載置される支持板を有し、この支持板の外側に前記パージガス供給口が形成されていることを特徴とする基板処理装置が提供される。
【００１３】
本発明の第５の態様によれば、第１乃至第４の態様において、前記基板支持部材には前記基板が載置される支持板が設置されると共に、前記カバー部材には前記支持板を全周にわたって取り囲む囲繞部材が設けられ、これら支持板と囲繞部材との間には隙間が確保されていて、該隙間によって前記パージガス供給口が構成されていることを特徴とする基板処理装置が提供される。
【００１４】
本発明の第６の態様によれば、第１乃至第３の態様において、前記基板支持部材には前記基板が載置される支持板が設けられると共に、前記カバー部材には前記支持板を全周にわたって取り囲む囲繞部材が設けられ、この囲繞部材には前記バッファ空間に通じる貫通孔が形成されていて、該貫通孔によって前記パージガス供給口が構成されていることを特徴とする基板処理装置が提供される。
【００１５】
本発明の第７の態様によれば、第４乃至第６の態様において、前記支持板は平面視において前記基板よりも小さいことを特徴とする基板処理装置が提供される。
具体的態様によれば、前記支持板と前記基板とは共に平面視円形に形成されたものであり、前記支持板の外径が前記基板の外径よりも小さいことを特徴とする基板処理装置が提供される。
【００１６】
本発明の第８の態様によれば、基板支持部材によって基板を支持する基板支持工程と、支持した基板へ処理ガスを供給して該基板を処理する基板処理工程と、を有し、この基板処理工程が、前記支持した基板の外周部へパージガスを供給するパージガス供給工程を含む半導体デバイスの製造方法において、前記パージガス供給工程では、前記基板支持部材と、この基板支持部材を取り囲むカバー部材とによって構成されたバッファ空間を経由して、前記基板の外周部へパージガスを供給することを特徴とする半導体デバイスの製造方法が提供される。
【００１７】
本発明の第９の態様によれば、第８の態様において、前記基板処理工程が、前記バッファ空間内に配置された加熱手段を用いて前記基板を加熱する加熱工程をさらに含むことを特徴とする半導体デバイスの製造方法が提供される。
【００１８】
本発明の第１０の態様によれば、第８又は第９の態様において、前記基板支持工程では、前記基板支持部材に設置された支持板に前記基板を載置し、前記パージガス供給工程では、前記支持板の外側に形成されたパージガス供給口から前記パージガスを供給することを特徴とする半導体デバイスの製造方法が提供される。
【００１９】
本発明の第１１の態様によれば、第８乃至１０の態様において、前記基板支持工程では、前記基板支持部材に設置された支持板に前記基板を載置し、前記パージガス供給工程では、前記支持板と、該支持板を全周にわたって取り囲む囲繞部材との間に確保された隙間をパージガス供給口として、該パージガス供給口から前記パージガスを供給することを特徴とする半導体デバイスの製造方法が提供される。
【００２０】
本発明の第１２の態様によれば、第８又は第９の態様において、前記基板支持工程では、前記基板支持部材に設置された支持板に前記基板を載置し、前記パージガス供給工程では、前記支持板を全周にわたって取り囲む囲繞部材に形成され、前記バッファ空間に通じる貫通孔をパージガス供給口として、該パージガス供給口から前記パージガスを供給することを特徴とする半導体デバイスの製造方法が提供される。
【００２１】
本発明の第１３の態様によれば、第１０乃至第１２の態様において、前記支持板として平面視において前記基板よりも小さいものを用いることにより、前記基板支持工程では、前記基板裏面の周縁部が前記バッファ空間に露出するよう当該基板を支持し、前記パージガス供給工程では、少なくとも前記露出した基板裏面の周縁部へパージガスを供給することを特徴とする半導体デバイスの製造方法が提供される。
【００２２】
【作用】
基板支持部材とカバー部材との間にバッファ空間を構成し、このバッファ空間を含んでパージガスの流路を構成するから、基板支持部材の内部にはパージガス流路を形成しなくて済む。これにより、該基板支持部材そのものひいては基板処理装置全体の構成を簡素にできる。またバッファ空間を経由してパージガスが供給されるから、その供給するパージガスの流量が常に安定すると共に、基板の外周部へ均等にパージガスを供給できるようになる。これにより、基板の外周部のみにおける処理ガスによる処理（例えば成膜）をより確実かつ正確に回避できる。基板裏面の周縁部へパージガスを供給する場合には、その部分の処理も確実に回避できる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
図１は、実施の形態による基板処理装置を示す。この装置は、ＤＲＡＭ等の製造において、シリコンからなる平面視円形のウエハＷ上にルテニウム膜又は酸化ルテニウム膜を堆積するプロセスで用いられるコールドウォール式の枚葉型ＣＶＤ装置である。この装置は、処理ガスを用いたウエハＷの処理が行われる処理室１と、この処理室１内でウエハＷを支持する基板支持部材２と、この基板支持部材２によって支持されたウエハＷの外周部へパージガスを供給するパージガス供給口３を出口とするパージガス流路４とを具備するものである。
そして、この装置は、基板支持部材２を取り囲むことにより、この基板支持部材２との間にパージガスのバッファ空間Ｓを構成するカバー部材５を備え、パージガス流路４がそのバッファ空間Ｓを含んで構成されている点を最大の特徴としている。
【００２４】
処理室１には、この処理室１内へ処理ガスを供給する処理ガス供給口６が形成されている。この処理ガス供給口６からは、処理ガスとして、Ｒｕ（ＥｔＣｐ）２（ビスエチルシクロペンタジニエルルテニウム）等のＲｕ液体原料を気化して得られるＲｕガスと、酸素ガスとが供給される。
具体的には、処理ガス供給口６には、処理ガス供給管７が接続されており、該処理ガス供給管７は、上流に向かって途中で二股に分岐している。分岐した一方の管７ａは、酸素流量制御手段８を介して図示せぬ酸素ガス供給源に通じており、他方の管７ｂは、気化器９、及びＲｕ液体原料流量制御手段１０をこの順に経由して、図示せぬＲｕ液体原料供給源に通じている。
【００２５】
また処理室１には、この処理室１内を排気する排気口１１が形成されている。排気口１１には、図示せぬ真空ポンプ等へ通じる排気管１２が接続されている。該排気管１２の途中には、圧力制御手段１３が設けられており、この圧力制御手段１３によって処理室１内の圧力を調整できる。尚、圧力制御手段１３は、例えば可変バルブ等を用いて構成できる。
【００２６】
また処理室１には、ゲート弁１４が設けられており、このゲート弁１４を介して該処理室１内へ未処理ウエハＷを搬入し、或いは該処理室１から処理済みウエハＷを搬出する。ウエハＷの搬出入には、図示せぬ搬送ロボットを使用できる。
【００２７】
基板支持部材２は、ウエハＷが載置されるサセプタ１５と、このサセプタ１５を支持するヒータブロック本体１６と、このヒータブロック本体１６から鉛直下方に向かって処理室１の外まで延在するシャフト１７とによって構成されている。
本実施の形態ではサセプタ１５は、平面視においてウエハＷと略同じサイズを有している。ヒータブロック本体１６は、ウエハＷを所定の成膜温度に加熱するヒータ１８をその内部に備える。ヒータ１８による加熱温度は、処理室１の外に配置された温度制御手段１９によって所望値に制御される。シャフト１７は、所定のシール構造を介して処理室１の底面を貫いて、該処理室１の外に配置された図示せぬ回転機構に繋がれている。
【００２８】
尚、ヒータ１８は、ヒータブロック本体１６の内部にて、支柱等によって支持された状態で設置されていてもよい。また、ヒータブロック本体１６とシャフト１７とは一個物であってもよい。また、シャフト１７は、図示せぬ昇降機構に繋がれていて、ヒータブロック本体１６が基板搬出入位置と基板加熱位置との間を昇降するようにしてもよい。
【００２９】
カバー部材５は、基板支持部材２との間に空間Ｓが構成されるように該基板支持部材２を取り囲んでいる。本実施の形態において、このカバー部材５は、ウエハＷの支持に関与しない部材であり、基板支持部材２とは別の部材である。
詳細には、カバー部材５は、ヒータブロック本体１６を取り囲む大径の筒状側壁部５ａと、シャフト１７を取り囲む小径の筒状側壁部５ｂと、これら筒状側壁部５ａの下端及び筒状側壁部５ｂの上端をつなぐ段差部５ｃとを有してなることにより、基板支持部材２との間に断面略クランク状の空間Ｓを構成している。
【００３０】
尚、これら筒状側壁部５ａ，５ｂ及び段差部５ｃは、各々が別部材として構成されていてもよいし、またこれらが一個物であってもよい。また、空間Ｓの形状は特に断面略クランク状に限られず、その他の形状であってもよい。尚、シャフト１７は中空であってもよいが、中実のものとすることもできる。
【００３１】
カバー部材５の下端、即ちシャフト１７を取り囲む小径の筒状側壁部５ｂの下端は、処理室１の底壁に固定されている。つまり、ウエハＷの処理時等には、カバー部材５によって取り囲まれた内側の基板支持部材２のみが回転する。
【００３２】
一方、大径の筒状側壁部５ａの上部は開放されていて、該開放端には、この筒状側壁部５ａの側壁からウエハＷの端面６０（図４参照）に向かって延在する円環状部材２０が設けられている。この円環状部材２０は、所定の微小ギャップＧ１を隔てて、ウエハＷの端面６０（図４参照）と相対向する内周面２０ａを有している。
【００３３】
また円環状部材２０上面の高さ位置は、ウエハＷの上面よりもやや高くなっていて、該円環状部材２０の上面には、扁平なリング状のカバープレート２１が着脱可能に設けられている。このカバープレート２１の外周端は、筒状側壁部５ａよりも処理室１の内壁側へ鍔状に張り出した鍔部２１ａとなっている。鍔部２１ａの張り出し量によって、処理室１内における圧力及びガス流を制御することもできる。
【００３４】
一方、カバープレート２１の内周端は、平面視において、ウエハＷの表面上における成膜を回避したい領域である周縁部５０（図４参照）をカバーできる位置まで延在している。即ち、このカバープレート２１は、所定の微小ギャップＧ２を隔てて、ウエハＷ表面の周縁部５０（図４参照）と相対面するカバー部２１ｂを有している。このカバー部２１ｂにより、処理ガス供給口６から供給される処理ガスが、ウエハＷ表面の周縁部５０へ至るのを回避できる。
【００３５】
尚、このカバー部２１ｂは、当該カバープレート２１の求心方向にゆくにしたがって先細り（肉薄）となったテ−パ部となっている。従って、処理ガス供給口６からウエハＷに向けて供給された処理ガスが、カバープレート２１の内周端の部分において乱流を構成することなく、ウエハＷの放射方向にスムーズに流れる。
【００３６】
一実施例では、このカバー部２１ｂとウエハＷの周縁部５０（図４参照）との間のギャップＧ２を、パージガス供給口３とする。但し、カバープレート２１は省略してもよく、その場合は、円環状部材２０の内周面２０ａとウエハＷの端面６０（図４参照）との間のギャップＧ１が、パージガス供給口として機能する。
【００３７】
パージガス供給口３を出口とするパージガス流路４は、空間Ｓを当該パージガスのバッファ空間Ｓとして含んで構成されている。このバッファ空間Ｓへパージガスを導入するパージガス導入口２２は、処理室１の底壁における、同心状に配置されたシャフト１７と筒状側壁部５ｂとの間に形成されている。パージガス導入口２２は、図示せぬパージガス管等を経由してパージガス源に通じている。
【００３８】
即ち、処理室１の中においてパージガス流路４は、バッファ空間Ｓと、円環状部材２０の内周面２０ａとウエハＷの端面６０（図４参照）との間のギャップＧ１と、カバー部レート２１のカバー部２１ｂとウエハＷの周縁部５０（図４参照）との間のギャップＧ２とによって構成されている。このうちギャップＧ１とギャップＧ２とによって、ウエハＷの端面５０から周縁部５０（図４参照）へ沿ったパージガスの流路が構成されている。
【００３９】
尚、パージガス供給口３からのパージガスの供給圧力は、少なくとも処理ガス供給口６からの処理ガスが該パージガス供給口３からバッファ空間Ｓ内へ侵入しない程度の圧力とする。またパージガスの供給圧力は、図示せぬパージガス圧力調整手段によって可変に設定できるものとしてもよい。
【００４０】
以上のように、本基板処理装置は、ウエハＷを処理する処理室１と、処理室１内に処理ガスを供給する処理ガス供給口６と、処理室１内を排気する排気口１１と、処理室１内でウエハＷを支持する基板支持部材２と、基板支持部材２との間にバッファ空間Ｓを構成するカバー部材５と、バッファ空間Ｓにパージガスを導入するパージガス導入口２２と、バッファ空間Ｓに連通し、ウエハＷの外周部から処理室１内にパージガスを供給するパージガス供給口３とを有するものである。
【００４１】
以下、半導体デバイス製造の一プロセスとして、本基板処理装置を用いたウエハＷの処理につき説明する。
〔基板支持工程〕
まず、ゲート弁１４を開いて、該ゲート弁１４から処理室１内に未処理ウエハＷを搬入し、搬入したウエハＷをサセプタ１５の上に移載する。ウエハＷの搬入及び移載には、図示せぬ搬送ロボットを用いることができる。カバープレート２１を用いる場合は、予めカバープレート２１を円環状部材２０から取り外しておき、ウエハＷをサセプタ１５に載置した後に、該カバープレート２１を円環状部材２０の上に搭載する。カバープレート２１の円環状部材２０に対する着脱にもロボットハンドを用いることができる。以上により、ウエハＷは、処理室１内において、サセプタ１５に載置された状態で、基板支持部材２によって支持される。
【００４２】
〔基板処理工程〕
次いで、支持したウエハＷへ処理ガスを供給して該ウエハＷを処理する。
詳細には、まずヒータブロック１６内の発熱体であるヒータ１８によって、ウエハＷを所定温度（例えば２９０〜３５０℃）に加熱する（加熱工程）。その後、圧力制御手段１３等によって処理室１内の圧力を所望の値に安定させる。その後、処理ガス供給口６から処理室１内へ、気化器９で気化されたＲｕガスと酸素ガスとを導入して、ウエハＷ上にＲｕ膜を形成しながら、処理室１内の処理済みガスを排気口１２から排出する。
【００４３】
このとき、処理ガス供給管７ｂから供給するＲｕガス（例えばＲｕ（Ｃ２Ｈ５Ｃ５Ｈ４）２ガス）の供給量は、例えば０．００５〜０．１２［ｃｃｍ］とすることができ、処理ガス供給管７ａから供給する酸素ガスの供給量は、例えば４０〜１５００［ｓｃｃｍ］とすることができる。そして当該各ガスが処理室１内で化学反応を起こすることにより、ウエハＷ上にＲｕ膜又は酸化Ｒｕ膜が堆積する。
尚、処理室１内に所謂シャワーヘッドを設けて、該シャワーヘッドからウエハＷへシャワー状に処理ガスが供給されるようにしてもよい。
【００４４】
但し、Ｒｕ膜の形成のときには、基板支持部材２によって支持されたウエハＷの外周部（ここでは、周縁部５０及び端面６０）へパージガスを供給する（パージガス供給工程）。上述のように、このパージガス供給工程では、基板支持部材２と、この基板支持部材２を取り囲むカバー部材５とによって構成されたバッファ空間Ｓを経由して、ウエハＷの周縁部へパージガスを供給する。これにより、ウエハＷ外周部へ処理ガスが供給されるのを遮るか、又は少なくとも該パージガスによってウエハＷ外周部における処理ガスが充分に希釈されるから、該外周部における成膜を回避できる。
【００４５】
また、Ｒｕ膜の形成のときには、図示せぬ回転機構によって（基板回転手段）ウエハＷを回転させてもよい（基板回転工程）。詳細には、シャフト１７が回転機構によって回転されることにより、サセプタ１５に載置されたウエハＷも回転する。これにより、ウエハＷ上に形成されるＲｕ膜の膜厚均一性を向上できる。
【００４６】
〔基板搬出工程〕
次いで、Ｒｕ膜の形成が終了すると、上記基板支持工程とは逆の手順で、搬送ロボット等により、ゲート弁１４を介して処理済みウエハＷを搬出して、当該処理を終了する。カバープレート２１を用いる場合は、まずカバープレート２１を円環状部材２０から取り外し、次いでウエハＷを搬出する。
【００４７】
以上説明した基板処理装置によれば、次のような効果が得られる。
（１）基板支持部材２の内部にバッファ空間Ｓを構成するのではなく、ウエハＷの支持に関与しない、基板支持部材２とは別の部材であるカバー部材５でもって基板支持台２を取り囲むことによりバッファ空間Ｓを構成することとしたから、パージガスの流路４を具備したものでありながら、基板支持台２そのものの構成ひいては本装置全体の構成を簡素にでき、結果として本装置を安価に実現できる。
【００４８】
（２）カバー部材５と基板支持部材２とによって構成された空間Ｓが、パージガスのバッファ空間としての機能を果たすから、供給するパージガスの流量が常に安定すると共に、ウエハＷ周縁部の全周にわたるパージガス供給口３からのパージガスの供給圧力が均等になる。これにより、ウエハＷの外周部のみにおける成膜をより確実かつ正確に回避できる。
【００４９】
（３）特に、円環状部材２０とカバープレート２１とによって、ウエハＷの端面６０から周縁部５０（図４参照）へ沿ったパージガスの流路が構成されているから、これらの部分のみにおける成膜を確実に回避できる。
【００５０】
（４）カバー部材５と、基板支持部材２とはバッファ空間Ｓを隔てて隔離された非接触状態にあるから、カバー部材５の加熱が防止される。これにより、該カバー部材５への望ましくない成膜を防止できる。
【００５１】
（５）カバー部材５によって、基板支持部材２へ処理ガスが付着するのが防止される。具体的には、ヒータブロック１６に、処理ガスが付着するのが防止されるから該ヒータブロック１６への望ましくない成膜を回避できる。これにより、ヒータブロック１６のメンテナンス回数を低減できる。また、シャフト１７が処理室１の底面を貫くシール部分に、処理ガスが付着するのが防止されるから、該シール部分においてパーティクルが発生するのを確実に回避できる。
【００５２】
（６）カバー部材５は処理室１に固定されており、基板支持部材２を回転させる場合には、該基板支持部材２のみが回転する。つまり、本基板処理装置においては、基板支持部材２を回転させても、パージガス流路４は回転しない。従って、ウエハＷを支持する部材の回転に伴ってパージガス流路も回転する装置に比べると、パージガス流路そのものの構成を簡素にでき、ひいては本装置全体の構成を簡素にできる。
【００５３】
（７）カバープレート２１の鍔部２１ａの長さで処理室１内の排気量を絞ることができるところ、絞る排気量を均一にするためには、その後に処理済みガスのバッファ空間を設けるのが好ましい。この点、本基板処理装置においては、カバー部材５が基板支持部材２との間にパージガスのバッファ空間Ｓを構成するのみならず、処理室１の内壁との間には、処理済みガスのバッファ空間を構成しているから、排気量を均一にできる。
【００５４】
〔変形例１〕
図２は、別の実施の形態による基板処理装置の要部を示す。図２では、処理室等の図示を省略し、また図１と同様の構成要素に対しては同じ符号を付している。この基板処理装置は、図１に示すものと略同様であるが、サセプタ１５の外径をウエハＷの外径よりも小さくしたことを最大の特徴としている。
サセプタ１５の外径をウエハＷの外径よりも小さくすると、ウエハＷ裏面の周縁部５０（図４参照）がバッファ空間Ｓ側に露出することになるから、その周縁部５０にもパージガスを供給できるようになる。
【００５５】
詳細には変形例１では、円環状部材３０が、微小ギャップＧ１を隔ててウエハＷの端面６０（図４参照）に相対向する第１の内周面３０ａと、微小ギャップＧ３を隔ててウエハＷの裏面の周縁部７０（図４参照）に相対面する第２の内周面３０ｂとを有し、カバープレート２１が微小ギャップＧ２を隔ててウエハＷの表面の周縁部５０（図４参照）に相対面するカバー部２１ｂを有することにより、パージガス流路４が、ウエハＷの端部を全周にわたって取り囲む断面略コ字状のギャップを含んで構成されている。
【００５６】
変形例１によれば、バッファ空間Ｓ側から供給されたパージガスは、ウエハＷの表面の周縁部５０、端面６０、及び裏面の周縁部７０をこの順に沿って流れ、パージガス供給口３から供給するから、上記実施の形態に比べると、さらにウエハＷ裏面の周縁部７０への望ましくない堆積を確実に防止できる。
【００５７】
〔変形例２〕
図３（ａ）は、上記実施の形態においてカバープレート２１を省略した変形例を示す。同図に示すように、変形例２では、円環状部材２０の内周面２０ａとウエハＷの端面６０との間のギャップＧ１がパージガスのパージガス供給口３となる。本変形例２では、少なくともウエハＷ端面６０の成膜を回避でき、またカバープレート２１を用いない分、基板支持部材２に対するウエハＷの着脱を迅速に行え、装置の稼働率を向上できる利点がある。
【００５８】
〔変形例３〕
変形例３の基板処理装置は、処理ガスを用いたウエハＷの処理が行われる処理室１と、この処理室１内でウエハＷを支持する基板支持部材２と、この基板支持部材２によって支持されたウエハＷの外周部へパージガスを供給するパージガス供給口３を出口とするパージガス流路４とを具備し、前記パージガス供給口３が複数形成されている基板処理装置において、基板支持部材２を取り囲むことにより、この基板支持部材２との間にバッファ空間Ｓを構成するカバー部材５を設け、パージガス流路４を、前記各パージガス供給口３から供給するパージガスが同一のバッファ空間Ｓを共有して供給されるよう構成したものである。
【００５９】
具体的には図３（ｂ）に示すように、変形例３ではウエハＷと円環状部材２０との間にギャップＧ１を確保せずに、円環状部材２０に、バッファ空間Ｓに通じる複数の貫通孔３１，３１…を形成し、各貫通孔３１ごとにパージガスのパージガス供給口３を構成したものである。貫通孔３１は、円環状部材２０の周方向に均等に形成されている。
【００６０】
この変形例３では、各貫通孔３１から供給するパージガスは、同一のバッファ空間Ｓを共有して供給されるから、各貫通孔３１ごとに専用のパージガス流路を設ける場合に比べると、装置の構成を簡素にできる。尚、円環状部材２０に対してウエハＷを回転機構で回転させることにより、ウエハＷの外周部に一層均等にパージガスを供給できる。
【発明の効果】
本発明によれば、基板周縁部へのパージガスの供給をより簡素な構成で実現できるようになる。また本発明によれば、パージガスの流路を具備した基板処理装置を安価に実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態による基板処理装置を示す図。
【図２】別の実施の形態による基板処理装置の要部のみを示す図。
【図３】パージガス供給口を平面方向からみた図。
【図４】基板における処理（成膜）を回避したい領域を説明するための図。
【符号の説明】
１…処理室、２…基板支持部材、３…パージガス供給口、４…パージガス流路、５…カバー部材、６…処理ガス供給口、１１…排気口、１５…サセプタ（支持板）、１８…ヒータ（加熱手段）、２０…円環状部材（囲繞部材）、２２…パージガス導入口、Ｓ…バッファ空間、Ｗ…ウエハ（基板）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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