(57)【要約】【課題】絶縁フィルム上に多数のＩＣインレットが形成された状態で、被検査対象であるＩＣインレットの良、不良を精度よく検査する方法を提供する。【解決手段】絶縁フィルム２に形成されたＩＣインレット１の検査は、アンテナ４１からＩＣインレット１にマイクロ波を発信することにより行われる。絶縁フィルム２に形成された多数のＩＣインレット１のうち、被検査対象となる１個のＩＣインレット１のみに選択的にマイクロ波を照射するには、絶縁フィルム２とアンテナ４１との間に電波吸収板４９を挿入し、この電波吸収板４９に設けたスリット５０を通じてＩＣインレット１にマイクロ波を照射する。電波吸収板４９は、電波吸収体からなる平面板の一部に、ＩＣインレット１とほぼ同じ大きさのスリット５０を設けた構成になっている。【選択図】    図２０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むＩＣインレットの製造方法：
（ａ）所定のデータが書き込まれたメモリ回路を有する複数個の半導体チップを半導体ウエハから個片化する工程、
（ｂ）所定周波数の電波を受信する複数のアンテナが互いに分離された状態で形成された絶縁フィルムを用意する工程、
（ｃ）前記絶縁フィルムに形成された前記複数のアンテナのそれぞれに前記半導体チップを接続する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記複数個の半導体チップのそれぞれを封止することによって、前記絶縁フィルム上に複数個のＩＣインレットを形成する工程、
（ｅ）前記絶縁フィルム上に形成された前記複数個のＩＣインレットのそれぞれに前記所定周波数の電波を選択的に照射することによって、前記複数個のＩＣインレットの良、不良を検査する工程。
【請求項２】
前記複数個の半導体チップを前記半導体ウエハから個片化する工程よりも以前の工程では、前記複数個の半導体チップの良、不良を検査しないことを特徴とする請求項１記載のＩＣインレットの製造方法。
【請求項３】
前記（ｅ）工程で前記ＩＣインレットに照射する前記電波は、直線偏波またはダイポールであることを特徴とする請求項１記載のＩＣインレットの製造方法。
【請求項４】
前記（ｅ）工程で前記ＩＣインレットに前記電波を照射する際、電波発信源と前記ＩＣインレットとの間に、前記ＩＣインレットとほぼ同一寸法のスリットを設けた電波吸収体を介在させ、前記スリットを通じて前記ＩＣインレットに選択的に前記電波を照射することを特徴とする請求項１記載のＩＣインレットの製造方法。
【請求項５】
前記（ｅ）工程の後、前記絶縁フィルム上に形成された前記複数個のＩＣインレットを個片化することなく出荷する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のＩＣインレットの製造方法。
【請求項６】
前記（ｅ）工程で検査した前記複数個のＩＣインレットの良、不良データを記憶媒体に書き込み、前記記憶媒体を前記絶縁フィルム上に形成された前記複数個のＩＣインレットと共に出荷することを特徴とする請求項５記載のＩＣインレットの製造方法。
【請求項７】
前記（ｅ）工程で被検査対象のＩＣインレットに前記電波を照射する際、被検査対象以外のＩＣインレットのアンテナに導電体を接触させることによって、前記アンテナの電波反射性能を低下させることを特徴とする請求項１記載のＩＣインレットの製造方法。
【請求項８】
前記（ｅ）工程で検査した前記複数個のＩＣインレットのうち、不良と判定されたＩＣインレットから半導体チップを取り除く工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のＩＣインレットの製造方法。
【請求項９】
前記（ｄ）工程の後、前記絶縁フィルム上に形成された前記複数個のＩＣインレットのそれぞれの外観を検査する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のＩＣインレットの製造方法。
【請求項１０】
前記複数個の半導体チップのそれぞれに形成された前記メモリ回路はＲＯＭであり、前記ＲＯＭに書き込まれた前記所定のデータは、前記複数個の半導体チップのそれぞれに固有の識別データを含んでいることを特徴とする請求項１記載のＩＣインレットの製造方法。
【請求項１１】
前記（ｅ）工程で検査した前記複数個のＩＣインレットのうち、良と判定されたＩＣインレットに選択的にマークを刻印する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のＩＣインレットの製造方法。
【請求項１２】
前記（ｅ）工程は、前記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）工程を含む製造ラインで行われることを特徴とする請求項１記載のＩＣインレットの製造方法。
【請求項１３】
前記（ｅ）工程は、前記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）工程を含む製造ラインとは異なるラインで行われることを特徴とする請求項１記載のＩＣインレットの製造方法。
【請求項１４】
前記（ｅ）工程で前記複数個のＩＣインレットの良、不良を検査する際、複数個の電波発信源から被検査対象となる複数個のＩＣインレットに同時に前記電波を照射することを特徴とする請求項１記載のＩＣインレットの製造方法。
【請求項１５】
前記複数個の電波発信源と前記被検査対象となる複数個のＩＣインレットとの間に、前記ＩＣインレットとほぼ同一寸法のスリットを複数個設けた電波吸収体を介在させ、前記複数個のスリットのそれぞれを通じて前記被検査対象となる複数個のＩＣインレットのそれぞれに選択的に前記電波を照射することを特徴とする請求項１４記載のＩＣインレットの製造方法。
【請求項１６】
前記アンテナは、前記絶縁フィルムの一面に形成した銅箔またはアルミニウム箔をパターニングして形成したものであり、前記アンテナと前記半導体チップは、テープキャリアパッケージ方式またはチップオンフィルム方式によって接続されることを特徴とする請求項１記載のＩＣインレットの製造方法。
【請求項１７】
前記アンテナと前記半導体チップは、一端が前記アンテナにボンディングされ、他端が前記半導体チップの端子にボンディングされたワイヤを介して接続されることを特徴とする請求項１記載のＩＣインレットの製造方法。
【請求項１８】
以下の工程を含むＩＣインレットの製造方法：
（ａ）所定周波数の電波を受信するアンテナと、前記アンテナに接続された半導体チップとを含む複数個のＩＣインレットが互いに分離された状態で形成された絶縁フィルムを用意する工程、
（ｂ）内壁面に前記所定周波数の電波を吸収する電波吸収体が設けられ、かつ前記所定周波数の電波を発信する電波発信源が内蔵された暗箱の内部に前記絶縁フィルムを収容し、前記絶縁フィルム上に形成された前記複数個のＩＣインレットのそれぞれに前記所定周波数の電波を選択的に照射することによって、前記複数個のＩＣインレットの良、不良を検査する工程。
【請求項１９】
前記（ｂ）工程で前記ＩＣインレットに照射する前記電波は、直線偏波またはダイポールであることを特徴とする請求項１８記載のＩＣインレットの製造方法。
【請求項２０】
前記（ｂ）工程で前記ＩＣインレットに前記電波を照射する際、前記電波発信源と前記ＩＣインレットとの間に、前記ＩＣインレットとほぼ同一寸法のスリットを設けた電波吸収体を介在させ、前記スリットを通じて前記ＩＣインレットに選択的に前記電波を照射することを特徴とする請求項１８記載のＩＣインレットの製造方法。
【請求項２１】
前記暗箱の内部には前記電波発信源が複数個設けられ、前記（ｂ）工程で前記複数個のＩＣインレットの良、不良を検査する際、前記複数個の電波発信源から被検査対象となる複数個のＩＣインレットに同時に前記電波を照射することを特徴とする請求項１８記載のＩＣインレットの製造方法。
【請求項２２】
前記（ｂ）工程で被検査対象のＩＣインレットに前記電波を照射する際、被検査対象以外のＩＣインレットのアンテナに導電体を接触させることによって、前記アンテナの電波反射性能を低下させることを特徴とする請求項１８記載のＩＣインレットの製造方法。
【請求項２３】
前記アンテナに接続された前記半導体チップは、ポッティング樹脂によって封止されていることを特徴とする請求項１８記載のＩＣインレットの製造方法。
【請求項２４】
前記電波は、周波数が２．４５ＧＨｚのマイクロ波であることを特徴とする請求項１８記載のＩＣインレットの製造方法。
【請求項２５】
（ａ）所定周波数の電波を受信するアンテナと、前記アンテナに接続された半導体チップとを含む複数個のＩＣインレットが互いに分離された状態で形成された絶縁フィルムを用意する工程と、
（ｂ）前記絶縁フィルム上に形成された前記複数個のＩＣインレットのそれぞれに前記所定周波数の電波を選択的に照射することによって、前記複数個のＩＣインレットの良、不良を検査する工程を含み、
前記（ｂ）工程において、被検査対象となる前記ＩＣインレットに前記所定周波数の電波を選択的に照射する際、前記被検査対象となる前記ＩＣインレットの近傍に、前記電波を増幅する導波器を設置することを特徴とするＩＣインレットの製造方法。
【請求項２６】
前記（ｂ）工程で前記ＩＣインレットに前記電波を照射する際、電波発信源と前記被検査対象となるＩＣインレットとの間に、前記ＩＣインレットとほぼ同一寸法のスリットを設けた電波吸収体を介在させ、前記スリットを通じて前記被検査対象となるＩＣインレットに選択的に前記電波を照射することを特徴とする請求項２５記載のＩＣインレットの製造方法。
【請求項２７】
前記導波器を前記スリットの近傍に設置することを特徴とする請求項２６記載のＩＣインレットの製造方法。
【請求項２８】
前記導波器は、アンテナとして機能する複数の導体片を所定の間隔で配列させたものであることを特徴とする請求項２５記載のＩＣインレットの製造方法。
【請求項２９】
所定のデータが書き込まれたメモリ回路を有する半導体チップがアンテナに搭載されてなるＩＣインレットを備えたＩＤタグであって、前記ＩＣインレットの近傍に、前記半導体チップに書き込まれたデータを被接触で読み出すための電波を増幅する導波器が取り付けられていることを特徴とするＩＤタグ。
【請求項３０】
前記導波器は、アンテナとして機能する複数の導体片を所定の間隔で配列させたものであることを特徴とする請求項２９記載のＩＤタグ。
【請求項３１】
所定のデータが書き込まれたメモリ回路を有する半導体チップがアンテナに搭載されてなるＩＣインレットを備えたＩＤタグに所定周波数の電波を照射することによって、前記半導体チップに書き込まれたデータを非接触で読み出す際、前記ＩＣインレットの近傍に、前記電波を増幅する導波器を取り付けることを特徴とするＩＤタグのデータ読み出し方法。
【請求項３２】
所定のデータが書き込まれたメモリ回路を有する半導体チップがアンテナに搭載されてなるＩＣインレットを備えたＩＤタグに所定周波数の電波を照射することによって、前記半導体チップに書き込まれたデータを非接触で読み出すＩＤタグリーダであって、前記電波の発信源と前記ＩＤタグとの間に、前記電波を増幅する導波器が取り付けられていることを特徴とするＩＤタグリーダ。
【請求項３３】
前記導波器は、アンテナとして機能する複数の導体片を所定の間隔で配列させたものであることを特徴とする請求項３２記載のＩＤタグリーダ。
【請求項３４】
所定のデータが書き込まれたメモリ回路を有する半導体チップがアンテナに搭載されてなるＩＣインレットを備えたＩＤタグに所定周波数の電波を照射することによって、前記半導体チップに書き込まれたデータを非接触で読み出す際、前記電波の発信源を備えたＩＤタグリーダと前記ＩＤタグとの間に、前記電波を増幅する導波器を取り付けることを特徴とするＩＤタグリーダのデータ読み出し方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、非接触型ＩＣインレットの製造技術に関し、特に、ＩＣインレットの検査工程に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
特開平１０−１３２９６号公報には、この種の非接触型タグに用いるＩＣインレットの一例が開示されている。このＩＣタグは、マイクロ波受信用のアンテナをリードフレームで構成し、このリードフレーム上に実装した半導体チップを樹脂封止した構成になっている。
【０００３】
特開２００１−１１６７８４号公報は、有料道路自動料金収受システムに用いる車載用小型電波機器の送受信性能を測定する測定箱の構造を開示している。この測定箱は、内面全体に電波吸収体を取り付け、上半部を四角錐体状とし、その頂部に円偏波アンテナを取り付け、このアンテナの指向方向を四角錐体の中心線とほぼ一致させ、アンテナと対向して設けた配置部に被測定小形電波機器を配することによって、測定箱の小形化を図っている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１０−１３２９６号公報
【０００５】
【特許文献２】
特開２００１−１１６７８４号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
非接触型のＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグは、半導体チップ内のメモリ回路に所望のデータを記憶させ、マイクロ波を使ってこのデータを読み取るようにしたタグである。
【０００７】
非接触型タグ用のＩＣインレットは、例えば長方形の絶縁フィルムの一面に接着されたＣｕ箔からなるマイクロ波受信用のアンテナと、ポッティング樹脂で封止された状態で上記アンテナに接続された半導体チップとで構成されているため、薄型で外形寸法も極めて小さいという特長がある。
【０００８】
このＩＣインレットを製造するには、多数のアンテナが所定の間隔で形成された長尺の絶縁フィルムを用意し、この絶縁フィルムに形成された多数のアンテナのそれぞれに半導体チップを接続した後、半導体チップを樹脂封止する。
【０００９】
このような方法で製造されたＩＣインレットの良、不良を選別する検査工程では、絶縁フィルムに形成されたＩＣインレットにリーダ用のアンテナを通じて実使用時と同じ周波数のマイクロ波を照射し、半導体チップに書き込まれたデータの読み出しを行う。
【００１０】
実使用時にＩＣインレットのデータを読み取る際には、リーダ用のアンテナとＩＣインレットの相対的な位置が多少ずれていても確実な読み取りが行えるよう、円偏波のような広域方位性のマイクロ波を発信するアンテナが使用される。ところが、絶縁フィルムに形成されたＩＣインレットに円偏波を照射すると、被検査対象であるＩＣインレット以外のＩＣインレットにもマイクロ波が照射され、ＩＣインレットのアンテナで反射されたマイクロ波が干渉し合うため、精度の高い検査を行うことができない。
【００１１】
他方、絶縁フィルムを切断してＩＣインレットを個片化してから行う方法は、ＩＣインレットの取り扱いが煩雑になるため、現実的な方法ではない。
【００１２】
以下の本願に含まれる各種の発明の目的を要約する。
【００１３】
本発明の目的は、絶縁フィルム上に多数のＩＣインレットが形成された状態で、被検査対象であるＩＣインレットの良、不良を精度よく検査することのできる技術を提供することにある。
【００１４】
本発明の他の目的は、小型ＩＣインレットの製造コストを低減することができる技術を提供することにある。
【００１５】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１７】
本願発明の一つによるＩＣインレットの製造方法は、以下の工程を含んでいる。
（ａ）所定のデータが書き込まれたメモリ回路を有する複数個の半導体チップを半導体ウエハから個片化する工程、
（ｂ）所定周波数の電波を受信する複数のアンテナが互いに分離された状態で形成された絶縁フィルムを用意する工程、
（ｃ）前記絶縁フィルムに形成された前記複数のアンテナのそれぞれに前記半導体チップを接続する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記半導体チップのそれぞれを封止することによって、前記絶縁フィルム上に複数個のＩＣインレットを形成する工程、
（ｅ）前記絶縁フィルム上に形成された前記複数個のＩＣインレットのそれぞれに前記所定周波数の電波を選択的に照射することによって、前記複数個のＩＣインレットの良、不良を検査する工程。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１９】
本願の主な対象であるＩＣインレットの構造、働き、設計、製造、応用等の詳細については、本発明者らの以下の出願に詳述されているので、それらに記載されている点ついては、原則として繰り返さない。すなわち、日本特許出願第２００１−３００８４１号（２００１．９．２８日本出願）およびその対応米国特許出願第１０／２５６０２６号（２００２．９．２７米国出願）、日本特許出願第２００２−２０９６０１号（２００２．７．１８日本出願）、および日本特許出願第２００２−２４７９９０号（２００２．８．２８日本出願）である。
【００２０】
本願においてＩＣインレットは、広義のマスクＲＯＭ（読み出し専用メモリ）等やＥＥＰＲＯＭ（電気的書き換え可能な読み出し専用メモリ）等の情報記憶集積回路素子とそれに接続されたアンテナを含むメモリおよびアンテナ集合体で、原則として、すべての個体には相互に異なる情報が収納されている。ＩＣインレットまたはそれを含むＩＣタグにマイクロ波等（他の波長の電波でもよいが、マイクロ波は取り扱い、到達距離、指向性等の点で有利である）の電波を当てて、ＩＣタグまたはＩＣインレットから出てきた電波を受信して、内部の情報を読み取り、この情報によって、商品の出所、生産者、品質、その他を識別することができる。
【００２１】
本願では、広義のマスクＲＯＭとして、電子線の直接描画によって、ＲＯＭ情報を個体ごとに書き込むことで、個体間で相異なる情報を保持させるようにしたものを中心に説明する。これはマスクによりＲＯＭを書き換えるものに比較して、格段に自由度が高いほか、ターンアラウンドタイムを大幅に削減することができる。
【００２２】
ＥＥＰＲＯＭを使用することも可能である。この場合は、後の必要で書き換えができる等のメリットのある他、マスクの作成が不要、電子線の直接描画等のウエハ工程の必要がなく、最初から直接電気的に情報を書き込めるメリットがある。一方、広義のマスクＲＯＭの場合は、外部から書き換えが不可能なので、情報の信頼性という点で大きな利点を持つ。ただし、フラッシュメモリその他のＥＥＰＲＯＭの場合であっても、情報書き込み後または同時に、書き込み回路を動作しないようにする等の方法（メモリセル自体を書き換え不可とすることもできる）で書き換え不可とすることで、同様の信頼性を確保することができる。
【００２３】
本願では、外部からの電波を受信、整流して、それから給電する電波給電型またはバッテリフリー型のＩＣインレット（固有情報保持メモリおよびアンテナ集合体）を中心に説明するが、本願に含まれる各発明は、電池給電型または自己給電型のＩＣインレットにも適用可能であることは言うまでもない。電波給電型のメリットは、そのサイズの小ささ、および電池がないことによる化学腐食、化学やけど等の電池液漏れ等の問題がないという特徴がある。従って、電波給電型のＩＣインレットはＩＣタグに収納して商品に付する外、直接身につけるものに収納することもできる。ここで、ＩＣタグとは荷札様の薄片でその中にＩＣインレットが収納されているＩＣインレット保有板状体をいう。ＩＣタグ主要部は主に紙、プラスチック、エラストマーシート、導電性部材シートおよびそれらの重ね合わせシートまたは板状物を主要な構成要素とする。
【００２４】
本願のＩＣタグ（以下に説明する補助導波器付きＩＣタグ）、およびＩＣインレットの主な用途としては以下のごとくである。
（１）ＩＣカードの中に組み込み、カードが本物であることを証明する。
（２）入場券、商品券、紙幣の中に直接ＩＣインレット（ＴＣＰタイプが適合する。以下同じ）を組み込むか、入場券等自体をＩＣタグとすることで（さらに補助導波器付きＩＣタグとすると下記の種々のメリットを享受できる。以下同じ）本物であることを証明できるほか、個別の入場券、利用者を特定する等の管理が可能となる。
（３）株券や証券に本物であることを証明できるほか、個別の券、保有者を特定する等の管理が可能となる。
（４）瓶の蓋に取り付けるか組み込みことで、医薬品の取り違え等を防止できる他、危険な薬品の管理等に活用できる。
（５）食料品等に張るラベルに直接ＩＣインレットを組み込むか、それ自体をＩＣタグとすることで、食料品の原産地、銘柄、生産者、原材料等の情報が真正であることを証明することができる。
（６）ブランド品等の素材中に埋め込むか、取り付けることで、真正商品であることを証明することができる。
（７）金属製品に数ミリ程度の絶縁性シート（シートそれ自体をタグ主要部としてもよい）等を介してＩＣインレットまたはＩＣタグを取り付けることによって、金属製品の属性、生産者、真正性を証明できる他、それらの情報を管理利用することができる。特に、金属製品が巨大なものである場合（重くて容易に移動できない等）等に特にメリットがある。
（８）図書館において、本に取り付けて、貸し出し書の管理等に活用できる。
【００２５】
その他広く、商品の小売りにおいて、商品の所属等を証明するために利用することができる。
（９）補助導波器付きＩＣタグは、特に読みとりが困難な場合に有効である。すなわち、読みとり器との距離をとる必要のあるもの、巨大物、堆積状態で利用するもの、電波の方向を変更する必要のあるもの等に有効である。
【００２６】
（実施の形態１）
図１は、本実施の形態のＩＣインレットを示す平面図（表面側）、図２は、図１の一部を拡大して示す平面図、図３は、本実施の形態のＩＣインレットを示す側面図、図４は、本実施の形態のＩＣインレットを示す平面図（裏面側）、図５は、図４の一部を拡大して示す平面図である。
【００２７】
本実施の形態のＩＣインレット１は、細長い長方形の絶縁フィルム２の一面に接着されたＣｕ箔からなるマイクロ波受信用のアンテナ３と、ポッティング樹脂４で封止された状態で上記アンテナ３に接続された半導体チップ５とによって構成されている。このＩＣインレット１の外形寸法は、一例として、長さ＝５３ｍｍ、幅＝２．４ｍｍ、厚さ＝０．６ｍｍであるが、後述するリーダ装置から発信される特定周波数（例えば２．４５ＧＨｚ；波長約１２２ｍｍ）のマイクロ波を効率よく受信できるものであれば、上記の寸法に限定されるものではない。
【００２８】
上記アンテナ３のほぼ中央部には、その一端がアンテナ３の外縁に達する「Ｌ」字状のスリット７が形成されており、このスリット７の中途部には、ポッティング樹脂４で封止された半導体チップ５が実装されている。
【００２９】
図６および図７は、上記スリット７が形成されたアンテナ３の中央部付近を拡大して示す平面図であり、図６はＩＣインレット１の表面側、図７は裏面側をそれぞれ示している。なお、これらの図では、半導体チップ５を封止するポッティング樹脂４の図示を省略してある。
【００３０】
図示のように、スリット７の中途部には、絶縁フィルム２の一部を打ち抜いて形成したデバイスホール８が形成されており、前記半導体チップ５は、このデバイスホール８の中央部に配置されている。すなわち、本実施の形態のＩＣインレット１は、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）構造で構成されている。デバイスホール８の寸法は、例えば縦×横＝０．８ｍｍ×０．８ｍｍであり、半導体チップ５の寸法は、縦×横＝０．４ｍｍ×０．４ｍｍである。
【００３１】
図６に示すように、半導体チップ５の主面上には、例えば４個のＡｕバンプ９（９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ）が形成されている。これらのＡｕバンプ９は、例えば周知の電解メッキ法を用いて形成されたもので、その高さは、例えば１５μｍ程度である。また、これらのＡｕバンプ９のそれぞれには、アンテナ３と一体に形成され、その一端がデバイスホール８の内側に延在するリード１０が接続されている。
【００３２】
上記４本のリード１０のうち、２本のリード１０は、スリット７を挟んで互いに分離された領域の一方からデバイスホール８の内側に延在し、半導体チップ５のＡｕバンプ９ａ、９ｃと電気的に接続されている。また、残り２本のリード１０は、上記領域の他方からデバイスホール８の内側に延在し、半導体チップ５のＡｕバンプ９ｂ、９ｄと電気的に接続されている。
【００３３】
上記半導体チップ５は、厚さ＝０．１５ｍｍ程度の単結晶シリコン基板からなり、その主面には、図８に示すような整流・送信、クロック抽出、セレクタ、カウンタ、ＲＯＭからなる回路が形成されている。前述した４個のＡｕバンプ９（９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ）のうち、例えばＡｕバンプ９ａは、図８に示す回路の入力端子を構成し、Ａｕバンプ９ｂは、ＧＮＤ端子を構成している。また、残り２個のＡｕバンプ９ｃ、９ｄは、上記回路に接続されないダミーのバンプを構成している。ダミーのバンプ（Ａｕバンプ９ｃ、９ｄ）は、Ａｕバンプ９とリード１０の接触面積を増やし、両者の接続信頼性を確保するために設けられている。
【００３４】
上記半導体チップ５に形成されたＲＯＭには、ＩＣインレット１の用途に応じたアプリケーションデータ、ＩＣインレット毎に固有の識別子およびヘッダからなる１２８ビットのデータが書き込まれている。不揮発性半導体メモリの一種であるＲＯＭは、バーコードなどの記憶媒体に比べて記憶容量が大きいという利点がある。また、ＲＯＭに記憶させたデータは、バーコードなどの記憶媒体に比べて不正な改竄が困難であることから、セキュリティの面でも信頼性が高いという利点がある。
【００３５】
なお、上記したＩＣインレット１の構造については、本発明者らによる特願２００２−２４７９９０号にさらに詳細な記載がある。
【００３６】
次に、上記のように構成されたＩＣインレット１の製造方法を図９（全体フロー図）および図１０〜図２６を用いて工程順に説明する。
【００３７】
まず、図１０に示すように、シリコンウエハ１４の主面に区画された多数の半導体チップ（チップ領域）５に周知の半導体製造プロセスを適用することによって、前記図８に示した回路とＡｕバンプ９を形成した後、このシリコンウエハ１４をダイシングして半導体チップ５を分離、個片化する。このとき、本実施の形態では、製造工程を簡略化するために、通常はダイシング前に行っている個々の半導体チップ（チップ領域）５の電気特性検査（プローブ検査）を省略する。あるいは、図に示すように、シリコンウエハ１４の複数箇所にテストチップ５ｔを形成しておき、このテストチップ５ｔの端子（Ａｕバンプ９）にプローブを当てることによって、オープン／ショートの有無、ＲＯＭ機能、電源電圧（Ｖｄｄ）変動マージンなどをチェックする簡易検査のみを実施する。
【００３８】
一方、上記半導体チップ５の作製と並行して、多数のアンテナ３を形成した長尺の絶縁フィルム２を用意する。図１１は、この絶縁フィルム２の平面図、図１２は、図１１の一部を拡大して示す平面図である。
【００３９】
例えば厚さ７５μｍ程度のポリイミド樹脂からなる絶縁フィルム２の一面には、多数のアンテナ３が所定の間隔で形成されている。これらのアンテナ３は、例えば絶縁フィルム２の一面に厚さ１８μｍ程度のＣｕ箔を接着し、フォトリソグラフィ技術を使ってこのＣｕ箔をアンテナ３の形状にパターニングすることによって形成する。このとき、それぞれのアンテナ３に、前述したスリット７およびリード１０を形成し、その後、リード１０の表面にＳｎ（錫）メッキを施す。
【００４０】
また、例えば絶縁フィルム２の表面に第１のＣｕ膜をスパッタリング法で形成し、続いてこのＣｕ膜の表面に電解メッキ法で第２のＣｕ膜を成長させた後、これら第１および第２のＣｕ膜をパターニングすることによって、スリット７およびリード１０を有するアンテナ３を形成してもよい。この方法によれば、厚さが極めて薄いＩＣインレット１を製造することができる。
【００４１】
上記絶縁フィルム２は、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）の規格に従ったもので、例えば幅５０μｍまたは７０ｍｍ、厚さ７５μｍのポリイミド樹脂フィルムからなり、その一部には、前述したデバイスホール８が形成されている。また、絶縁フィルム２の両側部には、ＩＣインレット１の製造ラインで絶縁フィルム２を搬送するためのスプロケットホール２６が所定の間隔で形成されている。デバイスホール８およびスプロケットホール２６は、絶縁フィルム２の一部をパンチで打ち抜くことによって形成される。このようにして製造された長尺の絶縁フィルム２は、図１１に示すように、リール２５に巻き取られてＩＣインレット１の製造ラインに搬送される。
【００４２】
次に、図１３〜図１５に示すように、ボンディングステージ３１とボンディングツール３２とを備えたインナーリードボンダ３０にリール２５を装着し、ボンディングステージ３１の上面に沿って絶縁フィルム２を移動させながら、半導体チップ５をアンテナ３に接続する。
【００４３】
半導体チップ５をアンテナ３に接続するには、図１４（図１３の要部拡大図）に示すように、１００℃程度に加熱したボンディングステージ３１の上に半導体チップ５を搭載し、この半導体チップ５の真上に絶縁フィルム２のデバイスホール８を位置決めした後、デバイスホール８の内側に突出したリード１０の上面に４００℃程度に加熱したボンディングツール３２を押し当て、Ａｕバンプ９（９ａ〜９ｄ）とリード１０を接触させる。このとき、ボンディングツール３２に所定の荷重を２秒程度印加することにより、リード１０の表面に形成されたＳｎメッキとＡｕバンプ９との界面にＡｕ−Ｓｎ共晶合金層が形成され、Ａｕバンプ９とリード１０が互いに接着する。
【００４４】
次に、ボンディングステージ３１の上に別の半導体チップ５を搭載し、続いて絶縁フィルム２をアンテナ３の一ピッチ分だけ移動させた後、上記と同様の操作を行うことによって、この半導体チップ５をアンテナ３に接続する。以後、上記と同様の操作を繰り返すことによって、絶縁フィルム２に形成された全てのアンテナ３に半導体チップ５を１個づつ搭載する。半導体チップ５とアンテナ３の接続作業が完了した絶縁フィルム２は、リール２５に巻き取られて次の樹脂封止工程に搬送される。
【００４５】
図１６、図１７に示すように、樹脂封止工程では、デバイスホール８の内側に実装された半導体チップ５の上面および側面にディスペンサ３３などを使ってポッティング樹脂４を供給し、その後、ポッティング樹脂４を加熱炉内でベークすることにより、半導体チップ５を樹脂封止する。ここまでの工程により、ＩＣインレット１が略完成する。ＩＣインレット１が形成された絶縁フィルム２は、リール２５に巻き取られて次の検査工程に搬送される。
【００４６】
図１８は、ＩＣインレット１の選別を行う検査装置４０の全体構成を示す概略図である。この検査装置４０を前述した樹脂封止工程の後段に設置することにより、半導体チップ５とアンテナ３の接続（チップボンディング）、樹脂封止および検査を同一の製造ラインで一貫して行うことができる。また、検査装置４０を別の独立したラインに設置し、検査作業を半導体チップ５とアンテナ３の接続作業や樹脂封止作業と切り離して行うこともできる。
【００４７】
上記検査装置４０は、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発信するリーダ用のアンテナ４１を備えたリーダ装置４２、穴開け用のパンチ４３、穴開け確認用の第１カメラ４４、マーク印刷用のレーザマーカー４５、外観検査用の第２カメラ４６およびこれらに接続されたデータ収集用のサーバ４７などによって構成されている。
【００４８】
リーダ装置４２は、リーダ用のアンテナ４１を通じて絶縁フィルム２上のＩＣインレット１に実使用状態と同じ周波数（２．４５ＧＨｚ）のマイクロ波を非接触で照射し、半導体チップ５に形成された回路の動作や、半導体チップ５とアンテナ３の接続状態などを検査した後、この検査結果をサーバ４７に送信する。
【００４９】
なお、実使用時にＩＣインレット１のデータを読み取る際には、リーダ用のアンテナとＩＣインレット１の相対的な位置が多少ずれていても確実な読み取りが行えるよう、円偏波のような広域方位性のマイクロ波を発信するアンテナが使用される。一方、上記検査工程では、絶縁フィルム２の表面に狭い間隔で形成された多数のＩＣインレット１のうち、被検査対象となる一個のＩＣインレット１のみにマイクロ波を照射し、隣接する他のＩＣインレット１にマイクロ波が照射されないようにする必要がある。従って、検査工程で使用するリーダ装置４２のアンテナ４１には、直線偏波、より好ましくはダイポールのような指向性の高いマイクロ波を発信するものが使用される。
【００５０】
上記リーダ装置４２を使ったＩＣインレット１の検査は、例えば図１９に示すように、内壁面の全体にマイクロ波吸収体（図示せず）が設けられた暗箱４８の内部で行うことが望ましい。このような暗箱４８の内部でアンテナ４１からＩＣインレット１にマイクロ波を発信することにより、マイクロ波の乱反射を防ぐことができ、かつ外部からの攪乱電波の侵入も防ぐことができるので、ＩＣインレット１を高い精度で検査することができる。
【００５１】
また、被検査対象となる１個のＩＣインレット１のみに選択的にマイクロ波を照射する手段として、例えば図２０に示すように、絶縁フィルム２とアンテナ４１との間に電波吸収板４９を挿入し、この電波吸収板４９に設けたアンテナ３とほぼ同じ大きさの開口寸法を有するスリット５０を通じてＩＣインレット１にマイクロ波を照射するとよい。
【００５２】
また、図２１に示すように、被検査対象以外のＩＣインレット１のアンテナ３に金属などの導電板５１を接触させることによって、アンテナ３の電波反射性能を低下させてもよい。このようにすると、被検査対象以外のＩＣインレット１にマイクロ波が照射された場合でも、被検査対象となるＩＣインレット１のアンテナ３から反射するマイクロ波と他のＩＣインレット１のアンテナ３から反射するマイクロ波の干渉が抑制されるので、ＩＣインレット１の検査精度がさらに向上する。
【００５３】
また、上記リーダ装置４２を使ってＩＣインレット１の検査を行う際は、あらかじめ図２２に示すように、校正用アンテナ５２を備えた電界強度計５３を使ってリーダ用のアンテナ４１から発信されるマイクロ波の強度を測定し、ＩＣインレット１とアンテナ４１との距離や、リーダ装置４２から出力されるマイクロ波の強度を最適化しておくとよい。また、このような作業を定期的に行うことにより、マイクロ波の強度の経時的な変化に起因する検査精度の低下を防止することができる。
【００５４】
また、前記の暗箱４８は、図１９に示した構成に限定されるものではなく、例えば図２３に示すように、リーダ用のアンテナ４１と電波吸収板４９とを格納した暗箱４８の外部に絶縁フィルム２を配置してＩＣインレット１の検査を行うなど、種々の設計変更が可能である。
【００５５】
上記した検査装置４０を使って絶縁フィルム２上のＩＣインレット１を一個ずつ検査した結果、不良と判定されたＩＣインレット１は、図２４に示すように、前記図１８に示した穴開け用のパンチ４３によって穴５４が空けられ、半導体チップ５が取り除かれる。パンチ４３は、リーダ装置４２からサーバ４７に送信された検査データに基づいて、不良と判定されたＩＣインレット１の半導体チップ５のみを打ち抜くように制御されている。このように、不良のＩＣインレット１の半導体チップ５を取り除き、外部に流出させないことにより、半導体チップ５に書き込まれたデータのセキュリティを保障することができる。
【００５６】
上記検査および不良チップの除去が完了した領域の絶縁フィルム２は、第１カメラ４４の下方に送られ、不良チップの除去が確実に行われたか否かが第１カメラ４４によって確認される。そして、第１カメラ４４からサーバ４７に送られたデータに基づき、レーザマーカー４５によって良品のＩＣインレット１の表面のみに品種などのマークが刻印される。
【００５７】
マークの刻印が完了した領域の絶縁フィルム２は、第２カメラ４６によってＩＣインレット１の外観検査に付された後、リール２５に巻き取られる。このようにして、絶縁フィルム２上に形成された全てのＩＣインレット１の検査が連続して行われる。一方、サーバ４７は、ここまでの検査データに基づいて絶縁フィルム２上の全てのＩＣインレット１の良、不良を最終的に決定し、そのデータをサーバ４７に格納する。
【００５８】
ＩＣインレット１の製造元は、サーバ４７に格納された上記検査データに基づき、前記図１０に示したシリコンウエハ１４のアドレスと不良チップとの関係などを調べ、不良原因の解析を行う。また、サーバ４７に格納された検査データは、ＩＣインレット毎に固有のデータ（識別子およびヘッダ）と共にＣＤ−ＲＯＭなどの記憶媒体に書き込まれる。
【００５９】
以上のようにしてＩＣインレット１の製造および検査が完了すると、図２５に示すように、絶縁フィルム２がリール２５に巻き取られた状態で梱包され、検査データが書き込まれたＣＤ−ＲＯＭ２７と共に顧客先に出荷される。
【００６０】
上記ＩＣインレット１を購入したタグメーカなどの顧客は、リール２５に巻き取られた絶縁フィルム２を切断することによって、前記図１〜図５に示すような個片化されたＩＣインレット１を得た後、このＩＣインレット１と他の部材とを組み合わせてタグを作製する。タグメーカは、前記ＣＤ−ＲＯＭ２７に書き込まれたＩＣインレット毎に固有のデータに基づいて、タグの管理を行うことができる。
【００６１】
例えば図２６は、ＩＣインレット１の裏面に両面接着テープなどを貼り付けてタグを作製し、これを伝票３４などの物品の表面に貼り付けた例を示している。ＩＣインレット１は、これを単独で物品の内部に埋め込み、タグとして使用することも可能である。
【００６２】
上記した本実施の形態によれば、ＩＣインレット１の製造から検査および出荷までの一連の工程を、多数のＩＣインレット１が絶縁フィルム２上に形成されたままの状態で連続して行うことが可能となるので、ＩＣインレット１の製造コストを低減することが可能となる。
【００６３】
（実施の形態２）
前記実施の形態１では、絶縁フィルム２上に形成された多数のＩＣインレット１を１個ずつ検査する方法について説明したが、複数個のＩＣインレット１を同時に検査することも可能である。
【００６４】
図２７は、本実施の形態で使用する絶縁フィルム２の一部を示す平面図である。この絶縁フィルム２上には、多数のＩＣインレット１が絶縁フィルム２の送り方向（図の左右方向）に沿って２列に配列されている。これらのＩＣインレット１は、前記実施の形態１のＩＣインレット１に比べて、アンテナ３の長さが半分程度に短縮されている。
【００６５】
図２８は、上記絶縁フィルム２上に形成された多数のＩＣインレット１のうち、２個のＩＣインレット１を同時に検査できるようにした装置の一例である。図に示す装置の暗箱４８には、２台のリーダ装置４２が取り付けてあり、それぞれのリーダ装置４２に接続された２台のアンテナ４１が所定の間隔を置いて暗箱４８の内部に格納されている。また、暗箱４８の内部に送られてくる絶縁フィルム２とアンテナ４１との間には、電波吸収板４９が挿入されている。図２９に示すように、この電波吸収板４９には、ＩＣインレット１のアンテナ３とほぼ同じ大きさのスリット５０が２個設けられている。
【００６６】
上記のような検査装置を使用することにより、暗箱４８に格納された２台のリーダ装置４２の一方のアンテナ４１から発信されたマイクロ波は、電波吸収板４９の一方のスリット５０を通じて一方の列のＩＣインレット１に照射され、他方のアンテナ４１から発信されたマイクロ波は、他方のスリット５０を通じて他方の列のＩＣインレット１に照射されるので、２個のＩＣインレット１を同時に検査することができる。なお、電波吸収板４９に設ける２個のスリット５０が互いに接近していると、２台のアンテナ４１から発信されたマイクロ波同士が干渉する恐れがあるので、２個のスリット５０の間隔は、ある程度離しておくことが望ましい。
【００６７】
また、図３０に示すように、電波吸収板４９にスリット５０を設ける際、スリット５０の中央部の幅を他の部分よりも広くすることにより、ＩＣインレット１の中央部（半導体チップ５が実装された領域）に照射されるマイクロ波の強度が強まるので、検査精度が向上する。この場合は、被検査対象となるＩＣインレット１に隣接するＩＣインレット１の一部にもマイクロ波が照射されるが、隣接するＩＣインレット１に照射されるマイクロ波の強度は極めて弱いので、干渉の影響は無視することができる。
【００６８】
図３１は、円形のアンテナ３を有するＩＣインレット１を絶縁フィルム２の送り方向（図の左右方向）に沿って３列に配列した例である。この場合は、図３２に示すように、電波吸収板４９にアンテナ３とほぼ同じ大きさのスリット５０を３個設け、前記図２８に示す暗箱４８に３台のリーダ装置４２を格納することによって、３個のＩＣインレット１を同時に検査することができる。
【００６９】
このように、絶縁フィルム２上に形成された複数個のＩＣインレット１を同時に検査することにより、検査工程のスループットが向上するので、ＩＣインレット１の製造コストをさらに低減することができる。
【００７０】
（実施の形態３）
前記実施の形態１、２のＩＣインレット１は、縦×横＝０．４ｍｍ×０．４ｍｍ程度の極めて小さい半導体チップ５を使用しているので、アンテナ３の寸法を小さくすることによって、超小型のＩＣインレットを実現することができるという特長がある。
【００７１】
しかし、ＩＣインレットの外形寸法を小さくすると、前記実施の形態１の検査方法では、電波吸収板４９に設けたスリット５０を通じてリーダ装置４２からＩＣインレット１に到達するマイクロ波やその反射波の強度が極めて弱くなるので、たとえダイポールのような指向性の高いマイクロ波を使用したとしても、検査精度が低下してしまう。
【００７２】
本実施の形態では、アンテナ３の外形寸法が極めて小さいＩＣインレット１であっても、高い精度で検査を行うことができる方法について説明する。
【００７３】
図３３は、本実施の形態で使用する検査装置の主要部を示す斜視図、図３４は、この検査装置のガイドレールの一部を示す斜視図、図３５は、ガイドレールを上方から見た平面図、図３６は、図３５のＡ−Ａ線に沿ったガイドレールの断面図、図３７は、図３５のＢ−Ｂ線に沿ったガイドレールの断面図である。
【００７４】
この検査装置６０は、リーダ用のアンテナ６１を備えたリーダ装置６２の上方に、絶縁フィルム２を位置決めするためのガイドレール６３を配置した構成になっている。ガイドレール６３の表面には、前記実施の形態１の電波吸収板４９と同様の機能を有するマイクロ波吸収用の導電板６４が貼り付けてある。導電板６４は、例えば鉄、ステンレス鋼、銅、アルミニウムなどからなる薄い金属板で構成されている。
【００７５】
ガイドレール６３の略中央部には、被検査対象となるＩＣインレット１の外形寸法とほぼ同一の開口寸法を有するスリット６５が形成されている。また、このスリット６５の下部には、リーダ装置６２から発信されるマイクロ波を増幅するアンテナとして機能する導波器６６が設置されている。
【００７６】
図３７に示すように、導波器６６は、ガイドレール６３の上面に対して垂直な方向に配向され、その上端部がスリット６５の内壁に接着または嵌合された状態でガイドレール６３に固定されている。導波器６６は、その上端部から下方（リーダ装置６２に近い方）に向かって次第に長さが短くなった複数の薄い金属板からなるアンテナ６６ａを一定の間隔で並べ、これら複数のアンテナ６６ａを支持板６６ｂによって固定した構造になっている。
【００７７】
上記検査装置６０を使ってＩＣインレット１の検査を行うには、図３８に示すように、多数のＩＣインレット１が所定の間隔で並んだ絶縁フィルム２をガイドレール６３の上面に位置決めし、その一端から他端に沿って移動させる。そして、図３９に示すように、ガイドレール６３の下方に配置したリーダ装置６２のアンテナ６１を通じて絶縁フィルム２上のＩＣインレット１にマイクロ波を発信する。
【００７８】
このようにすると、ガイドレール６３に形成されたスリット６５の下方では、リーダ装置６２から発信されたマイクロ波が導波器６６によって増幅されながらスリット６５に到達するので、スリット６５の真上に位置する被検査対象のＩＣインレット１に強度の高いマイクロ波が集中して照射される。被検査対象のＩＣインレット１に強度の高いマイクロ波を照射するためには、このＩＣインレット１と導波器６６の上端部との距離をできるだけ近接させることが望ましく、両者の距離が離れるほど、ＩＣインレット１に照射されるマイクロ波の強度が低下してしまう。
【００７９】
上記した検査方法によれば、ＩＣインレット１の外形寸法が極めて小さく、従って、これに対応するスリット６５の開口寸法が極めて小さい場合であっても、被検査対象のＩＣインレット１に強度の高いマイクロ波を選択的に照射することができるので、被検査対象のＩＣインレット１に書き込まれたＲＯＭデータを正確に読み取ることが可能となり、絶縁フィルム２に形成されたＩＣインレット１の良否を高い精度で判定することができる。
【００８０】
上記検査装置６０は、ガイドレール６３やリーダ装置６２を前述した暗箱４８内に収容して行ってもよいが、暗箱４８を使用しなくとも高い精度の検査が可能である。
【００８１】
また、本実施の形態の検査装置６０は、外形寸法が比較的大きいＩＣインレット１の検査にも適用できることはもちろんであり、この場合でも、導波器６６を使用しない前記実施の形態１の検査装置４０に比べて、被検査対象のＩＣインレット１とリーダ装置との距離を２〜３倍程度離して検査することが可能となる。
【００８２】
なお、ガイドレール６３に取り付ける導波器６６は、被検査対象であるＩＣインレット１の外形に応じてアンテナ６６ａの形状や数、それらの間隔などが最適化されるので、上記した構造に限定されるものではない。例えば図４０に示すように、薄い紙や樹脂フィルムの表面に金属板からなるアンテナ６６ａを貼り付て導波器６６を構成することもできる。アンテナ６６ａを構成する金属板は、プレス、印刷、エッチングなど各種の方法で製造することができる。また、金属板に代えて、導電性材料からなるワイヤ、繊維糸などを使ってアンテナ６６ａを構成することもできる。
【００８３】
（実施の形態４）
図４１は、前記実施の形態１のＩＣインレット１を取り付けたＩＤ（Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグなどのＲＯＭデータを読み取るＩＤタグリーダ７０の概略構成図である。
【００８４】
このＩＤタグリーダ７０が収容されたボックス７１の上面に設けられた測定部７２の下部近傍には、前記実施の形態３で説明した導波器６６が取り付けられている。図４２に示すように、例えばＩＤタグ７３に取り付けたＩＣインレット１のＲＯＭデータを読み取る際は、ＩＤタグ７３を測定部７２に近づけるが、このとき測定部７２の下部近傍に導波器６６が取り付けられていると、ＩＤタグリーダ７０から発信されたマイクロ波が導波器６６によって増幅されるため、測定部７２からＩＤタグ７３までの距離やＩＤタグ７３の傾きなどにばらつきが生じても正確な読み取りが可能となるので、ＲＯＭデータの読み取り作業を迅速かつ正確に行うことができる。
【００８５】
また、図４３に示すように、ＩＤタグリーダ７０側に導波器６６を取り付ける手段に代えて、ＩＤタグ７３側に導波器６６を設けてもよく、この場合も、測定部７２からＩＤタグ７３までの距離やＩＤタグ７３の傾きなどにばらつきが生じても正確な読み取りが可能となる。
【００８６】
図４４は、連続して搬送されてくる多数の物品７４の表面に貼り付けられたＩＣインレット１のＲＯＭデータを順次読み取る方法の一例を示すものであり、この場合も、読み取り対象となる一個の物品７４の近傍に導波器６６を配置することにより、リーダ装置７０から発信されたマイクロ波が導波器６６によって増幅されるため、物品７４の形状が球面体や凹凸の有る不規則な形状であっても、ＲＯＭデータの読み取り作業を迅速かつ正確に行うことができる。
【００８７】
また、図４５、図４６に示すように、導波器６６のアンテナを金属製の丸棒７５や中空のパイプ７６で構成し、これをＩＣインレット１と共に物品の内部に埋め込んで使用することもできる。
【００８８】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００８９】
前記実施の形態１のＩＣインレットは、ポリイミド樹脂からなる絶縁フィルム２に貼り付けたＣｕ箔を使ってアンテナ３を構成したが、例えば絶縁フィルム２の一面に貼り付けたＡｌ（アルミニウム）箔を使ってアンテナ３を構成したり、絶縁フィルム２をポリイミド樹脂よりも安価な樹脂（例えばポリエチレンテレフタレートなど）で構成したりすることによって、ＩＣインレット１の製造原価を低減することができる。アンテナ３をＡｌ箔で構成した場合、半導体チップ５のＡｕバンプ（９ａ〜９ｄ）とアンテナ３との接続は、例えば超音波と加熱を併用したＡｕ／Ａｌ接合の形成によって行うことが好ましい。
【００９０】
前記実施の形態１〜３では、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）構造のＩＣインレットについて説明したが、例えば図４７に示すように、デバイスホール８を有しない絶縁フィルム１２の一面にアンテナ３およびリード１０を一体形成し、このリード１０に半導体チップ５の端子（Ａｕバンプ９ａ、９ｂ）を接続するＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）構造を採用してもよい。この場合は、リード１０と端子（Ａｕバンプ９ａ、９ｂ）を接続した後、図４８に示すように、リード１０と端子（Ａｕバンプ９ａ、９ｂ）の隙間にアンダーフィル樹脂１３を充填する。
【００９１】
図４５に示すＣＯＦ構造のＩＣインレットは、ＴＣＰ構造のＩＣインレットに比べてリード１０と端子（Ａｕバンプ９ａ、９ｂ）の接続を確実に行うことができるので、両者の接続信頼性が高く、ダミーバンプ（９ｃ、９ｄ）を省略することも可能である。但し、絶縁フィルム１２の裏面側からリード１０と端子（Ａｕバンプ９ａ、９ｂ）の接続部を視認できないので、外観検査の方法に工夫が必要となる。また、リード１０と端子（Ａｕバンプ９ａ、９ｂ）の極めて狭い隙間にアンダーフィル樹脂１３を確実に充填するための工夫が必要となる。
【００９２】
また、本発明者らによる特願２００１−３００８４１号、特願２００２−２０９６０１号に記載されたＩＣインレットのように、アンテナをリードフレームで構成し、半導体チップとアンテナをボンディングワイヤで接続したＩＣインレットに適用することもできる。この場合は、複数のアンテナがリードフレームの枠体によって互いに接続されているので、まず、リードフレームを絶縁フィルムに貼り付けた後、リードフレームの枠体を切断することによって、アンテナ同士を分離し、その後、前記実施の形態で説明した方法で検査を行えばよい。
【００９３】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００９４】
絶縁フィルムに形成された多数のＩＣインレットのうち、被検査対象となるＩＣインレットのみに選択的にマイクロ波を照射することにより、ＩＣインレットを個片化することなく効率的に検査することが可能となる。
【００９５】
また、被検査対象となるＩＣインレットの近傍に、マイクロ波を増幅するアンテナとして機能する導波器を設置することにより、検査精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態であるＩＣインレットを示す平面図（表面側）である。
【図２】図１の一部を拡大して示す平面図である。
【図３】本発明の一実施の形態であるＩＣインレットを示す側面図である。
【図４】本発明の一実施の形態であるＩＣインレットを示す平面図（裏面側）である。
【図５】図４の一部を拡大して示す平面図である。
【図６】本発明の一実施の形態であるＩＣインレットの要部拡大平面図（表面側）である。
【図７】本発明の一実施の形態であるＩＣインレットの要部拡大平面図（裏面側）である。
【図８】本発明の一実施の形態であるＩＣインレットに実装された半導体チップの回路ブロック図である。
【図９】本発明の一実施の形態であるＩＣインレットの製造方法を示すフロー図である。
【図１０】本発明の一実施の形態であるＩＣインレットの製造方法を示す半導体ウエハの平面図である。
【図１１】本発明の一実施の形態であるＩＣインレットの製造方法を示す絶縁フィルムの平面図である。
【図１２】図１１の一部を拡大して示す平面図である。
【図１３】本発明の一実施の形態であるＩＣインレットの製造工程の一部（半導体チップとアンテナの接続工程）を示すインナーリードボンダの概略図である。
【図１４】図１３に示すインナーリードボンダの要部を拡大して示す概略図である。
【図１５】本発明の一実施の形態であるＩＣインレットの製造工程の一部（半導体チップとアンテナの接続工程）を示す絶縁フィルムの要部拡大平面図である。
【図１６】本発明の一実施の形態であるＩＣインレットの製造工程の一部（半導体チップの樹脂封止工程）を示す概略断面図である。
【図１７】本発明の一実施の形態であるＩＣインレットの製造工程の一部（半導体チップの樹脂封止工程）を示すを示す絶縁フィルムの要部拡大平面図である。
【図１８】本発明の一実施の形態であるＩＣインレットの検査装置の全体構成を示す概略図である。
【図１９】図１８に示す検査装置の一部（暗箱）を示す概略図である。
【図２０】本発明の一実施の形態であるＩＣインレットの検査方法を示す斜視図である。
【図２１】本発明の一実施の形態であるＩＣインレットの検査方法を示す斜視図である。
【図２２】本発明の一実施の形態であるＩＣインレットの検査方法を示す斜視図である。
【図２３】本発明の他の実施の形態であるＩＣインレットの検査装置の一部（暗箱）を示す概略図である。
【図２４】本発明の一実施の形態であるＩＣインレットの検査方法を示す絶縁フィルムの要部拡大平面図である。
【図２５】本発明の一実施の形態によって製造されたＩＣインレットの出荷方法を示す説明図である。
【図２６】本発明の一実施の形態によって製造されたＩＣインレットの使用方法を示す説明図である。
【図２７】本発明の他の実施の形態であるＩＣインレットの検査方法を示す絶縁フィルムの要部拡大平面図である。
【図２８】本発明の他の実施の形態であるＩＣインレットの検査装置の一部（暗箱）を示す概略図である。
【図２９】本発明の他の実施の形態であるＩＣインレットの検査方法を示す絶縁フィルムの要部拡大平面図である。
【図３０】本発明の他の実施の形態であるＩＣインレットの検査方法を示す絶縁フィルムの要部拡大平面図である。
【図３１】本発明の他の実施の形態であるＩＣインレットの検査方法を示す絶縁フィルムの要部拡大平面図である。
【図３２】本発明の他の実施の形態であるＩＣインレットの検査方法を示す絶縁フィルムの要部拡大平面図である。
【図３３】本発明の他の実施の形態で使用する検査装置の主要部を示す斜視図である。
【図３４】図３３に示す検査装置のガイドレールの一部を示す斜視図である。
【図３５】図３３に示す検査装置のガイドレールを上方から見た平面図である。
【図３６】図３５のＡ−Ａ線に沿ったガイドレールの断面図である。
【図３７】図３５のＢ−Ｂ線に沿ったガイドレールの断面図である。
【図３８】本発明の他の実施の形態であるＩＣインレットの検査方法を示す説明図である。
【図３９】本発明の他の実施の形態であるＩＣインレットの検査方法を示す説明図である。
【図４０】図３３に示す検査装置に取り付ける導波器の他の例を示す斜視図である。
【図４１】本発明の他の実施の形態であるＩＤタグリーダの概略構成図である。
【図４２】図４１に示すＩＤタグリーダを使ったデータの読み取り方法を示す説明図である。
【図４３】ＩＤタグリーダを使ったデータの読み取り方法の他の例を示す説明図である。
【図４４】本発明の他の実施の形態である物品のデータ読み取り方法を示す説明図である。
【図４５】ＩＣインレットのデータ読み取りに使用する導波器の他の例を示す斜視図である。
【図４６】ＩＣインレットのデータ読み取りに使用する導波器の他の例を示す斜視図である。
【図４７】本発明の他の実施の形態であるＩＣインレットの製造方法を示す断面図である。
【図４８】本発明の他の実施の形態であるＩＣインレットの製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
１  ＩＣインレット
２  絶縁フィルム
３  アンテナ
４  ポッティング樹脂
５  半導体チップ
５ｔ  テストチップ
６  カバーフィルム
７  スリット
８  デバイスホール
９、９ａ、９ｂ  Ａｕバンプ
９ｃ、９ｄ  ダミーバンプ
１０  リード
１２  絶縁フィルム
１３  アンダーフィル樹脂
２５  リール
２６  スプロケットホール
２７  ＣＤ−ＲＯＭ
３０  インナーリードボンダ
３１  ボンディングステージ
３２  ボンディングツール
３３  ディスペンサ
３４  伝票
４０  検査装置
４１  アンテナ
４２  リーダ装置
４３  パンチ
４４  第１カメラ
４５  レーザマーカー
４６  第２カメラ
４７  サーバ
４８  暗箱
４９  電波吸収板
５０  スリット
５１  導電板
５２  校正用アンテナ
５３  電界強度計
５４  穴
６０  検査装置
６１  アンテナ
６２  リーダ装置
６３  ガイドレール
６４  導電板
６５  スリット
６６  導波器
６６ａ  アンテナ
６６ｂ  支持板
７０  ＩＤタグリーダ
７１  ボックス
７２  測定部
７３  ＩＤタグ
７４  物品
７５  丸棒
７６  パイプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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