(57)【要約】【課題】マウントの平坦な固定面の上に、高い位置精度を保って光学部材を固定可能とする。【解決手段】マウント１１の平坦な固定面１１ｆの上にコリメーターレンズアレイ等の光学部材１４を固定する方法において、固定面１１ｆまたはこの固定面１１ｆに接する光学部材の下面１４ｆに凹部１１ｇを形成し、この凹部１１ｇの中に固体状態の半田等の接合材料５を収め、光学部材１４を、その下面１４ｆが上記固定面１１ｆに接する状態に配置する。次いで接合材料５を加熱して融解後、固化させることにより、該接合材料５を介して光学部材１４を、その下面１４ｆが固定面１１ｆに接した状態のままマウント１１に固定する。【選択図】          図３
2004325826.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マウントの平坦な固定面の上に光学部材を固定する方法であって、
前記固定面またはこの固定面に接する前記光学部材の下面に凹部を形成し、
この凹部の中に固体状態の接合材料を収め、
前記光学部材を、その下面が前記固定面に接する状態に配置し、
次いで前記接合材料を加熱して融解後、固化させることにより、該接合材料を介して前記光学部材を、その下面が前記固定面に接した状態のまま前記マウントに固定することを特徴とする光学部材の固定方法。
【請求項２】
発光点が一方向に並ぶ状態に配置された１つまたは複数のレーザーダイオードと、
該レーザーダイオードから発せられたレーザービームを各々平行光化するコリメーターレンズが複数、一方向に並ぶ状態に一体化されてなるコリメーターレンズアレイと、
このコリメーターレンズアレイによって平行光化されたレーザービームを集光する集光レンズと、
この集光レンズによる複数のレーザービームの収束位置にコア端面が位置するように配されて、これらのレーザービームを１本に合波する光ファイバーとを備えてなるレーザー装置において、
前記コリメーターレンズアレイをマウントの平坦な固定面の上に固定する方法であって、
前記固定面またはこの固定面に接する前記コリメーターレンズアレイの下面に凹部を形成し、
この凹部の中に固体状態の接合材料を収め、
前記コリメーターレンズアレイを、その下面が前記固定面に接する状態に配置し、
次いで前記接合材料を加熱して融解後、固化させることにより、該接合材料を介して前記コリメーターレンズアレイを、その下面が前記固定面に接した状態のまま前記マウントに固定することを特徴とする光学部材の固定方法。
【請求項３】
発光点が一方向に並ぶ状態に配置された１つまたは複数のレーザーダイオードと、
該レーザーダイオードから発せられたレーザービームを各々平行光化するコリメーターレンズが複数、一方向に並ぶ状態に一体化されてなるコリメーターレンズアレイと、
このコリメーターレンズアレイによって平行光化されたレーザービームを集光する集光レンズと、
この集光レンズによる複数のレーザービームの収束位置にコア端面が位置するように配されて、これらのレーザービームを１本に合波する光ファイバーとを備えてなるレーザー装置において、
前記レーザーダイオードをマウントの平坦な固定面の上に固定する方法であって、
前記固定面またはこの固定面に接する前記レーザーダイオードの下面に凹部を形成し、
この凹部の中に固体状態の接合材料を収め、
前記レーザーダイオードを、その下面が前記固定面に接する状態に配置し、
次いで前記接合材料を加熱して融解後、固化させることにより、該接合材料を介して前記レーザーダイオードを、その下面が前記固定面に接した状態のまま前記マウントに固定することを特徴とする光学部材の固定方法。
【請求項４】
前記接合材料として半田を用いることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の光学部材の固定方法。
【請求項５】
マウントの平坦な固定面の上に光学部材を固定する構造であって、
前記固定面またはこの固定面に接する前記光学部材の下面に凹部が形成され、
この凹部の中において融解後、固化した接合材料を介して、前記光学部材が、その下面が前記固定面に接した状態で前記マウントに固定されていることを特徴とする光学部材の固定構造。
【請求項６】
発光点が一方向に並ぶ状態に配置された１つまたは複数のレーザーダイオードと、
該レーザーダイオードから発せられたレーザービームを各々平行光化するコリメーターレンズが複数、一方向に並ぶ状態に一体化されてなるコリメーターレンズアレイと、
このコリメーターレンズアレイによって平行光化されたレーザービームを集光する集光レンズと、
この集光レンズによる複数のレーザービームの収束位置にコア端面が位置するように配されて、これらのレーザービームを１本に合波する光ファイバーとを備えてなるレーザー装置において、
前記コリメーターレンズアレイをマウントの平坦な固定面の上に固定する構造であって、
前記固定面またはこの固定面に接する前記コリメーターレンズアレイの下面に凹部が形成され、
この凹部の中において融解後、固化した接合材料を介して、前記コリメーターレンズアレイが、その下面が前記固定面に接した状態で前記マウントに固定されていることを特徴とする光学部材の固定構造。
【請求項７】
発光点が一方向に並ぶ状態に配置された１つまたは複数のレーザーダイオードと、
該レーザーダイオードから発せられたレーザービームを各々平行光化するコリメーターレンズが複数、一方向に並ぶ状態に一体化されてなるコリメーターレンズアレイと、
このコリメーターレンズアレイによって平行光化されたレーザービームを集光する集光レンズと、
この集光レンズによる複数のレーザービームの収束位置にコア端面が位置するように配されて、これらのレーザービームを１本に合波する光ファイバーとを備えてなるレーザー装置において、
前記レーザーダイオードをマウントの平坦な固定面の上に固定する構造であって、
前記固定面またはこの固定面に接する前記レーザーダイオードの下面に凹部が形成され、
この凹部の中において融解後、固化した接合材料を介して、前記レーザーダイオードが、その下面が前記固定面に接した状態で前記マウントに固定されていることを特徴とする光学部材の固定構造。
【請求項８】
前記接合材料が半田であることを特徴とする請求項５から７いずれか１項記載の光学部材の固定構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学部材をマウントの上に固定する方法および構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、紫外域のレーザービームを発生させる装置として、半導体レーザー励起固体レーザーから発せられた赤外光を紫外域の第３高調波に変換する波長変換レーザーや、エキシマレーザーや、Ａｒレーザーが実用に供されている。
【０００３】
さらには近時、例えば非特許文献１に示されるように、４００ｎｍ近傍の波長のレーザービームを発するＧａＮ系半導体レーザー（レーザーダイオード）も提供されている。
【０００４】
このような波長のレーザービームを発する光源は、３５０〜４２０ｎｍの紫外領域を含んだ所定の波長域（以下「紫外域」という）に感度を有する感光材料を露光する露光装置において、露光用光源として適用することも考えられている。その場合の露光用光源は、当然ながら、感光材料を感光させるのに十分な出力を備えることが求められる。
【０００５】
しかし上記エキシマレーザーは、装置が大型で、コストやメンテナンスコストも高いという問題がある。
【０００６】
また、赤外光を紫外域の第３高調波に変換する波長変換レーザーは、波長変換効率が非常に低いことから、高出力を得るのは極めて困難になっている。現在のところは、３０Ｗのレーザーダイオードで固体レーザー媒質を励起して１０Ｗの基本波（波長１０６４ｎｍ）を発振させ、それを３Ｗの第２高調波（波長５３２ｎｍ）に変換し、それら両者の和周波である１Ｗの第３高調波（波長３５５ｎｍ）を得る、というのが現在の実用レベルである。その場合のレーザーダイオードの電気−光効率は５０％程度であり、そして紫外光への変換効率は１．７％程度と非常に低いものとなっている。そしてこのような波長変換レーザーは、高価な光波長変換素子を用いるために、コストがかなり高いものとなっている。
【０００７】
またＡｒレーザーは電気−光効率が０．００５％と非常に低く、寿命が１０００時間程度と非常に短いという問題がある。
【０００８】
一方、ＧａＮ系レーザーダイオードについては、低転位のＧａＮ結晶基板が得られないことから、ＥＬＯＧという成長方法によって約５μｍ程度の低転位領域を作り出し、その上にレーザー領域を形成して高出力化と高信頼性を実現する試みがなされている。しかし、こうして作製されるＧａＮ系レーザーダイオードにおいても、大面積に亘って低転位の基板を得るのが難しいので、５００ｍＷ〜１Ｗ級の高出力なものは未だ商品化されていない。
【０００９】
また、レーザーダイオードの高出力化の別の試みとして、例えば１つで１００ｍＷの光を出力するキャビティを１００個形成することで１０Ｗの出力を得るようなことも考えられているが、１００個程度の多数のキャビティを高歩留まりで作成することは、ほとんど現実性が無いと言える。特に、シングルキャビティの場合であっても９９％以上の高歩留まり化が困難であるＧａＮ系レーザーダイオードにあっては、なおさらである。
【００１０】
本出願人は上記の事情に鑑みて、特に高出力が得られるレーザー装置を先に提案した（特許文献１参照）。この特許文献１に示されるレーザー装置は、複数のレーザーダイオードと、１本のマルチモード光ファイバーと、上記複数のレーザーダイオードからそれぞれ出射したレーザービームを集光した上で上記マルチモード光ファイバーに結合させる集光光学系とを備えてなるものである。このレーザー装置の好ましい実施の形態において、上記複数のレーザーダイオードは、それぞれの発光点が一方向に並ぶ状態に配設される。
【００１１】
一方非特許文献１には、複数の発光点を有するマルチキャビティレーザーダイオードが示されており、このようなマルチキャビティレーザーダイオードを１つあるいは複数、上記特許文献１に示されるレーザー装置の複数のレーザーダイオードに代えて用いることも可能である。
【００１２】
上記のように、複数のレーザービームを合波する構成を有するレーザー装置において、通常レーザーダイオードは、Ｃｕ、Ｃｕ合金またはＡｌＮ等からなる放熱ブロック等のブロックに固定保持される。
【００１３】
また、１つまたは複数のレーザーダイオードの複数の発光点からはそれぞれレーザービームが発散光状態で発せられるので、それらのレーザービームを１点に集束させる等の場合は、まず発散光状態のレーザービームをコリメーターレンズに通して平行光化してから、集光レンズに通す必要がある。その際各コリメーターレンズは、互いに別個に配設されてもよいが、複数が一列に並ぶ状態に一体化されてなるコリメーターレンズアレイを用いれば、レーザー装置の小型化や調整の容易化が達成される。
【００１４】
なおその場合は、互いに別個に配設されたコリメーターレンズを用いる場合と同様に、各レンズの光軸が各レーザーダイオードの発光軸上に位置する状態に正確に位置合わせする必要がある。もしこの位置合わせが正確になされないと、複数のレーザービームを小さなスポットに集束させることができないので、例えばそれらのレーザービームで前述のように感光材料を感光させて画像露光する場合は、精細な画像露光が不可能になる等の問題が生じる。
【００１５】
上記のレーザーダイオードやコリメーターレンズアレイは、多くの場合、平坦なマウントの上に位置決め固定されるが、その固定には、半田が用いられることが多い。その場合、それらを上に述べたように正確に位置合わせするために、従来は、マウント上で融解した液体状の半田上に配したレーザーダイオードやコリメーターレンズアレイを位置決めし、半田を固化させて該半田によりそれらをマウントに固定するようにしていた。なお、本出願人による特願２００２−２８７６４０号明細書には、このような固定方法の一例が記載されている。
【００１６】
【特許文献１】
特開２００２−２０２４４２号公報
【００１７】
【非特許文献１】
ジャパニーズ・アプライド・フィジックス・レターズ
（Ｊａｐａｎｅｓｅ  Ａｐｐｌｉｅｄ  ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ），  Ｖｏｌ．３７，（１９９８），ｐ．Ｌ１０２０
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし上述のような光学部材の固定方法においては、半田が融解状態から固化するまでの間、状態が変化する半田の上でレーザーダイオードやコリメーターレンズアレイを安定に保持しておくことが難しく、半田が固化する時にそれらが若干動いてしまうこともある。するとその場合は、当然レーザーダイオードとコリメーターレンズアレイとの位置合わせ精度が低くなり、具体的には０．５μｍ程度の位置合わせ精度を確保することも困難となる。
【００１９】
上述のようにレーザーダイオードとコリメーターレンズアレイとの位置合わせ精度が低くなっていると、合波するレーザービームの本数を増やすほど、コリメーターレンズに対して芯ズレした状態で入射するレーザービームが多くなり、高輝度の合波レーザービームを得ることが難しくなる。
【００２０】
以上、レーザーダイオードとコリメーターレンズアレイとを位置合わせ固定する場合の問題について説明したが、その他の光学部材を半田等の接合材料によって平坦なマウント上に固定する場合においても、その光学部材を正確に位置決めして固定したいという要求は広く存在する。
【００２１】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、マウントの平坦な固定面の上に、高い位置精度を保って光学部材を固定できる方法および構造を提供することを目的とする。
【００２２】
また本発明は、特に、前述したように複数のレーザービームを光ファイバーを利用して１本に合波するレーザー装置において、マウントの平坦な固定面の上に、高い位置精度を保ってコリメーターレンズアレイやレーザーダイオードを固定できる方法および構造を提供することを目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本発明による第１の光学部材の固定方法は、
前述したようにマウントの平坦な固定面の上に光学部材を固定する方法であって、
前記固定面またはこの固定面に接する前記光学部材の下面に凹部を形成し、
この凹部の中に固体状態の半田等の接合材料を収め、
前記光学部材を、その下面が前記固定面に接する状態に配置し、
次いで前記接合材料を加熱して融解後、固化させることにより、該接合材料を介して前記光学部材を、その下面が前記固定面に接した状態のまま前記マウントに固定することを特徴とするものである。
【００２４】
また本発明による第２の光学部材の固定方法は、
前述したように発光点が一方向に並ぶ状態に配置された１つまたは複数のレーザーダイオードと、
該レーザーダイオードから発せられたレーザービームを各々平行光化するコリメーターレンズが複数、一方向に並ぶ状態に一体化されてなるコリメーターレンズアレイと、
このコリメーターレンズアレイによって平行光化されたレーザービームを集光する集光レンズと、
この集光レンズによる複数のレーザービームの収束位置にコア端面が位置するように配されて、これらのレーザービームを１本に合波する光ファイバーとを備えてなるレーザー装置において、
前記コリメーターレンズアレイをマウントの平坦な固定面の上に固定する方法であって、
前記固定面またはこの固定面に接する前記コリメーターレンズアレイの下面に凹部を形成し、
この凹部の中に固体状態の半田等の接合材料を収め、
前記コリメーターレンズアレイを、その下面が前記固定面に接する状態に配置し、
次いで前記接合材料を加熱して融解後、固化させることにより、該接合材料を介して前記コリメーターレンズアレイを、その下面が前記固定面に接した状態のまま前記マウントに固定することを特徴とするものである。
【００２５】
また本発明による第３の光学部材の固定方法は、上記と同様の１つまたは複数のレーザーダイオードと、コリメーターレンズアレイと、集光レンズと、光ファイバーとを備えてなるレーザー装置において、
前記レーザーダイオードをマウントの平坦な固定面の上に固定する方法であって、
前記固定面またはこの固定面に接する前記レーザーダイオードの下面に凹部を形成し、
この凹部の中に固体状態の半田等の接合材料を収め、
前記レーザーダイオードを、その下面が前記固定面に接する状態に配置し、
次いで前記接合材料を加熱して融解後、固化させることにより、該接合材料を介して前記レーザーダイオードを、その下面が前記固定面に接した状態のまま前記マウントに固定することを特徴とするものである。
【００２６】
一方、本発明による第１の光学部材の固定構造は、
前述したようにマウントの平坦な固定面の上に光学部材を固定する構造であって、
前記固定面またはこの固定面に接する前記光学部材の下面に凹部が形成され、
この凹部の中において融解後、固化した半田等の接合材料を介して、前記光学部材が、その下面が前記固定面に接した状態で前記マウントに固定されていることを特徴とするものである。
【００２７】
また本発明による第２の光学部材の固定構造は、
前述したように発光点が一方向に並ぶ状態に配置された１つまたは複数のレーザーダイオードと、
該レーザーダイオードから発せられたレーザービームを各々平行光化するコリメーターレンズが複数、一方向に並ぶ状態に一体化されてなるコリメーターレンズアレイと、
このコリメーターレンズアレイによって平行光化されたレーザービームを集光する集光レンズと、
この集光レンズによる複数のレーザービームの収束位置にコア端面が位置するように配されて、これらのレーザービームを１本に合波する光ファイバーとを備えてなるレーザー装置において、
前記コリメーターレンズアレイをマウントの平坦な固定面の上に固定する構造であって、
前記固定面またはこの固定面に接する前記コリメーターレンズアレイの下面に凹部が形成され、
この凹部の中において融解後、固化した半田等の接合材料を介して、前記コリメーターレンズアレイが、その下面が前記固定面に接した状態で前記マウントに固定されていることを特徴とするものである。
【００２８】
また本発明による第３の光学部材の固定構造は、上記と同様の１つまたは複数のレーザーダイオードと、コリメーターレンズアレイと、集光レンズと、光ファイバーとを備えてなるレーザー装置において、
前記レーザーダイオードをマウントの平坦な固定面の上に固定する構造であって、
前記固定面またはこの固定面に接する前記レーザーダイオードの下面に凹部が形成され、
この凹部の中において融解後、固化した半田等の接合材料を介して、前記レーザーダイオードが、その下面が前記固定面に接した状態で前記マウントに固定されていることを特徴とするものである。
【００２９】
【発明の効果】
本発明による第１の光学部材の固定方法は、マウントの平坦な固定面またはこの固定面に接する光学部材の下面に凹部を形成し、この凹部の中に固体状態の接合材料を収め、固定対象の光学部材を、その下面が上記固定面に接する状態に配置し、次いで接合材料を加熱して融解後、固化させることにより、該接合材料を介して光学部材を、その下面が上記固定面に接した状態のままマウントに固定するようにしたので、接合材料の融解から固化までの間に光学部材が固定面の上で動くことがなく、その位置精度が高く確保される。具体的には、前述のように従来方法では０．５μｍ以下の位置精度を確保するのが困難であったのに対し、本方法によれば０．２μｍ以下の位置精度も実現可能である。
【００３０】
本発明による第２の光学部材の固定方法においても、基本的には上記第１の方法と同様にして、固定対象の光学部材であるコリメーターレンズアレイをマウントの平坦な固定面の上に固定するようにしているから、このコリメーターレンズアレイの位置精度が高く確保される。なお、この第２の固定方法においては、基本的には上記第１の方法と同様にして、固定対象の光学部材であるコリメーターレンズアレイをマウントの平坦な固定面の上に固定するようにしているから、このコリメーターレンズアレイの位置精度が高く確保される。
【００３１】
また、本発明による第３の光学部材の固定方法においても、基本的には上記第１の方法と同様にして、固定対象の光学部材であるレーザーダイオードをマウントの平坦な固定面の上に固定するようにしているから、このレーザーダイオードの位置精度が高く確保される。
【００３２】
したがって、この本発明による第２あるいは第３の方法によれば、レーザーダイオードとコリメーターレンズアレイとの位置合わせ精度が高められるので、合波するレーザービームの本数を増やしても、コリメーターレンズに入射するレーザービームの芯ズレを抑制でき、よって、より高輝度の合波レーザービームを得ることが可能になる。
【００３３】
なお、上記第２あるいは第３の固定方法においては、集光レンズをコリメーターレンズアレイあるいはレーザーダイオードと同様にしてマウントに固定してもよく、そのようにした場合は、集光レンズの位置精度も向上するので、複数のレーザービームを光ファイバーの入射端面に高精度で集光可能となる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００３５】
図１、２はそれぞれ、本発明の第１の実施形態による光学部材の固定構造を備えたレーザー装置１０の平面形状、側面形状を示すものであり、また図３は図２のＡ−Ａ線に沿った部分を示す正面図である。図示されるようにこのレーザー装置１０は、Ｃｕ、Ｃｕ合金またはＡｌＮ等から形成されたヒートブロック（マウント）１１上に、一例として２個のマルチキャビティレーザーダイオードチップ１２，１２と、合成樹脂あるいはガラスからなるコリメーターレンズアレイ１４との組合せが２組固定されてなるものである。
【００３６】
マルチキャビティレーザーダイオードチップ１２は、一例としてＧａＮ系レーザーダイオードからなる発振波長が４０５ｎｍのもので、５個のキャビティを備えたもの、つまり５個の発光点１２ａを有するものとされている。そして上記組合せの１つを構成する２個のマルチキャビティレーザーダイオードチップ１２は、それぞれの発光点１２ａの並び方向と同じ方向に並べて固定されている。本実施の形態において、上記５個の発光点１２ａは０．３５ｍｍのピッチで形成され、各々から出力５０ｍＷのレーザービーム１２Ｂが発せられる。
【００３７】
一方ヒートブロック１１は、マルチキャビティレーザーダイオードチップ１２を固定する水平なレーザー固定面１１ａと、このレーザー固定面１１ａよりも前方側（レーザービーム１２Ｂの出射方向）に一段下げて形成された水平なレンズ固定面１１ｆとからなる取付け部分を２カ所有している。図２に明示される通り、これら２カ所の取付け部分は、互いに高さ位置および光軸方向位置を変えて階段状とされている。
【００３８】
そして上記取付け部分の１カ所毎において、レーザー固定面１１ａに２個のマルチキャビティレーザーダイオードチップ１２が固定され、またレンズ固定面１１ｆにコリメーターレンズアレイ１４が固定されている。
【００３９】
上記レーザー固定面１１ａは、平面度が０．５μｍ以下である高平坦面に加工されている。２個のマルチキャビティレーザーダイオードチップ１２は、熱拡散性を確保してその温度上昇を抑制するために、それぞれレーザー固定面１１ａに半田を用いて固定され、また両チップ１２、１２どうしも半田により固定される。
【００４０】
コリメーターレンズアレイ１４は、１０個のコリメーターレンズ１４ａが一列に一体的に固定されてなるものである。本実施の形態において１つのコリメーターレンズ１４ａは、軸対称レンズの光軸を含む一部を細長く切り取った形状とされ、その焦点距離ｆは０．９ｍｍ、有効高さは１．３ｍｍで、レーザービーム１２Ｂの断面形状に合わせて縦横比が例えば３：１とされている。これら１０個のコリメーターレンズ１４ａのうち左側５個のピッチ、右側５個のピッチは、それぞれマルチキャビティレーザーダイオードチップ１２の発光点ピッチに合わせて０．３５ｍｍ（誤差は０．２μｍ以下）とされている。またこれら左側５個、右側５個のコリメーターレンズ１４ａの間には、２個のマルチキャビティレーザーダイオードチップ１２の間の隙間に対応させて、０．０５ｍｍの隙間１４ｃが設けられている。
【００４１】
上方を向いた水平なレンズ固定面１１ｆも平面度が０．５μｍ以下である高平坦面に加工され、コリメーターレンズアレイ１４はその下端面１４ｆをこのレンズ固定面１１ｆに支持させた状態で、該レンズ固定面１１ｆに半田で固定することによって取り付けられている。このレンズ固定面１１ｆには、後述する集光レンズ２０も上記と同様にして固定されている。
【００４２】
本例のレーザー装置１０は、図１および２に示されている通り、複数のレーザービーム１２Ｂを１本に合波して、高強度のレーザービームを得るために使用されている。すなわち、このレーザー装置１０のヒートブロック１１はベース板２１上に固定され、該ベース板２１上にはさらにマルチモード光ファイバー３０の入射端部を保持するファイバーホルダ２３が固定されている。
【００４３】
上記の構成において、コリメーターレンズアレイ１４の各コリメーターレンズ１４ａによって平行光とされた合計２０本のレーザービーム１２Ｂは、集光レンズ２０によって集光され、マルチモード光ファイバー３０のコア（図示せず）の入射端面上で収束する。これらのレーザービーム１２Ｂはマルチモード光ファイバー３０のコアに入射してそこを伝搬し、１本のレーザービームに合波されてマルチモード光ファイバー３０から出射する。なおマルチモード光ファイバー３０としては、ステップインデックス型のもの、グレーデッドインデックス型のもの、およびそれらの複合型のものが全て適用可能である。
【００４４】
本実施の形態において、集光レンズ２０は幅が６ｍｍ、有効高さが１．８ｍｍ、焦点距離が１４ｍｍのトランケート型レンズである。またマルチモード光ファイバー３０はコア径が５０μｍ、ＮＡ（開口数）が０．２のものである。２０本のレーザービーム１２Ｂは集光レンズ２０により集光されて、マルチモード光ファイバー３０のコア端面に集光スポット径約４０μｍで収束する。これらのレーザービーム１２Ｂのファイバー結合における損失、およびコリメーターレンズ１４ａ並びに集光レンズ２０を透過する際の損失の合計は１０％である。その場合、各レーザービーム１２Ｂの出力が前述のように５０ｍＷであるならば、９００ｍＷの高出力、高輝度の合波レーザービームが得られることになる。また、各レーザービーム１２Ｂの出力が１００ｍＷで、損失が上記と同じ場合には、１．８Ｗの高出力、高輝度の合波レーザービームが得られることになる。
【００４５】
ここで、前述のコリメーターレンズアレイ１４をヒートブロック１１に取り付ける際、マルチキャビティレーザーダイオードチップ１２の１０本の発光軸と、各コリメーターレンズ１４ａの光軸とが一致する状態にコリメーターレンズアレイ１４を位置合わせ固定する必要がある。以下、このコリメーターレンズアレイ１４の固定について詳しく説明する。
【００４６】
ヒートブロック１１の各レンズ固定面１１ｆには、その幅方向（固定されるコリメーターレンズアレイ１４の長さ方向）中央付近において、例えば幅１ｍｍで深さ５０μｍの溝（凹部）１１ｇが形成されている。この溝１１ｇの内部には、Ａｕメッキが施されている。一方、コリメーターレンズアレイ１４の下端面１４ｆはＴｉ／Ａｕ／Ｐｔでメタライズされ、その上にＡｕが蒸着されている。
【００４７】
コリメーターレンズアレイ１４をレンズ固定面１１ｆに固定する際には、まず上記溝１１ｇに固体状態の半田が収められる。次いでコリメーターレンズアレイ１４を、所定の治具を用いる等により、各コリメーターレンズ１４ａの光軸がマルチキャビティレーザーダイオードチップ１２の１０本の発光軸と一致し、かつコリメーターレンズ１４ａの後側焦点位置がマルチキャビティレーザーダイオードチップ１２の各発光点１２ａに有るように保持する。このとき該コリメーターレンズアレイ１４は、その下端面１４ｆがレンズ固定面１１ｆに接した状態とされる。そしてこの状態のまま半田を加熱して融解させ、その後固化させると、固化した半田５（図３参照）によって、コリメーターレンズアレイ１４がレンズ固定面１１ｆの上に固定される。
【００４８】
以上のようにしてコリメーターレンズアレイ１４をレンズ固定面１１ｆの上に固定するとき、コリメーターレンズアレイ１４は終始その下端面１４ｆがレンズ固定面１１ｆに接した状態に摩擦力によって維持されるので、半田の融解から固化までの間にコリメーターレンズアレイ１４がレンズ固定面１１ｆの上で動くことがなく、その位置精度が高く確保される。具体的には、０．２μｍ以下の位置精度も実現可能である。
【００４９】
そうであれば、コリメーターレンズアレイ１４とマルチキャビティレーザーダイオードチップ１２との位置合わせ精度が高められるので、合波するレーザービームの本数を増やしても、各コリメーターレンズ１４ａに入射するレーザービーム１２Ｂの芯ズレを抑制でき、よってより高強度の合波レーザービームを得ることが可能になる。
【００５０】
なお本例では、下側のレンズ固定面１１ｆの集光レンズ２０を固定する部分においても上記と同様の溝１１ｇ（図２参照）が形成され、この溝１１ｇを利用して、集光レンズ２０が上記と同様にして半田で固定される。こうすることにより、集光レンズ２０の位置精度も向上するので、複数のレーザービーム１２Ｂをマルチモード光ファイバー３０の入射端面に高精度で集光可能となる。
【００５１】
また本例では、ヒートブロック１１のレーザー固定面１１ａに、マルチキャビティレーザーダイオードチップ１２の発光点並び方向の取付け位置を指示する基準マーク４０が形成されている。そこで、マルチキャビティレーザーダイオードチップ１２を該ヒートブロック１１に実装する際に、この基準マーク４０を参照してマルチキャビティレーザーダイオードチップ１２を発光点並び方向に簡単に位置決めして取り付けることができる。それにより、レーザー装置１０の組立て工程が簡素化され、またマルチキャビティレーザーダイオードチップ１２の水平方向位置決め精度も高く保つことができる。
【００５２】
また本例のレーザー装置１０においては、１つのヒートブロック１１に形成された複数の取付け部分にそれぞれ、２個のマルチキャビティレーザーダイオードチップ１２とコリメーターレンズアレイ１４との組合せを取り付けているので、複数のヒートブロックを積み重ねる場合のように複数のブロックどうしを高精度で位置決めする必要がなく、よってこのレーザー装置１０は組立てが容易なものとなる。
【００５３】
なお、発光点を５個有するマルチキャビティレーザーダイオードチップ１２を２つ用いる代わりに、発光点を１０個有するマルチキャビティレーザーダイオードチップを１つ用いてもよい。しかし、マルチキャビティレーザーダイオードチップは発光点が増えてチップ幅が大きくなるほど、作製に際して一般に「スマイル」と称される撓みが発生しやすい。この撓み発生を防止する上では、比較的発光点の少ないマルチキャビティレーザーダイオードチップを複数並べて使用するのが好ましい。
【００５４】
また、マルチキャビティレーザーダイオードチップの発光点数や、それを複数設置する場合の設置数は勿論上記の例に限定されるものではなく、例えば７個の発光点を有するマルチキャビティレーザーダイオードチップを横に２つ並設し、それを上下に２組配設して合計２８本のレーザービームを発生させることも可能である。さらには、５個の発光点を有するマルチキャビティレーザーダイオードチップを上下に３つ設置して、１５本のレーザービームを発生させることも可能である。この後者の場合、上記実施の形態と同様に１本のレーザービームの出力が５０ｍＷで、損失１０％で１本に合波できるので、６７５ｍＷの高出力、高輝度の合波レーザービームが得られる。
【００５５】
また、特にレーザーダイオードを上下に複数段配設することは必ずしも必要ではなく、例えば１５個の発光点を有するマルチキャビティレーザーダイオードチップを１つ設け、そこから発せられた１５本のレーザービームを１本に合波することも可能である。その場合、１本のレーザービームの出力が５０ｍＷで、損失１０％で１本に合波できるので、４５０ｍＷの高出力、高輝度の合波レーザービームが得られる。
【００５６】
なお、図１に示される合波モジュールの全体を密閉容器内に気密封止して配置することにより、長寿命化を達成することができる。
【００５７】
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。図４および５はそれぞれ、本発明の第２の実施形態による光学部材の固定構造を備えたレーザー装置１１０の平面形状および側面形状を示すものである。なおこれらの図４および図５において、図１〜３中の要素と同等の要素には同番号を付し、それらについての説明は特に必要のない限り省略する（以下、同様）。
【００５８】
本例のレーザー装置１１０は、図１〜３に示したレーザー装置１０と比べると、光学的要素は全て基本的に同一のものとされ、ヒートブロック１１に代えて平板積層型のヒートブロック１１１が用いられた点だけが異なるものである。
【００５９】
このヒートブロック１１１は、下から順に４枚の薄い平板１１１Ａ、１１１Ｂ、１１１Ｃおよび１１１Ｄが積層固定されてなるものである。これらの平板１１１Ａ、１１１Ｂ、１１１Ｃおよび１１１Ｄは一例としてＡｌＮからなるものであり、互いにメタル固定されている。なお平板の材料としてはこれに限らず、その他Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｓｉ等を用いることもできる。ＡｌＮからなる平板を用いる場合は、互いの接合面とレーザー固定面およびレンズ固定面をメタライズしてから、互いをメタル固定する。また、Ｃｕからなる平板を用いる場合は、互いの接合面をＡｕメッキしてから、半田によって互いを固定する。
【００６０】
本例におけるヒートブロック１１１は、階段状とされた複数の取付け部分の高さ位置およびコリメーターレンズ光軸方向位置が異なる毎に１枚ずつ平板１１１Ａ、１１１Ｂ、１１１Ｃおよび１１１Ｄが積層されてなるものとされている。すなわち、平板１１１Ａの上面のうち平板１１１Ｂより前方に突出した部分がそのままレンズ固定面１１１ｆとされ、平板１１１Ｂの上面のうち平板１１１Ｃより前方に突出した部分がそのままレーザー固定面１１１ａとされ、平板１１１Ｃの上面のうち平板１１１Ｄより前方に突出した部分がそのままレンズ固定面１１１ｆとされ、平板１１１Ｄの上面がそのままレーザー固定面１１１ａとされている。
【００６１】
本実施の形態でも、平板１１１Ｃのレンズ固定面１１１ｆに、第１の実施形態における溝１１ｇのと同様の溝１１１ｇが形成され、その中に収めた半田（図示せず）を用いてコリメーターレンズアレイ１４が該レンズ固定面１１１ｆに固定される。このような固定構造を採用したことにより、本第２の実施形態においても第１の実施形態におけるのと同様の効果を得ることができる。
【００６２】
なお本例では、下側のレンズ固定面１１１ｆの集光レンズ２０を固定する部分においても上記と同様の溝１１１ｇ（図５参照）が形成され、この溝１１１ｇを利用して、集光レンズ２０が上記と同様にして半田で固定される。こうすることにより、集光レンズ２０の位置精度も向上するので、複数のレーザービーム１２Ｂをマルチモード光ファイバー３０の入射端面に高精度で集光可能となる。
【００６３】
なお、以上説明した第１および第２の実施形態においては、レンズ固定面１１ｆ、１１１ｆの方に凹部（溝１１ｇ、１１１ｇ）を形成しているが、コリメーターレンズアレイ１４の下端面１４ｆの方に凹部を形成して、そこに半田を収めるようにしてもよいし、あるいはレンズ固定面１１ｆ、１１１ｆおよびコリメーターレンズアレイ１４の下端面１４ｆの双方に凹部を形成して、そこに半田を収めるようにしてもよい。
【００６４】
なお、上記のように複数の平板１１１Ａ〜１１１Ｄを積層固定して形成されるヒートブロック１１１は、１つの部材を機械加工して形成されるヒートブロックと比べるとより安価に形成可能であり、したがって、このようなヒートブロック１１１を用いることによりレーザー装置のコストダウンが実現される。
【００６５】
上述のような平板１１１Ａ〜１１１Ｄは、通常は両面研磨加工で形成されるため、高平坦度、高平行度で、かつ厚み精度も高いものが低コストで得られるようになっている。そこで、このような平板１１１Ａ〜１１１Ｄを積層して形成されるヒートブロック１１１は、切削加工されるブロックと比較しても寸法精度が特に劣るようなことはない。具体的に、レンズ固定面１１１ｆやレーザー固定面１１１ａは、前述したように平面度が０．５μｍ以下の高平坦面に加工される必要があるが、このヒートブロック１１１は、そのような要求も満足するものとなっている。
【００６６】
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。図６は、本発明の第３の実施の形態による光学部材の固定構造を示すものである。本実施の形態では、例えば図１に示したようなヒートブロック１１のレーザー固定面１１ａに、シングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’が固定される。このようなシングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’は、複数をその発光点が１列に並ぶ状態にしてレーザー固定面１１ａに並設固定することにより、前述のマルチキャビティレーザーダイオードチップ１２に代えて適用することができる。
【００６７】
本実施の形態では、例えばＡｌＮ等からなるサブマウント５０の上にシングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’が固定され、そしてこのサブマウント５０がＣｕまたはＣｕ合金等からなるヒートブロック１１に固定されることにより、シングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’がヒートブロック１１に固定される。そしてここでは、サブマウント５０に対するシングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’の固定に本発明が適用されている。
【００６８】
すなわち、サブマウント５０の上を向いた水平なレーザー固定面５０ａには、例えば幅１ｍｍで深さ５０μｍ程度の溝５０ｇが形成されている。この溝５０ｇの内部には、Ａｕメッキが施されている。一方、シングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’の下端面１２ＤはＴｉ／Ａｕ／Ｐｔでメタライズされ、その上にＡｕが蒸着されている。
【００６９】
シングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’をレーザー固定面５０ａに固定する際には、まず上記溝５０ｇに固体状態の半田が収められる。次いでシングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’を、所定の治具を用いる等により所定位置にジャンクションアップ状態（基板が下側で素子形成面が上側に有る状態）で保持する。このとき該シングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’は、その下端面１２Ｄがレーザー固定面５０ａに接した状態とされる。そしてこの状態のまま半田を加熱して融解させ、その後固化させると、固化した半田５によって、シングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’がレーザー固定面５０ａの上に固定される。
【００７０】
以上のようにしてシングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’をレーザー固定面５０ａの上に固定するとき、シングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’は終始その下端面１２Ｄがレーザー固定面５０ａに接した状態に維持されるので、半田の融解から固化までの間にシングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’がレーザー固定面５０ａの上で動くことがなく、その位置精度が高く確保される。具体的には、０．２μｍ以下の位置精度も実現可能である。
【００７１】
なお、本例のようにレーザーダイオードをジャンクションアップ状態でサブマウントやヒートブロック等のマウントに固定する場合には、レーザーダイオードの下端面（固定面）の方に凹部を形成して、そこに半田を収めるようにしてもよいし、あるいはマウントとレーザーダイオードの固定面の双方に凹部を形成して、そこに半田を収めるようにしてもよい。
【００７２】
ここで、上記溝５０ｇの形状を図７の（１）に詳しく示す。サブマウント５０のレーザー固定面５０ａに形成する凹部としては、このような溝５０ｇの他、同図（２）に示すように一端が開放した矩形の凹部５０ｇ’や、さらには同図（３）に示すように周囲が閉じられた矩形の凹部５０ｇ”等を採用することもできる。
【００７３】
次に本発明の第４の実施形態について説明する。図８は、本発明の第４の実施形態による光学部材の固定構造を示す正面図であり、より具体的には、チップ状態のＧａＮ系シングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’が、マウントとしてのＣｕ製ヒートブロック１１上に実装された構造を示している。以下、この構造について詳しく説明する。
【００７４】
まず図９に示すように、ＡｌＮサブマウント９の下表面にＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉメタライズ層５０４が形成され、またその上表面にはＡｕ／Ｎｉメッキ層５０５および段差を有するＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉメタライズ層５０６が形成される。上記のように段差を有するＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉメタライズ層５０６は、例えば一様に厚く該メタライズ層５０６を形成した後、低くする部分をイオンミリングのようなドライプロセスあるいはエッチャントによるウェットプロセスによって除去する方法や、さらには、低くする方の層の高さ分だけメタライズした後、低くする部分をマスキングした上で再度メタライズする方法等を適用して形成することができる。
【００７５】
次いでＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉメタライズ層５０６の高い部分と低い部分に、それぞれパッド状のＡｕＳｎ半田５０７，５０７を配置する。これらのパッド状ＡｕＳｎ半田５０７，５０７は例えば１５０×５００μｍの大きさに形成され、互いに例えば１０μｍの間隔を置いて配置される。そしてこれらのＡｕＳｎ半田５０７，５０７の上に、一例として概略４００×６００×１００μｍのサイズのチップ状シングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’を配置し、３３０℃に加熱してＡｕＳｎ半田５０７，５０７を融解させることにより、該シングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’をＡｌＮサブマウント９に接着固定する。
【００７６】
一方ヒートブロック１１のレーザー固定面１１ａには溝（凹部）１１ｍが形成され、その底面には、Ａｕ／Ｎｉメッキ層５０８およびＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉメタライズ層５０９がこの順に形成される。そしてこの溝１１ｍ内に固体状態のＡｕＳｎ半田５１１を配置し、その上にＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉメタライズ層５０４を下にしてＡｌＮサブマウント９を配置し、ＡｕＳｎ半田５１１を３１０℃に加熱して融解させることにより、ＡｌＮサブマウント９をヒートブロック１１のレーザー固定面１１ａに接着固定する。以上により、シングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’がＡｌＮサブマウント９を介してヒートブロック１１に実装される。
【００７７】
この場合も、ＡｌＮサブマウント９をヒートブロック１１に固定するとき、ＡｌＮサブマウント９は終始その下端面９Ｄ（Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉメタライズ層５０４の表面）がレーザー固定面１１ａに接した状態に維持されるので、ＡｕＳｎ半田５１１の融解から固化までの間にＡｌＮサブマウント９がレーザー固定面１１ａの上で動くことがなく、その位置精度つまりはシングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’の位置精度が高く確保される。具体的には、０．２μｍ以下の位置精度も実現可能である。
【００７８】
なおＡｕＳｎ半田の融解点はＡｕとＳｎとの組成比に応じて変化する。そこで、ＡｌＮサブマウント９のＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉメタライズ層５０６および５０４の膜厚を互いに独立に制御するとともに、ＡｕＳｎ半田５０７および５１１の融解時の温度を制御することにより、ＡｕＳｎ半田５０７が融解した後の状態、ＡｕＳｎ半田５１１が融解した後の状態における各Ａｕ組成比を共晶点組成より数％程度高い組成にすることで、ＡｕＳｎ半田５０７および５１１の融解後の融解温度に差を持たせることができる。
【００７９】
このような融解温度差を生じさせることにより、ＡｌＮサブマウント９にシングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’を接着する時と、ＡｌＮサブマウント９をヒートブロック１１に接着する時とで同じＡｕＳｎ半田を用いても、互いに融解温度差を付けて（後者の接着時の方が低い）実装することが可能となる。そうであれば、発光点位置が経時的に変動しやすい低融点半田を用いなくて済むので、発光点位置変動を抑える上で有利となる。
【００８０】
また本実施の形態においてシングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’は、Ａｌ２Ｏ３からなる基板側が上に位置する向きに配置され、素子形成面側（ｐｎ接合側）がヒートブロック１１に固定されて、いわゆるジャンクションダウン構造で実装がなされる。
【００８１】
またこの構造において、シングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’の発光点は、図８において概略Ｑで示す位置にある。そしてＡｕＳｎ半田５０７、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉメタライズ層５０６およびＡｕ／Ｎｉメッキ層５０５には、それらを分割する溝５１２が形成され、シングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’はその発光部の直下に上記溝５１２が位置するように接着される。つまり、シングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’の発光部は直接サブマウント側に接着しないので、応力低減が実現される。また上記の溝５１２が形成されていれば、シングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’の発光端面がＡｌＮサブマウント９の端面より内側に位置する場合でも、発光ビームがＡｌＮサブマウント９によってケラレることを防止できる。
【００８２】
なおシングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’のｎ側電極を、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉメタライズ層５０６の高い部分に対面する位置に形成するとともに、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉメタライズ層５０６の高い部分と低い部分とを互いに絶縁された状態に形成して、それらの両部分にそれぞれｎ側電極、ｐ側電極を導通させるようにしてもよい。
【００８３】
また本実施の形態では、ＡｌＮサブマウント９に対してシングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’がジャンクションダウン構造で固定されていることにより、シングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’の基板側をＡｌＮサブマウント９に固定する場合と比べて該シングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’の発光部がサブマウント９に、ひいてはヒートブロック１１に対してより近接して位置するので、この点からも良好に放熱がなされるものとなる。
【００８４】
またＡｕＳｎ共晶点半田５０７は経時位置変化特性に優れているので、それによりシングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’とＡｌＮサブマウント９とを接着すれば、シングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’の発光点位置の経時的変動を効果的に防止可能となる。
【００８５】
次に本発明の第５の実施形態について説明する。図１０は、本発明の第５の実施形態による光学部材の固定構造を示す正面図であり、より具体的には、チップ状態のシングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’が、マウントとしてのＣｕ製ヒートブロック１１上に実装された構造を示している。以下、この構造について詳しく説明する。
【００８６】
まず図１１に示すように、ＡｌＮサブマウント９の下端面９Ｄには溝（凹部）９ｍが形成され、その上底面にＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉメタライズ層５０４が形成される。また該ＡｌＮサブマウント９の上表面には、第４の実施形態におけるのと同様のＡｕ／Ｎｉメッキ層５０５および段差を有するＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉメタライズ層５０６が形成される。
【００８７】
次いでＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉメタライズ層５０６の高い部分と低い部分に、それぞれパッド状のＡｕＳｎ半田５０７，５０７を配置する。そしてこれらのＡｕＳｎ半田５０７，５０７の上に、チップ状のシングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’を配置し、３３０℃に加熱してＡｕＳｎ半田５０７，５０７を融解させることにより、該シングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’をＡｌＮサブマウント９に接着固定する。
【００８８】
一方、図１０に示すようにヒートブロック１１の上表面には、Ａｕ／Ｎｉメッキ層５０８およびＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉメタライズ層５０９がこの順に形成される。そして、ＡｌＮサブマウント９の下端面９Ｄの溝９ｍ内に固体状態のＡｕＳｎ半田５１１を配置し、この下端面９Ｄを下にして該ＡｌＮサブマウント９をヒートブロック１１の上に配置する。この状態のまま、ＡｕＳｎ半田５１１を３１０℃に加熱して融解させることにより、ＡｌＮサブマウント９をヒートブロック１１のレーザー固定面１１ａに接着固定する。以上により、シングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’がＡｌＮサブマウント９を介してヒートブロック１１に実装される。
【００８９】
この場合も、ＡｌＮサブマウント９をヒートブロック１１に固定するとき、ＡｌＮサブマウント９は終始その下端面９Ｄがレーザー固定面１１ａに接した状態に維持されるので、ＡｕＳｎ半田５１１の融解から固化までの間にＡｌＮサブマウント９がレーザー固定面１１ａの上で動くことがなく、その位置精度つまりはシングルキャビティレーザーダイオードチップ１２’の位置精度が高く確保される。
【００９０】
以上、コリメーターレンズアレイやレーザーダイオードや、レーザーダイオードを固定したサブマウントをマウントに固定する構造に適用された実施の形態について説明したが、本発明はそのような光学部材に限らず、その他の光学部材をマウントに固定する構造に適用することも可能であり、その場合にも先に説明した効果を同様に奏するものである。
【００９１】
また使用する接合材料も、特に半田に限定されるものではなく、それ以外の公知の各種ロウ材等を適宜選択使用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態による光学部材の固定構造を備えた合波レーザー装置の平面図
【図２】図１の合波レーザー装置の側面図
【図３】図１の合波レーザー装置の部分正面図
【図４】本発明の第２の実施形態による光学部材の固定構造を備えた合波レーザー装置の平面図
【図５】図４の合波レーザー装置の側面図
【図６】本発明の第３の実施形態による光学部材の固定構造を示す斜視図
【図７】本発明に適用されるマウントの凹部の形状例を示す斜視図
【図８】本発明の第４の実施形態による光学部材の固定構造を示す正面図
【図９】図８の構造に用いられるサブマウントを示す斜視図
【図１０】本発明の第５の実施形態による光学部材の固定構造を示す正面図
【図１１】図１０の構造に用いられるサブマウントを示す斜視図
【符号の説明】
５    半田
９    サブマウント
９Ｄ    サブマウントの下端面
９ｍ    サブマウントの溝（凹部）
１０、１１０    レーザー装置
１１、１１１    ヒートブロック（マウント）
１１ａ、１１１ａ    ヒートブロックのレーザー固定面
１１ｆ、１１１ｆ    ヒートブロックのレンズ固定面
１１ｇ、１１ｍ    ヒートブロックの溝（凹部）
１２    マルチキャビティレーザーダイオードチップ
１２’    シングルキャビティレーザーダイオードチップ
１２ａ    発光点
１２Ｂ    レーザービーム
１４    コリメーターレンズアレイ
１４ａ    コリメーターレンズ
２０    集光レンズ
３０    マルチモード光ファイバー
５０    サブマウント
５０ａ    サブマウントのレーザー固定面
５０、５０’、５０”    サブマウントの凹部
１１１Ａ〜１１１Ｈ    ヒートブロックを構成する平板
５１１    ＡｕＳｎ半田
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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