(57)【要約】【課題】高い記録磁界と低いオフトラック漏洩磁界を有する、狭トラックピッチに適した狭トラック薄膜記録ヘッドを有する記録再生分離型磁気ヘッドを提供する。【解決手段】下部磁極５あるいは下部磁極先端層１９に、トラック幅Ｔｗに等しいかやや広い幅Ｌｐｆｗを有する浮上面側に突出する突出部２４を設ける。突出部以外の下部磁極５あるいは下部磁極先端層１９は浮上面１５よりＬｐｆｄだけ後退させる。このような構成をとることにより、オフトラック部の漏洩磁界が発生する下部磁極５あるいは下部磁極先端層１９の上端面２３が浮上面１５に露出しないため、オフトラック部の漏洩磁界Ｈｘｚを大幅に低減することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた下部磁気シールドと上部磁気シールドとの間に絶縁層を介して配置された再生素子を有する再生ヘッドと、該再生ヘッドに隣接して設けられ一端に突出部が形成された下部磁極と、該下部磁極の上に磁気ギャップ層を介して設けられ、前記突出部を含む一端側に磁気ギャップを構成し、該磁気ギャップと反対側で前記下部磁極に接続された上部磁極と、該上部磁極と前記下部磁極の間に絶縁層を介して配置された導体コイルとを有する記録ヘッドとを具備することを特徴とする記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項２】
基板上に設けられた下部磁気シールドと上部磁気シールドとの間に絶縁層を介して配置された再生素子を有する再生ヘッドと、該再生ヘッドに隣接して設けられ一端に突出部が形成され該突出部の上部の両端角部が除去された下部磁極と、該下部磁極の上に磁気ギャップ層を介して設けられ、前記突出部を含む一端側に磁気ギャップを構成し、該磁気ギャップと反対側で前記下部磁極に接続された上部磁極と、該上部磁極と前記下部磁極の間に絶縁層を介して配置された導体コイルとを有する記録ヘッドとを具備することを特徴とする記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項３】
基板上に設けられた下部磁気シールドと上部磁気シールドとの間に絶縁層を介して配置された再生素子を有する再生ヘッドと、該再生ヘッドに隣接して設けられた下部磁極と、該下部磁極の一端の上に設けられその一端に突出部が形成された下部磁極先端層と、前記下部磁極の他端の上に設けられた下部磁極後端層と、該下部磁極後端層と前記下部磁極先端層との間を充填する非磁性絶縁層と、前記下部磁極先端層、非磁性絶縁層及び下部磁極後端層の上に磁気ギャップ層を介して設けられ、前記突出部を含む一端側に磁気ギャップを構成し、前記下部磁極後端層に接続された上部磁極と、該上部磁極と前記下部磁極の間に絶縁層を介して配置された導体コイルとを有する記録ヘッドとを具備することを特徴とする記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項４】
基板上に設けられた下部磁気シールドと上部磁気シールドとの間に絶縁層を介して配置された再生素子を有する再生ヘッドと、該再生ヘッドに隣接して設けられた下部磁極と、該下部磁極の一端に設けられた複数の層から構成されその最上層の一端に突出部が形成された下部磁極先端層と、前記下部磁極の他端の上に設けられた下部磁極後端層と、該下部磁極後端層と前記下部磁極先端層との間を充填する非磁性絶縁層と、前記下部磁極先端層、非磁性絶縁層及び下部磁極後端層の上に磁気ギャップ層を介して設けられ、前記突出部を含む一端側に磁気ギャップを構成し、前記下部磁極後端層に接続された上部磁極と、該上部磁極と前記下部磁極の間に絶縁層を介して配置された導体コイルとを有する記録ヘッドとを具備することを特徴とする記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項５】
前記下部磁極あるいは下部磁極先端層の前記突出部を含む一端側の前記上部磁極との対向部分に第２の突出部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項６】
前記上部磁極は前記磁気ギャップを構成する部分に位置する上部磁極先端層と、該上部磁極先端層に繋がる上部磁極上層と、該上部磁極上層と繋がり前記下部磁極後端層に接続された上部磁極後端層とを有することを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項７】
前記下部磁極あるいは下部磁極先端層に形成された前記突出部の深さは０．０１μｍ〜１．０μｍであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項８】
前記下部磁極あるいは下部磁極先端層に形成された前記突出部の幅は０．２６μｍ〜０．６μｍであり、前記第２の突出部の幅は少なくともトラック幅を有することを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項９】
前記導体コイルは２層以上積層され、各導体コイルは端部で直列に接続されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記導体コイルは２層で構成され、下層の導体コイルは前記上部磁極先端層と上部磁極後端層の間に配置されていることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記導体コイルは２層で構成され、下層の導体コイルは前記下部磁極先端層と下部磁極後端層の間に配置され、上層の導体コイルは前記上部磁極先端層と上部磁極後端層との間に配置されていることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の記録再生分離型磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気ディスク装置に使用される記録再生分離型磁気ヘッドに係り、特に高記録密度、高トラックピッチで使用される狭トラック幅を有する薄膜記録ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、磁気ディスク装置の記録密度の向上に伴って、記録媒体の性能向上とともに記録再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドの開発が強く要求されている。現在、再生ヘッドとしては、高い再生出力を得ることができるＭＲ（磁気抵抗効果）素子やＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子を用いたヘッドが使用されている。また、さらに高い再生感度の得られるＴＭＲ（トンネル磁気抵抗）素子も開発されている。一方、記録ヘッドには従来の電磁誘導を利用した誘導型の薄膜記録ヘッドが用いられており、以上の再生ヘッドと記録ヘッドを一体に形成した記録再生分離型薄膜磁気ヘッドが用いられている。
【０００３】
薄膜記録ヘッドの記録特性を向上するためには、高保磁力の記録媒体を十分に記録するために強くかつ急峻な記録磁界を発生する必要がある。ところが、トラック密度向上に伴うトラック幅の減少により、薄膜記録ヘッドの磁極先端部に磁気飽和が生じ、記録磁界が低下する問題が発生する。また、記録磁界がトラック幅のみでなく、隣接トラック部にも漏洩する問題がある。
【０００４】
従来の薄膜磁気ヘッドとして、特許文献１の図２に記載されるように、上部磁極を上部磁極先端層と上部磁極上層に分離する構造がある。この構造は図３に示すように、非磁性材からなる基板１の上に、再生分解能を向上し外部磁界の影響を排除するための軟磁性材からなる下部磁気シールド２を設け、その上に非磁性絶縁材よりなる再生ギャップ３を設け、再生ギャップ３中にＭＲまたはＧＭＲ素子からなる再生素子４を配置する。この上に上部磁気シールドを兼用する軟磁性材料よりなる下部磁極５を設け、さらに記録ギャップ層６を配置する。この上に、ギャップデプスを規定するためのデプス規定用非磁性層７を設け、さらに、上部磁極先端層８および上部磁極後端層９を設け、これらの間隙を非磁性絶縁層１０で埋め込み、平坦化する。この上に、コイル絶縁層１１を設け、コイル絶縁層１１中に下層導体コイル１２および上層導体コイル１２′を配置する。なお、導体コイルは一層のみの場合もある。さらに上部磁極上層１３を設け、ヘッド全体を保護層１４で保護する。
【０００５】
上部磁極先端層８の浮上面１５における幅はトラック幅に相当する幅に加工されている。導体コイル１２、１２′は上部磁極上層後端部１６を周回する如く構成する。導体コイル１２、１２′に記録電流を印加することにより、上部磁極上層１３および上部磁極後端層９、下部磁極５に磁束を誘起し、記録ギャップ先端より発生する記録磁界により、浮上面１５から微少距離離れて移動する記録媒体１７に信号を記録する。記録ギャップ近傍には下部磁極５より磁束が集中し、この結果高い記録磁界が発生する。上部磁極先端層８が記録ギャップ層６と接触する長さをギャップデプスＧｄと称し、これを減少するほど磁束が磁極先端に集中するために記録磁界が増加する。
【０００６】
また、狭トラック幅形成の精度を向上する方法として、図４に示す記録再生分離型薄膜磁気ヘッドが特許文献２で提案されている。このヘッドでは、下部磁極主層１８の上に下部磁極先端層１９および下部磁極後端層２０を設け、これらの間隙を下部非磁性絶縁層２１で埋め込み、平坦化して記録ギャップ層６を形成し、この平坦面上にレジストフレームを作成して上部磁極先端層８を形成する。これにより、狭トラック幅を高精度で形成することが出来る。
【０００７】
図４に示す記録再生分離型薄膜磁気ヘッドのヘッド先端部の斜視図を、図５に示す。図３および図４に示す薄膜磁気ヘッドとも、下部磁極５および下部磁極先端層１８の先端部にはトラック幅Ｔｗとほぼ同等の幅を有するトリム部２２を形成し、これによりトラック幅Ｔｗの外側に漏洩するいわゆるフリンジ磁界を低減している。
【０００８】
特許文献１
特開２０００−２７６７０７号公報（第７−８頁、図２）
特許文献２
特開２００２−１５７７０５号公報（第３頁、図１−図２）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
前記従来技術において、トリム部２２は、上部磁極先端層８のトラック形成部をマスクとして、イオンミリングあるいはリアクティブイオンエッチングにより下部磁極５あるいは下部磁極先端層１９を掘り込んで形成する。このため、トリム部２２の高さＴｒは記録ギャップの約２〜３倍程度が限度であり、トリム部２２の高さを大きくすることは製造上極めて困難である。したがって、トラック幅の外側に漏洩する磁界を十分に小さくすることが困難であり、トラックピッチの減少に伴って、隣接トラックに余分な信号を記録したり、隣接トラックの記録信号を多数回の記録動作を行うことにより徐々に消去してしまうという可能性がある。
【００１０】
本発明の目的は、薄膜記録ヘッドのオフトラック漏洩磁界を大幅に減少し、狭トラックピッチを実現する記録再生分離型磁気ヘッドを提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の記録再生分離型磁気ヘッドは、下部磁極あるいは下部磁極先端層に、トラック幅に等しいかやや広い幅を有する浮上面側に突出する突出部を設け、突出部以外の下部磁極あるいは下部磁極先端層は浮上面より後退させる。このような構成をとることにより、オフトラック部の漏洩磁界が発生する下部磁極あるいは下部磁極先端層の上端面が浮上面に露出しないため、オフトラック部の漏洩磁界を大幅に低減することができる。
【００１２】
下部磁極あるいは下部磁極先端層に形成した突出部に上部磁極先端層のトラック幅部分を形成する場合、突出部と上部磁極先端層のトラック幅部分の位置合わせが困難となる。突出部の幅と上部磁極先端層のトラック幅が同一であることが、オフトラック漏洩磁界の少ない記録磁界分布を得るために好ましいが、この場合、位置合わせが難しく、上部磁極と下部磁極のトラック幅ずれを生じ結果的に実効トラック幅の減少、記録磁界の減少を生ずる恐れがある。本発明の記録再生分離型磁気ヘッドの薄膜記録ヘッドでは、下部磁極あるいは下部磁極先端層に設ける突出部の幅を上部磁極先端層のトラック幅より大きく設定し、この上に上部磁極先端層のトラック部を形成した後、上部磁極先端層のトラック幅部分をマスクとして、イオンミリングあるいはリアクティブイオンエッチング等により前記突出部のトラック幅より広い部分を除去してトリム部を形成し、下部磁極と上部磁極のトラック幅ずれを防止する。この場合、突出部の初期の幅をトラック幅に比べて適正な値とすることにより、トラックの位置合わせを可能にし、かつオフトラック漏洩磁界も低減することが出来る。
【００１３】
また、本発明の記録再生分離型磁気ヘッドの薄膜記録ヘッドでは、前記突出部のトラック幅を構成する部分以外の上端角部を除去する。これにより、突出部の幅を大きくしてもオフトラック漏洩磁界を低減することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
［実施例１］、［実施例２］
本発明の第１の実施例による記録再生分離型磁気ヘッドの薄膜記録ヘッド先端部近傍の斜視図を図１に示す。ヘッド断面の構造は図４と同様である。なお、本図では、下部磁極主層１８、下部磁極先端層１９、上部磁極先端層８、上部磁極上層１３のみを示しており、磁気シールド、導体コイル、絶縁層、保護膜等の表示を省略している。下部磁極先端層１９にほぼトラック幅Ｔｗの幅を有する突出部２４を設ける。この場合、突出部２４以外の下部磁極先端層１９は浮上面より深さＬｐｆｄ離れた位置に設置する。また、本発明の第２の実施例による薄膜記録ヘッド図２に示す。下部磁極先端層１９にトラック幅Ｔｗより広い幅Ｌｐｆｗを有する突出部２４を設け、突出部２４の下部磁極先端層１９を浮上面から距離Ｌｐｆｄだけ後退させる。
【００１５】
上記の構成を取ることによるオフトラック漏洩磁界を計算機シミュレーションを用いて求めた。図１および図２に示すヘッド構造において、トラック幅Ｔｗ＝０．２５μｍ、記録ギャップ長ＧＬ＝０．１μｍ、ギャップデプスＧｄ＝１μｍ、トリム高さＴｒ＝０．２２μｍ、下部磁極高さＬｐ２ｈ＝１．５μｍ、上部磁極絞り位置Ｌｙ＝１μｍ、下部磁極主層膜厚Ｌｐ１ｔ＝２μｍ、上部磁極先端層膜厚Ｕｐ１ｔ＝１．５μｍ、上部磁極上層膜厚Ｕｐ２ｔ＝２μｍとした。薄膜記録ヘッドに使用する磁性材料として、下部磁極主層１８および上部磁極上層１３には４５Ｎｉ−Ｆｅ膜（飽和磁束密度Ｂｓ＝１．６８Ｔ）、下部磁極先端層１９および上部磁極先端層８にはＣｏＮｉＦｅ膜（Ｂｓ＝２．２Ｔ）を用いた。起磁力は０．５４ＡＴとした。また、比較例として図５に示した従来の薄膜記録ヘッドを、突出部２４以外は同一の寸法および同一の磁性材料で作製した。
【００１６】
図６に、突出部２４の幅Ｌｐｆｗをトラック幅Ｔｗと同じ０．２５μｍとした時のオフトラック方向の漏洩磁界Ｈｘｚの分布を示す。Ｚはトラック幅方向で、Ｚ＝０はトラック幅中心であり、Ｈｘｚはヘッド走行方向磁界成分Ｈｘとトラック幅方向磁界成分Ｈｚのベクトル和であり、ヘッド走行方向Ｘを変化した時の各Ｚ位置での最大値を示している。図のように、Ｌｐｆｄ＝０すなわち突出部２４がない場合（図５に示した従来例）、オフトラック位置Ｚ＝０．５μｍでの磁界は約３２０ｋＡ／ｍ（４０００Ｏｅ）と高く、さらにＺが大きくなっても磁界はあまり減衰しない。一方、第１の実施例の薄膜記録ヘッドのように突出部２４を形成した場合、Ｌｐｆｄが０．１５μｍから０．５μｍのいずれの場合もオフトラックでの磁界は大幅に減少し、Ｚ＝０．５μｍでの磁界は２２０ｋＡ／ｍ（２７５０Ｏｅ）以下となる。
【００１７】
このように突出部２４がない図５に示すヘッドにおいては、上部磁極先端層８から下部磁極先端層１９の上端面２３に漏洩磁束が流れるため、下部磁極先端層の上端面２３の浮上面位置で比較的高い漏洩磁界Ｈｘｚが発生する。一方、図１に示した第１の実施例の薄膜記録ヘッドでは、下部磁極先端層１９の上端面２３が浮上面１５より離れているため、浮上面上でのオフトラック漏洩磁界Ｈｘｚは大きく減衰する。オフトラック漏洩磁界の低下により、隣接トラックに記録された信号が消去、減衰するという現象は大幅に低減し、狭トラックピッチの磁気記録装置を提供することが可能となる。
【００１８】
上記のように、図１に示した構成によりオフトラック漏洩磁界Ｈｘｚを大幅に低減した薄膜記録ヘッドを提供することが出来る。図１の薄膜記録ヘッドを製造するには、上部磁極先端層８をマスクとしてイオンミリングにより突出部２４を形成することになるが、加工深さをトリム部２２の形成に比較して大幅に増加する必要がある。従って、突出部２４をあらかじめ備えた下部磁極先端層１９を形成し、この上に上部磁極先端層８を形成する。上部磁極先端層８の形成は、下部磁極先端層１９の上の記録ギャップ層６上にレジストを塗布し、下部磁極先端層１９の形状になるべき部分をマスクを通して露光、現像して除去し、さらに除去した部分に上部磁極先端層８となる磁性膜をメッキ法により形成する。
【００１９】
図２に示される本発明の第２の実施例では、突出部２４の幅Ｌｐｆｗをトラック幅Ｔｗより大きく形成する。この上に上部磁極先端層８を形成した後、上部磁極先端層８のトラック部をマスクとしてイオンミリング等によりトリム部２２を形成し、下部磁極先端層１９のトリム部２２の幅を上部磁極先端層８のトラック幅Ｔｗとほぼ同等となるようにする。その他の構成は前記第１の実施例と同じである。
【００２０】
図７に、下部磁極先端層１９の突出部２４の幅Ｌｐｆｗを変化したときのオフトラック漏洩磁界Ｈｘｚの変化を示す。ここで、Ｌｐｆｄ＝０．１５μｍとした。図のように、Ｌｐｆｗをトラック幅（＝０．２５μｍ）より０．３５μｍすなわち２．４倍大きい０．６μｍとしても、オフトラック漏洩磁界Ｈｘｚの低減効果は維持され、トラック幅より０．５５μｍすなわち３．２倍大きい０．８μｍとした場合にはＬｐｆｄ＝０すなわち突出部２４を設けない場合に比較して部分的にオフトラック漏洩磁界Ｈｘｚが大きくなる。
【００２１】
本発明の第２の実施例による薄膜記録ヘッドによれば、下部磁極先端層１９の突出部２４の幅をトラック幅Ｔｗの２．４倍大きくすることにより、上部磁極先端層８のトラック幅Ｔｗと突出部２４との合わせ誤差を吸収して、かつオフトラック漏洩磁界Ｈｘｚを低減することができる。
【００２２】
以上のとおり、突出部２４の幅Ｌｐｆｗはトラック幅Ｔｗの２．４倍以下であればオフトラック漏洩磁界Ｈｘｚの低減効果が得られる。そして突出部２４以外の下部磁極先端層１９の浮上面１５からの後退量Ｌｐｆｄは０を超える値であれば効果があるが実質的には０．０１μｍ以上で効果が見られる。また、Ｌｐｆｄが大きくなった場合にはオフトラック漏洩磁界Ｈｘｚの減少効果は増加するが、トラック中心での記録磁界が低下する傾向があり、これを防ぐために１μｍ以下、望ましくは０．５μｍ以下とすることが好ましい。
【００２３】
なお、下部磁極主層１８あるいは下部磁極先端層１９と上部磁極主層１３あるいは上部磁極先端層８の幅を浮上面１５から浮上面の奥行き方向に渡ってほぼ同一の幅に構成する薄膜記録ヘッドもあり得るが、前記実施例の薄膜記録ヘッドにおいては、下部磁極主層１８あるいは下部磁極先端層１９の幅はヘッド後部から浮上面近傍に渡って、基本的にトラック幅Ｔｗおよび突出部２４の幅Ｌｐｆｗより大きく構成する。これにより記録磁界の低下を防止する特徴を有する。具体的には下部磁極主層１８あるいは下部磁極先端層１９の幅は浮上面からＬｐｆｄ以上の位置ではトラック幅Ｔｗおよび突出部２４の幅Ｌｐｆｗより大きく、Ｌｐｆｄ以下の位置では突出部２４の幅となる。
【００２４】
［実施例３］
本発明の第３の実施例による記録再生分離型磁気ヘッドの薄膜記録ヘッドを図８に示す。第３の実施例では、突出部２４の幅を大きくして、上部磁極先端層８との合わせ誤差を吸収しやすくするために、突出部２４の上端角部２５を幅Δｗ、深さΔｈに渡って除去する。その他の構成は図２と同じであるため図示は省略してある。図９にＬｐｆｄ＝０．１５μｍ、Ｌｐｆｗ＝０．８μｍとした場合のオフトラック漏洩磁界Ｈｘｚを示す。図のように、Δｗ＝０、Δｈ＝０の場合に比較して、Δｗ、Δｈを大きくすることによりオフトラック漏洩磁界Ｈｘｚを減少することが出来る。従って、図２に示した実施例２の薄膜記録ヘッドにおいて、突出部２４の幅Ｌｐｆｗをトラック幅Ｔｗより０．５５μｍ大きいＬｐｆｗ＝０．８μｍとした場合においても、突出部２４の上端角部２５を除去することによりオフトラック漏洩磁界Ｈｘｚを低減することが出来る。従って、突出部２４の幅Ｌｐｆｗを大きくでき、上部磁極先端層８のトラック部との位置合わせを容易に行うことが出来る。
【００２５】
本実施例の薄膜記録ヘッドの製造方法の概略を図１０及び図１１に示す。本実施例の薄膜記録ヘッドを製造するには、図４において、下部磁極先端層１９および下部磁極後端層２０を形成した後、これらの間隙を下部非磁性絶縁層２１で埋め込み、これらを研磨により平坦化し、さらにこの上に記録ギャップ層６を形成する。
【００２６】
図１０（ａ）は記録ギャップ層６を形成した状態を浮上面１５から見たヘッド先端近傍を示す。下部磁極主層１８の上に下部磁極先端層１９の突出部２４が形成されており、その両側に下部非磁性絶縁層２１が埋め込まれ、これらの上に記録ギャップ層６が形成されている。次に図１０（ｂ）に示すように、上部磁極先端層のトラック部分８を突出部２４の上に形成する。
【００２７】
さらに、図１１（ｃ）に示すように、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）により、酸化物からなる下部非磁性絶縁層２１および記録ギャップ層６を選択的にエッチングし、突出部２４の上端面と下部非磁性絶縁層２１の上端面との間に段差ｄを形成する。この場合、下部非磁性絶縁層２１および記録ギャップ層６をＡｌ２Ｏ３等のＡｌ系酸化物を用いた場合にはエッチングガスとしてＢＣＬ３などの塩素系ガスを使用する。また、下部非磁性絶縁層２１および記録ギャップ層６にＳｉＯ２などのＳｉ系酸化物を用いた場合には、ＣＦ３あるいはＣＦ４などのフッ素系ガスを使用する。これにより、突出部２４に使用する金属磁性膜と下部非磁性絶縁層２１および記録ギャップ層６とのエッチングレートの比が１０〜１００と大きくとれるため、下部非磁性絶縁層２１の段差ｄを容易に形成することが出来る。
【００２８】
次に、図１１（ｄ）に示すように、上部磁極先端層のトラック部８をマスクとして、イオンミリング等により突出部２４の上面を除去する。これにより、トリム部２２を形成する。また、下部非磁性絶縁層２１との段差ｄが存在するために、突出部２４においてΔｗの幅、Δｈの深さに渡って、上端角部２５が除去される。
【００２９】
ここで、図１１（ｃ）においてＲＩＥを用いて下部非磁性絶縁層２１の段差ｄを形成せずに、図１１（ｄ）においてイオンミリングを行った場合には、下部非磁性絶縁層２１に用いるＡｌ系またはＳｉ系酸化物のエッチングレートが突出部２４に用いる金属磁性膜のエッチングレートに比較して遅いために、突出部２４の上端角部２５を除去できない。
【００３０】
一方、下部非磁性絶縁層２１としてフォトレジスト等の有機物を用いた場合には、金属磁性膜に比べてフォトレジスト等の有機物のほうがイオンミリングによるエッチングレートが高いため、ＲＩＥにより下部非磁性絶縁層２１との段差ｄを形成しなくとも、図１１（ｄ）においてイオンミリングを行うことにより、所望の突出部上端角部２５の除去を行うことができる。下部非磁性絶縁層２１としてフォトレジストを用いる場合には、上部磁極先端層８を形成後、前記フォトレジストを除去し、再度Ａｌ２Ｏ３などの非磁性絶縁層を充填して浮上面１５にフォトレジストが露出するのを防ぐ必要がある。
［実施例４］、［実施例５］
本発明の上記各実施例においては、図４および図５に示した下部磁極先端層１９が存在する薄膜記録ヘッドを基にした例を示したが、図３に示した下部磁極先端層がない薄膜記録ヘッドを基に、図１２および図１３のように、下部磁極５に突出部２４を設けても、前記各実施例と同様のオフトラック漏洩磁界の低減効果が得られる。（実施例４）
また、図３および図４には、下部磁極と上部磁気シールドを兼用した記録再生分離型磁気ヘッドを示したが、図１４および図１５に示すように、上部磁気シールド２６と下部磁極５あるいは下部磁極主層１８を分離し、これらの間に非磁性材からなる分離層２７を設けた、いわゆるピギーバック構造としても良い。これにより、下部磁極５、１８から再生素子４に漏洩する記録磁束が低減し、再生出力の不安定性を防止できる。（実施例５）
なお、前記図１２および図１３に示される記録再生分離型磁気ヘッドは、分離層２７を設けたピギーバック型の例を示したものである。
【００３１】
実施例４及び５の突出部２４を設けた下部磁極先端層１９あるいは下部磁極５はいわゆるフレームメッキ法あるいはパターンメッキ法により作製するのが好ましい。これらの方法では、下部磁極先端層１９あるいは下部磁極５を形成すべき基体に導電性のシード膜をスパッタリング法等により形成し、さらにこの上にフォトレジストを塗布する。次に、マスクを通してフォトレジストを露光、現像し、突出部２４を有する下部磁極先端層１９あるいは下部磁極５の形状となるべき部分を除去し、この部分に電気メッキ法により下部磁極先端層１９あるいは下部磁極５となるべき磁性膜を形成する。
【００３２】
フレームメッキ法は所望の磁極形状を囲むように一定の幅を有する枠状のレジストを形成する方法であり、パターンメッキ法はレジスト形状が枠状ではなく、磁極の形状が凹部となり周囲がレジストで構成されるレジストパターンを形成する方法である。いずれの方法でも、突出部２４の幅Ｌｐｆｗおよび下部磁極先端層１９あるいは下部磁極５の後退量Ｌｐｆｄを精度良く作製する方法として好適である。また、突出部２４のない下部磁極先端層１９あるいは下部磁極５をメッキ法あるいはスパッタリング法により形成し、マスクを通して不要部をイオンミリング等により除去して突出部２４を形成してもよい。
【００３３】
実施例４及び５の薄膜記録ヘッドにおいて、突出部２４を構成する磁性膜は上部磁極先端層８とともに記録ギャップに接して記録磁界を発生する主要部であるため、飽和磁束密度の高い磁性材料を用いる必要がある。具体的にはＦｅＣｏ膜あるいはこれに耐食性を増加するためのＮ、Ｎｉ等を少量含む磁性膜がある。これらは最大２．４Ｔまでの高い飽和磁束密度を有する。また、ＣｏＮｉＦｅ膜は組成を調整することにより１．８Ｔから２．４Ｔまでの高い飽和磁束密度が得られる。さらに、Ｆｅを５０ｗｔ％以上含むＦｅＮｉ膜は１．６Ｔ以上の高い飽和磁束密度が得られる。
【００３４】
これらの膜は単独で下部磁極先端層１９あるいは下部磁極５を形成してもよいが、これらを２層以上で構成し、記録ギャップに接する下部磁極先端層１９あるいは下部磁極５の上層部にはＦｅＣｏ膜などの高飽和磁束密度を有する磁性膜を使用し、下部磁極先端層１９あるいは下部磁極５の下層部にはＣｏＮｉＦｅ，４６ＮｉＦｅ膜などのように、ＦｅＣｏ膜よりは飽和磁束密度が低下するが耐食性が高い膜を使用することも出来る。
［実施例６］
本発明の第６の実施例を図１６および図１７に示す。ここでは、下部磁極先端層１９を使用する例を示すが、下部磁極先端層１９がなく下部磁極５のみの場合も同様である。本実施例では図のように、下部磁極先端層１９を複数の層で構成し、下部磁極先端層上層部２８のみに突出部２４を形成する。このようにした場合でも下部磁極先端層１９の上端面２３が浮上面１５に露出する部分が記録ギャップから離れるために、オフトラック漏洩磁界を低減することができる。
【００３５】
本実施例の薄膜記録ヘッドの製造方法の例を図１８及び図１９に示す。図１８は下部磁極先端層近傍を浮上面より見た図である。図１８（ａ）に示すように、下部磁極主層１８の上に前記のフレームメッキ法あるいはパターンメッキ法により下部磁極先端層下層部２９を形成し、下部非磁性絶縁層を充填して平坦化し、この上に下部磁極先端層上層部２８となるべき磁性膜を形成する。下部磁極先端層上層部２８の形成には前記と同様のフレームメッキ法あるいはパターンメッキ法を使用してもよいが、この場合、再度研磨等により平坦化加工が必要となる。
【００３６】
下部磁極先端層上層部２８の膜厚は記録特性のばらつきを押さえるために比較的高精度が要求されるが、研磨加工は膜厚精度の点で必ずしも十分でない場合がある。従って、本実施例ではいわゆるリフトオフ法を用いる。図１８（ｂ）に示すように、下部磁極先端層上層部２８の磁性膜上に２段レジスト法等により上部の幅が下部の幅より大きいレジストパターン３０を形成する。このレジストパターン３０は突出部２４を有する下部磁極先端層上層部２８の形状とほぼ等しくする。
【００３７】
次に図１９（ｃ）に示すように、前記レジストパターン３０をマスクとしてイオンミリング等により下部磁極先端層上層部の磁性膜２８の不要部を除去し、突出部２４を有する下部磁極先端層上層部２８の形状が得られる。次に、図１９（ｄ）に示すように、先に磁性膜を除去した部分に前記レジストパターン３０をマスクとしてスパッタリング法などにより非磁性絶縁層２１を埋め込む。これにより、下部磁極先端層上層部２８と非磁性絶縁層２１がほぼ平坦な形状が得られる。さらに、前記マスクパターン３０を除去し、記録ギャップ層６を形成して、その後は図１０及び図１１に示したと同様の方法により、本実施例の薄膜記録ヘッドが得られる。
【００３８】
本実施例において、下部磁極先端層上層部２８に使用する磁性膜はメッキ膜を使用してもよいが、スパッタ膜を使用することが出来る。スパッタ膜を使用した場合、メッキ膜では使用できない、ＦｅＣｏＡｌＯ系磁性膜、ＦｅＣｏＮ系磁性膜等が使用でき、耐食性向上が可能となる。
【００３９】
前述の本発明の各実施例においては、図３および図４のように、導体コイルが２層で上部磁極上層後端部１６を周回するように構成された例を示したが、導体コイルは１層もしくは３層でもよく、また、図２０に示すように、下層導体コイル１２が上部磁極先端層８と上部磁極後端層９の間にあって上部磁極後端層９を周回し、上層導体コイル１２′が上部磁極上層後端部１６を周回する場合、あるいは、下層導体コイル１２が下部磁極先端層１９と下部磁極後端層２０の間にあって下部磁極後端層２０を周回する場合等がある（図示せず）。
【００４０】
また、図２１に示すように、下層導体コイル１２が下部磁極先端層１９と下部磁極後端層２０の間にあり、上層導体コイル１２′が上部磁極先端層８と上部磁極後端層９の間にある場合、さらに図２１において下層導体コイル１２のみの場合等がある。また、図２１の例では、上部磁極上層部１３の部分に導体コイルがないため、上部磁極上層１３が平坦な形状を有する。この場合では磁気回路の実質的な周回長が短いために、高周波特性の向上に有利である。
【００４１】
さらに、図２２の例では、下部磁極が下部磁極先端層１９、下部磁極主層１８および下部磁極後端層２０からなり、上部磁極は先端層が無く平坦な上部磁極上層１３のみからなり、このヘッド先端部でトラック幅を形成している。導体コイル１２は下部磁極先端層１９と下部磁極後端層２０の間に配置されている。このような構成の場合は、磁気回路の周回長を短くできるために高周波特性の向上に有利である。この構成においても、前記各実施例と同様に下部磁極先端層１９に突起部を設け、突起部以外の下部磁極先端層１９を浮上面より後退させることにより、オフトラック漏洩磁界を低減し隣接トラックの信号減衰を防止することができる。
【００４２】
以上の本発明の各実施例によれば、薄膜記録ヘッドにおける記録磁界を低下させずにオフトラック漏洩磁界を低減する効果はいずれのトラック幅においても得られるが、特にトラック幅が０．３μｍ以下の狭トラック幅の領域になり、トラックピッチが７０ｋＴＰＩ以上となって、記録磁界強度およびオフトラック漏洩磁界が大きな問題になる領域において優れた効果を発揮する。また、記録媒体の保磁力が２７９ｋＡ／ｍ（３５００Ｏｅ）以上の高保磁力媒体を使用する磁気ディスク装置に組み込まれる場合に優れた効果を発揮する。
【００４３】
前記実施例のいずれかの記録再生分離型磁気ヘッドを搭載する磁気ディスク装置は、磁気記録媒体とそれを駆動するモータと、記録再生分離型磁気ヘッドの位置決めをする機構と、これらを制御する回路系および記録再生分離型磁気ヘッドに記録信号を供給し、記録再生分離型磁気ヘッドからの再生信号を処理する回路系等から構成され、前記磁気記録媒体の保磁力が２７９ｋＡ／ｍ（３５００Ｏｅ）以上であり、トラックピッチ７０ｋＴＰＩ以上を実現する。
【００４４】
さらに、本発明の記録再生分離型磁気ヘッドを使用した磁気ディスク装置を組み込んだ磁気ディスクアレイ装置において優れた効果を発揮する。
【００４５】
以上説明した本発明の記録再生分離型磁気ヘッドにおける薄膜記録ヘッドの製造方法の特徴を整理すると以下の通りである。
【００４６】
突出部２４を含む下部磁極５あるいは下部磁極先端層１９をフレームメッキ法またはパターンメッキ法によって形成する。
【００４７】
下部磁極５あるいは下部磁極先端層１９の浮上面１５から後退した部分をＡｌを含有する酸化物で充填し、ボロン系ガスを用いたリアクティブイオンエッチング法により充填した酸化物層２１を選択的にエッチングし、前記突出部２４の上端面と前記酸化物層２１の上端面との間に段差ｄを設ける。
【００４８】
また、下部磁極５あるいは下部磁極先端層１９の浮上面１５から後退した部分をＳｉを含有する酸化物で充填し、フッ素系ガスを用いたリアクティブイオンエッチング法により充填した酸化物層２１を選択的にエッチングし、前記突出部２４の上端面と前記酸化物層２１の上端面との間に段差ｄを設ける。
【００４９】
下部磁極５あるいは下部磁極先端層１９の上層部の磁性膜をレジストパターン３０をマスクに用いて不要部を除去し、同一のレジストパターン３０をマスクとして除去した部分に非磁性絶縁層２１を形成することにより、前記下部磁極５あるいは下部磁極先端層１９の上層部の上面と非磁性絶縁層２１の上面がほぼ平坦となるように形成する。
【発明の効果】
以上の説明のとおり本発明によれば、薄膜記録ヘッドの下部磁極先端層あるいは下部磁極に浮上面方向に突出部を設けることにより、オフトラック漏洩磁界を大幅に低減し、狭トラックピッチが実現可能な記録再生分離型磁気ヘッドを提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例による記録再生分離型磁気ヘッドの薄膜記録ヘッドの浮上面方向から見た斜視図である。
【図２】本発明の第２の実施例による記録再生分離型磁気ヘッドの薄膜記録ヘッドの浮上面方向から見た斜視図である。
【図３】従来の記録再生分離型磁気ヘッドの断面図である。
【図４】従来の記録再生分離型磁気ヘッドの断面図である。
【図５】図４に示される従来の記録再生分離型磁気ヘッドの薄膜記録ヘッドの浮上面方向から見た斜視図である。
【図６】本発明の第１の実施例による薄膜記録ヘッドと従来の薄膜記録ヘッドのオフトラック漏洩磁界を比較する図である。
【図７】本発明の第２の実施例による記録再生分離型磁気ヘッドの薄膜記録ヘッドと従来の薄膜記録ヘッドのオフトラック漏洩磁界を比較する図である。
【図８】本発明の第３の実施例による記録再生分離型磁気ヘッドの薄膜記録ヘッド先端部の斜視図である。
【図９】本発明の第３の実施例による記録再生分離型磁気ヘッドの薄膜記録ヘッドのオフトラック漏洩磁界を示す図である。
【図１０】本発明の第３の実施例による記録再生分離型磁気ヘッドの薄膜記録ヘッドの製造方法を示す図である。
【図１１】図１０に続く薄膜記録ヘッドの製造方法を示す図である。
【図１２】本発明の第４の実施例による記録再生分離型磁気ヘッドの薄膜記録ヘッドの浮上面方向から見た斜視図である。
【図１３】本発明の第４の実施例による記録再生分離型磁気ヘッドの薄膜記録ヘッドの浮上面方向から見た斜視図である。
【図１４】本発明の第５の実施例による記録再生分離型磁気ヘッドの断面図である。
【図１５】本発明の第５の実施例による記録再生分離型磁気ヘッドの断面図である。
【図１６】本発明の第６の実施例による記録再生分離型磁気ヘッドの薄膜記録ヘッドの浮上面方向から見た斜視図である。
【図１７】本発明の第６の実施例による記録再生分離型磁気ヘッドの薄膜記録ヘッドの浮上面方向から見た斜視図である。
【図１８】本発明の第６の実施例による記録再生分離型磁気ヘッドの薄膜記録ヘッドの製造方法を示す図である。
【図１９】図１８に続く薄膜記録ヘッドの製造方法を示す図である。
【図２０】本発明の各実施例に適用される導体コイルの配置例を示す断面図である。
【図２１】本発明の各実施例に適用される導体コイルの配置例を示す断面図である。
【図２２】本発明の各実施例に適用される導体コイルの配置例を示す断面図である。
【符号の説明】
１：基板    ２：下部磁気シールド    ３：再生ギャップ    ４：再生素子
５：下部磁極    ６：記録ギャップ層    ７：デプス規定用非磁性層
８：上部磁極先端層    ９：上部磁極後端層    １０：非磁性絶縁層
１１：導体コイル絶縁層    １２：下層導体コイル    １２′：上層導体コイル
１３：上部磁極上層    １４：保護層    １５：浮上面
１６：上部磁極上層後端部    １７：記録媒体    １８：下部磁極主層
１９：下部磁極先端層    ２０：下部磁極後端層    ２１：下部非磁性絶縁層
２２：トリム部    ２３：下部磁極先端層上端面    ２４：突出部
２５：突出部の上端角部    ２６：上部磁気シールド    ２７：分離層
２８：下部磁極先端層上層部    ２９：下部磁極先端層下層部
３０：レジストパターン
Ｔｗ：トラック幅    Ｇｄ：ギャップデプス    ＧＬ：ギャップ長
Ｔｒ：トリム高さ    Ｌｐｆｗ：突出部幅
Ｌｐｆｄ：下部磁極または下部磁極先端層後退量
Ｌｐ２ｈ：下部磁極先端層の高さ    Ｌｙ：上部磁極先端層の磁極広がり位置
Ｕｐ１ｔ：上部磁極先端層の厚さ    Ｕｐ２ｔ：上部磁極上層の厚さ
Ｌｐ１ｔ：下部磁極主層の厚さ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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