(57)【要約】【課題】大型化及び高コスト化を招くことなく、光ピックアップ装置自体及び対物レンズの位置制御に必要な情報などを含む信号を精度良く安定して出力することができる光ピックアップ装置を提供する。【解決手段】光源から出射された光束は光学素子５３及び対物レンズ６０を介して情報記録媒体１５の記録面に集光され、記録面で反射され対物レンズ及び光学素子５３を介した戻り光束は光検出器５９で受光される。例えば情報記録媒体の基板を透過する光束に光学的位相差が付与される場合には、基板を透過する光束に付与される光学的位相差とは逆極性の位相差が光学素子を透過する光束に付与されるように、所定の電圧が光学素子に印加される。これにより、光学的位相差の誤差が少ない戻り光束が得られ、例えば偏光性分岐光学素子を介して戻り光束を分岐する場合であっても、光検出器から出力される信号の信号レベル及びＳ／Ｎ比が低下するのを防止できる。【選択図】　図２
2004039020.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報記録媒体の記録面に光を照射し、前記記録面からの反射光を受光する光ピックアップ装置であって、
光源と；
前記光源から出射される光束を前記記録面に集光する対物レンズと、前記光源と前記対物レンズとの間の光路上に配置され、縦型の電気光学効果を示す電気光学結晶を含み、通過する光束に所定の光学的位相差を付与する光学素子とを含み、前記記録面で反射された戻り光束を所定の受光位置に導く光学系と；
前記受光位置に配置された光検出器と；を備える光ピックアップ装置。
【請求項２】
情報記録媒体の記録面に光を照射し、前記記録面からの反射光を受光する光ピックアップ装置であって、
光源と；
前記光源から出射される光束を前記記録面に集光する対物レンズと、前記光源と前記対物レンズとの間の光路上に配置され、印加される電圧に応じた光学的位相差を入射される光束に付与する電気光学結晶を含む光学素子と、前記記録面で反射され前記対物レンズを介した戻り光束の光路上に配置され、前記戻り光束をその光路上から分岐する偏光性分岐光学素子とを含む光学系と；
前記偏光性分岐光学素子にて分岐された前記戻り光束を受光する第１の光検出器を含む光検出系と；
前記光検出系の少なくとも１つの光検出器からの出力信号に基づいて、前記光学素子に印加する電圧を調整し、前記戻り光束における光学的位相差の誤差を補正する位相差補正手段と；を備える光ピックアップ装置。
【請求項３】
前記位相差補正手段は、前記第１の光検出器からの出力信号が所定の信号レベル以上となるように、前記光学素子に印加する電圧を調整することを特徴とする請求項２に記載の光ピックアップ装置。
【請求項４】
前記光学系は、前記偏光性分岐光学素子と前記光源との間に配置された無偏光性分岐光学素子を更に含み、
前記光検出系は、前記偏光性分岐光学素子を透過し、前記無偏光性分岐光学素子で分岐された前記戻り光束を受光する第２の光検出器を更に含むことを特徴とする請求項２に記載の光ピックアップ装置。
【請求項５】
前記位相差補正手段は、前記第１の光検出器からの出力信号と前記第２の光検出器からの出力信号との差信号が所定の信号レベル以上となるように、前記光学素子に印加する電圧を調整することを特徴とする請求項４に記載の光ピックアップ装置。
【請求項６】
前記位相差補正手段は、前記第２の光検出器からの出力信号が所定の信号レベル以下となるように、前記光学素子に印加する電圧を調整することを特徴とする請求項４に記載の光ピックアップ装置。
【請求項７】
前記偏光性分岐光学素子は、偏光ホログラム素子であることを特徴とする請求項２〜６のいずれか一項に記載の光ピックアップ装置。
【請求項８】
前記偏光ホログラム素子は、前記第１の光検出器と一体化されていることを特徴とする請求項７に記載の光ピックアップ装置。
【請求項９】
前記電気光学結晶は、縦型の電気光学効果を示す電気光学結晶であることを特徴とする請求項２〜８のいずれか一項に記載の光ピックアップ装置。
【請求項１０】
前記戻り光束における光学的位相差の誤差は、前記光学系に起因する誤差及び前記情報記録媒体の光学的異方性に起因する誤差の少なくとも一方であることを特徴とする請求項２〜９のいずれか一項に記載の光ピックアップ装置。
【請求項１１】
前記電気光学結晶は、奇数次の電気光学効果を示す電気光学結晶であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の光ピックアップ装置。
【請求項１２】
前記電気光学結晶は、ポッケルス効果を示す電気光学結晶であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の光ピックアップ装置。
【請求項１３】
前記電気光学結晶板は、シレナイト構造を有する酸化物の電気光学結晶であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の光ピックアップ装置。
【請求項１４】
前記シレナイト構造を有する酸化物は、Ｂｉ１２ＳｉＯ２０であることを特徴とする請求項１３に記載の光ピックアップ装置。
【請求項１５】
前記電気光学結晶は、単結晶の電気光学結晶であることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一項に記載の光ピックアップ装置。
【請求項１６】
情報記録媒体に対して、情報の記録、再生、及び消去のうち少なくとも１つを行なう光ディスク装置であって、
請求項１〜１５のいずれか一項に記載の光ピックアップ装置と；
前記光ピックアップ装置からの出力信号を用いて、前記情報の記録、再生、及び消去のうち少なくとも１つを行なう処理装置と；を備える光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光ピックアップ装置及び光ディスク装置に係り、さらに詳しくは、情報記録媒体の記録面に光を照射し、その記録面からの反射光を受光する光ピックアップ装置及び該光ピックアップ装置を備えた光ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
パーソナルコンピュータ（以下「パソコン」と略述する）は、その機能が向上するに伴い、音楽や映像といったＡＶ（Ａｕｄｉｏ−Ｖｉｓｕａｌ）情報を取り扱うことが可能となってきた。これらＡＶ情報の情報量は非常に大きいために、記録媒体としてＣＤ（ｃｏｍｐａｃｔ　ｄｉｓｃ）やＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ　ｖｅｒｓａｔｉｌｅ　ｄｉｓｃ）などの大容量の光ディスクが注目されるようになり、その低価格化とともに、光ディスクをアクセスするためのドライブ装置として光ディスク装置がパソコンの周辺機器の一つとして普及するようになった。
【０００３】
光ディスク装置では、スパイラル状又は同心円状のトラックが形成された光ディスクなどの情報記録媒体の記録面にレーザ光を照射して情報の記録又は消去を行い、記録面からの反射光に基づいて情報の再生などを行っている。そして、光ディスク装置は、情報記録媒体の記録面にレーザ光を照射して光スポットを形成するとともに、記録面からの反射光を受光するための装置として、光ピックアップ装置を備えている。
【０００４】
一般的に光ピックアップ装置は、対物レンズを含み、光源から出射される光束を情報記録媒体の記録面に導くとともに、記録面で反射された戻り光束を所定の受光位置まで導く光学系、及び受光位置に配置された受光素子などを備えている。この受光素子からは、記録面に記録されているデータの再生情報だけでなく、光ピックアップ装置自体及び対物レンズの位置制御に必要な情報（サーボ情報）などを含む信号が出力される。そして、光ディスク装置は、受光素子からの出力信号に基づいて、記録面の所定位置に所定形状の光スポットが形成されるように各種サーボ制御を行っている。
【０００５】
通常光ピックアップ装置の光学系には、戻り光束を受光素子の受光方向に分岐するための分岐光学素子が含まれている。この分岐光学素子としては、分岐作用が入射する光束の偏光方向に依存しない無偏光性分岐光学素子と、入射する光束の偏光方向に応じて分岐作用が異なる偏光性分岐光学素子とがある。分岐光学素子が往路と復路の共通光路上に配置される場合に、無偏光性分岐光学素子では、光源から出射された光束もその一部が分岐されるため、情報記録媒体の記録面に照射される光量が減少し、高速記録への対応が困難となる。そこで、高速記録に対応した光ピックアップ装置では、分岐光学素子として偏光性分岐光学素子が多く用いられている。この場合には、光源から出射される光束の偏光方向に対して、例えばλ／４板などを用いて戻り光束の偏光方向をほぼ９０度変更することにより、光源から出射された光束の殆どが偏光性分岐光学素子を透過し、戻り光束の大部分が偏光性分岐光学素子で分岐されるようにすることができる。すなわち、光利用効率が向上し、高速記録への対応が可能となる。
【０００６】
また、一般に情報記録媒体では、透明の基板上に記録面が形成されており、対物レンズからの光束はその基板を透過して記録面に集光されるようになっている。そして、その基板は通常樹脂成形品であり、その大部分は生産性の点から、成形品と類似した形状のキャビティを有する成形用型（通常は金型）に溶融状態の樹脂を加圧しながら注入する射出成形法及びそれに類似する方法により製造されている。成形品が情報記録媒体のような円盤形状の場合には、キャビティの中央部（基板の回転中心部分に対応する部分）にダイレクトゲート（注入口）を持つラジアルフロータイプの成形用型を用いた成形方式（方案）が通常採用され、溶融樹脂はダイレクトゲートを介してキャビティの中央部から外周部に向かって流れていく。キャビティ内に注入された樹脂は、その温度及び冷却速度が一定ではないために、成形品に内部応力が残留したり、樹脂の密度が不均一となることがある。そこで、上記のようにして製造された情報記録媒体の基板は、光学的異方性を有する場合がある。例えば常光線に対する屈折率（常光線屈折率）と異常光線に対する屈折率（異常光線屈折率）とが異なる複屈折性を有する場合がある。このような複屈折性を有する情報記録媒体を、偏光性分岐光学素子が用いられている光ピックアップ装置を搭載した光ディスク装置でアクセスすると、光源から出射された光束と偏光性分岐光学素子に入射する戻り光束との光学的位相差がπからずれてしまうこととなる。このために、偏光性分岐光学素子で分岐される戻り光束の光量が減少し、その結果受光素子から出力される信号の信号レベル及びＳ／Ｎ比が低下するという不都合があった。そして、最悪の場合、光源から出射された光束と偏光性分岐光学素子に入射する戻り光束との光学的位相差が０となり、偏光性分岐光学素子に入射する戻り光束の殆どは分岐されず光源に戻ることとなる。その結果受光素子での受光量は殆ど０となり、ウォブル信号やサーボ信号の検出が不可能となる。
【０００７】
さらに、情報記録媒体は複数のメーカーから供給されており、同一種類の情報記録媒体であっても、メーカーによって基板の複屈折の状況がそれぞれ異なっている。また、一例として図１８（Ａ）に示されるように、１枚の情報記録媒体においても情報記録媒体の回転中心からの距離によって基板の複屈折の状況は異なっている。この情報記録媒体を偏光性分岐光学素子が用いられている光ピックアップ装置を搭載した光ディスク装置でアクセスすると、一例として図１８（Ｂ）に示されるように、情報記録媒体の回転中心からの距離によって受光素子での戻り光束の受光量が大きく変化し、その結果受光素子から出力される信号の信号レベル及びＳ／Ｎ比が不安定となるという不都合もあった。なお、図１８（Ａ）では、トラックの接線方向（タンジェンシャル方向）の屈折率がそれに直交する方向（ラジアル方向）の屈折率よりも小さい場合を正の複屈折としている。
【０００８】
そこで、例えば特開２０００−２６８３９８号公報（以下、「第１の公知例」という）には、液晶パネルを用いて情報記録媒体の基板の複屈折を補償する光ピックアップ装置が開示されている。この光ピックアップ装置は、液晶パネルを構成する液晶層内の液晶分子の配向方向を制御し、情報記録媒体の基板の複屈折を打ち消すために、光軸に垂直な面内の２方向に関して入射する光束の成分間に位相差を付与している。
【０００９】
また、特開２０００−３０６２６２号公報（以下、「第２の公知例」という）には、可変波長板を用いて情報記録媒体の基板の複屈折を補償する情報記録再生装置が開示されている。この情報記録再生装置は、基板の複屈折量に応じて、可変波長板で光束に付与する光学的位相差を電気的あるいは機械的に０から１／４波長まで変化させて、基板の複屈折を打ち消している。なお、第２の公知例では、可変波長板が上記第１の公知例と同様に液晶で構成されている場合について、実施の形態が説明されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した各公知例では、情報記録媒体の基板の複屈折を補償する手段としていずれも液晶を利用しており、光源の発熱などにより液晶の温度が上昇する場合がある。特に情報の記録時には大きな電流を光源に流すため、ピックアップ装置の内部では温度が７０℃近くまで上昇することもある。液晶は一般に温度特性が悪いため、安定して情報記録媒体の基板の複屈折を補償することが困難であるという不都合があった。また、液晶は光学レンズに比べて透過率が悪く、光源から出射された光束の光利用効率が低下するという不都合もあった。さらに、各公知例では、光束に付与する位相差を分子量の非常に大きい液晶分子の移動及び回転によって調整しているため、印加電圧の変化に対する応答性が悪く、追随できる周波数は３０Ｈｚ程度であるという不都合があった。
【００１１】
本発明は、かかる事情の下になされたもので、その第１の目的は、大型化及び高コスト化を招くことなく、光ピックアップ装置自体及び対物レンズの位置制御に必要な情報などを含む信号を精度良く安定して出力することができる光ピックアップ装置を提供することにある。
【００１２】
また、本発明の第２の目的は、高速度でのアクセスを精度良く安定して行うことができる光ディスク装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、情報記録媒体の記録面に光を照射し、前記記録面からの反射光を受光する光ピックアップ装置であって、光源と；前記光源から出射される光束を前記記録面に集光する対物レンズと、前記光源と前記対物レンズとの間の光路上に配置され、縦型の電気光学効果を示す電気光学結晶を含み、通過する光束に所定の光学的位相差を付与する光学素子とを含み、前記記録面で反射された戻り光束を所定の受光位置に導く光学系と；前記受光位置に配置された光検出器と；を備える光ピックアップ装置である。
【００１４】
これによれば、光源から出射された光束は対物レンズを介して情報記録媒体の記録面に集光され、記録面で反射された戻り光束は対物レンズ及び偏光性分岐光学素子を介して光検出器で受光される。例えば情報記録媒体の基板が複屈折性を有する場合には、基板内では方向に応じて屈折率が異なるために、情報記録媒体に照射された光束は基板を透過する際に光学的位相差が付与され、更に記録面で反射された光束も基板を透過する際に光学的位相差が付与されることとなる。これらの光学的位相差により、例えば記録面で反射された戻り光束が偏光性分岐光学素子を介して光検出器で受光される場合には、偏光性分岐光学素子に入射する戻り光束は、予定していた所定の直線偏光の光束とはならず、光検出器で受光される戻り光束の光量が減少することとなる。そこで、例えば情報記録媒体の基板を透過する光束に付与される光学的位相差と逆極性の光学的位相差が光束に付与されるように、光学素子に所定の電圧を印加することにより、偏光性分岐光学素子に入射する戻り光束は予定通りの所定の直線偏光の光束となる。従って、光検出器での受光量の減少を抑制することができ、光検出器から出力される信号の信号レベル及びＳ／Ｎ比が安定する。また、各光学部品を組み付けた後に、光学的位相差を補正することができるため、各光学部品の組み付け作業及び調整作業が容易となり、作業コストを削減することが可能となる。さらに、各光学部品の選定が容易となり、安価な汎用部品を用いることができるため、部品コストの削減及び歩留まりの向上が可能となる。また、電気光学結晶は、縦型の電気光学効果を示す電気光学結晶であるために、横型の電気光学効果を示す電気光学結晶を用いた場合に比べて、電気光学素子を光軸方向に薄くすることができる。これにより、光源から対物レンズまでの距離を短くすることが可能となり、各光学部品の配置の自由度が増すとともに、ピックアップ装置を小型化することができる。従って、大型化及び高コスト化を招くことなく、光ピックアップ装置自体及び対物レンズの位置制御に必要な情報などを含む信号を精度良く安定して出力することが可能となる。
【００１５】
請求項２に記載の発明は、情報記録媒体の記録面に光を照射し、前記記録面からの反射光を受光する光ピックアップ装置であって、光源と；前記光源から出射される光束を前記記録面に集光する対物レンズと、前記光源と前記対物レンズとの間の光路上に配置され、印加される電圧に応じた光学的位相差を入射される光束に付与する電気光学結晶を含む光学素子と、前記記録面で反射され前記対物レンズを介した戻り光束の光路上に配置され、前記戻り光束をその光路上から分岐する偏光性分岐光学素子とを含む光学系と；前記偏光性分岐光学素子にて分岐された前記戻り光束を受光する第１の光検出器を含む光検出系と；前記光検出系の少なくとも１つの光検出器からの出力信号に基づいて、前記光学素子に印加する電圧を調整し、前記戻り光束における光学的位相差の誤差を補正する位相差補正手段と；を備える光ピックアップ装置である。
【００１６】
これによれば、光源から出射された光束は対物レンズを介して情報記録媒体の記録面に集光され、記録面で反射された戻り光束は対物レンズ及び偏光性分岐光学素子を介して光検出器で受光される。例えば情報記録媒体の基板が複屈折性を有する場合には、基板内では方向に応じて屈折率が異なるために、情報記録媒体に照射された光束は基板を透過する際に光学的位相差が付与され、更に記録面で反射された光束も基板を透過する際に光学的位相差が付与されることとなる。これらの光学的位相差により、偏光性分岐光学素子に入射する戻り光束は、予定していた所定の直線偏光の光束とはならず、第１の光検出器で受光される戻り光束の光量が減少することとなる。本発明では、位相差補正手段により、光検出器のうちの少なくとも１つからの出力信号に基づいて戻り光束における光学的位相差の誤差を補正するのに最適な電圧が光学素子に印加される。例えば基板を透過する光束に付与される光学的位相差とは逆極性の光学的位相差が光学素子を透過する光束に付与されるように、第１の光検出器からの出力信号に基づいて、光学素子の印加電圧が調整される。それにより、偏光性分岐光学素子に入射する戻り光束は予定通りの所定の直線偏光の光束となり、その戻り光束の殆どが第１の光検出器で受光され、第１の光検出器から出力される信号の信号レベル及びＳ／Ｎ比が向上する。また、各光学部品を組み付けた後に、光学的位相差を補正することができるため、各光学部品の組み付け作業及び調整作業が容易となり、作業コストを削減することが可能となる。さらに、各光学部品の選定が容易となり、安価な汎用部品を用いることができるため、部品コストの削減及び歩留まりの向上が可能となる。また、温度変化や経時変化などにより光学系に起因する光学的位相差が変化しても精度良く補正することができるため、第１の光検出器から出力される信号の安定性を向上させることが可能となる。しかも、情報記録媒体へのアクセス中にフィードバック制御によって光学的位相差の誤差を補正しているため、情報記録媒体のメーカ間及び製造ロット間に複屈折の発生状況の違いがあっても、光学的位相差の誤差を精度良く補正することができる。従って、大型化及び高コスト化を招くことなく、光ピックアップ装置自体及び対物レンズの位置制御に必要な情報などを含む信号を精度良く安定して出力することが可能となる。
【００１７】
この場合において、請求項３に記載の光ピックアップ装置の如く、前記位相差補正手段は、前記第１の光検出器からの出力信号が所定の信号レベル以上となるように、前記光学素子に印加する電圧を調整することとすることができる。
【００１８】
上記請求項２に記載の光ピックアップ装置において、請求項４に記載の光ピックアップ装置の如く、前記光学系は、前記偏光性分岐光学素子と前記光源との間に配置された無偏光性分岐光学素子を更に含み、前記光検出系は、前記偏光性分岐光学素子を透過し、前記無偏光性分岐光学素子で分岐された前記戻り光束を受光する第２の光検出器を更に含むこととすることができる。
【００１９】
この場合において、請求項５に記載の光ピックアップ装置の如く、前記位相差補正手段は、前記第１の光検出器からの出力信号と前記第２の光検出器からの出力信号との差信号が所定の信号レベル以上となるように、前記光学素子に印加する電圧を調整することとすることができる。あるいは、請求項６に記載の光ピックアップ装置の如く、前記位相差補正手段は、前記第２の光検出器からの出力信号が所定の信号レベル以下となるように、前記光学素子に印加する電圧を調整することとすることができる。
【００２０】
上記請求項２〜６に記載の各光ピックアップ装置において、請求項７に記載の光ピックアップ装置の如く、前記偏光性分岐光学素子は、偏光ホログラム素子であることとすることができる。かかる場合には、光ピックアップ装置の小型化及び軽量化を促進することができる。
【００２１】
この場合において、請求項８に記載の光ピックアップ装置の如く、前記偏光ホログラム素子は、前記第１の光検出器と一体化されていることとすることができる。かかる場合には、組み付け時の構成部品の数が減少し、組み付け作業及び調整作業を簡略化することができ、作業コストを削減することが可能となる。
【００２２】
上記請求項２〜８に記載の各光ピックアップ装置において、請求項９に記載の光ピックアップ装置の如く、前記電気光学結晶は、縦型の電気光学効果を示す電気光学結晶であることとすることができる。かかる場合には、横型の電気光学効果を示す電気光学結晶を用いた場合に比べて、電気光学結晶を薄くすることができる。これにより、光源から対物レンズまでの距離を短くすることが可能となり、各光学部品の配置の自由度が増すとともに、ピックアップ装置を小型化することが可能となる。
【００２３】
上記請求項２〜９に記載の各光ピックアップ装置において、請求項１０に記載の光ピックアップ装置の如く、前記戻り光束における光学的位相差の誤差は、前記光学系に起因する誤差及び前記情報記録媒体の光学的異方性に起因する誤差のうちの少なくとも一方であることとすることができる。
【００２４】
上記請求項１〜１０に記載の各光ピックアップ装置において、請求項１１に記載の光ピックアップ装置の如く、前記電気光学結晶は、奇数次の電気光学効果を示す電気光学結晶であることとすることができる。
【００２５】
上記請求項１〜１１に記載の各光ピックアップ装置において、請求項１２に記載の光ピックアップ装置の如く、前記電気光学結晶は、ポッケルス効果を示す電気光学結晶であることとすることができる。かかる場合には、印加電圧と光学的位相差（複屈折）量との関係は直線関係となる。
【００２６】
上記請求項１〜１２に記載の各光ピックアップ装置において、請求項１３に記載の光ピックアップ装置の如く、前記電気光学結晶は、シレナイト構造を有する酸化物の電気光学結晶であることとすることができる。かかる場合には、低い印加電圧で大きな光学的位相差（複屈折）を発生させることができる。
【００２７】
この場合において、請求項１４に記載の光ピックアップ装置の如く、前記シレナイト構造を有する酸化物は、Ｂｉ１２ＳｉＯ２０であることとすることができる。
【００２８】
上記請求項１〜１４に記載の各光ピックアップ装置において、請求項１５に記載の光ピックアップ装置の如く、前記電気光学結晶は、単結晶の電気光学結晶であることとすることができる。
【００２９】
請求項１６に記載の発明は、情報記録媒体に対して、情報の記録、再生、及び消去のうち少なくとも１つを行なう光ディスク装置であって、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の光ピックアップ装置と；前記光ピックアップ装置からの出力信号を用いて、前記情報の記録、再生、及び消去のうち少なくとも１つを行なう処理装置と；を備える光ディスク装置である。
【００３０】
これによれば、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の光ピックアップ装置を備えているために、光ピックアップ装置からの出力信号に基づいてサーボ信号を精度良く安定して検出することができる。従って、情報記録媒体に対して高速度でのアクセスを精度良く安定して行うことが可能となる。なお、本明細書では、光ディスク装置は、情報の記録、再生、及び消去に光を利用するＣＤやＤＶＤなどのドライブ装置だけでなく、一部に光を利用する光磁気ディスクなどのドライブ装置も含む。
【００３１】
【発明の実施の形態】
《第１の実施形態》
以下、本発明の第１の実施形態を図１〜図７に基づいて説明する。
【００３２】
図１には、本発明の第１の実施形態に係る光ディスク装置の概略構成が示されている。
【００３３】
この図１に示される光ディスク装置２０は、情報記録媒体としての光ディスク１５を回転駆動するためのスピンドルモータ２２、光ピックアップ装置２３、レーザコントロール回路２４、エンコーダ２５、モータドライバ２７、再生信号処理回路２８、サーボコントローラ３３、バッファＲＡＭ３４、バッファマネージャ３７、インターフェース３８、ＲＯＭ３９、ＣＰＵ４０及びＲＡＭ４１などを備えている。なお、図１における矢印は、代表的な信号や情報の流れを示すものであり、各ブロックの接続関係の全てを表すものではない。
【００３４】
前記光ピックアップ装置２３は、光ディスク１５のスパイラル状又は同心円状のトラックが形成された記録面にレーザ光を照射するとともに、記録面からの反射光を受光するための装置である。なお、この光ピックアップ装置２３の構成等については後に詳述する。
【００３５】
光ディスク１５の記録面は所定の厚さの透明な基板上に形成されており、その基板を介して記録面にレーザ光が照射される。
【００３６】
前記再生信号処理回路２８は、光ピックアップ装置２３からの出力信号に基づいてウォブル信号、ＲＦ信号及びサーボ信号（フォーカスエラー信号、トラックエラー信号）などを検出する。そして、再生信号処理回路２８はウォブル信号からアドレス情報及び同期信号等を抽出する。ここで抽出されたアドレス情報はＣＰＵ４０に出力され、同期信号はエンコーダ２５に出力される。さらに、再生信号処理回路２８はＲＦ信号に対して誤り訂正処理等を行なった後、バッファマネージャ３７を介してバッファＲＡＭ３４に格納する。また、サーボ信号は再生信号処理回路２８からサーボコントローラ３３に出力される。
【００３７】
前記サーボコントローラ３３は、サーボ信号に基づいて光ピックアップ装置２３を制御する各種制御信号を生成し、モータドライバ２７に出力する。
【００３８】
前記バッファマネージャ３７は、バッファＲＡＭ３４へのデータの入出力を管理し、蓄積されたデータ量が所定の値になるとＣＰＵ４０に通知する。
【００３９】
前記モータドライバ２７は、サーボコントローラ３３からの制御信号及びＣＰＵ４０の指示に基づいて、光ピックアップ装置２３及びスピンドルモータ２２を制御する。
【００４０】
前記エンコーダ２５は、ＣＰＵ４０の指示に基づいて、バッファＲＡＭ３４に蓄積されているデータをバッファマネージャ３７を介して取り出し、エラー訂正コードの付与などを行ない、光ディスク１５への書き込みデータを作成するとともに、再生信号処理回路２８からの同期信号に同期して、書き込みデータをレーザコントロール回路２４に出力する。
【００４１】
前記レーザコントロール回路２４は、エンコーダ２５からの書き込みデータ及びＣＰＵ４０の指示に基づいて、光ピックアップ装置２３から出射されるレーザ光の出力を制御する。
【００４２】
前記インターフェース３８は、ホスト（例えばパソコン）との双方向の通信インターフェースであり、ＡＴＡＰＩ（ＡＴ　Ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ　Ｐａｃｋｅｔ　Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）及びＳＣＳＩ（Ｓｍａｌｌ　Ｃｏｍｐｕｔｅｒ　Ｓｙｓｔｅｍ　Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）等の標準インターフェースに準拠している。
【００４３】
前記ＲＯＭ３９には、ＣＰＵ４０にて解読可能なコードで記述されたプログラムが格納されている。そして、ＣＰＵ４０は、ＲＯＭ３９に格納されているプログラムに従って上記各部の動作を制御するとともに、制御に必要なデータ等を一時的にＲＡＭ４１に保存する。
【００４４】
次に、前記光ピックアップ装置２３の構成等について図２に基づいて説明する。光ピックアップ装置２３は、図２に示されるように、光源ユニット５１、コリメートレンズ５２、偏光性分岐光学素子としての偏光ビームスプリッタ５４、λ／４板５５、光学素子としての電気光学素子５３、対物レンズ６０、検出レンズ５８、光検出器としての受光器５９、位相差調整回路６１及び駆動系（フォーカシングアクチュエータ、トラッキングアクチュエータ及びシークモータ（いずれも図示省略））などを備えている。
【００４５】
前記光源ユニット５１は、所定の波長の光束を発光する光源としての半導体レーザ（図示省略）を含んで構成されている。なお、本第１の実施形態では、光源ユニット５１から出射される光束の最大強度出射方向を＋Ｚ方向とする。また、本第１の実施形態では、一例として光源ユニット５１からは偏光ビームスプリッタ５４の入射面に平行な偏光（Ｐ偏光）の光束が出射されるものとする。そして、この光源ユニット５１の＋Ｚ側には、前記コリメートレンズ５２が配置され、光源ユニット５１から出射された光束を略平行光とする。
【００４６】
前記偏光ビームスプリッタ５４は、コリメートレンズ５２の＋Ｚ側に配置されている。この偏光ビームスプリッタ５４は、入射する光束の偏光方向に応じてその反射率が異なっている。本第１の実施形態では、一例としてＰ偏光の光束に対する反射率は小さく、Ｓ偏光の光束に対する反射率は大きくなるように、偏光ビームスプリッタ５４が設定されているものする。すなわち、光源ユニット５１から出射された光束の大部分は、偏光ビームスプリッタ５４を透過することができる。また、光ディスク１５の記録面で反射し対物レンズ６０を介した戻り光束に含まれるＳ偏光成分は偏光ビームスプリッタ５４で−Ｘ側に反射され、Ｐ偏光成分は偏光ビームスプリッタ５４を透過する。この偏光ビームスプリッタ５４の＋Ｚ側には、前記λ／４板５５が配置されている。
【００４７】
偏光ビームスプリッタ５４の−Ｘ側には、前記検出レンズ５８が配置され、偏光ビームスプリッタ５４で反射された戻り光束を集光する。この検出レンズ５８で集光された戻り光束は前記受光器５９で受光される。
【００４８】
受光器５９は、再生信号処理回路２８にてＲＦ信号、ウォブル信号及びサーボ信号などを検出するのに最適な信号を出力するための複数の受光素子を含んで構成されている。
【００４９】
前記電気光学素子５３は、λ／４板５５の＋Ｚ側に配置され、一例として図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に示されるように、縦型の電気光学効果を示す平板状の電気光学結晶ＥＣと、該電気光学結晶ＥＣの−Ｚ側の面上に形成された電極５３Ａ及び＋Ｚ側の面上に形成された電極５３Ｂとを備えている。各電極は酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）を主成分とし、二酸化スズ（ＳｎＯ２）を１０％程度混ぜた固溶体の透明の薄膜（ＩＴＯ膜）で形成されている。従って、入射する光束の殆どは各電極を透過することができる。そして、各電極を介して電気光学結晶ＥＣに電圧が印加されると、電気光学結晶ＥＣ内部にはＺ軸方向に電界が形成されることとなる。
【００５０】
本第１の実施形態では、電気光学結晶ＥＣには、一例としてポッケルス効果（縦型の一次の電気光学効果）を示すＢｉ１２ＳｉＯ２０（ＢＳＯ）の単結晶が用いられる。このＢＳＯはシレナイト構造を有する酸化物であり、結晶点群２３に属している。なお、ＢＳＯ単結晶のポッケルス係数γ４１は、５×１０−１２［ｍ／Ｖ］である。
【００５１】
電気光学結晶ＥＣに電圧が印加されていない場合には、電気光学結晶ＥＣが等方性の媒質であるため、一例として図４（Ａ）に示されるように、Ｘ軸方向の屈折率（ここでは常光線屈折率）ｎｏと、Ｙ軸方向の屈折率（ここでは異常光線屈折率）ｎｅとは互いに等しくなる。このような場合には、電気光学結晶ＥＣを透過した光束には、その偏光方向に関係なく光学的位相差が生じることはない。
【００５２】
一方、電気光学結晶ＥＣに各電極を介して電圧が印加されると、電気光学結晶ＥＣの内部でＺ軸方向に一様な電界が発生し、その電界に比例した複屈折が電気光学結晶ＥＣ内部で一様に生じる。すなわち、一例として図４（Ｂ）に示されるように、常光線屈折率ｎｏと異常光線屈折率ｎｅとの間に違いが生じる。このような場合には、電気光学結晶ＥＣを透過した光束には光学的位相差が付与されることとなる。例えばＸ軸方向に対して４５゜傾いた偏光面を持つ直線偏光の光束が入射すると、その光束のＸ軸方向成分は常光線屈折率ｎｏによって電気光学結晶ＥＣの内部での速度が支配され、Ｙ軸方向成分は異常光線屈折率ｎｅによって電気光学結晶ＥＣの内部での速度が支配される。そこで、電気光学結晶ＥＣを透過した光束には、Ｘ軸方向とＹ軸方向に関して光学的位相差が生じることとなり、直線偏光から楕円偏光、円偏光と変化する。また、複屈折が生じた電気光学結晶ＥＣに、直線偏光の光束をＸ軸方向又はＹ軸方向にその偏光面を合わせて入射すると、電気光学結晶ＥＣを通過した光束は楕円偏光となる。電気光学結晶ＥＣを透過した光束に生じる光学的位相差は、電気光学結晶ＥＣにおける複屈折量に対応するために、電極５３Ａと電極５３Ｂとを介して電気光学結晶ＥＣに印加する電圧の大きさによって、電気光学結晶ＥＣを透過した光束に付与される光学的位相差を制御することが可能となる。
【００５３】
また、電気光学結晶ＥＣがポッケルス効果を示す材料であるために、電気光学結晶ＥＣを透過した光束に生じる光学的位相差Δθｚは、次の（１）式で示されるように、電気光学結晶ＥＣに印加される電圧Ｖｚに比例する。ここで、λは入射する光束の波長、ｎｏは常光線屈折率である。
【００５４】
Δθｚ＝２π（ｎｏ）３・γ４１・Ｖｚ／λ　……（１）
【００５５】
すなわち、一例として図５に示されるように、印加電圧と光学的位相差との相関関係は原点を通る直線で示される。ＢＳＯ単結晶の常光線屈折率ｎｏは２．５６であるので、例えば入射する光束の波長λが６６０ｎｍの場合には、位相差Δθｚと印加電圧Ｖｚとの相関関係を示す直線の傾き（比例定数）は、８×１０−４［Ｖ−１］となる。この場合に、例えばΔθｚを半波長、すなわち位相をπだけ変化させるためには、約３．９ｋＶの印加電圧が必要となる。
【００５６】
電気光学結晶は電圧が印加されると分極により光学的異方性を示す。そして、その分極は原子レベルの分極であるため、電圧が印加されてから、それに対応する複屈折を生じるまでの応答時間はナノ秒以下である。しかしながら、平行平板に加工された電気光学結晶に電極を形成した電気光学素子の場合には、電気光学素子の形状に関係するキャパシタンス成分、位相差調整回路６１の出力インピーダンス及び配線のインピーダンスなどの影響により、応答時間が遅延する。そこで、本第１の実施形態では、電気光学結晶の厚みや電極面積を最適化することによってキャパシタンス成分を減少させ、応答時間の遅延を抑制した。
【００５７】
前記位相差調整回路６１は、一例として図６に示されるように、受光器５９を構成する各受光素子からの出力信号（電流信号）を電圧信号に変換するためのＩ−Ｖ変換回路６１ａ、該Ｉ−Ｖ変換回路６１ａからの各出力信号を加算する加算回路６１ｂ、受光器５９での受光量が最大となるときの各受光素子からの出力信号の和信号に対応する信号を基準信号として生成する基準信号生成回路６１ｃ、加算回路６１ｂからの出力信号Ｓ１と基準信号生成回路６１ｃからの基準信号Ｓ２との差信号を求める減算器６１ｄ、この減算器６１ｄの出力信号Ｓ３に基づいて電気光学素子５３に印加する電圧を設定する印加電圧設定回路６１ｅなどから構成されている。なお、電極５３Ｂは０Ｖとなるように設定しても良い。
【００５８】
また、基準信号生成回路６１ｃは、一例として図７に示されるように、２つの入力信号を比較して、大きいほうの信号を出力する比較回路６１１、基準信号が格納されている不揮発メモリ６１３、及び基準信号を管理する基準信号管理回路６１２などから構成されている。比較回路６１１は加算回路６１ｂからの出力信号Ｓ１と基準信号管理回路６１２からの出力信号Ｓ２とを比較し、大きいほうの信号を出力信号ＳＭとして基準信号管理回路６１２に出力する。また、基準信号管理回路６１２は不揮発メモリ６１３に格納されている基準信号を出力信号Ｓ２として比較回路６１１及び減算器６１ｄに出力する。
【００５９】
基準信号管理回路６１２は、例えば光ディスク１５が光ディスク装置２０にロードされ、ＣＰＵ４０から基準信号の更新要求が入力されると、不揮発メモリ６１３に格納されている基準信号をクリアするとともに、印加電圧設定回路６１ｅに対してテストモードへの遷移要求を出力する。印加電圧設定回路６１ｅはテストモードに遷移すると、減算器６１ｄからの出力信号Ｓ３に関係なく、電気光学素子５３に印加する電圧を所定の範囲内で所定のステップで徐々に変化させる。そして、基準信号管理回路６１２は、所定のタイミングで比較回路６１１からの出力信号ＳＭを不揮発メモリ６１３に格納するとともに、比較回路６１１に出力する。すなわち、加算回路６１ｂからの出力信号Ｓ１のうちで最も大きい信号が不揮発メモリ６１３に格納されることとなる。印加電圧設定回路６１ｅはテストモードでの処理が終了すると、テスト終了を基準信号管理回路６１２に通知するとともに稼動モードに戻る。基準信号管理回路６１２はテスト終了通知を受けると、基準信号の更新を禁止し、基準信号の更新終了をＣＰＵ４０に通知する。これにより、受光器５９での戻り光束の受光量が最大となるときの加算回路６１ｂからの出力信号とほぼ等しい信号が基準信号となる。従って、減算器６１ｄの出力信号Ｓ３は受光器５９での受光量の減少量に対応する信号である。なお、ＣＰＵ４０は、基準信号の更新要求の代わりに、基準信号に関する情報を基準信号管理回路６１２に通知しても良い。この場合には、基準信号管理回路６１２は、基準信号に関する情報に基づいて不揮発メモリ６１３に格納されている基準信号を更新することとなる。
【００６０】
受光器５９での受光量の減少量と戻り光束における光学的位相差の誤差との相関関係は予め実験的に求められ、その相関関係と上記（１）式とに基づいて受光器５９での受光量の減少量と印加電圧との相関関係を示す近似式が算出され、印加電圧設定回路６１ｅを構成する不揮発メモリ（図示省略）に格納されている。なお、本第１の実施形態では、一例として、次の（２）式が格納されているものとする。なお、Ｖａは電気光学素子５３に印加される電圧、ｋ１は比例定数（変換係数）である。
【００６１】
Ｖａ＝ｋ１・Ｓ３　……（２）
【００６２】
上記のように構成される光ピックアップ装置２３の作用を説明する。なお、ここでは、便宜上、例えば光学系を構成する各光学部品の加工精度、組立誤差、光軸のずれ及び傾きなどに起因する光学的位相差（以下、便宜上「光学系に起因する位相差」という）は極めて小さいものとする。また、λ／４板５５における遅相軸方向と光ディスク１５における遅相軸方向とは４５°ずれているものとする。
【００６３】
《光ディスクの基板の複屈折量が極めて小さい場合》
先ず光ディスク１５の基板の複屈折量（以下「光ディスクの複屈折量」ともいう）が極めて小さい場合について説明する。なお、印加電圧設定回路６１ｅから出力される印加電圧は０Ｖであるものとする。
【００６４】
光源ユニット５１から＋Ｚ方向に出射された直線偏光（ここではＰ偏光）の光束は、コリメートレンズ５２で略平行光となった後、偏光ビームスプリッタ５４に入射する。この光束の大部分は偏光ビームスプリッタ５４をそのまま透過し、λ／４板５５に入射する。λ／４板５５で円偏光の光束とされた後、電気光学素子５３に入射する。ここでは、印加電圧が０Ｖであるため、電気光学素子５３に入射した光束はそのまま透過し、対物レンズ６０を介して光ディスク１５に照射される。ここでは、光ディスクの複屈折量が極めて小さいため、光ディスク１５に照射された光束は基板を透過する際に光学的位相差を付与されることなく、円偏光の光束が記録面に照射される。すなわち、所定の形状の光スポットが記録面に形成される。
【００６５】
光ディスク１５の記録面にて反射した戻り光束は、往路とは反対回りの円偏光の光束となる。この光束は基板を透過する際に光学的位相差を付与されることなく、円偏光の戻り光束が対物レンズ６０に入射する。対物レンズ６０で再び略平行光とされた戻り光束は、電気光学素子５３をそのまま透過し、λ／４板５５に入射する。この戻り光束はλ／４板５５で円偏光から直線偏光（ここではＳ偏光）に変換され、偏光ビームスプリッタ５４に入射する。
【００６６】
偏光ビームスプリッタ５４に入射した光束は、その殆どが−Ｘ方向に反射され、検出レンズ５８を介して受光器５９で受光される。受光器５９を構成する各受光素子は、受光量に応じた信号をそれぞれ位相差調整回路６１及び再生信号処理回路２８に出力する。なお、偏光ビームスプリッタ５４を透過して光源ユニット５１に入射する光束は殆ど０である。
【００６７】
位相差調整回路６１は、受光器５９を構成する各受光素子からの出力信号をＩ−Ｖ変換回路６１ａにて電圧信号に変換した後、各電圧信号を加算回路６１ｂにて加算する。加算回路６１ｂからの出力信号Ｓ１は減算器６１ｄにて基準信号Ｓ２と比較され、その比較結果は信号Ｓ３として印加電圧設定回路６１ｅに入力される。ここでは、受光器５９での受光量はほぼ最大値となるため、信号Ｓ３はほぼ０となる。従って、上記（２）式から明らかなように、印加電圧設定回路６１ｅから出力される印加電圧は０Ｖのままとなる。
【００６８】
《光ディスクの基板の複屈折量が大きい場合（位相差の誤差調整なし）》
次に、光ディスクの複屈折量が大きい場合について説明する。なお、印加電圧設定回路６１ｅから出力される印加電圧は０Ｖであるものとする。
【００６９】
光源ユニット５１から＋Ｚ方向に出射された直線偏光（ここではＰ偏光）の光束は、コリメートレンズ５２で略平行光となった後、偏光ビームスプリッタ５４に入射する。この光束の大部分は偏光ビームスプリッタ５４をそのまま透過し、λ／４板５５にて円偏光とされた後、電気光学素子５３に入射する。ここでは、印加電圧が０Ｖであるため、電気光学素子５３に入射した光束はそのまま透過し、対物レンズ６０を介して光ディスク１５に照射される。ここでは、光ディスクの複屈折量が大きいので、光ディスク１５に照射された光束は基板を透過する際に光学的位相差（ここではδａとする）が付与され、楕円偏光となる。すなわち、所定の形状の光スポットは記録面に形成されない。
【００７０】
光ディスク１５の記録面にて反射した戻り光束は、往路とは反対回りの楕円偏光の光束となる。この戻り光束は基板を透過する際に再度光学的位相差δａが付与され、対物レンズ６０に入射する。対物レンズ６０で再び略平行光とされた戻り光束は電気光学素子５３をそのまま透過し、λ／４板５５にて楕円度が異なる楕円偏光に変換され、偏光ビームスプリッタ５４に入射する。すなわち、偏光ビームスプリッタ５４に入射する戻り光束の光学的位相差は、誤差を含むこととなる。
【００７１】
偏光ビームスプリッタ５４に入射した光束に含まれるＳ偏光成分は−Ｘ方向に反射され、検出レンズ５８を介して受光器５９で受光される。受光器５９を構成する各受光素子は、受光量に応じた信号をそれぞれ位相差調整回路６１及び再生信号処理回路２８に出力する。光ディスクの複屈折量が小さい場合に比べて受光器５９での受光量は低下する。
【００７２】
一方、偏光ビームスプリッタ５４に入射した光束に含まれるＰ偏光成分は偏光ビームスプリッタ５４を透過し、光源ユニット５１に入射する。そのため、半導体レーザでの発振が不安定となり、各種不都合を生じるおそれがある。
【００７３】
位相差調整回路６１は、各受光素子からの出力信号をＩ−Ｖ変換回路６１ａにて電圧信号に変換した後、各電圧信号を加算回路６１ｂにて加算する。加算回路６１ｂからの出力信号Ｓ１は減算器６１ｄにて基準信号Ｓ２と比較され、その比較結果は信号Ｓ３として印加電圧設定回路６１ｅに入力される。印加電圧設定回路６１ｅは、上記（２）式に基づいて、印加電圧を設定するとともに各電極に出力する。これにより、光ディスクの複屈折によって付与される光学的位相差（以下「光ディスクに起因する位相差」ともいう）δａとは逆極性の光学的位相差−δａが電気光学素子５３で付与されることとなる。
【００７４】
《光ディスクの基板の複屈折量が大きい場合（位相差の誤差調整あり）》
上記のようにして設定された電圧が電気光学素子５３に印加された場合について説明する。
【００７５】
光源ユニット５１から＋Ｚ方向に出射された直線偏光（ここではＰ偏光）の光束は、コリメートレンズ５２で略平行光となった後、偏光ビームスプリッタ５４に入射する。この光束の大部分は偏光ビームスプリッタ５４をそのまま透過し、λ／４板５５にて円偏光とされた後、電気光学素子５３に入射する。ここでは、上記設定された電圧が印加されているため、電気光学素子５３に入射した光束は−δａの光学的位相差が付与され、対物レンズ６０を介して光ディスク１５に照射される。ここでは、光ディスクの複屈折量が大きいので、光ディスク１５に照射された光束は基板を透過する際に光学的位相差（ここではδａとする）が付与され、記録面に照射される。すなわち、光ディスクに起因する位相差（δａ）は、電気光学素子５３で付与された光学的位相差（−δａ）と相殺される。従って、所定の形状の光スポットが記録面に形成される。
【００７６】
光ディスク１５の記録面にて反射した戻り光束は、往路とは反対回りの円偏光の光束となる。この戻り光束は基板を透過する際に再度光学的位相差δａが付与され、対物レンズ６０に入射する。対物レンズ６０で再び略平行光とされた光束は電気光学素子５３に入射する。電気光学素子５３に入射した光束は−δａの光学的位相差が付与され、円偏光の光束としてλ／４板５５に入射する。この戻り光束はλ／４板５５で円偏光から直線偏光（ここではＳ偏光）に変換され、偏光ビームスプリッタ５４に入射する。すなわち、光学的位相差の誤差が補正された戻り光束が偏光ビームスプリッタ５４に入射する。
【００７７】
偏光ビームスプリッタ５４に入射した光束は、その殆どが−Ｘ方向に反射され、検出レンズ５８を介して受光器５９で受光される。受光器５９を構成する各受光素子は、受光量に応じた信号をそれぞれ位相差調整回路６１及び再生信号処理回路２８に出力する。なお、偏光ビームスプリッタ５４を透過して光源ユニット５１に入射する光束は殆ど０となる。
【００７８】
なお、上記説明では、わかりやすくするために光学系に起因する位相差は極めて小さいものとしたが、光学系に起因する位相差が大きい場合であっても同様にして電気光学素子５３の印加電圧を調整することにより戻り光束における光学的位相差の誤差を補正することができる。また、光学系に起因する位相差及び光ディスクに起因する位相差がいずれも大きい場合であっても良い。
【００７９】
《記録処理》
次に、前述の光ディスク装置２０を用いて、光ディスク１５にデータを記録する場合の処理動作について簡単に説明する。
【００８０】
ＣＰＵ４０は、ホストから記録要求のコマンドを受信すると、指定された記録速度に基づいてスピンドルモータ２２の回転を制御するための制御信号をモータドライバ２７に出力するとともに、ホストから記録要求のコマンドを受信した旨を再生信号処理回路２８に通知する。また、ＣＰＵ４０は、ホストから受信したデータをバッファマネージャ３７を介してバッファＲＡＭ３４に蓄積する。
【００８１】
位相差調整回路６１は、前述の如くして電気光学素子５３に印加する電圧を調整し、戻り光束における光学的位相差の誤差を補正する。光ディスク１５の回転が所定の線速度に達すると、再生信号処理回路２８は、受光器５９からの出力信号に基づいて、トラックエラー信号及びフォーカスエラー信号を検出し、サーボコントローラ３３に出力する。
【００８２】
サーボコントローラ３３は、トラックエラー信号に基づいて、モータドライバ２７を介して光ピックアップ装置２３のトラッキングアクチュエータを駆動し、トラックずれを補正する。また、サーボコントローラ３３は、フォーカスエラー信号に基づいて、モータドライバ２７を介して光ピックアップ装置２３のフォーカシングアクチュエータを駆動し、フォーカスずれを補正する。このようにして、トラッキング制御及びフォーカス制御が行われる。
【００８３】
また、再生信号処理回路２８は、受光器５９からの出力信号に基づいてアドレス情報を取得し、ＣＰＵ４０に通知する。そして、ＣＰＵ４０は、再生信号処理回路２８からのアドレス情報に基づいて、指定された書き込み開始地点に光ピックアップ装置２３が位置するように光ピックアップ装置２３のシークモータを制御する信号をモータドライバ２７に出力する。
【００８４】
ＣＰＵ４０は、バッファマネージャ３７からバッファＲＡＭ３４に蓄積されたデータ量が所定の値を超えたとの通知を受けると、エンコーダ２５に書き込みデータの作成を指示する。また、ＣＰＵ４０は、再生信号処理回路２８からのアドレス情報に基づいて、光ピックアップ装置２３の位置が書き込み開始地点であると判断すると、エンコーダ２５に通知する。そして、エンコーダ２５は、レーザコントロール回路２４及び光ピックアップ装置２３を介して、書き込みデータを光ディスク１５に記録する。
【００８５】
《再生処理》
続いて前述した光ディスク装置２０を用いて、光ディスク１５に記録されているデータを再生する場合の処理動作について簡単に説明する。
【００８６】
ＣＰＵ４０は、ホストから再生要求のコマンドを受信すると、再生速度に基づいてスピンドルモータ２２の回転を制御するための制御信号をモータドライバ２７に出力するとともに、ホストから再生要求のコマンドを受信した旨を再生信号処理回路２８に通知する。そして、上記記録処理の場合と同様にして、電気光学素子５３に印加する電圧の調整、対物レンズ６０のトラッキング制御及びフォーカス制御が行われる。また、再生信号処理回路２８は、上記記録処理の場合と同様にアドレス情報を検出し、ＣＰＵ４０に通知する。
【００８７】
ＣＰＵ４０は、再生信号処理回路２８からのアドレス情報に基づいて、指定された読み込み開始地点に光ピックアップ装置２３が位置するようにシークモータを制御する信号をモータドライバ２７に出力する。ＣＰＵ４０は、再生信号処理回路２８からのアドレス情報に基づいて、光ピックアップ装置２３の位置が読み込み開始地点であると判断すると、再生信号処理回路２８に通知する。
【００８８】
そして、再生信号処理回路２８は、光ピックアップ装置２３の出力信号に基づいてＲＦ信号を検出し、誤り訂正処理等を行った後、バッファＲＡＭ３４に蓄積する。バッファマネージャ３７は、バッファＲＡＭ３４に蓄積された再生データがセクタデータとして揃ったときに、インターフェース３８を介してホストに転送する。
【００８９】
なお、記録処理及び再生処理が終了するまで、前述した電気光学素子５３に印加する電圧の調整、対物レンズ６０のトラッキング制御及びフォーカス制御が随時行われる。
【００９０】
以上の説明から明らかなように、本第１の実施形態に係る光ディスク装置２０では、再生信号処理回路２８と、ＣＰＵ４０及び該ＣＰＵ４０によって実行されるプログラムとによって処理装置が実現されている。また、位相差調整回路６１によって位相差補正手段が実現されている。
【００９１】
以上説明したように、本第１の実施形態に係る光ピックアップ装置によると、位相差調整回路６１は、受光器５９からの出力信号に基づいて、受光器５９での受光量が最大受光量とほぼ一致するように、電気光学素子５３に印加する電圧を調整している。これにより、光学系に起因する位相差及び光ディスクに起因する位相差による戻り光束における光学的位相差の誤差が補正され、受光器５９から出力される信号の信号レベル及びＳ／Ｎ比を向上させることができる。また、各光学部品を組み付けた後に、光学的位相差の誤差を補正することができるため、各光学部品の組み付け作業及び調整作業が容易となり、作業コストを削減することが可能となる。さらに、各光学部品の選定が容易となり、安価な汎用部品を用いることができるため、部品コストの削減及び歩留まりの向上が可能となる。また、温度変化や経時変化などにより光学系に起因する位相差が変化しても精度良く光学的位相差の誤差を補正することができるため、受光器５９から出力される信号の安定性を向上させることが可能となる。
【００９２】
さらに、本第１の実施形態に係る光ピックアップ装置によると、稼働中にフィードバック制御を行って光学的位相差の誤差を補正しているため、光ディスクのメーカ間及び製造ロット間に複屈折の発生状況の違いがあっても、光ディスク毎に光ディスクに起因する位相差による誤差を精度良く補正することができる。
【００９３】
また、本第１の実施形態に係る光ピックアップ装置によると、電気光学素子５３では屈折率を変更する材料として電気光学結晶が用いられているために、１００ＭＨｚ以上の帯域特性を有する位相差調整回路６１からの制御信号に追随することができ、ほぼリアルタイムで光学的位相差の誤差を補正することが可能となる。そこで、例えばＤＶＤドライブ装置に用いられた場合には、１０倍速程度の回転速度においても完全に追従して光学的位相差の誤差を補正することができる。また、記録面の場所（アドレス）によって複屈折量が異なる光ディスクに対しても精度良く光学的位相差の誤差を補正することが可能となる。
【００９４】
さらに、本第１の実施形態に係る光ピックアップ装置によると、電気光学素子５３では縦型の電気光学効果を示す電気光学結晶を用いているために、横型の電気光学効果を示す電気光学結晶（光軸と電界印加方向が垂直）を用いた場合に比べて、電気光学結晶を光軸方向に薄く、面方向に広くすることができる．これにより、光源から対物レンズまでの距離を短くすることが可能となり、各光学部品の配置の自由度が増すとともに、ピックアップ装置を小型化することができる。なお、横型の電気光学効果を示す電気光学結晶を用いた場合には、電界印加方向と光軸方向とが直交しているので、各電極は光路を挟む位置に設置する必要がある。この場合には、各電極間の距離は、当然ながら光路中の光のビーム径より大きくしなければならないため、ビーム径を大きくしようとすると電極間距離が長くなる。一方、縦型の電気光学効果を示す電気光学結晶を用いた場合には、ビーム径を大きくしようとすると電気光学結晶の面積を大きくするだけで良く、電極間距離（ギャップ長）には影響を及ぼさない。従って、縦型の電気光学効果を示す電気光学結晶を用いた場合には、通常のハーフハイトの高さのピックアップ装置であっても、ビーム径を大きくとることが可能となり、その結果ワーキングディスタンスを大きくすることができる。
【００９５】
また、本第１の実施形態に係る光ピックアップ装置によると、電気光学素子５３にポッケルス効果を示す電気光学結晶を用いているために、印加電圧と光学的位相差との関係は直線関係となる。また、電圧が印加されていないときには光学的位相差が０、すなわち等方性媒質となる。そこで、印加電圧の正負と光学的位相差の正負とを対応させることができる。従って、印加電圧と光学的位相差とは単純な比例関係を有することとなり、簡単な一次式で示すことができる。これにより、光学的位相差の誤差の補正が容易になり、例えば印加電圧設定回路に汎用の安価なリニアアンプなどを用いることができ、回路の単純化及び低コスト化を図ることができるとともに、補正の高速化を図ることが可能となる。
【００９６】
また、本第１の実施形態に係る光ピックアップ装置によると、電気光学結晶としてシレナイト構造を有する酸化物を用いているために、低い印加電圧で大きな光学的位相差が発生する。従って、位相差調整回路６１に大規模な昇圧回路を必要とせず、光ピックアップ装置の小型化及び軽量化を促進することができる。
【００９７】
また、本第１の実施形態に係る光ディスク装置によると、再生信号、ウォブル信号及びサーボ信号などを精度良く安定して検出することができるため、高速度でのアクセスを安定して行うことが可能となる。さらに、光ピックアップ装置の小型化及び軽量化によって、光ディスク装置自体の小型化及び消費電力の低減も促進することができ、例えば携帯用として用いられる場合には、持ち運びが容易になるとともに、長時間の使用が可能となる。
【００９８】
なお、上記第１の実施形態では、偏光ビームスプリッタ５４を用いて戻り光束を受光器５９側に分岐する場合について説明したが、これに限らず、偏光ビームスプリッタ５４に代えて、例えば偏光ホログラム素子を用いても良い。これにより、光ピックアップ装置の小型化及び軽量化を促進することができる。さらに、この場合に、その偏光ホログラム素子と受光器５９とを一体化しても良い。
【００９９】
《第２の実施形態》
次に、本発明の第２の実施形態を図８〜図１０に基づいて説明する。
【０１００】
この第２の実施形態は、一例として図８に示されるように、上記第１の実施形態におけるコリメートレンズ５２と偏光ビームスプリッタ５４との間に無偏光ビームスプリッタ７０を配置した点に特徴を有する。
【０１０１】
さらに、無偏光ビームスプリッタ７０で反射された戻り光束を集光するための集光レンズ７１と、該集光レンズ７１で集光された戻り光束を受光するための受光器７２とが付与されている。
【０１０２】
そこで、上記第１の実施形態における位相差調整回路６１の代わりに、受光器５９及び受光器７２からの出力信号に基づいて電気光学素子５３の印加電圧を調整する位相差調整回路６２が用いられる。
【０１０３】
なお、その他の光ピックアップ装置及び光ディスク装置の構成などは、上記第１の実施形態と同様である。従って、以下においては、上記第１の実施形態との相違点を中心に説明するとともに、上記第１の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については同一の符号を用い、その説明を簡略化し若しくは省略するものとする。
【０１０４】
位相差調整回路６２は、一例として図９に示されるように、受光器５９を構成する各受光素子からの出力信号及び受光器７２からの出力信号を電圧信号に変換するためのＩ−Ｖ変換回路６２ａ、該Ｉ−Ｖ変換回路６２ａにて電圧信号に変換された受光器５９を構成する各受光素子からの出力信号を加算する加算回路６２ｂ、この加算回路６２ｂからの出力信号Ｓ１１とＩ−Ｖ変換回路６２ａにて電圧信号に変換された受光器７２からの出力信号Ｓ１２との差信号を求める減算器６２ｄ、受光器５９での受光量と受光器７２での受光量との差が最大となるときの受光器５９からの出力信号と受光器７２からの出力信号との差信号に対応する信号を基準信号として生成する基準信号生成回路６２ｃ、減算器６２ｄからの出力信号Ｓ１３と基準信号生成回路６２ｃからの出力信号Ｓ１４との差信号を求める減算器６２ｅ、この減算器６２ｅの出力信号Ｓ１５に基づいて電気光学素子５３に印加する電圧を設定する印加電圧設定回路６２ｆなどから構成されている。
【０１０５】
また、基準信号生成回路６２ｃは、一例として図１０に示されるように、２つの入力信号を比較して、大きいほうの信号を出力する比較回路６２１、基準信号が格納されている不揮発メモリ６２３、及び基準信号を管理する基準信号管理回路６２２などから構成されている。比較回路６２１は減算器６２ｄからの出力信号Ｓ１３と基準信号管理回路６２２からの出力信号Ｓ１４とを比較し、大きいほうの信号を出力信号ＳＮとして基準信号管理回路６２２に出力する。また、基準信号管理回路６２２は不揮発メモリ６２３に格納されている基準信号を出力信号Ｓ１４として比較回路６２１及び減算器６２ｅに出力する。
【０１０６】
基準信号管理回路６２２は、例えば光ディスク１５が光ディスク装置２０にロードされ、ＣＰＵ４０から基準信号の更新要求が入力されると、不揮発メモリ６２３に格納されている基準信号をクリアするとともに、印加電圧設定回路６２ｆに対してテストモードへの遷移要求を出力する。印加電圧設定回路６２ｆはテストモードに遷移すると、減算器６２ｅからの出力信号Ｓ１５に関係なく、電気光学素子５３に印加する電圧を所定の範囲内で所定のステップで徐々に変化させる。そして、基準信号管理回路６２２は、所定のタイミングで比較回路６２１からの出力信号ＳＮを不揮発メモリ６２３に格納するとともに、比較回路６２１に出力する。すなわち、減算器６２ｄからの出力信号Ｓ１３のうちで最も大きい信号が不揮発メモリ６２３に格納されることとなる。印加電圧設定回路６２ｆはテストモードでの処理が終了すると、テスト終了を基準信号管理回路６２２に通知するとともに稼動モードに戻る。基準信号管理回路６２２はテスト終了通知を受けると、基準信号の更新を禁止し、基準信号の更新終了をＣＰＵ４０に通知する。これにより、受光器５９での受光量と受光器７２での受光量との差が最大となるときの受光器５９での戻り光束の受光量が最大となるときの減算器６２ｄからの出力信号とほぼ等しい信号が基準信号となる。なお、ＣＰＵ４０は、基準信号の更新要求の代わりに、基準信号に関する情報を基準信号管理回路６２２に通知しても良い。この場合には、基準信号管理回路６２２は、基準信号に関する情報に基づいて不揮発メモリ６２３に格納されている基準信号を更新することとなる。
【０１０７】
受光器５９での受光量と受光器７２での受光量との差の減少量と、戻り光束における光学的位相差の誤差との相関関係は予め実験的に求められ、その相関関係と上記（１）式とに基づいて受光器５９での受光量と受光器７２での受光量との差の減少量と、印加電圧との相関関係を示す近似式が算出され、印加電圧設定回路６２ｆを構成する不揮発メモリ（図示省略）に格納されている。なお、本第２の実施形態では、一例として、次の（３）式が格納されているものとする。なお、Ｖａは電気光学素子５３に印加される電圧、ｋ２は比例定数（変換係数）である。
【０１０８】
Ｖａ＝ｋ２・Ｓ３　……（３）
【０１０９】
上記のようにして構成される光ピックアップ装置２３の作用を説明する。なお、ここでは、上記第１の実施形態と同様に、光学系に起因する位相差は極めて小さいものとする。
【０１１０】
《光ディスクの基板の複屈折量が大きい場合（光学的位相差の誤差調整なし）》先ず、光ディスクの複屈折量が大きく、印加電圧設定回路６２ｆから出力される印加電圧が０Ｖの場合について説明する。
【０１１１】
光源ユニット５１から＋Ｚ方向に出射された直線偏光（ここではＰ偏光）の光束は、コリメートレンズ５２で略平行光となった後、無偏光ビームスプリッタ７０に入射する。無偏光ビームスプリッタ７０を透過した光束は、偏光ビームスプリッタ５４に入射する。この光束の大部分は偏光ビームスプリッタ５４をそのまま透過し、λ／４板５５に入射する。λ／４板５５で円偏光とされた後、電気光学素子５３に入射する。ここでは、印加電圧が０Ｖであるため、電気光学素子５３に入射した光束はそのまま透過し、対物レンズ６０を介して光ディスク１５に照射される。ここでは、光ディスクの複屈折量が大きいので、光ディスク１５に照射された光束は基板を透過する際に光学的位相差（ここではδａとする）を生じ、楕円偏光の光束が記録面に照射される。所定の形状の光スポットは記録面に形成されない。
【０１１２】
光ディスク１５の記録面にて反射した戻り光束は、往路とは反対回りの楕円偏光の光束となる。この光束は基板を透過する際に再度光学的位相差δａを生じ、楕円度が大きくなった楕円偏光の光束が対物レンズ６０の入射する。対物レンズ６０で再び略平行光とされた光束は電気光学素子５３に入射する。この光束は電気光学素子５３をそのまま透過し、λ／４板５５に入射する。λ／４板５５では楕円度が変更され偏光ビームスプリッタ５４に入射する。すなわち、偏光ビームスプリッタ５４に入射する戻り光束の光学的位相差は、誤差を含むこととなる。
【０１１３】
偏光ビームスプリッタ５４に入射した光束に含まれるＳ偏光成分は−Ｘ方向に反射され、検出レンズ５８を介して受光器５９で受光される。受光器５９を構成する各受光素子は、受光量に応じた信号をそれぞれ位相差調整回路６２及び再生信号処理回路２８に出力する。光ディスクの複屈折量が小さい場合に比べて受光器５９での受光量は低下する。
【０１１４】
一方、偏光ビームスプリッタ５４に入射した光束に含まれるＰ偏光成分は偏光ビームスプリッタ５４を透過し、無偏光ビームスプリッタ７０に入射する。無偏光ビームスプリッタ７０で−Ｘ方向に反射された戻り光束は、検出レンズ７１を介して受光器７２で受光される。受光器７２は受光量に応じた信号を位相差調整回路６２に出力する。なお、無偏光ビームスプリッタ７０を透過した光束は光源ユニット５１に入射する。
【０１１５】
位相差調整回路６２は、受光器５９を構成する各受光素子及び受光器７２からの出力信号をＩ−Ｖ変換回路６２ａにて電圧信号に変換した後、受光器５９を構成する各受光素子からの出力信号に対応する各電圧信号を加算回路６２ｂにて加算する。加算回路６２ｂからの出力信号Ｓ１１は減算器６２ｄにて受光器７２からの出力信号に対応する電圧信号Ｓ１２と比較され、その比較結果は信号Ｓ１３として減算器６２ｅに入力される。信号Ｓ１３は減算器６２ｅにて基準信号Ｓ１４と比較され、その比較結果は信号Ｓ１５として印加電圧設定回路６２ｆに入力される。印加電圧設定回路６２ｆは、上記（３）式に基づいて、電気光学素子５３への印加電圧を設定するとともに、各電極に出力する。これにより、光ディスクに起因する位相差（δａ）と逆極性の位相差（−δａ）が電気光学素子５３で付与されることとなる。
【０１１６】
《光ディスクの基板の複屈折量が大きい場合（位相差ずれ調整あり）》
次に、上記のようにして設定された電圧が電気光学素子５３に印加された場合について説明する。
【０１１７】
光源ユニット５１から＋Ｚ方向に出射された直線偏光（ここではＰ偏光）の光束は、コリメートレンズ５２で略平行光となった後、無偏光ビームスプリッタ７０に入射する。無偏光ビームスプリッタ７０を透過した光束は、偏光ビームスプリッタ５４に入射する。この光束の大部分は偏光ビームスプリッタ５４をそのまま透過し、λ／４板５５にて円偏光とされた後、電気光学素子５３に入射する。ここでは、電気光学素子５３に入射した光束は−δａの光学的位相差が付与され、対物レンズ６０を介して光ディスク１５に照射される。ここでは、光ディスク１５に照射された光束は基板を透過する際に光学的位相差δａを生じ、記録面に照射される。すなわち、光ディスクに起因する位相差（δａ）は、電気光学素子５３で付与された位相差（−δａ）と相殺される。従って、所定の形状の光スポットが記録面に形成される。
【０１１８】
光ディスク１５の記録面にて反射した戻り光束は、往路とは反対回りの円偏光の光束となる。この戻り光束は基板を透過する際に再度光学的位相差δａを生じ、楕円偏光の光束となって対物レンズ６０の入射する。対物レンズ６０で再び略平行光とされた光束は電気光学素子５３に入射する。電気光学素子５３に入射した光束は−δａの光学的位相差が付与され、円偏光の光束としてλ／４板５５に入射する。この戻り光束はλ／４板５５で円偏光から直線偏光（ここではＳ偏光）となり、偏光ビームスプリッタ５４に入射する。すなわち、光学的位相差の誤差が補正された戻り光束が偏光ビームスプリッタ５４に入射する。
【０１１９】
偏光ビームスプリッタ５４に入射した光束は、その殆どが−Ｘ方向に反射され、検出レンズ５８を介して受光器５９で受光される。受光器５９を構成する各受光素子は、受光量に応じた信号をそれぞれ位相差調整回路６２及び再生信号処理回路２８に出力する。なお、偏光ビームスプリッタ５４を透過して無偏光ビームスプリッタ７０に入射する光量は殆ど０である。
【０１２０】
以上の説明から明らかなように、本第２の実施形態に係る光ディスク装置２０では、位相差調整回路６２によって位相差補正手段が実現されている。また、上記第１の実施形態と同様に、再生信号処理回路２８と、ＣＰＵ４０及び該ＣＰＵ４０によって実行されるプログラムとによって処理装置が実現されており、上記第１の実施形態と同様にして、記録処理及び再生処理が行われる。
【０１２１】
以上説明したように、本第２の実施形態に係る光ピックアップ装置によると、位相差調整回路６２は、受光器５９及び受光器７２からの出力信号に基づいて、受光器５９での受光量と受光器７２での受光量との差がほぼ最大となるように、電気光学素子５３に印加する電圧を調整している。これにより、光学系及び光ディスクに起因する位相差による戻り光束における光学的位相差の誤差が補正され、受光器５９から出力される信号の信号レベル及びＳ／Ｎ比を向上させることが可能となるため、上記第１の実施形態に係る光ピックアップ装置と同様な効果を得ることができる。なお、光学系及び光ディスクに起因する位相差の検出精度は上記第１の実施形態よりも高い。
【０１２２】
また、本第２の実施形態に係る光ディスク装置によると、再生信号、ウォブル信号及びサーボ信号などを精度良く安定して検出することができるため、上記第１の実施形態に係る光ディスク装置と同様な効果を得ることが可能となる。
【０１２３】
なお、上記第２の実施形態では、受光器７２からの出力信号と受光器５９からの出力信号に基づいて電気光学素子５３の印加電圧を調整する場合について説明したが、これに限らず、例えば図１１に示されるように、受光器７２からの出力信号のみに基づいて電気光学素子５３の印加電圧を調整しても良い。この場合には、位相差調整回路６２の代わりに位相差調整回路６３が用いられることとなる。
【０１２４】
この位相差調整回路６３は、一例として図１２に示されるように、受光器７２からの出力信号を電圧信号に変換するためのＩ−Ｖ変換回路６３ａ、受光器７２での受光量が最小となるときの受光器７２からの出力信号とほぼ同レベルの基準信号を生成する基準信号生成回路６３ｂ、Ｉ−Ｖ変換回路６３ａからの出力信号Ｓ２１と基準信号生成回路６３ｂからの出力信号Ｓ２２との差信号を求める減算器６３ｃ、この減算器６３ｃの出力信号Ｓ２３に基づいて電極５３Ａに印加する電圧を設定する印加電圧設定回路６３ｄなどから構成されている。
【０１２５】
また、基準信号生成回路６６３ｂは、一例として図１３に示されるように、２つの入力信号を比較して、小さいほうの信号を出力する比較回路６３１、基準信号が格納されている不揮発メモリ６３３、及び基準信号を管理する基準信号管理回路６３２などから構成されている。比較回路６３１はＩ−Ｖ変換回路６３ａからの出力信号Ｓ２１と基準信号管理回路６３２からの出力信号Ｓ２２とを比較し、小さいほうの信号を出力信号ＳＬとして基準信号管理回路６３２に出力する。また、基準信号管理回路６３２は不揮発メモリ６３３に格納されている基準信号を出力信号Ｓ２２として比較回路６３１及び減算器６３ｃに出力する。
【０１２６】
基準信号管理回路６３２は、例えば光ディスク１５が光ディスク装置２０にロードされ、ＣＰＵ４０から基準信号の更新要求が入力されると、不揮発メモリ６３３に格納されている基準信号に所定の大きな値を初期値としてセットするとともに、印加電圧設定回路６３ｄに対してテストモードへの遷移要求を出力する。印加電圧設定回路６３ｄはテストモードに遷移すると、減算器６３ｃからの出力信号Ｓ２３に関係なく、電気光学素子５３に印加する電圧を所定の範囲内で所定のステップで徐々に変化させる。そして、基準信号管理回路６３２は、所定のタイミングで比較回路６３１からの出力信号ＳＬを不揮発メモリ６３３に格納するとともに、比較回路６３１に出力する。すなわち、Ｉ−Ｖ変換回路６３ａからの出力信号Ｓ２１のうちで最も小さい信号が不揮発メモリ６３３に格納されることとなる。印加電圧設定回路６３ｄはテストモードでの処理が終了すると、テスト終了を基準信号管理回路６３２に通知するとともに稼動モードに戻る。基準信号管理回路６３２はテスト終了通知を受けると、基準信号の更新を禁止し、基準信号の更新終了をＣＰＵ４０に通知する。これにより、受光器７２での受光量が最小となるときのＩ−Ｖ変換回路６３ａからの出力信号とほぼ等しい信号が基準信号となる。なお、ＣＰＵ４０は、基準信号の更新要求の代わりに、基準信号に関する情報を基準信号管理回路６３２に通知しても良い。この場合には、基準信号管理回路６３２は、基準信号に関する情報に基づいて不揮発メモリ６３３に格納されている基準信号を更新することとなる。なお、受光器７２での受光量の増加量と戻り光束における光学的位相差の誤差との相関関係は予め実験的に求められ、その相関関係と上記（１）式とに基づいて受光器７２での受光量の増加量と印加電圧との相関関係を示す近似式が算出され、印加電圧設定回路６３ｄを構成する不揮発メモリ（図示省略）に格納されることとなる。
【０１２７】
さらに、上記第２の実施形態では、戻り光束を分岐する分岐光学素子としてビームスプリッタ（偏光ビームスプリッタ５４、無偏光ビームスプリッタ７０）を用いる場合について説明したが、これに限らず、例えばホログラム素子を用いても良い。一例として図１４に示されるように、偏光ビームスプリッタ５４に代えて偏光ホログラム素子８５を、無偏光ビームスプリッタ７０に代えて無偏光ホログラム素子８６を用いても良い。そして、偏光ホログラム素子８５と無偏光ホログラム素子８６とを一体化しても良い。この場合には、偏光ホログラム素子８５及び無偏光ホログラム素子８６をそれぞれ個別の基板上に形成した後に、それらを貼り合わせて一体化しても良いが、偏光ホログラム素子８５及び無偏光ホログラム素子８６を同一基板の一側及び他側にそれぞれ形成しても良い。また、偏光ホログラム素子８５、無偏光ホログラム素子８６、受光器５９、及び受光器７２を一体化しても良い。さらに、一例として図１５（Ａ）及び図１５（Ｂ）に示されるように、それらと半導体レーザ９１ａとを一体化し、受発光モジュール９１としても良い。これにより、光ピックアップ装置の小型化及び軽量化を促進することができる。また、組み付け時の構成部品の数が減少し、組み付け作業及び調整作業を簡略化することができ、作業コストを削減することが可能となる。なお、偏光ビームスプリッタ５４及び無偏光ビームスプリッタ７０のいずれか一方に代えて、ホログラム素子を用いても良い。この場合に、ホログラム素子と対応する受光器とを一体化しても良い。
【０１２８】
なお、上記各実施形態では、電気光学結晶として、一次の電気光学効果を示す材料を用いる場合について説明したが、これに限らず、例えば一次を除く奇数次の電気光学効果を示す材料であっても良い。一次の電気光学効果を示す材料と同様な効果を得ることができるからである。また、偶数次の電気光学効果を示す材料を用いても良い。但し、電気光学結晶として、高次の電気光学効果を示す材料を用いる場合には、一例として図１６に示されるように、印加電圧と光学的位相差との相関関係は簡単な一次式で示すことができなくなり、電気光学結晶の印加電圧の制御が複雑化する。
【０１２９】
また、上記各実施形態では、電気光学結晶として、Ｂｉ１２ＳｉＯ２０（ＢＳＯ）の単結晶を用いる場合について説明したが、本発明がこれに限定されるものではない。例えば、縦型の奇数次の電気光学効果を示す材料として、結晶点群３ｍのＬｉＮｂＯ３（ニオブ酸リチウム）、ＬｉＴａＯ３（タンタル酸リチウム）、　結晶点群４２ｍのＮＨ４Ｈ２ＰＯ４（ＡＤＰ：燐酸二水素アンモニウム）、ＫＨ２ＰＯ４（ＫＤＰ：燐酸二水素カリウム）、結晶点群３２のα水晶（ＳｉＯ２）、結晶点群２３のＢｉ１２ＧｅＯ２０（ＢＧＯ）、結晶点群４３ｍのＺｎＳ、ＺｎＴｅ、Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２などの中心対称性を持たない電気光学結晶を用いても良い。特に、ＢＧＯは、ＢＳＯと同様に電気光学係数（ポッケルス係数γ４１）が１０−１２ｍ／Ｖ以上と大きいため、低い印加電圧で大きな光学的位相差を発生させることができる。また、電気光学結晶は単結晶に限らず多結晶であっても良い。但し、単結晶のほうが光束の透過率が高くなる。
【０１３０】
なお、上記各実施形態において、電気光学素子５３に代えて、例えば電歪素子、光弾性素子、ファラデー素子、及びカーセルなどを用いても良い。
【０１３１】
なお、上記各実施形態では、各電極が矩形形状（図３参照）を有する場合について説明したが、これに限らず、例えば図１７（Ａ）〜図１７（Ｃ）に示されるように、円形状の電極５３Ａ’及び５３Ｂ’が設けられた電気光学素子５３’を用いても良い。
【０１３２】
なお、上記各実施形態では、位相差調整回路の加算回路において、受光器５９からの出力信号の全てが加算される場合について説明したが、本発明がこれに限定されるものではない。例えば受光器５９を構成する特定の受光素子からの出力信号を加算信号に代えて用いても良い。
【０１３３】
さらに、上記各実施形態では、各電極にＩＴＯ膜を用いる場合について説明したが、本発明がこれに限定されるものではない。また、電極の一部分が透明であっても良い。要するに入射光束の大部分が透過可能であれば良い。
【０１３４】
また、上記各実施形態において、電極５３Ｂの代わりにアルミニウム蒸着膜からなる不透明電極を用いても良い。この場合には、電気光学素子は反射型となり、入射光束は電気光学結晶内を往復するため、付与すべき光学的位相差が同じであっても、透明な電極を用いる場合に比べて印加電圧を１／２とすることができる。なお、この場合には、一部の光学部品の配置を変更する必要がある。
【０１３５】
また、上記各実施形態では、光ディスクがロードされたときに基準信号を求める場合について説明したが、本発明がこれに限定されるものではない。例えば戻り光束における光学的位相差の誤差の補正が不十分な場合に、新たに基準信号を求め、不揮発メモリの内容を更新しても良い。
【０１３６】
さらに、上記各実施形態では、不揮発メモリに記録される基準信号が１つの場合について説明したが、これに限らず、例えばベンダ毎に基準信号を不揮発メモリに記録しておき、ロードされた光ディスクに対応した基準信号を使用しても良い。この場合には、ロードされた光ディスクのベンダ情報がＣＰＵ４０から基準信号生成回路に通知される。また、基準信号を求めたときに、その日付も同時に不揮発メモリに記録しておき、一定期間が経過したときに新たに基準信号を求め、不揮発メモリの内容を更新しても良い。
【０１３７】
なお、上記各実施形態では、各電極に印加する電圧を設定するための近似式が印加電圧設定回路の不揮発メモリに格納されている場合について説明したが、これに限らず、例えば変換係数のみが不揮発メモリに格納されていても良い。
【０１３８】
なお、上記各実施形態では、情報の記録及び再生が可能な光ディスク装置について説明したが、これに限らず、情報の記録、再生及び消去のうち少なくとも１つが可能な光ディスク装置であれば良い。
【０１３９】
なお、上記各実施形態では、光源として半導体レーザを用いる場合について説明したが、本発明がこれに限定されるものではない。
【０１４０】
また、上記各実施形態では、光ディスクとして、ＣＤ、ＤＶＤ及び光磁気ディスクなど、光を利用して情報の記録、再生及び消去のうち少なくとも１つが行われる情報記録媒体を用いることができる。
【０１４１】
なお、上記各実施形態において、ＣＰＵ４０によるプログラムに従う処理によって実現した処理装置の少なくとも一部をハードウェアによって構成することとしても良いし、あるいは処理装置の全てをハードウェアによって構成することとしても良い。
【０１４２】
さらに、上記各実施形態では、基準信号生成回路及び印加電圧設定回路は、それぞれ個別に不揮発メモリを備える場合について説明したが、これに限らず、例えば共通の不揮発メモリを備えても良い。
【０１４３】
なお、上記各実施形態において、光ディスク１５に代えて、例えば基板の複屈折量が極めて小さい光ディスクあるいは反射ミラーなどを用いることにより、光学系に起因する位相差のみを求めることができる。そして、その光学系に起因する位相差による、戻り光束における光学的位相差の誤差を補正するために電気光学素子に印加する電圧を、予めオフセット電圧としても良い。
【０１４４】
また、上記実施形態に係る光ディスク装置は、ホストと同一の筐体内に配置される、いわゆる内蔵タイプであっても良いし、ホストとは別の筐体内に配置される、いわゆる外付けタイプであっても良い。
【０１４５】
なお、上記各実施形態では、光源が１つの場合について説明したが、本発明がこれに限定されるものではない。例えば波長が４０５ｎｍの光束を出射する光源、波長が６５０ｎｍの光束を出射する光源及び波長が７８０ｎｍの光束を出射する光源のうち少なくとも２つの光源を備えていても良い。
【０１４６】
また、上記各実施形態では、位相差調整回路が光ピックアップ装置に設けられた場合について説明したが、これに限らず、例えば位相差調整回路と同様な回路を再生信号処理回路２８に付与しても良い。この場合には、再生信号処理回路２８から電気光学素子への印加電圧が供給されることとなる。
【０１４７】
また、上記各実施形態では、アクセス中にフィードバック制御により戻り光束における光学的位相差の誤差を補正する場合について説明したが、これに限らず、例えば光ディスクに起因する位相差があまり変化しない場合などには、予め計測された光学的位相差に基づいて、設定された電圧を電気光学素子に印加し、アクセス中の印加電圧を固定値としても良い。この場合には、位相差調整回路の代わりに所定の電圧を電気光学素子に印加するためのドライバを用いることができる。
【０１４８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る光ピックアップ装置によれば、大型化及び高コスト化を招くことなく、光ピックアップ装置自体及び対物レンズの位置制御に必要な情報などを含む信号を精度良く安定して出力することができるという効果がある。
【０１４９】
また、本発明に係る光ディスク装置によれば、情報記録媒体への高速度でのアクセスを精度良く安定して行うことができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光ディスク装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】第１の実施形態に係る光ピックアップ装置の構成を説明するための図である。
【図３】図３（Ａ）〜図３（Ｃ）は、それぞれ図２における電気光学素子の構成を説明するための図である。
【図４】図４（Ａ）は電圧が印加されていない場合の電気光学素子における屈折率（常光線屈折率ｎｏ、異常光線屈折率ｎｅ）を説明するための図であり、図４（Ｂ）は電圧が印加されている場合の電気光学素子における屈折率を説明するための図である
【図５】電気光学素子における印加電圧と光学的位相差との関係を説明するための図である。
【図６】図２における位相差調整回路の構成を説明するためのブロック図である。
【図７】図６における基準信号生成回路の構成を説明するためのブロック図である。
【図８】第２の実施形態に係る光ピックアップ装置の構成を説明するための図である。
【図９】図８における位相差調整回路の構成を説明するためのブロック図である。
【図１０】図９における基準信号生成回路の構成を説明するためのブロック図である。
【図１１】図８における受光器７２からの出力信号のみに基づいて電気光学素子を制御する場合を説明するための図である。
【図１２】図１１における位相差調整回路の構成を説明するためのブロック図である。
【図１３】図１２における基準信号生成回路の構成を説明するためのブロック図である。
【図１４】図８におけるビームスプリッタ（偏光ビームスプリッタ及び無偏光ビームスプリッタ）に代えてホログラム素子（偏光ホログラム素子及び無偏光ホログラム素子）を用いた例を説明するための図である。
【図１５】図１５（Ａ）及び図１５（Ｂ）は、それぞれホログラム素子、受光器、及び半導体レーザを一体化した例を説明するための図である。
【図１６】電気光学結晶が高次の電気光学効果を示す場合の印加電圧と光学的位相差との関係を説明するための図である。
【図１７】図１７（Ａ）〜図１７（Ｃ）は、それぞれ電極の変形例を説明するための図である。
【図１８】図１８（Ａ）は、ＣＤ−ＲＯＭの基板における複屈折の発生状況の一例を説明するための図であり、図１８（Ｂ）は、そのＣＤ−ＲＯＭからの戻り光束のうち光検出器で受光される受光量の一例を説明するための図である。
【符号の説明】
１５…光ディスク（情報記録媒体）、２０…光ディスク装置、２３…光ピックアップ装置、２８…再生信号処理回路（処理装置の一部）、４０…ＣＰＵ（処理装置の一部）、５３，５３‘…電気光学素子（光学素子）、５３Ａ，５３Ｂ，５３Ａ’，５３Ｂ‘…電極、５４…偏光ビームスプリッタ（偏光性分岐光学素子）、５９…受光器（第１の光検出器）、６０…対物レンズ、６１，６２，６３，６４…位相差調整回路（位相差補正手段）、７０…無偏光ビームスプリッタ（無偏光性分岐光学素子）、７２…受光器（第２の光検出器）、ＥＣ…電気光学結晶。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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