(57)【要約】【課題】蒸着マスクを被蒸着基板に接触させたときに生じる素子破損を防止する。【解決手段】単結晶シリコン基板１からなり、所定パターンに開口された蒸着用開口部５を有する蒸着マスク本体６と、蒸着マスク本体６の少なくとも一面に設けられ、蒸着作業時に被蒸着基板に接触するように位置付けされる有機物からなる緩衝層７とを有する。蒸着マスク８を用いて蒸着作業を行うときには、緩衝層７が被蒸着基板に接触することにより、被蒸着基板上に設けられている有機半導体膜などの素子の破損が防止される。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶シリコン基板からなり、所定パターンに開口された蒸着用開口部を有する蒸着マスク本体と、
前記蒸着マスク本体の少なくとも一面に設けられ、蒸着作業時に被蒸着基板に接触するように位置付けされる有機物からなる緩衝層と、
を有する蒸着マスク。
【請求項２】
前記蒸着マスク本体は、２層の単結晶シリコン基板を二酸化シリコン膜を介して接合したＳＯＩウェハから形成され、前記蒸着用開口部は２層の前記単結晶シリコン基板と前記二酸化シリコン膜を個別にエッチングして形成されている請求項１記載の蒸着マスク。
【請求項３】
前記蒸着マスク本体と前記緩衝層との間に磁性体膜が設けられている請求項１又は２記載の蒸着マスク。
【請求項４】
前記緩衝層は、ポリパラキシリレン又はその誘導体材料からなる請求項１ないし３のいずれか一記載の蒸着マスク。
【請求項５】
単結晶シリコン基板に蒸着用開口部を開口して蒸着マスク本体を形成する蒸着マスク本体形成工程と、
蒸着作業時に被蒸着基板に接触するように位置付けされる有機物からなる緩衝層を前記蒸着マスク本体の少なくとも一面に設ける緩衝層設置工程と、
を有する蒸着マスクの製造方法。
【請求項６】
前記蒸着マスク本体と前記緩衝層との間に磁性体膜を設ける磁性体膜設置工程を有する請求項５記載の蒸着マスクの製造方法。
【請求項７】
単結晶シリコン基板からなり、所定パターンに開口された蒸着用開口部を有する蒸着マスク本体と、前記蒸着マスク本体の少なくとも一面に設けられ、蒸着作業時に被蒸着基板に接触するように位置付けされる有機物からなる緩衝層を有する蒸着マスクの洗浄方法であって、
前記緩衝層を除去することにより蒸着マスクを洗浄するようにした蒸着マスクの洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び蒸着マスクの洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、有機半導体材料を用いた薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）において、各素子（有機半導体膜、ソース電極、ドレイン電極等）を蒸着によって成膜する場合、金属シートに蒸着用開口部を設けた蒸着マスクを使用する方法が採用されており、このような蒸着マスクとしては、様々なものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−１４５８４４公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、蒸着マスクを被蒸着基板に接触させて蒸着作業を行う場合、蒸着マスクが被蒸着基板上の有機半導体膜に接触してその有機半導体膜を破損することがある。
【０００５】
また、蒸着作業により蒸着マスクに蒸着材料が堆積すると、蒸着により形成する各素子の寸法精度が低下する原因となるが、堆積した蒸着材料を洗浄することは困難である。
【０００６】
本発明の目的は、蒸着マスクを被蒸着基板に接触させたときに生じる素子破損を防止することである。
【０００７】
本発明の別の目的は、蒸着マスクを被蒸着基板に良好に接触させ、蒸着により形成される素子の寸法精度、位置精度等の向上を図ることである。
【０００８】
本発明の別の目的は、蒸着作業により堆積した蒸着材料の洗浄を容易に行えるようにすることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明の蒸着マスクは、単結晶シリコン基板からなり、所定パターンに開口された蒸着用開口部を有する蒸着マスク本体と、前記蒸着マスク本体の少なくとも一面に設けられ、蒸着作業時に被蒸着基板に接触するように位置付けされる有機物からなる緩衝層と、を有する。
【００１０】
したがって、蒸着マスクを用いて蒸着作業を行うときには、緩衝層が被蒸着基板に接触するので、被蒸着基板上に設けられている有機半導体膜などの素子が蒸着マスクとの接触により破損することが防止される。
【００１１】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の蒸着マスクにおいて、前記蒸着マスク本体は、２層の単結晶シリコン基板を二酸化シリコン膜を介して接合したＳＯＩウェハから形成され、前記蒸着用開口部は２層の前記単結晶シリコン基板と前記二酸化シリコン膜を個別にエッチングして形成されている。
【００１２】
したがって、２層の単結晶シリコン基板と二酸化シリコン膜とを個別にエッチング処理して蒸着用開口部を形成することにより、この蒸着用開口部を形成するにあたってのプロセス管理が容易になり、より寸法精度の高い蒸着用開口部を形成することが可能になる。
【００１３】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の蒸着マスクにおいて、前記蒸着マスク本体と前記緩衝層との間に磁性体膜が設けられている。
【００１４】
したがって、被蒸着基板に蒸着マスクを接触させて蒸着作業を行うとき、被蒸着基板における蒸着マスクとの接触面の背面側に磁石を配置することにより、緩衝層が被蒸着基板に良好に密着し、蒸着により形成される素子のパターン転写性が向上し、それらの素子の寸法精度、位置精度等が向上する。
【００１５】
請求項４記載の発明は、請求項１ないし３のいずれか一記載の蒸着マスクにおいて、前記緩衝層は、ポリパラキシリレン又はその誘導体材料からなる。
【００１６】
したがって、ポリパラキシリレン又はその誘導体材料は、接触抵抗が低く、機械的強度も低いので、被蒸着基板上に設けられている有機半導体膜などの素子との接触による当該素子の破損防止が実現される。
【００１７】
また、蒸着法でポリパラキシリレン又はその誘導体材料からなる緩衝層を形成する場合、蒸着時間を管理することで、蒸着マスクの表面及び蒸着用開口部の側面に所望の厚みの緩衝層を均一に形成することができる。したがって、緩衝層の厚みを精密に管理することで、蒸着マスクに形成される蒸着用開口部の穴径を、単結晶シリコン基板に対する穴加工の加工精度以上に加工することも可能である。
【００１８】
請求項５記載の蒸着マスクの製造方法は、単結晶シリコン基板に蒸着用開口部を開口して蒸着マスク本体を形成する蒸着マスク本体形成工程と、蒸着作業時に被蒸着基板に接触するように位置付けされる有機物からなる緩衝層を前記蒸着マスク本体の少なくとも一面に設ける緩衝層設置工程と、を有する。
【００１９】
したがって、緩衝層を有する蒸着マスクの製造を容易に行える。
【００２０】
請求項６記載の発明は、請求項５記載の蒸着マスタの製造方法において、前記蒸着マスク本体と前記緩衝層との間に磁性体膜を設ける磁性体膜設置工程を有する。
【００２１】
したがって、蒸着マスク本体と緩衝層との間に磁性体膜を設けた蒸着マスクの製造を容易に行える。
【００２２】
請求項７記載の発明の蒸着マスクの洗浄方法は、単結晶シリコン基板からなり、所定パターンに開口された蒸着用開口部を有する蒸着マスク本体と、前記蒸着マスク本体の少なくとも一面に設けられ、蒸着作業時に被蒸着基板に接触するように位置付けされる有機物からなる緩衝層を有する蒸着マスクの洗浄方法であって、前記緩衝層を除去することにより蒸着マスクを洗浄するようにした。
【００２３】
したがって、蒸着作業時には緩衝層の上に蒸着材料が堆積されるので、蒸着作業終了後に緩衝層を除去することにより、蒸着マスクの洗浄を効果的に行える。なお、緩衝層を除去することによる蒸着マスクの洗浄効果を高めるためには、緩衝層を蒸着マスク本体の周面の全域に設けることがより好適である。
【００２４】
【発明の実施の形態】
本発明の第１の実施の形態を図１ないし図４に基づいて説明する。図１は蒸着マスクを示す平面図、図２は蒸着マスクの製造工程を説明する工程図、図３は製造した蒸着マスクを用いて行う有機ＴＦＴの製造工程を説明する工程図である。
【００２５】
まず、図２に基づいて蒸着マスクの製造工程を説明する。なお、この製造工程の各図は、図１におけるＡ−Ａ線断面部を示したものである。
【００２６】
まず、図２（ａ）に示すように、例えば、厚みが５００μｍ程度の単結晶シリコン基板１の表面側に公知のフォトレジストプロセスを利用して、フォトレジスト膜パターン２を形成する。
【００２７】
つぎに、図２（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜パターン２をマスクとして、単結晶シリコン基板１をエッチングして堀部３を形成する。このエッチングでは、Ｃｌ２  ガスやＳＦ６  ガスを用いたドライエッチングで１０〜３０μｍの堀加工を行う。
【００２８】
つぎに、図２（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜パターン２を除去する。なお、図２（ｃ）に示した工程終了後、単結晶シリコン基板１の全表面に、二酸化シリコン膜、又は、窒化シリコン膜を形成しても良い。これらの二酸化シリコン膜、窒化シリコン膜は、その後に行う処理工程において単結晶シリコン基板１を保護するものであり、後に、適当なタイミングで除去されるものである。
【００２９】
つぎに、図２（ｄ）に示すように、単結晶シリコン基板１の裏面側からエッチング加工する。このエッチング加工では、単結晶シリコン基板１の周辺部に枠形状の梁構造部４を残し、中央部分を堀部３に達するまでエッチングする。そして、堀部３に達するまでエッチングされることによりその堀部３が蒸着用開口部５となり、ここに、梁構造部４と蒸着用開口部５とを有する蒸着マスク本体６が形成される。前工程で二酸化シリコン膜、又は、窒化シリコン膜を形成した場合は、その膜を除去する。
【００３０】
上述した図２（ａ）〜図２（ｄ）の加工工程によれば、２つの蒸着用開口部５の間を１μｍ幅に微細加工ができる。図２（ｄ）のエッチングによる幅Ｗは、蒸着マスク本体６の機械的強度を支配するもので、蒸着用開口部５が形成された部分の厚み寸法ｔ＝３０μｍの場合、Ｗは８０００μｍまで大きくしても蒸着マスク本体６は十分な機械的強度を確保できた。
【００３１】
つぎに、図２（ｅ）に示すように、蒸着マスク本体６の全周面に、ポリパラキシリレン又はその誘導体材料からなる有機物の緩衝層７を蒸着により形成する。そして、蒸着マスク本体６に緩衝層７を形成することにより、最終的な蒸着マスク８が形成される。
【００３２】
ポリパラキシリレンの層を形成する場合には、第三化成社製のｄｉＸ  Ｆを原材料に、減圧下１００〜１７０℃の温度にて昇華させ、引き続き熱分解炉に導入する。熱分解温度を６５０℃にし、ダイマーの解離処理をさせた後、図２（ｄ）に示す蒸着マスク本体６を設置した成膜室に導入する。これにより、室温にて成膜され、膜厚０．５μｍのポリパラキシリレンの層が形成される。
【００３３】
ポリパラキシリレン材料には塩素置換したもの、フッ素置換したものなどがある。原材料の持つ蒸気圧により成膜性（膜の成長速度とこれに関連した膜厚制御性）が変わる。上記１μｍ以下の成膜には蒸気圧の低いフッ素置換したポリパラキシリレン材料が、またそれ以上の厚い膜厚には塩素置換したものが選択される。
【００３４】
このポリパラキシリレンの層（コーティング膜）は、従来の液状コーティングや粉末コーティングでは不可能な精密コーティングが可能であるほか、コーティング時被着物の形状、材質を選ばず、しかも、室温でのコーティングが可能であるなど、他に類の無い数々の優れた特質を有する事により、超精密部品のコーティングをはじめ、汎用品のコーティングに至るまで、最適なコンフォーマル（同型）コーティング被膜として知られている。具体的には、ハイブリッドＩＣの絶縁膜コーティング、ディスクドライブ部品のダスト粉の発生防止、ステッピングモーターの潤滑用膜、生体材料の腐食防止膜にその応用例を見ることができる。
【００３５】
図３は、製造した蒸着マスク８を用いて行う有機ＴＦＴの製造工程を説明する工程図である。まず、図３（ａ）に示すように、高い不純物濃度にドーピングしたＰ型シリコンウェハ９を有機ＴＦＴ作製基板兼ゲート電極として準備する。
【００３６】
つぎに、図３（ｂ）に示すように、水蒸気酸化法により、そのＰ型シリコンウェハ９の周面に熱酸化膜１０を膜厚５０ｎｍで形成する。
【００３７】
つぎに、Ｐ型シリコンウェハ９の表面側の熱酸化膜１０をフォトレジスト膜（図示せず）で覆い、緩衝フッ酸溶液で側面及び裏面の熱酸化膜１０を除去し、その後、フォトレジスト膜を除去する（図３（ｃ）参照）。すなわち、Ｐ型シリコンウェハ９の表面側にのみ熱酸化膜１０を形成したようにする。
【００３８】
つぎに、ゲート電極９のコンタクト電極として、Ｐ型シリコンウェハ９の裏面側にＡｌ電極膜１１を蒸着法にて３００ｎｍ成膜し、オーミック接触を得るために２００℃、３０分のアニール処理を行う（図３（ｄ）参照）。
【００３９】
つぎに、有機半導体材料であるペンタセンからなる有機半導体膜１２を真空蒸着法で熱酸化膜１０上に８０ｎｍ成膜する（図３（ｅ）参照）。このペンタセンからなる有機半導体膜１２は、蒸着マスク法により、例えば１００μｍ×１００μｍにパターン化成膜する。この蒸着マスク法による成膜では最小パターン寸法が比較的大きいので従来の金属シートで形成した蒸着マスクにて実行してもよい。また、Ｐ型シリコンウェハ９にＡｌ電極膜１１や有機半導体膜１２を形成したものが、上述した蒸着マスク８を用いて蒸着を行う被蒸着基板１３とされる。
【００４０】
つぎに、図３（ｆ）に示すように、蒸着マスク８の緩衝層７が被蒸着基板１３の有機半導体膜１２に接触するように位置付けし、蒸着作業を行う。
【００４１】
蒸着作業終了後、蒸着マスク８を取外すことにより、図３（ｇ）に示すように、有機半導体膜１２上に、ソース電極１４とドレイン電極１５とが形成される。ソース電極１４とドレイン電極１５との電極間距離Ｌが１μｍ、電極幅Ｗが２００μｍの有機ＴＦＴを形成することができる。なお、ソース電極１４、ドレイン電極１５は、蒸着材料としてＡｕを用い、膜厚を５０ｎｍに成膜した。
【００４２】
ここで、有機ＴＦＴの設計に用いる基本式としては、以下の（１）式が知られている。
【００４３】
【数１】
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【００４４】
Ｉｄ  ：ソース電極、ドレイン電極間の電流
ＣＯＸ：固有静電容量（Ｆ／ｍ２）
μ  ：電界効果移動度（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）
Ｖｇ  ：印加ゲート電圧（Ｖ）
Ｖｔｈ：閾値電圧（Ｖ）
Ｌ  ：ソース電極、ドレイン電極の電極間距離
Ｗ  ：ソース電極、ドレイン電極の電極幅
すなわち、上述した（１）式によれば、ソース電極１４、ドレイン電極１５間の電流“Ｉｄ  ”を大きくするためには、ソース電極１４、ドレイン電極１５の電極間距離“Ｌ”を小さくすることが有効であることがわかる。
【００４５】
ところで、特許文献１に開示されたように、金属シートに蒸着用開口部を形成した蒸着マスクを用いて有機ＴＦＴを製造した場合、現状の電鋳法で２つの蒸着用開口部を形成すると、その蒸着用開口部の間隔を２０μｍ以下にすることは困難である。
【００４６】
このようにして得られた有機ＴＦＴの特性を図４に示す。式（１）から算出される移動度は約０．２ｃｍ２  ／Ｖｓであり、２つの蒸着用開口部の間隔を約２０μｍとした従来値と遜色のない値を示した。
【００４７】
また、図４に示すゲート電圧−１６Ｖ、ソース／ドレイン電圧−１６Ｖ印加時におけるドレイン電流−５００μＡを得るには、従来の金属シートの蒸着マスクで製造した有機ＴＦＴでは、Ｌ＝２０μｍの有機ＴＦＴしか作製できず、ドレイン電流値−５００μＡを達成するには、約４０００〜５０００μｍの電極幅を必要とする．本発明の微細開口シャドウマスクの使用により、トランジスタ面積で約１／２０の小型化を達成できる。
【００４８】
このような構成において、有機物であるポリパラキシリレン又はその誘導体材料からなる有機物の緩衝層７は、疎水性であって摩擦抵抗、接触抵抗が低く、機械的強度も低い。
【００４９】
このような緩衝層７を、図３（ｆ）に示すように被蒸着基板１３の有機半導体膜１２に接触させて蒸着作業を行うことにより、蒸着作業時における有機半導体膜１２の破損が防止される。
【００５０】
ここで、上述した緩衝層７の効果を調べるため、下記の表１に示す実験を行った。
【００５１】
【表１】
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【００５２】
実験の条件は、以下の通りである。
基板：熱酸化膜付シリコンウェハ
有機半導体膜の材料：ペンタセン、膜厚１０ｎｍ
蒸着マスク：ポリパラキシリレンからなる緩衝層あるもの、ないもの
蒸着マスクと有機半導体膜との接触条件：有機半導体膜を成膜後、各種蒸着マスクを接触させ、Ｘ、Ｙ方向に±５００μｍ摺動する．摺動時の荷重は自重のみ．
電極形状：電極間距離（Ｌ）１０μｍ、電極幅（Ｗ）２０００μｍ
電極材料：Ａｕ（膜厚５０ｎｍ）
サンプル数：５０ビット
評価方法：抵抗率
ペンタセン半導体膜は脆く、衝撃により剥離しやすい。蒸着マスクとの接触により、電極間に位置したペンタセンが剥離すると抵抗率が増加する。抵抗率が１０％以上の上昇ビットをＮＧとした。
【００５３】
表１に現れた実験結果によれば、緩衝層を設けることにより衝撃緩衝作用が現れ、緩衝層の膜厚が０．１μｍから顕著に現れることが判明した。
【００５４】
蒸着マスク８を用いて蒸着作業を行った場合、蒸着マスク８（より正確には、蒸着マスク本体６の全周面に設けられている緩衝層７）の上には、蒸着材料が付着する。そこで、所定量の蒸着材料の付着が認められた場合には、蒸着作業が終了した後に緩衝層７を除去する。緩衝層７を除去することにより、堆積した蒸着材料を除去することができる。この方法は、一般にリフトオフと呼ばれる除去法であり、本実施の形態の蒸着マスク８のマスク洗浄が容易に実行されることになる。
【００５５】
緩衝層７を除去することにより蒸着マスク８の洗浄を行った場合には、緩衝層７を除去された蒸着マスク本体６に対して再度緩衝層７を蒸着することにより蒸着マスク８を製造することができ、蒸着マスク８のリサイクル性が向上する。
【００５６】
なお、本実施の形態では、緩衝層７を蒸着マスク本体６の全周面に設けた場合を例に挙げて説明したが、蒸着作業時に有機半導体膜１２に接触する部分にのみ設けてもよい。
【００５７】
本発明の第２の実施の形態を図５及び図６に基づいて説明する。なお、図１ないし図４において説明した部分と同じ部分は同じ符号で示し、説明も省略する（以下の実施の形態でも同じ）。
【００５８】
本実施の形態の蒸着マスク８ａは、図２（ａ）〜図２（ｄ）の工程により蒸着マスク本体６を形成し、その後、蒸着マスク本体６における蒸着作業時に被蒸着基板１３（図３参照）に対向して位置付けられる面に磁性体膜１６を設け、この磁性体膜１６を覆うように緩衝層７を設けたものである。
【００５９】
磁性体膜１６は、鉄をスパッタリングで１００ｎｍの膜厚に堆積することにより形成されている。なお、鉄に代えて、窒化鉄などの金属窒化物、酸化物磁性体を用いてもよい。
【００６０】
このような構成において、この蒸着マスク８ａを用いて蒸着作業を行う場合には、図６に示すように、蒸着マスク８ａの緩衝層７が被蒸着基板１３の有機半導体膜１２に接触するように位置付けし、さらに、被蒸着基板１３における蒸着マスク８ａとの接触面の背面側に磁石１７を配置する。
【００６１】
これにより、磁石１７の磁力が磁性体膜１６に作用し、緩衝層７が有機半導体膜１２に良好に密着し、蒸着により形成されるソース電極１４やドレイン電極１５等のパターン転写性が向上し、ソース電極１４やドレイン電極１５等の寸法精度、位置精度等が向上する。
【００６２】
本実施の形態においても、蒸着マスク８ａを用いて蒸着作業を行った場合、蒸着マスク８ａ（より正確には、蒸着マスク本体６の全周面に設けられている緩衝層７）の上には、蒸着材料が付着する。そこで、所定量の蒸着材料の付着が認められた場合には、蒸着作業が終了した後に緩衝層７を除去する。緩衝層７を除去することにより、堆積した蒸着材料を除去することができ、本実施の形態の蒸着マスク８ａのマスク洗浄が容易に実行されることになる。
【００６３】
本発明の第３の実施の形態を図７に基づいて説明する。図７は、本実施の形態の蒸着マスク８ｂの製造工程を示すもので、基本的構成は図２に示した第１の実施の形態と同じである。
【００６４】
まず、図７（ａ）に示すように、２層の単結晶シリコン基板（ベースウェハ１８と、ボンドウェハ１９）を二酸化シリコン膜（埋め込み酸化膜）２０を介して接合したＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェハ２１を準備し、このＳＯＩウェハ２１におけるボンドウェハ１９の表面に、公知のフォトレジストプロセスを利用してフォトレジスト膜パターン２を形成する。なお、ベースウェハ１８の厚みを５００μｍ、ボンドウェハ１９の厚みを７μｍ、二酸化シリコン膜２０の厚みを０．５μｍとする。
【００６５】
つぎに、図７（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜パターン２をマスクとして、ボンドウェハ１９を二酸化シリコン膜２０の表面までエッチングして堀部３を形成する。このエッチングでは、Ｃｌ２  ガスやＳＦ６  ガスを用いたドライエッチングでボンドウェハ１９の厚みに相当する堀加工を行う。
【００６６】
つぎに、図７（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜パターン２を除去する。なお、図７（ｃ）に示した工程終了後、ＳＯＩウェハ２１の全表面に、二酸化シリコン膜、又は、窒化シリコン膜を形成しても良い。これらの二酸化シリコン膜、窒化シリコン膜は、その後行う処理工程においてＳＯＩウェハ２１を保護するものであり、後に、適当なタイミングで除去されるものである。
【００６７】
つぎに、図７（ｄ）に示すように、ベースウェハ１８の表面側から二酸化シリコン膜２０に向けて所望する形状にエッチング加工する。
【００６８】
つぎに、図７（ｅ）に示すように、図７（ｄ）のエッチング加工により露出した二酸化シリコン膜２０を、ベースウェハ１８側又はボンドウェハ１９側からドライエッチングし、又は、緩衝フッ酸水溶液でウェットエッチングして除去する。これにより、ＳＯＩウェハ２１の周辺部にベースウェハ１８の板厚に相当する高さ寸法の枠形状の梁構造部４を残し、中央部分に蒸着用開口部５を有する蒸着マスク本体６ａが形成される。前工程で二酸化シリコン膜、又は、窒化シリコン膜を形成した場合は、その膜を除去する。
【００６９】
上述した図７（ａ）〜図７（ｅ）の加工工程によれば、２つの蒸着用開口部５の間を１μｍ幅に微細加工ができる。図７（ｅ）のエッチングによる幅Ｗは、蒸着マスク本体６ａの機械的強度を支配するもので、蒸着用開口部５が形成された部分の厚み寸法ｔ＝２０μｍの場合、Ｗは７５００μｍまで、ｔ＝７μｍの場合は５０００μｍまで大きくしても蒸着マスク本体６ａは十分な機械的強度を確保できた。また、ベースウェハ１８とボンドウェハ１９と二酸化シリコン膜２０とからなるＳＯＩウェハ２１を準備し、ベースウェハ１８とボンドウェハ１９と二酸化シリコン膜２０とを個々にエッチングして蒸着用開口部５を形成することにより、この蒸着用開口部５を形成するにあたってのプロセス管理が容易になり、より寸法精度の高い蒸着用開口部５を形成することが可能となる。
【００７０】
つぎに、図７（ｆ）に示すように、蒸着マスク本体６ａの全周面に、ポリパラキシリレン又はその誘導体材料からなる有機物の緩衝層７を設ける。そして、蒸着マスク本体６ａに緩衝層７を設けることにより、最終的な蒸着マスク８ｂが形成される。
【００７１】
このような構成において、この蒸着マスク８ｂを用いて蒸着作業を行うときに、緩衝層７を被蒸着基板１３の有機半導体膜１２に接触させて蒸着作業を行うことにより（図３（ｆ）参照）、蒸着作業時における有機半導体膜１２の破損が防止される。
【００７２】
なお、本実施の形態において、第２の実施の形態で説明した磁性体膜１６（図５参照）を蒸着マスク本体６ａと緩衝層７との間に設ければ、蒸着作業時に緩衝層７を有機半導体膜１２により良好に接触させることができ、蒸着により形成されるソース電極１４やドレイン電極１５等のパターン転写性が向上し、ソース電極１４やドレイン電極１５等の寸法精度、位置精度等が向上する。
【００７３】
また、蒸着作業に伴い蒸着マスク８ｂ（より正確には、蒸着マスク本体６ａの全周面に設けられている緩衝層７）の上に蒸着材料が付着した場合には、緩衝層７を除去することにより、堆積した蒸着材料を除去することができ、本実施の形態の蒸着マスク８ｂのマスク洗浄が容易に実行されることになる。
【００７４】
【発明の効果】
請求項１記載の発明の蒸着マスクによれば、蒸着作業を行うとき緩衝層が被蒸着基板に接触するように蒸着マスクを位置付けすることにより、被蒸着基板上に設けられている有機半導体膜などの素子が蒸着マスクとの接触により破損することを防止できる。
【００７５】
請求項２記載の発明によれば、請求項１記載の蒸着マスクにおいて、前記蒸着マスク本体は、２層の単結晶シリコン基板を二酸化シリコン膜を介して接合したＳＯＩウェハから形成され、前記蒸着用開口部は２層の前記単結晶シリコン基板と前記二酸化シリコン膜を個別にエッチングして形成されているので、２層の単結晶シリコン基板と二酸化シリコン膜とを個別にエッチング処理して蒸着用開口部を形成することにより、この蒸着用開口部を形成するにあたってのプロセス管理が容易になり、より寸法精度の高い蒸着用開口部を形成することができる。
【００７６】
請求項３記載の発明によれば、請求項１又は２記載の蒸着マスクにおいて、前記蒸着マスク本体と前記緩衝層との間に磁性体膜が設けられているので、被蒸着基板に蒸着マスクを接触させて蒸着作業を行うとき、被蒸着基板における蒸着マスクとの接触面の背面側に磁石を配置することにより、緩衝層を被蒸着基板に良好に密着させることができ、蒸着により形成される素子のパターン転写性が向上し、それらの素子の寸法精度、位置精度等を向上させることができる。
【００７７】
請求項４記載の発明によれば、請求項１ないし３のいずれか一記載の蒸着マスクにおいて、前記緩衝層は、ポリパラキシリレン又はその誘導体材料からなり、これらのポリパラキシリレン又はその誘導体材料は、接触抵抗が低く、機械的強度も低いので、被蒸着基板上に設けられている有機半導体膜などの素子との接触による当該素子の破損防止を効果的に実現できる。
【００７８】
請求項５記載の蒸着マスクの製造方法によれば、単結晶シリコン基板に蒸着用開口部を開口して蒸着マスク本体を形成する蒸着マスク本体形成工程と、蒸着作業時に被蒸着基板に接触するように位置付けされる有機物からなる緩衝層を前記蒸着マスク本体の少なくとも一面に設ける緩衝層設置工程と、を有するので、緩衝層を有する蒸着マスクの製造を容易に行うことができる。
【００７９】
請求項６記載の発明によれば、請求項５記載の蒸着マスタの製造方法において、前記蒸着マスク本体と前記緩衝層との間に磁性体膜を設ける磁性体膜設置工程を有するので、蒸着マスク本体と緩衝層との間に磁性体膜を設けた蒸着マスクの製造を容易に行うことができる。
【００８０】
請求項７記載の発明の蒸着マスクの洗浄方法によれば、緩衝層を除去することにより、蒸着マスクの洗浄を簡単に行うことができ、しかも、蒸着マスクのリサイクル性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の蒸着マスクを示す平面図である。
【図２】蒸着マスクの製造工程を説明する工程図である。
【図３】製造した蒸着マスクを用いて行う有機ＴＦＴの製造工程を説明する工程図である。
【図４】有機ＴＦＴの特性を示すグラフである。
【図５】本発明の第２の実施の形態の蒸着マスクを示す断面図である。
【図６】その蒸着マスクを用いた蒸着作業時の蒸着マスクと被蒸着基板と磁石との配置関係を示す断面図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態の蒸着マスクの製造工程を説明する工程図である。
【符号の説明】
１      単結晶シリコン基板
５      蒸着用開口部
６      蒸着マスク本体
６ａ    蒸着マスク本体
７      緩衝層
１６      磁性体膜
１８、１９  ２層の単結晶シリコン基板
２０      二酸化シリコン膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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