(57)【要約】【課題】バルブ機構やバルブレス機構等での問題点を回避すると共に、複数種の反応ガスの切り替えを迅速に行う。【解決手段】ウエハＷを処理する処理室２０と、この処理室２０に一端が接続された原料ガス供給配管２１と、この原料ガス供給配管２１の他端に接続され、液体原料を気化する気化器２２と、この気化器２２へ供給する液体原料の供給量を制御する液体原料制御部２３とを備え、液体原料制御部２３を、液体原料を気化器２２へ吐出するスクリューフィーダ５０又はディスペンサ７０によって構成した基板処理装置を提供する。【選択図】　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
この処理室に一端が接続された原料ガス供給配管と、
この原料ガス供給配管の他端に接続され、液体原料を気化する気化器と、
この気化器へ供給する液体原料の供給量を制御する液体原料制御部と、を備え、
前記液体原料制御部が、前記液体原料を前記気化器へ吐出するスクリューフィーダ又はディスペンサを有してなることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
スクリューフィーダ又はディスペンサにより液体原料を気化器へ供給する工程と、
供給した液体原料を前記気化器で気化することにより、原料ガスを生成する工程と、
生成した原料ガスを基板へ供給することにより、該基板を処理する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法と、その方法の実施に使用する基板処理装置とに関し、特に液体原料を気化させて生成した原料ガスを用いる技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、成膜温度の低温化に伴い、熱分解によるＣＶＤ膜形成からＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：原子層成膜）のように１層づつ成膜を行う方法が採用されてきた。原子層成膜を行う場合等には、ＣＶＤ膜を１層形成する毎に反応ガスを切り替える必要がある。
【０００３】
反応ガスの切り替えを行うものとして、バルブ機構が知られている。図３は、バルブ機構によって、２種類の反応ガスＡ，Ｂを交互に処理室７へ流す例を示す。
〔反応ガスＡ供給工程〕
反応ガスＡは、バルブ１，３が閉、かつバルブ２が開となる条件で処理室７へ流れる。このとき、バルブ４が開、バルブ５が閉とされることにより、反応ガスＢはベント側に流れる。更にこのとき、バルブ６が開とされることにより、反応ガスＢの供給ラインからは、Ｎ２ガスが処理室７へ流される。
〔反応ガスＢ供給工程〕
一方、反応ガスＢは、バルブ４，６が閉、かつバルブ５が開となる条件で処理室７へ流れる。このとき、バルブ１が開、バルブ２が閉とされることにより、反応ガスＡはベント側に流れる。更にこのとき、バルブ３が開とされることにより、反応ガスＡの供給ラインからは、Ｎ２ガスが処理室７へ流される。尚、反応ガスＡ，Ｂの供給量はそれぞれバルブ２，５の開度によって制御することもできる。
【０００４】
図４には、反応ガスＡ，Ｂ、及びＮ２ガス供給のタイミングチャートを示している。まず反応ガスＡ供給工程において、反応ガスＡが処理室７へ導入される（▲１▼）。次いで、Ｎ２ガスによって処理室７がパージされる（▲２▼）。次いで、反応ガスＢ供給工程において反応ガスＢが処理室７へ導入される（▲３▼）。次いで、再びＮ２ガスによって処理室７がパージされる（▲４▼）。これら▲１▼〜▲４▼の４つの工程を１サイクルとして、各ガスの導入が繰り返される。
【０００５】
また、反応ガスの切り替えを行うものとして、バルブレス機構も知られている。これは、各ガスのＯＮ／ＯＦＦを、バルブを用いずに、Ｎ２ガスの流量によって行うようにしたものである。一例として、反応ガスＡのＯＮ／ＯＦＦを、バルブレス機構を用いて行うようにしたものを図５に示す。
図５において、第１のＮ２ガス導入部８より導入されたＮ２ガスは、ＭＦＣ（マスフローコントローラ）９を介して、ベントライン１０及び主供給管１１へ流れる。反応ガス導入部１２より導入された反応ガスＡは、主供給管１１を通って処理室７へ流れる。第２のＮ２ガス導入部１３より導入されたＮ２ガスは、ＭＦＣ１４を介して主供給管１１へ流れる。但し、該Ｎ２ガスは、反応ガスＡの流れに逆らう方向に主供給管１１内へ導入される。
【０００６】
そして図５（ａ）に示すように、反応ガスＡを処理室７へ導入したいときには、ＭＦＣ１４における流量を所定以下にする。これにより、反応ガスＡが、主供給管１１内へ導入されたＮ２ガスの流上に打ち勝って、該主供給管１１を流下して処理室７へ至る。またこのとき、ＭＦＣ９における流量を適値とすることにより、主供給管１１を流れる反応ガスＡがベント１０側へ逃げるのを防止する。
一方、図５（ｂ）に示すように、反応ガスＡを処理室７へ導入しないときには、ＭＦＣ１４における流量を所定以上にする。これにより、当該ＭＦＣ１４を介して主供給管１１内へ導入されるＮ２ガスの流上によって、主供給管１１内の反応ガスＡの流下が妨げられる。従って、該反応ガスＡは処理室７へ流れずにベント１０側へ逃げる。このとき、ＭＦＣ９における流量を所定流量以下とすることにより、反応ガスＡがベント１０側へ流れるのを妨げないようにする。
そこで、図５（ａ）の状態と、図５（ｂ）の状態とを交互に繰り返すことにより、反応ガスＡを間欠的に処理室７へ導入できる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従来技術には、次のような問題点があった。即ち、バルブ機構を用いる場合には、バルブ１〜６の各々を開閉する回数は、例えば処理室７内で５０ｎｍの成膜処理を行おうとすると、約５００回にもなる。従って、バルブ１〜６の各々にかかる負荷は大きく、これらバルブの寿命が数ヶ月で尽きてしまう問題がある。しかも、バルブの交換に要する経費も高く、原子層成膜の大きな障害となっている。
【０００８】
一方、バルブレス機構を用いる場合には、バルブに起因する問題点は回避できるものの、反応ガスの供給量の制御は困難であると共に、反応ガスとＮ２ガスとの圧力バランスが崩れると、シール機能が失われてしまう問題がある。具体的には、例えば図５（ｂ）において、ＭＦＣ１４における流量が小さすぎると、本来なら処理室７へ流れるべきでない反応ガスＡが処理室７へ漏れてしまうことになる。また、バルブレス機構を用いて、複数種の反応ガスの切り替えを行う場合には、該切り替え時に、反応ガスどうしの混合が避けられないという問題がある。
【０００９】
また、上記の如く膜を１層形成するごとに反応ガスを切り替える方式においては、その処理効率をできるだけ向上させるために、いかに短時間で反応ガスを切り替えるかが重要な課題となっている。具体的には、例えば原子層成膜を行う場合、図４において、１サイクルあたりの時間（ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４）は４秒以下、各工程の時間（ｎ１，ｎ２，ｎ３，ｎ４）は１秒以下であることが要求される。
【００１０】
本発明の目的は、上記バルブ機構やバルブレス機構等での問題点を回避すると共に、複数種の反応ガスの切り替えを迅速に行える技術を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の態様によれば、基板を処理する処理室と、この処理室に一端が接続された原料ガス供給配管と、この原料ガス供給配管の他端に接続され、液体原料を気化する気化器と、この気化器へ供給する液体原料の供給量を制御する液体原料制御部とを備え、前記液体原料制御部が前記液体原料を前記気化器へ吐出するスクリューフィーダ又はディスペンサを有してなることを特徴とする基板処理装置が提供される。基板としては、シリコンウエハ等の半導体基板やガラス基板等が挙げられる。
【００１２】
第１の態様では、液体原料が気化器で気化されることにより原料ガスが生成される。処理室への原料ガスの供給／停止は、スクリューフィーダ又はディスペンサを駆動／停止することで実現できる。原料ガスの供給量は、スクリューフィーダ又はディスペンサの単位時間あたりの駆動率で制御できる。スクリューフィーダ又はディスペンサを停止すれば、液体原料の供給が停止し、原料ガスの生成も停止するから、原料ガスが処理室へ漏れることはなく、シール機能を保ったまま、処理室へ供給するガスをただちに別のガスに切り替えることができる。
【００１３】
本発明の第２の態様によれば、基板を処理する処理室と、この処理室に一端が接続された原料ガス供給配管と、この原料ガス供給配管の他端に接続され、液体原料を気化する気化器と、この気化器へ供給する液体原料の供給量を制御する液体原料制御部とを備え、前記液体原料制御部が、前記液体原料を所定量ごとにパルス的に前記気化器へ吐出する吐出手段を有してなることを特徴とする基板処理装置も提供される。前記吐出手段は、スクリューフィーダ又はディスペンサによって構成できる。
【００１４】
第２の態様では、原料ガスの処理室への供給量は、吐出手段による１回の吐出あたりの液体原料の供給量と、単位時間あたりの吐出回数とで決定できる。このようにして、バルブの開度によらずに、原料ガスの供給量を調整できる。吐出手段による液体原料の吐出動作を停止すれば、原料ガスの生成も停止するから、原料ガスが処理室へ漏洩することはなく、シール機能を保ったまま、処理室へ供給するガスをただちに別のガスに切り替えることができる。
【００１５】
本発明の第３の態様によれば、基板を処理する処理室と、この処理室に一端が接続された原料ガス供給配管と、この原料ガス供給配管の他端に接続され、液体原料を気化する気化器とを備え、前記気化器には、該気化器へ液体原料を供給する液体原料供給部が複数接続されている基板処理装置であって、前記各液体原料供給部を、前記液体原料を前記気化器へ吐出するスクリューフィーダ又はディスペンサを用いて構成したことを特徴とする基板処理装置も提供される。
【００１６】
第３の態様では、気化器に供給する液体原料の切り替えを、各液体原料供給部を構成するスクリューフィーダ又はディスペンサを駆動／停止することにより、迅速に行える。この場合において、液体原料を吐出していない液体原料供給部からは、気化器へ不活性ガスを供給するのが好ましい。
【００１７】
本発明の第４の態様によれば、スクリューフィーダ又はディスペンサにより液体原料を気化器へ供給する工程と、供給した液体原料を前記気化器で気化することにより、原料ガスを生成する工程と、生成した原料ガスを基板へ供給することにより、該基板を処理する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法も提供される。
【００１８】
本発明の第５の態様によれば、液体原料を気化器へ供給する液体原料供給工程と、供給した液体原料を前記気化器で気化することにより、原料ガスを生成する原料ガス生成工程と、生成した原料ガスを基板に供給することにより、該基板を処理する処理工程と、を有し、前記液体原料供給工程では、前記液体原料を所定量ごとにパルス的に前記気化器へ供給することを特徴とする半導体装置の製造方法も提供される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
図１は、実施の形態による基板処理装置を示す。これは、枚葉式のＣＶＤ装置である。この基板処理装置は、ウエハＷを処理する処理室２０と、この処理室２０に一端が接続された原料ガス供給配管２１と、この原料ガス供給配管２１の他端に接続され、液体原料を気化する気化器２２と、この気化器２２へ供給する液体原料の供給量を制御する液体原料制御部２３とを備える。そして、この基板処理装置は、液体原料制御部２３が、液体原料を気化器２２へ吐出するスクリューフィーダ（図２（ａ）参照）５０を有してなることを最大の特徴としている。
【００２０】
処理室２０内には、ヒータ２４が設けられている。ヒータ２４の上には、サセプタ２５が配置されており、該サセプタ２５上にウエハＷが載置される。ウエハＷは、ヒータ２４によって所定温度に加熱される。処理室２０の外には、回転ユニット２６が設けられている。回転ユニット２６によってヒータ２４が回転されることにより、該ヒータ２４上のサセプタ２５及びウエハＷが回転する。
【００２１】
処理室２０内において、サセプタ２５の上方には、多数の孔２７１，２７１…を有するシャワーヘッド２７が設けられている。シャワーヘッド２７は、仕切板２８によって、成膜シャワーヘッド部２７ａと、ラジカルシャワーヘッド部２７ｂとに区画されている。成膜シャワーヘッド部２７ａには、不活性ガス及び／又は原料ガスを供給する原料ガス供給配管２１が接続されている。ラジカルシャワーヘッド部２７ｂには、後述するラジカル供給配管３４が接続されている。
一方、処理室２０内の所定位置には、該処理室２０内を排気する排気口２９が形成されている。排気口２９には、排気管３０が接続され、該排気管３０には原料回収トラップ３１が設けられている。
【００２２】
また処理室２０の外には、ラジカルを発生させるラジカル発生ユニット３２が設けられている。ラジカル発生ユニット３２には、該ラジカル発生ユニット３２によって発生したラジカルが通る管が接続されている。その管は、下流に向い途中で二股に分岐しており、分岐した一方の管は、バルブ３３を介してラジカルシャワーヘッド部２７ｂに接続されたラジカル供給配管３４となっており、他方の管はバルブ３５を介して原料回収トラップ３１に接続されたバイパス配管３６となっている。
【００２３】
一端が処理室２０の成膜シャワーヘッド部２７ａに接続された原料ガス供給配管２１の他端には、気化器２２が接続されている。尚、原料ガス供給配管２１には、全長にわたって配管ヒータを敷設することもできる。気化器２２は、気化室を構成するチャンバ２２ａと、該チャンバ２２ａの内壁を加熱するヒータ２２ｂとを備える。
【００２４】
チャンバ２２ａには、導出口３６と導入口３７とが形成されている。導出口３６には、原料ガス供給配管２１が接続されている。一方、導入口３７には、液体原料導入管３８と、不活性ガス導入管３９とが接続されている。これら管３８，３９の導入口３７への接続部分は、不活性ガス導入管３９を外管とし、液体原料導入管３８を内管とする二重管構造になっている。また、液体原料導入管３８の先端は、噴霧ノズル３８ａとなっている。
【００２５】
一端が導入口３７に接続された液体原料導入管３８の他端には、液体原料制御部２３が接続されている。また、一端が導入口３７に接続された不活性ガス導入管３９の他端側は、バルブ４０を介して不活性ガス供給ユニット４１に接続されている。不活性ガス供給ユニット４１は、不活性ガスとしてのＮ２ガスを供給するものである。尚、不活性ガスとしてはＡｒ，Ｈｅ等を用いることもできる。
【００２６】
次に、液体原料制御部２３の構成について図２を参照して説明する。図２（ａ）は、液体原料制御部２３の要部構成を示す。液体原料制御部２３は、スクリューフィーダ５０と制御部６０とを備える。スクリューフィーダ５０は、一端が液体原料の投入部５１とされ、他端が液体原料の吐出部５２とされた円筒状のケーシング５３と、この円筒状ケーシング５３内の筒心部に延在する回転軸５４と、この回転軸５４に螺旋状に装着され、該回転軸５４と一体に回転するスクリュー羽５５とを備える。スクリュー羽５５とケーシング５３の内周壁とは、気密に接していて、スクリュー羽５５とケーシング５３の間に導入された液体原料が、回転軸５４の回転に伴って吐出部５２側へ順次送出されてゆくようになっている。尚、吐出部５２はノズル３８ａに接続される。
【００２７】
制御部６０は、回転軸５４の回転数によって、液体原料の供給量を調整する。ここで制御部６０は、回転軸５４の回転数をパルス制御することもできる。この場合、１パルスあたりのスクリュー羽５５の回転ピッチ数をｎとすると、ｎピッチにわたるスクリュー羽５５とケーシング５３との間の空間Ｓに、１ショット分の液体原料が気密に保持されていることになる。そして、制御部６０によるパルス制御によって、液体原料を、所定量（１ショット分の液体原料）ごとに、パルス的に気化器２２へ吐出させることができる。従って、この場合、原料ガスの処理室２０への供給量は、１ショット分の液体原料の量と、単位時間あたりの吐出回数（回転軸５４の回転数）とで決定できる。
【００２８】
尚、液体原料制御部２３は、図２（ｂ）に示すように、ディスペンサ７０と制御部８０とによっても構成できる。ディスペンサ７０は、液体原料の投入口７１と吐出口７２とが形成され、１ショット分の液体原料が充填される充填部Ｓを有するシリンジ７３と、このシリンジ７３の充填部Ｓに充填された１ショット分の液体原料を吐出口７２から吐出させるピストン７４とを備える。尚、吐出部７２はノズル３８ａに接続される。
【００２９】
図２（ｂ）は、ピストン７４が上死点に位置する状態を示す。ピストン７４が下死点に位置したときには、該ピストン７４によって投入口７１が閉塞される。つまり、ピストン７４が上死点に位置するときに、投入口７１から液体原料が供給されて、充填部Ｓに１ショット分の液体原料が充填される。次いで、ピストン７４が下死点へ下降することにより、充填部Ｓに充填されていた液体原料が吐出口７２から押し出される。このような動作が繰り返される。
制御部８０は、ピストン７４の動作回数によって、液体原料の供給量を調整する。
この場合も、制御部８０によって、液体原料を、所定量（１ショット分の液体原料）ごとに、パルス的に気化器２２へ吐出させることができる。
【００３０】
以下、半導体デバイス製造工程の一工程として本基板処理装置を用いて、例えばＨｆＯ２膜をＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成するプロセスにつき説明する。
前提として、バルブ３３は閉とされ、バルブ３５は開とされているものとする。まず、バルブ４０を開にして、不活性ガス供給ユニット４１からのＮ２ガスのみを所定期間、処理室２０内に流す。その後、ウエハＷをサセプタ２５上に載置し、次いで該ウエハＷを回転ユニット２６で回転させながら、ヒータ２４で所定の成膜温度（例えば３５０〜５００℃）に加熱する。
【００３１】
〔原料供給工程〕
次いで、バルブ４０は開にしままで、液体原料制御部２３から液体原料を気化器２２へ供給する。具体的には、スクリューフィーダ５０又はディスペンサを駆動する。すると、液体原料制御部２３から吐出された液体原料は、噴霧ノズル３８ａから噴霧され、かつ周囲のキャリアガスたる不活性ガス（ここではＮ２ガス）で攪拌されて、気化器２１内で瞬時に気化する。これにより、原料ガスが生成される。このとき気化器２１は、例えば１５０℃〜２５０℃に加熱されている。ここでは液体原料として、Ｈｆ（ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＯＣＨ３）４を用いることができる。
【００３２】
生成された原料ガスは、成膜シャワーヘッド部２７ａからウエハＷ上にシャワー状に供給される。該原料ガスは、例えば０．１ｇ／ｍｉｎの割合で、約１０秒間供給する。
尚、この原料供給工程、及び後述するＲＰＯ処理工程の間、バルブ４０は開けたままにして、Ｎ２ガスを常に流しておく。
【００３３】
〔第１のＮ２供給工程〕
次いで、液体原料制御部２３における液体原料の供給を停止する。具体的には、スクリューフィーダ５０又はディスペンサの駆動を停止する。これにより、不活性ガス供給ユニット４１から供給されたＮ２ガスのみが、気化器２１及び原料ガス供給配管２１を経由して、処理室２０へ供給される。これにより、処理室２０内がパージされる。
【００３４】
〔ＲＰＯ処理工程〕
次いで、ＲＰＯ（Ｒｅｍｏｔｅ　Ｐｌａｓｍａ　Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）処理を行う。ＲＰＯ処理とは、酸素含有ガス（例えばＯ２，Ｎ２，Ｏ，ＮＯ）をプラズマによって分解した酸素ラジカル雰囲気中で、膜を酸化させる処理をいう。具体的には、まずバルブ３３を開にする一方、バルブ３５を閉にする。これにより、ラジカル発生ユニット３２で発生した酸素ラジカルが、ラジカルシャワーヘッド部２７ｂからウエハＷ上にシャワー状に供給される。酸素ラジカルの供給は、例えば１５秒間行う。
【００３５】
酸素ラジカルが、ウエハＷ上に付着している未反応のままの原料ガスに供給されることにより、強制的にＨｆＯ２膜を形成する反応が起きる。そのため、ウエハＷ上にＨｆＯ２膜が数〜数十Åだけ堆積する。
【００３６】
〔第２のＮ２供給工程〕
次いで、バルブ３３を閉にする一方、バルブ３５を開とする。これにより、ラジカル発生ユニット３２において発生した酸素ラジカルは、処理室２０内を介さずにバイパス配管３６を介して原料回収トラップ３１へ排気される。このようにして、基板Ｗの処理中は、ラジカル発生ユニット３２におけるラジカルの発生を停止させることなく、常に流し続けることができる。
このとき、不活性ガス供給ユニット４１から供給されたＮ２ガスのみが、気化器２１及び原料ガス供給配管２１を経由して、処理室２０へ供給される。これにより、処理室２０内がパージされる。
【００３７】
以上説明した原料供給工程〜第２のＮ２供給工程を繰り返し行うことにより、所望厚みのＨｆＯ２膜を形成できる。
【００３８】
本実施の形態では、液体原料を気化器へ供給する液体原料供給系を有する基板処理装置において、該液体原料の供給をスクリューフィーダ５０又はディスペンサ７０によって行うようにしたから、次のような効果が得られる。
（１）処理室２０への原料ガスの供給／停止は、バルブや不活性ガスの流量制御等によらずに、スクリューフィーダ５０又はディスペンサ７０を駆動／停止するだけで迅速かつ容易に行える。
（２）原料ガスの供給量は、バルブの開度等によらずに、スクリューフィーダ５０又はディスペンサ７０の単位時間あたりの駆動率で容易に制御できる。以上（１），（２）のように、バルブ機構やバルブレス機構を用いる必要がないから、これらの問題点を回避できる。
（３）スクリューフィーダ５０又はディスペンサ７０を停止すれば、液体原料の供給が停止し、原料ガスの生成も停止するから、原料ガスが処理室２０へ漏れることはなく、シール機能を保ったまま、処理室２０へ供給するガスを酸素ラジカルにただちに切り替えることができる。これにより、成膜処理のスループットを向上できる。
【００３９】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、２種類の液体原料ＬＡ，ＬＢを、それぞれ個別の液体原料供給部Ａ，Ｂから交互に気化器へ供給する場合にも本発明を適用できる。即ち、この場合も双方の液体原料供給部Ａ，Ｂをそれぞれスクリューフィーダ５０又はディスペンサ７０を用いて構成すれば、各液体原料供給部Ａ，Ｂを構成するスクリューフィーダ又はディスペンサを同期させて駆動／停止することにより、双方の液体原料が気化器で混合されることなくシール機能を良好に保ったまま、該気化器に供給する液体原料の切り替えを迅速に行える。
【００４０】
またこの場合において、液体原料を吐出していない方の液体原料供給部からは、気化器へ不活性ガス（パージガス、キャリアガス）を供給するのが好ましい。即ち、一方の液体原料供給部Ａ（Ｂ）から反応室へ液体原料が供給されているときは、他方の液体原料供給部Ｂ（Ａ）からは、気化器へパージガスを流すのが好ましい。そうすれば、気化器において気化した液体原料ＬＡ（ＬＢ）のガスが、液体原料供給部Ｂ（Ａ）へ流入するのを防止できる。
【００４１】
また、液体原料としては、Ｈｆ（ＯＣ（ＣＨ３）３）４、Ｈｆ（Ｏ−Ｓｉ−（ＣＨ３））４、ＨｆＯ２を成膜するためのＨｆ（ＯＣ４Ｈ９）４（テトラ・ブトキシ・ハウフニウム）、Ｔａ２Ｏ５を成膜するためのＴａ（ＯＣ２Ｈ５）５（ペンタ・エトキシ・タンタル）、ＮｂＯ５（五酸化ニオブ）を成膜するためのＮｂ（ＯＣ２Ｈ５）５（ペンタ・エトキシ・ニオブ）、ＴｉＯｘ（チタンオキサイド）を成膜するためのＴｉ（ＯＣ３Ｈ７）４（テトラ・イソプロピル・チタン）、ＺｒＯ２（二酸化ジルコニウム）を成膜するためのＺｒ（ＯＣ４Ｈ９）４（テトラ・ブトキシ・ジルコニウム）等を用いることもできる。
【００４２】
【発明の効果】
本発明によれば、バルブ機構やバルブレス機構等での問題点を回避できると共に、複数種の反応ガスの切り替えを迅速に行えるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態による基板処理装置の構成を示す図である。
【図２】実施の形態における液体原料制御部の要部構成を示す図で、（ａ）はスクリューフィーダを例示し、（ｂ）はディスペンサを例示したものである。
【図３】従来のバルブ機構を説明するための模式図である。
【図４】従来のバルブ機構における各ガスのタイミングチャートを示した図である。
【図５】従来のバルブレス機構を説明するための模式図である。
【符号の説明】
２０…処理室、２１…原料ガス供給配管、２２…気化器、２３…液体原料制御部（液体原料供給部）、５０…スクリューフィーダ（吐出手段）、７０…ディスペンサ（吐出手段）、Ｗ…ウエハ（基板）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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