(57)【要約】【課題】発熱体に対するスイッチとしてＤＭＯＳトランジスタのような高速スイッチ素子を用いたインクジェットヘッド用基体において、リンギング現象を十分に抑制できるようにする。【解決手段】ＤＭＯＳトランジスタ９のゲートに印加される電圧パルスにおける立ち上がり時、立ち下がり時の電圧変化率を緩和する。例えば、ＣＭＯＳインバータ回路の出力がＤＭＯＳトランジスタ９のゲートに加わる場合に、インバータ回路の出力とＤＭＯＳトランジスタ９のゲートとの間に、ローパスフィルタ１０を挿入する。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
吐出口からインク液滴を吐出するためのエネルギーを発生する発熱体と、前記発熱体に対するスイッチ素子と、前記スイッチ素子のオン／オフの状態を決定する信号を出力する信号出力部と、を少なくとも有するインクジェットヘッド用基体において、
前記信号における電圧変化率を緩和する手段を有し、該電圧変化率が緩和された信号が前記スイッチ素子に入力することを特徴とする、インクジェットヘッド用基体。
【請求項２】
前記スイッチ素子がＤＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項１に記載のインクジェットヘッド用基体。
【請求項３】
前記信号出力部はインバータ回路によって構成され、前記緩和する手段は前記インバータ回路の出力と前記ゲートとの間に挿入されたローパスフィルタであることを特徴とする、請求項１または２に記載のインクジェットヘッド用基体。
【請求項４】
前記緩和する手段は、前記信号出力部の電流駆動能力を小さくする手段であることを特徴とする、請求項１または２に記載のインクジェットヘッド用基体。
【請求項５】
前記電流駆動能力を小さくする手段は、前記信号出力部内のトランジスタに直列に設けられた抵抗であることを特徴とする、請求項４に記載のインクジェットヘッド用基体。
【請求項６】
前記信号出力部は第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタおよび第１のＮチャネルトランジスタを有するＣＭＯＳインバータ回路であって、前記緩和する手段は、前記第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタに直列に接続する第２のＰチャネルＭＯＳトランジスタおよび前記第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタに直列に接続する第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタの少なくとも一方であることを特徴とする、請求項１または２に記載のインクジェットヘッド用基体。
【請求項７】
前記信号出力部は第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタおよびＮチャネルトランジスタを有するＣＭＯＳインバータ回路であって、前記緩和する手段は、前記第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタに直列に接続する第２のＰチャネルＭＯＳトランジスタと、前記ＮチャネルＭＯＳトランジスタに直列に接続された抵抗と、によって構成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載のインクジェットヘッド用基体。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに１項に記載のインクジェットヘッド用基体と、該インクジェットヘッド用基体に組み合わされ前記発熱体に関連する液路および該液路の一端をなすインク吐出口を形成するための部材と、を備えたことを特徴とするインクジェットヘッド。
【請求項９】
請求項８に記載のインクジェットヘッドと、該インクジェットヘッドに対しプリント媒体を相対搬送するための手段と、を備えたことを特徴とするインクジェットプリント装置。
【請求項１０】
前記インクジェットヘッドを着脱自在に支持し、前記プリント媒体に対して走査させるためのキャリッジを備えたことを特徴とする請求項９に記載のインクジェットプリント装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、吐出口よりインク液滴を吐出させることにより記録などを行うインクジェットヘッドに用いられ、吐出エネルギーを発生する発熱体やその発熱体を駆動するためのスイッチング回路などを有するインクジェットヘッド用基体と、そのようなインクジェットヘッド用基体を有するインクジェットヘッドと、そのようなインクジェットヘッドを用いたインクジェットプリント装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、熱を用いてインクを吐出口から吐出するインクジェット方式に従うプリンタなどプリント装置に搭載されるインクジェットヘッドには、熱エネルギーを発生するための複数の発熱体（電気熱変換素子；ヒータ）と、各発熱体を独立に駆動するための駆動素子を備えている。そして、これらの発熱体と駆動素子とは、たとえば特開平５−１８５５９４号公報に示されているように、半導体プロセス技術を用いてシリコン半導体基板などの同一基板上に形成されている。発熱体と駆動素子とが作り込まれた基板のことをインクジェットヘッド用基体あるいはヒーターボードという。
【０００３】
このような、インクジェットヘッド用基体に設けられる１ビット（１つの発熱体）あたりの駆動等価回路を示すと、図８のように表わされる。図において、ＶＨは、発熱体１を駆動するための電源であり、その電源ＶＨからこの等価回路の流れ込む電流がＩＨで示されている。電源ＶＨと接地点との間に、寄生インダクタンスＬｐ１、発熱体１、発熱体１を駆動するためのスイッチ２及び寄生インダクタンスＬｐ２が直列に接続するとともに、これらの要素のうちの隣接する要素間の各接続点と接地電位との間に、それぞれ寄生容量Ｃｐ１〜Ｃｐ３が介在している。ここで、発熱体１を駆動するためのスイッチ２を高速にオン／オフ制御する場合、寄生インダクタンスＬｐ１，Ｌｐ２や寄生容量Ｃｐ１〜Ｃｐ３などにより共振回路が形成され、信号のオーバーシュートやアンダーシュートが生じるリンギング現象が現れる。
【０００４】
通常、スイッチ２は、ダイオード、バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）などのスイッチ素子によって構成されており、それらのスイッチ素子のスイッチング特性により、前述したリンギング現象の様子も大きく左右される。
【０００５】
たとえば、スイッチ２をＮチャネルＭＯＳＦＥＴトランジスタ（ＮＭＯＳトランジスタ）等のＭＯＳトランジスタを用いて構成する場合、オン抵抗をできるだけ小さくしようとすると、ＭＯＳトランジスタのサイズは非常に大きなものとなってしまう。そこで、複数のＭＯＳトランジスタを並列に接続してこれらのＭＯＳトランジスタのゲートに同時に信号を印加するようにして、これらのＭＯＳトランジスタを同時に駆動することが提案されている。しかしながら、ＭＯＳトランジスタを並列接続してスイッチを構成した場合には、スイッチによってオンオフ制御されるスイッチング信号の電流波形が、立ち上がり、立ち下がりともに急峻なものとなり、リンギングを発生させやすい波形になる。
【０００６】
ところで、インクジェットヘッド用基体は、非常に小型であり、また多数の発熱体とこの発熱体に見合う数のスイッチをヘッド用基体上に設ける必要があるから、リンギングを抑制するためのディスクリート部品をヘッド用基体上に設けることは困難であり、また、寄生インダクタンスや寄生容量を減少させることも困難である。したがって、上述のリンギングを防止することは困難であり、リンギングによる発熱体（ヒータ）やスイッチ素子へのストレスに伴なう劣化や、リンギングによって発生するノイズによる誤動作が懸念されていた。
【０００７】
そこで、特開平１１−１３８７７５号公報には、１個の発熱体に対して複数のＭＯＳトランジスタを並列に接続してスイッチを構成した場合において、スイッチを構成する各ＭＯＳトランジスタのゲートに印加されるパルス信号のタイミングを微妙にずらすことにより、発熱体を流れるべき電流パルスの立ち上がりおよび立ち下がりにおける急峻さを緩和し、リンギングを抑制することが開示されている。
【０００８】
ところで、近年、インクジェットヘッドにおいては、高速かつ高精細なプリント（記録）を実現するために、抵抗値の大きな発熱体を使用するようになってきており、そのため、発熱体を駆動する電圧ＶＨも従来のものに比べて、例えば２０〜３０Ｖ程度と高くなってきている。発熱体の駆動電圧が高まってきたことにより、発熱体駆動用のスイッチとしても耐圧が高いＭＯＳトランジスタが必要とされるようになってきており、そのため、ＤＭＯＳ（Ｄｏｕｂｌｅ　Ｄｉｆｆｕｓｅｄ　ＭＯＳ）トランジスタを用いることが提案されている。
【０００９】
図９は、ＤＭＯＳの構成の一例を示す模式断面図である。ここでは、Ｐ型シリコン半導体基板に、Ｎ型ＤＭＯＳトランジスタが形成されているものとする。ｐ−型半導体基板３０１の上面全体にｎ−型ウェル領域３０２が形成されており、ｎ−型ウェル領域３０２の表面の一部にｎ＋型のドレイン領域３０８が形成されている。このドレイン領域３０８の形成場所とは別の場所において、ｎ−型ウェル領域３０２にｐ型ベース領域３０５が設けられている。ｐ型ベース領域３０５のほぼ中央部の表面には、ｎ＋型のソース領域３０７が設けられている。このように各領域が形成された半導体基板の表面の全面にはゲート酸化膜３０３が形成されており、ゲート酸化膜３０３上にはゲート電極３０４が設けられている。ゲート電極３０４は、ｐ型ベース領域３０５とｎ−型ウェル領域３０２とをまたぐように設けられており、一端は、ソース領域３０７の端部に対応する位置にまで延びている。ゲート電極３０４の他端は、ドレイン領域３０８の方へ延びているが、ドレイン領域３０８の端部に対応する位置にまでは延びておらず、ｎ−型ウェル領域３０３上の位置で留まっている。
【００１０】
このようなＤＭＯＳを使用することによって、ドレインから基板に流れるリーク電流を抑えることができるとともに、電界集中を抑制して耐電圧を向上させることができる。
【００１１】
図１０は、スイッチ素子としてＤＭＯＳを使用した場合における発熱体の駆動回路の一例を示している。
【００１２】
ここでは、発熱体１の駆動用の電源ＶＨおよび接地（グラウンド）線ＧＮＤＨと、スイッチ（ＤＭＯＳトランジスタ）９のゲートを駆動する論理回路の電源ＶＤＤおよびグラウンドとは、別系統になっているものとする。
【００１３】
スイッチであるＤＭＯＳトランジスタ９のソースは駆動用のグラウンドＧＮＤＨに接続し、バックゲート電圧としては信号用の接地電位が印加されている。発熱体１は、駆動用の電源ＶＨとＤＭＯＳトランジスタ９のドレインとの間に接続されている。ＤＭＯＳトランジスタ９のゲートを駆動するために、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ７とＰチャネルＭＯＳトランジスタ８からなるＣＭＯＳインバータ回路（駆動段）が設けられており、このインバータ回路の出力がＤＭＯＳトランジスタ９のゲートに入力する。インバータ回路には、入力信号Ｖｉｎが入力する。
【００１４】
したがって、図１０に示した回路では、入力信号Ｖｉｎがロウレベルである場合に、ＤＭＯＳトランジスタ９がオン状態となって、発熱体１に電流が流れることになる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように発熱体１に対するスイッチ素子としてＤＭＯＳトランジスタ９を用いた場合、ＤＭＯＳトランジスタは同じ耐圧の通常のＭＯＳトランジスタよりも小型に形成されるので、スイッチングスピードが速くなる。したがって、図１１に示すように、駆動段から矩形のパルス信号（駆動段出力電圧波形）がＤＭＯＳトランジスタ９のゲートに印加されるとすると、そのパルス信号の立ち上がりおよび立ち下がりの電圧変化率（駆動段出力電圧微分波形）が大きく、ＤＭＯＳトランジスタ９のスイッチングスピードが速いことや発熱体１の抵抗値が高いこともあいまって、ヒータ電流波形におけるかなり大きなリンギングが発生する。このリンギングは、駆動電源ＶＨおよび駆動用グラウンドＧＮＤＨの配線に近接する信号線に対して、大きなノイズとして作用することになる。
【００１６】
特開平１１−１３８７７５号公報に開示された技術を応用して、複数のＤＭＯＳトランジスタを並列に接続するとともにゲートに印加させるパルスのタイミングをずらすことも考えられるが、ＤＭＯＳトランジスタのスイッチングスピードが通常のＭＯＳトランジスタよりも速いこともあって、そのような構成ではリンギングを十分には抑えることができない。また、ＤＭＯＳトランジスタを用いることの利点は発熱体に対するスイッチを小さく形成できることであり、そのように複数のＤＭＯＳトランジスタを並列に接続した場合には、スイッチを小さく形成できるという利点が失われることになる。
【００１７】
そこで本発明の目的は、インクジェットヘッド用基体であって、特に発熱体に対するスイッチとしてＤＭＯＳトランジスタのような高速スイッチ素子を用いたものであって、リンギング現象を十分に抑制することができるインクジェットヘッド用基体と、そのようなインクジェットヘッド用基体を用いたインクジェットヘッドと、そのようなインクジェットヘッドを用いたインクジェットプリント装置とを提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
インクジェットヘッド用基体において、特に、発熱体に対するスイッチとしてＤＭＯＳトランジスタのような高速スイッチ素子を用いた場合、そのスイッチ素子に対する駆動段としてインバータ回路を用いるとすると、インバータ回路から出力される矩形状の信号をスイッチ素子のゲートに印加したのでは、上述したリンギングの発生を抑えることは難しい。そこで本発明では、スイッチ素子の前段（駆動段）からスイッチ素子のゲートに印加される電圧パルスにおける電圧変化率を抑えることにより、スイッチ素子を流れる電流における立ち上がり、立ち下がり時の電流変化率を小さくし、リンギングの発生を抑えるようにした。
【００１９】
すなわち本発明のインクジェットヘッド用基体は、吐出口からインク液滴を吐出するためのエネルギーを発生する発熱体と、発熱体に対するスイッチ素子と、スイッチ素子のオン／オフの状態を決定する信号を出力する信号出力部と、を少なくとも有するインクジェットヘッド用基体において、信号における電圧変化率を緩和する手段を有し、電圧変化率が緩和された信号がスイッチ素子に入力することを特徴とする。
【００２０】
すなわち本発明の構成を用いることにより、ＤＭＯＳトランジスタなどのスイッチ素子のスイッチングスピードを等価的に遅くし、電流ノイズに対し改善することができる。
【００２１】
本発明のインクジェットヘッドは、本発明のインクジェットヘッド用基体と、インクジェットヘッド用基体に組み合わされ発熱体に関連する液路および液路の一端をなすインク吐出口を形成するための部材と、を備えたことを特徴とする。
【００２２】
本発明のインクジェットプリント装置は、本発明のインクジェットヘッドと、インクジェットヘッドに対しプリント媒体を相対搬送するための手段と、を備えたことを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の好ましい実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２４】
図１は、本発明の実施の一形態のインクジェットヘッド用基体における、発熱体（ヒータ）１を駆動するための回路構成を示す回路図である。
【００２５】
図１に示す回路は、図１０に示した従来のインクジェットヘッド用基体における駆動回路と同様に、ＤＭＯＳトランジスタ９をスイッチとして発熱体１を駆動するものである。ここでは、発熱体１の駆動用の電源ＶＨおよび接地（グラウンド）線ＧＮＤＨと、ＤＭＯＳトランジスタ９のゲートを駆動する論理回路の電源ＶＤＤおよびグラウンドとは、別系統になっているものとする。
【００２６】
ＤＭＯＳトランジスタ９のソースは、駆動用のグラウンドＧＮＤＨに接続し、ＤＭＯＳトランジスタ９のバックゲート電圧としては、信号用の接地電位が印加されている。発熱体１は、駆動用の電源ＶＨとＤＭＯＳトランジスタ９のドレインとの間に接続されている。ＤＭＯＳトランジスタ９のゲートを駆動するために、信号出力部として、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ７とＰチャネルＭＯＳトランジスタ８からなるＣＭＯＳインバータ回路（駆動段）が設けられており、このインバータ回路の出力が、ローパスフィルタ（ＬＰＦ；低域通過フィルタ）１０を介してＤＭＯＳトランジスタ９のゲートに入力する。ローパスフィルタ１０は、少なくとも抵抗を有して構成される。インバータ回路には、入力信号Ｖｉｎが入力する。したがって、図１に示した回路では、入力信号Ｖｉｎがロウレベルである場合に、ＤＭＯＳトランジスタ９がオン状態となって、発熱体１に電流が流れることになる。
【００２７】
図１に本実施形態の回路は、図１０に示した従来の回路と比較して、トランジスタ７，８によって構成されるＣＭＯＳインバータ回路の出力と、ＤＭＯＳトランジスタ９のゲートとの間にローパスフィルタ１０が挿入されている点で相違する。このようにローパスフィルタ１０を挿入したことにより、インバータ回路の出力が急峻な立ち上がりおよび立ち下がり特性を有する矩形波パルスであったとしても、図２に示すように、ローパスフィルタ１０の出力すなわちＤＭＯＳトランジスタ９のゲートでは、立ち上がりおよび立ち下がりの電圧変化率が緩和され、電圧の微分波形としてもピーク値の振幅が小さくなる。その結果、ＤＭＯＳトランジスタ９を流れる電流すなわち発熱体１に対する駆動電流においても、立ち上がりおよび立ち下がり時の電流変化率が緩和され、これにより、リンギングの発生を抑えることができる。
【００２８】
上述した例では、ローパスフィルタ１０を介してＣＭＯＳインバータ回路の出力をＤＭＯＳトランジスタ９のゲートに印加することにより、ＤＭＯＳトランジスタ９のゲート電圧における電圧変化率を緩和し、リンギングを防止しているが、ローパスフィルタを介在させなくても、ＣＭＯＳインバータ回路の回路構成自体を変更することにより、ＤＭＯＳトランジスタ９のゲート電圧の電圧変化率を緩和することができる。
【００２９】
図３に示したものでは、ＣＭＯＳインバータ回路において、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ８と論理回路用の電源ＶＤＤとの間にさらにＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１を設け、このＭＯＳトランジスタ１１のゲートにもインバータ回路への入力電圧Ｖｉｎが印加されるようにしている。ＣＭＯＳインバータ回路の出力はそのまま（ローパスフィルタを介さずに）ＤＭＯＳトランジスタ９のゲートに印加されている。このように構成すると、ＣＭＯＳ回路構成におけるＰチャネルＭＯＳトランジスタのチャネル長が実質的に長くなることになって、ＰチャネルＭＯＳトランジスタの電流駆動能力が低下して動作速度が低下し、結果として、ＤＭＯＳトランジスタ９のゲートに印加される電圧の電圧変化率が緩和される。特に、インバータ回路のＰチャネル側がオンとなるタイミングすなわちＤＭＯＳトランジスタ９のゲートに対するパルスの立ち上がり部分での電圧変化率が緩和される。
【００３０】
図４に示したものは、図３に示した回路において、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ８のドレインとＮチャネルＭＯＳトランジスタ７のドレインとの間に抵抗１２を挿入したものである。ＰチャネルＭＯＳトランジスタ８のドレインがインバータ回路としての出力となっている。このように抵抗１２を挿入することにより、インバータ回路の出力波形における電圧変化率がさらに緩和され、結果としてリンギングの発生がさらに抑制されることになる。具体的には、抵抗１２を挿入したことにより電流駆動能力が制限され、図３に示した回路に比べ、ＤＭＯＳトランジスタ９のゲートに印加されるパルスの立ち下がり時における電圧変化率が緩和される。
【００３１】
図５に示したものは、図３に示した回路において、ＣＭＯＳインバータ回路のＮチャネル側も２段のＭＯＳトランジスタを直列に接続するようにしたものである。すなわち、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ７と論理回路用のグラウンドとの間にさらにＮチャネルＭＯＳトランジスタ１３を設け、このＭＯＳトランジスタ１３のゲートにもインバータ回路への入力電圧Ｖｉｎが印加されるようにしている。このように構成すると、ＣＭＯＳ回路構成におけるＮチャネルＭＯＳトランジスタのチャネル長が実質的に長くなることになって、ＰチャネルＭＯＳトランジスタの電流駆動能力が低下して動作速度が低下し、特に、ＤＭＯＳトランジスタ９のゲートに印加されるパルスの立ち下がり時の動作速度が低下し、結果として、ＤＭＯＳトランジスタ９のゲートに印加される電圧の電圧変化率がさらに緩和される。
【００３２】
次に、上述したようなヘッド用基体を用いる本発明のインクジェットヘッドの概略構成について、図６を用いて説明する。
【００３３】
ヘッド用基体４００上には、上述したように、電気信号を受けることで熱を発生し、その熱によって発生する気泡によって吐出口４０からインクを吐出するための発熱体（ヒータ）１が複数個、列状に配されている。
【００３４】
発熱体に対向する位置に設けられた吐出口４０へインクを供給するための流路４１がそれぞれの吐出口に対応して設けられている。これらの吐出口および流路を構成する壁が溝付き部材１０１に設けられており、これらの溝付き部材１０１を前述のヘッド用基体４００に接続することで、流路４１と複数の流路にインクを供給するための共通液室２１が設けられている。
【００３５】
次に、このようなインクジェットヘッドを用いるインクジェットプリント装置について説明する。
【００３６】
図７は本発明のインクジェットヘッドが適用されるインクジェットプリント装置ＩＪＲＡの概観図で、駆動モータ５０１３の正逆回転に連動して駆動力伝達ギア５０１１、５００９を介して回転するリードスクリュー５００５のら線溝５００４に対して係合するキャリッジＨＣは、インクジェットヘッドが着脱自在に搭載されるものであって、ピン（不図示）を有し、矢印ａ、ｂ方向に往復移動される。５００２は紙押え板であり、キャリッジ移動方向にわたって、典型的には紙であるプリント媒体をプリント媒体搬送手段であるプラテン５０００に対して押圧する。５００７、５００８はフォトカプラでキャリッジのレバー５００６のこの域での存在を確認してモータ５０１３の回転方向切換等を行うためのホームポジション検知手段である。５０１６はインクジェットヘッドの前面をキャップするキャップ部材５０２２を支持する部材で、５０１５はこのキャップ内を吸引する吸引手段でキャップ内開口５０２３を介してインクジェットヘッドの吸引回復を行う。５０１７はクリーニングブレードで、５０１９はこのブレードを前後方向に移動可能にする部材であり、本体支持板５０１８にこれらは支持されている。ブレードは、この形態でなく周知のクリーニングブレードが本例に適用できることはいうまでもない。また、５０１２は、吸引回復の吸引を開始するためのレバーで、キャリッジと係合するカム５０２０の移動に伴って移動し、駆動モータからの駆動力がクラッチ切換等の公知の伝達手段で移動制御される。
【００３７】
これらのキャッピング、クリーニング、吸引回復は、キャリッジがホームポジション側領域にきたときにリードスクリュー５００５の作用によってそれらの対応位置で所望の処理が行えるように構成されているが、周知のタイミングで所望の作動を行うようにすれば、本例には何れも適用できる。上述における各構成は単独でも複合的に見ても優れた発明であり、本発明にとって好ましい構成例を示している。
【００３８】
なお、本装置にはインクジェットヘッド（ヘッド用基体）に対して発熱体を駆動するための駆動信号やその他の信号を供給するための信号供給手段を備えている。
【００３９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、ＤＭＯＳトランジスタなどのスイッチ素子のゲートに印加される電圧パルスにおける電圧変化率を緩和する手段を設けることにより、スイッチ素子によって駆動される発熱体に流れる電流の電流変化率が抑えられてリンギングの発生が抑えられ、ノイズ等の発生が低減する、という効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態のインクジェットヘッド用基体における回路構成を示す回路図である。
【図２】図１に示す回路の動作を説明する波形図である。
【図３】インクジェットヘッド用基体における別の回路構成を示す回路図である。
【図４】インクジェットヘッド用基体における別の回路構成を示す回路図である。
【図５】インクジェットヘッド用基体における別の回路構成を示す回路図である。
【図６】図１に示した基体を用いたインクジェットヘッドの概略構成図である。
【図７】図４に示したインクジェットヘッドを用いたインクジェットプリント装置の構成例を示す斜視図である。
【図８】従来のインクジェットヘッド用基体における１ビット当たりの駆動回路の等価回路図である。
【図９】ＤＭＯＳの構成の一例を示す模式断面図である。
【図１０】スイッチ素子としてＤＭＯＳを使用した場合における従来の駆動回路の一例を示す回路図である。
【図１１】図１０に示す回路の動作を示す波形図である。
【符号の説明】
１　　発熱体
２　　スイッチ
７，１３　　ＮチャネルＭＯＳトランジスタ
８，１１　　ＰチャネルＭＯＳトランジスタ
９　　ＤＭＯＳトランジスタ
１０　　ローパスフィルタ
１２　　抵抗
４０　　吐出口
４００　　インクジェットヘッド用基体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004050627.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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