(57)【要約】【課題】ブラックマトリクスまたはカラーフィルタ層を備えた液晶表示装置及びその製造方法において、レーザー照射を用いる欠陥画素等のリペアを容易に行うことができ、工程負担及びコストを低減することのできるものを提供する。【解決手段】レーザー照射によるリペアを行う個所に対応して、予め、ブラックマトリクス（ＢＭ）１及びカラーフィルタ層２のそれぞれに抜き部１１，２１を設けておく。点灯検査等により欠陥画素が発見された場合、該欠陥画素に係る抜き部１１，２１を通じて、表示面側からレーザー照射を行うことにより、ソース電極４１とゲート電極４２とを短絡させて、滅点化を行う。表示面側からのレーザー照射であるため、平面表示装置モジュールに組み立てられた後にも、分解を行うことなく、そのままリペアを行うことができる。【選択図】　図２
2004109512.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を挟持する一対の絶縁基板と、複数の走査線及び信号線と、これらの交点ごとに配置される画素電極及びスイッチング素子と、ブラックマトリクスまたはカラーフィルタ層とを備えた液晶表示装置において、
前記のブラックマトリクスまたはカラーフィルタ層のパターンには、コンタクトホール以外のものとしての抜き部が設けられ、前記抜き部を通じて、表示面側からのレーザー照射を行うことにより表示欠陥のリペアが可能であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記抜き部が前記画素電極ごとに設けられ、前記レーザー照射により欠陥画素をリペア可能であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
前記抜き部中には、表側からのレーザー照射により短絡可能な上下の導電層パターンが配され、この短絡によりリペアが可能であることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記短絡可能な上下の導電層パターンが、前記スイッチング素子における２つの端子であることを特徴とする請求項３の液晶表示装置。
【請求項５】
第１の絶縁基板上に、マトリクス状に配列される画素電極と、画素電極ごとに配置されるスイッチング素子と、スイッチング素子に接続される信号線とを設けるとともに、前記第１の絶縁基板または第２の絶縁基板上に走査線を形成し、
前記第１の絶縁基板または第２の絶縁基板上に、ブラックマトリクスまたはカラーフィルタ層のパターンを設け、
前記第１及び第２の絶縁基板を、シール材を介して貼り合わせ、これらの間に液晶材料を注入して表示パネルを組み立て、
この後に検査を行い、検査により欠陥が発見された場合に欠陥のリペアを行う液晶表示装置の製造方法において、
前記ブラックマトリクスまたはカラーフィルタ層のパターンに、これらを貫くコンタクトホールの個所以外に抜き部を設けておき、
検査により欠陥が発見された場合に、前記第２の絶縁基板の外面側から、前記抜き部を通じてレーザー照射を行うことにより、欠陥をリペアすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記抜き部を前記画素電極ごとに設けておき、
前記表示パネルを組み立てた後に、欠陥画素を検出する点灯検査を行い、
該欠陥画素が発見された場合に、前記抜き部を通じてレーザー光を照射することで前記欠陥画素の滅点化、輝点化または疑似良点化を行うことを特徴とする請求項５記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
第１の絶縁基板上に、マトリクス状に配列される画素電極と、画素電極ごとに配置されるスイッチング素子と、スイッチング素子に接続される信号線とを設けるとともに、前記第１の絶縁基板または第２の絶縁基板上に走査線を形成し、
前記第１の絶縁基板上に、コンタクトホールを所定個所に含むブラックマトリクスまたはカラーフィルタ層のパターンを設け、
前記第１及び第２の絶縁基板を、シール材を介して貼り合わせ、これらの間に液晶材料を注入して表示パネルを組み立て、
この後に検査を行い、検査により欠陥が発見された場合に欠陥のリペアを行う液晶表示装置の製造方法において、
検査により欠陥が発見された場合に、前記第２の絶縁基板の外面側から、前記コンタクトホールを通じてレーザー照射を行うことにより、欠陥をリペアすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ブラックマトリクスまたはカラーフィルタ層を備えた液晶表示装置に関する。また、レーザー光照射によるリペア工程を含む液晶表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、パーソナル・コンピュータ、ワードプロセッサあるいはＴＶ等の表示装置として、更に投射型の表示装置として各種分野で利用されている。中でも、画素電極ごとに薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のスイッチング素子が電気的に接続されて成るアクティブマトリクス型表示装置は、隣接画素間でクロストークのない良好な表示画像を実現できることから、広く用いられている。
【０００３】
近年、液晶表示装置の利用が拡大するとともに表示品質に対する要求が高まっており、スイッチング素子の不良等に起因する欠陥画素（点状欠点）の低減の要求も高くなっている。
【０００４】
そこで、アレイ基板の完成時または表示パネル本体の完成時に検査を行った後、検査により発見された欠陥画素の表示性能を改良するためのレーザー光照射等によるリペアの工程が行われている。欠陥画素のリペアとしては、輝点（常に白表示を行う点）を、比較的目立たない黒点（滅点、常に黒表示を行う点）に変換する滅点化が一般に行われている。また、このような滅点化に代えて、画素電極を信号線に短絡させて、信号線からの駆動電流が常時入力されるようにする方式や、隣接する正常作動の画素電極と電気的に連結する方式等による、疑似良点化も一般に行われている。
【０００５】
このようなリペアのためには、輝点に係る画素電極と、信号線または走査線とを、短絡させるためのリペア回路を画素開口ごとに設けることも、一般に行われていた（例えば、特開２００１−２１９１６，特開２００２−１８２２４１，特開２００２−９１３４２）。アレイ基板の製造時に、例えば走査線と同時に形成されるリペア用の金属フロートパターンを設けて置く。そして、このフロートパターンの一端部に重なるように信号線の延在部を設けるとともに、フロートパターンの他端部に重なるように、ソース電極の延在部を設けておく。液晶表示装置の点灯検査の際に輝点が発見された場合には、レーザー照射により該金属フロートパターンと、信号線延在部及びソース電極延在部との重なる箇所をそれぞれ溶融させることにより、画素電極と信号線とを互いに導通させる。
【０００６】
このようにリペア用の金属フロートパターンを用いるのは、画素電極がＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電材料からなる透過型液晶表示装置である場合、直接、画素電極と信号線または走査線とをレーザー照射により接続させることが、実際上ほぼ不可能であるからである。
【０００７】
また、画素電極からの補助容量形成用の延在部と、走査線とが重なる個所に、絶縁膜を介してこれらの間に積層される小さな島状の金属パターンを設けておき、これにレーザー照射を行うことにより、画素電極と走査線とを短絡させて滅点化を行うことも提案されている（特開２００２−９１３４２）。また、補助容量給電線と補助容量形成用の島状金属パターンとの間に短絡が生じて欠陥画素となっている場合に、画素電極と該島状金属パターンとを結ぶ電気配線に、適当なレーザー照射を行うことで、リペアを行うことも提案されている（特開２００１−１５９８７２）。
【０００８】
以上に説明したようなレーザー照射による欠陥画素のリペアの方法では、対向基板にブラックマトリクスまたはカラーフィルタ層が設けられている場合に、対向基板との組立の後には、対向基板側からのレーザー照射によりリペアを行うことができなかった。すなわち、アレイ基板と対向基板とを組み合わせた後には、リペア個所がブラックマトリクス等により覆われるため、少なくとも裏面側からレーザー照射を行う必要があった。
【０００９】
そのため、平面表示装置モジュールに組み立てた後に欠陥画素が発見された場合には、一旦、フレーム等から表示パネルを外してから、レーザー照射によるリペアを行う必要があった。したがって、それだけ、工程時間及び作業手数を要することとなり、製造コスト上昇の要因となっていた。
【００１０】
なお、画素部分の配向膜にレーザー照射等でキズを付けるか溝を切り直す方法でのリペアも提案されており（例えば特開平９−２５８１５５）、この場合には平面表示装置に組み立てたままでリペアを行うことができる。しかし、滅点化のみしか行えない他、一般に工程時間や工程コストが大きくなるなどの問題があり、必ずしも適当でなかった。
【００１１】
一方、ブラックマトリクス等がアレイ基板上に設けられるタイプの液晶表示装置では、レーザー照射によって、画素電極に導通する金属パターンと走査線等とを電気的に接続する際に、ブラックマトリクス等がレーザー照射の障害になる場合があった。
【００１２】
【特許文献１】特開２００１−２１９１６号公報
【００１３】
【特許文献２】特開２００２−１８２２４１号公報
【００１４】
【特許文献３】特開２００２−９１３４２号公報
【００１５】
【特許文献４】特開２００１−１５９８７２号公報
【００１６】
【特許文献５】特開平９−２５８１５５号公報
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、ブラックマトリクスまたはカラーフィルタ層を備えた液晶表示装置及びその製造方法において、レーザー照射を用いる欠陥画素等のリペアを容易に行うことができ、工程負担及びコストを低減することのできる液晶表示装置及びその製造方法を提供するものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明の液晶表示装置は、液晶層を挟持する一対の絶縁基板と、複数の走査線及び信号線と、これらの交点ごとに配置される画素電極及びスイッチング素子と、ブラックマトリクスまたはカラーフィルタ層とを備えた液晶表示装置において、前記のブラックマトリクスまたはカラーフィルタ層のパターンには、コンタクトホール以外のものとしての抜き部が設けられ、前記抜き部を通じて、表示面側からのレーザー照射を行うことにより表示欠陥のリペアが可能であることを特徴とする。
【００１９】
上記構成により、レーザー照射を用いる画素欠陥等のリペアを表示面側から容易に行うことができる。
【００２０】
好ましくは、前記抜き部が前記画素電極ごとに設けられ、前記レーザー照射により欠陥画素をリペア可能である。
【００２１】
さらに好ましくは、前記抜き部中には、表側からのレーザー照射により短絡可能な上下の導電層パターンが配され、この短絡によりリペアが可能である。
【００２２】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、第１の絶縁基板上に、マトリクス状に配列される画素電極と、画素電極ごとに配置されるスイッチング素子と、スイッチング素子に接続される信号線とを設けるとともに、前記第１の絶縁基板または第２の絶縁基板上に走査線を形成し、前記第１の絶縁基板または第２の絶縁基板上に、ブラックマトリクスまたはカラーフィルタ層のパターンを設け、前記第１及び第２の絶縁基板を、シール材を介して貼り合わせ、これらの間に液晶材料を注入して表示パネルを組み立て、この後に検査を行い、検査により欠陥が発見された場合に欠陥のリペアを行う液晶表示装置の製造方法において、前記ブラックマトリクスまたはカラーフィルタ層のパターンに、これらを貫くコンタクトホールの個所以外に抜き部を設けておき、検査により欠陥が発見された場合に、前記第２の絶縁基板の外面側から、前記抜き部を通じてレーザー照射を行うことにより、欠陥をリペアすることを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明の実施例１について図１〜４を用いて説明する。
【００２４】
図１の平面図には、実施例１の液晶表示装置における、画素ドットごとのブラックマトリクスのパターンについて模式的に示す。図２〜３の積層断面図には、液晶表示装置のＴＦＴの個所の構成、及びレーザー照射によるリペアの様子について模式的に示す。また、図４の平面図には、アレイ基板の画素部分の構成について模式的に示す。
【００２５】
実施例１の液晶表示装置は、ノーマリホワイトモードの光透過型であり、各スイッチング素子が、非結晶シリコン（ａ−Ｓｉ）タイプであって、ボトムゲート型のＴＦＴである。
【００２６】
図２に示すように、液晶表示装置の表示パネル３（液晶セル）は、アレイ基板３１（ＴＦＴ基板）と対向基板３２とがスペーサーにより所定の間隔に保たれ、この間に、ＴＮ（ツイストネマティック）タイプの液晶層３３が保持されてなる。液晶層３３の四周にはシール材が配されて、液晶層３３を封止するとともに、アレイ基板３１と対向基板３２とを接合している。
【００２７】
アレイ基板３１及び対向基板３２の液晶層３３に接する最表層には、ポリイミド系樹脂等からなる配向膜３６がそれぞれ配置される。
【００２８】
図４に示すように、アレイ基板３１においては、ガラス基板５１上に、信号線４４と走査線５２とがマトリクスをなすように配列され、信号線４４と走査線５２との交点ごとにＴＦＴ４が配置される。これら信号線４４、走査線５２及びＴＦＴ４により囲まれるマス目状の各領域は、画素ドットに相当し、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極３５が配置され、対応するＴＦＴに電気的に接続されている。なお、補助容量（Ｃｓ）形成用のパターン５３が、信号線４４及び走査線５２のなす交点間で、走査線５２を跨ぐように配され、コンタクトホールにより画素電極３５に電気的に接続されている。
【００２９】
図２に示すように、対向基板３２においては、ガラス基板５１上に、ブラックマトリクス（ＢＭ）１のパターンと、所定画素ごとに赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）に着色されたカラーフィルタ層（ＣＦ層）２と、これらの略全体を覆う対向電極３７とが設けられている。ブラックマトリクス１は、金属膜または黒色の樹脂膜からなる。カラーフィルタ層２は、顔料を含む無機材料膜または樹脂膜が各色ごとに積層パターニングされてなる。
【００３０】
対向電極３７は、画素電極３５と同様にＩＴＯ等の透明導電材料からなる。
【００３１】
ａ−ＳｉＴＦＴタイプのアレイ基板３１や対向基板３２の作製は、詳しくは、例えば、特開平９−１６００７６号や特開２００１−２１９１６号に記載の方法に準拠して行うことができる。
【００３２】
本実施例おいては、これらに記載されたと同様、アレイ基板３１上の走査線５２及びゲート電極４２が、高融点であるモリブデン−タングステン合金（ＭｏＷ）の成膜から第１のパターニング（ＰＥＰ）により作製される。また、信号線４４，ソース及びドレイン電極４１，４３、及び、Ｃｓ形成用パターン５３が、アルミニウムまたはアルミニウム系合金からなる単層膜または積層膜から、第２または第３のパターニングにより作製される。そして、画素電極３５は、これらより後の成膜及びパターニングにより作製される。
【００３３】
図１に示す例において、対向基板３２上のブラックマトリクス（ＢＭ）１は、走査線５２及び信号線４４、及び、これらと画素電極３５との間の領域、及び画素電極３５の周縁部を覆うように格子状をなすととともに、各画素ドットのＴＦＴ４を覆っている。
【００３４】
特に、ブラックマトリクス（ＢＭ）１のパターンには、各ＴＦＴ４を覆う個所に、スリット状の抜き部１１が備えられている。この抜き部１１は、図２に示すように、ＴＦＴ４のソース電極４１がゲート電極４２を覆う個所中に、かつ、ＴＦＴ４のチャネル部４ａから離間されて配されている。
【００３５】
また、カラーフィルタ層２には、ブラックマトリクス１の抜き部１１の平面位置に一致する抜き部２１が設けられている。
【００３６】
これらアレイ基板３１及び対向基板３２から、シール剤塗布、貼り合わせ及び液晶封入の工程を経て表示パネル３が組み立てらた後、画素点灯検査が行われる。この検査工程にて欠陥画素が発見されたならば、レーザー照射による滅点化によるリペアが行われる。
【００３７】
図２〜３に模式的に示すように、ブラックマトリクス１の抜き部１１及びカラーフィルタ層２の抜き部２１を通じて、レーザー照射を行うことにより、ＴＦＴのソース電極４１を溶融させるとともに、その下方の絶縁膜等を貫いて、ソース電極４１とゲート電極４２とを短絡させる。図示の具体例で、上下の金属層パターン４１，４２の間には、酸化シリコン膜４５ａ及び窒化シリコン膜４５ｂからなるゲート絶縁膜４５と、低抵抗半導体膜（ｎ＋；ａ−Ｓｉ）４６と、半導体膜（ａ−Ｓｉ）４８とからなる積層膜が配されており、レーザー照射によりこれら積層膜を貫く層間短絡部６が形成される。
【００３８】
レーザー照射により、ソース電極４１とゲート電極４２とが短絡されることにより、欠陥画素に係る画素電極３５が、ソース電極４１とゲート電極４２とを介して走査線５２に短絡され、これにより、欠陥画素の滅点化が行われる。
【００３９】
レーザー照射には、ＹＡＧレーザーの第１高調波（１０６０〜１０７０ｎｍ）を用い、ソース電極４１に焦点を合わせて、スリット状の抜き部１１，２１に沿って照射位置を移動させつつ連続的にレーザー光を照射する。レーザー照射は、レーザー光が、液晶層３３等を通過する間に弱められるため、アレイ基板３１単独の状態で行う場合よりも、エネルギー密度を高く設定するので、連続的な照射が適している場合が多い。しかし、レーザー照射の設定条件により、スポット状に照射することもできる。
【００４０】
また、本実施例では、抜き部１１，２１がスリット状に設けられたが、スポット状であっても良く、この場合、当然、スポット状にレーザー照射が行われる。
【００４１】
リペアのためのレーザー光照射は、表示パネル３の表側、すなわち表示面側から行うものであるため、表示パネル３が平面表示装置に組み立てられた後であっても、フレームやバックライト等から取り外す必要がなく、組み立てられた状態のまま、全く同様にリペアを行うことができる。
【００４２】
本実施例における抜き部１１は、ブラックマトリクス１により遮蔽すべきＴＦＴ４のチャネル部４ａ等に近接しているものの、遮光に十分なだけ離間されているので、ＴＦＴ４の誤作動や光抜けを引き起こすことがない。
【００４３】
なお、図２〜３に示すように、表示パネル３の表面に偏光板３４が貼り付けられていても、レーザー照射の操作に悪影響を及ぼすことがなく、また、偏光板３４が損傷を受けることもない。但し、偏光板３４にアンチグレア層が備えられている場合には、乱反射によるレーザー照射への影響を除くため、柔軟な透明プラスチックフィルムからなる粘着テープを、偏光板３４上に一時的に貼り付けておく。
【００４４】
次ぎに、実施例２の液晶表示装置について、上記図２に対応する図５の積層断面図を用いて説明する。
【００４５】
実施例２の液晶表示装置は、上記実施例１と全く同様の構成において、カラーフィルタ層２が、アレイ基板上に設けられた、いわゆるカラーフィルタ・オン・アレイ（ＣＯＡ：　Ｃｏｌｏｒ　ｆｉｌｔｅｒ　Ｏｎ　Ａｒｒａｙ）タイプとしたものである。但し、カラーフィルタ層２の抜き部２１は、ブラックマトリクスの抜き部１１と一致する領域からＴＦＴ４のチャネル部４ａにわたって設けられている。
【００４６】
実施例２の液晶表示装置の場合も、上記実施例１の場合と全く同様にリペアが行われる。
【００４７】
したがって、表示面側からのレーザー照射により、表示パネル３に組み立てた後であっても、また、平面表示装置モジュールに組み立てた後であっても、容易にリペアを行うことができ、他に損傷や悪影響を及ぼすおそれがない。
【００４８】
また、ブラックマトリクス１やカラーフィルタ層２を作成する際のパターンが若干複雑になる他は、何ら工程負担やコストの増大を招かない。
【００４９】
本実施例では、ブラックマトリクス１が対向基板３２上に設けられるものとして説明したが、アレイ基板３１上に、カラーフィルタ層２とともに設けられるものであっても良い。また、ブラックマトリクス１は、画素電極３５が厚型樹脂膜（平坦化膜）上に設けられる場合など、ＴＦＴ４の個所のみに設けられるのであっても良い。
【００５０】
例えば、ブラックマトリクス１が、アレイ基板３１上に配される厚型樹脂膜よりなる場合、抜き部１１は、この樹脂膜を貫く谷状に設けられる。
【００５１】
次ぎに、実施例３の液晶表示装置について、上記図１に対応する図６の平面図を用いて説明する。
【００５２】
実施例３においては、上記実施例１と同様の構成において、ブラックマトリクス１及びカラーフィルタ層２の抜き部１１，２１が、Ｕ字状に設けられ、ソース電極４１とゲート電極４２とが重なる領域から、ゲート電極４２の付け根を経て、ドレイン電極４３とゲート電極４２とが重なる領域にまで延びている。
【００５３】
このＵ字状の抜き部１１，２１に沿って照射位置を連続的に変化せつつ、レーザー光照射を行うことで、ソース電極４１とゲート電極４２とを短絡させ、ソドレイン電極４３とゲート電極４２とを短絡させるとともに、ゲート電極４２を走査線５２から切り離す。
【００５４】
このような操作により、欠陥画素に係る画素電極３５を信号線４４に短絡させることができる。すなわち、疑似良点化を行うことができる。
【００５５】
本実施例の構成であると、信号線に短絡させるにあたり、リペア回路を設けておく必要がないため、それだけ画素開口率を高く保つことができる。
【００５６】
しかし、画素電極と信号線との短絡のためのリペア回路が設けられている場合には、レーザー照射個所に、抜き部１１，２１を設けておくことにより、表示パネル３に組み立てた後でも、さらに液晶表示装置モジュールに組み立てた後であっても、表側からのレーザー照射により、容易にリペアを行うことができる。リペア回路は、例えば、特開２００１−２１９１６に示されているように、ソース電極４１の延在部と、信号線４４からの枝状延在部と、これらの間に掛け渡すように配される、高融点金属層（ＭｏＷ）のパターンとから構成することができる。
【００５７】
次ぎに、実施例４の液晶表示装置について、上記図１及び図６に対応する図７の平面図と、上記図２に対応する図８の積層断面図を用いて説明する。
【００５８】
本実施例では、実施例１と同様の構成において、ブラックマトリクス１及びカラーフィルタ層２の抜き部１１，２１が、走査線５２に重なるＣｓ形成用パターン５３の個所に設けられる。
【００５９】
図示の例で、抜き部１１，２１は、走査線５２の方向に長い楕円状である。寸法構成の具体例を挙げるならば、走査線５２の幅が約２５μｍであるとき、楕円状の抜き部１１，２１の短径寸法を１５μｍ、長径寸法を２０μｍに設定することができる。このように設定するならば、レーザー照射のための抜き部１１，２１の面積をなるべく大きくとることができ、リペアの際の操作が容易になる。
【００６０】
レーザー照射によりＣｓ形成用パターン５３が走査線５２に短絡される結果、Ｃｓ形成用パターン５３にコンタクトホールを介して導通している画素電極３５が、走査線５２に短絡される。したがって、欠陥画素の滅点化が行われる。
【００６１】
本実施例では、走査線５２に短絡されるとして説明したが、補助容量線（Ｃｓ線）が設けられている場合には、該補助容量線に短絡されることにより、より確実な滅点化を行うことができる。
【００６２】
最後に、実施例５について、図９の積層断面図を用いて説明する。
【００６３】
実施例５の液晶表示装置は、ノーマリホワイトモードの光透過型である点では上記実施例１〜４と同様である。しかし、画素ドットごとのＴＦＴ４が、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）半導体層４６’からなり、トップゲート型である。すなわち、ゲート電極４２が、半導体層４６’やこれを囲むコンタクト部４１Ａ，４３Ａより上方に、層間絶縁膜４９を介して配されている。
【００６４】
また、カラーフィルタ層２が、アレイ基板３１上の厚型樹脂膜（平坦化膜）により形成されている。
【００６５】
そのため、ブラックマトリクスはいずれの基板３１，３２上にも設けられておらず、カラーフィルタ層２が画素ドット配列部分の全体を覆うように設けられている。
【００６６】
画素電極３５は、保護膜４９Ａ、及び厚型のカラーフィルタ層２を貫くコンタクトホールを介して、ソース電極４１に導通されている。また、ゲート絶縁膜４５上の走査線５２に、Ｃｓ形成用パターン５３が層間絶縁膜４９を介して重ねられ、このＣｓ形成用パターン５３と、画素電極３５とが、保護膜４９Ａ、及び厚型のカラーフィルタ層２を貫くコンタクトホール５４を介して、互いに電気的に接続されている。本実施例の場合も、Ｃｓ形成用パターン５３がアルミニウムまたはその合金といった低融点金属層からなり、走査線５２が、モリブデン−タングステン合金（ＭｏＷ）といった高融点金属からなる。
【００６７】
このようなｐ−ＳｉＴＦＴタイプのアレイ基板３１は、例えば、特開２０００−３３０４８４や特開２００１−３３９０７０に記載の方法によって作製することができる。
【００６８】
実施例５においては、このような一般的な構成において、実施例４の場合と類似の、カラーフィルタ層２の抜き部２１が画素ドットごとに設けられている。この抜き部２１は、Ｃｓ形成用パターン５３上にあって、コンタクトホール５４とは別の個所に、十分な面積をもつように設けられる。
【００６９】
欠陥画素のリペアも実施例４の場合と同様、表側からのレーザー照射によりＣｓ形成用パターン５３と、その下方の走査線５２とを短絡させて、滅点化するものである。
【００７０】
なお、コンタクトホール５４自体が、充分な面積をもつように設けられた場合には、別途の抜き部２１がなくても、同様に、表示パネルの表側からのレーザー照射により滅点化を行うことができる。
【００７１】
以上に説明した実施例においては、上層の配線パターンと下層の配線パターンとを短絡させることにより、欠陥画素のリペアを行うものとして説明したが、単に、所定の個所で配線を切断するものであっても良い。
【００７２】
また、要求される表示性能やリペアの内容によっては、滅点を輝点にするタイプのリペアであっても良く、また、隣接する正常画素の画素電極と連結するタイプの疑似良点化であっても良い。
【００７３】
上記実施例においては、全て、欠陥画素のリペアを行うものとして説明したが、場合によっては、レーザー照射を用いて、他の種類のリペアを行うものであっても良い。
【００７４】
なお、上記実施例においては画素電極ごとに配されるスイッチング素子がＴＦＴであるとして説明したが、薄膜ダイオード（ＴＦＤ）すなわちＭＩＭ（ｍｅｔａｌ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−ｍｅｔａｌ）素子であっても良い。
【００７５】
【発明の効果】
レーザー照射を用いる画素欠陥等のリペアを表示面側から容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１の液晶表示装置におけるブラックマトリクスのパターンについて模式的に示す平面図である。
【図２】実施例１の液晶表示装置におけるＴＦＴの個所の構成を模式的に示す積層断面図である。
【図３】実施例１の液晶表示装置における、レーザー照射によるリペア後の様子について模式的に示す、図２に対応する積層断面図である。
【図４】実施例１〜４の液晶表示装置における、アレイ基板の画素部分の構成について模式的に示す平面図である。
【図５】実施例２の液晶表示装置におけるＴＦＴの個所の構成を模式的に示す、図２に対応する積層断面図である。
【図６】実施例３の液晶表示装置におけるブラックマトリクスのパターンについて模式的に示す、図１に対応する平面図である。
【図７】実施例４の液晶表示装置におけるブラックマトリクスのパターンについて模式的に示す、図１に対応する平面図である。
【図８】実施例４の液晶表示装置における、補助容量形成部の積層断面図である。
【図９】実施例２の液晶表示装置におけるＴＦＴの個所の構成を模式的に示す積層断面図である。
【符号の説明】
１　ブラックマトリクス
１１　ブラックマトリクスの抜き部
２　カラーフィルタ層
２１　カラーフィルタ層の抜き部
３　表示パネル
３４　偏光板
４　ＴＦＴ
４１　ソース電極
４２　ゲート電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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