(57)【要約】【課題】光記録媒体に対する記録再生に平面型プローブを用いる際に、近接場光を発生させるための突起を光記録媒体に近接させた場合にも、その損傷を極力回避する。【解決手段】透光性を有する基板２と、この基板２と同じ材料によって形成されて当該基板２の表面側から突出する透光性を有する先細の突起３と、を備える平面型プローブ１Ａの突起３に関して、根元側で頂角が大きくなるように突起途中で頂角が変化して突起根元側が太くなる多段形状、例えば、その頂角が、根元側で大きく先端側で小さくなる形状（α＜β）とすることで、単純な円錐形状や円錐台形状などの場合に比較して突起根元部をより一層太いものとしてその機械的強度が増し、突起３の損傷を極力回避できるようにした。また、光ピックアップに適用する場合、突起根元部への集光も容易となる。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する基板と、
この基板と同じ材料によって形成されて当該基板の表面側から突出する透光性を有する先細の突起と、
を備え、
前記突起は、根元側で頂角が大きくなるように突起途中で頂角が変化して突起根元側が太くなる多段形状に形成されている平面型プローブ。
【請求項２】
前記突起は、その頂角が、根元側で大きく先端側で小さくなる多段形状に形成されている請求項１記載の平面型プローブ。
【請求項３】
前記突起は、その頂角が、根元側で大きく、中間部で小さく、先端側で大きくなる多段形状に形成されている請求項１記載の平面型プローブ。
【請求項４】
前記突起は、その頂角が、根元側で大きく、根元側中間部で小さく、先端側中間部で大きく、先端側で小さくなる多段形状に形成されている請求項１記載の平面型プローブ。
【請求項５】
前記基板は、石英又は光学ガラスによって形成されている請求項１ないし４の何れか一記載の平面型プローブ。
【請求項６】
前記基板は、その裏面側に設けられて透光性を有する支持材料により裏打ちされている請求項１ないし４の何れか一記載の平面型プローブ。
【請求項７】
前記突起は、その先端が平面とされている請求項１ないし６の何れか一記載の平面型プローブ。
【請求項８】
前記突起の斜面部分を被覆する遮光膜を備える請求項１ないし７の何れか一記載の平面型プローブ。
【請求項９】
前記基板の表面側において前記突起の周囲に形成された保護壁を備える請求項１ないし８の何れか一記載の平面型プローブ。
【請求項１０】
前記保護壁の前記基板表面からの高さは、前記突起の前記基板表面からの高さと略同一に設定されている請求項９記載の平面型プローブ。
【請求項１１】
前記保護壁は、一部の開口を除いて前記突起の周囲を壁状に連続して囲むように形成されている請求項９又は１０記載の平面型プローブ。
【請求項１２】
前記保護壁は、前記突起から離間する方向へ尖る尖角部を外周の一部に有するとともに前記突起の周囲を壁状に連続して囲むように形成されている請求項９又は１０記載の平面型プローブ。
【請求項１３】
前記基板又は前記支持材料の裏面側に形成されて、裏面側から入射する光を前記突起の根元部に集光させる集光機能部を備える請求項１ないし１２の何れか一記載の平面型プローブ。
【請求項１４】
前記突起は、前記基板の表面側において複数個がアレイ状に配列形成されている請求項１ないし１３の何れか一記載の平面型プローブ。
【請求項１５】
透光性を有する基板上に円錐形パターンを形成する工程と、
前記円錐形パターンをドライエッチングにより前記基板に転写する際に、ドライエッチング条件をエッチング中に変更して目的とする透光性の突起の頂角を突起途中で変更する工程と、
を含む平面型プローブの製造方法。
【請求項１６】
変更するドライエッチング条件として、エッチングのガス種を変えるようにした請求項１５記載の平面型プローブの製造方法。
【請求項１７】
変更するドライエッチング条件として、エッチングパワーを変えるようにした請求項１５記載の平面型プローブの製造方法。
【請求項１８】
前記基板上に感光性樹脂層を形成する工程と、
少なくともリング形状パターンを有するフォトマスクと露光手段とを用いて、前記基板上に感光性樹脂により前記円錐形パターンを形成する工程と、
を含む請求項１５記載の平面型プローブの製造方法。
【請求項１９】
透光性を有する基板上に透光性材料による柱状構造を形成する工程と、
前記柱状構造の周辺に当該柱状構造の材料と同一のエッチング液又はエッチングガスでエッチングされかつ前記柱状構造の材料よりエッチングレートの速い充填材を充填する工程と、
前記柱状構造と前記充填材とを等方性エッチングでエッチングする際に、エッチング条件をエッチング中に変更して目的とする透光性の突起の頂角を突起途中で変更する工程と、
を含む平面型プローブの製造方法。
【請求項２０】
光記録媒体に対して照射する光を発する光源と、
前記光記録媒体側に突起の先端が位置するように配設される請求項１ないし１０又は１４の何れか一記載の平面型プローブと、
前記光源から出射された光を前記突起の根元部に集光させる集光手段と、
を備える光ピックアップ装置。
【請求項２１】
光記録媒体に対して照射する光を発する光源と、
前記光記録媒体側に突起の先端が位置するように配設され、前記光源から出射された光を集光機能部により前記突起の根元部に集光させる請求項１３記載の平面型プローブと、
を備える光ピックアップ装置。
【請求項２２】
光記録媒体に対して照射する光を発する光源と、
前記保護壁の前記開口部分が回転される前記光記録媒体の回転方向下流側に位置するように位置付けられて、光記録媒体側に突起の先端が位置するように配設される請求項１１記載の平面型プローブと、
前記光源から出射された光を前記突起の根元部に集光させる集光手段と、
を備える光ピックアップ装置。
【請求項２３】
光記録媒体に対して照射する光を発する光源と、
前記保護壁の前記尖角部が回転される前記光記録媒体の回転方向上流側に位置するように位置付けられて、光記録媒体側に突起の先端が位置するように配設される請求項１２記載の平面型プローブと、
前記光源から出射された光を前記突起の根元部に集光させる集光手段と、
を備える光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、平面型プローブ、その製造方法及び光ピックアップ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ　Ｄｉｓｃ）やＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ　Ｄｉｓｃ）等に代表される光記録媒体に対してレーザ光を照射することにより、光記録媒体にデータを記録したり、光記録媒体に記録されたデータを再生したりするようにしたデータの記録再生方法が知られている。
【０００３】
近年、光記録媒体の記録密度の超高密度化が進んでいるため、超高密度記録されたデータを上述した記録再生方法を用いて記録再生するために、例えば、使用する光の短波長化や使用するレンズの高ＮＡ化等を図ることによって、光記録媒体の記録面上に照射される光のスポットサイズの微小化が図られている。
【０００４】
しかしながら、光記録媒体の記録面上に照射されるレーザ光のスポットサイズは、レーザ光の短波長化や使用するレンズの高ＮＡ化だけでは、光の回折限界によりレーザ光の波長程度の大きさでしか得られない。このため、超高密度化記録に際して記録ビットを微小化することができない、また、超高密度化記録されたデータの再生に際してクロストークが発生してしまう、等の不都合が発生する。
【０００５】
このような光の回折限界による記録、再生の限界に対する解決策の一つとして、「近接場光」を用いる光方式が提案されている。即ち、屈折率の異なる２つの媒体の一方から全反射条件以上で光を入射すると、光が入射される一方の媒体を伝播する光はもう一方の媒体との境界面で全反射されるが、一部境界面を越えて非伝播の電場成分のみが染み出す領域（近接場）が形成される。このように非伝播の電場成分のみが染み出す領域を「近接場」という。このような領域は、例えば、近接場光顕微鏡の光ファイバプローブのように、導入される光の波長よりも微細な開口を有する光ファイバによって形成することができる。このような微小開口による近接場は、開口寸法とほぼ同じ位しか横方向の広がりを持たず、開口から離れるに従って指数関数的に強度が減少し、開口と同程度以上には染み出さない。
【０００６】
このような近接場領域に微小な散乱体を挿入すると、近接場が散乱されて伝播光の近接場光として変換される。近接場で発生する近接場光は、開口と同程度以上に染み出さないため、このような近接場光を用いることで、光の回折限界を超えた解像度を得ることができ、光記録媒体に対する超高密度記録や、超高密度記録された光記録媒体の再生を良好に行なうことが期待できる。
【０００７】
しかしながら、近接場光を用いることで光の回折限界を超えた解像度を得ることができるが、近接場光は、一般の伝播光に比べて非常に強度が弱い。このため、例えば、先端を非常に細く形成したプローブを光ディスク等の光記録媒体に対して近接して配設する等、効果的に近接場光を発生及び検出させる方法が模索されている。
【０００８】
また、近年、高密度記録と同様に、記録再生の高速化も検討されている。その一つとして、碁盤目状に複数の開口を持つアレイ状構成とした平面型プローブが提案されている。このような平面型プローブを用いることで、（目標とする記録・再生の走査速度）／（開口数）を走査速度とすることができるので、実際の走査速度が低速であっても、目標とする記録・再生の走査速度の高速化を図ることが可能である。
【０００９】
このような平面型プローブとしては、例えば、特開２００１−２０８６７２公報に開示されているように、ＳＯＩ基板のシリコン結晶面を利用して異方性エッチングを施すことによって先端に開口を有する突起と、この突起の周辺に立設するバンク部とをＳＯＩ基板の一面側に形成するようにしたものがある。また、例えば、特開２０００−１８２２６４公報に開示されているように、電子ビームを用いて、板状のプローブ材の一面側に感光性の樹脂によって形成される円錐状の突起パターンを設け、この突起パターンをドライエッチングしてプローブ材に転写することによって、プローブ材の一面側に円錐状の突起を形成するようにした技術がある。
【００１０】
このような平面型プローブから発生される近接場光も、上述と同様に、一般の伝播光に比べて非常に強度が弱いため、光記録媒体に近接して配置される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述したように、平面型プローブの突起の先端は、非常に細く形成されている上に、光記録媒体に近接させて設置されるため、例えば、記録再生に際して光記録媒体が高速で回転されると、この光記録媒体に付着している異物が接触することによって破壊されてしまうことがある。
【００１２】
また、特開２００１−２０８６７２公報に開示された技術では、製造される突起の形状やバンクの方向が結晶の方位に依存するため、四角錘形状の突起しか製造することができず、平面型プローブの形状が制限されてしまう。
【００１３】
さらに、特開２０００−１８２２６４公報に開示された技術でも、突起の形状がドライエッチングの能力に依存し、突起の外周面の基板に対する角度のコントロールが困難である。このため、任意の形状の突起を製造することが困難である。また、該公報に開示された技術では、突起が露出しているため、光記録媒体に付着している異物に接触することによる破壊が懸念される。
【００１４】
本発明の目的は、光記録媒体に対する記録再生に平面型プローブを用いる際に、近接場光を発生させるための突起を光記録媒体に近接させた場合にも、その損傷を極力回避することである。
【００１５】
本発明の目的は、上記目的を実現する上で、さらに、高速回転される光記録媒体に付着する異物が突起に接触することによる突起の破損を防止することである。
【００１６】
本発明の目的は、上記目的を実現する上で、さらに、突起と光記録媒体とをより近接させて近接場光を効率的に発生させるとともに機械的耐久性の向上を図ることである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明の平面型プローブは、透光性を有する基板と、この基板と同じ材料によって形成されて当該基板の表面側から突出する透光性を有する先細の突起と、を備え、前記突起は、根元側で頂角が大きくなるように突起途中で頂角が変化して突起根元側が太くなる多段形状に形成されている。
【００１８】
従って、根元側で頂角が大きくなるように突起途中で頂角が変化して突起根元側が太くなる多段形状の突起を形成することで、単純な円錐形状や円錐台形状などの場合に比較して突起根元部をより一層太いものとしてその機械的強度を増すことができ、その損傷が極力回避される。また、突起根元部への集光も容易となる。さらには、突起を突起途中で頂角が変化させた多段形状に形成することで、透過効率の向上等、形状の最適化を図ることができる。
【００１９】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の平面型プローブにおいて、前記突起は、その頂角が、根元側で大きく先端側で小さくなる多段形状に形成されている。
【００２０】
従って、請求項１記載の平面型プローブを実現する上で、基本となる２段構成の典型例を提供できる。
【００２１】
請求項３記載の発明は、請求項１記載の平面型プローブにおいて、前記突起は、その頂角が、根元側で大きく、中間部で小さく、先端側で大きくなる多段形状に形成されている。
【００２２】
従って、請求項１記載の平面型プローブを実現する上で、透過率を向上させ得る構成例を提供できる。
【００２３】
請求項４記載の発明は、請求項１記載の平面型プローブにおいて、前記突起は、その頂角が、根元側で大きく、根元側中間部で小さく、先端側中間部で大きく、先端側で小さくなる多段形状に形成されている。
【００２４】
従って、請求項１記載の平面型プローブを実現する上で、透過率の向上及び開口径の縮小化を図れる構成例を提供できる。
【００２５】
ちなみに、光ファイバーを用いたプローブでは，光の透過効率向上及び開口径の微小化に種々の工夫がなされており、例えば文献「『Ｔａｉｌｏｒｉｎｇ　ａ　ｈｉｇｈ−ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　ｆｉｂｅｒ　ｐｒｏｂｅ　ｆｏｒ　ｐｈｏｔｏｎ　ｓｃａｎｎｉｎｇ　ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ　ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ』　Ｔ．ｓａｉｋｉ　ｅｔ．ａｌ　　Ａｐｐｌ．ｐｈｙｓ．ｌｅｔｔ．６８（１９），６　ｍａｙ　１９９６」においては、根元頂角を小さくし、先端部頂角を大きくすることにより透過率を向上させたファイバープローブが提示され、また、特開平１０−８２７９１号公報によれば、プローブ頂角を中間で大きく根元と先端とで小さくすることにより光の透過効率を充分に確保しながら開口径の微小化が図れるファイバープローブが提示されているが、これらの光ファイバー型プローブでは近接場光学顕微鏡への適用を想定し、使い捨てとなっており、分解能と感度の向上を意図したものであり、請求項１ないし４記載の本発明のような突起の破損対策、即ち、突起の機械的強度を強くするという技術的思想はないものである。
【００２６】
請求項５記載の発明は、請求項１ないし４の何れか一記載の平面型プローブにおいて、前記基板は、石英又は光学ガラスによって形成されている。
【００２７】
従って、基板、即ち突起を石英又は光学ガラスによって形成することにより、優れた屈折率、透過率を有する平面型プローブを提供することができる。
【００２８】
請求項６記載の発明は、請求項１ないし４の何れか一記載の平面型プローブにおいて、前記基板は、その裏面側に設けられて透光性を有する支持材料により裏打ちされている。
【００２９】
従って、例えば、単体では板状に成形することが困難である材料や、透過率が低いために薄くする必要があるにも拘わらず薄くすることにより強度や取り扱い性が低下してしまうような材料を基板に使用することが可能となり、屈折率、透過率、使用波長の選択性が増す。
【００３０】
請求項７記載の発明は、請求項１ないし６の何れか一記載の平面型プローブにおいて、前記突起は、その先端が平面とされている。
【００３１】
従って、突起の先端が平面であるため、例えば、本発明の平面型プローブを用いて光記録媒体に対する記録再生を行なう場合に、光記録媒体に対して近接場光をより効率的に発生させることができる。
【００３２】
請求項８記載の発明は、請求項１ないし７の何れか一記載の平面型プローブにおいて、前記突起の斜面部分を被覆する遮光膜を備える。
【００３３】
従って、例えば、本発明の平面型プローブを用いて光記録媒体に対する記録再生を行なう場合に、突起先端以外の部分から近接場光が発生することを遮光膜によって防止することができる。
【００３４】
請求項９記載の発明は、請求項１ないし８の何れか一記載の平面型プローブにおいて、前記基板の表面側において前記突起の周囲に形成された保護壁を備える。
【００３５】
従って、周囲から加えられる衝撃に対して、保護壁によって突起を保護することができる。
【００３６】
請求項１０記載の発明は、請求項９記載の平面型プローブにおいて、前記保護壁の前記基板表面からの高さは、前記突起の前記基板表面からの高さと略同一に設定されている。
【００３７】
従って、例えば、本発明の平面型プローブを用いて光記録媒体に対する記録再生を行なう場合に、保護壁が障害となることなく、突起先端を光記録媒体に近接させることができる。
【００３８】
請求項１１記載の発明は、請求項９又は１０記載の平面型プローブにおいて、前記保護壁は、一部の開口を除いて前記突起の周囲を壁状に連続して囲むように形成されている。
【００３９】
従って、例えば、平面型プローブを用いて光記録媒体に対する記録再生を行なう場合に光記録媒体と平面型プローブとの相対的な移動によって発生する気流に対して、突起よりも下流側に保護壁の開口が位置するように本発明の平面型プローブを配置することで、突起と保護壁との間にある異物を気流を利用して開口から排除することができる。
【００４０】
請求項１２記載の発明は、請求項９又は１０記載の平面型プローブにおいて、前記保護壁は、前記突起から離間する方向へ尖る尖角部を外周の一部に有するとともに前記突起の周囲を壁状に連続して囲むように形成されている。
【００４１】
従って、例えば、平面型プローブを用いて光記録媒体に対する記録再生を行なう場合に光記録媒体と平面型プローブとの相対的な移動によって発生する気流に対して、突起よりも上流側に尖角部が位置するように本発明の平面型プローブを配置することで、保護壁の上流側にある異物を尖角部と気流とを利用して排除することができる。
【００４２】
請求項１３記載の発明は、請求項１ないし１２の何れか一記載の平面型プローブにおいて、前記基板又は前記支持材料の裏面側に形成されて、裏面側から入射する光を前記突起の根元部に集光させる集光機能部を備える。
【００４３】
従って、例えば、平面型プローブを用いて光記録媒体に対する記録再生を行なう場合に、裏面側から入射する光を突起の根元部に集光させる集光機能部を備える本発明の平面型プローブを用いることで、別個に集光レンズを用いる必要がなくなる。
【００４４】
請求項１４記載の発明は、請求項１ないし１３の何れか一記載の平面型プローブにおいて、前記突起は、前記基板の表面側において複数個がアレイ状に配列形成されている。
【００４５】
従って、例えば、平面型プローブを用いて光記録媒体に対する記録再生を行なう場合に、その高速化を図るのに有効な突起のアレイ状配列構成においても、その機械的強度の増加により、その損傷が極力回避される。
【００４６】
請求項１５記載の発明の平面型プローブの製造方法は、透光性を有する基板上に円錐形パターンを形成する工程と、前記円錐形パターンをドライエッチングにより前記基板に転写する際に、ドライエッチング条件をエッチング中に変更して目的とする透光性の突起の頂角を突起途中で変更する工程と、を含む。
【００４７】
従って、突起の角度、高さ、先端開口等を任意形状に形成でき、例えば請求項１ないし１４記載の発明のような平面型プローブを形成するのに有効な製造方法を提供できる。
【００４８】
請求項１６記載の発明は、請求項１５記載の平面型プローブの製造方法において、変更するドライエッチング条件として、エッチングのガス種を変えるようにした。
【００４９】
従って、請求項１５記載の発明を実現する上で、ドライエッチング条件の変更方法が提供される。
【００５０】
請求項１７記載の発明は、請求項１５記載の平面型プローブの製造方法において、変更するドライエッチング条件として、エッチングパワーを変えるようにした。
【００５１】
従って、請求項１５記載の発明を実現する上で、ドライエッチング条件の変更方法が提供される。
【００５２】
請求項１８記載の発明は、請求項１５記載の平面型プローブの製造方法において、前記基板上に感光性樹脂層を形成する工程と、少なくともリング形状パターンを有するフォトマスクと露光手段とを用いて、前記基板上に感光性樹脂により前記円錐形パターンを形成する工程と、を含む。
【００５３】
従って、請求項１５記載の発明を実現する上で、円錐形パターンを形成する方法が提供される。
【００５４】
請求項１９記載の発明の平面型プローブの製造方法は、透光性を有する基板上に透光性材料による柱状構造を形成する工程と、前記柱状構造の周辺に当該柱の材料と同一のエッチング液又はエッチングガスでエッチングされかつ前記柱状構造の材料よりエッチングレートの速い充填材を充填する工程と、前記柱状構造と前記充填材とを等方性エッチングでエッチングする際に、エッチング条件をエッチング中に変更して目的とする透光性の突起の頂角を突起途中で変更する工程と、を含む。
【００５５】
従って、突起の角度、高さ、先端開口等を任意形状に形成でき、例えば請求項１ないし１４記載の発明のような平面型プローブを形成するのに有効な製造方法を提供できる。
【００５６】
請求項２０記載の発明の光ピックアップ装置は、光記録媒体に対して照射する光を発する光源と、前記光記録媒体側に突起の先端が位置するように配設される請求項１ないし１０又は１４の何れか一記載の平面型プローブと、前記光源から出射された光を前記突起の根元部に集光させる集光手段と、を備える。
【００５７】
従って、請求項１ないし１０又は１４の何れか一記載の平面型プローブを備えるので、光記録媒体に対する記録再生に平面型プローブを用いる際に、近接場光を発生させるための突起を光記録媒体に近接させた場合にも、その損傷を極力回避することができ、結果的に、突起と光記録媒体とをより近接させて近接場光を効率的に発生させるとともに機械的耐久性の向上を図ることができる。
【００５８】
請求項２１記載の発明の光ピックアップ装置は、光記録媒体に対して照射する光を発する光源と、前記光記録媒体側に突起の先端が位置するように配設され、前記光源から出射された光を集光機能部により前記突起の根元部に集光させる請求項１３記載の平面型プローブと、を備える。
【００５９】
従って、請求項２０記載の発明の作用・効果に加えて、例えば、平面型プローブを用いて光記録媒体に対する記録再生を行なう場合に、裏面側から入射する光を突起の根元部に集光させる集光機能部を備える請求項１３記載の平面型プローブを備えることで、別個に集光レンズを用いる必要がなくなり、かつ、光源と集光機能部との光軸合わせで済み、組立て性も向上する。
【００６０】
請求項２２記載の発明の光ピックアップ装置は、光記録媒体に対して照射する光を発する光源と、前記保護壁の前記開口部分が回転される前記光記録媒体の回転方向下流側に位置するように位置付けられて、光記録媒体側に突起の先端が位置するように配設される請求項１１記載の平面型プローブと、前記光源から出射された光を前記突起の根元部に集光させる集光手段と、を備える。
【００６１】
従って、請求項２０記載の発明の作用・効果に加えて、例えば、平面型プローブを用いて光記録媒体に対する記録再生を行なう場合に光記録媒体と平面型プローブとの相対的な移動によって発生する気流に対して、突起よりも下流側に保護壁の開口が位置するように配置させた請求項１１記載の平面型プローブを備えることで、突起と保護壁との間にある異物を気流を利用して開口から排除することができる。
【００６２】
請求項２３記載の発明の光ピックアップ装置は、光記録媒体に対して照射する光を発する光源と、前記保護壁の前記尖角部が回転される前記光記録媒体の回転方向上流側に位置するように位置付けられて、光記録媒体側に突起の先端が位置するように配設される請求項１２記載の平面型プローブと、前記光源から出射された光を前記突起の根元部に集光させる集光手段と、を備える。
【００６３】
従って、請求項２０記載の発明の作用・効果に加えて、例えば、平面型プローブを用いて光記録媒体に対する記録再生を行なう場合に光記録媒体と平面型プローブとの相対的な移動によって発生する気流に対して、突起よりも上流側に尖角部が位置するように配置させた請求項１２記載の平面型プローブを備えることで、保護壁の上流側にある異物を尖角部と気流とを利用して排除することができる。
【００６４】
【発明の実施の形態】
本発明の第一の実施の形態を図１ないし図１５に基づいて説明する。
【００６５】
本実施の形態は、平面型プローブの構成例に関するものである。まず、図１は、本実施の形態の第１の平面型プローブ１Ａを示し、（ａ）は中央端面図、（ｂ）はその突起部分を拡大して示す中央端面図である。この平面型プローブ１Ａは、図１に示すように、透光性を有する基板２の表面側（図１中、上側）から突出する先細形状の突起３を有する構成とされている。基板２、突起３は、同じ材料によって一体に形成されている。なお、基板２としては、例えば、石英、光学ガラス等を用いることができる。基板２として石英、光学ガラスを用いることによって、優れた屈折率、透過率を有する平面型プローブ１Ａを提供することができる。
【００６６】
ここに、突起３は先端に平面４を有する円錐台形状を基本としているが、突起途中で頂角が変化し、根元側で大きく先端側で小さくなり、その根元側が太くなる２段形状に形成されている。即ち、その先端側頂角をα、根元側頂角をβとしたとき、図１（ｂ）に示すように、β＞αなる関係に形成されており、単純な円錐台形状の場合よりも突起３の根元部が先端側に比べて極端に太くて強度的に強い形状とされている。
【００６７】
図２は、本実施の形態の第２の平面型プローブ１Ｂを示し、（ａ）は中央端面図、（ｂ）はその突起部分を拡大して示す中央端面図である。この平面型プローブ１Ｂは、図２に示すように、透光性を有する基板２の表面側（図１中、上側）から突出する先細形状の突起３を有する構成とされている。なお、基板２としては、例えば、石英、光学ガラス等を用いることができる。基板２として、石英、光学ガラスを用いることによって、優れた屈折率、透過率を有する平面型プローブ１Ｂを提供することができる。
【００６８】
ここに、突起３は先端に平面４を有する円錐台形状を基本としているが、突起途中で頂角が変化し、根元側で大きく、中間部で小さく、先端側で大きくなり、全体としてはその根元側が太くなる３段形状に形成されている。即ち、その先端側頂角をα、中間部頂角をβ、根元側頂角をγとしたとき、図２（ｂ）に示すように、α＞β、γ＞βなる関係に形成されている。
【００６９】
図３及び図４は、本実施の形態の第３の平面型プローブ１Ｃを示し、図３（ａ）は中央端面図、図３（ｂ）はその突起部分を拡大して示す中央端面図、図４は各段の根元径の関係を示す中央端面図である。この平面型プローブ１Ｃは、図３に示すように、透光性を有する基板２の表面側（図１中、上側）から突出する先細形状の突起３を有する構成とされている。なお、基板２としては、例えば、石英、光学ガラス等を用いることができる。基板２として、石英、光学ガラスを用いることによって、優れた屈折率、透過率を有する平面型プローブ１Ｃを提供することができる。
【００７０】
ここに、突起３は先端に平面４を有する円錐台形状を基本としているが、突起途中で頂角が変化し、根元側で大きく、根元側中間部で小さく、先端側中間部で大きく、先端側で小さくなり、全体としてはその根元側が太くなる４段形状に形成されている。即ち、その先端側頂角をα、先端側中間部頂角をβ、根元側中間部頂角をγ、根元側頂角をδとしたとき、図３（ｂ）に示すように、α＜β、γ＜β、α＜δ、γ＜δなる関係に形成されている。また、各々の段の根元部の径を根元側から順にｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４としたとき、図４に示すようにｄ１＞ｄ２＞ｄ３＞ｄ４なる関係に形成されている。
【００７１】
このような構成例に示す平面型プローブ１Ａ，１Ｂ又は１Ｃによれば、何れも根元側の頂角が大きく設定され、基本的に、突起３の根元部が単純な円錐形状の場合に比して太くなっているので、その機械的強度を増すことができ、後述するように光ピックアップ装置等に用いた場合に、光記録媒体に接近させて使用してもその損傷を極力回避することが可能となる。また、根元部が太いので、突起根元部への集光も容易となる。特に、平面型プローブ１Ａの場合には、２段構成の最も単純な構成を提供でき、平面型プローブ１Ｂの場合には、先端側で頂角が大きくなっている３段構成であるので、透過率を向上させることができ、さらに、平面型プローブ１Ｃの場合には、先端側中間部で頂角が大きく、先端側で頂角が小さくなる４段構成とされているので、透過率の向上及び開口径の縮小化を図ることができる。
【００７２】
なお、これらの平面型プローブ１Ａ，１Ｂ，１Ｃに関して、図５に示すように、基板２の表面側において突起３の周囲近傍に保護壁５を備えるようにしてもよい（図５は、平面型プローブ１Ａの例で示す）。この保護壁５も基板２、突起３と同じ材料により一体に形成され、その基板表面からの高さも突起３と同一高さとされている。保護壁５の高さを突起３と同一高さとすることにより、例えば、後述するように、平面型プローブ１Ａ，１Ｂ，１Ｃを光ピックアップ装置に適用して光記録媒体に対する記録再生を行なう場合に、保護壁５が障害となることなく、突起３の先端を光記録媒体に近接させることができる。
【００７３】
ここに、保護壁５の平面的形状としては、適宜形状を採り得るもので、突起３を囲む形で円環形状、四角枠形状、三角枠形状、楕円形状等が可能である。もっとも、光ピックアップ装置に適用する場合には、図６や図７に示す形状がより好適である。
【００７４】
図６は、保護壁５の形状を工夫した平面型プローブ１Ｄ（１Ａ，１Ｂ，１Ｃの何れのタイプでもよく、突起３自体は簡略化して示す）を示す平面図である。図６に示す保護壁５の平面的形状は、略コの字形状を有しており、一部の開口５ａを除いて突起３の周囲を連続して囲むように立設されている。ここに、開口５ａは回転駆動される光記録媒体の回転方向（矢印参照）に対して下流側位置となるように平面型プローブ１Ｄはその配置位置・方向が位置付けられる。
【００７５】
これによって、記録再生装置における記録再生に際して、光記録媒体の回転によって突起の周辺に気流が発生する。平面型プローブ１Ｄは、光記録媒体の回転によって発生する気流に対して、突起３よりも下流側に保護壁５の開口５ａが位置するように配置されているため、突起３と保護壁５との間にある異物を気流を利用して開口５ａから排除することができ、保護壁５と突起３との間における異物の集積を抑制することができる。
【００７６】
図７は、保護壁５の形状を工夫した平面型プローブ１Ｅ（１Ａ，１Ｂ，１Ｃの何れのタイプでもよく、突起３自体は簡略化して示す）を示す平面図である。平面型プローブ１Ｅの保護壁５の平面的形状は、一部の開口５ａを除いて突起３の周囲を連続して囲むような形状であるとともに、突起３を間にして開口５ａと対称となる位置に突起３から離間する方向へ向けて尖角する尖角部５ｂが設けられている。ここに、尖角部５ｂは回転駆動される光記録媒体の回転方向（矢印参照）に対して上流側位置となるように平面型プローブ１Ｄはその配置位置・方向が位置付けられる。
【００７７】
これによって、光記録媒体の回転によって発生する気流は、保護壁５の位置で尖角部５ｂによって左右方向に分流されるので、この気流を利用することにより、異物が保護壁５の周囲に堆積することを防止することができ、保護壁５の内周側及び外周側において、異物が堆積してしまうことを回避することができる。
【００７８】
また、これらの平面型プローブ１Ａ〜１Ｅに関して、図８に示すように、基板２の表面側において突起３先端の平面４を除く部分、即ち、突起３の斜面部分や保護壁５の斜面部分や基板２底面部などをＡｌ等の金属膜による遮光膜６で被覆した平面型プローブ１Ｆとして構成してもよい（図８は、平面型プローブ１Ｅをベースとする例で示す）。
【００７９】
このような平面型プローブ１Ｅによれば、後述するように光ピックアップ装置に利用して光記録媒体に対する記録再生を行なう場合に、突起３先端以外の部分から近接場光が発生することを遮光膜６によって防止することができる。
【００８０】
さらに、これらの平面型プローブ１Ａ〜１Ｆに関して、図９に示すように、突起３を１個だけでなく、複数個アレイ状（１次元アレイ状或いは２次元アレイ状）に配列形成してなるアレイ状タイプの平面型プローブ１Ｇとして構成してもよい（図９は、平面型プローブ１Ｆをベースとする例で示す）。
【００８１】
このような平面型プローブ１Ｇによれば、光ピックアップ装置に利用して光記録媒体に対する記録再生を行なう場合に、光記録媒体の回転速度を遅めにしてもその記録再生速度の高速化を図ることができる。また、このような突起３のアレイ状配列構成においても、その機械的強度の増加により、その損傷を極力回避することができる。
【００８２】
つづいて、このような平面型プローブ１Ａ〜１Ｇの製造方法について、図１０ないし図１６を参照して説明する。ここでは、平面型プローブ１Ａを例にとり、説明する。
【００８３】
まず、本実施の形態の製造方法では、図１０に示すようなフォトマスク１１を用いる。このフォトマスク１１は、例えば、透光性の石英基板１２上に例えばＣｒにより形成された少なくともリング形状を有する突起形成用パターン１３を持つ。保護壁５が必要な場合には、その形状に応じた保護壁５用のパターンを含ませればよい。また、アレイ状構成の場合には、突起形成用パターン１３を複数個配列させて形成したフォトマスクとすればよい。
【００８４】
一方、図１１（ａ）に示すように、基板２の表面側に感光性樹脂を塗布して感光性樹脂層１４を形成する。感光性樹脂としては、例えば、市販のフォトレジスト等を用いることができる。
【００８５】
次に、フォトマスク１１を用いて、感光性樹脂層１４を露光する。露光に際しては、拡散光成分を有する光を発生させる露光手段（図示せず）を用いて露光する。拡散光成分を有する光を発生させる露光手段としては、拡散光成分を有する光を直接発生させる露光装置を用いてもよいし、平行光のみを発生させる露光装置を用いて、この露光装置から発生される光路中に拡散板等の拡散光成分を発生させる手段を挿入することにより拡散光成分を有する光を照射するようにしても良い。
【００８６】
このような露光後、感光性樹脂層１４を現像することにより、図１１（ｂ）に示すように、円錐形状の感光性樹脂パターン１５が得られる。破線は、感光性樹脂層１４の現像前の層厚を示している。この時、形成される円錐形状の感光性樹脂パターン１５は、リング状パターンの形状、感光性樹脂層１４の厚さ、露光手段、現像条件等を変化させることにより形状制御が可能である。なお、円錐形状の感光性樹脂パターン１５は初期の感光性樹脂層１４の厚さより低くなる。
【００８７】
一例として、図１０に示すフォトマスク１１として、突起形成用パターン１３の最外径を３μｍのものを用い、塗布後の感光性樹脂層１４の膜厚５μｍの条件で試験したところ、直径２μｍ、高さ１．５μｍの円錐形状の感光性樹脂パターン１５が得られた。
【００８８】
続いて、感光性樹脂パターン１５が形成された基板２を異方性ドライエッチングする。この時、用いる異方性ドライエッチング法としては、ＥＣＲエッチング、ＮＬＤエッチング等の公知の方法を用いることができる。この時のドライエッチングは図１２（ａ）（ｂ）に示すように感光性樹脂（感光性樹脂パターン１５）と基板２との双方に作用し、感光性樹脂パターン１５が基板２に転写される。図１２（ｂ）において、１５ａは感光性樹脂パターン１５の初期形状を示し、１５ｂはエッチング後の形状を示す。また、１６は基板２において感光性樹脂形状が縦方向に転写された部分を示し、ｄＨは基板２のエッチング量を示す。
【００８９】
この時、ドライエッチングの条件により、感光性樹脂（感光性樹脂パターン１５）と基板２とのエッチングレート比を変化させることにより、感光性樹脂パターン１５の形状を、縦方向（高さ方向）に拡大又は縮小して転写することが可能であり、突起形状をコントロールすることができる。即ち、図１３に示したようにエッチング途中でエッチング条件を変更することにより、突起３の頂角を根元側（基板側）と先端側とで変更することができる。図１３（ａ）は図１２（ｂ）に対応するもので、例えばエッチング選択比；感光性樹脂／基板＝１／１なるエッチング条件での１段目のエッチング後の状態を示している。図１３（ｂ）は１段目のエッチング後に、例えばエッチング選択比；感光性樹脂／基板＝１／２なるエッチング条件に変更して２段目のエッチングを行った後の状態を示している（図１３（ｂ）中の破線は１段目エッチング後の形状を示している）。さらにエッチング条件を変更することにより、平面型プローブ１Ｂ，１Ｃのように３段以上の突起を形成することが可能である。
【００９０】
具体的にエッチングレート比を変化させるエッチング条件として、ＮＬＤエッチングを用い、石英基板と感光性樹脂（レジスト）とをエッチングした場合を示すと、第１に、エッチングガス種を変える方法がある。図１４に示すように、エッチングガスにＣ４Ｆ８／Ｏ２混合ガスを用い、Ｏ２ガス混合比を変化させることにより石英／レジストのエッチング選択比を変化させることができる。
【００９１】
第２に、エッチングパワーを変える方法がある。図１５に示すように、エッチングガスにＣＦ４ガスを用い、エッチングパワーを変化させることにより石英／レジストのエッチング選択比を変化させることができる。
【００９２】
このような製造方法により、平面型プローブ１Ａ〜１Ｇの突起３形状を形成することができる。
【００９３】
なお、円錐形状の感光性樹脂パターン１５を残した状態でエッチングを終了すると図１に示したように、突起３の先端に、近接場光出射用の平面４を形成することができる。この平面４は基板２の表面であり、光学的平滑度を保つことが容易である。
【００９４】
また、この時の基板２材料としては，入手の容易さ、加工の容易さ及び光透過率の点で，前述したように、石英又は光学ガラスが適している。
【００９５】
なお、本実施の形態の製造方法において、フォトマスク１１に保護壁パターンを形成しておけば、保護壁５を有する平面型プローブ１Ｄ，１Ｅを形成することができる。感光性樹脂１５を一部残した状態でエッチングを終了すればこの保護壁５は自動的に突起３と同一高さになる。このような平面型プローブ１Ｄ，１Ｅは、近接場光の特徴により光記録媒体と近接させて設置する必要がある。このため、保護壁５は、突起３の破損防止及び異物集積防止に有効となる。
【００９６】
また、遮光膜６は突起３、保護壁５等を形成した後、スパッタリング法、蒸着法等により全面に遮光膜を形成した後、突起３先端部分や保護壁５の先端部分等の遮光膜をＦＩＢ法等により除去すればよい。
【００９７】
本発明の第二の実施の形態を図１６ないし図１８に基づいて説明する。第一の実施の形態で示した部分と同一部分は同一符号を用いて示し、説明も省略する（以降の実施の形態でも同様とする）。
【００９８】
本実施の形態は、平面型プローブ１Ａ〜１Ｇに関して第一の実施の形態の場合とは異なる製造方法に関する。ここでは、平面型プローブ１Ａを例にとり、説明する。
【００９９】
まず、図１６（ａ）に示すように基板２に柱状構造２１を形成する。柱状構造２１を形成するには、公知技術を用いれば良い。具体的には以下のような方法がある。
▲１▼　フライス盤，放電加工等の機械加工による。
▲２▼　基板上に柱形レジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして異方性エッチングを行う。
▲３▼　基板上に犠牲層を形成し、この犠牲層に通常の写真製版−エッチング工程により貫通孔を形成し、貫通孔に柱状材料をＣＶＤ、スパッタ等の方法で埋め込み、犠牲層を除去する。
【０１００】
ついで、図１６（ｂ）に示すように、柱状構造２１の周辺を充填材２２で埋め込む。充填材２２の高さは、図１６（ｂ）に示すように柱状構造２１と同一であってもよいし、図１６（ｃ）に示すように柱状構造２１を覆う高さとしてもよい。なお、充填材２２は、柱状構造２１の材料と同一のエッチング液又はエッチングガスでエッチングでき、かつ、柱状構造２１の材料よりエッチングレートの速い材料を用いる。
【０１０１】
具体的な充填材料としては、フォトレジストが適している。また、液状であって、焼成することによりガラスとなる材料を用いることも可能である。これらの材料はディッピング、スピンコート等の方法で形成することができる。また、充填材料としてはさらに鍍金で形成した金属、ＣＶＤ、スパッタ等の方法で形成した各種材料を用いることが可能である。
【０１０２】
ついで、図１６（ｄ）に示すように、等方性エッチングにより１段目のエッチングを行う。この時、充填材２２の材料のエッチングレートが柱状構造２１の材料よりも速いため、エッチングの進行に伴い、柱状構造２１が残される。詳細には、図１７に拡大して示すように、柱状構造２１の材料は、縦方向Ｖ１、横方向Ｈ１からエッチングを受け、充填材２２がエッチングにより消失するに従い、錐状構造２１ａを取るようになる。図１６（ｄ）、図１７中、ｄＨ１は充填材２２のエッチング量を示している。
【０１０３】
この錐状構造２１ａの角度（頂角）は、充填材２２の材料のエッチングレートと柱状構造２１の材料のエッチングレートとの比で決定される。即ち、（充填材２２の材料のエッチングレート／柱状構造２１の材料のエッチングレート）の値が大きいほど先端の尖った錐状構造２１ａとなる。図１６（ｄ）、図１７に示す１段目のエッチングでは、例えば、エッチング選択比；柱状構造２１の材料／充填材２２の材料＝１：５とした。
【０１０４】
なお、本実施の形態の製造方法により平面型プローブを作製する場合、柱状構造２１の大きさ（径）により突起３の根元部の太さを制御でき、充填材２２の材料のエッチングレートと柱状構造２１の材料のエッチングレートとの比で角度（頂角）を制御でき、突起３形状の制御が可能となる。
【０１０５】
ついで、図１８に示すように２段目のエッチングを行う。１段目と２段目で充填材２２の材料のエッチングレートと柱状構造２１の材料のエッチングレートとの比を変更することにより頂角の異なる多段プローブを形成できる。図１８に示す２段目のエッチングでは、例えば、エッチング選択比；柱状構造２１の材料／充填材２２の材料＝１：１とした。図１８中、Ｖ２、Ｈ２は２段目のエッチングによる縦方向、横方向のエッチング量を示し、ｄＨ２は充填材２２の２段目のエッチング量を示している。
【０１０６】
さらにエッチング条件を変更することにより３段以上に亘って頂角が変化する突起３を形成することが可能である。
【０１０７】
このような製造方法により、平面型プローブ１Ａ〜１Ｇの突起３形状を形成することができる。
【０１０８】
なお、エッチングを適度な状態で中止することにより、図１に示したように、突起３の先端に、近接場光出射用の平面４を形成することができる。
【０１０９】
また、この時の基板２材料としては，入手の容易さ、加工の容易さ及び光透過率の点で，前述したように、石英又は光学ガラスが適している。
【０１１０】
なお、本実施の形態の製造方法において、柱状構造２１の形成時に保護壁用の柱状構造も併せて形成しておけば、保護壁５を有する平面型プローブ１Ｄ，１Ｅを形成することができる。そして、エッチングを適度な状態で終了すればこの保護壁５は自動的に突起３と同一高さになる。このような平面型プローブ１Ｄ，１Ｅは、近接場光の特徴により光記録媒体と近接させて設置する必要がある。このため、保護壁５は、突起３の破損防止及び異物集積防止に有効となる。
【０１１１】
また、遮光膜６は突起３、保護壁５等を形成した後、スパッタリング法、蒸着法等により全面に遮光膜を形成した後、突起３先端部分や保護壁５の先端部分等の遮光膜をＦＩＢ法等により除去すればよい。
【０１１２】
本実施の形態の製造方法の具体例を具体例１として以下に説明する。
【０１１３】
［具体例１］
石英基板に、プライマー（東京応化製、ＯＡＰ）塗布後、感光性樹脂（東京応化製、ＯＦＰＲ８００）を５μｍの厚さに塗布した後，写真製版により２μｍφの感光性樹脂パターンを形成した。続いて、Ｃ４Ｆ８ガスを用いたＥＣＲエッチングを行い、石英を５μｍエッチングし，感光性樹脂を除去することにより図１６（ａ）に示した柱状構造２１を得た。
【０１１４】
この表面に東京応化製ＯＣＤを塗布した（ＯＣＤは焼成温度によりフッ酸によるエッチングレートが変化する。高温で焼成するほどフッ酸でのエッチングレートが小さくなり、石英のエッチングレートに近くなる。従って，エッチングを中断して焼成を行うことにより，石英とＯＣＤのエッチング比を変更することができる）。この後、６００℃で焼成することにより、図１６（ｂ）に示した構造を得た。これをフッ酸でエッチングすることにより図１６（ｄ）に示す構造を得た。この後，８００℃で焼成し，さらにフッ酸でエッチングすることにより図１に示すような突起３の底辺２μｍ、高さ２μｍ、先端の平面４の直径０．７μｍφの２段平面型プローブ１Ａを得た。
【０１１５】
本発明の第三の実施の形態を図１９に基づいて説明する。本実施の形態は、平面型プローブ１Ａ〜１Ｇを構成する上で、屈折率、透過率、使用波長等の要求により、プローブ材料として基板に成形できない、或いは成形が困難な材料、或いは透過率が低く、薄くして用いることが必要な材料を基板として用いる必要が生じた場合等を考慮したものである。このため、本実施の形態の平面型プローブ１Ｈでは、基板３１の裏面側に透光性を有する支持材料を裏打ち材３２として備える構成とされている（図１９では、平面型プローブ１Ｂをベースとした構成例を示している）。
【０１１６】
具体的には、
▲１▼　突起３の材料を、透光性の基板３１上にＣＶＤ・スパッタリング等の方法で積層する。
例えば、石英基板上にダイヤモンドをＣＶＤで積層する。
▲２▼　突起３の材料を、透光性の基板３１に貼り合わせる。
例えば、ガラス基板上にＳｉを陽極接合する。
等の方法を用いることができる。このような方法で準備した貼合せ基板に対し、第一又は第二の実施の形態で説明したような製造方法を用いることにより、裏打ち材３２により裏打ちされた平面型プローブ１Ａ〜１Ｇを作製することができる。
【０１１７】
裏打ち材３２を形成する材料としては、例えば、石英やガラス等の透光性を有する材料を用いることができる。
【０１１８】
基板３１、即ち、突起３を形成する材料としては、例えば、ダイヤモンド、Ｓｉ３Ｎ４、Ｓｉ等を用いることが可能になる。ダイヤモンド、Ｓｉ３Ｎ４、Ｓｉ等は、スパッタまたはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって支持材料２１の表面に成膜して、ダイヤモンド膜、Ｓｉ３Ｎ４膜、Ｓｉ膜として用いる。
【０１１９】
基板３１、即ち、突起３を形成する材料としては、他に、単結晶Ｓｉ、ＳｉＯ２、Ｇｅ、ガラス、結晶石英、Ｃ（ダイヤモンド）、アモルファスＳｉ、マイクロクリスタル（微小結晶）Ｓｉ、多結晶Ｓｉ、ＳｉｘＮｙ（ｘ、ｙは任意）、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｅＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ２Ｓ、ＬｉＧａＯ２、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＰｂＴｉＯ３、　ＫＮｂＯ３、Ｋ（Ｔａ，Ｎｂ）Ｏ３（ＫＴＮ）、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３、（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ２、（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｈｆ，Ｔｉ）Ｏ３、ＰｂＧｅＯ３、Ｌｉ２ＧｅＯ３、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＣｏＦｅ２Ｏ４、（Ｓｒ，Ｂａ）Ｎｂ２Ｏ６、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７、Ｂａ２ＴｉＳｉ１２Ｏ８、Ｐｂ５Ｇｅ３Ｏ１１、Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２、Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｇｄ３Ｆｅ５Ｏ１２、（Ｇｄ，Ｂｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２、Ｂａ２ＮａＮｂＯ１５、Ｂｉ１２ＧｅＯ２Ｏ、Ｂｉ１２ＳｉＯ２、Ｃａ１２Ａｌ１４Ｏ３３、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＲｂＦ、ＣｓＦ、ＮａＣｌ、ＫＣｌ、ＲｂＣｌ、ＣｓＣｌ、ＡｇＣｌ、ＴｌＣｌ、ＣｕＣｌ、ＬｉＢｒ、ＮａＢｒ、ＫＢｒ、ＣｓＢｒ、ＡｇＢｒ、ＴｌＢｒ、ＬｉＩ、ＮａＩ、ＫＩ、ＣｓＩ、Ｔｌ（Ｂｒ，Ｉ）、Ｔｌ（Ｃｌ，Ｂｒ）、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＳｒＦ２、ＢａＦ２、ＰｂＦ２、Ｈｇ２ＣＩ２、ＦｅＦ３、ＣｓＰｂＣｌ３、ＢａＭｇＦ４、ＢａＺｎＦ４、Ｎａ２ＳｂＦ５、ＬｉＣｌＯ４・３Ｈ２Ｏ、ＣｄＨｇ（ＳＣＮ）４、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、α−ＨｇＳ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＥｕＳ、ＥｕＳｅ、ＧａＳｅ、ＬｉＩｎＳ２、ＡｇＧａＳ２、ＡｇＧａＳｅ２、ＴｉＩｎＳ２、ＴｉＩｎＳｅ２、ＴｌＧａＳｅ２、ＴｌＧａＳ２、Ａｓ２Ｓ３、Ａｓ２Ｓｅ３、Ａｇ３ＡｓＳ３、Ａｇ３ＳｂＳ３、ＣｄＧａ２Ｓ４、ＣｄＣｒ２Ｓ４、ＴｌＴａ３Ｓ４、Ｔｌ３ＴａＳｅ４、Ｔｌ３ＶＳ４、Ｔｌ３ＡｓＳ４、Ｔｌ３ＰＳｅ４、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、（Ｇａ，Ａｌ）Ａｓ、Ｇａ（Ａｓ，Ｐ）、（ＩｎＧａ）Ｐ、（ＩｎＧａ）Ａｓ、（Ｇａ，ＡＩ）Ｓｂ、Ｇａ（ＡｓＳｂ）、（ｌｎＧａ）（ＡｓＰ）、（ＧａＡＩ）（ＡｓＳｂ）、ＺｎＧｅＰ２、ＣａＣＯ３、ＮａＮＯ３、α−ＨＩＯ３、α−ＬｉＩＯ３、ＫＩＯ２Ｆ２、ＦｅＢＯ３、Ｆｅ３ＢＯ６、ＫＢ５Ｏ８・４Ｈ２Ｏ、ＢｅＳＯ４・２Ｈ２Ｏ、ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ、Ｌｉ２ＳＯ４・Ｈ２Ｏ、ＫＨ２ＰＯ４，ＫＤ２ＰＯ４、ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４、ＫＨ２ＡｓＯ４、ＫＤ２ＡｓＯ４ＣＳＨ２ＡｓＯ４、ＣｓＤ２ＡｓＯ４、ＫＴｉＯＰＯ４，ＲｂＴｉＯＰＯ４、（Ｋ，Ｒｂ）ＴｉＯＰＯ４、ＰｂＭｏＯ４、β−Ｇｄ２（ＭｏＯ４）３、β−Ｔｂ２（ＭｏＯ４）３、Ｐｂ２ＭｏＯ５、Ｂｉ２ＷＯ６、Ｋ２ＭｏＯＳ２・ＫＣｌ、ＹＶＯ４Ｃａ３（ＶＯ４）２、Ｐｂ５（ＧｅＯ４）（ＶＯ４）２、ＣＯ（ＮＨ２）２，Ｌｉ（ＣＯＯＨ）・Ｈ２Ｏ、Ｓｒ（ＣＯＯＨ）２、（ＮＨ４ＣＨ２ＣＯＯＨ）３Ｈ２ＳＯ４、（ＮＤ４ＣＤ２ＣＯＯＤ）３Ｄ２ＳＯ４、（ＮＨ４ＣＨ２ＣＯＯＨ）３Ｈ２ＢｅＦ、（ＮＨ４）２Ｃ２Ｏ４・Ｈ２Ｏ、Ｃ４Ｈ３Ｎ３Ｏ４、Ｃ４Ｈ９ＮＯ３、Ｃ６Ｈ４（ＮＯ２）、Ｃ６Ｈ４ＮＯ２Ｂｒ、Ｃ６Ｈ４ＮＯ２ＣＩ、Ｃ６Ｈ４ＮＯ２ＮＨ２、Ｃ６Ｈ��（ＮＨ４）ＯＨ、Ｃ６Ｈ４（ＣＯ２）２ＨＣｓ、Ｃ６Ｈ４（ＣＯ２）２ＨＲｂ、Ｃ６Ｈ３ＮＯ２ＣＨ３ＮＨ２、Ｃ６Ｈ３ＣＨ３（ＮＨ２）２、Ｃ６Ｈ１２Ｏ５・Ｈ２ＯＫＨ（Ｃ８Ｈ４Ｏ４）、ＣｌＯＨ１１Ｎ３Ｏ６、［ＣＨ２・ＣＦ２］ｎ等を用いることが可能である。
【０１２０】
本実施の形態の具体例を具体例２として以下に説明する。
【０１２１】
［具体例２］
ガラス基板にＳｉウエハを陽極接合し、Ｓｉウエハを研磨し、Ｓｉ５μｍの厚さに成形した。この後、プライマー（東京応化製、ＯＡＰ）塗布後、感光性樹脂（東京応化製、ＯＦＰＲ８００）を５μｍの厚さに塗布した。図１０に示したような突起形成用パターン１３の最外径３μｍのフォトマスク１１を用い、密着型露光装置を用い露光を行った。この後、現像液（東京応化製、ＮＭＤ−Ｗ）により現像を行って、円錐形状感光性樹脂パターン、直径２μｍ、高さ１．５μｍのものがＳｉ上に得られた。続いて、ＳＦ６＋Ｏ２を１：１の混合比とした混合ガスを用いたＥＣＲエッチング（感光性樹脂と石英基板のエッチング比；およそ１：１）を行い、その後、ＳＦ６ガスを用いたＥＣＲエッチング（感光性樹脂とＳｉのエッチング比；およそ１：２）を行い、続いて、ＳＦ６＋Ｏ２を１：１の混合比とした混合ガスを用いたＥＣＲエッチング（感光性樹脂と石英基板のエッチング比；およそ１：１）を行い、エッチングを樹脂パターンの一部が残った状態で終了することにより、図１９に示したような構造のガラス上に、プローブ材料のＳｉ２μｍが全面を覆い、その上に突起の底辺２μｍ、高さ２μｍ、先端平面約０．７μｍφの３段平面型プローブを得た。
【０１２２】
本発明の第四の実施の形態を図２０に基づいて説明する。本実施の形態は、前述したような平面型プローブ１Ａ〜１Ｈを備える光ピックアップ装置への適用例を示す。ここでは、平面型プローブ１Ｆを用いた例で示す。図２０は、平面型プローブ１Ｆを用いて光記録媒体Ｄに対して記録又は再生を行なう記録再生装置中の光ピックアップ装置部分を示す概略側面図である。
【０１２３】
この光ピックアップ装置は、突起３側を光記録媒体Ｄ側として接近配置される平面型プローブ１Ｆとともに、レーザ光を出射する光源としての半導体レーザ４１、半導体レーザ４１から出射されたレーザ光を平行光化するコリメートレンズ４２、平行光化されたレーザ光を平面型プローブ１Ｆの突起３側に向けて偏向させるビームスプリッタ４３、偏向されたレーザ光を平面型プローブ１Ｆの基板裏面側から突起３の根元部に集光させる集光手段としての対物レンズ４４とを備えた構成とされ、、対物レンズ４４より根元部に集光されたレーザ光を突起３部分を通すことによりこの突起３の先端側から光の回折限界以下のスポット径の近接場光４５を出射させることにより、突起３の先端に近接対向する光記録媒体Ｄに対して記録パターン４６が記録される。なお、ビームスプリッタ４３の戻り光側には受光光学系４７が設けられる。また、光記録媒体Ｄは図示しないスピンドルモータ等により回転駆動される。
【０１２４】
このような構成において、半導体レーザ４１からレーザ光を出射すると、対物レンズ４４を介して集光状態で基板２側から突起３の根元部に集光状態で入射されたレーザ光が、突起３中を伝播して空気との境界面（平面４）で反射される。このとき、突起３に入射されたレーザ光が一部境界面（平面４）を越え、平面４より光記録媒体Ｄ側に非伝播の電場成分のみが染み出した領域（近接場）が形成される。この近接場光４５は、その特性から、開口となる平面４の寸法とほぼ同じ位しか横方向の広がりを持たない。この開口となる平面４の寸法は、使用するレーザ光の波長よりも微細な寸法に設定されており、突起３と光記録媒体Ｄとの距離が突起３の平面４の直径と同程度に設定されているため、近接場に染み出した非伝播の電場成分である近接場光４５を光記録媒体Ｄの記録面に照射することができる。これによって、光の回析限界を超えた解像度を得ることができる。
【０１２５】
このような動作において、本実施の形態の平面型プローブ１Ｆ（１Ａ〜１Ｅ，１Ｇ，１Ｈでも同様）は、何れも突起３の根元部が太くなる多段形状に形成されているので、その機械的強度を増すことができ、その損傷を極力回避することができる。また、対物レンズ４４による突起根元部への集光も容易となる。さらには、平面型プローブ１Ｂ，１Ｃ等のように、突起３を突起途中で頂角が変化してその根元側が格段に太くなる多段形状に形成することで、透過効率の向上等、形状の最適化を図ることができる。さらに、平面型プローブ１Ｄ，１Ｅのような保護壁５を備えるプローブを用いれば、突起３単独の場合よりも機械的強度を増し、異物等が突起３に接触することが保護壁５によって防止されるので、近接場光４５を効率的に発生させるとともに機械的耐久性の向上を図ることができる。
【０１２６】
また、保護壁５が突起３と同一高さに設定されているため、保護壁５が障害となることなく突起３と光記録媒体Ｄとを可能な限り近接させることができる。これによって、近接場光４５をより有効に利用することができる。
【０１２７】
加えて、平面型プローブ１Ｆ（１Ａ〜１Ｅ，１Ｇ，１Ｈでも同様）と光記録媒体Ｄとを近接して配設することにより、記録再生にかかる光学系を小型化、薄型化することができる。また、小型化、薄型化により記録再生にかかる光学系が軽量化されるので、光記録媒体Ｄにおける目標とするトラック位置へのシークタイムを短くして、光記録媒体Ｄに対するデータの記録再生速度の向上を図ることができる。
【０１２８】
本発明の第五の実施の形態を図２１に基づいて説明する。本実施の形態の平面型プローブ１Ｉは、平面型プローブ１Ａ〜１Ｈに関して、基板２（又は、裏打ち材３２）の裏面側に、突起３の位置に対応させて裏面側から入射する光を突起３の根元部に集光させる集光機能部としての凸レンズ形状部５１を一体に形成したものである。図２１は平面型プローブ１Ｆをベースとする例を示している。
【０１２９】
本実施の形態の平面型プローブ１Ｉによれば、光ピックアップ装置を構成する上で、対物レンズ４４を不要にすることができる。さらに、図２０に示したような構成例では、光源４１−対物レンズ４４−平面型プローブ１Ｆの３箇所の光軸合わせが必要になるのに対し、本実施の形態の構造によれば、光源４１−凸レンズ形状部５１（＝平面型プローブ１Ｉ）の２箇所の光軸合わせで良くなり、組立が容易になるという利点がある。
【０１３０】
具体的な製造方法としては、具体例１と同じ方法で図５に示した構造の平面型プローブを得た。次いで、基板２の裏面側の突起３に対応する位置に円形の感光性樹脂パターンを形成した後、１６０℃、１時間ベークすることにより感光性樹脂を軟化凝集させ凸レンズ状の感光性樹脂パターンを形成した。つづいて、基板２の裏面にＣ４Ｆ８ガスを用いたＥＣＲエッチング（感光性樹脂と石英基板のエッチング比は、およそ１：２）を行い、エッチングを樹脂パターンが完全になくなるまで行うことで、凸レンズ形状部５１が一体に形成された平面型プローブ１Ｉが得られた。
【０１３１】
【発明の効果】
請求項１記載の発明の平面型プローブによれば、根元側で頂角が大きくなるように突起途中で頂角が変化して突起根元側が太くなる多段形状の突起を形成したので、単純な円錐形状や円錐台形状などの場合に比較して突起根元部をより一層太いものとしてその機械的強度を増すことができ、その損傷を極力回避することができ、また、突起根元部への集光も容易となり、さらには、突起を突起途中で頂角が変化させた多段形状に形成することより、透過効率の向上等、形状の最適化を図ることができる。
【０１３２】
請求項２記載の発明によれば、請求項１記載の平面型プローブを実現する上で、基本となる２段構成の典型例を提供することができる。
【０１３３】
請求項３記載の発明によれば、請求項１記載の平面型プローブを実現する上で、透過率を向上させ得る構成例を提供することができる。
【０１３４】
請求項４記載の発明によれば、請求項１記載の平面型プローブを実現する上で、透過率の向上及び開口径の縮小化を図れる構成例を提供することができる。
【０１３５】
請求項５記載の発明によれば、請求項１ないし４の何れか一記載の平面型プローブにおいて、基板、即ち突起を石英又は光学ガラスによって形成することにより、優れた屈折率、透過率を有する平面型プローブを提供することができる。
【０１３６】
請求項６記載の発明によれば、請求項１ないし４の何れか一記載の平面型プローブにおいて、基板がその裏面側に設けられて透光性を有する支持材料により裏打ちされているので、例えば、単体では板状に成形することが困難である材料や、透過率が低いために薄くする必要があるにも拘わらず薄くすることにより強度や取り扱い性が低下してしまうような材料を基板に使用することが可能となり、屈折率、透過率、使用波長の選択性を向上させることができる。
【０１３７】
請求項７記載の発明によれば、請求項１ないし６の何れか一記載の平面型プローブにおいて、突起の先端を平面としたので、例えば、本発明の平面型プローブを用いて光記録媒体に対する記録再生を行なわせる場合に、光記録媒体に対して近接場光をより効率的に発生させることができる。
【０１３８】
請求項８記載の発明によれば、請求項１ないし７の何れか一記載の平面型プローブにおいて、突起の斜面部分を被覆する遮光膜を備えるので、例えば、本発明の平面型プローブを用いて光記録媒体に対する記録再生を行なわせる場合に、突起先端以外の部分から近接場光が発生することを遮光膜によって防止することができる。
【０１３９】
請求項９記載の発明によれば、請求項１ないし８の何れか一記載の平面型プローブにおいて、基板の表面側において突起の周囲に形成された保護壁を備えるので、周囲から加えられる衝撃に対して、保護壁によって突起を保護することができる。
【０１４０】
請求項１０記載の発明によれば、請求項９記載の平面型プローブにおいて、保護壁の基板表面からの高さは、突起の基板表面からの高さと略同一に設定されているので、例えば、本発明の平面型プローブを用いて光記録媒体に対する記録再生を行なわせる場合に、保護壁が障害となることなく、突起先端を光記録媒体に近接させることができる。
【０１４１】
請求項１１記載の発明によれば、請求項９又は１０記載の平面型プローブにおいて、例えば、平面型プローブを用いて光記録媒体に対する記録再生を行なう場合に光記録媒体と平面型プローブとの相対的な移動によって発生する気流に対して、突起よりも下流側に保護壁の開口が位置するように本発明の平面型プローブを配置させることで、突起と保護壁との間にある異物を気流を利用して開口から排除することができる。
【０１４２】
請求項１２記載の発明によれば、請求項９又は１０記載の平面型プローブにおいて、例えば、平面型プローブを用いて光記録媒体に対する記録再生を行なう場合に光記録媒体と平面型プローブとの相対的な移動によって発生する気流に対して、突起よりも上流側に尖角部が位置するように本発明の平面型プローブを配置させることで、保護壁の上流側にある異物を尖角部と気流とを利用して排除することができる。
【０１４３】
請求項１３記載の発明によれば、請求項１ないし１２の何れか一記載の平面型プローブにおいて、基板又は支持材料の裏面側に形成されて、裏面側から入射する光を突起の根元部に集光させる集光機能部を備えるので、例えば、平面型プローブを用いて光記録媒体に対する記録再生を行なわせる場合に、裏面側から入射する光を突起の根元部に集光させる集光機能部を備える本発明の平面型プローブを用いることで、別個に集光レンズを用いる必要がなくなり、構成の単純化を図れる。
【０１４４】
請求項１４記載の発明によれば、請求項１ないし１３の何れか一記載の平面型プローブにおいて、例えば、平面型プローブを用いて光記録媒体に対する記録再生を行なわせる場合に、その高速化を図るのに有効な突起のアレイ状配列構成においても、その機械的強度の増加により、その損傷を極力回避することができる。
【０１４５】
請求項１５記載の発明の平面型プローブの製造方法によれば、透光性を有する基板上に円錐形パターンを形成する工程と、前記円錐形パターンをドライエッチングにより前記基板に転写する際に、ドライエッチング条件をエッチング中に変更して目的とする透光性の突起の頂角を突起途中で変更する工程と、を含むので、突起の角度、高さ、先端開口等を任意形状に形成でき、例えば請求項１ないし１４記載の発明のような平面型プローブを形成するのに有効な製造方法を提供することができる。
【０１４６】
請求項１６記載の発明によれば、請求項１５記載の発明を実現する上で、ドライエッチング条件の変更方法を提供することができる。
【０１４７】
請求項１７記載の発明によれば、請求項１５記載の発明を実現する上で、ドライエッチング条件の変更方法を提供することができる。
【０１４８】
請求項１８記載の発明によれば、請求項１５記載の平面型プローブの製造方法において、前記基板上に感光性樹脂層を形成する工程と、少なくともリング形状パターンを有するフォトマスクと露光手段とを用いて、前記基板上に感光性樹脂により前記円錐形パターンを形成する工程と、を含むので、請求項１５記載の発明を実現する上で、円錐形パターンを形成する方法を提供することができる。
【０１４９】
請求項１９記載の発明の平面型プローブの製造方法によれば、透光性を有する基板上に透光性材料による柱状構造を形成する工程と、前記柱状構造の周辺に当該柱の材料と同一のエッチング液又はエッチングガスでエッチングされかつ前記柱状構造の材料よりエッチングレートの速い充填材を充填する工程と、前記柱状構造と前記充填材とを等方性エッチングでエッチングする際に、エッチング条件をエッチング中に変更して目的とする透光性の突起の頂角を突起途中で変更する工程と、を含むので、突起の角度、高さ、先端開口等を任意形状に形成することができ、例えば請求項１ないし１４記載の発明のような平面型プローブを形成するのに有効な製造方法を提供することができる。
【０１５０】
請求項２０記載の発明の光ピックアップ装置によれば、請求項１ないし１０又は１４の何れか一記載の平面型プローブを備えるので、光記録媒体に対する記録再生に平面型プローブを用いる際に、近接場光を発生させるための突起を光記録媒体に近接させた場合にも、その損傷を極力回避することができ、結果的に、突起と光記録媒体とをより近接させて近接場光を効率的に発生させるとともに機械的耐久性の向上を図ることができる。
【０１５１】
請求項２１記載の発明の光ピックアップ装置によれば、請求項２０記載の発明の効果に加えて、例えば、平面型プローブを用いて光記録媒体に対する記録再生を行なう場合に、裏面側から入射する光を突起の根元部に集光させる集光機能部を備える請求項１３記載の平面型プローブを備えるので、別個に集光レンズを用いる必要がなくなり、かつ、光源と集光機能部との光軸合わせで済み、組立て性も向上させることができる。
【０１５２】
請求項２２記載の発明の光ピックアップ装置によれば、請求項２０記載の発明の効果に加えて、例えば、平面型プローブを用いて光記録媒体に対する記録再生を行なう場合に光記録媒体と平面型プローブとの相対的な移動によって発生する気流に対して、突起よりも下流側に保護壁の開口が位置するように配置させた請求項１１記載の平面型プローブを備えるので、突起と保護壁との間にある異物を気流を利用して開口から排除することができる。
【０１５３】
請求項２３記載の発明の光ピックアップ装置によれば、請求項２０記載の発明の効果に加えて、例えば、平面型プローブを用いて光記録媒体に対する記録再生を行なう場合に光記録媒体と平面型プローブとの相対的な移動によって発生する気流に対して、突起よりも上流側に尖角部が位置するように配置させた請求項１２記載の平面型プローブを備えるので、保護壁の上流側にある異物を尖角部と気流とを利用して排除することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施の形態中の第１の平面型プローブの構成例を示し、（ａ）は中央端面図、（ｂ）はその突起部分を拡大した中央端面図である。
【図２】本発明の第一の実施の形態中の第２の平面型プローブの構成例を示し、（ａ）は中央端面図、（ｂ）はその突起部分を拡大した中央端面図である。
【図３】本発明の第一の実施の形態中の第３の平面型プローブの構成例を示し、（ａ）は中央端面図、（ｂ）はその突起部分を拡大した中央端面図である。
【図４】その各段の根元径の関係を示す中央端面図である。
【図５】保護壁を備える変形例を示す平面型プローブの中央端面図である。
【図６】本発明の第一の実施の形態中の第４の平面型プローブの構成例を示す概略平面図である。
【図７】本発明の第一の実施の形態中の第５の平面型プローブの構成例を示す概略平面図である。
【図８】本発明の第一の実施の形態中の第６の平面型プローブの構成例を示す中央端面図である。
【図９】本発明の第一の実施の形態中の第７の平面型プローブの構成例を示す中央端面図である。
【図１０】製造方法に関するフォトマスクを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）はその断面図である。
【図１１】感光性樹脂層の形成、露光、現像工程を示す断面図である。
【図１２】１段目のドライエッチングの様子を拡大して示す説明図である。
【図１３】エッチング条件を変更した２段目のドライエッチングの様子を拡大して示す説明図である。
【図１４】エッチングガス種を変更する場合の酸素比率とエッチングレートとの関係を示す特性図である。
【図１５】エッチングパワーを変更する場合のエッチングパワーとエッチングレートとの関係を示す特性図である。
【図１６】本発明の第二の実施の形態の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１７】１段目のエッチング工程を拡大して示す説明図である。
【図１８】エッチング条件を変更した２段目のドライエッチングの様子を拡大して示す説明図である。
【図１９】本発明の第三の実施の形態の平面型プローブの構成例を示す中央端面図である。
【図２０】本発明の第四の実施の形態の光ピックアップ装置の構成例を示す概略側面図である。
【図２１】本発明の第五の実施の形態の平面型プローブの構成例を示す中央端面図である。
【符号の説明】
１Ａ〜１Ｉ　　　平面型プローブ
２　　　基板
３　　　突起
４　　　平面
５　　　保護壁
５ａ　　　開口
５ｂ　　　尖角部
６　　　遮光膜
１１　　　フォトマスク
１４　　　感光性樹脂層
２１　　　柱状構造
２２　　　充填材
３２　　　支持材料
４１　　　光源
４４　　　集光手段
５１　　　集光機能部
【図１】
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【図２】
2004039041.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2004039041.tif 000017
【図１６】
2004039041.tif 000018
【図１７】
2004039041.tif 000019
【図１８】
2004039041.tif 000020
【図１９】
2004039041.tif 000021
【図２０】
2004039041.tif 000022
【図２１】
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