(57)【要約】【課題】アクティブマトリクス型表示装置を解体することなく、パネルＩＤを知ること。【解決手段】本発明のアクティブマトリクス型表示装置（１００）において、前記複数の遮光部（４２）は、所定の強度の光を遮光する複数の第１の遮光部（４２Ａ）と、前記第１の遮光部（４２Ａ）によって遮光される強度よりも小さい強度の光を遮光する複数の第２の遮光部（４２Ｂ）とによって構成されており、前記複数の第２の遮光部のそれぞれ（４２Ｂ）は、予め設定された所定の定形パターンを示す画素電極（１１）に接続されたスイッチング素子（１２）に対応して配置されている。【選択図】　図１
2004109670.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された複数の画素電極と、前記各画素電極にそれぞれ接続された複数のスイッチング素子とを有する第１の基板と、
前記各画素電極と対向するように配置された対向電極を有する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された光学変調媒体と、
前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも一方に、各スイッチング素子にそれぞれ所定の強度の光が入射することを防止するように配置された複数の遮光部と
を備えるアクティブマトリクス型表示装置であって、
前記複数の遮光部は、所定の強度の光を遮光する複数の第１の遮光部と、前記第１の遮光部によって遮光される強度よりも小さい強度の光を遮光する複数の第２の遮光部とによって構成されており、
前記複数の第２の遮光部のそれぞれは、予め設定された所定の定形パターンを示す画素電極に接続されたスイッチング素子に対応して配置されている、アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２】
前記各第１の遮光部と前記各第２の遮光部とは、光透過率が異なるように構成されている、請求項１に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項３】
前記各第１の遮光部と前記各第２の遮光部とは、厚みが異なるように構成されている、請求項２に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項４】
前記各第１の遮光部と前記各第２の遮光部とは、使用される遮光部材の濃度が異なるように構成されている、請求項２に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項５】
前記各第１の遮光部と前記各第２の遮光部とは、異なる色相基材によって構成されている、請求項２に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項６】
前記各第１の遮光部は、複数の異なる色相基材が混合されている、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
マトリクス状に配置された複数の画素電極と、前記各画素電極にそれぞれ接続された複数のスイッチング素子とを有する第１の基板と、
前記各画素電極と対向するように配置された対向電極を有する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された光学変調媒体と、
前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも一方に、各スイッチング素子にそれぞれ所定の強度の光が入射することを防止するように配置された複数の遮光部と
を備えるアクティブマトリクス型表示装置であって、
前記複数の遮光部は、予め設定された所定の定形パターンを示す画素電極に接続されたスイッチング素子に対応して配置された複数の第２の遮光部と、前記複数の第２の遮光部以外の複数の第１の遮光部とによって構成されており、
前記各第２の遮光部において対応するスイッチング素子と対向する面が、前記各第１の遮光部において対応するスイッチング素子と対向する面よりも、対応するスイッチング素子に光を入射させる光反射率が大きくなっている、アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項８】
前記各第２の遮光部において対応するスイッチング素子と対向する面と、前記各第１の遮光部において対応するスイッチング素子と対向する面とは、光反射率が異なる部材で構成されている、請求項７に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項９】
前記各第２の遮光部において対応するスイッチング素子と対向する面には、突起が選択的に設けられている、請求項７に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１０】
前記各第２の遮光部において対応するスイッチング素子と対向する面には、反射部が選択的に設けられている、請求項７に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１１】
マトリクス状に配置された複数の画素電極と、各画素電極にそれぞれ接続された複数のスイッチング素子とを有する第１の基板と、
前記各画素電極と対向するように配置された対向電極を有する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された光学変調媒体と、
前記各画素電極と前記対向電極との間に印加される電圧に応じて変更される情報を、所定の強度の光によって表示する、表示部と
を備えるアクティブマトリクス型表示装置であって、
前記各画素電極と前記対向電極との間に所定の電圧を印加した状態で、前記表示部に前記所定の強度より強い光を照射すると、前記表示部は定形パターンを表示する、アクティブマトリクス型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス型表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、一般に、ＣＲＴ等に比べて、薄型かつ軽量であり、さらに、消費電力が低いなどの様々な利点を有している。
【０００３】
液晶表示装置の中でも、ＴＦＴおよびＭＩＭといったスイッチング素子を画素毎に備えるアクティブマトリクス型液晶表示装置は、特に、高速応答性および高コントラストの点から優れており、アクティブマトリクス型液晶表示装置の需要は近年ますます増加している。
【０００４】
図１４は、従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置２００の構成を模式的に示す斜視図である。
【０００５】
アクティブマトリクス型液晶表示装置２００は、表示パネル１６０を有しており、表示パネル１６０は、一部が開口した筐体１５０内に設けられている。
【０００６】
表示パネル１６０には、パネルＩＤ１６１が記載されており、アクティブマトリクス型液晶表示装置２００において、パネルＩＤ１６１は「ＡＢＣ１２３４５６」である。
【０００７】
パネルＩＤ１６１は、表示パネル１６０の製造時期およびロットなどの情報を含み、表示パネル１６０がどの表示パネル１６０であるかを特定することができる。製造ラインにおいて複数の表示パネル１６０を製造している途中で、表示パネル１６０のある部品に不具合があることを見つけた場合、パネルＩＤ１６１に基づいて不具合があった部品と同様の部品を使用している表示パネル１６０を特定し、その表示パネル１６０を回収することができる。
【０００８】
表示パネル１６０は、アクティブマトリクス基板１１０と、このアクティブマトリクス基板１１０に対向する対向基板１２０と、これらアクティブマトリクス基板１１０および対向基板１２０との間に挟持された液晶分子を有する液晶層１１３０とを有している。
【０００９】
アクティブマトリクス基板１１０は、光を透過する透明基板１１５を有しており、この透明基板１１５上に、相互に平行する複数の走査線１１３が設けられるとともに、各走査線１１３とそれぞれ直交するように相互に平行な複数の信号線１１４が設けられている。各走査線１１３と各信号線１１４とによって囲まれた各領域には、画素電極１１１がそれぞれ設けられており、従って、透明基板１１５上には、複数の画素電極１１１はマトリクス状に配置されている。透明基板１１５におけるマトリクス状に画素電極１１１が設けられた領域は、表示領域になっている。
【００１０】
各画素電極１１１には、各画素電極１１１近傍の相互に交差する走査線１１３および信号線１１４の交差部近傍にそれぞれ配置されたスイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１１２がそれぞれ接続されている。
【００１１】
各ＴＦＴ１１２には、走査線１１３と接続するゲート電極と、信号線１１４と接続するソース電極と、画素電極１１１と接続するドレイン電極とがそれぞれ設けられている。走査線１１３を介してＴＦＴ１１２のゲート電極に電圧が印加されると、ＴＦＴ１１２のドレイン電極とソース電極が電気的に接続する。したがって、ＴＦＴ１１２のドレイン電極に接続された画素電極１１１の電位は、ＴＦＴ１１２のソース電極に接続された信号線１１４の電位と等しくなる。ＴＦＴ１１２のゲート電極に電圧が印加されない状態では、ＴＦＴ１１２のドレイン電極とソース電極とが電気的に断絶され、ＴＦＴ１１２のドレイン電極に接続された画素電極１１１の電位が保持される。
【００１２】
アクティブマトリクス基板１１０に液晶層１３０を挟んで対向配置された対向基板１２０は、光を透過する透明基板１２５を有しており、この透明基板１２５上には、カラーフィルタ１４１を介して、透明な対向電極１２１が設けられている。対向電極１２１は、アクティブマトリクス基板１１０の表示領域に対向して配置されており、表示領域に設けられた各画素電極１１１それぞれと、対向電極１２１とそれらの間の液晶層１３０とによって、各画素がそれぞれ形成されている。
【００１３】
透明基板１２５と対向電極１２１との間には、表示パネル１６０によってカラー表示を行なうために、カラーフィルタ１４１が設けられている。カラーフィルタ１４１は、赤色光を通過させる赤色（Ｒ）の着色層１４１Ａ、緑色の光を通過させる緑色（Ｇ）の着色層１４１Ｂ、および、青色の光を通過させる青色（Ｂ）の着色層１４１Ｃが設けられている。各着色層１４１Ａ、１４１Ｂ、１４１Ｃは、それぞれ、アクティブマトリクス基板１１０における各走査線１１３に沿った画素電極１１１の列に対向した帯状に形成されており、赤色（Ｒ）の着色層１４１Ａ、緑色（Ｇ）の着色層１４１Ｂ、および、青色（Ｂ）の着色層１４１Ｃが、画素電極１１１の列とは直交する方向に、一定の順番を繰り返すように配列されている。
【００１４】
液晶層１３０の液晶分子の配向状態は、表示領域の対向電極１２１と各画素電極１１１との間に印加される電圧により制御される。画素電極１１１と対向電極１２１との間に電圧が印加されると、電圧が印加された画素電極１１１と対向電極１２１との間に挟持された液晶層１３０の液晶分子の配向状態が変化し、それにより、画素電極１１１と対向電極１２１との間の液晶層１３０を通過する光の量が変化する。従って、対向電極１２１と各画素電極１１１との間に印加する電圧を制御することによって、表示領域を通過する光の量を制御することができる。
【００１５】
表示パネル１６０が収容された筐体１５０には、対向基板１２０の表示領域が露出するように、開口部が設けられている。
【００１６】
対向基板１２０には表示部１２３が設けられており、表示部１２３は、筐体１５０一部が開口した領域から露出されるように構成されている。表示部１２３において、表示領域を通過した光を用いて、所望な情報が表示される。
【００１７】
表示パネル１６０において、アクティブマトリクス基板１１０には、ＴＦＴ１１２が設けられているが、ＴＦＴ１１２に光が入射すると、ＴＦＴ１１２にフォトコンダクションが生じる。ＴＦＴ１１２のフォトコンダクションが生じると、ＴＦＴ１１２に光キャリアが発生し、発生した光キャリアによって、画素電極１１１に保持されている電荷がリークする。画素電極１１１に保持されている電荷がリークすると、その画素電極１１１と対向電極１２１とに挟持される液晶層３０の液晶分子の配向状態が変化し、アクティブマトリクス型液晶表示装置２００は、適切に表示を行なうことができなくなる。
【００１８】
したがって、各ＴＦＴ１１２に光が入射することによって、ＴＦＴ１１２にフォトコンダクションが生じることを防ぐために、対向基板１２０には、複数の遮光部１４２が設けられている。各遮光部１４２は、対向基板１２０における透明基板１２５と対向電極１２１との間に設けられたカラーフィルタ１４１に形成されている（例えば、特許文献１参照。）。
【００１９】
遮光部１４２は、赤色の着色層１４１Ａと同様の着色層によって、各ＴＦＴ１１２に対応して形成されている。このような遮光部１４２を設けることによって、ＴＦＴ１１２に光が入射することを防止することができる。
【００２０】
なお、赤の着色層と同様の着色層と、青の着色層と同様の着色層とを積層した２層構造で遮光部を形成するものもある（例えば、特許文献２参照。）。
【００２１】
また、遮光部をアクティブマトリクス基板に設けるものもある（例えば、特許文献３参照。）。
【００２２】
このようなアクティブマトリクス型液晶表示装置２００は、製造工程が複雑であるために、その品質を安定化させることが困難で、歩留まりが低く、それにより、製造コストが増大するおそれがある。そのために、製造段階において、表示パネル１６０にパネルＩＤ１６１を記載し、ＣＩＭ（コンピュータ統合生産）等を活用して、製品出荷後にいたるまで、各工程毎に、品質管理を徹底的に行い、品質管理によって得られた情報を各工程にフィードバックさせることによって、品質の向上を図っている。
【００２３】
【特許文献１】
特開平９−３２５３６０号公報（第２−５頁、図１）
【特許文献２】
特開昭６１−１１２１２９号公報（第２−３頁、図２）
【特許文献３】
特開平８−２７１９２８号公報（第３−５頁、図１）
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、アクティブマトリクス型液晶表示装置２００を製造する場合、パネルＩＤ１６１は、筐体１５０などによって覆われてしまうため、筐体１５０によって覆われた後、外観からパネルＩＤ１６１を確認することができなくなる。パネルＩＤ１６１は、表示パネル１６０の製造時期およびロットなどの情報を含むため、特に、アクティブマトリクス型液晶表示装置２００を組み立てた後、品質問題等のためにパネルＩＤ１６１を確認する必要が生じた場合には、アクティブマトリクス型液晶表示装置２００を解体しなければならず、アクティブマトリクス型液晶表示装置２００の解体に多くの時間および労力を費やすことになる。そのため、製造工場に情報をフィードバックするのに多くの時間がかかり、また、表示パネル１６０の不具合があった部品を特定するのに時間が長くかかってしまい、不不具合があった部品と同様の部品で製造された表示パネル１６０を含むアクティブマトリクス型液晶表示装置２００が大量に市場に出てしまうおそれがある。
【００２５】
本発明は、上記課題を解決するためのものであり、所定の強度より強い光を照射することによって定形パターンを表示するように設けられたアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
本発明によるアクティブマトリクス型表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素電極と、前記各画素電極にそれぞれ接続された複数のスイッチング素子とを有する第１の基板と、前記各画素電極と対向するように配置された対向電極を有する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された光学変調媒体と、前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも一方に、各スイッチング素子にそれぞれ所定の強度の光が入射することを防止するように配置された複数の遮光部とを備えるアクティブマトリクス型表示装置であって、前記複数の遮光部は、所定の強度の光を遮光する複数の第１の遮光部と、前記第１の遮光部によって遮光される強度よりも小さい強度の光を遮光する複数の第２の遮光部とによって構成されており、前記複数の第２の遮光部のそれぞれは、予め設定された所定の定形パターンを示す画素電極に接続されたスイッチング素子に対応して配置されている。
【００２７】
前記各第１の遮光部と前記各第２の遮光部とは、光透過率が異なるように構成されていてもよい。
【００２８】
前記各第１の遮光部と前記各第２の遮光部とは、厚みが異なるように構成されていてもよい。
【００２９】
前記各第１の遮光部と前記各第２の遮光部とは、使用される遮光部材の濃度が異なるように構成されていてもよい。
【００３０】
前記各第１の遮光部と前記各第２の遮光部とは、異なる色相基材によって構成されていてもよい。
【００３１】
前記各第１の遮光部は、複数の異なる色相基材が混合されていてもよい。
【００３２】
本発明によるアクティブマトリクス型表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素電極と、前記各画素電極にそれぞれ接続された複数のスイッチング素子とを有する第１の基板と、前記各画素電極と対向するように配置された対向電極を有する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された光学変調媒体と、前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも一方に、各スイッチング素子にそれぞれ所定の強度の光が入射することを防止するように配置された複数の遮光部とを備えるアクティブマトリクス型表示装置であって、前記複数の遮光部は、予め設定された所定の定形パターンを示す画素電極に接続されたスイッチング素子に対応して配置された複数の第２の遮光部と、前記複数の第２の遮光部以外の複数の第１の遮光部とによって構成されており、前記各第２の遮光部において対応するスイッチング素子と対向する面が、前記各第１の遮光部において対応するスイッチング素子と対向する面よりも、対応するスイッチング素子に光を入射させる光反射率が大きくなっている。
【００３３】
前記各第２の遮光部において対応するスイッチング素子と対向する面と、前記各第１の遮光部において対応するスイッチング素子と対向する面とは、光反射率が異なる部材で構成されていてもよい。
【００３４】
前記各第２の遮光部において対応するスイッチング素子と対向する面には、突起が選択的に設けられていてもよい。
【００３５】
前記各第２の遮光部において対応するスイッチング素子と対向する面には、反射部が選択的に設けられていてもよい。
【００３６】
本発明によるアクティブマトリクス型表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素電極と、各画素電極にそれぞれ接続された複数のスイッチング素子とを有する第１の基板と、前記各画素電極と対向するように配置された対向電極を有する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された光学変調媒体と、前記各画素電極と前記対向電極との間に印加される電圧に応じて変更される情報を、所定の強度の光によって表示する、表示部とを備えるアクティブマトリクス型表示装置であって、前記各画素電極と前記対向電極との間に所定の電圧を印加した状態で、前記表示部に前記所定の強度より強い光を照射すると、前記表示部は定形パターンを表示する。
【００３７】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の説明において、液晶層の液晶分子の配向状態を制御することで表示する情報を制御するアクティブマトリクス型液晶表示装置を説明するが、本発明は、アクティブマトリクス型液晶表示装置に限定されるものではなく、光学変調媒体を制御することで通過する光の量を制御する任意のアクティブマトリクス型表示装置に適用可能である。
【００３８】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１によるアクティブマトリクス型液晶表示装置１００の構成を模式的に示す斜視図である。
【００３９】
このアクティブマトリクス型液晶表示装置１００は、表示パネル６０を有しており、表示パネル６０は、一部が開口した筐体５０内に設けられている。
【００４０】
表示パネル６０は、アクティブマトリクス基板１０と、このアクティブマトリクス基板１０に対向する対向基板２０と、これらアクティブマトリクス基板１０および対向基板２０との間に挟持された液晶分子を有する液晶層３０とを有している。
【００４１】
アクティブマトリクス基板１０は、光を透過する透明基板１５を有しており、この透明基板１５上に、相互に平行する複数の走査線１３が設けられるとともに、各走査線１３とそれぞれ直交するように相互に平行な複数の信号線１４が設けられている。各走査線１３と各信号線１４とによって囲まれた各領域には、画素電極１１がそれぞれ設けられており、従って、透明基板１５上には、複数の画素電極１１はマトリクス状に配置されている。透明基板１５におけるマトリクス状に画素電極１１が設けられた領域は、表示領域になっている。
【００４２】
各画素電極１１には、各画素電極１１近傍の相互に交差する走査線１３および信号線１４の交差部近傍にそれぞれ配置されたスイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１２がそれぞれ接続されている。
【００４３】
各ＴＦＴ１２には、走査線１３と接続するゲート電極と、信号線１４と接続するソース電極と、画素電極１１と接続するドレイン電極とがそれぞれ設けられている。走査線１３を介してＴＦＴ１２のゲート電極に電圧が印加されると、ＴＦＴ１２のドレイン電極とソース電極が電気的に接続する。したがって、ＴＦＴ１２のドレイン電極に接続された画素電極１１の電位は、ＴＦＴ１２のソース電極に接続された信号線１４の電位と等しくなる。ＴＦＴ１２のゲート電極に電圧が印加されない状態では、ＴＦＴ１２のドレイン電極とソース電極とが電気的に断絶され、ＴＦＴ１２のドレイン電極に接続された画素電極１１の電位が保持される。
【００４４】
なお、スイッチング素子は、ＴＦＴ１２に限らず、ＭＯＳ−ＦＥＴ型アモルファスシリコン薄膜トランジスタ、薄膜アモルファスシリコンＮ型トランジスタ、ＭＩＭ（金属・絶縁体・金属）等であってもよい。
【００４５】
アクティブマトリクス基板１０に液晶層３０を挟んで対向配置された対向基板２０は、光を透過する透明基板２５を有しており、この透明基板２５上には、カラーフィルタ４１を介して、透明な対向電極２１が設けられている。対向電極２１は、アクティブマトリクス基板１０の表示領域に対向して配置されており、表示領域に設けられた各画素電極１１それぞれと、対向電極２１とそれらの間の液晶層３０とによって、各画素がそれぞれ形成されている。
【００４６】
液晶層３０の液晶分子の配向状態は、表示領域の対向電極２１と各画素電極１１との間に印加される電圧により制御される。画素電極１１と対向電極２１との間に電圧が印加されると、電圧が印加された画素電極１１と対向電極２１との間に挟持された液晶層３０の液晶分子の配向状態が変化し、それにより、画素電極１１と対向電極２１との間の液晶層３０を通過する光の量が変化する。従って、対向電極２１と各画素電極１１との間に印加する電圧を制御することによって、表示領域を通過する光の量を制御することができる。
【００４７】
表示パネル６０が収容された筐体５０には、対向基板２０の表示領域が露出するように、開口部が設けられている。
【００４８】
対向基板２０には表示部２３が設けられており、表示部２３は、筐体５０一部が開口した領域から露出されるように構成されている。表示部２３において、表示領域を通過した光を用いて、所望な情報が表示される。
【００４９】
なお、アクティブマトリクス基板１０に設けられた透明基板１５および対向基板２０に設けられた透明基板２５は、耐熱性、機械的強度、対薬液性等の特性を有する材料であることが好ましく、少なくとも一方はガラス基板であることが好ましい。
【００５０】
透明基板２５と対向電極２１との間には、表示パネル６０によってカラー表示を行なうために、カラーフィルタ４１が設けられている。カラーフィルタ４１は、赤色光を通過させる赤色（Ｒ）の着色層４１Ａ、緑色の光を通過させる緑色（Ｇ）の着色層４１Ｂ、および、青色の光を通過させる青色（Ｂ）の着色層４１Ｃが設けられている。各着色層４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃは、それぞれ、アクティブマトリクス基板１０における各走査線１３に沿った画素電極１１の列に対向した帯状に形成されており、赤色（Ｒ）の着色層４１Ａ、緑色（Ｇ）の着色層４１Ｂ、および、青色（Ｂ）の着色層４１Ｃが、画素電極１１の列とは直交する方向に、一定の順番を繰り返すように配列されている。
【００５１】
また、カラーフィルタ４１には、アクティブマトリクス基板１０に設けられたスイッチング素子としての各ＴＦＴ１２をそれぞれ覆うように、遮光部４２が設けられている。
【００５２】
なお、図１に示されるアクティブマトリクス型液晶表示装置１００では、図面を過度に複雑にしないように、６行６列の画素電極１１と、各画素電極１１に対応して設けられたＴＦＴ１２、遮光部４２等を示しているが、アクティブマトリクス型液晶表示装置１００には、さらに多くの画素電極１１、ＴＦＴ１２、遮光部４２等が設けられている。
【００５３】
遮光部４２は、それぞれ、アクティブマトリクス基板１０の表示領域内に設けられた全ての画素電極１１に接続されたＴＦＴ１２に対応して設けられている。
【００５４】
遮光部４２には、それぞれ特性が異なる、第１遮光部４２Ａと、第２遮光部４２Ｂの２つのタイプの遮光部がある。複数の第１遮光部４２Ａと、複数の第２遮光部４２Ｂとがカラーフィルタ４１上に配置されている。
【００５５】
表示パネル６０において、第２遮光部４２Ｂは、予め設定された所定の定形パターンを表示し得るように、その定形パターンを形成する画素電極１１に接続された各ＴＦＴ１２に対応して、設けれられており、第１遮光部４２Ａは、それら以外の画素電極１１に接続された各ＴＦＴ１２に対応して、設けられている。そして、第１遮光部４２Ａおよび第２遮光部４２Ｂは、それぞれ、所定の強度の光を遮光するようになっており、第１遮光部４２Ａによって遮光される光の強度が、第２遮光部４２Ｂによって遮光される光の強度よりも大きくなっている。
【００５６】
従って、第２遮光部４２Ｂによって遮光される強度の光は、第１遮光部４２Ａによって遮光されるが、第２遮光部４２Ｂを通過する強度の光の一部は、第１遮光部４２Ａによって遮光される。
【００５７】
第２遮光部４２Ｂによって遮光される光の強度は、表示パネル６０の表示部２３において情報を表示する場合に使用される光の強度とされており、従って、表示部２３において、各種情報を表示する場合には、第２遮光部４２Ｂおよび第１遮光部４２Ａによって、光が遮光される。その結果、表示部２３にて各種情報を表示する場合には、第１遮光部４２Ａおよび第２遮光部４２Ｂに対応して設けられた各ＴＦＴ１２に光が入射することを防止するために、各ＴＦＴ１２にてフォトコンダクションが発生することが防止される。その結果、各画素電極１１に電荷が確実に保持されるために、高品位の表示を得ることができる。
【００５８】
これに対して、第２遮光部４２Ｂを通過するものの、第１遮光部４２Ａによって遮光される強度の光が入射すると、第２遮光部４２Ｂを通過した光が、第２遮光部４２Ｂに対応して設けられた各ＴＦＴ１２に入射し、各ＴＦＴ１２の半導体層に光キャリアが発生し、各ＴＦＴ１２によって電荷がリークするフォトコンダクションが発生する。各画素電極１１に電荷がそれぞれ保持されている場合には、フォトコンダクションが発生した各ＴＦＴ１２に接続された画素電極１１の電荷がリークすることになる。第２遮光部４２Ｂは、予め設定された所定の定形パターンを形成する画素電極１１に接続されたＴＦＴ１２に対応してそれぞれ設けられているために、電荷がリークする全ての画素電極１１が、電荷が保持されている他の画素電極１１とは異なる状態になり、これにより、電荷がリークする全ての画素電極１１によって、予め設定された所定の定形パターンが表示される。
【００５９】
第１遮光部４２Ａは、例えば、カラーフィルタ４１の赤色の着色層４１Ａと同様の着色層と、青色の着色層４１Ｃと同様の着色層とを積層して構成されており、第２遮光部４２Ｂは、赤色の着色層４１Ａと同様の着色層によって構成されている。
【００６０】
図２（ａ）は、ノーマリーホワイトの表示パネル６０における通常の表示状態、すなわち、表示パネル６０の表示部２３に、第２遮光部４２Ｂにて遮光される強度の光、従って、第１遮光部４２Ａにても遮光される強度の光が照射された状態において、全ての画素電極１１と対向電極２１との間に所定の電圧を印加した場合の表示領域を示している。
【００６１】
なお、各ＴＦＴ１２は、それぞれ、透明基板１５上の所定の領域に設けられたゲート電極１２ａと、このゲート電極１２ａを覆うゲート絶縁膜１２ｂ上に、ゲート電極１２ａの所定の領域を覆うように設けられた半導体層１２ｃと、この半導体層１２ｃ上に、相互に適当な間隔をあけて設けられたソース電極１２ｄおよびドレイン電極１２ｅとを有して構成されており、前述したように、ゲート電極１２ａが走査線１３に、ソース電極１２ｄが信号線１４に、ドレイン電極１２ｅが画素電極１１に接続されている。
【００６２】
図３（ａ）は、この場合の表示パネル６０の表示部２３の上面図である。図３（ａ）に示すように、表示パネル６０の表示部２３に、第２遮光部４２Ｂにて遮光される光が照射されると、全てのＴＦＴ１２に対応して設けられた第１遮光部４２Ａおよび第２遮光部４２Ｂによって、全てのＴＦＴ１２に光が入射することが防止され、従って、各ＴＦＴ１２において、半導体層１２ｃに光キャリアが発生することが防止されて、各ＴＦＴ１２によって電荷がリークすることが防止される。その結果、全ての画素電極１１において、保持された電荷が保持され、表示領域は、全体が黒く表示される。
【００６３】
図２（ｂ）は、全ての画素電極１１と対向電極２１との間に所定の電圧を印加した状態で、第２遮光部４２Ｂを通過し、第１遮光部４２Ａによって遮光される強度の光を、表示パネル６０の表示部２３に照射した場合の表示領域を示している。
【００６４】
図３（ｂ）は、この場合の表示パネル６０の表示部２３の上面図である。
【００６５】
この場合には、全ての第２遮光部４２Ｂを通過した光によって、各第２遮光部４２Ｂに対応して設けられた各ＴＦＴ１２に光が照射されるために、各ＴＦＴ１２にそれぞれ接続された各画素電極１１に電圧が印加され、予め設定された定形パターンが表示される。定形パターンとしては、例えば、図３（ｂ）に示すように、表示パネル６０の固有の記号であるパネルＩＤとして「ＡＢＣ１２３４５６」が表示される。
【００６６】
このように、定形パターンとして、表示パネル６０のパネルＩＤが表示される場合には、アクティブマトリクス型液晶表示装置１００を解体することなく、表示部２３に、第２遮光部４２Ｂを通過し、第１遮光部４２Ａを通過しない強度の光を照射することにより、筐体５０内の表示パネル６０のパネルＩＤを知ることができる。
【００６７】
なお、定形パターンは、パネルＩＤに限らず、任意の絵、文字等の任意の表示であってもよい。
【００６８】
このように、ある強度の光を、第２遮光部４２Ｂを通過させ、第１遮光部４２Ａによって遮光するためには、第１遮光部４２Ａの光透過率を第２遮光部４２Ｂの光透過率と異なるように構成すればよい。
【００６９】
そのために、実施の形態１では、第１遮光部４２Ａを、カラーフィルタ４１の赤色の着色層４１Ａと同様の着色層と、青色の着色層４１Ｃと同様の着色層とを積層して構成しており、第２遮光部４２Ｂを、赤色の着色層４１Ａと同様の着色層によって構成している。
【００７０】
以下に、赤色の着色層４１Ａ、緑色の着色層４１Ｂ、青色の着色層４１Ｃの少なくとも１つと同様の着色層でＴＦＴ１２を遮光した場合の遮光特性を示す。
【００７１】
アクティブマトリクス基板１０において、フォトリソグラフィを繰り返して、アモルファスシリコンＮ型ＴＦＴ１２を形成する。このように形成したＴＦＴ１２に入射する光を、赤色の着色層４１Ａ（Ｒ）、緑色の着色層４１Ｂ（Ｇ）、青色の着色層４１Ｃ（Ｂ）、赤色の着色層４１Ａ＋緑色の着色層４１Ｂ（Ｒ＋Ｇ）、赤色の着色層４１Ａ＋青色の着色層４１Ｃ（Ｒ＋Ｂ）、緑色の着色層４１Ｂ＋青色の着色層４１Ｃ（Ｇ＋Ｂ）、赤色の着色層４１Ａ＋緑色の着色層４１Ｂ＋青色の着色層４１Ｃ（Ｒ＋Ｇ＋Ｂ）のそれぞれと同様の着色層で遮光した場合のＴＦＴ１２の特性を表１に示す。ＴＦＴ１２には約１００００ｌｕｘの３波長蛍光ランプを照射している。
【００７２】
【表１】
2004109670.tif 000003
表１において、「＋」は、ある色の着色層と同様の着色層を積層したものを意味し、例えば、Ｒ＋Ｇは、赤色の着色層４１Ａと同様の着色層と、緑色の着色層４１Ｂと同様の着色層とを積層したものを意味する。ＶｔｈはＴＦＴ１２の閾値電圧を示し、Ｉｏｆｆ（−５Ｖ）は、トランジスタオフするために、ゲートに−５Ｖの印加した場合におけるオフ時のトランジスタリーク電流を示す。また、参考のために、暗域下（ＤＡＲＫ）においても、ＴＦＴ１２の閾値電圧と、トランジスタリーク電流を示す。
【００７３】
赤色の着色層４１Ａ、緑色の着色層４１Ｂ、青色の着色層４１Ｃのいずれか１つの着色層と同様の着色層によってＴＦＴ１２に入射する光を遮光する場合、ＴＦＴ１２の閾値電圧は約２．４〜約２．５Ｖである。
【００７４】
赤色の着色層４１Ａ、緑色の着色層４１Ｂ、青色の着色層４１Ｃのうち２つの着色層と同様の着色層を積層することによってＴＦＴ１２に入射する光を遮光する場合、ＴＦＴ１２の閾値電圧は約２．９〜約３．０Ｖである。
【００７５】
また、赤色の着色層４１Ａ、緑色の着色層４１Ｂ、青色の着色層４１Ｃの３つの着色層と同様の着色層をすべて積層することによってＴＦＴ１２に入射する光を遮光する場合、ＴＦＴ１２の閾値電圧は約３．１Ｖである。また、暗域下においても、ＴＦＴ１２の閾値電圧は約３．１Ｖである。
【００７６】
トランジスタリーク電流は、赤色の着色層４１Ａと同様の着色層でＴＦＴ１２に入射する光を防ぐ場合、最も小さく、次いで、青色の着色層４１Ｃ、緑色の着色層４１Ｂの順番に大きくなる。
【００７７】
カラーフィルタ４１は、例えば、富士フィルム社製のネガ型感光性顔料レジストフィルムをラミネート方式で形成する。
【００７８】
図４は、赤色の着色層４１Ａと同様の着色層と青色の着色層４１Ｃと同様の着色層とを積層した構成（Ｒ＋Ｂ）でＴＦＴ１２に入射する光を遮光する場合のＴＦＴ１２の特性と、赤色の着色層４１Ａ（Ｒ）と同様の着色層でＴＦＴ１２に入射する光を遮光する場合のＴＦＴ１２の特性と、暗域下におけるＴＦＴ１２の特性とを示すグラフである。図４のグラフでは、横軸はトランジスタのゲートに印加された電圧を示し、縦軸はトランジスタリーク電流を示している。
【００７９】
図４のグラフに示されるように、赤色の着色層４１Ａと同様の着色層と青色の着色層４１Ｃと同様の着色層とを積層した構成によってＴＦＴ１２に入射する遮光する場合のＴＦＴ１２の特性は、暗域下のＴＦＴ１２の特性とほぼ等しい。
【００８０】
上述したように第２遮光部４２Ｂを赤色の着色層４１Ａと同様の着色層で構成すると、一般的な蛍光灯スタンドで照射することができる５０００〜１００００ｌｕｘの強度を３波長蛍光ランプで照射することによって、トラジスタリーク電流による電圧降下が生じる。また、赤色の着色層４１Ａだけでなく、緑色の着色層４１Ｂまたは青色の着色層４１Ｃと同様の着色層によって第２遮光部４２Ｂを形成しても、同様にトラジスタリーク電流による電圧降下が生じる。
【００８１】
図５は、赤色の着色層４１Ａ、緑色の着色層４１Ｂ、青色の着色層４１Ｃのそれぞれの波長−透過率の特性を示すグラフである。
【００８２】
図５に示されるように、赤色の着色層４１Ａは約６５０ｎｍで最大透過率を示し、緑色の着色層４１Ｂは約５５０ｎｍで最大透過率を示し、青色の着色層４１Ｃは約４６０ｎｍで最大透過率を示す。
【００８３】
図６は、対向基板２０に赤色の着色層４１Ａを配置するために赤色のレジストフィルム４４を圧着させる形態を示す斜視図である。
【００８４】
図６に示されるように、ガラスの基板４１を予め加熱して、約１８０℃に保温したまま、約１３０℃に加熱された上下のロール４３Ａ、４３Ｂに赤色のレジストフィルム４４と透明基板２５とをタイミングよく熱圧着させながら通過させることによって、赤色のレジストフィルム４４を透明基板２５に粘着させる。
【００８５】
図７は、透明基板２５に圧着された赤色のレジストフィルム４４をフォトリソグラフィーによってパターニングしたことを示す上面図である。
【００８６】
マトリクスの列に沿った赤色の着色層４１Ａが所定の行間隔毎に設けられており、赤色の着色層４１Ａが設けられていない列の第１遮光部４２Ａおよび第２遮光部４２Ｂとなる領域には赤色の着色層４１Ａと同様の着色層が設けられている。このように赤色のレジストフィルム４４をパターニングするためには、図６に示したように、圧着された赤色のレジストフィルム４４に、約２５ｍＪ／ｃｍの紫外線照射による画像露光を行なって、潜像を形成した後、現像処理を行う。次いで、上記フォトリソグラフィーによるパターニングの際に重合しきれなかったモノマーの熱重合をさせるために、約２３０℃でベーク処理を行なう。
【００８７】
図８は、赤色のレジストフィルム４４に加えて、緑色のレジストフィルムと青色のレジストフィルムとをパターニングしたカラーフィルタ４１の上面図である。
【００８８】
上述した赤色のレジストフィルム４４と同様のプロセスを繰り返すことによって、緑色の着色層４１Ｂのための緑色のレジストフィルムと、青色の着色層４１Ｃのための青色のレジストフィルムとを所定の領域に形成する。
【００８９】
ここで、第２遮光部４２Ｂは、赤色の着色層４１Ａと同様の着色層によって形成されており、第１遮光部４２Ａは、赤色の着色層４１Ａと同様の着色層と青色の着色層４１Ｃと同様の着色層とが積層されることによって、形成されている。青色のレジストフィルムをパターニングする際には、第２遮光部４２Ｂとなる領域に対応する部分に、青色のレジストフィルムが残らないように予め設けられた露光マスクでパターンを形成すればよい。
【００９０】
あるいは、第１遮光部４２Ａは、赤色の着色層４１Ａと同様の着色層と青色の着色層４１Ｃと同様の着色層を積層するのではなく、赤色の着色層４１Ａと同様の着色層と、青色の着色層４１Ｃと同様の着色層とが混合されることによって、形成されてもよい。
【００９１】
図９（ａ）は、第２遮光部４２Ｂにて遮光される強度の光、従って、第１遮光部４２Ａにても遮光される強度の光が照射された状態において、全ての画素電極１１と対向電極２１との間に所定の電圧を印加した場合のカラーフィルタ４１の上面図を示す。
【００９２】
第１遮光部４２Ａおよび第２遮光部４２Ｂは、ＴＦＴ１２に光が入射することを遮光するため、図９（ａ）に示されるように、光はカラーフィルタ４１を通過しない。
【００９３】
図９（ｂ）は、全ての画素電極１１と対向電極２１との間に所定の電圧を印加した状態で、第２遮光部４２Ｂを通過し、第１遮光部４２Ａによって遮光される強度の光を照射した場合のカラーフィルタ４１の上面図を示す。
【００９４】
図９（ｂ）では、アクティブマトリクス型液晶表示装置１００のカラーフィルタ４１において、定形パターンである「２」を示すように定形パターンを示す光が通過する。これは、光を通過する各第２遮光部４２Ｂが、定形パターン「２」を形成するように配置された画素電極１１に接続された各ＴＦＴ１２に対応して設けれられており、各第２遮光部４２Ｂを通過した光によって、各第２遮光部４２Ｂに対向する各ＴＦＴ１２に光キャリアが発生し、各ＴＦＴ１２によって電荷がリークされた結果、各ＴＦＴ１２に接続されていた各画素電極１１の電位が変化し、それにより、各画素電極１１に対応する画素が黒を表示できなくなるからである。
【００９５】
図１０は、赤色のレジストフィルムと緑色のレジストフィルムとをパターニングした対向基板２０に、青色のレジストフィルムを圧着させた後、マスク５１を用いてパターニングする形態を説明するための対向基板２０の模式的な断面図である。
【００９６】
図１０（ａ）は、対向基板２０の上に、所定の形状を有するマスク５１が配置され、対向基板２０の上に圧着された青色のレジストフィルムをパターニングする形態が図示されており、図１０（ｂ）には、青色の着色層４１Ｃもパターニングされた対向基板２０の模式的な断面図を示す。
【００９７】
次いで、各着色層４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ、第１遮光部４２Ａおよび第２遮光部４２Ｂが設けられたカラーフィルタ４１上に、透明性導電膜をスパッタリングすることによって、対向電極２１を形成する。
【００９８】
図１１は、アクティブマトリクス基板１０と、対向基板２０とを貼り合わせた間に液晶層３０となる液晶分子が挿入された表示パネル６０の模式的な断面図である。
【００９９】
なお、図１１において特に図示しないが、表示パネル６０を含むアクティブマトリクス型液晶表示装置１００には、アクティブマトリクス基板１０と対向基板２０とのそれぞれにポリイミド配向膜が塗布され、ラビング処理が施され、シール材によりアクティブマトリクス基板１０と対向基板２０とが貼り合わせた後、ツイステッドネマッティック液晶分子が液晶層３０となる領域に挿入される。次いで、対向基板２０およびアクティブマトリクス基板１０のそれぞれに２つの偏光板を、お互いがクロスニコルの関係を有するようにラミネートした後、ドライバー用ＩＣ基板、コントロール基板と３波長管バックライトユニットを用いて実装することで、ノーマリーホワイトのアクティブマトリクス型液晶表示装置１００を形成する。
【０１００】
このように形成したアクティブマトリクス型液晶表示装置１００を、所定の強度以下の光、例えば、蛍光灯下で表示部２３における光の強度が１０００ｌｕｘ以上５０００ｌｕｘ以下で駆動すれば、アクティブマトリクス型液晶表示装置１００の表示部２３は、通常どおり、情報を表示することができる。このように、所定の強度以下の光は、アクティブマトリクス型液晶表示装置１００を、通常、使用する環境の明るさの光であることが好ましい。また、所定の光より強い強度は、アクティブマトリクス型液晶表示装置１００を、通常、使用しない環境の光の強度を意味することが望ましい。所定の光の強度は、例えば、８０００ｌｕｘであることが好ましい。
【０１０１】
この場合、アクティブマトリクス型液晶表示装置１００の表示部２３の全体を黒で表示させた後、アクティブマトリクス型液晶表示装置１００に光を照射する蛍光灯の照度を上げて、表示部２３における強度が８０００ｌｕｘより大きくなると、第２遮光部４２Ｂに対応する各ＴＦＴ１２にフォトコンダクションが生じることにより、各ＴＦＴ１２に接続している画素電極１１の領域が輝点となる。
【０１０２】
各ＴＦＴ１２のフォトコンダクションにより、トランジスタリーク電流量が増大し、その結果、画素電極１１から液晶層３０の液晶分子に印加される電圧が降下するため、ノーマリーホワイトのアクティブマトリクス型液晶表示装置１００では、フォトコンダクションを生じるＴＦＴ１２に接続され、定形パターンを示すように配置された画素電極１１の領域から光が透過する。第２遮光部４２Ｂは、予め設定された所定の定形パターンを形成する画素電極１１に接続されたＴＦＴ１２に対応してそれぞれ配置されているため、表示部２３において、フォトコンダクションが生じるＴＦＴ１２に接続している画素電極１１の領域に対応する定形パターンで、黒以外の色が表示される。
【０１０３】
図１２は、ゲートオフ時から次の書き込みまで間、各画素電極１１と対向電極２１との間に印加される電圧の時間変化を、表示部２３における光の強度毎に示すグラフである。図１２において、横軸は時間を示し、縦軸は、画素電極１１と対向電極２１との間に印加される電圧を示している。
【０１０４】
図１２に示されるように、アクティブマトリクス型液晶表示装置１００では、８０００Ｌｕｘより大きい強度の光では、トランジスタリーク電流に起因して、画素電極１１が保持する電荷が時間と共に急速に減少し、それにより、液晶層３０の液晶分子に印加される電圧が小さくなるために、その画素電極１１と、対向電極２１と、それらの間の液晶層３０の液晶分子によって形成される画素は輝点となる。ここで、トランジスタリーク電流と電圧降下について、ゲートオフ時から次の書き込みまでの画素電極１１と対向電極２１との間の電圧は次の過渡現象の式で表せる。
【０１０５】
【数１】
2004109670.tif 000004
Ｖ０　　　　　　　　　ＴＦＴ１２のソースとドレインとの間の電圧
ＲＴＦＴｏｆｆ　　　　　　　ＴＦＴ１２のオフ抵抗
Ｃｐｉｘ　　　　　　　画素電極１１と対向電極１２との間の画素容量
τｏｆｆ　　　　　ＴＦＴ１２の（ゲート）オフ時間
なお、ＲＴＦＴｏｆｆはＴＦＴ１２の大きさで規格化すると、
【０１０６】
【数２】
2004109670.tif 000005
となり、ここで、ＬはＴＦＴ１２の長さであり、ＷはＴＦＴ１２の幅であり、ρＴＦＴｏｆｆはＴＦＴ１２の係数である。ρＴＦＴｏｆｆは、Ｖｇｌ（ゲートオフ電圧）、入射光の強度、温度の関数によって決定される。
【０１０７】
このように、フォトコンダクションを利用し、表示部２３に定形パターンを表示させる際に照射する光の強度を、第１遮光部４２Ａおよび第２遮光部４２Ｂの遮光特性、および、ＴＦＴ１２のサイズに応じて調整することができる。
【０１０８】
なお、上記説明では、第１遮光部４２Ａおよび第２遮光部４２Ｂをフォトリソグラフィによって形成する形態を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。第１遮光部４２Ａおよび第２遮光部４２Ｂは、インクジェット法などを用いて、形成してもよい。
【０１０９】
なお、上記の説明では、第１遮光部４２Ａの光透過率を第２遮光部４２Ｂの光透過率と異なるように構成するために、第１遮光部４２Ａを、カラーフィルタ４１の赤色の着色層４１Ａと同様の着色層と、青色の着色層４１Ｃと同様の着色層とを積層して構成しており、第２遮光部４２Ｂを、赤色の着色層４１Ａと同様の着色層によって構成している。
【０１１０】
しかしながら、実施の形態１は、このように構成された第１遮光部４２Ａおよび第２遮光部４２Ｂに限定されるものではない。
【０１１１】
第１遮光部４２Ａおよび第２遮光部４２Ｂを、所定の着色層（例えば、赤色の着色層４１Ａ）と同様の着色層で構成してもよい。その場合、第１遮光部４２Ａを構成する着色層の厚さが第２遮光部４２Ｂを構成する着色層の厚さと異なるように、第１遮光部４２Ａおよび第２遮光部４２Ｂを構成すると、第１遮光部４２Ａの光透過率は第２遮光部４２Ｂの光透過率と異なる。具体的には、第１遮光部４２Ａを構成する着色層の厚さを第２遮光部４２Ｂを構成する着色層の厚さよりも厚くする。
【０１１２】
あるいは、第１遮光部４２Ａの着色層の濃度が第２遮光部４２Ｂの着色層の濃度と異なるように、第１遮光部４２Ａおよび第２遮光部４２Ｂを構成すると、第１遮光部４２Ａの光透過率は、第２遮光部４２Ｂの光透過率と異なる。具体的には、第１遮光部４２Ａの着色層の濃度を第２遮光部４２Ｂの着色層の濃度よりも濃くする。
【０１１３】
また、上記説明では、第１遮光部４２Ａおよび第２遮光部４２Ｂをカラーフィルタ４１の着色層４１Ａ、４１Ｃと同様の着色層で構成する形態を説明したが、実施の形態１の第１遮光部４２Ａおよび第２遮光部４２Ｂは、カラーフィルタ４１に使用される着色層と同様の着色層によって構成されるものに限定されるものではない。第１遮光部４２Ａおよび第２遮光部４２Ｂは、ある強度の光が、第２遮光部４２Ｂを通過し、第１遮光部４２Ａによって遮光されるものであれば、任意の形態であってもよい。
【０１１４】
第１遮光部４２Ａおよび第２遮光部４２Ｂを、同じ性質の部材で構成してもよく、その場合、第１遮光部４２Ａを構成する部材の厚さが第２遮光部４２Ｂを構成する部材の厚さと異なるように、第１遮光部４２Ａおよび第２遮光部４２Ｂを構成すると、第１遮光部４２Ａの光透過率が第２遮光部４２Ｂの光透過率と異なる。具体的には、第１遮光部４２Ａを構成する部材の厚さを第２遮光部４２Ｂを構成する部材の厚さよりも厚くする。
【０１１５】
あるいは、第１遮光部４２Ａおよび第２遮光部４２Ｂを各着色層４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ以外の遮光部材で構成してもよく、その場合、第１遮光部４２Ａに使用する遮光部材の濃度を第２遮光部４２Ｂに使用する遮光部材の濃度よりも濃くすると、第１遮光部４２Ａの光透過率は、第２遮光部４２Ｂの光透過率と異なる。
【０１１６】
あるいは、第１遮光部４２Ａおよび第２の遮光部を各着色層４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ以外の色相基材によって構成してもよく、その場合、第２遮光部４２Ｂは、第１遮光部４２Ａと異なる色相基材によって形成し、さらに、第１遮光部４２Ａには複数の異なる色相基材が混合されていてもよい。
【０１１７】
実施の形態１によれば、アクティブマトリクス型液晶表示装置１００がバックライトから出射された光を利用する透過型アクティブマトリクス型液晶表示装置であるか、アクティブマトリクス型液晶表示装置１００の外部から表示部２３に入射する光を利用する反射型アクティブマトリクス型液晶表示装置であるかにかかわらず、各第１遮光部４２Ａおよび各第２遮光部４２Ｂは、対向基板２０の方からアクティブマトリクス基板１０に向かって進行する所定の強度の光が対応するＴＦＴ１２に入射することを防ぎ、各第１遮光部４２Ａが遮光する光の強度は、各第２遮光部４２Ｂが遮光する強度よりも大きくなっており、複数の第２遮光部４２Ｂのそれぞれは、複数の画素電極１１のうち予め設定された所定の定形パターンを示す画素電極１１に接続されたＴＦＴ１２に対応して配置されていることにより、各第２遮光部４２Ｂを通過するが、各第１遮光部４２Ａによって遮光される強度の光を照射するだけで、アクティブマトリクス型液晶表示装置１００の表示部２３に定形パターンを表示させることができる。
【０１１８】
（実施の形態２）
上述した実施の形態１では、第１遮光部４２Ａおよび第２遮光部４２Ｂが、それぞれ、表示側、すなわち、対向基板２０の方からアクティブマトリクス基板１０に向かって進行する光を遮光する形態を説明したが、実施の形態２による第１遮光部４２Ｃおよび第２遮光部４２Ｄが、それぞれ、対向基板２０の方からアクティブマトリクス基板１０に向かって進行する光がＴＦＴ１２に入射することを遮光するだけでなく、アクティブマトリクス基板１０の方から対向基板２０に向かって進行する光を反射して、ＴＦＴ１２に入射することを防ぐように設けられており、第２遮光部４２ＤにおいてＴＦＴ１２に対向する面は、第１遮光部４２ＣにおいてＴＦＴ１２に対向する面よりも、ＴＦＴ１２に光を入射させる反射率が大きくなっている。実施の形態２は、第１遮光部４２Ｃおよび第２遮光部４２Ｄが第１遮光部４２Ａおよび第２遮光部４２Ｂと異なる点を除いて、実施の形態１と同様である。
【０１１９】
実施の形態２においても、第１遮光部４２Ｃおよび第２遮光部４２Ｄは、それぞれ、対向基板２０の方からアクティブマトリクス基板１０に向かって進行する所定の強度の光を遮光するようになっているが、第１遮光部４２Ｃによって遮光される光の強度と第２遮光部４２Ｄによって遮光される光の強度とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【０１２０】
図１３は、本発明の実施の形態２よるノーマリーホワイトの表示パネル６０の表示領域を示す。
【０１２１】
図１３（ａ）は、ノーマリーホワイトの表示パネル６０における通常の表示状態、すなわち、第２遮光部４２Ｄにて反射を防ぐことができる強度の光、従って、第１遮光部４２Ｃにても反射を防ぐことができる強度の光が、アクティブマトリクス基板１０の方から対向基板２０に向かって照射された状態において、全ての画素電極１１と対向電極２１との間に所定の電圧を印加した場合の表示領域を示している。
【０１２２】
第２遮光部４２Ｄにて反射を防ぐことができる光は、全てのＴＦＴ１２に対応して設けられた第１遮光部４２Ｃおよび第２遮光部４２Ｄによって、全てのＴＦＴ１２の方に光が反射することが防止され、従って、各ＴＦＴ１２において、半導体層１２ｃに光キャリアが発生することが防止され、各ＴＦＴ１２によって電荷がリークすることが防止される。その結果、全ての画素電極１１において、保持された電荷が保持され、表示部２３は、全体が黒く表示される。
【０１２３】
図１３（ｂ）は、全ての画素電極１１と対向電極２１との間に所定の電圧を印加した状態で、第２遮光部４２ＤによってＴＦＴ１２の方に光反射されるが、第１遮光部４２Ｃによって光の反射を防ぐことができる強度の光が、アクティブマトリクス基板１０の方から対向基板２０に向かって照射する場合の表示領域を示している。
【０１２４】
この場合には、全ての第２遮光部４２Ｄによって反射された光が、各第２遮光部４２Ｄに対応して設けられた各ＴＦＴ１２に入射する。
【０１２５】
実施の形態２においても、実施の形態１と同様に、第２遮光部４２Ｄは、所定の定形パターンを示す画素電極１１に接続された各ＴＦＴ１２に対応するように配置されており、第１遮光部４２Ｃは、それら以外の画素電極１１に接続された各ＴＦＴ１２に対応するように配置されている。
【０１２６】
したがって、第２遮光部４２Ｄによって反射された光が、各第２遮光部４２Ｄに対応して設けられた各ＴＦＴ１２に入射すると、予め設定された定形パターンが表示される。定形パターンは、例えば、実施の形態１と同様に、図３（ｂ）に示すように、表示パネル６０の固有の記号であるパネルＩＤとして「ＡＢＣ１２３４５６」である。
【０１２７】
所定の強度の光が、第２遮光部４２ＤによってＴＦＴ１２に反射され、第１遮光部４２Ｃによって反射されることを防ぐように第１遮光部４２Ｃおよび第２遮光部４２Ｄを構成するには、第１遮光部４２Ｃを第２遮光部４２Ｄと光反射率が異なる部材で構成すればよい。
【０１２８】
または、第１遮光部４２Ｃと同じように形成した第２遮光部４２ＤのＴＦＴ１２に対向する表面に、反射部４５を設けてもよい。
【０１２９】
または、第２遮光部４２ＤのＴＦＴ１２に対向する面に突起を選択的に設けてもよい。
【０１３０】
第２遮光部４２Ｄを、予め設定された所定の定形パターンを形成する画素電極１１に接続されたＴＦＴ１２に対応してそれぞれ配置することにより、アクティブマトリクス型液晶表示装置１００がバックライトを有する透過型アクティブマトリクス型液晶表示装置である場合、バックライトから出射する光の強度を所定の強度より大きくすることにより、図３（ｂ）に示したようにアクティブマトリクス型液晶表示装置１００の表示部２３に定形パターンを表示させることができる。
【０１３１】
実施の形態２によれば、アクティブマトリクス型液晶表示装置１００がバックライトから出射された光を利用する透過型アクティブマトリクス型液晶表示装置である場合、アクティブマトリクス基板１０の方から対向基板２０に向かって進行する光の強度が、第１遮光部４２Ｃによって反射されることが防がれ、第２遮光部４２ＤによってＴＦＴ１２の方に反射されるであれば、その光を第１遮光部４２Ｃおよび第２遮光部４２Ｄに照射することにより、アクティブマトリクス型液晶表示装置１００の表示部２３に定形パターンを表示させることができる。
【０１３２】
また、上述した実施の形態１および実施の形態２では、第１遮光部および第２遮光部を対向基板に設ける形態を説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明による第１遮光部および第２遮光部はアクティブマトリクス基板に設けられてもよい。あるいは、第１遮光部および第２遮光部は、対向基板およびアクティブマトリクス基板の両方に設けられてもよい。
【０１３３】
また、上述した実施の形態１および実施の形態２では、ノーマリーホワイトのアクティブマトリクス型液晶表示装置１００において表示部２３を黒に表示させた後に、第２遮光部によって対応する各ＴＦＴ１２に光が入射することを防ぐことができないが、第１遮光部によって対応する各ＴＦＴ１２に光が入射することを防ぐことができる所定の強度の光を照射することで、定形パターンに配置された画素電極１１が保持する電荷をリークさせたが、本発明はノーマリーホワイトのアクティブマトリクス型液晶表示装置に限定されるものではない。本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置１００は、ノーマリーブラックのアクティブマトリクス型液晶表示装置であってもよい。
【０１３４】
アクティブマトリクス型液晶表示装置１００がノーマリーブラックである場合、画素電極１１と対向電極２１との間に所定の電圧を印加して、アクティブマトリクス型液晶表示装置１００の表示部２３を白に表示させた後、第２遮光部によって対応する各ＴＦＴ１２に光が入射することを防ぐことができないが、第１遮光部によって対応する各ＴＦＴ１２に光が入射することを防ぐことができる所定の強度の光を照射することで、定形パターンの画素電極１１が保持する電荷をリークさせる。それによって、白で表示される表示部２３内に、定形パターンが白以外の色で表示されることになる。
【０１３５】
このように、本発明によるアクティブマトリクス型液晶表示装置１００は、ノーマリーホワイトだけでなく、ノーマリーブラックにも適用できる。
【０１３６】
なお、上記説明では、定形パターンがアクティブマトリクス型液晶表示装置１００の製造に関する情報を示す形態を説明してきたが、本発明は、これに限定されない。
【０１３７】
定形パターンは、アニメーション、風景画および社名ロゴなどの表示であってもよく、定形パターンが任意の表示を示すことにより、その定形パターンを多様な用途に使用することができる。
【０１３８】
また、本発明によるアクティブマトリクス型表示装置は、ＡＶ関連機器、娯楽機器、携帯電話およびカーナビゲーションシステムなどの多様な分野に適用することができる。
【０１３９】
【発明の効果】
本発明によれば、第２遮光部によって対応する各スイッチング素子に光が入射することを防ぐことができないが、第１遮光部によって対応する各スイッチング素子に光が入射することを防ぐことができる所定の強度の光を照射することで、アクティブマトリクス型表示装置の表示部に定形パターンを表示することができる。定形パターンは、アクティブマトリクス型表示装置の製造に関する情報（例えば、パネルＩＤ）など任意の情報を含む。
【０１４０】
定形パターンがパネルＩＤである場合、アクティブマトリクス型表示装置を解体することなく、パネルＩＤを知ることができる。したがって、アクティブマトリクス型表示装置の表示パネルの不良品が発見された場合、製造工場に情報を瞬時にフィードバックすることができ、同時期に製造されたロットを特定し、アクティブマトリクス型表示装置の不良品の流出を防止することができる。
【０１４１】
また、定形パターンは、アニメーション、風景画および社名ロゴなどの表示であってもよく、定形パターンが任意の表示を示すことにより、多様な用途に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１によるアクティブマトリクス型液晶表示装置の構成を模式的に示す斜視図である。
【図２】図２（ａ）は、ノーマリーホワイトの表示パネルにおいて全ての画素電極と対向電極との間に所定の電圧を印加した場合の表示領域を示しており、図２（ｂ）は、第２遮光部を通過し、第１遮光部によって遮光される強度の光を、表示パネルの表示部に照射した場合の表示領域を示している。
【図３】図３（ａ）は、図２（ａ）の場合の表示パネルの表示部の上面図であり、図３（ｂ）は、図２（ｂ）の場合の表示パネルの表示部の上面図である。
【図４】図４は、赤色の着色層と同様の着色層と青色の着色層と同様の着色層とを積層した構成（Ｒ＋Ｂ）でＴＦＴに入射する光を遮光する場合のＴＦＴの特性と、赤色の着色層（Ｒ）と同様の着色層でＴＦＴに入射する光を遮光する場合のＴＦＴの特性と、暗域下におけるＴＦＴの特性とを示すグラフである。
【図５】図５は、赤色の着色層、緑色の着色層、青色の着色層のそれぞれの波長−透過率の特性を示すグラフである。
【図６】図６は、対向基板に赤色の着色層を配置するための赤色のレジストフィルムを圧着させる形態を示す斜視図である。
【図７】図７は、透明基板に圧着された赤色のレジストフィルムをフォトリソグラフィーによってパターニングしたことを示す上面図である。
【図８】図８は、赤色のレジストフィルムに加えて、緑色のレジストフィルムと青色のレジストフィルムとをパターニングしたカラーフィルタの上面図である。
【図９】図９（ａ）は、第２遮光部にて遮光される強度の光、従って、第１遮光部にても遮光される強度の光が照射された状態において、全ての画素電極と対向電極との間に所定の電圧を印加した場合のカラーフィルタの上面図を示し、図９（ｂ）は、全ての画素電極と対向電極との間に所定の電圧を印加した状態で、第２遮光部を通過し、第１遮光部によって遮光される強度の光を照射した場合のカラーフィルタの上面図を示す。
【図１０】図１０は、赤色のレジストフィルムと緑色のレジストフィルムとをパターニングした対向基板に、青色のレジストフィルムを圧着させた後、マスクを用いてパターニングする形態を説明するための対向基板の模式的な断面図である。
【図１１】図１１は、アクティブマトリクス基板と、対向基板とを貼り合わせた間に液晶層となる液晶分子が挿入された表示パネルの模式的な断面図である。
【図１２】図１２は、ゲートオフ時から次の書き込みまでの画素電極と対向電極との間に印加する電圧の時間変化を、表示部における光の強度毎に示すグラフである。
【図１３】図１３は、本発明の実施の形態２よるノーマリーホワイトの表示パネルの表示領域を示す。
【図１４】図１４は、従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の構成を模式的に示す斜視図である。
【符号の説明】
１０　　アクティブマトリクス基板
１１　　画素電極
１２　　スイッチング素子
１３　　走査線
１４　　信号線
２０　　対向基板
２１　　対向電極
２３　　表示部
３０　　液晶層
４１　　カラーフィルタ
４１Ａ　赤色の着色層
４１Ｂ　緑色の着色層
４１Ｃ　青色の着色層
４２　　遮光部
４２Ａ　第１遮光部
４２Ｂ　第２遮光部
１００　アクティブマトリクス型液晶表示装置
【図１】
2004109670.tif 000006
【図２】
2004109670.tif 000007
【図３】
2004109670.tif 000008
【図４】
2004109670.tif 000009
【図５】
2004109670.tif 000010
【図６】
2004109670.tif 000011
【図７】
2004109670.tif 000012
【図８】
2004109670.tif 000013
【図９】
2004109670.tif 000014
【図１０】
2004109670.tif 000015
【図１１】
2004109670.tif 000016
【図１２】
2004109670.tif 000017
【図１３】
2004109670.tif 000018
【図１４】
2004109670.tif 000019