(57)【要約】【課題】均一および均質な誘電体層を持ち、しかも輝度における経時変化が小さいプラズマ表示装置を提供すること。【解決手段】第１基板１１と、第１基板１１の内側に対向して配置され、間に密封された放電空間を形成する第２基板２１と、第１基板１１の内側に形成され、相互間に放電ギャップを形成する少なくとも一対の放電維持電極１２と、第１基板１１の内側に、放電維持電極１２を覆うように形成される誘電体層１４と、を有するプラズマ表示装置であって、誘電体層１４は、室温から１０００°Ｃまで昇温した時の脱ガスの総量が、水素１×１０２０個／ｃｍ３　以下、水５×１０２０個／ｃｍ３　以下である低脱ガス膜を有する。【選択図】　　　　図５
2004119118.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板の内側に対向して配置され、間に密封された放電空間を形成する第２基板と、
前記第１基板の内側に形成され、相互間に放電ギャップを形成する少なくとも一対の放電維持電極と、
前記第１基板の内側に、前記放電維持電極を覆うように形成される誘電体層と、
を有するプラズマ表示装置であって、
前記誘電体層は、室温から１０００°Ｃまで昇温した時の脱ガスの総量が、水素１×１０２０個／ｃｍ３　以下、水５×１０２０個／ｃｍ３　以下である低脱ガス膜を有することを特徴とするプラズマ表示装置。
【請求項２】
前記誘電体層の厚さは５．０×１０−５ｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ表示装置。
【請求項３】
前記第２基板の内側には、前記放電維持電極と交差する方向に沿って複数のアドレス電極が形成してあり、そのアドレス電極を覆うように、第２基板側誘電体膜が形成してある請求項１または２に記載のプラズマ表示装置。
【請求項４】
前記第２基板側誘電体膜は、室温から１０００°Ｃまで昇温した時の脱ガスの総量が、水素１×１０２０個／ｃｍ３　以下、水５×１０２０個／ｃｍ３　以下である低脱ガス膜を有することを特徴とする請求項３に記載のプラズマ表示装置。
【請求項５】
前記低脱ガス膜は、室温から５００°Ｃまで昇温した時の脱ガスの総量は水素５×１０１９　個／ｃｍ３　以下、水５×１０１９個／ｃｍ３　以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマ表示装置。
【請求項６】
前記低脱ガス膜は、酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマ表示装置。
【請求項７】
前記誘電体層における放電空間に面する内側表面には保護膜が形成してある請求項１〜６のいずれかに記載のプラズマ表示装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載のプラズマ表示装置を製造する方法であって、
前記低脱ガス膜を、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法、印刷法、ドライフィルム法、塗布法、転写法のいずれかで形成することを特徴とするプラズマ表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記低脱ガス膜を、ＣＶＤ法で形成する際に、基板温度が３３０°Ｃ以上であることを特徴とする請求項８に記載のプラズマ表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記低脱ガス膜を、スパッタ法で形成する際に、スパッタ時の酸素分圧が１５容積％以上であることを特徴とする請求項８に記載のプラズマ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、誘電体層に特徴を有する交流駆動型プラズマ表示装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在主流の陰極線管（ＣＲＴ）に代わる画像表示装置として、平面型（フラットパネル形式）の表示装置が種々検討されている。このような平面型の表示装置として、液晶表示装置（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンス表示装置（ＥＬＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ：プラズマ・ディスプレイ）を例示することができる。中でも、プラズマ表示装置は、大画面化や広視野角化が比較的容易であること、温度、磁気、振動等の環境要因に対する耐性に優れること、長寿命であること等の長所を有し、家庭用の壁掛けテレビの他、公共用の大型情報端末機器への適用が期待されている。
【０００３】
プラズマ表示装置は、希ガスから成る放電ガスを放電空間内に封入した放電セルに電圧を印加して、放電ガス中でのグロー放電に基づき発生した紫外線で放電セル内の蛍光体層を励起することによって発光を得る表示装置である。つまり、個々の放電セルは蛍光灯に類似した原理で駆動され、放電セルが、通常、数十万個のオーダーで集合して１つの表示画面が構成されている。プラズマ表示装置は、放電セルへの電圧の印加方式によって直流駆動型（ＤＣ型）と交流駆動型（ＡＣ型）とに大別され、それぞれ一長一短を有する。ＡＣ型プラズマ表示装置は、表示画面内で個々の放電セルを仕切る役割を果たす隔壁を例えばストライプ状に形成すればよいので、高精細化に適している。しかも、放電のための電極の表面が誘電体材料から成る保護層で覆われているので、かかる電極が磨耗し難く、長寿命であるといった長所を有する。
【０００４】
ＡＣ型プラズマ表示装置の一例として、たとえば下記に示す特許文献１および特許文献２に示す３電極型プラズマ表示装置が例示される。
【０００５】
このようなＡＣ型プラズマ表示装置における表示面側パネルには、たとえば、低融点ガラスペーストといった誘電体材料から成る誘電体層が設けられている。かかる誘電体層は、通常、スクリーン印刷法にて形成される。ＡＣ型プラズマ表示装置の駆動においては、誘電体層に電荷を蓄積させ、放電維持電極に逆向きの電圧を印加することで蓄積された電荷を放出させ、プラズマを発生させる。この電荷分布を出来るだけ均一にするために、誘電体層は均一・均質な層であることが要求される。さらには、誘電体層は、緻密な層であることが、耐圧向上の観点、その下に存在する放電維持電極の損傷防止といった観点から望ましい。また輝度向上の観点から、誘電体層の厚さは、出来る限り薄いことが望ましい。
【０００６】
【特許文献１】
特開平５−３０７９３５号公報
【特許文献２】
特開平９−１６０５２５号公報
【発明が解決しようとする課題】
然るに、スクリーン印刷法にて低融点ガラスペーストから成る誘電体層を形成する場合、均一および均質な誘電体層を形成することは、多くの困難を伴う。また、緻密な誘電体層を形成すること、および薄い誘電体層を形成することにも、多くの困難を伴う。
【０００７】
なお、ＳｉＯ２　からなる誘電体層を化学的気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法、ＣＶＤ法）にて形成する方法も検討されている。ＣＶＤ法にて得られたＳｉＯ２　からなる誘電体層は上述の困難さを回避できるものの、輝度低下の経時変化が従来例と比べて顕著になるという問題を有する。
【０００８】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、本発明の目的は、均一および均質な誘電体層を持ち、しかも輝度における経時変化が小さいプラズマ表示装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段および作用】
本発明者は、輝度における経時変化が小さいプラズマ表示装置について鋭意検討した結果、誘電体層における脱ガスの総量が所定値以下である場合に、輝度の経時変化が小さくなることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１０】
すなわち、本発明に係るプラズマ表示装置は、
第１基板と、
前記第１基板の内側に対向して配置され、間に密封された放電空間を形成する第２基板と、
前記第１基板の内側に形成され、相互間に放電ギャップを形成する少なくとも一対の放電維持電極と、
前記第１基板の内側に、前記放電維持電極を覆うように形成される誘電体層と、
を有するプラズマ表示装置であって、
前記誘電体層は、室温から１０００°Ｃまで昇温した時の脱ガスの総量が、水素１×１０２０個／ｃｍ３　以下、水５×１０２０個／ｃｍ３　以下である低脱ガス膜を有することを特徴とする。
【００１１】
好ましくは、前記誘電体層の厚さは５．０×１０−５ｍ以下である。
【００１２】
本発明に係るプラズマ表示装置によれば、従来のプラズマ表示装置と比較して、誘電体層の密度が高く、均一および均質であるが故に、異常放電や電荷の異常分布が生じ難く、放電安定性が向上する。このため、プラズマ表示装置の信頼性が高くなり、輝度の向上が図られる。また、緻密な誘電体層を得ることができるので、耐圧の向上、その下に存在する放電維持電極の損傷発生の防止が可能となる。そのため、輝度の経時変化が抑制され、プラズマ表示装置の寿命が長くなる。更には、充分に薄い誘電体層を形成することができるために、一対の放電維持電極の間の距離を短くすることができ、この点でも輝度の向上を図ることができる。
【００１３】
また、本発明のプラズマ表示装置においては、均一・均質な誘電体層を設けることによって、イオンや電子と放電維持電極との直接接触を防止することができる結果、放電維持電極の磨耗を防ぐことができる。なお、誘電体層は、壁電荷を蓄積する機能だけでなく、過剰な放電電流を制限する抵抗体としての機能、放電状態を維持するメモリ機能を有する。
【００１４】
好ましくは、前記第２基板の内側には、前記放電維持電極と交差する方向に沿って複数のアドレス電極が形成してあり、そのアドレス電極を覆うように、第２基板側誘電体膜が形成してある。
【００１５】
その場合において、好ましくは、前記第２基板側誘電体膜は、室温から１０００°Ｃまで昇温した時の脱ガスの総量が、水素１×１０２０個／ｃｍ３　以下、水５×１０２０個／ｃｍ３　以下である低脱ガス膜を有する。
【００１６】
本発明において、誘電体層および第２基板側誘電体膜は、それぞれ低脱ガス膜のみで構成してあることが好ましいが、一部にその膜を含む膜でも良い。
【００１７】
好ましくは、前記低脱ガス膜は、室温から５００°Ｃまで昇温した時の脱ガスの総量は水素５×１０１９　個／ｃｍ３　以下、水５×１０１９個／ｃｍ３　以下である。この場合には、さらに輝度の経時変化を抑制することができる。低脱ガス膜における脱ガスの総量は、水素および水共に、小さいほど好ましいが、現実的には、完全に０にすることは困難である。
【００１８】
好ましくは、前記低脱ガス膜は、酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかである。酸化物としてはＳｉＯｘ　、窒素化合物としてはＳｉＮｘ　、酸窒化物としてはＳｉＯｘＮｙを挙げることができる。
【００１９】
本発明において、誘電体層における放電空間側の内側表面には保護膜が形成されていることが好ましい。保護膜を構成する材料として、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２　）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２　）を例示することができるが、中でも酸化マグネシウムは、２次電子放出比が高い上に、スパッタリング率が低く、蛍光体層の発光波長における光透過率が高く、放電開始電圧が低い等の特色を有する好適な材料である。なお、保護膜を、これらの材料から選択された少なくとも２種類の材料から構成された積層構造としてもよい。
【００２０】
本発明に係るプラズマ表示装置を製造するには、前記低脱ガス膜を、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法（真空蒸着法含む）、イオンプレーティング法、印刷法、ドライフィルム法、塗布法（スプレーコーティング法含む）、転写法のいずれかで形成することが好ましい。このうちスパッタ法やＣＶＤ法などを採用することで薄く、緻密で、しかも均一・均質な低脱ガス膜から成る誘電体層を形成することができる。
【００２１】
ここで、前記誘電体層および第２基板側誘電体膜を構成する低脱ガス膜を形成する方法として、より具体的には、
（ａ）電子ビーム加熱法、抵抗加熱法、フラッシュ蒸着法の各種蒸着法、
（ｂ）プラズマ蒸着法、
（ｃ）２極スパッタ法、直流スパッタ法、直流マグネトロンスパッタ法、高周波スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法、バイアススパッタ法、
（ｄ）ＤＣ（ｄｉｒｅｃｔ　ｃｕｒｒｅｎｔ）法、ＲＦ法、多陰極法、活性化反応法、電解蒸着法、高周波イオンプレーティング法、反応性イオンプレーティング法等の各種イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法などを挙げることができる。
【００２２】
ここで（ｃ）の各スパッタ法において、成膜時のＯ２　分圧を１５容積％以上にすることで膜中の欠損を減らし膜からの脱離ガスをおさえることができる。なお、酸素分圧は、１５容積％であれば、特に制限はないが、その上限としては、５０容積％である。酸素分圧が高すぎると、成膜レートが極端に落ちる為、現実的に５０％が限界となる傾向にある。
【００２３】
また、ＣＶＤ法としては、常圧ＣＶＤ法（ＡＰＣＶＤ法）、減圧ＣＶＤ法（ＬＰＣＶＤ法）、低温ＣＶＤ法、高温ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法（ＰＣＶＤ法、ＰＥＣＶＤ法）、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法を例示することができる。ここで、成膜時の基板温度は３３０°Ｃ以上にすることが望ましい。温度を高くすることで膜からの脱離ガスを抑制することができる。なお、基板温度の上限は、特に限定されないが、好ましくは、４５０°Ｃ以下である。基板温度が高すぎると、配線の金属にダメージを与える恐れがある傾向にある。
【００２４】
好ましくは、本発明に係るプラズマ表示装置は、交流駆動型であり、しかも、３電極構造である。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
図１は本発明の一実施形態に係るプラズマ表示装置の要部分解斜視図、
図２は図１に示すプラズマ表示装置の要部断面図、
図３は本発明の一実施例に係るプラズマ表示装置における保護膜表面のダメージ状況を示す平面写真、
図４は比較例に係るプラズマ表示装置における保護膜表面のダメージ状況を示す平面写真、
図５は本発明の実施例および比較例に係るプラズマ表示装置における輝度の経時変化を示すグラフ、
図６は本発明の実施例および比較例に係る誘電体膜とＨ２　ガス放出量との関係を示すグラフ、
図７は本発明の実施例および比較例に係る誘電体膜とＨ２　Ｏガス放出量との関係を示すグラフである。
【００２６】
プラズマ表示装置の全体構成
まず、図１に基づき、交流駆動型（ＡＣ）型プラズマ表示装置（以下、単に、プラズマ表示装置と呼ぶ場合がある）の全体構成について説明する。
【００２７】
図１に示すＡＣ型プラズマ表示装置２は、フロントパネルに相当する第１パネル１０と、リアパネルに相当する第２パネル２０とが貼り合わされて成る。第２パネル２０上の蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂの発光は、第１パネル１０を通して観察される。すなわち、第１パネル１０が、表示面側となる。
【００２８】
第１パネル１０は、透明な第１基板１１と、第１基板１１上に相互に略平行に第１方向Ｘに沿ってストライプ状に設けられ、透明導電材料から成る複数対の放電維持電極１２と、放電維持電極１２のインピーダンスを低下させるために設けられ、放電維持電極１２よりも電気抵抗率の低い材料から成るバス電極１３と、バス電極１３および放電維持電極１２上を含む第１基板１１上に形成された誘電体層１４と、その上に形成された保護層１５とから構成されている。なお、保護層１５は、必ずしも形成されている必要はないが、形成されていることが好ましい。
【００２９】
一方、第２パネル２０は、第２基板２１と、第２基板２１上に第２方向Ｙ（第１方向Ｘと略直角）に沿ってストライプ状に且つ相互に略平行に設けられた複数のアドレス電極（データ電極とも呼ばれる）２２と、アドレス電極２２上を含む第２基板２１上に形成された絶縁体膜２３と、絶縁体膜２３上に形成された絶縁性の隔壁２４と、絶縁体膜上から隔壁２４の側壁面上に亘って設けられた蛍光体層とから構成されている。蛍光体層は、赤色蛍光体層２５Ｒ、緑色蛍光体層２５Ｇ、および青色蛍光体層２５Ｂから構成されている。
【００３０】
図１は、表示装置の一部分解斜視図であり、実際には、第２パネル２０側の隔壁２４の頂部が、第３方向Ｚ（第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに直交する方向）で第１パネル１０側の保護層１５に当接している。蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂが形成された隔壁２４と保護層１５とによって囲まれた放電空間４内には、放電ガスが封入されている。第１パネル１０と第２パネル２０とは、それらの周辺部において、フリットガラスを用いて接合されている。
【００３１】
放電空間４内に封入される放電ガスとしては、特に限定されないが、Ｈｅ（共鳴線の波長＝５８．４ｎｍ）、Ｎｅ（同７４．４ｎｍ）、Ａｒ（同１０７ｎｍ）、Ｋｒ（同１２４ｎｍ）、Ｘｅ（同１４７ｎｍ）、を単独で用いるか、又は混合して用いることが可能であるが、ペニング効果による放電開始電圧の低下が期待できる混合ガスが特に有用である。かかる混合ガスとしては、Ｎｅ−Ａｒ混合ガス、Ｈｅ−Ｘｅ混合ガス、Ｎｅ−Ｘｅ混合ガス、Ｈｅ−Ｋｒ混合ガス、Ｎｅ−Ｋｒ混合ガス、Ｘｅ−Ｋｒ混合ガスを挙げることができる。特に、希ガスの中でも最も長い共鳴線波長を有するＸｅは、分子線の波長１７２ｎｍにも強い真空紫外線を放射するので、好適な希ガスである。なお、放電ガスに要求される特性としては、下記の▲１▼〜▲４▼が挙げられる。
【００３２】
▲１▼交流駆動型プラズマ表示装置の長寿命化の観点から、化学的に安定であり、且つ、ガス圧力を高く設定し得ること。
▲２▼表示画面の高輝度の観点から、真空紫外線の放射強度が大きいこと。
▲３▼真空紫外線から可視光線へのエネルギー変換効率を高める観点から、放射される真空紫外線の波長が長いこと。
▲４▼消費電力低減の観点から、放電開始電圧の低いこと。
【００３３】
封入されている放電ガスの全圧は、特に限定されないが、好ましくは１×１０２　Ｐａ〜５×１０５　Ｐａ、さらに好ましくは１×１０３　Ｐａ〜４×１０５Ｐａである。尚、一対の放電維持電極１２の間隔（図２に示す放電ギャップＧ）を５×１０−５ｍ未満とする場合には、放電空間における希ガスの圧力を１×１０２　Ｐａ以上３×１０５　Ｐａ以下、好ましくは１×１０３　Ｐａ以上２×１０５　Ｐａ以下、更に好ましくは１×１０４　Ｐａ以上１×１０５　Ｐａ以下とすることが望ましく、このような圧力範囲とすることによって、希ガス中で発生した真空紫外線に照射されて蛍光体層が良好に発光し、このような圧力範囲では、圧力が高いほど交流駆動型表示装置を構成する各種部材のスパッタリング率が低減する結果、交流駆動型プラズマ表示装置を長寿命化することができる。
【００３４】
本実施形態のプラズマ表示装置２は、いわゆる反射型プラズマ表示装置であり、蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂの発光は、第１パネル１０を通して観察される。このため、アドレス電極２２を構成する導電性材料に関して透明／不透明の別は問わないが、放電維持電極１２を構成する導電性材料は透明である必要がある。なお、ここで述べる透明／不透明とは、蛍光体層材料に固有の発光波長（可視光域）における導電性材料の光透過性に基づく。即ち、蛍光体層から射出される光に対して透明であれば、放電維持電極やアドレス電極を構成する導電性材料は透明であると言える。
【００３５】
不透明な導電性材料として、Ｎｉ，Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ／Ａｇ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｃｕ，Ｂａ，ＬａＢ６，Ｃａ０．２Ｌａ０．８ＣｒＯ３等の材料を、単独または適宜組み合わせて用いることができる。透明な導電性材料としては、ＩＴＯ（インジウム・錫酸化物）やＳｎＯ２を挙げることができる。放電維持電極１２またはアドレス電極２２は、スパッタ法、蒸着法、スクリーン印刷法、メッキ法等によって形成することができ、フォトリソグラフィ法、サンドブラスト法、リフトオフ法などによってパターン加工される。
【００３６】
放電維持電極１２の表面に形成される誘電体層１４は、低脱ガス膜のみで構成してある。この低脱ガス膜は、室温から１０００°Ｃまで昇温した時の脱ガスの総量が、水素１×１０２０個／ｃｍ３　以下、水５×１０２０個／ｃｍ３　以下である。好ましくは、この低脱ガス膜は、室温から５００°Ｃまで昇温した時の脱ガスの総量は水素５×１０１９　個／ｃｍ３　以下、水５×１０１９個／ｃｍ３　以下である。
【００３７】
低脱ガス膜は、酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかである。酸化物としてはＳｉＯｘ　、窒素化合物としてはＳｉＮｘ　、酸窒化物としてはＳｉＯｘＮｙを挙げることができる。低脱ガス膜は、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法（真空蒸着法含む）、イオンプレーティング法、印刷法、ドライフィルム法、塗布法（スプレーコーティング法含む）、転写法のいずれかで形成することが好ましい。このうちスパッタ法やＣＶＤ法などを採用することで薄く、緻密で、しかも均一・均質な低脱ガス膜から成る誘電体層を形成することができる。
【００３８】
誘電体層１４の厚みは、特に限定されないが、本実施形態では、好ましくは５．０×１０−５ｍ以下、さらに好ましくは１〜１０μｍである。
【００３９】
誘電体層１４を設けることによって、放電空間４内で発生するイオンや電子が、放電維持電極１２と直接に接触することを防止することができる。その結果、放電維持電極１２の磨耗を防ぐことができる。誘電体層１４は、アドレス期間に発生する壁電荷を蓄積して放電状態を維持するメモリ機能、過剰な放電電流を制限する抵抗体としての機能を有する。
【００４０】
誘電体層１４の放電空間側表面に形成してある保護層１５は、誘電体層１４を保護し、イオンや電子と放電維持電極との直接接触を防止する作用を奏する。その結果、放電維持電極１２および誘電体層１４の磨耗を効果的に防ぐことができる。また、保護層１５は、放電に必要な２次電子を放出する機能も有する。保護層１５を構成する材料として、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）を例示することができる。中でも酸化マグネシウムは、化学的に安定であり、スパッタリング率が低く、蛍光体層の発光波長における光透過率が高く、放電開始電圧が低い等の特色を有する好適な材料である。なお、保護層１５を、これらの材料から成る群から選択された少なくとも２種類の材料から構成された積層膜構造としてもよい。
【００４１】
第１基板１１および第２基板２１の構成材料として、高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ２Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ２）、硼珪酸ガラス（Ｎａ２Ｏ・Ｂ２Ｏ３・ＳｉＯ２）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ２）、鉛ガラス（Ｎａ２Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ２）を例示することができる。第１基板１１と第２基板２１の構成材料は、同じであっても異なっていてもよいが、熱膨張係数が同じであることが望ましい。
【００４２】
蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂは、たとえば、赤色を発光する蛍光体層材料、緑色を発光する蛍光体層材料および青色を発光する蛍光体層材料から成る群から選択された蛍光体層材料から構成され、アドレス電極２２の上方に設けられている。プラズマ表示装置がカラー表示の場合、具体的には、たとえば、赤色を発光する蛍光体層材料から構成された蛍光体層（赤色蛍光体層２５Ｒ）がアドレス電極２２の上方に設けられ、緑色を発光する蛍光体層材料から構成された蛍光体層（緑色蛍光体層２５Ｇ）が別のアドレス電極２２の上方に設けられ、青色を発光する蛍光体層材料から構成された蛍光体層（青色蛍光体層２５Ｂ）が更に別のアドレス電極２２の上方に設けられており、これらの３原色を発光する蛍光体層が１組となり、所定の順序に従って設けられている。
【００４３】
そして、一対の放電維持電極とこれらの３原色を発光する１組の蛍光体層が重複する領域が、１画素に相当する。赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色蛍光体層は、ストライプ状に形成されていてもよいし、格子状に形成されていてもよい。
【００４４】
蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂを構成する蛍光体層材料としては、従来公知の蛍光体層材料の中から、量子効率が高く、真空紫外線に対する飽和が少ない蛍光体層材料を適宜選択して用いることができる。カラー表示を想定した場合、色純度がＮＴＳＣで規定される３原色に近く、３原色を混合した際の白バランスがとれ、残光時間が短く、３原色の残光時間がほぼ等しくなる蛍光体層材料を組み合わせることが好ましい。
【００４５】
蛍光体層材料の具体的な例示を次に示す。たとえば真空紫外線の照射により赤色に発光する蛍光体層材料として、（Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ），（ＹＢＯ３Ｅｕ），（ＹＶＯ４：Ｅｕ），（Ｙ０．９６Ｐ０．６０Ｖ０．４０Ｏ４：Ｅｕ０．０４），［（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ３：Ｅｕ］，（ＧｄＢＯ３：Ｅｕ），（ＳｃＢＯ３：Ｅｕ），（３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ）、真空紫外線の照射により緑色に発光する蛍光体層材料として、（ＺｎＳｉＯ２：Ｍｎ），（ＢａＡ１１２Ｏ１９：Ｍｎ），（ＢａＭｇ２Ａ１１６Ｏ２７：Ｍｎ），（ＭｇＧａ２Ｏ４：Ｍｎ），（ＹＢＯ３：Ｔｂ），（ＬｕＢＯ３：Ｔｂ），（Ｓｒ４Ｓｉ３Ｏ８Ｃｌ４：Ｅｕ）、真空紫外線の照射により青色に発光する蛍光体層材料として、（Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ），（ＣａＷＯ４：Ｐｂ），ＣａＷＯ４，ＹＰ０．８５Ｖ０．１５Ｏ４，（ＢａＭｇＡ１１４Ｏ２３：Ｅｕ），（Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｅｕ），（Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｓｎ）などが例示される。
【００４６】
蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂの形成方法として、厚膜印刷法、蛍光体層粒子をスプレーする方法、蛍光体層の形成予定部位に予め粘着性物質を付けておき、蛍光体層粒子を付着させる方法、感光性の蛍光体層ペーストを使用し、露光および現像によって蛍光体層をパターニングする方法、全面に蛍光体層を形成した後に不要部をサンドブラスト法により除去する方法を挙げることができる。
【００４７】
なお、蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂはアドレス電極２２の上に直接形成されていてもよいし、アドレス電極２２上から隔壁２４の側壁面上に亘って形成されていてもよい。あるいはまた、蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂは、アドレス電極２２上に設けられた絶縁体膜２３上に形成されていてもよいし、アドレス電極２２上に設けられた絶縁体膜２３上から隔壁２４の側壁面上に亘って形成されていてもよい。更には、蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂは、隔壁２４の側壁面上にのみ形成されていてもよい。絶縁体膜の構成材料として、たとえば低融点ガラスやＳｉＯ２　を挙げることができるが、本実施形態では、誘電体層１４と同じ材質で構成することが好ましい。場合によっては、蛍光体層や隔壁の表面に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２　）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２　）等から成る第２の保護膜を形成してもよい。
【００４８】
隔壁２４の構成材料としては、従来公知の絶縁材料を使用することができ、たとえば広く用いられている低融点ガラスにアルミナ等の金属酸化物を混合した材料を用いることができる。隔壁２４の高さは５０〜２００μｍ程度である。
【００４９】
隔壁２４によって囲まれた放電空間４の内部に、混合ガスから成る放電ガスが封入されており、蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂは、放電空間４内の放電ガス中で生じたグロー放電に基づき発生した紫外線に照射されて発光する。
【００５０】
本実施形態では、第２基板２１上に形成された一対の隔壁２４と、一対の隔壁２４によって囲まれた領域内を占める一対の放電維持電極１２，１２とアドレス電極２２と、蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂによって１つの放電セルが構成される。そして、かかる放電セル内、より具体的には、隔壁２４によって囲まれた放電空間内に混合ガスから成る放電ガスが封入されており、蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂは、放電空間内の放電ガス中で生じた交流グロー放電に基づき発生した紫外線に照射されて発光する。
【００５１】
本実施形態では、放電維持電極１２（バス電極１３）の射影像が延びる方向とアドレス電極２２の射影像が延びる方向とは略直交（必ずしも直交する必要はないが）している。図２に示すように、本実施形態では、第１方向Ｘに沿って形成してある各一対の放電維持電極１２の間に形成してある放電ギャップＧは、特に限定されないが、好ましくは５〜１５０μｍ、特に好ましくは５×１０−５ｍ未満である。
【００５２】
なお、各放電セル毎に、放電ギャップＧを形成するために、透明電極から成る放電維持電極１２は、第１方向Ｘに沿って連続して形成されるが、第１方向Ｘに、各放電セル毎に完全に分離してアイランド状に形成しても良い。透明電極から成る放電維持電極１２を、第１方向Ｘに各放電セル毎に分離して形成することで、輝度を低下させずに、無効電流を減らし、消費電流の低減に寄与する。ただし、放電維持電極１２の一部を構成するバス電極１３は、第１方向Ｘに沿って分割することはできない。透明電極から成る放電維持電極１２に対して電圧信号を供給するためである。各放電維持電極１２は透明電極で構成され、比較的に高抵抗であることから、各放電維持電極１２には、それぞれ第１方向Ｘに沿って形成されるバス電極１３が接続される。
【００５３】
なお、グロー放電が、放電ギャップＧを形成する一対の放電維持電極１２間で生じることから、このタイプのプラズマ表示装置は「面放電型」と称される。このプラズマ表示装置の駆動方法については、後述する。
【００５４】
本実施形態では、上述したように、放電維持電極１２における第２方向Ｙの幅は、好ましくは８０〜２８０μｍである。
【００５５】
各放電維持電極１２には、バス電極１３が長手方向に沿って接続してある。バス電極１３は、典型的には、金属材料、たとえば、Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｃｒなどの単層金属膜、あるいはＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒなどの積層膜などから構成することができる。バス電極１３は、放電維持電極１２，１２などと同様な方法により形成することができる。
【００５６】
金属材料から成るバス電極は、反射型のプラズマ表示装置においては、蛍光体層から放射されて第１基板１１を通過する可視光の透過光量を低減させ、表示画面の輝度を低下させる要因となり得るので、放電維持電極全体に要求される電気抵抗値が得られる範囲内で出来る限り細く形成することが好ましい。
【００５７】
ただし、本発明における維持電極材料は透明であることに限定するものではない。不透明の材料を用いると開口率は低減するが、高輝度が実現できていれば開口率が下がっていても、ディスプレイとしては必ずしも支障をきたさない。
【００５８】
プラズマ表示装置の製造方法
次に、本発明の実施形態に係るプラズマ表示装置の製造方法について説明する。　第１パネル１０は、以下の方法で作製することができる。先ず、高歪点ガラスやソーダガラスから成る第１基板１１の全面にたとえばスパッタリング法によりＩＴＯ層を形成し、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によりＩＴＯ層をストライプ状にパターニングすることによって、放電維持電極１２を、複数、形成する。
【００５９】
次に、第１基板１１の内面全面に、たとえば蒸着法によりクロム膜を形成し、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によりクロム膜をパターニングすることによって、各放電維持電極１２の内側に、バス電極１３を形成する。その後、バス電極１３が形成された第１基板１１の取り出し電極の内面全面に誘電体層１４を形成する。
【００６０】
本実施形態では、誘電体層１４の形成の形成方法は特に限定されないが、低脱ガス膜を形成するために、以下の方法が好ましい。
（ａ）電子ビーム加熱法、抵抗加熱法、フラッシュ蒸着法の各種蒸着法、
（ｂ）プラズマ蒸着法、
（ｃ）２極スパッタ法、直流スパッタ法、直流マグネトロンスパッタ法、高周波スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法、バイアススパッタ法、
（ｄ）ＤＣ（ｄｉｒｅｃｔ　ｃｕｒｒｅｎｔ）法、ＲＦ法、多陰極法、活性化反応法、電解蒸着法、高周波イオンプレーティング法、反応性イオンプレーティング法等の各種イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法などを挙げることができる。
【００６１】
次に、誘電体層１４の上に、電子ビーム蒸着法またはスパッタリング法により厚さ０．６μｍの酸化マグネシウム（ＭｇＯ）から成る保護層１５を形成する。以上の工程により第１パネル１０を完成することができる。
【００６２】
また、第２パネル２０を以下の方法で作製する。まず、高歪点ガラスやソーダガラスから成る第２の基板２１上に、たとえば蒸着法によりアルミニウム膜を形成し、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によりパターニングすることで、アドレス電極２２を形成する。アドレス電極２２は、第１方向Ｘと直交する第２方向Ｙに延びている。次に、スクリーン印刷法により取り出し電極の内面全面に低融点ガラスペースト層を形成し、この低融点ガラスペースト層を焼成することによって絶縁体膜２３を形成する。
【００６３】
その後、絶縁体膜２３上に、図１および図２に示すストライプパターンとなるように、隔壁２４を形成する。この時の形成方法は、特に限定されず、たとえばスクリーン印刷法、サンドブラスト法、ドライフィルム法、感光法などを例示することができる。
【００６４】
スクリーン印刷法とは、隔壁を形成すべき部分に対応するスクリーンの部分に開口部が形成されており、スクリーン上の隔壁形成用材料をスキージを用いて開口部を通過させ、基板上若しくは誘電体膜上（以下、これらを総称して、基板上と呼ぶ）に隔壁形成用材料層を形成した後、かかる隔壁形成用材料層を焼成する方法である。
【００６５】
ドライフィルム法とは、基板上に感光性フィルムをラミネートし、露光および現像によって隔壁形成予定部位の感光性フィルムを除去し、除去によって生じた開口部に隔壁形成用の材料を埋め込み、焼成する方法である。感光性フィルムは焼成によって燃焼、除去され、開口部に埋め込まれた隔壁形成用の材料が残り、隔壁２４となる。
【００６６】
感光法とは、基板上に感光性を有する隔壁形成用の材料層を形成し、露光および現像によってこの材料層をパターニングした後、焼成を行う方法である。
【００６７】
サンドブラスト形成法とは、例えば、スクリーン印刷やロールコーター、ドクターブレード、ノズル吐出式コーター等を用いて隔壁形成用材料層を基板上に形成し、乾燥させた後、隔壁を形成すべき隔壁形成用材料層の部分をマスク層で被覆し、次いで、露出した隔壁形成用材料層の部分をサンドブラスト法によって除去する方法である。
【００６８】
隔壁を形成するための焼成（隔壁焼成工程）は、空気中で行い、焼成温度は、５６０°Ｃ程度である。焼成時間は、２時間程度である。
【００６９】
次に、第２基板２１に形成された隔壁２４の間に３原色の蛍光体層スラリーを順次印刷する。その後、この第２基板２１を、焼成炉内で焼成し、隔壁２４の間の絶縁体膜上から隔壁２４の側壁面上に亘って、蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂを形成する。その時の焼成（蛍光体焼成工程）温度は、５１０°Ｃ程度である。焼成時間は、１０分程度である。
【００７０】
次に、プラズマ表示装置の組み立てを行う。即ち、先ず、たとえばスクリーン印刷により、第２パネル２０の周縁部にシール層を形成する。次に、第１パネル１０と第２パネル２０とを貼り合わせ、焼成してシール層を硬化させる。その後、第１パネル１０と第２パネル２０との間に形成された空間を排気した後、放電ガスを封入し、かかる空間を封止し、プラズマ表示装置２を完成させる。
【００７１】
かかる構成を有するプラズマ表示装置の動作の一例を説明する。先ず、たとえば、対となる全ての一方のコモン側放電維持電極１２に、放電開始電圧Ｖｂｄよりも高いパネル電圧を短時間印加する。これによってグロー放電が生じ、双方の放電維持電極１２，１２の近傍の誘電体層１４の表面に、壁電荷が蓄積し、放電開始電圧が低下する。その後、アドレス電極２２に電圧を印加しながら、表示をさせない放電セルに含まれる一対の放電維持電極のうちの一方のスキャン側放電維持電極１２に電圧を印加することによって、アドレス電極２２と当該一方のスキャン側放電維持電極１２との間にグロー放電を生じさせ、蓄積された壁電荷を消去する。この消去放電を各アドレス電極２２において順次実行する。一方、表示をさせる放電セルに含まれる一対のうちの一方のスキャン側放電維持電極１２には電圧を印加しない。これによって、壁電荷の蓄積を維持する。その後、全ての一対の放電維持電極１２，１２間に所定のパルス電圧を印加することによって、壁電荷が蓄積されていたセルにおいては一対の放電維持電極１２，１２の間でグロー放電が開始し、放電セルにおいては、放電空間内における放電ガス中でのグロー放電に基づき発生した真空紫外線の照射によって励起された蛍光体層が、蛍光体層材料の種類に応じた特有の発光色を呈する。なお、一対のうちの一方のスキャン側放電維持電極１２と他方のコモン側放電維持電極１２に印加される放電維持電圧の位相は半周期ずれており、電極の極性は交流の周波数に応じて反転する。
【００７２】
あるいはまた、本実施形態のプラズマ表示装置２の交流グロー放電動作を、以下のとおりとすることもできる。先ず、全画素を初期化するために全画素に対して消去放電を行い、次いで、放電動作を行う。放電動作は、初期放電によって誘電体層の表面に壁電荷を発生させるアドレス期間と、グロー放電を維持する放電維持期間とに分けて行われる。アドレス期間では、選択された一方の放電維持電極と選択されたアドレス電極に、放電開始電圧Ｖｂｄよりも低いパルス電圧を短時間印加する。パルス電圧が印加された一方の放電維持電極とアドレス電極との重複領域が表示画素として選択され、この重複領域において誘電体層の表面に誘電分極に起因して壁電荷が発生し、壁電荷が蓄積される。続く放電維持期間では、対になった放電維持電極にＶｂｄよりも低い放電維持電圧Ｖｓｕｓを印加する。壁電荷が誘起する壁電圧Ｖｗと放電維持電圧Ｖｓｕｓとの和が放電維持電圧Ｖｂｄよりも大きくなれば（即ち、Ｖｗ＋Ｖｓｕｓ＞Ｖｂｄ）、グロー放電が開始される。一方の放電維持電極と他方の放電維持電極に印加される放電維持電圧Ｖｓｕｓの位相は半周期ずれており、放電維持電極の極性は交流の周波数に応じて反転する。
【００７３】
本実施形態のプラズマ表示装置２では、従来のプラズマ表示装置と比較して、誘電体層１４の密度が高く、均一および均質であるが故に、異常放電や電荷の異常分布が生じ難く、放電安定性が向上する。このため、プラズマ表示装置２の信頼性が高くなり、輝度の向上が図られる。また、緻密な誘電体層１４を得ることができるので、耐圧の向上、その下に存在する放電維持電極１２の損傷発生の防止が可能となる。そのため、輝度の経時変化が抑制され、プラズマ表示装置２の寿命が長くなる。更には、充分に薄い誘電体層１４を形成することができるために、一対の放電維持電極１４の間の距離を短くすることができ、この点でも輝度の向上を図ることができる。
【００７４】
また、本実施形態のプラズマ表示装置２においては、均一・均質な誘電体層１４を設けることによって、イオンや電子と放電維持電極１２との直接接触を防止することができる結果、放電維持電極１２の磨耗を防ぐことができる。なお、誘電体層１４は、壁電荷を蓄積する機能だけでなく、過剰な放電電流を制限する抵抗体としての機能、放電状態を維持するメモリ機能を有する。
【００７５】
その他の実施形態
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
たとえば、上述した実施形態では、一対の放電維持電極１２，１２は第１基板１１の内側に形成され、アドレス電極２２を第２基板２１に形成する構成の３電極型プラズマ表示装置である。この場合、一対の放電維持電極１２，１２の射影像は互いに平行に第１方向Ｘに延び、アドレス電極２２の射影像は第２方向Ｙに延び、一対の放電維持電極１２とアドレス電極２２とが交差するごとく対向して配置されている構成とすることができるが、本発明では、かかる構成に限定するものではない。たとえば２電極型の交流駆動型プラズマ表示装置にも本発明を適用することは可能であり、その場合には、必要に応じて、上述の説明における「アドレス電極」を「他方の放電維持電極」と読み替えればよい。
【００７６】
また、上述した実施形態では、反射型のプラズマ表示装置について説明したが、本発明は、反射型に限らず、透過型のプラズマ表示装置にも適用することができる。透過型のプラズマ表示装置では、蛍光体層の発光は第２基板を通して観察されるので、放電維持電極を構成する導電性材料に関して透明／不透明の別は問わないが、アドレス電極を第２の基板上に設けるので、アドレス電極は透明である方が明るさの点で有利である。
【００７７】
さらに、上述した実施形態では、アドレス電極２２と略平行に延びる隔壁（リブ）２４がストライプ状に形成してあるが、本発明では、これに限定されず、隔壁２４（リブ）はミアンダ構造、あるいはその他の構造を有していてもよい。なお、隔壁２４を黒くすることにより、所謂ブラック・マトリックスを形成し、表示画面の高コントラスト化を図ることができる。隔壁を黒くする方法として、黒色に着色されたカラーレジスト材料を用いて隔壁を形成する方法を例示することができる。
【００７８】
また、上記の実施形態においては、平行に延びる一対の放電維持電極１２を有するが、その代わりに、一対のバス電極１３が第１の方向Ｘに延び、一対のバス電極１３の間で、一方のバス電極１３から一方の放電維持電極１２が他方のバス電極１３の手前まで、第２の方向Ｙに延び、他方のバス電極１３から他方の放電維持電極１２が一方のバス電極１３の手前まで、第２の方向Ｙに延びる構造とすることもできる。また、一対の放電維持電極１２の内、第１の方向Ｘに延びる一方の放電維持電極１２を第１の基板１１に設け、他方の放電維持電極１２をアドレス電極２２と平行に、隔壁の側壁上部に形成する構造としてもよい。更には、アドレス電極を第１の基板に形成してもよい。
【００７９】
このような構造の交流駆動型プラズマ表示装置は、例えば、第１の方向Ｘに延びる一対の放電維持電極１２、および、一対の放電維持電極１２の一方の近傍に、一対の放電維持電極１２の一方に沿って設けられたアドレス電極２２（但し、一対の放電維持電極１２の一方に沿ったアドレス電極２２の長さを放電セルの第１の方向Ｘに沿った長さ以内とする）から構成することができる。なお、放電維持電極１２と短絡しないように、絶縁層を介して第２の方向Ｙに延びるアドレス電極用配線を設け、かかるアドレス電極用配線とアドレス電極とを電気的に接続し、あるいはまた、アドレス電極用配線からアドレス電極が延在する構造としても良い。
【００８０】
【実施例】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【００８１】
実施例１
図１に示した構造を有する３電極型のプラズマ表示装置を、以下に説明する方法にて作製した。
【００８２】
第１パネル１０を以下の方法で作製した。先ず、高歪点ガラスやソーダガラスから成る第１の基板１１の全面に例えばスパッタリング法によりＩＴＯ層を形成し、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によりＩＴＯ層をストライプ状にパターニングすることによって、一対の放電維持電極１２を、複数、形成した。放電維持電極１２は第１方向Ｘに延びている。なお、一対の放電維持電極１２の間の間隔（放電ギャップＧ）は、２×１０−５ｍ（２０μｍ）とした。
【００８３】
次に、全面に例えば蒸着法によりアルミニウム膜、銅膜等を形成し、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によりアルミニウム膜、銅膜等をパターニングすることによって、各放電維持電極１２の縁部に沿ってバス電極１３を形成した。その後、全面に、ＳｉＯｘ（ｘの値は約２）から成る誘電体層１４（放電維持電極１２上における平均厚さは７μｍ）を形成し、その上に電子ビーム蒸着法により厚さ０．６μｍの酸化マグネシウム（ＭｇＯ）から成る保護膜１５を形成した。以上の工程により第１パネル１０を完成した。
【００８４】
なお、ＳｉＯｘから成る誘電体層１４は、高周波マグネトロンスパッタ装置を使用し、以下に例示する条件に基づくスパッタ法にて形成した（スパッタ膜／脱ガス少）。
【００８５】
ターゲット　　　：ＳｉＯ２　、
プロセスガス　　：Ａｒ＝２４０ｓｃｃｍ、Ｏ２　＝６０ｓｃｃｍ、
チャンバー圧力　：０．３Ｐａ、
ＲＦパワー　　　：９００Ｗ、
実基板温度　　　：室温。
【００８６】
また、第２パネル２０を以下の方法で作製した。先ず、高歪点ガラスやソーダガラスから成る第２の基板２１上に例えばスクリーン印刷法により銀ペーストをストライプ状に印刷し、焼成を行うことによって、アドレス電極２２を形成した。アドレス電極２２は、第１方向Ｘと直交する第２方向Ｙに延びている。次に、スクリーン印刷法により全面に低融点ガラスペースト層を形成し、この低融点ガラスペースト層を焼成することによって誘電体膜２３を形成した。その後、隣り合うアドレス電極２２の間の領域の上方の誘電体膜２３上に、例えばスクリーン印刷法により低融点ガラスペーストを印刷し、焼成を行うことによって、隔壁２４を形成した。次に、３原色の蛍光体スラリーを順次印刷し、焼成を行うことによって、隔壁２４の間の誘電体膜２３上から隔壁２４の側壁面上に亙って、蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂを形成した。以上の工程により第２パネル２０を完成した。
【００８７】
次に、プラズマ表示装置の組み立てを行った。即ち、先ず、例えばフリットディスペンスにより、第２パネル２０の周縁部にシール層（フリットガラス層）を形成した。次に、第１パネル１０と第２パネル２０とを貼り合わせ、焼成してシール層を硬化させた。その後、第１パネル１０と第２パネル２０との間に形成された空間を排気した後、混合ガス（Ｘｅ１００％ガス、３０ｋＰａ）を封入し、かかる空間を封止し、プラズマ表示装置を完成させた。
【００８８】
こうして得られたプラズマ表示装置の輝度を測定し、その輝度の経時変化を測定した。結果を図５に示す。また、１８５時間経過後に、保護膜１５側から放電ギャップＧの付近を写真に撮影した結果を図３に示す。
【００８９】
また、この実施例における誘電体層１４を形成したと同じ条件で、厚さ７μｍのＳｉＯｘ（ｘの値は約２）膜をサンプル基板上に形成し、ＴＤＳ（ｔｈｅｒｍａｌ　ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ　ｍａｓｓ　ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ　の略称）にて、室温から１０００°Ｃまで昇温した時の脱ガス量（Ｈ２ガス放出量とＨ２Ｏガス放出量）を測定した。その結果を、表１と図６および図７に示す。
【００９０】
【表１】
2004119118.tif 000003
【００９１】
実施例２
以下に示す条件に基づくプラズマＣＶＤ法にて、ＳｉＯｘ　から成る誘電体層１４を形成した（ＣＶＤ膜／脱ガス少）以外は、実施例１と同様にして、プラズマ表示装置の輝度を測定し、その輝度の経時変化を測定した。結果を図５に示す。また、この実施例における誘電体層１４を形成したと同じ条件で、厚さ７μｍのＳｉＯｘ（ｘの値は約２）膜をサンプル基板上に形成し、ＴＤＳにて、室温から１０００°Ｃまで昇温した時の脱ガス量（Ｈ２ガス放出量とＨ２Ｏガス放出量）を測定した。その結果を、表１と図６および図７に示す。
【００９２】
プロセスガス：ＳｉＨ４　＝３３０ｓｃｃｍ、Ｎ２Ｏ＝８０００ｓｃｃｍ、
ガス圧力　　：２６６Ｐａ、
ＲＦパワー　：２０００Ｗ、
実基板温度　：３３０°Ｃ。
【００９３】
比較例１
保護膜１５の厚みを０．９μｍとすると共に、以下に示す条件に基づくスパッタ法にて、ＳｉＯｘ　から成る誘電体層１４を形成した（スパッタ膜／脱ガス多）以外は、実施例１と同様にして、プラズマ表示装置の輝度を測定し、その輝度の経時変化を測定した。結果を図５に示す。また、１８５時間経過後に、保護膜１５側から放電ギャップＧの付近を写真に撮影した結果を図４に示す。
【００９４】
また、この比較例における誘電体層１４を形成したと同じ条件で、厚さ７μｍのＳｉＯｘ（ｘの値は約２）膜をサンプル基板上に形成し、ＴＤＳにて、室温から１０００°Ｃまで昇温した時の脱ガス量（Ｈ２ガス放出量とＨ２Ｏガス放出量）を測定した。その結果を、表１と図６および図７に示す。
【００９５】
ターゲット　　　：ＳｉＯ２　、
プロセスガス　　：Ａｒ＝３００ｓｃｃｍ、
チャンバー圧力　：０．３Ｐａ、
ＲＦパワー　　　　：９００Ｗ、
実基板温度　　　：室温。
【００９６】
比較例２
以下に示す条件に基づくプラズマＣＶＤ法にて、ＳｉＯｘ　から成る誘電体層１４を形成した（ＣＶＤ膜／脱ガス多）以外は、実施例１と同様にして、プラズマ表示装置の輝度を測定し、その輝度の経時変化を測定した。結果を図５に示す。
【００９７】
また、この比較例における誘電体層１４を形成したと同じ条件で、厚さ７μｍのＳｉＯｘ（ｘの値は約２）膜をサンプル基板上に形成し、ＴＤＳにて、室温から１０００°Ｃまで昇温した時の脱ガス量（Ｈ２ガス放出量とＨ２Ｏガス放出量）を測定した。その結果を、表１と図６および図７に示す。
【００９８】
プロセスガス　：ＳｉＨ４　＝４５０ｓｃｃｍ、Ｎ２　Ｏ＝７０００ｓｃｃｍ、
ガス圧力　　　：２００Ｐａ、
ＲＦパワー　　：１６００Ｗ、
実基板温度　：３２０°Ｃ。
【００９９】
評価
表１および図４〜図７に示すように、室温から１０００°Ｃまで昇温した時の脱ガスの総量が、水素１×１０２０個／ｃｍ３　以下、水５×１０２０個／ｃｍ３　以下である低脱ガス膜から成る誘電体層１２を有する実施例１および２にて得られたプラズマ表示装置は、比較例１および２のプラズマ表示装置と比べて、輝度の向上、放電電圧の低下、輝度の経時変化の少ないことが認められた。また、実施例１において、誘電体層１４の厚さが薄くなるに従い、輝度の向上が認められた。さらに、図３と図４とを比較することで、実施例によれば、保護膜へのダメージが少ないことも確認できた。
【０１００】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によれば、均一および均質な誘電体層を持ち、しかも輝度における経時変化が小さいプラズマ表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係るプラズマ表示装置の要部分解斜視図である。
【図２】図２は図１に示すプラズマ表示装置の要部断面図である。
【図３】図３は本発明の一実施例に係るプラズマ表示装置における保護膜表面のダメージ状況を示す平面写真である。
【図４】図４は比較例に係るプラズマ表示装置における保護膜表面のダメージ状況を示す平面写真である。
【図５】図５は本発明の実施例および比較例に係るプラズマ表示装置における輝度の経時変化を示すグラフである。
【図６】図６は本発明の実施例および比較例に係る誘電体膜とＨ２　ガス放出量との関係を示すグラフである。
【図７】図７は本発明の実施例および比較例に係る誘電体膜とＨ２　Ｏガス放出量との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
２…　プラズマ表示装置
４…　放電空間
１０…　第１パネル
１１…　第１基板
１２…　放電維持電極
１３…　バス電極
１４…　誘電体層
１５…　保護層
２０…　第２パネル
２１…　第２基板
２２…　アドレス電極
２３…　誘電体膜
２４…　隔壁
２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂ…　蛍光体層
Ｇ…　放電ギャップ
【図１】
2004119118.tif 000004
【図２】
2004119118.tif 000005
【図３】
2004119118.tif 000006
【図４】
2004119118.tif 000007
【図５】
2004119118.tif 000008
【図６】
2004119118.tif 000009
【図７】
2004119118.tif 000010