(57)【要約】【課題】　Ｓｉエッチングにおいて高アスペクト比とエッチング速度の向上を達成すること。【解決手段】　処理ガス供給部４２よりＣｌ2／Ｏ2／ＮＦ3混合ガスをエッチングガスとしてチャンバ１０内に導入し、レジデンスタイムが約１８０nsec以上の条件でエッチング処理を行う。第１の高周波電源５８より６０ＭＨｚ付近の高周波を所定のパワーで上部電極３０に印加するとともに、第２の高周波電源６４より２ＭＨｚ付近の高周波を所定のパワーで下部電極（サセプタ）１６に印加する。上部電極３０の多孔付き電極板またはシャワーヘッド３６より吐出されたエッチングガスは電極間のグロー放電中でプラズマ化し、このプラズマで生成されるラジカルやイオンによってＳｉウエハＷがエッチングされる。【選択図】　　図１
2004119972.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　処理容器内でＳｉ基板またはＳｉ層をドライエッチングするに際して、Ｃｌ2とＯ2とＮＦ3とを含む混合ガスをエッチングガスとして使用し、下記の式(1)で表されるレジデンスタイムτが約１８０msec以上の条件でエッチング処理を行うＳｉエッチング方法。
　　τ＝ｐＶ／Ｑ　　‥‥‥(1)
　ここで、ｐは処理容器内の圧力、Ｖは被処理体上に設定される有効なエッチング空間の体積、Ｑはエッチングガスの流量である。
【請求項２】
　Ｃｌ2とＯ2の合計流量が前記エッチングガスの総流量の約８０％以下である請求項１に記載のＳｉエッチング方法。
【請求項３】
　前記エッチングガスにおけるＣｌ2とＯ2の合計流量に対するＯ2の流量の比が約０．１〜０．３の範囲内である請求項１に記載のＳｉエッチング方法。
【請求項４】
　前記エッチングガスの総流量が約１００sccm以下である請求項１に記載のＳｉエッチング方法。
【請求項５】
　前記処理容器内の圧力が２０mTorr〜２００mTorrの範囲内に設定される請求項１に記載のＳｉエッチング方法。
【請求項６】
　前記処理容器内の電極間距離が３０ｍｍ〜３００ｍｍの範囲内に設定される請求項１に記載のＳｉエッチング方法。
【請求項７】
　Ｓｉ基板またはＳｉ層をドライエッチングするエッチング装置であって、
　ガス導入口と排気口とを有し、前記Ｓｉ基板またはＳｉ層を含む被処理体を出し入れ可能に収容する処理容器と、
　Ｃｌ2ガスとＯ2ガスとＮＦ3ガスとを所望の流量比で混合し、混合したガスをエッチングガスとして前記処理容器内に前記ガス導入口を介して供給するエッチングガス供給手段と、
　前記エッチングガスをプラズマ化するプラズマ発生手段と、
　前記処理容器内を前記排気口を介して排気して所望のエッチング圧力を与える排気手段とを有し、
　下記の式(2)で表されるレジデンスタイムτが約１８０msec以上の条件でエッチング処理を行うエッチング装置。
　　τ＝ｐＶ／Ｑ　　‥‥‥(2)
　ここで、ｐは処理容器内の圧力、Ｖは被処理体上に設定される有効なエッチング空間の体積、Ｑはエッチングガスの全流量である。
【請求項８】
　前記エッチングガス供給手段が、前記エッチングガスを約１００sccm以下の流量で前記処理容器に供給する請求項７に記載のエッチング装置。
【請求項９】
　前記排気手段が、前記処理容器内を２０mTorr〜２００mTorrの範囲内に減圧する請求項７に記載のエッチング装置。
【請求項１０】
　前記処理容器内に電極間距離が３０ｍｍ〜３００ｍｍの範囲内に設定された上部電極と下部電極とを有する請求項７に記載のエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、Ｓｉ（シリコン）をエッチングする技術に係わり、特にＳｉ基板またはＳｉ層に開口径の小さい深溝のトレンチを形成する加工に用いて好適なエッチング方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
　ＬＳＩ（Large Scale Integrated circuit）における素子分離用の一般的なトレンチ分離法はＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）である。ＳＴＩでは、レジストまたは絶縁膜をマスクとしてＳｉ基板をドライエッチングして、深さ１μｍ以下の比較的浅い溝（トレンチ）を形成する。このトレンチエッチングには、溝の深さおよび形状、特に側壁角度（テーパ角）を制御する技術が要求される。
【０００３】
　従来より、ＳＴＩ用のエッチングガスには、Ｂr（臭素）をベースとする混合ガス、典型的にはＨＢr／Ｏ2混合ガスが多く用いられている。ＨＢｒは、Ｏ2の作用によってトレンチ側壁に形成される酸化膜（ＳiＯ2）に対する攻撃性が比較的弱くてテーパ形状を作りやすく、ＦやＣｌのような他のハロゲン系ガスよりも側壁保護膜の厚みやテーパ角の制御が容易である。ＳＴＩにおいては、溝が浅いため、テーパ形状はさほど不都合なものではなく、むしろ溝を絶縁膜で埋め込む際にはボイドの発生を防止できる点で、テーパ形状の方が厳密な垂直形状よりも好ましいとされている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　ところで、ＬＳＩの高密度化および微細化に伴ない、素子分離能力の高いトレンチ分離法としてＤＴＩ（Deep Trench Isolation）が注目されてきている。ＤＴＩでは、Ｓｉ基板に深さ３〜５μｍ程の比較的深い溝（トレンチ）を形成するため、ＳＴＩよりも格段に高いアスペクト比に対応できるトレンチエッチング技術を必要とする。
【０００５】
　ＨＢr／Ｏ2混合ガスは、高アスペクト比のトレンチエッチングを行なえないため、ＤＴＩには対応できない。また、エッチング速度が遅く、処理効率ないし生産性が低いという問題もある。
【０００６】
　本発明は、かかる従来技術の問題点を解決するものであり、高アスペクト比に対応できると同時にエッチング速度を向上させるＳｉエッチング方法およびエッチング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
　上記の目的を達成するために、本発明のＳｉエッチング方法は、処理容器内でＳｉ基板またはＳｉ層をドライエッチングするに際して、Ｃｌ2とＯ2とＮＦ3とを含む混合ガスをエッチングガスとして使用し、次式(1)で表されるレジデンスタイムτが約１８０msec以上の条件でエッチング処理を行う。
　　τ＝ｐＶ／Ｑ　　‥‥‥(1)
　ここで、ｐは処理容器内の圧力(Torr)、Ｖは被処理体上に設定される有効なエッチング空間の体積（ｌ：リットル）、Ｑはエッチングガスの全流量(Torr・l/s)である。
【０００８】
　また、本発明のエッチング装置は、Ｓｉ基板またはＳｉ層をドライエッチングするエッチング装置であって、ガス導入口と排気口とを有し、前記Ｓｉ基板またはＳｉ層を含む被処理体を出し入れ可能に収容する処理容器と、Ｃｌ2ガスとＯ2ガスとＮＦ3ガスとを所望の流量比で混合し、混合したガスをエッチングガスとして前記処理容器内に前記ガス導入口を介して供給するエッチングガス供給手段と、前記エッチングガスをプラズマ化するプラズマ発生手段と、前記処理容器内を前記排気口を介して排気して所望のエッチング圧力を与える排気手段とを有し、上式(1)で表されるレジデンスタイムτが約１８０msec以上の条件でエッチング処理を行う。
【０００９】
　本発明では、Ｃｌ2とＯ2とＮＦ3とを含む混合ガスをエッチングガスに用いる。このエッチングガスにおいて、Ｃｌ2は、Ｓｉをエッチングするための主たるエッチャントであり、ＨＢｒよりも高い反応確率でＳｉと反応して揮発性の高い反応生成物を生じさせ、高速エッチングを可能とする。Ｏ2は、Ｓｉと反応して溝の側壁にサイドエッチングを阻止する酸化膜または保護膜（ＳiＯx）を形成する。ＮＦ3は、側壁保護膜の過剰な成長を抑制して、溝の内奥ないし底部へエッチャントをスムースに進入せしめ、異方性エッチングを促進する。
【００１０】
　微細な開口径の溝を垂直に深くエッチングするためには、溝の底部付近においてデポジション率とエッチング率とのバランスをとることが重要である。本発明では、レジデンスタイムτが約１８０msec以上の条件でＳｉエッチング処理を行う。
【００１１】
　一例として、平行平板型のプラズマエッチング装置において、被処理体たとえばＳｉウエハの直径が２００ｍｍ、圧力が６０mTorr、電極間距離（ギャップ）が１１５ｍｍの条件下で、レジデンスタイムτを１８０msec以上にするには、エッチングガスの流量Ｑを約９５sccm以下にすればよい。
【００１２】
　本発明において、好ましくは、エッチングガス（Ｃｌ2／Ｏ2／ＮＦ3）の総流量のうちＣｌ2とＯ2の合計流量を約８０％以下としてよい。したがって、上記の例では、Ｃｌ2＋Ｏ2の流量を約７５sccm以下としてよい。
【００１３】
　また、（Ｃｌ2＋Ｏ2）流量とＯ2流量の比Ｏ2／（Ｃｌ2＋Ｏ2）も重要なパラメータであり、Ｏ2／（Ｃｌ2＋Ｏ2）を好ましくは０．１〜０．３の範囲内、より好ましくは０．１５〜０．２５の範囲内に設定してよい。Ｏ2／（Ｃｌ2＋Ｏ2）が大きすぎると、側壁堆積膜の成長が速まって、テーパ角が小さくなったり、エッチング速度が低下する。逆に、Ｏ2／（Ｃｌ2＋Ｏ2）が小さすぎると、側壁の保護が弱くなって、逆テーパまたはボーイングが生じやすくなる。
【００１４】
　また、本発明において、エッチングガスにＡｒなどの不活性ガスを希釈ガスとして混合してもよく、好ましくは、エッチングガスの総流量を１００sccm以下としてよい。また、好ましくは、エッチング圧力を２０mTorr〜２００mTorrの範囲内に設定してよく、平行平板型における電極間距離を３０ｍｍ〜３００ｍｍの範囲内に設定してよい。
【００１５】
　本発明のエッチング装置において、好ましくは、プラズマ発生手段が、処理容器内に被処理体を載置するための第１の電極と、この第１の電極と所定の間隔を置いて対向配置される第２の電極とを含む構成としてよい。この場合、第１の電極に高周波電力を印加して、イオンアシストエッチングを行なってもよい。
【発明の効果】
【００１６】
　本発明によれば、Ｓｉエッチングに際してＣｌ2／Ｏ2／ＮＦ3混合ガスをエッチングガスとして用いてそのガス流量を最適な範囲に設定することにより、高アスペクト比に対応できると同時にエッチング速度を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
　以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
　図１に、本発明の一実施形態におけるエッチング装置の構成を示す。このエッチング装置は、平行平板型のプラズマエッチング装置として構成されており、たとえば表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなる円筒形のチャンバ（処理容器）１０を有している。チャンバ１０は接地されている。
【００１８】
　チャンバ１０の内側壁面には、アルミナからなる円筒形状のデポシールド材１２が被着されている。チャンバ１０の底部には、セラミックなどの絶縁板１３を介して円柱状のサセプタ支持台１４が配置され、このサセプタ支持台１４の上にたとえばアルミニウムからなるサセプタ１６が設けられている。サセプタ１６は下部電極を構成し、この上に被処理体としてたとえば単結晶Ｓｉ基板またはＳｉウエハＷが載置される。
【００１９】
　サセプタ１６の上面にはＳｉウエハＷを静電吸着力で保持するための静電チャック１８が設けられている。この静電チャック１８は導電膜からなる電極２０を一対の絶縁シートの間に挟み込んだものであり、電極２０には直流電源２２が電気的に接続されている。直流電源２２からの直流電圧により、ＳｉウエハＷがクーロン力で静電チャック１８に吸着保持されるようになっている。静電チャック１８の周囲でサセプタ１６の上面には、エッチングの均一性を向上させるためのたとえば石英からなるフォーカスリング２４が配置されている。
【００２０】
　サセプタ支持台１４の内部には、たとえば円周方向に延在する冷媒室２６が設けられている。この冷媒室２６には、外付けのチラーユニット（図示せず）より配管２６ａ，２６ｂを介して所定温度の冷媒たとえば冷却水が循環供給される。冷媒の温度によってサセプタ１６上のＳｉウエハＷの処理温度を制御できる。
【００２１】
　さらに、冷却ガス供給機構（図示せず）からの冷却ガスたとえばＨeガスが、ガス供給ライン２８を介して静電チャック１８の上面とＳｉウエハＷの裏面との間に供給される。冷却ガス供給機構は、エッチング加工のウエハ面内均一性を高めるため、ウエハ中心部とウエハ周縁部とでガス圧つまり背圧を独立的に制御できるようになっている。
【００２２】
　サセプタ１６の上方には、このサセプタと平行に対向して上部電極３０が設けられている。この上部電極３０は、絶縁材３２を介してチャンバ１０に支持されており、多数の吐出孔３４を有するたとえばアルミナなどのセラミックからなる下面の電極板３６と、この電極板３６を支持する導電材料たとえば表面がアルマイト処理されたアルミニウムからなる電極支持体３８とを有する。電極板３６と電極支持体３８との内側にはバッファ室が形成され、このバッファ室の上面中心部にガス導入口４０が設けられている。ガス導入口４０には処理ガス供給部４２からのガス供給配管４４が接続されている。
【００２３】
　チャンバ１０の底部には排気口４６が設けられ、この排気口４６に排気管４８を介して排気装置５０が接続されている。排気装置５０は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、チャンバ１０内のエッチング処理空間を所望の真空度まで減圧できるようになっている。また、チャンバ１０の側壁にはＳｉウエハＷの搬入出口を開閉するゲートバルブ５２が取り付けられている。
【００２４】
　上部電極３０には、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）５４を介してアース電位が接続されるとともに、整合器５６を介して第１の高周波電源５８が接続される。この第１の高周波電源５８は、５０〜１５０ＭＨｚの範囲内の周波数、典型的には６０ＭＨｚ付近の高周波電力を上部電極３０に印加する。
【００２５】
　下部電極としてのサセプタ１６には、ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）６０を介してアース電位が接続されるとともに、整合器６２を介して第２の高周波電源６４が接続される。この第２の高周波電源６４は、１〜４ＭＨｚの範囲内の周波数、典型的には２ＭＨｚ付近の高周波電力をサセプタ１６に印加する。
【００２６】
　この実施形態において、上部電極３０と下部電極（サセプタ）１６との間の距離つまり電極間距離は、好ましくは３０ｍｍ〜３００ｍｍの範囲内に設定されてよい。
【００２７】
　このプラズマエッチング装置において、Ｓｉエッチングを行なうには、先ずゲートバルブ５２を開状態にして加工対象のＳｉウエハＷをチャンバ１０内に搬入して、サセプタ１６の上に載置する。そして、処理ガス供給部４２よりエッチングガスを所定の流量でチャンバ１０内に導入し、排気装置５０によりチャンバ１０内の圧力つまりエッチング圧力を設定値（好ましくは２０mTorr〜２００mTorrの範囲内の値）とする。さらに、第１の高周波電源５８より６０ＭＨｚ付近の高周波を所定のパワーで上部電極３０に印加するとともに、第２の高周波電源６４より２ＭＨｚ付近の高周波を所定のパワーでサセプタ１６に印加する。また、直流電源２２より直流電圧を静電チャック１８の電極２０に印加して、ＳｉウエハＷをサセプタ１６に固定する。上部電極３０の多孔付き電極板またはシャワーヘッド３６より吐出されたエッチングガスは電極間のグロー放電中でプラズマ化し、このプラズマで生成されるラジカルやイオンによってＳｉウエハＷがエッチングされる。
【００２８】
　このプラズマエッチング装置では、上部電極３０に対して従来（一般に２７ＭＨｚ）よりも格段に高い周波数領域（５０〜１５０ＭＨｚ）の高周波を印加することにより、プラズマを好ましい解離状態で高密度化し、より低圧の条件下で適切なプラズマを形成することができる。また、下部電極であるサセプタ１６に対しても従来（一般に８００ｋＨｚ）よりも高い周波数領域（１〜４ＭＨｚ）の高周波を印加することで、より低圧において被処理体に適度なＲＩＥ（Reactive Ion Etching）を施すことができる。
【００２９】
　この実施形態のＳｉエッチングでは、Ｃｌ2とＯ2とＮＦ3とを含む混合ガスをエッチングガスに用いる。このため、処理ガス供給系４２は、図２に示すように、たとえばＣｌ2ガス源６６，Ｏ2ガス源６８およびＮＦ3ガス源７０を有し、それぞれの流量をマスフローコントローラ６６ａ，６８ａ，７０ａによって個別かつ任意に制御できるようにしている。なお、Ａｒなどの不活性ガスを希釈ガスとしてエッチングガスに混合してもよく、その場合は希釈ガス供給部（図示せず）も設けられる。
【００３０】
　次に、本発明のＳｉエッチング方法の具体的な実施例を説明する。
【００３１】
実施例１〜８
　Ｓｉウエハに開口幅０．３μｍ、深さ３〜６μｍの溝を形成するＤＴＩ用のトレンチエッチングにおいて、図１のプラズマエッチング装置を使用し、エッチングガス（Ｃｌ2／Ｏ2／ＮＦ3）の流量および流量比をパラメータにしてエッチング特性を評価した。他の主要なエッチング条件は下記のとおりである。図３および図４に実験結果のデータを示す。
　　Ｓｉウエハ口径＝２００ｍｍ
　　マスク材料＝ＳiＯ2（上層）／ＳiＮ（下層）の２層構造膜
　　マスク厚（ＳiＯ2／ＳiＮ）＝３０００Å／１５００Å
　　圧力＝６０mＴoor
　　ＲＦパワー（上部電極／下部電極）＝５００Ｗ／６００Ｗ
　　電極間距離＝１１５ｍｍ
　　温度（上部電極／下部電極／チャンバ側壁）＝８０／６０／６０゜Ｃ
【００３２】
比較例１，２
　Ｓｉウエハに開口幅０．３μｍ、深さ３〜６μｍの溝を形成するＤＴＩ用のトレンチエッチングにおいて、図１のプラズマエッチング装置を使用し、ＨＢｒ／Ｏ２／ＮＦ3混合ガス（比較例１）またはＨＢｒ／Ｏ２混合ガス（比較例２）をエッチングガスに用いてエッチング特性を評価した。他のエッチング条件は、電極間ギャップが１２０ｍｍであることを除いて、実施例と同じである。図５に実験結果のデータを示す。
【００３３】
　図３および図５のデータから、Ｓｉのエッチング速度（Si E/R）についてみると、ＨＢｒをベースとする比較例１，２は０．２５μｍ／ｍｉｎ付近であるのに対して、実施例１〜８は０．７８μｍ／ｍｉｎ以上で約３倍以上である。
【００３４】
　また、テーパ角についてみると、比較例１（９２．３゜）は９０゜超で逆テーパまたはボーイング形状であり、比較例２（８７．５゜）は８９゜未満でテーパ形状であり、垂直形状を得ることができなかった。
【００３５】
　一方、実施例１（８９．３゜）、実施例２（８９．０゜）および実施例３（８９．２゜）はいずれも８９〜９０゜の範囲内にあり、垂直形状を達成した。しかし、実施例４（８７．６゜）、実施例５（８７．５゜），実施例６（８７．７゜）、実施例７（８７．８゜）はテーパ形状であり、実施例８（９１．８゜）はボーイング形状となった。
【００３６】
　実施例１〜８の中で検討すると、実施例１〜３では、ガス流量を小さくしており、特にＣｌ2とＯ2の合計流量（Ｃｌ2＋Ｏ2）を小さくしている点が特徴的である。より詳細には、実施例４〜８ではエッチングガスの総流量が１００sccm以上でありレジデンスタイムは約１８０msecより小さいのに対して、実施例１〜３では、エッチングガスの総流量が１００sccmより小さく４５sccm以下であり、レジデンスタイムは１８０msecより大きく、３８０msec以上である。また、（Ｃｌ2＋Ｏ2）流量は２５sccm以下である。
【００３７】
　なお、レジデンスタイムτは、図６を参照して下の式(1)のように定義される。
　　τ＝Ｖ（=Ａ×Ｈ）／Ｓ＝ｐＶ／Ｑ　　‥‥‥(1)
　ここで、Ｖはエッチング処理空間の体積（ｌ：リットル）、Ｓは排気速度（ｌ／ｓ）、Ｐは圧力(Torr)、Ｑは総流量(Torr×l/s)、Ａはウエハ面積、Ｈは下部電極と上部電極との間の距離である。
【００３８】
　微細な０．３μｍ程度の開口幅で３〜６μｍの深溝を垂直に形成するには、エッチングガスのレジデンスタイム、すなわち、エッチングガス（Ｃｌ2／Ｏ2／ＮＦ3）の流量を制限すること、特に（Ｃｌ2＋Ｏ2）流量を絞ることが重要である。図３から、レジデンスタイムは約１８０msec以上とするのが好ましい。なお、レジデンスタイムを１８０msec以上にするには、エッチングガスの流量Ｑを約９５sccm以下にすればよい。更に、本発明において、好ましくは、エッチングガスの総流量のうちＣｌ2とＯ2の合計流量を約８０％以下に、または約７５sccm以下にするのが好ましい。（Ｃｌ2＋Ｏ2）流量が大きいと、トレンチ底部付近におけるデボジション率がエッチング率を上回り、テーパ化しやすくなるものと考えられる。もっとも、（Ｃｌ2＋Ｏ2）流量が小さすぎてもエッチング速度に影響するので、好ましくは１５sccm以上としてよい。
【００３９】
　また、（Ｃｌ2＋Ｏ2）流量に対するＯ2流量の比またはＯ2ratioも重要であり、実施例８（０．０９）のようにＯ2ratioが低すぎると、デボジション率がエッチング率を下回りボーイング傾向になりやすい。逆に、Ｏ2ratioが高すぎると、デボジション率がエッチング率を上回りテーパ傾向になりやすい。Ｏ2ratioは、好ましくは０．１〜０．３の範囲内に設定してよく、より好ましくは０．１５〜０．２５の範囲内に設定してよい。
【００４０】
　実施例１〜８ではＮＦ3の流量を２０sccm（一定）としたが、１０〜３０sccmの範囲内では各実施例のエッチング特性はさほど変わらないものと考えられる。実用的には、ＮＦ3の流量をエッチングガスの総流量の約２０％以上にするのが望ましい。
【００４１】
　また、実施例１〜８では圧力を６０mTorr（一定）とした。上式（１）から圧力はレジデンスタイムを左右するパラメータであるとともに、エッチング速度等にも影響するので、他のエッチング条件やトレンチ仕様に応じて最適化されるのが望ましい。なお、実施例１〜８のＲＦパワー（上部電極＝５００Ｗ、下部電極＝６００Ｗ）をパワー密度に換算すると、上部電極＝１．６Ｗ／ｃｍ2、下部電極＝１．９Ｗ／ｃｍ2である。ＲＦパワーまたはパワー密度も他のエッチング条件やトレンチ仕様に応じて最適化されるのが望ましい。
【００４２】
　また、図３に示すように、実施例２のマスク選択比（Ｓｉのエッチング速度／ＳiＯ2のエッチング速度）は２８．７０であった。他の実施例および比較例１，２でも同程度のマスク選択比が得られる。Ｃｌ2／Ｏ2／ＮＦ3混合ガスをエッチングガスに用いる本発明のＳｉエッチングでは、少なくとも表層がＳiＯ2からなるマスク材料が望ましい。
【００４３】
　上記実施形態のプラズマエッチング装置は容量結合型平行平板装置であったが、他のプラズマエッチング方式、たとえば有磁界ＲＩＥやＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）方式の装置として構成することも可能である。上記実施形態ではＳｉウエハのエッチングを示したが、Ｓｉ基板またはＳｉ層を含む任意の被処理体について本発明のＳｉエッチング方法およびエッチング装置を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の一実施形態によるエッチング装置の構成を示す図である。
【図２】図１のエッチング装置における処理ガス供給部の構成を示す図である。
【図３】実施例における主要なエッチング条件とエッチング特性を示す図である。
【図４】実施例におけるテーパ角の（Ｃｌ2＋Ｏ2）流量およびＯ2ratio（Ｏ2／Ｃｌ2＋Ｏ2）依存性を示す図である。
【図５】比較例における主要なエッチング条件とエッチング特性を示す図である。
【図６】実施形態におけるレジデンスタイムの定義を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
　　１０　　チャンバ（処理容器）
　　１６　　サセプタ（下部電極）
　　１８　　静電チャック
　　２２　　直流電源
　　３０　　上部電極
　　３６　　電極板
　　４０　　ガス導入口
　　４２　　処理ガス供給部
　　４６　　排気口
　　５８　　第１の高周波電源
　　６４　　第２の高周波電源
　　６６　　Ｃｌ2ガス源
　　６８　　Ｏ2ガス源
　　７０　　ＮＦ3ガス源
　　６６ａ，６８ａ，７０ａ　　マスフローコントローラ
【図１】
2004119972.tif 000003
【図２】
2004119972.tif 000004
【図３】
2004119972.tif 000005
【図４】
2004119972.tif 000006
【図５】
2004119972.tif 000007
【図６】
2004119972.tif 000008