(57)【要約】【課題】静電破壊を防止し、表面汚染を抑制しながらマスクを収納運搬することができるマスクケースを提供する。【解決手段】保持体３及びマスクケース内壁に導電性材料を用いることにより、マスク４が保持体３を経由してマスクケースに接地されるため、マスク４に帯電した電荷が除電されマスクパターン間での放電現象が抑制されることと、マスク４の電位がマスクケースと均一になりマスクケースとマスク４間での放電現象が抑制されることによりマスクパターンの静電破壊を防止でき、また同時に、マスクケース内部にアウトガスの少ない材料を用いることにより、マスクケースから発生するアウトガスを抑制し、マスク４の表面汚染を防止することができる。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路の製造工程で使用されるレチクル又はフォトマスクを収納運搬するために用いられ、少なくとも上蓋とトレイから形成されたマスクケースにおいて、
前記上蓋及びトレイが導電性を有し、ガスの発生が少ない材料からなることを特徴としたマスクケース。
【請求項２】
上蓋及びトレイがプラスチック樹脂からなり、少なくとも内壁に導電性を有し、ガスの発生が少ない材料を成膜したことを特徴としたマスクケース。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、集積回路の製造工程で使用されるレチクル又はフォトマスク（以下、これらを併せてマスクと呼ぶ。）を収納運搬するために用いるマスクケースに関する。
【０００２】
【従来の技術】
シリコンウェハ上に集積回路パターンを描画するフォトリソグラフィ技術において、近年ＬＳＩの高集積化に伴い、より狭い線幅で微細な回路パターンを露光するための技術が要求されており、これに対応するために露光光源の短波長化が進められている。例えば、リソグラフィ用ステッパの光源は、従来のｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）から進んでＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザー（波長１５７ｎｍ）等のより短波長光源に移行されている。
【０００３】
露光光源の短波長化に伴い物質による光吸収が大きくなり、酸素や水分及び有機化合物により露光光が吸収され透過率が低下してしまう。
従来の集積回路の製造工程で使用されるマスクを収納運搬するために用いるマスクケースは、おもにプラスチック樹脂等により形成されていた。その為にプラスチック樹脂等から発生する有機物質ガスによりマスク表面が汚染され、露光波長が短波長であるとマスクの透過率が低下する。
また、回路パターンの微細化に伴い僅かな帯電でも、マスクケースに保管したマスクのパターンが静電気により破壊される事が問題となっている。
この問題を解決する方法として、マスクを載置するマスク支持体及び底皿にカーボンを添加したポリカーボネートを用いて底皿の帯電量を低減しマスクに電荷が溜まることを防止する方法が知られている。この方法によりマスクケースに保管したマスクのパターンの静電破壊を低減することができる（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−２５３４９１号公報
【０００５】
しかし、カーボンを添加したポリカーボネートを材料としているため有機化合物質のアウトガスが存在し、それによりマスク表面が汚染され透過率の低下が生じる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、これらの問題点を解決するためになされたものであり、静電破壊を防止し、表面汚染を抑制しながらマスクを収納運搬することができるマスクケースを提供する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明において上記の課題を解決するために、請求項１において、集積回路の製造工程で使用されるレチクル又はフォトマスクを収納運搬するために用いられ、少なくとも上蓋とトレイから形成されたマスクケースにおいて、
前記上蓋及びトレイが導電性を有し、ガスの発生が少ない材料からなることを特徴としたマスクケースを提供する。
【０００８】
また請求項２において、上蓋及びトレイがプラスチック樹脂からなり、少なくとも内壁に導電性を有し、ガスの発生が少ない材料を成膜したことを特徴としたマスクケースを提供する。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
【００１０】
図１は、本発明のマスクケースの一例を示す断面図である。上蓋１及びトレイ２には、マスク４を載置する保持体３が形成されている。
上蓋１及びトレイ２に形成された保持体３により保持されたマスク４は、上蓋１とトレイ２により密閉される。
【００１１】
上蓋１及びトレイ２の材料として、少なくとも導電性を有し、ガスの発生（以下アウトガス）の少ない材料が用いられ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、ステンレス等の金属、あるいはＡｌとＳｃ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｔ等の遷移元素との合金等を用いることができる。特にアウトガスが少なく、化学的に安定しているステンレスを用いることが好ましい。
【００１２】
また、図２は本発明のマスクケースの他の実施例を示す断面図であり、図に示すように、従来のマスクケースと同様のスチレン系樹脂、アクリル系樹脂などのプラスチック樹脂材料などにより形成された上蓋１及びトレイ２の内壁に、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法などの成膜法で、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等の金属あるいは、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３等の透明電極材料を用いて薄膜層５を形成してもよい。プラスチック樹脂材料などに透明電極材料で薄膜層５を成膜することにより、導線性を有し、アウトガスの少なく、かつ透明なマスクケースを得ることができる。
【００１３】
保持体３の材料としては、上蓋１及びトレイ２と同様の材料を用いることが望ましく、保持体３の材料をプラスチック樹脂とする場合は、上蓋１及びトレイ２の材料をプラスチック樹脂とした場合と同様に少なくとも導電性を有し、アウトガスの少ない材料を用いて薄膜層を成膜することが望ましい。
これにより、マスク４が保持体３を経由してマスクケースに接地されるため、マスク４に帯電した電荷が除電されマスクパターン間での放電現象が抑制されることと、マスク４の電位がマスクケースと均一になりマスクケースとマスク４間での放電現象が抑制されることによりマスクパターンの静電破壊を防止できる。
また同時に、マスクケース内部をアウトガスの少ない材料を用いることにより、マスクケースから発生するアウトガスを抑制し、マスク４の表面が汚染されることを防止できる。
【００１４】
【実施例】
本発明のマスクケースの一実施例を図１を用いて説明する。
［実施例１］
保持体３及び上蓋１、トレイ２がステンレスからなる図１に示した構造を持つマスクケースにマスク４を載置した。
その後、マスクケースを帯電したプラスチック板上に置き、上蓋１とトレイ２を５０回開閉した。しかし、マスク４のパターンに静電破壊は見られなかった。
また、このマスクケースに１週間保管したマスク４の表面汚染を加熱脱離ガスクロマトグラフで測定したが、マスク４表面には、マスクケースに起因する有機物質汚染は確認されなかった。
【００１５】
［比較例１］
従来のマスクケース同様、保持体３及び上蓋１、トレイ２がアクリル系樹脂からなるマスクケースにマスク４を載置した。
その後、マスクケースを帯電したプラスチック板上に置き、上蓋１とトレイ２を５０回開閉したところ、マスク４のパターンに静電破壊が生じた。
また、このマスクケースに１週間保管したマスク４の表面汚染を加熱脱離ガスクロマトグラフで測定したところ、マスクケース材料であるアクリル系樹脂に可塑剤として用いられているＤＯＰ（フタル酸ジオクチル）、ＤＥＰ（フタル酸ジエチル）、ＤＢＰ（フタル酸ジブチル）等がマスク表面から検出された。
【００１６】
【発明の効果】
本発明によれば、少なくともマスクケース内壁に導電性を有し、アウトガスの少ない材料を用いることにより、静電破壊を防止し、表面汚染を抑制しながらマスクを収納運搬することができるマスクケースを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のマスクケースの一実施例を示す断面図である。
【図２】本発明のマスクケースの他の実施例を示す断面図である。
【符号の説明】
１　　　　　上蓋
２　　　　　トレイ
３　　　　　保持体
４　　　　　マスク
５　　　　　薄膜層
【図１】
2004119566.tif 000003
【図２】
2004119566.tif 000004