(57)【要約】【課題】水系媒体の有効利用、晶析工程で発生する蒸気の有効利用を図ると共に、パラトルイル酸濃度を一定範囲に押さえた高純度テレフタル酸を製造する方法を提供する。さらに、晶析工程で発生する蒸気、及びこの蒸気の凝縮液の有効利用を図ることを目的とする。【解決手段】高純度テレフタル酸を製造する方法において、晶析槽１４での晶析工程において放圧冷却することにより発生する蒸気Ｈを、粗テレフタル酸のスラリーＣと熱交換することにより、上記晶析工程で発生する蒸気Ｈを上記粗テレフタル酸のスラリーＣを加温する熱源の一部に用いると共に、上記熱交換によって上記晶析工程で発生する蒸気を凝縮させて凝縮液Ｉとし、凝縮液Ｉを水系媒体Ｂの一部として用いることを特徴とする。【選択図】図１
2004231644.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パラキシレンを酸化して得られる粗テレフタル酸を水系媒体に懸濁してスラリーとし、次いで加温することにより、この粗テレフタル酸のスラリーを完全溶解させ、次いで還元処理した後、晶析槽でテレフタル酸を晶析させ、得られたテレフタル酸スラリーを第１固液分離工程にかけて、高純度テレフタル酸を製造する方法において、
上記晶析槽での晶析工程において放圧冷却することにより発生する蒸気及び／又はその凝縮液を、上記第１固液分離で得られる１次分離母液中のパラトルイル酸濃度が８００〜２０００重量ｐｐｍとなるように、上記水系媒体の一部として用いることを特徴とする高純度テレフタル酸の製造方法。
【請求項２】
上記晶析工程において放圧冷却することにより発生する蒸気を、上記粗テレフタル酸のスラリーと熱交換することにより、上記晶析工程で発生する蒸気を上記粗テレフタル酸のスラリーを加温する熱源の一部に用いると共に、上記熱交換によって上記晶析工程で発生する蒸気を凝縮させて凝縮液とし、
上記凝縮液を上記水系媒体の一部として用いることを特徴とする請求項１に記載の高純度テレフタル酸の製造方法。
【請求項３】
上記晶析工程において放圧冷却することにより発生する蒸気を、水と熱交換することにより、上記水を水蒸気にすると共に、上記晶析工程で発生する蒸気を凝縮させて凝縮液とし、
上記水蒸気を、上記粗テレフタル酸又は高純度テレフタル酸を製造するための機器又は装置の用役として用い、
上記凝縮液を上記水系媒体の一部として用いることを特徴とする請求項１に記載の高純度テレフタル酸の製造方法。
【請求項４】
上記水蒸気を、上記粗テレフタル酸のスラリーを加温する熱源の一部として用いることを特徴とする請求項３に記載の高純度テレフタル酸の製造方法。
【請求項５】
上記第１固液分離工程によって得られる１次分離母液に含有するパラトルイル酸の少なくとも一部を除去した後に、上記１次分離母液を上記水系媒体の一部として用いることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の高純度テレフタル酸の製造方法。
【請求項６】
上記第１固液分離工程によって得られる１次分離母液を冷却及び／又は濃縮して得られたスラリーを、第２固液分離工程で２次結晶と２次分離母液とに分離し、
上記２次分離母液を直接又は間接的に上記水系媒体の一部として用いることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の高純度テレフタル酸の製造方法。
【請求項７】
上記２次結晶を、パラキシレンを酸化する工程に供与することを特徴とする請求項６に記載の高純度テレフタル酸の製造方法。
【請求項８】
粗テレフタル酸は、４−カルボキベンズアルデヒドを１０００〜５０００ｐｐｍ含有し、かつ、上記還元処理によってこの４−カルボキベンズアルデヒドはパラトルイル酸に還元され、
上記粗テレフタル酸のスラリーのスラリー濃度は１０〜５０重量％であり、上記晶析槽から第１固液分離工程に送られるテレフタル酸スラリーの温度は１２０〜１７０℃であり、上記第１固液分離工程によって得られる高純度テレフタル酸ケーキを、この高純度テレフタル酸ケーキの全重量の０．２〜３．０重量倍の水系媒体で洗浄又は懸洗し、その後、乾燥工程を経て、パラトルイル酸の濃度が５０〜２００ｐｐｍの高純度テレフタル酸結晶を製品として回収することを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の高純度テレフタル酸の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、高純度テレフタル酸の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パラキシレンの酸化によって得られる粗テレフタル酸中には、通常、４−カルボキシベンズアルデヒドをはじめとする各種の不純物が比較的多量に含まれており、従来、これを精製してポリエステルの原料として用いている。このような粗テレフタル酸の精製方法としては、粗テレフタル酸を水に溶解させ、上記４−カルボキシベンズアルデヒドを還元してパラトルイル酸とし、テレフタル酸とパラトルイル酸との水に対する溶解性の差を利用して、晶析によって分取・精製する方法が行われている。この晶析の方法としては、高温高圧状態にある粗テレフタル酸水溶液を放圧・冷却することによって圧力及び温度を低下させ、主にテレフタル酸のみを晶析させる方法が採用される。
【０００３】
この晶析法において放圧・冷却を行うと、上記水が蒸発して蒸気が発生する。この蒸気の利用法としては、この蒸気を凝縮させて得られる凝縮液を上記水としてリサイクルすることが特許文献１に記載されている。
また、上記の蒸気を上記粗テレフタル酸水溶液を得るための熱源の一部として用いることが特許文献２に記載されている。
【０００４】
ところで、テレフタル酸を晶析させたスラリーは、固液分離され、高純度テレフタル酸が得られる。そして、このとき得られる分離母液中には、パラトルイル酸が多量に含まれている。このパラトルイル酸は、酸化反応に供与するとテレフタル酸となるので、回収されている。この回収方法としては上記分離母液を冷却してパラトルイル酸を多く含有するテレフタル酸を析出させ、固液分離によってパラトルイル酸を多く含有するテレフタル酸を回収する方法が特許文献３に記載されている。また、上記分離母液は、プロセス内の溶解工程の水又は懸洗液として用いることが特許文献４に記載されている。
【０００５】
【特許文献１】ＵＳ３５８４０３９号公報
【特許文献２】特開平０８−２２５４８９号公報
【特許文献３】特開昭５２−１２８３４４号公報
【特許文献４】特開平０５−０５８９４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、上記の蒸気を凝縮する必要があり、また、特許文献２に記載の方法では、上記の蒸気の凝縮液は最終的に廃棄されており、いずれの場合も、上記の蒸気を十分に有効利用しているとはいい難い。
【０００７】
そこで、この発明は、晶析工程で発生する蒸気の有効利用を図ることを目的とする。さらに、晶析工程で発生する蒸気、及びこの蒸気の凝縮液の有効利用を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明は、パラキシレンを酸化して得られる粗テレフタル酸を水系媒体に懸濁してスラリーとし、次いで加温することにより、この粗テレフタル酸のスラリーを完全溶解させ、次いで還元処理した後、晶析槽でテレフタル酸を晶析させ、得られたテレフタル酸スラリーを第１固液分離工程にかけて、高純度テレフタル酸を製造する方法において、上記晶析槽での晶析工程において放圧冷却することにより発生する蒸気及び／又はその凝縮液を、上記第１固液分離で得られる１次分離母液中のパラトルイル酸濃度が８００〜２０００重量ｐｐｍとなるように、上記水系媒体の一部として用いることにより、上記の課題を解決したのである。
【０００９】
また、上記晶析工程において放圧冷却により発生する蒸気を、上記粗テレフタル酸のスラリーと熱交換することにより、上記晶析工程で発生する蒸気を上記粗テレフタル酸のスラリーを加温する熱源の一部に用いると共に、上記熱交換によって上記晶析工程で発生する蒸気を凝縮させて凝縮液とし、上記凝縮液を上記水系媒体の一部として用いることによっても、上記の課題を解決することができる。
【００１０】
さらに、上記晶析工程において放圧冷却により発生する蒸気を、水と熱交換することにより、上記水を水蒸気にすると共に、上記晶析工程で発生する蒸気を凝縮させて凝縮液とし、上記水蒸気を上記粗テレフタル酸又は高純度テレフタル酸を製造するための機器又は装置の用役として用い、上記凝縮液を上記水系媒体の一部として用いることによっても、上記の課題を解決することができる。
【００１１】
さらにまた、上記水蒸気を上記粗テレフタル酸のスラリーを加温する熱源の一部に用いることによっても、上記の課題を解決することができる。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によると、晶析工程で発生する蒸気をそのまま用いて、又は水に熱を与えて水蒸気とし、これを用いて粗テレフタル酸のスラリーと熱交換して、粗テレフタル酸のスラリーを加熱するための熱源の一部として用いるので、晶析工程で発生する蒸気のもつ熱エネルギーを十分に有効利用できる。
【００１３】
さらに、晶析工程で発生する蒸気は、熱交換によって凝縮して凝縮液となる。この凝縮液を水系媒体の一部として用いるので、凝縮液の有効利用を図ることができる。
【００１４】
また、２次母液を水系媒体の一部として用いる場合、この２次母液も有効利用を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下において、この発明について詳細に説明する。
この発明にかかる、高純度テレフタル酸は、図１に示す工程を経て製造される。まず、パラキシレンを酸化工程で酸化して粗テレフタル酸Ａを得、この粗テレフタル酸Ａを混合槽１１で水系媒体Ｂに懸濁して粗テレフタル酸のスラリーＣとする。次いで、この粗テレフタル酸スラリーＣを所定圧力まで加圧し、第１熱交換器１２で加温することにより、上記粗テレフタル酸Ａを完全に上記水系媒体Ｂに溶解させて粗テレフタル酸溶液Ｄを得る。次いで、水添反応器１３で還元処理した後、この還元処理液Ｅを晶析槽１４に導入してテレフタル酸を晶析させ、得られたテレフタル酸スラリーＦを第１固液分離機１５に導入して第１固液分離工程にかける。固形分を回収することにより、高純度テレフタル酸結晶Ｇが得られる。この高純度テレフタル酸結晶Ｇは、乾燥して製品として出荷される。
【００１６】
上記粗テレフタル酸Ａ中には、不純物として酸化工程での副生成物である４−カルボキシベンズアルデヒドが１０００〜５０００ｐｐｍ含まれる。この４−カルボキシベンズアルデヒドは、上記の水添反応器１３において、水素ガスを用いて還元処理することによって、パラトルイル酸となる。このパラトルイル酸は、テレフタル酸より水に対する溶解度が大きいため、上記還元処理液Ｅを晶析させると、まず、テレフタル酸が優先的に析出する。このため、パラトルイル酸が析出しにくい条件でテレフタル酸を析出させて回収することにより、高純度テレフタル酸が製造される。
【００１７】
上記水系媒体とは、上記の粗テレフタル酸を用いて高純度テレフタル酸を製造する際に使用される媒体をいい、具体的には、水を意味する。
【００１８】
上記の晶析槽１４での晶析は、上記還元処理液Ｅの圧力より低い圧力条件に設定した晶析槽１４に上記還元処理液Ｅを導入し、ここで放圧させると共に、これに伴って冷却させる（以下、放圧・冷却の操作を「放圧冷却」と略称する。）方法である。これにより、テレフタル酸が晶析される。
【００１９】
この晶析工程において、放圧冷却を行うと、還元処理液Ｅ中の水系媒体の一部が気化し、水系媒体の蒸気Ｈが発生する。この蒸気Ｈは、上記粗テレフタル酸のスラリーＣを流す配管に設けられた第２熱交換器１６に熱源として送られる。これにより、上記粗テレフタル酸のスラリーＣと蒸気Ｈとが熱交換され、上記晶析工程で発生する蒸気Ｈを、上記粗テレフタル酸のスラリーを加温する熱源の一部に用いることとなる。上記の蒸気Ｈを上記粗テレフタル酸のスラリーＣの熱源の一部に用いることにより、蒸気Ｈの熱エネルギーを有効に利用することができると共に、上記第１熱交換器１２での加熱負荷を低減できる。また、このとき、蒸気Ｈは、上記の熱交換によって凝縮されて凝縮液Ｉが発生する。
【００２０】
また、図２に示すように、上記晶析槽１４での晶析工程において放圧冷却することにより発生する蒸気Ｈを、第３熱交換器１７で水Ｗ1と熱交換することにより、上記水Ｗ1を水蒸気Ｗ2とし、次いで、この水蒸気Ｗ2を、上記粗テレフタル酸のスラリーＣを加熱するための第２熱交換器１６に熱交換用媒体として使用する。これにより、上記水蒸気Ｗ2を、上記粗テレフタル酸のスラリーＣを加温する熱源の一部に用いることができる。このため、結果として、蒸気Ｈの熱エネルギーを有効に利用することができると共に、上記第１熱交換器１２での加熱負荷を低減することができる。また、このとき、蒸気Ｈは、上記の熱交換によって凝縮されて凝縮液Ｉが発生する。
【００２１】
なお、上記の水蒸気Ｗ2は、第２熱交換器１６の熱交換用媒体として使用するだけでなく、その他、上記粗テレフタル酸又は高純度テレフタル酸を製造するための機器又は装置の用役として用いることができる。このような機器又は装置としては、熱交換器、乾燥機、エジェクター、スチームタービン等があげられる。
【００２２】
上記の水蒸気Ｗ2を経由して、蒸気Ｈの熱を粗テレフタル酸のスラリーＣに伝達させることにより、高温高圧の苛酷な条件であるために、耐食性に優れたチタン材を採用した機器に対して、晶析槽１４から発生するガスに含まれる水素によるチタン材の脆化を防ぐという特徴を発揮することができる。
【００２３】
また、晶析工程の放圧冷却により発生した水系媒体の蒸気Ｈは、これを凝縮させることなく、混合槽１１やそれに至る配管、水添反応槽１３やそれに至る配管等へ導入してもよい。これにより、蒸気Ｈの持つエネルギーを、テレフタル酸を溶解するために利用することができると共に、蒸気そのものを水系媒体として再利用することができる。
【００２４】
上記晶析槽１４の数については、図１及び図２においては、１つの場合を表示したが、２つ以上の複数の晶析槽１４を直列に連結することが好ましい。複数の晶析槽１４を直列に連結することにより、還元処理液Ｅの圧力から第１固液分離機１５の設定圧力へ、１段階の放圧冷却を行うだけでなく、圧力低減を複数に分けて放圧低減を行うことが可能となる。このようにすると、各晶析槽で晶析がより温和に行うことができ、不純物であるパラトルイル酸のテレフタル酸結晶中への取り込みを抑制することができ、また、テレフタル酸結晶の粒径分布をコントロールすることができる。
【００２５】
複数の晶析槽を直列に連結して晶析するにあたり、それぞれの晶析槽に熱交換器を設け、後段の熱交換器から順次、粗テレフタル酸のスラリーＣを加熱することで、効率よく加熱できる。ここで、効率よく熱エネルギーを回収して粗テレフタル酸のスラリーＣを還元処理操作温度に近い高温域まで加熱するために、還元処理と第１晶析の温度差を５０℃以下にすることが好ましい。
【００２６】
上記晶析工程において、放圧冷却するに伴い、蒸気Ｈには、パラトルイル酸の一部も同伴しており、上記の熱交換で生じる凝縮液Ｉの成分にも、パラトルイル酸を含有しているが、直接又は何らかの処理を行って間接的に、上記水系媒体Ｂの一部として用いることができる。このため、上記凝縮液Ｉを貯蔵タンク１８を経由して、混合槽１１に送ってもよい。また、蒸留処理や膜処理をして水系媒体を回収し、この回収水系媒体を用いてもよい。これにより、新しい水系媒体Ｂの使用量を削減することができると共に、凝縮液Ｉの再利用が可能となり、ユーティリティ設備の縮小及び排水処理負荷の低減を図ることができる。なお、上記貯蔵タンク１８からは、凝縮液Ｉをパージしてパージ液Ｎをとりだすことができる。
【００２７】
ところで、上記第１固液分離工程によって得られる１次分離母液Ｊ、すなわち、第１固液分離機１５で高純度テレフタル酸結晶Ｇを分取した残りの母液は、冷却槽１９に送られて冷却工程にかけられる。上記第１固液分離工程に送られたテレフタル酸スラリーの温度は１２０〜１７０℃であり、この上記第１固液分離工程から排出される１次分離母液Ｊも同様の温度を有する。上記冷却工程においては、この１次分離母液Ｊを放圧冷却することにより、４０〜６０℃付近まで濃縮及び冷却され、パラトルイル酸を多く含有する、低純度なテレフタル酸結晶が析出される。このときの圧力は、減圧装置を用いて、１気圧未満のいわゆる負圧にすることが好ましい。
【００２８】
また、上記低純度なテレフタル酸結晶を析出するためには、１次分離母液Ｊに熱を加えて濃縮したり、冷媒を用いて熱交換して冷却したりしてもよい。
【００２９】
この濃縮／冷却工程で得られるパラトルイル酸含有テレフタル酸スラリーＫは、第２固液分離機２０に送られ、２次結晶Ｌと２次分離母液Ｍとを分離する第２固液分離工程が行われる。
【００３０】
この２次結晶Ｌは、パラトルイル酸を多量に含有する固形分であるので、これを上記酸化反応に供与することにより、テレフタル酸の原料とすることができる。また、上記２次分離母液Ｍの少なくとも一部は、パラトルイル酸を含有しているが、上記１次分離母液Ｊに比べると多量のパラトルイル酸が除去されており、直接又は何らかの処理を行って間接的に、混合槽１１に送って、上記水系媒体Ｂの一部として使用してもよい。これにより、新しい水系媒体Ｂの使用量をさらに削減することができると共に、２次分離母液Ｍの再利用が可能となり、新しい水系媒体に関わるユーティリティ設備の縮小、及び排水量低減に伴い、排水処理負荷の低減を図ることができる。なお、必要に応じて、２次分離母液Ｍの一部をパージしてパージ液Ｐを抜き出すことができる。
【００３１】
晶析工程で発生する蒸気Ｈ及び／又はその凝縮液Ｉや２次分離母液Ｍには、パラトルイル酸が含まれる。このため、凝縮液Ｉや２次分離母液Ｍの直接的な再利用量を多くしすぎると、粗テレフタル酸のスラリーＣ中に含有されるパラトルイル酸量が増大してしまい、結果として、高純度テレフタル酸結晶Ｇ中のパラトルイル酸含有濃度が増大してしまうこととなる。このため、上記水系媒体中の上記凝縮液Ｉ及び／又は上記２次分離母液Ｍの使用割合は、上記高純度テレフタル酸結晶Ｇ中に含まれるパラトルイル酸の濃度を５０〜２００ｐｐｍ、好ましくは、１００〜１５０ｐｐｍに維持するために、上記第１固液分離で得られる１次分離母液Ｊ中のパラトルイル酸濃度が、８００〜２０００重量ｐｐｍとなるように用いることが好ましい。２００ｐｐｍを超えると、製品としての高純度テレフタル酸にとっては不純物が多くなりすぎる。また、５０ｐｐｍ未満は品質過剰である。
【００３２】
上記凝縮液Ｉ及び上記２次分離母液Ｍのいずれも共に直接、再利用をする場合、凝縮液Ｉを優先的に用い、２次分離母液Ｍは、１次分離母液Ｊ中のパラトルイル酸濃度見合いで使用量を決定する。また、上記凝縮液Ｉと上記２次分離母液Ｍとのいずれか一方が蒸留や膜分離、合成吸着剤の使用等の処理により、パラトルイル酸の濃度を低減させる場合、回収処理側を優先的に用い、直接再使用する側は、１次分離母液Ｊ中のパラトルイル酸濃度見合いで使用量を決定する。いずれにしても、高純度テレフタル酸製品品質が許容できる範囲内でできるだけ、凝縮液Ｉや２次分離母液Ｍの再利用を実施することにより、新しい水系媒体Ｂの使用量の削減、ユーティリティ設備の縮小、排水処理負荷の低減を達成することができる。
【００３３】
上記の１次分離母液Ｊ中に含まれるパラトルイル酸の濃度を上記範囲に調整するためには、上記凝縮液Ｉ及び上記２次分離母液Ｍの混合割合の条件以外に、下記に示すような具体的な条件が必要となる。
【００３４】
まず、上記粗テレフタル酸のスラリーＣのスラリー濃度を１０〜５０重量％とする必要がある。濃度が低すぎてもよいが製造効率の面から好ましくない場合がある。また、濃度が高すぎると、閉塞等、運転そのものに支障をきたす場合がある。
【００３５】
また、上記第１固液分離工程によって得られる高純度テレフタル酸結晶Ｇは、母液が付着した、湿ったケーキ状であり、この高純度テレフタル酸含有ケーキを洗浄し、その後、乾燥工程を経ることにより、製品の高純度テレフタル酸結晶Ｇが得られるが、このときの洗浄に使用される洗浄液の使用量は、上記高純度テレフタル酸含有ケーキ全量の０．２〜３．０重量倍である。これは、上記洗浄液の使用量によって、製品としての高純度テレフタル酸結晶Ｇに含まれるパラトルイル酸の含有量が異なるからである。なお、上記洗浄には、湿ったケーキ状のテレフタル酸結晶を懸濁処理し、再度、固液分離機を用いて高純度テレフタル酸を回収することも含まれる。
【００３６】
上記の範囲の使用量の洗浄液又は懸洗液を用いて、上記高純度テレフタル酸含有ケーキを洗浄することによって、得られる上記高純度テレフタル酸中の平均粒径は、５０〜１５０μｍとなる。
【実施例】
【００３７】
［参考例］
酢酸を溶媒とし、Ｃｏ／Ｍｎ／Ｂｒを含む触媒存在下で圧力１．５ＭＰａでパラキシレンを液相酸化してテレフタル酸含有のスラリーを生成した。このスラリーはエジェクターを用いて大気圧以下（０．０５ＭＰａ）に減圧して９０℃にフラッシュ冷却し、得られたテレフタル酸スラリーをロータリーバキュームフィルターを用いて、固液分離及び酢酸による洗浄を行い、次いで得られたウエットケーキを乾燥させて、４−カルボキシベンズアルデヒドの濃度が２３００重量ｐｐｍである粗テレフタル酸結晶を得た。
【００３８】
この粗テレフタル酸を水に溶解し、この溶解物中の４−カルボキシベンズアルデヒドを第８族金属触媒の存在下、２８５℃の温度条件で還元し、この還元処理物をフラッシュ蒸発で５段晶析した。第１段の晶析槽温度は、２２０℃、第２段の晶析槽温度は２０７℃、最終晶析条件は、１５６℃、０．５４ＭＰａであった。これにより得られたテレフタル酸結晶を含有するスラリーを、遠心分離機を用いて操作圧力０．６ＭＰａで第１の固液分離を行って、テレフタル酸ケーキと１次分離母液とに分離した。
【００３９】
５段晶析の際に発生する蒸気のうち、第１晶析槽と第２晶析槽から発生した蒸気は、粗テレフタル酸を水に溶解する際の熱源として用いた（第１晶析槽から抜き出した凝縮液と、第２晶析槽から抜き出した凝縮液の重量比は８：３であった）。また、このとき蒸気は熱交換によりの凝縮液が得られた（凝縮液のパラトルイル酸濃度は、測定毎に若干異なるが、５００〜６００ｐｐｍの範囲である）。第１の固液分離により得られたテレフタル酸ケーキは、水を用いて４９％のスラリーとして懸濁洗浄を行った。次いでスラリーを常圧までフラッシュ冷却した後、常圧下で遠心分離器を用いてテレフタル酸ケーキを得た。このテレフタル酸ケーキを乾燥して、高純度テレフタル酸を得た。
【００４０】
上記の粗テレフタル酸を溶解する水として、脱塩水を用いテレフタル酸の製造を１００時間連続して行った。
１００時間経過後に得られた高純度テレフタル酸中のパラトルイル酸の濃度は９５重量ｐｐｍであった。また、１次分離母液中のパラトルイル酸の濃度は、９２６ｐｐｍであった。
【００４１】
［実施例１］
上記参考例に引き続き、上記凝縮液１００重量部に対し、脱塩水３００重量部を混合したものを用いた以外は参考例と同様に、テレフタル酸の製造を５００時間連続して行った。
５００時間経過後に得られた高純度テレフタル酸中のパラトルイル酸の濃度は１３５重量ｐｐｍであった。また、１次分離母液中のパラトルイル酸の濃度は、１１７０ｐｐｍであった。
【００４２】
［実施例２］
上記実施例１に引き続き、第１晶析槽の温度を２４０℃、第２晶析槽の温度を２００℃に変更した以外は実施例１と同様の条件で２０００時間連続運転を行った。（第１及び第２晶析槽から得られた凝縮液のパラトルイル酸濃度は、測定毎に若干異なるが、６００〜１０００ｐｐｍの範囲である。）
２０００時間経過後に得られた高純度テレフタル酸中のパラトルイル酸の濃度は１８０重量ｐｐｍであった。また、１次分離母液中のパラトルイル酸の濃度は、１７２０ｐｐｍであった。
【００４３】
［実施例３］
上記実施例２に引き続き、第１晶析槽及び第２晶析槽から得られた凝縮液１００重量部に対して、脱塩水５００重量部を混合したものを用いた以外は、実施例２と同様の条件で５００時間連続運転を行なった。
５００時間経過後に得られた高純度テレフタル酸中のパラトルイル酸の濃度は１４０重量ｐｐｍであった。また、１次分離母液中のパラトルイル酸の濃度は、１２５０ｐｐｍであった。
【００４４】
［実施例４］
上記実施例３において、第１の固液分離で得られた１次分離母液は、６０℃に冷却後、析出した固体を分離した後、第２の固液分離に付し、２次分離母液を得た。実施例３で５００時間経過後に得られた２次分離母液のパラトルイル酸濃度は、１１５０ｐｐｍであった。上記実施例３に引き続き、第１晶析槽及び第２晶析槽から得られた凝縮液１００重量部に対して、合成吸着剤（三菱化学株式会社製、ＳＥＰＡＢＥＤＡＳ  ＳＰ  ８２５）によりパラトルイル酸濃度を１０ｐｐｍ未満に低減した２次分離母液５００重量部混合したものを用いた以外は、実施例３と同様の条件で５００時間連続運転を行なった。
５００時間経過後に得られた高純度テレフタル酸中のパラトルイル酸の濃度は１２５重量ｐｐｍであった。また、１次分離母液中のパラトルイル酸の濃度は、１１００ｐｐｍであった。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】この発明にかかる高純度テレフタル酸の製造工程の例を示すフロー図
【図２】この発明にかかる高純度テレフタル酸の製造工程の他の例を示すフロー図
【符号の説明】
【００４６】
１１  混合槽
１２  第１熱交換器
１３  水添反応器
１４  晶析槽
１５  第１固液分離機
１６  第２熱交換器
１７  第３熱交換器
１８  貯蔵タンク
１９  冷却槽
２０  第２固液分離機
【００４７】
Ａ  粗テレフタル酸
Ｂ，Ｂ’  水系媒体
Ｃ  粗テレフタル酸のスラリー
Ｄ  粗テレフタル酸溶液
Ｅ  還元処理液
Ｆ  テレフタル酸スラリー
Ｇ  高純度テレフタル酸結晶
Ｈ  蒸気
Ｉ  凝縮液
Ｊ  １次分離母液
Ｋ  パラトルイル酸含有テレフタル酸スラリー
Ｌ  ２次結晶
Ｍ  ２次分離母液
Ｎ  凝縮液パージ液
Ｐ  ２次母液パージ液
【図１】
2004231644.tif 000003
【図２】
2004231644.tif 000004