(57)【要約】【課題】処理液による処理が施される領域の幅にばらつきが生じることを防止する。【解決手段】ウエハＷをほぼ水平に保持して回転するスピンチャック１と、このスピンチャック１に保持されたウエハＷの上面に近接して配置される遮断部材２と、この遮断部材２の上面２３にエッチング液を供給するためのノズル３とが備えられている。遮断部材２は、ウエハＷの外形よりも少し小さな円形状の下面２１と、この下面２１の周縁からほぼ垂直に立ち上がった側面２２と、側面２２の上端縁から上方に向かうにつれて下面２１の中心を通る軸線に近づくように傾斜した円錐状の上面２３とを有している。遮断部材２の下面２１は、疎水性を有する疎水面となっている。一方、遮断部材２の側面２２および上面２３は、親水性を有する親水面となっている。【選択図】　　　　図１
2004119829.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の周縁部に対して処理液を用いた処理を施すための基板処理装置であって、
基板をほぼ水平に保持して、その基板をほぼ鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板保持手段と、
この基板保持手段に保持された基板の上面に対向する疎水性の基板対向面、および下方に向かうにつれて上記基板対向面の端縁に近づくように傾斜した親水性の上面を有していて、上記基板対向面を基板の上面に近接させて、その基板の上面の中央部を保護するための対向部材と、
この対向部材の上面に処理液を供給する処理液供給手段と
を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
上記対向部材は、上記回転軸線にほぼ沿った軸線を中心軸線とする回転体形状に形成されたものであることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
基板の周縁部のうちの少なくとも一部を含む処理対象域に対して処理液を用いた処理を施すための基板処理装置であって、
基板を保持する基板保持手段と、
この基板保持手段に保持された基板の上面に対向し、その基板の上面に設定された処理対象域と非処理対象域とを分ける境界線に対応した端縁を有する疎水性の基板対向面、および下方に向かうにつれて上記基板対向面の端縁に近づくように傾斜した親水性の上面を有していて、上記基板対向面を基板の上面に近接させて、その基板の上面の上記非処理対象域を保護するための対向部材と、
この対向部材の上面に処理液を供給する処理液供給手段と
を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
上記対向部材は、上記基板対向面の端縁と当該対向部材の上面の端縁とを接続する親水性の側面をさらに有しているものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
上記基板保持手段に保持された基板の上面と上記基板対向面との間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
基板の周縁部に対して処理液を用いた処理を施すための方法であって、
基板保持手段によって基板をほぼ水平な姿勢でほぼ鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板回転保持工程と、
上記基板保持手段に保持された基板の上面に対向する疎水性の基板対向面、および下方に向かうにつれて上記基板対向面の端縁に近づくように傾斜した親水性の上面を有する対向部材を、上記基板保持手段に保持された基板の上面に近接させる対向部材近接工程と、
上記対向部材の上面に処理液を供給して、その処理液を上記基板対向面の端縁から上記基板保持手段に保持された基板の周縁部に流下させる処理液供給工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項７】
基板の処理対象域に対して処理液を用いた処理を施すための方法であって、
基板保持手段によって基板をほぼ水平に保持させる基板保持工程と、
上記基板保持手段に保持された基板の上面に対向し、その基板の上面に設定された処理対象域と非処理対象域とを分ける境界線に対応した端縁を有する疎水性の基板対向面、および下方に向かうにつれて上記基板対向面の端縁に近づくように傾斜した親水性の上面を有する対向部材を、上記基板保持手段に保持された基板の上面に近接させる対向部材近接工程と、
上記対向部材の上面に処理液を供給して、その処理液を上記基板対向面の端縁から上記基板保持手段に保持された基板の上記処理対象域に流下させる処理液供給工程と
を含むことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、基板を処理するための基板処理装置および基板処理方法に関する。処理の対象となる基板には、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程においては、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）のデバイス形成面などに銅薄膜などの金属薄膜を形成した後、この金属薄膜の不要部分をエッチング除去する処理が行われる場合がある。たとえば、ウエハの周縁部に金属薄膜が形成されていると、搬送ロボットによるハンドリングの際に、ハンドの金属汚染を起こし、この金属汚染がさらに他のウエハに転移するという看過し難い不具合を生じるおそれがあるので、ウエハの周縁部に形成された不要な金属薄膜は除去される。
【０００３】
ウエハの周縁部に形成されている金属薄膜を除去するための先行技術は、たとえば、本願出願人の先願に係る下記特許文献１に開示されている。この先行技術に係る装置では、ウエハをほぼ水平に保持して回転させるとともに、ウエハの上面（デバイス形成面）に対して近接した位置に遮断板を対向配置して、この遮断板をウエハの回転軸線まわりに回転させる一方で、遮断板の上面にエッチング液を供給し、そのエッチング液を遮断板の回転による遠心力で遮断板の周縁から斜め下方に飛散させることにより、ウエハの上面の周縁部にエッチング液が供給される。そして、ウエハの上面の周縁部に供給されたエッチング液は、ウエハの回転による遠心力でウエハの周縁へ向かって流れ、ウエハの周縁からウエハの周面（端面）を伝って流下する。これにより、ウエハの上面の周縁部および周面に形成されている不要な金属薄膜が除去される。
【０００４】
また、他の先行技術に係る装置では、ウエハをほぼ水平に保持して回転させるとともに、ウエハの上面に対して近接した位置に遮断板を対向配置して、この遮断板をウエハの回転軸線まわりにウエハと同じ回転速度で回転させる一方で、ウエハの下面にエッチング液を供給し、ウエハの上面へのエッチング液の回り込みを利用して、ウエハの上面の周縁部および周面に形成されている不要な金属薄膜を除去する構成が採用されている。ウエハの上面の中央部へのエッチング液の進入を防止するために、ウエハと遮断板との間の空間には、遮断板の下面の中央部に配設されたノズルから窒素ガスが供給される。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−７５９５３号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、各先行技術に係る装置は、ウエハの上面の金属薄膜が除去される領域の幅（エッチング幅）の精密な制御が困難であるという問題を有している。すなわち、遮断板の上面からエッチング液を遠心力で飛散させる構成では、ウエハの上面におけるエッチング液の供給位置を一定にすることが困難であり、ウエハの上面の金属薄膜が除去される領域の幅にばらつきを生じるおそれがある。また、ウエハの下面から上面へのエッチング液の回り込みを利用する構成では、たとえば、ウエハの回転速度と遮断板の回転速度とに差があると、ウエハと遮断板との間の気流が乱れて、ウエハの上面へのエッチング液の回り込み量にばらつきを生じるおそれがある。
【０００７】
また、上記の各先行技術では、ウエハ上面の処理液による処理が施される領域（処理対象域）の形状が円環状に限定され、その他の形状の領域に処理液による処理を施すことはできない。
そこで、この発明の目的は、基板上面の処理液による処理が施される領域の幅あるいは形状を精密に制御可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【０００８】
また、この発明の他の目的は、基板上面の任意の形状の処理対象域に処理液による処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）の周縁部に対して処理液を用いた処理を施すための基板処理装置であって、基板をほぼ水平に保持して、その基板をほぼ鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板保持手段（１）と、この基板保持手段に保持された基板の上面に対向する疎水性の基板対向面（２１）、および下方に向かうにつれて上記基板対向面の端縁に近づくように傾斜した親水性の上面（２３）を有していて、上記基板対向面を基板の上面に近接させて、その基板の上面の中央部を保護するための対向部材（２）と、この対向部材の上面に処理液を供給する処理液供給手段（３）とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
【００１０】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
上記の構成によれば、対向部材の上面が親水面とされ、基板対向面が疎水面とされているので、対向部材から流下する処理液は、対向部材の上面から外方へ飛び散ることなく、対向部材の上面に沿って良好に流下した後、対向部材の基板対向面に回り込んで落下することなく、対向部材の基板対向面の端縁から鉛直下方に向けて流下して、基板上面の周縁部上の一定位置に供給される。よって、基板上面の処理液による処理が施される領域の幅にばらつきが生じることがなく、従来の装置と比べて、処理が施される領域の幅を精密に制御することができる。
【００１１】
また、非処理対象域である基板の中央部（たとえば、デバイス形成領域）は対向部材で保護されるので、基板上面の中央部に不所望な処理が施されることを防止できる。
上記対向部材は、請求項２に記載のように、上記回転軸線にほぼ沿った軸線を中心軸線とする回転体形状に形成されていてもよい。
請求項３記載の発明は、基板（Ｗ）の周縁部のうちの少なくとも一部を含む処理対象域に対して処理液を用いた処理を施すための基板処理装置であって、基板を保持する基板保持手段（１）と、この基板保持手段に保持された基板の上面に対向し、その基板の上面に設定された処理対象域（Ａ１，Ａ２，Ａ３）と非処理対象域とを分ける境界線に対応した端縁を有する疎水性の基板対向面（２１）、および下方に向かうにつれて上記基板対向面の端縁に近づくように傾斜した親水性の上面（２３）を有していて、上記基板対向面を基板の上面に近接させて、その基板の上面の上記非処理対象域を保護するための対向部材（２，５，６）と、この対向部材の上面に処理液を供給する処理液供給手段（３）とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
【００１２】
この構成によれば、対向部材の上面が親水面とされ、基板対向面が疎水面とされているので、対向部材から流下する処理液は、対向部材の上面から外方へ飛び散ることなく、対向部材の上面に沿って良好に流下した後、対向部材の基板対向面に回り込んで落下することなく、対向部材の基板対向面の端縁から鉛直下方に向けて流下して、基板上面の処理対象域に供給される。したがって、任意の形状の処理対象域に処理液による処理を施すことができ、しかも、その処理対象域の幅や形状にばらつきが生じるおそれがない。
【００１３】
また、基板上面の非処理対象域は対向部材で保護されるので、基板上面の非処理対象域に不所望な処理が施されるおそれがない。
なお、この請求項３において、さらに基板保持手段によって、基板に直交する軸回りに基板を回転させるようにすれば、処理対象域を基板周縁部の環状領域とすることができる。
なお、上記対向部材は、請求項４に記載のように、上記基板対向面の端縁と当該対向部材の上面の端縁とを接続する親水性の側面（２２）をさらに有していていてもよい。この場合、上記側面は鉛直方向に延びた面であることが好ましく、これにより、側面を伝って基板対向面の端縁に向かって流下する処理液に鉛直下向きの速度ベクトルを付与することができ、処理液を案内して基板上面の一定位置（境界線上）により精度良く供給することができる。
【００１４】
また、上記基板処理装置は、請求項５に記載のように、上記基板保持手段に保持された基板の上面と上記基板対向面との間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段（２４，２５）をさらに含むことが好ましい。基板の上面と対向部材の基板対向面との間に不活性ガスが供給されることにより、基板上面の中央部や非処理対象域に不所望な処理が施されることをより確実に防止できる。
請求項６記載の発明は、基板（Ｗ）の周縁部に対して処理液を用いた処理を施すための方法であって、基板保持手段（１）によって基板をほぼ水平な姿勢でほぼ鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板保持工程と、上記基板保持手段に保持された基板の上面に対向する疎水性の基板対向面、および下方に向かうにつれて上記基板対向面の端縁に近づくように傾斜した親水性の上面を有する対向部材（２）を、上記基板保持手段に保持された基板の上面に近接させる対向部材近接工程と、上記対向部材の上面に処理液を供給して、その処理液を上記基板対向面の端縁から上記基板保持手段に保持された基板の周縁部に流下させる処理液供給工程とを含むことを特徴とする基板処理方法である。
【００１５】
この方法によれば、請求項１に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
請求項７記載の発明は、基板（Ｗ）の処理対象域に対して処理液を用いた処理を施すための方法であって、基板保持手段（１）によって基板をほぼ水平に保持させる基板保持工程と、上記基板保持手段に保持された基板の上面に対向し、その基板の上面に設定された処理対象域（Ａ１，Ａ２，Ａ３）と非処理対象域とを分ける境界線に対応した端縁を有する疎水性の基板対向面、および下方に向かうにつれて上記基板対向面の端縁に近づくように傾斜した親水性の上面を有する対向部材（２，５，６）を、上記基板保持手段に保持された基板の上面に近接させる対向部材近接工程と、上記対向部材の上面に処理液を供給して、その処理液を上記基板対向面の端縁から上記基板保持手段に保持された基板の上記処理対象域に流下させる処理液供給工程とを含むことを特徴とする基板処理方法である。
【００１６】
この方法によれば、請求項３に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板周縁処理装置の構成を図解的に示す図である。この基板周縁処理装置は、基板の一例であるウエハＷのデバイス形成面および周面に金属薄膜（たとえば、銅薄膜）Ｃが形成された後、そのデバイス形成面の周縁部および周面に形成されている不要な金属薄膜を除去するための処理を行う装置であり、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転するスピンチャック１と、このスピンチャック１に保持されたウエハＷの上面に近接して配置される遮断部材２と、この遮断部材２の上面２３にエッチング液を供給するためのノズル３とを備えている。
【００１８】
スピンチャック１は、たとえば、ほぼ鉛直に配置されたスピン軸１１と、このスピン軸１１の上端に固定された吸着ベース１２とを有していて、吸着ベース１２上にウエハＷがデバイス形成面を上方に向けて載置された状態で、吸着ベース１２に形成された吸気路内を排気することにより、ウエハＷの非デバイス形成面（下面）を真空吸着して、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で保持することができる構成になっている。また、スピン軸１１には、モータなどを含む回転駆動機構１３が結合されており、ウエハＷを吸着ベース１２に吸着保持した状態で、回転駆動機構１３からスピン軸１１に回転力を入力することによって、ウエハＷを、そのほぼ中心を通る鉛直軸線（スピン軸１１の中心軸線）まわりに回転させることができるようになっている。
【００１９】
遮断部材２は、ウエハＷよりも少し小さな径の円板状に形成された下部２Ａと、この下部２Ａの一方面を底面とする円錐状に形成された上部２Ｂと有しており、下部２Ａの他方面２１がスピンチャック１に保持されたウエハＷの上面とほぼ平行をなして対向するように設けられている。言い換えれば、遮断部材２は、ウエハＷの外形よりも少し小さな円形状の下面２１と、この下面２１の周縁からほぼ垂直に立ち上がった側面２２と、側面２２の上端縁から上方に向かうにつれて下面２１の中心を通る軸線に近づくように傾斜した円錐状の上面２３とを有していて、その下面２１の中心を通る軸線を中心軸線とする回転体形状に形成されている。また、遮断部材２は、その中心軸線がスピン軸１１の中心軸線と一致するように設けられている。
【００２０】
遮断部材２の内部には、遮断部材２の中心軸線に沿って、窒素ガス供給路２４が形成されている。窒素ガス供給路２４には、図外の窒素ガス供給源から窒素ガス（Ｎ２）が供給されるようになっている。また、窒素ガス供給路２４は、遮断部材２の下面２１の中心部に形成された開口２５と連通しており、窒素ガス供給路２４に供給された窒素ガスは、その開口２５からスピンチャック１に保持されたウエハＷの上面の中央部に向けて吐出される。
【００２１】
遮断部材２の下部２Ａには、たとえば、断面形状が台形状に形成された疎水性部材２６が下方から埋設されており、この疎水性部材２６の下面が、遮断部材２の下面２１を形成している。疎水性部材２６は、遮断部材２の側面２２には露出していない。疎水性部材２６の表面（少なくとも下面）には、フッ素樹脂コーティングが施されていて、これにより、遮断部材２の下面２１は、疎水性を有する疎水面となっている。一方、遮断部材２の側面２２および上面２３は、サンドブラスト加工を施して、表面粗さを粗くすることにより、親水性を有する親水面となっている。
【００２２】
ここで、疎水面としての下面２１は、その面２１と純水の液滴との接触角（純水の液滴が付着した場合に、その液滴が付着した面と液滴の表面とがなす角度）が６０度以上になるように設定されており、親水面としての側面２２および上面２３は、その面と純水の液滴との接触角が１０度以下になるように設定されている。
ウエハＷに対する処理を開始する前には、遮断部材２は、ウエハＷの搬入を阻害しないように上方に大きく退避している。そして、図示しない搬送ロボットによってウエハＷが搬入されてきて、スピンチャック１に受け渡されると、遮断部材２は、その下面２１がウエハＷの上面から一定の間隔を空けて近接する位置まで下降される。
【００２３】
つづいて、スピンチャック１（すなわち、ウエハＷ）が予め定める回転速度で回転され、その回転中のウエハＷの上面に向けて、遮断部材２の下面の開口２５から窒素ガスが供給される。この窒素ガスの供給により、ウエハＷと遮断部材２との間の空間が窒素ガスで満たされるので、その空間に外部からエッチング液およびエッチング液を含む雰囲気が進入することを阻止でき、ウエハＷの上面の中央部（デバイス形成領域）に形成されている金属薄膜Ｃが所望しないエッチング処理を受けることを防止できる。
【００２４】
また、ノズル３から遮断部材２の上面２３にエッチング液が供給される。ノズル３は、遮断部材２の中心軸線上に配置されていて、ノズル３からのエッチング液は、遮断部材２の上面２３の頂部付近（遮断部材２の中心軸線を中心とする円錐形領域）にまんべんなく供給される。
遮断部材２の上面２３および側面２２は親水面であるから、遮断部材２の上面２３に供給されたエッチング液は、その上面２３に沿って広がりつつ流下し、さらに側面２２を伝って流下する。そして、側面２２の下端縁に達したエッチング液は、遮断部材２の下面２１が疎水面であるから、この下面２１に回り込むことなく、側面２２の下端縁の全周から鉛直下向きに連続的に流下する。これにより、遮断部材２から流下するエッチング液は、図２に示すように、遮断部材２の側面２２に接した円筒状面４を有する液壁を形成しつつ、ウエハＷの上面の円筒状面４との交線よりも外側の領域Ａ１（エッチング対象域）に供給される。そして、そのウエハＷの上面に供給されたエッチング液が、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの周縁に向かって流れ、ウエハＷの周縁からウエハＷの周面（端面）を伝って流下することにより、ウエハＷの上面の領域Ａ１および周面の全域に形成されている不要な金属薄膜が除去される。
【００２５】
以上のようにこの実施形態によれば、ウエハＷの上面の周縁部に供給すべきエッチング液は、ノズル３から遮断部材２の上面２３に供給されて、遮断部材２の上面２３および側面２２を伝って流れ、遮断部材２の側面２２に沿った円筒状面４を有する液壁を形成しつつ、ウエハＷの上面の周縁部に向けて流下する。遮断部材２の上面２３および側面２２が親水面とされ、下面２１が疎水面とされているので、エッチング液が遮断部材２の上面２３または側面２２から外方へ飛び散ったり、エッチング液が遮断部材２の下面２１に回り込んで金属薄膜Ｃを残留させておくべき領域Ｂ１（エッチング非対象域）に落下したりすることがなく、エッチング液が形成する液壁の円筒状面４はウエハＷの上面と一定の線上で交わる。よって、ウエハＷの上面の金属薄膜Ｃを除去すべき領域Ａ１の幅（エッチング幅）にばらつきが生じることがなく、従来の装置と比べて、エッチング幅を精密に制御することができる。さらには、金属薄膜Ｃを残留させるべき領域Ｂ１にエッチング液が侵入することを防止できる。
【００２６】
なお、この実施形態では、ウエハＷにエッチング液が供給されている間、遮断部材２を静止させているが、遮断部材２に関連して回転駆動機構を設けて、その回転駆動機構によって、たとえば遮断部材２の中心軸線を中心に、すなわちウエハＷの回転軸と同軸回りに遮断部材２を回転させてもよい。遮断部材２を回転させることにより、遮断部材２の下端縁の全周において、エッチング液が流下する量をほぼ均一にすることができる。遮断部材２を回転させた場合であっても、遮断部材２の上面２３および側面２２が親水性を有し、下面２１が疎水性を有しているので、遮断部材２から流下するエッチング液は、側面２２に沿った円筒状面４を有する液壁を形成しつつ、ウエハＷの上面の周縁部に向けて流下する。
【００２７】
また、ウエハＷにエッチング液が供給されている間、ウエハＷを回転させているが、ウエハＷを静止させた状態で処理が行われてもよい。この場合でも、下面２１の中心部の開口２５から気体（窒素ガス）を供給していれば、供給されたエッチング液がウエハＷの中央部に侵入してしまうのを防止することができる。
さらに、遮断部材２がウエハＷの外形よりも少し小さな円形状の下面２１を有しているとしたが、これは、ウエハＷの上面の金属薄膜をＣを残しておくべき領域（エッチング非対象域）Ｂ１がウエハＷの中央部の円形状の領域に設定され、金属薄膜を除去すべき領域（エッチング対象域）Ａ１がそのエッチング非対象域を取り囲む円環状の領域に設定されているからであり、遮断部材２は、エッチング対象域とエッチング非対象域とを分ける境界線に対応した形状を下端縁に有していればよい。
【００２８】
ウエハＷをスピンチャック１上に静止状態で保持し、かつ、遮断部材を静止させた状態で処理が行われる場合、たとえば、図３に示すように、ウエハＷの上面に形成されている金属薄膜が周縁部の円環状の領域および搬送ロボットのハンドＨが接触する領域（エッチング対象域Ａ２）上からエッチング除去されるように、エッチング対象域Ａ２とエッチング非対象域Ｂ２とを分ける境界線を設定して、遮断部材５の下面（下端縁）を、その設定された境界線に対応した形状に形成してもよい。なお、この場合においても、遮断部材５の下面は疎水面とされ、遮断部材５の上面および側面は親水性とされている。また、エッチング非対象域Ｂ２へのエッチング液の侵入防止のため、遮断部材５の下面（ウエハＷ対向面）の中心に設けられた開口３５から気体（窒素ガス）が供給されるようになっている。
【００２９】
また、図４に示すように、エッチング対象域Ａ３とエッチング非対象域Ｂ３とを分ける境界線を直線に設定して、遮断部材６を、矩形状の下面（疎水面）、この下面の周縁からほぼ垂直に立ち上がった側面（親水面）と、境界線に近づくにつれて下方に傾斜した平面状の上面（親水面）とを有する構成にしてもよい。
また、エッチング非対象域Ｂ３へのエッチング液の侵入防止のため、遮断部材６の下面（ウエハＷ対向面）に設けられた複数の開口４５から気体（窒素ガス）が供給されるようになっている。なお、この複数の開口４５は、エッチング対象域Ａ３とエッチング非対象域Ｂ３とを分ける直線状の境界線に沿って設けられている。さらに、この複数の開口４５からの気体の吹出し方向は、ウエハＷ上面においてエッチング非対象域Ｂ３からエッチング対象域Ａ３へと向かう方向に気流を発生させるように、所定の角度で傾斜しているのが好ましい。
【００３０】
さらに、この図４に示した実施形態においては、ウエハＷを保持する基板保持手段によってウエハＷに直交する回転軸回りにウエハＷを回転させてもよい。このようにすれば、エッチング対象域Ａ３をウエハＷ周縁部の環状領域とすることができる。ここで、ウエハＷの回転軸がウエハＷの中心を通るように設定すれば、エッチング対象域Ａ３の環状領域の幅をウエハＷ全周でほぼ一定にすることができる。また、ウエハＷの回転軸をウエハＷの中心から離して設定すれば、エッチング対象域Ａ３の環状領域の幅を周方向で変化させ、偏心した環状領域とすることができる。なお、このようにウエハＷを回転させる場合は、エッチング非対象域Ｂ３はウエハＷの回転軸を中心とする円形領域となる。
【００３１】
さらに、上述の実施形態では、ウエハＷと遮断部材２との間に窒素ガスを供給するとしたが、窒素ガスに限らず、たとえば、ヘリウムガスやアルゴンガスなどの他の不活性ガスを供給するようにしてもよい。
また、上述の実施形態では、遮断部材２，５および６には側面が設けられているが、遮断部材は側面を備えていなくてもよい。すなわち、遮断部材の上面と下面とが遮断部材の端縁において直接に交わっていてもよい。ただし、エッチング対象域の形状の精度をより向上させたい場合は、上述の実施形態のように、側面、特に好ましくは鉛直な側面とするのがよい。
【００３２】
以上、この発明のいくつかの実施形態を説明したが、この発明はさらに他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、ウエハＷの処理対象域に対する処理の一例として、ウエハＷに形成されている不要な金属薄膜をエッチング液で除去する処理を取り上げたが、ウエハＷの処理対象域に対する処理は、ウエハＷの周縁部を洗浄液で洗浄する周縁部洗浄処理であってもよい。または、ウエハＷに形成された不要なレジスト膜をレジスト除去液で除去するレジスト除去処理であってもよい。
【００３３】
また、処理対象の基板は、ウエハＷに限らず、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディプレイパネル用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板などの他の種類の基板であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板周縁処理装置の構成を図解的に示す図である。
【図２】エッチング液が流下する様子を示す断面図である。
【図３】この発明の他の実施形態について説明するための平面図である。
【図４】この発明のさらに他の実施形態について説明するための平面図である。
【符号の説明】
１　　　スピンチャック
２　　　遮断部材
３　　　ノズル
５　　　遮断部材
６　　　遮断部材
２１　　下面
２２　　側面
２３　　上面
２４　　窒素ガス供給路
２５　　開口
３５　　開口
４５　　開口
Ａ１　　エッチング対象域
Ａ２　　エッチング対象域
Ａ３　　エッチング対象域
Ｂ１　　エッチング非対象域
Ｂ２　　エッチング非対象域
Ｂ３　　エッチング非対象域
Ｗ　　　ウエハ
【図１】
2004119829.tif 000003
【図２】
2004119829.tif 000004
【図３】
2004119829.tif 000005
【図４】
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