(57)【要約】【課題】半導体素子２端周辺の封止樹脂６領域を小さくすることで、半導体素子２端周辺で発生する応力を緩和し、半導体装置の高い品質・信頼性を実現する。【解決手段】上面に複数の電極４と電極４に接続された配線パターンを有すると共に、電極４及び配線と電気的に接続された外部接続用端子７を底面に有した絶縁性基板からなる半導体キャリア３と、半導体キャリア３上面の複数の電極４に対して導電性を有する複数の突起電極により接合された半導体素子２と、半導体素子２と半導体キャリア３との隙間と半導体素子２の周辺端部を充填被覆している封止樹脂６からなる半導体装置であって、半導体素子２の周辺端部で半導体キャリア３上を被覆している封止樹脂のうち、一辺を被覆している封止樹脂を切断し、封止樹脂の切断面が前記半導体キャリア平面に対し略垂直に形成する。【選択図】図２
2004119481.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に複数の電極と前記電極に接続された配線パターンを有すると共に、前記電極及び配線と電気的に接続された外部接続用端子を底面に有した絶縁性基板からなる半導体キャリアと、前記半導体キャリア上面の複数の電極に対して導電性を有する複数の突起電極により接合された半導体素子と、前記半導体素子と前記半導体キャリアとの隙間と前記半導体素子の周辺端部を充填被覆している封止樹脂からなる半導体装置であって、
前記半導体素子の周辺端部で半導体キャリア上を被覆している封止樹脂のうち、前記半導体素子の一辺を被覆している封止樹脂を切断し、封止樹脂の切断面が前記半導体キャリア平面に対し、略垂直であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体素子の周辺端部で半導体キャリア上を被覆している封止樹脂のうち、前記半導体素子の複数の辺を被覆している封止樹脂を切断し、封止樹脂の切断面が前記半導体キャリア平面に対し、略垂直に形成した請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体素子の周辺端部で半導体キャリア上を被覆している封止樹脂のうち、前記半導体素子の一辺を被覆している封止樹脂と、前記封止樹脂の直下に位置する半導体キャリアを切断し、前記封止樹脂と前記半導体キャリアの切断面が半導体キャリア平面に対し、略垂直に形成した請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体素子の周辺端部で半導体キャリア上を被覆している封止樹脂のうち、前記半導体素子の複数の辺を被覆している封止樹脂と、前記封止樹脂の直下に位置する半導体キャリアを切断し、半導体キャリア平面に対し、前記封止樹脂と前記半導体キャリアの複数の切断面が半導体キャリアに対し、略垂直に形成した請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体素子の表面電極に複数の突起電極を形成する工程と、上面に複数の電極と前記電極に接続された配線パターンを有すると共に、前記電極及び配線と電気的に接続された外部接続用端子を底面に有した絶縁性基板からなる半導体キャリアの製造方法であって、
前記半導体素子上の前記突起電極と前記突起電極に対応した前記半導体キャリアの電極とを接続する工程と、
前記半導体素子と前記半導体キャリアとの間に形成された隙間に半導体素子の周辺端部から封止樹脂を注入し、封止樹脂を硬化させる工程と、
前記半導体素子の周辺端部で半導体キャリア上を被覆している封止樹脂を、半導体キャリア平面に対し、略垂直に切断する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記封止樹脂の直下に半導体キャリアが位置しており、前記半導体キャリア平面に対し、略垂直に切断する請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
複数の半導体素子の表面電極に複数の突起電極を形成する工程と、上面に複数の電極と前記電極に接続された配線パターンを有すると共に、前記電極及び配線と電気的に接続された外部接続用端子を底面に有した配線基板を複数個連なる絶縁性の半導体キャリアであって、
前記半導体素子上の前記突起電極と前記突起電極に対応した各配線基板上の電極とを接続し、前記半導体キャリア上に複数の半導体素子を搭載する工程と、
半導体キャリア上に搭載した複数の半導体素子において、各半導体素子と半導体キャリアとの間に形成された隙間に半導体素子の周辺端部から封止樹脂を注入し、封止樹脂を硬化させる工程と、
各半導体素子四辺の周辺端部を被覆している封止樹脂並びに、半導体素子四辺の周辺端部の半導体キャリアを略垂直に切断することにより、複数の半導体装置を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子２の集積回路部を保護し、かつ外部装置と半導体素子２の電気的接続を安定に確保し、小型で高密度な実装の要求に対応可能な半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
以下、従来の半導体装置について図面を参照しながら説明する。図１３は下記特許文献１に示す従来の半導体装置の平面図、図１４は同断面図であり、図１３のＶ−Ｖ線部分の断面を示している。図１３及び図１４において、従来の半導体装置の構成について説明する。図１３に示すように従来の半導体装置は、半導体素子２の表面電極上に突起電極１を形成し、前記突起電極１が形成された面が下になるように半導体素子２が絶縁基体とした多層回路基板である半導体キャリア３上に搭載されている。半導体キャリア３の上面には半導体素子２との電気的接続のために複数の電極４を形成し、前記電極４と前記半導体素子２上に形成された突起電極１が電気的に接続されている。前記半導体素子２と前記半導体キャリア３との間の隙間に半導体素子２の周辺端部から封止樹脂６を注入し、半導体素子２と半導体キャリア３間及び半導体素子２の周辺端部を封止樹脂６によって充填被覆されている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平８−１５３７３９号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
このような構造を有する半導体装置では、半導体素子２の周辺端部で半導体キャリア３上を被覆している封止樹脂６領域が半導体キャリア３の水平方向に拡大すると、半導体装置に熱ストレス等のストレスが加わった場合、半導体素子２の周辺端部を被覆する封止樹脂６と半導体素子２及び半導体キャリア３との熱膨張率差により、半導体素子２端周辺に大きな歪み応力が発生し、半導体素子２周辺に形成された前記突起電極１と前記半導体キャリア３の電極４との接続部分において、接続抵抗値の上昇並びに、機械的接続強度の劣化や破壊が発生し、半導体製品の品質・信頼性を損なう問題が発生する。
【０００５】
さらに、半導体素子２の表面電極の狭ピッチ化に伴い、突起電極１がより小型になり、また、半導体キャリア３の表面電極４幅が細くなることにより、半導体素子２と半導体キャリア３の接続部分での接続領域の減少並びに、機械的接続強度の低下が発生し、半導体素子２端周辺に発生する応力に対し、半導体素子２と半導体キャリア３の接続部分での接続抵抗値の上昇並びに、機械的接続強度の劣化や破壊が発生する確率が高くなり、品質・信頼性を損なう問題がより一層顕在化する可能性がある。
【０００６】
また、半導体素子２及び半導体キャリア３のサイズの種類が増加するに伴い、半導体素子２の周辺端部を被覆している封止樹脂６の大きさを制御するため、封止樹脂６を塗布及び注入する条件が増加し、半導体装置の生産性を低下する可能性がある。
【０００７】
本発明は、上記問題を解決するために、半導体素子の周辺端部を被覆する封止樹脂領域を拡大することが可能となり、封止樹脂の塗布及び注入条件の自由度を高め、より安定した高い生産性を確保することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明の半導体装置は、上面に複数の電極と前記電極に接続された配線パターンを有すると共に、前記電極及び配線と電気的に接続された外部接続用端子を底面に有した絶縁性基板からなる半導体キャリアと、前記半導体キャリア上面の複数の電極に対して導電性を有する複数の突起電極により接合された半導体素子と、前記半導体素子と前記半導体キャリアとの隙間と前記半導体素子の周辺端部を充填被覆している封止樹脂からなる半導体装置であって、前記半導体素子の周辺端部で半導体キャリア上を被覆している封止樹脂のうち、前記半導体素子の一辺を被覆している封止樹脂を切断し、封止樹脂の切断面が前記半導体キャリア平面に対し、略垂直であることを特徴とする。
【０００９】
前記において、略垂直は９０°が好ましいが、±１０°程度の変動を含む。
【００１０】
次に本発明の第１番目の製造方法は、半導体素子の表面電極に複数の突起電極を形成する工程と、上面に複数の電極と前記電極に接続された配線パターンを有すると共に、前記電極及び配線と電気的に接続された外部接続用端子を底面に有した絶縁性基板からなる半導体キャリアの製造方法であって、前記半導体素子上の前記突起電極と前記突起電極に対応した前記半導体キャリアの電極とを接続する工程と、前記半導体素子と前記半導体キャリアとの間に形成された隙間に半導体素子の周辺端部から封止樹脂を注入し、封止樹脂を硬化させる工程と、前記半導体素子の周辺端部で半導体キャリア上を被覆している封止樹脂を、半導体キャリア平面に対し、略垂直に切断する工程とを含むことを特徴とする。
【００１１】
次に本発明の第２番目の製造方法は、複数の半導体素子の表面電極に複数の突起電極を形成する工程と、上面に複数の電極と前記電極に接続された配線パターンを有すると共に、前記電極及び配線と電気的に接続された外部接続用端子を底面に有した配線基板を複数個連なる絶縁性の半導体キャリアにおいて、前記半導体素子上の前記突起電極と前記突起電極に対応した各配線基板上の電極とを接続し、前記半導体キャリア上に複数の半導体素子を搭載する工程と、半導体キャリア上に搭載した複数の半導体素子において、各半導体素子と半導体キャリアとの間に形成された隙間に半導体素子の周辺端部から封止樹脂を注入し、封止樹脂を硬化させる工程と、各半導体素子四辺の周辺端部を被覆している封止樹脂並びに、半導体素子四辺の周辺端部の半導体キャリアを略垂直に切断することにより、複数の半導体装置を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の第一構成は、図２に示すように、上面に複数の電極４と前記電極４と接続された配線パターンを有すると共に、前記電極４及び配線と電気的に接続された外部接続用端子７を底面に有した絶縁性基板からなる半導体キャリア３と、前記半導体キャリア３上面の複数の電極４に対して導電性を有する複数の突起電極１により接合された半導体素子２と、前記半導体素子２と前記半導体キャリア３との隙間と前記半導体素子２の周辺端部を充填被覆している封止樹脂６からなる半導体装置において、前記半導体素子２の周辺端部で半導体キャリア３上を被覆している封止樹脂６のうち、前記半導体素子２の一辺を被覆している封止樹脂６を切断し、封止樹脂６の切断面が前記半導体キャリア３平面に対し、略垂直に形成する。
【００１３】
これにより、まず、第一に半導体素子２の周辺端部で半導体キャリア３上を被覆している封止樹脂６において、前記封止樹脂６を半導体キャリア３平面に対し、略垂直に切断することにより、半導体素子２の周辺端部を被覆している封止樹脂６領域を低減し、前記封止樹脂６により半導体素子２端周辺に発生する応力を緩和することで、高い品質・信頼性を実現することが可能となる。第二に、半導体素子２の周辺端部で半導体キャリア３上を被覆している封止樹脂６を半導体キャリア３平面に対し、略垂直に切断することで、前記封止樹脂６領域を拡大することが可能となり、封止樹脂６の塗布及び注入条件の自由度を高め、より安定した高い生産性を確保することが可能となる。
【００１４】
本発明の第二構成は、上記第一構成において、前記半導体素子２の周辺端部で半導体キャリア３上を被覆している封止樹脂６のうち、前記半導体素子２の複数の辺を被覆している封止樹脂６を切断し、封止樹脂６の切断面が前記半導体キャリア３平面に対し、略垂直に形成する（図４）。これにより、第一構成で述べた半導体素子２の周辺端部を被覆している封止樹脂６領域を低減し、前記封止樹脂６により半導体素子２端周辺に発生する応力を緩和することで、高い品質・信頼性を実現すること、及び半導体素子２の周辺端部で半導体キャリア３上を被覆している封止樹脂６を半導体キャリア３平面に対し、垂直に切断することで、前記封止樹脂６領域を拡大することが可能となり、封止樹脂６の塗布及び注入条件の自由度を高め、より安定した高い生産性を確保することが可能となる。
【００１５】
本発明の第三構成は、上記第一構成において、前記半導体素子２の周辺端部で半導体キャリア３上を被覆している封止樹脂６のうち、前記半導体素子２の一辺を被覆している封止樹脂６と、前記封止樹脂６の直下に位置する半導体キャリア３を切断し、前記封止樹脂６と前記半導体キャリア３の切断面が半導体キャリア３平面に対し、略垂直に形成する（図６）。これにより、第一構成と同様の効果を得ると伴に、より半導体素子２サイズに近い小型の半導体装置を提供することが可能となる。
【００１６】
本発明の第四構成は、上記第二構成において、前記半導体素子２の周辺端部で半導体キャリア３上を被覆している封止樹脂６のうち、前記半導体素子２の複数の辺を被覆している封止樹脂６と、前記封止樹脂６の直下に位置する半導体キャリア３を切断し、半導体キャリア３平面に対し、前記封止樹脂６と前記半導体キャリア３の複数の切断面が半導体キャリア３に対し、略垂直に形成する（図８）。これにより、第一構成と同様の効果を得ると伴に、より半導体素子２サイズに近い小型の半導体装置を提供することが可能となる。
【００１７】
本発明の第五構成は、半導体素子２の表面電極に複数の突起電極１を形成する工程と、上面に複数の電極４と前記電極４に接続された配線パターンを有すると共に、前記電極４及び配線と電気的に接続された外部接続用端子７を底面に有した絶縁性基板からなる半導体キャリア３において、前記半導体素子２上の前記突起電極１と前記突起電極１に対応した前記半導体キャリア３の電極４とを接続する工程と、前記半導体素子２と前記半導体キャリア３との間に形成された隙間に半導体素子２の周辺端部から封止樹脂６を注入し、封止樹脂６を硬化させる工程と、前記半導体素子２の周辺端部で半導体キャリア３上を被覆している封止樹脂６を、半導体キャリア３平面に対し、略垂直に切断する工程とを含む。
【００１８】
本発明の第六構成は、半導体素子２の表面電極に複数の突起電極１を形成する工程と、上面に複数の電極４と前記電極４に接続された配線パターンを有すると共に、前記電極４及び配線と電気的に接続された外部接続用端子７を底面に有した絶縁性基板からなる半導体キャリア３において、前記半導体素子２上の前記突起電極１と前記突起電極１に対応した前記半導体キャリア３の電極４とを接続する工程と、前記半導体素子２と前記半導体キャリア３との間に形成された隙間に半導体素子２の周辺端部から封止樹脂６を注入し、封止樹脂６を硬化させる工程と、前記半導体素子２の周辺端部で半導体キャリア３上を被覆している封止樹脂６と前記封止樹脂６の直下に位置する半導体キャリア３を半導体キャリア３平面に対し、略垂直に切断する工程とを含む。
【００１９】
本発明の第七構成は、複数の半導体素子２の表面電極に複数の突起電極１を形成する工程と、上面に複数の電極４と前記電極４に接続された配線パターンを有すると共に、前記電極４及び配線と電気的に接続された外部接続用端子７を底面に有した配線基板を複数個連なる絶縁性の半導体キャリア３において、前記半導体素子２上の前記突起電極１と前記突起電極１に対応した各配線基板上の電極４とを接続し、前記半導体キャリア３上に複数の半導体素子２を搭載する工程と、半導体キャリア３上に搭載した複数の半導体素子２において、各半導体素子２と半導体キャリア３との間に形成された隙間に半導体素子２の周辺端部から封止樹脂６を注入し、封止樹脂６を硬化させる工程と、各半導体素子２四辺の周辺端部を被覆している封止樹脂６並びに、半導体素子２四辺の周辺端部の半導体キャリア３を略垂直に切断することにより、複数の半導体装置を形成する工程とを含む。
【００２０】
以下、実施形態によりさらに具体的に説明する。
【００２１】
（実施形態１）
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。図１は本実施形態にかかる半導体装置の平面図である。図２は本実施形態にかかる半導体装置の断面図であり、図１のＩ−Ｉ線部分の断面を示している。図１及び図２において、本実施形態にかかる半導体装置の構成について説明する。
【００２２】
図１及び図２に示す半導体装置は、上面に複数の電極４と電極４に接続された配線パターンを有すると共に、電極４及び配線と電気的に接続された外部接続用端子７を底面に有した絶縁性基板からなる半導体キャリア３と、半導体キャリア３上面の複数の電極４に対して導電性を有する複数の突起電極１により接合された半導体素子２と、半導体素子２と半導体キャリア３との隙間と半導体素子２の周辺端部を充填被覆している封止樹脂６で構成されている半導体装置である。なお、半導体キャリア３には、セラッミク基板等のアルミナ系や窒化アルミナ系、エポキシ基板等の有機性基板からなる絶縁性の単層及び多層回路基板等を用いる。また、突起電極１には、半田バンプやＡｕバンプ８等の金属バンプを用い、Ａｕバンプ８を用いた場合、半導体キャリア３上面の複数電極４と半導体素子２の表面電極間での接合には、Ａｕバンプ８上にＡｇペースト等の導電性接着剤５を供給し、半導体素子２の表面を下にして半導体キャリア３上に搭載し、導電接着剤５を硬化することで、半導体キャリア３と半導体素子２間での電気的及び機械的接続を確保している。また、封止樹脂６には、低粘度のエポキシ系の封止樹脂６とか液状の封止樹脂６を使用することで、半導体素子２と半導体キャリア３との隙間と半導体素子２の周辺端部を封止樹脂６で充填被覆している。
【００２３】
この発明における実施形態１としては、図１及び図２に示すように、半導体素子２の周辺端部で半導体キャリア３上を被覆している封止樹脂６のうち、半導体素子２の一辺を被覆している封止樹脂６を切断し、封止樹脂６の切断面が半導体キャリア３平面に対し、垂直に形成することである。
【００２４】
（実施形態２）
実施形態２としては、図３（平面図）及び図４（図３のＩＩ−ＩＩ線断面図）に示すように、半導体素子２の周辺端部で半導体キャリア３上を被覆している封止樹脂６のうち、半導体素子２の複数の辺を被覆している封止樹脂６を切断し、封止樹脂６の切断面が前記半導体キャリア３平面に対し、垂直に形成することである。
【００２５】
（実施形態３）
実施形態３としては、図５（平面図）及び図６（図５のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図）に示すように、半導体素子２の周辺端部で半導体キャリア３上を被覆している封止樹脂６のうち、半導体素子２の一辺を被覆している封止樹脂６と、封止樹脂６の直下に位置する半導体キャリア３を切断し、封止樹脂６と半導体キャリア３の切断面が半導体キャリア３平面に対し、垂直に形成することである。
【００２６】
（実施形態４）
実施形態４としては、図７（平面図）及び図８（図７のＩＶ−ＩＶ線断面図）に示すように、半導体素子２の周辺端部で半導体キャリア３上を被覆している封止樹脂６のうち、半導体素子２の複数の辺を被覆している封止樹脂６と、封止樹脂６の直下に位置する半導体キャリア３を切断し、半導体キャリア３平面に対し、封止樹脂６と半導体キャリア３の複数の切断面が半導体キャリア３に対し、垂直に形成することである。
【００２７】
これにより、半導体素子２の周辺端部で半導体キャリア３上を被覆している封止樹脂６領域が半導体キャリア３の水平方向に拡大した場合でも、封止樹脂６を半導体キャリア３平面に対し、垂直に切断することにより、半導体素子２の周辺端部で半導体キャリア３上を被覆している封止樹脂６領域を低減し、封止樹脂６により半導体素子２端周辺に発生する応力を緩和することで、高い品質・信頼性を実現することが可能となる。
【００２８】
また、半導体素子２の周辺端部で半導体キャリア３上を被覆している封止樹脂６を半導体キャリア３平面に対し、垂直に切断することで、前記封止樹脂６領域を拡大することが可能となり、封止樹脂６の塗布及び注入条件の自由度を高め、より安定した高い生産性を確保することが可能となる。さらに、半導体素子２周辺の封止樹脂６及び半導体キャリア３を切断することにより、半導体素子２サイズにより近い小型の半導体装置を提供することが可能となる。
【００２９】
なお、この効果はＡＣＦ（ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｆｉｌｍ），ＡＣＰ（ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｐａｓｔｅ）及びＮＣＦ（ｎｏｎ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｆｉｌｍ），ＮＣＰ（ｎｏｎ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ｐａｓｔｅ）等のフリップチップ接続構造を用いた半導体装置でも、半導体素子２の周辺端部の接着フィルムやペースト等を切断することで、同様な効果を得ることができる。
【００３０】
（実施形態５）
次に、図９（ａ）〜（ｄ）及び図１０（ａ）〜（ｃ）に示す半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。図９（ａ）は、半導体素子２の表面電極上にＡｕバンプ８を形成する工程を示す図である。図９（ｂ）〜図１０（ｃ）は本実施形態にかかる半導体装置の製造方法を工程別に示した部分断面図である。
【００３１】
まず図９（ａ）に示すように、ワイヤーボンディング法（ボールボンディング法）を用いて、半導体素子２の電極上にＡｕバンプ８（Ａｕ二段突起）を形成する。この方法は、Ａｕワイヤー先端に形成したボールをアルミニウム電極に熱圧接することにより、二段突起の下段部を形成し、さらにキャピラリー９を移動させることにより形成したＡｕワイヤーループをもって、二段突起の上段部を形成する。前記状態においては、Ａｕ二段突起の高さは均一でなく、また頭頂部の平坦性にも欠けているために、Ａｕ二段突起を加圧することにより高さの均一化ならびに頭頂部の平坦化、いわゆるレベリングを行う。
【００３２】
次に、回転する円盤上にドクターブレード法を用いて適当な厚みにＡｇ−Ｐｄを導電物質として含有する導電性接着剤５を塗布する。この際、導電性接着剤５にＡｕバンプ８を設けた半導体素子２を押し当てた後に引き上げる方法、いわゆる転写法によって、図９（ｂ）に示すように、Ａｕバンプ８に導電性接着剤５を供給する。導電性接着剤５としては、信頼性、熱応力などを考慮して例えばバインダーとしてエポキシレジン、導体フィラーとしてＡｇ−Ｐｄ合金によりなる接着剤５を用いている。
【００３３】
次に図９（ｃ）に示すように、底面に外部接続用端子７が一定の間隔で格子状に形成されている半導体キャリア３の表面に部分的に接着剤１０を塗布する。接着剤としては、封止樹脂とほぼ同じ物性値を持ったエポキシ系の樹脂を使うことにより、接着剤と樹脂間での熱膨張率差をなくすことで、内部応力の低減等を図る。
【００３４】
次に図９（ｄ）に示すように、半導体素子の表面を下にして実装する方法であるフリップフロップ方式によって半導体素子２上の導電性接着剤５が供給されたＡｕバンプ８と接着剤１０を塗布した半導体キャリア３上の電極４とを位置精度よく合わせて接合させ、また、半導体キャリア３上に塗布した接着剤１０が半導体素子２の表面と接着した後、所定の温度にて熱硬化させる。硬化させることで、半導体キャリア３上に塗布した接着剤と半導体素子とが十分接着する。これにより、例えば半導体キャリアの反りやうねり等で半導体素子２が半導体キャリア上に傾いて搭載され、Ａｕバンプ８上の導電性接着剤５と半導体キャリア３上の電極４の接続が電気的及び物理的に不十分であっても、半導体キャリア３上に塗布した接着剤の硬化収縮により、接続を強化する。その結果、導電性接着剤５と半導体キャリア３上の電極４の接続を電気的にも、物理的にも安定に接続することが可能になる。
【００３５】
次に図１０（ａ）に示すように、半導体素子２の表面を下にして実装する方法であるフリップチップ方式によって半導体素子２上の導電性接着剤５が供給されたＡｕバンプ８と、底面に外部接続用端子７が一定の間隔で格子状に形成されている半導体キャリア３上の電極４とを位置精度よく合わせて接合した後、所定の温度にて熱硬化させる。
【００３６】
次に、図１０（ｂ）に示すようにエポキシ系の封止樹脂６を半導体素子２の周辺端部と、半導体素子２と半導体キャリア３との間に形成された隙間に注入し、一定の温度にて硬化させて樹脂モールドする。この樹脂モールドの方法としては、封止樹脂６を注入ノズルを用いて一方向から半導体素子２と半導体キャリア３との間に形成された隙間に注入し、隙間を埋めてから半導体素子２の周辺端部を封止する。封止樹脂６としてエポキシ系樹脂に高熱伝導セラミックである窒化アルミニウム（ＡｌＮ）もしくは窒化珪素（ＳｉＣ）等をフィラーとして添加したものを用いる。封止樹脂６の供給後、オーブン中で加熱をすることにより封止樹脂６を硬化させる。なお、半導体素子２の周辺端部を被覆する封止樹脂６の傾斜面は、半導体素子２端面から半導体キャリア３平面に対し、６０度以下の角度で形成されている。
【００３７】
図１０（ｃ）に示すように、本実施形態の半導体装置の製造方法は、封止樹脂６を注入する際に形成される半導体素子２の周辺端部で半導体キャリア３上を被覆している封止樹脂６を、半導体キャリア３平面に対し、垂直に切断する工程を有する半導体装置の製造方法である。なお、切断には、例えば半導体装置の外部接続用端子７側を粘着性のあるテープ或いは、真空での吸着により固定し、半導体素子２を搭載している側からブレード等を用いたダイサーによる切断やレーザーによる切断等を用いて切断する。また、本実施例では、半導体素子２端周辺に発生する応力をさらに緩和するため、半導体素子２端から半導体キャリア３上を被覆する封止樹脂６領域が０．７ｍｍ以上の領域では、封止樹脂６の厚さが約１０μｍ以下になるよう制御する。
【００３８】
また、本実施形態の半導体装置の製造方法は、封止樹脂６を注入する際に形成される半導体素子２の周辺端部で半導体キャリア３上を被覆している封止樹脂６と封止樹脂６の直下に位置する半導体キャリア３を半導体キャリア３平面に対し、垂直に切断する工程とを有する半導体装置の製造方法である。なお、切断にはダイサーやレーザーを用いたものに限らず、半導体装置を製造する前にあらかじめ半導体キャリア３の外部接続用端子７側に切断領域に沿って切り込みを形成しておき、半導体素子２の周辺端部の封止樹脂６を切断した後、半導体キャリア３を切り込みに沿って折ることにより、分離するようにしてもよい。
【００３９】
（実施形態６）
図１１（ａ）〜図１２（ｃ）に示すように、本実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体キャリア３において、上面に複数の電極４と電極４に接続された配線パターンを有すると共に、電極４及び配線と電気的に接続された外部接続用端子７を底面に有した配線基板が複数個連なったものを形成した半導体キャリア３を用い、個々の配線基板の表面に接続樹脂１０を部分的に塗布する工程と（図１１（ｃ））、半導体素子２上の突起電極１と突起電極１に対応した各配線基板上の電極４とを接続し、半導体キャリア３上に複数の半導体素子２を搭載する工程と（図１１（ｄ）〜図１２（ａ））、半導体キャリア３上に搭載した各半導体素子２において、半導体素子２と半導体キャリア３との間に形成された隙間に半導体素子２の周辺端部から封止樹脂６を注入し、封止樹脂６を硬化させる工程と（図１２（ｂ））、各半導体素子２四辺の周辺端部を被覆している封止樹脂６、並びに、半導体素子四辺の周辺端部の半導体キャリア３を切断することにより、複数の半導体装置を形成する工程とからなる（図１２（ｃ））。
【００４０】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、以下のような効果を得ることが可能である。
（１）半導体素子２の周辺端部で半導体キャリア３上を被覆している封止樹脂６において、封止樹脂６を半導体キャリア３平面に対し、垂直に切断することにより、半導体素子２の周辺端部で半導体キャリア３上を被覆している封止樹脂６領域を低減し、封止樹脂６により半導体素子２端周辺に発生する応力を緩和することで、高い品質・信頼性を実現することが可能となる。
（２）半導体素子２の周辺端部で半導体キャリア３上を被覆している封止樹脂６を半導体キャリア３平面に対し、垂直に切断することで、半導体素子２の周辺端部の封止樹脂６領域を拡大することが可能となり、封止樹脂６の塗布及び注入条件の自由度を高め、より安定した高い生産性を確保することが可能となる。
（３）半導体素子２の周辺端部で半導体キャリア３上を被覆している封止樹脂６と、封止樹脂６の直下に位置する半導体キャリア３を切断することで、より半導体素子２サイズに近い小型の半導体装置を提供することが可能となる。
（４）本発明の半導体装置により、情報通信機器、事務用電子機器、家庭用電子機器、測定装置、組立ロボット等の産業用電子機器、医療用電子機器、電子玩具等の小型化ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１における半導体装置の平面図
【図２】同、図１のＩ−Ｉ線断面図
【図３】本発明の実施形態２における半導体装置の平面図
【図４】同、図３のＩＩ−ＩＩ線断面図
【図５】本発明の実施形態３における半導体装置の平面図
【図６】同、図５のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図
【図７】本発明の実施形態４における半導体装置の平面図
【図８】同、図７のＩＶ−ＩＶ線断面図
【図９】（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施形態５における半導体装置の製造方法を示す工程断面図
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態５における半導体装置の製造方法を示す工程断面図
【図１１】（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施形態６における半導体装置の製造方法を示す工程断面図
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態６における半導体装置の製造方法を示す工程断面図
【図１３】従来の半導体装置を示す平面図
【図１４】同、図１３のＶ−Ｖ線断面図
【符号の説明】
１　突起電極
２　半導体素子
３　半導体キャリア
４　電極
５　導電性接着剤
６　封止樹脂
７　外部接続端子
８　Ａｕバンプ
９　キャピラリー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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