(57)【要約】【課題】良好な再生信号を得ることができる光ディスク原盤露光装置および光ディスク原盤の製造方法を提供する。【解決手段】原盤露光装置は、光源１０と、記録信号に対応し、電圧レベルが２値のみからなる記録パターンＥ１を発生させる記録パターン発生器１７と、記録パターンＥ１を補正して変調パターンＥ２とする制御回路１８と、変調パターンＥ２に基づいてレーザ光を変調する光変調器１２とを備える。制御回路１８は、プリピット部に対応する記録パターンＥ１における電圧レベルがハイである時間に基づいて、電圧レベルがハイである時間のうちの一部をローとすることにより、電圧レベルがハイである期間を分割し、さらに、記録パターンの電圧レベルがハイである期間に対応する期間において、最初のパルス立上りをＴＦ遅らせ、かつ、最後のパルス立下りをＴＲ早くして変調パターンＥ２とする。【選択図】　図１
2004039143.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を出射する光源と、記録信号に対応し、電圧レベルがハイおよびローの２値のみからなる記録パルスを発生させる記録パルス発生手段と、記録パルスを補正して補正パルスとする補正パルス発生手段と、該補正パルスに基づいて上記レーザ光を変調する光変調手段とを備え、該変調されたレーザ光を用いて露光することにより、少なくとも光ディスクに形成するプリピットに対応するプリピット部を、光ディスクの原盤上に形成する光ディスク原盤露光装置において、
上記補正パルス発生手段は、上記プリピット部に対応する記録パルスにおける電圧レベルがハイである時間に基づいて、電圧レベルがハイである時間のうちの一部をローとすることにより上記電圧レベルがハイである期間を分割し、さらに、上記記録パルスの電圧レベルがハイである期間に対応する期間において、最初のパルス立上りを第１所定時間遅らせ、かつ、最後のパルス立下りを第２所定時間早くすることを特徴とする光ディスク原盤露光装置。
【請求項２】
光ディスクのトラック方向における長さが最も短いプリピットに対応する電圧レベルがハイである時間をＴとし、ｎを整数とすると、
電圧レベルがハイである時間が、ｎＴ以上、かつ、（ｎ＋１）Ｔ未満のとき、上記補正パルス発生手段は、上記電圧レベルがハイである期間をｎ個に分割することを特徴とする請求項１に記載の光ディスク原盤露光装置。
【請求項３】
上記補正パルス発生手段は、電圧レベルがハイである上記分割された期間を、それぞれ、さらに２個以上に分割することを特徴とする請求項２に記載の光ディスク原盤露光装置。
【請求項４】
上記補正パルス発生手段は、対応する上記記録パルスの電圧レベルがハイである期間において、電圧レベルがハイとなる周期が基準クロック信号と同じになるように、電圧レベルがハイである期間を分割することを特徴とする請求項１に記載の光ディスク原盤露光装置。
【請求項５】
上記両所定時間は、対応する記録パルスの電圧レベルがハイである時間に基づいて設定されることを特徴とする請求項１に記載の光ディスク原盤露光装置。
【請求項６】
上記第１所定時間と第２所定時間とは、等しいことを特徴とする請求項１に記載の光ディスク原盤露光装置。
【請求項７】
光ディスクのトラック方向における長さが最も短いプリピットに対応する上記両所定時間は、他のプリピットに対応する上記両所定時間より短いことを特徴とする請求項６に記載の光ディスク原盤露光装置。
【請求項８】
上記光変調手段は、電気光学光変調器であることを特徴とする請求項１に記載の光ディスク原盤露光装置。
【請求項９】
記録信号に対応し、電圧レベルがハイおよびローの２値のみからなる記録パルスから生成された補正パルスに基づいてレーザ光を変調し、該変調されたレーザ光を用いた１つのビームスポットで露光することにより、少なくとも光ディスクに形成するプリピットに対応するプリピット部を、光ディスクの原盤上に形成する光ディスク原盤の製造方法において、
上記プリピット部に対応する記録パルスにおける電圧レベルがハイである時間に基づいて、電圧レベルがハイである時間のうちの一部をローとすることにより、上記電圧レベルがハイである期間を分割し、さらに、記録パルスにおいて電圧レベルがハイである期間に対応する期間において、最初のパルス立上りを遅らせ、かつ、最後のパルス立下りを早くした補正パルスを用いることを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスクのプリピット形状を最適化する光ディスク原盤露光装置および光ディスク原盤の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
高密度、大容量の情報記録媒体として、一般に、光ディスクは広く利用されている。光ディスクにおいて、情報は、光ディスク表面に凹凸ピットあるいは磁気的特性の変化、結晶構造の変化などとして記録される。そして、これに光スポットを照射し、反射してくる光量あるいは偏光度の変化を検出することにより、情報を読み出している。
【０００３】
記録、再生用光スポットをトラックに位置決めするための案内用グルーブやピット、トラック上の番地を示すアドレスピット、記録再生用のタイミングを決めるクロックピット、再生専用のデータを示すピットなど（グルーブおよびプリピット）の配列は、ディスク基板表面に、製造時に形成される。
【０００４】
光ディスクは、基板成形用スタンパを用いたモールディングにより製造される。基板成形用スタンパには光ディスクの原盤が用いられる。この光ディスクの原盤には、製造する光ディスクのグルーブやプリピットに対応する形状部分（グルーブ部およびプリピット部）が形成されている。
【０００５】
即ち、原盤のグルーブ部およびプリピット部の形状は、基板成形用スタンパを用いた射出成形により基板に転写される。
【０００６】
そして、グルーブ部およびプリピット部の形状が転写された基板上に、反射膜および保護膜を成膜することにより、光ディスクが製造される。
【０００７】
また、ガラス盤上にフォトレジストを成膜してベイキングを行った後、回転駆動させながら、レーザビームレコーダを用いて記録信号（パルス）に応じて露光し、その後、さらに現像液を用いて現像することにより、光ディスクの原盤は製造される。
【０００８】
上述したようにして得られた光ディスクの表面に形成されたプリピット情報を再生するとき、ジッタが発生することがある。このジッタは、各種の長さのピットが存在することによる、各ピットの最適露光量からのずれに起因する。再生信号にジッタが増えることにより、エラーレートが悪化する。
【０００９】
そこで、このジッタ特性を向上させるために、特開平１０−３３４４６７号公報には、光ディスクの原盤を製造する際、露光に用いるレーザビームレコーダに入力されるパルス信号に関して、パルス立上り後の所定時間およびパルス立下り前の所定時間を除いた時間だけ、レーザビームによる露光量が低減される光ディスク原盤の製造方法について記載されている。
【００１０】
また、特開平１０−３３４４６８号公報には、光ディスクの原盤を製造する際、露光に用いるレーザビームレコーダに入力されるパルス信号に関して、パルス立上り後の所定時間Ｔｈおよびパルス立下り前の所定時間Ｔｔを除いた期間だけ、基本クロックＴより短い周期のパルス列でレーザビームによる露光が行われると共に、所定時間ＴｈおよびＴｔが、基本クロックＴの２倍または３倍とする光ディスク原盤の製造方法について記載されている。
【００１１】
これにより、ピット中間部において平均光量が小さくなり、ピットエッジに対するピット中間部の露光による影響が減少する。
【００１２】
従って、理論ピット長と実際のピット長との差が効果的に低減される。これにより、ジッタ特性の向上を図ることができる。
【００１３】
なお、上記２つの公報に記載のレーザビームレコーダは、音響光学効果光変調器（ＡＯＭ：ａｃｏｕｓｔｏ−ｏｐｔｉｃ　ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）から構成されている。
【００１４】
また、従来、追記型や書き換え型ディスク用原盤において、グルーブ部およびプリピット部を同時に露光する際には、光変調器（レーザビームレコーダ）としてＡＯＭを用いて、グルーブ部およびプリピット部のＡＯＭへの入力電圧をそれぞれ別の値を取って形状の最適化を行う方法か、あるいは、２ビームを用い、グルーブ部とプリピット部とを別々のビームにて露光を行う方法が採用されていた。
【００１５】
ところで、光変調器としてＡＯＭを用いる場合、近年の高密度化に伴う信号パルスの高周波数化にＡＯＭは対応ができない。
【００１６】
また、２ビームを用いる方法では、両ビームの位置ずれに注意する必要があり、またビームを分けることでビーム強度が半減するので使用できるレジストに制限ができる。
【００１７】
従って、ビーム強度を落とさず高周波数のピットを露光するには、電気光学光変調器（ＥＯＭ：ｅｌｅｃｔｒｏ−ｏｐｔｉｃ　ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）を利用することが望ましい。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、１ビームにてグルーブ部およびプリピット部を同時に露光する際に、高周波数での変調に有利な光変調器としてＥＯＭを用いると、その変調素子（例えばＫＤＰなど）の特性制限から、入力電圧レベルを２段階にしか取れない。
【００１９】
従って、上記特開平１０−３３４４６７号公報に記載の方法では、光変調器としてＡＯＭのかわりにＥＯＭを用いたとしても、ＥＯＭへの入力電圧レベルが３段階になってしまうため、ＥＯＭからの出力信号が変動し、所望の信号にならない。
【００２０】
また、上記特開平１０−３３４４６８号公報に記載の方法では、グルーブ部およびプリピット部に対応するそれぞれのＥＯＭへの入力信号の電圧レベルを一定にしなければいけないため、グルーブ部の最適形状となるパワーに設定するとピットが大きくなりすぎてしまう。このようなピットに基づいて情報を再生しても、良好な再生信号は得られない。
【００２１】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、良好な再生信号を得ることができる光ディスク原盤露光装置および光ディスク原盤の製造方法を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明の光ディスク原盤露光装置は、上記の課題を解決するために、レーザ光を出射する光源と、記録信号に対応し、電圧レベルがハイおよびローの２値のみからなる記録パルスを発生させる記録パルス発生手段と、記録パルスを補正して補正パルスとする補正パルス発生手段と、該補正パルスに基づいて上記レーザ光を変調する光変調手段とを備え、該変調されたレーザ光を用いて露光することにより、少なくとも光ディスクに形成するプリピットに対応するプリピット部を、光ディスクの原盤上に形成する光ディスク原盤露光装置において、上記補正パルス発生手段は、上記プリピット部に対応する記録パルスにおける電圧レベルがハイである時間に基づいて、電圧レベルがハイである時間のうちの一部をローとすることにより、上記電圧レベルがハイである期間を分割し、さらに、上記記録パルスの電圧レベルがハイである期間に対応する期間において、最初のパルス立上りを第１所定時間遅らせ、かつ、最後のパルス立下りを第２所定時間早くすることを特徴としている。
【００２３】
上記の構成によれば、プリピット部に対応する記録パルスについて、電圧レベルがハイである時間に基づき、電圧レベルがハイである時間のうちの一部をローとすることにより、上記電圧レベルがハイである期間を分割する分割処理（第１〜第３分割処理）を行った後、記録パルスの電圧レベルがハイである期間に対応する期間において、最初のパルス立上りを第１所定時間遅らせ、かつ、最後のパルス立下りを第２所定時間早くする短縮処理を行うこととなる。
【００２４】
従って、分割処理を行うことにより、プリピット部において、光ディスクのトラック方向の長さ（ピット長）、および、光ディスク面においてトラック方向とは垂直な方向の長さ（ピット幅）を調節（短く）することができる。また、短縮処理を行うことにより、さらにピット長を調節することができる。
【００２５】
これにより、光ディスク原盤におけるプリピット部の形状を最適化することができ、このような光ディスク原盤を用いて光ディスクを製造した場合、光ディスクに形成されたプリピットを再生したときの再生信号において、ジッタおよびシンメトリーのずれを小さくすることができる。この結果、再生信号のエラーレートを小さくすることができる。
【００２６】
また、電圧レベルがハイおよびローの２値のみからなる記録パルスに、上記分割処理および短縮処理を施すことで補正パルスとしていることにより、電圧レベルがハイおよびローの２値のみからなる補正パルスとすることができる。
【００２７】
従って、光変調手段は、電圧レベルが２値のみをとる補正パルスに基づいてレーザ光を変調することとなる。これにより、光ディスクのグルーブおよびプリピットに対応するグルーブ部およびプリピット部が混在する光ディスク原盤を露光して作製する際、例えば、光変調手段として、高周波数の変調に有利な電気光学光変調器（ＥＯＭ）を用いることができる。
【００２８】
このとき、電圧レベルのローレベルは光ディスク原盤上でレーザ光のパワーがゼロになる電圧値を設定し、ハイレベルは光ディスク原盤上でレーザ光のパワーが、グルーブが最適形状になる値となる電圧値を設定する。これにより、光ディスク原盤上に、光ディスクのグルーブおよびプリピットに対応するグルーブ部およびプリピット部を形成することができる。
【００２９】
上記の光ディスク原盤露光装置は、光ディスクのトラック方向における長さが最も短いプリピットに対応する電圧レベルがハイである時間をＴとし、ｎを整数とすると、電圧レベルがハイである時間が、ｎＴ以上、かつ、（ｎ＋１）Ｔ未満のとき、補正パルス発生手段が、電圧レベルがハイである期間をｎ個に分割することが好ましい。
【００３０】
上記の構成によれば、ピット長が長いプリピットに対応する部分（電圧レベルがハイである時間が長い）ほど、多くに分割されることになる。従って、ピット長に応じて、光ディスク原盤におけるプリピット部の形状を最適化することができる。
【００３１】
これにより、例えば、光ディスク原盤を用いて光ディスクを製造した場合、再生信号のエラーレートがより小さな光ディスクを提供することができる。
【００３２】
上記の光ディスク原盤露光装置は、補正パルス発生手段は、分割された電圧レベルがハイである期間を、それぞれ、さらに２個以上に分割することが好ましい。
【００３３】
上記の構成によれば、電圧レベルがハイである時間が、より数多く分割されることとなる。従って、光ディスク原盤におけるプリピット部の形状をより細かく最適化することができる。
【００３４】
これにより、例えば、光ディスク原盤を用いて光ディスクを製造した場合、再生信号のエラーレートがさらに小さな光ディスクを提供することができる。
【００３５】
上記の光ディスク原盤露光装置は、補正パルス発生手段が、対応する記録パルスの電圧レベルがハイである期間において、電圧レベルがハイとなる周期が、基準クロック信号と同じになるように、電圧レベルがハイである期間を分割することが好ましい。
【００３６】
上記の構成によれば、光ディスク原盤におけるプリピット部の形状をより細かく最適化することができるとともに、電圧レベルがハイである期間を分割するときの制御を、より簡単にすることができる。
【００３７】
これにより、例えば、光ディスク原盤を用いて光ディスクを製造した場合、再生信号のエラーレートがさらに小さな光ディスクを提供することができる。
【００３８】
上記の光ディスク原盤露光装置は、両所定時間が、対応する記録パルスの電圧レベルがハイである時間に基づいて設定されることが好ましい。
【００３９】
上記の構成によれば、対応する記録パルスの電圧レベルがハイである時間の長さに応じて、両所定時間を設定することができる。
【００４０】
従って、対応する記録パルスの電圧レベルがハイである時間の長さに応じて、光ディスクのピット長を調節することができ、光ディスク原盤におけるプリピット部の形状をより細かく最適化することができる。
【００４１】
上記の光ディスク原盤露光装置は、第１所定時間と第２所定時間とが等しいことが好ましい。
【００４２】
上記の構成によれば、記録パルスの電圧レベルがハイである時間の中心の相対的な時間の間隔を保持することができる。従って、光ディスク原盤におけるプリピット部の形状を最適化することができ、このような光ディスク原盤を用いて光ディスクを製造した場合、光ディスクに形成されたプリピットを再生したときの再生信号において、ジッタおよびシンメトリーのずれを小さくすることができる。この結果、再生信号のエラーレートを小さくすることができる。
【００４３】
上記の光ディスク原盤露光装置は、光ディスクのトラック方向における長さが最も短いプリピットに対応する両所定時間が、他のプリピットに対応する両所定時間より短いことが好ましい。
【００４４】
上記の構成によれば、ピット長が長いほど、そのプリピットに対応する電圧レベルがハイである時間を短くすることができる。従って、ピット長が長いほど露光量が低減されることとなり、光ディスク原盤に形成されるプリピット部において、例えばピット幅が、所望のピット幅より大きくなることを防止することができる。
【００４５】
即ち、ピット長が最短であるプリピット部に対する他のプリピット部の大きさにおける相対的な関係を最適化することができる。
【００４６】
この結果、光ディスクに形成されたプリピットを再生したときの再生信号において、ジッタおよびシンメトリーのずれを小さくすることができる。
【００４７】
上記の光ディスク原盤露光装置は、光変調手段が、電気光学光変調器であることが好ましい。
【００４８】
上記の構成によれば、ビーム強度を落とさず高周波数のピットを露光することができる。
【００４９】
本発明の光ディスク原盤の製造方法は、記録信号に対応し、電圧レベルがハイおよびローの２値のみからなる記録パルスから生成された補正パルスに基づいてレーザ光を変調し、該変調されたレーザ光を用いた１つのビームスポットで露光することにより、少なくとも光ディスクに形成するプリピットに対応するプリピット部を、光ディスクの原盤上に形成する光ディスク原盤の製造方法において、上記プリピット部に対応する記録パルスにおける電圧レベルがハイである時間に基づいて、電圧レベルがハイである時間のうちの一部をローとすることにより、上記電圧レベルがハイである期間を分割し、さらに記録パルスにおいて電圧レベルがハイである期間に対応する期間において、最初のパルス立上りを遅らせ、かつ、最後のパルス立下りを早くした補正パルスを用いることを特徴としている。
【００５０】
上記の構成によれば、分割処理を行うことにより、プリピット部において、光ディスクのトラック方向の長さ（ピット長）、および、光ディスク面においてトラック方向とは垂直な方向の長さ（ピット幅）を調節することができる。また、短縮処理を行うことにより、ピット長を調節することができる。
【００５１】
これにより、光ディスク原盤におけるプリピット部の形状を最適化することができ、このような光ディスク原盤を用いて光ディスクを製造した場合、光ディスクに形成されたプリピットを再生したときの再生信号において、ジッタおよびシンメトリーのずれを小さくすることができる。この結果、例えば、光ディスク原盤を用いて光ディスクを製造した場合、再生信号のエラーレートがより小さな光ディスクを提供することができる。
【００５２】
また、光ディスク原盤を製造する際、例えば、光変調手段として、高周波数の変調に有利な電気光学光変調器（ＥＯＭ）を用いることができる。
【００５３】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の一形態について図１ないし図７に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００５４】
図１は、本実施の形態に係る原盤露光装置（光ディスク原盤露光装置）の要部の構成を示す。同図に示すように、本光ディスク原盤露光装置は、光源１０、レーザ出力安定化装置１１、光変調器（光変調手段）１２、ビームエキスパンダ１３、対物レンズ１４、スピンドル１６、記録パターン発生器（記録パルス発生手段）１７、制御回路（補正パルス発生手段）１８、および、ミラー２１・２２・２３を備え、ガラス盤２０を露光する。ガラス盤２０は、記録信号に基づいて露光されることにより、光ディスクの原盤となる。
【００５５】
光ディスクの原盤には、後述する露光により、製造する光ディスクのグルーブやプリピットに対応する形状部分（グルーブ部やプリピット部）が形成される。
【００５６】
光源１０は、例えば、クリプトンイオンレーザ発信器などの光源であり、レーザ光を出射する。
【００５７】
レーザ出力安定化装置１１は、入力されたレーザ光の出力（レーザパワー）の安定化を図る。レーザ出力安定化装置１１から出力されたレーザ光は、光変調器１２に入力される。
【００５８】
記録パターン発生器１７は、記録信号に対応した記録パターン（記録パルス）Ｅ１を生成し、制御回路１８に入力する。記録パターンＥ１の電圧レベルは、ハイおよびローの２値のみからなる。
【００５９】
制御回路１８は、電気光学光変調器（ＥＯＭ：ｅｌｅｃｔｒｏ−ｏｐｔｉｃ　ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）である。制御回路１８は、入力された記録パターンＥ１を補正して変調パターン（補正パルス）Ｅ２に変換し、光変調器１２に入力する。
【００６０】
光変調器１２は、制御回路１８からの変調パターンＥ２に応じて、入力されたレーザ光を変調し、ビームエキスパンダ１３に入力する。
【００６１】
ビームエキスパンダ１３は、入力されたレーザ光の光径（ビーム径）を拡大する。
【００６２】
対物レンズ１４は、レーザ光をガラス盤２０上に集光する。
【００６３】
ガラス盤２０は、光ディスクの原盤となるものであり、スピンドル１６によって回転する。また、ガラス盤２０は、ガラス基板１５および感光膜１９からなる。
【００６４】
ミラー２１・２２・２３は、入射するレーザ光を反射させる。
【００６５】
次に、原盤露光装置の動作について説明する。
【００６６】
まず、光源１０からのレーザ光は、ミラー２１で反射され、レーザ出力安定化装置１１に導かれる。そして、レーザ出力安定化装置１１において、レーザパワーの安定化が図られた後、レーザ光は、光変調器１２に導かれる。
【００６７】
一方、記録パターン発生器１７において発生した記録パターンＥ１は、制御回路１８に入力され、この制御回路１８において、さらに、変調パターンＥ２に変換される。このとき、制御回路１８では、記録パターンＥ１においてプリピット部に対応する原パルス（電圧レベルがハイである時間）を短パルスに分割し、分割された原パルスの前後を短くすることにより変調パターンＥ２に変換する。この、記録パターンＥ１から変調パターンＥ２への変換（補正）については、後に詳述する。
【００６８】
そして、光変調器１２ではこの変調パターンＥ２に応じて透過するレーザ光を変調する。
【００６９】
その後、光変調器１２から出射されたレーザ光は、ビームエキスパンダ１３でビーム径を拡大された後、ミラーＭ２２・２３で反射され、対物レンズ１４を通して、スピンドル１６に取り付けられて回転されるガラス盤２０の感光膜１９に集光される。
【００７０】
これにより、感光膜１９が感光し（露光され）、さらに、現像を行うことによって、グルーブ部やプリピット部の形成された光ディスクの原盤が作製される。なお、露光の際には、レーザ光のビームスポットは１つで用いられる。
【００７１】
ここで、光ディスクの原盤（光ディスク原盤）の製造工程の一例について説明する。
【００７２】
まず、直径１５０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの石英ガラスからなるガラス基板１５の表面が平滑になるように研磨する。そして、そのガラス基板１５を、超純水およびイソプロピルアルコールで超音波洗浄した後、イソプロピルアルコールを用いて乾燥する。
【００７３】
次に、反応性イオンエッチング装置のチャンバー内にガラス基板１５を入れ、真空度２×１０−３まで排気した後、Ｏ２ガスを導入し、アッシング処理を行う。このときのガス流量は１００ｓｃｃｍ（１．６８８７５×１０−１Ｐａ・ｍ３・Ｓ−１）、ガス圧力は３．７Ｐａ、ＲＦ電力は２００Ｗ、自己バイアス電圧は１６０Ｖ、アッシング時間は５分である。
【００７４】
続いて、ガラス基板１５上に、ヘキサメチルジシラザンを主成分とした前処理剤をスピンコートし、さらに、有機溶剤に溶かされたポジ型感光膜である感光膜１９をスピンコートする。
【００７５】
その後、ガラス基板１５は、１１０℃のクリーンオーブン内で３０分間ベーク処理を行い、感光膜１９中の溶剤を乾燥除去する。ここでは、感光膜１９の膜厚は約７０ｎｍとするが、一般的には３０〜１０００ｎｍである。また、感光膜１９として、ＰＦｉ−９４Ａ６（住友化学工業株式会社製）を用いる。
【００７６】
そして、ガラス基板１５の表面に感光膜１９が形成されたガラス盤２０を、光源１０から出射されるレーザ光を用いて露光する。この露光パターン、即ち変調パターンＥ２については、後述する。
【００７７】
ここで、光源１０は、波長３５１ｎｍの紫外レーザ光を出射する。光変調器１２は、信号応答速度が５０ＭＨｚのものを採用する。ビームエキスパンダ１３は、例えば直径が１５ｍｍで焦点距離が６０ｍｍと１５０ｍｍの２個の平凸レンズを、２１０ｍｍ間隔でレーザ光に対して垂直に設置したもので構成する。また、レーザ光のビーム径は、例えば対物レンズ１４の開口径に等しい３．６ｍｍとする。対物レンズ１４は、例えば焦点距離２ｍｍ、開口数（ＮＡ）０．９、開口径３．６ｍｍのものを用いる。
【００７８】
最後に、露光された感光膜１９を現像することにより、光ディスクの原盤を作製することができる。ここで、現像に使用する現像液は、ＭＰ３５１ＤＥＶＥＬＯＰＥＲ（シプレイ・ファーイースト株式会社製）を純水で６倍希釈したものを使用する。また、現像は、ガラス盤２０をスピンドル１６により回転させながら、６０秒間ガラス基板１５の表面に現像液をかけながら行う。
【００７９】
以下、記録パターンＥ１および変調パターンＥ２について図２〜４に基づいて説明する。ここで、基準クロック信号の最短パルスを、基準長である１ｃｂとする。
【００８０】
記録パターンＥ１は、光ディスク原盤のグルーブ部とプリピット部に対応する記録パターンが混在している。ここで、光ディスク原盤のグルーブ部は、製造する光ディスクのグルーブに、光ディスク原盤のプリピット部は、製造する光ディスクのプリピットに対応する。記録パターンＥ１の電圧レベルは、図２〜図４に示すように、ハイおよびローの２値のみからなる。以下、プリピット部に対応する記録パターンＥ１のうち、電圧レベルがハイである部分、および、その立上り・立下りの部分を、原パルスという。
【００８１】
記録パターンＥ１において光ディスク原盤のプリピット部に対応する部分は、原パルス１Ｔ・２Ｔ・３Ｔがランダムに配列して構成されている。また、原パルス１Ｔのパルス長は３ｃｂ、原パルス２Ｔのパルス長は６ｃｂ、原パルス３Ｔのパルス長は９ｃｂとする。なお、原パルス１Ｔ・２Ｔ・３Ｔがこの順に並んでいる記録パターンＥ１を図２、原パルス１Ｔ・２Ｔがこの順に並んでいる記録パターンＥ１を図３・図４に示す。図２〜図４において、縦軸は電圧レベル、横軸は時間を示している。
【００８２】
このとき、記録パターンＥ１の電圧レベルは２値のみであり、電圧レベルのローレベルは感光膜１９上でレーザ光のパワーがゼロになる電圧値を設定し、ハイレベルは感光膜２９上でレーザ光のパワーが、グルーブが最適形状になる値となる電圧値を設定する。
【００８３】
制御回路１８は、記録パターンＥ１における原パルスを補正することにより、変調パターンＥ２を生成する。以下、この補正処理（分割処理、短縮処理）について説明する。
【００８４】
補正処理としては、図２に示すように、記録パターンＥ１の原パルスを分割することにより変調パターンＥ２ａとしてから、さらに、原パルスの前後の部分に対応する部分を短くして変調パターンＥ２ｄとする。
【００８５】
具体的には、変調パターンＥ２ａは、記録パターンＥ１における原パルス２Ｔ・３Ｔをそれぞれ２分割・３分割し、分割された短パルスおよび原パルス１Ｔの立下がりをＴＯＦＦ分の時間だけ早くすることにより生成される（第１分割処理）。
【００８６】
即ち、プリピット部に対応する記録パターンＥ１を、電圧レベルがハイである時間（原パルスのパルス長）に基づいて、電圧レベルがハイである時間のうちの一部をローとすることにより、電圧レベルがハイである時間を分割する。
【００８７】
これにより、図２に示すように、変調パターンＥ２ａにおいて原パルス１Ｔに対応するパルス（短パルス１Ｔａ）は、原パルス１Ｔより立下りがＴＯＦＦ早く、変調パターンＥ２ａにおいて原パルス２Ｔに対応するパルスは、パルス１ＴａがＴＯＦＦ間隔で２回繰り返され（短パルス２Ｔａとなり）、変調パターンＥ２ａにおいて原パルス３Ｔに対応するパルスは、パルス１ＴａがＴＯＦＦ間隔で３回繰り返される（短パルス３Ｔａとなる）こととなる。
【００８８】
即ち、光ディスクのトラック方向における長さが最も短いプリピットに対応する電圧レベルがハイである時間（原パルス１Ｔに対応）をＴとし、ｎを整数とすると、電圧レベルがハイである時間が、ｎＴ以上、かつ、（ｎ＋１）Ｔ未満のとき、制御手段１８は、電圧レベルがハイである期間をｎ個に分割する。なお、上述した例では、ｎ＝２，３である。
【００８９】
また、このとき、パルス間隔ＴＯＦＦは、対応する各原パルス間で一定とする。そのため、原パルス１Ｔ・２Ｔ・３Ｔにおける各原パルス中心の相対的な時間間隔は、変調パターンＥ２ａにおいても一定に保たれる。
【００９０】
即ち、記録パターンＥ１の電圧レベルがハイである時間の中心の相対的な時間の間隔を保持することができる。
【００９１】
また、図２に示すように、変調パターンＥ２ｄは、原パルスの前後の部分に対応する部分、即ち、変調パターンＥ２ａにおける短パルス１Ｔａ・２Ｔａ・３Ｔａにおける最初の立上りをＴＦ（第１所定時間）遅らせ、かつ、最後の立下りをＴＲ（第２所定時間）早くする（短縮処理）。ここでは、ＴＦ＝ＴＲとし、原パルス１Ｔに対応する短パルス１Ｔａについては、ＴＦ＝ＴＲ＝０とする。
【００９２】
なお、ＴＦおよびＴＲは、各原パルス１Ｔ〜３Ｔにおいて任意に設定することができる。
【００９３】
また、原パルス１Ｔ〜３Ｔ間で、各ＴＦが等しく、かつ、各ＴＲが等しい場合、あるいは各原パルス１Ｔ、２Ｔ、３ＴにおいてＴＦ＝ＴＲとなる場合、原パルス１Ｔ〜３Ｔの中心の相対的な時間間隔は一定に保たれる。
【００９４】
即ち、変調パターンＥ２ｄにおいても、記録パターンＥ１の電圧レベルがハイである時間の中心の相対的な時間の間隔を保持することができる。
【００９５】
従って、光ディスク原盤におけるプリピット部の形状を最適化することができ、このような光ディスク原盤を用いて光ディスクを製造した場合、光ディスクに形成されたプリピットを再生したときの再生信号において、ジッタおよびシンメトリーのずれを小さくすることができる。この結果、再生信号のエラーレートを小さくすることができる。
【００９６】
なお、ＴＦ＝ＴＲである場合、原パルス１ＴのＴＦ（ＴＲ）＜２Ｔ，３ＴのＴＦ（ＴＲ）であることが好ましい。即ち、ピット長が長いほど、そのプリピットに対応する電圧レベルがハイである時間を短くする。
【００９７】
従って、ピット長が長いほど露光量が低減されることとなり、光ディスク原盤に形成されるプリピット部において、例えばピット幅が、所望のピット幅より大きくなることを防止することができる。
【００９８】
即ち、ピット長が最短であるプリピット部に対する他のプリピット部の大きさにおける相対的な関係を最適化することができる。
【００９９】
この結果、光ディスクに形成されたプリピットを再生したときの再生信号において、ジッタおよびシンメトリーのずれを小さくすることができる。
【０１００】
また、補正処理としては、図３に示すように、記録パターンＥ１の原パルスを分割することにより変調パターンＥ２ｂとしてから、さらに、原パルスの前後の部分に対応する部分を短くして変調パターンＥ２ｅとしてもかまわない。
【０１０１】
具体的には、変調パターンＥ２ｂは、記録パターンＥ１における原パルス１Ｔ・２Ｔをそれぞれ２分割・４分割し、分割された短パルスの立下がりをＴＯＦＦ早くすることにより生成される（第２分割処理）。即ち、変調パターンＥ２ｂは、変調パターンＥ２ａにおける短パルス１Ｔａ・２Ｔａを、それぞれ、さらにＴＯＦＦ間隔をあけるように２分割したものである。
【０１０２】
これにより、図３に示すように、変調パターンＥ２ｂにおいて原パルス１Ｔに対応するパルスは、短パルス１Ｔａをさらに２分割されたパルスがＴＯＦＦ間隔で２回繰り返され、変調パターンＥ２ｂにおいて原パルス２Ｔに対応するパルスは、短パルス１Ｔａをさらに２分割されたパルスがＴＯＦＦ間隔で４回繰り返されることとなる。
【０１０３】
また、変調パターンＥ２ｅは、変調パターンＥ２ｄと同様、原パルスの前後の部分に対応する部分の最初の立上りをＴＦ遅らせ、かつ、最後の立下りＴＲ早くする（短縮処理）。
【０１０４】
なお、ここでは、パルス間隔ＴＯＦＦは、各原パルス間で一定とする。また、ＴＦ＝ＴＲとし、原パルス１Ｔに対応するＴＦ＝ＴＲについては、ＴＦ＝ＴＲ＝０とする。
【０１０５】
また、補正処理としては、図４に示すように、記録パターンＥ１の原パルスを分割することにより変調パターンＥ２ｃとしてから、さらに、原パルスの前後の部分に対応する部分を短くして変調パターンＥ２ｆとしてもかまわない。
【０１０６】
具体的には、変調パターンＥ２ｃは、記録パターンＥ１における原パルス１Ｔ・２Ｔをそれぞれ基準クロック信号に合わせて分割、即ち、１ｃｂ単位の短パルスに分割することにより生成される（第３分割処理）。即ち、電圧レベルがハイである時間が、基準クロック信号と同じになるように、電圧レベルがハイである時間をＴＯＦＦ間隔で分割する。
【０１０７】
これにより、図４に示すように、変調パターンＥ２ｃにおいて原パルス１Ｔに対応する短パルスは、原パルス１Ｔより立下りがＴＯＦＦ早く、また、基準クロック信号と同様、ＴＯＦＦ間隔で３回繰り返され、変調パターンＥ２ｃにおいて原パルス２Ｔに対応する短パルスは、原パルス１Ｔより立下りがＴＯＦＦ早く、また、１ｃｂ単位の短パルスがＴＯＦＦ間隔で６回繰り返されることとなる。
【０１０８】
また、変調パターンＥ２ｆは、変調パターンＥ２ｄ・Ｅ２ｅと同様、原パルスの前後の部分に対応する部分、即ち、変調パターンＥ２ｃの原パルス１Ｔ・２Ｔに対応する短パルスにおける最初の立上りをＴＦ遅らせ、かつ、最後の立下りＴＲ早くする（短縮処理）。
【０１０９】
なお、ここでも、パルス間隔ＴＯＦＦは、各原パルス間で一定とする。また、ＴＦ＝ＴＲとし、原パルス１Ｔに対応するＴＦ＝ＴＲについては、ＴＦ＝ＴＲ＝０とする。
【０１１０】
図５（ａ）は、図４に示す記録パターンＥ１を光変調器１２に入力したときに作製される光ディスク原盤上のプリピット部を示す図である。また、図５（ｂ）は、図４に示す変調パターンＥ２ｆを光変調器１２に入力したときに作製される光ディスク原盤上のプリピット部を示す図である。図５（ａ）・（ｂ）では、原パルス１Ｔおよび２Ｔに対応するプリピット部のＡＦＭ画像を示す。
【０１１１】
ただし、変調パターンＥ２ｆとする際の第３分割処理の条件としてはＴＯＦＦ＝４０ｎｓとし、短縮処理の条件は、原パルス１Ｔに対応するＴＦ・ＴＲは、ＴＦ＝ＴＲ＝０ｎｓ、原パルス２Ｔに対応するＴＦ・ＴＲは、ＴＦ＝ＴＲ＝１０ｎｓとした。
【０１１２】
この結果、図５（ａ）に示す原パルス１Ｔに対応するプリピット部において、光ディスクのトラック方向の長さ（ピット長）は３０２ｎｍ、原パルス２Ｔに対応するプリピット部において、光ディスク面においてトラック方向とは垂直な方向の長さ（ピット幅）は２７２ｎｍであった。
【０１１３】
一方、図５（ｂ）に示す原パルス１Ｔに対応するプリピット部において、ピット長は２２８ｎｍ、原パルス２Ｔに対応するプリピット部において、ピット幅は２１３ｎｍであった。
【０１１４】
このように、記録パターンＥ１を制御回路１８に入力し、第３分割処理および短縮処理を施して変調パターンＥ２ｆに変換することにより、ピット幅およびピット長が適切に調整（補正）され、光ディスク原盤において、より小さいプリピット部を形成することができることがわかる。
【０１１５】
また、同様に、第１分割処理および短縮処理、あるいは、第２分割処理および短縮処理が施された変調パターンＥ２ｄ・Ｅ２ｅを用いて露光を行っても、それぞれ、記録パターンＥ１を用いて露光を行った場合より、光ディスク原盤において、小さいプリピット部を形成することができることがわかった。
【０１１６】
図５（ａ）・（ｂ）に示すプリピット部を用いて光ディスクを製造した場合に光ディスクに形成されたプリピットを、波長４０５ｎｍ、開口数（ＮＡ）＝０．６５の評価機にて再生パワー１．５ｍＷで再生したときの再生信号を、それぞれ図６（ａ）・（ｂ）に示す。ここで、縦軸は電圧レベル、横軸は時間である。
【０１１７】
この結果、記録パターンＥ１に第３分割処理および短縮処理を施すことにより、再生信号のシンメトリーのずれが小さくなり、シンメトリーが改善されていることがわかる。
【０１１８】
また、同様に、第１分割処理および短縮処理、あるいは、第２分割処理および短縮処理が施された変調パターンＥ２ｄ・Ｅ２ｅを用いても、再生信号のシンメトリーの改善が可能であることがわかった。
【０１１９】
また、このように、分割処理および短縮処理を行うことにより、同じサイズのプリピット部を作成する際の露光のための投入パワーが、原パルスのときより大きくなるため、プリピット部の側壁のがたつきが抑制される。
【０１２０】
これにより、各プリピットの大きさのばらつきを抑えることができる。
【０１２１】
なお、第３分割処理は、原パルスを分割する際の制御に基準クロック信号に合わせるため、短パルス化の制御が第１・２分割処理よりも簡単であり、より好ましい。
【０１２２】
ここで、上述した補正処理を行った場合における再生信号のエラーレートについて説明する。
【０１２３】
図７に、図４に示す変調パターンＥ２ｆにおいて、原パルス２Ｔおよび３Ｔに対応するＴＦ（＝ＴＲ）を変化させたときの、変調パターンＥ２ｆを用いて作製された光ディスク原盤を用いて光ディスクを製造した場合に光ディスクに形成されたプリピットを再生したときの再生信号のエラーレートを示す。ここで、縦軸はエラーレート、横軸はＴＦ（＝ＴＲ）である。ＴＦ（＝ＴＲ）＝０ｎｓのときは、第３分割処理のみが行われたときを示すものである。
【０１２４】
この結果、ＴＦ（＝ＴＲ）が大きくなるほど再生信号のエラーレートは小さくなった。これにより、短縮処理を行うことにより、プリピットにおける再生信号のエラーレートが良好になっていることがわかる。
【０１２５】
なお、上記原盤露光装置においては、感光膜１９を露光して現像することにより光ディスク原盤にグルーブ部やプリピット部を形成するものについて記載したが、これに限定されるものではなく、例えば、感光膜１９として露光によりグルーブ部やプリピット部が形成される材質のものを採用すれば現像は不要となる。
【０１２６】
また、光ディスク原盤ではなく、露光による変形や変質を伴って光ディスクそのものを製造する装置にも本発明は適用することができる。
【０１２７】
以上のように、本実施の形態の原盤露光装置は、レーザ光を出射する光源１０と、記録信号に対応し、電圧レベルがハイおよびローの２値のみからなる記録パターンＥ１を発生させる記録パターン発生器１７と、記録パターンＥ１を補正して変調パターンＥ２（Ｅ２ｄ〜Ｅ２ｆ）とする制御回路１８と、変調パターンに基づいて上記レーザ光を変調する光変調器１２とを備え、該変調されたレーザ光を用いて露光することにより、少なくとも光ディスクに形成するプリピットに対応するプリピット部を、ガラス盤２０上に形成して光ディスク原盤を作製する。
【０１２８】
制御回路１８は、プリピット部に対応する記録パターンＥ１における電圧レベルがハイである時間に基づいて、電圧レベルがハイである時間のうちの一部をローとすることにより、電圧レベルがハイである期間を分割（変調パターンＥ２ａ〜Ｅ２ｃ参照）し、さらに、記録パターンの電圧レベルがハイである期間（Ｔ１〜Ｔ３に対応）に対応する期間において、最初のパルス立上りをＴＦ遅らせ、かつ、最後のパルス立下りをＴＲ早くする。
【０１２９】
これにより、プリピット部に対応する記録パターンＥ１を、電圧レベルがハイである時間に基づいて、電圧レベルがハイである時間のうちの一部をローとすることにより、電圧レベルがハイである期間を分割する分割処理（第１〜第３分割処理）を行った後、記録パルスの電圧レベルがハイである期間に対応する期間において、最初のパルス立上りをＴＦ遅らせ、かつ、最後のパルス立下りをＴＲ早くする短縮処理を行うこととなる。
【０１３０】
従って、分割処理を行うことにより、プリピット部において、光ディスクのトラック方向の長さ（ピット長）、および、光ディスク面においてトラック方向とは垂直な方向の長さ（ピット幅）を調節することができる。また、短縮処理を行うことにより、ピット長を調節することができる。
【０１３１】
これにより、光ディスク原盤におけるプリピット部の形状を最適化することができ、このような光ディスク原盤を用いて光ディスクを製造した場合、光ディスクに形成されたプリピットを再生したときの再生信号において、ジッタおよびシンメトリーのずれを小さくすることができる。この結果、再生信号のエラーレートを小さくすることができる。
【０１３２】
また、電圧レベルがハイおよびローの２値のみからなる記録パルスに、上記分割処理および短縮処理を施すことで補正パルスとしていることにより、電圧レベルがハイおよびローの２値のみからなる補正パルスとすることができる。
【０１３３】
従って、光変調手段は、電圧レベルが２値のみをとる補正パルスに基づいてレーザ光を変調することとなる。これにより、光ディスクのグルーブおよびプリピットに対応するグルーブ部およびプリピット部が混在する光ディスク原盤を露光して作製する際、例えば、光変調手段として、高周波数の変調に有利な電気光学光変調器（ＥＯＭ）を用いることができる。
【０１３４】
【発明の効果】
本発明の光ディスク原盤露光装置は、以上のように、補正パルス発生手段が、プリピット部に対応する記録パルスにおける電圧レベルがハイである時間に基づいて、電圧レベルがハイである時間のうちの一部をローとすることにより、電圧レベルがハイである期間を分割し、さらに、記録パルスの電圧レベルがハイである期間に対応する期間において、最初のパルス立上りを第１所定時間遅らせ、かつ、最後のパルス立下りを第２所定時間早くする構成である。
【０１３５】
これにより、電圧レベルがハイである期間を分割する分割処理（第１〜第３分割処理）を行った後、記録パルスの電圧レベルがハイである期間に対応する期間において、最初のパルス立上りを第１所定時間遅らせ、かつ、最後のパルス立下りを第２所定時間早くする短縮処理を行うこととなる。
【０１３６】
従って、分割処理を行うことにより、プリピット部において、ピット長および、ピット幅を調節することができる。また、短縮処理を行うことにより、ピット長をさらに調節することができる。
【０１３７】
この結果、光ディスク原盤におけるプリピット部の形状を最適化することができ、このような光ディスク原盤を用いて光ディスクを製造した場合、光ディスクに形成されたプリピットを再生したときの再生信号において、ジッタおよびシンメトリーのずれを小さくすることができる。従って、再生信号のエラーレートを小さくすることができる。
【０１３８】
また、光ディスクのグルーブおよびプリピットに対応するグルーブ部およびプリピット部が混在する光ディスク原盤を露光して作製する際、例えば、光変調手段として、高周波数の変調に有利な電気光学光変調器（ＥＯＭ）を用いることができるといった効果を奏する。
【０１３９】
本発明の光ディスク原盤露光装置は、光ディスクのトラック方向における長さが最も短いプリピットに対応する電圧レベルがハイである時間をＴとし、ｎを整数とすると、電圧レベルがハイである時間が、ｎＴ以上、かつ、（ｎ＋１）Ｔ未満のとき、補正パルス発生手段が、電圧レベルがハイである期間をｎ個に分割する構成である。
【０１４０】
これにより、ピット長が長いプリピットに対応する部分（電圧レベルがハイである時間が長い）ほど、多くに分割されることになる。従って、ピット長に応じて、光ディスク原盤におけるプリピット部の形状を最適化することができる。
【０１４１】
この結果、例えば、光ディスク原盤を用いて光ディスクを製造した場合、再生信号のエラーレートがより小さな光ディスクを提供することができるといった効果を奏する。
【０１４２】
本発明の光ディスク原盤露光装置は、補正パルス発生手段が、分割された電圧レベルがハイである期間を、それぞれ、さらに２個以上に分割する構成である。
【０１４３】
これにより、電圧レベルがハイである時間が、より数多く分割されることとなる。従って、光ディスク原盤におけるプリピット部の形状をより細かく最適化することができる。
【０１４４】
この結果、例えば、光ディスク原盤を用いて光ディスクを製造した場合、再生信号のエラーレートがさらに小さな光ディスクを提供することができるといった効果を奏する。
【０１４５】
本発明の光ディスク原盤露光装置は、補正パルス発生手段が、対応する記録パルスの電圧レベルがハイである期間において、電圧レベルがハイとなる周期が、基準クロック信号と同じになるように、電圧レベルがハイである期間を分割する構成である。
【０１４６】
これにより、光ディスク原盤におけるプリピット部の形状をより細かく最適化することができるとともに、電圧レベルがハイである期間を分割するときの制御を、より簡単にすることができる。
【０１４７】
これにより、例えば、光ディスク原盤を用いて光ディスクを製造した場合、再生信号のエラーレートがさらに小さな光ディスクを提供することができるといった効果を奏する。
【０１４８】
本発明の光ディスク原盤露光装置は、両所定時間が、対応する記録パルスの電圧レベルがハイである時間に基づいて設定される構成である。
【０１４９】
これにより、対応する記録パルスの電圧レベルがハイである時間の長さに応じて、両所定時間を設定することができる。従って、対応する記録パルスの電圧レベルがハイである時間の長さに応じて、光ディスクのピット長を調節することができ、光ディスク原盤におけるプリピット部の形状をより細かく最適化することができるといった効果を奏する。
【０１５０】
本発明の光ディスク原盤露光装置は、第１所定時間と第２所定時間とが等しい構成である。
【０１５１】
これにより、記録パルスの電圧レベルがハイである時間の中心の相対的な時間の間隔を保持することができる。従って、光ディスク原盤におけるプリピット部の形状を最適化することができ、このような光ディスク原盤を用いて光ディスクを製造した場合、光ディスクに形成されたプリピットを再生したときの再生信号において、ジッタおよびシンメトリーのずれを小さくすることができる。この結果、再生信号のエラーレートを小さくすることができるといった効果を奏する。
【０１５２】
本発明の光ディスク原盤露光装置は、光ディスクのトラック方向における長さが最も短いプリピットに対応する両所定時間が、他のプリピットに対応する両所定時間より短い構成である。
【０１５３】
これにより、ピット長が長いほど、そのプリピットに対応する電圧レベルがハイである時間を短くすることができる。従って、ピット長が長いほど露光量が低減されることとなり、光ディスク原盤に形成されるプリピット部において、例えばピット幅が、所望のピット幅より大きくなることを防止することができる。
【０１５４】
即ち、ピット長が最短であるプリピット部に対する他のプリピット部の大きさにおける相対的な関係を最適化することができる。
【０１５５】
この結果、光ディスクに形成されたプリピットを再生したときの再生信号において、ジッタおよびシンメトリーのずれを小さくすることができるといった効果を奏する。
【０１５６】
本発明の光ディスク原盤露光装置は、光変調手段が、電気光学光変調器である構成である。
【０１５７】
これにより、ビーム強度を落とさず高周波数のピットを露光することができるといった効果を奏する。
【０１５８】
本発明の光ディスク原盤の製造方法は、プリピット部に対応する記録パルスにおける電圧レベルがハイである時間に基づいて、電圧レベルがハイである時間のうちの一部をローとすることにより、電圧レベルがハイである期間を分割し、さらに記録パルスにおいて電圧レベルがハイである期間に対応する期間において、最初のパルス立上りを遅らせ、かつ、最後のパルス立下りを早くした補正パルスを用いる構成である。
【０１５９】
これにより、光ディスク原盤におけるプリピット部の形状を最適化することができ、このような光ディスク原盤を用いて光ディスクを製造した場合、光ディスクに形成されたプリピットを再生したときの再生信号において、ジッタおよびシンメトリーのずれを小さくすることができる。この結果、例えば、光ディスク原盤を用いて光ディスクを製造した場合、再生信号のエラーレートがより小さな光ディスクを提供することができる。
【０１６０】
また、光ディスク原盤を製造する際、例えば、光変調手段として、高周波数の変調に有利な電気光学光変調器（ＥＯＭ）を用いることができるといった効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態に係る原盤露光装置の要部の構成を示すブロック図である。
【図２】記録パターンＥ１に、第１分割処理を施して変調パターンＥ２ａとし、さらに、短縮処理を施して変調パターンＥ２ｄとした場合のパルス波形を示す図である。
【図３】記録パターンＥ１に、第２分割処理を施して変調パターンＥ２ｂとし、さらに、短縮処理を施して変調パターンＥ２ｅとした場合のパルス波形を示す図である。
【図４】記録パターンＥ１に、第３分割処理を施して変調パターンＥ２ｃとし、さらに、短縮処理を施して変調パターンＥ２ｆとした場合のパルス波形を示す図である。
【図５】（ａ）は、記録パターンＥ１を光変調器に入力した場合に光ディスク原盤に形成されるプリピット部を示す図であり、（ｂ）は、変調パターンＥ２ｆを光変調器に入力した場合に光ディスク原盤に形成されるプリピット部を示すである。
【図６】（ａ）は、図５（ａ）に示すプリピット部を用いて光ディスクを製造した場合に光ディスクに形成されたプリピットを再生したときの再生信号の波形を示す図であり、（ｂ）は、図５（ｂ）に示すプリピット部を用いて光ディスクを製造した場合に光ディスクに形成されたプリピットを再生したときの再生信号の波形を示す図である。
【図７】ＴＦと再生信号のエラーレートとの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１０　　光源
１１　　レーザ出力安定化装置
１２　　光変調器（光変調手段）
１３　　ビームエキスパンダ
１４　　対物レンズ
１５　　ガラス基板
１６　　スピンドル
１７　　記録パターン発生器（記録パルス発生手段）
１８　　制御回路（補正パルス発生手段）
１９　　感光膜
２０　　ガラス盤
２１〜２３　　ミラー
Ｅ１　　記録パターン（記録パルス）
Ｅ２　　変調パターン（補正パルス）
【図１】
2004039143.tif 000003
【図２】
2004039143.tif 000004
【図３】
2004039143.tif 000005
【図４】
2004039143.tif 000006
【図５】
2004039143.tif 000007
【図６】
2004039143.tif 000008
【図７】
2004039143.tif 000009