(57)【要約】【課題】新規な構成にて任意の形状及び寸法の半導体基板を容易に製造することができるようにする。【解決手段】円柱状のインゴット１を所定の厚さにスライスして円板状のウエハ１０にする。円板状のウエハ１０に対するレーザビームＬｂの照射による切断でウエハ１０から任意の形状及び寸法のウエハ１１を切り出す。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円柱状のインゴット（１）を所定の厚さにスライスして円板状の半導体基板（１０）にするスライス工程と、
前記円板状の半導体基板（１０）に対するレーザビーム（Ｌｂ）の照射による切断で当該半導体基板（１０）から任意の形状及び寸法の半導体基板（１１）を切り出す切出工程と、
を有することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項２】
前記切出工程における円板状の半導体基板（１０）に対するレーザビーム（Ｌｂ）の照射による切断は、前記円板状の半導体基板（１０）を粘着テープ（４１）に貼り付けた状態で行うようにしたことを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項３】
前記スライス工程は、支持台座（２）によってインゴット（１）を支持した状態で、ワイヤソー（３）またはブレードによって、インゴット（１）と共に前記支持台座（２）もスライスすることにより行い、
前記切出工程は、前記支持台座（２）を基準にして、スライスした半導体基板（１０）から任意の形状及び寸法の半導体基板（１１）を切り出す位置及び向きを決めるようにしたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項４】
前記切出工程において前記レーザビーム（Ｌｂ）による切断で切り出す位置は、前記支持台座（２）の中心、及び、支持台座（２）の裏面から支持台座（２）と反対側の半導体基板（１０）の端部までの距離を測定して決めるとともに、切り出す向きは支持台座（２）の裏面の向きを基準にして決めるようにしたことを特徴とする請求項３に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項５】
前記スライス工程は、円柱状のインゴット（１）の外周面において長手方向に延びるマーク（３０，３１）を付けた後に、ワイヤソー（３）またはブレードによってスライスすることにより行い、
前記切出工程は、前記マーク（３０，３１）を基準にして、スライスした半導体基板（１０）から任意の形状及び寸法の半導体基板（１１）を切り出す位置及び向きを決めるようにしたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項６】
前記切出工程でのレーザビーム（Ｌｂ）による切断の前あるいは切断の後において、半導体基板（１０，１１）に対するレーザビーム（Ｌｂ）の照射により当該半導体基板（１０，１１）の表面に印字するようにしたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項７】
前記レーザビーム（Ｌｂ）による印字は、半導体基板（１０，１１）に欠陥を誘起して光の屈折率または反射率を変えることで文字を認識させることを特徴とする請求項６に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項８】
前記レーザビーム（Ｌｂ）によって印字する位置と向きは、前記スライス工程でインゴット（１）を支持するために用いた支持台座（２）、または、スライスする前にインゴット（１）の外周面において長手方向に延びるように付けたマーク（３０，３１）を基準にして決めるようにしたことを特徴とする請求項６または７に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項９】
前記レーザビーム（Ｌｂ）によって印字する位置は、前記スライス工程でインゴット（１）を支持するために用いた支持台座（２）の中心、及び、支持台座（２）の裏面から支持台座（２）と反対側の半導体基板（１０）の端部までの距離を測定して決めるとともに、印字する向きは支持台座（２）の裏面の向きを基準にして決めるようにしたことを特徴とする請求項６または７に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１０】
前記切出工程において、前記スライスした１枚の半導体基板（１０）から、レーザビーム（Ｌｂ）による切断で複数枚の半導体基板（１２）を切り出すようにしたことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１１】
前記切出工程において、前記スライスした１枚の半導体基板（１０）から、レーザビーム（Ｌｂ）による切断で、任意の形状及び寸法の複数枚の半導体基板（１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ）を切り出すようにしたことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１２】
前記インゴット（１）は、シリコンまたは炭化珪素よりなることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１３】
レーザビーム（Ｌｂ）を出力して、同レーザビーム（Ｌｂ）を、インゴット（１）からスライスした半導体基板（１０）に照射するためのレーザ発振器（４）と、
前記半導体基板（１０）への前記レーザビーム（Ｌｂ）を走査して、レーザビーム（Ｌｂ）による切断で任意の形状及び寸法の半導体基板（１１）を切り出すための走査手段（５）と、
を備えたことを特徴とする半導体基板の製造装置。
【請求項１４】
前記スライスした半導体基板（１０）よりも大きな開口部（４０ａ）を有する枠体（４０）と、
前記枠体（４０）に貼り付けられ、枠体（４０）の開口部（４０ａ）においてインゴット（１）からスライスした半導体基板（１０）が貼り付けられる粘着テープ（４１）と、
前記枠体（４０）の開口部（４０ａ）において粘着テープ（４１）に貼り付けられた半導体基板（１０）を固定し、この状態で半導体基板（１０）にレーザビーム（Ｌｂ）を照射して切断するための切断用テーブル（２０）と、
を備えたことを特徴とする請求項１３に記載の半導体基板の製造装置。
【請求項１５】
前記スライスした半導体基板（１０）を切断用テーブル（２０）に固定する手段として、真空による吸着方式を用いたことを特徴とする請求項１３または１４に記載の半導体基板の製造装置。
【請求項１６】
前記枠体（４０）を切断用テーブル（２０）に固定する手段として、真空による吸着方式を用いたことを特徴とする請求項１４または１５に記載の半導体基板の製造装置。
【請求項１７】
前記枠体（４０）を切断用テーブル（２０）に固定する手段として、枠体（４０）の上から切断用テーブル（２０）に押さえ付ける部材（５０）を用いたことを特徴とする請求項１４または１５に記載の半導体基板の製造装置。
【請求項１８】
前記枠体（４０）を切断用テーブル（２０）に固定する手段として、枠体（４０）を吸着する磁石（５１）を用いたことを特徴とする請求項１４または１５に記載の半導体基板の製造装置。
【請求項１９】
前記枠体（４０）は、磁石に吸着される材料からなることを特徴とする請求項１８に記載の半導体基板の製造装置。
【請求項２０】
前記スライスした半導体基板（１０）をレーザビーム（Ｌｂ）により切断するためのテーブル（２０）は、スライスした半導体基板（１０）が設置される面（２０ａ）において当該半導体基板（１０）が切断される領域に凹部（２２）が形成されていることを特徴とする請求項１３〜１９のいずれか１項に記載の半導体基板の製造装置。
【請求項２１】
前記スライスした半導体基板（１０）をレーザビーム（Ｌｂ）により切断するためのテーブル（２０）は、少なくとも半導体基板（１０）の切断される領域を線で支える構造であることを特徴とする請求項１３〜１９のいずれか１項に記載の半導体基板の製造装置。
【請求項２２】
前記テーブル（２０）は、ハニカム材（２４）で構成されていることを特徴とする請求項２１に記載の半導体基板の製造装置。
【請求項２３】
前記ハニカム材（２４）は、アルミ、銅、ステンレス、セラミックの少なくともいずれかよりなるものであることを特徴とする請求項２２に記載の半導体基板の製造装置。
【請求項２４】
前記スライスした半導体基板（１０）をレーザビーム（Ｌｂ）により切断するためのテーブル（２０）は、少なくとも半導体基板（１０）の切断される領域を点で支える構造であることを特徴とする請求項１３〜１９のいずれか１項に記載の半導体基板の製造装置。
【請求項２５】
前記テーブル（２０）は、多数の細い柱（２５）を立設した構造であることを特徴とする請求項２４に記載の半導体基板の製造装置。
【請求項２６】
前記細い柱（２５）は、アルミ、銅、ステンレス、セラミックの少なくともいずれかよりなるものであることを特徴とする請求項２５に記載の半導体基板の製造装置。
【請求項２７】
前記インゴット（１）は、シリコンまたは炭化珪素よりなることを特徴とする請求項１３〜２６のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板の製造方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
シリコンウエハの製造工程において、インゴットから半導体基板（ウエハ）をスライスする工程は、外周刃、内周刃によるブレード又はワイヤソーによって行われている。このスライス工程の前にインゴットの外周面を円筒研削して所望の直径にするとともに、結晶方位を明確にするためのオリフラあるいはノッチを平面研削で形成する。これにより、所望の直径で、オリフラあるいはノッチが形成された半導体基板がスライス工程で切り出される。
【０００３】
ここで、シリコンに比べて炭化珪素の場合は超硬質な材料であるため、インゴット外周面の円筒研削とオリフラ形成の平面研削に多大な加工時間を要する。特に、インゴットが大口径でしかも長尺になるほど、またインゴットの長手方向に対して切り出す面が垂直でなく、角度（オフ角）をつける場合などはさらに加工時間が増す。また、研削砥石の減りが速く寿命が短くなり、加工コストが高くなるといった問題がある。
【０００４】
また、大口径のインゴットから小口径のウエハを製造する場合は、削り落とす部分が多くなって加工時間が長くなるだけでなく、無駄にする部分が多くなるといった問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような背景の下になされたものであって、その目的は、新規な構成にて任意の形状及び寸法の半導体基板を容易に製造することができるようにすることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
半導体基板の製造方法として、請求項１に記載のように、スライス工程において、円柱状のインゴットを所定の厚さにスライスして円板状の半導体基板にし、その後、切出工程において、円板状の半導体基板に対するレーザビームの照射による切断で当該半導体基板から任意の形状及び寸法の半導体基板を切り出すようにする。これにより、任意の形状及び寸法の半導体基板を容易に製造することができる。
【０００７】
ここで、請求項２に記載のように、切出工程における円板状の半導体基板に対するレーザビームの照射による切断は、円板状の半導体基板を粘着テープに貼り付けた状態で行うようにすると、切断時の衝撃による欠けや割れを防止することができる。
【０００８】
また、請求項３に記載のように、スライス工程は、支持台座によってインゴットを支持した状態で、ワイヤソーまたはブレードによって、インゴットと共に支持台座もスライスすることにより行い、切出工程は、支持台座を基準にして、スライスした半導体基板から任意の形状及び寸法の半導体基板を切り出す位置及び向きを決めるようにするとよい。詳しくは、請求項４に記載のように、切出工程においてレーザビームによる切断で切り出す位置は、支持台座の中心、及び、支持台座の裏面から支持台座と反対側の半導体基板の端部までの距離を測定して決めるとともに、切り出す向きは支持台座の裏面の向きを基準にして決めるようにするとよい。
【０００９】
あるいは、請求項５に記載のように、スライス工程は、円柱状のインゴットの外周面において長手方向に延びるマークを付けた後に、ワイヤソーまたはブレードによってスライスすることにより行い、切出工程は、マークを基準にして、スライスした半導体基板から任意の形状及び寸法の半導体基板を切り出す位置及び向きを決めるようにするとよい。
【００１０】
また、請求項６に記載のように、切出工程でのレーザビームによる切断の前あるいは切断の後において、半導体基板に対するレーザビームの照射により当該半導体基板の表面に印字することもできる。この際、請求項７に記載のように、レーザビームによる印字は、半導体基板に欠陥を誘起して光の屈折率または反射率を変えることで文字を認識させるとよい。また、請求項８に記載のように、レーザビームによって印字する位置と向きは、スライス工程でインゴットを支持するために用いた支持台座、または、スライスする前にインゴットの外周面において長手方向に延びるように付けたマークを基準にして決めるようにするとよい。詳しくは、請求項９に記載のように、レーザビームによって印字する位置は、スライス工程でインゴットを支持するために用いた支持台座の中心、及び、支持台座の裏面から支持台座と反対側の半導体基板の端部までの距離を測定して決めるとともに、印字する向きは支持台座の裏面の向きを基準にして決めるようにするとよい。
【００１１】
一方、請求項１０に記載のように、切出工程において、スライスした１枚の半導体基板から、レーザビームによる切断で複数枚の半導体基板を切り出すようにしたり、請求項１１に記載のように、切出工程において、スライスした１枚の半導体基板から、レーザビームによる切断で、任意の形状及び寸法の複数枚の半導体基板を切り出すようにすることもできる。
【００１２】
また、請求項１２に記載のように、インゴットは、シリコンまたは炭化珪素よりなるものを用いることができる。
半導体基板の製造装置して、請求項１３に記載のように、レーザビームを出力して、同レーザビームを、インゴットからスライスした半導体基板に照射するためのレーザ発振器と、半導体基板へのレーザビームを走査して、レーザビームによる切断で任意の形状及び寸法の半導体基板を切り出すための走査手段と、を備えたものを使用する。これにより、請求項１に記載の半導体基板の製造方法を具現化する装置として好ましいものとなる。
【００１３】
ここで、請求項１４に記載のように、スライスした半導体基板よりも大きな開口部を有する枠体と、枠体に貼り付けられ、枠体の開口部においてインゴットからスライスした半導体基板が貼り付けられる粘着テープと、枠体の開口部において粘着テープに貼り付けられた半導体基板を固定し、この状態で半導体基板にレーザビームを照射して切断するための切断用テーブルと、を備えたものを使用する。これにより、請求項２に記載の半導体基板の製造方法を具現化する装置として好ましいものとなる。
【００１４】
また、請求項１５に記載のように、スライスした半導体基板を切断用テーブルに固定する手段として、真空による吸着方式を用いるとよい。
さらに、枠体を切断用テーブルに固定する手段として、請求項１６に記載のように、真空による吸着方式を用いたり、請求項１７に記載のように、枠体の上から切断用テーブルに押さえ付ける部材を用いたり、請求項１８に記載のように、枠体を吸着する磁石を用いることができる。ここで、枠体を吸着する磁石を用いる場合において、請求項１９に記載のように、枠体は、磁石に吸着される材料からなるものとする。
【００１５】
また、スライスした半導体基板をレーザビームにより切断するためのテーブルは、請求項２０に記載のように、スライスした半導体基板が設置される面において半導体基板が切断される領域に凹部が形成されていたり、請求項２１に記載のように、少なくとも半導体基板の切断される領域を線で支える構造であり、特に、請求項２２に記載のように、このテーブルは、ハニカム材で構成されており、請求項２３に記載のように、ハニカム材は、アルミ、銅、ステンレス、セラミックの少なくともいずれかよりなるものであるとよい。
【００１６】
あるいは、スライスした半導体基板をレーザビームにより切断するためのテーブルは、請求項２４に記載のように、少なくとも半導体基板の切断される領域を点で支える構造であり、このテーブルは、請求項２５に記載のように、多数の細い柱を立設した構造であり、請求項２６に記載のように、細い柱は、アルミ、銅、ステンレス、セラミックの少なくともいずれかよりなるものであるとよい。
【００１７】
請求項２７に記載のように、インゴットは、シリコンまたは炭化珪素よりなるものを使用するとよい。
【００１８】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
以下、この発明を具体化した第１の実施の形態を図面に従って説明する。
【００１９】
図１（ａ）〜（ｄ）に、本実施の形態の基本的な加工手順を示す。
図１（ａ）に示すように、シリコンまたは炭化珪素よりなるインゴット１を用意する。そして、円柱状のインゴット１を支持台座２に貼り付け、この状態でワイヤソー３によってインゴット１を所定の厚さにスライスして、図１（ｂ）に示すように円板状のウエハ（半導体基板）１０にする。このスライス工程において、支持台座２によってインゴット１を支持した状態で、ワイヤソー３（またはブレード）によって、インゴット１と共に支持台座２もスライスする。
【００２０】
このようにしてスライスしたウエハ１０に対し、図１（ｃ），（ｄ）に示すようにレーザビームＬｂの照射による切断でウエハ１０から任意の形状及び寸法のウエハ（半導体基板）１１を切り出す。つまり、図１（ｃ）に示すように、円板状のウエハ１０に対するレーザビームＬｂの照射による切断加工として、図１（ｄ）に示すように、所望の直径にするとともに結晶方位を認識するためのオリフラあるいはノッチを形成する。これにより、任意の形状及び寸法のウエハ（半導体基板）１１を容易に製造することができる。
【００２１】
さらに、図１（ｄ）に示すように、切断後（あるいは切断前）に、オリフラ近傍などに識別番号をレーザビームＬｂによって印字する。レーザビームＬｂによる印字は、レーザビームＬｂの照射によってウエハ（１０，１１）に欠陥を誘起して光の屈折率または反射率を変えることで文字を認識させるものである。これにより、基板表面に凹部を形成することなく平坦な状態で印字ができるため、基板表面を溶融（昇華）して凹部で印字する場合に比べ、凹部の欠けまたは凹部内の残留物が起因のパーティクル発生を無くすことができる。この方法は、基板が透明な材料である場合に有効である。
【００２２】
図１（ｃ）において、レーザビームＬｂはレーザ発振器４から出力され、走査手段としての走査装置５によって走査される。ここで、レーザビームＬｂの出力は、ウエハの材質、厚みなどによって切断工程と印字工程でそれぞれ調整する。また、シリコンあるいは炭化珪素が切断でき、また、シリコンあるいは炭化珪素に印字できる波長、出力のレーザ発振器を用いることで、高速で、形状がよく、高品質な加工を行うことができる。
【００２３】
このように、インゴット１からスライスしたウエハ１０に対し、所望の外形、寸法のウエハ１１を切断する工程と、識別用の文字を印字する工程を同一工程で、同一装置で行う。このとき、図１（ａ）に示すスライス前にインゴット１の外周面を円筒研削で所望の直径にする必要はなく、オリフラ形成のために平面研削する必要もない。ただし、インゴット１に支持台座２を強固に貼り付けるために、研削などでインゴット１の外周面の形を整える加工を行ってもよい。
【００２４】
さらに言及すると、従来技術においては、スライス前に円筒研削、平面研削などの加工を行うために材料の硬度によっては高負荷、高コストになってしまっていたが、本実施形態においてはスライス後の材料硬度に関係しない効率のよい加工によって半導体基板の外形加工を行うことができる。また、外形加工とは別工程、別装置で行っていた半導体基板に番号などを印字する加工を外形加工と同時に、同装置で行うことができる。さらに、大口径インゴットから小口径の半導体基板を製造する場合は、効率よく無駄なく加工することができる。このように、スライス後に材料硬度に関係しない加工によって、効率的に、汎用性が高く、低コストで、しかもインゴットを有効に活用できる。
【００２５】
さらに説明を加えると、結晶成長工程で製造したインゴットの外周面を円筒研削、平面研削をしないでスライスすると、インゴットごとに、またインゴット内でも外形、直径の異なる半導体基板が切り出される。外形は一定形状（真円形状）でなく、結晶方位を示すオリフラも形成されてない状態になる。これに対し本実施形態では、半導体基板を一定径の真円形状にするとともにオリフラを形成する加工をスライス前に研削、切削のような機械的な加工で行うのではなく、スライス後にレーザビームＬｂで溶融（昇華）させて切断する。レーザビームＬｂで溶かして（炭化珪素の場合は昇華させて）切断すれば、材料の硬度は関係しない。また、スライス後の薄いウエハ状態ならば高速に切断できるため、短時間で加工ができる。さらに、加工によるダメージも少ない。従来は、スライス前に円筒研削と平面研削で別々に加工している工程も、スライス後にレーザビームＬｂでくりぬく加工ならば、円形部も直線部（オリフラ部）も同じ工程でできる。さらに、これまで別工程で別装置で行っていたウエハに識別番号などを印字するマーキング工程についても、レーザビームの出力を調整することで切断と同時に同一装置で行うことができる。即ち、製造した半導体基板のロットナンバーなどを識別するために、半導体基板の製造途中あるいは完成後に基板に専用装置で印字（マーキング）をするが、インゴット１からスライスした半導体基板１０のレーザビームＬｂによる切断前あるいは切断後に、レーザビームＬｂで半導体基板（１０，１１）に印字することで、印字するための専用装置を必要とせず、レーザビームＬｂによる切断と同一工程で同一装置で印字ができる。
【００２６】
ここで、インゴット１からスライスしたウエハ１０に対し、図２（ａ）に示すように、１枚のウエハ１１を切り出すだけでなく、図２（ｂ）に示すように、スライスした１枚のウエハ１０から、レーザビームＬｂによる切断で複数枚のウエハ（半導体基板）１２を切り出すようにしてもよい。つまり、インゴット径が製造するウエハ径の倍以上ある場合は、スライスされた１枚のウエハ１０から複数枚のウエハ１２を切り出すことができる（印字もすることができる）。このように、同一形状のウエハ１２を複数枚切り出すようにしてもよい。
【００２７】
あるいは、図２（ｃ）に示すように、スライスした１枚のウエハ１０から、レーザビームＬｂによる切断で、任意の形状及び寸法の複数枚のウエハ（半導体基板）１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄを切り出すようにしてもよい。つまり、直径の異なるウエハを複数枚切り出すことも可能であり、さらには、円形だけでなく多角形などの任意形状にも対応できるし、一部に結晶欠陥などの不良領域がある場合は、その領域を外してウエハを切り出すこともできる。このように、異なる形状、寸法のウエハ１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄを複数枚切り出す（印字もする）ようにしてもよい。
【００２８】
また、図１（ａ），（ｂ）におけるスライス工程でインゴット１を固定するために取り付けた支持台座２は、スライス後に取り外す必要はない。つまり、図３（ａ）に示すように、装置（テーブル）２０にスライス済ウエハ１０をセットする際に、台座２を基準にして、切断する位置とオリフラの向きを決めることができる。ただし、図３（ａ）は台座２の幅がインゴット１の直径よりも大きい場合である。図１（ａ）の台座２は直方体形状であり、インゴット１の形状に合わせた凹部を固定面に形成して支持する。この台座２へのインゴット１の固定の際の位置関係として、台座２の幅方向の中心が図３（ａ）に示すようにインゴット１の径方向の中心となるように固定するとともに、オリフラを形成する向きと台座２の裏面の向きが平行になるように固定する。これによって、台座２の端部（図３（ａ）での右端部）を装置の原点にして、ウエハ１０を切断する時に基準となるウエハ中心の位置、ウエハの向きを決めることができる。具体的には、Ｘ方向のウエハ中心（Ｘｃ）は、台座２の幅方向の中心点、つまり、
Ｘｃ＝（台座の幅）／２
である。また、Ｙ方向のウエハ中心（Ｙｃ）は、台座２の裏面から台座２と反対側の半導体基板１０の端部までの距離（ウエハ高さ）を測定して、
Ｙｃ＝台座２の高さ＋｛（測定値−台座の高さ）／２｝
の計算式から求める。また、オリフラの向きは台座２の裏面の向きと平行になる。
【００２９】
このように、図３（ａ）に示すように、台座２の幅がインゴット径よりも大きい場合は、台座２の一端を装置２０の原点となる基準位置に押し当てて装置２０（テーブル）に固定した後、ウエハ高さを測定してウエハ中心を決める。
【００３０】
つまり、切出工程は、支持台座２を基準にして、スライスした半導体基板１０から任意の形状及び寸法の半導体基板１１を切り出す位置及び向きを決めるようにする。詳しくは、切出工程においてレーザビームＬｂによる切断で切り出す位置は、支持台座２の中心、及び、支持台座２の裏面から支持台座２と反対側の半導体基板１０の端部までの距離を測定して決めるとともに、切り出す向きは支持台座２の裏面の向きを基準にして決めるようにする。また、切出工程でのレーザビームＬｂによる切断の前あるいは切断の後において、半導体基板１０，１１に対するレーザビームＬｂの照射により半導体基板１０，１１の表面に印字する。
【００３１】
なお、図３（ｂ）に示すように、台座２の幅がインゴット径よりも小さい場合は、台座２を原点となる基準位置に押し当てることができないが、この場合はブロック６を介してウエハ中心を決めればよい。即ち、ウエハの中心（Ｘｃ，Ｙｃ）は、台座２の裏面から台座２と反対側の半導体基板１０の端部までの距離（ウエハ高さ）を測定して、
Ｘｃ＝ブロック６の長さ＋（台座の幅）／２
Ｙｃ＝台座２の高さ＋｛（測定値−台座の高さ）／２｝
から求められる。
【００３２】
次に、図４（ａ），（ｂ）を用いて、インゴット１に付けたマーク３０，３１を基準にしてウエハ中心とオリフラ向きを決める方法を説明する。
図４（ａ）に示すように、スライス前にインゴット１の結晶方位を測定してインゴット１の外周面にマーキングを行い、線（マーク）３０，３１を付ける。即ち、インゴットの外周面に結晶方位がわかるように少なくとも２本の線を油性ペン等による記入、またはダイヤペン等による罫描きを行う。これにより、図４（ｂ）のようにスライス後のウエハ１０の表面上で、マーキングした２点を結んだ線Ｌ１に平行な方向がオリフラ向きになる。また、ウエハ中心は、ウエハ１０の表面上でマーキングした２点を結んだ線Ｌ１に垂直で、かつその中点３２を通る線Ｌ２を垂直中心線とすると、垂直中心線Ｌ２上でのウエハ端部間距離の中心がウエハ中心となる。
【００３３】
つまり、スライス工程は、円柱状のインゴット１の外周面において長手方向に延びるマーク３０，３１を付けた後に、ワイヤソー３またはブレードによってスライスすることにより行い、切出工程は、マーク３０，３１を基準にして、スライスした半導体基板１０から任意の形状及び寸法の半導体基板１１を切り出す位置及び向きを決めるようにするとよい。
【００３４】
このように、ウエハ１０を装置（テーブル）２０に支持固定した状態でウエハ中心を決めて、これを基準にしてレーザビームＬｂを走査して切断する。レーザビームＬｂは、大きな出力が得られるＣＯ２レーザが望ましいが、薄い材料ならばＹＡＧレーザでもよい。
【００３５】
また、レーザビームＬｂによって印字する場合においてその印字の位置と向きは、スライス工程でインゴット１を支持するために用いた支持台座２、または、スライスする前にインゴット１の外周面において長手方向に延びるように付けたマーク３０，３１を基準にして決めるようにするとよい。即ち、レーザビームＬｂによって印字する位置は、スライス工程でインゴット１を支持するために用いた支持台座２の中心、及び、支持台座２の裏面から支持台座２と反対側の半導体基板１０の端部までの距離を測定して決めるとともに、印字する向きは支持台座２の裏面の向きを基準にして決めるようにするとよい。
【００３６】
レーザビームによる切断前にウエハの状態を評価して、切断する領域とオリフラの方向を１枚ごとに決めるのではなく、これまでの説明のように、ワイヤソーなどの方法でスライスする場合はインゴットを支持するために接着した台座を利用する、あるいはスライス前にインゴットに印を付けるならば、スライスはワイヤソーあるいはブレードによって行い、支持台座２あるいはマーク３０，３１を基準にして、スライスした半導体基板１０のレーザビームＬｂによる切断で切り出す位置及び向きを決めることができる。このためには、インゴット１と支持台座２の位置関係、またインゴット１の結晶方位と支持台座２の裏面の関係を把握した上で、インゴット１に支持台座２を接着する。
【００３７】
図５に、切断用テーブル２０の構造を示す。レーザビームＬｂはウエハ１０を透過するため、ウエハ１０の全面を吸着するテーブルでは照射部（ウエハ１０の切断部）が溶けて凹凸になる。従って、テーブルを繰り返して使用することができない。そこで、本例の切断用テーブル２０の構造は以下のようになっている。
【００３８】
テーブル２０のウエハ支持面２０ａにおいて、ウエハ１０の中央部に相当する部位に真空チャック用孔２１を設け、この孔２１の開口部においてウエハ１０を真空チャックするようにしている。また、テーブル２０のウエハ支持面２０ａにおいて、レーザビームＬｂが照射される領域（切断領域）に凹部２２を形成している。つまり、スライスした半導体基板１０をレーザビームＬｂにより切断するためのテーブル２０は、スライスした半導体基板１０が設置される面２０ａにおいて半導体基板１０が切断される領域に凹部２２が形成されているものとすると、繰り返し使用することができる。
【００３９】
あるいは、図６に示すように、テーブル２０のウエハ支持面２０ａにおいて、ウエハ１０の中央部に相当する部位に真空チャック用孔２１を設けるとともに、レーザビームＬｂによる切断領域がテーブル２０の外側になる構造にする。
【００４０】
しかし、この構造では切断された外周領域が自重でたわんで折れやすくなり、この衝撃で切断面に欠けが発生する可能性がある。場合によってはウエハが割れる。
【００４１】
このことを考慮して、図６のテーブル２０の周りに、図７に示すように、ウエハ外周部を支持するテーブル２３を追加して、切断領域（レーザビーム照射部）が空隙になったテーブル構造にするとよい。
【００４２】
また、切断用テーブル２０を図８に示すようにハニカム材２４にて構成し、切断領域を線で支える構造にしてもよい。つまり、スライスした半導体基板１０をレーザビームＬｂにより切断するためのテーブル２０は、少なくとも半導体基板１０の切断される領域を線で支える構造であると、テーブルの劣化を抑制することができる。
【００４３】
あるいは、図９に示すように、少なくともウエハ１０の切断される領域にピン（細い柱）２５を多数立設し、ウエハ１０の切断領域を点で支える構造にしてもよい。これによって、レーザビームＬｂの照射される領域のほとんどが空隙になることから、任意の形状、寸法のウエハ切断に対応することができ、テーブルの劣化を抑制することができる。図８のハニカム構造体２４や図９のピン２５の材質は、アルミ、銅、ステンレスなどの金属あるいはセラミックがよい。つまり、ハニカム材２４とピン２５は、アルミ、銅、ステンレス、セラミックの少なくともいずれかよりなるものとするとよい。
（第２の実施の形態）
次に、第２の実施の形態を、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００４４】
第１の実施の形態では、ウエハ１０の中央部を真空チャックで吸着するが、切断されるウエハ外周部は吸着されない。この場合、レーザビームＬｂの出力を大きくすると切断は速くなるが、加工時の衝撃も大きくなり、切断された外周部が欠けて飛ぶことがある。このとき、切断部にクラックが発生するだけでなく、場合によってはウエハ１０が割れる可能性がある。
【００４５】
本実施形態ではこの対策を講じている。
図１０（ａ）に示すように、枠体としての加工ガイド４０と粘着テープ４１を用いている。粘着テープ４１は少なくとも一方の面に粘着剤が塗布されている。加工ガイド（枠体）４０は環状をなし、その内方での開口部４０ａは、スライスしたウエハ１０よりも大きくなっている。加工ガイド４０の一方の面の全面に、粘着テープ４１を貼り付け、加工ガイド４０の開口部４０ａでのテープ４１に、スライスしたウエハ１０を貼り付ける。そして、切断用テーブルに、加工ガイド４０の開口部４０ａにおいて粘着テープ４１に貼り付けられたウエハ１０を固定し、この状態でウエハ１０にレーザビームＬｂを照射して切断する。
【００４６】
このようにしてウエハ１０を粘着テープ４１に貼り付けた状態で切断することにより、図１０（ｂ）に示すように切断時の衝撃による割れの発生を防止できるとともに、ウエハ外周部は粘着テープ４１に接着されているため、ウエハ外周部が切断の衝撃で飛ぶことはない（欠けを防止することができる）。その結果、ウエハの割れ、切断部の欠け（不良）のない高品質な加工が可能となる。なお、粘着テープ４１は熱に強い材質がよく、紫外光を当てると容易に剥離するテープが使いやすくてよい。
【００４７】
次に、図１１（ａ），（ｂ）を用いて、加工ガイド４０を使用した場合のウエハ中心とオリフラ方向の決め方を説明する。
図１１（ａ）に示すように、任意な位置にスライス済ウエハ１０を貼り付ける場合において、光学的な方法で台座２の裏面を認識して、台座２の幅の中心と向きを決める。この向きがオリフラ向きになる。次に、台座２の裏面から台座２と反対側のウエハ１０の端部までの距離を測定して、第１の実施形態と同様にウエハ中心を決める。
【００４８】
あるいは、図１１（ｂ）に示すように、加工ガイド４０を基準にして、スライスしたウエハ１０を粘着テープ４１に貼り付ける。この際、第１の実施形態と同様な方法でウエハ中心を求めて、加工ガイド４０の中心と一致するように貼り付ける。具体的には、加工ガイド４０に設けた切欠４０ｂと台座２の裏面が平行になるようにするとともに、この状態でウエハ１０の上部から台座２の裏面までの距離から、ウエハ１０の中心が加工ガイド４０の中心になる台座２の裏面とガイド切欠４０ｂの距離を求め、ウエハ１０を貼り付ける。これによって、加工ガイド４０を基準にした切断ができる。
【００４９】
このとき、加工ガイド４０にスライス済ウエハ１０を精度よく貼り付ける専用装置があるとよい。また、インゴット１のマーキングでウエハ１０の中心とオリフラ向きを第１の実施形態で説明したような方法で決めてもよい（図４参照）。
【００５０】
図１２には、加工ガイド４０を使用した場合の切断テーブルの構造を示す。
第１の実施形態と同様に、切断領域が空隙のテーブル２０を使用することができる。このとき、ウエハ１０の中央部を真空で吸着して保持する。つまり、スライスした半導体基板１０を切断用テーブル２０に固定する手段として、真空による吸着方式を用いる。この際、図１３（ａ）に示すように加工ガイド４０も真空吸着する。つまり、枠体４０を切断用テーブル２０に固定する手段として、真空による吸着方式を用いる。あるいは、図１３（ｂ）に示すように、ステー５０で加工ガイド４０の外周側から固定する。つまり、枠体４０を切断用テーブル２０に固定する手段として、枠体４０の上から切断用テーブル２０に押さえ付ける部材５０を用いる。あるいは、図１３（ｃ）に示すように、テーブル２０の上面に設けた磁石５１で固定してもよい。つまり、枠体４０を切断用テーブル２０に固定する手段として、枠体４０を吸着する磁石５１を用いてもよい。磁石５１で固定する場合は、加工ガイド４０は磁石に吸着される材料で作製する。
【００５１】
また、図１４に示すように、第１の実施形態と同様に、ハニカム材２４を用いることにより切断領域を線で支えるテーブルを用いたり、図１５に示すように、ピン２５を用いることにより切断領域を点で支えるテーブル２０を用いたり、図１６に示すように、切断領域が凹部２２のテーブル２０を使用するとよい。これらの場合も、ウエハ中央部を真空で吸着して保持することとし、更に図１３（ａ），（ｂ），（ｃ）で説明したように加工ガイド４０を真空吸着、ステー５０あるいは磁石５１などで固定する。
【００５２】
なお、加工ガイド４０を基準にしてスライス済ウエハ１０を貼り付けた場合は、加工ガイド４０が切断装置のテーブルに対して一定の位置、一定の向きにセットされるようにする。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は第１の実施の形態における加工手順を説明するための斜視図。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は切り出し工程を説明するための平面図。
【図３】（ａ），（ｂ）はウエハ中心とオリフラ方向の決定方法を説明するための図。
【図４】（ａ），（ｂ）はウエハ中心とオリフラ方向の決定方法を説明するための図。
【図５】切断用テーブルを示す縦断面図。
【図６】切断用テーブルを示す縦断面図。
【図７】切断用テーブルを示す縦断面図。
【図８】切断用テーブルを示す縦断面図。
【図９】切断用テーブルを示す縦断面図。
【図１０】（ａ），（ｂ）は第２の実施の形態におけるウエハの支持方法を説明するための図。
【図１１】（ａ），（ｂ）はウエハ中心とオリフラ方向の決定方法を説明するための平面図。
【図１２】切断用テーブルを示す縦断面図。
【図１３】（ａ），（ｂ），（ｃ）は加工ガイドの支持構造を示す縦断面図。
【図１４】切断用テーブルを示す縦断面図。
【図１５】切断用テーブルを示す縦断面図。
【図１６】切断用テーブルを示す縦断面図。
【符号の説明】
１…インゴット、２…支持台座、３…ワイヤソー、４…レーザ発振器、５…走査装置、１０…ウエハ（半導体基板）、１１…ウエハ（半導体基板）、１２…ウエハ（半導体基板）、１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ…ウエハ（半導体基板）、２０…テーブル、２０ａ…支持面、２４…ハニカム材、２５…ピン、３０…マーク、３１…マーク、４０…加工ガイド（枠体）、４０ａ…開口部、４１…粘着テープ、５０…ステー、５１…磁石。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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