(57)【要約】【課題】ヘッドピース集合体または薄膜磁気ヘッド単品に含まれる電磁変換素子、特に、磁気抵抗効果素子に生じた加工変質を解消し、Ｓ／Ｎ比を改善し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、バー状のヘッドピース集合体Ｈを加工した後、ヘッドピース集合体Ｈを熱処理する工程を含む。熱処理は１００〜３００℃の範囲で行う。【選択図】      図６
2004206846.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
バー状のヘッドピース集合体を研磨し、
その後、前記ヘッドピース集合体を熱処理する
工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
バー状のヘッドピース集合体の媒体対向面を研磨し、
その後、前記ヘッドピース集合体を熱処理する
工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
バー状のヘッドピース集合体の媒体対向面をエッチングし、
その後、前記ヘッドピース集合体を熱処理する
工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
バー状のヘッドピース集合体を切断して薄膜磁気ヘッド単品を取り出し、
その後、薄膜磁気ヘッド単品を熱処理する
工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れかに記載された製造方法であって、前記熱処理は１００℃〜３００℃の温度条件で行う製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れかに記載された製造方法であって、
前記ヘッドピース集合体は、複数の薄膜磁気ヘッド要素の集合体であり、
前記薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれは、磁気抵抗効果素子を含む
製造方法。
【請求項７】
請求６に記載された製造方法であって、前記熱処理は、１×１０−４  Ｔｏｒｒ以下の低圧中で行う製造方法。
【請求項８】
請求項６または７に記載された製造方法であって、
前記磁気抵抗効果素子は、フリー層を含んでおり、
前記熱処理は、磁場中で行い、前記フリー層の磁化方向を揃える
製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載された製造方法であって、
前記磁場は、前記フリー層の磁場と同一の方向にかける
工程を含む製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜磁気ヘッドの製造に当たっては、セラミック構造体でなるウエハー上に多数の薄膜磁気ヘッド素子を格子状に配列して形成した後、ウエハーからバー状の単列ヘッドピース集合体を取り出し、取り出されたヘッドピース集合体を、治具に接着剤等を用いて接着し、媒体対向面を、所望のヘッド特性が得られるように研磨する。研磨の後、媒体対向面に、ＤＬＣ（Diamond Like Carbon）等の保護膜形成工程、浮上特性調節のための幾何学的形状付与工程等を施し、これらの工程の終了後に薄膜磁気ヘッドの単品を取り出す。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述の従来工程を経て得られた薄膜磁気ヘッドは、実使用時に種々のノイズが発生し、Ｓ／Ｎ比が悪くなるという問題点があった。その原因の１つは、ヘッドピース集合体の媒体対向面を研磨加工したときに、電磁変換素子、特に、読み取り素子として用いられている磁気抵抗効果素子に加工変質層が発生するためではないかと推測される。
【０００４】
すなわち、磁気抵抗効果素子としては、スピンバルブ素子（以下ＳＶ素子と称する）や強磁性トンネル接合素子（以下ＴＭＲ素子と称する）などの巨大磁気抵抗効果素子（以下ＧＭＲ素子と称する）が用いられ、これらは強磁性層および非磁性層の多層膜構造を有する。ヘッドピース集合体の段階で、媒体対向面を研磨した場合、磁気抵抗効果素子を構成する多層膜に、加工時の圧力や、研磨時の熱などが加わり、加工変質層が発生する。加工変質層は、変形もしくは組成変化を起こし、本来の磁気特性が劣化または喪失された部分であり、磁気抵抗効果が得られないばかりか、ノイズを増加させることにもなる。したがって、ノイズを抑制し、Ｓ／Ｎ比を改善するには、加工変質層において、劣化しまたは喪失された磁気特性を復活させなければならない。
【０００５】
薄膜磁気ヘッドにおけるノイズを抑制する手段として、特公平６−３６４４号公報は、基体に磁性膜および導体コイル膜を含む薄膜磁気回路を形成した後、薄膜磁気回路を覆う保護膜を形成する前、２７０℃〜４００℃の温度条件で熱処理を行う方法を開示している。
【０００６】
しかし、この先行技術は、ヘッドピース集合体とする前のウエハ−段階における熱処理を開示するものであって、ウエハーから取り出されたヘッドピース集合体の加工工程で発生する加工変質層に起因するノイズの抑制について開示するものではない。
【０００７】
本発明の課題は、ヘッドピース集合体または薄膜磁気ヘッド単品に含まれる電磁変換素子、特に、磁気抵抗効果素子に生じた加工変質層を解消し、Ｓ／Ｎ比を改善し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述した課題解決のため、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、バー状のヘッドピース集合体を加工した後、前記ヘッドピース集合体を熱処理する工程を含む。
【０００９】
ヘッドピース集合体の媒体対向面を加工したときに、電磁変換素子、特に、読み取り素子として用いられている磁気抵抗効果素子に加工変質層が発生することは、すでに述べたとおりである。
【００１０】
本発明では、バー状のヘッドピース集合体を加工した後、ヘッドピース集合体を熱処理する工程を含むので、変形もしくは組成変化を起こしていた加工変質層を、熱処理工程によって、変質する前の正常な形状、組成に戻すことができる。このため、加工工程を経ることにより一旦は、劣化しまたは喪失された磁気抵抗効果が、元の状態に戻ることになるから、薄膜磁気ヘッドとして用いた場合のノイズを抑制し、Ｓ／Ｎ比を改善することができる。
【００１１】
熱処理は、加工によって生じた変形または組成変化を解消し、元の状態に戻すために行われるものであるから、ヘッドピース集合体に対する機械的、化学的または両者の組み合わせによる加工を施した後であれば、いずれの段階で適用しても有効である。
【００１２】
具体的には、ヘッドピース集合体の媒体対向面を研磨した後にヘッドピース集合体を熱処理する方法、および、ヘッドピース集合体の媒体対向面をエッチングした後、ヘッドピース集合体を熱処理する方法など挙げることができる。
【００１３】
本発明は、ヘッドピース集合体に限らず、薄膜磁気ヘッドの製造方法にも適用できる。薄膜磁気ヘッドへの適用においては、バー状のヘッドピース集合体を切断して薄膜磁気ヘッド単品を取り出し、その後、薄膜磁気ヘッド単品を熱処理する。
【００１４】
ヘッドピース集合体への適用、および、薄膜磁気ヘッド単品への適用のいずれの場合においても、熱処理は１００℃〜３００℃の温度条件で行うことが好ましい。この温度条件であれば、各種加工方法において生じた加工変質層に対して、変形および組成変化を開放する作用効果が期待できる。
【００１５】
具体的には、ヘッドピース集合体は、複数の薄膜磁気ヘッド要素の集合体であり、薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれは、磁気抵抗効果素子を含むことができる。
【００１６】
磁気抵抗効果素子はＳＶ素子を含むことができる。この場合は、熱処理は、１×１０−４  Ｔｏｒｒ以下の低圧中で行う。磁気抵抗効果素子をＳＶ素子によって構成した場合、膜面に対して平行に電流を流す構成と、膜面に対して垂直に電流を流す構成（ＣＰＰ）の２つの態様をとることができる。別の態様として、磁気抵抗効果素子は、ＴＭＲ素子を含んでいてもよい。
【００１７】
磁気抵抗効果素子は、ＳＶ素子で構成されている場合も、ＴＭＲ素子で構成されている場合も、フリー層を含んでいる。フリー層は外部磁場に応答する層であり、フリー層に変質層があると、ノイズ、特にバルクハウゼンノイズの発生原因となる。そこで、熱処理は、磁場中で行い、フリー層の磁化方向を揃えることが好ましい。
【００１８】
具体的には、磁場は、フリー層の磁化方向と同一の方向にかける。熱処理（熱アニール）により、フリー層の変質部分を元に戻すときに、フリー層の磁化方向と同じ方向に磁場をかけることにより、フリー層の変質部分においても磁化方向を揃え、その特性を改善し、ノイズを低減させることができるからである。
【００１９】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程を示すフローチャート、図２乃至図６は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の各工程を示す図である。まず、図２に示すように、基体１の底面４０１と向き合う一面４０２上に多数（ｎ行ｍ列）の薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍを格子状に配列したウエハー１を製造する。薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍは、通常、その形成領域が４角状となるように、ウエハー１上に形成される。
【００２０】
ウエハー１は、例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）等のセラミック構造体でなり、薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍは、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁膜を介して、ウエハー１の１面側に形成されている。
【００２１】
次に、図１の切断工程では、図３に示すように、ウエハー１内の薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍの形成領域の外側に生じる円弧部分（耳）を切断によって除去し、四角形状のウエハー１を得た後、この４角形状ウエハー１から、図４に示す単列のヘッドピース集合体を、切断加工によって取り出す。図４において、単列のヘッドピース集合体の側面４０３、４０４が切断面であり、たとえば、切断面４０４が媒体対向面となる。媒体対向面４０４には薄膜磁気ヘッド要素Ｑｎ１〜Ｑｎｍに備えられた電磁変換素子の書き込み端及び読み取り端が位置する。
【００２２】
図５は、図４に示したヘッドピース集合体の一部を拡大して示す図である。ヘッドピース集合体は、面４０２の側に、薄膜電磁変換素子Ｍ１１、Ｍ１２のための取り出し電極（Ｅ１１、Ｅ１２）、（Ｅ２１、Ｅ２２）が設けられている。取り出し電極（Ｅ１１、Ｅ１２）は、薄膜電磁変換素子Ｍ１１に含まれる書き込み素子及び読み取り素子のために備えられたものであり、取り出し電極（Ｅ２１、Ｅ２２）は薄膜電磁変換素子Ｍ１２に含まれる書き込み素子及び読み取り素子のために備えられたものである。薄膜電磁変換素子Ｍ１１、Ｍ１２は、図示では、２つであるが、２つに限定されるものではない。
【００２３】
ヘッドピース集合体は、次に、研磨加工に付される。ヘッドピ−ス集合体の研磨加工にあたっては、図１の冶具貼り付け工程において、ヘッドピ−ス集合体を冶具に貼り付ける。貼り付け冶具を用いたヘッドピース集合体の研磨は、特開平１−１５３２６４号公報、特開平１−１５３２６５号公報等に開示された技術を適用して実行できる。これらの公知文献に記載された研磨装置は回転体を含み、この回転体は、例えばスズ等の軟質金属部材を用いて円板状に形成される。研磨加工は研削加工を含むことがある。研磨部材の背面に、例えばステンレス等の金属材料によって円板状に形成された支持部材を、接着剤によって一体的に面接合させる。研磨に当っては、回転体を面回転させ、かつ、研磨部材の表面にダイヤモンド粒子等を含む研磨材を供給しながら、研磨部材の表面にヘッドピース集合体の研磨面を接触させる。
【００２４】
研磨加工は、主として、媒体対向面研磨（図１参照）であり、薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑ１ｍに備えられた電磁変換素子の書き込み端及び読み取り端が位置する媒体対向面４０４に対して実行される。研磨加工は、書き込み素子のスロートハイトの決定や、読み取り素子の高さ（ＭＲハイト）の決定などのため行われる。加工手段としては、機械的研磨加工、ドライエッチング、ケミカルエッチングまたはこれらの組み合わせが適用できる。ドライエッチングには、イオンミリングやリアクティブ．イオン．エッチング（以下ＲＩＥと称する）などが含まれる。
【００２５】
図６は上述した研磨加工後のヘッドピース集合体を示す図である。図６の例では、媒体対向面４０４にレ−ル幅またはレール間隔を画定するための溝４０５が、研磨加工は別工程で形成されている。また、媒体対向面４０４の高段面は、空気ベアリング面となる部分であり、研磨加工が施された領域である。研磨加工が終了した後、媒体対向面４０４に対するＤＬＣ膜などの保護膜形成（図１参照）を行う。
【００２６】
薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍは、周知のように、ＩＣ製造テクノロジーと同様のフォトリソグラフィを主体とした高精度パターン形成技術によって形成される。
【００２７】
図７は薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍに含まれる薄膜電磁変換素子部分の平面拡大部分破断面図、図８は同じく図７の８−８線上における断面図、図９はＧＭＲ素子の部分の拡大断面図を示している。図７及び図８は、表示の単なる都合から異なるスケールで示されている。図７に示すように、薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍは薄膜電磁変換素子を有している。
【００２８】
図示された薄膜磁気ヘッド要素は、再生ヘッドと、誘導型電磁変換素子でなる記録ヘッドとを備えており、これらは、アルティック等のセラミック材料よりなる基板１の上に搭載されている。基板１はスライダ基体を構成する。基板１の上には、スパッタリング法等によって、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料よりなる絶縁層２が、例えば１〜５μｍの厚みに形成されている。下部シールド層３は、パーマロイ（ＮｉＦｅ）等の磁性材料よりなり、絶縁層２の上に、スパッタリング法またはめっき法等によって、例えば約３μｍの厚みとなるように形成されている。
【００２９】
再生ヘッドは、下部シールド層３と、上部シールド層（下部磁極層８）との間に、ＧＭＲ素子３０を配置した構造となっている。ＧＭＲ素子３０と下部シールド層３との間は下部シールドギャップ層２０１によって絶縁されており、ＧＭＲ素子３０と上部シールド層８との間は上部シールドギャップ層７によって絶縁されている。
【００３０】
図示実施例において、ＧＭＲ素子３０はＴＭＲ素子である。ＴＭＲ素子でなるＧＭＲ素子３０には、電極膜２５、２６、磁区制御膜２１、２２、及び、絶縁膜２０２、２０３、２０４が備えられる。
【００３１】
下部電極膜２５は、下部シールドギャップ層２０１の上に設けられ、ＧＭＲ素子３０と隣接すべき部分が、突出しており、その突出部分の両側に生じる凹部が絶縁膜２０２によって埋められている。絶縁膜２０２の表面は下部電極膜２５の表面と同一平面を構成している。絶縁膜２０２は、酸化アルミニウム、または、酸化シリコン等の酸化絶縁物からなる。
【００３２】
ＧＭＲ素子３０は、フリー層３０１を含み、フリー層３０１に隣接する非磁性層３０２を有し、非磁性層３０２の上に、ピンド層３０３が隣接している。ピンド層３０３の上には反強磁性層３０４が設けられている。ピンド層３０３は、反強磁性層３０４との交換結合により、磁化方向が固定される。
【００３３】
フリー層３０１、非磁性層３０２、ピンド層３０３及び反強磁性層３０４の膜構造及び組成材料等については、既に知られている技術を、任意に適用できる。一例をあげると、フリー層３０１及びピンド層３０３は、例えば、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ等で構成され、反強磁性層３０４はＦｅＭｎ、ＭｎＩｒ、ＮｉＭｎ、ＣｒＭｎＰｔなどによって構成される。非磁性層３０２は、ＳＶ膜の場合はＣｕ等を主成分とする導電性材料層で構成され、ＴＭＲ膜の場合は、酸化アルミニウム層などの絶縁性材料層で構成される。上部電極膜２６は反強磁性層３０４に隣接している。上部電極膜２６は上部シールドギャップ層７によって覆われている。
【００３４】
磁区制御膜２１、２２は、ＧＭＲ素子３０の幅方向の両側部に、絶縁膜２０３、２０４による間隔を隔てて配置されている。磁区制御膜２１、２２は、フリー層３０１の磁区を制御する。
【００３５】
図示実施例において、絶縁膜２０３、２０４は、磁区制御膜２１、２２と電極膜２５、２６との間では、層状に配置され、磁区制御膜２１、２２とＧＭＲ素子３０との間では、ＧＭＲ素子３０の側端面に接触し、両者間を完全に遮断するように形成されている。
【００３６】
上述したＭＲ素子において、ＧＭＲ素子３０と、電極膜２５、２６とを含んでおり、電極膜２５、２６のそれぞれは、ＧＭＲ素子３０の両面に隣接している。したがって、ＧＭＲ素子３０の膜面に対して垂直方向にセンス電流を流すことができる。
【００３７】
記録ヘッドは、下部磁極層８、上部磁極層１２、記録ギャップ層９及び薄膜コイル１０、１５等を有している。下部磁極層８及び上部磁極層１２は、互いに磁気的に連結されている。
【００３８】
下部磁極層８は、上部シールドギャップ層７の上に形成されている。記録ギャップ層９は下部磁極層８の磁極部分と上部磁極層１２の磁極部分との間に設けられている。薄膜コイル１０、１５は下部磁極層８および上部磁極層１２の間のインナーギャップ間に、絶縁された状態で配設されている。記録ヘッドは、アルミナ等の保護膜１７によって覆われている。
【００３９】
本発明の特徴は、媒体対向面研磨、保護膜形成（図１参照）など、バー状のヘッドピース集合体に加工処理を施した後、ヘッドピース集合体を熱処理するところにある。
【００４０】
ヘッドピース集合体の媒体対向面４０４を加工したときに、電磁変換素子、特に、読み取り素子として用いられているＧＭＲ素子３０（図７〜図９参照）に加工変質層が発生することは、すでに述べたとおりである。
【００４１】
本発明では、バー状のヘッドピース集合体を加工した後、ヘッドピース集合体を熱処理する工程を含むので、変形もしくは組成変化を起こしていた加工変質層を、熱処理工程によって、変質する前の正常な形状、組成に戻すことができる。このため、加工工程を経ることにより一旦は、劣化しまたは喪失された磁気抵抗効果が、元の状態に戻ることになるから、薄膜磁気ヘッドとして用いた場合のノイズを抑制し、Ｓ／Ｎ比を改善することができる。また、バルクハウゼンノイズも抑制される。
【００４２】
熱処理は、加工によって生じた変形または組成変化を解消し、元の状態に戻すために行われるものであるから、ヘッドピース集合体Ｈに対する機械的、化学的または両者の組み合わせによる加工を施した後であれば、いずれの段階で適用しても有効である。
【００４３】
具体的には、ヘッドピース集合体Ｈの媒体対向面４０４を研磨した後にヘッドピース集合体を熱処理する方法、および、ヘッドピース集合体Ｈの媒体対向面４０４をエッチングした後にヘッドピース集合体を熱処理する方法など挙げることができる。実際の製造プロセスでは、熱処理の前後で、実使用に近い電流を流して特性を測定する。
【００４４】
本発明は、ヘッドピース集合体に限らず、薄膜磁気ヘッド単品にも適用できる。薄膜磁気ヘッド単品への適用においては、バー状のヘッドピース集合体を、薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑ１ｍを個別的に分離切断して薄膜磁気ヘッド単品を取り出し、その後、薄膜磁気ヘッド単品を熱処理する。
【００４５】
ヘッドピース集合体への適用、および、薄膜磁気ヘッド単品への適用のいずれの場合においても、熱処理は１００℃〜３００℃の温度条件で行うことが好ましい。この温度条件であれば、各種加工方法において生じた加工変質層に対して、変形および組成変化を開放する作用効果が期待できる。熱処理時間は、温度によって異なる。次に、この点について、実験データを挙げて説明する。
【００４６】
表１は熱処理（アニール）条件と素子特性改善効果とに関する実験データを示している。ＧＭＲ素子としては、ＴＭＲ素子を用いた。実験にあたっては、各アニール条件毎に適当数のサンプルを用意し、アニール条件毎のノイズ低減サンプル数を確認した。表１では、アニール条件として、熱処理の温度（℃）、印加された磁場（Ｏｅ）、熱処理雰囲気の真空度（Ｔｏｒｒ）、及び、熱処理の時間（ｈ）が示されている。ノイズ低減サンプル数は百分率（％）で表示してある。ノイズに関しては、全体してのノイズのほか、バルクハウゼンノイズと思われるノイズについても確認した。表１に「ノイズ低減」と表示されている欄は、全体的ノイズの低減サンプル数を百分率（％）で表示し、「ＢＨＮ低減」と表示されている欄はバルクハウゼンノイズ低減サンプル数を百分率（％）で表示してある。
表１
2004206846.tif 000003
表１を見ると明らかなように、熱処理温度が５０℃である場合、ノイズ低減作用が見られない。これに対して、熱処理温度が１００℃〜３００℃の範囲では、ノイズの低減したサンプル数が増え、また、バルクハウゼンノイズの低減されたサンプル数も増える。特に、熱処理温度２００℃の付近で著しいノイズ低減効果が得られる。
【００４７】
上に述べた効果は、ＧＭＲ素子３０としてＴＭＲ素子を用いた場合の効果であるが、他のＧＭＲ素子、例えば、膜面に対して平行に電流を流す構成のＣＩＰ―ＳＶ素子、膜面に対して垂直に電流を流す構成のＣＰＰ―ＳＶ素子のいずれにおいても、同様の効果を期待し得る。
【００４８】
次に、本発明によるノイズ低減効果の視覚的理解に供するために、図１０〜図１５を添付する。図１０はバー状のヘッドピース集合体のサンプルについて、熱処理前の磁界−出力特性を示す図、図１１は図１０の特性を得るために供されたサンプルについて、本発明に係る熱処理を施した後の磁界−出力特性を示す図である。図において、横軸に外部から印加される磁界Ｈ（Ｏｅ）を採り、縦軸に出力（μＶ）を採ってある。
【００４９】
熱処理前は、図１０に示すように、磁界−出力特性の全体にわたってノイズがかかっており、５０（Ｏｅ）付近に、バルクハウゼンジャンプと思われる磁界―出力特性の「飛び」が見られる。これに対して、熱処理後は、図１１に示すように、磁界−出力特性の全体にわたって生じていたノイズが消え、また、５０（Ｏｅ）付近に生じていたバルクハウゼンノイズによる「飛び」も消えている。これは、熱処理により、ノイズが低減されていることを如実に示している。
【００５０】
図１２は、図１０、図１１のデータ採取に供されたヘッドピース集合体とは異なるヘッドピース集合体について、熱処理前の磁界−出力特性を示す図、図１３は図１２の特性を得るために供されたヘッドピース集合体について、本発明に係る熱処理を施した後の磁界−出力特性を示す図である。
【００５１】
熱処理前は、図１２に示すように、スパイク状のノイズが発生していたが、熱処理後は、図１３に示すように、スパイク状のノイズが消滅している。
【００５２】
図１４は、図１０〜図１３のデータ採取に供されたヘッドピース集合体とは異なるヘッドピース集合体のサンプルについて、熱処理前の磁界−出力特性を示す図、図１５は図１４の特性を得るために供されたサンプルについて、本発明に係る熱処理を施した後の磁界−出力特性を示す図である。
【００５３】
熱処理前は、図１４に示すように、同一磁界強度に対する出力変動幅が大きく、不安定である。これは、フリー層の磁気を一方向に向けるためのバイアス磁界強度が、研磨加工によるストレスダメージのために、不十分になったためと思われる。これに対して、熱処理後は、図１５に示すように、磁界に対する出力が安定し、磁界―出力特性に「飛び」が見えない。これは、研磨加工によって生じたストレスダメージが熱処理によって解放され、本来のバイアス特性が取り戻されたことを示している。
【００５４】
以上具体的な実施例を参照して発明の内容を説明したが、当業者であれば、本発明の基本的技術思想、及び、教示に基づき、種々の変形をなしえることは明らかである。
【００５５】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、ヘッドピース集合体または薄膜磁気ヘッド単品に含まれる電磁変換素子、特に、磁気抵抗効果素子に生じた加工変質層を解消し、Ｓ／Ｎ比を改善し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程を示すフローチャートである。
【図２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の１工程を示す図である。
【図３】図２の工程の後の工程を示す図である。
【図４】図３の工程の後の工程を示す図である。
【図５】図４に示したヘッドピース集合体の部分拡大図である。
【図６】図５に示したヘッドピース集合体に対する加工工程を示す図である。
【図７】薄膜磁気ヘッド要素に含まれる薄膜電磁変換素子部分の平面拡大部分破断面図である。
【図８】図７の８−８線上における断面図である。
【図９】ＧＭＲ素子の部分の拡大断面図である。
【図１０】磁気ヘッドサンプルについて、熱処理前の磁界−出力特性を示す図である。
【図１１】図１０の特性を得るために供されたサンプルについて、本発明に係る熱処理を施した後の磁界−出力特性を示す図である。
【図１２】図１０、図１１のデータ採取に供された磁気ヘッドサンプルとは異なる磁気ヘッドサンプルについて、熱処理前の磁界−出力特性を示す図である。
【図１３】図１２の特性を得るために供されたサンプルについて、本発明に係る熱処理を施した後の磁界−出力特性を示す図である。
【図１４】図１０〜図１３のデータ採取に供された磁気ヘッドサンプルとは異なる磁気ヘッドサンプルについて、熱処理前の磁界−出力特性を示す図である。
【図１５】図１４の特性を得るために供されたサンプルについて、本発明に係る熱処理を施した後の磁界−出力特性を示す図である。
【符号の説明】
Ｈ                ヘッドピース集合体
Ｍ１１、Ｍ１２    薄膜電磁変換素子
４０４            媒体対向面または切断面
４０５            溝
【図１】
2004206846.tif 000004
【図２】
2004206846.tif 000005
【図３】
2004206846.tif 000006
【図４】
2004206846.tif 000007
【図５】
2004206846.tif 000008
【図６】
2004206846.tif 000009
【図７】
2004206846.tif 000010
【図８】
2004206846.tif 000011
【図９】
2004206846.tif 000012
【図１０】
2004206846.tif 000013
【図１１】
2004206846.tif 000014
【図１２】
2004206846.tif 000015
【図１３】
2004206846.tif 000016
【図１４】
2004206846.tif 000017
【図１５】
2004206846.tif 000018