(57)【要約】【課題】対向基板の接着材の出ガスが配向膜に付着することを防止して、焼き付き現象を抑制する。【解決手段】複数のレンズ面が形成された透明基板と、前記レンズ面による凹部に充填するように前記一方基板のレンズ形成面に形成された接着材を介して前記一方基板に貼り合わされた他方基板とによって構成される第１の基板に対して、熱処理を施す熱処理工程（ステップＳ２  ）と、前記第１の基板の表面及び前記レンズ面に対向して画素領域が構成された第２の基板の表面に夫々第１又は第２の配向膜を形成する工程（ステップＳ４  ）と、前記第１及び第２の配向膜を焼成する焼成工程（ステップＳ５  ）とを具備したことを特徴とする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板に複数のレンズ面を形成して一方基板を作成するレンズ形成工程と、
前記レンズ面による凹部に充填するように前記一方基板のレンズ形成面に接着材を形成し形成した前記接着材を介して前記一方基板に他方基板を貼り合わせる工程と、
貼り合わされた前記一方基板及び他方基板に熱処理を施す熱処理工程とを具備したことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項２】
前記透明基板が前記一方基板をアレイ状に複数形成するためのウェハ状態で前記レンズ形成工程に投入された場合に、前記熱処理工程の前に、前記貼り合わせる工程によって作成されたアレイ基板を分断してチップ基板を作成する分断工程を更に具備し、
前記熱処理工程は、分断後の前記チップ基板に対して実施されることを特徴とする請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項３】
前記熱処理工程は、前記接着材から所定量の出ガスを生じさせる熱エネルギー以上の熱エネルギーを加えることを特徴とする請求項１又は２のいずれか一方に記載の基板の製造方法。
【請求項４】
前記熱処理工程は、貼り合わされた前記一方基板及び他方基板に対する以後の熱処理工程における熱エネルギーの３倍以上の熱エネルギーを加えることを特徴とする請求項３に記載の基板の製造方法。
【請求項５】
上記請求項１乃至４のいずれか１つに記載の基板の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする基板。
【請求項６】
複数のレンズ面が形成された透明基板と、前記レンズ面による凹部に充填するように前記一方基板のレンズ形成面に形成された接着材を介して前記一方基板に貼り合わされた他方基板とによって構成される第１の基板に対して、熱処理を施す熱処理工程と、
前記第１の基板の表面及び前記レンズ面に対向して画素領域が構成された第２の基板の表面に夫々第１又は第２の配向膜を形成する工程と、
前記第１及び第２の配向膜を焼成する焼成工程とを具備したことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項７】
前記熱処理工程は、前記接着材から所定量の出ガスを生じさせる熱エネルギー以上の熱エネルギーを加えることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項８】
前記熱処理工程は、前記焼成工程における熱エネルギーの３倍以上の熱エネルギーを加えることを特徴とする請求項７に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項９】
前記熱処理工程は、前記焼成工程における温度と同様の温度で、前記焼成工程における熱処理時間の３倍以上の時間を前記第１の基板に熱を印加することを特徴とする請求項８に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１０】
前記請求項３乃至９のいずれか１つに記載の液晶装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする液晶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、焼き付き現象を防止するようにした基板、液晶装置、基板の製造方法及び液晶装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶パネルは、ガラス基板、石英基板等の２枚の基板間に液晶を封入して構成される。液晶パネルでは、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下、ＴＦＴと称す）等の能動素子をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に封入した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能にする。
【０００３】
ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向配置される対向基板とは、別々に製造される。両基板は、パネル組立工程において高精度に貼り合わされた後、液晶が封入される。
【０００４】
液晶パネルの組立工程においては、先ず、各基板工程において夫々製造されたＴＦＴ基板と対向基板との対向面、即ち、対向基板及びＴＦＴ基板の液晶層と接する面上に有機材料による配向膜が形成され、次いでラビング処理が行われる。次に、一方の基板上の端辺に接着材となるシール部が形成される。ＴＦＴ基板と対向基板とをシール部を用いて貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着硬化させることで両基板間に液晶セル容器が形成される。シール部の一部には切り欠きが設けられており、この切り欠きを介して液晶セル容器内に液晶を封入することで、液晶パネルが得られる。
【０００５】
ところで、ＴＦＴはゲート電極に走査線を介して走査信号を供給することでオン状態となり、半導体層のソース領域にデータ線を介して画像信号を供給することで、オン状態となったＴＦＴを介して画素電極に画像信号が供給される。このようなＴＦＴアクティブマトリクス駆動形式の液晶装置では、各画素に設けられた画素スイッチング用ＴＦＴのチャネル領域に入射光が照射されると、光による励起で光リーク電流が発生してＴＦＴの特性が変化する。そこで、ＴＦＴのチャネル領域やその周辺領域（以下、遮光エリアという）に対する入射光の遮光を行うために、対向基板に、各画素の開口領域を規定する遮光膜を形成して、遮光エリアを遮光するように構成されている。
【０００６】
また、各画素の遮光エリアに形成する遮光膜によって入射光量が低下してしまうので、対向基板に、各画素に対応したマイクロレンズを形成し、光を集光して各画素の開口領域に供給することで、開口率を向上させるようになっている。
【０００７】
なお、マイクロレンズを形成する方法については、特許文献１に開示されている。
【０００８】
なお、液晶パネルでは、液晶に対する直流電圧の印加によって、例えば、液晶成分の分解、液晶セル中に発生した不純物による汚染、表示画像の焼き付き等の液晶の劣化が生じる。そこで、一般的には、各画素電極の印加電圧（駆動電圧）の極性を例えば画像信号における１フレームや１フィールド等の一定周期で反転させる反転駆動（交流駆動）が行われる。このような反転駆動によって電極相互間に直流成分が印加されることを防止するようになっている。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００１−２４６５９９号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、製造工程中において、配向膜表面に不純物が付着することがある。このような不純物が付着すると、この不純物が液晶中に拡散して、配向膜に液晶中のイオンが吸着しやすくなってしまう。一方、液晶の反転駆動における正極性駆動時と負極性駆動時とでは、必ずしも駆動電圧の実効値が相互に一致するとは限らない。このため、画素電極に直流成分が印加されることがある。この直流成分の影響は、配向膜に吸着したイオンによって助長され、例えば表示パターンの切換り時等における焼き付き現象を加速してしまうという問題点があった。
【００１１】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、配向膜に不純物が付着することを防止することにより焼き付き現象を抑制することができる基板、液晶装置、基板の製造方法及び液晶装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る基板の製造方法は、透明基板に複数のレンズ面を形成して一方基板を作成するレンズ形成工程と、前記レンズ面による凹部に充填するように前記一方基板のレンズ形成面に接着材を形成し形成した前記接着材を介して前記一方基板に他方基板を貼り合わせる工程と、貼り合わされた前記一方基板及び他方基板に熱処理を施す熱処理工程とを具備したことを特徴とする。
【００１３】
このような構成によれば、レンズ形成工程において、透明基板に複数のレンズ面が形成されて一方基板が作成される。貼り合わせる工程では、レンズ面による凹部に充填するように一方基板のレンズ形成面に接着材が形成され、この接着材を介して一方基板に他方基板が貼り合わされる。熱処理工程において、貼り合わされた一方基板及び他方基板に熱処理が施される。この熱処理工程によって、接着材から出ガスが生じる。これにより、以後の工程、例えば、配向膜の焼成工程等における熱処理時に、出ガスの発生を抑制することができ、出ガスによる付着物の残留を防止することができる。
【００１４】
また、前記透明基板が前記一方基板をアレイ状に複数形成するためのウェハ状態で前記レンズ形成工程に投入された場合に、前記熱処理工程の前に、前記貼り合わせる工程によって作成されたアレイ基板を分断してチップ基板を作成する分断工程を更に具備し、前記熱処理工程は、分断後の前記チップ基板に対して実施されることを特徴とする。
【００１５】
このような構成によれば、一方基板がウェハ状態で投入された場合には、熱処理工程の前に、アレイ基板を分断する。これにより、熱処理工程時に、接着材が露呈し、熱処理によって効果的に出ガスを発生させることができる。
【００１６】
また、前記熱処理工程は、前記接着材から所定量の出ガスを生じさせる熱エネルギー以上の熱エネルギーを加えることを特徴とする。
【００１７】
このような構成によれば、熱処理工程において十分な量の出ガスが生じるので、以後の工程における出ガスの発生を抑制することができる。
【００１８】
また、前記熱処理工程は、貼り合わされた前記一方基板及び他方基板に対する以後の熱処理工程における熱エネルギーの３倍以上の熱エネルギーを加えることを特徴とする。
【００１９】
このような構成によれば、熱処理工程において十分な量の出ガスを生じさせることができ、以後の熱処理工程における出ガスの発生を抑制することができる。
【００２０】
また、本発明に係る基板は、上記基板の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする。
【００２１】
このような構成によれば、熱処理によって既に出ガスが生じているので、以後の工程において出ガスの発生を抑制することができる。
【００２２】
本発明に係る液晶装置の製造方法は、複数のレンズ面が形成された透明基板と、前記レンズ面による凹部に充填するように前記一方基板のレンズ形成面に形成された接着材を介して前記一方基板に貼り合わされた他方基板とによって構成される第１の基板に対して、熱処理を施す熱処理工程と、前記第１の基板の表面及び前記レンズ面に対向して画素領域が構成された第２の基板の表面に夫々第１又は第２の配向膜を形成する工程と、前記第１及び第２の配向膜を焼成する焼成工程とを具備したことを特徴とする。
【００２３】
このような構成によれば、第１の基板は、複数のレンズ面が形成された透明基板と、レンズ面による凹部に充填するように一方基板のレンズ形成面に形成された接着材を介して一方基板に貼り合わされた他方基板とによって構成される。この第１の基板は、熱処理工程において熱処理が施される。第２の基板は、レンズ面に対向して画素領域が構成される。第１の基板と第２の基板には夫々第１又は第２の配向膜が形成され、焼成工程において焼成される。熱処理工程において、第１の基板の接着材から出ガスが生じており、配向膜の焼成工程においては、出ガスの発生は抑制される。これにより、出ガスによる付着物が配向膜表面に付着して残留することを防止することができる。
【００２４】
また、前記熱処理工程は、前記接着材から所定量の出ガスを生じさせる熱エネルギー以上の熱エネルギーを加えることを特徴とする。
【００２５】
このような構成によれば、熱処理工程において十分な量の出ガスが生じるので、以後の工程、例えば配向膜の焼成工程における出ガスの発生を抑制することができる。
【００２６】
また、前記熱処理工程は、前記焼成工程における熱エネルギーの３倍以上の熱エネルギーを加えることを特徴とする。
【００２７】
このような構成によれば、熱処理工程において十分な量の出ガスが生じるので、配向膜の焼成工程における出ガスの発生を抑制することができる。
【００２８】
また、前記熱処理工程は、前記焼成工程における温度と同様の温度で、前記焼成工程における熱処理時間の３倍以上の時間を前記第１の基板に熱を印加することを特徴とする。
【００２９】
このような構成によれば、熱処理工程において十分な量の出ガスが生じるので、配向膜の焼成工程における出ガスの発生を抑制することができる。
【００３０】
また、本発明に係る液晶装置は、上記液晶装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする。
【００３１】
このような構成によれば、第１の基板は、熱処理によって既に出ガスが生じているので、第１の基板表面に形成した配向膜に対する焼成工程において出ガスの発生を抑制することができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に係る液晶装置の製造方法を示すフローチャートである。図２は液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。図３はＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図であり、図４は素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図３のＨ−Ｈ’線の位置で切断して示す断面図である。また、図５は液晶装置の画素構造を詳細に示す断面図である。図６は対向基板の断面構造を示す説明図である。なお、上記各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００３３】
液晶装置の製造工程においては各種の熱工程が存在する。例えば、組立工程以降においては、配向膜の焼成処理等がある。この焼成処理における熱エネルギーは比較的大きいことから、液晶装置の有機物材料の出ガスが生じることが考えられる。ガス分析によって、配向膜の焼成処理時に対向基板に形成されたマイクロレンズの有機接着材が出ガスとして生じていることが確認された。この出ガスが有機物の配向膜表面に付着し、洗浄工程では除去されずに組立工程終了時まで残留して液晶に拡散し、この有機接着材による不純物によって、配向膜にイオンが吸着しやすくなり、焼き付き現象を促進するものと考えられる。
【００３４】
そこで、本実施の形態においては、このように有機接着材が出ガスとして配向膜に付着することを防止することによって、焼き付き現象を抑制する。
【００３５】
なお、本実施の形態における液晶装置の製造方法中の組立工程においては、素子基板はマザーガラス基板上に複数形成された状態（以下、ウェハ状態という）で投入され、対向基板は各セル単位で投入された状態（以下、チップ状態という）であるものとして説明する。
【００３６】
先ず、図２乃至図６を参照して液晶パネルの構造について説明する。
【００３７】
液晶パネルは、図３及び図４に示すように、ＴＦＴ基板等の素子基板１０と図６の対向基板２０との間に液晶５０を封入して構成される。素子基板１０上には画素を構成する画素電極等がマトリクス状に配置される。図２は画素を構成する素子基板１０上の素子の等価回路を示している。
【００３８】
図２に示すように、画素領域においては、複数本の走査線３ａと複数本のデータ線６ａとが交差するように配線され、走査線３ａとデータ線６ａとで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線３ａとデータ線６ａの各交差部分に対応してＴＦＴ３０が設けられ、このＴＦＴ３０に画素電極９ａが接続される。
【００３９】
ＴＦＴ３０は走査線３ａのＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。また、画素電極９ａと並列に蓄積容量７０が設けられており、蓄積容量７０によって、画素電極９ａの電圧はソース電圧が印加された時間よりも例えば３桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。
【００４０】
本実施の形態においては、対向基板２０としては、図４及び図６に示す基板が採用される。図６に示すように、対向基板２０は入射面側にマイクロレンズを構成するレンズ面が形成されたレンズ基板７１とレンズ面７３による窪みに形成した接着材７４を封止する入射側基板（カバーガラス基板）７２との２層構造である。基板７１，７２は接着材７４によって接着されている。接着材７４と基板７１，７２との材質の相違に応じて屈折率が決定される。
【００４１】
レンズ基板７１の出射面側には、マトリクス状に遮光膜２３が形成されている。レンズ基板７１の出射面側には、遮光膜２３上も含み全域に画素電極２１が形成されている。入射側基板７２の入射面側から入射した光は、基板７２内を透過し、接着材７４の入射面及び出射面（レンズ基板７１の入射面）において屈折し、レンズ基板７１の出射面側から集光されて出射されるようになっている。
【００４２】
図５は、一つの画素に着目した組立工程後の液晶パネルの模式的断面図である。なお、図５では図面を簡略化するために、対向基板２０に形成されるマイクロレンズは図示を省略している。
【００４３】
ガラスや石英等の素子基板１０には、素子基板完成時の段差形状を調整するために溝１１が形成されている。この溝１１上に遮光膜１２及び第１層間絶縁膜１３を介してＬＤＤ構造をなすＴＦＴ３０が形成されている。溝１１によって、ＴＦＴ基板の液晶５０との境界面が平坦化される。
【００４４】
ＴＦＴ３０は、チャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ、ドレイン領域１ｅが形成された半導体層に絶縁膜２を介してゲート電極をなす走査線３ａが設けられてなる。なお、遮光膜１２は、ＴＦＴ３０の形成領域に対応する領域、後述するデータ線６ａ及び走査線３ａ等の形成領域、即ち各画素の非表示領域に対応した領域に形成されている。この遮光膜１２によって、反射光がＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ及びドレイン領域１ｅに入射することが防止される。
【００４５】
ＴＦＴ３０上には第２層間絶縁膜１４が積層され、第２層間絶縁膜１４上には中間導電層１５が形成されている。中間導電層１５上には誘電体膜１７を介して容量線１８が対向配置されている。容量線１８は、容量層と遮光層とからなり、中間導電層１５との間で蓄積容量を構成すると共に、光の内部反射を防止する遮光機能を有する。半導体層に比較的近接した位置に中間導電層１５を形成しており、光の乱反射を効率よく防止することができる。
【００４６】
容量線１８上には第３層間絶縁膜１９が配置され、第３層間絶縁膜１９上にはデータ線６ａが積層される。データ線６ａは、第３及び第２層間絶縁膜１９，１４を貫通するコンタクトホール２４ａ，２４ｂを介してソース領域１ｄに電気的に接続される。データ線６ａ上には第４層間絶縁膜２５を介して画素電極９ａが積層されている。画素電極９ａは、第４〜第２層間絶縁膜２５，１９，１４を貫通するコンタクトホール２６ａ，２６ｂにより容量線１８を介してドレイン領域１ｅに電気的に接続される。画素電極９ａ上にはポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜１６が積層され、所定方向にラビング処理されている。
【００４７】
走査線３ａ（ゲート電極）にＯＮ信号が供給されることで、チャネル領域１ａが導通状態となり、ソース領域１ｄとドレイン領域１ｅとが接続されて、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに与えられる。
【００４８】
対向基板２０には、ＴＦＴアレイ基板のデータ線６ａ、走査線３ａ及びＴＦＴ３０の形成領域に対向する領域、即ち各画素の非表示領域において、マトリクス状に第１遮光膜２３（図５及び図６参照、図４では図示省略）が設けられている。この第１遮光膜２３によって、対向基板２０側からの入射光がＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ及びドレイン領域１ｅに入射することが防止される。第１遮光膜２３上に、対向電極（共通電極）２１が基板２０全面に亘って形成されている。対向電極２１上にポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜２２が積層され、所定方向にラビング処理されている。
【００４９】
そして、素子基板１０と対向基板２０との間に液晶５０が封入されている。これにより、ＴＦＴ３０は所定のタイミングでデータ線６ａから供給される画像信号を画素電極９ａに書き込む。書き込まれた画素電極９ａと対向電極２１との電位差に応じて液晶５０の分子集合の配向状態が変化して、光を変調し、階調表示を可能にする。
【００５０】
図３及び図４に示すように、対向基板２０には表示領域を区画する額縁としての遮光膜４２が設けられている。遮光膜４２は例えば遮光膜２３と同一又は異なる遮光性材料によって形成されている。
【００５１】
遮光膜４２の外側の領域に液晶を封入するシール材４１が、素子基板１０と対向基板２０間に形成されている。シール材４１は対向基板２０の輪郭形状に略一致するように配置され、素子基板１０と対向基板２０を相互に固着する。シール材４１は、素子基板１０の１辺の一部において欠落しており、貼り合わされた素子基板１０及び対向基板２０相互の間隙には、液晶５０を注入するための液晶注入口７８が形成される。液晶注入口７８より液晶が注入された後、液晶注入口７８を封止材７９で封止するようになっている。
【００５２】
素子基板１０のシール材４１の外側の領域には、データ線駆動回路６１及び実装端子６２が素子基板１０の一辺に沿って設けられており、この一辺に隣接する２辺に沿って、走査線駆動回路６３が設けられている。素子基板１０の残る一辺には、画面表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路６３間を接続するための複数の配線６４が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、素子基板１０と対向基板２０との間を電気的に導通させるための導通材６５が設けられている。
【００５３】
次に、図１を参照して液晶装置の製造方法について説明する。
【００５４】
素子基板１０（ＴＦＴ基板）と対向基板２０とは、別々に製造される。なお、素子基板１０はマザーガラス基板上に複数形成されたウェハ状態で投入され、対向基板２０は各セル単位のチップ状態で投入されるものとして説明する。対向基板２０には、上述したように、マイクロレンズが構成されている。
【００５５】
ステップＳ１  ，Ｓ１１  で夫々用意された対向基板２０及び素子基板１０に対して検査が行われる。本実施の形態においては、次のステップＳ２  において、対向基板２０に対して熱処理を実施するようになっている。これにより、ステップＳ２  においてマクロレンズの接着材７４から出ガスを生じさせ、配向膜形成に伴う焼成工程時において、出ガスが生じることを防止する。
【００５６】
例えば、ステップＳ２  の熱処理は、後述するステップＳ４  の配向膜の焼成工程において消費される熱エネルギーの３倍以上の熱エネルギーで実施される。例えば、ステップＳ２  の熱処理温度を配向膜の焼成時と同一温度に設定した場合には、熱処理時間を３倍以上の時間に設定する。
【００５７】
この熱処理工程によって、対向基板２０の端面に露呈しているマイクロレンズの有機材料の接着材７４から出ガスが発生する。そして、上述した十分な熱エネルギーを加えることによって、対向基板２０の接着材７４から十分な量の出ガスを発生させる。
【００５８】
次のステップＳ３  においては、洗浄処理が実施される。ステップＳ２  の熱処理によって、接着材７４の出ガスは、対向基板２０表面に付着する。洗浄工程では、対向基板２０表面に付着した出ガスを除去する。配向膜形成前の対向基板２０は表面が無機材料で構成されていることから、洗浄処理によって出ガスの付着物を確実に除去することができる。
【００５９】
次のステップＳ４  ，Ｓ１２では、配向膜２２，１６となるポリイミドを塗布する。両基板２０，１０の対向面に夫々形成する配向膜２２，１６は、例えばポリイミドを約数十ナノメーターの厚さで塗布したものである。液晶層５０に対向する両基板１０，２０の表面上に配向膜１６，２２を形成することで、液晶分子を基板面に沿って配向処理することができる。
【００６０】
次に、ステップＳ５  ，Ｓ１３において、対向基板２０表面の配向膜２２及び素子基板１０表面の配向膜１６に対して、焼成処理を施す。焼成処理では、１５０°Ｃ〜２００°Ｃの加熱処理が行われる。この場合には、ステップＳ２  の熱処理において、マイクロレンズの接着材７４から十分な量の出ガスが発生しており、焼成処理においては出ガスの発生はほとんど無い。
【００６１】
次に、ステップＳ６  ，Ｓ１４において、対向基板２０表面の配向膜２２及び素子基板１０表面の配向膜１６に対して、ラビング処理を施す。ラビング処理は、形成された配向膜に異方性を発現させるものであり、配向膜に一定方向のラビング処理を施すことで、電圧無印加時の液晶分子の配列を規定することができる。
【００６２】
次に、ステップＳ７  ，Ｓ１５において、洗浄工程を行う。この洗浄工程は、ラビング処理によって生じた塵埃を除去するためのものである。
【００６３】
洗浄工程が終了すると、ステップＳ２１において、シール材４１、及び導通材６５（図３参照）を形成する。シール材４１を形成した後、次に、ステップＳ２２で、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせ、ステップＳ２３でアライメントを施しながら圧着し、シール材４１を硬化させる。次に、ステップＳ２４において、シール材４１の一部に設けた切り欠きから液晶を封入し、切り欠きを塞いで液晶を封止する。次に、液晶配向のばらつきを解消するために、各液晶パネル内の液晶に対して等方処理が行われる（ステップＳ２５）。等方処理は、液晶を一旦等方相まで加熱し、次いで急冷してネマチック相に戻すことで液晶の再配列を行うものである。加熱は約１００°Ｃ〜１２０°Ｃで行われる。
【００６４】
このような等方処理工程の加熱処理によって、配向膜表面近傍に所望としない方向で吸着、配列した液晶分子も解離する。そして、この状態から急冷することで、液晶分子は、ラビング方向で且つ所定の傾斜（チルト）方向に再配列される。なお、この等方処理工程においても、マイクロレンズの接着材７４から出ガスが生じることはない。次に、ステップＳ２６において、等方処理後のマザーガラス基板を液晶セル毎に分断して、図２及び図３に示す液晶パネルを得る。
【００６５】
このように、本実施の形態においては、素子基板と対向基板との組立工程の配向膜の焼成工程前に、対向基板に対して十分な熱エネルギーによる熱処理が実施される。この熱処理によってマイクロレンズを構成する接着材７４から十分な量の出ガスが生じる。これにより、配向膜の焼成工程における出ガスの発生を抑制することができ、配向膜表面に付着物が付着することを防止することかできる。従って、液晶層の配向膜近傍にイオンが吸着することはなく、焼き付き現象を抑制することができる。なお、熱処理によって生じた出ガスは配向膜形成前の対向基板表面に付着するが、この付着物は洗浄工程において確実に除去することができる。
【００６６】
上記実施の形態における製造方法の説明では、素子基板はウェハ状態で投入され、対向基板はチップ状態であるものとして説明したが、素子基板をチップ状態で投入し、対向基板をウェハ状態で投入してもよく、更に、素子基板と対向基板の双方をウェハ状態で投入してもよい。
【００６７】
ところで、上記実施の形態においては、組立工程に投入される対向基板は、通常の製造方法によって製造されたものである。本発明は配向膜の焼成工程前に十分な熱エネルギーによる熱処理を実施して、配向膜の焼成以前に十分な量の出ガスを発生させればよく、対向基板の製造時に熱処理を加えてもよい。
【００６８】
図７及び図８は本発明の第２の実施の形態に係り、対向基板の製造時に熱処理を加える実施の形態を示すものである。図７は第２の実施の形態を示すフローチャートであり、図８は対向基板の製造方法を工程順に示す工程図である。
【００６９】
本実施の形態においては、複数の対向基板をマザーガラス基板上にウェハ状態で構成したマイクロレンズアレイ基板を、分断してチップ状態の対向基板を得る例について説明する。
【００７０】
対向基板は一対のマザーガラス基板を貼り合わせて構成される。一方のマザーガラス基板８１は、レンズ形成基板として用いられ、例えば１（ｍｍ）の膜厚を有する。図７のステップＳ３１において、このマザーガラス基板８１上に、マイクロレンズのレンズ面８５を、例えばウェットエッチングによって形成する。即ち、マザーガラス基板８１は複数の対向基板の形成領域を有し、対向基板の各形成領域に、夫々ＴＦＴ基板の各画素に対応したアレイ状のレンズ面が形成される。
【００７１】
即ち、先ず、マザーガラス基板８１の全面に対し、ＣＶＤ法やスパッタリング法等によってマスク層９０を形成する（図８（ａ））。次に、形成されたマスク層９０上に、周知のフォトリソグラフィ法等によって、所望のレンズ面８５の配列に対応するピンホール９１を形成する。次に、マザーガラス基板８１を例えば弗化水素と硝酸の混合水溶液中に浸漬して各ピンホール９１に対応するエッチングを行う。次いで、マザーガラス基板８１を例えば弗酸と弗化アンモニウムの混合水溶液中に浸漬してマスク層９０を除去する。
【００７２】
次に、ステップＳ３２において、レンズ面８５によって形成されたマザーガラス基板８１上の凹部を充填するように、マザーガラス基板８１の一方の表面に有機材料による透明な接着材８３を塗布する（図８（ｂ））。次に、ステップＳ３３において、マザーガラス基板８１と同様の大きさのカバーガラス基板８２を接着材８３を介してマザーガラス基板８１に貼り合わせて、基板８１，８２を接合し、マイクロレンズアレイ基板８０を得る（図８（ｃ））。なお、カバーガラス基板は、例えば板厚が７（μｍ）の薄板基板である。
【００７３】
なお、接着材８３としては、マザーガラス基板８１，８２とは異なる屈折率の材料が用いられる。例えば、マザーガラス基板８１，８２の屈折率を１．４６に設定し、接着材８３の屈折率を１．６に設定することにより、マザーガラス基板８１側から入射された光を各レンズ面８５で屈折させて集光する機能を実現する。次に、マザーガラス基板８１，８２を夫々所望の板厚となるように研磨する（図８（ｄ））。次に、ステップＳ３４において、マイクロレンズアレイ基板８０の各対向基板の形成領域同士を分断してチップ状態の対向基板を得る。
【００７４】
本実施の形態においては、次のステップＳ３５において、分断後の対向基板に対して熱処理が施される。ステップＳ３４の分断によって、各対向基板の端面は有機材料の接着材８３が露呈している。熱処理によって、この露呈した接着材８３表面から出ガスが生じる。例えば、ステップＳ３５の熱処理は、上述した配向膜の焼成工程において消費される熱エネルギーの３倍以上の熱エネルギーで実施する。これにより、接着材８３の表面から十分な量の出ガスを発生させる。最後に、対向基板を洗浄して、出ガスによる付着物を対向基板表面から除去する（ステップＳ３６）。
【００７５】
このように、本実施の形態においては、液晶装置の基板工程において、マイクロレンズを構成する接着材から十分な量の出ガスを発生させており、組立工程中の配向膜の焼成工程において出ガスが生じることを防止して、配向膜に出ガスによる付着物が残留することを防止している。これにより、出ガスの付着物による焼き付き現象の発生を回避している。
【００７６】
なお、液晶装置は、ＴＦＴを用いた液晶装置に限らず、ダイオードなどのスイッチング素子を用いたアクティブ型の液晶装置や、パッシブ型の液晶装置であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る液晶装置の製造方法を示すフローチャート。
【図２】液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図。
【図３】ＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図。
【図４】素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図３のＨ−Ｈ’線の位置で切断して示す断面図。
【図５】液晶装置の画素構造を詳細に示す断面図。
【図６】対向基板の断面構造を示す説明図。
【図７】第２の実施の形態を示すフローチャート。
【図８】対向基板の製造方法を工程順に示す工程図。
【符号の説明】
Ｓ２  …熱処理工程、Ｓ３  …洗浄工程、Ｓ４  …配向膜形成工程、Ｓ５  …焼成工程、Ｓ６  …ラビング工程、Ｓ７  …洗浄工程。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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