(57)【要約】【課題】メッキ条件の制御が簡易で、回路成形のための金属層の厚みを一定に制御でき、しかもビア径の異なるものが混在する場合にも均一に充填されたフィルドビアが形成できるフィルドビアの形成方法、及び当該形成方法を用いた多層配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】第１金属層１１等に到達するビア孔が形成されその内面に下地導電層１５を備えるフィルドビア前駆体を作製する工程と、そのビア孔内面を含む略全面に前記第３金属層１４とは異なる金属の電解メッキを施してメッキ層１７を形成する工程と、そのビア孔上方の表面にマスク層１８を形成する工程と、メッキ層１７を選択的にエッチングして凸状部１７ａを形成する工程と、これを除去して平坦化する工程と、前記第３金属層１４を選択的にエッチングする工程とを含む。【選択図】　　　　図２
2004119770.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１金属層又は下層の配線層、絶縁層、第２金属層、及び第２金属層とは別の金属からなる第３金属層をこの順で有する積層体に、第１金属層又は下層の配線層に到達するビア孔が形成され、少なくともそのビア孔の内面に下地導電層を備えるフィルドビア前駆体を作製する工程と、
そのフィルドビア前駆体のビア孔内面を含む略全面に前記第３金属層とは異なる金属の電解メッキを施してメッキ層を形成する工程と、
前記メッキ層のビア孔上方の表面にマスク層を形成する工程と、
前記マスク層を形成したメッキ層を選択的にエッチングして凸状部を形成する工程と、
前記凸状部を除去して平坦化する工程と、
前記第３金属層を選択的にエッチングして露出部を除去する工程とを含むフィルドビアの形成方法。
【請求項２】
前記フィルドビア前駆体を作製する工程が、第１金属層又は下層の配線層、絶縁層、第２金属層、及び第２金属層とは別の金属からなる第３金属層をこの順で有する積層体に、第１金属層又は下層の配線層に到達するビア孔を形成する工程と、前記ビア孔の内面を含む略全面に無電解メッキを施して下地導電層を形成する工程とを含む請求項１記載のフィルドビアの形成方法。
【請求項３】
前記フィルドビア前駆体を作製する工程が、第１金属層又は下層の配線層、及び絶縁層をこの順で有する積層体に、第１金属層又は下層の配線層に到達するビア孔を形成する工程と、前記ビア孔の内面を含む略全面に無電解メッキを施して下地導電層を形成する工程と、前記絶縁層の上面側に所定の厚みとなるように第２金属層をメッキで形成する工程と、前記第３金属層を前記第２金属層の上面に形成する工程とを含む請求項１記載のフィルドビアの形成方法。
【請求項４】
請求項１〜３いずれかに記載のフィルドビアの形成方法により、上下の配線層間を導電接続するフィルドビアを形成する工程を含む多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板の上下の配線層間を導電接続するためのフィルドビアの形成方法、及び当該形成方法を用いた多層配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＬＳＩ等の半導体素子では、集積度が高まると共に動作速度も高速化し、入出力端子数も１０００以上のものが出現している。また、半導体素子のパッケージ構造も半導体チップのサイズに近いものが主流となりつつある。例えば、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）等では半導体チップがフリップチップ接合によりインターポーザに搭載されたパッケージ構造となっている。また、複数の半導体チップを配線基板上に実装したＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ　Ｃｈｉｐ　Ｍｏｄｕｌｅ）も実用化されている。
【０００３】
上記のＢＧＡ用のインターポーザの場合、絶縁層と導体配線層を交互に積層した多層配線基板の片側表面には金等でバンプが形成されて、半導体チップが導電接続される一方、反対表面には金等で表面処理されたパッドが形成されて、半田ボールを介して配線基板の導体配線層上に半田接続される。この多層配線基板では、上下の導体配線層がレーザービア等で導電接続されている。そして、このようなチップ搭載用基板についても、一般の多層配線基板と同様に、多層化、細線化、ビアホールの小径化、薄層化の要求が高まっている。
【０００４】
近年、エキシマーレーザやＹＡＧ第３高調波、第４高調波を用いたレーザ加工機の導入が盛んになり、微小径の孔形成が容易になってきた。孔径の微細化が進むにつれて、孔のアスペクト比（深さを径で割った値）が高くなり、その値は１．５以上のものも出てきている。
【０００５】
ビアホールを形成する際、レーザ等で孔を形成して、下部導体配線層表面を露出させた後、無電解銅めっき等で電気めっきのシード層を形成し、それを電極にして孔内部の側面や底部に一定厚のめっき形成を行う。近年では、ビアホール直上へビアホールを形成して配線の自由度を上げる目的で、孔内部をめっき金属で埋めてしまう、フィルドビアめっきが注目されている。
【０００６】
しかし、フィルドビアめっきでは、電流波形制御や添加剤によって選択的に孔内部にめっき金属を析出させる手法をとっている（例えば、特許文献１参照）。しかし、この方法ではビアが埋まるか否かは孔のアスペクト比に大きく影響しており、その値がおおよそ１．０以下であることが分かっている。
【０００７】
このような問題点を改善するために、孔底部の下地導体配線層を露出させた後、露出金属面を活性化させ、底面から無電解銅で金属層を成長させ、ビアホールを形成する方法が提案されている。この手法を用いると、高アスペクト比を持つ孔であっても、空隙を発生させることなくめっきすることが可能である。しかしながら、無電解銅めっきにて孔内全部を埋めるには、たとえば、３０μｍ深さの孔の場合、１０時間以上かかってしまい量産性に問題がある。
【０００８】
また、高アスペクト比を有する微小径ビアホールに対し、高速でかつ高信頼性のある方法でフィルドビアを形成する方法として、上記の無電解めっきをビアのアスペクト比が１以下になるまで行い、その後、電解メッキを施してフィルドビアメッキを行う方法も知られている（例えば、特許文献２参照）。
【０００９】
【特許文献１】
特開２０００−２７７９１８号公報（第２頁、図１）
【特許文献２】
特開２００２−２３２１４４号公報（第２頁、図１）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のようなフィルドビアの形成方法では、電解メッキを行う際にビアの周辺にも金属が析出し、後にハーフエッチング等を行っても金属層の厚みの制御が困難になるという問題があった。
【００１１】
また、電流密度の調整や添加剤の吸着状態によって、ビア内部へのメッキを選択的に進行させるため、メッキ条件の制御を精度良く行う必要があり、またビア径やビアの配置分布が不均一な場合には、フィルドビアの形成が不可能であった。
【００１２】
そこで、本発明の目的は、メッキ条件の制御が簡易で、回路成形のための金属層の厚みを一定に制御でき、しかもビア径の異なるものが混在する場合にも均一に充填されたフィルドビアが形成できるフィルドビアの形成方法、及び当該形成方法を用いた多層配線基板の製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、下記の如き本発明により達成できる。
即ち、本発明のフィルドビアの形成方法は、第１金属層又は下層の配線層、絶縁層、第２金属層、及び第２金属層とは別の金属からなる第３金属層をこの順で有する積層体に、第１金属層又は下層の配線層に到達するビア孔が形成され、少なくともそのビア孔の内面に下地導電層を備えるフィルドビア前駆体を作製する工程と、そのフィルドビア前駆体のビア孔内面を含む略全面に前記第３金属層とは異なる金属の電解メッキを施してメッキ層を形成する工程と、前記メッキ層のビア孔上方の表面にマスク層を形成する工程と、前記マスク層を形成したメッキ層を選択的にエッチングして凸状部を形成する工程と、前記凸状部を除去して平坦化する工程と、前記第３金属層を選択的にエッチングして露出部を除去する工程とを含むことを特徴とする。
【００１４】
上記において、前記フィルドビア前駆体を作製する工程が、第１金属層又は下層の配線層、絶縁層、第２金属層、及び第２金属層とは別の金属からなる第３金属層をこの順で有する積層体に、第１金属層又は下層の配線層に到達するビア孔を形成する工程と、前記ビア孔の内面を含む略全面に無電解メッキを施して下地導電層を形成する工程とを含むことが好ましい。
【００１５】
あるいは、前記フィルドビア前駆体を作製する工程が、第１金属層又は下層の配線層、及び絶縁層をこの順で有する積層体に、第１金属層又は下層の配線層に到達するビア孔を形成する工程と、前記ビア孔の内面を含む略全面に無電解メッキを施して下地導電層を形成する工程と、前記絶縁層の上面側に所定の厚みとなるように第２金属層をメッキで形成する工程と、前記第３金属層を前記第２金属層の上面に形成する工程とを含むことが好ましい。
【００１６】
一方、本発明の多層配線基板の製造方法は、上記いずれかに記載のフィルドビアの形成方法により、上下の配線層間を導電接続するフィルドビアを形成する工程を含むことを特徴とする。
【００１７】
［作用効果］
本発明のフィルドビアの形成方法によると、ビア孔内面を含む略全面にメッキ層を形成した後にビア孔上方にマスク層を形成してエッチングと凸状部を除去とにより平坦化するため、メッキ条件の制御を精度良く行わなくても、確実にビア孔内にメッキを行うことができる。このとき一旦、エッチングで凸状部を形成するため、研削等によって平坦化するのが容易になる。また、略全面にメッキ層を形成を形成する際に、その厚みを十分確保することで、ビア径の異なるものが混在する場合にも、ビア孔内に確実に充填することができる。更に、上記エッチング時に第３金属層により第２金属層が保護されるため、第３金属層を選択的にエッチングすると、元の厚みの第２金属層が再現される。その結果、メッキ条件の制御が簡易で、回路成形のための金属層の厚みを一定に制御でき、しかもビア径の異なるものが混在する場合にも均一に充填されたフィルドビアが形成できるフィルドビアの形成方法を提供できる。
【００１８】
前記フィルドビア前駆体を作製する工程が、第１金属層又は下層の配線層、絶縁層、第２金属層、及び第２金属層とは別の金属からなる第３金属層をこの順で有する積層体に、第１金属層又は下層の配線層に到達するビア孔を形成する工程と、前記ビア孔の内面を含む略全面に無電解メッキを施して下地導電層を形成する工程とを含む場合、第２金属層に第３金属層が積層され、ビア孔の内面に無電解メッキによる下地導電層を備えるため、ビア孔内への電解メッキが可能なフィルドビア前駆体を、簡易な工程で作製することができる。
【００１９】
前記フィルドビア前駆体を作製する工程が、第１金属層又は下層の配線層、及び絶縁層をこの順で有する積層体に、第１金属層又は下層の配線層に到達するビア孔を形成する工程と、前記ビア孔の内面を含む略全面に無電解メッキを施して下地導電層を形成する工程と、前記絶縁層の上面側に所定の厚みとなるように第２金属層をメッキで形成する工程と、前記第３金属層を前記第２金属層の上面に形成する工程とを含む場合、通常のビアメッキにより第２金属層が形成され、更に第３金属層が積層されて、これら金属層によってビア孔内への電解メッキが可能なフィルドビア前駆体を、簡易な工程で作製することができる。
【００２０】
一方、本発明の多層配線基板の製造方法によると、上記の如き作用効果を奏するフィルドビアの形成方法により、上下の配線層間を導電接続するフィルドビアを形成する工程を含むため、メッキ条件の制御が簡易で、回路成形のための金属層の厚みを一定に制御でき、しかもビア径の異なるものが混在する場合にも均一に充填されたフィルドビアが形成できる多層配線基板の製造方法となる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図１〜図３は、本発明のフィルドビアの形成方法の一例を示す工程図である。
【００２２】
本発明は、第１金属層又は下層の配線層、絶縁層、第２金属層、及び第２金属層とは別の金属からなる第３金属層をこの順で有する積層体に、第１金属層又は下層の配線層に到達するビア孔が形成され、少なくともそのビア孔の内面に下地導電層を備えるフィルドビア前駆体を作製する工程を含む。本実施形態では、図１（１）〜（３）に示すように、前記フィルドビア前駆体を作製する工程が、第１金属層１１（又は下層の配線層）、絶縁層１２、第２金属層１３、及び第２金属層１３とは別の金属からなる第３金属層１４をこの順で有する積層体に、第１金属層１１（又は下層の配線層）に到達するビア孔１６を形成する工程と、前記ビア孔１６の内面を含む略全面に無電解メッキを施して下地導電層１５を形成する工程とを含む例を示す。
【００２３】
本実施形態では、まず、図１（１）に示すような、第１金属層１１、絶縁層１２、第２金属層１３、及び第２金属層１３とは別の金属からなる第３金属層１４をこの順で有する積層体を準備する。第１金属層１１と第２金属層１３とを構成する金属は、同一でも異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。また、金属の種類は、何れでもよいが、これらは配線パターンとなり得るため、銅又は銅を含む合金などが好ましい。第１金属層１１と第２金属層１３との厚みは、例えば５〜１００μｍ程度である。但し、第１金属層１１等の厚みを薄く制御することを目的とする場合、５〜２０μｍが有効となる。本発明では、例えば厚さ１８μｍの銅箔が積層された両面銅張積層板を用いると、厚さ１８μｍ±２μｍに制御することも可能である。
【００２４】
絶縁層１２はエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、反応硬化性樹脂、耐熱性樹脂が樹脂成分として使用され、更にそれをマトリックスとして補強相を有していてもよい。かかる補強相としてはガラス繊維、セラミック繊維、アラミド等の耐熱性繊維などが挙げられる。なお、絶縁層１２の厚みは製品となる多層配線基板の面積、形状、層数にもよるが、２０〜５００μｍ程度である。
【００２５】
第３金属層１４は、そのエッチングが選択的に行えるように、第２金属層１３とは別の金属からなる。また、メッキ層１７のエッチング時に耐性を有する金属が好ましい。具体的には、例えば、第１金属層１１、第２金属層１３、メッキ層１７が銅である場合、金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ニッケル、ロジウム、鉛−錫系はんだ合金、又はニッケル−金合金が挙げられるが、エッチングによる選択的な除去が行え、コスト的にも有利なニッケルが好ましい。
【００２６】
第３金属層１４は、両面銅張積層板の片面に、電解メッキ、無電解メッキなどのメッキ法、蒸着、スパッタリング、クラッドなどで形成することが可能である。第３金属層１４としては、特にニッケルが電解メッキにより形成されているものが好ましい。なお、絶縁層１２に第１金属層１１や第２金属層１３を形成する方法としても同様の方法が採用できる。
【００２７】
第３金属層１４の厚みは、１〜４０μｍ、特に３〜２０μｍが好ましい。この厚みが薄すぎると、バリヤー機能を十分果たしにくく、厚みが厚すぎると、エッチングで除去するのに時間がかかり、材料コスト面からも不利になる。
【００２８】
本実施形態は、図１（２）に示すように、上記の積層体に、第１金属層１１（又は下層の配線層）に到達するビア孔１６を形成する工程を含む。ビア孔１６を形成する方法としては、レーザを用いる方法が好ましい。レーザの種類としては、炭酸ガスレーザ、ＹＡＧ（基本波、第２高調波、第３高調波、第４高調波）レーザ、エキシマーレーザ等が上げられるが、微細孔を形成するには４００ｎｍ以下の短波長レーザであるＹＡＧ第３高調波、第４高調波ならびにエキシマーレーザが好ましい。その際、ビア孔１６を形成する位置に予めエッチングなどで開口部分を設けておいてもよい。
【００２９】
また、絶縁層１２を感光性樹脂で形成しておき、露光・現像などでビア孔１６を形成してもよい。更に、必要に応じて、スミア除去などが行ってもよい。ビア孔１６の内径は例えば２０μｍ〜１ｍｍであり、層間の導電接続のためのビア（これは通常、３０〜２００μｍ程度）だけでなく、層間の放熱のためにフィルドビアを形成したものでもよい。
【００３０】
本実施形態は、図１（３）に示すように、前記ビア孔１６の内面を含む略全面に無電解メッキを施して下地導電層１５を形成する工程を含む。これによって、少なくともそのビア孔１６の内面に下地導電層１５を備えるフィルドビア前駆体を作製することができる。
【００３１】
無電解メッキの方法は、従来公知のメッキ方法を何れも使用可能であり、下地導電層１５を構成する金属も、銅又は銅を含む合金などが好ましい。その厚みは、電解メッキが可能となる程度の導電性が得られる厚み（例えば０．１〜３．０μｍ）でよい。一般的に、絶縁層１２の内面には、触媒化処理してから、無電解銅メッキ、必要により電解銅メッキなどが施される。また、レーザ加工により露出した銅などの第１金属層１１の表面を希塩酸等で表面を活性化してもよい。
【００３２】
無電解メッキを行う際のメッキ液は、各種金属に対応して周知であり、各種のものが市販されている。一般的には、液組成として、金属イオン源、アルカリ源、還元剤、キレート剤、安定剤などを含有する。なお、触媒化処理は、パラジウム等のメッキ触媒を沈着させればよい。
【００３３】
本発明は、図２（４）に示すように、以上のようにして作製したフィルドビア前駆体のビア孔１６内面を含む略全面に前記第３金属層１４とは異なる金属の電解メッキを施してメッキ層１７を形成する工程を含む。メッキ層１７を構成する金属としては、第１金属層１１と第２金属層１３と同様に、銅などが好ましい。
【００３４】
電解メッキも、周知の方法で行うことができるが、一般的には、無電解メッキしたものをメッキ浴内に浸漬しながら、下地導電層１５を陰極とし、メッキする金属の金属イオン補給源を陽極として、電気分解反応により陰極側に金属を析出させることにより行われる。なお、無電解メッキの代わりに他の導電化処理を行ってもよい。
【００３５】
本発明は、図２（５）に示すように、前記メッキ層１７のビア孔上方の表面にマスク層１８を形成する工程を含む。マスク層１８の形成方法は何れでもよいが、スクリーン印刷、ドライフィルムレジスト、感光性樹脂塗料等を用いて形成することができる。ドライフィルムレジストを用いる場合、ドライフィルムレジストの熱圧着、露光、現像が行われる。感光性樹脂塗料の場合、塗布乾燥、露光、現像が行われる。
【００３６】
マスク層１８の個々の大きさ（面積又は外径等）は、ビア孔１６の大きさに対応して決定され、ビア孔１６の大きさと略同じか、それより大きいマスク層１８を形成するのが好ましい。
【００３７】
本発明は、図２（６）に示すように、前記マスク層１８を形成したメッキ層１７を選択的にエッチングして凸状部１７ａを形成する工程を含む。その際、エッチングによる浸食量が多過ぎると、形成される凸状部１７ａが小径化（アンダーカットの増大）して、ビア孔１６内部までエッチングされる場合が生じ、逆に、浸食量が少な過ぎると、残存する凸状部１７ａを除去して平坦化するのが困難になる。従って、上記のエッチングによる浸食の程度は、図２（６）に示す程度か、或いはこれより多少増減する範囲内が好ましい。
【００３８】
エッチングは、メッキ層１７が銅又は銅合金である場合、これらが選択的にエッチング可能なエッチング液で行われ、市販のアルカリエッチング液、過硫酸アンモニウム、過酸化水素／硫酸等が使用できる。エッチングは浸漬やエッチング液のスプレー塗布で行うことができる。
【００３９】
本発明は、図３（７）に示すように、凸状部１７ａを除去して平坦化する工程を含む。これにより、ビア孔１６の内部にのみ充填されたメッキ層１７ｂとその表面の下地導電層１５ａが残存することになる。但し、メッキ層１７ｂと下地導電層１５ａとが同じ金属の場合、両者の区別はつきにくい。
【００４０】
凸状部１７ａの除去による平坦化は、ダイヤモンド製等の硬質刃を回転板の半径方向に複数配置した硬質回転刃を有する研削装置を使用する方法が挙げられ、当該硬質回転刃を回転させながら、固定支持された配線基板の上面に沿って移動させることによって、上面を平坦化することができる。また、ベルトサンダ、バフ研磨等により研磨する方法などが挙げられる。凸状部１７ａを除去する際にも、第３金属層１４は第２金属層１３を保護する機能を有する。
【００４１】
本発明では、マスク層１８の除去を平坦化工程に先立って行ってもよく、これは薬剤除去、剥離除去など、マスク層１８の種類に応じて適宜選択すればよい。例えば、スクリーン印刷により形成された感光性のインクである場合、アルカリ等の薬品にて除去できる。
【００４２】
本発明は、図３（８）に示すように、前記第３金属層１４を選択的にエッチングして露出部を除去する工程を含む。これにより、ビア孔１６の内部のメッキ層１７ｂが第２金属層１３の上面から若干突出した状態となる。また、元の厚みの第２金属層１３が再現される。
【００４３】
選択的なエッチングの方法としては、メッキ層１７のエッチング工程とは異なるエッチング液を用いたエッチング方法が挙げられるが、塩化物エッチング液を用いると金属系レジスト及び銅の両者が浸食されるため、その他のエッチング液を用いるのが好ましい。具体的には、第３金属層１４が前記の金属である場合、はんだ剥離用として市販されている、硝酸系、硫酸系、シアン系などの酸系のエッチング液等を用いるのが好ましい。
【００４４】
以上の製造工程によって、ビア孔１６の内部が金属で充填されたフィルドビアで、第１金属層１１と第２金属層１３とが導電接続された両面金属張積層板が製造できる。
【００４５】
本発明の多層配線基板の製造方法は、以上のようなフィルドビアの形成方法により、上下の配線層間を導電接続するフィルドビアを形成する工程を含むものである。例えば、上記の両面金属張積層板は、エッチングによりパターン形成され、両面配線基板、又は多層配線基板のコア基板もしくは積層用両面配線基板などに使用することができる。パターン形成は、フォトリソグラフィ技術を用いて所定のマスクを形成し、エッチング処理することによって、所定のパターンを持った配線層を形成することができる。
【００４６】
本発明により得られる多層配線基板は、フィルドビアの小径化やファインピッチ化が可能なため、特にＭＣＭやＢＧＡなどのチップ搭載用基板に好適に使用することができる。
【００４７】
［他の実施形態］
以下、本発明の他の実施形態について説明する。
【００４８】
（１）前述の実施形態では、４層構造の積層体にビア孔を形成する例を示したが、本発明では、図４（１）〜図６（１０）に示すように、２層構造の積層体にビア孔を形成するものでもよい。つまり、フィルドビア前駆体を作製する工程が、第１金属層１１又は下層の配線層、及び絶縁層１２をこの順で有する積層体に、第１金属層１１又は下層の配線層に到達するビア孔１６を形成する工程と、前記ビア孔１６の内面を含む略全面に無電解メッキを施して下地導電層１５を形成する工程と、前記絶縁層１２の上面側に所定の厚みとなるように第２金属層１３をメッキで形成する工程と、前記第３金属層１４を前記第２金属層１３の上面に形成する工程とを含むものである。以下、その場合に前述の実施形態と相違する部分を説明する。
【００４９】
先ず、図４（１）に示すような、第１金属層１１又は下層の配線層、及び絶縁層１２をこの順で有する積層体を用意する。図４（２）に示すように、この積層体に、第１金属層１１又は下層の配線層に到達するビア孔１６を形成する。更に、図４（３）に示すように、ビア孔１６の内面を含む略全面に無電解メッキを施して下地導電層１５を形成する。このとき、必要に応じて絶縁層１２の全面に触媒処理が施される。
【００５０】
次に、図５（４）に示すように、絶縁層１２の上面側に所定の厚みとなるように第２金属層１３をメッキで形成する。この工程における第２金属層１３の厚みが再現される。このメッキは銅等の電解メッキにより行うのが好ましい。更に、図５（５）に示すように、第３金属層１４を前記第２金属層１３の上面に形成する。これも電解メッキにより行うのが好ましく、前述したニッケル等の金属が挙げられる。
【００５１】
続く図５（６）〜図６（１０）の工程は、前述の実施形態と同様にして行うことができ、ビア孔１６の内部が金属で充填されたフィルドビアで、第１金属層１１と第２金属層１３とが導電接続されたものが製造できる。但し、ビア孔１６の内部には、下地導電層１５ａ、第２金属層１３ａ、第３金属層１４ａ、及びメッキ層１７ｂが充填されている。
【００５２】
（２）前述の実施形態では、絶縁層の下層に第１金属層が形成されている積層体にフィルドビアを形成する例を例を示したが、本発明では、絶縁層の下層に下層の配線層を有し、更に絶縁層等が形成された多層配線基板に、フィルドビアを形成してもよい。
【００５３】
その場合、下層の配線層に絶縁層、第２金属層、第３金属層を順に又は同時に形成すればよい。例えば、樹脂付き銅箔をラミネートした後、第３金属層を電解メッキにより形成する方法、感光性樹脂や感光性ドライフィルムで絶縁層を形成した後にビア孔を形成する方法などが挙げられる。その後の工程は、前述の実施形態と同様にして行うことができる。
【００５４】
（３）前述の実施形態では、ビア孔の形成後に無電解メッキを施して下地導電層を形成する例を示したが、本発明では、無電解メッキを行わずに、蒸着、スパッタリングなどで下地導電層を形成してもよい。
【００５５】
（４）前述の実施形態では、ビア孔を形成した直後に略全面に無電解メッキを施す例を示したが、本発明では、予めビア孔の底面だけに無電解メッキ又は電解メッキを施して、ビア孔の深さを小さくしてから、略全面に無電解メッキを施した後、電解メッキによりメッキ層を形成してもよい。これによって、アスペクト比の大きいビア孔に対しても好適にフィルドビアを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のフィルドビアの形成方法の一例を示す工程図
【図２】本発明のフィルドビアの形成方法の一例を示す工程図
【図３】本発明のフィルドビアの形成方法の一例を示す工程図
【図４】本発明のフィルドビアの形成方法の他の例を示す工程図
【図５】本発明のフィルドビアの形成方法の他の例を示す工程図
【図６】本発明のフィルドビアの形成方法の他の例を示す工程図
【符号の説明】
１１　　　　　第１金属層
１２　　　　　絶縁層
１３　　　　　第２金属層
１４　　　　　第３金属層
１５　　　　　下地導電層
１６　　　　　ビア孔
１７　　　　　メッキ層
１７ａ　　　　凸状部
１７ｂ　　　　充填されたメッキ層
１８　　　　　マスク層
【図１】
2004119770.tif 000003
【図２】
2004119770.tif 000004
【図３】
2004119770.tif 000005
【図４】
2004119770.tif 000006
【図５】
2004119770.tif 000007
【図６】
2004119770.tif 000008