(57)【要約】【課題】本発明は、記録に必要な光量の増加を抑制し、半導体レーザの温度上昇を防ぐことが可能な光ディスク装置および記録速度制御方法を提供する。【解決手段】所定の高速記録速度でデータを記録させる動作コマンドを受けると（ＳＴ１１）、まず光ディスク１１の反り測定動作を実行し、この反り測定の結果と、反りの設定値とを比較し（ＳＴ１３）、反り測定結果が設定値を越えないと判断された場合には、動作コマンドで指示された高速記録速度でデータ記録する（ＳＴ１５）。ＳＴ１３の結果、反り測定結果が設定値より大きいと判断された場合には、動作コマンドで指示された高速記録速度よりも低い記録速度へと変更し、この変更した記録速度でデータ記録する（ＳＴ１６）。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクに対して複数種類の記録速度の中から選定された記録速度でデータを記録する光ディスク装置において、
前記光ディスクの反り具合を測定する反り測定手段と、
この反り測定手段で測定された測定値と予め設定されている設定値とを比較する比較手段と、
この比較手段による比較の結果、前記測定値が前記設定値よりも大きい場合に、前記複数種類の記録速度のうち第１の記録速度よりも速度の低い第２の記録速度に変更する変更手段と、
を有することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
前記比較手段による比較の結果、前記測定値が前記設定値よりも大きい場合に、前記変更手段によって変更された第２の記録速度でデータ記録を実行し、前記比較手段による比較の結果、前記測定値が前記設定値よりも小さい場合には前記第１の記録速度でデータ記録を実行するよう制御する制御手段を有することを特徴とする請求項１記載の光ディスク装置。
【請求項３】
光ディスクに対して複数種類の記録速度の中から選定された記録速度でデータを記録する光ディスク装置において、
前記複数種類の記録速度のうち第１の記録速度で、前記光ディスクの試し書き領域に光ビームを照射して第１の記録パワーを決定する記録パワー決定手段と、
この記録パワー決定手段で決定された第１の記録パワーと予め設定されている設定値とを比較する比較手段と、
この比較手段による比較の結果、前記第１の記録パワーが前記設定値よりも大きい場合に、前記第１の記録速度よりも速度の低い第２の記録速度に変更する変更手段と、
を有することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項４】
前記比較手段による比較の結果、前記第１の記録パワーが前記設定値よりも大きい場合に、前記設定値よりも低い第２の記録パワーを用いて前記変更手段で変更された第２の記録速度でデータ記録を実行し、前記比較手段による比較の結果、前記第１の記録パワーが前記設定値よりも小さい場合には前記第１の記録パワーを用いて前記第１の記録速度でデータ記録を実行するよう制御する制御手段を有することを特徴とする請求項３記載の光ディスク装置。
【請求項５】
光ディスクに対して複数種類の記録速度の中から選定された記録速度でデータを記録する光ディスク装置において、
前記複数種類の記録速度のうち第１の記録速度で、前記光ディスクの試し書き領域以外の領域に第１の記録パワーで第１のデータを記録する記録手段と、
この記録手段による記録の際に、記録された第１のデータからの反射光の光量に基づいて前記第１の記録パワーを補正して第２の記録パワーとする補正手段と、
この補正手段による前記第２の記録パワーと予め設定されている設定値とを比較する比較手段と、
この比較手段による比較の結果、前記第２の記録パワーが前記設定値よりも大きい場合に、前記第１の記録速度よりも速度の低い第２の記録速度に変更する変更手段と、
を有することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項６】
前記比較手段による比較の結果、前記第２の記録パワーが前記設定値よりも大きい場合に、前記設定値よりも低い第３の記録パワーを用いて前記変更手段で変更された第２の記録速度でデータ記録を実行し、前記比較手段による比較の結果、前記第２の記録パワーが前記設定値よりも小さい場合には前記第２の記録パワーを用いて前記第１の記録速度でデータ記録を実行するよう制御する制御手段を有することを特徴とする請求項５記載の光ディスク装置。
【請求項７】
光ディスクに対して複数種類の記録速度の中から選定された記録速度でデータを記録する光ディスク装置において、
前記光ディスクの反り具合を測定する反り測定手段と、
この反り測定手段で測定された測定値と予め設定されている反りの設定値とを比較する第１の比較手段と、
この第１の比較手段による比較の結果、前記測定値が前記反りの設定値よりも小さい場合に、前記複数種類の記録速度のうち第１の記録速度で前記光ディスクの試し書き領域に光ビームを照射して第１の記録パワーを決定する記録パワー決定手段と、
この記録パワー決定手段で決定された第１の記録パワーと予め設定されている記録パワー設定値とを比較する第２の比較手段と、
前記第１の比較手段による比較の結果、前記測定値が前記反りの設定値よりも大きい場合、あるいは前記第２の比較手段による比較の結果、前記第１の記録パワーが前記記録パワー設定値よりも大きい場合、前記第１の記録速度よりも速度の低い第２の記録速度に変更する変更手段と、
を有することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項８】
光ディスクに対して複数種類の記録速度の中から選定された記録速度でデータを記録する光ディスク装置において、
前記光ディスクの反り具合を測定する反り測定手段と、
この反り測定手段で測定された測定値と予め設定されている反りの設定値とを比較する第１の比較手段と、
この第１の比較手段による比較の結果、前記測定値が前記反りの設定値よりも小さい場合に、前記複数種類の記録速度のうち第１の記録速度で前記光ディスクの試し書き領域に光ビームを照射して第１の記録パワーを決定する記録パワー決定手段と、
この記録パワー決定手段で決定された第１の記録パワーと予め設定されている第１の記録パワー設定値とを比較する第２の比較手段と、
この第２の比較手段による比較の結果、前記第１の記録パワーが前記第１の記録パワー設定値よりも小さい場合に、前記第１の記録速度で、前記光ディスクの試し書き領域以外の領域に前記第１の記録パワーで第１のデータを記録する記録手段と、
この記録手段による記録の際に、記録された第１のデータからの反射光の光量に基づいて前記第１の記録パワーを補正して第２の記録パワーとする補正手段と、
この補正手段による前記第２の記録パワーと予め設定されている第２の記録パワー設定値とを比較する第３の比較手段と、
前記第１の比較手段による比較の結果、前記測定値が前記反りの設定値よりも大きい場合、あるいは前記第２の比較手段による比較の結果、前記第１の記録パワーが前記第１の記録パワー設定値よりも大きい場合、あるいは前記第３の比較手段による比較の結果、前記第２の記録パワーが前記第２の記録パワー設定値よりも大きい場合、前記第１の記録速度よりも速度の低い第２の記録速度に変更する変更手段と、
を有することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項９】
前記変更手段は、複数種類の記録速度の中から前記第１の記録速度よりも速度が一段低い第２の記録速度へ変更することを特徴とする請求項１、請求項３、請求項５、請求項７あるいは請求項８のいずれか記載の光ディスク装置。
【請求項１０】
光ディスクに対して複数種類の記録速度の中から選定された記録速度でデータを記録する光ディスク装置において、
前記光ディスクの反り具合を測定する反り測定手段と、
この反り測定手段で測定された測定値と予め設定されている反りの設定値とを比較する第１の比較手段と、
この第１の比較手段による比較の結果、前記測定値が前記反りの設定値よりも大きい場合に、前記第１の記録速度よりも速度の低い第２の記録速度に変更する第１の変更手段と、
前記第１の変更手段によって変更された場合前記第２の記録速度で、前記第１の比較手段による比較の結果、前記測定値が前記反りの設定値よりも小さい場合には前記第１の記録速度で、前記光ディスクの試し書き領域に光ビームを照射して第１の記録パワーを決定する記録パワー決定手段と、
この記録パワー決定手段で決定された第１の記録パワーと予め設定されている記録パワー設定値とを比較する第２の比較手段と、
この第２の比較手段による比較の結果、前記第１の記録パワーが前記記録パワー設定値よりも大きい場合に、より速度の低い記録速度に変更する第２の変更手段と、
を有することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項１１】
光ディスクに対して複数種類の記録速度の中から選定された記録速度でデータを記録する光ディスク装置において、
前記光ディスクの反り具合を測定する反り測定手段と、
この反り測定手段で測定された測定値と予め設定されている反りの設定値とを比較する第１の比較手段と、
この第１の比較手段による比較の結果、前記測定値が前記反りの設定値よりも大きい場合に、前記複数種類の記録速度のうち第１の記録速度よりも速度の低い記録速度に設定を変更する第１の変更手段と、
前記複数種類の記録速度のうち設定された記録速度で、前記光ディスクの試し書き領域に光ビームを照射して第１の記録パワーを決定する記録パワー決定手段と、
この記録パワー決定手段で決定された第１の記録パワーと予め設定されている第１の記録パワー設定値とを比較する第２の比較手段と、
この第２の比較手段による比較の結果、前記第１の記録パワーが前記第１の記録パワー設定値よりも大きい場合に、前記設定された記録速度より速度の遅い記録速度に設定を変更する第２の変更手段と、
前記複数種類の記録速度のうち設定された記録速度で、この記録速度に対応した記録パワーで、前記光ディスクの試し書き領域以外の領域に第１のデータを記録する記録手段と、
この記録手段による記録の際に、記録された第１のデータからの反射光の光量に基づいて前記記録速度に対応した記録パワーを補正する補正手段と、
この補正手段により補正された記録パワーと予め設定されている第２の記録パワー設定値とを比較する第３の比較手段と、
前記第３の比較手段による比較の結果、前記補正された記録パワーが前記第２の記録パワー設定値よりも大きい場合、前記設定された記録速度よりも速度の低い記録速度に設定を変更する第３の変更手段と、
を有することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項１２】
光ディスクに対して複数種類の記録速度の中から選定された記録速度でデータを記録する光ディスク装置における記録速度制御方法において、
前記光ディスクの反り具合を測定するステップと、
この測定された測定値が予め設定された設定値よりも大きい時に、前記複数種類の記録速度のうち第１の記録速度よりも速度の低い第２の記録速度に変更するステップと、
を有することを特徴とする記録速度制御方法。
【請求項１３】
光ディスクに対して複数種類の記録速度の中から選定された記録速度でデータを記録する光ディスク装置における記録速度制御方法において、
前記複数種類の記録速度のうち第１の記録速度で、前記光ディスクの試し書き領域に光ビームを照射して第１の記録パワーを決定するステップと、
この決定された第１の記録パワーが予め設定された設定値よりも大きい時に前記第１の記録速度よりも速度の低い第２の記録速度に変更するステップと、
を有することを特徴とする記録速度制御方法。
【請求項１４】
光ディスクに対して複数種類の記録速度の中から選定された記録速度でデータを記録する光ディスク装置における記録速度制御方法において、
前記複数種類の記録速度のうち第１の記録速度で、前記光ディスクの試し書き領域以外の領域に第１の記録パワーで第１のデータを記録するステップと、
この記録の際に、記録された第１のデータからの反射光の光量に基づいて前記第１の記録パワーを補正して第２の記録パワーとするステップと、
この補正された第２の記録パワーが予め設定された設定値よりも大きい時に前記第１の記録速度よりも速度の低い第２の記録速度に変更するステップと、
を有することを特徴とする記録速度制御方法。
【請求項１５】
光ディスクに対して複数種類の記録速度の中から選定された記録速度でデータを記録する光ディスク装置における記録速度制御方法において、
前記光ディスクの反り具合を測定するステップと、
この測定された測定値が予め設定された反りの設定値よりも小さい時に前記複数種類の記録速度のうち第１の記録速度で前記光ディスクの試し書き領域に光ビームを照射して第１の記録パワーを決定するステップと、
前記測定された測定値が前記反りの設定値よりも大きい場合、あるいは前記第１の記録パワーが予め設定された記録パワー設定値よりも大きい場合、前記第１の記録速度よりも速度の低い第２の記録速度に変更するステップと、
この変更された第２の記録速度でデータ記録を実行するステップと、
を有することを特徴とする記録速度制御方法。
【請求項１６】
光ディスクに対して複数種類の記録速度の中から選定された記録速度でデータを記録する光ディスク装置における記録速度制御方法において、
前記光ディスクの反り具合を測定するステップと、
この測定された測定値が予め設定された反りの設定値よりも小さい時に前記複数種類の記録速度のうち第１の記録速度で前記光ディスクの試し書き領域に光ビームを照射して第１の記録パワーを決定するステップと、
この決定された第１の記録パワーが予め設定された第１の記録パワー設定値よりも小さい時に前記第１の記録速度で、前記光ディスクの試し書き領域以外の領域に前記第１の記録パワーで第１のデータを記録するステップと、
この記録の際に、記録された第１のデータからの反射光の光量に基づいて前記第１の記録パワーを補正して第２の記録パワーとするステップと、
前記測定された測定値が前記反りの設定値よりも大きい場合、前記第１の記録パワーが前記第１の記録パワー設定値よりも大きい場合、あるいは前記第２の記録パワーが予め設定された第２の記録パワー設定値よりも大きい場合、前記第１の記録速度よりも速度の低い第２の記録速度に変更するステップと、
この変更された第２の記録速度でデータ記録を実行するステップと、
を有することを特徴とする記録速度制御方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスクに対してデータを記録する光ディスク装置に関し、特に光ディスクに対してデータを記録する際の記録速度を制御する記録速度制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年では、例えばＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ）−Ｒ（Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）やＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）−Ｒ等のように、データの記録再生が可能な光ディスクが開発され実用化されている。一方、この種の光ディスクにデータの記録再生を行う光ディスク装置には、標準記録速度の数倍から十数倍の速度でデータを記録することが可能な高速記録機能が備えられている。
【０００３】
この高速記録機能は、例えば標準記録速度の４倍、８倍、１２倍、１６倍等のように、予め設定された複数の高速記録速度の中から、ユーザが所望の速度を選定することによって実行される。
【０００４】
しかしながら、記録速度が早くなればなるほど記録に必要な光量は増加する。また、レーザは温度が上昇すると光波長が長くなり、波長が長くなると記録に必要な光量が増加する。また、傾いた光ディスクに記録する場合、記録に必要な光量は増加する。（例えば、特許文献１参照。）
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−２０７７４３号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような従来の技術においては、記録に必要な光量が増加すると、半導体レーザの温度が上昇し、更なる光量の増加を招き、光量の増加と半導体レーザの温度上昇の悪循環が起こる恐れがある。
【０００７】
本発明は、以上の点に鑑みなされたもので、記録に必要な光量の増加を抑制し、半導体レーザの温度上昇を防ぐことが可能な光ディスク装置および記録速度制御方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の光ディスク装置は、光ディスクに対して複数種類の記録速度の中から選定された記録速度でデータを記録する光ディスク装置において、前記光ディスクの反り具合を測定する反り測定手段と、この反り測定手段で測定された測定値と予め設定されている設定値とを比較する比較手段と、この比較手段による比較の結果、前記測定値が前記設定値よりも大きい場合に、前記複数種類の記録速度のうち第１の記録速度よりも速度の低い第２の記録速度に変更する変更手段と、を有することを特徴とする。
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の光ディスク装置は、光ディスクに対して複数種類の記録速度の中から選定された記録速度でデータを記録する光ディスク装置において、前記複数種類の記録速度のうち第１の記録速度で、前記光ディスクの試し書き領域に光ビームを照射して第１の記録パワーを決定する記録パワー決定手段と、この記録パワー決定手段で決定された第１の記録パワーと予め設定されている設定値とを比較する比較手段と、この比較手段による比較の結果、前記第１の記録パワーが前記設定値よりも大きい場合に、前記第１の記録速度よりも速度の低い第２の記録速度に変更する変更手段と、を有することを特徴とする。
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の光ディスク装置は、光ディスクに対して複数種類の記録速度の中から選定された記録速度でデータを記録する光ディスク装置において、前記複数種類の記録速度のうち第１の記録速度で、前記光ディスクの試し書き領域以外の領域に第１の記録パワーで第１のデータを記録する記録手段と、この記録手段による記録の際に、記録された第１のデータからの反射光の光量に基づいて前記第１の記録パワーを補正して第２の記録パワーとする補正手段と、この補正手段による前記第２の記録パワーと予め設定されている設定値とを比較する比較手段と、この比較手段による比較の結果、前記第２の記録パワーが前記設定値よりも大きい場合に、前記第１の記録速度よりも速度の低い第２の記録速度に変更する変更手段と、を有することを特徴とする。
【００１１】
また、上記目的を達成するために、本発明の記録速度制御方法は、光ディスクに対して複数種類の記録速度の中から選定された記録速度でデータを記録する光ディスク装置における記録速度制御方法において、前記光ディスクの反り具合を測定するステップと、この測定された測定値が予め設定された設定値よりも大きい時に、前記複数種類の記録速度のうち第１の記録速度よりも速度の低い第２の記録速度に変更するステップと、を有することを特徴とする。
【００１２】
また、上記目的を達成するために、本発明の記録速度制御方法は、光ディスクに対して複数種類の記録速度の中から選定された記録速度でデータを記録する光ディスク装置における記録速度制御方法において、前記複数種類の記録速度のうち第１の記録速度で、前記光ディスクの試し書き領域に光ビームを照射して第１の記録パワーを決定するステップと、この決定された第１の記録パワーが予め設定された設定値よりも大きい時に前記第１の記録速度よりも速度の低い第２の記録速度に変更するステップと、を有することを特徴とする。
【００１３】
また、上記目的を達成するために、本発明の記録速度制御方法は、光ディスクに対して複数種類の記録速度の中から選定された記録速度でデータを記録する光ディスク装置における記録速度制御方法において、前記複数種類の記録速度のうち第１の記録速度で、前記光ディスクの試し書き領域以外の領域に第１の記録パワーで第１のデータを記録するステップと、この記録の際に、記録された第１のデータからの反射光の光量に基づいて前記第１の記録パワーを補正して第２の記録パワーとするステップと、この補正された第２の記録パワーが予め設定された設定値よりも大きい時に前記第１の記録速度よりも速度の低い第２の記録速度に変更するステップと、を有することを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の一実施の形態に係る光ディスク装置の一例を示すブロック図である。
【００１５】
図１に示す光ディスク装置は、例えばＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ等の色素変化を利用した記録系光ディスク１１に対して、例えば、４倍、８倍、・・・２４倍、３２倍等の複数種類の記録速度の中から選定された記録速度で、データの記録再生を行うものである。
【００１６】
この光ディスク１１は、スピンドルモータ１２によって回転駆動される。モータ制御回路１３は、このスピンドルモータ１２の回転速度を制御する。
【００１７】
この光ディスク１１に対向して光ヘッド１４が設置されている。この光ヘッド１４は、光ディスク１１のトラッキング方向に移動可能に支持され、光ディスク１１に対してデータの記録再生を実行する。
【００１８】
スレッドモータ１５は、その回転駆動力により、光ヘッド１４を光ディスク１１のトラッキング方向に移動する。スレッドモータ制御回路１６は、このスレッドモータ１５の回転方向及び回転速度を制御する。
【００１９】
速度検出器１７は、光ヘッドの移動速度を検出する。そして、この速度検出器１７から出力される速度信号が、スレッドモータ制御回路１６に供給されてスレッドモータ１５の回転制御に供される。
【００２０】
また、この光ヘッド１４は、半導体レーザ１８を備えており、レーザ制御回路１９が、この半導体レーザによって照射されるレーザ光の光量を制御する。
【００２１】
すなわち、このレーザ制御回路１９は、光ディスク１１へのデータ記録時に、半導体１８をその発光量（記録パワー）が記録に適した値となるように制御する。また、この場合、レーザ制御回路１９は、変調回路２０から出力されるＥＦＭ（Ｅｉｇｈｔ  ｔｏ  Ｆｏｕｒｔｅｅｎ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）データに基づいて、半導体レーザ１８を発光状態と非発光状態とに制御している。
【００２２】
また、レーザ制御回路１９は、光ディスク１１が装填された状態の光ディスク装置の電源がオンされた時、あるいは電源がオンされた状態の光ディスク装置に対して光ディスク１１が装填された時、ＯＰＣ方式で半導体レーザ１８の発光量（記録パワー）を適切な値となるように制御する。
【００２３】
即ち、レーザ制御回路１９は、例えば光ディスク１１の内周側に設けられた試し書き領域（ＰＣＡ：Ｐｏｗｅｒ  Ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ  Ａｒｅａ）に対して、選定された記録速度で、半導体レーザ１８の発光量を段階的に変化させてテストパターンを記録する。
【００２４】
そして、この記録された光ディスク１１上のテストパターンを再生し、再生結果に基いて記録パワーを調整し、記録速度に対応した最適な記録パワーを決定する。インターフェイス回路２２を介して記録データが入力されると、テストパターンの再生によって決定された記録パワーで記録が開始される。
【００２５】
変調回路２０は、ホスト装置２１からインターフェイス回路２２及びバスライン２３を介して供給されるユーザデータをＥＦＭ変調して、記録のためのＥＦＭデータを生成している。
【００２６】
また、レーザ制御回路１９は、光ディスク１１からのデータ再生時に、半導体レーザ１８を記録時よりも低い一定の再生用の発光量で発光させるように制御している。
【００２７】
なお、この半導体レーザ１８は、その発光量がフロントモニタ２４によって検知され、レーザ制御回路１９にフィードバックされている。これにより、半導体レーザ１８の発光量が、記録再生時にそれぞれ所定値に保持される。
【００２８】
ここで半導体レーザ１８から照射されたレーザ光は、コリメータレンズ２５、ハーフプリズム２６及び対物レンズ２７を介して、光ディスク１１上に集光される。
【００２９】
そして、光ディスク１１で反射されたレーザ光は、対物レンズ２７、ハーフプリズム２６、集光レンズ２８及びシリンドリカルレンズ２９を介して、光検出器３０に受光される。
【００３０】
この光検出器３０は、４つの光電変換セル３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄを有する。これら光電変換セル３０ａ〜３０ｄの各出力信号は、それぞれ、電流／電圧変換用の増幅器３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄに供給されている。
【００３１】
このうち、増幅器３１ａ、３１ｃの各出力は、加算器３２ａで加算される。また、増幅器３１ｂ、３１ｄの各出力は、加算器３２ｂで加算される。そして、これら加算器３２ａ、３２ｂの各出力が演算増幅器３３ａに供給される。
【００３２】
この演算増幅器３３ａは、加算器３２ｂの出力から加算器３２ａの出力を減算することにより、対物レンズ２７に対するフォーカスエラー信号ＦＥを生成している。
【００３３】
このフォーカスエラー信号ＦＥは、フォーカス制御回路３４を介して対物レンズ２７をフォーカス方向に駆動させるためのフォーカス駆動コイル３５に供給され、ここに対物レンズ２７に対するフォーカス制御が行われる。
【００３４】
また、増幅器３１ａ、３１ｄの各出力は、加算器３２ｃで加算される。さらに、増幅器３１ｂ、３１ｃの各出力は、加算器３２ｄで加算される。そして、これら加算器３２ｃ、３２ｄの各出力が、演算増幅器３３ｂに供給される。
【００３５】
この演算増幅器３３ｂは、加算器３２ｄの出力から加算器３２ｃの出力を減算することにより、対物レンズ２７に対するトラッキングエラー信号ＴＥを生成している。
【００３６】
このトラッキングエラー信号ＴＥは、トラッキング制御回路３６を介して対物レンズ２７をトラッキング方向に駆動させるためのトラッキング駆動コイル３７に供給され、対物レンズ２７に対するトラッキング制御が行われる。
【００３７】
更に、このトラッキング制御回路３６から出力されるトラッキング駆動信号は、スレッドモータ制御回路１６に供給され、対物レンズ２７のトラッキング制御に応じて、光ヘッド１４の位置が制御されるようになっている。
【００３８】
また、増幅器３２ｃ、３２ｄの各出力は、加算器３２ｅで加算される。この加算器３２ｅの出力は、光ディスク１１に記録されたデータに対応するＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号となる。
【００３９】
このＲＦ信号は、データ再生回路３８及びランニングＯＰＣ制御回路３９に供給される。データ再生回路３８は、入力されたＲＦ信号をＰＬＬ（Ｐｈａｓｅ  Ｌｏｃｋｅｄ  Ｌｏｏｐ）回路４０で生成されたビット同期クロックに基づいて復調する。
【００４０】
そして、このデータ再生回路３８で復調されたデータは、エラー訂正回路４１によってエラー訂正処理が施された後、アナログの再生信号に変換され、映像表示や音声再生に供される。
【００４１】
また、ランニングＯＰＣ制御回路３９は、光ディスク１１にユーザデータを記録しながら記録パワーの制御を行う、いわゆるランニングＯＰＣの実行時に機能される。
【００４２】
すなわち、ランニングＯＰＣ制御回路３９は、ランニングＯＰＣの実行時に、ＲＦ信号の振幅レベルから反射光量を検知し、その検知結果に基いて半導体レーザ１８の発光量（記録パワー）を適切な値に補正するよう制御している。
【００４３】
ここで、上記モータ制御回路１３、スレッドモータ制御回路１６、変調回路２０、レーザ制御回路１９、フォーカス制御回路３４、トラッキング制御回路３６、データ再生回路３８、ランニングＯＰＣ制御回路３９及びＰＬＬ回路４０は、バスライン２３を介してＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）４２により制御される。
【００４４】
このＣＰＵ４２は、ホスト装置２１からインターフェース回路２２を介して供給される、あるいは、図示しないリモートコントローラ等の操作部から供給される動作コマンドに基づいて、例えば、光ディスク１１に対するユーザデータの記録再生（高速も含む）動作、後述する光ディスク１１の反り測定動作、ＯＰＣ方式での試し書きによる記録パワーの制御動作、ランニングＯＰＣによる記録パワーの制御動作等、光ディスク装置の各種の動作を統括的に制御する。
【００４５】
この場合、ＣＰＵ４２は、ＲＡＭ４３を作業エリアとして使用し、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）４４に格納された制御プログラムに基づいて各種の動作を制御する。
【００４６】
ＲＯＭ４４は、更に、光ディスク装置を各種の動作状態に制御する際に必要とされる各種の設定値の格納にも使用されている。
【００４７】
本実施例では、ＲＯＭ４４に、半導体レーザ１８自体の温度上昇を招く程の光量を記録時に必要とする、ディスク反り具合の限界値として設定された反り設定値、記録パワーの限界値として設定された記録パワー設定値等の各種設定値が格納されている。
【００４８】
尚、ＯＰＣ方式で決定された記録パワーと比較する設定値と、ランニングＯＰＣ方式で補正された記録パワーと比較する設定値は、別々に設定されていても、又同じ設定値を用いても良い。
【００４９】
次に、図２乃至図６を用いて、上記のような構成からなる光ディスク装置における記録速度の制御動作について説明する。図２は、光ディスク装置における光ディスク１１の反りに応じた記録速度の制御動作を示すフローチャート図である。
【００５０】
まず、光ディスク１１が装填された状態の光ディスク装置の電源がオンされ、あるいは電源がオンされた状態の光ディスク装置に対して光ディスク１１が装填され、所定の高速記録速度でデータを記録させる動作コマンドを受けた場合（ＳＴ１１）、制御プログラムに基づいてＣＰＵ４２の指示により、光ディスク１１の反り測定動作を開始する。
【００５１】
例えば、装填された光ディスク１１に対して、半導体レーザ１８を照射した状態で、スレッドモータ制御回路１６の制御のもとスレッドモータ１５により、光ヘッド１４を光ディスク１１の半径方向へ一定の速度で移動させる。そして、フォーカス制御回路３４から出力されるフォーカスエラー信号ＦＥの半径方向の変位量を集計し、最小の変位量と最大の変位量との差から光ディスク１１の反りを算出し、ＲＡＭ４３に記憶する（ＳＴ１２）。
【００５２】
次に、ＣＰＵ４２は、ＳＴ１２の反り測定動作で測定された反り測定結果と、予め記憶された反りの設定値とを比較し（ＳＴ１３）、このＳＴ１３の比較の結果、反り測定結果が反りの設定値を越えないと判断された場合には（ＳＴ１４のＮｏ）、ＳＴ１１で受けた動作コマンドで指示された高速記録速度でデータの記録を実行する（ＳＴ１５）。
【００５３】
ＳＴ１３の比較の結果、反り測定結果が反りの設定値より大きいと判断された場合には（ＳＴ１４のＹｅｓ）、ＳＴ１１で受けた動作コマンドで指示された高速記録速度よりも低い記録速度へと変更する。
【００５４】
例えば、ＳＴ１１で受けた動作コマンドでは３２倍速の記録速度が指示されていた場合には一段低くした２４倍速の記録速度に変更し、この変更した記録速度でデータの記録を実行する（ＳＴ１６）。
【００５５】
上述する実施例においては、データ記録前に装填された光ディスク１１の反りを計測し、光ディスクの反り具合が予め設定している数値よりも大きく、半導体レーザ１８自体の温度上昇を招く程の光量を記録時に必要とする場合には、記録前に記録速度を低く変更した上でデータ記録することにより、不要な光量の増加を抑制し、半導体レーザ１８の温度上昇の可能性を記録前に回避し、確実なデータ記録を行うという効果を奏する。
【００５６】
次に、図３は、光ディスク装置におけるＯＰＣ方式で決定された記録パワーに応じた記録速度の制御動作を示すフローチャート図である。
【００５７】
まず、光ディスク１１が装填された状態の光ディスク装置の電源がオンされ、あるいは電源がオンされた状態の光ディスク装置に対して光ディスク１１が装填され、所定の高速記録速度でデータを記録させる動作コマンドを受けた場合（ＳＴ２１）、制御プログラムに基づいてＣＰＵ４２の指示により、ＯＰＣ方式での試し書きによる記録パワーの制御動作を開始する。
【００５８】
即ち、レーザ制御回路１９は、装填された光ディスク１１の内周側に設けられた試し書き領域に対して、指示された記録速度で、半導体レーザ１８の発光量を段階的に変化させてテストパターンを記録する。そして、この記録された光ディスク１１上のテストパターンを再生し、再生結果に基いて記録パワーを調整し、適切な記録パワーを決定し、ＲＡＭ４３に記憶する（ＳＴ２２）。
【００５９】
次に、ＣＰＵ４２は、ＳＴ２２で決定された記録パワーと、予め記憶された記録速度毎の記録パワー設定値とを比較し（ＳＴ２３）、このＳＴ２３の比較の結果、ＳＴ２２で決定された記録パワーが対応する設定値を越えないと判断された場合には（ＳＴ２４のＮｏ）、ＳＴ２１で受けた動作コマンドで指示された高速記録速度で、ＳＴ２２で決定されＲＡＭ４３に記憶された最適な記録パワーで、データの記録を実行する（ＳＴ２５）。
【００６０】
ＳＴ２３の比較の結果、ＳＴ２２で決定された記録パワーが対応する設定値より大きいと判断された場合には（ＳＴ２４のＹｅｓ）、ＳＴ２１で受けた動作コマンドで指示された高速記録速度よりも低い記録速度へと変更し、ＲＡＭ４３に記憶する。
【００６１】
例えば、ＳＴ２１で受けた動作コマンドでは３２倍速の記録速度が指示されていた場合には、一段低くした２４倍速の記録速度に変更し、ＲＡＭ４３に記憶する。そして、ＲＡＭ４３に記憶された変更後の記録速度で、この記録速度に対応した記録パワーでデータの記録を実行する（ＳＴ２６）。
【００６２】
尚、変更後の記録速度に対応した記録パワーは、再度ＯＰＣ方式によって変更後の低い記録速度における最適な記録パワーを決定しても良いし、予め設定／算出された記録パワーでも良い。
【００６３】
上述するような実施例の場合には、データ記録前に装填された光ディスク１１へのＯＰＣ方式での試し書きによる記録パワーの制御動作を行い、記録を予定している記録速度において決定された記録パワーが予め設定している数値よりも大きく、半導体レーザ１８自体の温度上昇を招く程の光量を記録時に必要とする場合には、記録前に記録速度を低く変更した上でデータ記録することにより、不要な光量の増加を抑制し、半導体レーザ１８の温度上昇の可能性を記録前に回避し、確実なデータ記録を行うという効果を奏する。
【００６４】
次に、図４は、光ディスク装置におけるランニングＯＰＣ方式で決定された記録パワーに応じた記録速度の制御動作を示すフローチャート図である。
【００６５】
まず、光ディスク１１が装填された状態の光ディスク装置の電源がオンされ、あるいは電源がオンされた状態の光ディスク装置に対して光ディスク１１が装填され、所定の高速記録速度でデータを記録させる動作コマンドを受けて、例えばＯＰＣ方式による試し書きを行い、最適な記録パワーを決定し、光ディスク１１に対してデータの記録を開始する。
【００６６】
このデータ記録に伴って、記録中のＲＦ信号の振幅レベルから反射光量を検知し、その検知結果（反射光量の変動）に応じて半導体レーザ１８の発光量（記録パワー）を補正して、適切な値にする（ＳＴ３２）。
【００６７】
次に、ＣＰＵ４２は、ＳＴ３２で補正された記録パワーと、予め記憶された記録パワー設定値とを比較し（ＳＴ３３）、このＳＴ３３の比較の結果、ＳＴ３２で補正された記録パワーが対応する設定値を越えないと判断された場合には（ＳＴ３４のＮｏ）、記録速度を変更することなく、ＳＴ３２で補正された最適な記録パワーで、データの記録を実行する（ＳＴ３５）。
【００６８】
ＳＴ３３の比較の結果、ＳＴ３２で補正された記録パワーが対応する設定値より大きいと判断された場合には（ＳＴ３４のＹｅｓ）、記録中の高速記録速度よりも低い記録速度へと変更し、ＲＡＭ４３に記憶する。
【００６９】
例えば、記録中の記録速度が３２倍速である場合には、一段低くした２４倍速の記録速度に変更し、ＲＡＭ４３に記憶する。そして、ＲＡＭ４３に記憶された変更後の記録速度で、かつこの記録速度に対応した記録パワーで、データの記録を実行する（ＳＴ３６）。
【００７０】
そして、動作コマンドで指示されたデータの記録が終了していなければ（ＳＴ３７）、ＳＴ３２へと進み、記録を継続するとともにランニングＯＰＣ方式による記録パワーの補正を実行していく。
【００７１】
上述するような実施例の場合には、データ記録中に実行されるランニングＯＰＣ方式で補正される記録パワーが予め設定している数値よりも大きく、半導体レーザ１８自体の温度上昇を招く程の光量を記録時に必要とする場合には、記録前に記録速度を低く変更した上でデータ記録することにより、不要な光量の増加を抑制し、半導体レーザ１８の温度上昇の可能性を記録前に回避し、確実なデータ記録を行うという効果を奏する。
【００７２】
図２乃至図４に示して説明した記録速度の制御動作は、任意に組合せ可能である。次に、図５を用いて、図２乃至図４に示す動作を組み合わせた記録速度の制御動作の一実施例を説明する。尚、図５においては、図２乃至図４と同じ動作については同じステップ番号を付している。
【００７３】
まず、光ディスク１１が装填された状態の光ディスク装置の電源がオンされ、あるいは電源がオンされた状態の光ディスク装置に対して光ディスク１１が装填され、所定の高速記録速度でデータを記録させる動作コマンドを受けた場合（ＳＴ１１）、制御プログラムに基づいてＣＰＵ４２の指示により、光ディスク１１の反り測定動作を開始する。
【００７４】
例えば、装填された光ディスク１１に対して、半導体レーザ１８を照射した状態で、スレッドモータ制御回路１６の制御のもとスレッドモータ１５により、光ヘッド１４を光ディスク１１の半径方向へ一定の速度で移動させる。そして、フォーカス制御回路３４から出力されるフォーカスエラー信号ＦＥの半径方向の変位量を集計し、最小の変位量と最大の変位量との差から光ディスク１１の反りを算出し、ＲＡＭ４３に記憶する（ＳＴ１２）。
【００７５】
次に、ＣＰＵ４２は、ＳＴ１２の反り測定動作で測定された反り測定結果と、予め記憶された反りの設定値とを比較し（ＳＴ１３）、このＳＴ１３の比較の結果、反り測定結果が設定値を越えないと判断された場合には（ＳＴ１４のＮｏ）、ＳＴ１１で受けた動作コマンドで指示された高速記録速度を変更せずに次の処理へと進む。
【００７６】
またＳＴ１３の比較の結果、反り測定結果が設定値より大きいと判断された場合には（ＳＴ１４のＹｅｓ）、ＳＴ１１で受けた動作コマンドで指示された高速記録速度よりも低い記録速度（例えば一段低い記録速度）へと変更し、ＲＡＭ４３に記憶して次の処理へと進む（ＳＴ１６）。
【００７７】
光ディスク１１の反り測定動作が終了すると、次に、ＣＰＵ４２はＯＰＣ方式での試し書きによる記録パワーの制御動作を開始する。
【００７８】
即ち、レーザ制御回路１９は、装填された光ディスク１１の内周側に設けられた試し書き領域に対して、指示された記録速度で、半導体レーザ１８の発光量を段階的に変化させてテストパターンを記録する。そして、この記録された光ディスク１１上のテストパターンを再生し、再生結果に基いて記録パワーを調整し、この記録速度に対応した適切な記録パワーを決定し、ＲＡＭ４３に記憶する（ＳＴ２２）。
【００７９】
そして、ＣＰＵ４２は、ＳＴ２２で決定された記録パワーと、予め記憶された記録パワー設定値とを比較し（ＳＴ２３）、このＳＴ２３の比較の結果、ＳＴ２２で決定された記録パワーが設定値を越えないと判断された場合には（ＳＴ２４のＮｏ）、ＳＴ２１で受けた動作コマンドで指示された高速記録速度で、ＳＴ２２で決定されＲＡＭ４３に記憶された最適な記録パワーで、データの記録を開始する（ＳＴ２５）。
【００８０】
ＳＴ２３の比較の結果、ＳＴ２２で決定された記録パワーが設定値より大きいと判断された場合には（ＳＴ２４のＹｅｓ）、ＳＴ２１で受けた動作コマンドで指示された高速記録速度よりも低い記録速度（例えば一段低い記録速度）へと変更し、ＲＡＭ４３に記憶する。そして、ＲＡＭ４３に記憶された変更後の記録速度で、かつこの記録速度に対応した記録パワーでデータの記録を実行する（ＳＴ２６）。
【００８１】
ＯＰＣ方式での試し書きによる記録パワーの制御動作が終了し、データ記録が開始されると、次にＣＰＵ４２は、このデータ記録に伴って、記録中のＲＦ信号の振幅レベルから反射光量を検知し、その検知結果（反射光量の変動）に応じて半導体レーザ１８の発光量（記録パワー）を補正して、適切な値にする（ＳＴ３２）。
【００８２】
そして、ＣＰＵ４２は、ＳＴ３２で補正された記録パワーと、予め記憶された記録パワー設定値とを比較し（ＳＴ３３）、このＳＴ３３の比較の結果、ＳＴ３２で補正された記録パワーが設定値を越えないと判断された場合には（ＳＴ３４のＮｏ）、記録速度を変更することなく、ＳＴ３２で補正された最適な記録パワーで、データの記録を実行する（ＳＴ３５）。
【００８３】
ＳＴ３３の比較の結果、ＳＴ３２で補正された記録パワーが設定値より大きいと判断された場合には（ＳＴ３４のＹｅｓ）、記録中の高速記録速度よりも低い記録速度（例えば一段低い記録速度）へと変更し、ＲＡＭ４３に記憶する。そして、ＲＡＭ４３に記憶された変更後の記録速度で、かつこの記録速度に対応した記録パワーで、データの記録を実行する（ＳＴ３６）。
【００８４】
そして、動作コマンドで指示されたデータの記録が終了していなければ（ＳＴ３７）、ＳＴ３２へと進み、記録を継続するとともにランニングＯＰＣ方式による記録パワーの補正を実行していく。
【００８５】
以上のように、本実施の形態では、データ記録前に装填された光ディスク１１の反りを計測し、光ディスクの反り具合が予め設定している数値よりも大きく、半導体レーザ１８自体の温度上昇を招く程の光量を記録時に必要とする場合には、記録前に記録速度を低く変更した上でデータ記録する。
【００８６】
反り判定による記録速度制御動作が終了すると、次にデータ記録前に装填された光ディスク１１へのＯＰＣ方式での試し書きによる記録パワーの制御動作を行い、記録指示された記録速度で決定された記録パワーが予め設定している数値よりも大きく、半導体レーザ１８自体の温度上昇を招く程の光量を記録時に必要とする場合には、記録前に記録速度を低く変更した上でデータ記録する。
【００８７】
ＯＰＣ方式での試し書きによる記録パワーによる記録速度の制御動作が終了すると、次にデータ記録中に実行されるランニングＯＰＣ方式で補正される記録パワーが予め設定している数値よりも大きく、半導体レーザ１８自体の温度上昇を招く程の光量を記録時に必要とする場合には、記録前に記録速度を低く変更した上でデータ記録することにより、不要な光量の増加を抑制し、半導体レーザ１８の温度上昇の可能性を記録前に回避し、確実なデータ記録を行うという効果を奏する。
【００８８】
次に、図６を用いて、図２乃至図４に示す動作を組み合わせた記録速度の制御動作の他の実施例を説明する。尚、図６においては、図２乃至図４と同じ動作については同じステップ番号を付している。
【００８９】
図６に示す実施例では、記録速度を一段遅くすることにより、半導体レーザ１８自体の温度上昇を招く程の光量に至らないレベルになるため、いずれかの設定値に達し、記録速度を低く変更された場合には以降の設定値との比較は行わない点で図５に示す実施例と異なる。
【００９０】
まず、光ディスク１１が装填された状態の光ディスク装置の電源がオンされ、あるいは電源がオンされた状態の光ディスク装置に対して光ディスク１１が装填され、所定の高速記録速度でデータを記録させる動作コマンドを受けた場合（ＳＴ１１）、制御プログラムに基づいてＣＰＵ４２の指示により、光ディスク１１の反り測定動作を開始する。
【００９１】
例えば、装填された光ディスク１１に対して、半導体レーザ１８を照射した状態で、スレッドモータ制御回路１６の制御のもとスレッドモータ１５により、光ヘッド１４を光ディスク１１の半径方向へ一定の速度で移動させる。そして、フォーカス制御回路３４から出力されるフォーカスエラー信号ＦＥの半径方向の変位量を集計し、最小の変位量と最大の変位量との差から光ディスク１１の反りを算出し、ＲＡＭ４３に記憶する（ＳＴ１２）。
【００９２】
次に、ＣＰＵ４２は、ＳＴ１２の反り測定動作で測定された反り測定結果と、予め記憶された反りの設定値とを比較する（ＳＴ１３）。
【００９３】
このＳＴ１３の比較の結果、反り測定結果が設定値より大きいと判断された場合には（ＳＴ１４のＹｅｓ）、ＳＴ１１で受けた動作コマンドで指示された高速記録速度よりも低い記録速度（例えば一段低い記録速度）へと変更し、ＲＡＭ４３に記憶し、この低い記録速度に対応した記録パワーでの記録処理へと進む（ＳＴ４１）。
【００９４】
このＳＴ１３の比較の結果、反り測定結果が設定値を越えないと判断された場合には（ＳＴ１４のＮｏ）、ＳＴ１１で受けた動作コマンドで指示された高速記録速度を変更せずに、ＯＰＣ方式での試し書きによる記録パワーの制御動作を開始する。
【００９５】
即ち、レーザ制御回路１９は、装填された光ディスク１１の内周側に設けられた試し書き領域に対して、指示された記録速度で、半導体レーザ１８の発光量を段階的に変化させてテストパターンを記録する。そして、この記録された光ディスク１１上のテストパターンを再生し、再生結果に基いて記録パワー調整し、適切な記録パワーを決定し、ＲＡＭ４３に記憶する（ＳＴ２２）。
【００９６】
そして、ＣＰＵ４２は、ＳＴ２２で決定された記録パワーと、予め記憶された記録速度毎の記録パワー設定値とを比較し（ＳＴ２３）、このＳＴ２３の比較の結果、ＳＴ２２で決定された記録パワーが設定値より大きいと判断された場合には（ＳＴ２４のＹｅｓ）、ＳＴ２１で受けた動作コマンドで指示された高速記録速度よりも低い記録速度（例えば一段低い記録速度）へと変更し、ＲＡＭ４３に記憶し、この低い記録速度に対応した記録パワーでの記録処理へと進む（ＳＴ４１）。
【００９７】
ＳＴ２３の比較の結果、ＳＴ２２で決定された記録パワーが設定値を越えないと判断された場合には（ＳＴ２４のＮｏ）、ＳＴ２１で受けた動作コマンドで指示された高速記録速度で、ＳＴ２２で決定されＲＡＭ４３に記憶された最適な記録パワーで、データの記録を開始する（ＳＴ２５）。
【００９８】
ＯＰＣ方式での試し書きによる記録パワーの制御動作が終了し、データ記録が開始されると、次にＣＰＵ４２は、このデータ記録に伴って、記録中のＲＦ信号の振幅レベルから反射光量を検知し、その検知結果（反射光量の変動）に応じて半導体レーザ１８の発光量（記録パワー）を補正して、適切な値にする（ＳＴ３２）。
【００９９】
そして、ＣＰＵ４２は、ＳＴ３２で補正された記録パワーと、予め記憶された記録パワー設定値とを比較し（ＳＴ３３）、このＳＴ３３の比較の結果、ＳＴ３２で補正された記録パワーが設定値を越えないと判断された場合には（ＳＴ３４のＮｏ）、記録速度を変更することなく、ＳＴ３２で補正された最適な記録パワーで、データの記録を実行する（ＳＴ３５）。
【０１００】
そして、動作コマンドで指示されたデータの記録が終了していなければ（ＳＴ３７）、ＳＴ３２へと進み、記録を継続するとともにランニングＯＰＣ方式による記録パワーの補正を実行していく。
【０１０１】
ＳＴ３３の比較の結果、ＳＴ３２で補正された記録パワーが設定値より大きいと判断された場合には（ＳＴ３４のＹｅｓ）、記録中の高速記録速度よりも低い記録速度（例えば一段低い記録速度）へと変更し、ＲＡＭ４３に記憶し、この低い記録速度に対応した記録パワーでの記録処理へと進む（ＳＴ４１）。
【０１０２】
データ記録が開始されると、このデータ記録に伴って、記録中のＲＦ信号の振幅レベルから反射光量を検知し、その検知結果（反射光量の変動）に応じて半導体レーザ１８の発光量（記録パワー）を補正して、適切な値にする（ＳＴ４２）。
【０１０３】
そして、動作コマンドで指示されたデータの記録が終了していなければ（ＳＴ４３）、ＳＴ４２へと進み、記録を継続するとともにランニングＯＰＣ方式による記録パワーの補正を実行していく。
【０１０４】
以上のように、本実施の形態では、まずデータ記録前に装填された光ディスク１１の反りを計測し、光ディスクの反り具合が予め設定している数値よりも大きく、半導体レーザ１８自体の温度上昇を招く程の光量を記録時に必要とする場合には、記録前に記録速度を低く変更した上でデータ記録する。
【０１０５】
そして、反り判定による記録速度制御動作で設定値以下だった場合に、次にデータ記録前に実行されるＯＰＣ方式で決定された記録パワーが予め設定している数値よりも大きいか否かの比較を行うようになっている。
【０１０６】
また、ＯＰＣ方式に伴う記録速度制御動作で設定値以下だった場合に、次にデータ記録中に実行されるランニングＯＰＣ方式で補正される記録パワーが予め設定している数値よりも大きいか否かの比較を行うようになっている。
【０１０７】
即ち、記録速度を一段遅くすることにより、半導体レーザ１８自体の温度上昇を招く程の光量は必要なくなるため、記録速度を低く変更した場合には、以降の各種設定値との比較は行わず、記録速度を変更せずに記録動作に進む場合には、ＯＰＣ実行時、ランニングＯＰＣ実行時に、各種設定値との比較を実行するようになっている。
【０１０８】
従って、半導体レーザ１８自体の温度上昇を招く程の光量を記録時に必要とするか否かを常に判断し、必要な場合には、記録前に記録速度を低く変更した上でデータ記録することにより、不要な光量の増加を抑制し、半導体レーザ１８の温度上昇の可能性を記録前に回避し、確実なデータ記録を行うという効果を奏する。
【０１０９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、記録に必要な光量の増加を抑制し、半導体レーザの温度上昇を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る光ディスク装置の回路ブロック図。
【図２】光ディスク装置における光ディスク１１の反りに応じた記録速度の制御動作を示すフローチャート図。
【図３】光ディスク装置におけるＯＰＣ方式で決定された記録パワーに応じた記録速度の制御動作を示すフローチャート図。
【図４】光ディスク装置におけるランニングＯＰＣ方式で決定された記録パワーに応じた記録速度の制御動作を示すフローチャート図。
【図５】図２乃至図４に示す動作を組み合わせた記録速度の制御動作の一実施例を説明するフローチャート図。
【図６】図２乃至図４に示す動作を組み合わせた記録速度の制御動作の他の実施例を説明するフローチャート図。
【符号の説明】
１１    光ディスク
１２    スピンドルモータ
１３    モータ制御回路
１４    光ヘッド
１５    スレッドモータ
１６    スレッドモータ制御回路
１７    速度検出器
１８    半導体レーザ
１９    レーザ制御回路
２０    変調回路
２２    インターフェイス回路
２３    バスライン
２４    フロントモニタ
２５    コリメータレンズ
２６    ハーフプリズム
２７    対物レンズ
２８    集光レンズ
３０    光検出器
３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄ    光電変換セル
３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ    増幅器
３２ａ、３２ｂ    加算器
３３ａ、３３ｂ    演算増幅器
３４    フォーカス制御回路
３５    フォーカス駆動コイル
３６    トラッキング制御回路
３７    トラッキング駆動コイル
３８    データ再生回路
３９    ランニングＯＰＣ制御回路
４２    ＣＰＵ
【図１】
2004178683.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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