(57)【要約】【課題】半導体製造分野等に用いられる、消費電力が削減された真空装置を提供する。【解決手段】ガス導入口とガス排出口を備えた真空容器と、真空容器内部を減圧すると共に減圧状態を保つための機械構造の複数段の真空ポンプとを有する真空装置である。真空ポンプのうちの最後段の真空ポンプであるスクリューポンプＡの吐出ポート５７に接続されたエジェクタポンプ６０を有している。【選択図】        図２
2004263635.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス導入口とガス排出口を備えた真空容器と、前記真空容器に接続され、該真空容器内部を減圧すると共に減圧状態を保つための機械構造の複数段の真空ポンプとを有する真空装置において、
前記真空ポンプのうちの最後段の真空ポンプの吐出口に接続され、該最後段の真空ポンプの減圧動作を補助し、該吐出口からの逆拡散を抑制するための非機械構造の補助ポンプを有することを特徴とする真空装置。
【請求項２】
前記補助ポンプは、前記最後段のポンプの前記吐出口に付加的に取り付けられたエジェクタポンプである請求項１に記載の真空装置。
【請求項３】
前記補助ポンプは、前記最後段のポンプに内蔵されて該最後段のポンプと一体装置となるように備えられているエジェクタポンプである請求項１に記載の真空装置。
【請求項４】
ガス導入口とガス排出口を備えた真空容器と、前記真空容器に接続され、該真空容器内部を減圧すると共に減圧状態を保つための機械構造の複数段の真空ポンプとを有する真空装置において、
前記真空ポンプのうちの最後段の真空ポンプの吐出口に接続されたエジェクタポンプを有することを特徴とする真空装置。
【請求項５】
ガス導入口とガス排出口を備えた真空容器と、前記真空容器内部を減圧に保つための第１の真空ポンプと、前記第１の真空ポンプの後段に接続された第２の真空ポンプと、前記第２の真空ポンプの後段に接続された第３の真空ポンプとを有する真空装置において、
前記第１の真空ポンプがターボ分子ポンプまたはねじ溝ポンプであり、前記第２の真空ポンプがブースターポンプであり、前記第３の真空ポンプがドライポンプであって、
前記第３の真空ポンプの内部または外部にエジェクタポンプが付加されていることを特徴とする真空装置。
【請求項６】
大気側を臨む吐出口にエジェクタポンプ部を装備したことを特徴とする真空ポンプ。
【請求項７】
前記エジェクタポンプ部は、前記真空ポンプの外部に付加的に取り付けられている請求項６に記載の真空ポンプ。
【請求項８】
前記エジェクタポンプ部は、前記真空ポンプに内蔵されている請求項６に記載の真空ポンプ。
【請求項９】
前記真空ポンプは、スクリューポンプまたはルーツポンプである請求項６乃至８のいずれかに記載の真空ポンプ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空装置に関し、特に、半導体製造分野等において用いられる真空装置ならびにこの真空装置に用いられる真空ポンプに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造分野のほか、多くの産業分野で真空装置が用いられている。真空装置は、一般的に、真空容器と、真空容器内部を真空あるいは減圧状態に保つ真空ポンプとを備えている。
【０００３】
そして、真空装置は、クリーンルーム内に配置されると共に、真空容器内に、所定の処理ガスを導入、排気しながら、所定の処理を行うように構成されている。
【０００４】
半導体製造装置に用いられている従来の真空装置の一例を、図１を参照して説明する。
【０００５】
この真空装置は、複数の反応チャンバ（真空容器）１０、１１、および１２と、反応チャンバ１０、１１、および１２内部を減圧あるいは真空状態になすために、反応チャンバ１０、１１、および１２にそれぞれ１台または複数台配置された第１の真空ポンプとしての高真空ポンプ１、２、および３と、高真空ポンプの後段に配置された第２の真空ポンプとしてのブースターポンプ４ａ、５ａ、および６ａと、第３の真空ポンプとしてのバックポンプ４ｂ、５ｂ、および６ｂとを備えている。
【０００６】
また、高真空ポンプ１、２、および３と、ブースターポンプ４ａ、５ａ、および６ａとの間には、バルブ２２、２３、および２４が設けられている。
【０００７】
さらに、反応チャンバ１０、１１、および１２にウエハ等の被処理物を搬入するためのロードロックチャンバ１３および１４と、ロードロックチャンバ１３に搬入された被処理物を反応チャンバ１０、１１、および１２に移送し、また反応チャンバ１０、１１、および１２からロードロックチャンバ１４に移送するロボット（搬送装置）が収容されているトランスファチャバ１５とが設けられている。
【０００８】
また、ロードロックチャンバ１３にはブースターポンプ８ａならびにバックポンプ８ｂが接続され、ロードロックチャンバ１４にはブースターポンプ７ａならびにバックポンプ７ｂが接続され、トランスファチャバ１５にはブースターポンプ９ａならびにバックポンプ９ｂが接続されており、減圧あるいは真空状態になすことができるように構成されている。
【０００９】
さらに、反応チャンバ１０、１１、および１２には、図示はしないが、ガス導入口およびヒータ等の加熱手段が設けられており、加熱下で所定のガスを導入しながら、成膜等の所定の処理がなされるように構成されている。
【００１０】
尚、図中、符号Ａ１は高真空ポンプ１、２、および３とブースターポンプ４ａ、５ａ、および６ａとの間の配管を示し、符号Ａ２は反応チャンバ１０、１１、および１２と高真空ポンプ１、２、および３との間の配管を示している。また、図中、符号Ｒは、クリーンルームを示す。
【００１１】
この真空装置が待機した状態にあっては、トランスファチャバ１５ならびに反応チャンバ１０、１１、および１２は、減圧あるいは真空状態に維持されている。
【００１２】
そして、装置外部の大気中から複数のウエハ等の被処理物を入れたカセットがロードロックチャンバ１３に搬入され、ロードロックチャンバ１３が真空引される。
【００１３】
次に、ロードロックチャンバ１３とトランスファチャバ１５との間のゲート弁（図示せず）が開き、被処理物搬送用ロボットが搬送アームによりカセット内の被処理物を一枚取り出してトランスファチャバ１５に移動させる。
【００１４】
その後、反応チャンバ１０とトランスファチャバ１５間とのゲート弁（図示せず）が開き、搬送アームにより被処理物が反応チャンバ１０内のステージ上に載置される。
【００１５】
そして、成膜処理等の所定の処理後、処理された被処理物は、搬送アームにより他の反応チャンバ１１または１２もしくはロードロックチャンバ１４に搬送される。
【００１６】
そして、処理が終了した後、最終的にロードロックチャンバ１４から外部に搬送される。
【００１７】
図１に示した装置をも含め、従来の真空装置においては、高真空ポンプとして一般的には到達真空度（１０−７ｔｏｒｒ以下）の分子領域で動作する高真空ポンプが用いられている。具体的には、高真空ポンプとしては、一般的にターボ分子ポンプあるいはねじ溝ポンプが用いられている。
【００１８】
ターボ分子ポンプならびにねじ溝ポンプは、一般的に、小型のものでも排気速度は大きいものの、許容背圧が１ｔｏｒｒ以下（具体的には０．５ｔｏｒｒ以下、より具体的には０．４ｔｏｒｒ程度）と小さい。このため、高真空ポンプの後段に、到達真空度が比較的低いものの、比較的低い背圧で動作する中、低真空ポンプが一〜二段設けられている。
【００１９】
例えば、高真空ポンプの後段に二段の真空ポンプが設けられる場合には、高真空ポンプの後段に中真空ポンプとしてブースターポンプ等が設けられ、さらに、ブースターポンプの後段に、到達真空度が低いものの、比較的低い背圧で動作する低真空ポンプとして、ルーツポンプ等が設けられる。
【００２０】
この種の、半導体装置の製造分野に用いられる複数段の真空ポンプを有する真空装置は、例えば、特開２００２−３９０６１号公報に開示されている。
【００２１】
【特許文献１】
特開２００２−３９０６１号公報
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、半導体装置の製造に使用される真空装置においては、一般に、一つの反応チャンバ（真空容器）に対して２〜３台の真空ポンプが多段に用いられている。これら真空ポンプは互いに前述のごとく構造が異なることが多いが、一般に、いずれも電気モータによって駆動される。このため、真空ポンプの使用台数が多いこの種の真空装置においては、消費電力が大きくなる。真空装置の消費電力は、結果的に半導体装置の製造コストに影響するため、その省電力化が望まれている。
【００２３】
特に、多段の真空ポンプのうちの最後段の低真空ポンプ（バックポンプ）には大容量が必要とされるため、その消費電力も大きい。よって、バックポンプの電力を抑えることが、真空装置全体の消費電力低減、ひいては、半導体装置の製造コスト削減に効果的であり、望まれることである。
【００２４】
したがって、本発明の課題は、消費電力を抑制することができる真空装置ならびに真空ポンプを提供することである。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、ガス導入口とガス排出口を備えた真空容器と、前記真空容器に接続され、該真空容器内部を減圧すると共に減圧状態を保つための機械構造の複数段の真空ポンプとを有する真空装置において、前記真空ポンプのうちの最後段の真空ポンプの吐出口に接続され、該最後段の真空ポンプの減圧動作を補助し、該吐出口からの逆拡散を抑制するためのエジェクタポンプを有することを特徴とする真空装置が得られる。
【００２６】
本発明によればまた、前記補助ポンプは、前記最後段のポンプの前記吐出口に付加的に取り付けられたエジェクタポンプである前記真空装置が得られる。
【００２７】
本発明によればさらに、前記補助ポンプは、前記最後段のポンプに内蔵されて該最後段のポンプと一体装置となるように備えられているエジェクタポンプである前記真空装置が得られる。
【００２８】
また、本発明によれば、ガス導入口とガス排出口を備えた真空容器と、前記真空容器に接続され、該真空容器内部を減圧すると共に減圧状態を保つための機械構造の複数段の真空ポンプとを有する真空装置において、前記真空ポンプのうちの最後段の真空ポンプの吐出口に接続されたエジェクタポンプを有することを特徴とする真空装置が得られる。
【００２９】
さらに、本発明によれば、ガス導入口とガス排出口を備えた真空容器と、前記真空容器内部を減圧に保つための第１の真空ポンプと、前記第１の真空ポンプの後段に接続された第２の真空ポンプと、前記第２の真空ポンプの後段に接続された第３の真空ポンプとを有する真空装置において、前記第１の真空ポンプがターボ分子ポンプまたはねじ溝ポンプであり、前記第２の真空ポンプがブースターポンプであり、前記第３の真空ポンプがドライポンプであって、前記第３の真空ポンプの内部または外部にエジェクタポンプが付加されていることを特徴とする真空装置が得られる。
【００３０】
また、本発明によれば、大気側を臨む吐出口にエジェクタポンプ部を装備したことを特徴とする真空ポンプが得られる。
【００３１】
さらに、本発明によれば、前記エジェクタポンプ部は、前記真空ポンプの外部に付加的に取り付けられている前記真空ポンプが得られる。
【００３２】
また、本発明によれば、前記エジェクタポンプ部は、前記真空ポンプに内蔵されている前記真空ポンプが得られる。
【００３３】
さらに、本発明によれば、前記真空ポンプは、スクリューポンプまたはルーツポンプである前記真空ポンプが得られる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００３５】
本発明の実施の形態による真空装置は、システム的には、図１に示した真空装置と同様である。このため、図１と同様な構成については説明を省略する。
【００３６】
本発明では特に、図１における最後段の（第３の）真空ポンプであるバックポンプ４ｂ、５ｂ、および６ｂに特徴がある。即ち、バックポンプ４ｂ、５ｂ、および６ｂにはそれぞれ、後に詳述するように、主にこれらバックポンプによる減圧動作を補助し、あるいは、吐出ポートからの逆拡散を抑制できるエジェクタポンプが備えられている。
【００３７】
［実施の形態１］
本発明の実施の形態１においては、図１のバックポンプ４ｂ、５ｂ、および６ｂのそれぞれとして、スクリューポンプＡを有している。
【００３８】
図２（ａ）および（ｂ）を参照して、スクリューポンプＡの雄ロータ２５および雌ロータ２６は、主ケーシング４２に収容されており、主ケース４２の一端側を密封する端板４３に取り付けられた軸受３５および３６ならびに副ケーシング４６に取り付けられた軸受３７および３８によって回転自在に支持されている。
【００３９】
雄ロータ２５および雌ロータ２６の回転軸２７および２８には、副ケーシング４６内に収容されたタイミングギア３１および３２が取り付けられており、雄ロータ２５および雌ロータ２６が互いに接触しないように両ロータ間の隙間が調整されている。また、雄ロータ２５の回転軸には、カップリングまたは変速用ギアを介してモータＭが取り付けられており、モータＭの回転は、雄ロータ２５に伝達され、タイミングギア３１および３２を介して雌ロータ２６を回転させるように構成されている。
【００４０】
主ケーシング４２の一端側には、吸入ポート５６が設けられて副ケーシング５５が取り付けられている。また、主ケーシング４２の端板４３には、雄ロータ２５および雌ロータ２６で圧縮された気体を吐出する吐出ポート５７が形成されている。
【００４１】
また、主ケーシング４２や圧縮気体等は気体の圧縮によって温度が上昇するため、主ケーシング４２の外側には、冷却ジャケット３３が形成されており、この冷却ジャケット３３内に水等の冷媒を流通され、主ケーシング４２や圧縮気体等が冷却されるようになっている。
【００４２】
このように構成されたスクリューポンプＡは、モータＭによって雄ロータ２５を回転駆動すると、タイミングギア３１および３２によって雌ロータ２６が回転駆動される。そして、雄ロータ２５および雌ロータ２６の回転に伴い、上段のブースターポンプ４ａ、５ａ、および６ａ（図１）からの気体が吸入ポート５６を通して、雄ロータ２５、雌ロータ２６、および主ケーシング４２によって形成される作動室に吸入される。吸い込まれた気体は、雄ロータ２５および雌ロータ２６の回転に伴い、圧縮されながら吐出ポート５７を通して吐出される。
【００４３】
ここで、本真空装置においては、スクリューポンプＡの吐出ポート５７に接続され、大気圧の外部から吐出ポート５７を通した逆拡散を抑制するためのエジェクタポンプ６０を有している。エジェクタポンプ６０は、スクリューポンプＡとは別部品として、スクリューポンプＡの吐出ポート５７に付加的に取り付けられている。
【００４４】
図３をもあわせ参照して、エジェクタポンプ６０は、吸入口６２と、ガス導入口６３と、デフューザ６４と、吐出口６５とを備えている。
【００４５】
そして、本真空装置の稼動時、即ち、高真空ポンプ１、２、および３、ブースターポンプ４ａ、５ａ、および６ａ、ならびに、バックポンプ４ｂ、５ｂ、および６ｂ（いずれも図１）の稼動時は常時、反応チャンバ１０、１１、および１２（図１）へのガス導入中／非導入中に関わらず、エジェクタポンプ６０のガス導入口６３からデフューザ６１に向けて、不活性ガスを０．１ＭＰａ〜０．５ＭＰａの圧力で導入する。
【００４６】
こうすることで、エジェクタポンプの原理により、吸入口６２ならびにスクリューポンプＡの吐出ポート５７付近の圧力は、数１０００Ｐａ〜数１００００Ｐａとなる。尚、随伴流の発生やデフューザにおける衝撃波の発生等のエジェクタポンプの原理については、既知のことであるため、ここでは説明を省略する。
【００４７】
この結果、大気圧の外部からエジェクタポンプ６０の吐出口６５および吸入口６２ならびにスクリューポンプＡの吐出ポート５７を通して吸入ポート５６へ向かう逆拡散は、著しく減少される。逆拡散が抑制されることにより、高真空ポンプ１、２、および３、ブースターポンプ４ａ、５ａ、および６ａ、ならびに、バックポンプ４ｂ、５ｂ、および６ｂが、特に、バックポンプ４ｂ、５ｂ、および６ｂが効率よく動作し、その消費電力を大きく削減できる。また、エジェクタポンプ６０によって、その吐出口６５の背圧（大気圧）を吸入口６２において３００ｔｏｒｒ程度まで減圧することができる。
【００４８】
図５は、図１に示すような真空装置において、バックポンプ４ｂ、５ｂ、および６ｂとしてスクリューポンプＡを適用した際の、スクリューポンプＡの吸入ポート５６における圧力とスクリューポンプＡの消費電力との関係を検証した結果を示している。この検証においては、比較例として、エジェクタポンプを備えていない他はスクリューポンプＡと同構造のポンプをも、図１の真空装置におけるバックポンプ４ｂ、５ｂ、および６ｂとして適用し、同様の測定を行った。
【００４９】
図５から明らかなように、エジェクタポンプ６０を備えたスクリューポンプＡは、エジェクタポンプを持たないスクリューポンプに比べて、吸入圧力の値に関わらず全般的に消費電力が低い。特に、吸入圧力が１０ｔｏｒｒ未満時には、エジェクタポンプ６０を備えたスクリューポンプＡの消費電力は、エジェクタポンプを持たないスクリューポンプの消費電力に比べておよそ５０％削減されている。
【００５０】
換言すれば、図１に示すような真空装置のバックポンプ４ｂ、５ｂ、および６ｂとしてスクリューポンプＡを適用した場合には、反応チャンバ１０、１１、および１２（図１）内へのガス非導入時に、より高い効果があらわれると云える。
【００５１】
［実施の形態２］
本発明の実施の形態２においては、図１のバックポンプ４ｂ、５ｂ、および６ｂのそれぞれとして、スクリューポンプＢを有している。
【００５２】
図４（ａ）および（ｂ）を参照して、スクリューポンプＢにおいては、図２（ａ）および（ｂ）に示したスクリューポンプＡと同様に、雄ロータ２５および雌ロータ２６は、主ケーシング４２に収容されており、主ケース４２の一端側を密封する端板４３に取り付けられた軸受３５および３６ならびに副ケーシング４６に取り付けられた軸受３７および３８によって回転自在に支持されている。
【００５３】
雄ロータ２５および雌ロータ２６の回転軸２７および２８には、副ケーシング４６内に収容されたタイミングギア３１および３２が取り付けられており、雄ロータ２５および雌ロータ２６が互いに接触しないように両ロータ間の隙間が調整されている。また、雄ロータ２５の回転軸には、カップリングまたは変速用ギアを介してモータＭが取り付けられており、モータＭの回転は、雄ロータ２５に伝達され、タイミングギア３１および３２を介して雌ロータ２６を回転させるように構成されている。
【００５４】
主ケーシング４２の一端側には、吸入ポート５６が設けられて副ケーシング５５が取り付けられている。また、主ケーシング４２の端板４３には、雄ロータ２５および雌ロータ２６で圧縮された気体を吐出する吐出ポート５７が形成されている。
【００５５】
また、主ケーシング４２や圧縮気体等は気体の圧縮によって温度が上昇するため、主ケーシング４２の外側には、冷却ジャケット３３が形成されており、この冷却ジャケット３３内に水等の冷媒を流通され、主ケーシング４２や圧縮気体等が冷却されるようになっている。
【００５６】
このように構成されたスクリューポンプＢは、モータＭによって雄ロータ２５を回転駆動すると、タイミングギア３１および３２によって雌ロータ２６が回転駆動される。そして、雄ロータ２５および雌ロータ２６の回転に伴い、上段のブースターポンプ４ａ、５ａ、および６ａ（図１）からの気体が吸入ポート５６を通して、雄ロータ２５、雌ロータ２６、および主ケーシング４２によって形成される作動室に吸入される。吸い込まれた気体は、雄ロータ２５および雌ロータ２６の回転に伴い、圧縮されながら吐出ポート５７を通して吐出される。
【００５７】
本実施の形態において、スクリューポンプＢは、その吐出ポート５７に接続され、大気圧の外部から吐出ポート５７を通した逆拡散を抑制するためのエジェクタポンプ部６０を内蔵している。即ち、エジェクタポンプ部６０は、スクリューポンプＢと一体の部品として、スクリューポンプＢの端板４３の吐出ポート５７部分に内蔵されている。
【００５８】
エジェクタポンプ部６０は、吸入口６２と、ガス導入口６３と、デフューザ６４と、吐出口６５とを備えている。
【００５９】
そして、本真空装置の稼動時、即ち、高真空ポンプ１、２、および３、ブースターポンプ４ａ、５ａ、および６ａ、ならびに、バックポンプ４ｂ、５ｂ、および６ｂ（いずれも図１）の稼動時は常時、反応チャンバ１０、１１、および１２（図１）へのガス導入中／非導入中に関わらず、エジェクタポンプ部６０のガス導入口６３からデフューザ６１に向けて、不活性ガスを０．１ＭＰａ〜０．５ＭＰａの圧力で導入する。
【００６０】
こうすることで、エジェクタポンプの原理により、吸入口６２ならびにスクリューポンプＢの吐出ポート５７付近の圧力は、数１０００Ｐａ〜数１００００Ｐａとなる。
【００６１】
この結果、大気圧の外部からエジェクタポンプ部６０の吐出口６５および吸入口６２ならびにスクリューポンプＢの吐出ポート５７を通して吸入ポート５６へ向かう逆拡散は、著しく減少される。逆拡散が抑制されることにより、高真空ポンプ１、２、および３、ブースターポンプ４ａ、５ａ、および６ａ、ならびに、バックポンプ４ｂ、５ｂ、および６ｂが、特に、バックポンプ４ｂ、５ｂ、および６ｂが効率よく動作し、その消費電力を大きく削減できる。
【００６２】
図１に示すような真空装置において、バックポンプ４ｂ、５ｂ、および６ｂとして本実施の形態によるスクリューポンプＢを適用した際にも、実施の形態１と同じく、図５に示す結果が得られた。
【００６３】
図５から明らかなように、エジェクタポンプ部６０を備えたスクリューポンプＢは、エジェクタポンプを持たないスクリューポンプに比べて、吸入圧力の値に関わらず全般的に消費電力が低い。特に、吸入圧力が１０ｔｏｒｒ未満時には、エジェクタポンプ部６０を備えたスクリューポンプＢの消費電力は、エジェクタポンプを持たないスクリューポンプの消費電力に比べておよそ５０％削減されている。
【００６４】
換言すれば、図１に示すような真空装置のバックポンプ４ｂ、５ｂ、および６ｂとしてスクリューポンプＢを適用した場合には、反応チャンバ１０、１１、および１２（図１）内へのガス非導入時に、より高い効果があらわれると云える。
【００６５】
本実施の形態によるスクリューポンプは、エジェクタポンプ部を内蔵しているため、実施の形態１のごとくエジェクタポンプが外付けされているスクリューポンプに比べ、コンパクトである。このため、複数台のバックポンプを有する真空装置に適用した場合、真空装置全体の占有スペースを低減することができる。
【００６６】
以上の実施の形態では、バックポンプとしてスクリューポンプを例に挙げたが、エジェクタポンプが取り付けられるか内蔵される本発明による真空ポンプは、ルーツポンプ等であってもよい。
【００６７】
また、本発明による真空ポンプは、その背圧がエジェクタポンプの効果があらわれる圧力範囲であるならば、多段構成のうちのバックポンプに限らず、一段の真空ポンプとして使用することも可能である。さらに、用途としては、半導体装置を製造するための真空装置に限定されるものではない。
【００６８】
【発明の効果】
本発明による真空装置、真空ポンプによれば、従来に比べて真空ポンプの消費電力を抑制することができると共に、その結果として半導体装置の製造コストを削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用される半導体製造用の真空装置を示す概略図である。
【図２】（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施の形態１による真空装置における最後段の真空ポンプとしてのスクリューポンプを示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１による真空装置におけるエジェクタポンプを示す断面図である。
【図４】（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施の形態２による真空装置における最後段の真空ポンプとしてのスクリューポンプを示す断面図である。
【図５】本発明の作用効果を説明するための、吸入圧力とポンプの消費電力との関係を比較例と共に示す図である。
【符号の説明】
１、２、３    高真空ポンプ
４ａ、５ａ、６ａ  ブースターポンプ
４ｂ、５ｂ、６ｂ  バックポンプ
１０、１１、１２    反応チャンバ
２５    雄ロータ
２６    雌ロータ
２７、２８    回転軸
３１、３２    タイミングギア
３３    冷却ジャケット
４２    主ケーシング
４３    端板
４６、５５    副ケーシング
５６    吸入ポート
５７    吐出ポート
６０    エジェクタポンプ（エジェクタポンプ部）
６２    吸入口
６３    ガス導入口
６４    デフューザ
６５    吐出口
【図１】
2004263635.tif 000003
【図２】
2004263635.tif 000004
【図３】
2004263635.tif 000005
【図４】
2004263635.tif 000006
【図５】
2004263635.tif 000007