(57)【要約】【課題】本発明の目的は、液体発射装置における多層の小型電気機械の静電アクチュエータの製造方法を提供する。【解決手段】アクチュエータは初期層の電極層に沈着することによって生成される。犠牲物質のパターン化された層は、第一電極層の領域が後続する層により露出されるようにして第一電極層に形成される。第二電極層は、後続する層に沈着され、パターン化される。次いで、犠牲物質の第三のパターン化された層は、第一電極層の露出された領域による開口部を備えて、第二電極層に形成される。構造は、第三層の表面を露出する第三層に沈着され、パターン化されて、さらに平面化される。第三電極層は、第三層の平面化構造と露出表面に沈着されてパターン化される。犠牲物質は部分的に除去されて、それによって第一電極層と、構造と、及び第三電極層は、第二電極層に相関して共に自由に移動する。【選択図】　　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドロップオンデマンド液体発射装置の製造における多層の小型電気機械の静電アクチュエータの製造方法であって、該方法は、
基板（５２）上に犠牲物質の初期のパターン化層（５８）を形成する段階と、
前記基板（５２）の反対位置で、犠牲物質の前記初期層（５８）における第一電極層（３６）を沈着してパターン化する段階と、
前記第一電極層（３６）の領域が犠牲物質の後続する層（６０）を通過して露出されるように、前記第一電極層（３６）に犠牲物質の前記続くパターン化された層（６０）を形成する段階と、
前記第一電極層（３６）の反対位置で、犠牲物質の前記後続する層（６０）における第二のパターン化された電極層（３８）を沈着してパターン化する段階と、
前記第二電極層（３８）上に、前記第一電極層（３６）の露出された領域を通過する開口部を有する、犠牲物質の第三のパターン化された層（６６）を形成する段階と、
犠牲物質の前記第三層（６６）を通過する前記開口部を少なくとも満たすような深さまで犠牲物質の前記第三層（６６）に構造（６８）を沈着しパターン化する段階と、
犠牲物質の前記第三層（６６）の表面を露出するために前記構造（６８）を平面化する段階と、
犠牲物質の前記第三層（６６）の前記平面化された構造（６８）と前記露出された表面の第三電極層（２８）を沈着し、さらにパターン化して、それによって前記第一電極層（３６）と前記第三電極層（３８）が前記構造（６８）によって取り付けられる段階と、
前記初期層（５８）と、前記後続する層（６０）と、及び前記第三層（６６）から犠牲物質を除去して、それによって前記第一電極層（３６）と、前記構造（６８）と、及び前記第三電極層（３８）は、前記第二電極層（３８）に相関して自由に共に移動する段階と、
を含むことを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記第一電極層（３６）の前記領域は、犠牲物質の前記後続する層（６０）を通過するエッチングによって犠牲物質の前記後続する層（６０）を通過して露出されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記初期の犠牲層（５８）は、犠牲物質の化学機械的な研磨による等角の沈着及び平面化によって形成されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第一電極層（３６）の前記露出された領域に犠牲物質の前記第三層（６６）により通過する前記開口部がエッチングによって形成されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的に、小型電気機械（ＭＥＭ）装置に関する。本発明は、例えば、インクジェットプリンタなどのドロップオンデマンドの液体発射装置、特に装置から液体を導くための静電アクチュエータを採用する前述の装置を製造する場合に有利である。
【０００２】
【従来の技術】
静電アクチュエータを備えるドロップオンデマンド（ＤＯＤ）液体発射装置は、インク印刷システムにおいて公知である。従来のかかる装置は、隔板と反対の電極から構成される、静電アクチュエータを有している（例えば、特許文献１及び２参照。）。隔板は、第一電圧を電極に適用することによって歪められる。隔板の弛みは、装置からのインク小滴を発射する。また、静電引力の原理に基づいて操作する装置がある（例えば、特許文献３、４、５及び６参照。）。
【０００３】
また、膜のインク充填孔を備える静電的に変形可能な膜を有する装置がある（例えば、特許文献７参照。）。インクに適用された電界が膜を偏向してインク小滴を発射する。
【０００４】
インクイジェクタを形成するために、２つがガラスで１つがシリコンの三基板をアノード的に（ａｎｏｄｉｃａｌｌｙ）結合することにより生成されたヘッドが、２００２年１月２５日から２９日までドイツのへイデルバーグにて開催された“ＭＥＭＳ１９９８”に続くＩＥＥＥ会議にてＳ．Ｄａｒｍｉｓｕｋｉ等によって“低出力で小型の静電気的に駆動される市販のインクジェットヘッド（Ａ　Ｌｏｗ　Ｐｏｗｅｒ，　Ｓｍａｌｌ，　Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃａｌｌｙ−Ｄｒｉｖｅｎ　Ｃｏｍｍｅｒｃｉａｌ　Ｉｎｋｊｅｔ　Ｈｅａｄ）”と題して発表された。インク孔からの滴は、シリコン基板に形成された膜が最初に低いガラス板上のコンダクタに接するように引き下げられ、続いて解放される場合に、上部のガラス板の開口部を通過して発射される。そこではインクに電界は存在しない。
【０００５】
沈着したポリシリコン層で生成された表面が小型に機械加工された滴イジェクタがある（例えば、特許文献８）。インク孔からの滴は、下部のポリシリコン層が最初にコンダクタに接触するように下に引かれ、次いで解放される場合において、上部のポリシリコン層の開口部により発射される。
【０００６】
かかる装置は、ノズル開口部を有する液体チャンバーを含む。別々にアドレス可能な二重の電極は、一般的に三電極がノズル開口部と軸方向に配置するように、静止している中央の電極の反対側に置かれる。アドレス可能な電極は、厳密に電気的に絶縁するカプラーを介して構造的に接続される。滴を発射するために、静電圧は、液体を拡張チャンバーに引き込むように、中央電極に向けて、かつ開口部から電極を引き、ノズル開口部に最も近いアドレス可能な電極に適用される。続いて、別のアドレス可能な電極は、ノズル開口部背後のチャンバー内の液体を加圧し、かつ、ノズル開口部から滴を発射させる、エネルギーが与えられる。
【０００７】
【特許文献１】
米国特許第５，６４４，３４１号明細書
【特許文献２】
米国特許第５，６６８，５７９号明細書
【特許文献３】
米国特許第５，７３９，８３１号明細書
【特許文献４】
米国特許第６，１２７，１９８号明細書
【特許文献５】
米国特許第６，３１８，８４１号明細書
【特許文献６】
米国特許出願公開第２００１／００２３５２３号明細書
【特許文献７】
米国特許第６，３４５，８８４号明細書
【特許文献８】
米国特許第６，３５７，８６５号明細書
【特許文献９】
米国特許第４，９０８，６７９号明細書
【特許文献１０】
米国特許第５，３００，４４４号明細書
【特許文献１１】
米国特許第５，７９８，２３８号明細書
【特許文献１２】
米国特許第５，８０４，０８４号明細書
【特許文献１３】
米国特許第５，８９０，７４５号明細書
【特許文献１４】
米国特許第５，９０７，７９１号明細書
【特許文献１５】
米国特許第６，０８２，２０８号明細書
【特許文献１６】
米国特許第６，１７４，８２０号明細書
【特許文献１７】
国際公開第９０／０９６７７号パンフレット
【発明が解決しようとする課題】
Ｄｅｌａｍｅｔｔｅｒ等の特許文献に記載の装置と、液体発射装置における他の多層の小型電気機械の静電アクチュエータは、犠牲層が静止部分からの分離を提供するように除去される場合に、トレンチレフト内で移動できる非犠牲物質で水平表面を生成する犠牲層との組み合わせにおける化学機械的研磨によって製造可能である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の特徴によると、ドロップオンデマンド液体発射装置を製造するための多層の小型電気機械的静電アクチュエータは、基板上に犠牲物質の初期にパターン化された層を形成することによって生成される。第一電極層は、基板とは反対の位置で初期層に沈着されて、かつ、パターン化される。次いで、犠牲物質の次ぎのパターン化された層は、第一電極層の領域が犠牲物質の後続する層により露出されるように、第一電極層上で形成される。第二電極層は、第一電極層と反対の位置で犠牲物質の後続する層に沈着されてパターン化される。次いで、犠牲物質の第三のパターン化された層は第二電極層上に形成されて、犠牲物質の第三層は第一電極層の露出された領域を通過する開口部を有する。構造は、犠牲物質の第三層により少なくとも開口部を満たす深さまで犠牲物質の第三層に沈着されてパターン化される。次ぎに、構造は犠牲物質の第三層の表面を露出するために平面になる。第三電極層は平面化された構造と犠牲物質の第三層の露出された表面に沈着され、かつパターン化されて、それによって第一電極層と第三電極層は構造によって取り付けられる。最後に、犠牲物質は初期層と、後続する層と、及び第三層から除去されて、それによって第一電極層と、構造と、及び第三電極層は、第二電極層に相関して共に自由に移動する。
【０００９】
【発明の実施の形態】
これより下記に詳細に記載のように、本発明はＭＥＭ装置の組立方法を提供する。本発明は、装置から液体を導くための静電アクチュエータを使用するドロップオンデマンド液体発射装置を製造する場合に有利であると考えられる。かかる装置の最も周知のものは、インクジェット印刷システムにおけるプリンタヘッドとして使用される。装置の使用がインクジェットプリンタヘッドに類似するが、それは微細に計量される必要があり、高い空間的な精確さで堆積する必要のある（インク以外の）液体を発射する、他の多くの応用が存在する。
【００１０】
図１は、本発明による手法で組み立てられた静電アクチュエータを含む、インクジェットプリンタなどの液体発射装置１０の概略図を示す。システムは、滴を発射する指令としてコントローラ１４によって解釈される、信号を提供する、データ（すなわち、画像データ）の供給源１２を含む。コントローラ１４は、インクジェットプリンタ１８などの液体発射装置に入力される、電気エネルギーパルスの供給源１６に信号を出力する。
【００１１】
液体発射装置１０は、複数の静電の滴発射機能２０を含む。図２は、複数の静電気的に起動された滴発射機能２０の一つの断面図である。ノズル開口部２２は、各機能２０においてノズルプレート２４に形成された。電気的にアドレス可能な電極２８を有する壁２６は、各滴発射機能２０に接続される。電極２８の外周は、ノズル開口部２２から発射される液体を受けるように適合された液体チャンバー３０を確定するために壁２６に密封して取り付けられる。液体は、示されていない、供給からの一つ以上のポート３２によりチャンバー３０に引かれる。好ましくは空気である、誘電性の流体は、チャンバー３０に対する電極２８の側の領域３４を満たす。
【００１２】
第二電極３６は、電極２８から電気的にアドレス可能で分離される。アドレス可能な電極２８と３６は、好ましくは、少なくとも部分的に柔軟であり、単一の中央電極３８の反対側に位置される。アドレス可能な電極３６は、柔軟性を増大する、周辺領域を備えて例示される。壁２６で完全に密封するアドレス可能な電極を必要としないために、周辺領域は壁２６に対する電極３６の中央領域を範囲付けする単なるタブかもしれない。
【００１３】
中央電極３８は、構造的に硬く、２つのアドレス可能な電極は、厳密なカプラー４０を介して構造的に接続される。かかるカプラーは、電気的に絶縁しており、２つのアドレス可能な電極を構造的に共に接続する。アドレス可能な電極２８と中央電極３８間にギャップ“Ａ”が存在し、アドレス可能な電極３６と中央電極３８間にギャップ“Ｂ”が存在する。
【００１４】
図３乃至５は、プリンタヘッドの数多のノズル開口部２２における幾つかの代替となる実施態様のレイアウトパターンを示す、ノズルプレート２４の上面図である。図２及び３において、壁２６の内部表面は環状空間であり、一方で図５では壁２６は長方形チャンバーを形成することを注意する。当然のこととして、別の形状が可能であり、これらの図面は、代替が本発明の趣旨及び範囲内おいて可能であるという理解を伝えるように単に意図される。
【００１５】
図６を参照するに、滴を発射するために、静電圧がノズル開口部２２に最も近いアドレス可能な電極２８に適用される。これは、チャンバー３０を拡張し、ポート３２によりかかる拡張するチャンバーに液体を引き入れる、中央電極３８に向かい、かつ、ノズル開口部から離れる電極を引く。アドレス可能な電極３６は静電圧を受取らず、システムでの弾性位置エネルギーを保存する、アドレス可能な電極２８と共に移動する。
【００１６】
続いて（すなわち、数マイクロ秒後）、アドレス可能な電極２８は電源が切られて、アドレス可能な電極３６はエネルギーが与えられて、構造が図６に例示される位置から図７に例示される位置に向かって移動するように、アドレス可能な電極３６を保存された弾性位置エネルギーの放出と共に中央電極３８に向かって引かれる。これは、滴をノズル開口部から発射させる、ノズル開口部背部のチャンバー３０における液体を加圧する。
【００１７】
図１乃至７の装置は、概略的に例示される。図８乃至２８において、概略的な形態だが、同一装置は多少より現実的に例証される。図の両方のセットに共通の要素を表示するために図面１乃至７において使用されるように、同じ参照数字は図面８乃至２８において使用される。何れの図面においても断面図は縮尺していないことを認識すべきである。本発明と一致して製造される装置は、基板５２を除くと、全体で１０乃至２０μｍ厚であり、０．１μｍの厚さの数多の層を備えて装置を横切り１００乃至３００μｍである。一般的に水平の長さは互いに水平で引かれるが、垂直の長さは、水平と垂直の規模が同一であるように見えない場合に関心の特徴を示すために誇張される（つまり、図は薄層を識別可能にするために、基板表面に垂直な方向へ伸ばされる。）。
【００１８】
図８は、本発明の好ましい実施態様にしたがって形成される、図２の滴発射機能２０における一部分の上面図である。この図８と続く図において、構造は概略した形態で例示され続けるが、前述の図よりもいくらか詳細である。
【００１９】
図８をさらに参照するに、操作段階において、電気的な信号は、電気的な誘導４２を介して図２の３つの電極２８、３６及び３８に送信される。３層の電極構造は、構造的なサポート４４によって外壁２６に固着される。厳密なカプラー４０は、３層の電極構造の電極２８と３６に接続する。流量リストリクタ４６は、滴の発射中に流体コンダクタ４８を介して液体チャンバー３０から流体貯蔵所（ここでは見えない）に流体が戻ることを防ぐ。図２１に示される第二流体路５０は、領域３４における誘電性の流体を誘電性の流体貯蔵所（示されていない）に流し入れて、かつ、流し出す。好ましい実施態様において、誘電性の流体は空気であり、周辺大気は、誘電性の流体貯蔵所の機能を実行する。
【００２０】
図８の線Ａ−Ａ´は、通常同時に組立られたバッチになるであろう、多くの単一の滴イジェクタを例示する、図９乃至２２で描写される断面の平面を描写する。
【００２１】
図９は、例えば、５５０μｍ厚の単一の水晶のシリコンウエハである、基板５２を示す。かかる基板は、電極構造を指示し、流体をノズル開口部２２に運ぶ流体コンダクタ４８を形成し、誘電性流体を領域３４に運ぶ第二流体路５０を形成するために使用されるだろう。
【００２２】
図１０は、第一の構造的な層５４（例えば、ポリシリコンでドープされた０．７５μｍ厚）及び、例えば、０．１μｍの低圧化学蒸気沈着（ＬＰＣＶＤ）窒化ケイ素で形成された第一パシベーション層５６の沈着、パターン化、及びエッチング後の好ましい実施態様を示す。それら２つの層は、写真平版でパターン化され、アドレス可能な電極３６が障害中に基板５２に向かって変形することを可能にするくぼみを形成するためにエッチングされる。第一パシベーション層５６は、伝導性物質から形成されるかもしれない、第一の構造的な層５４と基板５２からアドレス可能な電極３６を絶縁する。
【００２３】
図１１において、初期の犠牲層５８の化学機械的研磨（ＣＭＰ）による等角の析出（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）及び平面化が生じる。例えば、犠牲層は、前述のエッチング段階において形成されるくぼみを満たし、図１２に示されるように、アドレス可能な電極３６の沈着における平面の表面を提供する、０．８５μｍプラズマが増大した化学蒸気沈着（ＰＥＣＶＤ）の二酸化ケイ素であるかもしれない。アドレス可能な電極３６はポリシリコンでドープされた３μｍ乃至５μｍであるかもしれないし、変形しない機械的に硬い電極を有することが有用であるために、小型装置において比較的厚く、その結果、厳密なカプラー４０によりアドレス可能な電極３６からアドレス可能な電極２８への熱移動は、アドレス可能な電極３６が滴を発射するようにエネルギーが与えられる場合に最大化される。この図に示されていないが、アドレス可能な電極３６が容易に移動することを可能にするアドレス可能な電極３６の動いている部分の周囲のまわりに多数の穿孔がある（図２５を参照）。これは、ピストンをピストンが“ロードされた”位置に引き戻すために必要とされるエネルギーを削減する。
【００２４】
図１３は、後続の犠牲層６０（例えば、０．１μｍの二酸化ケイ素）の沈着、パターン化、及びエッチング後における好ましい実施態様を示す。この薄層は、図１５で示される、アドレス可能な電極３６と中央電極３８間の機械的な分離を提供する。後続の犠牲層６０が除去されるところで、上の層は下の層に取り付けられるだろう。中央でエッチングされる孔は、アドレス可能な電極３６とアドレス可能な電極２８が機械的に接続できることを可能にするだろう。かかる孔は、好ましくは中央にエッチングされるが、他のところにもエッチングされうる。
【００２５】
図１４は、第二パシベーション層６２（例えば、０．１μｍのＬＰＣＶＤ窒化ケイ素）の沈着、パターン化、及びエッチング後の好ましい実施態様を示す。この層は、図１５のアドレス可能な電極３６と中央電極３８間に電気的な分離を提供する。ＬＰＣＶＤ窒化物の分解電圧が高く、同一の層の厚さにおいて電流の漏れなしで支持される大電圧を可能にするために、ＬＰＣＶＤ窒化物は、かかる層において、好ましくはＰＥＣＶＤ窒化物である。
【００２６】
図１５は、中央電極３８（例えば、５μｍのドープされたポリシリコン）と第三パシベーション層６４（例えば、０．１μｍＬＰＣＶＤの窒化ケイ素）の一連の沈着、パターン化、及びエッチングを示す。図１６ａ及び１６ｂは、第三犠牲層６６（例えば、０．５５μｍ二酸化ケイ素）の沈着、パターン化、及びエッチング後の好ましい実施態様を示す。この層は、厳密なカプラー４０（図１７ｂ）と中央電極３８間の分離と同様に、中央電極３８とアドレス可能な電極２８間に機械的な分離を提供する。さらに、第三犠牲層のパターン化は、第二犠牲層を部分的に除去し、第一電極を部分的に露出する。
【００２７】
図１７ａ乃至１７ｃは、第四パシベーション層６８（例えば、５μｍ窒化ケイ素）の一連の沈着、平面化（例えば、ＣＭＰ）、及びエッチングを示す。この層は、アドレス可能な電極３６とアドレス可能な電極２８に機械的に接続する厳密なカプラー４０を形成し、一方でそれらの電極を互いに絶縁する。
【００２８】
図１８において、アドレス可能な電極２８（例えば、２．５μｍのドープされたポリシリコン）は沈着され、パターン化され、さらにエッチングされる。図１９は、第四犠牲層７０（例えば、５μｍのポリイミド又は二酸化ケイ素）の沈着、パターン化、及びエッチング後の好ましい実施態様を示す。この層は、滴が発射されることによりアドレス可能な電極２８とノズルプレート２４（図２０）間に分離を提供する。第四犠牲層７０は、液体チャンバー３０の形成した後に除去されるだろう。この層は２回エッチングされて、一度は流量リストリクタ４６（図８）を生成する、くぼみを生成するためであり、もう一度は機械的な取り付けにおいてアドレス可能な電極２８を露出するためである。特定の層の厚さの組み合わせにおいて、犠牲物質の沈着とＣＭＰを使用する、かかる段階以前に、平面化することが必要であるかもしれない。そうでなければ、流体コンダクタは、誘導構造又は構造的な支持が存在しないところで塞がれるかもしれない。
【００２９】
図２０において、例えば、４μｍの窒化物又はポリイミド（第四犠牲層に使用しない場合）のノズルプレート２４は、沈着され、パターン化されて、さらにエッチングされる。この層の孔は、滴が発射されるノズル開口部２２を形成する。図２１は、この処理段階においてエッチングを停止するように作用する、第一パシベーション層と第一犠牲層５８に対する孔を開口して、基板５２が背部（この背部側は事前にパターン化されていない）からエッチングされた後の好ましい実施態様を示す。
【００３０】
図２２は、すべての犠牲層５８、６０、６６、７０が除去された（例えば、ニ酸化ケイ素の層を除去するためにＨＦに液浸することによって、及び／又はポリイミドの犠牲層を除去するために酸素プラズマによって）後の好ましい実施態様を示す。これが完成した装置である。中央電極３８は、この断面における誘導４２により外部出力が提供される。図２３は、その最終段階における好ましい実施態様のＢ−Ｂ´による断面を示す。この図と以前の図との違いは、アドレス可能な電極３６が断面の誘導４２により外部出力が提供される際の左側の電極構造である。図２４は、その最終段階における好ましい実施態様のＣ−Ｃ´による断面を示す。この図と以前の図との違いは、アドレス可能な電極２８が断面の誘導４２により外部出力が提供される際の左側の電極構造である。図２５は、その最終段階における好ましい実施態様のＤ−Ｄ´による断面を示す。この図と以前の図との違いは、示されている領域が誘導構造の何れとも交差しないことである。これは、流体コンダクタから発射チャンバーに向けて流体が自由に流れる、領域を表す。
【００３１】
図２６乃至２８は、図２２のそれぞれのＥ−Ｅ´、Ｆ−Ｆ´、及びＧ−Ｇ´による断面図である。
【図面の簡単な説明】
【図１】液体発射装置の概略図である。
【図２】本発明の方法によって製造において特に適する部分である、図１の液体発射装置の部分を概略する断面図である。
【図３】図１及び図２の液体発射装置におけるノズルプレートの代替となる実施態様を概略する上面図である。
【図４】図１及び図２の液体発射装置におけるノズルプレートの代替となる実施態様を概略する上面図である。
【図５】図１及び図２の液体発射装置におけるノズルプレートの代替となる実施態様を概略する上面図である。
【図６】第一起動段階で示される図２の液体発射装置を概略する断面図である。
【図７】第二起動段階で示される図２の液体発射装置を概略する断面図である。
【図８】図１の液体発射装置における別の実施態様での一部分の上面図である。
【図９】滴イジェクタの一連の組立を示し、図８の線Ａ−Ａ´に沿って得られた断面図である。
【図１０】滴イジェクタの一連の組立を示し、図８の線Ａ−Ａ´に沿って得られた断面図である。
【図１１】滴イジェクタの一連の組立を示し、図８の線Ａ−Ａ´に沿って得られた断面図である。
【図１２】滴イジェクタの一連の組立を示し、図８の線Ａ−Ａ´に沿って得られた断面図である。
【図１３】滴イジェクタの一連の組立を示し、図８の線Ａ−Ａ´に沿って得られた断面図である。
【図１４】滴イジェクタの一連の組立を示し、図８の線Ａ−Ａ´に沿って得られた断面図である。
【図１５】滴イジェクタの一連の組立を示し、図８の線Ａ−Ａ´に沿って得られた断面図である。
【図１６】滴イジェクタの一連の組立を示し、図８の線Ａ−Ａ´に沿って得られた断面図である。
【図１７】滴イジェクタの一連の組立を示し、図８の線Ａ−Ａ´に沿って得られた断面図である。
【図１８】滴イジェクタの一連の組立を示し、図８の線Ａ−Ａ´に沿って得られた断面図である。
【図１９】滴イジェクタの一連の組立を示し、図８の線Ａ−Ａ´に沿って得られた断面図である。
【図２０】滴イジェクタの一連の組立を示し、図８の線Ａ−Ａ´に沿って得られた断面図である。
【図２１】滴イジェクタの一連の組立を示し、図８の線Ａ−Ａ´に沿って得られた断面図である。
【図２２】滴イジェクタの一連の組立を示し、図８の線Ａ−Ａ´に沿って得られた断面図である。
【図２３】図８のＢ−Ｂ´による断面図である。
【図２４】図８のＣ−Ｃ´による断面図である。
【図２５】図８のＤ−Ｄ´による断面図である。
【図２６】図２２のＥ−Ｅ´による断面図である。
【図２７】図２２のＦ−Ｆ´による断面図である。
【図２８】図２２のＧ−Ｇ´による断面図である。
【符号の説明】
１０　液体発射装置
２０　静電の滴発射機能
２２　ノズル開口部
２４　ノズルプレート
２６　壁
２８　電気的にアドレス可能な電極
３０　液体チャンバー
３２　ポート
３４　領域
３６　第二電極
３８　中央電極
４０　カプラー
４２　電気的な誘導
４４　構造的なサポート
４６　流量リストリクタ
４８　流体コンダクタ
５０　第二流体路
５２　基板
５４　第一の構造的な層
５６　第一パシベーション層
５８　初期の犠牲層
６０　後続の犠牲層
６２　第二パシベーション層
６４　第三パシベーション層
６６　第三犠牲層
６８　第四パシベーション層
７０　第四犠牲層
Ａ　　ギャップ
Ｂ　　ギャップ
【図１】
2004050830.tif 000003
【図２】
2004050830.tif 000004
【図３】
2004050830.tif 000005
【図４】
2004050830.tif 000006
【図５】
2004050830.tif 000007
【図６】
2004050830.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
2004050830.tif 000011
【図１０】
2004050830.tif 000012
【図１１】
2004050830.tif 000013
【図１２】
2004050830.tif 000014
【図１３】
2004050830.tif 000015
【図１４】
2004050830.tif 000016
【図１５】
2004050830.tif 000017
【図１６】
2004050830.tif 000018
【図１７】
2004050830.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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