(57)【要約】【課題】環境範囲内で安定した、また、印加する電圧に影響されない表面抵抗を有する半導電性シームレスベルトを提供する。【解決手段】熱可塑性高分子と導電付与成分を含む半導電性シームレスベルトにおいて、抽出イオン濃度が３００ｐｐｍ以下であることを特徴とする半導電性シームレスベルト。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性高分子と導電付与成分を含む半導電性シームレスベルトにおいて、抽出イオン濃度が３００ｐｐｍ以下であることを特徴とする半導電性シームレスベルト。
【請求項２】
導電付与成分がカーボン化合物および／またはπ電子共役系導電性高分子であることを特徴とする請求項１の半導電性シームレスベルト。
【請求項３】
カーボン化合物がフラーレン類を含むことを特徴とする請求項２の半導電性シームレスベルト。
【請求項４】
低温低湿下での表面抵抗Ｒｓｌと、高温高湿下での表面抵抗Ｒｓｈが下記式を満足することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の半導電性シームレスベルト。
｜ｌｏｇ（Ｒｓｌ）−ｌｏｇ（Ｒｓｈ）｜≦１
【請求項５】
１０〜１０００Ｖの範囲内で、表面抵抗を測定可能な最低電圧Ｖ１における表面抵抗Ｒ１〔Ω〕、表面抵抗を測定可能な最高電圧Ｖ２における表面抵抗Ｒ２〔Ω〕が、下記式を満足することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の半導電性シームレスベルト。
｜ｌｏｇ（Ｒ１）−ｌｏｇ（Ｒ２）｜≦１
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真複写機、レーザープリンター、ファクシミリ、あるいはこれらを複合したＯＡ機器に使用される半導電性のシームレスベルトに関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子写真複写機などの画像形成装置は、温度や湿度の変化に対して、半導電性シームレスベルトの表面抵抗値が変化し、トナーなどの付着あるいは剥離の状態が変わると、印字がかすれたり、白抜けや変色が起きる問題があった。このため温度・湿度の変化に対しても、良好な印刷品位を維持するために、雰囲気の温度、湿度をモニタリングし、これを元に補正を行い、印加電圧などをコントロールしあるいはトナー濃度をコントロールして、トナーなどの帯電付着状態や剥離状態を補正するなど装置側で対応していたが、部品点数の増大、補正の複雑さ、さらにはカラー化等による実装密度の向上から、さらには高速応答性、ひいては高速印刷性の点から、半導電性シームレスベルトを改良し、上記問題を解決するため、半導電性シームレスベルトに関し、種々の提案がなされている。
【０００３】
特許文献１には、ウレタン樹脂中にポリテトラフルオロエチレン粉を分散させた上層とカーボンブラックとクロロプレンゴムの下層からなるベルトを用いた画像形成装置が記載されている。下層のゴムベルトを温湿度センサーとして利用するため、１０℃１５％ＲＨと３０℃９０％ＲＨとでの表面抵抗の変動幅を３桁以下、望ましくは２桁程度としている。
特許文献２には、有機ホウ素化合物の帯電防止剤とヒドロキシアルキルアミンとの高分子電荷移動型結合体を用い、２３℃５０％ＲＨと３０℃９０％ＲＨとの環境範囲内での表面抵抗の変動幅を望ましくは２桁以内としている。
【０００４】
特許文献３には、ｐＨ５以下のカーボンブラック（酸化カーボンブラック）をポリフェニレンサルファイドなど熱膨張係数の小さい樹脂組成物中に配合し、１０℃１５％ＲＨと３０℃８５％ＲＨとの環境範囲内での表面抵抗の変動幅を望ましくは１桁以内とする、画像形成装置としての好適な物性値が挙げられている。
特許文献４には、基体樹脂に相溶する樹脂で被覆した酸化カーボンブラックを基体樹脂に含有させ、１０℃１５％ＲＨと３０℃８５％ＲＨとでの表面抵抗の変動幅を望ましくは１桁以内とするベルトが挙げられている。
本出願人は、特開２００２−３４１６７０に導電付与成分として導電性高分子を用い、電圧依存性、湿度依存性、高圧耐久性のある熱硬化性樹脂を基体とした半導電性のシームレスベルトを提案している。
【０００５】
【特許文献１】
特開平９−３１１５６０号公報
【特許文献２】
特開２００１−４２６５９号公報
【特許文献３】
特開２００２−１４５４８号公報
【特許文献４】
特開２００２−２５８６２３号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献１では、下層が湿度依存性の大きな半導電性ゴム材料からなり、その詳細は不明であるが、クロロプレンゴムをベースとし、ゴム材料に導電性を持たせるための抵抗調整では、イオン導電材料の配合をメインとし、温度、湿度の変化による抵抗の変動を適度の範囲にするためにカーボンブラックを配合している。この半導電性ゴム材料を温湿度センサーとするため、比較的大きな温湿度依存性を示すようにしているものである。
また、特許文献２では、環境変動幅が温度（２３〜３０℃）、湿度（５０〜９０％ＲＨ）とも狭く、この範囲を超えて環境を変動させると、抵抗の変化が２桁を超えてしまい、良好な画像品位を得るのに十分な特性を持ってはいない。また、帯電防止剤がブリードあるいはブルームし、感光ドラムを汚染し、その結果高品位の画像を得ることもできないという問題がある。
【０００７】
また、特許文献３および４では、抵抗の変動幅が１桁であることは、画像形成装置にとっては望ましい値であり、酸化カーボンブラックまたは樹脂被覆酸化カーボンブラックの分散性により、抵抗を均一化することによって、電界依存性と環境に対する表面抵抗の変動が小さくなる旨の記載があるが、酸化カーボンブラックの表面は親水性が高いため、ポリフェニレンサルファイドなどの極性の低い樹脂に対しては分散性が困難で、抵抗を均一化できず、さらに熱膨張率を規定するだけでは、湿度の変化を含む環境変化では、未だ安定した、環境変動の小さいものは得られていない。
各文献にも記載されているように、表面活性が高いカーボンブラックなどの微粉を樹脂などに配合する分散系では、配合量に対する急激な抵抗の変化のあるパーコレーション領域が、所望される半導電領域にある。従って、環境範囲内での表面抵抗の変動や、パーコレーション領域での電圧依存性を、従来のカーボンブラックの連鎖による導通メカニズムだけでコントロールすることは非常に難しく、環境範囲内で安定した、また、印加する電圧に影響されない表面抵抗を得ることは、非常に困難であり、実際達成されていないというのが実情である。
【０００８】
本発明者らは、上記した問題点を解決するため、鋭意検討した結果、環境の影響による表面抵抗の変動が、ベルト中に含まれるイオンの濃度と関係することを見出し、さらには導電性付与成分の導通メカニズムについて鋭意研究を行い、本発明に到達した。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
即ち、（１）本発明の半導電性シームレスベルトは、熱可塑性高分子と導電付与成分を含む半導電性シームレスベルトにおいて、抽出イオン濃度が５００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。
（２）本発明の半導電性シームレスベルトにおいては、導電付与成分がカーボン化合物および／またはπ電子共役系導電性高分子であることが好ましい。
（３）また、本発明の半導電性シームレスベルトにおいては、カーボン化合物がフラーレン類を含む半導電性シームレスベルトであることが好ましい。
（４）また、低温低湿下での表面抵抗Ｒｓｌと、高温高湿下での表面抵抗Ｒｓｈが下記式を満足することが好ましい。
｜ｌｏｇ（Ｒｓｌ）−ｌｏｇ（Ｒｓｈ）｜≦１
（５）また、１０〜１０００Ｖの範囲内で、表面抵抗を測定可能な最低電圧Ｖ１における表面抵抗Ｒ１〔Ω〕、表面抵抗を測定可能な最高電圧Ｖ２における表面抵抗Ｒ２〔Ω〕が、下記式を満足することが好ましい。
｜ｌｏｇ（Ｒ１）−ｌｏｇ（Ｒ２）｜≦１
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の半導電性シームレスベルトは熱可塑性高分子と導電付与成分を含有する。
本発明の半導電性シームレスベルトに用いられる熱可塑性高分子としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体、ポリフッ化ビニリデン、フルオロエチレンプロピレン共重合体、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミドおよび可溶性ポリイミド樹脂などが挙げられ、単一あるいは混合あるいは複合して使用することが出来る。また、これらの混合物、変性物、共重合物なども使用できる。可溶性ポリイミドとは、イミド環の閉環処理を終えていて、溶媒に可溶なものであって、ポリアミック酸を経由せずに、ブロック共重合法により直接合成するもので、米国特許５，５０２，１４３号などに詳しく記載されている。
【００１１】
後述するπ電子共役系導電性高分子との相溶性を考慮すると、上述の熱可塑性高分子のうち、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミドおよび可溶性ポリイミド樹脂などの非晶性のものが好ましい。
これらのうち、ポリエーテルサルホンはクリープ率が低く、またポリアリレートは弾性範囲が広いので本使用には適している。また、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミドおよび可溶性ポリイミド樹脂は、機械物性もよく、比較的極性が高いため、π電子共役系導電性高分子との相溶性や相性が良く好都合である。
【００１２】
導電付与成分は導電性を付与できるものであれば、特に限定されるものではないが、カーボン化合物またはπ電子共役系導電性高分子、またはその混合物からなることが好ましい。
カーボン化合物は、カーボンブラックあるいはフラーレン類から選ばれる。カーボンブラックは、チャンネルブラック、ファーネスブラックなど製法や、粒径、吸油量、表面積、ｐＨなどが異なる種々のものがあるが、一般には、高分散性の酸化カーボンブラックや官能基等を化学修飾したグラフトカーボンブラックが用いられる。これは、分散される高分子に親和性をもたらし、表面抵抗１０８  Ω／□以上の半導電領域で安定した抵抗を得るためである。
熱可塑性高分子に配合される導電付与成分の量は、所望の表面抵抗等によって異なるが、おおよそ０．１〜３０質量％である。
【００１３】
カーボンブラックは、グラファイト構造の集合体であって、それ自体の抵抗は１０−２Ω・ｃｍ程度の固有抵抗を有するが、分散系で先の半導体領域の抵抗を示すためには、カーボンブラックのアグリゲート（凝集体）間の距離を安定的に離し、これを維持することにある。酸化カーボンブラックはその表面に酸素コンプレックス（ケトン、エーテル、カルボキシル基、水酸基）や、その他の官能基を有しており、これらはアグリゲート間の距離を安定的に離すのに有効である。
【００１４】
基本的には、酸化カーボンブラックのこのような酸素コンプレックスは水などに溶出してイオン化することはないが、酸化カーボンブラックの製法上あるいは、アグリゲートのストラクチャーの調整のため、例えば、金属塩や酸を炭化水素と共に燃焼させ、早期に不完全燃焼を起こさせる化学酸化処理が行われている。このため、カーボンブラックには、溶出するイオン成分を多く含むものがあり、Ｎａ、Ｋ、硝酸、硫酸イオンを、最大で、数千〜１００００ｐｐｍｍも含んでいるものもある。
このようなイオン成分を含むカーボンブラックを用いた、半導電性シームレスベルトは、高湿雰囲気下では、イオン伝導が支配的になり、抵抗値が低下するため、湿度が低い時と高い時とでの抵抗値差が大きくなる。
【００１５】
カーボン化合物のうち、フラーレン類としては、三次元のかご型分子で、一部の溶剤に溶解性があり、イオン性物質を含まないＣ６０、Ｃ７０やその他低次、高次フラーレンあるいはそれらに賦活処理を施し分子構造を破壊し、かごの一部が開いたものや、水素化、水酸化されたものやその他官能基を導入したものが知られている。未だ価格が高いが、固有抵抗が１０１２Ω・ｃｍと高く、パーコレーション領域での、配合部数と抵抗値の変化が穏やかで、所望の表面抵抗などを有する半導電性シームレスベルトを作製するには好都合である。
このほか、フラーレンを製造する過程で得られる、スートと称される不完全フラーレンは、全体としてはカーボンブラックのようにアモルファス状態であるが、固有抵抗が１０４  〜１０５  Ω・ｃｍと高く、有用である。
【００１６】
このカーボンブラックなどと異なり、高分子により親和性が高く、より相溶する導電性付与成分として、π電子共役系導電性高分子が挙げられる。
このπ電子共役系導電性高分子には、ピロール、チオフェン、フラン、インドールまたはこれらの誘導体があり、例えばＮ−メチルピロール、Ｎ−エチルピロール、３−メチルピロール、３−メトキシピロール、３−オクチルピロール、３−デシルピロール、３，４−ジメチルピロール、３−ヘキシルピロール、３−メチル−４−ピロールカルボン酸メチル、３−メチルチオフェン、３−メトキシチオフェン、３−ブチルチオフェン、３，４−ジメチルチオフェン、３−ドデシルチオフェン、３−チオフェン−β−エタンスルフォネート、２，３−ジハイドロチエノ（３，４−ｂ）−１，４−ジオキシン、３−メチルフラン、３−メチルインドールが挙げられ、単一あるいは複数のモノマーを共重合して用いることができるが、これらに限定されるものでない。アルキル基やアルコキシ基、あるいはその他の官能基を導入した誘導体は溶媒や熱可塑性高分子との相溶性が高まり、安定した抵抗を得るのに好ましい。
【００１７】
π電子共役系導電性高分子と熱可塑性高分子との相溶性が不足する場合は、相溶化剤を用いて構わないが、相溶化剤がπ電子共役系導電性高分子に配位するスルホン基、ニトリル基、シアノ基などを有する場合は、これら配位基のモル数が、該導電性高分子の構造単位のモル数より少なくなるようにして、全ての配位子が配位するようにして、フリーなイオン成分が生成するのを抑えることが必要である。また、該導電性高分子を重合する際に使用した、酸化触媒も、水洗・ろ過あるいは遠心分離による分離精製法や、イオン交換法により排除しておくのが好ましい。
【００１８】
半導電性シームレスベルトは、トナー等の静電付着およびリリース性から、表面抵抗が１０８  〜１０１４Ω／□と高い抵抗が要求されていることから、おおよそ１０２  〜１０１０Ω・ｃｍの固有抵抗を有し、相溶しているため濃度依存性の小さい該導電性高分子には、特にドーパントによりドープして、低抵抗化する必要はない。しかし、使用量を低減して熱可塑性高分子の機械的物性を維持する場合や、抵抗の調整のためなど、ドープを必要とする場合にはドーパントを用いることができる。
【００１９】
π電子共役系導電性高分子を用いる場合、前記したカーボン化合物の粒子間の電子の移動を補うために、カーボン化合物と併用しても構わないが、π電子共役系導電性高分子を単独で用いた場合は、環境依存性、電圧依存性がない優れた特性をしめす半導電性シームレスベルトを得ることができる。さらに、分散系における粒子の沈降や再凝集などの配合物の特性変化がないため有用である。さらには、光隠蔽性のある導電付与物質を含まないため、全光線透過率が２０％以上と高く、該シームレスベルトの作動を光学的に感知し、制御する場合には特に有用である。
【００２０】
このほか、可撓性性付与材、可塑剤、滑剤、界面活性剤、分散助剤、消泡剤、離型剤、難燃剤、着色剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤など必要に応じて任意に添加することができる。
【００２１】
本発明の半導電性シームレスベルトは、半導電性シームレスベルトの安定した抵抗を得るためには、該ベルト中に含まれる、すなわち抽出されるイオン濃度は３００ｐｐｍ以下である必要があり、１００ｐｐｍ以下が望ましい。抽出されるイオン濃度を３００ｐｐｍ以下にすることにより半導電性が電子電導に支配され、環境変化に対する抵抗値が安定化する。
【００２２】
半導電性シームレスベルトより抽出されるイオン濃度は、陽イオン、陰イオン濃度の和であり、それぞれ、原子吸光分析、イオンクロマトグラフ分析により定量できる。
イオンの抽出は、試料の作成には、該ベルトを極低温粉砕により、質量平均粒径１００μｍ以下に微粉化して試料を作成した後、試料の１００倍の質量の超純水に試料を加え、２４時間、１００℃に維持することにより行う。イオン濃度は水に溶出したイオン量を測定し、試料の質量で除することで求められる。
【００２３】
半導電性シームレスベルトより抽出されるイオン濃度を３００ｐｐｍ以下にする方法としては、用いるカーボン化合物としてイオン濃度の低いものを用いる。カーボン化合物としては、元来イオン成分を多量に含まないものがよいが、熱可塑性樹脂に添加する前に精製処理することによって除くことができる。この精製処理には常法を用いることができ、水洗・ろ過あるいは遠心分離による分離精製法や、イオン交換法により含有イオン成分を低減させたものを用いてもよい。
【００２４】
また、ドーパントを用いたπ電子共役系導電性高分子を用いる場合、ドーパントにはイオン性のものが多いので、フリーなイオン成分の生成をを抑えるために、該導電性高分子の構造単位のモル数より少なくする。少なくとも、π電子共役系導電性高分子より抽出されるイオン性不純物が１０００ｐｐｍ以下、好ましくは５００ｐｐｍ以下であるものを用いることが好ましい。
【００２５】
イオン性物質を排除した半導電性シームレスベルトは、電子伝導性が高まり、導電付与成分粒子は分散された状態にあり、導電性付与成分中を移動する電子は問題ないが、粒子間の絶縁部分を飛びぬけるためにエネルギーを必要とし、掛けられる電圧によって抵抗値が変動する、すなわち、電圧依存性が高まってくる。そのため、該導電性付与成分は、絶縁性の高分子に溶解する状態で、分子的に均質であることがよい。
【００２６】
本発明の半導電性シームレスベルトの表面抵抗は、トナーや紙等の静電付着に必要な帯電性とそれらのリリースから除電性が求められ、その兼ね合いから、表面抵抗が１０８  〜１０１４Ω／□と高い抵抗が要求されており、半導電性シームレスベルトを使用したＯＡ機器などの動作環境の広い範囲で安定な機能が必要とされている。そこで、本発明の半導電性シームレスベルトの低温低湿下での表面抵抗Ｒｓｌと、高温高湿下での表面抵抗Ｒｓｈが、｜ｌｏｇ（Ｒｓｌ）−ｌｏｇ（Ｒｓｈ）｜≦１であることが好ましく、｜ｌｏｇ（Ｒｓｌ）−ｌｏｇ（Ｒｓｈ）｜≦０．５であることがより好ましい。なお、低温低湿とは、温度が０から１５℃、湿度が５から２０％ＲＨ、常温常湿とは２０〜２５℃、３５〜６０％ＲＨ、高温高湿とは２５〜４０℃、８０〜９５％ＲＨをいうが、本発明においては、低温低湿条件として１５℃１０％ＲＨを採用し、高温高湿条件として、３５℃９０％ＲＨを採用し、常温常湿条件として２５℃５０％ＲＨを採用している。
【００２７】
また、本発明の半導電性シームレスベルトの表面抵抗は、機器の経時変化を含めた印加電圧の変動に対しても、安定していることがよく、１０〜１０００Ｖの範囲内で、表面抵抗を測定可能な最低電圧Ｖ１における表面抵抗Ｒ１〔Ω〕、表面抵抗を測定可能な最高電圧Ｖ２における表面抵抗Ｒ２〔Ω〕が、｜ｌｏｇ（Ｒ１）−ｌｏｇ（Ｒ２）｜≦１を満足することが好ましく、｜ｌｏｇ（Ｒ１）−ｌｏｇ（Ｒ２）｜≦０．５がより好ましい。この表面抵抗は、例えば、ダイアインスツルメンツ社製高抵抗率計（商品名：ハイレスタＵＰ  ＭＣＰ−ＨＴ型）で測定することができる。
【００２８】
本発明の半導電性シームレスベルトは、電子写真複写機、レーザープリンターなどのＯＡ機器内部の複数のロールに懸架され、回転して用いられるものであって、伸び、歪みあるいは破断などの変化が生じると、印刷品位に拘わる致命欠陥となるため、その引張弾性率は１００ｋｇ／ｍｍ２以上（ＪＩＳ−Ｋ７１６１）、破断強度は５ｋｇ／ｍｍ２以上（ＪＩＳ−Ｋ７１６１）、伸びは１０％以上（ＪＩＳ−Ｋ７１６１）および吸水率は１％以下であることが必要である。
【００２９】
本発明の半導電性シームレスベルトは、熱可塑性高分子と導電付与成分、あるいは更に上述の添加剤を均一に混合し、成型することにより得られる。
熱可塑性高分子と導電付与成分の混合にあたっては、熱可塑性高分子を溶媒に溶解して溶液とし、同様の溶媒に導電付与成分を溶解または分散させた溶液または分散液をこれに添加混合するのが好都合である。
これらを溶解する溶媒は、ＢＴＸ（ベンゼン、トルエン、キシレン）、アセトン、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、メチルセロソルブ、シクロヘキサノン、ブチルカルビトール、テトラヒドロフラン、アセトン、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルイミダゾリジノン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、フルフラール、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、アセトニトリル、アセトフェノン、ジメチルスルフォキシド、スルホラン、ジオキソラン、シクロペンタノンなどの単一溶剤あるいは混合溶剤として用いることが出来る。
【００３０】
半導電性シームレスベルト製法は、上記材料を混合し、連続的にチューブ状物を押し出しても構わないが、面精度、寸法精度の高い回転成型法が用いられる。回転成型法では、鉄鋼、ステンレス、アルミニウム合金等からなる円筒状金型を用い、内周面に、研磨加工、硬質クロムメッキ等の処理を施したものとすればよく、さらに各種離型剤により内周面を処理することも可能である。また、内周面に、シームレスベルトを成形する際の軸方向の寸法を整え、カット工程を省略するための、樹脂材料の流れを規制する堰を設けることもできる。金型の外周面は、回転時の横ぶれ等を防ぐための溝、突条等の加工を施すことは任意である。また、半導電性シームレスベルトを作製する際の加熱方式として、ランプヒータを使用する場合、エネルギーの吸収効率を高めるためにつや消し黒の耐熱塗装を施すことが望ましい。
【００３１】
前記した材料の金型への溶剤溶液の注入は、回転する金型の軸方向に移動可能な送り装置の上に設置された定量吐出装置により行うことができる。
注入後、２００〜１００００ｒｐｍで回転させ、８０〜１５０℃で５〜６０分加熱し、冷却すると、硬化収縮及び金型との線膨張係数の差により乾固した樹脂層が剥離するので、これを取り出し本発明の半導電性シームレスベルトを得ることができる。
求められる該シームレスベルトの大きさはおよそ１００μｍの厚さで、外径２００〜３００ｍｍφで、長さは２５０〜３５０ｍｍ程である。
【００３２】
本発明は、半導電性シームレスベルトの構成を制限するものでなく、トナーの剥離などのために、ベルト表面の粗さをサンドブラストや金型内面の転写により、あるいは化学的にエッチングするなども任意であり、フッ素やシリコーン変性物を附形物にコートあるいは、金型内で予め薄膜を形成することも可能である。
帯電した電荷の減衰をコントロールするため、複数の抵抗を持つ層で構成することも可能である。この場合各層は十分な接着をしていなければならいため、同種の樹脂で、導電性ポリマーの含有量を変えることが好ましい。
外層をキャスティングした後、同種の樹脂溶媒溶液を加えると先の層が溶融し、混合されてしまうような場合は、外層の成分にエポキシなどの硬化成分をＩＰＮ化することによって、擬似的に不溶状態にすることで外装と内装の混合を防止することができる。添加される成分は、導電性高分子等を凝集あるいは偏析させないことを予め確認することは言うまでもない。
【００３３】
【実施例】
以下に実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
（評価）
抵抗値：ダイアインスツルメンツ社製高抵抗率計ハイレスタＵＰを用いて測定した。
電圧依存性：１００、５００、１０００Ｖの測定電圧で表面抵抗を測定した。
（測定環境：２５℃、５０％ＲＨ）
環境依存性：試料をそれぞれ１５℃１０％ＲＨと３５℃９０％ＲＨに４時間放置後、その雰囲気下で測定電圧５００Ｖにて表面抵抗を測定した。
常温常湿下での表面抵抗Ｒｓｎは、２５℃５０％ＲＨで測定した。
陽イオン濃度：原子吸光分析により測定した。
陰イオン濃度：イオンクロマトグラフ分析により測定した。
【００３４】
（実施例１）
ポリエーテルサルフォン樹脂２０ｇをｎ−メチルピロリドン８０ｇに溶解し、樹脂溶液を得た。
別途、カーボンブラック（デグサ製  カラーブラックＦＷ２）を純水に混合したスラリーをイオン交換体に通し、陽イオンと陰イオンを除去し、乾燥させた。
このカーボンブラック７．３ｇにつき、超純水による洗浄ろ過を３回繰り返し、ビーズミルにて、６時間処理し分散液を調製した。
分散液３５ｇを直ちに１３００ｒｐｍで回転している、１４０℃の鋼管（内面クロムめっき）に注ぎ、そのまま回転させながら２０分間放置して溶剤を揮発させた。その後、鋼管ごと２５０℃の乾燥機で３時間加熱した後、鋼管を常温まで冷却し、厚さ約０．１３ｍｍのシームレスベルトを得た。このシームレスベルトの表面抵抗の環境依存性と電圧依存性を測定した後、このベルトを極低温粉砕により、質量平均粒径    以下に微粉化し、１００倍量の超純水にこれを加え、１００℃で２４時間、１００℃に維持することによりイオン成分の溶出を行い、イオン濃度を測定した。その結果を表１に示す。
【００３５】
（実施例２）
ポリアミドイミド樹脂１５ｇをジメチルアセトアミド８５ｇに溶解し、樹脂溶液を得た。
別途、ピロール１モルと塩化第二鉄３モルと、相溶化剤としてポリビニルスルホン酸とウレタンアクリレートの共重合体（モル比２：１）のビニルスルホン酸の構造単位が０．６モルになるように加え、反応させてπ電子共役系導電性高分子水溶液を得た。このπ電子共役系導電性高分子水溶液をイオン交換体に通し、陽イオンと陰イオンを除去した。さらにジメチルアセトアミドで溶剤置換し、π電子共役系導電性高分子のジメチルアセトアミド溶液を調製した（固形分濃度１０質量％）。導電性高分子溶液１．５ｇと不完全フラーレン（フロンティアカーボン製  フロンティアブラック）１．３５ｇを混合し、これを先の樹脂溶液１００ｇに加え混合した。その後実施例１と同様に処理し、シームレスベルトを作成し、環境依存性と電圧依存性を測定したのち、実施例１と同様にして試料を微粉化し、超純水でイオン成分の溶出を行い、イオン濃度を測定した。その結果を表１に示す。
【００３６】
（実施例３）
実施例２で用いたと同様のπ電子共役系導電性高分子のジメチルアセトアミド溶液（固形分濃度１０重量％）を４．６ｇ加え、不完全フラーレンを加えなかった以外は、実施例２と同様にしてシームレスベルトを作成し、環境依存性と電圧依存性、イオン濃度を測定した。その結果を表１に示す。
【００３７】
（比較例１）
カーボンスラリーから陽イオンと陰イオンを除去しなかったこと以外は実施例１と同様にしてシームレスベルトを作成し、環境依存性と電圧依存性、イオン濃度を測定した。その結果を表１に示す。
【００３８】
（比較例２）
π電子共役系導電性高分子水溶液から陽イオンと陰イオンを除去しなかったこと以外は実施例３と同様にしてシームレスベルトを作成し、環境依存性と電圧依存性、イオン濃度を測定した。その結果を表１に示す。
【００３９】
【表１】
2004325780.tif 000002
【００４０】
表１において、
ＰＥＳ：ポリエーテルサルフォン
ＰＡＩ：ポリアミドイミド
ＣＢ：カーボンブラック
を示す。
【００４１】
表１から、抽出イオン濃度の高い比較例１、２では｜ｌｏｇ（Ｒｓｌ）−ｌｏｇ（Ｒｓｈ）｜の値が１を超えており、環境変化に対する表面抵抗の変動が大きいのに対し、本発明のシームレスベルトは上記値が１よりはるかに小さく、環境変化に対する表面抵抗の変動が小さいことがわかる。
【００４２】
【発明の効果】
本発明の半導電性シームレスベルトは、環境範囲内で安定した、また、印加する電圧に影響されない表面抵抗を有するという優れた効果を示すものである。