(57)【要約】【課題】電気導通させたい箇所を容易に電気接続することができ、電気導電を都合により遮断させたい場合は、電気導通を遮断させたい箇所の電気導通がなくなり、容易に導電・絶縁を変化させることができる三次元配線構造体を提供する。【解決手段】動作電圧よりも高い電圧を印加したときに導電する半絶縁物質を介して対向する配線パターン状の金属配線回路が設けられた三次元配線構造体であって、特定の金属配線回路の間に電圧を印加して、一方の金属配線回路に金属を析出させることにより、前記特定の金属配線回路の間を接続する配線を前記半絶縁物質中に形成することにより得られる三次元配線構造体。【選択図】　　　図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
動作電圧よりも高い電圧を印加したときに導電する半絶縁物質を介して対向する配線パターン状の金属配線回路が設けられた三次元配線構造体であって、
特定の金属配線回路の間に電圧を印加して、一方の金属配線回路に金属を析出させることにより、
前記特定の金属配線回路の間を接続する配線を前記半絶縁物質中に形成することにより得られることを特徴とする三次元配線構造体。
【請求項２】
イオン伝導性層を介して対向する配線パターン状の金属配線回路が設けられた三次元配線構造体であって、
特定の金属配線回路の間に前記金属配線回路を酸化させる酸化電位を超える電圧を印加して、一方の金属配線回路を構成する金属を酸化させて金属イオンとして前記イオン伝導性層に溶出させ、前記金属イオンを他方の金属配線回路と接触させて還元させ金属を析出させることにより、
前記特定の金属配線回路の間を接続する配線を前記イオン伝導性層中に形成することにより得られることを特徴とする三次元配線構造体。
【請求項３】
絶縁基材上に設けられた金属配線回路と、前記金属配線回路上にイオン伝導性層を介して設けられた導電被膜との間に電圧を印加して、前記金属配線回路を構成する金属を酸化させ金属イオンとして前記イオン伝導性層に溶出させ、前記金属イオンを前記導電被膜と接触させて還元させ金属を析出させることにより、
特定の前記金属配線回路と前記導電被膜との間を接続する配線を前記イオン伝導性層中に形成することにより得られる三次元配線構造体であって、
前記イオン伝導性層を介して前記金属配線回路と対向する前記導電被膜を、前記金属配線回路と平行とならないように交差させて隣接して配置していることを特徴とする三次元配線構造体。
【請求項４】
イオン伝導性層は、金属硫化物からなることを特徴とする請求項２又は３記載の三次元配線構造体。
【請求項５】
金属配線回路は、銀からなり、イオン伝導性層は、銀の硫化物からなることを特徴とする請求項２、３又は４記載の三次元配線構造体。
【請求項６】
導電被膜は、パラジウム金属、又は、パラジウム化合物からなることを特徴とする請求項３、４又は５記載の三次元配線構造体。
【請求項７】
動作電圧よりも高い電圧を印加したときに導電する半絶縁物質を介して対向する配線パターン状の金属配線回路が設けられた三次元配線構造体の製造方法であって、
特定の金属配線回路の間に電圧を印加して、一方の金属配線回路に金属を析出させることにより、
前記特定の金属配線回路の間を接続する配線を前記半絶縁物質中に形成することを特徴とする三次元配線構造体の製造方法。
【請求項８】
イオン伝導性層を介して対向する配線パターン状の金属配線回路が設けられた三次元配線構造体の製造方法であって、
特定の金属配線回路の間に前記金属配線回路を酸化させる酸化電圧を超える電圧を印加して、一方の金属配線回路を構成する金属を酸化させて金属イオンとして前記イオン導電性層に溶出させ、前記金属イオンを他方の金属配線回路と接触させて還元させ金属を析出させることにより、
前記特定の金属配線回路の間を接続する配線を前記イオン伝導性層中に形成することを特徴とする三次元配線構造体の製造方法。
【請求項９】
絶縁基材上に設けられた金属配線回路と、前記金属配線回路上にイオン伝導性層を介して設けられた導電被膜との間に電圧を印加して、前記金属配線回路を構成する金属を酸化させ金属イオンとして前記イオン伝導性層に溶出させ、前記金属イオンを前記導電被膜と接触させて還元させ金属を析出させることにより、
特定の前記金属配線回路と前記導電被膜との間を接続する配線を前記イオン伝導性層中に形成する三次元配線構造体の製造方法であって、
前記イオン伝導性層を介して前記金属配線回路と対向する前記導電被膜を、前記金属配線回路と平行とならないように交差させて隣接して配置することを特徴とする三次元配線構造体の製造方法。
【請求項１０】
動作電圧よりも高い電圧を印加したときに導電する半絶縁物質を介して対向する配線パターン状の金属配線回路における特定の金属配線回路の間を接続する配線が前記半絶縁物質中に形成されており、一方の金属配線回路を構成する金属は、前記配線を構成する金属と同じであり、他方の金属配線回路を構成する金属は、前記配線を構成する金属と異なり、
前記特定の金属配線回路の間に動作電圧よりも高い電圧を印加して前記特定の金属配線回路の間を接続する配線を溶解させ切断することを特徴とする三次元配線の切断方法。
【請求項１１】
イオン伝導性層を介して対向する配線パターン状の金属配線回路における特定の金属配線回路の間を接続する配線が前記イオン伝導性層中に形成されており、一方の金属配線回路を構成する金属は、前記配線を構成する金属と同じであり、他方の金属配線回路を構成する金属は、前記配線を構成する金属と異なり、かつ、酸化還元電位は、前記特定の金属配線回路の間を接続する配線を構成する金属の酸化還元電位よりも大きい三次元配線の切断方法であって、
前記イオン伝導性層中に形成された配線を構成する金属を酸化させる酸化電位を超える電圧を印加して前記特定の金属配線回路の間を接続する配線を切断することを特徴とする三次元配線の切断方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、三次元配線構造体、三次元配線構造体の製造方法、及び、三次元配線の切断方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、多層配線の形成には、所定の配線マスクを作製し、フォトリソグラフィー工程でレジストに開口部を設け、メタルをスパッタリングして配線部を形成し、その後、この配線部の上部に絶縁膜を積層する方式で導電層、絶縁層の順に三次元的に積層し、層間をビアで導通する等の方法が用いられていた。
【０００３】
しかしながら、従来の方法により形成した多層配線は、配線可能なパターンに限界があり、また、配線が可能でも複雑な製造工程を伴うことがあるといった問題点があった。
また、従来の方法により形成した多層配線は、半永久的な位置関係が形成され、積層後においては、途中の配線の変更は不可能であった。更に、配線を変更するには、配線マスクを変更する必要があったため、デザインルールの検証及び新規マスクの製造、半導体素子のファーストメタル工程への再投入等を再度行う必要があり、時間がかかるという問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記に鑑み、容易に導電・絶縁を変化させることができる三次元配線構造体、三次元配線構造体の製造方法、及び、三次元配線の切断方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明１は、動作電圧よりも高い電圧を印加したときに導電する半絶縁物質を介して対向する配線パターン状の金属配線回路が設けられた三次元配線構造体であって、特定の金属配線回路の間に電圧を印加して、一方の金属配線回路に金属を析出させることにより、前記特定の金属配線回路の間を接続する配線を前記半絶縁物質中に形成することにより得られる三次元配線構造体である。
【０００６】
本発明２は、動作電圧よりも高い電圧を印加したときに導電する半絶縁物質を介して対向する配線パターン状の金属配線回路が設けられた三次元配線構造体の製造方法であって、特定の金属配線回路の間に電圧を印加して、一方の金属配線回路に金属を析出させることにより、前記特定の金属配線回路の間を接続する配線を前記半絶縁物質中に形成する三次元配線構造体の製造方法である。
【０００７】
本発明３は、動作電圧よりも高い電圧を印加したときに導電する半絶縁物質を介して対向する配線パターン状の金属配線回路における特定の金属配線回路の間を接続する配線が前記半絶縁物質中に形成されており、一方の金属配線回路を構成する金属は、前記配線を構成する金属と同じであり、他方の金属配線回路を構成する金属は、前記配線を構成する金属と異なる三次元配線の切断方法であって、前記特定の金属配線回路の間に動作電圧よりも高い電圧を印加して前記特定の金属配線回路の間を接続する配線を溶解させ切断する三次元配線の切断方法である。
以下に本発明を詳述する。
【０００８】
本発明の三次元配線構造体は、本発明の三次元配線構造体の製造方法により製造することができる。
本発明の三次元配線構造体は、動作電圧よりも高い電圧を印加したときに導電する半絶縁物質を介して対向する配線パターン状の金属配線回路が設けられている。
上記半絶縁物質としては特に限定されず、例えば、イオン伝導性物質等が挙げられる。
本発明において、上記半絶縁物質がイオン伝導性物質である場合、特定の金属配線回路の間に上記金属配線回路を酸化させる酸化電圧を超える電圧を印加して、一方の金属配線回路を構成する金属を酸化させて金属イオンとして上記イオン導電性物質からなるイオン伝導性層に溶出させ、上記金属イオンを他方の金属配線回路と接触させて還元させ金属を析出させることにより、上記特定の金属配線回路の間を接続する配線を上記イオン伝導性層中に形成し、上記特定の金属配線回路間を電気導通させることができると考えられ、電気導通させたい箇所を容易に電気接続することができる。また、電気導通を都合により遮断したい場合は、本発明の三次元配線の切断方法により、上記特定の金属配線回路間のイオン伝導性層中に形成された配線を構成する金属を酸化させる酸化電位を超える電圧を印加することで、上記他方の金属配線回路と上記イオン伝導性層との界面部分で上記配線が消失するため、電気導通がなくなる。
なお、以下においては、本発明の三次元配線構造体の製造方法を半導体のウェハー製造工程に限定して説明するが、本発明はこれに限定されることはなく、例えば、ウェハーに微細配線を形成させた超薄膜ビルトアップ基板や、プリント配線板の基板上に形成させた多層基板間の三次元接続等にも利用できる。
【０００９】
以下、図面を参照しながら説明する。
図１〜９に本発明の三次元配線構造体の製造方法における製造過程の一例を示す。なお、図１〜８において、（ａ）は、断面図を示し、（ｂ）は、その上面図を示す。
【００１０】
本発明の三次元配線構造体の製造方法では、まず、絶縁基材上に配列された金属配線回路の表面に、半絶縁物質層を形成する。
上記半絶縁物質層としては特に限定されず、例えば、イオン伝導性層等が挙げられる。また、上記イオン伝導性層を構成するイオン伝導性物質としては特に限定されず、例えば、金属硫化物等が挙げられる。
以下の説明では、上記半絶縁物質層は、上記金属硫化物絶縁層であることとする。
上記金属配線回路及び金属硫化物絶縁層を形成するには、まず、リソグラフィー工程により、絶縁基材上に所定パターンのレジストを形成する。上記リソグラフィー工程としては特に限定されず、例えば、従来公知のリソグラフィー工程が挙げられるが、なかでも、上記リソグラフィー工程はフォトリソグラフィー工程であることが好ましい。
【００１１】
図１に示すように、上記所定パターンのレジストを形成するには、絶縁基材３上に、レジスト用樹脂を塗布して、レジスト用樹脂層１０を形成する。
上記レジスト用樹脂としては特に限定されず、例えば、フォトリソグラフィー工程を行う際に用いられる公知の感光性樹脂等を使用することができる。
【００１２】
絶縁基材３としては特に限定されず、例えば、サファイアや、シリコン又は化合物半導体に酸化処理等を施したもの等が挙げられる。
【００１３】
次に、図２に示すように、所定のパターンが形成された図示しないフォトマスクを用いて、レジスト用樹脂層１０を露光、現像することで、所定パターンのレジスト１１を形成する。このレジスト１１の所定パターンは、金属配線回路２及び金属硫化物絶縁層１の回路パターンを導く。
【００１４】
上記所定パターンとしては特に限定されず、例えば、平行パターン、放射状パターン等が挙げられ、目的とする回路パターンにより適宜決定される。なお、図２においては平行パターンを示す。
【００１５】
次に、図３に示すように、レジスト１１の所定パターンの間に金属配線回路２を形成し、更にその上に金属硫化物絶縁層１を形成する。
【００１６】
金属配線回路２及び金属硫化物絶縁層１を形成する方法としては特に限定されず、例えば、電解又は無電解メッキ、スパッタリング、真空蒸着等公知の方法により形成することができる。
【００１７】
金属配線回路２を構成する材料としては特に限定されず、例えば、金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、アルミニウム、鉛、スズ等が挙げられる。なかでも、イオンマイグレーションが起こりやすいことから銀が好適である。
【００１８】
金属配線回路２の幅の下限は、０．１μｍであることが好ましく、０．３μｍであることがより好ましく、０．５μｍであることが更に好ましい。
金属配線回路２の幅が０．１μｍ未満であると、断線が発生する恐れがある。
また、本発明は、高密度な配線回路を形成することができ、金属配線回路２の幅が３０μｍ以下であっても配線回路を形成することができる。金属配線回路２の幅は、１５μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以下であることが更に好ましい。
【００１９】
金属硫化物絶縁層１を構成する材料としては特に限定されず、金属配線回路２を構成する材料の硫化物等、例えば、硫化金、硫化銀、硫化銅、硫化ニッケル、硫化パラジウム、硫化アルミニウムが挙げられる。なかでも、イオン伝導性と、イオンマイグレーションのしやすさとから硫化銀が好適である。
【００２０】
対向する特定の金属配線回路の間に介在する金属硫化物絶縁層１（半絶縁物質層）は、薄膜であればその内部に形成する配線距離が短くてすむため、１オングストロームから数１００ｎｍまでの膜厚であることが好ましい。
【００２１】
次に、図４に示すように、酸素プラズマ等によりレジスト１１を除去するレジスト除去工程を行う。
このレジスト除去工程を行うことで、絶縁基材３上に、回路パターン状の金属配線回路２と、その表面に形成された金属硫化物絶縁層１とが形成された下層配線が形成される。
【００２２】
次に、図５に示すように、上記下層配線上に、絶縁被膜５をプラズマ装置、スパッタ装置等により形成する。
【００２３】
絶縁被膜５を構成する材料としては特に限定されず、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等が挙げられる。
【００２４】
次に、絶縁基材上に形成した金属配線回路と対向する金属配線回路（導電被膜）を、上記絶縁基材上に形成した金属配線回路と平行とならないように交差させて隣接して配置するように形成する。
具体的には、まず、図６に示すように、絶縁被膜５上にレジスト用樹脂を塗布して、レジスト樹脂層１４を形成する。
上記レジスト用樹脂としては特に限定されず、例えば、レジスト用樹脂層１０と同様に、フォトリソグラフィー工程を行う際に用いられる公知の感光性樹脂を使用することができる。
【００２５】
次に、図７に示すように、所定のパターンが印刷された図示しないフォトマスクを用いて、レジスト用樹脂層１４を露光、現像することで、所定パターンのレジスト１５を形成し、更にレジスト１５をマスクとして絶縁被膜５にエッチング処理を施し、金属硫化物絶縁層１の一部を露出させる。
なお、このレジスト１５の所定パターンは、導電被膜４の回路パターンを導く。
【００２６】
上記所定パターンとしては上述した金属配線回路２と平行にならないパターンであれば特に限定されず、例えば、平行パターン、放射状パターン等が挙げられ、目的とする回路パターンにより適宜決定される。図７における上記所定パターンは、金属配線回路２と垂直に交差する平行パターンを示す。
なお、上記所定パターンが金属配線回路２と平行であれば、導電被膜４の回路パターンが金属配線回路２の回路パターンと平行となり、三次元配線を行う意味がないが、一部であれば、上記所定パターンは、金属配線回路２の回路パターンと平行であってもよい。
【００２７】
次に、図８に示すように、レジスト５の所定パターンの間に導電被膜４を形成することで上層配線を形成し、レジスト１５を除去する。
上記工程を行うことで、絶縁基材３上に、金属硫化物絶縁層１を介して金属配線回路２と対向する導電被膜４を、金属配線回路２と平行とならないように交差させて隣接して配置させた。
なお、金属配線回路２と導電被膜４とは、鉛直方向から見た際に、金属配線回路２と導電被膜４とが交差しており、二次元方向に広がった三次元配線を形成することができる。
本発明において、金属配線回路２と導電被膜４とは、鉛直方向から見て任意の角度で交差するように形成すればよいが、図８に示すように、金属配線回路２と導電被膜４とが直交し、これらが、グリッド状（格子状）パターンを形成するように形成することが好ましい。
【００２８】
導電被膜４を形成する方法としては特に限定されず、例えば、電解又は無電解メッキ、スパッタリング、真空蒸着等公知の方法により形成することができる。
【００２９】
導電被膜４を構成する材料としてはパラジウム金属、又は、パラジウム化合物が好適に用いられる。
また、本発明では、導電被膜４を構成する材料の酸化還元電位は、上記配線（金属配線回路２）を構成する金属の酸化還元電位よりも大きくなっている。
【００３０】
導電被膜４の幅としては特に限定されず、例えば、金属配線回路２と同様であることが好ましい。
【００３１】
次に、金属配線回路と、導電被膜とに、電圧を印加するための電源を接続する。具体的には、図９に示すように、金属配線回路２と、導電被膜４との間に電圧を印加するための電源６を接続する。
本発明では、電源６としては、金属配線回路２と、導電被膜４との間に印加する電圧の極性を変化させることができる可変電源を接続することが好ましい。
【００３２】
そして、電源６により、金属硫化物絶縁層１を介した特定の金属配線回路２と導電被膜４との間（交絡点７）に金属配線回路２を酸化させる酸化電圧を超える電圧を印加して、金属配線回路２を構成する金属を酸化させて金属イオンとして金属硫化物絶縁層１に溶出させ、上記金属イオンを導電被膜４と接触させて還元させ金属を析出させることにより、交絡点７における金属配線回路２と導電被膜４とを接続する配線（図示せず）を金属硫化物絶縁層１中に形成して電源ＯＮ状態を作ることができると推測され、本発明の三次元配線構造体を製造することができる。
【００３３】
図８（ａ）及び図９に示すように、本発明の三次元配線構造体の製造方法により製造される本発明の三次元配線構造体は、絶縁基板３上に配列された金属配線回路２表面に、イオン伝導性層（金属硫化物絶縁層１）が形成され、金属硫化物絶縁層１の表面に金属配線回路２と対向する金属配線回路（導電被膜４）を、金属配線回路２と平行とならないように交差させて隣接して配置されており、特定の金属配線回路２と導電被膜４との間（交絡点７における金属配線回路２と導電被膜４との間）を接続する配線（図示せず）が形成されたものである。
【００３４】
以上、２層で形成された本発明の三次元配線構造体の製造方法について説明したが、本発明では、上記構成の本発明の三次元配線構造体を製造した後、図１０に示すように、導電被膜４上に、更に、上記フォトリソグラフィー工程等を行って金属硫化物絶縁層１ｂ、金属配線回路２ｂを積層形成し、３層以上の三次元配線としてもよい。
そして、金属配線回路２ｂと導電被膜４との間に電圧を印加するための図示しない電源を接続し、上記図示しない電源により、金属流化物絶縁層１ｂを介した特定の金属配線回路２ｂと導電被膜４表面との間に金属配線回路２ｂを酸化させる酸化電圧を超える電圧を印加して、金属配線回路２ｂを構成する金属を酸化させて金属イオンとして金属硫化物絶縁層１ｂに溶出させ、上記金属イオンを導電被膜４と接触させて還元させ金属を析出させることにより、特定の金属配線回路２ｂと導電被膜４とを接続する配線（図示せず）を金属硫化物絶縁層１ｂ中に形成して電源ＯＮ状態を作ることができると推測され、３層以上の本発明の三次元配線構造体を製造することができる。
【００３５】
上記本発明の三次元配線構造体において、特定の金属配線回路の間（金属配線回路と導電被膜との間）のイオン伝導性層中に形成された配線を構成する金属を酸化させる酸化電位を超える電圧を印加して上記特定の金属配線回路の間を接続する配線を切断する三次元配線の切断方法も本発明の１つである。
【００３６】
本発明の三次元配線の切断方法によると、特定の金属配線回路の間（金属配線回路と導電被膜との間）の上記イオン伝導性層中に形成された配線を構成する金属を酸化させる酸化電位を超える電圧を印加することで、金属配線回路（導電被膜）とイオン伝導性層（金属硫化物絶縁層）との界面部分で上記配線が消失するため、電気導通がなくなる。
【００３７】
本発明によれば、イオン伝導性層（金属硫化物絶縁層）を介して対向する配線パターン状の金属配線回路（金属配線回路及び導電被膜）における特定の金属配線回路と導電被膜表面との間に上記金属配線回路を酸化させる酸化電圧を超える電圧を印加して、金属配線回路を構成する金属を酸化させて金属イオンとして上記金属硫化物絶縁層に溶出させ、上記金属イオンを上記導電被膜と接触させて還元させ金属を析出させることにより、上記特定の金属配線回路と導電被膜とを接続する配線を上記金属硫化物絶縁層中に形成して電源ＯＮ状態を作ることができると推測される。また、特定の金属配線回路間（金属配線回路と導電被膜との間）のイオン伝導性層中に形成された配線を構成する金属を酸化させる酸化電位を超える電圧を印加することで、導電被膜と金属硫化物絶縁層との界面部分で上記配線が消失するため、電気導通がなくなり電源ＯＦＦ状態を作ることもできる。
従って、容易に導電・絶縁を変化させることができる三次元配線構造体、三次元配線構造体の製造方法、及び、三次元配線の切断方法を提供することができる。
【００３８】
【実施例】
以下、実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【００３９】
実施例１
熱酸化膜処理したシリコン基板上に市販のｇ線用レジストを塗布して、レジスト用樹脂層１０を形成し（図１参照）、フォトマスクを用いてレジスト用樹脂層１０の露光、現像を行い、レジスト１１を形成した（図２参照）。
次に、無電解メッキ法により、３μｍ幅で、線間３μｍの平行パターンとなり２０００ｎｍ厚みの銀箔からなる金属配線回路２を形成し（図３参照）、その後、１０ｎｍ厚みの硫化銀からなる金属硫化物絶縁層１を金属配線回路２表面に形成し、レジスト１１を除去した（図４参照）。
【００４０】
次に、酸化シリコンからなる絶縁被膜５をプラズマ装置により形成し（図５参照）、絶縁被膜５上に市販のｇ線用レジストを塗布して、レジスト用樹脂層１４を形成し（図６参照）、フォトマスクを用いてレジスト用樹脂層１４の露光、現像を行ってレジスト１５を形成し、更に絶縁被膜５のエッチングを行って、金属硫化物絶縁層１の一部を露出させた（図７参照）。なお、レジスト１５及び絶縁被膜５に形成したパターンは、金属配線回路２に垂直に交差する平行パターンとした。
【００４１】
そして、無電解メッキ法により、金属配線回路２と互いの配線回路が平行とならないような回路パターンの１０００ｎｍ厚みのパラジウムからなる導電被膜４を形成し、レジスト１５を除去することで、グリッド状パターンの三次元配線を作製した。
【００４２】
次に、上記グリッド状パターンの三次元配線を作製後、更に硫化銀からなる金属硫化物絶縁層１ｂ、及び、銀からなる金属配線回路２ｂを、上述した金属硫化物絶縁層１及び金属配線回路２と同様にして積層形成した（図１０参照）。
【００４３】
上記形成した三次元配線に、金属配線回路２及び導電被膜４の間に電圧を印加するための図示しない電源Ａと、金属配線回路２ｂ及び導電被膜層４の間に電圧を印加するための図示しない電源Ｂとを接続した。
そして、図示しない電源Ａにより、金属硫化物絶縁層１を介した特定の金属配線回路２と、導電被膜４表面との間に３．５Ｖの印加電圧を与えて、金属配線回路２を構成する銀を酸化させて銀イオンとして金属硫化物絶縁層１に溶出させ、上記銀イオンを導電被膜４と接触させて還元させ銀を析出させることにより、特定の金属配線回路２と導電被膜４との間を接続する銀からなる配線を形成させることができたと推測され、電源ＯＮ状態を作ることができた。
また、図示しない電源Ｂにより、金属硫化物絶縁層１ｂを介した特定の金属配線回路２ｂと、導電被膜層４表面との間に３．５Ｖの印加電圧を与えて、金属配線回路２ｂを構成する銀を酸化させて銀イオンとして金属硫化物絶縁層１ｂに溶出させ、上記銀イオンを導電被膜４と接触させて還元させ銀を析出させることにより、特定の金属配線回路２ｂと導電被膜４との間を接続する銀からなる配線を形成させることができたと推測され、電源ＯＮ状態を作ることができた。
その後、それぞれの間に印加された電圧（試料バイアス）を−３．５Ｖに変化させると、電源ＯＦＦ状態を作ることができた。
【００４４】
【発明の効果】
本発明は、上記の構成よりなるので、電気動通させたい箇所を容易に電気接続することができ、電気導通を都合により遮断したい場合は、電気導通を遮断させたい箇所の電気導通がなくなり、容易に導電・絶縁を変化させることができる三次元配線構造体、該三次元配線方法の製造方法、及び、三次元配線の切断方法を提供することができる。
また、大電流が流れることにより損傷した配線を修復することや、別回路を形成させることができる。
【００４５】
本発明は、半導体のウェハー製造工程に使用することができるほか、ウェハー上に微細配線を形成させた超薄膜ビルトアップ基板や、プリント配線板の基板上に形成させた多層基板間の三次元接続等にも利用できる。
また、光ダイオード材料の組み合わせを行うと、薄膜の絶縁層が形成された局所的な領域から光を放出させることができるので、ＲＧＢの光波長放射可能な材料を３層積層すれば、非常に微小な光源を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明の三次元配線構造体の製造方法における製造工程の一例を示す断面図であり、（ｂ）は、その上面図である。
【図２】（ａ）は、本発明の三次元配線構造体の製造方法における製造工程の一例を示す断面図であり、（ｂ）は、その上面図である。
【図３】（ａ）は、本発明の三次元配線構造体の製造方法における製造工程の一例を示す断面図であり、（ｂ）は、その上面図である。
【図４】（ａ）は、本発明の三次元配線構造体の製造方法における製造工程の一例を示す断面図であり、（ｂ）は、その上面図である。
【図５】（ａ）は、本発明の三次元配線構造体の製造方法における製造工程の一例を示す断面図であり、（ｂ）は、その上面図である。
【図６】（ａ）は、本発明の三次元配線構造体の製造方法における製造工程の一例を示す断面図であり、（ｂ）は、その上面図である。
【図７】（ａ）は、本発明の三次元配線構造体の製造方法における製造工程の一例を示す断面図であり、（ｂ）は、その上面図である。
【図８】（ａ）は、本発明の三次元配線構造体の製造方法における製造工程の一例を示す断面図であり、（ｂ）は、その上面図である。
【図９】本発明の三次元配線構造体の製造方法における製造工程の一例を示す上面図である。
【図１０】本発明の三次元配線構造体の製造方法における製造工程の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１　金属硫化物絶縁層
２　金属配線回路
３　絶縁基材
４　導電被膜
５　絶縁被膜
６　電源
１０、１４　感光性樹脂
１１、１５　レジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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