(57)【要約】【課題】蒸着源の寿命が長い成膜装置を提供する。【解決手段】本発明の成膜装置１は、アーク電流を流れる経路のインピーダンスが、トリガ電極に電圧を印加してから１μ秒以上５０μ秒以下の間に、アーク電流が最大値となるように設定されているので、コンデンサ４５の容量が小さくされた場合でも、アーク電流の尖頭電流値が小さくならず、アーク電流により形成される磁界の強度が弱くならず、蒸着材料の荷電粒子の飛行方向を曲げて基板に到達させることができる。コンデンサ４５の容量を小さくし、蒸着材料３１への投入電力を小さくすれば、蒸着材料３１の溶融物が飛散し難く、トリガ電極３４を蒸着材料３１から絶縁する絶縁部材３６が汚れ難いので、蒸着源３の寿命が長くなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空槽と、蒸着材料と、アノード電極と、トリガ電極とを有し、
前記蒸着材料と、前記アノード電極と、前記トリガ電極は前記真空槽内に配置され、
前記蒸着材料にはコンデンサが接続され、
前記コンデンサが充電された状態で、前記トリガ電極と前記蒸着材料との間にトリガ放電を発生させ、
前記トリガ放電により、前記蒸着材料と前記アノード電極との間にアーク放電を誘起させると、前記コンデンサが放電してアーク電流が流れ、前記蒸着材料から前記蒸着材料の荷電粒子が放出され、
前記アーク電流によって生じた磁界で、前記荷電粒子の飛行方向が、基板が配置された方向に曲げられ、前記基板表面に前記荷電粒子が到達するように構成された成膜装置であって、
前記アーク電流が流れる経路のインピーダンスが、前記トリガ電極に電圧を印加してから１μ秒以上５０μ秒以下の間に、前記アーク電流が最大値となるように設定された成膜装置。
【請求項２】
前記アーク電流が流れる経路のインピーダンスが０．０５Ω以上０．１Ω以下に設定された請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
真空槽内に、蒸着材料と、アノード電極と、基板とを配置しておき、
前記真空槽内に真空雰囲気を形成した後、前記アノード電極と前記蒸着材料との間にアーク放電を起こし、前記蒸着材料の荷電粒子を放出させ、予め充電されたコンデンサを放電させてアーク電流を流し、前記蒸着材料の荷電粒子の飛行方向を、前記アーク電流により前記基板方向に向けて曲げ、
前記基板表面に前記蒸着材料の荷電粒子を到達させて、薄膜を形成する成膜方法であって、
前記アーク電流が流れる経路のインピーダンスを、前記トリガ放電が発生してから１μ秒以上５０μ秒以下の間に、前記アーク電流が最大値となるように設定しておき、前記アーク放電を発生させて成膜を行う成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は成膜装置に関し、特に、ダイヤモンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）や半導体の高誘電体薄膜、絶縁膜、銅薄膜、磁性薄膜、高融点金属薄膜に適した成膜装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図８の符号１０１は従来技術の成膜装置を示している。
この成膜装置１０１は真空槽１０２を有しており、真空槽１０２内には蒸着源１０３が配置されている。蒸着源１０３の内部には蒸着材料が配置されており、蒸着源１０３内でアーク放電を発生させると、蒸着材料の荷電粒子が蒸着源１０３の放出口から放出されるようになっている。
【０００３】
放出口の上方には基板ホルダ１０７が配置されており、蒸着材料の荷電粒子が放出口から放出されると、該荷電粒子は基板ホルダ１０７に保持された基板１１１の表面に到達し、基板１１１の表面に蒸着材料の薄膜が形成される。荷電粒子は中性粒子や巨大荷電粒子に比べて微細であり、反応性が高いので、基板１１１表面には緻密な膜が形成される。
【０００４】
しかし、上述したような成膜装置１０１を用いて連続して成膜を行うと、徐々にアーク放電が誘発されなくなり、成膜が停止してしまう。
例えば、蒸着材料がモリブデン、ハフニウム、タンタル、タングステン、チタン、白金、鉄のように融点が１５００℃以上の高融点金属で構成される場合は、アーク放電の回数が１００００回〜２００００回を超えるとアーク放電が誘発されなくなり、蒸着材料が銅やアルミニウムのように融点が１０００℃未満の低融点金属で構成される場合は、アーク放電の回数が３０００回〜４０００回でアーク放電が誘発されなくなる。
このように、蒸着材料として低融点金属を用いた場合に、特に蒸着源の寿命が短いという問題があった。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−１１６０６号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、蒸着源の寿命が長い成膜装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、真空槽と、蒸着材料と、アノード電極と、トリガ電極とを有し、前記蒸着材料と、前記アノード電極と、前記トリガ電極は前記真空槽内に配置され、前記蒸着材料にはコンデンサが接続され、前記コンデンサが充電された状態で、前記トリガ電極と前記蒸着材料との間にトリガ放電を発生させ、前記トリガ放電により、前記蒸着材料と前記アノード電極との間にアーク放電を誘起させると、前記コンデンサが放電してアーク電流が流れ、前記蒸着材料から前記蒸着材料の荷電粒子が放出され、前記アーク電流によって生じた磁界で、前記荷電粒子の飛行方向が、基板が配置された方向に曲げられ、前記基板表面に前記荷電粒子が到達するように構成された成膜装置であって、前記アーク電流が流れる経路のインピーダンスが、前記トリガ電極に電圧を印加してから１μ秒以上５０μ秒以下の間に、前記アーク電流が最大値となるように設定された成膜装置である。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の成膜装置であって、前記アーク電流が流れる経路のインピーダンスが０．０５Ω以上０．１Ω以下に設定された成膜装置である。
請求項３記載の発明は、真空槽内に、蒸着材料と、アノード電極と、基板とを配置しておき、前記真空槽内に真空雰囲気を形成した後、前記アノード電極と前記蒸着材料との間にアーク放電を起こし、前記蒸着材料の荷電粒子を放出させ、予め充電されたコンデンサを放電させてアーク電流を流し、前記蒸着材料の荷電粒子の飛行方向を、前記アーク電流により前記基板方向に向けて曲げ、前記基板表面に前記蒸着材料の荷電粒子を到達させて、薄膜を形成する成膜方法であって、前記アーク電流が流れる経路のインピーダンスを、前記トリガ放電が発生してから１μ秒以上５０μ秒以下の間に、前記アーク電流が最大値となるように設定しておき、前記アーク放電を発生させて成膜を行う成膜方法である。
【０００８】
先ず、蒸着材料の荷電粒子を基板に到達させる工程について説明する。アノード電極を接地に置いた状態で、トリガ電極に正電圧を、蒸着材料に負電圧を印加すると、トリガ電極と蒸着材料との間にトリガ放電を発生する。
【０００９】
トリガ放電によってトリガ（電子、イオン）が発生すると、アノード電極と蒸着材料との間の絶縁耐性が低下し、アノード電極と蒸着材料との間にアーク放電が誘起される。アーク放電が誘起されると、コンデンサが放電されてアーク電流が流れ、蒸着材料から蒸着材料の粒子が大量に発生する。
【００１０】
蒸着材料から放出される粒子には中性粒子と荷電粒子とがある。これらのうち、中性粒子と、電荷質量比（電荷／室量）の小さい巨大な荷電粒子は、クーロン力によって飛行方向が曲げられることなく直進する。従って、蒸着材料がアノード電極で囲まれた場合には、中性粒子や巨大な荷電粒子は蒸着材料から放出されると直進してアノード電極に衝突し、真空槽内に放出されることがない。
【００１１】
他方、荷電粒子のうち、電荷質量比（電荷／質量）の大きい微細な荷電粒子は、クーロン力によってその飛行方向が曲げられる。アノード電極が筒状であって、アーク電流がアノード電極の中心軸線と略平行な方向にアノード電極内を流れる場合には、アーク電流により形成される磁界によって、蒸着材料の荷電粒子はアノード電極の開口に向かって飛行方向を曲げられる。
【００１２】
このように、アノード電極の開口からは微細な荷電粒子のみが放出されるので、アノード電極の開口と対向する位置に基板を配置しておけば、荷電粒子が基板に到達し、基板表面に緻密で膜質の良い薄膜が形成される。
このような成膜装置では、コンデンサの放電によって蒸着材料に投入される電力が大きいと、蒸着材料が局部的にかつ急激に昇温し、蒸着材料の溶融物が飛散する。
【００１３】
蒸着材料の溶融物が飛散し、トリガ電極を蒸着材料から絶縁する絶縁部材が汚れ、その絶縁耐性が低下すると、十分なトリガが発生しなくなり、アーク放電が誘起されなくなるので、成膜が停止してしまう。特に、蒸着材料が低融点金属で構成されている場合には、蒸着材料の溶融物が飛散しやすいので、蒸着源の寿命が短かった。
【００１４】
コンデンサの容量を小さくし、蒸着材料への投入電力を小さくすれば、蒸着材料から小滴が発生し難くなるので、蒸着源の寿命が長くなるが、投入電力が小さくなるとアーク電流の電流値が小さくなる。
【００１５】
例えば、従来の成膜装置では、コンデンサの容量を８８００μＦから２２００μＦに変えると、アーク電流の最大値である尖頭電流値が１２００〜１４００Ａから３００Ａ〜４００Ａに低下してしまう。尖頭電流値が低下すると、アーク電流により発生する磁界の強度が小さくなり、蒸着材料の荷電粒子の飛行方向が曲げられる偏向角が小さくなるので、結果としてアノード電極の開口から真空槽内へ放出される荷電粒子の量が減少し、成膜速度が低下してしまう。
【００１６】
本願発明の成膜装置では、アーク電流が流れる経路のインピーダンスが、トリガ電極に電圧を印加し、絶縁部材を介して蒸着材料との間で沿面放電が発生してから、１μ秒以上５０μ秒以下の短い時間でアーク電流が最大値となるように設定されており、アーク電流が尖頭電流値に達する時間の遅れが短くなるので、尖頭電流値が低下しない。尚、アーク電流が尖頭電流値に達する時間が１μ秒未満だとプラズマが安定に形成されず、５０μ秒を超えるとプラズマは収束せずに発散される。
【００１７】
本発明の成膜装置では、コンデンサの容量を小さくしても、アーク電流の尖頭電流が低下しないので、成膜速度を従来と同程度に維持しつつ、蒸着源の寿命を長くすることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下で図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。図１の符号１は本発明の一実施形態の成膜装置を示している。この成膜装置１は、真空槽２と、蒸着源３とを有しており、蒸着源３は後述するように真空槽２の内部に挿入され、真空槽２の底壁側に取り付けられている。
【００１９】
先ず、蒸着源３の構成について説明すると、蒸着源３はアノード電極３２と、取り付け部３３と、放電部３８とを有している。アノード電極３２はステンレスのような耐熱性金属の円筒で構成されている。取り付け部３３は碍子２２と取り付け台２３とを有しており、碍子２２は台座２１を介してアノード電極３２の端部の内壁に取り付けられている。
【００２０】
取り付け台２３は円柱状であって、取り付け台２３の一端はアノード電極３２内で碍子２２に接続されており、アノード電極３２の碍子２２が取り付けられた側とは反対側の端部の開口を放出口３９とすると、取り付け台２３の他端は放出口３９に向けて突き出されている。
【００２１】
放電部３８は棒状電極３５と、トリガ電極３４と、蒸着材料３１とを有している。棒状電極３５はインバーのような熱膨張率の小さい材料で構成されている。棒状電極３５の一端は、取り付け台２３の放出口３９に向けて突き出された端部に嵌入されており、他端は放出口３９よりも下方位置まで突き出されている。
【００２２】
蒸着材料３１は放出口３９よりも下方位置で棒状電極３５の他端に取り付けられており、トリガ電極３４は蒸着材料３１と取り付け台２３との間の位置で、棒状電極３５の周囲を取り囲むように配置されている。
【００２３】
棒状電極３５と、蒸着材料３１と、取り付け台２３はそれぞれ導電性材料で構成されている。上述したように棒状電極３５の一端は取り付け台２３に嵌入されており、蒸着材料３１の少なくとも一部は棒状電極３５に密着しているので、棒状電極３５と、蒸着材料３１と、取り付け台２３とは互いに電気的に接続されている。
【００２４】
トリガ電極３４は蒸着材料３１と取り付け台２３との間の位置で、棒状電極３５の周囲を取り囲むように配置されている。トリガ電極３４と蒸着材料３１との間、トリガ電極３４と棒状電極３５との間、及びトリガ電極３４と取り付け台２３との間には、アルミナのような絶縁材料で構成された絶縁部材３６が配置されており、トリガ電極３４は絶縁部材によって蒸着材料３１と、棒状電極３５と、取り付け台２３とから電気的に絶縁されている。
【００２５】
次に、この蒸着源３の取り付けについて説明すると、真空槽２の底壁には開口が設けられており、蒸着源３は放出口３９を真空槽２の内部に向けた状態で、真空槽２の下方から開口を通して真空槽２内に挿通され、アノード電極３２の放出口３９とは反対側の端部が真空槽２の底壁に気密に取り付けられている。
【００２６】
この成膜装置１は、真空槽２の外部に配置されたアーク電源４１と、トリガ電源４２と、コンデンサ４５とを有している。図１の符号４７、４８はコンデンサ４５の端子である第一、第二の端子を示している。
【００２７】
第一の端子４７はケーブル４９を介して碍子２２の真空槽２の外部側に配置された端子２７に接続されており、第二の端子４８はアノード電極３２と真空槽２と共に接地電位に接続されている。
【００２８】
アーク電源４１の端子のうち、正電源側の端子は接地電位に接続され、負電源側の端子は第一の端子４７に接続されており、アーク電源４１を動作させると、コンデンサ４５が充電されるようになっている。
【００２９】
取り付け台２３は碍子２２の真空槽２内部側に配置された端子２８に接続されており、上述したように蒸着材料３１と、棒状電極３５と、取り付け台２３とは電気的に接続されているので、結局コンデンサ４５の充電電圧は、ケーブル４９と、取り付け台２３と、棒状電極３５を介して蒸着材料３１に印加されるようになっている。
【００３０】
トリガ電源４２の端子のうち、正電源側の端子はトリガ電極３４に接続され、負電源側の端子は、碍子２２の真空槽２の外部側の端子４６に接続されており、トリガ電源４２を起動すると、トリガ電極３４に３．４ｋＶの正電圧が印加され、蒸着材料３１に負電圧が印加されて、トリガ電極３４と蒸着材料３１との間にトリガ放電が起こる。
【００３１】
トリガ放電が起こると、蒸着材料３１とアノード電極３２との間の絶縁耐性が低下し、コンデンサ４５が放電され、アノード電極３２と、蒸着材料３１と、棒状電極３５と、取り付け台２３と、ケーブル４９とで構成される経路にアーク電流が流れる。
【００３２】
図１の符号４４はアノード電極３２とコンデンサ４５との接続を模式的に表した線であり、アーク電流が流れる経路のうち、符号４４に示した接続と、アノード電極３２と、蒸着材料３１と、棒状電極３５と、取り付け台２３の間のインピーダンスは無視できる程小さいとすると、この経路全体のインピーダンスは第一の端子４６と、碍子２２の真空槽２外部側の端子３６とを接続するケーブル４９のインピーダンスで決定される。
【００３３】
図２、図３は本願実施例の成膜装置１と、比較例の成膜装置１におけるアーク電流の電流値の変化と時間との関係を示すグラフである。
実施例はケーブル４９の長さｌＡ−Ｋが５０ｍｍ、コンデンサ４５の容量が２２００μＦであった場合であり、比較例はケーブル４９の長さｌＡ−Ｋが１０００ｍｍ、コンデンサ４５の容量が８８００μＦであった場合であり、図２、図３を比較すると、比較例ではアーク電流の電流値がトリガ放電開始から１００μ秒後に最大値である尖頭電流値に達したのに対し、実施例ではアーク電流の電流値がトリガ放電開始から２０μ秒と非常に短い時間で尖頭電流値に達した。
【００３４】
また、実施例では比較例に比べて尖頭電流値に達するまでの時間が短いため、コンデンサ４５の容量が２２００μＦと小さいにも係わらず、比較例と同程度の尖頭電流値が得られた。
【００３５】
このように、本願の成膜装置１では、従来に比べケーブル４９の長さｌＡ−Ｋを短くすることで、アーク電流が流れる経路全体のインピーダンス、特にインダクタンス成分が小さくされており、アーク電流の電流値が尖頭電流値となる時間の遅れが短くなるので、アーク電流はトリガ放電開始から１μ秒以上５０μ秒以下の短い間に尖頭電流値に達するようになり、また、尖頭電流値に達する時間が短くなることで尖頭電流値の値を高くすることができる。
【００３６】
尚、本発明の副次的な効果として、本発明の成膜装置１は、放出口３９の大きさや蒸着源３の構成が同じであっても、従来の成膜装置よりも大面積に成膜を行えるという効果を有する。
上述した実施例と比較例の成膜装置１で成膜される成膜範囲の直径と、成膜された膜の表面状態とを下記表１に示す。
【００３７】
【表１】
2004263266.tif 000003
【００３８】
図６、７はそれぞれ実施例と比較例の成膜装置１で放出口３９から荷電粒子が放出されたときの状態を撮影した写真である。
図６を見ると実施例の成膜装置１では放出口３９から放出された荷電粒子が均一に広がっており、広い範囲に膜厚分布の均一な膜を形成可能であることがわかる。これに対し比較例では、図７に示すように放出口３９から放出された荷電粒子が広がらず、その成膜範囲も狭い。
【００３９】
従来の成膜装置ではアーク電流が尖頭電流値に達するのに１００μ秒と長い時間がかかったため、蒸着材料からの荷電粒子の放出に磁界の形成が追いつかず、荷電粒子は収束されなかった。これに対し、本発明の成膜装置１では、尖頭電流値に達する時間が５０μ秒以下と短いので、荷電粒子の放出に磁界の形成が追いつくようになり、荷電粒子が効率的に収束される。ここでは、荷電粒子が基板と放出口３９との間の位置で最も収束されるようになっており、荷電粒子は収束された後、拡がりながら基板に向かって進んだため、広い範囲に膜が形成されたと思われる。
【００４０】
また、比較例の成膜装置１では蒸着材料３１への投入電力が大きいため、蒸着材料３１の溶融物が飛散して小滴が発生し、形成された膜の表面が白濁して見えるほど小滴が付着していたが、実施例では膜表面に小滴が見られず、膜表面全体が鏡面のように平滑であった。このように、本発明の成膜装置１を用いれば、広い範囲に良質な膜が形成することができる。
【００４１】
次に、本発明の成膜装置１を用いた成膜工程について説明する。先ず、真空槽２に接続された真空排気系８を動作させ、真空槽２内に所定圧力の真空雰囲気を形成した後、該真空雰囲気を維持したまま基板を真空槽２内に搬入する。
【００４２】
真空槽２内部の放出口３９と対向する位置には基板ホルダ７が配置されており、真空槽２内部に搬入した基板を、成膜すべき面が放出口３９に向けられた状態で基板ホルダ７に保持させる。図１の符号１１は基板ホルダ７に保持された基板を示している。
【００４３】
予めコンデンサ４５は充電されており、真空槽２内部の真空雰囲気を維持しながら、蒸着材料３１とアノード電極３２との間にアーク放電を発生させ、アーク電流を流すと、蒸着材料３１から蒸着材料の粒子が大量に放出される。
【００４４】
蒸着材料３１から放出される粒子のうち、電荷質量比の大きい微細な荷電粒子は、アーク電流により形成される磁界によって飛行方向を曲げられて放出口３９から放出される。基板１１は放出口３９に向けられているので、放出口３９から放出された荷電粒子は基板１１表面に付着し、基板１１の表面に蒸着材料の膜が成長する。
【００４５】
上述したように、本願の成膜装置１はコンデンサ４５の容量を小さくしても、アーク電流により形成される磁界の強度が弱くならないので、放出口３９から放出される荷電粒子の量が減少せず、成膜速度が低下しない。
【００４６】
コンデンサ４５の容量を従来に比べて小さくすれば、蒸着材料３１に投入される電力が小さくなり、蒸着材料３１が低融点金属で構成された場合であっても、蒸着材料３１の溶融物が飛散する量が少ない。
【００４７】
溶融物の飛散量が少なく、トリガ電極３４と蒸着材料３１との間の絶縁部材３６が汚れ難いと、絶縁部材３６の絶縁耐性の低下によるアーク放電の放電停止が起こり難くいので、本発明の成膜装置１は従来に比べ蒸着源３の寿命が長い。
【００４８】
上述した実施例の成膜装置１と比較例の成膜装置で成膜を行い、アーク放電が停止するまでのアーク放電の放電回数を求めた。
その結果を、アーク電流値の尖頭電流値と、トリガ放電開始からアーク電流が尖頭電流値に達するまでの時間と、放電に要した時間と、ケーブル４９長さｌＡ−Ｋと、コンデンサ４５の容量と共に下記表２に記載する。
【００４９】
【表２】
2004263266.tif 000004
【００５０】
ここでは、実施例、比較例共に蒸着材料３１は低融点金属であるアルミニウムで構成されており、比較例ではトリガ電極３４と蒸着材料３１との間の絶縁部材３６の汚れによって、アーク放電が３０００回発生したところで放電停止が行った。これに対し、実施例では蒸着材料３１が削れて沿面が大きくなり、放電が発生しずらくなるまで成膜が続いたため、アーク放電の放電回数が２００００回と多く、本発明の成膜装置１は蒸着源３の寿命が長いことがわかる。
【００５１】
更に、実施例の成膜装置１で、放電回数が１回目のときと、放電回数が２００００回目のときのアーク電流の電流値変化を測定した。図４、５は放電回数が１回目のときと、放電回数が２００００回目のときのアーク電流の電流値と時間との関係を示すグラフである。
【００５２】
図４と図５に示すように、アーク電流値の変化を示す波形は類似しており、本発明の成膜装置１では、放電回数を重ねてもアーク電流の放電の形態が変わらないことがわかる。
【００５３】
従って、本発明の成膜装置１は放電回数を重ねても、アーク電流により形成される磁界に変化が生じないため、放出口３９から放出される荷電粒子の量に変動が生じ難く、成膜速度が一定になる。
【００５４】
以上は蒸着材料３１をアルミニウムで構成する場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、銅等の他の種類の低融点金属、カーボン、又は、Ｆｅ、Ｔａ、ＮｉＦｅ、Ｃｕ、Ｃｏ、ＦｅＭｎ等の高融点金属を用いることもできる。アノード電極３２の形状も円筒状に限定されず、例えば角筒状でもよいし、あるいは板状に形成されていてもよい。
【００５５】
また、真空槽２にガス供給系を接続しておき、蒸着材料の荷電粒子と反応する反応ガスを真空槽２内に供給しながら成膜を行えば、反応ガスと微小荷電粒子が基板１１表面で反応し、反応ガスと蒸着材料との反応物の薄膜を形成することができる。アーク電流が流れる経路のインピーダンスは０．０５Ω以上０．１Ω以下が好ましい。インピーダンスが０．１Ωを超えると、荷電粒子の収束効果が低くなる。
【００５６】
【発明の効果】
本発明の成膜装置は、コンデンサの容量が小さくしてもアーク電流により形成される磁界の強度が小さくならず、蒸着材料の荷電粒子が放出口から放出される量が減少しないので、成膜速度が低下しない。コンデンサの容量を小さくすれば、蒸着材料が低融点金属で構成された場合であっても、蒸着材料の溶融物が飛散し難い。従って、本発明の成膜装置は、絶縁部材が汚れに難いため、蒸着源の寿命が長く、また、蒸着材料の溶融物が飛散し、成膜中の膜に取り込まれることがないので、形成される膜の膜質も良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の成膜装置の一例を説明する断面図
【図２】本発明の成膜装置を用いた場合のアーク電流と時間との関係を示すグラフ
【図３】従来技術の成膜装置を用いた場合のアーク電流と時間との関係を示すグラフ
【図４】放電回数が１回目のときのアーク電流と時間との関係を示すグラフ
【図５】放電回数が２００００回目のときのアーク電流と時間との関係を示すグラフ
【図６】本発明の成膜装置の放出口から荷電粒子が放出された状態を撮影した写真
【図７】従来技術の成膜装置の放出口から荷電粒子が放出された状態を撮影した写真
【図８】従来技術の成膜装置を説明する断面図
【符号の説明】
１……成膜装置    ２……真空槽    ３……蒸着源      ７……基板ホルダ
１１……基板    ３１……蒸着材料    ３２……アノード電極    ３４……トリガ電極    ３５……棒状電極    ４５……コンデンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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