(57)【要約】【課題】半導体装置を封止した液状封止材料中に残存するボイド等が低減でき、信頼性の向上を図った半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】内面に電極を形成した凹部３を有する基板４と、前記凹部３の底面に搭載する半導体素子６と、電極２と半導体素子６とを接続するボンディングワイヤ７とを、前記凹部３内に充填した液状封止材料８で封止してなる半導体装置１０ａは、平面視、前記ボンディングワイヤ７の直下に、局所加熱用構造である局所加熱用凹部９ａを有するので、液状封止材料８を充填する過程で、局所加熱用凹部９ａを介して、加熱手段１３によりボンディングワイヤ７の近傍に充填された液状封止材料８を局所的に加熱して、低粘度にできる結果、ボンディングワイヤ７の近傍の液状封止材料８の脱泡が促進され、ボンディングワイヤ７の近傍のボイドの残留を低減できることとなる。【選択図】　　　　図２
2004119509.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内面に電極を形成した凹部を有する基板と、前記凹部の底面に搭載する半導体素子と、前記電極と前記半導体素子とを接続するボンディングワイヤとを、前記凹部内に充填した液状封止材料で封止してなる半導体装置であって、平面視、前記ボンディングワイヤの直下に、局所加熱用構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記局所加熱用構造が、前記基板の前記凹部を形成した面の反対側面に形成した第二の凹部である局所加熱用凹部であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記局所加熱用凹部が、その内面に発熱用電気回路を形成した局所加熱用凹部であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記局所加熱用凹部が、その底面に抵抗発熱体を埋設した局所加熱用凹部であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記抵抗発熱体が、前記電極を有する前記凹部の底面に露出していることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記抵抗発熱体が、前記電極を有する前記凹部の底面に突出していることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項７】
前記局所加熱用凹部が、その底面に高熱伝導性電気絶縁体を埋設した局所加熱用凹部であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項８】
前記高熱伝導性電気絶縁体が、前記電極を有する前記凹部の底面に露出していることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記高熱伝導性電気絶縁体が、前記電極を有する前記凹部の底面に突出していることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記局所加熱用構造が、前記電極を有する前記凹部の底面に形成した局所加熱用電気回路パターンであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記局所加熱用電気回路パターンが、蛇行形状を有する局所加熱用電気回路パターンであることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記局所加熱用電気回路パターンが、前記電極を有する前記凹部の底面に設けた突起部表面に形成した局所加熱用電気回路パターンであることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記突起部が、連続する高低方向の凹凸構造を有することを特徴とする請求項１２記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記連続する高低方向の凹凸構造の凸部が、平面視、前記ボンディングワイヤの直下に配置されたことを特徴とする請求項１３記載の半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、下記の（Ａ）〜（Ｄ）の工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
（Ａ）電極を有する基板凹部の底面に半導体素子を搭載し、前記電極と、前記半導体素子とをボンディングワイヤにより接続する工程。
（Ｂ）液状封止材料を前記凹部内に所定の充填速度で充填する工程。
（Ｃ）平面視、前記ボンディングワイヤの直下に設けた局所加熱用構造により前記ボンディングワイヤ近傍を加熱する工程。
（Ｄ）前記液状封止材料を硬化せしめる工程。
【請求項１６】
前記（Ａ）の工程の完了後、前記（Ｄ）の工程の開始前に、前記（Ｂ）及び前記（Ｃ）の工程を備える一方、前記（Ｂ）の工程において、液状封止材料を前記凹部内に充填する際に、その充填量を前記ボンディングワイヤが未硬化の液状封止材料中に没するに足りる最低量とし、且つ、前記（Ｂ）の工程終了後、前記（Ｃ）の工程を所定時間継続した後、前記（Ｄ）の工程に移行する前に、下記の（Ｅ）の工程を備えることを特徴とする請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
（Ｅ）液状封止材料を所定の必要量まで、所定の充填速度で充填する工程。
【請求項１７】
前記（Ｅ）の工程における液状封止材料の充填速度が、前記（Ｂ）の工程における液状封止材料の充填速度よりも、高いことを特徴とする請求項１６記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、信頼性の向上を図った半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
樹脂封止型半導体装置においては、図２２、図２３に示すように、半導体素子６は、メッキ等で回路形成された基板４上のダイパッド１５にベアチップ実装され、同じくメッキで形成された電極２を有するワイヤボンドパッド（図示せず）との間にワイヤボンドされる。その後、液状封止材料８をボンディングワイヤ７を完全に覆うように充填し、最後にこれをすることにより封止される。
【０００３】
このとき、図２２に示すように、液状封止材料８内にはボイド２６ができることがあり、特にボンディングワイヤ７の近傍にできやすい。ボンディングワイヤ７近傍のボイド２６は、半導体装置の品質上、問題となることが多い。たとえば、周囲温度の変化により液状封止材料８が、固有の線膨張率にしたがって膨張あるいは収縮すると、ボイド２６を通過するボンディングワイヤ７に応力がはたらき切断されることがある。または、図２３に示すような場合には、液状封止材料８を浸透した水蒸気がボイド２６の内部でたまり、バイアスがかかったダイパッド１５との間で化学反応を起こし、半導体素子６のアルミニウム電極を腐食させることがある。
【０００４】
かかるボンディングワイヤ７近傍のボイド２６の低減を図る目的で、既に、種々の検討が、なされている。例えば、特開平３−２５７９３７号公報では、先ず、高粘度のエポキシ系封止材料を使用して、ワイヤボンディングされた半導体素子の周囲を覆うように塗布した後、この高粘度の封止材料によって囲まれた領域について、より低粘度のエポキシ系封止材料を使用してボイドの発生を低減する封止方法が提案されている。
【０００５】
一方、特開２０００−３０６９３２号公報では、半導体素子外周部のボンディングワイヤと基板との接続部への塗布工程には、高粘度の封止材料を使用する一方、第２の塗布工程では、残りの部分である半導体素子上に、より低粘度の封止材料を塗布することによりボイドの発生を低減する封止方法が提案されている。
【０００６】
しかし、これらには、高粘度の封止材料を塗布する工程と、低粘度の封止材料を塗布する工程が必要で、生産工程が、複雑になるという問題があった。さらに、かかる高粘度の封止材料と低粘度の封止材料の組成が異なる場合には、ボンディングワイヤが、かかる組成の異なる封止材料の硬化物の界面を貫通して封止されている場合、双方の封止材料の線膨張率の差異に起因する熱応力によるボンディングワイヤの断線等の可能性も懸念される。
【０００７】
【特許文献１】
特開平３−２５７９３７号公報　（第２頁右下欄第１行−第３頁左上欄第１５行）
【特許文献２】
特開２０００−３０６９３２号公報　（第３頁、段落００１０）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記事由に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、液状封止材料中に残存するボイド等が低減でき、信頼性の向上を図った半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１に係る半導体装置にあっては、内面に電極を形成した凹部を有する基板と、前記凹部の底面に搭載する半導体素子と、前記電極と前記半導体素子とを接続するボンディングワイヤとを、前記凹部内に充填した液状封止材料で封止してなる半導体装置であって、平面視、前記ボンディングワイヤの直下に、局所加熱用構造を有することを特徴とするものである。なお、ここでいう基板とは、その形状が、板状で、その板状面上にのみ回路形成可能なもののみに限定されず、立体的形状の板状面以外の面上にも回路形成可能なものを含むものとする。
【００１０】
請求項２に係る半導体装置にあっては、請求項１記載の半導体装置において、前記局所加熱用構造が、前記基板の前記凹部を形成した面の反対側面に形成した第二の凹部である局所加熱用凹部であることを特徴とするものである。
【００１１】
請求項３に係る半導体装置にあっては、請求項２記載の半導体装置において、前記局所加熱用凹部が、その内面に発熱用電気回路を形成した局所加熱用凹部であることを特徴とするものである。
【００１２】
請求項４に係る半導体装置にあっては、請求項２記載の半導体装置において、前記局所加熱用凹部が、その底面に抵抗発熱体を埋設した局所加熱用凹部であることを特徴とするものである。
【００１３】
請求項５に係る半導体装置にあっては、請求項４記載の半導体装置において、前記抵抗発熱体が、前記電極を有する前記凹部の底面に露出していることを特徴とするものである。
【００１４】
請求項６に係る半導体装置にあっては、請求項４記載の半導体装置において、前記抵抗発熱体が、前記電極を有する前記凹部の底面に突出していることを特徴とするものである。
【００１５】
請求項７に係る半導体装置にあっては、請求項２記載の半導体装置において、前記局所加熱用凹部が、その底面に高熱伝導性電気絶縁体を埋設した局所加熱用凹部であることを特徴とするものである。
【００１６】
請求項８に係る半導体装置にあっては、請求項７記載の半導体装置において、前記高熱伝導性電気絶縁体が、前記電極を有する前記凹部の底面に露出していることを特徴とするものである。
【００１７】
請求項９に係る半導体装置にあっては、請求項７記載の半導体装置において、前記高熱伝導性電気絶縁体が、前記電極を有する前記凹部の底面に突出していることを特徴とするものである。
【００１８】
請求項１０に係る半導体装置にあっては、請求項１記載の半導体装置において、前記局所加熱用構造が、前記電極を有する前記凹部の底面に形成した局所加熱用電気回路パターンであることを特徴とするものである。
【００１９】
請求項１１に係る半導体装置にあっては、請求項１０記載の半導体装置において、前記局所加熱用電気回路パターンが、蛇行形状を有する局所加熱用電気回路パターンであることを特徴とするものである。
【００２０】
請求項１２に係る半導体装置にあっては、請求項１０記載の半導体装置において、前記局所加熱用電気回路パターンが、前記電極を有する前記凹部の底面に設けた突起部表面に形成した局所加熱用電気回路パターンであることを特徴とするものである。
【００２１】
請求項１３に係る半導体装置にあっては、請求項１２記載の半導体装置において、前記突起部が、連続する高低方向の凹凸構造を有することを特徴とするものである。
【００２２】
請求項１４に係る半導体装置にあっては、請求項１３記載の半導体装置において、前記連続する高低方向の凹凸構造の凸部が、平面視、前記ボンディングワイヤの直下に配置されたことを特徴とするものである。
【００２３】
請求項１５に係る半導体装置の製造方法にあっては、請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、下記の（Ａ）〜（Ｄ）の工程を備えることを特徴とするものである。
（Ａ）電極を有する基板凹部の底面に半導体素子を搭載し、前記電極と、前記半導体素子とをボンディングワイヤにより接続する工程。
（Ｂ）液状封止材料を前記凹部内に所定の充填速度で充填する工程。
（Ｃ）平面視、前記ボンディングワイヤの直下に設けた局所加熱用構造により前記ボンディングワイヤ近傍を加熱する工程。
（Ｄ）前記液状封止材料を硬化せしめる工程。
【００２４】
請求項１６に係る半導体装置の製造方法にあっては、請求項１５記載の半導体装置の製造方法であって、前記（Ａ）の工程の完了後、前記（Ｄ）の工程の開始前に、前記（Ｂ）及び前記（Ｃ）の工程を備える一方、前記（Ｂ）の工程において、液状封止材料を前記凹部内に充填する際に、その充填量を前記ボンディングワイヤが未硬化の液状封止材料中に没するに足りる最低量とし、且つ、前記（Ｂ）の工程終了後、前記（Ｃ）の工程を所定時間継続した後、前記（Ｄ）の工程に移行する前に、下記の（Ｅ）の工程を備えることを特徴とするものである。
（Ｅ）液状封止材料を所定の必要量まで、所定の充填速度で充填する工程。
【００２５】
請求項１７に係る半導体装置の製造方法にあっては、請求項１６記載の半導体装置の製造方法であって、前記（Ｅ）の工程における液状封止材料の充填速度が、前記（Ｂ）の工程における液状封止材料の充填速度よりも、高いことを特徴とするものである。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づき説明する。なお、本発明の半導体装置及びその製造方法は、下記の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【００２７】
ここで、図１は、本発明に係る半導体装置１０の第１の実施形態である半導体装置１０ａの断面の概略を示す模式図である。図２は、半導体装置１０ａの局所加熱の概略を示す模式図である。図３は、半導体装置１０ａの異なる局所加熱の概略を示す模式図である。図４は、半導体装置１０ａのさらに異なる局所加熱の概略を示す模式図である。
【００２８】
図５は、液状封止材料８の充填、硬化工程をふくんでなる製造方法の各工程を示す断面図で、（Ａ）は、電極を有する基板凹部の底面に半導体素子を搭載し、前記電極と、前記半導体素子とをボンディングワイヤにより接続する工程、（Ｂ）は、液状封止材料を前記凹部内に所定の充填速度で充填する工程、（Ｃ）は、平面視、前記ボンディングワイヤの直下に設けた局所加熱用構造により前記ボンディングワイヤ近傍を加熱する工程、（Ｄ）は、前記液状封止材料を硬化せしめる工程である。図６は、液状封止材料８の充填、硬化工程をふくんでなる製造方法の（Ｅ）の工程、即ち、液状封止材料８を所定の必要量まで、所定の充填速度で充填する工程を示す断面図である。
【００２９】
図７は、本発明に係る半導体装置１０の第２の実施形態である半導体装置１０ｂの断面の概略を示す模式図である。図８は、本発明に係る半導体装置１０の第３の実施形態である半導体装置１０ｃの断面の概略を示す模式図である。図９は、本発明に係る半導体装置１０の第４の実施形態である半導体装置１０ｄの断面の概略を示す模式図である。図１０は、本発明に係る半導体装置１０の第５の実施形態である半導体装置１０ｅの断面の概略を示す模式図である。図１１は、本発明に係る半導体装置１０の第６の実施形態である半導体装置１０ｆの断面の概略を示す模式図である。図１２は、本発明に係る半導体装置１０の第７の実施形態である半導体装置１０ｇの断面の概略を示す模式図である。図１３は、本発明に係る半導体装置１０の第８の実施形態である半導体装置１０ｈの断面の概略を示す模式図である。
【００３０】
図１４は、本発明に係る半導体装置１０の第９の実施形態である半導体装置１０ｉの基本構成の概略を示すもので、（ａ）が、ボンディングワイヤ７と平行方向に垂直に切断した断面の概略を示す模式図、（ｂ）が平面図である。図１５は、本発明に係る半導体装置１０の第１０の実施形態である半導体装置１０ｊの基本構成の概略を示す平面図である。図１６は、本発明に係る半導体装置１０の第１１の実施形態である半導体装置１０ｋの断面の概略を示す模式図である。図１７は、本発明に係る半導体装置１０の第１２の実施形態である半導体装置１０ｌの基本構成の概略を示すもので、（ａ）が、平面図、（ｂ）が、（ａ）における突起部２１ａ含む部分Ａを拡大した断面図である。図１８は、本発明に係る半導体装置１０の第１３の実施形態である半導体装置１０ｍの基本構成の概略を示す平面図である。図１９は、本発明に係る半導体装置１０の第１４の実施形態である半導体装置１０ｎの基本構成の概略を示すもので、（ａ）が、平面図、（ｂ）が、（ａ）における局所加熱用構造９ｎを含む部分Ｂを拡大した斜視図である。図２０は、本発明に係る半導体装置１０の第１５の実施形態である半導体装置１０ｏの基本構成の概略を示すもので、（ａ）が、平面図、（ｂ）が、（ａ）における局所加熱用構造９ｏを含む部分Ｃを拡大した斜視図、（ｃ）が、（ａ）における局所加熱用構造９ｏを含む部分Ｄを拡大した断面図である。図２１は、本発明に係る半導体装置１０の第１５の実施形態である半導体装置１０ｐの基本構成の概略を示すもので、（ａ）が、平面図、（ｂ）が、（ａ）における局所加熱用構造９ｐを含む部分Ｅを拡大した断面図である。
【００３１】
図２２は、従来例に係る樹脂封止型半導体装置及びボイドの発生の概略を示す断面図である。また、図２３は、従来例に係る樹脂封止型半導体装置及び図２２と異なるボイドの発生の概略を示す断面図である。
【００３２】
即ち、本発明に係る半導体装置の実施形態としては、以下に示すようなものを例示することができる。
【００３３】
［第１の実施形態］
図１は、本発明に係る半導体装置１０の第１の実施形態である半導体装置１０ａの断面の概略を示す模式図である。即ち、本発明に係る半導体装置１０は、内面１に電極２を形成した凹部３を有する基板４と、前記凹部３の底面５に搭載する半導体素子６と、電極２と半導体素子６とを接続するボンディングワイヤ７とを、前記凹部３内に充填した液状封止材料８で封止してなる半導体装置であって、平面視、前記ボンディングワイヤ７の直下に、局所加熱用構造９を有するものであり、本実施形態の半導体装置１０ａでは、この局所加熱用構造９として、基板４の前記凹部３を形成した面１１の反対側面１２に形成した第二の凹部である局所加熱用凹部９ａを有するものである。
【００３４】
即ち、この構造では、ボンディングワイヤ７下部の薄肉部分１４の厚み（ｄ１）が、局所加熱用凹部９ａを形成したことにより、周辺部の厚み（ｄ２）と比較して、より薄肉となっているため、図２に示すように、ヒーター等の加熱手段１３を用いて、局所加熱用凹部９ａを介して加熱することで、ボンディングワイヤ７直下の薄肉部分１４がより効率的に加熱され、ボンディングワイヤ７近傍の液状封止材料８の温度を局所的に上げることができ、それによりボンディングワイヤ７近傍の液状封止材料８の粘度を下げることができ、ボンディングワイヤ７近傍の残留ボイド２６を低減できることとなる。
【００３５】
このように、本実施形態の半導体装置１０ａにおいては、局所加熱用構造９として、基板４の前記凹部３を形成した面１１の反対側面１２に形成した第二の凹部である局所加熱用凹部９ａを有するので、ボンディングワイヤ７近傍の液状封止材料８の局所的な加熱が容易にでき、ボンディングワイヤ７近傍の液状封止材料８が低粘度となる結果、液状封止材料８の流動性が向上し、ボイド２６が発生し難くなるとともに、脱泡が促進され、ボンディングワイヤ７近傍のボイド２６の残留を低減できるというものである。
【００３６】
この場合において、加熱温度、加熱方法等に、特に制限はないが、例えば、使用する液状封止材料８として硬化温度が、約１５０℃のものを使用する場合、ボンディングワイヤ７近傍の液状封止材料８の局所的な加熱温度としては、約１００℃前後が適当であると考えられる。したがって、この場合の加熱方法としては、図３に示すように、熱源として、例えば、加熱した金属体２７を局所加熱用凹部９ａに近接配置する方法、図４に示すように、局所加熱用凹部９ａと嵌合可能な形状を有する加熱した金属体２７ａを使用して加熱する方法等が、簡便な加熱方法として例示可能であるが、この場合の加熱方法は、これらのみに限定するものではなく、局所加熱用構造９ａを介して外部エネルギーを加えて、ボンディングワイヤ７下部に充填される液状封止材料８を加熱し、その粘度が低下せしめ、これにより、ボンディングワイヤ７近傍の脱泡を促進して、残留ボイド２６を低減しうるものであれば特に制限されない。
【００３７】
一方、本実施形態の半導体装置１０ａは、具体的には、例えば、以下のようにして、形製することができる。
【００３８】
即ち、半導体素子６は、メッキで回路が形成された基板４である射出成形回路基板上のダイパッド１５にベアチップ実装され、同じくメッキで形成された電極２を有するワイヤボンドパッド（図示せず）との間にワイヤボンドされる。その後、液状封止材料８をボンディングワイヤ７を完全に覆うように充填し、最後に液状封止材料８を硬化せしめる。かかる液状封止材料８としては、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂等を含んでなるものが、好適に使用可能である。
【００３９】
なお、射出成形回路基板は、所謂ＭＩＤ（Ｍｏｌｄｅｄ　Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ　Ｄｅｖｉｃｅ）工法と呼ばれる以下の工程により製造することができる。（１）射出成形等により基板４の形状を有する成形部品を製作する。樹脂成形材料としては、例えば、ＰＰＡ（ポリフタルアミド）、ＬＣＰ（液晶ポリマ）等が好適に使用可能である。（２）１５０℃〜２００℃程度の温度条件で成形部品を２時間程度アニール処理を行う。（３）銅スパッタリング法等により、成形部品である基板表面全体に０．１〜３μｍ程度の銅薄膜を形成する。（４）レーザーにより銅薄膜を部分的に除去し、回路として必要な部分と不必要な部分とを分離して、電気的に絶縁する。（５）電気メッキの手法で、回路として必要な部分にのみメッキを施す。メッキは、銅、ニッケル、金の順序で、厚みはそれぞれ、５〜２０μｍ、５〜２０μｍ、０．５μｍ程度として順次行う。（６）半導体素子６を実装した後、封止を行う。
【００４０】
また、基板４に形成する局所加熱用凹部９ａは、例えば、成形時に金型で直接形成する、或いは、フラット面を形成した成形品（基板４）を形製した後、機械加工で形成する等の方法により形成可能である。寸法的には、例えば、薄肉部分１４の厚み（ｄ１）を、０．５ｍｍ程度、周辺部の厚み（ｄ２）を２ｍｍ程度にすることにより、好適に形成可能である。
【００４１】
さらに、本実施形態の半導体装置１０ａの作製においては、局所加熱用凹部９ａを活用した、以下に示す液状封止材料８の充填、硬化工程をふくんでなる製造方法を採用することにより、更に効果的に、ボンディングワイヤ７近傍の液状封止材料８の中に残存するボイド２６を低減することができる。図５（Ａ）〜（Ｄ）は、この液状封止材料８の充填、硬化工程をふくんでなる製造方法の各工程を示す断面図である。即ち、下記の（Ａ）〜（Ｄ）の工程を備える製造方法で、通常は、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）の順序で実施される。即ち、（Ａ）電極２を有する基板４の凹部３の底面５に半導体素子６を搭載し、前記電極２と、前記半導体素子６とをボンディングワイヤ７により接続する工程、（Ｂ）液状封止材料８を前記凹部３内に所定の充填速度で充填する工程、（Ｃ）平面視、前記ボンディングワイヤ７の直下に設けた局所加熱用構造９により前記ボンディングワイヤ７の近傍を加熱する工程、（Ｄ）前記液状封止材料８を硬化せしめる工程である。
【００４２】
即ち、基板４のボンディングワイヤ７下部に局所加熱用構造９ａを形成し、液状封止材料８を充填する過程で、局所加熱用構造９ａを介して外部エネルギーを加えて、ボンディングワイヤ７下部に充填される液状封止材料８を加熱し、その粘度が低下せしめ、これにより、流動性が向上するため、ボイド２６が発生し難くなるとともに、ボンディングワイヤ７近傍の脱泡を促進して、残留ボイド２６を低減しようとするものである。この場合、具体的には、例えば、液状封止材料８として、エポキシ系封止材料で、粘度１１００Ｐｓ程度のものを使用して、５０ｍｍ角程度の基板を封止する場合、吐出圧力０．３ＭＰａで充填するとき、７ｍｇ／ｓ程度の充填速度（工程（Ｂ））とする一方、局所加熱時間は、５０ｍｍ角程度の基板の場合、２０秒程度（工程（Ｃ））が適当となる。この様に、液状封止材料８の充填、硬化を行なうことにより、効率的に、ボンディングワイヤ７近傍の液状封止材料８の流動性が向上し、ボイド２６が発生し難くなるとともに、脱泡が促進され、ボンディングワイヤ７近傍のボイド２６の残留を低減できることとなる。なお、この場合において、上記工程（Ｂ）及び（Ｃ）の先後の順序については、特に制約はなく、いずれの工程を先に、開始しても、また、先に、終了してもよく、双方の工程が、部分的又は完全に同時に行なわれてもよい。
【００４３】
但し、更に好ましくは、上記（Ａ）〜（Ｄ）の工程は、以下の条件下で、実施することができる。即ち、前記（Ａ）の工程の完了後、前記（Ｄ）の工程の開始前に、前記（Ｂ）及び前記（Ｃ）の工程を実施する一方、前記（Ｂ）の工程において、液状封止材料８を前記凹部３内に充填する際に、その充填量を前記ボンディングワイヤ７が未硬化の液状封止材料８中に没するに足りる最低量とし、且つ、前記（Ｂ）の工程終了後、前記（Ｃ）の工程を所定時間継続した後、前記（Ｄ）の工程に移行する前に、（Ｅ）の工程、即ち、液状封止材料８を所定の必要量まで、所定の充填速度で充填する工程（図６（Ｅ））を実施する方法である。これは、液状封止材料８の充填過程において、その充填量を前記ボンディングワイヤ７が未硬化の液状封止材料８中に没するに足りる最低量を充填した段階で、一時充填を停止し、加熱状態を所定時間継続したのち、残りの充填を行うことで、ボンディングワイヤ７下部に充填された液状封止材料８の局所加熱による流動性の向上とこれによるボイド２６発生の低減、および、脱泡を確実に完了でき、更に効果的にボイド２６の低減を行なおうとするものである。
【００４４】
この場合、具体的には、例えば、液状封止材料８として、エポキシ系封止材料で、粘度１１００Ｐｓ程度のものを使用して、５０ｍｍ角程度の基板を封止する場合、吐出圧力０．３ＭＰａで充填すると、上記の通り、７ｍｇ／ｓ程度の充填速度とするのが適当であるが、この場合の上記充填中断時間としては、３分以上が望ましい。
【００４５】
このように、上記（Ａ）〜（Ｅ）の各工程を実施することにより、より確実に、ボンディングワイヤ７近傍の液状封止材料８の流動性が向上し、ボイド２６が発生し難くなるとともに、脱泡が促進され、ボンディングワイヤ７近傍のボイド２６の残留を低減できることとなる。さらにこの場合、上記（Ｅ）の工程における液状封止材料８の充填速度を、上記（Ｂ）の工程における液状封止材料８の充填速度よりも、高く設定することにより、ボイド２６を発生させずに、液状封止材料８のトータルの充填時間を短縮することができて、本発明に係る半導体装置の生産効率の向上をも図ることができることとなる。
【００４６】
さらに、このような方法で、液状封止材料８を充填することによりボンディングワイヤ７に対して液状封止材料８が十分に濡れるため、よりボイド２６の低減に効果がある。具体的には、液状封止材料８として、エポキシ系封止材料で、粘度１１００Ｐｓ程度のものを使用して、５０ｍｍ角程度の基板を封止する場合、吐出圧力０．３ＭＰａで充填すると、上記（Ｂ）の工程における液状封止材料８の充填速度を７ｍｇ／ｓ程度とした場合、上記（Ｅ）の工程における液状封止材料８の充填速度は、ボイド低減の観点に生産性確保の観点を加味して２０ｍｇ／ｓ程度の充填速度が適当である。
【００４７】
なお、上述した液状封止材料８の充填、硬化工程は、本実施形態にのみに限定されるものではなく、以下に例示する各実施形態を含む本発明に係る半導体装置において、適用可能であることはいうまでもない。
【００４８】
［第２の実施形態］
図７は、本発明に係る半導体装置１０の第２の実施形態である半導体装置１０ｂの断面の概略を示す模式図である。即ち、本実施形態の半導体装置１０ｂは、上記第１の実施形態の半導体装置１０ａにおいて、前記局所加熱用凹部９ａを、その内面に金属薄膜等で発熱用電気回路１６を形成した局所加熱用凹部９ｂとしたものである。かかる発熱用電気回路１６の形成は、例えば、金属メッキ等による金属薄膜形成により容易に形成することができる。金属メッキを使用する場合、かかる発熱用電気回路１６の形成に使用可能な金属として、特に、限定はないが、ニッケルあるいは、その合金類が、比較的電気抵抗が大きいため、好適に使用可能である。
【００４９】
このように、本実施形態では、局所加熱用構造９が、その内面に発熱用電気回路を形成した局所加熱用凹部９ｂであるので、局所加熱用凹部９ｂの内面で、電源１７により、直接、発熱させることができ、効率的に局所加熱ができることとなる。
【００５０】
［第３の実施形態］
図８は、本発明に係る半導体装置１０の第３の実施形態である半導体装置１０ｃの断面の概略を示す模式図である。即ち、本実施形態の半導体装置１０ｃは、上記第１の実施形態の半導体装置１０ａにおいて、前記局所加熱用凹部９ａを、その底面に抵抗発熱体１８を埋設した局所加熱用凹部９ｃとしたものである。
【００５１】
この場合において、使用可能な抵抗発熱体１８としては、例えば、金属等の電気導体が例示できる。即ち、基板４内部に抵抗発熱体１８として金属等の電気導体を配置し、その電気導体に電流を流した際、電気抵抗により発生するジュール熱で加熱を図るもので、加熱及びその制御が容易に行える利点がある。使用可能な金属導体としては、銅、アルミニウム等、必要な加熱温度よりも高融点の金属であれば、特に制限はないが、比較的電気抵抗が大きいニッケルあるいは、その合金類が好適に使用可能である。また、かかる抵抗発熱体１８のの基板４への取り付けは、インサート成形、或いは、成形後の圧入等の手法により容易に行うことができる。寸法的には、例えば、上記薄肉部分１４の厚み（ｄ１）を、０．５ｍｍ程度、周辺部の厚み（ｄ２）を２ｍｍ程度とした場合、抵抗発熱体１８の厚みは、０．２〜０．３ｍｍ程度、前記電極２を有する前記凹部３の底面５からその上端部が、０．１〜０．３ｍｍ程度の深さに埋設するのが適当である。
【００５２】
このように、本実施形態では、局所加熱用凹部９ａをその底面に抵抗発熱体１８を埋設した局所加熱用凹部９ｃとしたものであるので、前記電極２を有する前記凹部３の底面５の上に形成された電気回路との短絡を防ぐことができるとともに、電気的な加熱方式であるため、簡便な制御が可能となる。
【００５３】
ここで、抵抗発熱体１８の代わりに前記電極２を有する前記凹部３の底面５に露出している抵抗発熱体１８ａを有する第４の実施形態である半導体装置１０ｄ（図９）、或いは、抵抗発熱体１８の代わりに前記電極２を有する前記凹部３の底面５に突出している抵抗発熱体１８ｂを有する第５の実施形態である半導体装置１０ｅ（図１０）も可能であり、前者については、抵抗発熱体１８ａが、抵抗発熱体１８と比較して、ボンディングワイヤ７に、より近接するため、更なる加熱効率向上が図れ、一方、後者については、抵抗発熱体１８ｂが、ボンディングワイヤ７に、更に近接するため、一層の加熱効率向上が図れる一方、ボンディングワイヤ７近傍の液状封止材料８の局所的な加熱に寄与し得る部位の表面積を大きくできるため、更なる加熱効率向上が図れることとなる。抵抗発熱体１８ｂの底面５からの突出の程度は、半導体素子６の厚みが０．５ｍｍの場合、ボンディングワイヤ７の底面５からの高さが最大０．７ｍｍ程度であるので、０．２ｍｍ〜０．５ｍｍ程度が適当である。
【００５４】
［第６の実施形態］
図１１は、本発明に係る半導体装置１０の第６の実施形態である半導体装置１０ｆの断面の概略を示す模式図である。即ち、本実施形態の半導体装置１０ｆは、上記第１の実施形態の半導体装置１０ａにおいて、前記局所加熱用凹部９ａを、その底面に高熱伝導性電気絶縁体１９を埋設した局所加熱用凹部９ｆとしたものである。即ち、かかる底面に高熱伝導性電気絶縁体１９を埋設した局所加熱用凹部９ｆに、赤外線やハロゲンランプなどを光源２０から反射鏡、集光レンズ等を経由した光ビーム、或いは、炭酸ガスレーザー、レーザーダイオード等のレーザー光等を照射することにより、局所的な加熱を効率的に行うことが可能となるというものである。具体的には、例えば、５０ｍｍ角程度の基板を封止する場合、２０Ｗ出力程度のレーザーダイオードを使用することにより、上記第１の実施形態で説明したのと同等の液状封止材料８の充填、硬化工程を支障なく実施することができる。
【００５５】
この場合において、使用可能な高熱伝導性電気絶縁体１９としては、例えば、ダイヤモンド、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化珪素等の他、シリカ、アルミナ、ジルコニア、ムライト等の酸化物系セラミックスが、例示可能であるが、これらのみに限定されない。また、高熱伝導性電気絶縁体１９の基板４への取り付けは、インサート成形、或いは、成形後の圧入等の手法により容易に行うことができる。このように、本実施形態では、局所加熱用凹部９ａをその底面に高熱伝導性電気絶縁体１９を埋設した局所加熱用凹部９ｆとしたものであるので、前記電極２を有する前記凹部３の底面５の上に形成された電気回路との短絡を防ぐことができるとともに、これら電磁波のエネルギーに由来する熱を効率よくボンディングワイヤ７近傍の液状封止材料８に伝えることができ、加熱効率の向上が可能となるというものである。
【００５６】
ここで、高熱伝導性電気絶縁体１９の代わりに前記電極２を有する前記凹部３の底面５に露出している高熱伝導性電気絶縁体１９ａを有する第７の実施形態である半導体装置１０ｇ（図１２）、或いは、高熱伝導性電気絶縁体１９の代わりに前記電極２を有する前記凹部３の底面５に突出している高熱伝導性電気絶縁体１９ｂを有する第８の実施形態である半導体装置１０ｈ（図１３）も可能であり、前者については、高熱伝導性電気絶縁体１９ａが、高熱伝導性電気絶縁体１９と比較して、ボンディングワイヤ７に、より近接するため、更なる加熱効率向上が図れ、一方、後者については、高熱伝導性電気絶縁体１９ｂが、ボンディングワイヤ７に、更に近接するため、一層の加熱効率向上を図り得る一方、ボンディングワイヤ７近傍の液状封止材料８の局所的な加熱に寄与し得る部位の表面積を大きくできるため、更なる加熱効率向上が図れることとなる。高熱伝導性電気絶縁体１９ｂの底面５からの突出の程度は、半導体素子６の厚みが０．５ｍｍの場合、ボンディングワイヤ７の底面５からの高さが最大０．７ｍｍ程度であるので、０．２ｍｍ〜０．５ｍｍ程度が適当である。
【００５７】
［第９の実施形態］
図１４は、本発明に係る半導体装置１０の第９の実施形態である半導体装置１０ｉの基本構成の概略を示すもので、（ａ）が、ボンディングワイヤ７と平行方向に垂直に切断した断面の概略を示す模式図、（ｂ）が平面図である。即ち、本実施形態の半導体装置１０ｉでは、本発明に係る半導体装置１０の局所加熱用構造９として、前記凹部３の底面５の面上、平面視、前記ボンディングワイヤ７の直下に、略、これと直交する局所加熱用配線９ｉを有するものである。かかる局所加熱用配線９ｉを構成する局所加熱用電気回路パターン２４は、例えば、メッキ配線等で容易に形成することが可能で、インサート成形や圧入などの工程を省くことができ、製造が容易になるとともに、微細な回路構成を有する局所加熱用配線９ｉの形成も可能で、その結果、微小領域の選択的加熱もできることとなる。
【００５８】
［第１０の実施形態］
図１５は、本発明に係る半導体装置１０の第１０の実施形態である半導体装置１０ｊの基本構成の概略を示す平面図である。即ち、本実施形態の半導体装置１０ｊは、上記第９の実施形態の半導体装置１０ｉにおいて、前記局所加熱用配線９ｉを、これを構成する局所加熱用電気回路パターン２４が、蛇行形状を有する局所加熱用電気回路パターン２４ａとする局所加熱用配線９ｊとするものであるので、この局所加熱用配線９ｊを構成する局所加熱用電気回路パターン２４ａの配線を実質的に細く長くすることが可能となる結果、電気抵抗を大きくすることが可能となり、加熱効率の向上を図り得ることとなる。
【００５９】
［第１１の実施形態］
図１６は、本発明に係る半導体装置１０の第１１の実施形態である半導体装置１０ｋの断面の概略を示す模式図である。即ち、本実施形態の半導体装置１０ｋは、上記第９の実施形態の半導体装置１０ｉにおいて、前記凹部３の底面５の面上、平面視、前記ボンディングワイヤ７の直下に、略、これと直交する土手状の突起部２１を設け、その表面、即ち、その上面、及び両側面に前記局所加熱用電気回路パターン２４を設けた、局所加熱用構造９ｋを有するものであるので、局所加熱用電気回路パターン２４をメッキ等の手段で形成することにより、容易に形製できることとなる。また、かかる構成を採用することにより、局所加熱用構造９ｋを構成する局所加熱用電気回路パターン２４が、ボンディングワイヤ７に、更に近接するため、一層の加熱効率向上が図れる一方、ボンディングワイヤ７近傍の液状封止材料８の局所的な加熱に寄与し得る部位の表面積を大きくできるため、更なる加熱効率向上を図ることができることとなる。なお、本実施形態においては、必ずしも突起部２１の表面、即ち、その上面、及び両側面の総てに前記局所加熱用電気回路パターン２４を設ける必要はなく、必要に応じて、少なくとも、上記のいずれかの面の一つが、局所加熱用電気回路パターン２４を具備すればよいことは勿論である。また、土手状の突起部２１についても、必ずしも、図１６に示したような平坦な頂面を有する断面形状が略矩形、或いは、略台形状のものである必要はなく、例えば、図１７（ｂ）に示すようなワイヤボンディングされたボンディングワイヤ７の形状に沿った面を有する形状を備えた２１ａのような形状のものであって、少なくとも、上記ワイヤボンディングされたボンディングワイヤ７の形状に沿った面上に局所加熱用電気回路パターン２４を有するものであれば、更に好ましい。
【００６０】
即ち、図１７は、本発明に係る半導体装置１０の第１２の実施形態である半導体装置１０ｌの基本構成の概略を示すもので、（ａ）が、平面図、（ｂ）が、（ａ）における突起部２１ａ含む部分Ａを拡大した断面図である。この場合、少なくとも、前記土手状の突起部２１ａとその上記ワイヤボンディングされたボンディングワイヤ７の形状に沿った面上に形成された局所加熱用電気回路パターン２４とを有する局所加熱用構造９ｌによって、ボンディングワイヤ７の近傍をワイヤボンディングされたボンディングワイヤ７の形状に沿って、効率的に加熱できるので、ボンディングワイヤ７の近傍の液状封止材料８の流動性が向上し、ボイド２６が発生し難くなるとともに、液状封止材料８の脱泡が促進され、ボンディングワイヤ７近傍のボイド２６の残留を低減できることとなる。
【００６１】
一方、図１８は、本発明に係る半導体装置１０の第１３の実施形態である半導体装置１０ｍの基本構成の概略を示す平面図で、本実施形態では、本発明に係る半導体装置１０の局所加熱用構造９として、前記凹部３の底面５の面上、平面視、前記ボンディングワイヤ７の直下に、略、これと直交する局所加熱用構造９ｍを有するものである。この局所加熱用構造９ｍは、前記凹部３の底面５に設けた、周辺部２３よりも表面粗度大なる領域２２に局所加熱用電気回路パターン２４を形成したものである。かかる表面粗度大なる領域２２は、基板４形製用金型面の表面粗度を調整すること等により容易に形成することが可能である。かかる半導体装置１０ｍにおいても、ボンディングワイヤ７近傍の液状封止材料８の局所的な加熱に寄与し得る部位の表面積を大きくできるため、更なる加熱効率向上を図ることができることとなる。具体的には、表面粗度大なる領域２２における表面粗さＲｙが、例えば、２０ｍμ程度、周辺部２３（前記凹部３の底面５上）の表面粗さＲｙが、例えば、５ｍμ程度とすることで実現できる。
【００６２】
［第１４の実施形態］
図１９は、本発明に係る半導体装置１０の第１４の実施形態である半導体装置１０ｎの基本構成の概略を示すもので、（ａ）が、平面図、（ｂ）が、（ａ）における局所加熱用構造９ｎを含む部分Ｂを拡大した斜視図である。即ち、本実施形態の半導体装置１０ｎでは、上記第１１の実施形態の半導体装置１０ｋの局所加熱用構造９ｋにおける突起部２１を、連続する高低方向の凹凸構造を有する突起部２１ｂとするものであるので、局所加熱用構造９ｎを構成する局所加熱用電気回路パターン２４の配線を実質的に長くすることが可能となる結果、電気抵抗を大きくすることが可能となり、加熱効率の向上を図り得ることとなる。
【００６３】
［第１５の実施形態］
上記第１４の実施形態において、突起部２１ｂの前記連続する高低方向の凹凸構造の凸部が、平面視、前記ボンディングワイヤ７の直下に配置された本発明の第１５の実施形態である半導体装置１０ｏにおいては、図２０（ｂ）、（ｃ）に示すように、局所加熱用構造９ｏを構成する局所加熱用電気回路パターン２４の配線が、ボンディングワイヤ７により近接することとなるため、更なる加熱効率向上により、ボンディングワイヤ７の近傍の液状封止材料８の流動性が向上し、ボイド２６が発生し難くなるとともに、液状封止材料８の脱泡が促進され、ボンディングワイヤ７近傍のボイド２６の残留を低減できることとなる。
【００６４】
さらに、本実施形態の半導体装置１０ｏにおいて、突起部２１ｂの前記連続する高低方向の凹凸構造の凸部の頂面が、前記ボンディングワイヤ７の外周を形成する曲面に対応した谷状の凹陥部２５を有する突起部２１ｃを備えた本発明の第１６の実施形態である半導体装置１０ｐ（図２１）等も当然に可能であり、この場合は、更にボンディングワイヤ７近傍の液状封止材料８の局所的な加熱に寄与し得る部位である前記凸部の頂面の表面積を更に大きくできるため、一層の加熱効率向上が図れることとなる。なお、図２０は、本発明に係る半導体装置１０の第１５の実施形態である半導体装置１０ｏの基本構成の概略を示すもので、（ａ）が、平面図、（ｂ）が、（ａ）における局所加熱用構造９ｏを含む部分Ｃを拡大した斜視図、（ｃ）が、（ａ）における局所加熱用構造９ｏを含む部分Ｄを拡大した断面図である。図２１は、本発明に係る半導体装置１０の第１５の実施形態である半導体装置１０ｐの基本構成の概略を示すもので、（ａ）が、平面図、（ｂ）が、（ａ）における局所加熱用構造９ｐを含む部分Ｅを拡大した断面図である。なお、上記、突起部２１、２１ａ、２１ｂ、２１ｃとボンディングワイヤ７との最短近接距離は、２５μｍΦのボンディングワイヤ７を使用した場合、２５μｍ程度が適当である。
【００６５】
このように、本発明に係る半導体装置１０においては、平面視、ボンディングワイヤ７の直下に、局所加熱用構造９を形成しているので、液状封止材料８を充填する過程で、前記局所加熱用構造９を介して、ボンディングワイヤ７の近傍に充填された液状封止材料８を局所的に加熱して、低粘度にできる結果、ボンディングワイヤ７の近傍の液状封止材料８の流動性が向上し、ボイド２６が発生し難くなるとともに、液状封止材料８の脱泡が促進され、ボンディングワイヤ７近傍のボイド２６の残留を低減できることとなる。
【００６６】
【発明の効果】
以上のように、請求項１に係る半導体装置にあっては、内面に電極を形成した凹部を有する基板と、前記凹部の底面に搭載する半導体素子と、前記電極と前記半導体素子とを接続するボンディングワイヤとを、前記凹部内に充填した液状封止材料で封止してなる半導体装置であって、平面視、前記ボンディングワイヤの直下に、局所加熱用構造を有することを特徴とするので、ボンディングワイヤ近傍の液状封止材料を局所的に加熱して低粘度にできる結果、ボンディングワイヤの近傍の液状封止材料の流動性が向上し、ボイドが発生し難くなるとともに、液状封止材料の脱泡が促進され、ボンディングワイヤ近傍のボイドの残留を低減できるという優れた効果を奏する。
【００６７】
請求項２に係る半導体装置にあっては、請求項１記載の半導体装置において、前記局所加熱用構造が、前記基板の前記凹部を形成した面の反対側面に形成した第二の凹部である局所加熱用凹部であることを特徴とするので、請求項１記載の半導体装置の発明の効果に加えて、ボンディングワイヤ近傍の液状封止材料の局所的な加熱が、容易にできるという優れた効果を奏する。
【００６８】
請求項３に係る半導体装置にあっては、請求項２記載の半導体装置において、前記局所加熱用凹部が、その内面に発熱用電気回路を形成した局所加熱用凹部であることを特徴とするので、請求項２記載の半導体装置の発明の効果に加えて、効率的に局所加熱ができるという優れた効果を奏する。
【００６９】
請求項４に係る半導体装置にあっては、請求項２記載の半導体装置において、前記局所加熱用凹部が、その底面に抵抗発熱体を埋設した局所加熱用凹部であることを特徴とするので、請求項２記載の半導体装置の発明の効果に加えて、電気的な加熱であるため、簡便に制御できるという優れた効果を奏する。
【００７０】
請求項５に係る半導体装置にあっては、請求項４記載の半導体装置において、前記抵抗発熱体が、前記電極を有する前記凹部の底面に露出していることを特徴とするので、請求項４記載の半導体装置の発明の効果に加えて、抵抗発熱体が、ボンディングワイヤに、より近接するため、加熱効率向上が図れるという優れた効果を奏する。
【００７１】
請求項６に係る半導体装置にあっては、請求項４記載の半導体装置において、前記抵抗発熱体が、前記電極を有する前記凹部の底面に突出していることを特徴とするので、請求項４記載の半導体装置の発明の効果に加えて、抵抗発熱体が、ボンディングワイヤに、更に近接するため、一層の加熱効率向上が図れる一方、ボンディングワイヤ近傍の液状封止材料の局所的な加熱に寄与し得る部位の表面積を大きくできるため、更なる加熱効率向上が図れるという優れた効果を奏する。
【００７２】
請求項７に係る半導体装置にあっては、請求項２記載の半導体装置において、前記局所加熱用凹部が、その底面に高熱伝導性電気絶縁体を埋設した局所加熱用凹部であることを特徴とするので、請求項２記載の半導体装置の発明の効果に加えて、加熱効率向上が図れるという優れた効果を奏する。
【００７３】
請求項８に係る半導体装置にあっては、請求項７記載の半導体装置において、前記高熱伝導性電気絶縁体が、前記電極を有する前記凹部の底面に露出していることを特徴とするので、請求項７記載の半導体装置の発明の効果に加えて、高熱伝導性電気絶縁体が、ボンディングワイヤに、より近接するため、加熱効率向上が図れるという優れた効果を奏する。
【００７４】
請求項９に係る半導体装置にあっては、請求項７記載の半導体装置において、前記高熱伝導性電気絶縁体が、前記電極を有する前記凹部の底面に突出していることを特徴とするので、請求項７記載の半導体装置の発明の効果に加えて、高熱伝導性電気絶縁体が、ボンディングワイヤに、更に近接するため、一層の加熱効率向上が図れる一方、ボンディングワイヤ近傍の液状封止材料の局所的な加熱に寄与し得る部位の表面積を大きくできるため、更なる加熱効率向上が図れるという優れた効果を奏する。
【００７５】
請求項１０に係る半導体装置にあっては、請求項１記載の半導体装置において、前記局所加熱用構造が、前記電極を有する前記凹部の底面に形成した局所加熱用電気回路パターンであることを特徴とするので、請求項１記載の半導体装置の発明の効果に加えて、局所加熱用構造である局所加熱用電気回路パターンの形成が容易で、微小領域の選択的加熱もできるという優れた効果を奏する。
【００７６】
請求項１１に係る半導体装置にあっては、請求項１０記載の半導体装置において、前記局所加熱用電気回路パターンが、蛇行形状を有する局所加熱用電気回路パターンであることを特徴とするので、請求項１０記載の半導体装置の発明の効果に加えて、局所加熱用電気回路パターンの電気抵抗を大きくして加熱効率の向上を図り得るという優れた効果を奏する。
【００７７】
請求項１２に係る半導体装置にあっては、請求項１０記載の半導体装置において、前記局所加熱用電気回路パターンが、前記電極を有する前記凹部の底面に設けた突起部表面に形成した局所加熱用電気回路パターンであることを特徴とするので、請求項１０記載の半導体装置の発明の効果に加えて、局所加熱用構造である局所加熱用電気回路パターンが、ボンディングワイヤに、更に近接するため、一層の加熱効率向上が図れる一方、ボンディングワイヤ近傍の液状封止材料の局所的な加熱に寄与し得る部位の表面積を大きくできるため、更なる加熱効率向上が図れるという優れた効果を奏する。
【００７８】
請求項１３に係る半導体装置にあっては、請求項１２記載の半導体装置において、前記突起部が、連続する高低方向の凹凸構造を有することを特徴とするので、請求項１２記載の半導体装置の発明の効果に加えて、局所加熱用電気回路パターンの電気抵抗を大きくして加熱効率の向上を図り得るという優れた効果を奏する。
【００７９】
請求項１４に係る半導体装置にあっては、請求項１３記載の半導体装置において、前記連続する高低方向の凹凸構造の凸部が、平面視、前記ボンディングワイヤの直下に配置されたことを特徴とするので、請求項１３記載の半導体装置の発明の効果に加えて、更なる加熱効率向上により、ボンディングワイヤの近傍の液状封止材料の流動性が向上し、ボイドが発生し難くなるとともに、液状封止材料の脱泡が促進され、ボンディングワイヤ近傍のボイドの残留を低減できるという優れた効果を奏する。
【００８０】
請求項１５に係る半導体装置の製造方法にあっては、請求項１乃至請求項１４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、下記の（Ａ）〜（Ｄ）の工程を備えることを特徴とするので、効率的に、ボンディングワイヤ近傍の液状封止材料の流動性が向上し、ボイドが発生し難くなるとともに、液状封止材料の脱泡が促進され、ボンディングワイヤ近傍のボイドの残留を低減できるという優れた効果を奏する。
（Ａ）電極を有する基板凹部の底面に半導体素子を搭載し、前記電極と、前記半導体素子とをボンディングワイヤにより接続する工程。
（Ｂ）液状封止材料を前記凹部内に所定の充填速度で充填する工程。
（Ｃ）平面視、前記ボンディングワイヤの直下に設けた局所加熱用構造により前記ボンディングワイヤ近傍を加熱する工程。
（Ｄ）前記液状封止材料を硬化せしめる工程。
【００８１】
請求項１６に係る半導体装置の製造方法にあっては、請求項１５記載の半導体装置の製造方法であって、前記（Ａ）の工程の完了後、前記（Ｄ）の工程の開始前に、前記（Ｂ）及び前記（Ｃ）の工程を備える一方、前記（Ｂ）の工程において、液状封止材料を前記凹部内に充填する際に、その充填量を前記ボンディングワイヤが未硬化の液状封止材料中に没するに足りる最低量とし、且つ、前記（Ｂ）の工程終了後、前記（Ｃ）の工程を所定時間継続した後、前記（Ｄ）の工程に移行する前に、下記の（Ｅ）の工程を備えることを特徴とするので、請求項１５記載の半導体装置の製造方法の発明の効果に加えて、より確実に、ボンディングワイヤの近傍の液状封止材料の流動性が向上し、ボイドが発生し難くなるとともに、ボンディングワイヤ近傍の液状封止材料の脱泡が促進され、ボンディングワイヤ近傍のボイドの残留を低減できるという優れた効果を奏する。
（Ｅ）液状封止材料を所定の必要量まで、所定の充填速度で充填する工程。
【００８２】
請求項１７に係る半導体装置の製造方法にあっては、請求項１６記載の半導体装置の製造方法であって、前記（Ｅ）の工程における液状封止材料の充填速度が、前記（Ｂ）の工程における液状封止材料の充填速度よりも、高いことを特徴とするので、請求項１６記載の半導体装置の製造方法の発明の効果に加えて、本発明に係る半導体装置の生産効率の向上をも図ることができるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体装置１０の第１の実施形態である半導体装置１０ａの断面の概略を示す模式図である。
【図２】半導体装置１０ａの局所加熱の概略を示す模式図である。
【図３】半導体装置１０ａの異なる局所加熱の概略を示す模式図である。
【図４】半導体装置１０ａのさらに異なる局所加熱の概略を示す模式図である。
【図５】液状封止材料８の充填、硬化工程をふくんでなる製造方法の各工程を示す断面図で、（Ａ）は、電極を有する基板凹部の底面に半導体素子を搭載し、前記電極と、前記半導体素子とをボンディングワイヤにより接続する工程、（Ｂ）は、液状封止材料を前記凹部内に所定の充填速度で充填する工程、（Ｃ）は、平面視、前記ボンディングワイヤの直下に設けた局所加熱用構造により前記ボンディングワイヤ近傍を加熱する工程、（Ｄ）は、前記液状封止材料を硬化せしめる工程である。
【図６】液状封止材料８の充填、硬化工程をふくんでなる製造方法の（Ｅ）の工程、即ち、液状封止材料８を所定の必要量まで、所定の充填速度で充填する工程を示す断面図である。
【図７】本発明に係る半導体装置１０の第２の実施形態である半導体装置１０ｂの断面の概略を示す模式図である。
【図８】本発明に係る半導体装置１０の第３の実施形態である半導体装置１０ｃの断面の概略を示す模式図である。
【図９】本発明に係る半導体装置１０の第４の実施形態である半導体装置１０ｄの断面の概略を示す模式図である。
【図１０】本発明に係る半導体装置１０の第５の実施形態である半導体装置１０ｅの断面の概略を示す模式図である。
【図１１】本発明に係る半導体装置１０の第６の実施形態である半導体装置１０ｆの断面の概略を示す模式図である。
【図１２】本発明に係る半導体装置１０の第７の実施形態である半導体装置１０ｇの断面の概略を示す模式図である。
【図１３】本発明に係る半導体装置１０の第８の実施形態である半導体装置１０ｈの断面の概略を示す模式図である。
【図１４】本発明に係る半導体装置１０の第９の実施形態である半導体装置１０ｉの基本構成の概略を示すもので、（ａ）が、ボンディングワイヤ７と平行方向に垂直に切断した断面の概略を示す模式図、（ｂ）が平面図である。
【図１５】本発明に係る半導体装置１０の第１０の実施形態である半導体装置１０ｊの基本構成の概略を示す平面図である。
【図１６】本発明に係る半導体装置１０の第１１の実施形態である半導体装置１０ｋの断面の概略を示す模式図である。
【図１７】本発明に係る半導体装置１０の第１２の実施形態である半導体装置１０ｌの基本構成の概略を示すもので、（ａ）が、平面図、（ｂ）が、（ａ）における突起部２１ａ含む部分Ａを拡大した断面図である。
【図１８】本発明に係る半導体装置１０の第１３の実施形態である半導体装置１０ｍの基本構成の概略を示す平面図である。
【図１９】本発明に係る半導体装置１０の第１４の実施形態である半導体装置１０ｎの基本構成の概略を示すもので、（ａ）が、平面図、（ｂ）が、（ａ）における局所加熱用構造９ｎを含む部分Ｂを拡大した斜視図である。
【図２０】本発明に係る半導体装置１０の第１５の実施形態である半導体装置１０ｏの基本構成の概略を示すもので、（ａ）が、平面図、（ｂ）が、（ａ）における局所加熱用構造９ｏを含む部分Ｃを拡大した斜視図、（ｃ）が、（ａ）における局所加熱用構造９ｏを含む部分Ｄを拡大した断面図である。
【図２１】本発明に係る半導体装置１０の第１５の実施形態である半導体装置１０ｐの基本構成の概略を示すもので、（ａ）が、平面図、（ｂ）が、（ａ）における局所加熱用構造９ｐを含む部分Ｅを拡大した断面図である。
【図２２】従来例に係る樹脂封止型半導体装置及びボイドの発生の概略を示す断面図である。
【図２３】従来例に係る樹脂封止型半導体装置及び図２２と異なるボイドの発生の概略を示す断面図である。
【符号の説明】
１　　　内面（凹部３）
２　　　電極
３　　　凹部
４　　　基板
５　　　底面（凹部３）
６　　　半導体素子
７　　　ボンディングワイヤ
８　　　液状封止材料
９　　　局所加熱用構造
９ａ　　局所加熱用凹部
９ｂ　　局所加熱用凹部
９ｃ　　局所加熱用凹部
９ｄ　　局所加熱用凹部
９ｅ　　局所加熱用凹部
９ｆ　　局所加熱用凹部
９ｇ　　局所加熱用凹部
９ｈ　　局所加熱用凹部
９ｉ　　局所加熱用配線
９ｊ　　局所加熱用配線
９ｋ　　局所加熱用構造
９ｌ　　局所加熱用構造
９ｍ　　局所加熱用構造
９ｎ　　局所加熱用構造
９ｏ　　局所加熱用構造
９ｐ　　局所加熱用構造
１０　　　半導体装置
１０ａ　　半導体装置
１０ｂ　　半導体装置
１０ｃ　　半導体装置
１０ｄ　　半導体装置
１０ｅ　　半導体装置
１０ｆ　　半導体装置
１０ｇ　　半導体装置
１０ｈ　　半導体装置
１０ｉ　　半導体装置
１０ｊ　　半導体装置
１０ｋ　　半導体装置
１０ｌ　　半導体装置
１０ｍ　　半導体装置
１０ｎ　　半導体装置
１０ｏ　　半導体装置
１０ｐ　　半導体装置
１１　　　面（基板４）
１２　　　反対側面（基板４）
１３　　　加熱手段
１４　　　薄肉部分（基板４）
１５　　　ダイパッド
１６　　　発熱用電気回路
１７　　　電源
１８　　　抵抗発熱体
１８ａ　　抵抗発熱体（凹部３の底面５に露出）
１８ｂ　　抵抗発熱体（凹部３の底面５に突出）
１９　　　高熱伝導性電気絶縁体
１９ａ　　高熱伝導性電気絶縁体
１９ｂ　　高熱伝導性電気絶縁体
２０　　　光源
２１　　　突起部
２１ａ　　突起部
２１ｂ　　突起部
２１ｃ　　突起部
２２　　　領域［周辺部２３よりも表面粗度大］（底面５）
２３　　　周辺部（底面５）
２４　　　局所加熱用電気回路パターン
２５　　　凹陥部（突起部２１ｃ）
２６　　　（残留）ボイド
２７　　　金属体
２７ａ　　金属体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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