(57)【要約】【課題】面記録密度テラビット／ｉｎ２超の磁気記録用媒体材料として非常に大きな一軸結晶磁気異方性を有するｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ系の媒体材料を選択し、▲１▼ナノ粒子、▲２▼３００℃以下の熱履歴工程（熱処理温度・基板温度）、▲３▼Ｌ１０−ＦｅＰｔ系のｃ軸／／媒体面直方向から約４５°傾いた方向、の３つを同時に満足できる、「ｃ軸約４５°傾斜配向ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ系ナノ粒子磁気記録媒体」を提供することにある。さらには、該磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を提供することにある。【解決手段】少なくとも、低融点酸化物Ｂ２Ｏ３マトリックス中にＬ１０−ＦｅＰｔＣｕナノ粒子が散在した構造を含み、かつ該Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕ結晶粒はｃ軸約４５°傾斜配向を有していることを特徴とする磁気記録媒体とする。【選択図】  図１
2004220671.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、低融点酸化物、或いは、低融点金属マトリックス中にＬ１０−ＦｅＰｔＣｕ系ナノ粒子が散在した構造を含み、かつ該Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕ系結晶粒は、「Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕ系のｃ軸／／媒体面直方向から約４５°傾いた方向」を満足していることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
少なくとも、低融点酸化物、或いは、低融点金属マトリックス中にＬ１０−ＦｅＰｔ系ナノ粒子が散在した構造を含み、かつ該Ｌ１０−ＦｅＰｔ系結晶粒は、「Ｌ１０−ＦｅＰｔ系のｃ軸／／媒体面直方向から約４５°傾いた方向」を満足していることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】
少なくとも、「低融点酸化物＋貴金属」、或いは、「低融点金属＋貴金属」マトリックス中にＬ１０−ＦｅＰｔ系ナノ粒子が散在した構造を含み、かつ該Ｌ１０−ＦｅＰｔ系結晶粒は、「Ｌ１０−ＦｅＰｔ系のｃ軸／／媒体面直方向から約４５°傾いた方向」を満足していることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】
請求項１から請求項３記載の低融点酸化物はＢ２Ｏ３、低融点金属はＢｉであることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】
情報を記録する請求項１から請求項４までにて請求した磁気記録媒体と、
前記情報を読み取りまたは書き込みする磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを前記磁気記録媒体上の所定の位置へ移動させるアクチュエーター手段と、前記磁気ヘッドが読み取りまたは書き込みする前記情報の送受信とアクチェーター手段の移動を制御する制御手段とを含み、構成されることを特徴とする磁気記録再生装置およびデイスクアレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ｃ軸約４５°傾斜配向Ｌ１０−ＦｅＰｔ系ナノ粒子磁気記録媒体を使用し、情報を読み書きする磁気記録再生装置（ＨＤＤ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＦｅＰｔを始めとするｏｒｄｅｒ−Ｌ１０型合金は極めて大きな一軸結晶磁気異方性Ｋｕ（≒８．０×１０７  ｅｒｇ／ｃｍ３）を有することが知られており、超高密度（面記録密度テラビット／ｉｎ２超）  ＨＤＤ媒体用材料として近年注目を集めている。これらのｏｒｄｅｒ合金が大きなＫｕを発揮するためにはｏｒｄｅｒ相を形成させる必要があるが、通常のスパッタ製膜では準安定相であるｄｉｓｏｒｄｅｒ相が形成されてしまう。ｏｒｄｅｒ相を形成させるためには、高温の基板加熱、或いは製膜後熱処理が必要とされており、ＨＤＤ媒体用材料として実用化する上で大きな障害となっている。加えて、面記録密度テラビット／ｉｎ２超のＨＤＤを実現するためには、ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０型合金のナノ粒子化（個々のＦｅＰｔ粒子をナノメートルサイズとする）、ｃ軸配向化（ｃ軸：ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔの磁化容易軸）などが必要とされている。以下、主な従来技術を紹介する。
従来技術第１群（ナノ粒子化を目的とした従来技術）：
（ａ）  非特許文献１に、Ｂ２Ｏ３マトリックス中にｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔナノ粒子を散在させた磁気記録媒体が開示されている。ガラス基板上に、スパッタリング法によりｄｉｓｏｒｄｅｒ−ＦｅＰｔ／Ｂ２Ｏ３／．．．を交互積層し、その後、５００℃−３０分のｄｉｓｏｒｄｅｒ／ｏｒｄｅｒ変態熱処理を行うことにより、上記磁気記録媒体が得られるとの記載がある。
（ｂ）  さらに、非特許文献２に、ＳｉＯ２マトリックス中にｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔナノ粒子を散在させた磁気記録媒体が開示されている。ガラス基板上に、スパッタリング法によりｄｉｓｏｒｄｅｒ−ＦｅＰｔ／ＳｉＯ２／．．．を交互積層し、その後、６５０℃−３０分のｄｉｓｏｒｄｅｒ／ｏｒｄｅｒ変態熱処理を行うことにより、上記磁気記録媒体が得られるとの記載がある。
従来技術第２群（熱処理温度・基板温度低減を目的とした従来技術）：
（ａ）  非特許文献３に、ｄｉｓｏｒｄｅｒ−ＣｏＰｔに、原子半径の異なるＳｂ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉをドープし、点欠陥・応力場を積極的に導入し、拡散の活性化を図ることにより、ｄｉｓｏｒｄｅｒ／ｏｒｄｅｒ変態熱処理温度を４００℃にまで低減できるｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＣｏＰｔ磁気記録媒体が開示されている。石英基板上に、スパッタリング法によりｄｉｓｏｒｄｅｒ−ＣｏＰｔ−（Ｓｂ、Ｓｎ、Ｐｂ、或いはＢｉ）膜を形成し、その後、４００℃−１時間のｄｉｓｏｒｄｅｒ／ｏｒｄｅｒ変態熱処理を行うことにより、上記磁気記録媒体が得られるとの記載がある。Ｓｂが最も効果的であり、本方法で得られたｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＣｏＰｔは、無配向であることが記載されている。なお、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｐｂ、或いはＢｉは、ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＣｏＰｔとは非固溶のため、ｄｉｓｏｒｄｅｒ−  ＣｏＰｔ−（Ｓｂ、Ｓｎ、Ｐｂ、或いはＢｉ）→ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＣｏＰｔのｄｉｓｏｒｄｅｒ／ｏｒｄｅｒ変態時に結晶粒界に偏析するとされている。
（ｂ）  さらに、非特許文献４に、ｄｉｓｏｒｄｅｒ−ＦｅＰｔに、原子半径の異なるＣｕをドープし、点欠陥・応力場を積極的に導入し、拡散の活性化を図ることにより、ｄｉｓｏｒｄｅｒ／ｏｒｄｅｒ変態熱処理温度を３００℃にまで低減できるｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕ磁気記録媒体が開示されている。ガラス基板上に、スパッタリング法によりｄｉｓｏｒｄｅｒ−ＦｅＰｔＣｕ膜を形成し、その後、３００℃−１時間のｄｉｓｏｒｄｅｒ／ｏｒｄｅｒ変態熱処理を行うことにより、上記磁気記録媒体が得られるとの記載がある。なお、本方法で得られたｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕは、（１１１）配向を有することが記載されている。
（ｃ）  さらに、非特許文献５に、Ａｇシード層上にｄｉｓｏｒｄｅｒ−ＦｅＰｔを形成し、Ａｇ／ｄｉｓｏｒｄｅｒ−ＦｅＰｔ間の格子不整合（５．２％、Ａｇの格子定数＞ｄｉｓｏｒｄｅｒ−ＦｅＰｔの格子定数）起因の応力場導入により、拡散の活性化を図ることで、基板温度を３００℃にまで低減できるｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ磁気記録媒体が開示されている。Ｓｉ（００１）  ［１１０］基板上に、スパッタリング法によりＡｇ（００１）［１１０］シード層を形成し、その上方にＦｅＰｔを形成することで、基板温度を３００℃にまで低減できる上記磁気記録媒体が得られるとの記載がある。なお、本方法で得られたｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔは、（００１）配向、即ちｃ軸配向を有することが記載されている。
（ｄ）  さらに、非特許文献６に、Ｐｔ／Ｆｅ／．．．．を交互積層し、各層の膜厚を薄くしてカーケンドール効果を起こしやすくし、拡散の活性化を図ることにより、基板温度を２００℃にまで低減できるｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ磁気記録媒体が開示されている。ＭｇＯ（００１）基板上に、スパッタリング法によりＰｔ／Ｆｅ／．．．を交互積層することで、基板温度を２００℃にまで低減できる上記磁気記録媒体が得られるとの記載がある。なお、本方法で得られたｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔは（００１）配向、即ちｃ軸配向を有することが記載されている。
【非特許文献１】アプライド・フィジックス・レター誌、Ｖｏｌ．７７、ｐｐ．２２２５−２２２７（２０００）
【非特許文献２】アプライド・フィジックス・レター誌、Ｖｏｌ．７５、ｐｐ．３１６２−３１６４（１９９９）
【非特許文献３】アプライド・フィジックス・レター誌、Ｖｏｌ．７８、ｐｐ．１１０４−１１０６（２００１）
【非特許文献４】アプライド・フィジックス・レター誌、Ｖｏｌ．８０、ｐｐ．２１４７−２１４９（２００２）
【非特許文献５】ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス誌、Ｖｏｌ．８９、ｐｐ．７０６８−７０７０  （２００１）
【非特許文献６】アプライド・フィジックス・レター誌、Ｖｏｌ．８０、ｐｐ．２８８−２９０  （２００２）
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
面記録密度テラビット／ｉｎ２超のＨＤＤを実現するためには、非常に大きな磁気異方性ＫＵ（≒８．０×１０７  ｅｒｇ／ｃｍ３）を有するｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ系の媒体材料を選択し、▲１▼ナノ粒子、▲２▼３００℃以下の熱履歴工程（熱処理温度・基板温度）、▲３▼完全ｃ軸配向、の３つを同時に満足する、「完全ｃ軸配向ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ系ナノ粒子磁気記録媒体」を実現する必要がある。しかしながら、この３つを同時に満足できる磁気記録媒体は、なかった。
【０００４】
従来技術第１群は、ナノ粒子媒体を得ることを目的としたものであり、Ｂ２Ｏ３やＳｉＯ２マトリックス中にｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ系ナノ粒子を散在させることに成功したものである。しかしながら、熱処理温度が５００℃〜６５０℃と極めて高く、実用化困難とされている。また、Ｂ２Ｏ３やＳｉＯ２マトリックス中の個々のｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ系ナノ粒子は、ランダム配向している問題があるとされる。
【０００５】
一方、従来技術第２群は、熱処理温度・基板温度といったプロセス熱履歴最高温度の低減を目的としたものであり、添加物ドープ、Ａｇシード層の導入、Ｐｔ／Ｆｅ／．．．．交互積層などの技術により、熱処理温度・基板温度を２００℃〜４００℃にまで低減することに成功したものである。Ａｇシード層の導入、及びＰｔ／Ｆｅ／．．．．交互積層では、完全ｃ軸配向を得ることにも成功している。しかしながら、上述した従来技術第２群は、得られたｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＣｏＰｔ、或いはｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔは、ナノ粒子ではなく膜（無配向膜か高配向膜かエピタキシャル成長膜）になってしまうという問題がある。即ち、ナノ粒子ではない。
【０００６】
そこで、筆者らは、▲１▼ナノ粒子、▲２▼３００℃以下の熱履歴工程（熱処理温度・基板温度）、▲３▼完全ｃ軸配向、の３つを同時に満足する、「完全ｃ軸配向ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ系ナノ粒子磁気記録媒体」を発明し、先に特許出願した。
【０００７】
一方、近年、Ｂｅｒｔｒａｍらは、マイクロマグネシュミレーションにより、媒体の磁化容易軸の方向をヘッド記録磁界の方向から約４５°傾けた磁気記録系（具体的には、媒体の磁化容易軸の方向を、媒体面直方向から約４５°傾けた方向に揃えた磁気記録系）とすることにより、いわゆる垂直磁気記録系（媒体の磁化容易軸の方向とヘッド記録磁界の方向とが平行に揃えられている磁気記録系）と比較し、面記録密度を約４−５倍に向上させることのできることを示唆している（Ｃｅｎｔｅｒｆｏｒ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  報告会、Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ  ｏｆ  Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ，  Ｓａｎ  Ｄｉｅｇｏ，  ２００２）。
【０００８】
以下、簡単に、同公報記載の面記録密度約４−５倍に向上させることのできる理由を示す。同公報によると、媒体の磁化容易軸の方向をヘッド記録磁界の方向から約４５°傾けた磁気記録系とすることにより、媒体のスイッチング磁界を約１／２に低減できるとの記載がある。逆に言うと、ヘッド記録磁界一定のままで、媒体の異方性磁界（ＨＫ）、即ち、ＫＵを２倍にできるとの説明がある。そして、ＫＵを２倍にできた場合には、媒体の耐熱減磁性を示す物理パラメーター：ＫＵＶ／ｋＢＴを一定値に維持した状態で、Ｖを１／２にできるとの説明がある。ここで、Ｖ：媒体結晶粒の体積、ｋＢ：ボルツマン定数、Ｔ：温度、である。一方、磁気記録系のＳ／Ｎは、約（Ｌｂｉｔ／ｄ）３で記述できるとの記載がある。ここで、Ｌｂｉｔ：ビットの一辺の長さ、ｄ：結晶粒径、である。本明細書のようなナノ粒子の場合、ナノ粒子の半径をｒとすると、Ｖ≒（４／３）πｒ３で近似できる。また、ｄ＝２ｒである。従って、上述したＳ／Ｎ≒（Ｌｂｉｔ／ｄ）３に、ナノ粒子の場合のＶ＝（４／３）πｒ３＝（１／６）πｄ３を代入すると、Ｓ／Ｎ≒（１／６）π（Ｌｂｉｔ３／Ｖ）なる関係式が得られることになる。本式は、Ｖを半分にできた場合には、ビット密度を少なくとも２倍に上げられることを示唆している。その他、媒体の磁化容易軸の方向をヘッド記録磁界の方向から約４５°傾けた磁気記録系とすることにより、磁化遷移幅を狭くできるメリットなどがあり、このような効果を総合し、面記録密度を約４−５倍に向上させることができるとされている。
【０００９】
従って、先に出願した、「完全ｃ軸配向ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ系ナノ粒子磁気記録媒体」は垂直磁気記録系対応の媒体であるが、媒体の磁化容易軸の方向をヘッド記録磁界の方向から約４５°傾けた磁気記録系とすべく、ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ系ナノ粒子のｃ軸（磁化容易軸）を媒体面直方向から約４５°傾けた方向に揃え、いわゆる「ｃ軸約４５°傾斜配向Ｌ１０−ＦｅＰｔ系ナノ粒子磁気記録媒体」を実現することが出来れば、面記録密度をさらに向上させることが可能となる。即ち、「完全ｃ軸配向ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ系ナノ粒子磁気記録媒体」を用いた時に比べ、面記録密度を約４−５倍に向上させることが可能となる。
【００１０】
そこで、本発明の目的は、▲１▼ナノ粒子、▲２▼３００℃以下の熱履歴工程（熱処理温度・基板温度）、▲３▼「Ｌ１０−ＦｅＰｔ系のｃ軸／／媒体面直方向から約４５°傾いた方向」、の３つを同時に満足する、「ｃ軸約４５°傾斜配向Ｌ１０−ＦｅＰｔ系ナノ粒子磁気記録媒体」を実現することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、少なくとも、低融点酸化物、或いは、低融点金属マトリックス中にＬ１０−ＦｅＰｔＣｕ系ナノ粒子が散在した構造を含み、かつ該Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕ系結晶粒は、「Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕ系のｃ軸／／媒体面直方向から約４５°傾いた方向」を満足していることを特徴とする磁気記録媒体、とすることにより達成される。
【００１２】
また、本発明の目的は、少なくとも、低融点酸化物、或いは、低融点金属マトリックス中にＬ１０−ＦｅＰｔ系ナノ粒子が散在した構造を含み、かつ該Ｌ１０−ＦｅＰｔ系結晶粒は、「Ｌ１０−ＦｅＰｔ系のｃ軸／／媒体面直方向から約４５°傾いた方向」を満足していることを特徴とする磁気記録媒体、とすることにより達成される。
【００１３】
また、本発明の目的は、少なくとも、「低融点酸化物＋貴金属」、或いは、「低融点金属＋貴金属」マトリックス中にＬ１０−ＦｅＰｔ系ナノ粒子が散在した構造を含み、かつ該Ｌ１０−ＦｅＰｔ系結晶粒は、「Ｌ１０−ＦｅＰｔ系のｃ軸／／媒体面直方向から約４５°傾いた方向」を満足していることを特徴とする磁気記録媒体、とすることにより達成される。
【００１４】
また、本発明の目的は、上述の低融点酸化物：Ｂ２Ｏ３、低融点金属：Ｂｉであることを特徴とする磁気記録媒体、とすることにより達成される。
【００１５】
さらに、本発明は、情報を記録する上述した磁気記録媒体と、前記情報を読み取りまたは書き込みする磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを前記磁気記録媒体上の所定の位置へ移動させるアクチュエーター手段と、前記磁気ヘッドが読み取りまたは書き込みする前記情報の送受信とアクチェーター手段の移動を制御する制御手段とを含み、構成されることを特徴とする磁気記録再生装置およびデイスクアレイ装置とすることによって達成される。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、代表的な実施例を示す。
【００１７】
【実施例１】
図１は、本発明の、少なくとも、基板１００上、低融点酸化物Ｂ２Ｏ３マトリックス２００中にｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕナノ粒子５００が散在した構造を含み、かつ該ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕ結晶粒５００はｃ軸約４５°傾斜配向を有していることを特徴とする磁気記録媒体の拡大断面図である。
【００１８】
図２に、実施例１の磁気記録媒体を得る為のプロセスフローを示す。初期材料としては、低融点酸化物として融点≒２９４℃のＢ２Ｏ３を適用、磁性層として３００℃でｄｉｓｏｒｄｅｒ／ｏｒｄｅｒ変態が起こるとされるｄｉｓｏｒｄｅｒ−ＦｅＰｔＣｕ（Ｆｅ：Ｐｔ＝１：１，  Ｃｕ＝１５  ａｔ．％）を適用した。
第一過程〔図２（ａ）〕：基板上にＢ２Ｏ３／ｄｉｓｏｒｄｅｒ−ＦｅＰｔＣｕ／Ｂ２Ｏ３膜をスパッタリング法等により積層する。
第二過程〔図２（ｂ）〕：基板温度を３００℃に加熱し、維持する。数時間程度の熱処理により、ｄｉｓｏｒｄｅｒ−ＦｅＰｔＣｕはｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕにｄｉｓｏｒｄｅｒ／ｏｒｄｅｒ変態する。
第三過程〔図２（ｃ）〕：基板温度をそのまま３００℃に維持する。表面張力のバランスによりｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕは球状となる。尚、３００℃でのｄｉｓｏｒｄｅｒ／ｏｒｄｅｒ変態とｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕ球状化は同時進行と推察される。
第四過程〔図２（ｄ）〕：基板温度を３００℃に維持した状態で、面直方向から約４５°傾いた方向に磁場を印加する。磁場の大きさは、ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕの飽和磁化に必要な磁場とする。液体Ｂ２Ｏ３マトリックス中で、ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕ球を「面直方向から約４５°傾いた方向／／ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕのｃ軸」を満足するよう回転させる。ついで、本磁場を印加しながら室温まで磁場中冷却を行う。Ｂ２Ｏ３は液体から再び固体化するので、「面直方向から約４５°傾いた方向／／ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕのｃ軸」を満足した状態で全てのＬ１０−ＦｅＰｔＣｕ球は力学的にフィックスされる。
【００１９】
以上のプロセスを経ることにより、▲１▼ナノ粒子、▲２▼３００℃以下の熱履歴工程（熱処理温度・基板温度）、▲３▼Ｌ１０−ＦｅＰｔ系のｃ軸／／媒体面直方向から約４５°傾いた方向、の３つを同時に満足できる、「ｃ軸約４５°傾斜配向ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ系ナノ粒子磁気記録媒体」を作製することができる。
【００２０】
図３は、本発明の、少なくとも、基板１００上、低融点金属Ｂｉマトリックス２１０中にｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕナノ粒子５００が散在した構造を含み、かつ該ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕ結晶粒５００はｃ軸約４５°傾斜配向を有していることを特徴とする磁気記録媒体の拡大断面図である。尚、図３は図１の代案である。
【００２１】
図４に、上記代案の磁気記録媒体を得る為のプロセスフローを示す。初期材料としては、低融点金属として融点≒２７４℃のＢｉを適用、磁性層として３００℃でｄｉｓｏｒｄｅｒ／ｏｒｄｅｒ変態が起こるとされるｄｉｓｏｒｄｅｒ−ＦｅＰｔＣｕ（Ｆｅ：Ｐｔ＝１：１，  Ｃｕ＝１５  ａｔ．％）を適用、Ｂｉの酸化防止膜としてＡｌ２Ｏ３膜を適用した。
第一過程〔図４（ａ）〕：基板上にＢｉ／ｄｉｓｏｒｄｅｒ−ＦｅＰｔＣｕ／Ｂｉ／Ａｌ２Ｏ３膜をスパッタリング法等により積層する。
第二過程〔図４（ｂ）〕：基板温度を３００℃に加熱し、維持する。数時間程度の熱処理により、ｄｉｓｏｒｄｅｒ−ＦｅＰｔＣｕはｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕにｄｉｓｏｒｄｅｒ／ｏｒｄｅｒ変態する。
第三過程〔図４（ｃ）〕：基板温度をそのまま３００℃に維持する。表面張力のバランスによりｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕは球状となる。尚、３００℃でのｄｉｓｏｒｄｅｒ／ｏｒｄｅｒ変態とｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕ球状化は同時進行と推察される。
第四過程〔図４（ｄ）〕：基板温度を３００℃に維持した状態で、面直方向から約４５°傾いた方向に磁場を印加する。磁場の大きさは、ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕの飽和磁化に必要な磁場とする。液体Ｂｉマトリックス中で、ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕ球を「面直方向から約４５°傾いた方向／／ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕのｃ軸」を満足するよう回転させる。
ついで、本磁場を印加しながら室温まで磁場中冷却を行う。Ｂｉは液体から再び固体化するので、「面直方向から約４５°傾いた方向／／ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕのｃ軸」を満足した状態で全てのＬ１０−ＦｅＰｔＣｕ球は力学的にフィックスされる。
【００２２】
以上のプロセスを経ることにより、▲１▼ナノ粒子、▲２▼３００℃以下の熱履歴工程（熱処理温度・基板温度）、▲３▼Ｌ１０−ＦｅＰｔ系のｃ軸／／媒体面直方向から約４５°傾いた方向、の３つを同時に満足できる、「ｃ軸約４５°傾斜配向ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ系ナノ粒子磁気記録媒体」を作製することができる。
【００２３】
【実施例２】
図５は、本発明の、少なくとも、基板１００上、低融点酸化物Ｂ２Ｏ３マトリックス２００中にｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔナノ粒子５１０が散在した構造を含み、かつ該ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ結晶粒５１０はｃ軸約４５°傾斜配向を有していることを特徴とする磁気記録媒体の拡大断面図である。
【００２４】
図６に、実施例２の磁気記録媒体を得る為のプロセスフローを示す。初期材料としては、低融点酸化物として融点≒２９４℃のＢ２Ｏ３を適用、磁性層として２００℃でｄｉｓｏｒｄｅｒ／ｏｒｄｅｒ変態が起こるとされるＰｔ／Ｆｅ／．．．．．／Ｐｔ／Ｆｅ  １モノレイヤー交互積層膜（Ｆｅ≒１．４  Å、Ｐｔ≒２．０  Å）を適用した。
第一過程〔図６（ａ）〕：基板上にＢ２Ｏ３／Ｐｔ／Ｆｅ／．．．．／Ｐｔ／Ｆｅ／Ｂ２Ｏ３膜をスパッタリング法等により交互積層する。
第二過程〔図６（ｂ）〕：基板温度を２００℃に加熱し、維持する。数時間程度の熱処理により、Ｐｔ／Ｆｅ／．．．．／Ｐｔ／Ｆｅ交互積層膜は、相互拡散により、ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔとなる。
第三過程〔図６（ｃ）〕：基板温度を３００℃に加熱、維持する。表面張力のバランスによりｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔは球状となる。
第四過程〔図６（ｄ）〕：基板温度を３００℃に維持した状態で、面直方向から約４５°傾いた方向に磁場を印加する。磁場の大きさは、ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔの飽和磁化に必要な磁場とする。液体Ｂ２Ｏ３マトリックス中で、ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ球を「面直方向から約４５°傾いた方向／／ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔのｃ軸」を満足するよう回転させる。ついで、本磁場を印加しながら室温まで磁場中冷却を行う。Ｂ２Ｏ３は液体から再び固体化するので、「面直方向から約４５°傾いた方向／／ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔのｃ軸」を満足した状態で全てのＬ１０−ＦｅＰｔ球は力学的にフィックスされる。
【００２５】
以上のプロセスを経ることにより、▲１▼ナノ粒子、▲２▼３００℃以下の熱履歴工程（熱処理温度・基板温度）、▲３▼Ｌ１０−ＦｅＰｔ系のｃ軸／／媒体面直方向から約４５°傾いた方向、の３つを同時に満足できる、「ｃ軸約４５°傾斜配向ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ系ナノ粒子磁気記録媒体」を作製することができる。
【００２６】
図７は、本発明の、少なくとも、基板１００上、低融点金属Ｂｉマトリックス２１０中にｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔナノ粒子５１０が散在した構造を含み、かつ該ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ結晶粒５１０はｃ軸約４５°傾斜配向を有していることを特徴とする磁気記録媒体の拡大断面図である。尚、図７は図５の代案である。
【００２７】
図８に、上記代案の磁気記録媒体を得る為のプロセスフローを示す。初期材料としては、低融点金属として融点≒２７４℃のＢｉを適用、磁性層として２００℃でｄｉｓｏｒｄｅｒ／ｏｒｄｅｒ変態が起こるとされるＰｔ／Ｆｅ／．．．．．／Ｐｔ／Ｆｅ  １モノレイヤー交互積層膜（Ｆｅ≒１．４  Å、Ｐｔ≒２．０  Å）を適用、Ｂｉの酸化防止膜としてＡｌ２Ｏ３膜を適用した。
第一過程〔図８（ａ）〕：基板上にＢｉ／Ｐｔ／Ｆｅ／．．．．／Ｐｔ／Ｆｅ／Ｂｉ／Ａｌ２Ｏ３膜をスパッタリング法等により交互積層する。
第二過程〔図８（ｂ）〕：基板温度を２００℃に加熱し、維持する。数時間程度の熱処理により、Ｐｔ／Ｆｅ／．．．．／Ｐｔ／Ｆｅ交互積層膜は、相互拡散により、ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔとなる。
第三過程〔図８（ｃ）〕：基板温度を３００℃に加熱、維持する。表面張力のバランスによりｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔは球状となる。
第四過程〔図８（ｄ）〕：基板温度を３００℃に維持した状態で、面直方向から約４５°傾いた方向に磁場を印加する。磁場の大きさは、ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔの飽和磁化に必要な磁場とする。液体Ｂｉマトリックス中で、ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ球を「面直方向から約４５°傾いた方向／／ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔのｃ軸」を満足するよう回転させる。ついで、本磁場を印加しながら室温まで磁場中冷却を行う。Ｂｉは液体から再び固体化するので、「面直方向から約４５°傾いた方向／／ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔのｃ軸」を満足した状態で全てのＬ１０−ＦｅＰｔ球は力学的にフィックスされる。
以上のプロセスを経ることにより、▲１▼ナノ粒子、▲２▼３００℃以下の熱履歴工程（熱処理温度・基板温度）、▲３▼Ｌ１０−ＦｅＰｔ系のｃ軸／／媒体面直方向から約４５°傾いた方向、の３つを同時に満足できる、「ｃ軸約４５°傾斜配向ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ系ナノ粒子磁気記録媒体」を作製することができる。
【００２８】
【実施例３】
図９は、本発明の、少なくとも、基板１００上、「Ｂ２Ｏ３＋Ａｇ」マトリックス２０１中にｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔナノ粒子５１０が散在した構造を含み、かつ該ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ結晶粒５１０はｃ軸約４５°傾斜配向を有していることを特徴とする磁気記録媒体の拡大断面図である。
【００２９】
図１０に、実施例３の磁気記録媒体を得る為のプロセスフローを示す。初期材料としては、低融点酸化物として融点≒２９４℃のＢ２Ｏ３を適用、磁性層として格子不整合（５．２％、Ａｇの格子定数＞ｄｉｓｏｒｄｅｒ−ＦｅＰｔの格子定数）起因の応力場導入により、３００℃程度でｄｉｓｏｒｄｅｒ／ｏｒｄｅｒ変態が起こるとされるＡｇ／ｄｉｓｏｒｄｅｒ−ＦｅＰｔ積層膜を適用した。
第一過程〔図１０（ａ）〕：基板上にＢ２Ｏ３／Ａｇ／ｄｉｓｏｒｄｅｒ−ＦｅＰｔ／Ｂ２Ｏ３膜をスパッタリング法等により積層する。
第二過程〔図１０（ｂ）〕：基板温度を３００℃に加熱し、維持する。数時間程度の熱処理により、Ａｇ／ｄｉｓｏｒｄｅｒ−ＦｅＰｔ積層膜は、ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔに変態する。Ａｇは、ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔとは非固溶であるから、Ｂ２Ｏ３マトリックス中に排出される。第三過程〔図１０（ｃ）〕：基板温度をそのまま３００℃に維持する。表面張力のバランスによりｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔは球状となる。なお、３００℃でのｄｉｓｏｒｄｅｒ／ｏｒｄｅｒ変態とｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ球状化は同時進行と推察される。
第四過程〔図１０（ｄ）〕：基板温度を３００℃に維持した状態で、面直方向から約４５°傾いた方向に磁場を印加する。磁場の大きさは、ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔの飽和磁化に必要な磁場とする。液体Ｂ２Ｏ３マトリックス中で、ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ球を「面直方向から約４５°傾いた方向／／ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔのｃ軸」を満足するよう回転させる。ついで、本磁場を印加しながら室温まで磁場中冷却を行う。Ｂ２Ｏ３は液体から再び固体化するので、「面直方向から約４５°傾いた方向／／ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔのｃ軸」を満足した状態で全てのＬ１０−ＦｅＰｔ球は力学的にフィックスされる。
以上のプロセスを経ることにより、▲１▼ナノ粒子、▲２▼３００℃以下の熱履歴工程（熱処理温度・基板温度）、▲３▼Ｌ１０−ＦｅＰｔ系のｃ軸／／媒体面直方向から約４５°傾いた方向、の３つを同時に満足できる、「ｃ軸約４５°傾斜配向ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ系ナノ粒子磁気記録媒体」を作製することができる。
【００３０】
図１１は、本発明の、少なくとも、基板１００上、「Ｂｉ＋Ａｇ」マトリックス２１１中にｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔナノ粒子５１０が散在した構造を含み、かつ該ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ結晶粒５１０はｃ軸約４５°傾斜配向を有していることを特徴とする磁気記録媒体の拡大断面図である。尚、図１１は図９の代案である。
【００３１】
図１２に、上記代案の磁気記録媒体を得る為のプロセスフローを示す。初期材料としては、低融点金属として融点≒２７４℃のＢｉを適用、磁性層として格子不整合（５．２％、Ａｇの格子定数＞ｄｉｓｏｒｄｅｒ−ＦｅＰｔの格子定数）起因の応力場導入により、３００℃程度でｄｉｓｏｒｄｅｒ／ｏｒｄｅｒ変態が起こるとされるＡｇ／ｄｉｓｏｒｄｅｒ−ＦｅＰｔ積層膜を適用、Ｂｉの酸化防止膜としてＡｌ２Ｏ３膜を適用した。
第一過程〔図１２（ａ）〕：基板上にＢｉ／Ａｇ／ｄｉｓｏｒｄｅｒ−ＦｅＰｔ／Ｂｉ／Ａｌ２Ｏ３膜をスパッタリング法等により積層する。
第二過程〔図１２（ｂ）〕：基板温度を３００℃に加熱し、維持する。数時間程度の熱処理により、Ａｇ／ｄｉｓｏｒｄｅｒ−ＦｅＰｔ積層膜は、ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔに変態する。Ａｇは、ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔとは非固溶であるから、Ｂｉマトリックス中に排出される。第三過程〔図１２（ｃ）〕：基板温度をそのまま３００℃に維持する。表面張力のバランスによりｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔは球状となる。なお、３００℃でのｄｉｓｏｒｄｅｒ／ｏｒｄｅｒ変態とｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ球状化は同時進行と推察される。
第四過程〔図１２（ｄ）〕：基板温度を３００℃に維持した状態で、面直方向から約４５°傾いた方向に磁場を印加する。磁場の大きさは、ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔの飽和磁化に必要な磁場とする。液体Ｂｉマトリックス中で、ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ球を「面直方向から約４５°傾いた方向／／ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔのｃ軸」を満足するよう回転させる。ついで、本磁場を印加しながら室温まで磁場中冷却を行う。Ｂｉは液体から再び固体化するので、「面直方向から約４５°傾いた方向／／ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔのｃ軸」を満足した状態で全てのＬ１０−ＦｅＰｔ球は力学的にフィックスされる。
以上のプロセスを経ることにより、▲１▼ナノ粒子、▲２▼３００℃以下の熱履歴工程（熱処理温度・基板温度）、▲３▼Ｌ１０−ＦｅＰｔ系のｃ軸／／媒体面直方向から約４５°傾いた方向、の３つを同時に満足できる、「ｃ軸約４５°傾斜配向ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ系ナノ粒子磁気記録媒体」を作製することができる。
【００３２】
【実施例４】
図１３は、本発明による磁気記録媒体を用いた一実施例の磁気デイスク装置を示す図である。磁気記録装置としての磁気デイスク装置に本発明による磁気記録媒体を適用した概要を示すものである。しかしながら、本発明の磁気記録媒体は、たとえば、磁気テープ装置などのような磁気記録装置、光磁気デイスク装置にも適用することが可能である。
【００３３】
図示した磁気デイスク装置は、同心円状のトラックとよばれる記録領域にデータを記録するための、デイスク状に形成された本発明による磁気記録媒体としての磁気デイスク１０と、上記データの読み取り、書き込みを実施するための磁気ヘッド１８と、該磁気ヘッド１８を支え磁気デイスク１０上の所定位置へ移動させるアクチュエーター手段と、磁気ヘッド１８が読み取り、書き込みするデータの送受信及びアクチェータ手段の移動などを制御する制御手段とを含み構成される。
【００３４】
さらに、構成と動作について以下に説明する。少なくとも一枚の回転可能な磁気デイスク１０が回転軸１２によって支持され、駆動用モーター１４によって回転させられる。少なくとも一個のスライダー１６が、磁気デイスク１０上に設置され、該スライダー１６は、一個以上設けられており、読み取り、書き込みするための磁気ヘッド１８を支持している。
【００３５】
磁気デイスク１０が回転すると同時に、スライダー１６がデイスク表面を移動することによって、目的とするデータが記録されている所定位置へアクセスされる。スライダ１６は、ジンバル２０によってアーム２２にとりつけられる。ジンバル２０はわずかな弾力性を有し、スライダー１６を磁気デイスク１０に密着させる。アーム２２はアクチュエーター２４に取り付けられる。
【００３６】
アクチュエーター２４としてはボイスコイルモーター（以下、ＶＣＭと称す。）がある。ＶＣＭは固定された磁界中に置かれた移動可能なコイルからなり、コイルの移動方向および移動速度等は、制御手段２６からライン３０を介して与えられる電気信号によって制御される。したがって、本実施例によるアクチュエーター手段は、例えば、スライダ１６とジンバル２０とアーム２２とアクチュエーター２４とライン３０を含み構成されるものである。
【００３７】
磁気デイスクの動作中、磁気デイスク１０の回転によってスライダー１６とデイスク表面の間に空気流によるエアベアリングが生じ、それがスライダー１６を磁気デイスク１０の表面から浮上させる。したがって、磁気デイスク装置の動作中、本エアベアリングはジンバル２０のわずかな弾性力とバランスをとり、スライダー１６は磁気デイスク表面にふれずに、かつ磁気デイスク１０と一定間隔を保って浮上するように維持される。
【００３８】
通常、制御手段２６はロジック回路、メモリ、及びマイクロプロセッサなどから構成される。そして、制御手段２６は、各ラインを介して制御信号を送受信し、かつ磁気デイスク装置の種々の構成手段を制御する。例えば、モーター１４はライン２８を介し伝達されるモーター駆動信号によって制御される。
【００３９】
アクチュエーター２４はライン３０を介したヘッド位置制御信号及びシーク制御信号等によって、その関連する磁気デイスク１０上の目的とするデータートラックへ選択されたスライダー１６を最適に移動、位置決めするように制御される。
【００４０】
そして、制御信号２６は、磁気ヘッド１８が磁気デイスク１０のデータを読み取り変換した電気信号を、ライン３２を介して受信し解読する。また，磁気デイスク１０にデータとして書き込むための電気信号を、ライン３２を介して磁気ヘッド１８に送信する。すなわち、制御手段２６は、磁気ヘッド１８が読み取りまたは書き込みする情報の送受信を制御している。
【００４１】
なお、上記の読み取り、書き込み信号は、磁気ヘッド１８から直接伝達される手段も可能である。また、制御信号として例えばアクセス制御信号およびクロック信号などがある。さらに、磁気デイスク装置は複数の磁気デイスクやアクチュエーター等を有し、該アクチュエーターが複数の磁気ヘッドを有してもよい。
【００４２】
最後に、本発明に係わるｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕナノ粒子は、ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＣｏＰｔＣｕナノ粒子としても良い。さらに、本発明に係わるｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔナノ粒子は、ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＣｏＰｔナノ粒子としても良い。
【００４３】
さらに、本発明に係わるｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕナノ粒子、ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＣｏＰｔＣｕナノ粒子、ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔナノ粒子、及びｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＣｏＰｔナノ粒子中のＰｔは、他の貴金属元素Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｕで（部分）置換して構成しても良い。
【００４４】
さらに、本発明に係わる低融点金属Ｂｉは、他の低融点金属Ｓｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂで構成しても良く、これらの２元以上からなる合金で構成されても良い。
【００４５】
さらに、本発明に係わるＰｔ／Ｆｅ／．．．．Ｐｔ／Ｆｅ交互積層膜は、Ｐｔ／Ｆｅ／Ｃｕ．．．．Ｐｔ／Ｆｅ／Ｃｕ交互積層膜とし、ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕを形成させても良い、ということは言うまでもない。
【００４６】
さらに、本発明に係わる応力場導入の為に配置したＡｇは、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕで構成しても良く、これらの２元以上からなる合金で構成されても良い。言いかえると、
応力場導入の為“ｄｉｓｏｒｄｅｒ−ＦｅＰｔ系の格子定数＜貴金属の格子定数”を満足する貴金属であれば何でも良い。さらに、本発明に係わるＡｇ／ｄｉｓｏｒｄｅｒ−ＦｅＰｔ磁性積層膜は、Ａｇ／ｄｉｓｏｒｄｅｒ−ＦｅＰｔＣｕ磁性積層膜としても良い、ということは言うまでもない。
【００４７】
さらに、本発明に係わる、面直方向から約４５°傾いた方向の磁場中熱処理・冷却は、均一性を確保するため、「ディスク中心とディスク円周上の任意の一点を結ぶ方向／／  Ｌ１０−ＦｅＰｔ系のｃ軸の方位角」（尚、Ｌ１０−ＦｅＰｔ系のｃ軸の極角は約４５°）となるよう磁場中熱処理・冷却を行うと、さらに良いということは言うまでもない。
【００４８】
【発明の効果】
以上、詳述したように、▲１▼ナノ粒子、▲２▼３００℃以下の熱履歴工程（熱処理温度・基板温度）、▲３▼Ｌ１０−ＦｅＰｔ系のｃ軸／／媒体面直方向から約４５°傾いた方向、の３つを同時に満足できる、「ｃ軸約４５°傾斜配向ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ系ナノ粒子磁気記録媒体」を提供することが出来る。従って、面記録密度テラビット／ｉｎ２超用の磁気記録媒体を提供できる。さらには、テラビット／ｉｎ２超高密度磁気記録再生装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】低融点酸化物Ｂ２Ｏ３マトリックス中にｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕナノ粒子を散在させ、かつｃ軸約４５°傾斜配向Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕナノ粒子とした磁気記録媒体の拡大断面図。
【図２】図１の磁気記録媒体を得る為のプロセスフロー図。
【図３】低融点金属Ｂｉマトリックス中にｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕナノ粒子を散在させ、かつｃ軸約４５°傾斜配向Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕナノ粒子とした磁気記録媒体の拡大断面図。
【図４】図３の磁気記録媒体を得る為のプロセスフロー図。
【図５】低融点酸化物Ｂ２Ｏ３マトリックス中にｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔナノ粒子を散在させ、かつｃ軸約４５°傾斜配向Ｌ１０−ＦｅＰｔナノ粒子とした磁気記録媒体の拡大断面図。
【図６】図５の磁気記録媒体を得る為のプロセスフロー図。
【図７】低融点金属Ｂｉマトリックス中にｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔナノ粒子を散在させ、かつｃ軸約４５°傾斜配向Ｌ１０−ＦｅＰｔナノ粒子とした磁気記録媒体の拡大断面図。
【図８】図７の磁気記録媒体を得る為のプロセスフロー図。
【図９】「Ｂ２Ｏ３＋Ａｇ」マトリックス中にｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔナノ粒子を散在させ、かつｃ軸約４５°傾斜配向Ｌ１０−ＦｅＰｔナノ粒子とした磁気記録媒体の拡大断面図。
【図１０】図９の磁気記録媒体を得る為のプロセスフロー図。
【図１１】「Ｂｉ＋Ａｇ」マトリックス中にｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔナノ粒子を散在させ、かつｃ軸約４５°傾斜配向Ｌ１０−ＦｅＰｔナノ粒子とした磁気記録媒体の拡大断面図。
【図１２】図１１の磁気記録媒体を得る為のプロセスフロー図。
【図１３】本発明による磁気記録媒体を用いた実施例の磁気デイスク装置。
【符号の説明】
１０  磁気デイスク、１２  回転軸、１４  モーター、１６  スライダー、１８  磁気ヘッド、２０  ジンバル，２２  アーム、２４  アクチュエーター、２６  制御手段、２８，３０，３２  ライン、１００  基板、２００  低融点酸化物Ｂ２Ｏ３、２０１  Ｂ２Ｏ３＋Ａｇ、２１０  低融点金属Ｂｉ、２１１  Ｂｉ＋Ａｇ、５００  ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔＣｕ、５１０  ｏｒｄｅｒ−Ｌ１０−ＦｅＰｔ、６００  Ａｌ２Ｏ３酸化防止膜（アルミナ酸化防止膜）。
【図１】
2004220671.tif 000003
【図２】
2004220671.tif 000004
【図３】
2004220671.tif 000005
【図４】
2004220671.tif 000006
【図５】
2004220671.tif 000007
【図６】
2004220671.tif 000008
【図７】
2004220671.tif 000009
【図８】
2004220671.tif 000010
【図９】
2004220671.tif 000011
【図１０】
2004220671.tif 000012
【図１１】
2004220671.tif 000013
【図１２】
2004220671.tif 000014
【図１３】
2004220671.tif 000015