(57)【要約】【課題】高感度型の磁気ヘッドを用いた信号の再生と、リニア方式での記録再生に適し、高密度記録が可能な磁気記録媒体を提供する。【解決手段】磁性層３が、斜方柱状構造の成長方向が互いに異なる第１の強磁性金属薄膜３ａと、第２の強磁性金属薄膜３ｂとが積層された構成を有するものとし、磁性層３の残留磁化Ｍｒと、膜厚δとの積であるＭｒ・δが、３（ｍＡ）≦Ｍｒ・δ＜３０（ｍＡ）で、第１の強磁性金属薄膜の膜厚ｄ1と、第２の強磁性金属薄膜の膜厚ｄ2が、４０≦ｄ1＋ｄ2≦１００（ｎｍ）、１／２≦ｄ2／ｄ1≦１であり、磁性層の保磁力Ｈｃが、Ｈｃ≧１００ｋＡ／ｍであるものとした磁気記録媒体を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺状の非磁性支持体と、
上記非磁性支持体の一主面に、真空薄膜形成技術によって形成された斜方柱状構造を有する磁性層であって、第１の強磁性金属薄膜と、当該第１の強磁性金属薄膜上に形成され、斜方柱状構造の成長方向が上記第１の強磁性金属薄膜と逆方向である第２の強磁性金属薄膜とを有する磁性層とを有し、
上記磁性層の残留磁化Ｍｒと、膜厚δとの積であるＭｒ・δが、下記式（１）で表される範囲にあり、
上記第１の強磁性金属薄膜の膜厚ｄ1と、上記第２の強磁性金属薄膜の膜厚ｄ2が、下記式（２）、（３）で表される関係を有し、
上記磁性層の保磁力Ｈｃが、下記式（４）で表される範囲にあることを特徴とする磁気記録媒体。
３（ｍＡ）≦Ｍｒ・δ＜３０（ｍＡ）・・・（１）
４０≦ｄ1＋ｄ2≦１００（ｎｍ）・・・（２）
１／２≦ｄ2／ｄ1≦１・・・（３）
Ｈｃ≧１００ｋＡ／ｍ・・・（４）
【請求項２】
上記Ｍｒ・δが、下記式（５）で表される範囲にあり、記録された信号が磁気抵抗効果型磁気ヘッドにより再生されることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
１２（ｍＡ）≦Ｍｒ・δ＜３０（ｍＡ）・・・（５）
【請求項３】
上記Ｍｒ・δが、下記式（６）で表される範囲にあり、記録された信号が巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッドの摺動により再生されることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
３（ｍＡ）≦Ｍｒ・δ＜１２（ｍＡ）・・・（６）
【請求項４】
長手方向に平行に複数のトラックを有し、リニア方式で信号の記録及び再生がなされることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
上記磁性層上に保護層を有することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
上記保護層はダイヤモンドライクカーボン膜よりなることを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
長尺状の非磁性支持体と、
上記非磁性支持体の一主面に、真空薄膜形成技術によって形成された斜方柱状構造を有する磁性層であって、第１の強磁性金属薄膜と、当該第１の強磁性金属薄膜上に形成され、斜方柱状構造の成長方向が上記第１の強磁性金属薄膜と逆方向である第２の強磁性金属薄膜とを有する磁性層とを有し、
上記磁性層の残留磁化Ｍｒと、膜厚δとの積であるＭｒ・δが、下記式（１）で表される範囲にあり、
上記第１の強磁性金属薄膜の膜厚ｄ1と、上記第２の強磁性金属薄膜の膜厚ｄ2が、下記式（７）、（８）、（９）、及び（１０）で表される関係を有し、
上記第１の強磁性金属薄膜の残留磁化Ｍｒ1と上記第２の強磁性金属薄膜の残留磁化Ｍｒ２とそれぞれの層の膜厚の積Ｍｒ1ｄ1、Ｍｒ2ｄ2の比が式（１１）で表される関係を有し、
上記磁性層の保磁力Ｈｃが、下記式（４）で表される範囲にあることを特徴とする磁気記録媒体。
３（ｍＡ）≦Ｍｒ・δ＜３０（ｍＡ）・・・（１）
７０≦ｄ1＋ｄ2≦１００（ｎｍ）・・・（７）
ｄ1≧４０（ｎｍ）・・・（８）
ｄ2≧３０（ｎｍ）・・・（９）
０．７≦ｄ2／ｄ1≦１・・・（１０）
０．４５≦Ｍｒ2ｄ2／Ｍｒ1ｄ1≦０．５５・・・（１１）
Ｈｃ≧１００ｋＡ／ｍ・・・（４）
【請求項８】
上記Ｍｒ・δが、下記式（５）で表される範囲にあり、記録された信号が磁気抵抗効果型磁気ヘッドにより再生されることを特徴とする請求項７に記載の磁気記録媒体。
１２（ｍＡ）≦Ｍｒ・δ＜３０（ｍＡ）・・・（５）
【請求項９】
上記Ｍｒ・δが、下記式（６）で表される範囲にあり、記録された信号が巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッドの摺動により再生されることを特徴とする請求項７に記載の磁気記録媒体。
３（ｍＡ）≦Ｍｒ・δ＜１２（ｍＡ）・・・（６）
【請求項１０】
長手方向に平行に複数のトラックを有し、リニア方式で信号の記録及び再生がなされることを特徴とする請求項７に記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】
上記磁性層上に保護層を有することを特徴とする請求項７に記載の磁気記録媒体。
【請求項１２】
上記保護層はダイヤモンドライクカーボン膜よりなることを特徴とする請求項７に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高密度磁気記録媒体に関するものであり、特に、磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）、若しくは巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）を用い、磁気テープの長手方向に対して磁気ヘッドを双方向に動かしながら記録する、いわゆるリニア方式の磁気記録テープシステムにおいて、信号の再生がなされる磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ビデオテープレコーダー等の分野における磁気記録媒体としては、さらなる高画質化及び高記録密度化を達成するために、直接非磁性支持体上に磁性金属材料、Ｃｏ−Ｎｉ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−ＣｏＯ系金属酸化物等の各種磁性材料を真空薄膜形成技術により被着させて磁性層を形成した構成の、いわゆる金属薄膜型の磁気記録媒体が適用されている。
【０００３】
さらに、上記のような磁気記録媒体の電磁変換特性を向上させ、より大きな出力が得られるようにするため、磁気記録媒体の磁性層を形成するに際し、磁性層を斜方に蒸着する、いわゆる斜方蒸着が提案され、この方法によって磁性層が形成された磁気記録媒体は、ハイバンド８ｍｍビデオテープレコーダー、デジタルビデオテープレコーダー用の蒸着テープとして実用化されている。
【０００４】
上述したような金属薄膜型の磁気記録媒体は、保磁力や角型比に優れ、また磁性層を極めて薄層に形成できることから、短波長領域での電磁変換特性に優れ、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいという利点を有している。また、磁性粉を結合剤に分散させた磁性塗料を非磁性支持体に塗布して磁性層を形成するいわゆる塗布型の磁気記録媒体と異なり、磁性層中に非磁性材料である結合剤が混入しないので、強磁性金属材料の充填密度が高められ、高記録密度化を図る際に有利である。
【０００５】
また、斜方蒸着による磁気テープは、例えば長尺状の非磁性支持体を長手方向に走行させ、走行状態で非磁性支持体の一主面側に磁性材料を堆積させて磁性層を形成する方法によって作製され、高い生産性と優れた磁気特性が確保できる。
【０００６】
一方、磁気テープ等の磁気記録媒体のデータストリーマーとしての需要が高まるに伴い、さらなる磁気記録媒体の高記録密度化が要求されてきている。さらに記録情報の再生を行う際に用いる磁気ヘッドとして、従来の誘導型ヘッドに代わり磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）あるいは巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）が適用されるようになってきている。このＭＲヘッドやＧＭＲヘッドは磁性層からの微小な漏洩磁束を高感度に検出することができるので、記録密度の向上を図るために有効である。
【０００７】
ＭＲヘッドやＧＭＲヘッドは、漏洩磁束に対する感度が飽和する検知限界があり、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッドの設計以上に大きな漏洩磁束を検出することができない。従って、磁気記録媒体の磁性層膜厚を薄層化することにより、漏洩磁束に対する感度を最適化する必要がある。
【０００８】
ところで、データストリーマー用途としての磁気テープの記録再生のシステムには、ヘリカルスキャン方式とリニア方式の二種類の方式が実用化されている。ヘリカルスキャン方式は、回転ドラム上に配置された磁気ヘッドが、高速に回転しながら磁気テープ上をスキャンすることで記録再生を行う方式である。
ヘリカルスキャン方式の特徴としては、記録トラックを精密に記録できるだけでなく、再生時には記録したトラックを正確にスキャンできるように制御することが原理的に可能であり、磁気テープシステムにおいて高記録密度を達成することが可能である。こうしたヘリカルスキャン方式は、ＶＨＳなどの家庭用ビデオ録画装置や、ハイバンド８ｍｍビデオテープレコーダー、デジタルビデオテープレコーダー用として幅広く実用化されている。
【０００９】
一方、リニア方式は、磁気テープの幅方向にトラックを設け、長手方向に記録を行う方式である。この方式は、高速でテープを走行させることが容易であると同時に、磁気ヘッドを並列に数多く並べることによって記録再生の転送レートを向上させることが可能であるという利点を有している。
【００１０】
カムコーダ用途等の磁気記録テープシステムでは、高記録密度が達成可能なヘリカルスキャン方式が有利であるが、磁気記録テープシステムの体積に制約の少ないデータストレージ用途では、上記リニア方式が幅広く実用化され、市場においてもＤＬＴ（digital linear tape）やＬＴＯ（linear tape-open）といった商品が主流となっている。
【００１１】
こうしたリニア方式のデータストレージ用途の磁気テープ媒体としては、従来、いわゆる塗布型の磁気テープのみが用いられており、斜方蒸着による磁気テープ媒体は用いられてこなかった。これは、ヘリカルスキャン方式では、磁気テープと磁気ヘッドの相対的な動きが一定方向であるのに対し、リニア方式では磁気テープと磁気ヘッドが相対的に、テープ長手方向の双方向に動くためである。
【００１２】
図３は、斜方蒸着により得られる磁気テープ媒体の模式的な断面図である。図３に示すように、非磁性支持体１０１上に磁性層１０２が形成されている。斜方蒸着による磁気テープ媒体は、記録した磁気ビットが向く磁化容易軸がテープ面内方向ではなく面内から立ち上がった構造となっている。
【００１３】
そのため、記録再生に際して磁気ヘッドが斜方蒸着膜の柱状構造に対して正方向（矢印Ａ方向）に摺動する場合は良好な記録再生特性が発揮されるが、斜方蒸着の柱状構造に対して逆方向（矢印Ｂ方向）に摺動する場合には、最適記録電流、位相特性、ＣＮ比、出力特性等の特性が正方向に摺動した場合に比べて劣り、充分な記録再生特性が得られないという欠点がある。
そのため、記録再生を双方向に行うリニア方式においては、斜方蒸着を用いた磁気テープ媒体はほとんど用いられてこなかった。
【００１４】
一方、磁気ヘッドが斜方蒸着膜の柱状構造に対して正方向に摺動する場合と逆方向に摺動する場合で記録再生特性が異なるという問題を解決する方法として、成長方向が互いに異なる二層の斜方蒸着膜により斜方蒸着テープの磁性層を構成する方法が提案されている（例えば、特許文献１乃至３参照。）。
【００１５】
図４に成長方向が互いに異なる二層の斜方蒸着膜により構成された磁性層を有する磁気テープ媒体の模式的な断面図を示す。これによれば、非磁性支持体１０１上には下層強磁性金属薄膜１０２ａと上層強磁性金属薄膜１０２ｂの二層からなる磁性層１０２が形成されており、下層強磁性金属薄膜１０２ａと上層強磁性金属薄膜１０２ｂの成長方向は互いに逆方向となっている。
【００１６】
上記のような二層構造の磁性層を有する磁気テープにおいては、下層の強磁性金属薄膜と上層の強磁性金属薄膜の膜厚を制御することにより、磁気ヘッドが斜方蒸着膜の柱状構造に対して一方向（矢印Ａ方向）に摺動する場合と、逆方向（矢印Ｂ方向）に摺動する場合での記録再生特性の差を低減することができる。
【００１７】
また、上述したような構成を有する磁気テープは、小型化と軽量化が要求される超小型記録再生システムに好適である。超小型記録再生システム用の磁気テープでは、カセットの小型化と同時に高密度記録及び長時間記録が要求される。そこで、斜方蒸着テープの採用により高密度記録を可能とし、また、磁気ヘッドを磁気テープに対して双方向に摺動させることにより、磁気テープの往復の両方で記録再生を行い記録時間を確保している。
【００１８】
【特許文献１】特開平４−３５３６２１号公報
【特許文献２】特開平４−３５３６２２号公報
【特許文献３】特開平１１−３２８６４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
しかしながら、上記従来技術のうち、特に特許文献１、２に記載の磁気記録媒体においては、高感度のＭＲヘッドを使用することを前提としておらず、ＭＩＧ（メタルインギャップ）ヘッドに適しているものとされている。すなわち、二層の斜方蒸着膜から構成される磁性層の全厚が１６０〜２００ｎｍであるとされており、このような膜厚の磁性層が形成された磁気テープでＭＲヘッドを用いると、ＭＲヘッドの飽和が起き、さらに高感度のＧＭＲヘッドは使用できないことが明らかである。
従って、高感度ＭＲヘッド（あるいはＧＭＲヘッド）と高密度記録が可能な斜方蒸着磁気テープ媒体を組み合わせてリニア方式の磁気テープ記録システムを実現しようとする場合、従来の特許文献１、２記載の磁気テープは適用できない。
【００２０】
ところで、特許文献１、２記載の磁気記録媒体によれば、非磁性支持体上に形成される第１の強磁性金属薄膜の膜厚δ１と、第１の強磁性金属薄膜上に形成される第２の強磁性金属薄膜の膜厚δ２が、次式（１２）の関係を満たすとされている。
１／３≦δ２／δ１≦２／３  ・・・（１２）
【００２１】
しかしながら、高感度ＭＲヘッドあるいはＧＭＲヘッドに対応した蒸着テープを得ることを目的としてこの知見を採用した応用した場合、磁性層を例えば全厚４０ｎｍ程度に薄層化すると、上層の強磁性金属薄膜は膜厚１０ｎｍ程度となる。これにより、上層の強磁性金属薄膜の磁気特性が著しく低下して、磁性層全体の磁気特性に対する下層の強磁性金属薄膜の寄与が過剰となりやすい。従って、上記（１２）の条件では、双方向での記録再生特性の差を改善できない場合が生じる。
【００２２】
また、特許文献１、２の磁気記録媒体によれば、磁性層全体の保磁力Ｈｃが下記式（１３）の条件を満たすものとされている。
Ｈｃ≦９６（ｋＡ／ｍ）・・・（１３）
一般に再生出力を高くするためには、保磁力Ｈｃを高くすることが望ましいが、磁性層を薄層化すると、保磁力Ｈｃは低下するため、特許文献１、２に開示されている磁気記録媒体において磁性層を薄層化すると、保磁力は９６（ｋＡ／ｍ）よりもさらに低下し、充分な再生出力を得ることができなくなる。
【００２３】
また、高密度記録を行うには、記録波長をより短くする必要があるが、これにより再生出力が低下するため、保磁力Ｈｃを確保する必要がある。特許文献１、２においては、実施例中、記録波長を０．６７μｍとする記載がなされているが、ＭＲヘッドを用いた記録再生システムにおいては、０．６７μｍよりも短い記録波長、例えば０．３μｍで記録再生が行われる。従って、保磁力Ｈｃは上記（１３）の条件よりも高くする必要がある。
【００２４】
特許文献１、２の磁気テープが適用される超小型記録再生システムにおいては、電源の制約から低い記録電流で記録を行う必要があり、保磁力Ｈｃが式（１３）の範囲に設定される。一方、リニア方式の磁気記録テープシステムに想定される好適な用途の一つであるデータストレージ用途では、記録再生システムの体積や電源に制約がないため、保磁力Ｈｃを高くすることが望ましい。
【００２５】
上述したように、磁気抵抗効果型磁気ヘッドを用いた信号の再生と、リニア方式での記録再生に適し、高密度記録が可能な、双方向に記録再生が行われる二層構造の斜方蒸着磁気テープへの要求が高まってきている。
【００２６】
一方において、リニア方式の磁気記録テープ媒体は、主にコンピュータのデータ等のバックアップ用途として市場を広げている。こうした用途においては、データの保存性に優れていることが重要であり、斜方蒸着磁気テープ媒体においても、その特性の向上が要求されるようになってきている。
【００２７】
しかしながら、上述したような二層構造の斜め蒸着磁気テープ媒体では、斜方蒸着のシャドーイング効果により、基板表面形状を反映したカラム構造となる。特に、逆方向より斜め蒸着を行う第２の強磁性金属薄膜１０２ｂは、この影響を受けるため高温多湿環境に長期間保存した際に、腐食しやすいことが明らかになった。
このような問題は、特に第２の強磁性金属薄膜１０２ｂを３０ｎｍ以下、また、上記第1の強磁性金属薄膜１０２ａの膜厚を４０ｎｍ以下とすると、腐食の影響が顕著になり、実用化の妨げになっている。
【００２８】
上記特許文献３においては、磁気抵抗効果型磁気ヘッドを用いて信号の再生を行う二層構造の斜方蒸着型の磁気テープに関する開示がなされてはいるが、上述したように、極めて薄層で、かつ二層構造の磁性層に関しての腐食に対する保存安定性については未だ充分な検討がなされていない。
【００２９】
そこで、上記の問題点に鑑みて、磁気抵抗効果型磁気ヘッドを用いた信号の再生と、リニア方式での記録再生に適し、高密度記録が可能で、かつ保存耐久性にも優れた磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
本発明の磁気記録媒体は、長尺状の非磁性支持体と、真空薄膜形成技術によって形成された斜方柱状構造を有する磁性層であって、第１の強磁性金属薄膜と、この第１の強磁性金属薄膜上に形成され、斜方柱状構造の成長方向が第１の強磁性金属薄膜と逆方向である第２の強磁性金属薄膜とにより構成される磁性層とを有するものであり、磁性層の残留磁化Ｍｒと、膜厚δとの積であるＭｒ・δが、下記式（１）で表される範囲にあり、第１の強磁性金属薄膜の膜厚ｄ1と、第２の強磁性金属薄膜の膜厚ｄ2が、下記式（２）、（３）で表される関係を有し、磁性層の保磁力Ｈｃが、下記式（４）で表される範囲にあるものとする。
３（ｍＡ）≦Ｍｒ・δ＜３０（ｍＡ）・・・（１）
４０≦ｄ1＋ｄ2≦１００（ｎｍ）・・・（２）
１／２≦ｄ2／ｄ1≦１・・・（３）
Ｈｃ≧１００ｋＡ／ｍ・・・（４）
【００３１】
また、本発明の磁気記録媒体は、長尺状の非磁性支持体と、真空薄膜形成技術によって形成された斜方柱状構造を有する磁性層であって、第１の強磁性金属薄膜と、この第１の強磁性金属薄膜上に形成され、斜方柱状構造の成長方向が上記第１の強磁性金属薄膜と逆方向である第２の強磁性金属薄膜とにより構成される磁性層とを有しており、磁性層の残留磁化Ｍｒと、膜厚δとの積であるＭｒ・δが、下記式（１）で表される範囲にあり、第１の強磁性金属薄膜の膜厚ｄ1と、第２の強磁性金属薄膜の膜厚ｄ2が、下記式（７）、（８）、（９）、及び（１０）で表される関係を有し、第１の強磁性金属薄膜の残留磁化Ｍｒ1と第２の強磁性金属薄膜の残留磁化Ｍｒ２とそれぞれの層の膜厚の積Ｍｒ1ｄ1、Ｍｒ2ｄ2の比が式（１１）で表される関係を有し、磁性層の保磁力Ｈｃが、下記式（４）で表される範囲にあるものとする。
３（ｍＡ）≦Ｍｒ・δ＜３０（ｍＡ）・・・（１）
７０≦ｄ1＋ｄ2≦１００（ｎｍ）・・・（７）
ｄ1≧４０（ｎｍ）・・・（８）
ｄ2≧３０（ｎｍ）・・・（９）
０．７≦ｄ2／ｄ1≦１・・・（１０）
０．４５≦Ｍｒ2ｄ2／Ｍｒ1ｄ1≦０．５５・・・（１１）
Ｈｃ≧１００ｋＡ／ｍ・・・（４）
【００３２】
磁性層の残留磁化Ｍｒと膜厚δとの積Ｍｒ・δを上記の範囲内とすることにより、信号の再生時にＭＲヘッドまたはＧＭＲヘッドが飽和が防止される。また、磁性層の全厚δ＝ｄ1＋ｄ2を上記の範囲内とすることにより、Ｍｒ・δを上記の範囲内に制御することがで  きる。
【００３３】
磁性層を構成する二層の強磁性金属薄膜の膜厚比ｄ2／ｄ1を上記の範囲内とすることにより、リニア方式で記録再生を行うときの双方向での記録再生特性の差が低減される。また、磁性層の保磁力Ｈｃを上記の範囲内とすることにより、必要な再生出力が得られる。
【００３４】
また、磁性層を構成する二層の強磁性金属薄膜の膜厚比ｄ2／ｄ1を所定の範囲に特定し、さらに、それぞれの膜厚ｄ1、ｄ2を上記の範囲とすることにより、高温多湿環境に於いても腐食が抑制される。
【発明の効果】
【００３５】
本発明の磁気記録テープ媒体によれば、磁性層の残留磁化Ｍｒと膜厚δとの積Ｍｒ・δを所定の範囲内としたことにより、信号の再生時にＭＲヘッドまたはＧＭＲヘッドの飽和を防止され、高感度のＭＲヘッドやＧＭＲヘッドを用いた信号の再生が可能となった。
また、磁性層の全厚δ＝ｄ1＋ｄ2を上記の範囲内とすることにより、Ｍｒ・δを上記の範囲内に制御することができた。
【００３６】
磁性層を構成する二層の強磁性金属薄膜の膜厚比ｄ2／ｄ1を上記の範囲内とすることにより、リニア方式で記録再生を行うときの双方向での記録再生特性の差を低減でき、双方向記録再生可能な高感度型の磁気記録媒体を得ることができた。
【００３７】
また、磁性層の保磁力Ｈｃを上記の範囲内としたことにより、必要な再生出力が得られ、テープストリーマー用途を始めとした各種リニア方式の記録再生システムにおいて、高密度記録化が図られた。
【００３８】
また、磁性層を構成する二層の強磁性金属薄膜の膜厚比ｄ2／ｄ1を所定の範囲に特定し、さらに、それぞれの膜厚ｄ1、ｄ2を上記の範囲とすることにより、高温多湿環境に於いても腐食が抑制され、極めて保存耐久性に優れたリニア方式用の逆二層磁気記録テープ媒体を提供することが可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
本発明の磁気記録媒体の具体的な実施形態について説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
【００４０】
本発明の磁気記録媒体１０の一例の概略断面図を図１に示す。
磁気記録媒体１０は、長尺状の非磁性支持体１上に、下地層２、磁性層３、及び保護層４が順次形成されてなる構成を有している。磁性層３は第１の強磁性金属薄膜３ａと第２の強磁性金属薄膜３ｂが積層された二層構造であるものとする。
保護層４上には、所定の潤滑剤によって潤滑剤層５を形成してもよい。また、非磁性支持体１の磁性層３が形成されている側の面と反対側の面に、バックコート層６を形成してもよい。
【００４１】
磁気記録媒体１０の磁性層３は斜方蒸着により形成され、斜方柱状構造を有する。第１の強磁性金属薄膜３ａと第２の強磁性金属薄膜３ｂの成長方向は互いに逆となっており、これら第１及び第２の強磁性金属薄膜３ａ、３ｂの膜厚ｄ1、ｄ2を所定の範囲内に制御することにより、磁気ヘッドと磁気記録媒体１０を相対的に、磁気記録媒体の長手方向の一方向（矢印Ａ方向）に摺動させて記録再生を行った場合と、逆方向（矢印Ｂ方向）に摺動させて記録再生を行った場合の記録再生特性の差が低減される。
【００４２】
次に、上記の磁気記録媒体１０を構成する各層について詳細に説明する。
非磁性支持体１としては、従来の磁気テープにおいて用いられている公知の材料をいずれも適用できる。例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテート等のセルロース誘導体、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド等のプラスチック類等が挙げられる。
【００４３】
下地層２は、最終的に得られる磁気記録媒体１０の耐久性や走行性、及び磁気テープ成膜時のハンドリング性を向上させる目的で、必要に応じて設けられる。例えば、バインダー樹脂、フィラー及び界面活性剤等を含有する塗料により下地層２を形成して表面に微細な凹凸を付加したり、機械的な強度を高めたりしてもよい。
【００４４】
下地層２を形成するバインダー樹脂としては、例えば水性ポリエステル樹脂、水性アクリル樹脂、水性ポリウレタン樹脂等が挙げられる。フィラーとしては、例えば耐熱性ポリマーからなる粒子、二酸化珪素、炭酸カルシウム等の粒子が用いられる。フィラーの平均粒径は５〜３０ｎｍ、フィラーによって形成される表面突起の密度は５０万〜３０００万個／ｍｍ２程度とすることが好ましい。
下地層２を構成するフィラーの平均粒径や、フィラーによって形成される表面突起の密度は、最終的に得られる磁気記録媒体１０の走行耐久性と電磁変換特性が良好となる範囲で適宜設定できる。あるいは、リソグラフィー技術によって非磁性支持体１上に人工的に凹凸を形成したり、メッキや真空薄膜形成技術によって金属、無機化合物または有機高分子からなる微小突起を形成したりしてもよい。
【００４５】
磁性層３は、真空下で強磁性金属材料を加熱蒸発させて被着させる真空蒸着法によって形成する。長尺状の非磁性支持体１を長手方向に走行させ、走行する非磁性支持体１の一主面側に磁性微粒子を堆積させて磁性層を形成する斜方蒸着の製法は、成膜性が良好で、生産性が高く、操作も容易であるという利点を有している。
【００４６】
磁性層３を構成する第１の金属磁性薄膜３ａ、第２の金属磁性薄膜３ｂは、それぞれ、図２に示すような連続巻き取り式の真空蒸着装置２０を適用して形成することができる。
【００４７】
真空蒸着装置２０の真空室２１は斜方蒸着用として構成され、内部が例えば１×１０-3Ｐａ程度の略真空にされている。
真空室２１内には冷却キャン２２と蒸着源２３が配置されている。冷却キャン２２は例えば−２０℃程度に冷却され、図中矢印Ａで示す方向に回転する。蒸着源２３は冷却キャン２２と対向するように配置されている。
【００４８】
真空室２１内には供給ロール２４と、巻き取りロール２５が配設されている。下地層２（図１参照）が形成された後の非磁性支持体１は、供給ロール２４から図中矢印Ｂで示す方向に繰り出され、冷却キャン２２の周面に沿って走行した後、巻き取りロール２５に巻き取られる。
【００４９】
なお、供給ロール２４と冷却キャン２２との間、及び冷却キャン２２と巻き取りロール２５との間にはそれぞれガイドロール２７、２８が配置されている。
ガイドローラー２７は供給ロール２４から冷却キャン２２に走行する非磁性支持体の張力を調節する。ガイドローラー２８は冷却キャン２２から巻き取りロール２５に走行する非磁性支持体１の張力を調節する。これにより、非磁性支持体１が円滑に走行する。
【００５０】
蒸着源２３は坩堝等の容器にＣｏ等の強磁性金属材料が収容されたものであり、真空蒸着装置２０には蒸着源２３の強磁性金属材料を加熱、蒸発させるための電子ビーム発生源２９が配設されている。電子ビーム発生源２９から電子ビーム３０を蒸着源２３の強磁性金属材料に加速照射することにより、蒸着源２３の強磁性金属材料が図中矢印Ｃで示すように蒸発する。強磁性金属材料は蒸着源２３と対向する冷却キャン２２の周面に沿って走行する非磁性支持体１上に被着し、強磁性金属薄膜が形成される。
【００５１】
蒸着源２３と冷却キャン２２との間には、第１のシャッタ３１と第２のシャッタ３２が設けられている。第１のシャッタ３１は走行する非磁性支持体１の前段側に位置し、第２のシャッタ３２は走行する非磁性支持体１の後段側に位置する。第１のシャッタ３１と第２のシャッタ３２は、冷却キャン２２の周面に沿って走行する非磁性支持体１のうちの所定領域のみを外方（強磁性金属材料が蒸発している雰囲気）に露出させる。すなわち、第１のシャッタ３１と第２のシャッタ３２は、非磁性支持体１に対する強磁性金属材料気体の入射角度を制限する。
【００５２】
強磁性金属薄膜の蒸着に際しては、非磁性支持体１の表面近傍で、かつ強磁性金属材料が入射する部分に、酸素ガス導入口（図示せず）を介して酸素ガスを供給する。これにより、成膜される磁性層に酸素が導入される。磁性層の酸化を適切に制御することにより、強磁性金属薄膜の磁気特性、耐久性及び耐候性等の向上を図ることができる。また、蒸着源の加熱には上記のような電子ビームによる加熱手段の他、例えば抵抗加熱手段、高周波加熱手段、レーザ加熱手段等の公知の手段を使用できる。
【００５３】
真空蒸着装置２０においては、蒸着源２３から強磁性金属材料を蒸発させるとともに冷却キャン２２の周面に非磁性支持体１を走行させる。蒸発した強磁性金属材料は、第１のシャッタ３１と第２のシャッタ３２の間から外方に露出した部分にのみ堆積する。
【００５４】
真空蒸着装置２０においては、第１のシャッタ３１側から第２のシャッタ３２側に向かって非磁性支持体１を走行させるため、蒸発した強磁性金属材料は、まず第１のシャッタ３１側の非磁性支持体１上に堆積する。そして、第１のシャッタ３１側から第２のシャッタ３２側に向かって非磁性支持体１が走行するにつれて、蒸発した強磁性金属材料が順次堆積する。従って、上述した成膜方法によって磁性微粒子の入射角度を制限して形成した磁性層は、斜方構造をとる特徴がある。
【００５５】
本発明における、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッド等の高感度磁気ヘッドを用いたリニア方式の磁気記録テープシステムに適した斜方蒸着テープの磁性層３は、第１の強磁性金属磁性薄膜３ａの斜方柱状構造の傾きと、第２の強磁性金属薄膜３ｂの斜方柱状構造の傾きが逆となっている構造をとっている。
【００５６】
このような構造の磁性層を形成するには、まず、ロール状の非磁性支持体１を一方向に進行させながら斜方蒸着を行うことにより、第１の強磁性金属薄膜３ａを成膜し、ロール状に巻き取る（図２の巻き取りロール２５参照）。巻き取られたロールを供給ロール２４に替え、図２に示すようにして再び斜方蒸着を行う。これにより、第１の強磁性金属薄膜３ａと斜方柱状構造の向きが異なる第２の強磁性金属薄膜３ｂが形成される。
【００５７】
本発明の磁気記録媒体は、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッドを具備する記録再生装置に適用するものであるので、磁気ヘッドの飽和を防止し、ノイズの低減化を図り、Ｃ／Ｎ比の向上を図るために、残留磁化Ｍｒと磁性層の膜厚ｄの積、Ｍｒ・ｄは、３ｍＡ≦Ｍｒ・ｄ＜３０ｍＡであるものとする。
【００５８】
また、磁性層の膜厚ｄに関しては、高温多湿環境に於ける保存耐久性の結果から良好な特性が得られる下限が規定される。このような観点から、磁性層３の膜厚ｄは、４０〜１００ｎｍ、さらに好ましくは７０〜１００ｎｍとする。
また、磁性層３の膜厚ｄが４０ｎｍ未満もの薄層になると、結晶成長性が劣化し、高いＣ／Ｎを得るための充分な磁気特性が得られなくなる。一方、１００ｎｍを超えた膜厚に形成すると、磁気ヘッドの飽和現象が顕著になり、特に高感度磁気ヘッドを適用した場合に所望の記録密度を達成できないおそれがある。
【００５９】
また、磁性層３を構成する第1の強磁性金属薄膜３ａの膜厚ｄ1が４０ｎｍ未満であると、保存耐久性が劣化する。同様に第２の強磁性金属薄膜３ｂの膜厚ｄ２が３０ｎｍ未満の場合も充分な保存耐久性が得られない。このことから、ｄ1≧４０ｎｍ、ｄ２≧３０ｎｍであることが望ましい。
【００６０】
また、第１の強磁性金属薄膜３ａの膜厚ｄ1と、第２の強磁性金属薄膜３ｂの膜厚ｄ２の比ｄ２／ｄ1が１／２未満の場合、第１の強磁性金属薄膜３ａからの信号の割合が大きくなり、正方向と逆方向で信号再生した際の長波長領域における信号出力差が大きくなってしまう。またｄ２／ｄ1が１よりも大きくなると、第２の強磁性金属薄膜３ｂからの信号の割合が大きくなり、正方向と逆方向で信号再生した際の短波長領域における信号出力差が大きくなってしまう。このことから、第1の強磁性金属薄膜３ａの膜厚ｄ1と、第２の強磁性金属薄膜３ｂの膜厚ｄ２の比ｄ２／ｄ1は、１／２≦ｄ２／ｄ1≦１、さらに好ましくは０．７≦ｄ２／ｄ1≦１であるものとする。
【００６１】
また、第１の強磁性金属薄膜３ａの残留磁化Ｍｒ1と膜厚ｄ１の積と、第２の強磁性金属薄膜３ｂの残留磁化Ｍｒ2と膜厚ｄ２の積の比、すなわちＭｒ2・ｄ２／Ｍｒ１ｄ１が、０．４５以上０．５５未満の場合には、正逆方向に記録再生時の信号出力差が大きくなることが確かめられた。このことから、０．４５≦Ｍｒ2ｄ2／Ｍｒ1ｄ1≦０．５５とすることが好適である。
【００６２】
磁性層３を形成する強磁性金属材料としては、従来公知の金属磁性薄膜型の磁気記録媒体に通常用いられる金属材料や磁性合金をいずれも適用可能である。例えば、Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁性金属、Ｃｏ−Ｎｉ系合金、Ｃｏ−Ｆｅ系合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系合金等の各種材料、あるいはこれらの材料を酸素雰囲気中で成膜し、膜中に酸素を含有させたもの、またはこれらの材料に一種または二種以上のその他の元素を含有させたものが挙げられる。
【００６３】
本発明の磁気記録媒体１０においては、磁性層３と非磁性支持体１との間に下地層２の他にも、磁性層３の結晶粒子の微細化と配向性向上を目的として真空薄膜形成技術を用いて中間層（図示せず）を形成してもよい。
【００６４】
真空薄膜形成技術としては、上述したような、真空下で所定の材料を加熱蒸発させて被処理体に被着させる真空蒸着法の他、所定の材料の蒸発を放電中で行うイオンプレーティング法、及びアルゴンを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こし、生じたアルゴンイオンでターゲットの表面原子をたたき出すスパッタリング法等のいわゆる物理的成膜法（ＰＶＤ法）等が挙げられる。
【００６５】
中間層を構成する材料としては、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔａ、Ｗ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ等の金属材料の他、これらの任意の二種以上を組み合わせた合金、又はこれらの金属材料と酸素や窒素との化合物、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ＩＴＯ（indium tin oxide）、Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ等の化合物、カーボン、ダイヤモンドライクカーボン等が挙げられる。
【００６６】
磁性層３上には、良好な走行耐久性、及び耐食性を確保するためにダイヤモンドライクカーボンからなる保護層４を形成する。この場合、保護層４は例えばプラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)連続膜形成装置を用いて、ＣＶＤ法によって形成できる。
ＣＶＤ方式としては、メッシュ電極ＤＣプラズマ方式、電子ビーム励起プラズマソース方式、冷陰極イオンソース方式、イオン化蒸着方式、触媒ＣＶＤ方式等の従来公知の方式をいずれも使用することができる。ＣＶＤ方式に使用する炭素化合物としては、炭化水素系、ケトン系、アルコール系等の従来公知の材料をいずれも使用できる。また、プラズマ生成時には、炭素化合物の分化を促進するためのガスとして、Ａｒ、Ｈ2等が導入されていてもよい。
【００６７】
保護層４上には、走行性を良好にするために、例えば任意のパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を塗布して潤滑剤層５を形成してもよい。
また、非磁性支持体１の磁性層３が形成されている側の面と反対側の面には、走行性の向上や帯電防止等を目的としてバックコート層６を形成する。
バックコート層６は膜厚０．２〜０．７μｍ程度であることが好適である。バックコート層６は、例えば無機顔料等の固体粒子を結合剤中に分散させ、結合剤の種類に応じた有機溶剤とともに混練してバックコート層用塗料を調整し、これを非磁性支持体１の裏面側に塗布して形成される。さらに、バックコート層６の表面にも所定の潤滑剤を塗布することが望ましい。
【００６８】
上述のようにして作製される本実施形態の磁気記録媒体１０は、ＭＲヘッドを用いたリニア方式の磁気記録テープシステム用の磁気記録媒体として好適である。ここで、ＭＲヘッドとは、磁気抵抗効果を利用して磁気記録媒体からの信号を検出する再生専用の磁気ヘッドである。一般にＭＲヘッドとは、電磁誘導を利用して記録再生を行うインダクティブ型磁気ヘッドよりも感度が高く再生出力が大きいので、高密度記録の磁気記録媒体に好適である。
【００６９】
ＭＲヘッドは、例えばＮｉ−Ｚｎ多結晶フェライトのような軟磁性材料からなる一対の磁気シールドに絶縁体を介して挟持された略矩形状のＭＲ素子部を備える。なお、ＭＲ素子部の両端からは一対の端子が導出されており、これらの端子を介してＭＲ素子部にセンス電流を供給できるようになっている。
ＭＲヘッドを用いて磁気記録媒体からの信号を再生する際には、磁気記録媒体にＭＲ素子部を摺動させる。そして、この状態でＭＲ素子部の両端に接続された端子を介して、ＭＲ素子部にセンス電流を供給し、このセンス電流の電圧変化を検出する。
磁気記録媒体にＭＲ素子部を摺動させた状態でＭＲ素子部にセンス電流を供給すると、磁気記録媒体からの磁界に応じて、ＭＲ素子部の磁化方向が変化し、ＭＲ素子部に供給されたセンス電流と磁化方向との相対角度が変化する。そして、ＭＲ素子部の磁化方向とセンス電流の方向とがなす相対角度に依存して抵抗値が変化する。
このため、ＭＲ素子部に供給するセンス電流の値を一定にすることにより、センス電流に電圧変化が生じることになる。このセンス電流の電圧変化を検出することにより、磁気記録媒体からの信号磁界が検出され、磁気記録媒体に記録されている信号が再生される。なお、再生用磁気ヘッドとしては、いわゆる巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）も適用可能である。
ＭＲ素子にバイアス磁界を印加する手法は、ＳＡＬ（soft adjacent layer）バイアス方式の他、例えば永久磁石バイアス方式、シャント電流バイアス方式、自己バイアス方式、交換バイアス方式、バーバーポール方式、分割素子方式、サーボバイアス方式等、種々の手法が適用可能である。なお、巨大磁気抵抗効果素子や各種バイアス方式については、例えば丸善株式会社発行の「磁気抵抗ヘッド−基礎と応用  林和彦  訳」に詳細に記載されている。
【実施例】
【００７０】
以下、本発明の磁気記録媒体の具体的な実施例について、実験結果に基づいて説明する。
〔実施例Ａ〕
〔実施例Ａ−１〕
非磁性支持体１として、膜厚８．０μｍ、幅１５０ｍｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意した。
非磁性支持体１の磁性層形成面側に膜厚５ｎｍの下地層２を形成した。下地層２は、アクリルエステルを主成分とする水溶性ラテックスにシリカ粒子を分散させた塗料を、非磁性支持体１上に塗布して形成した。シリカ粒子は直径１０ｎｍのものを用い、非磁性支持体１上でシリカ粒子の密度が１×１０7個／ｍｍ2程度となるようにした。
【００７１】
次に、図２に示した真空蒸着装置２０を用いて磁性層３を形成した。原料である金属磁性材料をＣｏとし、酸素ガス導入管から酸素を６．０×１０-4ｍ3／ｍｉｎの導入量で供給し、電子ビーム発生源２９から電子ビーム３０を照射して加熱し、反応性真空蒸着により、Ｃｏ−ＣｏＯ系磁性層を形成した。
【００７２】
磁性層３の形成は、第１の強磁性金属薄膜３ａの成膜と第２の強磁性金属薄膜３ｂの成膜の２回に分けて行った。
第１の強磁性金属薄膜の膜厚ｄ1を５０ｎｍ、第２の強磁性金属薄膜の膜厚ｄ2を２５ｎｍとした。このとき、第１のシャッタ３１及び第２のシャッタ３２により、Ｃｏ蒸着粒子の最小入射角度を４５°、最大入射角度を７０°に調整した。
【００７３】
次に、上述のようにして形成した磁性層３上に、ダイヤモンドライクカーボン膜からなる保護層４を、プラズマＣＶＤ法によって膜厚１０ｎｍで形成した。さらに、保護層４上にパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を塗布して、膜厚２ｎｍの潤滑剤層５を形成した。
【００７４】
また、非磁性支持体１の磁性層３が形成されている側の面と反対側の面に、カーボン粒子とウレタン樹脂を含むバックコート用塗料を塗布して、膜厚０．５μｍのバックコート層６を形成した。カーボン粒子は平均粒径２０ｎｍのものを用いた。バックコート用塗料の塗布には、ダイレクトグラビア法による塗布装置を用いた。以上の工程により、目的とする磁気記録媒体１０の原反を得た後、原反を１／２インチ幅に裁断して、サンプルの磁気テープを得た。
【００７５】
〔実施例Ａ−２〜Ａ−５〕、〔比較例Ａ−１〜Ａ−５〕
上記の実施例Ａ−１における第１の強磁性金属薄膜の膜厚ｄ1と第２の強磁性金属薄膜の膜厚ｄ2を制御し、サンプル磁気テープを作製した。
【００７６】
上述のようにして作製した各サンプル磁気テープに対して、以下に示す方法を用いて電磁変換特性、及び磁気特性の評価を行った。具体的には、電磁変換特性の評価にはドラムテスタを用いた。記録ヘッドはギャップ長０．２２μｍ、トラック幅２０μｍのＭＩＧヘッドを使用した。電磁変換特性の評価では、ＭＩＧヘッドで記録波長２．０μｍと０．３μｍにて記録し、トラック幅５μｍのＮｉＦｅＭＲヘッドを用いて再生したときのキャリア出力を測定した。
【００７７】
測定方向は、磁気テープと磁気ヘッドを相対的に正方向と逆方向で動作するようにした状態でそれぞれ測定した。記録ヘッドの記録電流は、それぞれのサンプルにおいて正方向で測定した際の再生出力が最大となる値とし、逆方向の測定においても同じ記録電流に固定した。なお、磁気テープとＭＲヘッドとの相対速度は７ｍ／ｓｅｃとした。磁気特性は、試料振動型磁力計（ＶＳＭ）を用いて測定した。また、テープ面内長手方向に対して測定した際の保磁力Ｈｃの評価を行った。サンプル磁気テープの作製条件と評価結果を下記表１に示す。
【００７８】
【表１】
2004220754.tif 000003
【００７９】
表１に示すように、実施例Ａ−１〜Ａ−５の磁気テープは、磁性層の全厚が４０〜１００ｎｍの範囲内にあり、第１の強磁性金属薄膜３ａの膜厚ｄ1と、第２の強磁性金属薄膜３ｂの膜厚ｄ２の比ｄ２／ｄ1が、１／２≦ｄ２／ｄ1≦１の範囲内である。実施例Ａ−１〜Ａ−５の磁気テープにおいては、正方向と逆方向で記録再生した際の信号出力の差が、記録波長２．０μｍと０．３μｍのいずれの場合も１．４ｄＢ以内となり、良好な双方向記録再生特性が得られた。
【００８０】
一方、比較例Ａ−１とＡ−５は、磁性層の全厚ｄ２＋ｄ1が１００ｎｍを超えている。これらは、信号出力が大きくＭＲヘッドが飽和してしまい、正確な測定値が得られなかった。また、膜厚比ｄ２／ｄ1については、比較例Ａ−１が１／２≦ｄ２／ｄ1≦１であり、比較例Ａ−５が１を超えているが、いずれも正確な測定値が得られなかった。
【００８１】
比較例Ａ−２は、磁性層全厚ｄ２＋ｄ1が４０ｎｍ未満である。比較例Ａ−２では、磁気特性である保磁力Ｈｃが１００ｋＡ／ｍ未満となり、磁気記録媒体に好適な特性が得られなかった。
【００８２】
比較例Ａ−３は、膜厚比ｄ２／ｄ1が１を超えている。比較例Ａ−３では、第２の強磁性金属薄膜３ｂの信号出力差に与える影響が大きくなり、波長０．３μｍでの信号出力差が１．５ｄＢとなり、双方向記録に好適な媒体が得られなかった。
【００８３】
比較例Ａ−４は、膜厚比ｄ２／ｄ1が１／２未満である。比較例Ａ−４では、第１の強磁性金属薄膜３ａの信号出力差に与える影響が大きくなり、波長２．０μｍでの信号出力差が１．５ｄＢとなり、双方向記録に好適な媒体が得られなかった。
【００８４】
上述したように、本発明構成の磁気テープによれば、二層の斜方蒸着膜の成長方向の違いに基づく記録再生特性の双方向での差が低減化された。また、本発明構成の磁気テープは、磁性層の薄層化や記録波長の短波長化によっても再生出力の低下が回避された。従って、本発明の磁気テープによれば、ＭＲヘッド等を使用するリニア方式の磁気記録再生システムで、高記録密度の記録再生を行うことができることがわかった。
なお、本発明の磁気記録媒体の実施形態は、上述した例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【００８５】
〔実施例Ｂ〕
〔実施例Ｂ−１〕
非磁性支持体１として、膜厚８．０μｍ、幅１５０ｍｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意した。
非磁性支持体１の磁性層形成面側に膜厚５ｎｍの下地層２を形成した。下地層２は、アクリルエステルを主成分とする水溶性ラテックスにシリカ粒子を分散させた塗料を、非磁性支持体１上に塗布して形成した。シリカ粒子は直径１０ｎｍのものを用い、非磁性支持体１上でシリカ粒子の密度が１×１０7個／ｍｍ2程度となるようにした。
【００８６】
次に、図２に示した真空蒸着装置２０を用いて磁性層３を形成した。原料である金属磁性材料をＣｏとし、酸素ガス導入管から酸素を導入し、電子ビーム発生源２９から電子ビーム３０を照射して加熱し、反応性真空蒸着により、Ｃｏ−ＣｏＯ系磁性層を形成した。
【００８７】
磁性層３の形成は、第１の強磁性金属薄膜３ａの成膜と第２の強磁性金属薄膜３ｂの成膜の２回に分けて行った。
第１の強磁性金属薄膜の膜厚ｄ1を５０ｎｍ、その際の酸素導入量を７．０×１０-4ｍ3／ｍｉｎ、上層強磁性金属薄膜の膜厚ｄ2を２５ｎｍ、その際の酸素導入量を５．０×１０-4ｍ3／ｍｉｎとした。
このとき、第１のシャッタ３１、第２のシャッタ３２により、Ｃｏ蒸着粒子の最小入射角度を４５°、最大入射角度を７０°に調整した。
【００８８】
次に、上述のようにして形成した磁性層３上に、ダイヤモンドライクカーボン膜からなる保護層４を、プラズマＣＶＤ法によって膜厚１０ｎｍで形成した。さらに、保護層４上にパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を塗布して、膜厚２ｎｍの潤滑剤層５を形成した。
【００８９】
また、非磁性支持体１の磁性層３が形成されている側の面と反対側の面に、カーボン粒子とウレタン樹脂を含むバックコート用塗料を塗布して、膜厚０．５μｍのバックコート層６を形成した。
カーボン粒子は平均粒径２０ｎｍのものを用いた。バックコート用塗料の塗布には、ダイレクトグラビア法による塗布装置を用いた。以上の工程により、目的とする磁気記録媒体１０の原反を得た後、原反を１／２インチ幅に裁断して、サンプルの磁気テープを得た。
【００９０】
〔実施例Ｂ−２〜Ｂ−５〕、〔比較例Ｂ−１〜Ｂ−５〕
上記の実施例Ｂ−１における第１の強磁性金属薄膜の膜厚ｄ1と第２の強磁性金属薄膜の膜厚ｄ2、またそれぞれ成膜する際の酸素導入量を制御し、サンプル磁気テープを作製した。実施例Ｂ−１〜Ｂ−５、比較例Ｂ−１〜Ｂ−５の作製条件を下記表２に示す。
【００９１】
【表２】
2004220754.tif 000004
【００９２】
上述のようにして作製した各サンプル磁気テープに対して、以下に示す方法を用いて電磁変換特性、及び磁気特性の評価を行った。
具体的には、電磁変換特性の評価にはドラムテスタを用いた。記録ヘッドはギャップ長０．２２μｍ、トラック幅２０μｍのＭＩＧヘッドを使用した。電磁変換特性の評価では、ＭＩＧヘッドで記録波長２．０μｍにて記録し、トラック幅５μｍのＮｉＦｅＭＲヘッドを用いて再生したときのキャリア出力を測定した。
測定方向は、磁気テープと磁気ヘッドを相対的に正方向と逆方向で動作するようにした状態でそれぞれ測定した。記録ヘッドの記録電流は、それぞれのサンプルにおいて正方向で測定した際の再生出力が最大となる値とし、逆方向の測定においても同じ記録電流に固定した。なお、磁気テープとＭＲヘッドとの相対速度は７ｍ／ｓｅｃとした。
【００９３】
磁気特性は、試料振動型磁力計（ＶＳＭ）を用いて測定した。テープ面内長手方向に対して測定した際の保磁力Ｈｃを評価した。
【００９４】
耐食性は、温度６５℃、相対湿度９０％の環境下にて６日間放置して腐食試験を行った後の磁性層の磁化劣化率から見積もった。磁化劣化率は、上記温湿度環境下への放置前のＭｓ0（飽和磁化）と前記環境下での放置後のＭｓ1とを測定し、下記式（１４）により算出した。なお、磁化劣化率は１５％以内が限度（良好）の範囲であるものとした。
磁化劣化率（％）＝｛（Ｍｓ0− Ｍｓ1）／Ｍｓ0｝×１００  …（１４）
【００９５】
正方向と逆方向での記録再生時の出力差（ｄＢ）、及び磁化劣化率（％）の測定結果を下記表３に示す。
【００９６】
【表３】
2004220754.tif 000005
【００９７】
上記表３に示すように、実施例Ｂ−１〜Ｂ−５の磁気テープは、磁性層の全厚ｄ、第１及び第２の強磁性金属薄膜の膜厚ｄ1、ｄ2、及び磁気特性が何れも下記式の条件を満たすものであるため、正方向と逆方向で記録再生した際の信号出力差が１．５ｄＢ以内となり、良好な双方向記録再生特性が得られた。
さらに、高温多湿環境保存後の磁化劣化率が１５％以内となっており、良好な保存耐久性が得られた。
３（ｍＡ）≦Ｍｒ・δ＜３０（ｍＡ）  ・・・（１）
７０≦ｄ1＋ｄ2≦１００（ｎｍ）  ・・・（７）
ｄ1≧４０（ｎｍ）  ・・・（８）
ｄ2≧３０（ｎｍ）  ・・・（９）
０．７≦ｄ2／ｄ1≦１    ・・・（１０）
０．４５≦Ｍｒ2ｄ2／Ｍｒ1ｄ1≦０．５５・・・（１１）
Ｈｃ≧１００ｋＡ／ｍ・・・（４）
【００９８】
一方、比較例Ｂ−１においては、磁性層の全厚ｄ1＋ｄ2が１００ｎｍを超えているため、信号出力が大きくＭＲヘッドが飽和してしまい、正確な測定値が得られなかった。
【００９９】
比較例Ｂ−２、Ｂ−３においては、第１の強磁性金属薄膜の膜厚ｄ1が４０ｎｍ未満であるため、磁化劣化率が１５％を超えてしまい、充分な耐食性が得られなかった。
【０１００】
比較例Ｂ−４は、膜厚比ｄ2／ｄ1が１を超えているため、第２の強磁性金属薄膜３ｂの信号出力差に与える影響が大きくなり、波長２．０μｍでの信号出力差が１．５ｄＢとなり、双方向記録に好適な媒体が得られなかった。
【０１０１】
比較例Ｂ−５は、第２の強磁性金属薄膜の膜厚ｄ2が３０ｎｍ未満であるため、磁化劣化率が１５％を超えてしまい、良好な耐食性が得られなかった。
【０１０２】
比較例Ｂ−６においては、膜厚比ｄ2／ｄ1が０．７より小さいため、第１の強磁性金属薄膜３ａの信号出力差に与える影響が大きくなり、波長２．０μｍでの信号出力差が１．５ｄＢを超えてしまい、双方向記録に好適な媒体が得られなかった。
【０１０３】
比較例Ｂ−７、Ｂ−８においては、Ｍｒ2ｄ2／Ｍｒ1ｄ1が、０．４５以上０．５５以下の範囲より外れているため、いずれにおいても波長２．０μｍでの信号出力差が１．５ｄＢ以上となり、双方向記録に好適な媒体が得られなかった。
【０１０４】
比較例Ｂ−９においては、第１及び第２の金属磁性薄膜形成時における酸素導入量が少なすぎたことから磁気特性である保磁力Ｈｃが１００ｋＡ／ｍ未満となり、実用上充分な出力特性が得られなかった。
【０１０５】
上述したように、本発明の磁気テープによれば、二層構造の斜方蒸着膜の成長方向の違いに基づく記録再生特性の双方向での差が低減化された。また、磁性層を構成する第１及び第２の強磁性金属薄膜の膜厚についての制御を行ったことにより、保存耐久性に優れた磁気記録テープ媒体を提供することが可能である。
【０１０６】
従って、本発明の磁気記録媒体によれば、ＭＲヘッド等を使用するリニア方式の磁気記録再生システムで、高記録密度の記録再生を行うことができる。
なお、本発明の磁気記録媒体の実施形態は、上記の説明に限定されない。本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本発明の磁気記録媒体の断面図である。
【図２】磁気記録媒体の磁性層を形成するための真空蒸着装置を示す概略図である。
【図３】従来の磁気記録媒体の断面図である。
【図４】従来の磁気記録媒体の断面図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１……非磁性支持体、２……下地層、３……磁性層、３ａ……第１の強磁性金属薄膜、３ｂ……第２の強磁性金属薄膜、４……保護層、５……潤滑剤層、６……バックコート層、１０……磁気記録媒体、２０……真空蒸着装置、２１……真空室、２２……冷却キャン、２３……蒸着源、２４……供給ロール、２５……巻き取りロール、２７、２８……ガイドローラー、２９……電子ビーム発生源、３０……電子ビーム、３１……第１のシャッタ、３２……第２のシャッタ、１０１……非磁性支持体、１０２……磁性層、１０２ａ……第１の強磁性金属薄膜、１０２ｂ……第２の強磁性金属薄膜
【図１】
2004220754.tif 000006
【図２】
2004220754.tif 000007
【図３】
2004220754.tif 000008
【図４】
2004220754.tif 000009