(57)【要約】【課題】セラミック成形体を焼成する際にその膨張にクラックの発生を防止できる焼成カーブを提供する。【解決手段】セラミック成形体を室温から昇温させた時のセラミック成形体の各温度での膨張率を測定して第１の膨張率関数とし、第１の膨張率を測定したセラミック成形体を再度室温から昇温させた時のセラミック成形体の各温度での膨張率を第２の膨張率関数とし、上記第１および第２の膨張率関数とを比較し、第２の膨張率関数の傾きに対して第１の膨張率関数の傾きが２倍以上となる膨張率急変化温度域を検出し、さらに同組成の別のセラミック成形体を準備し、室温から昇温させセラミック成形体の脱脂終了温度を測定し、膨張率急変化温度域が脱脂終了温度以降にある場合、上記膨張率急変化温度域の焼成速度を１００℃／時間未満の焼成温度カーブで焼成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主成分であるセラミック粉末にバインダーを添加混合した後、所定形状に成形してセラミック成形体を得、該セラミック成形体を所定の焼成カーブで焼成するセラミック体の製造方法であって、該焼成カーブを決定するため、第１工程として、セラミック成形体を室温から昇温させ、各温度での膨張率を測定して、焼成収縮を開始する温度である収縮開始温度を測定し、
第２工程として、同組成の別のセラミック成形体を準備し、室温から上記収縮開始温度まで昇温させ、各温度と膨張率の関係を測定し、Ｘ軸を温度、Ｙ軸を膨張率として第１の膨張率関数を求め、
第３工程として、第１の膨張率関数を測定したバインダーが完全に蒸発したセラミック成形体を再度室温から収縮開始温度まで昇温させ、上記同様に各温度での膨張率を測定し、第２の膨張率関数を求め、
第４工程として、上記第１の膨張率関数および第２の膨張率関数とを比較し、第２の膨張率関数の傾きに対して、第１の膨張率関数の傾きが２倍以上となる膨張率急変化温度域を検出し、
第５工程として、さらに同組成の別のセラミック成形体を準備し、室温から昇温させ、セラミック成形体に含まれるバインダーが完全に蒸発して重量減少量が０となる脱脂終了温度を測定し、
上記第１〜第４工程によって検出された膨張率急変化温度域が、第５工程によって測定された脱脂終了温度以降にある場合、上記膨張率急変化温度域の焼成速度を他の温度域における昇温速度より小さく、且つ１００℃／時間未満とすることを特徴とするセラミック体の製造方法。
【請求項２】
上記第１の膨張率関数は、室温から収縮開始温度までの温度上昇にともない、順に１番目の急膨張、急収縮、２番目の急膨張を有し、上記膨張率急変化温度域が２番目の急膨張の温度域であることを特徴とする請求項１に記載のセラミック体の製造方法。
【請求項３】
上記セラミック粉末の平均粒径が７０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のセラミック体の製造方法。
【請求項４】
上記セラミック体が誘電体セラミックスを主成分とすることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のセラミック体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミック体の製造方法において、セラミック成形体を焼成する際の焼成カーブを膨張率の測定によって決定する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
種々のセラミック原料を所定形状に成形してセラミック成形体を得、該セラミック成形体を焼成してセラミック体を得るが、得られたセラミック体にクラックが生じる場合がある。
【０００３】
焼成工程においてクラックが生じる原因として、一般にセラミック成形体は無機物であるセラミック粉末とバインダーである有機物の混合物のバインダーであり、上記バインダーが熱分解し蒸発する時に体積膨張を伴うが、上記バインダーが蒸発する温度域の昇温速度が大きいと急激に体積膨張するためにクラックが発生する。また、焼成工程の冷却速度が速いとセラミック成形体の外側のみが早く冷却され内側と外側の温度差が大きくなり熱膨張差が大きくなりクラックが発生する。
【０００４】
通常バインダーが蒸発する時の急激な体積膨張によるクラックは、粒界破壊が発生し、冷却速度が速いために発生するクラックは粒内破壊が発生する。粒界破壊が発生する場合、即ち、バインダーが蒸発する時の急激な体積膨張によるクラックの対策として、焼成開始からセラミック成形体に含有するバインダーの熱分解温度までの昇温速度を熱分解温度から焼結温度までの昇温速度より小さくする方法が一般的である。
【０００５】
先ず、図２に示すようにバインダーを添加したセラミック成形体を室温から所定の昇温速度で加熱し、熱天秤や示差熱分析によってセラミック成形体の各温度での重量と発熱量を調査し、セラミック成形体に含まれるバインダーが完全に蒸発し、重量変化が０となる脱脂終了温度を測定して、上記急激な重量減少や急激な発熱、吸熱が発生する温度付近の昇温速度を小さくしたり、急激な重量減少や急激な発熱や吸熱が発生する温度より５〜２０℃程度低い温度で焼成温度を保持することが用いられている。
【０００６】
例えばメチルセルロースを主とするバインダーの場合、図３（ａ）に示すようにバインダーの脱脂終了温度である２００℃までを昇温速度８０〜９０℃／時で加熱し、２００℃から焼結温度までの昇温速度を１００〜１２０℃／時として加熱し、バインダーが蒸発する時の急激な体積膨張を防止してクラックの発生を防止する方法がある（特許文献１参照）。
【０００７】
また、冷却速度が速いために発生するクラック対策としては、図３（ｂ）に示すような冷却速度を小さくした焼成温度カーブを設定すればよい。
【０００８】
【特許文献１】
特開平１−２４９６６５
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記従来のようにセラミック成形体の各温度での重量減小量と発熱量を調査した後、焼成カーブを設定した場合においても、クラックの発生を防止することができない場合があった。
【００１０】
これは、セラミック成形体が体積膨張した際の歪により生じるクラックは、セラミック成形体の重量減少の変化と体積膨張とが等しい温度域で発生していると考えていたためであり、実際にはバインダーが蒸発する温度はおよそ１３０〜３５０℃であるが、バインダーが蒸発する温度より高い温度でも急激な膨張率変化が発生する温度があるためと考えられる。しかし、従来の焼成カーブにおいては、この膨張率の変化を考慮できていなかったため、クラックの発生が完全に防止できないという欠点を有していた。
【００１１】
また、特に電気特性を重要とする微粉原料粉末を使用する誘電体材料では、セラミック成形体の粒子が小さいことで成形体内部の粒界の隙間が小さなり、その結果、バインダーが蒸発しにくくなるためバインダーの分解が遅延し炭化しやすくなると考えられ、特にクラックの発生が多いという欠点を有していた。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明のセラミック体の製造方法は、主成分であるセラミック粉末にバインダーを添加混合した後、所定形状に成形してセラミック成形体を得、該セラミック成形体を所定の焼成カーブで焼成するセラミック体の製造方法であって、該焼成カーブを決定するため、
第１工程として、セラミック成形体を室温から昇温させ、各温度での膨張率を測定して、焼成収縮を開始する温度である収縮開始温度を測定し、
第２工程として、同組成の別のセラミック成形体を準備し、室温から上記収縮開始温度まで昇温させ、各温度と膨張率の関係を測定し、Ｘ軸を温度、Ｙ軸を膨張率として第１の膨張率関数を求め、
第３工程として、第１の膨張率関数を測定したバインダーが完全に蒸発したセラミック成形体を再度室温から収縮開始温度まで昇温させ、上記同様に各温度での膨張率を測定し、第２の膨張率関数を求め、
第４工程として、上記第１の膨張率関数および第２の膨張率関数とを比較し、第２の膨張率関数の傾きに対して、第１の膨張率関数の傾きが２倍以上となる膨張率急変化温度域を検出し、
第５工程として、さらに同組成の別のセラミック成形体を準備し、室温から昇温させ、セラミック成形体に含まれるバインダーが完全に蒸発して重量減少量が０となる脱脂終了温度を測定し、
上記第１〜第４工程によって検出された膨張率急変化温度域が、第５工程によって測定された脱脂終了温度以降にある場合、上記膨張率急変化温度域の焼成速度を他の温度域における昇温速度より小さく、且つ１００℃／時間未満とすることを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明のセラミック体の製造方法は、上記第１の膨張率関数は、室温から収縮開始温度までの温度上昇にともない、順に１番目の急膨張、急収縮、２番目の急膨張を有し、上記膨張率急変化温度域が２番目の急膨張の温度域であることを特徴とする。
【００１４】
さらに、本発明のセラミック体の製造方法は、上記セラミック粉末の平均粒径が７０μｍ以下であることを特徴とする。
【００１５】
またさらに、本発明のセラミック体の製造方法は、上記セラミック体が誘電体セラミックスを主成分とすることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００１７】
本発明のセラミック体の製造方法は、主成分である誘電体セラミックス、アルミナセラミックス、コージライトセラミックス、フォルステライトセラミックス等のセラミック粉末にバインダーを添加混合した後、所定形状に成形してセラミック成形体を得、該セラミック成形体を所定の焼成カーブで焼成するセラミック体の製造方法であって、該焼成カーブを決定するため、予めセラミック成形体の膨張率を測定し、急激に膨張率が変化する温度域における昇温速度を他の温度域の昇温速度より小さくすることでセラミック体にクラックが生じるのを有効に防止できるものである。
【００１８】
即ち、従来のセラミック成形体の焼成カーブを決定する方法では、セラミック成形体を加熱し、各温度における重量変化を元に焼成カーブを決定していたが、本発明の製造方法ではバインダーが分解され、重量減少量が０となった温度以降の温度域においてもセラミック成形体の膨張率が急激に変化する温度域を有していることを見つけ出し、その膨張にともなってセラミック体にクラックが発生するため、この急膨張の温度域を考慮して焼成カーブを決定することでクラックの発生を大幅に減少させるものである。
【００１９】
ここで、Ｂａ−Ｔｉ系誘電体セラミック（比誘電率３４〜３６）を例にとって上記焼成カーブを決定する方法を詳細に説明する。
【００２０】
先ず、Ｂａ−Ｔｉ系誘電体セラミック（比誘電率３４〜３６）に、バインダーとしてポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、ポリビニールアルコール（ＰＶＡ）、アクリル共重合体水溶液等を混合した原料を、粉末プレス成形機を用いてセラミック成形体を得る。
第１工程として、熱膨張測定器（ＴＭＡ測定器）に装着できる大きさに形成した上記セラミック成形体を分析機器内に装着し、室温から昇温しながら図１（ａ）に示すように、各温度でのセラミック成形体の膨張率を測定し、焼成収縮を開始する温度である収縮開始温度Ｔ１（＝９００℃）を測定する。
【００２１】
第２工程として、熱膨張測定器に装着できる大きさに形成した同組成の別のセラミック成形体を準備し、室温から上記収縮開始温度Ｔ１より低い温度、例えば１００℃低い８００℃まで昇温させ、図１（ｂ）に示すようにＸ軸を温度、Ｙ軸を膨張率として各温度と膨張率の関係を測定し、第１の膨張率関数▲１▼を得る。
【００２２】
ここで、第１の膨張率を測定するセラミック成形体はバインダーが含まれているものを使用する。
なお、第１、第２工程の膨張率の測定は熱膨張測定器を使用すればよい。また、セラミック成形体は使用する分析機器により定められた大きさとする。さらに、セラミック成形体は生密度によりバインダーの蒸発の仕方が異なる場合があるため、セラミック成形体の生密度は、実際のものと同じ生密度となるように調整することが好ましい。
【００２３】
第３工程として、第１の膨張率関数を測定した後のバインダーが蒸発したセラミック成形体を再度室温から第２工程における測定温度の最高である８００℃まで昇温させ、上記同様にセラミック成形体の膨張率を測定し図１（ｃ）に示すような第２の膨張率関数▲２▼を得る。
【００２４】
なお、第３工程において第２の膨張率関数▲２▼を測定したセラミック成形体は、第２工程において第１の膨張率関数▲１▼を測定したセラミック成形体を使用することが重要であり、これによって第３工程においてセラミック成形体のバインダーは既に蒸発しているため、バインダーを含んでいないセラミック粉末のみに起因する膨張率関数を求めることができる。
【００２５】
また、上記第２、第３工程において、膨張率の測定温度を室温から８００℃としているが、これは８００℃まで昇温しておけば残留する炭素が蒸発するためである。但し、セラミック成形体に含まれるバインダーやセラミック粉末の組成や粒度により収縮開始温度が異なるため収縮開始温度以下でなければならない。これは、収縮したセラミック成形体で第２の膨張率関数を測定した場合、収縮していないセラミック成形体の膨張率と異なる値となる可能性があるためである。
【００２６】
そのため、第２、第３工程における測定温度範囲は、最高では第１工程において測定した収縮開始温度Ｔ１未満まで、最低でも膨張関数▲１▼において膨張率が一定の割合で上昇することを確認できる温度までとし、温度上昇に伴う膨張率の変化を正確に測定することが重要である。
【００２７】
第４工程として、上記第１の膨張率関数▲１▼および第２の張率関数▲２▼とを比較するため、各関数を示すグラフを重ね合わせ図１（ｄ）に示すようなグラフを得る。そして、第２の膨張率関数▲２▼の傾きに対して、第１の膨張率関数▲１▼の傾きが２倍以上となる膨張率急変化温度域を検出する。ここでは１００〜２００℃のＡ区間及び４００〜４５０℃のＣ区間となり、図１（ｄ）において、Ａ区間とＣ区間は、セラミック成形体が急膨張していることを表し、Ｂ区間がセラミック成形体が急収縮していることを表す。
【００２８】
なお、上記第１膨張率関数▲１▼、第２膨張率関数▲２▼における傾きは、＋のみに限定され、急収縮をしている２００〜４００℃のＢ区間は、傾きが−２倍以上となっているため、上記膨張率急変化温度域から外れる。これは、クラックの発生は膨張時の歪み（応力）と考えられるため、Ｂ区間における急収縮は焼結時の収縮と同様にクラックの発生には影響しないと考えられるためである。
【００２９】
第５工程として、さらに同組成の別のセラミック成形体を準備し、室温から昇温させ、熱天秤または示差熱分析によってセラミック成形体の重量減少量が０となる温度、即ち脱脂終了温度である３５０℃を測定して図２（ａ）に示すようなグラフを得る。
【００３０】
次に上記第１〜第４工程によって検出された膨張率急変化温度域が、第５工程によって測定された脱脂終了温度の３５０℃以降にあるか否かを見る。この場合、図１（ｄ）に示すように膨張率急変化温度域であるＡ区間１００〜２００℃及びＣ区間４００〜４５０℃のうち後者のＣ区間の膨張率急変化温度域が脱脂終了温度以降にあることから、４００〜４５０℃を含む温度域、例えば３５０〜５００℃の昇温速度をその前後の昇温速度に比べて小さくして、且つ１００℃／時未満した図２（ｂ）に示すような焼成カーブとする。
【００３１】
なお、上記脱脂終了温度以降にある膨張率急変化温度域における昇温速度は、１００℃／時未満、より好ましくは５０℃／時未満、または、温度保持することが望ましい。
【００３２】
このように、バインダーが熱分解し蒸発する温度より高い温度で膨張や収縮が起こるのは、バインダーが蒸発した時に炭素が残留し、その炭素がバインダーの蒸発する温度より高い温度で蒸発するために、その温度域において再び急膨張が生じると考えられる。
【００３３】
このように、セラミック成形体に含有したバインダーが熱分解し蒸発する温度より高い温度において、体積膨張や収縮が起こる温度域の昇温速度をその前後の昇温速度に比べて小さくすることにより、バインダーの熱分解する温度に起因した焼成カーブでは防止できなかった、急激な膨張や収縮が緩和されることになりクラックの発生を防止できると考えられる。
【００３４】
このようなセラミック体の製造方法は、セラミック粉末の平均粒径が７０μｍ以下であるセラミック体に有効に用いることができ、セラミック成形体の粒子が小さいことで成形体内部の粒界の隙間が小さなり、その結果、バインダーが蒸発しにくくなるためバインダーの分解が遅延し炭化しやすくなると考えられ、特にクラックの発生が多いという欠点を有していた。
【００３５】
また、上記セラミック体が、Ｂａ−Ｎｄ−Ｃａ−Ｔｉ系（比誘電率８０〜１２０）、Ｎｄ−Ａｌ−Ｃａ−Ｔｉ系（比誘電率４３〜４６）、Ｌａ−Ａｌ−Ｓｒ−Ｔｉ系（比誘電率３８〜４１）、Ｂａ−Ｔｉ系（比誘電率３４〜３６）、Ｂａ−Ｍｇ−Ｗ系（比誘電率２０〜２２）、Ｍｇ−Ｃａ−Ｔｉ系（比誘電率１９〜２１）等の誘電体セラミックスを主成分とするセラミック体において好適に用いることができる。これは、誘電体セラミックスに重要な電気的特性を向上させるうえで磁器密度を上げることが有効であり、セラミック成形体に用いるセラミック粉末の粒径は小さいものを用いるためである。
【００３６】
なお、本発明のセラミック体の製造方法は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。
【００３７】
【実施例】
以下、本発明の実施例を説明する。
【００３８】
（実施例１）
先ず、本発明のセラミック体の焼成方法の効果を確認するため、先ず、Ｂａ−Ｔｉ系誘電体セラミック（比誘電率３５）の材料を使用して生密度２．６ｇ／ｃｍ３にて５ｍｍ×５ｍｍ×２５ｍｍのセラミック成形体を作製した。
【００３９】
そして、上述の実施形態における図１（ａ）〜（ｄ）に示す熱膨張グラフ及び脱脂終了温度グラフを得るため、各工程にて測定した。
【００４０】
先ず、この成形体を熱膨張測定器に装着した後、室温〜８００℃まで１００℃／時間の昇温速度で昇温させ、収縮開始温度を測定した。
【００４１】
次に、同組成、同生密度、同寸法の別のセラミック成形体を熱膨張測定器に装着した後、室温〜８００℃まで１００℃／時間の昇温速度で昇温させ、各温度における膨張率を測定し、これを第１の膨張率関数▲１▼とした。
【００４２】
次いで、室温まで冷却後、セラミック成形体を測定器より取り出さずに再度第１の膨張率関数▲１▼測定時と同一条件にて各温度における膨張率を測定し、これを第２の膨張率関数▲２▼とした。
【００４３】
上記第１の膨張率関数▲１▼と第２の膨張率関数▲２▼を図４（ａ）に示す。
【００４４】
さらに同組成、同生密度の別のセラミック成形体を準備し、熱天秤及び示差熱分析装置に装着した後、室温から８００℃まで１００℃／時間の昇温速度で昇温させ、セラミック成形体の重量減少が０となる脱脂終了温度を測定し、バインダーが蒸発する温度である脱脂終了温度（３５０℃）以上で膨張や収縮が起こっているか確認した。
【００４５】
その結果、図４（ａ）における４００〜４５０℃の温度域で急激な膨張が起こっている膨張率急変化温度域を確認した。
【００４６】
次いで、上記Ｂａ−Ｔｉ系誘電体セラミック（比誘電率３５）の材料を使用して生密度２．６ｇ／ｃｍ３にて直径３０ｍｍ×厚み１０ｍｍのセラミック成形体を１００個作製し、上記各工程によって確認した膨張率急変化温度域における昇温速度を５０℃／時間とした図４（ｂ）に示す焼成カーブＡにて焼成した。
【００４７】
また、比較例として残り５０個のセラミック成形体を図４（ｃ）に示す焼成カーブＢに示すような４００〜４５０℃の昇温速度が１００℃／時間にて焼成した。
【００４８】
そして、各焼成カーブにて焼成したセラミック体のクラックの発生の有無を顕微鏡にて確認した。
【００４９】
その結果、比較例である焼成カーブＢにおけるセラミック体におけるクラックの発生率が３％であったのが、本発明の焼成カーブＡにて焼成したセラミック体では０％と大幅に向上することが判った。
【００５０】
（実施例２）
次いで、上記実施例１と同様の方法にてＢａ−Ｍｇ−Ｗ系誘電体セラミック（比誘電率２０）の材料についても同様に実施した結果、図５（ａ）に示すように膨張率急変化温度域は３５０〜４５０℃であることを確認した。
【００５１】
次いで、上記Ｂａ−Ｍｇ−Ｗ系誘電体セラミックの材料を使用して生密度２．６ｇ／ｃｍ３にて直径３０ｍｍ×厚み１０ｍｍのセラミック成形体を１００個作製し、このうち５０個のセラミック成形体を各工程によって確認した膨張率急変化温度域における昇温速度を５０℃／時間とした図５（ｂ）に示す焼成カーブＡにて焼成した。
【００５２】
また、比較例として残り５０個のセラミック成形体を図５（ｃ）に示す焼成カーブＢに示すような膨張率急変化温度域の昇温速度が１００℃／時間にて焼成した。
【００５３】
そして、各焼成カーブにて焼成した後に得たセラミック体のクラックの発生の有無を顕微鏡にて確認した。
【００５４】
その結果、比較例である焼成カーブＢにおけるセラミック体におけるクラックの発生率が０．３％であったのが、本発明の焼成カーブＡにて焼成したセラミック体では０％と大幅に向上することが判った。
【００５５】
【発明の効果】
以上のように本発明のセラミック体の製造方法によれば、第１工程としてセラミック成形体を室温から昇温させ、各温度での膨張率を測定して、焼成収縮を開始する温度である収縮開始温度を測定し、第２工程として、同組成の別のセラミック成形体を準備し、室温から上記収縮開始温度まで昇温させ、各温度と膨張率の関係を測定し、Ｘ軸を温度、Ｙ軸を膨張率として第１の膨張率関数を求め、第３工程として、第１の膨張率関数を測定したセラミック成形体を再度室温から収縮開始温度まで昇温させ、上記同様に各温度での膨張率を測定し、第２の膨張率関数を求め、第４工程として、上記第１の膨張率関数および第２の膨張率関数とを比較し、第２の膨張率関数の傾きに対して、第１の膨張率関数の傾きが２倍以上となる膨張率急変化温度域を検出し、第５工程として、さらに同組成の別のセラミック成形体を準備し、室温から昇温させ、セラミック成形体（に含まれるバインダーが完全に蒸発し）の重量減少量が０となる脱脂終了温度を測定し、上記第１〜第４工程によって検出された膨張率急変化温度域が、第５工程によって測定された脱脂終了温度以降にある場合、上記膨張率急変化温度域の焼成速度を他の温度域における昇温速度より小さく、且つ１００℃／時間未満とすることから、セラミック体にクラックが生じるのを有効に防止できるものであり、従来のセラミック成形体の焼成カーブを決定する方法では、セラミック成形体を加熱し、各温度における重量変化を元に焼成カーブを決定していたが、本発明のセラミック体の製造方法ではバインダーが分解され、重量減少量が０となった温度以降の温度域においてもセラミック成形体の膨張率が急激に変化する温度域を有していることを見出し、その膨張にともなってセラミック体にクラックが発生することから、この膨張率急変化温度域においても昇温速度を小さくした焼成カーブを用いることでクラックの発生を大幅に減少させることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のセラミック体の製造方法における各工程の測定結果を示すグラフであり、（ａ）は各温度でのセラミック成形体の膨張率の関係および収縮開始温度を示すグラフ、（ｂ）は第１の膨張関数▲１▼を示すグラフ、（ｃ）は第２の膨張関数▲２▼を示すグラフ、（ｄ）は第１の膨張関数▲１▼と第２の膨張関数▲２▼を重ねたグラフである。
【図２】（ａ）は、セラミック成形体の各温度での重量減少量と発熱量を示すグラフ、（ｂ）は、本発明のセラミック体の焼成カーブの一実施形態を示すグラフである。
【図３】（ａ）は従来技術におけるセラミック体の焼成カーブを示すグラフ、（ｂ）は従来技術におけるセラミック体の冷却時のクラックを防止する焼成カーブを示す。
【図４】（ａ）はＢａ−Ｔｉ系誘電体セラミックからなるセラミック成形体および脱脂後のセラミック成形体の各温度における膨張率を測定したグラフを示し、（ｂ）は同図（ａ）から求めた焼成カーブＡを示すグラフ、（ｃ）は比較例の焼成カーブＢを示すグラフである。
【図５】（ａ）はＢａ−Ｍｇ−Ｗ系誘電体セラミックからなるセラミック成形体および脱脂後のセラミック成形体の各温度における膨張率を測定したグラフを示し、（ｂ）は同図（ａ）から求めた焼成カーブＡを示すグラフ、（ｃ）は比較例の焼成カーブＢを示すグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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