(57)【要約】【課題】ＬＴＣＣおよびセラミック下地における殊に容易な、従って費用の点で有利な金属被覆物の製造法を提供する。【解決手段】以下の工程：−電気絶縁性下地の少なくとも１表面が、選択された範囲内において、良好な導電性を有する第１の金属の被覆物を備えており、−被覆された表面を清浄化し、−下地上の第１の金属からなる被覆物に、第２の金属の核を用いて核形成し、−この種の核形成された層上に、第２の金属の層を沈降分離させ、−この種の被覆された下地を焼き付けることにより特徴付けられる、絶縁性下地上の導電性被覆物の製造法。【特許請求の範囲】
【請求項１】
　以下の工程：
−電気絶縁性下地の少なくとも１表面が、選択された範囲内において、良好な導電性を有する第１の金属の被覆物を備えており、
−被覆された表面を清浄化し、
−下地上の第１の金属からなる被覆物に、第２の金属の核を用いて核形成し、
−この種の核形成された層上に、第２の金属の層を沈降分離させ、
−この種の被覆された下地を焼き付けること
により特徴付けられる、絶縁性下地上の導電性被覆物の製造法。
【請求項２】
　絶縁性下地（１）としてセラミックまたはＬＴＣＣを使用し、第１の金属（２）として銀を使用する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
　第１の金属（２）の層の核形成（核層３ａ）のために、および第２の金属から層（３ｂ）を製造するために、パラジウムを使用する、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
　第２の金属から層（３ｂ）を製造する際、パラジウムを０．１〜５０％（質量百分率）の割合で沈降分離させる、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
　Ｐｄからなる層を沈降分離させ、このようにして２０％（質量百分率）を上回る量比のパラジウムを生じさせる、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
　核層のみならず第２の金属からなる層をも無通電で沈降分離させる、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
　焼き付け処理を８３０〜８７０℃の温度で行う、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
　導電性被覆物を有する絶縁性下地において、下地（１）がセラミックまたはＬＴＣＣからなり、導電性被覆物が銀およびパラジウムからなり、その際、導電性被覆物のパラジウム含量が０．１〜５０であることを特徴とする、導電性被覆物を有する絶縁性下地。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は絶縁性下地上の導電性被覆物の製造法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　現代のマイクロエレクトロニクスにおいて、回路の集積密度をより一層高めるという既存の要求を満たし得るために、構造部材の大きさのより一層の低下、およびまた受動構造素子の集積化が追求される傾向にある。この目的を達成するための有望な技術は、いわゆる低温同時焼結セラミック（ＬＴＣＣ）であり、これは例えば刊行物"productronic" 8, 1995, 第40頁以下から公知である。ＬＴＣＣとは、例えばＡｇ、ＡｇＰｄ、Ａｕからなる金属被覆ペーストと一緒に、上記金属の融点を下回る比較的低温で焼き付けられるガラス−セラミック混合物と解釈される。
【非特許文献１】"productronic" 8, 1995, 第40頁以下
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
　本発明の課題は、ＬＴＣＣおよびセラミック下地における殊に容易な、従って費用の点で有利な金属被覆物の製造法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
　本発明の利点
　本発明による溶液により、ＬＴＣＣおよびセラミック下地において、殊に容易な、従って費用の点で有利な金属被覆物の製造法が提案される。従来、通常のニッケル電解槽および金電解槽は省略され得り、それによりプロセス進行は単純化され、それによりまたより安全となる。本発明による方法を用いて製造された被覆物は、ボンディング接続部(Bondverbindung)を製造するために特に適当であることが判明した。
【０００５】
　本発明は以下で図に関連して記載される。
【実施例】
【０００６】
　処理を、第１の金属２の層で所々被覆されている電気絶縁性下地１から始める（図１および図５中の工程２０）。下地１として、慣用のセラミックからなる下地が適当である。しかしながらＬＴＣＣからなる下地は殊に好適である。第１の金属として、殊に銀が適当である。第１の金属２は、この第１の金属２が下地１の少なくとも主な表面を所々のみ被覆するように構造化されている。殊に、第１の金属２からなる層は、下地１の主な表面上に広がる条導体の構造を有する。第１の金属２で被覆された電気絶縁性下地１を、次の処理工程（図５中の工程２１）においてまず徹底的に清浄化する。この清浄化のために、通常の標準清浄化剤のガルバノ技術を使用し、この場合この通常の標準清浄化剤は下地の表面上の好ましくない汚染物を除去するはずである。酢酸ナトリウム三水和物を含有する清浄化剤は殊に好適であることが判明した。次の工程（図５中の工程２２）において、第１の金属の層２の清浄化された表面上に、第２の金属からなる核層３ａ（図２）を施与する。核層３aを製造するための核形成のために、有利にパラジウムを使用する。パラジウムを第１の金属上で無通電で沈降分離させる。この場合、実地において、若干の原子層の厚さが実証された。引き続く処理工程（図５中の工程２３）において、図２中の核層３ａから出発して、パラジウムをさらに無通電で沈降分離させることにより、第２の金属の閉鎖された層３ｂを製造し、この場合この層３ｂは、下地１上の第１の金属の層２の表面を被覆する。この被覆処理において、合理的に、パラジウム層を０．１〜５０％の割合で沈降分離させる。即ち、拡散処理の後に、銀中に約０．１〜約５０質量百分率のパラジウムの量比が見出される。この場合、約２０〜２５％を上回るパラジウム含量を有するＡｇＰｄ−合金が殊に有利であることが判明した。即ち、このような合金は、殊に良好な腐食防止性、および銀の移動に対する高い耐久性を有する。この種の合金の場合、純粋な銀の条導体の場合よりも、はんだ浴中での耐浸出性も明らかにより良好である。これにより、卓越したはんだ性が生じる。最後の処理工程（図５中の工程２４）において、被覆された下地１を焼き付ける。焼き付け処理を、８３０〜８７０℃の温度、殊に８５０℃の温度で実施する。この焼き付け処理を、有利に連続式加熱炉または回分式加熱炉中で実施する。焼き付け処理の結果として図４中に示された層構造が生じ、この場合下地１上には第１の金属である銀の層２が配置されており、第１の金属の層２の上には第２の金属であるパラジウムの層３ｃが存在する。層構造の顕微鏡写真において、焼き付け処理の際には、層２の銀と層３ｂのパラジウムとは完全に混合されていないことが明らかである。顕微鏡写真において、銀層中へのパラジウムの拡散が明らかに立証され得る。
【０００７】
　本発明による方法により製造された層は、細いワイヤボンディング接続部のための接触面として殊に適当である。２５〜５０μの直径の金製の細いボンディングワイヤを有する殊に確実なボンディング接続部を製造することができた。ボンディング結果はＡｇＰｄ−条導体ペースト上のボンディングと比較可能である。
【０００８】
　従って、導電性被覆物を有する、本発明による方法により製造された絶縁性下地は、銀およびパラジウムからなる導電性被覆物を有するセラミックまたはＬＴＣＣからなり、その際、導電性被覆物のパラジウム含量は０．１〜５０質量百分率、殊に２０質量百分率を上回る。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の金属の層で所々被覆された下地を示す概略図。
【００１０】
【図２】第２の金属を用いた第１の金属の層の核形成を示す概略図。
【００１１】
【図３】第１の金属の層上の第２の金属の層を有する下地を示す概略図。
【００１２】
【図４】焼き付け処理後の金属被覆物を有する下地を示す概略図。
【００１３】
【図５】処理の進行を示す進行図式を示す図。
【符号の説明】
【００１４】
　１　　下地
　２　　第１の金属
　３ａ　第２の金属の核層
　３ｂ　第２の金属の層
　３ｃ　金属層
　２０　第１の処理工程：部分的に被覆された下地の準備
　２１　第２の処理工程：清浄化
　２２　第３の処理工程：核形成
　２３　第４の処理工程：被覆
　２４　第５の処理工程：焼き付け
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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