(57)【要約】【課題】アクティブマトリクス型液晶ディスプレイパネルにおいて、静電破壊対策回路を配置して、画素部の駆動素子を保護していたが、液晶パネルに印加された静電気がその回路にダメージを与えた際、回路の構成物が遊離し、液晶層を汚染し、パネル表示の信頼性低下を招くことがあった。【解決手段】対向基板１とアレイ基板２とを液晶層を介してシール部３により貼り合わせてなるアクティブマトリクス型液晶ディスプレイパネルにおいて、静電破壊対策回路２１をシール部３より外側、とくにシール部２２の内部に配置する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート配線およびソース配線と通電した各画素部に対し、スイッチング素子および画素電極を形成したアレイ基板と、対向電極を形成した対向基板とをシール部を介して貼り合わせ、これら双方の基板とシール部との間に液晶層を封入してなるアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記画素部を静電破壊から保護するための静電破壊対策回路を前記シール部の外側に形成したことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項２】
ゲート配線およびソース配線と通電した各画素部に対し、スイッチング素子および画素電極を形成したアレイ基板と、対向電極を形成した対向基板とをシール部を介して貼り合わせ、これら双方の基板とシール部との間に液晶層を封入してなるアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記画素部を静電破壊から保護するための静電破壊対策回路を前記シール部の内部に形成したことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に関し、とくに各画素にスイッチング素子を設けたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
駆動方式として、アクティブマトリクス方式の液晶表示装置と単純マトリクス方式の液晶表示装置が知られているが、アクティブマトリクス方式の液晶表示装置は、単純マトリクス方式の液晶表示装置に比べてコントラストが高く、多階調表示特性に優れており、これによって、カラー液晶表示装置にて重要な技術である。
【０００３】
とくに、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を使用したアクティブマトリクス方式の液晶表示装置は、ＣＲＴと同等の画質が得られるようになった。
【０００４】
以下、図面を参照しながら、従来のアクティブマトリクス方式の液晶表示装置について説明する。
【０００５】
図４はＴＦＴ液晶表示装置の液晶パネルの概略図であり、同図Ａは平面図、同図Ｂは側面図である。図５は図４に示す液晶パネルの配線を模式的に示した回路図であり、図６は静電破壊対策回路の回路図である。
【０００６】
図４によれば、３１はカラーフィルタおよび対向電極が形成された対向基板、３２は複数のスイッチング素子、画素電極および配線が形成されたアレイ基板であり、対向基板３１とアレイ基板３２とを液晶層を介してシール部３３により貼り合わせてなる。
【０００７】
図６に示す静電破壊対策回路図によれば、３４はゲートまたはソース配線、３５はショートリング、３６は薄膜トランジスタである。
【０００８】
また、図５に示す回路図によれば、４１は静電破壊対策回路、４２はシール部、４３はゲート配線、４４はソース配線、４５は画素部である。
【０００９】
以上のような構成のＴＦＴ液晶表示装置において、端子部より入力される電気信号がゲート配線４３およびソース配線４４を通じて指定画素の液晶を駆動することで表示を実現している。
【００１０】
一般に、表示画素のスイッチング素子に使用されるＴＦＴは電気的刺激に弱く、静電気等大きな電荷が印加されると破壊され、その機能が損なわれやすいという課題があった。
【００１１】
この点については、液晶パネルに外部から印加される静電気等の電荷はパネルの構成部材の中で電気抵抗の低い金属配線を伝ってパネル内部の表示部へと侵入する。
【００１２】
すなわち、ゲート配線４３もしくはソース配線４４の端子部より表示部の画素部４５の素子へと電流が流れ、画素部４５のＴＦＴ素子のスイッチング機能を破壊することがある。
【００１３】
これに対し、従来、静電破壊対策回路４１を設けることで、かかる課題を解消していた。
【００１４】
すなわち、ゲート配線４３およびソース配線４４の端子部から画素部４５の間、表示部周囲の液晶封入部内に静電破壊対策回路４１を設け、端子部から表示部へ侵入する外部の電荷を拡散し、これにより、画素部４５の素子へダメージが及ぶのを防止していた。
【００１５】
静電破壊対策回路４１が外部の電荷を拡散させる構成は、下記の通りである。
【００１６】
図６に示す静電破壊対策回路図によれば、ゲート配線またはソース配線３４を伝う外部の電荷はトランジスタ３６に達し、外部の電荷の持つ電位によりトランジスタ３６のゲートに刺激が与えられ、ソース・ドレインは電気的に閉じる。その為、外部より印加された電荷はショートリング３５に流れる。ショートリング３５はパネル表示部外周を一周しており、電気容量が大きい為、電荷が拡散する。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように液晶パネルの外部より印加される電荷に対し、画素部の素子は保護されているが、強い電気的刺激が配線４３、４４に印加された際、対策回路４１のＴＦＴ３６のゲート電極とドレイン電極間、もしくはソース電極とドレイン電極との間でショートが発生し、ＴＦＴ３６の（チャネル部を構成する半導体や電極材料である導電体、保護層を構成する絶縁体等）構成部材がＴＦＴ３６より液晶中に遊離することがあった。
【００１８】
このように遊離したＴＦＴの構成部材は、異物として流体である液晶中を漂い、上下基板間ショートや、点欠陥、液晶の比抵抗低下による表示特性の低下等、液晶パネルの表示に悪影響を及ぼし、信頼性を低下させるという問題が発生していた。
【００１９】
したがって本発明は叙上に鑑みて完成されたものであり、その目的はかかる課題を解消して信頼性を高めた高品質な液晶表示装置を提供することにある。
【００２０】
本発明の他の目的は製造コストを下げた液晶表示装置を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、ゲート配線およびソース配線と通電した各画素部に対し、スイッチング素子および画素電極を形成したアレイ基板と、対向電極を形成した対向基板とをシール部を介して貼り合わせ、これら双方の基板とシール部との間に液晶層を封入してなり、そして、前記画素部を静電破壊から保護するための静電破壊対策回路を前記シール部の外側に形成したことを特徴とする。
【００２２】
本発明の他のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、ゲート配線およびソース配線と通電した各画素部に対し、スイッチング素子および画素電極を形成したアレイ基板と、対向電極を形成した対向基板とをシール部を介して貼り合わせ、これら双方の基板とシール部との間に液晶層を封入してなり、そして、前記画素部を静電破壊から保護するための静電破壊対策回路を前記シール部の内部に形成したことを特徴とする。
【００２３】
【作用】
本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、上記構成のごとき、各画素はアクティブ素子をスイッチング素子として使用し、電気的刺激から表示画素を保護する目的の回路、すなわち静電破壊対策回路を液晶封入部の外側に配置したり、もしくは、そのような静電破壊対策回路をシール部の内部に配置したことで、かかる静電破壊対策回路がダメージを受ける程に強い電気的刺激が液晶パネルに印加された場合でも、ダメージを受けた対策回路が直接、液晶を汚染することがなく、その結果、高い表示信頼性を実現した液晶表示装置が提供できた。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面に基づき詳細に説明する。
【００２５】
図１は本発明のアクティブマトリクス型液晶表示パネルの概略図であり、図２は図１に示すアクティブマトリクス型液晶パネルにおいて、その配線を模式的に示した回路図であり、図３は静電破壊対策回路の回路図である。
【００２６】
図１に示すアクティブマトリクス型液晶表示パネルにおいて、１はカラーフィルタおよび対向電極が形成された対向基板であり、２は複数のスイッチング素子、画素電極および配線が形成されたアレイ基板である。
【００２７】
そして、対向基板１とアレイ基板２とを液晶層を介してシール部３により貼り合わせてなる。
【００２８】
図３に示す静電破壊対策回路図において、４はゲートまたはソース配線、５はショートリング、６は薄膜トランジスタである。
【００２９】
図２に示す配線回路図によれば、２１は静電破壊対策回路、２２はシール部、２３はゲート配線、２４はソース配線、２５は画素部である。
【００３０】
そして、本発明の液晶表示装置によれば、ゲート配線２３およびソース配線２４に設けられる画素部２５において、そのＴＦＴを電気的刺激から保護する目的の静電破壊対策回路２１を、液晶封入部より外側、とくにシール部２２の内部に配置する。
【００３１】
本発明に関するＴＦＴ液晶表示装置は、端子部より入力される電気信号がゲート配線２３およびソース配線２４を通じて指定画素の液晶を駆動することで表示する。
【００３２】
液晶パネルに外部から印加される静電気等の電荷はパネルの構成部材の中で電気抵抗の低い金属配線を伝ってパネル内部の表示部へと侵入する。
【００３３】
すなわち、ゲート配線２３もしくはソース配線２４の端子部より表示部の画素部２５の素子へと電流が流れ、画素部２５のＴＦＴ素子のスイッチング機能を破壊することがあった。
【００３４】
これを防止する為、ゲート配線２３およびソース配線２４の端子部から画素部２５の間に静電破壊対策回路２１を設け、端子部から表示部へ侵入する外部の電荷を拡散することで画素部２５の素子へダメージが及ぶのを防止する。
【００３５】
上述したような静電破壊対策回路２１について、外部の電荷を拡散させる機構は以下の通りである。
【００３６】
図３に示す静電破壊対策回路２１によれば、ゲート配線またはソース配線４を伝う外部の電荷はトランジスタ６に達するが、外部の電荷の持つ電位によりトランジスタ６のゲートに刺激が与えられ、ソース・ドレインは電気的に閉じる。その為、外部より印加された電荷はショートリング５に流れる。そして、ショートリング５はパネル表示部外周を一周しており、電気容量が大きい為、電荷は拡散する。
【００３７】
本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置によれば、上記のごとく、静電破壊対策回路２１を液晶封入部より外側に配置したことで、静電破壊対策回路２１がダメージを受ける程強い電気的刺激が液晶パネルに印加された場合でも、ダメージを受けた対策回路の構成部材が液晶中に遊離したり、さらに直接、液晶を汚染することがなくなった。
【００３８】
とくにシール部２２に静電破壊対策回路２１を配置した場合、固体であるシールが静電破壊対策回路を包み込む構造になり、これにより、構造上ＴＦＴから遊離した構成部材はその場所に留まり、シールの外側に拡散しなくなり、その結果、液晶の汚染による表示への悪影響がなく、また、隣り合う配線間のショート等も発生しなくなり、高い信頼性の液晶表示装置が提供できた。
【００３９】
さらに好適にはシール部２２を酢酸ビニル樹脂系接着剤、ビニル共重合樹脂系接着剤、ゴム系接着剤、エポキシ系接着剤、合成ゴム系接着剤、ビニル樹脂系接着剤、再生ゴム系接着剤、ポリマーセメント系接着剤、エポキシ変成合成ゴム系接着剤、でん粉系接着剤、ユリア樹脂系接着剤、フェノール樹脂系接着剤、ガゼイン系接着剤、メラミン・ユリア共縮合樹脂系接着剤、水性高分子−イソシアネート系接着剤、セルロース系接着剤、アクリル系接着剤などの絶縁性材料を使用するとよく、これによってシール部２２に配置された静電破壊対策回路２１を構成するＴＦＴのチャネル部ショート等による機能低下を防ぐことができる。
【００４０】
【発明の効果】
以上のとおり、本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置によれば、ゲート配線およびソース配線と通電した各画素部に対し、スイッチング素子および画素電極を形成したアレイ基板と、対向電極を形成した対向基板とをシール部を介して貼り合わせ、これら双方の基板とシール部との間に液晶層を封入してなり、そして、画素部を静電破壊から保護するための静電破壊対策回路をシール部の外側に形成したり、もしくはシール部の内部に形成したことで、液晶パネルに強い電気的刺激が印加され、そして、静電破壊対策回路がダメージを受けても、直接液晶が汚染されなくなり、その結果、従来と同等の製造コストでもって高い信頼性が実現できた。さらに本発明では、とくにシール部に静電破壊対策回路を配置することで、より信頼性の高い液晶表示装置を実現することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示パネルの概略図であり、同図Ａは平面図、同図Ｂは側面図である。
【図２】図１に示すアクティブマトリクス型液晶パネルにおいて、その配線を模式的に示した回路図である。
【図３】本発明に係る静電破壊対策回路の回路図である。
【図４】従来のアクティブマトリクス型の液晶パネルの概略図であり、同図Ａは平面図、同図Ｂは側面図である。
【図５】図４に示すアクティブマトリクス型液晶パネルにおいて、その配線を模式的に示した回路図である。
【図６】従来に係る静電破壊対策回路の回路図である。
【符号の説明】
１、  ３１・・・対向基板
２、  ３２・・・アレイ基板
３、  ３３・・・シール部
４、３４・・・ゲートまたはソース配線
５、３５・・・ショートリング
６、３６・・・薄膜トランジスタ
２１、４１・・・静電破壊対策回路
２２、４２・・・シール部
２３、４３・・・ゲート配線
２４、４４・・・ソース配線
２５、４５・・・画素部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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