(57)【要約】【課題】複数の情報記録層を有する書き込み可能な光記録媒体であって、これら各情報記録層に対する記録特性及び再生特性が高められた光記録媒体を提供する。【解決手段】光入射面１３ａを構成する光透過層１３と、光透過層１３とは反対側の面を構成する基体１１と、光透過層１３と基体１１との間に設けられたＬ０層２０及びＬ１層３０とを備え、光入射面１３ａからレーザビームＬを照射することによってＬ０層２０及びＬ１層３０に対するデータの記録及び／又は再生が可能な光記録媒体であって、Ｌ０層２０にＡｇを主成分としこれにＣが添加されてなる反射膜２１が含まれている。このように、本発明による光記録媒体においては、反射膜２１の材料がＡｇＣであることから、材料コストの増大を抑制しながら、高い光透過率、熱伝導性及び保存信頼性を確保することが可能となる。【選択図】　　　　　図１
2004039146.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光入射面を構成する光透過層と、前記光透過層とは反対側の面を構成する基体と、前記光透過層と前記基体との間に設けられた複数の情報記録層とを備え、前記光入射面からレーザビームを照射することによって各情報記録層に対するデータの記録及び／又は再生が可能な光記録媒体であって、前記複数の情報記録層のうち前記光入射面から最も遠い情報記録層とは異なる少なくとも一つの情報記録層にＡｇを主成分としこれにＣが添加されてなる反射膜が含まれていることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
前記反射膜中のＣの添加率が５．０ａｔｍ％以下であることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】
前記反射膜中のＣの添加率が０．５ａｔｍ％〜５．０ａｔｍ％であることを特徴とする請求項２に記載の光記録媒体。
【請求項４】
前記反射膜中のＣの添加率が０．５ａｔｍ％〜４．０ａｔｍ％であることを特徴とする請求項３に記載の光記録媒体。
【請求項５】
前記反射膜中のＣの添加率が約２．５ａｔｍ％であることを特徴とする請求項４に記載の光記録媒体。
【請求項６】
前記各情報記録層には複数の無機反応膜が含まれていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【請求項７】
前記光透過層の厚みが３０μｍ〜２００μｍであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体に関し、特に、積層された複数の情報記録層を有する光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録媒体が広く利用されている。このような光記録媒体に要求される記録容量は年々増大し、これを達成するために種々の提案がなされている。かかる提案の一つとして、光記録媒体に含まれる情報記録層を２層構造とする手法が提案され、再生専用の光記録媒体であるＤＶＤ−ＶｉｄｅｏやＤＶＤ−ＲＯＭにおいて実用化されている。このような再生専用の光記録媒体においては、基板表面に形成されたプレピットが情報記録層となり、このような基板が中間層を介して積層された構造を有している。
【０００３】
また近年、ユーザによるデータの記録が可能な光記録媒体に対しても情報記録層を多層構造とする手法が提案されており、例えば、特開２００１−２４３６５５号公報には、書き換え型光記録媒体において情報記録層を２層構造とする技術が開示されている。同公報に記載された光記録媒体においては、相変化記録膜及びこれを挟んで形成された誘電体膜（保護膜）が情報記録層として用いられ、かかる情報記録層が中間層を介して積層された構造を有している。
【０００４】
このような、情報記録層が２層構造である書き込み可能な光記録媒体にデータを記録する場合、レーザビームのフォーカスをいずれか一方の情報記録層に合わせ、その強度を再生パワー（Ｐｒ）よりも十分に高い記録パワー（Ｐｗ）に設定することによって、当該情報記録層に含まれる記録膜の状態を変化させこれによって所定の部分に記録マークを形成する。このようにして形成された記録マークは、記録マークが形成されていないブランク領域とは異なる光学特性を有することから、再生パワー（Ｐｒ）に設定されたレーザビームのフォーカスをいずれか一方の情報記録層に合わせ、その反射光量を検出することによって記録されたデータを再生することができる。
【０００５】
このように、情報記録層が２層構造である書き込み可能な光記録媒体においては、レーザビームのフォーカスをいずれか一方の情報記録層に合わせることによってデータの記録／再生が行われることから、光入射面から遠い側の情報記録層（以下、「Ｌ１層」という）に対してデータの記録／再生を行う場合、光入射面から近い側の情報記録層（以下、「Ｌ０層」という）を介してレーザビームが照射されることになる。したがって、Ｌ１層に対するデータの記録／再生を有効に行うためには、Ｌ０層は十分な光透過率を有している必要があり、そのためＬ０層に含まれる反射膜としては、膜厚を薄く設定する必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、Ｌ０層に含まれる反射膜の膜厚を薄くすればするほど、レーザビームの照射によってＬ０層に含まれる記録膜が加熱された場合に、この熱が放熱されにくくなってしまう。つまり、Ｌ０層の光透過率と放熱性はトレードオフの関係にあり、光透過率を高めるために反射膜の膜厚を薄くすれば放熱性が低下し、逆に、放熱性を高めるために反射膜の膜厚を厚くすれば光透過率が低下するという現象が生じる。Ｌ０層の放熱性が低いと、レーザビームの照射によって生じた熱が必要以上に記録膜に滞留するため形成される記録マークが不必要に広がり、良好な信号特性が得られなくなってしまう。例えば、相変化記録膜によって記録を行うタイプの光記録媒体においては、放熱性が低い場合再結晶化現象が発生し、これにより記録マークの形状が不適切となってしまう。
【０００７】
このように、Ｌ０層の光透過率と放熱性はトレードオフの関係にあることから、Ｌ０層に対する記録特性及び再生特性とＬ１層に対するデータの記録特性及び再生特性を両立させることは困難であった。このような問題は、Ｌ１層が書き換え型の情報記録層である場合のみならず、Ｌ１層が再生専用の情報記録層であっても生じる。すなわち、この場合には、Ｌ０層に対する記録特性及び再生特性とＬ１層に対するデータの再生特性を両立させることが困難となる。
【０００８】
このため、これを両立させるためには、Ｌ０層に含まれる反射膜の材料として光透過率が高く且つ熱伝導性が高い材料を用いる必要がある。このような要求を満たす材料としてはＡｇ（銀）が挙げられが、Ａｇは腐食が起きやすいため、これを反射膜の材料としてそのまま用いると十分な信頼性を確保することができない。
【０００９】
かかる信頼性の問題は、主成分であるＡｇに種々の添加物を加えることによって改善することが可能であるが、添加物の種類によっては熱伝導性が大きく低下するためＬ０層用の反射膜としては不適切であったり、或いは、材料コストを大幅に高めてしまうという新たな問題を生じさせることが多い。このような問題は、データの記録／再生に用いるレーザビームの波長λと対物レンズの開口数ＮＡとの比（λ／ＮＡ）が小さいほど顕著となるため、次世代型の光記録媒体のように、光学系がλ／ＮＡ≦６４０ｎｍに設定される場合には特に大きな問題となる。
【００１０】
したがって、本発明の目的は、複数の情報記録層を有する書き込み可能な光記録媒体であって、これら各情報記録層に対する記録特性及び再生特性が高められた光記録媒体を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明のかかる目的は、光入射面を構成する光透過層と、前記光透過層とは反対側の面を構成する基体と、前記光透過層と前記基体との間に設けられた複数の情報記録層とを備え、前記光入射面からレーザビームを照射することによって各情報記録層に対するデータの記録及び／又は再生が可能な光記録媒体であって、前記複数の情報記録層のうち前記光入射面から最も遠い情報記録層とは異なる少なくとも一つの情報記録層にＡｇを主成分としこれにＣが添加されてなる反射膜が含まれていることを特徴とする光記録媒体によって達成される。
【００１２】
本発明による光記録媒体においては、反射膜の材料がＡｇＣであることから、材料コストの増大を抑制しながら、高い光透過率、熱伝導性及び保存信頼性を確保することが可能となる。これにより、光入射面に近い情報記録層に対する記録／再生特性と光入射面から遠い情報記録層に対する記録／再生特性とを両立させることが可能となる。
【００１３】
この場合、前記反射膜中のＣの添加率が５．０ａｔｍ％以下であることが好ましく、０．５ａｔｍ％〜５．０ａｔｍ％であることがより好ましく、０．５ａｔｍ％〜４．０ａｔｍ％であることがさらに好ましく、約２．５ａｔｍ％であることが特に好ましい。また、前記各情報記録層には複数の無機反応膜が含まれていることが好ましい。
【００１４】
さらに、前記光透過層の厚みは３０μｍ〜２００μｍであることが好ましい。光透過層の厚みが３０μｍ〜２００μｍに設定される次世代型の光記録媒体においては、高密度化を達成するために非常に波長の短いレーザビームが用いられるとともに、開口数（ＮＡ）の大きい対物レンズが用いられることから（例えば、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍ）、ビームスポットにおける単位面積当たりのエネルギー量が高い。このため、このような光記録媒体においてはより高い放熱性が要求されるが、本発明をこのような光記録媒体に適用すれば、かかる要求を満足することが可能となる。
【００１５】
また、本発明にかかる光記録方法は、上述した光記録媒体に対し、レーザビームの波長λと対物レンズの開口数ＮＡとの関係を、
λ／ＮＡ　≦　６４０ｎｍ
に設定して前記各情報記録層に対するデータの記録を行うことを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施態様について詳細に説明する。
【００１７】
図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体１０の構造を概略的に示す断面図である。
【００１８】
図１に示すように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、ディスク状の支持基体１１と、透明中間層１２と、光透過層１３と、透明中間層１２と光透過層１３との間に設けられたＬ０層２０と、支持基体１１と透明中間層１２との間に設けられたＬ１層３０とを備える。Ｌ０層２０は、光入射面１３ａから近い側の情報記録層を構成し、支持基体１１側から反射膜２１、第２の誘電体膜２２、Ｌ０記録膜２３及び第１の誘電体膜２４が積層された構造を有する。また、Ｌ１層３０は、光入射面１３ａから遠い側の情報記録層を構成し、支持基体１１側から反射膜３１、第４の誘電体膜３２、Ｌ１記録膜３３及び第３の誘電体膜３４が積層された構造を有する。このように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、積層された２層の情報記録層（Ｌ０層２０及びＬ１層３０）を有している。
【００１９】
Ｌ１層３０に対してデータの記録／再生を行う場合、光入射面１３ａから近い側のＬ０層２０を介してレーザビームＬが照射されることになるため、Ｌ０層２０は十分な光透過率を有している必要がある。具体的には、データの記録／再生に用いられるレーザビームＬの波長において、３０％以上の光透過率を有している必要があり、４０％以上の光透過率を有していることが好ましい。データの記録／再生に用いられるレーザビームＬの波長としては、ビームスポット径を充分に小さく絞るためλ＝５００ｎｍ以下であることが好ましく、２００ｎｍ〜４５０ｎｍであることがより好ましい。尚、本明細書において、「Ａ〜Ｂ（Ａ及びＢは、いずれも同じ単位（ｎｍ等）を有する数値）」とは、Ａ以上であってＢ以下であることを意味する。
【００２０】
支持基体１１は、光記録媒体１０の機械的強度を確保する役割を果たし、その表面にはグルーブ１１ａ及びランド１１ｂが設けられている。これらグルーブ１１ａ及び／又はランド１１ｂは、Ｌ１層３０に対してデータの記録／再生を行う場合におけるレーザビームＬのガイドトラックとしての役割を果たす。特に限定されるものではないが、グルーブ１１ａの深さとしては１０ｎｍ〜４０ｎｍに設定することが好ましく、グルーブ１１ａのピッチとしては０．２μｍ〜０．４μｍに設定することが好ましい。支持基体１１の厚みは約１．１ｍｍに設定され、その材料としては、上記各層を支持しうる材料であれば特に限定されず、例えば、ガラス、セラミックス、あるいは樹脂を用いることができる。これらのうち、成形の容易性の観点から樹脂が好ましい。このような樹脂としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。中でも、加工性などの点からポリカーボネート樹脂が特に好ましい。尚、支持基体１１は光入射面１３ａとは反対側の面を構成することから、特に光透過性を備える必要はない。
【００２１】
透明中間層１２は、Ｌ０層２０とＬ１層３０とを物理的及び光学的に十分な距離をもって離間させる役割を果たし、その表面にはグルーブ１２ａ及びランド１２ｂが設けられている。これらグルーブ１２ａ及び／又はランド１２ｂは、Ｌ０層２０に対してデータの記録／再生を行う場合におけるレーザビームＬのガイドトラックとしての役割を果たす。グルーブ１２ａの深さやピッチは、支持基体１１に設けられたグルーブ１１ａの深さやピッチと同程度に設定すればよい。透明中間層１２の厚みとしては５μｍ〜５０μｍに設定することが好ましく、１０μｍ〜４０μｍに設定することが特に好ましい。また、透明中間層１２の材料としては特に限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。透明中間層１２は、Ｌ１層３０に対してデータの記録／再生を行う場合にレーザビームＬの光路となることから、十分に高い光透過性を有している必要がある。
【００２２】
光透過層１３は、レーザビームＬの光路となるとともに光入射面１３ａを構成し、その厚みとしては、３０μｍ〜２００μｍに設定することが好ましい。光透過層１３の材料としては、特に限定されるものではないが、透明中間層１２と同様、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。上述のとおり、光透過層１３はレーザビームＬの光路となることから、十分に高い光透過性を有している必要がある。
【００２３】
次に、Ｌ０層２０及びＬ１層３０を構成する各膜について詳述する。
【００２４】
Ｌ０層２０及びＬ１層３０を構成する各膜の材料等は光記録媒体１０の種類によって大きく異なり、光記録媒体１０が書き換え型光記録媒体である場合には、Ｌ０記録膜２３及びＬ１記録膜３３はいずれも相変化材料によって構成され、光記録媒体１０が追記型光記録媒体である場合には、Ｌ０記録膜２３及びＬ１記録膜３３は、例えば２層の無機反応膜によって構成される。
【００２５】
Ｌ０記録膜２３及びＬ１記録膜３３が相変化材料からなる場合、これらが結晶状態である場合の反射率とアモルファス状態である場合の反射率とが異なることを利用してデータの記録が行われる。この場合、Ｌ０記録膜２３及びＬ１記録膜３３の具体的な材料としては特に限定されるものではないが、高速でダイレクトオーバーライトを可能とするためには、アモルファス状態から結晶状態への構造変化に要する時間（結晶化時間）が短いことが好ましく、このような材料としてはＳｂＴｅ系材料を挙げることができる。ＳｂＴｅ系材料としてはＳｂＴｅのみでもよいし、結晶化時間をより短縮するとともに長期の保存に対する信頼性を高めるために添加物を加えてもよい。
【００２６】
具体的には、Ｌ０記録膜２３及びＬ１記録膜３３を構成する相変化材料の原子比を
（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙＭｙ　　　Ｍ：Ｓｂ及びＴｅを除く元素
で表したとき、
０．５５≦ｘ≦０．９
０≦ｙ≦０．２５
であることが好ましく、
０．６５≦ｘ≦０．８５
０≦ｙ≦０．２５
であることがより好ましい。
【００２７】
元素Ｍの種類は特に限定されないが、短結晶化時間及び保存信頼性の観点から、Ｉｎ，Ａｇ，Ａｕ，Ｂｉ，Ｓｅ，Ａｌ，Ｐ，Ｇｅ，Ｈ，Ｓｉ，Ｃ，Ｖ，Ｗ，Ｔａ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｐｄ，Ｐｄ，Ｎ，Ｏ及び希土類元素からなる群より１又は２以上の元素を選択することが好ましい。特に、保存信頼性の観点からは、Ａｇ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｍｎ及び希土類元素からなる群より１又は２以上の元素を選択することが好ましい。
【００２８】
このようなＬ０記録膜２３またはＬ１記録膜３３にデータを記録する場合、入射面１３ａから強度変調されたレーザビームＬを照射し、Ｌ０記録膜２３またはＬ１記録膜３３にフォーカスを合わせる。これによって、Ｌ０記録膜２３またはＬ１記録膜３３の所定の部分を融点以上の温度に加熱し、その後急冷すれば、当該部分の状態がアモルファス状態となり、Ｌ０記録膜２３またはＬ１記録膜３３の所定の部分を結晶化温度以上の温度に加熱した後、徐冷すれば、当該部分の状態が結晶状態となる。アモルファス状態となった部分は「記録マーク」と呼ばれ、記録データは、記録マークの始点から終点までの長さ及び終点から次の記録マークの始点までの長さによって表現される。各記録マークの長さ及び記録マーク間（ブランク）の長さ（すなわち、エッジ間）は、特に限定されるものではないが、（１，７）ＲＬＬの変調方式が採用される場合、２Ｔ〜８Ｔ（Ｔは、クロックの周期）に対応する長さのいずれかに設定される。
【００２９】
一方、光記録媒体１０が追記型光記録媒体である場合には、Ｌ０記録膜２３及びＬ１記録膜３３を例えば図２（ａ）に示すように、支持基体１１側に位置する無機反応膜５１と光透過層１３側に位置する無機反応膜５２とが積層された構造とすることができる。Ｌ０記録膜２３及びＬ１記録膜３３をこのような構造とした場合、Ｌ０記録膜２３又はＬ１記録膜３３のうち未記録状態である領域は、図２（ａ）に示すように無機反応膜５１と無機反応膜５２がそのまま積層された状態となっているが、所定以上のパワーを持つレーザビームが照射されると、その熱によって、図２（ｂ）に示すように無機反応膜５１を構成する元素及び無機反応膜５２を構成する元素がそれぞれ部分的又は全体的に混合されて記録マークＭとなる。このとき、記録層において記録マークＭの形成された混合部分とそれ以外の部分とでは再生光に対する反射率が大きく異なるため、これを利用してデータの記録・再生を行うことができる。
【００３０】
ここで、無機反応膜５１の材料としては、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｂ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｚｒ、Ａｇ，Ｂｉ及びＰｔからなる群より選ばれた一の材料を主成分とし、無機反応膜５２の材料としては上記群より選ばれた他の材料を主成分とすることが好ましい。特に、再生信号のノイズレベルをより低く抑えるためには、無機反応膜５１及び無機反応膜５２の一方の主成分をＣｕ、Ａｌ、ＺｎまたはＡｇとし、他方の主成分をＳｉ、ＧｅまたはＳｎとすることが好ましく、無機反応膜５１及び無機反応膜５２の一方の主成分をＣｕとし他方の主成分をＳｉとすることが最も好ましい。この場合、無機反応膜５１の主成分がＣｕであり、無機反応膜５２の主成分がＳｉであることが好ましい。無機反応膜５１及び無機反応膜５２の材料としてこのような元素を主成分とする材料を用いることにより、再生信号のノイズレベルをより低く抑えることができるとともに、環境負荷を抑制することが可能となる。
【００３１】
また、無機反応膜５１及び無機反応膜５２の一方の主成分がＣｕである場合には、これにＡｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、ＭｇまたはＡｕが添加されていることが好ましく、無機反応膜５１及び無機反応膜５２の一方の主成分がＡｌである場合には、これにＭｇ、Ａｕ、ＴｉまたはＣｕが添加されていることが好ましく、無機反応膜５１及び無機反応膜５２の一方の主成分がＺｎである場合には、これにＭｇ、ＡｌまたはＣｕが添加されていることが好ましく、無機反応膜５１及び無機反応膜５２の一方の主成分がＡｇである場合には、これにＣｕまたはＰｄが添加されていることが好ましい。このような元素を添加すれば、再生信号のノイズレベルがより低く抑えられるとともに、長期間の保存に対する信頼性を高めることが可能となる。尚、本明細書において「主成分」とは、当該膜中において最も含有率（原子％＝ａｔｍ％）の高い元素を指す。
【００３２】
ここで、Ｌ０記録膜２３は、Ｌ１層３０に対してデータの記録／再生を行う場合にレーザビームＬの光路となることから、十分な光透過性を有している必要があり、このためＬ０記録膜２３の膜厚は、Ｌ１記録膜３３の膜厚と比べて薄く設定することが好ましい。
【００３３】
具体的には、Ｌ０記録膜２３及びＬ１記録膜３３が相変化材料からなる場合には、Ｌ１記録膜３３の膜厚を３ｎｍ〜２０ｎｍに設定することが好ましく、Ｌ０記録膜２３の膜厚を３ｎｍ〜１０ｎｍに設定することが好ましい。これは、相変化材料からなる膜を極端に薄膜化すると結晶化が起こりにくくなるため、Ｌ０記録膜２３及びＬ１記録膜３３の膜厚が３ｎｍ未満であると結晶化すること自体が困難となる一方、Ｌ０記録膜２３の膜厚が１０ｎｍを超えるとＬ０層２０の光透過率が低下し、Ｌ１層３０に対するデータの記録特性及び再生特性が悪化してしまうからである。また、Ｌ０記録膜２３及びＬ１記録膜３３が無機反応膜５１、５２の積層体からなる場合には、Ｌ１記録膜３３の膜厚を２ｎｍ〜４０ｎｍに設定することが好ましく、Ｌ０記録膜２３の膜厚を２ｎｍ〜１５ｎｍに設定することが好ましい。これは、無機反応膜５１及び５２の積層体からなるＬ０記録膜２３及びＬ１記録膜３３の膜厚が２ｎｍ未満であるとこれらを混合する前後における光学特性の差が十分に得られなくなる一方、Ｌ０記録膜２３の膜厚が１０ｎｍを超えるとＬ０層２０の光透過率が低下し、Ｌ１層３０に対するデータの記録特性及び再生特性が悪化してしまうからであり、また、Ｌ１記録膜３３の膜厚が４０ｎｍを超えると、記録感度が悪化してしまうからである。
【００３４】
また、Ｌ０記録膜２３及びＬ１記録膜３３が無機反応膜５１、５２の積層体からなる場合には、無機反応膜５１の膜厚と無機反応膜５２の膜厚との比（無機反応膜５１の膜厚／無機反応膜５２の膜厚）は、０．２〜５．０であることが好ましい。
【００３５】
尚、Ｌ０記録膜２３及びＬ１記録膜３３を無機反応膜の積層体によって構成する場合、これらを上述のように２層構造（無機反応膜５１、５２の積層構造）とすることは必須でなく、ある無機反応膜とこれに隣接する他の無機反応膜を有するものであれば、これらを３層以上の無機反応膜を含む積層体としても構わない。例えば、ある材料（例えばＣｕ）からなる２つの無機反応膜と、これら２つの無機反応膜の間に配置された他の材料（例えばＳｉ）からなる１つの無機反応膜とからなる３層構造としても構わない。また、無機反応膜５１と無機反応膜５２との間に、無機反応膜５１を構成する材料と無機反応膜５２を構成する材料とが混合されてなる混合膜が介在していても構わない。さらに、上記の例においては、無機反応膜５１と無機反応膜５２とが互いに接しているが、必要に応じてこれらの間に薄い他の膜（例えば誘電体膜）を介在させても構わない。
【００３６】
一方、Ｌ０記録膜２３を挟むように設けられた第１の誘電体膜２４及び第２の誘電体膜２２は、Ｌ０記録膜２３に対する保護膜として機能し、Ｌ１記録膜３３を挟むように設けられた第３の誘電体膜３４及び第４の誘電体膜３２は、Ｌ１記録膜３３に対する保護膜として機能する。
【００３７】
第１の誘電体膜２４、第２の誘電体膜２２、第３の誘電体膜３４及び第４の誘電体膜３２の厚みとしては、特に限定されるものではないが、１ｎｍ〜５０ｎｍに設定することが好ましい。これら誘電体膜の厚みを１ｎｍ未満に設定すると保護膜としての機能が不十分となり、例えば、Ｌ０記録膜２３及びＬ１記録膜３３が相変化材料からなる場合には、後述する初期化工程においてクラックが生じたり、ダイレクトオーバーライトを繰り返し行った場合の特性（繰り返し書き換え特性）が劣化する。一方、これら誘電体膜の厚みを５０ｎｍ超に設定すると、成膜時間が長くなって生産性が低下したり、膜の応力によってＬ０記録膜２３やＬ１記録膜３３にクラックが発生するおそれがある。
【００３８】
尚、これら第１の誘電体膜２４、第２の誘電体膜２２、第３の誘電体膜３４及び第４の誘電体膜３２は、１層の誘電体膜からなる単層構造であってもよいし、２層以上の誘電体膜からなる積層構造であってもよい。例えば、第１の誘電体膜２４を屈折率の異なる２層の誘電体膜からなる積層構造とすれば、より大きな光干渉効果を得ることが可能となる。これら誘電体膜の材料としては特に限定されないが、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＴａＯ、ＺｎＳ、ＣｅＯ２等、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｅ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｔａ等の酸化物、窒化物、硫化物、炭化物あるいはそれらの混合物を用いることが好ましく、特に、ＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる誘電体を主成分とすることがより好ましい。ここで、「ＺｎＳ・ＳｉＯ２」とは、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物を意味する。
【００３９】
反射膜２１は、光入射面１３ａから入射されるレーザビームＬを反射し、再び光入射面１３ａから出射させる役割を果たすとともに、レーザビームＬの照射によってＬ０記録膜２３に生じた熱を効果的に放熱させる役割を果たす。一方、Ｌ１層３０に対するデータの記録／再生を行う場合には、光入射面１３ａから入射されるレーザビームＬはかかる反射膜２１を通ってＬ１層３０に照射されることから、反射膜２１の材料としては、光透過率が高く且つ熱伝導性が高い材料を用いる必要がある。さらに、反射膜２１の材料としては、長期にわたる保存信頼性が高いことも要求される。
【００４０】
このような要求に応えるべく、本実施態様においては反射膜２１の材料として、主成分であるＡｇ（銀）にＣ（炭素）が添加された材料（ＡｇＣ）を用いている。主成分であるＡｇにＣを添加すると、Ａｇが本来備えている高い光透過率及び高い熱伝導性を大きく損なうことなく、長期にわたる保存信頼性を大幅に改善することが可能となる。また、Ｃを添加することによって材料コストが大幅に増大することもない。このように、反射膜２１の材料としてＡｇＣを用いれば、材料コストの増大を抑制しながら、高い光透過率、熱伝導性及び保存信頼性を確保することが可能となる。
【００４１】
ここで、主成分であるＡｇに対するＣの添加量が多くなればなるほど光透過率及び熱伝導性が低下する傾向がある一方で、Ａｇに対するＣの添加量が所定値以下である場合にはＣの添加量が多くなるほど保存信頼性が向上し、Ｃの添加量が上記所定値を越えるとそれ以上の量のＣを添加しても保存信頼性の向上効果は飽和してしまう。したがって、主成分であるＡｇに対するＣの添加量としては、Ｃの添加による光透過率及び熱伝導性の低下とＣの添加による保存信頼性の向上との関係において定める必要がある。
【００４２】
具体的には、Ｃの添加量が５．０ａｔｍ％以下であれば、Ｌ０層２０用の反射膜の材料として十分なレベルの光透過率及び熱伝導性を確保することができ、特にＣの添加量が４．０ａｔｍ％以下であれば純粋なＡｇに近い光透過率を得ることができ、Ｃの添加量が２．５ａｔｍ％以下であれば純粋なＡｇとほぼ同等の光透過率を得ることができる。一方、信頼性については僅かなＣの添加によって顕著な向上効果が見られる。つまり、Ｃの添加量が約２ａｔｍ％以下の領域においては、添加量に応じた信頼性の向上は著しく、このため、０．５ａｔｍ％程度の添加でも信頼性は大きく向上する。しかしながら、Ｃの添加量が約２ａｔｍ％を越える領域においては、添加量に応じた信頼性の向上効果はそれほど得られない。
【００４３】
以上を考慮すれば、主成分であるＡｇに対するＣの添加量は５．０ａｔｍ％以下であることが好ましく、０．５ａｔｍ％〜５．０ａｔｍ％であることがより好ましく、０．５ａｔｍ％〜４．０ａｔｍ％であることがさらに好ましく、約２ａｔｍ％であることが特に好ましい。但し、実際にＡｇに添加されるＣの量は、製造ばらつきによって±０．５ａｔｍ％程度変動すること、並びに、Ｃの添加量が約２ａｔｍ％以下の領域においては、実際に添加されたＣの量に応じて信頼性の向上効果が大きく影響を受けることを考慮すれば、Ｃの添加量としては２．５ａｔｍ％程度に設定することが最も好ましいと言える。
【００４４】
尚、反射膜２１の膜厚としては、Ｃの添加量によって光透過率及び熱伝導性が変化するためこれを考慮して定めればよいが、一般的には、２０ｎｍ未満とすることが好ましく、５ｎｍ〜１５ｎｍとすることがより好ましい。
【００４５】
また、図１には示されていないが、透明中間層１２と反射膜２１との間に下地保護膜を介在させても構わない。このような下地保護膜を設ければ、反射膜２１と透明中間層１２とが物理的に分離されることから、Ｌ０層２０に対するデータの記録時における透明中間層１２への熱ダメージを緩和することができる。このような下地保護膜の材料としては、第１の誘電体膜２４等の材料として好ましく用いることができる材料と同じ材料を用いることができ、その膜厚としては、２ｎｍ〜１５０ｎｍに設定することが好ましい。
【００４６】
さらに、図１には示されていないが、光透過層１３と第１の誘電体膜２４との間に、第１の誘電体膜２４よりも熱伝導性が高い材料からなる透明放熱膜を介在させても構わない。このような透明放熱膜を設ければ、Ｌ０層２０の放熱性をより向上させることが可能となる。透明放熱膜の厚さとしては、１０ｎｍ〜２００ｎｍに設定することが好ましい。また、このような透明放熱膜を設ける場合、さらに、透明放熱膜と光透過層１３との間に、屈折率が透明放熱膜とは異なる誘電体膜を設けても構わない。透明放熱膜と光透過層１３との間にこのような誘電体膜を設ければ、より大きな光干渉効果を得ることが可能となる。
【００４７】
反射膜３１は、光入射面１３ａから入射されるレーザビームを反射し、再び光入射面１３ａから出射させる役割を果たすとともに、Ｌ１記録膜３３に生じた熱を効果的に放熱させる役割を果たし、その膜厚は２０ｎｍ〜２００ｎｍに設定することが好ましい。反射膜３１の膜厚が２０ｎｍ未満であると充分な放熱効果を得ることができず、また、２００ｎｍ超であると、成膜に長い時間がかかることから生産性を低下させたり、内部応力等によってクラックが発生するおそれが生じる。反射膜３１の材料としては特に限定されないが、反射膜２１と同様の材料を用いることができる。但し、反射膜３１については、Ｌ０層２０に用いる反射膜２１のように光透過率を考慮する必要はない。
【００４８】
以上が本実施態様にかかる光記録媒体１０の構造であり、このような構造を有する光記録媒体１０に記録されたデータを再生する場合、光入射面１３ａからレーザビームＬが照射され、その反射光量が検出される。具体的には、Ｌ０記録膜２３及びＬ１記録膜３３が相変化材料からなる場合、結晶状態である場合とアモルファス状態である場合とで光反射率が異なっていることから、レーザビームＬを光入射面１３ａから照射してＬ０記録膜２３及びＬ１記録膜３３の一方にフォーカスを合わせ、その反射光量を検出すれば、レーザビームが照射された部分におけるＬ０記録膜２３またはＬ１記録膜３３が結晶状態であるかアモルファス状態であるかを判別することができる。また、Ｌ０記録膜２３及びＬ１記録膜３３が無機反応膜５１、５２の積層体からなる場合、未混合領域と混合領域（記録マークＭ）とで光反射率が異なっていることから、レーザビームＬを光入射面１３ａから照射してＬ０記録膜２３及びＬ１記録膜３３の一方にフォーカスを合わせ、その反射光量を検出すれば、レーザビームが照射された部分におけるＬ０記録膜２３またはＬ１記録膜３３が混合領域であるか未混合領域であるかを判別することができる。
【００４９】
ここで、レーザビームＬに対する反射率は、アモルファス状態である領域（記録マーク）と結晶状態である領域（ブランク）との間、或いは、未混合領域と混合領域との間において充分な差が存在すればよく、記録マークの形成（アモルファス化或いは無機反応膜の混合）により光記録媒体の反射率が低下するいわゆるＨｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ型であっても、記録マークの形成により情報記録層の反射率が上昇するいわゆるＬｏｗ　ｔｏ　Ｈｉｇｈ型であっても構わない。但し、アドレスピットの呼び出しやサーボ特性を考慮すれば、Ｈｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ型とすることが好ましい。
【００５０】
次に、本実施態様にかかる光記録媒体１０の製造方法について説明する。
【００５１】
図３〜図６は、光記録媒体１０の製造方法を示す工程図である。
【００５２】
まず、図３に示すように、スタンパ４０を用いてグルーブ１１ａ及びランド１１ｂを有する支持基体１１を射出成形する。次に、図４に示すように、支持基体１１のうちグルーブ１１ａ及びランド１１ｂが形成されている面のほぼ全面に、スパッタリング法等の気相成長法によって、反射膜３１、第４の誘電体膜３２、Ｌ１記録膜３３及び第３の誘電体膜３４を順次形成する。これにより、Ｌ１層３０が完成する。ここで、Ｌ１記録膜３３を２層の無機反応膜５１、５２によって構成する場合、当然ながら、スパッタリング直後におけるＬ１記録膜３３は未混合状態となっている。また、Ｌ１記録膜３３を相変化材料によって構成する場合、スパッタリング直後におけるＬ１記録膜３３の状態は通常アモルファス状態となっている。
【００５３】
次に、図５に示すように、Ｌ１層３０上に、紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、その表面にスタンパ４１を被せた状態でスタンパ４１を介して紫外線を照射し、スタンパ４１を剥離することにより、グルーブ１２ａ及びランド１２ｂを有する透明中間層１２を形成する。次に、図６に示すように、グルーブ１２ａ及びランド１２ｂが形成された透明中間層１２のほぼ全面に、スパッタリング法等の気相成長法によって、反射膜２１、第２の誘電体膜２２、Ｌ０記録膜２３及び第１の誘電体膜２４を順次形成する。これにより、Ｌ０層２０が完成する。上述と同様、Ｌ０記録膜２３を２層の無機反応膜５１、５２によって構成する場合には、当然ながら、スパッタリング直後におけるＬ０記録膜２３は未混合状態となっており、Ｌ０記録膜２３を相変化材料によって構成する場合には、スパッタリング直後におけるＬ０記録膜２３の状態は通常アモルファス状態となっている。
【００５４】
そして、図１に示すように、Ｌ０層２０上に、紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、紫外線を照射することによって光透過層１３を形成する。以上により、全ての成膜工程が完了する。Ｌ０記録膜２３及びＬ１記録膜３３が２層の無機反応膜５１、５２によって構成されている場合には、かかる成膜工程によって光記録媒体１０の製造が完了するが、Ｌ０記録膜２３及びＬ１記録膜３３が相変化材料からなる場合には、以下に説明する「初期化工程」を経ることによって光記録媒体１０が完成する。Ｌ０記録膜２３及びＬ１記録膜３３が相変化材料からなる場合における、成膜工程が完了した状態の光記録媒体を「光記録媒体前駆体」と呼ぶことがある。
【００５５】
次に、初期化工程について説明する。
【００５６】
初期化工程においては、まず、光記録媒体前駆体をレーザ照射装置（図示せず）の回転テーブルに載置し、回転させながらトラックに沿った方向（光記録媒体の円周方向）における長さが短く、且つ、トラックに垂直な方向（光記録媒体の径方向）における長さが長い矩形状のレーザビームを連続的に照射し、光記録媒体前駆体が１回転するごとに照射位置をトラックに対して垂直な方向にずらすことによって、矩形状のレーザビームをＬ０記録膜２３及びＬ１記録膜３３のほぼ全面に照射する。これにより、Ｌ０記録膜２３及びＬ１記録膜３３を構成する相変化材料は結晶化温度以上の温度に加熱され、その後徐冷されることから、Ｌ０記録膜２３及びＬ１記録膜３３の実質的に全面が結晶状態、すなわち、未記録状態となる。以上により初期化工程が完了し、光記録媒体１０が完成する。
【００５７】
このようにして製造された光記録媒体１０に対しては、上述の通り、レーザビームＬのフォーカスをＬ０記録膜２３及びＬ１記録膜３３のいずれかに合わせて記録マークを形成することにより、所望のデジタルデータを記録することができる。また、光記録媒体１０のＬ０記録膜２３及び／又はＬ１記録膜３３にデータを記録した後は、上述の通り、レーザビームＬのフォーカスをＬ０記録膜２３及びＬ１記録膜３３のいずれかに合わせてその反射光量を検出することにより、記録されたデジタルデータを再生することができる。
【００５８】
以上説明したように、本実施態様にかかる光記録媒体１０においては、Ｌ０層２０に含まれる反射膜２１の材料としてＡｇＣを用いていることから、材料コストの増大を抑制しながら、高い光透過率、熱伝導性及び保存信頼性を確保することが可能となる。特に、主成分であるＡｇに添加するＣの量が５．０ａｔｍ％以下、好ましくは０．５ａｔｍ％〜５．０ａｔｍ％、より好ましくは０．５ａｔｍ％〜４．０ａｔｍ％、さらに好ましくは約２．５ａｔｍ％に設定すれば、非常に高い光透過率、熱伝導性及び保存信頼性を確保することが可能となる。これにより、Ｌ０層２０に対する記録／再生特性とＬ１層３０に対する記録／再生特性とを両立させることが可能となる。
【００５９】
本発明は、以上の実施態様に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００６０】
例えば、上記実施態様においては、２層の情報記録層を有する光記録媒体について説明したが、本発明の適用が可能な光記録媒体がこれに限定されるものではなく、３層以上の情報記録層を有する光記録媒体に対しても本発明を適用することも可能である。この場合、光入射面から最も遠い情報記録層以外の情報記録層に含まれる反射膜の材料として、上述した反射膜２１の材料と同様の材料を用いればよい。但し、このことは光入射面から最も遠い情報記録層に含まれる反射膜の材料としてＡｇＣを用いるべきではない旨を意味するものではなく、光入射面から最も遠い情報記録層の反射膜の材料としてＡｇＣを用いても構わない。
【００６１】
また、３層以上の情報記録層が存在する場合、光入射面１３ａに近い情報記録層ほど高い光透過率を有している必要があることから、光入射面１３ａに近い情報記録層に含まれる反射膜ほどＣの添加量を少なくすることが好ましい。また、３層以上の情報記録層を有する光記録媒体に対しても本発明を適用する場合、光入射面から最も近い情報記録層については非常に高い光透過率が要求されることから、かかる情報記録層に対応する反射膜を省略しても構わない。
【００６２】
さらにまた、上記実施態様においては、Ｌ０層２０及びＬ１層３０とも、相変化材料または無機反応膜の積層体からなる記録膜を有しているが、本発明では、Ｌ１層３０の構成については特に制限されず、例えば、記録層を備えない再生専用の情報記録層であっても構わない。この場合、支持基体１１上にプリピットが設けられ、かかるプリピットによってＬ１層３０に情報が保持される。
【００６３】
さらにまた、上記実施態様では、光透過層１３が非常に薄く設定される次世代型の光記録媒体に本発明を適用した場合について説明したが、ＤＶＤのように、支持基体（基板）側からレーザビームを照射することによってデータの記録／再生を行うタイプの光記録媒体に本発明を適用することも可能である。但し、次世代型の光記録媒体においては、高密度化を達成するために非常に波長の短いレーザビームが用いられるとともに、開口数（ＮＡ）の大きい対物レンズが用いられることから、ビームスポットにおける単位面積当たりのエネルギー量が高く、Ｌ０層２０にはより高い放熱性が要求される。これを考慮すれば、本発明は、光学系がλ／ＮＡ≦６４０ｎｍに設定される次世代型の光記録媒体に適用することが非常に有効である。尚、次世代型の光記録媒体は、光透過層１３が従来の光記録媒体（ＤＶＤ等）に比べて非常に薄いという特徴を有している。
【００６４】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００６５】
［実施例１］
以下に示す手順により、図１に示す光記録媒体１０からＬ１層３０及び透明中間層１２を削除した構成を有するサンプルを作製した。
【００６６】
まず、射出成型法により、厚さ：１．１ｍｍ、直径：１２０ｍｍであり、表面にグルーブ及びランドが形成されていないディスク状のポリカーボネート基板（１１）を作成した。
【００６７】
次に、このポリカーボネート基板（１１）をスパッタリング装置にセットし、その表面にＡｇＣからなる厚さ８ｎｍの反射膜（２１）、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなる厚さ３２ｎｍの第２の誘電体膜（２２）、Ｓｉからなる厚さ５ｎｍの無機反応膜（５１）、Ｃｕからなる厚さ５ｎｍの無機反応膜（５２）、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなる厚さ３０ｎｍの第１の誘電体膜（２４）を順次スパッタ法により形成した。
【００６８】
次に、第１の誘電体膜（２４）上に、アクリル系紫外線硬化性樹脂をスピンコート法によりコーティングし、これに紫外線を照射して厚さ１００μｍの光透過層（１３）を形成した。
【００６９】
なお、第１の誘電体膜（２４）及び第２の誘電体膜（２２）においてＺｎＳとＳｉＯ２のモル比率は、ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０となるようにした。
【００７０】
このようなサンプルを反射膜の組成比（Ｃの添加量）を変えて複数枚作成した。尚、このような構造を有するサンプルに対して光透過層側からレーザビームを照射すると、その多くが上記各膜及びポリカーボネート基板を透過して出射してしまうことから光記録媒体としての実用性は乏しいが、反射膜の組成比（Ｃの添加量）と光学特性との関係を測定するためには好適である。
【００７１】
次に、このようにして作製した複数のサンプルに対し、波長λ＝４０５ｎｍのレーザビームを光透過層側から照射し、ポリカーボネート基板を透過して出射するレーザビームの光量を測定することによって反射膜の光透過率を測定した。測定の結果を図７に示す。
【００７２】
図７に示すように、反射膜の光透過率は、添加したＣの量が約２．５ａｔｍ％以下である領域においては純粋なＡｇの光透過率（約４５％）と実質的に等しいものの、添加量が約２．５ａｔｍ％を越えると徐々に光透過率が低下し、添加量が約５．０ａｔｍ％を越えると光透過率は約４０％未満まで低下した。
【００７３】
［実施例２］
まず、射出成型法により、厚さ：１．１ｍｍ、直径：１２０ｍｍであり、表面にグルーブ及びランドが形成されていないディスク状のポリカーボネート基板（１１）を作成した。次に、このポリカーボネート基板（１１）をスパッタリング装置にセットし、その表面にＡｇＣからなる厚さ１００ｎｍの反射膜（２１）をスパッタ法により形成した。
【００７４】
このようなサンプルを反射膜の組成比（Ｃの添加量）を変えて複数枚作成した。
【００７５】
次に、上記各サンプルの反射膜に対し、波長λ＝４０５ｎｍのレーザビームを照射し、その反射光量を測定することによって反射膜の反射率を測定した。その後、これらサンプルを８０℃、相対湿度８５％の環境下において５０時間保持し（保存試験）、その後再びレーザビームを反射膜に照射してその反射光量を測定することにより反射膜の反射率を測定した。そして、上記保存試験の前後における反射率の劣化率を算出した。ここで反射率の劣化率とは、
１００×（保存試験前の反射率−保存試験後の反射率）／保存試験前の反射率
で与えられる値である。その結果を図８に示す。
【００７６】
図８に示すように、全てのサンプルにおいて保存試験後の反射率は保存試験前の反射率よりも低下した。これは、保存試験によって反射膜の腐食が進行したことが原因であると考えられる。しかしながら、保存試験の前後における反射率の劣化率は、添加したＣの量が多いほど小さく、特に、Ｃの添加量が約２ａｔｍ％以下の領域においては、添加量に応じた劣化率の低下が顕著であった
以上の実施例１及び実施例２の結果より、光透過率を十分に高く維持しつつ、保存試験の前後における反射率の低下を効果的に抑制するためには（長期にわたる保存信頼性を高めるためには）、反射膜の主成分であるＡｇに添加するＣの量は５．０ａｔｍ％以下であることが好ましく、０．５ａｔｍ％〜５．０ａｔｍ％であることがより好ましく、０．５ａｔｍ％〜４．０ａｔｍ％であることがさらに好ましく、製造ばらつきを考慮すれば、約２．５ａｔｍ％であることが特に好ましいことが確認された。
【００７７】
［実施例３］
まず、射出成型法により、厚さ：１．１ｍｍ、直径：１２０ｍｍであり、表面にグルーブ及びランドが形成されていないディスク状のポリカーボネート基板（１１）を作成した。次に、このポリカーボネート基板（１１）をスパッタリング装置にセットし、その表面にＡｇＣ（Ｃ＝２．５ａｔｍ％）からなる厚さ１００ｎｍの反射膜（２１）をスパッタ法により形成した。また、別のポリカーボネート基板（１１）の表面にＡｇＣ（Ｃ＝５．０ａｔｍ％）からなる厚さ１００ｎｍの反射膜（２１）をスパッタ法により形成した。
【００７８】
また、比較のため、同様の構成を有するポリカーボネート基板（１１）をスパッタリング装置にセットし、その表面にＡｇＳｎ（Ｓｎ＝５ａｔｍ％）からなる厚さ１００ｎｍの反射膜（２１）をスパッタ法により形成し、また、別のポリカーボネート基板（１１）の表面にＡｇＷ（Ｗ＝１０ａｔｍ％）からなる厚さ１００ｎｍの反射膜（２１）をスパッタ法により形成した。
【００７９】
次に、上記各サンプルの反射膜について４端針法により電気伝導率を求め、さらに、Ｗｉｅｄｅｍａｎｎ−Ｆｒａｎｚ則により熱伝導率を算出した。その結果を表１に示す。
【００８０】
【表１】
2004039146.tif 000003
表１に示すように、ＡｇＣの熱伝導率は、Ｃの添加量が５．０ａｔｍ％であっても、ＡｇＳｎ（Ｓｎ＝５ａｔｍ％）やＡｇＷ（Ｗ＝１０ａｔｍ％）の熱伝導率よりも非常に優れた値となった。
【００８１】
以上より、反射膜の主成分であるＡｇに添加するＣの量が５．０ａｔｍ％以下であれば、十分な熱伝導性を確保することができることが確認された。
【００８２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明においては、積層された複数の情報記録層を備える光記録媒体において、光入射面に近い情報記録層に含まれる反射膜の材料としてＡｇＣを用いていることから、材料コストの増大を抑制しながら、高い光透過率、熱伝導性及び保存信頼性を確保することが可能となる。これにより、光入射面に近い情報記録層に対する記録／再生特性と光入射面から遠い情報記録層に対する記録／再生特性とを両立させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体１０の構造を概略的に示す断面図である。
【図２】記録膜として無機反応膜の積層体を用いた光記録媒体１０の部分断面図であり、（ａ）は未記録状態、（ｂ）は記録マークＭが形成された状態を示している。
【図３】光記録媒体１０の製造工程の一部を示す図である。
【図４】光記録媒体１０の製造工程の一部を示す図である。
【図５】光記録媒体１０の製造工程の一部を示す図である。
【図６】光記録媒体１０の製造工程の一部を示す図である。
【図７】主成分であるＡｇに添加したＣの量と光透過率との関係を示すグラフである。
【図８】主成分であるＡｇに添加したＣの量と保存試験の前後における反射率の劣化率との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１０　光記録媒体
１１　支持基体
１１ａ，１２ａ　グルーブ
１１ｂ，１２ｂ　ランド
１２　透明中間層
１３　光透過層
１３ａ　光入射面
２０　Ｌ０層
２１　反射膜
２２　第２の誘電体膜
２３　Ｌ０記録膜
２４　第１の誘電体膜
３０　Ｌ１層
３１　反射膜
３２　第４の誘電体膜
３３　Ｌ１記録膜
３４　第３の誘電体膜
４０，４１　スタンパ
５１，５２　無機反応膜
【図１】
2004039146.tif 000004
【図２】
2004039146.tif 000005
【図３】
2004039146.tif 000006
【図４】
2004039146.tif 000007
【図５】
2004039146.tif 000008
【図６】
2004039146.tif 000009
【図７】
2004039146.tif 000010
【図８】
2004039146.tif 000011