(57)【要約】【課題】小型ディスクカートリッジの金属シェルまたはその他の金属板部材に設けた円筒状突起２３の先端部にカシメ用金型５０を用いてフランジ状部を形成する場合に、円筒状突起２３の倒れを防止する。【解決手段】カシメ用金型５０のカシメ用壁面５５の外側に、カシメ加工時にフランジ状部の外端を支える壁面５６を設ける。【選択図】          図５
2004178660.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属シェルを備えた扁平なハウジング内に、記録媒体としてのディスクを回転自在に収容してなるディスクカートリッジを作成する際に、先ず前記金属シェルまたはその他の金属板部材に円筒状突起を形成し、次いで該円筒状突起に別部材を回転可能に軸支させた状態で、カシメ用金型を用いて前記円筒状突起の先端部にフランジ状部を形成する加工方法において、
前記カシメ用金型のカシメ用壁面の外側に、カシメ加工時に前記フランジ状部の外端を支える壁面を設けたことを特徴とする、ディスクカートリッジの金属板部材の加工方法。
【請求項２】
前記カシメ用壁面に、曲げ溜まり部を設けたことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記円筒状突起をバーリング加工により形成することを特徴とする請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記ディスクカートリッジの金属シェルに、該ディスクカートリッジが装填されるドライブ装置の記録再生ヘッドをアクセスさせるための開口が設けられ、前記別部材が、前記円筒状突起に回転可能に軸支されて前記開口を開閉するロータリーシャッタであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属板部材の加工方法に関し、特に、金属シェルを備えた扁平なハウジング内に、記録媒体としてのディスクを回転自在に収容してなる小形ディスクカートリッジを作成する際に、カシメ用金型を用いて金属板部材を加工する方法の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、磁気ディスクは、高容量化、小型化が進んでおり、この磁気ディスクを回転自在に収容する磁気ディスクカートリッジを構成する機構部品についても高い寸法精度が要求されている。
【０００３】
薄い金属板部材に円筒状の突起を設ける場合、一般に「バーリング」と呼ばれる加工法を用いられている。図６（ａ）〜（ｅ）は、このバーリング加工法を説明する図で、先ず図６（ａ）に示すように、金属板部材２０に小径の下孔２１を開けておく。次に、図６（ｂ）に示すように、上記下孔２１に挿入可能な先端の円柱状小径部３１と、この小径部３１の根元に連接して拡径する切頭円錐体３２と、この切頭円錐体３２の小径部３１側とは反対側に連接する円柱状大径部３３とを同心的に備えたバーリング工具３０を用意し、その小径部３１を下孔２１に挿入する。
【０００４】
次に、この工具３０を図の上方へ移動させると、図６（ｃ）に示すように、工具３０の切頭円錐体３２によって下孔１の周囲の金属板部分２２が上方へ押し広げられ、次いで、図６（ｄ）に示すように、円孔３５ａを備えた金型３５で周囲を押さえながら工具３０をさらに上方へ押し進めると、金属板部分２２が大径部３３によってさらに押し広げられかつ延伸されて塑性変形し、図６（ｅ）に示すように中心孔２４を備えた円筒状突起２３が形成される。なお、図示を一部省略したが、図６（ｄ）に示された金型３５は、図６（ｂ）および（ｃ）に示す工程でも使用される。
【０００５】
上記円筒状突起２３は、一般に別部材を回転可能に軸支するための軸筒として用いられ、その場合は、図７（ａ）に示すように、軸孔２５ａを有する別部材２５を円筒状突起２３に遊嵌してから、円筒状突起２３の先端部にカシメ加工を施して、図７（ｂ）に示すような、抜止め手段としてのフランジ状部２３ａが形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記カシメ加工に際しては、図８に示すようなカシメ用金型が用いられる。この金型４０は、下型４１と上型４２とによって構成され、下型４１は、金属板部材２０を載置する平坦な上面４１ａを備え、この上面４１ａ上に、円筒状突起２３の中心孔２４に嵌挿される位置決め用円柱体４３が突設されている。
【０００７】
上型４２は、その下面４２ａに、下型４１の円柱体４３と同径の短い円柱体４４を円柱体４３と同心的に備えており、かつこの円柱体４４の根元部の表面は、上型４２の下面４２ａに向かって曲線的に拡径されて、カシメ用壁面４５を形成している。
【０００８】
上記円筒状突起２３の先端部にフランジ状部２３ａを形成する場合は、別部材２５を円筒状突起２３に遊嵌した状態で、円筒状突起２３の中心孔２４にカシメ用金型４０の円柱体４３，４４を上下から嵌挿し、上型４２を下方へ移動させると、上型４２の円柱体４４の根元部のカシメ用壁面４５によって円筒状突起２３の先端部が押し広げられ、フランジ状部２３ａが形成される。
【０００９】
しかしながら、筒状突起２３の先端部は図７（ｂ）に示すような理想的な形状にはならず、実際には、図７（ｃ）に示すように、円筒状突起２３の周壁が外方へ倒れて先端部が開き勝ちになる。そのため、別部材２５に接触して、別部材の回転が阻害されるという不都合が発生しやすく、品質懸念事項となっていた。
【００１０】
そこで従来は、上型４２の押圧速度の調整、あるいは押圧工程数を増やす等の対策が採られていたが、有効な解決策とはならず、得率の低下および品質のバラツキの要因となっていた。
【００１１】
上述の事情に鑑み、本発明は、上記円筒状突起２３の先端部にカシメ加工を施すときの円筒状突起２３の倒れを防止した、ディスクカートリッジの金属板部材の加工方法を提供することを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明によるディスクカートリッジの金属板部材の加工方法は、金属シェルを備えた扁平なハウジング内に、記録媒体としてのディスクを回転自在に収容してなるディスクカートリッジを作成する際に、先ず、上記金属シェルまたはその他の金属板部材に円筒状突起を形成し、次いでこの円筒状突起に別部材を回転可能に軸支させた状態で、カシメ用金型を用いて上記円筒状突起の先端部にフランジ状部を形成する加工方法において、上記カシメ用金型のカシメ用壁面の外側に、上記フランジ状部の外端を支えて上記円筒状突起の倒れを防止する壁面を設けたことを特徴とするものである。
【００１３】
上記カシメ用壁面には、曲げ溜まり部を設けることが好ましい。
【００１４】
上記円筒状突起は、バーリング加工により形成することができる。そして、上記ディスクカートリッジの金属シェルに、このディスクカートリッジが装填されるドライブ装置の記録再生ヘッドをアクセスさせるための開口が設けられ、上記別部材が、上記円筒状突起に回転可能に軸支されて上記開口を開閉するロータリーシャッタであることが好ましい。
【００１５】
【発明の効果】
本発明によれば、上記円筒状突起の先端部にフランジ状部を形成する際に用いられるカシメ用金型のカシメ用壁面の外側に、フランジ状部の外端を支える壁面を設けたので、カシメ加工に伴う円筒状突起の周壁の倒れを防止することができる。
【００１６】
したがって、この円筒状突起によって軸支される別部材と円筒状突起との接触を回避することができ、得率および品質の向上、ならびにコスト低減を可能にしたディスクカートリッジ機構部品を供給することができる効果がある。
【００１７】
なお、バーリング加工法で形成される円筒状突起の高さ寸法のバラツキにより、円筒状突起の高さが所定寸法よりも高い場合、カシメ加工により外径が所定寸法よりも大きいフランジ状部が形成されることになる。その場合、フランジ状部の外端が早期に倒れ防止用壁面に当接し、その反作用で円筒状突起の根元部が変形する虞れが生じるが、カシメ用壁面に曲げ溜まり部を設けることにより、上記フランジ状部が曲げ溜まり部側に屈曲変形して、上記反作用を吸収するので、円筒状突起の根元部の変形を防止することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
初めに、本発明が適用される磁気ディスクカートリッジの基本的構成を下記に列挙する。
【００１９】
１）形態的特徴：
例えば米国特許第６２５６１６８号公報に開示されている「ｃｌｉｋ！（Ｒ）」と呼ばれる、ドライブ装置からリムーバブルな小型磁気ディスクカートリッジのように、直径２インチ（５０．８ｍｍ）以下の小型フロッピー（Ｒ）ディスクを有する。
【００２０】
２）記憶容量および記録密度：
１ＧＢ以上、３Ｇｂｉｔ／平方インチ（６．２５平方センチメートル）以上
３）磁気材料の処方：バリウムフェライト
４）製造時のサーボ書込み方法：磁気転写
５）ドライブ装置の磁気ヘッド：ＭＲヘッド
６）トラックピッチ：３μｍ以下
７）用途：
ＰＣＭＣＩＡカードドライブに装填してＰＣ用、あるいは動画および静止画カメラ用。
【００２１】
次に、本発明の磁気ディスクカートリッジに適用される媒体について説明する。
【００２２】
数百ＭＢ以上の容量をもつ磁気ディスク媒体を小型で実現するためには、記録密度を大きく向上させることが必要である。再生に高感度の磁気抵抗ヘッド（ＭＲヘッド）を用いることで狭いトラック、高い線記録密度でも十分な出力を得ることができるが、媒体のノイズも増幅するため従来のノイズの高い媒体で十分なＳＮ比が得られず記録密度の向上を達成することができない。これに対し、非磁性支持体上に実質的に非磁性である下地層と強磁性六方晶フェライト微粉末を結合剤中に分散してなる磁性層をこの順に設けてなる磁気ディスクにおいて、前記磁性層の磁性体として六方晶フェライトを用いるとＭＲヘッド再生で低ノイズ、高ＳＮを達成することが可能であることがわかった。六方晶フェライトの詳細については後述するが、特に平均板径３５ｎｍ以下を用いかつ十分な分散処理を行うことが必要である。これらにより、例えば、外径が４５ｍｍの磁気ディスクであれば、容量１ＧＢ以上の記録に必要なＳＮ比を達成でき、携帯用のコンピュータ機器や映像機器用の記録媒体を実現できることがわかった。
【００２３】
好ましい実施態様
ディスク外径は２０ｍｍ以上、５０ｍｍ以下である。５０ｍｍを越えるとＰＣＭＣＩＡスロットへの適用が困難になる。２０ｍｍより小さいと数百ＭＢの容量を達成することができない。
【００２４】
ディスク内径は特に制約ないが、通常は２ｍｍ以上、１０ｍｍ以下である。２ｍｍより小さいとスピンドルへの高精度のチャッキングが困難になり、１０ｍｍを越えると記録領域が狭くなり好ましくない。
【００２５】
外周の面ぶれ量は３０μｍ以下が好ましく、２０μｍ以下がさらに好ましい。下限には特に制限はないが、通常は５μｍ以上である。
【００２６】
内周の面ぶれ量は１５μｍ以下が好ましく、１０μｍ以下がさらに好ましい。下限には特に制限はないが、通常は５μｍ以上である。
【００２７】
面ぶれ量はカートリッジがない状態では、ある状態より通常面ぶれが増加するが、カートリッジがない状態でも５０μｍ以下であることが好ましい。ヘッドをロードした場合の面ぶれ量は一般に小さくなり、本発明の磁気ディスクカートリッジに適用される媒体では通常３０μｍ以下である。
【００２８】
回転に伴い最大変位が大きく変化したり、その位相が変化したりすることがないことが好ましい。最大変位や位相が変化すると、サーボによるトラッキングが取りにくくなる。
【００２９】
面ぶれの変位はディスク一周の中でいくつかの次数成分をもつことが多い。この場合、高次（３次以上）の面ぶれ成分が少ないことが好ましい。高次の面ぶれ量が大きいと、角度に対する変位の変化量が大きくなり、サーボによるトラッキングが取りにくくなる。
【００３０】
回転速度は３３Ｈｚ（２０００ｒｐｍ）以上、１３３Ｈｚ（８０００ｒｐｍ）以下が好ましい。３３Ｈｚ（２０００ｒｐｍ）より低いとディスクに作用する遠心力が小さいため、安定した回転状態が得られず面ぶれが大きくなりやすく好ましくない。１３３Ｈｚ（８０００ｒｐｍ）を越えると遠心力が大きくなりすぎ同様に回転が不安定になり面ぶれが大きくなりやすく、好ましくない。
【００３１】
本発明の磁気ディスクカートリッジに適用される媒体は、例えば６０℃に保存したときには寸法変化率が０．０５％以下であることが好ましい。この媒体は携帯用の記録システムに用いられる場合があるが、このような記録システムは屋外で使用されることが多く、温度、湿度の変化に対して安定であることが必要である。常温（２３℃）における寸法が、６０℃に一週間保存した前後で０．０５％以下、好ましくは０．０２％以下の変化であると、この媒体が使用される高い記録密度においても広い範囲の環境において、安定したトラッキングが得られることがわかった。
【００３２】
この媒体の情報記録領域は狭トラックで構成されているため、狭いトラック幅を正確に磁気ヘッドで走査し、信号の記録と再生を高Ｓ／Ｎ比で行うことが必要であり、トラッキングサーボ技術を用いて正確な走査を行っている。ディスクの１周のなかで所定の間隔でトラッキング用のサーボ信号やアドレス情報信号、再生クロック信号等が記録された、いわゆるプリフォーマットがなされている。磁気ヘッドはこのプリフォーマットの信号を読みとって自分の位置を修正することで正確にトラッキングすることが可能となっている。
【００３３】
そのプリフォーマットの方法として、特開昭６３−１８３６２３号公報や特開平１０−４０５４４号公報において、基体の表面に情報信号に対応する凹凸形状が形成され、凹凸形状の少なくとも凸部表面に強磁性薄膜が形成された磁気転写用マスター担体の表面を、ディスク状磁気記録媒体の表面に接触、あるいはさらに交流バイアス磁界、あるいは直流磁界を印加して凸部表面を構成する強磁性材料を励磁することによって、凹凸形状に対応する磁化パターンを磁気記録媒体に記録する方法が提案されている。
【００３４】
この方法では、磁気転写用マスター担体の凸部表面をプリフォーマットすべき磁気記録媒体、すなわちスレーブ媒体に密着させて同時に凸部を構成する強磁性材料を励磁することにより、スレーブ媒体に所定のフォーマットを形成する転写による方法であり、磁気転写用マスター担体とスレーブ媒体との相対的な位置を変化させることなく静的に記録を行うことができ、正確なプリフォーマット記録が可能であるという特徴を有している。しかも記録に要する時間も極めて短時間であるという特徴を有している。すなわち、従来の磁気ヘッドから記録する方法では、通常数分から数十分は必要であり、且つ記録容量に比例して転写に要する時間はさらに長くなるという問題があったが、この磁気転写法であると、記録容量や記録密度に関係なく１秒以下で転写を完了させることができるという特徴を有している。
【００３５】
面ぶれ量を具体的に達成するには次のような方法がある。
【００３６】
ディスクのカールは２ｍｍ以下にすると面ぶれ量が少なくなる。カールを小さくするにはディスク形状に打ちぬく前のロール状態での保管時間を制御することが有効である。ディスクの平面性を高めると面ぶれ量を小さくすることができるが、そのためには支持体や塗膜の厚み変動を１０％以下に抑えることが必要である。ディスクには微小な窪みや歪みを無くすることが必要である。微小な変形は高次の面ぶれを誘発し、サーボ追従が困難になる。本発明の磁気ディスクカートリッジにおける媒体の厚みは、２０μｍ以上、１００μｍ以下であり、回転速度により最適の厚みを選択する。２０μｍより薄いと特に高速回転領域でディスクの回転が不安定になり、面ぶれ量が大きくなる。１００μｍより厚いと、遠心力による回転状態の安定性が得にくく低速回転領域で面ぶれが大きくなる傾向がある。
【００３７】
六方晶フェライト微粉末に関する記載
最上層に含まれる六方晶フェライトとしてバリウムフェライト、ストロンチウムフェライト、鉛フェライト、カルシウムフェライトの各置換体、Ｃｏ置換体等がある。具体的にはマグネトプランバイト型のバリウムフェライト及びストロンチウムフェライト、スピネルで粒子表面を被覆したマグネトプランバイト型フェライト、更に一部スピネル相を含有したマグネトプランバイト型のバリウムフェライト及びストロンチウムフェライト等が挙げられ、その他所定の原子以外にＡｌ、Ｓｉ、Ｓ，Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｙ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｂａ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｒ、Ｂ、Ｇｅ、Ｎｂなどの原子を含んでもかまわない。一般にはＣｏ−Ｔｉ、Ｃｏ−Ｔｉ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｔｉ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｔｉ−Ｚｎ、Ｎｂ−Ｚｎ−Ｃｏ、ＳｂーＺｎ−Ｃｏ、Ｎｂ−Ｚｎ等の元素を添加した物を使用することができる。原料・製法によっては特有の不純物を含有するものもある。
【００３８】
粒子サイズは六角板径で１０〜３５ｎｍ、好ましくは１５〜２５ｎｍである。１０ｎｍ以下では熱揺らぎのため安定な磁化が望めない。３５ｎｍ以上ではノイズが高く、目的とする高密度磁気記録には向かない。板状比（板径／板厚）は２〜６。好ましくは２．５〜３．５である。板状比が小さいと磁性層中の充填性は高くなり好ましいが、十分な配向性が得られない。６より大きいと粒子間のスタッキングによりノイズが大きくなる。この粒子サイズ範囲のＢＥＴ法による比表面積は３０〜１００ｍ２／ｇを示す。比表面積は概ね粒子板径と板厚からの算術計算値と符合する。粒子板径・板厚の分布は通常狭いほど好ましい。数値化は困難であるが粒子ＴＥＭ写真より５００粒子を無作為に測定する事で比較できる。分布は正規分布ではない場合が多いが、計算して平均サイズに対する標準偏差で表すとσ／平均サイズ＝０．１〜２．０である。粒子サイズ分布をシャープにするには粒子生成反応系をできるだけ均一にすると共に、生成した粒子に分布改良処理を施すことも行なわれている。例えば酸溶液中で超微細粒子を選別的に溶解する方法等も知られている。磁性体で測定される抗磁力Ｈｃは１１９９６６〜３１８３０９Ａ／ｍ（１５００Ｏｅ〜４０００Ｏｅ）が好ましい。
【００３９】
Ｈｃは高い方が高密度記録に有利であるが、記録ヘッドの能力で制限される。Ｈｃは粒子サイズ（板径・板厚）、含有元素の種類と量、元素の置換サイト、粒子生成反応条件等により制御できる。飽和磁化σｓは５０．２×１０−６〜７５．４×１０−６Ｗｂ・ｍ／ｋｇ（４０〜６０ｅｍｕ／ｇ）である。σｓは高い方が好ましいが微粒子になるほど小さくなる傾向がある。磁性体を分散する際に磁性体粒子表面を分散媒、ポリマーに合った物質で処理することも行われている。表面処理材は無機化合物、有機化合物が使用される。主な化合物としてはＳｉ、Ａｌ、Ｐ、等の酸化物または水酸化物、各種シランカップリング剤、各種チタンカップリング剤が代表例である。量は磁性体に対して０．１〜１０％である。磁性体のＰＨも分散に重要である。通常４〜１２程度で分散媒、ポリマーにより最適値があるが、媒体の化学的安定性、保存性から６〜１０程度が選択される。磁性体に含まれる水分も分散に影響する。分散媒、ポリマーにより最適値があるが通常０．０１〜２．０％が選ばれる。
【００４０】
六方晶フェライトの製法としては、
１）酸化バリウム・酸化鉄・鉄を置換する金属酸化物とガラス形成物質として酸化ホウ素等を所望のフェライト組成になるように混合した後溶融し、急冷して非晶質体とし、次いで再加熱処理した後、洗浄・粉砕してバリウムフェライト結晶粉体を得るガラス結晶化法。
【００４１】
２）バリウムフェライト組成金属塩溶液をアルカリで中和し、副生成物を除去した後１００℃以上で液相加熱した後洗浄・乾燥・粉砕してバリウムフェライト結晶粉体を得る水熱反応法。
【００４２】
３）バリウムフェライト組成金属塩溶液をアルカリで中和し、副生成物を除去した後乾燥し１１００℃以下で処理し、粉砕してバリウムフェライト結晶粉体を得る共沈法等がある。
【００４３】
非磁性層に関する記載
次に下層塗布層を用いる場合、それに関する詳細な内容について説明する。この下層塗布層に用いられる無機粉末は、非磁性粉末であり、例えば、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物、等の無機質化合物から選択することができる。無機化合物としては例えばα化率９０％以上のα−アルミナ、β−アルミナ、γ−アルミナ、θ−アルミナ、炭化ケイ素、酸化クロム、酸化セリウム、α−酸化鉄、ゲータイト、コランダム、窒化珪素、チタンカ−バイト、酸化チタン、二酸化珪素、酸化スズ、酸化マグネシウム、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、窒化ホウ素、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、二硫化モリブデンなどが単独または組合せで使用される。特に好ましいのは、粒度分布の小ささ、機能付与の手段が多いこと等から、二酸化チタン、酸化亜鉛、酸化鉄、硫酸バリウムであり、更に好ましいのは二酸化チタン、α酸化鉄である。これら非磁性粉末の粒子サイズは０．００５〜２μｍが好ましいが、必要に応じて粒子サイズの異なる非磁性粉末を組み合わせたり、単独の非磁性粉末でも粒径分布を広くして同様の効果をもたせることもできる。とりわけ好ましいのは非磁性粉末の粒子サイズは０．０１μｍ〜０．２μｍである。特に、非磁性粉末が粒状金属酸化物である場合は、平均粒子径０．０８μｍ以下が好ましく、針状金属酸化物である場合は、長軸長が０．３μｍ以下が好ましい。タップ密度は０．０５〜２ｇ／ｍｌ、好ましくは０．２〜１．５ｇ／ｍｌである。非磁性粉末の含水率は０．１〜５重量％、好ましくは０．２〜３重量％、更に好ましくは０．３〜１．５重量％である。非磁性粉末のｐＨは２〜１１であるが、ｐＨは５．５〜１０の範囲が特に好ましい。非磁性粉末の比表面積は１〜１００ｍ２／ｇ、好ましくは５〜８０ｍ２／ｇ、更に好ましくは１０〜７０ｍ２／ｇである。非磁性粉末の結晶子サイズは０．００４μｍ〜１μｍが好ましく、０．０４μｍ〜０．１μｍが更に好ましい。ＤＢＰ（ジブチルフタレート）を用いた吸油量は５〜１００ｍｌ／１００ｇ、好ましくは１０〜８０ｍｌ／１００ｇ、更に好ましくは２０〜６０ｍｌ／１００ｇである。比重は１〜１２、好ましくは３〜６である。形状は針状、球状、多面体状、板状のいずれでも良い。モース硬度は４以上、１０以下のものが好ましい。非磁性粉末のＳＡ（ステアリン酸）吸着量は１〜２０μｍｏｌ／ｍ２、好ましくは２〜１５μｍｏｌ／ｍ２、さらに好ましくは３〜８μｍｏｌ／ｍ２である。ｐＨは３〜６の間にあることが好ましい。
【００４４】
これらの非磁性粉末の表面にはＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２、Ｓｂ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ｙ２Ｏ３で表面処理することが好ましい。特に分散性に好ましいのはＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２であるが、更に好ましいのはＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２である。これらは組み合わせて使用しても良いし、単独で用いることもできる。また、目的に応じて共沈させた表面処理層を用いても良いし、先ずアルミナで処理した後にその表層をシリカで処理する方法、またはその逆の方法を採ることもできる。また、表面処理層は目的に応じて多孔質層にしても構わないが、均質で密である方が一般には好ましい。これらの表面処理量は、用いる結合剤、分散条件などにより最適化すべきことは言うまでもない。
【００４５】
下層塗布層に用いられる非磁性粉末の具体的な例としては、昭和電工製のナノタイト、住友化学製のＨＩＴ−１００，ＺＡ−Ｇ１、戸田工業社製のαヘマタイトＤＰＮ−２５０，ＤＰＮ−２５０ＢＸ，ＤＰＮ−２４５，ＤＰＮ−２７０ＢＸ，ＤＢＮ−ＳＡ１，ＤＢＮ−ＳＡ３、石原産業製の酸化チタンＴＴＯ−５１Ｂ，ＴＴＯ−５５Ａ，ＴＴＯ−５５Ｂ，ＴＴＯ−５５Ｃ，ＴＴＯ−５５Ｓ，ＴＴＯ−５５Ｄ，ＳＮ−１００、αヘマタイトＥ２７０，Ｅ２７１，Ｅ３００，Ｅ３０３、チタン工業製の酸化チタンＳＴＴ−４Ｄ，ＳＴＴ−３０Ｄ，ＳＴＴ−３０，ＳＴＴ−６５Ｃ、αヘマタイトα−４０、テイカ製ＭＴ−１００Ｓ，ＭＴ−１００Ｔ，ＭＴ−１５０Ｗ，ＭＴ−５００Ｂ，ＭＴ−６００Ｂ，ＭＴ−１００Ｆ，ＭＴ−５００ＨＤ、堺化学製のＦＩＮＥＸ−２５，ＢＦ−１，ＢＦ−１０，ＢＦ−２０，ＳＴ−Ｍ、同和鉱業製のＤＥＦＩＣ−Ｙ，ＤＥＦＩＣ−Ｒ、日本アエロジル製のＡＳ２ＢＭ，ＴｉＯ２Ｐ２５、宇部興産製の１００Ａ，５００Ａ、及びそれを焼成したものが挙げられる。特に好ましい非磁性粉末は二酸化チタンとα−酸化鉄である。
【００４６】
下層塗布層にカ−ボンブラックを混合させて公知の効果である表面電気抵抗Ｒｓを下げること、光透過率を小さくすることができるとともに、所望のマイクロビッカース硬度を得る事ができる。また、下層にカーボンブラックを含ませることで潤滑剤貯蔵の効果をもたらすことも可能である。カーボンブラックの種類はゴム用ファ−ネス、ゴム用サ−マル、カラ−用ブラック、アセチレンブラック、等を用いることができる。下層のカーボンブラックは所望する効果によって、以下のような特性を最適化すべきであり、併用することでより効果が得られることがある。
【００４７】
下層のカ−ボンブラックの比表面積は１００〜５００ｍ２／ｇ、好ましくは１５０〜４００ｍ２／ｇ、ＤＢＰ吸油量は２０〜４００ｍｌ／１００ｇ、好ましくは３０〜２００ｍｌ／１００ｇである。カ−ボンブラックの粒子径は５ｍμ〜８０ｍμ、好ましく１０〜５０ｍμ、さらに好ましくは１０〜４０ｍμである。カ−ボンブラックのｐＨは２〜１０、含水率は０．１〜１０％、タップ密度は０．１〜１ｇ／ｍｌが好ましい。カ−ボンブラックの具体的な例としてはキャボット社製のＢＬＡＣＫＰＥＡＲＬＳ  ２０００，１３００，１０００，９００，８００，８８０，７００、ＶＵＬＣＡＮ  ＸＣ−７２、三菱化成工業社製の＃３０５０Ｂ，＃３１５０Ｂ，＃３２５０Ｂ，＃３７５０Ｂ，＃３９５０Ｂ，＃９５０，＃６５０Ｂ，＃９７０Ｂ，＃８５０Ｂ，ＭＡ−６００，ＭＡ−２３０，＃４０００，＃４０１０、コンロンビアカ−ボン社製のＣＯＮＤＵＣＴＥＸ  ＳＣ、ＲＡＶＥＮ  ８８００，８０００，７０００，５７５０，５２５０，３５００，２１００，２０００，１８００，１５００，１２５５，１２５０、アクゾー社製のケッチェンブラックＥＣなどがあげられる。カ−ボンブラックを分散剤などで表面処理したり、樹脂でグラフト化して使用しても、表面の一部をグラファイト化したものを使用してもかまわない。また、カ−ボンブラックを塗料に添加する前にあらかじめ結合剤で分散してもかまわない。これらのカーボンブラックは上記無機質粉末に対して５０重量％を越えない範囲、非磁性層総重量の４０％を越えない範囲で使用できる。これらのカ−ボンブラックは単独、または組合せで使用することができる。本発明で使用できるカ−ボンブラックは例えば「カ−ボンブラック便覧」（カ−ボンブラック協会編）を参考にすることができる。
【００４８】
また下層塗布層には有機質粉末を目的に応じて、添加することもできる。例えば、アクリルスチレン系樹脂粉末、ベンゾグアナミン樹脂粉末、メラミン系樹脂粉末、フタロシアニン系顔料が挙げられるが、ポリオレフィン系樹脂粉末、ポリエステル系樹脂粉末、ポリアミド系樹脂粉末、ポリイミド系樹脂粉末、ポリフッ化エチレン樹脂も使用することができる。その製法は特開昭６２−１８５６４号、特開昭６０−２５５８２７号に記載されているようなものが使用できる。
【００４９】
下層塗布層の結合剤樹脂、潤滑剤、分散剤、添加剤、溶剤、分散方法その他は以下に記載する磁性層のそれが適用できる。特に、結合剤樹脂量、種類、添加剤、分散剤の添加量、種類に関しては磁性層に関する公知技術が適用できる。
【００５０】
結合剤に関する記載
磁性層と非磁性層のバインダー、潤滑剤、分散剤、添加剤、溶剤、分散方法その他は磁性層のそれが適用できる。特に、バインダー量、種類、添加剤、分散剤の添加量、種類に関しては磁性層に関する公知技術が適用できる。
【００５１】
ここで使用される結合剤としては、従来公知の熱可塑系樹脂、熱硬化系樹脂、反応型樹脂やこれらの混合物が使用される。熱可塑系樹脂としては、ガラス転移温度が−１００〜１５０℃、数平均分子量が１０００〜２０００００、好ましくは１００００〜１０００００、重合度が約５０〜１０００程度のものである。
【００５２】
このような例としては、塩化ビニル、酢酸ビニル、ビニルアルコ−ル、マレイン酸、アクルリ酸、アクリル酸エステル、塩化ビニリデン、アクリロニトリル、メタクリル酸、メタクリル酸エステル、スチレン、ブタジエン、エチレン、ビニルブチラ−ル、ビニルアセタ−ル、ビニルエ−テル、等を構成単位として含む重合体または共重合体、ポリウレタン樹脂、各種ゴム系樹脂がある。また、熱硬化性樹脂または反応型樹脂としてはフェノ−ル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル系反応樹脂、ホルムアルデヒド樹脂、シリコ−ン樹脂、エポキシ−ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂とイソシアネ−トプレポリマ−の混合物、ポリエステルポリオ−ルとポリイソシアネ−トの混合物、ポリウレタンとポリイソシアネートの混合物等が挙げられる。これらの樹脂については朝倉書店発行の「プラスチックハンドブック」に詳細に記載されている。また、公知の電子線硬化型樹脂を各層に使用することも可能である。これらの例とその製造方法については特開昭６２−２５６２１９に詳細に記載されている。以上の樹脂は単独または組合せて使用できるが、好ましいものとして塩化ビニル樹脂、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル酢酸ビニルビニルアルコ−ル共重合体、塩化ビニル酢酸ビニル無水マレイン酸共重合体、から選ばれる少なくとも１種とポリウレタン樹脂の組合せ、またはこれらにポリイソシアネ−トを組み合わせたものが挙げられる。
【００５３】
ポリウレタン樹脂の構造はポリエステルポリウレタン、ポリエ−テルポリウレタン、ポリエ−テルポリエステルポリウレタン、ポリカ−ボネ−トポリウレタン、ポリエステルポリカ−ボネ−トポリウレタン、ポリカプロラクトンポリウレタンなど公知のものが使用できる。ここに示したすべての結合剤について、より優れた分散性と耐久性を得るためには必要に応じ、ＣＯＯＭ，ＳＯ３Ｍ、ＯＳＯ３Ｍ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）２、Ｏ−Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）２、（以上につきＭは水素原子、またはアルカリ金属塩基）、ＯＨ、ＮＲ２、Ｎ＋Ｒ３（Ｒは炭化水素基）エポキシ基、ＳＨ、ＣＮ、などから選ばれる少なくともひとつ以上の極性基を共重合または付加反応で導入したものをもちいることが好ましい。このような極性基の量は１０−１〜１０−８  モル／ｇであり、好ましくは１０−２〜１０−６モル／ｇである。
【００５４】
これらの結合剤の具体的な例としては、ユニオンカ−バイト社製のＶＡＧＨ、ＶＹＨＨ、ＶＭＣＨ、ＶＡＧＦ、ＶＡＧＤ，ＶＲＯＨ，ＶＹＥＳ，ＶＹＮＣ，ＶＭＣＣ，ＸＹＨＬ，ＸＹＳＧ，ＰＫＨＨ，ＰＫＨＪ，ＰＫＨＣ，ＰＫＦＥ，日信化学工業社製のＭＰＲ−ＴＡ、ＭＰＲ−ＴＡ５，ＭＰＲ−ＴＡＬ，ＭＰＲ−ＴＳＮ，ＭＰＲ−ＴＭＦ，ＭＰＲ−ＴＳ、ＭＰＲ−ＴＭ、ＭＰＲ−ＴＡＯ、電気化学社製の１０００Ｗ、ＤＸ８０，ＤＸ８１，ＤＸ８２，ＤＸ８３、１００ＦＤ、日本ゼオン社製のＭＲ−１０４、ＭＲ−１０５、ＭＲ１１０、ＭＲ１００、ＭＲ５５５、４００Ｘ−１１０Ａ、日本ポリウレタン社製のニッポランＮ２３０１、Ｎ２３０２、Ｎ２３０４、大日本インキ社製パンデックスＴ−５１０５、Ｔ−Ｒ３０８０、Ｔ−５２０１、バ−ノックＤ−４００、Ｄ−２１０−８０、クリスボン６１０９，７２０９，東洋紡社製バイロンのＵＲ８２００，ＵＲ８３００、ＵＲ−８７００、ＲＶ５３０，ＲＶ２８０、大日精化社製のダイフェラミン４０２０，５０２０，５１００，５３００，９０２０，９０２２、７０２０，三菱化成社製のＭＸ５００４，三洋化成社製サンプレンのＳＰ−１５０、旭化成社製のサランＦ３１０，Ｆ２１０などが挙げられる。
【００５５】
非磁性層、磁性層  に用いられる結合剤は、非磁性粉体または磁性体に対し、５〜５０％の範囲、好ましくは１０〜３０％の範囲で用いられる。塩化ビニル系樹脂を用いる場合は５〜３０％、ポリウレタン樹脂合を用いる場合は２〜２０％、ポリイソシアネ−トは２〜２０％の範囲でこれらを組み合わせて用いることが好ましいが、例えば、微量の脱塩素によりヘッド腐食が起こる場合は、ポリウレタンのみまたはポリウレタンとイソシアネートのみを使用することも可能である。本発明において、ポリウレタンを用いる場合はガラス転移温度が−５０〜１５０℃、好ましくは０℃〜１００℃、破断伸びが１００〜２０００％、破断応力は４．９×１０５〜９．８×１０７Ｐａ（０．０５〜１０Ｋｇ／ｍｍ２）、降伏点は４．９×１０５〜９．８×１０７Ｐａ（０．０５〜１０Ｋｇ／ｍｍ２）が好ましい。
【００５６】
磁気記録媒体は二層以上からなる。従って、結合剤量、結合剤中に占める塩化ビニル系樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイソシアネ−ト、あるいはそれ以外の樹脂の量、磁性層を形成する各樹脂の分子量、極性基量、あるいは先に述べた樹脂の物理特性などを必要に応じ非磁性層、各磁性層とで変えることはもちろん可能であり、むしろ各層で最適化すべきであり、多層磁性層に関する公知技術を適用できる。例えば、各層でバインダー量を変更する場合、磁性層表面の擦傷を減らすためには磁性層のバインダー量を増量することが有効であり、ヘッドに対するヘッドタッチを良好にするためには、非磁性層のバインダー量を多くして柔軟性を持たせることができる。
【００５７】
ポリイソシアネ−トとしては、トリレンジイソシアネ−ト、４−４’−ジフェニルメタンジイソシアネ−ト、ヘキサメチレンジイソシアネ−ト、キシリレンジイソシアネ−ト、ナフチレン−１，５−ジイソシアネ−ト、ｏ−トルイジンジイソシアネ−ト、イソホロンジイソシアネ−ト、トリフェニルメタントリイソシアネ−ト等のイソシアネ−ト類、また、これらのイソシアネ−ト類とポリアルコールとの生成物、また、イソシアネート類の縮合によって生成したポリイソシアネ−ト等を使用することができる。これらのイソシアネート類の市販されている商品名としては、日本ポリウレタン社製のコロネートＬ、コロネ−トＨＬ，コロネ−ト２０３０、コロネ−ト２０３１、ミリオネ−トＭＲミリオネ−トＭＴＬ、武田薬品社製のタケネ−トＤ−１０２，タケネ−トＤ−１１０Ｎ、タケネ−トＤ−２００、タケネ−トＤ−２０２、住友バイエル社製のデスモジュ−ルＬ，デスモジュ−ルＩＬ、デスモジュ−ルＮデスモジュ−ルＨＬ，等がありこれらを単独または硬化反応性の差を利用して二つもしくはそれ以上の組合せで各層とももちいることができる。
【００５８】
カーボンブラック、研磨剤に関する記載
上記磁性層に使用されるカ−ボンブラックはゴム用ファ−ネス、ゴム用サ−マル、カラ−用ブラック、アセチレンブラック、等を用いることができる。比表面積は５〜５００ｍ２／ｇ、ＤＢＰ吸油量は１０〜４００ｍｌ／１００ｇ、粒子径は５ｍμ〜３００ｍμ、ＰＨは２〜１０、含水率は０．１〜１０％、タップ密度は０．１〜１ｇ／ｃｃ、が好ましい。カ−ボンブラックの具体的な例としてはキャボット社製のＢＬＡＣＫＰＥＡＲＬＳ  ２０００、１３００、１０００、９００、９０５、８００，７００、ＶＵＬＣＡＮ  ＸＣ−７２、旭カ−ボン社製の＃８０、＃６０，＃５５、＃５０、＃３５、三菱化成工業社製の＃２４００Ｂ、＃２３００、＃９００，＃１０００＃３０，＃４０、＃１０Ｂ、コロンビアンカ−ボン社製のＣＯＮＤＵＣＴＥＸ  ＳＣ、ＲＡＶＥＮ  １５０、５０，４０，１５、ＲＡＶＥＮ−ＭＴ−Ｐ、日本ＥＣ社製のケッチェンブラックＥＣ、などがあげられる。カ−ボンブラックを分散剤などで表面処理したり、樹脂でグラフト化して使用しても、表面の一部をグラファイト化したものを使用してもかまわない。また、カ−ボンブラックを磁性塗料に添加する前にあらかじめ結合剤で分散してもかまわない。これらのカ−ボンブラックは単独、または組合せで使用することができる。カ−ボンブラックを使用する場合は磁性体に対する量の０．１〜３０％でもちいることが好ましい。カ−ボンブラックは磁性層の帯電防止、摩擦係数低減、遮光性付与、膜強度向上などの働きがあり、これらは用いるカ−ボンブラックにより異なる。従ってこれらのカ−ボンブラックは上層磁性層、下層非磁性層でその種類、量、組合せを変え、粒子サイズ、吸油量、電導度、ＰＨなどの先に示した諸特性をもとに目的に応じて使い分けることはもちろん可能であり、むしろ各層で最適化すべきものである。上記磁性層で使用できるカ−ボンブラックは例えば「カ−ボンブラック便覧」カ−ボンブラック協会編  を参考にすることができる。
【００５９】
研磨剤としてはα化率９０％以上のα−アルミナ、β−アルミナ、炭化ケイ素、酸化クロム、酸化セリウム、α−酸化鉄、コランダム、人造ダイアモンド、窒化珪素、炭化珪素チタンカ−バイト、酸化チタン、二酸化珪素、窒化ホウ素、など主としてモ−ス硬度６以上の公知の材料が単独または組合せで使用される。また、これらの研磨剤どうしの複合体（研磨剤を他の研磨剤で表面処理したもの）を使用してもよい。これらの研磨剤には主成分以外の化合物または元素が含まれる場合もあるが主成分が９０％以上であれば効果にかわりはない。これら研磨剤の粒子サイズは０．０１〜２μが好ましく、特に電磁変換特性を高めるためには、その粒度分布が狭い方が好ましい。また耐久性を向上させるには必要に応じて粒子サイズの異なる研磨剤を組み合わせたり、単独の研磨剤でも粒径分布を広くして同様の効果をもたせることも可能である。タップ密度は０．３〜２ｇ／ｃｃ、含水率は０．１〜５％、ＰＨは２〜１１、比表面積は１〜３０ｍ２／ｇ、が好ましい。本発明に用いられる研磨剤の形状は針状、球状、サイコロ状、のいずれでも良いが、形状の一部に角を有するものが研磨性が高く好ましい。具体的には住友化学社製のＡＫＰ−１２、ＡＫＰ−１５、ＡＫＰ−２０、ＡＫＰ−３０、ＡＫＰ−５０、ＨＩＴ２０、ＨＩＴ−３０、ＨＩＴ−５５、ＨＩＴ６０、ＨＩＴ７０、ＨＩＴ８０、ＨＩＴ１００、レイノルズ社製のＥＲＣ−ＤＢＭ、ＨＰ−ＤＢＭ、ＨＰＳ−ＤＢＭ、不二見研磨剤社製のＷＡ１００００、上村工業社製のＵＢ２０、日本化学工業社製のＧ−５、クロメックスＵ２、クロメックスＵ１、戸田工業社製のＴＦ１００、ＴＦ１４０、イビデン社製のベータランダムウルトラファイン、昭和鉱業社製のＢ−３などが挙げられる。これらの研磨剤は必要に応じ非磁性層に添加することもできる。非磁性層に添加することで表面形状を制御したり、研磨剤の突出状態を制御したりすることができる。これら磁性層、非磁性層の添加する研磨剤の粒径、量はむろん最適値に設定すべきものである。
【００６０】
添加剤に関する説明
磁性層と非磁性層に使用される、添加剤としては潤滑効果、帯電防止効果、分散効果、可塑効果、などをもつものが使用される。二硫化モリブデン、二硫化タングステングラファイト、窒化ホウ素、フッ化黒鉛、シリコ−ンオイル、極性基をもつシリコ−ン、脂肪酸変性シリコ−ン、フッ素含有シリコ−ン、フッ素含有アルコ−ル、フッ素含有エステル、ポリオレフィン、ポリグリコ−ル、アルキル燐酸エステルおよびそのアルカリ金属塩、アルキル硫酸エステルおよびそのアルカリ金属塩、ポリフェニルエ−テル、フェニルホスホン酸、アミノキノン類、各種シランカップリング剤、チタンカップリング剤、フッ素含有アルキル硫酸エステルおよびそのアルカリ金属塩、炭素数１０〜２４の一塩基性脂肪酸（不飽和結合を含んでも、また分岐していてもかまわない）、および、これらの金属塩（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｕなど）または、炭素数１２〜２２の一価、二価、三価、四価、五価、六価アルコ−ル、（不飽和結合を含んでも、また分岐していてもかまわない）、炭素数１２〜２２のアルコキシアルコ−ル、炭素数１０〜２４の一塩基性脂肪酸（不飽和結合を含んでも、また分岐していてもかまわない）と炭素数２〜１２の一価、二価、三価、四価、五価、六価アルコ−ルのいずれか一つ（不飽和結合を含んでも、また分岐していてもかまわない）とからなるモノ脂肪酸エステルまたはジ脂肪酸エステルまたはトリ脂肪酸エステル、アルキレンオキシド重合物のモノアルキルエ−テルの脂肪酸エステル、炭素数８〜２２の脂肪酸アミド、炭素数８〜２２の脂肪族アミン、などが使用できる。
【００６１】
これらの具体例としては脂肪酸では、カプリン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、エライジン酸、リノール酸、リノレン酸、イソステアリン酸、などが挙げられる。エステル類ではブチルステアレート、オクチルステアレート、アミルステアレート、イソオクチルステアレート、ブチルミリステート、オクチルミリステート、ブトキシエチルステアレート、ブトキシジエチルステアレート、２ーエチルヘキシルステアレート、２ーオクチルドデシルパルミテート、２ーヘキシルドデシルパルミテート、イソヘキサデシルステアレート、オレイルオレエート、ドデシルステアレート、トリデシルステアレート、エルカ酸オレイル、ネオペンチルグリコールジデカノエート、アルコール類ではオレイルアルコ−ル、ステアリルアルコール、ラウリルアルコ−ル、などがあげられる。また、アルキレンオキサイド系、グリセリン系、グリシド−ル系、アルキルフェノ−ルエチレンオキサイド付加体、等のノニオン界面活性剤、環状アミン、エステルアミド、第四級アンモニウム塩類、ヒダントイン誘導体、複素環類、ホスホニウムまたはスルホニウム類、等のカチオン系界面活性剤、カルボン酸、スルフォン酸、燐酸、硫酸エステル基、燐酸エステル基、などの酸性基を含むアニオン界面活性剤、アミノ酸類、アミノスルホン酸類、アミノアルコ−ルの硫酸または燐酸エステル類、アルキルベダイン型、等の両性界面活性剤等も使用できる。これらの界面活性剤については、「界面活性剤便覧」（産業図書株式会社発行）に詳細に記載されている。これらの潤滑剤、帯電防止剤等は必ずしも１００％純粋ではなく、主成分以外に異性体、未反応物、副反応物、分解物、酸化物等の不純分が含まれてもかまわない。これらの不純分は３０％以下が好ましく、さらに好ましくは１０％以下である。
【００６２】
これらの潤滑剤、界面活性剤は個々に異なる物理的作用を有するものであり、その種類、量、および相乗的効果を生み出す潤滑剤の併用比率は目的に応じ最適に定められるべきものである。非磁性層、磁性層で融点の異なる脂肪酸を用い表面へのにじみ出しを制御する、沸点、融点や極性の異なるエステル類を用い表面へのにじみ出しを制御する、界面活性剤量を調節することで塗布の安定性を向上させる、潤滑剤の添加量を中間層で多くして潤滑効果を向上させるなど考えられ、無論ここに示した例のみに限られるものではない。一般には潤滑剤の総量として磁性体または非磁性粉体に対し、０．１％〜５０％、好ましくは２％〜２５％の範囲で選択される。
【００６３】
また、ここで用いられる添加剤のすべてまたはその一部は、磁性および非磁性塗料製造のどの工程で添加してもかまわない。例えば、混練工程前に磁性体と混合する場合、磁性体と結合剤と溶剤による混練工程で添加する場合、分散工程で添加する場合、分散後に添加する場合、塗布直前に添加する場合などがある。また、目的に応じて磁性層を塗布した後、同時または逐次塗布で、添加剤の一部または全部を塗布することにより目的が達成される場合がある。また、目的によってはカレンダ−した後、またはスリット終了後、磁性層表面に潤滑剤を塗布することもできる。
【００６４】
有機溶媒は公知のものが使用でき、例えば特開昭６−６８４５３に記載の溶剤を用いることができる。
【００６５】
層構成と形状に関する記載
非磁性可撓性支持体と非磁性層また磁性層の間に密着性向上のための下塗り層を設けてもかまわない。本下塗層厚みは０．０１〜２μｍ、好ましくは０．０２〜０．５μｍである。本願は通常支持体両面に非磁性層と磁性層を設けてなる両面磁性層ディスク状媒体であるが、片面のみに設けてもかまわない。この場合、帯電防止やカール補正などの効果を出すために非磁性層、磁性層側と反対側にバックコ−ト層を設けてもかまわない。この厚みは０．１〜４μｍ、好ましくは０．３〜２．０μｍである。これらの下塗層、バックコ−ト層は公知のものが使用できる。
【００６６】
媒体の磁性層の厚みは用いるヘッドの仕様、記録信号の帯域により最適化されるものであるが、一般には０．０１μｍ以上１．０μｍ以下であり、好ましくは０．０３μｍ以上０．２μｍ以下である。磁性層を異なる磁気特性を有する２層以上に分離してもかまわず、公知の重層磁性層に関する構成が適用できる。
【００６７】
媒体の下地層である非磁性層の厚みは０．２μｍ以上５．０μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以上３．０μｍ以下、さらに好ましくは１．０μｍ以上２．５μｍ以下である。なお、この媒体の下地層は実質的に非磁性層であればその効果を発揮するものであり、例えば不純物としてあるいは意図的に少量の磁性体を含んでも効果を示すものであり、実質的に同一の構成と見なすことができることは言うまでもない。実質的に非磁性層とは下地層の残留磁束密度が１００００μＴ（１００Ｇ）以下または抗磁力が７９００Ａ／ｍ（１００Ｏｅ）以下であることを示し、好ましくは残留磁束密度と抗磁力をもたないことを示す。
【００６８】
支持体に関する記載
ここで用いられる非磁性支持体は、公知の材料を用いることができるが、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、アラミド、ポリカーボネートフィルムが好ましい。厚みはディスク径とディスクの回転速度により最適化されるが、前述のとおり通常は２０μｍ以上、１００μｍ以下である。
【００６９】
必要に応じ磁性面とベ−ス面の表面粗さをるため積層タイプの支持体を用いることもできる。これらの支持体にはあらかじめコロナ放電処理、プラズマ処理、易接着処理、熱処理、除塵処理、などをおこなっても良い。
【００７０】
非磁性支持体としては、光干渉式表面粗さ計（ＷＹＫＯ社製ＴＯＰＯ−３Ｄ）で測定した中心面平均表面粗さＲａは１０ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ以下がさらに好ましい。これらの非磁性支持体は単に中心面平均表面粗さが小さいだけではなく、２００ｎｍ以上の粗大突起がないことが好ましい。また表面の粗さ形状は必要に応じて支持体に添加されるフィラ−の大きさと量により自由にコントロ−ルされるものである。これらのフィラ−としては一例としてはＣａ，Ｓｉ、Ｔｉなどの酸化物や炭酸塩の他、アクリル系などの有機微粉末があげられる。支持体の最大高さＲｍａｘは１μｍ以下、十点平均粗さＲｚは２００ｎｍ以下、中心面山高さはＲｐは２００ｎｍ以下、中心面谷深さＲｖは２００ｎｍ以下、平均波長λａは５μｍ以上、３００μｍ以下が好ましい。所望の電磁変換特性と耐久性を得るため、これら支持体の表面突起分布をフィラーにより任意にコントロールできるものであり、０．０１μｍから１μｍの大きさのもの各々を０．１ｍｍ２あたり０個から２０００個の範囲でコントロ−ルすることができる。
【００７１】
非磁性支持体の１０５℃３０分での熱収縮率は好ましくは０．５％以下であるが、さらに好ましくは０．３％以下、８０℃３０分での熱収縮率は好ましくは０．３％以下、さらに好ましくは０．２％以下、６０℃１週間での熱収縮率は好ましくは０．０５％以下、さらに好ましくは０．０２％以下である。温度膨張係数は１０−４〜１０−８／℃であり、好ましくは１０−５〜１０−６／℃である。湿度膨張係数は１０−４／ＲＨ％以下であり、好ましくは１０−５／ＲＨ％以下である。これらの熱特性、寸法特性、機械強度特性は支持体の面内各方向に対し１０％以内の差で略等しいことが好ましい。
【００７２】
製法に関する記載
磁気記録媒体の磁性塗料を製造する工程は、少なくとも混練工程、分散工程、およびこれらの工程の前後に必要に応じて設けた混合工程からなる。個々の工程はそれぞれ２段階以上にわかれていてもかまわない。磁性体、非磁性粉体、結合剤、カ−ボンブラック、研磨剤、帯電防止剤、潤滑剤、溶剤などすべての原料はどの工程の最初または途中で添加してもかまわない。また、個々の原料を２つ以上の工程で分割して添加してもかまわない。例えば、ポリウレタンを混練工程、分散工程、分散後の粘度調整のための混合工程で分割して投入してもよい。目的を達成するためには、従来の公知の製造技術を一部の工程として用いることができる。混練工程ではオープンニーダ、連続ニ−ダ、加圧ニ−ダ、エクストルーダなど強い混練力をもつものを使用することが好ましい。ニ−ダを用いる場合は磁性体または非磁性粉体と結合剤のすべてまたはその一部（ただし全結合剤の３０％以上が好ましい）および磁性体１００部に対し１５〜５００部の範囲で混練処理される。これらの混練処理の詳細については特開平１−１０６３３８、特開平１−７９２７４に記載されている。また、磁性層液および非磁性層液を分散させるにはガラスビーズを用ることができるが、六方晶フェライトの分散には高比重の分散メディアであるジルコニアビーズ、チタニアビーズ、スチールビーズが好適である。これら分散メディアの粒径と充填率は最適化して用いられる。分散機は公知のものを使用することができる。
【００７３】
重層構成の磁気記録媒体を塗布する場合、以下のような方式を用いることが好ましい。第一に磁性塗料の塗布で一般的に用いられるグラビア塗布、ロール塗布、ブレード塗布、エクストルージョン塗布装置等により、まず下層を塗布し、下層がウェット状態のうちに特公平１−４６１８６号や特開昭６０−２３８１７９号，特開平２−２６５６７２号に開示されている支持体加圧型エクストルージョン塗布装置により上層を塗布する方法。第二に特開昭６３−８８０８０、特開平２−１７９７１号，特開平２−２６５６７２号に開示されているような塗布液通液スリットを二つ内蔵する一つの塗布ヘッドにより上下層をほぼ同時に塗布する方法。第三に特開平２−１７４９６５に開示されているバックアップロール付きエクストルージョン塗布装置により上下層をほぼ同時に塗布する方法である。なお、磁性粒子の凝集による磁気記録媒体の電磁変換特性等の低下を防止するため、特開昭６２−９５１７４号や特開平１−２３６９６８号に開示されているような方法により塗布ヘッド内部の塗布液にせん断を付与することが望ましい。さらに、塗布液の粘度については、特開平３−８４７１号に開示されている数値範囲を満足する必要がある。この構成を実現するには下層を塗布し乾燥させたのち、その上に磁性層を設ける逐次重層塗布を用いてもむろんかまわない。
【００７４】
デイスクの場合、配向装置を用いず無配向でも十分に等方的な配向性が得られることもあるが、コバルト磁石を斜めに交互に配置すること、ソレノイドで交流磁場を印加するなど公知のランダム配向装置を用いることが好ましい。六方晶フェライトの場合は一般的に面内および垂直方向の３次元ランダムになりやすいが、面内２次元ランダムとすることも可能である。また異極対向磁石など公知の方法を用い、垂直配向とすることで円周方向に等方的な磁気特性を付与することもできる。特に高密度記録を行う場合は垂直配向が好ましい。またスピンコ−トを用い、円周配向しても良い。
【００７５】
乾燥風の温度、風量、塗布速度を制御することで塗膜の乾燥位置を制御できる様にすることが好ましく、塗布速度は２０ｍ／分〜１０００ｍ／分、乾燥風の温度は６０℃以上が好ましい、また磁石ゾ−ンに入る前に適度の予備乾燥を行なうこともできる。
【００７６】
カレンダ処理ロ−ルとしてエポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド等の耐熱性のあるプラスチックロ−ルまたは金属ロ−ルで処理するが、特に両面磁性層とする場合は金属ロ−ル同志で処理することが好ましい。処理温度は、好ましくは５０℃以上、さらに好ましくは１００℃以上である。線圧力は好ましくは２００ｋｇ／ｃｍ以上、さらに好ましくは３００ｋｇ／ｃｍ以上である。
【００７７】
物理特性に関する記載
上述した磁気記録媒体の磁性層の飽和磁束密度は８００００μＴ（８００Ｇ）以上３０００００μＴ（３０００Ｇ）以下である。抗磁力ＨｃおよびＨｒは１１８５００Ａ／ｍ（１５００Ｏｅ）以上、３１６０００Ａ／ｍ（４０００Ｏｅ）以下であるが、好ましくは１５８０００Ａ／ｍ（２０００Ｏｅ）以上、２３７０００Ａ／ｍ（３０００Ｏｅ）以下である。抗磁力の分布は狭い方が好ましく、ＳＦＤおよびＳＦＤｒは０．６以下が好ましい。角形比はランダム配向の場合は０．４５以上、０．６５以下が好ましく、垂直配向の場合は垂直方向に０．６以上好ましくは０．７以上、反磁界補正を行った場合は０．７以上好ましくは０．８以上である。いずれの場合も配向度比は０．８以上が好ましい。
【００７８】
磁気記録媒体のヘッドに対する摩擦係数は温度−１０℃から４０℃、湿度０％から９５％の範囲において０．５以下、好ましくは０．３以下、表面固有抵抗は好ましくは磁性面１０４〜１０１２オ−ム／ｓｑ、帯電位は−５００Ｖから＋５００Ｖ以内が好ましい。磁性層の０．５％伸びでの弾性率は面内各方向で好ましくは９．８×１０８〜４．９×１０１０Ｐａ（１００〜２０００ｋｇ／ｍｍ２）、破断強度は好ましくは９．８×１０７〜６８．６×１０７Ｐａ（１０〜７０ｋｇ／ｍｍ２）、磁気記録媒体の弾性率は面内各方向で好ましくは９．８×１０８〜１４．７×１０９Ｐａ（１００〜１５００ｋｇ／ｍｍ２）、残留のびは好ましくは０．５％以下、１００℃以下のあらゆる温度での熱収縮率は好ましくは１％以下、さらに好ましくは０．５％以下、もっとも好ましくは０．１％以下である。磁性層のガラス転移温度（１１０Ｈｚで測定した動的粘弾性測定の損失弾性率の極大点）は５０℃以上１２０℃以下が好ましく、下層非磁性層のそれは０℃〜１００℃が好ましい。損失弾性率は１×１０９〜８×１０１０μＮ／ｃｍ２（１×１０８〜８×１０９ｄｙｎｅ／ｃｍ２）の範囲にあることが好ましく、損失正接は０．２以下であることが好ましい。損失正接が大きすぎると粘着故障が発生しやすい。これらの熱特性や機械特性は媒体の面内各方向で１０％以内でほぼ等しいことが好ましい。磁性層中に含まれる残留溶媒は好ましくは１００ｍｇ／ｍ２以下、さらに好ましくは１０ｍｇ／ｍ２以下である。塗布層が有する空隙率は非磁性下層、磁性層とも好ましくは３０容量％以下、さらに好ましくは２０容量％以下である。空隙率は高出力を果たすためには小さい方が好ましいが、目的によってはある値を確保した方が良い場合がある。例えば、繰り返し用途が重視されるディスク媒体では空隙率が大きい方が走行耐久性は好ましいことが多い。
【００７９】
磁性層の光干渉式表面粗さ計（ＷＹＫＯ社製ＴＯＰＯ−３Ｄ）で測定した中心面平均表面粗さＲａは５ｎｍ以下であるが、好ましくは３ｎｍ以下、さらに好ましくは２ｎｍ以下である。磁性層の最大高さＲｍａｘは２００ｎｍ以下、十点平均粗さＲｚは８０ｎｍ以下、中心面山高さＲｐは８０ｎｍ以下、中心面谷深さＲｖは８０ｎｍ以下、平均波長λａは５μｍ以上、３００μｍ以下が好ましい。磁性層の表面突起は０．０１μｍから１μｍの大きさのものを０個から２０００個の範囲で任意に設定し、摩擦係数を最適化することが好ましい。これらは支持体のフィラ−による表面性のコントロ−ルや磁性層に添加する粉体の粒径と量、カレンダ処理のロ−ル表面形状などで容易にコントロ−ルすることができる。
【００８０】
上記磁気記録媒体で非磁性層と磁性層を有する場合、目的に応じ非磁性層と磁性層でこれらの物理特性を変えることができるのは容易に推定されることである。例えば、磁性層の弾性率を高くし走行耐久性を向上させると同時に非磁性層の弾性率を磁性層より低くして磁気記録媒体のヘッドへの当りを良くするなどである。
【００８１】
実施例
＜塗料の作製＞
［磁性塗料］
バリウムフェライト磁性粉
対Ｆｅモル比組成（ａｔｏｍｉｃ％）：
Ｂａ  ８．０    Ｚｎ  ４．０    Ａｌ    ４．０    Ｎｂ  ２．０  Ｃｏ  １．０
Ｎｉ  ０．２    Ｍｎ  ０．２    Ｐ  ０．１  Ｃａ  ０．０５  Ｃｒ  ０．０２
Ｈｃ  １８９６００Ａ／ｍ（２４００Ｏｅ）
比表面積  ６０ｍ２／ｇ、σｓ  ７５．４×１０−６Ｗｂ・ｍ／ｋｇ（６０ｅｍｕ／ｇ）
板径２２ｎｍ、板状比３．０
ＰＨ  ６．８
ポリウレタン（官能基  ＳＯ３Ｎａ  ３５０ミリ当量／ｇ）            １４部
微粒子ダイヤモンド（平均粒径０．１μｍ）                      ３部
アルミナ（平均粒径０．１５μｍ）                              １部
カーボンブラック（平均粒径０．０９μｍ）                      １部
ブチルステアレート                                        ２部
ブトキシエチルステアレート                                ２部
イソヘキサデシルステアレート                              ２部
ステアリン酸                                              １部
メチルエチルケトン                                  １６０部
シクロヘキサノン                                    １６０部
［非磁性塗料］
非磁性粉体  α−Ｆｅ２Ｏ３  ヘマタイト                ８０部
長軸長  ０．０６μｍ、ＢＥＴ法による比表面積  ７０ｍ２／ｇ
ｐＨ  ９
表面処理剤Ａｌ２Ｏ３  ８重量％
カ−ボンブラック（粒径０．０２μｍ）                          ２５部
ポリウレタン（官能基  ＳＯ３Ｎａ  １００ミリ当量／ｇ）            １２部
フェニルホスホン酸                                        ２部
ブチルステアレート                                      ３部
ブトキシエチルステアレート                                ３部
イソヘキサデシルステアレート                              ３部
ステアリン酸                                            １部
メチルエチルケトン／シクロヘキサノン（８／２混合溶剤）２５０部
実施例に関する記載
上記２つの塗料のそれぞれについて、各成分をニ−ダで混練したのち、ジルコニアビーズを用いサンドミルで分散させた。得られた分散液にポリイソシアネ−トを非磁性層の塗布液には６部、磁性層の塗布液には４部を加え、さらにそれぞれにメチルエチルケトン４０部を加え，１μｍの平均孔径を有するフィルターを用いて濾過し、非磁性層形成用および磁性層形成用の塗布液をそれぞれ調整した。
【００８２】
得られた非磁性層塗布液を、所定の厚さで中心面表面粗さが３ｎｍのポリエチレンナフタレート支持体上に、乾燥後の厚さが１．５μｍになるように両面塗布し乾燥させた。次にその上に磁性層塗料を乾燥後の厚さが０．０８μｍになるように両面塗布し乾燥させた。その後７段のカレンダで温度９０℃、線圧３００ｋｇ／ｃｍにて処理を行い、所定の外径と内径になるように打ち抜いたのち、表面研磨処理を行った。これをカートリッジに収納し磁気ディスクを作成した。
【００８３】
トラックピッチ１．５μｍ（トラック密度１６９００本／２５．４ｍｍ    （１６．９ｋｔｐｉ））、トラック幅１．０μｍの複合型ＭＲヘッドを用い、線記録密度２５０ｋｂ／２５．４ｍｍ（２５０ｋｂｐｉ）の信号をディスク全面に記録再生したときの面記録密度は４．２Ｇｂｉｔ／平方インチ（６．２５平方センチメートル）である。記録領域の設定にも依存するが、この面記録密度は外径５０ｍｍのディスクでは約１．６ＧＢ、外形２５ｍｍのディスクでは約０．４ＧＢの容量に相当する。
【００８４】
次に、図面を参照して、本発明によるディスクカートリッジの金属板部材の加工方法について詳細に説明する。
【００８５】
この磁気ディスクカートリッジ１は、図１（ａ）〜（ｃ）にそのロータリーシャッタ７が閉状態にある平面図、右側面図および底面図を、図２（ａ），（ｂ）にロータリーシャッタ７が開状態にある平面図および底面図をそれぞれ示すように、押込み部２ａを含む樹脂製のフレーム２と、厚さ０．２ｍｍ程度のステンレス鋼板からなる上下シェル３，４とによって構成された、幅５０ｍｍ、奥行き５５ｍｍ、厚さ１．９５ｍｍの扁平なハウジング内に、１ＧＢの記憶容量を有する直径１．８インチ（４５．７ｍｍ）の磁気ディスク５を回転自在に収容している。
【００８６】
この磁気ディスクカートリッジ１は、このカートリッジ１が挿入態様で装填されるドライブ装置が備えている磁気ヘッドを磁気ディスク５の表面にアクセスさせるためのＶ字状の開口６と、この開口６を開閉するロータリーシャッタ７とが設けられている。ロータリーシャッタ７は互いに係合された上下のシャッタ部材７Ｕ、７Ｄ（図４参照）からなり、上シャッタ部材７Ｕは上シェル３に、下シャッタ部材７Ｄは下シェル４にそれぞれ回転可能に軸支されている。
【００８７】
また、図１（ａ）におけるハウジングの左側面先端部には、ドライブ装置の係合部材に係合させて、ドライブ装置内での位置決めを確実にするためのノッチ８が形成され、右側面先端部には、ロータリーシャッタ７を閉位置にロックするシャッタロック部材１１を外部に臨ませる小窓９が形成されている。
【００８８】
ハウジングの下シェル４には、磁気ディスク５のセンタコア１０を外部に臨ませる円形の中心孔４ａと、ロータリーシャッタ７と同心的な円弧状溝４ｂとが形成され、下シャッタ部材７Ｄには、上記円弧状溝４ｂから突出しかつこの円弧状溝４ｂに沿って移動してロータリーシャッタ７を開閉するシャッタノブ７ｂが固設されている。
【００８９】
図３（ａ）は閉状態にあるロータリーシャッタ７を、図３（ｂ）は開状態にあるロータリーシャッタ７を、それぞれ上シェル３を取り除きかつ磁気ディスク５を省略して示す平面図である。
【００９０】
ロータリーシャッタ７の外周に形成された係合凹部７ｃに係入し得る係合凸部１１ａを先端に備えて、ロータリーシャッタ７を閉位置にロックするシャッタロック部材１１は、ハウジングに設けられた軸１２に回動自在に取り付けられているとともに、ばね板１１ｂによって、上記係合凸部１１ａが上記係合凹部７ｃに係入し得る方向（図３の反時計方向）にばね付勢されている。そして、磁気ディスクカートリッジ１がドライブ装置へ挿入される際に、ドライブ装置側に設けられたロック解除部材が小窓９を通してこのシャッタロック部材１１を押圧することにより、ロック部材１１が時計方向に僅かに回動されて、係合凸部１１ａが係合凹部７ｃから脱出することによって、ロータリーシャッタ７のロックが解除されるように構成されている。
【００９１】
ロータリーシャッタ７は、小径の細長いコイルばね１４によって閉方向（図３の反時計方向）にばね付勢されている。このコイルばね１４の装着のためにガイドワイヤ１３が設けられている。このガイドワイヤ１３の一端は、ロータリーシャッタ７の外周面に対向する部位２ｂにおいてフレーム２に係止され、他端は、ロータリーシャッタ７の外周面に固設された支持部材７ｄをスライド可能に貫通する態様でロータリーシャッタ７の外周に沿って延びている。コイルばね１４は、図３（ａ）に示すように、ガイドワイヤ１３に沿って伸縮するようにフレーム２の上記部位２ｂと支持部材７ｄとの間に縮装されて、ロータリーシャッタ７を閉方向（図３の反時計方向）にばね付勢している。この状態から、ロックを解除されたロータリーシャッタ７が図３の時計方向に回動されると、コイルばね１４が図３（ｂ）に示すように圧縮されるように構成されている。
【００９２】
図４は、ロータリーシャッタ７の軸支構造を示す拡大断面図である。なお、磁気ディスク５およびセンタコア１０等は省略してある。
【００９３】
図４において、センタコア１０を外部に臨ませるために下シェル４の中心部に形成された中心孔４ａの周壁は、ハウジング内に入り込んで下シャッタ部材７Ｄの軸受部４ｂを形成しており、下シャッタ部材７Ｄの中心孔の周囲に外方（下方）に向かって突設された大径の円筒体７Ｄａが軸筒として軸受部４ｂに挿通された後、先端部にカシメ加工が施されて抜け止め用のフランジ状部２７が形成され、この状態で下シャッタ部材７Ｄが回転可能に軸支されている。
【００９４】
一方、上シェル３の中心部には、上シェル３の平板部に対するバーリング加工により小径の円筒体３ａが軸筒として内方（下方）へ向かって突設されている。上記円筒体３ａは上シャッタ部材７Ｕの中心孔に挿通された後、その先端部にカシメ加工が施されて抜け止め用のフランジ状部２８が形成されている。上シェル３の上面には、バーリング加工により開けられ小孔を塞ぐ役目も兼ねるラベル２９が貼りつけられている。
【００９５】
図５（ａ）は本発明の方法に用いられるカシメ用金型を図８と対応させて示す断面図である。
【００９６】
この金型５０も、図８に示す金型４０と同様に、下型５１と上型５２とによって構成され、下型５１は、図８に示す下型４１と同様に、金属板部材２０（図４の上シェル３）を載置する平坦な上面５１ａを備え、この上面５１ａ上には、円筒状突起２３（図４の円筒体３ａ）の中心孔２４に嵌挿される位置決め用円柱体５３突設されている。
【００９７】
上型５２も、図８に示す上型４２と同様に、下型５１の円柱体５３と同径の短い円柱体５４を円柱体５３と同心的に備えており、かつこの円柱体５４の根元部の表面も曲線的に拡径されてカシメ用壁面５５を形成しているが、図５（ａ）に示す上型５２の場合、上記カシメ用壁面５５の外端から下方に直線的に延びて、円筒状突起２３の先端部を所定の間隙を隔てて同心的に取り囲む円筒状内壁面を、フランジ状部２３ａの外端を支えて円筒状突起２３の周壁の倒れを防止する壁面５６として備えている点が、図８の上型４２とは異なる。
【００９８】
このような、倒れ防止用壁面５６を備えた上型５２を用いれば、カシメ加工に伴って円柱体５４の根元部のカシメ用壁面５５に沿って押し広げられて形成された円筒状突起２３のフランジ状部２３ａの外端が、倒れ防止用壁面５６に当接して支えられることにより、円筒状突起２３の周壁の倒れによる別部材２５すなわち上シャッタ部材７Ｕとの接触を回避することができる。
【００９９】
なお、図６に示すバーリング加工法で形成される円筒状突起２３の高さ寸法のバラツキにより、円筒状突起２３の高さが所定寸法よりも高い場合、カシメ加工により外径が所定寸法よりも大きいフランジ状部２３ａが形成される。その場合、フランジ状部２３ａの外端が早期に倒れ防止用壁面５６に当接し、その反作用で円筒状突起２３の根元部が変形する虞れがあるが、図５（ｂ）に示すように、カシメ用壁面５５に曲げ溜まり部５７を設けることにより、上記フランジ状部２３ａが曲げ溜まり部５７側に屈曲変形して、上記反作用を吸収することができ、これによって円筒状突起２３の根元部の変形を防止することができる。
【０１００】
以上の説明で明らかなように、本発明においては、円筒状突起２３の先端部にフランジ状部２３ａを形成する際に用いられるカシメ用金型５０の上型５２のカシメ用壁面５５の外側に、カシメ加工時にフランジ状部２３ａの外端を支えて円筒状突起２３の周壁の倒れを防止する壁面５６を設けたので、円筒状突起２３の周壁の倒れによる被軸支部材（別部材２５）との接触を回避することができる。したがって、得率および品質の向上、ならびにコスト低減を可能にしたディスクカートリッジ機構部品を供給することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明が適用される磁気ディスクカートリッジにおいてロータリーシャッタが閉状態にあるときの平面図、右側面図および底面図
【図２】図２（ａ），（ｂ）は、ロータリーシャッタが開状態にあるときの図１の磁気ディスクカートリッジを示す平面図および底面図
【図３】図１の磁気ディスクカートリッジを、ロータリーシャッタの閉状態および開状態において、それぞれ上シェルを取り除きかつ磁気ディスクを省略して示す平面図
【図４】図１の磁気ディスクカートリッジにおけるロータリーシャッタの軸支構造を示す拡大断面図
【図５】本発明で用いられるカシメ用金型の断面図
【図６】バーリング加工法の説明図
【図７】円筒状突起の先端部にフランジ状部が形成される場合の説明図
【図８】従来のカシメ用金型の断面図
【符号の説明】
１    磁気ディスクカートリッジ
３    上シェル
３ａ    軸筒としての円筒体
４    下シェル
５    磁気ディスク
７    ロータリーシャッタ
７Ｕ    上シャッタ部材
７Ｄ    下シャッタ部材
１０    センタコア
２０    金属板部材
２３    円筒状突起
２３ａ    フランジ状部
２５    別部材
４０，５０    カシメ用金型
４１，５１    下型
４２，５２    上型
４５，５５    カシメ用壁面
５６    フランジ状部の外端を支える壁面（倒れ防止用壁面）
５７    曲げ溜まり部
【図１】
2004178660.tif 000003
【図２】
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【図３】
2004178660.tif 000005
【図４】
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【図５】
2004178660.tif 000007
【図６】
2004178660.tif 000008
【図７】
2004178660.tif 000009
【図８】
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