(57)【要約】【課題】従来は、研磨特性を維持しながら、研磨層のドレッシング時にドレッサーからのダイヤモンド砥粒脱落が起こらない研磨パッドを得ることが困難であった。【解決手段】（１）研磨層のテーバー摩耗試験による摩耗量が４００〜１０００ｍｇであることを特徴とする研磨パッド。（２）研磨ヘッド、研磨ヘッドに対向する（１）の研磨パッド、該研磨パッドを固定する研磨定盤、ならびに、研磨ヘッドおよび／または研磨定盤を回転させるための駆動装置を具備することを特徴とする研磨装置。（３）被研磨物を研磨ヘッドに固定し、研磨定盤に固定した（１）の研磨パッドを、該被研磨物と接触せしめた状態で、研磨ヘッドおよび／または研磨定盤を回転せしめて研磨を行うことを特徴とする研磨方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨層のテーバー摩耗試験による摩耗量が４００〜１０００ｍｇであることを特徴とする研磨パッド。
【請求項２】
研磨層が発泡構造を有することを特徴とする、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項３】
研磨層がポリウレタンを含有することを特徴とする、請求項１または２記載の研磨パッド。
【請求項４】
研磨層がポリウレタン、およびビニル化合物から重合される重合体を含有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の研磨パッド。
【請求項５】
半導体基板の研磨用であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の研磨パッド。
【請求項６】
研磨ヘッド、研磨ヘッドに対峙する請求項１〜５のいずれかに記載の研磨パッド、該研磨パッドを固定する研磨定盤、ならびに、研磨ヘッドおよび／または研磨定盤を回転させるための駆動装置を具備することを特徴とする研磨装置。
【請求項７】
半導体基板の研磨用であることを特徴とする、請求項６記載の研磨装置。
【請求項８】
被研磨物を研磨ヘッドに固定し、研磨定盤に固定した請求項１〜５のいずれかに記載の研磨パッドを、該被研磨物と接触せしめた状態で、研磨ヘッドおよび／または研磨定盤を回転せしめて研磨を行うことを特徴とする研磨方法。
【請求項９】
被研磨物が半導体基板であることを特徴とする、請求項８記載の研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は研磨パッド、研磨装置、およびそれを用いた研磨方法に関するものであり、さらには、シリコンなど半導体基板上に形成される絶縁層の表面や金属配線の表面を機械的に平坦化する工程に利用できる研磨パッド、研磨装置、およびそれを用いた研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体メモリに代表される大規模集積回路（ＬＳＩ）は、年々集積化が進んでおり、それに伴い大規模集積回路の製造技術も高密度化が進んでいる。さらに、この高密度化に伴い、半導体デバイス製造箇所の積層数も増加している。その積層数の増加により、従来は問題とならなかった積層により生じる半導体ウェーハ主面の凹凸が問題となっている。このため、積層により生じる凹凸に起因する露光時の焦点深度不足を補う目的で、あるいはスルーホール部の平坦化による配線密度を向上させる目的で、化学的機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）技術を用いた半導体ウェーハの平坦化が検討されている（例えば、非特許文献１）。
【０００３】
一般にＣＭＰ装置は、被研磨物である半導体ウェーハを保持する研磨ヘッド、被研磨物の研磨処理をおこなうための研磨パッド、前記研磨パッドを保持する研磨定盤から構成されている。そして、半導体ウェーハの研磨処理は研磨剤と薬液からなる研磨スラリーを用いて、半導体ウェーハと研磨パッドを相対運動させることにより、半導体ウェーハ表面の層の突出した部分を除去し、ウェーハ表面の層を滑らかにするものである。
【０００４】
現在ＣＭＰで使用されている代表的な研磨パッドとしては、研磨層である硬質発泡ポリウレタン、両面粘着テープ、クッション層であるポリウレタン含浸不織布、両面粘着テープをこの順に貼り合わせた二層構造の研磨パッドが挙げられる。
【０００５】
このような研磨パッドを使用して研磨を連続して行っていくと、研磨層の表層において、研磨層の気泡部分が研磨屑や研磨スラリーによって目詰まりしたり、研磨スラリー等によって研磨層が劣化したりすることで、研磨特性が徐々に悪化していく。そのため、研磨中あるいは研磨と研磨の間に、ダイヤモンドの砥粒を電着して固定したホイールであるドレッサーにより、研磨層表層の劣化部分を除去して新しい表層を露出させるためのドレッシングが一般的に行われている。
【０００６】
しかしながら、研磨層の材質である硬質発泡ポリウレタンは耐摩耗性が非常に高く、ドレッシングを短時間に効率的に行うにはドレッシング圧力を高くする必要があるため、ドレッシング時にドレッサーからダイヤモンド砥粒の脱落が生じやすく、その結果研磨後の半導体表面にスクラッチが生じるという問題があった。
【０００７】
また、研磨層自体にドレッシング性を持たせてドレッサーによるドレッシング自体を無くすことにより、研磨パッドの長寿命化、研磨工程のスループット向上を果たす目的で、ポリウレタン組成物よりなり、テーバー摩耗試験による摩耗量が１５０ｍｇ〜３５０ｍｇである研磨布が提案されている（例えば、特許文献１）。しかしながら、当該発明範囲の研磨布では、研磨層自体のドレッシング性が不十分であるためドレッサーによるドレッシング自体を無くすことはできず、また、ドレッシングを行った際にも、従来の研磨層と同様にドレッサーからダイヤモンド砥粒の脱落が生じるため、研磨後の半導体表面にスクラッチが生じるという問題があった。
【０００８】
すなわち、従来の研磨パッドにおいては、研磨層のドレッシング時の、ドレッサーからのダイヤモンド砥粒の脱落防止に主眼を置いたものがなかった。
【０００９】
【非特許文献１】
日経マイクロデバイス１９９４年７月号、５０〜５７頁
【００１０】
【特許文献１】
特開２００１−２７７１０１号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、シリコン基板の上に形成された絶縁層または金属配線の表面を機械的に平坦化するための研磨パッドにおいて、研磨特性を維持しながら、研磨層のドレッシング時にドレッサーからのダイヤモンド砥粒脱落が起こらない研磨パッド、さらには該研磨パッドを使用した研磨装置およびそれを用いた研磨方法を提供しようとするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題の解決に本発明は以下の構成からなる。
【００１３】
（１）研磨層のテーバー摩耗試験による摩耗量が４００〜１０００ｍｇであることを特徴とする研磨パッド。
【００１４】
（２）研磨ヘッド、研磨ヘッドに対向する前記（１）に記載の研磨パッド、該研磨パッドを固定する研磨定盤、ならびに、研磨ヘッドおよび／または研磨定盤を回転させるための駆動装置を具備することを特徴とする研磨装置。
【００１５】
（３）被研磨物を研磨ヘッドに固定し、研磨定盤に固定した前記（１）に記載の研磨パッドを、該被研磨物と接触せしめた状態で、研磨ヘッドおよび／または研磨定盤を回転せしめて研磨を行うことを特徴とする研磨方法。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の研磨パッドは、研磨層のドレッシング時にドレッサーからのダイヤモンド砥粒脱落が起こらない研磨パッドを提供するために、研磨層のテーバー摩耗試験による摩耗量が４００〜１０００ｍｇであることが必須である。研磨層のテーバー摩耗試験による摩耗量が４００ｍｇ未満である場合は、研磨層のドレッシング時にドレッサーからのダイヤモンド砥粒の脱落が生じやすく、研磨後の半導体表面にスクラッチが生じやすい傾向があり、研磨層のテーバー摩耗試験による摩耗量が１０００ｍｇを越える場合は、ドレッシング時や研磨時の研磨層の機械的強度が低下し、研磨特性が悪化する傾向がある。研磨層のテーバー摩耗試験による摩耗量が５００ｍｇ〜９００ｍｇであることがより好ましい。なお、本発明におけるテーバー摩耗試験による摩耗量とは、ＪＩＳ　Ｋ７３１２記載の方法に準じ、摩耗輪はＨ−１８、測定加重は５００ｇ、回転回数は連続４０００回で測定した値をいう。
【００１７】
本発明における研磨層の材質は特に限定されるものではない。具体的にはポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリウレタン、ポリウレア、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリアセタール、ポリイミド、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ＡＢＳ樹脂、ベークライト、エポキシ樹脂／紙，エポキシ樹脂／繊維等の各種積層板、ＦＲＰ、天然ゴム、ネオプレンゴム、クロロプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、エチレンプロピレンゴム、シリコーンゴム、フッ素ゴム等の各種ゴム等を使用することができる。
【００１８】
本発明の研磨層は、研磨レートを高く、ダスト，スクラッチを少なくできる点で発泡構造を有することが好ましい。研磨層への発泡構造の形成方法としては公知の方法が使用できる。例えば、単量体もしくは重合体中に各種発泡剤を配合し、後に加熱等により発泡させる方法、単量体もしくは重合体中に中空のマイクロビーズを分散して硬化させ、マイクロビーズ部分を独立気泡とする方法、溶融した重合体を機械的に撹拌して発泡させた後、冷却硬化させる方法、重合体を溶媒に溶解させた溶液をシート状に成膜した後、重合体に対する貧溶媒中に浸漬し溶媒のみを抽出する方法、単量体を発泡構造を有するシート状高分子中に含浸させた後、重合硬化させる方法等を挙げることができる。なお、本発明における研磨層の発泡構造は連続気泡、独立気泡のいずれであっても良いが、連続気泡の場合は研磨加工時に研磨剤が研磨層内部に浸透し、硬度，弾性率等の研磨層物性が経時的に変化することで研磨特性が悪化するおそれがあるため、独立気泡の方が好ましい。これらの中でも研磨層の発泡構造の形成や気泡径のコントロールが比較的簡便であり、また研磨層の作製も簡便な点で、単量体を発泡構造を有するシート状高分子中に含浸させた後、重合硬化させる方法が好ましい。
【００１９】
発泡構造を有するシート状高分子の材質は、単量体が含浸できるものであれば特に限定されるものではない。具体的にはポリウレタン、ポリウレア、軟質塩化ビニル、天然ゴム、ネオプレンゴム、クロロプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、エチレンプロピレンゴム、シリコーンゴム、フッ素ゴム等の各種ゴム等を主成分とした樹脂シートや布、不織布、紙等が挙げられる。また、これらのシート状高分子には、製造される研磨パッドの特性改良を目的として、研磨剤、潤滑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、安定剤等の各種添加剤が添加されていても良い。これらの中でも、気泡径が比較的容易にコントールできる点でポリウレタンを主成分とする素材が好ましい。ポリウレタンとは、ポリイソシアネートの重付加反応または重合反応に基づき合成される高分子である。ポリイソシアネートの対称として用いられる化合物は、含活性水素化合物、すなわち、二つ以上のポリヒドロキシ基、あるいはアミノ基含有化合物である。ポリイソシアネートとして、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネートなど挙げることができるがこれに限定されるものではない。ポリヒドロキシ基含有化合物としてはポリオールが代表的であり、ポリエーテルポリオール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール、エポキシ樹脂変性ポリオール、ポリエステルポリオール、アクリルポリオール、ポリブタジエンポリオール、シリコーンポリオール等が挙げられる。硬度，気泡径および発泡倍率によって、ポリイソシアネートとポリオール、および触媒、
発泡剤、整泡剤の組み合わせや最適量を決めることが好ましい。
【００２０】
発泡構造を有するシート状高分子の平均気泡径は、使用する単量体およびシート状高分子の種類や、製造される研磨層の特性により定められるべきものであり、一概にはいえないが、例えばポリウレタンを使用する場合は５００μｍ以下であることが、製造される研磨層のグローバル平坦性や半導体基板の局所的凹凸の平坦性であるローカル平坦性といった平坦化特性が良好である点で好ましい。平均気泡径が３００μｍ以下、さらには１００μｍ以下であることがさらに好ましい。なお、平均気泡径とは研磨層断面を倍率２００倍でＳＥＭ観察し、次に記録されたＳＥＭ写真の気泡径を画像処理装置で測定し、その平均値を取ることにより測定した値をいう。
【００２１】
発泡構造を有するシート状高分子の密度は、使用する単量体およびシート状高分子の種類や、製造される研磨層の特性により定められるべきものであり、一概にはいえないが、例えばポリウレタンを使用する場合は０．５〜１．０ｇ／ｃｍ３であることが好ましい。０．５ｇ／ｃｍ３より低いと製造される研磨層の曲げ弾性率の低下によりグローバル平坦性が不良になる傾向があり、１．０ｇ／ｃｍ３より高いと製造される研磨層の曲げ弾性率の増大によりユニフォーミティが悪化したり、研磨後の半導体基板表面にスクラッチ，ダストが発生しやすい傾向があるため、あまり好ましくない。０．６〜０．９ｇ／ｃｍ３であることがさらに好ましい。なお、密度は日本工業規格（ＪＩＳ）Ｋ　７２２２記載の方法により測定した値をいう。
【００２２】
単量体は付加重合、重縮合、重付加、付加縮合、開環重合等の重合反応をするものであれば種類は特に限定されるものではない。具体的にはビニル化合物、エポキシ化合物、イソシアネート化合物、ジカルボン酸等が挙げられる。これらの中でも、シート状高分子への含浸，重合が容易な点でビニル化合物が好ましい。具体的にはメチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、プロピルアクリレート、プロピルメタクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、イソブチルアクリレート、イソブチルメタクリレート、メチル（α−エチル）アクリレート、エチル（α−エチル）アクリレート、プロピル（α−エチル）アクリレート、ブチル（α−エチル）アクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、イソデシルメタクリレート、ｎ−ラウリルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、２−ヒドロキシブチルメタクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジエチルアミノエチルメタクリレート、グリシジルメタクリレート、イソボルニルメタクリレート、アクリル酸、メタクリル酸、フマル酸、フマル酸ジメチル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジプロピル、マレイン酸、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジプロピル、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ，Ｎ’−（４，４’−ジフェニルメタン）ビスマレイミド、ビス（３−エチル−５−メチル−４−マレイミドフェニル）メタン、アクリロニトリル、アクリルアミド、塩化ビニル、塩化ビニリデン、スチレン、α−メチルスチレン、ジビニルベンゼン、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、アリルメタクリレート等が挙げられる。これらの中でも、アクリル酸、メタクリル酸、メチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、プロピルアクリレート、プロピルメタクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、イソブチルアクリレート、イソブチルメタクリレート、メチル（α−エチル）アクリレート、エチル（α−エチル）アクリレート、プロピル（α−エチル）アクリレート、ブチル（α−エチル）アクリレートがシート状高分子への含浸，重合が容易な点で好ましい。なお、これらの単量体は１種であっても２種以上を混合しても良い。また、これらの単量体には、製造される研磨層の特性改良を目的として、研磨剤、潤滑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、安定剤等の各種添加剤が添加されていても良い。
【００２３】
本発明においては、研磨層がポリウレタン、およびビニル化合物から重合される重合体を含有することが、本発明の目的とするところである研磨特性を維持しながら、研磨層のドレッシング時にドレッサーからのダイヤモンド砥粒脱落が起こらない研磨パッドを得る上で好ましい。すなわち、従来の研磨層に使用されているポリウレタンは耐摩耗性が高いため、研磨層のドレッシング時にドレッサーからのダイヤモンド砥粒の脱落が発生しやすい。これを防止するためにはポリウレタンの耐摩耗性を低くすることが必要であるが、そうすると同時に研磨層の硬度が低下し、研磨特性が悪化する。そこで研磨層を、ポリウレタンにビニル化合物から重合される重合体を含浸させた後、重合硬化させたものとすることにより、テーバー摩耗試験による摩耗量が適度な範囲となり、研磨層のドレッサーによるドレッシング時にダイヤモンド砥粒の脱落が発生せず、かつビニル化合物から重合される重合体の特性により研磨層硬度が確保されるため、研磨特性も維持された研磨層、さらには研磨パッドを得ることができる。
【００２４】
本発明の研磨層に使用される単量体の重合開始剤，硬化剤としては特に限定されるものではなく、単量体の種類に応じて適宜使用することができる。例えば単量体にビニル化合物を使用した場合は、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル、ベンゾイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、イソプロピルパーオキシジカーボネート等のラジカル開始剤を使用することができる。また、酸化還元系の重合開始剤、例えばパーオキサイドとアミン類の組み合わせを使用することもできる。また、これらの重合開始剤，硬化剤は、１種であっても２種以上を混合しても使用できる。
【００２５】
また、本発明においては、単量体が入った容器中で、発泡構造を有するシート状高分子に単量体を接触させ、内部に該単量体を含有させて重合・硬化させる方法が採用できる。なお、その際、含浸速度を速める目的で、加熱、加圧、減圧、攪拌、振盪、超音波振動等の処理を施すことも好ましい。
【００２６】
発泡構造を有するシート状高分子中への単量体の含浸量は、使用する単量体およびシート状高分子の種類や、製造される研磨層の特性により定められるべきものであり、一概にはいえないが、例えば単量体としてメチルメタクリレート、シート状高分子としてポリウレタンを使用した場合においては、重合硬化物中の単量体から重合される重合体とポリウレタンの含有比率が重量比で４０／６０〜７０／３０であることが好ましい。単量体混合物から得られる重合体の含有比率が重量比で４０に満たない場合は、硬度，曲げ弾性率の低下により平坦化特性が不良になる傾向があるため好ましくない。また、含有比率が７０を越える場合は、硬度，曲げ弾性率の増大によりユニフォーミティが悪化したり、ダスト、スクラッチが増加する傾向にあるため好ましくない。単量体から重合される重合体とポリウレタンの含有比率が重量比で４０／６０〜６５／３５であることがさらに好ましい。なお、重合硬化物中の単量体から得られる重合体およびポリウレタンの含有率は熱分解ガスクロマトグラフィ／質量分析手法により測定することができる。本手法で使用できる装置としては、熱分解装置としてダブルショットパイロライザー“ＰＹ−２０１０Ｄ”（フロンティア・ラボ社製）を、ガスクロマトグラフ・質量分析装置として、“ＴＲＩＯ−１”（ＶＧ社製）を挙げることができる。
【００２７】
重合硬化方法としては、単量体を含浸した発泡構造を有するシート状高分子をガスバリア性材料からなるモールド内に挿入し、加熱する方法が挙げられるが、この方法に限定されるものではない。
【００２８】
ガスバリア性の材料としては、無機ガラス、アルミニウム，銅，鉄，ＳＵＳ等の金属、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ），エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ），ポリアミド等のガスバリア性を有する樹脂，フィルム、多層押出成型やラミネート，コーティング等の方法により作製された、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ），エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ），ポリアミド等のガスバリア性を有する樹脂とポリオレフィン系樹脂の積層樹脂，フィルム等が挙げられる。この中でも耐熱性があり、製造される研磨パッドの表面性が良好な点で、無機ガラス，金属が好ましい。
【００２９】
単量体を含浸した発泡構造を有するシート状高分子をガスバリア性材料からなるモールド内へ挿入する方法は、特に限定されるものではない。具体的には、シート状高分子の周囲に軟質塩化ビニル，ネオプレンゴム，ブタジエンゴム，スチレンブタジエンゴム，エチレンプロピレンゴム等のガスバリア性を有する弾性体からなるガスケットを配し、そのガスケットを介して２枚のガスバリア性材料からなる板でシート状高分子を挟み込む方法、ガスバリア性材料からなる筐体中にシート状高分子を挿入し密閉する方法、ガスバリア性フィルムからなる袋中にシート状高分子を挿入し密閉する方法等が挙げられる。また、袋のように重合硬化中に破れる可能性がある場合においては、それをさらにガスバリア性を有する筐体中に入れることも好ましい。なお、ガスバリア性材料からなるモールド内に挿入せずに重合硬化した場合には、シート状高分子から単量体が揮発することにより、製造される研磨層の品質再現性が不十分になる傾向があり、この結果、研磨特性が不安定になる傾向があるため好ましくない。なお、ここでのガスバリア性材料とは、単量体を含浸した発泡構造を有するシート状高分子を挿入し密閉した際にシート状高分子から単量体が揮発しない材料をいう。
【００３０】
また、発泡構造を有するシート状高分子への単量体の含浸工程、単量体を含浸した発泡構造を有するシート状高分子の、ガスバリア性材料からなるモールド内への挿入工程の順序は特に限定されるものではない。具体的には、（１）単量体が入った槽中にシート状高分子を浸漬して単量体を含浸させた後、槽から取り出し、ガスバリア性材料からなるモールドへ挿入する方法。（２）シート状高分子をガスバリア性材料からなるモールドへ挿入した後、モールド内に単量体を注入，密閉し、単量体を含浸させる方法。を挙げることができる。中でも、（２）は単量体臭気の飛散がなく作業環境が良好な点で好ましい。
【００３１】
重合硬化のための加熱方法も特に限定されるものではない。具体的には熱風オーブン等の空気浴での加熱、水浴，油浴での加熱、ジャケット，ホットプレスによる加熱等が挙げられる。中でも熱媒体の熱容量が大きく、重合硬化時の重合発熱の速やかな放散が可能な点で、水浴，油浴，ジャケットでの加熱が好ましい。
【００３２】
加熱温度，時間は、単量体，重合開始剤の種類，量、樹脂板の厚み等により定められるべきものであるが、例えば単量体にメチルメタクリレート、重合開始剤にアゾビスイソブチロニトリル，シート状高分子にポリウレタンを使用した場合においては、７０℃，１０時間程度加熱後、１２０℃，３時間程度加熱することにより重合硬化することができる。
【００３３】
なお、加熱以外の重合硬化方法としては光，電子線，放射線照射による重合硬化を挙げることができる。なお、その際、単量体中には必要に応じて重合開始剤，増感剤等を配合することが好ましい。
【００３４】
重合硬化物は、例えば単量体にビニル化合物，シート状高分子にポリウレタンを使用した場合、ビニル化合物から得られる重合体とポリウレタンを一体化して含有することが、研磨層にした際、その全面において研磨特性が安定するため好ましい。ここで、ビニル化合物から得られる重合体とポリウレタンを一体化して含有するとは、ビニル化合物から得られる重合体の相とポリウレタンの相が分離された状態ではないという意味であるが、定量的に表現すると、研磨層の中で研磨機能を本質的に有する層の色々な箇所をスポットの大きさが５０μｍの顕微赤外分光装置で観察した赤外スペクトルが、ビニル化合物から得られる重合体の赤外吸収ピークとポリウレタンの赤外吸収ピークを有しており、色々な箇所の赤外スペクトルがほぼ同一であることである。ここで使用される顕微赤外分光装置としては、“ＩＲμｓ”（ＳＰＥＣＴＲＡ−ＴＥＣＨ社製）を挙げることができる。
【００３５】
重合硬化物を必要な厚みまで表，裏面を研削加工するか、必要な厚みにスライス加工することで研磨層を完成することができる。なお、研削加工にはＮＣルーター，ダイヤモンドディスク，ベルトサンダー等の装置等、スライス加工としてはバンドナイフ，かんな板等の装置等、特に限定されるものではなく公知の装置を使用することができる。
【００３６】
研磨層の厚みは０．１〜１０ｍｍであることが好ましい。０．１ｍｍより薄いと該研磨パッドの下地として好ましく使用されるクッション層またはその下層に位置する研磨定盤の機械的特性が、該研磨層そのものの機械的特性よりも研磨特性に顕著に反映されるようになり、一方、１０ｍｍより厚いとクッション層の機械的特性が反映されなくなり、半導体基板のうねりに対する追随性が低下しユニフォーミティが悪化する傾向がある。０．２〜５ｍｍ、さらには０．５〜２ｍｍであることがより好ましい。
【００３７】
研磨層の平均気泡径は、独立気泡の場合５００μｍ以下であることが、グローバル平坦性やローカル平坦性が良好である点で好ましい。平均気泡径が３００μｍ以下、さらには１００μｍ以下であることがさらに好ましい。
【００３８】
研磨層の密度は０．５〜１．０ｇ／ｃｍ３であることが好ましい。０．５ｇ／ｃｍ３より低いと曲げ弾性率の低下によりグローバル平坦性が不良になる傾向があり、１．０ｇ／ｃｍ３より高いと曲げ弾性率の増大によりユニフォーミティが悪化したり、研磨後の半導体基板表面にスクラッチ，ダストが発生しやすい傾向があるため、あまり好ましくない。０．６〜０．９ｇ／ｃｍ３であることがさらに好ましい。
【００３９】
本発明における研磨層の表面には、研磨スラリーの保持性，流動性の向上、研磨層表面からの研磨屑除去効率の向上等を目的として、溝，孔等の加工を施すことが好ましい。研磨層表面への溝，孔の形成方法は特に限定されるものではない。具体的には、研磨層表面をルーター等の装置を使用して切削加工することにより溝を形成する方法、研磨層表面に加熱された金型，熱線等を接触させ、接触部を溶解させることにより溝を形成する方法、溝の形成された金型等を使用し、初めから溝を形成した研磨層を成形する方法、ドリル，トムソン刃等で孔を形成する方法等が挙げられる。また、溝，孔の形状，径も特に限定されるものではない。具体的には、碁盤目状、ディンプル状、スパイラル状、同心円状等が挙げられる。
【００４０】
本発明における研磨パッドは、単層でも複数の層から構成されていても好ましく使用することができる。ただし、本発明における研磨パッドをＣＭＰによる半導体ウェハの平坦化に使用する場合は、ウェハのうねりへの追随性に優れる点から、研磨パッドは硬度の異なる少なくとも二つの層から構成されてなることが好ましい。さらに研磨パッドを構成する層の硬度は、最表面の硬度が、隣接する層の硬度よりも高いことが好ましい。この場合、最表面の硬度の高い層が研磨層、それに隣接する硬度の低い層がクッション層として機能する。すなわち、単層の場合は研磨層、両面粘着テープをこの順に貼り合わせたもの、二層の場合は研磨層、両面粘着テープ、クッション層、両面粘着テープをこの順に貼り合わせたものとなる。
【００４１】
最表面の層すなわち研磨層の硬度は、マイクロゴムＡ硬度で８０度以上であることが好ましい。マイクロゴムＡ硬度が８０度未満である場合は、平坦化特性が悪化する傾向があるため好ましくない。９０度以上であることがさらに好ましい。最表面の層に隣接する層すなわちクッション層の硬度は、研磨層の硬度より低いことが好ましく、良好なクッション性を得るためには１０度以上低いことがより好ましい。なお、本発明におけるマイクロゴムＡ硬度とは、高分子計器（株）製マイクロゴム硬度計ＭＤ−１で測定した値をいう。マイクロゴム硬度計ＭＤ−１は、従来の硬度計では測定が困難であった薄物，小物の試料の硬度測定を可能にしたものであり、スプリング式ゴム硬度計（デュロメータ）Ａ型の約１／５の縮小モデルとして設計，製作されているため、その測定値は、スプリング式ゴム硬度計Ａ型での測定値と同一のものとして考えることができる。なお、通常の研磨パッドは、研磨層または硬質層の厚みが５ｍｍ以下と薄すぎるため、スプリング式ゴム硬度計は評価できないが、該マイクロゴム硬度計ＭＤ−１では評価できる。
【００４２】
本発明におけるクッション層の材質は特に限定されるものではない。具体的には現在一般的に使用されているポリウレタン含浸不織布、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリウレタン、ポリウレア、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル等の各種プラスチックの発泡体、ネオプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、エチレンプロピレンゴム、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム等の各種ゴムおよびその発泡体等を使用することができる。また、クッション層が発泡体である場合、その気泡は連続気泡、独立気泡のどちらでも良い。気泡の形成方法としては特に限定されるものではない。具体的には、クッション層材質中に発泡剤を混合したのち加熱発泡させる方法、クッション層材質中に熱膨張性の微粒子を混合したのち加熱し微粒子を発泡させる方法、クッション層材質中に中空微粒子を混合したのち硬化する方法、クッション層材質中に気泡を機械的に混合した後硬化する方法、クッション層材質を良溶媒中に溶解した溶液を貧溶媒中に浸漬し、湿式凝固する方法等が挙げられる。
【００４３】
クッション層の好ましい厚みは、０．１〜１０ｍｍである。０．１ｍｍより小さい場合は、ユニフォーミティが悪化する傾向がある。また１０ｍｍより大きい場合は、グローバル平坦性，ローカル平坦性が損なわれる傾向がある。０．２〜５ｍｍ、さらには０．５〜２ｍｍであることが好ましい。
【００４４】
また、本発明においては、研磨特性の低下等の理由で研磨パッドを交換する必要が生じた場合に、研磨定盤にクッション層を固着した状態で、特性の低下した研磨層のみをクッション層から取り外した後、新しい研磨層を貼り付けることにより交換することも可能である。特にクッション層にポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリウレタン、ポリウレア、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル等の各種プラスチックの発泡体、ネオプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、エチレンプロピレンゴム、シリコンゴム、フッ素ゴム等の各種ゴムおよびその発泡体等を使用した場合、クッション層は研磨層に比べて耐久性があるので、研磨層だけを交換することはコスト面で好ましいことである。
【００４５】
本発明における両面粘着テープは特に限定されるものではない。両面粘着テープの基材として、具体的には紙、不織布、布、ガラスクロス、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイミド等の樹脂フィルム、ポリエチレン、ポリウレタン、アクリル等の発泡体、アルミ、銅等の金属箔を挙げることができる。また、両面粘着テープの粘着剤として、具体的にはゴム系、アクリル系、シリコーン系の各種粘着剤を挙げることができる。また、基材を使用せず、粘着剤のみを均一なフィルム状にしたものについても、両面粘着テープに含まれる。また、両面粘着テープの粘着面の粘着力は、表裏面で同じであっても、異なっていても良い。
【００４６】
本発明の研磨パッドの研磨対象は特に限定されるものではないが、半導体基板の研磨に好ましく使用することができる。さらに具体的には、半導体ウェーハ上に形成された絶縁層または金属配線の表面が研磨対象として好ましい。具体的には、絶縁層としては金属配線の層間絶縁膜や下層絶縁膜、素子分離に使用されるシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）等を、また金属配線としてはアルミ、タングステン、銅等を挙げることができ、構造的にはダマシン、デュアルダマシン、プラグ等がある。絶縁膜は現在酸化シリコンが主流であるが、遅延時間の問題で低誘電率絶縁膜の使用が検討されつつあり、本発明の研磨パッドにおいてはそのいずれとも研磨対象となり得る。また金属配線に銅を使用した場合には、窒化珪素等のバリアメタルも研磨対象となる。また、半導体基板以外に、磁気ヘッド、ハードディスク、液晶ディスプレイ用カラーフィルター、プラズマディスプレイ用背面板等の光学部材、セラミックス、サファイア等の研磨にも好ましく使用することができる。
【００４７】
次に、本発明の研磨パッドを使用した研磨装置および研磨方法について説明する。
【００４８】
研磨装置としては特に限定されるものではないが、半導体基板の研磨に使用する場合は、研磨ヘッド、本発明の研磨パッドを固定するための研磨定盤、ならびに研磨ヘッド、研磨定盤もしくはその双方を回転させる手段を具備していることが好ましい。
【００４９】
研磨方法としては、まず、本発明の研磨パッドを研磨装置の研磨定盤に研磨パッドが研磨ヘッドに対向するように固着させる。半導体基板は研磨ヘッドに真空チャックなどの方法により固定される。研磨定盤を回転させ、研磨定盤の回転方向と同方向で研磨ヘッドを回転させて、研磨パッドに押しつける。この時に、研磨パッドと半導体基板の間に研磨剤が入り込む様な位置から研磨剤を供給する。押し付け圧は、研磨ヘッドに加える力を制御することにより通常行われる。押し付け圧力は０．０１〜０．２ＭＰａであることが良好な研磨特性を得られるため好ましい。
【００５０】
本発明の研磨パッドを使用した半導体基板の研磨方法では、半導体基板の研磨を行う前に、ドレッサーを用いて研磨パッド表面を粗化することが、良好な研磨特性を得るために好ましく実施される。ドレッサーはダイヤモンドの砥粒を電着して固定したホイールであり、例えば、旭ダイヤモンド工業（株）のドレッサーモデル名”ＣＭＰ−Ｍ”、または”ＣＭＰ−Ｎ”、または”ＣＭＰ−Ｌ”などを具体例として挙げることができる。ダイヤモンド砥粒の粒径は１０μｍから３００μｍの範囲で選ぶことができる。ドレッサーの押し付け圧力は０．００５ＭＰａ〜０．２ＭＰａの範囲で任意に選ばれる。また、１回または複数回の研磨を終了後、次の研磨の前にドレッサーを用いて研磨パッドをコンディショニングするバッチドレッシング、研磨と同時にドレッシングを行うインシチュドレッシングにいずれについても、研磨速度を安定させるために好ましく実施することができる。
【００５１】
本発明により、研磨特性を維持しながら、研磨層のドレッシング時にドレッサーからのダイヤモンド砥粒脱落が起こらない研磨パッド、さらには該研磨パッドを使用した研磨装置およびそれを用いた研磨方法を提供することができる。
【００５２】
【実施例】
以下、実施例によって、さらに本発明の詳細を説明する。なお、研磨パッドの各種評価は以下のようにして行った。
【００５３】
研磨層およびクッション層のマイクロゴムＡ硬度は、マイクロゴムＡ硬度計“ＭＤ−１”（高分子計器（株）製）により測定した。
【００５４】
研磨層の密度は、ＪＩＳ　Ｋ　７２２２記載の方法により測定した。
【００５５】
研磨層の平均気泡径は、走査型電子顕微鏡“ＳＥＭ２４００”（日立製作所（株）製　）を使用し、パッド断面を倍率２００倍で観察した写真を画像処理装置で解析することにより、写真中に存在するすべての気泡径を計測し、その平均値を平均気泡径とした。
【００５６】
研磨層のテーバー摩耗試験による摩耗量は、テーバー摩耗試験機”Ｎｏ．１０１”（（株）安田精機製作所製）を使用して、ＪＩＳ　Ｋ７３１２記載の方法に準じ、摩耗輪はＨ−１８、測定加重は５００ｇ、回転回数は連続４０００回で測定した。
【００５７】
研磨評価は次のようにして行った。
【００５８】
１．テストウェーハ
（１）グローバル平坦性評価用テストウェーハ
酸化膜付き４インチシリコンウェーハ（酸化膜厚：２μｍ）に１０ｍｍ角のダイを設置する。フォトレジストを使用してマスク露光を行い、ＲＩＥによって１０ｍｍ角のダイの中に２０μｍ幅、高さ０．７μｍのラインを２３０μｍのスペースで左半分にラインアンドスペースで配置し、２３０μｍ幅、高さ０．７μｍのラインを２０μｍのスペースで右半分にラインアンドスペースで配置する。このようにして作製したグローバル平坦性評価用テストウェーハを使用した。
【００５９】
（２）スクラッチ，ユニフォーミティ評価用テストウェーハ
酸化膜付き４インチシリコンウェーハ（酸化膜厚：１μｍ）を使用した。
【００６０】
２．研磨方法
試験すべき研磨層の下に両面接着テープ“４４２ＪＳ”（住友スリーエム（株）製）を貼り付け、それをクッション層である不織布湿式ポリウレタンに貼り合わせ、さらにその下に両面接着テープ“４４２ＪＳ”（住友スリーエム（株）製）を貼り付け、二層の研磨パッドを作製した。次に研磨パッドを研磨機“ＬＭ−１５Ｅ”（ラップマスターＳＦＴ（株）製）の定盤上に貼り付けた。その後ダイヤモンドドレッサー“ＣＭＰ−Ｍ”（旭ダイヤモンド工業（株）製）（直径１４２ｍｍ）を用い、押し付け圧力０．０４ＭＰａ、研磨定盤回転数２５ｒｐｍ、ドレッサー回転数２５ｒｐｍで研磨定盤と同方向に回転させ、純水を１０ｍｌ／分で研磨パッド上に供給しながら５分間、研磨パッドのコンディショニングを行った。純水を１００ｍｌ／分で研磨パッド上に供給しながら研磨パッド上を２分間洗浄した後に、グローバル平坦性評価用テストウェーハを研磨ヘッドに取り付け、取扱説明書に記載された使用濃度の研磨スラリー“ＳＣ−１”（キャボット社製）を３５ｍｌ／分で研磨パッド上に供給しながら、研磨圧力０．０４ＭＰａ、研磨定盤回転数４５ｒｐｍ、研磨ヘッド回転数４５ｒｐｍで研磨定盤と同方向に回転させ、所定時間研磨を行った。ウェーハ表面を乾燥させないようにし、直ちに純水をかけながらポリビニルアルコールスポンジでウェーハ表面を洗浄し、乾燥圧縮空気を吹き付けて乾燥した。グローバル平坦性評価用テストウェーハのセンタ１０ｍｍダイ中の２０μｍラインと２３０μｍラインの酸化膜厚みを“ラムダエース”ＶＭ−２０００（大日本スクリーン製造（株）製）を使用して測定し、それぞれの厚みの差をグローバル平坦性として評価した。
【００６１】
また上記と同じコンディショニングを行い、表面の酸化膜の厚みを、あらかじめ“ラムダエース”ＶＭ−２０００（大日本スクリーン製造（株）製）を使用して決められた１９８点につき測定した、ユニフォーミティ評価用テストウェーハを研磨ヘッドに取り付け、取扱説明書に記載された使用濃度の研磨スラリー“ＳＣ−１”（キャボット社製）を３５ｍｌ／分で研磨パッド上に供給しながら、研磨圧力０．０４ＭＰａ、研磨定盤回転数４５ｒｐｍ、研磨ヘッド回転数４５ｒｐｍで研磨定盤と同方向に回転させ、所定時間研磨を行った。ウェーハ表面を乾燥させないようにし、直ちに純水をかけながらポリビニルアルコールスポンジでウェーハ表面を洗浄し、自然状態に放置して乾燥を行った後、マイクロスコープ”ＶＨ−６３００”（（株）キーエンス製）でスクラッチを検査した。線幅１０μｍ以上のスクラッチを、研磨層のドレッサーによるドレッシング時に脱落したダイヤモンド砥粒に起因するものとしてカウントした。次に研磨後の酸化膜の厚みを“ラムダエース”ＶＭ−２０００（大日本スクリーン製造（株）製）を使用して決められた１９８点につき測定して、下記（２）式により各々の点での研磨速度を算出し、下記（３）式によりユニフォーミティを算出した。
【００６２】
研磨速度＝（研磨前の酸化膜の厚み−研磨後の酸化膜の厚み）／研磨時間……（２）。
【００６３】
ユニフォーミティ（％）＝（最大研磨速度−最小研磨速度）／（最大研磨速度＋最小研磨速度）×１００……（３）。
【００６４】
実施例１
液温を４０℃に保った、ポリエーテルポリオール：”サンニックス　ＦＡ−９０９”（三洋化成工業（株）製）１００重量部，鎖伸長剤：モノエチレングリコール８重量部，アミン触媒：”Ｄａｂｃｏ　３３ＬＶ”（エアープロダクツジャパン（株）製）１．９５重量部，アミン触媒：”Ｔｏｙｏｃａｔ　ＥＴ”（東ソー（株）製）０．１４重量部，シリコーン整泡剤：”ＴＥＧＯＳＴＡＢ　Ｂ８４６２”（Ｔｈ．Ｇｏｌｄｓｃｈｍｉｄｔ　ＡＧ社製）１重量部，発泡剤：水０．５５重量部を混合してなるＡ液と、液温を４０℃に保ったイソシアネート：”サンフォーム　ＮＣ−７０３”９６．２重量部からなるＢ液を、ＲＩＭ成型機により、吐出圧１６ＭＰａで衝突混合した後、４０℃に保った金型内に吐出量８００ｇ／ｓｅｃで吐出し、１０分間放置することで、厚み１０．０ｍｍの発泡ポリウレタンブロック（マイクロゴムＡ硬度：４７度，密度：０．７３ｇ／ｃｍ３、平均気泡径：３５μｍ）を作製した。その後、該発泡ポリウレタンブロックをスライサーで厚み２ｍｍにスライスした。
【００６５】
次に該発泡ポリウレタンシートを、アゾビスイソブチロニトリル０．１重量部を添加したメチルメタクリレートに４５分間浸漬した。次にメチルメタクリレートが含浸した該発泡ポリウレタンシートを、塩化ビニル製ガスケットを介して２枚のガラス板間に挟み込んで、７０℃で１０時間、１２０℃で３時間加熱することにより重合硬化させた。ガラス板間から離型した後、５０℃で真空乾燥を行った。このようにして得られた硬質発泡シートの両面を厚み１．２５ｍｍまで研削加工することにより研磨層を作製した。得られた研磨層のマイクロゴムＡ硬度は９２度、密度は０．７６ｇ／ｃｍ３、平均気泡径は４２μｍ、研磨層中のポリメチルメタクリレートの含有率は５５重量％であった。また、研磨層のテーバー摩耗試験による摩耗量は５９２ｍｇであった。
【００６６】
該研磨層を直径３８０ｍｍの円に切り取り、その表面に幅２ｍｍ、深さ０．５ｍｍ、ピッチ幅１５ｍｍの格子状の溝加工を施した。次に該研磨層に両面粘着テープ“４４２ＪＳ”　（住友スリーエム（株）製）を貼り付け、それをクッション層である不織布湿式ポリウレタン（厚み１ｍｍ、マイクロゴムＡ硬度５３度）の上に貼り合わせ、さらにクッション層の下に両面粘着テープ“４４２ＪＳ”　（住友スリーエム（株）製）を貼り付け、二層の研磨パッドを作製し、該二層研磨パッドを研磨機の定盤上に貼り付け、研磨評価を行った。
【００６７】
研磨後のウェーハ表面にはスクラッチが観察されなかった。また、グローバル平坦性評価用テストウェーハの２０μｍ幅配線領域と２３０μｍ幅配線領域のグローバル段差が０．２μｍになった研磨時間は４分であった。ユニフォーミティは９．０％であった。
【００６８】
実施例２
実施例１で作成した発泡ポリウレタンシートを、アゾビスイソブチロニトリル０．１重量部を添加したメチルメタクリレートに３０分間浸漬した。次にメチルメタクリレートが含浸した該発泡ポリウレタンシートを、塩化ビニル製ガスケットを介して２枚のガラス板間に挟み込んで、７０℃で１０時間、１２０℃で３時間加熱することにより重合硬化させた。ガラス板間から離型した後、５０℃で真空乾燥を行った。このようにして得られた硬質発泡シートの両面を厚み１．２５ｍｍまで研削加工することにより研磨層を作製した。得られた研磨層のマイクロゴムＡ硬度は８８度、密度は０．７５ｇ／ｃｍ３、平均気泡径は３９μｍ、研磨層中のポリメチルメタクリレートの含有率は５０重量％であった。また、研磨層のテーバー摩耗試験による摩耗量は８３６ｍｇであった。
【００６９】
該研磨層を直径３８０ｍｍの円に切り取り、その表面に幅２ｍｍ、深さ０．５ｍｍ、ピッチ幅１５ｍｍの格子状の溝加工を施した。次に該研磨層に両面粘着テープ“４４２ＪＳ”　（住友スリーエム（株）製）を貼り付け、それをクッション層である不織布湿式ポリウレタン（厚み１ｍｍ、マイクロゴムＡ硬度５３度）の上に貼り合わせ、さらにクッション層の下に両面粘着テープ“４４２ＪＳ”　（住友スリーエム（株）製）を貼り付け、二層の研磨パッドを作製し、該二層研磨パッドを研磨機の定盤上に貼り付け、研磨評価を行った。
【００７０】
研磨後のウェーハ表面にはスクラッチが観察されなかった。また、グローバル平坦性評価用テストウェーハの２０μｍ幅配線領域と２３０μｍ幅配線領域のグローバル段差が０．２μｍになった研磨時間は４分であった。ユニフォーミティは８．７％であった。
【００７１】
比較例１
ポリエーテル系ウレタンポリマ“アジプレン”Ｌ−３２５（ユニローヤル社製）７８重量部と、４，４’−メチレン−ビス（２−クロロアニリン）２０重量部と、中空高分子微小球体“エクスパンセル”５５１ＤＥ（ケマノーベル社製）１．８重量部をＲＩＭ成型機で混合して金型に吐出して高分子成形体を作製した。この高分子成形体をスライサーで厚み１．２５ｍｍにスライスして、硬質発泡ポリウレタンのシートを作製し研磨層とした。得られた研磨層のマイクロゴムＡ硬度は９８度，密度は０．８１，平均気泡径は３３μｍであった。また、研磨層のテーバー摩耗試験による摩耗量は２５２ｍｇであった。該研磨層を直径３８０ｍｍの円に切り取り、その表面に幅２ｍｍ、深さ０．５ｍｍ、ピッチ幅１５ｍｍの格子状の溝加工を施した。次に該研磨層に両面粘着テープ“４４２ＪＳ”　（住友スリーエム（株）製）を貼り付け、それをクッション層である不織布湿式ポリウレタン（厚み１ｍｍ、マイクロゴムＡ硬度５３度）の上に貼り合わせ、さらにクッション層の下に両面粘着テープ“４４２ＪＳ”　（住友スリーエム（株）製）を貼り付け、二層の研磨パッドを作製し、該二層研磨パッドを研磨機の定盤上に貼り付け、研磨評価を行った。
【００７２】
研磨後のウェーハ表面には５本のスクラッチが観察された。グローバル段差評価用テストウェーハの２０μｍ幅配線領域と２３０μｍ幅配線領域のグローバル段差が０．２μｍになった研磨時間は４分であった。ユニフォーミティは９．９％であった。
【００７３】
比較例２
実施例１で作成した発泡ポリウレタンシートを、アゾビスイソブチロニトリル０．１重量部を添加したメチルメタクリレートに１５分間浸漬した。次にメチルメタクリレートが含浸した該発泡ポリウレタンシートを、塩化ビニル製ガスケットを介して２枚のガラス板間に挟み込んで、７０℃で１０時間、１２０℃で３時間加熱することにより重合硬化させた。ガラス板間から離型した後、５０℃で真空乾燥を行った。このようにして得られた硬質発泡シートの両面を厚み１．２５ｍｍまで研削加工することにより研磨層を作製した。得られた研磨層のマイクロゴムＡ硬度は８０度、密度は０．７５ｇ／ｃｍ３、平均気泡径は３６μｍ、研磨層中のポリメチルメタクリレートの含有率は３８重量％であった。また、研磨層のテーバー摩耗試験による摩耗量は１１０４ｍｇであった。
【００７４】
該研磨層を直径３８０ｍｍの円に切り取り、その表面に幅２ｍｍ、深さ０．５ｍｍ、ピッチ幅１５ｍｍの格子状の溝加工を施した。次に該研磨層に両面粘着テープ“４４２ＪＳ”　（住友スリーエム（株）製）を貼り付け、それをクッション層である不織布湿式ポリウレタン（厚み１ｍｍ、マイクロゴムＡ硬度５３度）の上に貼り合わせ、さらにクッション層の下に両面粘着テープ“４４２ＪＳ”　（住友スリーエム（株）製）を貼り付け、二層の研磨パッドを作製し、該二層研磨パッドを研磨機の定盤上に貼り付け、研磨評価を行った。
【００７５】
研磨後のウェーハ表面にはスクラッチが観察されなかった。また、研磨を１０分行ったが、グローバル平坦性評価用テストウェーハの２０μｍ幅配線領域と２３０μｍ幅配線領域のグローバル段差が０．２μｍに至らなかった。ユニフォーミティは１０．７％であった。
【００７６】
【発明の効果】
本発明により、研磨特性を維持しながら、研磨層のドレッシング時にドレッサーからのダイヤモンド砥粒脱落が起こらない研磨パッド、さらには該研磨パッドを使用した研磨装置およびそれを用いた研磨方法を提供することができる。