(57)【要約】【課題】エッチングを不足気味に行うことなく、パターンの寸法ずれを補正することが可能な露光用マスクの製造方法を提供する。【解決手段】基板上に遮光膜が形成されたマスクブランクの該遮光膜上に第１のレジストパターンを形成する。第１のレジストパターンをエッチングマスクとして遮光膜をエッチングし、遮光膜が残された遮光領域と、遮光膜が除去された透過領域とからなるマスクパターンを形成する。遮光領域に残されている遮光膜をエッチングマスクとして、透過領域の前記基板の表層部をエッチングする。【選択図】  図１
2004219912.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板上に遮光膜が形成されたマスクブランクの該遮光膜上に第１のレジストパターンを形成する工程と、
（ｂ）前記第１のレジストパターンをエッチングマスクとして前記遮光膜をエッチングし、該遮光膜が残された遮光領域と、該遮光膜が除去された透過領域とからなるマスクパターンを形成する工程と、
（ｃ）前記遮光領域に残されている遮光膜をエッチングマスクとして、該透過領域の前記基板の表層部をエッチングする工程と
を有する露光用マスクの製造方法。
【請求項２】
前記工程（ｃ）が、
前記透過領域の寸法を測定する工程と、
前記基板の表層部のエッチング量と、転写対象物上における前記透過領域の転写パターンの寸法の変化量との関係に、前記透過領域の寸法の許容値からのずれ量を適用して、必要なエッチング量を決定する工程と、
決定されたエッチング量だけ、前記基板の表層部をエッチングする工程と
を含む請求項１に記載の露光用マスクの製造方法。
【請求項３】
前記工程（ｃ）が、前記遮光領域に残されている遮光膜をエッチングマスクとして前記基板の表層部を、その厚さ方向に優先的にエッチングが進む条件で異方性エッチングする工程を含む請求項１または２に記載の露光用マスクの製造方法。
【請求項４】
前記工程（ｃ）が、前記基板の表層部を異方性エッチングした後、さらに、前記遮光領域に残されている遮光膜をエッチングマスクとして、等方的にエッチングが進む条件で前記基板の表層部をエッチングする工程を含む請求項３に記載の露光用マスクの製造方法。
【請求項５】
前記工程（ｃ）が、さらに、前記透過領域の寸法が許容値を超えている領域の基板表面が露出し、該透過領域の寸法が許容値を超えていない領域の基板表面が覆われるように第２のレジストパターンを形成する工程を有し、該第２のレジストパターンで覆われていない領域内に配置されている透過領域の前記基板の表層部をエッチングする請求項１〜４のいずれかに記載の露光用マスクの製造方法。
【請求項６】
前記工程（ｂ）において、転写対象物上における透過領域の転写パターンの寸法が設計値よりも大きくなるように前記遮光膜をエッチングし、
前記工程（ｃ）において、前記透過領域が転写対象物に転写されるパターンの寸法が前記設計値に近づくように、透過領域の前記基板の表層部をエッチングする請求項１に記載の露光用マスクの製造方法。
【請求項７】
前記工程（ｃ）が、
前記透過領域の寸法を測定する工程と、
前記基板の表層部のエッチング量と、転写対象物上における前記透過領域の転写パターンの寸法の変化量との関係に、前記透過領域の寸法の基準値からのずれ量を適用して、必要なエッチング量を決定する工程と、
決定されたエッチング量だけ、前記基板の表層部をエッチングする工程と
を含む請求項６に記載の露光用マスクの製造方法。
【請求項８】
露光光を透過させる基板と、
前記基板の表面上に配置され、露光光を遮光する材料で形成された遮光パターンであって、該遮光パターンの配置されていない複数の透過領域を画定する前記遮光パターンと、
前記基板表面の少なくとも一部の領域内に配置された前記透過領域に対応するように、基板の表層部に形成された凹部であって、該凹部が、対応する透過領域の外周に沿い、凹部の形成された透過領域を通過した露光光の位相と、それに最も近接する透過領域を通過した露光光の位相との同一性が維持されるように形成されている前記凹部と
を有する露光用マスク。
【請求項９】
前記凹部の縁が、対応する透過領域の縁よりも前記遮光パターン側に侵入している請求項８に記載の露光用マスク。
【請求項１０】
半導体ウエハの表面上に感光性レジスト膜を形成する工程と、
請求項８または９に記載の露光用マスクを通して前記感光性レジスト膜を露光し、該露光用マスクに形成されているマスクパターンを転写する工程と、
前記感光性レジスト膜を現像する工程と、
前記現像工程で残された感光性レジスト膜をマスクパターンとして用い、前記半導体ウエハに選択的に処理を行う工程と
を有する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光用マスクの製造方法、露光用マスク及びその露光用マスクを用いた半導体装置の製造方法に関する。本明細書において「露光用マスク」は、近接露光用のマスク及び縮小投影露光用のレチクルを含む。
【０００２】
【従来の技術】
図８を参照して、従来の露光用マスクの製造方法について説明する。
図８（Ａ）に示すように、ガラス基板１００の表面上にクロム（Ｃｒ）等の遮光膜１０１が形成されたマスクブランクを準備する。遮光膜１０１の上に、フォトレジスト膜１０２を形成する。
【０００３】
図８（Ｂ）に示すように、露光及び現像を行い、レジスト膜１０２に開口１０３を形成する。開口１０３の底面に遮光膜１０１が露出する。
図８（Ｃ）に示すように、レジスト膜１０２をエッチングマスクとして遮光膜１０１をエッチングし、遮光膜１０１を貫通する開口１０４を形成する。これにより、遮光膜１０１が残された遮光領域と、開口１０４が形成された透過領域とが画定される。
【０００４】
レジスト膜１０２を残した状態で、ガラス基板１００の背面から透過領域を観察し、その寸法を測定する。図８（Ｃ）には、遮光膜１０１のエッチングが不十分で、透過領域の寸法（幅）が所望の寸法よりも小さい場合を示している。
【０００５】
図８（Ｄ）に示すように、追加のエッチングを行い、開口１０４を拡げる。このように、透過領域の寸法が所望の寸法よりも小さい場合には、追加のエッチングを行うことにより、透過領域の大きさを補正することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
図８（Ｃ）に示した最初のエッチング工程で、遮光膜１０１のエッチング量が多すぎた場合には、透過領域の寸法が所望の寸法よりも大きくなる。この場合には、従来の追加エッチングにより透過領域を所望の大きさに補正することはできない。
【０００７】
第１回目の遮光膜１０１のエッチングを不足気味に行い、その後追加のエッチングを行うようにすれば、過剰なエッチングの発生を防止することができる。ところが、エッチングを不足気味に行うことは、処理時間が短くなるために、高精度の制御が困難である。その困難さは、パターンの微細化が進むに従って顕著になる。
【０００８】
本発明の目的は、エッチングを不足気味に行うことなく、パターンの寸法ずれを補正することが可能な露光用マスクの製造方法を提供することである。
本発明の他の目的は、上記方法で製造される露光用マスク、及びこの露光用マスクを用いた半導体装置の製造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によると、（ａ）基板上に遮光膜が形成されたマスクブランクの該遮光膜上に第１のレジストパターンを形成する工程と、（ｂ）前記第１のレジストパターンをエッチングマスクとして前記遮光膜をエッチングし、該遮光膜が残された遮光領域と、該遮光膜が除去された透過領域とからなるマスクパターンを形成する工程と、（ｃ）前記遮光領域に残されている遮光膜をエッチングマスクとして、該透過領域の前記基板の表層部をエッチングする工程とを有する露光用マスクの製造方法が提供される。
【００１０】
本発明の他の観点によると、露光光を透過させる基板と、前記基板の表面上に配置され、露光光を遮光する材料で形成された遮光パターンであって、該遮光パターンの配置されていない複数の透過領域を画定する前記遮光パターンと、前記基板表面の少なくとも一部の領域内に配置された前記透過領域に対応するように、基板の表層部に形成された凹部であって、該凹部が、対応する透過領域の外周に沿い、凹部の形成された透過領域を通過した露光光の位相と、それに最も近接する透過領域を通過した露光光の位相との同一性が維持されるように形成されている前記凹部とを有する露光用マスクが提供される。
【００１１】
透過領域の基板の表層部をエッチングして凹部を形成すると、その外周の段差に起因する光の散乱等により、透過領域を通過した露光光に強度が低下する。このため、凹部が形成されていない場合に比べて、転写対象物上における透過領域の転写パターンの寸法を小さくすることができる。
【００１２】
本発明の他の観点によると、上記露光用マスクを通して感光性レジスト膜を露光する工程を含む半導体装置の製造方法が提供される。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１を参照して、本発明の第１の実施例による露光用マスクの製造方法について説明する。
【００１４】
図１（Ａ）に示すように、露光光を透過させる材料、例えば合成石英等からなる基板１の表面上に、例えばクロム（Ｃｒ）等の遮光材料からなる遮光膜２が形成されたマスクブランクを準備する。以下、ＡｒＦエキシマレーザを用いた１／４縮小投影露光用のマスク（レチクル）を作製する場合を例にとって、膜の厚さやパターンの寸法の典型的な数値を示すが、実施例の製造方法は、他の露光光を使用するマスクの製造にも適用可能である。
【００１５】
基板１の厚さは、例えば６．３ｍｍであり、遮光膜２の厚さは、例えば約０．１μｍである。遮光膜２の上に感光性レジスト材料を塗布し、レジスト膜３を形成する。レジスト膜３の露光及び現像を行い、レジスト膜３に開口４を形成する。開口４の幅は、例えば０．８μｍである。半導体ウエハ上に転写されるパターンの幅は０．２μｍになる。
【００１６】
図１（Ｂ）に示すように、レジスト膜３をエッチングマスクとして、遮光膜２をエッチングし、開口５を形成する。遮光膜２のエッチングは、例えば、エッチングガスとしてＣｌ２とＯ２とを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により行われる。遮光膜３が残された遮光領域１０、及び遮光膜３が除去された透過領域１１が画定される。
【００１７】
基板１の背面から、透過領域１１の寸法を測定する。透過領域１１の寸法が許容範囲内に収まっている場合には、レジスト膜３を除去する。透過領域１１の寸法が許容下限値に満たない場合には、レジスト膜３を残した状態で追加のエッチングを行う。遮光膜２のエッチングが過度に進み、透過領域１１の寸法が許容上限値を超えている場合には、以下の工程を実行する。
【００１８】
図１（Ｃ）に示すように、レジスト膜３を除去する。図１（Ｄ）に示すように、パターニングされた遮光膜２をエッチングマスクとし、厚さ方向へのエッチング速度が横方向へのエッチング速度よりも速い条件で、基板１を異方性エッチングする。これにより、基板１の表層部に、透過領域１１に対応する平面形状を有する凹部６が形成される。基板１の異方性エッチングは、例えばＣＦ４ガスの誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）を用いて、圧力１３．３Ｐａ、印加電力２００Ｗ（０．２２Ｗ／ｃｍ２）の条件で行う。
【００１９】
図１（Ｄ）に示したように、凹部６を形成することにより、透過領域１１の外周に沿って段差が発生する。この段差によって露光光が散乱され、透過領域１１を通過した光の強度が低下する。これにより、転写対象物（例えば半導体ウエハ）上における透過領域１１の転写パターンの寸法を、許容範囲内まで小さくすることができる。レジストがネガ型の時には、転写パターンはレジストが残された部分のパターンになり、ポジ型の時には、転写パターンはレジストの抜きパターンになる。
【００２０】
第１の実施例による方法で製造されたマスクにおいては、相互に隣り合う透過領域１１に形成された凹部６の深さがほぼ等しい。このため、この２つの透過領域を透過した露光光の位相の同一性が維持される。この点において、第１の実施例による方法で製造した露光用マスクは、透過領域を透過した露光光に位相差を付与する位相シフトマスクと異なる。
【００２１】
次に、図２を参照して、凹部６の段差による露光光の強度低下の効果について説明する。
図２は、図１（Ｄ）に示した凹部６の深さ（段差の高さ）と、転写対象物上における透過領域１１の転写パターンの寸法変化量との関係を示す。横軸は凹部６の深さを単位「ｎｍ」で表し、縦軸は転写パターンの寸法変化量を単位「ｎｍ」で表す。寸法変化量が負であるということは、パターンの幅が細くなっていることを示す。なお、露光条件は、ＮＡ＝０．６、σ＝０．４、露光波長＝２４８ｎｍ、縮小倍率＝４倍であり、マスク上の透過領域１１のパターン寸法（幅）は０．７２μｍである。すなわち、凹部６が形成されていない状態で転写されるパターン寸法は、０．１８μｍになる。
【００２２】
凹部が深くなるに従って、寸法変化量が負の方向に大きくなっていることがわかる。凹部を深くすると、転写されるパターンが細くなる。これは、凹部６の縁の段差によって、透過領域１１を通過する露光光の強度が低下するためである。
【００２３】
例えば、マスク上における透過領域１１の寸法が、設計値よりも２０ｎｍ大きい場合、例えば縮小倍率が１／４倍であれば、転写されるパターンの寸法は、設計値よりも５ｎｍ大きくなる。従って、転写されるパターンの寸法変化量が−５ｎｍになるように凹部を形成すればよい。図２から、凹部の必要な深さは約１２５ｎｍであることがわかる。実際に使用する露光条件及びパターン寸法について、予め、深さと寸法変化量との関係を求めておくことにより、透過領域１１の寸法と設計値とのずれ量に基づいて、必要な凹部の深さを求めることができる。
【００２４】
次に、図３を参照して、第２の実施例について説明する。上記第１の実施例では、図１（Ｄ）に示した工程で、基板１を異方性エッチングした。第２の実施例では、基板１を等方的にエッチングする。
【００２５】
図３は、第２の実施例によるマスクの断面図を示す。遮光膜２をマスクとして基板１が等方的にエッチングされるため、横方向にもエッチングが進み、凹部６ａの外周が、遮光膜２に形成された開口５の外周よりも遮光膜２側にわずかに侵入する。基板の等方的なエッチングは、例えば、弗酸を用いたウェットエッチング、またはエッチングガスとしてＣＦ４を用いたプラズマエッチングにより行うことができる。
【００２６】
第２の実施例においては、凹部６ａの段差が、遮光領域１０と透過領域１１との境界よりも遮光領域１０側に侵入した位置に配置されている。このため、第１の実施例に比べて、露光光の強度を低下させる効果が弱まる。すなわち、図２に示した凹部の深さとパターン寸法変化量との関係を示すグラフの傾きが緩やかになると考えられる。従って、第２の実施例は、微小かつ高精度に寸法を変化させたい場合に効果的である。
【００２７】
次に、図４を参照して第３の実施例による露光用マスクの製造方法について説明する。
図４（Ａ）に示すように、基板１の表面上にパターニングされた遮光膜２が形成されている。ここまでの製造工程は、第１の実施例の図１（Ａ）〜（Ｃ）までの工程と同様である。パターニングされた遮光膜２により、遮光領域１０と透過領域１１とが画定されている。第１の実施例の場合と同様に、遮光膜２のエッチングが過剰になり、透過領域１１の寸法が許容値を超えている場合について説明する。
【００２８】
図４（Ｂ）に示すように、遮光膜２をエッチングマスクとして基板１の表層部を異方性エッチングする。これにより凹部６ｂが形成される。凹部６ｂの外周は、遮光領域１０と透過領域１１との境界にほぼ一致する。
【００２９】
図４（Ｃ）に示すように、異方性エッチングに引き続いて等方性エッチングを行う。図４（Ｂ）に示した凹部６ｂの底面及び側面に露出した基板１が等方的にエッチングされ、凹部６ｃが形成される。凹部６ｃの外周は、遮光領域１０と透過領域１１との境界よりも遮光領域１０側に侵入する。この侵入の深さは、凹部６ｃの全体の深さよりも浅い。
【００３０】
図５に、図４（Ａ）〜（Ｃ）のそれぞれの状態で露光を行った時の、半導体ウエハ表面における光強度分布のシミュレーション結果の一例を示す。横軸は半導体ウエハの表面上の位置を示し、縦軸は光強度を示す。図中の細線ａは、図４（Ａ）に示したように、基板１に凹部を形成する前の状態で露光を行った時の光強度分布を示す。なお、マスク上における透過領域１１の幅は０．８μｍである。
【００３１】
破線ｂは、図４（Ｂ）に示した凹部６ｂの深さが１５０ｎｍの時の光強度分布を示す。太線ｃは、図４（Ｂ）の状態から１００ｎｍだけ等方性エッチングを行い図４（Ｃ）の凹部６ｃを形成した状態で露光を行った時の光強度分布を示す。
【００３２】
異方性エッチングにより凹部６ｂを形成すると、破線ｂで示したように、光強度が細線ａで示した光強度よりも低下する。これにより、レジスト膜の現像される閾値Ｅｔｈ以上の領域の幅が狭くなり、遮光膜２の過剰なエッチングによる透過領域１１の幅の増加を補正することができる。なお、厳密には閾値は露光量で規定されるが、露光時間が一定の条件下では光強度と露光量とが１対１に対応するため、図５に示したように光強度で閾値を規定することもできる。
【００３３】
異方性エッチング後に、さらに等方性エッチングを行うと、太線ｃで示したように、光強度が破線ｂで示した光強度よりも強くなる。これにより、閾値Ｅｔｈ以上になる領域の幅が広くなる。図４（Ｂ）に示した工程において、異方性エッチングが過剰になり、光強度が弱まり過ぎた場合に、図４（Ｃ）に示したように等方性エッチングを行うことにより、光強度を所望の強度まで回復させることができる。
【００３４】
次に、図６を参照して第４の実施例による露光用マスクの製造方法について説明する。
図６（Ａ）に示すように、基板１の表面内に、パターンが密に配置された領域１５と、疎に配置された領域１６とが存在する。基板１の表面上に形成された遮光膜２をパターニングし、密な領域１５内に開口５ａを形成し、疎な領域１６内に開口５ｂを形成する。通常、パターン密度が疎の領域１６内における遮光膜２のエッチング速度が、密な領域１５内におけるエッチング速度よりも速い。このため、密な領域１５内に形成された開口５ａの寸法が許容範囲に収まっている場合であっても、疎な領域５ｂ内に形成された開口５ｂの寸法が許容範囲の上限を超える場合もある。図６（Ａ）は、密な領域１５内の開口５ａの寸法が許容範囲内に収まり、疎な領域１６内の開口５ｂの寸法が許容範囲の上限を超えている場合を示す。
【００３５】
図６（Ｂ）に示すように、密な領域１５の表面をレジスト膜２０で覆う。疎な領域１６においては、遮光膜２が露出すると共に、開口５ｂの底面に基板１が露出する。レジスト膜２０は、レジスト材料の塗布、露光、及び現像を行うことにより形成することができる。
【００３６】
図６（Ｃ）に示すように、レジスト膜２０及び遮光膜２をマスクとして、開口５ｂの底面に露出している基板１の表層部を異方性エッチングする。これにより、開口５ｂに対応する凹部６ｄが形成される。なお、凹部６ｄの形成時に、図３に示した第３の実施例のように等方性エッチングを行ってもよいし、図４に示した第３の実施例のように、異方性エッチングと等方性エッチングとを組み合わせてもよい。
【００３７】
図６（Ｄ）に示すように、レジスト膜２０を除去する。密な領域１５においては、開口５ａの底面に凹部は形成されていない。
第４の実施例では、遮光膜２に形成された開口の寸法が許容範囲内に収まっている領域と、許容範囲の上限を超えている領域とが存在する場合に、許容範囲の上限を超えている領域内の開口のみについて、過剰エッチングの補正を行うことが可能になる。
【００３８】
次に、第５の実施例について説明する。第５の実施例によるマスクの製造工程は、図１（Ａ）〜（Ｄ）に示した第１の実施例による製造工程と同様である。上記第１〜第４の実施例は、例えば図１（Ａ）に示した遮光膜２のエッチングが過剰であった場合の補正を行う方法である。これに対し、第５の実施例では、図１（Ｂ）に示した遮光膜２のエッチング工程において、意図的に過剰のエッチングを行う。
【００３９】
遮光膜２の過剰のエッチングを行った後、図１（Ｃ）に示すようにレジスト膜３を除去し、開口５の寸法を測定する。測定結果と設計値との差を求め、その差に基づいて、図１（Ｄ）の工程で形成すべき凹部６の深さを決定する。凹部６の深さは、図２に示した凹部の深さと転写パターンの寸法変化量との関係に、開口５の寸法の設計値からのずれ量を適用することにより決定することができる。決定された深さだけ、基板１の表層部をエッチングし、凹部６を形成する。
【００４０】
上述の方法により、所望の寸法の転写パターンを形成する露光用マスクを得ることができる。また、第５の実施例では、遮光膜２のエッチングを過剰気味に行う。不足気味のエッチングを行い、エッチングの不足分を測定して追加のエッチングを行う場合には、不足気味のエッチングのプロセス安定性が悪くなる。これに対し、過剰のエッチングを行う場合には、プロセス安定性を高めることができる。このため、微細な開口（抜きパターン）を安定して形成することが可能になる。
【００４１】
図７に、上記第１〜第５の実施例による方法で作製した露光用マスク（レチクル）を用いた露光装置（ステッパ）の概略図を示す。
ウエハステージ５０の上に、感光性レジスト膜が形成されたウエハ５１が保持されている。ウエハステージ５０の上方に縮小投影レンズ５９が配置され、その上方に、露光用マスク（レチクル）５７が、マスクステージ５８により保持されている。光源５５から出射された露光光が、コンデンサレンズ５６により収束され、露光用マスク５７に入射する。露光用マスク５７を透過した露光光が、縮小投影レンズ５９により収束され、露光用マスク５７に形成されたパターンがウエハ５１の表面に投影される。これにより、露光用マスク５７に形成されたパターンが、ウエハ５１の表面上に形成されたレジスト膜に転写される。ウエハステージ５０を移動させることにより、ウエハ５１上のレジスト膜の全面が露光される。
【００４２】
レジスト膜の露光後、現像処理を行うことにより、レジストパターンを形成する。レジストパターンをマスクとして、ウエハのエッチングやイオン注入等の処理を行う。上記実施例による方法で製造した露光用マスクを用いることにより、ウエハ上における転写パターンの寸法を許容範囲内に収めることができる。
【００４３】
図７には、縮小投影露光用の露光装置を示したが、上記実施例による露光用マスクの製造方法は、近接露光に用いられるマスクにも適用することができる。
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、露光用マスクの透過領域の基板表層部に凹部を形成することにより、当該透過領域を通過した露光光の強度を弱めることができる。透過領域の寸法が許容範囲の上限を超えている場合に、凹部を形成することにより、転写対象物上における転写パターンの寸法を許容範囲内に収めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施例による露光用マスクの製造方法を説明するためのマスクの断面図である。
【図２】露光用マスクの透過領域に形成された凹部の深さと、転写対象物上における当該透過領域の転写パターンの寸法変化量との関係を示すグラフである。
【図３】第２の実施例による方法で製造した露光用マスクの断面図である。
【図４】第３の実施例による露光用マスクの製造方法を説明するためのマスクの断面図である。
【図５】露光用マスクの透過領域に凹部が形成されていない状態、異方性エッチングにより凹部を形成した状態、及びさらに等方性エッチングにより凹部を拡げた状態で露光した場合の露光光の強度分布を示すグラフである。
【図６】第４の実施例による露光用マスクの製造方法を説明するためのマスクの断面図である。
【図７】第１〜第５の実施例による方法で製造した露光用マスクを用いて露光を行う露光装置の概略図である。
【図８】従来例による露光用マスクの製造方法を説明するためのマスクの断面図である。
【符号の説明】
１  基板
２  遮光膜
３  レジスト膜
４、５、５ａ、５ｂ  開口
６、６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ  凹部
１０  遮光領域
１１  透過領域
１５  密な領域
１６  疎な領域
５０  ウエハステージ
５１  ウエハ
５５  光源
５６  コンデンサレンズ
５７  露光用マスク
５８  マスクステージ
５９  縮小投影レンズ
１００  ガラス基板
１０１  遮光膜
１０２  レジスト膜
１０３、１０４  開口
【図１】
2004219912.tif 000003
【図２】
2004219912.tif 000004
【図３】
2004219912.tif 000005
【図４】
2004219912.tif 000006
【図５】
2004219912.tif 000007
【図６】
2004219912.tif 000008
【図７】
2004219912.tif 000009
【図８】
2004219912.tif 000010