(57)【要約】【課題】有機溶剤の消費量を削減でき、かつ基板表面の有機溶剤の液滴を効率よく気化できる基板処理装置を提供する。【解決手段】処理槽２０において基板Ｗの洗浄処理が終了した後、第１供給ノズル４０および第２供給ノズル５０から窒素ガスを供給しつつ処理槽２０内から純水が排出される。そして、第１供給ノズル４０からＩＰＡ蒸気（有機溶剤の蒸気）を吐出してＩＰＡ蒸気の気流域ＡＩを形成し、この気流域ＡＩに基板Ｗを通過させ、基板Ｗ表面にＩＰＡを凝縮させる。その後、第１供給ノズル４０からの吐出を窒素ガス（不活性ガス）に切り替え、ＡＩと同じ位置に窒素ガスの気流域を形成し、この気流域に基板Ｗを通過させ、基板Ｗ表面に凝縮したＩＰＡの液滴を気化させることにより乾燥を行う。【選択図】　　　　図７
2004119591.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の洗浄処理と乾燥処理とを行う基板処理装置であって、
純水を貯留し、純水中に基板を浸漬して洗浄処理を行う処理槽と、
前記処理槽を収容する収容器と、
前記処理槽内で基板が保持された状態で、前記処理槽内に貯留された純水を排水する排水手段と、
前記収容器内の一部に有機溶剤の蒸気を吐出して有機溶剤の気流域を形成するとともに、前記収容器内の一部に不活性ガスを吐出して不活性ガスの気流域を形成する気流域形成手段と、
基板を、前記収容器内において昇降させる昇降手段と、
前記処理槽内の純水によって基板を洗浄した後、前記昇降手段によって基板を移動させて有機溶剤の気流域と不活性ガスの気流域とを通過させる制御手段と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記気流域形成手段は、
前記排水手段による前記処理槽からの純水の排水が終了した後に有機溶剤の蒸気の吐出を開始して有機溶剤の気流域を形成することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記処理槽内に不活性ガスを流入させる不活性ガス流入手段
をさらに備え、
前記不活性ガス流入手段により前記処理槽内に不活性ガスを流入させつつ、前記排水手段が前記処理槽から純水を排水することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記気流域形成手段は、
前記収容器内に開口した気体吐出部と、
前記気体吐出部から吐出する気体を、有機溶剤の蒸気と不活性ガスとの間で切り替える吐出切り替え手段と
を備え、
前記制御手段は、
前記昇降手段によって基板を上昇させて、前記収容器内の所定の領域に形成させた有機溶剤の気流域を通過させた後に、前記吐出切り替え手段を不活性ガス側に切り替えて前記領域に不活性ガスの気流域を形成し、前記昇降手段によって基板を下降させて、不活性ガスの気流域を通過させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記収容器内を減圧する減圧手段
をさらに備え、
基板が不活性ガスの気流域を通過した後、前記気流域形成手段からの不活性ガスの吐出を継続しつつ、前記減圧手段が前記収容器内の減圧を行うことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記減圧手段は、
基板が不活性ガスの気流域の下方に位置する状態で、前記収容器内を減圧することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記気流域形成手段および不活性ガス流入手段へ供給する不活性ガスを加熱して高温の不活性ガスを生成する、不活性ガス加熱手段
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記有機溶剤の蒸気は、イソプロピルアルコールの蒸気であることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、純水による洗浄処理が終了した半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する。）の乾燥処理を行う基板処理技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、基板の製造工程においては、フッ酸等の薬液による処理および純水による洗浄処理を順次行った後、純水から基板を引き出しつつイソプロピルアルコール（以下、「ＩＰＡ」と称する。）等の有機溶剤の蒸気を基板の周辺に供給して乾燥処理を行う基板処理装置が用いられている。特に、基板上に形成されるパターンの構造の複雑化、微細化が進展している近年においては、ＩＰＡ蒸気を供給しつつ純水から基板を引き揚げる引き揚げ乾燥方式が主流になりつつある。
【０００３】
従来の引き揚げ乾燥方式の基板処理装置は、図９に示すように純水による洗浄処理を行う処理槽９２を収容器９０の内部に収容している。処理槽９２における基板Ｗの洗浄処理終了後に、収容器９０内に窒素ガスを供給しつつ基板Ｗを昇降機構９３によって処理槽９２から引き揚げてから、図９中矢印ＦＩ９に示すように、供給ノズル９１からＩＰＡ蒸気を吐出する。これにより、収容器９０内がＩＰＡ蒸気で満たされて、基板ＷにＩＰＡが凝縮し、それが気化することにより、基板Ｗの乾燥処理が行われることとなる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】
特開昭６２−１９８１２６号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の引き揚げ乾燥方式の基板処理装置においては、収容器９０内全体にＩＰＡ蒸気を供給することが必要であり、ＩＰＡ蒸気が基板Ｗに効率良く供給されているとは言えず、ＩＰＡの消費量が多いという問題が存在する。
【０００６】
また、基板Ｗ上に凝縮したＩＰＡの液滴の気化に長時間を要し、基板Ｗ表面に残留するＩＰＡの液滴により乾燥不良が発生するという問題が存在する。特に、大口径の基板ほどこの問題が顕著である。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、有機溶剤の消費量を削減でき、かつ基板表面の有機溶剤の液滴を効率よく気化できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、基板の洗浄処理と乾燥処理とを行う基板処理装置であって、純水を貯留し、純水中に基板を浸漬して洗浄処理を行う処理槽と、前記処理槽を収容する収容器と、前記処理槽内で基板が保持された状態で、前記処理槽内に貯留された純水を排水する排水手段と、前記収容器内の一部に有機溶剤の蒸気を吐出して有機溶剤の気流域を形成するとともに、前記収容器内の一部に不活性ガスを吐出して不活性ガスの気流域を形成する気流域形成手段と、基板を、前記収容器内において昇降させる昇降手段と、前記処理槽内の純水によって基板を洗浄した後、前記昇降手段によって基板を移動させて有機溶剤の気流域と不活性ガスの気流域とを通過させる制御手段と、を備える。
【０００９】
また、請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記気流域形成手段は、前記排水手段による前記処理槽からの純水の排水が終了した後に有機溶剤の蒸気の吐出を開始して有機溶剤の気流域を形成する。
【００１０】
また、請求項３に係る発明は、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、前記処理槽内に不活性ガスを流入させる不活性ガス流入手段をさらに備え、前記不活性ガス流入手段により前記処理槽内に不活性ガスを流入させつつ、前記排水手段が前記処理槽から純水を排水する。
【００１１】
また、請求項４に係る発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記気流域形成手段は、前記収容器内に開口した気体吐出部と、前記気体吐出部から吐出する気体を、有機溶剤の蒸気と不活性ガスとの間で切り替える吐出切り替え手段とを備え、前記制御手段は、前記昇降手段によって基板を上昇させて、前記収容器内の所定の領域に形成させた有機溶剤の気流域を通過させた後に、前記吐出切り替え手段を不活性ガス側に切り替えて前記領域に不活性ガスの気流域を形成し、前記昇降手段によって基板を下降させて、不活性ガスの気流域を通過させる。
【００１２】
また、請求項５に係る発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記収容器内を減圧する減圧手段をさらに備え、基板が不活性ガスの気流域を通過した後、前記気流域形成手段からの不活性ガスの吐出を継続しつつ、前記減圧手段が前記収容器内の減圧を行う。
【００１３】
また、請求項６に係る発明は、請求項５に記載の基板処理装置であって、前記減圧手段は、基板が不活性ガスの気流域の下方に位置する状態で、前記収容器内を減圧する。
【００１４】
また、請求項７に係る発明は、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記気流域形成手段および不活性ガス流入手段へ供給する不活性ガスを加熱して高温の不活性ガスを生成する、不活性ガス加熱手段
をさらに備える。
【００１５】
また、請求項８に係る発明は、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記有機溶剤の蒸気は、イソプロピルアルコールの蒸気である。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について説明する。
【００１７】
＜基板処理装置の要部構成＞
図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置１の正面図である。また、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ位置から見た断面図である。なお、図１および以下の各図にはそれらの方向関係を明確にするため、ＸＹ平面を水平面としてＺ軸方向を鉛直方向とするＸＹＺ直交座標系を適宜付している。
【００１８】
この基板処理装置１は、純水による洗浄処理が終了した基板Ｗを、有機溶剤であるＩＰＡにより乾燥させる装置であって、主として収容器１０と、処理槽２０と、昇降機構３０と、第１供給ノズル４０と、第２供給ノズル５０とを備えている。
【００１９】
処理槽２０は、フッ酸等の薬液または純水（以下、これらを総称して「処理液」とする。）を貯留して基板Ｗに順次表面処理を行う槽であり、収容器１０の内部に収容されている。処理槽２０の底部近傍には処理液吐出ノズル（図示省略）が配置されており、図外の処理液供給源からその処理液吐出ノズルを介して処理槽２０内に処理液を供給することができる。この処理液は処理槽２０の底部から供給されてオーバーフロー面、すなわち処理槽２０の開口部２０Ｐから溢れ出る。また、処理槽２０では、後述する排液バルブ４７（図３参照）の開放によって処理槽２０内に貯留された処理液を排出することも可能である。
【００２０】
収容器１０は、その内部に処理槽２０、昇降機構３０、第１供給ノズル４０、第２供給ノズル５０等を収容する筐体である。収容器１０の上部１１は、概念的に図示されたスライド式開閉機構１２によって開閉可能とされている（以下の図２〜図８は、この開閉機構１２を図示省略。）。収容器１０の上部１１を開放した状態では、その開放部分から基板Ｗの搬出入を行うことができる。一方、収容器１０の上部１１を閉鎖した状態では、その内部を密閉空間とすることができる。
【００２１】
昇降機構３０は、処理槽２０に貯留されている処理液に一組の複数の基板Ｗ（ロット）を浸漬させる機構である。昇降機構３０は、リフター３１と、リフターアーム３２と、基板Ｗを保持する３本の保持棒３３、３４、３５とを備えている。３本の保持棒３３、３４、３５のそれぞれには基板Ｗの外縁部がはまり込んで基板Ｗを起立姿勢にて保持する複数の保持溝が所定間隔にてＸ方向に配列して設けられている。それぞれの保持溝は、切欠状の溝である。３本の保持棒３３、３４、３５はリフターアーム３２に固設され、リフターアーム３２はリフター３１によって鉛直方向（Ｚ方向）に昇降可能に設けられている。
【００２２】
このような構成により、昇降機構３０は３本の保持棒３３、３４、３５によってＸ方向に相互に平行に配列されて保持された複数の基板Ｗを処理槽２０に貯留されている処理液に浸漬する位置（図１の実線位置）とその処理液から引き揚げた位置（図１の仮想線位置）との間で経路ＰＴに沿って昇降させることができる。なお、リフター３１には、リフターアーム３２を昇降させる機構として、ボールネジを用いた送りネジ機構や、プーリやベルトを用いたベルト機構など種々の公知の機構を採用することが可能である。
【００２３】
昇降機構３０を図１の仮想線位置に位置させるとともに、収容器１０の上部１１を開放することにより、装置外部の基板搬送ロボットと昇降機構３０との間で基板Ｗの受け渡しを行うことができる。
【００２４】
また、処理槽２０の外部には、開口部２０Ｐの近傍に２本の第１供給ノズル４０が設けられている。２本の第１供給ノズル４０は、昇降機構３０によって昇降される複数の基板Ｗの両側の側方のそれぞれに設けられている。第１供給ノズル４０のそれぞれは、Ｘ方向に沿って伸びる中空の管状部材であり、Ｘ方向に等間隔にて配列された複数の吐出孔４１を備えている。複数の吐出孔４１のそれぞれは、吐出方向をオーバーフロー面と平行に向けるように形成されている。そして、第１供給ノズル４０のそれぞれは、複数の吐出孔４１から水平方向（Ｙ方向）に向けてＩＰＡ蒸気、または不活性ガスである窒素ガスを吐出し、処理槽２０の上方でかつ基板Ｗの昇降経路ＰＴと交わる領域に、ＩＰＡ蒸気、または窒素ガスの気流域を形成する気流域形成手段として機能する。
【００２５】
さらに、収容器１０の内部であって処理槽２０の上端よりも外側上方には２本の第２供給ノズル５０が設けられている。２本の第２供給ノズル５０は、それぞれ第１供給ノズル４０の下方に設けられている。第２供給ノズル５０のそれぞれは、Ｘ方向に沿って伸びる中空の管状部材であり、Ｘ方向に等間隔にて配列された複数の吐出孔５１を備えている。複数の吐出孔５１のそれぞれは、吐出方向を処理槽２０の開口部２０Ｐに向けるように斜め下方に向けて形成されている。そして、第２供給ノズル５０のそれぞれは、複数の吐出孔５１から処理槽２０の開口部２０Ｐに向けて不活性ガスである窒素ガスを吐出し、処理槽２０内に当該窒素ガスを流入する、不活性ガス流入手段として機能する。
【００２６】
第１供給ノズル４０および第２供給ノズル５０には、収容器１０外部の供給機構から、ＩＰＡ蒸気や窒素ガス等を供給することができる。図３は、基板処理装置１の配管等の構成を示す模式図である。
【００２７】
第１供給ノズル４０は、ＩＰＡ供給源４２および窒素ガス供給源４４と配管を介して接続されている。ＩＰＡバルブ４３を開放することによって、ＩＰＡ供給源４２から第１供給ノズル４０にＩＰＡ蒸気を供給することができる。第１供給ノズル４０に供給されたＩＰＡ蒸気は、複数の吐出孔４１のそれぞれから水平方向に、基板Ｗの主面に平行な流れを形成して吐出される。
【００２８】
また、窒素ガスバルブ４６を開放することによって、窒素ガス供給源４４から第１供給ノズル４０に窒素ガスを供給することができる。第１供給ノズル４０に供給された窒素ガスは、複数の吐出孔４１のそれぞれから水平方向に、基板Ｗの主面に平行な流れを形成して吐出される。
【００２９】
すなわち、窒素ガスバルブ４６を閉鎖してＩＰＡバルブ４３を開放すれば第１供給ノズル４０から処理槽２０のオーバーフロー面と平行にＩＰＡ蒸気を供給することができ、逆にＩＰＡバルブ４３を閉鎖して窒素ガスバルブ４６を開放すれば処理槽２０のオーバーフロー面と平行に窒素ガスを供給することができる。
【００３０】
第２供給ノズル５０は、窒素ガス供給源４４と配管を介して接続されている。窒素ガスバルブ４５を開放することによって、窒素ガス供給源４４から第２供給ノズル５０に窒素ガスを供給することができる。第２供給ノズル５０に供給された窒素ガスは、複数の吐出孔５１のそれぞれから処理槽２０の開口部２０Ｐに向けて、基板Ｗの主面に平行な流れを形成して吐出される。
【００３１】
また、処理槽２０の底部と装置外の排液ラインとは配管を介して接続されており、その配管には排液バルブ４７が介挿されている。この排液バルブ４７を開放すると、処理槽２０内の処理液は処理槽２０の底部から速やかに排出されることとなる。
【００３２】
収容器１０内と装置外の排気ラインとは配管を介して接続されており、その配管には排気バルブ４８と排気（減圧）ポンプ４９が介挿されている。排気バルブ４８を開放して排気ポンプ４９を駆動させることによって、収容器１０内の雰囲気は排気されることとなる。
【００３３】
なお、図３に示すＩＰＡバルブ４３、窒素ガスバルブ４５、４６、排液バルブ４７、排気バルブ４８および排気ポンプ４９は、いずれも制御部６０によってその動作が制御される。この制御部６０および排液バルブ４７が排水手段として機能することとなる。また、この制御部６０、ＩＰＡバルブ４３、および窒素ガスバルブ４６が、第１供給ノズルの吐出切り替え手段として機能することとなる。
【００３４】
＜基板処理装置１における乾燥処理＞
図４は、基板処理装置１における基板処理の動作を説明するフローチャートである。また、図５から図８は、基板処理装置１における処理の様子を説明する図である。以下に、上記の基板処理装置１の処理手順について図４から図８を参照しつつ説明する。
【００３５】
上記の基板処理装置１において基板Ｗに処理を行うときは、まず、昇降機構３０が図外の基板搬送ロボットから複数の基板Ｗを受け取る。そして、昇降機構３０がＸ方向に相互に間隔を隔てて一括保持した複数の基板Ｗを降下させるとともに収容器１０が密閉され、基板Ｗを処理槽２０内に搬入するための開口部２０Ｐから処理槽２０に貯留された純水中に浸漬させる（ステップＳ１）。この段階においては、処理槽２０に純水が供給され続けており、処理槽２０の上端のオーバーフロー面からは純水が溢れ出し続けている。処理槽２０から溢れ出した純水は、処理槽２０の上端部外側に設けられた回収部によって回収され、装置外の排液ラインに排出される。
【００３６】
ステップＳ２では、基板Ｗの洗浄処理を行う。ここでは、処理槽２０に貯留された純水に複数の基板Ｗを浸漬した状態を維持しつつ、処理槽２０に薬液または純水を順次供給することによりエッチングや洗浄処理を予め定められた順序に従って進行させる（図５の状態）。この段階においても、処理槽２０の上端から薬液または純水が溢れ出し続けており、溢れ出した処理液は上記の回収部によって回収される。
【００３７】
そして、図５の状態においては、図５中矢印ＦＮ４１に示すように第１供給ノズル４０から窒素ガスを水平方向に吐出するとともに、図４中矢印ＦＮ４２に示すように第２供給ノズル５０から窒素ガスを処理槽２０の開口部２０Ｐに向けて吐出する。これにより、収容器１０の内部が窒素雰囲気となり、窒素雰囲気下で基板Ｗの処理が進行することとなる。
【００３８】
基板Ｗに対する表面処理が進行すると、やがて最終の仕上洗浄処理に至る。本実施形態では、仕上洗浄処理も通常の洗浄処理と同じく、処理槽２０に純水を貯留し、その純水中に複数の基板Ｗを浸漬することによって行われる。なお、最終の仕上げ洗浄処理の段階においても窒素ガスの供給が行われており、第１供給ノズル４０および第２供給ノズル５０から窒素ガスが吐出され、窒素雰囲気下にて仕上げ洗浄処理が行われる。
【００３９】
ステップＳ３では、処理槽２０に貯留された純水を排水する。すなわち、処理槽２０内における基板Ｗの洗浄処理（ステップＳ２）が終了すると、図６に示すように、基板Ｗを処理槽２０内に保持したまま、処理槽２０内に貯留された純水を排水する。ここでも、図６中矢印ＦＮ５１に示すように第１供給ノズル４０から窒素ガスを水平方向に吐出するとともに、図６中矢印ＦＮ５２に示すように第２供給ノズル５０から窒素ガスを処理槽２０の開口部２０Ｐに向けて吐出することによって処理槽２０内に窒素ガスを流入させる。これにより、純水中から露出した基板Ｗは窒素雰囲気で覆われることとなり、基板Ｗ表面におけるウォーターマークの発生を防止できる。
【００４０】
また、上記のように処理槽２０内で基板Ｗを保持した状態で排水して、処理槽２０内の界面（水面）を低下させることで基板Ｗを収容器１０内の雰囲気に露出させる場合には、純水から基板Ｗを引き揚げることで基板Ｗを露出させる場合に対して、引き揚げに伴う基板Ｗの揺れ（振動）が発生することがないため、界面付近で生じうる基板Ｗへのパーティクルの再付着を効果的に防止できる。特に、雰囲気への基板Ｗの露出速度を上げたい場合には、基板Ｗを保持して排水する方法が有効となる。
【００４１】
ステップＳ４では、ＩＰＡ蒸気の気流域ＡＩを形成する。すなわち、処理槽２０内の排水（ステップＳ３）が終了した後、第１供給ノズル４０からＩＰＡ蒸気を処理槽２０の上方で略水平方向に吐出し（図７中矢印ＦＩ）、収容器１０の内部空間の一部の領域にＩＰＡ蒸気の気流域ＡＩ（図７の仮想線部）を形成する。このＩＰＡ蒸気の気流域ＡＩは、第１供給ノズル４０付近において吐出孔４１の吐出方向に一定以上の流速を有するＩＰＡ蒸気のゾーンとなっている。なお、第２供給ノズル５０からは、継続して窒素ガス流ＦＮ６２を処理槽２０内に供給する。
【００４２】
ステップＳ５では、基板ＷがＩＰＡ蒸気の気流域ＡＩを通過する。すなわち、昇降機構３０を上昇方向（図７中矢印ＤＷ１の方向）に駆動し、相互に間隔を隔てた複数の基板Ｗを処理槽２０から一括して引き揚げる。ここでは、図７に示すように、第１供給ノズル４０により収容器１０内の局所において形成されたＩＰＡ蒸気の気流域ＡＩを複数の基板Ｗが下から上へと通過する。このように経路ＰＴ（図１参照）の一部について形成されるＩＰＡ蒸気の気流域ＡＩにおいて、ＩＰＡ蒸気が基板Ｗに直接的に吹き付けられる。この場合、混合気体でなく単一の気体つまりＩＰＡのみが窒素ガスにさらされていた基板Ｗに作用し、基板Ｗの表面全体がＩＰＡで覆われることとなる。
【００４３】
このように気流域ＡＩを基板Ｗが通過することにより、基板ＷにＩＰＡ蒸気を効率よく供給できるため、ＩＰＡ蒸気の消費量が削減できる。すなわち、収容器１０内の一部のスペースにＩＰＡ蒸気を重点的に供給するため、収容器１０内全体にＩＰＡ蒸気を供給する従来の方法に比べて、ＩＰＡの消費量を著しく減少できることとなる。
【００４４】
ステップＳ６では、窒素ガスの気流域ＡＮを形成する。すなわち、基板ＷがＩＰＡ蒸気の気流域ＡＩを通過し終えると、第１供給ノズル４０より一定時間ＩＰＡ蒸気の供給が継続された後、第１供給ノズル４０からはＩＰＡ蒸気に替わって窒素ガスを水平方向に吐出し（図８中矢印ＦＮ７１）、窒素ガスの気流域ＡＮ（図８の仮想線部）を形成する。窒素ガスのこの気流域ＡＮは、ＩＰＡ蒸気の気流域ＡＩが存在していた領域と実質的に同一（すなわちほぼ重なる範囲）である。このように、基板Ｗの下方であり処理槽２０の上方には、吐出孔４１の吐出方向に一定以上の流速を有する窒素ガスの気流域ＡＮが形成される。なお、この際、第２供給ノズル５０からも、継続的に窒素ガス流ＦＮ７２が処理槽２０内に供給されている。
【００４５】
ステップＳ７では、基板Ｗが窒素ガスの気流域ＡＮを通過する。すなわち、昇降機構３０を下降方向（図８中矢印ＤＷ２の方向）に駆動し、相互に間隔を隔てた複数の基板Ｗを再び処理槽２０内へ一括して引き下げる。ここでは、図８に示すように、第１供給ノズル４０により収容器１０内の局所において形成された気流域ＡＮを複数の基板Ｗが上から下へと通過する。このように経路ＰＴ（図１参照）の一部について形成される窒素ガスの気流域ＡＮにおいて、窒素ガスが基板Ｗに直接的に吹き付けられ、複数の基板Ｗの表面に凝縮したＩＰＡの液滴が気化されることとなる。
【００４６】
このように気流域ＡＮを基板Ｗが通過することにより、基板Ｗの表面に凝縮したＩＰＡの液滴を効率よく気化するため、乾燥時間を短縮し、基板Ｗ表面の残留ＩＰＡによる乾燥不良を低減することができる。
【００４７】
ステップＳ８では、減圧処理を行う。すなわち、基板Ｗが窒素ガスの気流域ＡＮの下方まで引き下げられた後、第１供給ノズル４０および第２供給ノズル５０から窒素ガスを供給しつつ、排気ポンプ４９を駆動し、ＩＰＡ蒸気を収容器１０外部に排気する。このとき、排気ポンプ４９による排気流量よりも第１供給ノズル４０および第２供給ノズル５０からの窒素ガスの合計供給流量が少なくなるようにしておけば、収容器１０内を窒素ガス雰囲気に置換しつつ減圧することができ、基板Ｗ表面に付着したＩＰＡの沸点が低下して、ＩＰＡが急速に気化する。したがって、いわゆるＩＰＡによる減圧乾燥が実行され、基板Ｗ表面に残留するＩＰＡの液滴の気化をさらに促進する。
【００４８】
ここで、基板Ｗが窒素ガスの気流域ＡＮの下方に位置する状態で収容器１０内を減圧することにより、収容器１０内に残存し減圧により凝縮した有機溶剤の液滴が降下しても、不活性ガスの気流域ＡＮにより遮られ、基板Ｗ付近にまでは達しない。したがって、この段階で減圧により凝縮した有機溶剤の液滴が、新たに基板Ｗ表面に付着することは抑制される。
【００４９】
減圧乾燥が終了すると、窒素ガスの供給を続行しつつ、排気ポンプ４９の動作を停止する。これにより、収容器１０内が窒素ガス雰囲気で満たされ、大気圧にまで復圧することとなる。大気圧に復圧した後、第１供給ノズルおよび第２供給ノズル５０からの窒素ガスの供給を停止する。
【００５０】
ステップＳ９では、基板Ｗの引き揚げを行う。すなわち、基板Ｗを昇降機構３０により引き揚げ、基板Ｗが図１中の仮想線位置にまで到達した時点で、昇降機構３０が停止し、基板Ｗの引き上げが完了する。そして、基板Ｗは基板搬送ロボットに渡されて一連の処理が終了する。
【００５１】
以上の基板処理装置１の動作により、基板ＷがＩＰＡ蒸気の気流域ＡＩを通過し、基板Ｗに対して直接的にＩＰＡ蒸気を供給するため、ＩＰＡの供給量を削減でき、乾燥効率が向上する。また、その後基板Ｗが窒素ガスの気流域ＡＮを通過することにより、基板Ｗに対して直接的に窒素ガスを供給するため、基板Ｗ表面に凝縮したＩＰＡの液滴を効率よく気化させることができる。
【００５２】
＜変形例＞
上記の実施形態については、窒素ガス供給源４４から導かれる配管の経路途中にヒータを設け、該ヒータを作動させることによって加熱された高温の窒素ガスを、第１供給ノズル４０または第２供給ノズル５０から供給するようにしてもよい。
【００５３】
【発明の効果】
以上のように、請求項１ないし請求項８に記載の発明によれば、洗浄処理が終了した基板を有機溶剤の気流域、不活性ガスの気流域の順で通過させるため、有機溶剤の消費量を削減でき、かつ水分と置換して基板表面に凝縮した有機溶剤の液滴を、効率よく気化することができる。さらには、基板表面に残留する有機溶剤の液滴による乾燥不良を低減することができる。
【００５４】
請求項２に記載の発明によれば、処理槽内の純水の排水が終了した後に有機溶剤の蒸気の吐出を開始することにより、処理槽内の純水に有機溶剤が溶解することを抑制することができるため、排液中の有機溶剤濃度を低減でき、排液処理費用を軽減することができる。
【００５５】
請求項３に記載の発明によれば、処理槽内に不活性ガスを流入しつつ、処理槽内の純水を排水するため、純水中から露出した基板が窒素雰囲気に覆われ、基板表面におけるウォーターマークの発生を抑制できる。
【００５６】
請求項４に記載の発明によれば、気流域形成手段は、同一の気体吐出部から有機溶剤の蒸気と不活性ガスとを切り替えて吐出するようにすれば、吐出部の数を減らすことができるため、基板処理装置全体の構造を簡易化できる。
【００５７】
請求項５に記載の発明によれば、基板が有機溶剤蒸気の気流域、不活性ガスの気流域の順で通過した後、不活性ガスの吐出を継続しつつ、収容器内を減圧することにより、収容器内に残留する有機溶剤の雰囲気を不活性ガスに置換しつつ減圧することができ、基板に付着した有機溶剤の沸点が低下して、有機溶剤の気化をさらに促進することができる。
【００５８】
請求項６に記載の発明によれば、基板が不活性ガスの気流域の下方に位置する状態で、収容器内を減圧することにより、収容器内に残存し減圧により凝縮した有機溶剤の液滴が降下しても、不活性ガスの気流域により遮られ、基板付近にまでは達しない。したがって、減圧により凝縮した有機溶剤の液滴が、基板表面に付着することを抑制できる。
【００５９】
請求項７に記載の発明によれば、高温の不活性ガスを生成し、供給するため、基板表面に凝縮した有機溶剤の液滴を、さらに効率よく気化することができる。
【００６０】
請求項８に記載の発明によれば、有機溶剤の蒸気がイソプロピルアルコールの蒸気であるため、効率よく基板乾燥が行える。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置１の正面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ位置から見た断面図である。
【図３】基板処理装置１の配管等の構成を示す模式図である。
【図４】基板処理装置１における基板処理の動作を説明するフローチャートである。
【図５】基板処理装置１における処理の様子を説明する図である。
【図６】基板処理装置１における処理の様子を説明する図である。
【図７】基板処理装置１における処理の様子を説明する図である。
【図８】基板処理装置１における処理の様子を説明する図である。
【図９】従来例に係る基板乾燥処理の様子を説明する図である。
【符号の説明】
１　基板処理装置
１０　収容器
２０　処理槽
３０　昇降機構
４０　第１供給ノズル
５０　第２供給ノズル
ＡＩ　ＩＰＡ蒸気の気流域（有機溶剤の気流域）
ＡＮ　窒素ガスの気流域（不活性ガスの気流域）
Ｗ　基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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