(57)【要約】【課題】化学処理液中の複数の構成成分を単一の分析手段で測定し、これに基づいて迅速に化学処理液の管理を行うことのできる方法を提供すること。【解決手段】複数の成分を含有する化学処理液を所定濃度に希釈した後、その一定量を電気泳動用のキャピラリーに注入し、当該キャピラリーに電圧を印加することにより電気泳動させ、各成分に対応する泳動時間ごとに、透過光の変化量を測定し、各成分に対応する測定値を標準の値と対比し、この値が標準値から一定幅下回った成分について、貯槽から当該成分を高濃度に含む薬液を化学処理液槽中に添加することを特徴とする化学処理液管理方法およびこれに使用する装置。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の成分を含有する化学処理液を所定濃度に希釈した後、その一定量を電気泳動用のキャピラリーに注入し、当該キャピラリーに電圧を印加することにより電気泳動させ、各成分に対応する泳動時間ごとに、透過光の変化量を測定し、各成分に対応する測定値を標準の値と対比し、この値が標準値から一定幅下回った成分について、貯槽から当該成分を高濃度に含む薬液を化学処理液槽中に添加することを特徴とする化学処理液管理方法。
【請求項２】
各成分に対応する測定値と標準の値との対比がコンピュータで行われるものであり、標準の値が、同じキャピラリーで標準液を電気泳動させることにより得られるものである請求項第１項記載の化学処理液管理方法。
【請求項３】
各成分に対応する測定値と標準の値との対比がコンピュータで行われるものであり、標準の値が予めコンピュータに記憶されている請求項第１項または第２項記載の化学処理液管理方法。
【請求項４】
化学処理液がめっき液である請求項第１項ないし第３項の何れかの項記載の化学処理液管理方法。
【請求項５】
複数の成分を含有する化学処理液から測定用試料を調製する機構、調製された前記試料を電気泳動用キャピラリーに注入する機構、前記電気泳動用キャピラリーを電気泳動に付す機構、前記化学処理液の各成分ごとに電気泳動による透過光の変化量を測定する機構、当該測定された光の変化量から化学処理液の各成分濃度を算出し、標準の値と比較する機構および当該比較の結果に基づき、貯槽から当該成分を高濃度に含む薬液を化学処理液槽中に添加する機構を含む化学処理液管理装置。
【請求項６】
化学処理液がめっき液である請求項第５項記載の化学処理液管理装置。
【請求項７】
請求項第５項または第６項記載の化学処理液管理装置を備えた半導体用めっき装置。
【請求項８】
請求項５ないし請求項７のいずれかの請求項に記載した装置を用いて、請求項１ないし請求項４のいずれかの請求項に記載した方法により管理するシステムに、そのシステムの手順を記録した記録媒体を備えた化学処理液管理システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、めっき液等の化学処理液の管理方法に関し、更に詳細には、１の測定手段により化学処理液中の複数の成分を分析し、それら成分に対応する薬液を順次化学処理槽に添加することができる化学処理液の管理方法およびこの方法に使用する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の半導体製造技術の発展に伴い、経済的な表面処理方法として電解めっきや無電解めっきが採用されることが多い。特に、最近のＬＳＩの高集積化に伴う配線ピッチの微細化により、信号伝達の遅延時間やエレクトロマイグレーションによる配線の信頼性の低下により、アルミニウム（Ａｌ）やＡｌ系合金ではあらゆる面で限界が認識されており、この問題解決策として、銅（Ｃｕ）を配線材料として使用される動向になっている。
【０００３】
この銅を配線材料として使用する場合、シリコン基板上などに電気めっきにより銅を析出させ、不要な部分を取り去ることが一般的である。
【０００４】
更に、この配線に使用された銅の拡散を防止するため、銅配線の上層部にコバルト（Ｃｏ）系合金あるいはニッケル（Ｎｉ）系合金をめっきによって形成することもある。
【０００５】
このように、半導体製造技術において、めっきの技術が採用されつつあるが、このためには、従来とは比べものにならない高いめっき浴の管理技術が求められている。
【０００６】
例えば現在、めっき液の分析方法は、酸化還元滴定（還元剤）、ＵＶ−吸光度測定（金属イオン濃度）、ｐＨ測定等で管理している。しかし、上記のような方法では、半導体デバイスに対するめっきの液管理方法としては、精度、管理項目数等の点で不十分であり、安定したプロセスを維持できるような、管理方法とは言い難い。
【０００７】
また、精度の高い管理方法とするために、めっき浴中の各成分ごとに異なる方法で分析する手法も考えられるが、その場合はそれぞれの測定方法が異なるため、時間がかかる上に多くの労力を必要とするものであり、しかも測定結果に対する対応も遅れるという問題が生じる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従って、めっき液等の化学処理液中の複数の構成成分を単一の分析手段で同時に測定する方法、すなわち多成分同時分析方法と、これに基づいて迅速に化学処理液の管理を行うことのできる方法の開発が求められていた。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決すべく種々の分析方法を検討した結果、めっき液等の化学処理液中に含まれている陽イオン成分、陰イオン成分および中性成分を同時に検出しうる手段として、キャピラリー電気泳動法に着目した。
【００１０】
そして、化学処理液をキャピラリー電気泳動法で分析可能な程度に希釈し、その一定量を正確にキャピラリーに注入すれば、定量分析が可能であり、この定量分析の結果に基づいて化学処理液を管理すれば、短時間かつ少ない労力で正確な管理が実施できることを見出し、本発明を完成した。
【００１１】
すなわち本発明は、複数の成分を含有する化学処理液を所定濃度に希釈した後、その一定量を電気泳動用のキャピラリーに注入し、当該キャピラリーに電圧を印加することにより電気泳動させ、各成分に対応する泳動時間ごとに、透過光の変化量を測定し、各成分に対応する測定値を標準の値と対比し、この値が標準値から一定幅下回った成分について、貯槽から当該成分を高濃度に含む薬液を化学処理液槽中に添加することを特徴とする化学処理液管理方法である。
【００１２】
また本発明は、複数の成分を含有する化学処理液から測定するための試料を調製する機構、調製された前記試料を電気泳動用キャピラリーに注入する機構、前記電気泳動用キャピラリーを電気泳動に付す機構、前記化学処理液の各成分ごとに電気泳動による透過光の変化量を測定する機構、当該測定された光の変化量から化学処理液の各成分濃度を算出し、標準の値と比較する機構および当該比較の結果に基づき、貯槽から当該成分を高濃度に含む薬液を化学処理液槽中に添加する機構を含む化学処理液管理装置である。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の化学処理液管理方法を実施するには、まず、化学処理液から分析に適する試料を調製することが一般的である。
【００１４】
この試料の調製は、例えば、化学処理液を純水等により希釈することにより行われる。この希釈倍率は、使用する化学処理液に応じて適宜定めることができるが、例えば、無電解めっき液の場合は、１〜１０００倍程度に希釈すればよい。
【００１５】
次に、試料は、その一定量が電気泳動用のキャピラリーに注入される。このキャピラリー中には、電気泳動用の泳動液が入れられるが、この泳動液は分析する成分に応じ、適切なものを入手することが必要である。また、本発明の管理方法においては、試料を正確に一定量注入することが重要であり、注入量が正確でない場合は、定量分析とならず、結果的に化学処理液の管理も不正確となる。更に、キャピラリーへの試料の注入手段としては、例えば、加圧注入法、電気的注入法、落差法があり、いずれを採用しても良いが、電気的注入法の場合は、成分の電荷によって注入されやすいものと注入されにくいものがあり、注入された試料が化学処理液の実際の組成と異なることがあるので、標準の値を得た場合の注入法と同じ注入法を採用することが必要である。
【００１６】
試料が充填されたキャピラリーは、次に電圧が印加され、電気泳動が開始される。本発明方法では、化学処理液中に含まれている成分が予め分かっており、一定条件の電気泳動においてこれら各成分の泳動時間も知られているので、各成分の泳動時間の一定範囲幅において、透過光の変化量を示すピーク面積を測定し、これを各成分の定量値とする。なお、測定中は温度調整機構などにより、キャピラリーの温度を一定に保っておくことが望ましい。
【００１７】
このようにして測定された測定値は、コンピュータ中に記録され、予め記憶されていた標準の値と対比される。この標準の値は、実際に測定したのと同じ条件で、標準液を測定した過去の値を用いても良いし、あるいは現実の試料に先立ち、標準液を全く同じ条件で測定して得た値であっても良い。
【００１８】
測定した試料の各成分についての測定値と、各成分の標準の値を対比した結果、測定値が標準の値を一定幅（管理幅）以上外れている成分が見出された場合は、コンピュータより当該成分を高濃度で含む薬液を化学処理液槽中に添加するよう指令が出される。例えば、めっき液中の金属イオンが不足している場合は、当該イオンを高濃度で含有する金属塩溶液が添加されることになるし、陰イオン成分が不足している場合は、当該イオンを高濃度で含む溶液が添加される。なお、各溶液の添加は、１回の添加量を一定幅に制限し、たとえ何らかの事情により分析が正確でなかったとしても、化学処理液に対する影響が軽微となるようにすることが望ましい。
【００１９】
次に、本発明の管理方法を実施するための装置の例を挙げ、更に説明する。
【００２０】
図１は、本発明管理方法を実施するための装置の一例を示す模式図である。図１中、１は化学処理槽、２は試料調製槽（希釈槽）、３は緩衝液槽、４は電気泳動用キャピラリー、５は電極、６は分光光度計、７は光源、８はコンピュータを示し、９、１０および１１は定量液採取装置、１２は標準液容器、１３は純水容器、１４は薬液貯槽、１５は電磁弁、１６は電源をそれぞれ示す。
【００２１】
図１に示す装置は、化学処理液槽１中の化学処理液を、希釈した後、電気的注入法によりキャピラリー４の中に注入し、次いで、このキャピラリー４を２つの緩衝液槽３の間で電解し、電気泳動を行なうことにより化学処理液の管理を行うものである。
【００２２】
この図に示す装置では、まず、コンピュータ８からの指令により、化学処理液槽１中の化学処理液の一定量を、定量液採取装置９により試料調製槽２に採取する。次いで、この試料調製槽２中に、同じくコンピュータ８からの指令により、純水容器１３からの純水が定量液採取装置１１により加えられ、一定濃度に希釈される。更に、この希釈化学処理液が調製された試料調製槽２中に、電気泳動用キャピラリー４の一端が浸漬され、次いで、一定時間、所定電圧で電解することにより、希釈化学処理液は、電気泳動用キャピラリー４に注入される。この電気泳動用キャピラリー４は、その一端を試料調製槽２から緩衝液槽３ａに移動し、同じく別の緩衝液槽３ｂとの間で電気泳動を行う。この電気泳動により、化学処理液に含まれる各成分（カチオン成分、アニオン成分、荷電しうる中性成分等）は、それらの電荷に応じた速度で緩衝液槽３ａ側から緩衝液槽３ｂ側へと移動を行う。そして、これら成分は、所定の位置で光源７からの光を変化させるので、この変化を分光光度計６で測定することにより、化学処理液中の各成分がそれぞれ別個に測定することが可能となる。
【００２３】
図１を用いる測定においては、定量液採取装置９により正確に化学処理液を採取し、この化学処理液の希釈も定量液採取装置１１により正確に添加される純水により行われるので、各測定での分光光度計６で測定する光の変化は、正確に化学処理液中の各成分の濃度に対応することになる。
【００２４】
この光の変化と、絶対的な成分量を関係づけるために、各成分について光の変化量と濃度の関係の標準の値を定める必要が出てくるが、図１の装置では、このために化学処理液中の各成分についての標準液容器１２ａ、１２ｂ、１２ｃを設け、これらから所定量を定量液採取装置１０ａ、１０ｂ、１０ｃで試料調製槽２に採取し、以下、化学処理液の場合と同様に各成分を測定できるようになっている。
【００２５】
このようにすることにより、化学処理液の各成分についての光の変化と、各成分の標準液についての光の変化が求められるが、これらのデータをコンピュータ８中に取り込み、これらを対比することにより、化学処理液の各成分の濃度が定量的に測定できる。そして、この定量値と、同じくコンピュータ８中に記録された各成分についての管理値を対比し、定量値が管理値を下回った成分については、薬液貯槽１４ａ〜１４ｃに取り付けられた電磁弁１５ａ〜１５ｃを開け、不足した化学処理液成分を薬液貯槽から加えることにより、化学処理液中の各成分濃度を一定範囲に管理することが可能となる。
【００２６】
なお、本発明の管理方法では、化学処理液の各成分の管理のみならず、化学処理の実施に伴い必然的に増加する老廃成分を測定し、化学処理液の交換の目安とすることもできる。
【００２７】
図１に示した装置では、キャピラリーへの試料の注入に当たり、電気的注入法を採用しているが、例えば落差法や加圧注入法に代えても良いことはいうまでもない。加圧注入法を採用する場合には、加圧ガスを用い、一定量の試料をキャピラリー中に注入する機構が必要となる。また、図１の装置では、試料と標準液について、前後してキャピラリー電気泳動を行うが、例えば以前に測定した標準液についての値を記録しておき、試料測定と同じ条件で測定した記録から試料の濃度を求めるようにしても良い。
【００２８】
なお、図には示されていないが、試料調製槽２には、試料液の排出や、その後の洗浄液の排出のためのドレンが設けられている。同様、緩衝液槽３ｂにも、電気泳動により排出される成分を緩衝液と共に排出されるためのドレンを存在させてもよい。また、図１の装置では、化学処理液槽１から直接化学処理液を採取しているが、化学処理槽と液が連通されている別の化学処理液貯槽から化学処理液を採取するようにしても良い。
【００２９】
図２は、本発明方法に使用することができる、キャピラリー電気泳動装置について、サンプル容器およびキャピラリーカセットの状態を模式的に示す図面である。図中、２０はキャピラリー電気泳動装置、２１および２２はサンプル容器、２３はキャピラリーカセット、２４は電極、２５は直流電源、２６は注入ポンプ、２７は試料配管、２８は排液管を示す。
【００３０】
このキャピラリー電気泳動装置２０は、２つのサンプル容器２１および２２、複数のキャピラリーカセット２３、２つのサンプル容器中の区分された各室に設けられた電極２４、この電極と結合された直流電源、光源（図示せず）並びに分光光度計（図示せず）より構成される。
【００３１】
サンプル容器２１および２２は、それぞれモーター等により回転および昇降が可能とされており、また、複数の室２１ａ〜２１ｄおよび２２ａ〜２２ｄに区分されている。そして、例えば、サンプル容器２１の室２１ａには試料液、２１ｂにはバッファＡ、２１ｃには別のバッファＢ、２１ｄには、標準液が入れられている。一方、サンプル容器Ｂの室２２ａには試料液、２２ｂにはバッファＡ、２２ｃには別のバッファＢ、２２ｄには、標準液が入れられている。
【００３２】
サンプル容器２１の試料が入った室２１ａには、試料調製槽２からの試料配管２７が設けられており、注入ポンプ２６により、試料が注入されるようになっている。そして、サンプル容器Ａの所定の室と、サンプル容器Ｂの所定の室の間をキャピラリーカセット２３のキャピラリー２３ａおよび２３ｂでつなぎ、一方の容器を動かして落差を与えたり、電極を通じて電圧をかけることにより、電気泳動が行われるのである。
【００３３】
より具体的には、まず、図３の（ａ）で示すように、まず、バッファＡが入っている室２１ｂおよび２２ｂの間をキャピラリーカセット２３で連通する。この状態で所定時間放置することにより、キャピラリーはバッファＡで満たされる。次に、サンプルＡ容器２１を下降させることにより、（ｂ）に示すようにキャピラリーの一端２３ａを室２１ｂから出す。次いで、サンプル容器２１の９０度回転と上昇を行い、（ｃ）に示すように上記キャピラリー端２３ａを試料の入った室２１ａ中に入れる。この際、サンプル容器２１をサンプル容器２２より高くなるように上昇させ、落差ｈを与える。この落差ｈにより、室２１ａ中の試料の一部をキャピラリー２３ａ中に注入することができる。その後、サンプル容器２１の下降と９０度の回転を行って、キャピラリー端を室２１ａから出し、（ｄ）に示すように、再度バッファＡの入った室２１ｂに入れる。この際、サンプル容器２１および２２の液面の高さを同一とする。最後に、電圧をかけることにより、２３ａ中に注入された試料は電気泳動に付される。
【００３４】
上記の操作は、標準液について測定を行う場合や、異なるバッファを使用する場合も基本的には同一である。すなわち、標準液について測定を行う場合は、試料が入った室２１ａのかわりに標準液が入った室２１ｄについて、上記と同様に操作すればよいし、異なるバッファＢを使用する電気泳動では、バッファＡが入った室２１ｂおよび２２ｂのかわりにバッファＢが入った室２１ｃおよび２２ｃを使用し、上記と同様に操作すればよい。
【００３５】
以上の本発明の化学処理液管理装置を有利に組み込むことのできる装置としては、基板処理装置に組み込まれためっき装置を挙げることができるので、以下そのような装置のいくつかを例示する。
【００３６】
図４は、本発明の化学処理液管理装置を組み込んだ基板処理装置（無電解めっき装置）の平面配置図を示す図面である。この図に示すように、この基板処理装置は、ロード・アンロード及び洗浄エリア２１０とめっき処理エリア２１２の２つのエリアに区分されている。この基板処理装置（無電解めっき装置）は、クリーンルーム内に設置され、各エリアの圧力は、
ロード・アンロード及び洗浄エリア２１０＞めっき処理エリア２１２に設定され、且つロード・アンロード及び洗浄エリア２１０内の圧力は、クリーンルーム内圧力より低く設定される。これにより、めっき処理エリア２１２からロード・アンロード及び洗浄エリア２１０に空気が流出しないようにし、更にロード・アンロード及び洗浄エリア２１０からクリーンルーム内に空気が流出しないようにしている。
【００３７】
ロード・アンロード及び洗浄エリア２１０内には、配線を形成した基板を収容した基板カセット２１４を載置収納する３つのロードポート２１６、仮置台２１８、洗浄ユニットとしてのロール・ブラシ洗浄ユニット２２０及びスピンドライユニット２２２及びこれらの間で基板Ｗの受渡しを行う走行自在な第１搬送ロボット２２４が収容されている。
【００３８】
めっき処理エリア２１２内には、前処理ユニットとしての予備洗浄ユニット２２６、第１前処理ユニット２２８及び第２前処理ユニット２３０、無電解めっき処理ユニット２３２及びこれらの間、更には前記仮置台２１８との間で基板の受渡しを行う第２搬送ロボット２３４が収容されている。更にこの例では、めっき間の待ち時間に基板Ｗの洗浄（乾燥防止）を行うめっき間洗浄ユニット２３６が備えられている。
【００３９】
本発明の化学処理液管理装置２３８は、無電解めっき処理ユニット２３２の無電解めっき処理槽と通液可能に取り付けられ、無電解めっき液の濃度を一定に保つように管理するのである。
【００４０】
図５は、本発明の化学処理液管理装置を組み込んだ基板処理装置（蓋めっき装置）の平面配置図を示す図面である。この図に示すようにこの基板処理機構は、基板を収容した基板カセットを収納するロードユニット４００ａ及びアンロードユニット４００ｂと、基板の搬送を行なう三台の搬送部（搬送ロボット）４０１，４０３、４０５と、二台の反転機４０７、４０９と、一台の仮置き台４１０と、二台の乾燥部４１１、４１３と、二台の洗浄部４１５、４１７と、薬液（例えば希硫酸）を用いてなる一台の基板前処理装置４１９と、薬液（例えば酢酸パラジウム）を用いてなる二台の基板前処理装置４２１、４２３と、薬液（例えばクエン酸塩）を用いてなる二台の基板前処理装置４２５、４２７と、二台の無電解めっき装置４２９、４３１とを具備して構成されている。そして本発明の化学処理液管理装置４３０は、各無電解めっき装置４２９、４３１と通液可能に取り付けられ、無電解めっき液の濃度を一定に保つように管理するのである
【００４１】
図６は、本発明の化学処理液管理装置を組み込んだ基板処理装置（ダマシン用銅めっき装置）の平面配置図を示す図面である。
【００４２】
図示するように、半導体基板配線用の基板処理機構は、半導体基板を搬入する搬入部６０１、銅めっき（ダマシンプロセス）を行う銅めっき槽６０２、水洗浄を行う水洗槽６０３、６０４、化学機械研磨（ＣＭＰ）を行うＣＭＰ部６０５、水洗槽６０６、６０７、乾燥槽６０８及び配線層形成が終了した半導体基板を搬出する搬出部６０９を具備し、これら各槽に半導体基板を移送する図示しない基板移送手段が１つの装置として配置され、半導体基板配線用の基板処理機構を構成している。
【００４３】
上記配置構成の基板処理機構においては、基板移送手段により、搬入部６０１に載置された基板カセット６０１−１から、配線層が形成されていない半導体基板を取り出し、銅めっき槽６０２に移送する。そしてこの銅めっき槽６０２において、配線溝や配線孔（コンタクトホール）からなる配線部を含む半導体基板の表面上に銅めっき層を形成するのであるが、本発明の化学処理液管理装置６１０は、この銅めっき槽６０２と通液可能に取り付けられ、無電解めっき液の濃度を一定に保つように管理するのである。
【００４４】
図７は、本発明の化学処理液管理装置を組み込んだ、バリア層成膜−シード層成膜−電解めっき成膜工程を有する基板処理機構の平面配置構成を示す図面である。この基板処理機構は、バリア層成膜ユニット８１１、シード層成膜ユニット８１２、めっきユニット８１３、アニールユニット８１４、第１洗浄ユニット８１５、ベベル・裏面洗浄ユニット８１６、蓋めっきユニット８１７、第２洗浄ユニット８１８、第１アライナ兼膜厚測定器８４１、第２アライナ兼膜厚測定器８４２、第１基板反転機８４３、第２基板反転機８４４、基板仮置き台８４５、第３膜厚測定器８４６、ロード・アンロード部８２０、第１ポリッシング装置８２１、第２ポリッシング装置８２２、第１ロボット８３１、第２ロボット８３２、第３ロボット８３３、第４ロボット８３４を配置した構成である。
【００４５】
この基板処理機構では、バリア層成膜ユニット８１１は、無電解Ｒｕめっき装置、シード層成膜ユニット８１２は、無電解銅めっき装置、めっきユニット８１３は、電解めっき装置を用いるが、本発明の化学処理液管理装置８５０は、上記ユニットの１つまたは複数に各々通液可能に取り付けられ、無電解めっき液または／および電解めっきの濃度を一定に保つように管理するのである。
【００４６】
【実施例】
次に実施例を挙げ、更に本発明を説明するが、本発明は実施例等になんら制約されるものではない。
【００４７】
実  施  例  １
還元剤として、次亜リン酸（以下、「Ａ成分」という）、緩衝液としてクエン酸二水素カリウムと四ホウ酸ナトリウム（以下、「Ｂ成分」という）、錯化剤として酒石酸（以下、「Ｃ成分」という）を用いる無電解ニッケルめっき液について、これを１００倍に希釈し、図１に準じた装置により成分分析を行った。分析に使用した電気泳動装置は、Ｇ１６００Ａキャピラリー電気泳動システム（アジレントテクノロジー社製）であり、その条件は下記の通りである。
【００４８】
上記めっき液の還元剤であるＡ成分、緩衝剤であるＢ成分、錯化剤であるＣ成分の電気泳動の結果を図８に示す。この結果から明らかなように、Ａ成分、Ｂ成分およびＣ成分の各成分がはっきりと分離されて検出されており、上記の方法によりめっき液の成分分析が１０分程度というごく短時間で行えることが明らかとなった。
【００４９】
（  電気泳動条件  ）
キャピラリー；  内径６０μｍ、全長１２００ｍｍ、有効長９８５ｍｍ
緩衝溶液；  α−ＩＳＯＥ（ｐＨ６．０）
注入条件；  落差３０ｍｍ、５０ｓｅｃ
電解条件；  ２８℃、−２０ｋＶ
【００５０】
実  施  例  ２
実施例１と同じ条件で、Ａ成分、Ｂ成分およびＣ成分について濃度とピーク面積の関係を求め、これから検量線を作成した。Ａ成分については、５０ｍｇ／Ｌおよび１００ｍｇ／Ｌ溶液、Ｂ成分については、１５０ｍｇ／Ｌおよび３００ｍｇ／Ｌ溶液、Ｃ成分については、１５０ｍｇ／Ｌおよび３００ｍｇ／Ｌ溶液を使用した。また、ピーク面積は、三角法により算出した。この結果を、図９のＡ、Ｂ、Ｃに示す。
【００５１】
この結果から明らかなように、検量線はいずれも原点を通る直線で、相関関係は、いずれも０．９９以上であって、これを用いて各成分の定量分析を行うことが可能であることが示された。
【００５２】
また、上で得られた検量線を用いて、同じ無電解ニッケルめっき液を繰り返し測定し、Ａ成分、Ｂ成分、Ｃ成分を測定した結果を図１０のＡ、Ｂ、Ｃに示す。
【００５３】
この結果から明らかなように、標準偏差／平均値は、Ａ成分、Ｂ成分、Ｃ成分についてそれぞれ１．４３％、０．７８％、１．５４％であって、信頼性の高い分析ができていることが分かる。
【００５４】
【発明の効果】
本発明の管理方法は、キャピラリー電気泳動法を用いるため、化学処理液中の成分が、カチオン、アニオン、中性等その性質が異なっていても、これらを同時に、一回の分析操作により、迅速に分析することができる。また本発明管理方法では、化学処理液の各成分の定量分析を可能としているため、分析の結果を化学処理液管理にフィードバックさせることが可能である。
【００５５】
そして、前記したように一度の分析操作で、必要な成分の分析を行うことができるので、分析結果に基づいて各成分を含む薬液の添加が分析後時間を置かずにできるため、半導体用めっきのような厳密な管理が必要とされる化学処理液についても適用可能である。
【００５６】
従って、本発明の管理方法および装置は、電解めっき、無電解めっき等のめっきを始め、前処理液、後処理液等種々の化学処理液の自動管理に極めて有利に利用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明管理方法を実施するための装置の一例を示す模式図である。
【図２】キャピラリー電気泳動装置のサンプル容器およびキャピラリーカセットの状態を模式的に示す図面である。
【図３】図２のキャピラリー電気泳動装置での電気泳動までの手順を示す図面である。
【図４】本発明の化学処理液管理装置を組み込んだ基板処理装置（無電解めっき装置）の平面配置図を示す図面である。
【図５】本発明の化学処理液管理装置を組み込んだ基板処理装置（蓋めっき装置）の平面配置図を示す図面である。
【図６】本発明の化学処理液管理装置を組み込んだ基板処理装置（ダマシン用銅めっき装置）の平面配置図を示す図面である。
【図７】本発明の化学処理液管理装置を組み込んだ、バリア層成膜−シード層成膜−電解めっき成膜工程を有する基板処理機構の平面配置構成を示す図面である。
【図８】実施例１のめっき液についての電気泳動の結果を示す図面である。
【図９】実施例１のめっき液の、各構成成分についての検量線を示す図面である。
【図１０】図９の検量線を使用し、実施例１のめっき液の各構成成分について、繰り返し測定した結果を示す図面である。
【符号の説明】
１  …  …  化学処理槽              １３  …  …  純水容器
２  …  …  試料調製槽（希釈槽）    １４  …  …  化学処理液成分容器
３  …  …  緩衝液槽                １５  …  …  電磁弁
４  …  …  電気泳動用キャピラリー  １６  …  …  電源
５  …  …  電極                    ２０  …  …  キャピラリー電気泳動装置
６  …  …  分光光度計              ２１、２２  …  …  サンプル容器
７  …  …  光源                    ２３  …  …  キャピラリーカセット
８  …  …  コンピュータ            ２４  …  …  電極
９  …  …  試料用定量液採取装置    ２５  …  …  直流電源
１０  …  …  標準液用定量液採取装置  ２６  …  …  注入ポンプ
１１  …  …  純水用定量液採取装置    ２７  …  …  試料配管
１２  …  …  標準液容器              ２８  …  …  排液管
以    上
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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