(57)【要約】【課題】装置コストの大幅な低減を図る。【解決手段】各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃにガスを供給するためのガス供給部１１と、ガス供給部１１から各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃに供給するガスの流量を制御するための流量制御部１２と、ガス供給部１１および流量制御部１２を経た下流側に設けられ各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃにガスを分配してそれぞれ供給するために分岐された複数の分岐配管を有するガス供給配管１３と、ガス供給配管１３の分岐配管に設けられた流量可変バルブ１４とを備える。そして、ガス供給配管１３は、流量可変バルブ１４が設けられている分岐配管の数が、分岐配管の全数に比べて少ない。【選択図】　図１
2004119705.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物が設置された減圧可能な複数の反応装置と、前記各反応装置に高周波電力を供給する高周波電力供給手段と、前記各反応装置を排気する排気手段とを備え、前記各反応装置内の被処理物を同時に真空処理するための真空処理装置の前記各反応装置に、ガスの流量を制御して供給するガス供給装置であって、
前記各反応装置にガスを供給するためのガス供給手段と、
前記ガス供給手段から前記各反応装置に供給するガスの流量を制御するための流量制御手段と、
前記ガス供給手段および流量制御手段を経た下流側に設けられ、前記各反応装置にガスを分配してそれぞれ供給するために分岐された複数の分岐配管を有するガス供給配管と、
前記ガス供給配管の前記分岐配管に設けられた流量可変バルブとを備え、
前記ガス供給配管は、前記流量可変バルブが設けられている前記分岐配管の数が、前記分岐配管の全数に比べて少ないことを特徴とするガス供給装置。
【請求項２】
前記複数の反応装置の個数は、２の乗数以外の個数である請求項１に記載のガス供給装置。
【請求項３】
前記各反応装置は、分岐された複数の分岐配管を有するガス排気配管を介して、同一の前記排気手段に接続されている請求項１または２に記載のガス供給装置。
【請求項４】
前記各反応装置は、前記ガス供給配管を介して、同一の前記ガス供給手段および前記流量制御手段にそれぞれ接続されている請求項１ないし３のいずれか１項に記載のガス供給装置。
【請求項５】
被処理物が設置された減圧可能な複数の反応装置と、前記各反応装置に高周波電力を供給する高周波電力供給手段と、前記各反応装置にガスを供給するガス供給手段および前記ガス供給手段から前記各反応装置に供給するガスの流量を制御するための流量制御手段を有するガス供給装置と、前記各反応装置からガスを排気する排気手段とを備え、前記各反応装置内の被処理物を同時に真空処理するための真空処理装置であって、
前記ガス供給装置は、前記ガス供給手段およびガス流量制御手段を経た下流側に設けられ前記各反応装置にガスを分配してそれぞれ供給するために分岐された複数の分岐配管を有するガス供給配管と、前記ガス供給配管の前記分岐配管に設けられた流量可変バルブとを有し、
前記ガス供給配管は、前記流量可変バルブが設けられている前記分岐配管の数が、前記分岐配管の全数に比べて少ないことを特徴とする真空処理装置。
【請求項６】
前記複数の反応装置の個数は、２の乗数以外の個数である請求項５に記載の真空処理装置。
【請求項７】
前記各反応装置は、分岐された複数の分岐配管を有するガス排気配管を介して、同一の前記排気手段に接続されている請求項５または６に記載の真空処理装置。
【請求項８】
前記各反応装置は、前記ガス供給配管を介して、同一の前記ガス供給手段および前記流量制御手段にそれぞれ接続されている請求項５ないし７のいずれか１項に記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理物が設置された減圧可能な複数の反応装置にガスを供給するためのガス供給装置、およびこのガス供給装置を備えて例えば堆積膜の形成やエッチング等の、半導体デバイス、電子写真用感光体、画像入力用ラインセンサ、撮影デバイス、光起電力デバイス等を製造するための真空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、減圧下でガスが供給されて、被処理物に対して、例えば堆積膜の形成やエッチング等の真空処理を施すための反応装置が知られている。この種の反応装置を複数備える従来の真空処理装置としては、一般的に、図６に示すように構成されたものが用いられている。
【０００３】
図６に示すように、従来の真空処理装置１０１は、３個の第１、第２および第３の反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃと、これら各反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃにガスをそれぞれ供給するためのガス供給装置１０３と、各反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃからガスをそれぞれ排気するためのガス排気装置１０４と、反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃに高周波電力を供給するための高周波電力供給装置１１０とを備えている。
【０００４】
ガス供給装置１０３は、各反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃにガスを供給するためのガス供給部１１１と、このガス供給部１１１から供給されるガスの流量を制御するための流量制御部１１２と、この流量制御部１１２から各反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃにガスをそれぞれ供給するためのガス供給配管１１３とを有している。
【０００５】
ガス供給部１１１は、プラズマ処理用ガスが収容されたガスボンベを有している。流量制御部１１２は、図示しないが、減圧弁、バルブ、マスフローコントローラ等を有している。ガス供給配管１１３は、各反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃにガスをそれぞれ供給するために分岐された複数の分岐配管を有している。このガス供給配管１１３の各分岐配管には、各反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃに供給されるガスの流量を均一または適正な流量に調整するための流量可変バルブ１１４がそれぞれ設けられている。
【０００６】
この流量可変バルブ１１４による流量の調整は、各反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃに設けられている圧力計（不図示）、または流量可変バルブ１１４と各反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃとの間に常設または必要時に設けられる流量計（不図示）によって調整される。
【０００７】
ガス排気装置１０４は、各反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃ内からガスを排気するための排気部１１５を有している。排気部１１５は、図示しないが、ロータリーポンプ、メカニカルブースターポンプ、油拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ等を有しており、集合排気配管１１６を介して各反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃに連結されている。そして、排気部１１５は、集合排気配管１１６を介して各反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃからガスをそれぞれ排気する。
【０００８】
また、集合排気配管１１６と各反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃとの間に、排気のコンダクタンスを制御するための排気コンダクタンス制御部１１７が設けられており、この排気コンダクタンス制御部１１７によって各反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃからの排気が均一または適正値に調整されている。
【０００９】
上述した従来のガス供給装置１０３は、流量可変バルブを備える構成が適用されているが、例えば図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、流量可変バルブを用いない構成も採られている。
【００１０】
図７（ａ）に示すように、ガス供給装置１５１は、４個の第１〜第４の反応装置１０２ａ，１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄにガスをそれぞれ供給するガス供給配管１５６を備えている。
【００１１】
図７（ｂ）に示すように、ガス供給装置１５２は、８個の第１〜第８の反応装置１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃ，１０２ｄ，１０２ｅ，１０２ｆ，１０２ｇ，１０２ｈにガスをそれぞれ供給するガス供給配管１５６を備えている。
【００１２】
このように流量可変バルブを用いない構成を採用する場合には、ガス供給配管の第１段目による分岐後の分岐配管の長さ、径、曲げ角度を等しくして、ガス供給のコンダクタンスを均一にできる構成であることが前提になり、複数の反応装置の個数が、例えば２個、４個、８個、１６個のように「２」の乗数倍の個数に限定されている。
【００１３】
また、従来、原料ガス供給手段と排気手段が共通化された複数の反応容器を用いる技術が開示されている（特許文献１参照）。このようにして複数の反応容器を単一の排気手段や単一のガス供給手段に接続することで、ガス供給手段や排気手段への設備投資を低減することができる。
【００１４】
また、これらの反応装置を利用する装置としては、高周波電力供給手段を接続し、放電エネルギーを利用するプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法による堆積膜形成用の真空処理装置がある。このプラズマＣＶＤ法によって形成される非晶質薄膜　（例えば水素およびハロゲンの少なくとも一方によって補償されたアモルファスシリコン）　は、電子写真用感光体、半導体デバイス、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の半導体素子への応用が提案され、その中のいくつかは実用に至っている。
【００１５】
特に１３．５６［ＭＨｚ］のＲＦ（Ｒａｄｉｏ−Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）帯の高周波を用いたプラズマＣＶＤ法（以降『ＲＦ−ＰＣＶＤ』と略記する）は、基板材料、堆積膜材料等が導電体、絶縁体に関わらず処理でき、また、その取り扱いが比較的容易であるため広く用いられている。また、プラズマを生成するために使用する高周波電力の周波数を工夫することにより、更なる改善を行うための様々な工夫がなされている。近年においては、ＲＦ帯と比較してより周波数が高いＶＨＦ（Ｖｅｒｙ　Ｈｉｇｈ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）帯の高周波電力を用いたプラズマＣＶＤ（以降『ＶＨＦ−ＰＣＶＤ』と略記する）法が注目を浴びており、このＶＨＦ−ＰＣＶＤを適用した各種堆積膜形成装置および堆積膜形成方法の開発も積極的に進められている。
【００１６】
また従来、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）系の電子写真用光受容部材を形成するために用いられる、ＶＨＦ帯の周波数を用いたＰＣＶＤの装置および方法が開示されている（特許文献２参照）。このように堆積膜の性能を低下させることなく堆積速度を向上させることで、製造に要する合計時間を短縮でき、製造コストの低減を図ることが可能になる。また、同一円周上に配置された複数の円筒状基体上に、ＶＨＦ帯の高周波を用いて複数の堆積膜を同時に形成する技術が開示されている（特許文献３参照）。
【００１７】
ＶＨＦ帯と呼ばれる、１３．５６［ＭＨｚ］のＲＦ帯の周波数より比較的高い周波数の高周波を好適に使用でき、円筒状基体上に電子写真用感光体を堆積するための従来の反応装置について説明する。
【００１８】
従来の反応装置は、アモルファスシリコン感光体を製造するための反応装置であって、カソード電極が反応容器の外方に設置され、反応容器内に複数の円筒状基体が設置されている。
【００１９】
そして、反応装置は、高周波電力供給装置の高周波電源から発振された高周波電力がマッチングボックスを介し、電力分岐の給電点に印加され、反応容器の外方に設置された複数のカソード電極から反応容器内に電力が供給され、反応容器内にプラズマを生起し堆積膜が形成される。また、カソード電極から放出される高周波電力を反応容器に効率良く導入するために、円筒形の反応容器の側壁は、誘電材料であるセラミックスによって形成されている。
【００２０】
さらに、反応装置には、反応容器内に、複数の円筒状基体が同一円周上に等間隔でそれぞれ設置されている。円筒状基体の本数は、反応容器と円筒状基体の径に応じて任意に変えることが可能である。また、反応容器内にガスを導入するガス導入管は、円筒状基体が配置された配置円の外方の同一円周上等に間隔で複数本設置されている。
【００２１】
このガス導入管には、複数のガス放出孔が設けられており、これらガス放出孔の位置や孔径を調整することによって、反応容器内に導入するガスの分布を調整することができる。また、ガス導入管に関しても、ガスを均等に供給することができれば任意の数にすることができる。また、分岐電極と各カソード電極は、コンデンサを介して電気的に接続されるように構成してもよい。
【００２２】
上述した従来の反応装置を用いて堆積膜を形成する形成工程について簡単に説明する。
【００２３】
まず、反応容器内に円筒状基体を設置し、ガス排気装置によって排気管を通して反応容器内を排気する。続いて、不活性ガスを流しながらヒーターにより円筒状基体を２００［℃］〜３００［℃］程度の所定の温度に加熱する。
【００２４】
円筒状基体が所定の温度になったときに、ガス供給部、流量制御部およびガス供給配管から分岐配管、ガス導入管を介して原料ガスを反応容器内に導入する。その後、排気コンダクタンス制御部を用いて、反応容器内の圧力が０．０５〜２０［Ｐａ］の間、好適には０．１〜１０［Ｐａ］の所定の圧力に設定する。反応容器内の圧力が安定したのを確認した後、高周波電力を高周波電源によって、マッチングボックスを介してカソード電極へ供給する。これにより、反応容器内に高周波電力が供給され、反応容器内にグロー放電が生起し、原料ガスが励起解離して円筒状基体上に堆積膜が形成される。堆積膜の形成中に、モータによって、ギヤ、回転軸を介して円筒状基体を所定の速度で回転させることで、円筒状基体の表面全周に亘って堆積膜が形成される。
【００２５】
堆積膜が所望の膜厚に形成された後、高周波電力の供給を停止し、続いて原料ガスの供給を停止して堆積膜の形成工程を終える。このような堆積膜の形成工程を同様に複数回繰り返すことによって、堆積膜が積層されて形成され、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【００２６】
【特許文献１】
特公平７−１３９４７号公報
【特許文献２】
特開平６−２８７７６０号公報
【特許文献３】
特開平７−２８８２３３号公報
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の真空処理方法および真空処理装置によれば、同時に作製できる堆積膜の数量が多くなり生産性の向上が図られるとともに、流量制御部や排気部といった付帯設備を共通化できるというコスト面のメリットがあり、生産コストを大幅に低減させることが可能になった。
【００２８】
しかしながら、近年の製品の価格競争が大変に厳しい状況では、生産設備投資においても１円単位でのコストの削減が求められており、未だ改善の余地があるのも実情である。
【００２９】
複数の反応装置に原料ガスを供給するガス供給部および流量制御部を有するガス供給装置に関しては、複数の反応装置で共有することが設備コストを低減するために好ましい。
【００３０】
そして、例えばａ−Ｓｉ等の堆積膜を作製する場合、原料ガスはモノシランガス等を用いるが、その他にも価電子制御のためのジボランガス、ホスフィンガス、希釈用のガスとして水素、ヘリウム、アルゴン、その他にもハロゲン含有ガス等、非常に多くの原料ガスを混合する場合が多い。また、その混合比率や流量等も正確に制御しなければ所望の膜が得られない。このため、それぞれのガス供給路毎にマスフローコントローラを設けて正確に混合する必要がある。また、これらのガスの混合やパージ等を行うための分岐経路が複雑な分岐配管と、多数のバルブを有する流量制御部やガス混合部等の設備が必要となる。このような設備は、一般的に高額であるため、多数の反応装置を備える構成の場合に、反応装置毎に独立して用意することで、設備投資額が膨大に嵩んでしまう。したがって、複数の反応装置を同一の流量制御部から分岐した分岐配管に接続し、同時にガス供給を行うことによって、ガス供給設備に関わる装置コストを大幅に低減することが可能になる。
【００３１】
したがって、上述したように、反応装置の個数が、図７（ａ）および図７（ｂ）に示したように、「２」の乗数個である場合は、各ガス供給配管１５６，１５７の分岐配管の長さ、径、曲げ角度を等しくすることで、ガス供給のコンダクタンスを均一にできる構成を採ることができる。このため、ガス供給部１１１から流量制御部１１２を介して供給されたガスを分配する各ガス供給配管１５６，１５７の分岐配管に、流量可変バルブを設けない構成が可能にされている。このように構成されたガス供給装置１５１，１５２は、流量可変バルブに不要になるため、特に装置コストが嵩むようなことはない。
【００３２】
しかしながら、例えば図６に示したように、反応装置が３個の場合には、ガス供給配管の分岐後の分岐配管の長さ、径、曲げ角度を等しくしてガス供給のコンダクタンスを正確に揃えることが比較的困難であり、ガス供給配管の全長が無駄に長くなってしまうことがある。したがって、製造コストの増加や真空処理特性に悪影響を及ぼす場合があり、ガス流量の調整が困難であることから、一般的には流量可変バルブが、分岐後の分岐配管の全数すなわち各反応装置毎にそれぞれ設けられている。
【００３３】
すなわち、複数の反応装置の全個数が、例えば３個、５個、６個のような２の乗数個以外の場合には、分岐後の分岐配管の長さ、径、曲げ角度を等しく形成してガス供給のコンダクタンスを均一にすることが困難なため、反応装置毎に流量可変バルブがそれぞれ設けられている。したがって、従来のガス供給装置は、複数の反応装置の全個数が２の乗数個以外の場合に、装置コストが膨大になって嵩んでしまうという問題があった。
【００３４】
そこで、本発明は、量産化における装置コストを大幅に低減させ、得られる堆積膜の特性の再現性および生産性を向上させることができるガス供給装置および真空処理装置を提供することを目的とする。
【００３５】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成するため、本発明に係るガス供給装置は、被処理物が設置された減圧可能な複数の反応装置と、各反応装置に高周波電力を供給する高周波電力供給手段と、各反応装置を排気する排気手段とを備え、各反応装置内の被処理物を同時に真空処理するための真空処理装置の各反応装置に、ガスの流量を制御して供給するガス供給装置であって、各反応装置にガスを供給するためのガス供給手段と、ガス供給手段から各反応装置に供給するガスの流量を制御するための流量制御手段と、ガス供給手段および流量制御手段を経た下流側に設けられ各反応装置にガスを分配してそれぞれ供給するために分岐された複数の分岐配管を有するガス供給配管と、ガス供給配管の分岐配管に設けられた流量可変バルブとを備える。そして、ガス供給配管は、流量可変バルブが設けられている分岐配管の数が、分岐配管の全数に比べて少ない。
【００３６】
また、本発明に係る真空処理装置は、被処理物が設置された減圧可能な複数の反応装置と、各反応装置に高周波電力を供給する高周波電力供給手段と、各反応装置にガスを供給するガス供給手段およびガス供給手段から各反応装置に供給するガスの流量を制御するための流量制御手段を有するガス供給装置と、各反応装置からガスを排気する排気手段とを備え、各反応装置内の被処理物を同時に真空処理するための真空処理装置である。ガス供給装置は、ガス供給手段およびガス流量制御手段を経た下流側に設けられ各反応装置にガスを分配してそれぞれ供給するために分岐された複数の分岐配管を有するガス供給配管と、ガス供給配管の分岐配管に設けられた流量可変バルブとを有する。そして、ガス供給配管は、流量可変バルブが設けられている分岐配管の数が、分岐配管の全数に比べて少ない。
【００３７】
本発明によれば、ガス供給装置が備えるガス供給配管が、いずれかの分岐で、例えば複数の反応装置を２の乗数個と、反応装置の総数から２の乗数個を引いた残りの個数とに分岐させる分岐構成や、複数の反応装置の総数に対して最大となる２の乗数個と、残りの個数とに分岐させる分岐構成にされることによって、流量可変バルブの数が、ガス供給配管の分岐配管の全数に比べて少なくされ、各反応装置にガスを均一に供給するために必要とされる流量可変バルブの個数を抑えることが可能になる。したがって、このガス供給装置によれば、ガス供給装置にかかる装置コストが大幅に低減され、例えば、ガス流量の調整作業時間、管理等に関わる堆積膜の製造コストも削減される。
【００３８】
なお、本発明において、分岐配管の全数とは、例えば、第１段目および第２段目でそれぞれ分岐されている場合、第１段目および第２段目の各分岐数の和を指し、流量制御手段から各反応装置に至る経路上で、ガス供給配管が分岐された分岐配管の総数を指している。
【００３９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００４０】
図１は本実施形態のガス供給装置を備える真空処理装置の一例を示す模式図である。
【００４１】
図１に示すように、本実施形態の真空処理装置１は、３個の第１、第２および第３の反応装置２ａ，２ｂ，２ｃと、これら各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃにガスをそれぞれ供給するためのガス供給装置３と、各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃからガスをそれぞれ排気するためのガス排気装置４と、各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃに高周波電力を供給するための高周波電力供給装置１０とを備えている。
【００４２】
ガス供給装置３は、各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃにガスを供給するためのガス供給部１１と、このガス供給部１１から供給されるガスの流量を制御するための流量制御部１２と、この流量制御部１１２から各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃにガスをそれぞれ供給するためのガス供給配管１３とを有している。
【００４３】
ガス供給部１１は、所望のプラズマ処理用ガスが収容されたガスボンベを有している。流量制御部１２は、図示しないが、減圧弁、バルブ、マスフローコントローラ等を有している。ガス供給配管１３は、各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃにガスをそれぞれ供給するために分岐された複数の分岐配管を有している。
【００４４】
そして、ガス供給配管１３には、各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃにそれぞれ供給されるガスの流量を均一または適正流量に調整するために、ガス供給配管１３における第１段目の分岐で２つに分岐された一方の分岐配管に、流量可変バルブ１４が設けられている。流量可変バルブ１４が設けられていない他方の分岐配管側は、配管長さ、径、曲げ角度が均等に配分されて各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃに接続されている。すなわち、流量可変バルブ１４によって、反応装置２ｃに供給されるガスの流量が、反応装置２ａ，２ｂにそれぞれ供給されるガスの流量と均一または適正な流量に調整される。
【００４５】
ガス排気装置４は、各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃ内からガスを排気するための排気部１５を有している。排気部１５は、図示しないが、ロータリーポンプ、メカニカルブースターポンプ、油拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ等を有しており、集合排気配管１６を介して各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃに連結されている。そして、排気部１５は、集合排気配管１６を介して各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃからガスをそれぞれ排気する。
【００４６】
また、集合排気配管１６と各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃとの間に、排気のコンダクタンスを制御するための排気コンダクタンス制御部１７が設けられており、この排気コンダクタンス制御部１７によって各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃからの排気が均一または適正値に調整されている。
【００４７】
以上のように構成されたガス供給装置３から各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃに、例えば、ＳｉＨ４ガスを流量１００［ｓｃｃｍ］流す場合、流量の調整を次のようにして行う。なお、流量可変バルブ１４が設けられている分岐配管には、流量計（不図示）が取り付けられている。本実施形態では、流量の調整のために流量計を１つ使用しているが、流量計は各反応装置に接続されているガス供給配管に常設されている構成でも何ら問題はないが、装置コストの低減を考慮して、必要最低限の個数を取り付けて使用することが望ましい。
【００４８】
あらかじめ排気のコンダクタンスは、排気コンダクタンス制御部１７によって各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃが均一になるよう調整されている。
【００４９】
まず、ガス供給部１１から流量制御部１２にＳｉＨ４ガスが供給され、流量制御部１２内のマスフローコントローラによって、ＳｉＨ４ガスの流量が３００［ｓｃｃｍ］に制御されて、ガス供給配管１３に供給される。その後、流量可変バルブ１４が設けられている分岐配管では、流量可変バルブ１４によって流量計の値が１００［ｓｃｃｍ］になるように流量が調整される。このとき、流量可変バルブ１４が設けられていない分岐配管側には、流量２００［ｓｃｃｍ］のＳｉＨ４ガスが流れるが、配管長さ、径、曲げ角度が均等に配分されるように構成されているため、各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃには、それぞれ流量１００［ｓｃｃｍ］流れることになる。
【００５０】
また、このガス供給装置３から例えば、ＳｉＨ４ガスを各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃに流量１００［ｓｃｃｍ］でそれぞれ流すときに行う流量調整を、各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃに設けられている圧力計によって行う場合について説明する。
【００５１】
あらかじめ排気のコンダクタンスは、各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃにＳｉＨ４ガスを流量１００［ｓｃｃｍ］で流して、排気コンダクタンス制御部１７によって、各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃが０．６［Ｐａ］で均一になるよう調整している。
【００５２】
まず、ガス供給部１１から流量制御部１２にＳｉＨ４ガスが供給され、流量制御部１２内のマスフローコントローラによって、ＳｉＨ４ガスの流量が３００［ｓｃｃｍ］に制御されて、ガス供給配管１３に供給される。その後、流量可変バルブ１４が設けられている反応装置２ｃの圧力計が０．６［Ｐａ］の圧力になるように、流量可変バルブ１４によって流量が調整される。
【００５３】
このとき、流量可変バルブ１４が設けられている一方の分岐配管側には、流量１００［ｓｃｃｍ］のＳｉＨ４ガスが流れる。流量可変バルブ１４が設けられていない他方の分岐配管側には、流量２００［ｓｃｃｍ］のＳｉＨ４ガスが流れるが、分岐配管の長さ、径、曲げ角度が均等に配分されるように構成されているため、各反応装置２ａ，２ｂには、流量１００［ｓｃｃｍ］のＳｉＨ４ガスがそれぞれ流れることになり、各反応装置２ｂ，２ｃの圧力計も０．６［Ｐａ］になる。
【００５４】
次に、本実施形態の真空処理装置１が備える各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃ、および高周波電力供給装置１０について説明する。なお、真空処理装置１は、構成が同一である各反応装置２ａ，２ｂ，２ｃを備えているため、反応装置２ａについてのみ説明する。
【００５５】
図２に、円筒状基体２０上に電子写真用感光体としての堆積膜を形成するために用いられて好適な反応装置の模式図を示す。
【００５６】
反応装置２ａは、１３．５６［ＭＨｚ］のＲＦ帯の周波数より比較的高い周波数の高周波を好適に使用することが可能にされており、アモルファスシリコン感光体を製造するための反応装置である。
【００５７】
反応装置２ａは、図２に示すように、プラズマ処理によって円筒状基体２０に堆積膜を形成するための反応容器２１と、この反応容器２１内に配置される円筒状基体２０を支持する複数の基体保持部材２２と、反応容器２１内にプラズマ処理用ガスを導入するための複数のガス導入管２３と、高周波放電電力が供給される複数のカソード電極２４とを有している。
【００５８】
また、高周波電力供給装置１０は、反応装置２ａ内のカソード電極２４に高周波電力を供給するための電力供給源２６と、整合回路を有するマッチングボックス２７とを有している。電力供給源２６は、接地されており、マッチングボックス２７を介してカソード電極２４に電力を供給する。
【００５９】
この高周波電力供給装置１０は、高周波電源２６から発振された高周波電力がマッチングボックス２７を介し、後述する分岐電極４５の給電点に印加され、反応容器２１の外方に設置された複数のカソード電極２４から反応容器２１内に電力が供給され、反応容器２１内に堆積膜を形成するためのプラズマを生起させる。
【００６０】
反応容器２１は、誘電材料によって円筒状に形成された側壁３１と、この側壁３１の上端および下端に、天板３２および底板３３がそれぞれ設けられている。反応容器２１内には、側壁３１、天板３２および底板３３によって囲まれた空間をもってプラズマ処理空間３５が構成されている。
【００６１】
反応容器２１の側壁３１を形成する誘電材料としては、セラミックスが用いられている。具体的なセラミックスとしては、アルミナ、二酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コージェライト、ジルコン−コージェライト、酸化珪素、酸化ベリリウムマイカ系セラミックス等が挙げられる。これらのうち、真空処理時の不純物混入抑制、耐熱性等の点からアルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素が好ましい。
【００６２】
また、底板３３の略中央部には、プラズマ処理空間３５内に供給されたガスを排気するための排気口３７が設けられている。この排気口３７には、排気管３８の一端が連結されて設けられている。排気管３８は、他端が、反応容器２１内を減圧するためのガス排気装置４に連通されている。
【００６３】
また、反応容器２１内には、この反応容器２１の中心部を取り囲むように、６本の円筒状基体２０が、互いに軸方向が平行になるようにそれぞれ配置される。各円筒状基体２０は、基体保持部材２２を介して回転軸３９によって支持されて、基体保持部材２２の内部に配設された発熱体（不図示）によって加熱される。そして、円筒状基体２０は、モータ４１を回転駆動することによって、減速ギヤ４２を介して回転軸３９が回転されて、基体保持部材２２とともに回転軸３９の軸回り方向に回転される。
【００６４】
ガス導入管２３は、棒状に形成されており、プラズマ処理用ガスを反応容器２１内に供給するための複数のガス供給孔（不図示）を有している。ガス導入管２３は、基端が分岐配配管４４に連結されており、この分岐配管４４を介して、プラズマ処理用ガスを供給するガス供給装置３に連通されている。そして、プラズマ処理用ガスは、ガス供給装置３によって、所望のプラズマ処理用ガスが所定の流量でガス導入管２３を介して供給される。
【００６５】
ガス導入管２３は、形状およびガス供給孔の個数に特に制限はないが、プラズマ処理特性の均一化を図るためには、反応容器２１内のガス濃度分布にむらが生じないように適正化されることが好ましい。また、ガス導入管２３の本数および配置も、製造コスト、取り扱いの面から本数が少ない方が望ましいが、ガス濃度分布にむらが生じないよう対称に配置することが好ましい。
【００６６】
カソード電極２４は、反応容器２１と複数の円筒状基体２の内面に対して軸方向が平行になるように、反応容器２１の外方に反応容器２１を取り囲むようにしてそれぞれ配置されている。カソード電極２４は、分岐電極４５を介して電気的に接続されており、高周波電力供給装置１０から分岐電極４５を介して高周波電力が供給される。カソード電極２４に供給された高周波電力は、誘電材料からなる反応容器２１を通して反応容器２１内に供給される。このとき、回転軸３９を通してアース電位に維持された円筒状基体２０および天板３２、底板３３がアノード電極として作用する。
【００６７】
カソード電極２４の本数は、プラズマ処理特性を均一化する効果をより顕著に得るために、円筒状基体２０の本数と同数配置することが好ましい。電極３の材料としては、導電性を有していればよく、例えばＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、およびこれらの合金、例えばステンレス等を使用することができる。
【００６８】
また、反応容器２１の外方には、反応装置２ａの外方に漏洩する電磁波を抑えるための電磁波遮断用シールド４７が、底板３３上にカソード電極２４を取り囲むように配置されている。電磁波遮断用シールド４７は、導電性材料によって円筒状に形成されており、両端が、底板３３および蓋体４８によって閉塞されている。この電磁波遮断用シールド４７は、中心軸が円筒状基体２０の配置円の中心を通るように設置されて、一定電位に維持されることで、放出される高周波電力の均一性の向上が図られている。
【００６９】
上述した実施形態の真空処理装置１は、全３個の第１〜第３の反応装置２ａ，２ｂ，２ｃにガスをそれぞれ供給するガス供給装置３を備える構成にされたが、反応装置２の個数が５個または６個の場合に適用される他のガス供給装置について図面を参照して説明する。
【００７０】
図３（ａ）および図３（ｂ）に、反応装置２の個数が５個の場合のガス供給装置の構成を示し、図４（ａ）および図４（ｂ）に、反応装置２の個数が６個の場合のガス供給装置の構成を模式的に示す。なお、上述した真空処理装置１と同一部材には、同一符号を付して説明を省略する。
【００７１】
反応装置２の個数が５個の場合、図３（ａ）に示すように、ガス供給装置５１は、第１段目の分岐で、１個の反応装置２ａと、４個の反応装置２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅとに分岐されたガス供給配管５６を備えている。また図３（ｂ）に示すように、ガス供給装置５２は、第１段目の分岐で、３個の反応装置２ａ，２ｂ，２ｃと、２個の反応装置２ｄ，２ｅとに分岐されたガス供給配管５７を備えている。
【００７２】
反応装置２の個数が６個の場合、図４（ａ）に示すように、ガス供給装置５３は、第１段目の分岐で、２個の反応装置２ａ，２ｂと、４個の反応装置２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆとに分岐されたガス供給配管５８を備えている。また図４（ｂ）に示すように、ガス供給装置５４は、第１段目の分岐で、３個の反応装置２ａ，２ｂ，２ｃと、３個の反応装置２ｄ，２ｅ，２ｆとに分岐されたガス供給配管５９を備えている。
【００７３】
本発明は、ガス供給部１１および流量制御部１２の下流で、流量制御部１２からのガスを各反応装置２に分配するためにガス供給配管１３が分岐された各分岐配管の全数に比べて、流量可変バルブ１４が設けられている配管の個数が少ない構成であれば、いかなる分岐構成でもよい。なお、ガス供給配管１３の分岐構成としては、図３（ａ）および図４（ｂ）に示すように、流量調整部１２の下流で分岐される第１段目以降において、一方の分岐配管が、反応装置２の総数に対して最大となる２の乗数個に分岐されている分岐構成が、流量可変バルブ１４の個数を必要最小限に抑えることができるので好ましい。
【００７４】
図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、各ガス供給装置５１，５２では、ガス供給配管５６，５７に設けられている流量可変バルブ１４の個数が異なっており、第１段目の分岐による一方の分岐配管が、反応装置２の総数に対して最大となる２の乗数個に分岐する方が、流量可変バルブ１４の個数を少なく抑えることができる。
【００７５】
これら各ガス供給装置５１，５２と同様に、各ガス供給装置５３，５４も、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、ガス供給配管５８，５９に設けられている流量可変バルブ１４の個数が異なっており、第１段目の分岐による一方の分岐配管が、反応装置２の総数に対して最大となる２の乗数個に分岐する方が、流量可変バルブ１４の個数を少なく抑えることができる。
【００７６】
上述した本実施形態の各ガス供給装置３，５１〜５４およびこれらガス供給装置３，５１〜５４を備える真空処理装置１によれば、ガス供給部１１および流量制御部１２を経た下流側で、ガス供給配管１３を分岐する際に、分岐後の分岐配管の全数よりも、流量可変バルブ１４が設けられている分岐配管の個数を少なくした構成であって、ガス供給コンダクタンスを均一に制御することが可能になる。したがって、本実施形態によれば、ガス供給装置３、５１〜５４に要する装置コストを大幅に低減することができる。
【００７７】
また、本実施形態によれば、流量を調整するための流量可変バルブ１４の個数が削減されるため、各種の調整作業や点検、管理作業等に要する時間も短縮することが可能になり、その結果、各反応装置２による生産性の向上を図ることができる。
【００７８】
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
【００７９】
（実験例１）
図２に示した反応装置２を３個で１ユニットとした、図１に示した分岐構成のガス供給装置３を備える真空処理装置１を用いて、ガス供給部１１、流量制御部１２を介してＳｉＨ４ガスを流量３００［ｓｃｃｍ］で流した。
【００８０】
これら３個の反応装置２ａ〜２ｃは、１つのガス排気装置４および１つのガス供給装置３に接続されている。流量可変バルブ１４は、第３の反応装置２ｃへガスを供給するための分岐配管に取り付けられている。
【００８１】
あらかじめ排気のコンダクタンスは、各反応装置２ａ〜２ｃにＳｉＨ４ガスを流量１００［ｓｃｃｍ］で流して、排気コンダクタンス制御部１７によって各反応装置２ａ〜２ｃ内の各圧力が０．６［Ｐａ］で均一になるよう調整されている。なお、本実施例１では、各反応装置２ａ〜２ｃに接続されているガス供給配管１３に流量計が取り付けられている。
【００８２】
流量可変バルブ１４が設けられている一方の分岐配管の流量計の値が、流量１００［ｓｃｃｍ］になるように流量可変バルブ１４の開度を調整した。このとき、流量可変バルブ１４が設けられていない他方の分岐配管側の流量計の値を確認したところ、第１および第２の反応装置２ａ，２ｂに対して各々１００［ｓｃｃｍ］であった。
【００８３】
上記と同様の実験を数回繰り返したが、いずれも流量可変バルブ１４が設けられている一方の分岐配管の流量計の値に対して、流量可変バルブ１４が設けられていない他方の分岐配管側の流量計の値は、±１％程度の範囲内でガスが均等に配分されていた。
【００８４】
（実験例２）
図２に示した反応装置２が３個で１ユニットとした、図１に示した分岐構成のガス供給装置３を備える真空処理装置１を用いて、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法により、アルミニウムからなる直径８０［ｍｍ］、長さ３５８［ｍｍ］、肉厚３［ｍｍ］の円筒状基体上に、表１に示す条件にて堆積膜を形成した。
【００８５】
これら３個の反応装置２ａ〜２ｃは、１つのガス排気装置４および１つのガス供給装置３に接続した。高周波電力供給装置１０は、ＶＨＦ電力周波数を１０５［ＭＨｚ］にして、各反応装置２ａ〜２ｃにそれぞれ独立して接続した。
【００８６】
ガス供給流量および排気コンダクタンスは、実験例１で調整した状態で行った。
【００８７】
（比較実験例１）
図２に示した反応装置２が３個で１ユニットとして、図６に示した分岐構成のガス供給装置１０３を用いること以外は、実施例１と同様にして堆積膜を形成した。
【００８８】
あらかじめ排気のコンダクタンスは、各反応装置２にＳｉＨ４ガスを流量１００［ｓｃｃｍ］流して、排気コンダクタンス制御部１０６によって各反応装置が０．６［Ｐａ］で均一になるよう調整されている。流量可変バルブ１０３の開度についても、各反応装置２にＳｉＨ４ガスを流量１００［ｓｃｃｍ］流して流量を調整した。
【００８９】
堆積膜形成前のガス流量および圧力の確認を行った。
その結果を表２に示す。
【００９０】
【表１】
2004119705.tif 000003
【００９１】
【表２】
2004119705.tif 000004
【００９２】
表２の結果の通り、いずれの流量計の値も流量１５０［ｓｃｃｍ］に対して、±１％程度の範囲内でガスが均等に配分されていた。圧力についても、０．８［Ｐａ］に対して±１％程度の範囲内で排気のコンダクタンスも均一であった。
【００９３】
また、流量可変バルブによって流量を調整してしまえば、ガス流量が変化した場合にも、ガスが均等に配分されることが確認された。
【００９４】
また、本実験例では流量の調整に要した時間は、流量可変バルブが少ないため、比較実験例の構成で流量調整をする時間に比較して約半分程度の時間で調整することができる。
【００９５】
（装置コストの比較）
ガス供給装置における設備投資金額を比較した。図５（ａ）および図５（ｂ）にガス供給装置の構成の模式図を示す。図５（ａ）に、実験例２のガス供給装置の構成の模式図を示し、図５（ｂ）に、比較実験例１のガス供給装置の構成の模式図を示す。なお、実験例２および比較実験例１において、便宜上、同一部材には同一符号を付して説明する。
【００９６】
（実験例２および比較実験例１）
なお、実験例１では、各反応装置に接続されているガス供給配管に流量計を実験のために３個取り付けたが、本来、流量計は１個でよいことから、図面上および装置コストの算出は流量計１個としている。
【００９７】
図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、ガス供給装置７０，１７０は、ＳｉＨ４ガスが収容されたＳｉＨ４ガスボンベ７１と、Ａｒガスが収容されたＡｒガスボンベ７２と、バルブ７３，７４，７７，７８，８１，８２，８５，８６，８７，８８，９０、減圧弁７５，７６、ガスフィルタ７９，８０、マスフローコントローラ８３，８４、排気ポンプ８９、流量可変バルブ９１，９２，９３とを有している。
【００９８】
また、図示しないが、ガスボンベ７２とバルブ７４の間の配管には、ガスボンベ交換用の真空排気ラインや、パージングするためのパージガス供給ライン等が設けられている。
【００９９】
本実験例１のガス供給装置７０によれば、比較実験例１のガス供給装置１７０に要する費用に対して、製造コストを約５％程度、低減することができる。
【０１００】
また、例えば堆積膜を量産する際等に用いられる量産用の真空処理装置では、１ユニット当たりに接続する反応装置２の個数や、ユニットの総数が増えるため、本実施形態の構成を採用することによって、装置コストの大幅な低減を図ることができる。
【０１０１】
（実施例１）
図２に示した反応装置が３個で１ユニットとした、図１に示した分岐構成のガス供給装置３を備える真空処理装置１を用いて、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法により、アルミニウムからなる直径８０［ｍｍ］、長さ３５８［ｍｍ］、肉厚３［ｍｍ］の円筒状基体上に、表３に示す条件にて電子写真感光体を３０サイクル連続で作製した。１個の反応装置２内には、６本の円筒状基体が設置されている。
【０１０２】
３個の反応装置２は、１つの排気部、１つのガス供給装置３の流量制御部１２に接続した。ＶＨＦ電力周波数は、１０５［ＭＨｚ］で、各反応装置２に独立してそれぞれ接続した。
【０１０３】
流量可変バルブ１４は、反応装置２へのガス供給配管１３に取り付けられている。ガス供給流量および排気コンダクタンスは、実験例１で調整した状態としている。
【０１０４】
また、本実施例のような積層系の場合、排気のコンダクタンスは、排気コンダクタンス制御部（本例ではスロットルリング）の開度を各層の圧力設定になるようあらかじめ設定されており、本例の層の切り替え時はスロットリングの開度の設定値を変更する。
【０１０５】
【表３】
2004119705.tif 000005
【０１０６】
電荷注入阻止層開始前の各反応装置の圧力の確認を行った。あらかじめ図２に示した反応装置２が３個で１ユニットとした、図６に示した分岐構成のガス供給装置１０３を備える従来の真空処理装置１０１を用いて、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法により、アルミニウムからなる直径８０［ｍｍ］、長さ３５８［ｍｍ］、肉厚３［ｍｍ］の円筒状基体上に、表３に示す条件にて作製したときの電荷注入阻止層開始前の各反応装置の圧力を１００としたときの相対値で比較した。その結果を表４に合わせて示す。
【０１０７】
また、作製した電子写真感光体について、帯電能および感度の評価を行った。その評価結果を表４に合わせて示す。
【０１０８】
なお、電子写真感光体は、１個の反応装置につき６本作製されているが、本例ではそのうちの１本についての結果を示す。
【０１０９】
（帯電能の評価）
作製した電子写真感光体を複写機（キヤノン社製：ｉＲ―５０００を実験用に改造したもの）に設置し、主帯電器に一定の電流を流し、現像器を外して現像器位置に電位計を挿入し、通常の複写操作と同様に感光体を回転させ、露光用の光源を外した状態で、表面の電位（暗部電位）を測定した。軸方向中央の値を、帯電能の代表値とした。
【０１１０】
あらかじめ図２に示した反応装置２が３個で１ユニットとした、図６に示した分岐構成のガス供給装置１０３を備える従来の真空処理装置１０１を用いて、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法により、アルミニウムからなる直径８０［ｍｍ］、長さ３５８［ｍｍ］、肉厚３［ｍｍ］の円筒状基体上に、表３に示す条件にて作製したときの帯電能を１００としたときの相対値で比較した。
【０１１１】
（感度の評価）
作製した電子写真感光体を複写機（キヤノン社製：ｉＲ−５０００を実験用に改造したもの）に設置し、現像器位置での暗部電位が一定となるよう主帯電器電流を調整した後に、原稿に反射濃度０．１以下の所定の白紙を用いて、現像器位置での明部電位が所定の値となるよう像露光光量を調整したときの像露光光量によって感度を評価する。軸方向中央の値を、感度の代表値とした。
【０１１２】
あらかじめ図２に示した反応装置が３個で１ユニットとした、図６に示した分岐構成のガス供給装置１０３を備える従来の真空処理装置１０１を用いて、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法により、アルミニウムからなる直径８０［ｍｍ］、長さ３５８［ｍｍ］、肉厚３［ｍｍ］の円筒状基体上に、表３に示す条件にて作製したときの帯電能を１００としたときの相対値で比較した。
【０１１３】
表４から明らかなように、圧力は±１％の範囲で制御されており、排気のコンダクタンスが均一であった。すなわち、本発明の装置構成において、供給されるガス流量は、各反応装置で均等となっている。
【０１１４】
また、積層系の場合であっても、排気コンダクタンスが各反応装置で均等に調整されていることから、ガス流量が変化しても各反応装置間の圧力差が無く、均一な状態が維持されている。すなわち、各反応装置には、ガス供給装置によって、ガスが均等に分配されている。
【０１１５】
【表４】
2004119705.tif 000006
【０１１６】
（実施例２）
実施例２では、図２に示した反応装置２が５個で１ユニットとして、図３（ａ）および図３（ｂ）に示した各分岐構成のガス供給装置５１，５２を備える真空処理装置を用いて、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法により、アルミニウムからなる直径８０［ｍｍ］、長さ３５８［ｍｍ］、肉厚３［ｍｍ］の円筒状基体上に、表５に示す条件にて電子写真感光体を３０サイクル連続で作製した。１個の反応装置２には、６本の円筒状基体２０が設置されている。
【０１１７】
これら５個の反応装置２は、１つの排気部、１つのガス供給装置の流量制御部に接続した。ＶＨＦ電力周波数は、１０５［ＭＨｚ］で、それぞれの反応装置に独立に接続した。
【０１１８】
ガス供給流量および排気コンダクタンスは、実施例１と同様の方法にいって行った。
【０１１９】
【表５】
2004119705.tif 000007
【０１２０】
電荷注入阻止層の形成開始前に、各反応装置の圧力の確認を行ったところ、いずれの分岐構成においても実施例１と同様良好な結果が得られた。
【０１２１】
また、作製した電子写真感光体について、帯電能および感度を実施例１と同様に評価を行ったところ、いずれの分岐構成においても実施例１と同様に良好な結果が得られた。
【０１２２】
（実施例３）
図２に示した反応装置が６個で１ユニットとして、図４（ａ）および図４（ｂ）に示す分岐構成のガス供給装置５３，５４を備える真空処理装置を用いて、実施例２と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例１と同様の評価を行ったところ、いずれの分岐構成においても実施例１と同様に良好な結果が得られた。
【０１２３】
また、電荷注入阻止層の形成開始前の各反応装置の圧力についても、いずれの分岐構成においても実施例１と同様に良好な結果が得られた。
【０１２４】
【発明の効果】
上述したように本発明によれば、複数の反応装置内の被処理物を同時に真空処理するための真空処理装置およびガス供給装置において、ガス供給手段および流量制御手段を経た下流側に設けられ各反応装置にガスを分配してそれぞれ供給するために分岐された複数の分岐配管を有し、流量可変バルブが設けられている分岐配管の数が、分岐配管の全数に比べて少なくされたガス供給配管を備えることによって、ガス供給装置にかかる装置コストを大幅に低減することができる。したがって、本発明に係るガス供給装置およびこのガス供給装置を備える真空処理装置によれば、真空処理による生産コストを大幅に低減することが可能になり、製造される例えば堆積膜の特性の安定性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るガス供給装置を備える真空処理装置の一例を示す模式図である。
【図２】前記真空処理装置が備えるＶＨＦ−ＰＣＶＤ法を用いた反応装置を示す模式図である。
【図３】（ａ）は、反応装置が５個の場合における他のガス供給装置の、構成の一例を示す模式図であり、（ｂ）は、反応装置が５個の場合における他のガス供給装置の、構成の他の例を示す模式図である。
【図４】（ａ）は、反応装置が６個の場合における更に他のガス供給装置の、構成の一例を示す模式図であり、（ｂ）は、反応装置が６個の場合における更に他のガス供給装置の、構成の他の例を示す模式図である。
【図５】（ａ）は、実験例２のガス供給装置の構成を示す模式図であり、図５（ｂ）は、比較実験例１のガス供給装置の構成を示す模式図である。
【図６】従来のガス供給装置を備える真空処理装置の一例を示す模式図である。
【図７】従来のガス供給装置のガス供給配管の構成を示す模式図である。
【符号の説明】
１　真空処理装置
２　反応装置
２ａ〜２ｆ　第１〜第６の反応装置
３　ガス供給装置
４　ガス排気装置
１０　高周波電力供給装置
１１　ガス供給部
１２　流量制御部
１３　ガス供給配管
１４　流量可変バルブ
１５　排気部
１６　集合排気配管
１７　排気コンダクタンス制御部
２０　円筒状基体
２１　反応容器
２２　基体保持部材
２３　ガス導入管
２４　カソード電極
２６　高周波電源
２７　マッチングボックス
３１　側壁
３２　天板
３３　底板
３５　プラズマ処理空間
３７　排気口
３８　排気管
３９　回転軸
４１　モータ
４２　減速ギヤ
４４　分岐配管
４５　分岐電極
４７　電磁波遮断用シールド
４８　蓋体
７１，７２　ガスボンベ
７３，７４，７７，７８，８１，８２，８５，８６，８７，８８，９０　バルブ
７５，７６　減圧弁
７９，８０　フィルタ
８３，８４　マスフローコントローラ
８９　排気ポンプ
９１，９２，９３　流量可変バルブ
１０１　真空処理装置
１０２ａ〜１０２ｈ　第１〜第８の反応装置
１０３　ガス供給装置
１０４　ガス排気装置
１１０　高周波電力供給装置
１１１　ガス供給部
１１２　流量制御部
１１３　ガス供給配管
１１４　流量可変バルブ
１１５　排気部
１１６　集合排気配管
１１７　排気コンダクタンス制御部
【図１】
2004119705.tif 000008
【図２】
2004119705.tif 000009
【図３】
2004119705.tif 000010
【図４】
2004119705.tif 000011
【図５】
2004119705.tif 000012
【図６】
2004119705.tif 000013
【図７】
2004119705.tif 000014