(57)【要約】      （修正有）【課題】赤色レーザーを用いて小さい記録マークサイズから信号を安定に、また低いパワーのレーザービームで再生することができる、超解像度近接場構造の記録媒体、記録方法及び再生方法、及び記録装置及び再生装置を提供する。【解決手段】ポリカーボネート層、第２誘電体層、記録パワー近所に融点を有する高軟性の第２高軟性層、硬性の第２保護層、記録層、硬性の第１保護層、記録パワー近所に融点を有する高軟性の第１高軟性層、第１誘電体層が順次積層された構成からなり、酸化白金、酸化パラジウム、或いは酸化銀の前記記録層にレーザービームが照射されて、前記記録層が熱分解され、前記記録層に白金、パラジウム、或いは銀の粒子と酸素を有する空洞が形成される時、前記第１高軟性層の方向と前記第２高軟性層の方向との両側に体積膨張されることによって書き込みをする記録がなされる。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリカーボネート層、第２誘電体層、記録パワー近所に融点を有する高軟性の第２高軟性層、硬性の第２保護層、記録層、硬性の第１保護層、記録パワー近所に融点を有する高軟性の第１高軟性層、第１誘電体層が順次積層された構成からなり、
酸化白金、酸化パラジウム、或いは酸化銀の前記記録層にレーザービームが照射されて、前記記録層が熱分解され、前記記録層に白金、パラジウム、或いは銀の粒子と酸素を有する空洞が形成される時、前記第１高軟性層の方向と前記第２高軟性層の方向との両側に体積膨張を有することを特徴とする超解像度近接場構造の記録媒体。
【請求項２】
前記第２高軟性層と前記第１高軟性層は４００℃〜７００℃の融点を有することを特徴とする請求項１に記載の超解像度近接場構造の記録媒体。
【請求項３】
前記第２高軟性層と前記第１高軟性層はＡｇｗＩｎｘＳｂｙＴｅｚ、或いはＳｂｘＴｅｙであることを特徴とする請求項２に記載の超解像度近接場構造の記録媒体。
【請求項４】
前記第２保護層と前記第１保護層はＺｎＳ−ＳｉＯ２であることを特徴とする請求項１に記載の超解像度近接場構造の記録媒体。
【請求項５】
ポリカーボネート層、第２誘電体層、記録パワー近所に融点を有する高軟性の第２高軟性層、硬性の第２保護層、記録層、硬性の第１保護層、記録パワー近所に融点を有する高軟性の第１高軟性層、第１誘電体層が順次積層された構成からなる超解像度近接場構造の記録媒体に書き込みをする記録方法であって、
酸化白金、酸化パラジウム、或いは酸化銀の前記記録層にレーザービームが照射されて、前記記録層が熱分解され、前記記録層に白金、パラジウム、或いは銀の粒子と酸素を有する空洞が形成される時、前記第１高軟性層の方向と前記第２高軟性層の方向との両側に体積膨張されることによって前記記録媒体が記録されることを特徴とする記録方法。
【請求項６】
前記第２高軟性層と前記第１高軟性層に４００℃〜７００℃の記録パワーを与えることを特徴とする請求項５に記載の記録方法。
【請求項７】
前記第２高軟性層と前記第１高軟性層はＡｇｗＩｎｘＳｂｙＴｅｚ、或いはＳｂｘＴｅｙであることを特徴とする請求項６に記載の記録方法。
【請求項８】
前記第２保護層と前記第１保護層はＺｎＳ−ＳｉＯ２であることを特徴とする請求項５に記載の記録方法。
【請求項９】
ポリカーボネート層、第２誘電体層、記録パワー近所に融点を有する高軟性の第２高軟性層、硬性の第２保護層、記録層、硬性の第１保護層、記録パワー近所に融点を有する高軟性の第１高軟性層、第１誘電体層が順次積層された構成からなる超解像度近接場構造の記録媒体に書き込みをする記録装置であって、
酸化白金、酸化パラジウム、或いは酸化銀の前記記録層にレーザービームを照射して、前記記録層を熱分解し、前記記録層に白金、パラジウム、或いは銀の粒子と酸素を有する空洞を形成する時、前記第１高軟性層の方向と前記第２高軟性層の方向との両側に、該空洞を体積膨張させることによって前記記録媒体を記録することを特徴とする記録装置。
【請求項１０】
前記第２高軟性層と前記第１高軟性層に４００℃〜７００℃の記録パワーを与えることを特徴とする請求項９に記載の記録装置。
【請求項１１】
前記第２高軟性層と前記第１高軟性層はＡｇｗＩｎｘＳｂｙＴｅｚ、或いはＳｂｘＴｅｙであることを特徴とする請求項１０に記載の記録装置。
【請求項１２】
前記第２保護層と前記第１保護層はＺｎＳ−ＳｉＯ２であることを特徴とする請求項９に記載の記録装置。
【請求項１３】
ポリカーボネート層、第２誘電体層、記録パワー近所に融点を有する高軟性の第２高軟性層、硬性の第２保護層、記録層、硬性の第１保護層、記録パワー近所に融点を有する高軟性の第１高軟性層、第１誘電体層が順次積層された構成からなり、酸化白金、酸化パラジウム、或いは酸化銀の前記記録層にレーザービームが照射されて、前記記録層が熱分解され、前記記録層に白金、パラジウム、或いは銀の粒子と酸素を有する空洞が形成される時、前記第１高軟性層の方向と前記第２高軟性層の方向との両側に体積膨張されることによって記録されている超解像度近接場構造の記録媒体から読み出しをする再生方法であって、
再生のためのレーザービームを照射して、前記記録層の空洞に有されている白金、パラジウム、或いは銀の粒子の相互作用による局所表面近接場によって超解像度近接場を発生させて読み出しをすることを特徴とする再生方法。
【請求項１４】
前記記録レーザービームによって前記第２高軟性層と前記第１高軟性層に４００℃〜７００℃の記録パワーが与えられたことを特徴とする請求項１３に記載の再生方法。
【請求項１５】
前記第２高軟性層と前記第１高軟性層はＡｇｗＩｎｘＳｂｙＴｅｚ、或いはＳｂｘＴｅｙであることを特徴とする請求項１４に記載の再生方法。
【請求項１６】
前記第２保護層と前記第１保護層はＺｎＳ−ＳｉＯ２であることを特徴とする請求項１３に記載の再生方法。
【請求項１７】
ポリカーボネート層、第２誘電体層、記録パワー近所に融点を有する高軟性の第２高軟性層、硬性の第２保護層、記録層、硬性の第１保護層、記録パワー近所に融点を有する高軟性の第１高軟性層、第１誘電体層が順次積層された構成からなり、酸化白金、酸化パラジウム、或いは酸化銀の前記記録層にレーザービームが照射されて、前記記録層が熱分解され、前記記録層に白金、パラジウム、或いは銀の粒子と酸素を有する空洞が形成される時、前記第１高軟性層の方向と前記第２高軟性層の方向との両側に体積膨張されることによって記録されている超解像度近接場構造の記録媒体からの読み出しをする再生装置であって、
再生のためのレーザービームを照射して、前記記録層の空洞に有されている白金、パラジウム、或いは銀の粒子を相互作用させて局所表面近接場を起こすことによって超解像度近接場を発生させて読み出しをすることを特徴とする再生装置。
【請求項１８】
前記記録レーザービームによって前記第２高軟性層と前記第１高軟性層に４００℃〜７００℃の記録パワーが与えられたことを特徴とする請求項１７に記載の再生装置。
【請求項１９】
前記第２高軟性層と前記第１高軟性層はＡｇｗＩｎｘＳｂｙＴｅｚ、或いはＳｂｘＴｅｙであることを特徴とする請求項１８に記載の再生装置。
【請求項２０】
前記第２保護層と前記第１保護層はＺｎＳ−ＳｉＯ２であることを特徴とする請求項１７に記載の再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は超解像度近接場構造の記録媒体、記録方法及び再生方法、及び記録装置及び再生装置に係り、特に、酸化白金、酸化パラジウム、或いは酸化銀の前記記録層にレーザービームが照射されて、前記記録層が熱分解され、前記記録層に白金、パラジウム、或いは銀の粒子と酸素を有する空洞が形成される時、前記第１高軟性層の方向と前記第２高軟性層の方向との両側に体積膨張されることによって書き込みをする記録がなされ、再生のためのレーザービームを照射して、前記記録層の空洞に有されている白金、パラジウム、或いは銀の粒子の相互作用による局所表面近接場によって超解像度近接場を発生させて読み出しをする再生がなされる。
【０００２】
【従来の技術】
従来の記録媒体は大きく分けて光磁気記録方式の記録媒体と相変化記録方式の記録媒体がある。
【０００３】
光磁気記録方式の記録媒体はＭＤ（Ｍｉｎｉ  Ｄｉｓｋ）のように磁性体に直線偏光を入射させれば、磁性体の磁気大きさ及び磁気方向に応じて、その反射光が回転する現象である磁気のカー効果を利用する記録媒体である。
【０００４】
相変化記録方式の記録媒体はＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ  ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  ｄｉｓｋ）のように記録媒体の記録された領域と記録されない領域の非晶質と結晶質の結晶状態による光常数の吸収係数の差によって発生される反射率の差を利用する記録媒体である。
また、最近には相変化記録方式の一種で微小マークを利用して記録媒体に記録し、記録媒体から回折限界以下で再生するためのさまざまな方式が提示されている。その中で一番注目されているのが超解像度近接場構造の記録媒体である。ここでは、本発明と深い関係を有する超解像度近接場構造の記録媒体として第６３回応用物理学会講演予稿集のページ１００５と、２０００年９月２４日〜２７日に日本国新潟大学で行われた学会で発表されたものを従来の超解像度近接場構造の記録媒体とする。
【０００５】
図１は従来の超解像度近接場構造の記録媒体の構造を示す図である。
【０００６】
図１に示すように、従来の超解像度近接場構造の記録媒体は、ポリカーボネート層１００、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる誘電体の第２誘電体層１１０、酸化白金（ＰｔＯｘ）、酸化パラジウム（ＰｄＯｘ）、或いは酸化銀（ＡｇＯｘ）からなる記録層１５０、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる硬性の保護層１８０、記録パワー近所に融点を有する高軟性のＡｇｗＩｎｘＳｂｙＴｅｚ、或いはＳｂｘＴｅｙからなる高軟性層１７０、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる誘電体の第１誘電体層１６０が順次積層された構成を有する。
【０００７】
従来の超解像度近接場構造の記録媒体は、酸化白金、酸化パラジウム、或いは酸化銀の記録層１５０に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる硬性の保護層１８０の融点よりはるかに低い４００℃〜７００℃の記録パワーを有するレーザービームが照射されて、記録層１５０が熱分解され、記録層１５０に白金、パラジウム、或いは銀の粒子と酸素を有する空洞が形成される。この時、高軟性層１７０の方向の単側に体積膨張されることによって記録される。ここで、保護層１８０は記録層１５０と高軟性層１７０との反応を防止する。
【０００８】
図２は図１の超解像度近接場構造の記録媒体にレーザービームが照射されて記録がなされた部分を詳細に示す図である。
【０００９】
図２に示されているように、レーザービームが照射される部分において、レーザービームのパワー分布で示されているように、中央部分はレーザービームのパワーが高い。記録媒体において、レーザービームが照射される部分の中央部分のように、所定値以上のパワーのレーザービームが照射される部分の記録層１５０は熱分解され、所定値以上のパワーのレーザービームが照射されない部分の記録層１５０は熱分解されない。すなわち、所定値以上のパワーのレーザービームが照射される部分の記録層は熱分解されて書き込みが行われ、所定値以上のパワーのレーザービームが照射されない部分の記録層は熱分解されなくて書き込みが行われない。記録層１５０が熱分解されることによって記録層１５０に白金、パラジウム、或いは銀の粒子と酸素を有する空洞が、高軟性層１７０の方向の単側に、凸状に形成される。この時、硬性の保護層１８０も記録層１５０と同様に、高軟性層１７０の方向に凸状になる。しかし、記録パワー近所に融点を有する高軟性の高軟性層１７０は、記録層１５０が高軟性層１７０の方向に凸状になるようにならないで、平らな形状そのままである。
【００１０】
上記のようにして記録がなされた記録媒体から読み出しをする再生について説明する。記録媒体の記録より低いパワーのレーザービームが連続的に照射される時、図２に示されているように、記録されている部分にレーザービームが当たった時、記録されている部分に所定値以上のパワーのレーザービームが照射され、記録層１５０の空洞に有されている白金、パラジウム、或いは銀の粒子の相互作用による局所表面近接場によって超解像度近接場を発生させる。これによって、記録されている部分と記録されていない部分における光常数の吸収係数の差によって発生される反射率の差を利用する読み出しをする。
【００１１】
しかし、上記の超解像度近接場構造の記録媒体は次世代の２０Ｇｂ級の記録媒体を赤色レーザーで達成するのに不充分である。すなわち、赤色レーザーを用いて１００ｎｍの記録マークサイズから信号を４０ｄＢ以上で安定に読み出しをする再生が不充分である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、青色レーザーを用いなく、レンズの開口率を増加しなくても、赤色レーザーを用いて１００ｎｍの記録マークサイズから信号を４０ｄＢ以上で安定に、また低いパワーのレーザービームで再生することができる、特に、１００ｎｍの記録マークサイズから信号を３ｍＷの再生パワーで４５ｄＢ以上で再生することができる、超解像度近接場構造の記録媒体、記録方法及び再生方法、及び記録装置及び再生装置を提供する。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するための本発明は、超解像度近接場構造の記録媒体の観点から、ポリカーボネート層、第２誘電体層、記録パワー近所に融点を有する高軟性の第２高軟性層、硬性の第２保護層、記録層、硬性の第１保護層、記録パワー近所に融点を有する高軟性の第１高軟性層、第１誘電体層が順次積層された構成からなり、酸化白金、酸化パラジウム、或いは酸化銀の前記記録層にレーザービームが照射されて、前記記録層が熱分解され、前記記録層に白金、パラジウム、或いは銀の粒子と酸素を有する空洞が形成される時、前記第１高軟性層の方向と前記第２高軟性層の方向との両側に体積膨張を有する。
【００１４】
また、本発明の記録媒体において、前記第２高軟性層と前記第１高軟性層は４００℃〜７００℃の融点を有する。
【００１５】
上記の目的を達成するための本発明は、超解像度近接場構造の記録媒体に書き込みをする記録方法の観点から、ポリカーボネート層、第２誘電体層、記録パワー近所に融点を有する高軟性の第２高軟性層、硬性の第２保護層、記録層、硬性の第１保護層、記録パワー近所に融点を有する高軟性の第１高軟性層、第１誘電体層が順次積層された構成からなる超解像度近接場構造の記録媒体に書き込みをする記録方法であって、酸化白金、酸化パラジウム、或いは酸化銀の前記記録層にレーザービームが照射されて、前記記録層が熱分解され、前記記録層に白金、パラジウム、或いは銀の粒子と酸素を有する空洞が形成される時、前記第１高軟性層の方向と前記第２高軟性層の方向との両側に体積膨張されることによって前記記録媒体が記録される。
【００１６】
また、本発明の記録方法において、前記第２高軟性層と前記第１高軟性層に４００℃〜７００℃の記録パワーを与える。
【００１７】
上記の目的を達成するための本発明は、超解像度近接場構造の記録媒体に書き込みをする記録装置の観点から、ポリカーボネート層、第２誘電体層、記録パワー近所に融点を有する高軟性の第２高軟性層、硬性の第２保護層、記録層、硬性の第１保護層、記録パワー近所に融点を有する高軟性の第１高軟性層、第１誘電体層が順次積層された構成からなる超解像度近接場構造の記録媒体に書き込みをする記録装置であって、酸化白金、酸化パラジウム、或いは酸化銀の前記記録層にレーザービームを照射して、前記記録層を熱分解し、前記記録層に白金、パラジウム、或いは銀の粒子と酸素を有する空洞を形成する時、前記第１高軟性層の方向と前記第２高軟性層の方向との両側に、該空洞を体積膨張させることによって前記記録媒体を記録する。
【００１８】
また、本発明の記録装置において、前記第２高軟性層と前記第１高軟性層に４００℃〜７００℃の記録パワーを与える。
【００１９】
上記の目的を達成するための本発明は、超解像度近接場構造の記録媒体から読み出しをする再生方法の観点から、ポリカーボネート層、第２誘電体層、記録パワー近所に融点を有する高軟性の第２高軟性層、硬性の第２保護層、記録層、硬性の第１保護層、記録パワー近所に融点を有する高軟性の第１高軟性層、第１誘電体層が順次積層された構成からなり、酸化白金、酸化パラジウム、或いは酸化銀の前記記録層にレーザービームが照射されて、前記記録層が熱分解され、前記記録層に白金、パラジウム、或いは銀の粒子と酸素を有する空洞が形成される時、前記第１高軟性層の方向と前記第２高軟性層の方向との両側に体積膨張されることによって記録されている超解像度近接場構造の記録媒体から読み出しをする再生方法であって、再生のためのレーザービームを照射して、前記記録層の空洞に有されている白金、パラジウム、或いは銀の粒子の相互作用による局所表面近接場によって超解像度近接場を発生させて読み出しをする。
【００２０】
また、本発明の再生方法において、前記記録レーザービームによって前記第２高軟性層と前記第１高軟性層に４００℃〜７００℃の記録パワーが与えられている。
【００２１】
上記の目的を達成するための本発明は、超解像度近接場構造の記録媒体から読み出しをする再生装置の観点から、ポリカーボネート層、第２誘電体層、記録パワー近所に融点を有する高軟性の第２高軟性層、硬性の第２保護層、記録層、硬性の第１保護層、記録パワー近所に融点を有する高軟性の第１高軟性層、第１誘電体層が順次積層された構成からなり、酸化白金、酸化パラジウム、或いは酸化銀の前記記録層にレーザービームが照射されて、前記記録層が熱分解され、前記記録層に白金、パラジウム、或いは銀の粒子と酸素を有する空洞が形成される時、前記第１高軟性層の方向と前記第２高軟性層の方向との両側に体積膨張されることによって記録されている超解像度近接場構造の記録媒体からの読み出しをする再生装置であって、再生のためのレーザービームを照射して、前記記録層の空洞に有されている白金、パラジウム、或いは銀の粒子を相互作用させて局所表面近接場を起こすことによって超解像度近接場を発生させて読み出しをする。
【００２２】
また、本発明の再生装置において、前記記録レーザービームによって前記第２高軟性層と前記第１高軟性層に４００℃〜７００℃の記録パワーが与えられている。
【００２３】
また、本発明の超解像度近接場構造の記録媒体、記録方法及び再生方法、及び記録装置及び再生装置において、前記第２高軟性層と前記第１高軟性層はＡｇｗＩｎｘＳｂｙＴｅｚ、或いはＳｂｘＴｅｙであり、また、前記第２保護層と前記第１保護層はＺｎＳ−ＳｉＯ２である。
【００２４】
このように本発明によると、赤色レーザーを用いて１００ｎｍの記録マークサイズから信号を４０ｄＢ以上で安定に再生することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
上述した目的を達成するための本発明の構成とその作用を添付図面により詳細に説明する。
【００２６】
図３は本発明による超解像度近接場構造の記録媒体の構造を示す図である。
【００２７】
図３に示すように、本発明による超解像度近接場構造の記録媒体は、ポリカーボネート層２００、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる誘電体の第２誘電体層２１０、記録パワー近所に融点を有する高軟性のＡｇｗＩｎｘＳｂｙＴｅｚ、或いはＳｂｘＴｅｙからなる第２高軟性層２２０、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる硬性の第２保護層２３０、酸化白金（ＰｔＯｘ）、酸化パラジウム（ＰｄＯｘ）、或いは酸化銀（ＡｇＯｘ）からなる記録層２５０、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる硬性の第１保護層２８０、記録パワー近所に融点を有する高軟性のＡｇｗＩｎｘＳｂｙＴｅｚ、或いはＳｂｘＴｅｙからなる第１高軟性層２７０、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる誘電体の第１誘電体層２６０が順次積層された構成を有する。
【００２８】
本発明による超解像度近接場構造の記録媒体は、酸化白金、酸化パラジウム、或いは酸化銀の記録層２５０に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる硬性の第１保護層２８０と第２保護層２３０の融点よりはるかに低い４００℃〜７００℃の記録パワーを有するレーザービームが照射されて、記録層２５０が熱分解され、記録層２５０に白金、パラジウム、或いは銀の粒子と酸素を有する空洞が形成される。この時、第１高軟性層２７０の方向と第２高軟性層２２０の方向との両側に体積膨張されることによって記録される。ここで、第１保護層２８０は記録層２５０と第１高軟性層２７０との反応を防止し、第２保護層２３０は記録層２５０と第２高軟性層２２０との反応を防止する。
【００２９】
図４は図３の超解像度近接場構造の記録媒体にレーザービームが照射されて記録がなされた部分を詳細に示す図である。
【００３０】
図４に示されているように、レーザービームが照射される部分において、レーザービームのパワー分布で示されているように、中央部分はレーザービームのパワーが高い。記録媒体において、レーザービームが照射される部分の中央部分のように、所定値以上のパワーのレーザービームが照射される部分の記録層２５０は熱分解され、所定値以上のパワーのレーザービームが照射されない部分の記録層２５０は熱分解されない。すなわち、所定値以上のパワーのレーザービームが照射される部分の記録層は熱分解されて書き込みが行われ、所定値以上のパワーのレーザービームが照射されない部分の記録層は熱分解されなくて書き込みが行われない。記録層２５０が熱分解されることによって記録層２５０に白金、パラジウム、或いは銀の粒子と酸素を有する空洞が、第１高軟性層２７０の方向と第２高軟性層２２０の方向との両側に、凸状に形成される。この時、硬性の第１保護層２８０も記録層２５０と同様に、第１高軟性層２７０の方向に凸状になり、硬性の第２保護層２３０も記録層２５０と同様に、第２高軟性層２２０の方向に凸状になる。しかし、記録パワー近所に融点を有する高軟性の第１高軟性層２７０は、記録層２５０が第１高軟性層２７０の方向に凸状になるようにならないで、平らな形状そのままであり、また、記録パワー近所に融点を有する高軟性の第２高軟性層２２０は、記録層２５０が第２高軟性層２２０の方向に凸状になるようにならないで、平らな形状そのままである。
【００３１】
このように本発明によって記録された超解像度近接場構造の記録媒体における記録層の空洞は、前記従来の超解像度近接場構造の記録媒体における記録層の空洞より、多い白金、パラジウム、或いは銀の粒子を有することができるようになる。これによって、本発明は、従来に比べて、読み出しを行う再生時におけるレーザービームがより多く相互作用されて局所表面近接場が生じるので、より強い超解像度近接場が形成されて、より小さい記録マークサイズであっても安定に読み出しをする再生がなされることができる。
【００３２】
上記のようにして記録がなされた記録媒体から読み出しをする再生について説明する。記録媒体の記録より低いパワーのレーザービームが連続的に照射される時、図４に示されているように、記録されている部分にレーザービームが当たった時、記録されている部分に所定値以上のパワーのレーザービームが照射され、記録層２５０の空洞に有されている白金、パラジウム、或いは銀の粒子の相互作用による局所表面近接場によって超解像度近接場を発生させる。これによって、記録されている部分と記録されていない部分における光常数の吸収係数の差によって発生される反射率の差を利用する読み出しをする。
【００３３】
図５は記録マークサイズによるＣＮＲ（Ｃａｒｒｉｅｒ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ）を示すグラフ図である。
【００３４】
図５においてグラフ図は、記録媒体は波長６３５ｎｍと開口率０．６を有する赤色レーザーを用いて１２ｍＷのパワーで記録し、この赤色レーザーを用いて３．５ｍＷのパワーで再生した時の記録マークサイズによるＣＮＲである。図５に示されているように従来の記録媒体である図１の構造の記録媒体は１７０ｎｍ以下の記録マークサイズではＣＮＲが４０ｄＢ以下を示しており、また記録マークサイズが小さくなるによってＣＮＲが急に落ちている。しかし、本発明の記録媒体である図３の構造の記録媒体は約８０ｎｍ以上の記録マークサイズではＣＮＲの変化があまりなく、またＣＮＲが４２ｄＢ以上を示している。
【００３５】
従って、本発明によると、赤色レーザーを用いて１００ｎｍの記録マークサイズから信号を４０ｄＢ以上で安定に読み出しをする再生ができる。
【００３６】
図６は読み出しをする再生時レーザービームのパワーによるＣＮＲを示すグラフ図である。
【００３７】
図６においてグラフ図は、記録媒体は波長６３５ｎｍと開口率０．６を有する赤色レーザーを用いて１２ｍＷのパワーで、記録マークサイズを１００ｎｍ記録し、この赤色レーザーを用いて再生した時の再生パワーによるＣＮＲである。図６に示されているように従来の記録媒体である図１の構造の記録媒体は４ｍＷの読み出しパワーで約３０ｄＢを示しており、また読み出しパワーが小さくなるによってＣＮＲが急に落ちている。しかしながら、本発明の記録媒体である図３の構造の記録媒体は約３ｍＷ以上の読み出しパワーではＣＮＲの変化があまり大きくなく、またＣＮＲが４５ｄＢ以上を示している。
【００３８】
従って、本発明によると、赤色レーザーを用いて１００ｎｍの記録マークサイズから信号を約３ｍＷの読み出しパワーでも４０ｄＢ以上で安定に読み出しをする再生ができる。更に、読み出しをする再生時レーザービームのパワーが低いので電力消耗が低減される。また、更に読み出しをする再生時レーザービームのパワーが低いので記録媒体の耐久性が向上する。
【００３９】
【発明の効果】
上記のように、本発明は赤色レーザーを用いて１００ｎｍの記録マークサイズから信号を４０ｄＢ以上で安定に再生する効果を有する。また、赤色レーザーを用いて１００ｎｍの記録マークサイズから信号を約３ｍＷの読み出しパワーでも４０ｄＢ以上で安定に再生する効果を有する。特に、１００ｎｍの記録マークサイズから信号を３ｍＷの再生パワーで４５ｄＢ以上の再生特性が得られるので即時実用化が可能である。更に、読み出しをする再生時レーザービームのパワーが低いので電力消耗が低減される効果を有する。また、更に読み出しをする再生時レーザービームのパワーが低いので記録媒体の耐久性が向上する効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は従来の超解像度近接場構造の記録媒体の構造を示す図である。
【図２】図２は図１の超解像度近接場構造の記録媒体にレーザービームが照射されて記録がなされた部分を詳細に示す図である。
【図３】図３は本発明による超解像度近接場構造の記録媒体の構造を示す図である。
【図４】図４は図３の超解像度近接場構造の記録媒体にレーザービームが照射されて記録がなされた部分を詳細に示す図である。
【図５】図５は記録マークサイズによるＣＮＲを示すグラフ図である。
【図６】図６は読み出しをする再生時レーザービームのパワーによるＣＮＲを示すグラフ図である。
【符号の説明】
１００  ポリカーボネート層
１１０  第２誘電体層
１５０  記録層
１６０  第１誘電体層
１７０  高軟性層
１８０  保護層
２００  ポリカーボネート層
２１０  第２誘電体層
２２０  第２高軟性層
２３０  第２保護層
２５０  記録層
２６０  第１誘電体層
２７０  第１高軟性層
２８０  第１保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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