(57)【要約】【課題】記録媒体を記録光に対して連続的に相対移動させて副走査を行う画像記録装置において、副走査方向の画素幅が太ることを防止する。【解決手段】照射された光Ｂを変調する複数の画素部が少なくとも１列に並設されてなる空間光変調素子５０と、この空間光変調素子５０に光を照射する光源６６と、空間光変調素子５０で変調された光Ｂの光路に配置された結像光学系５１と、この結像光学系５１による結像位置に配された記録媒体１５０を該結像光学系５１に対して、前記画素部の並設方向と交わる方向Ｙに連続的に相対移動させる副走査手段とからなる画像記録装置において、空間光変調素子５０の１画素書込み期間内に、前記光源６６を該書込み期間よりも短い時間で１回だけパルス状に駆動させる。【選択図】          図５
2004284236.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照射された光を変調する複数の画素部が少なくとも１列に並設されてなる空間光変調素子と、
この空間光変調素子に光を照射する光源と、
前記空間光変調素子で変調された光の光路に配置された結像光学系と、
この結像光学系による結像位置に配された記録媒体を該結像光学系に対して、前記画素部の並設方向と交わる方向に連続的に相対移動させる副走査手段とからなる画像記録装置において、
前記空間光変調素子の１画素書込み期間内に、前記光源を該書込み期間よりも短い時間で１回だけパルス状に駆動させるパルス駆動回路が設けられたことを特徴とする画像記録装置。
【請求項２】
照射された光を変調する複数の画素部が少なくとも１列に並設されてなる空間光変調素子と、
この空間光変調素子に光を照射する光源と、
前記空間光変調素子で変調された光の光路に配置された結像光学系と、
この結像光学系による結像位置に配された記録媒体を該結像光学系に対して、前記画素部の並設方向と交わる方向に連続的に相対移動させる副走査手段とからなる画像記録装置において、
前記空間光変調素子の１画素書込み期間内に、前記光源を該書込み期間よりも短い時間に亘り複数回パルス状に駆動させるパルス駆動回路が設けられたことを特徴とする画像記録装置。
【請求項３】
前記光源が半導体レーザからなるものであり、
前記パルス駆動回路が、前記半導体レーザをパルス状に駆動させない期間も、該半導体レーザに発振しきい値未満のバイアス電流を供給しておくように構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の画像記録装置。
【請求項４】
前記半導体レーザがＧａＮ系半導体レーザであることを特徴とする請求項３記載の画像記録装置。
【請求項５】
照射された光を変調する複数の画素部が少なくとも１列に並設されてなる空間光変調素子と、
この空間光変調素子に光を照射する光源と、
前記空間光変調素子で変調された光の光路に配置された結像光学系と、
この結像光学系による結像位置に配された記録媒体を該結像光学系に対して、前記画素部の並設方向と交わる方向に連続的に相対移動させる副走査手段とからなる画像記録装置において、
前記空間光変調素子の１画素書込み期間内に、前記結像光学系を経て前記記録媒体に照射される光を、該記録媒体の相対移動と同期させてそれと同方向に移動させる手段が設けられたことを特徴とする画像記録装置。
【請求項６】
前記光を移動させる手段が、前記結像光学系内に配置されたマイクロレンズアレイを移動させるものであることを特徴とする請求項５記載の画像記録装置。
【請求項７】
照射された光を変調する複数の画素部が少なくとも１列に並設されてなる空間光変調素子と、
この空間光変調素子に光を照射する光源と、
前記空間光変調素子で変調された光の光路に配置された結像光学系と、
この結像光学系による結像位置に配された記録媒体を該結像光学系に対して、前記画素部の並設方向と交わる方向に連続的に相対移動させる副走査手段とからなる画像記録装置において、
前記光源として、前記記録媒体上でその副走査方向に亘る別の位置を互いに独立して照射可能な複数組の光源が用いられるとともに、
前記空間光変調素子の１画素書込み期間内に、前記複数組の光源を、前記記録媒体の相対移動に伴って光照射位置が該相対移動方向上流側から下流側に移行するように順次選択的に駆動させる光源駆動制御手段が設けられたことを特徴とする画像記録装置。
【請求項８】
前記複数組の光源の各々が、１列に並設された光ファイバと、該光ファイバにレーザ光を入射させる半導体レーザとから構成され、
前記光源駆動制御手段が、前記半導体レーザを順次選択駆動させるものであることを特徴とする請求項７記載の画像記録装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は画像記録装置、特に詳細には、空間光変調素子で変調された光を記録媒体に照射して、この変調された光による像を該記録媒体に記録する画像記録装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、上記のように空間光変調素子で変調された光を結像光学系に通して、この光による像を感光性記録媒体上に結像させ、それにより該記録媒体に画像を記録する画像記録装置が公知となっている。この種の画像記録装置は、基本的に、照射された光を変調する複数の画素部が１次元あるいは２次元状に並設されてなる空間光変調素子と、この空間光変調素子に光を照射する光源と、上記空間光変調素子により変調された光の光路に配置された結像光学系とを備えてなるものである。
【０００３】
またこの種の画像記録装置は、多くの場合、記録媒体を副走査送りしながら変調光を照射することにより、大きな記録サイズを確保するように構成される。すなわちその場合、空間光変調素子としては複数の画素部が少なくとも１列に（１次元状に）並設されてなるものが用いられ、その上で、結像光学系による結像位置に配された記録媒体を該結像光学系に対して、上記画素部の並設方向と交わる方向に相対移動させる副走査手段が設けられる。
【０００４】
なお特許文献１には、このように記録媒体を副走査送りする構成を有する画像記録装置の一例が示されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−２０２４４２号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記のように記録媒体を副走査送りする画像記録装置においては、空間光変調素子の１画素書込み期間内に、変調された記録光に対して記録媒体が相対移動するので、記録される画素の幅がこの相対移動方向（副走査方向）に太ってしまうことになる。そうであると、記録光がボケるのと同じように、記録画像の解像力が損なわれる。この傾向は、当然、副走査速度が大きいほど顕著に現れる。
【０００７】
このような問題を防止するために、従来、記録媒体をステップ送りして副走査を行うことも考えられている。これは、空間光変調素子の１画素書込み期間には記録媒体の副走査送りを停止し、書込みが終了したならば引き続き記録媒体を微小量だけ副走査送りする、という工程を繰り返すものである。
【０００８】
しかし、このように記録媒体をステップ送りして副走査する場合は、記録媒体を連続的に移動させて副走査を行う場合と比べて、画像記録に時間がかかる、記録媒体の位置ずれが発生しやすい、といった問題が認められる。
【０００９】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、記録媒体を記録光に対して連続的に相対移動させて副走査を行っても、副走査方向の画素幅が太ることを防止できる画像記録装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明による第１の画像記録装置は、前述したように、
照射された光を変調する複数の画素部が少なくとも１列に並設されてなる空間光変調素子と、
この空間光変調素子に光を照射する光源と、
前記空間光変調素子で変調された光の光路に配置された結像光学系と、
この結像光学系による結像位置に配された記録媒体を該結像光学系に対して、前記画素部の並設方向と交わる方向に連続的に相対移動させる副走査手段とからなる画像記録装置において、
前記空間光変調素子の１画素書込み期間内に、前記光源を該書込み期間よりも短い時間で１回だけパルス状に駆動させるパルス駆動回路が設けられたことを特徴とするものである。
【００１１】
本発明による第２の画像記録装置は、上記第１の画像記録装置におけるパルス駆動回路に代えて、空間光変調素子の１画素書込み期間内に、前記光源を該書込み期間よりも短い時間に亘り複数回パルス状に駆動させるパルス駆動回路が設けられ、その他の点は第１の画像記録装置と同様に構成されたものである。
【００１２】
なお、この本発明による第１および第２の画像記録装置において、好ましくは前記光源として半導体レーザからなるものが用いられ、そして前記パルス駆動回路は、該半導体レーザをパルス状に駆動させない期間も、該半導体レーザに発振しきい値未満のバイアス電流を供給しておくように構成される。またその場合、上記半導体レーザとしては特にＧａＮ系半導体レーザが好適に用いられる。
【００１３】
一方、本発明による第３の画像記録装置は、上記と同様の空間光変調素子と、光源と、結像光学系と、副走査手段とからなる画像記録装置において、前記空間光変調素子の１画素書込み期間内に、前記結像光学系を経て前記記録媒体に照射される光を、該記録媒体の相対移動と同期させてそれと同方向に移動させる手段が設けられたことを特徴とするものである。
【００１４】
なお、上述の「記録媒体の相対移動・・・と同方向」ということは、上記光をその光路中の任意の部分においてある方向に移動させたとき、それにより記録媒体上でこの光が記録媒体の相対移動（副走査）と同方向に移動するという光学的な対応を意味するものである。つまり光路が折れ曲がっている等の場合は、絶対的な方向で考えると、必ずしも該光の移動方向と記録媒体の相対移動方向とが一致していないこともあり得るが、そのような場合も含めて上記の通り表現するものとする（以下、同様）。
【００１５】
また、上記の光を移動させる手段としては、前記結像光学系内に配置されたマイクロレンズアレイを移動させるものを好適に用いることができる。
【００１６】
また、本発明による第４の画像記録装置は、上記と同様の空間光変調素子と、光源と、結像光学系と、副走査手段とからなる画像記録装置において、
前記光源として、前記記録媒体上でその副走査方向に亘る別の位置を互いに独立して照射可能な複数組の光源が用いられるとともに、
前記空間光変調素子の１画素書込み期間内に、前記複数組の光源を、前記記録媒体の相対移動に伴って光照射位置が該相対移動方向上流側から下流側に移行するように順次選択的に駆動させる光源駆動制御手段が設けられたことを特徴とするものである。
【００１７】
なお、この本発明による第４の画像記録装置においては、上記複数組の光源の各々が、１列に並設された光ファイバと、該光ファイバにレーザ光を入射させる半導体レーザとから構成され、その上で、上記光源駆動制御手段が、上記半導体レーザを順次選択駆動させるものとして構成されるのが望ましい。
【００１８】
【発明の効果】
本発明による第１の画像記録装置においては、空間光変調素子の１画素書込み期間内に、光源を該書込み期間よりも短い時間で１回だけパルス状に駆動させるパルス駆動回路が設けられたことにより、空間光変調素子の作動だけで画像記録する場合と比べて、１画素書込みの光照射時間がより短いものとなる。したがって、記録媒体がより短い距離だけ副走査送りされている間に１画素書込みが完了するので、副走査方向への画素幅の太りが抑制され、解像力に優れた高精細の画像を記録可能となる。
【００１９】
以上の効果は、光源を上記書込み期間よりも短い時間に亘り複数回パルス状に駆動させるように構成した第２の画像記録装置においても、同様に得られるものである。
【００２０】
なお、この本発明による第１および第２の画像記録装置において、特に光源として半導体レーザからなるものが用いられ、そしてパルス駆動回路が、該半導体レーザをパルス状に駆動させない期間も、該半導体レーザに発振しきい値未満のバイアス電流を供給しておくように構成された場合は、半導体レーザの立ち上がり特性が良好になる。
【００２１】
なお、光源を上述のように短い時間で１回だけパルス状に駆動する場合は、光源を連続的に駆動させておく場合と比べて、記録媒体に照射する光のエネルギが不足がちになるので、レーザパワーを大きくしておくことが必要になる。ＧａＮ系半導体レーザは、ＧａＡｓ系半導体レーザ等と比べると光損傷に対してより強いので、レーザパワーを大きく設定して使用可能であり、上記の要求を満たす上で特に好ましいと言える。
【００２２】
また、本発明による第３の画像記録装置においては、空間光変調素子の１画素書込み期間内に、結像光学系を経て記録媒体に照射される光を、該記録媒体の相対移動と同期させてそれと同方向に移動させる手段が設けられたことにより、１画素書込みのための光照射は相対移動する記録媒体を追いかける形でなされ、記録媒体のほぼ一定の個所に光が照射されるようになる。そこで本装置においても、副走査方向への画素幅の太りが抑制され、解像力に優れた高精細の画像を記録可能となる。
【００２３】
なお通常は、記録媒体に照射される光を１画素書込み期間内に上述のように移動させたなら、次の１画素書込み期間に入る前に、この光を最初の位置まで戻しておくようにする。
【００２４】
また、本発明による第４の画像記録装置においては、記録媒体上でその副走査方向に亘る別の位置を互いに独立して照射可能な複数組の光源が用いられるとともに、空間光変調素子の１画素書込み期間内に、上記複数組の光源を、記録媒体の相対移動に伴って光照射位置が該相対移動方向上流側から下流側に移行するように順次選択的に駆動させる光源駆動制御手段が設けられたことにより、１画素書込みのための光照射は相対移動する記録媒体に追随するように位置を変えて複数回に分けて行われ、そこで記録媒体のほぼ一定に近い個所に光が照射されるようになる。したがって本装置においても、副走査方向への画素幅の太りが抑制され、解像力に優れた高精細の画像を記録可能となる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００２６】
まず、本発明の第１の実施形態による画像露光装置について説明する。
【００２７】
［露光装置の構成］
この第１実施形態の画像露光装置は、図１に示すように、シート状の感光材料１５０を表面に吸着して保持する平板状の移動ステージ１５２を備えている。４本の脚部１５４に支持された厚い板状の設置台１５６の上面には、ステージ移動方向に沿って延びた２本のガイド１５８が設置されている。ステージ１５２は、その長手方向がステージ移動方向を向くように配置されると共に、ガイド１５８によって往復移動可能に支持されている。なお、この露光装置には、副走査手段としてのステージ１５２をガイド１５８に沿って駆動する後述のステージ駆動装置３０４（図１５参照）が設けられている。
【００２８】
設置台１５６の中央部には、ステージ１５２の移動経路を跨ぐようにコ字状のゲート１６０が設けられている。コ字状のゲート１６０の端部の各々は、設置台１５６の両側面に固定されている。このゲート１６０を挟んで一方の側にはスキャナ１６２が設けられ、他方の側には感光材料１５０の先端および後端を検知する複数（例えば２個）のセンサ１６４が設けられている。スキャナ１６２およびセンサ１６４はゲート１６０に各々取り付けられて、ステージ１５２の移動経路の上方に固定配置されている。なお、スキャナ１６２およびセンサ１６４は、これらを制御する図示しないコントローラに接続されている。
【００２９】
スキャナ１６２は、図２および図３（Ｂ）に示すように、ｍ行ｎ列（例えば３行５列）の略マトリックス状に配列された複数（例えば１４個）の露光ヘッド１６６を備えている。この例では、感光材料１５０の幅との関係で、３行目には４個の露光ヘッド１６６を配置してある。なお、ｍ行目のｎ列目に配列された個々の露光ヘッドを示す場合は、露光ヘッド１６６ｍｎと表記する。
【００３０】
露光ヘッド１６６による露光エリア１６８は、副走査方向を短辺とする矩形状である。従って、ステージ１５２の移動に伴い、感光材料１５０には露光ヘッド１６６毎に帯状の露光済み領域１７０が形成される。なお、ｍ行目のｎ列目に配列された個々の露光ヘッドによる露光エリアを示す場合は、露光エリア１６８ｍｎと表記する。
【００３１】
また、図３（Ａ）および（Ｂ）に示すように、帯状の露光済み領域１７０が副走査方向と直交する方向に隙間無く並ぶように、ライン状に配列された各行の露光ヘッドの各々は、配列方向に所定間隔（露光エリアの長辺の自然数倍、本例では２倍）ずらして配置されている。このため、１行目の露光エリア１６８１１と露光エリア１６８１２との間の露光できない部分は、２行目の露光エリア１６８２１と３行目の露光エリア１６８３１とにより露光することができる。
【００３２】
露光ヘッド１６６１１〜１６６ｍｎ各々は、図４および図５に示すように、入射された光ビームを画像データに応じて各画素毎に変調する空間光変調素子として、デジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）５０を備えている。このＤＭＤ５０は、データ処理部とミラー駆動制御部とを備えた後述のコントローラ３０２（図１５参照）に接続されている。このコントローラ３０２のデータ処理部では、入力された画像データに基づいて、各露光ヘッド１６６毎にＤＭＤ５０の制御すべき領域内の各マイクロミラーを駆動制御する制御信号を生成する。なお、制御すべき領域については後述する。また、ミラー駆動制御部では、画像データ処理部で生成した制御信号に基づいて、各露光ヘッド１６６毎にＤＭＤ５０の各マイクロミラーの反射面の角度を制御する。なお、反射面の角度の制御については後述する。
【００３３】
ＤＭＤ５０の光入射側には、光ファイバの出射端部（発光点）が露光エリア１６８の長辺方向と対応する方向に沿って一列に配列されたレーザ出射部を備えたファイバアレイ光源６６、ファイバアレイ光源６６から出射されたレーザ光を補正してＤＭＤ上に集光させるレンズ系６７、このレンズ系６７を透過したレーザ光をＤＭＤ５０に向けて反射するミラー６９がこの順に配置されている。なお図４では、レンズ系６７を概略的に示してある。
【００３４】
上記レンズ系６７は、図５に詳しく示すように、ファイバアレイ光源６６から出射したレーザ光Ｂを平行光化するコリメーターレンズ７１、このコリメーターレンズ７１を通過した光の光路に挿入されたロッドインテグレータ７２、およびこのロッドインテグレータ７２の前方つまりミラー６９側に配置されたフィールドレンズ７４から構成されている。ロッドインテグレータ７２は、ファイバアレイ光源６６から出射したレーザ光を、平行光に近くかつビーム断面内強度が均一化された光束としてＤＭＤ５０に入射させる。本例のロッドインテグレータ７２のサイズは、直径１．０ｍｍ×長さ３．５ｍｍである。なおこのロッドインテグレータ７２に代えて、微小レンズセルが縦横に多数配置されてなるマイクロフライアイレンズを用いることもできる。
【００３５】
上記レンズ系６７から出射したレーザ光Ｂはミラー６９で反射し、ＴＩＲプリズム（全反射）プリズム７０を介してＤＭＤ５０に照射される。なお図４では、このＴＩＲプリズム７０は省略してある。
【００３６】
またＤＭＤ５０の光反射側には、ＤＭＤ５０で反射されたレーザ光Ｂを、記録媒体としての感光材料１５０上に結像する結像光学系５１が配置されている。この結像光学系５１は図４では概略的に示してあるが、図５に詳細を示すように、レンズ系５２，５４からなる第１結像光学系と、レンズ系５７，５８からなる第２結像光学系と、これらの結像光学系の間に挿入されたマイクロレンズアレイ５５と、アパーチャアレイ５９とから構成されている。上記のマイクロレンズアレイ５５は、ＤＭＤ５０の各画素に対応する多数のマイクロレンズ５５ａが配置されてなるものである。このマイクロレンズ５５ａは、一例として焦点距離が０．１９ｍｍ、ＮＡ（開口数）が０．１１のものである。またアパーチャアレイ５９は、マイクロレンズアレイ５５の各マイクロレンズ５５ａに対応する多数のアパーチャ５９ａが形成されてなるものである。
【００３７】
上記第１結像光学系は、ＤＭＤ５０による像を３倍に拡大してマイクロレンズアレイ５５上に結像する。そして第２結像光学系は、マイクロレンズアレイ５５を経た像を１．６７倍に拡大して感光材料１５０上に結像、投影する。したがって全体では、ＤＭＤ５０による像が５倍に拡大して感光材料１５０上に結像、投影されることになる。
【００３８】
なお本例では、第２結像光学系と感光材料１５０との間にプリズムペア７３が配設され、このプリズムペア７３を図５中で上下方向に移動させることにより、感光材料１５０上における像のピントを調節可能となっている。なお同図中において、感光材料１５０は矢印Ｙ方向に副走査送りされる。
【００３９】
ＤＭＤ５０は図６に示すように、ＳＲＡＭセル（メモリセル）６０上に、微小ミラー（マイクロミラー）６２が支柱により支持されて配置されたものであり、画素（ピクセル）を構成する多数の（例えば１０２４個×７６８個）の微小ミラーを格子状に配列して構成されたミラーデバイスである。各ピクセルには、最上部に支柱に支えられたマイクロミラー６２が設けられており、マイクロミラー６２の表面にはアルミニウム等の反射率の高い材料が蒸着されている。なお、マイクロミラー６２の反射率は９０％以上である。また、マイクロミラー６２の直下には、ヒンジおよびヨークを含む支柱を介して通常の半導体メモリの製造ラインで製造されるシリコンゲートのＣＭＯＳのＳＲＡＭセル６０が配置されており、全体はモノリシックに構成されている。
【００４０】
ＤＭＤ５０のＳＲＡＭセル６０にデジタル信号が書き込まれると、支柱に支えられたマイクロミラー６２が、対角線を中心としてＤＭＤ５０が配置された基板側に対して±α度（例えば±１０度）の範囲で傾けられる。図７（Ａ）は、マイクロミラー６２がオン状態である＋α度に傾いた状態を示し、図７（Ｂ）は、マイクロミラー６２がオフ状態である−α度に傾いた状態を示す。したがって、画像信号に応じて、ＤＭＤ５０の各ピクセルにおけるマイクロミラー６２の傾きを、図６に示すように制御することによって、ＤＭＤ５０に入射された光はそれぞれのマイクロミラー６２の傾き方向へ反射される。
【００４１】
なお図６には、ＤＭＤ５０の一部を拡大し、マイクロミラー６２が＋α度又は−α度に制御されている状態の一例を示す。それぞれのマイクロミラー６２のオンオフ制御は、ＤＭＤ５０に接続された上記コントローラ３０２によって行われる。また、オフ状態のマイクロミラー６２により光ビームが反射される方向には、光吸収体（図示せず）が配置されている。
【００４２】
また、ＤＭＤ５０は、その短辺が副走査方向と所定角度θ（例えば、１°〜５°）を成すように僅かに傾斜させて配置するのが好ましい。図８（Ａ）はＤＭＤ５０を傾斜させない場合の各マイクロミラーによる反射光像（露光ビーム）５３の走査軌跡を示し、図８（Ｂ）はＤＭＤ５０を傾斜させた場合の露光ビーム５３の走査軌跡を示している。
【００４３】
ＤＭＤ５０には、長手方向にマイクロミラーが多数個（例えば１０２４個）配列されたマイクロミラー列が、短手方向に多数組（例えば７５６組）配列されているが、図８（Ｂ）に示すように、ＤＭＤ５０を傾斜させることにより、各マイクロミラーによる露光ビーム５３の走査軌跡（走査線）のピッチＰ１が、ＤＭＤ５０を傾斜させない場合の走査線のピッチＰ２より狭くなり、解像度を大幅に向上させることができる。一方、ＤＭＤ５０の傾斜角は微小であるので、ＤＭＤ５０を傾斜させた場合の走査幅Ｗ２と、ＤＭＤ５０を傾斜させない場合の走査幅Ｗ１とは略同一である。
【００４４】
また、異なるマイクロミラー列により同じ走査線上が重ねて露光（多重露光）されることになる。このように、多重露光されることで、露光位置の微少量をコントロールすることができ、高精細な露光を実現することができる。また、主走査方向に配列された複数の露光ヘッドの間のつなぎ目を微少量の露光位置制御により段差無くつなぐことができる。
【００４５】
なお、ＤＭＤ５０を傾斜させる代わりに、各マイクロミラー列を副走査方向と直交する方向に所定間隔ずらして千鳥状に配置しても、同様の効果を得ることができる。
【００４６】
ファイバアレイ光源６６は図９ａに示すように、複数（例えば１４個）のレーザモジュール６４を備えており、各レーザモジュール６４には、マルチモード光ファイバ３０の一端が結合されている。マルチモード光ファイバ３０の他端には、コア径がマルチモード光ファイバ３０と同一で且つクラッド径がマルチモード光ファイバ３０より小さい光ファイバ３１が結合されている。図９ｂに詳しく示すように、マルチモード光ファイバ３１の光ファイバ３０と反対側の端部は副走査方向と直交する主走査方向に沿って７個並べられ、それが２列に配列されてレーザ出射部６８が構成されている。
【００４７】
マルチモード光ファイバ３１の端部で構成されるレーザ出射部６８は、図９ｂに示すように、表面が平坦な２枚の支持板６５に挟み込まれて固定されている。また、マルチモード光ファイバ３１の光出射端面には、その保護のために、ガラス等の透明な保護板が配置されるのが望ましい。マルチモード光ファイバ３１の光出射端面は、光密度が高いため集塵し易く劣化し易いが、上述のような保護板を配置することにより、端面への塵埃の付着を防止し、また劣化を遅らせることができる。
【００４８】
本実施の形態では図１０に示すように、クラッド径が大きいマルチモード光ファイバ３０のレーザ光出射側の先端部分に、長さ１〜３０ｃｍ程度のクラッド径が小さい光ファイバ３１が同軸的に結合されている。それらの光ファイバ３０，３１は、それぞれのコア軸が一致する状態で光ファイバ３１の入射端面を光ファイバ３０の出射端面に融着することにより結合されている。上述した通り、光ファイバ３１のコア３１ａの径は、マルチモード光ファイバ３０のコア３０ａの径と同じ大きさである。
【００４９】
マルチモード光ファイバ３０および光ファイバ３１としては、ステップインデックス型光ファイバ、グレーテッドインデックス型光ファイバ、および複合型光ファイバの何れでもよい。例えば、三菱電線工業株式会社製のステップインデックス型光ファイバを用いることができる。本例では、マルチモード光ファイバ３０および光ファイバ３１は、ステップインデックス型光ファイバであり、マルチモード光ファイバ３０は、クラッド径＝１２５μｍ、コア径＝５０μｍ、ＮＡ＝０．２、入射端面コートの透過率＝９９．５％以上であり、光ファイバ３１は、クラッド径＝６０μｍ、コア径＝５０μｍ、ＮＡ＝０．２である。
【００５０】
但し、光ファイバ３１のクラッド径は６０μｍには限定されない。従来のファイバ光源に使用されている光ファイバのクラッド径は１２５μｍであるが、クラッド径が小さくなるほど焦点深度がより深くなるので、マルチモード光ファイバのクラッド径は８０μｍ以下が好ましく、６０μｍ以下がより好ましく、４０μｍ以下が更に好ましい。一方、コア径は少なくとも３〜４μｍ必要であることから、光ファイバ３１のクラッド径は１０μｍ以上が好ましい。
【００５１】
レーザモジュール６４は、図１１に示す合波レーザ光源（ファイバ光源）によって構成されている。この合波レーザ光源は、ヒートブロック１０上に配列固定された複数（例えば７個）のチップ状の横マルチモード又はシングルモードのＧａＮ系半導体レーザＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３，ＬＤ４，ＬＤ５，ＬＤ６，およびＬＤ７と、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７の各々に対応して設けられたコリメータレンズ１１，１２，１３，１４，１５，１６および１７と、１つの集光レンズ２０と、１本のマルチモード光ファイバ３０とから構成されている。なお、半導体レーザの個数は７個に限定されるものではなく、その他の個数が採用されてもよい。また、上述のような７個のコリメータレンズ１１〜１７に代えて、それらのレンズが一体化されてなるコリメータレンズアレイを用いることもできる。
【００５２】
ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７は、発振波長が総て共通（例えば、４０５ｎｍ）であり、最大出力も総て共通（例えば、マルチモードレーザでは１００ｍＷ、シングルモードレーザでは３０ｍＷ）である。なお、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７としては、３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの波長範囲で、上記の４０５ｎｍ以外の発振波長を備えるレーザを用いてもよい。
【００５３】
上記の合波レーザ光源は、図１２および図１３に示すように、他の光学要素と共に、上方が開口した箱状のパッケージ４０内に収納されている。パッケージ４０は、その開口を閉じるように作成されたパッケージ蓋４１を備えており、脱気処理後に封止ガスを導入し、パッケージ４０の開口をパッケージ蓋４１で閉じることにより、それらによって形成される閉空間（封止空間）内に上記合波レーザ光源が気密封止されている。
【００５４】
パッケージ４０の底面にはベース板４２が固定されており、このベース板４２の上面には、前記ヒートブロック１０と、集光レンズ２０を保持する集光レンズホルダー４５と、マルチモード光ファイバ３０の入射端部を保持するファイバホルダー４６とが取り付けられている。マルチモード光ファイバ３０の出射端部は、パッケージ４０の壁面に形成された開口からパッケージ外に引き出されている。
【００５５】
また、ヒートブロック１０の側面にはコリメータレンズホルダー４４が取り付けられており、そこにコリメータレンズ１１〜１７が保持されている。パッケージ４０の横壁面には開口が形成され、この開口を通してＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７に駆動電流を供給する配線４７がパッケージ外に引き出されている。
【００５６】
なお、図１３においては、図の煩雑化を避けるために、複数のＧａＮ系半導体レーザのうちＧａＮ系半導体レーザＬＤ７にのみ番号を付し、複数のコリメータレンズのうちコリメータレンズ１７にのみ番号を付している。
【００５７】
図１４は、上記コリメータレンズ１１〜１７の取り付け部分の正面形状を示すものである。コリメータレンズ１１〜１７の各々は、非球面を備えた円形レンズの光軸を含む領域を平行な平面で細長く切り取った形状に形成されている。この細長形状のコリメータレンズは、例えば、樹脂又は光学ガラスをモールド成形することによって形成することができる。コリメータレンズ１１〜１７は、長さ方向がＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７の発光点の配列方向（図１４の左右方向）と直交するように、上記発光点の配列方向に密接配置されている。
【００５８】
一方ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７としては、発光幅が２μｍの活性層を備え、活性層と平行な方向、直角な方向の拡がり角が各々例えば１０°、３０°の状態で各々レーザ光Ｂ１〜Ｂ７を発するレーザが用いられている。これらＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７は、活性層と平行な方向に発光点が１列に並ぶように配設されている。
【００５９】
したがって、各発光点から発せられたレーザ光Ｂ１〜Ｂ７は、上述のように細長形状の各コリメータレンズ１１〜１７に対して、拡がり角度が大きい方向が長さ方向と一致し、拡がり角度が小さい方向が幅方向（長さ方向と直交する方向）と一致する状態で入射することになる。つまり、各コリメータレンズ１１〜１７の幅が１．１ｍｍ、長さが４．６ｍｍであり、それらに入射するレーザ光Ｂ１〜Ｂ７の水平方向、垂直方向のビーム径は各々０．９ｍｍ、２．６ｍｍである。また、コリメータレンズ１１〜１７の各々は、焦点距離ｆ１＝３ｍｍ、ＮＡ＝０．６、レンズ配置ピッチ＝１．２５ｍｍである。
【００６０】
集光レンズ２０は、非球面を備えた円形レンズの光軸を含む領域を平行な平面で細長く切り取って、コリメータレンズ１１〜１７の配列方向、つまり水平方向に長く、それと直角な方向に短い形状に形成されている。この集光レンズ２０は、焦点距離ｆ２＝２３ｍｍ、ＮＡ＝０．２である。この集光レンズ２０も、例えば樹脂又は光学ガラスをモールド成形することにより形成される。
【００６１】
次に図１５を参照して、本実施の形態における電気的な構成について説明する。ここに示されるように全体制御部３００には変調回路３０１が接続され、該変調回路３０１にはＤＭＤ５０を制御するコントローラ３０２が接続されている。また全体制御部３００には、レーザモジュール６４を駆動するパルス駆動回路３０３が接続されている。さらにこの全体制御部３００には、前記ステージ１５２を駆動するステージ駆動装置３０４が接続されている。
【００６２】
［露光装置の動作］
次に、上記露光装置の動作について説明する。スキャナ１６２の各露光ヘッド１６６において、ファイバアレイ光源６６の合波レーザ光源を構成するＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７（図１１参照）の各々から発散光状態で出射したレーザ光Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５，Ｂ６，およびＢ７の各々は、対応するコリメータレンズ１１〜１７によって平行光化される。平行光化されたレーザ光Ｂ１〜Ｂ７は、集光レンズ２０によって集光され、マルチモード光ファイバ３０のコア３０ａの入射端面上で収束する。
【００６３】
本例では、コリメータレンズ１１〜１７および集光レンズ２０によって集光光学系が構成され、その集光光学系とマルチモード光ファイバ３０とによって合波光学系が構成されている。すなわち、集光レンズ２０によって上述のように集光されたレーザ光Ｂ１〜Ｂ７が、このマルチモード光ファイバ３０のコア３０ａに入射して光ファイバ内を伝搬し、１本のレーザ光Ｂに合波されてマルチモード光ファイバ３０の出射端部に結合された光ファイバ３１から出射する。
【００６４】
各レーザモジュールにおいて、レーザ光Ｂ１〜Ｂ７のマルチモード光ファイバ３０への結合効率が０．８５で、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７の各出力が３０ｍＷの場合には、アレイ状に配列された光ファイバ３１の各々について、出力１８０ｍＷ（＝３０ｍＷ×０．８５×７）の合波レーザ光Ｂを得ることができる。したがって、１４本のマルチモード光ファイバ３１全体では、２．５２Ｗ（＝０．１８Ｗ×１７）の出力のレーザ光Ｂが得られる。
【００６５】
画像露光に際しては、図１５に示す変調回路３０１から露光パターンに応じた画像データがＤＭＤ５０のコントローラ３０２に入力され、そのフレームメモリに一旦記憶される。この画像データは、画像を構成する各画素の濃度を２値（ドットの記録の有無）で表したデータである。
【００６６】
感光材料１５０を表面に吸着したステージ１５２は、図１５に示すステージ駆動装置３０４により、ガイド１５８に沿ってゲート１６０の上流側から下流側に一定速度で移動される。ステージ１５２がゲート１６０下を通過する際に、ゲート１６０に取り付けられたセンサ１６４により感光材料１５０の先端が検出されると、フレームメモリに記憶された画像データが複数ライン分ずつ順次読み出され、データ処理部で読み出された画像データに基づいて各露光ヘッド１６６毎に制御信号が生成される。そして、ミラー駆動制御部により、生成された制御信号に基づいて各露光ヘッド１６６毎にＤＭＤ５０のマイクロミラーの各々がオンオフ制御される。なお本例の場合、１画素部となる上記マイクロミラーのサイズは１４μｍ×１４μｍである。
【００６７】
ファイバアレイ光源６６からＤＭＤ５０にレーザ光Ｂが照射されると、ＤＭＤ５０のマイクロミラーがオン状態のときに反射されたレーザ光は、レンズ系５４、５８により感光材料１５０上に結像される。このようにして、ファイバアレイ光源６６から出射されたレーザ光が画素毎にオンオフされて、感光材料１５０がＤＭＤ５０の使用画素数と略同数の画素単位（露光エリア１６８）で露光される。また、感光材料１５０がステージ１５２と共に一定速度で移動されることにより、感光材料１５０がスキャナ１６２によりステージ移動方向と反対の方向に副走査され、各露光ヘッド１６６毎に帯状の露光済み領域１７０が形成される。
【００６８】
なお本実施の形態では、図１６（Ａ）および（Ｂ）に示すように、ＤＭＤ５０には、主走査方向にマイクロミラーが１０２４個配列されたマイクロミラー列が副走査方向に７６８組配列されているが、本例では、コントローラ３０２により一部のマイクロミラー列（例えば、１０２４個×２５６列）だけが駆動するように制御がなされる。
【００６９】
この場合、図１６（Ａ）に示すようにＤＭＤ５０の中央部に配置されたマイクロミラー列を使用してもよく、図１６（Ｂ）に示すように、ＤＭＤ５０の端部に配置されたマイクロミラー列を使用してもよい。また、一部のマイクロミラーに欠陥が発生した場合は、欠陥が発生していないマイクロミラー列を使用するなど、状況に応じて使用するマイクロミラー列を適宜変更してもよい。
【００７０】
ＤＭＤ５０のデータ処理速度には限界があり、使用する画素数に比例して１ライン当りの変調速度が決定されるので、一部のマイクロミラー列だけを使用することで１ライン当りの変調速度が速くなる。一方、連続的に露光ヘッドを露光面に対して相対移動させる露光方式の場合には、副走査方向の画素を全部使用する必要はない。
【００７１】
スキャナ１６２による感光材料１５０の副走査が終了し、センサ１６４で感光材料１５０の後端が検出されると、ステージ１５２は、ステージ駆動装置３０４により、ガイド１５８に沿ってゲート１６０の最上流側にある原点に復帰し、再度、ガイド１５８に沿ってゲート１６０の上流側から下流側に一定速度で移動される。
【００７２】
ここで、感光材料１５０に照射されるレーザ光Ｂの形状が図１７（Ａ）に示すようなものである場合、該レーザ光Ｂが照射されている間に感光材料１５０が副走査送りされると、実際にこの感光材料１５０に露光される画素形状は同図（Ｂ）にＢＤで示すように副走査方向に太ったものとなってしまう。以下、この画素幅（露光幅）の太りを抑制する点について説明する。
【００７３】
図１５に示したパルス駆動回路３０３は、各レーザモジュール６４を構成するＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７を、ＤＭＤ５０の１画素書込み期間内に、該書込み期間よりも短い時間で１回だけパルス状に駆動させる。図１８は、このパルス駆動の様子を示すものである。同図（Ａ）中にＴ１で示すのがクロックパルスＣＬＫによって規定される１画素周期であり、ＤＭＤ駆動波形を示す同図（Ｂ）にＴ２で示すのが、ＤＭＤ５０の１画素書込み期間つまりそのマイクロミラー６２が前述のオン状態になっている期間であり、またＴ３で示すのがリセット期間である。なお同図（Ｂ）の波形は、上記マイクロミラー６２がオン、オン、オフ、オン状態とされる場合の例を示している。
【００７４】
従来、この種の露光装置において、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７等からなる光源は連続駆動されていたので、ＤＭＤ５０の１画素書込み期間がそのまま感光材料１５０にレーザ光Ｂが照射される期間となっていた。それに対して本実施の形態では同図（Ｃ）にレーザ駆動波形を示すように、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７をＤＭＤ５０の１画素書込み期間内に、該書込み期間よりも短い時間Ｔ４で１回だけパルス状に駆動させているので、感光材料１５０にレーザ光Ｂが照射される期間は従来装置と比べてより短いＴ４となる。こうして、感光材料１５０がより短い距離だけ副走査送りされている間に１画素書込みが完了するので、副走査方向への画素幅の太りが抑制され、解像力に優れた高精細の画像を露光可能となる。
【００７５】
具体的に説明すると、本実施の形態では１画素書込み期間Ｔ２＝５０μｓ（マイクロ・秒）で、副走査速度はその間に感光材料１５０が２μｍ進む速度つまり４０ｍｍ／ｓである。一方マイクロレンズアレイ５５の焦点位置でのレーザ光Ｂのビーム径は４μｍである。これは、ファイババンドルからなるレーザ出射部６８の副走査方向の発光幅１５４μｍを縮小して結像した大きさ２μｍと、マイクロレンズアレイ５５のマイクロレンズ５５ａのＮＡで決まる回折による広がり２μｍとの重ね合わせである。そしてレーザ光Ｂのビーム径は、前記第２結像光学系で１．６７倍に拡大されて、感光材料１５０上では約７μｍとなる。
【００７６】
この場合、従来装置のようにＤＭＤ５０の１画素書込み期間Ｔ２＝５０μｓの間ずっと感光材料１５０にレーザ光Ｂが照射されたとすると、その間に感光材料１５０が２μｍ移動するので、感光材料１５０上の副走査方向画素幅は約９μｍとなる。それに対して本実施の形態では、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７のパルス状駆動期間Ｔ４を例えば上記１画素書込み期間Ｔ２の１／２の２５μｓとすると、感光材料１５０上の副走査方向画素幅は約８μｍと短くなる。
【００７７】
なお、ＤＭＤ５０の１画素書込み期間やＴ２やＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７のパルス状駆動期間Ｔ４は、勿論、上述した例の値に限定されるものではない。パルス状駆動期間Ｔ４を短く設定するほど、副走査方向画素幅の太りを抑制する効果が高くなる。
【００７８】
しかし、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７を短い時間で１回だけパルス状に駆動する場合は、連続駆動させる場合と比べて、感光材料１５０に照射する光のエネルギが不足がちになるので、レーザパワーを大きくしておくことが必要になる。その要求は、パルス状駆動期間Ｔ４を短く設定するほどより厳しくなる。しかしＧａＮ系半導体レーザは、ＧａＡｓ系半導体レーザ等と比べると光損傷に対してより強いので、連続発振で出力３０ｍＷのものを、デューティ比５０％、出力６０ｍＷで使用することも現状で十分可能であり、上記要求を満たす上で特に好適であると言える。
【００７９】
また本実施の形態では、ＤＭＤに光を照射する光源として、合波レーザ光源の光ファイバの出射端部をアレイ状に配列した高輝度のファイバアレイ光源を用いているので、高出力で且つ深い焦点深度を備えた露光装置を実現することができる。更に、各ファイバ光源の出力が大きくなることで、所望の出力を得るために必要なファイバ光源数が少なくなり、露光装置の低コスト化が図られる。
【００８０】
特に本例では、光ファイバの出射端のクラッド径を入射端のクラッド径よりも小さくしているので、発光部径がより小さくなり、ファイバアレイ光源の高輝度化が図られる。これにより、より深い焦点深度を備えた露光装置を実現することができる。例えば、ビーム径１μｍ以下、解像度０．１μｍ以下の超高解像度露光の場合にも、深い焦点深度を得ることができ、高速且つ高精細な露光が可能となる。従って、高解像度が必要とされる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の露光工程に好適である。
【００８１】
なお、図１８に示した１画素書込み期間Ｔ２よりも短いパルス状駆動期間Ｔ４において、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７を複数回パルス状に駆動させても、副走査方向への画素幅の太りが抑制され、解像力に優れた高精細の画像を記録可能であることは、先に述べた通りである。
【００８２】
次に図１９を参照して、本発明の第２の実施形態について説明する。本実施形態の装置も画像露光装置として形成されたものであり、図１９はその露光ヘッドの部分を示している。なおこの図１９において、図５中の要素と同等の要素には同番号を付してあり、それらについての説明は特に必要のない限り省略する（以下、同様）。この露光ヘッド部分は、図５に示した第１の実施形態の露光ヘッドと比べると、マイクロレンズアレイ５５およびアパーチャアレイ５９を保持して、それらを矢印Ｒ方向に移動させるアレイ移動手段４０１が設けられている点だけが基本的に異なる。なおこの場合、各レーザモジュール６４を構成するＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７（図１１参照）は、パルス駆動ではなく連続駆動される。
【００８３】
上記アレイ移動手段４０１は例えばピエゾ素子等から構成され、ＤＭＤ５０の１画素書込み期間内に、ステージ１５２による感光材料１５０の相対移動（副走査）と同期させて、マイクロレンズアレイ５５およびアパーチャアレイ５９を図中の下方向に移動させる。それにより、感光材料１５０に照射されるレーザ光Ｂは１画素書込み期間内に、図中で下から上方に移動する。つまり、１画素書込みのためのレーザ光Ｂの照射は、移動する感光材料１５０を追いかける形でなされ、該感光材料１５０のほぼ一定の個所にレーザ光Ｂが照射されるようになる。そこで本装置においても、副走査方向への画素幅の太りが抑制され、解像力に優れた高精細の画像を露光可能となる。
【００８４】
なお上記アレイ移動手段４０１は、１画素書込み期間にマイクロレンズアレイ５５およびアパーチャアレイ５９を上述のように移動させた後、ＤＭＤ５０のリセット期間Ｔ３（図１８参照）に、マイクロレンズアレイ５５およびアパーチャアレイ５９を上記とは反対に上方向に移動させて元の位置に戻す。それにより次の１画素書込みは、レーザ光Ｂの感光材料１５０に対する照射位置を、前の１画素書込み開始時と同じ位置に設定して開始される。
【００８５】
図２０は、この第２の実施形態による画像露光装置の電気的構成を示すブロック図である。この構成は、図１５に示した第１の実施形態の電気的構成と比較すると、レーザモジュール６４を駆動するパルス駆動回路３０３に代えて上記アレイ移動手段４０１が設けられた形となっており、このアレイ移動手段４０１の上記作動が全体制御部３００によって制御される。その他の点は、図１５に示した構成におけるのと同様である。
【００８６】
次に図２１を参照して、本発明の第３の実施形態について説明する。本実施形態の装置も画像露光装置として形成されたものであり、図２１はその電気的構成を示している。この構成は、図１５に示した第１の実施形態の構成と比べると、パルス駆動回路３０３に代えてレーザ駆動制御回路５００が設けられている点だけが基本的に異なる。
【００８７】
上記レーザ駆動制御回路５００は、感光材料１５０の副走査送り方向上流側に配されている１列目のレーザ出射部６８に接続している７個のレーザモジュール６４と、上記副走査送り方向下流側に配されている２列目のレーザ出射部６８に接続している７個のレーザモジュール６４とを、順次選択的に駆動させる。なお、７個のレーザモジュール６４を駆動させるということは、より具体的には１つのレーザモジュール６４を構成している７個のＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７（図１１参照）の組を７つ（ＧａＮ系半導体レーザの数は４９個）同時に駆動させることを意味する。
【００８８】
図２２の（Ｃ）および（Ｄ）はそれぞれ、上記１列目のレーザモジュール６４と、２列目のレーザモジュール６４の駆動波形を示している。なお同図の（Ａ）および（Ｂ）は、図１８の（Ａ）および（Ｂ）とそれぞれ同じである。ここに示されている通り、１列目のレーザモジュール６４はＤＭＤ５０の１画素書込み期間Ｔ２の前半１／２の時間だけパルス状に駆動され、そして２列目のレーザモジュール６４はＤＭＤ５０の１画素書込み期間Ｔ２の後半１／２の時間だけパルス状に駆動される。
【００８９】
そこで、１画素書込みのためのレーザ光Ｂの照射は、副走査移動する感光材料１５０に追随するように位置を変えて２回に分けて行われ、そこで感光材料１５０のほぼ一定に近い個所にレーザ光Ｂが照射されるようになる。したがって本装置においても、副走査方向への画素幅の太りが抑制され、解像力に優れた高精細の画像を記録可能となる。
【００９０】
なお、１列目、２列目のレーザモジュール６４をそれぞれ、ＤＭＤ５０の１画素書込み期間Ｔ２の１／２よりも短い時間パルス状に駆動してもよい。それにより、第１の実施形態におけるのと同様の効果が得られ、副走査方向への画素幅の太りを抑制する効果をさらに高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態による露光装置の外観を示す斜視図
【図２】図１の露光装置のスキャナの構成を示す斜視図
【図３】（Ａ）は感光材料に形成される露光済み領域を示す平面図、（Ｂ）は各露光ヘッドによる露光エリアの配列を示す図
【図４】図１の露光装置の露光ヘッドの概略構成を示す斜視図
【図５】図４に示す露光ヘッドの構成を示す光軸に沿った副走査方向の断面図
【図６】デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）の構成を示す部分拡大図
【図７】（Ａ）および（Ｂ）はＤＭＤの動作を説明するための説明図
【図８】（Ａ）および（Ｂ）は、ＤＭＤを傾斜配置しない場合と傾斜配置する場合とで、露光ビームの配置および走査線を比較して示す平面図
【図９ａ】ファイバアレイ光源の構成を示す斜視図
【図９ｂ】ファイバアレイ光源のレーザ出射部における発光点の配列を示す正面図
【図１０】マルチモード光ファイバの構成を示す図
【図１１】合波レーザ光源の構成を示す平面図
【図１２】レーザモジュールの構成を示す平面図
【図１３】図１２に示すレーザモジュールの構成を示す側面図
【図１４】図１２に示すレーザモジュールの構成を示す部分正面図
【図１５】上記露光装置の電気的構成を示すブロック図
【図１６】（Ａ）および（Ｂ）は、ＤＭＤの使用領域の例を示す図
【図１７】（Ａ）は感光材料に照射されるレーザ光のビーム形状を示す平面図、（Ｂ）は感光材料上の露光された画素形状を示す平面図
【図１８】図１の露光装置におけるＤＭＤとレーザの駆動波形を示すグラフ
【図１９】本発明の第２の実施形態による露光装置の露光ヘッドの構成を示す断面図
【図２０】上記第２の実施形態による露光装置の電気的構成を示すブロック図
【図２１】本発明の第３の実施形態による露光装置の電気的構成を示すブロック図
【図２２】上記第３の実施形態の露光装置におけるＤＭＤとレーザの駆動波形を示すグラフ
【符号の説明】
ＬＤ１〜ＬＤ７    ＧａＮ系半導体レーザ
３０、３１    マルチモード光ファイバ
５０    デジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）
５１    拡大結像光学系
５３、５４    第１結像光学系のレンズ
５５    マイクロレンズアレイ
５７、５８    第２結像光学系のレンズ
５９    アパーチャアレイ
６４    レーザモジュール
６６    ファイバアレイ光源
６８    レーザ出射部
１５０    感光材料
１５２    ステージ
１６２    スキャナ
１６６    露光ヘッド
１６８    露光エリア
１７０    露光済み領域
３００    全体制御部
３０３    パルス駆動回路
３０４    ステージ駆動装置
４０１    アレイ移動手段
５００    レーザ駆動制御回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９ａ】
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【図９ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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