(57)【要約】【課題】垂直磁気記録媒体およびその製造方法、並びにパターンド媒体およびその製造方法に関し、媒体の熱安定性を損なうことなく、耐食性の向上、記録分解能の向上、長寿命化、高記録密度化を図ること。【解決手段】垂直記録媒体は、非磁性基体１上に軟磁性裏打ち層２、下地層３、磁気記録層４、非磁性オーバーコート層５、保護膜６、液体潤滑層７を順次積層されてなり、磁気記録層４は、希土類−遷移金属アモルファス薄膜からなる。非磁性オーバーコート層５は、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｍｏからなる群から選択された金属と、これらのうちから選択された２種類以上の材料を含んだ合金とからなる。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基体上に軟磁性裏打ち層、下地層、磁気記録層、非磁性オーバーコート層、保護膜、液体潤滑層を順次積層されてなる垂直記録媒体であって、
前記磁気記録層は、希土類−遷移金属アモルファス薄膜からなることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１において、
前記非磁性オーバーコート層は、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｍｏからなる群から選択された金属と、これらのうちから選択された２種類以上の材料を含んだ合金とからなることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記磁気記録層の磁化反転単位は、前記非磁性オーバーコート層により微細化されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
垂直磁気記録媒体の磁気記録層が規則的で微細なパターンによって磁気的に分離されてなるパターンド媒体において、
前記磁気記録層は、希土類−遷移金属アモルファス材料からなることを特徴とするパターンド媒体。
【請求項５】
請求項４において、
前記磁気記録層上に非磁性オーバーコート層を、前記非磁性オーバーコート層上に保護膜を積層されてなることを特徴とするパターンド媒体。
【請求項６】
請求項４または５において、
前記オーバーコート層は、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｍｏからなる群から選択される金属、これらのうちから選択された２種類以上の材料を含んだ合金とからなることを特徴とするパターンド媒体。
【請求項７】
非磁性基体上に軟磁性裏打ち層、下地層、磁気記録層、非磁性オーバーコート層、保護膜、液体潤滑層を順次積層する垂直記録媒体の製造方法であって、
希土類−遷移金属アモルファス薄膜を使用して前記磁気記録層を形成することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｍｏからなる群から選択された金属と、これらのうちから選択された２種類以上の材料を含んだ合金とを使用して、前記非磁性オーバーコート層を形成することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
請求項７または８において、
前記非磁性オーバーコート層を形成することにより前記磁気記録層の磁化反転単位を微細化することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
垂直磁気記録媒体の磁気記録層を規則的で微細なパターンによって磁気的に分離して形成するパターンド媒体の製造方法において、
希土類−遷移金属アモルファス材料を使用して前記磁気記録層を形成することを特徴とするパターンド媒体の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記磁気記録層上に非磁性オーバーコート層を形成し、前記非磁性オーバーコート層上に保護膜を形成することを特徴とするパターンド媒体の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０または１１において、
Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｍｏからなる群から選択された金属と、これらのうちから選択された２種類以上の材料を含んだ合金とを使用して、前記オーバーコート層を形成することを特徴とするパターンド媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は垂直磁気記録媒体およびその製造方法、並びにパターンド媒体およびその製造方法に関し、特に、各種磁気記録装置に搭載される垂直磁気記録媒体およびその製造方法、並びにパターンド媒体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気記録の高密度化を実現する技術として、従来の長手磁気記録方式に代えて、垂直磁気記録方式が注目されつつある。
【０００３】
垂直磁気記録媒体は主に、硬質磁性材料の磁気記録層と、磁気記録層の表面を保護する保護膜、そしてこの記録層への記録に用いられる磁気ヘッドが発生する磁束を集中させる役割を担う軟磁性材料の裏打ち層から構成される。近年記録密度が上昇するにつれ、熱揺らぎによる記録消失の問題が顕在化しているが、垂直記録媒体では高密度になるほどビットの安定性が増すため、熱揺らぎについては長手磁気記録方式ほど問題にならないと考えられていた。
【０００４】
しかし、今後磁気記録層の薄膜化が進むことが考えられる上、サーボパターンのような低密度の記録に対する安定性も求められることから、最近では垂直記録媒体においても熱安定性の向上が重要な課題となっている。このような背景から、従来用いられてきた磁気記録層材料である、ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔＢなどの結晶質のＣｏＣｒ合金に代わる熱安定性に優れた新たな材料が探索され始めている。
【０００５】
媒体の熱安定性は磁気記録層の一軸異方性定数（以下、Ｋｕ）に比例することから、熱安定性を向上させるにはＫｕを高くすれば良い。最近行われている高Ｋｕ化へのアプローチとして具体例を挙げると、Ｃｏ／ＰｔやＣｏ／Ｐｄ等の多層積層膜、ＣｏＰｔやＦｅＰｔ等の規則格子などがある。
【０００６】
しかし、例えばＣｏ／Ｐｔ多層積層膜ではＣｏとＰｔの薄膜を交互に数層（例えば２０層程度）積層する必要があるため量産が難しく、また規則格子では規則化のために４５０℃以上で数１０秒〜数分の熱処理が必要であり、量産化のためには熱処理温度を下げて熱処理時間を短くする必要があるなど、何れも問題を抱えているというのが実情である。
【０００７】
このような中で、光磁気ディスクの磁気記録層に使用されている、ＴｂＦｅＣｏに代表される希土類−遷移金属（以下、ＲＥ−ＴＭ）アモルファス薄膜をハードディスクの磁気記録層として使用することが検討され始めている。ＲＥ−ＴＭアモルファス薄膜は、▲１▼高いＫｕを持つ、▲２▼磁気特性の制御が容易、▲３▼室温で成膜可能、などの特徴を持ち、垂直磁気記録媒体への応用は１９８０年代から検討されていた。
【０００８】
一方、垂直磁気記録媒体よりも更に高密度化を狙う技術としてパターンド媒体がある。これは、磁気記録層に規則的に微細なパターンを施すもので、磁気的に分離されたｂｉｔを規則的に配置することで、超高密度記録を達成しようという試みである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ＲＥ−ＴＭアモルファス材料は耐食性に欠け、保護膜を厚くしないと特性劣化を防止できないため、媒体−ヘッド間距離を狭めることが出来ず、当初は十分な記録／再生性能は得られていなかった。またＲＥ−ＴＭアモルファス材料は磁壁移動型の磁化反転をするため、磁化回転型の磁化反転をするＣｏＣｒ合金などと比べて磁化反転単位を小さくすることが難しく、そのため記録分解能を高くすることができないという問題点もあった。
【００１０】
これに対し、記録ヘッドや保護膜の進歩および層構成の工夫により、最近ではＴｂＦｅＣｏを用いて４００ｋＦＣｌ程度の記録／再生特性を実現したとの報告もあり（Ｋ．Ｏｚａｋｉ，Ｋ．Ｍａｔｓｕｍｏｔｏ，Ｉ．Ｔａｇａｗａ　ａｎｄＫ．Ｓｈｏｎｏ．Ｊ．Ｍａｇｎ．Ｓｏｃ．Ｊａｐａｎ，２５（２００１）ｐ３２２）、ＲＥ−ＴＭアモルファス薄膜を用いた垂直磁気記録媒体が現実味を帯びてきている。このように着実な進歩は見られるものの、耐食性、記録／再生特性とも十分であるとは言えず、実用化のためには更なる耐食性および記録／再生特性の向上が必要であるというのが現状である。
【００１１】
一方、パターンド媒体の手法を用いれば、ＲＥ−ＴＭアモルファス薄膜のような磁壁移動型の膜でも、ｂｉｔを物理的に分離することで記録分解能を高めることが可能であると考えられるが、この場合も耐食性の改善が大きな課題となる。
【００１２】
本発明の課題は、ＲＥ−ＴＭアモルファス薄膜を磁気記録層とする垂直磁気記録媒体およびパターンド媒体において、媒体の熱安定性を損なうことなく、▲１▼耐食性を向上させ、同時に▲２▼媒体の記録分解能を向上させることにより、長寿命化、高記録密度化といった媒体性能の向上を実現することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
磁気記録媒体の保護膜には通常カーボンが用いられている。磁気記録装置の記録／再生性能を向上させるためには磁気記録媒体と記録／再生ヘッドとの距離を出来る限り近づけることが必要であり、そのため保護膜であるカーボンも出来る限り薄くすることが求められている。最近では６ｎｍ程度の膜厚のカーボンが保護膜として用いられているが、このように薄いカーボンではＲＥ−ＴＭアモルファス薄膜の腐食による劣化を防止できないことが問題となっていた。
【００１４】
また、一般に垂直記録媒体の磁気記録層としてよく用いられるＣｏＣｒＰｔ等の合金材料の磁化反転機構が磁化回転型であるのに対し、ＲＥ−ＴＭアモルファス薄膜の磁化反転機構は磁壁移動が支配的であるため、低ノイズ化や記録分解能向上を成したい場合のアプローチ方法が異なる。媒体の低ノイズ化や記録分解能向上のためには磁化反転単位を小さくすることが有効である。ＣｏＣｒＰｔ等の合金材料では個々の結晶粒子が単磁区構造をとるため、結晶粒径を微細化することで磁化反転単位を小さくできるのに対し、ＲＥ−ＴＭアモルファス薄膜では、磁化反転単位を小さくするためには膜中にＰｉｎｎｉｎｇ　ｓｉｔｅ（磁壁をピン止めする場所）を多く導入する必要がある。そこで、Ｐｉｎｎｉｎｇ　ｓｉｔｅ導入を目指し、これまで主に添加物を加える検討が行われてきたが、添加物が膜中の主成分と固溶してしまいＰｉｎｎｉｎｇ　ｓｉｔｅを形成できなかったり、うまくＰｉｎｎｉｎｇ　ｓｉｔｅを形成できても添加物が原因で膜のＫｕが低下し、熱安定性が損なわれてしまうなど、熱安定性を維持しながらＰｉｎｎｉｎｇ　ｓｉｔｅを導入することは非常に困難であった。
【００１５】
上記の問題に対し、本発明者らは、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｍｏからなる群から選択される金属、およびこれらのうち２種類以上を選択して作製した合金からなる薄膜をＲＥ−ＴＭアモルファス薄膜上に形成し、更にその上に媒体で通常用いられるカーボン等の保護膜を形成することで、ＲＥ−ＴＭアモルファス薄膜の腐食を防止し、同時に熱安定性を損なわずにＰｉｎｎｉｎｇ　ｓｉｔｅを導入できることを見出した。
【００１６】
上記の知見に基づいて本出願人は、本発明の一態様において、非磁性基体上に軟磁性裏打ち層、下地層、磁気記録層、非磁性オーバーコート層、保護膜、液体潤滑層を順次積層されてなる垂直記録媒体であって、前記磁気記録層は、希土類−遷移金属アモルファス薄膜からなる形態の垂直磁気記録媒体を実施することで上記の目的を達成した。
【００１７】
ここで、前記非磁性オーバーコート層は、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｍｏからなる群から選択された金属と、これらのうちから選択された２種類以上の材料を含んだ合金とからなる形態とすることができる。あるいは、前記磁気記録層の磁化反転単位は、前記非磁性オーバーコート層により微細化されている形態とすることができる。
【００１８】
また他の態様において、垂直磁気記録媒体の磁気記録層が規則的で微細なパターンによって磁気的に分離されてなるパターンド媒体において、前記磁気記録層は、希土類−遷移金属アモルファス材料からなる形態のパターンド媒体を実施した。
【００１９】
ここで、前記磁気記録層上に非磁性オーバーコート層を、前記非磁性オーバーコート層上に保護膜を積層されてなる形態とすることができる。あるいは、前記オーバーコート層は、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｍｏからなる群から選択される金属、これらのうちから選択された２種類以上の材料を含んだ合金とからなる形態とすることができる。
【００２０】
また他の態様において、非磁性基体上に軟磁性裏打ち層、下地層、磁気記録層、非磁性オーバーコート層、保護膜、液体潤滑層を順次積層する垂直記録媒体の製造方法であって、希土類−遷移金属アモルファス薄膜を使用して前記磁気記録層を形成する形態の垂直磁気記録媒体の製造方法を実施した。
【００２１】
ここで、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｍｏからなる群から選択された金属と、これらのうちから選択された２種類以上の材料を含んだ合金とを使用して、前記非磁性オーバーコート層を形成する形態とすることができる。あるいは、前記非磁性オーバーコート層を形成することにより前記磁気記録層の磁化反転単位を微細化する形態とすることができる。
【００２２】
また他の態様において、垂直磁気記録媒体の磁気記録層を規則的で微細なパターンによって磁気的に分離して形成するパターンド媒体の製造方法において、希土類−遷移金属アモルファス材料を使用して前記磁気記録層を形成する形態のパターンド媒体の製造方法を実施した。
【００２３】
ここで、前記磁気記録層上に非磁性オーバーコート層を形成し、前記非磁性オーバーコート層上に保護膜を形成する形態とすることができる。あるいは、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｍｏからなる群から選択された金属と、これらのうちから選択された２種類以上の材料を含んだ合金とを使用して、前記オーバーコート層を形成する形態とすることができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい形態について説明する。図１は本発明に係る垂直磁気記録媒体媒体の断面模式図である。本発明に係る垂直単層磁気記録媒体は、非磁性基体１と、非磁性基体１の上に設けられた軟磁性裏打ち層２と、軟磁性裏打ち層２の上に設けられた下地層３と、下地層３の上に設けられた磁気記録層４と、磁気記録層４の上に設けられたオーバーコート膜５と、オーバーコート膜５の上に設けられた保護膜６と、保護膜６の上に設けられた液体潤滑層７とから構成される。
【００２５】
非磁性基体１としては表面が平滑である様々な基体であってよく、例えば、磁気記録媒体用に用いられる、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金や強化ガラス、結晶化ガラス等を用いることができる。
【００２６】
軟磁性裏打ち層２としては、結晶のＦｅＴａＣ、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金等、また非晶質のＣｏ合金であるＣｏＺｒＮｂ，ＣｏＴａＺｒなどを用いることができる。軟磁性裏打ち層２の膜厚は、記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性によって最適値が変化するが、慨ね１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下程度であることが、生産性との兼ね合いから望ましい。
【００２７】
下地層３は、表面に微細な凹凸を有する様々な材料を用いることができ、例えば、Ｔａ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，ＳｉＯ２，ＡｌＮ，ＳｉＣなどが挙げられるが、これらの材料に限定されるものではない。
【００２８】
磁気記録層４としては、希土類と遷移金属を含む様々なアモルファス材料を用いることができ、例えば、ＴｂＣｏ，ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＦｅ，ＧｄＴｂＦｅなどが挙げられるが、これらの材料に限定されるものではない。
【００２９】
オーバーコート膜５としては、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｍｏからなる群から選択される金属、およびこれらのうち２種類以上を選択して作製した合金からなる薄膜が用いられる。オーバーコート膜５の膜厚は、耐食性およびＰｉｎｎｉｎｇ効果を維持しつつ、記録／再生ヘッドと媒体の距離が離れすぎないように調整されるが、慨ね５ｎｍ以下程度であることが望ましい。またＰｉｎｎｉｎｇ効果を促進するために、オーバーコート膜５を成膜する際に、基板にマイナス方向にバイアスを印加することが好ましい。
【００３０】
保護膜６には、例えばカーボンを主体とする薄膜が用いられる。その他、磁気記録媒体の保護膜として一般的に用いられる様々な薄膜材料を使用しても良い。保護膜６の膜厚は、オーバーコート膜５を導入しても記録／再生ヘッドと媒体間の距離が変化しないよう、オーバーコート膜５の膜厚との兼ね合いから決定することが望ましい。例えば、オーバーコート膜５を用いない場合の保護膜６の膜厚が８ｎｍであり、オーバーコート膜５の膜厚が４ｎｍであるならば、保護膜６の膜厚を４ｎｍとすることで、記録／再生ヘッドと媒体間の距離を変化させずにオーバーコート膜５を導入することができる。
【００３１】
液体潤滑層７には、例えばパープルオロポリエーテル系の潤滑剤を用いることができる。その他、磁気記録媒体の液体潤滑層材料として一般的に用いられる様々な潤滑材料を使用しても良い。
【００３２】
非磁性基体１の上に積層される各層は、磁気記録媒体の分野で通常用いられる様々な成膜技術によって形成することが可能である。液体潤滑層７を除く各層の形成には、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法、あるいは真空蒸着法を用いることが出来る。また、液体潤滑層７の形成には、例えばディップ法やスピンコート法を用いることができる。しかし、これらの方法に限定されるものではない。
【００３３】
【実施例】
以下に本発明の垂直磁気配鐸媒体について実施例により詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【００３４】
［実施例１］
本実施例は、非磁性基体と、その上に順次積層して設けられる下地層、ＲＥ−ＴＭアモルファス磁気記録層、Ｔａオーバーコート層、保護膜、液体潤滑層とを有する垂直磁気記録媒体に関する。
【００３５】
非磁性基体として表面が平滑な化学強化ガラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を用い、これを洗浄後、スパッタ装置内に導入し、Ｔａターゲットを用いてＴａ下地層を１５ｎｍ成膜した。引き続き、ＲＥ−ＴＭアモルファス合金である１５ＴｂＣｏターゲットを用いて、Ａｒガス圧４．０Ｐａ下でＴｂＣｏ磁気記録層を２０ｎｍ成膜した。引き続きＴａターゲットを用いて、基板がマイナス電位になるようにバイアスを２００Ｖ印加しながらＴａオーバーコート層を２ｎｍ成膜した。
【００３６】
最後にカーボンターゲットを用いてカーボンからなる保護膜８ｎｍを成膜後、真空装置から取り出した。ＴｂＣｏ磁気記録層の成膜を除くこれらの成膜はすべてＡｒガス圧０．６７Ｐａ下で行い、全ての成膜はＤＣマグネトロンスパッタリング法により行なった。その後、パープルオロポリエーテルからなる液体潤滑層２ｎｍをディップ法により形成し、垂直磁気記録媒体とした。
【００３７】
［実施例２］
本実施例は、オーバーコート層材料をＴｉＣｒとしたことを除き、実施例１と同様に構成される垂直磁気記録媒体に関する。
【００３８】
非磁性基体として表面が平滑な化学強化ガラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を用い、これを洗浄後、スパッタ装置内に導入し、Ｔａ下地層、ＴｂＣｏ磁気記録層を実施例１と全く同様に成膜した。引き続きＴｉ１０Ｃｒターゲットを用いて、基板がマイナス電位になるようにバイアスを２００Ｖ印加しながらＴｉＣｒオーバーコート層を２ｎｍ成膜した。
【００３９】
最後にカーボンターゲットを用いてカーボンからなる保護膜８ｎｍを成膜後、真空装置から取り出した。ＴｂＣｏ磁気記録層の成膜を除くこれらの成膜はすべてＡｒガス圧０．６７Ｐａ下で行い、全ての成膜はＤＣマグネトロンスパッタリング法により行なった。その後、パープルオロポリエーテルからなる液体潤滑層２ｎｍをディップ法により形成し、垂直磁気記録媒体とした。
【００４０】
［比較例１］
非磁性基体として表面が平滑な化学強化ガラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を用い、これを洗浄後、スパッタ装置内に導入し、Ｔａ下地層、ＴｂＣｏ磁気記録層を実施例１，２と全く同様に成模した。次に、オーバーコート層を設けず、カーボン保護膜を１０ｎｍ成膜後、真空装置から取り出した。実施例１および２と同様に、ＴｂＣｏ磁気記録層の成膜を除くこれらの成膜はすべてＡｒガス圧０．６７Ｐａ下で行い、全ての成膜はＤＣマグネトロンスパッタリング法により行なった。その後、パープルオロポリエーテルからなる液体潤滑層２ｎｍをディップ法により形成し、垂直磁気記録媒体とした。
【００４１】
完成した垂直磁気記録媒体の磁気特性をＶＳＭ（振動試料磁力計）で、また磁気異方性定数Ｋｕを磁気トルクメータにより測定した。実施例１，２および比較例１の媒体の特性を比較して表１に示す。
【００４２】
【表１】
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【００４３】
なお、表１からも明らかなように、オーバーコート層とカーボン保護膜の合計膜厚は何れの場合も１０ｎｍで統一されている。表１から明らかであるが、実施例１および２では比較例１よりもＨｃが増加していることがわかる。
【００４４】
磁壁移動型の磁性膜では、Ｈｃの増加はＫｕの増加あるいはｐｉｎｎｉｎｇ　ｓｉｔｅの増加の何れかが原因であると考えられる。そこで、Ｋｕを比較すると、実施例１および２では比較例と比べて若干の増加は見られるものの、大きな差にはなっていない。次に、磁化曲線の傾きパラメータαを比較する。αは、垂直媒体におけるＨｃ付近の磁化曲線の傾き、即ち４π×（ｄＭ／ｄＨ）Ｈ＝Ｈｃで表される磁化曲線の傾きパラメータであり、αが１に近づくほど磁化反転単位が小さくなっていることを意味する。
【００４５】
表１から、比較例１に比べて実施例１および２では、αが半減していることがわかる。これは、オーバーコート層を設けたことにより磁化反転単位が小さくなっていること、即ち多くのｐｉｎｎｉｎｇ　ｓｉｔｅが導入されていることを意味する。このように、実施例１ではＴａオーバーコート層を、実施例２ではＴｉＣｒオーバーコート層を設けることでｐｉｎｎｉｎｇ　ｓｉｔｅを導入することができ、磁気特性上はＨｃの増加に繋がった。
【００４６】
次に、耐食性を評価するためにＨｃの経時変化を調べた。図２に、成膜後一定時間経過後にＶＳＭにより測定したＨｃを成膜直後の保磁力であるＨｃ０で規格化した値であるＨｃ／Ｈｃ０の経時変化を示す。表１から、実施例１と実施例２の経時変化に比べ、比較例１の劣化が大きいことが分かる。Ｈｃ／Ｈｃ０の劣化率を、経過時間が１桁増加した時の劣化率で示すと、実施例１では１．３３［％−ｄｅｃａｄｅ］、実施例２では１．４２［％−ｄｅｃａｄｅ］、比較例１では８．５９［％−ｄｅｃａｄｅ］となっている。このように、オーバーコート膜を設けることで、耐食性を大幅に向上させることができた。
【００４７】
［実施例３］
本実施例は、非磁性基体と、その上に順次積層して設けられる軟磁性裏打ち層、下地層、ＲＥ−ＴＭアモルファス磁気記録層、Ｔａオーバーコート層、保護膜、液体潤滑層とを有する、二層垂直磁気記録媒体に関する。
【００４８】
非磁性基体として表面が平滑な化学強化ガラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を用い、これを洗浄後、スパッタ装置内に導入し、Ｃｏ５Ｚｒ８Ｎｂターゲットを用いてＣｏＺｒＮｂ軟磁性裏打ち層を２００ｎｍ形成した。次に、Ｃｒ２０Ｍｎターゲットを用いてＣｒＭｎ下地層を１５ｎｍ成膜した。引き続き、ＲＥ−ＴＭアモルファス合金である１５ＴｂＦｅ１０Ｃｏターゲットを用いて、Ａｒガス圧４．０Ｐａ下でＴｂＦｅＣｏ磁気記録膚を２０ｎｍ成膜した。
【００４９】
引き続きＴａターゲットを用いて、基板がマイナス電位になるようにバイアスを２００Ｖ印加しながらＴａオーバーコート層を２ｎｍ成膜した。最後にカーボンターゲットを用いてカーボンからなる保護膜８ｎｍを成膜後、真空装置から取り出した。ＴｂＦｅＣｏ磁気記録層の成膜を除くこれらの成膜はすべてＡｒガス圧０．６７Ｐａ下で行い、全ての成膜はＤＣマグネトロンスパッタリング法により行なった。その後、パープルオロポリエーテルからなる液体潤滑層２ｎｍをディップ法により形成し、軟磁性裏打ち層を有する二層垂直磁気記録媒体とした。
【００５０】
［比較例２］
オーバーコート層を設けず、カーボン保護膜の膜厚を１０ｎｍとしたこと以外は実施例３と全く同様にして軟磁性裏打ち層を有する二層垂直磁気記録媒体を作製した。
【００５１】
上述のようにして得られた二層磁気記録媒体について、磁気カー効果により保磁力Ｈｃおよび角型比Ｓを測定した。Ｈｃは、実施例３の媒体と比較例２の媒体で、それぞれ３６６．２［Ａ／ｍ］および２８２．６［Ａ／ｍ］であり、オーバーコート層を設けた実施例３の媒体の方が高いＨｃが得られた。オーバーコート層を設けた方が高いＨｃを得られるという傾向は、実施例１，２および比較例１で示した単層磁気記録媒体（軟磁性裏打ち層を設けない媒体）の時と全く同様であり、裏打ち層の有無に係らずオーバーコート層の効界が得られることがわかった。また、角型比はどちらの場合も１．０であった。
【００５２】
次に電磁変換特性を調べるため、リード・ライトテスタを用いてノイズスペクトルおよびＳＮＲ（信号出カーノイズ比）を測定した。図３に実施例３および比較例２に係る媒体における媒体ノイズの線記録密度依存を、図４にＳＮＲの線記録密度依存を示す。図３から、Ｔａオーバーコート層を設けた実施例３の媒体においてノイズが減少していることがわかる。ノイズ−線記録密度のグラフの傾きが減少しているということは、遷移ノイズの減少、即ち磁化反転単位が小さくなっていることを表しており、Ｔａオーバーコート層により記録分解能が向上したと言える。この記録分解能の向上は図４のＳＮＲの向上にも表れており、ＳＮＲは最大で約４［ｄＢ］改善されている。
【００５３】
［実施例４］
本実施例は、表面に樹脂をコーティングしてその樹脂上に微細なパターンを形成した非磁性基体と、その上に順次積層して設けられる下地層、ＲＥ−ＴＭアモルファス磁気記録層、ＴｉＣｒオーバーコート層、保護膜、液体潤滑層とを有するパターンド媒体に関する。
【００５４】
非磁性基体として表面が平滑な化学強化ガラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を用い、基板上にクロロホルムに溶解したＰＭＭＡをスピンコートにより５０ｎｍ成膜した。なおこの時、溶液内に含まれるＰＭＭＡの濃度は０．５ｗｔ％とした。次に基板およびスタンパを１９０℃まで加熱し、スタンパを３．９ＭＰａの圧力で基板上に押し付け、１００℃まで冷却した後離型した。なお、スタンパには電子ビームリソグラフィを用いてφ１００ｎｍのｄｏｔパターンが１００ｎｍ間隔で形成されている。なお、ＰＭＭＡ膜にパターンを形成する時の凹部の深さが、「下地層の膜厚」よりも深く、「下地層＋磁気記録層の膜厚」以下となるように、ＰＭＭＡ膜厚、加熱温度、成形圧力を調整している。次に基板を再びスパッタ装置内に導入し、Ｔａターゲットを用いてＴａ下地層を１５ｎｍ，ＲＥ−ＴＭアモルファス合金である１８ＴｂＣｏターゲットを用いて、Ａｒガス圧４．０Ｐａ下でＴｂＣｏ磁気記録層を２０ｎｍ成膜した。その後真空装置から取り出し、ダイヤモンドスラリを用いてパターンの凸上に成膜された磁気記録層を除去した。研磨量はレーザ変位計によりモニターし、変位量の変化が急激に落ちたところを終点とした。引き続いてこれを洗浄して、スパッタ装置内に導入し、Ｓｉターゲットを用いてＳｉオーバーコート層を２ｎｍ、カーボンターゲットを用いてカーボンからなる保護膜８ｎｍを成膜後、真空装置から取り出した。その後、パープルオロポリエーテルからなる液体潤滑層２ｎｍをディップ法により形成し、パターンド媒体とした。なお、真空装置内におけるすべての成膜はＡｒガス圧０．６７Ｐａ下でＤＣマグネトロンスパッタリング法により行なった。
【００５５】
［比較例３］
オーバーコート層を設けず、カーボン保護膜の膜厚を１０ｎｍとしたこと以外は実施例４と全く同様にしてパターンド媒体を作製した。
【００５６】
完成したパターンド媒体の磁気特性をＶＳＭにより測定した。実施例４および比較例３の特性を比較して表２に示す。
【００５７】
【表２】
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【００５８】
これまでの実施例および比較例の場合と異なり、オーバーコートがあっても（実施例４）無くても（比較例１）、Ｈｃに差が無いという結果になった。これは、ＲＥ−ＴＭアモルファス膜をパターンの中に埋め込むことで、一つのｄｏｔが一つの磁化反転単位となり磁化反転単位が微細化されたため、オーバーコート膜によるｐｉｎｎｉｎｇ　ｓｉｔｅ形成効果が表れにくくなっているものと考えられる。Ｐｉｎｎｉｎｇ　ｓｉｔｅ微細化は、αの値を見ると明らかである。
【００５９】
オーバーコート層の有無によらず、αの値は９程度になっているが、この値はパターン内に埋め込まない場合（表１中、比較例１参照）に比べて１／３程度になっている。以上から、ＲＥ−ＴＭアモルファス薄膜は通常成膜ではｐｉｎｎｉｎｇ　ｓｉｔｅを導入することが難しいが、パターンド媒体にすることで微細なｐｉｎを導入することができることがわかった。
【００６０】
しかし、表２中のＨｃの低下率を見ると明らかであるが、オーバーコート層を設けていない比較例３では、Ｈｃの低下率（一定時間経過後のＨｃを成膜直後のＨｃ０で規格化したＨｃ／Ｈｃ０の低下率を、経過時間が１桁増加した時の劣化率で示したもの）が非常に大きくなっていることがわかる。このように、ＲＥ−ＴＭアモルファス薄膜をパターンド媒体に使用した場合にも、オーバーコート層を設けることで、特性の経時劣化を大幅に低減することができた。
【００６１】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、ＲＥ−ＴＭアモルファス薄膜を磁気記録層とする垂直記録媒体において、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｍｏからなる群から選択される金属、およびこれらのうち２種類以上を選択して作製した合金からなる薄膜をオーバーコート層として磁気記録層の直上に設けることで、磁気記録層の熱安定性を低下させることなく媒体の記録分解能を向上し、特性劣化を低減することができる。また、ＲＥ−ＴＭアモルファス薄膜をパターンド媒体の磁気記録層とすることで、ｐｉｎｎｉｎｇ　ｓｉｔｅ導入が難しいＲＥ−ＴＭアモルファス薄膜に微細なｐｉｎを導入することができるが、このようにして作製したパターンド媒体においても、上述と同様の材料からなるオーバーコート層を設けることで、特性の劣化を低減することができる。これらの結果、高い熱安定性を持つＲＥ−ＴＭアモルファス薄膜を用いて、記録分解能が高く、経時劣化の少ない媒体を作製することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る垂直媒体の断面模式図である。
【図２】実施例１，２，比較例１に係るＨｃの経時変化を示す特性図である。
【図３】実施例３および比較例２に係る媒体ノイズの線記録密度依存性を示す特性図である。
【図４】実施例３および比較例２に係る信号−ノイズ比の線記録密度依存性を示す特性図である。
【符号の説明】
１　非磁性基体
２　軟磁性裏打ち層
３　下地層
４　磁気記録層
５　オーバーコート膜
６　保護膜
７　液体潤滑層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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