(57)【要約】【課題】ハンドリングでバッチ的に回路基板の取り外しを行っているため、生産のリードタイムも長くなり従来の方法では量産性と信頼性に困難を要していた。【解決手段】一方の主面が搬送プレート５に密着され、他方の主面上に単数または複数の半導体素子が実装された回路基板４の、前記他方の主面を吸着する吸着手段であるプレート２およびシリコンゴム３を備え、吸着手段により吸着された前記回路基板４を前記搬送プレート５から剥離する。【選択図】　図１
2004119853.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の主面が搬送プレートに密着され、他方の主面上に単数または複数の半導体素子が実装された回路基板の、前記他方の主面を吸着する吸着手段を備え、
前記吸着手段により吸着された前記回路基板を前記搬送プレートから剥離する半導体装置の製造装置。
【請求項２】
前記吸着手段は、少なくとも前記回路基板の外周部に密着する枠部と前記枠部を覆う天井部とを備えた吸着用部材と、
前記吸着用部材の枠部および天井部と前記回路基板の前記他方の主面とにより形成される空間内を減圧する減圧手段とを備えた請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項３】
前記吸着用部材は、前記天井部に設けられた単数または複数の凸部を備え、
前記凸部の長さは、前記枠部の高さより短い請求項２に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項４】
前記半導体素子の実質的な最上部と前記天井部との間の距離は０〜１０ｍｍである請求項２に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項５】
前記減圧手段は、前記減圧を、−０．５〜−６０ｋＰａの範囲で行う請求項２に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項６】
前記回路基板は、前記搬送プレートとの間に、粘着材、熱可塑性粘着材、熱発泡性粘着材のいずれかから構成された層により密着されている請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項７】
前記搬送プレートを所定の温度で加熱する加熱手段を備えた請求項６に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項８】
一方の主面が搬送プレートに密着され、他方の主面上に単数または複数の半導体素子が実装された回路基板の、前記他方の主面を吸着することにより、前記搬送プレートと前記回路基板とを剥離する半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記吸着は、少なくとも前記回路基板の外周部に密着する枠部と前記枠部を覆う天井部とを備えた吸着用部材を用い、前記吸着用部材の枠部および天井部と前記回路基板の前記他方の主面とにより形成される空間内を減圧することにより行われる請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記吸着用部材は、前記天井部に設けられた単数または複数の凸部を備え、
前記凸部の長さは、前記枠部の高さより短い請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造装置および製造方法に関し、特にフリップチップ実装技術を用いた半導体装置の製造装置と製造方法とに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体プロセスの微細化技術の進歩に伴い半導体パッケージの形態もＱＦＰからＢＧＡやＣＳＰへ、さらには半導体ベアーチップを直接回路基板上に接続するフリップチップ実装へと進化している。
【０００３】
中でもＣＳＰは、半導体素子のダイサイズとほぼ同じ大きさであるため、高密度実装を必要とするモバイル機器に必要不可欠の半導体パッケージの形態となっている。今後ますますモバイル関連商品が増大する中でより軽量・小型化が求められており、ＣＳＰに使用されるキャリア基板もセラミック基板から樹脂基板やフィルム基板へとより薄型化へと置き換わってきている。
【０００４】
以下、従来の技術によるフリップチップ実装技術を用いたＣＳＰの構成及び製造方法について図面を参照し説明する。図１２は半導体素子をフリップチップ実装している説明図である。図１２において、実装用設備ベース台１１６の上にキャリア基板１０４が配置され前記キャリア基板１０４の表面には所望の配線パターン（図示せず）と端子電極１１９が設けられている。
【０００５】
一方、電極パッド１１７上にバンプ１１８を形成した半導体素子１１０を、フェースダウンにて実装装置の吸着ヘッド１２０にて吸着保持後、前記バンプ１１８の先端に導電性接着剤１１５を転写形成し、キャリア基板の端子電極１１９とバンプ１１８とをアライメントして半導体素子１１０を実装する。その後、導電性接着剤を熱乾燥し、前記キャリア基板１０４と半導体素子１１０の隙間に封止樹脂１２１を充填後、前記封止樹脂を熱硬化させる。
【０００６】
図１３は上記製造方法にてキャリア基板１０４として厚み０．４ｍｍのセラミック基板１０４を用いた場合のＣＳＰ断面図である。図１４は上記製造方法にてキャリア基板１０４の代わりに、例えばポリイミドフィルム基板として実現される厚み０．０８ｍｍのフィルム基板１４４を用いた場合のＣＳＰ断面図である。基板がフィルム基板１４４の様に薄い場合には、そのままの状態でも歪みがあるとともに、熱プロセスにおいても熱膨張係数の影響で大きく歪みが発生し、バンプ１１８の接合部に不具合を生じさせる。
【０００７】
図１５は前記不具合を防止するための構成を説明するための断面図である。表面が平滑な搬送プレート１０５の上面に熱可塑性の両面粘着シート１０８を介してフィルム基板１４４の、半導体素子１１０が実装されない方の主面を約１２０℃で貼り付ける。
【０００８】
以下上記と同様の方法で半導体素子１１０の実装を完了してＣＳＰを完成することができる。この場合、表面が平滑な搬送プレート１０５にフィルム基板１４４が貼り付けられているため、初期的なフィルム基板の歪みが矯正されるとともに、熱プロセスにおいてもフィルム基板の歪みを生じさせないため良好なバンプ部の接合状態を得ることができる。
【０００９】
しかしながら、上記製造方法では、半導体素子１１０が実装されたキャリア基板は搬送プレート１０５に貼り付けられているために、これを搬送プレート１０５から取り外す必要がある。図１０は従来の取り外し方法（例えば特許文献１を参照）の一例を示す図である。
【００１０】
図１０において、ホットプレート１０７の上面に、半導体素子１１０が実装されたフィルムキャリア基板を貼り付けてある搬送プレート１０５を配置して、半導体素子１１０が影響を受けない程度の所定の温度で加熱することにより、熱可塑性の両面粘着シート１０８が軟化する。次に両面粘着シート１０８とキャリア基板１０４の界面にカッター刃１１１のようなもので剥離きっかけを入れた後、キャリア基板１４４全体を剥離すると図１１に示すように半導体素子１１０が多数個実装された基板が得られる。
【００１１】
【特許文献１】
特許第３０２４３８４号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図１０で示した従来のキャリア基板取り外しの方法では、加熱により、両面粘着シートの粘着力を低下させているが粘着力が皆無ではなく、剥離させる際にフイルムキャリア基板に大きな曲げ応力が発生することとなりバンプ接合部にダメージを与えていた。これは製造上の最終工程での不具合であることから、歩留まり低下は大きな問題となっていた。また生産性が悪く、製品の信頼性も十分で無いという問題も有していた。
【００１３】
本発明は、前述したようなキャリア基板取り外しの方法の課題を考慮し、短時間で半導体素子接合部にダメージを与えることなく半導体装置（ＣＳＰ）を得ることができる半導体装置の製造装置および製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１４】
【発明が解決するための手段】
上記の目的を達成するために、第１の本発明は、一方の主面が搬送プレートに密着され、他方の主面上に単数または複数の半導体素子が実装された回路基板の、前記他方の主面を吸着する吸着手段を備え、
前記吸着手段により吸着された前記回路基板を前記搬送プレートから剥離する半導体装置の製造装置である。
【００１５】
また、第２の本発明は、前記吸着手段は、少なくとも前記回路基板の外周部に密着する枠部と前記枠部を覆う天井部とを備えた吸着用部材と、
前記吸着用部材の枠部および天井部と前記回路基板の前記他方の主面とにより形成される空間内を減圧する減圧手段とを備えた第１の本発明の半導体装置の製造装置である。
【００１６】
また、第３の本発明は、前記吸着用部材は、前記天井部に設けられた単数または複数の凸部を備え、
前記凸部の長さは、前記枠部の高さより短い第２の本発明の半導体装置の製造装置である。
【００１７】
また、第４の本発明は、前記半導体素子の実質的な最上部と前記天井部との間の距離は０〜１０ｍｍである第２の本発明の半導体装置の製造装置である。
【００１８】
また、第５の本発明は、前記減圧手段は、前記減圧を、−０．５〜−６０ｋＰａの範囲で行う第２の本発明の半導体装置の製造装置である。
【００１９】
また、第６の本発明は、前記回路基板は、前記搬送プレートとの間に、粘着材、熱可塑性粘着材、熱発泡性粘着材のいずれかから構成された層により密着されている第１の本発明の半導体装置の製造装置である。
【００２０】
また、第７の本発明は、前記搬送プレートを所定の温度で加熱する加熱手段を備えた第６の本発明の半導体装置の製造装置である。
【００２１】
また、第８の本発明は、一方の主面が搬送プレートに密着され、他方の主面上に単数または複数の半導体素子が実装された回路基板の、前記他方の主面を吸着することにより、前記搬送プレートと前記回路基板とを剥離する半導体装置の製造方法である。
【００２２】
また、第９の本発明は、前記吸着は、少なくとも前記回路基板の外周部に密着する枠部と前記枠部を覆う天井部とを備えた吸着用部材を用い、前記吸着用部材の枠部および天井部と前記回路基板の前記他方の主面とにより形成される空間内を減圧することにより行われる第８の本発明の半導体装置の製造方法である。
【００２３】
また、第１０の本発明は、前記吸着用部材は、前記天井部に設けられた単数または複数の凸部を備え、
前記凸部の長さは、前記枠部の高さより短い第９の本発明の半導体装置の製造方法である。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。但し、本発明は、以下に具体的に示す実施の形態に限定されるものではない。
【００２５】
（第１の実施の形態）
まず、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００２６】
図１は、本発明の第１の実施の形態を示す基板取り外し設備の概略図であり、図２はその拡大図である。平面性の高い厚み２ｍｍのＳＵＳ材で構成された搬送プレート５に、熱可塑性の両面粘着シート８を介して、厚み０．０８ｍｍのポリイミド材で構成される回路基板４を約１２０℃のラミネート温度で貼り付ける。これにより回路基板４の歪みは解消され平坦化される。このとき、両面粘着シート８は熱可塑性を有しない、単に粘着性のみを有するものであってもよい。また、熱発泡性粘着材により構成されていても良い。
【００２７】
次に半導体素子１０をフリップチップにて回路基板４上に実装する。このようにして、搬送プレート５上に貼り付けられた半導体素子実装済み回路基板の構造体を吸着テーブル６に吸着固定し、吸着テーブル６底面から加熱源であるホットプレート７にて吸着テーブル６を加熱することにより、回路基板４全体が加熱されている。
【００２８】
昇降シリンダー１の下方には、プレート２が設置されている。
【００２９】
プレート２は、回路基板４と対向する主面２ａ上に排気口９が開口されており、主面２ａの周囲には、枠形状のシリコンゴム３が配置された構造となっている。
【００３０】
なお、上記の構成において、搬送プレート５は本発明の搬送プレートに相当し、回路基板４は本発明の回路基板に相当し、半導体素子１０は本発明の半導体素子に相当し、プレート２およびシリコンゴム枠３は本発明の吸着用部材を構成し、シリコンゴム枠３は本発明の枠部に相当し、プレート２の主面２ａの、シリコンゴム枠３で囲まれた領域は本発明の天井部に相当する。また、ホットプレート７は本発明の加熱手段に相当し、粘着シート８は本発明の熱可塑性粘着材から構成された層に相当する。また、搬送プレート５、プレート２およびシリコンゴム枠３は本発明の半導体装置の構成装置に相当する。
【００３１】
以上のように構成された基板取り外し設備の動作を説明するとともに、これにより、本発明の半導体装置の製造方法の一実施の形態について説明を行う。
【００３２】
はじめに、昇降シリンダー１を降下させシリコンゴム３を回路基板４の外周部に密着させる。
【００３３】
一例として本実施の形態では、ポリイミドで構成される回路基板の外形が１００×１００ｍｍで、実装された半導体素子の高さが０．４ｍｍの場合、シリコンゴム枠の内寸は９０×９０ｍｍで、厚みが０．６ｍｍのものを用いる。この場合回路基板の外周部を５ｍｍの幅でシリコンゴムで押さえることとなり、回路基板４の表面とプレート２の主面２ａとの隙間が約０．４〜０．６ｍｍの減圧密閉空間（以下、単に密閉空間とも称す）１１が形成されることになる。この減圧密閉空間１１は、排気口９のみを介して外部と連通している。今回シリコンゴム枠の厚みを０．６ｍｍと設定したが、回路基板４のサイズや半導体素子１０の実装高さによって０〜１０ｍｍの範囲で設定することが好ましいが、特に限定されるものではない。
【００３４】
次にホットプレート７の熱源により回路基板４の表面の温度が１００℃程度になったことを確認する。このことにより熱可塑性の粘着シート８が軟化して粘着強度が低下する。実際の製造の流れの中では、封止樹脂硬化（１５０℃）工程終了後の回路基板４の温度は１２０℃程度であるため、この工程の直後に作業を行う場合は改めて加熱を行う必要はない。
【００３５】
次にプレート２の排気口９を開き、回路基板４とプレート２の底面２ａとシリコンゴム枠３にて形成される密閉空間１１内を−１０ｋＰａで減圧することにより、回路基板４全体をプレート２の底面２ａに向かう方向に吸引することで、粘着シート８と回路基板４を剥離させる。次に昇降シリンダーを上昇させると、上下シリンダー１と回路基板４とは密着しているので、粘着シート８から回路基板４を取り外すことができる。この際昇降シリンダー１にロボットを連動させることで、次工程に取り外した半導体素子１０が実装された回路基板４を搬送後、吸着を解除することで次工程への搬送が完了する。
【００３６】
図３は、回路基板４４として１００×１００×０．４ｍｍサイズのガラスエポキシ基板を用い、厚みが３ｍｍのシリコンゴム３を使用した例を示す図である。図においては、減圧を行う前の状態におけるプレート２の底面２ａから半導体素子１０の上面までの距離が２．５５ｍｍの設定となる。
【００３７】
この場合、密閉空間１１内を−６０ｋＰａで減圧させる回路基板４４全体をプレート２の底面２ａに向かう方向に吸引させると、回路基板４４がやや剛性を有するガラスエポキシ基板であるため、回路基板４４の周辺を押さえられた状態で太鼓状に膨らむ形となる。この際、プレート２の底面２ａから半導体素子１０の上面までの距離が大きいことと、回路基板４４のサイズが小さいことから変形曲率が大きくなり、回路基板４４と半導体素子１０との電気的接合部分に大きなダメージを与えることになる。
【００３８】
図４は、厚みが０．５ｍｍのシリコンゴム３を使用した例で、その他の条件は図３と同じである。この場合はプレート２の底面２ａから半導体素子１０の上面までの距離が０．１ｍｍと、図３に示す例の半分以下に設定される。これにより、したがって、回路基板４が膨らんでも半導体素子１０の上面がプレート２の底面２ａに当たり、これが緩衝材の役割を果たして、回路基板４４の膨らみを規制することができる。従って回路基板の変形曲率が小さくなり、回路基板４４と半導体素子１０との電気的接合部にダメージを与えることはない。要するに、シリコンゴム３の厚みは、粘着シート８と回路基板４または４４との剥離性と、吸引により生ずる回路基板の彎曲に起因する接合部のダメージを考慮して設定することが望ましい。このとき、シリコンゴム３の厚みが、回路基板４または４４とプレート２の底面２ａとの間の距離、または半導体素子の実質的な最上部と底面２ａとの距離を与えるため、特に後者の距離が０〜１０ｍｍとなるように設定することが望ましい。これは以下の実施の形態においても同様である。
【００３９】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態について図５〜６を用いて説明する。
【００４０】
図５は、回路基板４として１００×１００×０．０８ｍｍサイズのポリイミドフィルム基板を用い、厚みが３ｍｍのシリコンゴム３を使用した例を示す図である。図においては、、減圧を行う前の状態におけるプレート２の底面２ａから半導体素子１０上面までの距離が２．５５ｍｍの設定となる。
【００４１】
この場合、密閉空間１１内を−６０ｋＰａで減圧させることで回路基板４全体をプレート２の底面２ａに向かう方向に吸引させると、回路基板４は、厚みの小さいフィルム基板であるため、シリコンゴム枠３により押さえられた回路基板４の周辺以外の部分が、太鼓状あるいは密閉空間１１の内容積の形状に沿った状態で膨らむ形となる。
【００４２】
この際も、図３に示す例と同様、、プレート２の底面２ａから半導体素子１０上面までの距離が大きいことと、回路基板４のサイズが小さいことから変形曲率が小さくなる。さらには、複数の半導体素子と半導体素子との間でも回路基板４は変形する。これらの変形により、回路基板４４と半導体素子１０との電気的接合部分に大きなダメージが与えられることになる。
【００４３】
図６は、厚みが０．５ｍｍのシリコンゴム３を使用した例を示す。密閉空間１１内を−１０ｋＰａで減圧させることで回路基板４全体をプレート２の底面２ａに向かう方向に吸引させた他は、図５と同じ条件である。この場合はプレート２の底面２ａから半導体素子１０上面までの距離が０．１ｍｍと、設定できるため、回路基板４が膨らんでも半導体素子１０の上面がプレート２の底面２ａに当たり、これが緩衝材の役割を果たして、回路基板４の膨らみを規制することができる。
【００４４】
また、減圧力を小さくしたため半導体素子と半導体素子との間でも回路基板４が変形しないため電気的接合部にダメージを与えることはない。なお、半導体素子間の距離が短い場合は減圧力をより大きくしても良い。要するに、減圧力は、半導体素子間の距離を考慮して、半導体素子間に膨らみが生じない程度に設定すればよい。
【００４５】
（第３の実施の形態）
図７は、シリコンゴム枠３を、半導体素子配列に合わせ格子形状にし、厚みを半導体素子１０の実装部厚み、すなわち半導体素子１０の、回路基板４の主面上からの高さと同等にしたシリコンゴム３ａと、第１および第２の実施の形態と同様の外形を有するシリコンゴム３ｂ（厚み０．１ｍｍ）とを組み合わせて構成した点が、上述した各従来例と異なる。なお、格子状に形成されたシリコンゴム３ｂは、本発明の凸部に相当する。
【００４６】
このようにすることで、密閉空間１１内を減圧させても、半導体素子と半導体素子との間に介在する格子状シリコンゴム３ａの主面が、回路基板４の半導体素子１０の間の部分と密着するとともに、半導体素子１０の上面がプレート２の底面２ａに当たり、これらが緩衝材として働く。したがって回路基板４の変形を防止することができる。なお、図７はシリコンゴム、プレート２の主面２ａ、半導体素子１０の上面がそれぞれ完全に密着した状態を示した。
【００４７】
なお、本実施の形態では、格子状シリコンゴム３ａの高さは、半導体素子１０の実装部厚みと同等であるとしたが、シリコンゴム３ｂの厚みより薄ければよい。特に、半導体素子１０の実装部厚みより大きくとるようにすれば、図１６に示すように、半導体素子１０が直接プレート２の主面２ａと接することがない。これにより、半導体素子１０に過度な圧力が加えられることを防ぐことができる。なお図１６において排気口９は省略した。
【００４８】
さらに、凸部の形状は、格子状であるとしたが、図１７に示す突起状部材３ｃのように、配列された半導体素子１０間に設けられた複数の突起として実現してもよい。突起状部材３ｃの高さは、図１５や図１６に示す格子状シリコンゴム３ａの場合と同様に設定すればよい。図１８は、図１６と同様、半導体素子１０の実装部厚みより大きな高さとした例である。この場合も、半導体素子１０が直接プレート２の主面２ａと接することがないため、半導体素子１０に過度な圧力が加えられることを防ぐことができる。さらに本構成によれば、半導体素子１０の形状の種類によらず、突起状シリコンゴム３ｃと同様の効果が得られるので、様々な種類の半導体装置の製造に適用させることができる。
【００４９】
また、本発明の凸部として凸部の材質は金属やプラスチックなどでも良い。またプレート２に直接形状加工して凸部の形状を得るようにしても良い。
【００５０】
（第４の実施の形態）
次に第４の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００５１】
上述してきた各実施の形態においては、プレート２の底面２ａから半導体素子１０の上面までの距離がさほど大きくなく、また、回路基板４とプレート２の底面２ａとシリコンゴム枠３にて形成される減圧空間容積は小さいため、排気をすると一気に減圧状態となる。
【００５２】
これを回避するために、本実施の形態では、図８、図９にそれぞれ示すように、減圧空間容積とは別途に、プレート２内に減圧空間容積１２ａまたはプレート２の外部に減圧空間容積１２ｂを設けることで、排気量をコントロールし易くすることができ減圧力を制御し易くすることができる。なお、減圧空間容積を設ける場所は、回路基板４の吸着の妨げにならない場所であれば、任意の位置に設けるようにしてもよい。
【００５３】
また、減圧空間容積を別途設ける他に、排気側で減圧調整バルブを設けるなどしてもよい。この場合、排気量をコントロールすることでより細やかに減圧状態を制御できる。
【００５４】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、回路基板外周部の内側上面を減圧することで回路基板をと搬送プレートから効率よく取り外すことことが可能になり、生産性を大きく向上させることができる。回路基板の変形、局部的変形を防止することができ、半導体素子と基板との接合部がダメージを受けることなく、安定した回路基板の取り外しを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における基板取り外し設備の概略説明図
【図２】本発明の第１の実施の形態における基板取り外し設備の部分拡大図
【図３】本発明の第１の実施の形態における基板取り外し方法説明図１
【図４】本発明の第１の実施の形態における基板取り外し方法説明図２
【図５】本発明の第２の実施の形態における基板取り外し方法説明図１
【図６】本発明の第２の実施の形態における基板取り外し方法説明図２
【図７】本発明の第３の実施の形態における基板取り外し設備の説明図
【図８】本発明の第４の実施の形態における基板取り外し設備の説明図１
【図９】本発明の第４の実施の形態における基板取り外し設備の説明図２
【図１０】従来の方法における基板取り外し説明図
【図１１】従来の方法における取り外した後基板構成図
【図１２】従来の方法における半導体実装設備概略と実装方法の説明図
【図１３】従来の方法における半導体素子が実装されたＣＳＰの断面図１
【図１４】従来の方法における半導体素子が実装されたＣＳＰの断面図２
【図１５】従来の方法における半導体素子が実装された回路基板断面図
【図１６】本発明の第３の実施の形態における基板取り外し設備の他の構成例の説明図
【図１７】本発明の第３の実施の形態における基板取り外し設備の他の構成例の説明図
【図１８】本発明の第３の実施の形態における基板取り外し設備の他の構成例の説明図
【符号の説明】
１　上下シリンダー
２　プレート
３　シリコンゴム
４　回路基板
５　搬送プレート
６　吸着テーブル
７　ホットプレート
８　粘着シート
９　排気口
１０　半導体素子
１１　密閉空間
１２　減圧空間容積Ｂ
１３　カッターの刃
１４　加圧ヘッド
１５　導電性接着剤
１６　実装設備ベース台
１７　電極パッド
１８　バンプ
１９　端子電極
２０　吸着プレート
２１　封止樹脂
１０４　キャリア基板
１０５　搬送プレート
１０７　ホットプレート
１０８　両面粘着シート
１１０　半導体素子
１１１　カッター刃
１１４　加圧ブロック
１１５　導電性接着剤
１１６　実装用設備ベース台
１１７　電極パッド
１１８　バンプ
１１９　端子電極
１２０　吸着ヘッド
１２１　封止樹脂
１４４　フイルム基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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