(57)【要約】【課題】半導体レーザダイオードで発生する熱を効率よく放熱することができる光ピックアップ、光集積素子、受発光素子および発光デバイスを提供する。【解決手段】半導体レーザダイオード１２０４にフレキシブル基板４０の第１の導電層４２を介して駆動信号が供給されると、該半導体レーザダイオード１２０４が駆動され発光動作を行う。この発光動作に伴って半導体レーザダイオード１２０４で発生した熱は、放熱板１２０２に伝達される。放熱板１２０２に伝達された熱は、ホルダ（ピックアップ筐体）５０に伝達されて該ホルダ（ピックアップ筐体）５０で放熱されるとともに、サイドプレート１２０２Ａを介してフレキシブル基板４０の第１の導電層４２に伝達され、さらに導通領域４６を介して第２の導電層４４に伝達され、第２の導電層４４で放熱される。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ビームを出射する半導体レーザダイオードと、
前記半導体レーザダイオードが取着された放熱材と、
前記半導体レーザダイオードへの駆動信号、又は光検出手段からの出力信号用の配線パターンの少なくとも一方が設けられ前記放熱材に連結されたプリント基板と、
光検出手段と、
前記光ビームを光記録媒体に照射するとともに、前記照射された光ビームの前記光記録媒体での反射光ビームを前記光検出手段に導く光学系とを備える光ピックアップにおいて、
前記プリント基板は、前記配線パターンを含んだ第１の導電層と、放熱用として設けられた第２の導電層とを有して構成され、
前記放熱材と前記第２の導電層は熱伝達可能に連結されている、
ことを特徴とする光ピックアップ。
【請求項２】
光ビームを出射する半導体レーザダイオードと、
前記半導体レーザダイオードが取着された放熱材と、
光検出手段と、
前記半導体レーザダイオードから出射された光ビームを光記録媒体に導くとともに、前記照射された光ビームの光記録媒体での反射光ビームを前記光検出手段に導く光路を形成する光学部品と、
前記半導体レーザダイオードへの駆動信号、又は光検出手段からの出力信号用の配線パターンの少なくとも一方が設けられ前記放熱材に連結されたプリント基板と、
前記半導体レーザダイオードと光検出手段と光学部品とが一体的に構成された光集積素子において、
前記プリント基板は、前記配線パターンを含んだ第１の導電層と、放熱用として設けられた第２の導電層とを有して構成され、
前記放熱材と前記第２の導電層は熱伝達可能に連結されている、
ことを特徴とする光集積素子。
【請求項３】
光ビームを出射する半導体レーザダイオードと、
前記半導体レーザダイオードが取着された放熱材と、
前記照射された光ビームの光記録媒体での反射光ビームを受光する光検出手段と、
前記半導体レーザダイオードへの駆動信号、又は光検出手段からの出力信号用の配線パターンの少なくとも一方が設けられ前記放熱材に連結されたプリント基板とを備え、
前記半導体レーザダイオードと光検出手段が一体的に構成された光集積素子において、
前記プリント基板は、前記配線パターンを含んだ第１の導電層と、放熱用として設けられた第２の導電層とを有して構成され、
前記放熱材と前記第２の導電層は熱伝達可能に連結されている、
ことを特徴とする受発光素子。
【請求項４】
光ビームを出射する半導体レーザダイオードと、
前記半導体レーザダイオードが取着された放熱材と、
前記半導体レーザダイオードへの駆動信号の配線パターンが設けられ前記放熱材に連結されたプリント基板とを備えた発光デバイスにおいて、
前記プリント基板は、前記配線パターンを含んだ第１の導電層と、放熱用として設けられた第２の導電層とを有して構成され、
前記放熱材と前記第２の導電層は熱伝達可能に連結されている、
ことを特徴とする発光デバイス。
【請求項５】
前記放熱材と前記第２の導電層との連結は前記第１の導電層を介して行われていることを特徴とする請求項１記載の光ピックアップまたは請求項２記載の光集積素子または請求項３記載の受発光素子または請求項４記載の発光デバイス。
【請求項６】
前記プリント基板は、絶縁材料からなる板材の内部に前記第１の導電層と第２の導電層とが前記板材の厚さ方向に間隔をおいて配置されることで構成され、前記第１の導電層と第２の導電層との間に、これら導電層を連結する導電材料からなる導通領域が設けられ、前記放熱材と前記第２の導電層とは前記第１の導電層および前記導通領域を介して連結されているを介して行われていることを特徴とする請求項１記載の光ピックアップまたは請求項２記載の光集積素子または請求項３記載の受発光素子または請求項４記載の発光デバイス。
【請求項７】
前記第２の導電層の面積は前記第１の導電層の面積よりも大きな値となるように構成されていることを特徴とする請求項１記載の光ピックアップまたは請求項２記載の光集積素子または請求項３記載の受発光素子または請求項４記載の発光デバイス。
【請求項８】
前記第２の導電層は前記プリント基板のほぼ全域にわたって広がっていることを特徴とする請求項１記載の光ピックアップまたは請求項２記載の光集積素子または請求項３記載の受発光素子または請求項４記載の発光デバイス。
【請求項９】
前記第２の導電層の厚さは前記第１の導電層の厚さよりも大きな値となるように構成されていることを特徴とする請求項１記載の光ピックアップまたは請求項２記載の光集積素子または請求項３記載の受発光素子または請求項４記載の発光デバイス。
【請求項１０】
前記第２の導電層はグラウンド電位に接続されていることを特徴とする請求項１記載の光ピックアップまたは請求項２記載の光集積素子または請求項３記載の受発光素子または請求項４記載の発光デバイス。
【請求項１１】
前記第２の導電層には前記放熱材とは別の放熱材が熱伝達可能に連結されていることを特徴とする請求項１記載の光ピックアップまたは請求項２記載の光集積素子または請求項３記載の受発光素子または請求項４記載の発光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ピックアップ、光集積素子、受発光素子および発光デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ディスクドライブ装置には、近年、高密度化への要求と共に小型情報端末への搭載を前提とした小型化への要求が高まっており、その基幹デバイスである光ピックアップにおいても、小型化を追求した開発が活発に行なわれている。
光ピックアップは、例えば、半導体レーザダイオード、再生信号検出用ＰＤＩＣ（Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ　ＩＣ）、サーボ信号生成用ホログラム等を有する光集積素子が組み込まれて構成されている。
このような光集積素子は、小型軽量を特徴とする光ディスクドライブへ適用するため、および、近年の高密度化への要求に対応するため、その光源には短波長の青紫色半導体レーザダイオードが用いられるようになってきている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
このような青紫色半導体レーザダイオードは光ディスク面上でのビーム径を従来よりも小さく絞り込むことが出来ると言う特徴を持っているため、高密度化に大きく貢献するが、赤色レーザダイオードなどと比較すると、同じ光パワーを出力するために必要な投入電力が大きく、従って動作時のレーザダイオードからの発熱量が大きいという不利な面も併せ持っている。
また、光集積素子のように小型のデバイスにおいては、素子自体の熱容量が小さい為、青紫色半導体レーザダイオードを搭載した場合、かなり効率よく放熱を行なわせないと、著しい温度上昇が起こってしまうという問題があった。
本発明は、このような実状に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体レーザダイオードで発生する熱を効率よく放熱することができる光ピックアップ、光集積素子、受発光素子および発光デバイスを提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明の光ピックアップは、前記目的を達成するため、光ビームを出射する半導体レーザダイオードと、前記半導体レーザダイオードが取着された放熱材と、前記半導体レーザダイオードへの駆動信号、又は光検出手段からの出力信号用の配線パターンの少なくとも一方が設けられ前記放熱材に連結されたプリント基板と、光検出手段と、前記光ビームを光記録媒体に照射するとともに、前記照射された光ビームの前記光記録媒体での反射光ビームを前記光検出手段に導く光学系とを備える光ピックアップにおいて、前記プリント基板は、前記配線パターンを含んだ第１の導電層と、放熱用として設けられた第２の導電層とを有して構成され、前記放熱材と前記第２の導電層は熱伝達可能に連結されていることを特徴とする。
また、本発明の光集積素子は、光ビームを出射する半導体レーザダイオードと、前記半導体レーザダイオードが取着された放熱材と、光検出手段と、前記半導体レーザダイオードから出射された光ビームを光記録媒体に導くとともに、前記照射された光ビームの光記録媒体での反射光ビームを前記光検出手段に導く光路を形成する光学部品と、前記半導体レーザダイオードへの駆動信号、又は光検出手段からの出力信号用の配線パターンの少なくとも一方が設けられ前記放熱材に連結されたプリント基板と、前記半導体レーザダイオードと光検出手段と光学部品とが一体的に構成された光集積素子において、前記プリント基板は、前記配線パターンを含んだ第１の導電層と、放熱用として設けられた第２の導電層とを有して構成され、前記放熱材と前記第２の導電層は熱伝達可能に連結されていることを特徴とする。
また、本発明の受発光素子は、光ビームを出射する半導体レーザダイオードと、前記半導体レーザダイオードが取着された放熱材と、前記照射された光ビームの光記録媒体での反射光ビームを受光する光検出手段と、前記半導体レーザダイオードへの駆動信号、又は光検出手段からの出力信号用の配線パターンの少なくとも一方が設けられ前記放熱材に連結されたプリント基板とを備え、前記半導体レーザダイオードと光検出手段が一体的に構成された光集積素子において、前記プリント基板は、前記配線パターンを含んだ第１の導電層と、放熱用として設けられた第２の導電層とを有して構成され、前記放熱材と前記第２の導電層は熱伝達可能に連結されていることを特徴とする。
また、本発明の発光デバイスは、光ビームを出射する半導体レーザダイオードと、前記半導体レーザダイオードが取着された放熱材と、前記半導体レーザダイオードへの駆動信号の配線パターンが設けられ前記放熱材に連結されたプリント基板とを備えた発光デバイスにおいて、前記プリント基板は、前記配線パターンを含んだ第１の導電層と、放熱用として設けられた第２の導電層とを有して構成され、前記放熱材と前記第２の導電層は熱伝達可能に連結されていることを特徴とする。
【０００５】
そのため、本発明の光ピックアップ、光集積素子、受発光素子および発光デバイスによれば、発光動作に伴って半導体レーザダイオードで発生した熱は、放熱材に伝達される。前記放熱材に伝達された熱は、プリント基板の第２の導電層に伝達され、この第２の導電層で放熱される。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による光集積素子および光ピックアップの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図２は、本発明の第１の実施の形態による光ピックアップの構成図である。
光ピックアップ１０は、光集積素子１２、コリメータレンズ１４、アナモプリズム１６、エキスパンダ１８、１／４波長板２０、対物レンズ２２を備えており、これらの各部品がホルダ（ピックアップ筐体）５０（図１、図３参照）にマウントされて構成されている。
【０００７】
図３は光集積素子の拡大図である。
前記光集積素子１２は、放熱板１２０２、半導体レーザダイオード１２０４、立ち上げミラー１２０６、１／２波長板１２０８、モールド複合素子１２１０、積層プリズム１２１２、再生信号検出ＰＤＩＣ１２１４、フレキシブル基板４０（図１参照）などを含んで構成されている。
前記放熱板１２０２は、放熱性の良い材料から長さと長さよりも短い寸法の幅を有する矩形板状に形成され、本実施の形態では放熱板１２０２として銅板が用いられている。
前記半導体レーザダイオード１２０４は、放熱板１２０２の下面で長さ方向の中央よりもやや一方寄りの箇所にサブマウント１２０４Ａを介して半田付けによって取付けられている。
前記立ち上げミラー１２０６は、前記半導体レーザダイオード１２０４に臨む放熱板１２０２の下面箇所に設けられ、立ち上げミラー１２０６の近傍の放熱板１２０２箇所には開口１２０３が形成されている。
前記１／２波長板１２０８は、前記開口１２０３に臨む放熱板１２０２の上面箇所に取着されている。
前記再生信号検出ＰＤＩＣ１２１４は、前記放熱板１２０２の上面で長さ方向の中央よりもやや他方寄りの箇所に取着されている。
【０００８】
前記モールド複合素子１２１０は、前記１／２波長板１２０８および再生信号検出ＰＤＩＣ１２１４の上方に臨むように、その両端の脚部が前記放熱板１２０２の上面の長さ方向の両端に取着されて配設されている。
前記モールド複合素子１２１０の上面には、前記１／２波長板１２０８の上方に臨むようにＤＰＰ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ　Ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ）サイドスポット生成用のグレーティング１２１０Ａが設けられている。
また、前記モールド複合素子１２１０の上面には、前記再生信号検出ＰＤＩＣ１２１４の上方に臨むようサーボ信号生成用のホログラム１２１０Ｂが設けられている。
前記積層プリズム１２１２は、偏光ビームスプリッタ１２１２Ａと全反射ミラー１２１２Ｂを含んで構成され、前記モールド複合素子１２１０の上面に取着されている。前記偏光ビームスプリッタ１２１２Ａは、グレーティング１２１０Ａの上方に臨み、全反射ミラー１２１２Ｂは、前記ホログラム１２１０Ｂの上方に臨んでいる。
【０００９】
前記光ピックアップ１０における光ビームの光路について説明すると、前記半導体レーザダイオード１２０４から出射された光ビームは、前記立ち上げミラー１２０４で反射されることにより９０度屈曲され、前記放熱板１２０２の開口１２０３を通って放熱板１２０２の下面から上面に導かれ、前記１／２波長板１２０８、グレーティング１２１０Ａ、偏光ビームスプリッタ１２１２Ａをこれらの順で通過して前記コリメータレンズ１４に導かれる。
前記コリメータレンズ１４によって平行光とされた光ビームは、前記アナモプリズム１６でビーム整形され、前記エキスパンダレンズ１８に導かれる。なお、前記エキスパンダレンズ１８は、本実施の形態では２群レンズよりなり、その２群レンズ間の距離を調整することにより、高ＮＡ対物レンズを用いた場合に顕著に現れる球面収差を補正するように構成されている。
前記エキスパンダレンズ１８を通過した光ビームは、前記１／４波長板２０及び２群レンズよりなる対物レンズ２２を通ることにより、光ディスク３０上の記録膜に集光される。
前記光ディスク３０上の相変化膜の反射率変化により光強度変調された反射光ビームは、上述と同じ光路を通って前記光集積素子１２に導かれる。
すなわち、前記反射光ビームは、前記コリメータレンズ１４を介して積層プリズム１２１２に入射され偏光ビームスプリッタ１２１２Ａ、全反射ミラー１２１２Ｂで反射され前記ホログラム１２１０Ｂによってメインビームに加えて２つのサイドビームが生成されこれら３つのビームが前記再生信号検出ＰＤＩＣ１２１４に入射される。
【００１０】
図１（Ａ）は放熱板とフレキシブル基板とが連結された状態を示す平面図、（Ｂ）は側面図、図４（Ａ）はフレキシブル基板を一方の面から見た図、（Ｂ）はフレキシブル基板を他方の面から見た図、図５はフレキシブル基板の断面図である。
図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本実施の形態では、前記放熱板１２０２の幅方向の両側にそれぞれフレキシブル基板４０が取着されている。
図５に示すように、前記各フレキシブル基板４０は、絶縁材料４８からなる板材の内部に第１の導電層４２と第２の導電層４４とが前記板材の厚さ方向に間隔をおいて配置されることで構成されている。
前記第１の導電層４２は、前記半導体レーザダイオードに駆動電流を供給するための配線パターン４２０２、前記再生信号検出ＰＤＩＣ１２１４で検出された検出信号の伝達を行なうための配線パターン４２０４、グランドパターン４２０６を含んで構成されている。
また、このような駆動信号および検出信号の授受は、前記フレキシブル基板４０に接続される外部回路との間で行なわれる。
前記第２の導電層４４は、前記フレキシブル基板４０のほぼ全域にわたって矩形状に広がるグランドパターン４４０２から構成されている。
前記第２の導電層４４の面積は前記第１の導電層４２の面積よりも大きな値となり、前記第２の導電層４４の厚さは前記第１の導電層４２の厚さよりも大きな値となるように形成されている。
図４、図５に示すように、第２の導電層４４のグランドパターン４４０２と、前記第１の導電層４２のグランドパターン４２０６とは、円柱状の導通領域４６を介して電気的に接続され、かつ、熱伝達可能に連結されている。
また、前記第１の導電層４２の配線パターン４２０２、４２０４、グランドパターン４２０６の長手方向の端部のそれぞれは接続端子４２０２Ａ、４２０４Ａ、４２０６Ａとして構成され、これら各接続端子４２０２Ａ、４２０４Ａ、４２０６Ａの表面には前記絶縁材料４８が形成されておらず、外部に露出している。
【００１１】
図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、前記放熱板１２０２の幅方向の両側で長さ方向の中間部にはサイドプレート１２０２Ａが形成され、各サイドプレート１２０２Ａは下方に延在し、各フレキシブル基板４０の第１の導電層４２のグランドパターン４２０６の接続端子４２０６Ａに半田付けによって接続されている。
したがって、前記放熱板１２０２と前記第２の導電層４４は前記第１の導電層４２を介して電気的に接続され、かつ、熱伝達可能に連結されている。
また、前記第２の導電層４４のグランドパターン４４０２は、前記フレキシブル基板４０が接続される前記外部回路によってグランド電位に接続されている。したがって、第２の導電層４４のグランドパターン４４０２と、該グランドパターン４４０２に接続された第１の導電層４２のグランドパターン４２０６と、該グランドパターン４２０６に接続された放熱板１２０２は、全てグランド電位に保持されることになる。
【００１２】
各フレキシブル基板４０の第１の導電層４２のパターン４２０２、４２０４の接続端子４２０２Ａのそれぞれにはリードピン４７が設けられ、各リードピン４７と前記半導体レーザダイオード１２０４の端子の間、および、各リードピン４７と前記再生信号検出ＰＤＩＣ１２１４の端子との間はワイヤ４８により接続されている。
また、前記放熱板１２０２の上面の長さ方向の両端箇所から前記ホルダ（ピックアップ筐体）５０がそれぞれ立設され、放熱板１２０２と前記ホルダ（ピックアップ筐体）５０は熱伝達可能に連結されている。
【００１３】
本実施の形態においては、前記光集積素子１２、コリメータレンズ１４、アナモプリズム１６、エキスパンダ１８、１／４波長板２０、対物レンズ２２によって特許請求の範囲の光学系が構成されている。
また、前記立ち上げミラー１２０６、１／２波長板１２０８、モールド複合素子１２１０、積層プリズム１２１２によって特許請求の範囲の光学部品が構成されている。
また、前記放熱板１２０２によって特許請求の範囲の放熱材が構成され、前記フレキシブル基板４０によって特許請求の範囲のプリント基板が構成されている。
【００１４】
このように構成された光ピックアップ１０および光集積素子１２の作用について説明する。
前記半導体レーザダイオード１２０４に前記フレキシブル基板４０の第１の導電層４２を介して駆動信号が供給されると、該半導体レーザダイオード１２０４が駆動され発光動作を行う。
この発光動作に伴って半導体レーザダイオード１２０４で発生した熱は、放熱板１２０２に伝達される。前記放熱板１２０２に伝達された熱は、前記ホルダ（ピックアップ筐体）５０に伝達されて該ホルダ（ピックアップ筐体）５０で放熱されるとともに、前記サイドプレート１２０２Ａを介してフレキシブル基板４０の第１の導電層４２に伝達され、さらに前記導通領域４６を介して前記第２の導電層４４に伝達され、第２の導電層４４で放熱される。
【００１５】
したがって、本実施の形態によれば、半導体レーザダイオード１２０４で発生した熱が放熱材１２０２に伝達された後、該放熱板１２０２から第１の導電層４２から第２の導電層４４に伝達されて第２の導電層４４で放熱され、この放熱が行なわれる第２の導電層４４は、前記第１の導電層４２の面積よりも大きく、前記フレキシブル基板４０のほぼ全域にわたって広がり放熱面積が大きいので、放熱効果を向上する上で有利である。
また、第２の導電層４４の厚さを前記第１の導電層４２の厚さよりも大きな値としたことにより、第２の導電層４４内部における熱の伝達効率を上げることができ、放熱効果を向上する上で有利となる。
また、前記第２の導電層４４は、グランド電位に接続されているため、高周波ノイズの影響を抑制する作用も奏される。
【００１６】
次に、第２の実施の形態について説明する。
第２の実施の形態が第１の実施の形態と異なるのは、フレキシブル基板の第２の導電層に、前記放熱材に加え、別の放熱材が熱伝達可能に連結されている点である。
図６（Ａ）は第２の実施の形態におけるフレキシブル基板を一方の面から見た図、（Ｂ）はフレキシブル基板を他方の面から見た図、（Ｃ）は第２の実施の形態における光ピックアップの組立図である。図６において第１の実施の形態と同様の部分には同一の符号を付して説明する。
図６（Ｂ）に示すように、フレキシブル基板４０Ａの長さ方向の中間箇所において第２導電層４４の表面に絶縁材料４８を形成しない連結部４９が設けられている。
そして、図６（Ｃ）に示すように、前記連結部４９の箇所には銅製の放熱材５２が半田付けによって熱伝達可能に連結されている。
光集積素子１２の放熱板１２０２は第１の実施の形態と同様に前記ホルダ（ピックアップ筐体）５０に熱伝達可能に連結され、前記放熱材５２は銀ペーストなどを介して前記ホルダ（ピックアップ筐体）５０に熱伝達可能に連結される。
前記ホルダ（ピックアップ筐体）５０には回路基板５４が設けられ、フレキシブル基板４０Ａの光集積素子１２と反対側の端部と前記回路基板５４はフレキシブル基板用コネクタを介して接続される。前記回路基板５４は、前述した外部回路を構成するものであり、前記フレキシブル基板４０Ａを介して、半導体レーザダイオード１２０４に駆動信号を供給するとともに前記再生信号検出ＰＤＩＣ１２１４の再生信号を入力するように構成されている。
【００１７】
このように構成された第２の実施の形態によれば、前記半導体レーザダイオード１２０４で発生した熱を、前記第２導電層４４の連結部４９から放熱部５２に伝達して該放熱部５２で放熱し、さらに該放熱材５２からホルダ（ピックアップ筐体）５０に熱を伝達して該ホルダ（ピックアップ筐体）５０で放熱することができるので、放熱効果をより向上させる上で有利となる。
本実施例では、放熱部５２を介して該ホルダ（ピックアップ筐体）５０に対して放熱させているが、放熱部５２を介してドライブシャーシ等、熱容量の大きい別の部材に対して放熱させても同様の効果が得られる。
【００１８】
なお、第１、第２の実施の形態においては、放熱板１２０２を第１の導電層４２を介して第２の導電層４４に熱伝達可能に連結したが、放熱板１２０２を第２の導電層４４に熱伝達可能に直接接続してもよい。この場合には、前記導通領域４６を設ける必要がないのでフレキシブル基板４０の構成を簡素化できる効果がある。
また、第１、第２の実施の形態においては、前記半導体レーザダイオード１２０４をサブマウント１２０４Ａを介して放熱板１２０２に取着したが、前記サブマウント１２０４Ａを用いることなく半導体レーザダイオード１２０４を直接放熱板１２０２に取着してもよい。
また、第１、第２の実施の形態においては、２つの導電層を持つプリント基板を用いているが、第１の導電層、又は第２の導電層が、さらに複数の導電層から構成されていても良い。
また、本発明は、半導体レーザダイオードと、前記半導体レーザダイオードが取着された放熱材と、前記照射された光ビームの光記録媒体での反射光ビームを受光する光検出手段と、前記半導体レーザダイオードへの駆動信号、又は光検出手段からの出力信号用の配線パターンの少なくとも一方が設けられ前記放熱材に連結されたプリント基板とを備え、前記半導体レーザダイオードと光検出手段が一体的に構成された光集積素子に適用可能である。
また、本発明は、半導体レーザダイオードと、前記半導体レーザダイオードが取着された放熱材と、前記半導体レーザダイオードへの駆動信号の配線パターンが設けられ前記放熱材に連結されたプリント基板とを備えた発光デバイスにも適用可能である。
【００１９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、半導体レーザダイオードで発生する熱を効率よく放熱することができる光ピックアップ、光集積素子、受発光素子および発光デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）は放熱板とフレキシブル基板とが連結された状態を示す平面図、（Ｂ）は側面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による光ピックアップの構成図である。
【図３】光集積素子の拡大図である。
【図４】フレキシブル基板を一方の面から見た図、（Ｂ）はフレキシブル基板を他方の面から見た図である。
【図５】フレキシブル基板の断面図である。
【図６】（Ａ）は第２の実施の形態におけるフレキシブル基板を一方の面から見た図、（Ｂ）はフレキシブル基板を他方の面から見た図、（Ｃ）は第２の実施の形態における光ピックアップの組立図である。
【符号の説明】
１０……光ピックアップ、１２……光集積素子、１２０２……放熱板、１２０４……半導体レーザダイオード、２２……対物レンズ、４０……フレキシブル基板、４２……第１の導電層、４４……第２の導電層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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