(57)【要約】【課題】端子間の沿面放電を良好に抑止できるとともに端子接続性及び配線収まり性に優れたコンパクトなハーフブリッジ回路用半導体モジュールを提供すること。【解決手段】ハーフブリッジ回路を一つの半導体モジュールとし、この半導体モジュールの一面にミドルサイド板３を、他面にハイサイド板１とローサイド板２とを設ける。ハイサイド板１のハイサイド端子１１とローサイド板２のローサイド端子１２とミドルサイド板３のミドルサイド端子１３とを長方形のモジュールの一長辺側から取り出し、他長辺側から小電流端子１４、１５を取り出す。ミドルサイド端子１３は、この一長辺の端部から取り出す。これにより、配線を簡素とすることができる。【選択図】図１
2004208411.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハーフブリッジ回路の上アーム側半導体チップ及び下アーム素子側半導体チップが上面に接合された電極板からなるミドルサイド板、
前記上アーム側半導体チップの上面に接合された電極板からなるハイサイド板、
前記下アーム素子側半導体チップの上面に接合された電極板からなるローサイド板、
前記ミドルサイド板の一辺から面方向へ突出して前記ハーフブリッジ回路の交流端子をなすミドルサイド端子、
前記ハイサイド板の一辺から面方向へ突出して前記ハーフブリッジ回路の高位直流端子をなすハイサイド端子、
前記ローサイド端子の一辺から面方向へ突出して前記ハーフブリッジ回路の低位直流端子をなすローサイド端子、
前記上アーム側半導体チップ及び下アーム素子側半導体チップの前記側面を封止する樹脂モールド部、及び、
前記上アーム側半導体チップ及び下アーム素子側半導体チップから前記樹脂モールド部内へ延設されて前記樹脂モールド部の側面から面方向へ突出する出する小電流端子、
を備えるハーフブリッジ回路用半導体モジュールにおいて、
前記ミドルサイド端子、ハイサイド端子及びローサイド端子は、前記小電流端子が突出しない前記ミドルサイド板の一長辺側から互いに所定間隔隔てて突出し、かつ、前記ミドルサイド端子は前記一長辺の端部側に配置されることを特徴とするハーフブリッジ回路用半導体モジュール。
【請求項２】
ハーフブリッジ回路の上アーム側半導体チップ及び下アーム素子側半導体チップが上面に接合された電極板からなるミドルサイド板、
前記上アーム側半導体チップの上面に接合された電極板からなるハイサイド板、
前記下アーム素子側半導体チップの上面に接合された電極板からなるローサイド板、
前記ミドルサイド板の一辺から面方向へ突出して前記ハーフブリッジ回路の交流端子をなすミドルサイド端子、
前記ハイサイド板の一辺から面方向へ突出して前記ハーフブリッジ回路の高位直流端子をなすハイサイド端子、
前記ローサイド端子の一辺から面方向へ突出して前記ハーフブリッジ回路の低位直流端子をなすローサイド端子、
前記上アーム側半導体チップ及び下アーム素子側半導体チップの前記側面を封止する樹脂モールド部、及び、
前記上アーム側半導体チップ及び下アーム素子側半導体チップから前記樹脂モールド部内へ延設されて前記樹脂モールド部の側面から面方向へ突出する出する小電流端子、
を備えるハーフブリッジ回路用半導体モジュールにおいて、
前記ミドルサイド端子、ハイサイド端子、ローサイド端子、小電流端子は、前記ミドルサイド板の互いに異なる辺側から突出することを特徴とするハーフブリッジ回路用半導体モジュール。
【請求項３】
請求項１又は２記載のハーフブリッジ回路用半導体モジュールにおいて、
前記ハイサイド板及びローサイド板の間に位置して前記樹脂モールド部の上面に凹設された長溝を有することを特徴とするハーフブリッジ回路用半導体モジュール。
【請求項４】
請求項１又は２記載のハーフブリッジ回路用半導体モジュールにおいて、
前記ハイサイド端子、ローサイド端子及びミドルサイド端子のうち、互いに隣接する二つの端子の間に位置して前記樹脂モールド部の側面に凹設された長溝を有することを特徴とするハーフブリッジ回路用半導体モジュール。
【請求項５】
ハーフブリッジ回路の上アーム側半導体チップ及び下アーム素子側半導体チップが上面に接合された電極板からなるミドルサイド板、
前記上アーム側半導体チップの上面に接合された電極板からなるハイサイド板、
前記下アーム素子側半導体チップの上面に接合された電極板からなるローサイド板、
前記ミドルサイド板の一辺から面方向へ突出して前記ハーフブリッジ回路の交流端子をなすミドルサイド端子、
前記ハイサイド板の一辺から面方向へ突出して前記ハーフブリッジ回路の高位直流端子をなすハイサイド端子、
前記ローサイド端子の一辺から面方向へ突出して前記ハーフブリッジ回路の低位直流端子をなすローサイド端子、
前記上アーム側半導体チップ及び下アーム素子側半導体チップの前記側面を封止する樹脂モールド部、及び、
前記上アーム側半導体チップ及び下アーム素子側半導体チップから前記樹脂モールド部内へ延設されて前記樹脂モールド部の側面から面方向へ突出する出する小電流端子、
を備えるハーフブリッジ回路用半導体モジュールにおいて、
前記上アーム側半導体チップをなすトランジスタチップとダイオードチップ、及び、下アーム素子側半導体チップをなす前記トランジスタチップとダイオードチップは、前記ミドルサイド板の長辺方向へ一列に配列され、かつ、前記上アーム側半導体チップをなす前記トランジスタチップとダイオードチップとは互いに隣接し、前記下アーム素子側半導体チップをなす前記トランジスタチップとダイオードチップとは互いに隣接することを特徴とするハーフブリッジ回路用半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、たとえば三相インバータ回路の一つのアームをなすハーフブリッジ回路を構成するハーフブリッジ回路用半導体モジュールの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
本出願人の出願になる下記の特許文献１は、三相インバ−タ回路の一つの相の回路部分をなすインバータ回路（ハーフブリッジ回路とも呼称するものとする）をモジュール化した半導体モジュール（ハーフブリッジモジュールの呼称するものとする）を開示している。
【０００３】
このハーフブリッジモジュールは、三相インバータ回路の一つの相の交流端子をなすミドルサイド板の上面に、この相の上アーム側半導体チップと下アーム素子側半導体チップとをミドルサイド板の長辺方向に配列し、上アーム側半導体チップの上に三相インバータ回路の高位直流端子をなすハイサイド板を、下アーム素子側半導体チップの上に三相インバータ回路の低位直流端子をなすローサイド板を配置し、半導体チップの側面を樹脂モールドした構造を有している。ハイサイド板、ローサイド板、ミドルサイド板はそれぞれ良電気（及び熱）伝導性を有する平板状の金属部から構成されている。以下、この構造をミドルサイド板共通型ハーフブリッジモジュールと称するものとする。このミドルサイド板共通型ハーフブリッジモジュールを用いると、三相インバータ回路のアームをなすハーフブリッジ回路を簡素に構成でき、両面冷却が可能であるので、半導体チップの温度上昇抑止にも有利である。
【０００４】
この特許文献１が開示するこのミドルサイド板共通型ハーフブリッジモジュールの一例では、ハイサイド板はハイサイド端子を、ローサイド板はローサイド端子を、ミドルサイド板はミドルサイド端子をそれぞれ配線接続のために有し、これらハイサイド端子、ローサイド端子及びミドルサイド端子はこれら板の面方向（主面と平行な方向）において同一向きに突設されている。以下、この構成を電力端子同一向き取り出し構造と称するものとする。
【０００５】
また、特許文献１が開示するこのミドルサイド板共通型ハーフブリッジモジュールの他例では、ミドルサイド端子を、ハイサイド端子及びローサイド端子と反対向きに突出させる構造が提案されている。以下、この構成を交流端子逆向き取り出し構造と称するものとする。なお、これらの端子配置構造において、各半導体チップの制御端子や通信端子（これらを小電流端子ともいう）は、ハイサイド端子及びローサイド端子が突出する向きと反対向きに突設されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−３０８２６３号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本発明者らは、上記した電力端子同一向き取り出し構造及び交流端子逆向き取り出し構造をもつミドルサイド板共通型ハーフブリッジモジュールでは、次に説明する問題点が生じることを見いだした。
【０００８】
すなわち、三相インバータ回路の各相の交流端子（ミドルサイド端子）は、モータから延在する導体線（以下、モータ出力線ともいう）に接続され、これに対して三相インバータ回路の各相の高位直流端子（ハイサイド端子）や低位直流端子（ローサイド端子）は、バッテリ（直流電源）から延在する導体線（バッテリ線ともいう）に接続される。したがって、上記電力端子同一向き取り出し構造では、ミドルサイド端子は、ミドルサイド板の一長辺側においてハイサイド端子とローサイド端子とに挟まれるため、ミドルサイド端子に接続されるモータ出力線は、ハイサイド端子及びローサイド端子に個別に接続される一対のバッテリ線と交差したり、重なったして配線収容スペースが増大したする。また、ミドルサイド端子が、ミドルサイド板の一長辺側においてハイサイド端子及びローサイド端子に挟まれるとともにハイサイド端子及びローサイド端子の双方に近接配置されるため、このミドルサイド端子へのモータ出力線の接続作業が煩雑となり、また、ミドルサイド端子と他の端子との間の沿面放電も生じやすくなるという問題が生じた。もちろん、ミドルサイド板の一長辺の長さを増大すれば、この問題は解決されるが、これはハーフブリッジモジュールの大型化を招いてしまう。
【０００９】
次に、上記した交流端子逆向き取り出し構造をもつミドルサイド板共通型ハーフブリッジモジュールでは、ミドルサイド端子は、ミドルサイド板の他長辺側にて多数の小電流端子に近接配置されるため、小電流端子とミドルサイド端子との間の間隔が狭小となり、配線作業が難しくなり、また、小電流端子とミドルサイド端子との間の沿面放電が生じやすくなるという問題が生じた。
【００１０】
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、端子間の沿面放電を良好に抑止できるとともに端子接続性及び配線収まり性に優れたコンパクトなハーフブリッジ回路用半導体モジュールを提供することをその特徴としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
各発明のハーフブリッジ回路用半導体モジュールは、上記特許文献１と同じように、三相インバータ回路の一つのアームをなすハーフブリッジ回路としての上アーム側半導体チップ及び下アーム素子側半導体チップが上面に接合された長方形電極板からなるミドルサイド板、前記上アーム側半導体チップの上面に接合された角形電極板からなるハイサイド板、前記下アーム素子側半導体チップの上面に接合された角形電極板からなるローサイド板、前記ミドルサイド板の一辺から面方向へ突出して前記ハーフブリッジ回路の交流端子をなすミドルサイド端子、前記ハイサイド板の一辺から面方向へ突出して前記ハーフブリッジ回路の高位直流端子をなすハイサイド端子、前記ローサイド端子の一辺から面方向へ突出して前記ハーフブリッジ回路の低位直流端子をなすローサイド端子、前記上アーム側半導体チップ及び下アーム側半導体チップの前記側面を封止する樹脂モールド部、及び、前記上アーム側半導体チップ及び下アーム素子側半導体チップから前記樹脂モールド部内へ延設されて前記樹脂モールド部の側面から面方向へ突出する出する小電流端子を備えている。
【００１２】
このミドルサイド板共通型ハーフブリッジモジュールは、三相インバータ回路のハーフブリッジ回路の構造、配線、配置を簡素化するとともに両面冷却により優れた冷却性を奏する。
【００１３】
特に、第一発明のハーフブリッジ回路用半導体モジュールでは、前記ミドルサイド端子、ハイサイド端子及びローサイド端子は、前記小電流端子が突出しない前記ミドルサイド板の一長辺側から互いに所定間隔隔てて突出し、かつ、前記ミドルサイド端子は前記一長辺の端部側に配置されることを特徴としている。
【００１４】
このようにすれば、上記した従来の電力端子同一向き取り出し構造に比べて、各電力端子（ミドルサイド端子、ハイサイド端子及びローサイド端子）間のうち、モータ出力線に接続されるミドルサイド端子が、バッテリ線に接続されるハイサイド端子とローサイド端子とに挟まれることがないので、モータ出力線とバッテリ線とが絡まることがないので、敷設、配線接続作業が簡単となるうえ、モータ出力線及びバッテリ線を収容するスペースも狭小とすることができる。
【００１５】
また、上記した交流端子逆向き取り出し構造に比べても、小電流端子とミドルサイド端子との間の間隔を十分に確保することができるので、配線接続作業が容易となるうえ、小電流端子とミドルサイド端子との間の沿面放電の抑止性も改善することができる。
【００１６】
結局、この発明によれば、ミドルサイド端子と他の端子との間の沿面放電を良好に抑止できるとともにミドルサイド端子への結線作業が容易なハーフブリッジ回路用半導体モジュールをコンパクトに実現することができる。
【００１７】
なお、ハイサイド端子とローサイド端子とをミドルサイド板の一長辺側における一端側に寄せ、ミドルサイド端子を他端側に寄せることにより、ハイサイド端子及びローサイド端子に接続されるバッテリ線と、ミドルサイド端子に接続されるモータ出力線とを離すことができる。
【００１８】
特に、第二発明のハーフブリッジ回路用半導体モジュールでは、前記ミドルサイド端子、ハイサイド端子、ローサイド端子、小電流端子は、前記ミドルサイド板の互いに異なる辺側から突出することを特徴としている。
【００１９】
このようにすれば、上記した従来の電力端子同一向き取り出し構造に比べて、ミドルサイド端子、ハイサイド端子、ローサイド端子及び小電流端子）の間の間隔を最大とすることができるので、配線作業を簡単とし、かつ、沿面放電を良好に防止することができる。
【００２０】
なお、ミドルサイド板の一長辺側の中央部からミドルサイド板から遠ざかる方向へミドルサイド端子を突出させ、ミドルサイド板の二つの短辺側からミドルサイド端子と平行かつ同一向きにハイサイド端子及びローサイド端子を突出させることが好ましい。このようにすれば、各端子間の間隔を最大としつつ、各電力端子（大電流端子）を、半導体モジュールの同一側にて配線することができる。
【００２１】
また、上記した交流端子逆向き取り出し構造に比べても、小電流端子とミドルサイド端子との間の間隔を十分に確保することができるので、配線作業が容易となるうえ、小電流端子とミドルサイド端子との間の沿面放電防止効果を向上することができる。
【００２２】
結局、この発明によれば、各端子間の沿面放電を良好に抑止しつつ各端子への結線作業を容易化することができるコンパクトなハーフブリッジ回路用半導体モジュールを実現することができる。
【００２３】
第一、第二発明の好適な態様は、前記ハイサイド板及びローサイド板の間に位置して前記樹脂モールド部の上面に凹設された長溝を有することを特徴とする。これにより、沿面放電を一層良好に防止することができる。
【００２４】
第一、第二発明の好適な態様は、前記ハイサイド端子、ローサイド端子及びミドルサイド端子のうち、互いに隣接する二つの端子の間に位置して前記樹脂モールド部の側面に凹設された長溝を有する。これにより、沿面放電を一層良好に防止することができる。
【００２５】
特に、第三発明のハーフブリッジ回路用半導体モジュールでは、前記上アーム側半導体チップをなすトランジスタチップとダイオードチップ、及び、下アーム素子側半導体チップをなす前記トランジスタチップとダイオードチップは、前記ミドルサイド板の長辺方向へ一列に配列され、かつ、前記上アーム側半導体チップをなす前記トランジスタチップとダイオードチップとは互いに隣接し、前記下アーム素子側半導体チップをなす前記トランジスタチップとダイオードチップとは互いに隣接することを特徴としている。これにより、ミドルサイド板の長辺の長さを長くすることができるので、この長辺側から互いに十分な間隔を隔ててハイサイド端子、ローサイド端子及びミドルサイド端子を引き出すことができる。本発明は、上記第一発明又は第二発明と組み合わせて適用することが好適である。
【００２６】
なお、上記各発明、各態様において、上アーム側半導体チップや下アーム素子側半導体チップとしては、MOSトランジスタチップの他、ＩＧＢＴチップとフライホイルダイオードチップとのペアを用いることもできる。本明細書でいう半導体モジュールとは、半導体チップの両主面に主電極板が固定されたものをいうものとする。この場合、半導体チップの表面側主面の制御電極用や通信電極用の導電パッドはモールド樹脂に固定された細い制御端子や通信端子にたとえばバンプやボンディングワイヤにより接続される。
【００２７】
【発明を実施するための形態】
本発明のハーフブリッジ回路用半導体モジュールの好適な実施態様を図面を参照して具体的に説明する。
【００２８】
（実施例１）
図１はこの実施例の多相インバータ回路用半導体モジュールの一つのハーフブリッジ回路の全体斜視図、図２はそのＡ−Ａ線矢視断面図、図３はそのＢ−Ｂ線矢視断面図、図４はそのＣ−Ｃ線矢視断面図、図５はそのＤ−Ｄ線矢視断面図、図６はその模式分解斜視図、図７は図１の半導体モジュールを用いた三相インバ−タ回路の模式斜視図、図１１は図１のハーフブリッジの等価回路である。
【００２９】
１はハイサイド板、２はローサイド板、３はミドルサイド板、４はＩＧＢＴが形成されたハイサイド側の半導体チップであるＩＧＢＴチップ（上アーム側半導体チップ）、５は接合ダイオードが形成されたハイサイド側の半導体チップであるダイオードチップ（上アーム側半導体チップ）、６はＩＧＢＴが形成されたローサイド側の半導体チップであるＩＧＢＴチップ（下アーム側半導体チップ）、７は接合ダイオードが形成されたローサイド側の半導体チップであるダイオードチップ（下アーム側半導体チップ）、８〜１０は長溝、１１はハイサイド端子、１２はローサイド端子、１３はミドルサイド端子である。１４は上アーム側半導体チップ４の小電流端子、１５は下アーム素子側半導体チップ６の小電流端子、１６ははんだ層、１７は銅スペーサ、１８、１９はボンディングワイヤ、２０は樹脂モールド部である。小電流端子１４、１５はゲート電極端子の他、種々のセンシング端子を含んでいる。したがって、銅スペーサ１７は、隣接するハイサイド板１、ローサイド板２及びミドルサイド板３の一部として機能している。
【００３０】
ハイサイド板１、ローサイド板２、ミドルサイド板３、銅スペーサ１７は、タングステン、モリブデン等で形成された金属平板からなるが、銅板をニッケルメッキして構成してもよい。
【００３１】
ハイサイド板１の下面には、上アーム側半導体チップとしてのＩＧＢＴチップ４とダイオードチップ５とがはんだ層１６により互いに隣接して接合されている。また、ＩＧＢＴチップ４とダイオードチップ５とは、別のはんだ層１６を通じて別の銅スペーサ１７の上面に接合され、これら銅スペーサ１７はミドルサイド板３の上面に接合されている。
【００３２】
ミドルサイド板３の上面には、下アーム素子側半導体チップとしてのＩＧＢＴチップ６とダイオードチップ７とがはんだ層１６により互いに隣接して接合されている。また、ＩＧＢＴチップ６とダイオードチップ７とは、別のはんだ層１６を通じて別の銅スペーサ１７の下面に接合され、これら銅スペーサ１７はローサイド板２の下面に接合されている。各チップの側面は樹脂モールド部２０により覆われて保護されている。樹脂モールド部２０は全体として平角板形状を有しており、ハイサイド板１、ローサイド板２の上面及びミドルサイド板３の下面が露出している。ミドルサイド板３上には、ダイオードチップ５、ＩＧＢＴチップ４、ＩＧＢＴチップ６及びダイオードチップ７がミドルサイド板３の長辺方向へ一列に配置されている。
【００３３】
ＩＧＢＴチップ６に接合される銅スペーサ１７は、図３に示すように、ミドルサイド板３の短辺方向においてＩＧＢＴチップ６より短く形成され、露出したＩＧＢＴチップ６の表面に形成された小電流用の導電パッド（図示せず）は、ボンディングワイヤ１９により小電流端子１５に接続されている。小電流端子１５はミドルサイド板３と一体に通常のリードフレーム技術により形成されて個別に切断された後、樹脂モールド部２０により固定されている。樹脂モールド部２０はボンディングワイヤ１９を保護している。ローサイド板２及び銅スペーサ１７がＩＧＢＴチップ６の主電極をなす導電パッド（図示せず）に接合されている。ダイオードチップ７の両側の主電極も同様である。
【００３４】
ＩＧＢＴチップ４に接合される銅スペーサ１７は、図４に示すように、ミドルサイド板３の短辺方向においてＩＧＢＴチップ４より短く形成され、露出したＩＧＢＴチップ４の表面に形成された小電流用の導電パッド（図示せず）は、ボンディングワイヤ１８により小電流端子１４に接続されている。小電流端子１４はハイサイド板１と一体に通常のリードフレーム技術により形成されて個別に切断された後、樹脂モールド部２０により固定されている。樹脂モールド部２０はボンディングワイヤ１８を保護している。ミドルサイド板３及び銅スペーサ１７がＩＧＢＴチップ４の主電極をなす導電パッド（図示せず）に接合されている。ダイオードチップ５の両側の主電極も同様である。
【００３５】
ダイオードチップ５に接続される銅スペーサ１７は、図５に示すように、ミドルサイド板３の短辺方向においてダイオードチップ５より短く形成され、樹脂モールド部２０の外部にミドルサイド端子１３が突出している。
【００３６】
図６に示すように、ハイサイド板１の側端からハイサイド端子１１が、ローサイド板２から側端からローサイド端子１２が、ミドルサイド板３の側端からミドルサイド端子１３がミドルサイド端子１３の短辺方向へ突出している。これらハイサイド端子１１、ローサイド端子１２及びミドルサイド端子１３の幅は、ハイサイド板１、ローサイド板２及びミドルサイド板３の長辺の長さよりも格段に短くされている。ローサイド端子１２は、図３に示すように、厚さ方向に曲げられて樹脂モールド部２０の厚さ方向中央部から突出している。ハイサイド端子１１、ミドルサイド端子１３、小電流端子１４、１５も同じである。
【００３７】
ハイサイド端子１１、ローサイド端子１２及びミドルサイド端子１３が互いに所定間隔隔ててミドルサイド板３の一長辺側から突出し、合計１０本の小電流端子がミドルサイド板３の他長辺側から突出している。
【００３８】
ミドルサイド端子１３は、ミドルサイド端子１３の一長辺側の一端側から突出し、ローサイド端子１２はミドルサイド端子１３の一長辺側の他端側から突出し、ハイサイド端子１１はミドルサイド端子１３の一長辺側の中央部にて突出している。
【００３９】
このように構成したハーフブリッジ回路を３個用いて三相インバータ回路を構成した例を図７に示す。
【００４０】
Ｕ相のハーフブリッジ回路１００とＶ相のハーフブリッジ回路１０１とＷ相のハーフブリッジ回路１０２とは、それぞれ平行に配置され、各板１，２，３の表面は平行となっている。図７において、小電流端子１４、１５は下方に、大電流端子１１、１２、１３は上方へ突出している。各ハーフブリッジ回路１００〜１０２のハイサイド端子１１はバスバー２００により接続されて、図示しないバッテリの高位直流端子に接続されている。各ハーフブリッジ回路１００〜１０２のローサイド端子１２はバスバー２０１により接続されて、図示しないバッテリの低位直流端子に接続されている。各ハーフブリッジ回路１００〜１０２のミドルサイド端子１３は、３本の図示しないモータ出力線としてのバスバー３００〜３０２に個別に接続されている。この実施例では、バスバー３００〜３０２は、バスバー２００，２０１と直交している。
【００４１】
図７では、図示していないが、絶縁フィルム又は熱伝導性グリスを介して電気絶縁可能に扁平冷媒管の平坦表面に密着されている。すなわち、図７では、合計４個の扁平冷媒管が用いられ、これら扁平冷媒管とハーフブリッジモジュール１００〜１０２は交互に積層され、図示しない挟圧部材により積層方向に挟圧されている。
【００４２】
図１に示すように、長溝８は、表面に露出するハイサイド板１とローサイド板２との間に位置して樹脂モールド部２０の表面に凹設されてこれら両者間の沿面放電距離を増大している。長溝９は、表面に露出するハイサイド端子１１とローサイド端子１２との間に位置して樹脂モールド部２０の表面に凹設されてこれら両者間の沿面放電距離を増大している。長溝１０は、表面に露出するハイサイド端子１１とミドルサイド端子１３との間に位置して樹脂モールド部２０の表面に凹設されてこれら両者間の沿面放電距離を増大している。
【００４３】
（実施例２）
この実施例のハーフブリッジ回路用半導体モジュールの他実施例を図７を参照して説明する。図８は三相インバータ回路用半導体モジュールの一つのハーフブリッジ回路を示す。
【００４４】
この実施例は、図１に示す実施例１のハイサイド端子１１とローサイド端子１２とをモジュールの二つの短辺に個別に配置し、ミドルサイド端子１３をモジュールの一つの長辺の中央部に配置したものである。このようにすれば、小電流端子１４、１５、ハイサイド端子１１、ローサイド端子１２およびミドルサイド端子１３の間の間隔を最大とすることができ、沿面放電を良好に防止することができるとともに、配線構造、配線作業を簡素化することができる。
【００４５】
（変形態様）
変形態様を図９に示す。この変形態様は、図１、図８に示すハーフブリッジ回路モジュールにおいて、ＩＧＢＴチップ４とダイオードチップ５とを斜め配置し、ＩＧＢＴチップ６とダイオードチップ７とを斜め配置したものである。これにより、ＩＧＢＴチップの発熱中心とダイオードチップの発熱中心との間の距離を増大することができ、放熱上有効となる。
【００４６】
（変形態様）
変形態様を図１０に示す。この変形態様は、図８に示すハーフブリッジ回路モジュールにおいて更に、ＩＧＢＴチップ４とＩＧＢＴチップ６とを斜め配置したものである。これにより、二つのＩＧＢＴチップ４、６の発熱中心間距離を増大することができ、放熱上有効となる。
【００４７】
（変形態様）
上記実施例では、インバータ装置について説明したが、コンバータ装置においても同様の効果が得られることは自明である。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１のハーフブリッジ回路モジュールの全体斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【図４】図１のＣ−Ｃ線矢視断面図である。
【図５】図１のＤ−Ｄ線矢視断面図である。
【図６】図１の模式分解斜視図である。
【図７】図１の半導体モジュールを用いた三相インバータ回路の模式斜視図である。
【図８】実施例２のハーフブリッジ回路を示す斜視図である。
【図９】変形態様を示す模式平面図である。
【図１０】変形態様を示す模式平面図である。
【図１１】図１のハーフブリッジ回路の等価回路である。
【符号の説明】
１  ハイサイド板
２  ローサイド板
３  ミドルサイド板
４  ＩＧＢＴチップ（上アーム側半導体チップ）
５  ダイオードチップ（上アーム側半導体チップ）
６  ＩＧＢＴチップ（下アーム側半導体チップ）
７  ダイオードチップ（下アーム側半導体チップ）
８〜１０  長溝
１１  ハイサイド端子
１２  ローサイド端子
１３  ミドルサイド端子
１４  上アーム側半導体チップの小電流端子
１５  下アーム側半導体チップの小電流端子
１６  はんだ層
１７  銅スペーサ
１８、１９  ボンディングワイヤ
２０  樹脂モールド部
１００  Ｕ相ハーフブリッジ回路
１０１  Ｖ相ハーフブリッジ回路
１０２  Ｗ相ハーフブリッジ回路
２００  ハイサイド側バスバー
２０１  ローサイド側バスバー
３００  Ｕ相バスバー
３０１  Ｖ相バスバー
３０２  Ｗ相バスバー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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