(57)【要約】【課題】視野角依存性のない、光透過効率のよい、コントラストが高い表示装置であって、しかも環境に優しく光反射のない表示装置を提供する。【解決手段】対向する１対の磁石と、対向する１対の電極と、対向する１対の仕切壁とで液体封止セルを構成し、前記電極の少なくとも一方を透明電極とし、前記電極の一部をシエード部で覆い、かつ該液体封止セルの容積の略半分の量の遮光性導電性の液体もしくは液体に準ずる状態の物体を該液体封止セル内に封止した。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する１対の磁石と、対向する１対の電極と、対向する１対の仕切壁とで液体封止セルを構成し、前記電極の少なくとも一方を透明電極とし、前記電極の一部をシエード部で覆い、かつ該液体封止セルの容積の略半分の量の遮光性導電性の液体もしくは液体に準ずる状態の物体を該液体封止セル内に封止したことを特徴とする光シャッター。
【請求項２】
前記１対の電極間の間隔が狭い部位と広い部位とから構成し、前記間隔の狭い部位は面積が広く、前記間隔の広い部位は面積が狭く、両者の容積は略等しいことを特徴とする請求項１記載の光シャッター。
【請求項３】
前記液体封止セルの背部に設けられたバックライト、若しくは前記液体封止セルの側部に設けられた光源および該光源の光を背部に導光する導光板、又は前記液体封止セルの前面からの入射光を前記液体封止セルの下面で反射させる反射板を備えたことを特徴とする請求項１又は２記載の光シャッター。
【請求項４】
前記遮光性導電性液体の移動によって圧縮される媒体が逃げることのできるバイパスを有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の光シャッター。
【請求項５】
前記シェード部又は前記磁石の裏側に少なくとも１つ以上の電流駆動回路を作製したことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の光シャッター。
【請求項６】
前記遮光性導電性液体の周囲には、該遮光性導電性液体と交じり合わなくかつローレンツ力による〈導電液体＋充填物〉系全体の移動を阻害するほどの高粘性ではない絶縁性の気体又は液体を充填したこと特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の光シャッター。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項記載の光シャッターを複数個平面上に配置し、該光シャッターの各電極にそれぞれワード線およびビット線を接続したこと特徴とする画像表示装置。
【請求項８】
請求項７記載の画像表示装置における前記光シャッターを３個毎に分け、それぞれにＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）用のカラーフィルタを前記液体封止セルの前面又は背面に設けたこと特徴とするフルカラー画像表示装置。
【請求項９】
前記遮光性導電性液体の移動中に任意の位置で前記遮光性導電性液体への供給電流を遮断することにより、光遮蔽を面積変調で遮蔽して光透過量を制御し階調表現を行うことを特徴とする請求項７又は８記載の画像表示装置。
【請求項１０】
前記遮光性導電性液体の移動運動を高周波で行なわせ、時間変調により単位時間当たりの光透過量を制御し階調表現を行うことを特徴とする請求項７又は８記載の画像表示装置。
【請求項１１】
対向する１対の磁石と、対向する１対の電極と、対向する１対の仕切壁とで液体封止セルを構成し、前記磁石の少なくとも一方を透明磁石とし、前記磁石の一部をシエード部で覆い、かつ該液体封止セルの容積の略半分の量の遮光性導電性の液体もしくは液体に準ずる状態の物体を該液体封止セル内に封止したことを特徴とする光シャッター。
【発明の属する技術分野】
本発明は着色導電性液体をローレンツ力で駆動することにより得られる画像表示装置に関する。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【従来技術】
フラットパネル型ディスプレイ（ＦＰＤ）の主流である液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）技術はいまや周知の技術となっている。（例えば、非特許文献１参照）。
【０００２】
【非特許文献】
「液晶ディスプレイ」（大越孝敬著、１９８５、昭晃堂）
【０００３】
ＬＣＤは液体の流動性と固体（結晶）の光学的性質を併せ持つ特性を応用した表示装置であり、これは２枚のガラス板の間に液晶状態の物質を封入し、電圧をかけることによって液晶分子の向きを変え、光の透過率を増減させることで像を表示するものである。液晶自体は発光せず、明るいところでは反射光を、暗いところでは背後に仕込んだ蛍光燈（バックライト）の光を使って表示を行なっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ＬＣＤは偏光原理による光シャッティングのため、（１）液晶表示装置は偏光原理により透過光量を制御し画像情報を構築しているため、観測者からの視角依存性が大きい。（２）液晶表示装置はカラーフィルタや偏光板等により光透過率が著しく低減されるため、高輝度化が難しい。（３）液晶表示装置は偏光原理に基づき光遮蔽を行うため光漏れが生じる。このため高コントラスト化が難しい。という問題が生じた。
【０００５】
また、水銀をシャッタ用液体として用い、これに磁場をかけておき、これと直交する方向に電流を流すことにより、フレミングの左手の法則によって水銀を移動させて光の通過・遮断を行うものが知られている。
しかしながらこれは光導波路の途中に配置した水銀をローレンツ力で駆動することにより単に光導波路へ光を通過させたり遮断させるものであり、表示装置を示唆するものではない。しかも水銀を使用するものであるため、破損した場合に環境にとって大きな問題がある。また、仮にこの考えを表示装置に採用したとしても、水銀は光を反射するため黒表示をしたいときに反射光が出てしまいコントラストが良くないので表示装置としては好ましいものではなく、また、重量もかなり重いものになってしまうという大きな欠点があった。
【０００６】
本発明の目的はこれらの問題をすべて解決するもので、視野角依存性のない、光透過効率のよい、コントラストが高い表示装置であって、しかも環境に優しく光反射のない軽量化できる表示装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１記載の光シャッターの発明によれば、対向する１対の磁石と、対向する１対の電極と、対向する１対の仕切壁とで液体封止セルを構成し、前記電極の少なくとも一方を透明電極とし、前記電極の一部をシエード部で覆い、かつ該液体封止セルの容積の略半分の量の遮光性導電性の液体もしくは液体に準ずる状態の物体を該液体封止セル内に封止したことを特徴とする。
このような構成にすることにより、偏光板を用いることがなくなるので視野角依存性のない、光透過効率のよい、コントラストが高い表示装置となり、しかも水銀を用いない光シャッターであるので環境に優しく光反射のない軽量の表示装置が得られる。
【０００８】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の光シャッターにおいて、前記１対の電極間の間隔が狭い部位と広い部位とから構成し、前記間隔の狭い部位は面積が広く、前記間隔の広い部位は面積が狭く、両者の容積は略等しいことを特徴とする。  このような構成にすることにより、開口率を５０％以上に大きくでき、開口率５０％の光シャッタと比べて、明るい表示が行えるようになる。
【０００９】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の光シャッターにおいて、前記液体封止セルの背部に設けられたバックライト、若しくは前記液体封止セルの側部に設けられた光源および該光源の光を背部に導光する導光板、又は前記液体封止セルの前面からの入射光を前記液体封止セルの下面で反射させる反射板を備えたことを特徴とする。
このような構成にすることにより、バックライト、サイドライト、フロントライトであれば暗いところでも見ることができ、外部光であれば省エネの表示装置が得られる。前者と後者を併合することにより、それぞれ両者の長所を用いることができるようになり、明るいところでは外部光を、暗いところではライトを用いることができる。
【００１０】
請求項４記載の発明は、請求項１〜３のいずれか１項記載の光シャッターにおいて、前記遮光性導電性液体の移動によって圧縮される媒体が逃げることのできるバイパスを有することを特徴とする。
このような構成にすることにより、遮光性導電性液体は空気を圧縮することが起きなくなるので、押し戻されることもなくなり、圧力差も生じないのでスムーズな移動ができるようになる。
【００１１】
請求項５記載の発明は、請求項１〜４のいずれか１項記載の光シャッターにおいて、前記シェード部又は前記磁石の裏側に少なくとも１つ以上の電流駆動回路を作製したことを特徴とする。
このような構成にすることにより、シェード部の直下又は磁石の裏側に配置することで、開口率を低減させることなく駆動回路の付加が可能となる。
【００１２】
請求項６記載の発明は、請求項１〜５のいずれか１項記載の光シャッターにおいて、前記遮光性導電性液体の周囲には、該遮光性導電性液体と交じり合わなくかつローレンツ力による〈導電液体＋充填物〉系全体の移動を阻害するほどの高粘性ではない絶縁性の気体又は液体を充填したこと特徴とする。
このようにすることにより、遮光性導電性液体の位置固定を確実に行うことができるようになる。
【００１３】
請求項７記載の画像表示装置の発明は、請求項１〜６のいずれか１項記載の光シャッターを複数個平面上に配置し、該光シャッターの各電極にそれぞれワード線およびビット線を接続したこと特徴とする。
このような構成にすることにより、アクティブマトリクス駆動を行うことが可能となる。
【００１４】
請求項８記載のフルカラー画像表示装置の発明は、請求項７記載の画像表示装置における前記光シャッターを３個毎に分け、それぞれにＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）用のカラーフィルタを前記液体封止セルの前面又は背面に設けたこと特徴とする。
このような構成にすることにより、簡単な構成でカラーディスプレーを作ることが可能となる。
【００１５】
請求項９記載の発明は、請求項７又は８記載の画像表示装置において、前記遮光性導電性液体の移動中に任意の位置で前記遮光性導電性液体への供給電流を遮断することにより、光遮蔽を面積変調で遮蔽して光透過量を制御し階調表現を行うことを特徴とする。
このような構成にすることにより、０％〜１００％の範囲内で連続的に面積変調を行うことが可能となる。
【００１６】
請求項１０記載の発明は、請求項７又は８記載の画像表示装置において、前記遮光性導電性液体の移動運動を高周波で行なわせ、時間変調により単位時間当たりの光透過量を制御し階調表現を行うことを特徴とする。
このような構成にすることにより、０％〜１００％の範囲内で連続的に面積変調を行うことが可能となる。
【００１７】
請求項１１記載の光シャッターの発明は、対向する１対の磁石と、対向する１対の電極と、対向する１対の仕切壁とで液体封止セルを構成し、前記磁石の少なくとも一方を透明磁石とし、前記磁石の一部をシエード部で覆い、かつ該液体封止セルの容積の略半分の量の遮光性導電性の液体もしくは液体に準ずる状態の物体を該液体封止セル内に封止したことを特徴とする。
このような構成にすることにより、偏光板を用いることがなくなるので視野角依存性のない、光透過効率のよい、コントラストが高い表示装置となし、しかも水銀を用いない光シャッターであるので環境に優しく光反射のない軽量の表示装置が得られる。
【００１８】
その他、前記光シャッターに用いられる遮光性導電性液体が、透明電極との濡れ性が悪いものであるのがよく、接触角θで表せば、θ＞１０°以上のもの、望ましくはθ＞６０°以上、さらに好ましくはθ＞９０°以上のものがよい。
このような構成にすることにより、経時によらず遮光性導電性液体が透明電極の上をベトつかずにサラサラに移動することとなる。
【００１９】
以上のように、このように本発明によれば、流体の駆動力には電場・磁場の直行相関関係より誘起されるローレンツ力を用いて、物理的に流体をセル内で駆動（移動）させることにより光シャッターを構成し、透過光量制御を行うものであるため、次のような長所が得られる。
（１）偏光原理を用いないため視野角依存性が生じない。
（２）シャッター流体の遮光性により光を遮蔽制御しているため良好なコントラストが得られる。
（３）偏光フィルタ不要のため光透過率が著しく向上する。
（４）また、水銀を使用しないため、環境に優しく、光反射のなく、軽量化できる表示装置が得られる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について、図面に基づいて詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
まず、本発明の第１の実施の形態に係る光シャッターの構成について図１および図２に基づいて説明する。
図１は液体封止セルの構成を示す１例で、（ａ）は一方向通電時の斜視図、（ｂ）図１のＡ−Ａ断面矢視図を示している。
図２は図１で流す電流方向と逆方向に通電した時の斜視図（ａ）と図２のＡ−Ａ断面矢視図（ｂ）を示している。
図１および２において、１１は液体封止セル、１２は永久磁石（１２Ｌは図で左側、１２Ｒは図で右側の各永久磁石を指す。）、１３はビット線、１４はワード線、１７は透明電極（１７ｕは図で上側、１７ｄは図で下側の各透明電極を指す。）、１８は光を遮蔽するシエード部である。なお、図の手前側と奥側にはセル１１の仕切壁が設けられているが、見易くするためにここでは除去して描いている。
【００２１】
上側電極１７ｕと下側電極１７ｄの間隔は封入した流体のＯＤ値が２以上となる最小厚さ以上であればよく、最低限１μｍ以上、最高ではセル幅・ピッチと対応してアスペクト比が極端にならない厚さとして最大１ｍｍ以下としている。
そして、Ｗは上下の各透明電極１７ｕ、１７ｄ、左右の各永久磁石１２Ｒ、１２Ｌ、前後の各仕切壁で囲まれたセル中に、そのセル容積の半分の量が封止された遮光性のある導電性液体である。セル内の上下方向の間隔は導電性液体が毛細管現象を生じうる間隔としてある。
【００２２】
上部の透明電極１７ｕにはビット線１３が、また下部の透明電極１７ｄにはワード線１４が接続されていて、一方から他方へ、またその逆の電流を流し、これにより途中の遮光性導電性液体Ｗを通過する仕組みとなっている。
そして、永久磁石１２Ｌおよび１２ＲはそれぞれＮＳを備えているから、同一方向へ磁場が向くような極性にＮＳの向きを揃えて配置され、かつその磁場Ｂの向きを透明電極１７ｕ、１７ｄ面の法線方向と直交方向に向くように配置されている。
なお、磁場Ｂの発生には永久磁石の代わりに電磁コイルを用いてももちろん良い。
【００２３】
次に、この第１の実施の形態に係る光シャッターの動作原理について説明する。
今、図１（ａ）のように、磁場Ｂが左から右方向に向いているとき、電流Ｉをビット線１３→上部透明電極１７ｕ→遮光性導電性液体Ｗ→下部透明電極１７ｄ→ワード線１４に流すと、遮光性導電性液体Ｗにはフレミングの左手の法則により力Ｆ１が図示の方向に働き、その結果図示のように遮光性導電性液体Ｗは図の手前側に移動することとなる。これにより遮光性導電性液体Ｗはセル内の手前側半分の容積を占め、またセルの奥側半分はシエード部１８で覆われているので、結局セル全体が遮光作用を機能することになり、バックライト１６（図３参照）の光は遮られて、上方へ届かない。
【００２４】
図１（ｂ）はこの状態を示す断面図である。
図１（ｂ）からわかるように、遮光性導電性液体Ｗはセル内の左側半分の容積を占めるためバックライト光Ｌ１はここで遮光され、またセルの右側半分はシエード部１８で覆われているのでバックライト光Ｌ２はここでも遮光され、結局セル全体が遮光作用を機能することになり、バックライト１６（図３）の光は遮られて、上方へ届かない。したがって、観察者の目には、暗く見える。
【００２５】
一方、図２（ａ）のように、磁場Ｂが左から右方向へ向いているとき、電流Ｉをワード線１４→下部透明電極１７ｄ→遮光性導電性液体Ｗ→上部透明電極１７ｕ→ビット線１３に流すと、フレミングの左手の法則により、遮光性導電性液体Ｗのは図のＦ２方向にローレンツ力が働き、図で奥側に移動する。これにより遮光性導電性液体Ｗはセル内の奥側半分の容積を占めてセルの奥側半分にあるシエード（光遮蔽）部１８内に収納され、セルの手前半分が透過作用を機能することになり、バックライト１６（図３）の光は透明電極１７ｄ、１７ｕを介して上方へ通過する。
【００２６】
図２（ｂ）はこの状態を示す断面図である。
図２（ｂ）からわかるように、遮光性導電性液体Ｗはセル内の左側から右側へ移るため、左側には遮光性液体は無くなりる。したがって、バックライト光Ｌ１は透明電極１７ｄ、１７ｕを通って上方へ通過する。それ故、観察者の目には明るく見える。
【００２７】
そこでこのような光シャッター１０を平面上に多数個２次元的に配置し、表示したい光シャッター１０のみを図２のモードに選択し、その他の画素を図１のモードとすることにより、選択された光シャッター１０には所定方向に電流が流れて透光となり、選択されない光シャッター１０には逆方向に電流が流れて遮光となる。このように透光と遮光の混じる光シャッターによって、画像表示が可能となる。
【００２８】
図３は本発明に係る光シャッターを多数平面上に配置して成るマトリクス型画像表示装置の概念斜視図である。
図３において、１００はマトリクス型画像表示装置、１０は光シャッター、１１は本発明に係る液体封止セル、１２は永久磁石、１３はビット線、１３Ｄはビットドライバ、１４はワード線、１４Ｄはワードドライバ、１５はスイッチング回路、１６はバックライトである。
この画像表示装置は二次元マトリクス状に複数の光シャッター１０に区分され、各光シャッター１０で１画素が構成されている。例えば６４０×４００ドットの表示容量を実現するためには、そのドット数分の光シャッター１０が配列されている。各光シャッター１０の構造は前述のとおりである。
光シャッター１０の下方ではバックライト１６が光シャッター１０に向けて発光している。
【００２９】
次に、図３のマトリクス型画像表示装置の動作原理について説明する。
スイッチング制御回路１５の制御にしたがって、各ビットドライバ１３Ｄとワードドライバ１４Ｄから表示しようとする画素（光シャッター）１０のビット線１３とワード線１４を選択し、一方の透明電極から他方の透明電極へと電流を流すようにし、他の画素（光シャッター）１０のビット線１３とワード線１４からはその逆方向に電流を流すようにする。
このようにすると、選択されたビット線１３とワード線１４の間にある光シャッター１０は透光モードとなり、光シャッター１０の下方で発光するバックライト１６からの光は上方に到達する。その他の光シャッター１０は遮光モードとなっている。これによって画像表示が可能となる。
【００３０】
各光シャッター１０の駆動を単純マトリクス型で行う場合には、各光シャッター１０毎に専用のワード線を設け、ビット線は共通線として設けておく。
そして例えば、ビット線には１／２Ｈボルトの共通電位を与えておき、一方、ワード線は透光させたい光シャッター１０の専用ワード線に高電圧Ｈボルトを与え、遮光させたい光シャッター１０の専用ワード線には低電圧０ボルトを与える。これにより、選択された光シャッター１０には所定方向に電流が流れ、選択されない光シャッター１０には逆方向に電流が流れ、これによって透光と遮光の混じる画像表示が可能となる。
【００３１】
また、各光シャッター１０の駆動をアクティブマトリクス型で行う場合には、各行の光シャッター１０に共通のワード線を設け、かつ各列の光シャッター１０に共通のビット線を設ける。
そして、あるビット線に接続されている全ての光シャッター１０のうち、透光させたい光シャッター１０の属するワード線に高電圧Ｈボルトを与え、残りの光シャッター１０の属するワード線には低電圧０ボルトを与えておく。これによって、そのビット線に例えば１／２Ｈボルトの電圧を瞬間与えると、その瞬間だけ、選択された光シャッター１０は透光モードとなり、選択されない光シャッター１０は遮光モードとなり、これによってその列について透光と遮光の混じる画像表示がなされる。
次に、隣の列のビット線についてもこれと同じことを行うと、隣の列列について透光と遮光の混じる画像表示がなされる。
以下、順次、各ビット線について同じことを行うと、各列について透光と遮光の混じる画像表示がなされる。
したがって、これを残像期間より短い高周波（例えば１秒間に３０回以上）で繰り返すことにより、人間の目には連続表示がなされているように感じられる。
【００３２】
ここで通電量と駆動力の関係について考察しておく。
磁場Ｂの下で透明電極１７ｕ、１７ｄ間に電圧を印加して、遮光性導電性液体Ｗに電流Ｉを流すとき、電極間距離をｄとすると、遮光性導電性液体Ｗには式（１）のローレンツ力Ｆが加わる。
Ｆ＝Ｉ×Ｂ×ｄ  ・・・（式１）
また、電圧印加方向を逆転させ、電流方向を反転させることでローレンツ力Ｆの方向を反転させることができる。
この一軸性のローレンツ力Ｆが遮光性導電性液体Ｗの移動の駆動力となり、光シャッター１０内の表面効果（液体の流れは全体的には近似的に表層流が支配的となり、流体を位置固定する）との兼ね合いから、遮光性導電性液体Ｗの移動途中に印加電圧を除去することにより、その位置で遮光性導電性液体Ｗが固定されるため濃度制御をすることができる。
【００３３】
ローレンツ力Ｆの大きさは少なくとも導電液体の重量よりも大きく、液体の表面張力エネルギー、摩擦力を打ち破る大きさである必要がある。重量は十分に液滴が小さいことから、また摩擦力は液体の移動速度が小さいことから無視することが可能である。
【００３４】
表面張力σの大きさは７３ｄｙｎｅ／ｃｍ（＝７．３×１０−２Ｎ／ｍ）程度でこれ以上大きな表面張力を持つ液体は一般に水銀の４７５ｄｙｎｅ／ｃｍ（＝４．７５×１０−１Ｎ／ｍ）であるが、形状が変化しない場合は表面張力エネルギー差は生じない。
【００３５】
次に、各構成要素の構成材料等について説明する。
［使用する遮光性導電性液体］
使用する遮光性液体Ｗは電子伝導性能であることが望まれる。また、高コントラスト画像を得るためには光吸収・遮光性能が高い黒色液体が望まれる。例えば液厚さ（即ち電極間距離）１μｍ程度で完全遮光するほどの遮光能力を持つことが望まれるが、液体封止セル１１のアスペクト比（画像の縦と横の長さの比、すなわちピクセル数の比）が極端に大きくなるほどの厚さとならなければ事実液厚さが厚くなっても問題ない。
【００３６】
また遮光性導電性液体Ｗは透明電極面との濡れ性が悪く、多数回（望ましくは１０の１０乗回〜１０の１２乗回）以上の液体運動においても電極面端部に残液滴等が残らないという電極面との組み合わせの材料が望まれる。ここで言う「濡れ性が悪い」とは、いわゆる接触角をθとすると、θ＞１０°以上のものを意味しており、望ましくはθ＞６０°以上、さらに好ましくはθ＞９０°以上のものである。例えば、導電性付与材（銀粉、酸化銀、硝酸銀、銀の有機化合物、銅粉、ニッケル粉、カーボンブラック等）と、粘結剤（エチルセルロース，フェノール樹脂，アクリル樹脂等の合成樹脂、低融点ガラス粉、ホウ酸鉛、ケイ酸鉛、植物油等）と、溶剤（アセトン、セロソルブ誘導体、酢酸エチル、ケトン類、ベンゼン、トルエン、塩化エチレン等）とを混ぜたものがあげられる。
【００３７】
［使用する磁石］
使用する磁石は磁場の大きさは液体封止セル１１内部に０．０１〜０．３Ｔ（テスラー）の磁場を発生させることができる永久磁石または電磁石でよいが、それ以上の大きな磁場になればなるほど少ない電流量で大きなローレンツ力を発生できるから、使用する磁石としては、０．３Ｔ以上の大きな磁場を発生させることができる永久磁石または電磁石であることがより望ましい。ただし、導電度が大きい遮光性導電性液体Ｗを用い、通電量を大きくできる場合はこれに限らず、相当小さな磁場であっても良い。
【００３８】
［使用する電極］
表示部の電極は、図３のように透過光を用いる場合は、電極１７には透明物質を用いるのが望ましい。しかし反射光を用いる場合、下部電極については透明でなくとも良い。これについては後述する。
【００３９】
［表示画素］
単色表示の場合、一液体封止セル１１以上が一画素に相当する。
フルカラー表示を行う場合はＲ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタを持つ最低限三液体封止セル１１が一画素分に相当するよう配置するが、フルカラー表示でない場合は、二液体封止セル１１以上をもって一画素としても良い。
【００４０】
［画素配置］
画素配置の方法は図３の配置法に限らず、円形やハニカム形状などであってもよく、またＲ，Ｇ，Ｂ配置の配置順序もカラー表示が得られる配置順序（Ｒ，Ｇ，Ｂ３原色の重ね合せができる順序）であればよい。またＲ，Ｇ，Ｂの面積・個数比は等比でなくともよくフィルタ設計等により可変であり、例えば市松模様等の複雑な配置であってもよい。
【００４１】
また、永久磁石はスクリーン印刷、観察側の透明電極は張り合わせ法、遮光性導電性液体の各液体封止セルへの配置は、インクジェット法でそれぞれ行うのがよい。
【００４２】
［第２の実施の形態］
図４は第２の実施の形態に係る光シャッター１０’の構成を示す縦断面図を示している。図１及び図２の各（ｂ）の縦断面図と比べて分かるように、図１及び図２の液体封止セル１１の筺体構造は上面と下面の間隔が全長に亘って同一間隔であるのに対して、図４の液体封止セル１１’では液体封止セルの上面が二段構成となっている点が特徴である。すなわち、図（ａ）のセルの左側は上下電極の間隔がｈ１と狭く、幅がｌ１と長くなっており、一方、セルの右側は上下電極の間隔がｈ２と広く、幅がｌ２と短くなっている。
そして、幅の狭いセル側の容積（ｈ１×ｌ１）と幅の広いセル側の容積（ｈ２×ｌ２）とは等しく、かつこの容積分の遮光性導電性液体がこの中に封止されている。また、セルの右側の幅広部分の上部電極１７ｕは、シエード部１８で覆われている。
その他の構成は図１及び図２と同じである。
【００４３】
そこで、この光シャッター１０’の動作原理は図１（ａ）と同じであるので、、図１（ａ）を援用して簡単に説明する。
磁場Ｂが左から右方向へ向いているとき、電流Ｉを上部透明電極１７ｕ→遮光性導電性液体Ｗ→下部透明電極１７ｄに流すと、遮光性導電性液体Ｗにはフレミングの左手の法則によりローレンツ力が働き、その結果図４（ａ）のように遮光性導電性液体Ｗはセル内の左側へ移動し、そこから長さｌ１までの範囲を占める。
また、セルの右側から長さｌ２までの範囲はシエード部１８で覆われているので、結果的に下からのバックライト光は長さｌ１とｌ２までの範囲すべてに亘って遮光される。したがって、観察者の目には、暗く見える。
【００４４】
一方、図２（ａ）のように、磁場Ｂが左から右方向へ向いているとき、電流Ｉを下部透明電極１７ｄ→遮光性導電性液体Ｗ→上部透明電極１７ｕに流すと、フレミングの左手の法則により、遮光性導電性液体Ｗには図４（ｂ）の右方向にローレンツ力が働き、その結果図示のように遮光性導電性液体Ｗはセル内の左側の長さｌ１範囲から右側の長さｌ２範囲の方へ移動する。したがって、下からのバックライト光はセル内の左側の長さｌ１範囲に亘って透明電極１７ｄ、１７ｕを透過する。したがって、観察者の目には、明るく見える。
【００４５】
そこでこのような光シャッター１０’を平面上に多数配置し、表示したい光シャッター１０’のみ図（ｂ）のモードを選択し、その他の光シャッター１０’を図（ａ）のモードとすることにより、選択された光シャッター１０’には所定方向に電流が流れ、選択されない光シャッター１０’には逆方向に電流が流れ、これによって透光と遮光の混じる画像表示が可能となる。
しかも、第２の実施の形態によって透光範囲ｌ１＞遮光範囲ｌ２となっているので開口率を５０％以上に大きくでき、図１及び図２の開口率５０％の光シャッタと比べて、明るい表示が行えるようになる。
【００４６】
［第３の実施の形態］
第３の実施の形態について図５に基づいて説明する。
第３の実施の形態の説明には、開口率が大きい図４の光シャッターを例に説明するが、第３の実施の形態はもちろんこれに限定されるものではない。
図５は図４の光シャッターを用いた第３の実施の形態の縦断面図で、光透過開口面積に対する各透過口面積の比は、（ａ）が１００％、（ｂ）が７５％、（ｃ）が２５％、（ｄ）が０％となっている。
これは磁場の下、電流を透明電極１７ｕ、１７ｄ間に流すと遮光性導電性液体Ｗにはフレミングの左手の法則によりローレンツ力が働き、その結果遮光性導電性液体Ｗはセル内を移動し始める。
【００４７】
今、仮に図（ａ）の状態（開口率１００％）から図（ｄ）の状態（開口率０％）に移動開始するとすると、第３の実施の形態では、遮光性導電性液体Ｗ１の移動中に任意の位置（時刻ｔ２）で遮光性導電性液体Ｗ２への供給電流を遮断することにより遮光性導電性液体Ｗ１にローレンツ力を働かなくして、その移動途中の状態で遮光性導電性液体Ｗ１を静止させるものである。このことにより（ｂ）の７５％の面積変調が可能となる。
同じく、遮光性導電性液体Ｗ１の移動中のある位置（時刻ｔ３）で遮光性導電性液体Ｗ３への供給電流を遮断することにより、（ｃ）の２５％の面積変調が可能となる。
このような面積変調の７５％や２５％は一例であり、第３の実施の形態によれば、電流の通電制御を細かく行うことにより、０％〜１００％の範囲内で連続的に面積変調を行うことが可能となる。
【００４８】
［第４の実施の形態］
第４の実施の形態は、同じく階調制御に関するもので、これは遮光性導電性液体の移動運動を高周波で行なわせ、時間変調により単位時間当たりの光透過量を制御することで階調表現を行うものである。
すなわち、前述のアクティブマトリクス型の場合、１セルにつき１秒間で仮に１００回表示を繰り返すものとするとき、開口率７５％の階調を出すには第３の実施の形態では１００回とも遮光性導電性液体Ｗ２を図５（ｂ）の状態にもっていったが、第４の実施の形態では１００回の表示のうち、７５回を図５（ａ）の１００％モードにし、残りの２５回を図５（ｄ）の０％モードにして、トータルで７５％にするものである。この場合、フリクション（ちらつき）を回避するためには、なるべく１００％モードの３回に０％モードの１回の短い時間単位でこれを繰り返すのがよい。
【００４９】
第４の実施の形態で開口率５０％の階調を出すには、１００％モードの１回と０％モードの１回とを短時間で繰り返すようにすればよい。
開口率２５％の階調を出すには、１００％モードの１回と０％モードの３回とを短時間で繰り返すようにすればよい。
また、開口率２０％の階調を出すには、１００％モードの１回と０％モードの４回とを短時間で繰り返すようにすればよい。
開口率１０％の階調を出すには、１００％モードの１回と０％モードの９回とを短時間で繰り返すようにすればよい。
以上のように、第４の実施の形態によれば、遮光性導電性液体の移動運動を高周波で行なわせ、時間変調により単位時間当たりの光透過量を制御することで階調表現を行うことができることとなる。
【００５０】
［第５の実施の形態］
図６は本発明の第５の実施の形態に係る光シャッターを説明する平面概略図である。図において、６０は第５の実施の形態に係る光シャッター、６１は液体封止セル、６２は永久磁石（６２Ｌは図で左側永久磁石、６２Ｒは図で右側の永久磁石を指す。）、６８はシエード部、Ｗはセル中に封止された遮光性導電性液体である。
２０は第５の実施の形態により設けられたバイパス路で、遮光性導電性液体Ｗを挟んで、矢印の向かう進行方向のセル先端部２０ａからセルの側部２０ｂを通ってセル後端部２０ｃへ通じる通路である。
【００５１】
次に、この光シャッター６０の動作原理について説明する。
永久磁石６２Ｒ、６２Ｌによって左から右方向に形成された磁場の下に、遮光性導電性液体Ｗに電流を紙面の裏から紙面の表へ流すと、遮光性導電性液体Ｗは図の上方（矢印方向）へ移動を開始する。このとき、バイパス路２０のない先行実施形態の光シャッター１０や１０’であれば、遮光性導電性液体Ｗは進行方向前方にあるセル６１内の空気を圧縮しながら進まなければならず、押し返されてして移動がスムーズに行かなかったが、本実施の形態に係る光シャッター６０では、進行方向前方にあるセル６１内の空気はセル先端部２０ａからセルの側部２０ｂを通ってセル後端部２０ｃへ回り込むので、セル内に圧力差がなくなり遮光性導電性液体Ｗはスムーズに移動することができるようになる。したがって、画像表示の高速化が可能となる。
【００５２】
［第６の実施の形態］
上記各実施の形態で、液体封止セルの中には遮光性導電性液体Ｗと空気が封入されていたが、本発明の第７の実施の形態としては、この空気の代わりに、遮光性導電性液体Ｗと交じり合わなく（例えば、水と油のような関係にあるもの）かつそれよりも流動移動特性が高い絶縁性の気体又は液体を充填すること特徴としている。流動移動特性が高い絶縁性の気体又は液体の例としては、たとえば、出光の不水溶性潤滑油やＳｈｅｌｌ  Ｔｅｌｌｕｓ  Ｏｉｌ  Ｃ５のような低粘度（動粘度３．８ｃｐ＠４０℃）オイル、ＮＴＴが熱毛管光スイッチ等に用いているようなシリコーンオイル（粘度１０ｃｐ、「ＮＴＴ  Ｒ＆Ｄ」Ｖｏｌ．５１，Ｎｏ．１１，２００２，ｐ８７３）などが挙げられる。なお、粘度単位のｃｐの例としては、Ｈ２Ｏの場合１ｃｐであり、一般的グリセリン等が１０００−１５００ｃｐである。
このようにすることにより、遮光性導電性液体の位置固定を確実に行うことができる。
【００５３】
［第７の実施の形態］
図７は第７の実施の形態に係るもので、多数の光シャッターから成るマトリクス型画像表示装置の平面概略図で、（ａ）は図３に記載したマトリクス型画像表示装置、（ｂ）は第７の実施の形態に係るマトリクス型画像表示装置のそれぞれ平面概略図である。
図７（ａ）において、１０は光シャッター、１２は永久磁石である。多数の光シャッター１０と永久磁石１２を平面状に配設することによりマトリクス型画像表示装置が構成されている。そしてすべての永久磁石１２はそれぞれＮＳが同一方向へ磁界が向かうように同一極性で整然と配置されている。
ところがこのマトリクス型画像表示装置によると、永久磁石１２の占める面積が無視できないくらいになっているので、光の透過する開口面積を大きくとることができないという欠点があった。
【００５４】
図７（ｂ）はこれを解決するもので、図７（ａ）においてすべての永久磁石１２が同一方向へ磁界が向かうように配置されていることに着目して、磁界の大きさが許される範囲でできるだけ磁石を共通化するものである。
図７（ｂ）では、図７（ａ）の横並びの光シャッター３個分を１つにまとめ、その３個の光シャッターを永久磁石７２，７２で挟み、３個の光シャッターに共通で磁界を与えるようにしている。これによって、真ん中の２個の磁石１２，１２が不要となり、そのスペースをセルのスペースとして使えるので図（ａ）の光シャッター１０よりも大型の光シャッター７０が得られることとなる。
図７（ｂ）では、真ん中に１個永久磁石７２を置いているが、磁界の強さが得られれば、これも省略して図の両端だけにすることももちろん可能である。
また、永久磁石７２の代わりに、磁界の制御が可能な電磁石を用いてもよいことは言うまでもない。
【００５５】
［第８の実施の形態］
図８は第８の実施の形態に係るもので、図７（ｂ）のマトリクス型画像表示装置の各光シャッターにＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の各フィルターを設けて、カラー表示可能としたものである。
図において、永久磁石１２，１２の間に３個の光シャッター１０があり、それぞれＲ，Ｇ，Ｂの各フィルターを光路の中に設けて、カラーの１画素を構成している。なお、１８はシエード部である。このような構成により、前述の階調制御をここでも採用することにより、各種の色を１画素で表現できることとなる。
Ｒ，Ｇ，Ｂではなく、これと補色関係にあるＣ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）、Ｋ（黒）のカラーフィルタもしくはカラーインクを用いてカラー表示を行ってもよい。
【００５６】
［第９の実施の形態］
図９は第９の実施の形態に係るもので、図において、１７は透明電極（１７ｕは図で上側の透明電極、１７ｄは図で下側の透明電極を指す。）、１８はシエード部、Ｗは遮光性導電性液体である。そして、９０は第９の実施の形態によりシエード部１８の下側に設けられた駆動回路である。この駆動回路は、ＴＦＴ回路等を用いて遮光性導電性液体への通電をアクティブ駆動で行う場合に必要な駆動回路で、このようにシェード部１８の直下に配置することで、開口率を低減させることなく駆動回路の付加が可能となる。
なお、シェード部１８の代わりに、磁石（図１の１２Ｒ又は１２Ｌ）の裏側に電流駆動回路を作製してもよい。
【００５７】
［第１０の実施の形態］
図１０は第１０の実施の形態に係るもので、図において、１７は上側の透明電極、１８はシエード部、Ｗは遮光性導電性液体、９０は第９の実施の形態で説明したシエード部１８の下側に設けられた、開口率を低減させることなく駆動が可能となる駆動回路である。そして、９２は第１０の実施の形態により設けられる下部電極兼反射板である。
このようにすることにより、バックライトを使用することなく太陽光や室内光、フロント光などの前面からの光Ｌを上部透明電極から採り入れて、光変調された後、反射板９２で反射されて、上方へ出てゆくこととなる。
このように明るいときは外部光を利用し、暗いところでのみフロント光を用いるようにすれば、省エネ型の反射型ディスプレイが得られる。
また、金属膜とこの金属膜に開けられた光通過孔とから成る半透過膜をバックライト光の出射側に配置することによって、暗いところでは上述のフロント光のみならずバックライトの使用も可能になる。具体的には、特開２００１−１７４７９７号公報に記載のように、半透過膜をクロムやアルミニウム、銀などの遮光性のある金属膜で形成し、さらに金属膜の面内に光通過孔を形成することで、金属膜自体に光反射膜としての機能もある。そして、光通過孔の面積比率により光透過性と光反射性の双方の機能を具備させている。光通過孔の面積を大きくすれば透過型表示モードに適した構成になり、その面積を小さくすれば反射型表示モ−ドに適した構成になる。光通過孔が形成された金属膜にて形成した半透過膜を反射型表示モードにて使用する場合には、金属膜に到達した光を反射させて反射性能をもっとも高めることができ、しかも透過型表示モードの使用においても、半透過膜にて光吸収されることなく、光通過孔を通過するだけであり透過性能を高めることができる。
【００５８】
［第１１の実施の形態］
図１１は第１１の実施の形態に係るもので、サイドライト型表示装置の分解斜視図である。図において、１００は本発明に係る光シャッターから成る表示装置で、この下に散乱板９４があり、この散乱板９４は表面に凹凸形状を持つ薄い板である。この下に導光板９５が配置されている。導光板９５はアクリル樹脂などの導光板で、下面に白色ペイントなどの反射部材が塗布されている。導光板９５の両端に光源があり、光源としてここでは発光ダイオード９６ａのユニット９６で実現している。
したがって発光ダイオードユニット９６から放射された発光ダイオード９６ａの光は、導光板９５の側面から導光板９５に入射し、導光板９５の下面に塗布されている反射部材で反射し、導光板９５の上面から出射する。導光板９５の出射光は、散乱板９４によって広い角度範囲にわたって一様な光強度分布となって、表示装置１００に入射する。表示装置１００はこれまで述べてきた表示装置のどれか１つを用いればよい。これによって情報を表示することができる。
【００５９】
［第１２の実施の形態］
図１２は第１２の実施の形態に係る光シャッターの構成を示す１例で、（ａ）は一方向通電時の斜視図、（ｂ）は図（ａ）で流す電流方向と逆方向に通電した時の斜視図である。
図において、１２０は第１２の実施の形態に係る光シャッター、１１は液体封止セル、１２は透明永久磁石（１２ｕは上部の透明永久磁石と、１２ｄは下部の透明永久磁石を指す。）、１３はビット線、１４はワード線、２７は電極（２７Ｒは図で右側電極、２７Ｌは図で左側の各電極を指す。）、１８は光を遮蔽するシエード部、なお、図の手前側と奥側にはセル１１の仕切壁が設けられているが、見易くするためにここでは除去して描いている。
そして、Ｗ１、Ｗ２は上下の透明永久磁石２２ｕ、２２ｄ、左右の電極２７Ｒ、２７Ｌで、前後の仕切壁で囲まれたセル中にそのセル容積の半分の量が封止された遮光性のある導電性液体である。（ａ）のＷ１は図の手前に吸引された状態、（ｂ）のＷ２は図の奥に押し戻された状態をそれぞれ示している。
右側電極２７Ｒにはビット線１３が、また左側電極２７Ｌにはワード線１４が接続されていて、一方から他方へ、またその逆の電流を流し、これにより途中の遮光性導電性液体Ｗを通過する仕組みとなっている。
そして、永久磁石１２Ｌおよび１２Ｒはその磁場Ｂの向きを電極１７Ｒ、１７Ｌ面の法線方向と直交方向に向くように配置されている。
【００６０】
透明の永久磁石それ自体は、特開２００２−１４５６２２号公報にその製法が記載されているように、二酸化チタン・コバルト磁性膜を、化学式：Ｔｉ１−ｘ  Ｃｏｘ  Ｏ２ただし、０＜ｘ≦０．３、で表されＴｉ格子位置にＣｏが置換した、かつ、単結晶基板上にエピタキシャル成長した二酸化チタン・コバルト磁性膜で形成するものである。上記磁性膜の結晶構造は、好ましくはアナターゼ構造であり、上記磁性膜の結晶構造は、好ましくはルチル構造である。上記アナターゼ構造の二酸化チタン・コバルト磁性膜は、バンドギャップエネルギーが、Ｔｉ格子位置に置換するＣｏ濃度（Ｘ）に応じて、３．１３ｅＶ〜３．３３ｅＶの範囲で変化することを特徴としている。上記二酸化チタン・コバルト磁性膜は、さらに、室温以上の温度でも磁化を保持でき、かつ、可視光で透明である。上記単結晶基板は、好ましくは、結晶構造がアナターゼ構造の場合に、ＬａＡｌＯ３  （００１）基板である。上記単結晶基板は、好ましくは、結晶構造がルチル構造の場合に、Ａｌ２  Ｏ３基板である。上記単結晶基板は、好ましくは、結晶構造がルチル構造の場合に、ルチル結晶構造を有するＴｉＯ２  基板である。
【００６１】
次に、この第１２の実施の形態に係る光シャッターの動作原理について説明する。
今、図１２（ａ）のように、磁場Ｂが上から下方向へ向いているとき、電流Ｉをビット線１３→右側電極２７Ｒ→遮光性導電性液体Ｗ１→左側電極２７Ｌ→ワード線１４に流すと、遮光性導電性液体Ｗ２にはフレミングの左手の法則によりローレンツ力Ｆ１が図示の方向に働き、その結果図示のように遮光性導電性液体Ｗ２は図の手前側に移動することとなる。これにより遮光性導電性液体Ｗ１はセル内の手前側半分の容積を占め、またセルの奥側半分はシエード部１８で覆われているので、結局セル全体が遮光作用を機能することになり、バックライト（図示なし）の光は遮られて、上方へ届かない。
【００６２】
一方、図１２（ｂ）のように、磁場Ｂが上から下方向へ向いているとき、電流Ｉをワード線１４→左側電極２７Ｌ→遮光性導電性液体Ｗ２→右側電極２７Ｒ→→ビット線１３に流すと、フレミングの左手の法則により、遮光性導電性液体Ｗ２は図のＦ２方向（すなわち奥側）に移動する。これにより遮光性導電性液体Ｗ２はセル内の奥側半分の容積を占めてセルの奥側半分にあるシエード（光遮蔽）部１８内に収納されるので、セルの手前半分が透過作用を機能することになり、バックライト２６（図示なし）の光は透明永久磁石２２ｄ、２２ｕを介して上方へ通過する。
以上のように、第１２の実施の形態に係る光シャッターでは、それまでの実施の形態で用いていた透明電極に代えて透明永久磁石を用いたものであり。このようにしても、偏光板を用いることがなくなるので視野角依存性のない、光透過効率のよい、コントラストが高い表示装置となり、しかも水銀を用いない光シャッターであるので環境に優しく光反射のない軽量の表示装置が得られることとなる。
【００６３】
最後に、本発明に係る光シャッターを駆動するアクティブマトリクス駆動用の回路について説明しておく。
図１３は本発明に係る光シャッターを駆動するアクティブマトリクス駆動用の回路の１例である。ＰチャンネルＦＥＴとＮチャンネルＦＥＴの直列回路を構成し、そのＰチャンネルＦＥＴの端子をビット線に接続し、ＮチャンネルＦＥＴの端子をアース側接続し、ＰチャンネルＦＥＴとＮチャンネルＦＥＴのソース・ドレイン接続点をローレンツ画素の一方の電極に接続し、ローレンツ画素の他方の電極は所定の電圧、例えばビット線に与える電圧の約半分の電圧が常時印加されている。また、ＰチャンネルＦＥＴとＮチャンネルＦＥＴのゲート端子はワード線に接続される。
これが１画素の接続関係である。ＦＥＴのゲートがＨ（しきい値以上の入力）のとき▲１▼方向に電流が流れ、ＦＥＴのゲートがＬ（しきい値以下）のとき▲２▼方向に電流が流れる。▲１▼のとき「明」表示、▲２▼のとき「暗」表示となるようにしておけばよい。
【００６４】
複数の画素をマトリクス駆動するには、図１３の画素を複数個縦横に配置して、それぞれ同様に接続し、例えば縦の１列目の画素のワード線を第１ワード線に接続し、縦の２列目の画素をのワード線を第２ワード線に接続して最終列まで接続する。また、横の１行目の画素のビット線を第１ビット線に接続し、横の２行目の画素のビット線を第２ビット線に接続して最終行まで接続する。
そこでマトリクス配列画素のうち、１行目の複数個の画素のうち「明」表示したい画素のワード線をＨに、その他をＬにしておき、第１ビットに高電圧（図では＋２Ｖ）を与えると、ワード線がＨの画素は「明」表示となり、それ以外は「暗」表示となる。
同じく２行目、３行目の画素群についても同じように繰り返し、これを少なくとも１秒に３０回以上の高速で繰り返すことにより、目にフリッカーなく所望の画像を表示させることができる。
【００６５】
以上、本発明に係る光シャッターを用いた画像表示装置について、説明したが、本発明はこの用途に限定されるものではなく、他に考えられる用途としては、投影プロジェクターや、写真デジタル露光用などがある。
【００６６】
液体封止セルのサイズピッチを例えば２００ｐｐｉ程度にすれば、人間の目の分解能に匹敵するものも可能となり、医療用ディスプレーとして好適である。
【００６７】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、対向する１対の磁石と、対向する１対の電極と、対向する１対の仕切壁とで液体封止セルを構成し、前記電極の少なくとも一方を透明電極とし、前記電極の一部をシエード部で覆い、かつ該液体封止セルの容積の略半分の量の遮光性導電性の液体もしくは液体に準ずる状態の物体を該液体封止セル内に封止したことにより、偏光板を用いることがなくなるので視野角依存性がないので、多人数での利用も問題がなく、眼精疲労も軽減される。また観測者の使用の自由度が向上し、大画面化も可能となり、輝度も向上する。
さらに、光透過効率のよい、コントラストが高い表示装置となるので、医療診断用ディスプレイとしての信頼度が向上する。
しかも水銀を用いない光シャッターであるので環境に優しく光反射のない軽量の表示装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るは液体封止セルの構成を示す１例で、（ａ）は一方向通電時の斜視図、（ｂ）図１のＡ−Ａ断面矢視図を示している。
【図２】図１で流す電流方向と逆方向に通電した時の斜視図（ａ）と図２のＡ−Ａ断面矢視図（ｂ）を示している。
【図３】本発明に係る液体封止セルを多数平面上に配置して成るマトリクス型画像表示装置の概念斜視図である。
【図４】第２の実施の形態に係る光シャッターの構成を示す縦断面図を示している。
【図５】図４の光シャッターを用いた第３の実施の形態の縦断面図で、光透過開口面積に対する各透過口面積の比が、（ａ）１００％、（ｂ）７５％、（ｃ）２５％、（ｄ）０％をそれぞれ示している。
【図６】本発明の第５の実施の形態に係る光シャッターを説明する平面概略図である。
【図７】第７の実施の形態に係るもので、多数の光シャッターから成るマトリクス型画像表示装置の平面概略図で、（ａ）は図３に記載したマトリクス型画像表示装置、（ｂ）は第７の実施の形態に係るマトリクス型画像表示装置のそれぞれ平面概略図を示している。
【図８】第８の実施の形態に係るもので、カラー表示可能としたものである。
【図９】第９の実施の形態に係るもので、駆動回路をシエード部の下側に設けたものである。
【図１０】第１０の実施の形態に係るもので、反射型表示装置を示すものである。
【図１１】第１１の実施の形態に係るもので、サイドライト型表示装置の分解斜視図である。
【図１２】第１２の実施の形態に係る液体封止セルの構成を示す１例で、（ａ）は一方向通電時の斜視図、（ｂ）は図（ａ）で流す電流方向と逆方向に通電した時の斜視図をそれぞれ示している。
【図１３】本発明に係る光シャッターを駆動するアクティブマトリクス駆動用の回路の１例を示している。
【符号の説明】
１０、１０’６０、７０、１２０  光シャッター
１１、１１’６１  液体封止セル
１２、６２、７２  永久磁石
１２Ｌ、６２Ｌ  左側永久磁石
１２Ｒ、６２Ｒ  右側永久磁石
１３  ビット線
１３Ｄ  ビットドライバ
１４  ワード線
１４Ｄ  ワードドライバ
１５  スイッチング制御回路
１６  バックライト
１７  透明電極
１７ｕ  上側透明電極
１７ｄ  下側透明電極
１８、６８  シエード部
２０  バイパス路
２０ａ  進行方向のセル先端部
２０ｂ  セルの側部
２０ｃ  セル後端部
２２  透明永久磁石
２２ｕ  上部透明永久磁石
２２ｄ  下部透明永久磁石
２７  電極
２７Ｒ  右側電極
２７Ｌ  左側電極
９０  駆動回路
９２  下部電極兼反射板
９４  散乱板
９５  導光板
９６  発光ダイオードユニット
９６ａ  発光ダイオード
１００  本発明に係る光シャッターから成る表示装置
Ｗ、Ｗ１、Ｗ２  遮光性導電性液体
Ｂ  磁場
Ｆ  ローレンツ力
【図１】
2004325909.tif 000003
【図２】
2004325909.tif 000004
【図３】
2004325909.tif 000005
【図４】
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【図５】
2004325909.tif 000007
【図６】
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【図７】
2004325909.tif 000009
【図８】
2004325909.tif 000010
【図９】
2004325909.tif 000011
【図１０】
2004325909.tif 000012
【図１１】
2004325909.tif 000013
【図１２】
2004325909.tif 000014
【図１３】
2004325909.tif 000015