(57)【要約】【課題】高周波数域の電流がコイル部分を流れる場合でも表皮効果を原因としたＱ値低下を抑制できる積層インダクタを提供する。【解決手段】導体層２の単位長さ当たりの実表面長を１≦（実表面長／単位長さ）≦１．３の範囲に設定することにより、導体層２の表面平滑性を向上させてコイル部分の実質的な表面長を短くしてあるので、表皮効果によって電流がコイル部分の表面に集中して流れる場合でも抵抗値を減少させてＱ値低下を抑制することができる。【選択図】　図２
2004039957.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のコイル用導体層が磁性体層を介して積層され、且つ、磁性体層に設けられたスルーホール導体によって複数のコイル用導体層が螺旋状に接続された構造を有するチップを備え、複数のコイル用導体層及びスルーホール導体から成るコイル部分の一端が引出部分を介して対を成す一方の外部電極に接続され、且つ、コイル部分の他端が別の引出部分を介して他方の外部電極に接続された積層インダクタであって、
コイル用導体層の単位長さ当たりの実表面長が１≦（実表面長／単位長さ）≦１．３の範囲にある、
ことを特徴とする積層インダクタ。
【請求項２】
複数のコイル用導体層が磁性体層を介して積層され、且つ、磁性体層に設けられたスルーホール導体によって複数のコイル用導体層が螺旋状に接続された構造を有するチップを備え、複数のコイル用導体層及びスルーホール導体から成るコイル部分の一端が引出部分を介して対を成す一方の外部電極に接続され、且つ、コイル部分の他端が別の引出部分を介して他方の外部電極に接続された積層インダクタであって、
コイル用導体層の単位断面積当たりの有効断面積が０．９≦（有効断面積／単位断面積）≦１．０の範囲にある、
ことを特徴とする積層インダクタ。
【請求項３】
コイル用導体層は金属粉末とバインダと溶媒とを少なくとも含む導体ペーストを塗布して得た未焼成コイル用導体層の焼結物から成り、導体ペーストに含まれる金属粉末はその粒径が０．１〜１．０μｍの範囲内にあり、且つ、タップ密度が４〜１０ｇ／ｃｍ３　の範囲内にある、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の積層インダクタ。
【請求項４】
磁性体層はセラミック粉末とバインダと溶媒とを少なくとも含むスラリーを塗布して得た未焼成磁性体層の焼結物から成り、スラリーに含まれるセラミック粉末はその粒径が０．１〜２．５μｍの範囲内にある、
ことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の積層インダクタ。
【請求項５】
チップは直方体形状を成し、外部電極はチップの積層方向と直交する方向で相対する２つの面に隣接する４つの面の端部に回り込むように形成されている、
ことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の積層インダクタ。
【請求項６】
各外部電極の実装側の面に存する回り込み部分の長さは反対側の面に存する回り込み部分の長さよりも長い、
ことを特徴とする請求項５に記載の積層インダクタ。
【請求項７】
反対側の面に存する回り込み部分とコイル部分とは積層方向と直交する方向において離れている、
ことを特徴とする請求項６に記載の積層インダクタ。
【請求項８】
各外部電極の実装側の面に存する回り込み部分とコイル部分との積層方向における間隔は、反対側の面に存する回り込み部分とコイル部分との積層方向における間隔よりも大きい、
ことを特徴とする請求項５〜７の何れか１項に記載の積層インダクタ。
【請求項９】
各外部電極の回り込み部分とコイル部分とは積層方向と直交する方向において離れている、
ことを特徴とする請求項５，７または８に記載の積層インダクタ。
【請求項１０】
チップは直方体形状を成し、チップの積層方向で相対する２つの面には隣接する４つの面の端部に回り込むように外部電極が形成されている、
ことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の積層インダクタ。
【請求項１１】
各外部電極の回り込み部分とコイル部分とは積層方向において離れている、
ことを特徴とする請求項１０に記載の積層インダクタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、螺旋状コイルがチップに内蔵された積層インダクタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
積層インダクタは、複数のコイル用導体層が磁性体層を介して積層され、且つ、磁性体層に設けられたスルーホール導体によって複数のコイル用導体層が螺旋状に接続された構造を有するチップを備えている。このチップには外部電極が対を成すように形成されていて、複数のコイル用導体層及びスルーホール導体から成るコイル部分の一端は引出部分を介して一方の外部電極に接続され、且つ、コイル部分の他端は別の引出部分を介して他方の外部電極に接続されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
積層インダクタの品質を表すＱ値はコイル部分を流れる周波数の影響を受けること、具体的にはコイル部分を流れる電流の周波数に比例してＱ値は増加するがその増加を妨げる損失があることが知られている。
【０００４】
この損失の原因の１つとしては表皮効果、即ち、周波数が高くなるにつれてコイル部分を流れる電流がその表面に集中する現象が関係していると考えられる。つまり、コイル部分の表面及びその近傍部分の導体抵抗が高いと表皮効果を生じたときに電流が流れ難くなり、結果的に直流抵抗が増加してＱ値が低下してしまう。
【０００５】
本発明は前記事情に鑑みて創作されたもので、その目的とするところは、高周波数域の電流がコイル部分を流れる場合でも表皮効果を原因としたＱ値低下を抑制できる積層インダクタを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明は、複数のコイル用導体層が磁性体層を介して積層され、且つ、磁性体層に設けられたスルーホール導体によって複数のコイル用導体層が螺旋状に接続された構造を有するチップを備え、複数のコイル用導体層及びスルーホール導体から成るコイル部分の一端が引出部分を介して対を成す一方の外部電極に接続され、且つ、コイル部分の他端が別の引出部分を介して他方の外部電極に接続された積層インダクタであって、コイル用導体層の単位長さ当たりの実表面長が１≦（実表面長／単位長さ）≦１．３の範囲にある、ことをその特徴とする。
【０００７】
この積層インダクタによれば、コイル用導体層の単位長さ当たりの実表面長を１≦（実表面長／単位長さ）≦１．３の範囲に設定することにより、コイル導体層の表面平滑性を向上させてコイル部分の実質的な表面長を短くしてあるので、表皮効果によって電流が導体層の表面に集中して流れる場合でも抵抗値が減少されるのでＱ値低下を抑制することができる。
【０００８】
また、本発明は、複数のコイル用導体層が磁性体層を介して積層され、且つ、磁性体層に設けられたスルーホール導体によって複数のコイル用導体層が螺旋状に接続された構造を有するチップを備え、複数のコイル用導体層及びスルーホール導体から成るコイル部分の一端が引出部分を介して対を成す一方の外部電極に接続され、且つ、コイル部分の他端が別の引出部分を介して他方の外部電極に接続された積層インダクタであって、コイル用導体層の単位断面積当たりの有効断面積が０．９≦（有効断面積／単位断面積）≦１．０の範囲にある、ことをその特徴とする。
【０００９】
この積層インダクタによれば、コイル用導体層の単位断面積当たりの有効断面積を０．９≦（有効断面積／単位断面積）≦１．０の範囲に設定することにより、コイル用導体層の緻密性を向上させてコイル部分の表面及びその近傍部分に電流が流れ易くしてあるので、表皮効果によって電流が導体層の表面に集中して流れる場合でも抵抗値を減少させてＱ値低下を抑制することができる。
【００１０】
本発明の前記目的とそれ以外の目的と、構成特徴と、作用効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の一実施形態を示す積層インダクタの横断面図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図、図３は図１に示したチップの層構成を示す斜視図、図４（Ａ）はコイル用導体層の表面状態を示す断面図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）に対する比較例を示す断面図、図５は周波数とＱ値との関係を示す図であり、図１及び図２における符号１はチップ、２はコイル用導体層（以下単に導体層と言う）、３は磁性体層、４はスルーホール導体、５は外部電極である。
【００１２】
チップ１はＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト等の磁性体材料を主成分とする磁性体セラミックスから長さ＞幅＝高さの寸法関係を有する直方体形状に形成されていて、Ａｇ等の金属からコ字形に形成された多数（図中は１１個）の導体層２が磁性体層３を介して積層された構造を有する。
【００１３】
また、導体層２間の磁性体層３にはスルーホールにＡｇ等の金属を埋め込んで構成されたスルーホール導体４が設けられていて、多数の導体層２はこのスルーホール導体４によって螺旋状に接続されてコイル部分（符号なし）を構成している。
【００１４】
さらに、図中の最も上側の導体層２と最も下側の導体層２には引出部分２ａがそれぞれ設けられていて、各々端縁はチップ１の積層方向と直交する方向で相対する２つの面（長さ方向の２つの端面）で露出している。
【００１５】
外部電極５はＡｇ等の金属から成り、チップ１の前記２つの面に隣接する４つの面の端部に回り込むように形成されている（回り込み部分５ａ参照）。一方の外部電極５は一方の引出部分２ａを通じてコイル部分の一端に接続され、他方の外部電極５は他方の引出部分２ａを通じてコイル部分の他端に接続されている。
【００１６】
前記のチップ１は、図３に示すようなグリーンシートＳ１〜Ｓ７を所定の順序で積層し圧着したものを焼成することにより形成されている。
【００１７】
グリーンシートＳ１は、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト等から成るセラミック粉末と有機バインダと有機溶剤と各種添加剤とを適当な重量割合で混合，混練して得たスラリーを所定厚さで塗工し乾燥して形成されている。
【００１８】
グリーンシートＳ３〜Ｓ６は、前記グリーンシートＳ１にレーザ加工やパンチング等によってスルーホールＳＨを形成し、Ａｇ等から成る金属粉末と有機バインダと有機溶剤と各種添加剤とを適当な重量割合で混合，混練して得た導体ペーストを所定厚さでコ字状に印刷し乾燥して未焼成導体層Ｃ２〜Ｃ５を形成したものであり、スルーホールＳＨには印刷ペーストの一部が充填されている。
【００１９】
グリーンシートＳ２は、前記グリーンシートＳ１に前記同様の導体ペーストをコ字状に印刷し乾燥してグリーンシートＳ６と類似の未焼成導体層Ｃ１を形成したものであり、未焼成導体層Ｃ１の端部には一方の引出部分２ａとなる延長部Ｃ１ａが設けられている。
【００２０】
グリーンシートＳ７は、前記グリーンシートＳ１にレーザ加工やパンチング等によってスルーホールＳＨを形成し、前記同様の導体ペーストをコ字状に印刷し乾燥してグリーンシートＳ４と類似の未焼成導体層Ｃ６を形成したものであり、未焼成導体層Ｃ６の端部には他方の引出部分２ａとなる延長部Ｃ６ａが設けられ、スルーホールＳＨには印刷ペーストの一部が充填されている。
【００２１】
また、外部電極５は、焼成後のチップ１の長さ方向の両端部それぞれに前記同様の導体ペーストを塗布しこれを焼き付けることにより形成されている。
【００２２】
ところで、前記積層インダクタのコイル部分を流れる電流はその周波数が高くなるにつれてコイル部分の表面、即ち、導体層２の表面に集中する。この表皮効果を生じるような高周波数域では、導体層２の表面が平滑でないと電流が流れる長さが実質的に長くなるために抵抗値が増加してＱ値が低下してしまう。
【００２３】
このＱ値低下を抑制するため、前記の積層インダクタの導体層２では、導体層２の単位長さ当たりの実表面長を１≦（実表面長／単位長さ）≦１．３の範囲に設定して、導体層２の表面平滑性を向上させてある。ちなみに、この関係式における「実表面長」とは、導体層２を所定の直線ラインで切断したときの単位長さ当たりの表面長さをその起伏に沿って実測した値である。
【００２４】
図３（Ａ）に示すように導体層２の表面起伏が小さい場合には「実表面長／単位長さ」の値は１に近くなり、表皮効果を生じる高周波数域では電流が流れる長さが実質的に短くなるため、抵抗値が減少してＱ値低下が抑制される。これに対し、図３（Ｂ）に示すようにコイル導体層２の表面起伏が大きい場合には「実表面長／単位長さ」の値は大きくなり、表皮効果を生じる高周波数域では電流が流れる長さが実質的に長くなるため、抵抗値が増加してＱ値は低下する。
【００２５】
図４は「実表面長／単位長さ」の値が前記範囲内の１．２である場合（実線参照）と「実表面長／単位長さ」の値が前記範囲外の１．５である場合（破線参照）における周波数とＱ値との関係を示すもので、同図から分かるように、「実表面長／単位長さ」の値が前記範囲内の１．２である場合には「実表面長／単位長さ」の値が前記範囲外の１．５である場合よりも高周波数域で高いＱ値が得られる。
【００２６】
先に述べた表面平滑性を向上させる方法としては、未焼成導体層を形成する時に、印刷後の導体ペーストの表面或いは乾燥後の導体ペーストの表面を適当な器具、例えば平坦面を有する押圧器具等によって均して起伏を無くす方法が採用できる。
【００２７】
また、このような器具による平滑化処理をしなくとも所期の表面平滑性が得られるような導体ペーストを使用する方法が採用できる。この場合には、導体ペーストに含まれる金属粉末としてその粒径が０．１〜１．０μｍの範囲内にあり、且つ、タップ密度が４〜１０ｇ／ｃｍ３　の範囲内にあるものを使用し、未焼成導体層を焼結してもその表面に起伏が現れないようにすることが望ましい。
【００２８】
さらに、図３に示すようなグリーンシートＳ１〜Ｓ７を積層し圧着するときにグリーンシートの表面凹凸によって未焼成導体層の表面平滑性が損なわれる恐れがあることから、表面が平滑なグリーンシートが得られるようなスラリーを使用する方法が採用できる。この場合には、スラリーに含まれるセラミック粉末としてその粒径が０．１〜２．５μｍの範囲内にあるものを使用し、グリーンシートの表面に起伏が現れないようにすることが望ましい。
【００２９】
勿論、表面平滑性を向上させる前記の方法は適宜組み合わせて採用しても構わない。
【００３０】
Ｑ値低下を抑制する他の方策としては、先に述べた表面平滑性向上の他に、導体層２の緻密性向上が挙げられる。表皮効果を生じるような高周波数域では、導体層２の表面及びその近傍部分が密でないと電流が流れる部分が実質的に狭くなるために抵抗値が増加してＱ値が低下してしまうので、導体層２の緻密性を確保すればこのＱ値低下を抑制することできる。
【００３１】
この場合には、導体層２の単位断面積当たりの有効断面積を０．９≦（有効断面積／単位断面積）≦１．０の範囲に設定して、導体層２の緻密性を向上させればよい。ちなみに、この関係式における「有効断面積」とは、導体層２を所定の直線ラインで切断したときの単位断面積当たりの断面積から空隙面積を減じた値、換言すれば、電流が流れる金属部分のみの断面積を実測した値である。
【００３２】
導体層２の断面に空隙が少ない場合には「有効断面積／単位断面積」の値は１に近くなり、表皮効果を生じる高周波数域では電流が流れる部分が実質的に広くなるため、抵抗値が減少してＱ値低下が抑制される。これに対し、導体層２の断面に空隙が多く存する場合には「有効断面積／単位断面積」の値は小さくなり、表皮効果を生じる高周波数域では電流が流れる部分が実質的に狭くなるため、抵抗値が増加してＱ値は低下する。勿論、先に述べた表面平滑性向上の方策を併用すれば、より効果的にＱ値低下を抑制することができる。
【００３３】
Ｑ値低下を抑制するさらに他の方策としては、先に述べた表面平滑性向上と緻密性向上の他に、浮遊容量減少が挙げられる。図１及び２に示した積層インダクタでは、コイル部分と外部電極５との間に浮遊容量が発生したり、積層インダクタを基板に実装した時にランドとコイル部分との間に浮遊容量が発生すると、高周波数域でのＱ値が低下してしまうので、前記浮遊容量を減少すればこのＱ値低下を抑制することができる。
【００３４】
コイル部分と外部電極５との間の浮遊容量を減少するには、図６に示すように、積層インダクタの図中下面を実装側の面としたときに、各外部電極５の実装側の面に存する回り込み部分５ａの長さＥｂを反対側の面に存する回り込み部分５ｂの長さＥａよりも長くすればよい。ちなみに、この外部電極５は、チップ１の長さ方向両端部にディップ法によって長さＥａの回り込み部分５ｂが得られるように導体ペーストを塗布してから、チップ１の実装側の面に印刷法によってＥｂ−Ｅａ分の導体ペーストを印刷する方法によって形成することができる。この場合には、図６のように反対側の面に存する回り込み部分５ｂとコイル部分とを積層方向と直交する方向に離すようにすれば、同部分で発生する浮遊容量をより効果的に減少できる。
【００３５】
図７は前記外部電極５の回り込み部分５ｂの長さＥａが５０μｍ，１５０μｍ，２５０μｍ，３５０μｍ，４００μｍの場合における周波数とＱ値との関係を示すもので、同図から分かるように、反対側の面に存する回り込み部分５ｂの長さを短くするにつれて高周波数域で高いＱ値が得られる。
【００３６】
また、ランド６とコイル部分との間の浮遊容量を減少するには、図８に示すように、積層インダクタの図中下面を実装側の面としたときに、各外部電極５の実装側の面に存する回り込み部分５ａとコイル部分との積層方向の間隔Ｔｄを、反対側の面に存する回り込み部分とコイル部分との積層方向の間隔Ｔｕよりも大きくすればよい。
【００３７】
図９は前記間隔ＴｄとＴｕをＴｄ＞Ｔｕとした場合（実線参照）と前記間隔ＴｄとＴｕをＴｄ＝Ｔｕとした場合における周波数とＱ値との関係を示すもので、同図から分かるように、Ｔｄ＞Ｔｕとした場合にはＴｄ＝Ｔｕとした場合よりも高周波数域で高いＱ値が得られる。
【００３８】
さらに、コイル部分と外部電極５との間の浮遊容量を減少するには、図１０に示すように、各外部電極５の回り込み部分５ａとコイル部分とが積層方向と直交する方向に離れるように、導体層２の形状を小さくするか或いは回り込み部分５ａの長さを小さくすることによって両者の間に隔たりＣＬを設けるようにしてもよい。
【００３９】
以上の説明では、外部電極５がチップ１の積層方向と直交する方向で相対する２つの面に隣接する４つの面の端部に回り込むように形成されたものを積層インダクタとして例示したが、先に述べた表面平滑性向上と緻密性向上の方策は、図１１に示すような積層インダクタ、即ち、外部電極１５がチップ１１の積層方向で相対する２つの面に隣接する４つの面の端部に回り込むように形成された積層インダクタにも適用でき同様の作用効果を得ることができる。
【００４０】
図１１における符号１１はチップ、１２はコイル用導体層（以下単に導体層と言う）、１３は磁性体層、１４はスルーホール導体、１５は外部電極である。
【００４１】
チップ１１はＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト等の磁性体材料を主成分とする磁性体セラミックスから長さ＞幅＝高さの寸法関係を有する直方体形状に形成されていて、Ａｇ等の金属からコ字形に形成された多数（図中は１２個）の導体層１２が磁性体層１３を介して積層された構造を有する。
【００４２】
また、導体層１２間の磁性体層１３にはスルーホールにＡｇ等の金属を埋め込んで構成されたスルーホール導体１４が設けられていて、多数の導体層１２はこのスルーホール導体１４によって螺旋状に接続されてコイル部分（符号なし）を構成している。
【００４３】
さらに、図中の最も左側の導体層１２と最も右側の導体層１２には複数のスルーホール導体１４を直線状に接続して構成された引出部分１２ａの一端がそれぞれ接続され、各引出部分１２ａの他端はチップ１の積層方向で相対する２つの面（長さ方向の２つの端面）で露出している。
【００４４】
外部電極１５はＡｇ等の金属から成り、チップ１１の前記２つの面に隣接する４つの面の端部に回り込むように形成されている（回り込み部分１５ａ参照）。一方の外部電極１５は一方の引出部分１２ａを通じてコイル部分の一端に接続され、他方の外部電極１５は他方の引出部分１２ａを通じてコイル部分の他端に接続されている。
【００４５】
前記のチップ１１は、図１２に示すようなグリーンシートＳ１１〜Ｓ１５を所定の順序で積層し圧着したものを焼成することにより形成されている。
【００４６】
グリーンシートＳ１１は、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト等から成るセラミック粉末と有機バインダと有機溶剤と各種添加剤とを適当な重量割合で混合，混練して得たスラリーを所定厚さで塗工し乾燥して形成された基礎グリーンシートにレーザ加工やパンチング等によってスルーホールＳＨを形成し、Ａｇ等から成る金属粉末と有機バインダと有機溶剤と各種添加剤とを適当な重量割合で混合，混練して得た導体ペーストを所定厚さで矩形状或いは円形状に印刷し乾燥して未焼成導体層Ｃ１１を形成したものであり、スルーホールＳＨには印刷ペーストの一部が充填されている。
【００４７】
グリーンシートＳ１２〜Ｓ１５は、前記基礎グリーンシートにレーザ加工やパンチング等によってスルーホールＳＨを形成し、前記同様の導体ペーストを所定厚さでコ字状に印刷し乾燥して未焼成導体層Ｃ１２〜Ｃ１５を形成したものであり、スルーホールＳＨには印刷ペーストの一部が充填されている。
【００４８】
また、外部電極１５は、焼成後のチップ１１の長さ方向の両端部それぞれに前記同様の導体ペーストを塗布しこれを焼き付けることにより形成されている。
【００４９】
図１１に示した積層インダクタにおいて、Ｑ値低下を抑制するさらに他の方策としては、先に述べた表面平滑性向上と緻密性向上の他に、浮遊容量減少が挙げられる。図１１に示した積層インダクタでは、コイル部分と外部電極１５との間に浮遊容量が発生したり、引出部分１２ａと外部電極１５との間に浮遊容量が発生すると、高周波でのＱ値が低下してしまうので、前記浮遊容量を減少すればこのＱ値低下を抑制することができる。
【００５０】
コイル部分と外部電極１５との間の浮遊容量を減少するには、図１１に示すように、各外部電極５の回り込み部分１５ａとコイル部分とが積層方向と直交する方向に離れるように、導体層２の形状を小さくするか或いは回り込み部分５ａの長さを小さくすることによって両者の間に隔たりを設けるようにすればよい。
【００５１】
また、引出部分１２ａと外部電極１５との間の浮遊容量を減少するには、引出部分１２ａを積層方向中心或いはその近傍に位置させるようにして、引出部分１２ａと外部電極１５との間に隔たりを設けるようにすればよい。
【００５２】
このように、前述の積層インダクタによれば、導体層２，１２の単位長さ当たりの実表面長を１≦（実表面長／単位長さ）≦１．３の範囲に設定することにより、導体層２，１２の表面平滑性を向上させてコイル部分の実質的な表面長を短くしてあるので、表皮効果によって電流がコイル部分の表面に集中して流れる場合でも抵抗値を減少させてＱ値低下を抑制することができる。
【００５３】
また、前述の積層インダクタによれば、導体層２，１２の単位断面積当たりの有効断面積を０．９≦（有効断面積／単位断面積）≦１．０の範囲に設定することにより、導体層２，１２の緻密性を向上させてコイル部分の表面及びその近傍部分に電流が流れ易くしてあるので、表皮効果によって電流がコイル部分の表面に集中して流れる場合でも抵抗値を減少させてＱ値低下を抑制することができる。
【００５４】
さらに、前述の積層インダクタによれば、コイル部分と外部電極５，１５との間等に発生する浮遊容量を減少させることにより、浮遊容量の影響によって高周波数域でＱ値が低下することを抑制することができる。
【００５５】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、高周波数域の電流がコイル部分を流れる場合でも表皮効果を原因としたＱ値低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態を示す積層インダクタの横断面図
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図
【図３】図１に示したチップの層構成を示す斜視図
【図４】コイル用導体層の表面状態を示す断面図と、その比較例を示す断面図
【図５】周波数とＱ値との関係を示す図
【図６】図１に示した積層インダクタの変形例を示す図
【図７】図６に示した回り込み部分の長さに係る周波数とＱ値との関係を示す図
【図８】図１に示した積層インダクタの他の変形例を示す図
【図９】図８に示した回り込み部分とコイル部分との間隔に係る周波数とＱ値との関係を示す図
【図１０】図１に示した積層インダクタのさらに他の変形例を示す図
【図１１】本発明の他の実施形態を示す積層インダクタの横断面図
【図１２】図１１に示したチップの層構成を示す斜視図
【符号の説明】
１…チップ、２…コイル用導体層、２ａ…引出部分、３…磁性体層、４…スルーホール導体、５…外部電極、５ａ，５ｂ…外部電極の回り込み部分、６…ランド、１１…チップ、１２…コイル用導体層、１２ａ…引出部分、１３…磁性体層、１４…スルーホール導体、１５…外部電極、１５ａ…外部電極の回り込み部分。
【図１】
2004039957.tif 000003
【図２】
2004039957.tif 000004
【図３】
2004039957.tif 000005
【図４】
2004039957.tif 000006
【図５】
2004039957.tif 000007
【図６】
2004039957.tif 000008
【図７】
2004039957.tif 000009
【図８】
2004039957.tif 000010
【図９】
2004039957.tif 000011
【図１０】
2004039957.tif 000012
【図１１】
2004039957.tif 000013
【図１２】
2004039957.tif 000014