(57)【要約】　　　（修正有）【課題】本発明は、有機ＥＬ素子の製造工程において生じる有機ＥＬ層内の欠陥を効率的に除去することができる有機ＥＬ素子の欠陥の除去方法、および、その除去方法を利用することにより、有機ＥＬ素子の製造における歩留まりを向上させることができる有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。【解決手段】有機ＥＬ素子の欠陥除去方法および有機ＥＬ素子の製造方法であって、（１）上記有機ＥＬ層中もしくはその表面に存在する欠陥を検出する欠陥検出工程と、（２）上記検出された欠陥にレーザ光を照射して上記欠陥の近傍にある有機ＥＬ層構成物と共に上記欠陥を除去する欠陥除去工程とを少なくとも有することを特徴とする有機ＥＬ素子の欠陥除去方法を提供し、（３）上記有機ＥＬ層の除去された部分を再度形成する有機ＥＬ層二次形成工程とを少なくとも有する。【選択図】　　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一電極層と、前記第一電極層上に形成された発光層を含む有機エレクトロルミネッセント層と、前記有機エレクトロルミネッセント層上に形成された第二電極層とを少なくとも有する有機エレクトロルミネッセント素子の欠陥除去方法であって、
前記有機エレクトロルミネッセント層中もしくはその表面に存在する欠陥を検出する欠陥検出工程と、
前記検出された欠陥にレーザ光を照射して前記欠陥の近傍にある有機エレクトロルミネッセント層構成物と共に前記欠陥を除去する欠陥除去工程と
を少なくとも有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子の欠陥除去方法。
【請求項２】
第一電極層と、前記第一電極層上に形成された発光層を含む有機エレクトロルミネッセント層と、前記有機エレクトロルミネッセント層上に形成された第二電極層とを少なくとも有する有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、
（１）前記有機エレクトロルミネッセント層中もしくはその表面に存在する欠陥を検出する欠陥検出工程と、
（２）前記検出された欠陥にレーザ光を照射して前記欠陥の近傍にある有機エレクトロルミネッセント層構成物と共に前記欠陥を除去する欠陥除去工程と、
（３）前記有機エレクトロルミネッセント層の除去された部分を再度形成する有機エレクトロルミネッセント層二次形成工程と
を少なくとも有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項３】
前記有機エレクトロルミネッセント層が、発光層であることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項４】
前記レーザ光の波長が、５００ｎｍ以下の波長であることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機エレクトロルミネッセント（以下、エレクトロルミネッセントをＥＬと略す場合がある。）素子の製造工程において発生する欠陥を除去する有機ＥＬ素子の欠陥除去方法、および、これを用いた有機ＥＬ素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電界発光を利用したＥＬ素子は、自己発光のため視認性が高く、かつ完全固体素子であるため、耐衝撃性に優れるなどの特徴を有することから、各種表示装置における発光素子としての利用が注目されている。
【０００３】
このようなＥＬ素子には、発光材料として無機化合物を用いる無機ＥＬ素子と、有機化合物を用いる有機ＥＬ素子とがある。このうち、有機ＥＬ素子は、駆動電圧を大幅に低くした小型化が容易であるため、次世代の表示素子としてその実用化研究が積極的になされている。有機ＥＬ素子の構成は、陽極／発光層／陰極の積層を基本とし、ガラス板等を用いた基材上に、透明陽極を形成する構成が通常採用されている。この場合、発光は基材側に取り出される。
【０００４】
このような有機ＥＬ素子の発光層内に突起形状になった欠陥や異物混入の欠陥が存在すると、上記有機ＥＬ素子の表示性能が著しく低下する。さらに、上述したように、欠陥が多いと必然的に不良品が多くなり、結果として、有機ＥＬ素子の歩留まりが低下する。しかしながら、製造工程においてクリーンルーム等の発塵量の少ない環境においても、完全には異物の混入を防止することは困難である。
【０００５】
そこで、有機ＥＬ素子の製造工程においては、このような欠陥を除去する手段の開発が望まれている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、上記有機ＥＬ素子の製造工程において生じる有機ＥＬ層内の欠陥を効率的に除去することができる有機ＥＬ素子の欠陥の除去方法、および、その除去方法を利用することにより、有機ＥＬ素子の製造における歩留まりを向上させることができる有機ＥＬ素子の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、請求項１に記載するように、第一電極層と、上記第一電極層上に形成された発光層を含む有機ＥＬ層と、上記有機ＥＬ層上に形成された第二電極層とを少なくとも有する有機ＥＬ素子の欠陥除去方法であって、
（１）上記有機ＥＬ層中もしくはその表面に存在する欠陥を検出する欠陥検出工程と、
（２）上記検出された欠陥にレーザ光を照射して上記欠陥の近傍にある有機ＥＬ層構成物と共に上記欠陥を除去する欠陥除去工程と
を少なくとも有することを特徴とする有機ＥＬ素子の欠陥除去方法を提供する。
【０００８】
本発明においては、上記有機ＥＬ素子中の上記有機ＥＬ層の内部もしくはその表面に存在する欠陥に上記レーザ光を照射し、上記欠陥とその欠陥周辺部とを同時に除去するものであるので、レーザ光を照射するのみで容易に欠陥を除去することが可能であり、効率的に欠陥除去を行うことができる。
【０００９】
さらに、本発明は、請求項２に記載するように、第一電極層と、上記第一電極層上に形成された発光層を含む有機ＥＬ層と、上記有機ＥＬ層上に形成された第二電極層とを少なくとも有する有機ＥＬ素子の製造方法であって、
（１）上記有機ＥＬ層中もしくはその表面に存在する欠陥を検出する欠陥検出工程と、
（２）上記検出された欠陥にレーザ光を照射して上記欠陥の近傍にある有機ＥＬ層構成物と共に上記欠陥を除去する欠陥除去工程と、
（３）上記有機ＥＬ層の除去された部分を再度形成する有機ＥＬ層二次形成工程と
を少なくとも有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。
【００１０】
本発明によれば、上記欠陥除去工程において、上記有機ＥＬ素子中の上記有機ＥＬ層の内部もしくはその表面に存在する欠陥に上記レーザ光を照射し、上記欠陥とその欠陥周辺部とを同時に除去した後、上記有機ＥＬ層二次形成工程において、上記欠陥とその欠陥周辺部とが除去された有機ＥＬ層部分に、有機ＥＬ層を再度形成するものであるので、有機ＥＬ層に欠陥を有するものであっても欠陥のない有機ＥＬ素子として製造することができる。従って、有機ＥＬ素子の歩留まりを向上させることができる。
【００１１】
上記請求項２に記載された発明においては、請求項３に記載するように、上記有機ＥＬ層が、発光層であることが好ましい。上記有機ＥＬ層において発光層は、必須の構成部材であり、この発光層に存在する欠陥を除去することが歩留まりの向上において重要だからである。
【００１２】
上記請求項２または請求項３に記載の発明においては、上記レーザ光の波長が、５００ｎｍ以下の波長であることが好ましい。この範囲のレーザ光であれば、上記レーザ光を照射した狭い範囲内においてのみ、上記有機ＥＬ層の欠陥を除去することができるからである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の有機ＥＬ素子の欠陥除去方法および有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。
【００１４】
Ａ．有機ＥＬ素子の欠陥除去方法
本発明の有機ＥＬ素子の欠陥除去方法は、第一電極層と、上記第一電極層上に形成された発光層を含む有機ＥＬ層と、上記有機ＥＬ層上に形成された第二電極層とを少なくとも有する有機ＥＬ素子の欠陥除去方法であって、
（１）上記有機ＥＬ層中もしくはその表面に存在する欠陥を検出する欠陥検出工程と、
（２）上記検出された欠陥にレーザ光を照射して上記欠陥の近傍にある有機ＥＬ層構成物と共に上記欠陥を除去する欠陥除去工程と
を少なくとも有することを特徴とするものである。
【００１５】
本発明においては、上記有機ＥＬ素子中の上記有機ＥＬ層の内部もしくはその表面に存在する欠陥に上記レーザ光を照射し、上記欠陥とその欠陥周辺部とを同時に除去するものであるので、上記レーザ光を照射することのみで容易に有機ＥＬ層内の欠陥を除去することができる。また、照射するレーザ光の波長を選択することにより、上記欠陥周辺部および上記第一電極層等への損傷等の悪影響を最小限として、上記有機ＥＬ素子の欠陥を除去することができる。
【００１６】
このような利点を有する本発明の有機ＥＬ素子の欠陥除去方法について、図面を用いて説明する。
【００１７】
図１は、本発明の有機ＥＬ素子の欠陥除去方法の一例を示している。
【００１８】
まず、有機ＥＬ素子の製造工程中に、図１（ａ）に示すように、基材１上に形成された第一電極層２のさらに上に形成された有機ＥＬ層３の内部もしくはその表面に存在する異物４等の欠陥を検出する欠陥検出工程を行う。
【００１９】
なお、ここでいう有機ＥＬ層とは発光層を含む層を意味する。図１では、有機ＥＬ層３の表面に異物４等の欠陥が存在する場合を示しているが、本発明においては、有機ＥＬ層３の内部に異物４等の欠陥が存在する、あるいは、有機ＥＬ層の表面が突起形状になっている場合も含むものである。
【００２０】
次に、図１（ｂ）に示すように、欠陥検出工程により検出された上記異物４およびその近傍に存在する有機ＥＬ層３にレーザ光５をレーザ光照射装置６から照射し、上記異物４およびその近傍の有機ＥＬ層３を除去する欠陥除去工程を行うことにより、図１（ｃ）に示すように、精度良く欠陥を除去した欠陥除去箇所７が形成される。
【００２１】
以下、各工程について説明する。
【００２２】
ａ．欠陥検出工程
まず、本発明における欠陥検出工程について説明する。欠陥検出工程とは有機ＥＬ層に存在する欠陥を検出する工程であり、例えば、図１（ａ）に示すように、有機ＥＬ素子の第一電極層２上に形成された、有機ＥＬ層３中またはその表面に存在する異物４等の欠陥を検出する工程である。
【００２３】
なお、ここでいう欠陥とは、有機ＥＬ層の不具合を意味するものであり、具体的には、有機ＥＬ層の中または表面に存在する異物や、表示性能を低下させるような有機ＥＬ層自体の凹凸等を挙げることができる。
【００２４】
本発明の欠陥検出工程は、有機ＥＬ素子の製造工程の中でも、第一電極層上に有機ＥＬ層が形成された後の工程であり、第二電極層等が形成される工程前に行われる。
【００２５】
また、本発明における欠陥検出方法は、上記欠陥を検出することが可能な方法であれば、特に限定されるものではないが、例えばハロゲンランプ光を照射し、その反射光もしくは透過光をＣＣＤライセンサにて受光し、受光した結果を画像処理して欠陥部分を抽出するような検査装置を用いる方法等を挙げることができる。この工程において、欠陥の存在が確認された場合は、その欠陥の有機ＥＬ素子内での位置が測定される。
【００２６】
ここで、欠陥検出工程において用いられる有機ＥＬ層について説明する。通常、有機ＥＬ層としては、発光層、バッファー層、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等を挙げることができる。このような本発明における有機ＥＬ層としては、発光層を含むことが必須である。また、発光層と上記各層とを組み合わせて、複数層からなる有機ＥＬ層とすることも可能である。
【００２７】
ここで、本発明においては、上記有機ＥＬ層が発光層であることが好ましい。これは、発光層が有機ＥＬ層の構成として必須であり、この発光層に存在する欠陥が除去することが、有機ＥＬ素子の歩留まりの向上において重要だからである。
【００２８】
このような発光層を形成する材料は、一般的に用いられる発光材料とすることができる。具体的には、色素系、金属錯体系、または高分子系等の発光材料を挙げることができる。
【００２９】
また、本発明における発光層を形成する方法としては、高精細なパターニングを可能とする方法であれば特に限定はされない。これは、有機ＥＬ素子が、例えばフルカラーおよびマルチカラーのディスプレイである場合、このような有機ＥＬ素子を製造する際に、発光層をパターニングする必要があるからである。具体的には、蒸着法、印刷法、インクジェット法等によるパターン状に発光層を形成する方法や、発光層を形成する材料を塗工液として塗布する方法、例えば、スピンコーティング法、キャスティング法、ディッピング法、バーコード法、ブレードコート法、ロールコート法、グラビアコート法、フレキソ印刷法、スプレーコート法等の塗布方法を挙げることができる。
【００３０】
ｂ．欠陥除去工程
次に、本発明における欠陥除去工程について説明する。本発明における欠陥除去工程とは、上記欠陥検出工程により検出された欠陥が存在する領域にレーザ光を照射し、前記欠陥を有機ＥＬ層と共に除去する工程である。例えば、図１（ｂ）に示すように、上記欠陥検出工程により検出された有機ＥＬ層３中またはその表面に存在する異物４等の欠陥およびその欠陥の近傍に存在する有機ＥＬ層３にレーザ光５をレーザ光照射装置６から照射し、図１（ｃ）に示すように上記欠陥およびその近傍にある有機ＥＬ層３が除去された欠陥除去箇所７とする工程である。
【００３１】
本発明における欠陥除去工程に用いられるレーザ光は、有機ＥＬ層と共に欠陥を除去することができ、発光層に吸収されるレーザ光であれば特に限定されるものではない。例えば、エキシマ、ＹＡＧ、ダイオード、半導体、Ｈｅ−Ｎｅ、炭酸ガス等のレーザを用いることが可能であり、ＹＡＧは、第２高調波だけでなく、ＹＡＧ基本波、ＹＡＧ第３高調波、ＹＡＧ第４高調波等を用いてもよい。
【００３２】
このようなレーザ光の出力は、０．５ｍＪ〜２００ｍＪの範囲内であることが好ましい。
【００３３】
さらに、このようなレーザ光の波長は、５００ｎｍ以下、その中でも１９３ｎｍ〜３６５ｎｍの範囲内であることが好ましい。これは、上記の波長範囲内のレーザ光が有機化合物に照射されると、熱によって有機化合物を融解する影響よりも有機化合物の分子鎖を切断する影響の方が大きくなり、レーザ光の照射範囲とほぼ同じ狭い領域で有機化合物を除去することができるため、本発明において上記の波長範囲内のレーザ光が有機ＥＬ層に照射されると、熱によって欠陥近傍の有機ＥＬ層等を融解する影響よりも、上記欠陥および欠陥近傍の有機ＥＬ層の分子鎖を切断する影響の方が大きくなり、レーザ光の照射範囲とほぼ同じ狭い領域で、上記欠陥および欠陥近傍の有機ＥＬ層を高精度に除去することができるからである。
【００３４】
一方、上記の波長範囲よりも長い波長のレーザ光が有機化合物に照射されると、有機化合物の分子鎖を切断する影響よりも熱によって有機化合物を融解する影響の方が大きくなるため、レーザ光の照射範囲よりも広い領域で有機化合物が融解し除去される。従って、本発明において、上記の波長範囲よりも長い波長のレーザ光が有機ＥＬ層に照射されると、欠陥および欠陥近傍の有機ＥＬ層の分子鎖を切断する影響よりも熱によって欠陥近傍の有機ＥＬ層等を融解する影響が大きくなり、有機ＥＬ層がレーザ光の照射範囲よりも広い領域で除去される可能性がある。このように広い領域で有機ＥＬ層が除去されると、後述する有機ＥＬ層二次形成工程において、有機ＥＬ層を再度形成する際に、後述する有機ＥＬ層用組成物をより多く必要とするので、コスト面で不利になる。
【００３５】
さらに、上記の波長範囲よりも長い波長のレーザ光が照射されると、上記有機ＥＬ層が広い領域で融解し除去されるのみでなく第一電極層等の他の層も熱によって融解し除去される可能性がある。このように第一電極層等までも除去されると、後述の有機ＥＬ層二次形成工程において、有機ＥＬ層を再度形成する際に、後述の有機ＥＬ層用組成物をより多く必要とするだけでなく、除去された第一電極層等の層も再度形成する必要があるため、コスト面でさらに不利になる。
【００３６】
上記の波長範囲内のレーザ光としては、ＹＡＧ第３高調波（３５５ｎｍ）、ＹＡＧ第４高調波（２６６ｎｍ）、ＸｅＣｌエキシマ（３０８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマ（１９３ｎｍ）、Ａｒ＋エキシマ（３５１．１ｎｍ、３６３．８ｎｍ）、あるいはＤｙｅ（３３０ｎｍ以上）等が好ましい。
【００３７】
上記のように、レーザ光により欠陥が除去された有機ＥＬ素子は、必要に応じて、欠陥が除去された欠陥除去箇所を、既存の修正装置等を用いて再度形成してもよい。この形成方法は、後述の「有機ＥＬ素子の製造方法」において説明する。
【００３８】
Ｂ．有機ＥＬ素子の製造方法
次に、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、第一電極層と、上記第一電極層上に形成された発光層を含む有機ＥＬ層と、上記有機ＥＬ層上に形成された第二電極層とを少なくとも有する有機ＥＬ素子の製造方法であって、
（１）上記有機ＥＬ層中もしくはその表面に存在する欠陥を検出する欠陥検出工程と、
（２）上記検出された欠陥にレーザ光を照射して上記欠陥の近傍にある有機ＥＬ層構成物と共に上記欠陥を除去する欠陥除去工程と、
（３）上記有機ＥＬ層の除去された部分を再度形成する有機ＥＬ層二次形成工程と
を少なくとも有することを特徴とするものである。
【００３９】
図２は、このような特徴を有する本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の一例を図示したものである。以下、図２を用いて、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法について具体的に説明する。
【００４０】
まず、図２（ａ）に示すように、基材１上に形成された第一電極層２の表面に形成された有機ＥＬ層３の内部もしくはその表面に異物４等の欠陥を検出する欠陥検出工程を行う。ここでいう有機ＥＬ層としては、少なくとも発光層を有するものであるが、有機ＥＬ層に正孔注入輸送層あるいは電子注入輸送層等の電荷注入輸送層が含まれていてもよい。
【００４１】
次に、欠陥検出工程により検出された上記異物４等の欠陥およびその近傍に存在する有機ＥＬ層３にレーザ光を照射し、上記異物４およびその近傍の有機ＥＬ層３を除去する欠陥除去工程を行い、図２（ｂ）に示すように、欠陥除去箇所７が形成される。
【００４２】
次いで、図２（ｃ）に示すように、針８を準備し、当該針８の先端部分に有機ＥＬ層用組成物９を付着させ、これを欠陥除去箇所７に接触させて、有機ＥＬ層二次形成工程を行う（図２（ｄ）参照）。針８を外すことにより、図２（ｅ）に示すように、欠陥除去箇所７に精度良く有機ＥＬ層用組成物９が充填された有機ＥＬ層３を得ることができる。さらに、上記有機ＥＬ層３上に第二電極層１０を形成することにより、欠陥が除去された有機ＥＬ素子を製造することができる（図２（ｆ）参照）。
【００４３】
以下、各工程について説明する。
【００４４】
ａ．欠陥検出工程
本工程は、上記「Ａ．有機ＥＬ素子の欠陥除去方法」中の「ａ．欠陥検出工程」と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００４５】
ｂ．欠陥除去工程
本工程は、上記「Ａ．有機ＥＬ素子の欠陥除去方法」中の「ｂ．欠陥除去工程」と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００４６】
ｃ．有機ＥＬ層二次形成工程
次に、本発明における有機ＥＬ層二次形成工程について説明する。本発明における有機ＥＬ層二次形成工程とは、上記欠陥除去工程で、欠陥が除去された欠陥除去箇所に、有機ＥＬ層用組成物を塗布した後、硬化させることにより欠陥除去箇所を充填する工程である。
【００４７】
このような本工程において、有機ＥＬ層用組成物の塗布方法に関しては、欠陥除去箇所に有機ＥＬ層用組成物を塗布することができる方法であれば特に限定はされない。具体的には、針を用いる方法、ディスペンサー、インクジェットを用いる方法等を挙げることができる。その中でも特に、針を用いる方法であることが好ましい。
【００４８】
上記針を用いる塗布方法の場合には、図２（ｄ）に示すように、針８の先端を欠陥除去箇所７に接触させ、有機ＥＬ層用組成物９を塗布する。従って、微細な欠陥修復を可能とする針を用いた塗布方法において、欠陥除去の精度が高まり、かつ上記有機ＥＬ素子を製造する際の歩留まりを向上させることができるのである。
【００４９】
なお、本工程においては、欠陥近傍の有機ＥＬ層中の発光層のみならず、欠陥近傍の第一電極層あるいは電荷注入輸送層等までも除去された場合、有機ＥＬ層二次形成工程において、発光層、第一電極層、あるいは電荷注入輸送層等を再度形成する工程を含んでもよい。
【００５０】
このような有機ＥＬ層二次形成工程の後、図２（ｆ）に示すように、有機ＥＬ層上に第二電極層１０を成膜して、有機ＥＬ素子が製造される。なお、このような第二電極層が成膜される前に、電荷注入輸送層が発光層上に形成されてもよい。
【００５１】
本発明に用いられる有機ＥＬ層用組成物としては、例えば通常の有機ＥＬ層に用いられる発光材料等を挙げることができる。また、塗布性を向上させるために粘度を調整した専用の発光材料等を用いてもよく、さらに専用の修復剤であってもよい。
【００５２】
ｄ．有機ＥＬ素子
本発明において製造される有機ＥＬ素子の構成について以下簡単に説明する。
【００５３】
１．有機ＥＬ層
本発明において用いられる有機ＥＬ層は、「Ａ．有機ＥＬ素子の欠陥除去方法」中の「ａ．欠陥検出工程」において説明した有機ＥＬ層と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００５４】
２．第一電極層および第二電極層
本発明の有機ＥＬ素子は、第一電極層および第二電極層を有する。このような第一電極層および第二電極層は、発光層内で発生した光を取り出す必要性より、少なくとも一方が透明性のある材料で形成されている必要がある。このような透明電極としては、具体的には、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ（ＩＺＯ）、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ（ＩＴＯ）、ＺｎＯ−Ａｌ、Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ等を挙げることができる。その中でも特に、本発明においては、ＩＴＯが好ましい。
【００５５】
一方、他方の電極層としては、特に透明性は要求されないことから、この他方の電極層を形成する材料としては、一般に金属で構成される。具体的には、Ａｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐｄ、ＣｒやＡｌ合金、Ｎｉ合金、Ｃｒ合金等を挙げることができる。
【００５６】
３．その他
本発明においては、有機ＥＬ素子を基材上に形成してもよい。基材上に有機ＥＬ素子を形成することにより、有機ＥＬ素子の強度を向上させることができる。さらに、発光層内の光を基材側から取り出す場合には、基材が透明性のある材料である必要がある。このような基材として用いることが可能な材料としては、一般的に透明基材として用いられ、かつ自己支持性を有する材料であれば特に限定されない。例えば、石英やガラス、シリコンウェハ、高分子基材としては、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等を挙げることができる。この中でも、石英、ガラス、シリコンウェハ、またはスーパーエンジニアリングプラスチックであるポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）が好ましい。これらは２００℃以上の耐熱性を有しており、製造段階での基材温度を高くすることができるからである。
【００５７】
また、本発明においては、低屈折率層あるいはバリア層を有機ＥＬ素子内に成膜することが可能である。この低屈折率層は、有機ＥＬ素子を構成する各層が異なる屈折率を有するために有機ＥＬ素子内に光が閉じこもることを解消し、より一層光の取り出し効率を向上させることができるものである。また、バリア層は、発光層を含む有機ＥＬ層を水蒸気および酸素等の影響から保護し、有機ＥＬ素子の素子寿命の長寿命化を図ることができる。
【００５８】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００５９】
【実施例】
以下に実施例を示し、本発明をさらに説明する。
【００６０】
［実施例１］
ハロゲンランプを光源とし、その反射光により、ガラス基材上に第一電極層と有機ＥＬ層とを成膜した有機ＥＬ素子中の有機ＥＬ層の突起状態になった欠陥を検出した。検出された異物の直径は、２５μｍであった。
【００６１】
次に、ＹＡＧ第４高調波レーザ（波長：２６６ｎｍ、出力：１ｍＪ）が３０μｍ□サイズで欠陥を含む有機ＥＬ層上部から照射されるように、サイズ可変のマスクを設定し、当該マスクを透過させて、当該レーザ光を３パルス照射した。
【００６２】
その結果、欠陥とその周辺の有機ＥＬ層は除去され、かつ、除去された有機ＥＬ層は、３０μｍ□サイズであり、照射したレーザ光のサイズと大きさが変わらなかった。
【００６３】
［実施例２］
有機ＥＬ素子中の有機ＥＬ層の突起状態になった欠陥を実施例１と同様な方法で検出した。検出された異物の直径は、２５μｍであった。次に、ＹＡＧ基本波レーザ（波長：１０６４ｎｍ、出力：２５ｍＪ）を上記実施例１と同様な方法で照射した。その結果、欠陥とその周辺の有機ＥＬ層は除去された。しかし、除去された有機ＥＬ層は、３３μｍ□サイズであり、照射したレーザ光のサイズより３μｍ程度大きかった。このような除去範囲が大きくなった原因としては、欠陥除去時に照射したレーザ光の熱によるものと思われる。
【００６４】
【発明の効果】
本発明によれば、上記有機ＥＬ素子中の上記有機ＥＬ層の内部もしくはその表面に存在する欠陥に上記レーザ光を照射し、上記欠陥とその欠陥周辺部とを同時に除去するものであるので、レーザ光を照射するのみで容易に欠陥を除去することが可能であり、効率的に欠陥除去を行うことができるという効果を奏する。さらに、上記欠陥とその欠陥周辺部とが除去された有機ＥＬ層部分に、有機ＥＬ層を再度形成するものであるので、有機ＥＬ層に欠陥を有するものであっても欠陥のない有機ＥＬ素子として製造することができるため、有機ＥＬ素子の歩留まりを向上させることができるという効果を奏する。
【００６５】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の欠陥除去方法の一例を示す工程図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の一例を示す工程図である。
【符号の説明】
１　　…　基材
２　　…　第一電極層
３　　…　有機ＥＬ層
４　　…　異物
５　　…　レーザ光
６　　…　レーザ光照射装置
７　　…　欠陥除去箇所
８　　…　針
９　　…　有機ＥＬ層用組成物
１０　…　第二電極層
【図１】
2004119243.tif 000002
【図２】
2004119243.tif 000003