(57)【要約】【課題】青色レーザ等の短波長の再生用光を用いる場合においても、従来の赤色レーザ等を使用する場合と同等の再生特性が得られる光磁気記録媒体及びこれを用いた光磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】光透過性の基板１上に、少なくとも希土類金属‐遷移金属アモルファス合金より成る磁性層が積層された光磁気記録媒体１０において、磁性層を、基板側から再生補助層３、再生層４及び記録層５として、記録層５を、室温で高い保磁力を有する材料とし、再生層４を、少なくともＴｂ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＢ、または少なくともＴｂ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＳｉより構成し、室温での保磁力Ｈｃを０≦Ｈｃ≦１．０３×１０６  ［Ａ／ｍ］、キュリー温度Ｔｃを１９０≦Ｔｃ≦３３０［℃］として、室温からキュリー温度以下の温度領域で遷移金属優勢膜として、再生補助層３は、少なくともＴｂＦｅＣｏ系アモルファス合金を含む材料より構成する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性の基板上に、少なくとも希土類金属‐遷移金属アモルファス合金より成る磁性層が積層された光磁気記録媒体において、
上記磁性層は、上記基板側から再生補助層、再生層及び記録層とされ、
上記記録層は、室温で高い保磁力を有する材料とされ、
上記再生層は、少なくともＴｂ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＢ、または少なくともＴｂ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＳｉより構成され、室温での保磁力Ｈｃが、
０≦Ｈｃ≦１．０３×１０６  ［Ａ／ｍ］
とされ、キュリー温度Ｔｃが
１９０≦Ｔｃ≦３３０［℃］
とされ、室温から上記キュリー温度以下の温度領域で遷移金属優勢膜とされて成り、
上記再生補助層は、少なくともＴｂＦｅＣｏ系アモルファス合金を含む材料より成ることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】
上記再生層が、ＴｂＮｄＦｅＣｏＢ系アモルファス合金より成り、且つＢの組成比ｘが、
２＜ｘ≦５［原子％］
とされて成ることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】
上記再生層が、ＴｂＮｄＦｅＣｏＳｉ系アモルファス合金より成り、且つＳｉの組成比ｙが、
０＜ｙ≦５［原子％］
とされて成ることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項４】
上記再生補助層の膜厚ｔが、
０＜ｔ≦８［ｎｍ］
とされて成ることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項５】
上記記録層が、ＴｂＦｅＣｏ系アモルファス合金よりなることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項６】
上記再生補助層が、ＴｂＦｅＣｏ系アモルファス合金より成ることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項７】
光透過性の基板上に、少なくとも希土類金属‐遷移金属アモルファス合金より成る磁性層が積層された光磁気記録媒体を用いる光磁気記録再生装置において、
上記光磁気記録媒体の上記磁性層は、上記基板側から再生補助層、再生層及び記録層とされ、
上記光磁気記録媒体の上記記録層は、室温で高い保磁力を有する材料とされ、
上記光磁気記録媒体の上記再生層は、少なくともＴｂ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＢ、または少なくともＴｂ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＳｉより構成され、室温での保磁力Ｈｃが
０≦Ｈｃ≦１．０３×１０６  ［Ａ／ｍ］
とされ、キュリー温度Ｔｃが
１９０≦Ｔｃ≦３３０［℃］
とされ、室温から上記キュリー温度以下の温度領域で遷移金属優勢膜とされて成り、
上記光磁気記録媒体の上記再生補助層は、少なくともＴｂＦｅＣｏ系アモルファス合金を含む材料より成ることを特徴とする光磁気記録再生装置。
【請求項８】
上記光磁気記録媒体の上記再生層が、ＴｂＮｄＦｅＣｏＢ系アモルファス合金より成り、且つＢの組成比ｘが、
２＜ｘ≦５［原子％］
とされて成ることを特徴とする請求項７に記載の光磁気記録再生装置。
【請求項９】
上記光磁気記録媒体の上記再生層が、ＴｂＮｄＦｅＣｏＳｉ系アモルファス合金より成り、且つＳｉの組成比ｙが、
０＜ｙ≦５［原子％］
とされて成ることを特徴とする請求項７に記載の光磁気記録再生装置。
【請求項１０】
上記光磁気記録媒体の上記再生補助層の膜厚ｔが、
０＜ｔ≦８［ｎｍ］
とされて成ることを特徴とする請求項７に記載の光磁気記録再生装置。
【請求項１１】
上記光磁気記録媒体の上記記録層が、ＴｂＦｅＣｏ系アモルファス合金よりなることを特徴とする請求項７に記載の光磁気記録再生装置。
【請求項１２】
上記光磁気記録媒体の上記再生補助層が、ＴｂＦｅＣｏ系アモルファス合金より成ることを特徴とする請求項７に記載の光磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光透過性の基板上に、少なくとも希土類金属‐遷移金属アモルファス合金より成る磁性層が積層された光磁気記録媒体及びこれを用いた光磁気記録再生装置に係わる。
【０００２】
【従来の技術】
光磁気記録媒体の記録密度はレーザ光のビームスポット径ωに依存し、ωが小さいほど記録マークを微小化させることができ、トラックピッチを狭くできるため高密度化が可能となる。このスポット径ωは、再生用光の波長をλ、対物レンズの開口数をＮＡとするとλ／ＮＡに比例することから、光磁気記録媒体の高密度化のためには、レーザ光の波長を短波長化し、対物レンズの開口数ＮＡを大きくする必要がある。
【０００３】
しかしながら、光磁気記録媒体における信号強度は磁性層のカー回転角に依存し、カー回転角はレーザの波長に依存するため、従来利用されているＴｂＦｅＣｏやＧｄＦｅＣｏを主成分とした光磁気記録膜では、レーザ光の短波長化により信号振幅が小さくなってしまう。
【０００４】
本発明者等の測定結果では、ＴｂＦｅＣｏを主成分とした単層の光磁気記録膜を有する光磁気記録媒体や、または光磁気記録膜のうち再生用光を照射して磁化の向きを読み出す磁性層（いわゆる再生層）の主成分がＧｄＦｅＣｏである多層膜の光磁気記録媒体では、波長６６０ｎｍの赤色レーザを再生用光として用いてマーク長０．６４μｍの信号を再生する場合、４５ｄＢ以上の信号振幅が確保されるが、４０５ｎｍの青色レーザを再生用光として用いて同様の信号を再生する場合は、４０ｄＢ程度にまで信号振幅が減少してしまうことがわかった。
従って、今後短波長レーザを用いて光磁気記録媒体の高密度化を行うためには、この波長領域で信号振幅が減少しない記録膜を開発することが必要不可欠となる。
【０００５】
また、光磁気記録媒体の再生方法においては、再生用光のビームスポット径よりも小さい記録マークを読み出すいわゆる磁気的超解像（ＭＳＲ：Ｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙｉｎｄｕｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ  Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ  ）方法が各種提案されている。
このＭＳＲ方式は、再生時のレーザスポットの温度分布と再生磁界を利用して、記録マークの符号間干渉をマスクすることで、再生分解能の向上を図るものであり、例えば、Ｄ‐ＲＡＤ（Ｄｏｕｂｌｅ−ｍａｓｋ  Ｒｅａｒ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）  方式やＣＡＤ（Ｃｅｎｔｅｒ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）  方式などが挙げられる（例えば、特許文献１及び２参照。）。
【０００６】
また、ＤＷＤＤ（Ｄｏｍａｉｎ  Ｗａｌｌ  Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）、  ＭＡＭＭＯＳ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ａｍｐｌｉｆｙｉｎｇ  ＭＯ  Ｓｙｓｔｅｍ）  などにおいては、微小な記録マークを転写の際に磁壁移動により磁区を拡大して再生を行っている（例えば、特許文献３及び４参照。）。
これらの技術のうちいくつかを利用して、３．５インチＭＯ、５．２５インチＭＯ等の光磁気記録媒体がすでに商品化されている。
【０００７】
今後、光磁気記録媒体の更なる高密度化を考える上で、レーザ光の短波長化と前述の超解像技術とを組み合わせる技術の実現も望まれている。そのためには、青色レーザ等の短波長のレーザを用いて、十分な信号振幅を得ることができる光磁気記録媒体を開発することが望まれている。
【０００８】
尚、面内磁化膜のカー回転角を大きくする方法として、再生層材料としてＮｄＣｏやＴｂＮｄＦｅＣｏを用いる方法が提案されている（  例えば、非特許文献１及び特許文献５参照。）  。
【０００９】
しかしながら上記非特許文献１に開示の構成では、再生層にＮｄＣｏを用いており、これはフェロ磁性体であって、本発明者等の研究結果では飽和磁化が８．８０ｗｂ／ｍ２  （７００ｅｍｕ／ｃｃ）以上となり、これは面内磁化膜となる。記録層の磁化を転写して読むためには面内磁化膜としては不利となる。
また上記特許文献５に開示の光磁気記録媒体においては、再生層に重希土類金属であるＴｂを添加することでフェリ磁性体としており、再生層の短波長域におけるカー回転角の上昇は示唆されているが、十分な再生信号振幅の向上は確認されていない。
すなわち、青色レーザ等の短波長の再生用光を用いて上述したような超解像再生を含む高記録密度の光磁気記録媒体に対し、赤色レーザ等の比較的長波長の再生用光を用いる場合に得られる再生信号振幅と同等以上の再生信号振幅が得られる例は、現状では報告されていない。
【００１０】
【特許文献１】
特許第３１０６５１４号公報
【特許文献２】
特許第２８３９７８３号公報
【特許文献３】
特開平６−２９０４６９号公報
【特許文献４】
特開平８−７３５０号公報
【特許文献５】
特公平６−９０９７６号公報
【非特許文献１】
Ｈｉｄｅｏ  Ｉｉｙｏｒｉ  ａｎｄ  Ｓｈｉｎｊｉ  Ｔａｋａｙａｍａ，  “Ｔｒｉｐｌｅ−ｌａｙｅｒｅｄ  ＮｄＣｏ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ａｌｌｏｙ  ｆｉｌｍｓ  ｆｏｒ  ｍａｇｎｅｔｏ−ｏｐｔｉｃａｌ  ｍｅｄｉａ  ”，Ｊｏｕｒｎａｌ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ａｍｅｒｉｃａｎ  ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，１５  Ａｐｒｉｌ  １９９１，６９（８），ｐ．４７６１−４７６３
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述したように青色レーザ等の短波長の再生用光を用いる場合においても、従来の赤色レーザ等を使用する場合と同等の再生信号振幅が得られる光磁気記録媒体及びこれを用いた光磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、光透過性の基板上に、少なくとも希土類金属‐遷移金属アモルファス合金より成る磁性層が積層された光磁気記録媒体において、磁性層を、基板側から再生補助層、再生層及び記録層として、記録層は、室温で高い保磁力を有する材料とし、再生層は、少なくともＴｂ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＢ、または少なくともＴｂ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＳｉより構成し、室温での保磁力Ｈｃを０≦Ｈｃ≦１．０３×１０６  ［Ａ／ｍ］、キュリー温度Ｔｃを１９０≦Ｔｃ≦３３０［℃］として、室温からキュリー温度以下の温度領域で遷移金属優勢膜として、
再生補助層は、少なくともＴｂＦｅＣｏ系アモルファス合金を含む材料より構成する。
【００１３】
また本発明は、上述の光磁気記録媒体において、再生層を、ＴｂＮｄＦｅＣｏＢ系アモルファス合金より構成し、且つＢの組成比ｘを、
２＜ｘ≦５［原子％］
として構成する。
【００１４】
また他の本発明は、上述の光磁気記録媒体において、再生層を、ＴｂＮｄＦｅＣｏＳｉ系アモルファス合金より構成し、且つＳｉの組成比ｙを、
０＜ｙ≦５［原子％］
として構成する。
【００１５】
更に本発明は、上述の光磁気記録媒体において、再生補助層の膜厚ｔを、
０＜ｔ≦８［ｎｍ］
として構成する。
【００１６】
また更に本発明による光磁気記録再生装置は、上述の各構成による光磁気記録媒体を用いる構成とする。
【００１７】
上述したように、本発明による光磁気記録媒体及びこれを用いた光磁気記録再生装置は、光磁気記録媒体の磁性層として、基板側から再生補助層、再生層及び記録層の３層を積層して構成し、特にその再生層として、ＴｂＮｄＦｅＣｏＢ系アモルファス合金、またはＴｂＮｄＦｅＣｏＳｉ系アモルファス合金を用いて、更にその室温での保磁力及びキュリー温度を所定の範囲に選定するものである。
【００１８】
このような本発明構成による光磁気記録媒体に対し、従来に比して短波長の再生用光を用いた再生特性を測定したところ、後段の発明の実施の形態において詳細に説明するように、従来構成の光磁気記録媒体と比較して信号振幅量の向上をはかることができた。
【００１９】
特に、再生層としてＴｂＮｄＦｅＣｏＢ系アモルファス合金を用い、且つＢの組成比ｘを、２＜ｘ≦５［原子％］とすることによって、従来に比して最大で０．６ｄＢ程度の再生信号振幅量の増加を確認することができた。
また、再生層として、ＴｂＮｄＦｅＣｏＳｉ系アモルファス合金を用い、且つＳｉの組成比ｙを、０＜ｙ≦５［原子％］とすることによって、キュリー温度の制御の簡易化をはかり、再生特性の向上をはかることができた。
【００２０】
更にまた、再生補助層の膜厚ｔを、０＜ｔ≦８［ｎｍ］とすることによって、再生信号振幅量を確実に向上させることができた。
したがって、このような本発明によれば、比較的短波長の再生用光を用いる場合においても、従来と同様或いはそれ以上の再生信号振幅量を得ることができる特性に優れた光磁気記録媒体及びこれを用いた光磁気記録再生装置を提供することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下本発明による光磁気記録媒体及びこれを用いた光磁気記録再生装置の一実施の形態について、図面を参照して詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その他種々の変形、変更が可能であることはいうまでもない。
【００２２】
先ず、本発明による光磁気記録媒体の一例の略線的拡大断面構成を図１に示す。
ポリカーボネート等の光透過性材料よりなる基板１の主面１Ｓ上に、少なくとも誘電体層２、再生補助層３、再生層４、記録層５、誘電体層６が順次積層されて光磁気記録媒体１０が構成される。Ｌは再生用光、１１は対物レンズを示す。この場合、再生用光Ｌは基板１の裏面１Ｒ側から照射される。なお、図示しないが誘電体層６の上に保護層等が形成されていてもよい。
【００２３】
再生用光Ｌが照射された位置において、記録層５の記録マークが再生層４に転写され、再生補助層４を通して照射された再生用光Ｌが再生層４で反射される。そして従来構成の光磁気記録媒体と同様に、光磁気光学効果を利用して再生層４に転写された記録マークすなわち磁区の向きが読み出される。すなわち、カー回転角の変化を利用した反射光量の変化を読み取ることによって再生信号が検出される。
【００２４】
このような光磁気記録媒体を用いる光磁気記録再生装置の一例の模式的な概略構成を図２に示す。この例においては、ディスク状の光磁気記録媒体１０を用いる場合を示す。この光磁気記録媒体１０は、図示しないがスピンドルモータ等の回転手段上の載置台に固定される。２０は磁場発生手段であり、この例においては棒磁石が用いられ、光磁気記録媒体１０の再生位置上に所定の間隔をもって配置されている。
【００２５】
そして光磁気記録媒体１０の磁場発生手段２０が設けられる側とは反対側の面上に、記録情報の再生位置に再生用光を走査照射し、戻り光を検出する光学系が設けられる。以下これを説明する。
波長４０５±１０ｎｍの例えば４０５ｎｍの青色レーザ等よりなる光源２１から出射された再生用光Ｌは、コリメータレンズ２２により収束されてビームスプリッタ２３に入射される。ビームスプリッタ２３を通過した再生用光Ｌは、対物レンズ１１により再生位置に例えばスポット径０．８μｍ以下として照射される。
【００２６】
再生位置から反射された戻り光は、対物レンズ１１を通過し、ビームスプリッタ２３に反射された光は、ビームスプリッタ２４により分離されて、一方は収束レンズ２５によりビームスプリッタ２６に入射されて更に分離され、トラッキングサーボ用ディテクタ２７、またはシリンドリカルレンズ２８を介してフォーカスサーボ用ディテクタ２９に入射されて位置検出がなされ、図示しないが所定の電磁アクチュエータ等により再生位置の補正がなされる。
【００２７】
一方ビームスプリッタ２４を通過した戻り光は半波長板３０、収束レンズ３１を介して偏光ビームスプリッタ３２により分離されて、それぞれＭＯ信号検出用ディテクタ３３及び３４に入射される。これらのディテクタ３３及び３４により検出された信号を差動増幅器３５により検出して、光磁気記録信号を検出することができる。
【００２８】
このような光磁気記録再生装置を用いて、以下の参考例及び実施例において、各光磁気記録媒体の記録再生特性を測定した。各例共に、記録マーク長０．６４μｍの信号を記録した時の再生信号の信号振幅を測定した。また使用した再生用光のレーザの波長は４０５ｎｍであり、線速は７．９ｍ／ｓとした。記録層５は、信号再生温度で容易に磁化反転が起こらない程度の大きさの保磁力Ｈｃを有し、且つキュリー温度Ｔｃが３００℃以上となる材料として、Ｔｂ２１Ｆｅ６３Ｃｏ１６を用いて、膜厚４０ｎｍとして成膜した。
【００２９】
先ず、本発明実施例に先立って、再生層単層を評価するための参考例について説明する。
図３に模式的な要部の断面構成を示すように、この参考例においては、光透過性の基板１上に、誘電体層２、再生層４、記録層５及び誘電体層６の順に積層して光磁気記録媒体１０を構成した。この光磁気記録媒体１０に対し、記録マーク長０．６４μｍの信号を記録した時の再生信号のＣ／Ｎ（キャリア／ノイズ比）を測定した。
【００３０】
この例においては、再生層４は、Ｔｂ、Ｎｄ、Ｆｅの単体ターゲットと、ＦｅＣｏ合金のターゲットを用いるスパッタリングにより成膜し、ＴｂＮｄＦｅＣｏアモルファス合金膜を１０ｎｍの膜厚で形成した。その際、組成を変化させることで保磁力Ｈｃ及びキュリー温度Ｔｃを制御した。
【００３１】
図４に再生層の保磁力Ｈｃを変化させた場合の再生信号のＣ／Ｎの測定結果を示す。再生層が常温で遷移金属優勢膜（ＴＭリッチ）である場合の再生信号のＣ／Ｎは、実線ａで示すように、保磁力Ｈｃが０Ａ／ｍ近傍で最大の４２ｄＢ程度得られ、保磁力Ｈｃが増加するにしたがって徐々に減少し、１．０３×１０６  Ａ／ｍを超えると４０ｄＢを下回ってしまう。
【００３２】
一方、再生層が常温で希土類金属優勢膜（ＲＥリッチ）である場合は、実線ｂで示すように、保磁力Ｈｃの大きさに関わらず信号のＣ／Ｎは３７ｄＢ程度と小さいことがわかる。
従って、本発明においては、再生層として、室温で遷移金属優勢膜であり、且つ保磁力Ｈｃを、
０≦Ｈｃ≦１．０３×１０６  ［Ａ／ｍ］
として構成するものである。
【００３３】
次に、再生層のキュリー温度Ｔｃを変化させた場合の再生信号のＣ／Ｎの測定結果を図５に示す。再生信号のＣ／Ｎは、実線ｃで示すように、キュリー温度Ｔｃが高いほど大きく、１９０℃近傍で４０ｄＢを超え、２８０℃の場合に最大４３．５ｄＢという結果を得た。キュリー温度が信号再生温度より低い場合、再生層でのカー回転角が得られないためＣ／Ｎが小さくなる。従って、キュリー温度は１９０℃以上である必要がある。また、図５の結果から、キュリー温度の上限としては、３３０℃までは良好な結果を得ていることがわかる。従って、本発明においては、再生層のキュリー温度Ｔｃを、
１９０≦Ｔｃ≦３３０［℃］
とするものである。
【００３４】
また、このような構成による再生層は、保磁力Ｈｃが温度上昇と共に小さくなり、信号再生温度領域において面内磁化膜となる。しかし、カー回転角は、垂直磁化のときが最大である。そこで、再生層の磁化を信号再生温度領域で膜面に垂直に向かせるため、本発明においては、信号再生温度領域において垂直磁化である再生補助層を、再生層に接して設ける構成とし、記録層及び再生補助層により再生層を挟み込む構成とした。
【００３５】
次に、このような再生補助層を設けた本発明構成による光磁気記録媒体において、再生層の組成を変化させた各実施例について説明する。
【００３６】
【実施例】
以下、本発明構成の光磁気記録媒体において、再生層の組成を変化させた場合の再生特性を調べた結果を示す。
各例共に、記録マーク長、再生用光波長、線速及び記録層の材料は上述の参考例と同様とした。また再生補助層の材料は、記録層と同様にＴｂ２１Ｆｅ６３Ｃｏ１６として構成した。
【００３７】
（１）実施例１
再生層としてＴｂＮｄＦｅＣｏＢアモルファス合金を用いて光磁気記録媒体を構成し、Ｂの含有量を変化させて再生特性を測定した。この例においては、Ｔｂ２０Ｎｄ２０Ｆｅ３５−ｘＣｏ２５Ｂｘ  の組成において、Ｂの含有量ｘを変化させた。この結果を図６に示す。
図６の結果から、Ｂを少しずつ増加させ、０から２原子％程度とするときはＣ／Ｎの増加は見られないが、２原子％を超えるとＣ／Ｎが増加し始め、５原子％までは、Ｂを添加しない場合に比べてＣ／Ｎの向上が認められることがわかる。
【００３８】
従って、本発明においては、再生層としてＴｂＮｄＦｅＣｏＢアモルファス合金を用いる場合は、Ｂの組成ｘを、
２＜ｘ≦５［原子％］
とするものである。
【００３９】
（２）実施例２
次に、再生層としてＴｂＮｄＦｅＣｏＳｉアモルファス合金を用いる場合の再生層のキュリー温度の変化を調べた。この例においては、Ｔｂ２０Ｎｄ２０Ｆｅ３５−ｙＣＯ２５Ｓｉｙの組成において、Ｓｉの含有量ｙを変化させた。この結果を図７に示す。
図７の結果から、キュリー温度はＳｉ含有量を増やすと直線的に低下することがわかる。したがって、Ｓｉのみを添加し、且つその添加量を制御するだけで簡単に再生層のキュリー温度を制御することができることがわかる。
上述したように、再生層のキュリー温度は１９０℃以上３３０℃以下とするときに、十分な再生信号のＣ／Ｎが得られる。従って、Ｓｉの含有量ｙとしては、
０＜ｙ≦５［原子％］
とすることが望ましいことがわかる。
【００４０】
（３）実施例３
次に、再生補助層として上述の各実施例と同様にＴｂ２１Ｆｅ６３Ｃｏ１６を用い、再生補助層の膜厚を変化させて再生特性の変化を調べた。この結果を図８に示す。図８において破線ｄ、実線ｅ及びｆはそれぞれ再生層の材料をＴｂ２０Ｎｄ２０Ｆｅ３５Ｃｏ２５、Ｔｂ２０Ｎｄ２０Ｆｅ３１Ｃｏ２５Ｂ４  、Ｔｂ２０Ｎｄ２０Ｆｅ３３Ｃｏ２５Ｓｉ２  とした場合を示す。
【００４１】
図８の結果から、再生補助層の膜厚を、０ｎｍを超える８ｎｍ以下の範囲とするときに、従来と比較して再生信号のＣ／Ｎの増加を図ることができることがわかる。従って、本発明においては、再生補助層の膜厚ｔを、
０＜ｔ≦８［ｎｍ］
とするものである。なお、より確実に再生信号振幅の向上を図るためには、再生補助層の膜厚ｔは１ｎｍ以上８ｎｍ以下とすることが望ましい。
【００４２】
また、再生層としてＴｂ２０Ｎｄ２０Ｆ３３Ｃｏ２５Ｓｉ２  を用いて、その膜厚を変化させ、同様に再生特性の変化を調べた。この結果を図９に示す。この例においては再生補助層としてＴｂ２１Ｆｅ６３Ｃｏ１６を用い、厚さは５ｎｍとした。
【００４３】
図９の結果から、膜厚に対し再生特性は殆ど変化しないことがわかる。しかしながら、５ｎｍ未満とするときはスパッタリングプロセスなどの製造工程における膜厚制御が難しくなる恐れがあり、また１００ｎｍを越える膜厚とするときは、生産時のタクトタイムに悪影響を与え、また再生特性の向上は認められない。したがって、再生層の膜厚としては、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることが望ましい。
【００４４】
上述したように、本発明によれば、再生層としてＴｂＮｄＦｅＣｏＢ系アモルファス合金を用い、且つＢの組成比ｘを、２＜ｘ≦５［原子％］とすることによって、従来に比して最大で０．６ｄＢ程度の再生信号振幅量の増加を確認することができた。
【００４５】
この様子を図１０に示す。図１０において、実線ｇは、再生層を従来の構成のＧｄＦｅＣｏ又はＴｂＦｅＣｏ等により構成した光磁気記録媒体において、再生用光の波長を６６０ｎｍの青色レーザ及び波長４０５ｎｍの青色レーザで再生した場合の再生信号のＣ／Ｎの変化を示す。点ｈは、上述の本発明構成による光磁気記録媒体、すなわち再生層としてＴｂ２０Ｎｄ２０Ｆｅ３１Ｃｏ２５Ｂ４  を用いて、記録層及び再生補助層としてＴｂ２１Ｆｅ６３Ｃｏ１６を用いて光磁気記録媒体を構成した場合の、再生用光を波長４０５ｎｍの青色レーザにより再生を行った場合の再生信号のＣ／Ｎを示す。図１０の結果から、従来構成の光磁気記録媒体に比して０．６％程度のＣ／Ｎの向上を図ることが出来たことがわかる。
【００４６】
なお、本発明は上述の各実施例に限定されるものではなく、その他種々の変形、変更が可能であることはいうまでもない。例えば、上述の各例において、記録層の材料としてはＴｂ２１Ｆｅ６３Ｃｏ１６を用いたが、Ｔｂの組成範囲は１７原子％以上２４原子％以下、またＣｏの組成範囲は１０原子％以上２５原子％以下程度とするときに室温で十分高い保磁力を有する膜とすることができる。また、その膜厚としては上述の各例においては４０ｎｍとしたが、１０ｎｍ程度以上１００ｎｍ程度以下としても良い。
また、その他再生補助層の材料構成等、本発明構成を逸脱しない範囲で、変形、変更することが可能である。
【００４７】
【発明の効果】
上述したように、本発明によれば、従来に比して短波長の再生用光を用いる場合においても、信号再生特性の低下を回避し、従来構成の光磁気記録媒体に対して比較的長い波長の再生用光を用いる場合と同等、またはそれ以上の信号再生特性を実現できる光磁気記録媒体を提供することができる。
【００４８】
特に、再生層としてＴｂＮｄＦｅＣｏＢ系アモルファス合金を用い、且つＢの組成比ｘを、２＜ｘ≦５［原子％］とすることによって、従来に比して最大で０．６ｄＢ程度の再生信号振幅量の増加を図ることができる。
【００４９】
また、再生層として、ＴｂＮｄＦｅＣｏＳｉ系アモルファス合金を用い、且つＳｉの組成比ｙを、０＜ｙ≦５［原子％］とすることによって、キュリー温度の制御の簡易化を図り、再生特性の向上を図ることができる。
【００５０】
更にまた、再生補助層の膜厚ｔを、０＜ｔ≦８［ｎｍ］とすることによって、再生信号振幅量を確実に向上させることができた。
したがって、このような本発明によれば、比較的短波長の再生用光を用いる場合においても、従来と同様或いはそれ以上の再生信号振幅量を得ることができる特性にすぐれた光磁気記録媒体及びこれを用いた光磁気記録再生装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】光磁気記録媒体の一例の模式的な断面構成を示す図である。
【図２】光磁気記録再生装置の一例の模式的な構成図である。
【図３】光磁気記録媒体の参考例の模式的な断面構成を示す図である。
【図４】再生層の保磁力を変化させた場合のＣ／Ｎの変化を示す図である。
【図５】再生層のキュリー温度を変化させた場合のＣ／Ｎの変化を示す図である。
【図６】Ｂ含有量に対するＣ／Ｎの変化を示す図である。
【図７】Ｓｉ含有量に対するキュリー温度の変化を示す図である。
【図８】再生補助層の膜厚に対するＣ／Ｎの変化を示す図である。
【図９】再生層の膜厚に対するＣ／Ｎの変化を示す図である。
【図１０】再生用光波長に対するＣ／Ｎの変化を示す図である。
【符号の説明】
１  基板、２  誘電体層、３  再生補助層、４  再生層、５  記録層、６  誘電体層、１０  光磁気記録媒体、１１  対物レンズ、２０  磁場発生手段、２１  光源、２２  コリメータレンズ、２３  ビームスプリッタ、２４  ビームスプリッタ、２５  収束レンズ、２６  ビームスプリッタ、２７  トラッキングサーボ用ディテクタ、２８  シリンドリカルレンズ、２９  フォーカスサーボ用ディテクタ、３０  半波長板、３１  収束レンズ、３２  偏光ビームスプリッタ、３３ＭＯ信号検出用ディテクタ、３４  ＭＯ信号検出用ディテクタ、３５  差動増幅器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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