(57)【要約】【課題】半導体基板上に成膜されたＩＴＯ膜のドライエッチングを行う際、エッチング処理室の雰囲気を堆積物のない清浄に保つことができる半導体基板製造装置の洗浄方法及びその装置を提供する。【解決手段】半導体基板６０上に成膜した透明電極を、エッチング処理室３０のステージ台５２に半導体基板６０を載置してドライエッチングする半導体基板の製造工程において、上記ドライエッチング後の上記半導体基板６０を上記エッチング処理室３０外に搬出する工程と、第２のドライエッチングにより上記エッチング処理室３０に付着した堆積物を洗浄する工程とを具備したことを特徴とする。【選択図】　図７
2004119505.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に成膜した透明電極を、エッチング処理室のステージ台に半導体基板を載置してドライエッチングする半導体基板の製造工程において、
上記ドライエッチング後の上記半導体基板を上記エッチング処理室外に搬出する工程と、
上記エッチング処理室内に付着した堆積物を、第２のドライエッチングにより洗浄する工程と、
を具備することを特徴とする半導体基板製造装置の洗浄方法。
【請求項２】
上記第２のドライエッチングは、上記エッチング処理室のステージ台に何も載置しない状態で行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体基板製造装置の洗浄方法。
【請求項３】
上記第２のドライエッチングは、上記エッチング処理室のステージ台にダミー基板を載置して行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体基板製造装置の洗浄方法。
【請求項４】
上記ダミー基板は、上記エッチング処理室のステージ台を保護することを特徴とする請求項３に記載の半導体基板製造装置の洗浄方法。
【請求項５】
上記ダミー基板は、上記第２のドライエッチングに用いるエッチングガスと反応して生成される堆積物を、生成しにくい材質で構成されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体基板製造装置の洗浄方法。
【請求項６】
上記ダミー基板は、上記半導体基板と同じ材質で構成されていることを特徴とする請求項１または３に記載の半導体基板製造装置の洗浄方法。
【請求項７】
上記第２のドライエッチングに用いるエッチングガスは、上記透明電極をドライエッチングするエッチングガスとは異なることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板製造装置の洗浄方法。
【請求項８】
上記第２のドライエッチングに用いるエッチングガスは、ｃｌ２ガス、またはＢＣｌ３ガス、あるいは、これらの混合ガスである塩素系ガスを用いることを特徴とする請求項１または５に記載の半導体基板製造装置の洗浄方法。
【請求項９】
上記透明電極のドライエッチングに用いるエッチングガスは、ヨウ化水素、及び臭化水素等を含むハロゲンガスを用いることを特徴とする請求項１または５に記載の半導体基板製造装置の洗浄方法。
【請求項１０】
上記半導体基板は、電気光学装置用基板であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の半導体基板製造装置の洗浄方法。
【請求項１１】
半導体基板上に成膜した透明電極を、エッチング処理室のステージ台に半導体基板を載置してドライエッチングする第１のドライエッチング手段と、
上記ドライエッチング後の上記半導体基板を上記エッチング処理室外に搬出する搬出手段と、
上記エッチング処理室内に付着した堆積物を洗浄する、第２のドライエッチング手段と、
を具備することを特徴とする半導体基板製造装置の洗浄装置。
【請求項１２】
上記第２のドライエッチング手段は、上記エッチング処理室のステージ台に何も載置しない状態でドライエッチングを行う手段であることを特徴とする請求項９に記載の半導体基板製造装置の洗浄装置。
【請求項１３】
上記第２のドライエッチング手段は、上記エッチング処理室のステージ台にダミー基板を載置してドライエッチングを行う手段であることを特徴とする請求項９に記載の半導体基板製造装置の洗浄装置。
【請求項１４】
上記半導体基板は、電気光学装置用基板であることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載の半導体基板製造装置の洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板製造装置の洗浄方法及び洗浄装置に関し、特に、半導体基板製造装置内に付着する堆積物の洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
周知のように、液晶ライトバルブ等の液晶装置は、ガラス基板、石英基板等からなる２枚の半導体基板間に液晶を封入して構成されており、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下、ＴＦＴと称す）をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に封止した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。よって、これらの半導体基板上には、光が液晶装置を透過するためのＩｎ２Ｏ３（インジウム）等の成分からなる透明電極（以下、ＩＴＯと称す）が成膜されており、このＩＴＯは、成膜後、所定の形状にパターンニングされる。
【０００３】
このＩＴＯを所定の形状にパターンニングする工程には、雰囲気を真空状態にしたエッチング処理室内にＣＦ４などの反応ガスを入れ、高周波源から高周波電力を加えることにより発生するプラズマを利用した反応性イオンエッチング法（以下、ＲＩＥ法と称す）等のドライエッチング法が用いられることが周知である。
【０００４】
上記プラズマ中では、電界で加速された電子との衝突によって、ガスが解離し、イオン、並びに化学的に極めて活性な原子及び分子が生成される。
【０００５】
ＲＩＥ法は、この反応ガスの解離により生成されたイオンを利用するものであり、イオンを電界で加速させ、エッチングの対象物に衝突させることによりエッチングが行われる。尚、このようなイオンの衝突は、深さ方向のみに生ずるので、エッチングは垂直方向にのみ進行する。よって、このドライエッチングは異方性エッチングとなる。
【０００６】
ところで、ＲＩＥ法等を用いたドライエッチングは、真空雰囲気状態にした半導体基板製造装置のエッチング処理室内で、例えばＨＩ（ヨウ化水素）、及びＨＢｒ（臭化水素）を含むハロゲンガスを用いて行われる。
【０００７】
しかし、複数枚の半導体基板に対し、ドライエッチングを行うと、エッチング処理室の例えば天井、及び内壁等に、ＩＴＯの成分であるＩｎ２Ｏ３と、例えばＨＩ、及びＨＢｒの成分が反応することにより生成された化合物が付着してしまう。半導体基板の処理枚数が増えるとこの化合物が堆積し、その結果、剥がれて基板上に落下してしまう。即ち、付着した堆積物によって基板のパターンニング不良を引き起こしてしまうといった問題があった。
【０００８】
このような問題を解決するために、従来のＲＩＥ法等を用いて半導体基板上に成膜されたＩＴＯ膜のドライエッチングを行う方法では（例えば、特許文献１参照。）、臭化水素、及びヨウ化水素を含むエッチングガスを用いてＩＴＯ膜の第１のドライエッチングを行った後に、塩素系エッチングガスを用いて第２のドライエッチングを行う。
【０００９】
このことにより、ＩＴＯ膜のドライエッチングによって、エッチング処理室に付着した堆積物の除去を行うようにしている。
【００１０】
【特許文献１】
特許３０５４５８４号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献１において開示されているエッチング処理室に付着した堆積物の除去を行う方法では、塩素系エッチングガスを用いた第２のエッチングガスでエッチング室内の洗浄を行っていることから半導体基板上のＩＴＯ膜の下面に成膜された層関絶縁膜までも過剰にエッチングしてしまい、製品不良、並びに製品の信頼性を低下させてしまうという虞があった。
【００１２】
また、基板保護のため、塩素系エッチングガスの濃度を低下させると、エッチング処理室内の洗浄効果が薄れ、洗浄に多大な時間がかかってしまうといった問題があった。
【００１３】
本発明は、上記問題点に着目してなされたものであり、半導体基板上に成膜されたＩＴＯ膜の下面に成膜された層間絶縁膜までも過剰にエッチングすることのない半導体基板製造装置の洗浄方法、及びその装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段、及び作用】
本発明に係る半導体基板製造装置の洗浄方法は、半導体基板上に成膜した透明電極を、エッチング処理室のステージ台に半導体基板を載置してドライエッチングする半導体基板の製造工程において、上記ドライエッチング後の上記半導体基板を上記エッチング処理室外に搬出する工程と、上記エッチング処理室内に付着した堆積物を、第２のドライエッチングにより洗浄する工程とを具備することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の半導体基板製造装置の洗浄方法の１つの態様としては、上記第２のドライエッチングは、上記エッチング処理室のステージ台に何も載置しない状態で行うことを特徴とする。
【００１６】
本発明の半導体基板製造装置の洗浄方法によれば、エッチング処理室に付着した堆積物を洗浄する第２のドライエッチングを、半導体基板をエッチング処理室外に搬出した後に行うので、上記半導体基板の透明電極の下面に成膜された層関絶縁膜を過剰にエッチングすることを防止することができるという効果を有する。
【００１７】
また、本発明の半導体基板製造装置の洗浄方法の１つの態様としては、上記第２のドライエッチングは、上記エッチング処理室のステージ台にダミー基板を載置して行うことを特徴とする。
【００１８】
さらに、本発明の半導体基板製造装置の洗浄方法の１つの態様としては、上記ダミー基板は、上記エッチング処理室のステージ台を保護することを特徴とする。
【００１９】
この構成によれば、エッチング処理室内に付着した堆積物を洗浄する第２のドライエッチングを行う際、エッチング処理室のステージ台にダミー基板を載置することで、第２のドライエッチングに用いる塩素系のエッチングガスからステージ台を保護し、ステージ台の劣化を防止することができる。
【００２０】
また、本発明の半導体基板製造装置の洗浄方法の１つの態様としては、上記ダミー基板は、上記第２のドライエッチングに用いるエッチングガスと反応して生成される堆積物を、生成しにくい材質で構成されていることを特徴とする。
【００２１】
この構成によれば、上記第２のドライエッチングに用いるエッチングガス（塩素系ガス）と上記ダミー基板の材質とは、反応して堆積物を生成しにくいため、エッチング処理室内を清浄に保ち、ステージ台の劣化を防止することができるという効果を有する。塩素系ガスと反応しにくいダミー基板としては、石英等が挙げられる。
【００２２】
また、本発明の半導体基板製造装置の洗浄方法の１つの態様としては、上記ダミー基板は、上記半導体基板と同じ材質で構成されていることを特徴とする。
【００２３】
この構成によれば、ダミー基板を用いて上記第２のドライエッチングを行ったとしても、ダミー基板は、半導体基板と同じ材質で構成されているため、エッチング処理室内の雰囲気を第１のドライエッチング時と同じ雰囲気に保つことができるという効果を有する。ダミー基板としては、シリコン等が挙げられる。
【００２４】
また、本発明の半導体基板製造装置の洗浄方法の１つの態様としては、上記第２のドライエッチングに用いるエッチングガスは、上記透明電極をドライエッチングするエッチングガスとは異なることを特徴とする。
【００２５】
この構成によれば、それぞれの用途に合ったエッチングガスを用いてドライエッチングを行うので、効率良く透明電極のエッチング、及びエッチング処理室に付着した堆積物を洗浄する第２のドライエッチングを行うことができるという効果を有する。
【００２６】
また、本発明の半導体基板製造装置の洗浄方法の１つの態様としては、上記第２のドライエッチングに用いるエッチングガスは、ｃｌ２ガス、またはＢＣｌ３ガス、あるいは、これらの混合ガスである塩素系ガスを用いることを特徴とする。
【００２７】
この構成によれば、エッチング処理室に付着した堆積物を洗浄する第２のドライエッチングを行う際、洗浄効果の強力な塩素系ガスを用いることにより、エッチング処理室内に付着した堆積物を確実に洗浄することができ、エッチング処理室を清浄に保つことができるという効果を有する。
【００２８】
さらに、本発明の半導体基板製造装置の洗浄方法の１つの態様としては、上記透明電極のドライエッチングに用いるエッチングガスは、ヨウ化水素、及び臭化水素等を含むハロゲンガスを用いることを特徴とする。
【００２９】
この構成によれば、透明電極をドライエッチングする際、下地絶縁膜と選択性の高いヨウ化水素、及び臭化水素等を含むハロゲンガスを用いるので、効率良く、かつ正確に透明電極をエッチングすることができるという効果を有する。
【００３０】
また、上記半導体基板は、電気光学装置用基板であることを特徴とする。電気光学装置用基板とは、例えば、液晶装置、電気泳動装置等に用いられる基板を含む。
【００３１】
本発明の半導体基板製造装置の洗浄装置の１つの態様としては、半導体基板上に成膜した透明電極を、エッチング処理室のステージ台に半導体基板を載置してドライエッチングする第１のドライエッチング手段と、上記ドライエッチング後の上記半導体基板を上記エッチング処理室外に搬出する搬出手段と、上記エッチング処理室内に付着した堆積物を洗浄する、第２のドライエッチング手段とを具備することを特徴とする。
【００３２】
また、本発明の半導体基板製造装置の洗浄装置の１つの態様としては、上記第２のドライエッチング手段は、上記エッチング処理室のステージ台に何も載置しない状態でドライエッチングを行う手段であることを特徴とする。
【００３３】
本発明の半導体基板製造装置の洗浄装置によれば、第２のドライエッチング手段により行われるエッチング処理室に付着した堆積物の洗浄を、半導体基板をエッチング処理室外に搬出した後に行うので、上記エッチング処理室洗浄時に、上記半導体基板の透明電極の下面に成膜された層関絶縁膜を過剰にエッチングすることを防止することができるという効果を有する。
【００３４】
さらに、本発明の半導体基板製造装置の洗浄装置の１つの態様としては、上記第２のドライエッチング手段は、上記エッチング処理室のステージ台にダミー基板を載置してドライエッチングを行う手段であることを特徴とする。
【００３５】
この構成によれば、エッチング処理室内に付着した堆積物の洗浄を第２のドライエッチング手段を用いて行う際、エッチング処理室のステージ台にダミー基板を載置することで、第２のドライエッチング手段に用いる塩素系のエッチングガスからステージ台を保護し、ステージ台の劣化を防止することができる。
【００３６】
【発明の実施の形態】
先ず、本発明の一実施の形態を説明するに先立って、半導体基板の製造工程について、例えば、液晶装置を構成するＴＦＴ基板を例に挙げて説明する。
【００３７】
図１は、ＴＦＴ基板の製造工程を工程順に示したフローチャート、図２（ａ）〜図５（ｖ）は、ＴＦＴ基板の製造工程における縦断面図である。
まず、図１のステップＳ１において、図２（ａ）に示すように、石英ガラス等からなる半導体素子基板１０に対し、エッチング等により溝１１を各ＴＦＴ素子の配置領域に形成してステップＳ２に移行し、次に、ステップＳ２で、図２（ｂ）に示すように、溝１１に遮光膜１２を形成し、ステップＳ３に移行する。
【００３８】
ステップＳ３では、図２（ｃ）に示すように、第１層間絶縁膜１３を遮光膜１２上に形成してステップＳ４に移行し、ステップＳ４では、図２（ｄ）に示すように、第１層間絶縁膜１３上に半導体層５を形成し、ステップＳ５に移行する。
【００３９】
ステップＳ５では、図２（ｅ）に示すように、半導体層５上に下層及び上層ゲート絶縁膜２を形成してステップＳ６に移行し、続くステップＳ６では、図２（ｆ）に示すように、ゲート絶縁膜２上にポリシリコンによる走査線３を形成してステップＳ７に移行する。
【００４０】
次に、Ｎチャネル型の場合には、ステップＳ７　において、図２（ｇ）に示すように、不純物、例えばＰイオン７を添加（以下、ドープと称す）して、半導体層に低濃度のソース領域２０及びドレイン領域２１を形成してステップＳ８に移行し、ステップＳ８では、走査線３上及びその周辺上に図示しないレジストを形成した後、図２（ｈ）に示すように、高濃度のＰイオン２２をドープして、高濃度のソース・ドレイン領域１ａ，１ｂを形成してステップＳ９に移行する。こうして、低濃度のソース・ドレイン領域と高濃度のソース・ドレイン領域とを有するＬＤＤ構造の素子を構成する。
【００４１】
ステップＳ９では、図３（ｉ）に示すように、上記ＬＤＤ構造の素子上に第２層間絶縁膜１４を形成してステップＳ１０に移行し、ステップＳ１０では、図３（ｊ）に示すように半導体層と後述する中間導電層１５との間を接続する第１のコンタクトホール２４ａ，２６ａを形成し、ステップＳ１１に移行する。
【００４２】
次のステップＳ１１では、図３（ｋ）に示すように、ＴＦＴ素子上に中間導電層１５を形成し、ステップＳ１２に移行し、ステップＳ１２では、図３（ｌ）に示すように、中間導電層１５上に誘電体膜１７を形成してステップＳ１３に移行し、さらに、ステップＳ１３では、図３（ｍ）に示すように、容量線１８を形成し、ステップＳ１４に移行する。これにより、蓄積容量が構成される。
【００４３】
ステップＳ１４では、図３（ｎ）に示すように、第３層間絶縁膜１９を容量線１８上に形成してステップＳ１５に移行し、ステップＳ１５では、図３（ｏ）に示す第３層間絶縁膜１９に水素化処理を行った後、図４（ｐ）に示すように、第３層間絶縁膜１９に第２のコンタクトホール２４ｂを形成し、ステップＳ１６に移行する。
【００４４】
ステップＳ１６では、図４（ｑ）に示すように、コンタクトホール２４ｂを埋めるように、第３層間絶縁膜１９上にデータ線６となる、例えばアルミニウムを形成し、ステップＳ１７に移行し、次いで、ステップＳ１７では、図４（ｒ）に示すように、第４層間絶縁膜２５を形成してステップＳ１８に移行し、さらに、ステップＳ１８では、図４（ｓ）に示すように、第４層間絶縁膜２５及び第３層間絶縁膜１９に中間導電層１５と後述するＩＴＯ９とを接続する第３のコンタクトホール２６ｂを形成し、ステップＳ１９に移行する。
【００４５】
最後に、ステップＳ１９では、図４（ｔ）に示すように、第２のコンタクトホール２６ｂの内周面及び第４層間絶縁膜２５上にＩＴＯ９を成膜する。その後、図５（ｕ）に示すように、ＩＴＯ９上にパターン化した、レジスト４を形成し、さらに、図５（ｖ）に示すように、ドライエッチングにより、ＩＴＯ９をエッチングすることにより、ＩＴＯ９は、所定形状に形成される。このような工程を経て、ＴＦＴ基板は製造される。
【００４６】
次に、上述した図１のステップＳ１９、並びに図５（ｖ）に示すＩＴＯ９を形成するためのエッチング方法、及びエッチング処理後のエッチング処理室の洗浄方法について説明する。
【００４７】
尚、本実施形態における半導体基板製造装置とは、ドライエッチング装置のことである。
【００４８】
図６は、本発明の一実施の形態を示す半導体基板製造装置の洗浄方法を示したフローチャート、図７は、本発明の一実施の形態を示す半導体基板製造装置を示した平面図、図８は、図７の半導体基板製造装置におけるエッチング処理室の構成の概略を示した要部拡大縦断面図、図９は、本発明の一実施の形態における半導体基板製造装置の洗浄方法の変形例を示したフローチャート、図１０は、本発明の一実施の形態を示す半導体基板製造装置の変形例を示した平面図である。
【００４９】
図７に示すように、ドライエッチング装置１００は、上述のように処理される半導体基板をステージ台５２に載置してエッチングを行う複数のエッチング処理室３０と、エッチング処理室３０への基板の搬送出を行うアーム３１を有し、エッチング処理時には、真空状態となる第１の基板搬送部３２と、複数枚の半導体基板６０を収納する基板収納カセット３６と、この基板収納カセット３６から第１の基板搬送部３２に基板を搬送するための、エッチング処理中も大気状態を保つ第２の基板搬送部３５と、この第２の基板搬送部３５、及び第１の基板搬送部３２に隣接し、基板搬送部３５から基板を搬入するための取出し口となる基板搬入室３３と、エッチング処理室３０でエッチングされた基板を、基板搬送部３５に戻すための基板搬出室３４とで構成されている。尚、上記アーム３１は、上記ドライエッチング後の上記半導体基板を上記エッチング処理室外に搬出する搬出手段を構成している。
【００５０】
また、図８に示すように、エッチング処理室３０は、半導体基板６０の表面積と同面積で形成され、搬入された半導体基板６０を載置する、プラズマ耐性に優れたステージ台５２と、このステージ台５２上に配置され、プラズマ５６を発生させるための陰極５３、及びエッチング処理室３０の上部であって陰極５３と対向する位置に配設された陽極５７と、陰極５３、及び陽極５７に、プラズマ５６を発生させるための高周波電力を印加する高周波電源（ＲＦ）５１と、ドライエッチングのための反応ガスを供給する供給口５４と、反応ガスを排出する排出口５５とで構成されている。
【００５１】
上述した図１のステップＳ１９、並びに図５（ｖ）に示した半導体基板６０のＩＴＯ９を所定の形状にエッチングするには、図６に示すように、まず、ステップＳ３０で、半導体基板６０をエッチング処理室３０に搬入する。
【００５２】
詳しくは、基板収納カセット３６に、収納された例えば２０枚の半導体基板６０のうちの１枚を、第２の基板搬送部３５に搬送し、その後、第１の基板搬送部３２、及びエッチング処理室３０を、ドライエッチングを行うために真空状態にする。
【００５３】
第１の基板搬送部３２、及びエッチング処理室３０が真空状態になった後、半導体基板６０を基板搬入室３３に搬入し、その後、この半導体基板６０をアーム３１により、図８に示すように、エッチング処理室３０内に搬送し、ステージ台５２に同ステージ台を覆うように載置する。その後、ステップＳ３１に移行する。
【００５４】
次に、ステップＳ３１では、半導体基板６０のＩＴＯ９を所定の形状にエッチングする第１のドライエッチングを行う。図８に示すように、供給口５４からＨＩ、及びＨＢｒ等を含むハロゲンガスを供給し、その後、高周波電源５１から陽極５７、及び陰極５３に高周波電力を印加すると、放電が生じてプラズマ５６が発生する。尚、ここで、エッチングガスに、ＨＩ、及びＨＢｒ等を含むハロゲンガスを用いるのは、第４層間絶縁膜２５（図４ｆ参照）に対し、エッチングの選択性が高いためである。また、上記ＨＩ、及びＨＢｒ等を含むハロゲンガスは、第１のエッチング手段を構成している。
【００５５】
このプラズマ５６中では、電界で加速された電子の衝突によってガスが解離し、このプラズマで解離した陽イオンが、電界で加速されて、半導体基板６０のＩＴＯ９に衝突する。この陽イオンの衝突によって、ＩＴＯ９の第１のドライエッチングが行われる。第１のドライエッチング終了後、ステップＳ３２に移行する。
【００５６】
ステップ３２では、第１のドライエッチング終了後の半導体基板６０をエッチング処理室３０外に搬送する。まず、排出口５５からエッチングガスを排出し、次に、アーム３１により、半導体基板６０をエッチング処理室３０から搬出し、その後、基板搬出室３４に搬入し、次に、大気状態の第２の基板搬送部３５に搬入し、さらに、基板収納カセット３６に収納する。その後、ステップＳ３３に移行する。
【００５７】
ステップＳ３３では、ステップＳ３１〜ステップＳ３２で行った第１のドライエッチング処理が半導体基板６０に対し、２０枚に達したか否かを判定する。半導体基板の処理枚数が２０枚に達していればステップＳ３４に移行し、達していなければ、ステップＳ３０に戻って、次の半導体基板６０を１枚、第２の基板搬送部３５に搬送し、上述した手法と同様の手法によりＩＴＯ９の第１のドライエッチングを行うステップＳ３０〜ステップＳ３２の処理を処理枚数が２０枚に達するまで繰り返す。
【００５８】
ここで、上述したように、複数枚の半導体基板に対し、第１のドライエッチングを行うと、エッチング処理室３０の例えば天井、及び内壁等に、ＩＴＯ９の成分であるＩｎ２Ｏ３と、例えばＨＩ、及びＨＢｒの成分とが反応することにより生成された化合物が付着してしまい、半導体基板の処理枚数が増えるとこの化合物が堆積し、その結果、剥がれて基板上に落下し、この落下した堆積物によって基板のパターンニング不良を引き起こしてしまうといった問題があった。
【００５９】
そこで、エッチング処理室の洗浄を行うために、まず、ステップＳ３４で、エッチング処理室３０のステージ台５２に半導体基板６０を載置しない“空”状態とする。その後、再度、第１の基板搬送部３２、及びエッチング処理室３０を第２のドライエッチングを行うために真空状態にして、ステップＳ３５に移行する。
【００６０】
ステップＳ３５では、エッチング処理室の洗浄を行うために、第２のドライエッチングを行う。第１の基板搬送部３２、及びエッチング処理室３０が真空状態になった後、図８に示すように、エッチング処理室３０の供給口５４から、上述した、エッチング処理室内に付着した堆積物を洗浄するために、ｃｌ２ガス、またはＢＣｌ３ガス、あるいは、これらの混合ガスである塩素系ガスを供給し、その後、高周波電源５１から陽極５７、及び陰極５３に高周波電力を印加すると、放電が生じてプラズマ５６が発生し、エッチング処理室内に付着した堆積物が洗浄され、第２のドライエッチングが行われる。
【００６１】
尚、ここで、エッチングガスに、ｃｌ２ガス、またはＢＣｌ３ガス、あるいは、これらの混合ガスである塩素系ガスを用いるのは、洗浄効果が強力なためである。また、上記ｃｌ２ガス、またはＢＣｌ３ガス、あるいは、これらの混合ガスである塩素系ガスは、第２のエッチング手段を構成している。
【００６２】
上記第２のドライエッチング終了後、排出口５５からエッチングガスを排出し、エッチング処理室３０の洗浄は完了する。その後、半導体基板６０のＩＴＯ９のエッチングを続けておこなうために、ステップＳ３０に戻り、ステップＳ３０〜ステップＳ３５までを規定回数繰り返す。
【００６３】
このように、本発明の一実施形態における半導体基板製造装置の洗浄方法及びその装置は、半導体基板６０のＩＴＯ９を所定形状にドライエッチングする際に発生し、エッチング処理室３０に付着する堆積物の洗浄を、半導体基板６０をエッチング処理室外に搬出してから行うため、下地絶縁膜の過剰なエッチングによる製品不良を防止することができる。
【００６４】
また、エッチング処理室３０の洗浄に洗浄効果の高い強力なエッチングガスを用いることができるため、効率良く、かつ、確実にエッチング処理室の洗浄を行うことができ、かつエッチング処理室を清浄な状態に保つことができる。
【００６５】
尚、本実施形態におけるエッチング処理室３０のステージ台５２は、プラズマ耐性に優れた材質で構成されているため、塩素系ガスを用いた上記第２のドライエッチングにより、ステージ台が劣化することはない。
【００６６】
また、上述した本実施形態の半導体基板製造装置の洗浄方法は、エッチング処理室の洗浄を、エッチング処理室を空の状態にして行うようにしたが、これに限らず、図９及び図１０に示すように、ダミー基板６１を用いて第２のドライエッチングを行っても良い。
【００６７】
これは、図９に示すように、まず、ステップＳ４０〜ステップＳ４３で上述した図６のステップ３０〜ステップ３３までと同様の手法を用いて第１のドライエッチングを半導体基板６０のＩＴＯ９に対して２０枚に達するまで行う。その後、ステップＳ４４で、図１０に示すように、半導体基板製造装置１００の基板収納カセット４６内に、堆積物を生成しにくい材質（例えば石英）で構成されているダミー基板６１を配設し、このダミー基板６１をエッチング処理室３０に搬入して、ステージ台５２に同ステージ台を覆うように載置し、（図８参照）ステップＳ４５に移行する。
【００６８】
次にステップＳ４５で、塩素系ガスを用いて、図６で示した第２のドライエッチングと同様の手法を用いて第２のドライエッチングを行ってステップＳ４６に移行し、最後に、ステップＳ４６で図８の排出口５５からエッチングガスを排出し、エッチング処理室３０の洗浄は完了する。その後、半導体基板６０のＩＴＯ９のエッチングを続けておこなうために、ステップＳ４０に戻り、ステップＳ４０〜ステップＳ４６までを規定回数繰り返す。
【００６９】
これによれば、上記第２のドライエッチングを、ダミー基板６１を用いてステージ台５２を保護しながら行うことにより、ステージ台５２のプラズマによる劣化を防ぐことが出来、さらに、第２のドライエッチングによりダミー基板６１がエッチングされても、ダミー基板は、堆積物を生成しにくい材質で構成されているから、エッチング処理室を空の状態にした時と同様に、エッチング処理室内を洗浄でき、かつ清浄な状態に保つことができる。
【００７０】
尚、ダミー基板は、上記半導体基板と同じ材質（例えばシリコン（純度の高い方が好ましい））で構成されていても良い。このことにより、エッチング処理室内の雰囲気を上述した第１のドライエッチング時と同じ雰囲気に保つことができ、第２のドライエッチングによる洗浄後、続けて半導体基板の第１のドライエッチングを行うさい、エッチング特性を変えずにドライエッチングを行うことができる。
【００７１】
また、本実施形態においては、エッチング処理室の洗浄は、ＩＴＯのエッチングを２０枚行った後に行うとしたが、ＩＴＯの厚みによって、半導体基板の処理枚数を増減させ、例えば１枚毎に行っても良いことは勿論である。
【００７２】
さらに、上記第２のドライエッチングには、ｃｌ２ガス、またはＢＣｌ３ガス等の塩素系ガスを用いたが、これに限らず、付着した堆積物に対し洗浄効果の高いガスであれば、例えばＳＦ６、及びＣＦ４等のガスを用いても同様の効果が得られることは云うまでもない。
【００７３】
また、エッチング処理室に付着する上記堆積物は、ＴＦＴ基板のＩＴＯをエッチングする際、発生すると示したが、これに限らず、ＴＦＴ基板の代わりにＴＦＤ基板及びこれらに対向して形成される基板等、ＩＴＯをエッチングして形成する全ての基板に適用しても良い。
【００７４】
また、本発明の半導体基板の製造法及び製造装置は、液晶装置の他に装置、電気泳動装置等に用いられる基板をも含むものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＴＦＴ基板の製造工程を工程順に示したフローチャート、
【図２】〜溝掘工程〜ソース・ドレイン領域形成工程を示すＴＦＴ基板の断面図、
【図３】〜絶縁膜形成工程〜水素化処理工程を示すＴＦＴ基板の断面図、
【図４】〜コンタクトホール形成工程〜ＩＴＯ成膜工程を示すＴＦＴ基板の断面図、
【図５】〜レジスト形成工程〜ドライエッチング工程を示すＴＦＴ基板の断面図、
【図６】本発明の一実施の形態を示す半導体基板製造装置の洗浄方法を示したフローチャート、
【図７】本発明の一実施の形態を示す半導体基板製造装置を示した平面図、
【図８】図７の半導体基板製造装置におけるエッチング処理室の構成の概略を示した要部拡大縦断面図、
【図９】本発明の一実施の形態における半導体基板製造装置の洗浄方法の変形例を示したフローチャート、
【図１０】本発明の一実施の形態を示す半導体基板製造装置の変形例を示した平面図。
【符号の説明】
９…透明電極（ＩＴＯ）
３０…エッチング処理室
３１…アーム（搬出手段）
５２…ステージ台
６０…半導体基板
６１…ダミー基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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