(57)【要約】【課題】特性インピーダンスをその場調節することのできる伝送線路構造を提供する。【解決手段】伝送線路構造は、表面上に信号配線を備えた第1の回路基板と、表面上にグランド層を備え、前記第1の回路基板の裏面とグランド層とが対向するように配置された第2の回路基板と、前記第１の回路基板と前記第2の回路基板との間の距離を調節して、伝送線路の特性インピーダンスを変えることのできる調節機構と、を有する。【選択図】  図１
2004208144.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面上に信号配線を備えた第1の回路基板と、
表面上にグランド層を備え、前記第1の回路基板の裏面とグランド層とが対向するように配置された第2の回路基板と、
前記第１の回路基板と前記第2の回路基板との間の距離を調節して、伝送線路の特性インピーダンスを変えることのできる調節機構と、
を有する伝送線路構造。
【請求項２】
前記調節機構が、前記第2の回路基板の裏面を押し上げる機構を有する請求項１記載の伝送線路構造。
【請求項３】
前記信号配線及びグランド層が、超伝導体、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕのいずれかで形成されている請求項１または２記載の伝送線路構造。
【請求項４】
前記調節機構が、押しネジ又は圧電素子を含む請求項１〜３のいずれか1項記載の伝送線路構造。
【請求項５】
前記信号配線及びグランド層が、超伝導体層を用いて形成され、さらに、
前記第1の回路基板と前記第2の回路基板とを収容し、少なくとも2つの同軸コネクタを含み、導電体が常伝導金属で形成されているパッケージを有し、
前記第2の回路基板が、前記パッケージに対して相対的に移動しても前記同軸コネクタと衝突しない様に一部削除されている請求項１または２記載の伝送線路構造。
【請求項６】
前記信号配線及びグランド層が、超伝導体層の少なくとも一部表面上に形成された常伝導金属層を含む請求項5記載の伝送線路構造。
【請求項７】
前記第1及び第2の回路基板がＭｇＯ，ＬａＡｌＯ3，サファイアのいずれかの下地基板を用いて形成されている請求項5または６記載の伝送線路構造。
【請求項８】
前記下地基板が、０．２〜０．５ｍｍの厚さを有する請求項７記載の伝送線路構造。
【請求項９】
前記超伝導体層が、０．５μｍ以上の厚さを有する請求項５〜８のいずれか1項記載の伝送線路構造。
【請求項１０】
前記調節機構が、前記第２の回路基板裏面を押し上げるバネを有し、前記第２の回路基板が、前記バネを受ける金属インバ層を裏面に有する請求項５〜９のいずれか１項記載の伝送線路構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，伝送線路構造に関し、特に所望の特性インピーダンスを提供できる伝送線路構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高周波平面回路においては、特性インピーダンスが一定の値になるようにインピーダンス整合が行なわれる。誘電体基板の表面側に信号配線、裏面側にグランド配線を形成したマイクロストリップ回路においては、例えば特性インピーダンスが５０Ωになるように、線路幅や誘電体基板の厚さを調節する。伝送線路の材料としては、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ等の電気的良導体のみに限らず、酸化物高温超伝導体も用いられる。酸化物高温超伝導体層を伝送線路に用いる場合、伝送線路を冷却する必要がある。伝送線路構造を冷却すると、温度変化によって特性インピーダンスも変化する。特性インピーダンスが所望の値からずれると、伝送特性の劣化を生じる。所望の特性を得ようとすれば、伝送線路構造を再度作製することが必要となる。
【０００３】
以下、従来技術によるマイクロストリップ型伝送線路構造の例を説明する。
図5（Ａ）に示す構造は、電気的良導体を用いたマイクロストリップ回路においては最も良く知られた構造である。誘電体基板１００の表面に信号配線１０５を形成し、裏面に接地（グランド）層１０６を形成する。
【０００４】
図５（Ｂ）は、信号配線の形状例を示す。図においては、誘電体基板１００の表面上に、ジグザグ状に折れ曲がった信号配線１０５が形成され、遅延回路を構成している。接地層１０６は、裏面の全面に形成される。
【０００５】
伝送線路の材料として、電気的良導体に代え、酸化物高温超伝導体層を用いると、電気的良導体と比べ、低損失で高性能な高周波回路が形成可能となる。図５（Ａ）の構成において、信号配線１０５、接地層１０６を酸化物高温超伝導体層で形成することも可能である。しかしながら、誘電体基板の両面に酸化物超伝導体層を形成することは、片面に酸化物超伝導体層を形成する場合と比べ、著しく製作が困難となる。
【０００６】
図５（Ｃ）〜（Ｅ）は、酸化物超伝導体層を用いたマイクロストリップ回路の作製に適した構成例を示す。図５（Ｃ）に示すように、第１の誘電体基板１０１の表面上に酸化物超伝導体層の信号配線１０５を形成する。
【０００７】
図５（Ｄ）に示すように、別の第２の誘電体基板１０２の全面上に酸化物超伝導体層の接地層１０６を形成する。
図３（Ｅ）に示すように、第１の誘電体基板１０１の裏面と、第２の誘電体基板１０２の裏面を貼り合わせ、１枚の基板１０３にする。すると、誘電体基板１０３の表面上に信号配線１０５が配置され、裏面に接地層１０６が配置された構造を得ることができる。
【０００８】
図５（Ｅ）の構造において、第１及び第２の誘電体基板１０１、１０２の間にエアギャップが生じると、誘電体基板の特性が乱され、周波数特性の再現性を損なう。
【０００９】
又、図５（Ｅ）に示す伝送線路構造も、使用時には冷却する必要があり、冷却によって伝送線路の特性は変化してしまう。冷却温度が設計温度からずれた場合も、伝送線路の特性は設計値からずれてしまう。特性が所望の値からずれた時、所望の特性を得るためには、再度設計からやり直す必要が生じる。
【００１０】
【特許文献１】
特開平１０−２０９７２２号公報
【特許文献２】
特開２００２−６４３１２号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、特性インピーダンスを調節することのできる伝送線路構造を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の１観点によれば、表面上に信号配線を備えた第1の回路基板と、表面上にグランド層を備え、前記第1の回路基板の裏面とグランド層とが対向するように配置された第2の回路基板と、前記第１の回路基板と前記第2の回路基板との間の距離を調節して、伝送線路の特性インピーダンスを変えることのできる調節機構と、を有する伝送線路構造が提供される。
【００１３】
伝送線路の特性インピーダンスを調節できるので、所望の特性インピーダンスを得ることが容易になる。伝送線路を冷却する場合も、その場調節が可能となるので、所望の特性インピーダンスを得ることが容易になる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
図１（Ａ）は、本発明の基本実施例の構成を示す概略断面図である。第１の誘電体基板１の表面上に、ミアンダライン等の信号配線５が形成され、第１の基板１１を構成する。第２の誘電体基板２の表面上には、全面に接地（グランド）導電層６が形成され、第２の回路基板１２を形成する。第２の回路基板１２の接地層６は、第１の回路基板１１の誘電体基板１裏面と対向するように配置される。
第２の回路基板１２の裏面側に、第１の回路基板１１と第２の回路基板１２との間の距離を調節する調節機構１３が配置される。
【００１５】
このような構成によれば、信号配線５と接地層６との間の誘電体層は、第１の誘電体基板１と空気層（または真空層）３とによって構成される。信号配線５と接地層６との間の誘電体層の実効比誘電率は、誘電体基板１と空気層３とによって決定される。
【００１６】
空気層３の厚さが薄くなれば、実効比誘電率は上がり、空気層３の厚さが厚くなると実効比誘電率が下がる。調節機構１３によって第２の回路基板１２を上下することにより、空気層３の厚さを変え、誘電体層の実効比誘電率を調節することができる。実効比誘電率の調節により、特性インピーダンスを調節することができる。
【００１７】
配線層５，６は、電気的良導体で形成しても、酸化物超伝導体で形成しても良い。酸化物超伝導体層を用いる場合、その厚さは、０．５μｍ以上とすることが損失の低減と、パッケージ組み立て時に発生する恐れがある損傷を抑制するために好ましい。
【００１８】
誘電体基板１は、高周波特性の優れた誘電体で形成する。信号配線５が酸化物超伝導体層である場合、基板１はその上に酸化物超伝導体層をエピタキシャルに成長することができ、高誘電率で低損失の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、ランタンアルミネート（ＬａＡｌＯ3）、サファイア（Ａｌ2Ｏ3）等を用いることが好ましい。六方晶系のサファイア基板を用いる場合は、基板１と超伝導体層との間にＣｅＯ2等のバッファ層を設けることが好ましい。
【００１９】
なお、基板２は信号配線５と接地層６との画定する電界分布領域外であるため、必ずしも誘電体で作成する必要はない。例えば、酸化マグネシウム、ランタンアルミネート、サファイア、酸化ストロンチウム、酸化セリウム、酸化チタン、銀、金、ニッケル、酸化ニッケル、ニッケル合金等その上に酸化物超伝導体層をエピタキシャルに成長できる材料から選択することができる。
【００２０】
調節機構１３は、第２の基板を上下に駆動できる機構であれば、どのような機構を用いることもできる。伝送線路を冷却して用いる場合は、真空中で低温で動作することが望まれ、簡単な構成が好ましい。ネジとバネとの組合わせや、圧電素子等を用いることができる。伝送線路を常温で用いる場合は、ステッピングモータや、ガスや液体の媒体圧力を用いた機構を用いることもできる。
【００２１】
図１（Ｂ）〜（Ｅ）は、図１（Ａ）に示す伝送線路構造の１例を示す斜視図及び断面図である。
図１（Ｂ）は、信号配線を有する第１の回路基板１１の構成例を示す。例えば、（１００）面のＭｇＯ基板１の表面上に、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ（ＹＢＣＯ）出形成された酸化物超伝導体層のミアンダライン５が形成されている。酸化物超伝導体層は、ＭｇＯ基板上にエピタキシャルに成長された層である。
【００２２】
図１（Ｃ）は、第２の回路基板１２の構成例を示す。例えば、（１００）ＭｇＯ基板２の表面上に、ＹＢＣＯで形成された酸化物超伝導体層６が形成され、接地層を構成する。なお、図の構成においては、同軸コネクターと接続する部分に切り欠き部９が形成されている。
【００２３】
図１（Ｄ）は、高周波パッケージ１８に第１の回路基板１１及び第２の回路基板１２を収容した状態を示す。高周波パッケージ１８は、高周波入力用及び高周波出力用の２つの同軸コネクタ２０を有する。同軸コネクタ２０の中心導体が信号配線５に接続されている。
【００２４】
図１（Ｅ）は、同軸コネクタ２０と第２の回路基板１２の配置例を示す。同軸コネクタ２０は、中心導体２１と接地導体２２を有する。第２の回路基板１２は、誘電体基板２と接地導体６を有するが、同軸コネクタ２０と対向する部分において切欠き部９が形成されている。切欠き部９により、同軸コネクタ２０の接地導体２２と、第２の回路基板１２の衝突が回避されている。
【００２５】
切欠き部９の幅は、第２の回路基板１２の所望の移動範囲を実現するように選択することができるが、外部導体２２の直径よりも狭くすることが好ましい。外部導体２２の直径よりも広くすると、接地導体６に流れる電流の経路の回り込みが生じ、寄生インダクタンスが発生してしまう。
【００２６】
図２（Ａ）〜（Ｇ）は、図１の第１及び第２の回路基板１１、１２の製造方法を示す。
図２（Ａ）に示すように、例えば直径２インチ、厚さ０．５ｍｍの（１００）面ＭｇＯ基板１、２を準備する。基板１、２の厚さは、０．２ｍｍ〜０．５ｍｍに選択することが好ましい。基板１、２を基板ホルダーに搭載し、約７００℃に加熱し、酸素圧２４０ｍＴｏｒｒ中でレーザ蒸着法を用いて厚さ約０．９μｍのＹ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（ＹＢＣＯ）酸化物超伝導体層５、６を成膜する。成膜後、酸素２００Ｔｏｒｒを導入し、基板１、２を冷却する。なお、レーザ蒸着に代え、スパッタリングを用いることもできる。スパッタリングの場合は、ＹＢＣＯターゲットを用い、酸素雰囲気中でリアクティブスパッタリングを行なう。
【００２７】
図２（Ｂ）に示すように、信号配線用基板においては、ＭｇＯ基板１の上に形成された酸化物超伝導体層５に対し、ホトリソグラフィとエッチングを用いてパターニングを行ない、ミアンダライン５を形成する。エッチングは、ウエットエッチングあるいはＡｒのイオンミリングによって行なう。配線幅は、所望の特性インピーダンス、例えば５０Ω、が得られるように選択する。基板１の厚さが０．５ｍｍの場合、線幅０．５ｍｍの配線によって、特性インピーダンス５０Ωが得られる。基板は、ダイシングソーを用いて所望の大きさに加工する。（１００）面ＭｇＯ基板は、へき開性が強いので、基板の端部にダイアモンドカッターで傷をつけ、へき開することもできる。
【００２８】
図２（Ｃ）に示すように、信号配線基板１１のミアンダライン５の端部に、電気的常伝導良導体の電極層７を形成する。例えば、ＡｇやＡｕの電極層７を形成し、後の電気的接続を容易にする。
【００２９】
図２（Ｄ）は、接地層基板１２の構成を示す。接地層６は、パターニングする必要がなく、所望寸法に基板を加工した後に、電気的接続用の良導体層８を接地層６上及び基板２の側面上に形成する。誘電体基板とＡｇやＡｕとは密着性が悪いので、Ｐｄ（又はＰｔ）・Ｃｒ（又はＴｉ）の積層を下層とし、その上にＡｇやＡｕの上層を形成することが好ましい。
【００３０】
図２（Ｅ）は、電気的良導体層８の配置例を示す。良導体層８は、基板２の周辺領域に形成されている。但し、後に基板を切欠く領域には形成せず、基板切欠き領域の目印を形成し、かつ基板削除工程を容易にする。良導体層８は、メタルマスクやレジストマスクを用い、スパッタリングや蒸着により形成することが好ましい。酸化物超伝導体層を劣化させず、平滑な表面を有する良導体層を得ることができる。
【００３１】
図２（Ｆ）に示すように、第２の回路基板１２に対し、ダイシングソーを用いて２つの切込み１３を形成する。切込みの先端部に対応させてダイアモンドカッターで傷１４をつける。切込み部１３及び傷１４で囲まれた領域をへき開除去する。この除去工程の前に、表面にレジスト層をスピンコートすることが好ましい。レジスト層は、酸化物超伝導体層及び導体層の保護の役割を果たす。なお、へき開領域に導体層８が存在すると、へき開の際剥がれを生じることがある。レジスト層を塗布した場合は、へき開工程の後アセトン等でレジストを除去する。
【００３２】
図２（Ｇ）は、得られる第２の回路基板１２の平面形状を示す。図中第２の回路基板１２の対向する２辺に切込み９が形成され、切込み部９を除く基板周辺部に導体層８が酸化物超伝導体層６を覆うように形成されている。
【００３３】
図３（Ａ）〜（Ｃ）は、高周波パッケージ内に収容されて２枚の回路基板の一例を示す。図３（Ａ）は縦断面図、図３（Ｂ）は底面図、図３（Ｃ）は図３（Ａ）のＩＩＩＣ−ＩＩＩＣ線に沿う断面図である。高周波パッケージ１８は、２つの同軸コネクタ２０を備え、閉じた空間を画定する。高周波パッケージ１８の１つの面には、ねじ３０とナット３１を含む昇降機構が取り付けられている。
【００３４】
第１の回路基板１１は、同軸コネクタ２０の中心導体２１に信号層５が接続されるように配置される。中心導体２１と信号層５とは、ボンディングワイヤ２３で接続される。なお、ボンディングワイヤ２３に代え、インジウムハンダや金テープ等の接続導体を用いることもできる。
【００３５】
基板１の下方に、第２の回路基板１２が配置される。第２の回路基板１２の基板２は、ネジ３０、ナット３１を有する調節機構に結合されている。第２の回路基板２の周辺部の導体層８は、高周波パッケージ１８の壁面近くに配置され、その上に配置された燐青銅等のバネ２４により、高周波パッケージ１８の壁面と電気的に接触する。なお、バネ２４に代え、インジウムハンダ等を用いることもできる。
【００３６】
使用時においては、ネジ３０を駆動することにより、基板２を上下することができる。基板２を駆動し、第１の回路基板１１と第２の回路基板１２の間隔を調整することにより、信号配線５を接地層６との間の実効比誘電率を変化させ、特性インピーダンスを調節することができる。
【００３７】
図６（Ａ）は、図３（Ａ）のバネ２４に代え、インジウムハンダを用いた電気的接続例を示す。第２の回路基板１２の良導体層８の側面上にインジウムハンダ２５が形成され、高周波パッケージ１８との電気的接続を形成する。基板２はコイルバネ２８で押し上げられ、ネジで引き下げられる。コイル２８と、基板２との接触面に金属インバ層２６が形成されている。金属インバ層２８は、コイルバネ２８と基板２との接触による損傷を防止する。
【００３８】
図６（Ｂ）は、調節機構の他の構成例を示す。高周波パッケージ１８の底面上に、圧電素子３２が配置され、圧電素子３２上に第２の回路基板１２が支持される。圧電素子３２に可変電圧源３３から電圧を印加することにより、圧電素子３２の厚さを変化させ、第１の回路基板と第２の回路基板１２との間のギャップを調整することができる。
【００３９】
図４（Ａ）は、高周波フィルタを備えた伝送線路構造の構成例を示す。高周波パッケージ３４は、前述の構成と同様、２つの同軸コネクタ３５を有する。一方の同軸コネクタ３５が高周波入力端子であり、他方の同軸コネクタ３５が高周波出力端子となる。パッケージ内には、複数の酸化物超伝導体層パターンが電気的に結合して形成された第１の回路基板１１が収容されている。第１の回路基板１１上の酸化物超伝導体層５は、チューナブル３段バンドパスフィルターを構成する。第１の回路基板１１の下方に第２の回路基板１２が配置され、第２の回路基板１２がネジ３０により高さを調整されることは前述の構成と同様である。
【００４０】
図４（Ｂ）は、図４（Ａ）の伝送線路構造を実際に使用する形態を示す概略斜視図である。真空容器３０の中にコールドプレート４１が配置され、コールドプレート４１上に図４（Ａ）に示す高周波パッケージ３４に蓋をしたものが上下反転した状態で配置される。真空容器３０は、真空配置装置に接続されてもよく、真空排気した状態でゲッターと共に封止されてもよい。コールドプレート４１は、冷凍機４２に接続され、冷凍機４２により冷却される。冷凍機４２は、圧縮機４３に接続され、圧縮冷媒の供給を受ける。高周波パッケージ３４の入出力端子は、ケーブルを介して入出力ポート３７、３８に接続される。
【００４１】
真空容器４０内を真空にした状態で、冷凍機４２によりコールドプレート４１、及びそれに熱的に接合された高周波パッケージ３４を冷却する。所望の温度に冷却した後、ネジ３０を用いて特性インピーダンスを最適値に調整する。入出力ポート３７、３８間に高性能のフィルタが接続された回路が形成される。
【００４２】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。酸化物超伝導体としては、ＹＢＣＯの他、Ｂｉ（Ｐｂ）-Ｓｒ-Ｃａ-Ｃｕ-Ｏ、Ｒｅ−Ｂａ‐Ｃｕ‐Ｏ（ＲＥ：Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｕ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ）等を用いることもできる。
【００４３】
又、酸化物超伝導体層をレーザ蒸着やスパッタリングで形成する代りに塗布法で形成することも可能である。この場合は、液相の酸化物超伝導体材料層を基板上に塗布し、高温で焼成する。酸化物超伝導体層の厚さは０．５μｍ以上とすることが好ましいことは上述と同様である。遅延回路やフィルタと同様、一定長さの伝送線路により共振器を構成することもできる。
【００４４】
電気的導体材料としては、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ等の電気的良導体や、超伝導体を用いることができる。酸化物超伝導体として他の物質を用いてもよい。その他、種々の変更、改良、組合せが可能なことは当業者に自明であろう。
【００４５】
以下、本発明の特徴を付記する。
（付記１）（１）  表面上に信号配線を備えた第1の回路基板と、
表面上にグランド層を備え、前記第1の回路基板の裏面とグランド層とが対向するように配置された第2の回路基板と、
前記第１の回路基板と前記第2の回路基板との間の距離を調節して、伝送線路の特性インピーダンスを変えることのできる調節機構と、
を有する伝送線路構造。
【００４６】
（付記２）（２）  前記調節機構が、前記第2の回路基板の裏面を押し上げる機構を有する付記１記載の伝送線路構造。
（付記３）（３）  前記信号配線及びグランド層が、超伝導体、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕのいずれかで形成されている付記１または２記載の伝送線路構造。
【００４７】
（付記４）（４）  前記調節機構が、押しネジ又は圧電素子を含む付記１〜３のいずれか1項記載の伝送線路構造。
（付記５）（５）  前記信号配線及びグランド層が、超伝導体層を用いて形成され、さらに、
前記第1の回路基板と前記第2の回路基板とを収容し、少なくとも2つの同軸コネクタを含み、導電体が常伝導金属で形成されているパッケージを有し、
前記第2の回路基板が、前記パッケージに対して相対的に移動しても前記同軸コネクタと衝突しない様に一部削除されている付記１または２記載の伝送線路構造。
【００４８】
（付記６）  さらに、前記パッケージを収容する真空容器と、
前記真空容器内で前記パッケージに熱的に結合され、前記パッケージを冷却することのできるコールドステージと、
を有する付記５記載の伝送線路構造。
【００４９】
（付記７）（６）  前記信号配線及びグランド層が、超伝導体層の少なくとも一部表面上に形成された常伝導金属層を含む付記5記載の伝送線路構造。
（付記８）（７）  前記第1及び第2の回路基板がＭｇＯ，ＬａＡｌＯ3，サファイアのいずれかの下地基板を用いて形成されている付記5〜７記載の伝送線路構造。
【００５０】
（付記９）（８）  前記下地基板が、０．２〜０．５ｍｍの厚さを有する付記８記載の伝送線路構造。
（付記１０）（９）  前記超伝導体層が、０．５μｍ以上の厚さを有する付記５〜９のいずれか1項記載の伝送線路構造。
【００５１】
（付記１１）（１０）  前記調節機構が、前記第２の回路基板裏面を押し上げるバネを有し、前記第２の回路基板が、前記バネを受ける金属インバ層を裏面に有する付記５〜１０のいずれか１項記載の伝送線路構造。
【００５２】
（付記１２）  前記調節機構が、前記第２の回路基板裏面に結合した圧電素子を含む付記５〜１０のいずれか１項記載の伝送線路構造。
（付記１３）  （ａ）表面上に信号配線を備えた第1の回路基板と、表面上にグランド層を備え、前記第1の回路基板の裏面とグランド層とが対向するように配置された第2の回路基板と、前記第１の回路基板と前記第2の回路基板との間の距離を調節して、伝送線路の特性インピーダンスを変えることのできる調節機構と、を有する伝送線路構造を準備する工程と、
（ｂ）前記調節機構を調節して特性インピーダンスを調節する工程と、
（ｃ）前記信号配線に高周波信号を印加する工程と、
を含む伝送線路構造の動作方法。
【００５３】
（付記１４）  さらに、前記工程（ｂ）の前に、前記第１及び第２の回路基板を冷却する工程を含む付記１３記載の伝送線路構造の動作方法。
（付記１５）  （ａ）第１の基板の表面上に信号配線を形成し、第1の回路基板を作成する工程と、
（ｂ）第２の基板の表面上にグランド層を形成し、第２の回路基板を作成する工程と、
（ｃ）前記第１の回路基板と前記第2の回路基板との間の距離を調節して、伝送線路の特性インピーダンスを変えることのできる調節機構を有するパッケージ内に、前記第1の基板の裏面と前記第２の基板上のグランド層とが対向するように、第１の回路基板と第2の回路基板とを収容する工程と、
を含む伝送線路構造の製造方法。
【００５４】
（付記１６）  前記パッケージが同軸コネクタを有し、前記工程（ｂ）が、前記同軸コネクタとの衝突を防止するように、第２の回路基板の一部を削除する工程を含む付記１５記載の伝送線路構造の製造方法。
【００５５】
（付記１７）  前記工程（ａ）、（ｂ）が超伝導層を形成し、その上に接続用の常伝導良導体層を形成する付記１５又は１６記載の伝送線路構造の製造方法。
【００５６】
（付記１８）  前記常伝導良導体層がマスクを用いたスパッタリング又は蒸着で形成される付記１７記載の伝送線路構造の製造方法。
【００５７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、特性インピーダンスを調節することのできる伝送線路構造が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例による伝送線路構造を示す斜視図及び断面図である。
【図２】図１（Ｂ）〜（Ｅ）に示す伝送線路構造を製作する製造方法の主要工程を示す断面図及び平面図である。
【図３】伝送線路構造の実装の例を示す断面図である。
【図４】図1、図２の伝送線路の応用例を示す斜視図である。
【図５】従来の技術による伝送線路構造の例を示す断面図及び平面図である。
【図６】高周波パッケージの変形例を示す。
【符号の説明】
１  第１の基板（（１００）ＭｇＯ基板）
２  第２の基板（（１００）ＭｇＯ基板）
３  空気層（真空層）
５  信号配線（酸化物超伝導体層のパターン）
６  接地層
７  良導体層
８  良導体層
９  切欠き
１１  第１の回路基板
１２  第２の回路基板
１８  高周波パッケージ
２０  同軸コネクタ
２１  中心導体
２２  接地導体
２３  ボンディングワイヤ
２４  バネ
２５  インジウム半田
２６  金属インバ層
２８  バネ
３０  ネジ
３１  ナット
３２  圧電素子
３３  可変電圧源
３４  高周波パッケージ
３５  同軸コネクタ
３７  入力ポート
３８  出力ポート
４０  真空容器
４１  コールドプレート
４２  冷凍機
４３  圧縮機
１０１  誘電体基板
１０２  誘電体基板
１０３  張り合わせ誘電体基板
１０５  信号配線
１０６  接地層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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