(57)【要約】【課題】水蒸気透過防止性に優れた水蒸気透過防止膜およびその製造方法を提供する。【解決手段】有機ＥＬ素子１０は、基板１２上に、透明電極１４、発光層１６、背面電極１８が積層された基本構成を有する。基板１２は、樹脂基板あるいは樹脂フィルムである。透明電極１４は、ＩＴＯ膜である。トップエミッションタイプの場合、背面電極１８は、透明電極である。基板１２上に金属膜１９および酸化窒化ケイ素膜２０からなる水蒸気透過防止膜２２が形成される。背面電極１８上に酸化窒化ケイ素膜２６が形成され、背面電極１８および酸化窒化ケイ素膜２６は水蒸気透過防止膜２８を構成する。【選択図】　　　　　図４
2004050821.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被成膜部材に成膜される水蒸気透過防止膜であって、
該被成膜部材に成膜され、マイグレーション性に優れて成膜後に平滑な表面状態が得られる金属膜と、該金属膜に成膜され、水蒸気透過防止性を有する防止膜とを含むことを特徴とする水蒸気透過防止膜。
【請求項２】
前記金属膜は、ＩＴＯ、酸化スズ、酸化インジウムまたは酸化亜鉛のいずれかよりなることを特徴とする請求項１記載の水蒸気透過防止膜。
【請求項３】
前記防止膜は、酸化窒化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化アルミニウムまたは窒化ケイ素のいずれかよりなることを特徴とする請求項１または２記載の水蒸気透過防止膜。
【請求項４】
前記被成膜部材が樹脂材料で形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の水蒸気透過防止膜。
【請求項５】
前記被成膜部材の表面の粗さが平均粗度として０．９ｎｍ以上あることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の水蒸気透過防止膜。
【請求項６】
前記被成膜部材の表面の凹凸の最大高低差が５０ｎｍ以上あることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の水蒸気透過防止膜。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の水蒸気透過防止膜の製造方法であって、イオンプレーティング法によって前記金属膜を成膜することを特徴とする水蒸気透過防止膜の製造方法。
【請求項８】
イオンプレーティング法によって前記防止膜を成膜することを特徴とする請求項７記載の水蒸気透過防止膜の製造方法。
【請求項９】
前記被成膜部材は、連続フィルムからなることを特徴とする請求項７または８記載の水蒸気透過防止膜の製造方法。
【請求項１０】
前記連続フィルムの、イオンプレーティング法による成膜がされる第１の面に対向する第２の面は、フィルム支持部に接した状態であることを特徴とする請求項９記載の水蒸気透過防止膜の製造方法。
【請求項１１】
前記連続フィルムは、フィルム送出部から前記フィルム支持部に供給され、さらにフィルム収納部に収納されることを特徴とする請求項１０記載の水蒸気透過防止膜の製造方法。
【請求項１２】
前記フィルム支持部が冷却されていることを特徴とする請求項１０または１１記載の水蒸気透過防止膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、水蒸気透過防止膜およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子は、発光層が水分に非常に弱いため、水分（水蒸気）の浸入を防止することが必須である。
【０００３】
このため、例えば図１に示す有機ＥＬ素子１ａのように、ガラス基板２ａ上に形成された素子本体４ａの全体を封止用メタル缶５ａで覆い、乾燥剤５ｂを入れた状態で封止することが行われている。なお、図１中、参照符号６ａは陽極透明電極を示し、参照符号７ａは陰極電極を示す。しかしながら、有機ＥＬ素子１ａは、ガラス基板２ａおよび封止用メタル缶５ａを有するために素子の小型化、軽量化が阻害される。
【０００４】
このため、例えば図２に示す有機ＥＬ素子１ｂのように、厚みの薄い樹脂基板２ｂを用い、樹脂基板２ｂを通して水分が素子本体４ｂに浸入することを防止するために、樹脂基板２ｂと陽極透明電極６ｂとの間に水分の透過を防止する防止膜（水蒸気透過防止膜、防湿バリア膜）８ａを設けるとともに、陰極電極７ｂ上を封止用保護膜８ｂで成膜することが行われている。このような防止膜８ａあるいは封止用保護膜８ｂとしては、酸化ケイ素膜や酸化アルミニウム膜等が広く用いられている。また、防止膜８ａあるいは封止用保護膜８ｂに透明性が必要な場合には、窒化ケイ素膜も用いられる。
【０００５】
なお、例えば図３に示す有機ＥＬ素子１ｃのように、発光した光を陰極電極７ｃの上面から放出するトップエミッション型の場合、表示装置の画素単位に配列された、陽極電極６ｃおよび素子本体４ｃ、４ｃ間を隔壁９ａで仕切るとともに、陰極電極７ｃを透明なＩＴＯ膜で形成し、さらに陰極電極７ｃの上に透明な封止膜８ｃを成膜し、さらに封止膜８ｃ上に透明なシール層８ｄを形成することも行われている。図３中、参照符号２ｃはガラス基板を示し、参照符号９ｂはＴＦＴを含む駆動回路を示す。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−６８２６４号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した水蒸気透過防止性を有する膜を設けた従来の有機ＥＬ素子において、水蒸気透過防止性を有する各膜が必ずしも充分な水蒸気透過防止性能を発揮しない場合がある。
【０００８】
この原因としては、水蒸気透過防止性を有する膜を成膜する被成膜部材である、例えば上記の樹脂基板等の表面状態によって、水蒸気透過防止性を有する膜の成膜状態が左右されるためと考えられる。この場合、水蒸気透過防止性を有する膜の厚みを大きくすることで水蒸気透過防止性を確保することも考えられるが、材料のロスや素子の嵩が大きくなる等の問題が生じる。
【０００９】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、水蒸気（水分）透過防止性に優れた水蒸気透過防止膜およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る水蒸気透過防止膜は、被成膜部材に成膜される水蒸気透過防止膜であって、該被成膜部材に成膜され、マイグレーション性に優れて成膜後に平滑な表面状態が得られる金属膜と、該金属膜に成膜され、水蒸気透過防止性を有する防止膜とを含むことを特徴とする。
【００１１】
本発明者が鋭意検討した結果、例えば有機ＥＬ素子の樹脂基板等の被成膜部材に水蒸気透過防止性を有する防止膜を成膜した場合、被成膜部材表面の凹凸が大きいと防止膜の水蒸気透過防止性が低下することを見出した。そして、表面が平滑な被成膜部材に防止膜を成膜すると水蒸気透過防止性が向上することがわかった。
【００１２】
この場合、前記金属膜は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、酸化スズ、酸化インジウムまたは酸化亜鉛のいずれかよりなる膜を用いることができる。また、前記防止膜は、酸化窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）、二酸化ケイ素、酸化アルミニウムまたは窒化ケイ素のいずれかからなる膜を用いることができる。
【００１３】
この場合、前記被成膜部材が樹脂材料で形成されていると、被成膜部材が水分透過性を有すること、また、被成膜部材部材の表面の凹凸が一般に大きいために、さらに、成膜過程で成膜表面の粗度がさらに大きくなるおそれを有するため、より好適に上記の効果を発現することができる。
【００１４】
また、この場合、前記被成膜部材の表面の粗さが平均粗度として０．９ｎｍ以上あり、または、前記被成膜部材の表面の凹凸の最大高低差が５０ｎｍ以上あると、より好適に本発明の効果を得ることができる。
【００１５】
また、本発明に係る水蒸気透過防止膜の製造方法は、上記の水蒸気透過防止膜の製造方法であって、イオンプレーティング法によって金属膜を成膜することを特徴とする。
【００１６】
これにより、例えばスパッタ法により成膜する場合に比べて、表面の平滑性のより大きい金属膜を得ることができるため、好適である。
【００１７】
また、この場合、防止膜をイオンプレーティング法で形成してもよい。
【００１８】
この場合、前記被成膜部は、連続フィルムを用いてもよい。
【００１９】
また、この場合、前記連続フィルムの、イオンプレーティング法による成膜がされる第１の面に対向する第２の面は、フィルム支持部に接した状態であるようにすると、前記連続フィルムが前記フィルム支持部を介して冷却され、前記連続フィルムの温度上昇を抑えることができて好適である。そのために、イオンプレーティング法で成膜する場合の放電電流を上げることができ、成膜速度を上昇させて処理効率を向上させることが可能になる。
【００２０】
また、この場合、前記連続フィルムは、フィルム送出部から前記フィルム支持部に供給され、さらにフィルム収納部に収納されるようにすると、前記連続フィルムに連続的に成膜することが可能となり、成膜を効率的に行う事が可能となる。
【００２１】
また、この場合、前記フィルム支持部が冷却されていると、前記連続フィルムを効率的に冷却することが可能となる。そのために、さらに、イオンプレーティング法で成膜する場合の放電電流を上げることができ、成膜速度を上昇させて処理効率を向上させることが可能になる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明に係る水蒸気透過防止膜およびその製造方法の好適な実施の形態（以下、本実施の形態例という。）について、水蒸気透過防止膜が適用される素子として有機ＥＬ素子を例にとり、以下に説明する。
【００２３】
本実施の形態例に係る水蒸気透過防止膜を有する有機ＥＬ素子について、図４を参照して説明する。
【００２４】
有機ＥＬ素子１０は、図４に示すように、基板１２上に、透明電極（陽極電極）１４、発光層１６、背面電極（陰極電極）１８が積層された基本構成を有する。なお、図示しないが、通常、発光層１６と透明電極１４との間に正孔輸送層が設けられ、発光層１６と背面電極１８との間に電子輸送層が設けられる。
【００２５】
基板１２は、被成膜部材であり、例えば、ＰＣ（ポリカーボネート）やＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等の樹脂からなる樹脂基板あるいは樹脂フィルムである。このような基板１２は、ガラス基板等と異なり、水分（水蒸気）透過性を有する。このため、水分の浸入による発光層１６の劣化を防止するために、基板１２に水分透過防止性を付与する必要がある。また、このような樹脂材料からなる基板１２は、具体的データについては後述するようにガラス基板に比べると表面が粗い。すなわち、基板１２は、水蒸気の浸入を防止することが求められ、かつ粗い表面状態にある被成膜部材ということができる。基板１２は、樹脂フィルムの場合、例えば０．１〜０．５ｍｍ程度の厚みに形成される。
【００２６】
透明電極１４は、透明性を有する金属膜が用いられ、このような金属膜としては一般的には、ＩＴＯ膜が用いられる。透明電極１４は、例えば１５０ｎｍ程度の厚みに形成される。
【００２７】
発光層１６は、蛍光体等の発光体を含む有機物からなる層である。
【００２８】
背面電極１８は、発光した光が基板１２側から放射されるボトムエミッションタイプの場合は、通常アルミニウムに代表される金属膜が用いられる。これに対して発光した光が背面電極１８側から放射されるトップエミッションタイプの場合、背面電極１８は、例えばＩＴＯ膜等の透明電極が用いられる。背面電極１８は、例えば１５０μｍ程度の厚みに形成される。
【００２９】
有機ＥＬ素子１０は、基板１２と透明電極１４との間にさらに金属膜１９と酸化窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）膜（防止膜）２０が設けられており、金属膜１９および酸化窒化ケイ素膜２０が本発明の水蒸気透過防止膜２２を構成する。酸化窒化ケイ素膜２０は、例えば３０〜１００ｎｍ程度の厚みに形成される。
【００３０】
また、背面電極１８の上に酸化窒化ケイ素膜２６を成膜することにより、本発明の水蒸気透過防止膜２８が設けられている。すなわち、背面電極１８は、陽極電極としての役割と酸化窒化ケイ素膜２６が成膜される膜（金属膜）としての役割とを兼ねている。酸化窒化ケイ素膜２６は例えば３０〜１００ｎｍ程度の厚みに形成される。
【００３１】
本実施の形態例に係る水蒸気透過防止膜２２、２８は、成膜時のマイグレーション（表面拡散）性に優れるＩＴＯ材料を用いてＩＴＯ膜が形成されるため、ＩＴＯ膜は表面の粗い基板１２上に形成されているにも関わらず、平滑な表面を有する。そして、平滑な表面を有するＩＴＯ膜の上に水蒸気透過防止性に優れる酸化窒化ケイ素膜が形成されている。この点については、さらに後述する。
【００３２】
この場合、酸化窒化ケイ素膜２０、２６が成膜される膜（金属膜）１８、１９は、ＩＴＯ膜に変えて、酸化スズ膜、酸化インジウム膜、酸化亜鉛膜等を用いてもよい。また、防止膜としては、酸化窒化ケイ素膜２０、２６に変えて、二酸化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよく、また、透明性が必要な場合は窒化ケイ素膜を用いてもよい。
【００３３】
なお、水蒸気透過防止膜２２については、透明電極１４であるＩＴＯ膜に本発明の金属膜としての機能のみを持たせる場合であれば、基板１２の下面側に、好適にはＩＴＯ膜を基板１２の側に向けて水蒸気透過防止膜を設けてもよい。また、水蒸気透過防止膜２８については、発光層１６と背面電極１８との間に金属膜および酸化窒化ケイ素膜（防止膜）からなる層を設ける構成としてもよい。
【００３４】
水蒸気透過防止膜２２、２８をはじめとする上記の各膜は、イオンプレーティング法、スパッタ法、電子円蒸着法等の各種のＰＶＤ法あるいはＣＶＤ法を用いて、基板１２上に順次成膜することにより、形成することができる。この場合、より好ましくは、イオンプレーティング法により水蒸気透過防止膜２２、２８を形成する。
【００３５】
イオンプレーティングを好適に実施することができるイオンプレーティング装置について図５を参照してその装置構成および作用を説明する。
【００３６】
図５に示すイオンプレーティング装置３０では、圧力勾配型のプラズマガン３２からプラズマビームＰＢが真空容器（成膜室）３４中に照射される。真空容器（成膜室）３４の下部には、ハース３６が配設されており、ハース３６の貫通孔ＴＨに成膜材料ロッド３８が挿入される。プラズマビームＰＢはハース３６に入射するが、このとき、ハース３６が適当な正電位に制御されることにより、プラズマビームＰＢは確実にハース３６に導かれる。プラズマビームＰＢによって加熱された成膜材料ロッド３８は、上端を蒸発されつつ供給装置４０によって徐々に突き上げられる。ハース３６と対向して真空容器３４の上部には搬送機構ＷＨによって搬送された基板Ｗが配置される。蒸発した成膜材料粒子は、プラズマビームＰＢ中でイオン化され、イオン化した成膜材料粒子が基板Ｗの表面に付着し、これにより基板Ｗが成膜される。なお、図５中、ハース３６の周囲には永久磁石およびコイルが配置されており、これらによりカスプ状磁場が形成され、ハース３６に入射するプラズマビームＰＢの向きが制御される。
【００３７】
上記イオンプレーティング装置３０は、成膜材料ロッド３８がＩＴＯ等の導電性材料の場合は、ハース３６に導かれたプラズマビームＰＢによって成膜材料ロッド３８自体が加熱されることにより、成膜材料が蒸発する。一方、成膜材料ロッド３８が酸化ケイ素、窒化ケイ素等の導電性の低い材料の場合、加熱開始時にプラズマビームＰＢが成膜材料ロッド３８に入射しないため、ハース３６を導電性材料で形成することで、プラズマビームＰＢで加熱されたハース３６を介して成膜材料ロッド３８が加熱される。
【００３８】
例えば樹脂フィルムからなる基板上に形成されるＩＴＯ膜の成膜条件は、例えば、放電電流が１６０Ａ、キャリアＡｒ導入口４２から導入されるＡｒガス流量が１２０ｓｃｃｍ、窒素酸素導入口４１から導入されるＯ２ガス流量が１０ｓｃｃｍ、成膜時圧力が３ｍｍＴｏｒｒ（０．４ｋＰａ）、基板温度が室温である。成膜したＩＴＯ膜の厚みは、１００〜１５０ｎｍが適している。
【００３９】
ＩＴＯ膜上に形成される酸化窒化ケイ素膜の成膜条件は、例えば、成膜材料ロッド３８が酸化ケイ素の場合、放電電流が１２０Ａ、Ａｒガス流量が４０ｓｃｃｍ、Ｎ２ガス流量が２００ｓｃｃｍ、成膜時圧力が３ｍｍＴｏｒｒ（０．４ｋＰａ）、基板温度が室温である。成膜した酸化窒化ケイ素膜の厚みは、３０〜１００ｎｍが適している。
【００４０】
上記の各成膜条件により、樹脂フィルムからなる基板上に、ＩＴＯ膜および酸化窒化ケイ素膜からなる本実施の形態例の水蒸気透過防止膜を成膜したときの水蒸気透過防止膜の水蒸気透過度（正確には、樹脂フィルムを含む全体の水蒸気透過度）を測定した結果、水蒸気透過度は０．０１ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下、すなわち、用いた測定装置の定量限界以下であった。
【００４１】
参考例として、本実施の形態例の水蒸気透過防止膜の場合と同様の条件で、ＩＴＯ膜を設けることなく酸化窒化ケイ素膜のみを基板上に直接形成し、酸化窒化ケイ素膜の水蒸気透過度（正確には、樹脂フィルムを含む全体の水蒸気透過度）を測定した結果、水蒸気透過度は０．１ｇ／ｍ２・ｄａｙであった。
【００４２】
上記の本実施の形態例に係る水蒸気透過防止膜の防止膜が成膜される被成膜材料であるＩＴＯ膜および参考例の水蒸気透過防止膜（酸化窒化ケイ素膜）が成膜される被成膜材料である樹脂フィルムのそれぞれの表面の粗さをそれぞれ４０μｍ角の範囲で調べた。なお、表面の粗さの指標として平均粗度（Ｒａ）および凹凸の最大高低差を用い、いずれも原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ　Ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で測定した。
【００４３】
本実施の形態例の場合、樹脂フィルム上に成膜されたＩＴＯ膜の表面の平均粗度（Ｒａ）は０．８ｎｍであり、表面の凹凸の最大高低差は１０．５ｎｍであった。これに対して、参考例の場合、樹脂フィルムの表面の平均粗度（Ｒａ）は１．０４ｎｍであり、表面の凹凸の最大高低差は５３．８ｎｍであった。ちなみに、ガラス基板については、表面の平均粗度（Ｒａ）は約０．２ｎｍであり、表面の凹凸の最大高低差は約８ｎｍであった。
【００４４】
以上の知見より考察すると、従来あるいは参考例の場合、表面の粗い樹脂フィルムの上に防止膜を直接成膜したときは、防止膜を形成する酸化窒素ケイ素等の粒子の樹脂フィルム上でのマイグレーションが樹脂フィルムの凹凸により阻害されて均質な防止膜を得ることができず、このとき、樹脂フィルムの極端な凹凸の上に形成した酸化窒素ケイ素膜の部位の膜厚が極端に薄くなり例えば孔欠陥を生じる等の理由により、防止膜の水蒸気透過防止性が低下するものと考えられる。一方、本実施の形態例によれば、表面が粗い基板の上に、マイグレーション性に優れるＩＴＯ材料により成膜されたＩＴＯ膜の表面が平滑に形成され、さらにそのＩＴＯ膜の上に水分透過防止性に優れる防止膜が成膜されるため、これら従来あるいは参考例の不具合が軽減されたものと考えられる。
【００４５】
また、前記イオンプレーティング装置３０は、図６に示す、イオンプレーティング装置３０Ａのように変更して用いることが可能であり、前記イオンプレーティング３０を用いた場合と同様に前記金属膜および防止膜を形成することが可能である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００４６】
図６を参照するに、イオンプレーティング装置３０Ａは、大別して前記ハース３６およびプラズマガン３２を含むプラズマ発生部５０と、被成膜部材を保持する成膜部６０からなる。
【００４７】
前記成膜部６０の概略は、当該成膜部６０は、前記真空容器３４の外壁によって画成され、内部には略円筒状の、成膜用ロール部６１、フィルム送出用ロール部６２およびフィルム巻取り用ロール部６３が設置されている。
【００４８】
前記フィルム送出用ロール部６２に巻き付けられている被成膜部材、例えば樹脂材料からなる、連続フィルムである、フィルムＷａは、前記フィルム巻き取り用ロール部６３を回転させることで、前記前記フィルム送出用ロール部６２から引き出されるようにして、前記成膜用ロール部６１の側壁であるＬ部に接するように供給され、当該フィルムＷａ上に金属膜や防止膜などの成膜が完了すると、前記フィルム巻き取り用ロール部６３に巻き取られるように収納される。
【００４９】
また、２層の膜を成膜するときは、前記送出用ロール部６２を回転させて、前記送出用ロール部６２に前記フィルムＷａが巻き取られるように収納される。
【００５０】
前記フィルムＷａの第１の面は前記ハース３６に面しており、当該第１の面上のＤ部に、例えばＩＴＯ膜からなる金属膜や、また、例えば酸化窒化ケイ素膜からなる防止膜の成膜が行われる。
【００５１】
この場合、前記フィルム送出用ロール部６２および前記フィルム巻取り用ロール部６３に引っ張られる方向に前記フィルムＷａに力が加わり、前記フィルムＷａの前記第１の面に対向する第２の面は、前記成膜用ロール部６１に前記Ｌ部で接触している。そのため、前記フィルムＷａは前記成膜用ロール部のＬ部を介して冷却され、前記フィルムＷａの、前記第１の面のＤ部での成膜時の温度上昇を抑えることが可能になる。
【００５２】
そのため、成膜時の放電電流を、上昇させることが可能となり、成膜レートが上がって処理効率を増大させることが可能となる。
【００５３】
さらに、前記成膜用ロール部６１には、冷却機構が設けられており、前記成膜用ロール部６１を冷却する構造になっている。例えば、前記成膜用ロール部６１には、導入路６５および排出路６６を介して、循環装置６４が接続される。
【００５４】
前記循環装置６４は熱交換媒体を、前記成膜用ロール部６１内部に循環させる。前記成膜用ロール部６１の内部には、図示しない流路が形成されており、前記流路を熱交換媒体が循環することにより、前記成膜用ロール部６１が冷却される構造となっている。
【００５５】
この場合、前記成膜用ロール部６１が冷却されることにより、さらに前記フィルム６１を冷却する効率が上がり、成膜時の放電電流をさらに上昇させることが可能となる。例えば、前記放電電流を２５０Ａまで増大させることで、さらに成膜レートが上がって処理効率を増大させることが可能となる。
【００５６】
また、このように、前記フィルム送出用ロール部６２、成膜用ロール部６１およびフィルム巻き取り用ロール部６３を用いて被成膜部材に連続的に成膜を行うことで、成膜の効率が上がって、効率よく成膜処理を行う事が可能となる。
【００５７】
以上説明したように、本実施の形態例に係る水蒸気透過防止膜は、平滑な表面状態を有する金属膜の上に防止膜を成膜するため、水蒸気透過防止性に優れた水蒸気透過防止膜を得ることができる。この場合、基板の表面の粗さが平均粗度として０．９ｎｍ以上あり、または、基板の表面の凹凸の最大高低差が５０ｎｍ以上あると、より好適である。なお、金属膜および防止膜の合計の膜厚が４００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下であると、より好適に本発明の効果を奏する。
【００５８】
また、本実施の形態例に係る水蒸気透過防止膜は、イオンプレーティング法によって成膜されており、この場合、ハースには１０〜２０Ｖの低い電圧しかかからないため基板に入射する粒子のエネルギもそれと同等程度に小さい（１０〜２０ｅＶ程度）と考えられる。このため、例えば反跳Ａｒ（アルゴン）のような数百ｅＶのエネルギを持つ粒子が基板に入射するようなスパッタ法により成膜する場合に比べて、表面の平滑性のより良好な金属膜を得ることができる。
【００５９】
本実施の形態例では、有機ＥＬ素子に用いられる水蒸気透過防止膜を例にとって説明したが、本発明は、上記の作用効果を奏する限り、有機ＥＬ素子以外にも用いることができ、例えば、食品包装、梱包用フィルムや、水蒸気透過防止性を必要とする医療関係器具、部品等に適用することが可能である。なお、水蒸気透過防止膜を成膜する被成膜部材は、表面の粗いものや水蒸気透過性の大きいものに限定されない。
【００６０】
【発明の効果】
本発明に係る水蒸気透過防止膜によれば、被成膜部材に成膜される水蒸気透過防止膜であって、被成膜部材上に成膜され、マイグレーション性に優れて成膜後に平滑な表面状態が得られる金属膜と、金属膜上に成膜され、水蒸気透過防止性を有する防止膜とを含むため、水蒸気透過防止性に優れた水蒸気透過防止膜を得ることができる。
【００６１】
また、本発明に係る水蒸気透過防止膜の製造方法によれば、上記の水蒸気透過防止膜の製造方法であって、イオンプレーティング法によって金属膜および防止膜を成膜するため、例えばスパッタ法により成膜する場合に比べて、表面の平滑性のより大きい金属膜を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す図である。
【図２】従来の有機ＥＬ素子の他の一例の概略構成を示す図である。
【図３】従来の有機ＥＬ素子のさらに他の一例の概略構成を示す図である。
【図４】本実施の形態例に係る水蒸気透過防止膜を設けた有機ＥＬ素子の概略構成を示す図である。
【図５】本実施の形態例に係る水蒸気透過防止膜をイオンプレーティング法で形成するために用いるイオンプレーティング装置の概略構成を示す図である。
【図６】図５に示したイオンプレーティング装置の変更例である。
【符号の説明】
１０　有機ＥＬ素子
１２　基板
１４　透明電極
１６　発光層
１８　背面電極
１９　金属膜
２０、２６　酸化窒化ケイ素膜
２２、２８　水蒸気透過防止膜
２４　ＩＴＯ膜
３０，３０Ａ　イオンプレーティング装置
３２　プラズマガン
３４　真空容器
３６　ハース
３８　成膜材料ロッド
４０　供給装置
４１　窒素酸素導入口
４２　キャリアＡｒ導入口
Ｗ　基板
Ｗａ　フィルム
５０　プラズマ発生部
６０　成膜部
６１　成膜用ロール部
６２　フィルム送出用ロール部
６３　フィルム巻き取り用ロール部
６４　循環装置
６５，６６　流路
【図１】
2004050821.tif 000003
【図２】
2004050821.tif 000004
【図３】
2004050821.tif 000005
【図４】
2004050821.tif 000006
【図５】
2004050821.tif 000007
【図６】
2004050821.tif 000008