(57)【要約】【課題】真空処理特性の向上を図るとともに、優れた生産性を有する装置を提供する。【解決手段】真空処理装置は、処理容器部１００と、処理容器部１００の排気手段１５０と、処理容器部１００と排気手段１５０を連通する排気配管１０１および排気口１１０を有する。そして、処理容器部１００に設けられた排気口１１０と相対する位置に、処理容器部１００内に清浄空気を導入する清浄空気導入手段１１１を有し、また、排気配管１０１に、導入された清浄空気を排出するための清浄空気排出手段１０７を有する。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理容器と、該真空処理容器を減圧にする排気手段と、前記真空処理容器と前記排気手段を連通する排気配管および排気口とを有する真空処理装置において、
前記真空処理容器に設けられた排気口と相対する位置に、前記真空処理容器内に清浄空気を導入する清浄空気導入手段を有し、かつ、前記排気配管に、前記導入された清浄空気を排出するための清浄空気排出手段を有することを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
前記真空処理装置は、前記排気配管にて、前記真空処理容器から前記排気手段への排気方向に関して配置された前記真空処理容器直後のバルブおよび前記排気手段直前のバルブを有しており、
前記清浄空気排出手段は、前記真空処理容器直後のバルブと前記排気手段直前のバルブとの間に配置されている、請求項１に記載の真空処理装置。
【請求項３】
前記清浄空気の前記真空処理容器内での風速が、０．２〜０．８　　ｍ／ｓである、請求項１または２に記載の真空処理装置。
【請求項４】
前記清浄空気導入手段は、クリーンルームの壁面に設けられた、壁面を開閉可能な手段である、請求項１から３のいずれか１項に記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイス、電子写真用感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス等の形成に用いる、堆積膜形成、エッチング等の真空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
処理装置内に被処理基体を設置する際、あるいは、処理装置内で被処理基体に堆積膜の形成やエッチング等の処理を施す際には、処理装置内の雰囲気の清浄度が製品の品質、性能に大きな影響を与える場合がある。例えば、堆積膜の形成においては、基体の処理表面に付着した塵埃が核となって堆積膜が異常成長することで、堆積膜の品質を低下させる。また、エッチング処理においては、基体の処理表面に付着した塵埃によって適切な箇所にエッチングを施すことができなくなることがある。そのため、被処理基体を処理装置内に設置する際、さらに、被処理基体に堆積膜の形成やエッチング等の処理を施す際に、処理装置内の塵埃等の不要物質を除去することが一般的に行われている。
【０００３】
例えば、特開平０９‐２６４５７５号には、装置内の雰囲気を、除去フィルターを通して循環させ、あるいは清浄気体を供給すること等により、装置内に存在する粉塵または不要成分物質を装置内から除去する清浄手段を備えた製造装置が開示されている。
【０００４】
また、真空成膜装置に関しても特公平０５−７３８２６号には、清浄気体を真空室内に導入する配管と、真空室に開口し主排気系とは別個に設けられて塵埃を排気する塵埃排気管を具備しており、かつ前記配管により清浄気体の一部をワークの表面に吹付け得るようにした真空成膜装置が開示されている。
【０００５】
また、特開平１０−１６８５７６号公報には、反応容器と排気装置が分離可能な真空処理装置の構成が開示されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開平０９‐２６４５７５号公報
【特許文献２】
特公平０５−７３８２６号公報
【特許文献３】
特開平１０−１６８５７６号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の方法及び装置により、処理装置内の塵埃を効率よく処理装置外に除去することが可能となり、品質の向上した製品を作製可能となってきた。
【０００８】
しかし、真空処理装置を用いて作製される、例えば電子写真装置用のアモルファスシリコン感光体においては、電子写真装置の高速デジタル化、フルカラー化に伴い、電子写真装置内の帯電システム、光学露光システム、現像システム等の改良がなされた結果、感光体においても従来以上の画像特性の向上が求められるようになった。その結果、俗に「ポチ」と呼ばれる、白点状、黒点状の画像欠陥の減少、特に従来は問題にされなかった微少な大きさの「ぽち」の減少が求められるようになった。「ぽち」に関してはその原因のほとんどが基体上に付着した塵埃を核としての堆積膜の異常成長であり、基体上に付着する塵埃数をいっそう減らすことが要求されている。
【０００９】
また、特開平１０−１６８５７６号公報に開示されているような装置構成においては、処理済の基体の搬出は、一般雰囲気で実施されるため、処理装置に塵埃の付着する確立が大幅に高くなるため、従来以上の、効率的な塵埃の除去方法および装置が必要となってくる。
【００１０】
従って、基体上への塵埃の付着の更なる防止を実現すると同時に、更なる生産効率の向上を可能とする装置の早期実現が望まれていた。
【００１１】
本発明は上記課題の解決を目的とするものである。即ち、効率よく塵埃を低減することにより、真空処理特性の向上を図るとともに、優れた生産性を有する装置を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、真空処理容器と、該真空処理容器を減圧にする排気手段と、前記真空処理容器と前記排気手段を連通する排気配管および排気口とを有する真空処理装置において、前記真空処理容器に設けられた排気口と相対する位置に、前記真空処理容器内に清浄空気を導入する清浄空気導入手段を有し、かつ、前記排気配管に、前記導入された清浄空気を排出するための清浄空気排出手段を有することを特徴とする。
【００１３】
また、前記真空処理装置は、前記排気配管にて、前記真空処理容器から前記排気手段への排気方向に関して配置された前記真空処理容器直後のバルブおよび前記排気手段直前のバルブを有しており、前記清浄空気排出手段は、前記真空処理容器直後のバルブと前記排気手段直前のバルブとの間に配置されているほうが好ましい。
【００１４】
また、前記清浄空気の前記真空処理容器内での風速が、０．２〜０．８　　ｍ／ｓであることが好ましい。
【００１５】
また、前記清浄空気導入手段は、クリーンルームの壁面に設けられた、壁面を開閉可能な手段であるほうが好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明者らは上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、上記のような真空処理装置を用いることで、処理基体に塵埃が付着するのを防止し、これによって処理特性の向上を図り、さらに製品の歩留まり率の向上を可能にした。
【００１７】
このような本発明の実施の形態について、以下に詳述する。
【００１８】
図１は本発明の真空処理装置の、一例の模式図である。
【００１９】
図１に示す真空処理装置において、処理容器部１００の内部に被処理基体（図示せず）が配置され、所定の真空処理が実施される。この装置は排気手段１５０を備え、排気手段１５０には、排気配管１０１、メイン排気バルブ１０２、内圧測定器１０３、処理容器部１００の内部の圧力を調整するために、排気コンダクタンス制御手段１１５、スロー排気バルブ１０５、スロー排気ライン１０６が接続されている。排気配管１０１に、導入された清浄空気を排出するための清浄空気排出手段１０７が設けられていて、バルブ１０８と、一方は排気配管１０１に連通し他方は大気開放された排出ライン１０９とからなる。
【００２０】
処理容器部１００は、処理容器内にある排気口１１０、メイン排気バルブ１０２および排気配管１０１を介して排気手段１５０に接続されている。排気手段１５０は、ロータリーポンプ、メカニカルブースターポンプ、油拡散ポンプ、ターボ分子ポンプなど、所望の排気速度を得られる排気手段であればいかなるポンプ、あるいはそれらのいかなる組み合わせでも構わない。
【００２１】
処理容器部１００の排気口１１０と相対する位置には容器内に清浄空気を導入する清浄空気導入手段１１１が設けられている。清浄空気導入手段１１１は、クリーンルーム１１２の壁面に設けられた、壁面を開閉可能なドア１１３と、カバー１１４とからなる。清浄空気導入手段１１１では、ドア１１３を開放することで、処理容器部１００の置かれている雰囲気より陽圧のクリーンルームから清浄な空気が処理容器部１００内に導入される。
【００２２】
処理容器部１００のガス供給及び流量制御手段１６０は、真空処理に必要となる複数のガスボンベ、レギュレータ、バルブ類、マスフローコントローラーなどを含んでいることが望ましく、所望のガスを所望の流量、混合比で供給することが出来れば、いかなる構成でも構わない。また、更に好ましくはパージ用のガスボンベ、パージラインを含んでいることが望ましく、このことによりガスを安全に運用することが可能となる。真空処理に必要な原料ガスは、ガス供給及び流量制御手段１６０より、流量可変バルブ１６１を介し、処理容器部１００内に供給される。
【００２３】
図１の、本発明の電子写真感光体の製造装置を用いた、真空処理方法は、概略以下のようにして行うことができる。
【００２４】
まず、クリーンルーム１１２の壁面に設けられた、壁面を開閉可能なドア１１３を開放することで、処理容器部１００の置かれている雰囲気より陽圧のクリーンルーム１１２から清浄な空気が処理容器部１００内に導入される。次に、バルブ１０８を開け、処理容器部１００内に導入された清浄空気を、排気配管１０１を通し、清浄空気排出手段１０７より、排気配管１０１外に放出する。
【００２５】
このとき、清浄空気排出手段１０７の大気開放側にダストカウンター（図示せず）を設置しておき、計測値が所定の値に達したら、バルブ１０８を閉じる。
【００２６】
次に、クリーンルーム１１２より、壁面を開閉可能なドア１１３を開け、処理容器部１００内に被処理基体（図示せず）を設置する。処理容器部１００に蓋（図示せず）を設置し、処理容器部１００内を減圧可能な状態にしたら、スロー排気バルブ１０５を開け、スロー排気ライン１０６を使用し、処理容器部１００内の減圧を開始する。
【００２７】
スロー排気を実施するのは、メイン排気バルブ１０２を開き、一気に処理容器部１００内を減圧にすると、処理容器部１００内の気体が排気管の接続端における開口部に一気に引き寄せられて、処理容器部１００内に大きな乱気流が発生し、処理容器１００内の壁面や、底面に堆積していた残留塵埃が舞い上がり、塵埃が基体表面に付着するのを防止している。
【００２８】
内圧測定器１０３が所定の値に達したら、スロー排気バルブ１０５を閉じ、メイン排気バルブ１０２を開け、更に処理容器部１００内を減圧にする。その後、所定の真空処理を実施する。
【００２９】
このように、処理容器部１００内の排気口１１０と相対する位置より、清浄空気を処理容器部１００内に導入し、更に排気配管１０１を経由し、清浄空気を流すことで、例えば、プラズマＣＶＤ法のような真空処理を実施する際の原料ガスの流れと同じ気体の流れの状況で、塵埃を除去できるので、処理中の基体への塵埃の付着がより抑制される。また、排気配管内も清浄化できるため、さらに塵埃による基体への悪影響が抑制される。
【００３０】
清浄空気排出手段１０７は、一端が排気配管１０１に連通し、他端が排気配管１０１の外に連通していれば、とくに制限は無い。しかし、減圧処理を行うため密閉可能な手段、例えばバルブが備えられている必要がある。また、排気配管１０１の外との連通は、大気開放でも良いし、排出専用の排気手段に接続してもよく、特に制限はない。
【００３１】
清浄空気導入手段１１１は、清浄空気を反応容器部１００内に導入可能であれば特に制限は無く、例えば、ファンによりＨＥＰＡフィルターを通して清浄空気を導入してもよいし、フィルターを通した加圧空気を、ノズル等を介して導入しても良い。特に、クリーンルーム１１２の壁面に設けられた、壁面開口部より、クリーンルーム１１２の陽圧を利用し、処理容器部１００内に清浄空気を導入する場合は、前述のように、清浄空気を導入しながら、基体の設置を容易に行えるため、より好ましい。
【００３２】
更にこの場合、前述の壁面開口部のドア１１３を処理容器部１００より広くすると、処理容器全体に均一に清浄空気を導入可能となり、より塵埃の除去に効果的である。
【００３３】
このように本発明に真空処理装置を用いることで、実際の処理時の気流条件に近い状態で塵埃の除去が実施されるため、被処理基体に塵埃が付着するのを大幅に抑制可能で、その結果、処理特性の向上と、歩留まりの向上を達成することが可能となる。
【００３４】
さらに、本発明の好ましい真空処理装置として、真空処理容器直後のバルブと、排気手段直前のバルブと、排気手段と、それらを連通する排気配管とからなり、前記導入された清浄空気を排出するための手段を、前記真空処理容器直後のバルブと、前記排気手段直前のバルブの間に配置することで、特に、反応容器と排気装置が分離可能な真空処理装置の構成において、より、処理特性の向上と、歩留まりの向上を達成可能となり、その結果、大幅に生産効率の向上、生産コストの低減を達成することができる。
【００３５】
このような本発明の実施の形態について、以下に詳述する。
【００３６】
図２は本発明の実施の形態による真空処理装置の構成例を示す模式図である。
【００３７】
図２に示す真空処理装置は、基体投入ステージと真空処理ステージと冷却／取り出しステージとから構成される。
【００３８】
本例の処理容器部１００は可動式であり、処理容器１２０と、ゲートバルブ１２３と、架台１２１と、移動可能手段１２２としてのキャスターとからなる。移動可能手段１２２は、処理容器部１００を可動させるものであれば良く、キャスター移動、ベルト移動、磁気浮動移動、空気浮動移動等の移動方式が利用できるが、取り扱い易さ、コストの点からキャスター移動が望ましい。
【００３９】
排気手段１５０（図２（Ａ））には、排気配管１０１と、メイン排気バルブ１０２と、内圧測定器１０３と、接続機構１０４と、スロー排気バルブ１０５と、スロー排気ライン１０６とが接続されている。
【００４０】
排気配管１０１に、清浄空気排出手段１０７が配設されていて、バルブ１０８と、一方は排気配管１０１に連通し他方は大気開放された排出ライン１０９とからなる。
【００４１】
排気手段２５０（図２（Ｂ））には、排気配管２０１と、メイン排気バルブ２０２と、内圧測定器２０３とが接続され、さらに処理容器１２０の内部の圧力を調整するために、排気コンダクタンス制御手段２０５と、接続機構２０４と、プリ排気バルブ２５２と、プリ排気ライン２５１とが接続されている。
【００４２】
処理容器部１００は、接続機構１０４，２０４を介して排気手段１５０，２５０に接続可能となる。
【００４３】
処理容器部１００のガス供給及び流量制御手段２６０は、真空処理に必要となる複数のガスボンベ、レギュレータ、バルブ類、マスフローコントローラーなどを含んでいることが望ましく、所望のガスを所望の流量、混合比で供給することが出来れば、いかなる構成でも構わない。また、更に好ましくはパージ用のガスボンベ、パージラインを含んでいることが望ましく、このことによりガスを安全に運用することが可能となる。真空処理に必要な原料ガスは、ガス供給及び流量制御手段２６０より、流量可変バルブ２６１、接続機構２０４を介し、処理容器１２０内に供給される。
【００４４】
また、処理容器部１００と流量可変バルブ２６１との間にガス接続機構を設けることが望ましく、接続機構２０４にガス接続機構を組み込んである。
【００４５】
接続機構１０４，２０４は、真空保持のためフランジ構造を採ることが望ましく、真空シールとしてはＯリングシール、メタルシールなどいずれでもよい。接続機構１０４，２０４とゲートバルブ１２３の固定方法としてはボルト、カプラ、クランプなどを用いたいずれの方法でも良いが、着脱を容易に行える方がより好ましい。
【００４６】
清浄空気導入手段１１１は、排気口１１０と相対する位置に設けられている。清浄空気導入手段１１１は、クリーンルーム１１２の壁面に設けられた、壁面を開閉可能なドア１１３と、カバー１１４とからなる。清浄空気導入手段１１１では、ドア１１３を開放することで、処理容器部１００の置かれている雰囲気より陽圧のクリーンルーム１１２から清浄な空気が処理容器部１００内に導入される。
【００４７】
処理容器部１００の接続機構３０４には、リークライン３０２、およびリークバルブ３０１が接続されている。
【００４８】
図２に示す本発明の電子写真感光体の製造装置を用いた、真空処理方法は、概略以下のようにして行うことができる。
【００４９】
まず、処理容器部１００を基体投入ステージの接続機構１０４まで移動させ、ゲートバルブ１２３と接続機構１０４とを接続させる。クリーンルーム１１２の壁面に設けられた、壁面を開閉可能なドア１１３を開放することで、処理容器部１００の置かれている雰囲気より陽圧のクリーンルーム１１２から清浄な空気が処理容器部１００内に導入される。次に、ゲートバルブ１２３、バルブ１０８を開け、処理容器部１００内に導入された清浄空気を、排気配管１０１を通し、清浄空気排出手段１０７より、排気配管１０１の外に放出する。
【００５０】
このとき、清浄空気を排出する時間は、例えば、予め清浄空気を排出するための排出手段１０７の大気開放側にダストカウンターを設置しておき、計測値が所定の値に達する時間を計測しておき、その時間をもって、排出する時間とした。所定の時間が経過したら、バルブ１０８を閉じる。
【００５１】
次に、クリーンルーム１１２より、壁面を開閉可能なドア１１３を開け、処理容器部１００内に被処理基体（図示せず）を設置する。処理容器部１００に蓋（図示せず）を設置し、処理容器部１００内を減圧可能な状態にしたら、スロー排気バルブ１０５を開け、スロー排気ライン１０６を使用し、処理容器部１００内の減圧を開始する。
【００５２】
内圧測定器１０３が所定の値に達したら、スロー排気バルブ１０５を閉じ、メイン排気バルブ１０２を開け、更に処理容器部１００内を減圧にする。内圧測定器１０３が所定の値に達したら、メイン排気バルブ１０２、ゲートバルブ１２３を閉じ、メイン排気バルブ１０２とゲートバルブ１２３の間を大気圧力に戻し、処理容器部１００を接続機構１０４から切り離す。
【００５３】
次に、作業員による手動で処理容器部１００を真空処理ステージまで搬送し、真空処理ステージの接続機構２０４とゲートバルブ１２３を接続させる。プリ排気バルブ２５２を開し、ゲートバルブ１２３とメイン排気バルブ２０２の間を減圧にし、内圧測定器２０３が所定の値に達したら、プリ排気バルブ２５２を閉じ、メイン排気バルブ２０２、ゲートバルブ１２３を開ける。その後、ガス供給及び流量制御手段２６０を駆動させ、所望の真空処理用原料ガスを処理容器１２０内に導入し、所定の真空処理が実施される。
【００５４】
所定の真空処理が終了したら、処理容器部１００を真空処理ステージから、冷却／取り出しステージに移動させ、必要に応じ被処理基体の冷却を行い、リークバルブ３０１を開き、処理容器１２０を大気圧力まで戻して、真空処理が済んだ基体を取り出す。
【００５５】
次に、処理容器部１００をクリーニングし、再び、基体投入ステージに搬送し、次の処理が行われる。
【００５６】
このように、少なくとも導入された清浄空気を排出するための手段を、前記真空処理容器直後のバルブと、前記排気手段直前のバルブの間に配置することで、塵埃の基板への悪影響をより効果的に抑制可能となる。バルブは、機械的駆動部を有するため、開閉動作時に構成部品間の摺擦により、発塵してしまう場合がある。また、駆動に伴う振動によりバルブ近傍に付着している塵埃の離脱が促進されてしまう場合がある。発生した塵埃は、大気圧力の場合、浮遊し、基体近傍まで拡散する場合がある。特に大型のゲートバルブなどは、発塵量も多くなり、また、バルブが基体に距離的に近いほど、基体は発塵の影響を受けやすくなる。
【００５７】
本発明のように、導入された清浄空気を排出するための手段を、前記真空処理容器直後のバルブと、前記排気手段直前のバルブの間に配置することで、基体から見て、基体に一番近いバルブの下流側へ清浄空気が排出されるため、バルブ駆動時の発塵を基体側に拡散する前に、真空処理装置外に除去可能である。その結果、処理特性の向上及び、歩留りの向上が可能となる。
【００５８】
特に、真空処理として、堆積膜を形成する場合や、処理容器と排気装置が分離可能な真空処理装置の構成においては、より、処理特性の向上と、歩留まりの向上を達成可能となり、その結果、大幅に生産効率の向上、生産コストの低減を達成することができる。
【００５９】
堆積膜を形成する場合は、非処理基体の設置されている空間以外にも、膜が堆積する場合がある。例えば原料ガスを高周波電力により、分解し体積膜を形成するプラズマＣＶＤ法においては、堆積膜の形成条件（例えば、処理容器の内圧、高周波電力、原料ガス種等）により、形成されたラジカル種やイオン種が排気配管まで到達し、配管内や、バルブに膜の堆積が生じる。これらの膜は、堆積条件が管理されたものではないので、堆積面から剥離しやすく、発塵の原因となる。
【００６０】
また、処理容器と排気装置が分離可能な真空処理装置の構成においては、処理容器が一般雰囲気を移動することで、装置に塵埃が付着しやすくなり、また、一般雰囲気中で、処理済基体を取り出したり、処理容器を分解清掃したりするため、更に装置に塵埃が付着しやすくなる。
【００６１】
このように、真空処理として、堆積膜を形成する場合や、反応容器と排気装置が分離可能な真空処理装置の構成においては塵埃の付着および発生割合が高くなる場合があり、特に機械的駆動が生じるバルブ近傍からの発塵は多くなる場合がある。
【００６２】
よって、本発明のように、導入された清浄空気を排出するための手段を、前記真空処理容器直後のバルブと、前記排気手段直前のバルブの間に配置することで、基体から見て、基体に一番近いバルブの下流側へ清浄空気が排出されるため、バルブ駆動時の発塵を基体側に拡散する前に、処理装置外に除去可能であるため、著しい効果が得られる。
【００６３】
さらに、清浄空気の真空処理容器内での風速を０．２〜０．８ｍ／ｓ　とするほうがより好ましい。この原因に関しては、明らかではないが以下のように推測される。
【００６４】
風速が０．２ｍ／ｓ未満だと、真空処理容器内を清浄にするのに時間を要するため、装置の稼働率が低下してしまう。また、風速が０．８ｍ／ｓより大きいと、真空処理容器の清浄空気取り入れ口近傍に乱流が発生し、外部から塵埃が混入する場合と、真空処理容器内での乱流により、塵埃が上手く排出されないことが原因と考えられる。
【００６５】
以上、電子写真感光体形成装置を例にとって本発明の説明を行ってきたが、本発明はこれに限ったものではなく、例えばスパッタリング法、熱ＣＶＤ法等の他の真空処理装置にも用いることができる。
【００６６】
【実施例】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
【００６７】
［実施例１］
図２、図４に示した真空処理装置において、処理容器部１００内に設置した長さ３５８ｍｍ、外径φ１０８ｍｍの鏡面加工を施したＡｌ製シリンダー（円筒状基体１２４）上にａ−Ｓｉ膜を、高周波電源１２５の発振周波数を１０５ＭＨｚとして表１に示す条件で成膜して、電子写真感光体を作製した。
【００６８】
図２は前述の電子写真感光体形成装置の一例を示した模式図である。
【００６９】
図４はＶＨＦプラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の形成装置の一例を示す模式的な構成図である。処理容器部１００は、ＳＵＳ製の円筒状高周波シールド１２６と、アルミナセラミックスからなる円筒状の処理容器１２０と、処理容器支持台１２７と、上蓋１２８と、ゲートバルブ１２３と、移動可能手段１２２としてのキャスターとからなる。処理容器１２０内には、基体加熱用ヒーター１２９、および原料ガス導入管１３０が同心円上に３本設置されている。またＳＵＳ製の棒状の高周波電極１３１は、高周波シールド１２６と処理容器１２０の間に同心円上に等間隔で３本設置されており、高周波整合器１３２を介して、高周波電源１２５が接続されている。前述の棒状の高周波電極１３１は絶縁部材１３３により、高周波シールド１２６、処理容器支持台１２７から絶縁されている。
【００７０】
本実施例において、電子写真感光体の作製は以下のように行った。
【００７１】
処理容器部１００を基体投入ステージの接続機構１０４まで移動させ、ゲートバルブ１２３と接続機構１０４とを接続させる。ここで接続方法は、ゲートバルブ１２３と接続機構１０４の間にＯリングを介して接続した。このとき、処理容器部１００においては、高周波シールド１２６、高周波電極１３１、および高周波整合器１３２を外してある。クリーンルーム１１２の壁面に設けられた、壁面を開閉可能なドア１１３を開放することで、処理容器部１００の置かれている雰囲気より陽圧のクリーンルームから清浄な空気が処理容器部１００内に導入される。次に、ゲートバルブ１２３、バルブ１０８を開け、処理容器部１００内に導入された清浄空気を排気配管１０１を通し、清浄空気排出手段１０７より、排気配管１０１外に放出する。この時、処理容器１２０内の清浄空気は、風速０．３ｍ／ｓとした。
【００７２】
このとき、清浄空気を排出する時間は、予め清浄空気排出手段１０７の大気開放側にダストカウンターを設置しておき、計測値が所定の値に達する時間を計測しておき、その時間をもって、排出する時間とした。本実施例の場合、所要時間は１０分であった。所定の時間が経過したら、バルブ１０８を閉じた。
【００７３】
次に、クリーンルーム１１２より、壁面を開閉可能なドア１１３を開け、処理容器部１００内に基体ホルダー１３４に装着された円筒状基体１２０を設置する。処理容器部１００に上蓋１２８を設置し、処理容器部１００内を減圧可能な状態にしたら、スロー排気バルブ１０５を開け、スロー排気ライン１０６を使用し、処理容器部１００内の減圧を開始する。
【００７４】
内圧測定器１０３が２６６Ｐａ（２Ｔｏｒｒ）に達したら、スロー排気バルブ１０５を閉じ、メイン排気バルブ１０２を開け、更に処理容器部１００内を減圧にする。内圧測定器１０３が１Ｐａ（７．５ｍＴｏｒｒ）値に達したら、メイン排気バルブ１０２、ゲートバルブ１２３を閉じ、メイン排気バルブ１０２とゲートバルブ１２３の間を大気圧力に戻し、処理容器部１００を接続機構１０４から切り離す。
【００７５】
次に、作業員による手動で処理容器部１００を真空処理ステージまで搬送し、真空処理ステージの接続機構２０４とゲートバルブ１２３を接続させる。プリ排気バルブ２５２を開き、ゲートバルブ１２３とメイン排気バルブ２０２の間を減圧にし、内圧測定器２０３が１Ｐａ（７．５ｍＴｏｒｒ）に達したら、プリ排気バルブ２５２を閉じ、メイン排気バルブ２０２、ゲートバルブ１２３を開ける。
【００７６】
次に、基体加熱用ヒーター１２９を駆動させ、円筒状基体１２４を２３０℃に加熱し、制御した。
【００７７】
この加熱中に、前述の高周波電極１３１、高周波シールド１２６、高周波整合器１３２を処理容器１２０の周囲に設置し、さらに高周波整合器１３２と高周波電源１２５とを同軸ケーブルで接続した。
【００７８】
円筒状基体１２４が所定の温度となったところで、原料ガス導入管１３０を介して、原料ガスを処理容器１２０内に導入する。原料ガスの流量が設定流量となり、また、処理容器１２０内の圧力が安定したのを確認した後、１０５ＭＨｚの高周波電源１２５より高周波整合器１３２を介して高周波電極１３１へ所定の高周波電力を供給する。これら堆積膜形成の条件は表１に示す。堆積膜形成中は、モーター１３５を駆動させ円筒状基体１２４を回転させた。
【００７９】
堆積膜形成終了後、処理容器部１００を接続機構２０４から切り離し、冷却／取り出しステージまで移動させた。円筒状基体１２４の冷却を行い、リークバルブ３０１を開き、処理容器１２０を大気圧力まで戻して、真空処理が済んだ円筒状基体１２４を取り出した。
【００８０】
その後、処理容器１２０内の構成部品を交換し、再度堆積膜形成可能な状態としたところで一連の工程を終了した。
【００８１】
以上の様な電子写真感光体の形成を連続して、１０回実施した。
【００８２】
作製した電子写真感光体に対し、「球状突起数」「球状突起数のバラツキ」の評価を以下のように実施した。
【００８３】
「球状突起数」　「球状突起数のバラツキ」
作製した電子写真感光体の表面を光学顕微鏡で観察し、１０ｃｍ２当たりでの１５μｍ以上の球状突起の個数を調べた。値が小さいほど画像欠陥が少なく画質に優れていることを示す。
【００８４】
作製した全ての電子写真感光体に関し、測定を行い、その平均をもって球状突起数とし、最大値と最小値の差をもって球状突起数のバラツキとした。
【００８５】
「球状突起数」　「球状突起数のバラツキ」に対して、以下の比較例１の結果に対して相対評価を行った。
【００８６】
［実施例２］
図３、図４に示した真空処理装置を用い、実施例１と同様、処理容器部１００内に設置した長さ３５８ｍｍ、外径φ１０８ｍｍの鏡面加工を施したＡｌ製シリンダー（円筒状基体１２４）上にａ−Ｓｉ膜を、高周波電源１２５の発振周波数を１０５ＭＨｚとして表１に示す条件で成膜し、電子写真感光体を作製した。
【００８７】
図３は電子写真感光体形成装置の一例を示した模式図である。図３の装置は、排気配管１０１に、清浄空気排出手段１０７が、ゲートバルブ１２３より処理容器１２０側に設置されている以外は、図２と同様である。
【００８８】
作製した電子写真感光体に対し、「球状突起数」「球状突起数のバラツキ」の評価を実施例１と同様に行い、以下の比較例１の結果に対して相対評価を行った。
【００８９】
［比較例１］
図４、図５に示した真空処理装置を用い、実施例１と同様、処理容器部１００内に設置した長さ３５８ｍｍ、外径φ１０８ｍｍの鏡面加工を施したＡｌ製シリンダー（円筒状基体１２４）上にａ−Ｓｉ膜を、高周波電源１２５の発振周波数を１０５ＭＨｚとして表１に示す条件で成膜し、電子写真感光体を作製した。
【００９０】
図５は電子写真感光体形成装置の一例を示した模式図である。図５の装置は、導入された清浄空気を排出するための排出手段１０７が、排気配管経路上に無く、処理容器の底であって排気配管の隣に配置されている。
【００９１】
作製した電子写真感光体に対し、「球状突起数」「球状突起数のバラツキ」の評価を実施例１と同様に行った。
【００９２】
実施例１、実施例２、比較例１で得られた結果を表２に示す。表２においては、比較例１の結果を１００とした相対評価を示す。
【００９３】
この結果、本発明の真空処理装置によれば、処理特性が向上し、更に再現性が向上し、歩留まりが向上することが判った。また、導入された清浄空気を排出するための手段は、真空処理容器直後のバルブと、排気手段直前のバルブの間に配置されているほうが、特に効果的であることが判った。
【００９４】
【表１】
2004119572.tif 000003
【００９５】
【表２】
2004119572.tif 000004
【００９６】
［実施例３］
図２、図４に示した真空処理装置を用い、実施例１と同様に、反応容器部１００内に設置した長さ３５８ｍｍ、外径φ１０８ｍｍの鏡面加工を施したＡｌ製シリンダー（円筒状基体１２４）上にａ−Ｓｉ膜を、高周波電源１２５の発振周波数を１０５ＭＨｚとして表１に示す条件で成膜し、電子写真感光体を作製した。
【００９７】
本実施例においては、清浄空気排出手段１０７の、バルブ１０８の開口度を調整し、処理容器１２０内の清浄空気の風速を変化させた。
【００９８】
作製した電子写真感光体に対し、「球状突起数」の評価を実施例１と同様に行った。
【００９９】
実施例３で得られた結果を表３に示す。表３においては、比較例１の結果を１００とした相対評価を示す。
【０１００】
この結果、本発明の真空処理装置によれば、処理特性が向上することが判った。また、真空処理容器内の風速を０．２〜０．８ｍ／ｓ　とすることが、特に効果的であることが判った。
【０１０１】
【表３】
2004119572.tif 000005
【０１０２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、真空処理容器と、該真空処理容器を減圧にする排気手段と、前記真空処理容器と前記排気手段を連通する排気配管および排気口とを有する真空処理装置において、前記真空処理容器に設けられた排気口と相対する位置に、前記真空処理容器内に清浄空気を導入する清浄空気導入手段を有し、かつ、前記排気配管に、前記導入された清浄空気を排出するための清浄空気排出手段を有することにより、前記真空処理容器に設けられた排気口と相対する位置より、清浄空気を前記真空処理容器内に導入し、更に前記排気配管を経由し、清浄空気を流すことができるため、例えば、プラズマＣＶＤ法のような真空処理を実施する際の原料ガスの流れと同じ気体の流れの状況で、塵埃を除去できる。これにより、処理中の基体への塵埃の付着がより抑制される。また、排気配管内も清浄化できるため、さらに塵埃による基体への悪影響が抑制される。すなわち、真空処理特性が向上し、優れた生産性を有する装置を提供することができる。
【０１０３】
また、導入された清浄空気を排出するための手段を、前記真空処理容器直後のバルブと、前記排気手段直前のバルブの間に配置することで、基体から見て、基体に一番近いバルブの下流側へ清浄空気が排出されるため、バルブ駆動時の発塵を基体側に拡散する前に、真空処理装置外に除去可能である。その結果、処理特性の向上及び、歩留まりの向上が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の真空処理装置の一例を示す模式図である。
【図２】本発明の真空処理装置の一例を示す模式図である。
【図３】本発明の真空処理装置の一例を示す模式図である。
【図４】ＶＨＦ帯の高周波電力を好適に使用可能なプラズマＣＶＤ法を用いた電子写真感光体の製造装置の模式図である。
【図５】従来の真空処理装置の一例を示す模式図である。
【符号の説明】
１００　　　　　　処理容器部
１０１　　　　　　排気配管
１０２、２０２　　　　　　メイン排気バルブ
１０３、２０３　　　　　　内圧測定器
１０４、２０４、３０４　　　　　　接続機構
１０５　　　　　　スロー排気バルブ
１０６　　　　　　スロー排気ライン
１０７　　　　　　清浄空気排出手段
１１０　　　　　　排気口
１１１　　　　　　清浄空気導入手段
１１５、２０５　　　　　　排気コンダクタンス制御手段
１２０　　　　　　処理容器
１２１　　　　　　架台
１２２　　　　　　移動可能手段
１２３　　　　　　ゲートバルブ
１２４　　　　　　円筒状基体
１２５　　　　　　高周波電源
１２６　　　　　　高周波シールド
１２７　　　　　　処理容器支持台
１２８　　　　　　上蓋
１２９　　　　　　基体加熱用ヒーター
１３０　　　　　　原料ガス導入管
１３１　　　　　　高周波電極
１３２　　　　　　高周波整合器
１３３　　　　　　絶縁体
１３４　　　　　　基体ホルダー
１３５　　　　　　モーター
１５０、２５０　　　　　　排気手段
１６０、２６０　　　　　　ガス供給及び流量制御手段
１０８、２５２、３０１　　　　　　バルブ及び真空処理装置
【図１】
2004119572.tif 000006
【図２】
2004119572.tif 000007
【図３】
2004119572.tif 000008
【図４】
2004119572.tif 000009
【図５】
2004119572.tif 000010