(57)【要約】【課題】より良好な画像で記録を行なうことのできる、インクジェット記録ヘッド用基板、インクジェット記録ヘッド、インクジェット記録装置を実現すること。【解決手段】細長い形状のインク供給口形成部と、該インク供給口形成部に沿って列状に設けられた複数個の電気熱変換体と、該複数の電気熱変換体に電流を流すために対応して設けられた複数のスイッチング素子と、電流を流すための電源電圧よりスイッチング素子の駆動電源電圧を降圧して生成するレベルシフト回路と、が半導体基板上に集積されたインクジェット記録ヘッド用基板において、レベルシフト回路がインク供給口形成部の長手方向と略平行となり、該長手方向に直行する中心線に対して線対称となるように複数形成されている。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
細長い形状のインク供給口形成部と、該インク供給口形成部に沿って列状に設けられた複数個の電気熱変換体と、該複数の電気熱変換体に電流を流すために対応して設けられた複数のスイッチング素子と、前記電流を流すための電源電圧より前記スイッチング素子の駆動電源電圧を降圧して生成するレベルシフト回路と、が半導体基板上に集積されたインクジェット記録ヘッド用基板において、
前記レベルシフト回路が前記インク供給口形成部の長手方向と略平行となり、該長手方向に直行する中心線に対して線対称となるように複数形成されていることを特徴とするインクジェット記録ヘッド用基板。
【請求項２】
請求項１記載のインクジェット記録ヘッド用基板において、前記レベルシフト回路に降圧前の電圧を基板外部より供給するためのパッドが設けられていることを特徴とするインクジェット記録ヘッド用基板。
【請求項３】
請求項２に記載のインクジェット記録ヘッド用基板において、
パッドがインク供給口形成部の長手方向に直交する基板の両側端に独立に設けられていることを特徴とするインクジェット記録ヘッド用基板。
【請求項４】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のインクジェット記録ヘッド用基板において、
複数の電気熱変換体に電流を流すための複数のスイッチング素子がＤＭＯＳトランジスタであることを特徴とするインクジェット記録ヘッド用基板。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のインクジェット記録ヘッド用基板において、
複数の電気熱変換体に対応した液体吐出口が複数設けられていることを特徴とするインクジェット記録ヘッド用基板。
【請求項６】
請求項５記載のインクジェット記録ヘッド用基板と、複数の液体吐出口から吐出される液体を収容する液体収容器を有するインクジェット記録ヘッド。
【請求項７】
請求項５記載のインクジェット記録ヘッドを用いたインクジェット記録装置であって、
電気熱変換体への電源電圧とレベルシフト回路への入力電圧とが同電圧であることを特徴とするインクジェット記録装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、インクジェット記録ヘッド用基板、該基板を用いたインクジェット記録ヘッドとインクジェット記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、各種出力用端未として用いられる記録装置には、その記録ヘッドとして、電気熱変換素子とこの電気熱変換素子をスイッチする素子（以下、スイッチ素子）、およびそのスイッチ素子を駆動するための回路が同一基体上に搭載されている。
【０００３】
図６は、従来の構成による記録ヘッドの一部分を示す模式的な断面図である。
【０００４】
９０１は単結晶シリコンからなるｐ型の半導体基体である。９１２はｐ型のウェル領域、９０８はｎ型のドレイン領域、９１６はｎ型の電界緩和ドレイン領域、９０７はｎ型のソース領域、９１４はゲート電極であり、これらでＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型電界効果トランジスタを用いたスイッチ素子９３０を形成している。９１７は蓄熱層、および絶縁層としての酸化シリコン層、９１８は熱抵抗層としての窒化タンタル膜、９１９は配線としてのアルミニウム合金膜、および９２０は保護層としての窒化シリコン膜であり、以上で記録ヘッドの基体９４０を形成している。ここでは９５０が発熱部となり、インク吐出部９６０からインクが吐出される。また、天板９７０は基体９４０と協働して液路９８０を形成している。
【０００５】
ところで、前記構造の記録ヘッドおよびスイッチ素子に対して数多くの改良が加えられてきたが、近年製品に対して、高速駆動化、省エネルギー化、高集積化、低コスト化、および高性能化がより一層求められるようになった。このため、図６に示すようなスイッチ素子として使用されるＭＩＳ型電界効果トランジスタ９３０を半導体基体９０１内に複数個作り込み、これらのＭＩＳ型電界効果トランジスタ９３０を単独、または複数個同時に動作させ、結線されている電気熱変換素子を駆動させる。
【０００６】
しかしながら、電気熱変換素子を駆動させるために必要となる大電流下においては、従来のＭＩＳ型電界効果トランジスタ９３０を機能させると、ドレイン−ウェル間のｐｎ逆バイアス接合部では高電界に耐えられずにリーク電流が発生し、スイッチ素子として要求される耐圧を満足することができなかった。更に、スイッチ素子として使用されるＭＩＳ型電界効果トランジスタのオン抵抗が大きいと、ここでの電流の無駄な消費によって、電気熱変換素子を躯動するために必要な電流が得られなくなるという解決すべき問題があった。
【０００７】
また、耐圧の問題を解決するためには、図７に示すようなＭＩＳ型電界効果トランジスタ１０３０が考えられる。
【０００８】
図７中の、半導体基体１００１、ｎ型のソース領域１００７、ｎ型のドレイン領域１００８、ゲート電極１０１４、蓄熱層および絶縁層としての酸化シリコン層１０１７、熱抵抗層としての窒化タンタル膜１０１８、配線としてのアルミニウム合金膜１０１９、保護層としての窒化シリコン膜１０２０、記録ヘッドの基体１０４０、発熱部１０５０、インク吐出部１０６０、天板１０７０、液路１０８０のそれぞれは図６に示した、半導体基体９０１、ｎ型のソース領域９０７、ｎ型のドレイン領域９０８、ゲート電極９１４、蓄熱層および絶縁層としての酸化シリコン層９１７、熱抵抗層としての窒化タンタル膜９１８、配線としてのアルミニウム合金膜９１９、保護層としての窒化シリコン膜９２０、記録ヘッドの基体９４０、発熱部９５０、インク吐出部９６０、天板９７０、液路９８０と同様のものである。
【０００９】
図７に示すＭＩＳ型電界効果トランジスタの構造は通常の構造とは異なるもので、ｐ型の半導体基板１００１には、ｎ型のソース領域１００７の周囲をｐ型のベース領域１００５で囲む形状とすることにより、ｎ型のウェル領域１００２の一部をドレインとするものであり、ＤＭＯＳ（Ｄｏｕｂｌｅ　ｄｉｆｆｕｓｅｄ　ＭＯＳ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）と呼ばれる。このように、ｎ型のウェル領域１００２を利用してドレインの中にチャネルを作り込むことによって、耐圧を決定しているドレインの深さを深く、また、低濃度で作り込むことが可能となり、耐圧の問題を解決することができるものとなっている。
【００１０】
次に、熱抵抗層を駆動するためのドライバ回路に使用されるレベルシフト回路について説明する。
【００１１】
一般的なドライバＩＣの信号は図８に示すように伝わる。まず、５．０Ｖないし３．３Ｖの入力信号がＨｉとして与えられる。その信号がデコーダにより、任意のＢｉｔに伝わる。その後、信号はソース接地のＣＭＯＳ構成のインバータ回路をとおり、スイッチ素子であるＭＯＳトランジスタのゲートに入力される。
【００１２】
ここで重要となるのは、ＣＭＯＳ構成のインバータ回路に与えられるＶＨＴという任意の電圧である。ＭＯＳトランジスタのオン抵抗を最小とすることにより、スイッチ素子であるＭＯＳの寸法を最小にすることができるため、電圧ＶＨＴはＭＯＳトランジスタのオン抵抗が最小になるように設定される。
【００１３】
電圧ＶＨＴは外部からは入力されないため、ＩＣ内で電圧レベルを変換する必要がある。このように電圧レベルを変換するレベルシフト回路としては、図９に示すように複数個のダイオードを順方向に直列に接続して定電圧を得る方法もあるが、１個のダイオードの特性ばらつきが乗数で効いてくるうえに、電流に依存する電圧変動を防ぐためにダイオードのサイズを大きくする必要があり、これらのことから現実的な方法とはいえない。
【００１４】
一般的に用いられるレベルシフト回路として、ソースホロワのトランジスタを介在させて電圧を得るものが挙げられる。図１０は図８に示した回路にソースホロワのトランジスタを介在させた回路の構成を示す図である。
【００１５】
図１０に示す回路において、スイッチＭＯＳを駆動するドレイン電圧ＶＨを３０Ｖ，ＶＧＮＤＨを０Ｖとして、ゲート電圧ＶＨＴを１２Ｖにする場合、レベルシフトに用いるソースホロワのトランジスタには、−１２Ｖのバックゲート電圧がかかり、また、ドレイン−ソース間耐圧が１８Ｖ以上必要になることがわかる。
【００１６】
図１１は、インクジェット記録ヘッド用基板８０１の配置状態を示す上面図である。
【００１７】
インクジェット記録ヘッド用基板８０１には、図７に示した構成によるスイッチング素子８０２および電気熱変換体８０３と、図１０に示したようなレベルシフト素子を含むレベルシフト回路８０６と、レベルシフト回路８０６への入力電圧およびスイッチング素子８０２への駆動信号を外部より供給を受けるために使用されるレベルシフト回路用入力電圧パッド８０５および複数のパッド８０４と、インク供給口形成部８０７が形成されている。
【００１８】
電気熱変換体８０３はインク供給口形成部８０７を挟んで１２００ＤＰＩ（Ｄｏｔ　Ｐｅｒ　Ｉｎｃｈ）の間隔で２５６個が列状に２列設けられている。インク供給口形成部８０７と電気熱変換体８０３上には不図示の流路が形成されている。インクジェット記録ヘッド用基板８０１は、不図示の天板と組み合わされるものであり、該天板の電気熱変換体８０３に対応する箇所にはインク吐出口が形成されている。電気熱変換体８０３を駆動して発熱させ、電気熱変換体８０３上のインクが発泡し、そのエネルギーで吐出口よりインクが吐出する。
【００１９】
図１２は、吐出ノズルがより多く形成されたインクジェット記録ヘッド用基板９０１の配置状態を示す上面図である。
【００２０】
図中のスイッチング素子９０２、電気熱変換体９０３、パッド９０４、レベルシフト回路用入力電圧パッド９０５、レベルシフト回路９０６およびインク供給口形成部９０７のそれぞれは、スイッチング素子８０２、電気熱変換体８０３、パッド８０４、レベルシフト回路用入力電圧パッド８０５、レベルシフト回路８０６およびインク供給口形成部８０７と同様のものであるが、図１２に示す例では、電気熱変換体９０３は１２００ｄｐｉの間隔で５１２以上設けられており、これに伴ってレベルシフト回路９０６は２つ設けられている。
【００２１】
図１３は図１２に示した構成を複数平行に同一基板上に形成してインクジェット記録ヘッド用基板１００１としたものである。
【００２２】
図中のスイッチング素子１００２、電気熱変換体１００３、パッド１００４、レベルシフト回路用入力電圧パッド１００５、レベルシフト回路１００６およびインク供給口形成部１００７のそれぞれは、図１１に示したスイッチング素子９０２、電気熱変換体９０３、パッド９０４、レベルシフト回路用入力電圧パッド９０５、レベルシフト回路９０６およびインク供給口形成部９０７と同様である。
【００２３】
図１１ないし図１３に示したインクジェット記録ヘッド用基板のいずれにおいても、パッドおよびレベルシフト回路用入力電圧パッドのいずれも、外部との接続の利便性から基板の一側端に設けられていた。
【００２４】
図１４は図１１ないし図１３に示したようなインクジェット記録ヘッド用基板上に構成される回路の具体的な構成を示す回路図である。
【００２５】
符号４３が負荷としての電気熱変換体のアレイ、４１がスイッチング素子のアレイ、４９がレベルシフト回路、５２がドライバアレイ、５４がラッチ回路、５５がシフトレジスタを示している。４６は電源電圧ＶＤＤが供給される論理ゲートアレイ、４８は接地電圧ＶＳＳが供給される端子（パッド）、ΦＳＴはスイッチング素子のオンのタイミングを制御するイネーブル信号が入力される端子、ΦＬＴはラッチ回路５４を制御する信号が入カされる端子、ＤＡＴＡは画像信号が入力される端子、ＣＬＫはクロック信号が入力される端子である。電気熱変換体のアレイ４１、スイッチング素子のアレイ４１、論理ゲートアレイ４６、ドライバアレイ５２、ラッチ回路５４は、それぞれ１チップ上に平行に配置されている。
【００２６】
端子ＤＡＴＡから入力されたデジタル画像信号は、シフトレジスタ５５によって、並列に並び替えられ、ラッチ回路５４にラッチされる。論理ゲート４６がイネーブルになると、ラッチ回路５４にラッチされた信号に応じて、スイッチング素子４１がオン又はオフ状態となり、選択された電気熱変換体４３に電流を流す。
【００２７】
図７に示したＤＭＯＳトランジスタは。上記のスイッチング素子として好適に用いられる。
【００２８】
【発明が解決しようとする課題】
近年の高速記録、高画質記録に対応すべく、記録ヘッドを構成するノズル数は年々増加の一途を辿っている。また、多色対応のために、同一基板上に設けられるインク供給口の数はさらに増加する傾向がある。
【００２９】
一方、レベルシフト回路は電気熱変換体をスイッチングするスイッチング素子の電源を供給することから、同時に駆動されるノズル数が増加した場合には、レベルシフト回路自身の数を増加しなければならない。
【００３０】
一方、上述したノズル数が増大する傾向にあるにも関わらず、省エネルギー、低コスト化がより一層求められている。上述したように、基板の小型化、オン抵抗の低減、高耐圧などの特徴を生かして高電圧駆動を行い、電流を低減することで省エネルギー、低コスト化を行なうことを目的として電気熱変換体をスイッチングするスイッチング素子としてＤＭＯＳトランジスタが近年使われている。
【００３１】
ＤＭＯＳトランジスタをスイッチング素子として用いることにより、省エネルギー、低コスト化および小型化を図ることができる。しかしながら、電気熱変換体への電圧と同一電圧を用いるレベルシフト回路への入力電圧が上昇するため、レベルシフト回路における消費電力が実質的に増加し、それに伴って発熱量も増加してしまう。
【００３２】
レベルシフト回路における発熱量は、上述したノズル数や色数の増加と相俟って増大しており、ノズルからのインクの吐出状況にも影響する可能性があるなど無視できない問題となっている。特に、図１１ないし図１４に示したように、インクジェット記録ヘッド用基板の一側端にレベルシフト回路がまとめて配置される場合には、レベルシフト回路が配置された側端と配置されていない側端とが異なる温度となる。このため、両側端の間に形成されるインク供給口形成部の内部のインクにも温度分布が発生し、インクの粘度等も部分的に異なるものとなるため、記録される画像にも悪影響を及ぼす危険性がある。
【００３３】
上記の問題点は、ＤＭＯＳトランジスタをスイッチング素子として使用した場合に特に懸念されるが、通常のスイッチング素子を使用した場合にも十分に起こり得る。
【００３４】
本発明は上述したような従来の技術が有する問題点に鑑みてなされたものであって、より良好な画像で記録を行なうことのできる、インクジェット記録ヘッド用基板、インクジェット記録ヘッド、インクジェット記録装置を実現することを目的とする。
【００３５】
【課題を解決するための手段】
本発明のインクジェット記録ヘッド用基板は、細長い形状のインク供給口形成部と、該インク供給口形成部に沿って列状に設けられた複数個の電気熱変換体と、該複数の電気熱変換体に電流を流すために対応して設けられた複数のスイッチング素子と、前記電流を流すための電源電圧より前記スイッチング素子の駆動電源電圧を降圧して生成するレベルシフト回路と、が半導体基板上に集積されたインクジェット記録ヘッド用基板において、
前記レベルシフト回路が前記インク供給口形成部の長手方向と略平行となり、該長手方向に直行する中心線に対して線対称となるように複数形成されていることを特徴とするインクジェット記録ヘッド用基板。
【００３６】
この場合、前記レベルシフト回路に降圧前の電圧を基板外部より供給するためのパッドが設けられていることとしてもよい。
【００３７】
さらに、パッドがインク供給口形成部の長手方向に直交する基板の両側端に独立に設けられていることこととしてもよい。
【００３８】
上記のいずれにおいても、複数の電気熱変換体に電流を流すための複数のスイッチング素子がＤＭＯＳトランジスタであるとしてもよい。
【００３９】
また、複数の電気熱変換体に対応した液体吐出口が複数設けられていることとしてもよい。
【００４０】
本発明のインクジェット記録ヘッドは、上記のインクジェット記録ヘッド用基板と、複数の液体吐出口から吐出される液体を収容する液体収容器を有する。
【００４１】
本発明のインクジェット記録装置は、のインクジェット記録ヘッドを用いたインクジェット記録装置であって、
電気熱変換体への電源電圧とレベルシフト回路への入力電圧とが同電圧であることを特徴とする。
【００４２】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する。
【００４３】
図１は本発明によるインクジェット記録ヘッド用基板の一実施例の配置状態を示す上面図である。
【００４４】
インクジェット記録ヘッド用基板１０１には、図７に示した構成によるスイッチング素子１０２および電気熱変換体１０３と、図１０に示したようなレベルシフト素子を含むレベルシフト回路１０６と、レベルシフト回路１０６への入力電圧およびスイッチング素子１０２への駆動信号を外部より供給を受けるために使用されるレベルシフト回路用入力電圧パッド１０５および複数のパッド１０４と、インク供給口形成部１０７が形成されている。
【００４５】
スイッチング素子１０２および電気熱変換体１０３はインク供給口形成部１０７を挟んで１２００ＤＰＩ（Ｄｏｔ　Ｐｅｒ　Ｉｎｃｈ）の間隔で５１２以上が列状に２列設けられている。インク供給口形成部１０７と電気熱変換体１０３上には不図示の流路が形成されている。インクジェット記録ヘッド用基板１０１は、不図示の天板と組み合わされるものであり、該天板の電気熱変換体１０３に対応する箇所にはインク吐出口が形成されている。電気熱変換体１０３を駆動して発熱させ、電気熱変換体１０３上のインクが発泡し、そのエネルギーで吐出口よりインクが吐出する。
【００４６】
上記のインク供給口形成部１０７、および該インク供給口形成部１０７を挟んで対向するように形成されたスイッチング素子１０２および電気熱変換体１０３はこれらが組とされて複数並設されている。
【００４７】
本実施例が、図１１ないし図１３に示した従来例と異なる点は、レベルシフト回路１０６が細長い形状のインク供給口形成部１０７の両端に２個設けられている点、および、スイッチング素子１０２への駆動信号を外部より供給を受けるためのパッド１０がインク供給口形成部１０７の長手方向に直交するインクジェット記録ヘッド用基板１０１の両側端に配置されている点にある。
【００４８】
レベルシフト回路１０６はインク供給口形成部１０７の長手方向と略平行となり、該長手方向に直行する中心線（Ａ−Ａ’線）に対して線対称となるように複数形成されている。
【００４９】
各レベルシフト回路１０６に対しては、インクジェット記録ヘッド用基板１０１に１つ設けられたレベルシフト回路用入力電圧パッド１０５を介して外部より入力電圧が供給される。
【００５０】
上記のように構成される本実施例においては、発熱要素であるレベルシフト回路１０６がインク供給口形成部１０７の両端に設けられていることから、インク供給口形成部１０７の長手方向に直交するインクジェット記録ヘッド用基板１０１の両側端がほぼ等しい温度となる。このため、インク供給口形成部１０７内部のインクにも温度分布が発生することはなく、インクの粘度等も部分的に異なることがなくなるので、本実施例を用いて作製されたインクジェット記録ヘッドにより記録された画像も良好なものとなった。
【００５１】
図２は本発明の第２の実施例のインクジェット記録ヘッド用基板２０１の配置状態を示す上面図である。
【００５２】
図中のスイッチング素子２０２、電気熱変換体２０３、パッド２０４、レベルシフト回路用入力電圧パッド２０５、レベルシフト回路２０６およびインク供給口形成部２０７のそれぞれは、図１に示したスイッチング素子１０２、電気熱変換体１０３、パッド１０４、レベルシフト回路用入力電圧パッド１０５、レベルシフト回路１０６およびインク供給口形成部１０７と同様のものであるが、本実施例では、レベルシフト回路用入力電圧パッド２０５はインク供給口形成部１０７の長手方向に直交するインクジェット記録ヘッド用基板１０１の両側端にそれぞれ設けられている。
【００５３】
上記のように構成される本実施例においては、レベルシフト回路用入力電圧パッド２０５から各レベルシフト回路２０６への電圧供給経路がインク供給口形成部１０７の長手方向に直交するインクジェット記録ヘッド用基板１０１の両側端がほぼ等しいものとなり、その両側端における温度もより等しいものとなるため、本実施例を用いて作製されたインクジェット記録ヘッドにより記録された画像もより良好なものとなった。
【００５４】
上記のいずれの実施例においても、レベルシフト回路が前記インク供給口形成部の長手方向と略平行となり、該長手方向に直行する中心線に対して線対称となるように複数形成されていることがインク供給口形成部の長手方向に直交するインクジェット記録ヘッド用基板の両側端がほぼ等しい温度とし、インク供給口形成部内部のインクに温度分布を発生させず、インクの粘度等が部分的に異なることをなくすために重要であり、本発明によるインクジェット記録ヘッド用基板はこのような構成とされていることを特徴とする。
【００５５】
図３は、図１または図２に示したインクジェット記録ヘッド用基板を用いて作製されたインクジェット記録ヘッドの模式図である。
【００５６】
図１または図２に示したインクジェット記録ヘッド用基板である素子基体５２上には、電流が流れることで熱を発生し、その熱によって発生する気泡によって吐出口５３からインクを吐出するための電気熱変換素子（ヒータ）４１が複数列状に配されている。この電気熱変換素子のそれぞれには、配線電極５４が設けられており、配線電極５４の一端側は前述したスイッチング素子４２に電気的に接続されている。電気熱変換体４１に対向する位置に設けられた吐出口５８へインクを供給するための流路５５がそれぞれの吐出□５３に対応して設けられている。これらの吐出口５３および流路５５を構成する壁が溝付き部材５６に設けられており、これらの溝付き部材５６を前述の素子基板５２に接続することで流路６５と複数の流路にインクを供給するための共通液室５７が設けられている。
【００５７】
図４は図１または図２に示したインクジェット記録ヘッド用基板である素子基板５２を組み込んだインクジェットヘッドの構造を示すもので、枠体５８に素子基体５２が組み込まれている。この素子基体５２上には図３に示した吐出口６３や流路５５を構成する部材５６が取り付けられている。そして、装置側からの電気信号を受け取るためのコンタクトトパッド５９が設けられており、フレキシブルプリント配線基板６０を介して素子基体６２に、装置本体の制御器から各種駆動信号となる電気信号が供給される。
【００５８】
図５は本発明のインクジェットヘッドが適用されるインクジェット記録装置ＩＪＲＡの概観図である。
【００５９】
駆動モータ５０１ａの正逆回転に連動して駆動力伝達ギア５０１１、５００９を介して回転するリードスクリュー５００５には螺旋溝５００４が設けられている。この螺旋溝５００４に対して係合するキャリッジＨＣはピン（不図示）を有し、矢印ａ、ｂ方向に往復移動される。５００２は紙押え板であり、キャリッジ移動方向にわたって紙を記録媒体搬送手段であるプラテン５０００に対して押圧する。５００７、５００８はフォトカプラでキャリッジのレバー５００６のこの域での存在を確認してモータ５０１３の回転方向切換等を行うためのホームポジション検知手段である。５Ｏ１６は記録ヘッドの前面をキャップするキャップ部材５０２２を支持する部材で、５０１５はこのキャップ内を吸引する吸引手段でキャップ内開口５０２３を介して記録ヘッドの吸引回復を行う。５０１７はクリーニングプレードで、５０１９はこのクリーニングプレード５０１７を前後方向に移動可能にする部材であり、本体支持板５Ｏ１８にこれらは支持されている。クリーニングプレード５０１７は、この形態でなく周知のクリーニングフレードが本例に適用できることはいうまでもない。又、５０２１は、吸引回復の吸引を開始するためのレバーで、キャリッジと係合するカム５０２０の移動に伴って移動し、駆動モータからの駆動力がクラッチ切換等の公知の伝達手段で移動制仰される。
【００６０】
尚。本装置には画像信号や駆動制御信号などを素子基体５２に供給するための電気回賂からなる制御器（不図示）を有している。
【００６１】
【発明の効果】
本発明は以上説明したように構成されているので、以下に記載するような効果を奏する。
【００６２】
インク供給口形成部の長手方向に直交するインクジェット記録ヘッド用基板の両側端がほぼ等しい温度となる。このため、インク供給口形成部内部のインクにも温度分布が発生することはなく、インクの粘度等も部分的に異なることがなくなるので、本発明によるインクジェット記録ヘッド用基板を用いて作製されたインクジェット記録ヘッド、これを用いるインクジェット記録装置では良好な画像の記録を行うことができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるインクジェット記録ヘッド用基板の一実施例の配置状態を示す上面図である。
【図２】本発明の第２の実施例のインクジェット記録ヘッド用基板２０１の配置状態を示す上面図である。
【図３】図１または図２に示したインクジェット記録ヘッド用基板を用いて作製されたインクジェット記録ヘッドの模式図である。
【図４】図１または図２に示したインクジェット記録ヘッド用基板である素子基板５２を組み込んだインクジェットヘッドの構造を示す図である。
【図５】本発明のインクジェットヘッドが適用されるインクジェット記録装置ＩＪＲＡの概観図である。
【図６】従来の構成による記録ヘッドの一部分を示す模式的な断面図である。
【図７】従来の構成による記録ヘッドの一部分を示す模式的な断面図である。
【図８】レベルシフト回路の構成を示す回路図である。
【図９】レベルシフト回路の構成を示す回路図である。
【図１０】図８に示した回路にソースホロワのトランジスタを介在させた回路の構成を示す図である。
【図１１】従来のインクジェット記録ヘッド用基板の配置状態を示す上面図である。
【図１２】従来のインクジェット記録ヘッド用基板の配置状態を示す上面図である。
【図１３】従来のインクジェット記録ヘッド用基板の配置状態を示す上面図である。
【図１４】図１１ないし図１３に示したようなインクジェット記録ヘッド用基板上に構成される回路の具体的な構成を示す回路図である。
【符号の説明】
１０１，１０２　　インクジェット記録ヘッド用基板
１０２，２０２　　スイッチング素子
１０３，２０３　　電気熱変換体
１０４，２０４　　パッド
１０５，２０５　　レベルシフト回路用入力電圧パッド
１０６，２０６　　レベルシフト回路
１０７，２０７　　インク供給口形成部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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