(57)【要約】【課題】半導体発光素子と駆動素子とを接続する配線のインダクタンスを低減し、良好な高周波特性が得られる構造を有する光モジュールを提供する。【解決手段】第１搭載部材５は、第１の領域５ｒないし第４の領域５ｓを有する。第１の領域５ｒは、第２の領域５ｑよりも低く設けられる。第２の領域５ｑ上には、レーザダイオード９が搭載される。第１の領域５ｒ上には、駆動素子１３がフリップチップ実装される。駆動素子１３上にはフォトダイオード２５を支持するための支持部材２３が搭載される。フォトダイオード２５は、受光面２５ａがレーザダイオード９からのモニタ光Ｂを受けるように位置決めされる。【選択図】　図１
2004119493.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の軸方向に順に配置された第１の領域及び第２の領域を有する搭載部材と、
第１の面及び第２の面を有し、前記搭載部材の前記第２の領域上に搭載された半導体発光素子と、
前記所定の軸に沿って設けられ、前記半導体発光素子の前記第１の面に光学的に結合された光ファイバと、
第１の面及び前記第１の面とは反対側の第２の面を有し、前記第１の面が前記第１の領域に面するように前記搭載部材の前記第１の領域上に実装され、前記半導体発光素子に電気的に接続されて前記半導体発光素子を駆動する駆動素子と、前記半導体発光素子の前記第２の面から出射されて前記駆動素子上を通った光を受ける受光素子と
を備え、
前記搭載部材の前記第１の領域は、前記第２の領域よりも低く設けられている光モジュール。
【請求項２】
前記搭載部材の前記第１の領域は、前記駆動素子の前記第２の面が前記第２の領域に面する前記半導体発光素子の面よりも低くなるように設けられている請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記駆動素子の電極は前記第１の面に設けられており、
当該光モジュールは、前記駆動素子の前記第２の面上に設けられた支持部材をさらに備え、
前記受光素子は、前記支持部材上に設けられる請求項１または２に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記駆動素子の電極は前記第１の面に設けられており、
当該光モジュールは、前記駆動素子の前記第２の面上に設けられ、前記半導体発光素子の前記第２の面に光学的に結合され、前記所定の軸に交差する面に沿って伸びる反射面を有する光学部品をさらに備え、
前記受光素子は、前記反射光を受ける請求項１または２に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記駆動素子の電極は前記第１の面に設けられており、
前記受光素子は、前記駆動素子の前記第２の面上に設けられる請求項１または２に記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
光通信システムにおいては、光信号を高速に送受信することが要求される。最近では、１０Ｇｂｐｓといった高速通信が可能な光通信システムが開発中である。こういった高速通信が可能な光通信システムに用いられる光モジュールには、歪みの少ない信号波形を高速に出力できる能力が求められる。
【０００３】
光通信用の光モジュールは、レーザダイオードと、レーザダイオードを駆動する駆動素子と、レーザダイオードが発生する光の強度を検出するフォトダイオードとを備えている。ある形態の光モジュールでは、フォトダイオードがレーザダイオードと駆動素子との間に配置される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
光モジュールが高速かつ低歪の信号光を出力するためには、レーザダイオードといった半導体発光素子と駆動素子とを接続する配線をできるだけ短くして回路のインダクタンスを低減し、回路の高周波特性を良好にすることが望ましい。発明者はこの配線を短縮できる構造について検討している。この検討によれば、上記した光モジュールでは、駆動素子とレーザダイオードとの間に存在するフォトダイオードが配線を短くすることの制約となっていることを見出した。
【０００５】
本発明は、半導体発光素子と駆動素子とを接続する配線のインダクタンスを低減し、良好な高周波特性が得られる構造を有する光モジュールを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明による光モジュールは、（ａ）所定の軸方向に順に配置された第１の領域及び第２の領域、及び第３の領域を有する搭載部材と、（ｂ）第１の面及び第２の面を有し、搭載部材の第２の領域上に搭載された半導体発光素子と、（ｃ）搭載部材の第３の領域上に所定の軸に沿って設けられ、半導体発光素子の第１の面に光学的に結合された光ファイバと、（ｄ）第１の面及び第１の面とは反対側の第２の面を有し、第１の面が第１の領域に面するように搭載部材の第１の領域上に実装され、半導体発光素子に電気的に接続されて半導体発光素子を駆動する駆動素子と、（ｅ）半導体発光素子の第２の面から出射されて駆動素子上を通った光を受ける受光素子とを備え、搭載部材の第１の領域が、第２の領域よりも低く設けられていることを特徴とする。
【０００７】
上記した光モジュールは、駆動素子が実装される搭載部材の第１の領域が第２の領域よりも低く設けられているので、受光素子は、駆動素子上を通過したモニタ光を受けることができる。これによって、半導体発光素子と駆動素子との間に受光素子を配置する必要がなくなり、半導体発光素子と駆動素子との間隔を小さくできる。
【０００８】
また、光モジュールは、搭載部材の第１の領域が、駆動素子の第２の面が第２の領域に面する半導体発光素子の面よりも低くなるように設けられていることを特徴としてもよい。これによって、モニタ光が通過する経路を駆動素子上に確保できる。
【０００９】
また、光モジュールは、駆動素子の電極が第１の面に設けられており、当該光モジュールが、駆動素子の第２の面上に設けられた支持部材をさらに備え、受光素子が、支持部材上に設けられることを特徴としてもよい。これによって、受光素子を半導体発光素子の近くに配置できるので、受光素子はモニタ光を検出できる。
【００１０】
また、光モジュールは、駆動素子の電極が第１の面に設けられており、当該光モジュールが、駆動素子の第２の面上に設けられ、半導体発光素子の第２の面に光学的に結合され、所定の軸に交差する面に沿って伸びる反射面を有する光学部品をさらに備え、受光素子が、反射光を受けることを特徴としてもよい。これによって、光学部品を半導体発光素子の近くに配置できる。そして、半導体発光素子の近くに配置される光学部品からの反射光を受光素子に入射させることにより、受光素子はモニタ光を検出できる。
【００１１】
また、光モジュールは、駆動素子の電極が第１の面に設けられており、受光素子が、駆動素子の第２の面上に設けられることを特徴としてもよい。これによって、受光素子を半導体発光素子の近くに配置できるので、受光素子はモニタ光を検出できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、図面とともに本発明による光モジュールの好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、以下の説明において、信号光が出射される方向を前方とする。
【００１３】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明による光モジュールの第１実施形態を示す斜視図である。また、図２は、図１に示す光モジュール１の平面図である。また、図３は、図１に示す光モジュール１のＩ−Ｉ断面を示す側面断面図である。
【００１４】
図１〜図３を参照すると、この光モジュール１は、基板３といったハウジング、第１搭載部材５、レーザダイオード９といった半導体発光素子、駆動素子１３、光ファイバ１５、フェルール１７、フォトダイオード２５といった受光素子、フォトダイオード２５を支える支持部材２３、及び複数のリード端子１９ａ及び１９ｂを備える。
【００１５】
第１搭載部材５は、基板３上に載置される。第１搭載部材５は、その主面上に所定の軸の方向に順に配置された第１の領域５ｒ、第２の領域５ｑ、第３の領域５ｐ、及び第４の領域５ｓを有する。第１の領域５ｒは、第２の領域５ｑよりも低く設けられている。第１の領域５ｒと第２の領域５ｑとの高低差については、後に詳述する。第１の領域５ｒと第２の領域５ｑとの間には、これらの領域間の高低差による斜面５ｉが設けられる。
【００１６】
また、第１搭載部材５は、第２の領域５ｑと第３の領域５ｐとの間に、所定の軸と交差する方向に伸びる溝５ｂを有する。第１搭載部材５は、第３の領域５ｐと第４の領域５ｓとの間に、所定の軸と交差する方向に伸びる溝５ｃを有する。また、第１搭載部材５は、第３の領域５ｐ上に光ファイバ溝５ｆを有する。光ファイバ溝５ｆは、溝５ｂから溝５ｃに達するように所定の軸方向に伸びている。また、第１搭載部材５は、第４の領域５ｓ上にフェルール溝５ｇを有する。フェルール溝５ｇは、溝５ｃから第１搭載部材５の端に達するように所定の軸方向に伸びている。フェルール溝５ｇは、光ファイバ溝５ｆよりも深さ及び幅が大きい。
【００１７】
また、第１搭載部材５は、第２の領域５ｑを含み所定の軸と交差する方向に伸びる領域に、配線パターン２７を備える。そして、第２の領域５ｑ上にレーザダイオード９が搭載される。レーザダイオード９は、図３に示すように、光出射面９ａといった第１の面と光反射面９ｂといった第２の面とを有する。レーザダイオード９は、光反射面９ｂが第１の領域５ｒの方向を向くように搭載される。レーザダイオード９は光出射面９ａから信号光Ａを出力するとともに、光反射面９ｂからモニタ光Ｂを出力する。
【００１８】
第１搭載部材５の光ファイバ溝５ｆ上には、光ファイバ１５が光出射面９ａに光学的に結合されるように設けられる。光ファイバ溝５ｆによって、光ファイバ１５の所定の軸と交差する方向の位置が決められる。光ファイバ１５の一部には、円筒状のフェルール１７が光ファイバ１５を覆うように設けられる。壁面５ｄには光ファイバ１５の先端部が当接しており、これによって光ファイバ１５の所定の軸方向の位置が決められる。光ファイバ溝５ｆが伸びる所定の軸方向には、光出射面９ａから信号光Ａが出射される。信号光Ａは、光ファイバ１５を介して光モジュール１の外部へ出力される。
【００１９】
複数のリード端子１９ａ、１９ｂは、所定の軸方向に伸びる一対の辺３ａ、３ｂに沿って配列される。リード端子１９ａ及び１９ｂと基板３とにより、リードフレームが構成される。
【００２０】
駆動素子１３は、バンプ電極１３ｃ〜１３ｇが設けられた第１の面１３ａ、及び第１の面１３ａとは反対側の第２の面１３ｂを有する。駆動素子１３は、第１の面１３ａが第１搭載部材５の第１の領域５ｒに対面するように第１搭載部材５上にフリップチップ実装される。駆動素子１３は、送信信号を受けるためのバンプ電極１３ｆ及び１３ｇを第１の面１３ａ上に有する。送信信号は、光信号Ａに変換されて光モジュール１の外部へ出力される。バンプ電極１３ｆは、搭載部材５の第１の領域５ｒ上に設けられた配線パターン２８ｄにバンプ接続される。配線パターン２８ｄは、ボンディングワイヤ３１ｋを介してリード端子１９ａに電気的に接続される。また、バンプ電極１３ｇは、搭載部材５の第１の領域５ｒ上に設けられた配線パターン２８ｅにバンプ接続される。配線パターン２８ｅは、ボンディングワイヤ３１ｎを介してリード端子１９ｂに電気的に接続される。
【００２１】
また、駆動素子１３は、レーザダイオード９を駆動する信号を提供するためのバンプ電極１３ｄを第１の面１３ａ上に有する。バンプ電極１３ｄは、搭載部材５の第１の領域５ｒ上に設けられた配線パターン２８ｂにバンプ接続される。配線パターン２８ｂは、ボンディングワイヤ３１ｄを介してレーザダイオード９に電気的に接続される。
【００２２】
また、駆動素子１３は、電源の供給を受けるためのバンプ電極１３ｃ及び１３ｅを第１の面１３ａ上に有する。バンプ電極１３ｃ及び１３ｅは、第１の領域５ｒ上に設けられた配線パターン２８ａ及び２８ｃにそれぞれバンプ接続される。配線パターン２８ａは、ボンディングワイヤ３１ｃを介して配線パターン２７に電気的に接続される。配線パターン２８ｃは、ボンディングワイヤ３１ｆを介して配線パターン２７に電気的に接続される。
【００２３】
支持部材２３は、駆動素子１３の第２の面１３ｂ上に設けられる。支持部材２３は、フォトダイオード２５を載置する載置面２３ａを有する。載置面２３ａは、フォトダイオード２５がレーザダイオード９からのモニタ光Ｂを多く受光できるように、所定の傾斜を有して支持部材２３に設けられる。また、載置面２３ａは、所定の軸と交差するように設けられる。
【００２４】
フォトダイオード２５はモニタ光Ｂを受ける受光面２５ａを有する。フォトダイオード２５は、支持部材２３の載置面２３ａ上に設けられる。すなわち、フォトダイオード２５は、レーザダイオード９からのモニタ光Ｂを多く受光できるように、受光面２５ａが所定の傾斜を有して設けられる。支持部材２３及びフォトダイオード２５は、受光面２５ａがレーザダイオード９からのモニタ光Ｂを受けるように位置決めされる。フォトダイオード２５の受光面２５ａは、レーザダイオード９の光反射面９ｂに光学的に結合される。
【００２５】
また、光モジュール１は、第２搭載部材７ａ、７ｂ、及びダイキャップ２１ａ、２１ｂといった容量性素子をさらに備える。第２搭載部材７ａ及び７ｂは、金属といった導電性材料からなり、基板３の上面に載置される。第２搭載部材７ａは、所定の軸の方向に第１搭載部材５の一方の側面５ｋに沿って伸びるように設けられる。第２搭載部材７ｂは、所定の軸の方向に第１搭載部材５の一方の側面５ｌに沿って伸びるように設けられる。第２搭載部材７ａは、ボンディングワイヤ３１ｊを介してリード端子１９ａに電気的に接続される。第２搭載部材７ｂは、ボンディングワイヤ３１ｍを介してリード端子１９ｂに電気的に接続される。
【００２６】
ダイキャップ２１ａ及び２１ｂは、レーザダイオード９及び駆動素子１３へ供給する電源を安定化するための素子である。ダイキャップ２１ａは、第２搭載部材７ａ上に搭載される。ダイキャップ２１ａの上面にある電極は、ボンディングワイヤ３１ｇを介して配線パターン２７に、ボンディングワイヤ３１ｈを介してリード端子１９ａに、それぞれ電気的に接続される。また、ダイキャップ２１ｂは、第２搭載部材７ｂ上に搭載される。ダイキャップ２１ｂの上面にある電極は、ボンディングワイヤ３１ｂを介して配線パターン２７に、ボンディングワイヤ３１ａを介してリード端子１９ｂに、それぞれ電気的に接続される。
【００２７】
光モジュール１は、封止樹脂３３、及び透明樹脂３５（図３に示す）をさらに備える。透明樹脂３５は、レーザダイオード９と光ファイバ１５との光学的結合、及びレーザダイオード９とフォトダイオード２５との光学的結合を維持するように、レーザダイオード９周辺の構成要素を封止する。封止樹脂３３は、上記した光モジュール１の構成物を封止する。封止樹脂３３とリードフレームは、光モジュール１のパッケージを形成する。封止樹脂３３は、光ファイバ１５、フェルール１７、及び複数のリード端子１９ａ及び１９ｂのそれぞれ一部が露出するように光モジュール１全体を封止する。
【００２８】
ここで、図４（ａ）はレーザダイオード９の構成を示す側面断面図である。また、図４（ｂ）は図２に示す側面断面図のうちレーザダイオード９の周辺部分の拡大図である。
【００２９】
図４（ａ）を参照すると、レーザダイオード９は、カソード電極９１、ｎ型半導体基板９２、ｎ型クラッド層９３、活性層９４、ｐ型クラッド層９５、及びアノード電極９６を有する。ｎ型半導体基板９２は、レーザダイオード９の基板として設けられる。ｎ型クラッド層９３は、ｎ型半導体からなり、ｎ型半導体基板９２の主面９２ａ上に設けられる。活性層９４は、レーザ光を発生する層であり、ｎ型クラッド層９３上に設けられる。ｐ型クラッド層９５は、ｐ型半導体からなり、ｎ型クラッド層９３とｐ型クラッド層９５との間に活性層９４を挟むように活性層９４上に設けられる。アノード電極９６は、ｐ型クラッド層９５と電気的に接続されるようにｐ型クラッド層９５上に設けられる。カソード電極９１は、ｎ型半導体基板９２と電気的に接続されるようにｎ型半導体基板９２の裏面９２ｂ上に設けられる。
【００３０】
図４（ｂ）を参照すると、レーザダイオード９は、アノード電極９６が配線パターン２７に面するように第１搭載部材５上に搭載される。そして、カソード電極９１は、ボンディングワイヤ３１ｄ、配線パターン２８ｂ、及びバンプ電極１３ｄを介して駆動素子１３に電気的に接続される。アノード電極９６は、はんだといった導電性接着剤を介して配線パターン２７に電気的に接続される。なお、図４（ａ）に示すレーザダイオード９は、図４（ｂ）に示すレーザダイオード９と上下逆に示されている。
【００３１】
また、搭載部材５の第１の領域５ｒは、駆動素子１３の第２の面１３ｂが、第２の領域５ｑに面するレーザダイオード９の面よりも低くなるように設けられる。本実施形態では、図４（ｂ）に示すように、配線パターン２７にはんだを介して接するレーザダイオード９の面と第１の領域５ｒとの高低差ｄ１が、駆動素子１３の第２の面１３ｂと第１の領域５ｒとの高低差ｄ２よりも大きくなるように第１の領域５ｒが設けられている。すなわち、駆動素子１３の第２の面１３ｂは、第２の領域５ｑに面するレーザダイオード９の面よりも差ｄ１−ｄ２だけ低くなっている。
【００３２】
図５は、光モジュール１のパッケージの一例を示す斜視図である。図５を参照すると、光モジュール１は封止樹脂３３によって封止されている。封止樹脂３３の一側面３３ａにはリード端子１９ａが配列され、他側面３３ｂにはリード端子１９ｂ（図１参照）が配列される。封止樹脂３３の前面３３ｃには、フェルール１７の一部が突出しており、光ファイバ１５の端部のうちレーザダイオード９と光学的に結合された端部とは異なる端部が露出している。また、封止樹脂３３は、本体部３３ｄとヘッド部３３ｅとを有する。ヘッド部３３ｅの両側面３３ｆ及び３３ｇには、光コネクタと嵌め合わされる突起３３ｈ及び３３ｉが設けられる。
【００３３】
図６は、レーザダイオード９の周辺部分を模式的に示す平面図である。図６を用いて、以下に光モジュール１の動作を説明する。
【００３４】
図６を参照すると、複数のリード端子１９ａのうちの少なくとも１本、及び複数の１９ｂのうちの少なくとも１本が接地端子として利用される。そして、第２搭載部材７ａがボンディングワイヤ３１ｊを介してリード端子１９ａに電気的に接続されることにより、第２搭載部材７ａは接地される。同様に、第２搭載部材７ｂがボンディングワイヤ３１ｍを介してリード端子１９ｂに電気的に接続されることにより、第２搭載部材７ｂは接地される。
【００３５】
また、光モジュール１は、複数のリード端子１９ａのうちの少なくとも１本及び複数のリード端子１９ｂのうちの少なくとも１本に電源４５から正の電源電圧Ｖ１を受ける。そして、リード端子１９ａに受けた電源電圧Ｖ１はボンディングワイヤ３１ｈを介してダイキャップ２１ａのプラス端子に提供される。ダイキャップ２１ａのマイナス端子は第２搭載部材７ａに電気的に接続されるので、ダイキャップ２１ａによって電源電圧Ｖ１が安定化される。電源電圧Ｖ１は、ダイキャップ２１ａのプラス端子からボンディングワイヤ３１ｇを介して配線パターン２７に提供される。
【００３６】
また、リード端子１９ｂに受けた電源電圧Ｖ１はボンディングワイヤ３１ａを介してダイキャップ２１ｂのプラス端子に提供される。ダイキャップ２１ｂのマイナス端子は第２搭載部材７ｂに電気的に接続されるので、ダイキャップ２１ｂによって電源電圧Ｖ１が安定化される。電源電圧Ｖ１は、ダイキャップ２１ｂのプラス端子からボンディングワイヤ３１ｂを介して第２の配線パターン２７に提供される。
【００３７】
こうして配線パターン２７に提供された電源電圧Ｖ１によって、レーザダイオード９および駆動素子１３に電源が提供される。すなわち、電源電圧Ｖ１は配線パターン２７を介してレーザダイオード９のアノード電極９６に提供される。また、電源電圧Ｖ１は、配線パターン２７、ボンディングワイヤ３１ｃ及び３１ｆ、配線パターン２８ａ及び２８ｃ、バンプ電極１３ｃ及び１３ｅを介して駆動素子１３に提供される。
【００３８】
また、光モジュール１は、複数のリード端子１９ａのうちの少なくとも１本及び複数の１９ｂのうちの少なくとも１本に信号生成回路４１から送信信号Ｓ１を受ける。本実施形態においては、信号生成回路４１は光モジュール１の外部に設けられる。リード端子１９ａに受けた送信信号Ｓ１はボンディングワイヤ３１ｋ、配線パターン２８ｄ、及びバンプ電極１３ｆを介して駆動素子１３に提供される。また、リード端子１９ｂに受けた送信信号Ｓ１はボンディングワイヤ３１ｎ、配線パターン２８ｅ、及びバンプ電極１３ｇを介して駆動素子１３に提供される。
【００３９】
駆動素子１３は、こうして受けた送信信号Ｓ１に基づいてレーザダイオード９を駆動するための駆動信号Ｓ２を生成する。駆動信号Ｓ２は、駆動素子１３からバンプ電極１３ｄ、配線パターン２８ｂ、及びボンディングワイヤ３１ｄを介してレーザダイオード９に提供される。
【００４０】
レーザダイオード９は、こうして提供された電源電圧Ｖ１及び駆動信号Ｓ２に基づいて、活性層９４において光を発生する。活性層９４において発生した光は、レーザダイオード９の光出射面９ａから信号光Ａとして出射される。信号光Ａは光ファイバ１５へ入射され、光ファイバ１５を伝搬して光モジュール１の外部へ出力される。また、レーザダイオード９の光反射面９ｂからは、活性層９４にて発生したモニタ光Ｂが出射される。モニタ光Ｂはフォトダイオード２５の受光面２５ａに入射する。そして、フォトダイオード２５においてモニタ光Ｂの光強度に応じた検出信号Ｓ４が生成される。検出信号Ｓ４はフォトダイオード２５からボンディングワイヤ３１ｉを介して複数のリード端子１９ａのうちの少なくとも１本に提供される。そして、検出信号Ｓ４が検出回路４３に提供され、モニタ光Ｂの光強度が検出される。本実施形態では、検出回路４３は光モジュール１の外部に設けられる。
【００４１】
以上に説明した第１実施形態による光モジュール１は、以下に述べる効果を有する。上記した構成により、レーザダイオードと駆動素子との間隔を小さくできる。従来の光モジュールは、レーザダイオードの光反射面から出射されるモニタ光を効率よく検出するために、レーザダイオードとフォトダイオードとの距離が短くなるようレーザダイオードと駆動素子との間にフォトダイオードを設けている。発明者は、駆動回路のインダクタンスを低減するために配線が短くなるような構造を検討し、レーザダイオードと駆動素子との間にフォトダイオードが存在することが配線を短くする上で制約になっていることを見出している。
【００４２】
本実施形態による光モジュール１は、レーザダイオードが搭載部材の第２の領域に設けられるとともに、駆動素子が第１の領域に実装されている。そして、第１の領域は第２の領域よりも低く設けられている。これにより、モニタ光は、レーザダイオードの光反射面から駆動素子上を通過してフォトダイオードへ提供される。よって、レーザダイオードと駆動素子との間にフォトダイオードを配置しなくても、光反射面から出射されるモニタ光を効率よく検出するようにフォトダイオードを配置できるので、駆動素子とレーザダイオードとの距離を小さくできる。このような構成により、レーザダイオードと駆動素子とを接続するボンディングワイヤといった配線を短くできるので、駆動信号が伝わる配線のインダクタンスを低減し、レーザダイオードを駆動する際に良好な高周波特性を得ることができる。
【００４３】
また、本実施形態による光モジュールは、駆動素子の第２の面が第２の領域に面するレーザダイオードの面よりも低くなるように、第１の領域が設けられている。搭載部材の第１の領域はこのように設けられることが好ましく、これによって、駆動素子上にモニタ光が通る経路を確保できる。
【００４４】
また、本実施形態による光モジュールにおいては、駆動素子が、バンプ電極といった電極を有する第１の面と搭載部材の第１の領域とが面するように搭載部材上にフリップチップ実装されている。駆動素子はこのように実装されることが好ましく、これにより、駆動素子の、電極等が設けられていない第２の面上に支持部材及びフォトダイオードを搭載できるので、フォトダイオードをレーザダイオードの近くに配置でき、フォトダイオードがモニタ光を検出できる。
【００４５】
（第２の実施の形態）
図７は、本発明による光モジュールの第２実施形態を示す斜視図である。また、図８は、図７に示す光モジュール２の平面図である。また、図９は、図７に示す光モジュール２のＩＩ−ＩＩ断面を示す側面断面図である。また、図１０は、図９に示す側面断面図のうちレーザダイオード９の周辺部分の拡大図である。
【００４６】
図７〜図１０を参照すると、この光モジュール１は、基板３、第１搭載部材５、第２搭載部材７ａ及び７ｂ、レーザダイオード９、駆動素子１３、光ファイバ１５、フェルール１７、支持部材２４、フォトダイオード２５、複数のリード端子１９ａ及び１９ｂ、ダイキャップ２１ａ及び２１ｂ、及び光学部品２６を備える。これらの構成のうち、支持部材２４、フォトダイオード２５、及び光学部品２６以外の構成は第１実施形態の構成と同様にできるので詳細な説明を省略する。
【００４７】
光学部品２６は、駆動素子１３の第２の面１３ｂに交差する方向に伸びる部材であり、例えば三角柱といった形状を有する。そして、光学部品２６の一側面は光を反射する反射面２６ａとなっている。光学部品２６としては、金属ブロックやプリズムなどを用いるとよい。光学部品２６は、反射面２６ａが所定の軸に交差する面に沿って伸びるように第２の面１３ｂ上に設けられる。また、光学部品２６は、レーザダイオード９の光反射面９ｂとフォトダイオード２５の受光面２５ａとが反射面２６ａを介して光学的に結合されるように設けられる。すなわち、レーザダイオード９の光反射面９ｂから出射されるモニタ光Ｂを反射面２６ａが受ける。反射面２６ａは、モニタ光Ｂが出射される方向とは異なる方向へ反射光Ｃを提供する。
【００４８】
支持部材２４は、第２搭載部材７ｂ上に設けられる。支持部材２４は、フォトダイオード２５を載置する載置面２４ａを有する。支持部材２４は、例えば四角柱といった形状をしており、その一側面が載置面２４ａとなる。フォトダイオード２５は、支持部材２４の載置面２４ａ上に設けられる。また、フォトダイオード２５はモニタ光Ｂを受ける受光面２５ａを有する。支持部材２４及びフォトダイオード２５は、受光面２５ａが光学部品２６からの反射光Ｃを受けるように位置決めされる。フォトダイオード２５の受光面２５ａは、光学部品２６の反射面２６ａを介してレーザダイオード９の光反射面９ｂに光学的に結合される。また、フォトダイオード２５は、ボンディングワイヤ３１ｐを介してリード端子１９ｂに電気的に接続される。
【００４９】
また、光モジュール２は、第１実施形態の光モジュール１と同様に封止樹脂３３及び透明樹脂３５によって封止されている。光モジュール２のパッケージについても、図５に示した光モジュール１と同様である。また、光モジュール２の動作は、図６を用いて説明した光モジュール１の動作と同様であるので詳細な説明を省略する。
【００５０】
本実施形態による光モジュールは、レーザダイオードが搭載部材の第２の領域に設けられるとともに、駆動素子が第１の領域に実装されている。そして、第１の領域は第２の領域よりも低く設けられている。これにより、モニタ光は、レーザダイオードの光反射面から駆動素子上を通過してフォトダイオードへ提供される。よって、レーザダイオードと駆動素子との間にフォトダイオードを配置しなくても、光反射面から出射されるモニタ光を効率よく検出するようにフォトダイオードを配置できるので、駆動素子とレーザダイオードとの距離を小さくできる。
【００５１】
また、本実施形態による光モジュールにおいては、駆動素子が、バンプ電極といった電極を有する第１の面と搭載部材の第１の領域とが面するように搭載部材上にフリップチップ実装されている。駆動素子はこのように実装されることが好ましく、これにより、駆動素子の、電極等が設けられていない第２の面上に光学部品を搭載できるので、光学部品をレーザダイオードの近くに配置できる。そして、フォトダイオードは光学部品を介してモニタ光を検出できる。
【００５２】
（第３の実施の形態）
図１１は、本発明による光モジュールの第３実施形態を示す斜視図である。また、図１２は、図１１に示す光モジュール３の平面図である。また、図１３は、図１１に示す光モジュール３のＩＩＩ−ＩＩＩ断面を示す側面断面図である。また、図１４は、図１３に示す側面断面図のうちレーザダイオード９の周辺部分の拡大図である。
【００５３】
図１１〜図１４を参照すると、この光モジュール３は、基板３、第１搭載部材５、第２搭載部材７ａ及び７ｂ、レーザダイオード９、駆動素子１３、光ファイバ１５、フェルール１７、フォトダイオード２５、複数のリード端子１９ａ及び１９ｂ、及びダイキャップ２１ａ及び２１ｂを備える。これらの構成のうち、フォトダイオード２５以外の構成は第１実施形態の構成と同様にできるので詳細な説明を省略する。
【００５４】
フォトダイオード２５は、受光面２５ａとは反対側の面が第２の面１３ｂに面するように駆動素子１３上に設けられる。フォトダイオード２５は、レーザダイオード９の光反射面９ｂから出射される、一定の広がりをもつモニタ光Ｂ１の一部Ｂ２を受光する（図１４参照）。このため、フォトダイオード２５は、第２の領域５ｑに面するレーザダイオード９の面よりも受光面２５ａが低くなるように設けられる。また、フォトダイオード２５は、受光面２５ａがレーザダイオード９の光反射面９ｂからのモニタ光Ｂを受けるように位置決めされる。こうして、フォトダイオード２５の受光面２５ａは、レーザダイオード９の光反射面９ｂに光学的に結合される。フォトダイオード２５は、ボンディングワイヤ３１ｑを介してリード端子１９ａと電気的に接続される。
【００５５】
また、光モジュール３は、第１実施形態の光モジュール１と同様に封止樹脂３３及び透明樹脂３５によって封止されている。光モジュール２のパッケージについても、図５に示した光モジュール１と同様である。また、光モジュール３の動作は、図６を用いて説明した光モジュール１の動作と同様であるので詳細な説明を省略する。
【００５６】
図１５は、本実施形態による光モジュール３の変形例を示す側面断面図である。光モジュール３は、図１５に示すような構成でもよい。すなわち、この変形例では、フォトダイオード２５の側面が受光面２５ａとなっている。そして、フォトダイオード２５の、第１の領域５ｒに面する側とは反対側の面は、光感知面２５ｂとなっている。フォトダイオード２５は、レーザダイオード９の光反射面９ｂから出射される、一定の広がりをもつモニタ光Ｂ１の一部Ｂ２を受光面２５ａから入射して光感知面２５ｂにおいて検出する。このため、フォトダイオード２５の光感知面２５ｂは、レーザダイオード９の活性層９４よりも高い位置に設けられており、レーザダイオード９の光反射面９ｂに光学的に結合される。
【００５７】
本実施形態による光モジュールは、レーザダイオードが搭載部材の第２の領域に設けられるとともに、駆動素子が第１の領域に実装されている。そして、第１の領域は第２の領域よりも低く設けられている。これにより、モニタ光は、レーザダイオードの光反射面から駆動素子上を通過してフォトダイオードへ提供される。よって、レーザダイオードと駆動素子との間にフォトダイオードを配置しなくても、光反射面から出射されるモニタ光を効率よく検出するようにフォトダイオードを配置できるので、駆動素子とレーザダイオードとの距離を小さくできる。
【００５８】
また、本実施形態による光モジュールにおいては、駆動素子が、バンプ電極といった電極を有する第１の面と搭載部材の第１の領域とが面するように搭載部材上にフリップチップ実装されている。駆動素子はこのように実装されることが好ましく、これにより、駆動素子の、電極等が設けられていない第２の面上にフォトダイオードを搭載できるので、フォトダイオードをレーザダイオードの近くに配置できる。そして、フォトダイオードはモニタ光を検出できる。また、本実施形態では、フォトダイオードを支持するための支持部材を設けないので、光モジュールの構成を簡素化できる。
【００５９】
本発明による光モジュールは、上記した実施形態に限られるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、上記した各実施形態では、搭載部材の第１の領域は搭載部材の側面５ｌ及び側面５ｋに達するように設けられている。第１の領域は、これ以外に周辺を斜面で囲まれた窪みといった形状として設けても、上記した各実施形態による光モジュールの作用効果が同様に得られる。
【００６０】
また、上記した各実施形態では、レーザダイオードと光ファイバとが並んで搭載されている。これ以外にも、レーザダイオードの光出射面から出射された信号光が、レンズといった光学部品を介して光ファイバに入射するような構成でもよい。
【００６１】
【発明の効果】
本発明による光モジュールによれば、半導体発光素子と駆動素子との距離を小さくできるので、半導体発光素子と駆動素子とを接続する配線のインダクタンスを低減し、良好な高周波特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明による光モジュールの第１実施形態を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示す光モジュールの平面図である。
【図３】図３は、図１に示す光モジュールのＩ−Ｉ断面を示す側面断面図である。
【図４】図４（ａ）はレーザダイオードの構成を示す側面断面図である。図４（ｂ）は図２に示す側面断面図のうちレーザダイオードの周辺部分の拡大図である。
【図５】図５は、光モジュールのパッケージの一例を示す斜視図である。
【図６】図６は、レーザダイオードの周辺部分を模式的に示す平面図である。
【図７】図７は、本発明による光モジュールの第２実施形態を示す斜視図である。
【図８】図８は、図７に示す光モジュールの平面図である。
【図９】図９は、図７に示す光モジュールのＩＩ−ＩＩ断面を示す側面断面図である。
【図１０】図１０は、図９に示す側面断面図のうちレーザダイオードの周辺部分の拡大図である。
【図１１】図１１は、本発明による光モジュールの第３実施形態を示す斜視図である。
【図１２】図１２は、図１１に示す光モジュールの平面図である。
【図１３】図１３は、図１１に示す光モジュールのＩＩＩ−ＩＩＩ断面を示す側面断面図である。
【図１４】図１４は、図１３に示す側面断面図のうちレーザダイオードの周辺部分の拡大図である。
【図１５】図１５は、本実施形態による光モジュールの変形例を示す側面断面図である。
【符号の説明】
１…光モジュール、３…基板、５…第１搭載部材、７ａ、７ｂ…第２搭載部材、９…レーザダイオード、１３…駆動素子、１５…光ファイバ、１７…フェルール、１９ａ、１９ｂ…リード端子，２１ａ、２１ｂ…ダイキャップ、２３…支持部材、２５…フォトダイオード、２７、２８ａ〜２８ｅ…配線パターン、３１ａ〜３１ｑ…ボンディングワイヤ、３３…封止樹脂。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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