(57)【要約】【課題】微細化しても１メモリ素子あたり２ビット以上の記憶保持と安定した動作ができると共に、外部から供給される電源電圧のレベル低下に起因する書換え不良などの誤動作を防止できる半導体記憶装置およびその制御方法を提供する。【解決手段】半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、該ゲート電極下に配置されたチャネル領域と、上記チャネル領域の両側に配置され、上記チャネル領域と逆導電型を有する拡散領域と、上記ゲート電極の両側に形成され、電荷を保持する機能を有するメモリ機能体とからなるメモリ素子をメモリセルとして用いたメモリセルアレイを備える。外部から供給される第１,第２の電源電圧ＶCC1,ＶCC2が所定電圧よりも低いとき、ロックアウト回路３３aによってメモリセルアレイを含むメモリ回路３４に対する書換えコマンドを禁止する。【選択図】  図２１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、上記ゲート電極下に配置されたチャネル領域と、上記チャネル領域の両側に配置され、上記チャネル領域と逆導電型を有する拡散領域と、上記ゲート電極の両側に形成され、電荷を保持する機能を有するメモリ機能体とからなるメモリ素子をメモリセルとして用いたメモリセルアレイを備えた半導体記憶装置であって、外部から供給される電源電圧が所定電圧よりも低いとき、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に対するコマンドを禁止するロックアウト回路を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体記憶装置において、
上記外部から供給される電源電圧は、少なくとも上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に供給される第１の電源電圧と出力回路に供給される第２の電源電圧であり、
上記ロックアウト回路は、
上記第１の電源電圧が第１の所定電圧以下であるとき、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に対するコマンドを禁止する第１のロックアウト信号を出力する電圧検出器と、
上記第２の電源電圧が第２の所定電圧より低いとき、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に対するコマンドを禁止する第２のロックアウト信号を出力する電源電圧確認回路とを有することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体記憶装置において、
上記電源電圧確認回路は、上記第１の電源電圧が上記第１の所定電圧より低いとき、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に対するコマンドを禁止するロックアウト信号を出力することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項４】
請求項２に記載の半導体記憶装置において、
上記第２の電源電圧と上記第２の所定電圧とを比較して、上記第２の電源電圧が上記第２の所定電圧よりも高いとき、上記第２の電源電圧が上記第２の所定電圧よりも高いことを表す信号を上記電源電圧確認回路に出力する比較器を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項５】
請求項２に記載の半導体記憶装置において、
上記電圧検出器は、上記第１の電源電圧が上記第１の所定電圧より低いとき、上記第１の電源電圧が上記第１の所定電圧より低いことを表す信号を上記電源電圧確認回路に出力することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項６】
請求項２に記載の半導体記憶装置において、
上記電源電圧確認回路は、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路にコマンドが与えられたことを表す信号を受けると、上記第２の電源電圧を確認することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体記憶装置において、
上記電源電圧確認回路は、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路にコマンドが与えられたことを表す信号に応じて上記第２の電源電圧の確認結果を表す信号を出力することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項８】
請求項２に記載の半導体記憶装置において、
上記第２の所定電圧は、０.３Ｖ〜１.２Ｖの範囲内であることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項９】
請求項２に記載の半導体記憶装置において、
上記電圧検出器からの上記第１のロックアウト信号または上記電源電圧確認回路からの上記第２のロックアウト信号の少なくとも一方が出力されると、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に対するコマンドが禁止されることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項１０】
請求項２に記載の半導体記憶装置において、
上記電圧検出器の電源電圧の供給状態が上記第１の電源電圧によって制御されることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項１１】
請求項４に記載の半導体記憶装置において、
上記第２の所定電圧を発生する電圧発生回路を備え、
上記比較器および上記電圧発生回路の電源電圧の供給状態が上記第２の電源電圧によって制御されることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の半導体記憶装置において、
上記メモリセルアレイを含むメモリ回路がアクティブ状態であるときにオンして、少なくとも上記メモリセルアレイを含むメモリ回路への電源電圧を供給する一方、上記メモリ回路がスタンバイ状態であるときにオフして、少なくとも上記メモリセルアレイを含むメモリ回路への電源電圧の供給を停止する電源供給スイッチを備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体記憶装置において、
上記外部から供給される電源電圧は、少なくとも上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に供給される第１の電源電圧と出力回路に供給される第２の電源電圧であり、
上記ロックアウト回路は、
上記第１の電源電圧が上記第１の所定電圧以下であるとき、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に対するコマンドを禁止する第１のロックアウト信号を出力する電圧検出器と、
上記第２の電源電圧が第２の所定電圧より低いとき、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に対するコマンドを禁止する第２のロックアウト信号を出力する電源電圧確認回路とを有することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項１４】
メモリセルアレイを含むメモリ回路がスタンバイ状態のときに、外部から供給される複数の電源電圧のうちの少なくとも１つの供給を止める電源供給スイッチと、
上記複数の電源電圧のうちのいずれか１つが所定電圧より低いとき、上記メモリ回路に対するコマンドを禁止するロックアウト回路とを備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項１５】
メモリセルアレイを含むメモリ回路に対するコマンドを禁止するための半導体記憶装置の制御方法であって、
上記メモリ回路がスタンバイ状態のときに、外部から供給される複数の電源電圧のうちの少なくとも１つの供給を止めるステップと、
上記複数の電源電圧のうちのいずれか１つが所定電圧より低いとき、上記メモリ回路に対するコマンドを禁止するステップとを有することを特徴とする半導体記憶装置の制御方法。
【請求項１６】
メモリセルアレイを含むメモリ回路に対するコマンドを禁止するための半導体記憶装置の制御方法であって、
上記メモリ回路がスタンバイ状態であるかを調査するステップと、
上記メモリ回路がスタンバイ状態のとき、上記メモリ回路への電源電圧の供給を止めると共に、上記メモリ回路に対するコマンドを禁止するステップと、
上記複数の電源電圧のうちの少なくとも１つについて電源電圧確認回路により確認するステップと、
上記複数の電源電圧のいずれか１つが所定電圧より低いとき、上記電源電圧確認回路から上記メモリ回路に対するコマンドを禁止するロックアウト信号を出力するステップとを有することを特徴とする半導体記憶装置の制御方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の半導体記憶装置の制御方法において、
上記コマンドは、書換えコマンドであることを特徴とする半導体記憶装置の制御方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の半導体記憶装置の制御方法において、
上記複数の電源電圧のうちの少なくとも１つと上記所定電圧とを比較器により比較することを特徴とする半導体記憶装置の制御方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の半導体記憶装置の制御方法において、
上記複数の電源電圧のうちの上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に供給される第１の電源電圧によって、上記比較器および上記所定電圧を発生する電圧発生回路の電源電圧の供給状態が制御されることを特徴とする半導体記憶装置の制御方法。
【請求項２０】
請求項１６に記載の半導体記憶装置の制御方法において、
上記複数の電源電圧のうちの上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に供給される第１の電源電圧が予め決められた範囲外であるか電圧検出器により検出し、
上記第１の電源電圧が予め決められた範囲外にあるとき、上記電圧検出器から上記メモリ回路に対するコマンドを禁止するロックアウト信号を出力することを特徴とする半導体記憶装置の制御方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の半導体記憶装置の制御方法において、
上記電圧検出器からのロックアウト信号または上記電源電圧確認回路からのロックアウト信号の少なくとも一方が出力されると、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に対するコマンドが禁止されることを特徴とする半導体記憶装置の制御方法。
【請求項２２】
請求項２０に記載の半導体記憶装置の制御方法において、
上記電圧検出器の電源電圧の供給状態が上記第１の電源電圧によって制御されることを特徴とする半導体記憶装置の制御方法。
【請求項２３】
請求項１６に記載の半導体記憶装置の制御方法において、
上記複数の電源電圧のうちの出力回路に供給される電源電圧が上記所定電圧よりも低いとき、上記電源電圧確認回路から上記メモリ回路に対するコマンドを禁止するロックアウト信号を出力することを特徴とする半導体記憶装置の制御方法。
【請求項２４】
請求項１６に記載の半導体記憶装置の制御方法において、
上記複数の電源電圧について上記電源電圧確認回路により確認することを特徴とする半導体記憶装置の制御方法。
【請求項２５】
請求項２４に記載の半導体記憶装置の制御方法において、
上記複数の電源電圧のうちの少なくとも１つに基づいて、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に対するコマンドが禁止されることを特徴とする半導体記憶装置の制御方法。
【請求項２６】
請求項２４に記載の半導体記憶装置の制御方法において、
上記複数の電源電圧のうちの上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に供給される電源電圧が予め決められた範囲外であるとき、上記電源電圧確認回路から上記メモリ回路に対するコマンドを禁止するロックアウト信号を出力することを特徴とする半導体記憶装置の制御方法。
【請求項２７】
請求項２３に記載の半導体記憶装置の制御方法において、
上記複数の電源電圧のうちの出力回路に供給される電源電圧を判定するための上記所定電圧が０.３Ｖ〜１.２Ｖの範囲内であることを特徴とする半導体記憶装置の制御方法。
【請求項２８】
半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、上記ゲート電極下に配置されたチャネル領域と、上記チャネル領域の両側に配置され、上記チャネル領域と逆導電型を有する拡散領域と、上記ゲート電極の両側に形成され、電荷を保持する機能を有するメモリ機能体とからなるメモリ素子をメモリセルとして用いたメモリセルアレイを備えた半導体記憶装置であって、
上記メモリ回路がアクティブ状態であるときにオンして、少なくとも上記メモリセルアレイを含むメモリ回路への電源電圧を供給する一方、上記メモリ回路がスタンバイ状態であるときにオフして、少なくとも上記メモリセルアレイを含むメモリ回路への電源電圧の供給を停止する電源供給スイッチを備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２９】
請求項２８に記載の半導体記憶装置において、
上記電源供給スイッチは、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路と同一の基板上に形成されていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項３０】
請求項１,１４,２８のいずれか１つに記載の半導体記憶装置において、上記メモリ素子の有するメモリ機能体の少なくとも一部が拡散領域の一部にオーバーラップしていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項３１】
請求項１,１４,２８のいずれか１つに記載の半導体記憶装置において、上記メモリ素子のゲート絶縁膜の表面と略並行な表面を有して電荷を保持する機能を有する膜とチャネル領域又は半導体層とを隔てる絶縁膜を有し、絶縁膜膜厚が、ゲート絶縁膜の膜厚より薄く、かつ０．８ｎｍ以上であることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項３２】
請求項１,１４,２８のいずれか１つに記載の半導体記憶装置において、上記メモリ素子の有するメモリ機能体は、ゲート絶縁膜の表面と略並行な表面を有して電荷を保持する機能を有する膜を含むことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項３３】
請求項１,１４,２８のいずれか１つに記載の半導体記憶装置または請求項１５または１６に記載の半導体記憶装置の制御方法を用いたことを特徴とする携帯電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体記憶装置およびその制御方法および携帯電子機器に関し、より詳しくは、メモリ機能を有する電界効果トランジスタをメモリセルとして用いたメモリセルアレイを備えた半導体記憶装置およびその半導体記憶装置の制御方法およびその半導体装置を用いた携帯電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から不揮発性の半導体記憶装置としては、代表的にはフラッシュメモリが用いられている。
【０００３】
このフラッシュメモリでは、図２８に示すように、半導体基板９０１上にゲート絶縁膜９０８を介してフローティングゲート９０２、絶縁膜９０７、ワード線（コントロールゲート）９０３がこの順に形成されており、フローティングゲート９０２の両側には、拡散領域によるソース線９０４及びビット線９０５が形成されてメモリセルを構成する。このメモリセルの周囲には、素子分離領域９０６が形成されている（特開平５−３０４２７７：特許文献１を参照）。
【０００４】
上記メモリセルは、フローティングゲート９０２中の電荷量の多寡として記憶を保持する。上記メモリセルを配列して構成したメモリセルアレイは、特定のワード線、ビット線を選択して所定の電圧を印加することにより、所望のメモリセルの書き換え、読み出し動作を行なうことができる。
【０００５】
このようなフラッシュメモリでは、フローティングゲート９０２中の電荷量が変化したとき、図２９に実線の曲線と破線の曲線で示すような、ドレイン電流Ｉｄ対ゲート電圧Ｖｇ特性を示す。すなわち、上記フローティングゲート９０２中の負電荷の量が増加すると、図２９中の実線の曲線で示す特性から破線の曲線で示す特性になって、Ｉｄ−Ｖｇ曲線は、同じドレイン電流Ｉｄに対してゲート電圧Ｖｇが増加する方向にほぼ平行移動して、閾値電圧が増加する。
【０００６】
【特許文献１】
特開平５−３０４２７７号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このようなフラッシュメモリでは、フローティングゲート９０２とワード線９０３とを隔てる絶縁膜９０７を配置することが機能上必要であるとともに、フローティングゲート９０２からの電荷漏れを防ぐために、ゲート絶縁膜の厚さを薄くすることが困難であった。そのため、実効的な絶縁膜９０７及びゲート絶縁膜の薄膜化は困難であり、メモリセルの微細化を阻害していた。
【０００８】
このため、上記メモリ素子をメモリセルとして用いたメモリセルアレイを備えた半導体記憶装置では、回路面積をさらに小さくして確実な動作をさせるということができないという問題がある。
【０００９】
また、上記メモリ素子をメモリセルとしてメモリセルアレイに用いた半導体記憶装置では、書換え動作中にメモリセルアレイを含むメモリ回路に供給される電源電圧のレベルが低下すると、書換え不良などの誤動作が生じるという問題がある。ここで、書換えとは、少なくとも書込みもしくは消去を含む動作を指す。
【００１０】
また、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路が用いられた携帯電子機器などにおいて、バッテリー駆動時間を伸ばすため、スタンバイ時における消費電力を低減することが必要である。特に、近年、動画像のリアルタイム処理などを行うことを目的とする集積回路などにおいてメモリ回路の占める割合が大きくなってきており、バッテリーによる長時間駆動のため、そのメモリ回路のスタンバイ時におけるリーク電流を低減することが大きな課題となっている。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、微細化しても１メモリ素子あたり２ビット以上の記憶保持と安定した動作ができると共に、外部から供給される電源電圧のレベル低下に起因する書換え不良などの誤動作を防止できる半導体記憶装置を提供することにある。
【００１２】
また、本発明のもう１つの目的は、スタンバイ時のリーク電流を大幅に低減できる半導体記憶装置を提供することにある。
【００１３】
さらに、本発明のもう１つの目的は、上記半導体記憶装置を用いて小型化と性能向上および低消費電力化が可能な携帯電子機器を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の半導体記憶装置は、半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、上記ゲート電極下に配置されたチャネル領域と、上記チャネル領域の両側に配置され、上記チャネル領域と逆導電型を有する拡散領域と、上記ゲート電極の両側に形成され、電荷を保持する機能を有するメモリ機能体とからなるメモリ素子をメモリセルとして用いたメモリセルアレイを備えると共に、外部から供給される電源電圧が所定電圧よりも低いとき、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に対するコマンドを禁止するロックアウト回路を備えている。
【００１５】
上記構成の半導体記憶装置によれば、上記メモリ素子をメモリセルとしてメモリセルアレイに用いることによって、微細化しても１メモリ素子あたり２ビット以上の記憶保持と安定した動作が可能となる。また、上記ロックアウト回路によって、外部から供給される電源電圧が所定電圧よりも低いとき、メモリセルアレイを含むメモリ回路に対するコマンドを禁止するので、メモリセルアレイを含むメモリ回路に供給される電源電圧のレベル低下に起因する書換え不良などの誤動作を防止できる。
【００１６】
また、一実施形態の半導体記憶装置は、上記外部から供給される電源電圧は、少なくとも上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に供給される第１の電源電圧と出力回路に供給される第２の電源電圧である。そして、上記ロックアウト回路は、上記第１の電源電圧が第１の所定電圧以下であるとき、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に対するコマンドを禁止する第１のロックアウト信号を出力する電圧検出器と、上記第２の電源電圧が第２の所定電圧より低いとき、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に対するコマンドを禁止する第２のロックアウト信号を出力する電源電圧確認回路とを有している。
【００１７】
上記実施形態の半導体記憶装置によれば、上記電圧検出器によって、メモリセルアレイを含むメモリ回路に供給される電源電圧のレベル低下に起因する書換え不良などの誤動作を防止することが可能となり、さらに、電源電圧確認回路によって、メモリセルアレイを含むメモリ回路と外部とを繋ぐ出力回路についても、供給される電源電圧のレベル低下に起因する誤動作を防止することが可能となる。
【００１８】
また、一実施形態の半導体記憶装置は、上記電源電圧確認回路が、上記第１の電源電圧が上記第１の所定電圧より低いとき、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に対するコマンドを禁止するロックアウト信号を出力する。
【００１９】
上記実施形態の半導体記憶装置によれば、上記第１の電源電圧が第１の所定電圧より低いとき、電圧検出器より電源電圧確認回路に信号を送り、電源電圧確認回路からロックアウト信号を出力することによって、回路誤動作を防止でき、確実に所望の動作をさせることが可能となる。
【００２０】
また、一実施形態の半導体記憶装置は、上記第２の電源電圧と第２の所定電圧とを比較して、上記第２の電源電圧が第２の所定電圧よりも高いとき、上記第２の電源電圧が第２の所定電圧よりも高いことを表す信号を上記電源電圧確認回路に出力する比較器を備えている。
【００２１】
上記実施形態の半導体記憶装置によれば、上記比較器によって、入出力バッファ回路に供給される電源電圧と第２の所定電圧とを小面積の回路により高精度で比較することができ、この半導体記憶装置をより小さい回路面積でかつ正確に動作させることが可能となる。
【００２２】
また、一実施形態の半導体記憶装置は、上記電圧検出器が、上記第１の電源電圧が第１の所定電圧より低いとき、上記第１の電源電圧が第１の所定電圧より低いことを表す信号を上記電源電圧確認回路に出力する。
【００２３】
上記実施形態の半導体記憶装置によれば、上記第１の電源電圧が第１の所定電圧より低いとき、電圧検出器から電源電圧確認回路に第１の電源電圧が第１の所定電圧より低いことを表す信号を与えることによって、電源電圧確認回路における電圧レベルの検出を速やかに行い、電圧レベル検出の遅れによる誤動作を防止することが可能となる。
【００２４】
また、一実施形態の半導体記憶装置は、上記電源電圧確認回路が、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路にコマンドが与えられたことを表す信号を受けると、上記第２の電源電圧を確認する。
【００２５】
上記実施形態の半導体記憶装置によれば、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に電源が投入され、予め決められた電圧以上の電圧を維持した後、電圧レベルの検証がなされないままにアイドル状態となり、その後、再びメモリセルアレイを含むメモリ回路に対するコマンドが与えられたとき、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に対してコマンドが与えられたことを表す信号を電源電圧確認回路に出力し、その信号を受けた電源電圧確認回路は、供給されている電源電圧のレベルを確認するアクティブな状態となる。したがって、この半導体記憶装置の電源投入後のアクティブ状態においてコマンドがメモリ回路に与えられたとき、電源電圧のレベルが適正な値であるかどうか検証することが可能となる。
【００２６】
また、一実施形態の半導体記憶装置は、上記電源電圧確認回路が、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路にコマンドが与えられたことを表す信号に応じて上記第２の電源電圧の確認結果を表す信号を出力する。
【００２７】
上記実施形態の半導体記憶装置によれば、電源投入後のアクティブ状態において、供給されている電源電圧のレベルが適正な値でない場合、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に対するコマンドを禁止することが可能となる。
【００２８】
また、一実施形態の半導体記憶装置は、上記第２の所定電圧は、０.３Ｖ〜１.２Ｖの範囲内とする。
【００２９】
上記実施形態の半導体記憶装置によれば、上記第２の所定電圧を０.３Ｖ〜１.２Ｖの範囲内に設定することによって、微細加工技術の進展に伴い電源電圧が低電圧化されても、トランジスタの大きさに応じて電源より適切な電圧レベルを供給し、誤動作の少ない半導体記憶装置を提供することが可能となる。
【００３０】
また、一実施形態の半導体記憶装置は、上記電圧検出器からの第１のロックアウト信号または上記電源電圧確認回路からの第２のロックアウト信号の少なくとも一方が出力されると、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に対するコマンドが禁止される。
【００３１】
上記実施形態の半導体記憶装置によれば、上記電圧検出器からの第１の電源電圧が第１の所定電圧より低いことを表す第１のロックアウト信号、または、上記電源電圧確認回路からの第２の電源電圧が第２の所定電圧より低いことを表す第２のロックアウト信号の少なくとも一方によって、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に対するコマンドを禁止することが可能となり、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に供給される第１の電源電圧、出力回路に供給される第２の電源電圧のいずれのレベル低下が原因となる書換え不良などの誤動作も防止することが可能となる。
【００３２】
また、一実施形態の半導体記憶装置は、上記電圧検出器の電源電圧の供給状態が上記第１の電源電圧によって制御される。
【００３３】
上記実施形態の半導体記憶装置によれば、上記電圧検出器の電源電圧の供給状態は、第１の電源電圧によって制御されることによって、例えば、第１の電源電圧の状態が予め決められた電圧以上となって電圧検出器が不要になったときに、消費電力削減のために電圧検出器をオフ状態とすることなどが可能となる。
【００３４】
また、一実施形態の半導体記憶装置は、上記第２の所定電圧を発生する電圧発生回路を備えており、上記比較器および電圧発生回路の電源電圧の供給状態がその第２の電源電圧によって制御される。
【００３５】
上記実施形態の半導体記憶装置によれば、上記比較器および電圧発生回路の電源電圧の供給状態は、第２の電源電圧によって制御されることによって、例えば、第２の電源電圧が予め決められた電圧以上となって比較器および電圧発生回路が不要となったときに、消費電力削減のため、これらをオフ状態とすることが可能となる。
【００３６】
また、一実施形態の半導体記憶装置は、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路がアクティブ状態であるときにオンして、少なくとも上記メモリセルアレイを含むメモリ回路への電源電圧を供給する一方、上記メモリ回路がスタンバイ状態であるときにオフして、少なくとも上記メモリセルアレイを含むメモリ回路への電源電圧の供給を停止する電源供給スイッチを備えている。
【００３７】
上記実施形態の半導体記憶装置によれば、上記メモリ回路がスタンバイ状態であるときに電源供給スイッチをオフすることによって、スタンバイ時のリーク電流に起因する消費電力を削減することが可能となる。さらに、上記電源供給スイッチがオフ状態にあって半導体記憶装置への電源電圧の供給が止められているとき、メモリ回路に対するコマンドを禁止することにより、誤動作をより確実に防止できる。例えば、この半導体記憶装置がアクティブ状態からスタンバイ状態に移行したとき、電源電圧の供給が止められているにもかかわらず、アクティブ時の電源電圧により、電圧検出回路や電源電圧確認回路が誤った判定を行い、コマンドがメモリ回路に送られて動作に入るとき、電源電圧の供給が停止していることによって誤動作することを防止することが可能となる。
【００３８】
また、一実施形態の半導体記憶装置は、上記外部から供給される電源電圧が、少なくとも上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に供給される第１の電源電圧と出力回路に供給される第２の電源電圧であると共に、上記ロックアウト回路は、上記第１の電源電圧が上記第１の所定電圧以下であるとき、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に対するコマンドを禁止する第１のロックアウト信号を出力する電圧検出器と、上記第２の電源電圧が第２の所定電圧より低いとき、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に対するコマンドを禁止する第２のロックアウト信号を出力する電源電圧確認回路とを有している。
【００３９】
上記実施形態の半導体記憶装置によれば、上記電圧検出器によって、メモリセルアレイを含むメモリ回路に供給される電源電圧のレベル低下に起因する書換え不良などの誤動作を防止することが可能となり、さらに、電源電圧確認回路によって、メモリセルアレイを含むメモリ回路と外部とを繋ぐ出力回路についても、供給される電源電圧のレベル低下に起因する誤動作を防止することが可能となる。
【００４０】
本発明の半導体記憶装置は、メモリセルアレイを含むメモリ回路がスタンバイ状態のときに、外部から供給される複数の電源電圧のうちの少なくとも１つの供給を止める電源供給スイッチと、上記複数の電源電圧のうちのいずれか１つが所定電圧より低いとき、上記メモリ回路に対するコマンドを禁止するロックアウト回路とを備えている。
【００４１】
上記半導体記憶装置によれば、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路がスタンバイ状態のときに電源電圧の供給を止めるステップを含むことによって、スタンバイ時のリーク電流に起因する消費電力を削減し、電子機器、特にバッテリー駆動の携帯電子機器にこの半導体記憶装置を用いることによって、バッテリーの長時間駆動が可能となる。
【００４２】
本発明の半導体記憶装置の制御方法は、メモリセルアレイを含むメモリ回路に対するコマンドを禁止するための半導体記憶装置の制御方法であって、上記メモリ回路がスタンバイ状態のときに、外部から供給される複数の電源電圧のうちの少なくとも１つの供給を止めるステップと、上記複数の電源電圧のうちのいずれか１つが所定電圧より低いとき、上記メモリ回路に対するコマンドを禁止するステップとを有している。
【００４３】
上記半導体記憶装置の制御方法によれば、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路がスタンバイ状態のときに電源電圧の供給を止めるステップを含むことによって、スタンバイ時のリーク電流に起因する消費電力を削減し、電子機器、特にバッテリー駆動の携帯電子機器において、バッテリーの長時間駆動が可能となる。
【００４４】
本発明の半導体記憶装置の制御方法は、メモリセルアレイを含むメモリ回路に対するコマンドを禁止するための半導体記憶装置の制御方法であって、上記メモリ回路がスタンバイ状態であるかを調査するステップと、上記メモリ回路がスタンバイ状態のときに上記メモリ回路への電源電圧の供給を止めると共に、上記メモリ回路に対するコマンドを禁止するステップと、上記複数の電源電圧のうちの少なくとも１つについて電源電圧確認回路により確認するステップと、上記複数の電源電圧のいずれか１つが所定電圧より低いとき、上記電源電圧確認回路からメモリ回路に対するコマンドを禁止するロックアウト信号を出力するステップとを有している。
【００４５】
上記半導体記憶装置の制御方法によれば、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路がスタンバイ状態にあるとき、電源電圧の供給を停止すると共に、上記メモリ回路に対するコマンドを禁止するステップを含むことによって、スタンバイ状態におけるリーク電流に起因する消費電力を削減することができると共に、電源電圧の供給が止まった後にコマンドが実行されることによって生じる誤動作を防止することが可能となる。さらに、電源電圧のうちの少なくとも１つが所定電圧よりも低い場合、コマンドを禁止することにより書換え不良などの誤動作を防止でき、所望の動作を得ることが可能となる。
【００４６】
一実施形態の半導体記憶装置の制御方法は、上記コマンドは、書換えコマンドとする。
【００４７】
上記実施形態の半導体記憶装置の制御方法によれば、上記書換えコマンドを禁止することによって、電源電圧のレベルに起因する書換えコマンド動作不良に起因する誤動作を防止し、所望の動作を得ることが可能となる。
【００４８】
また、一実施形態の半導体記憶装置の制御方法は、上記複数の電源電圧のうちの少なくとも１つと上記所定電圧とを比較器により比較することを特徴とする。
【００４９】
上記実施形態の半導体記憶装置の制御方法によれば、上記比較器が複数の電源電圧のうち少なくとも１つと所定電圧とを比較することによって、速やかに電源電圧のレベルを判定することができ、判定の遅れに起因する誤動作を防止できる。
【００５０】
また、一実施形態の半導体記憶装置の制御方法は、上記複数の電源電圧のうちの上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に供給される第１の電源電圧によって、上記比較器および上記所定電圧を発生する電圧発生回路の電源電圧の供給状態が制御されることを特徴とする。
【００５１】
上記実施形態の半導体記憶装置の制御方法によれば、上記比較器および電圧発生回路の電源電圧の供給状態が、上記複数の電源電圧のうちの上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に供給される第１の電源電圧によって制御されることによって、例えば、上記第１の電源電圧が予め決められた電圧よりも低いとき、電源電圧確認回路は、出力回路に供給される第２の電源電圧の状態にかかわらず、比較器および電圧発生回路をオン状態とすることによって、特に電源電圧が立ち上がる場合、出力回路に供給される第２の電源電圧の判定を速やかに行うことが可能となる。
【００５２】
また、一実施形態の半導体記憶装置の制御方法は、上記複数の電源電圧のうちの上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に供給される第１の電源電圧が予め決められた範囲外であるか電圧検出器により検出し、上記第１の電源電圧が予め決められた範囲外にあるとき、上記電圧検出器から上記メモリ回路に対するコマンドを禁止するロックアウト信号を出力する。
【００５３】
上記実施形態の半導体記憶装置の制御方法によれば、上記電圧検出器は、第１の電源電圧が予め決められた範囲外にあるとき、メモリ回路に対するコマンドを禁止することによって、電源電圧確認回路の状態にかかわらず、速やかにメモリ回路にロックアウト信号(コマンドを禁止する信号)を伝達することが可能となり、ロックアウト信号の伝達の遅延に起因する誤動作を防止できる。
【００５４】
また、一実施形態の半導体記憶装置の制御方法は、上記電圧検出器からのロックアウト信号または上記電源電圧確認回路からのロックアウト信号の少なくとも一方が出力されると、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に対するコマンドが禁止される。
【００５５】
上記実施形態の半導体記憶装置の制御方法によれば、上記電圧検出器からのロックアウト信号または上記電源電圧確認回路からのロックアウト信号の少なくとも一方が出力されることによって、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に対するコマンドを禁止することによって、メモリセルアレイを含むメモリ回路に供給される第１の電源電圧、出力回路に供給される第２の電源電圧のいずれのレベル低下に起因する誤動作も防止することができる。
【００５６】
また、一実施形態の半導体記憶装置の制御方法は、上記電圧検出器の電源電圧の供給状態が上記第１の電源電圧によって制御される。
【００５７】
上記実施形態の半導体記憶装置の制御方法によれば、上記電圧検出器の電源電圧の供給状態は、第１の電源電圧によって制御されることによって、例えば、第１の電源電圧が予め決められた電圧以上となって電圧検出器が不要になると、消費電力削減のため、電圧検出器をオフ状態とすることが可能となる。
【００５８】
また、一実施形態の半導体記憶装置の制御方法は、上記複数の電源電圧のうちの出力回路に供給される電源電圧が上記所定電圧よりも低いとき、上記電源電圧確認回路から上記メモリ回路に対するコマンドを禁止するロックアウト信号を出力する。
【００５９】
上記実施形態の半導体記憶装置の制御方法によれば、上記出力回路に供給される電源電圧が所定電圧よりも低いとき、電源電圧確認回路によって、メモリ回路がコマンドを禁止することによって、出力回路に供給される電源電圧のレベル低下に起因するコマンド動作不良を防止できる。
【００６０】
また、一実施形態の半導体記憶装置の制御方法は、上記複数の電源電圧について上記電源電圧確認回路により確認する。
【００６１】
上記実施形態の半導体記憶装置の制御方法によれば、電源が投入され、予め決められた値以上の電圧を維持した後、電源電圧のレベルの検証がなされないままにアイドル状態となり、その後、再びメモリ回路にコマンドが与えられたとき、上記複数の電源電圧のレベルについて電源電圧確認回路による確認を行うことによって、供給されている複数の電源電圧のレベルが適正なものであるかどうか検証することが可能となる。
【００６２】
また、一実施形態の半導体記憶装置の制御方法は、上記複数の電源電圧のうちの少なくとも１つに基づいて、上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に対するコマンドが禁止されることを特徴とする。
【００６３】
上記実施形態の半導体記憶装置の制御方法によれば、電源投入後のアクティブ状態において、電源電圧が適正でないレベルとなっていた場合、速やかにコマンドを禁止することが可能となり、電源電圧のレベル低下に起因する誤動作を速やかに防止できる。
【００６４】
また、一実施形態の半導体記憶装置の制御方法は、上記複数の電源電圧のうちの上記メモリセルアレイを含むメモリ回路に供給される電源電圧が予め決められた範囲外であるとき、上記電源電圧確認回路から上記メモリ回路に対するコマンドを禁止するロックアウト信号を出力する。
【００６５】
上記実施形態の半導体記憶装置の制御方法によれば、電源投入後のアクティブ状態において、第１の電源電圧が予め決められた範囲外である場合、メモリ回路に対するコマンドを禁止することによって、アイドル状態後の電源電圧に適正でない電圧レベルに起因する誤動作を防止し、所望の動作を得ることが可能となる。
【００６６】
また、一実施形態の半導体記憶装置の制御方法は、上記複数の電源電圧のうちの出力回路に供給される電源電圧を判定するための上記所定電圧が０.３Ｖ〜１.２Ｖの範囲内とする。
【００６７】
上記実施形態の半導体記憶装置の制御方法によれば、上記所定電圧を０.３Ｖ〜１.２Ｖの範囲内で設定することによって、微細加工技術の進展に伴い電源電圧が低電圧化されても、トランジスタの大きさに応じて適切なレベルの電源電圧を供給し、誤動作の少ない半導体記憶装置を提供することが可能となる。
【００６８】
本発明の半導体装置は、半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、上記ゲート電極下に配置されたチャネル領域と、上記チャネル領域の両側に配置され、上記チャネル領域と逆導電型を有する拡散領域と、上記ゲート電極の両側に形成され、電荷を保持する機能を有するメモリ機能体とからなるメモリ素子をメモリセルとして用いたメモリセルアレイを備えると共に、上記メモリ回路がアクティブ状態であるときにオンして、少なくとも上記メモリセルアレイを含むメモリ回路への電源電圧を供給する一方、上記メモリ回路がスタンバイ状態であるときにオフして、少なくとも上記メモリセルアレイを含むメモリ回路への電源電圧の供給を停止する電源供給スイッチを備える。
【００６９】
上記実施形態の半導体記憶装置によれば、上記メモリ素子をメモリセルとしてメモリセルアレイに用いることによって、微細化しても１メモリ素子あたり２ビット以上の記憶保持と安定した動作が可能となる。また、電源電圧の供給・停止を切り替えるための電源供給スイッチを設けることによって、スタンバイ状態であるときには、電源供給スイッチを切り電源の供給を止めることによって、この半導体記憶装置におけるスタンバイ時のリーク電流に起因する消費電力を削減することが可能となる。
【００７０】
また、一実施形態の半導体記憶装置は、上記電源供給スイッチが、メモリセルアレイを含むメモリ回路と同一の基板上に形成されている。
【００７１】
上記実施形態の半導体記憶装置の制御方法によれば、上記電源供給スイッチは、メモリセルアレイが形成された基板と同一の基板上に形成されていることによって、スイッチを小面積で構成することが可能となる。
【００７２】
また、一実施形態の半導体記憶装置は、上記メモリ素子の有するメモリ機能体の少なくとも一部が拡散領域の一部にオーバーラップしている。
【００７３】
さらに、別の一実施形態の半導体記憶装置は、上記メモリ素子のゲート絶縁膜の表面と略並行な表面を有して電荷を保持する機能を有する膜とチャネル領域又は半導体層とを隔てる絶縁膜を有し、絶縁膜膜厚が、ゲート絶縁膜の膜厚より薄く、かつ０．８ｎｍ以上である。
【００７４】
上記実施形態の半導体記憶装置によれば、上記半導体記憶装置は、従来より高速且つ安定した動作が可能となる。
【００７５】
また、一実施形態の半導体記憶装置は、上記メモリ素子の有するメモリ機能体は、ゲート絶縁膜の表面と略並行な表面を有して電荷を保持する機能を有する膜を含む。
【００７６】
上記実施形態の半導体記憶装置によれば、上記半導体記憶装置は、従来より安定した動作が可能となる。
【００７７】
また、本発明の携帯電子機器は、上記半導体記憶装置またはその制御方法を用いる。
【００７８】
上記構成の携帯電子機器によれば、微細化しても１メモリ素子あたり２ビット以上の記憶と安定した動作が可能で、かつ、微細化が容易な半導体記憶装置を備えており、メモリ素子への書込み・消去動作のとき、十分な電流を有する適切な電圧を供給することが可能である。したがって、小型化と性能向上および低消費電力化が可能な携帯電子機器を実現できる。
【００７９】
【発明の実施の形態】
まず、本発明の半導体記憶装置に用いる不揮発性のメモリ素子について、その概略を説明する。
【００８０】
上記メモリ素子は、主として、半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、チャネル領域と、拡散領域と、メモリ機能体とから構成される。ここで、上記チャネル領域とは、通常、半導体層と同じ導電型の領域であって、ゲート電極直下の領域を意味し、拡散領域は、チャネル領域と逆導電型の領域を意味する。
【００８１】
具体的には、本発明のメモリ素子は、拡散領域である１つの第１導電型の領域と、チャネル領域である第２導電型の領域と、第１及び第２導電型の領域の境界を跨って配置された１つのメモリ機能体と、ゲート絶縁膜を介して設けられた電極とから構成されていてもよいが、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、ゲート電極の両側に形成された２つのメモリ機能体と、メモリ機能体のゲート電極と反対側のそれぞれに配置される２つの拡散領域と、ゲート電極下に配置されたチャネル領域とから構成されることが適当である。
【００８２】
本発明の半導体装置は、半導体層として半導体基板の上、好ましくは半導体基板内に形成された第１導電型のウェル領域の上に形成されることが好ましい。
【００８３】
半導体基板としては、半導体装置に使用されるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、シリコン、ゲルマニウム等の元素半導体、シリコンゲルマニウム、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＺｎＳｅ、ＧａＮ等の化合物半導体によるバルク基板が挙げられる。また、表面に半導体層を有するものとして、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板、ＳＯＳ(Silicon on Sapphire)基板又は多層ＳＯＩ基板等の種々の基板、ガラスやプラスチック基板上に半導体層を有するものを用いてもよい。なかでもシリコン基板又は表面にシリコン層が形成されたＳＯＩ基板等が好ましい。半導体基板又は半導体層は、内部を流れる電流量に多少が生ずるが、単結晶（例えば、エピタキシャル成長による）、多結晶又はアモルファスのいずれであってもよい。
【００８４】
この半導体層上には、素子分離領域が形成されていることが好ましく、さらにトランジスタ、キャパシタ、抵抗等の素子、これらによる回路、半導体装置や層間絶縁膜が組み合わせられて、シングル又はマルチレイヤー構造で形成されていてもよい。なお、素子分離領域は、ＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silicon）膜、トレンチ酸化膜、ＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）膜等種々の素子分離膜により形成することができる。半導体層は、Ｐ型又はＮ型の導電型を有していてもよく、半導体層には、少なくとも１つの第１導電型（Ｐ型又はＮ型）のウェル領域が形成されていることが好ましい。半導体層及びウェル領域の不純物濃度は、当該分野で公知の範囲のものが使用できる。なお、半導体層としてＳＯＩ基板を用いる場合には、表面半導体層には、ウェル領域が形成されていてもよいが、チャネル領域下にボディ領域を有していてもよい。
【００８５】
ゲート絶縁膜は、通常、半導体装置に使用されるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の絶縁膜；酸化アルミニウム膜、酸化チタニウム膜、酸化タンタル膜、酸化ハフニウム膜などの高誘電体膜の単層膜又は積層膜を使用することができる。なかでも、シリコン酸化膜が好ましい。ゲート絶縁膜は、例えば、１〜２０ｎｍ程度、好ましく１〜６ｎｍ程度の膜厚とすることが適当である。ゲート絶縁膜は、ゲート電極直下にのみ形成されていてもよいし、ゲート電極よりも大きく（幅広で）形成されていてもよい。
【００８６】
ゲート電極は、ゲート絶縁膜上に、通常半導体装置に使用されるような形状又は下端部に凹部を有した形状で形成されている。なお、ゲート電極は、単層又は多層の導電膜によって分離されることなく、一体形状として形成されていることが好ましいが、単層又は多層の導電膜によって、分離した状態で配置していてもよい。また、ゲート電極は、側壁に側壁絶縁膜を有していてもよい。ゲート電極は、通常、半導体装置に使用されるものであれば特に限定されるものではなく、導電膜、例えば、ポリシリコン：銅、アルミニウム等の金属：タングステン、チタン、タンタル等の高融点金属：高融点金属とのシリサイド等の単層膜又は積層膜等が挙げられる。ゲート電極の膜厚は、例えば５０〜４００ｎｍ程度の膜厚で形成することが適当である。なお、ゲート電極の下にはチャネル領域が形成されている。
【００８７】
なお、ゲート電極は、後述するメモリ機能体の側壁のみに形成されるか、あるいはメモリ機能体の上部を覆わないことが好ましい。このような配置により、コンタクトプラグをよりゲート電極と接近して配置することができるので、メモリ素子の微細化が容易となる。また、このような単純な配置を有するメモリ素子は製造が容易であり、歩留まりを向上することができる。
【００８８】
メモリ機能体は、少なくとも電荷を保持する機能（以下「電荷保持機能」と記す）を有する。言換えると、電荷を蓄え、保持するか、電荷をトラップするか、電荷分極状態を保持する機能を有する。この機能は、例えば、電荷保持機能を有する膜又は領域をメモリ機能体が含むことにより発揮される。この機能を果たすものとしては、シリコン窒化物；シリコン；リン、ボロン等の不純物を含むシリケートガラス；シリコンカーバイド；アルミナ；ハフニウムオキサイド、ジルコニウムオキサイド、タンタルオキサイド等の高誘電体；酸化亜鉛；強誘電体；金属等が挙げられる。したがって、メモリ機能体は、例えば、シリコン窒化膜を含む絶縁膜；導電膜もしくは半導体層を内部に含む絶縁膜；導電体もしくは半導体ドットを１つ以上含む絶縁膜；電界により内部電荷が分極し、その状態が保持される強誘電体膜を含む絶縁膜等の単層又は積層構造によって形成することができる。なかでも、シリコン窒化膜は、電荷をトラップする準位が多数存在するため大きなヒステリシス特性を得ることができ、また、電荷保持時間が長く、リークパスの発生による電荷漏れの問題が生じないため保持特性が良好であり、さらに、ＬＳＩプロセスではごく標準的に用いられる材料であるため、好ましい。
【００８９】
シリコン窒化膜などの電荷保持機能を有する膜を内部に含む絶縁膜をメモリ機能体として用いることにより、記憶保持に関する信頼性を高めることができる。シリコン窒化膜は絶縁体であるから、その一部に電荷のリークが生じた場合でも、直ちにシリコン窒化膜全体の電荷が失われることがないからである。また、複数のメモリ素子を配列する場合、メモリ素子間の距離が縮まって隣接するメモリ機能体が接触しても、メモリ機能体が導電体からなる場合のように夫々のメモリ機能体に記憶された情報が失われることがない。さらに、コンタクトプラグをよりメモリ機能体と接近して配置することができ、場合によってはメモリ機能体と重なるように配置することができるので、メモリ素子の微細化が容易となる。
【００９０】
なお、記憶保持に関する信頼性を高めるためには、電荷保持機能を有する膜は、必ずしも膜状である必要はなく、電荷保持機能を有する膜が絶縁膜中に離散的に存在することが好ましい。具体的には、電荷を保持しにくい材料、例えば、シリコン酸化物中にドット状に電荷保持機能を有する膜が分散していることが好ましい。
【００９１】
電荷保持膜として導電膜又は半導体層を用いる場合には、電荷保持膜が半導体層（半導体基板、ウェル領域、ボディ領域又はソース／ドレイン領域もしくは拡散領域）又はゲート電極と直接接触しないように、絶縁膜を介して配置させることが好ましい。例えば、導電膜と絶縁膜との積層構造、絶縁膜内に導電膜をドット状等に分散させた構造、ゲートの側壁に形成された側壁絶縁膜内の一部に配置した構造等が挙げられる。
【００９２】
導電膜又は半導体層を内部に含む絶縁膜をメモリ機能体として用いることにより、導電体又は半導体中への電荷の注入量を自由に制御でき、多値化しやすいため、好ましい。
【００９３】
さらに、導電体又は半導体ドットを１つ以上含む絶縁膜をメモリ機能体として用いることにより、電荷の直接トンネリングによる書込み・消去が行ないやすくなり、低消費電力化することができ、好ましい。
【００９４】
また、メモリ機能体として、電界により分極方向が変化するＰＺＴ(チタン酸ジルコン酸鉛)、ＰＬＺＴ(ランタン・ドープジルコン酸チタン酸鉛)等の強誘電体膜を用いてもよい。この場合、分極により強誘電体膜の表面に実質的に電荷が発生し、その状態で保持される。従って、メモリ機能を有する膜外から電荷を供給され、電荷をトラップする膜と同様なヒステリシス特性を得ることができ、かつ、強誘電体膜の電荷保持は、膜外からの電荷注入の必要がなく、膜内の電荷の分極のみによってヒステリシス特性を得ることができるため、高速に書込み・消去ができ、好ましい。
【００９５】
なお、メモリ機能体を構成する絶縁膜としては、電荷を逃げにくくする領域又は電荷を逃げにくくする機能を有する膜であることが適当であり、この電荷を逃げにくくする機能を果たすものとしては、シリコン酸化膜等が挙げられる。
【００９６】
メモリ機能体に含まれる電荷保持膜は、直接又は絶縁膜を介してゲート電極の両側に配置しており、また、直接、ゲート絶縁膜を介して半導体層（半導体基板、ウェル領域、ボディ領域又はソース／ドレイン領域もしくは拡散領域）上に配置している。ゲート電極の両側の電荷保持膜は、直接又は絶縁膜を介してゲート電極の側壁の全て又は一部を覆うように形成されていることが好ましい。応用例としては、ゲート電極が下端部に凹部を有する場合には、直接又は絶縁膜を介して凹部を完全に又は凹部の一部を埋め込むように形成されていてもよい。
【００９７】
拡散領域は、ソース／ドレイン領域として機能させることができ、半導体層又はウェル領域と逆導電型を有する。拡散領域と半導体層又はウェル領域との接合は、不純物濃度が急峻であることが好ましい。ホットエレクトロンやホットホールが低電圧で効率良く発生し、より低電圧で高速な動作が可能となるからである。拡散領域の接合深さは、特に限定されるものではなく、得ようとする半導体記憶装置の性能等に応じて、適宜調整することができる。なお、半導体基板としてＳＯＩ基板を用いる場合には、拡散領域は、表面半導体層の膜厚よりも小さな接合深さを有していてもよいが、表面半導体層の膜厚とほぼ同程度の接合深さを有していることが好ましい。
【００９８】
拡散領域は、ゲート電極端とオーバーラップするように配置していてもよいし、ゲート電極端と一致するように配置してもよいし、ゲート電極端に対してオフセットされて配置されていてもよい。特に、オフセットされている場合には、ゲート電極に電圧を印加したとき、電荷保持膜下のオフセット領域の反転しやすさが、メモリ機能体に蓄積された電荷量によって大きく変化し、メモリ効果が増大するとともに、短チャネル効果の低減をもたらすため、好ましい。ただし、あまりオフセットしすぎると、拡散領域（ソース／ドレイン）間の駆動電流が著しく小さくなるため、ゲート長方向に対して平行方向の電荷保持膜の厚さよりもオフセット量、つまり、ゲート長方向における一方のゲート電極端から近い方の拡散領域までの距離は短い方が好ましい。特に重要なことは、メモリ機能体中の電荷保持機能を有する膜又は領域の少なくとも一部が、拡散領域の一部とオーバーラップしていることである。本発明の半導体記憶装置を構成するメモリ素子の本質は、メモリ機能体の側壁部にのみ存在するゲート電極と拡散領域間の電圧差により、メモリ機能体を横切る電界によって記憶を書き換えることであるためである。
【００９９】
拡散領域は、その一部が、チャネル領域表面、つまり、ゲート絶縁膜下面よりも高い位置に延設されていてもよい。この場合には、半導体基板内に形成された拡散領域上に、この拡散領域と一体化した導電膜が積層されて構成されていることが適当である。導電膜としては、例えば、ポリシリコン、アモルファスシリコン等の半導体、シリサイド、上述した金属、高融点金属等が挙げられる。なかでも、ポリシリコンが好ましい。ポリシリコンは、不純物拡散速度が半導体層に比べて非常に大きいために、半導体層内における拡散領域の接合深さを浅くするのが容易で、短チャネル効果の抑制がしやすいためである。なお、この場合には、この拡散領域の一部は、ゲート電極とともに、メモリ機能体の少なくとも一部を挟持するように配置することが好ましい。
【０１００】
本発明のメモリ素子は、通常の半導体プロセスによって、例えば、ゲート電極の側壁に単層又は積層構造のサイドウォールスペーサを形成する方法と同様の方法によって形成することができる。具体的には、ゲート電極を形成した後、電荷保持機能を有する膜（以下「電荷保持膜」と記す）、電荷保持膜／絶縁膜、絶縁膜／電荷保持膜、絶縁膜／電荷保持膜／絶縁膜等の電荷保持膜を含む単層膜又は積層膜を形成し、適当な条件下でエッチバックしてこれらの膜をサイドウォールスペーサ状に残す方法；絶縁膜又は電荷保持膜を形成し、適当な条件下でエッチバックしてサイドウォールスペーサ状に残し、さらに電荷保持膜又は絶縁膜を形成し、同様にエッチバックしてサイドウォールスペーサ状に残す方法；粒子状の電荷保持材料を分散させた絶縁膜材料を、ゲート電極を含む半導体層上に塗布または堆積し、適当な条件下でエッチバックして、絶縁膜材料をサイドウォールスペーサ形状に残す方法；ゲート電極を形成した後、前記単層膜又は積層膜を形成し、マスクを用いてパターニングする方法等が挙げられる。また、ゲート電極を形成する前に、電荷保持膜、電荷保持膜／絶縁膜、絶縁膜／電荷保持膜、絶縁膜／電荷保持膜／絶縁膜等を形成し、これらの膜のチャネル領域となる領域に開口を形成し、その上全面にゲート電極材料膜を形成し、このゲート電極材料膜を、開口を含み、開口よりも大きな形状でパターニングする方法等が挙げられる。
【０１０１】
このメモリ素子の形成方法の一例を説明する。
【０１０２】
まず、公知の手順で、半導体基板上にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成する。続いて、上記半導体基板上全面に、膜厚０．８〜２０ｎｍ、より好ましくは膜厚３〜１０ｎｍのシリコン酸化膜を、熱酸化法により形成し、又はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により堆積する。次に、上記シリコン酸化膜上全面に、膜厚２〜１５ｎｍ、より好ましくは３〜１０ｎｍのシリコン窒化膜をＣＶＤ法により堆積する。更に、上記シリコン窒化膜上全面に、２０〜７０ｎｍのシリコン酸化膜をＣＶＤ法により堆積する。
【０１０３】
続いて、異方性エッチングによりシリコン酸化膜／シリコン窒化膜／シリコン酸化膜をエッチングバックすることにより、記憶に最適なメモリ機能体を、ゲート電極の側壁にサイドウォールスペーサ状に形成する。
【０１０４】
その後、上記ゲート電極及びサイドウォールスペーサ状のメモリ機能体をマスクとしてイオン注入することにより、拡散層領域（ソース／ドレイン領域）を形成する。その後、公知の手順でシリサイド工程や上部配線工程を行なえばよい。
【０１０５】
本発明のメモリ素子を配列してメモリセルアレイを構成した場合、メモリ素子の最良の形態は、例えば、
（１）複数のメモリ素子のゲート電極が一体となってワード線の機能を有する、
（２）上記ワード線の両側にはメモリ機能体が形成されている、
（３）メモリ機能体内で電荷を保持するのは絶縁体、特にシリコン窒化膜である、
（４）メモリ機能体はＯＮＯ（Oxide Nitride Oxide）膜で構成されており、シリコン窒化膜はゲート絶縁膜の表面と略平行な表面を有している、
（５）メモリ機能体中のシリコン窒化膜はワード線及びチャネル領域とシリコン酸化膜で隔てられている、
（６）メモリ機能体内のシリコン窒化膜と拡散領域とがオーバーラップしている、
（７）ゲート絶縁膜の表面と略平行な表面を有するシリコン窒化膜とチャネル領域又は半導体層とを隔てる絶縁膜の厚さと、ゲート絶縁膜の厚さが異なる、
（８）１個のメモリ素子の書込み及び消去動作は単一のワード線により行なう、
（９）メモリ機能体の上には書込み及び消去動作を補助する機能を有する電極（ワード線）がない、
（１０）メモリ機能体の直下で拡散領域と接する部分に拡散領域の導電型と反対導電型の不純物濃度が濃い領域を有する、
という要件の全てを満たすものである。ただし、これらの要件の１つでも満たすものであればよい。
【０１０６】
上述した要件の特に好ましい組み合わせは、例えば、（３）メモリ機能体内で電荷を保持するのが絶縁体、特にシリコン窒化膜であり、（６）メモリ機能体内の絶縁膜（シリコン窒化膜）と拡散領域とがオーバーラップしており、（９）メモリ機能体の上には書込み及び消去動作を補助する機能を有する電極（ワード線）がない場合である。
【０１０７】
要件（３）及び要件（９）を満たす場合には、以下のように、非常に有用である。まず、ビット線コンタクトをワード線側壁のメモリ機能体と、より接近して配置することができ、又はメモリ素子間の距離が接近しても、複数のメモリ機能体が干渉せず、記憶情報を保持できる。したがって、メモリ素子の微細化が容易となる。なお、メモリ機能体内の電荷保持領域が導電体の場合、容量カップリングによりメモリ素子間が近づくにつれて電荷保持領域間で干渉が起き、記憶情報を保持できなくなる。
【０１０８】
また、メモリ機能体内の電荷保持領域が絶縁体（例えば、シリコン窒化膜）である場合、メモリセル毎にメモリ機能体を独立させる必要がなくなる。例えば、複数のメモリセルで共有される１本のワード線の両側に形成されたメモリ機能体は、メモリセル毎に分離する必要が無く、１本のワード線の両側に形成されたメモリ機能体を、ワード線を共有する複数のメモリセルで共有することが可能となる。そのため、メモリ機能体を分離するフォト、エッチング工程が不要となり、製造工程が簡略化される。さらに、フォトリソグラフィ工程の位置合わせマージン、エッチングの膜減りマージンが不要となるため、メモリセル間のマージンを縮小できる。したがって、メモリ機能体内の電荷保持領域が導電体（例えば、多結晶シリコン膜）である場合と比較して、同じ微細加工レベルで形成しても、メモリセル占有面積を微細化することができる。なお、メモリ機能体内の電荷保持領域が導電体である場合、メモリ機能体をメモリセル毎に分離するフォト、エッチング工程が必要となり、フォトの位置合わせマージン、エッチングの膜減りマージンが必要となる。
【０１０９】
さらに、メモリ機能体の上には書込み及び消去動作を補助する機能を有する電極がなく素子構造が単純であるから工程数が減少し、歩留まりを向上させることができる。したがって、論理回路やアナログ回路を構成するトランジスタとの混載を容易にすることができるとともに、安価な半導体記憶装置を得ることができる。
【０１１０】
また、要件（３）及び（９）を満たす場合であって、さらに要件（６）を満たす場合には、より有用である。つまり、メモリ機能体内の電荷保持領域と拡散領域とをオーバーラップさせることにより、非常に低電圧で書込み、消去が可能となる。具体的には、５Ｖ以下という低電圧により、書込み及び消去動作を行なうことができる。この作用は、回路設計上においても非常に大きな効果である。フラッシュメモリのような高電圧をチップ内で作る必要がなくなるため、莫大な占有面積が必要となるチャージポンピング回路を省略又は規模を小さくすることが可能となる。特に、小規模容量のメモリを調整用としてロジックＬＳＩに内蔵する場合、メモリ部の占有面積はメモリセルよりも、メモリセルを駆動する周辺回路の占有面積が支配的となるため、メモリセル用電圧昇圧回路を省略又は規模を小さくすることは、チップサイズを縮小させるためには最も効果的となる。
【０１１１】
一方、要件（３）を満たさない場合、つまり、メモリ機能体内で電荷を保持するのが導電体である場合は、要件（６）を満たさない、つまり、メモリ機能体内の導電体と拡散領域がオーバーラップしていない場合でも、書込み動作を行なうことができる。これは、メモリ機能体内の導電体がゲート電極との容量カップリングにより書込み補助を行なうからである。
【０１１２】
また、要件（９）を満たさない場合、つまり、メモリ機能体の上に書込み及び消去動作を補助する機能を有する電極がある場合は、要件（６）を満たさない、つまり、メモリ機能体内の絶縁体と拡散領域とがオーバーラップしていない場合でも、書込み動作を行なうことができる。
【０１１３】
本発明の半導体記憶装置においては、メモリ素子は、その一方又は両方に、トランジスタが直列に接続していてもよいし、ロジックトランジスタと、同一のチップ上に混載されていてもよい。このような場合には、本発明の半導体装置、特にメモリ素子を、トランジスタ及びロジックトランジスタなどの通常の標準トランジスタの形成プロセスと非常に親和性が高い工程で形成することができるため、同時に形成することができる。したがって、メモリ素子とトランジスタ又はロジックトランジスタとを混載するプロセスは非常に簡便なものとなり、安価な混載装置を得ることができる。
【０１１４】
本発明の半導体記憶装置は、メモリ素子が、１つのメモリ機能体に２値又はそれ以上の情報を記憶させることができ、これにより、４値又はそれ以上の情報を記憶するメモリ素子として機能させることができる。なお、メモリ素子は、２値の情報を記憶させるのみでもよい。また、メモリ素子を、メモリ機能体による可変抵抗効果により、選択トランジスタとメモリトランジスタとの機能を兼ね備えたメモリセルとしても機能させることができる。
【０１１５】
本発明の半導体記憶装置は、論理素子又は論理回路等と組み合わせることにより、パーソナルコンピュータ、ノート、ラップトップ、パーソナル・アシスタント／発信機、ミニコンピュータ、ワークステーション、メインフレーム、マルチプロセッサー・コンピュータ又は他のすべての型のコンピュータシステム等のデータ処理システム；ＣＰＵ、メモリ、データ記憶装置等のデータ処理システムを構成する電子部品；電話、ＰＨＳ（Personal Handiphone System:パーソナル・ハンディホン・システム）、モデム、ルータ等の通信機器；ディスプレイパネル、プロジェクタ等の画像表示機器；プリンタ、スキャナ、複写機等の事務機器；ビデオカメラ、デジタルカメラ等の撮像機器；ゲーム機、音楽プレーヤ等の娯楽機器；携帯情報端末、時計、電子辞書等の情報機器；カーナビゲーションシステム、カーオーディオ等の車載機器；動画、静止画、音楽等の情報を記録、再生するためのＡＶ(Audio Visual)機器；洗濯機、電子レンジ、冷蔵庫、炊飯器、食器洗い機、掃除機、エアコン等の電化製品；マッサージ器、体重計、血圧計等の健康管理機器；ＩＣカード、メモリカード等の携帯型記憶装置等の電子機器への幅広い応用が可能である。特に、携帯電話、携帯情報端末、ＩＣカード、メモリカード、携帯型コンピュータ、携帯型ゲーム機、デジタルカメラ、ポータブル動画プレーヤ、ポータブル音楽プレーヤ、電子辞書、時計等の携帯電子機器への応用が有効である。なお、本発明の半導体記憶装置は、電子機器の制御回路又はデータ記憶回路の少なくとも一部として内蔵されるか、あるいは必要に応じて着脱可能に組み込んでもよい。
【０１１６】
以下に、本発明の半導体記憶装置および携帯電子機器の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【０１１７】
（第１実施形態）
この実施の形態の半導体記憶装置は、図１に示すような、不揮発性メモリ素子の一例としてのメモリ素子１００１を備える。
【０１１８】
メモリ素子１００１は、半導体基板１１０１表面に形成されたＰ型ウェル領域１１０２上にゲート絶縁膜１１０３を介してゲート電極１１０４が形成されている。ゲート電極１１０４の上面及び側面には、電荷を保持するトラップ準位を有し、電荷保持膜となるシリコン窒化膜１１０９が配置されており、シリコン窒化膜１１０９のなかでゲート電極１１０４の両側壁部分が、それぞれ実際に電荷を保持するメモリ機能体１１０５ａ、１１０５ｂとなっている。ここで、メモリ機能体とは、メモリ機能体又は電荷保持膜のうちで書換え動作により実際に電荷が蓄積される部分を指す。ゲート電極１１０４の両側であってＰ型ウェル領域１１０２内に、それぞれソース領域又はドレイン領域として機能するＮ型の拡散領域１１０７ａ、１１０７ｂが形成されている。拡散領域１１０７ａ、１１０７ｂは、オフセット構造を有している。すなわち、拡散領域１１０７ａ、１１０７ｂはゲート電極下の領域１１２１には達しておらず、電荷保持膜(シリコン窒化膜１１０９)下のオフセット領域１１２０がチャネル領域の一部を構成している。
【０１１９】
なお、実質的に電荷を保持するメモリ機能体１１０５ａ、１１０５ｂは、ゲート電極１１０４の両側壁部分である。したがって、この部分に対応する領域にのみに、シリコン窒化膜１１０９が形成されていればよい（図２（ａ）参照）。また、メモリ機能体１１０５ａ、１１０５ｂは、ナノメートルサイズの導電体又は半導体からなる微粒子１１１２が絶縁膜１１１１中に散点状に分布する構造を有していてもよい（図２（ｂ）参照）。このとき、微粒子１１１２が１ｎｍ未満であると、量子効果が大きすぎるためにドットに電荷がトンネルするのが困難になり、１０ｎｍを超えると室温では顕著な量子効果が現れなくなる。したがって、微粒子１１１２の直径は１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲にあることが好ましい。さらに、電荷保持膜となるシリコン窒化膜１１０９は、ゲート電極の側面においてサイドウォールスペーサ状に形成されていてもよい（図３参照）。
【０１２０】
メモリ素子の書込み動作原理を、図３及び図４を用いて説明する。なお、ここではメモリ機能体１１３１ａ、１１３１ｂ全体が電荷を保持する機能を有する場合について説明する。また、書込みとは、メモリ素子がＮチャネル型である場合にはメモリ機能体１１３１ａ、１１３１ｂに電子を注入することを指す。以後、メモリ素子はＮチャネル型であるとして説明する。
【０１２１】
第２のメモリ機能体１１３１ｂに電子を注入する（書込む）ためには、図３に示すように、Ｎ型の第１の拡散領域１１０７ａをソース電極に、Ｎ型の第２の拡散領域１１０７ｂをドレイン電極とする。例えば、第１の拡散領域１１０７ａ及びＰ型ウェル領域１１０２に０Ｖ、第２の拡散領域１１０７ｂに＋５Ｖ、ゲート電極１１０４に＋５Ｖを印加する。このような電圧条件によれば、反転層１２２６が、第１の拡散領域１１０７ａ（ソース電極）から伸びるが、第２の拡散領域１１０７ｂ（ドレイン電極）に達することなく、ピンチオフ点が発生する。電子は、ピンチオフ点から第２の拡散領域１１０７ｂ（ドレイン電極）まで高電界により加速され、いわゆるホットエレクトロン（高エネルギーの伝導電子）となる。このホットエレクトロンが第２のメモリ機能体１１３１ｂに注入されることにより書込みが行なわれる。なお、第１のメモリ機能体１１３１ａ近傍では、ホットエレクトロンが発生しないため、書込みは行なわれない。
【０１２２】
一方、第１のメモリ機能体１１３１ａに電子を注入する（書込む）ためには、図４に示すように、第２の拡散領域１１０７ｂをソース電極に、第１の拡散領域１１０７ａをドレイン電極とする。例えば、第２の拡散領域１１０７ｂ及びＰ型ウェル領域１１０２に０Ｖ、第１の拡散領域１１０７ａに＋５Ｖ、ゲート電極１１０４に＋５Ｖを印加する。このように、第２のメモリ機能体１１３１ｂに電子を注入する場合とは、ソース／ドレイン領域を入れ替えることにより、第１のメモリ機能体１１３１ａに電子を注入して、書込みを行なうことができる。
【０１２３】
次に、メモリ素子の消去動作原理を図５及び図６を用いて説明する。
【０１２４】
第１のメモリ機能体１１３１ａに記憶された情報を消去する第１の方法では、図５に示すように、第１の拡散領域１１０７ａに正電圧（例えば、＋５Ｖ）、Ｐ型ウェル領域１１０２に０Ｖを印加して、第１の拡散領域１１０７ａとＰ型ウェル領域１１０２とのＰＮ接合に逆方向バイアスをかけ、さらにゲート電極１１０４に負電圧（例えば、−５Ｖ）を印加する。このとき、ＰＮ接合のうちゲート電極１１０４付近では、負電圧が印加されたゲート電極の影響により、特にポテンシャルの勾配が急になる。そのため、バンド間トンネルによりＰＮ接合のＰ型ウェル領域１１０２側にホットホール（高エネルギーの正孔）が発生する。このホットホールが負の電位をもつゲート電極１１０４方向に引きこまれ、その結果、第１のメモリ機能体１１３１ａにホール注入が行なわれる。このようにして、第１のメモリ機能体１１３１ａの消去が行なわれる。このとき第２の拡散領域１１０７ｂには０Ｖを印加すればよい。
【０１２５】
第２のメモリ機能体１１３１ｂに記憶された情報を消去する場合は、上記において第１の拡散領域と第２の拡散領域との電位を入れ替えればよい。
【０１２６】
第１のメモリ機能体１１３１ａに記憶された情報を消去する第２の方法では、図６に示すように、第１の拡散領域１１０７ａに正電圧（例えば、＋４Ｖ）、第２の拡散領域１１０７ｂに０Ｖ、ゲート電極１１０４に負電圧（例えば、−４Ｖ）、Ｐ型ウェル領域１１０２に正電圧（例えば、＋０．８Ｖ）を印加する。この際、Ｐ型ウェル領域１１０２と第２の拡散領域１１０７ｂとの間に順方向電圧が印加され、Ｐ型ウェル領域１１０２に電子が注入される。注入された電子は、Ｐ型ウェル領域１１０２と第１の拡散領域１１０７ａとのＰＮ接合まで拡散し、そこで強い電界により加速されてホットエレクトロンとなる。このホットエレクトロンは、ＰＮ接合において、電子−ホール対を発生させる。すなわち、Ｐ型ウェル領域１１０２と第２の拡散領域１１０７ｂとの間に順方向電圧を印加することにより、Ｐ型ウェル領域１１０２に注入された電子がトリガーとなって、反対側に位置するＰＮ接合でホットホールが発生する。ＰＮ接合で発生したホットホールは負の電位をもつゲート電極１１０４方向に引きこまれ、その結果、第１のメモリ機能体１１３１ａに正孔注入が行なわれる。
【０１２７】
この方法によれば、Ｐ型ウェル領域と第１の拡散領域１１０７ａとのＰＮ接合において、バンド間トンネルによりホットホールが発生するに足りない電圧しか印加されない場合においても、第２の拡散領域１１０７ｂから注入された電子は、ＰＮ接合で電子−正孔対が発生するトリガーとなり、ホットホールを発生させることができる。したがって、消去動作時の電圧を低下させることができる。特に、オフセット領域１１２０（図１参照）が存在する場合は、負の電位が印加されたゲート電極によりＰＮ接合が急峻となる効果が少ない。そのため、バンド間トンネルによるホットホールの発生が難しいが、第２の方法はその欠点を補い、低電圧で消去動作を実現することができる。
【０１２８】
なお、第１のメモリ機能体１１３１ａに記憶された情報を消去する場合、第１の消去方法では、第１の拡散領域１１０７ａに＋５Ｖを印加しなければならなかったが、第２の消去方法では、＋４Ｖで足りた。このように、第２の方法によれば、消去時の電圧を低減することができるので、消費電力が低減され、ホットキャリアによるメモリ素子の劣化を抑制することができる。
【０１２９】
また、いずれの消去方法によっても、メモリ素子は過消去が起きにくい。ここで過消去とは、メモリ機能体に蓄積された正孔の量が増大するにつれ、飽和することなく閾値が低下していく現象である。フラッシュメモリを代表とするＥＥＰＲＯＭ(電気的消去書込み可能な読み出し専用メモリ)では大きな問題となっており、特に閾値が負になった場合にメモリセルの選択が不可能になるという致命的な動作不良を生じる。一方、本発明の半導体記憶装置におけるメモリ素子では、メモリ機能体に大量の正孔が蓄積された場合においても、メモリ機能体下に電子が誘起されるのみで、ゲート絶縁膜下のチャネル領域のポテンシャルにはほとんど影響を与えない。消去時の閾値はゲート絶縁膜下のポテンシャルにより決まるので、過消去が起きにくくなる。
【０１３０】
さらに、メモリ素子の読み出し動作原理を、図７を用いて説明する。
【０１３１】
第１のメモリ機能体１１３１ａに記憶された情報を読み出す場合、第１の拡散領域１１０７ａをソース電極に、第２の拡散領域１１０７ｂをドレイン電極とし、トランジスタを動作させる。例えば、第１の拡散領域１１０７ａ及びＰ型ウェル領域１１０２に０Ｖ、第２の拡散領域１１０７ｂに＋１．８Ｖ、ゲート電極１１０４に＋２Ｖを印加する。この際、第１のメモリ機能体１１３１ａに電子が蓄積していない場合には、ドレイン電流が流れやすい。一方、第１のメモリ機能体１１３１ａに電子が蓄積している場合は、第１のメモリ機能体１１３１ａ近傍で反転層が形成されにくいので、ドレイン電流は流れにくい。したがって、ドレイン電流を検出することにより、第１のメモリ機能体１１３１ａの記憶情報を読み出すことができる。特に、ピンチオフ動作させるような電圧を与えて読み出す場合、第１のメモリ機能体１１３１ａにおける電荷蓄積の状態について、１１３１ｂにおける電荷蓄積の有無に影響されることなく、より高精度に判定することが可能となる。
【０１３２】
第２のメモリ機能体１１３１ｂに記憶された情報を読み出す場合、第２の拡散領域１１０７ｂをソース電極に、第１の拡散領域１１０７ａをドレイン電極とし、トランジスタを動作させる。図示しないが、例えば、第２の拡散領域１１０７ｂ及びＰ型ウェル領域１１０２に０Ｖ、第１の拡散領域１１０７ａに＋１．８Ｖ、ゲート電極１１０４に＋２Ｖを印加すればよい。このように、第１のメモリ機能体１１３１ａに記憶された情報を読み出す場合とは、ソース／ドレイン領域を入れ替えることにより、第２のメモリ機能体１１３１ｂに記憶された情報の読み出しを行なうことができる。
【０１３３】
なお、ゲート電極１１０４で覆われないチャネル領域（オフセット領域１１２０）が残されている場合、ゲート電極１１０４で覆われないチャネル領域においては、メモリ機能体１１３１ａ、１１３１ｂの余剰電荷の有無によって反転層が消失又は形成され、その結果、大きなヒステリシス（閾値の変化）が得られる。ただし、オフセット領域１１２０の幅があまり大きいと、ドレイン電流が大きく減少し、読み出し速度が大幅に遅くなる。したがって、十分なヒステリシスと読み出し速度が得られるように、オフセット領域１１２０の幅を決定することが好ましい。
【０１３４】
拡散領域１１０７ａ、１１０７ｂがゲート電極１１０４端に達している場合、つまり、拡散領域１１０７ａ、１１０７ｂとゲート電極１１０４とがオーバーラップしている場合であっても、書込み動作によりトランジスタの閾値はほとんど変わらなかったが、ソース／ドレイン端での寄生抵抗が大きく変わり、ドレイン電流は大きく減少（１桁以上）する。したがって、ドレイン電流の検出により読み出しが可能であり、メモリとしての機能を得ることができる。ただし、より大きなメモリヒステリシス効果を必要とする場合、拡散領域１１０７ａ、１１０７ｂとゲート電極１１０４とがオーバーラップしていない（オフセット領域１１２０が存在する）ほうが好ましい。
【０１３５】
以上の動作方法により、１トランジスタ当り選択的に２ビットの書込み及び消去が可能となる。また、メモリ素子のゲート電極１１０４にワード線ＷＬを、第１の拡散領域１１０７ａに第１のビット線ＢＬ１を、第２の拡散領域１１０７ｂに第２のビット線ＢＬ２をそれぞれ接続し、メモリ素子を配列することにより、メモリセルアレイを構成することができる。
【０１３６】
また、上述した動作方法では、ソース電極とドレイン電極を入れ替えることによって１トランジスタ当り２ビットの書込み及び消去をさせているが、ソース電極とドレイン電極とを固定して１ビットメモリとして動作させてもよい。この場合ソース／ドレイン領域の一方を共通固定電圧とすることが可能となり、ソース／ドレイン領域に接続されるビット線の本数を半減することができる。
【０１３７】
以上の説明から明らかなように、本発明の半導体記憶装置におけるメモリ素子では、メモリ機能体がゲート絶縁膜と独立して形成され、ゲート電極の両側に形成されているため、２ビット動作が可能である。また、各メモリ機能体はゲート電極により分離されているので、書換え時の干渉が効果的に抑制される。さらに、ゲート絶縁膜は、メモリ機能体とは分離されているので、薄膜化して短チャネル効果を抑制することができる。したがってメモリ素子、ひいては半導体記憶装置の微細化が容易となる。
【０１３８】
また、図面の記載において、同一の材料及び物質を用いている部分においては、同一の符号を付しており、必ずしも同―の形状を示すものではない。
【０１３９】
また、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法の関係、各層や各部の厚みや大きさの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや大きさの寸法は、以下の説明を斟酌して判断すべきものである。また図面相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【０１４０】
また、本特許に記載の各層や各部の厚みや大きさは、特に説明がない場合は、半導体装置の形成を完了した段階での最終形状の寸法である。よって、膜や不純物領域等を形成した直後の寸法と比較して最終形状の寸法は、後の工程の熱履歴等によって多少変化することに留意すべきである。
【０１４１】
（第２実施形態）
この実施の形態の半導体記憶装置におけるメモリ素子は、図８に示すように、メモリ機能体１２６１、１２６２が電荷を保持する領域（電荷を蓄える領域であって、電荷を保持する機能を有する膜であってもよい）と、電荷を逃げにくくする領域（電荷を逃げにくくする機能を有する膜であってもよい）とから構成される以外は、図１のメモリ素子１００１と実質的に同様の構成である。
【０１４２】
メモリ機能体は、メモリの保持特性を向上させる観点から、電荷を保持する機能を有する電荷保持膜と絶縁膜とを含んでいるのが好ましい。この実施の形態では、電荷保持膜として電荷をトラップする準位を有するシリコン窒化膜１２４２、絶縁膜として電荷保持膜に蓄積された電荷の散逸を防ぐ働きのあるシリコン酸化膜１２４１、１２４３を用いている。メモリ機能体が電荷保持膜と絶縁膜とを含むことにより電荷の散逸を防いで保持特性を向上させることができる。また、メモリ機能体が電荷保持膜のみで構成される場合に比べて電荷保持膜の体積を適度に小さくすることができ、電荷保持膜内での電荷の移動を制限して、記憶保持中に電荷移動による特性変化が起こるのを抑制することができる。さらに、シリコン窒化膜１２４２がシリコン酸化膜１２４１、１２４３で挟まれた構造とすることにより、書換え動作時の電荷注入効率が高くなり、より高速な動作が可能となる。なお、このメモリ素子においては、シリコン窒化膜１２４２を強誘電体で置き換えてもよい。
【０１４３】
また、メモリ機能体１２６１、１２６２における電荷を保持する領域（シリコン窒化膜１２４２）は、拡散領域１２１２、１２１３とそれぞれオーバーラップしている。ここで、オーバーラップするとは、拡散領域１２１２、１２１３の少なくとも一部の領域上に、電荷を保持する領域（シリコン窒化膜１２４２）の少なくとも一部が存在することを意味する。なお、１２１１は半導体基板、１２１４はゲート絶縁膜、１２７１はゲート電極１２１７と拡散領域１２１２、１２１３とのオフセット領域である。図示しないが、ゲート絶縁膜１２１４下であって半導体基板１２１１の最表面はチャネル領域となる。
【０１４４】
メモリ機能体１２６１、１２６２における電荷を保持する領域であるシリコン窒化膜１２４２と拡散領域１２１２、１２１３とがオーバーラップすることによる効果を説明する。
【０１４５】
図９に示したように、メモリ機能体１２６２周辺部において、ゲート電極１２１７と拡散領域１２１３とのオフセット量をＷ１とし、ゲート電極１２１７のチャネル長方向の切断面におけるメモリ機能体１２６２の幅をＷ２とすると、メモリ機能体１２６２と拡散領域１２１３とのオーバーラップ量は、Ｗ２−Ｗ１で表される。ここで重要なことは、メモリ機能体１２６２のうちシリコン窒化膜１２４２で構成されたメモリ機能体１２６２が、拡散領域１２１３とオーバーラップする、つまり、Ｗ２＞Ｗ１なる関係を満たすことである。
【０１４６】
図９では、メモリ機能体１２６２のうち、シリコン窒化膜１２４２のゲート電極１２１７と離れた側の端が、ゲート電極１２１７から離れた側のメモリ機能体１２６２の端と一致しているため、メモリ機能体１２６２の幅をＷ２として定義した。
【０１４７】
なお、図１０に示すように、メモリ機能体１２６２ａのうちシリコン窒化膜１２４２ａのゲート電極１２１７ａと離れた側の端が、ゲート電極１２１７ａから離れた側のメモリ機能体１２６２ａの端と一致していない場合は、Ｗ２をゲート電極端からシリコン窒化膜１２４２ａのゲート電極１２１７ａと遠い側の端までと定義すればよい。
【０１４８】
図１１は、図９のメモリ素子の構造において、メモリ機能体１２６２の幅Ｗ２を１００ｎｍに固定し、オフセット量Ｗ１を変化させたときのドレイン電流Ｉｄを示している。ここで、ドレイン電流は、メモリ機能体１２６２を消去状態（ホールが蓄積されている）とし、拡散領域１２１２、１２１３をそれぞれソース電極、ドレイン電極として、デバイスシミュレーションにより求めた。図１１から明らかなように、Ｗ１が１００ｎｍ以上（すなわち、シリコン窒化膜１２４２と拡散領域１２１３とがオーバーラップしない）では、ドレイン電流が急速に減少している。ドレイン電流値は、読み出し動作速度にほぼ比例するので、Ｗ１が１００ｎｍ以上ではメモリの性能は急速に劣化する。一方、シリコン窒化膜１２４２と拡散領域１２１３とがオーバーラップする範囲においては、ドレイン電流の減少は緩やかである。したがって、量産製造においてばらつきも考慮した場合、電荷を保持する機能を有する膜であるシリコン窒化膜１２４２の少なくとも一部とソース／ドレイン領域とがオーバーラップしなければ、事実上メモリ機能を得ることが困難である。
【０１４９】
上述したデバイスシミュレーションの結果を踏まえて、Ｗ２を１００ｎｍ固定とし、Ｗ１を設計値として６０ｎｍ及び１００ｎｍとして、メモリセルアレイを作製した。Ｗ１が６０ｎｍの場合、シリコン窒化膜１４２と拡散領域１２１２、１２１３とは設計値として４０ｎｍオーバーラップし、Ｗ１が１００ｎｍの場合、設計値としてオーバーラップしない。これらのメモリセルアレイの読み出し時間を測定した結果、ばらつきを考慮したワーストケースで比較して、Ｗ１を設計値として６０ｎｍとした場合の方が、読み出しアクセス時間で１００倍高速であった。実用上、読み出しアクセス時間は１ビットあたり１００ナノ秒以下であることが好ましいが、Ｗ１＝Ｗ２では、この条件を到底達成できない。また、製造ばらつきまで考慮した場合、（Ｗ２−Ｗ１）＞１０ｎｍであることがより好ましい。
【０１５０】
メモリ機能体１２６１（領域１２８１）に記憶された情報の読み出しは、第１実施形態と同様に、拡散領域１２１２をソース電極とし、拡散領域１２１３をドレイン領域としてチャネル領域中のドレイン領域に近い側にピンチオフ点を形成するのが好ましい。すなわち、２つのメモリ機能体のうち一方に記憶された情報を読み出す時に、ピンチオフ点をチャネル領域内であって、他方のメモリ機能体に近い領域に形成させるのが好ましい。これにより、メモリ機能体１２６２の記憶状況の如何にかかわらず、メモリ機能体１２６１の記憶情報を感度よく検出することができ、２ビット動作を可能にする大きな要因となる。
【０１５１】
一方、２つのメモリ機能体の片側のみに情報を記憶させる場合又は２つのメモリ機能体を同じ記憶状態にして使用する場合には、読み出し時に必ずしもピンチオフ点を形成しなくてもよい。
【０１５２】
なお、図８には図示していないが、半導体基板１２１１の表面にウェル領域（Ｎチャネル素子の場合はＰ型ウェル）を形成することが好ましい。ウェル領域を形成することにより、チャネル領域の不純物濃度をメモリ動作（書換え動作及び読み出し動作）に最適にしつつ、その他の電気特性（耐圧、接合容量、短チャネル効果）を制御するのが容易になる。
【０１５３】
また、メモリ機能体は、ゲート絶縁膜表面と略平行に配置される電荷保持膜を含むことが好ましい。いいかえると、メモリ機能体における電荷保持膜の上面が、ゲート絶縁膜上面から等しい距離に位置するように配置されることが好ましい。具体的には、図１２に示したように、メモリ機能体１２６２の電荷保持膜であるシリコン窒化膜１２４２ａが、ゲート絶縁膜１２１４表面と略平行な面を有している。言い換えると、シリコン窒化膜１２４２ａは、ゲート絶縁膜１２１４表面に対応する高さから、均一な高さに形成されることが好ましい。
【０１５４】
メモリ機能体１２６２中に、ゲート絶縁膜１２１４表面と略平行なシリコン窒化膜１２４２ａがあることにより、シリコン窒化膜１２４２ａに蓄積された電荷の多寡によりオフセット領域１２７１での反転層の形成されやすさを効果的に制御することができ、ひいてはメモリ効果を大きくすることができる。また、シリコン窒化膜１２４２ａをゲート絶縁膜１２１４の表面と略平行とすることにより、オフセット量（Ｗ１）がばらついた場合でもメモリ効果の変化を比較的小さく保つことができ、メモリ効果のばらつきを抑制することができる。しかも、シリコン窒化膜１２４２ａ上部方向への電荷の移動が抑制され、記憶保持中に電荷移動による特性変化が起こるのを抑制することができる。
【０１５５】
さらに、メモリ機能体１２６２は、ゲート絶縁膜１２１４の表面と略平行なシリコン窒化膜１２４２ａとチャネル領域（又はウェル領域）とを隔てる絶縁膜（例えば、シリコン酸化膜１２４４のうちオフセット領域１２７１上の部分）を含むことが好ましい。この絶縁膜により、電荷保持膜に蓄積された電荷の散逸が抑制され、さらに保持特性の良いメモリ素子を得ることができる。
【０１５６】
なお、シリコン窒化膜１２４２ａの膜厚を制御すると共に、シリコン窒化膜１２４２ａ下の絶縁膜（シリコン酸化膜１２４４のうちオフセット領域１２７１上の部分）の膜厚を一定に制御することにより、半導体基板表面から電荷保持膜中に蓄えられる電荷までの距離を概ね一定に保つことが可能となる。つまり、半導体基板表面から電荷保持膜中に蓄えられる電荷までの距離を、シリコン窒化膜１２４２ａ下の絶縁膜の最小膜厚値から、シリコン窒化膜１２４２ａ下の絶縁膜の最大膜厚値とシリコン窒化膜１２４２ａの最大膜厚値との和までの間に制御することができる。これにより、シリコン窒化膜１２４２ａに蓄えられた電荷により発生する電気力線の密度を概ね制御することが可能となり、メモリ素子のメモリ効果の大きさばらつきを非常に小さくすることが可能となる。
【０１５７】
（第３実施形態）
この実施の形態の半導体記憶装置におけるメモリ機能体１２６２は、電荷保持膜であるシリコン窒化膜１２４２が、図１３に示すように、略均一な膜厚で、ゲート絶縁膜１２１４の表面と略平行に配置され（領域１２８１）、さらに、ゲート電極１２１７側面と略平行に配置された（領域１２８２）形状を有している。
【０１５８】
ゲート電極１２１７に正電圧が印加された場合には、メモリ機能体１２６２中での電気力線は矢印１２８３で示すように、シリコン窒化膜１２４２を２回（領域１２８２及び領域１２８１部分）通過する。なお、ゲート電極１２１７に負電圧が印加された時は電気力線の向きは反対側となる。ここで、シリコン窒化膜１２４２の比誘電率は約６であり、シリコン酸化膜１２４１、１２４３の比誘電率は約４である。したがって、電荷保持膜の領域１２８１のみが存在する場合よりも、電気力線(矢印１２８３)方向におけるメモリ機能体１２６２の実効的な比誘電率が大きくなり、電気力線の両端での電位差をより小さくすることができる。すなわち、ゲート電極１２１７に印加された電圧の多くの部分が、オフセット領域１２７１における電界を強くするために使われることになる。
【０１５９】
書換え動作時に電荷がシリコン窒化膜１２４２に注入されるのは、発生した電荷がオフセット領域１２７１における電界により引き込まれるためである。したがって、シリコン窒化膜１２４２が領域１２８２を含むことにより、書換え動作時にメモリ機能体１２６２に注入される電荷が増加し、書換え速度が増大する。
【０１６０】
なお、シリコン酸化膜１２４３の部分もシリコン窒化膜であった場合、つまり、電荷保持膜がゲート絶縁膜１２１４の表面に対応する高さに対して均一でない場合、シリコン窒化膜の上方向への電荷の移動が顕著になって、保持特性が悪化する。
【０１６１】
電荷保持膜は、シリコン窒化膜に代えて、比誘電率が非常に大きい酸化ハフニウムなどの高誘電体により形成されることがより好ましい。
【０１６２】
さらに、メモリ機能体は、ゲート絶縁膜表面と略平行な電荷保持膜とチャネル領域（またはウェル領域）とを隔てる絶縁膜（シリコン酸化膜１２４１のうちオフセット領域１２７１上の部分）をさらに含むことが好ましい。この絶縁膜により、電荷保持膜に蓄積された電荷の散逸が抑制され、さらに保持特性を向上させることができる。
【０１６３】
また、メモリ機能体は、ゲート電極と、ゲート電極側面と略平行な向きに延びた電荷保持膜とを隔てる絶縁膜（シリコン酸化膜１２４１のうちゲート電極１２１７に接した部分）をさらに含むことが好ましい。この絶縁膜により、ゲート電極から電荷保持膜へ電荷が注入されて電気的特性が変化することを防止し、メモリ素子の信頼性を向上させることができる。
【０１６４】
さらに、第２実施形態と同様に、シリコン窒化膜１２４２下の絶縁膜（シリコン酸化膜１２４１のうちオフセット領域１２７１上の部分）の膜厚を一定に制御すること、さらにゲート電極側面上に配置する絶縁膜（シリコン酸化膜１２４１のうちゲート電極１２１７に接した部分）の膜厚を一定に制御することが好ましい。これにより、シリコン窒化膜１２４２に蓄えられた電荷により発生する電気力線の密度を概ね制御することができるとともに、電荷リークを防止することができる。
【０１６５】
（第４実施形態）
この実施の形態では、半導体記憶装置におけるメモリ素子のゲート電極、メモリ機能体及びソース／ドレイン領域間距離の最適化について説明する。
【０１６６】
図１４に示したように、Ａはチャネル長方向の切断面におけるゲート電極長、Ｂはソース／ドレイン領域間の距離（チャネル長）、Ｃは一方のメモリ機能体の端から他方のメモリ機能体の端までの距離、つまり、チャネル長方向の切断面における一方のメモリ機能体内の電荷を保持する機能を有する膜の端（ゲート電極と離れている側）から他方のメモリ機能体内の電荷を保持する機能を有する膜の端（ゲート電極と離れている側）までの距離を示す。
【０１６７】
このようなメモリ素子では、Ｂ＜Ｃであることが好ましい。このような関係を満たすことにより、チャネル領域のうちゲート電極１２１７下の部分と拡散領域１２１２、１２１３との間にはオフセット領域１２７１が存在することとなる。これにより、メモリ機能体１２６１、１２６２（シリコン窒化膜１２４２）に蓄積された電荷により、オフセット領域１２７１の全領域において、反転の容易性が効果的に変動する。したがって、メモリ効果が増大し、特に読み出し動作の高速化が実現する。
【０１６８】
また、ゲート電極１２１７と拡散領域１２１２、１２１３がオフセットしている場合、つまり、Ａ＜Ｂが成立する場合には、ゲート電極に電圧を印加したときのオフセット領域の反転のしやすさがメモリ機能体に蓄積された電荷量によって大きく変化し、メモリ効果が増大するとともに、短チャネル効果を低減することができる。
【０１６９】
ただし、メモリ効果が発現する限りにおいては、必ずしもオフセット領域１２７１が存在しなくてもよい。オフセット領域１２７１が存在しない場合においても、拡散領域１２１２、１２１３の不純物濃度が十分に薄ければ、メモリ機能体１２６１、１２６２（シリコン窒化膜１２４２）においてメモリ効果が発現し得る。
【０１７０】
このようなことから、Ａ＜Ｂ＜Ｃであるのが最も好ましい。
【０１７１】
（第５実施形態）
この実施の形態における半導体記憶装置のメモリ素子は、図１５に示すように、第２実施形態における半導体基板をＳＯＩ基板とする以外は、実質的に同様の構成を有する。
【０１７２】
このメモリ素子は、半導体基板１２８６上に埋め込み酸化膜１２８８が形成され、さらにその上にＳＯＩ層が形成されている。ＳＯＩ層内には拡散領域１２１２、１２１３が形成され、それ以外の領域はボディ領域１２８７となっている。
【０１７３】
このメモリ素子によっても、第２実施形態のメモリ素子と同様の作用効果を奏する。さらに、拡散領域１２１２、１２１３とボディ領域１２８７との接合容量を著しく小さくすることができるので、素子の高速化や低消費電力化が可能となる。
【０１７４】
（第６実施形態）
この実施の形態の半導体記憶装置におけるメモリ素子は、図１６に示すように、Ｎ型の拡散領域１２１２、１２１３のチャネル側に隣接して、Ｐ型高濃度領域１２９１を追加した以外は、第２実施形態のメモリ素子と実質的に同様の構成を有する。
【０１７５】
すなわち、Ｐ型高濃度領域１２９１におけるＰ型を与える不純物（例えばボロン）濃度が、領域１２９２におけるＰ型を与える不純物濃度より高い。Ｐ型高濃度領域１２９１におけるＰ型の不純物濃度は、例えば、５×１０17〜１×１０19ｃｍ-3程度が適当である。また、領域１２９２のＰ型の不純物濃度は、例えば、５×１０16〜１×１０18ｃｍ-3とすることができる。
【０１７６】
このように、Ｐ型高濃度領域１２９１を設けることにより、拡散領域１２１２、１２１３と半導体基板１２１１との接合が、メモリ機能体１２６１、１２６２の直下で急峻となる。そのため、書込み及び消去動作時にホットキャリアが発生し易くなり、書込み動作及び消去動作の電圧を低下させ、あるいは書込み動作及び消去動作を高速にすることが可能となる。さらに、領域１２９２の不純物濃度は比較的薄いので、メモリが消去状態にあるときの閾値が低く、ドレイン電流は大きくなる。そのため、読み出し速度が向上する。したがって、書換え電圧が低く又は書換え速度が高速で、かつ、読み出し速度が高速なメモリ素子を得ることができる。
【０１７７】
また、図１６において、ソース／ドレイン領域近傍であってメモリ機能体の下（すなわち、ゲート電極の直下ではない）において、Ｐ型高濃度領域１２９１を設けることにより、トランジスタ全体としての閾値は著しく上昇する。この上昇の程度は、Ｐ型高濃度領域１２９１がゲート電極の直下にある場合に比べて著しく大きい。メモリ機能体に書込み電荷（トランジスタがＮチャネル型の場合は電子）が蓄積した場合は、この差がいっそう大きくなる。一方、メモリ機能体に十分な消去電荷（トランジスタがＮチャネル型の場合は正孔）が蓄積された場合は、トランジスタ全体としての閾値は、ゲート電極下のチャネル領域（領域１２９２）の不純物濃度で決まる閾値まで低下する。すなわち、消去時の閾値は、Ｐ型高濃度領域１２９１の不純物濃度には依存せず、一方で、書込み時の閾値は非常に大きな影響を受ける。よって、Ｐ型高濃度領域１２９１をメモリ機能体の下であってソース／ドレイン領域近傍に配置することにより、書込み時の閾値のみが非常に大きく変動し、メモリ効果（書込み時と消去時での閾値の差）を著しく増大させることができる。
【０１７８】
（第７実施形態）
この実施の形態の半導体記憶装置におけるメモリ素子は、図１７に示すように、電荷保持膜（シリコン窒化膜１２４２）とチャネル領域又はウェル領域１２１１とを隔てる絶縁膜１２４１の厚さ（Ｔ１）が、ゲート絶縁膜１２１４の厚さ（Ｔ２）よりも薄いこと以外は、第２実施形態と実質的に同様の構成を有する。
【０１７９】
上記ゲート絶縁膜１２１４は、メモリの書換え動作時における耐圧の要請から、その厚さＴ２には下限値が存在する。しかし、上記絶縁膜１２４１の厚さＴ１は、耐圧の要請にかかわらず、Ｔ２よりも薄くすることが可能である。
【０１８０】
このメモリ素子において、上述のようにＴ１に対する設計の自由度が高いのは以下の理由による。
【０１８１】
つまり、このメモリ素子においては、上記電荷保持膜(シリコン窒化膜１２４２)と、チャネル領域又はウェル領域１２１１とを隔てる絶縁膜１２４１は、ゲート電極１２１７と、チャネル領域又はウェル領域１２１１とに挟まれていない。そのため、上記電荷保持膜(シリコン窒化膜１２４２)と、チャネル領域又はウェル領域１２１１とを隔てる上記絶縁膜１２４１には、ゲート電極１２１７と、チャネル領域又はウェル領域１２１１間に働く高電界が直接作用せず、ゲート電極１２１７から横方向に広がる比較的弱い電界が作用する。そのため、上記絶縁膜１２４１に対する耐圧の要請にかかわらず、Ｔ１をＴ２より薄くすることが可能になる。Ｔ１を薄くすることにより、メモリ機能体１２６１，１２６２への電荷の注入が容易になり、書込み動作及び消去動作の電圧を低下させ、又は書込み動作及び消去動作を高速にすることが可能となり、また、シリコン窒化膜１２４２に電荷が蓄積された時にチャネル領域又はウェル領域１２１１に誘起される電荷量が増えるため、メモリ効果を増大させることができる。
【０１８２】
ところで、メモリ機能体中での電気力線は、図１３の矢印１２８４で示すように、シリコン窒化膜１２４２を通過しない短いものもある。このような短い電気力線上では比較的電界強度が大きいので、この電気力線に沿った電界は書換え動作時においては大きな役割を果たしている。Ｔ１を薄くすることによりシリコン窒化膜１２４２が図の下側に移動し、矢印１２８３で示す電気力線がシリコン窒化膜を通過するようになる。それゆえ、矢印１２８４方向の電気力線に沿ったメモリ機能体中の実効的な比誘電率が大きくなり、電気力線の両端での電位差をより小さくすることができる。したがって、ゲート電極１２１７に印加された電圧の多くの部分が、オフセット領域における電界を強くするために使われ、書込み動作及び消去動作が高速になる。
【０１８３】
これに対して、例えば、フラッシュメモリに代表されるＥＥＰＲＯＭにおいては、フローティングゲートとチャネル領域又はウェル領域とを隔てる絶縁膜は、ゲート電極（コントロールゲート）とチャネル領域又はウェル領域に挟まれているので、ゲート電極からの高電界が直接作用する。それゆえ、ＥＥＰＲＯＭにおいては、フローティングゲートとチャネル領域又はウェル領域とを隔てる絶縁膜の厚さが制限され、メモリ素子の機能の最適化が阻害される。
【０１８４】
以上より明らかなように、Ｔ１＜Ｔ２とすることにより、メモリの耐圧性能を低下させることなく、書込み動作及び消去動作の電圧を低下させ、又は書込み動作及び消去動作を高速にし、さらにメモリ効果を増大することが可能となる。なお、絶縁膜の厚さＴ１は、製造プロセスによる均一性や膜質が一定の水準を維持することが可能であり、かつ保持特性が極端に劣化しない限界となる０．８ｎｍ以上であることがより好ましい。
【０１８５】
具体的には、デザインルールの大きな高耐圧が必要とされる液晶ドライバＬＳＩのような場合、液晶パネルＴＦＴ(薄膜トランジスタ)を駆動するために、最大１５〜１８Ｖの電圧が必要となる。このため、通常、ゲート酸化膜を薄膜化することができない。液晶ドライバＬＳＩに画像調整用として本発明の不揮発性メモリを混載する場合、本発明のメモリ素子ではゲート絶縁膜厚とは独立して電荷保持膜（シリコン窒化膜１２４２）とチャネル領域又はウェル領域とを隔てる絶縁膜の厚さを最適に設計できる。例えば、ゲート電極長（ワード線幅）２５０ｎｍのメモリセルに対して、Ｔ１＝２０ｎｍ、Ｔ２＝１０ｎｍで個別に設定でき、書込み効率の良いメモリセルを実現できる。（Ｔ１が通常のロジックトランジスタよりも厚くても短チャネル効果が発生しない理由はゲート電極に対して、ソース・ドレイン領域がオフセットしているためである）。
【０１８６】
（第８実施形態）
この実施の形態の半導体記憶装置におけるメモリ素子は、図１８に示すように、電荷保持膜（シリコン窒化膜１２４２）とチャネル領域又はウェル領域とを隔てる絶縁膜の厚さ（Ｔ１）が、ゲート絶縁膜の厚さ（Ｔ２）よりも厚いこと以外は、第２実施形態と実質的に同様の構成を有する。
【０１８７】
ゲート絶縁膜１２１４は、素子の短チャネル効果防止の要請から、その厚さＴ２には上限値が存在する。しかし、絶縁膜の厚さＴ１は、短チャネル効果防止の要請かかわらず、Ｔ２よりも厚くすることが可能である。すなわち、微細化スケーリングが進んだとき（ゲート絶縁膜の薄膜化が進行したとき）にゲート絶縁膜厚とは独立して電荷保持膜（シリコン窒化膜１２４２）とチャネル領域又はウェル領域とを隔てる絶縁膜の厚さを最適に設計できるため、メモリ機能体がスケーリングの障害にならないという効果を奏する。
【０１８８】
このメモリ素子において、上述のようにＴ１に対する設計の自由度が高い理由は、既に述べた通り、電荷保持膜とチャネル領域又はウェル領域とを隔てる絶縁膜が、ゲート電極とチャネル領域又はウェル領域とに挟まれていないことによる。そのため、ゲート絶縁膜に対する短チャネル効果防止の要請にかかわらず、Ｔ１をＴ２より厚くすることが可能になる。
【０１８９】
Ｔ１を厚くすることにより、メモリ機能体に蓄積された電荷が散逸するのを防ぎ、メモリの保持特性を改善することが可能となる。
【０１９０】
したがって、Ｔ１＞Ｔ２とすることにより、メモリの短チャネル効果を悪化させることなく保持特性を改善することが可能となる。
【０１９１】
なお、絶縁膜の厚さＴ１は、書換え速度の低下を考慮して、２０ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１９２】
具体的には、フラッシュメモリに代表される従来の不揮発性メモリは、選択ゲート電極が書込み消去ゲート電極を構成し、上記書込み消去ゲート電極に対応するゲート絶縁膜（フローティングゲートを内包する）が電荷蓄積膜を兼用している。このため、微細化（短チャネル効果抑制のため薄膜化が必須）の要求と、信頼性確保（保持電荷のリーク抑制のため、フローティングゲートとチャネル領域又はウェル領域とを隔てる絶縁膜の厚さは７ｎｍ程度以下には薄膜化できない）の要求が相反するため、微細化が困難となる。実際、ＩＴＲＳ（International Technology Roadmap for Semiconductors）によれば、物理ゲート長の微細化は０．２ミクロン程度以下に対して目処が立っていない。このメモリ素子では、上述したようにＴ１とＴ２を個別に設計できることにより、微細化が可能となる。
【０１９３】
例えば、ゲート電極長（ワード線幅）４５ｎｍのメモリセルに対して、Ｔ２＝４ｎｍ、Ｔ１＝７ｎｍで個別に設定し、短チャネル効果の発生しないメモリ素子を実現することができる。Ｔ２を通常のロジックトランジスタよりも厚く設定しても短チャネル効果が発生しない理由は、ゲート電極に対して、ソース／ドレイン領域がオフセットしているためである。
【０１９４】
また、このメモリ素子は、ゲート電極に対して、ソース／ドレイン領域がオフセットしているため、通常のロジックトランジスタと比較してもさらに微細化を容易にする。
【０１９５】
つまり、メモリ機能体の上部に書込み、消去を補助する電極が存在しないため、電荷保持膜とチャネル領域又はウェル領域とを隔てる絶縁膜には、書込み、消去を補助する電極とチャネル領域又はウェル領域間に働く高電界が直接作用せず、ゲート電極から横方向に広がる比較的弱い電界が作用するのみである。そのため、同じ加工世代に対してロジックトランジスタのゲート長と同程度以上に微細化されたゲート長を保有するメモリ素子を実現することができる。
【０１９６】
（第９実施形態）
この実施の形態は、半導体記憶装置のメモリ素子の書換えを行ったときの電気特性の変化に関する。
【０１９７】
Ｎチャネル型メモリ素子において、メモリ機能体中の電荷量が変化したとき、図１９に示すような、ドレイン電流（Ｉｄ）対ゲート電圧（Ｖｇ）特性（実測値）を示す。
【０１９８】
図１９から明らかなように、消去状態（実線）から書込み動作を行った場合、単純に閾値が上昇するのみならず、特にサブスレッショルド領域においてグラフの傾きが顕著に減少している。そのため、ゲート電圧（Ｖｇ）が比較的高い領域においても、消去状態と書込み状態でのドレイン電流比が大きくなる。例えば、Ｖｇ＝２．５Ｖにおいても、電流比は２桁以上を保っている。この特性は、フラッシュメモリの場合（図２９）と大きく異なる。
【０１９９】
このような特性の出現は、ゲート電極と拡散領域とがオフセットし、ゲート電界がオフセット領域に及びにくいために起こる特有な現象である。メモリ素子が書込み状態にあるときには、ゲート電極に正電圧を加えてもメモリ機能体下のオフセット領域には反転層が極めてできにくい状態になっている。これが、書込み状態においてサブスレッショルド領域でのＩｄ−Ｖｇ曲線の傾きが小さくなる原因となっている。
【０２００】
一方、メモリ素子が消去状態にあるときには、オフセット領域には高密度の電子が誘起されている。さらに、ゲート電極に０Ｖが印加されているとき（すなわちオフ状態にあるとき）は、ゲート電極下のチャネルには電子が誘起されない（そのためオフ電流が小さい）。これが、消去状態においてサブスレッショルド領域でのＩｄ−Ｖｇ曲線の傾きが大きく、かつ閾値以上の領域でも電流の増加率（コンダクタンス）が大きい原因となっている。
【０２０１】
以上のことから明らかなように、本発明の半導体記憶素子を構成するメモリ素子は、書込み時と消去時のドレイン電流比を特に大きくすることができる。
【０２０２】
（第１０実施形態）
この第１０実施形態では、上記第１〜第８実施形態のメモリ素子をメモリセルとして用いたメモリセルアレイを備えた半導体記憶装置について説明する。
【０２０３】
図２０は本発明の第１０実施形態の上記メモリ素子を用いた不揮発性メモリを含むシステムのブロック図を示している。
【０２０４】
図２０に示すシステムは、電源部１１と、ＣＰＵ(中央処理装置)１２と、不揮発性メモリ１３と、ＲＡＭ(ランダム・アクセス・メモリ)１４と、ＲＯＭ(リード・オンリー・メモリ)１５と、他の構成部品１６とを備えている。上記電源部１１は、第１の電源電圧ＶCC1と第２の電源電圧ＶCC2とを出力する。上記電源部１１から不揮発性メモリ１３に第１の電源電圧ＶCC1と第２の電源電圧ＶCC2を供給し、電源部１１からＲＡＭ１４とＲＯＭ１５と他の構成部品１６に第２の電源電圧ＶCC2を供給する。
【０２０５】
また、図２１は図２０に示す不揮発性メモリ１３のブロック図を示している。図２１に示すように、この不揮発性メモリ１３は、アドレス信号が入力される入力バッファ３１と、上記入力バッファ３１からの信号を受けるコマンドレジスタ３２と、上記コマンドレジスタ３２からのコマンドを受けて、書換え動作などの制御を行うメモリ制御回路３３と、上記メモリ制御回路３３により書換えなどが行われるメモリセルアレイを含むメモリ回路３４と、上記メモリ回路３４からの信号を受けてデータを出力する出力回路の一例としての出力バッファ３５とを備えている。上記コマンドレジスタ３２,メモリ制御回路３３,メモリ制御回路３３およびメモリ回路３４でメモリコア回路４０を構成している。また、上記メモリ制御回路３３は、書換え制御部３３aと、ロックアウト回路３３bとを有している。
【０２０６】
上記入力バッファ３１とメモリコア回路４０に電源供給スイッチの一例としてのスイッチＳＷ１を介して第１の電源電圧VCC1を供給し、メモリコア回路４０と出力バッファ３５に電源供給スイッチの一例としてのスイッチＳＷ２を介して第２の電源電圧VCC2を供給している。上記不揮発性メモリ１３は、第１の電源電圧VCC1および第２の電源電圧VCC2に基づいてスイッチＳＷ１,ＳＷ２のオンオフを制御する電源制御回路３６を備えている。
【０２０７】
また、表１は本発明の第１実施形態の不揮発性メモリに供給される電源電圧の具体例を示している。
【０２０８】
【表１】
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【０２０９】
上記表１に示すように、電圧タイプが１.８Ｖ系のタイプＡでは、入力バッファ３１とメモリコア回路４０に供給される第１の電源電圧ＶCC1を３.０Ｖとし、出力バッファ３５に供給される第２の電源電圧ＶCC2を１.８Ｖとする。また、電圧タイプが３.０Ｖ系のタイプＢでは、入力バッファ３１とメモリコア回路４０に供給される第１の電源電圧ＶCC1を３.０Ｖとし、出力バッファ３５に供給される第２の電源電圧ＶCC2を３.０Ｖとする。なお、出力バッファ３５は、一般的なメモリにおいては入力バッファの役割も果たす入出力バッファであって、メモリ回路３４との信号の方向も双方向であり、第２の電源電圧ＶCC2だけでなく、実際には第１の電源電圧ＶCC1も供給される。
【０２１０】
一般的に、論理回路に供給される電源電圧は、微細加工技術の進展に伴うトランジスタのゲート長が短くなるにしたがって低下してきており、本願発明の半導体記憶装置に供給される第１の電源電圧ＶCC1や第２の電源電圧ＶCC2などの電源電圧も、トランジスタのゲート長によって最適な値が変わるものであって、表１に示した値に限らない。
【０２１１】
また、図２２は上記不揮発性メモリのロックアウト回路３３bのブロック図を示している。このロックアウト回路３３bは、図２２に示すように、第１の電源電圧ＶCC1の電圧レベルを検出する電圧検出器４３と、第２の電源電圧ＶCC2のノイズを除去するフィルタ４１と、上記フィルタ４１を介して入力された第２の電源電圧ＶCC2と電圧発生回路３７からの第２の所定電圧としての電圧レベルＶ2とを比較するコンパレータ４２と、上記電圧検出器４３からの信号と上記コンパレータ４２からの信号に基づいて、ロックアウト制御を行う電源電圧確認回路４４とを有している。
【０２１２】
上記ロックアウト回路３３bにおいて、第１の電源電圧ＶCC1と第２の電源電圧ＶCC2をモニタすることにより、メモリ回路３４のデータエラーを防止する。
【０２１３】
電源投入時、すなわち第１の電源電圧ＶCC1と第２の電源電圧ＶCC2の立ち上がり時、第１の電源電圧ＶCC1が基準電圧よりも低いとき、電圧検出器４３から第１のロックアウト信号が出力され、その第１のロックアウト信号を受けて、書換え制御回路３３aがロックアウト状態となり、電源電圧の立ち上がり時における偽の書換えコマンドを禁止して保護する。
【０２１４】
また、上記第２の電源電圧ＶCC2が第２の所定電圧としての電圧レベルＶ2よりも低いとき、電源電圧確認回路４４から第２のロックアウト信号が出力され、その第２のロックアウト信号を受けて、書換え制御回路３３aがロックアウト状態となり、電源電圧の立ち上がり時における偽の書換えコマンドに対して保護する。
【０２１５】
また、電源投入後において、第１の電源電圧ＶCC1または第２の電源電圧ＶCC2の少なくとも一方の電圧レベルが維持できないとき、偽の書換えコマンドを禁止して保護する。
【０２１６】
上記第１,第２のロックアウト信号のいずれもが出力されておらず、かつ、書換えコマンドを受けたとき、書換え制御回路３３aは、電源電圧確認回路４４にポーリング信号を出力する。そのポーリング信号に応じて、電源電圧確認回路４４は、第１の電源電圧ＶCC1および第２の電源電圧ＶCC2の電圧レベルを示す信号を書換え制御回路３３aに出力する。そして、その信号に基づいて、書換え制御回路３３aは書換えコマンドを禁止するかどうか決定する。
【０２１７】
図２３は電源投入時の上記不揮発性メモリの電源電圧ＶCC1およびＶCC2の時間による変化を示している。図２３において、期間Ｔ1は、第１の電源電圧ＶCC1が第１の所定電圧としての電圧レベルＶ1より低い期間であり、期間Ｔ2は、第１の電源電圧ＶCC1が電圧レベルＶ1より高く、かつ、第２の電源電圧ＶCC2が第２の所定電圧としての電圧レベルＶ2より低い期間である。また、期間Ｔ3は、第２の電源電圧ＶCC1が電圧レベルＶ1より高く、かつ、第２の電源電圧ＶCC2が電圧レベルＶ2より高い期間である。上記電圧レベルＶ1は約２.０Ｖ、電圧レベルＶ2は約１.２Ｖである。
【０２１８】
上記期間Ｔ1では、電圧検出回路４３から第１のロックアウト信号が出力されると共に、電源電圧確認回路４４から第２のロックアウト信号が出力されるので、書換え制御回路３３aは、メモリ回路３４(図２１に示す)に対する書換えコマンドを禁止する。
【０２１９】
次に、上記期間Ｔ2では、電圧検出回路４３からの第１のロックアウト信号が出力されなくなるが、電源電圧確認回路４４から第２のロックアウト信号が出力されるので、書換え制御回路３３aは、メモリ回路３４(図２１に示す)に対する書換えコマンドを禁止する。
【０２２０】
そして、上記期間Ｔ3では、電圧検出回路４３からの第１のロックアウト信号が出力されなくなると共に、電源電圧確認回路４４からの第２のロックアウト信号が出力されなくなるので、書換え制御回路３３aは、メモリ回路３４(図２１に示す)に対する書換えコマンドを禁止する。
【０２２１】
次に、図２４は電源電圧の立ち上がり時の上記不揮発性メモリの電源電圧ＶCC1およびＶCC2の時間による変化を示している。図２４において、期間Ｔ11は、第２の電源電圧ＶCC2が電圧レベルＶ2より低い期間であり、期間Ｔ12は、第２の電源電圧ＶCC2が電圧レベルＶ2より高く、かつ、第１の電源電圧ＶCC1が電圧レベルＶ1より低い期間である。また、期間Ｔ13は、第２の電源電圧ＶCC2が電圧レベルＶ2より高く、かつ、第１の電源電圧ＶCC1が電圧レベルＶ1より高い期間である。上記電圧レベルＶ1は約２.０Ｖ、電圧レベルＶ2は約１.２Ｖである。
【０２２２】
上記期間Ｔ11では、電圧検出回路４３から第１のロックアウト信号が出力されると共に、電源電圧確認回路４４から第２のロックアウト信号が出力されるので、書換え制御回路３３aは、メモリ回路３４(図２１に示す)に対する書換えコマンドを禁止する。
【０２２３】
次に、上記期間Ｔ12では、電源電圧確認回路４４から第２のロックアウト信号が出力されなくなるが、電圧検出回路４３からの第１のロックアウト信号が出力されるので、書換え制御回路３３aは、メモリ回路３４(図２１に示す)に対する書換えコマンドを禁止する。
【０２２４】
そして、上記期間Ｔ13では、電圧検出回路４３からの第１のロックアウト信号が出力されなくなると共に、電源電圧確認回路４４からの第２のロックアウト信号が出力されなくなるので、書換え制御回路３３aは、メモリ回路３４(図２１に示す)に対する書換えコマンドを禁止する。
【０２２５】
さらに、図２５は上記不揮発性メモリの電源電圧ＶCC1およびＶCC2が同時に立ち上がるときの時間変化を示している。
【０２２６】
図２５に示すように、期間Ｔ21は、第１の電源電圧ＶCC1が電圧レベルＶ1より低く、かつ、第２の電源電圧ＶCC2が電圧レベルＶ2より低い期間であり、期間Ｔ22は、第２の電源電圧ＶCC2が電圧レベルＶ2より高く、かつ、第１の電源電圧ＶCC1が電圧レベルＶ1より低い期間である。また、期間Ｔ23は、第２の電源電圧ＶCC2が電圧レベルＶ2より高く、かつ、第１の電源電圧ＶCC1が電圧レベルＶ1より高い期間である。上記電圧レベルＶ1は約２.０Ｖ、電圧レベルＶ2は約１.２Ｖである。
【０２２７】
上記期間Ｔ21では、電圧検出回路４３から第１のロックアウト信号が出力されると共に、電源電圧確認回路４４から第２のロックアウト信号が出力されるので、書換え制御回路３３aは、メモリ回路３４(図２１に示す)に対する書換えコマンドを禁止する。
【０２２８】
次に、上記期間Ｔ22では、電源電圧確認回路４４から第２のロックアウト信号が出力されなくなるが、電圧検出回路４３からの第１のロックアウト信号が出力されるので、書換え制御回路３３aは、メモリ回路３４(図２１に示す)に対する書換えコマンドを禁止する。
【０２２９】
そして、上記期間Ｔ23では、電圧検出回路４３からの第１のロックアウト信号が出力されなくなると共に、電源電圧確認回路４４からの第２のロックアウト信号が出力されなくなるので、書換え制御回路３３aは、メモリ回路３４(図２１に示す)に対する書換えコマンドを禁止する。
【０２３０】
このように、上記第１実施形態では、微細化しても１メモリ素子あたり２ビットの記憶保持と安定した動作ができると共に、メモリセルアレイを含むメモリ回路３４に供給される電源電圧のレベル低下に起因する書換え不良などの誤動作を防止できる。
【０２３１】
また、上記電圧検出器４３の電源電圧の供給状態は、第１の電源電圧ＶCC1によって制御される。すなわち、上記第１の電源電圧ＶCC1が予め決められた電圧以上となると、電圧検出器４３をオフ状態にすることにより、消費電力を削減できる。
【０２３２】
また、上記コンパレータ４２および電圧発生回路３７への電源電圧の供給状態は、第２の電源電圧ＶCC2によって制御される。すなわち、第２の電源電圧ＶCC2が予め決められた電圧以上となると、電源電圧確認回路４４によりコンパレータ４２および電圧発生回路３７をオフ状態にすることにより、消費電力を削減できる。
【０２３３】
なお、上記第１の電源電圧ＶCC1が第１の所定電圧としての電圧レベルＶ1よりも低いとき、電圧検出器４３から電源電圧確認回路４４にプリセット信号を送ることにより、プリセットされた電源電圧確認回路４４は、第２の電源電圧ＶCC2の状態にかかわらず、コンパレータ４２および電圧発生回路３７をオン状態とすることによって、特に電源電圧が立ち上がる場合、第２の電源電圧ＶCC2の判定を速やかに行うことが可能となる。
【０２３４】
また、上記メモリ回路３４がアクティブ状態であるときにスイッチＳＷ１,ＳＷ２オンして、第１,第２の電源電圧ＶCC1,ＶCC2を供給する一方、上記メモリ回路がスタンバイ状態であるときにスイッチＳＷ１,ＳＷ２オフして、第１,第２の電源電圧ＶCC1,ＶCC2の供給を停止することにより、スタンバイ時のリーク電流に起因する消費電力を削減することができる。さらに、上記スイッチＳＷ１,ＳＷ２がオフ状態にあって電源電圧の供給が止められているとき、メモリ回路３４に対するコマンドを禁止することにより、誤動作をより確実に防止することができる。
【０２３５】
例えば、この不揮発性メモリがアクティブ状態からスタンバイ状態に移行したとき、電源電圧の供給が止められているにもかかわらず、アクティブ時の電源電圧により、電圧検出回路４３や電源電圧確認回路４４が誤った判定を行い、書換えコマンドがメモリ回路３４に与えられて動作に入るとき、電源電圧の供給が停止していることによって誤動作を防止することが可能となる。
【０２３６】
なお、上記第１実施形態では、メモリ回路３４に対する書換えコマンドのみを禁止したが、書換えコマンドだけでなく、読み出しコマンド等の他のコマンドも同様に禁止してもよい。
【０２３７】
また、上記メモリ回路３４に供給される第１の電源電圧ＶCC1が予め決められた範囲外にあるとき、電圧検出器４３からメモリ回路３４に対するコマンドを禁止する第１のロックアウト信号を出力して、メモリ回路３４に対するコマンドを禁止することによって、電源電圧確認回路４４の状態にかかわらず、速やかにメモリ回路３４に第１のロックアウト信号を伝達することが可能となり、第１のロックアウト信号の伝達の遅延に起因する誤動作を防止できる。
【０２３８】
（第１１実施形態）
上述した半導体記憶装置の応用例として、例えば、図２６に示したように、液晶パネルの画像調整用の書換え可能な不揮発性メモリが挙げられる。
【０２３９】
図２６に示す液晶パネル７０１は、液晶ドライバ７０２によって駆動される。液晶ドライバ７０２内には、半導体記憶装置としての不揮発性メモリ部７０３、ＳＲＡＭ部７０４、液晶ドライバ回路７０５がある。不揮発性メモリ部７０３は、本発明の不揮発性メモリ素子を含み、好ましくは第１０実施形態に記載の半導体記憶装置よりなる。不揮発性メモリ部７０３は外部から書換え可能な構成を有している。
【０２４０】
不揮発性メモリ部７０３に記憶された情報は、機器の電源の投入時にＳＲＡＭ部７０４に転写される。液晶ドライバ回路７０５は、必要に応じてＳＲＡＭ部７０４から記憶情報を読み出すことができる。ＳＲＡＭ部を設けることにより、記憶情報の読み出し速度を非常に高速に行なうことができる。
【０２４１】
液晶ドライバ７０２は、図２６に示すように液晶パネル７０１に外付けしてもよいが、液晶パネル７０１上に形成してもよい。
【０２４２】
液晶パネルは、各画素に多段階の電圧を与えることによって表示される階調を変えているが、与えた電圧と表示される階調との関係は製品ごとにばらつきが生じる。そのため、製品の完成後に個々の製品のばらつきを補正するための情報を記憶させ、その情報を基に補正を行なうことにより、製品間の画質を均一にすることができる。したがって、補正情報を記憶するための書換え可能な不揮発性メモリを液晶ドライバに搭載することが好ましい。この不揮発性メモリとして本発明の不揮発性メモリ素子を用いるのが好ましく、特に、本発明の不揮発性メモリ素子を集積した第１０実施形態に記載の半導体記憶装置を用いるのが好ましい。
【０２４３】
本発明のメモリ素子を液晶パネルの画像調整用の不揮発性メモリとして用いれば、液晶ドライバなどの回路との混載プロセスが容易であることから製造コストを低減することができる。また、第１０実施形態に記載の半導体記憶装置は、比較的メモリ規模が小規模で、信頼性や安定性が重視される場合に特に好適である。通常、液晶パネルの画像調整用の不揮発性メモリは、例えば、数キロバイトであり、比較的メモリ規模が小規模である。したがって、第１０実施形態に記載の半導体記憶装置を液晶パネルの画像調整用の不揮発性メモリとして用いるのが特に好ましい。
【０２４４】
（第１２実施形態）
図２７は本発明の第１２実施形態の携帯電子機器の一例としての携帯電話の概略ブロック図を示している。
【０２４５】
この携帯電話は、図２７に示すように、制御回路７４と、電池７７と、ＲＦ(無線周波数)回路７５と、表示部７２と、アンテナ７１と、信号線７３と、電力線７６とを備えている。上記制御回路７４は、上記第１実施形態の不揮発性メモリ７４aが組み込まれている。なお、制御回路７４は、同一構造の素子をメモリ素子および論理回路素子として兼用した集積回路であることが望ましい。これにより、集積回路の製造が容易になり、携帯電子機器の製造コストを特に低減することができる。
【０２４６】
このように、１メモリ素子あたり２ビットの記憶保持と暗転した動作が可能であり、かつ微細化が容易でかつ回路誤動作を防止できる不揮発性メモリ７４aを携帯電話に用いることにより、小型化と性能向上および低消費電力化が可能な携帯電話を実現することができる。
【０２４７】
また、上記第１０〜第１２実施形態では、半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、上記ゲート電極下に配置されたチャネル領域と、上記チャネル領域の両側に配置され、上記チャネル領域と逆導電型を有する拡散領域と、上記ゲート電極の両側に形成され、電荷を保持する機能を有するメモリ機能体とからなるメモリ素子をメモリセルとして用いたが、メモリセルとして用いるメモリ素子はこれに限らない。
【０２４８】
また、上記第１０〜第１２実施形態では、１メモリ素子あたり２ビットの記憶保持が可能な半導体記憶装置について説明したが、１メモリ素子あたり２ビット以上の記憶保持が可能な半導体記憶装置に本発明を適用してもよい。
【０２４９】
さらに、上記第１０実施形態では、第１,第２の電源電圧ＶCC1,ＶCC2について電源電圧確認回路４４により確認したが、この半導体記憶装置が３以上の電源電圧が供給される場合は、その３以上の電源電圧を電源電圧確認回路により確認するようにしてもよい。
【０２５０】
【発明の効果】
以上より明らかなように、本発明の半導体記憶装置およびその制御方法によれば、メモリセルアレイを含むメモリ回路に供給する電源電圧のレベルが低いことに起因する回路誤動作を防止することが可能であって、微細化しても１メモリ素子あたり２ビット以上の記憶保持と安定した動作可能であり、かつ、スタンバイ時のリーク電流に起因する消費電力を削減することが可能な半導体記憶装置を提供することができる。
【０２５１】
また、前記メモリ素子の形成プロセスは、通常のトランジスタの形成プロセスと非常に親和性が高い。それゆえ、従来技術のフラッシュメモリを不揮発性メモリ素子として用いて通常トランジスタからなる周辺回路と混載する場合と比べて、飛躍的にマスク枚数及びプロセス工数を削減することが可能となる。したがって、チップの歩留まりが向上し、コストを削減することができる。
【０２５２】
また、実施の一形態として、前記メモリ素子の有するメモリ機能体の少なくとも一部が拡散領域の一部にオーバーラップしている場合、補助ゲートなどを必要とせず、低電圧で書込み可能である。
【０２５３】
さらに、別の実施の一形態として、前記メモリ素子のゲート絶縁膜の表面と略並行な表面を有して電荷を保持する機能を有する膜とチャネル領域又は半導体層とを隔てる絶縁膜を有し、絶縁膜膜厚が、ゲート絶縁膜の膜厚より薄く、かつ０．８ｎｍ以上である場合、メモリ機能体への電荷の注入が容易となり、書換え動作の電圧を低下させることができる。
【０２５４】
このように、本発明の半導体記憶装置を構成するメモリセルの書換えは低電圧で行うことが可能であることから、電源がオンされてから電源が所望の電圧レベルに達し、システムが安定化するまでの時間が従来よりも短時間であって、本発明の回路と組み合わせると、従来よりも高速且つ安定した動作が可能となる。
【０２５５】
また、実施の一形態として、前記メモリ素子の有するメモリ機能体は、ゲート絶縁膜の表面と略並行な表面を有して電荷を保持する機能を有する膜を含む。一般的に不揮発性メモリにおいて、書換え動作を行う場合、所望の動作を行ったかどうか検証し、動作エラーを起こしたものについては、所望の動作が完了するまで書換え動作を繰り返す。しかし、従来、書換え動作を繰り返している最中に電圧低下が起こり、書換えコマンドがロックアウトされた場合、書換え動作不良のまま動作が中断することとなり、半導体記憶装置の動作が不安定となる原因となっていた。この問題は、特に、書換え動作の低電圧化に伴って、深刻なものとなってきている。前記実施の形態によれば、メモリ効果のばらつきが抑制され、書換え動作エラーが起こりにくいため、再書き換えの頻度は低くなり、また、再書換え動作の必要が生じても、これを早期に完了させることが可能となる。そのため、書換え動作を繰り返している最中に書換えコマンドをロックアウトする信号が入る確率が低くなり、安定した半導体記憶装置を実現することが可能となる。
【０２５６】
また、本発明の携帯電子機器によれば、上記半導体記憶装置または半導体記憶装置の制御方法を用いることにより、小型化と性能向上および低消費電力化が可能な携帯電子機器を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の第１実施形態の半導体記憶装置におけるメモリ素子の要部の概略断面図である。
【図２】図２（ａ），（ｂ）は上記第１実施形態の半導体記憶装置におけるメモリ素子の変形例の要部の概略断面図である。
【図３】図３は上記第１実施形態の半導体記憶装置におけるメモリ素子の書込み動作を説明するための図である。
【図４】図４は上記第１実施形態の半導体記憶装置におけるメモリ素子の書込み動作を説明するための図である。
【図５】図５は上記第１実施形態の半導体記憶装置におけるメモリ素子の消去動作を説明するための図である。
【図６】図６は上記第１実施形態の半導体記憶装置におけるメモリ素子の消去動作を説明するための図である。
【図７】図７は上記第１実施形態の半導体記憶装置におけるメモリ素子の読み出し動作を説明する図である。
【図８】図８は本発明の第２実施形態の半導体記憶装置におけるメモリ素子の要部の概略断面図である。
【図９】図９は上記第２実施形態の半導体記憶装置の要部の拡大概略断面図である。
【図１０】図１０は上記第２実施形態の半導体記憶装置の変形例の要部の拡大概略断面図である。
【図１１】図１１は上記第２実施形態の半導体記憶装置におけるメモリ素子の電気特性を示すグラフである。
【図１２】図１２は上記第２実施形態の半導体記憶装置におけるメモリ素子の変形例の要部の概略断面図である。
【図１３】図１３は本発明の第３実施形態の半導体記憶装置におけるメモリ素子の要部の概略断面図である。
【図１４】図１４は本発明の第４実施形態の半導体記憶装置におけるメモリ素子の要部の概略断面図である。
【図１５】図１５は本発明の第５実施形態の半導体記憶装置におけるメモリ素子の要部の概略断面図である。
【図１６】図１６は本発明の第６実施形態の半導体記憶装置におけるメモリ素子の要部の概略断面図である。
【図１７】図１７は本発明の第７実施形態の半導体記憶装置におけるメモリ素子の要部の概略断面図である。
【図１８】図１８は本発明の第８実施形態の半導体記憶装置におけるメモリ素子の要部の概略断面図である。
【図１９】図１９は本発明の第９実施形態の半導体記憶装置におけるメモリ素子の電気特性を示すグラフである。
【図２０】図２０は本発明の第１０実施形態の上記メモリ素子を用いた不揮発性メモリを含むシステムのブロック図である。
【図２１】図２１は図２０に示す不揮発性メモリのブロック図である。
【図２２】図２２は上記不揮発性メモリのロックアウト回路のブロック図である。
【図２３】図２３は上記不揮発性メモリの電源電圧ＶCC1およびＶCC2の時間変化を示す図である。
【図２４】図２４は上記不揮発性メモリの電源電圧ＶCC1およびＶCC2の時間変化を示す図である。
【図２５】図２５は上記不揮発性メモリの電源電圧ＶCC1およびＶCC2の時間変化を示す図である。
【図２６】図２６は本発明の第１１実施形態の半導体記憶装置を組み込んだ液晶表示装置の概略構成図である。
【図２７】図２７は本発明の第１２実施形態の携帯電子機器の一例としての携帯電話のブロック図である。
【図２８】図２８は従来のフラッシュメモリの要部の概略断面図である。
【図２９】図２９は従来のフラッシュメモリの電気特性を示すグラフである。
【符号の説明】
１…半導体基板、
２…ゲート絶縁膜、
３…ゲート電極、
４…メモリ膜、
５…ソース／ドレイン領域、
６…チャネル領域、
１１…電源部、
１２…ＣＰＵ、
１３…不揮発性メモリ、
１４…ＲＡＭ、
１５…ＲＯＭ、
１６…他の構成部品、
３１…入力バッファ、
３２…コマンドレジスタ、
３３…メモリ制御回路、
３３a…ロックアウト回路、
３３b…書換え制御回路、
３４…メモリ回路、
３５…出力バッファ、
３６…電源制御回路、
３７…電圧発生回路、
７１…アンテナ、
７２…表示部、
７３…信号線、
７４…制御回路、
７４a…不揮発性メモリ、
７５…ＲＦ回路部、
７６…電源線、
７７…電池、
１００１…メモリ素子
１１０４,１２１７,１２１７ａ…ゲート電極
１１０５ａ,１１０５ｂ…メモリ機能体
１１０７ａ,１１０７ｂ…拡散領域
１１０９…シリコン窒化膜
１２１２,１２１３…拡散領域
１１３１ａ,１１３１ｂ,１２６１,１２６２,１２６２ａ…メモリ機能体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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