(57)【要約】【課題】樹脂封止された半導体チップから発生する熱を外部に効率良く放散できるようにする。【解決手段】厚板部１０ｂからなるダイパッド部１１及び放熱板１２と、薄板部１０ａからなるフレーム枠部１３、吊りリード部１４及び外部接続リード部１５とが一体に形成されたリードフレーム１０において、吊りリード部１４は、ダイパッド部１１の下面側と接続されることにより、熱放散領域１４ａが形成されている。また、吊りリード部１４は、ダイパッド部１１側の端部がその上面側に鈍角に曲げられた曲げ加工が施されており、ダイパッド部１１の上側に熱伝導領域１４ｂが形成されている。【選択図】　　　　図１１
2004119610.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に半導体チップを保持するダイパッド部と、
一方の端部が前記ダイパッド部と接続され、他方の端部がフレーム枠部と接続された吊りリード部と、
一方の端部が前記フレーム枠部と接続され、他方の端部が前記ダイパッド部の上側にまで延びる外部接続リード部とを備え、
前記吊りリード部は、前記ダイパッド部側の端部に前記ダイパッド部の下面とほぼ同一の面上に位置する熱放散領域を有していることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
上面に半導体チップを保持するダイパッド部と、
一方の端部が前記ダイパッド部と接続され、他方の端部がフレーム枠部と接続された吊りリード部と、
一方の端部が前記フレーム枠部と接続され、他方の端部が前記ダイパッド部の上側にまで延びる外部接続リード部とを備え、
前記吊りリード部は、前記ダイパッド部側の端部が前記ダイパッド部の上面に向かって鈍角に曲げられることにより、前記ダイパッド部の上側に位置するように設けられた熱伝導領域を有していることを特徴とするリードフレーム。
【請求項３】
前記吊りリード部における前記ダイパッド部側の端部は、前記ダイパッド部の下面と連続するように接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のリードフレーム。
【請求項４】
一方の端部が前記フレーム枠部と接続され、他方の端部が前記ダイパッド部と接続された変形防止用リード部をさらに備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記吊りリード部における前記フレーム枠部側の端部は、前記ダイパッド部の下面とほぼ同一の面上に位置していることを特徴とする請求項１又は２に記載のリードフレーム。
【請求項６】
ダイパッド部、一方の端部が前記ダイパッド部と接続され、他方の端部がフレーム枠部と接続され且つ前記ダイパッド部側の端部に前記ダイパッド部の下面とほぼ同一の面上に位置する熱放散領域が設けられた吊りリード部、及びそれぞれ一方の端部が前記フレーム枠部と接続され且つ他方の端部が前記ダイパッド部の上側にまで延びる複数の外部接続リード部を有するリードフレームと、
前記ダイパッド部の上面に保持された半導体チップと、
前記半導体チップ、前記ダイパッド部、並びに前記吊りリード部及び外部接続リード部における前記ダイパッド部の周縁部分を一体に封止する封止樹脂部とを備え、
前記ダイパッド部の下面及び前記吊りリード部の前記熱放散領域は前記封止樹脂部から露出していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項７】
ダイパッド部、一方の端部が前記ダイパッド部と接続され、他方の端部がフレーム枠部と接続され且つ前記ダイパッド部の上側に熱伝導領域が設けられた吊りリード部、及びそれぞれ一方の端部が前記フレーム枠部と接続され且つ他方の端部が前記ダイパッド部の上側にまで延びる複数の外部接続リード部を有するリードフレームと、
前記ダイパッド部の上面に保持された半導体チップと、
前記半導体チップ、前記ダイパッド部、並びに前記吊りリード部及び外部接続リード部における前記ダイパッド部の周縁部分を一体に封止する封止樹脂部とを備え、
前記封止樹脂部は前記吊りリード部の前記熱伝導領域を内部に含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項８】
前記半導体チップと前記吊りリード部及び前記外部接続リード部とを電気的に接続する金属細線をさらに備えていることを特徴とする請求項６又は７に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項９】
前記外部接続リードのうちの少なくとも１本は、そのダイパッド部側の端部に機能部品が保持されていることを特徴とする請求項６〜８のうちのいずれか１項に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項１０】
前記複数の外部接続リードのうちのいずれか２本と接続されることにより前記半導体チップの上側に保持された板状部材をさらに備えていることを特徴とする請求項６〜８のうちのいずれか１項に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項１１】
ダイパッド部、一方の端部が前記ダイパッド部と接続され、他方の端部がフレーム枠部と接続され且つ前記ダイパッド部側の端部に前記ダイパッド部の下面とほぼ同一の面上に位置する熱放散領域が設けられた吊りリード部、及びそれぞれ一方の端部が前記フレーム枠部と接続され且つ他方の端部が前記ダイパッド部の上側にまで延びる複数の外部接続リード部を有するリードフレームを準備する第１の工程と、
前記リードフレームにおける前記ダイパッド部の上面に半導体チップを保持する第２の工程と、
前記半導体チップの素子電極を金属細線により前記外部接続リード部と接続する第３の工程と、
前記半導体チップ、前記ダイパッド部、並びに前記吊りリード部及び外部接続リード部における前記ダイパッド部の周縁部分を封止樹脂材により一体に封止して樹脂封止部を形成する第４の工程とを備え、
前記第４の工程において、前記樹脂封止部は前記ダイパッド部の下面及び前記吊りリード部の熱放散領域を露出するように形成することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第４の工程において、前記樹脂封止部は、前記吊りリード部における前記熱放散領域の上側部分を含むように形成することを特徴とする請求項１１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
ダイパッド部、一方の端部が前記ダイパッド部と接続され、他方の端部がフレーム枠部と接続され且つ前記ダイパッド部の上側に熱伝導領域が設けられた吊りリード部、及びそれぞれ一方の端部が前記フレーム枠部と接続され且つ他方の端部が前記ダイパッド部の上側にまで延びる複数の外部接続リード部を有するリードフレームを準備する第１の工程と、
前記リードフレームにおける前記ダイパッド部の上面に半導体チップを保持する第２の工程と、
前記半導体チップの素子電極を金属細線により前記外部接続リード部と接続する第３の工程と、
前記半導体チップ、前記ダイパッド部、並びに前記吊りリード部及び外部接続リード部における前記ダイパッド部の周縁部分を封止樹脂材により一体に封止して樹脂封止部を形成する第４の工程とを備え、
前記第４の工程において、前記樹脂封止部は前記ダイパッド部の下面を露出し且つ前記吊りリードの熱伝導領域を含むように形成することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の工程において、前記リードフレームは前記吊りリード部とほぼ同一の形状に加工された変形防止用リード部をさらに有し、
前記第４の工程よりも後に、前記変形防止用リード部における前記封止樹脂材の外側部分を除去する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項１１又は１３に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、厚さが部分的に異なる金属板により一体に形成されたリードフレームと、それを用いた樹脂封止型半導体装置及び樹脂封止型半導体装置の製造方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】
電力増幅用の半導体集積回路（パワーＩＣ）等の動作時の発熱量が大きい半導体チップに用いるリードフレームは、ダイパッド及び放熱板に厚い金属板を用いることにより、ダイパッド及び放熱板の熱容量を増大させて半導体装置の温度上昇が抑制されるように構成されている。従来では、厚い金属板からなるダイパッドに薄い金属板からなる外部接続用のリードをかしめ又は接着剤により固着して用られていたが、近年では、厚さが部分的に異なる金属板（異形材）を用いて、厚板部分により放熱板を構成し、薄板部分により外部接続リードを構成する異形材リードフレームとして一体に形成されている。
【０００３】
図１３（ａ）〜図１３（ｃ）は、従来の異形材リードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の平面構成を示し、図１３（ａ）は平面図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＸＩＩＩｂ−ＸＩＩＩｂ線における断面構成を示し、図１３（ｃ）は図１３（ａ）のＸＩＩＩｃ−ＸＩＩＩｃ線における断面構成を示している。
【０００４】
図１３（ａ）〜図１３（ｃ）に示すように、従来の樹脂封止型半導体装置は、厚板部からなるダイパッド部１０１及び放熱板１０２と、薄板部からなる吊りリード部１０３及び外部接続リード部１０４とが一体に形成されたリードフレームを用い、ダイパッド部１０１の上面に保持された半導体チップ１０５は、外部接続リード部１０４と金属細線１０６により接続され、封止樹脂部１０７により封止されている。
【０００５】
また、吊りリード部１０３は、ダイパッド部１０１をフレーム枠に保持するためのリード部であり、ダイパッド部１０１側の端部には、曲げ加工により段差部が設けられている。この段差部により、吊りリードと共にフレーム枠に保持され、水平方向に延びる外部接続リード部１０４がダイパッド部１０１の上面よりも上側に配置される。
【０００６】
従来の樹脂封止型半導体装置では、半導体チップ１０５の動作時に発生する熱はダイパッド部１０１及び放熱板１０２に伝導し、ダイパッド部１０１の下面及び放熱板１０２から樹脂封止型半導体装置の外部に放散される。
【０００７】
また、最近では、外部接続リード部のダイパッド部側の端部がダイパッド部の上側に位置するように形成したリードフレームが開発されている。例えば、特許文献１に記載のリードフレームは、吊りリード部におけるダイパッド部と反対側に曲げ加工を施すことにより、フレーム枠とダイパッド部との間の水平方向の距離を小さくされており、フレーム枠から延びる外部接続リード部において、ダイパッド部側の端部がダイパッド部の上側に配置される。
【０００８】
このようなリードフレームを用いると、外部接続リード部と半導体チップとの距離が小さくなるため、半導体チップと外部接続リード部との間の熱抵抗が減少するので、半導体チップから発生する熱は外部接続リード部に伝導して実装基板の表面から放散される。
【０００９】
【特許文献１】
特開平６−１６３７８６号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の樹脂封止型半導体装置では、ダイパッド部１０１及び放熱板１０２から外部への放熱経路と、外部接続リード部から実装基板への放熱経路との２つの放熱経路があるにもかかわらず、高出力の半導体チップを用いた場合に、半導体チップから発生する熱を十分に外部に放散することができず、樹脂封止型半導体装置の信頼性が低下するという問題を有している。
【００１１】
本発明は、前記従来の問題を解決し、樹脂封止された半導体チップから発生する熱を外部に効率良く放散できるようにすることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するため、本発明は、リードフレームの吊りリード部に、樹脂封止された半導体チップから発生する熱を外部に放散するための熱放散領域を設けるか、又は外部の熱放散領域に熱を伝導するための熱伝導領域を設ける構成とする。
【００１３】
具体的に本発明に係る第１のリードフレームは、上面に半導体チップを保持するダイパッド部と、一方の端部がダイパッド部と接続され且つ他方の端部がフレーム枠部と接続された吊りリード部と、一方の端部がフレーム枠部と接続され且つ他方の端部がダイパッド部の上側にまで延びる外部接続リード部とを備え、吊りリード部は、ダイパッド部側の端部にダイパッド部の下面とほぼ同一の面上に位置する熱放散領域を有している。
【００１４】
本発明の第１のリードフレームによると、吊りリード部は、ダイパッド部側の端部にダイパッド部の下面とほぼ同一の面上に位置する熱放散領域を有しているため、第１のリードフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を形成する際に、ダイパッド部の下面と共に吊りリード部の熱放散領域が封止樹脂部から露出される。従って、半導体チップから発生する熱を吊りリード部の熱放散領域から外部に放散することができるため、ダイパッド部の下面のみを用いる場合と比べて放熱性を向上することができる。
【００１５】
本発明に係る第２のリードフレームは、上面に半導体チップを保持するダイパッド部と、一方の端部がダイパッド部と接続され且つ他方の端部がフレーム枠部と接続された吊りリード部と、一方の端部がフレーム枠部と接続され且つ他方の端部がダイパッド部の上側にまで延びる外部接続リード部とを備え、吊りリード部は、ダイパッド部側の端部がダイパッド部の上面に向かって鈍角に曲げられることにより、ダイパッド部の上側に位置する熱伝導領域が設けられている。
【００１６】
本発明の第２のリードフレームによると、吊りリード部は、ダイパッド部の上側に位置する熱伝導領域が設けられているため、ダイパッド部の上面に保持される半導体チップから発生する熱が吊りリード部の熱伝導領域に伝達される際の熱抵抗が小さくなる。従って、半導体チップの熱を吊りリード部を介して実装基板の表面から効率良く放散することができるため、外部接続リード部のみが半導体チップの上側に形成されている場合と比べて放熱性を向上することができる。
【００１７】
本発明の第１のリードフレーム又は第２のリードフレームにおいて、吊りリード部におけるダイパッド部側の端部は、ダイパッド部の下面と連続するように接続されていることが好ましい。
【００１８】
本発明の第１のリードフレーム又は第２のリードフレームは、一方の端部がフレーム枠部と接続され、他方の端部がダイパッド部と接続された変形防止用リード部をさらに備えていることが好ましい。このようにすると、吊りリード部に対する曲げ加工を行う際に、１つのリード部にストレスがかかる場合と比べて、リードフレームに生じるねじれ等の変形を抑制することができる。
【００１９】
本発明の第１のリードフレーム又は第２のリードフレームにおいて、吊りリード部におけるフレーム枠部側の端部は、ダイパッド部の下面とほぼ同一の面上に位置していることが好ましい。このようにすると、第１のリードフレーム又は第２のリードフレームを平面実装方式の樹脂封止型半導体装置に用いることができる。
【００２０】
本発明に係る第１の樹脂封止型半導体装置は、ダイパッド部、一方の端部がダイパッド部と接続され、他方の端部がフレーム枠部と接続され且つダイパッド部側の端部にダイパッド部の下面とほぼ同一の面上に位置する熱放散領域が設けられた吊りリード部、及びそれぞれ一方の端部がフレーム枠部と接続され且つ他方の端部がダイパッド部の上側にまで延びる複数の外部接続リード部を有するリードフレームと、ダイパッド部の上面に保持された半導体チップと、半導体チップ、ダイパッド部、並びに吊りリード部及び外部接続リード部におけるダイパッド部の周縁部分を一体に封止する封止樹脂部とを備え、ダイパッド部の下面及び吊りリード部の熱放散領域は封止樹脂部から露出している。
【００２１】
本発明の第１の樹脂封止型半導体装置によると、ダイパッド部の下面及び吊りリード部の熱放散領域は封止樹脂部から露出しているため、半導体チップから発生した熱は、ダイパッド部の下面に加えて、吊りリード部の熱放散領域からも放散するので、ダイパッド部の下面のみが樹脂封止部から露出される場合と比べて放熱性が向上する。
【００２２】
本発明に係る第２の樹脂封止型半導体装置は、ダイパッド部、一方の端部がダイパッド部と接続され、他方の端部がフレーム枠部と接続され且つダイパッド部の上側に熱伝導領域が設けられた吊りリード部、及びそれぞれ一方の端部がフレーム枠部と接続され且つ他方の端部がダイパッド部の上側にまで延びる複数の外部接続リード部を有するリードフレームと、ダイパッド部の上面に保持された半導体チップと、半導体チップ、ダイパッド部、並びに吊りリード部及び外部接続リード部におけるダイパッド部の周縁部分を一体に封止する封止樹脂部とを備え、封止樹脂部は吊りリード部の熱伝導領域を内部に含む。
【００２３】
本発明の第２の樹脂封止型半導体装置によると、リードフレームはダイパッド部の上側に熱伝導領域が設けられた吊りリード部を有しているため、半導体チップから発生した熱は熱伝導領域を介して吊りリード部に伝導されて実装基板の表面から放散するので、外部接続リード部のみがダイパッド部の上側に形成されている場合と比べて放熱性が向上する。
【００２４】
本発明の第１の樹脂封止型半導体装置又は第２の樹脂封止型半導体装置は、半導体チップと吊りリード部及び外部接続リード部とを電気的に接続する金属細線をさらに備えていることが好ましい。
【００２５】
本発明の第１の樹脂封止型半導体装置又は第２の樹脂封止型半導体装置において、外部接続リードのうちの少なくとも１本は、そのダイパッド部側の端部に機能部品が保持されていることが好ましい。このようにすると、機能部品によって半導体チップの動作を調節することができる。
【００２６】
本発明の第１の樹脂封止型半導体装置又は第２の樹脂封止型半導体装置は、複数の外部接続リードのうちのいずれか２本と接続されることにより半導体チップの上側に保持された板状部材をさらに備えていることが好ましい。このようにすると、例えば熱伝導率の高い材料により板状部材を構成する場合には、半導体チップの熱を実装基板に伝導する熱伝導部として用いることができ、また網目状に形成された材料により板状部材を構成する場合には半導体チップを保護するための電磁シールドとして用いることができるので、半導体装置の信頼性を向上することができる。
【００２７】
本発明に係る第１の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、ダイパッド部、一方の端部がダイパッド部と接続され、他方の端部がフレーム枠部と接続され且つダイパッド部側の端部にダイパッド部の下面とほぼ同一の面上に位置する熱放散領域が設けられた吊りリード部、及びそれぞれ一方の端部がフレーム枠部と接続され且つ他方の端部がダイパッド部の上側にまで延びる複数の外部接続リード部を有するリードフレームを準備する第１の工程と、リードフレームにおけるダイパッド部の上面に半導体チップを保持する第２の工程と、半導体チップの素子電極を金属細線により外部接続リード部と接続する第３の工程と、半導体チップ、ダイパッド部、並びに吊りリード部及び外部接続リード部におけるダイパッド部の周縁部分を封止樹脂材により一体に封止して樹脂封止部を形成する第４の工程とを備え、第４の工程において、樹脂封止部はダイパッド部の下面及び吊りリード部の熱放散領域を露出するように形成する。
【００２８】
本発明の第１の樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、ダイパッド部の下面とほぼ同一の面上に位置する熱放散領域が設けられた吊りリード部を有するリードフレームを準備する工程と、熱放散領域を露出するように樹脂封止部を形成する工程とを備えているため、半導体チップの熱を吊りリード部の熱放散領域から放散して放熱性を向上することが可能な樹脂封止型半導体装置を得ることができる。
【００２９】
本発明に係る第２の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、ダイパッド部、一方の端部がダイパッド部と接続され、他方の端部がフレーム枠部と接続され且つダイパッド部の上側に熱伝導領域が設けられた吊りリード部、及びそれぞれ一方の端部がフレーム枠部と接続され且つ他方の端部がダイパッド部の上側にまで延びる複数の外部接続リード部を有するリードフレームを準備する第１の工程と、リードフレームにおけるダイパッド部の上面に半導体チップを保持する第２の工程と、半導体チップの素子電極を金属細線により外部接続リード部と接続する第３の工程と、半導体チップ、ダイパッド部、並びに吊りリード部及び外部接続リード部におけるダイパッド部の周縁部分を封止樹脂材により一体に封止して樹脂封止部を形成する第４の工程とを備え、第４の工程において、樹脂封止部はダイパッド部の下面を露出し、且つ吊りリードの熱伝導領域を含むように形成する。
【００３０】
本発明の第１の樹脂封止型半導体装置の製造方法の第４の工程において、樹脂封止部は、吊りリード部における熱放散領域の上側部分を含むように形成することが好ましい。このようにすると、熱放散領域を形成するための曲げ加工部が封止金型の内部に収まるので、吊りリード部及び外部接続リード部が封止金型に干渉することがない。
【００３１】
本発明の第２の樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、ダイパッド部の上側に熱伝導領域が設けられた吊りリード部を有するリードフレームを準備する工程と、吊りリードの熱伝導領域を含むように樹脂封止部を形成する工程とを備えているため、半導体チップの熱を熱伝導領域を介して吊りリード部に伝導して実装基板の表面から放散することにより放熱性を向上する樹脂封止型半導体装置を得ることができる。
【００３２】
本発明の第１の樹脂封止型半導体装置の製造方法又は第２の樹脂封止型半導体装置の製造方法の第１の工程において、リードフレームは、吊りリード部とほぼ同一の形状に加工された変形防止用リード部をさらに有し、第４の工程よりも後に、変形防止用リード部における封止樹脂材の外側部分を除去する工程をさらに備えていることが好ましい。
【００３３】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００３４】
図１（ａ）〜図１（ｃ）は第１の実施形態に係るリードフレームを示し、図１（ａ）は平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＩｂ−Ｉｂ線における断面構成を示し、図１（ｃ）は図１（ａ）のＩｃ−Ｉｃ線における断面構成を示している。ここで、図１（ａ）は、互いに連結された複数のリードフレームのうちの２つを示している。
【００３５】
図１（ａ）〜図１（ｃ）に示すように、第１の実施形態のリードフレーム１０は、厚さが０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度の薄板部１０ａと厚さが１ｍｍ〜３ｍｍ程度の厚板部１０ｂを有する９７％以上の銅を含む合金からなる異形材フレームとして構成され、厚板部１０ｂには、上面に半導体チップを保持する平面形状が方形のダイパッド部１１と、該ダイパッド部１１に接続され、中央部には外部の放熱部品と接続するための孔部１２ａが設けられた放熱板１２とが形成されている。また、薄板部１０ａには、隣接するダイパッド部１１及び放熱板１２同士を連結して保持するフレーム枠部１３と、一方の端部がフレーム枠部１３の内側と接続され且つ他方の端部がダイパッド部１１と接続された吊りリード部１４と、それぞれが、一方の端部がフレーム枠部１３の内側と接続され且つ他方の端部が前記ダイパッド部の上側にまで延びる複数の外部接続リード部１５とが形成されており、互いに隣接する吊りリード部１４と外部接続リード部１５との間及び外部接続リード部１５同士の間がタイバー部１６により連結されてフレーム枠部１３に保持されている。
【００３６】
第１の実施形態の特徴として、吊りリード部１４は、ダイパッド部１１側の端部に凹形状の曲げ加工が施されることにより、吊りリード部１４の下面の一部がダイパッド部１１の下面とほぼ同一の面上に位置する領域として熱放散領域１４ａが設けられている。
【００３７】
具体的に、凹形状の曲げ加工部は、ダイパッド部１１側の端部から下側に向かって垂直方向に曲げられた第１の曲げ部と、ダイパッド部１１の下面とほぼ同一の面からフレーム枠部１３側に向かって水平方向に曲げられた第２の曲げ部と、ダイパッド部１１の下面と同一の面から上側に向かって垂直方向に曲げられた第３の曲げ部と、ダイパッド部１１の上面よりも上側からフレーム枠部１３側に向かって水平方向に曲げられた第４の曲げ部とによって構成されている。これにより、吊りリード部の下面における第２の曲げ部と第３の曲げ部の間の領域が、ダイパッド部１１の下面とほぼ同一の面上に位置する熱放散領域１４ａとなる。
【００３８】
また、凹形状の曲げ加工部のうち、垂直方向に曲げられた部分である第１の曲げ部と第２の曲げ部との間及び第３の曲げ部と第４の曲げ部と間の部分の長さの分だけ、ダイパッド部１１とフレーム枠部１３との距離が短くなり、また、第４の曲げ部がダイパッド部１１の上面よりも上側に位置するため、外部接続リード部１５のダイパッド部１１側の端部がダイパッド部１１の上側に張り出したオーバーハング構造をとる。ここで、外部接続リード部のオーバーハング構造におけるダイパッド部１１の上側に位置する張り出し部分の長さは、曲げ加工部における垂直部分の長さを調節することにより適宜設定することができる。
【００３９】
第１の実施形態のリードフレームにおいて、外部接続リード部１５は、ダイパッド部１１側の端部が、半導体チップと接続されるインナーリード部１５ａとなり、フレーム枠部１３側の端部が実装基板と接続されるアウターリード部１５ｂとなる。
【００４０】
以下、第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置について図面を参照しながら説明する。
【００４１】
図２（ａ）〜図２（ｃ）は前述のリードフレーム１０を用いた第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置を示しており、図２（ａ）は平面図であり、図１（ｂ）は図２（ａ）のＩＩｂ−ＩＩｂ線における断面構成を示し、図２（ｃ）は図２（ａ）のＩＩｃ−ＩＩｃ線における断面構成を示している。図２（ａ）〜図２（ｃ）において図１（ａ）〜図１（ｃ）と同一の構成部材については同一の符号を付すことにより説明を省略する。なお、図２（ａ）では樹脂封止領域２３Ａを点線で示すことにより樹脂封止部の図示を省略している。
【００４２】
図２（ａ）〜図２（ｃ）に示すように、ダイパッド部１１の上面には、例えば、スズと鉛とを含む半田材により、電力増幅用の半導体集積回路を有する半導体チップ２１が保持されており、半導体チップ２１の複数の素子電極（図示せず）は、金からなる金属細線２２を介してインナーリード部１５ａと接続されている。また、吊りリード部１４は金属細線２２を介して半導体チップ２１の接地用端子と接続されている。さらに、ダイパッド部１１、インナーリード部１５ａ及び半導体チップ２１は、熱硬化性のエポキシ樹脂材からなる封止用樹脂材により一体に封止されて樹脂封止部２３が形成されている。
【００４３】
第１の実施形態の特徴として、樹脂封止部２３は、吊りリード部１４における凹形状の曲げ加工部を含み且つ熱放散領域１４ａを露出するように形成されている。
【００４４】
なお、半導体チップ２１をダイパッド部１１に保持するための固着材は、スズと鉛とを含む半田材に限られず、スズ、ビスマス及びゲルマニウムからなる合金を用いてもよい。また、金属細線２２を構成する材料は金に限られず、アルミニウム又は銅等の導電性材料であればよい。
【００４５】
本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、アウターリード部１５ｂを実装基板に挿入方式で実装する。
【００４６】
以下、第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の放熱経路について説明する。
【００４７】
第１の放熱経路として、半導体チップ２１の動作により半導体チップ２１から発生する熱はダイパッド部１１及び放熱板１２に伝導し、封止樹脂の外部に露出しているダイパッド部１１の下面及び放熱板１２から樹脂封止型半導体装置の外部に放散される。このとき、第１の放熱経路の放熱性は、主にダイパッド部１１の下面の表面積と放熱板１２の表面積に比例する。
【００４８】
さらに、放熱板１２を、孔部１２ａをねじ穴として用いて、例えば放熱フィン等の外部に設けられた放熱部品と接続することにより、ダイパッド部１１及び放熱板１２に伝導した熱を外部の放熱部品を介して効率良く周囲に放散できる。
【００４９】
第１の実施形態では、吊りリード部１４に熱放散領域１４ａが設けられているため、半導体チップ２１から発生する熱は、ダイパッド部１１から吊りリード部１４に伝導され、熱放散領域１４ａから外部に放散される。つまり、リードフレーム１０から樹脂封止型半導体装置の外部に放熱する第１の放熱経路において、ダイパッド部１１の下面及び放熱板１２の表面積に加えて、熱放散領域１４ａの面積分だけ放熱性が向上する。
【００５０】
また、第２の放熱経路として、樹脂封止型半導体装置の内部において、半導体チップ２１から発生する熱は、樹脂封止部の内部に位置する吊りリード部１４及び外部接続リード部１５に伝導し、実装基板の表面から放散される。
【００５１】
ここで、伝導経路の距離Ｌ、伝導媒体の熱伝導率λ及び伝導面積Ａのとき、一般に熱抵抗Ｒは式（１）で表される。
【００５２】
Ｒ＝Ｌ／（λ×Ａ）　　　…（１）
従って、外部接続リード部１５がオーバーハング構造をとることにより、半導体チップ２１と外部接続リード部１５との距離が近くなるため伝導経路の距離Ｌが低下するので半導体チップ２１と外部接続リード部１５との間の熱抵抗が小さくなる。また、外部接続リード部１５のオーバーハング量が大きい程伝導面積Ａが増大しするので、半導体チップ２１と外部接続リード部１５との間の熱抵抗が小さくなる。
【００５３】
なお、第１の実施形態において、吊りリード部１４は前述の凹形状の曲げ加工部を有する形状に限られず、吊りリード部１４の下面の一部がダイパッド部１１の下面とほぼ同一の面上に位置するように熱放散領域１４ａが設けられていればよい。
【００５４】
以下、本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００５５】
図３（ａ）〜図３（ｃ）、図４（ａ）及び図４（ｂ）は第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示し、図３（ａ）〜図３（ｃ）は工程順の断面構成を示しており、図４（ａ）及び図４（ｂ）は工程順の平面構成を示している。ここで、図４（ａ）は図３（ｃ）と同じ工程の平面図である。また、図３（ａ）〜図３（ｃ）、図４（ａ）及び図４（ｂ）において図２（ａ）〜図２（ｃ）と同一の部材については同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００５６】
まず、図３（ａ）に示すように、前述のリードフレーム１０を用意し、半田材を還元ガス中で温度が約３５０℃の条件で融解することにより半導体チップ２１をダイパッド部１１の上面に保持する。このとき、半導体チップ２１は、外部接続リード部１５の端部が半導体チップ２１の上側に位置するように配置する。
【００５７】
次に、図３（ｂ）に示すように、半導体チップ２１の素子電極を金属細線２２を用いて吊りリード部１４及び外部接続リード部１５と接続する。金属細線２２にアルミニウムを用いる場合には、超音波接合法（ウエッジボンド方式）により金属細線２２を接続し、銅又は金を用いる場合には、ワイヤーボンダを用いた超音波熱圧着法により接合する。なお、銅を用いる場合には還元ガス雰囲気下で行う。
【００５８】
次に、図３（ｃ）に示すように、リードフレーム１０を樹脂封止金型（図示せず）に配置し、封止樹脂材を樹脂封止金型のキャビティに流し込んだ後、所定の温度に加熱することにより封止樹脂材を硬化して、半導体チップ２１と、リードフレーム１０におけるダイパッド部１１及び該ダイパッド部１１の周縁に含まれる吊りリード部１４及び外部接続リード部１５を一体に封止して樹脂封止部２３を形成する。
【００５９】
ここで、リードフレーム１０を樹脂封止金型に配置する際に、リードフレーム１０の下面が樹脂封止金型と接するように配置することにより、ダイパッド部１１の下面と熱放散領域１４ａが封止樹脂から露出する。また、吊りリード部１４の凹形状の曲げ加工部は樹脂封止部の形成領域に含まれるように設定されているため、封止金型と干渉することなくリードフレーム１０を設置することができる。
【００６０】
このとき、図４（ａ）に示すように、互いに隣接する樹脂封止型半導体装置はフレーム枠部１３により連結された状態である。
【００６１】
次に、図４（ｂ）に示すように、図４（ａ）のフレーム枠部１３及びタイバー部１６の点線で示す位置で切り離すことにより、吊りリード部１４及びアウターリード部１５ｂ間と、アウターリード部１５ｂ同士の間を分離すると共に、樹脂封止型半導体装置を個別化して第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置が完成する。
【００６２】
（第１の実施形態の第１変形例）
以下、本発明の第１の実施形態の第１変形例について図面を参照しながら説明する。
【００６３】
図５（ａ）及び図５（ｂ）は、第１の実施形態の第１変形例に係るリードフレームを示し、図５（ａ）は平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のＶｂ−Ｖｂ線における構成断面図である。図５（ａ）及び図５（ｂ）において図１（ａ）〜図１（ｃ）と同一の部材については同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００６４】
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、第１の実施形態の第１変形例のリードフレーム１０は、複数の外部接続リード部１５の外側に、一方の端部がフレーム枠部１３と接続され、他方の端部がダイパッド部１１の上面側と接続された変形防止用リード部３１が形成されている。
【００６５】
変形防止用リード部３１は、ダイパッド部１１側の端部には吊りリード部１４とほぼ同一形状の曲げ加工部３１ａが設けられている。
【００６６】
第１の実施形態のリードフレームでは曲げ加工時のストレスが１つの吊りリード部１４に集中し、フレーム枠部１３にねじれ等の変形が生じるおそれがあるが、第１の実施形態の第１変形例では吊りリード部１４とほぼ同一形状の曲げ加工部３１ａを有する変形防止用リード部３１を同時に形成するため、曲げ加工時のストレスが均等に分散されるため、リードフレーム１０に生じるねじれ等の変形を防止することができる。
【００６７】
なお、変形防止用リード部３１の曲げ加工部３１ａの形状は、図５（ｂ）に示す凹形状に限られず、吊りリード部１４の形状とほぼ同一形状に形成されていればよい。
【００６８】
また、変形防止用リード部３１は、複数の外部接続リード部１５の外側に限られず、外部接続リード部１５同士の間に形成されていてもよい。
【００６９】
第１の実施形態の第１変形例に係るリードフレームを樹脂封止型半導体装置に用いる場合には、図２（ａ）〜図２（ｃ）の樹脂封止型半導体装置と同様に、半導体チップ２１がダイパッド部１１に保持され、外部接続リード部１５が金属細線２２により半導体チップ２１の素子電極と接続され、樹脂封止部２３により半導体チップ２１とダイパッド部１１とを一体に封止されている。
【００７０】
なお、変形防止用リード部３１のうち、樹脂封止部２３の外側部分は、図４（ｂ）に示す工程において、フレーム枠部１３及びタイバー部１６と共に、又はフレーム枠部１３及びタイバー部１６を除去した後に除去される。
【００７１】
第１の実施形態の第１変形例では、変形防止用リード部３１を設けることにより、吊りリード部１４に熱放散領域１４ａを設ける工程においてリードフレーム１０に生じるねじれを防止できるため、第１の実施形態のリードフレームよりも製造歩留まり及び信頼性を向上することができる。
【００７２】
また、変形防止用リード部３１の曲げ加工部３１ａにおいて、熱放散領域１４ａと同等の領域が設けられるため、半導体チップ２１からダイパッド部１１に伝導した熱を変形防止用リード部３１を介して放散できるため、樹脂封止型半導体装置の放熱性がさらに向上される。
【００７３】
（第１の実施形態の第２変形例）
以下、本発明の第１の実施形態の第２変形例について図面を参照しながら説明する。
【００７４】
図６（ａ）及び図６（ｂ）は第１の実施形態の第２変形例のリードフレーム１０の断面構成を示し、それぞれが図１（ａ）のＩＩｂ−ＩＩｂ線及びＩＩｃ−ＩＩｃ線と対応する位置の構成断面ている。図６（ａ）及び図６（ｂ）において図１（ａ）〜図１（ｃ）と同一の部材については同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００７５】
図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、第１の実施形態の第２変形例の半導体装置では、吊りリード部１４には、熱放散領域１４ａを形成するためのダイパッド部１１側の突形状の曲げ加工部に加えて、フレーム枠部１３側に段差形状（ガルウイング形状）の曲げ加工部が設けられることにより、フレーム枠部１３側の端部にダイパッド部１１の下面と同一の面上に位置する接続領域３２が形成されている。
【００７６】
具体的に、ダイパッド部１１側の曲げ加工部によりダイパッド部１１よりも上側に位置する吊りリード部１４は、段差形状の曲げ加工部の第１の曲げ部により下側に曲げられ、ダイパッド部１１の下面と同一の面に位置する第２の曲げ部により水平方向に曲げられており、第２の曲げ部からフレーム枠部１３側の端部までの領域が接続領域３２となる。
【００７７】
また、外部接続リード部１５においても、フレーム枠部１３側に吊りリード部１４と同様の段差形状の曲げ加工部が設けられることにより、フレーム枠部１３側の端部にダイパッド部１１の下面と同一の面上に位置する接続領域３２が形成されている。
【００７８】
第１の実施形態の第２変形例に係るリードフレーム１０を樹脂封止型半導体装置に用いる場合には、図２（ａ）〜図２（ｃ）の樹脂封止型半導体装置と同様に、半導体チップ２１をダイパッド部１１に保持され、吊りリード部１４及び外部接続リード部１５を金属細線２２により半導体チップ２１の素子電極と接続され、樹脂封止部２３により半導体チップ２１とダイパッド部１１とを一体に封止される。このとき、接続領域３２を実装基板と接続することにより、平面実装方式の樹脂封止型半導体装置として用いることができる。
【００７９】
（第１の実施形態の第３変形例）
以下、本発明の第１の実施形態の第３変形例について図面を参照しながら説明する。
【００８０】
図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第１の実施形態の第３変形例に係る樹脂封止型半導体装置を示し、図７（ａ）は平面図であり、図７（ｂ）は図５（ａ）のＶＩＩｂ−ＶＩＩｂ線における構成断面図である。図７（ａ）及び図７（ｂ）において図２（ａ）〜図２（ｃ）と同一の部材については同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００８１】
第１の実施形態の第３変形例に係るリードフレーム１０において、外部接続リード部１５のダイパッド部１１側の端部には、コイニング加工によりその幅を広くされてなるチップ部品保持領域３３が設けられている。チップ部品保持領域３３には、例えば抵抗素子からなるチップ部品３４が半田材により保持され、チップ部品３４は、金属細線２２を介して、一方の電極が半導体チップ２１と接続され、他方の電極が外部接続リード部１５と接続されている。
【００８２】
なお、チップ部品保持領域３３に保持されるチップ部品は抵抗素子に限られず、容量素子やダイオード素子であってもよい。
【００８３】
また、チップ部品保持領域３３は、コイニング加工により外部接続リード部１５の幅よりも広くなるように形成されているが、チップ部品の寸法が外部接続リード部の幅寸法よりも小さい場合にはコイニング加工される必要はなく、外部接続リード部１５のダイパッド部１１側の端部の上面をチップ部品保持領域３３として用いてもよい。
【００８４】
（第１の実施形態の第４変形例）
以下、本発明の第１の実施形態の第４変形例について図面を参照しながら説明する。
【００８５】
図８（ａ）及び図８（ｂ）は、第１の実施形態の第４変形例に係る樹脂封止型半導体装置を示し、図８（ａ）は平面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）のＶＩＩＩｂ−ＶＩＩＩｂ線における構成断面図である。図８（ａ）及び図８（ｂ）において図２（ａ）〜図２（ｃ）と同一の部材については同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００８６】
図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、第１の実施形態の第４変形例の樹脂封止型半導体装置には、外部接続リード部１５のうちの２本におけるダイパッド部１１側の端部に保持され、半導体チップ２１の上側部分に配置された板状の銅からなる板状部品３５を備えている。板状部品３５は、半導体チップ２１の上側に配置されるため、半導体チップ２１に発生する熱が板状部品３５に効率良く伝導されるので、板状部品３５を熱伝導部として外部接続リード部１５を介して実装基板に熱を放散することができる。
【００８７】
なお、板状部品３５を構成する材料は銅に限られず、熱伝導率の高い材料であれば放熱性を向上することができる。また、導電性材料からなる平板を網目状に形成して板状部品３５を構成した場合には、板状部品３５は半導体チップ２１に対する電磁シールドとして機能する。
【００８８】
（第２の実施形態）
以下、第２の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００８９】
図９（ａ）〜図９（ｃ）は、第２の実施形態のリードフレームを示し、図９（ａ）は平面図であり、図９（ｂ）及び図９（ｃ）はそれぞれ図９（ａ）のＩＸｂ−ＩＸｂ線及びＩＸｃ−ＩＸｃにおける構成断面図である。図９（ａ）〜図９（ｃ）において図１（ａ）〜図１（ｃ）と同一の部材については同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００９０】
図９（ａ）〜図９（ｃ）に示すように、第２の実施形態のリードフレーム１０は、厚板部１０ｂからなるダイパッド部１１及び放熱板１２と、薄板部１０ａからなるフレーム枠部１３、吊りリード部１４、外部接続リード部１５及びタイバー部１６が一体に形成されている。
【００９１】
第２の実施形態の吊りリード部１４は、ダイパッド部１１の上部に接続され、ダイパッド部１１側の端部にくちばし状の曲げ加工が施されることにより、吊りリード部１４の上面の一部がダイパッド部１１の上側に位置する領域として熱伝導領域１４ｂが設けられている。
【００９２】
具体的に、くちばし状の曲げ加工部は、吊りリード部１４のダイパッド部１１側の端部がダイパッド部１１の上側に向かって曲げられる曲げ角度θ１が９０°よりも大きい第１の曲げ部と、ダイパッド部１１の上側からダイパッド部１１と反対側に向かって曲げられる第２の曲げ部とによって構成され、第１の曲げ部と第２の曲げ部との間の領域におけるダイパッド部１１の上側に位置する部分が熱伝導領域１４ｂである。
【００９３】
また、熱伝導領域１４ｂを含む曲げ加工部は、吊りリード部１４のフレーム枠部１３側がダイパッド部１１の上面よりも上側に位置するように、且つダイパッド部１１の上面に対して水平方向に延びるように曲げられている。これにより、ダイパッド部１１とフレーム枠部１３との距離が短くされるため、フレーム枠部１３及びタイバー部１６により吊りリード部１４と接続された外部接続リード部１５はダイパッド部１１側の端部がダイパッド部１１の上側に張り出すオーバーハング構造をとる。
【００９４】
以下、第２の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置について図面を参照しながら説明する。
【００９５】
図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、第２の実施形態の樹脂封止型半導体装置を示し、図１０（ａ）は平面図であり、図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）はそれぞれ図１０（ａ）のＸｂ−Ｘｂ線及びＸｃ−Ｘｃ線における構成断面図である。図１０（ａ）〜図１０（ｃ）において図２（ａ）〜図２（ｃ）と同一の部材については同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００９６】
図１０（ａ）〜図１０（ｃ）に示すように、ダイパッド部１１の上面には、半導体チップ２１が保持されており、半導体チップ２１の複数の素子電極（図示せず）は、金属細線２２を介してインナーリード部１５ａと接続されている。また、吊りリード部１４に金属細線２２を介して半導体チップ２１と接続されており、接地電位が供給される。さらに、ダイパッド部１１及び半導体チップ２１は樹脂封止部２３により一体に封止されている。
【００９７】
第２の実施形態の特徴として、樹脂封止部２３は、吊りリード部１４においては熱伝導領域１４ｂの曲げ加工部を含むように形成され、外部接続リード部１５においてはダイパッド部１１側であるインナーリード部１５ａを含むように形成されている。
【００９８】
以下、第２の実施形態の樹脂封止型半導体装置の放熱経路について説明する。
【００９９】
第１の放熱経路として、半導体チップ２１の動作により半導体チップ２１から発生する熱はダイパッド部１１及び放熱板１２に伝導し、封止樹脂の外部に露出しているダイパッド部１１の下面及び放熱板１２から樹脂封止型半導体装置の外部に放散される。このとき、第１の放熱経路の放熱性は、主にダイパッド部１１の下面の表面積と放熱板１２の表面積に比例する。
【０１００】
また、第２の放熱経路として、樹脂封止型半導体装置の内部において、半導体チップ２１から発生する熱は、樹脂封止部の内部に位置する吊りリード部１４及び外部接続リード部１５に伝導し、実装基板の表面から放散される。
【０１０１】
第２の実施形態では、半導体チップ２１から発生する熱は、ダイパッド部１１の上側に位置する吊りリード部１４の熱伝導領域１４ｂに伝導し、吊りリード部が接続される実装基板の表面に放散される。つまり、半導体チップ２１からリード部に熱を伝導して実装基板の表面から第２の放熱経路において、吊りリード部１４と半導体チップ２１の距離が小さくなるため、前述の式（１）における伝導経路の距離Ｌが小さくなるので、吊りリード部１４と半導体チップ２１との間の熱抵抗が小さくなる。従って、外部接続リード部１５のみがダイパッド部１１の上部に形成されている場合と比べて放熱性が向上される。
【０１０２】
なお、第２の実施形態において、吊りリード部１４は前述のくちばし状の曲げ加工部を有する形状に限られず、ダイパッド部１１の上側に位置するように熱伝導領域１４ｂが設けられていればよい。
【０１０３】
以下、第２の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法について図３（ａ）〜図３（ｃ）、図４（ａ）及び図４（ｂ）を用いて説明する。
【０１０４】
第２の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、まず、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す工程と同様にして、図９（ａ）〜図９（ｃ）に示すリードフレーム１０のダイパッド部１１の上面に半導体チップ２１を保持した後、半導体チップ２１の素子電極を金属細線２２により吊りリード部１４及び外部接続リード部１５と接続する。次に、図３（ｃ）に示す工程と同様にして、吊りリード部１４のくちばし状の曲げ加工部を含むように樹脂封止部２３を形成する。その後、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す工程と同様にして、フレーム枠部１３及びタイバー部１６を分離することにより第２の実施形態の樹脂封止型半導体装置が完成する。
【０１０５】
なお、第２の実施形態のリードフレームにおいて、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す変形防止用リード部３１と同様に、一方の端部がダイパッド部１１と接続され、他方の端部がフレーム枠部１３と接続され、且つ図９（ｂ）に示す吊りリード部１４と同様のくちばし形状の曲げ加工部を有する変形防止用リード部を形成することにより、リードフレーム１０の製造歩留まりと信頼性とを向上することができる。
【０１０６】
また、第２の実施形態のリードフレームにおいて、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示す段差形状の曲げ加工部を設けることにより、平面実装型の樹脂封止型半導体装置として用いてもよい。
【０１０７】
また、第２の実施形態の樹脂封止型半導体装置において、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すチップ部品保持領域３３と同様に、外部接続リード部１５のダイパッド部１１側の端部にコイニング加工を施してチップ部品保持領域を設けることにより、半導体チップ２１と外部接続リード部１５との間にチップ部品を接続してもよい。
【０１０８】
また、第２の実施形態の樹脂封止型半導体装置において、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示す板状部品３５と同様に、２本の外部接続リード部１５におけるダイパッド部１１側の端部に保持された板状部品を設けることにより、熱伝導部又は電磁シールドとして用いてもよい。
【０１０９】
（第３の実施形態）
以下、第３の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【０１１０】
図１１（ａ）〜図１１（ｃ）は、第３の実施形態のリードフレームを示し、図１１（ａ）は平面図であり、図１１（ｂ）及び図１１（ｃ）はそれぞれ図１１（ａ）のＸＩｂ−ＸＩｂ線及びＸＩｃ−ＸＩｃにおける構成断面図である。図１１（ａ）〜図１１（ｃ）において図１（ａ）〜図１（ｃ）と同一の部材については同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【０１１１】
図９（ａ）〜図９（ｃ）に示すように、第２の実施形態のリードフレーム１０は、厚板部１０ｂからなるダイパッド部１１及び放熱板１２と、薄板部１０ａからなるフレーム枠部１３、吊りリード部１４、外部接続リード部１５及びタイバー部１６が一体に形成されている。
【０１１２】
第３の実施形態の吊りリード部１４は、ダイパッド部１１の下面と接続され、ダイパッド部１１側の端部にくちばし状の曲げ加工が施されることにより、吊りリード部１４のダイパッド部１１から延びる領域である熱放散領域１４ａと、上面の一部がダイパッド部１１の上面と対向する領域として熱伝導領域１４ｂとが設けられている。
【０１１３】
具体的に、第３の実施形態のくちばし状の曲げ加工部は、ダイパッド部１１の下面から延びる部分である熱放散領域１４ａと、熱放散領域１４ａからダイパッド部１１の上側に向かって曲げられる曲げ角度θ２が９０°よりも大きい第１の曲げ部と、ダイパッド部１１の上側からダイパッド部１１の反対側に向かって水平方向に曲げられる第２の曲げ部とからなり、第１の曲げ部と第２の曲げ部との間の領域におけるダイパッド部１１の上側に位置する部分が熱伝導領域１４ｂとなる。
【０１１４】
また、熱伝導領域１４ｂを含む曲げ加工部は、吊りリード部１４のフレーム枠部１３側がダイパッド部１１の上面よりも上側に位置するように、且つダイパッド部１１の上面に対して水平方向に延びるように曲げられている。これにより、ダイパッド部１１とフレーム枠部１３との距離が短くされるため、フレーム枠部１３及びタイバー部１６により吊りリード部１４と接続された外部接続リード部１５はダイパッド部１１側の端部がダイパッド部１１の上側に張り出すオーバーハング構造をとる。
【０１１５】
ここで、外部接続リード部１５のダイパッド部１１側の端部は、半導体チップと接続されるインナーリード部１５ａとなり、フレーム枠部１３側の端部は実装基板と接続されるアウターリード部１５ｂとなる。従って、外部接続リード部１５のダイパッド部１１側の端部がダイパッド部１１の上側に張り出すことにより、半導体チップとの距離を短くできる。
【０１１６】
以下、第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置について図面を参照しながら説明する。
【０１１７】
図１２（ａ）〜図１２（ｃ）は、第３の実施形態の樹脂封止型半導体装置を示し、図１２（ａ）は平面図であり、図１２（ｂ）及び図１２（ｃ）はそれぞれ図１２（ａ）のＸＩＩｂ−ＸＩＩｂ線及びＸＩＩｃ−ＸＩＩｃ線における構成断面図である。図１２（ａ）〜図１２（ｃ）において図２（ａ）〜図２（ｃ）と同一の部材については同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【０１１８】
図１２（ａ）〜図１２（ｃ）に示すように、ダイパッド部１１の上面には、半導体チップ２１が保持されており、半導体チップ２１の複数の素子電極（図示せず）は、金属細線２２を介してインナーリード部１５ａと接続されている。また、吊りリード部１４に金属細線２２を介して半導体チップ２１と接続されており、接地電位が供給される。さらに、ダイパッド部１１及び半導体チップ２１は樹脂封止部２３により一体に封止されている。
【０１１９】
第３の実施形態の特徴として、樹脂封止部２３は、吊りリード部１４においては熱放散領域１４ａを露出し、且つ熱伝導領域１４ｂの曲げ加工部を含むように形成され、外部接続リード部１５においてはダイパッド部１１側であるインナーリード部１５ａを含むように形成されている。
【０１２０】
以下、第３の実施形態の樹脂封止型半導体装置の放熱経路について説明する。
【０１２１】
第１の放熱経路として、半導体チップ２１の動作により半導体チップ２１から発生する熱はダイパッド部１１及び放熱板１２に伝導し、封止樹脂の外部に露出しているダイパッド部１１の下面及び放熱板１２から樹脂封止型半導体装置の外部に放散される。このとき、第１の放熱経路の放熱性は、主にダイパッド部１１の下面の表面積と放熱板１２の表面積に比例する。
【０１２２】
また、第２の放熱経路として、樹脂封止型半導体装置の内部において、半導体チップ２１から発生する熱は、樹脂封止部の内部に位置する吊りリード部１４及び外部接続リード部１５に伝導し、実装基板の表面から放散される。
【０１２３】
第３の実施形態では、半導体チップ２１から発生する熱は、ダイパッド部１１から吊りリード部１４に伝導され、熱放散領域１４ａから外部に放散されると共に、ダイパッド部１１の上側に位置する吊りリード部１４の熱伝導領域１４ｂに伝導し、吊りリード部が接続される実装基板の表面に放散される。つまり、第１の放熱経路では、ダイパッド部１１の下面及び放熱板１２の表面積に加えて、熱放散領域１４ａの面積分だけ放熱性が向上し、第２の放熱経路では、吊りリード部１４と半導体チップ２１との距離が小さくされることにより放熱性が向上される。
【０１２４】
なお、第３の実施形態のリードフレームにおいて、図５（ａ）及び図５（ｂ）の変形防止用リード部３１と同様に、図１０（ｂ）に示す吊りリード部１４とほぼ同一の曲げ加工部を有する変形防止用リード部を形成することが好ましい。
【０１２５】
また、第３の実施形態のリードフレームにおいて、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示す段差形状の曲げ加工部を設けることにより、平面実装型の樹脂封止型半導体装置として用いてもよい。
【０１２６】
また、第３の実施形態の樹脂封止型半導体装置において、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すチップ部品保持領域３３と同様に、外部接続リード部１５のダイパッド部１１側の端部にコイニング加工を施してチップ部品保持領域を設けることにより、半導体チップ２１と外部接続リード部１５との間にチップ部品を接続してもよい。
【０１２７】
また、第３の実施形態の樹脂封止型半導体装置において、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示す板状部品３５と同様に、２本の外部接続リード部１５におけるダイパッド部１１側の端部に保持された板状部品を設けることにより、熱伝導部又は電磁シールドとして用いることができる。
【０１２８】
【発明の効果】
本発明の第１のリードフレームによると、ダイパッド部の上面に搭載される半導体チップから発生する熱は、ダイパッド部を伝導して吊りリード部の熱放散領域から外部に放散されるため、半導体チップから発生する熱を効率良く外部に放散することができる。
【０１２９】
また、本発明の第２のリードフレームによると、ダイパッド部の上面に搭載される半導体チップから発生する熱は、吊りリード部の熱伝導領域を伝導して実装基板の表面から放散されるため、半導体チップの熱を効率良く外部に放散することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施形態に係るリードフレームを示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＩｂ−Ｉｂ線における構成断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＩｃ−Ｉｃ線における構成断面図である。
【図２】（ａ）は本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＩＩｂ−ＩＩｂ線における構成断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＩＩｃ−ＩＩｃ線における構成断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法を示し、図２（ａ）のＩＩｂ−ＩＩｂ線と対応する位置における工程順の断面構成図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す工程順の平面図である。
【図５】（ａ）は本発明の第１の実施形態の第１変形例に係るリードフレームを示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＶｂ−Ｖｂ線における構成断面図である。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施形態の第２変形例に係るリードフレームを示し、それぞれ図１（ａ）のＩｂ−Ｉｂ線及びＩｃ−Ｉｃ線と対応する位置における構成断面図である。
【図７】（ａ）は本発明の第１の実施形態の第３変形例に係る樹脂封止型半導体装置を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＶＩＩｂ−ＶＩＩｂ線における構成断面図である。
【図８】（ａ）は本発明の第１の実施形態の第４変形例に係る樹脂封止型半導体装置を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＶＩＩＩｂ−ＶＩＩＩｂ線における構成断面図である。
【図９】（ａ）は本発明の第２の実施形態に係るリードフレームを示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＩＸｂ−ＩＸｂ線における構成断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＩＸｃ−ＩＸｃ線における構成断面図である。
【図１０】（ａ）は本発明の第２の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸｂ−Ｘｂ線における構成断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＸｃ−Ｘｃ線における構成断面図である。
【図１１】（ａ）は本発明の第３の実施形態に係るリードフレームを示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸＩｂ−ＸＩｂ線における構成断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＸＩｃ−ＸＩｃ線における構成断面図である。
【図１２】（ａ）は本発明の第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸＩＩｂ−ＸＩＩｂ線における構成断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＸＩＩｃ−ＸＩＩｃ線における構成断面図である。
【図１３】（ａ）は従来の異形材リードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸＩＩＩｂ−ＸＩＩＩｂ線における構成断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＸＩＩＩｃ−ＸＩＩＩｃ線における構成断面図である。
【符号の説明】
１０　　リードフレーム
１０ａ　厚板部
１０ｂ　薄板部
１１　　ダイパッド部
１２　　放熱板
１２ａ　孔部
１３　　フレーム枠部
１４　　吊りリード部
１４ａ　熱放散領域
１４ｂ　熱伝導領域
１５　　外部接続リード部
１５ａ　インナーリード部
１５ｂ　アウターリード部
１６　　タイバー部
２１　　半導体チップ
２２　　金属細線
２３　　封止樹脂
２３Ａ　樹脂封止領域
３１　　変形防止用リード部
３１ａ　補強用加工部
３２　　平面接続部
３３　　チップ部品保持領域
３４　　チップ部品（機能部品）
３５　　板状部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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