(57)【要約】【課題】電極端子間隔が狭ピッチの電極端子を有し、かつ、ＲＦ用信号端子を有するＩＣの検査をする場合でも、信号伝達の阻害を生じさせることなく、検査装置と接続された配線基板に接続することができるＩＣソケットを提供する。【解決手段】金属ブロック２のＩＣの各電極端子に対応する部分に、挿入孔２１が設けられ、その挿入孔２１内に、突出長を可変できるプランジャ１１、１２が両端から突出するようにコンタクトプローブ１が設けられている。このコンタクトプローブＩＣのＲＦ用信号端子と接続されるプローブは、挿入孔２１との間に中空部４１ａが形成されるように固定され、かつ、コンタクトプローブ１を中心導体とし、挿入孔２１の内壁を外部導体とする所定のインピーダンスに形成された同軸プローブ４１になるように形成されている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極端子がアレイ状に形成されたＩＣの各電極端子を検査基板の配線と接続するＩＣソケットであって、板状の金属ブロックと、前記ＩＣを接続する際に、前記電極端子のうち信号端子および電源端子に対応する部分の前記金属ブロックに設けられる挿入孔内に、突出長を可変できるプランジャが両端から突出するように前記金属ブロックに設けられるコンタクトプローブとからなり、前記信号端子のうち、少なくともＲＦ用信号端子と接続される前記コンタクトプローブが前記挿入孔との間に中空部が形成されるように固定され、かつ、該コンタクトプローブを中心導体とし、前記挿入孔の内壁を外部導体とする所定のインピーダンスに形成された同軸プローブになるように前記コンタクトプローブおよび挿入孔が形成されてなるＩＣソケット。
【請求項２】
前記ＩＣの電極端子のうち、アース端子に対応する部分の前記金属ブロックに、突出長を可変できるプランジャが両端から突出するコンタクトプローブが、該金属ブロックに電気的に接続して設けられる請求項１記載のＩＣソケット。
【請求項３】
前記ＩＣの電極端子のうち、アース端子に対応する部分の前記金属ブロックの表面に、導電性ゴムシートが設けられてなる請求項１記載のＩＣソケット。
【請求項４】
前記信号端子のうちＲＦ用でない信号端子、または電源端子に対応する前記コンタクトプローブの外径ｄ１に対する該コンタクトプローブが挿入される挿入孔の内径Ｄ１の割合（Ｄ１／ｄ１）が、前記ＲＦ用信号端子に対応するコンタクトプローブの外径ｄ２に対する該コンタクトプローブが挿入される挿入孔の内径Ｄ２の割合（Ｄ２／ｄ２）よりも小さくなるように形成され、かつ、該コンタクトプローブの外周に絶縁体が被覆されてなる請求項１ないし３のいずれか１項記載のＩＣソケット。
【請求項５】
電極端子がアレイ状に形成されたＩＣの各電極端子を検査基板の配線と接続するＩＣソケットであって、板状の金属ブロックと、前記ＩＣを接続する際に、前記電極端子のうち信号端子および電源端子に対応する部分の前記金属ブロックに設けられる挿入孔内に、突出長を可変できるプランジャが両端から突出するように前記金属ブロックに設けられるコンタクトプローブとからなり、前記信号端子のうち、少なくともＲＦ用信号端子と接続される前記コンタクトプローブが、該コンタクトプローブを中心導体とし、前記挿入孔の内壁を外部導体とする所定のインピーダンスに形成された同軸プローブからなり、かつ、該同軸プローブと隣接する前記電極端子に対応する部分には、該同軸プローブのコンタクトプローブの外径ｄに対する該コンタクトプローブが挿入される挿入孔の内径Ｄの割合（Ｄ／ｄ）よりも小さい関係にある信号用プローブもしくは電源用プローブ、または該金属ブロックと接続したアース用コンタクトプローブもしくは前記金属ブロックの表面に接触した導電性ゴムシートが設けられてなるＩＣソケット。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＬＳＩ（大規模集積回路）などのモノリシックＩＣやハイブリッドＩＣ、複数のＩＣとＬＣＲなどのディスクリート部品を組み合せてハイブリッド化し、要求する機能を実現したモジュール部品など（以下、これらを纏めて単にＩＣという）を検査する際に、検査装置と接続された配線基板などとＩＣの電極端子との接触を確実にするＩＣソケットに関する。さらに詳しくは、高周波・高速用（アナログで周波数の高いものを高周波といい、デジタルでパルス幅およびパルス間隔が非常に短いものを高速という、以下両方纏めてＲＦともいう）のＩＣで、電極端子間ピッチが、たとえば０．４ｍｍ程度と非常に小さくなった狭ピッチのＩＣでも、信号を確実に伝達できるように接続することができるＩＣソケットに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の高集積化、高機能化されるＩＣでは、実際に回路に組み込まれる前に、その特性を検査しておく必要がある。このようなＩＣの検査をする場合、検査装置と接続された配線が形成された配線基板の配線端子とＩＣの電極端子とをハンダ付などをしないで確実に接触させる必要がある。そのため、絶縁性のベースに板バネやコンタクトプローブを設けたＩＣソケットが用いられる。とくに、電極端子数が多くなり、その間隔も小さくなる近年のＩＣにおいては、小面積で接続することができるコンタクトプローブを用いることにより、細いリードを介して接続することができるため好ましい。
【０００３】
このようなコンタクトプローブを用いたＩＣソケットは、たとえば図９に分解説明図およびＩＣソケット７０の平面説明図が示されるように、プラスティックまたはセラミックスなどのベース７１に、コンタクトプローブ７２がＩＣ７３の電極端子７３ａと合せてマトリクス状に固定された構造になっている。このコンタクトプローブ７２は、たとえば金属パイプ内にプランジャの一端部を、スプリングを介して保持し、他端部を金属パイプから突出し得るようにすることにより、金属パイプから突出する他端部が押し付けられればへこみ、押えられなければ、スプリングの延びきった状態まで突出する構造のものが用いられる。このＩＣソケット７０の一面側は、ＩＣ７３がガイド穴７１ａで位置合せされながら押し付けられることにより、コンタクトプローブのスプリング性により、しっかりと接触し、他面側は検査装置と接続して配線が多層に形成された配線基板７５にネジなどにより固定されることにより、同様にコンタクトプローブのスプリング性によりしっかりと接触する構造になっている。
【０００４】
しかし、近年のＩＣは、高集積化、高機能化のみならず、信号が高周波・高速化してきており、１ＧＨｚ以上のようなＲＦ信号では、コンタクトプローブのように細いリードでは、そのリアクタンス成分により信号伝達が阻害されたり、信号の反射による影響を無視できなくなる。たとえば、インダクタンス成分を小さくするため、２ｍｍ程度の短いコンタクトプローブにしても、そのリアクタンス成分を１ｎＨ以下にすることは困難であり、たとえば１ｎＨのプローブは１０ＧＨｚでは６３Ωのインピーダンスになってしまう。このような問題を解決するため、たとえばモジュール検査用の治具などで、金属ブロックをベースとしてその貫通孔内に、誘電体チューブを介してコンタクトプローブを挿入することにより、同軸構造にすることが考えられている（たとえば特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−９９８８９号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
前述のように、ＩＣの高周波・高速化に伴い、従来の絶縁性ベースにコンタクトプローブを立てたＩＣソケットでは、減衰や反射による波形歪など信号伝達に阻害が生じ、正確な検査をすることができない。そのため、同軸構造のプローブにすることが考えられるが、同軸構造にして所定のインピーダンスになるようにするには、中心導体となるコンタクトプローブの外径ｄと外部導体となる金属ブロックの孔の内径Ｄとの間には、その間に介在する誘電体の比誘電率をεｒとして、次式（１）の関係を満たす必要がある。
【０００７】
【数１】
2004325305.tif 000003
【０００８】
そのため、比誘電率の小さい誘電体として知られている比誘電率が２．１のポリテトラフルオロエチレンのチューブを用いても、５０Ωの同軸構造にしようとすると、金属ブロックに設けられる孔の内径Ｄは、コンタクトプローブの外径ｄの約３．３倍程度必要となる。
【０００９】
一方、近年のＩＣの高集積化と共に、高周波・高速用デバイスでは、消費電流が増加しているために、アース端子や電源端子の直流抵抗や高周波インピーダンスを下げる目的で、アース端子や電源端子の数も非常に多く形成され、１ｃｍ２当り６００個程度の電極端子数が設けられる場合もあり、各電極端子のピッチは０．４ｍｍぐらいの狭ピッチのものが出現してきている。このような０．４ｍｍ程度と狭ピッチで設けられる電極端子と接触するためのコンタクトプローブを同軸構造にするためには、コンタクトプローブの外径を、０．１ｍｍ以下の細いものにしないと０．４ｍｍピッチ程度の狭ピッチ化のＩＣに対応することができない。
【００１０】
しかし、コンタクトプローブの外径を余り細くすると、コンタクトプローブは金属パイプ内にスプリングとプランジャが挿入された構造であるため、非常にコスト高になると共に、耐久性が低下し、信頼性が低下するという問題がある。
【００１１】
本発明は、このような問題を解決するためになされたもので、近年の電極端子間隔が非常に狭い狭ピッチの電極端子を有し、かつ、ＲＦ用信号端子を有するＩＣの検査をする場合でも、信号伝達の阻害を生じさせることなく、検査装置と接続された配線基板の配線端子に接続することができるＩＣソケットを提供することを目的とする。
【００１２】
本発明の他の目的は、信号端子によって、その信号の周波数や繰返し速度（ハイ、ローのパルス幅および間隔）の程度が異なり、１ＧＨｚ程度以上のＲＦ用信号とそれよりも繰返しの低い信号用や電源用のプローブとで、特性インピーダンスを異ならせることにより、ＲＦ信号用プローブ以外のプローブにするための貫通孔の径を小さくし、狭ピッチ化に対応したＩＣソケットを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
前述のように、電極端子間ピッチが狭くなるＩＣを検査する場合でも、ＲＦ信号を減衰させたり、反射によって波形歪を発生させたりすることなく検査するため、本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、従来のソケットの常識として絶縁性ベースを用いるという観念を破り、金属ブロックをベースとして用い、その金属ブロックに貫通孔を形成し、その貫通孔内にコンタクトプローブを挿入する構造とし、しかも、コンタクトプローブと貫通孔との間を中空にすることにより、前述の式（１）の比誘電率εｒが殆ど１となり、外部導体が小さい径の同軸プローブを形成することができ、狭ピッチ化するＩＣソケットとして実用化できることを見出した。さらに、ＩＣには多数の電極端子があり、ＲＦ信号用端子に隣接する電極端子をアース用端子など厳密な同軸構造にしなくてもよい端子を配置することにより、同軸プローブを中空で形成しなくてもＩＣの狭ピッチ化に対応することができることを見出した。
【００１４】
本発明による検査用ＩＣソケットは、電極端子がアレイ状に形成されたＩＣの各電極端子を検査基板の配線と接続するＩＣソケットであって、板状の金属ブロックと、前記ＩＣを接続する際に、前記電極端子のうち信号端子および電源端子に対応する部分の前記金属ブロックに設けられる挿入孔内に、突出長を可変できるプランジャが両端から突出するように前記金属ブロックと電気的に絶縁して設けられるコンタクトプローブとからなり、前記信号端子のうち、少なくともＲＦ用信号端子と接続される前記コンタクトプローブが前記挿入孔との間に中空部が形成されるように固定され、かつ、該コンタクトプローブを中心導体とし、前記挿入孔の内壁を外部導体とする所定のインピーダンスに形成された同軸プローブになるように前記コンタクトプローブおよび挿入孔が形成されている。
【００１５】
ここにコンタクトプローブとは、たとえば金属パイプ内にスプリングを介してリード線（プランジャ）が設けられ、プランジャの一端部は金属パイプから突出するが、他端部は金属パイプから抜け出ないように形成されることにより、プランジャの一端部を押し付ければ金属パイプの端部まで引っ込むが、外力を解除すればスプリングの力によりプランジャが金属パイプから外方に突出する構造のように、リード線（プランジャ）の先端が可動し得る構造のプローブを意味する。また、ＲＦとは、アナログの周波数の高い高周波やデジタルのショートパルスでパルス間隔が小さい高速の両方を含み、正弦波（サイン波）またはパルスの繰返しが１ＧＨｚ程度以上のものを意味する。さらに、ＩＣとは、ＬＳＩ（大規模集積回路）などのモノリシックＩＣやハイブリッドＩＣの他、複数のＩＣとＬＣＲなどのディスクリート部品を組み合せてハイブリッド化し、要求する機能を実現したモジュール部品などを含めたデバイスを意味する。
【００１６】
この構造にすることにより、金属製のブロックに設けられた挿入孔内にコンタクトプローブを保持して、中空部を介して同軸構造が形成されているため、前述の式（１）で誘電体の比誘電率εｒを殆ど１と見なすことができ、５０Ωのインピーダンスにする場合でも、中心導体の外径に対して２．３倍程度の内径の挿入孔にすればよく、電極端子が０．４ｍｍピッチの被検査デバイスでも、０．１５ｍｍ外径のコンタクトプローブと０．３５ｍｍの内径の挿入孔で５０Ωの同軸構造を構成することができる。その結果、狭いスペースで、同軸構造のコンタクトプローブを形成することができ、ＲＦ用信号端子を有するＩＣでも、信号の減衰や反射による信号の歪発生を招くことなく、非常に信頼性よく検査をすることができる。
【００１７】
前記ＩＣの電極端子のうち、アース端子に対応する部分の前記金属ブロックに、突出長を可変できるプランジャが両端から突出するコンタクトプローブが、該金属ブロックに接続して設けられることにより、検査装置側の配線端子とＩＣのアース用電極端子とを確実に接続することができ、ＲＦ信号に対しても、リアクタンスの問題を生じさせることなく低抵抗で電流を流すことができる。
【００１８】
前記ＩＣの電極端子のうち、アース端子に対応する部分の前記金属ブロックの表面に、導電性ゴムシートが設けられることにより、アース端子の電気的接触を広い面積で行うことができ、より一層低抵抗で電流を流すことができるため好ましい。すなわち、コンタクトプローブの先端で接触させる構造では、プローブ先端には凹凸があり、接触する部分は一番尖った部分だけの点接触となるため、太いプランジャを用いても、接触面積は余り増やすことができないが、導電性ゴムシートを用いることにより、ゴムの弾力性により、電極端子の形状に合せて変形するため、多数の金属細線が接触することになり、結果的に広い面積で接触させることができる。なお、導電性ゴムシートとは、ゴム状絶縁体シートに金属細線がシートの厚さ方向に多数植立されたもので、ゴムシートの厚さ方向には金属細線により電気的接続が得られるものを意味する。通常は、このゴムシートの面内方向では、多数の金属細線はそれぞれゴム状絶縁体により絶縁される。
【００１９】
前記信号端子のうちＲＦ用でない信号端子、または電源端子に対応する前記コンタクトプローブの外径ｄ１に対する該コンタクトプローブが挿入される挿入孔の内径Ｄ１の割合（Ｄ１／ｄ１）が、前記ＲＦ用信号端子に対応するコンタクトプローブ外径ｄ２に対する該コンタクトプローブが挿入される挿入孔の内径Ｄ２の割合（Ｄ２／ｄ２）よりも小さくなるように形成され、かつ、該コンタクトプローブの外周に絶縁体が被覆される構造にすることができる。この構造にすれば、５０Ωなどの特性インピーダンスの同軸構造にはならないが、低周波や直流に対しては、リアクタンスは余り問題にならず、むしろ抵抗の小さい方が好ましく、コンタクトプローブを太くして電流容量を増やしたり、挿入孔の内径を小さくして狭ピッチ化に対応させたりすることができる。なお、コンタクトプローブに絶縁体が被覆されることにより、コンタクトプローブと挿入孔との間隔が狭くなっても接触を防止することができる。
【００２０】
本発明によるＩＣソケットの他の形態は、電極端子がアレイ状に形成されたＩＣの各電極端子を検査基板の配線と接続するＩＣソケットであって、板状の金属ブロックと、前記ＩＣを接続する際に、前記電極端子のうち信号端子および電源端子に対応する部分の前記金属ブロックに設けられる挿入孔内に、突出長を可変できるプランジャが両端から突出するように前記金属ブロックに設けられるコンタクトプローブとからなり、前記信号端子のうち、少なくともＲＦ用信号端子と接続される前記コンタクトプローブが、該コンタクトプローブを中心導体とし、前記挿入孔の内壁を外部導体とする所定のインピーダンスに形成された同軸プローブからなり、かつ、該同軸プローブと隣接する前記電極端子に対応する部分には、該同軸プローブのコンタクトプローブ外径ｄに対する該コンタクトプローブが挿入される挿入孔の内径Ｄの割合（Ｄ／ｄ）よりも小さい関係にある信号用プローブもしくは電源用プローブ、または該金属ブロックと接続したアース用コンタクトプローブもしくは前記金属ブロックの表面に接触した導電性ゴムシートが設けられている。
【００２１】
ここに「同軸プローブと隣接する前記電極端子に対応する部分」とは、マトリクス状に設けられる電極端子の同軸プローブに対応するＲＦ用信号端子の縦および横に隣接する電極端子に対応する部分を意味し、ＲＦ用信号端子の斜め方向に隣接する電極端子に対応する部分は該当しない。
【００２２】
すなわち、前述のように、高周波・高速用では、アース端子や電源端子もそのＲＦ用信号端子の近傍に設けられることが好ましく、アース端子や電源端子も多いし、また、信号端子にもＲＦ用ではない信号端子も多いため、ＲＦ用信号端子に縦または横方向で隣接する電極端子をＲＦ用信号端子とは異なる電極端子にしておくことにより、ＲＦ用信号プローブを通常の誘電体リングを介して同軸構造にすることにより、挿入孔の径が大きくなっても、隣接するアース用コンタクトプローブはコンタクトプローブの太さだけでよいため、狭ピッチ化にも対応することができる。ＲＦ用信号端子でない信号端子や電源端子でも、前述のように式（１）の寸法に拘束されないため、挿入孔の径を小さくすることができ、狭ピッチ化に対応することができる。なお、コンタクトプローブと挿入孔との間隔が狭い場合には、コンタクトプローブの外周に絶縁体を被覆することにより、両者の接触の危険性を回避することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
つぎに、図面を参照しながら本発明のＩＣソケットについて、その一実施形態の平面およびＢ−Ｂ断面の説明図、ならびに同軸プローブの要部拡大図およびコンタクトプローブの断面説明図がそれぞれ示される図１、および実際にソケットをＩＣと配線基板との間に装填した状態の平面および断面の説明図が示される図２を参照しながら説明をする。
【００２４】
本発明によるＩＣソケットは、電極端子がアレイ状（マトリクス状）に形成されたＩＣの各電極端子を検査基板の配線と接続するもので、板状の金属ブロック２において、ＩＣを接続する際、ＩＣの各電極端子に対応する部分に、挿入孔２１が設けられ、その挿入孔２１内に、突出長を可変できるプランジャ１１、１２が両端から突出するようにコンタクトプローブ１が設けられている。このコンタクトプローブ１のうち、少なくともＩＣのＲＦ用信号端子と接続されるプローブは、挿入孔２１との間に中空部４１ａが形成されるように固定され、かつ、コンタクトプローブ１を中心導体とし、挿入孔２１の内壁を外部導体とする所定のインピーダンスに形成された同軸プローブ４１になるように、コンタクトプローブ１および挿入孔２１が形成されている。なお、４２はアース用プローブで、金属ブロック２の挿入孔２１に埋め込むように電気的に接続して固着されている。
【００２５】
コンタクトプローブ１は、たとえば図１（ｄ）に断面説明図が示されるように、金属パイプ１３内にスプリング１４とプランジャ（可動ピン）１１、１２の一端部が収納され、金属パイプ１３に設けられた凹み部１３ａによりプランジャ１１、１２が金属パイプ１３から抜け出ないようにされると共に、スプリング１４により外方に付勢されており、プランジャ１１、１２の先端部を押し付ければスプリング１４が縮んで金属パイプ１３内に押し込められ、力が加わらないときはプランジャ１１の先端部が突出する構造になっている。プランジャの移動量は片側０．３ｍｍ程度であり、全長を０．６ｍｍ程度押し込められたときに適正なバネ圧が得られ、最も信頼性が高まるように設計されている。金属パイプ１３の長さは数ｍｍ程度で、たとえば洋白（銅・ニッケル・亜鉛合金）により形成され、プランジャ１１、１２は、たとえばＳＫ材またはベリリウム銅などからなる、０．１ｍｍ程度の太さの線材が用いられ、スプリング１４はピアノ線などにより形成される。
【００２６】
このコンタクトプローブ１が、ＩＣの全ての電極端子と接触し得るように金属ブロック２により保持されている。なお、ＩＣのアース端子と接続する部分は、コンタクトプローブ１でなくても、後述する導電性ゴムシートにより接続することもできる。
【００２７】
金属ブロック２は、ＩＣの電極端子と接触させるための信号端子用や電源端子用やアース端子用などのコンタクトプローブ１を保持するもので、たとえばアルミニウムなどの金属体を用いることにより、ＲＦ用信号端子に接続するコンタクトプローブ１を同軸プローブ４１とする場合に、コンタクトプローブ１を挿入する挿入孔２１の内壁を外部導体とし、コンタクトプローブ１を中心導体として少ない断面積で同軸構造にすることができる。また、ＲＦ信号用でない信号端子または電源端子用の場合には、金属ブロック２と接触しないように絶縁チューブなどを介して挿入孔２１内に固定され、アース端子用の場合には金属ブロック２と接触させて挿入孔２１内に固定されることにより、アース用プローブ４２が形成される。この金属ブロック２の厚さおよび大きさは、通常は、３〜８ｍｍ程度の厚さで、３０〜５０ｍｍ角程度の大きさに形成される。
【００２８】
同軸プローブ４１は、図１（ｃ）に一例の断面説明図が示されるように、金属パイプ１３の両端部を、たとえば絶縁性基板３１により、挿入孔２１と同心になるように固定することにより、コンタクトプローブ１と挿入孔２１の内壁との間に中空部４１ａが形成されている。そして、この中空部４１ａの比誘電率εｒを１と小さくし、コンタクトプローブ１の外径ｄと挿入孔２１の内径Ｄとが、前述の式（１）に基づき所定のインピーダンスになるように、それぞれ定められている。
【００２９】
このコンタクトプローブ１を、挿入孔２１内に中空部４１ａを保持して挿入孔２１と同心に保持するため、図１に示される例では、金属パイプ１３の端部の形状に合せた凹部３１ａと、その凹部３１ａとほぼ同心でプランジャ１１を貫通させる貫通孔３１ｂが形成された絶縁性基板３１が金属ブロック２の表面に設けられている（図では、凹部３１ａを分かりやすくするため、金属パイプ１３と離して誇張して書かれている）。そして、この絶縁性基板３１が、その凹部３１ａと金属ブロック２の挿入孔２１とが同心状になるようにビス４４により金属ブロック２に固定される構造になっている。図１に示される例は、コンタクトプローブ１の両端部共に、この絶縁性基板３１で固定される構造になっており、金属ブロック２の両面に絶縁性基板３１が設けられている。
【００３０】
その結果、金属パイプ１の両端部は、絶縁性基板３１の凹部３１ａ内に嵌め合せられ、しかも、この凹部３１ａは、金属ブロック２の挿入孔２１と同心状になるように金属ブロック２に固定されているため、コンタクトプローブ１は挿入孔２１の中心軸上に固定される。しかも、絶縁性基板３１には、プランジャ１１、１２が貫通する貫通孔３１ｂが形成されているため、プランジャ１１、１２は、絶縁性基板３１の表面から突出しており、被検査デバイスなどにより押し付けられれば、絶縁性基板３１の表面までへこみ、被検査デバイスの電極端子や配線基板などの配線と確実な接触を得ることができる。
【００３１】
絶縁性基板３１は、たとえばポリエーテルイミド（ＰＥＩ）などの樹脂製のものを用いれば、コンタクトプローブ１が狭ピッチで多数並んでいる場合でも、凹部３１ａや貫通孔３１ｂを樹脂成形により簡単に、しかも精密な寸法で形成することができるため好ましい。しかも、上述の樹脂であれば、機械的強度も大きく、１ｍｍ程度の厚さに形成すれば、数百本以上のコンタクトプローブがある場合でも、反りなどが生じることなく、非常に安定して固定することができる。しかし、電気絶縁性があり、薄くて機械的強度があれば他の材料でも構わない。
【００３２】
固定手段である絶縁性基板３１が、このように構成されていることにより、予め式（１）に則り、金属パイプ１３の外径および挿入孔２１の内径を形成しておけば、絶縁性基板の凹部３１ａ内に、金属パイプ１３の先端部を嵌め込んで絶縁性基板３１を金属ブロック２にネジ４４などにより固定するだけで、ＲＦ信号用電極端子がアレイ状に多数並ぶ場合でも、小さな断面積で簡単に同軸プローブを形成することができる。図１に示される例では、絶縁性基板３１が１ｍｍ程度と厚く形成され、この絶縁性基板３１の部分は同軸になっていないため、全長に亘って同軸構造にはなっていない。しかし、たとえば０．４ｍｍピッチ対応で、金属パイプ１３の外径を０．１５ｍｍ、挿入孔２１の内径を０．３５ｍｍとして、特性インピーダンス５０Ωの同軸構造にして、周波数に対するリターンロスをシミュレーションにより調べた結果、図４のＡに示されるように、１０ＧＨｚ程度以下の周波数では、リターンロスが−２０ｄＢ以下で、実用上全く問題がなかった。
【００３３】
アース用コンタクトプローブ４２は、ＩＣのアース端子と接続するためのもので、図１（ｄ）に示されるようなコンタクトプローブ１が金属ブロック２の挿入孔２１内に埋め込むように接触して固定されている。たとえば０．３ｍｍの外径のコンタクトプローブ１を０．３ｍｍ内径の挿入孔２１内に挿入して接蝕することができ、同軸プローブ４１と同じ径の孔でよく、太いコンタクトプローブを用いることができる。また、アース用コンタクトプローブは、プランジャの部分のみが金属ブロックから突出しており、金属ブロックに接触する場所で、全てのプローブは並列となり、さらに金属ブロックが仲介しているために、高周波的には非常にインダクタンス成分が少なく、直流的には低抵抗値を示すという特徴も有している。
【００３４】
また、図１には図示されていないが、ＩＣの電極端子には、ＲＦ信号用以外の低周波または直流用の信号端子や電源端子も多数含まれている。このような電極端子用のプローブとしては、たとえば図３に示されるような構造のものを用いることができる。すなわち、図３において、コンタクトプローブ１、金属ブロック２および絶縁性基板３１は、図１（ｃ）に示される構造と同じであるが、挿入孔２１の内径が小さく形成され、前述の式（１）を満たす関係には形成されず、コンタクトプローブ１の外周にポリイミドなどからなる誘電体チューブ４８が被せられることにより、挿入孔２１の内壁との間の絶縁が図られている。
【００３５】
たとえばコンタクトプローブ１に外径が０．３ｍｍのものを使用し、挿入孔２１の内径を０．４２ｍｍで構成した場合の周波数に対するリターンロスをシミュレーションにより調べた結果、図４のＢに示されるように、約８００ＭＨｚ程度以下の周波数では、リターンロスが−２０ｄＢ以下となる。すなわち、信号端子に供給される信号が８００ＭＨｚ以下の信号であれば、特性インピーダンスが５０Ωの同軸プローブになっていなくても、この構造で充分に信号を減衰させることなく使用することができ、アース用コンタクトプローブより余り太くせずに構成することができる。
【００３６】
また、電源端子のように、直流で電流値が多い場合でもこのコンタクトプローブに０．３ｍｍ以上の太いものを使用することにより、全体の断面積を余り大きくすることなく電流容量の大きい電源用プローブを構成することができる。さらに、電源用プローブで、電源ラインにＲＦノイズが重畳される虞のある場合には、前述のポリイミドチューブに代えて、誘電率の大きいセラミックスなどを介在させることにより、コンタクトプローブ１と金属ブロック２との間にキャパシタを形成すれば、重畳されたＲＦノイズをバイパスさせることができ、ノイズに影響されない正確な検査をすることができる。
【００３７】
このＩＣソケットのＩＣ側表面には、たとえばポリエーテルイミドなどからなり、ＩＣのガイド孔４３ａが形成されたガイド板４３が前述の絶縁性基板３１と共に金属ブロック２にネジ４４により固定されている。この絶縁性基板３１およびガイド板４３を金属ブロック２と位置合せするため、金属ブロック２に位置決めピン４６が形成されている。金属ブロック２の他面である配線基板側にも位置決めピン４６が形成されており、絶縁性基板３１の位置決めだけでなく、配線基板５（図２参照）の位置合せも同時にできるように、配線基板５にも挿入できるように形成されている。
【００３８】
このＩＣソケットを検査装置と接続された配線基板に固定し、検査されるＩＣをソケットに押し付けた状態が図２に平面説明図およびそのＢ−Ｂ断面説明図で示されている。図２に示されるように、ＩＣソケットの配線基板側（図１および２で下側）には、配線基板５が前述の位置決めピン４６により位置決めして当て付けられている。その結果、図２に示されるように、プランジャ１２は押し付けられ、絶縁性基板３１の表面までへこみ、配線基板５と絶縁性基板３１とが密着すると共に、配線基板５に形成された配線端子とコンタクトプローブとが電気的に接続される。
【００３９】
この配線基板５は、前述のマトリクス状に形成されたＲＦ信号用電極端子のそれぞれに確実に５０Ωなど所定のインピーダンスで接続するため、所定のインピーダンスに形成された配線基板を何枚も重ね合せることにより多層基板として形成されている。そして、ＩＣ側のガイド孔４３ａ内に、ＩＣ４７を挿入して押し付けることにより、ＩＣの電極端子４７ａがコンタクトプローブ１を介して配線基板５の配線端子と接続され、検査がなされ、このＩＣを取り替えることにより、順次各ＩＣの検査をすることができる。
【００４０】
前述の例では、同軸プローブ４１を構成するため、コンタクトプローブ１を金属ブロック２の挿入孔２１内に同心に固定するのに、固定手段として金属パイプ１３の端部形状をした凹部３１ａを有する絶縁性基板３１を用いたが、他の固定手段を用いてもコンタクトプローブ１を挿入孔２１の中心に保持することができる。その例が、図５に示されている。
【００４１】
図５（ａ）は、固定手段の他の構造例を示す図１（ｃ）と同様の断面説明図である。すなわち、図５（ａ）のコンタクトプローブ１の上側（プランジャ１１側）に示される構造は、金属ブロック２に設けられる挿入孔２１の一端部側に、プランジャ１１を貫通させる貫通孔２２部分を除いて閉塞された絞り部２３が形成されている。そして、その絞り部２３が形成された金属ブロック２と、絞り部２３と金属パイプ１３の端部との間に介在された絶縁性スペーサ３２とにより固定手段３３が形成されている。なお、貫通孔２２は、プランジャ１１が接触しないように充分大きく形成されている。この絶縁性スペーサ３２は、たとえばポリエーテルイミドからなり、図５（ｂ）に示されるように、その外形は挿入孔２１から絞り部２３の形状に合せられると共に、一面側の中心部に金属パイプ１３の端部を挿入し得る凹部３２ａと、その中心にプランジャ１１を貫通し得る貫通孔３２ｂが形成され、厚さｔが０．５ｍｍ程度のものである。
【００４２】
なお、図５（ａ）で、６は、たとえばポリイミドフィルムなどからなる０．１ｍｍ程度の厚さの絶縁フィルムで、たとえばＩＣなどの被検査デバイスの電極端子が金属ブロック２と接触してショートにならないようにするため設けられているもので、固定手段とは何ら関係なく、そのような心配がないときは、設ける必要はない。
【００４３】
また、図５（ａ）に示されるコンタクトプローブ１の下側（プランジャ１２側）の固定手段は、金属ブロック２の上部固定手段の絞り部２３に相当する部分を平行に切断して分離したのと同様の構造で、金属ブロック２の厚さを金属パイプ１３の端部が露出する程度にし、別途金属蓋２４に、前述の絞り部と同様の形状の凹部２４ａおよび貫通孔２４ｂが形成されたもので、上側と同様の形状の誘電体スペーサ３２を介して金属蓋２４を金属ブロック２に図示しないネジなどにより固定する構造である（金属ブロック２の２層構造）。すなわち、この固定手段３４は所定の凹部３２ａや貫通孔３２ｂが形成されたスペーサ３２と所定の凹部２４ａや貫通孔２４ｂが形成された金属蓋２４とで構成されている。
【００４４】
なお、この金属蓋２４の表面（図の下面）側は、前述の配線基板５の表面に接地導体が設けられる場合が多いため、金属蓋２４のままになっているが、表面にも配線が形成されている場合には、上面側と同様に、必要に応じて絶縁フィルムが設けられる。
【００４５】
図５（ｃ）は、固定手段のさらに他の構成例を示す断面説明図で、この構造は、金属ブロック２を３層構造にして、両面側に金属蓋２４を設け、絶縁性スペーサ３２と共に固定手段３４が形成されている。この例では、さらに、金属蓋２４に設けられる凹部２４ａの内径が、金属ブロック２に設けられる挿入孔２１の内径より大きく形成され、絶縁性スペーサ３２の外径も同程度大きく形成されている。すなわち、固定手段そのものとしては、図５（ａ）に示される下面側の固定手段と同様に、凹部２４ａを有する金属蓋２４とスペーサ３２とで構成される固定手段３４であるが、その径が図５（ａ）に示される構造より若干大きくなっている。たとえばコンタクトプローブ径が０．１５ｍｍで、挿入孔２１の内径が０．３５ｍｍの場合に、凹部２４ａの内径は挿入孔２１の内径より直径で０．１５ｍｍ程度大きく形成されている。
【００４６】
このように、絶縁性スペーサ３２の外径が若干大きく形成されることにより、絶縁性スペーサ３２の部分だけ誘電体が装荷され、インピーダンスが低下するのを防ぎ、５０Ωに整合するため、高周波特性を向上させることができる。他の構成は、図５（ａ）に示される構造と同じで、同じ部分には同じ符号を付してその説明を省略する。
【００４７】
図５（ｄ）に示される構造は、コンタクトプローブを固定する絶縁性スペーサ３７が、コンタクトプローブ１の金属パイプ１３部分の周囲に設けられる第１スペーサ３７ａとプランジャ１１、１２部分の周囲に設けられる第２スペーサ３７ｂとで構成され、それぞれのスペーサに対応する段差２６、２７が形成された金属ブロック２と共に固定手段３８、または同様の段差２６、２７が形成された金属蓋２４と共に固定手段３９が形成されている。この構造にすることにより絶縁性スペーサ３７をリング状の簡単な形状で形成することができると共に、２つのリングで材質を変えることができる。すなわち、第１スペーサ３７ａは、コンタクトプローブ１の挿入孔２１との同心性を確保すればよく、機械的強度はそれほど必要ではないため、誘電率の小さい０．３ｍｍ厚程度のポリテトラフルオロエチレンで形成することができ、図５（ｃ）に示される構造のように、絶縁性スペーサ部分の径を大きくしなくても、そのインピーダンスずれの影響を抑制することができる。
【００４８】
また、第２スペーサ３７ｂは、コンタクトプローブ１の縦方向の位置を固定するもので、金属パイプ１３の端面に当る面と金属ブロック２または金属蓋２４に当る面との２つの面でコンタクトプローブ１を固定する。このコンタクトプローブ１の縦方向の力は大きいため、機械的強度の大きい、０．３ｍｍ厚程度のポリエーテルイミド（ＰＥＩ）を用いることにより、充分に保持することができる。このポリエーテルイミド（ＰＥＩ）は誘電率が大きいため、同軸構造の中心導体の外径に対する外部導体の内径を大きくする必要があるが、中心導体はプランジャ１１、１２で細いため、むしろ誘電率が大きくて第２スペーサ３７ｂの外径は大きい方が、金属ブロック２または金属蓋２４との接触面積を大きくすることができて、強く保持することができるため都合がよい。
【００４９】
図５（ｄ）に示される例では、第１スペーサ３７ａが挿入孔２１と同じ径であるが、実際には挿入孔２１より若干大きくして圧入することにより、縦方向の力はかからないため、充分に保持することができる。もちろん固定手段３９の構成にし、前述の図５（ｃ）と同様に、第１スペーサ３７ａの外径を挿入孔２１の内径より若干大きくすることにより（直径で０．１ｍｍ程度で、図５（ｃ）の場合より小さくてよい）、同軸構造のインピーダンスを合せる（前述の式（１）に合せる）ことができ、高周波特性を向上させることができると共に、第１スペーサ３７ａを保持する空間を形成することもできる。この例が、コンタクトプローブの近傍だけの図で図５（ｅ）に示されている。他の構造は図５（ｃ）と同じで、同じ部分には同じ符号を付してその説明を省略する。
【００５０】
図５（ｆ）は、中空部を形成しながら、コンタクトプローブ１を挿入孔２１内に固定するさらに他の手段を示すコンタクトプローブ１を示した図である。すなわち、この構造は、金属パイプ１３の凹み部１３ａに樹脂成形により誘電体リング１５を一体成形することにより形成されている。この誘電体リング１５は、その直径が挿入孔２１の内径Ｄよりも０．１〜０．２ｍｍ程度大きい直径ｄ３に形成され、長さＬは０．４ｍｍ程度に形成されており、挿入孔２１内に押し込むことにより固定される構造になっている。
【００５１】
この誘電体リング１５は、樹脂成形により形成されるため、コンタクトプローブ１と誘電体リング１５の外径との同心度は正確に形成され、挿入孔２１との同軸構造も精度よく形成される。さらに、金属パイプ１３の凹み部１３ａ内に樹脂が食い込んで固着されることにより、金属ブロック２内に押し込むときに動いたりすることがなく、挿入孔２１に嵌め込むのに都合がよい。したがって、厚い絶縁性基板を用いなくても、薄い絶縁性フィルムなどにより金属ブロック２の表面から押えられるだけで、充分に保持することができる。
【００５２】
この誘電体リング１５は、図５（ｆ）に示されるように、その中心部で尖った形状に形成されることにより、金属ブロック１の貫通孔内に挿入しやすくて好ましいが、全体が同じ外径で幅の小さいリング状に形成されてもよい。さらに、誘電体リング１５の数は、コンタクトプローブ１の両端部に１個づつ設けられれば充分であるが、長い場合には数を増やしてもよい。しかし、余り多くない方が中心導体と外部導体との間の誘電率を小さくする点から好ましい。また、この樹脂は比誘電率の小さいものが好ましく、たとえばポリプロピレン（ＰＰ）などを用いることができる。
【００５３】
以上の例では、コンタクトプローブ１を金属ブロック２の挿入孔２１内に中空部を介して設ける構造により同軸プローブ４１を形成しているため、０．４ｍｍピッチ程度など１ｍｍピッチ以下の狭ピッチ化されるＩＣ用のソケットにも、ＲＦ信号に対応する同軸プローブを用いることができ、ＲＦ用信号端子が隣接して並ぶ場合でも、同軸プローブを並べて形成することができる。
【００５４】
しかし、前述のように、ＩＣでは、信号端子の他に電源端子やアース端子もたくさん形成されており、また、信号端子の中にもＲＦ用ではない低周波用や直流用の信号端子もあり、これらの電極端子に接続するプローブは、必ずしも特性インピーダンスの同軸構造にする必要はない。そこで、同軸プローブと隣接する電極端子に対応する部分に、アース端子と接続するアース用プローブなど、厳密な同軸プローブを配置しない構造にすることにより、同軸プローブが中空部を介さないで外径が大きくなっても、隣のプローブの外径を小さくすることができるため、０．４ｍｍ程度の狭ピッチ化にも対応したＩＣソケットを形成することができる。その例が図６に平面およびそのＢ−Ｂ断面の説明図で示されている。
【００５５】
すなわち、図６（ａ）は、ＩＣソケットの一部のプローブ配置例を示しており、４１はＲＦ信号用プローブ、４１１はＲＦ用ではない信号用プローブを、４２はアース用コンタクトプローブを、４９は電源用プローブをそれぞれ示している。ＲＦ用信号プローブ４１は、図６（ｂ）に示されるように、金属ブロック２の挿入孔２１内に、たとえばポリテトラフルオロエチレンからなる誘電体チューブ４１ｂを介してコンタクトプローブ１が挿入されることにより形成されている点が図１に示される同軸プローブと異なるだけで、後は同じ構造に形成され、アース用プローブ４２も図１に示される構造と同様に、挿入孔２１に直接接続して固着されている。なお、この構造にすれば、コンタクトプローブ１は誘電体チューブ４１ｂにより挿入孔２１内に同心で固定されるため、誘電体基板３１は凹部３１ａのない構造で、金属パイプ１３の端面を押えるだけの構造でもよい。
【００５６】
このように、誘電体チューブ４１ｂが介在されることにより、前述のように、挿入孔２１の内径Ｄは、コンタクトプローブ１の外径ｄの３．３倍程度が必要となり、たとえば０．１５ｍｍの外径のコンタクトプローブ１を用いると、挿入孔２１の内径Ｄは０．５ｍｍ程度になる。しかし、この同軸プローブ４１と隣接するプローブがアース用コンタクトプローブ４２であるため、たとえ０．３ｍｍ外径のコンタクトプローブ１をアース用プローブとして用いても、挿入孔２１の内径は０．３ｍｍ程度でよく、０．５ｍｍピッチにする場合は、挿入孔２１の間隔が０．２ｍｍあり、通常０．１ｍｍ程度の挿入孔２１の間隔があれば、機械的強度として問題にならないため、充分に０．５ｍｍピッチにも対応することができる。
【００５７】
信号用プローブ４１１および電源用プローブ４９は、前述の図３に示されるような誘電体チューブ４８を介して挿入孔２１内にコンタクトプローブ１が設けられた構造である。この構造では、前述のように、式（１）を満たす必要はないので、コンタクトプローブ１の外径ｄ１に対する挿入孔２１の内径Ｄ１の割合（Ｄ１／ｄ１）が、前述のＲＦ用信号端子に対応するコンタクトプローブ１の外径ｄ２に対する挿入孔２１の内径Ｄ２の割合（Ｄ２／ｄ２）よりも小さくすることができる。すなわち、コンタクトプローブ１の外径を極端に大きくしない限り、ＲＦ信号用同軸プローブより小さい断面積で形成することができる。したがって、ＲＦ信号用の同軸プローブに隣接するプローブが前述のアース用コンタクトプローブでなくても、ＲＦ用でない信号プローブまたは電源用プローブでも、狭ピッチ化に対応することができる。
【００５８】
なお、ＲＦ用でない信号用プローブや電源用プローブのＤ／ｄを小さくすることは、図１に示される中空部を介した同軸プローブを用いる場合でも、さらなる狭ピッチ化に対応することができる。
【００５９】
前述の各例では、アース端子用としてアース用コンタクトプローブ４２を用い、金属ブロック２の挿入孔２１にコンタクトプローブを接続して設けたが、アース端子もこのように確実に信号端子の近傍で接続することが、電流を充分に流すのに都合がよい。このアース端子の接続をさらに改良した例が、図７に示されている。すなわち、図７に示される構造は、同軸プローブ４１が、前述の図５（ｃ）に示されるのと同様の構造に形成され、その同軸プローブに隣接するアース端子用として、アース用コンタクトプローブが形成されないで、金属ブロック２には挿入孔も形成されず、その表面に導電性ゴムシート８が設けられることにより、この導電性ゴムシート８および金属ブロック２を介して、ＩＣのアース用端子と配線基板５のアース配線と接続される構造になっている。
【００６０】
この導電性ゴムシート８は、図７（ａ）に示されるように、たとえばｔ１＝０．３ｍｍ程度の厚さで弾力性のあるゴムのような絶縁性材料８１の中に、太さが２０〜３０μｍ程度の細い金線または銅線に金メッキをしたものなどからなる金属細線８２が、３０〜５０μｍ程度のピッチでマトリクス状に多数埋め込まれたもので、上下から押し付けられることにより、導電性ゴムシート８の上下面で金属細線８２を介して電気的に接続することができるが、横方向に関しては金属細線８２間の絶縁性材料８１により絶縁されており、横方向に接続されることはない。なお、導電性ゴムシート８の厚さは、用途により適宜設定され、通常は０．２〜１ｍｍ程度の厚さのものを使用することができる。
【００６１】
この導電性ゴムシート８には、図７（ｂ）に平面説明図が示されるように、信号用プローブおよび電源電極端子用プローブが設けられる部分に、そのプランジャ１１や、ＩＣの電極端子と接触しないように貫通孔８ａが形成され、周囲で図示しない枠などにより押えてネジなどにより金属ブロック２に固定されている。
【００６２】
アース端子をコンタクトプローブではなく、このような導電性ゴムにより接続することにより、広い面積で接触して接続することができるため、電流通路を広くすることができ、信号伝達にも好ましい。すなわち、プランジャのような硬い金属で電極端子と接続すると、プランジャを太くして接続しても、ミクロ的に見ると凸凹があり、一番尖った部分で接触するだけで、接触面積が非常に小さくなる。しかし、導電性ゴムでは、ゴムの弾力性により、電極端子の形状に合せて変形するため、植立された金属細線の多くにより接触し、結局接触面積を大きくすることができる。しかも、金属ブロックにコンタクトプローブを挿入する挿入孔を設けなくてもよいため、ＩＣの電極端子の狭ピッチ化に対しても対応しやすくなる。
【００６３】
図７に示される例では、金属ブロック２を３層構造として、両面に金属蓋２４が露出する構造であったため、導電性ゴムシート８を信号用プローブや電源用プローブの部分を除去した貫通孔８ａを設けるだけで、表面に設ければよかったが、コンタクトプローブ１を絶縁性基板により固定する場合には、そのままでは導電性ゴムシート８を金属ブロック２と電気的に接続することができない。その場合には、図８に示されるように、ＧＮＤ基板９を用いて、金属ブロック２と電気的に接続しながらコンタクトプローブ１を押える構造にすることにより、導電性ゴムシート８でアース端子との接続をすることができる。
【００６４】
すなわち、ＧＮＤ基板９は、図８に示されるように、たとえばガラスエポキシ基板などからなっており、コンタクトプローブ１のプランジャ１１を貫通させると共に、金属パイプ１３の外径より小さい貫通孔９２が設けられ、このＧＮＤ基板９の貫通孔９１近傍によりコンタクトプローブの金属パイプ１３の上端部を固定し得るように形成されている。また、ＧＮＤ基板９に貫通孔９２近傍から離れた部分には、０．３ｍｍφ程度の大きさの貫通孔が、１ｍｍ程度の間隔でマトリクス状に形成され、その貫通孔内に、たとえばメッキなどによりビア９１が形成されている。このビア９１によりＧＮＤ基板９の上下面を電気的に接続し得るように形成されている。
【００６５】
その結果、コンタクトプローブ１を押える絶縁性基板の機能を果たしながら、金属ブロックの電位を上面側に伝達することができ、その上に導電性ゴムシート８が設けられることにより、ＩＣのアース端子や配線基板５のアース配線と金属ブロック２とが電気的に接続される。なお、図８で４８は絶縁性チューブである。このＧＮＤ基板９は、図示しないビスなどにより金属ブロック２に固定されている。
【００６６】
【発明の効果】
本発明のＩＣを検査するためのＩＣソケットによれば、ＲＦ信号用に同軸プローブを用いながら、コンタクトプローブを狭ピッチで形成しているため、最近の高集積化、高機能化され、高周波・高速信号を取り扱うＩＣで、電極端子のピッチが０．４ｍｍ程度のＩＣでも、信号の減衰やノイズの影響を受けることなく正確で、信頼性の高いな検査をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるＩＣソケットの一実施形態を説明する図である。
【図２】図１のＩＣソケットを配線基板に接続してＩＣを装着した状態の平面および断面の説明図である。
【図３】ＲＦ用でない信号用または電源用プローブの構造を示す断面説明図である。
【図４】図１に示される同軸プローブおよび図３に示されるプローブの周波数に対するリターンロス特性を示す図である。
【図５】中空部を利用した同軸プローブの他の構成例を示す断面説明図である。
【図６】本発明によるＩＣソケットの他の実施形態を示す平面および断面の説明図である。
【図７】アース端子の接続として、導電性ゴムを用いた構造例の説明図である。
【図８】アース端子の接続として、導電性ゴムを用いた他の構造例の説明図である。
【図９】従来のＩＣソケットの一例を示す構成説明図である。
【符号の説明】
１    コンタクトプローブ
２    金属ブロック
１１    プランジャ
１３    金属パイプ
２１    挿入孔
２３    絞り部
３１    絶縁性基板
３２    絶縁性スペーサ
４１    同軸プローブ
４１ａ  中空部
４７    ＩＣ
【図１】
2004325305.tif 000004
【図２】
2004325305.tif 000005
【図３】
2004325305.tif 000006
【図４】
2004325305.tif 000007
【図５】
2004325305.tif 000008
【図６】
2004325305.tif 000009
【図７】
2004325305.tif 000010
【図８】
2004325305.tif 000011
【図９】
2004325305.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月25日(2003.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
前述のように、電極端子間ピッチが狭くなるＩＣを検査する場合でも、ＲＦ信号を減衰させたり、反射によって波形歪を発生させたりすることなく検査するため、本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、従来のソケットの常識として絶縁性ベースを用いるという観念を破り、金属ブロックをベースとして用い、その金属ブロックに貫通孔を形成し、その貫通孔内にコンタクトプローブを挿入する構造とし、しかも、コンタクトプローブと貫通孔との間を中空にすることにより、前述の式（１）の比誘電率εｒが殆ど１となり、外部導体が小さい径の同軸プローブを形成することができ、狭ピッチ化するＩＣソケットとして実用化できることを見出した。さらに、ＩＣには多数の電極端子があり、ＲＦ信号用端子に隣接する電極端子としてアース用端子、電源端子またはＲＦ用でない信号端子を配置することにより、同軸プローブを中空で形成しなくてもＩＣの狭ピッチ化に対応することができることを見出した。