(57)【要約】【課題】製造工程中でパーティクルの発生が抑止される透過反射型の液晶表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】透過反射型の液晶表示装置は、透明導電膜１２と、透明導電膜１２を覆うように設けられた反射導電膜１３ａと、透明導電膜１２及び反射導電膜１３ａの間に介設された中間膜１３ｂと、で構成された電極が設けられた基板を備える。上記透明導電膜１２の端を覆うように被覆膜１４が設けられている。【選択図】図６
2004219574.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明導電膜と、該透明導電膜を覆うように設けられた反射導電膜と、該透明導電膜及び該反射導電膜の間に介設された中間膜と、で構成された電極が設けられた基板を備えた透過反射型の液晶表示装置であって、
上記透明導電膜の端を覆うように、上記中間膜と同一材料からなる内側被覆層とその外側の外側被覆層とで構成された被覆膜が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
各々、透過部を構成する透明導電膜と、該透明導電膜を覆うように設けられ反射部を構成する反射導電膜と、該透明導電膜及び該反射導電膜の間に介設された中間膜と、で構成された複数の画素電極がマトリクス状に配設されたアクティブマトリクス基板を備えた透過反射型の液晶表示装置であって、上記透明導電膜の外周端を覆うように、上記中間膜と同一材料からなる内側被覆層とその外側の外側被覆層とで構成された外周被覆膜が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載された液晶表示装置において、
上記反射導電膜が金属で形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項２に記載された液晶表示装置において、
上記外周被覆膜の上記外側被覆層が上記反射導電膜と同一層に同一材料で形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項３に記載された液晶表示装置において、
上記透明導電膜が酸化インジウムと酸化スズとの化合物、上記反射導電膜がアルミニウム、及び、上記中間膜がモリブデンでそれぞれ形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
各々、透過部を構成する透明導電膜と、該透明導電膜を覆うように設けられ反射部を構成する反射導電膜と、該透明導電膜及び該反射導電膜の間に介設された中間膜と、で構成された複数の画素電極がマトリクス状に配設されたアクティブマトリクス基板を備えた透過反射型の液晶表示装置の製造方法であって、
基板上にマトリクスを構成するように複数の上記透明導電膜を形成するステップと、
上記複数の透明導電膜上に上記中間膜となる第１被膜を形成するステップと、
上記第１被膜上に上記反射導電膜となる第２被膜を形成するステップと、
上記第２被膜をエッチングして上記反射導電膜を形成すると共に、上記各透明導電膜の外周端を被覆し該反射導電膜と同一材料からなる外側被覆層を形成するステップと、
上記第１被膜をエッチングして上記中間膜を形成すると共に、上記外側被覆層の内側に該中間膜と同一材料からなる内側被覆層を形成して、該外側被覆層と該内側被覆層とで外周被覆膜を構成するステップと、を備えたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載された液晶表示装置の製造方法において、
上記透明導電膜が酸化インジウムと酸化スズとの化合物、上記第２被膜が反射導電膜を構成するアルミニウム、及び、上記第１被膜が中間膜を構成するモリブデンでそれぞれ形成されており、上記第２被膜のエッチングをアルカリ性水溶液で行うことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に透過モードによる表示機能及び反射モードによる表示機能を備えた透過反射型の液晶表示装置及びその製造方法に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、薄型で低消費電力であるという特徴を生かして、ワードプロセッサやパーソナルコンピュータなどのＯＡ機器、電子手帳などの携帯情報機器、あるいは液晶モニターを備えたカメラ一体型ＶＴＲなどに広く用いられている。
【０００３】
液晶表示装置は、ＣＲＴやＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置とは異なり、自ら発光しないため、蛍光管を有するバックライトを背後に備え、そのバックライトからの光の透過と遮断とを切り替えて表示を行う透過型のものがよく利用されている。
【０００４】
しかし、透過型液晶表示装置では、通常バックライトが全消費電力のうちの５０％以上を占めるため、バックライトを設けることで消費電力が多くなってしまう。
【０００５】
そのため、例えば携帯電話のような屋外や常時携帯して使用する機会が多い携帯情報機器では、バックライトの代わりに反射板を設け、反射板による周囲光の反射光の透過と遮断とを切り替えて表示を行う反射型液晶表示装置も用いられている。
【０００６】
しかしながら、周囲光の反射光を利用する反射型液晶表示装置は、周囲の光が暗い使用環境においては視認性が極端に低いという欠点を有する。一方、透過型液晶表示装置は、反射型液晶表示装置とは逆に周囲光が非常に明るい使用環境においては周囲光に比べて表示光が暗く見えるという欠点を有する。この場合、バックライトの輝度を上げることにより視認性は改善できるが、消費電力が大きくなるという問題がある。
【０００７】
そこで、上記問題を解決できる液晶表示装置として、透過型と反射型との両方のモードで表示する機能をもった透過反射型の液晶表示装置が提案されている。
【０００８】
この透過反射型の液晶表示装置は、１つの画素領域に、周囲光を反射する反射用画素電極と、バックライトからの光を透過する透過用画素電極とを有しており、使用環境の明るさに応じて、透過モードと反射モードとを切り替える表示、または透過反射両方のモードの表示を行うことができる。
【０００９】
従って、透過反射型の液晶表示装置は、反射型の液晶表示装置が有する低消費電力という特徴と、透過型の液晶表示装置が有する周囲の明るさに影響されることが少なく、且つ明るく高コントラスト比の表示を行うことができるという特徴とを兼ね備えている。例えば、晴天の屋外のような非常に明るい使用環境においては、外部から入射する光を用いて反射モードによる表示を行うことにより、表示光が暗く視認性が低いという透過型液晶表示装置の欠点が抑制され、また夜間の屋外のような周囲の光が暗い使用環境においては、バックライトからの光を用いて透過モードによる表示を行うことにより、表示光が暗く視認性が極端に低いという欠点が抑制される。
【００１０】
上記のような透過反射型の液晶表示装置は、例えば下記特許文献１に開示されている。特許文献１では、アクティブマトリクス基板に設けられた画素電極が金属膜からなる反射領域と、酸化インジウムと酸化スズとの化合物（ＩＴＯ）からなる透過領域とで構成され、その反射領域がゲート配線、ソース配線、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、補助容量配線及び補助容量電極上に位置づけられた液晶表示装置が示されている。具体的には図１及び図２に例示して説明する。ここで、図１はアクティブマトリクス基板の画素領域１００Ａを模式的に示す上面模式図であり、図２は図１中における１Ａ−１Ａ’断面模式図である。
【００１１】
この液晶表示装置では、画素電極１１の一方の短辺に沿ってゲート信号線５１（１本のみ図示）が、その一方の長辺に沿ってソース信号線５２（１本のみ図示）がそれぞれ配設されている。さらに、ゲート信号線５１とソース信号線５２とが交差する位置にＴＦＴ５０が設けられている。
【００１２】
画素電極１１は、基板の層間絶縁膜１５上にマトリクス状に設けられ、各々、透明導電膜１２とその上の反射導電膜１３ａとで構成されている。なお、反射導電膜１３ａは補助容量線５４につながった補助容量電極５３に対応する位置に設けられている。また、反射導電膜１３ａと透明導電膜１２との間には中間膜１３ｂが設けられている。なお、反射導電膜１３ａは光を拡散させるために、下層にある層間絶縁膜１５をフォトリソグラフィ技術（Ｐｈｏｔｏ  Ｅｎｇｒａｖｉｎｇ  Ｐｒｏｃｅｓｓ、以下「ＰＥＰ技術」と称する）により凹凸状にしてやることによって、凹凸状の表面を有している。
【００１３】
【特許文献１】
特開平１１−１０１９９２号公報
【特許文献２】
特開２０００−３３８５１０号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
次に、上記従来のアクティブマトリクス基板において、基板上の層間絶縁膜１５の上に、透明導電膜１２、中間膜１３ｂ及び反射導電膜１３ａを形成する方法を図５（ａ）〜（ｇ）を用いて例示する。ここでは、透明導電膜１２にはＩＴＯを、中間膜１３ｂにはモリブデンを、及び反射導電膜１３ａにはアルミニウムをそれぞれ用いている。
【００１５】
まず、透明絶縁性基板１０上に、ＴＦＴ５０等を形成後、その上を覆うように層間絶縁膜１５を形成する。
【００１６】
次いで、図５（ａ）に示すように、層間絶縁膜１５上にＩＴＯを成膜して、ＰＥＰ技術及びウエットエッチング法により格子状にパターン形成して、透明導電膜１２を形成する。
【００１７】
次いで、図５（ｂ）に示すように、透明導電膜１２の上を覆うようにモリブデン膜１３ｂ’及びアルミニウム膜１３ａ’をそれぞれ順にスパッタリング法により成膜する。
【００１８】
次いで、図５（ｃ）に示すように、アルミニウム膜１３ａ’を覆うようにレジスト１７を塗布する。なお、図５では、ポジ型レジストを用いた場合を示している。
【００１９】
次いで、図５（ｄ）に示すように、レジスト１７の上方に、反射導電膜１３ａを形成する部分のみが遮光され且つそれ以外の部分が露光するように形成されたフォトマスク１８を位置付け、その上から紫外線（ＵＶ）を照射する。
【００２０】
次いで、図５（ｅ）に示すように、現像液にてレジスト１７の感光した部分を除去する。ここで、通常、現像液はアルカリ性であるため、上記の感光したレジスト１７の除去と同時に、図５（ｆ）に示すように、レジスト１７で被覆されていないアルミニウム膜１３ａ’も除去され反射導電膜１３ａが形成される。
【００２１】
次いで、図５（ｇ）に示すように、エッチング液にてレジスト１７で被覆されていないモリブデン膜１３ｂ’を除去して中間膜１３ｂを形成した後、残ったレジスト１７を剥離することにより図２に示すような最終構造とする。
【００２２】
ところで、以上における基板上のレジスト１７を現像する工程において、層間絶縁膜１５上の透明導電膜１２の周辺部に水分が浸入すると、図６に示すように層間絶縁膜１５上のモリブデン膜１３ｂ’が剥離してしまうことがある。これは、層間絶縁膜１５を構成する感光性樹脂が透明導電膜１２を形成する際に用いる剥離液によって膨潤し、層間絶縁膜１５の表面とモリブデン膜１３ｂ’との密着性が通常より低下するために起こるものである。そして、これによってモリブデンのパーティクル（微粒子の汚染物質）が発生し、それが画素電極１１の形成前の他の基板に付着すると、そのパーティクルによってパターニング不良を生じ、そのために歩留まりが大幅に低くなるという問題がある。
【００２３】
次に、イオン性不純物吸着用の電極を有する液晶表示装置について説明する。
【００２４】
まず、ＴＦＴを搭載したアクティブマトリクス基板を有する液晶表示装置は次のように駆動して、画像を表示している。例えば、ゲート信号線を上から下、または下から上の一つの方向に一つのラインずつ順番に走査してそのラインのＴＦＴをオン状態にする。そして、そのときにソース信号線にソース信号を送り、画素電極（容量）及び補助容量を充電して液晶層に所定電圧が印加されるようにし、ＴＦＴをオフ状態にした後、液晶層への印加電圧を次の走査まで一定に保つことで画像表示を実現している。
【００２５】
しかし、アクティブマトリクス基板において、例えば液晶層にイオン性の不純物が混入した場合、次の走査までの時間に画素電極から液晶層に電荷が流れて液晶層に印加された電圧が低下し、正常な表示状態を維持できなくなってしまうという問題がある。ここで、このイオン性の不純物としては、例えば、Ｎａ＋、Ｃａ２＋、Ｃｕ２＋、Ｃｌ−、ＯＨ−等のものが挙げられ、液晶表示素子の製造工程や材料に容易に混入することがあり得る。
【００２６】
さらに、近年、液晶表示素子の携帯用端末機器への搭載が進み、屋外での長時間使用を実現するために低消費電力が進められており、低電圧で駆動できる液晶材料の導入が不可欠となってきている。しかしながら、低電圧で駆動できるということは液晶材料の誘電率異方性が大きいということであり、誘電率異方性が大きいということは液晶材料自身が電位を持っているということである。よって、液晶材料自身がイオン性の物質を引き付けやすくなり、液晶表示素子の製造工程や材料での汚染の可能性がますます大きくなっている。
【００２７】
これらの対策として、例えば特許文献２に示すように、表示領域の外周領域にイオン性不純物吸着用の電極を設けることが有効である。特許文献２では、アクティブマトリクス基板の表示領域の外周領域で、且つ層間絶縁膜上に枠状の電極を持つ液晶表示装置が示されている。具体的には図３及び図４に例示して説明する。ここで、図３はアクティブマトリクス基板１００の上面模式図であり、図４は図３中における３Ａ−３Ａ’断面模式図である。
【００２８】
アクティブマトリクス基板１００には、互いに並行するように延びた複数本のゲート信号線５１及びソース信号線５２とが互いに直交するように配設されている。さらに、両信号線の端部には入力端子１０８がそれぞれ設けられている。そして、表示領域１０１Ａを囲むようにイオン性不純物吸着用の電極パターン（以下、「吸着電極」と称する）２１が設けられている。ここで、表示領域１０１Ａは層間絶縁膜１５上において画素電極１１を構成する透明導電膜１２がマトリクス状に多数集合した長方形の領域である。
【００２９】
また、吸着電極２１は層間絶縁膜１５上に透明導電膜１２と同一の材料で枠状に設けられている。そして、吸着電極２１の一辺は表示領域１０１Ａの外側の端子領域まで延長され、接続端子２１ａとなっている。
【００３０】
液晶表示装置が透過反射型のものの場合、吸着電極２１及び接続端子２１ａは、そのパターン形成工程において透明導電膜１２、中間膜１３ｂ及び反射導電膜１３ａの積層構造を一時的にとることになり、図５（ａ）〜（ｇ）に示したのと実質的に同一の方法で形成される。従って、画素電極１１周辺のみならず、吸着電極２１近傍にもモリブデンのパーティクルが生じることとなる。
【００３１】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、製造工程中でパーティクルの発生が抑止される透過反射型の液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【００３２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を達成する本発明の透過反射型の液晶表示装置は、透明導電膜と、該透明導電膜を覆うように設けられた反射導電膜と、該透明導電膜及び該反射導電膜の間に介設された中間膜と、で構成された電極が設けられた基板を備えたものであって、上記透明導電膜の端を覆うように上記中間膜と同一の材料からなる内側被覆層とその外側の外側被覆層とで構成された被覆膜が設けられていることを特徴とする。
【００３３】
上記の構成によれば、透明導電膜の端を被覆する被覆膜が設けられた構造をとることになる。従って、透明導電膜上に反射導電膜をパターニングする際のレジストの現像工程において、透明導電膜の端を覆う被覆膜の外側被覆層によって、透明導電膜の端部周辺の層間絶縁膜と中間膜となる被膜との間への現像液の水分の浸入が封じられる。これにより、層間絶縁膜からの中間膜となる被膜の剥離を防止することができ、製造工程中のパーティクルの発生を抑止することができる。
【００３４】
本発明の液晶表示装置は、各々、透過部を構成する透明導電膜と、該透明導電膜を覆うように設けられ反射部を構成する反射導電膜と、該透明導電膜及び該反射導電膜の間に介設された中間膜と、で構成された複数の画素電極がマトリクス状に配設されたアクティブマトリクス基板を備えた透過反射型の液晶表示装置であって、上記透明導電膜の外周端を覆うように、上記中間膜と同一材料からなる内側被覆層とその外側の外側被覆層とで構成された外周被覆膜が設けられていることを特徴とする。
【００３５】
上記の構成によれば、画素電極を構成する透明導電膜の外周端を被覆する外周被覆膜が設けられた構造をとることになる。従って、透明導電膜上に反射導電膜をパターニングし画素電極を形成する際のレジストの現像工程において、透明導電膜の外周端を覆う外周被覆膜の外側被覆層によって、透明導電膜の外周端部周辺の層間絶縁膜と中間膜となる被膜との間への現像液の水分の浸入が封じられる。これにより、層間絶縁膜からの中間膜となる被膜の剥離を防止することができ、製造工程中のパーティクルの発生を抑止することができる。
【００３６】
本発明の液晶表示装置は、上記反射導電膜が金属で形成されているものであってもよい。
【００３７】
本発明の液晶表示装置は、上記外周被覆膜の上記外側被覆層が上記反射導電膜と同一層に同一材料で形成されているものであってもよい。
【００３８】
上記の構成によれば、画素電極を構成する透明導電膜上に反射導電膜をパターニングする際に、反射導電膜を形成するフォトマスクに外周被覆膜を形成するようなパターンを設けたものを使用すれば、所定の位置に外周被覆膜の外側被覆層を形成することができる。これにより、反射導電膜の形成と同時に外周被覆膜の外側被覆層を形成でき、外側被覆層形成の工程が不要となるので製造工程の効率化を図ることができる。
【００３９】
本発明の液晶表示装置は、上記透明導電膜が酸化インジウムと酸化スズとの化合物、上記反射導電膜がアルミニウム、及び、上記中間膜がモリブデンでそれぞれ形成されているものであってよい。
【００４０】
上記の構成によれば、本発明の作用効果が具体的に営まれることとなる。つまり、透明導電膜上に反射導電膜をパターニングする際のレジストの現像工程において、透明導電膜の外周端を覆う外周被覆膜の外側被覆層によって、透明導電膜の外周端部周辺の層間絶縁膜とモリブデン膜との間への現像液の水分の浸入が封じられる。これにより、層間絶縁膜からのモリブデン膜の剥離を防止することができ、製造工程中のパーティクルの発生を抑止することができる。
【００４１】
以上に記載されたような本発明の透過反射型の液晶表示装置の製造方法は、
基板上にマトリクスを構成するように複数の上記透明導電膜を形成するステップと、
上記複数の透明導電膜上に上記中間膜となる第１被膜を形成するステップと、
上記第１被膜上に上記反射導電膜となる第２被膜を形成するステップと、
上記第２被膜をエッチングして上記反射導電膜を形成すると共に、上記各透明導電膜の外周端を被覆し該反射導電膜と同一材料からなる外側被覆層を形成するステップと、
上記第１被膜をエッチングして上記中間膜を形成すると共に、上記外側被覆層の内側に該中間膜と同一材料からなる内側被覆層を形成して、該外側被覆層と該内側被覆層とで外周被覆膜を構成するステップと、
を備えたことを特徴とする。
【００４２】
上記の方法によれば、反射導電膜を形成する際の第２被膜をエッチングする工程において、透明導電膜の外周端を覆う外周被覆膜の外側被覆層によって、透明導電膜の外周端部周辺の層間絶縁膜と第１被膜との間への現像液の水分の浸入が封じられる。これにより、層間絶縁膜からの第１被膜の剥離を防止することができ、製造工程中のパーティクルの発生を抑止することができる。また、透明導電膜上に反射導電膜をパターニングする際に、反射導電膜を形成するフォトマスクに外周被覆膜を形成するようなパターンを設けたものを使用すれば、所定の位置に外周被覆膜の外側被覆層を形成することができる。これにより、反射導電膜の形成と同時に外周被覆膜の外側被覆層を形成することができ、また、内側被覆層についても同様に中間膜の形成と同時に形成することができる。従って、外側被覆層及び内側被覆層で構成される外周被覆膜形成の工程が不要となる。
【００４３】
本発明の透過反射型の液晶表示装置の製造方法は、透明導電膜が酸化インジウムと酸化スズとの化合物、上記第２被膜が反射導電膜を構成するアルミニウム、及び、上記第１被膜が中間膜を構成するモリブデンでそれぞれ形成されており、上記第２被膜のエッチングをアルカリ性水溶液で行うものであってもよい。
【００４４】
上記の方法によれば、本発明の作用効果が具体的に営まれる。つまり、第２被膜のアルミニウム膜はアルカリ水溶液に溶解し、また、一般にレジストの現像液はアルカリ性であるため、レジストの現像と、第２被膜のアルミニウム膜のエッチングとが同時に進行する。従って、レジストの現像によって反射導電膜を形成することができ、製造工程の削減が可能である。
【００４５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の実施形態では、ＴＦＴをアクティブ素子に用いたＴＦＴ駆動型の透過反射型の液晶表示装置を例に説明する。但し、本発明の液晶表示装置は、これに限らず、ＴＦＴ以外の３端子素子、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｍｅｔａｌ）等の２端子素子をアクティブ駆動型の液晶表示装置に適用できる。また、アクティブ駆動型の液晶表示装置だけでなく、パッシブ（マルチプレックス）駆動型の液晶表示装置にも適用できる。
【００４６】
（実施形態１）
以下に本発明の実施形態１に係る透過反射型の液晶表示装置について、図７及び図８を用いて説明を行う。なお、図７は本実施形態１におけるアクティブマトリクス基板の画素領域１００Ａを模式的に示す上面模式図であり、図８は図７中の７Ａ−７Ａ’の断面模式図である。
【００４７】
この液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板と、それに対向するように設けられた対向基板と、それらの両基板間に挟持されるように設けられた液晶層と、を備えている。
【００４８】
アクティブマトリクス基板は、透明絶縁性基板１０上に相互に並行に延びるように設けられた複数のゲート信号線５１（１本のみ図示）と、それらのゲート信号線５１に直交する方向に相互に並行に延びるように設けられたソース信号線５２（１本のみ図示）と、ゲート信号線５１及びソース信号線５２の各交差部分に設けられたＴＦＴ５０と、各ＴＦＴ５０に対応して一対のゲート信号線５１及びソース信号線５２で囲われる画素領域１００Ａに設けられた画素電極１１と、を有する。
【００４９】
ゲート信号線５１は、厚さ０．５μ程度の窒化タンタル／タンタル／窒化タンタル（ＴａＮ／Ｔａ／ＴａＮ）の積層膜で構成されたものである。また、そのゲート信号線５１の間を相互に並行に延びるように、ゲート信号線５１と同一層に同一材料からなる補助容量配線５４も配設されている。さらにゲート信号線５１及び補助容量配線５４の上を覆うように厚さ０．３５μ程度の窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなるゲート絶縁膜５５が設けられている。
【００５０】
ソース信号線５２は、ゲート絶縁膜５５上に配設され、厚さ０．３μ程度のＴａＮ／Ｔａ／ＴａＮの積層膜で構成されているものである。
【００５１】
ＴＦＴ５０は、ゲート信号線５１から側方に突出した突出部からなるゲート電極５０ａと、その上にゲート絶縁膜５５を介して設けられた半導体膜と、その半導体膜上にソース信号線５２から側方に突出した突出部からなるソース電極５０ｂと、半導体膜上でソース電極５０ｂに対峙するように設けられ、補助容量電極５３と接続配線５６を介して接続しているドレイン電極５０ｃと、で構成されている。また、ＴＦＴ５０を覆うように、画素領域１００Ａのほぼ全面に感光性樹脂からなる厚さ３μ程度の層間絶縁膜１５が設けられている。
【００５２】
画素電極１１は、基板の層間絶縁膜１５上にマトリクス状に設けられたものであり、各々反射導電膜１３ａと、中間膜１３ｂと、透明導電膜１２と、で構成されている。ここで、反射導電膜１３ａは透明導電膜１２上に、補助容量電極５３に対応するように設けられている。また、反射導電膜１３ａと透明導電膜１２との間には中間膜１３ｂが介設されている。画素電極１１は層間絶縁膜１５に形成された図示しないコンタクトホールによって、補助容量電極５３と電気的に接続されている。
【００５３】
透明導電膜１２は厚さ０．１μ程度のＩＴＯで構成され、その反射導電膜１３ａに対応する部分はその下層にある層間絶縁膜１５の表面をＰＥＰ技術により部分的に凹凸状にしてやることによって、凹凸状の表面を有している。さらに、モリブデン膜１３ｂ’の剥がれを防止するために、透明導電膜１２の外周部には外周端を覆うように外周被覆膜１４が設けられている。
【００５４】
反射導電膜１３ａは厚さ０．１μ程度のアルミニウム膜１３ａ’で構成され、入射光を拡散させるために、上述した形状を反映して凹凸状の表面を有している。
【００５５】
中間膜１３ｂは厚さ０．１μ程度のモリブデン膜１３ｂ’で構成され、アルミニウム膜１３ａ’をＰＥＰ技術で現像する際に、透明導電膜１２とアルミニウム膜１３ａ’との間で局部電池を形成してしまうため、透明導電膜１２とアルミニウム膜１３ａ’との間の電気的な腐食を防止する。
【００５６】
外周被覆膜１４は、中間膜１３ｂと同一材料からなる内側被覆層１４ｂと、反射導電膜１３ａと同一材料からなる外側被覆層１４ａと、で構成されている。ここで、外周被覆膜１４は透明導電膜１２の外周端を覆っていれば十分なので、外周被覆膜１４の幅は出来るだけ狭い方がよい。例えば、外周被覆膜１４の幅が広く透明導電膜１２側に延びる場合は液晶表示装置の開口率が低くなってしまい、また隣の画素側に延びる場合は、ソース信号線５２と画素との容量が大きくなり液晶表示装置の表示品位が低くなってしまう。さらには画素と画素との間が狭くなることにより、液晶表示装置の光リークの発生率が高くなってしまう。そのため、外周被覆膜１４の幅は４μ程度が適当である。なお、外周被覆膜１４は製造工程削減の観点から、反射導電膜１３ａ及び中間膜１３ｂと同一層に同一材料で形成されることが望ましいが、これに限定されることはない。
【００５７】
対向基板は、透明絶縁基板上に、クロム等からなる遮光膜と、感光性樹脂等に赤、緑、青の顔料が分散されたカラーフィルター層と、アクリル樹脂等からなるオーバーコート膜と、透明導電性膜であるＩＴＯからなる対向電極と、を有する。
【００５８】
液晶層は、電気光学特性を有するネマチック液晶材料から構成されている。
【００５９】
次に、基板の層間絶縁膜１５上に、透明導電膜１２、反射導電膜１３ａ、中間膜１３ｂ及び外周被覆膜１４を形成する方法について、図９（ａ）〜（ｇ）を用いて説明する。以下には、特に外周被覆膜１４の膜構成が反射導電膜１３ａ及び中間膜１３ｂと同じ膜構成である場合について例示する。ここで、外周被覆膜１４が反射導電膜１３ａ及び中間膜１３ｂの膜構成と違う場合には、外周被覆膜１４をパターニングしてから中間膜１３ｂ及び反射導電膜１３ａをパターニングすればよい。
【００６０】
まず、透明絶縁性基板１０上にＴＦＴ５０等を形成後、その上を覆うように感光性樹脂の層間絶縁膜１５を形成する。
【００６１】
次いで、図９（ａ）に示すように、層間絶縁膜１５の上にＩＴＯを成膜して、ＰＥＰ技術及びウェットエッチング法によりパターン形成して透明導電膜１２を形成する。
【００６２】
次いで、図９（ｂ）に示すように、透明導電膜１２の上を覆うようにスパッタリング法によりモリブデン膜１３ｂ’、アルミニウム膜１３ａ’を順に成膜する。
【００６３】
次いで、図９（ｃ）に示すように、アルミニウム膜１３ａ’を被覆するように紫外線（ＵＶ）で感光する感光性樹脂からなるレジスト１７を塗布する。なお、図９では、ポシ型レジストを用いた場合を示している。
【００６４】
次いで、図９（ｄ）に示すように、反射導電膜１３ａ及び外周被覆膜１４を形成する部分のみが遮光され且つそれ以外の部分が露光するように形成されたフォトマスク１８を基板面と略平行になるように位置付け、その上方からＵＶを照射する。ここでフォトマスク１８により、マスクされた透明導電膜１２の外周端と、反射導電膜１３ａに対応する部分とのレジスト１７は感光しない。
【００６５】
次いで、図９（ｅ）に示すように、現像液（例えば、長瀬産業株式会社製  商品名：ナガセポジティブデベロッパー  ＮＰＤ−２０００Ｓ）にてレジスト１７の感光した部分を除去する。ここで、通常、現像液はアルカリ性であるため、上記感光したレジスト１７の除去と同時に、図９（ｆ）に示すように、レジスト１７で被覆されていないアルミニウム膜１３ａ’も除去され、反射導電膜１３ａ及び外周被覆膜１４の外側被覆層１４ａが形成される。これによって、モリブデン膜１３ｂ’が表面に露出するが、透明導電膜１２の外周端上のモリブデン膜１３ｂ’は外側被覆層１４ａで覆われているため、従来のように剥がれるようなことはない。これは、透明導電膜１２の外周端部上のモリブデン膜１３ｂ’の上層にある外側被覆層１４ａによって、透明導電膜１２の外周端部周辺の層間絶縁膜１５とモリブデン膜１３ｂ’との間への現像液の水分の浸入が封じられるためである。
【００６６】
次いで、図９（ｇ）に示すように、エッチング液により表面に露出した部分のモリブデン膜１３ｂ’を除去して、中間膜１３ｂ及び内側被覆層１４ｂを形成した後、残ったレジスト１７を剥離することにより図８に示すような最終構造とする。
【００６７】
以上のようにすれば、画素領域１００Ａにある透明導電膜１２の外周部にその外周端を覆うように外周被覆膜１４を形成することができるので、レジスト１７の現像工程において、透明導電膜１２の外周端部周辺の層間絶縁膜１５とモリブデン膜１３ｂ’との間への現像液の水分の浸入が発生しにくい構造をとることになる。従って、層間絶縁膜１５からのモリブデン膜１３ｂ’の剥離を防止することができ、製造工程中のパーティクルの発生を抑止することができる。また、透明導電膜上に反射導電膜をパターニングする際に、反射導電膜を形成するフォトマスクに外周被覆膜を形成するようなパターンを設けたものを使用すれば所定の位置に外周被覆膜を形成することができる。これにより、反射導電膜の形成と同時に外周被覆膜の外側被覆層を形成することができ、また、内側被覆層についても同様に中間膜の形成と同時に形成することができる。従って、外側被覆層及び内側被覆層で構成される外周被覆膜形成の工程が不要となる。
【００６８】
（実施形態２）
本発明の実施形態２に係る透過反射型の液晶表示装置のアクティブマトリクス基板１００について図１０を用いて説明する。なお、図１０は従来例の図４の断面模式図に対応するものであり、図３に示されるアクティブマトリクス基板１００の３Ａ−３Ａ’の断面模式図に相当する。
【００６９】
図１０では吸着電極２１の被覆膜１４の膜構成が、表示領域１０１Ａにある反射導電膜膜１３ａ及び中間膜１３ｂの膜構成と同一な場合について例示する。なお、実施形態１と同一名称の部分については同位置の符号で示し、詳細な説明は省略する。
【００７０】
このアクティブマトリクス基板１００では、互いに並行するように延びた複数本のゲート信号線５１及びソース信号線５２とが互いに直交するように配設されている。さらに、両信号線の端部には入力端子１０８がそれぞれ設けられている。そして、画素電極１１がマトリクス状に多数集合した長方形の表示領域１０１Ａを囲むように吸着電極２１が設けられている。
【００７１】
吸着電極２１は層間絶縁膜１５上に透明導電膜１２と同一の材料で枠状に設けられている。そして、吸着電極２１の一辺は表示領域１０１Ａの外側の端子領域まで延長され、接続端子２１ａとなっている。さらに、中間膜となる被膜の剥離を防止するために、吸着電極２１及び接続端子２１ａの周端を覆うように被覆膜１４が設けられている。
【００７２】
被覆膜１４の幅は、吸着電極２１及び接続端子２１ａの周端を覆っていれば十分なので、できるだけ狭い方が好ましいが、実施形態１の画素電極１１の場合とは異なって被覆膜１４の近傍に画素等が存在しないため、１０μ程度でも機能上問題はない。また、被覆膜１４は、製造工程削減の観点からみると、表示領域１０１Ａで使用される反射導電膜１３ａ及び中間膜１３ｂと同じ膜構成で形成されることが望ましい。しかし、吸着電極２１の被覆膜１４の膜構成が反射導電膜１３ａ及び中間膜１３ｂと異なる場合には、被覆膜１４をパターニングしてから中間膜１３ｂ及び反射導電膜膜１３ａをパターニングすればよい。
【００７３】
本発明の実施形態２に係る吸着電極２１及び接続端子２１ａの周端部への被覆膜１４の形成方法については、透明導電膜１２上の反射導電膜１３ａをパターニングする際のレジストを形成すると同時に、吸着電極２１及び接続端子２１ａの周端を覆うようにレジストを形成することにより被覆膜１４を形成することができ、実施形態１での外周被覆膜１４の形成方法と実質的に同じであるため、その説明を省略する。
【００７４】
以上のようにすれば、吸着電極２１及び接続端子２１ａの周端部にその周端を覆うように被覆膜１４を形成することができるので、レジスト１７の現像工程において、吸着電極２１及び接続端子２１ａの周端部周辺の層間絶縁膜１５と中間膜１３ｂとなる被膜との間への現像液の水分の浸入が発生しにくい構造をとることになる。従って、層間絶縁膜１５からの中間膜１３ｂとなる被膜の剥離を防止することができ、製造工程中のパーティクルの発生を抑止することができる。また、透明導電膜上に反射導電膜をパターニングする際に、反射導電膜を形成するフォトマスクに被覆膜を形成するようなパターンを設けたものを使用すれば所定の位置に被覆膜の外側被覆層を形成することができる。これにより、反射導電膜の形成と同時に被覆膜の外側被覆層を形成することができ、また、内側被覆層についても同様に中間膜の形成と同時に形成することができる。従って、外側被覆層及び内側被覆層で構成される被覆膜形成の工程が不要となる。
【００７５】
なお、本発明は本実施形態に限定されるものではなく、他の構成のものであってもよい。
【００７６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、透明導電膜の端を覆うように、被覆膜が形成されているので、現像工程において透明導電膜の周辺部への水分の浸入が進行しにくい構造となり、製造工程中でパーティクルの発生を抑止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の透過反射型の液晶表示装置の上面模式図である。
【図２】従来の透過反射型の液晶表示装置の断面模式図である。
【図３】従来のイオン性不純物吸着用の電極パターンを含む液晶表示装置の上面模式図である。
【図４】従来のイオン性不純物吸着用の電極パターンを含む液晶表示装置の断面模式図である。
【図５】従来の透過反射型の液晶表示装置の反射膜を形成する方法を表す断面模式図である。
【図６】従来の透過反射型の液晶表示装置の反射膜を形成する際の金属膜の剥離状態を表す断面模式図である。
【図７】実施形態１の透過反射型の液晶表示装置の画素領域を表す上面模式図である。
【図８】実施形態１の透過反射型の液晶表示装置の画素領域を表す断面模式図である。
【図９】実施形態１の外周被覆膜を形成方法を表す模式図である。
【図１０】実施形態２のイオン性不純物吸着用の電極パターンを含む液晶表示装置の断面模式図である。
【符号の説明】
１０  透明絶縁性基板
１１  画素電極
１２  透明導電膜
１３ａ  反射導電膜
１３ａ’アルミニウム膜
１３ｂ    中間膜
１３ｂ’モリブデン膜
１４  被覆膜、外周被覆膜
１４ａ  外側被覆層
１４ｂ  内側被覆層
１５  層間絶縁膜
１７  レジスト
１８  フォトマスク
２１  イオン性不純物吸着用の電極パターン（吸着電極）
２１ａ  イオン性不純物吸着用の電極パターン（吸着電極）の接続端子
５０  ＴＦＴ
５０ａ  ゲート電極
５０ｂ  ソース電極
５０ｃ  ドレイン電極
５１  ゲート信号線
５２  ソース信号線
５３  補助容量電極
５４  補助容量線
５５  ゲート絶縁膜
５６  接続配線
１００  アクティブマトリクス基板
１００Ａ  画素領域
１０１Ａ  表示領域
１０８  入力端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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