(57)【要約】【課題】ボディ領域の電位が浮遊することを回避可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体基板の上に配設された絶縁膜と、絶縁膜の上に配設された半導体層とを含む。素子領域を分離する素子分離絶縁膜が半導体層内に配設される。第１ゲート絶縁膜が素子領域内の半導体層の上に配設され、第１ゲート絶縁膜の上にゲート電極が配設される。ソース／ドレイン拡散層はゲート電極の下のチャネル領域を挟むように半導体層内に形成される。半導体層の電位を制御するリーク電流を流すための電位付与部は、素子領域内の半導体層の上に配設された第２ゲート絶縁膜と、第２ゲート絶縁膜上に配設され且つゲート電極と接続された導電膜とを具備する。電位付与部は、第１ゲート絶縁膜を流れるリーク電流より大きなリーク電流を流すように構成される。【選択図】　　図１
2004119884.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の上に配設された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に配設された半導体層と、
前記半導体層内に配設された、素子領域を分離する素子分離絶縁膜と、
前記素子領域内の前記半導体層の上に配設された第１ゲート絶縁膜と、
前記第１ゲート絶縁膜の上に配設されたゲート電極と、
前記ゲート電極の下のチャネル領域を挟むように前記半導体層内に形成されたソース／ドレイン拡散層と、
前記素子領域内の前記半導体層上に配設された第２ゲート絶縁膜と、前記第２ゲート絶縁膜の上に配設され且つ前記ゲート電極と接続された導電膜と、を具備し、且つ前記第２ゲート絶縁膜を流れるリーク電流が前記第１ゲート絶縁膜を流れるリーク電流より大きくなるように構成された、前記半導体層の電位を制御するリーク電流を流すための電位付与部と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記電位付与部の前記素子領域の上の部分の面積が前記ゲート電極の前記素子領域上の部分の面積以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２ゲート絶縁膜は、前記第１ゲート絶縁膜より薄い膜厚を有することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板と、
前記半導体基板の上に配設された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に配設された半導体層と、
前記半導体層内に配設された、素子領域を分離する素子分離絶縁膜と、
前記素子領域内の前記半導体層の上配設された第１ゲート絶縁膜と、
前記第１ゲート絶縁膜の上に配設されたゲート電極と、
前記ゲート電極の下のチャネル領域を挟むように前記半導体層内に形成されたソース／ドレイン拡散層と、
前記素子領域内の前記半導体層の上に配設された第２ゲート絶縁膜と、前記第２ゲート絶縁膜の上に配設され且つ前記ゲート電極と接続された導電膜と、を具備し、且つ前記素子領域の上の部分の面積が前記ゲート電極の前記素子領域の上の部分の面積以上である、前記半導体層の電位を制御するリーク電流を流すための電位付与部と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
半導体基板と、
前記半導体基板の上に配設された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に配設された半導体層と、
前記半導体層内に配設された、素子領域を分離する素子分離絶縁膜と、
前記素子領域内の前記半導体層上に配設された第１ゲート絶縁膜と、
前記第１ゲート絶縁膜の上に配設されたゲート電極と、
前記ゲート電極の下のチャネル領域を挟むように前記半導体層内に形成されたソース／ドレイン拡散層と、
前記素子領域内の前記半導体層の上に配設され且つ前記第１ゲート絶縁膜より薄い膜厚を有する第２ゲート絶縁膜と、前記第２ゲート絶縁膜の上に配設され且つ前記ゲート電極と接続された導電膜と、を具備する、前記半導体層の電位を制御するリーク電流を流すための電位付与部と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記第１および第２ゲート絶縁膜が窒素を含むシリコン酸化膜により実質的に構成され、前記第１ゲート絶縁膜内の窒素濃度が、前記第２ゲート絶縁膜内の窒素濃度より高いことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１ゲート絶縁膜が、前記第２ゲート絶縁膜より高い誘電率を有する材料により実質的に構成されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記導電膜の導電型が、前記半導体層の導電型と同一であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体層は、前記ソース拡散層と、前記ドレイン拡散層と、前記ソース拡散層から延びる空乏層と、前記ドレイン拡散層から延びる空乏層と、からなる郡から選択された層が、前記絶縁膜に達する厚さを有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置に関し、特に、絶縁膜上の半導体層内に形成されたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）素子を用いたＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路の低消費電力化、高密度化に伴い、それらを構成する個々の素子の微細化、動作電圧の低電圧化が求められている。このような要望に対し、高速動作、低消費電力が可能なＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）素子が知られている。
【０００３】
図１０、図１１（ａ）、（ｂ）は、典型的なＳＯＩ素子を概略的に示している。図１０、図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体基板５１上に絶縁膜５２を介して、主としてシリコンからなる半導体層５３が設けられる。この半導体層５３内の、素子分離絶縁膜５４により囲まれた素子領域内に、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタＱが形成される。
【０００４】
半導体層５３内のゲート電極Ｇ下の領域（ボディ領域）は、図１０に示すように、ゲート電極Ｇよりせり出し、ボディ領域と同導電型の不純物を導入したボディコンタクト領域を形成することでコンタクト５５と接続される。そして、コンタクト５５に電位を与えることにより、ボディ領域の電位が制御される。
【０００５】
しかしながら、前述のように形成されたＳＯＩ素子では、ボディコンタクトを設置するために必要となる寄生的なゲート電極領域を必要とするため、そこに存在する容量の増加が素子動作速度の低下をもたらす結果となっていた。
【０００６】
このような問題に対して、従来は、特公平６−１０５７８４（先行技術文献１）の第１図に示される構造（第１従来例）とすることが行われている。すなわち、この半導体装置は、厚さの異なる素子分離絶縁膜４Ａ、４Ｂを有する。そして、半導体層２のうち、厚さの薄い素子分離絶縁膜４Ａ下の領域５Ｂがコンタクトと接続され、コンタクトを用いてボディ領域の電位が制御される。
【０００７】
また、特開平１０−２４２４７０（先行技術文献２）に示される構造（第２従来例）とすることも行われる。すなわち、この半導体装置は、ゲート電極９の長手方向において、ＳＯＩ活性層３のうち、素子分離絶縁膜７下の領域を用いて、コンタクト１２と接続されている。
【０００８】
【特許文献１】
特公平６−１０５７８４号公報（第１、第２図）
【０００９】
【特許文献２】
特開平１０−２４２４７０号公報
【００１０】
【特許文献３】
米国特許第５，９７３，３６４号明細書
【００１１】
【特許文献４】
米国特許第６，４０３，４０５号明細書
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、第１従来例の半導体装置を製造する際、先ず、先行技術文献１の第２図に示されるように、多結晶Ｓｉ１２の上部一部がエッチングされる。次に、一部エッチングされた部分とその他の部分とで膜厚が異なる素子分離絶縁膜１３が、例えば熱酸化により形成される。しかしながら、半導体層２の上部一部分のみを除去したり、異なる膜厚の素子分離絶縁膜１３を形成したりすることは、制御性の点で困難である。
【００１３】
また、第２従来例では、素子形成領域４とボディコンタクト領域５との間に素子分離領域６が形成される。このため、素子の占有面積の増大、素子の配置の自由度が損なわれる、等の問題がある。
【００１４】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、素子の占有面積を増大させることなく、平易にボディ領域の電位を制御可能な半導体装置を提供しようとするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために以下に示す手段を用いている。
【００１６】
本発明の第１の視点による半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上に配設された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配設された半導体層と、前記半導体層内に配設された、素子領域を分離する素子分離絶縁膜と、前記素子領域内の前記半導体層の上に配設された第１ゲート絶縁膜と、前記第１ゲート絶縁膜の上に配設されたゲート電極と、前記ゲート電極の下のチャネル領域を挟むように前記半導体層内に形成されたソース／ドレイン拡散層と、前記素子領域内の前記半導体層上に配設された第２ゲート絶縁膜と、前記第２ゲート絶縁膜の上に配設され且つ前記ゲート電極と接続された導電膜と、を具備し、且つ前記第２ゲート絶縁膜を流れるリーク電流が前記第１ゲート絶縁膜を流れるリーク電流より大きくなるように構成された、前記半導体層の電位を制御するリーク電流を流すための電位付与部と、を具備することを特徴とする。
【００１７】
更に、本発明に係る実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施の形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が省略されることで発明が抽出された場合、その抽出された発明を実施する場合には省略部分が周知慣用技術で適宜補われるものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。
【００１９】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置を概略的に示す平面図である。図２（ａ）、（ｂ）は、図１のＩＩＡ−ＩＩＡ線、ＩＩＢ−ＩＩＢ線に沿った構造をそれぞれ概略的に示す断面図である。
【００２０】
図１、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体基板１の上に、例えばシリコン酸化膜からなる絶縁膜（Ｂｕｒｉｅｄ　Ｏｘｉｄｅ：　ＢＯＸ）２が設けられる。絶縁膜２の上に、例えばシリコンからなる半導体層３が設けられる。半導体層３は、例えば１５０ｎｍ程度の厚さを有する。本実施例では、後述するソース拡散層Ｓおよびドレイン拡散層Ｄから伸びる空乏層は絶縁膜２に達する。
【００２１】
半導体層３内には、例えばＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ　Ｔｒｅｎｃｈ　Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）法によって形成された素子分離絶縁膜４が設けられ、素子分離絶縁膜４により囲まれた素子領域ＡＡは、他の素子領域（図示せぬ）から電気的に分離される。素子領域ＡＡ内の半導体層３上にＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタ１１、電位付与部１２が設けられる。
【００２２】
トランジスタ１１は、第１ゲート絶縁膜２１、ソース拡散層Ｓ、ドレイン拡散層Ｄ、ゲート電極Ｇにより構成される。ゲート電極Ｇは、第１ゲート絶縁膜２１を介して半導体層３上に設けられ、図１において左右方向（第１方向）に延在する。ゲート電極Ｇの一端は、例えば素子分離絶縁膜４上に延在し、この延在部分でコンタクトＧＣが設けられる。ソース拡散層Ｓおよびドレイン拡散層Ｄは、半導体層３内のゲート電極Ｇの下の部分を挟むように設けられる。
【００２３】
電位付与部１２は、第２ゲート絶縁膜３１、導電膜３２により構成される。電位付与部１２は、トランジスタ１１のボディ領域の電位を制御するためのトンネルリーク電流を流す機能を有する。このトンネルリーク電流が、後述する方法により調整され、その結果、トランジスタ１１のボディ領域の電位が制御される。導電膜３２は、ゲート電極Ｇのチャネル長を長くするように設定される。また、実質的にトランジスタ１１の電流駆動力に影響を与えず、単に導電膜３２とその下の半導体層３との間にトンネルリーク電流を流す機能を有するように設けられる。具体的には、以下に例示するように配置される。
【００２４】
すなわち、導電膜３２は、第２ゲート絶縁膜３１を介して半導体層３上に設けられ、例えばトランジスタ１１のチャネル長の方向（図１において上下方向）に延在する。この方向において、導電膜３２の両端は、例えば素子分離絶縁膜４の上まで延出する。また、第１方向において、一端が、例えば素子分離絶縁膜４の上まで延出する。この結果、素子領域ＡＡのうち導電膜３２のある側の端部は導電膜３２により完全に覆われ、この部分で素子領域ＡＡは露出されない。
【００２５】
第１ゲート絶縁膜２１と第２ゲート絶縁膜３１、およびゲート電極Ｇと導電膜３２、はそれぞれ接続されている。その結果、平面においてゲート電極Ｇと導電膜３２とにより、例えばＴ字型の形状が構成される。
【００２６】
第１ゲート絶縁膜２１と第２ゲート絶縁膜３１とは実質的に同一の材料により構成される。また、ゲート電極Ｇと導電膜３２とは実質的に同一の材料により構成される。
【００２７】
導電膜３２の素子領域ＡＡの上の部分の面積は、少なくともゲート電極Ｇの素子領域ＡＡの上の部分の面積と同等か、それ以上とされる。すなわち、現在の素子のサイズを例にとると、ゲート電極Ｇの幅ａは０．０５μｍである。また、ソース拡散層Ｓおよびドレイン拡散層Ｄの長さｂは３μｍであり、幅ｃは０．１２μｍである。したがって、（２×０．１２μｍ＋０．０５μｍ）×ｄが、０．０５μｍ×３μｍ＝０．１５μｍ２以上となるように、幅ｄが適宜調整される。
【００２８】
第１実施形態によれば、半導体装置は電位付与部１２を有する。電位付与部１２は、第２ゲート絶縁膜３１を介して設けられた導電膜３２により構成され、第２ゲート絶縁膜３１および導電膜３２は、第１ゲート絶縁膜２１およびゲート電極Ｇと接続されている。そして、導電膜３２の素子領域ＡＡの上の部分の面積は、少なくともゲート電極Ｇの素子領域ＡＡの上の部分の面積と同等か、それ以上とされる。
【００２９】
上記したような構成とすることにより、第２ゲート絶縁膜３１でのトンネルリーク電流は、第１ゲート絶縁膜２１でのトンネルリーク電流より大きくなる。この結果、第２ゲート絶縁膜３１でのトンネルリーク電流が、第１ゲート絶縁膜２１でのトンネルリーク電流に対して支配的となる。したがって、先ず、トランジスタ１１がオフ状態（ゲート電圧Ｖｇ＝ＶＳＳ＝０Ｖ）であるときにはボディ電位も０Ｖである。一方、トランジスタ１１がオン状態（ゲート電圧Ｖｇ＝ＶＣＣ＝例えば０．５Ｖ）であるとき、第２ゲート絶縁膜３１のトンネルリーク電流によりトランジスタ１１のボディ領域の電位も０．５Ｖとなる。このように、ボディ領域の電位を制御することが可能となり、素子の動作中にボディ領域の電位が浮遊することを防止できる。
【００３０】
また、上記したように、トランジスタ１１がオフ状態の際はボディ領域の電位は０Ｖとなる。一方、トランジスタ１１の動作に際し、ゲート電圧が増加すると第２ゲート絶縁膜３１でのトンネルリーク電流が増加する。トンネルリーク電流の増加に伴い、トランジスタ１１のボディ領域の電位が正にバイアスされる。すると、トランジスタ１１の閾値電圧が高くなり、その結果、高いオン電流を得られる。このため、通常のＳＯＩ素子でボディ電位を固定した場合や、バルク型の素子に比べ、ドレイン電流のオンーオフ比を大きくすることが可能となる。
【００３１】
また、上記したように、電位付与部１２の導電膜３２の素子領域ＡＡの上の部分の面積は、少なくともゲート電極Ｇの素子領域ＡＡの上の部分の面積以上とされればよい。このため、例えば図３に示すように、電位付与部１２が、ソース拡散層Ｓまたはドレイン拡散層Ｄの一方の側に設けられたり、２つのゲート電極Ｇの間に設けられたりしてもよい。
【００３２】
なお、上記したように、第２ゲート絶縁膜３１の面積の下限は、第１ゲート絶縁膜２１の面積である。一方、上限については、大きくすればするほど、上記した効果が大きくなる。しかしながら、余り大きくすると、電位付与部１２での寄生容量が大きくなり、トランジスタ１１の遅延時間が長くなる。このため、第１実施形態に係る半導体装置が用いられる回路の動作の遅延時間の許容範囲内で、且つ第１実施形態より得られる効果を発揮できるように、第２ゲート絶縁膜３１の上限が決定される。
【００３３】
（第２実施形態）
第２実施形態では、第１、第２ゲート絶縁膜２１、３１の間で膜厚が相違する。
【００３４】
図４は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置を概略的に示す断面図である。平面図については、第１実施形態と同様である。図４は、図１のＩＩＡ−ＩＩＡ線に沿った構造を概略的に示している。
【００３５】
図４に示すように、第１ゲート絶縁膜２１と第２ゲート絶縁膜３１とは異なる膜厚を有する。第１ゲート絶縁膜２１は、例えば５ｎｍ以上の膜厚を有する一方、第２ゲート絶縁膜３１は、第１ゲート絶縁膜２１より薄い膜厚を有している。より詳しくは、例えば３ｎｍ〜０．５ｎｍの範囲で、第１ゲート絶縁膜２１より２ｎｍ〜４．５ｎｍ以上薄くすることができる。また、例えば第１ゲート絶縁膜が３ｎｍより薄い場合に関しては、第２ゲート絶縁膜３１を第１ゲート絶縁膜２１より０．１ｎｍ〜２ｎｍ以上、好ましくは０．２ｎｍ以上薄くすることができる。
【００３６】
具体的には、第１ゲート絶縁膜２１は、好ましくは１．５ｎｍの膜厚を有し、第２ゲート絶縁膜３１は、好ましくは１．３ｎｍの膜厚を有する。このような膜厚とすることにより、後述する本実施形態の効果を十分に得られることが実験により証明されている。
【００３７】
次に、図４に示す半導体装置の製造方法について、以下に説明する。図５〜図９は、図１および図４に示す半導体装置の製造工程を順に示しており、図１のＩＩＡ−ＩＩＡ線に沿った断面を概略的に示している。
【００３８】
図５に示すように、半導体基板１の上に絶縁膜２が形成され、絶縁膜２の上に、例えばＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｂｙ　Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｏｘｙｇｅｎ）法または張り合わせ法等により、半導体層３が形成される。次いで、半導体層３が例えば熱酸化法とＮＨ４Ｆによるエッチングとにより、例えば１５０ｎｍ程度まで薄膜化される。次に、例えばＳＴＩ法により、素子分離絶縁膜４が形成される。
【００３９】
次に、素子領域ＡＡの半導体層３に、トランジスタ１１の閾値電圧を調整するための不純物が、例えばイオン注入法により導入される。次に、半導体層３の表面の全体に、例えば熱酸化により、例えば１ｎｍの膜厚を有する第１ゲート絶縁膜２１の材料膜が形成される。
【００４０】
次に、図６に示すように、半導体装置の全面上に、素子領域ＡＡ上で且つ第２ゲート絶縁膜３１が形成される領域に対応する位置に開口４１を有するレジスト膜（マスク層）４２が形成される。次に、このレジスト膜４２を用いて、例えばウエットエッチングにより、第１ゲート絶縁膜２１の材料膜が一部除去される。この結果、開口に対応する位置の半導体層３が露出されるとともに第１ゲート絶縁膜２１が形成される。
【００４１】
次に、図７に示すように、レジスト膜４２が除去される。次に、第２ゲート絶縁膜３１を形成するため、例えば熱酸化工程が行われる。この結果、第２ゲート絶縁膜３１が形成されると同時に、第１ゲート絶縁膜２１の膜厚が増加する。
【００４２】
次に、図８に示すように、半導体装置上の全面に、例えば、ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、例えば多結晶シリコン等の、ゲート電極Ｇおよび導電膜３２の材料膜４３が堆積される。
【００４３】
次に、図９に示すように、例えばリソグラフィー工程およびＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）法により、材料膜４３が、図１に示す形状にパターニングされる。この結果、ゲート電極Ｇおよび導電膜３２が形成される。次に、半導体装置上の全面に、例えばイオン注入法により、ゲート電極Ｇおよび導電膜３２をマスクとして、不純物が注入される。この結果、図示せぬソース拡散層Ｓ、ドレイン拡散層Ｄが形成される。次に、この不純物を活性化するために、例えばＲＴＡ（ＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌ　Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）法を用いた熱処理が行われる。この後、適宜シリサイド等の低抵抗材料膜を形成することも可能である。
【００４４】
次に、図４に示すように、半導体装置上の全面に層間絶縁膜５が形成される。次に、層間絶縁膜５を貫通して、ゲート電極Ｇ用のコンタクトおよび配線ＧＣ、ソース、ドレイン拡散層Ｓ、Ｄ用のコンタクトおよび配線（図示せぬ）が形成される。この後、所望により、さらなる層間絶縁膜および多層配線層が形成される。
【００４５】
第２実施形態によれば、第２ゲート絶縁膜３１は、第１ゲート絶縁膜２１より薄い膜厚を有する。このため、第２ゲート絶縁膜３１のトンネルリーク電流が増加し、この部分でのトンネルリーク電流が、第１ゲート絶縁膜２１でのそれに対して支配的となる。したがって、第１実施形態と同様の効果を得られる。
【００４６】
（第３実施形態）
第３実施形態では、第１、第２ゲート絶縁膜２１、３１の間で、材料が相違する。
【００４７】
第３実施形態に係る半導体装置の平面図および断面図は、例えば図１０、図１１（ａ）、（ｂ）に示す一般的なＳＯＩ素子、または第１実施形態と同様である。
【００４８】
第３実施形態における第１ゲート絶縁膜２１は、第２ゲート絶縁膜３１と異なる材料により構成され、より詳しくは、第２ゲート絶縁膜３１の材料より誘電率が高く、且つリーク電流が少ない材料により構成される。具体的には、第１ゲート絶縁膜２１は、例えばＳｉＯＮ、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、Ｌａ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の材料により構成される。一方、第２ゲート絶縁膜３１は、例えばＳｉＯ２、ＳｉＯＮ等が用いられる。その他の詳細な構成は、第１、第２実施形態と同様である。
【００４９】
第３実施形態によれば、第１ゲート絶縁膜２１は、第２ゲート絶縁膜３１より誘電率が高く、且つトンネルリーク電流が少ない材料により構成される。このため、第１ゲート絶縁膜２１の膜厚を、第２ゲート絶縁膜３１の膜厚より厚くすることができる。よって、相対的に第１ゲート絶縁膜を流れるリーク電流を少なくしつつ、第２ゲート絶縁膜を流れるトンネルリーク電流を増加させることが可能となる。したがって、第１実施形態と同様の効果を得られる。
【００５０】
なお、各ゲート絶縁膜の材料として例示したものを、通常用いられる材料に付加する構成とすることも可能である。
【００５１】
（第４実施形態）
第４実施形態では、第１、第２ゲート絶縁膜２１、３１の間で、不純物の濃度が相違する。
【００５２】
第４実施形態に係る半導体装置の平面図および断面図は、例えば図１０、図１１（ａ）、（ｂ）に示す一般的なＳＯＩ素子、または第１実施形態と同様である。
【００５３】
第１、第２ゲート絶縁膜２１、３１は、ともに実質的にシリコン酸化膜により構成され、第１ゲート絶縁膜２１は第２ゲート絶縁膜３１より高い窒素濃度を有する。第１ゲート絶縁膜２１の窒素濃度は、第２ゲート絶縁膜３１の窒素濃度より、例えば１０倍以上高くすることができる。
【００５４】
具体的には、第１ゲート絶縁膜３１の窒素濃度は、１×１０１８ｃｍ−３とすることができる。一方、第２ゲート絶縁膜２１の窒素濃度は、１×１０１７ｃｍ−３とすることができる。
【００５５】
このような構成は、例えば、あらかじめ第１ゲート絶縁膜２１および第２ゲート絶縁膜３１を窒化しておき、さらに第１ゲート絶縁膜２１中にのみイオン注入法等により窒素が注入されることによって実現される。または、第１ゲート絶縁膜２１に窒素を注入し、第２ゲート絶縁膜３１に、より多くの窒素を注入することによっても実現される。その他の詳細な構成は、第１、第２実施形態と同様である。
【００５６】
第４実施形態によれば、第１ゲート絶縁膜２１は、第２ゲート絶縁膜３１より高い窒素濃度を有する。このため、第２ゲート絶縁膜３１のトンネルリーク電流が増加し、この部分でのトンネルリーク電流が、第１ゲート絶縁膜２１でのそれに対して支配的となる。したがって、第１実施形態と同様の効果を得られる。
【００５７】
（第５実施形態）
第５実施形態は、第１〜第４実施形態に付加して用いられる。
【００５８】
通常、製造工程数を削減するために、ソースおよびドレイン拡散層を形成するためのイオン注入工程の際、ゲート電極にも同じイオンが注入されることによりゲート電極が導電化される。このため、例えばＰ型の半導体層を用いた場合、ソースおよびドレイン拡散層とゲート電極とはｎ型とされる。
【００５９】
一方、第５実施形態では、導電膜３２を導電化する工程と、ソースおよびドレイン拡散層Ｓ、Ｄを形成する工程と、を別の工程で行う。この際、導電膜３２には、半導体層３（トランジスタ１１のボディ領域）と同じ導電型となるようなイオンが注入される。この結果、電位付与部１２でのゲートリーク電流が大きくなる。したがって、このような構造を第１〜第４実施形態と組み合わせることにより、各実施形態により得られる効果を一層引き出すことができる。
【００６０】
本発明が適用されるＳＯＩ素子を用いた回路の特性等を考慮して、第２ゲート絶縁膜３１でのトンネルリーク電流が最適となるように、各実施形態を組み合わせることができる。すなわち、例えば、第１実施形態によって得られる付与部１２でのトンネルリーク電流が十分でない場合、第２、第３、第４実施形態の構成を付加することができる。この結果、該回路の動作の遅延時間に適合したＳＯＩ素子を実現できる。
【００６１】
また、各実施形態において、例えばＳＯＩ素子について説明したが、例えばＳＯＳ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｏｎ　Ｓａｐｐｈｉｒｅ）素子を用いることが可能である。
【００６２】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【００６３】
【発明の効果】
以上、詳述したように、本発明によれば、ボディ領域の電位が浮遊することを防止できるともに、ＳＯＩ素子でボディ領域の電位を固定した場合や、バルク型の素子に比べ、ドレイン電流のオン−オフ比を大きくすることが可能な半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置を概略的に示す平面図。
【図２】図１に示す半導体装置を概略的に示す断面図。
【図３】本発明の第１実施形態の変形例に係る半導体装置を概略的に示す平面図。
【図４】本発明の第２実施形態に係る半導体装置を概略的に示す断面図。
【図５】図４の半導体装置の製造工程を概略的に示す断面図。
【図６】図５に続く工程を概略的に示す断面図。
【図７】図６に続く工程を概略的に示す断面図。
【図８】図７に続く工程を概略的に示す断面図。
【図９】図８に続く工程を概略的に示す断面図。
【図１０】典型的な半導体装置を概略的に示す平面図。
【図１１】図１０の半導体装置を概略的に示す断面図。
【符号の説明】
１…半導体基板、
２…絶縁膜、
３…半導体層、
４…素子分離絶縁膜、
５…層間絶縁膜、
ＡＡ…素子領域、
１１…トランジスタ、
１２…電位付与部
Ｇ…ゲート電極、
３２…導電膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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