(57)【要約】【課題】本発明は、高密度な記録再生動作を維持しつつ、かつ情報の記録が可能な光記録媒体、当該光記録媒体を用いた場合においても良好な記録及び再生の動作が可能な近接場光メモリ装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の近接場光メモリ装置は、導電性遮光膜で囲まれた微小開口と導電性遮光膜との境界近傍において強い電磁界強度を発する近接場光プローブと、近接場光プローブに光を導入し、また光記録媒体の記録情報を反映した光を近接場光プローブを介して検出する光検出ユニットとを有する。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に少なくとも設けられた記録層と、該記録層上に設けられたギャップ層とを有することを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
前記ギャップ層の一部又は全部が硫化亜鉛と二酸化ケイ素の混合物で構成されている請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】
前記ギャップ層には、光記録媒体表面を保護するための保護層が含まれる構成である請求項１又は２に記載の光記録媒体。
【請求項４】
透明な前記基板を挟んで両側の面に前記記録層と前記ギャップ層を備えた請求項１〜３のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項５】
導電性遮光膜で囲まれた微小開口と前記導電性遮光膜との境界近傍において強い電磁界強度を発する近接場光プローブと、
該近接場光プローブに光を導入し、また光記録媒体の記録情報を反映した光を前記近接場光プローブを介して検出する光検出ユニットと
を有することを特徴とする近接場光メモリ装置。
【請求項６】
前記光検出ユニットは、光記録媒体を挟んで前記近接場光プローブが配置される位置と反対側で光記録媒体からの透過光を検出する透過光検出ユニットである請求項５記載の近接場光メモリ装置。
【請求項７】
光記録媒体中における連続した一連の記録データが並ぶデータトラックの方向に対して前記近接場光プローブに入射させる光の偏光方向が所定の角度で傾いている請求項５又は６に記載の近接場光メモリ装置。
【請求項８】
前記近接場光プローブを支持する第１のアームと前記透過光検出ユニットを支持する第２のアームが一体化構成されている請求項６記載の近接場光メモリ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光記録媒体及び近接場光メモリ装置に関し、詳細には光記録媒体に対して情報の記録又は再生、あるいは記録と再生の両方の動作が可能な近接場光メモリ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
【特許文献１】特開２０００−２５１２８２号公報
【特許文献２】特開２０００−２９３８８８号公報
現在実用化されている光メモリでは、回折限界にまで集光したレーザ光を光光記録媒体へ照射し、記録層に対して熱的あるいは磁気的変調を与えることによって情報の記録を行い、一方記録マークによって変調される反射光強度又は偏光状態の変化を検出することによって記録情報の再生を行っている。このような情報記録手段は、光光記録媒体上の記録密度がレーザ波長と対物レンズの開口数（Ｎ．Ａ．）でほぼ決定されてしまう。しかしながら、近年のコンピュータ等の情報機器を取り巻く情報量の増大に対応していくためには、上記条件で決定される記録密度の限界を越えるような大容量な光メモリが必要とされている。
【０００３】
このような次世代の大容量光メモリとして有望視されているものとして、近接場光を利用して情報の記録・再生を行う、いわゆる近接場光メモリが提案されている。近接場光を用いた光メモリとしては、上記特許文献１，２に記載の近接場光プローブが提案されている。図１７に示すように、近接場光を発生させるための近接場光プローブ１７０は、例えばガラス基板などの透光性の透明基板１７１に金やアルミといった金属遮光膜１７２を堆積させ、これに光の波長以下のサイズである微小な開口１７３を形成した構成となっている。そして、この近接場光プローブ１７０の微小な開口１７３に対物レンズ１７４を介して光を集光して照射することによって、この開口１７３に近接して配置された光記録媒体上の波長以下の微小な領域に対して電磁場のエネルギーを与えることができる。このような構成においては、対物レンズ１７４で集光させた場合よりも微小な光光記録媒体上の領域に対して情報の記録又は再生を行うことが可能であり、従って従来の光メモリより高密度で大容量なものが実現できると考えられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
微小開口を用いた通常の近接場光プローブでは、微小開口と光記録媒体中における記録層との距離が離れると、記録層に対して近接場光が照射される部分の面積が急激に拡大するため、高密度な光メモリを実現するためには微小開口と記録層を近接して配置させなければならない。しかしながら、情報の記録が可能な記録層の材料として相変化記録材料や光磁気記録材料などを用いる場合において、記録層又は記録層に隣接して配置される誘電体層などが光記録媒体の最表面に配置されて空気にさらされるような構成では、表面が変質して情報の保存性が悪くなるという問題がある。また、記録層と近接場光プローブが近接しているため、近接場光プローブが光記録媒体に接触するなどして記録データを消失する恐れもある。
【０００５】
本発明はこのような問題点を解決するためのものであり、高密度な記録再生動作を維持しつつ、かつ情報の記録が可能な光記録媒体、当該光記録媒体を用いた場合においても良好な記録及び再生の動作が可能な近接場光メモリ装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前記問題点を解決するために、本発明の光記録媒体は、基板と、基板上に少なくとも設けられた記録層と、記録層上に設けられたギャップ層とを有することに特徴がある。よって、記録層が空気にさらされて変質するなどを防止して光記録媒体の耐久性及び記録情報の保存性を向上できる。
【０００７】
また、ギャップ層の一部又は全部が硫化亜鉛と二酸化ケイ素の混合物で構成されていることが好ましい。
【０００８】
更に、ギャップ層には、光記録媒体表面を保護するための保護層が含まれる構成であることにより、光記録媒体に近接して配置される近接場光プローブを光記録媒体上で摺動させる場合や光記録媒体上で僅かに浮上させて走査させる場合においても光記録媒体が破損しない。
【０００９】
また、透明な基板を挟んで両側の面に記録層とギャップ層を備えたことにより、一つの光記録媒体に記録される記録容量を２倍にすることができる。
【００１０】
更に、別の発明としての近接場光メモリ装置は、導電性遮光膜で囲まれた微小開口と導電性遮光膜との境界近傍において強い電磁界強度を発する近接場光プローブと、近接場光プローブに光を導入し、また光記録媒体の記録情報を反映した光を近接場光プローブを介して検出する光検出ユニットとを有することに特徴がある。よって、記録層中の微小領域に近接場光を照射して高密度な記録再生を実現できる。
【００１１】
また、光検出ユニットは、光記録媒体を挟んで近接場光プローブが配置される位置と反対側で光記録媒体からの透過光を検出する透過光検出ユニットであることにより、記録情報を反映した光成分だけを検出して良好な再生動作を実現できる。
【００１２】
更に、光記録媒体中における連続した一連の記録データが並ぶデータトラックの方向に対して近接場光プローブに入射させる光の偏光方向が所定の角度で傾いていることにより、良好な記録／再生動作が可能な高密度光メモリ装置を実現できる。
【００１３】
また、近接場光プローブを支持する第１のアームと透過光検出ユニットを支持する第２のアームが一体化構成されていることにより、近接場光プローブと透過光検出ユニットの位置決めを個別に行うような機構を設ける必要をなくし、部品点数の低減と低コスト化、小型化を実現できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の近接場光メモリ装置は、導電性遮光膜で囲まれた微小開口と導電性遮光膜との境界近傍において強い電磁界強度を発する近接場光プローブと、近接場光プローブに光を導入し、また光記録媒体の記録情報を反映した光を近接場光プローブを介して検出する光検出ユニットとを有する。
【００１５】
【実施例】
図１は本発明の第１の実施例に係る近接場光メモリ装置の構成を示す概略断面図である。同図において、本実施例の近接場光メモリ装置１０は、近接場光プローブ１５に光を導入して光記録媒体２０の記録情報を反映した光を、近接場光プローブ１５を介して検出するための光学系を基本ユニットとして備えている。光記録媒体２０は、ディスクの形態を有し、記録データは同心円の円周方向に連続した情報が並ぶようになっている。また、近接場光メモリ装置１０内においては、その中心部が回転軸と結合されて図示されていないモータによって回転駆動されるようになっている。上記光学系は、半導体レーザ１１が発したレーザ光を対物レンズ１２で集光してビームスプリッタ１３及び対物レンズ１４を介して近接場光プローブ１５に照射し、さらに近接場光プローブ１５から対物レンズ１４側に戻ってくる光をビームスプリッタ１３で半導体レーザ１１と別方向に分岐してその光強度をフォトダイオード１７で検出するようになっている。近接場光プローブ１５は、図２に示すように、ガラスなどの透光性基板１５−１に図中破線で囲んで示すように円錐台形状の突起部１５−２を設け、その周囲を金、銀、アルミ、クロムなどの導電性材料による導電性遮光膜１５−３で覆って微小開口を形成させた構成となっている。突起形状の具体的寸法としては、例えば半導体レーザの波長を７８０ｎｍとして、円錐台部分の高さを３ミクロン、透光性基板１５−１側の直径を２ミクロン、先端開口の直径を３００ｎｍ程度のものが利用できる。このような構造を有する近接場光プローブ１５において、対物レンズ１４で集光された光は、透光性基板１５−１側から突起部１５−２に入射され、先端開口近傍において図３に示すように導電性遮光膜１５−３と透光性材料の開口部３１との境界付近に強い電磁界強度が発生する部分３２がある。図３において、近接場光プローブに入射される光の偏光方向（電界の振動方向）は、紙面上において横方向となっている。微小開口近傍において、このような電磁界強度分布を有する近接場光プローブを光記録媒体に近接して配置させると、例えば図４に示すように記録層２３において局所的に強い電磁場が励起される。このとき、近接場光プローブに近接させる光記録媒体の構成は、図４に示すように、記録層２３と近接場光プローブ１５の間にギャップ層２４が設けられた構成となっている。このギャップ層２４の材料としては、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などの誘電体材料を用いることができる。このギャップ層２４を設けた光記録媒体と上記した近接場光プローブの組み合わせによって、光記録媒体の表面ではなく、内部に配置された記録層２３に電磁界を集中させることが可能となる。もしこのギャップ層２４を設けずに記録層２３を表面に配置したならば、図４に示した２個所の電磁界強度が記録層２３に加わってしまい、記録層２３の一部分において情報の記録又は再生を行うことはできなくなる。なお、ギャップ層以外の光記録媒体を構成する材料としては、基板２１にはガラスやポリカーボネネート、近接場光によって加熱された記録層を冷却するための放熱層２２には金、銀、アルミなど、記録層２３には相変化材料や光磁気材料、追記型の光ディスクに用いられる有機材料などを用いることができる。このように構成される装置による記録動作は、例えば記録層２３に相変化材料などの光熱変換過程を用いて記録を行う材料を用いる場合には、記録したい情報に従って光源である半導体レーザの発光時間と発光強度を制御する、例えば数ｎｓｅｃの強いパルス光を照射することによって行われる。一方、光記録媒体中の記録情報の再生は、半導体レーザの発光強度を一定にして連続発光させ、このときフォトダイオードで検出される光強度を読み取ることによって行われる。
【００１６】
なお、記録層中の電磁場の強度分布は突起の形状によって異なり、例えば入射光の波長と７８０ｎｍとして、円錐台部分の高さを３ミクロン、透光性基板側の直径を２ミクロン、先端開口の直径を３００ｎｍの場合と円錐台部分の高さを３ミクロン、透光性基板側の直径を２ミクロン、先端開口の直径を８００ｎｍの場合には、それぞれ図５及び図６のようになる。それぞれの図において、上側の斜線で示した図は、近接場光プローブ側から見た記録層中における電磁場強度の高い部分、図５ではａ、図６ではｂ，ｃ，ｄで示した部分であり、図中下側は上側の図においてＬで示した破線上の電磁場強度分布を示している。一般に、図６に示したような主に３個所の位置にピーク強度をもつ強度分布では、図５のような強度分布よりも中心強度が高く、入射光に対する光利用効率の面で有利となる。本実施例では、記録層中において図６のような強度分布を発生させる近接場光プローブを用いて構成される。光記録媒体中における記録マークの配列と図６のｂ，ｃ，ｄで示した部分との位置関係は、図７のようになっている。つまり、データトラック、つまり連続した記録情報の並びであり、図７の紙面上においては縦方向の記録マーク列に相当し、このトラック上には電磁場の中心部分ｃが位置し、ｂとｄの部分は隣接するデータトラックとの間の部分に位置するようになっている。このような位置関係は、近接場光プローブへの入射光の偏光方向が図７の上方に示した方向、つまりｂ、ｃ、ｄの中心を結ぶ方向と一致する方向となるように構成することによって実現されている。
【００１７】
このように構成された装置による記録動作は、例えば本実施例のように記録層に相変化材料などの光熱変換過程を用いて記録を行う材料を用いる場合には、記録したい情報に従って光源である半導体レーザの発光時間と発光強度を制御する、例えば数ｎｓｅｃの強いパルス光を照射することによって行われる。一方、光記録媒体中の記録情報の再生は、半導体レーザの発光強度を一定にして連続発光させ、このときフォトダイオードで検出される光強度を読み取ることによって行われる。
【００１８】
図８は別の発明の第１の実施例に係る光記録媒体の構成を示す断面図である。同図に示す本実施例の光記録媒体は、記録層２３の材料として相変化記録材料が用いられ、この記録層２３を挟んで上下に硫化亜鉛と二酸化ケイ素の混合物（ＺｎＳ／ＳｉＯ２）によるの誘電体層が配置された構成となっている。相変化層である記録層２３を誘電体層であるギャップ層２４と誘電体層２５で挟んだ構成は、所望の記録マークの生成を容易にするなど、記録動作を良好にする効果がある。そして、この誘電体層のうち光記録媒体の表面側に配置された誘電体層は前述したギャップ層２４を兼ねており、この層を配置することによって記録層中の微小領域に集中した電磁界分布が得られるようになっている。図８に示した層構成のそれぞれの厚みの具体例としては、例えば金、銀、アルミなど金属材料を用いた放熱層２２を１００ｎｍ、誘電体層２５を２０ｎｍ、記録層２３を１７ｎｍ、ギャップ層２４を３０ｎｍにして構成することができる。
【００１９】
図９は別の発明の第２の実施例に係る光記録媒体の構成を示す断面図である。同図に示す本実施例の光記録媒体によれば、記録層２３の材料として相変化記録材料が用いられ、この記録層２３を挟んで上下に硫化亜鉛と二酸化ケイ素の混合物（ＺｎＳ／ＳｉＯ２）によるの誘電体層２５，２６が配置し、さらに光記録媒体の表面層に窒化ケイ素（ＳｉＮ）の保護層２７が設けられた構成となっている。相変化記録材料の記録層２３を誘電体層２５，２６で挟んだ構成は、所望の記録マークの生成を容易にするなど、記録動作を良好にするために設けてある。最表面の窒化ケイ素（ＳｉＮ）の保護層２７は、光記録媒体の物理的損傷を防ぐためのものである。例えば、近接場光プローブ１５を図１０のようにパッド部分が光記録媒体２０に接触した状態で光記録媒体上を摺動させるような、所謂コンタクトスライダーの構成とする場合、柔らかい硫化亜鉛と二酸化ケイ素の混合物（ＺｎＳ／ＳｉＯ２）の層が最表面に配置された構成では、摺動によってこの層のみならず記録層までをも破壊してしまうが、最表面に硬い窒化ケイ素（ＳｉＮ）の保護層２７を設けることによって摺動に絶えうる光記録媒体を構成することができる。この保護層２７と誘電体層２６は、前述したギャップ層２４を構成していて、上述した近接場光プローブとの組み合わせによって記録層中の微小領域に集中した電磁界分布が得られるようになっている。図９に示した層構成のそれぞれの厚みの具体例としては、例えば、金、銀、アルミなどの金属材料の放熱層２２を１００ｎｍ、誘電体層２５を２０ｎｍ、記録層２３を１７ｎｍ、誘電体層２６を２０ｎｍ、保護層２７を５ｎｍにして構成することができる。本実施例では、保護層の材料として窒化ケイ素（ＳｉＮ）を用いた例を示したが、これに限らず炭化ケイ素（ＳｉＣ）やダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ（グラファイト結合とダイヤモンド結合、つまりＳＰ２とＳＰ３の結合が混在する非晶質又は微結晶性の炭素薄膜））などを用いることも可能である。
【００２０】
次に、図１１は本発明の第２の実施例に係る近接場光メモリ装置の構成を示す概略断面図である。同図において、本実施例の近接場光メモリ装置３０は、近接場光プローブに光を導入する光学系と、光記録媒体の記録情報を反映したからの透過光を検出するための透過光検出ユニットを基本ユニットとして備えている。光記録媒体２０は、ディスクの形態を有し、記録データは同心円の円周方向に連続した情報が並ぶようになっている。また、近接場光メモリ装置３０内においては、その中心部が回転軸と結合されて図示されていないモータによって回転駆動されるようになっている。光記録媒体の層構成は、例えば図１２や図１３のように記録層２３と近接場光プローブの間にギャップ層２４が備えられた構成となっている。また、光記録媒体２０を透過する光量を上げるため、金、銀、アルミなどの金属材料の放熱層２２は反射光を検出する場合より薄く構成されている。図１１において、近接場光プローブ３５に光を導入する光学系は、半導体レーザ３１が発したレーザ光を対物レンズ３２で集光して近接場光プローブ３５に照射するようになっている。透過光検出ユニットは、支持体であるアーム３９の先端に光記録媒体の透過光強度を検出するためのフォトダイオード３８を配置した構成となっている。フォトダイオード３８は、光記録媒体２０からの透過光を効率よく検出するため、図１１のように光記録媒体２０を挟んで近接場光プローブ３５と反対側に常に配置されるようになっている。具体的には、図１１において近接場光プローブ３５を支持するアーム３６とフォトダイオード３８を支持するアーム３９は連結部４０によって一体化されていて、光記録媒体２０に対する位置決めは連動して行われるようになっている。このように構成された装置による記録動作は、例えば本実施例のように記録層に相変化材料などの光熱変換過程を用いて記録を行う材料を用いる場合には、記録したい情報に従って光源である半導体レーザの発光時間と発光強度を制御する、例えば数ｎｓｅｃの強いパルス光を照射することによって行われる。一方、光記録媒体中の記録情報の再生は、半導体レーザ３１の発光強度を一定にして連続発光させ、このときフォトダイオード３８で検出される光強度を読み取ることによって行われる。
【００２１】
図１４は本発明の第３の実施例に係る近接場光メモリ装置の構成を示す概略断面図である。同図において、本実施例の近接場光メモリ装置５０は、近接場光プローブに光を導入する光学系と、光記録媒体２０の記録情報を反映したからの透過光を検出するための透過光検出ユニットを基本ユニットとして備えている。光記録媒体２０は、ディスクの形態を有し、記録データは同心円の円周方向に連続した情報が並ぶようになっている。また、近接場光メモリ装置５０内においては、その中心部が回転軸と結合されて図示されていないモータによって回転駆動されるようになっている。光記録媒体の層構成は、例えば図１５や図１６のように記録層２３と近接場光プローブの間にギャップ層２４が備えられた構成となっている。また、光記録媒体２０を透過する光量を上げるため、金、銀、アルミなどの金属材料の放熱層は反射光を検出する場合より薄く構成されている。近接場光プローブには、上記実施例で述べた記録層中において複数のピーク強度を発生させることが可能なものを用いている。近接場光プローブ５５に光を導入する光学系は、半導体レーザ５１が発したレーザ光を対物レンズ５２で集光して近接場光プローブ５５に照射するようになっている。透過光検出ユニットは、支持体であるアーム５８に光記録媒体２０からの透過光を取り込むための対物レンズ６０と透過光強度を検出するためのフォトダイオード６４、及び対物レンズ６０で取り込んだ光のうち図６及び図７のｂで示した部分からの透過光強度成分を選択的に検出するためのピンホール６３を図１５のようにｂに対して共焦点の位置関係となる場所に配置させた構成となっている。また、上記した共焦点の位置関係を保つため、近接場光プローブ５５を支持するアーム５６とフォトダイオード６４を支持するアーム５８は連結部５９により一体化されていて、光記録媒体２０に対する位置決めは連動して行われるようになっている。このように構成された装置による記録動作は、例えば本実施例のように記録層に相変化材料などの光熱変換過程を用いて記録を行う材料を用いる場合には、記録したい情報に従って光源である半導体レーザの発光時間と発光強度を制御する、例えば数ｎｓｅｃの強いパルス光を照射することによって行われる。一方、光記録媒体中の記録情報の再生は、半導体レーザ５１の発光強度を一定にして連続発光させ、このときフォトダイオード６４で検出される光強度を読み取ることによって行われる。
【００２２】
なお、図１５に示すように、光記録媒体の両面に記録層２３が設けられているので、光記録媒体の上下の面を入れ替えて装置に取り付けても同様の記録再生動作を行うことが可能である。つまり、光記録媒体の両側の面に対して情報の記録及び再生が行えるようになっている。また、光記録媒体の層構成は、例えば、相変化材料にＡｇＩｎＳｎＴｅを用いて図１６のように構成される。ここでは、金、銀、アルミなどの金属材料の金属層２８に隣接して、透過率と熱伝導率がともに高いＩＴＯ（ＩｎＯ／ＴｉＯ）層２９を配置することよって、金属層２８が担っていた記録層２３の放熱効果の一部をＩＴＯ層２９に持たせることによって金属層２８を薄くして光記録媒体の透過率を向上させるようにしている。近接場光プローブに光を導入する光学系は、半導体レーザが発したレーザ光を対物レンズで集光して近接場光プローブに照射するようになっている。透過光検出ユニットは、支持体であるアーム２の先端に光記録媒体の透過光強度を検出するためのフォトダイオードを配置した構成となっている。フォトダイオードは、光記録媒体からの透過光を効率よく検出するため、図１１のように光記録媒体を挟んで近接場光プローブと反対側に常に配置されるようになっている。具体的には、近接場光プローブ３５を支持するアーム３６とフォトダイオード３８を支持するアーム３９は連結部４０によって一体化されていて、光記録媒体２０に対する位置決めは連動して行われるようになっている。このように構成された装置による記録動作は、例えば本実施例のように記録層に相変化材料などの光熱変換過程を用いて記録を行う材料を用いる場合には、記録したい情報に従って光源である半導体レーザの発光時間と発光強度を制御する、例えば数ｎｓｅｃの強いパルス光を照射することによって行われる。一方、光記録媒体中の記録情報の再生は、半導体レーザの発光強度を一定にして連続発光させ、このときフォトダイオードで検出される光強度を読み取ることによって行われる。本実施例では、光の透過率と熱伝導率がともに高い材料としてＩＴＯを例示したが、これに限定されるものではなくＡＩＮ（窒化アルミ）などであってもよい。
【００２３】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲内の記載であれば多種の変形や置換可能であることは言うまでもない。
【００２４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の光記録媒体は、基板と、基板上に少なくとも設けられた記録層と、記録層上に設けられたギャップ層とを有することに特徴がある。よって、記録層が空気にさらされて変質するなどを防止して光記録媒体の耐久性及び記録情報の保存性を向上できる。
【００２５】
また、ギャップ層の一部又は全部が硫化亜鉛と二酸化ケイ素の混合物で構成されていることが好ましい。
【００２６】
更に、ギャップ層には、光記録媒体表面を保護するための保護層が含まれる構成であることにより、光記録媒体に近接して配置される近接場光プローブを光記録媒体上で摺動させる場合や光記録媒体上で僅かに浮上させて走査させる場合においても光記録媒体が破損しない。
【００２７】
また、透明な基板を挟んで両側の面に記録層とギャップ層を備えたことにより、一つの光記録媒体に記録される記録容量を２倍にすることができる。
【００２８】
更に、別の発明としての近接場光メモリ装置は、導電性遮光膜で囲まれた微小開口と導電性遮光膜との境界近傍において強い電磁界強度を発する近接場光プローブと、近接場光プローブに光を導入し、また光記録媒体の記録情報を反映した光を近接場光プローブを介して検出する光検出ユニットとを有することに特徴がある。よって、記録層中の微小領域に近接場光を照射して高密度な記録再生を実現できる。
【００２９】
また、光検出ユニットは、光記録媒体を挟んで近接場光プローブが配置される位置と反対側で光記録媒体からの透過光を検出する透過光検出ユニットであることにより、記録情報を反映した光成分だけを検出して良好な再生動作を実現できる。
【００３０】
更に、光記録媒体中における連続した一連の記録データが並ぶデータトラックの方向に対して近接場光プローブに入射させる光の偏光方向が所定の角度で傾いていることにより、良好な記録／再生動作が可能な高密度光メモリ装置を実現できる。
【００３１】
また、近接場光プローブを支持する第１のアームと透過光検出ユニットを支持する第２のアームが一体化構成されていることにより、近接場光プローブと透過光検出ユニットの位置決めを個別に行うような機構を設ける必要をなくし、部品点数の低減と低コスト化、小型化を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例に係る近接場光メモリ装置の構成を示す概略断面図である。
【図２】近接場光プローブの構成を示す概略断面図である。
【図３】近接場光プローブの先端開口近傍における電磁界強度の様子を示す図である。
【図４】近接場光プローブからの光記録媒体に電磁界強度の様子を示す図である。
【図５】近接場光プローブ側から見た記録層中における電磁場強度特性を示す図である。
【図６】近接場光プローブ側から見た記録層中における電磁場強度特性を示す図である。
【図７】光記録媒体中における記録マークの配列と図６のｂ，ｃ，ｄで示した部分との位置関係を示す図である。
【図８】別の発明の第１の実施例に係る光記録媒体の構成を示す断面図である。
【図９】別の発明の第２の実施例に係る光記録媒体の構成を示す断面図である。
【図１０】近接場光プローブのパッド部分が光記録媒体に接触した状態で光記録媒体上を摺動させる様子を示す概略断面図である。
【図１１】本発明の第２の実施例に係る近接場光メモリ装置の構成を示す概略断面図である。
【図１２】光記録媒体の層構成を示す断面図である。
【図１３】光記録媒体の別の層構成を示す断面図である。
【図１４】本発明の第３の実施例に係る近接場光メモリ装置の構成を示す概略断面図である。
【図１５】両面に記録層を有する光記録媒体の層構成を示す断面図である。
【図１６】金属層及びＩＴＯ層を有する光記録媒体の層構成を示す断面図である。
【図１７】従来の近接場光プローブの構成を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１０；近接場光メモリ装置、１１；半導体レーザ、１２；対物レンズ、
１３；ビームスプリッタ、１４，１６；対物レンズ、１５；近接場光プローブ、
１７；フォトダイオード、１８；アーム、１９；サスペンション、
２０；光記録媒体、２１；基板、２２；放熱層、２３；記録層、
２４；ギャップ層。
【図１】
2004178640.tif 000003
【図２】
2004178640.tif 000004
【図３】
2004178640.tif 000005
【図４】
2004178640.tif 000006
【図５】
2004178640.tif 000007
【図６】
2004178640.tif 000008
【図７】
2004178640.tif 000009
【図８】
2004178640.tif 000010
【図９】
2004178640.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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