(57)【要約】【課題】フォトマスクのパターンの微細化に対応でき、且つ、ウエハ上で不要の転写パターンの発生が無いＯＰＣパターンを有するフォトマスクを提供する。また、そのようなフォトマスクを作製するためのフォトマスク用データを提供する。【解決手段】所望のウエハ上のパターンの形状に対応した設計データないし設計データを補正した第１の補正データを処理対象の元のフォトマスク用データとして、フォトマスク用データについて、シミュレーションによりあるいは実際の作製工程を行い、フォトマスク用データに対応したウエハ上パターンを得て、更に、設計データのパターンとウエハ上パターンとの差である差パターンを求める差パターン取得処理と、これに続く、差パターンが小さくなるように補正して新たなフォトマスク用データを作成する補正処理とを一連の処理として、繰り返して行い、最終的に得られたフォトマスク用データを補正後の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データとして得るものであり、前記補正処理は、フォトマスク用データに対し、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズ、間隔の微細なパターンを、光近接効果補正用として分散して配設する分散補正処理を行い、新たにフォトマスク用データを得るものである。【選択図】  図１
2004219587.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光近接補正（ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ    ＰｒｏｘｉｍｉｔｙＣｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）されたパターンを有するフォトマスクを作製するための、フォトマスク用データの作成方法であって、所望のウエハ上のパターンの形状に対応した設計データあるいは設計データを補正した第１の補正データを処理対象の元のフォトマスク用データとして、フォトマスク用データについて、シミュレーションによりあるいは実際の作製工程を行い、フォトマスク用データに対応したウエハ上パターンを得て、更に、設計データのパターンとウエハ上パターンとの差である差パターンを求める差パターン取得処理と、これに続く、差パターンが小さくなるように補正して新たなフォトマスク用データを作成する補正処理とを一連の処理として、繰り返して行い、最終的に得られたフォトマスク用データを補正後の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データとして得るものであり、前記補正処理は、フォトマスク用データに対し、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズ、間隔の微細なパターンを、光近接効果補正用として分散して配設する分散補正処理を行い、新たにフォトマスク用データを得るものであることを特徴とする光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法。
【請求項２】
請求項１において、前記一連の処理の繰り返しを、差パターンにおいて所定のサイズより大きいパターンが無くなるまで行うことを特徴とする光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法。
【請求項３】
請求項１ないし２において、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズの微細なパターンは、所定のピッチＰａのグリッドにのるドットパターン１個以上からなり、その分布状態により光近接効果の補正を行っているものであることを特徴とする光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法。
【請求項４】
請求項１ないし３において、設計データを補正した第１の補正データを処理対象の元のフォトマスク用データとするもので、前記第１の補正データは、設計データを出発フォトマスク用データとして、フォトマスク用データに対して、設計データのパターンに連続して、その角部、端部に補正用パターンを、所定ピッチＰｂのグリッドにのるドットパターン単位で、追加ないし削除して、補正パターンを得る連続補正処理を複数回行った後に得られる、フォトマスク用データであることを特徴とする光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法。
【請求項５】
光近接補正された光近接補正パターンを有するフォトマスクであって、該光近接補正パターンには、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像されないサイズ、間隔の微細なパターンが、光近接効果補正用として分散して配設されていることを特徴とする光近接補正パターンを有するフォトマスク。
【請求項６】
請求項５において、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズの微細なパターンは、所定のピッチＰａのグリッドにのるドットパターン１個以上からなり、その分布状態により光近接効果の補正を行っているものであることを特徴とする光近接補正パターンを有するフォトマスク。
【請求項７】
請求項５ないし６において、請求項１ないし３に記載の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法により作成された、光近接補正パターンを有するフォトマスク用データを用い、露光装置をにて描画露光され、現像、エッチング工程等を経て、作製されたことを特徴とする光近接補正パターンを有するフォトマスク。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法と、光近接補正パターンを有するフォトマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の高機能化と軽薄短小の傾向から、ＡＳＩＣに代表される種々のＬＳｌには、ますます高集積化、高機能化が求められるようになってきた。
即ち、できるだけチップサイズを小さくして、高機能を実現することが、ＡＳＩＣ等のＬＳＩには求められている。
上記ＡＳＩＣ等のＬＳＩは、機能、論理設計、回路設計、レイアウト設計等を経て、フォトマスクパターン作製用の図形データ（図形パターンデータあるいはパターンデータとも言う）を作製し、これを用いてフォトマスクを作製した後、フォトマスクのパターンをウエハ上感光材に縮小投影露光等により転写して、半導体素子作製のプロセスを行うという数々の工程を経て作製されるものである。
【０００３】
このように、半導体の生産のためにフォトマスクを用いたフォトリソグラフィーが利用されるが、パターンサイズの微細化に伴ない露光装置の光源波長を従来のｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）から、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）、Ｆ２  （１５７ｎｍ）等へと短縮しつつあるが、光源を短波長側に変えることは設備投資の増大化を招くために、光源を短波長側に変えることなく、同一波長光源で解像限界をより小さくする方法（ＲＥＴ：Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ  Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）が適用されてきている。
半導体作製においては、位相シフトマスク（ＰＳＭ：Ｐｈａｓｅ    ＳｈｉｆｔＭａｓｋ）を用いた露光方法、光近接補正（ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ    Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ    Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）と呼ばれる光近接効果の影響を考慮してパターンに補正を施して露光する露光方法、あるいは、これら両露光方法を併用した露光方法が、光源を短波長側に変えることなく、同一波長光源で解像限界をより小さくする方法として、実用レベルで行なわれている。
位相シフトマスクは、簡単には、転写すべきパターンを形成したマスクに、露光光の位相を変化させる位相シフター（単にシフターとも言う）と呼ばれる透明膜を設けたもので、位相シフトマスクを用いた露光方法は、位相シフターを通って位相が変わった光と、位相シフターを通らずに位相が代わっていない光との干渉を利用して、解像力を向上させる露光方法である。
位相シフトマスクとしては、ハーフトーン型、トライトーン型、レベンソン型、クロムレス型等の各種方式があり、さらにそれぞれの方式において、位相シフターを遮光膜パターンを介して合成石英ガラス等のフォトマスク透明基板の上に設けるシフター上置き型の構造や、フォトマスク透明基板をエッチングにより掘り込んで位相シフター部とする基板掘り込み型の構造等がある。
また、光近接補正は、従来、ウエハ上の所望のパターンに対応して設計されたパターンの端部や角部に補正用として、補助パターン（ＯＰＣパターンとも言う）を設けることにより、ウエハ上での像の高精細を可能にする方法である。
【０００４】
ここで、光近接効果と光近接補正（ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ    Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ    Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）と呼ばれる露光方法について簡単に説明しておく。
フォトマスクのパターンをウエハ上に縮小投影露光等により転写する際、光近接効果と呼ばれる露光形状の歪みが発生する。
これは、露光形状のサイズ（ウエハ上の露光サイズ）が、露光光の波長に近づく、あるいは光の波長よりも小さくなったときに、光の回折現象により、また近接光との干渉により、フォトマスクのパターンの形状を忠実に露光することができなくなり、ウエハ上に露光される露光形状に歪み乃至ボケが発生するものである。
フォトマスクの設計データのパターンである設計パターン（これを以下原始パターンとも言う）が図３（ａ）に示すような形状（Ｌ字形状とも言う）をしている場合には、フォトマスク上に形成されるパターン形状は図３（ｂ）のようになり、ウエハ上に形成されるパターン形状は図３（ｃ）のようになる。
このため、図３（ａ）に示すような形状にできるだけ近いウエハ上のパターンを得るために、フォトマスクの設計パターンを図４（ａ）のように補正して、フォトマスク上に形成されるパターン形状は図４（ｂ）のようにし、ウエハ上に形成されるパターン形状を４（ｃ）のようにする。
このような光の回折の影響を考慮した補正を、即ち光近接効果の影響を考慮した補正を光近接効果補正あるいはＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ  ＰｒｏｘｉｍｉｔｙＣｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）と言う。
尚、図３、図４において、４１０は設計図形データ、４１３はフォトマスク上の形成パターン、４１５はウエハ上の形成パターン、４２０は補正済の図形データ、４２３はフォトマスク上の形成パターン、４２５はウエハ上の形成パターンである。
【０００５】
ところが、最近では、パターンの微細化が更に進み、微細なパターンをウエハ上に所望の形状に転写形成するために、フォトマスクの設計パターンが図５（ａ）に示すような形状をしている場合には、従来の補正パターン形状（図５（ｂ））から、更に補正して、図５（ｃ）のように、補正用パターン自体もより複雑化する傾向にあるが、このような補正パターン（ＯＰＣパターンとも言う）による解像度向上も、限界に近づきつつある。
露光波長とパターン解像度（デザインルール）との比が１：１から１．  ５：１程度までは、ＯＰＣパターンも図５（ｂ）のような単純な形状で足りていたが、その比が２：１程度に近づきそれを越えてくると、図５（ｃ）に示すように、より複雑な形状になってきている。
ＯＰＣパターンは、図５（ａ）に示す元のパターンの端部、角部に単一矩形の加算減算を施した図５（ｂ）に示すような形状から、２段階、３段階にわたり、端部、角部へ単一矩形の加算減算が施された、図５（ｃ）に示すような複雑な形状になってきている。
このように、解像度向上のために、ＯＰＣパターンは複雑化され、補正パターンが肥大化することになり、補正パターン自体がウエハへの転写しない限界に到達し、ウエハ上で不要の転写パターンが発生することとなり、このような補正も、もはや限界に近づきつつある。
つまり、補助パターンは肥大化することによって、転写時にウエハパターンに補正をかけるだけでなく、それ自身が転写されてしまう限界にきている。
補助パターンを図５（ａ）に示す元のパターンと連結し、元のパターンの角部あるいは端部において単一の塊をとして付けるのは、転写性の面からできなくなっている。
尚、ここでは、図５（ａ）に示す元のパターンと図５（ｂ）に示すＯＰＣパターンあるいは図５（ａ）に示すＯＰＣパターンとの差である差パターンの各パターンをそれぞれを補正パターンと言う。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−１２５２５１号公報（図１には、「コの字」パターン光近接効果補正のフローが記載）
【特許文献２】
特開平１１−２９５８７５号公報（図１には、元の図形データ（設計図形データ）からウエハへの転写形状を補正ための、光近接効果補正用の補正図形を発生させる装置が記載されており、図１０には角部に補正図形データを付与して補正することが記載されている。）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、光近接効果補正（ＯＰＣ）による解像度向上は、フォトマスクのパターンの微細化に伴ない、ＯＰＣパターン自体もより複雑化することなり、最近では、ウエハへの転写限界に到達し、ウエハ上での不要の転写パターンの発生への対応が求められるようになってきた。
本発明は、これに対応するもので、フォトマスクのパターンの微細化に対応でき、且つ、ウエハ上で不要の転写パターンの発生が無いＯＰＣパターンを有するフォトマスクを提供しようとするものである。
そのようなフォトマスクを作製するためのフォトマスク用データを提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法は、光近接補正（ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ    Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ    Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）されたパターンを有するフォトマスクを作製するための、フォトマスク用データの作成方法であって、所望のウエハ上のパターンの形状に対応した設計データ（原始データとも言う）あるいは設計データを補正した第１の補正データを処理対象の元のフォトマスク用データとして、フォトマスク用データについて、シミュレーションによりあるいは実際の作製工程を行い、フォトマスク用データに対応したウエハ上パターンを得て、更に、設計データのパターンとウエハ上パターンとの差である差パターンを求める差パターン取得処理と、これに続く、差パターンが小さくなるように補正して新たなフォトマスク用データを作成する補正処理とを一連の処理として、繰り返して行い、最終的に得られたフォトマスク用データを補正後の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データとして得るものであり、前記補正処理は、フォトマスク用データに対し、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズ、間隔の微細なパターンを、光近接効果補正用として分散して配設する分散補正処理を行い、新たにフォトマスク用データを得るものであることを特徴とするものである。
そして、上記において、前記一連の処理の繰り返しを、差パターンにおいて所定のサイズより大きいパターンが無くなるまで行うことを特徴とするものである。
そしてまた、上記において、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズの微細なパターンは、所定のピッチＰａのグリッドにのるドットパターン１個以上からなり、その分布状態（疎密具合およびまたはその配設領域）により光近接効果の補正を行っているものであることを特徴とするものである。
また、上記において、設計データを補正した第１の補正データを処理対象の元のフォトマスク用データとするもので、前記第１の補正データは、設計データを出発フォトマスク用データとして、フォトマスク用データに対して、設計データのパターンに連続して、その角部、端部に補正用パターンを、所定ピッチＰｂのグリッドにのるドットパターン単位で、追加ないし削除して、補正パターンを得る連続補正処理を複数回行った後に得られる、フォトマスク用データであることを特徴とするものである。
【０００９】
本発明の光近接補正パターンを有するフォトマスクは、光近接補正された光近接補正パターンを有するフォトマスクであって、該光近接補正パターンには、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像されないサイズ、間隔の微細なパターンが、光近接効果補正用として分散して配設されていることを特徴とするものである。
そして、上記において、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズの微細なパターンは、所定のピッチＰａのグリッドにのるドットパターン１個以上からなり、その分布状態（疎密具合およびまたはその配設領域）により光近接効果の補正を行っているものであることを特徴とするものである。
そしてまた、上記において、請求項１ないし３に記載の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法により作成された、光近接補正パターンを有するフォトマスク用データを用い、露光装置をにて描画露光され、現像、エッチング工程等を経て、作製されたことを特徴とするものである。
尚、ここで、「ウエハ上で」とは、「ウエハ上の感光材に対して」の意味である。
【００１０】
【作用】
本発明の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法は、このような構成にすることにより、フォトマスクのパターンの微細化に対応でき、且つ、ウエハ上で不要の転写パターンの発生が無いＯＰＣパターンを有するフォトマスクの作製するための、フォトマスク用データの提供を可能としている。
より詳しくは、光近接補正された光近接補正パターンを有するフォトマスクであって、該光近接補正パターンには、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像されないサイズ、間隔の微細なパターンが、光近接効果補正用として分散して配設されている光近接補正パターンを有するフォトマスクの作製のための、フォトマスク用データの提供を可能としている。
具体的には、所望のウエハ上のパターンの形状に対応した設計データ（原始データとも言う）あるいは設計データを補正した第１の補正データを処理対象の元のフォトマスク用データとして、フォトマスク用データについて、シミュレーションによりあるいは実際の作製工程を行い、フォトマスク用データに対応したウエハ上パターンを得て、更に、設計データのパターンとウエハ上パターンとの差である差パターンを求める差パターン取得処理と、これに続く、差パターンが小さくなるように補正して新たなフォトマスク用データを作成する補正処理とを一連の処理として、繰り返して行い、最終的に得られたフォトマスク用データを補正後の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データとして得るものであり、前記補正処理は、フォトマスク用データに対し、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズ、間隔の微細なパターンを、光近接効果補正用として分散して配設する分散補正処理を行い、新たにフォトマスク用データを得るものであることにより、これを達成している。
この場合、前記一連の処理の繰り返しを、差パターンにおいて所定のサイズより大きいパターンが無くなるまで行うこととすることにより、フォトマスク上で設計データに近い形状の均一なパターンを得ることを可能としている。
ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズの微細なパターンは、所定のピッチＰａのグリッドにのるドットパターン１個以上からなり、その分布状態（疎密具合およびまたはその配設領域）により光近接効果の補正を行っているものが、作業性から挙げられる。
更に、連続補正処理を施して得られた第１の補正パターンを処理対象の元のパターンとした場合には、特に、連続補正の所定ピッチＰｂのグリッドを分散処理の所定ピッチＰａのグリッドに比べ大きくとることもでき、従来の補正形態をある程度採り入れ、従来の補正より効果的に補正を行うことを可能にしている。
尚、フォトマスクは、一般には、フォトマスク用データを用い、電子ビーム露光装置あるいはエキシマ波長等のフォト露光装置をにて、フォトマスク用基板（フォトマスクブランクスとも言う）の遮光膜上に配設された感光性レジストに露光描画を行い、現像、エッチング工程等を経て、作製される。
そして、フォトマスクのパターンをウエハ上に縮小投影露光して、その絵柄を転写する場合、フォトマスクをレチクルとも言う。
【００１１】
本発明の光近接補正されたパターンを有するフォトマスクは、このような構成にすることにより、フォトマスクのパターンの更なる微細化に対応でき、且つ、ウエハ上で不要の転写パターンの発生が無い補正用パターン（ＯＰＣパターン）を有するフォトマスクの提供を可能としている。
具体的には、光近接補正された光近接補正パターンを有するフォトマスクであって、該光近接補正パターンには、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像されないサイズ、間隔の微細なパターンが、光近接効果補正用として分散して配設されていることにより、これを達成している。
ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズの微細なパターンとしては、所定のピッチＰａのグリッドにのるドットパターン１個以上からなり、その分布状態（疎密具合およびまたはその配設領域）により光近接効果の補正を行うものが、その作製の際の作業性から挙げられる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態例を、図に基づいて説明する。
図１は本発明の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法の実施の形態の第１の例のフロー図で、図２は設計データに対する補正手順を説明するための図である。
尚、図１における太点線内Ａ１は、シミュレーションによるウエハパターン取得を示すものであり、Ｓ１〜Ｓ１９は処理ステップを示す。
図１中、１１０は設計データのパターン、１１１、１１１ａ、１１２、１１２ａは（連続補正処理による）補正パターン、１１５、１１５ａは（分散補正処理による）微細パターン、１２０は近接効果補正パターン（ＯＰＣパターン）である。
【００１３】
はじめに、本発明の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法の実施の形態の第１の例を説明する。
第１の例の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法は、光近接効果を補正するために光近接補正（ＯＰＣ）を施したパターンを有するフォトマスクで、該光近接補正（ＯＰＣ）を施したパターンには、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像されないサイズ、間隔の微細なパターンを、光近接効果補正用として分散して配設されている光近接補正パターンを有するフォトマスクを作製するためのフォトマスク用データの作成方法であり、
簡単には、設計データのパターンに連続して、その角部、端部に補正用パターンを、所定ピッチＰｂのグリッドにのるドットパターン単位で、追加ないし削除して、補正パターンを得る連続補正処理を施す処理を複数回行なって、設計データを補正した第１の補正データに対して、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上感光材に露光波長では解像しないサイズ、間隔の微細なパターンを、光近接効果補正用として分散して配設する分散補正処理を、複数回施して、フォトマスクを作製するためのフォトマスク用データを得るものである。
本例では、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズの微細なパターンは、所定のピッチＰａのグリッドにのるドットパターン１個以上からなり、その分布状態（疎密具合およびまたはその配設領域）により光近接効果の補正を行っている。
尚、ここでは、所定のピッチＰａ＜所定ピッチＰｂとする。
以下、第１の例を、図１に基づいて更に説明する。
まず、設計データ（Ｓ１１）を出発フォトマスク用データとして、フォトマスク用データに対して、設計データのパターンに連続して、その角部、端部に補正用パターンを、所定ピッチＰｂのグリッドにのるドットパターン単位で、追加ないし削除して、補正パターンを得る連続補正処理を、所定の複数回行った後に得られる補正後のフォトマスク用データを第１の補正データとして求める。（Ｓ１２）
設計データで図２（ａ）に示されるパターン１１０は、１回目の連続補正で図２（ｂ）のようになり、第１の補正データでは図２（ｃ）のようになる。
【００１４】
次いで、第１の補正データを処理対象の出発フォトマスク用データとして、フォトマスク用データ（Ｓ１３）について、シミュレーションにより、フォトマスク用データに対応したウエハ上パターンを得て（Ｓ１３〜Ｓ１５）、更に、設計データのパターンとウエハ上パターンとの差である差パターン（Ｓ１６）を求める差パターン取得処理と、この差パターンが小さくなるように、分散補正（Ｓ１７）を行うという一連の処理を差パターンにおいて予め決められた所定のサイズより大きいパターンが無くなるまで繰り返して行い、最終的に得られたフォトマスク用データを補正後の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データとして得る。
尚、分散補正処理は、フォトマスク用データに対し、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズ、間隔の微細なパターンを、光近接効果補正用として分散して配設し、新たにフォトマスク用データを得るものであり、本例では、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズの微細なパターンは、所定のピッチＰａのグリッドにのるドットパターン１個以上からなり、その分布状態により光近接効果の補正を行う。
分布状態の変更は、所定のピッチＰａのグリッドにのるドットパターンの疎密具合、あるいは、ドットパターンを配設する領域を変えることにより行い、分布状態の変更により補正効果を変えることができる。
第１の補正データのパターンある図２（ｃ）のパターンは、このように分散補正を施し得られた補正後の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データでは、図２（ｄ）のように微細パターン１１５を分散させた形状となる。
そして、勿論、このような補正後の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データを用いて描画され作製されたフォトマスクの図２（ｄ）のパターンのウエハ上の転写像は、図２（ａ）のような設計形状に近いものとなる。
【００１５】
尚、上記のシミュレーションとしては、例えば、Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ    Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製のＩＣ    Ｗｏｒｋｂｅｎｎｃｈ等、市販のもの等がある。
これらのシミュレーションを実施するためのシミュレーションツールは、設計データのパターンを元に、フォトマスクパターン形状やウエハ上のパタン形状をシミュレーションするためのソフトウエアを搭載した装置で、表示部や入出力端末を備えているのが普通である。
設計データから、ウエハ上でのパターン形状を得るためのシミュレーションの場合、光シミュレーション（光モデルシミュレーションとも言う）とレジストシミュレーション（現像シミュレーションとも言い、プロセスモデルシミレーションの一つ）の２段階、あるいは、光シミュレーション、レジストシミュレーション、エッチングプロセスシミュレーション（プロセスモデルシミレーションの一つ）の３段階構成のものもある。
光シミュレーションは、光源波長、光源開口数（ＮＡ）、σ（コヒーレント性を示すもので、ｓｉｇｍａとも表す）により一意的に決定する結像条件があり、他に選択的に収差や露光機の振動等を考慮するものである。
レジストシミュレーションは、光シミュレーションにより一意的に決定された結果をもとに、現像プロセス（レジストプロセス）のシミュレーションを行なうものであるが、パラメータ数が多すぎるため、通常は、テストパタンをウエーハに転写、測長してプロセスモデルを合せ込む方法が採られている。
エッチングプロセスのシミュレーションは、現像プロセス（レジストプロセス）のシュミレーションと同様に行なえるもので、場合によっては、このシミュレーションは省く。
【００１６】
次に、本発明の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法の実施の形態の第２の例を説明する。
第２の例の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法は、簡単には、第２の例も、第１の例と同様、光近接効果を補正するために光近接補正（ＯＰＣ）を施したパターンを有するフォトマスクで、該光近接補正（ＯＰＣ）を施したパターンには、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像されないサイズ、間隔の微細なパターンを、光近接効果補正用として分散して配設されている光近接補正パターンを有するフォトマスクを作製するためのフォトマスク用データの作成方法であるが、第２の例は、図１に示すフローにおいて、第１の補正データ（Ｓ１２）を用いず、設計データ（Ｓ１１）を処理対象の出発フォトマスク用データとし、先に述べた連続処理を行わず、先に述べた分散処理（Ｓ１１）のみで、光近接効果補正（ＯＰＣ）されたフォトマスク用データを作成するものである。
【００１７】
以下、第２の例を、図１に基づいて説明する。
点線矢印で示すように、設計データ（Ｓ１１）を処理対象の出発フォトマスク用データとして、第１の例と同様、フォトマスク用データ（Ｓ１３）について、シミュレーションにより、フォトマスク用データに対応したウエハ上パターンを得て（Ｓ１３〜Ｓ１５）、更に、設計データのパターンとウエハ上パターンとの差である差パターン（Ｓ１６）を求める差パターン取得処理と、この差パターンが小さくなるように、分散補正（Ｓ１７）を行うという一連の処理を差パターンにおいて予め決められた所定のサイズより大きいパターンが無くなるまで繰り返して行い、最終的に得られたフォトマスク用データを補正後の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データとして得る。
尚、ここでも、分散補正処理は、フォトマスク用データに対し、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズ、間隔の微細なパターンを、光近接効果補正用として分散して配設し、新たにフォトマスク用データを得るものであり、本例でも、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズの微細なパターンは、所定のピッチＰａのグリッドにのるドットパターン１個以上からなり、その分布状態（疎密具合およびまたはその配設領域）により光近接効果の補正を行う。
設計データで図２（ａ）に示されるパターン１１０は、１回目の分散補正で図２（ｂ１）のようになり、最終的に補正後には図２（ｄ）に近い形状になる。
そして、勿論、このような補正後のデータを用いて描画され作製されたフォトマスクの前記図２（ｄ）の形状に近いパターンのウエハ上の転写像は、図２（ａ）のような設計形状に近いものとなる。
【００１８】
本発明の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法は、上記、第１の例、第２の例に限定されるものではない。
例えば、場合によっては、連続補正、分散補正を独立して併用するような形態を採っても良い。
また、場合によっては、連続補正における角部や端部へのパターンの追加ないし削除パターンとして、該パターンより更に微細な所定ピッチＣのグリッドにのる所定の均一分布で、且つ転写により解像しないドットパターンを、その面積を変えて配設しても良い。
また、シミュレーションを利用する差パターン取得処理に代え、実際の作製工程を行い、フォトマスク用データに対応したウエハ上パターンを得る形態、あるいは、シミュレーションに、実際の作製工程によるものを併用する形態を採ることもできる。
また、第１の例、第２の例では、図１に示すように、シミュレーションによりフォトマスクパターン（Ｓ１４）を求めたが、場合によっては、フォトマスクパターン形状をフォトマスク用データの形状と同じものとして、シミュレーションによりウエハ上のパターン形状を求める形態を採ることもできる。
【００１９】
次いで、本発明の光近接補正されたパターンを有するフォトマスク実施の形態の第１の例を説明する。
第１の例は、上記第１の例の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法により作成されたフォトマスク用データを用い、電子ビーム露光装置にて、フォトマスク用基板（フォトマスクブランクスとも言う）の遮光膜上に配設された感光性レジストに露光描画を行い、現像、エッチング工程等を経て作製されるものである。
光近接補正（ＯＰＣ）を施したパターンには、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像されないサイズ、間隔の微細なパターン（図２（ｄ）の微細パターン１１５に相当するパターン）が、光近接効果補正用として分散して配設されているものである。
ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズの微細なパターン（図２（ｄ）の微細パターン１１５に相当するパターン）は、所定のピッチＰａのグリッドにのるドットパターン１個以上からなり、その分布状態により光近接効果の補正を行っているものである。
【００２０】
次いで、本発明の光近接補正されたパターンを有するフォトマスク実施の形態の第２の例を説明する。
第２の例は、上記第２の例の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法により作成されたフォトマスク用データを用い、電子ビーム露光装置にて、フォトマスク用基板（フォトマスクブランクスとも言う）の遮光膜上に配設された感光性レジストに露光描画を行い、現像、エッチング工程等を経て作製されるものである。
第２の例も、第１の例と同様、光近接補正（ＯＰＣ）を施したパターンには、ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像されないサイズ、間隔の微細なパターン（図２（ｄ）の微細パターン１１５に相当するパターン）が、光近接効果補正用として分散して配設されているものである。
ウエハへの転写露光の際に、ウエハ上で露光波長では解像しないサイズの微細なパターン（図２（ｄ）の微細パターン１１５に相当するパターン）は、所定のピッチＰａのグリッドにのるドットパターン１個以上からなり、その分布状態により光近接効果の補正を行っているものである。
【００２１】
また、発明の光近接補正パターンを有するフォトマスクも、上記、第１の例、第２の例に限定されるものではない。
適用できるフォトマスクとしては、通常の、バイナリーマスクに限定されず、各種の位相シフトマスクも適宜適用できる。
【００２２】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、フォトマスクのパターンの微細化に対応でき、且つ、ウエハ上で不要の転写パターンの発生が無いＯＰＣパターンを有するフォトマスクの提供、及び、そのようなフォトマスクを作製するためのフォトマスク用データの提供を可能とした。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光近接補正パターンを有するフォトマスク用データの作成方法の実施の形態の第１の例のフロー図である。
【図２】設計データに対する補正手順を説明するための図である。
【図３】設計パターンに対応したフォトマスクパターン形状とウエハ上パターン形状を説明するための図である。
【図４】従来のデータ上のＯＰＣパターンに対応したフォトマスクパターン形状とウエハ上パターン形状を説明するための図である。
【図５】従来の補正パターン形状を説明するための図である。
【符号の説明】
１１０            設計データのパターン
１１１、１１１ａ、１１２、１１２ａ  （連続補正処理による）補正パターン
１１５、１１５ａ  （分散補正処理による）微細パターン
１２０            近接効果補正パターン（ＯＰＣパターン）
４１０            設計図形データ
４１３            フォトマスク上の形成パターン
４１５            ウエハ上の形成パターン
４２０            補正済の図形データ
４２３            フォトマスク上の形成パターン
４２５            ウエハ上の形成パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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