(57)【要約】【課題】高いＳＮＲｍ及び優れた熱ゆらぎ耐性を有する垂直記録媒体を得る。【解決手段】Ｃｏと、Ｐｔと、Ｃｒと、Ｍｏ及びＷのうち少なくとも１つの添加成分とを含有し、２８０〜４５０℃の成膜温度で形成され、結晶粒界に隔てられた複数の磁性結晶粒子を含む構造を有し、添加成分とクロムとが結晶粒界中に偏析された垂直磁性層をもつ垂直磁気記録媒体。【選択図】    図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に、コバルトと、プラチナと、モリブデン及びタングステンのうち少なくとも１つの添加成分とを含有する磁性層形成材料を使用し、２８０℃ないし４５０℃の成膜温度で成膜を行い、結晶粒界に隔てられた複数の磁性結晶粒子を含む構造を有し、該添加成分が該結晶粒界中に偏析された垂直磁性層を形成する工程を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記成膜温度は、３００℃ないし４００℃であることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記垂直磁性層形成工程の前に、少なくとも一層の六方最密充填構造を有する下地層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記下地層形成工程は、ニッケル、ニオブ、タンタル、アルミニウム、タングステン、コバルト、炭素及びチタンからなる群から選択される少なくとも１種を含む第２の下地膜を形成する工程と、該第２の下地膜上に、チタン、ルテニウム、クロム、ハフニウム、コバルト、白金、ホウ素、銅、タンタル、モリブデン及びタングステンからなる群から選択される少なくとも１種を含む第１の下地膜を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項３に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記下地層形成工程の前に、軟磁性裏打ち層を形成する工程をさらに含む請求項３または４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記垂直磁性膜形成工程と前記下地層形成工程の間に、コバルト−クロム系垂直磁性層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項３ないし５のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
非磁性基板、及び
該非磁性基板上に形成され、コバルトと、プラチナと、モリブデン及びタングステンのうち少なくとも１つの添加成分とを含有し、２８０℃ないし４５０℃の成膜温度で形成され、結晶粒界に隔てられた複数の磁性結晶粒子を含む構造を有し、該添加成分が該結晶粒界中に偏析された垂直磁性層を具備することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項８】
前記垂直磁気記録層にクロムを含み、その含有量が５ａｔ％ないし２０ａｔ％であることを特徴とする請求項７に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項９】
前記モリブデンの含有量は５ａｔ％ないし２０ａｔ％であることを特徴とする請求項７または８に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記タングステンの含有量は５ａｔ％ないし１５ａｔ％であることを特徴とする請求項７ないし９のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１１】
前記成膜温度は、３００℃ないし４００℃である請求項７ないし１０のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１２】
前記非磁性基板と前記垂直磁性層との間に、少なくとも一層の六方最密充填構造を有する下地層がさらに設けられていることを特徴とする請求項７ないし１１のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１３】
前記下地層は、コバルト、クロム、プラチナのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１４】
前記下地層は、ホウ素、タンタル、ルテニウム及び酸素のうち少なくとも１つをさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１５】
前記下地層は、チタン、ルテニウム、クロム、ハフニウム、コバルト、白金、ホウ素、銅、タンタル、モリブデン及びタングステンからなる群から選択される少なくとも１種を含む第１の下地膜と、該第１の下地膜の非磁性基板側に形成され、ニッケル、ニオブ、タンタル、アルミニウム、タングステン、コバルト、炭素及びチタンからなる群から選択される少なくとも１種を含む第２の下地膜とを有することを特徴とする請求項１２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１６】
前記第２の下地膜は、ＮｉＮｂ、ＮｉＴａ、ＮｉＡｌ、ＮｉＷ、ＮｉＴａＷ、及びＮｉＴａＣからなる群から選択される少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１５に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１７】
前記下地層と垂直磁性膜の間に、少なくとも一層のコバルト−クロム系垂直磁性層をさらに含むことを特徴とする請求項７ないし１６のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１８】
前記下地層と前記非磁性基板との間に、軟磁性裏打ち層をさらに含む請求項７ないし１７のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１９】
請求項７ないし１８のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体と、該垂直磁気記録媒体を支持および回転駆動する機構と、該垂直磁気記録媒体に対して情報の記録を行うための素子及び記録された情報の再生を行うための素子を有する磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを該垂直磁気記録媒体に対して移動自在に支持したキャリッジアッセンブリとを具備することを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項２０】
前記磁気ヘッドは、単磁極ヘッドである請求項１９に記載の磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハードディスク装置として使用される磁気記録再生装置、特に、垂直方向磁化を利用する磁気記録再生装置、これに用いられる垂直磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
垂直磁気記録媒体に使用される代表的な磁性層の１つとして例えばＣｏＣｒ系磁性層があげられる。ＣｏＣｒ系磁性層は、Ｃｏに例えば２０ａｔ％より多いＣｒを添加して、Ｃｏ系磁性結晶粒子の周りに非磁性のＣｒを偏析させることによって、磁性結晶粒子間の磁気的相互作用を分断し、高密度の磁気記録を実現している。近年、垂直磁気記録媒体には、記録密度のさらなる向上が要求されている。しかしながら、媒体ＳＮ比（ＳＮＲｍ）を向上させるために垂直磁性層の磁性結晶粒子を小さくすると、熱揺らぎが発生しやすくなり、記録した情報が消える傾向があることが問題となっていた。
【０００３】
このようなことから、Ｃｏ系垂直磁性層に、様々な元素を添加することで熱ゆらぎ耐性を保ちつつ、記録再生特性を改善させる検討がされてきた。
【０００４】
例えばＣｏを主成分とし、これにＣｒ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｖ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｂ、Ｉｒ、Ｗ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｎｉおよび希土類元素の中から選ばれる少なくとも１種類の元素を添加することが提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００５】
しかしながら、ＳＮＲｍ向上と熱揺らぎ防止とを両立することは困難であった。
【０００６】
また、面内磁性層として、下地層にＣｒを使用し、その上に、ＣｏＣｒに、Ｔａ、Ｍｏ、及びＷを添加した磁性層を形成した媒体が開示されている（例えば特許文献２参照）。
【０００７】
しかしながら、この面内磁性層を垂直磁気記録媒体に適用しても、ＭｏやＷが結晶配向性を乱し、垂直磁気異方性が著しく悪化することから、ＳＮＲｍも熱揺らぎ防止特性も改善されなかった。このように、面内磁気記録媒体と垂直磁気記録媒体では、下地層から磁性層の組成、磁気異方性の方向、磁気ヘッドの違いによる軟磁性裏打ち膜の有無など、多くの点で異なっている。よって、面内磁気記録媒体に使用される磁性層を単純に垂直磁気記録媒体に応用しても、良好な効果を得ることはできない。
【０００８】
【特許文献１】
特開平１１−１８５２３６号
【０００９】
【特許文献２】
特開昭６３−１４８４１１号
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の第１の目的は、高いＳＮＲｍ及び優れた熱ゆらぎ耐性を有する垂直記録媒体の製造方法を提供することにある。
【００１１】
本発明の第２の目的は、高いＳＮＲｍ及び優れた熱ゆらぎ耐性を有する垂直記録媒体を提供することにある。
【００１２】
本発明の第３の目的は、熱揺らぎの発生が抑制され、かつ高いＳＮＲｍで磁気記録再生が可能な磁気記録再生装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基板上に、コバルトと、プラチナと、モリブデン及びタングステンのうち少なくとも１つの添加成分とを含有する磁性層形成材料を使用し、２８０℃ないし４５０℃の成膜温度で成膜を行い、結晶粒界に隔てられた複数の磁性結晶粒子を含む構造を有し、該添加成分が該結晶粒界中に偏析された垂直磁性層を形成する工程を含むことを特徴とする。
【００１４】
本発明の垂直磁気記録媒体は、非磁性基板、及び
該非磁性基板上に形成され、Ｃｏと、Ｐｔと、Ｍｏ及びＷのうち少なくとも１つの添加成分とを含有し、２８０℃ないし４５０℃の成膜温度で形成され、結晶粒界に隔てられた複数の磁性結晶粒子を含む構造を有し、該添加成分が該結晶粒界中に偏析された垂直磁性層を具備することを特徴とする。
【００１５】
本発明の磁気記録再生装置は、上述の垂直磁気記録媒体と、該垂直磁気記録媒体を支持および回転駆動する機構と、該垂直磁気記録媒体に対して情報の記録を行うための素子及び記録された情報の再生を行うための素子を有する磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを該垂直磁気記録媒体に対して移動自在に支持したキャリッジアッセンブリとを具備することを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基板上に垂直磁性層を形成する工程を含み、この垂直磁性層形成工程では、Ｃｏと、Ｐｔと、Ｍｏ及びＷのうち少なくとも１つの添加成分とを含有する磁性層形成材料を使用し、２８０℃ないし４５０℃の成膜温度で成膜を行い、結晶粒界に隔てられた複数の磁性結晶粒子を含む構造を有し、該添加成分が該結晶粒界中に偏析された垂直磁性層を形成する。
【００１７】
また、本発明の垂直磁気記録媒体は、上記方法を用いて製造されるもので、非磁性基板及び非磁性基板上に形成された垂直磁性層を含む垂直磁気記録媒体であって、
垂直磁性層は、Ｃｏ、及びＰｔと、さらなる添加成分として少なくともＭｏ及びＷのいずれかとを含み、２８０℃ないし４５０℃の成膜温度で形成され、結晶粒界に隔てられた複数の磁性結晶粒子を含む構造を有し、この結晶粒界中に、この添加成分が偏析されている。
【００１８】
本発明によれば、Ｍｏ及びＷが結晶粒界に十分拡散して偏析し、磁性結晶粒子間の磁気的分断の効果を高め、高いＳＮＲｍ及び優れた熱ゆらぎ耐性が得られる。
【００１９】
本発明に用いられる垂直磁性層には、さらにＣｒを添加することができる。
【００２０】
Ｍｏ、Ｗ及びＣｒのうち、磁性結晶粒子間の磁気的分断の効果は、Ｗが最も高く、次いでＭｏ、Ｃｒの順に低くなる。これは、Ｗの格子定数が最も大きく、次いでＭｏ、Ｃｒの順に低くなること、及びＣｏ−Ｃｒは磁性結晶粒子内でも偏析した結晶粒界でも同じ六方最密充填構造をとるのに対し、Ｃｏ−ＭｏやＣｏ−Ｗは偏析後の結晶粒界で磁性結晶粒子内と異なる構造例えばＣｓＣｌ型構造等を示すことによる。
【００２１】
しかし、Ｍｏ及びＷは、拡散速度（偏析速度）がＣｒに比べて遅く、この速度は、Ｍｏ及びＷの順で低くなる。よって、Ｍｏ及びＷは結晶粒界への拡散が起こりにくい。これは、Ｍｏの融点は約２７００℃、及びＷの融点は約３５００℃であって、Ｃｒの融点約１７００℃に比べて、高いためである。さらに、Ｍｏ及びＷは、Ｃｏ系磁性結晶粒子内に残った場合、Ｃｏに比べ格子定数が大きいために、その結晶配向性や磁気異方性を大きく乱す傾向がある。
【００２２】
このように、ＭｏとＷは、高い磁気的分断が期待されているにも関わらず、実用的には弊害を生ずる場合が多い。
【００２３】
なお、Ｐｔを用いると、垂直磁性層の結晶格子間隔を広げて、ＭｏやＷが引き起こす結晶配向性の乱れを軽減し、それらの偏析を良好にする傾向がある。
【００２４】
このようなことから、本発明らは、ＭｏやＷをより結晶粒界に偏析させるべく、記録層にＰｔを添加し、高耐熱性を有する基板を用いて充分高温まで、成膜温度を変化させて垂直磁性層の形成を行うことを試みた。
【００２５】
図１に、Ｃｏ−１６ａｔ％Ｐｔ−１４ａｔ％Ｃｒ−ｘａｔ％Ｍｏ垂直磁性層に関する成膜温度とＳＮＲｍとの関係を表すグラフ図を示す。
【００２６】
曲線１０１はｘが０のとき、曲線１０２はｘが５のとき、曲線１０３はｘが１０のときを各々示す。
【００２７】
曲線１０１に示すように、ＣｏＰｔ系磁性材料にＣｒを偏析成分として添加した場合には、比較的偏析速度が早いので約２５０℃付近で最適なＳＮＲｍが得られる。これに対し、曲線１０２及び曲線１０３に示すように、Ｃｒ及びＭｏを含む垂直磁性層を有する垂直磁気記録媒体では、Ｃｒに起因する２５０℃付近の極値の他に、Ｍｏに起因する約３５０℃付近の極値が現れる。これは、ＭｏがＣｒより偏析速度が遅く、また高い融点を持つことが原因であると考えられる。曲線１０２及び曲線１０３から、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、及びＭｏを含有し、Ｗを含まない垂直磁性層を使用した場合には、２８０℃ないし４５０℃、好ましくは２９０ないし４２０℃でより良好、さらに好ましくは３２０ないし３８０℃で良好なＳＮＲｍ値が得られることがわかる。また、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値を測定したところ、２９０ないし４２０℃の範囲で作成された媒体については、−０．１０〜−０．１５ｄＢ／ｄｅｃａｄｅであり、良好な熱ゆらぎ耐性を維持していることが分かった。
【００２８】
また、図２に、Ｃｏ−１６ａｔ％Ｐｔ−１４ａｔ％Ｃｒ−ｙａｔ％Ｗ垂直磁性層に関する成膜温度とＳＮＲｍとの関係を表すグラフ図を示す。
【００２９】
曲線２０１はｙが０のとき、曲線２０２はｙが５のとき、曲線２０３はｙが１０のときを各々示す。
【００３０】
曲線２０１に示すように、ＣｏＰｔ系磁性材料にＣｒを偏析成分として添加した場合には、比較的偏析速度が早いので約２５０℃付近で最適なＳＮＲｍが得られる。これに対し、曲線２０２及び曲線２０３に示すように、Ｃｒ及びＷを含む垂直磁性層を有する垂直磁気記録媒体では、図１と同様に、Ｃｒに起因する２５０℃付近の極値の他に、Ｗに起因する約３７５℃の極値も現れる。曲線２０２及び曲線２０３から、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、及びＷを含有し、Ｍｏを含まない垂直磁性層を使用した場合には、２８０℃ないし４５０℃、好ましくは３００ないし４２５℃、さらに好ましくは３２０ないし４１０℃で良好なＳＮＲｍ値が得られることがわかる。また、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値を測定したところ、３００ないし４２５℃の範囲で作成された媒体については、−０．１１〜−０．１６ｄＢ／ｄｅｃａｄｅであり、良好な熱ゆらぎ耐性を維持していることが分かった。
【００３１】
また、図３に、Ｃｏ−１６ａｔ％Ｐｔ−１４ａｔ％Ｃｒ−ｘａｔ％Ｍｏ−ｙａｔ％Ｗ垂直磁性層に関する成膜温度とＳＮＲｍとの関係を表すグラフ図を示す。
【００３２】
曲線３０１はｘ及びｙが０のとき、曲線３０２はｘ及びｙが５のとき、曲線３０３はｘ及びｙが１０のときを各々示す。
【００３３】
曲線３０１に示すように、ＣｏＰｔ系磁性材料にＣｒを偏析成分として添加した場合には、比較的偏析速度が早いので約２５０℃付近で最適なＳＮＲｍが得られる。これに対し、曲線３０２及び曲線３０３に示すように、図１と同様に、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｍｏ、及びＷを含む垂直磁性層を有する垂直磁気記録媒体では、Ｃｒに起因する２５０℃付近の極値の他に、Ｗに起因する約３５０℃に極値が現れ、２８０℃ないし４８０℃、好ましくは３００ないし４６０℃、さらに好ましくは３２０ないし４２０℃で良好なＳＮＲｍ値が得られることがわかる。また、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値を測定したところ、３００ないし４６０℃の範囲で作成された媒体については、−０．０９〜−０．１６ｄＢ／ｄｅｃａｄｅであり、良好な熱ゆらぎ耐性を維持していることが分かった。
【００３４】
図１ないし図３に共通して良好なＳＮＲｍ値が得られる成膜温度範囲から、Ｃｏ、Ｐｔ、及びＣｒと、さらなる添加成分として少なくともＭｏ及びＷのいずれかとを含有する垂直磁性層を含む垂直磁気記録媒体の成膜温度は、２８０℃ないし４５０℃、好ましくは３００ないし４００℃、さらに好ましくは３２０ないし３８０℃である。
【００３５】
本願発明によれば、上述のような高い成膜温度で垂直磁性層を形成することにより、Ｍｏ及びＷが結晶粒界に十分拡散して偏析し、磁性結晶粒子間の磁気的分断の効果を高め、高いＳＮＲｍ及び優れた熱ゆらぎ耐性が得られる。
【００３６】
また、発明者らは、結晶配向性の乱れを低減し、六方最密充填構造を有する磁性結晶粒子を得るべくＭｏ及びＷの好適な添加量を調べた。
【００３７】
図４に、ＣｏＰｔＣｒＭｏ系垂直磁性層に関するＣｒ含有量とＳＮＲｍとの関係を表すグラフ図を示す。
【００３８】
曲線４０１は、ＣｏＰｔＣｒＭｏ系垂直磁性層のＰｔ含有量を１６ａｔ％、Ｍｏ含有量を５ａｔ％とし、Ｃｒを変化させて、残部をＣｏとした場合、曲線４０２は、Ｐｔ含有量を１６ａｔ％、Ｍｏ含有量を１０ａｔ％とし、Ｃｒを変化させて、残部をＣｏとした場合、及び曲線４０３は、Ｐｔ含有量を１６ａｔ％、Ｍｏ含有量を１５ａｔ％とし、Ｃｒを変化させて、残部をＣｏとした場合を各々示す。
【００３９】
曲線４０１、４０２、及び４０３に示すように、Ｃｒ含有量が好ましくは５ａｔ％ないし２０ａｔ％であるとき、良好なＳＮＲｍ値が得られることがわかる。また、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値を測定したところ、５ないし２０ａｔ％の範囲で作成された媒体については、−０．１２〜−０．１５ｄＢ／ｄｅｃａｄｅであり、良好な熱ゆらぎ耐性を維持していることが分かった。
【００４０】
図５に、ＣｏＰｔＣｒＭｏ系垂直磁性層に関するＭｏ含有量とＳＮＲｍとの関係を表すグラフ図を示す。
【００４１】
曲線５０１は、ＣｏＰｔＣｒＭｏ系垂直磁性層のＰｔ含有量を１６ａｔ％、Ｃｒ含有量を５ａｔ％とし、Ｍｏを変化させて、残部をＣｏとした場合、曲線５０２は、Ｐｔ含有量を１６ａｔ％、Ｃｒ含有量を１０ａｔ％とし、Ｍｏを変化させて、残部をＣｏとした場合、及び曲線５０３は、Ｐｔ含有量を１６ａｔ％、Ｃｒ含有量を１５ａｔ％とし、Ｍｏを変化させて、残部をＣｏとした場合を各々示す。
【００４２】
曲線５０１、５０２、及び５０３に示すように、Ｍｏ含有量が好ましくは５ａｔ％ないし２０ａｔ％であるとき、良好なＳＮＲｍ値が得られることがわかる。また、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値を測定したところ、５ないし２０ａｔ％の範囲で作成された媒体については、−０．１２〜−０．１４ｄＢ／ｄｅｃａｄｅであり、良好な熱ゆらぎ耐性を維持していることが分かった。
【００４３】
図６に、ＣｏＰｔＣｒＭｏＷ系垂直磁性層に関するＭｏ含有量とＳＮＲｍとの関係を表すグラフ図を示す。
【００４４】
曲線６０１は、ＣｏＰｔＣｒＭｏＷ系垂直磁性層のＰｔ含有量を１６ａｔ％、Ｃｒ含有量を１４ａｔ％とし、Ｍｏを５ａｔ％とし、Ｗを変化させて、残部をＣｏとした場合を示す。
【００４５】
曲線６０１に示すように、Ｗ含有量が５ａｔ％ないし１５ａｔ％であるとき、良好なＳＮＲｍ値が得られることがわかる。また、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値を測定したところ、５ないし１５ａｔ％の範囲で作成された媒体については、−０．１３〜−０．１６ｄＢ／ｄｅｃａｄｅであり、良好な熱ゆらぎ耐性を維持していることが分かった。
【００４６】
また、本発明に用いられる垂直磁性層中のＰｔ含有量は、５ａｔ％ないし２５ａｔ％、Ｃｏの含有量は、５０ａｔ％ないし８０ａｔ％が好ましい。これらの組成量は垂直磁性膜中のＣｏ系磁性結晶粒子が六方最密充填（ＨＣＰ）構造を持つ範囲を表す。
【００４７】
本発明に用いられる成膜温度で垂直磁性層を形成するためには、従来の低い耐熱温度例えば２５０℃程度を持つアルミノケイ酸ガラス、化学強化ガラスおよびＮｉＰメッキＡｌＭｇ基板を用いることは出来ない。本発明には、より高い耐熱温度を有する非磁性基板例えば結晶化ガラス基板、Ｓｉ基板、Ｃ基板、及びＴｉ基板等を好適に使用することができる。
【００４８】
図７に、本発明の垂直磁気記録媒体の一例の構成を表す断面図を示す。
【００４９】
図示するように、この垂直磁気記録媒体１０は、非磁性基板１と垂直磁性層２を有する。
【００５０】
図８は、本発明の垂直磁気記録媒体の他の一例の構成を表す断面図を示す。
【００５１】
図示するように、この垂直磁気記録媒体２０は、非磁性基板１と垂直磁性層２の間に下地層３をさらに設けること以外は、図７に示す垂直磁気記録媒体と同様の構成を有する。
【００５２】
このような下地層の材料として、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｍｏ及びＷからなる群から選択される少なくとも１種、好ましくはＴｉ、Ｒｕ、ＲｕＣｒ、Ｈｆ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＲｕ、ＣｏＣｒＰｔＣｕ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＭｏ及びＣｏＣｒＰｔＷがあげられる。さらに好ましい下地層は、Ｃｏ、Ｃｒ、及びＰｔのうち少なくとも１つを含む。さらにまた好ましくは、Ｃｏ、Ｃｒ、及びＰｔのうち少なくとも１つと、Ｂ、Ｔａ、Ｒｕ及びＯのうち少なくとも１つとを含む。
【００５３】
本発明では、ＭｏやＷを添加することで、垂直磁性膜の配向が乱れやすくなるため、垂直磁性膜の下に少なくとも一層のＨＣＰ構造を持つ非磁性の下地膜を形成することが望ましい。
【００５４】
図９は、本発明の垂直磁気記録媒体のさらに他の一例の構成を表す断面図を示す。
【００５５】
図示するように、この垂直磁気記録媒体３０は、下地層４が第１の下地膜５及び第２の下地膜６からなる二層構造をもつこと以外は、図７に示す垂直磁気記録媒体と同様の構成を有する。
【００５６】
図示するように、第１の下地膜５には、図８の下地層３の材料と同様の材料を適用し得る。その非磁性基板側にさらに他の下地膜として第２の下地膜６を含み得る。
【００５７】
この第２の下地膜の材料としては、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌ、Ｗ、Ｃｏ、Ｃ及びＴｉからなる群から選択される少なくとも１種、好ましくはＮｉＮｂ、ＮｉＴａ、ＮｉＡｌ、ＮｉＷ、ＮｉＴａＷ、ＣｏＮｂ、ＣｏＷ、ＣｏＴａ、ＮｉＴａＣ、ＣｏＴａＷ、ＣｏＴａＣ、ＣｏＴａＷ、及びＴｉを使用することができる。
【００５８】
さらに好ましくは、ＮｉＮｂ、ＮｉＴａ、ＮｉＡｌ、ＮｉＷ、ＮｉＴａＷ、及びＮｉＴａＣ等のＮｉ化合物を使用することが出来る。このようなＮｉ化合物を用いると、薄い膜厚で高い配向制御性を得られることと、該下地膜上に形成した膜の粒子が、適度な粒径を持つという利点がある。
【００５９】
図１０は、本発明の垂直磁気記録媒体のさらにまた他の一例の構成を表す断面図を示す。
【００６０】
図示するように、この垂直磁気記録媒体４０は、下地層４と非磁性基板１との間に軟磁性裏打ち層７をさらに設けること以外は、図９に示す垂直磁気記録媒体と同様の構成を有する。
【００６１】
また、軟磁性裏打ち層７と非磁性基板１との間には、図示しない硬磁性層を設けることが出来る。垂直磁気記録媒体の作成工程において、例えば非磁性基板上に、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＺｒＮｂを順に作成後、硬磁性層に対し、半径方向の一方向に磁界を印加することにより、軟磁性層にバイアス磁界をかけて磁壁の発生を防ぐことができる。
【００６２】
さらに、硬磁性層と非磁性基板１との間、例えばＣｒ、ＶおよびＮｉＡｌ等の下地層を設けることができる。
【００６３】
軟磁性裏打ち層の材料としては、例えばＣｏＺｒＮｂ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＳｉ合金、ＦｅＡｌ合金、パーマロイなどのＦｅＮｉ合金、パーメンジュールなどのＦｅＣｏ系合金、パーミンバーなどのＦｅＣｏＮｉ合金、ＮｉＣｏ合金、センダスト、ＭｎＺｎ系フェライト、ＮｉＺｎ系フェライト、ＭｇＺｎ系フェライト、ＭｇＭｎ系フェライト、ＦｅＡｌＧａ、ＦｅＣｕＮｂＳｉＢ、ＦｅＧａＧｅ、ＦｅＧｅＳｉ、ＦｅＮｉＰｂ、ＦｅＲｕＧａＳｉ、ＦｅＳｉＢ、ＦｅＳｉＣ、ＦｅＺｒＢ、ＦｅＺｒＢＣｕ、ＣｏＦｅＳｉＢ、ＣｏＴｉ、及びＣｏＺｒＴａ等の高透磁率を有する軟磁性材料があげられる。
【００６４】
高透磁率な軟磁性層を設けることにより、軟磁性層上に垂直磁性膜を有するいわゆる垂直二層媒体が構成される。この垂直二層媒体において、軟磁性層は、垂直磁性膜を磁化するための磁気ヘッドからの記録磁界を、水平方向に通して、磁気ヘッド側へ還流させるという磁気ヘッドの機能の一部を担っており、記録再生効率を向上させる役目を果たし得る。
【００６５】
また、硬磁性層としては、例えばＣｏＳｍ、ＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢおよびＣｏＣｒＰｔＣｕ等があげられる。
【００６６】
図１１は、本発明の垂直磁気記録媒体のさらに他の例の構成を表す断面図を示す。
【００６７】
図示するように、この垂直磁気記録媒体５０は、下地層３と垂直磁磁性層２との間に他の垂直磁性層８をさらに設けること以外は、図７に示す垂直磁気記録媒体と同様の構成を有する。
【００６８】
他の垂直磁性膜としては、例えばＣｏＰｔ、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＯ、ＣｏＰｔＯ、ＣｏＰｔＣｒＯ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＷ、ＣｏＣｒＰｔＭｏ、ＣｏＣｒＰｔＣｕ、ＣｏＣｒＰｔＲｕ、ＣｏＣｒＰｔＷＣ、ＣｏＣｒＰｔＲｕＣ、ＣｏＣｒＰｔＣｕＢ、ＣｏＣｒＰｔＷＢ、ＣｏＣｒＰｔＴａＣｕ、ＣｏＣｒＰｔＴａＷ、ＣｏＰｔ−ＳｉＯ２、及びＣｏＰｔＳｉＯを使用することができる。
【００６９】
なお、上記図７ないし図１１に示される垂直磁気記録媒体に使用されている各層は、互いに適宜組み合わせることが可能である。
【００７０】
本発明に使用される垂直磁性層表面上には、例えばＣ等の保護層を設けることができる。
【００７１】
さらに、本発明に使用される垂直磁性層表面あるいは保護層表面には、例えばディップ法等を用いて、パーフルオロポリエーテル等を塗布することにより、潤滑層を形成することができる。
【００７２】
図１２に、本発明にかかる磁気記録再生装置の一例を一部分解した斜視図を示す。
【００７３】
本発明に係る情報を記録するための剛構成の磁気ディスク１２１はスピンドル１２２に装着されており、図示しないスピンドルモータによって一定回転数で回転駆動される。磁気ディスク１２１にアクセスして情報の記録を行う例えば単磁極型記録ヘッド及び情報の再生を行うためのＭＲヘッドを搭載したスライダー１２３は、薄板状の板ばねからなるサスペンション１２４の先端に取付けられている。サスペンション１２４は図示しない駆動コイルを保持するボビン部等を有するアーム１２５の一端側に接続されている。
【００７４】
アーム１２５の他端側には、リニアモータの一種であるボイスコイルモータ１２６が設けられている。ボイスコイルモータ１２６は、アーム１２５のボビン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、それを挟み込むように対向して配置された永久磁石および対向ヨークにより構成される磁気回路とから構成されている。
【００７５】
アーム１２５は、固定軸１２７の上下２カ所に設けられた図示しないボールベアリングによって保持され、ボイスコイルモータ１２６によって回転揺動駆動される。すなわち、磁気ディスク１２１上におけるスライダー１２３の位置は、ボイスコイルモータ１２６によって制御される。なお、図１２中、１２８は蓋体を示している。
【００７６】
【実施例】
以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明する。
【００７７】
実施例１
２．５インチ磁気ディスク用のＳｉ基板からなる非磁性基板を用意した。
【００７８】
１×１０−５Ｐａの真空度を有する真空チャンバー内に非磁性Ｓｉ基板を設置し、基板温度を３５０℃まで加熱して、ガス圧０．６ＰａのＡｒ雰囲気中でＤＣマグネトロンスパッタリングを行った。まず、非磁性基板をターゲットに対向するように配置し、ＤＣ５００Ｗをターゲットに放電し、裏打ち非磁性膜として、Ｃｒ膜を厚さ４０ｎｍ形成した。
【００７９】
その上に厚さ２５ｎｍになるようにＣｏＣｒＰｔ硬磁性層を製膜した。得られたＣｏＣｒＰｔ硬磁性層上に、厚さ２００ｎｍのＣｏＺｒＮｂ裏打ち軟磁性層を形成した。
【００８０】
その後、ＣｏＺｒＮｂ裏打ち軟磁性層上に、第２の下地膜として、Ｎｉ−３０ａｔ％Ｎｂターゲットを用いて、ＤＣ３００Ｗで放電し、厚さ５ｎｍになるように製膜してＮｉＮｂ膜を形成した。
【００８１】
次に、ＮｉＮｂ膜上に、第１の下地膜として、ＨＣＰ構造を持つＲｕをＤＣ５００Ｗで放電させ、厚さ１５ｎｍまで製膜して非磁性Ｒｕ膜を形成した。
【００８２】
その後、Ｃｏ−１６ａｔ％Ｐｔ−１４ａｔ％Ｃｒ−５ａｔ％Ｍｏのターゲットを用意し、非磁性Ｒｕ下地膜上に、ＣｏＰｔＣｒＭｏ垂直磁性膜を３０ｎｍ製膜した。
【００８３】
最後に、Ｃ保護層を７ｎｍの厚さで製膜した。
【００８４】
このように真空容器内で連続して製膜した基板を大気中に取り出した後、Ｃ保護層に、ディップ法によりパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）系潤滑層を１．５ｎｍの厚さに形成し、垂直磁気記録媒体を得た。
【００８５】
図１３に、得られた垂直磁気記録媒体６０の構成を表す概略図を示す。図示するように、この垂直磁気記録媒体６０は、非磁性基板１上に、Ｃｒ非磁性膜１０、ＣｏＣｒＰｔ硬磁性層９、ＣｏＺｒＮｂ軟磁性層７、ＮｉＮｂ第２の下地膜６及びＲｕ第１の下地膜５からなる下地層４、ＣｏＰｔＣｒＭｏ垂直磁性膜２、Ｃ保護層１１、及び図示しない潤滑層を順次積層した構造を有する。
【００８６】
まず、得られた垂直磁気記録媒体の垂直磁性層に対して、透過型分析電子顕微鏡を用いたエネルギー分散型Ｘ線分光装置（ＴＥＭ−ＥＤＸ）を用いて、局所的な元素濃度分布を調べたところ、Ｃｏを主成分としたＣｏ系磁性結晶粒子と、各Ｃｏ系磁性結晶粒子の周りにＭｏおよびＣｒを主成分とした結晶粒界が存在する構造を確認することができた。
【００８７】
得られた垂直磁気記録媒体１０について、電磁石を備えた着磁装置を用いて、円板上基板の半径方向外向きに１１８５ｋＡ／ｍの磁界を印加し、硬磁性層の面内半径方向への磁化を行った。着磁された垂直磁気記録媒体について、磁気抵抗効果を利用した、記録トラック幅０．３μｍ、再生トラック幅０．２μｍの単磁極ヘッドを用いて記録再生特性の評価を行ったところ、ＳＮＲｍ（Ｓ：低域出力、Ｎ：４００ｋＦＣＩのノイズ）が２３．０ｄＢという良好な値であった。さらに、熱揺らぎ指標である低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は、−０．１２ｄＢ／ｄｅｃａｄｅという良好な値であった。
【００８８】
比較例１
比較として、非磁性基板上に、ＣｏＰｔＣｒＭｏ垂直磁性膜の代わりに、Ｃｏ−１９ａｔ％Ｃｒ−１６ａｔ％Ｐｔのターゲットを用い、ＣｏＣｒＰｔ層を３０ｎｍの厚さで形成した以外は、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を得た。
【００８９】
得られた垂直磁気記録媒体について、ＴＥＭ−ＥＤＸを用いて、局所的な元素濃度分布を調べたところ、Ｃｏを主成分としたＣｏ系磁性結晶粒子と、各Ｃｏ系磁性結晶粒子の周りにＣｒを主成分とした結晶粒界が存在する構造であった。また、実施例１と同様にして、記録再生特性の評価を行ったところ、ＳＮＲｍが２０．７ｄＢであった。また、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は−０．２０ｄＢ／ｄｅｃａｄｅであり、熱ゆらぎ耐性に劣ることがわかった。
【００９０】
実施例２
第１の下地膜として、六方最密充填構造を持つＣｏ−３７ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ％Ｐｔターゲットを利用して、ＤＣ５００Ｗで放電させ、厚さ２０ｎｍまで製膜して非磁性ＣｏＣｒＰｔ膜を形成する以外は、実施例１と同様にして、垂直磁気記録媒体を得た。
【００９１】
まず、得られた垂直磁気記録媒体の垂直磁性層に対して、実施例１と同様に、局所的な元素濃度分布を調べたところ、Ｃｏを主成分としたＣｏ系磁性結晶粒子と、各Ｃｏ系磁性結晶粒子の周りにＭｏおよびＣｒを主成分とした結晶粒界が存在する構造を確認することができた。
【００９２】
また、この垂直磁気記録媒体について、エックス線回折装置を用いて、Ｃｏ（００．２）ピークに対して、ロッキングカーブ測定を行った。そこから得られたピークの半値幅は７°という良好な値を得た。これにより、Ｃｏの結晶配向性が良いことがわかった。また、実施例１と同様にして記録再生特性の評価を行ったところ、ＳＮＲｍが２３．５ｄＢと良好な値であった。また、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は、−０．１１ｄＢ／ｄｅｃａｄｅであり、熱揺らぎ耐性が良好であることがわかった。
【００９３】
比較例２
非磁性基板上に、第１の下地膜として、面心立方（ＦＣＣ）構造を持つＰｔのターゲットを用い、Ｐｔ膜を３０ｎｍの厚さで形成した以外は、実施例１と同様にして従来の垂直磁気記録媒体を得た。
【００９４】
まず、得られた垂直磁気記録媒体の垂直磁性層に対して、実施例１と同様に、局所的な元素濃度分布を調べたところ、Ｃｏを主成分としたＣｏ系磁性結晶粒子と、各Ｃｏ系磁性結晶粒子の周りにＣｒを主成分とした結晶粒界からなる構造であるが、粒界がはっきりしない構造であった。
【００９５】
得られた垂直磁気記録媒体について、実施例２と同様に、Ｃｏ（００．２）ピークに対する同様のロッキングカーブ測定を行ったところ、得られたピークの半値幅は１１°であった。よって、実施例２の媒体に比べて、Ｃｏ系磁性結晶粒子の結晶配向性が悪化していることがわかった。さらに、記録再生特性の評価を行ったところ、ＳＮＲｍが１９．２ｄＢであった。また、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は−０．２５ｄＢ／ｄｅｃａｄｅとなり耐熱揺らぎ性に劣っていた。
【００９６】
実施例３
第１の下地膜として、Ｒｕ膜の代わりに、Ｃｏ−３７ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｔａターゲットを利用し、ＤＣ５００Ｗで放電させ、厚さ２０ｎｍまで製膜して非磁性ＣｏＣｒＰｔＴａ膜を形成する以外は、実施例１と同様にして、垂直磁気記録媒体を得た。
【００９７】
まず、得られた垂直磁気記録媒体の垂直磁性層に対して、実施例１と同様に、局所的な元素濃度分布を調べたところ、Ｃｏを主成分としたＣｏ系磁性結晶粒子と、各Ｃｏ系磁性結晶粒子の周りにＭｏおよびＣｒを主成分とした結晶粒界が存在する構造を確認することができた。
【００９８】
また、得られた垂直磁気記録媒体について、実施例２と同様にしてロッキングカーブ測定を行ったところ、ピークの半値幅は５°であった。また、記録再生特性の評価を行ったところ、ＳＮＲｍが２３．７ｄＢという良好な値であった。また、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は−０．１０ｄＢ／ｄｅｃａｄｅであった。
【００９９】
また、Ｔａの代わりにＲｕ、Ｂ、及びＯを各々添加して、第１の下地膜を形成し、同様にして垂直磁気記録媒体を作成したところ、Ｃｏ系磁性結晶粒子の結晶配向性及び熱揺らぎ耐性を低下させることなく、ＳＮＲｍの改善効果が得られた。
【０１００】
実施例４
第１の下地膜の形成後、Ｃｏ−１９ａｔ％Ｃｒ−１６ａｔ％Ｐｔのターゲットを用い、ＣｏＣｒＰｔ磁性層を１５ｎｍの厚さで形成し、その上に、実施例１と同様のＣｏＰｔＣｒＭｏ垂直磁性層を１５ｎｍ製膜する以外は、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を得た。
【０１０１】
まず、得られた垂直磁気記録媒体の垂直磁性層に対して、ＴＥＭ−ＥＤＸを用いて、局所的な元素濃度分布を調べたところ、Ｃｏを主成分としたＣｏ系磁性結晶粒子と、各Ｃｏ系磁性結晶粒子の周りにＭｏおよびＣｒを主成分とした結晶粒界が存在する構造を確認することができた。
【０１０２】
得られた垂直磁気記録媒体について、記録再生特性の評価を行ったところ、ＳＮＲｍ＝２３．８ｄＢという良好な媒体を得ることができた。また、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は、−０．１１ｄＢ／ｄｅｃａｄｅと良好であった。また、エックス線回折装置を用いてＣｏ（００．２）ピークのロッキングカーブ測定を行ったところ、得られたピークの半値幅は５°であった。
【０１０３】
実施例５
非磁性Ｃｒ層、ＣｏＣｒＰｔ硬磁性層およびＣｏＺｒＮｂ軟磁性裏打ち層を製膜しないこと以外は、実施例１と同様にして、垂直磁気記録媒体を作製した。図１４に、得られた垂直磁気記録媒体の構成を表す図を示す。図示するように、垂直磁気記録媒体７０は、非磁性基板１上に、ＮｉＮｂ第２の下地膜６、及びＲｕ第１の下地膜５からなる下地層４、ＣｏＰｔＣｒＭｏの垂直磁性膜２、Ｃ保護層１１、及び図示しない潤滑層を順次積層した構成を有する。
【０１０４】
まず、得られた垂直磁気記録媒体の垂直磁性層に対して、ＴＥＭ−ＥＤＸを用いて、局所的な元素濃度分布を調べたところ、Ｃｏを主成分としたＣｏ系磁性結晶粒子と、各Ｃｏ系磁性結晶粒子の周りにＭｏおよびＣｒを主成分とした結晶粒界が存在する構造を確認することができた。
【０１０５】
また、実施例１と同様にして記録再生特性の評価を行ったところ、ＳＮＲｍが２２．１ｄＢという良好な結果が得られた。また、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は、−０．１４ｄＢ／ｄｅｃａｄｅであり、良好な熱ゆらぎ耐性を維持していることがわかった。
【０１０６】
比較例３
比較として、ＣｏＰｔＣｒＭｏ垂直磁性膜の代わりに、Ｃｏ−１９ａｔ％Ｃｒ−１６ａｔ％Ｐｔのターゲットを用い、ＣｏＣｒＰｔ層を３０ｎｍの厚さで形成した以外は、実施例５と同様にして垂直磁気記録媒体を得た。
【０１０７】
得られた垂直磁気記録媒体について、実施例１と同様にして局所的な元素濃度分布を調べたところ、Ｃｏを主成分としたＣｏ系磁性結晶粒子と、各Ｃｏ系磁性結晶粒子の周りにＣｒを主成分とした結晶粒界が存在する構造であった。
【０１０８】
また、実施例１と同様にして、記録再生特性の評価を行ったところ、ＳＮＲｍが１７．５ｄＢという多少劣る値であった。また、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は、−０．２２ｄＢ／ｄｅｃａｄｅであり、熱ゆらぎ耐性も劣っていた。
【０１０９】
実施例６
垂直磁性層として、Ｃｏ−１６ａｔ％Ｐｔ−１５ａｔ％Ｍｏターゲットを利用して、ＤＣ５００Ｗで放電させ、厚さ３０ｎｍまで製膜して垂直磁性膜を形成する以外は、実施例１と同様にして、垂直磁気記録媒体を得た。
【０１１０】
まず、得られた垂直磁気記録媒体の垂直磁性層に対して、実施例１と同様に、局所的な元素濃度分布を調べたところ、Ｃｏを主成分としたＣｏ系磁性結晶粒子と、各Ｃｏ系磁性結晶粒子の周りにＭｏを主成分とした結晶粒界が存在する構造を確認することができた。
【０１１１】
また、この垂直磁気記録媒体について、エックス線回折装置を用いて、Ｃｏ（００．２）ピークに対して、ロッキングカーブ測定を行った。そこから得られたピークの半値幅は９°という良好な値を得た。これにより、Ｃｏの結晶配向性が良いことがわかった。また、実施例１と同様にして記録再生特性の評価を行ったところ、ＳＮＲｍが２３．６ｄＢと良好な値であった。また、低域出力５０ｋＦＣＩでの減衰値は、−０．１２ｄＢ／ｄｅｃａｄｅであり、熱揺らぎ耐性が良好であることがわかった。
【０１１２】
【発明の効果】
本発明によれば、熱ゆらぎの発生を抑制し、高いＳＮＲｍで、優れた垂直磁気記録が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＣｏＰｔＣｒＭｏ垂直磁性層に関する成膜温度とＳＮＲｍとの関係を表すグラフ図
【図２】ＣｏＰｔＣｒＷ垂直磁性層に関する成膜温度とＳＮＲｍとの関係を表すグラフ図
【図３】ＣｏＰｔＣｒＭｏＷ垂直磁性層に関する成膜温度とＳＮＲｍとの関係を表すグラフ図
【図４】ＣｏＰｔＣｒＭｏ系垂直磁性層に関するＣｒ含有量とＳＮＲｍとの関係を表すグラフ図
【図５】ＣｏＰｔＣｒＭｏ系垂直磁性層に関するＭｏ含有量とＳＮＲｍとの関係を表すグラフ図
【図６】ＣｏＰｔＣｒＭｏＷ系垂直磁性層に関するＭｏ含有量とＳＮＲｍとの関係を表すグラフ図
【図７】本発明にかかる垂直磁気記録媒体の一例の構成を表す断面図
【図８】本発明にかかる垂直磁気記録媒体の一例の構成を表す断面図
【図９】本発明にかかる垂直磁気記録媒体の一例の構成を表す断面図
【図１０】本発明にかかる垂直磁気記録媒体の一例の構成を表す断面図
【図１１】本発明にかかる垂直磁気記録媒体の一例の構成を表す断面図
【図１２】本発明にかかる磁気記録再生装置の一例を一部分解した斜視図
【図１３】本発明にかかる垂直磁気記録媒体の一例の構成を表す断面図
【図１４】本発明にかかる垂直磁気記録媒体の一例の構成を表す断面図
【符号の説明】
１…非磁性基板、２，８…垂直磁性膜、３，４…下地層、５…第１の下地膜、６…第２の下地膜、７…軟磁性層、９…硬磁性層、１０，２０，３０，４０，５０，６０，７０…垂直磁気記録媒体、１１…保護層、１２…下地層、５０…着磁装置、５１，５２…コイル、１２３…スライダー、１２４…サスペンション、１２５…アーム、１２６…ボイスコイルモータ、１２７…固定軸、１２８…蓋体
【図１】
2004178748.tif 000003
【図２】
2004178748.tif 000004
【図３】
2004178748.tif 000005
【図４】
2004178748.tif 000006
【図５】
2004178748.tif 000007
【図６】
2004178748.tif 000008
【図７】
2004178748.tif 000009
【図８】
2004178748.tif 000010
【図９】
2004178748.tif 000011
【図１０】
2004178748.tif 000012
【図１１】
2004178748.tif 000013
【図１２】
2004178748.tif 000014
【図１３】
2004178748.tif 000015
【図１４】
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