(57)【要約】  【課題】  中心電極と側面電極の接続信頼性が高く、かつ、製品の低背化を妨げない非可逆回路素子および通信装置を提供する。  【解決手段】  フェライト２０の上面への積層順で、第１層目の中心電極２２の両端部は、第１層目の中心電極２２の両端部の上面側に形成された絶縁膜５０，５１の開口部５０ａ，５１ａ内に形成されている充填電極２４ａ，２５ａにて電極厚みが厚くなっている。第２層目の中心電極２１の両端部は、第２層目の中心電極２１の両端部の上面側に形成された絶縁膜５１の開口部５１ｂ内に形成されている充填電極２５ｂにて電極厚みが厚くなっている。最終層目（第３層目）の中心電極２３の両端部は、最終層目の中心電極２３の両端部の下面側に形成された絶縁膜５１の開口部５１ｃ内に形成されている充填電極２４ｂ，２５ｃにて電極厚みが厚くなっている。【選択図】  図８
2004208273.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フェライトと、前記フェライトの表面に積層された複数の中心電極および絶縁膜と、前記フェライトの側面に設けられ、前記表面に設けられた中心電極に電気的に接続した複数の側面電極とを有した中心電極組立体を備え、
前記フェライトの表面の中心電極は両端部の電極厚みが残りの部分より厚く、該電極厚みの厚い両端部で前記側面電極と接続していること、
を特徴とする非可逆回路素子。
【請求項２】
前記中心電極の電極厚みの厚い両端部は、前記絶縁膜の周縁部に設けた開口部に充填された導電材にて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の非可逆回路素子。
【請求項３】
前記フェライトの表面への積層順で第１層目の中心電極の両端部は、該第１層目の中心電極の両端部の上面に形成された絶縁膜の開口部に充填された導電材にて電極厚みが厚くなっていることを特徴とする請求項２に記載の非可逆回路素子。
【請求項４】
前記フェライトの表面への積層順で最終層目の中心電極の両端部は、該最終層目の中心電極の両端部の下面に形成された絶縁膜の開口部に充填された導電材にて電極厚みが厚くなっていることを特徴とする請求項３に記載の非可逆回路素子。
【請求項５】
前記中心電極は、感光性導電材料にて形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【請求項６】
前記絶縁膜は感光性絶縁材料にて形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれかに記載の非可逆回路素子を備えたことを特徴とする通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非可逆回路素子、特に、マイクロ波帯で使用されるアイソレータなどの非可逆回路素子および通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、携帯電話などの移動体通信装置に採用されるアイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子は、信号を所定の伝送方向にのみ通過させ、逆方向への伝送を阻止する機能を有している。
【０００３】
この種の非可逆回路素子は、例えば、特許文献１に記載されているように、概略、永久磁石、この永久磁石により直流磁界が印加される中心電極組立体、永久磁石や中心電極組立体を収容する金属ケースなどを備えている。
【０００４】
図１２に示すように、特許文献１の中心電極組立体２０１は、ブロック状のマイクロ波フェライト２３１と、中心電極２２１〜２２３と、絶縁膜２２６と、側面電極（スルーホール電極）２２４と、グランド電極２２５などで構成されている。
【０００５】
フェライト２３１の表面（一方の磁極面）２３１ａ上には、３対の中心電極２２１〜２２３が絶縁膜２２６を間に挟んで配置されている。中心電極２２１〜２２３の両端部は、フェライト２３１の角部で、フェライト２３１の側面２３１ｃに形成されている側面電極２２４にそれぞれ電気的に接続されている。そして、中心電極２２１〜２２３の一方の端部は側面電極２２４を介して、裏面２３１ｂの略全面に形成されているグランド電極２２５に電気的に接続されている。中心電極２２１〜２２３の他方の端部に接続されている側面電極２２４は、ポート部Ｐ１〜Ｐ３として機能する。ポート部Ｐ１〜Ｐ３は中心電極組立体２０１と外部回路とを電気的に接続するためのものである。グランド電極２２５はポート部Ｐ１〜Ｐ３との間にギャップ２２８を形成しており、ポート部Ｐ１〜Ｐ３から分離されている。
【０００６】
ここで、中心電極２２１〜２２３はＡｇなどの導電性材料からなり、スクリーン印刷の方法により形成される。側面電極２２４は、フェライト２３１に表裏貫通穴を形成し、この表裏貫通穴に導電性ペーストを充填したり、あるいは、表裏貫通穴の内壁面にめっき膜を形成したりしてスルーホールを形成した後、このスルーホールを２分割することにより形成される。
【０００７】
また、絶縁膜２２６はガラスなどからなり、スクリーン印刷の方法により形成される。絶縁膜２２６はフェライト２３１の表面２３１ａの周縁部を残して、中心電極２２１〜２２３の重なり部分を絶縁するようなパターンである。絶縁膜２２６は各中心電極２２１〜２２３相互間の層間絶縁が目的であるため、パターンニングの際の位置ずれに対して許容幅が大きく、通常のスクリーン印刷法による位置精度で十分であった。
【特許文献１】特開２００２−７６７１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１の中心電極組立体２０１は、フェライト２３１の表面２３１ａの中心電極２２１〜２２３の電極厚みが一定であり、かつ、その電極厚みは比較的薄かった。そのため、図１３の円Ａ内に示すように、側面電極２２４と中心電極２２１〜２２３の端部がそれぞれ接続している部分の接触面積が少なく、両者間の接続信頼性が低いという問題があった。
【０００９】
この対策として、中心電極２２１〜２２３全体の電極厚みを厚くして、側面電極２２４との接触面積を多くすることが提案されている。しかし、中心電極２２１〜２２３の厚膜化は従来のスクリーン印刷法では実現が困難であった。さらに、中心電極２２１〜２２３全体を厚くすると、中心電極組立体２０１の高さ寸法が大きくなり、非可逆回路素子の低背化の妨げとなった。
【００１０】
そこで、本発明の目的は、中心電極と側面電極の接続信頼性が高く、かつ、製品の低背化を妨げない非可逆回路素子および通信装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するため、本発明に係る非可逆回路素子は、
（ａ）フェライトと、フェライトの表面に積層された複数の中心電極および絶縁膜と、フェライトの側面に設けられ、表面に設けられた中心電極に電気的に接続した複数の側面電極とを有した中心電極組立体を備え、
（ｂ）フェライトの表面の中心電極は両端部の電極厚みが残りの部分より厚く、該電極厚みの厚い両端部で側面電極と接続していること、
を特徴とする。
【００１２】
中心電極の電極厚みの厚い両端部は、絶縁膜の周縁部に設けた開口部（凹部）に充填された導電材にて形成されている。より具体的には、フェライトの表面への積層順で第１層目の中心電極の両端部は、該第１層目の中心電極の両端部の上面に形成された絶縁膜の開口部（凹部）に充填された導電材にて電極厚みが厚くなっている。また、最終層目の中心電極の両端部は、該最終層目の中心電極の両端部の下面に形成された絶縁膜の開口部（凹部）に充填された導電材にて電極厚みが厚くなっている。中心電極は感光性導電材料にて形成され、絶縁膜は感光性絶縁材料にて形成されていることが好ましい。
【００１３】
中心電極は電極厚みの厚い両端部で側面電極と接続しているため、側面電極との接触面積が大きくなる。一方、中心電極の両端部以外の残り部分の電極厚みは、従来と変わらない。しかも、最終層目の中心電極の両端部の電極厚みは下側方向へ厚くなっているため、中心電極組立体の高さ寸法は従来と変わらない。
【００１４】
また、本発明に係る通信装置は、前述の特徴を有する非可逆回路素子を備えることにより、高信頼性でかつ低背化が可能となる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、中心電極は電極厚みの厚い両端部で側面電極と接続しているため、側面電極との接触面積を大きくできる。一方、中心電極の両端部以外の残り部分の電極厚みは、従来と変わらない。しかも、最終層目の中心電極の両端部の電極厚みは下側方向へ厚くなっているため、中心電極組立体の高さ寸法は従来と変わらない。この結果、接続信頼性が高く、かつ、製品の低背化を妨げない非可逆回路素子や通信装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、本発明に係る非可逆回路素子及び通信装置の実施例について添付の図面を参照して説明する。
【実施例】
【００１７】
［第１実施例、図１〜図１０］
本発明に係る非可逆回路素子の一実施例の分解斜視図を図１に示す。該非可逆回路素子１は、集中定数型アイソレータである。図１に示すように、集中定数型アイソレータ１は、概略、金属製上側ケース４と金属製下側ケース８とからなる金属ケースと、永久磁石９と、フェライト２０と中心電極２１〜２３とからなる中心電極組立体１３と、積層基板３０を備えている。
【００１８】
金属製上側ケース４は略箱形状であり、上部４ａおよび四つの側部４ｂからなる。金属製下側ケース８は、左右の側部８ｂと底部８ａからなる。金属製上側ケース４および金属製下側ケース８は磁気回路を形成するため、例えば、軟鉄などの強磁性体からなる材料で形成され、その表面にＡｇやＣｕがめっきされる。
【００１９】
中心電極組立体１３は、矩形状のマイクロ波フェライト２０の上面に３組の中心電極２１〜２３を、絶縁層（図１においては図示せず）を介在させて略１２０度ごとに交差するように配置している。本第１実施例では、中心電極２１〜２３を二つのラインで構成した。
【００２０】
この中心電極組立体１３は、以下のようにして作製される。すなわち、図２に示すように、サイズが４インチ×４インチのフェライト母基板２０の上面に一対の中心電極パターン２２を感光性厚膜印刷工法により形成する。なお、図２において、一点鎖線Ｌとその一点鎖線Ｌで囲まれた範囲Ｓは、それぞれ後述する切断位置と製品サイズ（通常、１〜３ｍｍ程度）の範囲を示す。
【００２１】
感光性厚膜印刷工法は、感光性導電ペーストをスクリーン印刷法などにより、フェライト母基板２０の上面の略全面に均一の厚さで塗布して乾燥させる。次に、フォトマスクのパターンを通して感光性導電膜を紫外線照射（露光）する。次に、露光処理した感光性導電膜に弱アルカリ性水溶液を噴射し、非露光部分をエッチング処理（現像）して中心電極２２を形成する。この後、中心電極２２を焼成して、膜厚が１０μｍ（代表値）の中心電極２２を形成する。
【００２２】
次に、中心電極２２を覆うように、感光性絶縁ペーストをスクリーン印刷法などにより、フェライト母基板２０の上面の略全面に膜状に塗布して乾燥させる。次に、フォトマスクのパターンを通して感光性絶縁膜を紫外線照射（露光）する。次に、露光処理をした感光性絶縁膜に弱アルカリ性水溶液を噴射し、非露光部分をエッチング処理（現像）して、図３に示すように、開口部（凹部）５０ａを有する絶縁膜５０を形成する。この後、絶縁膜５０を焼成して、膜厚が２０μｍ（代表値）の絶縁膜５０を形成する。開口部（凹部）５０ａには中心電極２２の両端部が露出している。
【００２３】
次に、感光性導電ペーストをフェライト母基板２０の上面の略全面に均一の厚さで塗布して乾燥させる。ただし、開口部（凹部）５０ａには感光性導電ペーストを十分に充填する。次に、フォトマスクのパターンを通して感光性導電膜を紫外線照射（露光）する。露光処理をした感光性導電膜に弱アルカリ性水溶液を噴射し、非露光部分をエッチング処理（現像）して、図４に示すように、中心電極２１および充填電極２４ａ，２４ｂを同時に形成する。充填電極２４ａは開口部（凹部）５０ａの位置、すなわち中心電極２２の両端部が配設される位置に形成され、充填電極２４ｂは絶縁膜５０上の中心電極２３の両端部が配設される位置に形成されている。
【００２４】
この後、中心電極２１および充填電極２４ａ，２４ｂを焼成して、膜厚が１０μｍ（代表値）の中心電極２１および充填電極２４ｂと、膜厚が３０μｍ（代表値）の充填電極２４ａとを形成する。中心電極２１および充填電極２４ｂは絶縁膜５０の表面上に配設され、充填電極２４ａは開口部（凹部）５０ａに露出した中心電極２２の表面上に配設されている。ただし、中心電極２１および充填電極２４ａ，２４ｂのそれぞれの上面は同じ高さを有している。
【００２５】
次に、中心電極２１および充填電極２４ａ，２４ｂを覆うように、感光性絶縁ペーストをスクリーン印刷法などにより、フェライト母基板２０の上面の略全面に膜状に塗布して乾燥させる。次に、フォトマスクのパターンを通して感光性絶縁膜を紫外線照射（露光）する。露光処理をした感光性絶縁膜に弱アルカリ性水溶液を噴射し、非露光部分をエッチング処理（現像）して、図５に示すように、開口部（凹部）５１ａ，５１ｂ，５１ｃを有する絶縁膜５１を形成する。この後、絶縁膜５１を焼成する。開口部（凹部）５１ａの左半分には中心電極２１の一方の端部が露出し、右半分には充填電極２４ａが露出している。開口部（凹部）５１ｂの左半分には充填電極２４ａが露出し、右半分には中心電極２１の他方の端部が露出している。開口部（凹部）５１ｃには充填電極２４ｂが露出している。
【００２６】
次に、感光性導電ペーストをフェライト母基板２０の上面の略全面に均一の厚さで塗布して乾燥させる。ただし、開口部（凹部）５１ａ，５１ｂ，５１ｃには感光性導電ペーストを十分に充填する。次に、フォトマスクのパターンを通して感光性導電膜を紫外線照射（露光）する。露光処理をした感光性導電膜に弱アルカリ性水溶液を噴射し、非露光部分をエッチング処理（現像）して、図６に示すように、中心電極２３および充填電極２５ａ，２５ｂ，２５ｃを同時に形成する。充填電極２５ａは開口部（凹部）５１ａの右半分の位置および開口部（凹部）５１ｂの左半分の位置、すなわち中心電極２２の両端部が配設される位置に形成されている。充填電極２５ｂは開口部（凹部）５１ａの左半分の位置および開口部（凹部）５１ｂの右半分の位置、すなわち中心電極２１の両端部が配設される位置に形成されている。充填電極２５ｃは開口部（凹部）５１ｃの位置、すなわち中心電極２３の両端部が配設される位置に形成されている。
【００２７】
この後、中心電極２３および充填電極２５ａ，２５ｂ，２５ｃを焼成して、膜厚が１０μｍ（代表値）の中心電極２３と、膜厚が３０μｍ（代表値）の充填電極２５ａ，２５ｃと、膜厚が２０μｍ（代表値）の充填電極２５ｂとを形成する。中心電極２３は絶縁膜５１の表面上に配設され、充填電極２５ａは開口部（凹部）５１ａの右半分および開口部（凹部）５１ｂの左半分に露出した充填電極２４ａの表面上に配設されている。充填電極２５ｂは開口部（凹部）５１ａの左半分および開口部（凹部）５１ｂの右半分に露出した中心電極２１の表面上に配設され、充填電極２５ｃは開口部（凹部）５１ｃに露出した充填電極２４ｂの表面上に配設されている。ただし、中心電極２３および充填電極２５ａ〜２５ｃのそれぞれの上面は同じ高さを有している。
【００２８】
こうして、フェライト母基板２０の上面に中心電極２１〜２３と充填電極２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂ，２５ｃと絶縁膜５０，５１を交互に積層する。次に、フェライト母基板２０の下面に、スクリーン印刷やスパッタリングや蒸着、貼合わせ、あるいは、めっき等の方法を用いて折り返し電極２６（図１参照）を形成する。
【００２９】
この後、フェライト母基板２０を一点鎖線Ｌで表示した位置で製品サイズ毎に切断する。切断には、レーザやダイシングなどを使用する。図７に示すように、切断されたフェライト２０の四つの側面には、それぞれ電極ペーストが転写印刷法などにより塗布、焼き付けられて側面電極２７が形成される。以上の方法により、量産性の優れた中心電極組立体１３の製造方法を得ることができる。
【００３０】
得られた中心電極組立体１３は、中心電極２１〜２３相互を絶縁状態にするため、絶縁膜５０，５１をフェライト２０と同一寸法で形成している。そして、絶縁膜５０，５１の周縁部の、中心電極２１〜２３の両端部が配設される位置に開口部（凹部）５０ａ，５１ａ，５１ｂ，５１ｃを形成している。開口部（凹部）５０ａ，５１ａ，５１ｂ，５１ｃ内には充填電極２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂ，２５ｃが形成されている。この充填電極２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂ，２５ｃを利用して、側面電極２７との接続部となる中心電極２１〜２３の両端部の電極厚みを、中心電極２１〜２３の他の部分の電極厚みより厚くしている。
【００３１】
すなわち、フェライト２０の上面への積層順で、第１層目の中心電極２２の両端部（図７において円Ａで表示した部分）は、図８の（Ａ）に示すように、第１層目の中心電極２２の両端部の上面側に形成された絶縁膜５０，５１の開口部（凹部）５０ａ，５１ａ内に形成されている充填電極２４ａ，２５ａにて電極厚みが厚くなっている。つまり、中心電極２２の両端部の電極厚みは上側方向へ厚くなっており、その厚みは７０μｍ（代表値）で、中心電極２２の他の部分の電極厚み１０μｍ（代表値）より厚くなっている。従って、中心電極２２と側面電極２７は、従来の３倍以上の接触面積で電気的に接続されることになる。
【００３２】
また、第２層目の中心電極２１の両端部（図７において円Ｂで表示した部分）は、図８の（Ｂ）に示すように、第２層目の中心電極２１の両端部の上面側に形成された絶縁膜５１の開口部（凹部）５１ｂ内に形成されている充填電極２５ｂにて電極厚みが厚くなっている。つまり、中心電極２１の両端部の電極厚みは上側方向へ厚くなっており、その厚みは４０μｍ（代表値）で、中心電極２１の他の部分の電極厚み１０μｍ（代表値）より厚くなっている。従って、中心電極２１と側面電極２７は、従来の２倍以上の接触面積で電気的に接続されることになる。
【００３３】
さらに、フェライト２０の上面への積層順で、最終層目（第３層目）の中心電極２３の両端部（図７において円Ｃで表示した部分）は、図８の（Ｃ）に示すように、最終層目の中心電極２３の両端部の下面側に形成された絶縁膜５１の開口部（凹部）５１ｃ内に形成されている充填電極２４ｂ，２５ｃにて電極厚みが厚くなっている。つまり、中心電極２３の両端部の電極厚みは下側方向へ厚くなっており、その厚みは４０μｍ（代表値）で、中心電極２２の他の部分の電極厚み１０μｍ（代表値）より厚くなっている。従って、中心電極２３と側面電極２７は、従来の２倍以上の接触面積で電気的に接続されることになる。
【００３４】
また、中心電極２１〜２３の両端部以外の残り部分の電極厚みは、従来と変わらない。しかも、最終層である中心電極２３の両端部の電極厚みは下側方向へ厚くなっているので、中心電極組立体１３の高さ寸法の増加もない。
【００３５】
また、中心電極組立体１３において、フェライト２０上に積層する中心電極２１〜２３や絶縁膜５０，５１のパターンは複雑であるが、前述のように感光性厚膜印刷工法は位置合わせ工程を含んでいるので、各層の相対的位置合わせ精度を高くできる。位置合わせは母基板の状態で行われるため、母基板サイズが変わらない限り、製品サイズが小型であっても位置合わせ精度が落ちることはない。従って、フェライトに金属箔を巻き付ける構造の中心電極組立体と比べて、製品サイズの小型化に対して製作が困難になることはない。
【００３６】
こうして、中心電極２１〜２３と側面電極２７の接続信頼性が高く、かつ、低背の中心電極組立体１３を得ることができる。
【００３７】
なお、本第１実施例の場合、絶縁膜５０，５１をフェライト２０と同一寸法で形成することにより、感光性厚膜印刷工法による製造を容易にしている。さらに、側面電極２７がフェライトのエッジ部で折れ曲がらないため、側面電極２７はエッジ部での機械的ストレスを受けず、より一層信頼性の高いアイソレータ１を得ることができる。ただし、絶縁膜５０，５１とフェライト２０は必ずしも同一寸法である必要はない。
【００３８】
積層基板３０は、図９に示すように、中心電極用接続電極Ｐ１〜Ｐ３やグランド用接続電極３１やビアホール１８を設けた誘電体シート４１と、ホット側コンデンサ電極７１ａ〜７３ａや回路用電極１７や終端抵抗Ｒなどを表面に設けた誘電体シート４２と、ホット側コンデンサ電極７１ｂ〜７３ｂなどを設けた誘電体シート４４と、グランド電極７４などをそれぞれ設けた誘電体シート４３，４５と、入力端子電極１４、出力端子電極１５、およびグランド端子電極１６などにて構成されている。
【００３９】
この積層基板３０は、以下のようにして作製される。すなわち、誘電体シート４１〜４５は、Ａｌ2Ｏ3を主成分とし、ＳｉＯ2，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＰｂＯ，Ｎａ2Ｏ，Ｋ2Ｏ，ＭｇＯ，ＢａＯ，ＣｅＯ2，Ｂ2Ｏ3のうちの１種類あるいは複数種類を副成分として含む低温焼結誘電体材料にて作製する。
【００４０】
さらに、積層基板３０の焼成条件（特に焼成温度１０００℃以下）では焼成せず、積層基板３０の基板平面方向（Ｘ−Ｙ方向）の焼成収縮を抑制する収縮抑制シート４６を作製する。この収縮抑制シート４６の材料は、アルミナ粉末および安定化ジルコニア粉末の混合材料である。シート４１〜４６の厚みは１０μｍ〜２００μｍ程度である。
【００４１】
電極Ｐ１〜Ｐ３，１４〜１７，３１，７１ａ〜７３ａ，７１ｂ〜７３ｂ，７４は、スクリーン印刷等の方法によりシート４１〜４６に形成されている。電極Ｐ１〜Ｐ３等の材料としては、抵抗率が低く、誘電体シート４１〜４５と同時焼成可能なＡｇ，Ｃｕ，Ａｇ−Ｐｄなどが用いられる。
【００４２】
終端抵抗Ｒは、スクリーン印刷等の方法により誘電体シート４２の表面に形成されている。抵抗体Ｒの材料としては、サーメット、カーボン、ルテニウムなどが使用される。
【００４３】
信号用ビアホール１８は、誘電体シート４１〜４５にレーザ加工やパンチング加工などにより、予めビアホール用孔を形成した後、そのビアホール用孔に導電ペーストを充填することにより形成される。一般に、導電ペーストの材料としては、電極Ｐ１〜Ｐ３等と同一の電極材料（Ａｇ，Ｃｕ，Ａｇ−Ｐｄなど）が用いられる。
【００４４】
コンデンサ電極７１ａ，７１ｂ、７２ａ，７２ｂ、７３ａ，７３ｂはそれぞれ、誘電体シート４２〜４４を間に挟んでグランド電極７４に対向して整合用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３を構成する。これら整合用コンデンサＣ１〜Ｃ３や終端抵抗Ｒは、電極Ｐ１〜Ｐ３，１７，３１や信号用ビアホール１８とともに、積層基板３０の内部に電気回路を構成する。
【００４５】
以上の誘電体シート４１〜４５は積層され、さらに、その上下に収縮抑制シート４６（上側の収縮抑制シートは図示せず）が積層された後、焼成される。これにより、焼結体が得られ、その後、超音波洗浄法や湿式ホーニング法によって、未焼結の収縮抑制材料を除去し、図１に示すような積層基板３０とする。
【００４６】
積層基板３０の底面には、入力端子電極１４、出力端子電極１５およびグランド端子電極１６が配設されている。信号用ビアホール１８を介して、入力端子電極１４はコンデンサ電極７１ａ，７１ｂに電気的に接続され、出力端子電極１５はコンデンサ電極７２ａ，７２ｂに電気的に接続されている。グランド端子電極１６はそれぞれ、回路用電極１７やグランド電極７４に電気的に接続されている。特に、入出力端子電極１４，１５上には、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ等の導電ペーストを塗布後、焼付けることによって突起状の厚膜電極が形成される。
【００４７】
以上の構成部品は以下のようにして組み立てられる。すなわち、図１に示すように、永久磁石９は金属製上側ケース４の天井に接着剤によって固定される。積層基板３０上には、中心電極組立体１３が、中心電極組立体１３の中心電極２１〜２３の各々の一端が積層基板３０の表面に形成された中心電極用接続電極Ｐ１〜Ｐ３にはんだ付けされ、かつ、中心電極２１〜２３の各々の他端がグランド用接続電極３１にはんだ付けされることにより、実装される。なお、中心電極２１〜２３と接続電極Ｐ１〜Ｐ３，３１とのはんだ付けは、マザーボード状態の積層基板３０に対して効率良く行なってもよい。
【００４８】
積層基板３０は金属製下側ケース８の底部８ａ上に載置され、シート４５の裏面に設けたグランド端子電極１６がはんだによって底部８ａに固定されるとともに電気的に接続される。これにより、アースを十分にとることができるので、アイソレータ１の電気特性を向上させることができる。
【００４９】
そして、金属製下側ケース８の側部８ｂと金属製上側ケース４の側部４ｂをはんだ等で接合することにより金属ケースとなり、電磁シールド、アース端子およびヨークとしても機能する。つまり、この金属ケースは、永久磁石９と中心電極組立体１３と積層基板３０を囲む磁路を形成する。また、永久磁石９はフェライト２０に直流磁界を印加する。図１０はアイソレータ１の電気等価回路図である。
【００５０】
［第２実施例、図１１］
第２実施例は、本発明に係る通信装置として、携帯電話を例にして説明する。
【００５１】
図１１は携帯電話１２０のＲＦ部分の電気回路ブロック図である。図１１において、１２２はアンテナ素子、１２３はデュプレクサ、１３１は送信側アイソレータ、１３２は送信側電力増幅器、１３３は送信側段間用帯域通過フィルタ、１３４は送信側ミキサ、１３５は受信側電力増幅器、１３６は受信側段間用帯域通過フィルタ、１３７は受信側ミキサ、１３８は電圧制御発振器（ＶＣＯ）、１３９はローカル用帯域通過フィルタである。
【００５２】
ここに、送信側アイソレータ１３１として、前記第１実施例の集中定数型アイソレータ１を用いることができる。このアイソレータ１を実装することにより、信頼性の高い携帯電話１２０を実現することができる。
【００５３】
［他の実施例］
なお、本発明は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。例えば、本発明に係る非可逆回路素子は、アイソレータ以外に、サーキュレータやカップラー内蔵の非可逆回路素子などであってもよい。
【００５４】
また、図８の（Ｂ）や（Ｃ）に示す構造に限るものではなく、絶縁層５０の中心電極２１，２３の端部が配設される位置に開口部（凹部）を形成してもよい。この場合、中心電極２１，２３の端部も、図８の（Ａ）の中心電極２２の端部と同様の電極厚みとすることができる。
【００５５】
さらに、３ポート型非可逆回路素子だけでなく、２ポート型非可逆回路素子にも適用可能である。この場合、フェライトの表面への積層順で、最終層の中心電極は第２層目の中心電極となる。従って、第２層目の中心電極は、該２層目の中心電極の両端部の下面に形成された絶縁膜の開口部（凹部）に充填された導電材にて電極厚みが厚くなっている。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明に係る非可逆回路素子の一実施例を示す分解斜視図。
【図２】図１に示した中心電極組立体の製造方法の一例を示す平面図。
【図３】図２に続く製造手順を示す平面図。
【図４】図３に続く製造手順を示す平面図。
【図５】図４に続く製造手順を示す平面図。
【図６】図５に続く製造手順を示す平面図。
【図７】図６に続く製造手順を示す斜視図。
【図８】中心電極の端部と側面電極との接続部分を示す垂直断面図。
【図９】図１に示した積層基板の分解斜視図。
【図１０】図１に示した非可逆回路素子の電気等価回路図。
【図１１】本発明に係る通信装置の一実施例を示すブロック図。
【図１２】従来の中心電極組立体を示す外観斜視図。
【図１３】従来の中心電極の端部と側面電極との接続部分を示す垂直断面図。
【符号の説明】
【００５７】
１…アイソレータ
４…金属製上側ケース
８…金属製下側ケース
９…永久磁石
１３…中心電極組立体
２０…フェライト
２１〜２３…中心電極
２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂ，２５ｃ…充填電極
２７…側面電極
５０，５１…絶縁膜
５０ａ，５１ａ，５１ｂ，５１ｃ…開口部（凹部）
１２０…携帯電話
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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