(57)【要約】【課題】ＤＶＤ−ＲＯＭ等の高密度・大容量の記録媒体であって、初期化工程における初期結晶化が容易であるだけでなく、３．５〜３５ｍ／ｓの広範囲かつ高記録線速での情報のオーバライトに対応できる、十分な変調度を確保した、信号特性、オーバライト特性、および、保存信頼性に優れた相変化型光記録媒体を提供する。【解決手段】基板と、該基板上に設けられた相変化記録材料を含む記録層とを有してなり、該相変化記録材料がＧａと、Ｓｂと、Ｈと、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｂｉ、ＰｂおよびＳｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素とを含む相変化型光記録媒体。【選択図】      図２
2004284334.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に設けられた相変化記録材料を含む記録層とを有してなり、該相変化記録材料がＧａと、Ｓｂと、Ｈと、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｂｉ、ＰｂおよびＳｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素とを含むことを特徴とする相変化型光記録媒体。
【請求項２】
請求項１に記載の相変化型光記録媒体であって、基板上に誘電体層と、前記記録層と、反射層とをこの順序で有してなる上記相変化型光記録媒体。
【請求項３】
請求項２に記載の相変化型光記録媒体であって、さらに、前記反射層の表面に保護層を有してなる上記相変化型光記録媒体。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の相変化型光記録媒体であって、前記記録層を構成する相変化記録材料が組成式：ＧａαＳｂβＨγＭδ［式中、ＭはＡｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｂｉ、ＰｂまたはＳｎからなる群から選ばれる元素の少なくとも一種であり、αは２≦α≦２５であり、βは６５≦β≦９３であり、γは２≦γ≦１８であり、δは１≦δ≦１５であり、α＋β＋γ＋δ＝１００（原子％）である］で表されることを特徴とする上記相変化型光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電磁波を照射することにより、記録層に光学定数の変化を生じさせて、情報の記録、再生、消去およびオーバライトが可能である、高速かつ大容量の高密度記録に応用される相変化型光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電磁波、特にレーザ光等の光ビームを照射することにより、情報の記録、再生、消去およびオーバライト（書き換え）が可能な光記録媒体の一例として、結晶相−非晶相間、または、結晶相−結晶相間の相転移を利用する、相変化型光ディスク等の相変化型光記録媒体が知られている。この相変化型光記録媒体は、単一ビームによるオーバライトが可能であり、ドライブ側装置の光学系が単純なため、コンピュータや映像・音響関連の記録媒体として使用されている。
【０００３】
前記の相変化型光記録媒体の記録材料としては、従来、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｅ系、Ｉｎ−Ｓｂ系、Ｇａ−Ｓｂ系、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系等の相変化記録材料が用いられている。
【０００４】
特に、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系相変化記録材料は、非晶（アモルファス）状態の記録マークの輪郭が明確であるという特徴を有するので、マークエッジ記録用材料として有用であることが知られており（特許文献１、特許文献２、特許文献３）、既にマークエッジ記録用材料として使用されている。また、類似した系であるＡｇ−Ｓｂ−Ｔｅ系の相変化記録用材料も開示されている（特許文献４、特許文献５）。
【０００５】
しかし、前記記録材料は、ＣＤ−ＲＷ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｋ−Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）等の比較的低い記録密度を有する記録媒体に用いられるものであって、より高い記録密度を有する記録媒体であるＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｋ）−ＲＡＭやＤＶＤ−ＲＷ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｋ−Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）等に用いると、記録線速が３．５ｍ／ｓ（１倍速）程度の低速ではオーバライトが可能であるが、７．０ｍ／ｓ（２倍速）以上になると、オーバライト特性が劣化する。この特性劣化の原因は、前記相変化記録材料の結晶化速度が遅いため、高記録線速でのオーバライトが困難になるからである。
【０００６】
この特性劣化を防止するために、前記相変化記録材料の組成分であるＳｂの組成量を増加することにより、該相変化記録材料の結晶化速度を速くすることもできるが、その場合にはＳｂ量が増加することにより結晶化温度が低下してしまい、記録マークの保存特性の低下がより顕著になる。
【０００７】
この保存特性の低下を防止する方法としては、Ａｇ−Ｉｎ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系相変化記録材料を用いる方法が開示されている（特許文献６）。しかし、この記録材料を有してなる相変化型光記録媒体は、該記録媒体への記録線速が３．０〜２０ｍ／ｓの範囲ではオーバライトが可能であるが、より高記録線速の場合、例えば、２０ｍ／ｓよりも高速の場合にはオーバライトすることができない。
【０００８】
高記録線速でのオーバライトに対応した材料としては、Ｇａ−Ｓｂ系相変化記録材料が報告されている（非特許文献１）。このＧａ−Ｓｂ系相変化記録材料は、結晶化速度が極めて速いと報告されているが、結晶化温度が３５０℃と非常に高いため、記録材料を未記録状態とするための初期化工程における初期結晶化が困難である。また、Ｇａ−Ｓｂ系相変化記録材料は共晶組成でも融点が６３０℃と比較的高いので、高記録線速での信号特性に問題を有する。
【０００９】
他にも、Ｇａ−Ｓｂ系相変化記録材料に、例えば、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｓ、Ｂｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ等の金属元素を組成分として加えて、特性の向上を試みたものが開示されている（特許文献７、特許文献８）。しかし、このような相変化記録材料を有してなる記録媒体は、高記録線速でのオーバライトの際に、十分な変調度を確保し、オーバライト特性および保存特性を同時に満足するものではない。
【００１０】
上記のように種々の相変化記録材料が報告されているが、いずれもオーバライト可能な相変化型光記録媒体として要求される特性を全て満足するものではなかった。特に、ＤＶＤ−ＲＯＭ等の高密度・大容量の記録媒体であり、記録媒体に対する記録線速が高速化（〜３５ｍ／ｓ）された場合にも対応でき、十分な変調度を確保し、オーバライト特性、信号特性および保存特性を同時に満足するオーバライト可能な相変化型光記録媒体の開発が課題となっている。
【００１１】
非晶相−結晶相間の相転移を利用する記録媒体において、情報の記録、再生、消去およびオーバライトに用いられるレーザビームの径を１μｍφとすると、レーザビームが高記録線速（３５ｍ／ｓ）で回転するディスク（Ｄｉｓｋ）上の一点を横切る時間は約２９ｎｓｅｃ（ナノ秒）である。このことから、高記録線速（３５ｍ／ｓ）では、前記記録媒体の相変化記録材料が２９ｎｓｅｃ以内にオーバライト、すなわち、古い記録マークから新しい記録マークへと書き換えることが必要になる。
【００１２】
高密度・大容量記録媒体であるＤＶＤ等では、使用される光学系のレーザの波長が６５０ｎｍと従来の７８０ｎｍより短くなるため、そのビーム径も１μｍφより小さくなり、レーザビームが高記録線速（３５ｍ／ｓ）で回転するディスク上の一点を横切る時間は２９ｎｓｅｃより短くなる。例えば、ビーム径を０．７μｍφとすると、一点を横切る時間は約２０ｎｓｅｃとなり、このような短時間でオーバライトすることが必要となる。
【００１３】
前記の従来技術であるＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇａ−Ｓｂ系およびＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系の相変化記録材料においてもこの時間内でのオーバライトは可能であるが、保存特性や初期結晶化等の特性に問題があり、高記録線速（３５ｍ／ｓ）において、これらの特性を全て満足できる記録材料は知られていなかった。
【００１４】
【特許文献１】
特開平３−２３１８８９号公報
【特許文献２】
特開平４−１９１０８９号公報
【特許文献３】
特開平４−２３２７７９号公報
【特許文献４】
特開平４−２６７１９２号公報
【特許文献５】
特開平５−３４５４７８号公報
【特許文献６】
特開２０００−３２２７４０号公報
【特許文献７】
米国特許第４８１８６６６号明細書
【特許文献８】
米国特許第５０７２４２３号明細書
【非特許文献１】
「Ｐｈａｓｅ−ｃｈａｎｇｅ  ｏｐｔｉｃａｌ  ｄａｔａ  ｓｔｏｒａｇｅ  ｉｎ  ＧａＳｂ」、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｏｐｔｉｃｓ、Ｖｏｌ．２６、Ｎｏ．２２１１５、Ｎｏｖｅｍｂｅｒ，１９８７）
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ＤＶＤ−ＲＯＭ等の高密度・大容量の記録媒体であって、初期化工程における初期結晶化が容易であるだけでなく、３．５〜３５ｍ／ｓの広範囲かつ高記録線速での情報のオーバライトに対応できる、十分な変調度を確保した、信号特性、オーバライト特性、および、保存特性に優れた相変化型光記録媒体を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の課題を解決するために、
基板と、該基板上に設けられた相変化記録材料を含む記録層とを有してなり、該相変化記録材料がＧａと、Ｓｂと、Ｈと、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｂｉ、ＰｂおよびＳｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素とを含むことを特徴とする相変化型光記録媒体、
を提供する。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下で、本発明について、より詳細に説明する。
【００１８】
〔相変化光記録媒体の構成〕
本発明の相変化型光記録媒体は、基板上に構成層として少なくとも記録層を有してなり、必要に応じて、誘電体層、反射層、保護層等を設けることができる。構成層の形態は、目的や必要とする特性によって選ばれる。
【００１９】
前記の相変化型光記録媒体としては、例えば、図１〜４に示したような構成を有するものが挙げられる。すなわち、基板１上に第一誘電体層２、記録層３、第二誘電体層４、および、反射層５がこの順序で設けられた構成（図１）とするか、あるいは、図１の構成における反射層５上に、保護層６が設けられた構成（図２）とすることができる。誘電体層は必ずしも記録層３の両側に設ける必要はなく、基板１がポリカーボネート樹脂のように耐熱性の低い材料である場合には、図３および図４に示したように、基板１と記録層３との間に第一誘電体層２を設け、記録層３と反射層５との間の構成層（図１および図２における第二誘電体層４）を省いた構成とすることもできる。
【００２０】
なお、これらの図１〜４に示した構成は実施の形態を説明するための例であって他の構成でもよく、好ましくは、図２の構成形態である。以下で、各構成層について、より具体的に説明する。
【００２１】
〔基板〕
基板１に用いられる材料としては、例えば、ガラス、セラミックスまたは樹脂が挙げられるが、樹脂が成形性およびコストの点から好ましい。
【００２２】
樹脂の具体例としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられ、加工性、光学特性等の点からポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂等が好ましく、より好ましくはポリカーボネート樹脂である。基板１の形状は、ディスク状、カード状またはシート状のいずれであってもよいが、操作性の点からディスク状であることが好ましい。
【００２３】
基板の厚さは、通常、取り扱い易さおよび支持体として求められる剛性の点で、０．３〜２．０ｍｍであり、好ましくは０．５〜１．５ｍｍ、より好ましくは０．７〜１．０ｍｍである。
【００２４】
〔誘電体層〕
誘電体層（第一誘電体層２または第二誘電体層４）に用いられる材料としては、例えば、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＺｒＯ２等の金属酸化物、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＮ等の窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ３等の硫化物、ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物等が挙げられ、屈折率、熱伝導率等の点から、好ましくはＳｉＯ２と、ＺｎＯまたはＺｎＳとの混合物であり、より好ましくはＳｉＯ２とＺｎＳとの混合物である。誘電体層の形成には、各種気相成膜法（真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法等）が用いられる。例えば、（ＺｎＳ）・（ＳｉＯ２）を用いたスパッタリング法により、膜形成を行い、誘電体層を形成することができる。
【００２５】
この誘電体層は、耐熱保護層としての機能と、光干渉層としての機能とを併せ持つ。これらの機能が最大限に発揮されるように層形成することが必要であるため、その膜厚を２０〜３００ｎｍとすることが好ましく、より好ましくは２５〜２００ｎｍ、特に好ましくは３０〜１００ｎｍである。厚すぎると、界面剥離が生じやすくなる。
【００２６】
〔記録層〕
・Ｇａ−Ｓｂ系相変化記録材料
本発明の記録層３を構成する相変化記録材料として、Ｇａ−Ｓｂ系相変化記録材料が用いられているが、Ｇａ−Ｓｂ系相変化記録材料を構成する原子同士の最隣接原子間距離は結晶相と非晶相との間でほぼ同じであり、結晶相から非晶相または非晶相から結晶相への相転移がレーザ光照射により極めて短時間に行われるため、高記録線速（３５ｍ／ｓ）でのオーバライトが可能になる。
【００２７】
・水素の添加
本発明では、前記の相変化記録材料を構成する元素の一種として、ＧａおよびＳｂ以外に水素を加えることで、オーバライト特性、保存特性および信号特性がより優れたものとなる。
【００２８】
・第４の元素
前記の相変化記録材料を構成するＡｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｂｉ、ＰｂおよびＳｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を、前記の記録材料に加えると、高い結晶化温度を持つＧａ−Ｓｂ系相変化記録材料の結晶化温度が低下し、従来困難であったＧａ−Ｓｂ系相変化記録材料の初期結晶化が容易になるだけでなく、十分な変調度を確保することも可能となる。
【００２９】
・好ましい組成式
本発明の相変化記録材料は、好ましくは、その組成が式：ＧａαＳｂβＨγＭδ［式中、ＭはＡｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｂｉ、ＰｂおよびＳｎからなる群から選ばれる元素の少なくとも一種であり、αは２≦α≦２５であり、βは６５≦β≦９３であり、γは２≦γ≦１８であり、δは１≦δ≦１５であり、α＋β＋γ＋δ＝１００（原子％）である］で表されるものである。前記の式中における、α、β、γおよびδが前記の範囲を満たすとき、特に、高密度・大容量の相変化型光記録媒体への高記録線速でのオーバライトに対応し、オーバライト特性、保存特性および信号特性に優れ、十分な変調度を確保し、初期結晶化の容易な相変化型光記録媒体の提供が可能となる。
【００３０】
αが２〜２５原子％の範囲であると、結晶化速度がより向上し、高記録線速（３５ｍ／ｓ）でのオーバライトにより適したものとなり、初期化工程における初期結晶化も容易に行えるようになる。βが６５〜９３原子％の範囲であると、結晶化速度がより向上し、高記録線速（３５ｍ／ｓ）でのオーバライトにより適したものとなり、記録マーク保存特性も向上する。γが２〜１８原子％の範囲であると、オーバライト特性、記録マーク保存特性および信号特性に優れたものとなり、十分な変調度も確保できる。δが１〜１５原子％の範囲であると、初期化工程における初期結晶化が容易になり、十分な変調度を確保でき、記録マーク保存特性も優れたものとなる。
【００３１】
・膜形成
前記相変化記録材料を含む記録層３は、前記の気相成膜法、例えば、スパッタリング法により膜が形成される。膜厚は、通常７〜１００ｎｍであり、好ましくは１０〜３５ｎｍ、より好ましくは１５〜２０ｎｍである。この範囲において、レーザ光等の光吸収能が十分であるために記録層としての機能に優れ、透過レーザ光も十分であるために干渉効果にも優れたものとなる。
【００３２】
〔反射層〕
反射層５に用いられる材料は、高速記録に対応できる高熱伝導性のＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ等の金属やそれらの合金が挙げられる。具体的には、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｎｉ等のＡｇ合金、好ましくはＡｇ−Ｐｄ−ＣｕのＡｇ合金が用いられ、その膜形成は前記の各種気相成膜法、例えば、スパッタリング法により行うことができる。
【００３３】
膜厚は、好ましくは３０〜２００ｎｍであり、より好ましくは５０〜１５０ｎｍ、特に好ましくは７０〜１００ｎｍである。膜厚が３０〜２００ｎｍであると、反射層の熱伝導率や反射率等の特性をバルクの場合の特性と比較して低下させることがないので、反射層としての機能を十分に有するものとなる。
【００３４】
〔保護層〕
保護層６に用いられる材料は、作業性が良く、均一な薄膜形成が可能であり、記録媒体用としての機能を満足する耐環境性に優れた材料であれば特に限定されず、具体例としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられ、好ましくは、スピンコート等の手法によって薄膜が形成できるエポキシ樹脂やアクリル樹脂等の樹脂材料であり、より好ましくはエポキシ樹脂である。
【００３５】
膜厚は、好ましくは１〜１００μｍであり、より好ましくは５〜７０μｍ、特に好ましくは１０〜５０μｍである。膜厚が１〜１００μｍであると、より強度が強く、外部からの湿度の影響を受けることも少ないので、保護層としての機能を十分に有するものとなり好ましい。
【００３６】
〔電磁波〕
本発明の相変化型光記録媒体への情報の記録、再生、消去およびオーバライトに用いられる電磁波としては、例えば、可視光、紫外線、赤外線、電子線等が挙げられ、光学系の搭載性および小型化等の点から、半導体レーザ光等の光ビームであることが好ましい。
【００３７】
【実施例】
以下、実施例および比較例を用いて、本発明をさらに詳しく説明するが、これらは、本発明を何ら限定するものではない。
【００３８】
［実施例１］
トラックピッチ０．７μｍ、溝の深さ４０ｎｍ、厚さ０．６ｍｍ、および、直径１２０ｍｍφのポリカーボネート製基板１上に、図２に示されたように、第一誘電体層２、記録層３、第二誘電体層４、および、反射層５を、Ａｒガス圧を１０−１ＰａとしてＲＦスパッタリング法で成膜し、この順序で積層した。反射層５の上には、スピンコート法により、アクリル樹脂からなる保護層６を積層した。
【００３９】
具体的には、第一誘電体層２として、（ＺｎＳ）８０・（ＳｉＯ２）２０を厚さ８０ｎｍとなるように、記録層３として、Ｇａ８Ｓｂ８５Ｈ４Ｓｎ３を厚さ１５ｎｍとなるように、第二誘電体層４として、（ＺｎＳ）８０・（ＳｉＯ２）２０を厚さ３０ｎｍとなるように、反射層５として、Ａｇ合金（Ａｇ９５Ｐｄ３Ｃｕ２）を厚さ９０ｎｍとなるようにそれぞれ制御して、スパッタリング法により各層を積層した。このように積層された構成層の最上層である反射層５上にアクリル樹脂からなる保護層６をスピンコート法により積層し、評価用相変化型光記録媒体を作成した。各構成層の材料組成と膜厚は表１に示したとおりである。
【００４０】
［実施例２〜６］
実施例１において記録層３として用いたＧａ８Ｓｂ８５Ｈ４Ｓｎ３の代わりに、
Ｇａ８Ｓｂ８５Ｈ４Ａｇ３（実施例２）、
Ｇａ８Ｓｂ８５Ｈ４Ｃｕ３（実施例３）、
Ｇａ８Ｓｂ８５Ｈ４Ｔｉ３（実施例４）、
Ｇａ８Ｓｂ８５Ｈ４Ｂｉ３（実施例５）、
または、
Ｇａ８Ｓｂ８５Ｈ４Ｐｂ３（実施例６）、
を用いた以外は、実施例１と同様にして、それぞれの評価用相変化型光記録媒体を作成した。実施例２〜６の各構成層の材料組成と膜厚は、表１に示したとおりである。
【００４１】
【表１】
2004284334.tif 000003
【００４２】
［比較例］
記録層、第二誘電体層、および／または、反射層の条件を表２に示すように変更した以外は実施例１〜６と同様にして、評価用相変化型光記録媒体を作成した。比較例の各構成層の材料組成と膜厚は、表２に示したとおりである。
【００４３】
【表２】
2004284334.tif 000004
【００４４】
上記の実施例１〜６および比較例１〜５で得られた評価用相変化型光記録媒体の記録層は非晶（アモルファス）状態であるので、評価に際して該記録媒体を初期結晶化する必要があるが、Ｇａ−Ｓｂ系相変化記録材料は結晶化温度が高いため、初期結晶化が困難である。そこで、下記の初期結晶化方法・評価基準に従って、実施例１〜６および比較例１〜５で得られた評価用相変化型光記録媒体の初期結晶化特性（初期結晶化の容易性、および、初期結晶化後の記録膜の状態）を表３に示した。
【００４５】
初期結晶化には、１１００ｍＷの出力の半導体レーザ（ビーム径：１μｍ×５０μｍ、日立コンピュータ製）を用いて、レーザ波長を８１０ｎｍ、初期結晶化線速を６ｍ／ｓ、光源の移動速度を一回転当り２０μｍとして、前記の評価用相変化型光記録媒体に６０秒照射し、該記録媒体の記録層における非晶相の温度を、結晶化温度以上・融点以下の温度まで加熱し、その後、徐々に冷却することにより行った。
【００４６】
本明細書中における初期結晶化状態とは、初期結晶化後の記録膜（５０ｍｍ×５０ｍｍ）を光学顕微鏡（倍率：１０×１０倍、オリンパス製）で観察した時点における状態を意味する。
【００４７】
〔評価基準〕
・初期結晶化の容易性
○：所定の初期結晶化条件で容易に初期結晶化できる。
△：所定の初期結晶化条件である程度初期結晶化ができる。
×：所定の初期結晶化条件で初期結晶化が困難である。
【００４８】
・初期結晶化状態
○：記録膜の表面の初期結晶化が均一になされている。
×：記録膜の表面の初期結晶化が不均一であり、ムラが多く認められる。
【００４９】
【表３】
2004284334.tif 000005
【００５０】
上記の初期結晶化後、各々の評価用相変化型光記録媒体のオーバライト特性および変調度、ならびに、保存特性を測定・評価した。その際、記録線速と記録パワーをそれぞれ、３．５ｍ／ｓと１０ｍＷ、１５ｍ／ｓと１８ｍＷ、２５ｍ／ｓと２８ｍＷ、および、３５ｍ／ｓと３８ｍＷに設定して行った。
【００５１】
記録用レーザ（出力：５０ｍＷ、ビーム径：０．９μｍ×０．７μｍ）の波長を６５０ｎｍ、線速を３．５、１５、２５、３５ｍ／ｓとして、ＥＦＭ（Ｅｉｇｈｔ  Ｆｏｕｒｔｅｅｎ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）ランダムパターンでオーバライトを１０００回繰り返した。オーバライト特性については、１回だけオーバライトした記録媒体と１０００回オーバライトした記録媒体とを比較し、３Ｔ信号のジッタ値と、１４Ｔ信号の変調度とで測定・評価した。保存特性については、１０００回オーバライトした記録媒体を８０℃、湿度８５％の環境下で３００時間保持した後のオーバライト１０００回目における３Ｔ信号のジッタ値と、１４Ｔ信号の変調度とを測定・評価した。実施例１〜６の測定・評価結果を表４に、比較例１〜５の測定・評価結果を表５にそれぞれ示した。
【００５２】
【表４】
2004284334.tif 000006
【００５３】
【表５】
2004284334.tif 000007
【００５４】
〔評価〕
表３および表４に示したように、本発明の相変化記録材料を用いた実施例１〜６は、いずれも十分な変調度を確保し、信号特性、オーバライト特性および保存特性に優れ、初期結晶化も容易に行うことができる。
【００５５】
一方、従来技術である比較例においては、表３および表５に示したように、Ｇａ５０Ｓｂ５０（比較例１）の化合物組成あるいはＧａ１２Ｓｂ８８（比較例２）の共晶組成を用いた記録媒体では、高記録線速でのオーバライトは可能であるが、本発明の記録材料を用いた記録媒体と比較して、変調度、信号特性、保存特性、および、オーバライト特性が劣り、さらに初期結晶化が困難であった。
【００５６】
Ｇａ−Ｓｂ系相変化記録材料の組成にＳｎを添加した比較例３、および、Ｂｉを添加した比較例４の場合は、変調度および信号特性が改善され、初期結晶化が容易になったが、オーバライト特性および保存特性はあまり改善されていない。
【００５７】
比較例５のＡｇ−Ｉｎ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系相変化記録材料では高記録線速（２５ｍ／ｓおよび３５ｍ／ｓ）において、オーバライトが不可能であった。
【００５８】
【発明の効果】
本発明の相変化型光記録媒体は、ＤＶＤ−ＲＯＭ等の高密度・大容量の記録媒体として使用した場合にも、３．５〜３５ｍ／ｓの広範囲かつ高記録線速での情報のオーバライトに対応でき、初期化工程における初期結晶化が容易であり、十分な変調度を確保できるだけでなく、信号特性、オーバライト特性、および、保存特性にも優れている。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の相変化型光記録媒体の実施の形態を説明するための層構成例を示した断面図である。
【図２】本発明の相変化型光記録媒体の実施の形態を説明するための他の層構成例を示した断面図である。
【図３】本発明の相変化型光記録媒体の実施の形態を説明するためのさらに他の層構成例を示した断面図である。
【図４】本発明の相変化型光記録媒体の実施の形態を説明するためのさらに他の層構成例を示した断面図である。
【符号の説明】
１  基板
２  第一誘電体層
３  記録層
４  第二誘電体層
５  反射層
６  保護層
【図１】
2004284334.tif 000008
【図２】
2004284334.tif 000009
【図３】
2004284334.tif 000010
【図４】
2004284334.tif 000011