(57)【要約】【課題】ケイ素化合物膜を下地膜とした高融点金属膜をエッチングする場合において、サイドエッチングを生じさせずに下地の酸化ケイ素膜に対する高融点金属膜のエッチング選択比が大きいエッチング方法を提供する。【解決手段】本発明にかかるドライエッチング方法は、エッチングガスとして少なくともＳＦ６、Ｃｌ２、Ｏ２を用い、ＳＦ６とＣｌ２との流量比をＳＦ６：Ｃｌ２＝１：１〜２：１、総流量に対するＯ２流量比を３０％〜４０％とし、被エッチング物としてケイ素化合物膜１２を下地膜とした高融点金属化合物膜１３を用いることを特徴とする。また、エッチングガスは、マイクロ波を用いて励起されることが好ましい。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチングガスとして、少なくともＳＦ６、Ｃｌ２、Ｏ２を用い、ＳＦ６とＣｌ２との流量比をＳＦ６：Ｃｌ２＝１：１〜２：１、総流量に対するＯ２流量比を３０％〜４０％とし、
被エッチング物としてケイ素化合物膜を下地膜とした高融点金属化合物膜を用いることを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項２】
マイクロ波を用いてエッチングガスを励起することを特徴とする請求項１に記載のドライエッチング方法。
【請求項３】
高融点金属化合物膜が、金属元素として少なくともＷ、Ｔａ、Ｔｉのいずれかを含む請求項１または請求項２に記載のドライエッチング方法。
【請求項４】
高融点金属化合物膜が、金属以外の元素として少なくともＣ、Ｓｉ、Ｂ、Ｎのいずれかを含む請求項３に記載のドライエッチング方法。
【請求項５】
基板バイアス電力密度を６．０Ｗ／ｍ２以下とすることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載のドライエッチング方法。
【請求項６】
マイクロ波励起周波数が２ＧＨｚ〜３ＧＨｚであることを特徴とする請求項２〜請求項４のいずれかに記載のドライエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の微細加工に用いるドライエッチング方法に関し、より詳しくは、金属化合物膜ならびに金属化合物膜とケイ素化合物膜との積層膜をエッチングするドライエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子の高集積化が進むにつれて、半導体素子を構成する微細パターンの線幅は減少しつつある。しかし、線幅の減少は、特に導電層パターンにおける抵抗を増大させて作動速度を低下させるなどの問題を引き起こす。したがって、近年は、ゲート電極またはビットラインなどの導電層の抵抗を減らすために、ポリシリコン膜および高融点を有する金属膜もしくは金属シリサイド膜の積層膜を用いている。
【０００３】
一方、絶縁表面を有する基板上に形成された厚さが数ｎｍから数百ｎｍ程度の半導体薄層を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する技術が注目されている。ＴＦＴはＩＣまたは電気光学装置のような電子デバイスに広く利用され、特に画像表示装置のスイッチング素子として実用化されている。
【０００４】
従来、ＴＦＴの配線材料には、加工のしやすさ、電気抵抗率の低さなどから、アルミニウム（Ａｌ）が用いられている。しかし、ＡｌをＴＦＴの配線に用いた場合、熱処理によるヒロックまたはウィスカーなどの突起物の形成ならびにＡｌ原子のチャネル形成領域への拡散により、ＴＦＴの作動不良または特性低下を引き起こしていた。そのため、ＡｌにＳｉ、Ｃｕなどを添加したり、高融点金属をキャップ層として用いたりする他、プロセスの低温化が図られてきている。
【０００５】
しかし、高温を要するプロセスもあり、Ａｌ以外の配線材料としては、バルクの比抵抗率が低く、高融点の材料が望まれる。かかる材料として、たとえばタングステン（Ｗ）（バルク比抵抗率は５．５μΩ・ｃｍ、融点は３４００℃）が挙げられる。
【０００６】
また、液晶ディスプレイにおいても、半導体素子における微細加工技術と同様に、高精度化および大画面化に伴い、配線の加工工程において、厳しい線幅の制御とともに高いエッチング選択比が求められている。特に、配線の微細加工が進むにつれて、ゲート電極などの配線材料として用いられているＡｌまたはＷなどの導電層とＳｉＯ２などのゲート絶縁層との更なる高選択比を実現するプロセスが求められている。
【０００７】
たとえば、Ｗ膜およびその下地のゲート酸化膜の２層膜の部分と、一部下地のゲート酸化膜が露出した部分とが存在する基板において、Ｗ膜厚を３００ｎｍ、ゲート酸化膜を５０ｎｍとすると、露出したゲート酸化膜を完全にエッチングするまでにＷ膜を完全にエッチングするためには、エッチング選択比Ｗ／ＳｉＯ２は６以上が必要である。
【０００８】
一般に、配線の加工は、溶液を用いるウェットエッチングまたはプラズマ励起されたガスを用いるドライエッチングにより行なうことができるが、配線の微細化、再現性確保、廃棄物の削減およびコスト低減などの観点から、ドライエッチングが主流になると考えられる。
【０００９】
Ｗなどの高融点材料をドライエッチングする場合、ドライエッチングガスとしては、ＳＦ６ガスとＣｌ２ガスとの混合ガスを用いることが提案されている（たとえば、特許文献１参照。）。
【００１０】
特許文献１に開示されているように、図１０に、ケイ素基板上に形成したＷ膜をフォトレジストを用いて反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）をする従来の工程図を示す。かかる工程は、図１０（ａ）に示すように、ケイ素基板１０１上に厚さ３００ｎｍのタングステン（Ｗ）膜１０２を直流スパッタリングにより堆積した後、タングステン（Ｗ）膜１０２上に厚さ１．０μｍのフォトレジスト膜１０３を塗布する。次に、図１０（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜１０３をステッパーなどを用いてＵＶ照射し、図１０（ｃ）に示すように、所望のサイズにパターニングした後、図１０（ｄ）に示すように、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行うというものである。
【００１１】
特許文献１には、エッチングガスとしてはＳＦ６ガスとＣｌ２ガスとの混合ガスを用い、ＲＩＥ用装置としては放電励起周波数が１３．５６ＭＨｚの平行平板型装置を用い、該エッチング方法を用いることによって、タングステン（Ｗ）膜１０２にサイドエッチングが生じることがない異方性形状を得ることが可能であると記載されている。また、塩素系ガスを用いずにフッ素系ガスを用いるとレジスト下部パターンへのサイドエッチングが発生することも報告されている。
【００１２】
一方、タングステン（Ｗ）膜を全面エッチバックしてコンタクトプラグを形成する方法が提案されている（たとえば、特許文献２参照。）。
【００１３】
特許文献２に開示されているように、図１１に、タングステン（Ｗ）膜を全面エッチバックしてコンタクトプラグを形成する従来の工程図を示す。図１１（ａ）に示すように、ケイ素基板上の酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜１１１に形成されたコンタクトホール１１２の内壁にＴｉＮ、ＴｉＷなどの耐熱性金属膜１１３を成膜し、さらに該プラグ用孔が埋まるまで全面にタングステン（Ｗ）膜１１４を形成する。次に、図１１（ｂ）に示すように、ナローギャップ型ドライエッチング装置を用いて、タングステン（Ｗ）膜１１４の全厚さの７０％のエッチングを行なう。その際のエッチングガスとしてＳＦ６、Ｏ２、Ｈｅなどを用いる。さらに、図１１（ｃ）に示すように、同様のエッチング装置を用いて残りのタングステン（Ｗ）膜１１４をエッチングし、コンタクトホール１１２を表面に露出させる。その際のエッチングガスとしてＳＦ６、Ｃｌ２、Ｈｅなどを用いる。最後に、図１１（ｄ）に示すように、ＣｌとＨｅの混合ガスを用いてタングステン（Ｗ）膜１１４の下層膜である耐熱性金属膜１１３をエッチングしてコンタクトプラグを形成するというものである。
【００１４】
【特許文献１】
特開平２−３４９２０号公報
【００１５】
【特許文献２】
特開平３−１６１９３０号公報
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特許文献１におけるタングステン（Ｗ）膜をエッチングする方法のようなエッチング条件では、ＷのＳｉＯ２に対する選択比は２倍〜５倍程度であり、ゲート酸化膜上に成膜したタングステンなどの金属膜をエッチングする際に、下地の酸化膜をオーバーエッチングするという弊害を引き起こす。また、半導体装置のさらなる特性向上には、ゲート酸化膜のさらなる薄膜化が必要であるが、かかる薄膜化によりＷとＳｉＯ２の高選択比が求められる。
【００１７】
また、特許文献２におけるエッチング方法では、図１１（ｂ）に示される第１段階目のエッチングのエッチングガスに、フッ素系ガスによるサイドエッチングを抑制するための塩素系ガスを含んでいないため、タングステン（Ｗ）膜のサイドエッチングが生じやすく、寸法制御が困難で安定性にかけるという問題がある。
【００１８】
上記弊害または問題を解決するために、本発明は、ケイ素化合物膜を下地膜とした高融点金属化合物膜をエッチングする場合において、サイドエッチングを生じさせずに下地のケイ素化合物膜に対する高融点金属化合物膜のエッチング選択比が大きいエッチング方法を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明にかかるドライエッチング方法は、エッチングガスとして、少なくともＳＦ６、Ｃｌ２、Ｏ２を用い、ＳＦ６とＣｌ２との流量比をＳＦ６：Ｃｌ２＝１：１〜２：１、総流量に対するＯ２流量比を３０％〜４０％とし、被エッチング物としてケイ素化合物膜を下地膜とした高融点金属化合物膜を用いることを特徴とする。ここで、マイクロ波を用いてエッチングガスを励起することが好ましく、マイクロ波励起周波数が２ＧＨｚ〜３ＧＨｚであることがさらに好ましい。また、高融点金属化合物膜が金属元素として少なくともＷ、Ｔａ、Ｔｉのいずれかを含み、金属以外の元素を含む場合には金属以外の元素として少なくともＣ、Ｓｉ、Ｂ、Ｎのいずれかを含むことが好ましい。また、基板バイアス電力密度を６．０Ｗ／ｍ２以下とすることが好ましい。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明にかかるドライエッチング方法は、エッチングガスとして、少なくともＳＦ６、Ｃｌ２、Ｏ２を用い、ＳＦ６とＣｌ２との流量比をＳＦ６：Ｃｌ２＝１：１〜２：１、総流量に対するＯ２流量比を３０％〜４０％とし、被エッチング物としてケイ素化合物膜を下地膜とした高融点金属化合物膜を用いることを特徴とする。かかるエッチング条件を採用することにより、サイドエッチングを生じさせずに下地のケイ素化合物膜に対する高融点金属化合物膜のエッチング選択比を従来以上に向上させることができるからである。
【００２１】
本発明にかかるドライエッチング方法の実施の形態について、図面に基づいて説明する。図１は、本発明にかかるエッチング方法を説明するための素子基板断面の概略図である。図１に示すように、該素子基板は、基板１１表面上に絶縁膜としてケイ素化合物膜１２が、ケイ素化合物膜１２表面上に導電膜として高融点金属化合物膜１３が積層された構造を有する。ここで、ケイ素化合物膜１２は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘもしくはＳｉＯＮなどの絶縁性のケイ素化合物からなり、スパッタリング法または化学気相成長法（ＣＶＤ）を用いて形成される。高融点金属化合物膜１３は、Ｔａ、ＴｉまたはＷなどの高融点金属またはそれらの高融点金属とＣ、Ｓｉ、ＢまたはＮとの化合物からなり、スパッタリング法を用いて膜厚４００ｎｍ程度に形成される。さらに、該素子の全面にフォトレジスト膜１４を塗布し、該レジストを１００℃〜１５０℃でベーキングを行ない、次いでステッパーを用いてパターニングを行なった後に、ドライエッチングを行なう。
【００２２】
ドライエッチングを行なう方法は、特に制限はなく、円筒型、平行平板型またはマイクロ波型の各種のドライエッチング装置を用いることができる。これらの中で、マイクロ波を用いてエッチングガスを励起することを特徴とするマイクロ波型エッチング装置を用いることが好ましい。マイクロ波型の場合、プラズマ励起箇所がチャンバー上部に設けられた誘電体付近であるため、基板付近で加速されるイオン量が他の型のものに比べて少ないことから、被エッチング物のイオンダメージが少なく、基板上に形成された半導体素子の性能劣化が軽減されるからである。
【００２３】
図２に、本発明の一の実施形態に関わるマイクロ波型エッチング装置の概略図を示す。マイクロ波型エッチング装置は、チャンバー２５の上部にガス供給機構２４およびマイクロ波導入窓２２が設けられており、ガス供給機構２４から供給されたエッチングガスを、マイクロ波導入窓２２から導入されたマイクロ波によってプラズマ化させ、かかるプラズマを用いてチャンバー２５内部に設置された下部電極２３上に置かれた半導体素子２１をエッチングする装置である。
【００２４】
かかるマイクロ波型エッチング装置を用いて、エッチングガスにはＳＦ６、Ｃｌ２、Ｏ２およびＡｒを用いて、図１において絶縁膜であるケイ素化合物膜１２としてＳｉＯ２を、導電膜である高融点金属化合物１３としてＷを用いた積層膜を被エッチング物として、エッチング条件の検討を行なった。
【００２５】
図３に、Ｃｌ２／（ＳＦ６＋Ｃｌ２）流量比に対するＷ単膜もしくはＳｉＯ２単膜のエッチング速度またはＷ／（ＳｉＯ２）選択比の関係を示す。また、図３上部にＳＦ６流量とＣｌ２流量の比（ＳＦ６流量：Ｃｌ２流量）を示す。ここで、Ｏ２流量は５６ｓｃｃｍ（標準ｃｍ３／ｍｉｎ）に、Ａｒ流量は１１３ｓｃｃｍに固定した。なお、ガス圧はいずれも２．０Ｐａとした。ＳＦ６流量：Ｃｌ２流量を２：１から１：１にすると、ＷとＳｉＯ２両者のエッチング速度は低下したが、ＳｉＯ２のエッチング速度の低下率が大きいためＷ／ＳｉＯ２選択比は大きくなった。さらに、ＳＦ６流量：Ｃｌ２流量を１：２とすると、Ｗ膜表面に反応性生物が析出したため、Ｗのエッチング速度を測定することができなかった。したがって、図３においては、ＳＦ６流量：Ｃｌ２流量が１：１のときにＷ／ＳｉＯ２選択比は最大値５．３となった。
【００２６】
図４に、Ｏ２／（ＳＦ６＋Ｃｌ２＋Ｏ２）流量比に対するＷ単膜もしくはＳｉＯ２単膜のエッチング速度またはＷ／（ＳｉＯ２）選択比の関係を示す。ここで、Ａｒ流量は１１３ｓｃｃｍに固定した。なお、ガス圧はいずれも２．０Ｐａとした。また、基板バイアス電力は０Ｗ（電力密度：０Ｗ／ｍ２）とした。Ｏ２流量比率が３０％から０％に低下すると、ＳｉＯ２のエッチング速度は増大、Ｗのエッチング速度は減少して、Ｗ／ＳｉＯ２選択比は低下した。
【００２７】
図５に、基板バイアス電力を５００Ｗ（電力密度：３０．２Ｗ／ｍ２）としたときのＯ２／（ＳＦ６＋Ｃｌ２＋Ｏ２）流量比に対するＷ単膜もしくはＳｉＯ２単膜のエッチング速度またはＷ／（ＳｉＯ２）選択比の関係を示す。ここで、Ａｒ流量は１１３ｓｃｃｍに固定した。なお、ガス圧はいずれも２．０Ｐａとした。Ｏ２流量比率が４０％以下ではＷのエッチング速度がほとんど低下しない（２５０〜３００ｎｍ／ｍｉｎ）のに対し、Ｏ２流量比率が５０％になるとＷのエッチング速度は１８０ｎｍ／ｍｉｎと急激に低下した。
【００２８】
図４および図５から、従来に比べ高いＷ／（ＳｉＯ２）選択比を発現するＯ２流量比率は、３０％〜４０％であることがわかる。また、図３〜図５の検討において、ＳＦ６とＣｌ２の流量比を１：１とし、ＳＦ６、Ｃｌ２およびＯ２の総流量に対するＯ２流量比率を３０％とし、基板バイアス電力を０Ｗとすることにより、Ｗ／（ＳｉＯ２）選択比５．３を得た。
【００２９】
図６に、ＳＦ６、Ｃｌ２およびＯ２の総流量に対するＷ単膜もしくはＳｉＯ２単膜のエッチング速度またはＷ／（ＳｉＯ２）選択比の関係を示す。ここで、ＳＦ６流量：Ｃｌ２流量は１：１、ＳＦ６、Ｃｌ２およびＯ２の総流量に対するＯ２流量比率は３０％、Ａｒ流量は５０〜６０ｓｃｃｍとした。なお、ガス圧はいずれも２．０Ｐａとした。また、基板バイアス電力は印加しなかった（０Ｗ）。ＳＦ６、Ｃｌ２およびＯ２の総流量の増加に伴い、Ｗのエッチング速度は単調に増大したのに対し、ＳｉＯ２のエッチング速度はほぼ一定であったため、Ｗ／（ＳｉＯ２）選択比が増大した。ＳＦ６、Ｃｌ２およびＯ２の総流量を３００ｓｃｃｍまで増加させることにより、Ｗ／（ＳｉＯ２）選択比＝６．０という高い選択比が得られた。ＳＦ６、Ｃｌ２およびＯ２の総流量をさらに増加させることにより、６．０以上の高Ｗ／（ＳｉＯ２）選択比を得ることが予想される。
【００３０】
図７に、Ａｒガス流量に対するＷ単膜もしくはＳｉＯ２単膜のエッチング速度またはＷ／（ＳｉＯ２）選択比の関係を示す。ここで、ＳＦ６、Ｃｌ２およびＯ２の総流量は３００ｓｃｃｍであり、ＳＦ６流量：Ｃｌ２流量：Ｏ２流量＝１：１：０．９で、ガス圧はいずれも２．０Ｐａであった。また、基板バイアスは印加しなかった（０Ｗ）。Ａｒ流量量を６５ｓｃｃｍから１１３ｓｃｃｍに変化させると、Ｗ／（ＳｉＯ２）選択比は４．５から５．２に上昇した。
【００３１】
図８に、基板バイアス電力に対するＷ単膜もしくはＳｉＯ２単膜のエッチング速度またはＷ／（ＳｉＯ２）選択比の関係を示す。ここで、ＳＦ６流量：Ｃｌ２流量＝１：１、ＳＦ６、Ｃｌ２およびＯ２の総流量に対するＯ２総流量は３０％、Ａｒ流量は１１３ｓｃｃｍであった。基板バイアス電力を、０Ｗ（電力密度：０Ｗ／ｍ２）、１００Ｗ（電力密度：６．０Ｗ／ｍ２）、５００Ｗ（電力密度：３０．２Ｗ／ｍ２）と変化させると、Ｗのエッチング速度は低下しＳｉＯ２のエッチング速度は増大したため、Ｗ／（ＳｉＯ２）選択比は低下した。図８から、従来に比べ高いＷ／ＳｉＯ２選択比を満たす基板バイアス電力は１００Ｗ（電力密度は６．０Ｗ／ｍ２）以下であることがわかる。
【００３２】
図９に、電極間距離に対するＷ単膜もしくはＳｉＯ２単膜のエッチング速度またはＷ／（ＳｉＯ２）選択比の関係を示す。ここで、ＳＦ６流量：Ｃｌ２流量＝１：１、ＳＦ６、Ｃｌ２およびＯ２の総流量に対するＯ２総流量は３０％、Ａｒ流量は５０ｓｃｃｍ、ガス圧はいずれも２．０Ｐａであった。電極間距離を２２０ｎｍから３００ｎｍに拡張するとＷのエッチング速度が増大しＳｉＯ２のエッチング速度が低下するためＷ／（ＳｉＯ２）選択比は増大し、さらに電極間距離を３００ｎｍから４５０ｎｍに拡張すると基板に到達する活性種（イオン、ラジカル）の総量が低下するためＷ／（ＳｉＯ２）選択比は低下した。図９から、従来に比べ高いＷ／ＳｉＯ２選択比を満たす電極間距離は２５０ｎｍ〜３５０ｎｍであることがわかる。
【００３３】
図３〜図９の検討において、ＳＦ６とＣｌ２の流量比を１：１とし、ＳＦ６、Ｃｌ２およびＯ２の総流量に対するＯ２総流量を３０％、ＳＦ６、Ｃｌ２およびＯ２の総流量を３００ｓｃｃｍ、基板バイアス電力を０Ｗとすることにより、Ｗ／（ＳｉＯ２）選択比が６．０に向上した。
【００３４】
また、上記の本発明の実施形態において、従来以上のＷ／（ＳｉＯ２）選択比が５．０以上のエッチング条件においては、いずれの場合もサイドエッチングは生じなかった。高Ｗ／（ＳｉＯ２）選択比に加えて、エッチングガス中にＣｌ２が含まれていることによりＷのエッチング面に保護膜が形成され、オーバーエッチに対するサイドエッチングを低減したためと考えられる。
【００３５】
本発明にかかるドライエッチング方法において、被エッチング物であるケイ素化合物膜を下地膜とした高融点金属化合物膜が、金属元素として少なくともＷ、Ｔａ、Ｔｉのいずれかを含むことが好ましい。これらの金属元素が含有されていることにより特性に優れた高融点金属化合物膜が形成されるからである。
【００３６】
また、上記高融点金属化合物膜が、さらに金属以外の元素としてＣ、Ｓｉ、Ｂ、Ｎのいずれかを含むことがさらに好ましい。Ｗ、Ｔａ、Ｔｉなどの高融点金属とＣ、Ｓｉ、Ｂ、Ｎなどの元素の組み合わせにより効率良く半導体素子を形成することができるからである。
【００３７】
本発明におけるドライエッチング方法において、基板バイアス電力密度を６．０Ｗ／ｍ２以下とすることは、Ｗ／（ＳｉＯ２）選択比を向上させる観点から、好ましい。
【００３８】
また、ドライエッチング方法として、マイクロ波を用いてエッチングガスを励起することを特徴とするマイクロ波型エッチング装置を用いる場合は、マイクロ波励起周波数が２ＧＨｚ〜３ＧＨｚであることが好ましい。かかる周波数帯で励起したプラズマは、ガス圧、投入パワーなどのパラメーターを調節することにより、幅広いプロセス制御ができるからである。また、かかる周波数帯で励起されたプラズマによるエッチング処理ではサイドエッチは生じなかった。
【００３９】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明でなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内のすべての変更が含まれることが意図される。
【００４０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、エッチングガスとして、少なくともＳＦ６、Ｃｌ２、Ｏ２を用い、ＳＦ６とＣｌ２との流量比がＳＦ６：Ｃｌ２＝１：１〜２：１、総流量に対するＯ２流量比が３０％〜４０％のエッチング条件を用いることにより、タングステン（Ｗ）などの高融点金属膜のドライエッチング方法において、サイドエッチングが発生せず、下地膜に用いられるケイ素化合物膜などに対し選択性の優れたエッチングができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかるエッチング方法を説明するための素子基板断面の概略図である。
【図２】本発明の一の実施形態に関わるマイクロ波型エッチング装置の概略図である。
【図３】Ｃｌ２／（ＳＦ６＋Ｃｌ２）流量比に対するＷ単膜もしくはＳｉＯ２単膜のエッチング速度またはＷ／（ＳｉＯ２）選択比の関係を示す図である。
【図４】Ｏ２／（ＳＦ６＋Ｃｌ２＋Ｏ２）流量比に対するＷ単膜もしくはＳｉＯ２単膜のエッチング速度またはＷ／（ＳｉＯ２）選択比の関係を示す図である。
【図５】基板バイアス電力を５００Ｗ（電力密度：３０．２Ｗ／ｍ２）としたときのＯ２／（ＳＦ６＋Ｃｌ２＋Ｏ２）流量比に対するＷ単膜もしくはＳｉＯ２単膜のエッチング速度またはＷ／（ＳｉＯ２）選択比の関係を示す図である。
【図６】ＳＦ６、Ｃｌ２およびＯ２の総流量に対するＷ単膜もしくはＳｉＯ２単膜のエッチング速度またはＷ／（ＳｉＯ２）選択比の関係を示す図である。
【図７】Ａｒガス流量に対するＷ単膜もしくはＳｉＯ２単膜のエッチング速度またはＷ／（ＳｉＯ２）選択比の関係を示す図である。
【図８】基板バイアス電力に対するＷ単膜もしくはＳｉＯ２単膜のエッチング速度またはＷ／（ＳｉＯ２）選択比の関係を示す図である。
【図９】電極間距離に対するＷ単膜もしくはＳｉＯ２単膜のエッチング速度またはＷ／（ＳｉＯ２）選択比の関係を示す図である。
【図１０】ケイ素基板上に形成したＷ膜をフォトレジストを用いて反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）をする従来の工程図である。
【図１１】タングステン（Ｗ）膜を全面バックエッチしてコンタクトプラグを形成する従来の工程図である。
【符号の説明】
１１　基板、１２　ケイ素化合物膜、１３　高融点金属化合物膜、１４レジスト膜、２１　半導体素子、２２　マイクロ波導入窓、２３　下部電極、２４　ガス供給機構、２５　チャンバー、１０１　ケイ素基板、１０２，１１４　タングステン膜、１０３　フォトレジスト膜、１１１　酸化ケイ素膜、１１２　コンタクトホール、１１３　耐熱性金属膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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