(57)【要約】【課題】ＰＤＰの脱ガス処理及び封着処理を効率よく行うことができるプラズマディスプレイパネルの封着炉及びこの封着炉を使用するプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。【解決手段】ＰＤＰの封着炉を真空炉及び大気炉により構成し、この真空炉及び大気炉に夫々複数個の炉室を設ける。各炉室においては、支持板６間に６段の搬送装置７を設け、各搬送装置７には７本のローラ８を設ける。ローラ８上にはセッタ１３を転接し、セッタ１３上には１乃至３枚のパネル構造体１１を搭載する。パネル構造体１１はＰＤＰの前面基板と背面基板とをシールフリットを介して重ね合わせたものである。そして、１枚のセッタ１３及びこのセッタ１３に搭載された１乃至３枚のパネル構造体１１からなる組を、６組垂直方向に配列し、各炉室間を一斉に移動させる。【選択図】　図２
2004119070.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマディスプレイパネルの前面基板と背面基板とを封着するプラズマディスプレイパネルの封着炉において、前記前面基板と背面基板とをシールフリットを介して重ね合わせた構造体を真空中で前記シールフリットの軟化点未満の温度に加熱する第１の炉と、この第１の炉に連結され内部の圧力が前記第１の炉の圧力よりも高く前記構造体をこの圧力下で前記シールフリットの軟化点以上の温度に加熱して前記前面基板と背面基板とを前記シールフリットを介して封着する第２の炉と、前記構造体を前記第１の炉中で移動させた後前記第２の炉中で移動させて順次熱処理を受けさせる搬送装置と、を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの封着炉。
【請求項２】
前記搬送装置が上下に複数段設けられており、この複数段の搬送装置が複数の前記構造体を垂直方向に配列させて一斉に移動させるように前記搬送装置の動作を制御する制御装置を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの封着炉。
【請求項３】
前記第１の炉及び第２の炉における前記複数段の搬送装置の相互間、最上段の前記搬送装置の上方及び最下段の前記搬送装置の下方に配置され前記構造体を加熱するヒータを有することを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの封着炉。
【請求項４】
前記搬送装置は、前記構造体の搬送方向に沿って配列され回転することにより前記構造体を搬送する複数のローラを有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネルの封着炉。
【請求項５】
前記第１の炉及び第２の炉は夫々前記構造体の搬送方向に沿って配列された複数の炉室を有し、前記搬送装置は前記構造体を前記複数の炉室間を移動させるものであり、前記第１の炉における前記第２の炉に隣接する最下流側の炉室は、前記第１の炉におけるこの最下流側の炉室に隣接する炉室との間に配置された上流側シャッタと、前記第２の炉との間に配置された下流側シャッタと、を有し、前記最下流側の炉室は、前記上流側及び下流側シャッタを閉じて内部を真空に排気した後前記上流側シャッタを開いて前記構造体が搬入され、その後前記上流側シャッタを閉じて内部の圧力を前記第２の炉の内部圧力まで増加させ、その後前記下流側シャッタを開けて前記第２の炉に向けて前記構造体が搬出されるものであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネルの封着炉。
【請求項６】
前記最下流側の炉室に対して加熱した気体を供給して前記最下流側の炉室の内部圧力を前記第２の炉の内部圧力まで増加させる加熱気体供給手段を有することを特徴とする請求項５に記載のプラズマディスプレイパネルの封着炉。
【請求項７】
前記第２の炉の内部圧力が、前記封着炉の周囲の圧力と等しいことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネルの封着炉。
【請求項８】
プラズマディスプレイパネルの前面基板と背面基板とをシールフリットを介して重ね合わせた構造体を、第１の炉内を移動させながら真空中で前記シールフリットの軟化点未満の温度に加熱する真空加熱工程と、前記構造体を前記第１の炉からこの第１の炉に連結され内部の圧力が前記第１の炉の内部圧力よりも高い第２の炉に移動させる移動工程と、前記構造体を前記第２の炉内を移動させながら前記シールフリットの軟化点以上の温度に加熱して前記前面基板と前記背面基板とを前記シールフリットを介して封着する封着工程と、を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
前記真空加熱工程において、複数の前記構造体が垂直方向に配列されて一斉に移動し、前記移動工程において、この垂直方向に配列された複数の構造体が一斉に移動し、前記封着工程において、前記複数の構造体が垂直方向に配列されて一斉に移動することを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
前記真空加熱工程は、真空中において前記構造体を室温から前記シールフリットの軟化点未満の温度まで加熱する工程と、前記シールフリットの軟化点未満の温度に加熱された構造体の周囲に加熱された気体を供給してこの構造体の周囲の圧力を前記第２の炉の内部の圧力まで増加させる工程と、を有することを特徴とする請求項８又は９に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１１】
プラズマディスプレイパネルの前面基板と背面基板とをシールフリットを介して重ね合わせた構造体を、真空中で前記シールフリットの軟化点未満の温度に加熱する真空加熱工程と、前記シールフリットの軟化点未満の温度に加熱された構造体の周囲に加熱された気体を供給してこの構造体の周囲の圧力を増加させる工程と、前記構造体を前記増加させた圧力中で前記シールフリットの軟化点以上の温度に加熱して前記前面基板と前記背面基板とを前記シールフリットを介して封着する封着工程と、を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマディスプレイパネルの前面基板と背面基板とを封着する封着炉及びプラズマディスプレイパネルの製造方法に関し、特に、真空中でシールフリットの軟化点未満の温度に加熱する第１の炉及びこの第１の炉よりも高い圧力中で前記軟化点以上の温度に加熱する第２の炉を備えた連続式のプラズマディスプレイパネルの封着炉に関する。
【０００２】
【従来の技術】
通常、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）は、以下のようにして製造される。一の絶縁基板上に走査電極及び共通電極を形成し、この走査電極及び共通電極を覆うように誘電体層及びＭｇＯからなる保護層を形成して前面基板を作製する。一方、他の絶縁基板上にデータ電極を形成し、このデータ電極上に誘電体層、隔壁及び蛍光体層を形成して背面基板を作製する。そして、この前面基板と背面基板とをシールフリットを介して重ね合わせて仮固定し、加熱することによりシールフリットを軟化させて、前面基板と背面基板とをシールフリットを介して封着する。その後、前面基板と背面基板との間に形成される放電空間内を排気し、この放電空間内に放電ガスを充填してＰＤＰを製造する。
【０００３】
従来、前面基板と背面基板との封着は、バッチ式の大気炉により行われていた。そして、封着後、前面基板又は背面基板に設けられた排気孔を介して、放電空間内の排気を行っていた。しかしながら、この方法では、排気工程において、前面基板及び背面基板（以下、総称して基板ともいう）の表面に吸着している水分及びガスが放出され、放電空間内を十分な真空度まで排気するのに時間がかかる。また、大気圧中ではなく真空中で封着を行うと、シールフリットが発泡し、シールフリットに欠陥が発生してしまう。
【０００４】
そこで、前面基板と背面基板とをシールフリットを介して重ね合わせて仮固定した構造体（以下、パネル構造体という）を、封着工程の前に、炉に装入して真空雰囲気中でシールフリットの軟化点未満の温度に加熱し、吸着ガスを脱離させ、その後、同じ炉内に不活性ガス等を充填して炉内の圧力を所定の圧力まで増加させた後、シールフリットの軟化点以上の温度に加熱して封着する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。この方法によれば、封着工程の前に脱ガス処理を行っているため、脱ガス処理を行わない場合と比較して、放電空間内を速やかに排気することができる。
【０００５】
【特許文献１】
特開平９−２５１８３９号公報（第３頁、第４図）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の従来の技術には以下に示す問題点がある。特許文献１に記載された技術においても、バッチ式の炉により封着を行っているため、生産性が低いという問題点がある。
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、ＰＤＰの脱ガス処理及び封着処理を効率よく行うことができるプラズマディスプレイパネルの封着炉及びこの封着炉を使用するプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るプラズマディスプレイパネルの封着炉は、プラズマディスプレイパネルの前面基板と背面基板とを封着するプラズマディスプレイパネルの封着炉において、前記前面基板と背面基板とをシールフリットを介して重ね合わせた構造体を真空中で前記シールフリットの軟化点未満の温度に加熱する第１の炉と、この第１の炉に連結され内部の圧力が前記第１の炉の圧力よりも高く前記構造体をこの圧力下で前記シールフリットの軟化点以上の温度に加熱して前記前面基板と背面基板とを前記シールフリットを介して封着する第２の炉と、前記構造体を前記第１の炉中で移動させた後前記第２の炉中で移動させて順次熱処理を受けさせる搬送装置と、を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明においては、第１の炉において前記構造体を真空中で加熱することにより、構造体の脱ガス処理を行うことができる。このとき、加熱温度はシールフリットの軟化点未満の温度とするため、真空中においてシールフリットが軟化することがない。その後、第２の炉において構造体をシールフリットの軟化点以上の温度に加熱することにより、構造体の封着処理を行うことができる。これにより、封着工程後の排気工程において、放電空間内の排気を速やかに行うことができる。また、搬送装置が構造体を第１の炉から第２の炉まで搬送しながら前述の熱処理を行うため、構造体を連続的に熱処理することができる。このため、第１及び第２の炉において、並列して処理を行うことができ、生産性が向上する。
【００１０】
また、前記搬送装置が上下に複数段設けられており、この複数段の搬送装置が複数の前記構造体を垂直方向に配列させて一斉に移動させるように前記搬送装置の動作を制御する制御装置を有することが好ましい。これにより、複数の構造体を同時に処理することができ、生産性がより向上する。
【００１１】
更に、前記第１の炉及び第２の炉は夫々前記構造体の搬送方向に沿って配列された複数の炉室を有し、前記搬送装置は前記構造体を前記複数の炉室間を移動させるものであり、前記第１の炉における前記第２の炉に隣接する最下流側の炉室は、前記第１の炉におけるこの最下流側の炉室に隣接する炉室との間に配置された上流側シャッタと、前記第２の炉との間に配置された下流側シャッタと、を有し、前記最下流側の炉室は、前記上流側及び下流側シャッタを閉じて内部を真空に排気した後前記上流側シャッタを開いて前記構造体が搬入され、その後前記上流側シャッタを閉じて内部の圧力を前記第２の炉の内部圧力まで増加させ、その後前記下流側シャッタを開けて前記第２の炉に向けて前記構造体が搬出されるものであることが好ましい。これにより、各炉室に夫々構造体を収納し、各炉室において並列に処理を行うことができるため、生産性がより向上する。また、最下流側の炉室を前述の如く設けることにより、第１の炉から第２の炉への構造体の移動を効率よく行うことができる。
【００１２】
更にまた、前記最下流側の炉室に対して加熱した気体を供給して前記最下流側の炉室の内部圧力を前記第２の炉の内部圧力まで増加させる加熱気体供給手段を有することが好ましい。最下流側の炉室においては、構造体は前記シールフリットの軟化点未満の温度に加熱されている。このため、この最下流側の炉室の圧力を増加させる際に、この炉室に常温の気体を大流量で導入すると、前記構造体が急速に冷却され、熱応力によりこの構造体の基板が割れることがある。このため、最下流側の炉室に常温の気体を導入する場合には時間をかけて少量ずつ導入する必要がある。この結果、この最下流側の炉室における構造体の滞留時間が長くなり、封着炉全体の生産性を低下させる。しかしながら、前述の加熱気体供給手段を設けることにより、最下流側の炉室に加熱された気体を大流量で導入することができ、この炉室の増圧を短時間で行うことができる。この結果、ＰＤＰの生産性を向上させることができる。
【００１３】
更にまた、前記第２の炉の内部圧力が、前記封着炉の周囲の圧力と等しいことが好ましい。これにより、第２の炉の構成を簡略化することができる。なお、例えば封着炉がクリーンルーム内に設置されており、このクリーンルームの内の圧力が外部よりも若干高めに設定されている場合は、第２の炉の内部圧力はこのクリーンルーム内の圧力であってもよい。また、第２の炉の内部に導入される気体は大気であってもよく、窒素等の不活性ガスであってもよい。
【００１４】
本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、プラズマディスプレイパネルの前面基板と背面基板とをシールフリットを介して重ね合わせた構造体を、第１の炉内を移動させながら真空中で前記シールフリットの軟化点未満の温度に加熱する真空加熱工程と、前記構造体を前記第１の炉からこの第１の炉に連結され内部の圧力が前記第１の炉の内部圧力よりも高い第２の炉に移動させる移動工程と、前記構造体を前記第２の炉内を移動させながら前記シールフリットの軟化点以上の温度に加熱して前記前面基板と前記背面基板とを前記シールフリットを介して封着する封着工程と、を有することを特徴とする。
【００１５】
本発明に係る他のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、プラズマディスプレイパネルの前面基板と背面基板とをシールフリットを介して重ね合わせた構造体を、真空中で前記シールフリットの軟化点未満の温度に加熱する真空加熱工程と、前記シールフリットの軟化点未満の温度に加熱された構造体の周囲に加熱された気体を供給してこの構造体の周囲の圧力を増加させる工程と、前記構造体を前記増加させた圧力中で前記シールフリットの軟化点以上の温度に加熱して前記前面基板と前記背面基板とを前記シールフリットを介して封着する封着工程と、を有することを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について添付の図面を参照して具体的に説明する。図１は本実施形態に係る封着炉を示す模式図、及び横軸にこの封着炉における位置をとり縦軸に基板温度をとってこの封着炉中における基板の温度プロファイルを示すグラフ図である。図２（ａ）は本実施形態における封着炉の各炉室を示す上面断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ線による側面断面図である。
【００１７】
図１に示すように、本実施形態に係る封着炉１は、内部をＰＤＰの前面基板と背面基板とがシールフリットを介して重ね合わされて仮固定されたパネル構造体１１（図２（ａ）参照）を、搬送方向１２に間欠的に移動させながら熱処理を行う連続封着炉であり、真空炉２及び大気炉３により構成されている。
【００１８】
真空炉２は内部が真空、例えば１乃至１０Ｐａ、例えば１乃至３Ｐａに排気され、パネル構造体１１を真空中において熱処理するものである。真空炉２は例えば７個の炉室Ａ１乃至Ａ７を備え、炉室Ａ１乃至Ａ７はこの順に１列に連結されている。真空炉２のうち最も上流側の炉室Ａ１は封着炉１の入口を構成しており、最も下流側の炉室Ａ７は大気炉３に連結されている。また、各炉室Ａ１乃至Ａ７間は、パネル構造体１１が通過できるようになっている。
【００１９】
真空炉２の各炉室Ａ１乃至Ａ７は、夫々上流側の連結部にシャッタＳ１乃至Ｓ７を備えており、炉室Ａ７は下流側の連結部にもシャッタＳ８を備えている。シャッタＳ１は封着炉１の外部と炉室Ａ１との間の連結部を開閉するものであり、シャッタＳｎ（ｎは２乃至７の整数）は夫々炉室Ａ（ｎ−１）と炉室Ａｎとの間の連結部を開閉するものであり、シャッタＳ８は炉室Ａ７と大気炉３の炉室Ｂ１との間の連結部を開閉するものである。
【００２０】
真空炉２において、炉室Ａ１はロードロックである。炉室Ａ１は、封着炉１の外部からパネル構造体１１が搬入され、その後内部が真空に排気され、その後パネル構造体１１を炉室Ａ２に対して搬出する部分である。炉室Ａ２乃至Ａ４は昇温部であり、パネル構造体１１を室温からシールフリットの軟化点未満の温度、例えば３５０℃の温度まで加熱する部分である。炉室Ａ５及びＡ６はキープ部であり、パネル構造体１１の温度を例えば３５０℃に保持する部分である。炉室Ａ７は熱風復圧部であり、パネル構造体１１が搬入された後、熱風発生器４により内部に加熱されたクリーンエアが導入されて内部が大気圧まで復圧し、その後パネル構造体１１が大気炉３の炉室Ｂ１に対して搬出される部分である。
【００２１】
また、各炉室Ａ１乃至Ａ７には、夫々ポンプＰ１乃至Ｐ７が連結されている。ポンプＰ１乃至Ｐ７は夫々炉室Ａ１乃至Ａ７内を排気するものである。更に、炉室Ａ７には、クリーンエアを加熱して炉室Ａ７内に供給する熱風発生器４が連結されている。なお、炉室Ａ１及びＡ７は大気圧から真空までの排気を繰返し行うため、炉室Ａ１及びＡ７に連結されているポンプＰ１及びＰ７は、他のポンプＰ２乃至Ｐ６と比較して能力が大きい。
【００２２】
一方、大気炉３は内部の圧力が大気圧であり、パネル構造体１１を大気圧中において熱処理するものである。なお、本明細書において、大気圧とは、真空炉２の内部圧力よりも高く、シールフリットが軟化したときに発泡しないような圧力をいう。本実施形態においては、大気圧とは封着炉１の周囲の圧力であり、例えば封着炉１がクリーンルーム内に設置されており、このクリーンルームの内の圧力が外部よりも若干高めに設定されている場合は、大気圧とはこのクリーンルーム内の圧力を指す。大気炉３は例えば１２個の炉室Ｂ１乃至Ｂ１２を備え、炉室Ｂ１乃至Ｂ１２はこの順に１列に連結されている。大気炉３のうち最も上流側の炉室Ｂ１は真空炉２の最も下流側の炉室Ａ７に連結されており、最も下流側の炉室Ｂ１２は封着炉１の出口を構成している。各炉室Ｂ１乃至Ｂ１２間は、パネル構造体１１が通過できるように連結部が開口されている。
【００２３】
大気炉３において、炉室Ｂ１は昇温部であり、パネル構造体１１を真空炉２における保持温度、例えば３５０℃からシールフリットの軟化点以上の温度、例えば４５０℃の温度まで加熱する部分である。炉室Ｂ２及びＢ３はキープ部であり、パネル構造体１１の温度を前記シールフリットの軟化点以上の温度、例えば４５０℃に保持する部分である。炉室Ｂ４乃至Ｂ１２は徐冷部であり、パネル構造体１１を例えば４５０℃から室温付近まで冷却する部分である。
【００２４】
図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、各炉室（例えば炉室Ａ２）においては、外壁５が設けられ、外壁５の内部には相互に平行に配置された１対の支持板６が垂直に設けられている。そして、支持板６間には複数段の搬送装置７が設けられている。搬送装置７は垂直方向に例えば６段設けられている。なお、図２（ｂ）においては、便宜上、３段の搬送装置７が図示されている。各搬送装置７は、例えば７本のローラ８を備えている。この７本のローラ８は、パネル構造体１１の搬送方向１２に沿ってその回転軸が相互に平行になるように１列に配列され、支持板６に回転可能に軸支されている。ローラ８は搬送モータ（図示せず）に連結されている。そして、搬送モータは制御装置１０（図１参照）に接続されている。制御装置１０は搬送モータの動作を制御するものである。
【００２５】
また、搬送装置７のローラ８上には、例えば石英板であるセッタ１３が載置され、複数本のローラ８に転接されている。セッタ１３上には例えば１乃至３枚のパネル構造体１１が搭載されている。ローラ８は回転することによりセッタ１３及びパネル構造体１１を搬送方向１２に搬送するものである。更に、最上段の搬送装置７の上方、搬送装置７間、及び最下段の搬送装置７の下方にはヒータ９が設けられている。即ち、搬送装置７が６段設けられている場合には、ヒータ９は各搬送装置７を挟むように７段設けられている。ヒータ９は例えばシーズヒータであり、パネル構造体１１を所定の温度に加熱するものである。なお、図２（ａ）及び（ｂ）においては、シャッタＳ（図１参照）は図示を省略されている。また、図２（ｂ）においては、支持板６は図示を省略されている。
【００２６】
次に、本実施形態に係る封着炉の使用方法、即ち、ＰＤＰの製造方法について説明する。図３は、横軸にパネル構造体が封着炉に装入されてからの時間をとり、縦軸にこのパネル構造体の温度及びこのパネル構造体の周囲の圧力をとって、封着工程において１枚のパネル構造体に印加される温度及び圧力の経時変化を示すグラフ図である。なお、図３に示す線２１は温度プロファイルを示し、線２２は圧力プロファイルを示す。
【００２７】
先ず、１枚のガラス等からなる絶縁基板（図示せず）上に走査電極及び共通電極を形成する。そして、この走査電極及び共通電極を覆うように誘電体層を形成し、その上にＭｇＯからなる保護層を形成して、前面基板を作製する。一方、他の１枚のガラス等からなる絶縁基板上にデータ電極を形成し、このデータ電極上に誘電体層、隔壁及び蛍光体層をこの順に形成して背面基板を作製する。そして、この前面基板又は背面基板の表面に表示エリアを囲むようにシールフリットを形成する。次に、この前面基板と背面基板とをシールフリットを介して重ね合わせ、クリップ等により仮固定してパネル構造体１１（図２（ａ）参照）を形成する。
【００２８】
次に、１枚又は複数枚、例えば１乃至３枚のパネル構造体１１を１枚のセッタ１３に搭載し、セッタ１３ごと封着炉１の炉室Ａ１に装入する。このとき、炉室Ａ１における搬送装置７の各段に、１枚のセッタ１３及びこのセッタ１３上に搭載された１枚又は複数枚のパネル構造体１１からなる組を、１組ずつ搭載する。これにより、搬送装置７が例えば６段設けられている場合、６組のセッタ１３及びパネル構造体１１からなる組が垂直方向に１列に配列される。
【００２９】
なお、このとき、シャッタＳ１は開いており、シャッタＳ２は閉じている。炉室Ａ１の圧力は大気圧となっており、炉室Ａ２乃至Ａ７は真空となっている。炉室Ａ２乃至Ａ７の圧力は例えば１乃至１０Ｐａであり、例えば１Ｐａである。また、炉室Ｂ１乃至Ｂ１２は大気圧となっており、クリーンエアが充填されている。
【００３０】
次に、シャッタＳ１が閉じる。そして、ポンプＰ１が炉室Ａ１内を例えば１乃至１０Ｐａ、例えば１Ｐａに排気する。これにより、図３に示すように、パネル構造体１１の周囲の圧力が大気圧から例えば１Ｐａまで低下する。
【００３１】
次に、シャッタＳ２が開く。これにより、炉室Ａ１と炉室Ａ２とが連通する。そして、制御装置１０（図１参照）が搬送装置７の搬送モータ（図示せず）を駆動し、ローラ８が回転することにより、炉室Ａ１内に収納されていた６組のセッタ１３及びパネル構造体１１を一斉に炉室Ａ２に搬送する。
【００３２】
次に、シャッタＳ２が閉じる。次に、炉室Ａ２のヒータ９がパネル構造体１１を加熱する。そして、パネル構造体１１を所定の温度まで加熱した後、シャッタＳ３が開き、搬送装置７が６組のセッタ１３及びパネル構造体１１を一斉に炉室Ａ３に搬送する。
【００３３】
なお、炉室Ａ１から前述のセッタ１３及びパネル構造体１１が搬出された後、炉室Ａ１は大気圧に復圧され、シャッタＳ１が開き、次の６組のセッタ１３及びパネル構造体１１が封着炉１の外部から炉室Ａ１に搬入される。
【００３４】
このようにして、前述の例えば６組のセッタ１３及びパネル構造体１１からなる組は、炉室Ａ２乃至Ａ４間を間欠的に移動して通過し、図３に示すように、シールフリットの軟化点未満の温度、例えば３５０℃まで加熱される。その後、炉室Ａ５乃至Ａ７間を通過して３５０℃の温度に一定時間、例えば２５分間保持される。これにより、パネル構造体１１の表面に吸着していた水分及びガス等が脱離する。なお、このとき、シールフリットが軟化することはない。
【００３５】
そして、炉室Ａ７に前記６組のセッタ１３及びパネル構造体１１が搬入されると、シャッタＳ７が閉じ、熱風発生器４がクリーンエアを例えば３５０℃の温度に加熱し、炉室Ａ７に供給する。これにより、図３に示すように、炉室Ａ７が大気圧に復圧される。
【００３６】
次に、シャッタＳ８が開き、炉室Ａ７と炉室Ｂ１とが連通される。そして、搬送装置７が炉室Ａ７内の６組のセッタ１３及びパネル構造体１１からなる組を一斉に炉室Ｂ１に搬送する。そして、シャッタＳ８が閉じ、炉室Ｂ１内のヒータ９がパネル構造体１１をシールフリットの軟化点以上の温度、例えば４５０℃に加熱する。
【００３７】
その後、搬送装置７が、この６組のセッタ１３及びパネル構造体１１を、炉室Ｂ２及びＢ３にこの順に搬送する。これにより、パネル構造体１１は例えば４５０℃の温度に例えば２０分間保持される。これにより、パネル構造体１１において、シールフリットが軟化し、前面基板と背面基板とが封着される。
【００３８】
そして、この６組のセッタ１３及びパネル構造体１１を、炉室Ｂ４乃至Ｂ１２をこの順に通過させることにより、パネル構造体１１の温度を４５０℃から室温付近まで冷却する。そして、この６組のセッタ１３及びパネル構造体１１を炉室Ｂ１２から封着炉１の外部に搬出する。
【００３９】
なお、垂直方向に配列された６組のセッタ１３及びパネル構造体１１からなる組が１の炉室から次の炉室に移動すると、前記１の炉室には次の６組のセッタ１３及びパネル構造体１１からなる組が搬入される。このようにして、多数のパネル構造体１１に対して並列に連続的に熱処理を施す。各炉室における処理時間は例えば９分間であり、炉室間の移動時間は例えば１分間である。即ち、封着炉１においては、各処理の基本単位時間（１クロック）が例えば１０分間になっている。
【００４０】
その後、セッタ１３及びパネル構造体１１は、後工程である排気工程に進む。そして、前面基板と背面基板との間に形成される放電空間内を排気する。その後、この放電空間内に放電ガスを充填する。これにより、ＰＤＰが製造される。
【００４１】
本実施形態においては、封着炉１の真空炉２において、パネル構造体１１を真空中で加熱することにより、パネル構造体１１の表面に吸着していた水分及びガス等が脱離し、パネル構造体の脱ガス処理を行うことができる。このとき、加熱温度はシールフリットの軟化点未満の温度とするため、真空中においてシールフリットが軟化して発泡することがない。また、大気炉３においてパネル構造体１１を大気圧中でシールフリットの軟化点以上の温度に加熱することにより、シールフリットを発泡させることなく軟化させ、パネル構造体１１の前面基板と背面基板とを封着することができる。本実施形態においては、封着処理の前に脱ガス処理を行っているため、封着工程後の排気工程において、放電空間内の排気を速やかに行うことができる。
【００４２】
また、本実施形態においては、搬送装置７がパネル構造体１１を真空炉２から大気炉３まで間欠的に搬送する。これにより、パネル構造体１１は各炉室間を移動しながら熱処理が施されるため、パネル構造体１１に連続的に脱ガス処理及び封着処理を施すことができる。
【００４３】
更に、本実施形態においては、搬送装置７が６段設けられているため、１枚のセッタ１３及びこのセッタ１３に搭載された１枚又は複数枚のパネル構造体１１からなる組を、垂直方向に６組配列させて一斉に搬送することができる。これにより、６組の前記組を同時に処理することができるため、生産性が高い。
【００４４】
更にまた、真空炉２及び大気炉３が夫々７個及び１２個の炉室を備えている。これにより、各炉室に夫々６組のセッタ１３及びパネル構造体１１からなる組を収納し、各炉室において並列に処理を行うことができるため、多数のパネル構造体１１を生産性よく処理することができる。更にまた、熱風発生器４がクリーンエアを加熱し、炉室Ａ７に対して供給しているため、パネル構造体１１の基板が熱応力により割れることを防止し、炉室Ａ７の復圧を短時間で行うことができる。
【００４５】
なお、本実施形態とは別に、複数のパネル構造体１１を１つのカセットに収納し、複数のパネル構造体１１をカセットごと封着炉１内を移動させる方法も考えられる。しかしながら、このカセットを使用する方法には、以下に示す問題点がある。先ず、封着炉にカセットを装入すると、カセット自体に熱容量があるため、パネル構造体を加熱及び冷却するために多大なエネルギーが必要となる。即ち、封着炉にかかる熱負荷が大きくなる。また、真空炉において、基板表面の他にカセットの表面にも水分及びガス等が吸着しているため、真空炉の排気系にかかる負荷が大きくなる。このため、排気に長時間を要するか、又は能力が高い排気ポンプが必要となる。更に、封着炉のサイズとしてカセットが通過できるサイズが必要となるため、パネル構造体のサイズと比較して、封着炉が大型化してしまう。これにより、封着炉の設置面積が増大すると共に、熱負荷及び排気負荷が更に増大する。更にまた、封着炉の入口においてパネル構造体をカセット内に収納し、封着炉の出口においてパネル構造体をカセットから取り出し、カセットは再利用するため、封着炉の出口から入口までカセットを戻すリターン経路が必要となる。このため、このリターン経路を含めると、封着炉の設置面積が更に増大してしまう。
【００４６】
これに対して、本実施形態においては、パネル構造体１１がセッタ１３に搭載され、多段に設けられた搬送装置７が複数のセッタ１３を搬送するため、前述のカセットが不要である。これにより、カセットを使用する場合と比較して、封着炉を小型化することができ、設置面積を低減することができる。また、封着炉の熱負荷及び排気負荷を低減することができる。
【００４７】
また、本実施形態においては、熱風発生器４が炉室Ａ７に対して加熱したクリーンエアを供給し、大気炉３をクリーンエアにより充填する例を示したが、炉室Ａ７及び大気炉３に供給される気体はクリーンエアに限定されず、窒素等の不活性ガスであってもよい。また、大気炉３の圧力は封着炉１の周囲の圧力に限定されず、真空炉２の圧力よりも高く、加熱時にシールフリットが発泡しない圧力であればよい。更に、本実施形態においては、搬送装置７が６段設けられている例を示したが、本発明はこれに限定されず、搬送装置の段数は、要求される生産性及び封着炉が設置される建物の高さ等に応じて、最適な段数を選択することができる。更にまた、搬送装置はローラに限定されず、例えばベルトであってもよい。更にまた、本実施形態においては真空炉２及び大気炉３が夫々７個及び１２個の炉室を備える例を示したが、本発明はこれに限定されない。更にまた、炉室Ａ２乃至Ａ６内及び炉室Ｂ１乃至Ｂ１２内においては、パネル構造体１１を間欠的に搬送せずに、連続的に搬送してもよい。
【００４８】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、封着炉を第１の炉及び第２の炉から構成し、前面基板と背面基板とをシールフリットを介して重ね合わせた構造体を、前記第１の炉から前記第２の炉まで搬送する搬送装置を設けている。このため、ＰＤＰの脱ガス処理及び封着処理を効率よく行うことができるプラズマディスプレイパネルの封着炉を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る封着炉を示す模式図、及び横軸にこの封着炉における位置をとり縦軸に基板温度をとってこの封着炉中における基板の温度プロファイルを示すグラフ図である。
【図２】（ａ）は本実施形態における封着炉の各炉室を示す上面断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ線による側面断面図である。
【図３】横軸にパネル構造体が封着炉に装入されてからの時間をとり、縦軸にこのパネル構造体の温度及びこのパネル構造体の周囲の圧力をとって、封着工程において１枚のパネル構造体に印加される温度及び圧力の経時変化を示すグラフ図である。
【符号の説明】
１；封着炉
２；真空炉
３；大気炉
４；熱風発生器
５；外壁
６；支持板
７；搬送装置
８；ローラ
９；ヒータ
１０；制御装置
１１；パネル構造体
１２；搬送方向
１３；セッタ
２１；線（温度プロファイル）
２２；線（圧力プロファイル）
Ａ１〜Ａ７、Ｂ１〜Ｂ１２；炉室
Ｐ１〜Ｐ７；ポンプ
Ｓ１〜Ｓ８；シャッタ
【図１】
2004119070.tif 000003
【図２】
2004119070.tif 000004
【図３】
2004119070.tif 000005