(57)【要約】【課題】開口率向上とドメインの発生を抑制し、表示品質を向上させる。【解決手段】液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の面の画素領域に、屈曲部を有する画素電極とこの画素電極を平行にシフトさせた位置に配置される対向電極を有し、前記画素電極および対向電極は絶縁膜を介してその上層および下層に重畳された２個の電極から構成され、前記画素電極および対向電極のうち、少なくとも一方の電極の下層側の電極に、その屈曲部の凸部側の頂部からさらに突出し他方の電極側に延在する突起部が設けられている。【選択図】　　図１
2004109794.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の面の画素領域に、屈曲部を有する画素電極とこの画素電極を平行にシフトさせた位置に配置される対向電極を有し、
前記画素電極および対向電極は少なくとも一方の電極は絶縁膜を介してその上層および下層に重畳された２個の電極から構成され、
前記２個の電極の下層側の電極に、その屈曲部の凸部側の頂部からさらに突出し他方の電極側に延在する突起部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記他方の電極の下層側の電極に、その屈曲部の凹部側の底部をさらに抉るようにした切欠き部が設けられていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
２個の画素電極の間に介在される絶縁膜と２個の対向電極の間に介在される絶縁膜は、その積層数が異なっていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項４】
液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、
これら画素領域内に、ゲート信号線からの走査信号によって駆動される薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタのドレイン電極およびソース電極を介してドレイン信号線からの走査信号が供給される画素電極とを備え、
前記ドレイン信号線は、前記ゲート信号線と交差する箇所および少なくとも画素領域のほぼ中央部にて、屈曲部を有するジグザグ状をなすとともに、
前記薄膜トランジスタはドレイン信号線の前記屈曲部の凹部側に近接して形成され、そのドレイン電極は前記ドレイン信号線の一部を用い、ソース電極はゲート信号線の走行方向にチャネル長を有して前記ドレイン電極に対向して形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
前記薄膜トランジスタのソース電極は画素電極と接続され、この画素電極の前記ソース電極との接続部近傍は、前記対向電極との間でドメインを低減させるとともに前記ゲート信号線からの電界ノイズを遮蔽するパターンからなる延在部を有することを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
薄膜トランジスタは互いに隣接して配置される画素電極と対向電極の延長線の間に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、
これら画素領域内に、ゲート信号線からの走査信号によって駆動される薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタのドレイン電極およびソース電極を介してドレイン信号線からの走査信号が供給される画素電極とを備え、
前記ドレイン信号線は、前記ゲート信号線と交差する箇所および少なくとも画素領域のほぼ中央部にて、屈曲部を有するジグザグ状をなすとともに、
前記薄膜トランジスタは、そのドレイン電極のソース電極と対向する辺が凹部を有するパターンをなすとともに、ソース電極はドレイン電極と対向する辺が凸部を有するパターンをなしていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
前記薄膜トランジスタのドレイン電極はドレイン信号線の屈曲部のパターンをそのまま用いたことを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置。
【請求項９】
液晶を介して対向配置された各基板の一方の基板の液晶側の面に、並設される複数のゲート信号線とこれらゲート信号線と交差し並設される複数のドレイン信号線とで囲まれる画素領域を有し、
該画素領域には、ゲート信号線からの走査信号によって駆動されるスイッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、対向電圧信号線に接続されて前記画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極とが形成され、
前記対向電極は下層対向電極とこの下層対向電極に対して上層に設けられる上層対向電極とを有し、前記下層対向電極は前記ドレイン信号線と第１絶縁膜を介して該ドレイン信号線の両脇にそれぞれ配置されて形成され、前記上層対向電極は第２絶縁膜を介して前記ドレイン信号線および下層対向電極を被って形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
ドレイン信号線およびその両脇に配置される下層対向電極は屈曲部を有するとともに、前記下層対向電極の屈曲部の凸部側の頂部からさらに突出し画素電極側に延在する突起部が設けられていることを特徴とする請求項９記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の面の画素領域に、屈曲部を有する画素電極とこの画素電極を平行にシフトさせた位置に配置される対向電極を有し、
前記画素電極および対向電極のうち一方の電極の屈曲部の凸部側の頂部から対向する他の電極の屈曲部の凹部側の底部に向かって突出する突起部を有し、
前記他方の電極の屈曲部の凹部側の底部がさらに切り欠かれる切欠き部を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
前記ドレイン信号線の両脇に配置された各下層対向電極は該ドレイン信号線を交差して配置される接続体によって互いに接続されていることを特徴とする請求項９記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記下層対向電極は前記ゲート信号線の脇で前記ドレイン信号線と重ならないように離れて折れ曲がっていることを特徴とする請求項９、１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の面に並設される複数のゲート信号線とこれらゲート信号線と交差し並設される複数のドレイン信号線とで囲まれる画素領域を有し、
該画素領域には、ゲート信号線からの走査信号によって駆動されるスイッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、対向電圧信号線に接続されて前記画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極が形成され、
前記対向電極は下層対向電極とこの下層対向電極に対して上層に設けられる上層対向電極とを有し、前記下層対向電極は、前記ドレイン信号線と前記ゲート信号線との中間の導体層からなり、第１絶縁膜を介して前記ドレイン信号線と絶縁され第３絶縁膜を介して前記ゲート信号線と絶縁され、前記ドレイン信号線および前記ゲート信号線の少なくとも一方の信号線の傍に配置形成され、該ドレイン信号線の延在方向に延在して形成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】
前記下層対向電極は、前記画素電極と第１絶縁膜を介して重畳領域を構成し、該領域で保持容量を形成していることを特徴とする請求項１４記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記上層対向電極と下層対向電極とは、スルーホールを介して前記画素領域内のゲート信号線上で電気的に接続されていることを特徴とする請求項１４あるいは１５記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の面に並設される複数のゲート信号線とこれらゲート信号線と交差し並設される複数のドレイン信号線とで囲まれる画素領域を有し、
他方の基板には、屈曲部を有するカラーフィルターが前記画素領域内に形成され、その屈曲部の凸部側の頂部からさらに突出した突起部あるいはその屈曲部の凹部側にさらに切欠き部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に係り、特に、開口率向上とドメインの発生領域を抑制し、表示品質を向上させた高画質の液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
いわゆる横電界方式と称される液晶表示装置は、液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の面の画素領域に画素電極とこの画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極とを備え、該電界のうち基板とほぼ平行な成分によって液晶を挙動させる構成となっている。
そして、このような構成をアクティブマトリクス型のものに適用させたものは、まず、前記一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれら各ゲート信号線と交差するようにして並設された複数のドレイン信号線とで囲まれた各領域を前記画素領域としている。
そして、これら各画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動する薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給される前記画素電極と、該映像信号に対して基準となる信号が供給される前記対向電極とが備えられている。
【０００３】
ここで、画素電極と対向電極はそれぞれ一方向に延在する帯状のパターンとして形成され、それら各電極は２個あるいはそれ以上の個数で形成して交互に配置させるのが通常である。
また、このような構成において、いわゆるＳＳＳ（Ｓｅｌｆ−Ｓｈｉｅｌｄ−Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）方式と称されているものは、対向電極をドレイン信号線をも被って形成される絶縁膜の上面に形成させるとともに、該ドレイン信号線とその中心軸をほぼ一致させ該ドレイン信号線の幅よりも大きな幅を有して該ドレイン信号線に沿って形成させている。ドレイン信号線からの電気力線がその上方の対向電極に終端させやすくし、画素電極に終端させるのを防止するためである。画素電極に該電気力線が終端するとそれがノイズとなってしまうからである。
【０００４】
そして、前記各対向電極は、前記絶縁膜の上面に形成された対向電圧信号線と同層かつ一体に形成され、この対向電圧信号線を介して該各対向電極に基準信号を供給するようになっている。
さらに、交互に配置させる画素電極および対向電極は、それらを「くの字」の屈曲部を有するパターンに形成し、いわゆるマルチドメイン方式を採用したものも知られている。
【０００５】
すなわち、液晶はその分子配列が同じ状態でも、液晶表示パネルに入射する光の入射方向によって透過光の偏光状態が変化するので、入射方向に対応して光の透過率が異なってしまう。
このような液晶表示パネルの視角依存性は視角方向に対し視点を斜めに傾けると、輝度の逆転現象を引き起こすことになり、カラー表示の場合に画像が色づくという表示特性を有する。
このため、画素電極をその延在方向に少なくとも一つの屈曲部を形成したパターンとし、さらにこのパターンを平行にシフトした形状で対向電極を形成し、これら各電極の屈曲点を結んだ仮想の線を境にし、一方の領域と他方の領域とで各電極間に作用する電界の方向を異ならしめ、これにより、視野角に依存する画像の色づきを補償するようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このように構成された液晶表示装置は、「くの字」の屈曲部を有する電極の設計パターンにあって、該電極形成時のエッチングの際に、該屈曲部の凸凹部が滑らかになり直線状に近く形成されてしまう。こうなるとドメイン領域（ディスクリミネーション領域とも称され、正規の電界方向と異なった電界方向の部分ができ、表示が正常になされない領域をいう）が広がることになり、しかもエッチング条件のバラツキの影響でこの傾向が変化することとなる。このような傾向は、対向電極の材料としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜を用いることにより顕著となっている。
そして、いわゆるＮＢ（ノーマリブラック）表示を採用した場合、前記ドメイン領域は、この部分が明表示でも暗く表示され、所望の表示したい輝度に対して差が生じてくることが知られている。特に、２００ｐｐｉクラスの高精細の画素では、１画素の開口部に占有するこの領域の表示特性への悪影響が無視できなくなることはいうまでもない。
【０００７】
例えば、正常な輝度値を表示しているつもりであっても、前記ドメイン領域の影響で、輝度の暗くなった画素として認識されてしまう。また、この差は、出来上がりパターンで変化し、画面内の輝度バラツキの原因となる。さらに、このドメインの発生は、液晶分子の立ち上り応答速度の低下という悪影響を与える原因ともなる。
また、ＳＳＳ方式では、開口率向上を大幅に期待できるが、その副作用として、ドレイン信号線の約３倍近い幅の対向電極（透明導電膜）を有機材料層からなる保護膜を介してオーバラップさせる必要が有り、特に、２００ｐｐｉ程度の高精細の画素では、電極間隔を十分に確保できなくなっている。
【０００８】
例えば、幅６μｍのドレイン信号線ならば、幅１８μｍの対向電極で被覆する必要がある。つまり、対向電極の幅を狭くした場合、ドレイン信号線からの電界ノイズが画素電極と対向電極との間の液晶層に侵入する結果、正常輝度曲線が該ドレイン信号線の信号で変動し、該輝度曲線が変化する、いわゆるスミア現象を生じてしまうに到る。このため、相対的にドレイン信号線を４〜５μｍと細くすることが試みられているが、大型パネルに対しては、該ドレイン信号線の断線が多発するという不都合が生じる。
【０００９】
さらに、ＳＳＳ方式では、対向電極に電圧を供給する対向電圧信号線と該対向電極とを一体に形成することが考えられるが、該対向電圧信号線が画素領域の中央に配置される場合、有機ＰＡＳに形成するスルーホールを画面中央部に配置する必要が生じ、この部分での配向乱れや電界の乱れが生じ、黒表示でのコントラスト低下や開口率を低下させるという不都合がある。
【００１０】
本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、開口率向上とドメインの発生を抑制し、表示品質を向上させた液晶表示装置を提供することにある。
なお、櫛歯電極の屈曲部の設計に関しては、たとえば特開２００２−４０４５６号公報、特開２０００−５６３２０号公報に開示されている。
本発明の前記目的並びにその他の目的及び新規な特徴は、本明細書の記載及び添付図面によって明らかにする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
手段１．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の面の画素領域に、屈曲部を有する画素電極とこの画素電極を平行にシフトさせた位置に配置される対向電極を有し、前記画素電極および対向電極は少なくとも一方の電極は絶縁膜を介してその上層および下層に重畳された２個の電極から構成され、前記２個の電極の下層側の電極に、その屈曲部の凸部側の頂部からさらに突出し他方の電極側に延在する突起部が設けられていることを特徴とするものである。
【００１２】
手段２．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段１の構成を前提とし、前記他方の電極の下層側の電極に、その屈曲部の凹部側の底部をさらに抉るようにした切欠き部が設けられていることを特徴とするものである。
【００１３】
手段３．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段１の構成を前提とし、２個の画素電極の間に介在される絶縁膜と２個の対向電極の間に介在される絶縁膜は、その積層数が異なっていることを特徴とするものである。
【００１４】
手段４．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、これら画素領域内に、ゲート信号線からの走査信号によって駆動される薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタのドレイン電極およびソース電極を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極とを備え、前記ドレイン信号線は、前記ゲート信号線と交差する箇所および少なくとも画素領域のほぼ中央部にて、屈曲部を有するジグザグ状をなすとともに、前記薄膜トランジスタはドレイン信号線の前記屈曲部の凹部側に近接して形成され、そのドレイン電極は前記ドレイン信号線の一部を用い、ソース電極はゲート信号線の走行方向にチャネル長を有して前記ドレイン電極に対向して形成されていることを特徴とするものである。
【００１５】
手段５．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段４の構成を前提とし、前記薄膜トランジスタのソース電極は画素電極と接続され、この画素電極の前記ソース電極との接続部近傍は、前記対向電極との間でドメインを低減させるとともに前記ゲート信号線からの電界ノイズを遮蔽するパターンからなる延在部を有することを特徴とするものである。
【００１６】
手段６．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段４の構成を前提とし、前記薄膜トランジスタは互いに隣接して配置される画素電極と対向電極の延長線の間に配置されていることを特徴とするものである。
【００１７】
手段７．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、これら画素領域内に、ゲート信号線からの走査信号によって駆動される薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタのドレイン電極およびソース電極を介してドレイン信号線からの走査信号が供給される画素電極とを備え、前記ドレイン信号線は、前記ゲート信号線と交差する箇所および少なくとも画素領域のほぼ中央部にて、屈曲部を有するジグザグ状をなすとともに、前記薄膜トランジスタは、そのドレイン電極のソース電極と対向する辺が凹部を有するパターンをなすとともに、ソース電極はドレイン電極と対向する辺が凸部を有するパターンをなしていることを特徴とするものである。
【００１８】
手段８．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段７の構成を前提とし、前記薄膜トランジスタのドレイン電極はドレイン信号線の屈曲部のパターンをそのまま用いたことを特徴とするものである。
【００１９】
手段９．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置された各基板の一方の基板の液晶側の面に、並設される複数のゲート信号線とこれらゲート信号線と交差し並設される複数のドレイン信号線とで囲まれる画素領域を有し、
該画素領域には、ゲート信号線からの走査信号によって駆動されるスイッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、対向電圧信号線に接続されて前記画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極とが形成され、前記対向電極は下層対向電極とこの下層対向電極に対して上層に設けられる上層対向電極とを有し、前記下層対向電極は前記ドレイン信号線と第１絶縁膜を介して該ドレイン信号線の両脇にそれぞれ配置されて形成され、前記上層対向電極は第２絶縁膜を介して前記ドレイン信号線および下層対向電極を被って形成されていることを特徴とするものである。
【００２０】
手段１０．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段９の構成を前提とし、ドレイン信号線およびその両脇に配置される下層対向電極は屈曲部を有するとともに、前記下層対向電極の屈曲部の凸部側の頂部からさらに突出し画素電極側に延在する突起部が設けられていることを特徴とするものである。
【００２１】
手段１１．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の面の画素領域に、屈曲部を有する画素電極とこの画素電極を平行にシフトさせた位置に配置される対向電極を有し、前記画素電極および対向電極のうち一方の電極の屈曲部の凸部側の頂部から対向する他の電極の屈曲部の凹部側の底部に向かって突出する突起部を有し、前記他方の電極の屈曲部の凹部側の底部がさらに切り欠かれる切欠き部を有することを特徴とするものである。
【００２２】
手段１２．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段９の構成を前提とし、前記ドレイン信号線の両脇に配置された各下層対向電極は該ドレイン信号線を交差して配置される接続体によって互いに接続されていることを特徴とするものである。
【００２３】
手段１３．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段９あるいは１２の構成を前提とし、前記下層対向電極は前記ゲート信号線の脇で前記ドレイン信号線と重ならないように離れて折れ曲がっていることを特徴とするものである。
【００２４】
手段１４．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の面に並設される複数のゲート信号線とこれらゲート信号線と交差し並設される複数のドレイン信号線とで囲まれる画素領域を有し、該画素領域には、ゲート信号線からの走査信号によって駆動されるスイッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、対向電圧信号線に接続されて前記画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極が形成され、前記対向電極は下層対向電極とこの下層対向電極に対して上層に設けられる上層対向電極とを有し、前記下層対向電極は、前記ドレイン信号線と前記ゲート信号線との中間の導体層からなり、第１絶縁膜を介して前記ドレイン信号線と絶縁され第３絶縁膜を介して前記ゲート信号線と絶縁され、前記ドレイン信号線および前記ゲート信号線の少なくとも一方の信号線の傍に配置形成され、該ドレイン信号線の延在方向に延在して形成されることを特徴とするものである。
【００２５】
手段１５．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段１４の構成を前提とし、前記下層対向電極は、前記画素電極と第１絶縁膜を介して重畳領域を構成し、該領域で保持容量を形成していることを特徴とするものである。
【００２６】
手段１６．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段１４あるいは１５の構成を前提とし、前記上層対向電極と下層対向電極とは、スルーホールを介して前記画素領域内のゲート信号線上で電気的に接続されていることを特徴とするものである。
【００２７】
手段１７．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の面に並設される複数のゲート信号線とこれらゲート信号線と交差し並設される複数のドレイン信号線とで囲まれる画素領域を有し、
他方の基板には、屈曲部を有するカラーフィルターが前記画素領域内に形成され、その屈曲部の凸部側の頂部からさらに突出した突起部あるいはその屈曲部の凹部側にさらに切欠き部が設けられていることを特徴とするものである。
【００２８】
なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による液晶表示装置の実施例を図面を用いて説明をする。
実施例１．
《全体の構成》
図２４は、本発明による液晶表示装置の全体の構成の一実施例を示す平面図である。同図は、その一部において等価回路で示しているが、実際の幾何学的配置に対応させて描いている。
同図において、液晶を介して互いに対向配置される一対の透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該液晶は一方の透明基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板ＳＵＢ２の固定を兼ねるシール材ＳＬによって封入されている。
シール材ＳＬによって囲まれた前記一方の透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在しｙ方向に並設された複数のゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在しｘ方向に並設された複数のドレイン信号線ＤＬとが形成されている。
【００３０】
各ゲート信号線ＧＬと各ドレイン信号線ＤＬとで囲まれた各領域は画素領域を構成するとともに、これら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部ＡＲを構成するようになっている。
また、ｘ方向に並設される各画素領域のそれぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の対向電圧信号線ＣＬが形成されている。この対向電圧信号線ＣＬは各画素領域の後述する対向電極ＣＴに映像信号に対して基準となる電圧を供給するための信号線となるものである。
【００３１】
各画素領域には、その片側のゲート信号線ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジスタＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素電極ＰＸが形成されている。
この画素電極ＰＸは、前記対向電圧信号線ＣＬと接続された対向電極ＣＴとの間に電界を発生させ、この電界によって液晶の光透過率を制御させるようになっている。
【００３２】
前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は走査信号駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子ＧＬＴを構成するようになっている。また、前記走査信号駆動回路Ｖの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基板（図示せず）からの信号が入力されるようになっている。
走査信号駆動回路Ｖは複数個の半導体装置からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線ＧＬどおしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装置があてがわれるようになっている。
【００３３】
同様に、前記ドレイン信号線ＤＬのそれぞれの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端子ＤＬＴを構成するようになっている。また、前記映像信号駆動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基板（図示せず）からの信号が入力されるようになっている。
この映像信号駆動回路Ｈｅも複数個の半導体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線ＤＬどおしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装置があてがわれるようになっている。
【００３４】
また、前記対向電圧信号線ＣＬは図中右側の端部で共通に接続され、その接続線はシール材ＳＬを超えて延在され、その延在端において端子ＣＬＴを構成している。この端子からは映像信号に対して基準となる電圧が供給されるようになっている。
前記各ゲート信号線ＧＬは、走査信号駆動回路Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択されるようになっている。
また、前記各ドレイン信号線ＤＬのそれぞれには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲート信号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号が供給されるようになっている。
【００３５】
なお、上述した実施例では、走査信号駆動回路Ｖおよび映像信号駆動回路Ｈｅは透明基板ＳＵＢ１に搭載された半導体装置を示したものであるが、たとえば透明基板ＳＵＢ１とプリント基板との間を跨って接続されるいわゆるテープキャリア方式の半導体装置であってもよく、さらに、前記薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層が多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）から構成される場合、透明基板ＳＵＢ１面に前記多結晶シリコンからなる半導体素子を配線層とともに形成されたものであってもよい。
【００３６】
《画素の構成》
図１は前記画素の具体的な構成の一実施例を示す図で、図１（ａ）は平面図を、図１（ｂ）は図１（ａ）のｂ−ｂ線における断面図を、図１（ｃ）は図１（ａ）のｃ−ｃ線における断面図を示している。
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面に、まず、ｘ方向に延在しｙ方向に並設される一対のゲート信号線ＧＬが形成されている。
これらゲート信号線ＧＬは後述の一対のドレイン信号線ＤＬとともに矩形状の領域を囲むようになっており、この領域を画素領域として構成するようになっている。
また、該画素領域内の前記ゲート信号線ＧＬに近接する部分において、該ゲート信号線ＧＬと平行に対向電圧信号線ＣＬが形成され、この対向電圧信号線ＣＬは図中ｘ方向に並設する各画素領域内を走行するように形成されている。
【００３７】
このようにゲート信号線ＧＬ、対向電圧信号線ＣＬが形成された透明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮからなる絶縁膜ＧＩ（図１（ｂ）、（ｃ）参照）が該ゲート信号線ＧＬ、対向電圧信号線ＣＬをも被って形成されている。
この絶縁膜ＧＩは、後述のドレイン信号線ＤＬの形成領域においては前記ゲート信号線ＧＬに対する層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての機能を有するようになっている。
【００３８】
そして、この絶縁膜ＧＩの表面であって、前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳するようにしてたとえばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが形成されている。
この半導体層ＡＳは、薄膜トランジスタＴＦＴのそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２を形成することにより、ゲート信号線ＧＬの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のＭＩＳ型トランジスタを構成することができる。
【００３９】
ここで、前記ドイレン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２はドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時に形成されるようになっている。
すなわち、ｙ方向に延在されｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成され、その一部が前記半導体層ＡＳの上面にまで延在されてドレイン電極ＳＤ１が形成され、また、このドレイン電極ＳＤ１と薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル長分だけ離間されてソース電極ＳＤ２が形成されている。
【００４０】
また、このソース電極ＳＤ２は画素領域内に形成される下層画素電極ＰＸＭと一体に形成されている。ここで、該下層画素電極ＰＸＭは後述する上層画素電極ＰＸと一部重畳して配置されるもので、該上層画素電極ＰＸとは区別して表現している。
すなわち、下層画素電極ＰＸＭは画素領域内をそのｙ方向に延在しｘ方向に並設された複数（図では２本）の電極群から構成されている。このうちの一つの下層画素電極ＰＸＭの一方の端部は前記ソース電極ＳＤ２を兼ね、他方の端部では他のもう一方の下層画素電極ＰＸＭの対応する個所にて互いに電気的接続が図れるようになっている。
【００４１】
また、この下層画素電極ＰＸＭは、後述する上層画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴとともに、図中ｙ方向にジグザグ形状をなし、いわゆる上述したマルチドメイン方式を採用した構成となっている。
たとえば、図１（ａ）で各下層画素電極ＰＸＭは３個の屈曲部を有し、各屈曲部にはその凸部側の頂部においてその頂部からさらに突出するようにした突起部ＣＰのそれぞれがたとえば下層画素電極ＰＸＭと一体に形成されている。この突起部ＣＰの作用、機能については後述する。
【００４２】
なお、図示していないが、半導体層ＡＳとドレイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２との界面には高濃度の不純物がドープされた薄い層が形成され、この層はコンタクト層として機能するようになっている。
このコンタクト層は、たとえば半導体層ＡＳの形成時に、その表面にすでに高濃度の不純物層が形成されており、その上面に形成したドレイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２のパターンをマスクとしてそれから露出された前記不純物層をエッチングすることによって形成することができる。
【００４３】
このように薄膜トランジスタＴＦＴ、ドイレン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、ソース電極ＳＤ２、および下層画素電極ＰＸＭが形成された透明基板ＳＵＢ１の表面には保護膜ＰＡＳが形成されている。この保護膜ＰＡＳは前記薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避する膜で、該薄膜トランジスタＴＦＴの特性劣化を防止するようになっている。
なお、この保護膜ＰＡＳは、ＳｉＮのような無機材料層と樹脂等の有機材料層の順次積層体から構成され、あるいは図１（ｂ）、（ｃ）に示すように有機材料層のみで構成されている。このように保護膜ＰＡＳとして少なくとも有機材料層を用いているのは保護膜自体の誘電率を低減させることにある。
【００４４】
保護膜ＰＳＶの上面には、上層画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴ、および対向電圧信号線ＣＬｔがそれぞれ形成されている。これら、上層画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴ、および対向電圧信号線ＣＬｔは、たとえば、いずれもＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　ＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ２（酸化スズ）、Ｉｎ２Ｏ３（酸化インジウム）等のような透光性の導電膜で形成されている。画素のいわゆる開口率を向上させるためである。
【００４５】
まず、各上層画素電極ＰＸは、その両端部を除いて前記下層画素電極ＰＸＭと重ね合わされて形成され、その一端部（図中上側の端部）は保護膜ＰＡＳに形成されたスルーホールＴＨ１、ＴＨ２を通して前記各下層画素電極ＰＸＭの接続部に接続されている。これにより、前記下層画素電極ＰＸＭおよび上層画素電極ＰＸは常時同電位に保持されることになる。
【００４６】
この場合、各上層画素電極ＰＸはその走行方向の中心軸が下層画素電極ＰＸＭとほぼ一致づけられて配置され、該下層画素電極ＰＸＭの幅よりも大きな幅を有して形成されている。
なお、この場合において、下層画素電極ＰＸＭに形成された突起部ＣＰは、上層画素電極ＰＸから充分はみ出す程度に、予め該下層画素電極ＰＸＭから延在させて形成するようになっている。
そして、下層画素電極ＰＸＭに形成された突起部ＣＰは上層画素電極ＰＸには形成されていない構成となっている。換言すれば、前記突起部ＣＰは下層画素電極ＰＸＭに形成されているが、上層画素電極ＰＸには形成されていないようになっている。
【００４７】
また、対向電極ＣＴは、上層画素電極ＰＸと同様にｙ方向に延在されｘ方向に並設された複数（図では３本）の電極群から構成され、それぞれの対向電極ＣＴは、その走行方向にジグザグ状に形成され、前記上層画素電極ＰＸと平行になるように配置されている。
そして、各対向電極ＣＴは、平面的に観た場合、前記上層画素電極ＰＸを間にして位置付けられている。
すなわち、対向電極ＣＴと上層画素電極ＰＸは、一方の側のドレイン信号線ＤＬから他方の側のドレイン信号線ＤＬにかけて、対向電極ＣＴ、上層画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴ、上層画素電極ＰＸ、……、対向電極ＣＴの順にそれぞれ等間隔に配置されている。
【００４８】
ここで、画素領域の両側に位置づけられる対向電極ＣＴは、ドレイン信号線ＤＬに重畳されて形成されている。このことから、該ドレイン信号線ＤＬは該対向電極ＣＴのパターンに合わせて、ジグザグ状に形成されている。また、この対向電極ＣＴはｘ方向に隣接する他の画素領域の対応する対向電極ＣＴと共通に形成されている。
【００４９】
換言すれば、ドレイン信号線ＤＬ上には対向電極ＣＴがその中心軸をほぼ一致づけて重畳され、該対向電極ＣＴの幅はドレイン信号線ＤＬのそれよりも大きく形成されている。ドレイン信号線ＤＬに対してはみ出た左側の対向電極ＣＴは左側の画素領域の各対向電極ＣＴの一つを構成し、該ドレイン信号線ＤＬに対してはみ出た右側の対向電極ＣＴは右側の画素領域の各対向電極ＣＴの一つを構成するようになっている。
【００５０】
このようにドレイン信号線ＤＬの上方にて該ドレイン信号線ＤＬよりも幅の広い対向電極ＣＴを形成することにより、該ドレイン信号線ＤＬからの電気力線が該対向電極ＣＴに終端し上層画素電極ＰＸ（および下層画素電極ＰＸＭ）に終端することを回避できるという効果を奏する。ドレイン信号線ＤＬからの電気力線が上層画素電極ＰＸ（および下層画素電極ＰＸＭ）に終端した場合、それがノイズとなってしまうからである。
【００５１】
また、電極群からなる各対向電極ＣＴは、ゲート信号線ＧＬを充分に被って形成される同一の材料からなる対向電圧信号線ＣＬｔと一体的に形成され、この対向電圧信号線ＣＬｔは前述した対向電圧信号線ＣＬと図示しない領域において互いに電気的に接続されている。
対向電圧信号線ＣＬｔとは別個に対向電圧信号線ＣＬが設けられているのは、該対向電圧信号線ＣＬｔが抵抗の大きな材料で構成されているため、抵抗の小さな対向電圧信号線ＣＬによって全体の抵抗を低減させるためである。
【００５２】
前記対向電圧信号線ＣＬ、ＣＬｔあるいは対向電極ＣＴは、その下層に薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２あるいは画素電極ＰＸが位置づけられ、これにより、画素電極ＰＸと対向電圧信号線ＣＬとの間にゲート絶縁膜ＧＩを誘電体膜とする容量素子Ｃｓｔｇが形成されている。
この容量素子Ｃｓｔｇは、たとえば画素電極ＰＸに供給された映像信号を比較的長く蓄積させる等の機能をもたせるようになっている。
【００５３】
そして、このように上層画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴ、および対向電圧信号線ＣＬｔが形成された透明基板ＳＵＢ１の上面にはそれらをも被って配向膜（図示せず）が形成されている。この配向膜は液晶と直接に当接する膜で、その表面に形成されたラビングによって該液晶の分子の初期配向方向を決定づけるようになっている。
【００５４】
《考察》
上述した構成からなる画素電極ＰＸ、ＰＸＭと対向電極ＣＴは、それらの屈曲部において、この部分が他の画素電極ＰＸ、ＰＸＭと対向電極ＣＴの間の部分と比較して、大きな距離となるとともに電界の方向が変わることによって、応答速度の遅延が発生し、あるいはドメインが発生する各不都合を、下層画素電極ＰＸＭに設けた突起部ＣＰによって解消した構成となっている。
ここで、画素電極ＰＸＭに突起部ＣＰを設けた理由は、該画素電極ＰＸＭが対向電極ＣＴと異なる層で形成されていることによって、該突起部ＣＰと対向電極ＣＴとの間の距離が近接して電気的ショートが発生し易くなるのを回避せんとするためである。
【００５５】
しかし、この場合、画素電極として下層画素電極ＰＸＭのみを設けたのでは、前記下層画素電極ＰＸＭの突起部ＣＰと対向電極ＣＴとの間に発生する電界は、その大部分において透明基板ＳＵＢ１とほぼ垂直方向の電界が支配することを免れない。膜厚の比較的厚い保護膜ＰＡＳを介在させて、平面的に見た場合に互いに近接する一対の電極間の電界は、透明基板ＳＵＢ１とほぼ平行な成分の電界が少なくなり、該透明基板ＳＵＢ１とほぼ垂直方向の電界が多くなるからである。この場合、用いられる液晶は透明基板ＳＵＢ１とほぼ平行な成分の電界によって挙動することから、前記下層画素電極ＰＸＭに突起部ＣＰを設けるだけでは当初の課題が達成されないことを意味する。
【００５６】
このため、本実施例では、保護膜ＰＡＳ上においても、通常のパターン（突起部ＣＰに想到する突起部を有しないパターン）を有する上層画素電極ＰＸを下層画素電極ＰＸＭに重畳させて形成し、この上層画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の屈曲部の近傍において発生する電界のうち透明基板ＳＵＢ１とほぼ平行な成分の電界を多く確保せんとしたものである。
【００５７】
実施例２．
図２は、本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図であり、図１（ａ）に対応した図となっている。
図１（ａ）と比較して異なる構成は、画素領域のほぼ中央に配置される対向電極ＣＴ（ドレイン信号線ＤＬに重畳して形成される対向電極ＣＴを除く）の下層においても絶縁膜を介して下層対向電極ＣＴＭを設けたことにある。これにより、前記対向電極ＣＴは前記下層対向電極ＣＴＭと区別するため、以降、上層対向電極ＣＴと称する場合がある。
該下層対向電極ＣＴＭは、その走行方向における中心軸が上層対向電極ＣＴのそれとほぼ一致づけられ、かつ、幅は該上層対向電極ＣＴのそれよりも小さく形成されている。
【００５８】
そして、この下層対向電極ＣＴＭは、その各屈曲部にその凸部側の頂部においてその頂部からさらに突出するようにした突起部ＣＰを備えている。この突起部ＣＰは上層対向電極ＣＴから充分はみ出す程度に下層対向電極ＣＴＭから延在されて形成されている。
このように突起部ＣＰを有した各下層対向電極ＣＴＭは、対向電圧信号線ＣＬと同層に形成され、かつ該対向電圧信号線ＣＬと一体に形成されている。
このように構成した場合、画素領域のほぼ中央に配置される対向電極ＣＴとそれに隣接する画素電極ＰＸとの間に発生するドメインを減少させることができるようになる。
【００５９】
実施例３．
図３は、本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図であり、図２に対応した図となっている。
図２の場合と比較して異なる構成は、ドレイン信号線ＤＬに近接させて下層対向電極ＣＴＭが形成されていることにある。このため、ｘ方向に隣接する他の画素領域の対応する下層対向電極ＣＴＭにより該ドレイン信号線ＤＬは下層対向電極ＣＴＭに挟まれた状態で形成されることになる。
そして、これら下層対向電極ＣＴＭはドレイン信号線ＤＬに重畳されて形成される上層対向電極ＣＴに重ね合わされ、たとえば該上層対向電極ＣＴからはみ出すことなく形成されている。
これにより、ドレイン信号線ＤＬはその三方向において基準電圧が供給される対向電極ＣＴＭ、ＣＴに囲まれるようにして配置されることから、該ドレイン信号線ＤＬからのノイズとなる電界をほぼ完全にシールドできる効果を奏する。
【００６０】
また、この実施例では、ドレイン信号線ＤＬに隣接して配置される下層対向電極ＣＴＭにあっても、その各屈曲部にその凸部側の頂部においてその頂部からさらに突出するようにした突起部ＣＰを備えている。この突起部ＣＰはドレイン信号線ＤＬに重畳されて形成される上層対向電極ＣＴから充分はみ出す程度に下層対向電極ＣＴＭから延在されて形成されている。
このような突起部ＣＰを有した各下層対向電極ＣＴＭも対向電圧信号線ＣＬと同層に形成され、かつ該対向電圧信号線ＣＬと一体に形成されている。
このように構成した場合、ドレイン信号線ＤＬと重畳される対向電極ＣＴとそれに隣接する画素電極ＰＸとの間に発生するドメインをさらに減少させることができるようになる。
【００６１】
実施例４．
たとえば実施例２および実施例３の場合、そのいずれにおいても画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴは、それぞれ絶縁膜を介した２層構造となっており、さらに、下層画素電極ＰＸＭ、下層対向電極ＣＴＭは絶縁膜（絶縁膜ＧＩ）を介して異層に形成されているものである。
しかし、下層画素電極ＰＸＭおよび下層対向電極ＣＴＭを同層に形成する構成も可能であり、この場合、一方の電極の突起部ＣＰをより延在させて形成された場合に他方の電極と電気的ショートを発生させる恐れが生じる。
【００６２】
この実施例では、その不都合を解消するためのもので、たとえば、図４（ａ）は、画素電極ＰＸとこの画素電極ＰＸに隣接する対向電極ＣＴであって、このうち各電極の屈曲部およびその近傍を示している。
【００６３】
画素電極ＰＸは絶縁膜を介した２層構造となっており、該絶縁膜下の下層画素電極ＰＸＭと該絶縁膜上の上層画素電極ＰＸｔとで構成され、対向電極ＣＴも該絶縁膜を介した２層構造となって、該絶縁膜下の下層対向電極ＣＴＭと該絶縁膜上の上層対向電極ＣＴｔとで構成されている。
下層画素電極ＰＸＭと下層対向電極ＣＴＭは、それらの屈曲部にその凸部側の頂部においてその頂部からさらに突出するようにした突起部ＣＰが形成されている。そして、一方の電極の前記突起部ＣＴに対向する他方の電極の凹部にさらに該凹部を抉るようにして切欠き部ＤＰが形成されている。
【００６４】
このようにした場合、各電極の屈曲部において前記切欠き部ＤＰを形成した分、この部分において各電極の離間距離が大きくなることを意味する。したがって、たとえば、図４（ｂ）に示すように、たとえ、一方の電極の突起部ＣＰをさらに延長させた構成としても、その延長部が他方の電極に電気的ショートを起す不具合を解消することができる。
なお、図４（ｂ）においては、下層対向電極ＣＴＭの突起部ＣＰの先端部が上層画素電極ＰＸｔに重なるように構成されている。このようにした場合、ドメイン領域の抑制、および画素の開口率の向上においてさらに効果を奏することが確かめられる。
【００６５】
ここで、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のそれぞれは、一方の電極のうち下層の電極の突起部ＣＰの先端が他方の電極のうちの上層の電極にかなり接近し、あるいは重ねられることによる各電極の間に発生する電界の分布を示した断面図である。
ここで、図５（ａ）は、一方の電極のうち下層の電極の突起部ＣＰと他方の電極のうちの上層の電極Ｔｔとの間に、有機材料層からなる保護膜ＰＡＳが介在されている場合、図５（ｂ）は、無機材料層からなる保護膜ＰＡＳ１と有機材料層からなる保護膜ＰＡＳ２との順次積層体が介在されている場合、図５（ｃ）は、薄膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜の機能を有する絶縁膜ＧＩ、および無機材料層からなる保護膜ＰＡＳ１と有機材料層からなる保護膜ＰＡＳ２との順次積層体が介在されている場合を示す。
【００６６】
これらの図において、一方の電極のうち下層の電極の突起部ＣＰと他方の電極のうちの上層の電極との間に発生する電界はいわゆるフリンジ電界と称され、このフリンジ電界Ｅは横電界方式のものにあって、特に、各電極が透光性の導電体によって形成されている場合、効果的に液晶を挙動させることができるようになる。
そして、このフリンジ電界Ｅは、保護膜等の絶縁膜の厚さが大きくなるに従って、その密度が小さくなることが確かめられている。このことから、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の順に、一方の電極のうち下層の電極の突起部ＣＰと他方の電極のうちの上層の電極の間を狭めるようにして構成することが効果的となる。
【００６７】
また、図４（ａ）、（ｂ）において、突起部ＣＰと対向する側の電極であって上層の電極には切欠き部ＤＰを設けない構成としたものであるが、対応する図６（ａ）、（ｂ）にそれぞれ示すように、上層の電極ＰＸｔあるいはＣＴｔにも前記切欠き部ＤＰ１を下層の電極の切欠き部ＤＰとほぼ同形で形成するようにしてもよいことはいうまでもない。
【００６８】
実施例５．
図７は、一方の電極Ｔ１とこの一方の電極Ｔ１と隣接する他方の電極Ｔ２において、その屈曲部における一方の電極Ｔ１の突起部ＣＰと他方の電極Ｔ２の切欠き部ＤＰのより具体的な構成を示した図である。
この場合、配向膜のラビング方向ＲＤは、図中ｙ方向に、換言すればドレイン信号線ＤＬの走行方向に一致づけられている。
【００６９】
この場合、屈曲部を境にして、一方の電極Ｔ１および他方の電極Ｔ２の傾斜角度（ｙ方向に対する角度で、図中θｐ１、θｐ２）、一方の電極Ｔ１の突起部ＣＰの一方の辺の傾斜角度（ｙ方向に対する角度で、図中θｊ）、他方の電極Ｔ２の切欠き部ＤＰの一方の辺の傾斜角度（ｙ方向に対する角度で、図中θｄ）の関係を次のようにすることにより、ドメイン領域の抑制、および画素の開口率の向上においてさらに効果を奏することが確かめられた。
【００７０】
すなわち、θｐ１、θｐ２は５度以上２０度以下、θｊは３０度以上９０度以下、θｄは１０度を越え６０度以下。そして、θｐ１，θｐ２＜θｄ≧θｊの関係が成立する。
これにより、一方の電極Ｔ１から他方の電極Ｔ２への電界の方向は、屈曲部の近傍において急激な変化がなくなり、ドメインの発生も激減するようになる。
【００７１】
この電極構成で、屈曲部を境に、その両側の近傍領域の液晶方向子（ｄｉｒｅｃｔｏｒ）は、偏光板ＰＯＬ１の透過軸とのなす角度が±４５°になる部分が増える。つまり、特開平６−１６０８７８号公報（公報中、図７）にも記載されているが、たとえば図２５の電極構成で、たとえばθｐ１＝θｐ２＝１５°とした平行電極間隙に存在する液晶分子ＬＣ１、ＬＣ２とθｐ１＝θｐ２＝４５°とした電極間隙に存在する液晶分子ＬＣ２、ＬＣ４の中間調表示での立ち上がり応答速度Ｔｒ、閾値電圧Ｖｔｈ（液晶分子が動き出すための駆動電極間へ印加する最低電圧）は、駆動電界と液晶の初期配向方向（ラビング方向ＲＤ）とのなす角度が９０°から４５°に近づくにつれ、図２６に示すようにいずれの特性も改善され、容易に液晶方向子が回転するようになる。図２６はその横軸に場所（図２５に示すもので、ＬＣ１、ＬＣ２、ＬＣ３、ＬＣ４に対応）を採り、横軸に閾値電圧Ｖｔｈに対する立ち上がり応答速度Ｔｒを採っている。
【００７２】
また、この構成では、駆動電界を印加から無印加状態にして黒表示する場合でも、屈曲部近傍の互いに反対方向に回転駆動された液晶分子同士には元の配向状態に戻ろうとする弾性力がより強く働き、ラビングによる復元力が加わるので、より早く回転して元の配向状態に戻ることができる。このため、立下りの応答速度も改善できる。このように、屈曲部の液晶分子を核にして、主要な横方向駆動電界が発生する電極間隔に存在する液晶分子の特性を改善でき、さらに、ドメイン生成領域も製造上安定に形成されるため、屈曲部近傍の輝度が安定してくる。
【００７３】
この実施例の電極構成では、切欠き部ＤＰがあることから、同じ層の導体層に対向する駆動電極を形成してもほとんど電気的ショートの不具合も無いので、たとえば図２７に示すように、一部の画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとを保護膜ＰＡＳの上層の透光性の導体層のみで構成してもよい。なお、図２７は図１に対応した図となっており、その図中Ａ部の位置が図７あるいは図２５に示した箇所となっている。
【００７４】
しかし、本実施例は、画素領域中における画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴの全てがそれぞれ一層の構成からなっていても適用できることはいうまでもない。また、実施例４の構成のように、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとをそれぞれ絶縁層を介した２層構造で実現する場合は、平面的に見た２層導体電極の包括線パターンの縁が上述した構成を満足すればよいことはもちろんである。
【００７５】
実施例６．
図８は、本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図で、薄膜トランジスタＴＦＴとその近傍を詳細に示した図となっている。
同図において、この実施例の特徴的な構成は、いわゆるマルチ・ドメイン方式の採用により、ジグザグ状に形成されるドレイン信号線ＤＬを、その屈曲部にてゲート信号線ＧＬが交差するように配置するとともに、該ドレイン信号線ＤＬの屈曲部のうち凹部側において前記ゲート信号線ＧＬ上に薄膜トランジスタＴＦＴを配置させていることにある。
【００７６】
そして、該薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＳＤ１は、前記ドレイン信号線ＤＬの一部で構成し、該ドレイン電極ＳＤ１と対になるソース電極ＳＤ２は、ゲート信号線ＧＬの走行方向に沿って対向して配置されるようになっている。換言すれば、薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル長はゲート信号線ＧＬの走行方向に平行となるように形成される。
このため、ドレイン信号線ＤＬの前記ドレイン電極ＳＤ１として機能する部分（屈曲部の部分）は、前記ソース電極ＳＤ２と対向する側の辺においてｙ方向に平行になるように加工されているとともに、該ソース電極ＳＤ２のドレイン信号線ＤＬ側の辺もｙ方向に平行になるように形成されている。
【００７７】
なお、薄膜トランジスタＴＦＴは、ドレイン信号線ＤＬとこれに隣接する画素電極ＰＸの延長線内に位置づけられ、薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＳＤ１の幅をＮＤ、チャネル長をＬ、ソース電極ＳＤ２の幅をＷＳとした場合、Ｐ＞ＮＤ＋Ｌ＋ＷＳの関係が成立するように設定されている。ここで、Ｐはドレイン信号線ＤＬと画素電極ＰＸの外側の辺間における距離を示している。
このように構成された画素は、まず、ゲート信号線ＧＬの近傍に発生しやすいドメインを効果的に防止できるとともに、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２および画素電極ＰＸの該ソース電極ＳＤ２と接続される近傍部のパターンを簡単にすることができ、さらに他の電極との短絡を高い確率で防止することができるようになる。
【００７８】
すなわち、同図において、画素電極ＰＸに対して図中左側の画素領域におけるドメインの発生回避は対向電圧信号線ＣＬｔによって、右側の画素領域におけるドメインの発生回避は画素電極ＰＸの延在部Ｊ１によって行なっている。
この場合、該画素電極ＰＸの延在部Ｊ１は、該画素電極ＰＸとソース電極ＳＤ２の間の領域を画素領域の中央側へ延在させることによって、該ドメインの発生を抑制することができるようになる。もちろん、前記画素電極ＰＸの延在部Ｊ１の幾何学的形状は、この延在部Ｊ１と近接される対向電極ＣＴとの間に発生する電界の方向が、正規の電界の方向と大きく異なることなく形成されることに基づいて、設定されることはいうまでもない。
このことは、各部材が比較的複雑に配置される薄膜トランジスタＴＦＴの近傍において、前記画素電極ＰＸのソース電極ＳＤ２の近傍のパターンを簡単にできることは、同層の他の導電層との短絡の憂いをなくすことができる。
【００７９】
なお、画素電極ＰＸに対して図中左側の画素領域におけるドメインの発生回避のための対向電圧信号線ＣＬｔの幾何学的形状は、それが保護膜ＰＡＳ上に形成されていることから、スペース的な余裕もあって、画素電極ＰＸのソース電極ＳＤ２の近傍付近のパターンよりも深刻な問題とはならない。さらに、図８において、ソース電極ＳＤ２と上層画素電極ＰＸｔとを接続するスルーホールＴＨの形成箇所も延在部Ｊ１とゲート信号線ＧＬの間に配置できるため、この付近でのドメイン発生での開口率低下の不都合を解消できることになる。
【００８０】
ちなみに、図９はドレイン信号線ＤＬの屈曲部の凸部側に薄膜トランジスタＴＦＴを形成した場合を考慮した説明図である。なお、図９は、図８に示したドレイン信号線ＤＬ、画素電極ＰＸの構成を基準として薄膜トラジスタＴＦＴの位置を変えたものとして描いている。
したがって、図９において、図８と同様、画素電極ＰＸに対して図中左側の画素領域においては対向電圧信号線ＣＬによって、右側の画素領域においては画素電極ＰＸの延在部Ｊ１によってドメイン発生の回避を行なっている。
【００８１】
図９から明らかとなるように、画素電極ＰＸに対して図中右側の画素領域におけるドメイン回避のための該画素電極ＰＸの延在部ＪＩは、図中右側のドレイン信号線ＤＬに近接させる程に延在させなければならず、ゲート信号線ＧＬに近接させなければならなくなる。
この場合の該延在部Ｊ１の幾何学的形状は、この延在部Ｊ１と近接される対向電極ＣＴとの間に発生する電界の方向が、正規の電界の方向と大きく異なることなく形成されることに基づいて、設定されることはいうまでもない。
【００８２】
なお、画素電極ＰＸに対して図中左側の画素領域におけるドメインの発生回避のための対向電圧信号線ＣＬｔの幾何学的形状は、図８の場合とほぼ同じとなっている。
また、図８に示した構成にすることにより、画素のいわゆる開口率も同時に向上させることができるようになる。
【００８３】
すなわち、図１０（ａ）は、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２と接続される画素電極ＰＸと該薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＳＤ１と接続されるドレイン信号線ＤＬの間の画素領域を示した説明図である。
前記画素電極ＰＸとソース電極ＳＤ２との接続部の近傍の延在部Ｊ１の存在によって、ゲート信号線ＧＬからの電界ノイズｅ（図中太線矢印で示す）が画素領域に侵入し難くなっている。すなわち、前記延在部Ｊ１は前記ドレイン信号線ＤＬと重畳される対向電極ＣＴとほぼ近接する程度に延在されて形成され、これにより前記電界ノイズｅの侵入経路が狭くなっているからである。
【００８４】
ちなみに、図１０（ｂ）は、薄膜トランジスタＴＦＴをドレイン信号線ＤＬの屈曲部の凸部側に配置させた場合であって、該薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２と接続される画素電極ＰＸと該薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＳＤ１と接続されるドレイン信号線ＤＬの間の画素領域を示した説明図である。
ここの部分の画素領域のドメイン発生の回避は、上述したように、ゲート信号線ＧＬを充分に被う対向電圧信号線ＣＬｔによって行なっているが、該ゲート信号線ＧＬからの電界ノイズｅを効果的に防止するためには、ここの部分の対向電圧信号線ＣＬｔの幅を比較的大きくとらざるを得なくなってしまう。
何故なら、対向電圧信号線ＣＬｔが形成される保護膜ＰＡＳの厚さが比較的大きく、ゲート信号線ＧＬからの電界ノイズｅを効果的に回避させるためには、それだけ該対向電圧信号線ＣＬｔの幅を大きくせざるを得ないからである。
【００８５】
このように、薄膜トランジスタＴＦＴをドレイン信号線ＤＬの屈曲部の凹部側に配置させることにより上述した各効果を有することから、本実施例ではたとえば画素領域のほぼ中央部においてもドレイン信号線ＤＬの屈曲部を形成することによって、各ドレイン信号線ＤＬのゲート信号線ＧＬと交差する部分において同方向の凹部をもつ屈曲部を形成することができる。
このため、各画素においてそれぞれ同一の対応する箇所に前記薄膜トランジスタＴＦＴを配置させることができる。
【００８６】
実施例７．
図１１は、本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図で、図８に対応した図となっている。
図８の場合と比較して異なる構成は、薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＳＤ１とソース電極ＳＤ２にある。
まず、ドレイン電極ＳＤ１は、ドレイン信号線ＤＬをそのままの状態でその一部を薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極として用いていることにある。
すなわち、ドレイン信号線ＤＬはゲート信号線ＧＬと交差する部分において屈曲部を有した“く”の字状のパターンで形成されており、この屈曲部およびその近傍をそのまま何ら加工することなくドレイン電極ＳＤ１として用いている。但し、屈曲部中心付近ＣＮＴはチャネル長Ｌを一定とするため、一部ｙ方向に平行にした。
【００８７】
一方、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２は、その前記ドレイン電極ＳＤ１と対向する辺が該ドレイン電極ＳＤ１の該ソース電極ＳＤ２と対向する辺をｘ方向にシフトした形状を有して形成されている。
これにより、該ドレイン電極ＳＤ１とソース電極ＳＤ２の間のチャネル領域は、屈曲部を有した“く”の字状のパターンで形成されるようになり、チャネル幅を大きくすることができるようになる。
また、ドレイン信号線ＤＬの屈曲部の凹部側に薄膜トランジスタＴＦＴを配置させ、そのチャネル領域を“く”の字状にした場合、図１２（ａ）に示すように、該チャネル領域内を流れる電流の方向は互いに集束する方向に向かい、このことはソース電極ＳＤ２のゲート信号線ＧＬと重なる面積を小さくできるようになる。
したがって、薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極とソース電極ＳＤ２との間の容量Ｃｇｓを小さくできる効果を有する。
【００８８】
ちなみに、図１２（ｂ）は、ドレイン信号線ＤＬの屈曲部の凸部側に薄膜トランジスタＴＦＴを配置した場合を考慮したものである。この場合、該薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル領域内を流れる電流の方向は発散する方向に向かい、この結果、ソース電極ＳＤ２を大きく形成しなければならず、前記容量Ｃｇｓを大きくせざるを得なくなってしまう。
また、上述したように、画素電極ＰＸの薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２の近傍には、ゲート信号線ＧＬからの電界ノイズを遮蔽する延在部を形成しなければならず、この延在部とゲート信号線ＧＬとの間の容量すなわちＣｇｓがさらに付加された状態になる。
なお、図１２（ａ）、（ｂ）において、図中に示すΔＣｇｓ．ｏｆｆ、ΔＣｇｓ・ｏｎはそれぞれ、薄膜トランジスタＴＦＴのスイッチングのオフ時に発生するＣｇｓの寄与する領域、オン時に発生するＣｇｓの寄与する領域を示している。
【００８９】
実施例８．
図１３は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す平面図である。また、図１４は、図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線における断面を示す図である。
図１３は、図３におけるドレイン信号線ＤＬ、このドレイン信号線ＤＬの両脇に配置させた対向電極ＣＴＭ、該ドレイン信号線ＤＬ、対向電極ＣＴＭと重ねて配置させた透光性の導電層からなる対向電極ＣＴを示している。
このような構成は、図１４に示すように、ドレイン信号線ＤＬからの電界（電界ノイズｅ）がドレイン信号線ＤＬの両脇に配置させた対向電極ＣＴＭ、および該ドレイン信号線ＤＬの上方に形成された対向電極ＣＴに終端され、近接して配置される画素電極ＰＸに終端されることがない構成とすることができる。
【００９０】
そして、この実施例の場合、ドレイン信号線ＤＬとこのドレイン信号線ＤＬの両脇に配置させた対向電極ＣＴＭは、絶縁膜を介して異なる層で形成されているとともに、ドレイン信号線ＤＬの両脇に配置されたそれぞれの対向電極ＣＴＭは、その走行方向にて、所定の間隔ごとに前記ドレイン信号線ＤＬを交差する接続体ＳＨによって互いに電気的に接続させた、いわゆる梯子状のパターンとして形成されていることにある。
【００９１】
前記対向電極ＣＴＭのそれぞれの幅Ｗｍは、ドレイン信号線ＤＬの幅ＷＤと対向電極ＣＴの幅ＷＩＴでほぼ決定され、通常、他の電極よりも幅が狭くなる。
このため、この対向電極ＣＴＭの断線を防止するために、それを梯子状のパターンに形成し、一方の対向電極ＣＴＭに断線ができても、その断線箇所を間にして形成されている一方の前記接続体、他方の対向電極ＣＴＭ、他方の接続体を介して、該一方の対向電極ＣＴＭの末端にまで信号が供給させるようになっている。このことから、前記接続体ＳＨの配置は隣接する他の接続体ＳＨと比較的距離を狭くして設けることが効果的となる。
【００９２】
ここで、前記接続体ＳＨは、隣接する画素領域の対向電極ＣＴに基準信号を供給する機能も有するが、上述したように該対向電極ＣＴＭの断線による不都合を解消することを主として構成されたものである。何故なら、隣接する画素領域の対向電極ＣＴに基準信号を供給させるものとして、該対向電極ＣＴＭは、その少なくとも一端が対向電圧信号線ＣＬに接続された構成となっているからである。
【００９３】
実施例９．
図１５は、上記各実施例を液晶表示装置の画素領域に適用させた場合の一実施例を示す平面図である。また、図１６（ａ）は図１５のＸＶＩ（ａ）−ＸＶＩ（ａ）線における断面図を、図１６（ｂ）は図１５のＸＶＩ（ｂ）−ＸＶＩ（ｂ）線における断面図を示している。
この実施例の場合、一画素に１個の画素電極ＰＸとその両脇のそれぞれに配置された２個の対向電極ＣＴを有している。画素電極ＰＸはその下層に下層画素電極ＰＸＭを配置させているとともに、対向電極ＣＴもその下層に下層対向電極ＣＴＭを配置させている。そして、該下層対向電極ＣＴＭはドレイン信号線ＤＬの両脇に該ドレイン信号線ＤＬと絶縁膜を介して異層に形成されているとともに、その一部において該ドレイン信号線ＤＬと交差して配置される接続部ＳＨと互いに接続されている。
また、ドレイン信号線ＤＬはゲート信号線ＧＬと交差する部分および画素領域のほぼ中央において屈曲部を有するジグザグ状となっている。そして、ゲート信号線ＧＬ上に配置される薄膜トランジスタＴＦＴは、ドレイン信号線ＤＬの屈曲部の凹部側に近接して配置されている。
【００９４】
なお、図１５中、ＳＯＣで示される部材は、いわゆる柱状スペーサと称されるもので、図１６（ｂ）に示すように、透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面に形成されたたとえば樹脂からなるスペーサであり、これにより、液晶の層厚の均一化を図るようにしている。
この柱状スペーサＳＯＣは、透明基板ＳＵＢ２の面に順次形成されたブラックマトリクスＢＭ、平坦化膜ＯＣの上面に形成されている。
【００９５】
以下、このような構成の液晶表示装置の製造方法の一実施例の各工程を図１７ないし図２３を用いて説明をする。ここで、各図においては１回のホトリソグラフィ技術を用いており、このため合計７回のホトリソグラフィ技術によって透明基板ＳＵＢ１側の画素領域を形成することができる。
【００９６】
工程１．（図１７）
まず、透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面にゲート信号線ＧＬを形成する。このゲート信号線ＧＬの材料としては、たとえば厚さ約２５０ｎｍのＡｌ−Ｎｄ層に厚さ約６０ｎｍのＭｏ−Ｃｒ層あるいはＭｏ−Ｚｒ層を積層させた積層体を用いる。
なお、このゲート信号線ＧＬとしては、他の方法として、その表面にいわゆる陽極化成膜を形成するようなものであってもよいことはもちろんである。
その後、前記ゲート信号線ＧＬをも被って、絶縁膜ＧＩを形成する。この絶縁膜ＧＩは薄膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜となるもので、その機能をもたせるため膜厚が設定される。その材料として、たとえば厚さ約３５０ｎｍのシリコン窒化膜（ＳｉＮ）を用いる。
そして、この絶縁膜ＧＩの表面に厚さ約２００ｎｍのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層ＡＳを形成し、その表面に燐をドープして高濃度のＮ＋不純物層を形成する。
なお、前記絶縁膜ＧＩおよびアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層ＡＳは、たとえばＣＶＤ方法を用いて同一ベルジャー内で一括して順次形成することが、不純物の侵入なく信頼性よく行なえる。
【００９７】
工程２（図１８）
その後、前記アモルファスシリコン層ＡＳを所定のパターンに形成する。ここで、該アモルファスシリコン層ＡＳは、薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域の他に、画素電極ＰＸの形成領域にも残存させている。後に形成する画素電極ＰＸに段差による段切れを防止するためである。
【００９８】
工程３．（図１９）
次に、対向電圧信号線ＣＬ、これに接続される対向電極ＣＴＭ、薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２を形成する。この対向電圧信号線ＣＬ、対向電極ＣＴ、ドレイン電極ＳＤ１、ソース電極ＳＤ２の材料としては、たとえば、Ｍｏ−Ｃｒ、Ｍｏ−Ｚｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ等のうちいずれであってもよい。そして、それらの膜厚は約１２０ｎｍ程度が適当である。
そして、薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＳＤ１、ソース電極ＳＤ２をマスクとしてそれから露出されたアモルファスシリコン層ＡＳの上面のＮ型不純物層をエッチングして除去する。
そして、前記対向電圧信号線ＣＬ、対向電極ＣＴＭをも被って、前記透明基板ＳＵＢ１の表面に保護膜ＰＡＳ１を形成する。この保護膜ＰＡＳ１としてはたとえばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）を用い、その膜厚は約２００ｎｍ程度が適当である。
【００９９】
工程４．（図２０）
前記保護膜ＰＡＳ１にスルーホールＴＨを形成し、このスルーホールＴＨによって薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＳＤ１の一部、およびソース電極ＳＤ２の一部を露出させる。
このスルーホールＴＨの形成はドライエッチングで行なうことが好ましく、この場合、ゲート信号線ＧＬおよびドレイン信号線ＤＬの端子部におけるスルーホールも同時に形成するようにする。
【０１００】
工程５（図２１）
次に、ドレイン信号線ＤＬ、下層画素電極ＰＸＭ、および柱状スペーサに対向する部分に導電層を形成する。
ドレイン信号線ＤＬ、下層画素電極ＰＸＭ、および前記導電層の材料としては、たとえば、厚さ約６０ｎｍのＭｏ−ＣｒあるいはＭｏ−Ｚｒ、厚さ約２５０ｎｍのＡｌ−Ｎｄ、厚さ約６０ｎｍのＭｏ−ＣｒあるいはＭｏ−Ｚｒを順次積層させた積層体を用いている。
【０１０１】
工程６（図２２）
保護膜ＰＡＳ２を形成する。この保護膜ＰＡＳ２は有機材料層からなり、その形成はたとえば塗布方法が適当である。その厚さは約２０００ｎｍ程度が適当である。そして、この保護膜ＰＡＳ２にスルーホールＴＨを形成し、画素電極ＰＸＭの薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２に接続される部分の延在部の一部を露出させる。
【０１０２】
工程７．（図２３）
前記保護膜ＰＡＳ２の表面に対向電極ＣＴ、対向電圧信号線ＣＬｔ、および上層画素電極ＰＸを形成する。対向電極ＣＴ、対向電圧信号線ＣＬｔ、および上層画素電極ＰＸの材料としては、たとえば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）等の非透光性の導電層を用いている。
【０１０３】
実施例１０．
図２８は、本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図で、たとえば図２１に対応した図となっている。
この実施例では、対向電極ＣＴＭとその上層で絶縁層を介して形成されたドレイン信号線ＤＬが短絡した箇所（たとえば図中Ｔ部で示す）が生じた場合、表示に影響がないようにレーザ光線で修正することができる。すなわち、対向電極ＣＴＭの導体層の一部をゲート信号線の傍においてドレイン信号線と重ならない部分を形成しておき、この部分Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４を切断するようにしたものである。
また、ドレイン信号線ＤＬが断線した箇所（たとえば図中Ｋ部で示す）が生じた場合、レーザ光線で上記部分Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４を切断した後に、短絡部Ｓ１、Ｓ２をレーザ光線で照射し、ドレイン信号線ＤＬを対向電極ＣＴＭのパターンだった部分で電気的に接続させるようにしたものである。
【０１０４】
実施例１１．
図２９は、本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図で、透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面に形成されるカラーフィルタＦＩＬの構成を示したものである。
この図において、ブラックマトリクスＢＭはゲート信号線ＧＬに沿って延在されたパターンをなし、前記各カラーフィルタＦＩＬはドレイン信号線ＤＬに沿って“く”の字状に屈曲部を有して形成されている。そして、ドレイン信号線ＤＬの屈曲部の形状に合わせて前記カラーフィルタＦＩＬの屈曲部にもその凸部側の頂部からさらに突出した突起部ＣＰＦ、あるいはその屈曲部の凹部側にさらに切欠き部ＤＰＦが形成されている。
このように構成することによって、光漏れをなくして、所望の液晶ギャップを確保することができる。
【０１０５】
上述した各実施例はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施例での効果を単独であるいは相乗して奏することができるからである。
【０１０６】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかなように、本発明による液晶表示装置によれば、開口率向上とドメインの発生を抑制し、表示品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を示す構成図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。
【図３】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。
【図４】本発明による液晶表示装置の画素電極と対向電極の一実施例を示す平面図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の画素電極と対向電極の間の電界分布を説明する説明図である
【図６】本発明による液晶表示装置の画素電極と対向電極の他の実施例を示す平面図である。
【図７】本発明による液晶表示装置の電界を生じさせる一対の電極のパターンを説明する平面図である。
【図８】本発明による液晶表示装置の薄膜トランジスタの一実施例を示す平面図である。
【図９】本発明による液晶表示装置の薄膜トランジスタの効果を示すための比較図である。
【図１０】本発明による液晶表示装置の効果を示すための説明図である。
【図１１】本発明による液晶表示装置の薄膜トランジスタの他の実施例を示す平面図である。
【図１２】本発明による液晶表示装置の薄膜トランジスタの効果を説明する説明図である。
【図１３】本発明による液晶表装置のドレイン信号線およびその近傍の構成の一実施例を示す平面図である。
【図１４】図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線における断面図である。
【図１５】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。
【図１６】図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線における断面図である。
【図１７】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施例を示す工程のうち第１工程を示す平面図である。
【図１８】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施例を示す工程のうち第２工程を示す平面図である。
【図１９】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施例を示す工程のうち第３工程を示す平面図である。
【図２０】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施例を示す工程のうち第４工程を示す平面図である。
【図２１】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施例を示す工程のうち第５工程を示す平面図である。
【図２２】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施例を示す工程のうち第６工程を示す平面図である。
【図２３】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施例を示す工程のうち第７工程を示す平面図である。
【図２４】本発明による液晶表示装置の全体の一実施例を示す平面図である。
【図２５】本発明による液晶表示装置の画素電極と対向電極の各屈曲部における他の実施例を示す平面図である。
【図２６】図２５に示した電極の構成による効果を示したグラフである。
【図２７】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図２８】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図２９】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【符号の説明】
ＳＵＢ…透明基板、ＧＬ…ゲート信号線、ＤＬ…ドレイン信号線、ＣＬ、ＣＬｔ…対向電圧信号線、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、ＡＳ…アモルファス・シリコン、ＳＤ１…ドレイン電極、ＳＤ２…ソース電極、ＰＸ、ＰＸＭ…画素電極、ＣＴ、ＣＴＭ…対向電極、ＣＰ…突起部、ＤＰ…切欠き部、ＰＡＳ１…保護膜（無機材料層）、ＰＡＳ２…保護膜（有機材料層）、ＳＨ…接続体、ＢＭ…ブラックマトリクス、ＯＣ…平坦化膜、ＳＯＣ…柱状スペーサ。
【図１】
2004109794.tif 000003
【図２】
2004109794.tif 000004
【図３】
2004109794.tif 000005
【図４】
2004109794.tif 000006
【図５】
2004109794.tif 000007
【図６】
2004109794.tif 000008
【図７】
2004109794.tif 000009
【図８】
2004109794.tif 000010
【図９】
2004109794.tif 000011
【図１０】
2004109794.tif 000012
【図１１】
2004109794.tif 000013
【図１２】
2004109794.tif 000014
【図１３】
2004109794.tif 000015
【図１４】
2004109794.tif 000016
【図１５】
2004109794.tif 000017
【図１６】
2004109794.tif 000018
【図１７】
2004109794.tif 000019
【図１８】
2004109794.tif 000020
【図１９】
2004109794.tif 000021
【図２０】
2004109794.tif 000022
【図２１】
2004109794.tif 000023
【図２２】
2004109794.tif 000024
【図２３】
2004109794.tif 000025
【図２４】
2004109794.tif 000026
【図２５】
2004109794.tif 000027
【図２６】
2004109794.tif 000028
【図２７】
2004109794.tif 000029
【図２８】
2004109794.tif 000030
【図２９】
2004109794.tif 000031