(57)【要約】【課題】パターン密度の異なる単一または複数のブロック配線パターンが存在するパターンめっきエリアのパターンめっきにおいて、均一な膜厚の配線パターンが得られるパターンめっき方法を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁基板１１表面にめっき触媒付与及び無電解銅めっきを行って、めっき下地導電槽２１を形成し、下地導電槽２１上に単一または複数のブロック化された配線パターンを用いてパターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターンを形成してパターンめっきエリアを形成する。次に、パターンめっきエリアが形成された絶縁基板１１をめっき液が満たされためっき槽７０に浸漬し、カソードに電気的に接続された補助電極５１を設け、めっき下地導電層２１をカソードにして、電解めっきを行い、めっき下地導電層上に所定厚の導体層を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面にめっき下地導電層を形成し、前記めっき下地導電層上にめっきレジストパターンを形成し、前記めっき下地導電層をカソードにして電解めっきを行って、必要な部分のみにめっき被膜を析出させ、配線パターンを形成するパターンめっき工程において、単一または複数のブロック化された配線パターンからなるパターンめっきエリアの端部または端部より外側に補助電極を３次元的に配置して、電解めっきを行うことを特徴とするパターンめっき方法。
【請求項２】
単一または複数のブロック化された配線パターンが面付け間隔Ｐｘ（Ｘ方向）及びＰｙ（Ｙ方向）で多面付けされた面付けパターンめっきエリアにおいて、前記補助電極の幅は、前記面付け間隔Ｐｘ及びＰｙと同じか、または、小さくなっていることを特徴とする請求項１に記載のパターンめっき方法。
【請求項３】
前記パターンめっきエリアの配線パターンのパターン密度は、中央部が高く、端部が低くなっていることを特徴とする請求項１または２に記載のパターンめっき方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体パッケージ基板等の配線パターン製造時におけるパターンめっき工程において、基板内のパターンめっきエリアの電流分布を制御し、配線パターンのめっき膜厚を均一化する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＢＧＡなどの半導体パッケージの製造プロセスにおいては、配線の狭ピッチ化が進められており、ライン／スペースが２０μｍ以下の配線パターンの要望が強くなっている。
このような狭ピッチ配線パターン形成は、基板表面を全面銅めっきして、エッチングを行うサブトラクティブ法では、エッチング時のサイドエッチの影響により不可能である。そのため、基板表面を薄い銅皮膜等で導電化処理してめっき下地導電層を形成し、めっき下地導電層上にめっきレジストパターンを形成して、めっき液に浸せきし、めっき下地導電層をカソードにして電解めっきを行い、めっきを析出させて配線パターンを形成するセミアディティブ法が注目されている。
【０００３】
ところが、上記パターンめっき工程では、パターン密度の低い部分でめっき膜厚が増加し、逆に、高い部分では低下するという問題がある。
これは、電気めっきにおける電流分布が、パターン密度の低い部分に集中しやすいということによるものである。このような、膜厚のばらつきにより、半導体パッケージに使用した場合には、配線抵抗の相違及び積層工程における平坦性の欠如といった問題が生じる。
【０００４】
このため、パターンめっきの膜厚均一化のために、いろいろな工夫がなされてきた。その主なものは、パターン内に、パターン密度が低い部分にダミーパターンを導入し、パターン密度を均一化させるものがある（例えば、特許文献１参照）。
しかし、この方法は、パターンの設計の段階で、予めダミーパターンを導入しておかねばならず、半導体パッケージ基板の製造者において、対応できるものではない。さらに、ダミーパターンの多くは、配線としては不必要であるにもかかわらず基板内に残存するものであり、半導体パッケージに使用した場合には、電気信号の伝搬特性に対して少なからず悪影響を及ぼす可能性があるため、容易に使用できる方法ではない。
【０００５】
また、別のめっき膜厚均一化の方法としては、リング状の補助電極と遮蔽板を用いた方法が挙げられる（例えば、特許文献２参照）。
この方法は、基板表面の周縁部の上方外側にリング状の補助電極を配置し、この周縁部の所定位置に遮蔽板を配置して、基板周縁部のめっき膜厚の増加を制御している。しかし、この発明では、基板全体に関して、その周縁部の膜厚のコントロールは可能であるが、基板内に複数のパターンが配置された場合、その個々のパターン内でのパターン密度の疎密に起因するめっき膜厚の不均一性は改善されない。
【０００６】
【特許文献１】
特開２０００−３２３５２５号公報
【特許文献２】
特開平８−３６７１１号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来の技術では、設計の段階での導入が必要で、かつ、最終的にパターン内に残存してしまう「ダミーパターン」を用いるか、あるいは、基板全体の周縁部の膜厚制御に対して「補助電極及び遮蔽板」を用いるかしかなかった。
本発明は上記問題点に鑑み考案されたもので、パターン密度の異なる単一または複数のブロック配線パターンが存在するパターンめっきエリアのパターンめっきにおいて、均一な膜厚の配線パターンが得られるパターンめっき方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に於いて上記課題を達成するため、まず請求項１においては、基板表面にめっき下地導電層を形成し、前記めっき下地導電層上にめっきレジストパターンを形成し、前記めっき下地導電層をカソードにして電解めっきを行って、必要な部分のみにめっき被膜を析出させ、配線パターンを形成するパターンめっき工程において、単一または複数のブロック化された配線パターンからなるパターンめっきエリアの端部または端部より外側に補助電極を３次元的に配置して、電解めっきを行うことを特徴とするパターンめっき方法としたものである。
【０００９】
また、請求項２においては、単一または複数のブロック化された配線パターンが面付け間隔Ｐｘ（Ｘ方向）及びＰｙ（Ｙ方向）で多面付けされた面付けパターンめっきエリアにおいて、前記補助電極の幅は、前記面付け間隔Ｐｘ及びＰｙと同じか、または、小さくなっていることを特徴とする請求項１に記載のパターンめっき方法としたものである。
【００１０】
さらにまた、請求項３においては、前記パターンめっきエリアの配線パターンのパターン密度は、中央部が高く、端部が低くなっていることを特徴とする請求項１または２に記載のパターンめっき方法としたものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態につき説明する。
パターンめっき装置の模式概略構成図を図１（ａ）に示す。
図１（ａ）を用いて本発明のパターンめっき方法について説明する。
パターンめっきを行うためのめっき装置は図１（ａ）に示すように、めっき液が満たされためっき槽７０と、アノード電極６０と絶縁基板１１表面にめっき下地導電層及びめっきレジストパターンが形成されたパターンめっきエリア４１と、パターンめっきエリアの端部より外側に線状またはループ状に配置された補助電極５１とから構成されている。
【００１２】
パターンめっき工程は、まず、絶縁基板１１表面にめっき触媒付与及び無電解銅めっきを行って、めっき下地導電層２１を形成する。
次に、めっき下地導電層上に感光層を形成し、単一または複数のブロック化された配線パターンを用いてパターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターンを形成してパターンめっきエリア４１を形成する。
【００１３】
次に、パターンめっきエリア４１が形成された絶縁基板１１をめっき液が満たされためっき槽７０に浸漬し、補助電極５１を設け、めっき下地導電層２１をカソードにして、アノード６０とカソード間に電圧を印加し、パターンめっきエリア４１に電解めっきを行い、めっき下地導電層上に所定厚の導体層を形成する。ここで、補助電極５１はカソードに電気的に接続されている。
さらに、めっきレジストパターンを専用の剥離液で剥離処理し、めっきレジストパターン下部にあったないめっき下地導電層をフラッシュエッチングで除去し、所望の配線パターンを得る。
【００１４】
本発明のパターンめっき方法は、個々の、または、ブロック化された配線パターンからなるパターンめっきエリアの端部から外側に、および基板面から突出するように補助電極５１を設置することにより、パターンめっきエリア内の電流分布を制御し、パターンめっきにおけるめっき膜厚を均一化しているのが特徴である。
ここで、配線パターン、パターンめっきエリアと補助電極の関連について説明する。
配線パターン３０の一例を図２（ａ）に示す。この配線パターン３０はＢＧＡ等の基板に用いられるリードパターンの一例を示したもので、パターンの中央部に半導体チップを搭載し、周辺部に引き出し電極を形成するため、中央部ではパターン密度が高く、周辺部ではパターン密度が低くなっているのが一般的である。パターン密度が高い状態の配線パターンをＡ、パターン密度が低い状態の配線パターンをＢとしたとき、このパターン密度の状態を模式的に示したのが図２（ｂ）である。
【００１５】
上記配線パターン３０を絶縁基板１１上のパターンめっきエリアに展開した場合の事例を図３（ａ）及び（ｂ）に示し、補助電極との関係について説明する。
まず、絶縁基板１１表面にめっき触媒付与及び無電解銅めっきを行ってめっき下地導電槽２１を形成し、レジストを塗布して感光層を形成し、配線パターン３０を露光、現像等の一連のパターニング処理行って、配線パターンのパターン密度に応じてパターン密度の高い領域４１Ａと低い領域４１Ｂとを有するめっきレジストパターンを形成し、パターンめっきエリア４１を形成する（図３（ａ）及び（ｂ）参照）。
【００１６】
次に、めっきパターンめっきエリア４１にレジストパターンが形成された絶縁基板１１をめっき液が満たされためっき槽７０に浸漬し（図１（ａ）参照）、パターンめっきエリア４１の外周部よりｘ方向にＬｘ、ｙ方向にＬｙだけ離れた位置に枠状の補助電極５１を配置し（図１（ｂ）、（図３（ａ）及び（ｂ）参照）、めっき下地導電層２１をカソードにして、アノード６０とカソード間に電圧を印加し、パターンめっきエリア４１に電解銅めっきを行い、めっき下地導電層上に所定厚の導体層を形成するこよにより、パターン密度に関係なく、基板全体に渡ってほぼ均一な厚みの導体層を形成できる。これは、枠状の補助電極５１を設置することにより、電流は補助電極５１に一部吸収され、パターン密度の低いＢ領域に集中することがなくなるからである。
【００１７】
補助電極５１を設置するためには、いろいろな方法をとることができる。上記のような単一配線パターンでパターンめっきエリア４１が形成されている場合は、簡単で、基板をめっき治具に固定し、そのめっき治具に枠状の補助電極５１を固定し、補助電極５１をカソードに電気的に接続することで電解めっきが可能になる。
また、補助電極は、導電体であり、その表面上にめっき析出するものであれば、特に材質は限定されない。銅めっきの場合であれば、銅、ステンレス，チタンなどが適当である。補助電極の断面形状は、特に限定されず、円形，矩形，方形いずれでもよい。
【００１８】
さらに、補助電極５１の設置距離Ｌｘ、Ｌｙは、実験等で最適値を求めるか、予め各種めっき条件で設定された電流分布シミュレーションの技法を用いて求めることができる。
また、パターンめっきエリアと基板外周との間のめっき下地導電層にはレジスト等によりマスクされて、電解めっきが施されないようになっている。
【００１９】
以下、上記電流分布シミュレーションの技法を用いて補助電極５１の距離Ｌｘ、Ｌｙを求める方法にいて説明する。
図３のパターンを用いた例で説明する。これは、パターンめっきエリア４１は３４ｍｍ×３４ｍｍのサイズ（中央部から端部まで１７ｍｍの長さ）を有し、パターン密度はパターンめっきエリア４１の中央部から端部まで連続的に低くなっている。また、めっき液は硫酸銅が０．２ｍｏｌ／Ｌ、硫酸が１．８ｍｏｌ／Ｌで、電気伝導度が０．５５Ｓ（ジーメンス）／ｃｍの硫酸銅めっきを用いた。補助電極は、１片が５ｍｍの正方形の断面を有する枠状の電極を使用した。
補助電極５１は、パターンめっきエリア４１端部からｘ方向の距離Ｌｘ＝０．０ｍｍにして、ｘ方向の距離Ｌｙの値を変えて、パターンめっきエリア４１内の中央部（Ｘ＝０）から端部（Ｘ＝１７）間の各位置でのパターンの電流分布を計算したものである（図４参照）。このように、補助電極の位置を変えることで、電流分布、すなわち、めっきの膜厚が変化する。この条件下においては、Ｌｙ＝５〜６ｍｍの間で、パターンめっきエリア４１全体に極めて均一な電流分布が得られる。Ｌｘの値を変化させた場合にも（Ｌｘ＝０〜１０ｍｍ）、概ね同様な傾向が得られる。
【００２０】
図５は、補助電極５１として、５ｍｍφの円形の断面を有する枠状の電極を使用した場合の電流分布シミュレーション結果を示すもので、前提条件は、図４と同じである。
補助電極５１は、パターンめっきエリア４１端部からの距離Ｌｘ＝０．０ｍｍにして、距離Ｌｙの値を変えて、パターンめっきエリア４１内の中央部（Ｘ＝０ｍｍ）から端部（Ｘ＝１７ｍｍ）間での各位置でのパターンの電流分布を計算したものである（図５参照）。この条件下においては、Ｌｙ＝６〜７ｍｍの間で、パターンめっきエリア４１全体に極めて均一な電流分布が得られる。Ｌｘの値を変化させた場合にも（Ｌｘ＝０〜１０ｍｍ）、概ね同様な傾向が得られる。
【００２１】
このように、本発明に係るパターンめっき方法を用いることにより、パターンめっきエリア内のパターン密度が異なっていても、パターンめっきエリアの外側の所定位置に補助電極を設置することにより、パターンめっきエリア内の電流密度の均一化を図ることができ、結果的に、均一な膜厚の導体層を得ることができる。上記、補助電極の最適位置を設定するための、電流分布シミュレーションの技法は、めっき装置、めっき条件、配線パターンのパターン密度状態、パターンめっきエリアサイズ等によって変わるため、あらかじめ電流分布シミュレーションデータを蓄積しておくことにより、補助電極の最適位置を設定できる。
【００２２】
次に、めっきレジストパターンを専用の剥離液で剥離処理し、めっきレジストパターン下部にあっためっき下地導電層をフラッシュエッチングで除去し、所望の配線パターンを得ることができる。
【００２３】
上記パターンめっき方法は、単一の配線パターンの例で、パターン密度は中心部が高く、外周部が低い場合の事例に付いて説明したが、他の事例として、単一の配線パターンのパターン密度が中心部が帯状に高く、外周部が帯状に低くなっている配線パターンもあり、その事例について説明する。
配線パターンのパターン密度の状態を模式的示したのが図６（ａ）の配線パターン３２で、配線パターン３２は、中央部にパターン密度の高い帯状の領域３２Ａと、両側にパターン密度の低い帯状の領域３２Ｂとで構成されている。
【００２４】
上記と同じ方法で、配線パターン３２を用いて、絶縁基板１１表面上に形成されためっき下地導電層２１上にパターン密度の異なるレジストパターン４２Ａ及び４２Ｂを形成し、パターンめっきエリア４２を形成する（図６（ｂ）参照）。
【００２５】
次に、レジストパターンが形成された絶縁基板１１をめっき液が満たされためっき槽７０に浸漬し（図１（ａ）参照）、パターンめっきエリア４２の端部よりｘ方向にＬｘ、ｙ方向にＬｙだけ離れた位置に棒状の補助電極５２を配置し（図６（ｂ）及び（ｃ）参照）、めっき下地導電層をカソードにして、アノード６０とカソード間に電圧を印加し、レジストパターンをマスクにしてパターンめっきエリア４２に電解めっきを行い、めっき下地導電層上に所定厚の導体層を形成し、パターン密度に関係なく、基板全体に渡ってほぼ均一な厚みの導体層を形成する。
ここで、補助電極５２の距離Ｌｘ、Ｌｙは、予め各種めっき条件で設定された電流分布シミュレーションの技法を用いて設定する。
【００２６】
次に、めっきレジストパターンを専用の剥離液で剥離処理し、めっきレジストパターン下部にあっためっき下地導電層をフラッシュエッチングで除去し、所望の配線パターンを得ることができる。
【００２７】
上記のパターンめっき方法は、パターンめっきエリアに単一の配線パターンのめっきレジストパターンが形成された事例について説明したが、以下ブロック配線パターンを多面付けしてパターンめっきエリアを形成し、補助電極を配置する事例について説明する。
図７（ａ）に、中央部にパターン密度の高い領域３３Ａ、周辺部にパターン密度の低い領域３３Ｂを有するブロック配線パターン３３が、面付け間隔Ｐｘ（ｘ方向）及びＰｙ（ｙ方向）で面付けされた９面付け配線パターン３４の配置構成図を示す。
上記と同じ方法で、９面付け配線パターン３４を用いて、絶縁基板１２表面に形成されためっき下地導電層２１上にパターン密度の異なるレジストパターン４３Ａ及び４３Ｂからなるブロックレジストパターン４３が面付けされた９面付けパターンめっきエリア４４を形成する（図７（ｂ）及び（ｃ）参照）。
【００２８】
次に、９面付けパターンめっきエリア４４が形成された絶縁基板１２をめっき液が満たされためっき槽７０に浸漬し（図１（ａ）参照）、ブロックレジストパターン４３間のｙ方向にＬｙだけ離れた位置に、格子状の補助電極５３を配置する（図７（ｂ）及び（ｃ）参照）。
ここで、格子状の補助電極５３の電極幅Ｄｘ、Ｄｙは、配線パターン３３のｘ方向の面付け間隔Ｐｘ及びｙ方向の面付け間隔Ｐｙと同じか、小さい幅に設定する。
【００２９】
格子状の補助電極５３の電極幅は、絶縁基板上の配線パターンの形状によって決められるが、パターン密度の低い領域３５Ｂの端部のパターン密度が極端に低い場合には、わずかではあるが面付け間隔Ｐｘ及Ｐｙよりも大きくなることもある。
また、個々の配線パターンが、非常に小さく、補助電極をあまりにも多数設けなければならない場合には、実用的な観点から、個々の配線パターンをいくつかのブロックにまとめて、そのブロックに対して補助電極を設けることもできる。
【００３０】
さらに、めっき下地導電層２１をカソードにして、アノード６０とカソード間に電圧を印加し、９面付けパターンめっきエリア４４に電解銅めっきを行い、めっき下地導電層上に所定厚の導体層を形成し、パターン密度に関係なく、基板全体に渡ってほぼ均一な厚みの導体層を形成する。
【００３１】
格子状の補助電極５３は銅、ニッケル等の金属板または銅張積層シートをフォトエッチングまたはプレス型抜き等により、容易に得ることができる。
格子状の補助電極５３を設置するためには、いろいろな方法をとることができる。多面付けされた絶縁基板１２をめっき治具に固定し、そのめっき治具に格子状の補助電極５３を固定し、格子状の補助電極５３の電極５３ａをカソードに電気的に接続することで電解めっきが可能になる。
【００３２】
上記と同じ方法で、めっきレジストパターンを専用の剥離液で剥離処理し、めっきレジストパターン下部にあっためっき下地導電層をフラッシュエッチングで除去し、所望の多面付けされた配線パターンを得ることができる。
【００３３】
図８（ａ）に、中央部にパターン密度の高い帯状の領域３５Ａ、周辺部にパターン密度の低い帯状の領域３５Ｂを有するブロック配線パターン３５がｘ方向の面付け間隔Ｐｘ及びｙ方向の面付け間隔Ｐｙで面付けされた９面付け配線パターン３６の配置構成図を示す。
上記と同じ方法で、９面付け配線パターン３６を用いて、絶縁基板１２表面上に形成されためっき下地導電層２１上に配線密度の異なるレジストパターン４５Ａ及び４５Ｂからなるブロックレジストパターン４５をそれぞれ形成し、９面付けパターンめっきエリア４６を形成する（図８（ｂ）及び（ｃ）参照）。
【００３４】
次に、９面付けパターンめっきエリア４６にレジストパターンが形成された絶縁基板１２をめっき液が満たされためっき槽７０に浸漬し（図１（ａ）参照）、ブロックレジストパターン４５間に、ｙ方向にＬｙだけ離れた位置に柵状の補助電極５４を配置する（図８（ｂ）及び（ｃ）参照）。
ここで、柵状の補助電極５４の電極幅Ｄｘは、面付け間隔Ｐｘ（ｘ方向）と同じか、小さい幅に設定する。
さらに、めっき下地導電層２１をカソードにして、アノード６０とカソード間に電圧を印加し、面付けパターンめっきエリア４６に電解銅めっきを行い、めっき下地導電層上に所定厚の導体層を形成し、パターン密度に関係なく、基板全体に渡ってほぼ均一な厚みの導体層を形成する。
【００３５】
柵状の補助電極５４は銅、ニッケル等の金属板または銅張積層シートをフォトエッチングまたはプレス型抜き等により形成しただけでは、補助電極５４の間隔が安定しないため、間隔を安定して保持できる柵状の補助電極の一例を図９（ａ）に示す。
柵状の補助電極５４は、絶縁シート、または絶縁基板８１上に銅またはニッケル等の金属板を積層した金属張り積層板の金属板をフォトエッチング等で所定の柵状の電極を形成し、絶縁シート、または絶縁基板８１をプレス型抜き等により、所定位置に開口部９１を形成することにより、ブリッジ８１ａで柵状の電極を固定できる。ブリッジ８１ａの位置は単一配線パターンの面付け間隔と合わせると、めっき液の流動性にもほとんど影響されることなく好都合である。
柵状の補助電極５４を設置するためには、多面付けされた絶縁基板１２をめっき治具に固定し、そのめっき治具に柵状の補助電極５４を固定し、さらに、個々の柵状の電極は共通電極５４ｂで電気的に接続され、電極５４ａをカソードに電気的に接続することで電解めっきが可能になる。
また、柵状の補助電極５４の先端部は、面付けパターンめっきエリアの端部よりもせり出すようにしておくと、面付けパターンめっきエリア端部での電流集中を防止することができる。
【００３６】
上記と同じ方法で、めっきレジストパターンを専用の剥離液で剥離処理し、めっきレジストパターン下部にあっためっき下地導電層をフラッシュエッチングで除去し、所望の多面付けされた配線パターンを得ることができる。
【００３７】
【発明の効果】
上記したように、本発明のパターンめっき方法では、配線パターンのパターン密度が異なっても、パターン密度の状態に応じて補助電極を設けることにより、パターンめっきエリア内のめっき膜厚を均一化することができ、均一な膜厚の配線パターンを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、パターンめっき装置の構成概略図である。
（ｂ）は、（ａ）のＥ部を拡大した構成概略図である。
【図２】（ａ）は、配線パターンの一例を示す。
（ｂ）は、配線パターンのパターン密度状態を模式的に示す説明図である。
【図３】（ａ）は、パターンめっきエリアと補助電極の構成を示す説明図である。
（ｂ）は、（ａ）をＣ−Ｃ’で切断した模式構成断面図である。
【図４】電流分布シミュレーションによるめっきエリア上の電流密度分布の一例を示す説明図である。
【図５】電流分布シミュレーションによるめっきエリア上の電流密度分布の他の例を示す説明図である。
【図６】（ａ）は、配線パターンのパターン密度状態の一例を模式的に示す説明図である。
（ｂ）は、パターンめっきエリアと補助電極の構成を示す説明図である。
（ｃ）は、（ｂ）をＣ−Ｃ’で切断した模式構成断面図である。
【図７】（ａ）は、ブロック配線パターンを面付けした面付け配線パターンの一例を模式的に示す説明図である。
（ｂ）は、面付けパターンめっきエリアと補助電極の構成を示す説明図である。
（ｃ）は、（ｂ）をＣ−Ｃ’で切断した模式構成断面図である。
【図８】（ａ）は、ブロック配線パターンを面付けした面付け配線パターンの一例を模式的に示す説明図である。
（ｂ）は、面付けパターンめっきエリアと補助電極の構成を示す説明図である。
（ｃ）は、（ｂ）をＣ−Ｃ’で切断した模式構成断面図である。
【図９】（ａ）は、補助電極の構成の一例を示す説明図である。
（ｂ）は、（ａ）をＤ−Ｄ’で切断した模式構成断面図である。
【符号の説明】
１１、１２……絶縁基板
１２……めっき下地導電層
３０……配線パターン
３１……配線パターン
３１Ａ、３２Ａ、３３Ａ、３５Ａ……パターン密度の高い領域の配線パターン
３１Ｂ、３２Ｂ、３３Ｂ、３５Ｂ……パターン密度の低い領域の配線パターン
３３、３５……ブロック配線パターン
３４、３６……面付け配線パターン
４１、４２……パターンめっきエリア
４１Ａ、４２Ａ、４３Ａ、４５Ａ……パターン密度の高い領域のめっきレジストパターン
４１Ｂ、４２Ｂ、４３Ｂ、４５Ｂ……パターン密度の低い領域のめっきレジストパターン
４３、４５……ブロックレジストパターン
４４、４６……面付けパターンめっきエリア
５１、５２、５３、５４……補助電極
５３ａ、５４ａ……電極
５４ｂ……共通電極
６０……アノード
７０……めっき槽
８１……絶縁シートまたは絶縁基板
８１ａ……ブリッジ
９１……開口部
Ｄｘ……ｘ方向の補助電極の電極幅
Ｄｙ……ｙ方向の補助電極の電極幅
Ｌｘ……ｘ方向の補助電極の位置
Ｌｙ……ｙ方向の補助電極の位置
Ｐｘ……ブロック配線パターン間のｘ方向の間隔
Ｐｙ……ブロック配線パターン間のｙ方向の間隔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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