(57)【要約】【課題】メーカが市場でのデータ保護が可能な半導体記憶装置の提供。【解決手段】第１の命令によりにアクセス可能な、データの読み出し又は書き込みの為のユーザメモリと、第２の命令によりアクセス可能な、データの読み出し又は書き込みの為の余剰メモリと、入力インターフェースに入力された命令をうけて、前記命令を解析し信号を出力する入力制御回路と、前記ユーザメモリ又は前記余剰メモリにアクセスするのを許可するアクセス制御回路と、前記ユーザメモリ又は前記余剰メモリのメモリセルを選択する為の信号を前記ユーザメモリ又は前記余剰メモリに出力するアドレスデコーダと、前記ユーザメモリ又は前記余剰メモリのデータを読み出す出力制御回路と、を有する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の命令によりにアクセス可能な、データの読み出し又は書き込みの為のユーザメモリと、
第２の命令によりアクセス可能な、データの読み出し又は書き込みの為の余剰メモリと、
前記第１及び第２の命令が入力される入力インターフェースと、
前記入力インターフェースに入力された命令をうけて、前記命令を解析し信号を出力する入力制御回路と、
前記入力制御回路の信号を受けて、前記ユーザメモリ又は前記余剰メモリにアクセスするのを許可するアクセス制御回路と、
前記入力制御回路の信号及び前記アクセス制御回路の信号を受けて、前記ユーザメモリ又は前記余剰メモリのメモリセルを選択する為の信号を前記ユーザメモリ又は前記余剰メモリに出力するアドレスデコーダと、
前記アクセス制御回路の出力を受けて、前記ユーザメモリ又は前記余剰メモリのデータを読み出す出力制御回路と、
前記出力制御回路の出力信号が入力される出力インターフェースと、を有することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
電気的に書き込みや消去が可能な半導体記憶装置において、
ユーザがアクセスすることが出来るユーザメモリ領域と、
ユーザメモリ領域と別な冗長な余剰メモリ領域と、を有し、
ユーザが格納するデータ以外のデータを格納可能である事を特徴とする半導体記憶装置。
【請求項３】
前記余剰メモリは、ユーザが任意のデータを書き込むことは禁止されているものであり、
前記余剰メモリに書き込みは、所定の命令を、入力インターフェースを介して行うことで達成されることを特徴とする請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記余剰メモリは、不揮発性であり、電源電圧の開閉に関わらず格納した情報を保持する事を特徴とする請求項２記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記余剰メモリは、揮発性であり、電源を落とすと格納した情報は初期化され、電源投入後からの余剰メモリのデータを保持することを特徴とする請求項２記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記余剰メモリは、ユーザが任意のデータを書き込むことができ、ユーザメモリとしても使用する事ができることを特徴とする請求項２記載の半導体記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は電気的に書き換え可能な半導体記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の余剰メモリは書込み禁止用コンディションメモリとして内蔵している（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
前記コンディションメモリは、誤動作、ノイズ等により誤書き込みを防ぐため、ユーザメモリに書き込まれたことを記憶する余剰メモリであり、ユーザが書き換え可能であるため、半導体記憶装置製造メーカがデータとしては使用できない。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１−１８８９６７（２−３貢、図１）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来は半導体記憶装置製造メーカが製品のトレーサビリティの情報を得るためなどに、製造番号、製造年月日等のデータを書き込んでいても、ユーザが通常のアクセスにより全メモリ領域に書き換えが可能であるため、いずれはユーザにより変更されてしまい、半導体記憶装置製造メーカのデータを保護することはできなくなることがある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は半導体記憶装置製造メーカがメモリに書き込んだデータをユーザから保護するために、ユーザが何らかのシステムを構築することなく、半導体記憶装置製造メーカがメモリに書き込んだデータを確実に保護するものである。かかる目的を達成するために以下の手段を講じた。
【０００７】
本願発明によれば、ユーザが任意のアドレスにアクセスできるメモリであるユーザメモリ領域とは別に、冗長な余剰メモリ領域により構成される。
【０００８】
ユーザメモリ領域とは、ＩＣに配置された入力インターフェースを介して所定のアクセス命令を入力して任意のデータを読み出し／書き込みのできるメモリアレイである。
【０００９】
余剰メモリ領域とは、ＩＣに配置された入力インターフェースを介してユーザメモリ領域のアクセス命令とは異なった所定のアクセス命令を入力して、任意のデータを読み出し／書き込みのできるメモリアレイである。
【００１０】
さらに、本願発明によれば、ユーザの余剰メモリ領域のアクセスを制限し、ユーザの読み出し／書き込みから余剰メモリのデータを保護することができる。
【００１１】
さらに、本願発明によれば、余剰メモリは不揮発性メモリで構成されているため、電源電圧の開閉に関わらず余剰メモリのデータを保護することができデータ保護の確実性を向上させることができる。
【００１２】
さらに、余剰メモリは揮発性メモリで構成されているため、電源を落とすと格納した情報は初期化され余剰メモリを改めて初期化する手間を省き、使い勝手を向上させることができる。
【００１３】
さらに、本願発明によれば、所定の命令を入力インターフェースを介して行うことで余剰メモリをユーザメモリとしても利用できるようにすることで、ユーザが任意のデータを書き込むことができるユーザメモリとプロテクト機能とを併せ持つことができ使い勝手を向上させることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本願発明にかかる半導体記憶装置は、第１の命令によりにアクセス可能な、データの読み出し又は書き込みの為のユーザメモリと、第２の命令によりアクセス可能な、データの読み出し又は書き込みの為の余剰メモリと、を有する。さらに、前記第１及び第２の命令が入力される入力インターフェースと、前記入力インターフェースに入力された命令をうけて、前記命令を解析し信号を出力する入力制御回路と、前記入力制御回路の信号を受けて、前記ユーザメモリ又は前記余剰メモリにアクセスするのを許可するアクセス制御回路と、を有する。さらに、前記入力制御回路の信号及び前記アクセス制御回路の信号を受けて、前記ユーザメモリ又は前記余剰メモリのメモリセルを選択する為の信号を前記ユーザメモリ又は前記余剰メモリに出力するアドレスデコーダと、前記アクセス制御回路の出力を受けて、前記ユーザメモリ又は前記余剰メモリのデータを読み出す出力制御回路と、前記出力制御回路の出力信号が入力される出力インターフェースと、を有する。
【００１５】
以下、図面を参照にして本発明にかかる実施の形態の具体例について詳述する本発明にかかるメモリ回路の構成を詳述する。図１は本発明の実施の形態１によるメモリ回路の構成を示すブロック図である。ユーザが任意のデータを書き込むことができるユーザメモリ領域８、半導体記憶装置製造メーカがデータを格納する余剰メモリ領域１、ユーザメモリや余剰メモリのデータを読み出す出力制御回路２、ユーザメモリや余剰メモリにアクセスする命令を解析する入力制御回路３、ユーザメモリや余剰メモリにアクセスを許可するアクセス制御回路４、メモリセルを選択するためのアドレスデコーダ５により構成される。
【００１６】
ユーザメモリ領域８とは、ＩＣに配置された入力インターフェース６を介して所定の命令を入力して任意のデータを読み出し／書き込むことのできるメモリアレイである。
【００１７】
余剰メモリ１とは、製造メーカがＩＣに配置された入力インターフェース６を介してユーザメモリのアクセスとは異なる所定の命令を入力して任意のデータを読み出し／書き込むことのできるメモリアレイである。
【００１８】
ＥＥＰＲＯＭに任意のデータの書き込みを行う際、ユーザあるいは半導体記憶装置製造メーカは所定の命令に相当する信号、アドレス、データをＩＣの入力インターフェースを介して入力する。通常、ＥＥＰＲＯＭは入力制御回路３及びアクセス制御回路４が書き込み命令を受け取るとアドレスデコーダ５が該アドレスを選択し該アドレスにアクセスする。
【００１９】
本発明によると、命令を受け取るとユーザメモリあるいは余剰メモリのデータを読み出し／書き込み命令を実行するか否かをアクセス制御回路で決定する。
【００２０】
ここで例として、ユーザが通常のコマンドを入力した場合は、ユーザメモリ領域が選択され余剰メモリ領域は非選択となり、ユーザメモリ領域の読み出し／書き込みを実行し、余剰メモリ領域の読み出し／書き込みは実行されない。半導体記憶装置製造メーカがトレーサビリティを得るため余剰メモリ領域にアクセスしたい場合、通常の命令と異なる所定の命令を入力することにより余剰メモリの読み出し／書き込みが可能となる。余剰メモリ領域をアクセスするための所定の命令認識工程を知らないユーザは余剰メモリにアクセスすることが不可能となる。
【００２１】
ゆえに、半導体記憶装置製造メーカにとってはユーザからデータを保護できるため、製造年月日、製品番号等のデータを保護でき、製品のトレーサビリティを得る事が可能となり、市場での製造管理が可能となるという効果が得られる。
【００２２】
余剰メモリは、ユーザメモリと同様に電気的に書込／消去可能な半導体記憶素子の場合、余剰メモリのデータを読み出すための読み出し回路やデータを書き込むための書き込み回路はＥＥＰＲＯＭの回路を使うことができるため余計な周辺回路を必要としない特徴を持つ。
【００２３】
余剰メモリのデータは、マスクＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、Ｆｌａｓｈ−ＥＥＰＲＯＭ、ヒューズ、ゲートアレイ、ＭＲＡＭ等の不揮発性であるもの、ＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ等の揮発性であるものが使用される。
【００２４】
また、所定のインストラクションを入力し余剰メモリデータの読み出し／書き込みを行うことも可能なことからユーザがトレーサビリティを得るなどの製造管理が可能となり、ユーザが市場での管理を簡単に実現できる。
【００２５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば特別な周辺回路またはソフトウェアを使用すること無く、半導体記憶装置製造メーカが市場でのデータ保護を実現することができ、ユーザの負荷も低減される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１によるメモリ回路の回路構成を示す図である。
【符号の説明】
１  余剰メモリ領域
２  出力制御回路
３  入力制御回路
４  アクセス制御回路
５  アドレスデコーダ
６  入力インターフェース
７  出力インターフェース
８  ユーザメモリ領域
【図１】
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