(57)【要約】【課題】輝度の変動の要因に関係なく簡単な構成で輝度の変動を調整できる電気光学装置及び電子機器を提供する。【解決手段】モニタ用の各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの各有機ＥＬ素子２１から放たれる光はそれぞれ光検知素子２２で検知され、その各光検知素子２２の検出信号ＳＲ，ＳＧ，ＳＢはモニタ回路１６に出力される。モニタ回路１６は、その各光検知素子２２から画像データＢＤに対して出力されるべき目標輝度電圧ＶＣＲ，ＶＣＧ，ＶＣＢと光検知素子２２からの実際の検知信号ＳＲ，ＳＧ，ＳＢから得られる検出電圧ＶＳＲ，ＶＳＧ，ＶＳＢとに基づいて各電源線ＶＬＲ，ＶＬＧ，ＶＬＢから有機ＥＬ素子に供給する電源電圧ＶＲ，ＶＧ，ＶＢを補正するための補正値ΔＶＲ，ΔＶＧ，ΔＶＢを求める。【選択図】        図４
2004258489.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との間にマトリクス状に設けられた複数の電気光学素子と、
前記複数の電気光学素子にそれぞれ駆動電源を供給する電源線と
を含み、画像データに基づいて前記データ線を介して供給される電気信号に応じて前記電気光学素子を駆動させる電気光学装置であって、
前記複数の電気光学素子のうちの少なくとも１つをモニタ用の電気光学素子にし、そのモニタ用の電気光学素子から放たれる光を検知する光検知素子と、
前記光検知素子から前記画像データに対して出力されるべき予め用意された目標の検知信号の値と前記光検知素子からの実際の検知信号の値とに基づいて前記電源線から前記電気光学素子に供給する駆動電源を補正するための補正値を求めるモニタ回路と
を備えた電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置において、
複数の走査線、複数のデータ線、複数の電気光学素子及び電源線は、表示パネル基板上に設けられ、
前記モニタ用の電気光学素子は、表示パネル基板上の表示領域外に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電気光学装置において、
前記モニタ回路は、
前記画像データを入力しその画像データに対して前記光検知素子から出力されるべき目標の検知信号の値を出力する目標電圧生成回路と、
前記光検知素子からの実際の検知信号の値と前記目標電圧生成回路からの目標の検知信号の値とを比較し偏差値を求める比較回路と、
前記比較回路にて求めた前記偏差値に基づいて前記電源線から前記電気光学素子に供給する駆動電源の電圧値を補正するための補正値を求める補正回路と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一つに記載の電気光学装置において、
前記モニタ回路が求めた補正値に基づいてその時に前記電源線に供給している電源電圧を新たな電源電圧に補正する電源供給回路を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一つに記載の電気光学装置において、
前記複数の走査線に対して前記モニタ用の電気光学素子をそれぞれ少なくとも１つ設けるとともに、その各走査線のモニタ用の各電気光学素子に基づいて得られた前記補正値から平均値を求め、その平均値を平均補正値として前記電源供給回路に出力する制御回路を設けることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一つに記載の電気光学装置において、
前記複数のデータ線に対して前記モニタ用の電気光学素子をそれぞれ少なくとも１つ設けるとともに、その各データ線のモニタ用の各電気光学素子に基づいて得られた前記補正値から平均値を求め、その平均値を平均補正値として前記電源供給回路に出力する制御回路を設けることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一つに記載の電気光学装置において、
複数の電気光学素子は、光学的特性の異なる複数種類の電気光学素子が各走査線に交互に配置され、各電気光学素子に対してそれぞれの前記光学的特性に対応した駆動電源を供給して駆動させる電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一つに記載の電気光学装置において、
前記電気光学素子は、ＥＬ素子であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項８に記載の電気光学装置において、
前記ＥＬ素子は、発光層が有機材料で構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１つに記載の電気光学装置を実装した電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置及び電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、液晶ディスプレイ装置や有機ＥＬディスプレイ装置等の電気光学装置は携帯電話、ＰＤＡ等の電子機器に搭載されている。電気光学装置は画像データに対して常に一定の輝度を維持することが表示品位を保つために要求されている。
【０００３】
しかしながら、長時間使用することによって、電気光学素子の劣化による輝度が低下することが知られている。また、駆動開始から予め定めた時間（安定するまでの時間）経過するまでの間、画像データに対する輝度が低下する。
【０００４】
そこで、輝度低下を防止すべく、製造方法を改良することが提案されている（特許文献１及び２を参照）
【０００５】
【特許文献１】
特開平１１−１５４５９６号公報
【特許文献２】
特開平１１−２１４１５７号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記したように輝度の変動の要因は多岐にわたることから、全てを満足させるためには、個々の要因について全て検出し、これら要因に基づいて電気光学素子の輝度を制御する必要になる。その結果、制御方法も複雑になり回路規模も大規模になる。
【０００７】
本発明は、上記問題点を解消するためになされたものであって、その目的は輝度の変動の要因に関係なく、簡単な構成で輝度の変動を調整することができる電気光学装置及び電子機器を提供するにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明における電気光学装置は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との間にマトリクス状に設けられた複数の電気光学素子と、前記複数の電気光学素子にそれぞれ駆動電源を供給する電源線とを含み、画像データに基づいて前記データ線を介して供給される電気信号に応じて前記電気光学素子を駆動させる電気光学装置であって、前記複数の電気光学素子のうちの少なくとも１つをモニタ用の電気光学素子にし、そのモニタ用の電気光学素子から放たれる光を検知する光検知素子と、前記光検知素子から前記画像データに対して出力されるべき予め用意された目標の検知信号の値と前記光検知素子からの実際の検知信号の値とに基づいて前記電源線から前記電気光学素子に供給する駆動電源を補正するための補正値を求めるモニタ回路とを備えた。
【０００９】
これによれば、モニタ用の電気光学素子から放たれる光は光検知素子にて検知され、その検出信号はモニタ回路に出力される。モニタ回路は、光検知素子から画像データに対して出力されるべき目標の検知信号の値と光検知素子からの実際の検知信号の値とに基づいて電源線から電気光学素子に供給する駆動電源を補正するための補正値を求める。従って、輝度の変動の要因に関係なく画像データに対する輝度の変動を、駆動電源を調整するだけで抑えることができる。
【００１０】
この電気光学装置は、複数の走査線、複数のデータ線、複数の電気光学素子及び電源線は、表示パネル基板上に設けられ、前記モニタ用の電気光学素子は、表示パネル基板上の表示領域外に形成されている。
これによれば、モニタ用の電気光学素子は、表示パネル基板上の表示領域外に形成されていることから、画像表示に支障を来たさない。
【００１１】
この電気光学装置において、前記モニタ回路は、前記画像データを入力しその画像データに対して前記光検知素子から出力されるべき目標の検知信号の値を出力する目標電圧生成回路と、前記光検知素子からの実際の検知信号の値と前記目標電圧生成回路からの目標の検知信号の値とを比較し偏差値を求める比較回路と、前記比較回路にて求めた前記偏差値に基づいて前記電源線から前記電気光学素子に供給する駆動電源の電圧値を補正するための補正値を求める補正回路とを備えた。
【００１２】
これによれば、比較回路は、目標電圧生成回路からのその時の画像データに対して光検知素子から出力されるべき目標の検知信号の値と光検知素子からの実際の検知信号の値とを比較し偏差値を求める。補正回路は、その偏差値に基づいて電源線から電気光学素子に供給する駆動電源の電圧値を補正するための補正値を求める。従って、偏差値を求め、その偏差値に基づいて補正値を求めるため、画像データに対する輝度の変動を抑える構成は非常に簡単な構成でとなる。
【００１３】
この電気光学装置は、前記モニタ回路が求めた補正値に基づいてその時に前記電源線に供給している電源電圧を新たな電源電圧に補正する電源供給回路を備えた。
これによれば、電源供給回路は補正値に基づいて画像データに対する輝度の変動を抑えるための新たな電源電圧を各電気光学素子に供給する。
【００１４】
この電気光学装置は、前記複数の走査線に対して前記モニタ用の電気光学素子をそれぞれ少なくとも１つ設けるとともに、その各走査線のモニタ用の各電気光学素子に基づいて得られた前記補正値から平均値を求め、その平均値を平均補正値として前記電源供給回路に出力する制御回路を設ける。
【００１５】
これによれば、モニタ用の各電気光学素子に基づいて得られた補正値の平均値にて新たな電源電圧を求めたことから、一部の補正値が大きな値を示しても、その一部の補正値による影響を小さくすることができる。
【００１６】
この電気光学装置は、前記複数のデータ線に対して前記モニタ用の電気光学素子をそれぞれ少なくとも１つ設けるとともに、その各データ線のモニタ用の各電気光学素子に基づいて得られた前記補正値から平均値を求め、その平均値を平均補正値として前記電源供給回路に出力する制御回路を設ける。
【００１７】
これによれば、モニタ用の各電気光学素子に基づいて得られた補正値の平均値にて新たな電源電圧を求めたことから、一部の補正値が大きな値を示しても、その一部の補正値による影響を小さくすることができる。
【００１８】
この電気光学装置において、複数の電気光学素子は、光学的特性の異なる複数種類の電気光学素子が各走査線に交互に配置され、各電気光学素子に対してそれぞれの前記光学的特性に対応した駆動電源を供給して駆動させる。
【００１９】
これによれば、光学的特性の異なる各電気光学素子毎に前記補正値が求められ、光学的特性の異なる各電気光学素子毎に駆動電源が調整される。
【００２０】
この電気光学装置において、前記電気光学素子は、ＥＬ素子である。
これによれば、ＥＬ素子の輝度の変動は駆動電源を調整することによって抑えられる。
【００２１】
この電気光学装置において、前記ＥＬ素子は、発光層が有機材料で構成されている。
これによれば、有機ＥＬ素子の輝度の変動は駆動電源を調整することによって抑えられる。
【００２２】
本発明における電子機器は、上記記載電気光学装置を実装した。
これによれば、輝度の変動の要因に関係なく輝度の変動を調整することができ、画像データに応じた輝度で画像表示させることができるので、表示品位の高いものとなる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下、本発明を具体化した第１実施形態を図１〜図５に従って説明する。
【００２４】
図１は、電気光学装置としての有機ＥＬディスプレイ１０の回路構成を示すブロック回路図を示す。図２は、表示パネル部の内部回路構成を示す回路図を示す。図３は、表示用の画素回路の内部回路構成を示す回路図を示す。図４は、モニタ用の画素回路と検出回路の内部回路構成を示す回路図を示す。
【００２５】
図１において、有機ＥＬディスプレイ１０は、表示パネル部１１、データ線駆動回路１２、走査線駆動回路１３、メモリ回路１４、電源供給回路１５、モニタ回路１６及び制御回路１７を備えている。
【００２６】
有機ＥＬディスプレイ１０の表示パネル部１１及び各回路１２〜１７は、それぞれが独立した電子部品によって構成されていてもよい。例えば、各回路１２〜１７が１チップの半導体集積回路装置によって構成されていてもよい。また、表示パネル部１１及び各回路１２〜１７の全部若しくは一部が一体となった電子部品として構成されていてもよい。例えば、表示パネル部１１に、データ線駆動回路１２と走査線駆動回路１３とが一体的に形成されていてもよい。各回路１２〜１７の全部若しくは一部がプログラマブルなＩＣチップで構成され、その機能がＩＣチップに書き込まれたプログラムによりソフトウェア的に実現されてもよい。
【００２７】
表示パネル部１１は、図１に示すように、透明基板上に画像表示領域Ｚ１と光検知領域Ｚ２が区画形成されている。画像表示領域Ｚ１は後記する形成された表示用の有機ＥＬ素子２１が放射する光によって画像が視認できる領域である。また、光検知領域Ｚ２は後記するモニタ用の有機ＥＬ素子２１が放射する光を検出する領域であって、同領域ではマスクされて有機ＥＬ素子２１が放射する光を遮蔽して視認することができない領域である。
【００２８】
図２に示すように、画像表示領域Ｚ１及び光検知領域Ｚ２を有する表示パネル部１１には、透明基板の上にマトリクス状に配列された複数の赤、緑及び青用の画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂが形成されている。つまり、一つの赤、緑及び青用の各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂが１組となって、その１組を１画素２０としてその列方向に沿ってのびる複数のデータ線Ｘ１〜Ｘｍ（ｍは整数）と、行方向に沿ってのびる複数の走査線Ｙ１〜Ｙｎ（ｎは整数）との間にそれぞれ接続される。従って、一つの赤、緑及び青用の各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂからなる組がマトリクス状に配列されている。
【００２９】
赤、緑及び青用の各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂには電気光学素子として発光層が有機材料で構成された有機ＥＬ素子２１を有している。詳述すると、赤用の画素回路２０Ｒには赤色の光を放射する有機ＥＬ素子２１を有している。緑用の画素回路２０Ｇには緑色の光を放射する有機ＥＬ素子２１を有している。青用の画素回路２０Ｂには青色の光を放射する有機ＥＬ素子２１を有している。尚、各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ内に形成される後記するトランジスタは、通常はＴＦＴで構成している。
【００３０】
そして、本実施形態では、データ線Ｘ１〜Ｘｍ−３と走査線Ｙ１〜Ｙｎとの間にそれぞれ接続される各画素回路（表示用の画素回路）２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂが形成されている領域を画像表示領域Ｚ１としている。又、データ線Ｘｍ−２〜Ｘｍと走査線Ｙ１〜Ｙｎとの間にそれぞれ接続される各画素回路（モニタ用の画素回路）２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂが形成されている領域を光検知領域Ｚ２としている。
【００３１】
前記光検知領域Ｚ２に形成したモニタ用の各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂには、前記有機ＥＬ素子（モニタ用に有機ＥＬ素子）２１の他に光検知素子２２を有している。詳述すると、各光検知素子２２は、有機ＥＬ素子２１が放射する光を受光しその光の輝度に応じた値の検出信号を出力する。なお、光検知素子が画素回路内に形成してもよいし、パネル外部でもよい。
【００３２】
図３は、画像表示領域Ｚ１に形成された１画素２０を構成する表示用に各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの電気的構成を示す回路図である。図３において、各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂは、駆動トランジスタＱｄ、スイッチングトランジスタＱｓｗ及び容量素子としての保持キャパシタＣ１を備えている。駆動トランジスタＱｄ及びスイッチングトランジスタＱｓｗはＮチャネルＦＥＴより構成されている。
【００３３】
駆動トランジスタＱｄは、ソースが前記有機ＥＬ素子（表示用の有機ＥＬ素子）２１の陽極に接続され、ドレインが駆動電源線ＶＬに接続されている。駆動トランジスタＱｄのゲートと駆動電源線ＶＬとの間には、保持キャパシタＣ１が接続されている。
【００３４】
前記駆動電源線ＶＬは、本実施形態では、赤用駆動電源線ＶＬＲ、緑用駆動電源線ＶＬＧ及び青用駆動電源線ＶＬＢから構成されている。そして、赤用の画素回路２０Ｒの駆動トランジスタＱｄは赤用駆動電源線ＶＬＲに接続され、電源電圧ＶＲが印加される。緑用の画素回路２０Ｇの駆動トランジスタＱｄは緑用駆動電源線ＶＬＧに接続され、電源電圧ＶＧが印加される。青用の画素回路２０Ｂの駆動トランジスタＱｄは青用駆動電源線ＶＬＢに接続され，電源電圧ＶＢが印加される。
【００３５】
これは、有機ＥＬ素子２１が、本実施形態では、赤色、緑色、青色の光をそれぞれ放射する有機ＥＬ素子２１毎に特性がそれぞれ相違するからである。そのため、赤色、緑色、青色の光をそれぞれ放射する有機ＥＬ素子２１をそれぞれ発光させるとき、その駆動トランジスタＱｄに供給する電源電圧ＶＲ，ＶＧ，ＶＢを、それぞれの有機ＥＬ素子２１にあうようにそれぞれ相違させるようにしている。従って、各色の有機ＥＬ素子２１の特性が同じであれば、電源電圧を共通にして実施してもよい。尚、各有機ＥＬ素子２１の陰極は接地されている。
【００３６】
各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０ＢのスイッチングトランジスタＱｓｗのゲートは、対応する走査線Ｙ１〜Ｙｎにそれぞれ接続されている。又、スイッチングトランジスタＱｓｗは、ドレインがデータ線Ｘ１〜Ｘｍ−３に接続され、ソースが駆動トランジスタＱｄのゲート及び保持キャパシタＣ１に接続されている。前記各データ線Ｘ１〜Ｘｍ−３は、赤用データ線ＤＬＲ、緑用データ線ＤＬＧ及び青用データ線ＤＬＢから構成されている。従って、赤用の画素回路２０ＲのスイッチングトランジスタＱｓｗは赤用データ線ＤＬＲに接続されている。又、緑用の画素回路２０ＧのスイッチングトランジスタＱｓｗは緑用データ線ＤＬＧに接続されている。さらに、青用の画素回路２０ＢのスイッチングトランジスタＱｓｗは青用データ線ＤＬＢに接続されている。
【００３７】
つまり、赤用の画素回路２０Ｒには、赤用データ線ＤＬＲを介してデータ線駆動回路１２から赤用のデータ信号（データ電圧ＶＲｄａｔａ）が出力される。又、緑用の画素回路２０Ｇには、緑用データ線ＤＬＧを介してデータ線駆動回路１２から緑用のデータ信号（データ電圧ＶＧｄａｔａ）が出力される。さらに、青用の画素回路２０Ｂには、青用データ線ＤＬＢを介してデータ線駆動回路１２から青用のデータ信号（データ電圧ＶＢｄａｔａ）が出力される。
【００３８】
尚、光検知領域Ｚ２に形成された１画素２０を構成するモニタ用の各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂは、図４に示すように光検知素子２２を備えている点が相違するだけなので、その詳細は省略する。
【００３９】
次に、各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの動作を説明する。尚、説明の便宜上、図３及び図４に示す走査線Ｙｎに接続された各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを使って説明する。
【００４０】
今、走査線駆動回路１３から走査線ＹｎにＨレベルの走査信号ＳＣｎが一定期間Ｔ１だけ出力されると、走査線Ｙｎに接続された画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０ＢのスイッチングトランジスタＱｓｗがその一定期間Ｔ１だけオンされる。また、スイッチングトランジスタＱｓｗがオンされている間、データ線駆動回路１２から各データ線Ｘ１〜Ｘｍにデータ信号が出力される。従って、図３において、画素回路２０Ｒには、データ線Ｘｍ−５を介してデータ電圧ＶＲｄａｔａが供給され、画素回路２０Ｇには、データ線Ｘｍ−４を介してデータ電圧ＶＧｄａｔａが供給され、画素回路２０Ｂには、データ線Ｘｍ−３を介してデータ電圧ＶＢｄａｔａが供給される。
【００４１】
同様に、図４において、画素回路２０Ｒには、データ線Ｘｍ−２を介してデータ電圧ＶＲｄａｔａが供給され、画素回路２０Ｇには、データ線Ｘｍ−１を介してデータ電圧ＶＧｄａｔａが供給され、画素回路２０Ｂには、データ線Ｘｍを介してデータ電圧ＶＢｄａｔａが供給される。
【００４２】
この各データ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａは、それぞれオンされたスイッチングトランジスタＱｓｗを介して保持キャパシタＣ１に供給される。各保持キャパシタＣ１は、それぞれ供給されるそれぞれのデータ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａのレベルに応じた値の電荷量に充電される。そして、前記一定期間Ｔ１が経過してＨレベルの走査信号ＳＣｎがＬレベルとなって、スイッチングトランジスタＱｓｗがオフしても、保持キャパシタＣ１にはそれぞれデータ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａに応じた電荷量が保持される。データ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａに応じた電荷量が保持されると、駆動トランジスタＱｄはその電荷量に応じた導通状態となり、前記有機ＥＬ素子２１に駆動電流Ｉｏｅｌを供給する。有機ＥＬ２１は、駆動電流Ｉｏｅｌに応じた輝度の光を放射する。即ち、有機ＥＬ素子２１は、データ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａに相対した駆動電流Ｉｏｅｌの大きさに応じた輝度の光を放射する。
【００４３】
尚、各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの駆動トランジスタＱｄは、同トランジスタＱｄのソースに供給される電源電圧ＶＲ，ＶＧ，ＶＢを変化させても駆動電流Ｉｏｅｌの大きさを変化させることができる。つまり、各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの駆動トランジスタＱｄがあるゲート電圧値に応じた値の駆動電流Ｉｏｅｌを供給している場合、駆動トランジスタＱｄは電源電圧ＶＲ，ＶＧ，ＶＢを上げるとそれに応じて駆動電流Ｉｏｅｌの値を上げる。反対に、電源電圧ＶＲ，ＶＧ，ＶＢを下げると、駆動トランジスタＱｄはそれに応じて駆動電流Ｉｏｅｌの値を下げる。従って、電源電圧ＶＲ，ＶＧ，ＶＢを変更することによっても、駆動電流Ｉｏｅｌが変更されて有機ＥＬ素子２１が放射する光の輝度を調整することができる。
【００４４】
データ線駆動回路１２は、メモリ回路１４からの画像データＢＤ及び制御回路１７からのデータ線駆動制御信号ＣＸを入力する。データ線駆動回路１２は、画像データＢＤに基づいて前記各データ線Ｘ１〜Ｘｍを介して選択された１つの走査線上の各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂに輝度階調に相対したレベルの電気信号（データ信号（データ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａ））を生成する。データ線駆動回路１２は、データ線駆動制御信号ＣＸに基づいて選択された１つの走査線上の各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂに前記生成したデータ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａを順番に供給する。
【００４５】
つまり、本実施形態では、行方向、即ち、選択された走査線上に接続された一つの赤、緑及び青用の各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂからなる１画素２０が１つの単位として順番にその列方向にデータ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａが供給される。
【００４６】
そして、例えば、輝度階調が、３２通りあるとすると、３２段階のレベルのデータ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａがそれぞれ生成され、階調に応じたレベルのデータ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａがデータ線駆動回路１２から各組毎にそれぞれ出力される。各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂは、このデータ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａに応じて同各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの内部状態が設定される。これに応じて各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの有機ＥＬ素子２１に流れる電流値がそれぞれ制御され、同有機ＥＬ素子２１の輝度階調が制御される。
【００４７】
又、データ線駆動回路１２は、赤、緑及び青用の各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂに階調に応じて出力するデータ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａのレンジをそれぞれ相違させている。前記したように、有機ＥＬ素子２１は、赤色、緑色、青色の光をそれぞれ放射する有機ＥＬ素子毎に特性がそれぞれ相違するからである。そのため、同じ階調で赤色、緑色、青色の光をそれぞれ放射する有機ＥＬ素子２１をそれぞれ発光させるとき、そのデータ線駆動回路１２から出力するデータ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａは各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂで相違する。従って、各データ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａはその最大値〜０ボルトの間の各階調における電圧レベルもそれぞれ相違する。
【００４８】
走査線駆動回路１３は、制御回路１７からの走査線駆動制御信号ＣＹを入力し、前記複数の走査線Ｙｎの中の１本を選択するための走査信号ＳＣ１〜ＳＣｎを生成し出力する。メモリ回路１４は、コンピュータ１８から供給されるビデオ信号を制御回路１７において各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの有機ＥＬ素子２１の階調データに変換して得られた画像データＢＤを記憶するようになっている。
【００４９】
電源供給回路１５は、前記赤用駆動電源線ＶＬＲ、緑用駆動電源線ＶＬＧ及び青用駆動電源線ＶＬＢにそれぞれ供給する前記電源電圧ＶＲ，ＶＧ，ＶＢを生成する。電源供給回路１５は、制御回路１７からの平均補正値ΔＶＲａ，ΔＶＧａ，ΔＶＢａに基づいて新たな電源電圧ＶＲ（＝ＶＲ＋ΔＶＲａ），ＶＧ（＝ＶＧ＋ΔＶＧａ），ＶＢ（＝ＶＢ＋ΔＶＢａ））を生成し対応する電源線ＶＬＲ，ＶＬＧ，ＶＬＢにそれぞれ供給するようになっている。
【００５０】
モニタ回路１６は、前記光検知領域Ｚ２のモニタ用の各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂに形成した光検知素子２２の検出信号に基づいて前記電源電圧ＶＲ，ＶＧ，ＶＢの値を調整するための補正値ΔＶＲ，ΔＶＧ，ΔＶＢを生成する。図４は、モニタ回路１６を説明するための回路図を示す。説明の便宜上、図４に示すモニタ回路１６は、走査線Ｙｎに接続された光検知領域Ｚ２の１画素２０の各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの光検知素子２２の検出信号に基づいて電源電圧ＶＲ，ＶＧ，ＶＢを調整する検出回路部だけを示す。従って、同様な検出回路部が残る走査線Ｙ１〜Ｙｎ−１に対応した数だけある。
【００５１】
そして、本実施形態は、ｎ個の検出回路部は、１つの検出回路部が検出（サンプリング）動作を終了すると次の検出回路部がサンプリング動作を行なうようになっている。そして、そのサンプリング動作をする順番は走査線Ｙ１に対する検出回路部から順に走査線Ｙｎまで順番に選択されて再び走査線Ｙ１に戻って先と同じ選択動作を繰り返すようになっている。また、ｎ個の検出回路部のサンプリング期間とそのサンプリング開始タイミングはそれぞれ予め決められている。このモニタ回路１６の各検出回路部のサンプリング動作は制御回路１７からのサンプリング制御信号ＧＳに基づいて制御されるようになっている。
【００５２】
本実施形態では、サンプリング期間は、前記Ｈレベルの走査信号ＳＣｎがＬレベルに立ち下がったときから新たＨレベルの走査信号ＳＣｎが出力される、いわゆる発光期間Ｔ２と一致させている。そして、各検出回路部のサンプリング開始タイミングは、以下のようになる。つまり、一つ前の走査線に対する検出部が選択されサンプリング動作が行なわれている場合、次に走査線に対する検出回路部が選択されるタイミングは、全ての走査線が一巡して選択され終わる期間（一垂直走査期間（＝Ｔ１＋Ｔ２）であって、当該走査線が選択され前記発光期間Ｔ２が開始する時となる。
【００５３】
従って、ｎ個のフレームが画像表示される毎に、モニタ回路１６を構成するｎ個の検出回路部がサンプリング動作を一通り完結することになる。
図４において、モニタ回路１６を構成する検出回路部は、電圧変換回路３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ、目標電圧生成回路３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂ、比較回路３３Ｒ，３３Ｇ，３３Ｂ及び補正回路としての増幅回路３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂを備えている。
【００５４】
電圧変換回路３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂは、対応するモニタ用の画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの光検知素子２２にそれぞれ接続され、各光検知素子２２からの検出信号ＳＲ，ＳＧ，ＳＢを入力する。そして、電圧変換回路３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂは、検出信号ＳＲ，ＳＧ，ＳＢの信号値に応じた電圧値の電圧（検出電圧）ＶＳＲ，ＶＳＧ，ＶＳＢにそれぞれ変換して出力する。すなわち、各光検知素子２２の検出信号ＳＲ，ＳＧ，ＳＢは、対応する画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂのモニタ用の有機ＥＬ素子２１が放射する光の輝度に応じた値の検出信号ＳＲ，ＳＧ，ＳＢを出力する。従って、電圧変換回路３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂは、対応するモニタ用の有機ＥＬ素子２１が放射する光の輝度に応じた電圧値の検出電圧ＶＳＲ，ＶＳＧ，ＶＳＢを出力する。
【００５５】
目標電圧生成回路３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂは、前記メモリ回路１４からの画像データＢＤを入力する。詳述すると、赤用の目標電圧生成回路３２Ｒは、走査線Ｙｎとデータ線Ｘｍ−２と接続された赤用画素回路２０Ｒの輝度を決定する画像データＢＤを入力する。そして、赤用の目標電圧生成回路３２Ｒは、予め用意されたマップデータを使ってその画像データＢＤに対する目標輝度電圧ＶＣＲを出力する。
【００５６】
この目標電圧生成回路３２Ｒに内蔵されたマップデータについて説明する。データ線駆動回路１２は、画像データＢＤに対する輝度（目標輝度）で有機ＥＬ素子２１を発光させるためのデータ電圧ＶＲｄａｔａを一義的に生成する。そして、各データ電圧ＶＲｄａｔａに対してそれぞれ目標輝度で有機ＥＬ素子２１が発光している時に、その光検知素子２２を介して電圧変換回路３１Ｒからそれぞれ出力される電圧値を目標輝度電圧ＶＣＲとしてそれぞれ求める。つまり、各データ電圧ＶＲｄａｔａ（画像データＢＤ）に対する目標輝度電圧ＶＣＲを予め試験又は実験で求めたものをマップデータとしている。従って、目標電圧生成回路３２Ｒから出力される目標輝度電圧ＶＣＲは、画像データＢＤに基づいて有機ＥＬ素子２１が目標輝度にて発光した時に電圧変換回路３１Ｒから出力されるべき検出電圧ＶＳＲの電圧値と一致する。
【００５７】
又、緑用の目標電圧生成回路３２Ｇは、走査線Ｙｎとデータ線Ｘｍ−１と接続された緑用画素回路２０Ｇの輝度を決定する画像データＢＤを入力する。そして、緑用の目標電圧生成回路３２Ｇは、予め用意されたマップデータを使ってその画像データＢＤに対する目標輝度電圧ＶＣＧを出力する。尚、緑用の目標電圧生成回路３２Ｇに内蔵されたマップデータは、前記赤用の目標電圧生成回路３２Ｒのマップデータと同様な方法で求めたものであるため、その詳細は省略する。
【００５８】
さらに、青用も目標電圧生成回路３２Ｂは、走査線Ｙｎとデータ線Ｘｍと接続された青用画素回路２０Ｂの輝度を決定する画像データＢＤを入力する。そして、青用の目標電圧生成回路３２Ｂは、予め用意されたマップデータを使ってその画像データＢＤに対する目標輝度電圧ＶＣＢを出力する。尚、青用の目標電圧生成回路３２Ｂに内蔵されたマップデータは、前記赤用の目標電圧生成回路３２Ｒのマップデータと同様な方法で求めたものであるため、その詳細は省略する。
【００５９】
比較回路３３Ｒ，３３Ｇ，３３Ｂは、それぞれ対応する目標電圧生成回路３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂの目標輝度電圧ＶＣＲ，ＶＣＧ，ＶＣＢと前記電圧変換回路３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂからの検出電圧ＶＳＲ，ＶＳＧ，ＶＳＢを入力する。詳述すると、比較回路３３Ｒは、目標輝度電圧ＶＣＲと検出電圧ＶＳＲとを比較し、その偏差ΔＲ（＝ＶＣＲ−ＶＳＲ）を増幅回路３４Ｒに出力する。又、比較回路３３Ｇは、目標輝度電圧ＶＣＧと検出電圧ＶＳＧとを比較し、その偏差ΔＧ（＝ＶＣＧ−ＶＳＧ）を増幅回路３４Ｇに出力する。さらに、比較回路３３Ｂは、目標輝度電圧ＶＣＢと検出電圧ＶＳＢとを比較し、その偏差ΔＢ（＝ＶＣＢ−ＶＳＢ）を増幅回路３４Ｂに出力する。つまり、各比較回路３３Ｒ，３３Ｇ，３３Ｂは、対応する画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの有機ＥＬ素子２１の特性が変動して輝度が目標輝度から偏倚する場合に、その変動分を偏差ΔＲ，ΔＧ，ΔＢとして出力することになる。又、偏倚していない場合には、偏差ΔＲ，ΔＧ，ΔＢはゼロとなる。
【００６０】
増幅回路３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂは、それぞれ対応した偏差ΔＲ，ΔＧ，ΔＢを入力し、その偏差ΔＲ，ΔＧ，ΔＢをそれぞれ予め定めた増幅率で増幅して補正値ΔＶＲ，ΔＶＧ，ΔＶＢを生成する。詳述すると、増幅回路３４Ｒは偏差ΔＲを予め定めた増幅率ｋ１で増幅し、その増幅した値を補正値ΔＶＲ（＝ｋ１・ΔＲ）として制御回路１７に出力する。又、増幅回路３４Ｇは偏差ΔＧを予め定めた増幅率ｋ２で増幅し、その増幅した値を補正値ΔＶＲ（＝ｋ２・ΔＧ）として制御回路１７に出力する。さらに、増幅回路３４Ｂは偏差ΔＢを予め定めた増幅率ｋ３で増幅し、その増幅した値を補正値ΔＶＢ（＝ｋ３・ΔＢ）として制御回路１７に出力する。
【００６１】
本実施形態では、各増幅回路３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂの増幅率ｋ１，ｋ２，ｋ３を互いに異なるようになっている。これは、前記赤用駆動電源線ＶＬＲに供給される前記電源電圧ＶＲ、前記緑用駆動電源線ＶＬＧに供給される前記電源電圧ＶＧ、前記青用駆動電源線ＶＬＢに供給される前記電源電圧ＶＢがそれぞれ相違し、その相違に応じてそれぞれ整合がとれるように増幅率ｋ１，ｋ２，ｋ３を設定している。尚、偏差ΔＲ，ΔＧ，ΔＢがゼロの時には、補正値ΔＶＲ，ΔＶＧ，ΔＶＢはゼロになる。そして、各増幅回路３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂは、制御回路１７にこの補正値ΔＶＲ，ΔＶＧ，ΔＶＢをそれぞれ出力する。
【００６２】
制御回路１７は、前記表示パネル部１１及び各回路１２〜１６を統括制御する。制御回路１７は、コンピュータ１８からのビデオ信号を表示パネル部１１の表示状態を表す画像データＢＤに変換して前記メモリ回路１４に記憶する。また、制御回路１７は、コンピュータ１８からのビデオ信号に基づいて１行分の画素回路群を順次選択するための走査線駆動制御信号ＣＹと、選択された画素回路群の有機ＥＬ素子２１の輝度を設定するデータ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａを生成し供給するためのデータ線駆動制御信号ＣＸを生成する。そして、走査線駆動制御信号ＣＹは、走査線駆動回路１３に供給する。また、データ線駆動制御信号ＣＸは、データ線駆動回路１２に供給される。
【００６３】
また、制御回路１７は、前記モニタ回路１６にサンプリング制御信号ＧＳを出力し、そのサンプリング制御信号ＧＳに基づいて前記したようにモニタ回路１６のｎ個の検出回路部を順番にサンプリング動作させる。そして、制御回路１７は、ｎ個の検出回路部から補正値ΔＶＲ，ΔＶＧ，ΔＶＢをそれぞれ入力するようになっている。制御回路１７は、ｎ個のフレームが画像表示される毎に、その間に入力されたそれぞれｎ個の補正値ΔＶＲ，ΔＶＧ，ΔＶＢを入力する。制御回路１７は、ｎ個の補正値ΔＶＲから平均値（平均補正値）ΔＶＲａ、ｎ個の補正値ΔＶＧから平均値（平均補正値）ΔＶＧａ、ｎ個の補正値ΔＶＢから補正値（平均補正値）ΔＶＢａを求める。そして、制御回路１７は、算出したこの各平均補正値ΔＶＲａ，ΔＶＧａ，ΔＶＢａを前記電源供給回路１５に出力する。
【００６４】
前記電源供給回路１５は、今出力している各電源電圧ＶＲ，ＶＧ，ＶＢにこの各平均補正値ΔＶＲａ，ΔＶＧａ，ΔＶＢａを加算し、その加算値を新たな電源電圧ＶＲ，ＶＧ，ＶＢとして出力する。つまり、電源供給回路１５は、先の電源電圧ＶＲと補正値ΔＶＲとを加算して新たな電源電圧ＶＲ（＝ＶＲ＋ΔＶＲａ）を赤用駆動電源線ＶＬＲに出力する。又、電源供給回路１５は、先の電源電圧ＶＧと補正値ΔＶＧとを加算して新たな電源電圧ＶＧ（＝ＶＧ＋ΔＶＧａ）を緑用駆動電源線ＶＬＧに出力する。さらに、電源供給回路１５は、先の電源電圧ＶＢと補正値ΔＶＢとを加算して新たな電源電圧ＶＢ（＝ＶＢ＋ΔＶＢａ）を青用駆動電源線ＶＬＢに出力する。
【００６５】
次に、上記のように構成した有機ＥＬディスプレイ１０の作用を説明する。
図５に示すように、走査線Ｙ１にＨレベルの走査信号ＳＣ１が一定期間Ｔ１出力されると、その選択された走査線Ｙ１に接続された全ての画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０ＢのスイッチングトランジスタＱｓｗがオンする。このオンとともにデータ線駆動回路１２からそれぞれ画像データＢＤに基づくデータ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａが走査線Ｙ１上の対応する画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの保持キャパシタＣ１に供給される。各保持キャパシタＣ１にはそれぞれデータ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａに応じた電荷量が保持され、駆動トランジスタＱｄは、その電荷量に応じた導通状態となって前記有機ＥＬ素子２１に駆動電流Ｉｏｅｌを供給する。そして、走査線Ｙ１上の各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの有機ＥＬ２１は、データ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａに応じた輝度の光を放射する。
【００６６】
走査線Ｙ１が非選択（走査信号ＳＣ１がＬレベル）に移ると、走査線Ｙ２にＨレベルの走査信号ＳＣ２が一定期間Ｔ１だけ出力されて次の走査線Ｙ２が選択（選択期間）される。そして、前記と同様に、その選択された走査線Ｙ２に接続された画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂにそれぞれ画像データＢＤに基づくデータ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａが供給される。その結果、走査線Ｙ２上の各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの有機ＥＬ素子２１は、データ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａに応じた輝度の光を放射する。以降、残る全ての走査線Ｙ３〜Ｙｎまで同様に走査信号が出力され、それに伴って選択された走査線上の画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂにデータ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａが供給される。そして、対応する各有機ＥＬ素子２１がそれぞれデータ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａに応じた輝度の光を放つ。
【００６７】
全ての走査線Ｙ１〜Ｙｎの選択が一巡すると、１フレームの画像が表示されることになる。そして、このような動作を画像データＢＤに基づいて繰り返すことによって、画像表示領域Ｚ１に新たな１フレームの画像が表示される。
【００６８】
一方、１フレームの画像が画像表示領域Ｚ１の表示される際、光検知領域Ｚ２にある各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂのモニタ用の有機ＥＬ素子２１もデータ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａに応じた輝度で発光している。そして、最初の１フレームの画像が画像表示領域Ｚ１の表示される際、走査線Ｙ１に対する前記モニタ回路１６の検出回路部が選択されサンプリング動作を行なう。すなわち、光検知領域Ｚ２の走査線Ｙ１に接続されたモニタ用の画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂは、そのモニタ用の有機ＥＬ素子２１がそれぞれ対応するデータ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａに基づいて放射する。このモニタ用の画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂは、その時に放たれた光に基づいて光検知素子２２が生成する検出信号ＳＲ，ＳＧ，ＳＢを出力する。走査線Ｙ１に対する前記モニタ回路１６の検出回路部は、電圧変換回路３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂに前記検出信号ＳＲ，ＳＧ，ＳＢを入力する。また、この検出回路部は、目標電圧生成回路３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂに光検知領域Ｚ２の走査線Ｙ１に接続されたモニタ用の画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂに供給するデータ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａの画像データＢＤを入力する。目標電圧生成回路３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂはその画像データＢＤに基づいて目標輝度電圧ＶＣＲ，ＶＣＧ，ＶＣＢを出力する。
【００６９】
つまり、走査線Ｙ１に対する前記モニタ回路１６の検出回路部において、モニタ用の有機ＥＬ素子２１の放射する実際の光の輝度が、その時の画像データＢＤに対する目標輝度からどれだけ偏倚しているか求める。そして、検出回路部は目標輝度にするためには電源電圧ＶＲ，ＶＧ，ＶＢをどれだけ補正したらよいかを示す補正値ΔＶＲ，ΔＶＧ，ΔＶＢを演算し、制御回路１７にこの補正値ΔＶＲ，ΔＶＧ，ΔＶＢを出力する。制御回路１７は、走査線Ｙ１に対する前記モニタ回路１６の検出回路部からの補正値ΔＶＲ，ΔＶＧ，ΔＶＢを一旦記憶する。
【００７０】
つまり、最初の１フレームの画像を生成する期間において、制御回路１７は走査線Ｙ１に対するモニタ回路１６の検出回路部が求めた補正値ΔＶＲ，ΔＶＧ，ΔＶＢを入力する。そして、以後同様に、制御回路１７は１フレームの画像を表示する毎に、走査線Ｙ２〜Ｙｎに対するモニタ回路１６の検出回路部から順番に補正値ΔＶＲ，ΔＶＧ，ΔＶＢを出力させる。
【００７１】
そして、６０フレームの画像を表示する毎に、ｎ個の検出回路部から出力される補正値ΔＶＲ，ΔＶＧ，ΔＶＢが一巡する。制御回路１７は、それぞれｎ個の補正値ΔＶＲ，ΔＶＧ，ΔＶＢが入力されると、各平均補正値ΔＶＲａ，ΔＶＧａ，ΔＶＢａを算出して電源供給回路１５に出力する。前記電源供給回路１５は、今出力している各電源電圧ＶＲ，ＶＧ，ＶＢにこの各平均補正値ΔＶＲａ，ΔＶＧａ，ΔＶＢａを加算し、その加算値を新たな電源電圧ＶＲ，ＶＧ，ＶＢとして画像表示領域Ｚ１及び光検知領域Ｚ２の全ての画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを出力する。
【００７２】
以後、制御回路１７は、６０フレームの画像を表示させる毎に各平均補正値ΔＶＲａ，ΔＶＧａ，ΔＶＢａを求め、電源供給回路１５を介して平均補正値ΔＶＲａ，ΔＶＧａ，ΔＶＢａで補正した新たな電源電圧ＶＲ，ＶＧ，ＶＢとして画像表示領域Ｚ１及び光検知領域Ｚ２の全ての画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを出力することになる。
【００７３】
従って、画像データＢＤに基づいて画像を表示し続けているとき、温度の変化、有機ＥＬ素子２１の材料劣化、その他何らかの原因で画像データＢＤに対する有機ＥＬ素子２１の輝度が変動したとき、電源電圧ＶＲ，ＶＧ，ＶＢを変化させるようにした。その結果、何らかの原因で有機ＥＬ素子２１の輝度が変動しても、画像データＢＤに基づくデータ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａに応じた輝度で有機ＥＬ素子２１を発光させることができる。
【００７４】
次に、上記のように構成した有機ＥＬディスプレイ１０の特徴を以下に記載する。
（１）本実施形態によれば、温度の変化、有機ＥＬ素子２１の材料劣化、その他何らかの原因で画像データＢＤに対する有機ＥＬ素子２１の輝度が変化したとき、電源電圧ＶＲ，ＶＧ，ＶＢを変化させて画像データＢＤに応じた輝度で有機ＥＬ素子２１を発光させるようにした。すなわち、輝度の変動の要因に関係なく、輝度の変動を調整することができ、表示品位の高い有機ＥＬディスプレイ１０を提供することができる。
【００７５】
（２）本実施形態では、有機ＥＬ素子２１の輝度が変化したとき、電源電圧ＶＲ，ＶＧ，ＶＢを調整して画像データＢＤに基づくデータ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａに応じた輝度に有機ＥＬ素子２１を発光させるようにした。従って、画像データＢＤの補正をしたり、データ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａの補正をする場合にデータ線駆動回路１２の回路構成がより複雑になるのに比べて回路構成が簡単となる。
【００７６】
（３）本実施形態では、光検知領域Ｚ２に形成したモニタ用の画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの有機ＥＬ素子２１を検出することによって、画像表示領域Ｚ１の各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの有機ＥＬ素子２１に状態を把握している。そして、画像表示領域Ｚ１の各走査線Ｙ１〜Ｙｎに接続された各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂは、光検知領域Ｚ２に各走査線Ｙ１〜Ｙｎ毎に対応して形成したｎ個のモニタ用の画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂによってモニタされているためより精度の高い検出を行なうことができる。
【００７７】
しかも、ｎ個のモニタ用の画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂから得られたそれぞれｎ個の補正値ΔＶＲ，ΔＶＧ，ΔＶＢから平均値を求め、その平均値を平均補正値ΔＶＲａ，ΔＶＧａ，ΔＶＢａとする。そして、その平均補正値ΔＶＲａ，ΔＶＧａ，ΔＶＢａを使って電源電圧ＶＲ，ＶＧ，ＶＢを制御した。従って、ｎ個の補正値ΔＶＲ，ΔＶＧ，ΔＶＢのうち、一部の補正値ΔＶＲ，ΔＶＧ，ΔＶＢが大きな値を示しても、その一部の補正値ΔＶＲ，ΔＶＧ，ΔＶＢによる影響を小さくすることができる。
【００７８】
（４）本実施形態では、各色毎に電源電圧ＶＲ，ＶＧ，ＶＢを独立して制御するようにしたので、他の色の電源電圧について考慮する必要がないことから制御が容易となる。
【００７９】
（５）本実施形態では、モニタ用の画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを画像表示領域Ｚ１以外に光検知領域Ｚ２に形成したことから、モニタ用の画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂによって表示品位が損なわれることはない。
【００８０】
（第２実施形態）
次に、第１実施形態で説明した有機ＥＬディスプレイ１０の電子機器への適用について図６に従って説明する。有機ＥＬディスプレイ１０は、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、デジタルカメラ等種々の電子機器に適用できる。
【００８１】
図６は、携帯電話の構成を示す斜視図を示す。図６において、携帯電話８０は、複数の操作ボタン８１、受話口８２、送話口８３、前記有機ＥＬディスプレイ１０を用いた表示ユニット８４を備えている。この場合でも、有機ＥＬディスプレイ１０を用いた表示ユニット８４は前記第１実施形態と同様な効果を発揮する。その結果、携帯電話８０は、輝度の変動の要因に関係なく、輝度の変動を調整することができ、画像データＢＤに応じた輝度で画像を表示できるので、表示品位の高いものとなる。
【００８２】
尚、本発明の実施形態は、以下のように変更してもよい。
○前記第１実施形態では、画像表示領域Ｚ１の各走査線Ｙ１〜Ｙｎに接続された各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂは、光検知領域Ｚ２に各走査線Ｙ１〜Ｙｎ毎に対応して形成したｎ個の画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂによってモニタした。これを、それ以上、例えば２ｎ個の画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを使ってモニタするようにしたり、反対に例えば特定の走査線に対してモニタ用の各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを設けて実施してもよい。
【００８３】
○前記第１実施形態では、光検知領域Ｚ２に形成したｎ個の画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂはそれぞれ各走査線Ｙ１〜Ｙｎに対応して形成した。これをモニタ用の１本の走査線を設け、その走査線にｍ個のモニタ用の画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを接続する。そして、ｍ個のモニタ用の画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂに、対応するデータ線Ｘ１〜Ｘｍを介してデータ電圧ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａを供給してモニタするようにしてもよい。
【００８４】
○前記実施形態では、３色の有機ＥＬ素子２１に対して各色用の画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを設けた有機ＥＬディスプレイであったが、１色からなるＥＬ素子の画素回路からなるＥＬディスプレイに応用しても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】電気光学装置としての有機ＥＬディスプレイ１０の回路構成を示すブロック回路図。
【図２】表示パネル部の内部回路構成を示す回路図。
【図３】画像表示領域の画素回路の内部回路構成を示す回路図。
【図４】モニタ用の画素回路と検出回路の内部回路構成を示す回路図。
【図５】走査線を選択するためのタイミングチャート。
【図６】電気光学装置を携帯電話に具体化した構成を示す斜視図。
【符号の説明】
ΔＲ，ΔＧ，ΔＢ…偏差、ＢＤ…画像データ、Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３…増幅率、Ｃ１…保持キャパシタ、Ｑｄ…駆動トランジスタ、Ｑｓｗ…スイッチングトランジスタ、ＳＲ，ＳＧ，ＳＢ…検出信号、ＶＲ，ＶＧ，ＶＢ…電源電圧、Ｙ１〜Ｙｎ…走査線、Ｘ１〜Ｘｍ…データ線、Ｚ１…画像表示領域、Ｚ２…光検知領域、ΔＶＲ，ΔＶＧ，ΔＶＢ…補正値、ΔＶＲａ，ΔＶＧａ，ΔＶＢａ…補正値（平均補正値）、ＶＣＲ，ＶＣＧ，ＶＣＢ…目標輝度電圧、ＶＳＲ，ＶＳＧ，ＶＳＢ…検出電圧、ＶＬ…電源線、ＶＲｄａｔａ，ＶＧｄａｔａ，ＶＢｄａｔａ…データ電圧、１０…電気光学装置としての有機ＥＬディスプレイ、１１…表示パネル部、１２…データ線駆動回路、１３…走査線駆動回路、１５…電源供給回路、１６…モニタ回路、１７…制御回路、２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ…画素回路、２１…電気光学素子又はＥＬ素子としての有機ＥＬ素子、２２…光検知素子、３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂ…目標電圧生成回路、８０…電子機器としての携帯電話。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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