(57)【要約】　　　（修正有）【課題】非真空対応のノッチアライナを設置可能とする。【解決手段】減圧雰囲気に維持される待機室と、ウエハ１を収納したポッドのキャップを着脱して開閉するポッドオープナと、待機室とポッドとの間でウエハ１を移載するウエハ移載装置４９が設置された移載室４１とを備えたＣＶＤ装置において、ウエハ１に形成されたノッチ２をウエハ１の周方向の所定の位置に合わせるノッチアライナ７４が移載室４１の外部にゲートバルブ７１を介して設置されている。移載室４１は広い空間４６と狭い空間４７とから構成され、ゲートバルブ７１は狭い空間４７の側壁に設置され、広い空間４６にはウエハ１を一時的に保持しておくサブボート４８が設置されている。【効果】移載室外に設置されたノッチアライナは真空対応に構築しなくて済むので、コストや発塵および占有床面積が増加を防止できる。【選択図】　　　図３
2004119627.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧雰囲気に維持される真空室と、基板を収納するキャリアをキャップを着脱して開閉するキャリア開閉装置と、前記真空室と前記キャリアとの間で前記基板を移載する基板移載装置が設置された移載室とを備えている半導体製造装置において、
前記基板に形成された基準位置表示部を基板の周方向の所定の位置に合わせる基板位置合わせ装置が、前記移載室の外部にゲートバルブを介して設置されていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記移載室の内部空間は、垂直方向に広い空間と狭い空間とを備えており、前記ゲートバルブは前記移載室における前記狭い空間の側壁に設置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記広い空間には前記基板を一時的に保持しておく基板保持具が設置されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置に関し、例えば、半導体素子を含む半導体集積回路からなる半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法において、ＩＣが作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に不純物を拡散したり絶縁膜や金属膜等のＣＶＤ膜を形成したりする拡散・ＣＶＤ装置に利用して有効なものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣの製造方法において、ウエハに不純物を拡散したり絶縁膜や金属膜等のＣＶＤ膜を形成したりする工程には、バッチ式縦形拡散・ＣＶＤ装置（以下、ＣＶＤ装置という。）が使用されている。
【０００３】
ところで、ＣＶＤ装置を含む半導体製造装置において被処理基板である複数枚のウエハを収納して搬送するためのキャリア（ウエハ収納容器）としては、互いに対向する一対の面が開口された略立方体の箱形状に形成されているカセットと、一つの面が開口された略立方体の箱形状に形成され開口面にキャップが着脱自在に装着されているＦＯＵＰ（ｆｒｏｎｔ　ｏｐｅｎｉｎｇ　ｕｎｉｆｉｅｄ　ｐｏｄ　。以下、ポッドという。）とがある。ウエハのキャリアとしてポッドが使用される場合には、ウエハが密閉された状態で搬送されることになるため、周囲の雰囲気にパーティクル等が存在していたとしてもウエハの清浄度は維持することができる。したがって、半導体製造装置が設置されるクリーンルーム内の清浄度をあまり高く設定する必要がなくなるため、クリーンルームに要するコストを低減することができる。そこで、最近のＣＶＤ装置においては、ウエハのキャリアとしてポッドが使用されて来ている。
【０００４】
従来のこの種のＣＶＤ装置としては、ウエハの結晶の方位を示すのにウエハの外周部にＶ字形状に切り欠かれたノッチ（基準位置表示部）を複数枚のウエハ相互間で揃えるためのウエハ位置合わせ装置（以下、ノッチアライナという。）が設置されているものがある。なお、ノッチアライナが設置された半導体製造装置を述べている例としては、次の特許文献１がある。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−２９４６１９号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ノッチアライナがロードロック方式のＣＶＤ装置に設置される場合には、ノッチアライナを真空対応に構築する必要があるので、製造コストが増加するという問題点がある。すなわち、ノッチアライナに使用されるモータや配線およびセンサ等を全て真空雰囲気に耐えることができる構造に構築する必要がある。なお、ロードロック方式のＣＶＤ装置は、ゲートバルブ等の隔離バルブを用いて処理室と搬入搬出室とを隔離し、処理室への空気の流入を防止したり、温度や圧力等の外乱を小さくして処理を安定化させる方式が採用されたＣＶＤ装置である。そして、真空対応のノッチアライナがロードロック方式のＣＶＤ装置における搬入搬出室に設置された場合には、駆動物が搬入搬出室に増える状況になるので、発塵源やウエハ汚染源が増えるという問題点がある。
【０００７】
このような問題点を回避しつつ、ノッチアライナをロードロック方式のＣＶＤ装置に設置するために、ノッチアライナが真空室である搬入搬出室の外部に設置される場合には、ロードロック方式のＣＶＤ装置の占有床面積が増加してしまうという問題点がある。
【０００８】
本発明の目的は、前記した従来の技術の問題点であるノッチアライナの真空対応による製造コストや真空室の発塵および占有床面積の増加を防止することができる半導体製造装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体製造装置は、減圧雰囲気に維持される真空室と、基板を収納するキャリアをキャップを着脱して開閉するキャリア開閉装置と、前記真空室と前記キャリアとの間で前記基板を移載する基板移載装置が設置された移載室とを備えている半導体製造装置において、
前記基板に形成された基準位置表示部を基板の周方向の所定の位置に合わせる基板位置合わせ装置が、前記移載室の外部にゲートバルブを介して設置されていることを特徴とする。
【００１０】
前記した手段によれば、基板位置合わせ装置が移載室の外部に設置されているので、基板位置合わせ装置は真空対応に構築しなくてもよく、また、基板位置合わせ装置からの発塵による基板の汚染を防止することができる。そして、基板位置合わせ装置を移載室の外部の空きスペースに設置することにより、占有床面積が増加するのを防止することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【００１２】
本実施の形態において、本発明に係る半導体製造装置は、ＩＣの製造方法にあって、ウエハに不純物を拡散したり絶縁膜や金属膜等のＣＶＤ膜を形成したりする工程に使用されるＣＶＤ装置（バッチ式縦形ＣＶＤ装置）として構成されている。このＣＶＤ装置においてはウエハ１を収納して搬送するためのキャリアとしてはポッド３が使用されている。以下の説明において、前後左右は図１を基準とする。すなわち、フロント筐体１１側が前側、その反対側すなわちヒータユニット５８側が後側、ノッチアライナ７４側が左側、その反対側すなわちウエハ移載装置４９側が右側とする。
【００１３】
図１および図２に示されているように、ＣＶＤ装置１０は略直方体形の箱形状に形成されたフロント筐体１１を備えており、フロント筐体１１は大気圧以上の圧力（以下、正圧という。）を維持可能な気密室１２を構成するように構築されている。フロント筐体１１の正面壁にはポッド搬入搬出口１３が開設されており、フロント筐体１１のポッド搬入搬出口１３の手前にはポッドステージ１４が設定されている。ポッドステージ１４にはポッド３がＡＧＶ等の工程内搬送装置によって供給および排出されるようになっている。気密室１２には前側ポッド棚１５と後側ポッド棚１６とがそれぞれ設置されており、これらポッド棚１５、１６は複数台のポッド３を一時的に保管し得るように構成されている。
【００１４】
気密室１２にはポッドステージ１４、前後のポッド棚１５、１６およびポッドオープナ３０の載置台３１の間でポッド３を搬送するポッド搬送装置２０が設備されている。ポッド搬送装置２０は気密室１２の床に左右方向に敷設されてモータ２１によって駆動されるリニアアクチュエータ２２と、リニアアクチュエータ２２によって左右方向に移動されモータ２３によって駆動されるポッドエレベータ２４と、スカラ形ロボットによって構成されてポッドエレベータ２４によって昇降されるハンドリング装置２５とを備えており、ハンドリング装置２５によってポッド３をハンドリングして、リニアアクチュエータ２２、ポッドエレベータ２４およびハンドリング装置２５の作動によってポッド３を三次元方向に搬送し得るようになっている。
【００１５】
図１および図２に示されているように、フロント筐体１１の背面壁にはウエハ搬入搬出口１７が開設されており、ウエハ搬入搬出口１７はウエハ１を気密室１２に対して出し入れし得るように構成されている。ウエハ搬入搬出口１７にはポッドオープナ３０が設置されている。ポッドオープナ３０はポッド３を載置する載置台３１と、載置台３１に載置されたポッド３のキャップを着脱するキャップ着脱機構３２とを備えており、載置台３１に載置されたポッド３のキャップをキャップ着脱機構３２によって着脱することにより、ポッド３のウエハ出し入れ口を開閉するようになっている。ポッドオープナ３０の載置台３１に対してはポッド３がポッド搬送装置２０によって供給および排出されるようになっている。フロント筐体１１の背面壁の外面には連絡筐体３３がポッドオープナ３０を被覆するように構築されている。
【００１６】
フロント筐体１１の後ろ側には移載室４１を構成する移載室筐体４０が連絡筐体３３を挟んで連設されている。移載室筐体４０は大気圧未満の圧力（以下、負圧という。）を維持可能な気密性能を有する移載室４１を構成するように構築されている。すなわち、移載室４１はロードロック方式のチャンバ（室）として構成されている。移載室４１の前面壁にはゲートバルブ４３によって開閉されるウエハ搬入搬出口４２が開設されている。移載室筐体４０には移載室４１を負圧に排気するための排気管４４と、移載室４１を大気圧に戻す際に不活性ガス（Ｎ２　ガス等）を供給する不活性ガス供給管４５とが接続されている。
【００１７】
移載室筐体４０の後側には待機室５１を構成する待機室筐体５０が隣接して連設されている。待機室筐体５０は負圧を維持可能な気密性能を有する待機室５１を構成するように構築されている。すなわち、待機室５１はロードロック方式のチャンバ（室）として構成されている。待機室５１の前面壁にはゲートバルブ５３によって開閉されるウエハ搬入搬出口５２が開設されている。待機室筐体５０には待機室５１を負圧に排気するための排気管５４と、待機室５１を大気圧に戻したりウエハ１を冷却したりする際に不活性ガス（Ｎ２　ガス等）を供給する不活性ガス供給管５５とが接続されている。
【００１８】
待機室筐体５０の天井壁にはボート搬入搬出口５６が開設されており、ボート搬入搬出口５６は隔離バルブとしてのシャッタ５７によって開閉されるように構成されている。待機室筐体５０の上にはヒータユニット５８が垂直方向に設置されており、ヒータユニット５８の内部には処理室５９を形成するプロセスチューブ６０が配置されている。プロセスチューブ６０は上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されてヒータユニット５８に同心円に配置されており、プロセスチューブ６０の円筒中空部によって処理室５９が構成されている。プロセスチューブ６０は待機室筐体５０の天井壁の上にマニホールド６１を介して支持されており、マニホールド６１にはプロセスチューブ６０の円筒中空部によって形成された処理室５９に原料ガスやパージガス等を導入するためのガス導入管６２と、プロセスチューブ６０の内部を排気するための排気管６３とがそれぞれ接続されている。マニホールド６１は待機室筐体５０のボート搬入搬出口５６に同心円に配置されている。
【００１９】
待機室５１の左部にはボート６４を昇降させるためのボートエレベータ６５が設置されている。ボートエレベータ６５のアーム６６の先端にはシールキャップ６７が水平に据え付けられている。シールキャップ６７はプロセスチューブ６０の炉口になる待機室筐体５０のボート搬入搬出口５６をシールするように構成されているとともに、ボート６４を垂直に支持するように構成されている。ボート６４は複数枚のウエハ１をその中心を揃えて水平に支持した状態で、プロセスチューブ６０の処理室５９に対してボートエレベータ６５によるシールキャップ６７の昇降に伴って搬入搬出するように構成されている。
【００２０】
図３に示されているように、移載室４１の内部空間は垂直方向に広い空間４６と狭い空間４７とを備えており、広い空間４６の左側部分にはウエハ１を一時的に保持しておく基板保持具としてのサブボート４８が設置されている。サブボート４８はボート６４と同様な構造に構成されており、複数枚のウエハ１を保持溝によって水平に保持するようになっている。移載室４１の狭い空間４７の床面には大気圧未満（負圧）の下でウエハ１を移載するウエハ移載装置（ｗａｆｅｒ　ｔｒａｎｓｆｅｒｅｑｕｉｐｍｅｎｔ　）４９が水平に設置されている。ウエハ移載装置４９はスカラ形ロボット（ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ　ｃｏｍｐｌｉａｎｃｅ　ａｓｓｅｍｂｌｙ　ｒｏｂｏｔ　ａｒｍ　ＳＣＡＲＡ）によって構成されている。ウエハ移載装置４９はウエハ１を狭い空間４７において垂直および水平方向に搬送させることができるように構成されている。
【００２１】
移載室４１の狭い空間４７の左側側壁にはウエハ搬入搬出口７０が開設されており、ウエハ搬入搬出口７０はゲートバルブ７１によって開閉されるようになっている。移載室筐体４０の外側空間の空きスペースであるサブボート４８の真下の空間には、ノッチアライナ設置筐体７３がウエハ搬入搬出口７０を被覆するように構築されており、ノッチアライナ設置筐体７３の内部には基板位置合わせ装置としてのノッチアライナ７４が二台、上下に配されて設置されている。ノッチアライナ７４は回転軸が垂直方向になるように水平に設置されたモータ７５と、モータ７５によって水平面内で回転されるターンテーブル７６と、ターンテーブル７６の回転中心の外側で垂直方向上向きに突設されてウエハ１の下面に点接触してウエハ１を水平に支持する複数本の支持ピン７７と、ターンテーブル７６の回転に対して独立するように設置されてウエハ１のノッチ２を光学的に検出する光学センサ７８とを備えている。なお、本実施の形態では、図３に示されているように、一枚のウエハ１のノッチ２を合わせるノッチアライナ７４がノッチアライナ設置筐体７３の上下に二台設置するようにしているが、前記の特許文献１に開示されているような複数枚のウエハのノッチを合わせるノッチアライナをノッチアライナ設置筐体７３に一台設けてもよい。
【００２２】
以下、前記構成に係るＣＶＤ装置を使用したＩＣの製造方法における成膜工程を説明する。
【００２３】
複数枚のウエハ１はポッド３に収納された状態で、成膜工程を実施するＣＶＤ装置１０のポッドステージ１４へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。搬送されて来たポッド３は前側ポッド棚１５または後側ポッド棚１６の指定された場所にポッド搬送装置２０によって搬送されて、一時的に保管される。
【００２４】
ウエハ１が収納されたポッド３はポッドオープナ３０の載置台３１の上へポッド搬送装置２０によって搬送されて載置される。続いて、載置されたポッド３のキャップ４がポッドオープナ３０のキャップ着脱機構３２によって取り外され、ポッド３のウエハ出し入れ口が開放される。ポッドオープナ３０のポッド３が開放されると、ノッチアライナ設置筐体７３側のウエハ搬入搬出口７０がゲートバルブ７１によって開放される。開放されたポッド３のウエハ１はノッチアライナ７４へ、ウエハ移載装置４９によってポッドオープナ３０側のウエハ搬入搬出口４２およびノッチアライナ設置筐体７３側のウエハ搬入搬出口７０を通して装填される。すなわち、ウエハ１はポッド３からウエハ移載装置４９によって取り出され、ポッドオープナ３０側のウエハ搬入搬出口１７および４２を通して移載室４１に搬入され、ノッチアライナ設置筐体７３側のウエハ搬入搬出口７０を通してノッチアライナ７４のターンテーブル７６の上の支持ピン７７の上に載置される。ウエハ１が装填されると、ノッチアライナ７４はウエハ１をターンテーブル７６によって回転させながら、ウエハ１に形成されたノッチ２を光学センサ７８によって検出し、ターンテーブル７６と光学センサ７８とが協働してウエハ１のノッチ２を予め設定された基準の位置に合わせる。ノッチアライナ７４のノッチ合わせが終了すると、ウエハ移載装置４９はノッチ合わせされたウエハ１をノッチアライナ７４の上から移載室４１に取り出し、移載室４１の上部に設置されたサブボート４８まで平行移動させて、サブボート４８の保持溝に装填する。
【００２５】
以上のウエハ１のノッチ２からサブボート４８へのノッチアライナ７４を介する移し替え作業は、上下のノッチアライナ７４、７４が交互に使用されることにより、絶え間なく効率よく実施される。そして、サブボート４８に移し替られた複数枚のウエハ１のノッチ２は、ノッチアライナ７４によってノッチ合わせされているために、全てのウエハ１相互間において揃えられた状態になっている。また、以上のウエハ１のノッチ２からサブボート４８へのノッチアライナ７４を介する移し替え作業に際して、移載室４１およびノッチアライナ設置筐体７３の内部は窒素ガス等の不活性ガスが供給されることにより、正圧に維持されている。
【００２６】
所定の枚数のウエハ１がサブボート４８へ移し替えられると、ノッチアライナ設置筐体７３側のウエハ搬入搬出口７０がゲートバルブ７１によって閉じられる。続いて、移載室４１の圧力が待機室５１の圧力と同等になるように排気管４４によって排気される。移載室４１の圧力が待機室５１の圧力と同等に排気されると、待機室筐体５０側のウエハ搬入搬出口５２がゲートバルブ５３によって開放される。次いで、サブボート４８のウエハ１が移載室４１のボート６４へウエハ移載装置４９によって待機室筐体５０側のウエハ搬入搬出口５２を通して装填される。すなわち、ウエハ１はサブボート４８からウエハ移載装置４９によって取り出され、待機室筐体５０側のウエハ搬入搬出口５２を通してボート６４の保持溝に挿入される。
【００２７】
ウエハ１のサブボート４８からボート６４へ移し替られた複数枚のウエハ１のノッチ２は、サブボート４８への移し替え作業においてノッチアライナ７４によって予めノッチ合わせされているので、ボート６４へ移し替られた状態においても全てのウエハ１相互間において揃えられた状態になっている。また、ウエハ１のサブボート４８からボート６４への装填作業に際しては、移載室４１および待機室５１の圧力は負圧に維持されているので、移し替え作業中にウエハ１の表面に自然酸化膜が生成される現象等は防止されることになる。
【００２８】
以上のようにして予め指定された枚数のウエハ１がボート６４に装填されると、ボート６４はボートエレベータ６５によって上昇されてプロセスチューブ６０の処理室５９に搬入（ボートローディング）される。ボート６４が上限に達すると、ボート６４を保持したシールキャップ６７の上面の周辺部がボート搬入搬出口５６の開口部周辺部をシール状態に閉塞するため、処理室５９は気密に閉じられた状態になる。処理室５９は気密に閉じられた状態で、所定の圧力となるように排気管６３によって排気され、ヒータユニット５８によって所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管６２によって所定の流量だけ供給される。これにより、予め設定された処理条件に対応する所望の膜がウエハ１に形成される。この際には、ノッチ２の位置が全てのウエハ１相互間において揃えられた状態になっているので、ウエハ面内の膜厚等の分布状況はウエハ１相互間において均一になる。
【００２９】
予め設定された処理時間が経過すると、ボート６４がボートエレベータ６５によって下降されることにより、処理済みウエハ１群を保持したボート６４が待機室５１に搬出（ボートアンローディング）される。ボート６４が待機室５１に搬出されると、待機室５１のウエハ搬入搬出口５２がゲートバルブ５３によって開放され、ボート６４の処理済みウエハ１がウエハ移載装置４９によってサブボート４８への移し替えられてディスチャージングされる。このウエハ１のボート６４サブボート４８への移し替え作業に際しては、移載室４１および待機室５１の圧力は負圧に維持されているので、移し替え作業中に処理済みウエハ１の表面に自然酸化膜が生成される現象等は防止されることになる。
【００３０】
その後に、待機室５１のウエハ搬入搬出口５２がゲートバルブ５３によって閉じられ、窒素ガス等の不活性ガスが移載室４１に不活性ガス供給管４５によって供給されることにより、移載室４１が正圧に維持される。続いて、ポッドオープナ３０側のウエハ搬入搬出口４２がゲートバルブ４３によって開放され、ポッドオープナ３０の載置台３１に載置された空のポッド３のキャップ４がポッドオープナ３０によって脱装されて空のポッド３が開放される。次いで、処理済みウエハ１がサブボート４８から空のポッド３へウエハ移載装置４９によって移し替えられる。サブボート４８の全ての処理済みウエハ１の空のポッド３への収納作業が完了すると、ポッド３はキャップ着脱機構３２によってキャップ４を装着された後に、ポッドオープナ３０の載置台３１からポッド棚１５、１６の予め指定された位置にポッド搬送装置２０によって搬送される。
【００３１】
以降、前述した作用が繰り返されて、ウエハ１がＣＶＤ装置１０によってバッチ処理されて行く。
【００３２】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００３３】
１）　ノッチアライナをロードロック方式の移載室の外部にゲートバルブを介して設置することにより、ノッチアライナは真空対応に構築しなくても済むので、ノッチアライナひいてはＣＶＤ装置の製造コストを低減することができる。
【００３４】
２）　ノッチアライナを移載室の外部に設置することにより、ノッチアライナからの発塵による移載室の内部におけるウエハの汚染を防止することができるので、ＣＶＤ装置の品質および信頼性を向上させることができる。
【００３５】
３）　ロードロック方式の移載室の内部空間を垂直方向に広い空間と狭い空間とに形成し、狭い空間の側壁の外部にはノッチアライナを設置し、広い空間にはサブボートを設置することにより、ノッチアライナを移載室の外部の空きスペースに設置することができるので、ＣＶＤ装置の占有床面積が増加するのを防止することができる。
【００３６】
４）　処理室に隣接して設けられたロードロック方式の待機室にロードロック方式の移載室を設けることにより、ポッドとポッドオープナとの間のウエハの搬入搬出は大気圧下で実施することができ、また、移載室と待機室との間のウエハの搬入搬出は真空雰囲気下で実施することができるため、ウエハの表面および処理済みのウエハの表面に自然酸化膜が生成されたり、異物等が付着したりするのを抑制することができる。
【００３７】
５）　移載室の上部空間にサブボートを設置することにより、待機室におけるウエハのボートに対する装填および脱装（チャージングおよびディスチャージング）の消費時間を短縮することができるため、ＣＶＤ装置のスループットを高めることができる。
【００３８】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００３９】
例えば、図４に示されているように、真空室である待機室５１は二つ以上設置してもよい。
【００４０】
また、図５に示されているように、枚様式ＣＶＤ装置に適用される場合には、真空室はプロセスチューブ６０Ａの処理室５９Ａになる。
【００４１】
前記実施の形態ではＣＶＤ装置の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、酸化装置や拡散装置、アニール装置、その他の熱処理装置、さらには、プラズマ処理装置、スパッタリング装置、ドライエッチング装置およびそれらを組み合わせた装置等の半導体製造装置全般に適用することができる。
【００４２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ノッチアライナの真空対応によるコストや真空室の発塵および占有床面積の増加を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態であるＣＶＤ装置を示す平面断面図である。
【図２】その側面断面図である。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ　線に沿う正面断面図である。
【図４】本発明の第二の実施の形態であるＣＶＤ装置を示す平面断面図である。
【図５】本発明の第三の実施の形態である枚葉式ＣＶＤ装置を示す側面断面図である。
【符号の説明】
１…ウエハ（基板）、２…ノッチ、３…ポッド（基板キャリア）、４…キャップ、１０…ＣＶＤ装置（半導体製造装置）、１１…フロント筐体、１２…気密室、１３…ウエハ搬入搬出口、１４…ポッドステージ、１５、１６…ポッド棚、１７…ウエハ搬入搬出口、２０…ポッド搬送装置、２１…モータ、２２…リニアアクチュエータ、２３…モータ、２４…ポッドエレベータ、２５…ハンドリング装置、３０…ポッドオープナ、３１…載置台、３２…キャップ着脱機構、３３…連絡筐体、４０…移載室筐体、４１…移載室、４２…ウエハ搬入搬出口、４３…ゲートバルブ、４４…排気管、４５…不活性ガス供給管、４６…広い空間、４７…狭い空間、４８…サブボート（基板保持具）、４９…ウエハ移載装置、５０…待機室筐体、５１…待機室、５２…ウエハ搬入搬出口、５３…ゲートバルブ、５４…排気管、５５…不活性ガス供給管、５６…ボート搬入搬出口、５７…シャッタ、５８…ヒータユニット、５９、５９Ａ…処理室、６０、６０Ａ…プロセスチューブ、６１…マニホールド、６２…ガス導入管、６３…排気管、６４…ボート、６５…ボートエレベータ、６６…アーム、６７…シールキャップ、７０…ウエハ搬入搬出口、７１…ゲートバルブ、７３…ノッチアライナ設置筐体、７４…ノッチアライナ、７５…モータ、７６…ターンテーブル、７７…支持ピン、７８…光学センサ。
【図１】
2004119627.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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