(57)【要約】【課題】グルーブ記録方式が適用され、良好な信号品質が得られ、かつ、トラックの高密度化を図った場合でもクロスライトの低減が実現可能な構成を備えた光情報記録媒体、光情報記録媒体の製造方法、光情報記録媒体用基板、該基板製造用のスタンパ、及び該スタンパの製造方法を提供する。【解決手段】ランド１・グルーブ２からなる案内溝を有する基板３上に光情報記録媒体膜４を形成する。グルーブ２上の光情報記録媒体膜４を光による情報の記録再生に用いる。ランド１上の光情報記録媒体膜４を熱アニールにより変質させる。ランド１に相当する平坦部１ａの幅方向端部に、該平坦部１ａの長さ方向に沿って突起部５を連続的に形成し、上記熱アニール時、および、記録再生時のトラック幅方向への熱伝導を抑制して、再生信号品質を高め、クロスライトの発生を抑える。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報を記録するための情報トラック領域を備えた光情報記録媒体用基板と、
上記光情報記録媒体用基板上に形成され、情報記録および情報再生の対象となる少なくとも１層の光情報記録層と、を有し、
上記光情報記録層が部分的に熱アニールによって変質しており、
該情報トラック領域の一部に、情報トラックの長さ方向に沿って連続的に形成された突起部を含むことを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項２】
上記光情報記録層が、少なくとも記録層、中間層、再生層の３層からなり、該記録層に磁区として情報を記録し、該磁区を磁気的な結合力を用いて中間層を介して再生層に転写し、かつ、転写された磁区の磁壁を光ビームの照射熱を用いて移動させ、実質的に磁区を拡大させて再生する、磁壁移動検出再生方式の光磁気記録媒体膜であることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項３】
請求項１または２に記載の光情報記録媒体の製造方法であって、上記熱アニールを高出力のレーザー光を照射して行うことを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。
【請求項４】
ランドおよびグルーブからなる案内溝の何れか一方が情報の記録および再生に用いられ、上記情報の記録および再生に用いる案内溝をグルーブ、情報の記録および再生に用いない案内溝をランドと称する光情報記録媒体用基板と、
上記光情報記録媒体用基板上に形成され、情報記録および再生の対象となる少なくとも１層の光情報記録層とを有し、
上記ランド上に形成された光情報記録層が熱アニールにより変質しており、
ランドに相当する平坦部Ａの幅方向の少なくとも一方に、平坦部Ａの長さ方向に沿って連続的に形成された突起部を含むことを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項５】
ランドおよびグルーブからなる案内溝の何れか一方が光ビームを用いる情報の記録および再生に用いられ、上記光ビームの入射側から遠い側に平坦部を有する案内溝をランドと、近い側に平坦部を有する案内溝をグルーブと称し、上記グルーブが情報の記録および再生に用いられるグルーブ記録方式である光情報記録媒体用基板と、
上記光情報記録媒体用基板上に形成され、情報記録および再生の対象となる少なくとも１層の光情報記録層とを有し、
上記ランド上に形成された光情報記録層が熱アニールにより変質しており、
ランドに相当する平坦部Ａの幅方向の少なくとも一方に、平坦部Ａの長さ方向に沿って連続的に形成された突起部を含むことを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項６】
ランドおよびグルーブからなる案内溝の何れか一方が光ビームを用いる情報の記録および再生に用いられ、該光情報記録層が形成された面側に突出した平坦部を有する案内溝をランドと、窪んだ平坦部を有する案内溝をグルーブと称し、上記グルーブが情報の記録および再生に用いられるグルーブ記録方式である光情報記録媒体用基板と、
上記光情報記録媒体用の基板上に形成され、情報記録および再生の対象となる少なくとも１層の光情報記録層とを有し、
上記ランド上に形成された光情報記録層が熱アニールにより変質しており、
ランドに相当する平坦部Ａに相当する平坦部Ａの幅方向の少なくとも一方に、平坦部Ａの長さ方向に沿って連続的に形成された突起部を含むことを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項７】
上記光情報記録層が、少なくとも記録層、中間層、再生層の３層からなり、該記録層に磁区として情報を記録し、該磁区を磁気的な結合力を用いて中間層を介して再生層に転写し、かつ、転写された磁区の磁壁を光ビームの照射熱を用いて移動させ、実質的に磁区を拡大させて再生する、磁壁移動検出再生方式の光磁気記録媒体膜であることを特徴とする請求項４ないし６の何れか１項に記載の光情報記録媒体。
【請求項８】
請求項４ないし７の何れか１項に記載の光情報記録媒体の製造方法であって、上記ランドの熱アニールを高出力のレーザー光を照射して行うことを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。
【請求項９】
ランドおよびグルーブからなる案内溝上に、情報記録および再生の対象となる少なくとも１層の光情報記録層が形成される光情報記録媒体用基板であって、上記ランドの平坦部Ａの幅方向両端部に、平坦部Ａの長さ方向に沿って連続的に突起部が形成されていることを特徴とする光情報記録媒体用基板。
【請求項１０】
上記グルーブの底部に相当する平坦部Ｂと上記ランドの平坦部Ａとの中間高さにおける、グルーブ相当幅Ｗ１とランド相当幅Ｗ２との比（Ｗ１／Ｗ２）が、２以上、３以下であることを特徴とする請求項９記載の光情報記録媒体用基板。
【請求項１１】
上記突起部の高さが、平坦部Ａを基準として５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求項９または１０記載の光情報記録媒体用基板。
【請求項１２】
グルーブの底部に相当する平坦部Ｂの深さが、上記平坦部Ａを基準として２５ｎｍ以上４５ｎｍ以下の範囲内である、あるいは３５ｎｍ以上６５ｎｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求項９、１０または１１記載の光情報記録媒体用基板。
【請求項１３】
請求項４、５、６、９、１０、１１または１２に記載の光情報記録媒体用基板を製造するためのスタンパであって、
ランドに相当する平坦部Ａ、およびグルーブの底部に相当する平坦部Ｂを形成するための凹凸パターンと、
上記凹凸パターンの凹部底部の幅方向端部に、該凹部の長さ方向に沿って連続的に形成された溝状部と、を含んでなることを特徴とする光情報記録媒体用のスタンパ。
【請求項１４】
光情報記録媒体用基板において、ランドに相当する平坦部Ａとグルーブの底部に相当する平坦部Ｂとの境界側壁が、平坦部Ａおよび平坦部Ｂに対して７５°未満の最大斜度を有するように、上記凹凸パターンが形成されていることを特徴とする請求項１３に記載の光情報記録媒体用のスタンパ。
【請求項１５】
請求項１３または１４記載の光情報記録媒体用のスタンパの製造方法であって、
スタンパ基材に上記凹凸パターンを形成する工程と、次いで、
異方性逆スパッタにより上記溝状部を形成する工程と、を含んでなることを特徴とするスタンパの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ランド・グルーブからなる情報トラック（以下、トラック）、及び情報の光学的な再生記録が可能な光情報記録層（磁性層）が形成されてなる、光ディスク、光カード、光情報テープ等の光記録媒体に関する。より具体的には、上記トラックのうちグルーブのみを情報の再生記録に使用する、いわゆるグルーブ記録方式の光情報記録媒体であり、該光情報記録媒体のランド上に形成された光情報記録層が熱アニールにより変質している光情報記録媒体、光情報記録媒体の製造方法、光情報記録媒体用基板、該光情報記録媒体用のスタンパ、及び該スタンパの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光ディスク、光カード、光テープなどの光情報記録媒体においては、同心円状またはスパイラル状に形成された情報記録トラックの追従をサーボ機構によって行うため、ランドとグルーブからなる案内溝が形成されており、上記ランドおよびグルーブの少なくとも一方に情報の記録が行われる。
【０００３】
上記光情報記録媒体においては、その記録密度を高めるために、トラックピッチを狭くし、記録マーク長を短くする必要があるが、記録マーク長が短くなると、情報を読み出す光ビームの分解能を超え、情報が読み出せなくなってしまう問題が発生する。
【０００４】
このような問題は、目的とする記録ビット上に集光された光ビームのビーム径内に隣接する記録マークが入るために、個々の記録マークを分離して再生することができなくなることが原因である。
【０００５】
上記の問題を解消するために、「ｈｉｇｈ−ｄｅｎｓｉｔｙ　Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ　ｗｉｔｈ　Ｄｏｍａｉｎ　Ｗａｌｌ　Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ」（Ｊｏｉｎｔ　Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ　ＲｅｃｏｒｄｉｎｇＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　／　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　ｏｎ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｍｅｍｏｒｙ　１９９７　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｄｉｇｅｓｔ，　Ｔｕ−Ｅ−０４，　ｐ．３８，３９）や、特開平６―２９０４９６号公報において、少なくとも第１磁性層（以下、再生層と記す）、第２磁性層（以下、中間層と記す）、第３磁性層（以下、記録層と記す）が順次積層されて成る光磁気記録媒体膜を有する光情報記録媒体であって、再生層は、再生温度近傍の温度において記録層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化膜からなり、中間層のキュリー温度が再生層及び記録層のキュリー温度より低いことを特徴とする光情報記録媒体が開示されている。
【０００６】
この光情報記録媒体を用いれば、光ビームの分解以下の小さな記録ビットを拡大して検出することが可能である。
【０００７】
具体的には、まず、中間層のキュリー温度未満の低温領域において、レーザー光および外部磁界によって記録層に記録された情報（記録磁区）が交換結合力により中間層を介して再生層に転写される。次に、光情報記録媒体が移動し、記録磁区が光ビームのスポット内に入ると、光情報記録媒体が温度上昇し、中間層がキュリー温度以上になる。ここで、再生層は、中間層との間の交換結合力から開放される。
【０００８】
このとき、媒体の温度勾配によって再生層の磁壁に対し、ｘ方向（媒体進行方向）に、Ｆ＝∂σ／∂ｘ　（σ：再生層の磁壁エネルギー密度）の移動力が加わる。
【０００９】
上記の力Ｆが再生層の磁壁移動を妨げようとする力、すなわち、１）中間層との交換結合力、２）隣接トラックの再生層との交換結合力、３）外部からの磁界によって生じる力、４）自己減磁界によって生じる力、よりも大きい場合、再生層の磁壁は媒体温度の高い方、すなわちビームスポット中心方向に向かって移動する。
【００１０】
これにより、転写された記録磁区が実質的に拡大され、拡大した磁区を光ビームによって検出することにより、光ビームの分解能以下の小さな記録ビット径及び記録ビット間隔においても、再生信号強度の低下を招くことなく、個々の記録ビットを分離して再生することが可能である。上記技術は、一般に、磁壁移動検出（Ｄｏｍａｉｎ　Ｗａｌｌ　Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ、以下、ＤＷＤＤと記す）再生方式として知られている。
【００１１】
上記ＤＷＤＤ再生方式においては、中間層がキュリー温度以上に温度上昇した領域において、再生層の磁壁移動が起こるが、情報トラックと隣接トラックとの間の磁気的な結合が十分に遮断されていない場合、より具体的には、上記の情報トラック上に形成された再生層と、隣接トラック上に形成された再生層との間の交換結合力が大きい場合には、該交換結合力が情報トラックにおける再生層の磁壁移動を妨げる方向に働くため、スムーズな磁壁移動が実現できないという問題を生じる。
【００１２】
上記の問題に対し、上記特開平６―２９０４９６号公報においては、情報トラックと隣接する隣接トラックに、高出力のレーザー光を集中照射して隣接トラックを熱アニールし、隣接トラック上に形成した磁性層を加熱して変質させ、これによって情報トラックを磁気的に孤立させる方法が開示されている。
【００１３】
この方法によれば、ランド・グルーブの両方を情報トラックとして用いることはできなくなるが、隣接トラック上の磁性層がその磁化を失うことで、情報トラック上の再生層の磁気的な孤立度が極めて高くなるため、安定した磁壁移動を実現でき、高い再生信号品質が得られるという利点がある。
【００１４】
上記隣接トラックを熱アニールして、情報トラックの孤立度を高める光情報記録媒体においては、ランド・グルーブのうち何れか一方を情報トラックとして選択する必要があるが、このうち、グルーブを情報トラックとして採用するグルーブ記録方式の光情報記録媒体では、基板側から光を入射させて情報を読み出す基板入射方式を用いる場合には、ランドよりもグルーブが光入射側に近くなるために、ランドを情報の記録に用いるランド記録方式に比べて高い信号量を得られるという利点がある。
【００１５】
このようなグルーブのみを使用するグルーブ記録方式の光情報記録媒体では、情報の記録再生に用いるレーザー光のスポットサイズから、赤色レーザー（λ：６３５ｎｍ近傍、ＮＡ：０．６近傍）を用いたドライブにおいては、トラックピッチは１．０μｍ〜１．６μｍ、青色レーザー（λ：４０５ｎｍ近傍、ＮＡ：０．６近傍）を用いたドライブにおいては、０．６μｍ〜１．０μｍが実用的である。
【００１６】
また、実用的なプッシュプル信号振幅が必要となる観点から、ランドおよびグルーブはそれぞれが平坦部を持った矩形形状を有し、情報記録に使用しないトラックの幅、すなわちランド幅は、赤色レーザーを用いたドライブでは０．３μｍ〜０．５μｍに、青色レーザーを用いたドライブでは０．２μｍ〜０．３５μｍ程度にすることが望ましい。
【００１７】
さらに、ランドに対するグルーブの深さ、いわゆるグルーブ深さは、光情報記録媒体の技術として周知のように、十分なプッシュプル信号振幅を得る観点から、λ／８ｎ（λ：光ビームの波長、ｎ：ディスク基板の屈折率）近傍の値か、そこからλ／４ｎ分ずらした値とすることが望ましい。
【００１８】
上記グルーブ深さとしては、例えば光情報記録媒体の基材としてポリカーボネート樹脂やＡＰＯ樹脂（ｎ：１．５〜１．６）を使用した場合、上記赤色レーザー（波長６３５ｎｍ近傍）を用いるドライブでは５０ｎｍや１５０ｎｍ程度、上記青色レーザー（波長４０５ｎｍ近傍）を用いるドライブでは３５ｎｍや１０５ｎｍ程度となる。
【００１９】
しかしながら、一般にランドとグルーブの境界側壁は斜面になっているため、グルーブ深さが深くなると、それに伴ってランド・グルーブ境界部の幅も広くなる。このため、トラックピッチ一定の場合、相対的に情報記録を行うグルーブ平坦部の幅が狭くなり、トラック密度を高めた際に十分な再生信号振幅が得られなくなってしまう。また、ランド・グルーブ境界側壁はその表面を平滑に形成することが非常に困難であるため、情報信号再生時に再生信号に影響を与え、信号品質を低下させてしまうノイズ源となる。これらのことからランド・グルーブ境界幅は極力狭くする必要があり、溝深さは極力浅くすることが望ましい。
【００２０】
グルーブ深さを深くしてもランドとグルーブの境界幅が広くならないようにするためには、境界側壁斜度を急峻にする方法が考えられるが、極端に側壁斜度を急峻にすることは、光磁気ディスクのように光情報記録媒体基板を射出成形によって作製する際、転写ずれを引き起こす原因となり、案内溝形状が正しく転写されない問題を発生してしまう。
【００２１】
従って、良好な再生信号品質を得るために、ランド・グルーブ境界幅を極力狭くするには、グルーブ深さをトラッキングに必要なプッシュプル信号振幅を得られる範囲で極力浅くすることが必要であるから、上記グルーブ深さは、光情報記録媒体基板としてポリカーボネート樹脂やＡＰＯ樹脂（ｎ：１．５〜１．６）を使用した場合、赤色レーザー（波長６３５ｎｍ近傍）を用いるドライブでは５０ｎｍ程度、青色レーザー（波長４０５ｎｍ近傍）を用いるドライブでは３５ｎｍ程度とすることが望ましい。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、グルーブを情報トラックとして用い、ランド上の光情報記録層（磁性層）を熱アニールして変質させる光情報記録媒体においては、上記の熱アニールを行った場合、レーザービームの照射によってランド上の光情報記録媒体層に生成された熱が、ランド・グルーブ境界を挟んで連続的に形成された該光情報記録媒体層を熱伝導媒介として、隣接する情報トラック（グルーブ）に漏れ込み、グルーブ上の光情報記録層までも変質させてしまうという問題がある。
【００２３】
加えて、上記の熱アニールは、１）レーザー光量の時間変動、２）アニールの対象となる光情報記録媒体の基板厚分布、３）基板光学特性の分布、４）基板の面ぶれ、５）案内溝形状の不均一性、６）光情報記録媒体膜の膜厚分布、等に起因してトラック幅方向への熱伝導状態が変化する。これらの変動要因によって、熱アニールで変質する領域の幅も変動するため、均一な情報トラック幅を得ることが極めて難しいという問題がある。このように情報トラック幅が変動した場合、ＤＷＤＤ再生方式の光情報記録媒体では、磁壁移動そのものがスムーズに行われなくなるとともに、得られる信号量がトラック位置によって変動するため、信号品質が劣化するという問題を生じる。
【００２４】
従って、ランドの熱アニールに際しては、より精密な幅精度が求められることになる。
特に、記録密度を高めるためにトラックピッチを狭くした場合には、上記の変質領域の幅の変動が情報トラックの幅へ及ぼす影響、ひいては、得られる信号量および信号品質に及ぼす影響は、より大きくなる。
【００２５】
さらに、既に説明したグルーブ記録方式の光情報記録媒体に好適な溝形状を有する基板、すなわち、ランド・グルーブ境界幅を極力狭くするために、グルーブ深さをトラッキングに必要なプッシュプル信号振幅を得られる範囲で極力浅くした基板、を用いた場合には、グルーブが浅いために、基板上にスパッタ等の方法を用いて形成される光情報記録媒体膜のランド・グルーブ境界での膜厚が厚くなり、このためランド・グルーブ境界での光情報記録媒体膜の接触断面積が大きくなって、トラック幅方向の熱抵抗が小さくなり、ランドを熱アニールすることによって生じる熱が、隣接する情報トラック（グルーブ）に与える影響はより大きくなってしまう。
【００２６】
本発明はこれらの課題を解決するためになされたものであり、ランドを熱アニールによって変質させ、グルーブのみを情報の記録再生に使用するグルーブ記録方式の光情報記録媒体において、ランドの熱アニールに伴う、情報トラック（グルーブ）の変質を防ぐことにより、良好な信号特性が得られる光情報記録媒体を提供することを目的としている。加えて、情報の記録時のクロスライトを抑制可能な光情報記録媒体を提供することを目的としている。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる光情報記録媒体は、上記の課題を解決するために、情報を記録するための情報トラック領域を備えた光情報記録媒体用基板と、上記光情報記録媒体用基板上に形成され、情報記録および情報再生の対象となる少なくとも１層の光情報記録層と、を有し、上記光情報記録層が部分的に熱アニールによって変質しており、該情報トラック領域の一部に、情報トラックの長さ方向に沿って連続的に形成された突起部を含むことを特徴としている。
【００２８】
本発明にかかる光情報記録媒体は、上記の課題を解決するために、ランドおよびグルーブからなる案内溝を有し、グルーブのみが情報の記録および再生に用いられるグルーブ記録方式の光情報記録媒体であって、ランドに相当する平坦部Ａの幅方向の少なくとも一方に、平坦部Ａの長さ方向に沿って連続的に形成された突起部を含んでなることを特徴とする光情報記録媒体用基板と、上記光情報記録媒体用基板上に形成され、情報記録および再生の対象となる少なくとも１層の光情報記録層とを有し、上記ランド上に形成された光情報記録層が熱アニールにより変質していることを特徴としている。
【００２９】
上記構成の光情報記録媒体によれば、突起部以外の、例えば平坦部Ａ・Ｂ上に形成された光情報記録層と比較して突起部上に形成される光情報記録層の膜厚が薄くなる。また、上記突起部が、隣接する情報トラック（グルーブ）間の距離を実効的に長くする。
【００３０】
そのため、トラック幅方向への熱抵抗が大きくなり、隣接する情報トラックへの熱伝導が起こりにくくなるため、上記光情報記録層を部分的（ランド）に熱アニールによって変質させた際、変質させない情報トラック（グルーブ）への熱の漏れこみを上記突起部によって抑制することができ、良好な信号品質が得られる光情報記録媒体を提供することができる。
【００３１】
加えて、情報の記録再生に際しても同様に、トラック幅方向への熱伝導が起こりにくくなるため、隣接する情報トラック（グルーブ）間でのクロスライトが大幅に低減されてなる光情報記録媒体を提供することができる。
【００３２】
本発明にかかる光情報記録媒体は、上記の構成を前提として、さらに、上記光情報記録層が、少なくとも記録層、中間層、再生層の３層からなり、記録層に磁区として記録した情報を、磁気的な結合力を用いて中間層を介して再生層に転写し、かつ、転写された磁区の磁壁を光ビームの照射熱を用いて移動させ、実質的に磁区を拡大させて再生する、ＤＷＤＤ再生方式の光磁気記録媒体膜であることを特徴としている。
【００３３】
上記構成の光情報記録媒体によれば、上記の効果に加えて、再生層において転写された磁区の磁壁を移動させる磁壁移動動作を安定に行うことが可能となる光情報記録媒体を提供することができ、もって、高い再生信号品質が得られるＤＷＤＤ再生方式の光情報記録媒体を提供可能である。
【００３４】
本発明にかかる光情報記録媒体の製造方法は、前記の課題を解決するために、上記ランドの熱アニールを高出力のレーザー光を照射して行うことを特徴としている。
【００３５】
上記の光情報記録媒体の製造方法によれば、熱アニールの対象となる光情報記録層の部分に高出力のエネルギービームを位置精度良く、かつ集中して照射することが可能である。これにより、上記光情報記録層の部分の変質領域の幅が均一になり、本発明の光情報記録媒体において、良好な再生信号品質を得ることが可能となる。
【００３６】
本発明にかかる光情報記録媒体に用いられる光情報記録媒体用基板は、上記の構成を前提として、さらに、上記突起部が、平坦部Ａの幅方向両端部に、平坦部Ａの長さ方向に沿って連続的に形成されてなる構成であることがより好ましい。あるいは、上記の構成を前提として、上記突起部の高さが、平坦部Ａを基準として５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲内であることがより好ましい。
【００３７】
上記何れかの構成によれば、ランドを熱アニールした際、情報トラックであるグルーブへの熱の漏れこみをより確実に防ぐことができ、より良好な信号品質が得られる光情報記録媒体を容易に作製可能とする光情報記録媒体用基板を提供することができる。加えて、情報の記録再生に際しても同様に、トラック幅方向への熱伝導が起こりにくくなるため、隣接グルーブ間でのクロスライトがより大幅に低減されてなる光情報記録媒体を容易に作製可能とする光情報記録媒体用基板を提供することができる。
【００３８】
本発明にかかる光情報記録媒体用基板は、上記何れかの構成を前提として、さらに、グルーブの底部に相当する平坦部Ｂと上記平坦部Ａとの中間高さにおける、グルーブ相当幅Ｗ１とランド相当幅Ｗ２との比（Ｗ１／Ｗ２）が、２以上、３以下であることがより好ましい。
【００３９】
上記の構成によれば、媒体全体の容量を低下させることなく、必要なプッシュプル信号が得られると同時に、良好な再生信号品質を得ることができる。
【００４０】
本発明にかかる光情報記録媒体用基板は、上記何れかの構成を前提として、グルーブの底部に相当する平坦部Ｂの深さが、上記平坦部Ａを基準として２５ｎｍ以上４５ｎｍ以下の範囲である、あるいは３５ｎｍ以上６５ｎｍ以下の範囲であることがより好ましい。
【００４１】
上記平坦部Ｂの深さが２５ｎｍ以上４５ｎｍ以下の範囲である場合には、青色レーザー（波長４０５ｎｍ近傍）を光源として用いると、好適なプッシュプル信号が得られる。一方、上記平坦部Ｂの深さが３５ｎｍ以上６５ｎｍ以下の範囲である場合には、赤色レーザー（波長６３５ｎｍ近傍）を光源として用いると、好適なプッシュプル信号が得られる。また、平坦部Ｂの深さが上記何れかの範囲内であれば、１）高トラック密度化も容易であり、２）平坦部Ａ・Ｂ間の境界側壁の非平滑性が信号品質を低下させる虞も確実に低減可能となる。つまり、上記の構成によれば、好適なプッシュプル信号が得られ、高トラック密度化が可能で、かつ良好な信号品質が得られる光情報記録媒体を容易に作製可能とする光情報記録媒体用基板を提供することができる。
【００４２】
本発明にかかるスタンパは、上記の課題を解決するために、ランドに相当する平坦部Ａ、およびグルーブの底部に相当する平坦部Ｂを形成するための凹凸パターンと、上記凹凸パターンの凹部底部の幅方向端部に、該凹部の長さ方向に沿って連続的に形成された溝状部と、を含んでなることを特徴としている。
【００４３】
上記の構成によれば、上記何れかの光情報記録媒体用基板を容易に製造することが可能なスタンパを提供することができる。
【００４４】
本発明にかかるスタンパは、上記の構成を前提として、さらに、光情報記録媒体用基板において、ランドに相当する平坦部Ａとグルーブの底部に相当する平坦部Ｂとの境界側壁が、平坦部Ａおよび平坦部Ｂに対して７５°未満の最大斜度を有するように、上記凹凸パターンが形成されていることがより好ましい。
【００４５】
上記の構成によれば、上記凹凸パターンがより正確に光情報記録媒体用基板に転写されるとともに、当該基板とスタンパとの間で不所望な擦れなどが発生する虞が確実に回避される。
【００４６】
本発明にかかるスタンパの製造方法は、上記の課題を解決するために、スタンパ基材に上記凹凸パターンを形成する工程と、次いで、異方性逆スパッタにより上記溝状部を形成する工程と、を含んでなることを特徴としている。
【００４７】
上記の方法によれば、特にマスキングなどを行うことなく（省いて）、上記溝状部を形成することができるので、上記スタンパをより容易に製造する方法を提供することが可能となる。
【００４８】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態１〕
本発明の一実施の形態について図面に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、本発明の権利範囲は、特にこの実施の形態の記載のみに限定されるものではない。
【００４９】
本実施の形態にかかる光磁気ディスク（光情報記録媒体）９の情報記録領域（情報トラック領域）は、図１の断面図に示すように、同心円状またはスパイラル状のランド１に相当する平坦部１ａ（平坦部Ａ）および互いに隣り合うランド１間に形成されるグルーブ２の底部に相当する平坦部２ｂ（平坦部Ｂ）からなる案内溝が形成されたディスク状基板（光情報記録媒体用基板）３の表面上に、誘電体膜および金属磁性膜からなるＤＷＤＤ再生方式の光磁気記録媒体膜４が形成されてなる。この光磁気ディスク９は、トラックを構成するランド１およびグルーブ２のうち、グルーブ２のみに、光ビームを用いた情報を記録するグルーブ記録媒体である。
【００５０】
さらに、情報記録に用いないランド１の平坦部、より具体的には、ディスク状基板３の平坦部１ａにおけるトラック幅方向両端部には、平坦部１ａ上の幅方向両端部に、トラック長さ方向に連続した突起部５・５が外方（上記平坦部の表面の法線方向）に向かって突出するようにそれぞれ形成されている。
【００５１】
加えて、情報記録に用いないランド１の平坦部、より具体的には、ディスク状基板３の平坦部１ａ上、に形成された金属磁性膜は高パワーのエネルギービームの照射に伴う熱アニールによって変質している。より具体的には、平坦部１ａ上に形成された金属磁性膜は、例えば高パワーのレーザービーム照射によって、金属磁性層がキュリー温度以上に加熱され、結晶化や酸化を含む変質を生じて非磁性化されている。
【００５２】
上記突起部５は、１）互いに隣り合う（隣接する）グルーブ２・２上の各光磁気記録媒体膜４間における熱伝導経路の距離を実効的に長くする。また、２）ディスク状基板３の表面に光磁気記録媒体膜４を形成するに際して遮蔽効果を示し、平坦部１ａ・２ｂ上と比較して、突起部５上に形成された光磁気記録膜４の膜厚が薄くなる。これらの理由から、光磁気ディスク９では、トラック幅方向への熱抵抗が大きくなり、隣接トラック（グルーブ２）への熱伝導が起こりにくくなるので、熱アニール時および記録再生時の隣接トラック（グルーブ２）への熱伝導が大幅に低減される。
【００５３】
これにより、ランド１上の光磁気記録媒体膜４を熱アニールした際に、それと隣接する情報記録トラック（グルーブ２）上に形成された金属磁性層がレーザーアニールの影響を受けて変質することを防ぐことができる。同時に、突起部５を形成しない場合に比べ、トラック長さ方向の変質領域幅の変動が小さくなるという効果が得られる。これらにより、ＤＷＤＤ再生方式の光情報記録媒体において、磁壁移動動作の安定性が確保でき良好な信号品質が得られる。
【００５４】
加えて、情報の記録に際しても、突起部５が形成されていることにより、上記の理由でトラック幅方向への熱抵抗が大きくなる。従って、情報トラック間（グルーブ２・２間）の熱伝導が起こりにくくなるので、情報トラック間でのクロスライトが低減されるという効果も得られる。
【００５５】
なお、上記突起部５は、平坦部１ａの幅方向端部の少なくとも一方に、平坦部１ａの長さ方向に沿って連続的に形成されていれば効果が得られるが、図１に示すように平坦部１ａの幅方向両端部にそれぞれ形成されていれば、上記効果が増強されるためより好ましい。また突起部５は平坦部１ａの全長にわたって形成されていてもよく、あるいは一部分のみに形成されていてもよい。さらに突起部５は、複数ある平坦部１ａ（一つのみ図示）の一部あるいは全部に形成されていればよい。
【００５６】
また、突起部５の高さは、熱アニール時のグルーブ２への影響が低減されるという効果が得られる限りにおいて特に限定されるものではないが、平坦部１ａを基準面として５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲内であることが特に望ましい。突起部５の高さが５ｎｍ以上であれば、光磁気記録媒体膜４の厚さなどの条件に実質的に左右されることなく熱アニール時の隣接トラックへの熱伝導の影響を抑制できる効果が確実に得られる。また突起部５の高さが３０ｎｍ以下であれば、該突起部５が信号ノイズの原因となる虞が確実に防止される。
【００５７】
また、ディスク状基板３において、平坦部２ｂと上記平坦部１ａとの中間高さ（高さの半値位置）にて測定された、グルーブ相当幅Ｗ１とランド相当幅Ｗ２との比（Ｗ１／Ｗ２）は特に限定されるものではないが、２以上であることが特に好ましい。なお、Ｗ１／Ｗ２≧２の範囲が好ましい理由については後述する。
【００５８】
以下、本実施の形態にかかる光磁気ディスク９の具体的な設計例、および製造方法について説明するが、特にこの記載のみに限定されるものではない。なお、後述する斜度は何れも、Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製のＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ　Ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）であるＤｉｍｅｎｓｉｏｎ　３０００（商品名）に、Ｎａｎｏ　Ｓｅｎｓｏｒｓ社製のＮＣＨ−１０Ｔ型シリコン単結晶プローブを取り付けて測定した。当該プローブ先端の曲率半径は１０ｎｍである。また、測定対象物の傾斜が最も急峻な箇所をもって、測定対象物の斜度とした。
【００５９】
本実施の形態における光磁気ディスク９のトラックピッチの一例は０．６μｍであり、そのうち、ランド相当幅Ｗ２が０．２μｍ、グルーブ相当幅Ｗ１が０．４μｍとなっている。また、平坦部１ａを基準面とした平坦部２ｂの深さ（グルーブ深さ）を３５ｎｍに設計した。
【００６０】
さらに、突起部５は、平坦部１ａを基準とした高さが１６ｎｍ、その最大幅が２８ｎｍの断面Ｖ字形状に形成されている。なお、この設計は、波長４０５ｎｍ近傍の青色レーザーを記録用／再生用光源として採用する場合に特に適切なものである。
【００６１】
また、上記光磁気ディスク９の具体的な製造方法の一例は、図２（ａ）にその断面形状をしめすような原盤６を作製し、この原盤６から得たスタンパ７（図２（ｂ））を用いてディスク状基板３（図２（ｃ））を製造する工程と、このディスク状基板３上に、ＤＷＤＤ再生方式の光磁気記録媒体膜４を形成する工程と、を含んでなる。
【００６２】
図２（ａ）に示すように、原盤６は、例えば、ランド１およびグルーブ２に相当するパターンを形成するための溝部２’を、石英ガラスなどからなる円盤上に形成したものである。次に、ガラス製の原盤６のより具体的な製造方法を以下に説明する。
【００６３】
まず、原盤６の基体となる石英ガラス円盤をスピンコータに取り付け、その表面に感光性ポジ型レジスト（図示せず）を２００ｎｍの厚さで一様に塗布した。ここで、上記感光性ポジ型レジスト（以下、単にレジストと称する）とは、現像工程によって、光が照射された部分が除去され、光が照射されなかった部分が残るレジストを表す。
【００６４】
そして、上記レジストを乾燥させた後に石英ガラス円盤を露光装置に取り付け、波長３５１ｎｍのレーザー光を用いた露光により螺旋状の露光パターン（図示せず）をレジストに形成し（露光工程）、次いで、現像液を用いて露光パターンの現像を行った（現像工程）。
【００６５】
ここで、上記露光パターンは、ディスク状基板３におけるトラックピッチが０．６μｍであり、そのうち、ランド相当幅Ｗ２が０．２μｍ、グルーブ相当幅Ｗ１が０．４μｍとなるように、露光用のレーザー光を位置調整して形成する（図１も参照）。つまり、図２（ａ）に示す幅Ｗ２’が０．２μｍ、幅Ｗ１’が０．４μｍとなるように上記レーザー光を位置調節する。
【００６６】
続いて、現像後の石英ガラス円盤をエッチング装置に取り付け、１×１０−４Ｐａまで真空引きを行った後にＣＦ４　ガスを導入し、ＣＦ４　ガス雰囲気中で、ガラス面の異方性エッチングを行った。このときのＣＦ４　のガス圧は０．３Ｐａ、エッチング電力は５００Ｗ、エッチング時間は２分５０秒間とした。
【００６７】
また、エッチング用の電圧は、石英ガラス原盤の露光パターンが形成された面に対し垂直な方向から印加した。これにより、レジストに覆われていない石英ガラスの領域（上記露光パターンに相当する領域）がエッチングされて、同心円状またはスパイラル状の溝部２’が形成された。
【００６８】
その後、残留レジストを除去して、図２（ａ）に示すような、ランド１およびグルーブ２を形成するための溝部２’を一面に有する原盤６を得た。なお、ランドに相当する平坦部１ａ’を基準として、グルーブに相当する平坦部２ｂ’の深さは３５ｎｍであった。また、ランド・グルーブ境界側壁２ａ（図１参照）に相当する側壁２ａ’の平坦部１ａ’・２ｂ’に対する斜度（傾斜角）は最も急峻な箇所で６５°であった。
【００６９】
なお、側壁２ａ’の斜度は、露光用レーザー光の波長、使用するレジストの感度、レジスト現像後に行うエッチング異方性を変化させること、などにより所望の値に調整することができる。
【００７０】
続いて、上記の方法で作製した原盤６を基に、スタンパ７を作製した。ディスク状基板３を製造する鋳型であるスタンパ７は、ランド１を形成するための凹部２１と、グルーブ２を形成するための凸部２２とからなる凹凸パターンを表面に有する。さらに、上記凹部２１の平坦部（底部）の幅方向両端部に、凹部２１の長さ方向に連続した窪み部（溝状部）８・８が形成されている。
【００７１】
スタンパ７の作製方法の一例を以下のとおりである。まず、図２（ａ）に示す、ランド１およびグルーブ２に相当するパターンを形成するための溝部２’を備えた原盤６を、スパッタ装置に取り付ける。
【００７２】
次いで、スパッタ装置内を５×１０−５Ｐａまで真空引きした後にＡｒガスを導入し、Ａｒガス雰囲気中で、原盤６の溝部２’の形成面上にＮｉ金属膜（図示せず）を１００ｎｍの厚さで形成した。続いて、上記Ｎｉ金属膜を一方の電極としてＮｉメッキ浴中で電鋳を行い、厚さ０．３ｍｍのＮｉ円盤（図示せず）を得た。
【００７３】
ここで、原盤６に形成された溝部２’の形状が上記Ｎｉ円盤に転写された。Ｎｉ円盤におけるトラックピッチ相当幅（図２（ｂ）に示すＷ１１＋Ｗ１２に相当）は０．６μｍ、ランド１を形成するための凹部２１の幅Ｗ１２は０．２μｍ、グルーブ２を形成するための凸部２２の幅Ｗ１１は０．４μｍであった。
【００７４】
凸部２２の平坦部を基準とした凹部２１の平坦部の深さは３５ｎｍであり、また、凸部２２と凹部２１との境界側壁の斜度は、凸部２２および凹部２１の平坦部に対して最も急峻な箇所で６５°であった。つまり、Ｎｉ円盤に転写された形状は何れも、原盤６に作製した形状に対し完全なポジとなっていた。なお、上記の幅Ｗ１１・Ｗ１２については、凸部２２の平坦部と凹部２１の平坦部との中間高さ（高さの半値位置）で測定した。
【００７５】
上記Ｎｉ円盤は、原盤６から取り外して、以下の異方性ＲＦ逆スパッタ（異方性高周波逆スパッタリング）工程に供した。具体的には、Ｎｉ円盤をスパッタ装置に取り付け、５×１０−５Ｐａまで真空引きを行った後にＡｒガスを導入し、Ａｒガス雰囲気中で、上記凹凸パターンが形成されたＮｉ円盤面の異方性ＲＦ逆スパッタを行った。
【００７６】
なお、スパッタ用の電圧は、上記凹凸パターンが形成されたＮｉ円盤面に対し垂直な方向から印加した。この異方性ＲＦ逆スパッタにより、凹部２１底部の幅方向両端に窪み部（溝状部）８・８が形成された。
【００７７】
ここで、窪み部８が形成される理由について説明する。電極間にスパッタ用の電圧を印加し、逆スパッタを行う異方性逆スパッタでは、凹凸パターンを形成したＮｉ円盤面が、スパッタ用の電圧の印加方向に対して垂直に設置されている場合、すなわち、逆スパッタの対象である凹部２１の深さ方向が、スパッタ用の電圧の印加方向にほぼ一致している場合には、逆スパッタ分子が凹部２１の深さ方向に対して強い異方性を持つこととなる。
【００７８】
逆スパッタ分子の異方性は印加電圧が高い程、またＡｒガス圧が低いほど強くなる。異方性逆スパッタにより深さ方向（Ｎｉ円盤面に対し垂直方向）に逆スパッタが進行していく際、凹部２１の幅方向両端近傍では、凹部２１の平坦部（凹部２１底部）に直接衝突する逆スパッタ分子に加えて、凹部２１と凸部２２との境界側壁に当たった逆スパッタ分子の一部が、当該境界側壁への衝突ではエネルギーを完全に消失せずに凹部２１の平坦部へと衝突する。
【００７９】
このため、凹部２１底部の幅方向両端近傍では、底部の中央に比べて逆スパッタが深さ方向に速く進むこととなり、結果として凹部２１底部の幅方向両端に窪み部８・８がそれぞれ形成される。つまり、この方法を採用すれば、特にマスキングなどを行うことなく、実質的に凹部２１底部の幅方向両端のみを選択的に逆スパッタ可能となり、極めて容易に窪み部８・８を形成可能となる。
【００８０】
窪み部８の深さおよび幅は、逆スパッタ時のＡｒガス圧、逆スパッタ電力、逆スパッタ時間などの諸条件を変更することで、任意の値に変更可能である。特に好適な大きさにある突起部５の完全なポジとなるように、窪み部８の深さは、例えば５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲内にあることが望ましいが、このためには一般に、Ａｒガス圧は０．０１Ｐａ〜０．１Ｐａの範囲とすることが特に好ましい。逆スパッタ電力は、電極面積との関係にも左右されるが、２００Ｗ〜１ｋＷの範囲内とすることが特に好ましい。逆スパッタ時間は１ｍｉｎ．〜２０ｍｉｎ．の範囲内とすることが特に好ましい。
【００８１】
なお、本実施の形態では、逆スパッタの異方性を高めて急峻な窪み部８を得るために、逆スパッタ時のＡｒガス圧を０．０２Ｐａと極めて低い圧力とし、逆スパッタ電力は６００Ｗと高くした。また、逆スパッタ時間は９分間とした。
【００８２】
さらに、逆スパッタ時に使用したスパッタ装置の電極面積は、２８００ｃｍ２とした。逆スパッタ時の異方性は電極面積にも依存する。従って、電極面積がより小さなスパッタ装置を使用する場合には逆スパッタ電力を弱め、電極面積がより大きなスパッタ装置を使用する場合には逆スパッタ電力を強めることで、同一の逆スパッタレートにより同一の窪み部８形状を得ることが可能となる。
【００８３】
上記条件に従った逆スパッタにより形成された窪み部８は、凹部２１底部に対する深さが１６ｎｍ、最大幅が２８ｎｍのＶ字形状であり、全凹部２１において一様な形状で形成された。
【００８４】
次いで、凹部２１底部の幅方向両端に窪み部８が形成されたＮｉ円盤について、樹脂基板（ディスク状基板３）作製用の射出成形機の形状に合わせて内外径の打ち抜き加工を行い、図２（ｂ）に示すＮｉ製のスタンパ７を得た。
【００８５】
続いて、スタンパ７を基にディスク状基板３を作製した。図２（ｃ）に示すように、本実施の形態の光磁気ディスク９を作製するためのディスク状基板３は、ランド１に相当する平坦部１ａ、グルーブ２に相当する平坦部２ｂ、および平坦部１ａ・２ｂの境界側壁２ａからなる案内溝が一面に形成され、かつ、平坦部１ａ上の幅方向両端部に、トラック長さ方向に連続した突起部５・５を形成したものである。
【００８６】
このディスク状基板３の作製に当たっては、まず、上記窪み部８を形成されたスタンパ７を射出成形機に取り付ける。次いで、ポリカーボネート樹脂を溶融して成形金型内に流し込むことにより、厚さ０．５ｍｍ、直径５０ｍｍのディスク状基板３を射出成形した。
【００８７】
ディスク状基板３には、射出成形時にスタンパ７の溝形状が転写された。転写された案内溝のトラックピッチは０．６μｍ、ランド相当幅Ｗ２およびグルーブ相当幅Ｗ１は、それぞれ０．２μｍおよび０．４μｍであった（図１参照）。また、ランド１に相当する平坦部１ａを基準とした平坦部２ｂの深さは３５ｎｍ、ランド１とグルーブ２との境界側壁２ａの斜度は最大で６５°であり、何れの場合もスタンパ７の溝形状が完全に転写されていた。
【００８８】
さらに、ランド１に相当する平坦部１ａ上の幅方向両端部には、スタンパ７に形成された窪み部８・８の形状が転写された。この結果、平坦部１ａを基準とした高さが１６ｎｍ、その最大幅が２８ｎｍのＶ字断面形状の突起部５・５がトラックの伸長方向に連続して形成された。
【００８９】
続いて、誘電体膜、金属磁性膜からなる光磁気記録媒体膜４を、スパッタ装置を用いてディスク状基板３上に形成した。なお本実施の形態では光磁気記録媒体膜４として、ＤＷＤＤ再生方式用の多層膜を用いた。
【００９０】
本実施の形態において用いた光磁気記録媒体膜４は、図３に膜断面構成を示すように、ディスク状基板３上に、ＳｉＮからなる透明誘電体保護層１０、ＧｄＦｅＣｏからなる再生層１１、ＴｂＦｅからなる中間層１２、ＴｂＦｅＣｏからなる記録層１３、ＧｄＦｅＣｏからなる磁界感度調整層１４、ＳｉＮからなる保護層１５、およびＡｌＮｉからなる放熱層１６、により構成される。なお、各層の材質は特に上記のものに限定されない。
【００９１】
これらの膜は、ディスク状基板３をスパッタ装置内に取り付けて、５×１０−５Ｐａまで真空引きした後、順次、スパッタ形成される。より具体的には、ＳｉＮ透明誘電体保護層１０を膜厚３５ｎｍで、ＧｄＦｅＣｏ再生層１１を膜厚３３ｎｍで、ＴｂＦｅ中間層１２を膜厚１２ｎｍで、ＴｂＦｅＣｏ記録層１３を膜厚５０ｎｍで、磁界感度調整層１４を膜厚１２ｎｍで、ＳｉＮ保護層１５を膜厚２０ｎｍで、ＡｌＮｉ放熱層１６を膜厚６０ｎｍで順次、積層形成した。
【００９２】
スパッタによって光磁気記録媒体膜４を形成する場合には、ディスク状基板３の案内溝形成面に対して斜め方向から入射する誘電体および金属磁性体の分子が、Ｖ字断面形状をした突起部５の片側の斜面で遮蔽される。このため、その反対側の斜面には、誘電体および金属磁性体の分子が付着しにくくなる。この結果、突起部５上に形成された光磁気記録媒体膜４の膜厚は、平坦部１ａ・２ｂ上に形成される光磁気記録媒体膜４の膜厚よりも相対的に薄くなった。
【００９３】
さらに、上記方法により作製した光磁気ディスク９（図１）を、波長３５１ｎｍのレーザー光を用い、開口数ＮＡが０．８５の集光系（対物レンズ手段）を備えた光磁気ピックアップを使用して、線速２ｍ／ｓの条件で上記光磁気ディスク９のランド１の熱アニールを行った。
【００９４】
具体的には、上記ランド１に光磁気記録媒体膜４形成面側からレーザー光を入射させ、フォーカスサーボおよびトラッキングサーボをかけて、上記光磁気ピックアップから上記光磁気ディスク９上に照射されるレーザー光のトラック幅方向の中心が、上記ランドのトラック幅方向の中心と一致するように調整した後、上記レーザー光を１０ｍＷのパワーで連続照射した。
【００９５】
上記の熱アニールに際しては、使用するレーザー光の波長が短く、高い開口数ＮＡを採用する方が、狭いトラックを精度良くアニールすることが可能であることから、本実施の形態では、光磁気ディスク９の信号特性を評価する光学系（後述）よりも、波長が短く、開口数ＮＡが高い光学系を採用し、膜面側すなわち光磁気記録媒体４を形成した面側からのレーザー光照射を採用した。
【００９６】
上記熱アニール時のレーザーパワーは、ランド１上に形成された光磁気記録媒体膜４を変質させることができ、かつ、隣接する情報トラック（グルーブ２）上に形成された光磁気記録媒体膜４の特性に影響を与えないパワーであることが望ましい。
【００９７】
従って、熱アニールに用いるレーザーパワーの決定に際しては、トラックピッチはもちろんのこと、光磁気記録媒体膜４の各金属磁性層のキュリー温度、および、膜厚方向およびトラック幅方向の熱伝導性、についても考慮する必要がある。このため、１）光磁気記録媒体膜４の膜厚、２）光磁気記録媒体膜４を構成する各層の熱伝導率、３）突起部５の高さおよび幅、等を十分考慮して決定する必要がある。
【００９８】
上記熱アニールを行うことにより、ランド１が非磁性化され、隣接するグルーブ２・２間の磁気的な結合が切断された。
【００９９】
なお、ランド１の非磁性化については、ランド１にトラッキングサーボをかけて記録再生動作を行った際、その信号量が熱アニールを行っていない場合と比べて低下することで容易に確認可能である。
【０１００】
また、トラックピッチ、光磁気記録媒体膜４の構成および膜厚、突起部５の高さおよび幅によっては、熱アニール用のレーザー光を基板側から入射する方法を採用することも可能であり、また、異なる波長を持つレーザー光源、異なる開口数ＮＡを持つ集光系を採用することも可能である。
【０１０１】
例えば、「Ｂｌｕ―ｒａｙ　Ｄｉｓｃ」（登録商標）に用いられる、波長４０５ｎｍのレーザー光源および開口数ＮＡが０．８５の対物レンズを用いた光学ピックアップを採用することも可能である。この場合、上記「Ｂｌｕ−ｒａｙ　Ｄｉｓｃ」で提案されている０．１ｍｍ厚のカバーガラスを光磁気ディスク９上に形成し、上記カバーガラスを介して熱アニールを行うことも可能である。もしくは、本実施の形態に示したように、カバーガラスを使用せずに熱アニールを行ってもよい。
【０１０２】
上記熱アニールに続いて、光磁気記録媒体膜４を保護するためのバックコート樹脂（図示せず）を塗布し、図１に示す光磁気ディスク９を作製した。
【０１０３】
なお、本実施の形態では熱アニール後にバックコート樹脂を塗布する方法を採用したが、バックコートを塗布した後に熱アニールを行う方法を採用することも可能である。熱アニール後にバックコート塗布を行う方法を用いれば、バックコート膜の膜厚分布に影響を受けることなく、高いアニール幅精度を得ることが可能となる。一方、バックコート樹脂の塗布後に熱アニールする方法を用いれば、アニール工程において発生する粉塵の付着から光磁気ディスク９を保護することが可能となる。
【０１０４】
上記方法によって作製した光磁気ディスク９（サンプル＃１とする）の特性を評価した。具体的には、波長４０５ｎｍの半導体レーザーを記録再生用の光源とし、開口数ＮＡが０．６の集光系（対物レンズ手段）を備えた光磁気ピックアップを使用して、線速２ｍ／ｓの条件にて、上記光磁気ディスク９のクロスライトマージンを測定した結果について示す。
【０１０５】
まず、図４（ａ）および図４（ｂ）を用いて、上記クロスライトマージンの測定方法を説明する。測定にあたっては、光磁気ディスク９の測定トラック１７（グルーブ２の一つ）、およびその両側の隣接トラック１８・１８’（何れもグルーブ２の一つ）に記録用レーザーを４．０ｍＷのピークパワーで連続照射しながら、−２０ｋＡ／ｍの消去磁界を印加し、ＴｂＦｅＣｏ記録層１３の磁化を一方向に揃える。
【０１０６】
次に、レーザーパルス磁界変調方式を用いて、測定トラック１７にランダムパターンを記録する。より具体的には、記録外部磁界を±２０ｋＡ／ｍに変調し、記録層１３に記録磁界の向きに対応したランダムパターンを、記録パルスデューティー３３％で記録する（図４（ａ））。このとき、ランダムパターンの最短マーク長すなわち、実際に記録された最も短い記録磁区の長さは０．１３μｍとした。
【０１０７】
また、記録時のレーザー照射のピークパワー（Ｐｗ−ｐｅａｋ）は６．５ｍＷから１０．０ｍＷとした。そして、測定トラック１７上に記録再生用レーザーを連続照射し、１トラックでのビットエラーレート（ＢＥＲ）を測定した。再生時のレーザー照射パワーは、測定トラック１７を再生した際に最もＣＮＲが大きくなるように設定し、１．５ｍＷとした。
【０１０８】
次に、測定トラック１７およびその隣接トラック１８・１８’に記録用レーザーを４．０ｍＷのピークパワーで再び連続照射しながら−２０ｋＡ／ｍの消去磁界を印加し、記録層１３の磁化を一方向に揃える。続いて、レーザーパルス磁界変調方式を用いて測定トラック１７にランダムパターンを記録する。より具体的には、記録外部磁界を±２０ｋＡ／ｍに変調し、記録層１３に記録磁界の向きに対応した最短マーク長０．１３μｍのランダムパターンを、記録パルスデューティー３３％で記録する（図４（ａ））。
【０１０９】
さらに、隣接トラック１８・１８’にもレーザーパルス磁界変調方式を用い、測定トラックに対する場合と同一のピークパワーでランダムパターンを記録する。より具体的には、記録外部磁界を±２０ｋＡ／ｍに変調し、記録磁界の向きに対応した最短マーク０．１３μｍのランダムパターンを、記録パルスデューティー３３％で記録層１３に記録する（図４（ｂ））。
【０１１０】
また、トラック１７・１８・１８’に対する記録時のレーザー照射のピークパワー（Ｐｗ−ｐｅａｋ）は９．５ｍＷから１０．５ｍＷまで変化させた。次いで、トラック１７上に記録再生用のレーザーを１．５ｍＷで連続照射し、３トラックでのＢＥＲを測定する。
そして、上記１トラック記録時および３トラック記録時でのＢＥＲ測定結果に基づき、ＢＥＲが５×１０−４以下となる記録時のピークパワー（Ｐｗ−ｐｅａｋ）の範囲をクロスライトマージンとした。
【０１１１】
なお、上記３トラック記録時では、光磁気ディスク９のクロスライトマージンが小さいほど、先に記録した測定トラック１７のランダムパターン情報が、後続する隣接トラック１８・１８’の記録時に部分的に消されてしまう虞が高くなる。このため、測定トラック１７から読み出される信号のＢＥＲが悪くなってしまう。
【０１１２】
図５には、サンプル＃１に関し、上記の方法で測定した１トラック記録時および３トラック記録時のＢＥＲと、記録時のピークパワー（Ｐｗ−ｐｅａｋ）との関係を示している。また、比較のため、平坦部１ａの両端に突起部５・５を有しない光磁気ディスク媒体（比較サンプル＃１）を作製し、比較サンプル＃１についてもサンプル＃１と同一条件でランド１のレーザーアニールを行った後、上記の方法でクロスライトマージンの評価を行った。
【０１１３】
比較サンプル＃１の作製に当たっては、ランドに対するグルーブの深さ、およびトラックピッチをサンプル＃１と等しくなるようにした。すなわちトラックピッチを０．６μｍ、そのうちランド相当幅を０．２μｍ、グルーブ相当幅を０．４μｍとし、ランドに対するグルーブの深さを３５ｎｍとした。
【０１１４】
なお、比較サンプル＃１用のディスク状基板を作製するためのスタンパは、スタンパ７（図２（ｂ）参照）作製時の異方性ＲＦ逆スパッタ工程を省略することで容易に作製される。
【０１１５】
サンプル＃１と比較サンプル＃１とを比較すると、１トラック記録時のＢＥＲ測定結果から、サンプル＃１のＢＥＲの底値が、比較サンプル＃１のＢＥＲの底値よりも低くなった。
【０１１６】
これは、サンプル＃１では、ランドの頂部に相当する平坦部１ａのトラック幅方向両端に連続的な突起部５・５が形成されているため、１）隣接するランド１・グルーブ２間の距離が実効的に長くなったこと、および、２）光磁気記録媒体膜４の形成に際して遮蔽効果があり、突起部５上に形成された膜厚が平坦部１ａ・２ｂ上よりも薄くなったこと、により、トラック幅方向への熱抵抗が大きくなって隣接トラック（ランド１・グルーブ２）への熱伝導が起こりにくくなっていることに起因するものである。
【０１１７】
これにより、１）熱アニールがグルーブ２上の光磁気記録媒体膜４に及ぼす影響が小さくなり、得られる信号量が増加したこと、２）熱アニールによって形成された非磁性領域の幅均一性が高まり、再生層１１における磁壁移動動作の安定性が高まったものと推察される。
【０１１８】
一方、比較サンプル＃１では、突起部５・５が形成されておらず、１）レーザーアニールによる熱がグルーブ２に漏れ込み、グルーブ２上の光磁気記録媒体膜４がダメージを受けて変質し、情報トラック幅がサンプル＃１よりも狭くなってしまっていること、２）非磁性領域の幅が場所によって不均一であるため、光磁気記録媒体膜４の熱容量が場所によって異なり、磁壁移動動作が不安定となっていること、からＢＥＲの底値がサンプル＃１よりも大きくなったものと推察される。
【０１１９】
また、３トラック記録時のＢＥＲ測定結果から、比較サンプル＃１では１０．０ｍＷ以上の記録ピークパワーで記録を行った場合に、ＢＥＲが大きく悪化している。これに対し、サンプル＃１では１０．０ｍＷの記録ピークパワーまで５×１０−４以下のＢＥＲを維持している。
【０１２０】
これにより、１トラック記録時および３トラック記録時での測定結果から得られる、ＢＥＲが５×１０−４以下となる範囲でのクロスライトマージンは、比較サンプル＃１が±１５．６％（８．３ｍｗ±１５．６％）であったのに対し、サンプル＃１では±１８．３％（８．５ｍｗ±１８．３％）と大きく広がった（図５参照）。
【０１２１】
上記クロスライトマージンが広がった理由は、サンプル＃１ではランドの頂部に相当する平坦部１ａのトラック幅方向両端に連続的な突起部５・５が形成されているため、
１）情報トラック間（グルーブ２・グルーブ２間）の距離が実効的に長くなったこと、および、
２）光磁気記録媒体膜４の形成に際して遮蔽効果があり、突起部５上に形成された膜厚が平坦部１ａ・２ｂ上よりも薄くなったこと、により、トラック幅方向への熱抵抗が大きくなって、互いに隣り合う情報トラック間（グルーブ２・グルーブ２）の熱伝導が起こりにくくなったため、クロスライトが低減されたことによると考えられる。
【０１２２】
このように、本発明の実施の形態に係るサンプル＃１は、比較サンプル＃１と比較して、良好な再生信号品質を備え、かつ、良好なクロスライト品質を備えた光情報記録媒体であることがわかる。
【０１２３】
さらに、比較サンプル＃１において、熱アニールがグルーブ２上の光磁気記録媒体膜４に影響を与えない程度に、熱アニール時のレーザーパワーを低くして熱アニールを行ったサンプルを作製して評価した。その結果、ランド１を十分に非磁性化することができず、ランド１とグルーブ２との間の交換結合を十分に切断することができなかった。これにより、再生層１１における磁壁移動が阻害されサンプル＃１に比べてＢＥＲが悪くなった。
【０１２４】
さらに、サンプル＃１において、グルーブ相当幅Ｗ１を０．４０μｍに固定し、ランド相当幅Ｗ２を適宜変化させたサンプルを作製して評価した。この結果、ランド相当幅Ｗ２が０．１５μｍ以上であれば、実用上十分なプッシュプル信号がより確実に得られることが確認された。従って、実用上十分なプッシュプル信号が得られる限りにおいてランド相当幅Ｗ２は特に限定されるものではないが０．１５μｍ以上であることがより好ましい。
【０１２５】
加えて、サンプル＃１において、ランド相当幅Ｗ２を０．２０μｍに固定し、グルーブ相当幅Ｗ１を適宜変化させたサンプルを作製して評価した。図６には、サンプル＃１に関し、上記の方法で測定した１トラック記録時のＢＥＲと、記録時のグルーブ相当幅Ｗ１との関係を示している。
【０１２６】
図６から明らかなように、グルーブ相当幅Ｗ１が０．４０μｍ未満であれば、再生時のＢＥＲが悪化する。それゆえ、再生信号品質が良好な媒体を作製するためには、グルーブ相当幅Ｗ１を０．４０μｍ以上とする必要がある。また、光磁気ディスク９を製造する時には、ランド１およびグルーブ２には製造誤差が生じる（通常は、±０．０１５μｍ程度の幅のずれが生じる）。この製造誤差を考慮すれば、再現性の高い媒体を作製することが可能となる。
【０１２７】
一方、実用上、十分な振幅を有するプッシュプル信号を得る観点から、ランド相当幅Ｗ２は、上述したように最低０．１５μｍであることが要求され、好ましくは０．２０μｍ以上である。
【０１２８】
したがって、上記グルーブ相当幅Ｗ１の下限およびランド相当幅Ｗ２の下限から明らかなように、Ｗ１／Ｗ２は、少なくとも２前後（Ｗ１／Ｗ２≒２）であることが好ましくなる。
【０１２９】
ここで、グルーブ２の幅を広げるように、すなわち上記グルーブ相当幅Ｗ１が大きくなるように、光磁気ディスク９を設計したとすれば、Ｗ１／Ｗ２は２を超える（Ｗ１／Ｗ２＞２）ことになり、ＢＥＲが向上する。その結果、再生信号品質を向上させることができる。
【０１３０】
一方、ランド１の幅を広げるように、すなわち上記ランド相当幅Ｗ２が大きくなるように光磁気ディスク９を設計したとすれば、Ｗ１／Ｗ２は２未満（Ｗ１／Ｗ２＜２）となり、プッシュプル信号の振幅が大きくなる。その結果、フォーカス・トラックサーボの安定性を向上することが可能となる。
【０１３１】
しかしながら、一般的に、プッシュプル信号が十分な振幅を有している場合には、ランド相当幅Ｗ２を大きくするように光磁気ディスク９を設計すると、Ｗ２を大きくする前よりも光磁気ディスク９全体の容量が低下してしまう。したがって、ランド相当幅Ｗ２を大きくする（ランド１の幅を広げる）設計は、光磁気ディスク９の実用性を低下させることになり、それゆえ、光磁気ディスク９の設計時には、グルーブ相当幅Ｗ１を大きくすることが好ましくなる。
【０１３２】
以上の理由から、グルーブ相当幅Ｗ１とランド相当幅Ｗ２との比：Ｗ１／Ｗ２は、２以上であることが好ましくなる。
【０１３３】
また、Ｗ１／Ｗ２の上限として特に好ましい数値を限定するものではないが、一般に、Ｗ１／Ｗ２を過剰に高めると、記録密度低下と記録再生パワーの絶対レベルの上昇を招く虞がある。したがって、実用性の面から鑑みれば、Ｗ１／Ｗ２の上限値としては３程度であればよい。
【０１３４】
なお、上記グルーブ相当幅Ｗ１およびランド相当幅Ｗ２は、何れも主に記録再生を行う波長、開口数（ＮＡ）で決定される光ビームのスポットサイズに依存する。つまり、用いられる光学系の違いは、上記グルーブ相当幅Ｗ１とランド相当幅Ｗ２との比には影響しない。それゆえ、本実施の形態で用いられる青色レーザーや実施の形態５で述べる赤色レーザー以外の他の光学系を用いた場合においても、Ｗ１／Ｗ２としては同様の範囲を適用することができる。
【０１３５】
また、上述したように、光磁気ディスク９を製造する際には、製造誤差（±０．０１５μｍ程度の幅のずれ）が生じる可能性がある。そのため、実際の設計時には、用いる光学系に関係なく、Ｗ１／Ｗ２の値が多少変動し得ることを考慮することが好ましい。
【０１３６】
さらにまた、ランド相当幅Ｗ２とグルーブ相当幅Ｗ１とを逆転（ランド相当幅Ｗ２：０．４μｍ、グルーブ相当幅Ｗ１：０．２μｍ）させるとともに、本実施の形態と同様の製造方法を用いて平坦部１ａのトラック幅方向の両端部に高さ１６ｎｍ、最大幅２８ｎｍの突起部５・５を形成したサンプルを、情報の記録再生にランド１を用いるランド記録媒体（比較用サンプルＡ）として信号特性の評価を行った。
【０１３７】
なお、本比較用サンプルＡにおいては、グルーブ２を熱アニールして変質させた。しかしながら、この場合はノイズが大きく、実用上十分なＣＮ比を得ることが出来なかった。これは、突起部５・５がノイズ源となり、信号特性を劣化させたためと考えられる。従って、突起部５・５を形成したトラック（ランド１）については、信号の記録再生に使用するメリットは低い。上記比較用サンプルＡの信号特性評価および熱アニールに使用した光学系は、サンプル＃１の評価に採用したものと同一構成である。
【０１３８】
なお、本実施の形態ではディスク状の光情報記録媒体について示したが、光カードなどのカード状媒体や、光テープなどのテープ状媒体であってもよい。
【０１３９】
加えて、本実施の形態では光磁気記録媒体膜４としてＤＷＤＤ再生方式の媒体を採用した場合について示したが、他の方式の光磁気記録媒体膜を用いた場合であっても、ランド・グルーブ上に情報記録膜を有し、グルーブを情報トラックとして使用し、かつ、ランドをアニールするものであれば同様の効果が得られる。従って、本実施の形態は光磁気記録媒体膜４をＤＷＤＤ再生方式の媒体に限定するものではない。
【０１４０】
さらには、例えば相変化記録媒体のように光情報記録膜が非磁性の物質からなる媒体においても、ランド上の光情報記録膜を熱アニールで変質させる場合には、隣接するトラックへの熱伝導を抑制する効果を得ることができるため、本発明の構成を適用することが可能である。例えば、熱アニールに伴う変質によって熱抵抗が大きくなる材料を光情報記録膜に採用した場合には、本構成を使用し、ランド上の光情報記録膜を熱アニールで変質させることによって、トラック幅方向の熱抵抗が大きく、クロスライトを大幅に低減できる媒体を実現することが可能である。
【０１４１】
加えて、本実施の形態では高パワーのレーザー光によりランド１上に形成された金属磁性膜を変質させる方法を示したが、高エネルギーをランド１に限定して照射し、ランド１上に形成された金属磁性膜をキュリー温度以上に昇温でき、これにともなって結晶化および酸化を含む磁性層の変質を引き起こすことができる手段であればよく、その手段はレーザー光の照射に限定するものではない。例えば、イオンビームをランド１に照射する方法によっても実現可能である。
【０１４２】
加えて、本実施の形態では情報の記録再生を行う際、レーザー光を基板側から入射させる基板入射方式を用いたが、光磁気記録媒体膜４形成面側から入射させる膜面再生方式を用いる場合であっても同様の効果が得られる。
【０１４３】
〔実施の形態２〕
本発明の他の実施の形態について図面に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、本発明の権利範囲は、特にこの実施の形態の記載のみに限定されるものではない。また、説明の便宜上、実施の形態１に示した部材と同一の機能・構造を有する部材には同一の符号を示し、その説明を省略する。
【０１４４】
本実施の形態では、実施の形態１に示した光磁気ディスク９の作製工程のうち、異方性ＲＦ逆スパッタの時間を変化させて、スタンパ７に形成される窪み部８の深さを様々に変化させることで、突起部５の高さが異なる光磁気ディスクを作製した。そして、突起部５の高さとＢＥＲの底値、クロスライトマージンとの関係を調べて表１にまとめた。なお、ＢＥＲの底値、および、クロスライトマージンは、実施の形態１と同一の方法・条件で測定された。また、表１における「Ｅ−５」の表記は、１０−５を示す。
【０１４５】
【表１】
2004039106.tif 000003
【０１４６】
表１の結果から、５ｎｍ以上の高さの突起部５を有するディスクＮｏ．１−１〜Ｎｏ．１−５（本発明の光情報記録媒体）では、突起部５が形成されない比較ディスクＮｏ．１−０よりもＢＥＲの底値が低く、かつ、クロスライトマージンが明らかに広くなり、再生信号品質の向上、および、クロスライト低減に顕著な効果が有ることが判明した。
【０１４７】
一方、突起部５の高さが３５ｎｍの比較ディスクＮｏ．１−６においては、ＢＥＲの底値は、比較用ディスクＮｏ．１−０よりも高くなり、クロスライトマージンは、比較用ディスクＮｏ．１−０より小さくなった。加えて、突起部５の高さがさらに高いディスクにおいては、ＢＥＲ底値は急激に高くなり、クロスライトマージンも急激に狭くなった（データ省略）。この理由は、突起部５の高さが高くなるのに従い、突起部５がノイズ源となって信号特性に影響を与え、ＢＥＲを悪化させることによるものと推察される。
【０１４８】
なお、突起部５の高さが５ｎｍ未満となる光磁気ディスクのＢＥＲの底値は比較用ディスクＮｏ．１−０よりも低くなる。また、クロスライトマージンも、比較用ディスクＮｏ．１−０よりも大きくなる（データ省略）。そのため、突起部５の高さが５ｎｍ未満でも、再生信号品質の向上、および、クロスライト低減の効果が有る。しかしながら、突起部５の高さが５ｎｍよりも低い場合には、その高さに比例して徐々にＢＥＲの底値が変化していくことから、高さが５ｎｍ未満の突起部５により得られる効果は通常軽微となる。
【０１４９】
それゆえ、本発明の光磁気記録媒体においては、再生信号品質の向上、および、クロスライト低減の効果を得るために、突起部５が形成されていればよいものの、実用上、この突起部５は、高さが５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲であることがより好ましい。
【０１５０】
〔実施の形態３〕
本発明のさらに他の実施の形態について図面に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、本発明の権利範囲は、特にこの実施の形態の記載のみに限定されるものではない。また、説明の便宜上、実施の形態１〜２に示した部材と同一の機能・構造を有する部材には同一の符号を示し、その説明を省略する。
【０１５１】
本実施の形態では、実施の形態１に示した光磁気ディスク９の作製工程のうち、原盤６の作製工程において溝部２’の形状を様々に変更し（図２（ａ）参照）、ランド１とグルーブ２との境界側壁２ａの斜度が、４０°、４５°、５０°、５５°、６０°、６５°、７０°、７５°となる８種類の光磁気ディスクを作製した。なお、境界側壁２ａの斜度の定義およびその測定方法は、実施の形態１と同一である（図１参照）。
【０１５２】
具体的に例えば、原盤６の製造工程において、１）使用するレジストを変更する、２）塗布するレジストの膜厚を変更する、３）レジスト露光時にレーザーのフォーカス状態を変更する、４）現像後のレジスト付きガラス円盤（将来的な原盤６）を１５０℃近傍の高温でベーキングする、５）エッチング時の投入パワーおよびガス圧を変更する、などの方法によって、境界側壁２ａの斜度が所望の値となる８種類の原盤６を作製した。
【０１５３】
次いで、窪み部８を有するスタンパ７を原盤６を用いて作製し、さらに、当該スタンパ７を用いた射出成形によりディスク状基板３を形成した（図２（ａ）〜（ｃ）参照）。ここで、スタンパ７において窪み部８を形成する条件は、実施の形態１に示したように、ガス圧０．０２ＰａのＡｒガス雰囲気中で、６００Ｗの逆スパッタ電力を投入し、９分間の異方性ＲＦ逆スパッタを行う条件とした。
【０１５４】
境界側壁斜度２ａの斜度を７５°と急峻にした場合には、射出成形によって形成したディスク状基板３を金型から取り出す際にスタンパ７との間で転写ずれが生じた。このため、ディスク状基板３における平坦部１ａの幅方向端部に、意図しない局所的に高い突起形状が形成される箇所が部分的に見られた。さらに、スタンパ７とディスク状基板３との擦れにより境界側壁２ａが削られて、ランド相当幅Ｗ２が部分的に小さくなる箇所が見られた（図１参照）。
【０１５５】
つまり、境界側壁２ａの斜度が７５°以上のディスク状基板３を形成するためのスタンパ７では、条件によっては、その凹凸パターン形状をディスク状基板３に正確に転写することができない虞がある。
【０１５６】
その一方、境界側壁２ａの斜度が４０°〜７０°のディスク状基板３を形成するためのスタンパ７では、他の条件によらず、その凹凸パターン形状をディスク状基板３に正確に転写することができた。
【０１５７】
したがって、スタンパ７上の凹凸パターンは特に限定されないものの、平坦部１ａおよび平坦部２ｂに対して境界側壁２ａが７５°未満の最大斜度を有するディスク状基板３を製造可能に形成されることがより好ましく、７０°以下の最大斜度を有するディスク状基板３を製造可能に形成されることが特に好ましい。
【０１５８】
〔実施の形態４〕
本発明のさらに他の実施の形態について図面に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、本発明の権利範囲は、特にこの実施の形態の記載のみに限定されるものではない。また、説明の便宜上、実施の形態１〜３に示した部材と同一の機能・構造を有する部材には同一の符号を示し、その説明を省略する。
【０１５９】
本実施の形態では、実施の形態１に示した光磁気ディスク９の作製工程のうち、原盤６の作製工程におけるエッチング時間を変化させて溝部２’の深さを様々に変更し、平坦部１ａを基準とした平坦部２ｂの深さ（以下グルーブ深さ）が異なる光磁気ディスクを作製した。（図２（ａ）〜（ｃ）参照）。その結果、グルーブ深さが２５ｎｍ未満となる、あるいは４５ｎｍを超えると、他の条件によっては青色レーザー（波長４０５ｎｍ近傍）を用いたプッシュプル信号の取得が困難となる虞があることが判明した。
【０１６０】
既に公知なように、青色レーザーを用いてプッシュプル信号振幅を得る観点からは、グルーブ深さを１０５ｎｍ近傍とすることも有効である。しかしながら、境界側壁２ａは一般に斜面であるため、グルーブ深さが深くなるに従って、トラック幅方向に沿った境界側壁２ａの幅（ランド・グルーブ境界部の幅）も広くなる。
【０１６１】
このため、トラックピッチが一定の場合には情報記録を行う平坦部２ｂの幅が相対的に狭くなり、トラック密度を高めた際に実用上十分な再生信号振幅が得られなくなってしまう。また、境界側壁２ａはその表面を平滑に形成することが非常に困難であり、その非平滑性が情報信号再生時に再生信号に影響を与え、信号品質を低下させてしまうノイズ源となる。
【０１６２】
よって、上記グルーブ深さは特に限定されるものではないが、プッシュプル信号を得られる範囲で極力浅くすることがより好ましく、より具体的には２５ｎｍ以上４５ｎｍ以下の範囲内とすることがさらに好ましい。
【０１６３】
グルーブ深さが２５ｎｍ以上４５ｎｍ以下の範囲内であれば、トラック幅方向に沿った境界側壁２ａの幅が比較的小さくなるので、１）高トラック密度化がより容易となり、加えて、２）境界側壁２ａの非平滑性が信号品質を低下させる虞もより確実に抑制可能となる。
【０１６４】
〔実施の形態５〕
本発明のさらに他の実施の形態について図面に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、本発明の権利範囲は、特にこの実施の形態の記載のみに限定されるものではない。
【０１６５】
本実施の形態の光磁気ディスクは、トラックピッチ、およびグルーブ深さが実施の形態１に示したサンプル＃１と異なる点を除けば、図１に示す光磁気ディスク９と実質的に同一構成である。よって、以下、図１および図２に示す符号をそのまま参照して説明する。なお、後述する斜度は、実施の形態１に記載の方法と同一の方法により測定した。
【０１６６】
実施の形態１においては、波長４０５ｎｍの青色レーザーに対応した本発明の光磁気ディスクについて説明したが、本実施の形態では、波長６３５ｎｍ近傍の赤色レーザーに対応した光磁気ディスクについて説明する。
【０１６７】
本実施の形態では、光磁気記録ディスク９のトラックピッチの一例は１．０μｍ、そのうち、ランド相当幅Ｗ２が０．３３μｍ、グルーブ相当幅Ｗ１が０．６７μｍとなっている。
【０１６８】
また、平坦部１ａを基準面とした平坦部２ｂの深さ（以下、グルーブ深さと称する場合もある）を５０ｎｍに設計した。さらに、突起部５は、平坦部１ａを基準とした高さが１６ｎｍ、その最大幅が２８ｎｍの断面Ｖ字形状に形成されている。なお、この設計は、波長６３５ｎｍの赤色レーザーを記録用／再生用光源として採用する場合に特に適切なものである。
【０１６９】
本実施の形態に示す光磁気ディスク９の作製方法と、前記実施の形態１に示す方法との相違点は、以下の通りである。
【０１７０】
まず、原盤６の作製工程では、ディスク状基板３におけるトラックピッチが１．０μｍであり、そのうちランド相当幅Ｗ２が０．３３μｍ、グルーブ相当幅Ｗ１が０．６７μｍとなるように、露光用のレーザー光を位置調整して、レジストに露光パターンを形成した（図１も参照）。つまり、図２（ａ）に示す幅Ｗ２’が０．３３μｍ、幅Ｗ１’が０．６７μｍとなるように、上記露光用のレーザー光を位置調節した。
【０１７１】
また、露光パターン現像後のエッチング工程では、ＣＦ４のガス圧やエッチング電力は実施の形態１と同条件とし、エッチング時間を４分間と長くした。これにより、残留レジスト除去後の原盤６において、平坦部１ａ’を基準とした平坦部２ｂ’の深さが５０ｎｍである溝部２’が形成された。また、ランド・グルーブ境界側壁２ａ（図１参照）に相当する側壁２ａ’の平坦部１ａ’・２ｂ’に対する斜度（傾斜角）は最も急峻な箇所で６５°であった。
【０１７２】
次いで、上記条件変更を行って作製された原盤６を元にスタンパ７を作製し、このスタンパ７を用いた射出成形によりディスク状基板３を製造した。なお、スタンパ７およびディスク状基板３の作製工程は、実施の形態１と同一の条件で行った。この結果、原盤６上のパターンがスタンパ７に完全に転写され、さらに、スタンパ７上のパターンがディスク状基板３に完全に転写された。
【０１７３】
続いて、実施の形態１と同様にして、誘電体膜、金属磁性膜からなるＤＷＤＤ再生方式の光磁気記録媒体膜４を、ディスク状基板３上にスパッタ形成した。光磁気記録媒体膜４を構成する各層の膜厚は、ＳｉＮ透明誘電体保護層１０が膜厚６５ｎｍ、ＧｄＦｅＣｏ再生層１１が膜厚３０ｎｍで、ＴｂＦｅ中間層１２が膜厚１５ｎｍ、ＴｂＦｅＣｏ記録層１３が膜厚５０ｎｍ、磁界感度調整層１４が膜厚１５ｎｍ、ＳｉＮ保護層１５が膜厚２０ｎｍで、ＡｌＮｉ放熱層１６が膜厚３０ｎｍである。
【０１７４】
既に実施の形態１で説明したように、スパッタにより光磁気記録媒体膜４を形成する場合には、誘電体の分子および金属磁性体の分子の進行・付着が、突起部５により遮蔽される。このため、光磁気記録媒体膜４の膜厚は、平坦部１ａ・２ｂ上よりも突起部５上の方が相対的に薄くなった。
【０１７５】
さらに、上記方法により作製した光磁気ディスク９（図１）を、波長３５１ｎｍのレーザー光を用い、開口数ＮＡが０．８５の集光系（対物レンズ手段）を備えた光磁気ピックアップを使用して、線速２ｍ／ｓの条件で上記光磁気ディスク９のランド１の熱アニールを行った。
【０１７６】
具体的には、上記ランド１に光磁気記録媒体膜４形成面側からレーザー光を入射させ、フォーカスサーボおよびトラッキングサーボをかけて、上記光磁気ピックアップから上記光磁気ディスク９上に照射されるレーザー光のトラック幅方向の中心が、上記ランドのトラック幅方向の中心と一致するように調整した後、上記レーザー光を１０ｍＷのパワーで連続照射した。
【０１７７】
上記の熱アニールに際しては、使用するレーザー光の波長が短く、高い開口数ＮＡを採用する方が、狭いトラックを精度良くアニールすることが可能であることから、本実施の形態では、光磁気ディスク９の信号特性を評価する光学系（後述）よりも、波長が短く、開口数ＮＡが高い光学系を採用し、膜面側すなわち光磁気記録媒体４を形成した面側からのレーザー光照射を採用した。
【０１７８】
上記熱アニール時のレーザーパワーは、ランド１上に形成された光磁気記録媒体膜４を非磁性化させることができ、かつ、隣接する情報トラック（グルーブ２）上に形成された光磁気記録媒体膜４の特性に影響を与えないパワーであることが望ましい。従って、熱アニールに用いるレーザーパワーの決定に際しては、トラックピッチはもちろんのこと、光磁気記録媒体膜４の各金属磁性層のキュリー温度、および、膜厚方向およびトラック幅方向の熱伝導性、についても考慮する必要がある。
【０１７９】
このため、１）光磁気記録媒体膜４の膜厚、２）光磁気記録媒体膜４を構成する各層の熱伝導率、３）突起部５の高さおよび幅、等を十分考慮して決定する必要がある。上記熱アニールを行うことにより、ランド１が非磁性化され、隣接するグルーブ２・２間の磁気的な結合が切断された。
【０１８０】
なお、ランド１の非磁性化については、ランド１にトラッキングサーボをかけて記録再生動作を行った際、その信号量が熱アニールを行っていない場合と比べて低下することで容易に確認可能である。
【０１８１】
また、トラックピッチ、光磁気記録媒体膜４の構成および膜厚、突起部５の高さおよび幅によっては、熱アニール用のレーザー光を基板側から入射する方法を採用することも可能であり、また、異なる波長を持つレーザー光源、異なる開口数ＮＡを持つ集光系を採用することも可能である。例えば、「Ｂｌｕ―ｒａｙ　Ｄｉｓｃ」（登録商標）に用いられる、波長４０５ｎｍのレーザー光源および開口数ＮＡが０．８５の対物レンズを用いた光学ピックアップを採用することも可能である。
【０１８２】
この場合、上記「Ｂｌｕ−ｒａｙ　Ｄｉｓｃ」で提案されている０．１ｍｍ厚のカバーガラスを光磁気ディスク９上に形成し、上記カバーガラスを介して熱アニールを行うことも可能である。もしくは、本実施の形態に示したように、カバーガラスを使用せずに熱アニールを行ってもよい。
【０１８３】
上記熱アニールに続いて、光磁気記録媒体膜４を保護するためのバックコート樹脂（図示せず）を塗布し、図１に示す光磁気ディスク９を作製した。
【０１８４】
なお、本実施の形態では熱アニール後にバックコート樹脂を塗布する方法を採用したが、バックコートを塗布した後に熱アニールを行う方法を採用することも可能である。熱アニール後にバックコート塗布を行う方法を用いれば、バックコート膜の膜厚分布に影響を受けることなく、高いアニール幅精度を得ることが可能となる。
【０１８５】
一方、バックコート樹脂の塗布後に熱アニールする方法を用いれば、アニール工程において発生する粉塵の付着から光磁気ディスク９を保護することが可能となる。
【０１８６】
上記方法によって作製した光磁気ディスク９（サンプル＃２とする）の特性を評価した。具体的には、波長６３５ｎｍの半導体レーザーを記録用の光源とし、開口数ＮＡが０．６５の集光系（対物レンズ手段）を備えた光磁気ピックアップを使用して、線速２ｍ／ｓの条件で、上記光磁気ディスク９のクロスライトマージンを測定した結果について示す。
【０１８７】
上記クロスライトマージンの測定にあたっては、実施の形態１に示した測定方法を基本的に用いた（図４参照）。
【０１８８】
ただし、測定トラック１７および隣接トラック１８・１８’に記録したランダムパターンの最短マーク長は０．１５μｍとした。また記録時のレーザー照射ピークパワー（Ｐｗ−ｐｅａｋ）は６ｍＷから１０ｍＷまで変化させた。さらに、再生時のレーザー照射パワーは、測定トラック１７を再生した際に、最もＣＮＲが大きくなるように設定し、１．７ｍＷとした。
【０１８９】
図７には、サンプル＃２に関し、上記の方法で測定した１トラック記録時および３トラック記録時のＢＥＲと、記録時のピークパワー（Ｐｗ−ｐｅａｋ）との関係を示している。また、比較のため、平坦部１ａの両端に突起部５・５を有しない光磁気ディスク（比較サンプル＃２）を作製し、比較サンプル＃２についても上記の方法でクロスライトマージンの評価を行った。
【０１９０】
比較サンプル＃２の作製に当たっては、ランドに対するグルーブの深さ、およびトラックピッチをサンプル＃２と等しくなるようにした。すなわちトラックピッチを１．０μｍ、そのうちランド相当幅を０．３３μｍ、グルーブ相当幅を０．６７μｍとし、ランドに対するグルーブの深さを５０ｎｍとした。
【０１９１】
なお、比較サンプル＃２用のディスク状基板を作製するためのスタンパは、スタンパ７（図２（ｂ）参照）作製時の異方性ＲＦ逆スパッタ工程を省略することで容易に作製される。
【０１９２】
サンプル＃２と比較サンプル＃２とを比較すると、１トラック記録時のＢＥＲ測定結果から、サンプル＃２のＢＥＲの底値が、比較サンプル＃２のＢＥＲの底値よりも低くなった。
【０１９３】
これは、サンプル＃２では、ランドの頂部に相当する平坦部１ａのトラック幅方向両端に連続的な突起部５・５が形成されているため、
１）隣接するランド１・グルーブ２間の距離が実効的に長くなったこと、および、
２）光磁気記録媒体膜４の形成に際して遮蔽効果があり、突起部５上に形成された膜厚が平坦部１ａ・２ｂ上よりも薄くなったこと、により、トラック幅方向への熱抵抗が大きくなって隣接トラック（ランド１・グルーブ２）への熱伝導が起こりにくくなっていることに起因するものである。
【０１９４】
これにより、
１）熱アニールがグルーブ２上の光磁気記録媒体膜４に及ぼす影響が小さくなり、得られる信号量が増加したこと、
２）熱アニールによって形成された非磁性領域の幅均一性が高まり、再生層１１における磁壁移動動作の安定性が高まったものと推察される。
【０１９５】
一方、比較サンプル＃２では突起部５・５が形成されておらず、
１）レーザーアニールによる熱がグルーブ２に漏れ込み、グルーブ２上の光磁気記録媒体膜４がダメージを受けて変質し、情報トラック幅がサンプル＃２よりも狭くなってしまっていること、
２）非磁性領域の幅が場所によって不均一であるため、光磁気記録媒体膜４の熱容量が場所によって異なり、磁壁移動動作が不安定となっていること、からＢＥＲの底値がサンプル＃２よりも大きくなったものと推察される。
【０１９６】
また、３トラック記録時のＢＥＲ測定結果から、比較サンプル＃２では９．５ｍＷ以上の記録ピークパワーで記録を行った場合に、ＢＥＲが大きく悪化している。これに対し、サンプル＃２では記録ピークパワーが９．５ｍＷ近傍まで５×１０−４以下のＢＥＲを維持している。
【０１９７】
１トラック記録時および３トラック記録時での測定結果から得られる、ＢＥＲが５×１０−４以下となる範囲でのクロスライトマージンは、比較サンプル＃２が１８．７％（７．８ｍｗ±１８．７％）であったのに対し、サンプル＃２では２０．５％（７．８ｍｗ±２０．５％）と大きく広がった（図７参照）。
【０１９８】
上記クロスライトマージンが広がった理由は、サンプル＃２ではランドの頂部に相当する平坦部１ａのトラック幅方向両端に連続的な突起部５・５が形成されているため、
１）隣接するグルーブ２・グルーブ２間の距離が実効的に長くなったこと、および、
２）光磁気記録媒体膜４の形成に際して遮蔽効果があり、突起部５上に形成された膜厚が平坦部１ａ・２ｂ上よりも薄くなったこと、により、トラック幅方向への熱抵抗が大きくなって、隣接トラック（グルーブ２・グルーブ２）への熱伝導が起こりにくくなったため、クロスライトが低減されたことによると考えられる。
【０１９９】
このように、本発明の実施の形態に係るサンプル＃２は、比較サンプル＃２と比較して、良好な再生信号品質を備え、かつ、良好なクロスライト品質を備えた光情報記録媒体であることがわかる。
【０２００】
さらに、比較サンプル＃２において、熱アニールがグルーブ２上の光磁気記録媒体膜４に影響を与えない程度に、アニール時のレーザーパワーを低くして熱アニールを行ったサンプルを作製して評価した。
【０２０１】
その結果、ランド１を十分に非磁性化することができず、ランド１とグルーブ２との間の交換結合を十分に切断することができなかった。これにより、再生層１１における磁壁移動が阻害されＢＥＲが悪くなった。
【０２０２】
さらに、サンプル＃２においてグルーブ相当幅Ｗ１を０．６７μｍに固定し、ランド相当幅Ｗ２を適宜変化させたサンプルを作製して評価した。この結果、ランド相当幅Ｗ２が０．３０μｍ以上であれば、実用上十分なプッシュプル信号がより確実に得られることが確認された。従って、実用上十分なプッシュプル信号が得られる限りにおいてランド相当幅Ｗ２は特に限定されるものではないが、０．３０μｍ以上であることがより好ましい。
【０２０３】
加えて、サンプル＃２において、ランド相当幅Ｗ２を０．３３μｍに固定し、グルーブ相当幅Ｗ１を適宜変化させたサンプルを作製して評価した。図８には、サンプル＃２に関し、上記の方法で測定した１トラック記録時のＢＥＲと、記録時のグルーブ相当幅Ｗ１との関係を示している。
【０２０４】
図８から明らかなように、グルーブ相当幅Ｗ１が０．６７μｍ以下であれば、再生時のＢＥＲが悪化する。それゆえ、再生信号品質が良好な媒体を作製するためには、グルーブ相当幅Ｗ１を０．６７μｍ以上とする必要がある。
【０２０５】
また、光磁気ディスク９を製造する時には、ランド１およびグルーブ２には製造誤差が生じる（通常は、±０．０１５μｍ程度の幅のずれが生じる）。この製造誤差を考慮すれば、再現性の高い媒体を作製することが可能となる。
【０２０６】
一方、実用上、十分な振幅を有するプッシュプル信号を得る観点から、ランド相当幅Ｗ２は、上述したように最低０．３０μｍであることが要求され、好ましくは０．３３μｍ以上である。
【０２０７】
したがって、前記実施の形態１と同様の理由から、グルーブ相当幅Ｗ１とランド相当幅Ｗ２の比：Ｗ１／Ｗ２は、２以上であることが好ましくなる。また、前記実施の形態１と同様、Ｗ１／Ｗ２の上限として特に好ましい数値を限定するものではないが、実用性の面から鑑みれば、Ｗ１／Ｗ２の上限値としては３程度であればよい。
【０２０８】
なお、上記グルーブ相当幅Ｗ１およびランド相当幅Ｗ２は、何れも主に記録再生を行う波長、開口数（ＮＡ）で決定される光ビームのスポットサイズに依存する。つまり、用いられる光学系の違いは、上記グルーブ相当幅Ｗ１とランド相当幅Ｗ２との比には影響しない。それゆえ、本実施の形態で用いられる赤色レーザーや実施の形態１で述べた青色レーザー以外の他の光学系を用いた場合においても、Ｗ１／Ｗ２としては同様の範囲を適用することができる。
【０２０９】
また、上述したように、光磁気ディスク９を製造する際には、製造誤差（±０．０１５μｍ程度の幅のずれ）が生じる可能性がある。そのため、実際の設計時には、用いる光学系に関係なく、Ｗ１／Ｗ２の値が多少変動し得ることを考慮することが好ましい。
【０２１０】
さらにまた、ランド相当幅Ｗ２とグルーブ相当幅Ｗ１とを逆転（ランド相当幅Ｗ２：０．６７μｍ、グルーブ相当幅Ｗ１：０．３３μｍ）させるとともに、本実施の形態と同様の製造方法を用いて平坦部１ａのトラック幅方向の両端部に高さ１６ｎｍ、最大幅２８ｎｍの突起部５・５を形成したサンプルを、情報の記録再生にランド１を用いるランド記録媒体（比較用サンプルＢ）として信号特性の評価を行った。
【０２１１】
なお、本比較用サンプルＢにおいては、グルーブ２を熱アニールして非磁性化した。しかしながら、この場合はノイズが大きく、実用上十分なＣＮＲを得ることが出来なかった。これは、突起部５・５がノイズ源となり、信号特性を劣化させたためと考えられる。
【０２１２】
従って、突起部５・５を形成したトラック（ランド１）については、信号の記録再生に使用するメリットは低い。なお、上記比較用サンプルＢの信号特性評価および熱アニールに使用した光学系は、サンプル＃２の評価に採用したものと同一構成である。
【０２１３】
なお、本実施の形態ではディスク状の情報記録媒体について示したが、光カードなどのカード状媒体や、光テープなどのテープ状媒体であってもよい。加えて、本実施の形態では光磁気記録媒体膜４としてＤＷＤＤ再生方式の媒体を採用した場合について示したが、他の方式の光磁気記録媒体膜を用いた場合であっても、ランド・グルーブ上に情報記録膜を有し、グルーブを情報トラックとして使用し、かつ、ランドをアニールするものであれば同様の効果が得られる。従って、本実施の形態は光磁気記録媒体膜４をＤＷＤＤ再生方式の媒体に限定するものではない。
【０２１４】
さらには、例えば相変化記録媒体のように光情報記録膜が非磁性の物質からなる媒体においても、ランド上の光情報記録膜を熱アニールで変質させる場合には、隣接するトラックへの熱伝導を抑制する効果を得ることができるため、本発明の構成を適用することが可能である。
【０２１５】
例えば、熱アニールに伴う変質によって熱抵抗が大きくなる材料を光情報記録膜に採用した場合には、本構成を使用し、ランド上の光情報記録膜を熱アニールで変質させることによって、トラック幅方向の熱抵抗が大きく、クロスライトを大幅に低減できる媒体を実現することが可能である。
【０２１６】
加えて、本実施の形態では高パワーのレーザー光によりランド１上に形成された金属磁性膜を変質させる方法を示したが、高エネルギーをランド１に限定して照射し、ランド１上に形成された金属磁性膜をキュリー温度以上に昇温でき、これにともなって結晶化および酸化を含む変質を引き起こすことができる手段であればよく、その手段はレーザー光の照射に限定するものではない。例えば、イオンビームをランド１に照射する方法によっても実現可能である。
【０２１７】
加えて、本実施の形態では情報の記録再生を行う際、レーザー光を基板側から入射させる基板入射方式を用いたが、光磁気記録媒体膜４形成面側から入射させる膜面再生方式を用いる場合であっても同様の効果が得られる。
【０２１８】
〔実施の形態６〕
本発明のさらに他の実施の形態について図面に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、本発明の権利範囲は、特にこの実施の形態の記載のみに限定されるものではない。また、説明の便宜上、実施の形態１〜５に示した部材と同一の機能・構造を有する部材には同一の符号を示し、その説明を省略する。
【０２１９】
本実施の形態では、実施の形態５に示した光磁気ディスク９の作製工程のうち、原盤６の作製工程におけるエッチング時間を変化させて溝部２’の深さを様々に変更し、平坦部１ａを基準とした平坦部２ｂの深さ（以下グルーブ深さ）が異なる光磁気ディスクを作製した。（図２（ａ）〜（ｃ）参照）。その結果、グルーブ深さが３５ｎｍ未満となる、あるいは６５ｎｍを超えると、他の条件によっては赤色レーザー（波長６３５ｎｍ近傍）を用いたプッシュプル信号の取得が困難となる虞があることが判明した。
【０２２０】
既に公知なように、赤色レーザーを用いてプッシュプル信号振幅を得る観点からは、グルーブ深さを１５０ｎｍ近傍とすることも有効である。しかしながら、境界側壁２ａは一般に斜面であるため、グルーブ深さが深くなるに従って、トラック幅方向に沿った境界側壁２ａの幅（ランド・グルーブ境界部の幅）も広くなる。
【０２２１】
このため、トラックピッチが一定の場合には情報記録を行う平坦部２ｂの幅が相対的に狭くなり、トラック密度を高めた際に実用上十分な再生信号振幅が得られなくなってしまう。また、境界側壁２ａはその表面を平滑に形成することが非常に困難であり、その非平滑性が情報信号再生時に再生信号に影響を与え、信号品質を低下させてしまうノイズ源となる。
【０２２２】
よって、上記グルーブ深さは特に限定されるものではないが、プッシュプル信号を得られる範囲で極力浅くすることがより好ましく、より具体的には３５ｎｍ以上６５ｎｍ以下の範囲内とすることがさらに好ましい。グルーブ深さが３５ｎｍ以上６５ｎｍ以下の範囲内であれば、トラック幅方向に沿った境界側壁２ａの幅が比較的小さくなるので、１）高トラック密度化がより容易となり、加えて、２）境界側壁２ａの非平滑性が信号品質を低下させる虞もより確実に抑制可能となる。
【０２２３】
【発明の効果】
本発明の光情報記録媒体は、以上のように、情報トラック領域を備え、例えばグルーブに情報を記録するグルーブ記録方式の光情報記録媒体であって、上記光情報記録媒体を構成する光情報記録媒体用基板のランド平坦部がランド・グルーブ境界斜面と接する両側の境界部分に、上記ランド平坦部よりも高い突起部がランドの長さ方向に連続的に形成された構成である。
【０２２４】
それゆえ、上記構成は、上記突起部が存在することにより、光ビームを用いて情報を記録する際に、トラック幅方向への熱抵抗が大きくなって隣接トラックへの熱伝導が起こりにくくなるため、突起部を形成しない媒体に比べてクロスライトを小さくすることが可能である。
【０２２５】
また、本発明の光情報記録媒体用スタンパによれば、上記スタンパのランド平坦部がランド・グルーブ境界斜面と接する両側の境界部分に、上記ランド平坦部よりも深い窪み部がランドの長さ方向に連続的に形成されており、射出成形法によって光情報記録媒体用基板を形成することで、容易に上記突起部を得ることが可能である。
【０２２６】
また、本発明の光情報記録媒体用スタンパ製造方法によれば、上記スタンパにおける、上記ランド平坦部よりも深い窪み部を、スタンパを異方性逆スパッタすることで形成するため、複雑な工程を経ずに上記窪み部を均一に形成することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態にかかる光情報記録媒体の情報記録領域を、模式的に示す断面模式図である。
【図２】図１に示す光情報記録媒体のディスク状基板を作製する各工程を示し、（ａ）は原盤の断面図であり、（ｂ）は原盤から作製されたスタンパを示す断面図であり、（ｃ）はスタンパから作製されたディスク状基板を示す断面図である。
【図３】図１に示す光情報記録媒体が備える光情報記録膜の概略構成を示す断面図である。
【図４】図１に示す光情報記録媒体のビットエラーレート（ＢＥＲ）を測定する方法を説明するための光情報記録媒体の斜視図であって、（ａ）は、１トラックの場合を示し、（ｂ）は、３トラックの場合を示す。
【図５】本発明の実施の一形態にかかる光情報記録媒体のＢＥＲと、記録時のピークパワーとの関係を示すグラフである。
【図６】本発明の実施の一形態にかかる光情報記録媒体のＢＥＲと、記録時のグルーブ相当幅との関係を示すグラフである。
【図７】本発明の他の実施の形態にかかる光情報記録媒体のＢＥＲと、記録時のピークパワーとの関係を示すグラフである。
【図８】本発明の他の実施の形態にかかる光情報記録媒体のＢＥＲと、記録時のグルーブ相当幅との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１　　　ランド
１ａ　　平坦部（平坦部Ａ）
２　　　グルーブ
２ａ　　境界側壁
２ｂ　　平坦部（平坦部Ｂ）
３　　　ディスク状基板（光情報記録媒体用基板）
４　　　光磁気記録媒体膜
５　　　突起部
６　　　原盤
７　　　スタンパ
８　　　窪み部（溝状部）
９　　　光磁気ディスク（光情報記録媒体）
１０　　透明誘電体保護層
１１　　再生層
１２　　中間層
１３　　記録層
１４　　磁界感度調整層
１５　　保護層
１６　　放熱層
１７　　測定トラック
１８，１８’　隣接トラック
１９　　凹部（凹凸パターンの一部）
２０　　凸部（凹凸パターンの一部）
Ｗ１　　グルーブ相当幅
Ｗ２　　ランド相当幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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