(57)【要約】【課題】気相工程にて金属膜などがトレーの外周部分などに付着することを防止するトレーカバーを提供する。【解決手段】気相工程用トレーの上面外周囲部分およびこの気相工程用トレーに乗せた被気相処理物品の最外周囲部分を被覆する被覆部材であって、被覆部の厚みが  ０．１〜１ｍｍ  で幅が２〜１５ｍｍであるトレーカバー、並びにその切削法、高温高圧成形法による製造法。【効果】本トレーカバーは、半導体ウェハーのスパッタリング、拡散の両工程を使用可能であり、また、トレーと半導体ウェハーの周囲に金属が付着することを防止して、割れなどの発生をより小さくし、さらに、取り外して、その表面に付着した金属を回収できる。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相工程用トレーの上面外周囲部分およびこの気相工程用トレーに乗せた被気相処理物品の最外周囲部分を被覆する被覆部材であって、被覆部の厚みが  ０．１〜１ｍｍ  で幅が２〜１５ｍｍであるトレーカバー。
【請求項２】
気相工程用トレーと着脱自在に勘合させるための３個以上の固定部  （クランプ部）  を有する請求項１記載のトレーカバー。
【請求項３】
円筒状品に、気相工程用トレーと実質的に同一の外形直径でかつ必要幅に相当する２〜１５ｍｍの厚みに切削加工し、次に、気相工程用トレーと着脱自在に勘合させるための高さ  ０．５〜２．０ｍｍ  である固定部３箇所以上を突起部として形成した後、被覆部分の厚みが  ０．１〜１ｍｍ  であるように輪切りすることからなるトレーカバーの製造法。
【請求項４】
厚みが  ０．１〜１ｍｍ  で幅が２〜１５ｍｍである被覆に用いるドーナツ盤部分と、該ドーナツ盤の外周囲に相当する部分に高さ  ０．５〜２．０ｍｍ  である固定部用の突出部を３箇所以上設けた金型に、超耐熱性樹脂の成形材料を配置し、高温・高圧成形して一次成形品を製造した後、後加工することからなるトレーカバーの製造法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、気相工程用トレー  （或いはサセプター）  に用いるドーナツ盤状の被覆部材（カバー）を提供するものであって、半導体の表面に半導体膜、絶縁膜、金属膜などの形成・拡散などの気相工程、特に、半導体膜、絶縁膜、金属膜などの形成工程において、トレーに半導体基板を支持或いは保持した状態をより安定とし、かつ、これらの工程にて金属膜などがトレーの外周部分に付着することを防止するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器は、薄型、軽量化のニーズが要求され、携帯電話やＩＣカ−ドで代表されるように益々、薄型化が進展している。また、高速化や低消費電力との側面からも、半導体を薄くする事が要求されてきている。
半導体基板の種類や形成する素子の種類により相違はあるが、半導体基板は厚みが３０μｍ以下程度まで薄くなると、緩く曲げることが可能となる。
ところが、予め薄くした半導体基板やセラミックス基板を用いて、片面のみに電子回路を形成すると、回路形成の材料、特にアルミニウム、銅、金などの金属とシリコン・ウェハーなどの半導体基板やセラミックス基板との熱膨張率の差が５〜１５×１０−６  Ｋ−１程度あり、この差によって、反りや歪みを生じる。その為、裏面に回路を形成することが不可能となるばかりでなく、表面の全工程すら実施不能な場合が発生する。このため、予め薄くした基板を使用することは実質的に不可能であった。
【０００３】
そこで、従来は、厚み０．２５〜０．７２５ｍｍ  程度の半導体基板を使用して片面に主に、高温を必須とする電子回路形成工程を行った後、該電子回路形成面を保持基板に接着して保護しつつ、反対面（裏面）を研磨して所定の厚みまで薄くする方法が取られている。
半導体基板の種類や形成する素子の種類により相違はあるが、薄くする場合の厚みが  １５０μｍ程度以上であれば、多少の歪みなどの発生はあっても、裏面（研磨面）の所望の処理工程の実施が可能であった。
しかし、この薄くした基板は極めて脆いために、裏面処理工程  （通常、真空蒸着或いはスパッタリングと熱処理とからなる気相工程）  の移送中などにおいて破損し易く、製品歩留りが悪化するという課題  （自動搬送トラブル）  があった。
【０００４】
この破損を避けるためには、薄くした半導体基板を単独で取り扱う回数を可能な限り減少させることである。
この手段として典型的には、下記の２つがある。
（１）．薄くするために用いた保持基板に接着保持したままの状態で気相工程を実施する製造法。
（２）．薄くした後、気相工程用のトレーやサセプターに載せて気相工程を実施する製造法。
【０００５】
ここで、（１）  の製造法は、薄くした半導体基板が保持基板に保持された状態で、そのまま、気相工程に適用され、ベアチップとして完成した後に剥離されて製品化される。この結果、接着状態で薄くするための研磨、気相工程の実施、さらに、剥離が可能であれば、高い製品歩留りが得られる。そして、厚みも最も薄いもので２０μｍ程度まで可能という優れた特徴を有する。
しかし、適用工程数が多く、かつ、条件が多様で有機物質には極めて厳しいことから、実施可能な場合にも、全ての条件を満足する条件範囲は個々の製品とそれに対する使用工程条件毎に最適条件を選択する必要性があり汎用性に欠けるという欠点がある。特に、温度  ３００℃以上で高真空下との条件に適用できる材料の選択には多くの困難がある。
【０００６】
これに対して、（２）  の製造法は、薄くした半導体基板を保持基板から剥がして、気相工程用のトレーやサセプターなどに乗せて移送し、気相工程に投入・取り出しを行う。この結果、用いた気相工程用のトレーやサセプターの材料特性が許容する条件範囲全てに適用可能であるという優れた特性を有する。
しかし、載せ代え、移送などが可能であるとの条件から、半導体基板の種類や大きさにもよるがその薄さが約  １００μｍ程度という制限がある。また、用いた気相工程用のトレーやサセプターの材料特性から、ステンレス製などの金属材料が適用できる気相工程と石英ガラスなどのセラミックス類が適用できる気相工程とがあり、工程間でトレーやサセプターを取り替えること、すなわち、載せ替える必要があり、載せ代え時に破損し易いという課題があった。
【０００７】
また、上記した二つの工程に適用可能な材料として、炭化珪素（ＳｉＣ）  がある。しかし、炭化珪素は適切な加工が困難であるという課題があった。また、特開平７−５８０４１  号公報には、カーボンに  ＳｉＣ皮膜を形成したものが開示されているが、熱によって歪み、反りや変形を生じ、それが熱処理の繰り返しにより増加するという欠点があった。この歪みを修正して平面度を維持するために炭化珪素などの支持部材を使用することが提案されているが、熱衝撃や熱膨張率の差による破損が発生し易い。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上記（２）  の製造法において、用いる気相工程用のトレーやサセプターとして、ステンレス製などの金属材料が適用できる気相工程と石英ガラスなどのセラミックス類が適用できる気相工程との両者に適用可能なトレーやサセプターを先に提案した。この気相工程用トレーは、その外周囲部分に真空蒸着やスパッタリングにて金属が付着する。この付着を、トレー以外のものにすべて移すことが出来れば、トレーからこれらを除く工程が必要でなくなり、トレーがより安定して使用可能となる。また、トレー上の半導体ウェハーをより安定にトレー上に保持できれば、より信頼性の高い気相工程の実施が可能となる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、鋭意検討した結果、本発明に至った。
すなわち、本発明は、気相工程用トレーの上面外周囲部分およびこの気相工程用トレーに乗せた被気相処理物品の最外周囲部分を被覆する被覆部材であって、被覆部の厚みが  ０．１〜１ｍｍ  で幅が２〜１５ｍｍであるトレーカバーである。さらに、本トレーカバーは、気相工程用トレーと着脱自在に勘合させるため３個以上の固定部  （クランプ部）  を形成したものであることが好ましい。
【００１０】
また、本発明は、円筒状品に、気相工程用トレーと実質的に同一の外形直径でかつ必要幅に相当する２〜１５ｍｍの厚みに切削加工し、次に、気相工程用トレーと着脱自在に勘合させるための高さ  ０．５〜２．０ｍｍ  である固定部３箇所以上を突起部として形成した後、被覆部分の厚みが  ０．１〜１ｍｍ  であるように輪切りすることからなるトレーカバーの製造法、並びに、厚みが  ０．１〜１ｍｍ  で幅が２〜１５ｍｍである被覆に用いるドーナツ盤部分と、該ドーナツ盤の外周囲に相当する部分に高さ  ０．５〜２．０ｍｍ  である固定部用の突出部を３箇所以上設けた金型に、超耐熱性樹脂の成形材料を配置し、高温・高圧成形して一次成形品を製造した後、後加工することからなるトレーカバーの製造法である。
【００１１】
以下、本発明の構成を説明する。
薄くした半導体ウェハーは、通常、湾曲している。この湾曲  （反り、歪み）  は第一に、表面に一層以上の層が形成され、通常、下地とこれらの層および層間の熱膨張係数は異なることによる。そして、この歪みは、真空工程、熱処理工程などを経るとより増大する。
また、歪みは、加熱、冷却、特に、加熱の不均一さによっても発生する。
そして、真空工程、例えば、金属の蒸着やスパッタリングは、蒸着或いはスパッタリング面の金属イオンによる加熱である。このとき、裏面からの補助加熱とのバランスが取れない場合には湾曲し、この湾曲は温度差などでより増大することとなる。
【００１２】
本発明のトレーカバーは、トレーの周囲および半導体ウェハーの周囲を被覆する。金属の蒸着やスパッタリングは必須の気相工程であり、トレーカバーに金属が付着し、トレーの周囲および半導体ウェハーの周囲に金属が付着することを防止する。また、トレーとの固定具  （クランプ）  にて、トレーに固定し、半導体ウェハーの周囲をトレーとの間に挟みこむことにより、加熱の不均一さや、熱膨張差に基づく歪みの発生をある程度抑えると共に、トレーから半導体ウェハーが取れることを防止する。
【００１３】
本発明のトレーカバーは気相工程に適合すること、すなわち、その価格にもよるが、通常、気相工程に百回以上、好ましくは、数千回、適宜、再生などを行って繰り返し使用できることが実用化においては必須である。この可否は、トレーカバーに用いる材料の使用条件への適合性によって主に決定されるので、これを考慮してトレーカバーに用いる材料は選択する。
本発明のトレーカバーは、トレーの作製に用いる材料と同様なものが当然に使用でき、トレーの製造に好適な耐熱性樹脂含浸した無機連続気孔焼結体を当然に使用できる。
【００１４】
また、本トレーカバーを、トレーとの固定具  （クランプ）  にてトレーに固定して用いる場合には、トレーにて形状保持ができるので使用温度において自己形状保持機能を有する強度を持てば使用可能である。
このような材料としては、まず、超耐熱性の熱硬化性或いは熱可塑性樹脂が挙げられ、ポリイミド樹脂では、商品名「ベスぺル」（デュポン社製）、商品名「ユピモール」（Ｕｐｉｍｏｌ）  （宇部興産  （株）  製）  が挙げられ、また、ポリベンゾイミダゾール樹脂では、商品名「セラゾール」（Ｃｅｌａｚｏｌ）（クラリアントＪａｐａｎ  社製）  などが挙げられる。
【００１５】
また、本発明においては、上記したように、樹脂複合セラミックス、すなわち、無機連続気孔焼結体（セラミックス）に耐熱熱硬化性樹脂を含侵し、一体化したものも好適に使用できる。
無機連続気孔焼結体は、具体的には、窒化アルミニウム−窒化硼素複合体（ＡｌＮ−ｈ−ＢＮ）、窒化アルミニウム−炭化珪素−窒化硼素複合体（ＡｌＮ−ＳｉＣ−ｈ−ＢＮ）、窒化珪素−窒化硼素複合体（Ｓｉ３Ｎ４−ｈ−ＢＮ）、アルミナ−窒化硼素複合体（Ａｌ２Ｏ３−ｈ−ＢＮ）、β−炭化珪素  （β−ＳｉＣ）、炭化珪素−カーボン複合体（ＳｉＣ−Ｃ）  およびワラストナイトなどが挙げられ、特に、窒化アルミニウム系のものが好ましいとして挙げられる。
【００１６】
また、含侵する耐熱熱硬化性樹脂としては、用いる温度が  ３００℃程度までの場合には、耐熱性のエポキシ樹脂、シアナト樹脂、ビスマレイミド樹脂などが例示される。温度が  ４５０℃程度までの場合には、ラダー型シリコーンオリゴマー  （Ｏｗｅｎｓ−Ｉｌｌｉｎｏｉｓ社製、商品名；グラスレジンＧＲ−９０８，  ＧＲ−６５０など）  、ポリイミド樹脂オリゴマー  （スカイボンド、Ｕ−イミドなど）  が例示される。
また、  ５００℃を超える超耐熱性樹脂も市販されている。これらの中で、ポリベンゾイミダゾール樹脂の溶液は、含浸可能であることが確認され、使用可能である。これと同様に含侵性  （単独で或いは上記したラダー型シリコーンオリゴマーなどの上塗りとしての含侵など）  が確認できるものもあるものと推定され、確認できれば、ポリベンゾイミダゾール樹脂の溶液と同様に使用できる。
【００１７】
なお、上記した  ４５０℃〜４８０  ℃程度の耐熱性樹脂の中にも、主結合構造自体の耐熱性は  ５００℃を超えるものも多々ある。これらのものの場合、高分子量化やより完全な反応による未反応部分の除去により耐熱性の向上が図られるものであることから、実使用条件下の空熱処理、含浸方法の工夫や組み合わせなどにより、大幅に耐熱性の向上したものとすることの可能性がある。
【００１８】
次に、本発明のトレーカバーの製造法を説明する。
その一例を、円筒状の超耐熱性の樹脂成形品を用いた場合について説明すると、下記（１−１）  〜（１−３）  にて作製される。
（１−１）．気相工程用トレーと実質的に同一の外形直径でかつ必要幅に相当する１〜１５ｍｍの厚みに切削加工する。
（１−２）．次に、好適には、気相工程用トレーと着脱自在に勘合させるための複数の固定部  （クランプ部）  を作製する。
（１−３）．被覆部分を所望厚みである  ０．１〜１ｍｍ  に輪切りする。
【００１９】
また、超耐熱性の樹脂の場合、原料粉末の高温・高圧成形にて所定の成形品を製造することが可能である。この一例を示せば、下記（２−１）  〜（２−４）  である。
（２−１）．気相工程用トレーと実質的に同一の外形直径でかつ必要幅に相当する１〜１５ｍｍの厚みの金型を作製する。
（２−２）．好適には、気相工程用トレーと着脱自在に勘合させるための３箇所以上の固定部  （クランプ部）  も一体として作製する。
（２−３）．該金型に粉末成形材料を入れ、加熱・加圧して所定形状品とする。
（２−４）．切削・研磨などして、所望寸法への仕上げ加工を行う。
【００２０】
ここで、上記の工程（１−２），（２−２）  に示した好適な場合のトレーカバーと一体化した複数のクランプ部は、典型的には、（１）．トレー外周囲部分を被覆するに必要十分な範囲で作製し、トレー本体側にも固定部の受入れ部分を作製する方法と、
（２）．トレー外周囲部分の外側にはみ出した形で作製する方法とがあり、いずれの方法も実施可能である。（１）  の方法はトレーカバーの厚みを考慮するのみで、容易に気相工程中または工程間の移送が可能であり、方向性の考慮もいらない点から好ましいが、トレーの加工が必須であるという欠点がある。
【００２１】
また、（２）  の方法は、固定部が突起部となることから、複数の固定部の位置を考慮した配置にて気相工程中または工程間の移送しなければ成らないとの欠点を有するが、トレーカバーの作成のみにより適用できる点から優れたものである。
なお、当然のことであるが、トレーとトレーカバーとを固定するための固定具を作製し、使用することが出来る。この場合にも、この固定具を受け入れる部分をトレーまたはトレーカバーに形成しておくことにより、より安定した固定の実施が可能となる。
【００２２】
ところで、通常、本発明のトレーカバーを支持固定するトレーは、セラミックス等からなる。そして、本トレーカバーは、超耐熱性樹脂製で製造することが好ましい。通常、両者間の熱膨張率差は１０〜２０ｐｐｍ  程度ある。この結果、室温と処理温度との温度差が  ３００℃で寸法１０ｃｍとすると（３〜６）×１０−２（ｃｍ）＝  ０．３〜０．６ｍｍ  とかなり大きな寸法差が発生する。従って、室温から処理温度までの広い温度範囲で両者の安定した支持固定を保持するためには、本トレーカバーが熱膨張して寸法増加することを考慮し、かつ、局所応力の発生のない固定として利用する必要がある。
【００２３】
本発明において、上記（１）  の方法を用いる場合、超耐熱性樹脂製のトレーカバー側に固定部材（ＡＤ）を設け、トレー側に固定部（ＡＣ）を設けることが好ましい。
まず、固定部材（ＡＤ）と固定部（ＡＣ）とをそれらのみで比較した場合には、それぞれが大きくとも数ｍｍ以下であり、小さいことから、温度変化に伴う寸法変化量は小さく、むしろ、作製公差の方が大きい場合が多い。ゆえに、固定部材（ＡＤ）と固定部（ＡＣ）との関係のみを微調整をすることは可能であるが、この寸法差を温度変化に伴うかみ合わせ関係に利用することは困難である。
【００２４】
一定寸法に作成された固定部材（ＡＤ）と固定部（ＡＣ）との相互位置関係は、温度上昇に伴い、直径軸方向は固定部材（ＡＤ）が外側に移動し、直径に直角方向は固定部材（ＡＤ）間の間隔が広がる。そして、その寸法差（移動量）は、上記した大きな値となる。
ゆえに、室温  （室温基準）  で作製した場合、温度上昇にて、トレーカバーが外向きにはみ出すこととなる。この場合にも固定部材（ＡＤ）と固定部（ＡＣ）との支持固定関係が損なわれないようにその形状を工夫する。
【００２５】
この課題の発生は、トレーカバーが超耐熱性樹脂製であることによる。
ゆえに、この解決にはこの超耐熱性樹脂の有するトレー素材とは異なる特性を利用することが最も合理的であり、その弾性を利用することが最も好ましい対応となる。一例は、固定部材（ＡＤ）を内側に余分に傾けて作製し、熱膨張による寸法変化の大部分をこの傾きにより吸収する方法である。他の一例は、固定部（ＡＣ）として直径方向の溝  （或いは切り欠き）  を形成し、例えば、（１）．該溝の上面よりも下側を広く形成し、同様にこれにかみ合わせて作成した固定部材（ＡＤ）を外側に引っ張ってはめ込む方法、または、（２）．この溝を全体として、中心側  （内側）  を広く、外側を狭くし、また、外側の溝は上面よりも下側に幅の広い部分を形成し、固定部材（ＡＤ）はこの固定部（ＡＣ）の外側の溝に噛み合う形状とし、内向きに力をかけて内側の幅広溝部分にて、はめ込みむ方法が例示される。
【００２６】
超耐熱性樹脂製であっても、その弾性を利用することが困難な場合や、セラミックスや樹脂複合セラミックスを用いる場合には、固定部材（ＡＤ）と固定部（ＡＣ）との形状を工夫することにより対応する。典型例は、回転を利用する。
一例を挙げれば、固定部材（ＡＤ）は、その先端側  （下面側）  でその内側および回転先方向側に突起部分を設けてこれにて固定部（ＡＣ）に支持固定する。固定部（ＡＣ）は、この固定部材（ＡＣ）を完全に受け入れる部分を設け、回転させた先に固定部材（ＡＤ）の先端側  （下面側）  でその内側および回転先方向側に、固定部材（ＡＤ）の突起部分を受け入れる部分を設け、また、該部分の手前  （該回転の終了部の手前）  に逆回りを防止部用の突起或いは逆刃を設けた構造とすることが挙げられる。
【００２７】
以上、本発明のトレーカバーの説明を、薄い半導体を製造する方法に適用する場合を中心に説明したが、本発明のトレーカバーは、半導体デバイス製造工程のプラズマＣＶＤ、スパッタリング、ドライエッチング、ＰＶＤ  （物理的気相成長）  などの気相工程用のトレーカバーとして、セラッミックス基板上への半導体を形成用として、シリコン・ウェハー以外、特に、ＧａＡｓ，  ＧａＰ，  ＧａＮ    その他の強度の小さい化合物半導体の工程用として好適に使用できる。
【００２８】
【実施例】
以下、実施例などにより本発明を具体的に説明する。
実施例１
リング状のポリイミド樹脂成形品  （商品名：ベスぺル、デュポン社製）を用いて、所定寸法のトレーカバーを作成した。
ポリイミド樹脂成形品を外直径  １５２ｍｍ、内直径  １４８ｍｍ、厚さ  １．８ｍｍとした。
次に、その当分位置４箇所に固定部材を作成した。固定部材は、幅  （直径に垂直方向）  ２ｍｍ  、厚さ  （直径方向）  ０．５ｍｍ  で内側に  ０．２ｍｍ傾斜させ、高さ  １．５ｍｍとし、その先端頂部を内側  （直径方向）  に向かってやや斜めカットし、また内側の高さ  １．０ｍｍ強の部分から４５度傾斜で内側突出のカット形状とした。
【００２９】
上記で製造したトレーカバーを装着するトレーを準備した。
トレーとして、樹脂複合セラミックス製のトレーを用いた。このトレーは、全厚み  １．５０ｍｍ  、最外直径  １５２ｍｍ、外周壁高さ  ０．５ｍｍ・厚み  ０．７ｍｍ、搭載部直径  １５０ｍｍ、搭載部幅  １．０ｍｍ、底面厚み  ０．５ｍｍ、底面外周部を幅  １．０ｍｍ・高さ  ０．５ｍｍの斜めカット、底面穴３０ｍｍ×８  個である。なお、本トレーは本発明者らの先の出願特願２００２−２８３１４６  号の技術にて作成したものである。
このトレーの外周囲部の均等位置４箇所に、固定部を作成した。
外周壁を幅約  ２．０ｍｍ強で除去し、該除去部分の下側も同様にして取り除いた。
次に、このカット部分の底側から  ０．５ｍｍ部分までを４５度の斜めカットの溝を形成した。
【００３０】
上記で製造したトレーカバーをトレーに取付けて、各固定箇所のかみ合わせの度合いを再調整した。
次に得られたトレーカバーをトレーに取付けてた状態で、温度  ３００℃に設定した窒素ガス置換の炉に配置し、３０分間加熱した後、  ４５０℃への昇温、  ４５０℃、１時間の保持、ついで降温のプログラムセットし、温度  ３００℃に降温した時点で炉から取り出し、デシケータ中に配置し、室温まで冷却する工程からなる使用条件での空熱処理を行い、トレーカバーを得た。
このトレーに、６インチシリコンウェハーを配置し、トレーカバーを取付けた後、スパッタ装置で金のスパッタリング、ついで、拡散炉に移送して、窒素雰囲気中  ４５０℃で４０分間維持する試験を行ったところ、破損などなく良好な作業ができた。また、トレーカバーに付着した金の厚さは約２μｍであった。
【００３１】
実施例２
トレーとして、最大厚さ  １．７ｍｍ、最外直径  ２０１．５ｍｍの円板中に、  ３インチ相当の半導体基板搭載部を４箇所均等配置したトレーを用いた。トレーは、上面（搭載部加工面）側の周囲を最外厚み  ０．７ｍｍとして幅  ３ｍｍの斜めカットし、その内側に、各搭載部を形成したものであり、各搭載部は円板の中心から５７．０ｍｍ位置に中心を有し、搭載部直径  ７６．５ｍｍ，深さ  ０．５ｍｍ、搭載部内側直径  ７３．０ｍｍ  、底面厚み０．７ｍｍとし、底面に各搭載部の中心から２５．０ｍｍの位置に中心を持つ直径１５ｍｍの穴４箇所を有するもの用いた。なお、本トレーは本発明者らの先の出願特願の技術にて作製したものである。
【００３２】
上記のトレーの各搭載部の外周囲部の均等位置４箇所  （計１６箇所）  に、固定部を作成した。
この固定部は、幅  （各搭載部中心を基準として搭載面に平行でその直径方向に垂直な方向）  １．０ｍｍ  強、奥行き  （搭載部の直径方向）  １．５ｍｍ  の貫通穴を形成し、その内側の奥行き方向  ０．６ｍｍ部分は両側の側壁を約  ０．２ｍｍ強づつカットした。そして、その外側の溝は、裏面から表側方向に  ０．７ｍｍまで裏面両側  ０．２ｍｍ強の幅で斜めカット  （裏面は  １．４ｍｍ強×１．５ｍｍ  の長方形となる）  して固定部とした。
【００３３】
外直径  ８０  ｍｍ、内直径  ７４ｍｍ  、厚さ  ２．０ｍｍのリング状ポリイミド樹脂成形品を準備した。
まず、このリングの４等分位置に固定部材を作成した。
まず、幅  １．４ｍｍ、厚さ  （搭載部の直径方向）  １．０ｍｍ  、高さ  １．６ｍｍの角柱を作製した。幅を根元から  １．０ｍｍ強の部分まで  １．０ｍｍとし、その上を斜めカットして頂上部の幅  １．４ｍｍ弱とした。次に、固定部の斜めカット部分との重なり部分が  ０．１ｍｍ強生じるように外側の斜めカット部分を除去した。
次に、この固定部材と固定部とをかみ合わせて、内側に押し込むことにより容易に装着でき、かつ、スムースなかみ合わせとなるように微調整した。
【００３４】
上記したトレーに、３インチシリコンウェハーを配置し、上記トレーカバーを取付けた後、スパッタ装置で金のスパッタリング、ついで、拡散炉に移送して、窒素雰囲気中  ４５０℃で４０分間維持する試験を行ったところ、破損などなく良好な作業ができた。また、トレーカバーに付着した金の厚さは約２μｍであった。
【００３５】
【発明の効果】
以上、本発明のトレーカバーは、半導体ウェハーのスパッタリング、拡散の両工程を使用可能であり、また、トレーと半導体ウェハーの周囲に金属が付着することを防止して、割れなどの発生をより小さくし、さらに、取り外して、その表面に付着した金属を回収できるものであり、その意義は極めて高い。