(57)【要約】【課題】小さな欠陥であっても高スループットで検出可能にする。【解決手段】電子銃４１から放出された電子線は、コンデンサレンズ４２、照射レンズ４３を介して被検査マスク４４に照射され、対物レンズ４５の主面近傍にクロスオーバを形成する。マスクを透過した電子線は、対物レンズ４５、拡大レンズ４６を介して、内面に蛍光面を有する真空窓４８に光の像を形成し、ＴＤＩカメラ５０に結像され電気信号に変換される。そして、画像形成回路５４においてマスク像に変換され、欠陥検出回路５５において欠陥が検出される。電子銃４１のＬａＢ６カソードは、ショット雑音を低減するよう空間電荷制限条件の下で動作し、かつ高輝度が得られ、また、拡大レンズ系がＳ／Ｎ＞２０に設定されており、これにより、画素寸法の半分以下の欠陥も検出することができる。ＭＴＦ（Ｅ０）＞０．５５に設定しても画素寸法／２以下の欠陥を検出可能である。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
欠陥を検出するための電子線装置であって、画素寸法をパターンの最小線幅にほぼ等しく設定可能であり、かつ、最小線幅のラインアンドスペースパターンを走査したときの２次電子検出信号のＭＴＦが０．５５以上となるように構成したことにより、画素寸法の約１／２の寸法の欠陥を検出可能としたことを特徴とする電子線装置。
【請求項２】
欠陥を検出するための電子線装置であって、画素寸法をパターンの最小線幅にほぼ等しく設定可能であり、２次電子検出信号のＳ／Ｎ比が２０以上（ただし、雑音Ｎは３σ値）となるように構成したことにより、画素寸法の約１／２の寸法の欠陥を検出可能としたことを特徴とする電子線装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の電子線装置において、該装置は、電子銃から放出された電子線をメンブレンマスクあるいはステンシルマスクに照射し、マスクを透過した電子線を拡大し、２次電子検出画像を得るよう構成されていることを特徴とする電子線装置。
【請求項４】
請求項１又は２記載の電子線装置において、該装置は、電子銃から放出された電子を細く絞って試料上を走査し、試料から放出される２次電子を検出し、２次元画像を形成し、該画像をダイ・ツー・ダイ又はセル・ツー・セルで比較して欠陥検出を行うよう構成されていることを特徴とする電子線装置。
【請求項５】
半導体デバイスを製造する方法であって、請求項１〜４いずれかに記載の電子線装置を用いてプロセス途中及びプロセス完了後の一方又は両方で半導体ウエハの欠陥検査を行うことを特徴とする半導体デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】
本発明は、電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法に関し、より詳細には、最小線幅０．１μｍ以下のパターンを有するウエハあるいはマスクの欠陥等を検出するための電子線装置及びデバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
今日、電子線を用いて、ウエハ又はマスクのパターンの欠陥を検出可能にした電子線装置が用いられている。
このような従来例の電子線装置においては、検出したい欠陥の寸法に等しいか、あるいはそれより小さい寸法の画素で画像形成を行い、形成された画像から欠陥検出を行っている。例えば、０．１μｍ線幅のパターンにおける０．０５μｍ以上の欠陥を検出しようとすると、画素寸法を０．０５μｍ以下に設定する必要がある。また、このとき、１００ＭＨｚのクロック周波数（走査速度）で欠陥を検出しようとすると、ｃｍ２当たりの検出時間は、
１０２／｛（５×１０−５）２×１００×１０６｝
＝４００秒
＝約０．１１１時間
となる。したがって、１０ｃｍ平方（＝１００ｃｍ２）を検出しようとすると、単純計算でも１１．１時間かかることになる。
【０００３】
上記においては、クロック周波数を１００ＭＨｚとしたが、これは、検出器の応答周波数が１００ＭＨｚより充分に大きい電子線装置の場合に採用可能なクロック周波数である。例えば、画素寸法程度の寸法の欠陥を検出するためには、以下の非特許文献１に記載されているように、Ｓ／Ｎ比が１５以上である必要があると言われている。
一方、応答周波数が余り高くない、例えばシンチレータとＰＭＴを組み合わせた２次電子検出器等においては、通常、１００ＭＨｚ以上のクロック周波数で走査が不可能である。したがって、このような２次電子検出器を用いた電子線装置においては、走査用のクロック周波数を１００ＭＨｚより低くせざるを得ないため、検査時間がより長時間となり、スループットが低下する。
【非特許文献１】
品田、他４名「ウエハ検査用高速大電流  ＳＥＭ  光学系」、ＬＳＩテスティングシンポジウム／２０００  会議録、平成１２年１１月９〜１０日、Ｐ．１５１〜１５６
【０００４】
本発明は、上記した問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体ウエハ及びマスク等のパターンの欠陥検出を行うための電子線装置において、画素寸法を大きくすることによりスループットを大きくし、しかも、小さな寸法の欠陥を高精度で検出することができる電子線装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記した本発明の目的を達成するために、第１の観点の本発明は、欠陥を検出するための電子線装置であって、画素寸法をパターンの最小線幅にほぼ等しく設定可能であり、かつ、最小線幅のラインアンドスペースパターンを走査したときの２次電子検出信号のＭＴＦが０．５５以上となるように構成したことにより、画素寸法の約１／２の寸法の欠陥を検出可能としたことを特徴とする電子線装置を提供する。
第２の観点の本発明は、欠陥を検出するための電子線装置であって、画素寸法をパターンの最小線幅にほぼ等しく設定可能であり、２次電子検出信号のＳ／Ｎ比が２０以上（ただし、雑音Ｎは３σ値）となるように構成したことにより、画素寸法の約１／２の寸法の欠陥を検出可能としたことを特徴とする電子線装置を提供する。
【０００６】
上記した第１及び第２の観点の本発明に係る電子線装置は、
電子銃から放出された電子線をメンブレンマスクあるいはステンシルマスクに照射し、マスクを透過した電子線を拡大し、２次電子検出画像を得るよう構成されているか、又は、
電子銃から放出された電子を細く絞って試料上を走査し、試料から放出される２次電子を検出し、２次元画像を形成し、該画像をダイ・ツー・ダイ又はセル・ツー・セルで比較して欠陥検出を行うよう構成されている
ことが好ましい。
これにより、欠陥検査のスループットがより向上する。
【０００７】
本発明はまた、上記した電子線装置を用いてプロセス途中及びプロセス完了後の一方又は両方で半導体ウエハの欠陥検査を行うことを特徴とする半導体デバイス製造方法も提供する。
【０００８】
【発明の実施の態様】
図１は、本発明の電子線装置における基本的原理（着眼点）を説明するためのグラフを示している。図１において、（Ａ）のグラフは、周期的パターンを走査したときに得られるＭＴＦと正規化空間周波数ｄｐｉｘ／（２ＣＤ）との関係を示し、（Ｂ）のグラフは、単一欠陥構造を観察したときの信号振幅であるＭＴＦ（＝ＭＴＦ（画素）：ここでは画素寸法が有限であることによる信号伝達関数をこのように表す）と正規化空間周波数ｄｐｉｘ／（２ｄｄｅｆ）との関係を示している。ただし、ｄｐｉｘは、画素寸法、ＣＤは周期的パターンの最小線幅であり、ｄｄｅｆは欠陥寸法である。
図１の（Ａ）のグラフに示すように、周期的構造に対しては、画素寸法ｄｐｉｘを最小線幅ＣＤの２倍に設定する（すなわち、ｄｐｉｘ／（２ＣＤ）＝１）と、ＭＴＦはゼロ、すなわち、信号振幅が０になってしまうが、画素寸法ｄｐｉｘを最小線幅ＣＤに等しく設定する（すなわち、ｄｐｉｘ／（２ＣＤ）＝０．５）と、ＭＴＦ＝０．６４が得られる。したがって、画素寸法ｄｐｉｘを最小線幅ＣＤにほぼ等しく設定しても、比較的大きいＭＴＦが得られることが分かる。
【０００９】
しかしながら、単一欠陥構造に対しては、ｄｐｉｘ＝２ｄｄｅｆに設定した場合、ｄｄｅｆの１／２の寸法のｄｄｅｆの欠陥に対しては、ｄｐｉｘ／２ｄｄｅｆ＝１となるため、図１の（Ｂ）のグラフに示すように、ＭＴＦ＝０．４１となる。ｄｄｅｆ＝１／３×ＣＤの欠陥に対しては、ＭＴＦ＝０．２１となる。
以上から明らかなように、画素寸法ｄｐｉｘを周期的パターンの最小線幅ＣＤにほぼ等しいように設定しても、周期的パターンを十分に検出可能であるが、一方、該パターン上の欠陥が小さい場合は、欠陥の検出精度が低下する。
【００１０】
ところで、図１の（Ａ）及び（Ｂ）のグラフにおけるＭＴＦの値は、画素寸法が有限であることによるＭＴＦ（＝ＭＴＦ（画素））であり、これ以外に、電子光学系の分解能が有限であることによるＭＴＦがある。ここでは、それをＭＴＦ（Ｅ０）で表す。そして、総合のＭＴＦは、
ＭＴＦ（総合）＝ＭＴＦ（画素）・ＭＴＦ（Ｅ０）
によって表すことができる。
したがって、画素寸法ｄｐｉｘを大きくして最小線幅ＣＤにほぼ等しくしたことによって生じる欠陥検出のＭＴＦ（画素）の低下を補うために、光学系の分解能によるＭＴＦ（Ｅ０）を大きくすれば、ＭＴＦ（総合）を大きく保つことができ、よって、高精度の欠陥検出ができることが分かる。
【００１１】
そこで、ＭＴＦ（画素）の低下を補うためのＭＴＦ（Ｅ０）の設定について説明する。
図２は、ＭＴＦ、（ＭＴＦ）２、ビーム電流Ｉ、及び（ＭＴＦ）２Ｉとビーム径／ＣＤとの関係を表すグラフである。ただし、図２におけるＭＴＦはＭＴＦ（Ｅ０）を意味している。レンズの収差として軸上色収差が優勢な場合、ビーム径を変化させると、ビーム電流Ｉはビーム径の４乗に比例して変化する（すなわち、Ｉ∝（ビーム径）４）。一方、ラインアンドスペースを走査するとき、ＭＴＦのグラフに示すように、ビーム径を大きくするほど信号振幅すなわちＭＴＦが小さくなる。これらの関係から、ビーム径を大きくすると、大きいビーム電流が得られるが信号振幅が小さくなり、逆に、ビーム径を小さくすると、ビーム電流が小さくなるが大寸法のパターンを走査したときの信号振幅と同じ大きさの信号振幅が得られる。したがって、ビーム径に最適値が存在することが分かる。
【００１２】
そして、ビーム径の最適値を求めるには、ＭＴＦが例えば１／２になるのを補うためには、信号を（２倍）２にする必要があり、したがって、（ＭＴＦ）２・Ｉのグラフの最大となるときの条件が最適値である。そこで、（ＭＴＦ）２・Ｉの最大値のときのＭＴＦの値を求めると、図２のグラフに示すように、ＭＴＦ＝０．３５となり、この値が最適値となる。例えば、このときのビーム径／ＣＤは約１．１であり、これを満足するようビーム径を設定することにより、ＭＴＦ（Ｅ０）＝０．３５を得ることができる。
【００１３】
ＭＴＦ＝０．３５のとき、図１に関連して説明した例の場合、すなわち、ｄｐｉｘ＝ＣＤで、ｄｄｅｆ＝ＣＤ／２の欠陥に対して、
０．３５×（０．６４／０．４１）＝０．５５
であるから、電子光学系の分解能によるＭＴＦ（Ｅ０）を０．５５以上にすれば、ＭＴＦ（画素）の０．６４から０．４１への低下分を補うことができる。これにより、欠陥が画素寸法（＝最小線幅）の１／２程度であっても、ＭＴＦ（総合）の低下を防止することができ、欠陥を適切に検出することができる。
【００１４】
また、上記のようにＭＴＦ（総合）の低下を防ぐ代わりに、パターン画像を得るときのＳ／Ｎ比を十分大きくすることにより、画素寸法よりも小さい欠陥を検出することもできる。画素寸法と同程度の寸法の欠陥検出を行うためには、上記した非特許文献１に記載されているように、１５以上のＳ／Ｎ比が必要であると言われている。これを基準にすると、画素寸法の１／２の欠陥を検出する場合のＭＴＦ（画素）は、０．４１／０．６４倍に低下するので、Ｓ／Ｎ比を、その逆数倍である
Ｓ／Ｎ
＝１５×０．６４／０．４１
＝２３．４
に設定しておけば、画素寸法（＝最小線幅）の１／２の欠陥を検出することができる。すなわち、Ｓ／Ｎ比を２０以上に設定すれば、画素寸法の約１／２程度の欠陥を検出することができる。
【００１５】
なお、画素寸法の１／３の欠陥（すなわち、ｄｐｉｘ／（２ｄｄｅｆ）＝１．５）を検出する場合、図１の（Ｂ）に示すように、ＭＴＦ（画素）は約０．２１である。したがって、
１５×０．６４／０．２１＝４５．７
のＳ／Ｎ比が得られれば、画素寸法の１／３の大きさの欠陥を検出することができる。
【００１６】
図３は、本発明の一実施形態の電子線装置の主要部を示した図である。該電子線装置は、それぞれが電子銃、１次電子光学系、及び２次電子光学系からなる複数のユニットを備えている。各ユニットの電子銃は、カソード３１、ヒータ３２、ウエーネルト３４、セラミックベース３５、アノード３６からなり、該電子銃から放出された電子線は、ダブルアノード（３５、３６）の凸レンズ作用でクロスオーバを成形開口板３８の開口に形成する。そして、該開口で成形された電子線は、コンデンサレンズ３９及び対物レンズ２９により縮小され、ウエハ等の試料２８上に規則的な位置関係で照射される。このとき、電子線は、偏向器３７及びＥ×Ｂ偏向器２４により試料２８上をラスタスキャンし、これにより、各ユニット毎に、電子線が試料上の所定領域を走査する。
【００１７】
電子線照射により試料２８から放出された２次電子は、Ｅ×Ｂ偏向器２４により偏向されて、２次電子光学系の軌道２７を進み、２次電子検出器４０に到達する。これにより、電子線は、２次電子検出器４０で検出され、その強度に対応する電気信号に変換される。得られた電子信号は、画像形成回路（不図示）によって処理され、これによりＳＥＭ画像が得られる。得られた画像を、欠陥検出回路（不図示）において、基準となる画像と比較すか、又は、別のチップの対応する場所又は同一チップの別のセルについて得られた複数の画像同士を比較することにより、欠陥検出が行われる。
【００１８】
複数のユニットそれぞれの対応するレンズ２９、３０は、セラミック基板に光軸となる複数の開口及び電極等が規則的に配置されて一体的に構成されている。複数のユニットそれぞれの対応する偏向器３７も同様である。
各ユニットの電子銃は、各々が機械的軸合わせ機構を備えており、これにより、ユニット毎に独立して、電子銃の軸合わせが可能である。軸合わせの際には、各ユニット毎に、電子銃から放出されたビームを見ながら、アノード電極３５にウオーブラ（周期的に変化する電圧）を印加し、偏向器３７を操作して成形開口板３８上を走査し、開口板２５で測定される吸収電流による明るい領域の移動に基づいて、ビームの光軸２５を調整する。
【００１９】
カソード３１は、ＬａＢ６カソードであり、輝度が１×１０６Ａ／ｃｍ２ＳＲが得られ、１００ｎｍのビーム径で２０ｎＡのビーム電流が、ウエハ２８上に得られる。さらに、電子銃は空間電荷制限領域で動作するよう構成されており、これにより、ショット雑音低減係数Γ＝０．３を実現可能である。
図３に示した電子線装置において、各ユニットでのビームの走査を１００ＭＨｚのクロック周波数で行う場合、画素当たりの２次電子検出数Ｎは、以下のようになる。ただし、画素寸法に等しいか又はそれ以上の寸法の欠陥を検出する場合とする。
2004177644.tif 000003
Ｓ／Ｎ比は、
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（ただし、１／Γ２＝１１．１に設定）
となる。上記したように、Ｓ／Ｎ比が１５以上であれば画素寸法に等しい１００ｎｍの欠陥が検出可能であり、従って、画素寸法以上の欠陥を高精度で検出することができる。
【００２０】
また、画素寸法よりも小さい欠陥を検出する場合について述べると、Ｓ／Ｎ＝９２．６の場合には、ＭＴＦ（画素）が低下したとしても、画素寸法の１／２あるいは１／３の寸法の欠陥を高精度で検出することができる。
【００２１】
また、ビーム径を１００ｎｍではなく４５ｎｍに設定すると、ビーム電流は０．８２ｎＡが得られる。そして、クロック周波数１００ＭＨｚで走査すると、
Ｓ／Ｎ＝１８．７５＞１５
が得られる。図２のグラフから、ビーム径／ＣＤ＝０．４５の場合、ＭＴＦ（Ｅ０）＝０．８５であり、また、図１の（Ｂ）のグラフから、ＭＴＦ（画素）＝０．４１であるから、総合のＭＴＦは、
ＭＴＦ（総合）
＝０．８５×０．４１
＝０．３５
となる。図２に関連して説明したように、ＭＴＦ＝０．３５は最適値である。したがって、この条件で画素寸法に等しい欠陥を検出することができる。また、欠陥寸法が半分になったことにより、ＭＴＦ（画素）＝０．４１に低下しても、ＭＴＦ（総合）＝０．３５を確保することができる。したがって、５０ｎｍ径の欠陥であっても検出することができる。
【００２２】
図４は、本発明に係る電子線装置の他の実施形態の主要部を示しており、この実施形態は、ステンシルマスクあるいはメンブレンマスクの欠陥検出装置として構成したものである。電子銃４１から放出された電子線は、コンデンサレンズ４２によりクロスオーバ５２を形成し、かつ、照射レンズ４３により拡大レンズ系の対物レンズ４５の主面近傍にクロスオーバを形成する。検査されるマスク４４は、対物レンズ４５の前段近傍に位置決めされる。照射レンズ４３は、その対物面に長方形開口を有する開口板５１が設けられており、この長方形開口により、マスク４４上の検査に必要十分な領域のみが照射されるようにする。
【００２３】
マスク４４は一様な強度で照射され、該マスクを透過した電子線は対物レンズ４５で拡大され、拡大レンズ４６の手前の位置５３に拡大像を形成する。そして、拡大レンズ４６でさらに拡大され、内面に蛍光面を有する真空窓４８に光の像を形成する。
そして、光学レンズ系４９により像の大きさが調整され、ＴＤＩカメラ５０に結像され、該カメラにより電気信号に変換される。そして、画像形成回路５４においてマスク像に変換され、その後、欠陥検出回路５５において欠陥が検出される。このとき、欠陥検出回路５５には、パターンデータメモリ５６から基準マスクパターンのデータが提供され、欠陥検出回路５５は、この基準マスクパターンと画像形成回路５４からのデータとを対比することにより、欠陥検出を行う。
【００２４】
電子銃４１は、ＬａＢ６カソードを有し、空間電荷制限条件の下で動作するよう構成され、これにより、通常のショットキーカソードを採用したものと対比して、ショット雑音が１／２〜１／５に低減される。１×１０３Ａ／ｃｍ２ＳＲ（４．５ｋＶ）の輝度は容易に得られる。拡大レンズ系４５は、３ｍｒａｄの照射角α０ｍで２０ｎｍのビーム径が得られているので、α０＝２．５ｍｒａｄでマスク４４を照射すれば、５０ｎｍ平方の画素で得られる電子数Ｎ、及びＳ／Ｎ比は、以下のようになる。
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この場合も、Ｓ／Ｎ＞２０であり、画素寸法の半分以下の欠陥を検出することができる。
【００２５】
次に、上記した電子装置を用いた、本発明に係る半導体デバイスの製造方法の実施形態の一例を説明する。
図５は、本発明の半導体デバイスの製造方法の一例を示すフロチャートである。この例の製造プロセスは、以下の各主工程を含む。
▲１▼ウエハを製造するウエハ製造工程（又は、ウエハを準備するウエハ準備工程）Ｓ１
▲２▼露光に使用するマスクを製作するマスク製造工程（又は、マスクを準備するマスク準備工程）Ｓ２
▲３▼ウエハに必要な加工処理を行うウエハ・プロセッシング工程Ｓ３
▲４▼ウエハ上に形成されたチップを１個ずつ切り出し、動作可能にならしめるチップ組立工程Ｓ４
▲５▼切り出されたチップを検査するチップ検査工程Ｓ５
【００２６】
それぞれの主工程Ｓ１〜Ｓ５は、いくつかのサブ工程からなっている。これらの主工程の中で、半導体デバイスの性能に決定的な影響を及ぼす主工程がウエハ・プロセッシング工程Ｓ３である。この工程Ｓ３では、設計された回路パターンをウエハ上に順次積層し、メモリやＭＰＵとして動作するチップを多数形成する。このウエハ・プロセッシング工程は、以下のサブ工程を含む。
▲１▼絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、あるいは電極部を形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程（ＣＶＤやスパッタリング等を用いる）
▲２▼この薄膜層やウエハ基板を酸化する酸化工程
▲３▼薄膜層やウエハ基板等を選択的に加エするためのマスク（レチクル）を用いてレジストのパターンを形成するリソグラフィ工程
▲４▼レジスト・パターンに従って薄膜層や基板を加工するエッチング工程（例えばドライエッチング技術を用いる）
▲５▼イオン・不純物注入拡散工程
▲６▼レジスト剥離工程
▲７▼さらに加工されたウエハを検査する検査工程（マスク製造工程Ｓ２で製造されたマスク等の検査も含む）
ウエハ・プロセツシング工程中のサブ工程は、必要な層数だけ繰り返し行われ、設計通りに動作する半導体デバイスを製造する。
【００２７】
図６は、図５のウエハ・プロセッシング工程の中核をなすリソグラフィ工程を示すフロチャートである。このリソグラフィ工程は、以下の工程を含む。
▲１▼前段の工程で回路パターンが形成されたウエハ上にレジストをコートするレジスト塗布工程Ｓ２１
▲２▼レジストを露光する露光工程Ｓ２２
▲３▼露光されたレジストを現像してレジストのパターンを得る現像工程Ｓ２３
▲４▼現像されたレジストパターンを安定化させるためのアニール工程Ｓ２４
【００２８】
上記した本発明に係る電子線装置を、上記チップ検査工程Ｓ７及びウエハ・プロセッシング工程Ｓ３中の検査工程の少なくとも一方に用いると、微細なパターンを有する半導体デバイスであっても、高スループットで検査を行うことができる。したがって、全数検査が可能となり、製品の歩留向上、欠陥製品の出荷防止が可能となる。
【００２９】
【発明の効果】
本発明の電子線装置は以上のように構成されており、以下のような作用効果を奏することができる。
１．試料を走査するためのクロック周波数を例えば１００ＭＨｚ等の比較的高い周波数に設定しても、画素寸法の１／２又は１／３程度の欠陥を高精度で検出可能であり、したがって、高いスループットを保持したまま、比較的小さい欠陥も高精度で検出可能である。
２．逆に、検出したい欠陥の寸法の２倍以上に画素寸法を設定できるので、この意味においても高スループットを実現することができる。
３．シンチレータとＰＭＴとを用いた２次電子検出器等のように信頼性が高い２次電子検出器を採用可能であり、したがって、電子線装置の信頼性を高めることができる。
４．ステンシルマスクの欠陥を検出する場合、ＭＴＦが小さく、ＴＤＩから得られる信号のＳ／Ｎ比が良好であるので、画素寸法より小さい欠陥を容易に検出することができる。
５．本発明に係る電子線装置を半導体デバイスを製造する方法に適用して、マスク又はウエハの欠陥検査工程に用いると、微細なパターンを有する半導体デバイスであっても高スループットで検査を行うことができ、これにより、全数検査が可能となり、製品の歩留向上、欠陥製品の出荷防止が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る電子線装置の基本的原理を説明するためのグラフであり、（Ａ）は、ＭＴＦ（画像）と正規化空間周波数との関係を表し、（Ｂ）は、ＭＴＦ（画像）と正規化空間周波数との関係を表している。
【図２】ＭＴＦ、ＭＴＦ２、ビーム電流Ｉ、及び（ＭＴＦ）２Ｉとビーム径／最小線幅との関係を示すグラフである。
【図３】本発明に係る電子線装置の一実施形態の概略構成を示す説明図である。
【図４】本発明に係る電子線装置の別の実施形態の概略構成を示す説明図である。
【図５】本発明に係る半導体デバイス製造方法を示すフローチャートである。
【図６】図５に示した半導体デバイス製造方法の内のリソグラフィ工程を示すフローチャートである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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