(57)【要約】【課題】撮像対象を良好な画質で撮像することができる観測装置を提供する。【解決手段】本発明の観測装置１は、容器１１に接続された観察室４と、観察室４を介して容器１１内に収容された撮像対象１００を撮像するためのカメラ２と、観察室４の空洞内にガス９を導入するためのガス導入部７とを具備する。観察室４は、観察室４の空洞を容器１１の内部に接続するためのピンホール８と、カメラ２による撮像を可能とする窓材６とを有する。これにより、ガス９がピンホール８を介して容器内に流れ込むため、容器内で飛来する蒸着物１０５が窓材６に付着することを防止することができ、撮像対象を良好な画質で撮像することができる。【選択図】　図１
2004109828.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器に接続され、内部が空洞の観察室と、
レンズを有し、前記観察室の空洞を介して前記容器内に収容された撮像対象を撮像するためのカメラと、
前記空洞内にガスを導入するためのガス導入部とを具備し、
前記観察室は、前記空洞を前記容器の内部に接続するためのピンホールと、前記カメラによる前記撮像を可能とする窓材とを有し、
前記レンズの光軸は、前記窓材と前記ピンホールと前記撮像対象とに通じる
観測装置。
【請求項２】
請求項１に記載の観測装置において、
前記容器は、真空容器である
観測装置。
【請求項３】
容器に接続され、内部が空洞の観察室と、
レンズを有し、前記観察室の空洞を介して前記容器内に収容された撮像対象を撮像するためのカメラと、
前記空洞内にガスを導入するためのガス導入部とを具備し、
前記観察室は、前記空洞を前記容器の内部に接続するためのピンホールを有し、
前記レンズの光軸は、前記ピンホールと前記撮像対象とに通じる
観測装置。
【請求項４】
金属が収容された真空容器と、
前記真空容器内で前記金属を溶融するための加熱部と、
前記真空容器に接続され、内部が空洞の観察室と、
レンズを有し、前記観察室の空洞を介して前記金属を撮像するためのカメラと、
前記空洞内にガスを導入するためのガス導入部とを具備し、
前記観察室は、前記空洞を前記真空容器の内部に接続するためのピンホールと、前記カメラによる前記撮像を可能とする窓材とを有し、
前記レンズの光軸は、前記窓材と前記ピンホールと前記金属とに通じる
真空金属溶融精製装置。
【請求項５】
真空容器と、
前記真空容器内に設けられ、半導体デバイスを形成するための基板を保持する保持機構と、
前記真空容器内に設けられ、前記基板を加工する加工機構と、
前記真空容器に接続され、内部が空洞の観察室と、
レンズを有し、前記観察室の空洞を介して前記基板を撮像するためのカメラと、
前記空洞内にガスを導入するためのガス導入部とを具備し、
前記観察室は、前記空洞を前記真空容器の内部に接続するためのピンホールと、前記カメラによる前記撮像を可能とする窓材とを有し、
前記レンズの光軸は、前記窓材と前記ピンホールと前記基板とに通じる
半導体デバイス製造装置。
【請求項６】
焼却対象が収容された炉と、
前記炉内で前記焼却対象を焼却するための焼却部と、
前記炉に接続され、内部が空洞の観察室と、
レンズを有し、前記観察室の空洞を介して前記焼却対象を撮像するためのカメラと、
前記空洞内にガスを導入するためのガス導入部とを具備し、
前記観察室は、前記空洞を前記炉の内部に接続するためのピンホールと、前記カメラによる前記撮像を可能とする窓材とを有し、
前記レンズの光軸は、前記窓材と前記ピンホールと前記焼却対象とに通じる
焼却炉。
【請求項７】
焼却対象が収容された炉と、
前記炉内で前記焼却対象を焼却するための焼却部と、
前記炉に接続され、内部が空洞の観察室と、
レンズを有し、前記観察室の空洞を介して前記焼却対象を撮像するためのカメラと、
前記空洞内にガスを導入するためのガス導入部とを具備し、
前記観察室は、前記空洞を前記炉の内部に接続するためのピンホールを有し、
前記レンズの光軸は、前記ピンホールと前記基板とに通じる
焼却炉。
【請求項８】
金属の鉱石が収容された炉と、
前記炉内で前記鉱石を加熱して前記金属を溶融するための加熱部と、
前記炉に接続され、内部が空洞の観察室と、
レンズを有し、前記観察室の空洞を介して前記溶融された金属を撮像するためのカメラと、
前記空洞内にガスを導入するためのガス導入部とを具備し、
前記観察室は、前記空洞を前記炉の内部に接続するためのピンホールと、前記カメラによる前記撮像を可能とする窓材とを有し、
前記レンズの光軸は、前記窓材と前記ピンホールと前記溶融された金属とに通じる
溶鉱炉。
【請求項９】
金属の鉱石が収容された炉と、
前記炉内で前記鉱石を加熱して前記金属を溶融するための加熱部と、
前記炉に接続され、内部が空洞の観察室と、
レンズを有し、前記観察室の空洞を介して前記溶融された金属を撮像するためのカメラと、
前記空洞内にガスを導入するためのガス導入部とを具備し、
前記観察室は、前記空洞を前記炉の内部に接続するためのピンホールを有し、
前記レンズの光軸は、前記ピンホールと前記溶融された金属とに通じる
溶鉱炉。
【請求項１０】
焼却灰が収容された炉と、
前記炉内で前記焼却灰を加熱して溶融するための加熱部と、
前記炉に接続され、内部が空洞の観察室と、
レンズを有し、前記観察室の空洞を介して前記溶融された焼却灰を撮像するためのカメラと、
前記空洞内にガスを導入するためのガス導入部とを具備し、
前記観察室は、前記空洞を前記炉の内部に接続するためのピンホールと、前記カメラによる前記撮像を可能とする窓材とを有し、
前記レンズの光軸は、前記窓材と前記ピンホールと前記溶融された焼却灰とに通じる
灰溶融炉。
【請求項１１】
焼却灰が収容された炉と、
前記炉内で前記焼却灰を加熱して溶融するための加熱部と、
前記炉に接続され、内部が空洞の観察室と、
レンズを有し、前記観察室の空洞を介して前記溶融された焼却灰を撮像するためのカメラと、
前記空洞内にガスを導入するためのガス導入部とを具備し、
前記観察室は、前記空洞を前記炉の内部に接続するためのピンホールを有し、
前記レンズの光軸は、前記ピンホールと前記溶融された焼却灰とに通じる
灰溶融炉。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、観測装置に関し、特に、蒸着物が飛来する環境下で撮像対象（被写体）を撮像する観測装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
容器（真空容器）内で金属を溶融する際、溶融された金属が蒸発したときの蒸着物が容器内で飛来する。溶融された金属（撮像対象）をカメラによって撮像するときに、容器に設けられた窓材に蒸着物が付着してしまい、溶融された金属（撮像対象）を良好な画質で撮像することが困難になる。
【０００３】
また、容器（真空容器）内の撮像対象をカメラによって撮像する装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。特許文献１で開示された装置は、真空容器の所定の位置に容器内観測部が設けられた蒸着付着防止装置である。この蒸着付着防止装置は、容器内観測部に装着された外部から真空容器の内部を観測する観測窓と、容器内観測部を観測窓側と真空容器側とに分離する開口付仕切り板と、仕切り板にて分離した観測窓側の容器内観測部に不活性ガスを導入するガス導入系と、仕切り板に形成された開口と同心上に装着されて仕切り板で分離した観測窓側の容器内観測部に導入された不活性ガスを真空容器側に射出するノズルとを具えたことを特徴としている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平８−１３４６４３号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、撮像対象を良好な画質で撮像することができる観測装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、カメラが撮像対象を撮像するときの視野を保つことができる観測装置を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、容器内で飛来する蒸着物がレンズの光軸上の窓に付着することを防止することができる観測装置を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、容器内に流すパージ用のガス量を少なくすることができる観測装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
以下に、［発明の実施の形態］で使用する番号・符号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号・符号は、［特許請求の範囲］の記載と［発明の実施の形態］の記載との対応関係を明らかにするために付加されたものであるが、［特許請求の範囲］に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【０００７】
本発明の観測装置（１／５１）は、観察室（４／５４’’）と、レンズ（３／５３）を有するカメラ（２／５２）と、ガス導入部（７／５７）とを具備する。観察室（４／５４’’）は、容器（１１、２１／６１、７１、８１）に接続され、内部が空洞である。カメラ（２／５２）としては、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ−Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅ）カメラが例示される。このカメラ（２／５２）は、観察室（４／５４’’）を介して容器（１１、２１／６１、７１、８１）内に収容された撮像対象（１００、１１０／１２０、１３１、１４１）を撮像するために使用される。ガス導入部（７／５７）は、観察室（４／５４’’）の空洞内にガス（９／５９）を導入するために使用される。観察室（４／５４’’）は、観察室（４／５４’’）の空洞を容器（１１、２１／６１、７１、８１）の内部に接続するためのピンホール（８／５８）と、カメラ（２／５２）による撮像を可能とする窓材（６／５６）とを有する。カメラ（２／５２）のレンズ（３／５３）の光軸（Ｌ１、Ｌ２／Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５）は、窓材（６／５６）とピンホール（８／５８）と撮像対象（１００、１１０／１２０、１３１、１４１）とに通じる。
【０００８】
本発明の観測装置（１）は、真空金属溶融精製装置（１０）、半導体デバイス製造装置（２０）に適用される。この場合、容器（１１、２１）は真空容器である。真空金属溶融精製装置（１０）では、金属（１００）（撮像対象）を溶融する際、その金属（１００）が蒸発したときの蒸着物（１０５）が真空容器（１１）内で飛来する。半導体デバイス製造装置（２０）では、半導体デバイスを形成するための基板（１１０）（撮像対象）を加工する際、蒸着物（１１５）（不純物、イオン）が真空容器（２１）内で飛来する。
本発明の観測装置（１）は、ガス（９）がピンホール（８）を介して真空容器（１１）内に流れ込むため、真空容器（１１）内で飛来する蒸着物（１０５、１１５）が窓材（６）に付着することを防止することができ、撮像対象を良好な画質で撮像することができる。
本発明の観測装置（１）は、真空容器（１１）内で飛来する蒸着物（１０５、１１５）が窓材（６）に付着することを防止するため、撮像対象をカメラ（２）が撮像するときの視野を保つことができる。
本発明の観測装置（１）では、真空容器（１１）内に流すパージ用のガス（９）の量（ガス量）をピンホール（８）によって少なくすることができ、そのガス（９）を流すための運転費が軽減される。
【０００９】
また、本発明の観測装置（５１）は、焼却炉（６０）、溶鉱炉（７０）、及び、灰溶融炉（８０）に適用される。この場合、容器（６１、７１、８１）は、焼却炉（６０）、溶鉱炉（７０）、及び、灰溶融炉（８０）に備えられる炉（６１、７１、８１）である。焼却炉（６０）では、焼却対象（１２０）が焼却された際、焼却対象（１２０）（撮像対象）が蒸発したときの蒸着物（１２５）が炉（６１）内で飛来する。溶鉱炉（７０）では、鉱石（１３０）を加熱して金属（１３１）を溶融する際、溶融された金属（１３１）（撮像対象）が蒸発したときの蒸着物（１３５）が炉（６１）内で飛来する。灰溶融炉（８０）では、焼却灰（１４０）を加熱して溶融する際、溶融された焼却灰（１４１）（撮像対象）が蒸発したときの蒸着物（１４５）が炉（６１）内で飛来する。
本発明の観測装置（５１）は、ガス（５９）がピンホール（５８）を介して容器内に流れ込むため、容器（６１、７１、８１）内で飛来する蒸着物（１２５、１３５、１４５）が窓材（５６）に付着することを防止することができ、撮像対象を良好な画質で撮像することができる。
本発明の観測装置（５１）は、容器（６１、７１、８１）内で飛来する蒸着物（１２５、１３５、１４５）が窓材（５６）に付着することを防止するため、撮像対象をカメラ（５２）が撮像するときの視野を保つことができる。
本発明の観測装置（５１）では、容器（６１、７１、８１）内に流すパージ用のガス（５９）の量（ガス量）をピンホール（５８）によって少なくすることができ、そのガス（５９）を流すための運転費が軽減される。
【００１０】
上述の観測装置（５１）において、窓材（５６）がない場合、レンズ（５３）の光軸（Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５）は、ピンホール（５８）と撮像対象（１２０、１３１、１４１）とに通じる。この場合でも、本発明の観測装置（５１）は、ガス（５９）がピンホール（５８）を介して容器内に流れ込むため、容器内で飛来する蒸着物（１２５、１３５、１４５）がレンズ（５３）に付着することを防止することができ、撮像対象を良好な画質で撮像することができる。
【００１１】
本発明の真空金属溶融精製装置（１０）は、金属（１００）が収容された真空容器（１１）と、真空容器（１１）内で金属（１００）を溶融するための加熱部（１２）と、観察室（４）と、レンズ（３）を有するカメラ（２）と、ガス導入部（７）とを具備する。観察室（４）は、真空容器（１１）に接続され、内部が空洞である。カメラ（２）としては、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ−Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅ）カメラが例示される。このカメラ（２）は、観察室（４）を介して金属（１００）を撮像するために使用される。ガス導入部（７）は、観察室（４）の空洞内にガス（９）を導入するために使用される。観察室（４）は、観察室（４）の空洞を真空容器（１１）の内部に接続するためのピンホール（８）と、カメラ（２）による撮像を可能とする窓材（６）とを有する。カメラ（２）のレンズ（３）の光軸（Ｌ１）は、窓材（６）とピンホール（８）と金属（１００）とに通じる。
通常、金属（１００）を溶融する際、溶融された金属（１００）が蒸発したときの蒸着物（１０５）が真空容器（１１）内で飛来する。
本発明の真空金属溶融精製装置（１０）は、ガス（９）がピンホール（８）を介して真空容器（１１）内に流れ込むため、真空容器（１１）内で飛来する蒸着物（１０５）が窓材（６）に付着することを防止することができ、金属（１００）（撮像対象）を良好な画質で撮像することができる。
本発明の真空金属溶融精製装置（１０）は、真空容器（１１）内で飛来する蒸着物（１０５）が窓材（６）に付着することを防止するため、金属（１００）（撮像対象）をカメラ（２）が撮像するときの視野を保つことができる。
本発明の真空金属溶融精製装置（１０）では、真空容器（１１）内に流すパージ用のガス（９）の量（ガス量）をピンホール（８）によって少なくすることができ、そのガス（９）を流すための運転費が軽減される。
【００１２】
本発明の半導体デバイス製造装置（２０）は、真空容器（２１）と、真空容器（２１）内に設けられた保持機構（２２）と、真空容器（２１）内に設けられた加工機構（２３）と、観察室（４）と、レンズ（３）を有するカメラ（２）と、ガス導入部（７）とを具備する。保持機構（２２）は、半導体デバイスを形成するための基板（１１０）を保持する。加工機構（２３）は、基板（１１０）を加工する。観察室（４）は、真空容器（２１）に接続され、内部が空洞である。カメラ（２）としては、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ−Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅ）カメラが例示される。このカメラ（２）は、観察室（４）を介して基板（１１０）を撮像するために使用される。ガス導入部（７）は、観察室（４）の空洞内にガス（９）を導入するために使用される。観察室（４）は、観察室（４）の空洞を真空容器（２１）の内部に接続するためのピンホール（８）と、カメラ（２）による撮像を可能とする窓材（６）とを有する。カメラ（２）のレンズ（３）の光軸（Ｌ２）は、窓材（６）とピンホール（８）と基板（１１０）とに通じる。
本発明の半導体デバイス製造装置（２０）としては、スパッタ装置、エッチング装置、熱ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置、プラズマＣＶＤ装置、真空蒸着装置が例示される。通常、加工機構（２３）が基板（１１０）を加工する際、蒸着物（１１５）（不純物、イオンなど）が真空容器（２１）内で飛来する。
本発明の半導体デバイス製造装置（２０）は、ガス（９）がピンホール（８）を介して真空容器（２１）内に流れ込むため、真空容器（２１）内で飛来する蒸着物（１１５）が窓材（６）に付着することを防止することができ、基板（１１０）（撮像対象）を良好な画質で撮像することができる。
本発明の半導体デバイス製造装置（２０）は、真空容器（２１）内で飛来する蒸着物（１１５）が窓材（６）に付着することを防止するため、基板（１１０）（撮像対象）をカメラ（２）が撮像するときの視野を保つことができる。
本発明の半導体デバイス製造装置（２０）では、真空容器（２１）内に流すパージ用のガス（９）の量（ガス量）をピンホール（８）によって少なくすることができ、そのガス（９）を流すための運転費が軽減される。
【００１３】
本発明の焼却炉（６０）は、焼却対象（１２０）が収容された炉（６１）と、炉（６１）内で焼却対象（１２０）を焼却するための焼却部（６２）と、観察室（５４’’）と、レンズ（５３）を有するカメラ（５２）と、ガス導入部（５７）とを具備する。観察室（５４’’）は、炉（６１）に接続され、内部が空洞である。カメラ（５２）としては、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ−Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅ）カメラが例示される。このカメラ（５２）は、観察室（５４’’）を介して焼却対象（１２０）を撮像するために使用される。ガス導入部（５７）は、観察室（５４’’）の空洞内にガス（５９）を導入するために使用される。観察室（５４’’）は、観察室（５４’’）の空洞を炉（６１）の内部に接続するためのピンホール（５８）と、カメラ（５２）による撮像を可能とする窓材（５６）とを有する。カメラ（５２）のレンズ（５３）の光軸（Ｌ３）は、窓材（５６）とピンホール（５８）と焼却対象（１２０）とに通じる。
通常、焼却対象（１２０）が焼却された際、焼却対象（１２０）が蒸発したときの蒸着物（１２５）が炉（６１）内で飛来する。
本発明の焼却炉（６０）は、ガス（５９）がピンホール（５８）を介して炉（６１）内に流れ込むため、炉（６１）内で飛来する蒸着物（１２５）が窓材（５６）に付着することを防止することができ、焼却対象（１２０）（撮像対象）を良好な画質で撮像することができる。
本発明の焼却炉（６０）は、炉（６１）内で飛来する蒸着物（１２５）が窓材（５６）に付着することを防止するため、焼却対象（１２０）（撮像対象）をカメラ（５２）が撮像するときの視野を保つことができる。
本発明の焼却炉（６０）では、炉（６１）内に流すパージ用のガス（５９）の量（ガス量）をピンホール（５８）によって少なくすることができ、そのガス（５９）を流すための運転費が軽減される。
【００１４】
上述の焼却炉（６０）において、窓材（５６）がない場合、レンズ（５３）の光軸（Ｌ３）は、ピンホール（５８）と焼却対象（１２０）とに通じる。この場合でも、本発明の焼却炉（６０）は、ガス（５９）がピンホール（５８）を介して炉（６１）内に流れ込むため、炉（６１）内で飛来する蒸着物（１２５）がレンズ（５３）に付着することを防止することができ、焼却対象（１２０）（撮像対象）を良好な画質で撮像することができる。
【００１５】
本発明の溶鉱炉（７０）は、金属の鉱石（１３０）が収容された炉（７１）と、炉（７１）内で鉱石（１３０）を加熱して金属（１３１）を溶融するための加熱部（７２）と、観察室（５４’’）と、レンズ（５３）を有するカメラ（５２）と、ガス導入部（５７）とを具備する。観察室（５４’’）は、炉（７１）に接続され、内部が空洞である。カメラ（５２）としては、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ−Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅ）カメラが例示される。このカメラ（５２）は、観察室（５４’’）を介して、溶融された金属（１３１）を撮像するために使用される。ガス導入部（５７）は、観察室（５４’’）の空洞内にガス（５９）を導入するために使用される。観察室（５４’’）は、観察室（５４’’）の空洞を炉（７１）の内部に接続するためのピンホール（５８）と、カメラ（５２）による撮像を可能とする窓材（５６）とを有する。カメラ（５２）のレンズ（５３）の光軸（Ｌ４）は、窓材（５６）とピンホール（５８）と溶融された金属（１３１）とに通じる。
通常、鉱石（１３０）を加熱して金属（１３１）（例示：鉄）を溶融する際、溶融された金属（１３１）が蒸発したときの蒸着物（１３５）が炉（７１）内で飛来する。
本発明の溶鉱炉（７０）は、ガス（５９）がピンホール（５８）を介して炉（７１）内に流れ込むため、炉（７１）内で飛来する蒸着物（１３５）が窓材（５６）に付着することを防止することができ、溶融された金属（１３１）（撮像対象）を良好な画質で撮像することができる。
本発明の溶鉱炉（７０）は、炉（７１）内で飛来する蒸着物（１３５）が窓材（５６）に付着することを防止するため、溶融された金属（１３１）（撮像対象）をカメラ（５２）が撮像するときの視野を保つことができる。
本発明の溶鉱炉（７０）では、炉（７１）内に流すパージ用のガス（５９）の量（ガス量）をピンホール（５８）によって少なくすることができ、そのガス（５９）を流すための運転費が軽減される。
【００１６】
上述の溶鉱炉（７０）において、窓材（５６）がない場合、レンズ（５３）の光軸（Ｌ４）は、ピンホール（５８）と溶融された金属（１３１）とに通じる。この場合でも、本発明の溶鉱炉（７０）は、ガス（５９）がピンホール（５８）を介して炉（７１）内に流れ込むため、炉（７１）内で飛来する蒸着物（１３５）がレンズ（５３）に付着することを防止することができ、溶融された金属（１３１）（撮像対象）を良好な画質で撮像することができる。
【００１７】
本発明の灰溶融炉（８０）は、焼却灰（１４０）が収容された炉（８１）と、炉（８１）内で焼却灰（１４０）を加熱して溶融するための加熱部（８２）と、観察室（５４’’）と、レンズ（５３）を有するカメラ（５２）と、ガス導入部（５７）とを具備する。観察室（５４’’）は、炉（８１）に接続され、内部が空洞である。カメラ（５２）としては、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ−ＣｏｕｐｌｅｄＤｅｖｉｃｅ）カメラが例示される。このカメラ（５２）は、観察室（５４’’）を介して、溶融された焼却灰（１４１）を撮像するために使用される。ガス導入部（５７）は、観察室（５４’’）の空洞内にガス（５９）を導入するために使用される。観察室（５４’’）は、観察室（５４’’）の空洞を炉（８１）の内部に接続するためのピンホール（５８）と、カメラ（５２）による撮像を可能とする窓材（５６）とを有する。カメラ（５２）のレンズ（５３）の光軸（Ｌ５）は、窓材（５６）とピンホール（５８）と溶融された焼却灰（１４１）とに通じる。
通常、焼却灰（１４０）を加熱して溶融する際、溶融された焼却灰（１４１）が蒸発したときの蒸着物（１４５）が炉（８１）内で飛来する。
本発明の灰溶融炉（８０）は、ガス（５９）がピンホール（５８）を介して炉（８１）内に流れ込むため、炉（８１）内で飛来する蒸着物（１４５）が窓材（５６）に付着することを防止することができ、溶融された焼却灰（１４１）（撮像対象）を良好な画質で撮像することができる。
本発明の灰溶融炉（８０）は、炉（８１）内で飛来する蒸着物（１４５）が窓材（５６）に付着することを防止するため、溶融された焼却灰（１４１）（撮像対象）をカメラ（５２）が撮像するときの視野を保つことができる。
本発明の灰溶融炉（８０）では、炉（８１）内に流すパージ用のガス（５９）の量（ガス量）をピンホール（５８）によって少なくすることができ、そのガス（５９）を流すための運転費が軽減される。
【００１８】
上述の灰溶融炉（８０）において、窓材（５６）がない場合、レンズ（５３）の光軸（Ｌ５）は、ピンホール（５８）と溶融された焼却灰（１４１）とに通じる。この場合でも、本発明の灰溶融炉（８０）は、ガス（５９）がピンホール（５８）を介して炉（８１）内に流れ込むため、炉（８１）内で飛来する蒸着物（１４５）がレンズ（５３）に付着することを防止することができ、溶融された焼却灰（１４１）（撮像対象）を良好な画質で撮像することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
添付図面を参照して、本発明による観測装置の実施の形態を以下に説明する。
【００２０】
（第１実施形態）
図１は、本発明の観測装置１が適用される真空金属溶融精製装置１０の拡大図である。図１に示されるように、真空金属溶融精製装置１０は、金属１００（例示：鉄）が収容された真空容器１１と、加熱部１２と、観測装置１とを具備する。真空容器１１は、真空ポンプ（図示しない）に接続されている。真空容器１１は、その真空ポンプによって、例えば、１０−４［Ｔｏｒｒ］よりも高真空に排気される。
【００２１】
加熱部１２は、真空容器１１内で金属１００を溶融する。加熱部１２としては、電子ビーム照射装置が例示される。電子ビーム照射装置は、金属１００を溶融するための電子ビームを金属１００に照射する。
【００２２】
観測装置１は、レンズ３を有するカメラ２と、観察室４と、ガス導入部７とを具備する。観察室４は、真空容器１１に接続され、内部が空洞である。カメラ２は、真空容器１１の外に設けられている。カメラ２としては、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ−Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅ）カメラが例示される。
【００２３】
観察室４は、透明な窓材６と、部材５とを有する。この観察室４は、部材５と窓材６とによって囲われている。カメラ２は、観察室４を介して金属１００を撮像するために使用され、カメラ２のレンズ３の口径は、なるべく大きいことが好ましい。窓材６は、カメラ２による撮像を可能とし、金属１００とカメラ２との間に設けられている。部材５には、ピンホール８が設けられている。ピンホール８は、観察室４の空洞を真空容器１１の内部に接続するために使用される。カメラ２のレンズ３の光軸Ｌ１は、窓材６とピンホール８と金属１００とに通じる。
【００２４】
ガス導入部７は、部材５を貫通し、観察室４に導かれる。このガス導入部７は、パージ用のガス９を観察室４の空洞内に導入するために使用される。観察室４は、ガス導入部７を介して、ガスボンベ（図示しない）に接続されている。本発明の観測装置１に適用される真空金属溶融精製装置１０では、ガス導入部７によってガス９の流量を調整することにより、そのガスボンベからのガス９が観察室４の空洞内に導入される。このとき、ガス９は、ピンホール８を介して真空容器１１内に流れ込む。
ピンホール８の直径［ｍｍ］が小さすぎると回折によりカメラ２が撮像するときの画像がぼけてしまい、ピンホール８の直径［ｍｍ］が大きすぎるとパージの効果がでない。本発明の観測装置１に適用される真空金属溶融精製装置１０では、ピンホール８の直径は、回折がなく且つパージの効果がでるように予めに決定される。回折の影響を受け難くするためには、ピンホール８の直径が可視光で０．３［ｍｍ］以上、赤外光（１０［μｍ］）で２［ｍｍ］以上であることが好ましい。
【００２５】
通常、電子ビームで金属１００を溶融する際、溶融された金属１００が蒸発したときの蒸着物１０５が真空容器１１内で飛来する。溶融された金属１００（撮像対象）をカメラ２によって撮像するときに、真空容器１１内で飛来する蒸着物１０５が窓材６に付着してしまい、金属１００（撮像対象）を良好な画質で撮像することが困難になる。
【００２６】
本発明の観測装置１に適用される真空金属溶融精製装置１０は、ガス９がピンホール８を介して真空容器１１内に流れ込むため、真空容器１１内で飛来する蒸着物１０５が窓材６に付着することを防止することができ、金属１００（撮像対象）を良好な画質で撮像することができる。
本発明の観測装置１に適用される真空金属溶融精製装置１０は、真空容器１１内で飛来する蒸着物１０５が窓材６に付着することを防止するため、溶融された金属１００（撮像対象）をカメラ２が撮像するときの視野を保つことができる。
本発明の観測装置１に適用される真空金属溶融精製装置１０では、真空容器１１内に流すパージ用のガス９の量（ガス量）をピンホール８によって少なくすることができ、そのガス９を流すための運転費が軽減される。
【００２７】
なお、加熱部１２として、コイルと高周波供給装置とが使用されてもよい。この場合、金属１００の周辺にはコイルが設けられている。高周波供給装置は、金属１００を溶融するための高周波をそのコイルに供給する。この高周波による誘導加熱によって金属１００を溶融する際、溶融された金属１００が蒸発したときの蒸着物１０５が真空容器１１内で飛来する。
この場合でも、本発明の観測装置１に適用される真空金属溶融精製装置１０は、ガス９がピンホール８を介して真空容器１１内に流れ込むため、真空容器１１内で飛来する蒸着物１０５が窓材６に付着することを防止することができ、金属１００（撮像対象）を良好な画質で撮像することができる。
【００２８】
（第２実施形態）
図２は、本発明の観測装置１が適用される半導体デバイス製造装置２０の拡大図である。半導体デバイス製造装置２０としては、スパッタ装置、エッチング装置、熱ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置、プラズマＣＶＤ装置、真空蒸着装置が例示される。ここで、第２実施形態では、第１実施形態と重複する説明は省略する。
【００２９】
図２に示されるように、半導体デバイス製造装置２０は、真空容器２１と、真空容器２１内に設けられた保持機構２２と、真空容器２１内に設けられた加工機構２３と、観測装置１とを具備する。真空容器２１は、真空ポンプ（図示しない）に接続されている。真空容器２１は、その真空ポンプによって、例えば、１０−４［Ｔｏｒｒ］よりも高真空に排気される。
【００３０】
保持機構２２は、半導体デバイスを形成するための基板１１０を保持する。加工機構２３は、基板１１０を加工する。
【００３１】
観測装置１は、第１実施形態と同様である。この場合、観察室４は真空容器２１に接続されている。カメラ２は、基板１１０を撮像するために使用される。窓材６は、基板１１０とカメラ２との間に設けられている。ピンホール８は、観察室４の空洞を真空容器２１の内部に接続するために使用される。カメラ２のレンズ３の光軸Ｌ２は、窓材６とピンホール８と基板１１０とに通じる。
【００３２】
ピンホール８の直径［ｍｍ］が小さすぎると回折によりカメラ２が撮像するときの画像がぼけてしまい、ピンホール８の直径［ｍｍ］が大きすぎるとパージの効果がでない。本発明の観測装置１に適用される半導体デバイス製造装置２０では、ピンホール８の直径は、回折がなく且つパージの効果がでるように予めに決定される。回折の影響を受け難くするためには、ピンホール８の直径が可視光で０．３［ｍｍ］以上、赤外光（１０［μｍ］）で２［ｍｍ］以上であることが好ましい。
【００３３】
通常、加工機構２３が基板１１０を加工する際、蒸着物１１５（不純物、イオンなど）が真空容器２１内で飛来する。基板１１０（撮像対象）をカメラ２によって撮像するときに、真空容器２１内で飛来する蒸着物１１５が窓材６に付着してしまい、基板１１０（撮像対象）を良好な画質で撮像することが困難になる。
【００３４】
本発明の観測装置１に適用される半導体デバイス製造装置２０は、ガス９がピンホール８を介して真空容器２１内に流れ込むため、真空容器２１内で飛来する蒸着物１１５が窓材６に付着することを防止することができ、基板１１０（撮像対象）を良好な画質で撮像することができる。
本発明の観測装置１に適用される半導体デバイス製造装置２０は、真空容器２１内で飛来する蒸着物１１５が窓材６に付着することを防止するため、基板１１０（撮像対象）をカメラ２が撮像するときの視野を保つことができる。
本発明の観測装置１に適用される半導体デバイス製造装置２０では、真空容器２１内に流すパージ用のガス９の量（ガス量）をピンホール８によって少なくすることができ、そのガス９を流すための運転費が軽減される。
【００３５】
なお、半導体デバイス製造装置２０がプラズマＣＶＤ装置である場合、観察室４に導入されるガス９として、基板１１０に薄膜を形成させるためのガスが使用されることが好ましい。この場合、真空容器２１は、他のガス導入部を介して、他のガスボンベ（上記と同じガスボンベでもよい）に接続されている。他のガス導入部によってガスの流量を調整することにより、真空容器２１には、他のガスボンベからのガスが封入される。
加工機構２３は、真空容器２１内に設けられた第１電極（駆動電極）と、プラズマ発生用電源とを含み、保持機構２２は、真空容器２１内に第１電極から離れて設けられた第２電極（接地電極）を含む。第２電極には、半導体デバイスを形成するための基板１１０が設けられる。第２電極は、真空容器２１と共に接地されている。プラズマ発生用電源は、伝送路を介して、第１電極に接続されている。そのプラズマ発生用電源は、真空容器２１内にプラズマを発生するための電圧を第１電極と第２電極との間に供給する。このとき、真空容器２１内で発生するプラズマによって基板１１０に薄膜が形成される（基板１１０が加工される）。
この場合でも、本発明の観測装置１に適用される半導体デバイス製造装置２０は、ガス９がピンホール８を介して真空容器２１内に流れ込むため、真空容器２１内で飛来する蒸着物１１５が窓材６に付着することを防止することができ、基板１１０（撮像対象）を良好な画質で撮像することができる。
【００３６】
（第３実施形態）
図３は、本発明の観測装置５１が適用される焼却炉６０の拡大図である。図３に示されるように、焼却炉６０は、炉６１と、焼却部６２と、観測装置５１とを具備する。
【００３７】
炉６１は、焼却対象１２０が収容される容器である。焼却部６２は、炉６１内で焼却対象１２０を焼却する。焼却部６２としては、バーナーが例示される。
【００３８】
観測装置５１は、レンズ５３を有するカメラ５２と、観察室５４と、ガス導入部５７、フィルタ４１と、伸縮自在なフレキホース４２とを具備する。フレキホース４２は観察室５４に接続され、観察室５４は炉６１に接続され、内部が空洞である。カメラ５２としては、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ−Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅ）カメラが例示される。
【００３９】
観察室５４は、透明な窓材５６と、部材５５とを有する。この観察室５４は、部材５５によって囲われている。部材５５としては、焼却部６２（バーナー）によって観察室５４が破損することを防ぐための水冷ジャケットが例示される。観察室５４は、フレキホース４２に接続された第１観察室５４’と、第２観察室５４’’とに分けられる。カメラ５２は、第１観察室５４’内に設けられている。カメラ５２は、第２観察室５４’’を介して焼却対象１２０を撮像するために使用され、カメラ５２のレンズ５３の口径は、なるべく大きいことが好ましい。窓材５６は、カメラ５２による撮像を可能とする。この窓材５６は、観察室５４を第１観察室５４’と第２観察室５４’’とに分けるために、焼却対象１２０とカメラ５２との間に、観察室５４内に設けられている。フィルタ４１は、明るさを調整するものであり、窓材５６とカメラ５２との間に、第１観察室５４’内に設けられている。第２観察室５４’’の部材５５には、ピンホール５８が設けられている。ピンホール５８は、観察室５４（第２観察室５４’’）の空洞を炉６１の内部に接続するために使用される。カメラ５２のレンズ５３の光軸Ｌ３は、フィルタ４１と窓材５６とピンホール５８と焼却対象１２０とに通じる。
【００４０】
ガス導入部５７は、第１観察室５４’の部材５５と窓材５６とを貫通し、第２観察室５４’’に導かれる。このガス導入部５７は、パージ用のガス５９を観察室５４の空洞内に導入するために使用される。第２観察室５４’’は、ガス導入部５７を介して、ガスボンベ（図示しない）に接続されている。本発明の観測装置５１に適用される焼却炉６０では、ガス導入部５７によってガス５９の流量を調整することにより、そのガスボンベからのガス５９が第２観察室５４’’の空洞内に導入される。このとき、ガス５９は、ピンホール５８を介して炉６１内に流れ込む。
ピンホール５８の直径［ｍｍ］が小さすぎると回折によりカメラ５２が撮像するときの画像がぼけてしまい、ピンホール５８の直径［ｍｍ］が大きすぎるとパージの効果がでない。本発明の観測装置５１に適用される焼却炉６０では、ピンホール５８の直径は、回折がなく且つパージの効果がでるように予めに決定される。回折の影響を受け難くするためには、ピンホール５８の直径が可視光で０．３［ｍｍ］以上、赤外光（１０［μｍ］）で２［ｍｍ］以上であることが好ましい。
【００４１】
通常、焼却対象１２０が焼却された際、焼却対象１２０が蒸発したときの蒸着物１２５が炉６１内で飛来する。焼却対象１２０（撮像対象）をカメラ５２によって撮像するときに、炉６１内で飛来する蒸着物１２５が窓材５６に付着してしまい、焼却対象１２０（撮像対象）を良好な画質で撮像することが困難になる。
【００４２】
本発明の観測装置５１に適用される焼却炉６０は、ガス５９がピンホール５８を介して炉６１内に流れ込むため、炉６１内で飛来する蒸着物１２５が窓材５６に付着することを防止することができ、焼却対象１２０（撮像対象）を良好な画質で撮像することができる。
本発明の観測装置５１に適用される焼却炉６０は、炉６１内で飛来する蒸着物１２５が窓材５６に付着することを防止するため、焼却対象１２０（撮像対象）をカメラ５２が撮像するときの視野を保つことができる。
本発明の観測装置５１に適用される焼却炉６０では、炉６１内に流すパージ用のガス５９の量（ガス量）をピンホール５８によって少なくすることができ、そのガス５９を流すための運転費が軽減される。
【００４３】
また、第３実施形態の変形例として、図４に示されるように、窓材５６がない場合、カメラ５２のレンズ５３の光軸Ｌ３は、フィルタ４１とピンホール５８と焼却対象１２０とに通じる。焼却対象１２０をカメラ５２によって撮像するときに、真空容器６１内で飛来する蒸着物１２５がレンズ５３に付着してしまい、良好な画質で撮像することが困難になる。
この場合でも、本発明の観測装置５１に適用される焼却炉６０は、ガス５９がピンホール５８を介して炉６１内に流れ込むため、炉６１内で飛来する蒸着物１２５がレンズ５３に付着することを防止することができ、焼却対象１２０（撮像対象）を良好な画質で撮像することができる。
【００４４】
（第４実施形態）
図５は、本発明の観測装置５１が適用される溶鉱炉７０の拡大図である。ここで、第４実施形態では、第３実施形態と重複する説明は省略する。図５に示されるように、溶鉱炉７０は、炉７１と、加熱部７２と、加熱導入部７３と、観測装置５１とを具備する。
【００４５】
炉７１は、金属（例示：鉄）の鉱石１３０が収容（導入）される容器である。鉱石１３０は、溶剤、コークスと共に、加熱導入部７３から炉７１に導入される。加熱部７２としては、バーナーが例示される。このバーナーによって、炉７１内で鉱石１３０が加熱され金属１３１が溶融される。
【００４６】
観測装置５１は、第３実施形態と同様である。この場合、観察室５４は炉７１に接続されている。部材５５としては、加熱部７２（バーナー）によって観察室５４が破損することを防ぐための水冷ジャケットが例示される。カメラ５２は、第２観察室５４’’を介して、溶融された金属１３１を撮像するために使用される。窓材５６は、溶融された金属１３１とカメラ５２との間に設けられている。ピンホール５８は、観察室５４（第２観察室５４’’）の空洞を炉７１の内部に接続するために使用される。カメラ５２のレンズ５３の光軸Ｌ４は、フィルタ４１と窓材５６とピンホール５８と溶融された金属１３１とに通じる。
【００４７】
本発明の観測装置５１に適用される溶鉱炉７０では、ガス導入部５７によってガス５９の流量を調整することにより、そのガスボンベからのガス５９が第２観察室５４’’の空洞内に導入される。このとき、ガス５９は、ピンホール５８を介して炉７１内に流れ込む。
ピンホール５８の直径［ｍｍ］が小さすぎると回折によりカメラ５２が撮像するときの画像がぼけてしまい、ピンホール５８の直径［ｍｍ］が大きすぎるとパージの効果がでない。本発明の観測装置５１に適用される溶鉱炉７０では、ピンホール５８の直径は、回折がなく且つパージの効果がでるように予めに決定される。回折の影響を受け難くするためには、ピンホール５８の直径が可視光で０．３［ｍｍ］以上、赤外光（１０［μｍ］）で２［ｍｍ］以上であることが好ましい。
【００４８】
通常、鉱石１３０を加熱して金属１３１を溶融する際、溶融された金属１３１が蒸発したときの蒸着物１３５が炉７１内で飛来する。溶融された金属１３１（撮像対象）をカメラ５２によって撮像するときに、炉７１内で飛来する蒸着物１３５が窓材５６に付着してしまい、溶融された金属１３１（撮像対象）を良好な画質で撮像することが困難になる。
【００４９】
本発明の観測装置５１に適用される溶鉱炉７０は、ガス５９がピンホール５８を介して炉７１内に流れ込むため、炉７１内で飛来する蒸着物１３５が窓材５６に付着することを防止することができ、溶融された金属１３１（撮像対象）を良好な画質で撮像することができる。
本発明の観測装置５１に適用される溶鉱炉７０は、炉７１内で飛来する蒸着物１３５が窓材５６に付着することを防止するため、溶融された金属１３１（撮像対象）をカメラ５２が撮像するときの視野を保つことができる。
本発明の観測装置５１に適用される溶鉱炉７０では、炉７１内に流すパージ用のガス５９の量（ガス量）をピンホール５８によって少なくすることができ、そのガス５９を流すための運転費が軽減される。
【００５０】
なお、加熱部７２として、上部電極と下部電極とプラズマ発生用電源とを含む機構が使用されてもよい。この場合、上部電極と下部電極とは、炉７１内に設けられている。プラズマ発生用電源は、炉７１内にプラズマを発生するための電圧を上部電極と下部電極との間に供給する。このプラズマによって鉱石１３０を加熱して金属１３１を溶融する際、溶融された金属１３１が蒸発したときの蒸着物１３５が炉７１内で飛来する。
この場合でも、本発明の観測装置５１に適用される溶鉱炉７０は、ガス５９がピンホール５８を介して炉７１内に流れ込むため、炉７１内で飛来する蒸着物１３５が窓材５６に付着することを防止することができ、溶融された金属１３１（撮像対象）を良好な画質で撮像することができる。
【００５１】
また、第４実施形態の変形例として、図６に示されるように、窓材５６がない場合、カメラ５２のレンズ５３の光軸Ｌ４は、フィルタ４１とピンホール５８と溶融された金属１３１とに通じる。溶融された金属１３１をカメラ５２によって撮像するときに、真空容器７１内で飛来する蒸着物１３５がレンズ５３に付着してしまい、良好な画質で撮像することが困難になる。
この場合でも、本発明の観測装置５１に適用される溶鉱炉７０は、ガス５９がピンホール５８を介して炉７１内に流れ込むため、炉７１内で飛来する蒸着物１３５がレンズ５３に付着することを防止することができ、溶融された金属１３１（撮像対象）を良好な画質で撮像することができる。
【００５２】
（第５実施形態）
図７は、本発明の観測装置５１が適用される灰溶融炉８０の拡大図である。ここで、第５実施形態では、第３実施形態、第４実施形態と重複する説明は省略する。図７に示されるように、灰溶融炉８０は、炉８１と、加熱部８２と、焼却灰導入部８３と、観測装置５１とを具備する。
【００５３】
炉８１は、焼却灰１４０が収容される容器である。焼却灰１４０は、焼却灰導入部８３から炉８１に導入される。加熱部８２としては、バーナーが例示される。このバーナーによって、炉８１内で焼却灰１４０が加熱されて溶融される。
【００５４】
観測装置５１は、第３実施形態、第４実施形態と同様である。この場合、観察室５４は炉８１に接続されている。部材５５としては、加熱部８２（バーナー）によって観察室５４が破損することを防ぐための水冷ジャケットが例示される。カメラ５２は、第２観察室５４’’を介して、溶融された焼却灰１４１を撮像するために使用される。窓材５６は、溶融された焼却灰１４１とカメラ５２との間に設けられている。ピンホール５８は、観察室５４（第２観察室５４’’）の空洞を炉８１の内部に接続するために使用される。カメラ５２のレンズ５３の光軸Ｌ５は、フィルタ４１と窓材５６とピンホール５８と溶融された焼却灰１４１とに通じる。
【００５５】
本発明の観測装置５１に適用される灰溶融炉８０では、ガス導入部５７によってガス５９の流量を調整することにより、そのガスボンベからのガス５９が第２観察室５４’’の空洞内に導入される。このとき、ガス５９は、ピンホール５８を介して炉８１内に流れ込む。
ピンホール５８の直径［ｍｍ］が小さすぎると回折によりカメラ５２が撮像するときの画像がぼけてしまい、ピンホール５８の直径［ｍｍ］が大きすぎるとパージの効果がでない。本発明の観測装置５１に適用される灰溶融炉８０では、ピンホール５８の直径は、回折がなく且つパージの効果がでるように予めに決定される。回折の影響を受け難くするためには、ピンホール５８の直径が可視光で０．３［ｍｍ］以上、赤外光（１０［μｍ］）で２［ｍｍ］以上であることが好ましい。
【００５６】
通常、焼却灰１４０を加熱して溶融する際、溶融された焼却灰１４１が蒸発したときの蒸着物１４５が炉８１内で飛来する。溶融された焼却灰１４１（撮像対象）をカメラ５２によって撮像するときに、炉８１内で飛来する蒸着物１４５が窓材５６に付着してしまい、溶融された焼却灰１４１（撮像対象）を良好な画質で撮像することが困難になる。
【００５７】
本発明の観測装置５１に適用される灰溶融炉８０は、ガス５９がピンホール５８を介して炉８１内に流れ込むため、炉８１内で飛来する蒸着物１４５が窓材５６に付着することを防止することができ、溶融された焼却灰１４１（撮像対象）を良好な画質で撮像することができる。
本発明の観測装置５１に適用される灰溶融炉８０は、炉８１内で飛来する蒸着物１４５が窓材５６に付着することを防止するため、溶融された焼却灰１４１（撮像対象）をカメラ５２が撮像するときの視野を保つことができる。
本発明の観測装置５１に適用される灰溶融炉８０では、炉８１内に流すパージ用のガス５９の量（ガス量）をピンホール５８によって少なくすることができ、そのガス５９を流すための運転費が軽減される。
【００５８】
なお、加熱部８２として、上部電極と下部電極とプラズマ発生用電源とを含む機構が使用されてもよい。この場合、上部電極と下部電極とは、炉８１内に設けられている。プラズマ発生用電源は、炉８１内にプラズマを発生するための電圧を上部電極と下部電極との間に供給する。このプラズマによって焼却灰１４０を加熱して溶融する際、溶融された焼却灰１４１が蒸発したときの蒸着物１４５が炉８１内で飛来する。
この場合でも、本発明の観測装置５１に適用される灰溶融炉８０は、ガス５９がピンホール５８を介して炉８１内に流れ込むため、炉８１内で飛来する蒸着物１４５が窓材５６に付着することを防止することができ、溶融された焼却灰１４１（撮像対象）を良好な画質で撮像することができる。
【００５９】
また、第５実施形態の変形例として、図８に示されるように、窓材５６がない場合、カメラ５２のレンズ５３の光軸Ｌ５は、フィルタ４１とピンホール５８と溶融された焼却灰１４１とに通じる。溶融された焼却灰１４１をカメラ５２によって撮像するときに、真空容器８１内で飛来する蒸着物１４５がレンズ５３に付着してしまい、良好な画質で撮像することが困難になる。
この場合でも、本発明の観測装置５１に適用される溶鉱炉７０は、ガス５９がピンホール５８を介して炉８１内に流れ込むため、炉８１内で飛来する蒸着物１４５がレンズ５３に付着することを防止することができ、溶融された焼却灰１４１（撮像対象）を良好な画質で撮像することができる。
【００６０】
【発明の効果】
以上の説明により、本発明の観測装置は、撮像対象を良好な画質で撮像することができる。
本発明の観測装置は、カメラが撮像対象を撮像するときの視野を保つことができる。
本発明の観測装置は、容器内で飛来する蒸着物がレンズの光軸上の窓材に付着することを防止することができる。
本発明の観測装置は、容器内に流すパージ用のガス量を少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の観測装置が適用される真空金属溶融精製装置の拡大図である。
【図２】本発明の観測装置が適用される半導体デバイス製造装置の拡大図である。
【図３】本発明の観測装置が適用される焼却炉の拡大図である。
【図４】本発明の観測装置が適用される焼却炉の拡大図である。
【図５】本発明の観測装置が適用される溶鉱炉の拡大図である。
【図６】本発明の観測装置が適用される溶鉱炉の拡大図である。
【図７】本発明の観測装置が適用される灰溶融炉の拡大図である。
【図８】本発明の観測装置が適用される灰溶融炉の拡大図である。
【符号の説明】
１、５１　　観測装置
２、５２　　カメラ
３、５３　　レンズ
４、５４　　観察室
５、５５　　部材
６、５６　　窓材
７、５７　　ガス導入部
８、５８　　ピンホール
９、５９　　ガス
１０　　真空金属溶融精製装置
１１　　真空容器
１２、７２、８２　　加熱部
２０　　半導体デバイス製造装置
２１　　真空容器
２２　　保持機構
２３　　加工機構
４１　　フィルタ
４２　　フレキホース
５４’　第１観察室
５４’’　第２観察室
６０　　焼却炉
６１、７１、８１　　炉
６２　　焼却部
７０　　溶鉱炉
７３　　加熱導入部
８０　　灰溶融炉
８３　　焼却灰導入部
１００　　金属
１０５、１１５、１２５、１３５、１４５　　蒸着物
１１０　　基板
１２０　　焼却対象
１３０　　鉱石
１３１　　金属（溶融された金属）
１４０　　焼却灰
１４１　　焼却灰（溶融された焼却灰）
【図１】
2004109828.tif 000003
【図２】
2004109828.tif 000004
【図３】
2004109828.tif 000005
【図４】
2004109828.tif 000006
【図５】
2004109828.tif 000007
【図６】
2004109828.tif 000008
【図７】
2004109828.tif 000009
【図８】
2004109828.tif 000010