(57)【要約】【課題】表面処理数を増やしやすい基板処理装置を実現する。【解決手段】真空搬送装置４０を中心にロードロック装置３０とプロセス装置５０とが連結された基板処理装置において、複数枚同時に基板処理を行うバッチ処理装置６０をロードロック装置３０に付設するか組み込む。これにより、真空搬送装置の連結チャンバ数を増やさずにプロセスの種類を増やせる。スループットも向上する。また、ロードロック装置３０で高真空にし、バッチ処理装置で加熱することで、乾燥能力も高める。さらに、基板形状測定装置をプロセス装置７０に移設して、搬送機構２８をセミバッチ化する。【選択図】　　　　図１
2004119401.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空室間での基板搬送を真空雰囲気中で行う真空搬送装置と、第１のゲートバルブを介して前記真空搬送装置に連結され大気側に第２のゲートバルブを付設されたロードロック装置と、第３のゲートバルブを介して前記真空搬送装置に連結され基板の処理を行うプロセス装置とを備えた基板処理装置において、前記ロードロック装置に、複数枚同時に基板処理を行うバッチ処理装置が付設されている又は組み込まれていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記ロードロック装置は到達真空度が前記真空搬送装置のそれより高いものであり、前記バッチ処理装置は基板加熱手段が設けられているものであることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
複数枚同時に基板搬送を行える大気搬送装置が前記ロードロック装置の大気側基板搬送先に設けられ、基板形状の測定を一枚ずつ行う基板形状測定装置が前記プロセス装置に付設されている又は組み込まれていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載された基板処理装置。
【請求項４】
前記プロセス装置に基板加熱手段が組み込まれていることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載された基板処理装置。
【請求項５】
前記プロセス装置に基板表面改質手段が組み込まれていることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載された基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、シリコンウエハや液晶パネル等の基板に対してプラズマ処理等の表面処理を施す基板処理装置に関し、詳しくは、表面処理に加えて基板搬送も真空雰囲気中では一枚ずつ又は少数枚ずつ行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【背景の技術】
図６に平面配置図と立面配置図を示した基板処理装置には、搬器１２単位での基板搬入と基板搬出とを分担する搬入出装置１０が２台、搬入出装置１０と連結され搬送機構２２にて基板１３の大気内搬送を行う大気搬送装置２０が１台、開閉機構の付いたゲート２３（第２のゲートバルブ）を介して自己の真空チャンバ（真空容器、真空室）が大気搬送装置２０に連結されその真空チャンバ内に昇降機構３１付きの基板収納棚３２が上下動可能に設けられその基板収納棚３２に複数枚の基板１３を収納しうるロードロック装置３０が基板搬入用と基板搬出用とに２台、開閉機構の付いたゲート３４（第１のゲートバルブ）を介して自己の真空チャンバ（真空容器、真空室）がロードロック装置３０に連結されその真空チャンバ内に搬送機構４１が設けられその搬送機構４１にて基板搬送を一枚ずつ真空雰囲気中で行う真空搬送装置４０が１台、開閉機構の付いたゲート４２（第３のゲートバルブ）を介して自己の真空チャンバ（真空容器、真空室）が真空搬送装置４０に連結されその真空チャンバ内で一枚ずつ基板１３に表面処理を施すプロセス装置５０が４台、設けられている。
【０００３】
プロセス装置５０は、例えば、１台がプリベーク用の加熱装置であり、他の１台がプラズマ成膜装置（ＰＣＶＤ）であり、別の１台が酸素プラズマアッシャーやアルゴンラジカルアッシャー等のプラズマクリーナであり、残りの１台がアニール用の加熱装置である。
各プロセス装置５０の真空チャンバや真空搬送装置４０の真空チャンバには、必要な真空度を確保するために、例えばメカニカルブースタやターボポンプ等の真空ポンプが付設されている。ロードロック装置３０にも真空チャンバの真空引きのために真空ポンプが付設されているが、こちらには高真空ポンプ３３例えばクライオポンプも付設されていて、到達真空度が高いものとなっている。
大抵、搬入出装置１０はクリーンルーム内に設置されるが、それ以外の大気搬送装置２０，ロードロック装置３０，真空搬送装置４０，プロセス装置５０はメンテナンスルームに設置される。
【０００４】
そして、多数の基板１３を収納した搬器１２が搬入出装置１０にセットされると、その搬器１２の蓋が蓋開閉機構２１にて開けられ、それから搬器１２を該当搬入出装置１０の昇降機構１１にて上下に移動させながら搬送機構２２を作動させることで基板１３を搬器１２から取り出し、さらに、ゲート２３を開けてロードロック装置３０の真空チャンバを大気開放した状態で、基板収納棚３２を昇降機構３１にて上下に移動させながら搬送機構２２を作動させることで基板１３を基板収納棚３２に収納する。この取出動作と収納動作が繰り返えされて、多数の基板１３が大気圧下で搬入出装置１０からロードロック装置３０へ移載される。
【０００５】
移載完了後、ゲート２３が閉じられ、ロードロック装置３０の真空引きが行われる。ロードロック装置３０の真空チャンバの真空度が十分なレベルに達すると、ゲート３４が開けられる。そのときまでには真空搬送装置４０も必要な真空度に維持されており、基板収納棚３２を昇降機構３１にて上下に移動させながら搬送機構４１を作動させることで基板１３が一枚ずつロードロック装置３０から取り出されて真空搬送装置４０内に取り込まれる。それから、その基板１３は、ゲート４２の開閉や搬送機構４１の作動等にて何れかのプロセス装置５０に移載されて表面処理が施され、さらに他のプロセス装置５０に真空搬送装置４０経由で移送されて別の表面処理が施される。
【０００６】
これらの真空圧下での処理は図示しないメインコントローラに設定されたプロセスレシピに応じて自動処理される。そして、表面処理の済んだ基板１３は、真空雰囲気下で、真空搬送装置４０を経て基板搬出用のロードロック装置３０に収納される。その基板収納棚３２に１バッチ分が収納されると、ロードロック装置３０が大気開放され、大気搬送装置２０によってロードロック装置３０から基板搬出用搬入出装置１０上の搬器１２へ基板１３が移載される。
こうして、搬器１２単位で搬入された多数の基板１３が、真空雰囲気中で一枚ずつ基板搬送および基板処理され、それから搬器１２単位で搬出される。
【０００７】
【従来の技術】
大気搬送装置２０は、基板１３を一枚ずつ搬送するようになっており、基板１３を複数枚同時に搬送するようにはなっていなかった。また、大気搬送装置２０には、基板形状測定装置２４が内蔵されており、基板１３を一枚ずつ搬入するとき、その搬送途中で、基板形状測定装置２４にて基板１３の形状測定を一枚ずつ行うようになっていた。
ロードロック装置３０は、基板１３の搬送を真空搬送装置４０と行うとともに大気側とも行うようになっているが、基板１３の加熱処理まで行うようにはなっていない。
【０００８】
真空搬送装置４０は、２台のロードロック装置３０及び４台のプロセス装置５０が放射状に連結されて、クラスター状になっていることが多い。それらの真空チャンバ間（真空室間）での基板搬送を真空雰囲気中で行うため、真空搬送装置４０には、例えば、回転伝動軸数が多くても変形が少ない真空チャンバ用回転伝動機構が組み込まれている（例えば、特許文献１参照。）。それに代えて又はそれに加えて、その他の移載機構が採用されることもある。
プロセス装置５０は、一枚ずつ基板処理を行うものであり（例えば、プラズマ処理について、特許文献２参照。）、基板形状の測定まで行うようになってはいなかった。また、大気側との基板搬送を直接行うことも無く、真空搬送装置４０とだけ真空雰囲気中での基板搬送を行い、大気側基板搬送は真空搬送装置４０経由でロードロック装置３０に委ねていた。
【０００９】
【特許文献１】
特開平１０−２９４３０７号公報　（第１頁）
【特許文献２】
特開平１０−３２９０６１号公報　（第１頁、図３−図５）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来の基板処理装置は、真空搬送装置を介在させることで複数・多数の真空チャンバを基板送受可能に配置し、それによって真空を破ることなく一連の基板処理を枚葉式で遂行できるようになっている。そして、一連のプロセスが増えると、すなわち真空雰囲気中で連続する表面処理工程の種類が増加すると、真空搬送装置に連結するプロセス装置も増えることになる。
しかしながら、真空搬送装置に周囲から連結する真空装置（真空室を具備した装置）の台数が多すぎると、装置間のスペースが足りなくなり、設置作業や保守作業が困難になる。しかも、基板の搬入搬出のために一部の真空装置にはロードロック装置を割り当てなければならないので、真空搬送装置に連結可能な真空装置の総てをプロセス装置に割り振ることはできない。このため、プロセス装置の増設は必ずしも容易ではない。
【００１１】
一方、一連のプロセスのうちプロセスによっては、枚葉式を採用せざるを得ないものが有るが、枚葉式で一枚ずつ実行してもバッチ式で複数枚・多数枚まとめて実行しても良いものも有る。例えば、高精度を要する主目的のプラズマＣＶＤやプラズマエッチングでは枚葉処理が原則となるが、それに先だって又は後続して行われるプリベークや，ポストベーク，アニール，プラズマクリーニング，プラズマアッシング等は、バッチ処理も可能であり、その方がスループットが高い。しかも、これらの付随的プロセスを遂行する装置は、主目的の装置に比べて一般に、軽装備である。
【００１２】
そこで、このような各装置等の特質を勘案して、真空搬送装置に連結する真空装置の台数を増やさずに、しかもロードロック装置を減らさずに、プロセスの種類が増やせるよう、基板処理装置の構成を改良することが技術的な課題となる。
この発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、表面処理数を増やしやすい基板処理装置を実現することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するために発明された第１乃至第３の解決手段について、その構成および作用効果を以下に説明する。
【００１４】
［第１の解決手段］
第１の解決手段の基板処理装置は、出願当初の請求項１に記載の如く、真空室間での基板搬送を真空雰囲気中で行う真空搬送装置と、第１のゲートバルブを介して前記真空搬送装置に連結され大気側に第２のゲートバルブを付設されたロードロック装置と、第３のゲートバルブを介して前記真空搬送装置に連結され基板の処理を行うプロセス装置とを備えた基板処理装置において、前記ロードロック装置に、複数枚同時に基板処理を行うバッチ処理装置が付設されている又は組み込まれている、というものである。
【００１５】
このような第１の解決手段の基板処理装置にあっては、真空搬送装置を介在させてプロセス装置とロードロック装置とが連結されていて、従来通り真空を破ることなく一連の基板処理を一枚ずつ遂行することができる。あるいは、プロセス装置の構成によっては少数枚ずつ遂行することができる。しかも、それに加えて、ロードロック装置にバッチ処理装置が結合されていることから、基板の搬入時や搬出時などロードロック装置に複数枚・多数枚の基板が収納されているときにバッチ処理可能なプロセス（基板処理）をバッチ処理装置にて纏めて済ませることが可能となるので、しかも大抵の場合に上記の複数枚・多数枚は上記の一枚・少数枚を上回るので、スループットが向上する。
【００１６】
しかも、追加されたバッチ処理装置は、既存のプロセス装置のように真空搬送装置へ直に連結されるのでなく、ロードロック装置に重ねる等して纏められ、ロードロック装置と共に又はロードロック装置を介して真空搬送装置に連結される。そのため、プロセスの種類を増やすためにバッチ処理装置を追加しても、真空搬送装置への連結装置数を増やす必要がない。ロードロック装置を減らす必要もない。
したがって、この発明によれば、表面処理数を増やし易いうえ処理効率も良い基板処理装置を実現することができる。
【００１７】
［第２の解決手段］
第２の解決手段の基板処理装置は、出願当初の請求項２に記載の如く、上記の第１の解決手段の基板処理装置であって、前記ロードロック装置の到達真空度が前記真空搬送装置の到達真空度よりも高くなっており、しかも、前記バッチ処理装置に基板加熱手段が設けられている、というものである。
ここで、上記の「到達真空度が高い」とは、絶対気圧“０”に一層近づくことができる、という意味である。
【００１８】
このような第２の解決手段の基板処理装置にあっては、基板搬入時にロードロック装置で基板雰囲気を高真空にすることで、基板の表面に吸着されていた不所望な水分やその他の揮発性成分を除去することができるようになっているが、それに止まることなく、高真空中で更に基板の加熱まで行うことができる。
これにより、基板表面吸着成分の除去能力が向上する。特に、水分を飛ばして基板を十分に乾燥することができるので、後続の真空搬送装置やプロセス装置の乾燥状態を長く維持することが可能となる。しかも、短時間で乾燥する。
したがって、この発明によれば、表面処理数を増やし易いうえ処理効率も良く基板乾燥能力も高い基板処理装置を実現することができる。
【００１９】
［第３の解決手段］
第３の解決手段の基板処理装置は、出願当初の請求項３に記載の如く、上記の第１，第２の解決手段の基板処理装置であって、複数枚同時に基板搬送を行える大気搬送装置が前記ロードロック装置の大気側基板搬送先に設けられ、基板形状の測定を一枚ずつ行う基板形状測定装置が前記プロセス装置に付設されている又は組み込まれている、というものである。
【００２０】
このような第３の解決手段の基板処理装置にあっては、大気側の基板搬送が複数枚同時に効率良く行われるので、大気側基板搬送がボトルネックになって全体のスループットを低下させるといった不都合な事態を回避することができる。また、基板を一枚ずつ測定する基板形状測定装置は、複数枚纏めて搬送することになった大気搬送装置のところから、やはり基板を一枚ずつ又は少数枚ずつ表面処理するという点で相性の良いプロセス装置のところへ、移設されて纏められている。
これにより、真空搬送装置の連結装置数を増やさなくてもプロセスの種類を増やせるという利点を損なうことなく、大気側基板搬送のスループットを向上させることが可能となる。
したがって、この発明によれば、表面処理数を増やし易いうえ処理効率が一層良い基板処理装置を実現することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
このような解決手段で達成された本発明の基板処理装置について、これを実施するための形態を幾つか説明する。
【００２２】
本発明の第１の実施形態は、上述した解決手段の基板処理装置であって、複数枚同時に基板搬送を行える大気搬送装置が連結された前記ロードロック装置に加えて、他のロードロック装置も前記真空搬送装置に連結して設けられ、このロードロック装置には、一枚ずつ基板搬送を行う大気搬送装置が連結されている、というものである。
【００２３】
本発明の第２の実施形態は、上述した解決手段および実施形態の基板処理装置であって、前記ロードロック装置が、基板搬送に連動する基板収納棚を具えたものであり、前記バッチ処理装置が、前記基板収納棚の移動範囲に設けられている、というものである。
これにより、基板搬送用の棚移動機構を流用してバッチ処理のための移送も行えるので、バッチ処理装置を追加してもロードロック装置の複雑化を回避・抑制することができる。
【００２４】
本発明の第３の実施形態は、上述した解決手段および実施形態の基板処理装置であって、前記バッチ処理装置がプラズマにて基板処理を行うものである。
これにより、基板の処理時間を長くとれることから、低密度プラズマを使用しても一枚当たりの処理時間は十分短くすることができるので、スループットを維持しつつ、プラズマダメージを防ぐことができる。
【００２５】
本発明の第４の実施形態は、上述した解決手段および実施形態の基板処理装置であって、前記プロセス装置が、スパッタリングと呼ばれる成膜処理を行うものである。
これにより、水分による品質低下のない、良質な薄膜が得られる。特に、薄膜がアルミニウムなどの金属膜の場合、白濁のない良質な膜となる。
【００２６】
本発明の第５の実施形態は、上述した解決手段および実施形態の基板処理装置であって、前記バッチ処理装置が加熱に加えてガスでの急冷も行うものである。
これにより、冷却時間が短縮され、スループットの良い装置となる。
【００２７】
本発明の第６の実施形態は、上述した解決手段および実施形態の基板処理装置であって、前記プロセス装置が複数設けられている、というものである。
【００２８】
このような解決手段や実施形態で達成された本発明の基板処理装置について、これを実施するための具体的な形態を、以下、図１〜図５に示した一実施例により説明する。
なお、それらの図示に際し従来と同様の構成要素には同一の符号を付して示したので、また、背景の技術の欄で述べたことは以下の各実施例についても共通するので、重複する再度の説明は割愛し、以下、従来との相違点を中心に説明する。
【００２９】
【実施例】
本発明の基板処理装置の一実施例について、その具体的な構成を、図面を引用して説明する。図１は、その全体構成を示し、（ａ）が平面配置図、（ｂ）が立面配置図である。また、図２は、搬器の斜視図であり、図３は、大気搬送装置の搬送機構の斜視図である。さらに、図４は、バッチ処理装置付きロードロック装置の縦断面であり、（ａ）が基板収納開始時、（ｂ）が基板収納完了時、（ｃ）がバッチ処理時の状態である。また、図５は、アライナ付きベーカの要部構造を示し、（ａ）が正面図、（ｂ）が平面図である。
【００３０】
この基板処理装置（図１参照）が既述のもの（図６参照）と相違するのは、大気搬送装置２０の搬送機構２２が搬送機構２８になった点と、大気搬送装置２０とロードロック装置３０とに介在するゲート２３がゲート２７になった点と、ロードロック装置３０の頭部にバッチ処理装置６０が付設された点と、基板形状測定装置２４が大気搬送装置２０からプロセス装置５０の一つであるベーカに移設されこのプロセス装置５０がアライナ付きベーカ７０になった点である。
【００３１】
これらの相違点の詳述に先だって基板１３及びその搬器１２について説明する（図２参照）。基板１３は、例えば半導体集積回路装置用のシリコンウエハの場合、直径３００ｍｍ程度の薄い円板状に形成されていて、その主表面にプラズマ処理等が施されるものである。搬器１２は、カセットやカプセルとも呼ばれ、基板１３を多数たとえば２５枚をバッチ式で運搬するため而もコンパクトに収納するため、内周壁面上に、基板１３の厚みより大きなピッチで多段に棚が形成されている。また、運搬時等にゴミが入らないよう、基板１３の出し入れ口には蓋１２ａが付けられている。既述した蓋開閉機構２１はその蓋１２ａを自動開閉するのである。
【００３２】
搬送機構２８（図３参照）は、既述の搬送機構２２同様、搬入出装置１０の搬器１２にもゲート２７の先のロードロック装置にも把持部２８ａを自在に進退させることができるよう、例えば多関節のロボットからなる。もっとも、把持部２８ａは、既述の枚葉式のものと異なり、例えば５枚の基板１３を一緒に把持して一度に移載しうる言わばセミバッチ式のものとなっている。具体的には、搬器１２内周壁面の棚ピッチと同じピッチで５段の櫛状に把持用指片部材が列設されている。そして、把持部２８ａがセミバッチ対応で縦方向に伸長したことに対応して、ゲート２７も、枚葉対応のゲート２３に比べて縦方向に広がり、セミバッチ対応となって、把持部２８ａと共に５枚の基板１３を通過させられるようになっている。
【００３３】
バッチ処理装置６０は（図４参照）、その真空チャンバ（真空容器、真空室）がロードロック装置３０の真空チャンバ（真空容器、真空室）より一回り細く形成されて、チャンバ底部がロードロック装置３０のチャンバ頭部に嵌合され、両者が連通して縦に長い真空空間を形成するものとなっている。バッチ処理装置６０の内周壁面にはコイル状・筒状に電熱線６１（基板加熱手段）が捲回されていて、真空中でも加熱処理が行えるようになっている。ロードロック装置３０の昇降機構３１には、ストロークの大きなエレベータ等が採用されていて、上下に移動しながら基板１３をセミバッチ対応で受け渡し（図４（ａ），（ｂ）参照）、基板収納棚３２が満杯になったときやそうでなくても基板１３を十分にストックしたとき、真空引きしながら更に上昇して基板収納棚３２とその収納基板１３をバッチ処理装置６０内に送り込むようになっている（図４（ｃ）参照）。
【００３４】
なお、この例では、加熱によって基板１３から揮発する水分やガス等がロードロック装置３０側に流れるのを阻止する等のため、昇降機構３１上面に封止部材６２が装着されていて、加熱処理のために基板収納棚３２を上昇させると、昇降機構３１によってバッチ処理装置６０の底面開口が閉じられ、バッチ処理装置６０内の真空空間とロードロック装置３０内の真空空間とが分離するようになっている。バッチ処理装置６０の真空引きも分離して行えるようになっている。この分離手段は、バッチ処理装置６０内にクリーニング用プラズマを導入するような場合にも、役に立つ。シリコンウエハの乾燥用加熱では１５０℃〜４５０℃程度が多用されるが、加熱温度は他の目的も勘案して適宜設定される。
【００３５】
アライナ付きベーカ７０は（図５参照）、一の真空チャンバ（真空容器、真空室）内に、プリベークのための表面加熱を枚葉で行うランプユニット７１に加えて、大気搬送装置２０から移設されて来た基板形状測定装置２４も、内蔵されている。基板形状測定装置２４は、ターンテーブル２４ａで基板１３を回転させながら、レーザ発光器２４ｂから基板１３辺縁部に向けて射出したビーム光を受光器２４ｃで検出することで、基板１３の径やオリフラ１３ａ等の特徴的形状を測定するようになっている。また、ランプユニット７１は、基板１３のほぼ半面にだけＩＲ（赤外線）照射を行うようになっている。基板１３が形状測定のため高速回転させられることを利用して、回転中に発光すると、基板１３の表面全域に概ねデューティ５０％でＩＲ照射が行われて、均一な加熱がなされるようになっている。しかも、基板形状測定装置２４とランプユニット７１との機械的干渉を気にすることなく容易に、両者を配置することができるようにもなっている。ここでは、成膜に備えた表面改質のため例えば３５０℃〜４５０℃程度に加熱されるが、この加熱温度も応用目的に応じて適宜設定されるようになっている。
【００３６】
このような基板処理装置について、その使用態様及び動作を説明する。ここでも、全体的な事項は背景の技術の欄で述べたことと共通するので、以下、特徴的な部分を詳述する。
【００３７】
先ず、搬入出装置１０にセットされた搬器１２から基板１３を大気搬送装置２０にてロードロック装置３０の基板収納棚３２へ搬送する際には、セミバッチ対応の搬送機構２８及びゲート２７等によって、５枚ずつ効率良く移載される。また、基板形状測定装置２４による形状測定が、アライナ付きベーカ７０に委ねられ、大気搬送装置２０が大気側基板搬送に専念できるので、大気側基板搬送は従来より格段に高速化される。
【００３８】
次に、基板１３移載完了後のロードロック装置３０の真空引きに際しては、基板収納棚３２をバッチ処理装置６０内へ移動させて基板１３の加熱乾燥も行われる。この乾燥処理はバッチ式で素早く行われる。そして、十分に乾燥させてから、基板１３が一枚ずつ真空搬送装置４０に取り込まれる。
それから、その基板１３は、アライナ付きベーカ７０に移送され、そこで、基板形状測定装置２４による形状測定とランプユニット７１による加熱処理とが並行して施される。
その後は、プロセスレシピに従い他のプロセス装置５０に真空搬送装置４０経由で移送されて別の表面処理が施される。
【００３９】
最後に、基板搬出用のロードロック装置３０に収納されたときにも、それに付設されているバッチ処理装置６０を用いて、必要であれば、成膜後のアニール用加熱等が素早く済ませられる。
こうして、この基板処理装置にあっては、従来と同じ真空搬送装置４０にロードロック装置３０も枚葉式プロセス装置５０も同じ台数を連結しながら、バッチ処理装置６０による追加処理が行えるうえ、大気搬送装置２０による大気側搬送のセミバッチ化と基板形状測定装置２４の移設とによってスループットも向上するので、多様な基板処理を効率良く行うことができる。
【００４０】
【その他】
なお、上記の実施例では、基板１３として丸いシリコンウエハを詳述したが、これは一例にすぎない。基板１３は、他の板状体でも良く、例えば液晶パネルやプラズマディスプレイパネルのような角形でも良い。基板１３の取扱単位として挙げた２５枚バッチや５枚セミバッチも、一例であり、その枚数に限定される訳ではない。各装置１０，２０，３０，４０，５０の台数も任意である。
また、搬入出装置１０は、昇降機構１１にストロークの大きなエレベータ等を採用するとともに搬器１２乗載用棚を多段にする等のことにより、スタック機能も兼備したローダにすることができる。
【００４１】
さらに、ランプユニット７１の形状や照射面積も上述したものに限られる訳でなく、例えばランプを分割して各々に適切なデューティ比制御を行う等のことで、加熱の均一性を損なうことなく、ランプユニット７１の形状等をほぼ自由に設計することができる。あるいは、測定用ビーム光を斜めにして受光器２４ｃを基板１３の上方から逃がせば、ランプユニット７１を基板１３上面全域に対向するところまで広げて、基板１３の回転に拘わらず均一な加熱照射が行えるようにすることも可能である。
また、バッチ処理装置６０に組み込まれる基板加熱手段として、上記実施例では電熱線６１を挙げたが、基板加熱手段は、これに限られる訳でなく、例えば、高温の窒素ガスをバッチ処理装置６０に送り込んで基板を加熱するようなものでも良い。何れかの加熱手段を一つだけ設けても良く、複数の加熱手段を並設しても良い。
【００４２】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明の第１の解決手段の基板処理装置にあっては、一連の枚葉式基板処理の始まりと終わりに来るロードロック装置にバッチ処理装置を組み合わせて、プロセスのスループット向上を図るとともに、真空搬送装置の連結チャンバ数を増やさなくてもプロセスの種類を増やせるようにしたことにより、表面処理数を増やし易いうえ処理効率も良い基板処理装置を実現することができたという有利な効果が有る。
【００４３】
また、本発明の第２の解決手段の基板処理装置にあっては、搬入時等に基板を高真空中で加熱できるようにもしたことにより、表面処理数を増やし易いうえ処理効率も良く基板乾燥能力も高い基板処理装置を実現することができたという有利な効果を奏する。
【００４４】
さらに、本発明の第３の解決手段の基板処理装置にあっては、大気側基板搬送を複数枚化するに際して枚葉式の基板形状測定装置をプロセス装置のところへ移設して纏めるようにもしたことにより、表面処理数を増やし易いうえ処理効率が一層良い基板処理装置を実現することができたという有利な効果が有る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基板処理装置の一実施例について、全体構成を示し、（ａ）が平面配置図、（ｂ）が立面配置図である。
【図２】搬器の斜視図である。
【図３】大気搬送装置の搬送機構の斜視図である。
【図４】バッチ処理装置付きロードロック装置の縦断面であり、（ａ）が基板収納開始時、（ｂ）が基板収納完了時、（ｃ）がバッチ処理時の状態である。
【図５】アライナ付きベーカの要部構造を示し、（ａ）が正面図、（ｂ）が平面図である。
【図６】従来の基板処理装置の一例について、全体構成を示し、（ａ）が平面配置図、（ｂ）が立面配置図である。
【符号の説明】
１０　搬入出装置（スタックロード）
１１　　　昇降機構（エレベータ）
１２　　　搬器（カセット、カプセル、バッチ対応）
１３　　　基板（ウエハ、パネル）
２０　大気搬送装置（オートローダ・アンローダ）
２１　　　蓋開閉機構
２２　　　搬送機構（枚葉式の移載ロボット）
２３　　　ゲート（開閉機構付き狭ゲート、枚葉対応、第２ゲートバルブ）
２４　　　基板形状測定装置（アライナ）
２７　　　ゲート（開閉機構付き広ゲート、セミバッチ対応）
２８　　　搬送機構（セミバッチ式の移載ロボット）
２８ａ　　　　把持部（ロボットハンド）
３０　ロードロック装置（大気圧−真空圧の切換部、連結高真空チャンバ）
３１　　　昇降機構（エレベータ、棚移動機構）
３２　　　基板収納棚（ストッカー）
３３　　　高真空ポンプ（クライオポンプ）
３４　　　ゲート（開閉機構付き狭ゲート、枚葉対応、第１ゲートバルブ）
４０　真空搬送装置（低真空トランスファーチャンバ、枚葉搬送装置）
４１　　　搬送機構（移載ロボット）
４２　　　ゲート（開閉機構付き狭ゲート、枚葉対応、第３ゲートバルブ）
５０　プロセス装置（真空処理装置、枚葉処理装置、連結低真空チャンバ）
６０　バッチ処理装置（加熱、プラズマ洗浄、前処理、後処理）
６１　　　電熱線（基板加熱手段）
７０　アライナ付きベーカ（真空で基板形状測定と加熱との枚葉処理）
７１　　　ランプユニット（加熱手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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