(57)【要約】【課題】チップ状電子部品の配線基板への接続及び交換、更には検査も容易に行えるチップ状電子部品、その実装構造、その中間基板、及びこれらの製造方法、並びにチップ状電子部品の検査方法を提供すること。【解決手段】第１の樹脂チップ３を第１の基板１上に複数個配設して固定した後、複数の樹脂チップ３を埋設する第１の感光層１０に配線用溝部５を形成して、複数の樹脂チップ３の各周囲に第１の素子分離溝８を形成し、分離された複数の樹脂チップ２０を転写後に被覆した第２の感光層１５に更に分離溝１９を形成し、この分離溝に導電性接着剤層１６を充填し、この充填後に更に転写し、複数の樹脂チップ２０間の導電性接着剤層１６を除去して、導電性接着剤層１６を電極パッドから第１の感光層１０の側面にかけて有する第３の樹脂チップ３１に分離し、この樹脂チップ３１の側面において導電性接着剤層１６を実装基板２１上の配線部２２にはんだ接続する。【選択図】　　　　　図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ部品を支持体上に複数個配設して固定する工程と、
前記複数のチップ部品を埋設するように絶縁物質で被覆する工程と、
この絶縁物質のうち配線領域となる部分を除去して、前記複数のチップ部品の各周囲に分離溝を形成する工程と、
分離された前記複数のチップ部品間に導電性物質を充填する工程と、
この充填後に、前記複数のチップ部品間の物質を除去して、前記導電性物質を電極部から前記絶縁物質の側面にかけて有する各チップ状電子部品に分離す
る工程と
を有する、チップ状電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記チップ部品を第１の支持体に固定した後、第２の支持体、更には第３の支持体に順次転写し、この第３の支持体上の前記チップ部品を前記絶縁物質で被覆し、前記分離溝の形成及び前記導電性物質の充填後に、第４の支持体に面転写し、更に、前記物質の除去によって前記チップ状電子部品に分離する、請求項１に記載のチップ状電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記第２の支持体への前記チップ部品の転写をピッチ変更下で行う、請求項２に記載のチップ状電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記導電性物質の充填後に前記第３の支持体上で前記物質の除去によって前記チップ状電子部品に分離する、請求項２に記載のチップ状電子部品の製造方法。
【請求項５】
支持体上において前記複数のチップ部品を前記導電性物質に埋設した後、前記複数のチップ部品間で前記導電性物質を除去して前記チップ状電子部品に分離する、請求項１に記載のチップ状電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記チップ部品を構成する素子を発光素子とする、請求項１に記載のチップ状電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記導電性物質にナノペーストを用いる、請求項１に記載のチップ状電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁物質として感光性物質を用い、この露光及び現像によって前記分離溝を形成する、請求項１に記載のチップ状電子部品の製造方法。
【請求項９】
素子が保護物質に埋設されてなる前記チップ部品を用いる、請求項１に記載のチップ状電子部品の製造方法。
【請求項１０】
チップ部品を支持体上に複数個配設して固定する工程と、
前記複数のチップ部品を埋設するように絶縁物質で被覆する工程と、
この絶縁物質のうち配線領域となる部分を除去して、前記複数のチップ部品の各周囲に分離溝を形成する工程と、
分離された前記複数のチップ部品間に導電性物質を充填する工程と、
この充填後に、前記複数のチップ部品間の物質を除去して、前記導電性物質を電極部から前記絶縁物質の側面にかけて有する各チップ状電子部品に分離する工程と、
このチップ状電子部品の前記側面において前記導電性物質と配線基板とを接続する工程と
を有する、実装構造の製造方法。
【請求項１１】
前記チップ部品を第１の支持体に固定した後、第２の支持体、更には第３の支持体に順次転写し、この第３の支持体上の前記チップ部品を前記絶縁物質で被覆し、前記分離溝の形成及び前記導電性物質の充填後に、第４の支持体に面転写し、更に、前記物質の除去によって前記チップ状電子部品に分離し、この分離されたチップ状電子部品を前記配線基板に接続する、請求項１０に記載の実装構造の製造方法。
【請求項１２】
前記第２の支持体への前記チップ部品の転写をピッチ変更下で行い、分離されたチップ状電子部品を前記配線基板に接続する、請求項１１に記載の実装構造の製造方法。
【請求項１３】
前記導電性物質の充填後に前記第３の支持体上で前記物質の除去によって前記チップ状電子部品に分離し、この分離されたチップ状電子部品を必要あれば転写を経て前記配線基板に接続する、請求項１１に記載の実装構造の製造方法。
【請求項１４】
支持体上において前記複数のチップ部品を前記導電性物質に埋設した後、前記複数のチップ部品間で前記導電性物質を除去して前記チップ状電子部品に分離し、この分離されたチップ状電子部品を必要あれば転写を経て前記配線基板に接続する、請求項１０に記載の実装構造の製造方法。
【請求項１５】
前記チップ部品を構成する素子を発光素子とする、請求項１０に記載の実装構造の製造方法。
【請求項１６】
前記導電性物質にナノペーストを用いる、請求項１０に記載の実装構造の製造方法。
【請求項１７】
前記絶縁物質として感光性物質を用い、この露光及び現像によって前記分離溝を形成する、請求項１０に記載の実装構造の製造方法。
【請求項１８】
前記配線基板への接続をはんだによって行う、請求項１０に記載の実装構造の製造方法。
【請求項１９】
前記配線基板への接続後に、前記チップ状電子部品側を光透過性絶縁物質で被覆する、請求項１０に記載の実装構造の製造方法。
【請求項２０】
素子が保護物質に埋設されてなる前記チップ部品を用いる、請求項１０に記載の実装構造の製造方法。
【請求項２１】
チップ部品を支持体上に複数個配設して固定する工程と、
前記複数のチップ部品を埋設するように絶縁物質で被覆する工程と、
この絶縁物質のうち配線領域となる部分を除去して、前記複数のチップ部品の各周囲に分離溝を形成する工程と、
分離された前記複数のチップ部品間に導電性物質を充填する工程と
を有する、チップ状電子部品製造用の中間基板の製造方法。
【請求項２２】
前記チップ部品を第１の支持体に固定した後、第２の支持体、更には第３の支持体に順次転写し、この第３の支持体上の前記チップ部品を前記絶縁物質で被覆し、前記分離溝の形成及び前記導電性物質の充填後に、必要あれば第４の支持体に面転写する、請求項２１に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板の製造方法。
【請求項２３】
前記導電性物質の充填後に、前記複数のチップ部品間の物質を除去して、前記導電性物質を電極部から前記絶縁物質の側面にかけて有する各チップ状電子部品に分離する、請求項２１に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板の製造方法。
【請求項２４】
前記第２の支持体への前記チップ部品の転写をピッチ変更下で行う、請求項２１に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板の製造方法。
【請求項２５】
前記導電性物質の充填後に前記第３の支持体上で前記物質の除去によって前記チップ状電子部品に分離する、請求項２３に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板の製造方法。
【請求項２６】
支持体上において前記複数のチップ部品を前記導電性物質に埋設した後、前記複数のチップ部品間で前記導電性物質を除去して前記チップ状電子部品に分離する、請求項２１に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板の製造方法。
【請求項２７】
前記チップ部品を構成する素子を発光素子とする、請求項２１に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板の製造方法。
【請求項２８】
前記導電性物質にナノペーストを用いる、請求項２１に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板の製造方法。
【請求項２９】
前記絶縁物質として感光性物質を用い、この露光及び現像によって前記分離溝を形成する、請求項２１に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板の製造方法。
【請求項３０】
素子が保護物質に埋設されてなる前記チップ部品を用いる、請求項２１に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板の製造方法。
【請求項３１】
チップ部品を支持体上に複数個配設して固定する工程と、
前記複数のチップ部品を埋設するように絶縁物質で被覆する工程と、
この絶縁物質のうち配線領域となる部分を除去して、前記複数のチップ部品の各周囲に分離溝を形成する工程と、
分離された前記複数のチップ部品間に導電性物質を充填する工程と、
この充填後に、前記導電性物質を介して前記複数のチップ部品の検査を行う工程と
を有する、チップ状電子部品の検査方法。
【請求項３２】
前記導電性物質の充填後に、前記複数のチップ部品間の物質を除去して、前記導電性物質を電極部から側面にかけて有する各チップ状電子部品に分離する前に、前記検査を行う、請求項３１に記載のチップ状電子部品の検査方法。
【請求項３３】
前記チップ部品を第１の支持体に固定した後、第２の支持体、更には第３の支持体に順次転写し、この第３の支持体上の前記チップ部品を前記絶縁物質で被覆し、前記分離溝の形成及び前記導電性物質の充填を行う、請求項３１に記載のチップ状電子部品の検査方法。
【請求項３４】
前記第２の支持体への前記チップ部品の転写をピッチ変更下で行う、請求項３３に記載のチップ状電子部品の検査方法。
【請求項３５】
前記導電性物質の充填後に前記第３の支持体上で前記物質の除去によって前記チップ状電子部品に分離する、請求項３３に記載のチップ状電子部品の検査方法。
【請求項３６】
支持体上において前記複数のチップ部品を前記導電性物質に埋設した後、前記複数のチップ部品間で前記導電性物質を除去して前記チップ状電子部品に分離し、この状態で前記検査を行う、請求項３１に記載のチップ状電子部品の検査方法。
【請求項３７】
前記チップ部品を構成する素子を発光素子とする、請求項３１に記載のチップ状電子部品の検査方法。
【請求項３８】
前記導電性物質にナノペーストを用いる、請求項３１に記載のチップ状電子部品の検査方法。
【請求項３９】
前記絶縁物質として感光性物質を用い、この露光及び現像によって前記分離溝を形成する、請求項３１に記載のチップ状電子部品の検査方法。
【請求項４０】
素子が保護物質に埋設されてなる前記チップ部品を用いる、請求項３１に記載のチップ状電子部品の検査方法。
【請求項４１】
チップ部品が絶縁物質で被覆され、前記チップ部品の電極部から前記絶縁物質の側面にかけて導電性物質が被着されている、チップ状電子部品。
【請求項４２】
前記チップ部品を構成する素子が発光素子である、請求項４１に記載のチップ状電子部品。
【請求項４３】
前記導電性物質がナノペーストからなる、請求項４１に記載のチップ状電子部品。
【請求項４４】
前記絶縁物質が感光性物質からなる、請求項４１に記載のチップ状電子部品。
【請求項４５】
素子が保護物質に埋設されて前記チップ部品が構成されている、請求項４１に記載のチップ状電子部品。
【請求項４６】
チップ部品が絶縁物質で被覆されていると共に前記チップ部品の電極部から前記絶縁物質の側面にかけて導電性物質が被着されているチップ状電子部品が、前記側面において前記導電性物質を介して配線基板に接続されている、チップ状電子部品の実装構造。
【請求項４７】
前記チップ部品を構成する素子が発光素子である、請求項４６に記載のチップ状電子部品の実装構造。
【請求項４８】
前記導電性物質がナノペーストからなる、請求項４６に記載のチップ状電子部品の実装構造。
【請求項４９】
前記絶縁物質が感光性物質からなる、請求項４６に記載のチップ状電子部品の実装構造。
【請求項５０】
素子が保護物質に埋設されて前記チップ部品が構成されている、請求項４６に記載のチップ状電子部品の実装構造。
【請求項５１】
チップ部品が絶縁物質で被覆されていると共に前記チップ部品の電極部から前記絶縁物質の側面にかけて導電性物質が被着されているチップ状電子部品の複数個が、支持体上に固定されている、チップ状電子部品製造用の中間基板。
【請求項５２】
前記複数のチップ状電子部品間に絶縁物質が充填されている、請求項５１に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板。
【請求項５３】
前記複数のチップ状電子部品間の物質が除去されている、請求項５１に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板。
【請求項５４】
前記チップ部品を構成する素子が発光素子である、請求項５１に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板。
【請求項５５】
前記導電性物質がナノペーストからなる、請求項５１に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板。
【請求項５６】
前記絶縁物質が感光性物質からなる、請求項５１に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板。
【請求項５７】
素子が保護物質に埋設されて前記チップ部品が構成されている、請求項５１に記載のチップ状電子部品製造用の中間基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ状電子部品、その実装構造、その中間基板、及びこれらの製造方法、並びにチップ状電子部品の検査方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、例えば画像表示装置の製造方法としては、ウエーハからダイシングして電子部品（例えば半導体チップ）を分離し、分離した電子部品をダイシングシートからチップトレイに移送し、所定の加工及び転写工程を経た後に、チップトレイから電子部品を真空吸着でピックアップし、基板にマウント若しくは接続した後に配線するという方法が知られている。
【０００３】
この方法は、例えば、半導体パッケージの製造工程において一般的に行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
図１４は、上記したような画像表示装置６２の一例を示す概略図であり、ｐ型半導体層５８及びｎ型半導体層５９とからなり、電極パッド５７及び電極パッド６０を上面に有する発光素子としての発光ダイオード素子６７を樹脂で封止した樹脂チップ６４を実装する構造を示す。なお、電極パッド５７は、ｐ型半導体層５８に接続された配線５７ａ及び導電プラグ層５７ｂを介して取り出されており、また電極パッド６０は、導電プラグ層６０ｂを介して配線６０ａに接続されていて、最終的に樹脂封止される前に両配線５７ａ−６０ａ間でプロービング検査を行えるようになっている。
【０００５】
この装置６２においては、実装基板５３上に積層された絶縁層５５及び５６の上に、上記の樹脂チップ６４が接着剤層５４を介して固定され、またこれに隣接して素子６７を駆動するためのＩＣ（半導体集積回路）チップ６１が並設されている。そして、これらを被覆する絶縁層６３の表面には、複数の接続孔（ヴィアホール）５０の形成後に、配線５１が形成される。この配線５１によって、樹脂チップ６４の発光素子と半導体チップ６１との間、及びそれぞれの電子部品と配線層５２との間が電気的に接続される。
【０００６】
上記のような構造においては、ｐ型半導体層５８及びｎ型半導体層５９とからなる発光ダイオード素子６７からの発光は基板５３側に出射する。
【０００７】
ここで、図１４に示すような発光モジュールとしての樹脂チップ６４においては、配線５１との接続部分となる電極パッド５７及び電極パッド６０の露出部分が、樹脂チップ６４の片面（上面）にのみ設けられているので、樹脂チップ６４を絶縁層６３内に埋設し、接続孔の形成後に配線５１を形成する必要がある。
【０００８】
また、画像表示装置６２の表示面は、透明な基板５３側又は絶縁層６３側のいずれとしてもよいが、上記のように基板５３側ではなく、絶縁層６３側を表示面とする場合には、発光ダイオード素子６７を上下反転させる必要がある。このためには、基板５３への固定前に、樹脂チップ６４の転写工程を１回増やすことになり、比較的長い作製工程が必要となってしまう。
【０００９】
また、樹脂チップ６４を絶縁層６４内に埋め込んでから性能検査を行った結果、樹脂チップ６４の発光素子が不良品であると判明しても、既に絶縁層６３に埋設しているために、不良な樹脂チップを除去することができない。
【００１０】
このため、図１４に示すように、新たな良品の樹脂チップ（リペアチップ）６４の電極パッド５７及び電極パッド６０にはんだバンプ６６をそれぞれ設け、この良品の樹脂チップ６４を絶縁層６３に埋設された不良品の樹脂チップ６４上の配線５１にはんだ付けしてフリップチップ実装している。
【００１１】
こうして新たに実装された良品の樹脂チップ６４の発光素子から光を出射する場合に、光の出射を妨げないように、下部の不良樹脂チップ６４と位置をずらして良品樹脂チップを固定する必要がある。
【００１２】
また、フリップチップ実装した良品であるはずの樹脂チップ６４が更に不良となった場合、これに対する対応は行えないでいる。更に、良品の樹脂チップ６４を上部に追加して実装するので、この良品の樹脂チップ６４の上に保護のための絶縁層を形成する必要が生じ、作製工程が更に増加してしまう。
【００１３】
本発明は、上記のような状況に鑑みてなされたものであって、その目的は、チップ状電子部品の配線基板への接続（実装）を容易にすると共に、良品との交換（リペア）も容易となるチップ状電子部品、その実装構造、その中間基板、及びこれらの製造方法、並びにチップ状電子部品の検査方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、チップ部品を支持体上に複数個配設して固定する工程と、
前記複数のチップ部品を埋設するように絶縁物質で被覆する工程と、
この絶縁物質のうち配線領域となる部分を除去して、前記複数のチップ部品の各周囲に分離溝を形成する工程と、
分離された前記複数のチップ部品間に導電性物質を充填する工程と、
この充填後に、前記複数のチップ部品間の物質を除去して、前記導電性物質を電極部から前記絶縁物質の側面にかけて有する各チップ状電子部品に分離する工程と
を有する、チップ状電子部品の製造方法に係わり、更に、分離されたチップ状電子部品の前記側面において前記導電性物質と配線基板とを接続する工程を付加した実装構造の製造方法に係わるものである。
【００１５】
本発明は又、チップ部品を支持体上に複数個配設して固定する工程と、
前記複数のチップ部品を埋設するように絶縁物質で被覆する工程と、
この絶縁物質のうち配線領域となる部分を除去して、前記複数のチップ部品の各周囲に分離溝を形成する工程と、
分離された前記複数のチップ部品間に導電性物質を充填する工程と
を有する、チップ状電子部品製造用の中間基板の製造方法に係わるものである。
【００１６】
本発明は又、チップ部品を支持体上に複数個配設して固定する工程と、
前記複数のチップ部品を埋設するように絶縁物質で被覆する工程と、
この絶縁物質のうち配線領域となる部分を除去して、前記複数のチップ部品の各周囲に分離溝を形成する工程と、
分離された前記複数のチップ部品間に導電性物質を充填する工程と、
この充填後に、前記導電性物質を介して前記複数のチップ部品の検査を行う工程と
を有する、チップ状電子部品の検査方法に係わるものである。
【００１７】
本発明は又、チップ部品が絶縁物質で被覆され、前記チップ部品の電極部から前記絶縁物質の側面にかけて導電性物質が被着されている、チップ状電子部品に係わるものである。
【００１８】
本発明は又、チップ部品が絶縁物質で被覆されていると共に前記チップ部品の電極部から前記絶縁物質の側面にかけて導電性物質が被着されているチップ状電子部品が、前記側面において前記導電性物質を介して配線基板に接続されている、チップ状電子部品の実装構造に係わるものである。
【００１９】
本発明は又、チップ部品が絶縁物質で被覆されていると共に前記チップ部品の電極部から前記絶縁物質の側面にかけて導電性物質が被着されているチップ状電子部品の複数個が、支持体上に固定されている、チップ状電子部品製造用の中間基板に係わるものである。
【００２０】
本発明によれば、チップ部品が絶縁物質で被覆され、その電極部から絶縁物質の側面にかけて導電性物質が被着されることによりチップ状電子部品を構成しているので、側面において導電性物質を介して配線基板に接続可能となり、絶縁層での被覆（埋め込み）及び接続孔の形成等が不要となり、チップ状電子部品の実装が容易になる。しかも、実装後にチップ状電子部品が不良品であることが判明した場合であっても、チップ状電子部品を絶縁層に埋め込んでいないので、容易に配線基板から取り外し、何回でも良品のチップ状電子部品に交換することができる。
【００２１】
また、チップ状電子部品は絶縁層に埋め込まれていないことによって、そのいずれの面も動作に支障がないように構成でき、そのための転写工程が不要となる。
【００２２】
また、分離された複数のチップ部品間に導電性物質を充填した後に、導電性物質を介して複数のチップ部品の検査を行うので、良品のチップ状電子部品を実装前に予め選別でき、配線基板上に接続した後に検査を行う場合に比べて、チップ状電子部品の交換工数を減少させることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明においては、前記チップ部品を第１の支持体に固定した後、第２の支持体、更には第３の支持体に順次転写し、この第３の支持体上の前記チップ部品を前記絶縁物質で被覆し、前記分離溝の形成及び前記導電性物質の充填後に、第４の支持体に面転写し、更に、前記物質の除去によって前記チップ状電子部品に分離するのが望ましい。
【００２４】
又、前記第２の支持体への前記チップ部品の転写をピッチ変更下で行うのが望ましい。
【００２５】
又、前記導電性物質の充填後に前記第３の支持体上で前記物質の除去によって前記チップ状電子部品に分離してもよい。
【００２６】
又、前記チップ状電子部品に前記導電性物質を被着させるために、支持体上において前記複数のチップ部品を前記導電性物質に埋設した後、前記複数のチップ部品間で前記導電性物質を除去して前記チップ状電子部品に分離してもよい。
【００２７】
又、前記チップ部品を構成する素子を発光素子とするのが望ましい。
【００２８】
又、前記導電性物質として導電性粒子入りのナノペーストを用いるのが望ましい。
【００２９】
又、前記絶縁物質として感光性物質を用い、この露光及び現像によって前記分離溝を形成するのが望ましい。
【００３０】
又、素子が保護物質に埋設されてなる前記チップ部品を用いるのが望ましい。
【００３１】
又、配線基板への接続をリフローによる一括接続が可能なはんだによって行うのが望ましい。
【００３２】
又、前記配線基板への接続後に、前記チップ状電子部品側を光透過性絶縁物質で被覆してもよい。
【００３３】
次に、本発明の好ましい実施の形態を図面の参照下に具体的に説明する。
【００３４】
第１の実施の形態
図１〜図８は、本発明の第１の実施の形態を示すものである。
【００３５】
本実施の形態においては、図１（ａ）に示すように、平坦な第１の基板１を用いる。
【００３６】
次に、図１（ｂ）に示すように、第１の基板１上に多数の第１の樹脂チップ３を配列して固定する。
【００３７】
この第１の樹脂チップ３は、図１４で示したものと同様であって、未硬化の樹脂によって各発光ダイオード素子２をほぼ包み込むように塗布し、硬化して第１の樹脂層１２を形成した後に接続孔を形成し、電極パッド６及び電極パッド７を形成したものである。これらのパッドは、それぞれ発光ダイオード素子２のｐ型半導体層２６に配線層６ａ及びプラグ層６ｂを介して、またｎ型半導体層２７に配線層７ａ及びプラグ層７ｂを介して電気的に接続されている。なお、配線層６ａ及び７ａはプロービングテスト用に形成されている。
【００３８】
次に、図１（ｃ）に示すように、第１の基板１の上面において、隣接する第１の樹脂チップ３間及び第１の樹脂チップ３上等を覆うように感光性樹脂を塗布して、第１の感光層１０を形成する。
【００３９】
次に、図１（ｄ）に示すように、感光層１０の露光及び現像によって、電極パッド６及び電極パッド７上の接続孔（ビアホール）を含む配線用溝部５を形成する。
【００４０】
次に、図２（ｅ）に示すように、第１の樹脂チップ３間の所定の箇所において第１の感光層１０の一部をエッチングで除去して、隣接する第１の樹脂チップ３間に第１の素子分離溝８を形成する。この第１の素子分離溝８によって分離された第１の樹脂チップ３を被覆する第１の感光層１０を第２の樹脂チップ２０と称する。同図には、この状態を表した平面図も示す。
【００４１】
次に、図２（ｆ）に示すように、図２（ｅ）の状態の第１の基板１を上下反転させた後、図３（ｇ）に示すように、転写基板として第１の剥離層（剥離性粘着材層）１１が表面に形成された第１の一時保持用部材９上に、第１の基板１上の複数の第２の樹脂チップ２０を転写する。この際に、転写は全面において同時に行うのではなく、選択的に行い、隣接する第２の樹脂チップ２０間のピッチ（間隔）を拡大しつつ転写する。この転写工程は、第２の樹脂チップ２０が固定された第１の基板１の側からレーザ光を照射することによって行うことができる。
【００４２】
また、転写基板である第１の一時保持用部材９上の第１の剥離層１１の材質としては、ダイシングテープのようにＵＶ（紫外線）光を照射することで粘着力が低下するフィルム又は基板等や、加熱することで剥離する熱発泡シート又は基板等を用いることができる。
【００４３】
こうして、図３（ｈ）に示すように、隣接する第２の樹脂チップ２０が第１の基板１上に配列されていた時よりも離間して第１の一時保持用部材９上に配列される。
【００４４】
次に、図３（ｉ）に示すように、図３（ｈ）の状態の第１の基板１を上下反転させた後、図４（ｊ）に示すように、第１の一時保持用部材９の側からＵＶ光を照射すること、又は加熱することによって第１の剥離層１１の粘着性を低下させ、第１の剥離層１１を介して第１の一時保持用部材９に固定されていた第２の樹脂チップ２０を第１の一時保持用部材９から剥離させ、図４（ｋ）に示すように、第２の一時保持用部材１３の第２の剥離層１４上に全面転写して固定する。
【００４５】
次に、図４（ｌ）に示すように、第２の一時保持用部材１３上において、隣接する第２の樹脂チップ２０間及び樹脂チップ２０上面等を覆うように感光性樹脂を塗布して、第２の感光層１５を形成する。
【００４６】
次に、図５（ｍ）に示すように、感光層１５の露光及び現像によって、電極パッド６及び電極パッド７上の接続孔（ビアホール）を含む配線用溝部５を露光させると共に、この溝部５に連続して樹脂チップ２０の側面に分離溝１９を形成する。この際、図３（ｈ）の工程で樹脂チップ２０間の間隔が拡大されているので、分離溝１９を形成し易い。
【００４７】
次に、図５（ｎ）に示すように、配線用溝部５及び第２の素子分離溝１９に印刷法等を用いて導電性接着剤を充填して、導電性接着剤層１６を形成する。
【００４８】
この時に、必要ならば真空印刷法を用いてボイドレスで充填するか、或いは、上記の溝１９が比較的小さければ、細かい導電性粒子を含むナノペーストからなる導電性接着剤等を使用して十分に充填することができる。又、導電性粒子もはんだ（無鉛はんだ）粒子であれば、後述の作製工程でのリフロー工程時に溶融して低抵抗になるので、更に好ましい。
【００４９】
そして、この状態で、各第３の樹脂チップ２８の配線として導電性接着剤層１６を使用し、これを電源と電気的に接続して電圧を印加し、単一色の発光ダイオード素子２の駆動テスト（発光テスト）を行うことができる。
【００５０】
次に、図５（ｏ）に示すように、第２の一時保持用部材１３の側からＵＶ光を照射することによって第２の剥離層１４の粘着性を低下させて、第２の剥離層１４を介して第２の一時保持用部材１３に固定されていた第２の樹脂チップ２０を導電性接着剤層１６及び第２の感光層１５と共に第２の一時保持用部材１３から剥離させ、図６（ｐ）に示すように、第３の一時保持用部材１７上の第３の剥離層１８上に全面転写して固定する。
【００５１】
次に、図６（ｑ）に示すように、隣接する第２の樹脂チップ２０間の主として第２の感光層１５の部分と導電性接着剤層１６の一部分をブレード若しくはレーザ等でカット（ダイシング）し、第３の素子分離溝３０を形成する。この時に、分離溝３０には導電性接着剤層１６を露出させ、これによって実装基板に実装可能な個々の第３の樹脂チップ３１をチップ状電子部品として完成する。
【００５２】
次に、図７（ｒ）に示すように、第３の一時保持用部材１７の側からＵＶ又はレーザ光を照射することによって第３の剥離層１８の粘着性を低下させて、第３の剥離層１８を介して第３の一時保持用部材１７に固定されていた個々の第３の樹脂チップ３１を第３の一時保持用部材１７から剥離させ、図７（ｓ）に示すように、実装基板２１上の接着剤層２３上に個別に転写して固定する。
【００５３】
この際、個々の樹脂チップ３１を間引くようにして第３の一時保持用部材１７から剥離させて、実装基板２１上に転写してマウントするが、３色の発光ダイオード素子２を有するそれぞれの樹脂チップ３１を例えば６００μｍのピッチで所定の位置に固定する。
【００５４】
又、実装基板２１上には予め接着剤層２３を形成しておくが、実装基板２１上の配線部２２を接着剤の付着により汚さないようにするために、接着剤の塗布範囲を樹脂チップ３１の大きさに合わせて印刷又はディスペンサで所定パターンに塗布するか、或いは感光性のある接着剤の塗布、露光、現像によって所定パターンに形成することができる。
【００５５】
或いは、上記のような接着剤を用いずに、例えば、はんだペーストを接続用の配線部２２上に印刷法等で供給して、そのペーストの粘着性で樹脂チップ３１をマウントしてもよい。
【００５６】
次に、図７（ｔ）に示すように、実装基板２１上において樹脂チップ３１と配線部２２との間にはんだを付着せしめ、リフローによってはんだ部２４を形成することにより、樹脂チップ３１の電極パッド６及び電極パッド７のそれぞれをこれに接続されている導電性接着剤層１６によって配線部２２に接続する。このはんだリフローにより、各樹脂チップ３１を実装基板２１に一括接続することができる。
【００５７】
なお、必要あれば、上記はんだ接続後にフラックスを洗浄した後、図８（ｕ）に示すように、全面に可視光透過性のシリカ等のフィラー入り低収縮性樹脂を塗布して、透明樹脂層２５を形成する。そして、透明樹脂層２５の表面の凹凸を平坦化するために研磨工程を行ってもよい。
【００５８】
こうして実装された樹脂チップ３１の発光素子２からは実装基板２１の側へ光が出射される。なお、図示省略したが、画像表示装置として、各樹脂チップ３１の各発光素子２は、導電性接着剤層１６及び配線部２２を介して接続されたドライバーＩＣによって駆動される。
【００５９】
本実施の形態によれば、モジュールである樹脂チップ３１の側面に設けられた導電性接着剤層１６を介して発光ダイオード素子２を基板２１上の配線部２２にはんだによって電気的に接続して実装する構造であるので、従来のように樹脂チップを絶縁層内等に埋設固定して接続孔を介して接続する必要がなく、比較的容易に実装基板２１上に実装することができ。
【００６０】
また、図７（ｔ）の状態で、樹脂チップ３１のマウント（実装）後にこの樹脂チップ３１の駆動検査を行った結果、この樹脂チップ３１の発光ダイオード素子２が不良品であることが判明しても、樹脂チップ３１を絶縁層内等に埋設固定していないので、はんだ部２４を溶融除去し、再び良品の樹脂チップ３１をはんだ接続すれば、新しい良品のチップ３１と容易に交換（リペア）することができる。
【００６１】
この場合、リペア後の状態は、発光ダイオード素子２の発光光を妨げる障害物が存在しないので、従来のように、良品樹脂チップを下部の不良品チップに対し位置をずらして固定する必要もない。
【００６２】
また、図５（ｎ）の状態において、分離された複数の樹脂チップ２０間に充填された導電性接着剤層１６を介して樹脂チップ２０の検査を行えるので、樹脂チップ３１を実装基板２１に実装する前に発光テストを行うことができ、実装基板２１上に接続した後でしか検査を行えない場合に比べて、良品の樹脂チップ３１のみを実装基板２１に接続できる割合を向上させることができる。
【００６３】
また、発光ダイオード素子２を樹脂チップ３１に埋設するモジュール構造とすることにより、汎用の表面実装部品と同様のマウンターで実装し、はんだリフローでの接続が可能となるので、安価かつ作業性良く画像表示装置を作製することができる。
【００６４】
また、後述するように、発光ダイオード素子２からの発光方向を変化させたい場合（即ち、樹脂チップ３１の向きを上下逆とする場合）には、従来のように転写工程を追加する必要がなく、むしろ、上述した転写工程を減らすことによって可能となる。
【００６５】
第２の実施の形態
図９〜図１０は、本発明の第２の実施の形態を示すものである。
【００６６】
本実施の形態においては、図９（ａ）に示すように、前述の図１（ａ）から図５（ｎ）までの工程を同様に行った後に、転写工程を省略して、図９（ｂ）に示すように上下を反転させる。
【００６７】
次に、図９（ｃ）に示すように、隣接する樹脂チップ２０間の主として第２の感光層１５の部分及び導電性接着剤層１６の一部分をブレード若しくはレーザ等でカット（ダイシング）し、素子分離溝３０を形成する。この時に、分離溝３０に導電性接着剤層１６が露出するようにし、実装基板に実装可能な個々の樹脂チップ３１を完成する。
【００６８】
この後は、前述の図７（ｒ）から図７（ｔ）までの工程を経て、図１０（ｄ）に示すように、実装基板２１に樹脂チップ３１を実装する。
【００６９】
このように、本実施の形態は、転写工程を１部省略したことにより、樹脂チップ３１が図７（ｔ）と比べて上下反転した状態で実装基板２１上に実装されるので、発光を実装基板２１とは反対側に出射することができ、かつこれを転写工程の減少によって容易に行うことができる。
【００７０】
その他、本実施の形態においては、上述の第１の実施の形態で述べたのと同様の作用及び効果が得られる。
【００７１】
第３の実施の形態
図１１〜図１２は、本発明の第３の実施の形態を示すものである。
【００７２】
本実施の形態においては、図１１（ａ）に示すように、前述の図１（ａ）から図３（ｈ）までの工程を同様に行った後に、図１１（ｂ）に示すように、第１の一時保持用部材９上において樹脂チップ２０の上面を残して樹脂チップ２０間及びその下部に導電性接着剤層１６を充填させる。
【００７３】
次に、図１１（ｃ）に示すように、隣接する樹脂チップ２０間の導電性接着剤層１６の一部分を、ブレード若しくはレーザ等でカット（ダイシング）して、素子分離溝３０を形成する。これによって、側面に導電性接着剤層１６を有する個々の樹脂チップ３１を分離する。
【００７４】
次に、図１２（ｄ）に示すように、樹脂チップ３１を固定した第１の一時保持用部材９を下方に向け、前述の図７（ｒ）から図７（ｔ）までの工程を経て、図７（ｔ）と同様に実装基板２１上に転写、実装する。
【００７５】
このように、本実施の形態は、画像表示装置の作製工程において中間工程を１部省略した以外は、第１の実施の形態と同様であるが、工数を減らしても同様の実装構造が得られることは有利である。
【００７６】
その他、本実施の形態においては、上述の第１の実施の形態で述べたのと同様の作用及び効果が得られる。
【００７７】
以上に述べた本発明の実施の形態は、本発明の技術的思想に基づいて更に変形が可能である。
【００７８】
例えば、樹脂チップ３１の上面及び側面（ヴィアホールを含む配線領域）に被着する導電性接着剤層１６、その他の構成層の材質、形成位置、形状等は任意に変更してもよい。
【００７９】
また、図９（ｃ）の工程後に、一旦別の保持用部材にピッチ変更下で転写し、更に実装基板２１に固定することもできる。この場合は、図８（ｕ）と同様の実装構造が得られる。
【００８０】
また、上記の実施の形態は、プレーナ型の発光ダイオード素子を内蔵した樹脂チップに関するものであるが、これ以外にも、例えば図１３に示すように、例えば、電極パッド６及び電極パッド７を有する発光ダイオード素子２が断面三角形の錐体状の形状を呈するものであってもよい。この場合、素子が樹脂で被覆されたチップ部品や被覆されていないチップ部品のいずれも適用可能であるが、例えば図１においてサファイア基板を用い、この上に成長させた半導体層をＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）法等によって所定の間隔で切断し、個々のチップに分離し、しかる後に図１（ｃ）以降の工程を行ってもよい。
【００８１】
本発明は、上述の発光ダイオード素子に限られず、液晶素子、フォトダイオード素子、圧電素子、トランジスタ素子、ダイオード素子、抵抗素子、磁気素子、光学素子等、及びこれらを有する発光表示装置等の電気回路装置に適用することができる。
【００８２】
【発明の作用効果】
上述したように、本発明によれば、チップ部品が絶縁物質で被覆され、その電極部から絶縁物質の側面にかけて導電性物質が被着されることによりチップ状電子部品を構成しているので、側面において導電性物質を介して配線基板に接続可能となり、絶縁層での被覆（埋め込み）及び接続孔の形成等が不要となり、チップ状電子部品の実装が容易になる。しかも、実装後にチップ状電子部品が不良品であることが判明した場合であっても、チップ状電子部品を絶縁層に埋め込んでいないので、容易に配線基板から取り外し、何回でも良品のチップ状電子部品に交換することができる。
【００８３】
また、チップ状電子部品は絶縁層に埋め込まれていないことによって、そのいずれの面も動作に支障がないように構成でき、そのための転写工程が不要となる。
【００８４】
また、分離された複数のチップ部品間に導電性物質を充填した後に、導電性物質を介して複数のチップ部品の検査を行うので、良品のチップ状電子部品を実装前に予め選別でき、配線基板上に接続した後に検査を行う場合に比べて、チップ状電子部品の交換工数を減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による画像表示装置の作製工程を順次示す断面図である。
【図２】同、画像表示装置の作製工程を順次示す断面図及び平面図である。
【図３】同、画像表示装置の作製工程を順次示す断面図である。
【図４】同、画像表示装置の作製工程を順次示す断面図である。
【図５】同、画像表示装置の作製工程を順次示す断面図である。
【図６】同、画像表示装置の作製工程を順次示す断面図及び平面図である。
【図７】同、画像表示装置の作製工程を順次示す断面図である。
【図８】同、画像表示装置の作製工程を示す断面図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態による画像表示装置の作製工程を順次示す断面図である。
【図１０】同、画像表示装置の作製工程を示す断面図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態による画像表示装置の作製工程を順次示す断面図である。
【図１２】同、画像表示装置の作製工程を示す断面図である。
【図１３】本発明の他の実施の形態による樹脂チップの断面図である。
【図１４】従来例による画像表示装置を示す断面図である。
【符号の説明】
１…第１の基板、２…発光ダイオード素子、３…第１の樹脂チップ、
５…配線用溝部、６…電極パッド、７…電極パッド、８…第１の素子分離溝、
９…第１の一時保持用部材、１０…第１の感光層、１１…第１の剥離層、
１２…第１の樹脂層、１３…第２の一時保持用部材、１４…第２の剥離層、
１５…第２の感光層、１６…導電性接着剤層、１７…第３の一時保持用部材、
１８…第３の剥離層、１９…第２の素子分離溝、２０…第２の樹脂チップ、
２１…実装基板、２２…配線部、２３…接着剤層、２４…はんだ部、
２５…透明樹脂層、２６…ｐ型半導体層、２７…ｎ型半導体層、
３０…第３の素子分離溝、３１…第３の樹脂チップ（チップ状電子部品）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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