(57)【要約】【課題】光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類を経済的に効率良く提供する。【解決手段】一般式（１）【化１】2004115488.tif 000007（式中Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ、水素原子または有機残基を表す）で表されるα−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類を、不斉配位子と遷移金属の錯体を層状化合物に固定化した触媒を用いて、不斉水素化反応を行うことにより、一般式（２）【化２】2004115488.tif 000008（式中Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ、水素原子または有機残基を表し、＊は不斉炭素を表す）で表される光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類を製造する。【選択図】　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
2004115488.tif 000005
（式中Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ、水素原子または有機残基を表す）で表されるα−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類を、不斉配位子と遷移金属の錯体を層状化合物に固定化した触媒を用いて、不斉水素化反応を行うことを特徴とする、一般式（２）
【化２】
2004115488.tif 000006
（式中Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ、水素原子または有機残基を表し、＊は不斉炭素を表す）で表される光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明方法により製造される光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類は、例えば、医農薬、香料および液晶分野での中間体原料として有用であり、例えば、血圧降下剤であるカプトプリルの合成等に用いられる有用な化合物である。
【０００２】
【従来の技術】
現在知られている光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類の製造方法としては、例えば、ファインケミカル，ｖｏｌ．２６，Ｎｏ．８，３０（１９９７）には、キャンディダ属等の微生物の代謝経路を利用して、イソ酪酸から光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類を得る方法が記載されている。
【０００３】
また、ＷＯ９５／３４５２５号公報には、ラセミ体の３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類を不斉加水分解酵素により、光学活性なカルボン酸エステルとその対掌カルボン酸に分割する光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類を得る方法が記載されている。
【０００４】
さらに、特開２０００−１２８８３２号公報には、α−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類を、不斉配位子と遷移金属の均一系錯体を触媒とする不斉水素化反応に付すことにより、光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類を得る方法が本願発明者らにより開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、微生物の代謝経路を利用する光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類の製造方法では、補酵素の再生系が必要であり、エネルギー源としてＡＴＰが必須となるため、代謝系を活性化するため、好気的条件下にグルコース等のエネルギー源を補給しながら培養する必要がある。従って、培養に時間がかかる，高濃度生産が困難である，無菌状態が必要である，菌体の再利用が困難である等の問題点を有している。
【０００６】
また、加水分解酵素による製造方法では、目的物の光学活性体を得る手段として、一旦ラセミ体を合成し、これを光学分割する方法を用いているため、工程数が長く、さらには、目的とする光学活性体の収率が最大５０％であり、製品を大量生産する場合において、生産効率や製造原価の点で充分であるとは言えない。
【０００７】
また、不斉配位子と遷移金属の錯体を触媒とする不斉水素化反応による製造方法では、高価な触媒を用いるため、該触媒の分離回収が煩雑になり、工業的に製造するには改善の余地があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、効率的に光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類を製造する方法を見いだすべく鋭意研究を重ねた結果、一般式（１）で表されるα−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類を、不斉配位子と遷移金属の錯体を層状化合物に固定化した触媒を用いて、不斉水素化反応により、目的物の光学活性体が従来法よりも著しく短工程で効率的に得られ、触媒の分離・再利用も容易であることを見いだし、本発明を完成するに至った。
【０００９】
即ち本発明は、一般式（１）
【００１０】
【化３】
2004115488.tif 000002
（式中Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ、水素原子または有機残基を表す）で表されるα−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類を、不斉配位子と遷移金属の錯体を層状化合物に固定化した触媒を用いて、不斉水素化反応を行うことを特徴とする、一般式（２）
【００１１】
【化４】
2004115488.tif 000003
（式中Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ、水素原子または有機残基を表し、＊は不斉炭素を表す）で表される光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類の製造方法に関するものである。
【００１２】
以下に本発明を詳しく説明する。本発明にかかる一般式（１）で表されるα−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類は、特に限定されるものではないが、式中、Ｒ１で表される置換基が水素原子または有機残基で構成され、Ｒ２で表される置換基が水素原子または有機残基で構成される化合物である。
【００１３】
上記Ｒ１、Ｒ２で示される置換基のうち、有機残基とは、具体的には、炭素数１〜１８の直鎖状、分枝鎖状、若しくは環状のアルキル基；炭素数１〜８のヒドロキシアルキル基；炭素数２〜２０のアルコキシアルキル基；炭素数１〜８のハロゲン化アルキル基；アリール基が挙げられる。
【００１４】
上記一般式（１）で表されるα−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類としては、具体的には、α−ヒドロキシメチルアクリル酸、α−ヒドロキシメチルアクリル酸メチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸エチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸プロピル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸ブチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸２−エチルヘキシル、α−（１−ヒドロキシエチル）アクリル酸、α−（１−ヒドロキシエチル）アクリル酸メチル、α−（１−ヒドロキシエチル）アクリル酸エチル、α−（１−ヒドロキシエチル）アクリル酸プロピル、α−（１−ヒドロキシエチル）アクリル酸ブチル、α−（１−ヒドロキシエチル）アクリル酸２−エチルヘキシル等が挙げられる。これらのうち、α−ヒドロキシメチルアクリル酸、α−ヒドロキシメチルアクリル酸メチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸エチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸プロピル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸ブチルが好適に用いられる。
【００１５】
本発明における、不斉配位子と遷移金属の錯体を層状化合物に固定化した触媒を用いる不斉水素化反応において、触媒として使用される遷移金属錯体の中心金属としては、具体的には、鉄、コバルト、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金が挙げられる。これらのうち、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、パラジウムが好適に用いられる。
【００１６】
また、本発明における、不斉配位子と遷移金属の錯体を触媒とする不斉水素化反応において、触媒として使用される遷移金属錯体の不斉配位子としては、不斉ホスフィン配位子、不斉アルコール配位子、不斉アミン配位子、不斉オキシム配位子等が挙げられる。これらのうち、不斉ホスフィン配位子が好適に用いられる。不斉ホスフィン配位子としては、特に限定されるものではないが、具体的には、例えば、Ｒ−またはＳ−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（以下、Ｒ−，Ｓ−ＢＩＮＡＰと略す）、（−）−または（十）−１，２−ビス（（２Ｒ，５Ｒ）−または（２Ｓ，５Ｓ）−ジメチルホスフィノ）ベンゼン（（Ｒ，Ｒ）−，（Ｓ，Ｓ）−Ｍｅ−ＤＵＰＨＯＳと略す）、（−）−または（十）−１，２−ビス（（２Ｒ，５Ｒ）−または（２Ｓ，５Ｓ）−ジエチルホスフィノ）ベンゼン（（Ｒ，Ｒ）−，（Ｓ，Ｓ）−Ｅｔ−ＤＵＰＨＯＳと略す）、（４Ｒ，５Ｒ）−または（４Ｓ，５Ｓ）−（（−）−または（＋））−４，５−ビス（ジエチルホスフィノメチル）−２，２’−ジメチル−１，３−ジオキソラン（（−）−，（＋）−ＤＩＯＰと略す）、（４Ｒ，５Ｒ）−または（４Ｓ，５Ｓ）−（（＋）−または（−））−４，５−ビス［ビス（４’−メトキシ−３’，５’−ジメチルフェニル）ホスフィノメチル］−２，２’−ジメチル−１，３−ジオキソラン（（＋）−，（−）−ＭＯＤ−ＤＩＯＰと略す）、（２Ｓ，４Ｓ）−（−）−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン（ＰＰＭと略す）、（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−メチルピロリジン（ＢＰＰＭと略す）、（２Ｒ，３Ｒ）−または（２Ｓ，３Ｓ）−（（−）または（＋））−２，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）ビシクロ［２．２．１］−５−ヘプテン（（Ｒ，Ｒ）−または（Ｓ，Ｓ）−ＮＯＲＰＨＯＳと略す）、（２Ｓ，３Ｓ）−または（２Ｒ，３Ｒ）−（（−）−または（＋））−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン（（Ｓ，Ｓ）−または（Ｒ，Ｒ）−ＣＨＩＲＡＰＨＯＳと略す）、（２Ｒ，４Ｒ）−または（２Ｓ，４Ｓ）−（（＋）−または（−））−２，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ペンタン（（Ｒ，Ｒ）−または（Ｓ，Ｓ）−ＢＤＰＰと略す）、Ｓ−またはＲ−（（＋）−または（−））−ネオメチルジフェニルホスフィン（Ｓ−またはＲ−ＮＭＤＰＰと略す）、Ｒ−またはＳ−（（＋）−または（−））−１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン（Ｒ−またはＳ−ＰＲＯＰＨＯＳと略す）、（Ｓ）または（Ｒ）−Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−［（Ｒ）または（Ｓ）−１‘，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（Ｓ−Ｒ−またはＲ−Ｓ−ＢＰＰＦＡ）等が挙げられる。なお、不斉水素化反応においては、上記不斉配位子の両鏡像異性体の一方のみを使用する。
【００１７】
本発明における、不斉配位子と遷移金属の錯体を触媒とする不斉水素化反応において、触媒として使用される遷移金属錯体は、各種不斉配位子と金属錯体とから、例えば、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，９２２（１９８５）；Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，５７，６６８９（１９９２）；　Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１１５，１０１２５（１９９３）等に記載の方法によって容易に調製することができる。
【００１８】
本発明に使用する錯体は、イオン性であることが好ましい。特に、イオン交換性の層状化合物に容易かつ安定に固定化するためには、層状化合物がカチオン交換性を示す場合はカチオン錯体、イオン交換性を示す場合はアニオン性錯体である必要がある。例えば、［Ｍ（不斉ホスフィン）（ジエン）］（Ｘ）（Ｍは遷移金属原子、Ｘは、ＣｌＯ４−、ＢＰｈ４−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−等のアニオンを表す）を用いる。
【００１９】
本発明に使用する層状化合物は、イオン交換性を示す層状ケイ酸塩が好ましい。例えば、カチオン交換性を示す代表として、雲母（ＭＡ＋［Ａｌ２（Ｓｉ４−ＡＡｌＡ）Ｏ１０（Ｘ）２］Ａ−、金雲母系（ＭＡ＋［Ｍｇ３（Ｓｉ４−ＡＡｌＡ）Ｏ１０（Ｘ）２］Ａ−（Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ等のアルカリ金属、Ｘは、同一又は異なってもよいＯＨあるいはＦ、Ａは、０．６〜１の任意の値を表す））、バーミキュライト（ＭＡＡ＋（またはＭ’０．５ＡＡ＋）［Ｍｇ３（Ｓｉ４−ＡＡｌＡ）Ｏ１０（Ｘ）２］Ａ−（ＭはＬｉ、Ｎａ、Ｋ等のアルカリ金属、Ｍ’は、Ｍｇ、Ｃａ等のアルカリ土類金属、Ｘは、同一又は異なってもよいＯＨあるいはＦ、Ａは、０．６〜１の任意の値を表す））、スメクタイト系（モンモリロナイト（ＭＡ＋［（Ａｌ２−ＡＭｇＡ）Ｓｉ４Ｏ１０（Ｘ）２］Ａ−）、バイデライト（ＭＡ＋［Ａｌ２（Ｓｉ４−ＡＡｌＡ）Ｏ１０（Ｘ）２］Ａ−）、ヘクトライト（ＭＡ＋［（Ｍｇ３−ＡＬｉＡ）Ｓｉ４Ｏ１０（Ｘ）２］Ａ−）、サポナイト（ＭＡ＋［Ｍｇ３（Ｓｉ４−ＡＡｌＡ）Ｏ１０（Ｘ）２］Ａ−）、テニオライト（ＭＡ＋［（Ｍｇ３−ＡＬｉＡ）Ｓｉ４Ｏ１０（Ｘ）２］Ａ−）（ＭはＬｉ、Ｎａ、Ｋ等のアルカリ金属、Ｘは、同一又は異なってもよいＯＨあるいはＦ、Ａは、０．６〜１の任意の値を表す））が適当である。
【００２０】
また、これらの層状化合物は容易に種々の金属カチオン、有機カチオン（例えば有機アンモニウム、ピリジニウム等）とイオン交換することから、予め、これらの金属カチオン、有機カチオンで誘導体化した層状化合物を使用することもできる。
【００２１】
また、これらの層状化合物の結晶格子を構成する原子であるＭｇ、Ａｌ、Ｓｉ等は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ等の遷移金属原子と部分的に置換することも可能であることから、これら遷移金属原子で置換された層状化合物を使用することもできる。
【００２２】
本発明における「固定化」とは、不斉配位子と遷移金属の錯体をイオン交換により、層状化合物の層間に導入することを意味する。層間にイオン交換で導入することをインターカレートとも呼ぶ。
【００２３】
不斉配位子と遷移金属の錯体を層状化合物に固定化した触媒の固定化方法は、通常以下の方法で行う。
【００２４】
層状化合物あるいは予め異なる金属カチオンあるいは有機カチオンで誘導体化した層状化合物を、水あるいは水と有機溶媒の混合溶媒に分散させ、層状化合物を十分に膨潤させた後、この懸濁液と、水、有機溶媒あるいはその混合溶媒に金属錯体カチオン（不斉配位子と遷移金属の錯体）を溶解させた溶液を混合し、不活性ガス雰囲気下、０℃〜１００℃で２〜６０時間攪拌する。その後、該懸濁液から触媒を分離、洗浄、乾燥することにより、調整する。
【００２５】
この時用いる有機溶媒は、錯体を十分に溶解し、かつ水と混和する溶媒が好ましい。例えば、メタノール、エタノール等のアルコール類、アセトニトリル、アセトン等が挙げられる。
【００２６】
この時の混合温度は、０℃以上が好ましく、２０℃以上がより好ましく、１００℃以下が好ましく、８０℃以下がより好ましい。温度上限は、固定化する錯体に応じて、錯体が分解しない温度を上限とする。
【００２７】
固定化する金属錯体カチオン（不斉配位子と遷移金属の錯体）の量は、触媒活性の点および反応系への溶出の点から、層状化合物のイオン交換容量に対して、１％以上が好ましく、５％以上がより好ましく、１０％以上が特に好ましく、１００％以下が好ましく、９０％以下がより好ましく、８０％以下が特に好ましい。
【００２８】
本発明にかかる不斉配位子と遷移金属の錯体を層状化合物に固定化した触媒の使用量は、一般式（１）で表されるα−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類１モルに対して、固定化されている錯体が、０．０００００１モル以上が好ましく、０．００００５モル以上がより好ましく、０．００００１モル以上がさらに好ましく、０．０００５モル以上が特に好ましい。また、１．０モル以下が好ましく、０．５モル以下がより好ましく、０．３モル以下がさらに好ましく、０．２モル以下が特に好ましい。遷移金属錯体触媒の使用量が一般式（１）で表されるα−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類１モルに対して１．０モルよりも多くしても、触媒量の増加に比例した反応時間の短縮等の触媒効果のさらなる向上は望めず、経済的に不利である。一方、触媒の添加量が、一般式（１）で表されるα−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類１モルに対して０．０００００１モルよりも少ない場合には、反応時間が長くなりすぎ、一般式（２）で表される光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類を効率的に製造できなくなるので好ましくない。
【００２９】
本発明にかかる不斉水素化反応は、無溶媒でも行うことができるが、溶媒として、例えば、メタノール、エタノール等のアルコール類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン系炭化水素；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン等のエーテル類；トルエン、ベンゼン、キシレン等の芳香族炭化水素；酢酸、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類等を使用することもできる。これらの溶媒は１種類だけで使用してもよく、また２種類以上を任意の割合で混合して使用してもよい。また、これらの溶媒は、無水状態であることがこのましい。
【００３０】
本発明にかかる不斉水素化反応は、用いる原料エステル類や触媒および溶媒の種類や組み合わせにもよるが、水素圧の範囲は、０．１ＭＰａ以上が好ましく、２０ＭＰａ以下が好ましく、１５ＭＰａ以下がより好ましく、１０ＭＰａ以下がさらに好ましく、６ＭＰａ以下が特に好ましい。また、反応温度の範囲は、０℃以上が好ましく、５℃以上がより好ましく、１０℃以上がさらに好ましく、２００℃以下が好ましく、１５０℃以下がより好ましく、１００℃以下がさらに好ましく、８０℃以下が特に好ましい。また、反応系を攪拌することにより反応が効率的に進行する。
【００３１】
さらに、反応を制御し、光学収率や化学収率を上げる目的で、例えば、塩化水素等の無機酸；酢酸、トリフルオロ酢酸、メタンスルホン酸等の有機酸；塩化アルミニウム、塩化亜鉛、四塩化チタン、四塩化スズ、四フッ素化ホウ素等のルイス酸；トリエチルアミン等の塩基類等を添加してもよい。
【００３２】
また、本発明にかかる一般式（１）で表されるα−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類は、高重合性の化合物であり、本発明の水素化反応のごとき低酸素濃度では、重合し、目的物の収率の低下、急激な温度の上昇等を引き起こす恐れがある。その様な、α−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類の重合を防止するためには、α−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類に安定剤を添加すればよい。安定剤としては、１次酸化防止剤、２次酸化防止剤およびキレート剤等が挙げられる。
【００３３】
上記安定剤のうち、１次酸化防止剤としては、具体的には、例えば、ヒドロキノン、メトキシハイドロキノン、ベンソキノン、ｐ−ｔ−ブチルカテコール、クロラニル、２−ｔ−ブチルヒドロキノン、２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール等のアルキルフェノール系１次酸化防止剤；アルキル化ジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン、６−エトキシ−２，２，４−トリメチル−１，２−ジヒドロキノリン、Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロヒル−ｐ−フエニレンジアミン、Ｎ−フェニル−１，３−ジメチルブチル−ｐ−フェニレンジアミン、２，２，４−トリメチル−１，２−ジヒドロキノリンポリマー、アルドール−α−ナフチルアミン、Ｎ−フェニル−β−ナフチルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−２−ナフチル−ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジオクチルジフェニルアミン等のアミン系１次酸化防止剤等が挙げられる。
【００３４】
上記安定剤のうち、２次酸化防止剤としては、具体的には、例えば、硫黄、ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジトリデシル−３，３’―チオジプロピオネート、ジミリスチル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステアリル−３，３’―チオジプロピオネート、テトラキス−メチレン−３−ラウリルチオプロピオネートメタン、ジステアリル−３，３’―メチル−３，３’―チオジプロピオネート、ラウリルステアリル−３，３’―チオジプロピオネート、ビス［２−メチル−４−（３−ｎ−アルキルチオプロピオニルオキシ）−５−ｔ−ブチルフェニル］スルフィド、β−ラウリルチオプロピオネート、２−メルカプトベンゾイミダゾール、２−メルカブト−５−メチルベンゾイミダゾール等の硫黄系２次酸化防止剤；トリス（イソデシル）フォスファイト、トリス（トリデシル）フォスファイト、フェニルジイソオクチルフォスファイト、フェニルジイソデシルフォスファイト、フェニルジ（トリデシル）フォスファイト、ジフェニルイソオクチルフォスファイト、ジフェニルイソデシルフォスファイト、ジフェニルトリデシルフォスファイト、フォスフォン酸［１，１−ジフェニルーー、４’−ジイルビステトラキス−２，４−ビス（１，１−ジメチルエチル）フェニル］エステル、トリフェニルフォスファイト、トリス（ノニルフエニル）フォスファイト、４，４’−イソプロピリデンジフェノールアルキルフォスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）フォスファイト、トリス（ビフェニル）フォスファイト、ジステアリルぺンタエリスリトールジフォスファイト、ジ（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジフォスファイト、ジ（ノニルフェニル）ペンタエリスリトールジフォスファイト、フェニルビスフェノールＡペンタエリスリトールジフォスファイト、テトラ（トリデシル）−４，４’−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）ジフォスファイト、ヘキサ（トリデシル）−１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタントリフォスファイト、３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジルフォスフェートジエチルエステル、ソディウム−ビス（−４−ｔ−ブチルフェニル）フォスフェート、ソディウム−２，２’―メチレン−ビス（４，６−ジ−ｔ−ブチルフエニル）フォスフェート、１，３−ビス（ジフェノキシフォスフォニルオキシ）ベンゼン等のリン系２次酸化防止剤等；ジメチルジチオカルバミン酸銅、ジエチルジチオカルバミン酸銅、ジブチルジチオカルバミン酸銅等のジチオカルバミン酸銅系２次酸化防止剤が挙げられる。
【００３５】
上記安定剤のうち、キレート剤としては、具体的には、例えば、エチレンジアミン四酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン二酢酸、１，３−プロパンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸、ニトリロ三酢酸、グルコン酸ナトリウム、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸、２，２’−オキシアミドビス−［エチル３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］等が挙げられる。
【００３６】
これら安定剤は、一種類のみを用いてもよく、また、二種類以上を適宜混合して用いてもよい。これら安定剤のなかでも、酸化防止剤が好適に用いられる。また、より一層重合防止効果を高めるためには、硫黄系および／またはリン系２次酸化防止剤とアルキルフェノール系１次酸化防止剤とを組み合わせて使用することが好ましい。
【００３７】
上記安定剤の添加量は、用いるα−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類の種類にもよるが、上記安定剤の総量が、該α−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類の０．０１重量％以上が好ましく、　０．０３重量％以上がより好ましく、０．０５重量％以上がさらに好ましく、０．１重量％以上が特に好ましい。また、１０重量％以下が好ましく、９重量％以下がより好ましく、８重量％以下がさらに好ましく、７重量％以下が特に好ましい。安定剤の総量が　０．０１重量％よりも少ない場合には、前述した重合を抑制することができなくなるので好ましくない。一方、安定剤の総量を１０重量％よりも多くしても、安定剤の増加に比例した重合防止効果のさらなる向上は望めず、経済的に不利となるので好ましくない。
【００３８】
本発明にかかる不斉水素化反応により合成された一般式（２）で表される光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類の単離、精製方法は、特に限定されるものではないが、不斉配位子と遷移金属の錯体を層状化合物に固定化した触媒を、ろ過あるいはデカンテーション等の方法により分離した後、例えば、抽出法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等のそれ自体公知の方法により行うことができる。またこれらの方法は組み合わせて実施してもよい。
【００３９】
さらに、分離された不斉配位子と遷移金属の錯体を層状化合物に固定化した触媒は、そのまま、あるいは溶媒に溶解させることにより、触媒としてリサイクル使用することが可能である。また、触媒を単離、精製した後、リサイクル使用することも可能である。
【００４０】
【実施例】
以下、実施例により、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらにより何ら限定されるものではない。
【００４１】
触媒合成例１
ヘクトライト（ＮａＨＴと略す）に、ジデシルジメチルアンモニウムブロミド（２Ｃ１０Ｎ＋と略す）を予めインターカレートしたアルキル修飾ヘクトライト（２Ｃ１０Ｎ＋／ＮａＨＴと略す）０．５ｇを脱イオン水４０ｍｌ中で３０分間攪拌することにより、膨潤させた。該懸濁液に、不斉Ｒｈ錯体である［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−　ＮＯＲＰＨＯＳ）（ＣＯＤ）］錯体（ＣＯＤは、１，５−シクロオクタジエンを表す）（ＲｈＰ＊と略す）をメタノール４０ｍｌに溶解させた溶液を加え、窒素雰囲気下に常圧２５℃で４８時間攪拌することにより、錯体を層間に固定化した。該懸濁液から吸引濾過により触媒を濾別し、脱イオン水１００ｍｌで洗浄した後、減圧乾燥することにより触媒（ＲｈＳＳＮＯＲ／２Ｃ１０Ｎ＋／ＮａＨＴと略す）を得た。
【００４２】
このとき、予めインターカレートしたジデシルジメチルアンモニウムブロミドおよび［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−　ＮＯＲＰＨＯＳ）（ＣＯＤ）］錯体の仕込量は、共に元のヘクトライトのカチオン交換容量の２５％とした。
【００４３】
元素分析および紫外可視吸収スペクトル分析より、得られたＲｈＳＳＮＯＲ／２Ｃ１０Ｎ＋／ＮａＨＴ中のジデシルジメチルアンモニウムおよび［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−　ＮＯＲＰＨＯＳ）（ＣＯＤ）］錯体の担持量は、ヘクトライト１００ｇに対して、それぞれ２３．２ｍｅｑおよび１８．２ｍｅｑであった。
【００４４】
触媒合成例２，３
ジデシルジメチルアンモニウムブロミド（２Ｃ１０Ｎ＋）をジミリスチルジメチルアンモニウムブロミド（２Ｃ１４Ｎ＋と略す）、ジステアリルジメチルアンモニウムブロミド（２Ｃ１８Ｎ＋と略す）とした以外は、触媒合成例１と同様の操作により、触媒（ＲｈＳＳＮＯＲ／２Ｃ１４Ｎ＋／ＮａＨＴ、ＲｈＳＳＮＯＲ／２Ｃ１８Ｎ＋／ＮａＨＴ）を得た。
【００４５】
元素分析および紫外可視吸収スペクトル分析より、得られたＲｈＳＳＮＯＲ／２Ｃ１４Ｎ＋／ＮａＨＴ中のジミリスチルジメチルアンモニウムおよび［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−　ＮＯＲＰＨＯＳ）（ＣＯＤ）］錯体の担持量は、ヘクトライト１００ｇに対して、それぞれ２１．８ｍｅｑおよび２０．７ｍｅｑであり、ＲｈＳＳＮＯＲ／２Ｃ１８Ｎ＋／ＮａＨＴ中のジミステアリルジメチルアンモニウムおよび［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−　ＮＯＲＰＨＯＳ）（ＣＯＤ）］錯体の担持量は、ヘクトライト１００ｇに対して、それぞれ２０．８ｍｅｑおよび１４．４ｍｅｑであった。
【００４６】
実施例１〜９　（３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類の水素化）
２０ｍｌオートクレーブに、α−ヒドロキシメチルアクリル酸エステル６．２５×１０−４　ｍｏｌ、触媒６．２５×１０−６　ｍｏｌ（触媒中のＲｈ原子を基準とする）および塩化メチレン３ｍｌを添加した後、オートクレーブ内を窒素置換した。その後、オートクレーブ内を水素により３ＭＰａとし、内温３０℃で３時間反応した。
【００４７】
α−ヒドロキシメチルアクリル酸エステルと触媒の組み合わせ、および反応終了後ＧＣにより分析した結果を表１に示す。
【００４８】
なお、表１中の収率とは得られた３−ヒドロキシイソブタン酸エステル（Ｒ体とＳ体の合計）の原料α−ヒドロキシメチルアクリル酸エステルに対するｍｏｌ％であり、Ｓ体選択率とは、Ｓ体の収率からＲ体の収率を減じた値である。
表１
2004115488.tif 000004
【００４９】
【００５０】
【発明の効果】
本発明によれば、不斉水素化反応により光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類を効率良く製造することができるばかりでなく、触媒の分離・再利用も容易であるため、経済的に製造することができる。
【００５１】
本発明方法により製造される光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類は、例えば、医農薬、香料および液晶分野での中間体原料として有用な化合物である。