(57)【要約】【課題】  蛍光体層の密着不良による剥がれを防止し、かつ、蒸着によって均一で精度の高い柱状蛍光体の層を形成し、均一な光変換効率が得られる高感度で高鮮鋭な放射線検出装置を提供する。【解決手段】  ２次元に配置された光電変換素子を備えたセンサパネル１００と、前記センサパネル１００上に配され、大気圧プラズマ処理された表面を有する蛍光体下地層１１１と、前記蛍光体下地層１１１上に接して形成された蛍光体層１１２とを備えている。【選択図】      図１
2004325442.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２次元に配置された光電変換素子を備えたセンサパネル上に、放射線を前記光電変換素子が検知可能な光に変換する蛍光体層を有する放射線検出装置の製造方法であって、
前記センサパネル上に配された蛍光体下地層の表面を大気圧プラズマ処理する工程と、
前記蛍光体下地層表面上に前記蛍光体層を形成する工程とを有することを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
【請求項２】
前記蛍光体層を耐湿保護層で被覆する工程を、さらに有することを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項３】
前記大気圧プラズマ処理する工程は、前記蛍光体下地層の表面エネルギーを４５×１０−３Ｊ／ｍ２以上とすることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項４】
前記蛍光体下地層が、高耐熱樹脂層から成ることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項５】
前記蛍光体下地層が、ポリイミド樹脂層から成ることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項６】
前記蛍光体層を形成する工程は、前記蛍光体層を蒸着法によって前記蛍光体下地層上に形成することを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項７】
前記蛍光体層を形成する工程は、前記蛍光体層をアルカリハライド：付活剤の蒸着によって前記蛍光体下地層上に形成することを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項８】
前記耐湿保護層は、有機膜から成ることを特徴とする請求項２に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項９】
支持基板上に放射線を光電変換素子が検知可能な光に変換する蛍光体層を有するシンチレータパネルの製造方法であって、
前記支持基板上に配された蛍光体下地層の表面を大気圧プラズマ処理する工程と、
前記蛍光体下地層表面上に前記蛍光体層を形成する工程とを有することを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。
【請求項１０】
前記蛍光体層を耐湿保護層で被覆する工程を、さらに有することを特徴とする請求項９に記載のシンチレータパネルの製造方法。
【請求項１１】
前記大気圧プラズマ処理する工程は、前記蛍光体下地層の表面エネルギーを４５×１０−３Ｊ／ｍ２以上とすることを特徴とする請求項９に記載のシンチレータパネルの製造方法。
【請求項１２】
前記蛍光体下地層が、高耐熱樹脂層から成ることを特徴とする請求項９に記載のシンチレータパネルの製造方法。
【請求項１３】
前記蛍光体下地層が、ポリイミド樹脂層から成ることを特徴とする請求項９に記載のシンチレータパネルの製造方法。
【請求項１４】
前記蛍光体層を形成する工程は、前記蛍光体層を蒸着法によって前記蛍光体下地層上に形成することを特徴とする請求項９に記載のシンチレータパネルの製造方法。
【請求項１５】
前記蛍光体層を形成する工程は、前記蛍光体層をアルカリハライド：付活剤の蒸着によって前記蛍光体下地層上に形成することを特徴とする請求項９に記載のシンチレータパネルの製造方法。
【請求項１６】
前記耐湿保護層は、有機膜から成ることを特徴とする請求項１０に記載のシンチレータパネルの製造方法。
【請求項１７】
２次元に配置された光電変換素子を備えたセンサパネル上に、放射線を前記光電変換素子が検知可能な光に変換する蛍光体層を含むシンチレータパネルを有する放射線検出装置の製造方法であって、
支持基板上に配された蛍光体下地層の表面を大気圧プラズマ処理する工程と、
前記蛍光体下地層表面上に前記蛍光体層を形成してシンチレータパネルを作製する工程と、
前記センサパネルと前記シンチレータパネルを貼り合わせる工程とを有することを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
【請求項１８】
２次元に配置された光電変換素子を備えたセンサパネルと、
前記センサパネル上に配され、大気圧プラズマ処理された表面を有する蛍光体下地層と、
前記蛍光体下地層上に接して形成された蛍光体層とを含むことを特徴とする放射線検出装置。
【請求項１９】
放射線を光電変換素子が検知可能な光に変換するシンチレータパネルであって、
支持基板上に配され、大気圧プラズマ処理された表面を有する蛍光体下地層と、
前記蛍光体下地層上に接して形成された蛍光体層とを含むことを特徴とするシンチレータパネル。
【請求項２０】
２次元に配置された光電変換素子を備えたセンサパネルと、
請求項１９に記載のシンチレータパネルと、
前記センサパネルと前記シンチレータパネルを接着する接着層とを含むことを特徴とする放射線検出装置。
【請求項２１】
請求項１８又は２０のいずれかに記載の放射線検出装置を含む放射線検出システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医療診断機器、非破壊検査機器等に用いられる放射線を電気信号として検出する放射線検出装置、及びその製造方法に関する。なお、本明細書では、Ｘ線、α線、β線、γ線等の電磁波も、放射線に含まれるものとして説明する。
【背景技術】
【０００２】
従来、Ｘ線蛍光体層が内部に備えられた蛍光スクリーンと両面塗布剤とを有するＸ線フィルムシステムが一般的にＸ線写真撮影に使用されてきた。しかし、最近、Ｘ線蛍光体層と２次元光検出器とを有するディジタル放射線検出装置の画像特性が良好であること、また、データがディジタルデータであるためネットワーク化したコンピュータシステムに取り込むことによってデータの共有化が図られる利点があることから、ディジタル放射線検出装置について盛んに研究開発が行われ、種々の特許出願もされている。
【０００３】
これらディジタル放射線検出装置の中でも、高感度で高鮮鋭な装置として、下記特許文献１又は特許文献２に開示されているように、複数のフォトセンサ及び薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の電気素子が２次元に配置されている光電変換素子部から成る光検出器上に、放射線を光電変換素子で検出可能な光に変換するための蛍光体層を形成してなる放射線検出装置が知られている。この放射線検出装置には、２次元光検出器上に光電変換素子の剛性保護を目的とする保護膜が設けられている。また、蛍光体層と反射層間、及び反射層上には蛍光体層全体を覆うように耐湿保護層が形成され、さらに保護層端部からの水分の浸入を防止するために保護層端部を被覆する保護層被覆樹脂が設けられている。これらはいずれも、外界からの水分の進入を防止し、放射線検出装置の耐久性を向上させるものである。
【特許文献１】特開２０００−２８４０５３号公報
【特許文献２】特開２０００−９８４５号公報
【非特許文献１】松下電工技法  Ａｐｒｉｌ．２０００  ｐ．１３−１７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、放射線検出用シンチレータパネルに用いられる支持基板、反射層、保護層、絶縁耐熱層に用いられている材料の熱膨張係数は、アモルファスカーボンやガラスでは（１〜１０×１０−６）／℃、Ａｌ等の金属では（１５〜２５×１０−６）／℃、一般的な樹脂ではおよそ（１〜５×１０−５）／℃であり各層が耐熱耐湿耐久時に生じる変位差は大きい。したがって、放射線検出装置としての耐久性の向上には、防湿効果を高めるだけでなく、各構成層が外界の影響によって生じる変位に耐えうるように各構成層の密着性を向上させることが重要である。これまで、上記放射線装置においては耐久性評価において、以下のような問題が発生する場合があった。
【０００５】
１．耐熱耐湿性試験において、蛍光体層と蛍光体下地層である光電変換素子上に設けられた保護膜との間の密着力不足により蛍光体層が該下地層との間で破壊したり剥がれたりする場合があった。
【０００６】
２．蛍光体層と該下地層の密着性を向上させるために、一般的な表面改質処理方法であるコロナ放電処理を、センサパネルの光電変換素子上に設けられた下地層に施したところ、照射処理の影響により、光電変換素子のＴＦＴ−ｏｆｆ時の電流が変動したり、光電変換素子の配線が断線する等の問題が発生し、センサパネルにダメージなく表面改質を行うことはできなかった。
【０００７】
３．上記、表面処理方法として減圧プラズマ処理方法を行ったが、同様の結果であった。また、減圧プラズマ処理は高真空下での処理であるため、処理に時間がかかり、また処理工程が複雑になるなどの問題があった。
【０００８】
本発明の目的は、蛍光体層の密着不良による剥がれを防止し、かつ、蒸着によって均一で精度の高い柱状蛍光体の層を形成し、均一な光変換効率が得られる高感度で高鮮鋭な放射線検出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の放射線検出装置の製造方法は、２次元に配置された光電変換素子を備えたセンサパネル上に蛍光体下地層を配し、前記下地層表面を大気圧プラズマ処理し、前記下地層上に蛍光体層を形成することを特徴とするものである。また、本発明の放射線検出装置の製造方法は、支持基板上に配された蛍光体下地層の表面を大気圧プラズマ処理し、前記下地層上に蛍光体層を形成してシンチレータパネルを作製し、２次元に配置された光電変換素子を備えたセンサパネルと前記シンチレータパネルとを貼り合わせることを特徴とするものである。
【００１０】
かかる放射線検出装置においては、２次元に配置された光電変換素子を備えたセンサパネルと、前記センサパネル上に配され、大気圧プラズマ処理された表面を有する蛍光体下地層と、前記蛍光体下地層上に接して形成された蛍光体層を有する。
【００１１】
また、蛍光体層と反射層間に耐湿保護層を設けることにより、蛍光体層が含有する成分や水分によって反射層の機能が減衰することを防止し、また、反射層上に蛍光体層全体を覆うように保護層を形成して蛍光体及び反射膜を外界の水分から保護し、さらに保護層端部からの水分の浸入を防止するために保護層端部を被覆する保護被覆樹脂を設けることが好ましい。
【００１２】
さらに、かかる放射線検出装置においては、２次元に配置された光電変換素子を備えたセンサパネルと、支持基板上に配され、大気圧プラズマ処理された表面を有する蛍光体下地層上に蛍光体層を有するシンチレータパネルとを接着層で接着されてなるものである。
【００１３】
本発明のシンチレータパネルの製造方法は、支持基板上に配された蛍光体下地層の表面を大気圧プラズマ処理し、前記下地層上に蛍光体層を形成することを特徴とするものである。
【００１４】
かかるシンチレータパネルにおいては、支持基板上に配され、大気圧プラズマ処理された表面を有する蛍光体下地層上に蛍光体層を有するものである。
【００１５】
また、本発明のシンチレータパネル及び放射線検出装置の製造方法は、蛍光体下地層の表面が大気圧プラズマ処理され、かつ、処理後の表面エネルギーが４５×１０−３Ｊ／ｍ２以上となっている下地層上に、蒸着法により柱状蛍光体を形成することを特徴とするものである。
【００１６】
本発明者らは、上述した課題を解決すべく鋭意検討を行った。蛍光体下地層の表面を大気圧プラズマ処理することにより、センサパネルへのダメージがなく、蒸着法によって下地層上に柱状結晶構造を有して成長する蛍光体と下地層との密着力を向上させることが分かった。
【００１７】
また、放射線検出装置に用いられる蛍光体は蒸着法によって形成される柱状蛍光体等が用いられるが、蒸着時、蒸着源から気体として発せられた蛍光体は、支持基板表面に接し液体の状態を通り固体として支持基板に定着する。柱状結晶構造を有して成長する蛍光体は、定着表面近傍では結晶が安定せず結晶の柱状径が細くなるが成長にしたがって結晶の柱状が一体化して結晶の柱状径が太くなる傾向がある。センサパネル上に、直接、結晶を成長させて蛍光体を形成させるので、センサパネル側の柱状径が細いと、蛍光体上部からの光の損失が多く放射線検出装置の光出力は低下する。しかし、センサパネルの蛍光体下地層をプラズマ処理すると定着表面のヌレ性状が高くなって結晶の定着表面への広がりが大きくなり、センサパネル近傍で形成される結晶の柱状径がプラズマ処理しないときよりも太くなる傾向があることが分かった。このため蛍光体層中にセンサパネル近傍で光出力を劣化させていた細い柱状径の結晶領域が少なくなり、高い光出力が得られることが分かった。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば以下の効果がある。
【００１９】
（１）形成された蛍光体層の形状の均一度が高く、感度ムラのないシンチレータパネル及び放射線検出装置を実現できる。
【００２０】
（２）シンチレータパネル及び放射線検出装置として構成したときに、蛍光体の剥がれや破損が生じず、特に耐温度耐湿度性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００２２】
〔実施形態１〕
図１（ａ），（ｂ），（ｃ）は、本発明による実施形態１の放射線検出装置の製造方法を示す断面図である。
【００２３】
図１（ａ）〜（ｃ）において、１０１は絶縁基板としてのガラス基板、１０２はアモルファスシリコンを用いたフォトセンサとＴＦＴから成る光電変換素子部、１０３は配線部、１０４は電極取り出し部、１０５は光電変換素子部１０２を被覆するよう配された、窒化シリコン等より成るパッシベーション膜、１１１は樹脂膜等より形成された光電変換素子の剛性保護層を兼ねた蛍光体下地層である。これら１０１〜１０５によってセンサパネル１００が構成される。光電変換素子部１０２は、２次元状に各素子が配置され、各素子は画素に対応する。１０５を第１の保護層、１１１を第２の保護層と呼ぶこともできる。センサパネル１００上の蛍光体下地層１１１は、大気圧プラズマ処理によって表面が改質される。大気圧プラズマ処理装置は、上記非特許文献１に記載されているように、装置内に導入されたアルゴン及び酸素をプラズマガス化し、ノズル１２１により該ガスを被処理面に噴射することによって、被処理面の洗浄及び改質を行うものである。本明細書における実施形態では、大気圧プラズマ処理装置として、松下電工（株）の「Ａｉｐｌａｓｍａ」を使用した。
【００２４】
処理条件としては、光電変換素子及びその配線部にダメージを与えない条件設定が必要なためセンサパネルの特性によって適切な条件を設定する必要があるが、上記処理装置においては、出力０．９ｋＷ、ノズル１２１の操作速度１０〜１５０ｍｍ／ｓｅｃ、特に３０〜１２０ｍｍ／ｓｅｃが望ましい。上記のパラメータにおける処理により、下地層表面は４５×１０−３Ｊ／ｍ２以上の表面エネルギーが得られた。なお、上記表面エネルギーの測定は、「濡れ性試験法  ＪＩＳ  Ｋ６７６８」によって得られたものである。ノズル１２１の操作速度が１０ｍｍ／ｓｅｃ以下では、処理時のダメージによりセンサパネルのノイズが増大するか又は欠陥が発生する場合があり好ましくない。また、ノズル１２１の操作速度が３０ｍｍ／ｓｅｃ以下では、大気圧プラズマ処理によって下地層１１１に凹凸が形成され、下地層１１１上に後に説明されている蛍光体層１１２を形成する際に欠陥が生じる原因となる。また、さらにノズル１２１の操作速度を１２０ｍｍ／ｓｅｃ以上とすると、下地層１１１に十分な表面エネルギーが得られない。各構成層を積層した後の蛍光体層と蛍光体下地層の密着を向上させるためには、特に剥がれの応力を強く受ける蛍光体下地層の端部を処理することが重要となり、上記処理により剥がれによる欠陥を著しく減少させるための蛍光体層と蛍光体下地層の密着強度が得られる。特に蒸着により形成された蛍光体層の端部は蛍光体の蒸着厚みが薄く不安定なため、耐久時の各構成層の応力によって剥がれやすく、よって蛍光体層の少なくとも端部から５ｍｍ以上処理することが望ましい。特に、大気圧プラズマ処理は、領域を区切って処理を施すことが可能であり、例えば、蛍光体層端部の蛍光体下地層のみを処理する、もしくは蛍光体層端部の蛍光体下地層のみ処理条件を変更して処理することにより、蛍光体層端部における蛍光体下地層との密着性を高くする等、領域ごとの処理を選択することができることが望ましい。また、蛍光体下地層の表面処理により蛍光体層の被着体に対する定着時の広がりが安定することから、センサパネル近傍で処理なし時より太い柱状径の柱状結晶蛍光体を得ることができ、光出力が向上するので、蛍光体層が蒸着される蛍光体下地層領域の全領域に渡って下地処理を施すことが望ましい（図１（ａ）参照）。
【００２５】
図１（ｂ）に示すように、処理された下地層１１１上に、アルカリハライドより成る柱状結晶化した蛍光体（例えば、ＣｓＩ：Ｔｌ、タリウム活性化沃化セシウム）より成る蛍光体層１１２を蒸着によって形成する。さらに、図１（ｃ）に示すように、蒸着された蛍光体層１１２の頂面及び側面全体と蛍光体層１１２が形成されている領域の周囲の蛍光体下地層１１１を耐湿保護層１１３で被覆し、さらに反射層１１４を形成する。蛍光体層１１２と反射層１１４間に耐湿保護層１１３を設けることにより、反射層１１４は蛍光体層１１２が含有する成分や水分によってその機能が減衰することを防止することができる。このようにして構成した放射線検出装置の反射層１１４に接して全体を覆うように保護層１１５を設け、保護層端部を封止樹脂１１６によって被覆する。これらによって、反射層１１４及び蛍光体層１１２を外部の水分等によって変質することを防止することができる。
【００２６】
また、保護層１１５上に、耐湿性向上を目的として、たとえば、ＰＥＴ／Ａｌ箔／粘着剤の積層体を貼り合わせて、さらに耐湿性を向上させることもできる。
【００２７】
上記実施形態においては、本発明が最も効果を発揮するのは、結晶状態のコントロールが蛍光体の光出力に影響する柱状結晶の蛍光体層が蒸着によって形成される場合である。
【００２８】
本発明で使用されるセンサパネルのパッシベーション膜１０５としては、ＳｉＮやＴｉＯ2 、ＬｉＦ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ等の他、ポリフェニレンサルファイド樹脂、フッ素樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等が挙げられる。特にパッシベーション膜１０５は、放射線照射時に蛍光体によって変換された光が通過することから、蛍光体が放出する光の波長において高い透過率を示すものが望ましい。
【００２９】
本発明に用いられる下地層１１１としては、柱状化蛍光体による蛍光体層１１２形成工程での熱プロセス（２００℃以上）に耐える材料であればいずれの材料でも良く、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレア樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、高耐熱アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等が挙げられる。
【００３０】
反射層１１４の材料としては、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｒｈ、Ｐｔ及びＡｕ等の反射率の高い金属が望ましい。
【００３１】
下地層１１１及び蛍光体層１１２全体を覆う耐湿保護層１１３は、防湿保護の目的で設けられているものであって該目的にかなうものであればいずれの材料でもよいが、上記特許文献２で開示された、耐湿性の高いポリパラキシリレン等のＣＶＤ法で形成された有機膜を用いるのが望ましい。ポリパラキシリレン等のＣＶＤ法により形成された有機膜からなる耐湿保護層１１３は、下地層１１１との密着性が良好ではない場合に耐湿保護層１１３と下地層１１１との界面から大気中の水分が浸入し柱状結晶のＣｓＩを潮解してしまう恐れがある。しかしながら、上記のように大気圧プラズマ処理された下地層１１１の表面上に、ＣｓＩを被覆しかつＣｓＩ形成領域の周囲の領域の下地層と接する耐湿保護膜１１３として上記有機膜を用いた場合、耐湿保護層１１３と下地層１１１の密着性が向上し、下地層１１１と耐湿保護層１１３の界面における耐湿性が向上する効果が得られる。
【００３２】
蛍光体としては、アルカリハライド：付活剤が好適に用いられ、ＣｓＩ：Ｔｌの他に、ＣｓＩ：Ｎａ，ＮａＩ：Ｔｌ，ＬｉＩ：Ｅｕ，ＫＩ：Ｔｌ等を用いることができる。
【００３３】
２次元光検出器として、ガラス基板上にアモルファスシリコンを用いたフォトセンサとＴＦＴから成る光電変換素子部を形成した場合について説明したが、ＣＣＤやＣＭＯＳセンサ等を２次元状に配置した撮像素子を形成した半導体単結晶基板上に下地層、蛍光体層を配置することで放射線検出装置を構成することができる。
【００３４】
〔実施形態２〕
本発明は、支持基板上に配された蛍光体下地層の表面を大気圧プラズマ処理し、前記下地層上に接して蛍光体層を形成してシンチレータパネルを構成し、前記シンチレータパネルと２次元に配置された光電変換素子を備えたセンサパネルとを貼り合わせることによっても効果を得ることができる。上記のように、支持基板に蛍光体層を形成するときも、前記のようにセンサパネル上の下地層を処理するときと同様に、蛍光体層との密着性の向上、及び蛍光体層の柱状径のコントロールが可能である。
【００３５】
図２，３は、本発明による実施形態２の放射線検出装置の製造方法を示す図である。
【００３６】
１０１は絶縁基板としてのガラス基板、１０２はアモルファスシリコンを用いたフォトセンサとＴＦＴから成る光電変換素子部、１０３は配線部、１０４は電極取り出し部、１０５は窒化シリコン等より成るパッシベーション膜である。これら１０１〜１０５によってセンサパネル１００が構成される（図２（ａ）参照）。
【００３７】
一方、支持基板１１７上に、保護層１１８、反射層１１４、蛍光体下地層１１１を順次積層し、下地層１１１の表面を実施形態１と同様の大気圧プラズマ処理により下地層処理を行う（図２（ｂ）参照）。処理された蛍光体下地層１１１上に柱状の蛍光体より成る蛍光体層１１２を形成し、その上を耐湿保護層１１３で覆う。これらはシンチレータパネル１１０を構成する（図２（ｃ）参照）。
【００３８】
シンチレータパネル１１０をセンサパネル１００に貼り合わせる。１１９は接着剤層であり、１１６は封止樹脂である（図３参照）。
【００３９】
このような貼り合わせ放射線検出装置において、支持基板１１７としては、放射線検出装置用蛍光体パネルの支持基板として一般的に用いられている材料、Ａｌ、ガラス溶融石英、アモルファスカーボン基板、アモルファスカーボン含有基板、ポリイミド樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂等の耐熱樹脂基板を挙げることができる。アモルファスカーボンはガラスやＡｌに比べ、Ｘ線の吸収量が少なくより多くのＸ線を蛍光体層に透過することができるため支持基板に大変適した材料である。
【００４０】
〔実施形態３〕
図４は、本発明による実施形態１又は２の放射線検出装置を用いた放射線診断システムの例を示した図である。
【００４１】
Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は患者又は被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、図２に示したような放射線検出装置６０４０に入射する。この入射したＸ線には患者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応してシンチレータ（蛍光体層）は発光し、これをセンサパネルの光電変換素子が光電変換して、電気的情報を得る。この情報はディジタルに変換され信号処理手段となるイメージプロセッサ６０７０により画像処理され、コントロールルームの表示手段であるディスプレイ６０８０で観察できる。
【００４２】
また、この情報は電話回線６０９０等の伝送処理手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールーム等の表示手段となるディスプレイ６０８１に表示するか又は光ディスク等の記録手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。また記録手段となるフィルムプロセッサ６１００によりフィルム６１１０に記録することもできる。
【００４３】
以上説明したように、本発明は医療用のＸ線センサに応用することが可能であるが、非破壊検査等のそれ以外の用途に応用した場合にも有効である。
【実施例】
【００４４】
次に、本発明の放射線検出装置を実施例に基づいて詳細に説明する。
【００４５】
図１（ａ）に示すようにガラス基板１０１上の非晶質シリコンから成る半導体薄膜上にフォトセンサとＴＦＴから成る光電変換素子部１０２及び配線部１０３を形成し、その上にＳｉＮXより成るパッシベーション膜１０５を形成してセンサパネル１００を作製した。さらに蛍光体下地層（第２の保護層）１１１をパッシベーション膜１０５上に形成した。
【００４６】
センサパネル上の蛍光体下地層１１１の領域を大気圧プラズマ処理にて処理した処理条件を表１のようにして放射線検出装置を作成した。
【００４７】
次に、図１（ｂ），（ｃ）に示すように下地層１１１の表面に、アルカリハライドより成る柱状結晶化した蛍光体の層（蛍光体層１１２）を蒸着法によって形成する。全体をパラキシリレン樹脂より成る耐湿保護層１１３をＣＶＤ法によって形成した。さらに反射層１１４としてＡｌ膜を蒸着法によって形成し、再度、全体をパラキシリレン樹脂より成る保護層１１５で被覆した。さらに保護層端部を被覆するように封止樹脂１１６を形成して、放射線検出装置を得た。
【００４８】
これらの実施例のような構成においては、蛍光体層１１２が精度良く形成でき、均一性の高い放射線検出装置が得られた。
【００４９】
さらに、以上のように作製した放射線検出装置を、６０℃、９０％の温度湿度試験槽に１０００時間保存した。結果を表１に示す。実施例１〜３及び比較例１〜３は大気圧プラズマ処理の条件を変えて試験を行った例、実施例４は蛍光体下地層１１１をベンゾシクロブテン樹脂、実施例５は蛍光体下地層１１１をアクリル樹脂に変えて試験を行った例である。
【００５０】
【表１】
2004325442.tif 000003
１．蛍光体剥がれ
耐久性６０℃、９０％  １０００時間放置後に、放射線検出装置にＸ線を照射して得られた画像から、蛍光体剥がれや破損による欠陥画像があるかないかを観察した。
【００５１】
２．光出力
厚さ１００ｍｍの水ファントムを通して、管電圧１００ｋＶのＸ線で撮影した時の値であり、感度は比較例１の感度を１とした。
【００５２】
３．センサパネル欠陥
プラズマ処理後にパネル検査を行い、パネルに断線・ノイズムラ等の欠陥が発生していないかどうかを評価した。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明による実施形態１の放射線検出装置の製造方法を示す断面図
【図２】本発明による実施形態２の放射線検出装置の製造方法を示す断面図
【図３】本発明による実施形態２の放射線検出装置の製造方法を示す断面図
【図４】本発明の放射線検出装置を用いた放射線診断システムの例を示した図
【符号の説明】
【００５４】
１００  センサパネル
１０１  ガラス基板
１０２  光電変換素子部
１０３  配線部
１０４  電極取り出し部
１０５  パッシベーション膜
１１０  シンチレータパネル
１１１  蛍光体下地層
１１２  蛍光体層
１１３  耐湿保護層
１１４  反射層
１１５  保護層
１１６  封止樹脂
１１７  支持基板
１１８  保護層
１１９  接着剤層
１２１  大気圧プラズマ処理装置ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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