(57)【要約】【課題】電磁シールド効果等の特性は維持しつつ小型化、低コスト化を実現する。【解決手段】リードフレーム１０は、ＰＤチップ３０とＩＣチップ４０を両面に搭載する電気部品搭載部分１１と、入出力端子用リードピン１２とに大別される。ＰＤチップ３０及びＩＣチップ４０の電気部品搭載部分１１は、ＧＮＤ電位用リード１３とつながっており、ＩＣチップ４０のチップサイズが十分に収まる領域の面積が確保されている。ＧＮＤ電位用リード１３及び電気部品搭載部分１１は同一平面の平坦な形状に形成されており、かつ、ＧＮＤ電位用リード１３は、電気部品搭載部分１１の対向する側縁から同一平面内において反対方向に１本ずつ延設されている。【選択図】　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームのうち光電変換用の電気部品を搭載した部分を光透過性樹脂で封止し、樹脂封止されていない他の部分をリード端子とした受発光半導体装置において、前記電気部品を前記リードフレームの電気部品搭載部分の両面に搭載したことを特徴とする受発光半導体装置。
【請求項２】
搭載される電気部品が受光素子とＩＣ素子であり、前記受光素子のリードフレーム搭載面の形状が、前記ＩＣ素子のリードフレーム搭載面の領域及びこのＩＣ素子から接続されるワイヤー線の大部分を覆う形状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の受発光半導体装置。
【請求項３】
前記受光素子のリードフレーム搭載面をＧＮＤ電位としたことを特徴とする請求項２記載の受発光半導体装置。
【請求項４】
入出力用リードにおいて、ＧＮＤ電位側のセカンドボンドエリアとその他の電位側のセカンドボンドエリアとの間に段差を設けたことを特徴とする請求項１に記載の受発光半導体装置。
【請求項５】
前記ＧＮＤ電位側のセカンドボンドエリアに対し、前記その他の電位側のセカンドボンドエリアが、リードフレームのＩＣ素子搭載面側に突出して設けられていることを特徴とする請求項４に記載の受発光半導体装置。
【請求項６】
ＧＮＤ電位のリードが前記電気部品搭載部分を介して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の受発光半導体装置。
【請求項７】
ＧＮＤ電位のリードが前記電気部品搭載部分を介して対向する２方向にそれぞれ少なくとも１本以上形成されていることを特徴とする請求項１に記載の受発光半導体装置。
【請求項８】
前記リードフレームの入出力用リードにおいて、前記受光素子をつなぐワイヤボンドのセカンドボンドエリアの位置と前記ＩＣ素子をつなぐワイヤボンドのセカンドボンドエリアの位置とをずらせて設けたことを特徴とする請求項２に記載の受発光半導体装置。
【請求項９】
前記電気部品搭載部分から前記受光素子をつなぐワイヤボンドのセカンドボンドエリアまでの距離を、前記電気部品搭載部分から前記ＩＣ素子をつなぐワイヤボンドのセカンドボンドエリアまでの距離より長くしたことを特徴とする請求項８に記載の受発光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、家電製品や情報通信機器（パソコン等）に使用される赤外リモコン受光ユニットや赤外通信素子（ＩＲＤＡ）等の受発光半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
リモコン送信機等の遠隔制御用装置から送信された赤外光信号を受信する遠隔制御用受信装置（以下、「リモコン受光ユニット」と称する）は、受光素子（ホトダイオード：以下「ＰＤチップ」という）によって、リモコン送信機から送信された赤外光信号を受信する。受信した赤外光信号は、信号制御処理用素子（以下「ＩＣチップ」という）によって、増幅及び波形整形等の各種信号処理が行われ、この受信信号に応答して各種のＴＶ、ＴＶＲ等のオーディオビジュアル機器並びにパーソナルコンピュータ等のオフィスオートメーション機器の遠隔制御が行われる。
【０００３】
すなわち、リモコン送信機から送信された赤外光信号であるデジタル信号は、リモコン受光ユニットのＰＤチップの受光面にて受光され、受光された光信号は微弱な電気信号に変換される。この微弱な電気信号はＩＣチップ内の増幅回路によって数万倍に増幅される。増幅された電気信号は必要な周波数帯域の信号のみ抽出するフィルタ回路（バンドパスフィルタ：ＢＰＦ）で必要な信号の周波数のみ抽出される。以下、検波回路で送信信号と同様なデジタル波形情報として出力される。
【０００４】
このようなリモコン受光ユニットは、ＰＤチップとＩＣチップとをリードフレーム上に搭載した後、モールド樹脂によって封止される。または、ＩＣチップ等を絶縁基板上に搭載した後、モールド樹脂によって封止される（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
ここで、受光部品としては、モールド樹脂を外側から金属製ケースによって覆った複数チップ型受光部品と、モールド樹脂の内側をリードフレームで覆った複数チップ型受光部品とがあるが、リモコン受光ユニットの必要機能として一般的に１０ｍ以上もの遠隔制御距離が必要であるため、いずれの構造の受光部品も微弱な電気信号を数万倍に増幅する処理を行っている。このため、電磁ノイズ等の信号以外のノイズ成分も増幅回路で増幅されてしまい、信号と電磁ノイズの強弱の比（ＳＮ比）が確保出来なくなり、必要な信号のみを抽出することができなくなってしまう。このような現象を防止するため、金属製シールドケース等でＰＤチップ及びＩＣチップとその周辺を覆い、電磁シールドする手法が多用されている。
【０００６】
モールド樹脂を覆う金属シールドケースは、製品単品状態ではモールド樹脂を覆うのみであり、リードフレームのＧＮＤ端子部分のリードとはつながっていないため、ユーザ側で基板に実装される際にリードフレームのＧＮＤリード部と金属シールドケースとを基板パターン上で同電位につなぐ手法が一般的である。
【０００７】
以前は製品単品状態で導通をとる構造のものもあったが、半田付けで導通をとる等の付加作業が必要であるため、コストアップの要因となり、また、ユーザ側での実装時に互いの導通が容易にとれることから、製品単品状態では金属シールドケースを搭載した非導通の製品が主流を占めている。
【０００８】
次に、リモコン受光ユニットの構造について説明する。
【０００９】
図６ないし図８は、従来のリモコン受光ユニットの構造を示している。
【００１０】
金属製リードフレーム（主に鉄材が主流であり、以下単に「リードフレーム」と称する）５１の部品搭載部分５１ａの一面に、ＰＤチップ５２が絶縁性接着剤５３によって接着固定されるとともに、ＩＣチップ５４が導電性接着剤５５によって接着固定されている。
【００１１】
ＰＤチップ５２は通常ＰＮ構造であり、リモコン受光ユニットの場合は逆電圧をかけるため（すなわち、ＰＤチップ５２裏面側のＮ電極部に電位が生じるため）、リードフレーム５１の構造上、ＧＮＤ電位となる部品搭載部分５１ａとの間は絶縁状態に保っておく必要がある。そのため、接着剤には絶縁性フィラーを含んだエポキシ樹脂で接着している。
【００１２】
一方、ＩＣチップ５４の裏面は、信号処理には関係が無く（すなわち、ＩＣチップ５４表面で信号処理するため）、リードフレーム５１との接着は導電性接着剤であっても絶縁性接着剤であってもかまわないが、通常は作業性に優れ接着力のある導電性接着剤（エポキシ樹脂にＡｇ粉を混ぜ合わせた接着剤）を使用している。
【００１３】
この後、ＰＤチップ５２の電極部５２ａとＩＣチップ５４の電極部５４ａ、及びＩＣチップ５４の他の電極部５４ｂと入出力リードフレーム部５７とをそれぞれ数十μｍの直径の金線（以下、「Ａｕ線」と称する）５８でワイヤボンドする（図６参照）。最後に、リードフレーム５１の部品搭載部分５１ａに搭載されたＰＤチップ５２及びＰＤチップ５４を囲むようにして、赤外線を透過し、可視光をカットする染料を混ぜた熱硬化性樹脂（以下「モールド樹脂」と称する）５９で封止する（図７参照）。
【００１４】
モールド樹脂５９から露出したリードフレーム６０は、樹脂バリ取り、タイバーカット、リードカット、半田付け処理が施される。さらに、金属製シールドケース６１でモールド樹脂５９全体を包むように被覆することにより、電磁ノイズに対して耐量を確保している（図８参照）。
【００１５】
【特許文献１】
実開昭６４−５０４６７号公報
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
過去のリモコン受光ユニットは、ＰＤチップとＩＣチップを１チップ化して小型化を図ったこともあったが、特性面で複合部品より劣る問題があり、現在では１チップの商品はほとんどない。また、ＩＣ回路と受光部分を１チップで形成するため、チップ生産コストが高くなるといった問題もあった。
【００１７】
そのため、現在の主流はＰＤチップとＩＣチップの２チップ構成であり、リードフレームを媒体としたトランスファモールド樹脂成型構造である。
【００１８】
また、小型化の主流は基板を媒体としたものであるが、基板自体がフレームより高価であることに加え、基板分割でダイシングを行っており、これもコストアップにつながる要因となっている。
【００１９】
本発明は係る問題点を解決すべく創案されたもので、その目的は、電磁シールド効果等の特性は維持しつつ小型化、低コスト化を実現した受発光半導体装置を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明の受発光半導体装置は、リードフレームのうち光電変換用の電気部品を搭載した部分を光透過性樹脂で封止し、樹脂封止されていない他の部分をリード端子とした受発光半導体装置において、前記電気部品を前記リードフレームの電気部品搭載部分の両面に搭載したことを特徴としている。この場合、搭載される電気部品を受光素子とＩＣ素子とし、前記受光素子のリードフレーム搭載面の形状を、前記ＩＣ素子のリードフレーム搭載面の領域及びこのＩＣ素子から接続されるワイヤー線の大部分を覆う形状に形成する。また、受光素子のリードフレーム搭載面をＧＮＤ電位とする。このような形状及び構造とすることにより、受光素子としてＮＰ構造のＰＤチップを使用した場合には、ＰＤチップのリードフレーム搭載面（裏面）及び側面はＧＮＤ電位となり、ＧＮＤ電位の領域が広がることになるので、ＩＣ素子及びＩＣ素子と接続されているＡｕ線に対して電磁シールド効果を確保することができる。
【００２１】
また、入出力用リードにおいて、ＧＮＤ電位側のセカンドボンドエリア（例えば、受光素子をつなぐワイヤボンドのセカンドボンドエリア）とその他の電位側のセカンドボンドエリア（例えば、ＩＣ素子をつなぐワイヤボンドのセカンドボンドエリア）との間に段差を設けてもよい。具体的には、前記ＧＮＤ電位側のセカンドボンドエリアに対し、前記その他の電位側のセカンドボンドエリアを、リードフレームのＩＣ素子搭載面側に突出して設けている。このように段差を設けることで、入出力用リードのうち、ＩＣ素子をつなぐワイヤボンドのセカンドボンドエリアが、ＰＤチップのリードフレーム搭載面（裏面）と接触することを防止できる。すなわち、ＰＤチップの裏面の電位はＧＮＤ電位となり、入出力用リードの電位とは異なるので、接触を避ける必要がある。
【００２２】
また、ＧＮＤ電位のリードは、前記電気部品搭載部分を介して、対向する２方向にそれぞれ少なくとも１本以上形成する。これにより、電気部品搭載部分に電気部品を搭載するとき、電気部品搭載部分を２方向に延設されたＧＮＤ電位のリードの部分で支持することができる。すなわち、２箇所以上で支持することができるので、両面に電気部品を搭載するときに、電気部品搭載部を安定的に支持することができる。
【００２３】
また、前記リードフレームの入出力用リードにおいて、前記受光素子をつなぐワイヤボンドのセカンドボンドエリアの位置と前記ＩＣ素子をつなぐワイヤボンドのセカンドボンドエリアの位置とをずらせて設けてもよい。具体的には、前記電気部品搭載部分から前記受光素子をつなぐワイヤボンドのセカンドボンドエリアまでの距離を、前記電気部品搭載部分から前記ＩＣ素子をつなぐワイヤボンドのセカンドボンドエリアまでの距離より長くしている。これにより、ＩＣ素子を電気部品搭載部分の一方の面側に搭載した後、次に電気部品搭載部分の他方の面側に受光素子を搭載する際に、セカンドボンドエリアの真下にヒータブロックを置くことができるので、安定したワイヤボンドが可能となる。
【００２４】
すなわち、ワイヤボンドでは、キャピラリイと呼ばれるＡｕ線を中に通した針先のような物で熱と超音波を利用してＡｕ線をリードに接合させているので、キャピラリイの当たる部分の下側に支えが必要となり、支えがないとワイヤボンドが付き難くなる。そのため、通常は、加熱したヒータブロックをリードの下側に設置してセカンドボンドの荷重を真下で支える製造方法をとっているが、本発明では、両セカンドボンドエリアの位置をずらせることによって、一方の面にＩＣ素子を搭載した電気部品搭載部分の他方の面に受光素子を搭載する場合でも、キャヒラリイの設置が可能となる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２６】
図１ないし図５は、本実施の形態の受発光半導体装置の構造及び製造プロセスを示す説明図であり、図１はリードフレームの構造を示す平面図、正面図及び側面図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図及びＢ−Ｂ線断面図、図３はリードフレームに電気部品を搭載した状態の平面図及び側面図、図４は樹脂封止後の状態を示す平面図、正面図及び側面図、図５は金属シールドケースで覆った状態を示す平面図、正面図及び側面図をそれぞれ示している。
【００２７】
本実施の形態では、製品の小型化を図るため、リードフレームの材質として４２アイロ材（鉄、Ｎｉの合金）を使用し、厚みを０．２ｍｍとしている。また、メッキは、後述する電気部品搭載部分及びワイヤボンド部に１．５−３μｍＡｇメッキを施すものとする。ただし、材質は４２アイロ材に限らず、鉄やＣｕでも構わない。また、厚みも０．２ｍｍに限るものではない。４２アイロ材の場合、リード部分は素材のまま後工程で半田処理を施して表面処理するのが一般的であるが、先にメッキとしてＳｎＰｂやＳｎＣｕを施し、後工程の半田処理を割愛しても構わない。
【００２８】
本実施の形態では、リードフレーム１０は、ＰＤチップ３０とＩＣチップ４０を両面に搭載する電気部品搭載部分１１と、入出力端子用リードピン１２とに大別される。
【００２９】
ＰＤチップ３０及びＩＣチップ４０の電気部品搭載部分１１は、ＧＮＤ電位用リード１３とつながっており、ＩＣチップ４０のチップサイズが十分に収まる領域の面積が確保されている。
【００３０】
ＧＮＤ電位用リード１３及び電気部品搭載部分１１は同一平面の平坦な形状に形成されており、かつ、ＧＮＤ電位用リード１３は、本実施の形態では、電気部品搭載部分１１の対向する側縁（図１では上下の側縁）から同一平面内において反対方向に１本ずつ延設されている。
【００３１】
このように、ＧＮＤ電位用リード１３を対向する方向に１本ずつ設けるのは、次の理由による。
【００３２】
すなわち、電気部品搭載部分１１の一方の面１１ａにＩＣチップ４０を最初に搭載する場合には、電気部品搭載部分１１の真下に当たる他方の面１１ｂ側で電気部品搭載部分１１を支えることができる。しかし、ＩＣチップ４０を搭載した後、他方の面１１ｂにＰＤチップ３０を搭載する場合、他方の面１１ｂの真下に当たる一方の面１１ａにはすでにＩＣチップ４０が搭載されているため、この部分を支えることはＩＣチップ４０に負荷をかけることになってできない。そのため、ＩＣチップ４０以外の箇所で支える必要がある。この場合、ＧＮＤ電位用リード１３で支えることが考えられるが、このＧＮＤ電位用リード１３が１本しかなかった場合には、片持ち状の支持となるため、安定した支持が行えない。そこで、本実施の形態のように、ＧＮＤ電位用リード１３を電気部品搭載部分１１から反対方向に１本ずつ、計２本設けることで、２点支持が可能となり、電気部品搭載部分１１を安定して支持することが可能となる。従って、ＧＮＤ電位用リード１３の本数は多いほど良く、２本に限定されるものではないが、設ける本数は、全体の形状等を考慮して決めればよい。
【００３３】
一方、入出力端子用リードピン１２は、後述するＩＣチップ４０をつなぐワイヤボンドのセカンドボンドエリア１４（すなわち、入出力端子用リードピン１２の先端部）が、ＧＮＤ電位用リード１３に対して、ＩＣチップ４０を搭載する電気部品搭載部分１１の一方の面１１ａ側に突出するように屈曲して設けられている。この場合、屈曲部の段差は、ＧＮＤ電位用リード１３及び電気部品搭載部分１１の板厚程度とする。
【００３４】
このように段差を設けたのは、ＰＤチップ３０を電気部品搭載部分１１の他方の面１１ｂに搭載したときに、ＰＤチップ３０の裏面（リードフレーム搭載面）及び側面が入出力端子用リードピン１２に接触しないようにするためである。ＰＤチップ３０は、入出力端子用リードピン１２のセカンドボンドエリア１４を覆う大きさのＰサブ（Ｐ層の母材にＮ層を埋め込んだ構造で、アノード側が母材となる）を使用して電気部品搭載部１１の他方の面１１ｂに導電性接着剤２１で接着させるので、ＰＤチップ３０の裏面の電位はＧＮＤとなり、入出力端子用リードピン１２の電位とは異なるので、接触を避ける必要がある。
【００３５】
次に、上記構成のリードフレーム１０に電気部品であるＰＤチップ３０及びＩＣチップ４０を搭載する製造プロセスについて説明する。
【００３６】
まず、図１に示すリードフレーム１１の電気部品搭載部分１１の一方の面１１ａに、導電性接着剤２１でＩＣチップ４０を接着する。ＩＣチップ４０の場合は、側面及び裏面（リードフレーム搭載面）は電位がないので、必ずしもＧＮＤ電位にする必要はないが、電磁シールド効果を考えてＧＮＤ電位にしておく方が良い。また、接着剤の種類については、Ａｇ粉とエポキシ樹脂を混練したＡｇペーストが一般的であるが、その他の導電性ペースト（Ｃｕ等）を使用しても良い。
【００３７】
次に、ＩＣチップ４０の各入出力電極パッド部４１とリードフレーム１０の入出力端子用リードピン１２のセカンドボンドエリア１４とをＡｕ線２２でワイヤボンドする。同様に、ＩＣチップ４０のＧＮＤ用バッド部４２とリードフレーム１０のＧＮＤ電位用リード１３とをＡｕ線２２でワイヤボンドする。
【００３８】
次に、電気部品搭載部分１１の他方の面１１ｂに、ＰＤチップ３０を導電性接着剤２３で接着する。ＰＤチップ３０は、ＮＰ構造のものを使用する。ＮＰ構造の場合、Ｐ側が基材になるので、ＰＤチップ３０の側面３１及び裏面３２はアノード側となる。リモコン受光ユニットの場合、ＰＤチップ３０には逆バイアスをかけるため、カソード側を電位のある側とし、アノード側をＧＮＤ電位にする必要がある。ＮＰ構造のＰＤチップ３０を使用することで、ＰＤチップ３０の側面３１及び裏面３２は電磁シールド材としての機能を持つことになる。
【００３９】
また、本実施の形態では、ＰＤチップ３０の形状を、ＩＣチップ４０及びＩＣチップ４０から接続されているＡｕ線２２を覆う大きさに形成する。これにより、ＰＤチップ３０によりＧＮＤ電位の領域が広がるので、ＩＣチップ４０及びＩＣチップ４０から接続されているＡｕ線２２に対して電磁シールド効果を確保することができる。
【００４０】
次に、ＰＤチップ３０のカソード側（電位のある部分）の電極パッド部３３と、入出力端子用リードピン１２のうちＩＣチップ入力端子用リードピン１２ａのセカンドボンドエリア１５とをワイヤボンドする。ワイヤボンドしたＩＣチップ入力端子用リードピン１２ａは、すでにＩＣチップ４０の入出力電極パッド部４１とつながっており、このＩＣチップ入力端子用リードピン１２ａを介してＰＤチップ３０とＩＣチップ４０との間の光信号の伝達が行われることになる。
【００４１】
ここで、ＰＤチップ３０からワイヤボンドされるＩＣチップ入力端子用リードピン１２ａのセカンドボンドエリア１５の位置は、すでにＩＣチップ４０からワイヤボンドされているＩＣチップ入力端子用リードピン１２ａのセカンドボンドエリア１４の位置からずらして設けられている。具体的には、電気部品搭載部分１１の端部からＰＤチップ３０をつなぐワイヤボンドのセカンドボンドエリア１５までの距離を、電気部品搭載部分１１の端部からＩＣチップ４０をつなぐワイヤボンドのセカンドボンドエリア１４までの距離より長くしている。
【００４２】
このように、セカンドボンドエリア１４，１５の位置をずらせるのは、次の理由による。
【００４３】
すなわち、ワイヤボンドでは、キャピラリイと呼ばれるＡｕ線を中に通した針先のような物で熱と超音波を利用してＡｕ線をリードに接合させているので、キャピラリイの当たる部分の下側に支えが必要となり、支えがないとワイヤボンドが付き難くなる。そのため、通常は、加熱したヒータブロックをリードの下側に設置してセカンドボンドの荷重を真下で支える製造方法をとっている。しかし、本実施の形態では、両セカンドボンドエリア１４，１５の位置をずらせることによって、一方の面１１ａにＩＣチップ４０を搭載した電気部品搭載部分１１の他方の面１１ｂにＰＤチップ３０を搭載する場合でも、セカンドボンドエリア１５の真下にヒータブロックを置くことができるので、ＰＤチップ３０の安定したワイヤボンドが可能となる。
【００４４】
以上の製造プロセスを実施することで、ＩＣチップ４０とＰＤチップ３０、ＩＣチップ４０と入出力端子用リードピン１２（ＩＣチップ入力端子用リードピン１２ａを含む）、ＰＤチップ３０とＩＣチップ入力端子用リードピン１２ａとが電気的に接合され、完成品となった場合に露出しているリードピン１７の各端子の機能（ＧＮＤ、Ｖｃｃ、Ｖｏｕｔ）が確保される。
【００４５】
次に、上記の製造プロセスをて電気部品が搭載されたリードフレームを樹脂封止するプロセスについて説明する。
【００４６】
モールド樹脂の材質は、従来の樹脂と同等の可視光カット赤外光透過型熱硬化エポキシ樹脂を使用する。この樹脂を使用して、ワイヤボンド後の製品をトランスファモールド方式で封止する。
【００４７】
封止方法としては、トランスファモールド方式の他、注型方式等があるが、いずれもモールド樹脂構造は単純な構造しか形成できず、今回のようなモールド部分から両側へリードが突出する構造のモールド封止樹脂構造には不向きである。
【００４８】
モールド構造は、図４に示すように、ＰＤチップ３０をモールドするモールド樹脂部３５の幅Ｗ１より、ＩＣチップ４０をモールドするモールド樹脂部３６の幅Ｗ２を狭くしている。これにより、ＩＣチップ４０のモールド樹脂部３６が入る穴を設けた実装基板（図示省略）に、ＩＣチップ４０のモールド樹脂部３６を嵌め込むことで、モールド幅の差が生じる箇所３７が実装基板に当接して固定される構造とすることができる。また、実装基板に穴を設けてＩＣチップ４０のモールド樹脂部３６を嵌め込む構造とすることにより、基板表面からの高さを低くすることができる。
【００４９】
この後、樹脂バリ取り工程、タイバカット工程を行い、モールド樹脂部３５，３６から露出した入出力端子用リードピン１２を半田でコーティングする。
【００５０】
本実施の形態の製品の場合、露出している入出力端子用リードピン１２の表面状態は上記したように４２アイロ材であり、このまま放置して湿度等を与えると錆が発生してしまい、ユーザ実装の半田付けに支障をきたしてしまうため、何らかのコーティング処理を施す必要がある。
【００５１】
また、リードフレームの単品の状態で入出力端子用リードピン１２にメッキを施しておく方法もあるが、リードフレームの状態でメッキを施していると、メッキの融点より低い温度でワイヤボンド等を実施する必要があるため、生産性や安定性に問題があり、またワイヤボンド強度の確保が難しいため、一般的には行われていない。通常は、モールド後のアセンブリ工程の中でコーティング処理を半田デップあるいは半田メッキで施している。
【００５２】
半田については、従来のＳｎ−Ｐｂの他、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ等といった各種組成のものであっても、半田付け性が確保できればどれを採用してもよい。
【００５３】
この後、図５に示すように、金属シールドケース３８によるケーシング、リードカット、特性検査等の工程を経て完成品となる。
【００５４】
ケーシングは、ＩＣチップ４０の表面側及び側面でのモールド樹脂部を主に金属板で覆うことにより、電磁シールドに対して強くしている。金属ケースの代わりに導電性樹脂を用いてもよい。
【００５５】
【発明の効果】
本発明の受発光半導体装置によれば、電気部品である受光素子とＩＣ素子とをリードフレームの電気部品搭載部分の両面に搭載するとともに、受光素子のリードフレーム搭載面の形状を、ＩＣ素子のリードフレーム搭載面の領域及びこのＩＣ素子から接続されるワイヤー線の大部分を覆う形状に形成している。これにより、受光素子としてＮＰ構造のＰＤチップを使用した場合には、ＰＤチップのリードフレーム搭載面（裏面）及び側面はＧＮＤ電位となり、ＧＮＤ電位の領域が広がることになるので、ＩＣ素子及びＩＣ素子と接続されているＡｕ線に対して電磁シールド効果を確保しつつ、装置の小型化及び低コスト化を実現することができる。
【００５６】
また、入出力用リードにおいて、ＧＮＤ電位側のセカンドボンドエリア（例えば、受光素子をつなぐワイヤボンドのセカンドボンドエリア）とその他の電位側のセカンドボンドエリア（例えば、ＩＣ素子をつなぐワイヤボンドのセカンドボンドエリア）との間に段差を設けることで、入出力用リードのうち、ＩＣ素子をつなぐワイヤボンドのセカンドボンドエリアが、ＰＤチップのリードフレーム搭載面（裏面）と接触することを防止できる。
【００５７】
また、ＧＮＤ電位のリードは、前記電気部品搭載部分を介して、対向する２方向にそれぞれ少なくとも１本以上形成する。これにより、電気部品搭載部分に電気部品を搭載するとき、電気部品搭載部分を２方向に延設されたＧＮＤ電位のリードの部分で支持することができる。すなわち、２箇所以上で支持することができるので、両面に電気部品を搭載するときに、電気部品搭載部を安定的に支持することができる。
【００５８】
また、前記リードフレームの入出力用リードにおいて、前記受光素子をつなぐワイヤボンドのセカンドボンドエリアの位置と前記ＩＣ素子をつなぐワイヤボンドのセカンドボンドエリアの位置とをずらせて設けている。これにより、ＩＣ素子を電気部品搭載部分の一面側に搭載した後、次に電気部品搭載部分の他方の面側に受光素子を搭載する際に、セカンドボンドエリアの真下にヒータブロックを置くことができるので、安定したワイヤボンドが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の受発光半導体装置におけるリードフレームの構造を示す平面図、（ｂ）は同正面図、（ｃ）は同側面図である。
【図２】（ａ）は図１のＡ−Ａ線断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ線断面図である。
【図３】（ａ）は本発明の受発光半導体装置におけるリードフレームに電気部品を搭載した状態の平面図、（ｂ）は同側面図である。
【図４】（ａ）は樹脂封止後の状態を示す平面図、（ｂ）は同正面図、（ｃ）は同側面図である。
【図５】（ａ）は金属シールドケースで覆った状態を示す平面図、（ｂ）は同正面図、（ｃ）は同側面図である。
【図６】従来の受発光半導体装置のリードフレームに電気部品を搭載した状態の平面図である。
【図７】従来の受発光半導体装置において樹脂封止後の状態を示す平面図である。
【図８】（ａ）は従来の受発光半導体装置において金属シールドケースで覆った状態を示す平面図、（ｂ）は同側面図である。
【符号の説明】
１０　リードフレーム
１１　電気部品搭載部分
１２　入出力端子用リードピン
１２ａ　ＩＣチップ入力端子用リードフレーム
１３　ＧＮＤ電位用リードフレーム
１４，１５　セカンドボンドエリア
２１　導電性接着剤
２２　Ａｕ線（ワイヤー線）
２３　導電性接着剤
３０　ＰＤチップ（受光素子）
３５，３６　モールド樹脂部
３８　金属シールドケース
４０　ＩＣチップ（ＩＣ素子）
【図１】
2004119676.tif 000003
【図２】
2004119676.tif 000004
【図３】
2004119676.tif 000005
【図４】
2004119676.tif 000006
【図５】
2004119676.tif 000007
【図６】
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【図７】
2004119676.tif 000009
【図８】
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