(57)【要約】【課題】磁気ハードディスク基板の表面の半径方向に８０本／μｍ以上の密度の異常突起のない微細なテクスチャ条痕を明確に形成できる新規な研磨スラリー及び方法を提供することである。【解決手段】テクスチャ加工は、回転する磁気ハードディスク基板１７の表面に研磨スラリーを供給し、その上に研磨テープ１２を押し付け、走行させることによって行われる。この研磨スラリーは、研磨粒子を分散媒中に分散させたものであり、研磨粒子として、粒径が１〜１０ｎｍの範囲にある単結晶ダイヤモンド粒子、多結晶ダイヤモンド粒子、又はこれら単結晶及び多結晶ダイヤモンド粒子からなるクラスター粒子が使用される。研磨粒子として、分散媒中でクラスター粒子同士が凝集した凝集体からなる凝集クラスター粒子がさらに使用される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ハードディスク基板の表面をテクスチャ加工するために用いられる研磨スラリーであって、
研磨粒子、及び
前記研磨粒子の分散媒、
から成り、
前記研磨粒子として、粒径が１〜１０ｎｍの範囲にある単結晶ダイヤモンド粒子、多結晶ダイヤモンド粒子、又はこれら単結晶及び多結晶ダイヤモンド粒子からなるクラスター粒子が使用され、
前記分散媒として、水又は水ベースの水溶液が使用される、
ところの研磨スラリー。
【請求項２】
前記研磨粒子として、前記分散媒中で前記クラスター粒子同士が凝集した凝集体からなる凝集クラスター粒子がさらに使用される、請求項１の研磨スラリー。
【請求項３】
前記研磨粒子の含有量は、当該研磨スラリーの全量に対して０．０１重量％以上の範囲にある、請求項１又は２の研磨スラリー。
【請求項４】
前記研磨粒子の含有量は、当該研磨スラリーの全量に対して０．０１〜３重量％の間の範囲にある、請求項１又は２の研磨スラリー。
【請求項５】
前記研磨粒子の含有量は、当該研磨スラリーの全量に対して０．０１〜１重量％の範囲にある、請求項１又は２の研磨スラリー。
【請求項６】
前記水ベースの水溶液が、非イオン界面活性剤、有機リン酸エステル、高級脂肪酸アマイド、グリコール系化合物、高級脂肪酸金属塩及びアニオン界面活性剤から選択される一種又は二種以上の添加剤を水に添加した水溶液である、請求項１の研磨スラリー。
【請求項７】
前記添加剤の含有量は、当該研磨スラリーの全量に対して１〜１０重量％の範囲にある、請求項６の研磨スラリー。
【請求項８】
磁気ハードディスク基板の表面をテクスチャ加工するための方法であって、
磁気ハードディスク基板を回転させる工程、
前記磁気ハードディスク基板の表面に、請求項１〜６のいずれか１に記載の研磨スラリーを供給する工程、及び
前記磁気ハードディスク基板の表面に研磨テープを押し付け、走行させる工程、
から成る方法。
【請求項９】
前記研磨テープとして、織布、不織布、植毛布、起毛布又は発泡体からなるテープが使用される、請求項８の方法。
【請求項１０】
前記織布、前記不織布及び前記起毛布が、マイクロファイバーからなる、請求項９の方法。
【請求項１１】
前記植毛布の植毛、及び前記起毛布の起毛が、マイクロファイバーからなる、請求項９の方法。
【請求項１２】
前記マイクロファイバーの太さが０．１〜５μｍの範囲にある、請求項１０又は１１の方法。
【請求項１３】
前記発泡体の表面に散在する気泡からなる凹部の径が０．１〜５μｍの範囲にある、請求項９の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ハードディスク基板の表面をテクスチャ加工するために用いられる研磨スラリー及び方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、磁気ハードディスクへの記録容量の増大に伴なって、信号の記録及び再生を効率良く行うため、磁気ハードディスクの表面からの磁気ヘッドの浮上量をより小さく（５０ｎｍ以下）することが要求されている。また、このように小さい磁気ヘッドの浮上量の要求とともに、磁気ハードディスク基板の表面に形成されるテクスチャ条痕の高密度化（８０本／μｍ以上）も要求されている。
【０００３】
一般に、磁気ヘッドの浮上量を小さくするためには、磁気ハードディスクの表面への磁気ヘッドの吸着と衝突を防止する必要がある。
【０００４】
磁気ヘッドの吸着を防止するためには、磁気ハードディスクの表面が適当な粗さとなっていることが必要であり、このため、磁気ハードディスク基板の表面にテクスチャ加工を施して、磁気ハードディスク基板の表面にテクスチャ条痕と呼ばれるほぼ同心円状の凹凸を形成し、磁気ハードディスクの表面に適度な粗さを与えるとともに、磁気ハードディスクの表面の円周方向に磁気的配向を与えて磁気特性を向上している。ここで、磁気特性を向上するためには、微細なテクスチャ条痕を形成する必要がある（これは、テクスチャ条痕のピッチを微細化する必要があること、すなわちテクスチャ条痕を高密度に形成する必要があることを意味する）。また、磁気ヘッドの衝突を防止するため、テクスチャ加工を施した磁気ハードディスク基板の表面には、異常突起がないことが必要である。
【０００５】
一般に、磁気ハードディスク基板として、表面にアルマイト処理やＮｉ−Ｐメッキなどの非磁性メッキを施したアルミニウム基板やガラス基板が広く使用されている。
【０００６】
磁気ハードディスク基板は、鏡面にポリッシングされた後に、テクスチャ加工が施され、磁気ハードディスク基板の表面にテクスチャ条痕が形成される。そして、この磁気ハードディスク基板の表面にスパッタリング等の既知の成膜技術を利用して磁性層と保護層が順次成膜され、磁気ハードディスクが製造される。
【０００７】
この磁気ハードディスクの表面には、磁気ハードディスク基板の表面に形成されたテクスチャ条痕とほぼ相似形の同心円状の凹凸が形成される。
【０００８】
ここで、磁気ハードディスクの表面に形成される凹凸は、磁気ハードディスク基板の表面に形成された凹凸の上に磁性層や保護層が積層されることによって形成されるものなので、磁気ハードディスク基板の表面に形成された凹凸よりも高さがあり、やや緩やかな勾配の凹凸となっている。
【０００９】
このため、磁気ハードディスク基板の表面には、微細で異常突起のないテクスチャ条痕が明確に形成される必要がある。
【００１０】
このように、コンピュータの外部記憶装置である磁気記録装置などに搭載される磁気ハードディスク（磁気記録媒体）の製造技術の分野において、テクスチャ加工技術は、磁気ハードディスクの記録密度及び信頼性を左右する重要な製造工程の一つとなっている。
【００１１】
このようなテクスチャ加工は、回転する磁気ハードディスク基板の表面に、研磨スラリーを供給し、その上に研磨テープを押し付け、走行させることによって行われ、磁気ハードディスク基板の表面にほぼ同心円状のテクスチャ条痕が、遊離砥粒研磨により、機械的に形成される。ここで、研磨スラリーとして、ダイヤモンド、アルミナ、シリカ等の材料から選択される一種又は二種以上の粒子からなる研磨粒子を分散媒中に分散させたものが使用され、研磨テープとして、織布、不織布、植毛布、発泡体等から選択されるテープが使用される。
【００１２】
磁気ハードディスク基板の表面に、微細で異常突起のないテクスチャ条痕を明確に形成するため、研磨スラリー中に含まれるべき研磨粒子の材料、粒径及び形状が検討され、ダイヤモンドが、耐摩耗性、耐熱性、耐酸化性及び耐薬品性などの優れた性質を有することから、研磨粒子として、ダイヤモンド粒子が広く使用されるようになった。
【００１３】
ここで、ダイヤモンド粒子には、単結晶ダイヤモンド粒子と多結晶ダイヤモンド粒子の二種類の粒子がある。単結晶ダイヤモンド粒子は、周囲に角のある多角形状の粒子であり、多結晶ダイヤモンド粒子は、周囲に角のない丸みのある粒子である。これら単結晶及び多結晶ダイヤモンド粒子を使用したテクスチャ加工では、磁気ハードディスク基板の表面に微細なテクスチャ条痕を形成できるが、単結晶ダイヤモンド粒子によると、磁気ハードディスク基板の表面にスクラッチや異常突起が形成されるため、ダイヤモンド粒子として、多結晶ダイヤモンド粒子が使用されている。
【００１４】
多結晶ダイヤモンド粒子からなる研磨粒子を使用した従来のテクスチャ加工技術は、二段階の工程から構成される（例えば、特許文献１参照）。この従来の技術では、一段階目のテクスチャ加工は、比較的研削力のある研磨粒子を固定した研磨テープを使用して行われ、次いで、二段階目のテクスチャ加工において、平均粒径１μｍ以下の多結晶ダイヤモンド粒子からなる研磨粒子を分散させた研磨スラリーを使用して、一段階目のテクスチャ加工で磁気ハードディスク基板の表面に形成された異常突起を遊離砥粒研磨により除去する。すなわち、多結晶ダイヤモンド粒子は、上記したように角のない丸みのある粒子であり、研削力が低いため、一段階目のテクスチャ加工時に形成された異常突起の除去に使用され、異常突起のないテクスチャ条痕は、一段階目と二段階目のテクスチャ加工の相乗効果によって形成するものである。
【００１５】
しかし、この従来の技術では、二段階の工程を必要とし、テクスチャ加工に時間とコストがかかり、また、二段階目のテクスチャ加工では、単に異常突起を除去するだけであり、テクスチャ条痕の密度は、一段階目のテクスチャ加工に依存するので、近年要求されている微細なテクスチャ条痕（８０本／μｍ）を形成することができない、という問題がある。
【００１６】
多結晶ダイヤモンド粒子からなる研磨粒子を使用した他の従来のテクスチャ加工技術は、多結晶ダイヤモンド粒子を一次粒子の形態で分散液中に分散させた研磨スラリーを使用するものである（例えば、特許文献１参照）。これは、研磨スラリー中に二次粒子（凝集粒子）があると、研磨粒子の粒径にムラが生じ、磁気ハードディスク基板の表面にスクラッチや異常突起が形成され、均一なテクスチャ条痕を形成できなと考えられていたためである。
【００１７】
しかし、この従来の技術のように、一次粒子の形態にある多結晶ダイヤモンド粒子を研磨粒子として使用した研磨スラリーでは、近年要求されるテクスチャ条痕の高密度化（８０本／μｍ以上）を達成できない。
【００１８】
すなわち、一般に、より微細なテクスチャ条痕を形成するためには、より小さい粒径の研磨粒子を使用することが知られており、また均一なテクスチャ条痕を形成するためには、研磨粒子の粒径を揃えることが知られている。そして、この従来の技術において、単に研磨粒子の粒径を小さくしただけでは、テクスチャ加工中、織布、不織布及び植毛からなるテープを研磨テープとして使用したときに、この研磨テープを構成する繊維と繊維との間を研磨粒子が容易に通過する。また、発泡体からなるテープを研磨テープとして使用したときに、この研磨テープの表面に形成される気泡からなる凹部内に研磨粒子が容易に入り込むので、研磨粒子が磁気ハードディスク基板の表面に均一に作用されず、このため、研削力が磁気ハードディスク基板の表面にわたって局所的又は全体的に低下し、ムラのある粗さの表面が形成され、微細なテクスチャ条痕を均一かつ明確に形成できない、という問題がある。
【００１９】
多結晶ダイヤモンド粒子からなる研磨粒子を使用したその他の従来のテクスチャ加工技術は、一次粒子の粒径が約２０ｎｍ以下の多結晶ダイヤモンド粒子を積極的に凝集させた二次粒子の形態にある凝集多結晶ダイヤモンド粒子を分散媒中に分散した研磨スラリーを使用するものである（例えば、特許文献３参照）。この従来の技術では、一次粒子を凝集させて、研磨粒子（二次粒子）の単位粒径を見かけ上大きく（０．０５〜０．５μｍ）することによって、上記した他の従来のテクスチャ加工技術における問題点（研磨テープを構成する繊維と繊維の間を研磨粒子が通過するなど）を解決し、また、研磨粒子（二次粒子）の周囲を構成する非常に小さい複数の一次粒子が磁気ハードディスク基板の表面に作用するので、磁気ハードディスク基板の表面に微細なテクスチャ条痕が形成される。さらに、比較的大きい二次粒子は、この二次粒子にかかる研磨テープの押付圧力により崩壊し、これにより、磁気ハードディスク基板の表面に形成されるスクラッチや異常突起が低減される。
【００２０】
しかし、一次粒子の粒径が１０ｎｍ以下の多結晶ダイヤモンド粒子の凝集体からなる凝集多結晶ダイヤモンド粒子（二次粒子）を分散媒中に分散した研磨スラリーを使用すると、テクスチャ条痕の谷の部分の深さが浅くなり、微細なテクスチャ条痕を明確に形成することができない、という問題がある。
【００２１】
【特許文献１】
特開平６−１５０３０４号公報（段落０００７、０００８、００１７、００１８）
【特許文献２】
特開平１１−１３８４２４号公報（段落００１４〜００１６）
【特許文献３】
特開２００２−３０２７５号公報（段落００１２〜００１７）
【００２２】
【発明の解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、したがって、磁気ハードディスク基板の表面の半径方向に８０本／μｍ以上の密度の異常突起のない微細なテクスチャ条痕を明確に形成できる新規な研磨スラリー及び方法を提供することを目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、磁気ハードディスク基板として用いられるアルミニウム基板やガラス基板の表面をテクスチャ加工するために用いられる研磨スラリー及び方法である。
【００２４】
本発明の研磨スラリーは、研磨粒子、及びこの研磨粒子の分散媒から構成される。分散媒として、水又は水ベースの水溶液が使用される。
【００２５】
上記目的を達成するため、研磨粒子として、粒径が１〜１０ｎｍの範囲にある単結晶ダイヤモンド粒子、多結晶ダイヤモンド粒子、又はこれら単結晶及び多結晶ダイヤモンド粒子からなるクラスター粒子が使用される。
【００２６】
また、研磨粒子として、分散媒中でクラスター粒子同士が凝集した凝集体からなる凝集クラスター粒子がさらに使用され得る。
【００２７】
研磨粒子の含有量は、当該研磨スラリーの全量に対して０．０１重量％以上の範囲、好適に０．０１〜３重量％の間の範囲、より好適に０．０１〜１重量％の範囲にある。
【００２８】
水ベースの水溶液は、非イオン界面活性剤、有機リン酸エステル、高級脂肪酸アマイド、グリコール系化合物、高級脂肪酸金属塩及びアニオン界面活性剤から選択される一種又は二種以上の添加剤を水に添加した水溶液である。この添加剤の含有量は、当該研磨スラリーの全量に対して１〜１０重量％の範囲にある。
【００２９】
本発明に従って、磁気ハードディスク基板の表面のテクスチャ加工は、磁気ハードディスク基板を回転させ、この磁気ハードディスク基板の表面に、上記本発明の研磨スラリーを供給し、さらに磁気ハードディスク基板の表面に研磨テープを押し付け、走行させることによって行われる。
【００３０】
研磨テープとして、織布、不織布、植毛布、起毛布又は発泡体からなるテープが使用される。
【００３１】
これら織布、不織布及び起毛布は、太さ０．１〜５μｍの範囲にあるポリエスレル繊維、ナイロン繊維などから選択される一種又は二種以上の繊維（このような太さの繊維をマイクロファイバーという）からなる。ここで、植毛布の植毛及び起毛布の起毛の部分のみ（すなわち、研磨中に磁気ハードディスク基板の表面に直接的に作用する部分のみ）が、上記の太さのマイクロファイバーからなり得る。
【００３２】
発泡体からなるテープには、発泡体の発泡時に発生した気泡により形成された空隙が散在し、発泡体からなるテープの表面には、これら気泡からなる凹部が散在する。この凹部の径は、０．１〜５μｍの範囲にある。
【００３３】
本発明に従うと、磁気ハードディスク基板の表面に供給された本発明の研磨スラリー中のクラスター粒子や凝集クラスター粒子が、研磨テープの押付圧力によって、適度に崩壊するため、スクラッチ（深い傷）や異常突起が形成されない。また、このように崩壊した粒子が、磁気ハードディスク基板の表面に作用することで、微細なテクスチャ条痕が形成される。ここで、崩壊した粒子は、凝集多結晶ダイヤモンド粒子よりも鋭い角があるので、凝集多結晶ダイヤモンド粒子によるよりも微細なテクスチャ条痕が明確に形成される。
【００３４】
本発明は、既知の任意の磁気ハードディスク基板の表面のテクスチャ加工に応用できるものであり、例えば、アルミニウム合金からなるディスクの表面をポリッシングして鏡面に加工した後、その上にＮｉ−Ｐの無電解メッキ層を形成したアルミニウム基板やガラス基板の表面のテクスチャ加工に応用される。特に、ガラス基板のように、高硬度で高剛性の材料からなる磁気ハードディスク基板の表面に、微細なテクスチャ条痕が明確に形成される。
【００３５】
【発明の実施の形態】
＜研磨スラリー＞  本発明の研磨スラリーは、研磨粒子、及びこの研磨粒子の分散媒から構成される。
【００３６】
研磨粒子として、粒径が１〜１０ｎｍの範囲にある単結晶ダイヤモンド粒子、多結晶ダイヤモンド粒子、又はこれら単結晶及び多結晶ダイヤモンド粒子からなるクラスター粒子が使用される。
【００３７】
ここで、研磨粒子は、全てがクラスター粒子である必要はなく、研磨粒子として、分散媒中でクラスター粒子同士が凝集した凝集体からなる凝集クラスター粒子もクラスター粒子とともに使用され得る。本発明では、磁気ハードディスク基板の表面に供給された本発明の研磨スラリー中のクラスター粒子や凝集クラスター粒子が、研磨テープの押付圧力によって、適度に崩壊し、このように崩壊した粒子が、クラスター粒子や凝集クラスター粒子とともに、磁気ハードディスク基板の表面に作用する。
【００３８】
未強化ガラス、強化ガラス又は結晶化ガラス等からなるガラス基板の表面のテクスチャ加工には、単結晶ダイヤモンド粒子からなるクラスター粒子を使用することが望ましい。これは、ガラス基板の表面が硬質であるため、丸みのある多結晶ダイヤモンド粒子よりも、角の多い多角形状の単結晶ダイヤモンド粒子のほうが、高い研削力を発揮すると考えられるからである。
【００３９】
クラスター粒子は、ダイヤモンド粒子を製造する既知の爆発合成法（例えば、特開２０００−１３６３７６号公報を参照）を利用して得られるものであり、爆薬の爆発や超高圧爆射により、金属触媒（Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ等）と黒鉛原料粉末よりなる出発原料を高温度で衝撃圧縮することにより得られる。ここで、未反応の黒鉛（グラファイト）が少ないものが良い。このようにして得られたクラスター粒子は、一定の方向性を持たない極微小な結晶粒がクラスター状すなわち房状に集まって結合した集合粒子である。
【００４０】
単結晶ダイヤモンド粒子と多結晶ダイヤモンド粒子の粒径は、１〜１０ｎｍの範囲にある。ここで、粒径が１０ｎｍを超える多結晶ダイヤモンド粒子や単結晶ダイヤモンド粒子を使用すると、スクラッチや突起の発生が増加し、また１ｎｍ未満の多結晶ダイヤモンド粒子や単結晶ダイヤモンド粒子を使用すると、単位時間当たりの加工量が低く好ましくない。
【００４１】
研磨粒子の含有量は、研磨スラリーの全量に対して０．０１重量％以上の範囲、好適に０．０１〜３重量％の範囲、より好適に０．０１〜１重量％の範囲にある。ここで、研磨粒子の含有量が０．０１重量％未満であると、磁気ハードディスク基板の表面に高密度で明確なテクスチャ条痕を形成することが困難となる。一方、研磨粒子の含有量が３重量％以上であっても、磁気ハードディスク基板の表面に形成されるテクスチャ条痕の本数及び形状に変化はない。すなわち、研磨粒子の含有量を３重量％以下（例えば、１重量％）とすることで、磁気ハードディスク基板の半径方向に８０本／μｍ以上の密度のテクスチャ条痕を均一に形成できるので、研磨粒子の含有量の上限を３重量％とすることには、材料コストの低減という経済的な利点がある。
【００４２】
分散媒として、水又は水ベースの水溶液が使用される。
【００４３】
研磨粒子の分散媒として使用される水ベースの水溶液は、本発明の研磨スラリー中のクラスター粒子や凝集クラスター粒子の分散性を向上し、テクスチャ加工中の潤滑性を向上るための洗浄性が良好な水溶性の添加剤を水に添加した水溶液であり、このような水ベースの水溶液として、非イオン界面活性剤、有機リン酸エステル、高級脂肪酸アマイド、グリコール系化合物、高級脂肪酸金属塩及びアニオン界面活性剤から選択される一種又は二種以上の添加剤を水に添加した水溶液が使用される。添加剤の含有量は、研磨スラリーの全量に対して１〜１０重量％の範囲にある。
【００４４】
添加剤として使用される非イオン活性剤として、例えば、高価アルコール系、ツイン系、プルロック系、ソルビタン系のものが使用でき、有機リン酸エステルとして、例えば、芳香族系塩型、脂肪酸系塩型、芳香族系酸型のものが使用でき、高級脂肪酸アマイドとして、例えば、やし脂肪酸ジエタノールアマイド、エルシン酸ジエタノールアマイド、ひまし油脂肪酸イソジプロパノールアマイド、ステアリン酸ジエタノールアマイドなどが使用でき、グリコール系化合物として、アルキレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールなどが使用でき、高級脂肪酸金属塩として、ひまし油脂肪酸カリ石鹸、オレイン酸カリ石鹸などが使用でき、アニオン界面活性剤として、例えば、アルキルベンゼンスルホン酸、ドデシル硫酸ナトリウム、ステアリン酸ナトリウムなどが使用できる。このような添加剤は、磁気ハードディスク基板の種類や表面状態によって適宜選択される。
【００４５】
＜テクスチャ加工方法＞  図１に、本発明に従ったテクスチャ加工方法を実施できる既知の研磨装置の一例（例えば、特開平１１−９０８１０号公報（図１）、特開平１１−１６１９４６号公報（図１）に記載の研磨装置を参照）を示す。図示の装置１０は、磁気ハードディスク基板１７の両面を同時にテクスチャ加工するものであるが、既知の片面研磨装置（図示せず）（例えば、特開平６−１９５７０１号公報（図７、図１０）に記載の研磨装置を参照）を使用して、片面のみをテクスチャ加工してもよい。
【００４６】
本発明に従った磁気ハードディスク基板の表面のテクスチャ加工は、図示のように、駆動モータ１３に連結したシャフト１４に磁気ハードディスク基板１７を取り付けた後、駆動モータ１３を駆動して磁気ハードディスク基板１７を回転させる。そして、この磁気ハードディスク基板１７の表裏両面にノズル１５、１５を通じて本発明の研磨スラリーを供給し、コンタクトローラ１１、１１を介して研磨テープ１２、１２を磁気ハードディスク基板１７の表裏両面に押し付け、これら研磨テープ１２、１２を走行させることによって行われる。
【００４７】
テクスチャ加工後は、磁気ハードディスク基板１７を回転させたまま、ノズル１６、１６を通じて水等の洗浄液を磁気ハードディスク基板１７の表裏両面に吹きかけて磁気ハードディスク基板１７の洗浄を行う。
【００４８】
研磨テープとして、織布、不織布、植毛布、起毛布又は発泡体からなるテープが使用される。
【００４９】
これら織布、不織布及び起毛布は、マイクロファイバーと呼ばれる太さ０．１〜５μｍの範囲にある繊維からなる。織布の表面の平面図（５０倍）と織布を構成する繊維（マイクロファイバー）の拡大図（１０００倍）をそれぞれ図５（ａ）、（ｂ）に示し、不織布の表面の平面図（５０倍）とこの不織布を構成する繊維（マイクロファイバー）の拡大図（１０００倍）をそれぞれ図６（ａ）、（ｂ）に示す。また、起毛布の表面の平面図（５０倍）と織布を構成する繊維（マイクロファイバー）の拡大図（２０００倍）をそれぞれ図７（ａ）、（ｂ）に示す。
【００５０】
ここで、植毛布として、織布、不織布又はプラスチックシートの表面にパイルと呼ばれる植毛を既知の静電植毛法などを利用して植毛したものや織布や不織布にパイルやタフト（繊維をループ状又は房状にしたもの）を縫い付けたものが使用され、この植毛布の基布として使用される織布又は不織布は、マイクロファイバーからなる必要はなく、植毛布の植毛（パイルやタフト）が上記の太さのマイクロファイバーであればよい。また、起毛布は、マイクロファイバーからなる織布の表面の繊維組織を構成する繊維の一部をカットし、この繊維を浮き上げたものである。ここで、起毛布の起毛の部分のみがマイクロファイバーであってもよい。このような起毛布は、織布の繊維組織を構成する縦糸又は横糸のいずれかの糸をマイクロファイバーとし、このマイクロファイバーの糸をカットし、浮き上げたものである。
【００５１】
このように、これら織布、不織布、植毛布及び起毛布からなるテープの少なくとも表面部分（研磨中に磁気ハードディスク基板の表面に直接的に作用する部分）には、太さ０．１〜５μｍの範囲にある繊維（マイクロファイバー）が使用される。これは、磁気ハードディスク基板の表面に接触するテープの表面に研磨粒子を適当に保持して、磁気ハードディスク基板の表面に微細なテクスチャ条痕を高密度に形成させるためである。すなわち、これらテープに使用される繊維の太さが０．１μｍ以下であると、テープの表面部分の繊維と研磨粒子との接触点が少なくなり、磁気ハードディスク基板の表面に研磨粒子を十分に作用させることができず、研削力が低下し、明確なテクスチャ条痕を形成させることができない。また、繊維の太さが５μｍ以上であると、テープの表面を構成する繊維と繊維との間の段差が大きくなり、磁気ハードディスク基板の表面に均一で微細なテクスチャ条痕を形成できない。
【００５２】
また、発泡体からなるテープには、発泡体の発泡時に発生した気泡により形成された空隙が散在し、発泡体からなるテープの表面には、これら気泡からなる凹部が散在する。この凹部の径は、０．１〜５μｍの範囲にある。
【００５３】
＜実施例＞  図１に示す研磨装置を使用して磁気ハードディスク用のガラス基板の表面のテクスチャ加工を行った。
【００５４】
研磨スラリーとして、表１に示す組成の研磨スラリーを使用した。この研磨スラリーは、高濃度の原液を予め製造しておいて、この原液を純水で希釈し、下記の表１に示す組成にしたものである。これは、高濃度（例えば、１０倍、１００倍）の原液を使用者へ提供し、この原液を使用者が適宜に水などで希釈して使用するのが、実用上、一般的であるからである。クラスター粒子として、爆発合成法により製造された粒径が１〜１０ｎｍの範囲の単結晶ダイヤモンド粒子からなるクラスター粒子を使用した。このクラスター粒子の分散媒に使用される添加剤として、グリコール系化合物の界面活性剤（アルキレングリコール）を使用した。
【表１】
2004178777.tif 000003
【００５５】
研磨テープとして、太さ約２μｍのナイロン繊維からなる厚さ７００μｍの織布からなるテープを使用した。
【００５６】
ガラス基板の表面のテクスチャ加工は、下記の表２の条件で行った。
【表２】
2004178777.tif 000004
【００５７】
＜比較試験＞  テクスチャ加工後のガラス基板の表面の平均表面粗度（Ｒａ）、最大高さ（Ｒｍａｘ）、及びガラス基板の表面のテクスチャ条痕のライン密度について、上記実施例と、下記比較例１、２と比較した。
【００５８】
テクスチャ加工後のガラス基板の表面の平均表面粗度（Ｒａ）及び最大高さ（Ｒｍａｘ）は、走査型プローブ顕微鏡（ナノスコープＤｉｍｅｎｔｉｏｎ３１００シリーズ、デジタルインスツルメント社）を使用して計測し、ガラス基板の表面のテクスチャ条痕のライン密度は、テクスチャ加工後のコンピュータ画像写真から計数した。なお、コンピュータ画像写真は、ガラス基板の表面の任意の１．０μｍ×１．０μｍの範囲を走査（５１２ポイント）したものを三次元画像化したものであり、図２に、実施例のガラス基板の表面のコンピュータ画像写真を示し、図３、４に、比較例１、２のガラス基板の表面のコンピュータ画像写真をそれぞれ示す。
【００５９】
＜比較例１＞  研磨スラリーとして、表３に示す組成の研磨スラリーを使用し、上記実施例で使用した研磨装置及び研磨テープを使用して、上記の表２に示す条件でガラス基板のガラス基板の表面のテクスチャ加工を行った。ここで、比較例１の研磨スラリーの研磨粒子として使用される凝集多結晶ダイヤモンド粒子は、平均粒径２０ｎｍの多結晶ダイヤモンド粒子（一次粒子）が分散媒中で凝集したものである。また、分散液中に添加した添加剤は、上記実施例に使用したグリコール系化合物の界面活性剤と同一であった。
【表３】
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【００６０】
＜比較例２＞  研磨スラリーとして、表４に示す組成の研磨スラリーを使用し、上記実施例で使用した研磨装置及び研磨テープを使用して、上記の表２に示す条件でガラス基板のガラス基板の表面のテクスチャ加工を行った。ここで、比較例２の研磨スラリーの研磨粒子として使用される凝集多結晶ダイヤモンド粒子は、平均粒径８ｎｍ（上記実施例のクラスター粒子を構成している単結晶ダイヤモンド粒子とほぼ同一粒径の一次粒子径）の多結晶ダイヤモンド粒子（一次粒子）が分散媒中で凝集したものである。また、分散液中に添加した添加剤は、上記実施例に使用したグリコール系化合物の界面活性剤と同一であった。
【表４】
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【００６１】
＜比較試験結果＞  上記の実施例、比較例１及び比較例２の試験結果を下記の表５に示す。
【表５】
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【００６２】
表５に示すように、実施例では、比較例１と比較して、平均表面粗度（Ｒａ）が小さく、突起の最大高さ（Ｒｍａｘ）が低く、テクスチャ条痕のライン密度が１．５倍以上であり、より高密度のテクスチャ条痕が均一で明確に形成された。また、比較例２と比較して、平均表面粗度（Ｒａ）及び最大高さ（Ｒｍａｘ）はそれぞれ同等の値を示したが、ガラス基板の表面に高密度のテクスチャ条痕が明確に形成された（比較例２では、テクスチャ加工後のガラス基板の表面に明確なテクスチャ条痕が形成されず、テクスチャ条痕のライン密度の判別ができなかった）。
【００６３】
【発明の効果】
本発明が以上のように構成されるので、磁気ハードディスク基板の表面の半径方向に８０本／μｍ以上の密度の異常突起のない微細なテクスチャ条痕を均一かつ明確に形成できる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、テクスチャ加工に使用できる研磨装置の一例を示す。
【図２】図２は、実施例におけるテクスチャ加工後のガラス基板の表面を示すコンピュータ画像写真である。
【図３】図３は、比較例１におけるテクスチャ加工後のガラス基板の表面を示すコンピュータ画像写真である。
【図４】図４は、比較例２におけるテクスチャ加工後のガラス基板の表面を示すコンピュータ画像写真である。
【図５】図５（ａ）は、マイクロファイバーからなる織布の表面の平面図（５０倍）であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）の織布を構成するマイクロファイバーの拡大図（１０００倍）である。
【図６】図６（ａ）は、マイクロファイバーからなる不織布の表面の平面図（５０倍）であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）の不織布を構成するマイクロファイバーの拡大図（１０００倍）である。
【図７】図７（ａ）は、マイクロファイバーからなる起毛布の表面の平面図（５０倍）であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）の起毛布を構成するマイクロファイバーの拡大図（２０００倍）である。
【符号の説明】
１０・・・研磨装置
１１・・・コンタクトローラ
１２・・・研磨テープ
１３・・・駆動モータ
１４・・・シャフト
１５・・・研磨スラリー供給ノズル
１６・・・洗浄液供給ノズル
１７・・・磁気ハードディスク基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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