(57)【要約】【課題】導波層内に拡散する不純物濃度が低く、かつ、直列抵抗の小さい導波路型半導体素子を提供する。【解決手段】本発明による導波路型半導体素子（２）は、ｐ型クラッド層（１８）、導波層（６）およびｎ型クラッド層（４）を備える。この導波路型半導体素子（２）は、ｐ型クラッド層（１８）と導波層（６）との間およびｎ型クラッド層（４）と導波層（６）との間の少なくとも一方に、導波層（６）に接する不純物層（８）を備える。不純物層（８）は、例えば、ｐ型クラッド層（１８）と導波層（６）との間に設けられる場合に、その不純物濃度が、ｐ型クラッド層（１８）の不純物濃度の１０分の１以上かつ２分の１以下である。この不純物層（４）により、ｐ型クラッド層（１８）から導波層（６）へ拡散される不純物の濃度が低減される。また、不純物層（４）の不純物濃度には下限があり、直列抵抗の小さい導波路型半導体素子（２）を提供できる。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型クラッド層、導波層およびｎ型クラッド層を備える導波路型半導体素子において、
前記ｐ型クラッド層と前記導波層との間および前記ｎ型クラッド層と前記導波層との間の少なくとも一方に、前記導波層に接する不純物層が設けられ、
前記不純物層は、
前記ｐ型クラッド層と前記導波層との間に設けられる場合は、その不純物濃度が、前記ｐ型クラッド層の不純物濃度の１０分の１以上かつ３分の１以下であり、
前記ｎ型クラッド層と前記導波層との間に設けられる場合は、その不純物濃度が、前記ｎ型クラッド層の不純物濃度の１０分の１以上かつ３分の１以下であることを特徴とする半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信システムに適用される導波路型半導体素子に関し、特に、導波路層への不純物拡散が低減されるような導波路型半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電界吸収（Ｅｌｅｃｔｒｏ−ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ：ＥＡ）光変調器は、真性（Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ）半導体である光吸収層をｐ型半導体とｎ型半導体とで挟んで構成されるＰＩＮ接合を備えた導波路型半導体素子である。ＥＡ光変調器では、ＰＩＮ接合に印可する電圧を変調することによって、出力光を変調することができる。このＥＡ光変調器の性能をあらわす主要パラーメータとして、消光比および光電流量がある。消光比は、ＥＡ光変調器が出力する光の強度変化の大きさを示し、光電流量は、光吸収層での光吸収により発生する光電流の量を示す。ＥＡ光変調器の性能は、消光比が大きいほど良く、また、光電流量が小さいほど良い。
【０００３】
上記消光比および光電流量に影響を与えるパラメータとして、光吸収層内に拡散する不純物濃度がある。これらの不純物は、ＥＡ光変調器の製造過程において、主に、光吸収層を挟むｐ型半導体層およびｎ型半導体層から拡散される。光吸収層内に拡散した不純物は、光吸収層内にイオン化されて残留し、これによって、電圧印加時に光吸収層内の電界強度分布が不均一になる。この電界強度のばらつきは、光吸収層における吸収スペクトルの裾引を大きくし、消光比の低下、吸収損失の増大および光電流の増加といった問題を引き起こす。従って、特性の良好なＥＡ光変調器を得るためには、光吸収層を挟むｐ型半導体層およびｎ型半導体層からの不純物拡散を抑えることが重要である。
【０００４】
例えば、ｐ型半導体層から光吸収層への不純物拡散を抑えるために、従来のＥＡ光変調器には、光吸収層とｐ型クラッド層との間に、そのｐ型クラッド層よりも不純物濃度の低い不純物拡散防止層を備えるものがある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−２１８５１号公報（４頁、図１参照）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述の特許文献１などに開示されるＥＡ光変調器では、不純物拡散防止層の不純物濃度の範囲を特に考慮していない。しかし、不純物拡散防止層の不純物濃度をあまり低くすると、ＥＡ光変調器の直列抵抗が高くなり、周波数特性が悪くなるという問題がある。
【０００７】
また、特許文献１などに開示されるＥＡ光変調器では、不純物拡散防止層と光吸収層との間に不純物濃度の高いｐ型ＩｎＧａＡｓＰクラッド層が存在するので、光吸収層への不純物拡散防止には限界があり、不純物拡散防止層の不純物濃度を低くしても、光吸収層への不純物拡散はある程度認めざるを得ないという問題がある。
【０００８】
本発明の目的は、導波層内に拡散する不純物濃度が低く、かつ、その直列抵抗が低い導波路型半導体素子を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る導波路型半導体素子は、ｐ型クラッド層、導波層およびｎ型クラッド層を備える。この導波路型半導体素子は、前記のｐ型クラッド層と前記の導波層との間および前記のｎ型クラッド層と前記の導波層との間の少なくとも一方に、前記の導波層に接する不純物層が設けられる。前記の不純物層は、前記のｐ型クラッド層と前記の導波層との間に設けられる場合は、その不純物濃度が、前記のｐ型クラッド層の不純物濃度の１０分の１以上かつ３分の１以下であり、前記のｎ型クラッド層と前記の導波層との間に設けられる場合は、その不純物濃度が、前記のｎ型クラッド層の不純物濃度の１０分の１以上かつ３分の１以下である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下に、添付の図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
実施の形態１．
図１は、本実施の形態による導波路型半導体素子の断面図である。この半導体素子は、埋め込み型構造をしており、その中央部にストライプ状の導波層を備える。この半導体素子は、ＥＡ変調器として用いられる。図１において、ＥＡ変調器２は、ｎ型ＩｎＰ（インジウムリン）基板４を備える。ｎ型ＩｎＰ基板４上には、ストライプ状の導波層（光吸収層）６および第１のｐ型ＩｎＰクラッド層８が順に積層される。光吸収層６は、ＩｎＧａＡｓＰ（インジウムガリウムヒ素リン）多重量子井戸（ＭＱＷ）光吸収層である。これら光吸収層６および第１のｐ型ＩｎＰクラッド層８は、ｎ型ＩｎＰ基板４上、かつ、それらの両側に設けられた半絶縁性半導体層１０によって埋め込まれる。ここで、半絶縁性半導体層１０は、例えば、Ｆｅ（鉄）をドープしたＩｎＰ等の半絶縁層１２，１４とＳ（硫黄）をドープしたｎ型ＩｎＰホールストラップ層１６とから成る。また、第１のｐ型ＩｎＰクラッド層８および半絶縁性半導体層１０の上には、第２のｐ型ＩｎＰクラッド層１８が積層され、そのｐ型ＩｎＰクラッド層１８の上には、ｐ型ＩｎＧａＡｓ（インジウムガリウムヒ素）コンタクト層２０が積層される。ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層２０およびｎ型ＩｎＰ基板４の表面には、それぞれ、電極２２および電極２４が設けられる。
【００１１】
通常、１．３μｍから１．６μｍの波長帯で用いられる光通信用光変調器は、有機金属気相成長法を用いて、ＩｎＰ基板上にＩｎ、Ｇａ，Ａｓ、Ｐをベースとした結晶を成長することによって製造される。有機金属気相成長法を用いる場合、ｐ型半導体用不純物として、一般的に、Ｚｎ（亜鉛）が用いられる。Ｚｎは、所期の不純物濃度を容易に得られるという長所がある。本実施の形態によるＥＡ光変調器においても、ｐ型半導体用不純物（アクセプタ）としてＺｎを用いる。なお、Ｚｎは、比較的拡散しやすいという短所があるが、本実施の形態による光変調器においては、光吸収層へのＺｎ拡散を十分に低減できる。
【００１２】
本実施の形態による導波路型半導体素子２においては、光吸収層６と第２のｐ型クラッド層１８との間に、第１のｐ型ＩｎＰクラッド層８を設ける。この第１のｐ型ＩｎＰクラッド層８は、第２のｐ型ＩｎＰクラッド層１８と比較して、Ｚｎ濃度が低く、そのＺｎ濃度は、第２のｐ型ＩｎＰクラッド層１８の１／１０以上１／３以下である。この第１のｐ型ＩｎＰクラッド層８は、ｐ型半導体層から光吸収層６へのＺｎ拡散を防止する役割を果たす。以下に、図２を用いて、本実施の形態によるＥＡ光変調器２の構造を、第１のｐ型ＩｎＰクラッド層８を有しない光変調器の構造と比較して説明する。図２は、ｎ型基板、光吸収層、ｐ型クラッド層およびｐ型コンタクト層を備える積層構造を示す。ここで、図２の（ａ）の積層構造は、ちょうど図１に示される光変調器２の中央部分を抜き出した構造を示す。図２の（ａ）においては、特に第１のｐ型ＩｎＰクラッド層８（図１）を明確にするために、図１に示される電極２２，２４や半絶縁性半導体層１０は省略される。また、図２の（ｂ）は、第１のｐ型ＩｎＰクラッド層８を有しない光変調器における図２の（ａ）と同様の構造を示す。図２の（ａ）および図２の（ｂ）に示される積層構造は、ともに、ｎ型ＩｎＰ基板４を備える。
【００１３】
図２の（ｂ）を参照すると、比較用の第１のｐ型ＩｎＰクラッド層８を有しない光変調器においては、ｎ型ＩｎＰ基板４上に、最初にＩｎＧａＡｓＰ　ＭＱＷ光吸収層６とｐ型（Ｚｎドープされた）ＩｎＰクラッド層１８の一部を成長し（第１のエピタキシャル成長：１ｓｔ　ｅｐｉ．）、次に、電流ブロック層１０（図示されない）を成長し（第２のエピタキシャル成長：２ｎｄ　ｅｐｉ．）、最後に、ｐ型ＩｎＰクラッド層１８の残りと、ｐ型（Ｚｎドープされた）ＩｎＧａＡｓコンタクト層２０とを成長する（第３のエピタキシャル成長：３ｒｄ　ｅｐｉ．）。これに対し、本実施の形態による導波路型半導体素子２においては、図２の（ａ）に示されるように、ｎ型ＩｎＰ基板４上に，最初にＩｎＧａＡｓＰ　ＭＱＷ光吸収層６、低濃度ｐ型（Ｚｎドープされた）クラッド層８およびｐ型（Ｚｎドープされた）ＩｎＰクラッド層１８の一部を成長し（１ｓｔ　ｅｐｉ．）、次に、電流ブロック層１０（図示されない）を成長し（２ｎｄ　ｅｐｉ．）、最後に、ｐ型ＩｎＰクラッド層１８の残りと、ｐ型（Ｚｎドープされた）ＩｎＧａＡｓコンタクト層２０とを成長する（３ｒｄ　ｅｐｉ．）。
【００１４】
本実施の形態による積層構造においては、ＩｎＧａＡｓＰ　ＭＱＷ光吸収層６とｐ型ＩｎＰクラッド層１８との間に、ｐ型ＩｎＰクラッド層１８よりも低いＺｎ濃度を有する低濃度ｐ型ＩｎＰクラッド層８を設けることにより、ｐ型ＩｎＰクラッド層１８からＩｎＧａＡｓＰ　ＭＱＷ光吸収層６に拡散されるＺｎ濃度を低減する。これは、数値シミュレーションによる解析結果に基づくものである。数値シミュレーションの結果によれば、光吸収層中のＺｎ濃度は、その直上に積層されたｐ型半導体層中のＺｎ濃度に大きく依存する。これにより、光吸収層のＺｎ濃度を低減するためには、光吸収層に接する直上のｐ型半導体層のＺｎ濃度を低くする必要がある。本実施の形態によるＥＡ光変調器２においては、光吸収層の直上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層１８よりもＺｎ濃度が低い低濃度ｐ型ＩｎＰクラッド層８を積層するので、光吸収層の直上にｐ型ＩｎＰクラッド層１８が積層された従来の積層構造と比較して、光吸収層に拡散するＺｎ濃度が小さくなる。ここで、従来の積層構造よりも光吸収層に拡散するＺｎ濃度を低くするために、ｐ型ＩｎＰクラッド層８のＺｎ濃度は、ｐ型ＩｎＰクラッド層１８のＺｎ濃度より低ければよいが、好ましくは、ｐ型ＩｎＰクラッド層１８のＺｎ濃度の１／３以下である。一方、光吸収層の直上のｐ型半導体層のＺｎ濃度をあまり低くしすぎると、半導体素子の直列抵抗が増大するという不具合が生じる。そこで、本実施の形態によるＥＡ光変調器２においては、光吸収層の直上に積層される低濃度ｐ型ＩｎＰクラッド層８のＺｎ濃度を、ｐ型ＩｎＰクラッド層１８のＺｎ濃度の１／１０以上１／３以下に設定する。
【００１５】
本実施の形態によるＥＡ光変調器において、光吸収層に拡散される不純物の濃度を低減することにより、光吸収層における吸収スペクトルの裾引きがなくなり、ＥＡ光変調器の性能が改善される。図３は、低濃度ｐ型クラッド層を有しないＥＡ光変調器と本実施の形態によるＥＡ光変調器の光吸収層における吸収スペクトルの違いを図式的に示す。図３の（ａ）および図３の（ｂ）は、それぞれ、本実施の形態によるＥＡ光変調器および低濃度ｐ型クラッド層を有しないＥＡ光変調器の光吸収層における吸収スペクトルを示す。ＥＡ光変調器の入射光波長（動作波長）をλａとすると、バイアス電圧（変調電圧）が零のとき（実線）と、バイアス電圧（Ｖｂｉ＝−２Ｖ）をかけたとき（点線）の吸収係数の差は、本実施の形態によるＥＡ光変調器（図３の（ａ））のほうが、低濃度ｐ型クラッド層を有しないＥＡ光変調器（図３の（ｂ））よりも大きくなる。これにより、本実施の形態によるＥＡ光変調器を用いれば、ＥＡ変調器の出力光強度の最大値（Ｉｍａｘ）と最小値（Ｉｍｉｎ）とから求められる消光比（１０ｌｏｇ（Ｉｍａｘ／Ｉｍｉｎ））を大きくすることができる。
【００１６】
なお、本実施の形態による光変調器においては、ｐ型半導体用不純物（アクセプタ）としてＺｎを用いたが、Ｂｅ（ベリリウム）またはＭｇ（マグネシウム）を用いてもよい。また、ｎ型半導体用不純物（ドナー）としては、Ｓｉ（シリコン）、Ｓ（硫黄）またはＳｎ（スズ）等が使用できる。
【００１７】
以下に、一例として、図２におけるｐ型ＩｎＰクラッド層１８および低濃度ｐ型ＩｎＰクラッド層８のＺｎ濃度を、それぞれ、１×１０１８（ｃｍ−３）および１×１０１７（ｃｍ−３）とした場合の検討結果を示す。
図４は、本実施の形態によるＥＡ光変調器と低濃度ｐ型クラッド層を有しないＥＡ光変調器のデバイスの、製造過程におけるＺｎ濃度分布の推移を計算した結果を示す。図４のグラフにおいて、横軸は、ＥＡ光変調器における光吸収層および光吸収層上のｐ型半導体層付近の深さ方向の位置を示し、縦軸は、その深さ方向のある位置におけるＺｎ濃度を示す。横軸における深さ方向の値は、ｐ型半導体層から光吸収層へ向かうにつれて大きくなる。図４の（ａ）は、本実施の形態によるＥＡ光変調器についての計算結果、図４の（ｂ）は、低濃度ｐ型クラッド層を有しないＥＡ光変調器についての計算結果である。図４の（ｂ）を参照すると、低濃度ｐ型クラッド層を有しないＥＡ光変調器においては、第１のエピタキシャル成長後（実線：１ｓｔ　ｅｐｉ．）、すでに、１×１０１７（ｃｍ−３）以上のＺｎが光吸収層内に拡散しており、ｐ型クラッド層１８の底部から光吸収層６に多量のＺｎが拡散している。さらに、結晶成長工程が進むにつれて（破線：２ｎｄ　ｅｐｉ．）、Ｚｎ拡散は吸収層６の深部にまでおよび、第３のエピタキシャル成長後（一点鎖線：３ｎｄ　ｅｐｉ．）には、光吸収層６の深部まで、２×１０１７（ｃｍ−３）以上のＺｎが拡散している。一方、図４の（ａ）を参照すると、本実施の形態によるＥＡ光変調器においては、光吸収層６のＺｎ濃度は、光吸収層６全体において、低濃度ｐ型クラッド層を有しないＥＡ光変調器における同じ領域のＺｎ濃度よりも低い。本実施の形態によるＥＡ光変調器においては、第３のエピタキシャル成長後に、低濃度ｐ型クラッド層を有しないＥＡ光変調器であれば２×１０１７（ｃｍ−３）のＺｎが拡散していた深部で、４×１０１６（ｃｍ−３）程度の拡散しか認められない。本実施の形態によるＥＡ変調器において、低濃度ｐ型ＩｎＰ層８から光吸収層６内へのＺｎの拡散は、低濃度ｐ型クラッド層を有しないＥＡ光変調器と比較して低く抑えられていることがわかる。
【００１８】
図５は、本実施の形態によるＥＡ光変調器および低濃度ｐ型クラッド層を有しないＥＡ光変調器のそれぞれについて消光比特性を測定した結果を示す。図５のグラフにおいて、横軸は、ＥＡ光変調器に印可するバイアス電圧を示し、縦軸は、消光比を示す。図５によれば、低濃度ｐ型クラッド層を有しないＥＡ光変調器（細線）においては、０Ｖ／−３Ｖの消光比が２０ｄｂ程度であるのに対し、本実施の形態によるＥＡ光変調器（太線）においては、０Ｖ／−３Ｖの消光比が２４ｄｂ程度である。これにより、本実施の形態によるＥＡ光変調器を用いれば、消光比が２０％程度改善することがわかる。
【００１９】
図６は、本実施の形態によるＥＡ光変調器および低濃度ｐ型クラッド層を有しないＥＡ光変調器のそれぞれについて消光比特性と光電流特性とを測定した結果を示す。図６におけるグラフの横軸は、消光比を示し、縦軸は、光電流量を示す。図６によれば、低濃度ｐ型クラッド層を有しないＥＡ光変調器においては、光電流量が約１２ｍＡから１６ｍＡである（白丸）のに対し、本実施の形態によるＥＡ光変調器においては、光電流量が約６ｍＡから８ｍＡである（黒丸）。本実施の形態によるＥＡ光変調器においては、低濃度ｐ型クラッド層を有しないＥＡ光変調器と比較して、光電流量が半減している。これは、本実施の形態によるＥＡ光変調器においては、光吸収層６へ拡散するＺｎが低濃度ｐ型クラッド層を有しないＥＡ光変調器と比較して少なく、吸収スペクトルの裾引きによる光電流が減少していることを意味する。
【００２０】
以上により、本実施の形態によるＥＡ光変調器においては、光吸収層と不純物濃度の高いｐ型クラッド層との間に、そのｐ型クラッド層よりも低い不純物濃度を有する低濃度ｐ型クラッド層を設けることにより、光吸収層へ拡散される不純物の濃度を低減することができる。結果として、特性の優れたＥＡ光変調器を得ることができる。また、低濃度ｐ型クラッド層の不純物濃度について、高濃度ｐ型クラッド層の不純物濃度の１／１０以上という制限を設けているので、ＥＡ光変調器の直列抵抗を小さく抑えて、良好な周波数特性を得ることができる。
【００２１】
なお、本実施の形態によるＥＡ光変調器においては、ｎ型基板の上に光吸収層を積層したが、半絶縁性基板の上にｎ型クラッド層を積層した後、そのｎ型クラッド層の上に光吸収層を積層してもよい。
【００２２】
なお、本実施の形態による光変調器においては、光吸収層と高濃度ｐ型クラッド層との間に光吸収層に接する低濃度ｐ型クラッド層を設けることにより、高濃度ｐ型クラッド層から光吸収層へ拡散される不純物の濃度を低減したが、光吸収層とｎ型基板（または、ｎ型クラッド層）との間に、光吸収層に接して、ｎ型基板（または、高濃度ｎ型クラッド層）よりも低い不純物濃度（ｎ型基板または高濃度ｎ型クラッド層の不純物濃度の１／１０以上１／３以下）を有する低濃度ｎ型クラッド層を設けることにより、ｎ型基板（または、高濃度ｎ型クラッド層）から光吸収層へ拡散される不純物の濃度を低減することもできる。また、本実施の形態による光変調器において、上記の低濃度ｐ型クラッド層と低濃度ｎ型クラッド層を両方設けてもよい。
【００２３】
実施の形態２．
図７は、実施の形態１によるＥＡ光変調器と半導体レーザ（ＬＤ）とを集積した半導体装置（以下、ＥＡ／ＬＤ装置という。）の構造を示す。図７の（ａ）は斜視図であり、図７の（ｂ）は、図７の（ａ）において破線Ａによって囲まれる部分の部分拡大断面図である。図７の（ａ）を参照すると、ＥＡ／ＬＤ装置５０は、光変調部５２と半導体レーザ部５４とから成る。光変調部５２および半導体レーザ部５４は、ともに、共通するｎ型ＩｎＰ基板４を有する。ｎ型ＩｎＰ基板４上には、光変調部５２において、ストライプ状の光吸収層６が設けられ、半導体レーザ部５４において、ストライプ状のレーザ活性層６０が設けられる。光吸収層６とレーザ活性層６０は突き合わせて結合される。ＥＡ／ＬＤ装置５０の表面には、電極６２，６４が設けられる。ＥＡ／ＬＤ装置５０においては、図７の（ｂ）に示されるように、光変調部５２において、光吸収層６とｐ型ＩｎＰクラッド層１８との間に低濃度ｐ型ＩｎＰクラッド層８を設ける構造が採用されている。光吸収層６およびレーザ活性層６０は、それぞれ、その両側から半絶縁性半導体層１０によって埋め込まれている。このＥＡ／ＬＤ装置５０の所定の電極間に電圧を印可すると、半導体レーザ部５４においてレーザ発振が起こる。半導体レーザ部５４から出力されたレーザ光は、そのまま、光変調部５２の光吸収層６に入力される。光変調部５２においては、レーザ発振時とは別の電極間に電圧が印可されて光変調が行われ、光変調部５２において変調された光は、ＥＡ／ＬＤ装置２の端面から出力される（矢印Ｂ）。
【００２４】
本実施の形態によるＥＡ／ＬＤ装置においては、光変調部に光変調特性の優れた構造を採用しているので、ＥＡ／ＬＤ装置自体の性能も向上させることができる。
【００２５】
【発明の効果】
本発明による導波路型半導体素子によれば、ｐ型クラッド層、導波層およびｎ型クラッド層を備え、ｐ型クラッド層と導波層との間およびｎ型クラッド層と導波層との間の少なくとも一方に、導波層に接する不純物層が設けられ、その不純物層は、ｐ型クラッド層と導波層との間に設けられる場合は、その不純物濃度が、ｐ型クラッド層の不純物濃度の１０分の１以上かつ３分の１以下であり、ｎ型クラッド層と導波層との間に設けられる場合は、その不純物濃度が、ｎ型クラッド層の不純物濃度の１０分の１以上かつ３分の１以下であるので、導波層内に拡散する不純物濃度が低く、かつ、その直列抵抗が低い導波路型半導体素子を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態によるＥＡ変調器の断面図。
【図２】本実施の形態によるＥＡ光変調器の一部の構造と、低濃度ｐ型クラッド層を有しない光変調器の同様の構造とを比較する図。
【図３】本実施の形態によるＥＡ光変調器と低濃度ｐ型クラッド層を有しないＥＡ光変調器の光吸収層における吸収スペクトルを示す図。
【図４】本実施の形態によるＥＡ光変調器と低濃度ｐ型クラッド層を有しないＥＡ光変調器のデバイスの製造過程におけるＺｎ濃度分布の推移を示す図。
【図５】本実施の形態によるＥＡ光変調器および低濃度ｐ型クラッド層を有しないＥＡ光変調器の消光比特性を示す図。
【図６】本実施の形態によるＥＡ光変調器と低濃度ｐ型クラッド層を有しないＥＡ光変調器の消光比特性および光電流特性を示す図。
【図７】本実施の形態によるＥＡ光変調器と半導体レーザとを集積した半導体装置の構造を示す図。
【符号の説明】
２　光変調器、　４　ｎ型ＩｎＰ基板、　６　ＩｎＧａＡｓＰ　ＭＱＷ光吸収層、　８　低濃度ｐ型ＩｎＰクラッド層、　１０　半絶縁性半導体層、　１８　ｐ型ＩｎＰクラッド層、　２０　ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層、　２２，２４
電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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