(57)【要約】【課題】配線回路パターンのパターン形状や配置にかかわらず、均一な厚さの導体層を形成することのできる、配線回路基板の製造方法を提供すること。【解決手段】ベース絶縁層１の上に導電性薄膜２を形成し、その導電性薄膜２の上に所定の配線回路パターンと逆パターンでめっきレジスト３を形成した後、導電性薄膜２におけるめっきレジスト３が形成されていない部分に、電解めっきにより、所定の配線回路パターンとして導体層４を形成する。そして、めっきレジスト３が形成されている状態において、導体層４を厚さ方向途中までエッチングし、その後、めっきレジスト３およびめっきレジスト３に対応する部分の導電性薄膜２を除去し、導体層４の上にカバー絶縁層５を被覆して、配線回路基板を得る。この方法では、電解めっきにより形成された直後の導体層４の厚さにばらつきが生じても、エッチングによってその厚さを均一にすることができる。【選択図】　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性薄膜が形成されている絶縁層を用意する工程、
前記導電性薄膜の上に、所定のパターンでめっきレジストを形成する工程、
前記導電性薄膜における前記めっきレジストが形成されていない表面に、めっきにより導体層を形成する工程、
前記めっきレジストが形成されている状態において、前記導体層を厚さ方向途中までエッチングする工程、および、
前記めっきレジストを除去する工程を備えていることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記配線回路基板が、フレキシブル配線回路基板であることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線回路基板の製造方法、詳しくは、フレキシブル配線回路基板などの配線回路基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、フレキシブル配線回路基板などの配線回路基板において、配線回路パターンの形成方法として、サブトラクティブ法、セミアディティブ法およびフルアディティブ法などが知られている。
【０００３】
これらのうち、セミアディティブ法では、例えば、まず、図３（ａ）に示すように、樹脂フィルムからなる絶縁層１１を用意して、図３（ｂ）に示すように、その絶縁層１１の上に、スパッタリングや無電解めっきによって導電性薄膜１２を形成し、次いで、図３（ｃ）に示すように、この導電性薄膜１２の上に、ドライフィルムレジストなどを用いて、所定の配線回路パターンと逆パターンでめっきレジスト１３を形成した後、図３（ｄ）に示すように、導電性薄膜１２におけるめっきレジスト１３が形成されていない表面に、電解めっきにより導体層１４を形成し、その後に、図３（ｅ）に示すように、めっきレジスト１３を剥離などにより除去した後、図３（ｆ）に示すように、そのめっきレジスト１３が形成されていた部分に対応する導電性薄膜１２を、化学エッチングなどにより除去することによって、絶縁層１１の上に、所定の配線回路パターンとして導体層１４を形成するようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかるに、近年、このようなフレキシブル配線回路基板においては、配線回路パターンの微細化や高密度化に対する要求がより一層高まっており、ＩＣチップを実装する場合も多くなってきている。
【０００５】
しかし、セミアディティブ法では、上記したように、電解めっきにより導体層１４を形成するので、配線回路パターンのパターン形状や配置によっては、電解めっき時において電流密度の分布を生じる場合がある。すなわち、配線回路パターンのパターン間隔が狭い場合には電流密度が高くなり、また、パターン間隔が広い場合には電流密度が低くなるので、その結果、電流密度に分布が生じる。
【０００６】
そして、このような電流密度の分布が生じると、電流密度が密な部分にはめっきが厚く成長し、電流密度が疎な部分にはめっきが薄く成長するため、例えば、パターン間隔が狭く配線密度の高い端部などでは、導体層１４が厚く形成される一方、例えば、パターン間隔が広く配線密度の低い中央部では、導体層１４が薄く形成されてしまい、配線回路パターンのパターン形状や配置によって、導体層１４の厚さがばらつき、不均一になってしまうという不具合を生じる。
【０００７】
そして、このように導体層１４の厚さが不均一になると、ＩＣチップを実装できないという不具合を生じる。
【０００８】
本発明は、このような不具合に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、配線回路パターンのパターン形状や配置にかかわらず、均一な厚さの導体層を形成することのできる、配線回路基板の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板の製造方法は、導電性薄膜が形成されている絶縁層を用意する工程、前記導電性薄膜の上に、所定のパターンでめっきレジストを形成する工程、前記導電性薄膜における前記めっきレジストが形成されていない表面に、めっきにより導体層を形成する工程、前記めっきレジストが形成されている状態において、前記導体層を厚さ方向途中までエッチングする工程、および、前記めっきレジストを除去する工程を備えていることを特徴としている。
【００１０】
このような方法によれば、めっきにより導体層を形成した後に、めっきレジストが形成されている状態において、導体層を厚さ方向途中までエッチングするので、たとえ、めっきにより形成された導体層の厚さに、ばらつきが生じていても、エッチングによって、その厚さを均一にすることができる。そのため、配線回路パターンのパターン形状や配置にかかわらず、均一な厚さの導体層を形成することができる。その結果、このようにして得られた配線回路基板では、例えば、ＩＣチップなどを良好に実装することができる。
【００１１】
そして、本発明の配線回路基板の製造方法は、フレキシブル配線回路基板の製造方法に好適に用いられる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態として、フレキシブル配線回路基板の製造方法を示す工程図である。なお、図１において、２つの破断線に囲まれる中央部分には、フレキシブル配線回路基板における配線密度の低い部分（例えば、フレキシブル配線回路基板の長手方向や幅方向における中央部など）が示されており、また、破断線から両側部分は、フレキシブル配線回路基板における配線密度の高い部分（例えば、フレキシブル配線回路基板の長手方向や幅方向における端部など）が示されている。
【００１３】
まず、この方法では、図１（ａ）に示すように、絶縁層としてベース絶縁層１を用意する。ベース絶縁層１としては、特に限定されず、フレキシブル配線回路基板のベース絶縁層として通常使用されるものを用いることができ、絶縁性および可撓性を有する、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの樹脂からなる樹脂フィルムなどが用いられる。これらのうち、好ましくは、耐薬品性、耐熱性および寸法安定性の観点から、ポリイミド樹脂からなる樹脂フィルムが用いられる。なお、このような樹脂フィルムは、感光性樹脂を用いて、露光および現像することによりパターンニングして形成することもできる。また、ベース絶縁層１の厚みは、例えば、３〜２００μｍ、好ましくは、５〜１００μｍである。
【００１４】
次いで、この方法では、図１（ｂ）に示すように、ベース絶縁層１の上に、導電性薄膜２を形成する。導電性薄膜２の形成は、特に限定されず、セミアディティブ法で通常使用される方法を用いることができ、例えば、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの蒸着法、例えば、無電解めっき法などが用いられる。これらのうち、好ましくは、スパッタリング法が用いられる。また、導電性薄膜２を形成する導電体は、特に限定されないが、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ／Ｃｒ合金、Ｃｕ／Ｎｉ合金、Ｔｉおよびそれらの合金が用いられる。なお、導電性薄膜２の厚みは、例えば、５〜５００ｎｍ、好ましくは、１０〜１００ｎｍである。また、導電性薄膜２は、２層以上の複数層として形成することもできる。
【００１５】
なお、実際の製造においては、予め導電性薄膜２が形成されているベース絶縁層１を、市販品の入手により、用意してもよい。
【００１６】
次いで、この方法では、図１（ｃ）に示すように、導電性薄膜２の上に、所定の配線回路パターンと逆パターンでめっきレジスト３を形成する。めっきレジスト３の形成は、特に限定されず、セミアディティブ法で通常使用される方法を用いることができ、例えば、写真法や印刷法などが用いられる。これらのうち、好ましくは写真法が用いられ、より具体的には、例えば、耐電解めっき液性を有するドライフィルムレジストなどを用いて、露光および現像がなされるフォト加工法などにより、所定のレジストパターンとして形成することができる。
【００１７】
そして、この方法では、図１（ｄ）に示すように、導電性薄膜２におけるめっきレジスト３が形成されていない部分に、めっき、好ましくは、電解めっきにより、所定の配線回路パターンとして導体層４を形成する。
【００１８】
導体層４を形成する金属は、特に制限されないが、例えば、銅、クロム、ニッケル、アルミニウム、ステンレス、銅−ベリリウム、リン青銅、鉄−ニッケル、および、それらの合金などが用いられる。好ましくは、銅が用いられる。また、導体層４の厚みは、例えば、０．５〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。
【００１９】
また、電解めっき時においては、パターン間隔が狭い配線密度の高い部分の各配線４ａの電流密度が、パターン間隔が広い配線密度の低い部分の各配線４ｂの電流密度よりも高くなるため、この導体層１４においては、配線密度の高い部分の各配線４ａが厚く形成され、配線密度の低い部分の各配線４ｂが薄く形成される。
【００２０】
次いで、この方法では、図１（ｅ）に示すように、めっきレジスト３が形成されている状態において、導体層４を厚さ方向途中までエッチング（ハーフエッチング）する。
【００２１】
導体層４のエッチングには、例えば、公知のエッチング液が用いられる、スプレー法や浸漬法などの公知の化学エッチング（ウエットエッチング）法が用いられる。好ましくは、スプレー法が用いられる。例えば、導体層４が銅からなる場合には、公知の銅エッチング液を用いて、化学エッチングすればよい。
【００２２】
このようなエッチングの条件は、適宜選択することができるが、導体層４における配線密度の高い部分の各配線４ａを基準として、その表面から、当初（エッチング前）の厚みを１００％として５０〜９８％、さらには、７０〜８０％となるまで、厚さ方向にエッチングすることが好ましい。
【００２３】
このように、電解めっきにより導体層４を形成した直後に、めっきレジスト３が形成されている状態において、導体層４を厚さ方向途中までエッチング（ハーフエッチング）すれば、配線密度の高い部分の各配線４ａにおけるエッチング液の液周りが、配線密度の低い部分の各配線４ｂにおけるエッチング液の液周りよりも、良好であるため、より厚く形成されている配線密度の高い部分の各配線４ａがより多くエッチングされる一方、より薄く形成されている配線密度の低い部分の各配線４ｂがより少なくエッチングされる。そのため、配線密度の高い部分の各配線４ａの厚みと、配線密度の低い部分の各配線４ｂの厚みとを、ほぼ等しくすることができ、導体層１４の全体としての厚みをほぼ均一にすることができる。
【００２４】
次いで、この方法では、図１（ｆ）に示すように、めっきレジスト３を除去する。めっきレジスト３の除去は、特に限定されず、セミアディティブ法で通常使用される方法を用いることができ、例えば、アルカリ剥離液などの剥離液を用いる剥離法や、化学エッチング（ウェットエッチング）などのエッチング法が用いられる。
【００２５】
その後、この方法では、図１（ｇ）に示すように、めっきレジスト３が形成されていた部分に対応する導電性薄膜２を除去する。導電性薄膜２の除去は、特に限定されず、セミアディティブ法で通常使用される方法を用いることができ、例えば、酸エッチング液などのエッチング液を用いる化学エッチング（ウェットエッチング）など、公知のエッチング法が用いられる。
【００２６】
そして、この方法では、図１（ｈ）に示すように、導体層４の上に、カバー絶縁層５を被覆することによって、フレキシブル配線回路基板を形成する。
【００２７】
カバー絶縁層５としては、ベース絶縁層１と同様の樹脂を用いることができ、好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。また、カバー絶縁層５の形成は、特に限定されず、例えば、溶液状または溶融状の樹脂を、導体層４を含むベース絶縁層１の上に塗布または印刷して、乾燥および硬化させればよい。また、樹脂を、公知の粘着シートを介して、導体層４を含むベース絶縁層１の上に貼着してもよい。さらには、感光性樹脂を用いて、露光および現像することによりパターンニングして形成することもできる。なお、カバー絶縁層５の厚みは、例えば、５〜１００μｍ、好ましくは、１０〜３０μｍである。
【００２８】
なお、このようなカバー絶縁層５の形成においては、図示していないが、例えば、フレキシブル配線回路基板の端部など、適宜の位置に開口部を形成して、所定の配線回路パターンとして形成される導体層４の端子部分を、カバー絶縁層５から露出させるようにする。開口部の形成は、特に限定されず、例えば、ドリル加工、パンチング加工、レーザ加工、エッチング法などの公知の方法が用いられ、また、感光性樹脂を用いてパターンニングする場合には、カバー絶縁層５の形成と同時に形成すればよい。
【００２９】
そして、このような方法によってフレキシブル配線回路基板を製造すれば、導体層４を形成した後に、めっきレジスト３が形成されている状態において、導体層４を厚さ方向途中までエッチング（ハーフエッチング）するので、たとえ、上記したように、配線密度の高い部分の各配線４ａが厚く、配線密度の低い部分の各配線４ｂが薄く形成され、導体層４の全体の厚さに、ばらつきが生じていても、このエッチングによって、それらの厚さを均一にすることができる。そのため、配線回路パターンのパターン形状や配置にかかわらず、均一な厚さの導体層４を形成することができる。そのため、この方法によって得られたフレキシブル配線回路基板では、例えば、ＩＣチップなどを良好に実装することができる。
【００３０】
なお、本発明の配線回路基板の製造方法は、上記の実施形態に限らず、絶縁層と導体層とを備える配線回路基板の製造方法に広く適用することができ、例えば、二層基材や三層基材などの公知の多層基材を用いる場合にも、適用することができる。
【００３１】
次に、多層基材を用いる場合の一実施形態として、二層基材を用いるフレキシブル配線回路基板の製造方法について、図２を参照して説明する。なお、図２においても、２つの破断線に囲まれる中央部分には、フレキシブル配線回路基板における配線密度の低い部分（例えば、フレキシブル配線回路基板の長手方向や幅方向における中央部）が示されており、また、破断線から両側部分は、フレキシブル配線回路基板における配線密度の高い部分（例えば、フレキシブル配線回路基板の長手方向や幅方向における端部）が示されている。
【００３２】
まず、この方法では、図２（ａ）に示すように、絶縁層としてベース絶縁層１が金属支持層６に積層されている二層基材７を用意する。二層基材７としては、特に限定されず、フレキシブル配線回路基板の二層基材として通常使用されるものを用いることができる。金属支持層６としては、例えば、銅、銅合金、ステンレス、４２アロイなどのエッチングにより除去可能な金属の箔（薄板）が用いられる。また、金属支持層６の厚みは、例えば、３〜１００μｍ、好ましくは、５〜３０μｍである。
【００３３】
また、ベース絶縁層１としては、上記と同様の樹脂を用いることができ、好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。また、ベース絶縁層１は、金属支持層６によって支持されているため、薄く形成されていてもよく、その厚みは、例えば、１〜５０μｍ、好ましくは、１０〜２５μｍである。
【００３４】
なお、二層基材７は、例えば、溶液状または溶融状の樹脂を、金属支持層６の上に塗布または印刷して、乾燥および硬化させるか、樹脂を、公知の粘着シートを介して、金属支持層６の上に貼着することによって形成することができる。
【００３５】
次いで、この方法では、図２（ｂ）に示すように、ベース絶縁層１の上に、上記と同様に、導電性薄膜２を形成する。
【００３６】
なお、実際の製造においては、予め導電性薄膜２が形成されているベース絶縁層１が積層されている二層基材７を、市販品の入手により、用意してもよい。
【００３７】
その後、この方法では、図２（ｃ）に示すように、導電性薄膜２の上に、上記と同様に、所定の配線回路パターンと逆パターンでめっきレジスト３を形成し、図２（ｄ）に示すように、導電性薄膜２におけるめっきレジスト３が形成されていない部分に、上記と同様に、電解めっきにより、所定の配線回路パターンとして導体層４を形成する。
【００３８】
次いで、この方法では、図２（ｅ）に示すように、めっきレジスト３が形成されている状態において、上記と同様に、導体層４を厚さ方向途中までエッチング（ハーフエッチング）する。このエッチングによって、上記と同様に、配線密度の高い部分の各配線４ａの厚みと、配線密度の低い部分の各配線４ｂの厚みとを、ほぼ等しくすることができ、導体層１４の全体としての厚みをほぼ均一にすることができる。
【００３９】
次いで、この方法では、図２（ｆ）に示すように、上記と同様に、めっきレジスト３を除去した後、図２（ｇ）に示すように、上記と同様に、めっきレジスト３が形成されていた部分に対応する導電性薄膜２を除去し、その後、図２（ｈ）に示すように、導体層４の上に、上記と同様に、カバー絶縁層５を被覆した後、図２（　　ｉ）に示すように、金属支持層６を除去することによって、フレキシブル配線回路基板を形成する。
【００４０】
金属支持層６の除去は、特に限定されず、例えば、エッチング液を用いる化学エッチング（ウェットエッチング）など、公知のエッチング法が用いられる。
【００４１】
そして、この方法では、金属支持層６の上において、フレキシブル配線回路基板を形成するため、たとえベース絶縁層１が薄くても、導体層４を、簡易かつ確実に所望の配線回路パターンに形成することができる。しかも、この方法では、上記と同様に、配線回路パターンのパターン形状や配置にかかわらず、均一な厚さの導体層４を形成することができる。
【００４２】
【実施例】
以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００４３】
実施例１
厚さ２５μｍのポリイミド樹脂フィルムに、厚さ１０００ÅのＣｒ／Ｃｕ薄膜がスパッタリングにより形成されている基材（Ｇｏｕｌｄ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　Ｉｎｃ．，ＧＦＬＥＸ）を用意して、Ｃｒ／Ｃｕからなる二層薄膜の上に、ドライフィルムレジスト（日立化成株式会社製、ＲＹ−３２１９）を、ラミネーションにより貼着し、露光および現像することによって、所定の配線回路パターンと逆パターンで、２５μｍの厚さに形成した。その後、Ｃｒ／Ｃｕからなる二層薄膜におけるドライフィルムレジストが形成されていない部分に、電解銅めっきにより、所定の配線回路パターンとして、厚さ１０〜１２μｍの範囲の銅層を形成した。
【００４４】
その後、銅層を、銅エッチング液（過硫酸ナトリウム、旭電化工業（株）製）を用いて、３０秒間、スプレーエッチングした。
【００４５】
次いで、ドライフィルムレジストを、剥離液（苛性ソーダ、要薬品（株）製）を用いて剥離し、連続した銅層からなる配線の厚みを６５点測定した。その結果を、平均厚み（ｔ）、最大最小差（Ｒ）、標準偏差（σ）として表１に示す。
【００４６】
比較例１
銅層をスプレーエッチングしなかった以外は、実施例１と同様の操作を行なって、その後に、連続した銅層からなる配線の厚みを６５点測定した。その結果を、平均厚み（ｔ）、最大最小差（Ｒ）、標準偏差（σ）として表１に示す。
【００４７】
【表１】
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表１より、実施例１は、比較例１に比べて、銅層の厚みが均一化されていることがわかる。
【００４８】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の配線回路基板の製造方法によれば、配線回路パターンのパターン形状や配置にかかわらず、均一な厚さの導体層を形成することができる。その結果、このようにして得られた配線回路基板では、例えば、ＩＣチップなどを良好に実装することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態を示す工程図であって、
（ａ）は、ベース絶縁層を用意する工程、
（ｂ）は、ベース絶縁層の上に、導電性薄膜を形成する工程、
（ｃ）は、導電性薄膜の上に、所定の配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成する工程、
（ｄ）は、導電性薄膜におけるめっきレジストが形成されていない部分に、電解めっきにより、所定の配線回路パターンとして導体層を形成する工程、
（ｅ）は、めっきレジストが形成されている状態において、導体層を厚さ方向途中までエッチング（ハーフエッチング）する工程、
（ｆ）は、めっきレジストを除去する工程、
（ｇ）は、めっきレジストが形成されていた部分に対応する導電性薄膜を除去する工程、
（ｈ）は、導体層の上に、カバー絶縁層を被覆する工程を示す。
【図２】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態を示す工程図であって、
（ａ）は、二層基材を用意する工程、
（ｂ）は、二層基材のベース絶縁層の上に、導電性薄膜を形成する工程、
（ｃ）は、導電性薄膜の上に、所定の配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成する工程、
（ｄ）は、導電性薄膜におけるめっきレジストが形成されていない部分に、電解めっきにより、所定の配線回路パターンとして導体層を形成する工程、
（ｅ）は、めっきレジストが形成されている状態において、導体層を厚さ方向途中までエッチング（ハーフエッチング）する工程、
（ｆ）は、めっきレジストを除去する工程、
（ｇ）は、めっきレジストが形成されていた部分に対応する導電性薄膜を除去する工程、
（ｈ）は、導体層の上に、カバー絶縁層を被覆する工程、
（ｉ）は、二層基材の金属支持層を除去する工程を示す。
【図３】従来の配線回路基板の製造方法を示す工程図であって、
（ａ）は、絶縁層を用意する工程、
（ｂ）は、絶縁層の上に、導電性薄膜を形成する工程、
（ｃ）は、導電性薄膜の上に、所定の配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成する工程、
（ｄ）は、導電性薄膜におけるめっきレジストが形成されていない部分に、電解めっきにより、所定の配線回路パターンとして導体層を形成する工程、
（ｅ）は、めっきレジストを除去する工程、
（ｆ）は、めっきレジストが形成されていた部分に対応する導電性薄膜を除去する工程を示す。
【符号の説明】
１　　絶縁層
２　　導電性薄膜
３　　めっきレジスト
４　　導体層
【図１】
2004039771.tif 000004
【図２】
2004039771.tif 000005
【図３】
2004039771.tif 000006