(57)【要約】【課題】媒体ノイズの低減化を図りつつ面記録密度の増大化を可能とする磁気記録媒体およびその製造方法を提供すること。【解決手段】Ｃｏを母材とする第１の層（１４ａ）とＰｔまたはＰｄを母材とする第２の層（１４ｂ）とを交互に多数積層させた多数積層記録層（１４）をスパッタ成膜する際のターゲット中に予め、Ｔａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｍｇ、Ｂａの金属の酸化物のうちの少なくとも1種類の金属酸化物を添加しておき、第１および第２の層の少なくとも一方の層に、金属添加濃度が母材に対して５〜２０ａｔ％の範囲となるようにスパッタ成膜することとした。これにより、多数積層記録層（１４）中の結晶粒界に偏析する添加元素量を大きくして結晶粒子間の間隔を広げることで結晶粒子間の磁気的相互作用のエネルギを減少させ媒体ノイズを低減することとした。【選択図】        図２
2004206805.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、軟磁性層と下地層と磁気記録層とカーボン保護膜とが順次積層されて構成されている磁気記録媒体であって、
前記磁気記録層は、第１の層と第２の層とを交互に多数積層させた多数積層膜であり、
前記第１の層と前記第２の層の少なくとも一方の層には、Ｔａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｍｇ、Ｂａの金属の酸化物のうちの少なくとも1種類の金属酸化物が添加されており、
前記金属の添加濃度が、前記第１の層および／または前記第２の層の母材に対して５〜２０ａｔ％の範囲にあることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記第１の層の母材料はＣｏ、前記第２の層の母材料はＰｔであり、
前記下地層はＰｔ膜、Ｐｄ膜またはＲｕ膜の何れかであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記第１の層の母材料はＣｏ、前記第２の層の母材料はＰｄであり、
前記下地層はＰｔ膜、Ｐｄ膜またはＲｕ膜の何れかであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記下地層はＲｕ膜であり、
前記軟磁性層上に、Ｔａ層とＮｉＦｅ合金層と前記Ｒｕ膜の下地層とが順次積層されていることを特徴とする請求項２または３に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記ＮｉＦｅ合金層はＮｉＦｅＣｒ層であることを特徴とする請求項４に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記軟磁性層は、
アモルファスのＣｏＺｒＮｂ膜またはＣｏＴａＺｒ膜、多結晶のＮｉＦｅ膜またはＦｅＳｉＡｌ膜若しくはＦｅＴａＣ膜、の何れかであることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記基板はガラス基板であることを特徴とする請求項１乃至６に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
請求項１乃至７に記載の磁気記録媒体の製造方法であって、
スパッタターゲットに、Ｔａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｍｇ、Ｂａの金属の酸化物のうちの少なくとも1種類の金属酸化物を予め添加した混合ターゲットを用いて前記磁気記録層をスパッタ成膜するステップを備えていることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至７に記載の磁気記録媒体の製造方法であって、
スパッタターゲット上に、Ｔａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｍｇ、Ｂａの金属の酸化物のうちの少なくとも1種類の金属酸化物のチップを載置して前記磁気記録層をスパッタ成膜するステップを備えていることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録媒体およびその製造方法に関し、より詳細には、媒体ノイズの低減化を図りつつ面記録密度の増大化を可能とする磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
固定磁気ディスクの面記録密度は年々増大し続けており、現在では約５０Ｇｂ／ｉｎ２の面記録密度のものが製品化されている。一方、このような固定磁気ディスクの高記録密度化に伴って、記録ビットの熱的不安定性が顕在化しはじめてきており、高い面記録密度と媒体ノイズの低減化および記録ビットの熱安定性を実現可能な垂直磁気記録媒体が求められている。
【０００３】
垂直磁気記録媒体の構造は「単層媒体」と「２層媒体」とに大別され、このうち「単層媒体」は、ＮｉＰメッキを施したＡｌ基板やガラス基板上にＴｉ膜やＴｉＣｒ膜などの下地層を設け、この下地層の上にＴａ、Ｐｔ、Ｂなどの元素が添加されたＣｏＣｒ系合金の記録層を積層し、この記録層上にカーボン保護膜を設けて構成される。また、「２層媒体」は、上述の基板と下地層との間にさらに軟磁性層を設けて構成される。
【０００４】
これら各層の成膜は一般的にはスパッタリングで実行され、各層の膜厚は概ね、軟磁性層３００〜５００ｎｍ、下地層１０〜５０ｎｍ、記録層３０〜１００ｎｍに設定されるのが通常である。また、一般に、下地層と記録層は多結晶薄膜とされ、軟磁性層にはＮｉＦｅ、ＦｅＳｉＡｌ、ＦｅＴａＣなどの多結晶とＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＴａＺｒなどのアモルファスの両方が用いられる。
【０００５】
ＣｏＣｒ系合金を記録層とする磁気記録媒体では、ＣｏＣｒ系合金薄膜の磁気異方性エネルギ（Ｋｕ）が比較的小さいために、へッドにより書き込まれた記録ビットの十分な熱安定性を得ることが困難である。このため、Ｃｏ層とＰｔ層とを交互にｎ層ずつ積層させた（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ多層積層膜やＣｏ層とＰｄ層とを交互にｎ層ずつ積層させた（Ｃｏ／Ｐｄ）ｎ多層積層膜を記録層として用いた垂直磁気記録媒体の開発が行なわれており、Ｃｏ層の厚みを０．１〜０．３ｎｍ、Ｐｔ層（またはＰｄ層）の厚みを０．６〜１．０ｎｍ程度と設定した磁気記録媒体で高い保磁力（Ｈｃ）と高い角型比（Ｓ）とが得られている。
【０００６】
多層積層膜を記録層として用いたこのような垂直磁気記録媒体は記録ビットの熱安定性に優れる反面、媒体ノイズが比較的大きいという問題があるため、記録層を成膜するに際してボロン（Ｂ）のチップをスパッタ・ターゲットの表面に配置し、この状態でＡｒとＯ２の混合ガス中でスパッタリング成膜し、ボロン（Ｂ）と酸素（Ｏ）とを記録層の結晶粒界に偏析させることにより媒体ノイズを低減させる方法が提案されている（特許文献１参照）。また、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｕの面心立方構造の金属にＳｉＯ２等の酸化物を添加した下地層あるいは分断層を用いて磁気的相互作用を低減させて媒体ノイズを低減させる方法も提案されている（特許文献２参照）。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００２−２５０３２号公報
【０００８】
【特許文献２】
特開２００１−１５５３９２号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１に記載されている媒体ノイズの低減方法では、磁気記録媒体のＳ／Ｎ改善に効果のあるＢ添加量は１．０ａｔ％まで、Ｏ添加量も０．１ａｔ％までであり、これ以上のＢやＯの添加をおこなってもＳ／Ｎ値は飽和したままであり改善効果は認められない。
【００１０】
また、特許文献２に記載されている方法では、記録層を構成するＣｏ層やＰｔ層（あるいはＰｄ層）中のＣｏやＰｔ（あるいはＰｄ）の結晶粒同士は空間的に広く離隔されるものではないために、これらの結晶粒間の磁気的な相互作用が強く残り媒体ノイズ低減には限界がある。
【００１１】
このように、磁気記録媒体の面記録密度の向上を図るためには、面記録密度の増大化と媒体ノイズの更なる低減化とを両立させることが必要となる。
【００１２】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、媒体ノイズの低減化を図りつつ面記録密度の増大化を可能とする磁気記録媒体およびその製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、基板上に、軟磁性層と下地層と磁気記録層とカーボン保護膜とが順次積層されて構成されている磁気記録媒体であって、前記磁気記録層は、第１の層と第２の層とを交互に多数積層させた多数積層膜であり、前記第１の層と前記第２の層の少なくとも一方の層には、Ｔａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｍｇ、Ｂａの金属の酸化物のうちの少なくとも1種類の金属酸化物が添加されており、前記金属の添加濃度が、前記第１の層および／または前記第２の層の母材に対して５〜２０ａｔ％の範囲にあることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の磁気記録媒体において、前記第１の層の母材料はＣｏ、前記第２の層の母材料はＰｔであり、前記下地層はＰｔ膜、Ｐｄ膜またはＲｕ膜の何れかであることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の磁気記録媒体において、前記第１の層の母材料はＣｏ、前記第２の層の母材料はＰｄであり、前記下地層はＰｔ膜、Ｐｄ膜またはＲｕ膜の何れかであることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項４に記載の発明は、請求項２または３に記載の磁気記録媒体において、前記下地層はＲｕ膜であり、前記軟磁性層上に、Ｔａ層とＮｉＦｅ合金層と前記Ｒｕ膜の下地層とが順次積層されていることを特徴とする。
【００１７】
また、請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の磁気記録媒体において、前記ＮｉＦｅ合金層はＮｉＦｅＣｒ層であることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５の何れかに記載の磁気記録媒体において、前記軟磁性層は、アモルファスのＣｏＺｒＮｂ膜またはＣｏＴａＺｒ膜、多結晶のＮｉＦｅ膜またはＦｅＳｉＡｌ膜若しくはＦｅＴａＣ膜、の何れかであることを特徴とする。
【００１９】
さらに、請求項７に記載の発明は、請求項１乃至６に記載の磁気記録媒体において、前記基板はガラス基板であることを特徴とする。
【００２０】
請求項８に記載の発明は、請求項１乃至７に記載の磁気記録媒体の製造方法であって、スパッタターゲットに、Ｔａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｍｇ、Ｂａの金属の酸化物のうちの少なくとも1種類の金属酸化物を予め添加した混合ターゲットを用いて前記磁気記録層をスパッタ成膜するステップを備えていることを特徴とする。
【００２１】
また、請求項９に記載の発明は、請求項１乃至７に記載の磁気記録媒体の製造方法であって、スパッタターゲット上に、Ｔａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｍｇ、Ｂａの金属の酸化物のうちの少なくとも1種類の金属酸化物のチップを載置して前記磁気記録層をスパッタ成膜するステップを備えていることを特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下に図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
【００２３】
本発明者は、記録層をスパッタ成膜する際のターゲット中に、予めＴａの酸化物（Ｔａ２Ｏ５またはＴａＯ２）を添加しておき、この混合ターゲットを用いてＡｒをスパッタガスとして成膜することで、媒体ノイズの低い記録層が得られることを見出した。これは、このような方法で成膜された記録層中の結晶粒界に偏析するＴａ酸化物濃度が、従来の方法で成膜された記録層中の結晶粒界に偏析するＢ酸化物の濃度に比較して高いために、磁性結晶粒子間の間隔を広げることが可能となり結晶粒子間の磁気的相互作用のエネルギが減少することによるものと解釈される。
【００２４】
また、従来の、金属ＢをＡｒとＯ２の混合ガス中でスパッタして成膜する方法では、記録層中のＢとＯの濃度を高くしていくとＣｏあるいはＰｔ結晶粒内に固溶するＢとＯが多くなることが判明した。このため、膜全体でのＢとＯの濃度を高くしても結晶粒界に偏析するこれらの添加元素量はほとんど増加せず、結晶粒子間の間隔も広がることがない。このために媒体ノイズの低減効果が上述した一定の添加量で飽和してＳ／Ｎ値も飽和してしまうこととなるものと考えられる。
【００２５】
一方、本発明の方法で成膜した記録層の場合には、ＴａやＯの添加濃度を高くするとこれらの元素の結晶粒界への偏析が進行し、結晶粒内に固溶するＴａやＯの濃度はほとんど増加しない。従って、本発明の方法では、Ｂ添加濃度が１．０ａｔ％以上、Ｏ添加濃度が０．１ａｔ％以上の場合でも、Ｓ／Ｎ改善効果が認められることとなる。
【００２６】
なお、ターゲットに混合するＴａ酸化物は、化学量論組成からずれたＴａ酸化物（例えば、Ｔａ２Ｏ５−ｘ：０＜ｘ＜５）であってもよい。また、混合したＴａ酸化物が化学量論組成を満足する組成比のものであっても、記録層中に取り込まれるＴａ酸化物はスパッタ工程で酸素が抜けた酸化物（例えば、Ｔａ２Ｏ５−ｘ：０＜ｘ＜５）となりやすいため、必要に応じてＡｒガスに微量の酸素ガスを混合した混合ガスをスパッタガスとするようにして、記録層中に添加される金属酸化物を化学量論組成あるいは化学量論組成に近づけるようにしてもよい。
【００２７】
本発明の方法により記録層を成膜する際のスパッタ方法は、ＤＣマグネトロンスパッタ法あるいはＡＣマグネトロンスパッタ法のどちらでも良い。ただし、上記の金属酸化物のターゲット中での濃度を高くしたい場合には、これらの金属酸化物の電気抵抗値が高いためにターゲットに電荷が蓄積されて異常放電を起こし易くなるため、ＡＣマグネトロンスパッタ法が好ましい。また、成膜時の基板加熱は必須ではないが、２５０℃程度までの基板加熱であれば必要に応じて実行することも可能である。
【００２８】
なお、上述の方法と同様に、金属酸化物のチップをターゲット上に配置してＡｒガス中でスパッタ成膜しても媒体ノイズの低い記録層が得られる。
【００２９】
図１は、本発明の磁気記録媒体の構成例を説明するための図で、基板としてガラス基板１１を用い、このガラス基板１１の上に、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層１２と、Ｐｔ下地層１３と、磁気記録層である多層積層記録層１４と、カーボン（Ｃ）保護層１５とが順次積層されており、この図に示した構成例では、多層積層記録層１４は、第１の層である（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜１４ａと第２の層であるＰｔ膜１４ｂとが所望の層数（ｎ）だけ交互に積層されて構成されている。
【００３０】
なお、この図に示した多層積層記録層１４の構成では第１および第２の層の母組成を各々ＣｏおよびＰｔとしたが、第２の層はＰｔに替えてＰｄを母組成としてもよく、（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ‐Ｔａ２Ｏ５）や（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｄ‐Ｔａ２Ｏ５）ｎ多層積層膜としたり、第２の層にのみＴａ２Ｏ５を加えた（Ｃｏ／Ｐｔ‐Ｔａ２Ｏ５）や（Ｃｏ／Ｐｄ‐Ｔａ２Ｏ５）ｎ多層積層膜としてもＳ／Ｎの大幅な改善が可能である。このような記録層中のＴａ濃度とＯ濃度は、Ｔａについて５〜２０ａｔ％、Ｏについて１０〜４５ａｔ％でＳ／Ｎが大きい値を示す。
【００３１】
また、Ｔａ酸化物を添加した層の膜厚は０．１〜１．０ｎｍ、酸化物添加なしの層の膜厚は０．１〜１．０ｎｍが好ましく、多層積層回数ｎは１０〜３０であることが好ましい。
【００３２】
下地膜はＰｔの代わりにＰｄ膜を用いることも可能であり、これらの下地層の膜厚は３〜３０ｎｍとすることが好ましい。さらに、Ｒｕ膜を下地層として用いることも可能であり、Ｒｕ膜の結晶配向性を向上させるためにＲｕ下地層と軟磁性層との間にＴａ層とＮｉＦｅ合金層（例えばＮｉＦｅＣｒ）をこの順番で設けることもできる。なお、この場合のＲｕ膜厚は３〜２０ｎｍ、Ｔａ膜厚は３〜１０ｎｍ、ＮｉＦｅ合金層厚は５〜２０ｎｍが好ましい。
【００３３】
軟磁性層の材料としては、アモルファスＣｏＴａＺｒのほか、アモルファスＣｏＺｒＮｂや、ＮｉＦｅ、ＦｅＳｉＡｌ、ＦｅＴａＣなどの多結晶を用いることが可能であり、軟磁性層の膜厚は５０〜２００ｎｍの範囲とすることが好ましい。
【００３４】
なお、上述と同様の媒体ノイズの低減効果は、Ｔａの酸化物のほか、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｍｇ、Ｂａの金属酸化物であっても認められることを確認した。具体的な金属酸化物としては、Ａｌ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｎＯ２、Ｓｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＣｄＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＭｏＯ２、ＭｏＯ３、ＷＯ２、ＷＯ３、ＶＯ２、Ｖ２Ｏ５、ＮｂＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＢａＯである。また、これらの酸化物から酸素が一定量だけ抜けた非化学量論組成のものであってもよい。
【００３５】
このような金属酸化物を含有する記録層の酸化物添加層中の添加金属元素濃度も、上述したＴａ酸化物と同様に、５〜２０ａｔ％であることが好ましい。
【００３６】
一方、好ましい添加酸素濃度は添加酸化物の種類に依存し、Ａｌ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３の場合には５〜３０ａｔ％、ＧｅＯ２、ＳｎＯ２、ＭｏＯ２、ＷＯ２、ＶＯ２、ＮｂＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２の場合には５〜４０ａｔ％、ＺｎＯ、ＣｄＯ、ＭｇＯ、ＢａＯの場合には５〜２０％、ＭｏＯ３、ＷＯ３の場合には５〜６０％、そしてＶ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５の場合には５〜５０％である。
【００３７】
さらに、２種類以上の酸化物（例えばＴａ２Ｏ３とＡｌ２Ｏ３）の混合酸化物やＢａＴｉＯ３などの複合酸化物により金属酸化物を添加するようにしてもよい。
【００３８】
図２は、上述の本発明の方法で（Ｃｏ−Ｔａ２Ｏ５）混合ターゲットを用いて成膜した記録層を備える図１に示した構成の垂直磁気記録媒体に３００ｋＦＣＩで信号を書き込み、この書込信号を再生した際のＳ／ＮとＣｏ層中のＴａ濃度との関係を説明するための図である。この図に示されているように、Ｔａ濃度の増大に伴ってＳ／Ｎは増大しＴａ濃度１３ａｔ％付近で最大値を示す。
【００３９】
以下に、実施例により本発明についてさらに詳しく説明する。
（実施例１）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００４０】
（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜は、ＣｏにＴａ２Ｏ５を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）層中のＴａ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は２８ａｔ％である。
【００４１】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１９ｄＢであった。
【００４２】
（実施例２）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００４３】
（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜は、ＣｏにＴａ２Ｏ５を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）層中のＴａ濃度は５ａｔ％、Ｏ濃度は１３ａｔ％である。
【００４４】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１１ｄＢであった。
【００４５】
（実施例３）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００４６】
（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜は、ＣｏにＴａ２Ｏ５を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）層中のＴａ濃度は１０ａｔ％、Ｏ濃度は２２ａｔ％である。
【００４７】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１７ｄＢであった。
【００４８】
（実施例４）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００４９】
（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜は、ＣｏにＴａ２Ｏ５を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）層中のＴａ濃度は１５ａｔ％、Ｏ濃度は３４ａｔ％である。
【００５０】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１８ｄＢであった。
【００５１】
（実施例５）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００５２】
（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜は、ＣｏにＴａ２Ｏ５を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）層中のＴａ濃度は２０ａｔ％、Ｏ濃度は４４ａｔ％である。
【００５３】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１１ｄＢであった。
【００５４】
（実施例６）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００５５】
（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜は、ＣｏにＴａ２Ｏ５を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）層中のＴａ濃度は２５ａｔ％、Ｏ濃度は５５ａｔ％である。
【００５６】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは６ｄＢであった。
【００５７】
（実施例７）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００５８】
（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜は、ＣｏにＴａ２Ｏ５を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）層中のＴａ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は３３ａｔ％である。
【００５９】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１６ｄＢであった。
【００６０】
（実施例８）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００６１】
（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜は、ＣｏにＴａ２Ｏ５を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）層中のＴａ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は２２ａｔ％である。
【００６２】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１８ｄＢであった。
【００６３】
（実施例９）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００６４】
（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜は、ＣｏにＴａ２Ｏ５を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）層中のＴａ濃度は１０ａｔ％、Ｏ濃度は１７ａｔ％である。
【００６５】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１６ｄＢであった。
【００６６】
（実施例１０）
スパッタ装置内で１００℃で基板加熱した後に、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００６７】
（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜は、ＣｏにＴａ２Ｏ５を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）層中のＴａ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は２８ａｔ％である。
【００６８】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１７ｄＢであった。
【００６９】
（実施例１１）
スパッタ装置内で２５０℃で基板加熱した後に、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００７０】
（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜は、ＣｏにＴａ２Ｏ５を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）層中のＴａ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は２８ａｔ％である。
【００７１】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１５ｄＢであった。
【００７２】
（実施例１２）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、２０ｎｍのＲｕ下地膜、（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００７３】
（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜は、ＣｏにＴａ２Ｏ５を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）層中のＴａ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は２８ａｔ％である。
【００７４】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｒｕ下地膜と（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１５ｄＢであった。
【００７５】
（実施例１３）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、５ｎｍのＴａ膜、１０ｎｍのＮｉＦｅＣｒ膜、２０ｎｍのＲｕ下地膜、（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００７６】
（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜は、ＣｏにＴａ２Ｏ５を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）層中のＴａ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は２８ａｔ％である。
【００７７】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層、Ｔａ膜およびＮｉＦｅＣｒ膜、について１０ｍｔｏｒｒ、Ｒｕ下地膜と（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１９ｄＢであった。
【００７８】
（実施例１４）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜と（Ｐｔ‐Ｔａ２Ｏ５）膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ‐Ｔａ２Ｏ５）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜の厚みは０．４４ｎｍ、（Ｐｔ‐Ｔａ２Ｏ５）膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００７９】
（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜および（Ｐｔ‐Ｔａ２Ｏ５）膜は、各々、ＣｏおよびＰｔにＴａ２Ｏ５を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）層中のＴａ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は２８ａｔ％、（Ｐｔ‐Ｔａ２Ｏ５）層中のＴａ濃度は１４ａｔ％、Ｏ濃度は３０ａｔ％である。
【００８０】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ‐Ｔａ２Ｏ５）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１９ｄＢであった。
【００８１】
（実施例１５）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、Ｃｏ膜と（Ｐｔ‐Ｔａ２Ｏ５）膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ／Ｐｔ‐Ｔａ２Ｏ５）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成するＣｏ膜の厚みは０．４４ｎｍ、（Ｐｔ‐Ｔａ２Ｏ５）膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００８２】
（Ｐｔ‐Ｔａ２Ｏ５）膜は、ＰｔにＴａ２Ｏ５を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｐｔ‐Ｔａ２Ｏ５）層中のＴａ濃度は１４ａｔ％、Ｏ濃度は３０ａｔ％である。
【００８３】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ／Ｐｔ‐Ｔａ２Ｏ５）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１６ｄＢであった。
【００８４】
（実施例１６）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｄ下地膜、（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００８５】
（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜は、ＣｏにＴａ２Ｏ５を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｐｔ‐Ｔａ２Ｏ５）層中のＴａ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は２８ａｔ％である。
【００８６】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｄ下地膜と（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１９ｄＢであった。
【００８７】
（実施例１７）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜とＰｄ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｄ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜の厚みは０．３５ｎｍ、Ｐｄ膜の厚みは０．６５ｎｍである。
【００８８】
（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜は、ＣｏにＴａ２Ｏ５を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）層中のＴａ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は２８ａｔ％である。
【００８９】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１８ｄＢであった。
【００９０】
（実施例１８）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｄ下地膜、（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜とＰｄ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｄ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜の厚みは０．３５ｎｍ、Ｐｄ膜の厚みは０．６５ｎｍである。
【００９１】
（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）膜は、ＣｏにＴａ２Ｏ５を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５）層中のＴａ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は２８ａｔ％である。
【００９２】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｄ下地膜と（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５／Ｐｄ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１８ｄＢであった。
【００９３】
（実施例１９）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ａｌ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ａｌ２Ｏ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ａｌ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００９４】
（Ｃｏ‐Ａｌ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＡｌ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ａｌ２Ｏ３）層中のＡｌ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は１８ａｔ％である。
【００９５】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ａｌ２Ｏ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１８ｄＢであった。
【００９６】
（実施例２０）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｇａ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｇａ２Ｏ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｇａ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【００９７】
（Ｃｏ‐Ｇａ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＧａ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｇａ２Ｏ３）層中のＧａ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は１８ａｔ％である。
【００９８】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｇａ２Ｏ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１７ｄＢであった。
【００９９】
（実施例２１）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｉｎ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｉｎ２Ｏ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｉｎ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【０１００】
（Ｃｏ‐Ｉｎ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＩｎ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｉｎ２Ｏ３）層中のＩｎ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は１８ａｔ％である。
【０１０１】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｉｎ２Ｏ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１７ｄＢであった。
【０１０２】
（実施例２２）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐ＧｅＯ２）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐ＧｅＯ２／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐ＧｅＯ２）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【０１０３】
（Ｃｏ‐ＧｅＯ２）膜は、ＣｏにＧｅＯ２を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐ＧｅＯ２）層中のＧｅ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は２３ａｔ％である。
【０１０４】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐ＧｅＯ２／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１８ｄＢであった。
【０１０５】
（実施例２３）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐ＳｎＯ２）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐ＳｎＯ２／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐ＳｎＯ２）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【０１０６】
（Ｃｏ‐ＳｎＯ２）膜は、ＣｏにＳｎＯ２を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐ＳｎＯ２）層中のＳｎ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は２３ａｔ％である。
【０１０７】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐ＳｎＯ２／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１８ｄＢであった。
【０１０８】
（実施例２４）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｓｂ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｓｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｓｂ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【０１０９】
（Ｃｏ‐Ｓｂ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＳｂ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｓｂ２Ｏ３）層中のＳｂ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は１７ａｔ％である。
【０１１０】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｓｂ２Ｏ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１７ｄＢであった。
【０１１１】
（実施例２５）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｂｉ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｂｉ２Ｏ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｂｉ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【０１１２】
（Ｃｏ‐Ｂｉ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＢｉ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｂｉ２Ｏ３）層中のＢｉ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は１７ａｔ％である。
【０１１３】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｂｉ２Ｏ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１８ｄＢであった。
【０１１４】
（実施例２６）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐ＺｎＯ）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐ＺｎＯ／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐ＺｎＯ）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【０１１５】
（Ｃｏ‐ＺｎＯ）膜は、ＣｏにＺｎＯを混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐ＺｎＯ）層中のＺｎ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は１１ａｔ％である。
【０１１６】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐ＺｎＯ／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１６ｄＢであった。
【０１１７】
（実施例２７）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐ＣｄＯ）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐ＣｄＯ／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐ＣｄＯ）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【０１１８】
（Ｃｏ‐ＣｄＯ）膜は、ＣｏにＣｄＯを混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐ＣｄＯ）層中のＣｄ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は１１ａｔ％である。
【０１１９】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐ＣｄＯ／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１６ｄＢであった。
【０１２０】
（実施例２８）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｃｒ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｃｒ２Ｏ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｃｒ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【０１２１】
（Ｃｏ‐Ｃｒ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＣｒ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｃｒ２Ｏ３）層中のＣｒ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は１８ａｔ％である。
【０１２２】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｃｒ２Ｏ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１８ｄＢであった。
【０１２３】
（実施例２９）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐ＭｏＯ２）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐ＭｏＯ２／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐ＭｏＯ２）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【０１２４】
（Ｃｏ‐ＭｏＯ２）膜は、ＣｏにＭｏＯ２を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐ＭｏＯ２）層中のＭｏ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は２３ａｔ％である。
【０１２５】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐ＭｏＯ２／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１７ｄＢであった。
【０１２６】
（実施例３０）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐ＭｏＯ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐ＭｏＯ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐ＭｏＯ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【０１２７】
（Ｃｏ‐ＭｏＯ３）膜は、ＣｏにＭｏＯ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐ＭｏＯ３）層中のＭｏ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は３５ａｔ％である。
【０１２８】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐ＭｏＯ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１８ｄＢであった。
【０１２９】
（実施例３１）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐ＷＯ２）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐ＷＯ２／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐ＷＯ２）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【０１３０】
（Ｃｏ‐ＷＯ２）膜は、ＣｏにＷＯ２を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐ＷＯ２）層中のＭｏ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は２３ａｔ％である。
【０１３１】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐ＷＯ２／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１７ｄＢであった。
【０１３２】
（実施例３２）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐ＷＯ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐ＷＯ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐ＷＯ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【０１３３】
（Ｃｏ‐ＷＯ３）膜は、ＣｏにＷＯ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐ＷＯ３）層中のＷ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は３５ａｔ％である。
【０１３４】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐ＷＯ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１８ｄＢであった。
【０１３５】
（実施例３３）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐ＶＯ２）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐ＶＯ２／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐ＶＯ２）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【０１３６】
（Ｃｏ‐ＶＯ２）膜は、ＣｏにＶＯ２を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐ＶＯ２）層中のＶ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は２２ａｔ％である。
【０１３７】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐ＶＯ２／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１６ｄＢであった。
【０１３８】
（実施例３４）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｖ２Ｏ５）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｖ２Ｏ５／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｖ２Ｏ５）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【０１３９】
（Ｃｏ‐Ｖ２Ｏ５）膜は、ＣｏにＶ２Ｏ５を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｖ２Ｏ５）層中のＶ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は２８ａｔ％である。
【０１４０】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｖ２Ｏ５／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１７ｄＢであった。
【０１４１】
（実施例３５）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐ＮｂＯ２）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐ＮｂＯ２／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐ＮｂＯ２）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【０１４２】
（Ｃｏ‐ＮｂＯ２）膜は、ＣｏにＮｂＯ２を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐ＮｂＯ２）層中のＮｂ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は２２ａｔ％である。
【０１４３】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐ＮｂＯ２／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１６ｄＢであった。
【０１４４】
（実施例３６）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｎｂ２Ｏ５）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｎｂ２Ｏ５／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｎｂ２Ｏ５）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【０１４５】
（Ｃｏ‐Ｎｂ２Ｏ５）膜は、ＣｏにＮｂ２Ｏ５を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｎｂ２Ｏ５）層中のＮｂ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は２８ａｔ％である。
【０１４６】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｎｂ２Ｏ５／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１７ｄＢであった。
【０１４７】
（実施例３７）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐ＴｉＯ２）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐ＴｉＯ２／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐ＴｉＯ２）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【０１４８】
（Ｃｏ‐ＴｉＯ２）膜は、ＣｏにＴｉＯ２を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐ＴｉＯ２）層中のＴｉ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は２４ａｔ％である。
【０１４９】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐ＴｉＯ２／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１７ｄＢであった。
【０１５０】
（実施例３８）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐ＺｒＯ２）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐ＺｒＯ２／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐ＺｒＯ２）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【０１５１】
（Ｃｏ‐ＺｒＯ２）膜は、ＣｏにＺｒＯ２を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐ＺｒＯ２）層中のＺｒ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は２４ａｔ％である。
【０１５２】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐ＺｒＯ２／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１６ｄＢであった。
【０１５３】
（実施例３９）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐ＨｆＯ２）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐ＨｆＯ２／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐ＨｆＯ２）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【０１５４】
（Ｃｏ‐ＨｆＯ２）膜は、ＣｏにＨｆＯ２を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐ＨｆＯ２）層中のＨｆ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は２４ａｔ％である。
【０１５５】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐ＨｆＯ２／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１６ｄＢであった。
【０１５６】
（実施例４０）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｙ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｙ２Ｏ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｙ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【０１５７】
（Ｃｏ‐Ｙ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＹ２Ｏ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｙ２Ｏ３）層中のＹ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は１８ａｔ％である。
【０１５８】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｙ２Ｏ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１７ｄＢであった。
【０１５９】
（実施例４１）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐ＭｇＯ）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐ＭｇＯ／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐ＭｇＯ）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【０１６０】
（Ｃｏ‐ＭｇＯ）膜は、ＣｏにＭｇＯを混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐ＭｇＯ）層中のＭｇ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は１１ａｔ％である。
【０１６１】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐ＭｇＯ／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１６ｄＢであった。
【０１６２】
（実施例４２）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐ＢａＯ）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐ＢａＯ／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐ＢａＯ）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【０１６３】
（Ｃｏ‐ＢａＯ）膜は、ＣｏにＢａＯを混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐ＢａＯ）層中のＢａ濃度は１３ａｔ％、Ｏ濃度は１１ａｔ％である。
【０１６４】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐ＢａＯ／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１５ｄＢであった。
【０１６５】
（実施例４３）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５・Ａｌ２Ｏ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５・Ａｌ２Ｏ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。ここで、Ｔａ２Ｏ５・Ａｌ２Ｏ３は、Ｔａ２Ｏ５とＡｌ２Ｏ３の混合酸化物を意味する。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５・Ａｌ２Ｏ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【０１６６】
（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５・Ａｌ２Ｏ３）膜は、ＣｏにＴａ２Ｏ５・Ａｌ２Ｏ３混合酸化物を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５・Ａｌ２Ｏ３）層中のＴａ濃度は６ａｔ％、Ａｌ濃度は７％、Ｏ濃度は１９ａｔ％である。
【０１６７】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ５・Ａｌ２Ｏ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１５ｄＢであった。
【０１６８】
（実施例４４）
基板加熱なしの条件で、ガラス基板上に、２００ｎｍのＣｏＴａＺｒ軟磁性層、１０ｎｍのＰｔ下地膜、（Ｃｏ‐ＢａＴｉＯ３）膜とＰｔ膜とを交互に１５層多層積層した（Ｃｏ‐ＢａＴｉＯ３／Ｐｔ）１５記録層を順次成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。なお、多層積層記録層を構成する（Ｃｏ‐ＢａＴｉＯ３）膜の厚みは０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜の厚みは０．２６ｎｍである。
【０１６９】
（Ｃｏ‐ＢａＴｉＯ３）膜は、Ｃｏに複合酸化物であるＢａＴｉＯ３を混合したターゲットを用いたＲＦマグネトロン・スパッタ法で成膜し、得られた（Ｃｏ‐ＢａＴｉＯ３）層中のＢａ濃度は６ａｔ％、Ｔｉ濃度は６％、Ｏ濃度は１６ａｔ％である。
【０１７０】
また、各成膜時のスパッタガス圧は、ＣｏＴａＺｒ軟磁性層について１０ｍｔｏｒｒ、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ‐ＢａＴｉＯ３／Ｐｔ）１５膜についてはともに５６ｍｔｏｒｒである。
このようにして得られた垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎは１４ｄＢであった。
【０１７１】
以上の実施例１〜４４の結果を纏めたものが表１および２である。なお、この表において酸化物の金属元素をＭで表記した。
【０１７２】
【表１】
2004206805.tif 000003
【０１７３】
【表２】
2004206805.tif 000004
【０１７４】
実施例６の磁気記録媒体以外の何れの磁気記録媒体のＳ／Ｎも１１〜１９ｄＢと高く、媒体ノイズの低減化が実現されている。
【０１７５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、多層積層記録層をスパッタ成膜する際のターゲット中に予めＴａなどの酸化物を添加しておきＡｒをスパッタガスとして成膜することとし、記録層中の結晶粒界に偏析する添加元素量を大きくして結晶粒子間の間隔を広げて結晶粒子間の磁気的相互作用のエネルギを減少させることとしたので、媒体ノイズの低減化を図りつつ面記録密度の増大化を可能とする磁気記録媒体およびその製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体の構成例を説明するための図である。
【図２】本発明の方法で成膜した記録層を備える磁気記録媒体のＳ／ＮとＣｏ層中のＴａ濃度の関係を説明するための図である。
【符号の説明】
１１  ガラス基板
１２  ＣｏＴａＺｒ軟磁性層
１３  Ｐｔ下地層
１４  多層積層記録層
１４ａ  （Ｃｏ‐Ｔａ２Ｏ３）膜
１４ｂ  Ｐｔ膜
１５  カーボン保護層
【図１】
2004206805.tif 000005
【図２】
2004206805.tif 000006