(57)【要約】【課題】入射光による電極と配向膜との酸化還元反応を防止すると共に、基板の耐性を向上させると共に、基板の劣化を抑制する。【解決手段】第１の透明基板１０上にマトリクス状に配置される画素に対応して形成される画素電極９ａと、前記画素電極９ａを含む前記第１の透明基板１０上であって、前記第１の透明基板１０に対向配置されて液晶が封入される第２の透明基板２０との接合材４１の形成領域以外の領域に形成されるパッシベーション膜８１と、前記画素電極９ａ上に前記パッシベーション膜８１を介在させて形成される配向膜１６とを具備したことを特徴とする。【選択図】      図２
2004219563.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の透明基板上にマトリクス状に配置される画素に対応して形成される画素電極と、
前記画素電極を含む前記第１の透明基板上であって、前記第１の透明基板に対向配置されて液晶が封入される第２の透明基板との接合材の形成領域以外の領域に形成されるパッシベーション膜と、
前記画素電極上に前記パッシベーション膜を介在させて形成される配向膜とを具備したことを特徴とする液晶装置用基板。
【請求項２】
第２の透明基板上に形成される対向電極と、
前記対向電極を含む前記第２の透明基板上であって、前記第２の透明基板に対向配置されて液晶が封入される第１の透明基板との接合材の形成領域以外の領域に形成されるパッシベーション膜と、
前記対向電極上に前記パッシベーション膜を介在させて形成される配向膜とを具備したことを特徴とする液晶装置用基板。
【請求項３】
前記パッシベーション膜は、前記接合材の形成領域の内側の領域に形成されることを特徴とする請求項１又は２のいずれか一方に記載の液晶装置用基板。
【請求項４】
請求項１に記載の液晶装置用基板及び請求項２に記載の液晶装置用基板の少なくとも一方を用いて構成したことを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
第１の透明基板上にマトリクス状に配置される画素に対応して形成される画素電極と、
前記画素電極の一部を露出させた状態で前記画素電極を覆うように形成されるパッシベーション膜と、
前記画素電極及び前記パッシベーション膜を含む前記第１の透明基板上に前記画素電極の露出した一部と接触するように形成される配向膜とを具備したことを特徴とする液晶装置用基板。
【請求項６】
前記パッシベーション膜は、前記画素電極上において入射光が集光する領域に対応した位置に形成されることを特徴とする請求項５に記載の液晶装置用基板。
【請求項７】
前記パッシベーション膜は、前記画素電極上の中央の領域に形成されることを特徴とする請求項５に記載の液晶装置用基板。
【請求項８】
前記パッシベーション膜は、前記画素電極上の中央の領域に円形状に形成されることを特徴とする請求項５に記載の液晶装置用基板。
【請求項９】
第２の透明基板上に形成される対向電極と、
前記対向電極の一部を露出した状態で前記対向電極を覆うように形成されるパッシベーション膜と、
前記対向電極及び前記パッシベーション膜を含む前記第２の透明基板上に前記対向電極の露出した一部と接触するように形成される配向膜とを具備したことを特徴とする液晶装置用基板。
【請求項１０】
請求項５に記載の液晶装置用基板及び請求項９に記載の液晶装置用基板の少なくとも一方を用いて構成したことを特徴とする液晶装置。
【請求項１１】
第１の透明基板上にマトリクス状に配置される画素に対応して画素電極を形成する工程と、
前記画素電極を含む前記第１の透明基板上であって、前記第１の透明基板に対向配置されて液晶が封入される第２の透明基板との接合材の形成領域以外の領域にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記画素電極上に前記パッシベーション膜を介在させて配向膜を形成する工程とを具備したことを特徴とする液晶装置用基板の製造方法。
【請求項１２】
第２の透明基板上に対向電極を形成する工程と、
前記対向電極を含む前記第２の透明基板上であって、前記第２の透明基板に対向配置されて液晶が封入される第１の透明基板との接合材の形成領域以外の領域にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記対向電極上に前記パッシベーション膜を介在させて配向膜を形成する工程とを具備したことを特徴とする液晶装置用基板の製造方法。
【請求項１３】
第１の透明基板上にマトリクス状に配置される画素に対応して画素電極を形成する工程と、
前記画素電極の一部を露出させた状態で前記画素電極を覆うようにパッシベーション膜を形成する工程と、
前記画素電極及び前記パッシベーション膜を含む前記第１の透明基板上に前記画素電極の露出した一部と接触するように配向膜を形成する工程とを具備したことを特徴とする液晶装置用基板の製造方法。
【請求項１４】
第２の透明基板上に対向電極を形成する工程と、
前記対向電極の一部を露出した状態で前記対向電極を覆うようにパッシベーション膜を形成する工程と、
前記対向電極及び前記パッシベーション膜を含む前記第２の透明基板上に前記対向電極の露出した一部と接触するように配向膜を形成する工程とを具備したことを特徴とする液晶装置用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、焼き付き現象を防止するようにした液晶装置用基板、液晶装置及び液晶装置用基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶パネルは、ガラス基板、石英基板等の２枚の基板間に液晶を封入して構成される。液晶パネルでは、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下、ＴＦＴと称す）等の能動素子をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極（透明電極（ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）））を配置して、両基板間に封入した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能にする。
【０００３】
プロジェクタに用いられる液晶パネルは、透過率が高く、コントラスト比が比較的高いＴＮ（ツイストネマチック）液晶が用いられることが多い。通常、コントラストピークは液晶パネルに対して直角（法線方向）に設定されている。従って、プロジェクタでは、光が液晶パネルに対して直角に進行する成分を強くするように配光分布を設定している。
【０００４】
ところで、ＴＦＴはゲート電極に走査線を介して走査信号を供給することでオン状態となり、半導体層のソース領域にデータ線を介して画像信号を供給することで、オン状態となったＴＦＴを介して画素電極（透明電極（ＩＴＯ））に画像信号が供給される。このようなＴＦＴアクティブマトリクス駆動形式の液晶装置では、各画素に設けられた画素スイッチング用ＴＦＴのチャネル領域に入射光が照射されると、光による励起で光リーク電流が発生してＴＦＴの特性が変化する。そこで、ＴＦＴのチャネル領域やその周辺領域（以下、遮光エリアという）に対する入射光の遮光を行うために、対向基板に、各画素の開口領域を規定する遮光膜を形成して、遮光エリアを遮光するように構成されている。
【０００５】
また、各画素の遮光エリアに形成する遮光膜によって入射光量が低下してしまうので、対向基板に、各画素に対応したマイクロレンズを形成し、光を集光して各画素の開口領域に供給することで、開口率を向上させるようになっている。
【０００６】
近年、液晶プロジェクタは、投影画像の高輝度化を目的として、高出力ランプを採用すると共に光の利用効率を向上させてきた。また、プロジェクタに採用される液晶パネルも高輝度化に対応させるために、画素の開口率を大きくして、投射光透過率の向上を図っている。
【０００７】
こうして、大光量の光がマイクロレンズによって集光されて、画素領域に入射され、高輝度の画像の映出が可能となる。
【０００８】
ところが、配向膜とＩＴＯとの相互作用によって、画素領域に入射する大光量の光によって、配向膜が劣化しやすい。即ち、大光量の光及びこれによって生じる熱によって、ＩＴＯが還元され、配向膜が酸化する酸化還元反応が促進されて、配向膜が劣化するのである。
【０００９】
そこで、ＩＴＯと配向膜との間の基板全面にパッシベーション膜（反応防止膜）を介在させることで、このような酸化還元反応による配向膜の劣化を防止するようになっている。なお、パッシベーション膜を形成したものとして特許文献１の提案等がある。
【００１０】
【特許文献１】
特願平５−２４１１９６号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、液晶パネルの組立工程においては、先ず、各基板工程において夫々製造されたＴＦＴ基板と対向基板との対向面、即ち、対向基板及びＴＦＴ基板の液晶層と接するパッシベーション膜上に配向膜が形成され、次いでラビング処理が行われる。
【００１２】
次に、一方の基板上の端辺に接着剤となるシール材が形成される。ＴＦＴ基板と対向基板とをシール材を用いて貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着硬化させる。シール材の一部には切り欠きが設けられており、この切り欠きを介して液晶を封入する。
【００１３】
ところが、パッシベーション膜とシール材とは密着性が低い。このため、パッシベーション膜とシール材との接合部分から水分がセル内に滲入しやすくなり、液晶パネルの耐性が低下するという問題点があった。
【００１４】
また、配向膜近傍に生じた電荷は、液晶又はＩＴＯに流れる。ところが、パッシベーション膜によって、ＩＴＯ側に流れる電荷の移動度が低くなり、配向膜近傍にイオンが吸着し易くなって電荷の拡散が遅くなってしまう。即ち、液晶に対して直流電圧が印加されやすくなって、例えば、液晶成分の分解、液晶セル中に発生した不純物による汚染、表示画像の焼き付き等の液晶の劣化が生じてしまうという問題点もあった。
【００１５】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、シール材による基板相互間の密着性を高くして耐性を向上させると共に、透明電極側に流れる電荷の移動度を向上させて液晶の劣化を防止することができる液晶装置用基板、液晶装置及び液晶装置用基板の製造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る液晶装置用基板は、第１の透明基板上にマトリクス状に配置される画素に対応して形成される画素電極と、前記画素電極を含む前記第１の透明基板上であって、前記第１の透明基板に対向配置されて液晶が封入される第２の透明基板との接合材の形成領域以外の領域に形成されるパッシベーション膜と、前記画素電極上に前記パッシベーション膜を介在させて形成される配向膜とを具備したことを特徴とする。
【００１７】
このような構成によれば、第１の透明基板上には画素電極がマトリクス状に配置される。この画素電極を含む第１の透明基板上であって、第１の透明基板に対向配置されて液晶が封入される第２の透明基板との接合材の形成領域以外の領域にパッシベーション膜が形成される。従って、接合材の形成領域においては、パッシベーション膜は形成されない。画素電極上にパッシベーション膜を介在させて配向膜が形成される。パッシベーション膜が画素電極と配向膜との間に介在しており、画素に入射光が照射された場合における画素電極と配向膜との酸化還元反応が防止される。また、接合材の形成領域においては、パッシベーション膜が形成されていないので、接合材によって第１の透明基板と第２の透明基板とを接合した場合における密着性が高い。
【００１８】
また、本発明に係る液晶装置用基板は、第２の透明基板上に形成される対向電極と、前記対向電極を含む前記第２の透明基板上であって、前記第２の透明基板に対向配置されて液晶が封入される第１の透明基板との接合材の形成領域以外の領域に形成されるパッシベーション膜と、前記対向電極上に前記パッシベーション膜を介在させて形成される配向膜とを具備したことを特徴とする。
【００１９】
このような構成によれば、第２の透明基板上には対向電極が形成される。この対向電極を含む第２の透明基板上であって、第２の透明基板に対向配置されて液晶が封入される第１の透明基板との接合材の形成領域以外の領域にパッシベーション膜が形成される。従って、接合材の形成領域においては、パッシベーション膜は形成されない。対向電極上にパッシベーション膜を介在させて配向膜が形成される。パッシベーション膜が対向電極と配向膜との間に介在しており、画素に入射光が照射された場合における対向電極と配向膜との酸化還元反応が防止される。また、接合材の形成領域においては、パッシベーション膜が形成されていないので、接合材によって第１の透明基板と第２の透明基板とを接合した場合における密着性が高い。
【００２０】
また、前記パッシベーション膜は、前記接合材の形成領域の内側の領域に形成されることを特徴とする。
【００２１】
このような構成によれば、接合材の形成領域の内側において、電極と配向膜との間にパッシベーション膜を介在させることができる。表示領域を接合材の形成領域の内側に設けることができ、表示領域内においては、電極と配向膜との酸化還元反応による配向膜の劣化を防止することができる。
【００２２】
また、本発明に係る液晶装置は、上記２つの液晶装置用基板の少なくとも一方を用いて構成したことを特徴とする。
【００２３】
このような構成によれば、電極と配向膜との酸化還元反応による配向膜の劣化を防止すると共に、第１、第２の透明基板同士の接合の密着性を向上させることができる。これにより、第１、第２の透明基板間に水が滲入することを防止して、耐性を向上させることができる。
【００２４】
本実施の形態における液晶装置用基板は、第１の透明基板上にマトリクス状に配置される画素に対応して形成される画素電極と、前記画素電極の一部を露出させた状態で前記画素電極を覆うように形成されるパッシベーション膜と、前記画素電極及び前記パッシベーション膜を含む前記第１の透明基板上に前記画素電極の露出した一部と接触するように形成される配向膜とを具備したことを特徴とする。
【００２５】
このような構成によれば、第１の透明基板上に画素電極がマトリクス状に配置される。この画素電極の一部を露出させた状態で画素電極を覆うようにパッシベーション膜が形成される。画素電極及びパッシベーション膜を含む第１の透明基板上に画素電極の露出した一部と接触するように配向膜が形成される。従って、パッシベーション膜によって被覆された画素電極の上面は、入射光による画素電極と配向膜との酸化還元反応を防止することができる。一方、パッシベーション膜によって被覆されていない画素電極の上面は、画素電極と配向膜とが直接接触する。従って、第１の透明基板を第２の透明基板に対向配置して結合し液晶を封入して表示装置を構成した場合において、配向膜の電荷を効果的に画素電極側に流すことができ、電荷の移動度を向上させて焼き付け現象等の液晶の劣化を防止することができる。
【００２６】
また、前記パッシベーション膜は、前記画素電極上において入射光が集光する領域に対応した位置に形成されることを特徴とする。
【００２７】
このような構成によれば、画素電極への入射光による画素電極と配向膜との酸化還元反応を効果的に抑制することができる。
【００２８】
また、前記パッシベーション膜は、前記画素電極上の中央の領域に形成されることを特徴とする。
【００２９】
このような構成によれば、画素電極の中央の領域に入射光が集光される場合には、入射光による画素電極と配向膜との酸化還元反応を効果的に抑制することができる。
【００３０】
また、前記パッシベーション膜は、前記画素電極上の中央の領域に円形状に形成されることを特徴とする。
【００３１】
このような構成によれば、画素電極の中央の領域に円形状に入射光が集光される場合には、入射光による画素電極と配向膜との酸化還元反応を効果的に抑制することができる。
【００３２】
本発明に係る液晶装置用基板は、第２の透明基板上に形成される対向電極と、前記対向電極の一部を露出した状態で前記対向電極を覆うように形成されるパッシベーション膜と、前記対向電極及び前記パッシベーション膜を含む前記第２の透明基板上に前記対向電極の露出した一部と接触するように形成される配向膜とを具備したことを特徴とする。
【００３３】
このような構成によれば、第２の透明基板上に対向電極が配置される。この対向電極の一部を露出させた状態で対向電極を覆うようにパッシベーション膜が形成される。対向電極及びパッシベーション膜を含む第２の透明基板上に対向電極の露出した一部と接触するように配向膜が形成される。従って、パッシベーション膜によって被覆された対向電極の上面は、入射光による対向電極と配向膜との酸化還元反応を防止することができる。一方、パッシベーション膜によって被覆されていない対向電極の上面は、対向電極と配向膜とが直接接触する。従って、第２の透明基板を第１の透明基板に対向配置して結合し液晶を封入して表示装置を構成した場合において、配向膜の電荷を効果的に対向電極側に流すことができ、電荷の移動度を向上させて焼き付け現象等の液晶の劣化を防止することができる。
【００３４】
本発明に係る液晶装置は、上記２つの液晶装置用基板の少なくとも一方を用いて構成したことを特徴とする。
【００３５】
このような構成によれば、電極と配向膜との酸化還元反応による配向膜の劣化を防止すると共に、液晶装置用基板同士を対向配置して結合し液晶を封入して表示装置を構成した場合において、配向膜の電荷を効果的に対向電極側に流すことができ、電荷の移動度を向上させて焼き付け現象等の液晶の劣化を防止することができる。
【００３６】
また、本発明に係る液晶装置用基板の製造方法は、第１の透明基板上にマトリクス状に配置される画素に対応して画素電極を形成する工程と、前記画素電極を含む前記第１の透明基板上であって、前記第１の透明基板に対向配置されて液晶が封入される第２の透明基板との接合材の形成領域以外の領域にパッシベーション膜を形成する工程と、前記画素電極上に前記パッシベーション膜を介在させて配向膜を形成する工程とを具備したことを特徴とする。
【００３７】
このような構成によれば、先ず、第１の透明基板上にマトリクス状に画素電極を形成する。次に、画素電極を含む第１の透明基板上であって、第１の透明基板に対向配置されて液晶が封入される第２の透明基板との接合材の形成領域以外の領域にパッシベーション膜を形成する。次いで、画素電極上にパッシベーション膜を介在させて配向膜を形成する。これにより、画素に入射光が照射された場合における画素電極と配向膜との酸化還元反応を防止すると共に、接合材によって第１の透明基板と第２の透明基板とを接合した場合における密着性を向上させる。
【００３８】
また、本発明に係る液晶装置用基板の製造方法は、第２の透明基板上に対向電極を形成する工程と、前記対向電極を含む前記第２の透明基板上であって、前記第２の透明基板に対向配置されて液晶が封入される第１の透明基板との接合材の形成領域以外の領域にパッシベーション膜を形成する工程と、前記対向電極上に前記パッシベーション膜を介在させて配向膜を形成する工程とを具備したことを特徴とする。
【００３９】
このような構成によれば、先ず、第２の透明基板上に対向電極を形成する。次に、対向電極を含む第２の透明基板上であって、第２の透明基板に対向配置されて液晶が封入される第１の透明基板との接合材の形成領域以外の領域にパッシベーション膜を形成する。次いで、対向電極上にパッシベーション膜を介在させて配向膜を形成する。これにより、画素に入射光が照射された場合における対向電極と配向膜との酸化還元反応を防止すると共に、接合材によって第１の透明基板と第２の透明基板とを接合した場合における密着性を向上させる。
【００４０】
また、本発明に係る液晶装置用基板の製造方法は、第１の透明基板上にマトリクス状に配置される画素に対応して画素電極を形成する工程と、前記画素電極の一部を露出させた状態で前記画素電極を覆うようにパッシベーション膜を形成する工程と、前記画素電極及び前記パッシベーション膜を含む前記第１の透明基板上に前記画素電極の露出した一部と接触するように配向膜を形成する工程とを具備したことを特徴とする。
【００４１】
このような構成によれば、先ず、第１の透明基板上に画素電極をマトリクス状に配置する。次に、この画素電極の一部を露出させた状態で画素電極を覆うようにパッシベーション膜を形成する。次いで、画素電極及びパッシベーション膜を含む第１の透明基板上に画素電極の露出した一部と接触するように配向膜を形成する。これにより、入射光による画素電極と配向膜との酸化還元反応を防止すると共に、第１の透明基板を第２の透明基板に対向配置して結合し液晶を封入して表示装置を構成した場合において、電荷の移動度を向上させて焼き付け現象等の液晶の劣化を防止することができる。
【００４２】
また、本発明に係る液晶装置用基板の製造方法は、第２の透明基板上に対向電極を形成する工程と、前記対向電極の一部を露出した状態で前記対向電極を覆うようにパッシベーション膜を形成する工程と、前記対向電極及び前記パッシベーション膜を含む前記第２の透明基板上に前記対向電極の露出した一部と接触するように配向膜を形成する工程とを具備したことを特徴とする。
【００４３】
このような構成によれば、先ず、第２の透明基板上に対向電極を配置する。次に、この対向電極の一部を露出させた状態で対向電極を覆うようにパッシベーション膜を形成する。次いで、対向電極及びパッシベーション膜を含む第２の透明基板上に対向電極の露出した一部と接触するように配向膜を形成する。これにより、入射光による対向電極と配向膜との酸化還元反応を防止すると共に、第１の透明基板を第２の透明基板に対向配置して結合し液晶を封入して表示装置を構成した場合において、電荷の移動度を向上させて焼き付け現象等の液晶の劣化を防止することができる。
【００４４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に係る液晶装置用基板を用いて構成した液晶装置を示す平面図である。本実施の形態はＴＦＴ液晶装置に適用したものであり、図１はＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見て示している。図２は素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図１のＨ−Ｈ’線の位置で切断して示す断面図である。図３は液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。図４は対向基板の断面構造を示す説明図である。図５は液晶装置の画素構造を詳細に示す断面図である。また、図６は図１の液晶装置の製造方法を示すフローチャートであり、図７はパネル組立工程を示すフローチャートである。なお、上記各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００４５】
本実施の形態は、透明電極と配向膜との酸化還元反応を防止するためのパッシベーション膜を、接合材としてのシール材形成領域以外の領域にのみ形成することによって、対向基板と素子基板との接合の密着性を向上させるようにしたものである。
【００４６】
液晶パネル等の液晶装置は、図１及び図２に示すように、ＴＦＴ基板等の素子基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を封入して構成される。素子基板１０上には画素を構成する画素電極（ＩＴＯ）９ａ等がマトリクス状に配置される。また、対向基板２０上には全面に対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられる。図３は画素を構成する素子基板１０上の素子の等価回路を示している。
【００４７】
図３に示すように、画素領域においては、複数本の走査線３ａと複数本のデータ線６ａとが交差するように配線され、走査線３ａとデータ線６ａとで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線３ａとデータ線６ａの各交差部分に対応してＴＦＴ３０が設けられ、このＴＦＴ３０に画素電極９ａが接続される。
【００４８】
ＴＦＴ３０は走査線３ａのＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。また、画素電極９ａと並列に蓄積容量７０が設けられており、蓄積容量７０によって、画素電極９ａの電圧はソース電圧が印加された時間よりも例えば３桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。
【００４９】
本実施の形態においては、素子基板１０の画素電極９ａと配向膜（図２では図示省略）との間にパッシベーション膜８１が形成され、対向基板２０の対向電極２１と配向膜（図２では図示省略）との間にパッシベーション膜８２が形成されている。そして、これらのパッシベーション膜８１，８２は、図１の破線及び実線にて示すように、後述するシール材４１によって区画された内側の領域、即ち、シール材４１形成領域以外の領域に形成されている。
【００５０】
図４は対向基板２０を示している。図４に示すように、対向基板２０は入射面側にマイクロレンズを構成するレンズ面が形成されたレンズ基板７１とレンズ面７３による窪みに形成した接着材７４を封止する入射側基板（カバーガラス基板）７２との２層構造である。基板７１，７２は接着材７４によって接着されている。接着材７４と基板７１，７２との材質の相違に応じて屈折率が決定される。
【００５１】
レンズ基板７１の出射面側には、マトリクス状に遮光膜２３が形成されている。レンズ基板７１の出射面側には、遮光膜２３上も含み全域に対向電極２１が形成されている。入射側基板７２の入射面側から入射した光は、基板７２内を透過し、接着材７４の入射面及び出射面（レンズ基板７１の入射面）において屈折し、レンズ基板７１の出射面側から集光されて出射されるようになっている。そして、対向電極２１上には、パッシベーション膜８２が形成されている。パッシベーション膜８２は、基板２０の端部のシール材４１が形成される領域の内側の領域まで形成されており、シール材４１の形成領域には形成されていない。
【００５２】
図５は、一つの画素に着目した組立工程後の液晶装置の模式的断面図である。なお、図５では図面を簡略化するために、対向基板２０に形成されるマイクロレンズは図示を省略している。
【００５３】
ガラスや石英等の素子基板１０には、素子基板完成時の段差形状を調整するために溝１１が形成されている。この溝１１上に遮光膜１２及び第１層間絶縁膜１３を介してＬＤＤ構造をなすＴＦＴ３０が形成されている。溝１１によって、ＴＦＴ基板の液晶５０との境界面が平坦化される。
【００５４】
ＴＦＴ３０は、チャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ、ドレイン領域１ｅが形成された半導体層に絶縁膜２を介してゲート電極をなす走査線３ａが設けられてなる。なお、遮光膜１２は、ＴＦＴ３０の形成領域に対応する領域、後述するデータ線６ａ及び走査線３ａ等の形成領域、即ち各画素の非表示領域に対応した領域に形成されている。この遮光膜１２によって、反射光がＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ及びドレイン領域１ｅに入射することが防止される。
【００５５】
ＴＦＴ３０上には第２層間絶縁膜１４が積層され、第２層間絶縁膜１４上には中間導電層１５が形成されている。中間導電層１５上には誘電体膜１７を介して容量線１８が対向配置されている。容量線１８は、容量層と遮光層とからなり、中間導電層１５との間で蓄積容量を構成すると共に、光の内部反射を防止する遮光機能を有する。半導体層に比較的近接した位置に中間導電層１５を形成しており、光の乱反射を効率よく防止することができる。
【００５６】
容量線１８上には第３層間絶縁膜１９が配置され、第３層間絶縁膜１９上にはデータ線６ａが積層される。データ線６ａは、第３及び第２層間絶縁膜１９，１４を貫通するコンタクトホール２４ａ，２４ｂを介してソース領域１ｄに電気的に接続される。データ線６ａ上には第４層間絶縁膜２５を介して画素電極９ａが積層されている。画素電極９ａは、第４〜第２層間絶縁膜２５，１９，１４を貫通するコンタクトホール２６ａ，２６ｂにより容量線１８を介してドレイン領域１ｅに電気的に接続される。
【００５７】
画素電極９ａ上にはパッシベーション膜８１が形成されている。本実施の形態においては、パッシベーション膜８１は、図１に示すように、基板１０の端部のシール材４１が形成される領域の内側の領域まで形成されており、シール材４１の形成領域には形成されていない。パッシベーション膜８１上にはポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜１６が積層され、所定方向にラビング処理されている。
【００５８】
走査線３ａ（ゲート電極）にＯＮ信号が供給されることで、チャネル領域１ａが導通状態となり、ソース領域１ｄとドレイン領域１ｅとが接続されて、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに与えられる。
【００５９】
対向基板２０には、ＴＦＴアレイ基板のデータ線６ａ、走査線３ａ及びＴＦＴ３０の形成領域に対向する領域、即ち各画素の非表示領域において、マトリクス状に第１遮光膜２３（図５及び図４参照、図２では図示省略）が設けられている。この第１遮光膜２３によって、対向基板２０側からの入射光がＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ及びドレイン領域１ｅに入射することが防止される。第１遮光膜２３上に、対向電極（共通電極）２１が基板２０全面に亘って形成されている。上述したように、対向電極２１上にはシール材４１形成領域以外の領域にパッシベーション膜８２が形成されている。パッシベーション膜８２上にポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜２２が積層され、所定方向にラビング処理されている。
【００６０】
そして、素子基板１０と対向基板２０との間に液晶５０が封入されている。これにより、ＴＦＴ３０は所定のタイミングでデータ線６ａから供給される画像信号を画素電極９ａに書き込む。書き込まれた画素電極９ａと対向電極２１との電位差に応じて液晶５０の分子集合の配向状態が変化して、光を変調し、階調表示を可能にする。
【００６１】
図１及び図２に示すように、対向基板２０には表示領域を区画する額縁としての遮光膜４２が設けられている。遮光膜４２は例えば遮光膜２３と同一又は異なる遮光性材料によって形成されている。
【００６２】
遮光膜４２の外側の領域に液晶を封入するシール材４１が、素子基板１０と対向基板２０間に形成されている。シール材４１は対向基板２０の輪郭形状に略一致するように配置され、素子基板１０と対向基板２０を相互に固着する。シール材４１は、素子基板１０の１辺の一部において欠落しており、貼り合わされた素子基板１０及び対向基板２０相互の間隙には、液晶５０を注入するための液晶注入口７８が形成される。液晶注入口７８より液晶が注入された後、液晶注入口７８を封止材７９で封止するようになっている。
【００６３】
本実施の形態においては、シール材４１の形成領域には、パッシベーション膜８１，８２は配置されておらず、シール材４１は、素子基板１０側では配向膜１６に直接接合され、対向基板２０側では配向膜２２に直接接合されるようになっている。
【００６４】
一方、パッシベーション膜８１，８２によって画素電極９ａ又は対向電極２１は完全に被覆されており、これらの電極９ａ，２１と配向膜１６，２２との間の酸化還元反応を防止して、配向膜の劣化を抑制することができる。
【００６５】
素子基板１０のシール材４１の外側の領域には、データ線駆動回路６１及び実装端子６２が素子基板１０の一辺に沿って設けられており、この一辺に隣接する２辺に沿って、走査線駆動回路６３が設けられている。素子基板１０の残る一辺には、画面表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路６３間を接続するための複数の配線６４が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、素子基板１０と対向基板２０との間を電気的に導通させるための導通材６５が設けられている。
【００６６】
次に、図６を参照して図１の液晶装置の素子基板の製造方法について説明する。
【００６７】
先ず、石英基板、ハードガラス、シリコン基板等のＴＦＴアレイ基板１０を用意する。好ましくはＮ２（窒素）等の不活性ガス雰囲気且つ約９００〜１３００℃の高温でアニール処理し、後に実施される高温プロセスにおけるＴＦＴアレイ基板１０に生じる歪みが少なくなるように前処理しておく。
【００６８】
図６のステップＳ３１において、ＴＦＴアレイ基板１０に対してエッチング等によって溝１１（図５参照）を形成する。次に、図６のステップＳ３２において、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｄ等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜を、スパッタリングにより、１００〜５００ｎｍ程度の膜厚、好ましくは約２００ｎｍの膜厚に堆積させる。そしてフォトリソグラフィ及びエッチングにより、平面形状が格子状の下側遮光膜１２を形成する。
【００６９】
次に、ステップＳ３３において、下側遮光膜１２上に、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる層間絶縁膜１３を形成する。この層間絶縁膜１３の膜厚は、例えば約５００〜２０００ｎｍ程度とする。
【００７０】
次に、ステップＳ３４において、層間絶縁膜１３上に、約４５０〜５５０℃、好ましくは約５００℃の比較的低温環境中で、流量約４００〜６００ｃｃ／ｍｉｎのモノシランガス、ジシランガス等を用いた減圧ＣＶＤ（例えば、圧力約２０〜４０ＰａのＣＶＤ）により、アモルファスシリコン膜を形成する。その後、窒素雰囲気中で、約６００〜７００℃にて約１〜１０時間、好ましくは、４〜６時間のアニール処理を施することにより、ポリシリコン膜を約５０〜２００ｎｍの粒径、好ましくは約１００ｎｍの粒径となるまで固相成長させる。固相成長させる方法としては、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）を使ったアニール処理でもよいし、エキシマレーザー等を用いたレーザーアニールでもよい。この際、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を、ｎチャネル型とするかｐチャネル型にするかに応じて、Ｖ族元素やＩＩＩ族元素のドーパントを僅かにイオン注入等によりドープしてもよい。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、所定パターンを有する半導体層１ａを形成する。
【００７１】
次に、ステップＳ３５において、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａを約９００〜１３００℃の温度、好ましくは約１０００℃の温度により熱酸化し、続けて減圧ＣＶＤ法等により、若しくは両者を続けて行うことにより、多層の高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜からなる（ゲート絶縁膜を含む）下層及び上層のゲート絶縁膜２を形成する。
【００７２】
この結果、半導体層１ａは、約３０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３５〜５０ｎｍの厚さとなり、絶縁膜２の厚さは、約２０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３０〜１００ｎｍの厚さとなる。
【００７３】
次に、画素スイッチング用のＴＦＴ３０のスレッシュホールド電圧Ｖｔｈを制御するために、半導体層１ａのうちＮチャネル領域或いはＰチャネル領域に、ボロン等のドーパントを予め設定された所定量だけイオン注入等によりドープする。
【００７４】
次に、ステップＳ３６において、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を堆積し、更にリン（Ｐ）を熱拡散し、このポリシリコン膜を導電化する。または、Ｐイオンをこのポリシリコン膜の成膜と同時に導入したドープトシリコン膜を用いてもよい。このポリシリコン膜の膜厚は、約１００〜５００ｎｍの厚さ、好ましくは約３５０ｎｍ程度である。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、ＴＦＴ３０のゲート電極部を含めて所定パターンの走査線３ａを形成する。
【００７５】
例えば、ＴＦＴ３０を、ＬＤＤ構造を持つｎチャネル型のＴＦＴとする場合には、半導体層１ａに、低濃度ソース領域及び低濃度ドレイン領域を形成するために、走査線３ａ（ゲート電極）をマスクとして、Ｐ等のＶ族元素のドーパントを低濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０１３／ｃｍ２のドーズ量にて）ドープする（ステップＳ３７）。これにより走査線３ａ下の半導体層１ａはチャネル領域１ａ’となる。
【００７６】
更に、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成するために、走査線３ａよりも幅の広い平面パターンを有するレジスト層を走査線３ａ上に形成する。その後、Ｐ等のＶ族元素のドーパントを高濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０１５／ｃｍ２のドーズ量にて）ドープする（ステップＳ３８）。
【００７７】
こうして、低濃度のソース・ドレイン領域と高濃度のソース・ドレイン領域とを有するＬＤＤ構造の素子を構成する。なお、例えば、低濃度のドープを行わずに、オフセット構造のＴＦＴとしてもよく、走査線３ａをマスクとして、Ｐイオン、Ｂイオン等を用いたイオン注入技術によりセルフアライン型のＴＦＴとしてもよい。この不純物のドープにより走査線３ａは更に低抵抗化される。
【００７８】
次に、ステップＳ３９では、走査線３ａ上に、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳガス、ＴＥＢガス、ＴＭＯＰガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第２層間絶縁膜１４を形成する。この第２層間絶縁膜１４の膜厚は、例えば約５００〜２０００ｎｍ程度とする。ここで好ましくは、８００℃の程度の高温でアニール処理し、層間絶縁膜１４の膜質を向上させておく。
【００７９】
次に、ステップＳ４０において、第２層間絶縁膜１４に対する反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより、コンタクトホール２４ａを同時開孔する。
【００８０】
次に、ステップＳ４１において、蓄積容量の下部容量電極となる第１中間導電層１５が形成される。即ち、第２層間絶縁膜１４上に、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を堆積し、更にリン（Ｐ）を熱拡散し、このポリシリコン膜を導電化する。または、Ｐイオンをこのポリシリコン膜の成膜と同時に導入したドープトシリコン膜を用いてもよい。このポリシリコン膜の膜厚は、約１００〜５００ｎｍの厚さ、好ましくは約１５０ｎｍ程度である。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングによりパターニングを行って、第１中間導電層１５を形成する。
【００８１】
次のステップＳ４２において、蓄積容量の絶縁膜である誘電体膜１７を形成する。即ち、画素電位側容量電極を兼ねる第１中間導電層１５及び第２層間絶縁膜１４上に、減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等により高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜からなる誘電体膜１７を膜厚５０ｎｍ程度の比較的薄い厚さに堆積する。
【００８２】
なお、誘電体膜１７は、絶縁膜２の場合と同様に、単層膜或いは多層膜のいずれから構成してもよく、一般にＴＦＴのゲート絶縁膜を形成するのに用いられる各種の公知技術により形成可能である。そして、誘電体膜１７を薄くする程、蓄積容量は大きくなるので、結局、膜破れ等の欠陥が生じないことを条件に、膜厚５０ｎｍ以下の極薄い絶縁膜となるように誘電体膜１７を形成すると有利である。
【００８３】
次に、ステップＳ４３において、誘電体膜１７上に蓄積容量の上部電極を構成する容量線１８を形成する。容量線１８の膜厚は例えば１５０ｎｍに設定する。
【００８４】
次に、ステップＳ４４において、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第３層間絶縁膜１９を形成する。第３層間絶縁膜１９の膜厚は、例えば５００〜１５００ｎｍ程度である。
【００８５】
次に、ステップＳ４５において、第３層間絶縁膜１９に対する反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより、コンタクトホール２４ｂを開孔する。
【００８６】
次に、ステップＳ４６において、コンタクトホール２４ｂを埋めるように第３層間絶縁膜１９上の全面に、スパッタリング等により、遮光性のＡｌ等の低抵抗金属や金属シリサイド等を金属膜として、約１００〜５００ｎｍの厚さ、好ましくは約３００ｎｍに堆積する。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、所定パターンを有するデータ線６ａを形成する。
【００８７】
次に、ステップＳ４７において、データ線６ａ上を覆うように、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第４層間絶縁膜２５を形成する。第４層間絶縁膜２５の膜厚は、例えば５００〜１５００ｎｍ程度である。
【００８８】
次に、ステップＳ４８において、第４層間絶縁膜２５及び第３層間絶縁膜１９に対する反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより、コンタクトホール２６ｂを開孔する。
【００８９】
次に、ステップＳ４９において、このコンタクトホール２６ｂの内周面及び第４層間絶縁膜２５上に、スパッタ処理等により、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜を、約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積する。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、画素電極９ａを形成する。なお、液晶装置を反射型の液晶装置に用いる場合には、Ａｌ等の反射率の高い不透明な材料から画素電極９ａを形成してもよい。コンタクトホール２６ｂは、第１中間導電層１５と画素電極９ａとを接続する。
【００９０】
本実施の形態においては、次のステップＳ５０において、蒸着又はスパッタ処理等により、透明絶縁膜を約１〜５０ｎｍの厚さに堆積する。なお、パッシベーション膜８１としてはＭｇＯ、ＳｉＯ２等の材料を用いることができる。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、パッシベーション膜８１を形成する。このパッシベーション膜８１は、上述したように、シール材４１の形成領域の内側の領域にのみ形成され、シール材４１の形成領域には形成されない。
【００９１】
次に、図７を参照してパネル組立工程について説明する。素子基板１０（ＴＦＴ基板）と対向基板２０とは、別々に製造される。ステップＳ１  ，Ｓ１１で夫々用意されたＴＦＴ基板及び対向基板２０に対して、次のステップＳ２  ，Ｓ１２では、配向膜１６，２２となるポリイミド（ＰＩ）を塗布する。次に、ステップＳ３  ，Ｓ１３において、素子基板１０表面の配向膜１６及び対向基板２０表面の配向膜２２に対して、ラビング処理を施す。
【００９２】
次に、ステップＳ４  ，Ｓ１４において、洗浄工程を行う。この洗浄工程は、ラビング処理によって生じた塵埃を除去するためのものである。洗浄工程が終了すると、ステップＳ５  において、シール材４１、及び導通材６５（図３参照）を形成する。本実施の形態においては、シール材４１は、対向基板２０のパッシベーション膜８２形成領域の外側の領域又は素子基板１０のパッシベーション膜８１形成領域の外側の領域に形成される。
【００９３】
このようなシール材４１を形成した後、次に、ステップＳ２１で、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせ、ステップＳ２２でアライメントを施しながら圧着し、シール材４１を硬化させる。この場合には、パッシベーション膜８１，８２の形成領域の外側にシール材４１が形成されていることから、シール材４１は直接素子基板１０の配向膜１６及び対向基板２０の配向膜２２に接合される。このため、シール材４１と素子基板１０及び対向基板２０とは高い密着性が得られ、液晶セル内への水の滲入を確実に防止することができる。
【００９４】
次に、ステップＳ２３において、シール材４１の一部に設けた切り欠きから液晶を封入し、切り欠きを塞いで液晶を封止する。次に、液晶配向のばらつきを解消するために、各液晶装置内の液晶に対して等方処理が行われる（ステップＳ２４）。等方処理は、液晶を一旦等方相まで加熱し、次いで急冷してネマチック相に戻すことで液晶の再配列を行うものである。加熱は約１００°Ｃ〜１２０°Ｃで行われる。このような等方処理工程の加熱処理によって、配向膜表面近傍に所望としない方向で吸着、配列した液晶分子も解離する。そして、この状態から急冷することで、液晶分子は、ラビング方向で且つ所定の傾斜（チルト）方向に再配列される。最後に、ステップＳ２５において、等方処理後のマザーガラス基板を液晶セル毎に分断して、図１に示す液晶装置を得る。
【００９５】
このように、本実施の形態においては、透明電極と配向膜との酸化還元反応を防止するためのパッシベーション膜を、シール材形成領域以外の領域にのみ形成しており、対向基板と素子基板との接合の密着性を向上させて水の滲入を防ぎ、液晶装置の耐性を向上させることができる。
【００９６】
また、パッシベーション膜８１，８２によって画素電極９ａ又は対向電極２１は完全に被覆されており、これらの電極９ａ，２１と配向膜１６，２２との間の酸化還元反応を防止して、配向膜の劣化を抑制することができる。
【００９７】
なお、図１においては、パッシベーション膜をシール材形成領域の内側の領域にのみ形成する例を説明したが、パッシベーション膜をシール材形成領域に形成しないようにすればよく、例えばシール材形成領域の外側の領域にパッシベーション膜が形成されていてもよいことは明らかである。
【００９８】
図８は本発明の第２の実施の形態に係る液晶装置用基板を示す平面図である。図８は１画素の領域のみを示している。また、図９は隣接する２画素領域の断面を説明するための説明図である。また、図１０は図８の液晶装置用基板を用いて構成した液晶装置の画素構造を具体的に示す断面図である。
【００９９】
本実施の形態においては、透明電極と配向膜との酸化還元反応を防止するためのパッシベーション膜を、各画素領域の一部に形成することにより、配向膜からの電荷を効率よく透明電極に流すことを可能にして電荷の移動度を向上させることにより、液晶の劣化を防止するようにしたものである。
【０１００】
本実施の形態はパッシベーション膜の形状が第１の実施の形態と異なるのみであり、他の構成は図１乃至図５に示す構成と同様である。本実施の形態においては、少なくとも素子基板側においては、パッシベーション膜は画素毎に分割されており、各画素毎にパッシベーション膜が形成されている。
【０１０１】
図８は各画素におけるパッシベーション膜の平面形状を示している。画素電極９ａは図３の各画素に対応した電極であり、表示領域において、アレイ状に形成されている。画素電極９ａの垂直方向の辺に沿ってデータ線６ａが延設され、水平方向の線に沿って走査線３ａが延設されている。
【０１０２】
上述したように、画素電極９ａは基板全面に形成された第４層間絶縁膜２５上の各画素位置に形成されている。図９に示すように、隣接する画素電極９ａ同士は離間して設けられる。本実施の形態においては、各画素電極９ａ上に、夫々パッシベーション膜９１が形成されている。例えば、パッシベーション膜９１は、蒸着又はスパッタ処理等により、ＭｇＯ、ＳｉＯ２等の透明絶縁膜を約１〜５０ｎｍの厚さに堆積し、フォトリソグラフィ及びエッチングによって、所定の形状に形成される。
【０１０３】
本実施の形態においては、パッシベーション膜９１は、画素電極９ａの一部が露呈した部分を有するように形成され、この露呈した部分が配向膜１６に直接接触するようになっている。更に、本実施の形態においては、パッシベーション膜９１は、対向基板２０に形成されたマイクロレンズによる入射光の集光領域に形成されるようになっている。図１０はこのような素子基板を用いて構成した液晶装置の画素構造を示している。図１０において、パッシベーション膜９１は、画素電極９ａの中央の領域上にのみ形成されており、画素電極９ａの周辺の領域には形成されていない。
【０１０４】
このように、本実施の形態においては、パッシベーション膜９１は、各画素電極９ａの中央の領域上にのみ形成される。画素電極９ａの周辺の領域にパッシベーション膜９１が形成されていないことから、各画素電極９ａの周辺の領域は直接配向膜１６に接触する。従って、配向膜１６の電荷が画素電極９ａの周辺の領域を介して容易に画素電極９ａ側に流れる。これにより、配向膜１６からの電荷の移動度が向上し、残像の発生を防止して液晶の劣化を防ぐことができる。
【０１０５】
パッシベーション膜９１は画素電極９ａの中央の領域にのみ形成されていることから、画素電極９ａの周辺の領域では、画素電極９ａと配向膜１６との酸化還元反応が起こりやすい。しかし、本実施の形態においては、対向基板２０側にマイクロレンズを採用して、対向基板側から入射される光を画素電極９ａの中央部分に集光させており、画素電極９ａの周辺の領域における酸化還元反応の発生量は極めて少ない。また、入射光が入射される画素電極９ａの中央領域においては、パッシベーション膜９１によって、画素電極９ａと配向膜１６との酸化還元反応の発生を抑制することができる。
【０１０６】
このように、本実施の形態においては、画素電極９ａと配向膜１６との酸化還元反応を抑制しつつ、配向膜１６からの電荷の移動度を向上させ、配向膜近傍にイオンが吸着することを防止して電荷の拡散を早め、焼き付き等の液晶の劣化の発生を防止することができる。
【０１０７】
なお、本実施の形態においては、マイクロレンズの集光によって画素電極９ａ表面において入射光のエネルギーが円形状に集中することを考慮して、平面形状を円形状にしたが、画素電極９ａの一部を配向膜１６に露出させることができれば、どのような形状でもよいことは明らかである。また、各画素電極９ａの側面において配向膜１６との間で十分な電荷を流すことができる場合には、画素電極９ａの上面の全域にパッシベーション膜を形成するようにしてもよい。また、必ずしも全画素の画素電極９ａの表面を配向膜１６に露出するようにする必要はなく、一部の画素電極９ａの表面が配向膜１６に露出するようにパッシベーション膜を形成してもよい。
【０１０８】
また、図１０の例では、素子基板側において、画素電極の一部が露出するように、パッシベーション膜を画素毎に形成し、対向基板側は表示領域においては分割することなく一面に形成する例を示したが、対向基板側にパッシベーション膜を設けない構成、或いは対向基板側のパッシベーション膜についても表示領域において分割して形成する構成を採用してもよい。なお、マイクロレンズの集光によって画素電極９ａ表面において入射光のエネルギーが集中することを考慮すると、素子基板側には必ずパッシベーション膜を設けた方がよい。
【０１０９】
対向基板側においては対向電極２１は全面に形成されていることから、対向基板側においてパッシベーション膜を分割して形成する場合には、例えば、対向基板側に形成した遮光膜２３に対応する部分において、パッシベーション膜を形成しない部分を設けるようにすればよい。即ち、比較的高いエネルギーで入射光が照射される部分においてパッシベーション膜を形成すると共に、配向膜と画素電極又は対向電極が一部において直接接触するようにパッシベーション膜を分割形成すれば、パッシベーション膜の形状及び大きさ、分割数等は自由に設定可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る液晶装置用基板を用いて構成した液晶装置を示す平面図。
【図２】素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図１のＨ−Ｈ’線の位置で切断して示す断面図。
【図３】液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図。
【図４】対向基板の断面構造を示す説明図。
【図５】液晶装置の画素構造を詳細に示す断面図。
【図６】図１の液晶装置の製造方法を示すフローチャート、
【図７】パネル組立工程を示すフローチャート。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係る液晶装置用基板を示す平面図。
【図９】隣接する２画素領域の断面を説明するための説明図。
【図１０】図８の液晶装置用基板を用いて構成した液晶装置の画素構造を具体的に示す断面図。
【符号の説明】
１０…素子基板、２０…対向基板、４１…シール材、８１，８２…パッシベーション膜。
【図１】
2004219563.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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