(57)【要約】【課題】製造コストを削減することが可能な半導体検査装置を提供することを目的とする。【解決手段】半導体デバイス１１に対し、半導体デバイス１１の電気特性検査を行うテスターを接続するためのテストヘッド部２と、半導体デバイス１１をテストヘッド部２側に加圧して半導体デバイス１１とテスターとの接続を安定保持するためのコンタクトヘッド部３と、半導体デバイス１１をテストヘッド部３へ供給するとともに、テストヘッド部３から排出するための空間を形成する供給排出部４と、半導体デバイス１１をテストヘッド部３および供給排出部４へ搬送するための搬送部５とを備える。【選択図】  図１
2004219226.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高温環境下で半導体デバイスの電気特性を検査する半導体検査装置であって、
前記半導体デバイスの電気特性検査を行う検査部と前記半導体デバイスとを接続するためのテストヘッド領域と、
前記半導体デバイスを前記テストヘッド領域に供給するとともに前記半導体デバイスを前記テストヘッド領域から排出するための供給排出領域と、
前記供給排出領域から、前記半導体デバイスを、前記検査部と接続可能な前記テストヘッド領域内の位置まで搬送する搬送手段と、
前記搬送手段により搬送された半導体デバイスと前記検査部との接続を安定保持する保持手段とを備える半導体検査装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体検査装置であって、
前記半導体デバイスがリードフレームに装着されたものであり、
前記テストヘッド領域内には、前記半導体デバイスと前記検査部とが接続可能な状態で前記リードフレームを加熱する加熱手段が設けられている半導体検査装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体検査装置であって、
前記半導体デバイスと前記検査部とが接続可能な状態とは、前記検査部と電気的に接続され且つ前記テストヘッド領域の底面に対して所定の高さを有するソケット上に前記半導体デバイスが取り付けられた状態のことであり、
前記状態において、前記リードフレームと前記テストヘッド領域の底面との隙間に前記加熱手段が配置されているものである半導体検査装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体検査装置であって、
前記加熱手段を、前記テストヘッド領域の底面に対して、高さ調節部材により高さ調節自在に連結した半導体検査装置。
【請求項５】
請求項３記載の半導体検査装置であって、
前記加熱手段は、前記テストヘッド領域の底面の、前記ソケットを挟む対向位置に１つずつ配置されており、前記ソケットを挟んで対向配置された加熱手段同士を、間隔調整部材により間隔調整自在に連結した半導体検査装置。
【請求項６】
請求項３記載の半導体検査装置であって、
前記保持手段は、前記半導体デバイスを前記ソケット側に加圧して前記半導体デバイスと前記ソケットとを安定保持するものであり、
前記保持手段が、前記半導体デバイスの加圧時に、前記リードフレームを前記加熱手段に対して押さえ付けるリードフレーム押さえ付け部を有する半導体検査装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体検査装置であって、
前記保持手段に、前記リードフレーム押さえ付け部を、前記保持手段本体の前記加圧方向に伸縮自在に取り付けた半導体検査装置。
【請求項８】
請求項６または７記載の半導体検査装置であって、
前記リードフレーム押さえ付け部は、前記保持手段が前記半導体デバイスを加圧した際に、前記半導体デバイスを挟み込む前記保持手段本体の対向位置に１つずつ取り付けられており、前記対向するリードフレーム押さえ付け部同士を、間隔調整部材により間隔調整自在に取り付けた半導体検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイスの電気特性検査を行う半導体検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体デバイスは高機能であり、大規模化、高速化がますます進んできており、さらに高信頼性の要求も非常に高くなってきている。このため、半導体デバイスを市場に出荷する前の検査は極めて重要である。一般的に、半導体デバイスはＬＳＩテスターとハンドリング装置とが合体した半導体検査装置により検査された上で出荷される。
【０００３】
図１３は、従来の半導体検査装置の構成を示す斜視図である。半導体検査装置１３０は、ハンドリング装置１３４と、テストヘッド部１３１と、供給排出部１３３と、半導体デバイスを加熱及び冷却するための加熱冷却部１３２とを備え、これらが全て共通の密閉容器である乾燥室Ｒ内に収納されている。
【０００４】
従来の半導体検査装置１３０では、ハンドリング装置１３４が、供給排出部１３３から半導体デバイスを取り出し、加熱冷却部１３２に搬送する。加熱冷却部１３２では半導体デバイスが所定の方法により加熱される。ハンドリング装置１３４は、加熱後の半導体デバイスを加熱冷却部１３２から取り出し、テストヘッド部１３１に搬送し、テストヘッド部１３１上の所定位置にあるソケットに半導体デバイスを装着する。装着後、ハンドリング装置１３４は、半導体デバイスをテストヘッド部１３１側に加圧してソケットに安定保持し、図示しない検査部により、ソケットを介して半導体デバイスの検査が実施される（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平０１−１２２１３６号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半導体検査装置は、半導体デバイスの搬送及び加圧という一連の動作を、ハンドリング装置が全て行っているため、ハンドリング装置は大規模なものになっていた。また、ハンドリング装置の動作の制御も複雑であった。したがって、従来の半導体検査装置は、装置製造にかかるコストの増大が避けられないという問題点があった。
【０００７】
本発明は上記従来の問題点を解決するためになされたものであり、製造コストを削減することが可能な半導体検査装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体検査装置は、高温環境下で半導体デバイスの電気特性を検査する半導体検査装置であって、前記半導体デバイスの電気特性検査を行う検査部と前記半導体デバイスとを接続するためのテストヘッド領域と、前記半導体デバイスを前記テストヘッド領域に供給するとともに前記半導体デバイスを前記テストヘッド領域から排出するための供給排出領域と、前記供給排出領域から、前記半導体デバイスを、前記検査部と接続可能な前記テストヘッド領域内の位置まで搬送する搬送手段と、前記搬送手段により搬送された半導体デバイスと前記検査部との接続を安定保持する保持手段とを備える。
【０００９】
これにより、ハンドリング装置によって行っていた半導体デバイスの搬送及び安定保持という作業を、搬送手段と保持手段とで分割して行うため、該作業の制御や装置構成が簡単になり、コストを削減することができる。
【００１０】
また、本発明の半導体検査装置は、前記半導体デバイスがリードフレームに装着されたものであり、前記テストヘッド領域内には、前記半導体デバイスと前記検査部とが接続可能な状態で前記リードフレームを加熱する加熱手段が設けられている。
【００１１】
これにより、リードフレームを熱伝導率の高い部材にすることで、半導体デバイスを瞬時に加熱することが可能となり、半導体デバイスの検査に要する時間を短縮することができる。また、加熱手段がテストヘッド領域内にあるため、装置構成を簡単にすることが可能となる。
【００１２】
また、本発明の半導体検査装置は、前記半導体デバイスと前記検査部とが接続可能な状態とは、前記検査部と電気的に接続され且つ前記テストヘッド領域の底面に対して所定の高さを有するソケット上に前記半導体デバイスが取り付けられた状態のことであり、前記状態において、前記リードフレームと前記テストヘッド領域の底面との隙間に前記加熱手段が配置されているものである。
【００１３】
また、本発明の半導体検査装置は、前記加熱手段を、前記テストヘッド領域の底面に対して、高さ調節部材により高さ調節自在に連結した。
【００１４】
これにより、ソケットの高さに合わせて加熱手段の高さを調節できるため、様々な種類のソケットを用いた場合でも、リードフレームと加熱手段との接触を確実なものにすることができる。
【００１５】
また、本発明の半導体検査装置は、前記加熱手段が、前記テストヘッド領域の底面の、前記ソケットを挟む対向位置に１つずつ配置されており、前記ソケットを挟んで対向配置された加熱手段同士を、間隔調整部材により間隔調整自在に連結した。
【００１６】
これにより、様々な種類のソケットやリードフレームについても、加熱を効率良く行うことができる。
【００１７】
また、本発明の半導体検査装置は、前記保持手段が、前記半導体デバイスを前記ソケット側に加圧して前記半導体デバイスと前記ソケットとを安定保持するものであり、前記保持手段が、前記半導体デバイスの加圧時に、前記リードフレームを前記加熱手段に対して押さえ付けるリードフレーム押さえ付け部を有する。
【００１８】
これにより、加熱手段に対してリードフレームを押さえ付けるため、半導体デバイスを安定した状態で検査することができる。また、加熱手段に対してリードフレームを十分に密着させることが可能なため、半導体デバイスへの熱の印加を効率的且つ速やかに行うことができる。
【００１９】
また、本発明の半導体検査装置は、前記保持手段に、前記リードフレーム押さえ付け部を、前記保持手段本体の前記加圧方向に伸縮自在に取り付けた。
【００２０】
これにより、ソケットや半導体デバイスのサイズが変わった場合でも、その変化に対応することができる。
【００２１】
また、本発明の半導体検査装置は、前記リードフレーム押さえ付け部が、前記保持手段が前記半導体デバイスを加圧した際に、前記半導体デバイスを挟み込む前記保持手段本体の対向位置に１つずつ取り付けられており、前記対向するリードフレーム押さえ付け部同士を、間隔調整部材により間隔調整自在に取り付けた。
【００２２】
これにより、ソケットや半導体デバイスのサイズが変わった場合でも、その変化に対応することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１について、図面を参照しながら説明する。
図１は本発明の実施の形態１による半導体検査装置の構成を示す斜視図である。半導体検査装置１は、半導体デバイスをソケット２１に装着して検査を行うためのテストヘッド部２（テストヘッド領域）と、ソケット２１に装着された半導体デバイスを加圧して、半導体デバイスとテストヘッド部２との接続を確実に行うためのコンタクトヘッド部３と、検査対象である半導体デバイスをテストヘッド部２に供給またはテストヘッド部２から排出するための供給排出部４と、テストヘッド部２と供給排出部４との間で半導体デバイスを搬送する搬送部５と、検査結果に基づいて半導体デバイスの不良品に識別用のマークを印字するインカ部６とにより構成されている。
【００２４】
テストヘッド部２は、被測定デバイスである半導体デバイスに印加する試料用電源、タイミングジェネレータ出力、パターンジェネレータ出力、およびデバイス出力を測定部に取り込む入力部から構成され、この入力部に接続されたソケット２１に半導体デバイスを直接搭載して、該半導体デバイスの評価を行う。
【００２５】
図２は、テストヘッド部２の構成を詳細に示した斜視図である。図２において、テストヘッド部２の表面（テストヘッド領域の底面）には、テスター（ＬＳＩテスター）の一部であるソケット２１が半導体デバイスを装着して検査するために設けられている。また、半導体デバイスを加熱するために、ソケット２１を両側から挟むように２つのヒーター２２が対向して設けられている。なお、ソケット２１は略直方体形状であり、図中の斜線部分に半導体デバイスを装着することができる。また、ヒーター２２は、略直方体形状であり、その高さｈはソケット２１の高さｈ’と同一となっている。また、ヒーター２２は、加熱する機能の他に、半導体デバイスを冷却する機能を有していても良い。
【００２６】
図３は、本発明の半導体検査装置の検査対象となる半導体デバイスを複数装着したリードフレーム７を示す平面図である。同図において、リードフレーム７には、外部端子１１１を折り曲げ加工した複数の半導体デバイス１１が装着されている。また、この半導体デバイス１１はリードフレーム７に一体に形成された支え端子７３により支えられている。
【００２７】
ここで、半導体デバイスを複数装着したリードフレーム７の特徴を表すため、リードフレーム７に対する半導体デバイス１１の装着工程を、図４を参照しながら説明する。以下の説明では、１つのリードフレームに４つの半導体デバイス１１、１１ａ、１１ｂ、１１ｃを装着する場合を説明する。
【００２８】
図４（ａ）においては、未完成のリードフレーム７０には何も装着されていない。このリードフレーム７０は金属の板を打ち抜いて形成されて、半導体デバイスの製作工程で使用されるものである。また、このリードフレーム７０は半導体チップを装着する装着部７１と、後の工程で半導体デバイス１１の複数本の外部端子とされる端子部７２と、前記装着部７１を支える支え端子７３とにより構成されている。
【００２９】
そこで、半導体デバイス１１を製作するには、図４（ｂ）に示すように、半導体チップ８をリードフレーム７０の装着部７１上面に装着する（ダイボンディング）。次に、図４（ｃ）に示すように、半導体チップ８のＩＯ（入出力）パッド部８１とリードフレーム７０の端子部７２とをワイヤー９でボンディング接続する。続いて、図４（ｄ）に示すように、プラスチック樹脂１０により、半導体チップ８およびワイヤーボンディング部を封止する。ここまでは通常の半導体デバイスの製作と同様である。
【００３０】
さらに、このプラスチック樹脂１０による封止工程に続いて、図４（ｄ）に示した端子部７２をＡ−Ａ’線付近で切断する。このとき、支え端子７３は切断せずにそのまま残しておく。これにより図３に示すようなリードフレーム７となる。なお、端子部７２をＡ−Ａ’線で切断すると、このリードフレーム７の端子部７２は半導体チップ８とプラスチック樹脂１０を含む、図４（ｅ）に示すような半導体デバイス１１の外部端子１１１となる。そして半導体デバイス１１の外部端子１１１を折り曲げ加工して、製作工程を終了する。
【００３１】
以上のように構成された本発明の実施の形態１による半導体検査装置の動作について、以下に説明する。
図１において、まず、搬送部５が、複数の半導体デバイス１１が装着されたリードフレーム７を供給排出部４からテストヘッド部２に搬送し、ソケット２１に半導体デバイスの一つ、例えば半導体デバイス１１を装着する。この様子を図５に示す。なお、ヒーター２２は予め通電されており、所望の温度に設定されている。
【００３２】
次に、搬送部５を退避させた後、図６に示すように、コンタクトヘッド部３を矢印方向に下げて、リードフレーム７上の半導体デバイス１１をソケット２１側に加圧し、これをソケット２１に密着させる。なお、リードフレーム７は熱伝導特性が良いため、瞬時に所望の温度に到達する。半導体デバイスがソケット２１に密着した後は、半導体デバイス１１の温度サイクル試験、高温保管試験などの検査が外部端子１１１に接続されたソケット２１を介して、テスターであるＬＳＩテスターにより行われる。検査結果はＬＳＩテスターのメモリに記憶される。一つの半導体デバイスの検査が終了すると、コンタクトヘッド部３は上がり、半導体デバイス１１から離される。
【００３３】
次に、搬送部５によって、半導体デバイス１１の隣りの半導体デバイス１１ａをソケット２１に装着し、再度コンタクトヘッド部３を下げて、リードフレーム７上の半導体デバイス１１ａを加圧し、これをソケット２１に密着させる。そして、半導体デバイス１１ａの検査を前記同様にして行う。以下、半導体デバイス１１、１１ａと同様に、半導体デバイス１１ｂ、半導体デバイス１１ｃの検査をおこなう。
【００３４】
リードフレーム７上の半導体デバイス１１〜１１ｃについて全て検査を終えると、搬送部５によってリードフレーム７を供給排出部４に搬送する。そして、ＬＳＩテスターのメモリに記憶していた検査結果をもとに、リードフレーム７上の半導体デバイス１１、１１ａ、１１ｂ、１１ｃのうち不良のものに、インカ部６により、不良マークを印字する。以降、次のリードフレームが装着された半導体デバイスの検査を行う。
【００３５】
以上のように、本発明の実施の形態１によれば、従来、ハンドリング装置１台で行っていた、半導体デバイスの搬送及び加圧動作を、搬送部５及びコンタクトヘッド部３の２つの手段に分けて行う構成としたため、装置の動作制御及び構成を簡単にすることができ、装置製造にかかるコストを削減することができる。
【００３６】
また、テストヘッド部２にリードフレーム７を加熱するヒーター２２を設けたため、従来の加熱冷却部を別途設ける必要がなくなり、装置構成を簡単にすることができる。また、リードフレームをヒーターにより加熱することで、半導体デバイスを所望の温度にするため、加熱を効率良く且つ迅速に行うことができる。
【００３７】
（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２による半導体検査装置について、図７を参照しながら説明する。なお、本実施の形態による半導体検査装置の全体構成は図１と同様であるため説明を省略する。
【００３８】
図７は本発明の実施の形態２による半導体検査装置を構成するテストヘッド部２上のヒーター２２を示す構成図である。同図においては、ヒーター２２の両端部に、ねじ頭収納凹部２２ａが設けられ、このねじ頭収納凹部２２ａからヒーター２２に貫通して設けた孔２２ｂに高さ調整ねじ２４が挿通されている。また、この高さ調整ねじ２４はヒーター２２とテストヘッド部２の表面（テストヘッド領域の底面）との間に介装したばね２３を介し、そのテストヘッド部２にねじ込まれている。なお、このばね２３は、ヒーター２２とテストヘッド部２の表面との間の他の複数箇所にも介装されている。このため、高さ調整ねじ２４を回転することにより、ヒーター２２のテストヘッド部２の表面に対する高さを調節できる構成となっている。
【００３９】
この実施の形態２の半導体検査装置の動作は、ヒーター２２の高さ調節ができること以外は、実施の形態１と同様であるため省略する。なお、ヒーター２２の高さを調節する構成として、ばね２３と高さ調整ねじ２４の例を述べたが、ヒーター２２の高さ調節ができるものであれば、周知のあらゆる機構および構成を任意に採用できる。
【００４０】
以上のように、実施の形態２によれば、ソケット２１の高さに合わせて、ヒーター２２の高さを調節できるので、任意の高さのソケットおよびあらゆる形態の半導体デバイス１１の加熱試験に適用できる。
【００４１】
（実施の形態３）
以下、本発明の実施の形態３による半導体検査装置について、図８を参照しながら説明する。なお、本実施の形態による半導体検査装置の全体構成は図１と同様であるため説明を省略する。
【００４２】
図８は、本発明の実施の形態３による半導体検査装置を構成するテストヘッド部２上のヒーター２２を示す構成図である。同図においては、２つのヒーター２２の両端部における対向面にそれぞれねじ孔２２ｃが設けられており、これらの互いに対向するねじ孔２２ｃに操作軸２５の両端に形成された雄ねじ（右ねじと左ねじ）がねじ込まれている。従って、各操作軸２５を回転することにより、２つのヒーター２２の太矢印Ｘ方向の間隔を調節できる構成となっている。
【００４３】
この実施の形態３の半導体検査装置の動作は、２つのヒーター２２の間隔の調節ができること以外は、実施の形態１と同様であるため、その重複する説明を省略する。なお、２つのヒーター２２の間隔を調節する構成として、操作軸２５の例を述べたが、２つのヒーター２２の間隔の調節ができるものであれば、周知のあらゆる機構および構成を任意に採用できる。
【００４４】
以上のように、実施の形態３によれば、ソケット２１の幅およびリードフレーム７の幅に合わせて、２つのヒーター２２の間隔を調節できるので、任意の大きさのソケットおよびリードフレームに適用できる。
【００４５】
（実施の形態４）
本発明の実施の形態４による半導体検査装置について、図９を参照しながら説明する。なお、本実施の形態による半導体検査装置の全体構成は図１と同様であるため説明を省略する。
【００４６】
図９は、本発明の実施の形態４による半導体検査装置を構成するコンタクトヘッド部３を示す構成図である。同図において、コンタクトヘッド部３は、取付板３ａを有し、この取付板３ａは昇降軸３ｂの下端に固定されている。また、取付板３ａ左右端部の下面には、２つの角棒状のリードフレーム押さえ部３１が取り付けられている。そして、このリードフレーム押さえ部３１は、半導体デバイス１１を検査する際に、コンタクトヘッド部３を下げて半導体デバイスを加圧した状態で、確実にリードフレーム７の両端部を押さえることができる構成となっている。
【００４７】
つまり、コンタクトヘッド部３を下げて半導体デバイスを加圧する際、図５のようにヒーター２２にリードフレーム７が載っている状態で、１つの半導体デバイスを囲むリードフレームの４辺のうち、対向する２辺をリードフレーム押さえ部３１が押さえることで、リードフレーム７をヒーター２２に対して安定保持する。
【００４８】
図１０は、リードフレーム押さえ部３１がリードフレーム７をヒーター２２に対して安定保持した状態を示す図である。図１０に示したように、本実施形態では、２つのヒーター２２上に位置するリードフレームの対向する２辺をリードフレーム押さえ部３１が押さえるように構成されている。
【００４９】
実施の形態４の半導体検査装置の動作は、半導体デバイス１１の加圧操作時に、図１０に示したように、リードフレーム押さえ部３１がリードフレーム７を確実に押さえること以外は、実施の形態１と同様であるため、その重複する説明を省略する。
【００５０】
このように本発明の実施の形態４によれば、リードフレーム押さえ部３１によってリードフレーム７をヒーター２２に対して確実に押さえることができるため、半導体デバイスを安定した状態でソケットに装着することができる。
【００５１】
また、リードフレーム押さえ部３１によってリードフレーム７をヒーター２２に対して押さえることができるため、半導体デバイスへの加熱を効率的且つ速やかに行うことができる。
【００５２】
（実施の形態５）
本発明の実施の形態５による半導体検査装置について、図１１を参照しながら説明する。なお、本実施の形態による半導体検査装置の全体構成は図１と同様であるため説明を省略する。また、本実施の形態による半導体検査装置を構成するコンタクトヘッド部３は、実施の形態４で説明したコンタクトヘッド部３のリードフレーム押さえ部３１をコンタクトヘッド部３に対して伸縮可能としたものである。
【００５３】
図１１は、本発明の実施の形態５による半導体検査装置のコンタクトヘッド部３を示す構成図である。図９と同様の構成には同一符号を付して説明を省略する。
【００５４】
図１１において、コンタクトヘッド部３の取付板３ａ上面の複数箇所にはビス３ｃが一体に固定されており、このビス３ｃおよび取付板３ａを同時に貫通するねじ孔（図示しない）には、リードフレーム押さえ部３１の長さ調整部材としての長さ調整ねじ３２がねじ込まれている。なお、取付板３ａ、昇降軸３ｂ、ビス３ｃおよび高さ調整ねじ３２はコンタクトヘッド部３の本体Ｈの一部を構成している。さらに、これらの長さ調整ねじ３２の下端は、取付板３ａの下方に配置したリードフレーム押さえ部３１に対し自由回転可能にこれを支持している。従って、長さ調整ねじ３２を回転操作することにより、リードフレーム押さえ部３１が矢印方向に伸縮（昇降）し、これにより取付板３ａまたは半導体デバイス１１に対する高さを調節できる構成となっている。なお、上記リードフレーム押さえ部３１と対向するもう１つのリードフレーム押さえ部３１に対しても、長さ調整ねじ３２及びビス３ｃからなる長さ調整機構が構成されている。
【００５５】
実施の形態５の半導体検査装置の動作は、長さ調整ねじ３２の回転操作によって２つのリードフレーム押さえ部３１の長さ調節ができる以外は、実施の形態４と同様であるため、その重複する説明を省略する。なお、リードフレーム押さえ部３１の長さを調節する構成として、長さ調整ねじ３２の例を述べたが、リードフレーム押さえ部３１の長さが調節できるものであれば、周知のあらゆる機構および構成を任意に採用できる。
【００５６】
以上のように、実施の形態５によれば、２つのリードフレーム押さえ部３１の各々のコンタクトヘッド部３本体に対する長さ（高さ）が調節できるので、任意の長さのコンタクトヘッド部に適用でき、リードフレーム７を最適状態で押さえることができる。
【００５７】
（実施の形態６）
本発明の実施の形態６による半導体検査装置について、図１２を参照しながら説明する。なお、本実施の形態による半導体検査装置の全体構成は図１と同様であるため説明を省略する。また、本実施の形態による半導体検査装置を構成するコンタクトヘッド部３は、実施の形態４で説明したコンタクトヘッド部３の２つのリードフレーム押さえ部３１の間隔を調節可能にしたものである。
【００５８】
図１２は、本発明の実施の形態６による半導体検査装置のコンタクトヘッド部３を示す構成図である。図９と同様の構成には同一符号を付して説明を省略する。
【００５９】
図１２において、コンタクトヘッド部３の２つのリードフレーム押さえ部３１は、ガイドレールなどを介して、左右方向（図中の矢印方向）に移動自在に取り付け板３ａに支持されている。また、各リードフレーム押さえ部３１の対向面には、リードフレーム押さえ部間隔調整部材３３の両端に形成された雄ねじ（図示しない）がねじ込まれている。従って、リードフレーム押さえ部間隔調整部材３３を回転操作することにより、２つのリードフレーム押さえ部３１はガイドレールに沿って移動し、これらの間隔を調節できる構成となっている。
【００６０】
実施の形態６の半導体検査装置の動作は、リードフレーム押さえ部間隔調整部材３３を回転操作することにより、２つのリードフレーム押さえ部３１の間隔を調節できること以外は、実施の形態４と同様であるため、その重複する説明を省略する。なお、２つのリードフレーム押さえ部３１の間隔を調節する構成として、リードフレーム押さえ部間隔調整部材３３の例を述べたが、２つのリードフレーム押さえ部３１の間隔が調節できるものであれば、周知のどのような機構および構成を任意に採用できる。
【００６１】
以上のように、実施の形態６によれば、２つのリードフレーム押さえ部３１の間隔を任意の大きさに調節できるので、種々の大きさのリードフレームを押さえる場合に適用して有効である。
【００６２】
【発明の効果】
本発明によれば、製造コストを削減することが可能な半導体検査装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１による半導体検査装置の構成を示す斜視図である。
【図２】図１におけるテストヘッド部上のヒーターとソケットとの配置関係を示す斜視図である。
【図３】本発明の半導体検査装置の検査対象となる半導体デバイスを複数装着したリードフレームを示す平面図である。
【図４】本発明における半導体デバイスの製造工程を順を追って示すための平面図である。
【図５】図２におけるヒーターにリードフレームを設置した状態を示す斜視図である
【図６】本発明におけるヒーター、ソケット、リードフレームおよび半導体デバイスとコンタクトヘッド部との配置関係を示す図である。
【図７】本発明におけるヒーターの高さ調整構造を示す横断面図である。
【図８】本発明におけるヒーターの間隔調整構造を示す斜視図である。
【図９】本発明におけるコンタクトヘッド部を示す斜視図である。
【図１０】本発明におけるヒーターおよびリードフレームとコンタクトヘッド部との配置関係を示す図である。
【図１１】本発明の高さ調整可能なリードフレーム押さえ部を持ったコンタクトヘッド部を示す図である。
【図１２】本発明の間隔調整可能なリードフレーム押さえ部を持ったコンタクトヘッド部を示す斜視図である。
【図１３】従来の半導体検査装置の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１  半導体検査装置
２  テストヘッド部
３  コンタクトヘッド部
４  供給排出部
５  搬送部
６  インカ部
７  リードフレーム
１１  半導体デバイス
２１  ソケット
２２  ヒーター
２３  バネ
２４  高さ調整ねじ
２５  操作軸
３１  リードフレーム押さえ部
３２  長さ調整ねじ
３３  操作軸
Ｈ  コンタクトヘッド部本体
【図１】
2004219226.tif 000003
【図２】
2004219226.tif 000004
【図３】
2004219226.tif 000005
【図４】
2004219226.tif 000006
【図５】
2004219226.tif 000007
【図６】
2004219226.tif 000008
【図７】
2004219226.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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