(57)【要約】【課題】　本発明の目的は、耐摩耗性及び耐傷性の機械的強度が強く、かつ、繰り返し安定性に優れた電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供することにある。【解決手段】　本発明は、支持体上に少なくとも電荷輸送物質を含有する感光層を有する電子写真感光体において、該電荷輸送物質の少なくとも１種は、特定の構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である化合物であり、該電荷輸送物質全質量に対して該化合物の占める割合が９０質量％〜１００質量％であることを特徴とする電子写真感光体、その電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置に関する。【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
　支持体及び該支持体上に感光層を有し、該感光層は１種または２種以上の電荷輸送物質を含有し、
　該感光層に含有される電荷輸送物質の少なくとも１種は、下記式（１）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質であり、
　該感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して、下記式（１）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質が占める割合が、９０質量％〜１００質量％である
ことを特徴とする電子写真感光体。
【化１】
2004109999.tif 000094
（式中、Ａｒ１０１〜Ａｒ１０８はそれぞれ独立して置換または無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の一価の芳香族複素環基を示し、Ｚ１１〜Ｚ１５はそれぞれ独立して置換または無置換の二価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の二価の芳香族複素環基を示す。）
【請求項２】
　支持体及び該支持体上に感光層を有し、該感光層は１種または２種以上の電荷輸送物質を含有し、
　該感光層に含有される電荷輸送物質の少なくとも１種は、下記式（２）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質であり、
　該感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して、下記式（２）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質が占める割合が、９０質量％〜１００質量％である
ことを特徴とする電子写真感光体。
【化２】
2004109999.tif 000095
（式中、Ａｒ２０１〜Ａｒ２０９はそれぞれ独立して置換または無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の一価の芳香族複素環基を示し、Ｚ２１〜Ｚ２６はそれぞれ独立して置換または無置換の二価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の二価の芳香族複素環基を示す。）
【請求項３】
　支持体及び該支持体上に感光層を有し、該感光層は１種または２種以上の電荷輸送物質を含有し、
　該感光層に含有される電荷輸送物質の少なくとも１種は、下記式（３）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質であり、
　該感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して、下記式（３）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質が占める割合が、９０質量％〜１００質量％である
ことを特徴とする電子写真感光体。
【化３】
2004109999.tif 000096
（式中、Ａｒ３０１〜Ａｒ３１０は、それぞれ独立して置換または無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の一価の芳香族複素環基を示し、Ｚ３１〜Ｚ３７はそれぞれ独立して置換または無置換の二価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の二価の芳香族複素環基を示す。）
【請求項４】
　支持体及び該支持体上に感光層を有し、該感光層は１種または２種以上の電荷輸送物質を含有し、
　該感光層に含有される電荷輸送物質の少なくとも１種は、下記式（４）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質であり、
　該感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して、下記式（４）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質が占める割合が、９０質量％〜１００質量％である
ことを特徴とする電子写真感光体。
【化４】
2004109999.tif 000097
（式中、Ａｒ４０１〜Ａｒ４１１は、それぞれ独立して置換または無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の一価の芳香族複素環基を示し、Ｚ４１〜Ｚ４８はそれぞれ独立して置換または無置換の二価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の二価の芳香族複素環基を示す。）
【請求項５】
　支持体及び該支持体上に感光層を有し、該感光層は１種または２種以上の電荷輸送物質を含有し、
　該感光層に含有される電荷輸送物質の少なくとも１種は、下記式（５）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質であり、
　該感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して、下記式（５）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質が占める割合が、９０質量％〜１００質量％である
ことを特徴とする電子写真感光体。
【化５】
2004109999.tif 000098
（式中、Ａｒ５０１〜Ａｒ５１２は、それぞれ独立して置換または無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の一価の芳香族複素環基を示し、Ｚ５１〜Ｚ５９はそれぞれ独立して置換または無置換の二価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の二価の芳香族複素環基を示す。）
【請求項６】
　前記式（１）中のＺ１１〜Ｚ１５のうち、１つが置換または無置換のジベンゾフラニレン基、または、置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基であって、その他のＺ１１〜Ｚ１５が置換または無置換のビフェニレン基であることを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
　前記式（２）中のＺ２１〜Ｚ２６のうち、１つが置換または無置換のジベンゾフラニレン基、または、置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基であって、その他のＺ２１〜Ｚ２６が置換または無置換のビフェニレン基であることを特徴とする請求項２に記載の電子写真感光体。
【請求項８】
　前記式（３）中のＺ３１〜Ｚ３７のうち、１つが置換または無置換のジベンゾフラニレン基、または、置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基であって、その他のＺ３１〜Ｚ３７が置換または無置換のビフェニレン基であることを特徴とする請求項３に記載の電子写真感光体。
【請求項９】
　前記式（４）中のＺ４１〜Ｚ４８のうち、１つが置換または無置換のジベンゾフラニレン基、または、置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基であって、その他のＺ４１〜Ｚ４８が置換または無置換のビフェニレン基であることを特徴とする請求項４に記載の電子写真感光体。
【請求項１０】
　前記式（５）中のＺ５１〜Ｚ５９のうち、１つが置換または無置換のジベンゾフラニレン基、または、置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基であって、その他のＺ５１〜Ｚ５９が置換または無置換のビフェニレン基であることを特徴とする請求項５に記載の電子写真感光体。
【請求項１１】
　前記感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して、上記式（１）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質が占める割合が、１００質量％であることを特徴とする請求項１または６に記載の電子写真感光体。
【請求項１２】
　前記感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して、上記式（２）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質が占める割合が、１００質量％であることを特徴とする請求項２または７に記載の電子写真感光体。
【請求項１３】
　前記感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して、上記式（３）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質が占める割合が、１００質量％であることを特徴とする請求項３または８に記載の電子写真感光体。
【請求項１４】
　前記感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して、上記式（４）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質が占める割合が、１００質量％であることを特徴とする請求項４または９に記載の電子写真感光体。
【請求項１５】
　前記感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して、上記式（５）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質が占める割合が、１００質量％であることを特徴とする請求項５または１０に記載の電子写真感光体。
【請求項１６】
　上記式（１）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質は、逐次合成法によって合成されることを特徴とする請求項１、６、及び１１のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項１７】
　上記式（２）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質は、逐次合成法によって合成されることを特徴とする請求項２、７、及び１２のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項１８】
　上記式（３）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質は、逐次合成法によって合成されることを特徴とする請求項３、８、及び１３のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項１９】
　上記式（４）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質は、逐次合成法によって合成されることを特徴とする請求項４、９、及び１４のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項２０】
　上記式（５）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質は、逐次合成法によって合成されることを特徴とする請求項５、１０、及び１５のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項２１】
　請求項１、６、１１、及び１６のいずれかに記載の電子写真感光体と、
　帯電手段、現像手段およびクリーニング手段からなる群より選ばれた少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項２２】
　請求項２、７、１２、及び１７のいずれかに記載の電子写真感光体と、
　帯電手段、現像手段およびクリーニング手段からなる群より選ばれた少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項２３】
　請求項３、８、１３、及び１８のいずれかに記載の電子写真感光体と、
　帯電手段、現像手段およびクリーニング手段からなる群より選ばれた少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項２４】
　請求項４、９、１４、及び１９のいずれかに記載の電子写真感光体と、
　帯電手段、現像手段およびクリーニング手段からなる群より選ばれた少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項２５】
　請求項５、１０、１５、及び２０のいずれかに記載の電子写真感光体と、
　帯電手段、現像手段およびクリーニング手段からなる群より選ばれた少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項２６】
　請求項１、６、１１、及び１６のいずれかに記載の電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
【請求項２７】
　請求項２、７、１２、及び１７のいずれかに記載の電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
【請求項２８】
　請求項３、８、１３、及び１８のいずれかに記載の電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
【請求項２９】
　請求項４、９、１４、及び１９のいずれかに記載の電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
【請求項３０】
　請求項５、１０、１５、及び２０のいずれかに記載の電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置に関し、詳しくは、特定の電荷輸送物質を感光層中に含有する電子写真感光体、その電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
　電子写真装置に用いられる像保持部材として、電子写真感光体があり、高生産性、材料設計の容易性および将来性の観点から、有機光導電性物質による有機電子写真感光体の開発が盛んに行われている。電子写真感光体としての機能性に関しては、無機電子写真感光体より優れた電子写真感光体が生産されるに至ったが、有機電子写真感光体における高感度化や繰り返し使用時の画像の安定性、耐久性という点において更なる改善が望まれている。
【０００３】
　これらの課題に対し、電荷輸送物質の改善による提案がなされてきている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照。）。特許文献１及び特許文献２の中では、電荷輸送物質の分子内に、窒素原子にフェニル基が結合した３級アミンを有する構造（以下、トリフェニルアミン構造とする）を３個または４個有する電荷輸送物質を電子写真感光体に使用することで、高感度化を達成しており、この優れた電荷輸送特性が電荷輸送物質中にトリフェニルアミン構造を３個または４個有することにより発現していると記載されている。しかしながら、窒素原子に置換または無置換の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の芳香族複素環基のいずれかが結合した３級アミンを有する構造（以下、トリアリールアミン構造とする）を５個以上有する電荷輸送物質に関しては記載されていない。また、電子写真感光体の機械的強度における耐久性に関しても記載されていない。
【０００４】
　同様に特許文献３では、電荷輸送物質中にトリフェニルアミン構造を２個〜４個有するものが挙げられている。この特許文献３では、トリフェニルアミン構造を２個〜４個有する電荷輸送物質により、電荷輸送層のガラス転移温度が上昇することが記載されているが、この電荷輸送物質を含有することだけでは耐久性の向上を図ることができないことが比較例で挙げられている。
【０００５】
　このように、電荷輸送物質を改良することにより、優れた電子輸送特性を達成しているが、低分子量電荷輸送物質を結着樹脂中に混合して用いるため、必ずしも結着樹脂本来の機械的強度を十分に活かせているわけではない。
【０００６】
　低分子量電荷輸送物質の添加による機械的強度の低下を改善する目的で、特許文献４及び特許文献５には、トリアリールアミン構造を多数個含有するポリマー型の高分子量電荷輸送物質が提案されている。これらの特許文献中では、トリアリールアミン構造を多数個含有するポリマー型の高分子量電荷輸送物質を電子写真感光体に使用することで、繰り返し使用に対する耐久性が良好になることが記載されている。これら特許文献中では重合反応により高分子量電荷輸送物質を合成しているため、さまざまな分子量の電荷輸送物質を含む混合体として生成している。しかしながら、特許文献５には、繰り返し構造単位の繰り返し回数が１０回以下であれば、分子量分布を持たない高分子量電荷輸送物質とほとんど差がないとも記載されている。
【０００７】
　同様にポリマー型の高分子量電荷輸送物質を電子写真感光体に使用する例としては、特許文献６および特許文献７が挙げられる。特許文献６に記載されている高分子量電荷輸送物質は、低分子量モノマーの重合反応により製造される分子量分布を有するポリマー型の高分子量電荷輸送物質であり、この電荷輸送物質を電子写真感光体に使用することにより、耐久性の向上と電荷輸送特性の向上による高感度化を達成できることを示している。
【０００８】
　さらに、特許文献６にはトリフェニルアミン構造を多数個含有するポリマー型の高分子量電荷輸送物質を分子量フラクションに分離する方法が提案されており、さらに分子量フラクションに分離することで電荷輸送特性が向上することが記載されている。さらに、特許文献７では、ポリマー型の高分子量電荷輸送物質を使用することで、電子写真感光体の耐久性が向上すると記載されており、高い電荷輸送能と高い耐久性を有する電子写真感光体が提案されている。
【０００９】
　しかしながら、繰り返し構造単位の繰り返し回数が少ないものであったとしても、また、分子量フラクションに分離したとしても、ポリマー型の高分子量電荷輸送物質は分子量分布を有しており、さまざまな分子量の電荷輸送物質を同時に含んでいるため、より高性能な電荷輸送物質が求められるなか、ポリマー型の高分子量電荷輸送物質すべてが必ずしも十分な機械的強度や電子写真特性を有しているわけではない。また、ある程度の機械的強度を有する場合でも、製造コストが非常に高く、実用には向かないなどの欠点がある。
【００１０】
　また、耐摩耗性が向上すると、摩耗量が減少するため、感光層寿命が長期化し、感光層が受ける帯電、画像露光、トナー現像、転写工程からの電気的外力の影響が相対的に大きくなるため、繰り返し使用した際に、その影響が出やすくなる。例えば、電子写真感光体表面の劣化による高湿環境下での画像流れなどが挙げられる。このように、電子写真感光体の耐久性との両立が必須な解決すべき問題点も生じてきている。
【特許文献１】特開平９−２９２７２４号公報
【特許文献２】特開２００１−１３３９９４号公報
【特許文献３】特開２０００−２０６７２１号公報
【特許文献４】特開昭６１−１５１５４５号公報
【特許文献５】特公平５−４９１０６号公報
【特許文献６】国際公開番号　ＷＯ００／０７８８４３
【特許文献７】国際公開番号　ＷＯ９９／３２５３７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
　本発明の目的は、上述の如き問題点を解決し、結着樹脂と特定の電荷輸送物質を感光層中に含有することにより、耐摩耗性及び耐傷性の機械的強度が強く、かつ、繰り返し安定性に優れた電子写真感光体を提供することにある。
【００１２】
　さらに、本発明の目的は上記電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真感光体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
　すなわち、本発明の目的は、支持体及び該支持体上に感光層を有し、該感光層は１種または２種以上の電荷輸送物質を含有し、
　該感光層に含有される電荷輸送物質の少なくとも１種は、下記式（１）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質であり、
　該感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して、下記式（１）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質が占める割合が、９０質量％〜１００質量％である
ことを特徴とする電子写真感光体を提供することにある。
【００１４】
【化１】
2004109999.tif 000002
（式中、Ａｒ１０１〜Ａｒ１０８はそれぞれ独立して置換または無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の一価の芳香族複素環基を示し、Ｚ１１〜Ｚ１５はそれぞれ独立して置換または無置換の二価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の二価の芳香族複素環基を示す。）
【００１５】
　また、本発明の目的は、支持体及び該支持体上に感光層を有し、該感光層は１種または２種以上の電荷輸送物質を含有し、
　該感光層に含有される電荷輸送物質の少なくとも１種は、下記式（２）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質であり、
　該感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して、下記式（２）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質が占める割合が、９０質量％〜１００質量％である
ことを特徴とする電子写真感光体を提供することにある。
【００１６】
【化２】
2004109999.tif 000003
（式中、Ａｒ２０１〜Ａｒ２０９はそれぞれ独立して置換または無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の一価の芳香族複素環基を示し、Ｚ２１〜Ｚ２６はそれぞれ独立して置換または無置換の二価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の二価の芳香族複素環基を示す。）
【００１７】
　また、本発明の目的は、支持体及び該支持体上に感光層を有し、該感光層は１種または２種以上の電荷輸送物質を含有し、
　該感光層に含有される電荷輸送物質の少なくとも１種は、下記式（３）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質であり、
　該感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して、下記式（３）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質が占める割合が、９０質量％〜１００質量％である
ことを特徴とする電子写真感光体を提供することにある。
【００１８】
【化３】
2004109999.tif 000004
（式中、Ａｒ３０１〜Ａｒ３１０は、それぞれ独立して置換または無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の一価の芳香族複素環基を示し、Ｚ３１〜Ｚ３７はそれぞれ独立して置換または無置換の二価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の二価の芳香族複素環基を示す。）
【００１９】
　また、本発明の目的は、支持体及び該支持体上に感光層を有し、該感光層は１種または２種以上の電荷輸送物質を含有し、
　該感光層に含有される電荷輸送物質の少なくとも１種は、下記式（４）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質であり、
　該感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して、下記式（４）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質が占める割合が、９０質量％〜１００質量％である
ことを特徴とする電子写真感光体を提供することにある。
【００２０】
【化４】
2004109999.tif 000005
（式中、Ａｒ４０１〜Ａｒ４１１は、それぞれ独立して置換または無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の一価の芳香族複素環基を示し、Ｚ４１〜Ｚ４８はそれぞれ独立して置換または無置換の二価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の二価の芳香族複素環基を示す。）
【００２１】
　また、本発明の目的は、支持体及び該支持体上に感光層を有し、該感光層は１種または２種以上の電荷輸送物質を含有し、
　該感光層に含有される電荷輸送物質の少なくとも１種は、下記式（５）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質であり、
　該感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して、下記式（５）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質が占める割合が、９０質量％〜１００質量％である
ことを特徴とする電子写真感光体を提供することにある。
【００２２】
【化５】
2004109999.tif 000006
（式中、Ａｒ５０１〜Ａｒ５１２は、それぞれ独立して置換または無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の一価の芳香族複素環基を示し、Ｚ５１〜Ｚ５９はそれぞれ独立して置換または無置換の二価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の二価の芳香族複素環基を示す。）
【００２３】
　また、本発明の目的は、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段およびクリーニング手段からなる群より選ばれた少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジを提供することにある。
【００２４】
　また、本発明の目的は、上記電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置を提供することにある。
【発明の効果】
【００２５】
　本発明において、上記電子写真感光体を使用することにより、高い機械的強度、高い耐摩耗性、良好な電子写真特性を有することにより長期の繰り返し使用時においても良好な品質の画像を形成する電子写真感光体を提供可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
　本発明における電荷輸送物質は、特定の化学構造式で記述できる高分子量の電荷輸送物質（Ｍａｃｒｏ−Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｃｈａｒｇｅ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）を指す。
【００２７】
　感光層に含有される電荷輸送物質は、上記式（１）〜（５）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質に加えて、低分子量の電荷輸送物質や高分子量の電荷輸送物質を同時に含有しても良いが、電子写真感光体の機械的強度や電子写真特性の点から、上記式（１）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質の占める割合が、感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して９０質量％〜１００質量％であることが好ましく、より好ましくは９５質量％〜１００質量％であって、更に好ましくは１００質量％である。
【００２８】
　または、上記式（２）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質の占める割合が、感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して９０質量％〜１００質量％であることが好ましく、より好ましくは９５質量％〜１００質量％であって、更に好ましくは１００質量％である。
【００２９】
　または、上記式（３）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質の占める割合が、感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して９０質量％〜１００質量％であることが好ましく、より好ましくは９５質量％〜１００質量％であって、更に好ましくは１００質量％である。
【００３０】
　または、上記式（４）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質の占める割合が、感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して９０質量％〜１００質量％であることが好ましく、より好ましくは９５質量％〜１００質量％であって、更に好ましくは１００質量％である。
【００３１】
　または、上記式（５）で示される構造を有し、かつ、分子量が１５００〜４０００である電荷輸送物質の占める割合が、感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して９０質量％〜１００質量％であることが好ましく、より好ましくは９５質量％〜１００質量％であって、更に好ましくは１００質量％である。
【００３２】
　上記式（１）中のＡｒ１０１〜Ａｒ１０８、上記式（２）中のＡｒ２０１〜Ａｒ２０９、上記式（３）中のＡｒ３０１〜Ａｒ３１０、上記式（４）中のＡｒ４０１〜Ａｒ４１１、及び、上記式（５）中のＡｒ５０１〜Ａｒ５１２で示される置換または無置換の一価の芳香族炭化水素環基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ピレニル基などが挙げられ、置換または無置換の一価の芳香族複素環基としては、ピリジル基、インドール基、キノリニル基、ベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基などが挙げられる。なかでも、フェニル基、ナフチル基、ピリジル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基が好ましい。これらが有する置換基としては、水素原子、炭素数が１〜８のいずれかであるアルキル基、炭素数が３〜１２のいずれかである芳香族炭化水素環基、炭素数が１〜８のいずれかであるアルコキシ基、ハロゲン原子、フッ化アルキル基、シアノ基、ニトロ基などが挙げられ、なかでも、水素原子、メチル基、エチル基、メトキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、トリフルオロメチル基が好ましい。
【００３３】
　上記式（１）中のＺ１１〜Ｚ１５、上記式（２）中のＺ２１〜Ｚ２６、上記式（３）中のＺ３１〜Ｚ３７、上記式（４）中のＺ４１〜Ｚ４８、及び、上記式（５）中のＺ５１〜Ｚ５９で示される置換または無置換の二価の芳香族炭化水素環基としては、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、フルオレニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基、ピレニレン基、などが挙げられ、置換または無置換の二価の芳香族複素環基としては、ピリジニレン基、インドーリレン基、キノリニレン基、ベンゾフラニレン基、ジベンゾフラニレン基、ベンゾチオフェニレン基、ジベンゾチオフェンニレン基などが挙げられる。また、上述の二価の芳香族炭化水素環または二価の芳香族複素環基が、単結合、置換または無置換の炭素数が１〜４のいずれかであるアルキレン基、アルキリデン基、置換または無置換のケイ素数が１〜４のいずれかであるシリレン基、酸素原子、硫黄原子により連結することで形成されるものも置換または無置換の二価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の二価の芳香族複素環基として挙げられる。置換または無置換の二価の芳香族炭化水素環基、または、置換または無置換の二価の芳香族複素環基のうち、ビフェニレン基、フルオレニレン基、ピリジニレン基、ジベンゾフラニレン基、ベンゾチオフェニレン基が好ましい。
【００３４】
　より好ましくは、上記式（１）中のＺ１１〜Ｚ１５が置換または無置換のビフェニレン基、置換または無置換のジベンゾフラニレン基、または、置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基であり、
　あるいは、上記式（２）中のＺ２１〜Ｚ２６が置換または無置換のビフェニレン基、置換または無置換のジベンゾフラニレン基、または、置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基であり、
　あるいは、上記式（３）中のＺ３１〜Ｚ３７が置換または無置換のビフェニレン基、置換または無置換のジベンゾフラニレン基、または、置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基であり、
　あるいは、上記式（４）中のＺ４１〜Ｚ４８が置換または無置換のビフェニレン基、置換または無置換のジベンゾフラニレン基、または、置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基であり、
　あるいは、上記式（５）中のＺ５１〜Ｚ５９が、置換または無置換のビフェニレン基、置換または無置換のジベンゾフラニレン基、または、置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基である。
【００３５】
　更に好ましくは、上記式（１）中のＺ１１〜Ｚ１５のうち、１つが置換または無置換のジベンゾフラニレン基、または、置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基であって、その他のＺ１１〜Ｚ１５が置換または無置換のビフェニレン基であり、
　あるいは、上記式（２）中のＺ２１〜Ｚ２６のうち、１つが置換または無置換のジベンゾフラニレン基、または、置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基であって、その他のＺ２１〜Ｚ２６が置換または無置換のビフェニレン基であり、
　あるいは、上記式（３）中のＺ３１〜Ｚ３７のうち、１つが置換または無置換のジベンゾフラニレン基、または、置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基であって、その他のＺ２１〜Ｚ２６が置換または無置換のビフェニレン基であり、
　あるいは、上記式（４）中のＺ４１〜Ｚ４８のうち、１つが置換または無置換のジベンゾフラニレン基、または、置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基であって、その他のＺ２１〜Ｚ２６が置換または無置換のビフェニレン基であり、
　あるいは、上記式（５）中のＺ５１〜Ｚ５９のうち、１つが置換または無置換のジベンゾフラニレン基、または、置換または無置換のジベンゾチオフェニレン基であって、その他のＺ１１〜Ｚ５９が置換または無置換のビフェニレン基である。
【００３６】
　これらの二価の芳香族炭化水素環基または二価の芳香族複素環基が有する置換基としては、水素原子、炭素数が１〜８のいずれかであるアルキル基、炭素数が３〜１２のいずれかである芳香族炭化水素環基、炭素数が１〜８のいずれかであるアルコキシ基、ハロゲン原子、フッ化アルキル基、シアノ基、ニトロ基などが挙げられ、なかでも、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、メトキシ基、エトキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、トリフルオロメチル基が好ましい。
【００３７】
　次に、本発明の電荷輸送物質の具体的な例を挙げるが、必ずしも提示した構造に限定されない。
【００３８】
【化６】
2004109999.tif 000007
【００３９】
【化７】
2004109999.tif 000008
【００４０】
【化８】
2004109999.tif 000009
【００４１】
【化９】
2004109999.tif 000010
【００４２】
【化１０】
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【００４３】
【化１１】
2004109999.tif 000012
【００４４】
【化１２】
2004109999.tif 000013
【００４５】
【化１３】
2004109999.tif 000014
【００４６】
【化１４】
2004109999.tif 000015
【００４７】
【化１５】
2004109999.tif 000016
【００４８】
【化１６】
2004109999.tif 000017
【００４９】
【化１７】
2004109999.tif 000018
【００５０】
【化１８】
2004109999.tif 000019
【００５１】
【化１９】
2004109999.tif 000020
【００５２】
【化２０】
2004109999.tif 000021
【００５３】
【化２１】
2004109999.tif 000022
【００５４】
【化２２】
2004109999.tif 000023
【００５５】
【化２３】
2004109999.tif 000024
【００５６】
【化２４】
2004109999.tif 000025
【００５７】
【化２５】
2004109999.tif 000026
【００５８】
【化２６】
2004109999.tif 000027
【００５９】
【化２７】
2004109999.tif 000028
【００６０】
【化２８】
2004109999.tif 000029
【００６１】
【化２９】
2004109999.tif 000030
【００６２】
【化３０】
2004109999.tif 000031
【００６３】
【化３１】
2004109999.tif 000032
【００６４】
【化３２】
2004109999.tif 000033
【００６５】
【化３３】
2004109999.tif 000034
【００６６】
【化３４】
2004109999.tif 000035
【００６７】
【化３５】
2004109999.tif 000036
【００６８】
【化３６】
2004109999.tif 000037
【００６９】
【化３７】
2004109999.tif 000038
【００７０】
【化３８】
2004109999.tif 000039
【００７１】
【化３９】
2004109999.tif 000040
【００７２】
【化４０】
2004109999.tif 000041
【００７３】
【化４１】
2004109999.tif 000042
【００７４】
【化４２】
2004109999.tif 000043
【００７５】
【化４３】
2004109999.tif 000044
【００７６】
【化４４】
2004109999.tif 000045
【００７７】
【化４５】
2004109999.tif 000046
【００７８】
【化４６】
2004109999.tif 000047
【００７９】
【化４７】
2004109999.tif 000048
【００８０】
【化４８】
2004109999.tif 000049
【００８１】
【化４９】
2004109999.tif 000050
【００８２】
【化５０】
2004109999.tif 000051
【００８３】
【化５１】
2004109999.tif 000052
【００８４】
【化５２】
2004109999.tif 000053
【００８５】
【化５３】
2004109999.tif 000054
【００８６】
【化５４】
2004109999.tif 000055
【００８７】
【化５５】
2004109999.tif 000056
【００８８】
【化５６】
2004109999.tif 000057
【００８９】
【化５７】
2004109999.tif 000058
【００９０】
【化５８】
2004109999.tif 000059
【００９１】
【化５９】
2004109999.tif 000060
【００９２】
【化６０】
2004109999.tif 000061
【００９３】
【化６１】
2004109999.tif 000062
【００９４】
【化６２】
2004109999.tif 000063
【００９５】
【化６３】
2004109999.tif 000064
【００９６】
【化６４】
2004109999.tif 000065
【００９７】
【化６５】
2004109999.tif 000066
【００９８】
【化６６】
2004109999.tif 000067
【００９９】
【化６７】
2004109999.tif 000068
【０１００】
　本発明における電荷輸送物質の分子量は、１５００〜４０００が好ましく、より好ましくは１５００〜３５００である。
【０１０１】
　本発明における電荷輸送物質は、特定の化学構造式のみによって示される単一性の高い高分子量の電荷輸送物質であることを特徴としているため、モノマーの繰り返し重合反応による製造法では製造困難である。従って、低分子量電荷輸送物質の製造で使用していた合成法を繰り返し行う逐次合成法によって合成された電荷輸送物質を用いることが好ましい。逐次合成法とは、原材料と反応対象物との化学反応により主生成物として単一の化合物を生成する反応を多段階で行う合成法であり、重合反応により分子量分布を有する化合物を合成する製造法とは異なり、分子量分布を持たないほどの単一性の高い電荷輸送物質が選択的に製造できる。
【０１０２】
　逐次合成法に用いられる合成反応は、従来からの低分子量電荷輸送物質の製造で使用していた合成反応が用いられる。すなわち、ウルマン反応や金属触媒による合成方法が利用される。また、多段階の合成を順次連続して製造してもよく、また、合成の一工程終了後、次段階の合成までの工程の間に精製工程をいれてもよい。また、最終工程終了後、従来から一般に用いられている精製方法を使用することができる。すなわち、活性白土、活性炭、シリカ、アルミナといった吸着剤による処理や、シリカまたはアルミナなどによるカラムクロマトグラフィー、ポリスチレン微粒子などを利用したゲルパーミッションカラムクロマトグラフィーなどの精製、再結晶や晶析などの結晶化による精製手法を使用してもよい。
【０１０３】
　次に、本発明における電荷輸送物質の製造例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
【０１０４】
　（製造例１）電荷輸送物質の例示化合物（ＣＴ−１０）の製造
　＜ビス（２，４−ジメチルフェニル）アミンの製造＞
　冷却管、およびメカニカルスターラーを付した１Ｌの３口反応容器に、２，４−ジメチルフェニルアミン１３３ｇ（１．１ｍｏｌ）、１−ブロモ−２，４−ジメチルベンゼン１８５ｇ（１．０ｍｏｌ）、酢酸パラジウム１１．２ｇ（０．０５ｍｏｌ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルフォスフィノイル−２−メチルプロパン３２．４ｇ（０．２ｍｏｌ）、リン酸三カリウム２１２ｇ（１．０ｍｏｌ）、ジメチルホルムアミド５００ｍＬを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、１２時間還流させた。反応終了後、室温まで放冷し、トルエン／水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧蒸留し、目的のビス（２，４−ジメチルフェニル）アミンを得た。得られた化合物の収量は１８９ｇ、収率は８４％であった。得られた化合物を元素分析器（ＣＨＮコーダー　ＭＴ−５、ＹＡＮＡＣＯ（株）製）を用いて測定した。なお、以下の元素分析による実測値及び計算値の単位は質量％である。実測値：Ｃ，８５．２４、Ｈ，８．５３、Ｎ，６．６３（計算値：Ｃ，８５．２８、Ｈ，８．５０、Ｎ，６．２２）。
【０１０５】
　＜ビス（２，４−ジメチルフェニル）［４−（ブロモフェニル）フェニル］アミンの製造＞
　冷却管、およびメカニカルスターラーを付した２Ｌの３口反応容器に、（２，４−ジメチルフェニル）アミン１１２．５ｇ（０．５ｍｏｌ）、４，４’−ジブロモビフェニル１５６ｇ（０．５ｍｏｌ）、酢酸パラジウム５．６ｇ（０．０２５ｍｏｌ）、ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン２７．７ｇ（０．０５ｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム６３．７ｇ（０．７ｍｏｌ）、キシレン８００ｍＬを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、５時間還流させた。反応終了後、室温まで放冷し、トルエン／水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧蒸留し、シリカゲルカラム（展開溶媒ヘキサン／トルエン＝２：１）にて精製を行い、目的の（ビス（２，４−ジメチルフェニル）［４−（ブロモフェニル）フェニル］アミンを得た。得られた化合物の収量は１５５．２ｇ、収率は６８質量％であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値：Ｃ，７３．４４、Ｈ，５．６２、Ｎ，２．９８（計算値：Ｃ，７３．６８、Ｈ，５．７４、Ｎ，３．０７）。
【０１０６】
　＜ビス（２，４−ジメチルフェニル）（４−｛４−［（２、４−ジメチルフェニル）アミノ］フェニル｝フェニル）アミンの製造＞
　冷却管、およびメカニカルスターラーを付した１Ｌの３口反応容器に、（ビス（２，４−ジメチルフェニル）［４−（ブロモフェニル）フェニル］アミン９１．３ｇ（０．２ｍｏｌ）、２，４−ジメチルフェニルアミン３６．３ｇ（０．３ｍｏｌ）、酢酸パラジウム２．２４ｇ（０．０１ｍｏｌ）、ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン１１．１ｇ（０．０２ｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム２６．９ｇ（０．２８ｍｏｌ）、キシレン５００ｍＬを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、３時間還流させた。反応終了後、室温まで放冷し、トルエン／水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧蒸留し、シリカゲルカラム（展開溶媒ヘキサン／トルエン＝１：１）にて精製を行い、目的のビス（２，４−ジメチルフェニル）（４−｛４−［（２、４−ジメチルフェニル）アミノ］フェニル｝フェニル）アミンを得た。得られた化合物の収量は８３．４ｇ、収率は８４質量％であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値：Ｃ，８７．０３、Ｈ，７．２６、Ｎ，５．７１（計算値：Ｃ，８７．０５、Ｈ，７．３１、Ｎ，５．６４）。
【０１０７】
　＜ビス（２，４−ジメチルフェニル）［４−（４−｛（２、４−ジメチルフェニル）［４−（４−ブロモフェニル）フェニル］アミノ｝フェニル）フェニル］アミンの製造＞
　冷却管、およびメカニカルスターラーを付した１Ｌの３口反応容器に、ビス（２，４−ジメチルフェニル）（４−｛４−［（２、４−ジメチルフェニル）アミノ］フェニル｝フェニル）アミン４９．７ｇ（０．１ｍｏｌ）、４，４’−ジブロモビフェニル３１．２ｇ（０．１ｍｏｌ）、酢酸パラジウム１．１３ｇ（０．００５ｍｏｌ）、ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン５．５４ｇ（０．０１ｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム１３．４ｇ（０．１４ｍｏｌ）、キシレン３００ｍＬを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、５時間還流させた。反応終了後、室温まで放冷し、トルエン／水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧蒸留し、シリカゲルカラム（展開溶媒ヘキサン／トルエン＝２：１）にて精製を行い、目的のビス（２，４−ジメチルフェニル）［４−（４−｛（２、４−ジメチルフェニル）［４−（４−ブロモフェニル）フェニル］アミノ｝フェニル）フェニル］アミンを得た。得られた化合物の収量は５０．９ｇ、収率は７０質量％であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて実測値を測定した。実測値：Ｃ，７９．２６、Ｈ，５．９８、Ｎ，３．８３（計算値：Ｃ，７９．２２、Ｈ，５．９６、Ｎ，３．８５）。
【０１０８】
　＜（２，４−ジメチルフェニル）｛８−［（２，４ジメチルフェニル）アミノ］ジベンゾ［ｂ、ｄ］フラン−２−イル｝アミンの製造＞
　冷却管、およびメカニカルスターラーを付した５００ｍＬの３口反応容器に、２，８−ジブロモジベンゾフラン６５．２ｇ（０．２ｍｏｌ）、２，４−ジメチルフェニルアミン７２．６ｇ（０．６ｍｏｌ）、酢酸パラジウム２．２４ｇ（０．０１ｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン１２．２ｇ（０．０４ｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム５１．８ｇ（０．５４ｍｏｌ）、キシレン３００ｍＬを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、５時間還流させた。反応終了後、減圧蒸留により過剰量の２，４−ジメチルフェニルアミン、および溶媒を留去、室温まで放冷し、トルエン／水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧により溶媒留去、再結晶により目的の（２，４−ジメチルフェニル）｛８−［（２，４ジメチルフェニル）アミノ］ジベンゾ［ｂ、ｄ］フラン−２−イル｝アミンを得た。得られた化合物の収量は７１．５ｇ、収率は８８質量％であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値：Ｃ，８２．６８、Ｈ，６．４４、Ｎ，６．９２（計算値：Ｃ，８２．７３、Ｈ，６．４５、Ｎ，６．８９）。
【０１０９】
　＜電荷輸送物質の例示化合物（ＣＴ−１０）の製造＞
　冷却管、およびメカニカルスターラーを付した５００ｍＬの３口反応容器に、ビス（２，４−ジメチルフェニル）［４−（４−｛（２、４−ジメチルフェニル）［４−（４−ブロモフェニル）フェニル］アミノ｝フェニル）フェニル］アミン３６．４ｇ（０．０５ｍｏｌ）、（２，４−ジメチルフェニル）｛８−［（２，４ジメチルフェニル）アミノ］ジベンゾ［ｂ、ｄ］フラン−２−イル｝アミン１０．２ｇ（０．０２５ｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．５７ｇ（０．００２５ｍｏｌ）、ビフェニル−２−イル−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフォスフィン３．０ｇ（０．０１ｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム６．７ｇ（０．０７ｍｏｌ）、キシレン２００ｍＬを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、４時間還流させた。反応終了後、室温まで放冷し、トルエン／水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧により溶媒留去し、シリカゲルカラム（展開溶媒ヘキサン／トルエン＝１：１）にて精製を行い、例示化合物（ＣＴ−１０）で示された目的の電荷輸送物質を得た。得られた化合物の収量は３９．１ｇ、収率は８９質量％であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値：Ｃ，８４．８０、Ｈ，５．８１、Ｎ，４．８３（計算値：Ｃ，８４．８５、Ｈ，５．８５、Ｎ，４．７９）。また、得られた化合物の質量分析をレーザー脱離イオン化飛行時間型質量分析（ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＡＳＳ）装置（ＲＥＦＬＥＸIII、ＢＲＵＫＥＲ社製、マトリックス；９−ニトロアントラセン）を用いて行った。このとき得られた質量スペクトルの測定結果を図１に示す。なお、この質量スペクトルの横軸は質量電荷比（生成イオンの質量（ｍ）／生成イオンの電荷の価数（ｚ））、縦軸は検出した生成イオンの強度を示す。
【０１１０】
　（製造例２）電荷輸送物質の例示化合物（ＣＴ−１７）の製造
　＜（２，４−ジメチルフェニル）｛８−［（２，４ジメチルフェニル）アミノ］ジベンゾ［ｂ］ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル｝アミンの製造＞
　冷却管、およびメカニカルスターラーを付した５００ｍＬの３口反応容器に、２，８−ジブロモジベンゾチオフェン６８．４ｇ（０．２ｍｏｌ）、２，４−ジメチルフェニルアミン７２．６ｇ（０．６ｍｏｌ）、酢酸パラジウム２．２４ｇ（０．０１ｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン１２．２ｇ（０．０４ｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム５１．８ｇ（０．５４ｍｏｌ）、キシレン３００ｍＬを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、５時間還流させた。反応終了後、減圧蒸留により過剰量の２，４−ジメチルフェニルアミン、および溶媒を留去、室温まで放冷し、トルエン／水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧により溶媒留去、再結晶により目的の（２，４−ジメチルフェニル）｛８−［（２，４ジメチルフェニル）アミノ］ジベンゾ［ｂ］ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル｝アミンの製造を得た。得られた化合物の収量は７１．０ｇ、収率は８４質量％であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値：Ｃ，７９．６０、Ｈ，６．２４、Ｎ，６．５２（計算値：Ｃ，７９．５８、Ｈ，６．２０、Ｎ，６．６３）。
【０１１１】
　＜電荷輸送物質の例示化合物（ＣＴ−１７）の製造＞
　冷却管、およびメカニカルスターラーを付した５００ｍＬの３口反応容器に、ビス（２，４−ジメチルフェニル）［４−（４−｛（２、４−ジメチルフェニル）［４−（４−ブロモフェニル）フェニル］アミノ｝フェニル）フェニル］アミン３６．４ｇ（０．０５ｍｏｌ）、（２，４−ジメチルフェニル）｛８−［（２，４ジメチルフェニル）アミノ］ジベンゾ［ｂ］ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル｝アミン１０．６ｇ（０．０２５ｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．５７ｇ（０．００２５ｍｏｌ）、ビフェニル−２−イル−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフォスフィン３．０ｇ（０．０１ｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム６．７ｇ（０．０７ｍｏｌ）、キシレン２００ｍＬを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、４時間還流させた。反応終了後、室温まで放冷し、トルエン／水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧により溶媒留去し、シリカゲルカラム（展開溶媒ヘキサン／トルエン＝１：１）にて精製を行い、例示化合物（ＣＴ−１７）で示された目的の電荷輸送物質を得た。得られた化合物の収量は３７．３ｇ、収率は８７質量％であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値：Ｃ，８６．８０、Ｈ，６．４０、Ｎ，４．８６（計算値：Ｃ，８６．７８、Ｈ，６．４６、Ｎ，４．９０）。また、得られた化合物の質量分析を上述と同様の装置を用いて行った。このとき得られた質量スペクトルの測定結果を図２に示す。
【０１１２】
　（製造例３）電荷輸送物質の例示化合物（ＣＴ−３９）の製造
　＜（２，４−ジメチルフェニル）−ｐ−トリルアミンの製造＞
　冷却管、およびメカニカルスターラーを付した１Ｌの３口反応容器に、２，４−ジメチルフェニルアミン１３３ｇ（１．１ｍｏｌ）、１−ブロモ−４−メチルベンゼン１７１ｇ（１．０ｍｏｌ）、酢酸パラジウム１１．２ｇ（０．０５ｍｏｌ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルフォスフィノイル−２−メチルプロパン３２．４ｇ（０．２ｍｏｌ）、リン酸三カリウム２１２ｇ（１．０ｍｏｌ）、ジメチルホルムアミド５００ｍＬを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、１２時間還流させた。反応終了後、室温まで放冷し、トルエン／水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧蒸留し、目的の（２，４−ジメチルフェニル）−ｐ−トリルアミンを得た。得られた化合物の収量は１８９．５ｇ、収率は８８質量％であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値：Ｃ，８５．２７、Ｈ，８．０９、Ｎ，６．６４（計算値：Ｃ，８５．２６、Ｈ，８．１１、Ｎ，６．６３）。
【０１１３】
　＜（４’−ブロモビフェニル−４−イル）−（２，４−ジメチルフェニル）−ｐ−トリルアミンの製造＞
　空気冷却管、およびメカニカルスターラーを付した２Ｌの３口反応容器に、（２，４−ジメチルフェニル）−ｐ−トリルアミン１０５．７ｇ（０．５ｍｏｌ）、４’−ブロモ−４−ヨードビフェニル２１５．４ｇ（０．６ｍｏｌ）、銅粉５０ｇ、炭酸カリウム６０ｇ、ｏ−ジクロロベンゼン６００ｍＬを入れ、オイルバスにて１２時間加熱した。反応終了後、室温まで放冷し、ろ過により固形物を除去後、トルエン／水により抽出。有機層より溶媒を減圧留去した後、シリカゲルカラム（展開溶媒ヘキサン／トルエン＝２：１）にて精製を行い、目的の（４’−ブロモビフェニル−４−イル）−（２，４−ジメチルフェニル）−ｐ−トリルアミンを得た。得られた化合物の収量は１６５．９ｇ、収率は７５質量％であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値：Ｃ，７３．３３、Ｈ，５．４８、Ｎ，３．１７（計算値：Ｃ，７３．３０、Ｈ，５．４７、Ｎ，３．１７）。
【０１１４】
　＜Ｎ４，Ｎ４’−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−Ｎ４−ｐ−トリルビフェニル−４，４’−ジアミンの製造＞
　冷却管、およびメカニカルスターラーを付した１Ｌの３口反応容器に、（４’−ブロモビフェニル−４−イル）−（２，４−ジメチルフェニル）−ｐ−トリルアミン８８．５ｇ（０．２ｍｏｌ）、２，４−ジメチルフェニルアミン２６．７ｇ（０．２２ｍｏｌ）、酢酸パラジウム２．２ｇ（０．０１ｍｏｌ）、ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン１１．１ｇ（０．０２ｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム２６．８ｇ（０．２８ｍｏｌ）、キシレン４００ｍＬを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、５時間還流させた。反応終了後、室温まで放冷し、トルエン／水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧蒸留し、シリカゲルカラム（展開溶媒ヘキサン／トルエン＝１：１）にて精製を行い、目的のＮ４，Ｎ４’−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−Ｎ４−ｐ−トリルビフェニル−４，４’−ジアミンを得た。得られた化合物の収量は７１．４ｇ、収率は７４質量％であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値：Ｃ，８７．０５、Ｈ，７．１４、Ｎ，５．８１（計算値：Ｃ，８７．１０、Ｈ，７．１０、Ｎ，５．８０）。
【０１１５】
　＜Ｎ４’−（４’−ブロモビフェニル−４−イル）−Ｎ４，Ｎ４’−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−Ｎ４−ｐ−トリルビフェニル−４，４’−ジアミンの製造＞
　空気冷却管、およびメカニカルスターラーを付した２Ｌの３口反応容器に、（Ｎ４，Ｎ４’−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−Ｎ４−ｐ−トリルビフェニル−４，４’−ジアミン４８．３ｇ（０．１ｍｏｌ）、４’−ブロモ−４−ヨードビフェニル３９．５ｇ（０．１１ｍｏｌ）、銅粉２０ｇ、ｏ−ジクロロベンゼン２００ｍＬを入れ、オイルバスにて１２時間加熱した。反応終了後、室温まで放冷し、ろ過により固形物を除去後、トルエン／水により抽出。有機層より溶媒を減圧留去した後、シリカゲルカラム（展開溶媒ヘキサン／トルエン＝２：１）にて精製を行い、目的のＮ４’−（４’−ブロモビフェニル−４−イル）−Ｎ４，Ｎ４’−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−Ｎ４−ｐ−トリルビフェニル−４，４’−ジアミンを得た。得られた化合物の収量は４５．０ｇ、収率は６３質量％であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値：Ｃ，７８．８８、Ｈ，５．６９、Ｎ，３．９６（計算値：Ｃ，７９．０９、Ｈ，５．７９、Ｎ，３．９２）。
【０１１６】
　＜Ｎ４，Ｎ４’−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−ビフェニル−４，４’−ジアミンの製造＞
　冷却管、およびメカニカルスターラーを付した１Ｌの３口反応容器に、４、４’−ジブロモビフェニル６２．４ｇ（０．２ｍｏｌ）、２，４−ジメチルフェニルアミン７２．６ｇ（０．６ｍｏｌ）、酢酸パラジウム２．２４ｇ（０．０１ｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン１２．２ｇ（０．０４ｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム５１．８ｇ（０．５４ｍｏｌ）、キシレン３００ｍＬを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、５時間還流させた。反応終了後、減圧蒸留により過剰量の２，４−ジメチルフェニルアミン、および溶媒を留去、室温まで放冷し、トルエン／水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧により溶媒留去、再結晶により目的のＮ４，Ｎ４’−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−ビフェニル−４，４’−ジアミンを得た。得られた化合物の収量は６２．７ｇ、収率は８０質量％であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値：Ｃ，８５．６６、Ｈ，７．１８、Ｎ，７．１６（計算値：Ｃ，８５．６７、Ｈ，７．１９、Ｎ，７．１４）。
【０１１７】
　＜電荷輸送物質の例示化合物（ＣＴ−３９）の製造＞
　冷却管、およびメカニカルスターラーを付した５００ｍＬの３口反応容器に、Ｎ４’−（４’−ブロモビフェニル−４−イル）−Ｎ４，Ｎ４’−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−Ｎ４−ｐ−トリルビフェニル−４，４’−ジアミン３５．７ｇ（０．０５ｍｏｌ）、Ｎ４，Ｎ４’−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−ビフェニル−４，４’−ジアミン９．８ｇ（０．０２５ｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．５７ｇ（０．００２５ｍｏｌ）、ビフェニル−２−イル−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフォスフィン３．０ｇ（０．０１ｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム６．７ｇ（０．０７ｍｏｌ）、キシレン２００ｍＬを入れ、窒素ガス雰囲気下、オイルバスで加熱、４時間還流させた。反応終了後、室温まで放冷し、トルエン／水により抽出、塩酸水で洗浄し、その後、有機層を減圧により溶媒留去し、シリカゲルカラム（展開溶媒ヘキサン／トルエン＝１：１）にて精製を行い、例示化合物（ＣＴ−３９）で示された目的の電荷輸送物質を得た。得られた化合物の収量は３４．４ｇ、収率は８３質量％であった。得られた化合物を上述と同様の元素分析器を用いて測定した。実測値：Ｃ，８８．４０、Ｈ，６．５１、Ｎ，５．０９（計算値：Ｃ，８８．３７、Ｈ，６．５６、Ｎ，５．０７）。また、得られた化合物の質量分析を上述と同様の装置を用いて行った。このとき得られた質量スペクトルの測定結果を図３に示す。
【０１１８】
　本発明において、電子写真感光体の耐久寿命の向上、特に電子写真感光体上の傷の発生による画質低下が著しく改善されている点、電子写真感光体の高感度化が達成されている点、および画像安定性が優れている点に関しては以下のように考えられる。
【０１１９】
　電子写真感光体の高感度化に大きく寄与する電荷輸送物質の高い電荷輸送能は、窒素原子に芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基のいずれかが結合した３級アミンにより発現し、そのような３級アミンを多数、分子内に配置することにより、電荷輸送能の高効率化が達成される。しかしながら、上記の３級アミンを多数、分子内に配置することで電荷輸送物質の溶剤に対する溶解性は低下し易くなる。また、電子写真感光体の感光層塗工用塗布液を電子写真感光体の支持体上に塗布後、結着樹脂と電荷輸送物質との相溶性が低下し、分離状態を形成し易くなり、作製した電子写真感光体の特性悪化を発生する傾向にある。本発明においては、電荷輸送物質の分子内に適当な数の上記の３級アミンを有しているため、電荷輸送物質の溶剤に対する溶解性低下、あるいは結着樹脂との相溶性低下による特性悪化を生むことなく、電荷輸送機能の高効率化による高感度化が達成できていると考えられる。
【０１２０】
　さらに、電子写真感光体の耐久寿命の向上、特に電子写真感光体上の傷の発生による画質低下が著しく改善された点に関しては、上記式（１）〜（５）のいずれかで示される構造を有する本発明の電荷輸送物質の分子構造が剛直なためであると考えられ、この点が従来から使用されてきた低分子電荷輸送物質では結着樹脂中に分散させた電子写真感光体では達成できなかった耐久寿命の向上を生み出していると考えられる。
【０１２１】
　また、本発明において、電荷輸送物質の分子量が１５００〜４０００であって、上記（１）〜（５）で示される電荷輸送物質が占める割合が、感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して９０質量％〜１００質量％であることも、上記特性の向上が図られている要因であると考えられる。これは、上記式（１）〜（５）で示される電荷輸送物質以外の電荷輸送物質の占める割合が、感光層に含有される電荷輸送物質の全質量に対して１０質量％以上になると、上記電荷輸送物質が有する高感度化に寄与する特性が妨げられると考えられる。同様の理由から、同時に画像安定性、特に高湿環境下での画像安定性に関しても、本発明で使用する電荷輸送物質は優位性を有していると考えられる。また、電子写真感光体の耐久寿命の向上に関しても、上記式（１）〜（５）で示される電荷輸送物質以外の低分子量成分の電荷輸送物質の存在が機械的強度の低下を生むと考えられる。
【０１２２】
　以下、本発明に用いる電子写真感光体の構成について説明する。
【０１２３】
　本発明の電子写真感光体の感光層としては、電荷発生物質と電荷輸送物質を単一の層に含有する単層型感光層と、電荷輸送物質を含有する電荷輸送層と電荷発生物質を含有する電荷発生層に機能分離した機能分離型（積層型）感光層のどちらの形態でもいいが、電子写真特性の点で、機能分離型（積層型）が好ましく、支持体側から電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した機能分離型（積層型）がより好ましい。以下、機能分離型（積層型）と表現する場合は、支持体側から電荷発生層、電荷輸送層の順に積層したものを意味する。
【０１２４】
　本発明の電子写真感光体に用いる支持体としては、導電性を有するものであればいずれのものでもよく、例えば、アルミニウム、銅、クロム、ニッケル、亜鉛、ステンレスなどの金属をドラムまたはシート状に成型したもの、アルミニウムや銅などの金属箔をプラスチックフィルムにラミネートしたもの、アルミニウム、酸化インジウム、酸化スズなどをプラスチックフィルムに蒸着したものなどが挙げられる。
【０１２５】
　ＬＢＰなど画像入力がレーザー光の場合は、散乱による干渉縞防止、または、支持体の傷を被覆することを目的とした導電層を設けてもよい。これは、カーボンブラック、金属粒子などの導電性粒子を結着樹脂に分散させて形成することができる。
【０１２６】
　導電層の膜厚は、５〜４０μｍが好ましく、１０〜３０μｍがより好ましい。
【０１２７】
　また、支持体または導電層の上に、接着機能を有する中間層を設けてもよい。
【０１２８】
　中間層の材料としては、ポリアミド、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、エチルセルロース、カゼイン、ポリウレタン、ポリエーテルウレタンなどが挙げられる。これらを適当な溶剤に溶解して支持体または導電層上に塗布し、中間層が形成される。
【０１２９】
　中間層の膜厚は、０．０５〜５μｍが好ましく、０．３〜１μｍがより好ましい。
【０１３０】
　機能分離型（積層型）感光層の場合、支持体、導電層、または中間層の上には電荷発生層が形成される。
【０１３１】
　電荷発生層は、電荷発生物質を０．３〜４倍量の結着樹脂および溶剤とともにホモジナイザー、超音波分散、ボールミル、振動ボールミル、サンドミル、アトライター、ロールミルおよび液衝突型高速分散機などの方法でよく分散し、分散液を塗布、乾燥させて形成される。
【０１３２】
　電荷発生層の膜厚は、５μｍ以下が好ましく、０．１〜２μｍがより好ましい。
【０１３３】
　電荷発生物質としては、通常知られているものが使用可能であり、例えば、セレン−テルル、ピリリウム、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニン、アントアントロン、ジベンズピレンキノン、トリスアゾ、シアニン、ジスアゾ、モノアゾ、インジゴ、キナクドリンなどの各顔料が挙げられる。
【０１３４】
　これらの顔料は０．３〜４倍の質量の結着樹脂および溶剤ともにホモジナイザー、超音波分散、ボールミル、振動ミル、サンドミルアトライター、ロールミル、液衝突型高速分散機などを使用して、良く分散した分散液とする。機能分離型（積層型）感光層の場合、この分散液を支持体、導電層、または中間層上に塗布し、乾燥することによって電荷発生層が得られる。
【０１３５】
　機能分離型（積層型）感光層の場合、電荷発生層の上には電荷輸送層が形成される。
【０１３６】
　電荷輸送層または感光層は、電荷輸送物質自身が結着性を有している場合は、結着樹脂は必ずしも必要としないが、機械的強度や電子写真特性の観点から、感光層に結着樹脂を含有していることが好ましい。また、結着樹脂は絶縁性であることが好ましい。
【０１３７】
　また、該感光層は電子写真感光体の表面層であることが好ましい。
【０１３８】
　電荷輸送層は上記電荷輸送物質と結着樹脂を溶剤に溶解させ塗布液とし、この塗布液を電荷発生層上に塗布後、乾燥することによって作製される。
【０１３９】
　塗布液中の電荷輸送物質と結着樹脂の比率（電荷輸送物質／結着樹脂）は、質量比で１／１０〜１２／１０が好ましく、電子写真感光体の電荷輸送特性、あるいは電荷輸送層の強度といった観点より、２／１０〜１０／１０がより好ましい。
【０１４０】
　結着樹脂としては、通常、感光層または電荷輸送層に使用できる樹脂ならば、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリメタクリレート樹脂、ポリアクリレート樹脂など、いずれの樹脂においても使用可能であるが、樹脂の透過性、成膜性の観点から、また、感光層または電荷輸送層が電子写真感光体の表面層である場合には耐摩耗性の観点からも、ポリカーボネートまたはポリアリレート樹脂が好ましい。
【０１４１】
　ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量（Ｍｖ）は、２００００〜８００００であることが好ましい。
【０１４２】
　ポリカーボネート樹脂を構成する二価の有機残基部分は、置換または無置換の二価のビフェニル残基、置換または無置換の二価のビスフェニル残基、置換または無置換の二価のビフェニルエーテル残基、置換または無置換の二価のビフェニルチオエーテル残基など、二価の有機残基であればどのよう構造であっても可能であるが、置換または無置換の二価のビフェニル残基、置換または無置換の二価のビスフェニル残基、または、置換または無置換の二価のビフェニルエーテル残基であることが好ましい。
【０１４３】
　以下に、ポリカーボネート樹脂の繰り返し構造単位の具体例を示すが、これらの構造に特に限定はされない。
【０１４４】
【化６８】
2004109999.tif 000069
【０１４５】
【化６９】
2004109999.tif 000070
【０１４６】
【化７０】
2004109999.tif 000071
【０１４７】
【化７１】
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【０１４８】
【化７２】
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【０１４９】
【化７３】
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【０１５０】
　また、生産性の向上などのために、ポリカーボネート樹脂中の二価の有機残基部分に異種の二価の有機残基を使用する共重合樹脂を使用することも可能である。混合の効果を効率よく発現させるためには、混合比率は、５／９５〜９５／５であることが好ましく、２０／８０〜８０／２０であることがより好ましい。
【０１５１】
　ポリアリレート樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、５００００〜２０００００であることが好ましく、強度、生産性などの面から、８００００〜１５００００であることがより好ましい。
【０１５２】
　ポリアリレート樹脂に用いられるフタル酸部位の構造に関しては、イソフタル酸またはテレフタル酸が使用される。樹脂中におけるテレフタル酸とイソフタル酸の比率（イソフタル酸／テレフタル酸）は質量比で０／１００〜１００／０まで任意に可能であるが、ポリアリレート樹脂の溶媒に対する溶解性の観点から、イソフタル酸／テレフタル酸＝２０／８０〜８０／２０であることが好ましい。さらには、ポリアリレート樹脂の強度の観点より、イソフタル酸／テレフタル酸＝３０／７０〜７０／３０が好ましい。
【０１５３】
　ポリアリレート樹脂を構成する二価の有機残基部分は、置換または無置換の二価のビフェニル残基、置換または無置換の二価のビスフェニル残基、置換または無置換の二価のビフェニルエーテル残基、置換または無置換の二価のビフェニルチオエーテル残基など、二価の有機残基であればどのよう構造であっても可能であるが、置換または無置換の二価のビフェニル残基、置換または無置換の二価のビスフェニル残基、または、置換または無置換の二価のビフェニルエーテル残基であることが好ましい。
【０１５４】
　以下に、ポリアリレート樹脂の繰り返し構造単位の具体例を示すが、これらの構造に特に限定はされない。
【０１５５】
【化７４】
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【０１５６】
【化７５】
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【０１５７】
【化７６】
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【０１５８】
【化７７】
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【０１５９】
【化７８】
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【０１６０】
【化７９】
2004109999.tif 000080
【０１６１】
【化８０】
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【０１６２】
【化８１】
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【０１６３】
【化８２】
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【０１６４】
【化８３】
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【０１６５】
　また、溶解性の向上などのために、ポリアリレート樹脂中の二価の有機残基部分に異種の二価の有機残基を使用する共重合樹脂を使用することも可能である。混合の効果を効率よく発現させるためには、混合比率は、５／９５〜９５／５であることが好ましく、２０／８０〜８０／２０であることがより好ましい。
【０１６６】
　さらに、生産性の向上などのために、ポリカーボネート樹脂、またはポリアリレート樹脂に、他構造のポリアリレート樹脂やポリカーボネート樹脂をブレンドすることも可能である。混合の効果を効率よく発現させるためには、混合比率は質量比で、５／９５〜９５／５であることが好ましく、２０／８０〜８０／２０であることがより好ましい。
【０１６７】
　また、電荷輸送層中に酸化防止剤、熱安定剤、紫外線吸収剤、可塑剤を必要に応じて添加してもよい。
【０１６８】
　電荷輸送層が電子写真感光体の表面層である場合、必要に応じて、潤滑剤や微粒子を使用してもよい。潤滑剤あるいは微粒子としては、ポリテトラフルオロエチレン微粒子、ポリスチレン微粒子といった樹脂微粒子、シリカ微粒子、アルミナ微粒子、酸化スズ微粒子といった金属酸化物微粒子、およびそれら微粒子に表面処理を施した微粒子、ステアリン酸亜鉛といった固体潤滑剤、アルキル基により置換されたシリコーン、フッ化アルキル基を有する脂肪族系オイル、ワニスなどが挙げられる。
【０１６９】
　電荷輸送層の膜厚は、５〜４０μｍが好ましく、１５〜３０μｍが好ましい。
【０１７０】
　また、電子写真感光体の表面層として、感光層を保護するための層、すなわち、保護層を感光層上に別途設けてもよい。
【０１７１】
　保護層に使用する樹脂としては、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂が好ましく、さらには、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂がより好ましい。また、残留電位の低減あるいは膜強度の向上を目的として、導電性粒子や潤滑剤を含有させてもよい。
【０１７２】
　保護層の成膜方法は、熱、光あるいは電子線での硬化が可能であり、必要に応じて重合開始剤や酸化防止剤を含有してもよい。
【０１７３】
　電子写真感光体の各層の形成工程において、使用する溶剤としては、クロロベンゼン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、トルエン、キシレンなどが挙げられ、単独で用いても複数の溶剤を用いてもよい。
【０１７４】
　また、上記塗布の方法としては、浸漬塗布法、スプレー塗布法、バーコート法など通常知られている方法が使用できる。
【０１７５】
　次に本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを有する電子写真装置について説明する。
【０１７６】
　図４に本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す。
【０１７７】
　図４において、１はドラム状の本発明の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。電子写真感光体１は、回転過程において、一次帯電手段３によりその周面に正または負の所定電位の均一帯電を受け、次いで、スリット露光やレーザービーム走査露光などの露光手段（不図示）からの露光光４を受ける。こうして電子写真感光体１の周面に静電潜像が順次形成されていく。
【０１７８】
　形成された静電潜像は、次いで現像手段５によりトナー現像され、現像されたトナー現像像は、不図示の給紙部から電子写真感光体１と転写手段６との間に電子写真感光体１の回転と同期取りされて給送された転写材７に、転写手段６により順次転写されていく。
【０１７９】
　像転写を受けた転写材７は、電子写真感光体面から分離されて像定着手段８へ導入されて像定着を受けることにより画像形成物（プリントまたはコピー）として装置外へプリントアウトされる。
【０１８０】
　像転写後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段９によって転写残りトナーの除去を受けて清浄面化され、さらに前露光手段（不図示）からの前露光光１０により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、一次帯電手段３が図４のように帯電ローラーなどを用いた接触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではない。
【０１８１】
　本発明においては、上述の電子写真感光体１、一次帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段９などの構成要素のうち、複数のものをプロセスカートリッジとして一体に結合して構成し、このプロセスカートリッジを複写機やレーザービームプリンターなどの電子写真装置本体に対して着脱可能に構成してもよい。例えば、一次帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段９の少なくとも１つを電子写真感光体１と共に一体に支持してカートリッジ化し、装置本体のレール１２などの案内手段を用いて装置本体に着脱可能なプロセスカートリッジ１１とすることができる。
【０１８２】
　また、露光光４は、電子写真装置が複写機やプリンターである場合には、原稿からの反射光や透過光、あるいは、センサーで原稿を読取り、信号化し、この信号にしたがって行われるレーザービームの走査、ＬＥＤアレイの駆動および液晶シャッターアレイの駆動などにより照射される光である。
【０１８３】
　本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利用するのみならず、レーザービームプリンター、ＣＲＴプリンター、ＬＥＤプリンター、液晶プリンターおよびレーザー製版など電子写真応用分野にも広く用いることができる。
【０１８４】
　以下、実施例にしたがって本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。なお、実施例中の「部」は「質量部」を意味する。
【０１８５】
　（実施例１）
　直径３０ｍｍ、長さ３５７ｍｍのアルミニウムシリンダー上に、以下の材料より構成される塗料を浸漬塗布法にて塗布し、１４０℃で３０分熱硬化することにより、膜厚が１５μｍの導電層を形成した。
　導電性顔料：ＳｎＯ２コート処理硫酸バリウム　１０部
　抵抗調整用顔料：酸化チタン　２部
　結着樹脂：フェノール樹脂　６部
　レベリング材：シリコーンオイル　０．００１部
　溶剤：メタノール／メトキシプロパノール＝２／８　２０部
【０１８６】
　次に、この導電層上に、Ｎ―メトキシメチル化ナイロン３部及び共重合ナイロン３部をメタノール６５部及びｎ−ブタノール３０部の混合溶剤に溶解した溶液を浸漬塗布法で塗布し、乾燥することによって、膜厚が０．７μｍの中間層を形成した。
【０１８７】
　次にＣｕＫαのＸ線回折スペクトルにおける回折角２θ±０．２°の７．４°、２８．２°に強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン４部と、ポリビニルブチラール（エスレックＢＸ−１、積水化学（株）製）２部と、シクロヘキサノン６０部とを、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミル装置で４時間分散した後、エチルアセテート１００部を加えて、電荷発生層用分散液を調製した。これを中間層上に浸漬塗布法で塗布し、膜厚が０．２５μｍの電荷発生層を形成した。
【０１８８】
　次に、例示化合物（ＣＴ−１）で示される電荷輸送物質４部と、ポリカーボネート樹脂（繰り返し構造単位の例（ＰＣ−５）；ユーピロンＺ−４００、三菱エンジニアリングプラスチックス（株）製）１０部とを、モノクロロベンゼン８０部とジメトキシメタン１０部の混合溶媒に溶解し、電荷輸送層用塗布液を調製した。これを電荷発生層上に浸漬塗布法で塗布し、１２０℃、１時間乾燥して、膜厚が２５μｍの電荷輸送層を形成した。このようにして実施例１に用いられる電子写真感光体を作製した。
【０１８９】
　次に、本発明の電子写真感光体の評価方法について説明する。
【０１９０】
　評価装置はキヤノン（株）製ＬＢＰ−９５０（プロセススピード１４４．５ｍｍ／ｓｅｃ、接触帯電方式）を改造して用いた。改造は一次帯電の制御を定電流制御から定電圧制御（感光体上の非露光部位の電位が常に−６８０Ｖ）とした。評価は、常温高湿環境下（２３℃、９０％）で行った。作製した電子写真感光体の明部電位（Ｖｌ）、電子写真感光体の繰り返し使用時の明部電位の変動（ΔＶｌ）の評価は、装置の光源を像露光量が電子写真感光体面上での光量が０．５μＪ／ｃｍ２となるように設定して行った。電子写真感光体の繰り返し使用による電位特性の変動評価は、Ａ４サイズの普通紙を連続して画像出力を１００００枚行い、その前後での表面電位を測定した。電子写真感光体の表面電位の測定は、電子写真感光体上端より１８０ｍｍの位置に電位測定用プローブが位置するように固定された冶具と現像器とを交換して、現像器位置で行った。
【０１９１】
　また、Ａ４サイズの普通紙を１枚画像出力ごとに１度停止する間欠モードにて４００００枚の画像出力を行い、画像評価を１０００枚ごとに実施し、画像悪化が確認された時点を耐久限界値とした。さらに、４００００枚の画像出力後、電子写真感光体上の傷の評価を行った。傷の評価は、表面粗さ測定器（サーフコーダーＳＥ−３４００、（株）小西研究所）を用いて、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１：２００１における十点平均粗さ（Ｒｚｊｉｓ）評価に則った評価（評価長さ８ｍｍ）を行い、電子写真感光体上端より１８０ｍｍの位置を測定した。
【０１９２】
　（実施例２〜１８）
　電荷輸送物質に表１で示した電荷輸送物質を使用した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【０１９３】
　（実施例１９〜２５）
　電荷輸送物質に表１で示した電荷輸送物質を使用し、結着樹脂として繰り返し単位構造の例（ＰＡ−２）で示される樹脂（重量平均分子量（Ｍｗ）＝１２００００、樹脂中におけるテレフタル酸とイソフタル酸の質量比：テレフタル酸／イソフタル酸＝５０／５０）を使用した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【０１９４】
　（実施例２６〜３０）
　電荷輸送物質に表１で示した電荷輸送物質を使用し、結着樹脂として繰り返し単位構造の例（ＰＡ−１０）で示される樹脂（重量平均分子量（Ｍｗ）＝１３００００、樹脂中におけるテレフタル酸とイソフタル酸の質量比：テレフタル酸／イソフタル酸＝７０／３０）を使用した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【０１９５】
　（実施例３１〜３７）
　電荷輸送物質に表１で示した電荷輸送物質を使用し、結着樹脂として繰り返し単位構造の例（ＰＡ−２）および（ＰＡ−９）で示される構造の共重合樹脂（重量平均分子量（Ｍｗ）＝１２５０００、樹脂中におけるテレフタル酸とイソフタル酸の質量比：テレフタル酸／イソフタル酸＝５０／５０）を使用した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【０１９６】
　（実施例３８）
　電荷輸送物質に上記式（ＣＴ−１０）で示される化合物を３．６質量部と、下記式（ＣＴ−１０Ａ）で示される化合物を０．２質量部と、下記式（ＣＴ−１０Ｂ）で示される化合物を０．２質量部とを使用した以外は実施例１と同様に感光体を作製し、同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【０１９７】
【化８４】
2004109999.tif 000085
【０１９８】
【化８５】
2004109999.tif 000086
【０１９９】
　（実施例３９）
　電荷輸送物質に上記式（ＣＴ−１０）で示される化合物を３．８質量部と、上記式（ＣＴ−１０Ａ）で示される化合物を０．１質量部と、上記式（ＣＴ−１０Ｂ）で示される化合物を０．１質量部とを使用した以外は実施例１と同様に感光体を作製し、同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【０２００】
　（実施例４０）
　電荷輸送物質に上記式（ＣＴ−１０）で示される化合物を３．９質量部と、上記式（ＣＴ−１０Ａ）で示される化合物を０．０５質量部と、上記式（ＣＴ−１０Ｂ）で示される化合物を０．０５質量部とを使用した以外は実施例１と同様に感光体を作製し、同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【０２０１】
　（実施例４１）
　電荷輸送物質に上記式（ＣＴ−１７）で示される化合物を３．６質量部と、下記式（ＣＴ−１７Ａ）で示される化合物を０．２質量部と、下記式（ＣＴ−１７Ｂ）で示される化合物を０．２質量部とを使用した以外は実施例１と同様に感光体を作製し、同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【０２０２】
【化８６】
2004109999.tif 000087
【０２０３】
【化８７】
2004109999.tif 000088
【０２０４】
　（実施例４２）
　電荷輸送物質に上記式（ＣＴ−１７）で示される化合物を３．８質量部と、上記式（ＣＴ−１７Ａ）で示される化合物を０．１質量部と、上記式（ＣＴ−１７Ｂ）で示される化合物を０．１質量部とを使用した以外は実施例１と同様に感光体を作製し、同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【０２０５】
　（実施例４３）
　電荷輸送物質に上記式（ＣＴ−１７）で示される化合物を３．９質量部と、上記式（ＣＴ−１７Ａ）で示される化合物を０．０５質量部と、上記式（ＣＴ−１７Ｂ）で示される化合物を０．０５質量部とを使用した以外は実施例１と同様に感光体を作製し、同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【０２０６】
　（比較例１）
　電荷輸送物質として下記式（６）で示される化合物を使用した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【０２０７】
【化８８】
2004109999.tif 000089
【０２０８】
　（比較例２）
　電荷輸送物質として下記式（７）で示される化合物を使用した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【０２０９】
【化８９】
2004109999.tif 000090
【０２１０】
　（比較例３）
　電荷輸送物質として、特許文献６に記載されている重合反応によって下記式（８Ａ）で示される化合物を作製した。下記式（８Ａ）で示される化合物は通常のＧＰＣによる測定（使用カラム：昭和電工（株）製ＫＦ−８０２、展開溶媒：メタノール／テトラヒドロフラン＝７／３、検出器：ＲＩ検出器、サンプルの分子量はポリスチレン換算法により決定）のピーク面積比により、繰り返し回数ｎ＝４：ｎ＝５：ｎ＝６：ｎ＝７：ｎ＝８が７：２３：５０：１７：３の比率で混合されている電荷輸送物質であった。この下記式（８Ａ）で示される化合物を使用した以外は実施例１と同様に感光体を作製し、同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【０２１１】
【化９０】
2004109999.tif 000091
【０２１２】
　（比較例４）
　上記比較例３で使用した上記式（８Ａ）で示される化合物を分取用ゲルパーミッションクロマトグラフィーにより繰り返し回数ｎが６である化合物を中心に精製し、前記ＧＰＣによる測定のピーク面積比により、繰り返し回数ｎ＝５：ｎ＝６：ｎ＝７が１６：７４：１０の比率で混合されている化合物（８Ｂ）を得た。この化合物（８Ｂ）を使用した以外は実施例１と同様に感光体を作製し、同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【０２１３】
　（比較例５）
　電荷輸送物質として、特許文献４に記載されている方法により下記式（９）で示される化合物を作製した。下記式（９）で示される化合物は、前記ＧＰＣによる測定におけるピーク面積比により、繰り返し回数ｎ＝５：ｎ＝６：ｎ＝７が１３：６８：１９の比率で混合されている電荷輸送物質であった。この下記式（９）で示される化合物を使用した以外は実施例１と同様に感光体を作製し、同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【０２１４】
【化９１】
2004109999.tif 000092
【０２１５】
　（比較例６〜１０）
　比較例１〜５で使用した電荷輸送物質を使用し、結着樹脂として実施例２６で使用した樹脂を使用した以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行なった。結果を表１に示す。
【０２１６】
【表１】
2004109999.tif 000093
【図面の簡単な説明】
【０２１７】
【図１】本発明の例示化合物（ＣＴ−１０）のＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＡＳＳスペクトルである。
【図２】本発明の例示化合物（ＣＴ−１７）のＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＡＳＳスペクトルである。
【図３】本発明の例示化合物（ＣＴ−３９）のＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＡＳＳスペクトルである。
【図４】本発明の電子写真感光体を有する電子写真装置の概略構成の例を示す図である。
【符号の説明】
【０２１８】
　１　電子写真感光体
　２　軸
　３　一次帯電手段
　４　露光光
　５　現像手段
　６　転写手段
　７　転写材
　８　像定着手段
　９　クリーニング手段
　１０　前露光光
　１１　プロセスカートリッジ
　１２　レール
【図１】
2004109999.tif 000099
【図２】
2004109999.tif 000100
【図３】
2004109999.tif 000101
【図４】
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