(57)【要約】【課題】高品質で低価格のディスプレイを提供出来るようにする。【解決手段】前面基板１に行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆する誘電体層２の保護層（ＭｇＯ層）３を形成し、この前面基板１を所要の構造物が形成された背面基板４と互いに対向させてその間の放電空間Ｓを封止し、この放電空間Ｓ内に放電ガスを封入してディスプレイパネルを製造する方法において、前面基板１に保護層（ＭｇＯ層）３が形成された後、この前面基板１を還元性ガスの雰囲気内に位置させてこの還元性ガス雰囲気内で放電を発生させることにより、保護層（ＭｇＯ層）３の表面のドライエッチングを行う。【選択図】    図３
2004220968.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の基板に行電極対を被覆する誘電体層の保護層を形成し、この一方の基板を所要の構造物が形成された他方の基板と互いに対向させてその間の放電空間を封止し、この放電空間内に放電ガスを封入してディスプレイパネルを製造する方法において、
前記一方の基板に保護層が形成された後、この一方の基板を還元性ガスの雰囲気内に位置させてこの還元性ガス雰囲気内で放電を発生させることにより、保護層表面のドライエッチングを行うことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
前記還元性ガスが水素ガスを含んでいる請求項１に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前記還元性ガスがアルゴンガスをさらに含んでいる請求項２に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
前記還元性ガス雰囲気内において発生される放電が、プラズマ放電である請求項１に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
前記保護層が形成された一方の基板が真空チャンバ内に収容されて、この一方の基板に形成されている行電極が電源に接続され、この真空チャンバ内に還元性ガスが導入された後、一方の基板とこの一方の基板に対向する位置に位置された放電電極との間で放電を発生させることにより、この一方の基板の保護層表面のドライエッチングを行う請求項１に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
前記保護層が、ＭｇＯ層である請求項１に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
一方の基板に行電極対を被覆する誘電体層の保護層を形成し、この一方の基板を所要の構造物が形成された他方の基板と互いに対向させてその間の放電空間を封止し、この後、放電空間内の排気を行いながら加熱を行うベーキング工程、および、このベーキング工程後に放電空間内に放電ガスを封入する工程，この放電ガス封入工程後に放電空間内で放電を発生させてエージングを行う工程を経てディスプレイパネルを製造する方法において、
前記ベーキング工程後、放電ガス封入工程前に、放電空間内に還元性ガスを導入して、一方の基板に形成されている行電極対によって放電空間内において放電を発生させるエージング工程が行われることを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
前記還元性ガスが水素ガスを含んでいる請求項７に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
前記還元性ガスがアルゴンガスをさらに含んでいる請求項８に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
前記還元性ガス雰囲気内において発生される放電が、プラズマ放電である請求項７に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１１】
前記保護層が、ＭｇＯ層である請求項７に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１２】
行電極対を被覆する誘電体層の保護層が形成された一方の基板が所要の構造物が形成された他方の基板と互いに対向されてその間の放電空間内に放電ガスが封入されているディスプレイパネルにおいて、
前記一方の基板に形成された保護層の表面が、その形成後に、還元性ガスの雰囲気内で発生される放電によってドライエッチングされていることを特徴とするディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記還元性ガスが水素ガスを含んでいる請求項１２に記載のディスプレイパネル。
【請求項１４】
前記還元性ガスがアルゴンガスをさらに含んでいる請求項１３に記載のディスプレイパネル。
【請求項１５】
前記還元性ガス雰囲気内において発生される放電が、プラズマ放電である請求項１２に記載のディスプレイパネル。
【請求項１６】
前記保護層が、ＭｇＯ層である請求項１２に記載のディスプレイパネル。
【請求項１７】
行電極対を被覆する誘電体層の保護層が形成された一方の基板が所要の構造物が形成された他方の基板と互いに対向されてその間の放電空間内に放電ガスが封入されているディスプレイパネルにおいて、
前記一方の基板に形成された保護層の表面が、放電空間内への放電ガスの封入前に、この放電空間内に導入された還元性ガス雰囲気内において発生される放電によってエージングされていることを特徴とするディスプレイパネル。
【請求項１８】
前記還元性ガスが水素ガスを含んでいる請求項１７に記載のディスプレイパネル。
【請求項１９】
前記還元性ガスがアルゴンガスをさらに含んでいる請求項１８に記載のディスプレイパネル。
【請求項２０】
前記還元性ガス雰囲気内において発生される放電が、プラズマ放電である請求項１７に記載のディスプレイパネル。
【請求項２１】
前記保護層が、ＭｇＯ層である請求項１７に記載のディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ディスプレイパネルおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１は、交流駆動方式の反射型プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）のパネル構造を示す縦断面図である。
【０００３】
このＰＤＰは、前面基板１の内面側に、ＩＴＯなどからなる透明電極Ｘａ，Ｙａと銀などの厚膜電極からなるバス電極Ｘｂ，Ｙｂとによってそれぞれ構成される行電極ＸとＹが対になった行電極対（Ｘ，Ｙ）と、この行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆する誘電体層２と、この誘電体層２を被覆するＭｇＯなどからなる保護層３が形成されている。
【０００４】
また、背面基板４の前面基板１に対向する内面側には、行電極対（Ｘ，Ｙ）と交差する方向に延びて行電極対（Ｘ，Ｙ）と交差する位置の放電空間Ｓ内に放電セルＣを構成する列電極Ｄと、この列電極Ｄを被覆する列電極保護層５と、この列電極保護層５上に各放電セルＣ毎に赤，緑，青に色分けされて形成された蛍光体層６と、放電空間Ｓを各放電セルＣ毎に区画する隔壁（図示せず）が形成されている。
【０００５】
そして、放電空間Ｓ内には、キセノンＸｅを５〜２０％含むネオンＮｅとの混合ガスが放電ガスとして封入されている。
【０００６】
蛍光体層６は、放電によってＸｅガスから放出される真空紫外線（波長１４７ｎｍ）によって励起されることにより発光する。
【０００７】
図２は、上記のような構成のＰＤＰの従来の製造工程を示す工程説明図である。
この図２の前面基板作製工程ｓ１において、前面基板１上にフォトリソ法などによる行電極Ｘ，Ｙの形成とスクリーン印刷法などによる誘電体層２の形成が行われた後、保護層（ＭｇＯ層）３が形成される（工程ｓ１ａ）。
【０００８】
一方、背面基板作製工程ｓ２において、背面基板４上にフォトリソ法などによる列電極Ｄの形成、および、スクリーン印刷法などによる列電極保護層５の形成，サンドブラスト法などによる隔壁の形成が順次行われた後、隔壁間に蛍光体ペーストが充填されて焼成されることにより、蛍光体層６が形成される（工程ｓ２ａ）。
【０００９】
次に、背面基板の前面基板に対向される側の面の周縁部に、封着用のガラスフリットが塗布されて、約４００℃の温度で焼成されることにより封着層が形成され、この後、前面基板１と背面基板４とが、それぞれに形成された行電極対（Ｘ，Ｙ）と列電極Ｄが直交する向きになるように互いに対向されて重ね合わされる。
【００１０】
そして、この状態で約４５０℃の温度で加熱され、背面基板４に形成された封着層が前面基板１に溶着されることによって、背面基板４と前面基板１の間に形成される放電空間Ｓの周囲が封止される（工程ｓ３）。
【００１１】
この後、約３５０℃の温度での加熱状態において放電空間Ｓ内からの排気が行われ（工程ｓ４）、冷却後に、放電空間Ｓ内に放電ガスが所定の圧力（４００〜６００Ｔｏｏｒ）で導入される（工程ｓ５）。
【００１２】
この放電ガスの導入が終了した後、排気および放電ガスの導入に使用された排気管が封止される（工程ｓ６）。
【００１３】
そして、前面基板の対をなす行電極ＸとＹ間に駆動パルスが印加されて所定時間放電が発生されることにより、前面基板１に形成されている保護層（ＭｇＯ層）３の活性化（エージング）と放電の安定化が行われる（工程ｓ７）。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような構成のＰＤＰにおける放電特性は、一般的に、保護層（ＭｇＯ層）３の形成条件や、形成された保護層（ＭｇＯ層）３の膜質などに大きく左右される。
【００１５】
このため、高品質のＰＤＰを製造するためには、保護層（ＭｇＯ層）３の形成条件を最良のものに設定するとともに良質の膜質が得られるようにすることが必要である。
【００１６】
また、ＰＤＰの家庭へのさらなる普及を図るためには、ＰＤＰの低廉化を促進してゆくことが求められている。
しかしながら、前述したような従来のＰＤＰの製造方法では、このようなＰＤＰに対する要求への対応が難しかった。
【００１７】
この発明は、上記のようなプラズマディスプレイパネルの製造工程における問題点を解決することをその課題の一つとしている。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
第１の発明（請求項１に記載の発明）によるプラズマディスプレイパネルの製造方法は、上記目的を達成するために、一方の基板に行電極対を被覆する誘電体層の保護層を形成し、この一方の基板を所要の構造物が形成された他方の基板と互いに対向させてその間の放電空間を封止し、この放電空間内に放電ガスを封入してディスプレイパネルを製造する方法において、前記一方の基板に保護層が形成された後、この一方の基板を還元性ガスの雰囲気内に位置させてこの還元性ガス雰囲気内で放電を発生させることにより、保護層表面のドライエッチングを行うことを特徴としている。
【００１９】
第２の発明（請求項７に記載の発明）によるプラズマディスプレイパネルの製造方法は、前記目的を達成するために、一方の基板に行電極対を被覆する誘電体層の保護層を形成し、この一方の基板を所要の構造物が形成された他方の基板と互いに対向させてその間の放電空間を封止し、この後、放電空間内の排気を行いながら加熱を行うベーキング工程、および、このベーキング工程後に放電空間内に放電ガスを封入する工程，この放電ガス封入工程後に放電空間内で放電を発生させてエージングを行う工程を経てディスプレイパネルを製造する方法において、前記ベーキング工程後、放電ガス封入工程前に、放電空間内に還元性ガスを導入して、一方の基板に形成されている行電極対によって放電空間内において放電を発生させるエージング工程が行われることを特徴としている。
【００２０】
第３の発明（請求項１２に記載の発明）によるプラズマディスプレイパネルは、前記目的を達成するために、行電極対を被覆する誘電体層の保護層が形成された一方の基板が所要の構造物が形成された他方の基板と互いに対向されてその間の放電空間内に放電ガスが封入されているディスプレイパネルにおいて、前記一方の基板に形成された保護層の表面が、その形成後に、還元性ガスの雰囲気内で発生される放電によってドライエッチングされていることを特徴としている。
【００２１】
第４の発明（請求項１７に記載の発明）によるプラズマディスプレイパネルは、前記目的を達成するために、行電極対を被覆する誘電体層の保護層が形成された一方の基板が所要の構造物が形成された他方の基板と互いに対向されてその間の放電空間内に放電ガスが封入されているディスプレイパネルにおいて、前記一方の基板に形成された保護層の表面が、放電空間内への放電ガスの封入前に、この放電空間内に導入された還元性ガス雰囲気内において発生される放電によってエージングされていることを特徴としている。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の最も好適と思われる実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明を行う。
【００２３】
図３は、この発明によるディスプレイパネルの製造方法の実施形態における第１の例を示す工程説明図である。
【００２４】
この図３の製造方法は、前面基板作製工程Ｓ１において、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の前面基板１上にフォトリソ法などによって行電極対（Ｘ，Ｙ）が形成され、この行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆するようにスクリーン印刷法などによって誘電体層２が形成され、さらに、この誘電体層２にその背面を被覆する保護層（ＭｇＯ層）３の形成（工程Ｓ１ａ）が行われる（図１参照）。
【００２５】
この保護層（ＭｇＯ層）３の形成は、Ｅ−ｂｅａｍ蒸着法やスパッタリング法，イオンプレーティング法などによって行われる。
この後、前面基板に形成された保護層（ＭｇＯ層）３に対して、ドライエッチング処理が行われる（工程Ｓ１ｂ）。
【００２６】
この保護層（ＭｇＯ層）３に対するドライエッチング処理は、図４に示されるようなプラズマエッチング装置１０を用いて行われる。
【００２７】
このプラズマエッチング装置１０は、行電極対（Ｘ，Ｙ）および誘電体層２，保護層（ＭｇＯ層）３の各形成工程が終了した前面基板１を収容する真空チャンバ１０Ａと、交流電源１０Ｂと、アースされているとともに還元性ガスの導入口１０Ｃａを備えた放電電極１０Ｃとを備えている。
【００２８】
ドライエッチング処理工程Ｓ１ｂにおいて、行電極対（Ｘ，Ｙ）および誘電体層２，保護層（ＭｇＯ層）３が形成された前面基板１が、放電電極１０Ｃに平行に対向された状態で収容されて、その行電極対（Ｘ，Ｙ）が交流電源１０Ｂに接続される。
【００２９】
そして、真空チャンバ１０Ａ内が排気された後、Ｈ２  を含む還元性ガスが、放電電極１０Ｃの導入口１０Ｃａから真空チャンバ１０Ａ内に導入される。
【００３０】
この後、交流電源１０Ｂから前面基板１側の行電極対（Ｘ，Ｙ）に電圧が印加されて、還元性ガス放電雰囲気内において、放電電極１０Ｃとの間にプラズマ放電が発生される。
【００３１】
このプラズマ放電による物理的なドライエッチングによって、保護層（ＭｇＯ層）３の形成後に、前面基板１が大気にさらされることによって保護層（ＭｇＯ層）３に付着した水分やその他の不純物が除去されたり、保護層（ＭｇＯ層）３の表面に還元性ガス中のＨ２  とＭｇＯとの結合層が形成されることによって、後述するように、保護層（ＭｇＯ層）３の二次電子放出能（γ）が大幅に改善される。
【００３２】
一方、背面基板作製工程Ｓ２においては、背面基板４上にフォトリソ法などによって列電極Ｄが形成され、さらに、この列電極Ｄを被覆する列電極保護層５がスクリーン印刷法などによって形成され、この列電極保護層５上にサンドブラスト法などによって隔壁が形成され、そして、隔壁間に蛍光体ペーストが充填されて焼成されることにより蛍光体層６が形成（工程Ｓ２ａ）される（図１参照）。
【００３３】
以上のようにして、前面基板作製工程Ｓ１および背面基板作製工程Ｓ２が終了すると、次に、背面基板４の前面基板１に対向する側の面の周縁部に、封着用のガラスフリットが塗布されて焼成されることにより、封着層が形成され、この後、前面基板１と背面基板４が、それぞれに形成された行電極対（Ｘ，Ｙ）と列電極Ｄとが直交する向きになるように互いに対向されて重ね合わされる。
【００３４】
この状態で、ベーク炉内において加熱が行われ、背面基板４に形成された封着層が前面基板１に溶着されることにより、前面基板１と背面基板４の間に形成される放電空間の周囲が封止される（工程Ｓ３）。
【００３５】
この後、背面基板４に形成された排気孔に排気管が接続されて封着され、加熱状態において、この排気管を介して前面基板１と背面基板４の間の放電空間内からの排気が行われる（工程Ｓ４）。
【００３６】
この排気・ベーキング工程Ｓ４の終了後、前面基板１および背面基板４が冷却されると、背面基板４に接続された排気管を介して放電空間内にＮｅ−Ｘｅガス等の放電ガスが所定の圧力で導入され（工程Ｓ５）、この放電ガスの導入終了後に排気管が封止される（工程Ｓ６）。
【００３７】
そして、前面基板１の行電極対（Ｘ，Ｙ）の行電極ＸとＹ間に駆動パルスが所定時間印加され、これによって放電が発生されることにより、前面基板１の保護層（ＭｇＯ層）３の活性化（エージング）と放電の安定化が行われる（工程Ｓ７）。
【００３８】
図５は、還元性ガスとしてそれぞれＡｒガス，Ｏ２  ガス，Ｈ２  とＡｒの混合ガスを用いてドライエッチングを行う場合の処理条件の一例を示しており、この図５の処理条件によって上記の工程Ｓ１ｂのドライエッチング処理が行われた保護層（ＭｇＯ層）３の表面における各ガスごとの光電効果の比較が図６に、また、それぞれの仕事関数の比較が図７に示されている。
【００３９】
この図６および７から、還元性ガスとしてＨ２  ガス（この場合には、Ａｒとの混合ガス）が用いられることによって、ＡｒガスやＯ２  ガスが用いられる場合と比べて、保護層（ＭｇＯ層）３の表面における光電効果（二次電子放出能）が飛躍的に増大し、仕事関数も小さくなっていることが分かる。
【００４０】
なお、この保護層（ＭｇＯ層）３のドライエッチングは、上記のようなＲＦプラズマ法（１３．５６ＭＨｚ）の他、マイクロ波プラズマ法（２．４５ＧＨｚ）によって行うようにしても良い。
【００４１】
以上のように、上記のＰＤＰの製造方法によれば、前面基板作製工程Ｓ１において、保護層（ＭｇＯ層）３の形成工程Ｓ１ａの直後に、保護層（ＭｇＯ層）３に対して、Ｈ２  を含む還元性ガスの雰囲気内でのプラズマ放電による物理的なドライエッチングが行われ、保護層（ＭｇＯ層）３の表面の状態が改質されて光電効果が増大されることにより、ＰＤＰの性能（発光効率やマージン等）が向上されるとともに、ＰＤＰの駆動シーケンスの選択の幅を拡げることが出来るようになる。
【００４２】
そして、このドライエッチングによって、放電空間の封止工程Ｓ３や排気・ベーキング工程Ｓ４が行われる前に、保護層（ＭｇＯ層）３表面のクリーニングが行われることで、排気・ベーキング工程Ｓ４の工程時間を短縮することが出来、これによって、ＰＤＰの製造コストをダウンさせることが出来るようになる。
【００４３】
また、上記製造方法によって製造されたＰＤＰは、保護層（ＭｇＯ層）３の表面がＨ２  を含む還元性ガスの雰囲気内においてプラズマ放電によって物理的にドライエッチングされて、この保護層（ＭｇＯ層）３が高い二次電子放出能（γ）を備えることにより、従来に比べて発光効率が上昇するなどによって、そのパネル性能が大幅に向上される。
【００４４】
図８は、この発明によるＰＤＰの製造方法の実施形態における第２の例を示す工程説明図である。
【００４５】
この例における製造方法は、前面基板作製工程Ｓ１０において、前面基板１上にフォトリソ法などによって行電極対（Ｘ，Ｙ）が形成され、この行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆するようにスクリーン印刷法などによって誘電体層２が形成され、さらに、この誘電体層２にその背面を被覆する保護層（ＭｇＯ層）３が形成される（図１参照）。
【００４６】
一方、背面基板作製工程Ｓ１１においては、背面基板４上にフォトリソ法などによって列電極Ｄが形成され、スクリーン印刷法などによって列電極Ｄを被覆する列電極保護層５が形成され、この列電極保護層５上にサンドブラスト法などによって放電空間Ｓを区画する隔壁が形成され、さらに、隔壁間に蛍光体ペーストが充填されて焼成されることにより蛍光体層６が形成される（図１参照）。
【００４７】
以上のようにして、前面基板作製工程Ｓ１０および背面基板作製工程Ｓ１１が終了すると、次に、図９に示されるように、背面基板４の前面基板１に対向される側の面の周縁部に、封着用のガラスフリットが塗布されて焼成されることにより、封着層７が形成され、この後、前面基板１と背面基板４とが、それぞれに形成された行電極対（Ｘ，Ｙ）と列電極Ｄとが直交する向きになるように互いに対向されて重ね合わされる。
【００４８】
そして、この状態でベーク炉Ｈ内において加熱され、背面基板に形成された封着層が前面基板に溶着されることによって、背面基板４と前面基板１の間に形成される放電空間Ｓの周囲が封止される（工程Ｓ１２）。
【００４９】
この後、背面基板４に形成された排気孔に排気管２０が接続されて封着され、加熱状態において、排気管２０を介して放電空間Ｓ内からの排気を行う真空ベーキングが行われる（工程Ｓ１３）。
【００５０】
この排気・ベーキング工程Ｓ１３の終了後、前面基板１および背面基板４が冷却されると、排気管２０を介して還元ガス導入系２１から放電空間Ｓ内にＨ２  ガスが混合された還元性ガスが導入され（工程Ｓ１４）、この状態で、前面基板１の行電極対（Ｘ，Ｙ）の行電極ＸとＹ間に駆動パルスが印加されることによって、仮エージングが行われる（工程Ｓ１５）。
【００５１】
この仮エージングにより、封止工程Ｓ１２および排気・ベーキング工程Ｓ１３の終了後もまだ前面基板１の保護層（ＭｇＯ層）３の表面に付着している水分やその他の不純物が除去され、さらに、保護層（ＭｇＯ層）３の表面に還元性ガス中のＨ２  とＭｇＯとの結合層が形成されることによって、保護層（ＭｇＯ層）３の二次電子放出能（γ）が大幅に改善される。
【００５２】
この仮エージング工程Ｓ１５の後、還元性ガスの排気が行われる（工程Ｓ１６）。
【００５３】
そして、この還元性ガスの排気工程Ｓ１６の終了後、排気管２０を介して放電ガス導入系２２から放電空間内にＮｅ−Ｘｅガス等の放電ガスが所定の圧力で導入され（工程Ｓ１７）、この放電ガスの導入終了後に排気管２０が封止される（工程Ｓ１８）。
【００５４】
この後、前面基板１０の行電極対（Ｘ，Ｙ）の対をなす行電極ＸとＹ間に駆動パルスが印加されて、放電空間Ｓ内において所定時間放電が発生されることにより、前面基板１に形成されている保護層（ＭｇＯ層）３のエージング（活性化）と放電の安定化が行われる（工程Ｓ１９）。
【００５５】
上記の例によるＰＤＰの製造方法によれば、放電空間Ｓへの放電ガス導入工程Ｓ１７の前に、Ｈ２  ガスが混合された還元性ガスが放電空間Ｓ内に導入されて、この還元性ガスの雰囲気内において仮エージングが行われることにより、保護層（ＭｇＯ層）３の表面のクリーニングが行われて、その後に行われるエージング工程Ｓ１９の工程時間を短くすることが出来るとともに、保護層（ＭｇＯ層）３の大気焼成工程を省略することが出来るようになるので、ＰＤＰの製造コストをさらにダウンさせることが出来るようになる。
【００５６】
なお、上記の例において、工程Ｓ１４において放電空間Ｓ内に導入される還元性ガスにＡｒガスを混合するようにしても良い。
【００５７】
上記の実施形態の第１の例によるＰＤＰの製造方法は、一方の基板に行電極対を被覆する誘電体層の保護層を形成し、この一方の基板を所要の構造物が形成された他方の基板と互いに対向させてその間の放電空間を封止し、この放電空間内に放電ガスを封入してディスプレイパネルを製造する方法において、前記一方の基板に保護層が形成された後、この一方の基板を還元性ガスの雰囲気内に位置させてこの還元性ガス雰囲気内で放電を発生させることにより、保護層表面のドライエッチングを行う実施形態のディスプレイの製造法方法を、その上位概念の実施形態としているものである。
【００５８】
この上位概念の実施形態を構成するディスプレイの製造方法は、一方の基板と他方の基板とが互いに対向させてその間の放電空間が封止される前に、一方の基板に形成されている保護層に対して、還元ガスの雰囲気内において放電を発生させることにより、ドライエッチングを行うものであり、これによって、一方の基板に保護層が形成された後に、この一方の基板が大気にさらされることによって保護層に付着した水分やその他の不純物が除去されたり、保護層の表面に、例えば還元性ガス中のＨ２  と保護層を構成するＭｇＯとの結合層が形成されることによって、保護層の二次電子放出能が大幅に改善され、従来に比べて発光効率が上昇するなどによりそのパネル性能を大幅に向上させることが出来る。
【００５９】
そして、保護層の表面の状態が改質されて光電効果が増大されることにより、ディスプレイの性能（発光効率やマージン等）が向上されるとともに、ディスプレイの駆動シーケンスの選択の幅を拡げることが出来るようになる。
【００６０】
さらに、この保護層に対するドライエッチング処理によって、放電空間を封止したり放電空間からの排気やベーキングが行われる前に、保護層表面のクリーニングが行われることで、ベーキングの工程時間を短縮することが出来、これによって、ＰＤＰの製造コストをダウンさせることが出来るようになる。
【００６１】
前記実施形態の第２の例によるＰＤＰの製造方法は、一方の基板に行電極対を被覆する誘電体層の保護層を形成し、この一方の基板を所要の構造物が形成された他方の基板と互いに対向させてその間の放電空間を封止し、この後、放電空間内の排気を行いながら加熱を行うベーキング工程、および、このベーキング工程後に放電空間内に放電ガスを封入する工程，この放電ガス封入工程後に放電空間内で放電を発生させてエージングを行う工程を経てディスプレイパネルを製造する方法において、前記ベーキング工程後、放電ガス封入工程前に、放電空間内に還元性ガスを導入して、一方の基板に形成されている行電極対によって放電空間内において放電を発生させるエージング工程が行われる実施形態のディスプレイの製造法方法を、その上位概念の実施形態としているものである。
【００６２】
この上位概念の実施形態を構成するディスプレイの製造方法は、一方の基板と他方の基板とが互いに対向されてその間の放電空間が封止された後、放電ガスの封入が行われる前に、この放電空間内に還元性ガスが導入されて、この還元性ガス雰囲気内において放電が発生されることによりエージングが行われるものであり、これによって、放電空間の封止工程およびベーキング工程が終了した後にも、一方の基板の保護層の表面にまだ付着している水分やその他の不純物が除去され、さらに、保護層の表面に、例えば還元性ガス中のＨ２  とＭｇＯとの結合層が形成されることによって、保護層の二次電子放出能が大幅に改善される。
【００６３】
そして、放電空間内への放電ガスの導入前に、一方の基板に形成された保護層に対してエージングが行われることにより、保護層の表面のクリーニングが行われて、その後に行われるエージング工程の工程時間を短くすることが出来るとともに、保護層の大気焼成工程を省略することが出来るようになるので、ＰＤＰの製造コストをさらにダウンさせることが出来るようになる。
【００６４】
前記実施形態の第１の例によるＰＤＰの製造方法によって製造されるＰＤＰは、行電極対を被覆する誘電体層の保護層が形成された一方の基板が所要の構造物が形成された他方の基板と互いに対向されてその間の放電空間内に放電ガスが封入されているディスプレイパネルにおいて、前記一方の基板に形成された保護層の表面が、その形成後に、還元性ガスの雰囲気内で発生される放電によってドライエッチングされている実施形態のディスプレイパネルを、その上位概念のディスプレイパネルとしているものである。
【００６５】
この上位概念を構成するディスプレイパネルは、その製造工程において、一方の基板に形成された保護層の表面が、その形成後に、還元性ガスの雰囲気内で発生される放電によってドライエッチングされていることによって、一方の基板に保護層が形成された後に、この一方の基板が大気にさらされることによって保護層に付着した水分やその他の不純物が除去されたり、保護層の表面に、例えば還元性ガス中のＨ２  と保護層を構成するＭｇＯとの結合層が形成されていることによって、保護層の二次電子放出能が大幅に改善され、従来に比べて発光効率が上昇するなどによりそのパネル性能が大幅に向上される。
【００６６】
そして、保護層の表面の状態が改質されて光電効果が増大されることにより、ディスプレイパネルの性能（発光効率やマージン等）が向上されるとともに、ディスプレイパネルの駆動シーケンスの選択の幅が拡大される。
【００６７】
さらに、この保護層に対するドライエッチング処理によって、放電空間を封止したり放電空間からの排気やベーキングが行われる前に、保護層表面のクリーニングが行われることで、ベーキングの工程時間を短縮することが出来、ディスプレイパネルを低コストで製造することが出来るようになる。
【００６８】
前記実施形態の第２の例によるＰＤＰの製造方法によって製造されるＰＤＰは、行電極対を被覆する誘電体層の保護層が形成された一方の基板が所要の構造物が形成された他方の基板と互いに対向されてその間の放電空間内に放電ガスが封入されているディスプレイパネルにおいて、前記一方の基板に形成された保護層の表面が、放電空間内への放電ガスの封入前に、この放電空間内に導入された還元性ガス雰囲気内において発生される放電によってエージングされている実施形態のディスプレイパネルを、その上位概念のディスプレイパネルとしているものである。
【００６９】
この上位概念を構成するディスプレイパネルは、その製造工程において、一方の基板と他方の基板とが互いに対向されてその間の放電空間が封止された後、放電ガスの封入が行われる前に、この放電空間内に還元性ガスが導入されて、この還元性ガス雰囲気内において放電が発生されてエージングが行われるものであり、これによって、放電空間の封止工程およびベーキング工程が終了した後にも、一方の基板の保護層の表面にまだ付着している水分やその他の不純物が除去され、さらに、保護層の表面に、例えば還元性ガス中のＨ２  とＭｇＯとの結合層が形成されることによって、保護層の二次電子放出能が大幅に改善されている。
【００７０】
そして、放電空間内への放電ガスの導入前に、一方の基板に形成された保護層に対するエージングによって保護層の表面のクリーニングが行われるので、その後に行われるエージング工程の工程時間が短くて済み、また、保護層の大気焼成工程を省略することが出来るようになるので、低コストでディスプレイパネルの製造を行うことが出来るようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】プラズマディスプレイパネルの一般的構成を示す断面図である。
【図２】従来のプラズマディスプレイパネルの製造方法を示す工程説明図である。
【図３】この発明によるプラズマディスプレイパネルの製造方法の第１の例を示す工程説明図である。
【図４】同例において使用されるプラズマエッチング装置を示す概略構成図である。
【図５】ドライエッチング処理条件の一例を示す図である。
【図６】同例のドライエッチングによるＭｇＯ層表面の光電効果の比較を示すグラフである。
【図７】同例のドライエッチングによるＭｇＯ層表面の仕事関数の比較を示すグラフである。
【図８】この発明によるプラズマディスプレイパネルの製造方法の第２の例を示す工程説明図である。
【図９】同例における還元性ガス導入工程の説明図である。
【符号の説明】
１        …前面基板（一方の基板）
２        …誘電体層
３        …保護層（ＭｇＯ層）
４        …背面基板（他方の基板）
１０      …プラズマエッチング装置
１０Ａ    …真空チャンバ
１０Ｂ    …交流電源（電源）
１０Ｃ    …放電電極
１０Ｃａ  …導入口
２０      …排気管
２１      …還元性ガス導入系
２２      …放電ガス導入系
Ｈ        …べーク路
Ｘ，Ｙ    …行電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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