(57)【要約】【課題】ウェット処理およびドライ処理を高い生産性で連続して実施できる基板処理装置を提供する。【解決手段】この基板処理装置１は、ウエハＷの表面を洗浄液を用いて洗浄するための洗浄処理部２と、ウエハに対してドライ雰囲気で（処理液を用いないで）処理を行うドライ処理部３とがドッキングされてなる。洗浄処理部２は、ドライ処理部３とドッキングするためのインターフェース部１７を備えており、インターフェース部１７を介してドライ処理部３にドッキングされている。洗浄処理部２は、ウエハＷを洗浄するための２つの洗浄処理室１２ａ，１２ｂ、ならびに洗浄処理室１２ａ，１２ｂおよびドライ処理部３に対して、ウエハＷの搬入および搬出をする搬入／搬出ロボット１３を備えている。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドライ雰囲気で基板を処理するための複数のドライ処理室を備えたドライ処理部に対して、基板を受け渡し可能にドッキングできる基板処理装置であって、
ウェット雰囲気で基板を処理するための複数のウェット処理室と、
基板を搬送して、上記ウェット処理室に対して基板を搬入および搬出する搬入／搬出ロボットを備えた主搬送部と、
この主搬送部に隣接して設けられ、ドライ処理部とドッキングするためのインターフェース部とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
上記主搬送部は、搬送される基板が通る所定長の搬送路を備え、
上記インターフェース部が、上記搬送路の一端側に設けられていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
上記ウェット処理室は、上記搬送路の両側に設けられていることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
上記ウェット処理室が、基板の洗浄を行う洗浄ユニットを含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
上記ウェット処理室が、基板の一方表面に洗浄液を吐出して洗浄する片面洗浄が可能な洗浄ユニットと、基板の両面に洗浄液を吐出して洗浄する両面洗浄が可能な洗浄ユニットとを含むことを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
上記搬入／搬出ロボットが、ドライ処理部との間で基板の受け渡しをすることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
未処理および処理済みの基板を収容する基板収容部と、
この基板収容部と上記搬入／搬出ロボットとの間で基板の受け渡しをする搬送ロボットとをさらに備えたことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
上記インターフェース部が、内部を予め定められた雰囲気に置換可能な置換室と、
この置換室と上記主搬送部およびドライ処理部との間を独立して開閉可能なシャッタとを備えたことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の基板処理装置をウェット処理部として含み、
上記インターフェース部を介してこのウェット処理部にドッキングされ、ドライ雰囲気で基板を処理するための複数のドライ処理室を備えたドライ処理部をさらに含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
上記ドライ処理部が、上記主搬送部に備えられた搬入／搬出ロボットとの間で基板を受け渡し可能な受け渡しロボットをさらに含むことを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ドライ雰囲気で行う基板処理とウェット雰囲気で行う基板処理とを実施できる基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板処理には、洗浄液を用いた洗浄、エッチング液を用いたエッチングなど処理液を用いる処理（以下、「ウェット処理」という。）と、基板表面を酸化させる目的などで行う熱処理、化学蒸着法等による成膜、イオンビームなどを用いたドライエッチング、アッシングなど処理液を用いない処理（以下、「ドライ処理」という。）とがある。たとえば、半導体装置の製造工程においは、半導体基板に対して、ウェット処理とドライ処理との双方が施される。
【０００３】
この場合、ウェット処理を行う装置とドライ処理を行う装置とを別個に用意したのでは、コスト高となり、また、生産性を上げることができない。特に、これらの処理が枚葉処理である場合は、時間のロスが多くなる。
そこで、１台の装置で、ウェット処理とドライ処理とを行うことができるようにしたものがある。このような基板処理装置は、たとえば、下記特許文献１に開示されている。
【０００４】
この基板処理装置は、平面視においてほぼ正６角形の搬送チャンバ、ならびに、搬送チャンバのまわりにこの正６角形の各辺に対応する部分に沿うように、いわゆるクラスタ配置された２つの洗浄・乾燥チャンバ、３つの成膜チャンバ、および１つのローダ・アンローダを備えている。
搬送チャンバ内には、各チャンバとの間で基板の受け渡しをするメカニカルハンドが設けられている。メカニカルハンドにより、搬送チャンバを介して順次洗浄・乾燥チャンバおよび成膜チャンバに基板を搬入することにより、１台の基板処理装置で、ウェット処理である洗浄とドライ処理である成膜とを連続して行えるようになっている。また、ローダ・アンローダを介して、基板処理装置外部との間で基板の受け渡しを行うことが可能である。
【０００５】
ウェット処理を行う処理室内の雰囲気（以下、「ウェット雰囲気」という。）が、ドライ処理を行う処理室内の雰囲気（以下、「ドライ雰囲気」という。）に混入すると、ドライ処理に悪影響を及ぼす。このため、上述の基板処理装置では、搬送チャンバと洗浄・乾燥チャンバとの間に、バッファチャンバが設けられている。搬送チャンバ、バッファチャンバ、および洗浄・乾燥チャンバ内の気圧を調製することにより、洗浄・乾燥チャンバ内のウェット雰囲気が搬送チャンバを経て成膜チャンバ内に持ち込まれないようにされている。
【０００６】
【特許文献１】
特開平１０−１４４７５７号公報（図１）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、搬送チャンバのまわりに洗浄・乾燥チャンバおよび成膜チャンバがクラスタ配置された基板処理装置では、スペースの都合上、配置可能な洗浄・乾燥チャンバおよび成膜チャンバの数が限られる。この基板処理装置では、洗浄・乾燥チャンバおよび成膜チャンバの数の合計は、最大で５個である。
このため、成膜チャンバの数を増やすと洗浄・乾燥チャンバの数が少なくなるので、基板処理工程において洗浄・乾燥工程が律速になる。また、洗浄・乾燥チャンバの数を増やすと成膜チャンバの数が少なくなるので、基板処理工程において成膜工程が律速になる。したがって、成膜および洗浄を含むトータルとしての工程の生産性を、ある程度以上高くすることができなかった。
【０００８】
さらに、ローダ・アンローダを介した基板処理装置外部とのウエハの出し入れ、洗浄・乾燥チャンバに対するウエハの搬入／搬出、および成膜チャンバに対するウエハの搬入／搬出は、すべて１台のメカニカルハンドで行われる。このため、各チャンバでの洗浄・乾燥処理および成膜処理に対して、ウエハの搬入／搬出および基板処理装置外部とのウエハの出し入れが間に合わず、生産性を高くすることができない。
【０００９】
そこで、この発明の目的は、ウェット処理およびドライ処理を高い生産性で連続して実施できる基板処理装置を提供することである。
この発明の他の目的は、ドライ処理を行うためのドライ処理部とドッキングすることにより、ウェット処理およびドライ処理を高い生産性で連続して実施できるウェット処理を行うための基板処理装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の課題を解決するための請求項１記載の発明は、ドライ雰囲気で基板（Ｗ）を処理するための複数のドライ処理室（３１ａ〜３１ｄ）を備えたドライ処理部（３）に対して、基板を受け渡し可能にドッキングできる基板処理装置（２，４，７，６０）であって、ウェット雰囲気で基板を処理するための複数のウェット処理室（１２ａ，１２ｂ）と、基板を搬送して、上記ウェット処理室に対して基板を搬入および搬出する搬入／搬出ロボット（１３）を備えた主搬送部（９）と、この主搬送部に隣接して設けられ、ドライ処理部とドッキングするためのインターフェース部（１７，３７，４７）とを備えたことを特徴とする基板処理装置である。
【００１１】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この発明の基板処理装置は、インターフェース部を介して、ドライ処理部とドッキングすることにより、基板に対して、ウェット処理とドライ処理とを行うことができる。
また、ウェット処理室とドライ処理室とは、それぞれ、本発明の基板処理装置とドライ処理部とに分けて配されるので、設けることができるドライ処理室の数はウェット処理室の数には依存せず、また、設けることができるウェット処理室の数はドライ処理室の数には依存しない。たとえば、ドライ処理部が、受け渡し室のまわりに複数のドライ処理室がクラスタ配置されてなるものである場合でも、ウェット処理室を多く設けることによりドライ処理室の数が少なくなることはない。
【００１２】
したがって、この基板処理装置は、ドライ雰囲気で基板処理を行うためのドライ処理部とドッキングして、ウェット処理およびドライ処理を高い生産性で連続して実施できる。
ドライ処理部における処理は、たとえば、基板表面を酸化させる目的などで行う熱処理、化学蒸着法等による成膜、イオンビームなどを用いたドライエッチング、アッシングなどとすることができる。
【００１３】
この基板処理装置とドライ処理部との間で基板を受け渡しするための手段は、この基板処理装置に設けられていてもよく、ドライ処理部に設けられていてもよく、この基板処理装置とドライ処理部との双方に設けられていてもよい。
請求項２記載の発明は、上記主搬送部は、搬送される基板が通る所定長の搬送路（１５）を備え、上記インターフェース部が、上記搬送路の一端側に設けられていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置である。
【００１４】
この発明によれば、ドライ処理部がインターフェース部を介してドッキングされた場合、ドライ処理部は搬送路の一端側に位置する。したがって、基板処理装置内で基板の搬送を行う搬送路を利用して、ドライ処理部との間で基板の搬送を行うこともできる。
搬送路は、たとえば、直線搬送路であってもよい。
上記ウェット処理室は、上記搬送路の片側にのみ設けられていてもよく、請求項３記載のように、上記搬送路の両側に設けられていてもよい。
【００１５】
請求項３記載の発明によれば、搬送路を適当な長さとすることにより、任意の数のウェット処理室をコンパクトに配することができる。したがって、基板に対してウェット処理とドライ処理とを連続して行う場合、ウェット処理が律速になることはない。これにより、ウェット処理およびドライ処理を高い生産性で実施できる。
ウェット処理室における処理は、たとえば、洗浄処理であってもよく、この場合、請求項４記載のように、ウェット処理室が洗浄ユニット（２０ａ，２０ｂ）を含むものとすることができる。これにより、たとえば、ドライ処理前および／またはドライ処理後の洗浄を行うことができる。ここで、「洗浄」というときは、異物等を除去する目的で行うエッチングを含むものとする。
【００１６】
ウェット処理室における処理は、基板表面に形成された不所望膜を除去するためのエッチングやメッキなどであってもよい。
請求項５記載の発明は、上記ウェット処理室が、基板の一方表面に洗浄液を吐出して洗浄する片面洗浄が可能な洗浄ユニットと、基板の両面に洗浄液を吐出して洗浄する両面洗浄が可能な洗浄ユニットとを含むことを特徴とする請求項４記載の基板処理装置である。
【００１７】
たとえば、基板が半導体基板である場合、半導体基板に付着した汚染物質の種類や量、半導体基板をどの程度清浄にしなければならないかなどにより、半導体基板の洗浄方法が異なり、半導体基板を片面洗浄する場合と両面洗浄する場合とがある。
この発明の基板処理装置は、片面洗浄および両面洗浄の双方が可能であるので、上述のような様々な洗浄が可能である。洗浄ユニットは、片面洗浄専用のものと両面洗浄専用のものとが、複数のウェット処理室のうち異なるウェット処理室に配されていてもよく、片面洗浄と両面洗浄との両方を行うことができるものが、１つのウェット処理室に配されていてもよい。
【００１８】
請求項６記載の発明は、上記搬入／搬出ロボットが、ドライ処理部との間で基板の受け渡しをすることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置である。
この発明によれば、搬入／搬出ロボットにより、ウェット処理室に対する基板の搬入／搬出およびドライ処理部との間の基板の受け渡しを行うことができるので、装置の構成を単純にすることができる。
【００１９】
搬入／搬出ロボットは、ドライ処理部との間で基板を直接受け渡しできるように構成されていてもよく、載置台等を介してドライ処理部に設けられた受け渡しロボットとの間で基板を受け渡しできるように構成されていてもよい。
請求項７記載の発明は、未処理および処理済みの基板を収容する基板収容部（１９）と、この基板収容部と上記搬入／搬出ロボットとの間で基板の受け渡しをする搬送ロボット（５，６）とをさらに備えたことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置である。
【００２０】
この発明によれば、基板収容部とウェット処理室近傍との間の基板の搬送と、ウェット処理室に対する基板の搬入／搬出とは、それぞれ、搬送ロボットと搬入／搬出ロボットとに分担されて実施される。したがって、基板の処理（ウェット処理およびドライ処理）に対して、基板の搬送および搬入／搬出が律速になることはないので、生産性を高くすることができる。
搬入／搬出ロボットは、搬送路に沿う方向には移動しないものであってもよい。基板は、搬送ロボットと搬入／搬出ロボットとの間で直接受け渡しされるように構成されていてもよい。また、基板は、載置台等を含む受け渡し部を介して受け渡しされるように構成されていてもよい。すなわち、基板は、搬送ロボットまたは搬入／搬出ロボットにより、受け渡し部の載置台に載置され、搬入／搬出ロボットまたは搬出ロボットによりこの基板が受け取られるようにされてもよい。
【００２１】
請求項８記載の発明は、上記インターフェース部が、内部を予め定められた雰囲気に置換可能な置換室（３５，４５，４６）と、この置換室と上記主搬送部およびドライ処理部との間を独立して開閉可能なシャッタ（３９Ａ，３９Ｂ，５２Ａ，５２Ｂ，５３Ａ，５３Ｂ）とを備えたことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装置（４，７）である。
この発明によれば、たとえば、以下の手順に従って、主搬送部からドライ処理部へ基板を受け渡すものとすることができる。先ず、ドライ処理部側のシャッタが閉じられた状態で主搬送部側のシャッタを開いて置換室に基板を搬入し、その後、主搬送部側のシャッタを閉じて置換室を密閉する。続いて、置換室内部を予め定められた雰囲気（たとえば、窒素雰囲気）に置換してから、主搬送部側のシャッタが閉じられた状態でドライ処理部側のシャッタを開き、置換室内にある基板をドライ処理室に搬入する。
【００２２】
これにより、ドライ処理部（ドライ処理室）にウェット雰囲気が持ち込まれることを回避でき、良好にドライ処理を行うことができる。
また、必要により、ドライ処理部から主搬送部に基板を受け渡す際も、同様にして、置換室内に基板を搬入した後に、置換室内の雰囲気を置換することとしてもよい。これにより、ウェット処理室にドライ雰囲気が持ち込まれることを回避できる。
【００２３】
インターフェース部には、複数の置換室が備えられていてもよい。これら複数の置換室のそれぞれは、主搬送部側およびドライ処理部側に対して独立して開閉可能なものとすることができる。このような構成により、１つの置換室を用いて主搬送部側からドライ処理部側へ基板を受け渡ししている間に、他の置換室を用いてドライ処理部側から主搬送部側へ基板を受け渡しすることができる。これにより、ドライ処理部へウェット雰囲気が持ち込まれること（および、主搬送部側にドライ処理部内の雰囲気が持ち込まれること）を回避しつつ、主搬送部側とドライ処理部側との間で迅速に基板の受け渡しをすることができる。
【００２４】
請求項９記載の発明は、請求項１ないし８のいずれかに記載の基板処理装置をウェット処理部（２，４，７）として含み、上記インターフェース部を介してこのウェット処理部にドッキングされ、ドライ雰囲気で基板（Ｗ）を処理するための複数のドライ処理室（３１ａ〜３１ｄ）を備えたドライ処理部（３）をさらに含むことを特徴とする基板処理装置（１，３４，４４）である。
この基板処理装置によれば、請求項１ないし８のいずれかに記載の基板処理装置と同様の効果を奏することができる。
【００２５】
請求項１０記載の発明は、上記ドライ処理部が、上記主搬送部に備えられた搬入／搬出ロボットとの間で基板を受け渡し可能な受け渡しロボット（３３）をさらに含むことを特徴とする請求項９記載の基板処理装置である。
この発明によれば、ドライ処理部が独立した受け渡しロボットを備えていることにより、ウェット処理室に対する基板の搬入／搬出と、ドライ処理室に対する基板の搬入／搬出とを独立して行うことができる。
【００２６】
したがって、基板の処理（ウェット処理室およびドライ処理）に対して、基板の搬入／搬出が律速になることはないので、生産性を高くすることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下では、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図解的な平面図である。
この基板処理装置１は、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面を、洗浄液を用いて洗浄するための洗浄処理部２と、ウエハに対してドライ雰囲気で（処理液を用いないで）処理を行うドライ処理部３とがドッキングされてなる。洗浄処理部２は、ドライ処理部３とドッキングするためのインターフェース部１７を備えており、インターフェース部１７を介してドライ処理部３にドッキングされている。インターフェース部１７は、ドライ処理部３に設けられていてもよく、洗浄処理部２とドライ処理部３との双方に設けられていてもよい。
【００２８】
洗浄処理部２は、単独で図４に平面図を示す基板処理装置６０として使用することが可能である。洗浄処理部２（基板処理装置６０）は、基板処理装置１（６０）に対して未処理および処理済みのウエハを搬入および搬出するためのウエハ搬入／搬出部１９、ウエハを洗浄するための２つの洗浄処理室１２ａ，１２ｂ、ならびにウエハ搬入／搬出部１９と洗浄処理室１２ａ，１２ｂとの間でウエハを搬送するための主搬送部９を備えている。
【００２９】
ウエハ搬入／搬出部１９は、水平方向に沿う直線状の第１搬送路１４、および第１搬送路１４に沿って配列された複数（この実施形態では３つ）のカセットステージ１６を備えており、各カセットステージ１６には、ウエハＷを収容することができるカセットＣを１個ずつ載置することができる。
一方、主搬送部９は、第１搬送路１４に直交する水平方向に沿って、直線状に設けられた第２搬送路１５を備えている。この第２搬送路１５は、この実施形態では、第１搬送路１４のほぼ中間位置から延びている。第２搬送路１５の両側には、それぞれ、第１搬送路１４に隣接した流体バルブ室１１ａ，１１ｂ、および流体バルブ室１１ａ，１１ｂにそれぞれ隣接した洗浄処理室１２ａ，１２ｂが、第２搬送路１５に沿って配置されている。
【００３０】
流体バルブ室１１ａ，１１ｂには、洗浄処理室１２ａ，１２ｂ等で用いられる処理液やガスの流れを制御するためのバルブが配置されている。洗浄処理室１２ａ，１２ｂは、内部に洗浄ユニット２０ａ，２０ｂを備えており、各洗浄ユニット２０ａ，２０ｂは、洗浄液を用いてウエハＷ表面を枚葉処理により洗浄できる。洗浄処理室１２ａ，１２ｂおよび流体バルブ室１１ａ，１１ｂが、第１搬送路１４の両側に振り分けて配置されていることにより、この基板処理装置１はコンパクトになっている。
【００３１】
第１搬送路１４には、この第１搬送路１４に沿って移動可能なインデクサロボット６が設けられており、第２搬送路１５には、この第２搬送路１５に沿って移動可能な補助搬送ロボット５が設けられている。インデクサロボット６は、カセットステージ１６に載置されたカセットＣにアクセスしてウエハＷの出し入れを行うことができるとともに、補助搬送ロボット５との間でウエハＷの受け渡しが可能である。
【００３２】
主搬送部９において、第２搬送路１５の第１搬送路１４側とは反対側には、水平方向には移動しない搬入／搬出ロボット１３が配置されている。搬入／搬出ロボット１３は、伸縮自在のアーム（たとえば、多関節アーム）を有してウエハＷの受け渡しが可能であり、また、鉛直軸線まわりの回転および昇降が可能である。これにより、搬入／搬出ロボット１３は、洗浄処理室１２ａ，１２ｂに対するウエハＷの搬入および搬出、ならびに補助搬送ロボット５との間のウエハＷの受け渡しが可能である。
【００３３】
洗浄処理室１２ａ，１２ｂは、平面視において、長方形の１つの角部を切り欠いて得られる５角形の形状を有している。洗浄処理室１２ａ，１２ｂにおけるこの５角形の斜辺に対応する部分には、シャッタ１２Ｓが備えられた隔壁１２Ａが設けられており、洗浄処理室１２ａ，１２ｂと主搬送部９とは、この隔壁１２Ａにより隔てられている。シャッタ１２Ｓは、通常閉じられており、これにより、洗浄処理室１２ａ，１２ｂ内の雰囲気と主搬送部９内の雰囲気とが隔てられている。搬入／搬出ロボット１３が洗浄処理室１２ａ，１２ｂに対してウエハＷの搬入／搬出を行うときは、隔壁１２Ａのシャッタ１２Ｓが開かれる。
【００３４】
主搬送部９において、第２搬送路１５側とは反対側には、シャッタ１８が備えられたインターフェース部１７が設けられている。
ドライ処理部３は、受け渡し室３０と、そのまわりに、いわゆるクラスタ配置された４つのドライ処理室３１ａ〜３１ｄとを備えている。受け渡し室３０は８枚の隔壁により側壁が形成されており、平面視において８角形の形状を有している。
【００３５】
インターフェース部１７は、受け渡し室３０の１枚の隔壁に結合されている。インターフェース部１７に備えられたシャッタ１８は通常閉じられており、これにより、洗浄処理部２の雰囲気とドライ処理部３の雰囲気とが隔てられている。
ドライ処理室３１ａ〜３１ｄは、インターフェース部１７が結合された隔壁、ならびに、この隔壁に隣接および対向する隔壁を除く４枚の隔壁３１Ａに結合されている。隔壁３１Ａは、それぞれシャッタ３１Ｓを備えている。これらのシャッタ３１Ｓは、通常閉じられており、これにより、受け渡し室３０内の雰囲気とドライ処理室３１ａ〜３１ｄ内の雰囲気とが隔てられている。ドライ処理室３１ａ〜３１ｄは、それぞれドライ処理ユニット３２ａ〜３２ｄを内部に備えている。
【００３６】
ドライ処理ユニット３２ａ〜３２ｄは、いずれも、ドライ雰囲気でウエハＷの処理を行うことができ、たとえば、基板表面を酸化させる目的などで行う熱処理、化学蒸着法等による成膜、イオンビームなどを用いたドライエッチング、アッシングを行うことができる。各ドライ処理ユニット３２ａ〜３２ｄで行う処理は、互いに異なっていてもよく、一部または全部が同じであってもよい。
受け渡し室３０内には、搬入／搬出ロボット１３との間のウエハＷの受け渡し、ならびに、ドライ処理室３１ａ〜３１ｄに対するウエハＷの搬入および搬出を行う受け渡しロボット３３が配置されている。受け渡しロボット３３が、搬入／搬出ロボット１３との間でウエハＷの受け渡しを行うとき、インターフェース部１７のシャッタ１８が開かれる。また、受け渡しロボット３３が、ドライ処理室３１ａ〜３１ｄに対して、ウエハＷの搬入／搬出を行うときは、隔壁３１Ａのシャッタ３１Ｓが開かれる。
【００３７】
この基板処理装置１では、１枚のウエハＷに対して洗浄処理部２での洗浄とドライ処理部３でのドライ雰囲気の処理（以下、「ドライ処理」という。）とを連続して行うことができる。たとえば、洗浄処理部２は、洗浄処理室１２ａ，１２ｂにおいて、ドライ処理部３でのドライ処理の前洗浄または後洗浄として、ウエハＷの両面洗浄を行うものとすることができる。洗浄処理室１２ａ，１２ｂでは、たとえば、互いに同じ処理を平行して行うものとすることができる。
【００３８】
洗浄処理は、たとえば、ウエハＷの両面に、アンモニア（ＮＨ３）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、および水（Ｈ２Ｏ）の混合溶液を吐出した後、フッ酸（ＨＦ）および塩酸（ＨＣｌ）の混合水溶液、またはフッ酸単独の水溶液を吐出して行う処理とすることができる。また、ウエハＷの両面に、オゾン（Ｏ３）水を吐出した後、フッ酸水溶液を吐出して洗浄してもよい。これらの洗浄により、ウエハＷ表面に付着したパーティクルおよび金属汚染を良好に除去することができる。
【００３９】
また、洗浄処理は、バッファドフッ酸水溶液（フッ酸、フッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）、および水の混合溶液）やフッ酸水溶液を単独で用いて行ってもよく、目的に応じてこれらの洗浄液を任意に選択するものとすることができる。
受け渡し室３０のまわりにはドライ処理を行う処理室（ドライ処理室３１ａ〜３１ｄ）のみが配されており、ウェット雰囲気（処理液を用いる処理室内の雰囲気）での処理（以下、「ウェット処理」という。）を行う処理室（洗浄処理室１２ａ，１２ｂ）は配されていない。したがって、従来の基板処理装置のように搬送チャンバのまわりにドライ雰囲気での処理を行う処理室（成膜チャンバ）とウェット処理を行う処理室（洗浄・乾燥チャンバ）とが配置された場合と比べて、受け渡し室３０のまわりに配置することができるドライ処理室３１ａ〜３１ｄの数を多くすることができる。
【００４０】
また、洗浄処理室１２ａ，１２ｂは、ドライ処理部３と分けられて洗浄処理部２に配置されている。洗浄処理が律速になる場合は、洗浄処理室の数を多くしてもよい。たとえば、第２搬送路１５を長くし、第２搬送路１５に沿って洗浄処理室１２ａ，１２ｂを多く設けてもよい。この場合は、たとえば、補助搬送ロボット５が洗浄処理室１２ａ，１２ｂに対する搬入／搬出も行うものとすることができる。このように、本発明の基板処理装置１では、ウェット処理を行う処理室およびドライ処理を行う処理室の数の制約が少ない。
【００４１】
さらに、カセットＣ、洗浄処理室１２ａ，１２ｂ、およびドライ処理室３１ａ〜３１ｄに対するウエハＷの搬入／搬出は、それぞれ、別のロボット、すなわち、インデクサロボット６、搬入／搬出ロボット１３、および受け渡しロボット３３により行われるので、ウェット雰囲気の処理およびドライ雰囲気の処理に対して、搬入／搬出が律速になることもない。
以上の理由により、この基板処理装置１は、ウェット処理およびドライ処理を高い生産性で連続して実施できる。
【００４２】
また、洗浄処理室１２ａ，１２ｂとドライ処理室３１ａ〜３１ｄとの間には、隔壁１２Ａ、インターフェース部１７、および隔壁３１Ａが存在し、それぞれに設けられたシャッタ１２Ｓ，１８，３１Ｓは、ウエハＷの受け渡し時にのみ開かれる。したがって、洗浄処理室１２ａ，１２ｂとドライ処理３１ａ〜３１ｄとを良好に雰囲気分離することができる。隔壁１２Ａのシャッタ１２Ｓとインターフェース部１７のシャッタ１８とが同時に開かないようにすることが好ましく、インターフェース部１７のシャッタ１８と隔壁３１Ａのシャッタ３１Ｓとが同時に開かないようにすることが好ましい。
【００４３】
さらに、カセットＣとウェット処理室１２ａ，１２ｂ近傍との間のウエハＷの搬送と、ウェット処理室１２ａ，１２ｂに対するウエハＷの搬入／搬出とは、それぞれ、インデクサロボット６および補助搬送ロボット５と搬入／搬出ロボット１３とに分担されて実施される。したがって、ウエハＷの処理（洗浄処理およびドライ処理）に対して、ウエハＷの搬送および搬入／搬出が律速になることはないので、生産性を高くすることができる。
【００４４】
図２は、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図解的な平面図である。図１の基板処理装置１の構成要素に対応する構成要素には、図２に図１の場合と同一符号を付して説明を省略する。
この基板処理装置３４は、ウエハＷの表面を洗浄液を用いて洗浄するための洗浄処理部４と、ウエハＷに対してドライ雰囲気で処理を行うドライ処理部３とがドッキングされてなる。洗浄処理部４は、ドライ処理部３とドッキングするためのインターフェース部３７を備えており、インターフェース部３７を介してドライ処理部３にドッキングされている。洗浄処理部４は、単独で、ウエハＷの表面を洗浄液を用いて洗浄する基板処理装置として使用可能である。
【００４５】
インターフェース部３７は、主搬送部９において、搬入／搬出ロボット１３に対して第２搬送路１５側とは反対側に設けられている。インターフェース部３７は、置換室３５を含んでいる。置換室３５の内部には、ウエハＷを載置するための載置台３８が配置されている。
置換室３５には、主搬送部９に対して開閉可能なシャッタ３９Ａを有する隔壁３６Ａと、ドライ処理部３の受け渡し室３０に対して開閉可能なシャッタ３９Ｂを有する隔壁３６Ｂとが備えられている。隔壁３６Ａのシャッタ３９Ａと隔壁３６Ｂのシャッタ３９Ｂとは、独立して開閉可能であり、シャッタ３９Ａ，３９Ｂをともに閉じることにより、置換室３５をほぼ密閉された状態とすることができる。置換室３５には、図示しない不活性ガス供給源から不活性ガス（たとえば、窒素ガス）を供給して、内部の雰囲気を不活性ガスに置換可能である。
【００４６】
搬入／搬出ロボット１３および受け渡しロボット３３はともに、載置台３８にウエハＷを載置することが可能であるとともに、載置台３８に載置されたウエハＷを置換室３５から搬出することが可能である。
この基板処理装置３４によれば、洗浄処理部４からドライ処理部３へウエハＷを受け渡す際は、以下の手順に従うこととすることができる。先ず、隔壁３６Ｂのシャッタ３９Ｂを閉じた状態で隔壁３６Ａのシャッタ３９Ａを開き、搬入／搬出ロボット１３により、ウエハＷを載置台３８の上にウエハＷを載置する。続いて、シャッタ３９Ａを閉じた後、置換室３５内の雰囲気を不活性ガスで置換する。その後、シャッタ３９Ｂを開いて受け渡しロボット３３により、載置台３８に載置されたウエハＷを置換室３５から搬出する。
【００４７】
これにより、洗浄処理室１２ａ，１２ｂでの洗浄処理に伴うウェットな雰囲気を、ドライ処理部３に持ち込むことを回避でき、ドライ処理室３１ａ〜３１ｄで良好にドライ処理を行うことができる。
また、必要により、ドライ処理部３から洗浄処理部４にウエハＷを受け渡す際も、同様にして、置換室３５にウエハＷを搬入した後、置換室３５内部の雰囲気を不活性ガスで置換することとしてもよい。ドライ処理部３で特殊なガスを使用する場合など、このようなガスが洗浄処理部４に持ち込まれて、洗浄処理等に影響を与えることを回避できる
置換室３５には、さらに真空ポンプ等の排気手段が接続されていてもよい。この場合、置換室３５内のガスを排気した後、不活性ガスを導入することにより、置換室３５内の雰囲気を迅速かつ効率的に不活性ガスに置換できる。
【００４８】
図３は、本発明の第３の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図解的な平面図である。図１の基板処理装置１の構成要素に対応する構成要素には、図３に図１の場合と同一符号を付して説明を省略する。
この基板処理装置４４は、ウエハＷの表面を洗浄液を用いて洗浄するための洗浄処理部７と、ウエハＷに対してドライ雰囲気で処理を行うドライ処理部３とがドッキングされてなる。洗浄処理部７は、ドライ処理部３とドッキングするためのインターフェース部４７を備えており、インターフェース部４７を介してドライ処理部３にドッキングされている。洗浄処理部７は、単独で、ウエハＷの表面を洗浄液を用いて洗浄する基板処理装置として使用可能である。
【００４９】
インターフェース部４７は、主搬送部９において、搬入／搬出ロボット１３に対して第２搬送路１５側とは反対側に設けられている。インターフェース部４７は、２つの置換室４５，４６を含んでいる。置換室４５，４６の内部には、ウエハＷを載置するための載置台４８，４９がそれぞれ配されている。
置換室４５，４６には、主搬送部９に対して開閉可能なシャッタ５２Ａ，５３Ａを有する隔壁５０Ａ，５１Ａと、ドライ処理部３の受け渡し室３０に対して開閉可能なシャッタ５２Ｂ，５３Ｂを有する隔壁５０Ｂ，５１Ｂとがそれぞれ備えられている。隔壁５０Ａのシャッタ５２Ａと隔壁５０Ｂのシャッタ５２Ｂとは、独立して開閉可能であり、シャッタ５２Ａ，５２Ｂをともに閉じることにより、置換室４５をほぼ密閉された状態とすることができる。同様に、隔壁５１Ａのシャッタ５３Ａと隔壁５１Ｂのシャッタ５３Ｂとは、独立して開閉可能であり、シャッタ５３Ａ，５３Ｂをともに閉じることにより、置換室４６をほぼ密閉された状態とすることができる。
【００５０】
置換室４５，４６には、図示しない不活性ガス供給源から不活性ガス（たとえば、窒素ガス）を供給して、置換室４５，４６内部の雰囲気を不活性ガスに置換可能である。
搬入／搬出ロボット１３および受け渡しロボット３３はともに、載置台４８，４９にウエハＷを載置することが可能であるとともに、載置台４８，４９に載置されたウエハＷを置換室４５，４６から搬出することが可能である。
【００５１】
この基板処理装置４４によれば、置換室４５，４６を、図２の基板処理装置３４の置換室３７と同様に用いることにより、ドライ処理部３へウェットな雰囲気が持ち込まれることを回避できる。さらに、ドライ処理部３内の雰囲気が洗浄処理部７内に持ち込まれることが好ましくない場合は、主搬送部９側にドライ処理部３内の雰囲気が持ち込まれることを回避できる。
また、１つの置換室４５（４６）を用いて主搬送部９側からドライ処理部３側へウエハＷを受け渡ししている間に、他の置換室４６（４５）を用いてドライ処理部３から主搬送部９側へウエハＷを受け渡しすることができる。これにより、主搬送部９側とドライ処理部３側との間で迅速にウエハＷの受け渡しをすることができる。
【００５２】
本発明は、以上の実施形態に限定されるものではなく、他の形態でも実施できる。たとえば、専用の搬入／搬出ロボット１３を廃して、補助搬送ロボット５が洗浄処理室１２ａ，１２ｂに対するウエハＷの搬入／搬出やドライ処理部３との間のウエハＷの受け渡しを行うように構成されていてもよい。
また、補助搬送ロボット５に代えて、載置台（受け渡し台）を含む受け渡し部が備えられていてもよい。すなわち、ウエハＷは、インデクサロボット６または搬入／搬出ロボット１３により、受け渡し部の載置台に載置され、搬入／搬出ロボット１３またはインデクサロボット６により載置台上のウエハＷが受け取られるようにされてもよい。さらに、補助搬送ロボット５を廃して、インデクサロボット６と搬入／搬出ロボット１３との間で、直接ウエハＷが受け渡しされるようにしてもよい。
【００５３】
洗浄処理室１２ａと洗浄処理室１２ｂとは、互いに種類が異なる洗浄処理を実施可能なものであってもよい。この場合、一方の洗浄処理室１２ａ（１２ｂ）がウエハＷの片面洗浄が可能なものであり、他方の洗浄処理室１２ｂ（１２ａ）がウエハＷの両面洗浄が可能なものであってもよい。ウエハＷの処理工程において、ウエハＷに付着した汚染物質の種類や量、ウエハＷをどの程度清浄にしなければならないかなどにより、ウエハＷの洗浄方法が異なり、ウエハＷを片面洗浄する場合と両面洗浄する場合とがある。洗浄処理室１２ａ，１２ｂをそれぞれ片面洗浄および両面洗浄が可能なものとすることにより、目的に応じたウエハＷの洗浄を実施することができる。
【００５４】
洗浄処理室１２ａ，１２ｂは、第２搬送路１５の片側に配されていてもよい。洗浄処理部２（ウェット処理部）には、洗浄処理室１２ａ，１２ｂの一部または全部を置き換えて、または、洗浄処理室１２ａ，１２ｂに加えて、ウエハＷ表面に形成された不所望膜を除去するためのエッチング処理を行うエッチング処理室や、メッキを行うメッキ処理室が設けられていてもよい。第２搬送路１５を長くすることにより、必要な数の洗浄処理室を配置することが可能である。
【００５５】
洗浄処理部２，４，７には、複数のインターフェース部１７，３７，４７が設けられていてもよく、この場合、洗浄処理部２，４，７に複数のドライ処理部３がドッキングされていてもよい。基板処理装置６０には、複数のインターフェース部１７，３７，４７が設けられていてもよく、この場合、基板処理装置６０に複数のドライ処理部３をドッキングできる。
第４の実施形態の基板処理装置６０において、インターフェース１７の代わりに、第２の実施形態の基板処理装置３４のインターフェース部３７や第３の基板処理装置４４のインターフェース部４７を設けることも可能である。これらの場合、インターフェース部３７，４７を介してドライ処理部３をドッキングすることにより、第２または第３の実施形態に係る基板処理装置３４，４４が得られ、基板処理装置３４，４４と同様の効果を奏することができる。
【００５６】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図解的な平面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図解的な平面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図解的な平面図である。
【図４】本発明の第４の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図解的な平面図である。
【符号の説明】
１，３４，４４，６０　　基板処理装置
２，４，７　　洗浄処理部
３　　ドライ処理部
５　　補助搬送ロボット
６　　インデクサロボット
９　　主搬送部
１２ａ，１２ｂ　　洗浄処理室
１３　　搬入／搬出ロボット
１４　　第１搬送路
１５　　第２搬送路
１６　　カセットステージ
１７，３７，４７　　インターフェース部
１８，３９Ａ，３９Ｂ，５２Ａ，５２Ｂ，５３Ａ，５３Ｂ　　シャッタ
１９　　ウエハ搬入／搬出部
２０ａ，２０ｂ　　洗浄ユニット
３０　　受け渡し室
３１ａ〜３１ｄ　ドライ処理室
３３　　受け渡しロボット
３５，４５，４６　　置換室
Ｃ　　カセット
Ｗ　　ウエハ
【図１】
2004119628.tif 000003
【図２】
2004119628.tif 000004
【図３】
2004119628.tif 000005
【図４】
2004119628.tif 000006