(57)【要約】【課題】製造工程に要する時間を短縮し、製造設備の簡略化を可能とし、基板製造工程を含めて生産コストを低減すること。【解決手段】グルーブパターンを有する基板上に、磁壁移動層が表面側になるような積層順で磁性膜を積層し、この磁性膜表面を、基板に垂直な方向から入射する加速イオンによってスパッタエッチングし、スパタリング率のイオン入射角依存性を利用してグルーブ側部の磁壁移動層を選択的にエッチング除去する。さらに、この基板を剥離して磁界変調記録可能な記録媒体とするか、磁性層を三日月記録可能なＬＩＭＤＯＷ媒体と組み合わせた構成にして、光変調記録可能な記録媒体とする。【選択図】  図１
2004178726.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報トラックの両側に、該情報トラック面に対して非平行な面を有する傾斜部が設けられている基板表面上に、相対的に磁壁抗磁力が大きな磁性層であり、
情報の記録保持機能を果たすメモリ層と、メモリ層よりもキュリー温度が低い磁性層であり、
磁性層間の交換結合の切り換え機能を果たすスィッチング層と、スィッチング層よりもキュリー温度が高くメモリ層よりも磁壁抗磁力が小さな磁性層であり、
再生時に磁壁移動を生じて磁区拡大再生機能を果たす磁壁移動層
とを順次積層した後、該情報トラック面に対して略垂直な方向から入射する加速イオンによって該基板表面をスパッタエッチングし、該傾斜部上の磁性層最表面に形成されている該磁壁移動層を優先的にエッチング除去し、該情報トラック面上の磁性層は全層残存させること特徴とする情報記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁性材料の磁化の配列状態により情報の記録を行う情報記録媒体及びその製造方法に関するものであり、特に情報の再生時に磁壁移動を生じせしめることによって高記録密度の情報の再生を可能にした磁性記録媒体及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
書き換え可能な記録媒体として、各種の磁性記録媒体が実用化されている。特に、半導体レーザーの熱エネルギーを用いて磁性薄膜に磁区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用いてこの情報を読み出す光磁気記録媒体は、高密度記録が可能な大容量可換媒体として期待されている。近年、動画像のデジタル化の動きとあいまって、これらの磁性記録媒体の記録密度を高めて更に大容量の記録媒体とする要求が高まっている。
【０００３】
光磁気記録媒体等の光ディスクの線記録密度は、再生光学系のレーザー波長および対物レンズの開口数に大きく依存する。すなわち、再生光学系のレーザー波長λと対物レンズの開口数ＮＡが決まるとビームウェストの径が決まるため、信号再生時の空間周波数は２ＮＡ／λ程度が検出可能な限界となってしまう。
【０００４】
したがって、従来の光ディスクで高密度化を実現するためには、再生光学系のレーザー波長を短くし、対物レンズの開口数ＮＡを大きくする必要がある。しかしながら、レーザー波長や対物レンズの開口数には限界がある。このため、記録媒体の構成や読み取り方法を工夫し、記録密度を改善する技術が開発されている。
【０００５】
このような技術の一つとして、既に発明者は特開平６−２９０４９６号において、再生信号振幅を低下させることなく、光学系の分解能を超えた記録密度の信号が再生可能な磁性記録媒体および再生方法の提案を行っている。具体的には、磁壁移動層、スイッチング層、メモリ層が順次積層され、磁壁移動層は、メモリ層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく、スイッチング層は磁壁移動層およびメモリ層よりもキュリー温度の低い光磁気記録媒体、及びこの光磁気記録媒体を用いて、記録マークの境界部に存在する磁壁移動層の磁壁を温度勾配によって移動させ、この磁壁移動に伴う磁化反転を、反射光の偏向状態の変化として検出する高密度記録再生方法である。
【０００６】
この方法においては、記録マークの前方境界部の磁壁と後方境界部の磁壁とが実質的に分離独立して形成されていることが、磁壁の移動を安定化し再生特性を向上させる上で望ましい。
【０００７】
しかし、従来の基板上に記録膜を成膜してこの媒体を作製すると、膜面方向には概ね一様な記録膜が形成されるため、前後の磁壁が完全に分離しているような記録マークを形成することは困難であった。このため、記録膜の成膜後にトラックの両側を高出力のレーザーでアニールするなどしてトラック側部の磁性膜を変質させる処理を行い、この処理部にまたがるように記録マークを形成することで前後の磁壁を分離させるようにしていた。この場合、媒体の製造工程が複雑になりコストアップになるという問題があった。また、情報トラックの両側のサーボ用の案内溝をも情報トラックとして使用する方式（Ｌａｎｄ／Ｇｒｏｏｖｅ記録方式）の適用が困難であるという問題があった。
【０００８】
そこでこの問題を解決するために、発明者は特開２００１−１６７４７９号において、情報トラックの両側に、該情報トラック面に対して非平行な面を有する傾斜部が設けられている基板表面上に、記録膜を成膜した後、該情報トラック面に対して略垂直な方向から入射する加速イオンによって該基板表面をスパッタエッチングし、該傾斜部上の記録膜を優先的にエッチング除去し、該情報トラック面上の記録膜は残存させること特徴とする情報記録媒体の製造方法を提案した。
【０００９】
この方法によれば、特開平６−２９０４９６号等に提案されている超高密度記録再生方法において、媒体の製造工程を複雑化することなく再生特性を向上させること、また、Ｌａｎｄ／Ｇｒｏｏｖｅ記録方式の適用を可能にしてトラック密度を向上させることが可能である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特開２００１−１６７４７９号の方法は、傾斜部上の磁性層を全膜厚に渡って除去していたため、工程に時間がかかり、また、エッチング処理中の基板温度の上昇を抑制するために基板冷却機構等を設ける必要があり、設備が大掛かりになる等の生産上の問題を残していた。また、エッチングの進行に伴って所期の僅かな表面状態の粗さが強調される傾向があるため、全膜厚に渡ってエッチング除去すると、エッチング後の表面状態を良好に保つことが困難であり、記録再生特性に悪影響を及ぼす危険があった。更にまた、情報トラック間の傾斜部の記録膜を完全に除去するためには、情報トラック間の段差を少なくとも記録膜厚以上の大きな段差にする必要があり、特にトラックピッチが狭い場合、膜の着き回りが基板の表面形状と乖離してしまい、エッチング処理後の膜の断面形状を所望の状態にするのが困難であるという問題があった。また、段差が大きく溝深さが深い基板を、傾斜角度や表面性を所望の状態に保ったまま作製するのが困難であるという問題もあった。
【００１１】
本発明の目的は、上記の問題点を解決して、製造工程に要する時間を短縮し、製造設備の簡略化を可能とし、基板製造工程を含めて生産コストを低減すること、及びエッチング処理後の表面状態や断面形状を良好に保ち、良好な記録再生特性を得ることにある。この目的を達成するための手段の基本は、以下に述べるとおり、特開平６−２９０４９６号等に提案されている記録媒体において、磁壁移動層が、エッチング時に加速イオンに曝される側（基板に接する側と逆側）になるような積層順で各磁性層を積層して、主としてこの最表層の磁壁移動層部分のみをエッチングすることである。磁壁移動層中の記録マークの前方境界部の磁壁と後方境界部の磁壁とが実質的に分離独立して形成できれば、他の磁性層中の記録マークは閉じた磁壁に囲まれていても、磁壁の移動を安定化し再生特性を向上させることができる。
【００１２】
ただしこの場合、再生時の光ビームを基板と逆側の磁壁移動層側から入射させる必要があるので、このままでは、磁界変調記録を行う場合に、従来のような磁気ヘッドを使用できないという新たな問題が生じる。何故なら、従来のように磁気ヘッドを光ヘッドと逆側に配置すると、磁気ヘッドと磁性膜との距離は基板の厚さ分以上離れることになるが、基板の厚さは、支持基板としての強度を勘案すれば少なくとも数百ミクロン以上必要なので、磁界変調記録に必要な強度の高周波変調磁界を磁性膜に印加することは非常に困難になる。このため、光ヘッドと磁気ヘッドとを一体化した複雑で高コストのヘッドを用意して、このヘッドを磁壁移動層に隣接して配置することが必要になるのである。
【００１３】
また、磁界変調記録方式ではなく光変調記録方式で記録を行う場合には、上述の磁気ヘッドの問題は解消されるものの、光学系の分解能を超えた記録密度の微小マークをどのようにして形成するのかという問題が生じる。
【００１４】
逆に言えば、特開２００１−１６７４７９号の方法は、上記の問題を回避するためには基板に近い側に磁壁移動層を成膜した構成にする必要があったため、傾斜部上の磁壁移動層を除去するに、磁性層を全膜厚に渡って除去せざるを得なかったと言える。
【００１５】
本発明の目的は、この磁性層の積層順を逆にした時に新たに発生する上記の問題点に対する解決策をも合わせて提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的は下記の情報記録媒体及びその製造方法によって達成される。
【００１７】
まず基本となる第１の製造方法は、情報トラックの両側に、該情報トラック面に対して非平行な面を有する傾斜部が設けられている基板表面上に、相対的に磁壁抗磁力が大きな磁性層であり、情報の記録保持機能を果たすメモリ層と、メモリ層よりもキュリー温度が低い磁性層であり、磁性層間の交換結合の切り換え機能を果たすスィッチング層と、スィッチング層よりもキュリー温度が高くメモリ層よりも磁壁抗磁力が小さな磁性層であり、再生時に磁壁移動を生じて磁区拡大再生機能を果たす磁壁移動層とを順次積層した後、該情報トラック面に対して略垂直な方向から入射する加速イオンによって該基板表面をスパッタエッチングし、該傾斜部上の磁性層最表面に形成されている該磁壁移動層を優先的にエッチング除去し、該情報トラック面上の磁性層は全層残存させること特徴とする情報記録媒体の製造方法である。
【００１８】
また、情報トラックの両側に、該情報トラック面に対して非平行な面を有する傾斜部が設けられている基板表面上に、磁性層を成膜した後、スパタリング率が磁性層のそれよりも小さな材料からなる暫定保護膜を成膜し、しかる後に該基板表面をスパッタエッチングし、該傾斜部上の該暫定保護膜並びに磁性層最表面に形成されている該磁壁移動層を優先的にエッチング除去し、該情報トラック面上の磁性層は全層残存させること特徴とする前記情報記録媒体の製造方法である。
【００１９】
更にまた、情報トラックの両側に、該情報トラック面に対して非平行な面を有する傾斜部が設けられている基板表面上に、磁性層を成膜した後、スパタリング率のイオン入射角に対する依存性が磁性層のそれよりも大きな材料からなる暫定保護膜を成膜し、しかる後に該基板表面をスパッタエッチングし、該傾斜部上の該暫定保護膜並びに磁性層最表面に形成されている該磁壁移動層を優先的にエッチング除去し、該情報トラック面上の磁性層は全層残存させること特徴とする前記情報記録媒体の製造方法である。
【００２０】
更に、該暫定保護膜が原子量３０以下の軽元素を主成分とした材料からなることを特徴とする前記の情報記録媒体の製造方法である。
【００２１】
また、該スパッタエッチングに用いる該加速イオンが、Ａｒイオンもしくはこれより重イオンであることを特徴とする前記の情報記録媒体の製造方法である。
【００２２】
更にまた、該傾斜部の傾斜角度が、該情報トラック面に対して４０度以上８０度以下であることを特徴とする前記の情報記録媒体の製造方法である。
【００２３】
次に、記録に関わる前述の問題点をも解決し得る本発明の第２の製造方法は以下のとおりである。
【００２４】
即ち、平坦な第１の基板面上に、情報トラックの両側に、該情報トラック面に対して非平行な面を有する傾斜部が設けられている表面を有する表面層を、相対的に弱い密着力で形成し、この表面上に、前記のメモリ層、スィッチング層、磁壁移動層を順次積層した後、該情報トラック面に対して略垂直な方向から入射する加速イオンによって該基板表面をスパッタエッチングし、該傾斜部上の磁性層最表面に形成されている該磁壁移動層を優先的にエッチング除去し、該情報トラック面上の磁性層は全層残存させる処理を施した後、所定の厚さの平坦な第２の基板を相対的に強い密着力で成膜面側に接着し、しかる後、該第１の基板と該表面層との間で剥離することを特徴とする情報記録媒体の製造方法である。
【００２５】
あるいはまた、情報トラックの両側に、該情報トラック面に対して非平行な面を有する傾斜部が設けられている表面を有する第１の基板面上に、相対的に弱い密着力で、前記のメモリ層、スィッチング層、磁壁移動層を順次積層した後、該情報トラック面に対して略垂直な方向から入射する加速イオンによって該基板表面をスパッタエッチングし、該傾斜部上の磁性層最表面に形成されている該磁壁移動層を優先的にエッチング除去し、該情報トラック面上の磁性層は全層残存させる処理を施した後、所定の厚さの平坦な第２の基板を相対的に強い密着力で成膜面側に接着し、しかる後、該第１の基板と前記メモリ層との間で剥離することを特徴とする情報記録媒体の製造方法である。
【００２６】
また、記録に関わる前述の問題点をも解決し得る本発明の第３の製造方法は、本発明の第１の製造方法における記録媒体の構成を、光変調記録方式で記録しても微小マークの形成が可能な媒体構成として製造する方法である。具体的には、特開平６−１３１７２２号に提案されている記録媒体、即ち光変調オーバーライト方式で微小磁区の記録が可能な光磁気記録媒体の構成を、本件の情報記録媒体の構成と組み合わせることにより達成される。
【００２７】
即ち、情報トラックの両側に、該情報トラック面に対して非平行な面を有する傾斜部が設けられている基板表面上に、少なくとも情報の記録機能を果たす書き込み層と、情報の保持機能を果たすメモリ層とが、次の５条件、
１）前記書き込み層およびメモリ層が相互に交換結合している、
２）周囲温度において、前記書き込み層は所定の磁化状態に配向し、かつ前記メモリ層は前記書き込み層とは独立に任意の磁化状態に配向している、
３）前記情報記録媒体の昇温過程において、温度が前記周囲温度より高い第１の温度Ｔ１以上になったときに、前記メモリ層が前記書き込み層との交換力による結合が安定な状態に配向する、
４）前記情報記録媒体の昇温過程において、温度が前記第１の温度Ｔ１より高い第２の温度Ｔ２以上になったときに、前記書き込み層が前記所定の磁化状態とは異なる磁化状態に配向する、
５）前記情報記録媒体の冷却過程において、温度が周囲温度より高く前記第１の温度Ｔ１より低い第３の温度Ｔ３以下になったときに、前記書き込み層が前記所定の磁化状態に配向し、前記メモリ層は前記書き込み層とは独立に直前の磁化状態を保持する、
を全て満たすように順次積層し、しかる後に該メモリ層よりもキュリー温度が低い前記スィッチング層と、該メモリ層よりも磁壁抗磁力の小さな前記磁壁移動層とを順次積層した後、該情報トラック面に対して略垂直な方向から入射する加速イオンによって該基板表面をスパッタエッチングし、該傾斜部上の磁性層最表面に形成されている該磁壁移動層を優先的にエッチング除去し、該情報トラック面上の磁性層は全層残存させること特徴とする情報記録媒体の製造方法である。
【００２８】
また、情報トラックの両側に、該情報トラック面に対して非平行な面を有する傾斜部が設けられている基板表面上に、記録時の昇温冷却の全過程において所定の磁化状態を保持することが可能であり、前記書き込み層を初期化させる機能を果たす初期化層と、該初期化層及び前記書き込み層よりもキュリー温度が低い磁性層であり、両磁性層間の交換結合の切り換え機能を果たす初期化切り換え層とを順次積層し、しかる後に該書き込み層、前記メモリ層、前記スィッチング層、前記磁壁移動層を順次積層した後、該情報トラック面に対して略垂直な方向から入射する加速イオンによって該基板表面をスパッタエッチングし、該傾斜部上の磁性層最表面に形成されている該磁壁移動層を優先的にエッチング除去し、該情報トラック面上の磁性層は全層残存させること特徴とする情報記録媒体の製造方法である。
【００２９】
また、本発明の情報記録媒体は、上記各製造方法で製造した結果得られる情報記録媒体である。
【００３０】
（作用）
一般に、スパタリング率のイオン入射角に対する依存性は、入射角がターゲット表面法線方向に対して６０〜８０度くらいになるまで単調に増加し、それ以上で急激に減少して９０度で０になる。
【００３１】
従って、情報トラックの両側に、該情報トラック面に対して非平行な面を有する傾斜部が設けられている基板表面を、該情報トラック面に対して略垂直な方向から入射する加速イオンによってスパッタエッチングすると、傾斜角相当分だけ斜めにイオンが入射する傾斜部の方が情報トラック部よりも速くエッチングされることになる。この性質を利用することで、傾斜部上の磁壁移動層を選択的に除去して情報トラック上だけに磁壁移動層を残すことができる。
【００３２】
この工程を精度良く効率的に行うためには、傾斜部と情報トラック部とのエッチングレート比をできるだけ大きくすることが望ましい。
【００３３】
情報トラック部でのエッチングレートに対する傾斜部でのエッチングレートの比をｋとして、エッチング後に情報トラック部に残存させる磁壁移動層の膜厚をｈ０とすると、エッチング前の膜厚が傾斜部と情報トラック部とで同一であるとした場合、その膜厚ｈは、ｈ  ＝  ｈ０  ＊  ｋ  ／  （ｋ−１）を満たすようにしておく必要がある。（現実には傾斜部と情報トラック部とで膜厚が異なるので、初期膜厚もそれに対応して設計することになる。）このため、エッチングレート比が１より充分大きくないと、エッチング前の初期膜厚を非常に厚くしておかなければならなくなってしまい、工程に時間がかかるばかりでなく、初期の膜のつき回りが基板の表面形状と乖離してしまって、望ましい形状にエッチング加工できなくなってしまう。
【００３４】
上述の、スパタリング率のイオン入射角に対する依存性の一般的傾向から、該傾斜部の傾斜角度が、該情報トラック面に対して４０度程度以上８０度程度以下の時に、傾斜部と情報トラック部とのエッチングレート比を大きくできる。また、一般に、スパタリング率がイオン入射角によって変化する度合いは、入射イオンが重イオンになるほど顕著にあらわれる傾向があるので、Ａｒイオン，  Ｋｒイオン，  Ｘｅイオン等の重イオンを照射イオンとして用いた方が、傾斜部と情報トラック部とのエッチングレート比を大きくできる。
【００３５】
さて、磁壁移動層の上に、スパタリング率が磁壁移動層のそれよりも小さな材料からなる暫定保護膜を成膜した後に、この暫定保護膜面上をエッチングすると、初めに傾斜部の暫定保護膜が除去されて磁壁移動層が露出する。この時情報トラック面上にはまだ暫定保護膜が残っていて磁壁移動層を保護している。この状態でさらにエッチングを進めると、スパタリング率のイオン入射角依存性に加えて、膜自体のスパタリング率の違いにより、傾斜部の磁壁移動層が選択的にエッチングされて行く。傾斜部の磁壁移動層が完全に除去された時点でまだ暫定保護膜が情報トラック上に残存するように初期の暫定保護膜の膜厚を設定しておけば、情報トラック上の磁壁移動層を照射イオン等に曝して劣化させることなく傾斜部の磁壁移動層を除去することができる。
【００３６】
また、暫定保護膜を積層せずにエッチングを行った場合、エッチング後の磁壁移動層の断面形状は、両側の傾斜面によって凸になっている部位（ランド）上では膜表面側が基板側よりもトラック幅方向の幅が狭い台形状の形状になり、両側の傾斜面によって凹になっている部位（グルーブ）上では、膜表面側が基板側よりも広い形状になる。磁壁移動層の膜厚に対して相対的にトラック幅が狭くなるほどこの傾向が顕著になり、ランドとグルーブとを両方とも情報トラックとして使用する場合に、両者での記録再生特性の差が大きくなってしまう。
【００３７】
更に、ランド幅を狭くすると、ランド上の磁壁移動層の断面形状が三角状に潰れてしまって所定の膜厚の磁壁移動層を残存させることができなくなる。これに対して、暫定保護膜を積層した場合には、磁壁移動層表面側のトラック幅方向の浸食が暫定保護膜で止められるので、エッチング後の磁壁移動層の断面形状がランド部とグルーブ部とで大きく異なってしまうのを抑制できる。また、ランド幅を狭くしても、ランド上の磁壁移動層の断面形状が三角状に潰れないので、ランド幅を狭小化し高トラック密度化することが可能になる。
【００３８】
この時暫定保護膜としては、なるべくスパタリング率が小さい材料望ましい。また、暫定保護膜自体の傾斜部と情報トラック部とのエッチングレート比を大きくするために、スパタリング率がイオン入射角によって変化する度合いが大きい材料が望ましい。一般に、軽元素の材料は、スパタリング率がイオン入射角によって変化する度合いが大きいことが知られており、Ｓｉ，  Ｃ，  Ａｌ，  Ｂなどを主成分とした材料はスパタリング率も小さいので暫定保護膜として望ましい。
【００３９】
本発明の製造方法によって製造された情報記録媒体によれば、情報トラック間の傾斜部には、磁壁移動層が実質的に存在していないため、両側の傾斜部にまたがって情報トラックに磁区を形成すれば、磁壁移動層の両側には磁壁が形成されないようにすることができる。つまり磁壁移動層中にはトラック方向の前後に２枚の独立した磁壁が形成されることになり、再生時の磁壁移動動作を安定に行なうことができる。
【００４０】
また、本発明の製造方法によって製造された情報記録媒体では、スィッチング層やメモリ層は傾斜部に残存しているが、この部分の磁性層中の磁化状態は、磁壁移動層の磁壁移動を検出する再生動作には関与しないので、隣接トラックに記録／消去を行った際にこの部分の磁化状態が変化した場合でも、情報トラック上の信号の再生には影響しない。つまり磁壁移動層の存在しない傾斜部はバッファーゾーンとして機能し、実効的なクロスイレーズ／ライト耐性が向上する。
【００４１】
更に、スィッチング層やメモリ層中には傾斜部にまたがって円弧状の磁壁が形成されていても、磁壁移動層は中心部の情報トラック上にしか存在しないので、円弧状の磁壁の内の一部の直線的な部分のみが再生動作に関与することになり、再生時の検出等温線と移動磁壁との形状整合性が向上し、高い再生分解能を得ることができる。
【００４２】
この形状整合性向上効果は、トラッキングオフセットに対するマージンを拡大することにも寄与する。
【００４３】
次に、記録に関わる前述の問題点をも解決し得る本発明の第２の製造方法によって製造された記録媒体であれば、光ヘッドは第２の基板越しに配置し、磁気ヘッドは第１の基板を剥離した後の薄い表面層越しに配置すればよいので、従来の磁界変調記録用の記録再生系を用いることができる。
【００４４】
また、記録に関わる前述の問題点をも解決し得る本発明の第３の製造方法によって製造された記録媒体であれば、光変調記録の一連の変調動作中に、記録媒体の所定の記録領域をデータ信号に応じて第２の温度Ｔ２以上の温度に加熱し、前記第２の温度Ｔ２以上の温度に加熱された領域の少なくとも一部をいったん第３の温度Ｔ３以下の温度にまで降温させたのち第１の温度Ｔ１以上の温度にまで加熱することで、一旦記録された磁区の後部を消去しながら記録できるので、光学系の分解能以上の記録密度の微小な磁区パターンも記録することができる。
【００４５】
この場合、記録再生時の光ビームを成膜基板と逆側の磁壁移動層側から入射しても、記録装置上の問題は何ら発生しない。必要に応じて記録用に一定のバイアス磁界を印加するための永久磁石等を成膜基板越しに配置しておけばよい。この時のバイアス磁界は高周波変調しないので、基板越しでも充分な強度の磁界を磁性膜に印加することができる。
【００４６】
【実施例】
以下、本発明を適用した具体的な実施例について図面を参照しながら説明する。
【００４７】
（実施例１）
図１は本発明の実施例１を説明する図であり、
図１（ａ）は、本実施例における製造方法で作製された情報記録媒体の概略断面図である。また、図１（ｂ）は、この情報記録媒体の磁壁移動層に形成された磁区の形状を示した概略平面図である。
【００４８】
基板は、例えば円形のディスク状であり、その表面にグルーブがスパイラル状または同心円状に形成されている。グルーブ間には基板表面に平行な平面を有するランド部が存在し、このランド部及び／またはグルーブ部を情報トラックとして使用する。情報トラックの両側には基板表面に対して非平行な傾斜部が存在する。この基板表面上に、記録層が積層される。記録層の前後に、誘電体材料や金属材料等からなる保護層や反射層、放熱層等を積層してもよい。これらの層は、例えばマグネトロンスパッタ装置による連続スパッタリング、あるいは連続蒸着等によって被着形成する
ここでは、グルーブのピッチを５５０ｎｍ、深さを１００ｎｍとし、グルーブ間のランドと、グルーブの底面部とに、それぞれ１７５ｎｍ程度の幅の基板表面に平行な平面を有するフラット部があり、このランドとグルーブとの間の傾斜部の基板表面に対する傾斜角度が約４５度になるように射出成形した板厚１．２ｍｍのポリカーボネイト製基板を作製した。この基板上に後述するスパッタリング工程により記録層を成膜した。
【００４９】
記録層の材料としては種々考えられるが、例えばＰｒ，  Ｎｄ，  Ｓｍ，  Ｇｄ，  Ｔｂ，  Ｄｙ，  Ｈｏなどの希土類金属元素の一種類あるいは二種類以上が１０〜５０ａｔ％  と、Ｆｅ，  Ｃｏ，  Ｎｉなどの鉄族元素の一種類あるいは二種類以上が９０〜５０ａｔ％  とで構成される希土類−鉄族非晶質合金によって構成し得る。また、耐食性向上などのために、これにＣｒ，  Ｍｎ，  Ｃｕ，  Ｔｉ，  Ａｌ，  Ｓｉ，  Ｐｔ，  Ｉｎ  などの元素を少量添加してもよい。
【００５０】
希土類−鉄族非晶質合金の飽和磁化は、希土類元素と鉄族元素との組成比により制御することが可能である。
【００５１】
保磁力は、飽和磁化の調整によっても制御できるが、本質的には材料元素の選択により、垂直磁気異方性を調整する。一般に、Ｔｂ，  Ｄｙ  などの系の材料は垂直磁気異方性が大きく保磁力も大きいのに対し、Ｇｄ系の材料は異方性が小さく保磁力も小さい。また、非磁性元素の添加により垂直磁気異方性は低下する。
【００５２】
キュリー温度も、組成比により制御することが可能であるが、飽和磁化と独立に制御するためには、鉄族元素として、Ｆｅの一部をＣｏで置き換えた材料を用い、置換量を制御する方法がより好ましく利用できる。即ち、Ｆｅ  １ａｔ％  をＣｏで置換することにより、６℃程度のキュリー温度上昇が見込めるので、この関係を用いて所望のキュリー温度となるようにＣｏの添加量を調整する。また、Ｃｒ，  Ｔｉ  などの非磁性元素を微量添加することにより、逆にキュリー温度を低下させることも可能である。あるいは、二種類以上の希土類元素を用いてそれらの組成比を調整することでもキュリー温度を制御できる。
【００５３】
本実施例における記録層の具体的な成膜工程は以下の通りである。
【００５４】
直流マグネトロンスパッタリング室に、ＢドープしたＳｉ、及びＧｄ，  Ｔｂ，  Ｆｅ，  Ｃｏ，Ｃｒ，  Ａｇの各タ−ゲットを取り付け、前述のごとく成形された基板を、基板表面がターゲットに対向するように配置された基板ホルダーに固定した後、１×１０−５  Ｐａ以下の高真空になるまでチャンバ−内をクライオポンプで真空排気した。
【００５５】
真空排気をしたままＡｒガスをチャンバ−内に導入し、基板を回転させながら、ＡｇターゲットとＳｉターゲットに電力を投入して同時スパッタを行ない、下地放熱層としてＡｇＳｉ合金膜を４０ｎｍ基板上に成膜した。次に、Ａｒガスに加えてＮ２ガスをチャンバ−内に導入し、Ｓｉターゲットに電力を投入して反応性スパッタを行ない、熱緩衝層としてＳｉＮ層を２０ｎｍ成膜した。次に、Ｎ２ガスの導入を停止して、再びＡｒガス雰囲気中で、メモリ層としてＴｂＦｅＣｏ層を６０ｎｍ、スィッチング層としてＴｂＦｅＣｒ層を１０ｎｍ、磁壁移動層としてＧｄＦｅＣｏ層を５７ｎｍ、順次各材料元素のターゲットを３元同時スパッタすることにより成膜した。
【００５６】
各磁性層は、各タ−ゲットに投入するパワーの配分を調整することにより、補償組成より若干希土類リッチになるように希土類元素と鉄族元素との組成比を調整した。キュリー温度は、メモリ層が３００℃、スィッチング層が１５０℃、磁壁移動層が２５０℃になるように、Ｃｏ及びＣｒの添加量を調整した。周囲温度近傍の温度において、磁壁移動層の磁壁抗磁力は１００  Ｏｅ以下、メモリ層の磁壁抗磁力は２０  ｋＯｅ以上となるようにした。
【００５７】
次に、前記の成膜を終えた基板を、真空を保持したまま、加速イオン照射源を有するスパッタエッチング室に搬送した。ここで、加速したＡｒイオンビームを基板表面に垂直な方向から中性化しながら照射して、基板上に形成されている膜をスパッタエッチングした。
【００５８】
ただし、基板表面には前述のごとく微細な凹凸パターンが成形されており、ランドとグルーブとの間の部分は、基板表面に対して約４５度傾斜している。従って、傾斜部では、膜面法線方向に対して約４５度の角度でイオンが入射する。このため、スパタリング率のイオン入射角に対する依存性によって、ランド面上及びグルーブ面上の膜よりも傾斜部上の膜の方が速くスパッタエッチングされることになる。
【００５９】
ここで、予備実験の結果、磁性膜のエッチングレートは、基板表面に平行な平面部では約０．４３ｎｍ／ｓｅｃであり、傾斜部では約０．６４ｎｍ／ｓｅｃであった。また、傾斜部における傾斜面に垂直な方向の初期膜厚は、基板表面に平行な平面部での初期膜厚に対して約０．７倍になることを確認した。従ってこのサンプルでは、傾斜部における磁壁移動層の初期膜厚は、約４０ｎｍになる。
【００６０】
そこで、６３秒間エッチングを行って傾斜部の磁壁移動層を概ね除去した。この結果、ランド面上及びグルーブ面上には、約３０ｎｍの磁壁移動層が残存した。
【００６１】
このエッチング処理による基板の最高到達温度は約６０℃であった。また、エッチング後の傾斜部の表面粗さＲａは２．３ｎｍであった。
【００６２】
なお、初期膜厚（本実施例では磁壁移動層の膜厚５７ｎｍ）は、予備実験の結果に基づいて、最終的に残存させる膜厚の設計値（本実施例では磁壁移動層の膜厚３０ｎｍ）から逆算して決定した。
【００６３】
この工程の後に、再び基板を直流マグネトロンスパッタリング室に搬送し、エンハンス層としてＳｉＮ層を膜厚５０ｎｍとなるように成膜した。
【００６４】
このディスクを真空チャンバーから取り出して、膜面上にＵＶ樹脂を１５ｕｍの厚さにコートした。
【００６５】
このサンプルは、特開平６−２９０４９６に提案されている記録媒体の条件を満たしているが、更に、磁壁移動層に、スィッチング層側ほどキュリー温度が低下するように膜厚方向にキュリー温度の勾配を付与してもよい。また、再生スポット後方からの磁壁移動によるノイズの発生を抑制するために、磁壁移動層とスィッチング層との間に、磁壁エネルギー密度が磁壁移動層よりも大きくキュリー温度がスィッチング層よりも高い磁性層を制御層として挿入してもよい。
【００６６】
（比較例１）
磁壁移動層を最初から３０ｎｍの膜厚に成膜した後、エッチングを行わずに、ＳｉＮエンハンス層を引き続き成膜した他は実施例１と同様にしたサンプルを作製した。本比較例における製造方法で作製された情報記録媒体の概略断面図を図２（ａ）に示す。また、図２（ｂ）は、この情報記録媒体の磁壁移動層に形成された磁区の形状を示した概略平面図である。
【００６７】
（比較例２）
実施例１と同様に、メモリ層を６０ｎｍ、スイッチング層を１０ｎｍ成膜した後、磁壁移動層を１１９ｎｍの厚さに成膜し、スパッタエッチングにより基板表面に平行な平面部での磁壁移動層の膜厚が約３０ｎｍになるまで２０７秒間エッチングした。
【００６８】
このエッチング処理による基板の最高到達温度は約８０℃であった。また、エッチング後の傾斜部の表面粗さＲａは５．４ｎｍであった。
【００６９】
この処理により、傾斜部上に堆積していた１３０ｎｍ程度の厚さの磁性膜はメモリ層までほぼ全層エッチング除去された。この後、ＳｉＮエンハンス層を成膜して、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。本比較例における製造方法で作製された情報記録媒体の概略断面図を図３に示す。
【００７０】
このようにして作製した本発明の実施例及び比較例の各サンプルを、レーザ波長４０５ｎｍ，  対物レンズＮＡ  ０．８５の光ヘッドと磁界変調記録用の磁気ヘッドとを一体化した光磁気ヘッドを持つドライブ装置にセットし、１５ｕｍのコート層を介して光ビームの照射と記録磁界の印加を行なうことにより、ランドとグルーブそれぞれの記録再生特性の測定を行なった。
【００７１】
サンプルを３ｍ／ｓｅｃの一定線速度で回転させながら、光磁気ヘッドにより、磁界を１５ＭＨｚで変調しながら、記録用のＤＣレーザーを照射して、マーク長０．１ｕｍの繰り返しパターンを磁界変調記録した。
【００７２】
この結果、実施例１のサンプルは、ランド、グルーブとも、４５ｄＢ以上の良好なＣ／Ｎが得られた。一方、比較例１のサンプルは、３０ｄＢ程度のＣ／Ｎしか得られなかった。また、比較例２のサンプルは、グルーブにおいては、実施例１とほぼ同等の特性が得られたものの、ランドにおいては測定可能なレベルの信号が得られなかった。
【００７３】
図２（ａ）から明らかなように、比較例１で作製したサンプルは、磁性膜が情報トラック間で連続して成膜されている。このため、図２（ｂ）から明らかなように、磁壁移動層に形成される磁区は情報トラックの両側の磁化状態によって、隣接トラックの磁区と一体化して磁壁が繋がってしまっているか、あるいは閉じた磁壁で囲まれた磁区になっている。このようになっていると、情報トラック上の磁壁が磁壁移動する時に、側部の磁壁の伸縮を伴うことになるので、磁壁移動による再生動作が安定しない。また、記録時の温度プロファイルを反映して、情報トラック上の磁壁の形状は円弧状になっているが、この形状は、同様に温度プロファイルを反映した再生時の検出等温線の円弧状の形状とは、湾曲の向きが逆になっている。このため、この両者の形状不整合性により検出分解能が低下している。
【００７４】
一方、図１（ａ）から明らかなように、実施例１で作製したサンプルは、磁壁移動層は情報トラック間で分断されている。このため、図１（ｂ）から明らかなように、磁壁移動層中の磁区は全て独立しており、しかも磁区の両側に磁壁が形成されないので、磁区のトラック方向の前後に分離独立した磁壁が形成される。このため磁壁移動が妨げられるこなく再生動作が安定する。また、磁壁移動層が残存している情報トラック上の磁壁の形状は、比較的直線に近く、再生時の検出等温線との形状不整合性が緩和され、検出分解能が向上している。
【００７５】
傾斜部にはスイッチング層やメモリ層が残存しており、この部分にも磁壁は形成されているが、この部分の磁壁は磁壁移動しないので、磁壁移動検出方式による再生動作は起こらない。再生スポットでの通常の再生動作による検出は行われるが、再生スポットサイズに比して充分微細な磁区パターンであれば、光学系の分解能を越えてしまうので再生信号には影響を与えない。分解可能な磁区パターンであっても、微分検出を行えば、通常再生で検出される信号の影響は完全に抑制できる。このため、隣接トラックへの記録を行った時に傾斜部の磁区パターンが変化してしまっても再生信号には影響せず、クロスライト耐性が向上している。
【００７６】
また、図３から明らかなように、比較例２で作製したサンプルは、傾斜部上の磁性膜はメモリ層までほぼ完全にエッチング除去されているが、ランド部の磁性層が三角状に潰れてしまっており、ランド上に磁壁移動層を所定の膜厚残存させることができていない。
【００７７】
（実施例２）
平坦なガラス基板（１）上に、紫外線硬化樹脂を塗布し、スタンパを用いてパターンを転写して紫外線硬化させることにより、グルーブピッチ１０８０ｎｍ、グルーブ深さ１８０ｎｍ、基板表面に平行なランド平面部の幅４５０ｎｍ、グルーブ底面部の幅４２２ｎｍ、ランド・グルーブ間の傾斜部の基板表面に対する傾斜角度が約６０度の表面形状の紫外線硬化樹脂層を成形した。ここでは、エッチング後にランドに最終的に残存する磁壁移動層の幅が初期の幅よりも狭くなることを考慮して、ランド幅をグルーブ幅よりも広くした基板を用いた。この比率は、予備実験により両者で得られる記録再生特性の差異が最も小さくなるように決めた。この基板上に以下のスパッタリング工程により記録層を成膜した。
【００７８】
まず保護層としてＳｉＮ層を５０ｎｍ成膜した。次に、メモリ層としてＴｂＦｅＣｏ層を６０ｎｍ、スィッチング層としてＴｂＦｅＣｒ層を１０ｎｍ、制御層としてＴｂＦｅＣｏ層を１５ｎｍ、磁壁移動層としてＧｄＦｅＣｏ層を３５ｎｍ、順次成膜した。この上に、バッファー層として５ｎｍのＳｉＮを成膜した後、暫定保護層としてカーボン膜を５ｎｍ成膜した。制御層は、磁壁エネルギー密度が磁壁移動層よりも大きく、キュリー温度がスイッチング層よりも高い磁性層である。その他の磁性層は実施例１と同様である。
【００７９】
次に、前記の成膜を終えた基板を、スパッタエッチング室に搬送し、加速したＸｅイオンビームを基板表面に垂直な方向から中性化しながら照射して、基板上に形成されている膜をスパッタエッチングした。従って、基板表面に平行なランド平面部とグルーブ底面部では、膜面法線方向から加速Ｘｅが入射し、傾斜部では、膜面法線方向に対して約６０度の角度で加速Ｘｅが入射したことになる。
【００８０】
ここで、予備実験の結果、カーボン膜のエッチングレートは、基板表面に平行な平面部で約０．１０４ｎｍ／ｓｅｃであり、傾斜部で約０．２５ｎｍ／ｓｅｃであった。また、ＳｉＮ膜は、平面部で約０．４８ｎｍ／ｓｅｃ、傾斜部で約０．９８ｎｍ／ｓｅｃであり、磁性膜では、平面部で約０．４６ｎｍ／ｓｅｃ、傾斜部で約０．９２ｎｍ／ｓｅｃあった。
【００８１】
また、傾斜部における傾斜面に垂直な方向の初期膜厚は、各層とも基板表面に平行な平面部での初期膜厚に対して約０．６倍になることを確認した。従ってこのサンプルでは、傾斜部におけるカーボン膜の膜厚は  約３ｎｍ、バッファー層の膜厚は約３ｎｍ、磁壁移動層の膜厚は約２１ｎｍ、制御層の膜厚は約９ｎｍとなる。
【００８２】
さて、上記のエッチング処理を行うと、傾斜部では、約１２秒後にカーボン膜が除去され、更に３秒程度でその下層のバッファー層が除去される。そのままエッチイングを継続すると、約２３秒後に磁壁移動層が除去され、さらに１０秒程度で制御層も除去される。結局傾斜部では、エッチング開始から約４８秒後に、制御層まで除去されて、スイッチング層が露出する。一方この時、基板表面に平行なランド平面部とグルーブ底面部では、５ｎｍのカーボン膜が概ね除去されてバッファー層が露出する。
【００８３】
ただし、光ビームの入射側になる磁壁移動層の上層に光吸収性のあるカーボン膜を僅かでも残存させる事態は避けるべきである。そこでここでは、１０％マージンをとってエッチング処理を５３秒間行った。この結果、傾斜部はスイッチング層の途中まで、ランド平面部とグルーブ底面部はバッファー層の途中までエッチングされた状態で処理が終了した。
【００８４】
ここでバッファー層を挿入した理由は、暫定保護膜を完全に除去しても磁壁移動層をエッチングに曝さずに済むようにすることで、磁壁移動層の膜厚がエッチング処理のばらつきで大きく変動してしまうことを防止するためである。後述するエンハンス層として機能するＳｉＮ層の膜厚は  バッファー層の残膜量で変動することになるが、磁壁移動層の膜厚変動に比べて動特性に及ぼす影響は小さくできる。ただし、必ずしもバッファー層を挿入しなくても基本的には問題がない。
【００８５】
また、傾斜部において、磁壁移動層と共に制御層をエッチング除去した理由は、制御層も磁壁移動層と同様に、スイッチング層のキュリー温度に達した時に、磁壁移動を生じる磁性層であり、磁区の前後に分離独立した磁壁を形成できる状態にしておくことが望ましいからである。
【００８６】
さて、上記工程の後に、再び基板をスパッタリング室に搬送し、エンハンス層としてＳｉＮ層を膜厚３５ｎｍとなるように成膜した。
【００８７】
このディスクを真空チャンバーから取り出して、膜面上にカップリング剤を塗布し、紫外線硬化樹脂を介して、接着面に同様にカップリング剤を塗布した０．６ｍｍの厚さのガラス基板（２）を張り合わせた。
【００８８】
上記の工程で張り合わせたサンプルにおいて、ガラス基板（１）とグルーブパターンを成形した表面樹脂層との界面は、スパタリングにより成膜した界面や、カップリング剤を塗布して接着した界面と比べると、相対的に密着力が弱い。このため、ガラス基板（１）をガラス基板（２）から引き剥がすことにより、ガラス基板（１）とグルーブパターンを成形した表面樹脂層との界面で剥離させることができる。
【００８９】
このようにして、ガラス基板（２）の上に記録膜を移植した後、新たに最表面に現れた樹脂層の上に、必要に応じて、摺動型磁気ヘッド用の潤滑性樹脂層や浮上型磁気ヘッド用のフィラー入り樹脂層などを改めてコートして、製造工程を完了した。
【００９０】
上記の製造工程で作製したサンプルを、レーザ波長６６０ｎｍ，  対物レンズＮＡ  ０．６の光ヘッドを用いてガラス基板（２）側から光ビームを照射し、樹脂コート層側に磁界変調記録用の摺動型磁気ヘッドを配置して、ランドとグルーブそれぞれの記録再生特性の測定を実施例１と同様に行なった。
【００９１】
この結果、ランド、グルーブとも、５０ｄＢ以上の良好なＣ／Ｎが得られた。
【００９２】
（実施例３）
実施例２と同様のグルーブパターンを有するポリカーボネイト製射出成形基板（１）の上に、ポリカーボネイト基板との密着力の弱い下引き層として、膜厚約５ｎｍのＺｎＳ膜を抵抗加熱蒸着方式により成膜した。
【００９３】
以下実施例２と同様の工程により、この基板上に各層を成膜した後、傾斜部に堆積している膜を制御層までエッチング除去し、さらにＳｉＮエンハンス層を成膜した。
【００９４】
このディスクを真空チャンバーから取り出して、膜面上に接着用の紫外線硬化樹脂を介して、０．６ｍｍの厚さの平板のポリカーボネイト製基板（２）を張り合わせた。
【００９５】
接着用樹脂を紫外線硬化させた後、基板（１）を基板（２）から引き剥がすことにより、基板（１）と下引き層との界面で剥離させた。
【００９６】
このようにして、基板（２）の上に記録膜を移植した後、新たに最表面に現れた下引き層の上に、摺動型磁気ヘッド用の樹脂層をコートして、製造工程を完了した。
【００９７】
（実施例４）
実施例３と同様のポリカーボネイト製射出成形基板（１）の上に、以下のスパッタリング工程により記録層を成膜した。
【００９８】
まず、下地放熱層としてＡｌＳｉ合金膜を４０ｎｍ基板上に成膜し、引き続き熱緩衝層としてＳｉＮ層を２０ｎｍ成膜した。次に、初期化層としてキュリー温度４００℃のＴｂＣｏを３０ｎｍ、初期化切り換え層としてキュリー温度２２０℃のＴｂＦｅＣｏを１０ｎｍ、書き込み層としてキュリー温度３２０℃のＴｂＦｅＣｏを２０ｎｍ、順次成膜した。ここで、次に成膜するメモリ層と書き込み層との間の交換結合力を調整するために、窒素ガス雰囲気中で１０秒間プラズマに曝して、書き込み層の表面を窒化処理した。引き続きこの上に、メモリ層としてキュリー温度２６０℃のＴｂＦｅＣｏを６０ｎｍ、スィッチング層としてキュリー温度１４０℃のＴｂＦｅＣｒ層を１０ｎｍ、制御層としてキュリー温度１７０℃のＴｂＦｅＣｏ層を１５ｎｍ、磁壁移動層としてキュリー温度２４０℃のＧｄＦｅＣｏ層を３５ｎｍ、順次成膜した。
【００９９】
以下、実施例２と同様に、バッファー層と暫定保護層を成膜した後、エッチング室に搬送し、傾斜部に堆積している膜を制御層までエッチング除去した。
【０１００】
上記工程の後に、再び基板をスパッタリング室に搬送し、エンハンス層としてＳｉＮ層を膜厚３５ｎｍとなるように成膜した。
【０１０１】
このディスクを真空チャンバーから取り出して、膜面上に紫外線硬化樹脂を介して、０．６ｍｍの厚さの平板のポリカーボネイト製基板（２）を張り合わせた。
【０１０２】
次に、１５ｋＯｅ程度の磁界をディスク全面に印加して、初期化層の磁化を書き込み層の磁化と共に所定の方向に着磁した。以上で製造工程を完了した。
【０１０３】
上記の製造工程で作製した情報記録媒体は、以下の５条件、
１）書き込み層およびメモリ層が相互に交換結合している、
２）周囲温度において、書き込み層は所定の磁化状態に配向し、かつ前記メモリ層は書き込み層とは独立に任意の磁化状態に配向している、
３）情報記録媒体の昇温過程において、温度が前記周囲温度より高い第１の温度Ｔ１以上になったときに、メモリ層が書き込み層との交換力による結合が安定な状態に配向する、
４）情報記録媒体の昇温過程において、温度が前記第１の温度Ｔ１より高い第２の温度Ｔ２以上になったときに、書き込み層が前記所定の磁化状態とは異なる磁化状態に配向する、
５）情報記録媒体の冷却過程において、温度が周囲温度より高く前記第１の温度Ｔ１より低い第３の温度Ｔ３以下になったときに、書き込み層が前記所定の磁化状態に配向し、メモリ層は書き込み層とは独立に直前の磁化状態を保持する、
を全て満たすことができる。
【０１０４】
本実施例では、メモリ層と書き込み層との間の交換結合力を調整するために、両層間の界面処理を行なったが、代わりに非磁性層や磁壁エネルギー密度の小さな磁性層を結合調整層として挿入してもよい。
【０１０５】
また、外部磁界を利用して書き込み層を初期化するようにすれば、初期化層と初期化切り換え層は省略することも可能である。
【０１０６】
上記のサンプルを、レーザ波長６６０ｎｍ，  対物レンズＮＡ  ０．６の光ヘッドを用いてポリカーボネイト製基板（２）側から光ビームを照射し、ポリカーボネイト製射出成形基板（１）側に３００  Ｏｅ程度のＤＣバイアス磁界を印加可能な電磁石を配置して、ランドとグルーブそれぞれの記録再生特性の測定を行なった。
【０１０７】
記録は、光強度並びに発光パルス幅を情報に対応して変調して、この一連の変調動作に伴って、下記のように、記録膜上に３段階の温度レベルを誘起させることにより行った。
【０１０８】
即ち、データ信号に応じて、例えばデータ１の時、書き込み層のキュリー温度（記録温度）程度の温度に加熱して書き込み層に磁区を形成した後、冷却過程ででメモリ層に磁区を転写形成し、次にデータ０を記録する場合には、磁区形成された領域を一旦初期化切り換え層のキュリー温度（初期化温度）以下の温度にまで降温させて書き込み層を初期化した後、直ちに磁区後部をメモリ層のキュリー温度（消去温度）以上の温度まで加熱することで、一旦記録されたメモリ層の磁区の後部を消去し、データ１が連続する場合には、加熱領域を初期化温度まで冷却することなく再び記録温度以上に加熱するようにしながら記録した。
【０１０９】
この結果、ランド、グルーブとも、スポットサイズより遙かに微小な、光学系の分解能を越えた高密度磁区パターンを、光変調記録方式で記録ことができ、その記録信号を磁壁移動検出方式で再生することができた。
【０１１０】
（実施例５）
平坦なガラス基板（１）上に、ガラス転移点が７０℃の紫外線硬化樹脂を塗布し、スタンパを用いてパターンを転写して紫外線硬化させることにより、グルーブピッチ１０８０ｎｍ、グルーブ深さ５０ｎｍ、基板表面に平行なランド平面部の幅５３７ｎｍ、グルーブ底面部の幅５１６ｎｍ、ランド・グルーブ間の傾斜部の基板表面に対する傾斜角度が約７５度の表面形状の紫外線硬化樹脂層を成形した。
【０１１１】
以下実施例２と同様の工程により、この基板上に、保護層／メモリ層（６０ｎｍ）／スィッチング層（１０ｎｍ）／制御層（１５ｎｍ）／磁壁移動層（３５ｎｍ）、の順に成膜し、バッファー層と暫定保護層を基板表面形状に応じた適切な膜厚に成膜した後、傾斜部に堆積している膜を制御層までエッチング除去し、さらにＳｉＮエンハンス層を成膜した。
【０１１２】
このディスクを真空チャンバーから取り出して、膜面上にガラス転移点が１５０℃の紫外線硬化樹脂を介して、０．６ｍｍの厚さの平板のポリカーボネイト製基板（２）を張り合わせた。
【０１１３】
上記の工程で張り合わせたサンプルを７０℃程度に加熱しながら、基板（１）を基板（２）から引き剥がすことにより、基板（１）とガラス転移点が７０℃の樹脂層との界面で剥離させた。
【０１１４】
このようにして、基板（２）の上に記録膜を移植した後、新たに最表面に現れた樹脂層の上に、摺動型磁気ヘッド用の樹脂層を改めてコートして、製造工程を完了した。
【０１１５】
本製造方法により、深さ５０ｎｍの浅いグルーブ形状の基板でも、磁壁移動層を完全に分離させることができ、ランド、グルーブとも、良好なＣ／Ｎを得ることができた。
【０１１６】
（比較例３）
実施例５と同様のグルーブパターンを有する板厚０．６ｍｍのポリカーボネイト製射出成形基板の上に、実施例５とは逆順に、従来通り、エンハンス層／磁壁移動層（３５ｎｍ）／制御層（１５ｎｍ）／スイッチング層（１０ｎｍ）／メモリ層（６０ｎｍ）、の順に成膜し、バッファー層と暫定保護層を成膜した後スパッタエッチングし、さらにＳｉＮ保護層を成膜した。しかし、グルーブ深さがメモリ層の膜厚より浅いため、メモリ層側からのエッチングでは、傾斜部のメモリ層の一部が除去されただけで、磁壁移動層を分断することはできなかった。
【０１１７】
（実施例６）
トラックピッチ５４０ｎｍのサンプルサーボ用のウォブルピットが埋め込まれており、各トラックのデータ領域には、深さ５０ｎｍのグルーブが形成されており、基板表面に平行なグルーブ底面部の幅は３９０ｎｍであり、グルーブとグルーブの間にあるランドの基板表面に平行な平面部の幅は５０ｎｍであり、ランド・グルーブ間の傾斜部の基板表面に対する傾斜角度が約４５度となっている表面形状パターンを有するポリカーボネイト製射出成形基板（１）の表面に、離型剤を塗布して乾燥させた。
【０１１８】
以下実施例２と同様の工程により、この基板上に各層を成膜した後、傾斜部に堆積している膜を制御層までエッチング除去し、さらにＳｉＮエンハンス層を成膜した。
【０１１９】
このディスクを真空チャンバーから取り出して、膜面上に接着用の紫外線硬化樹脂を介して、０．６ｍｍの厚さの平板のポリカーボネイト製基板（２）を張り合わせて、紫外線硬化させた後、基板（１）を基板（２）から引き剥がすことにより、基板（１）と保護層との界面で剥離させた。
【０１２０】
このようにして、基板（２）の上に記録膜を移植した後、新たに最表面に現れた保護層の上に、摺動型磁気ヘッド用の樹脂層をコートして、製造工程を完了した。
【０１２１】
本実施例の製造工程では、ランド幅が狭いので、ランド上の磁壁移動層はエッチングにより両側から削除されてほとんど残らない。このサンプルでは、情報トラックとしてグルーブのみを使用し、ランド部はバッファーゾーンとして利用する。ランドとグルーブを両方とも情報トラックとして使用する場合と同等のトラックピッチを、一方のみので実現させているため、グルーブピッチは実施例２などの場合の１／２になっている。このため分解能の制約から、同等の光学系では連続溝によるプッシュプル方式のトラッキングサーボがかけられないので、サンプルサーボ方式を用いてトラッキングサーボをかけるようにしてある。
【０１２２】
本発明は例示した実施例に限定されるものではなく、種々の応用展開が考えられる。例えば、実施例で張り合わせに用いた基板（２）に、半透明の記録膜を成膜しておくことで、片面２層の情報記録媒体を構成することも可能である。
【０１２３】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明の効果は、製造工程に要する時間が短縮され、基板の温度上昇が抑制されて製造設備の簡略化が可能となり、基板製造工程を含めて生産コストが低減されることにある。また、記録膜の表面状態や断面形状が改善されるので、記録再生特性が向上する。オフトラックやクロスライトの影響が抑制されるので、記録再生マージンが拡大される。更に、記録磁区形状と検出等温線との整合性が改善されて再生分解能が向上するので、高線記録密度化できるという効果がある。また、ランド／グルーブ記録が可能となることや、情報トラックの有効領域幅を狭められることから、高トラック密度化できるという効果もある。
【０１２４】
また、本発明の製造方法による情報記録媒体を用いることにより、記録再生装置を簡略化、低コスト化できるという効果がある。さらに、従来の情報記録媒体との互換性を確保することが容易になるという効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の実施例１を説明する図であり、
図１（ａ）は、実施例１の製造方法で作製された情報記録媒体の概略断面図、
図１（ｂ）は、実施例１の製造方法で作製された情報記録媒体の磁壁移動層に形成された磁区の形状を示した概略平面図。
【図２】図２は比較例１を説明する図であり、
図２（ａ）は、比較例１の製造方法で作製された情報記録媒体の概略断面図、
図２（ｂ）は、比較例１の製造方法で作製された情報記録媒体の磁壁移動層に形成された磁区の形状を示した概略平面図。
【図３】図３は、比較例２の製造方法で作製された情報記録媒体の概略断面図。
【図１】
2004178726.tif 000003
【図２】
2004178726.tif 000004
【図３】
2004178726.tif 000005