(57)【要約】【課題】光が照射されることにより硬化し、硬化時に殆ど収縮することがないダイボンディングフィルムが接着されており、半導体チップが複数個、積層接着された半導体パッケージを好適に製造することができるダイボンディングフィルム付き半導体チップを提供する。【解決手段】ダイボンディングフィルムと半導体チップとが接着されたダイボンディングフィルム付き半導体チップであって、前記ダイボンディングフィルムは、光後硬化粘着剤からなるダイボンディングフィルム付き半導体チップ。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイボンディングフィルムと半導体チップとが接着されたダイボンディングフィルム付き半導体チップであって、
前記ダイボンディングフィルムは、光後硬化粘着剤からなるものである
ことを特徴とするダイボンディングフィルム付き半導体チップ。
【請求項２】
請求項１に記載のダイボンディングフィルム付き半導体チップのダイボンディングフィルムに光を照射した後、
前記ダイボンディングフィルム付き半導体チップを、複数個、積層接着する
ことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ダイボンディングフィルム付き半導体チップ、及び、半導体パッケージの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化、高周波数動作化に伴い、電子機器に搭載する半導体パッケージも小型化、高密度化が要求されてきており、周辺部から複数の端子を引き出すＤＩＰ（デュアル・インライン・パッケージ）やＱＦＰ（クアッド・フラット・パッケージ）タイプから、ＰＧＡ（ピン・グリッド・アレイ）、ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）、ＬＧＡ（ラージ・グリッド・アレイ）等の表面実装タイプに移行しつつある。
【０００３】
より半導体チップの高密度実装が可能なタイプの半導体パッケージとして、半導体チップに対して、他の半導体チップを三次元的に積層するスタック型ＭＣＰ（マルチ・チップ・パッケージ）タイプが注目されており、現在、盛んに研究が行われている。
【０００４】
通常、スタック型ＭＣＰタイプの半導体パッケージは、銅配線と絶縁層とが形成された基板の該絶縁層上に、複数の半導体チップがダイボンディングフィルムを介して積層接着され、各半導体チップに形成された入出力端子と、銅配線とがボンディングワイヤ等で電気的に接続された構成や、銅配線と絶縁層とが形成された基板の該絶縁層上に、複数のスルーホールが形成された半導体チップがダイボンディングフィルムを介して、スルーホール同士が接触するように積層接着され、上下間の半導体チップがスルーホールにより導通され、最下層に積層された半導体チップの入出力端子と銅配線とが半田ボール等で電気的に接続された構成となっている。
そして、積層された半導体チップやボンディングワイヤ等は、封止樹脂によりモールドされている。
【０００５】
半導体チップを積層する際に用いるダイボンディングフィルムは、従来、加熱により硬化し、接着するタイプの接着剤が用いられていた。
ところが、従来のダイボンディングフィルムは、加熱硬化時の硬化収縮が大きかったので、複数個の半導体チップを、未硬化のダイボンディングフィルムを介して位置合わせを行いながら積層して積層体を作製し、その後、積層体を加熱して、ダイボンディングフィルムを硬化させ、半導体チップを加熱接着すると、積層した半導体チップ同士が傾いたり、半導体チップ自体が反ったりするため、半導体チップの位置ズレが発生することがあった。
【０００６】
積層した半導体チップ同士が傾いたり、半導体チップ自体が反ったりすると、基板の配線回路と半導体チップのパッドとを電気的に接続するためのワイヤボンディングを行う際、半導体チップのパッドと銅配線との距離が場所により異なることとなり、正確にワイヤボンディングを行えないという問題があった。
また、スルーホールが形成された半導体チップを用いた半導体パッケージの場合、積層した半導体チップ同士が傾いたり、半導体チップ自体が反ったりすると、上下間の半導体チップを導通しているスルーホール形成位置がずれてしまうという問題があった。
更に、ダイボンディングフィルムを加熱硬化し、半導体チップ同士を接着する際に、半導体チップも加熱することとなるため、半導体チップが熱劣化するという問題もあった。
【０００７】
また、半導体チップを実装した基板を封止樹脂によりモールドする際、封止樹脂を硬化させるために印加する熱により、ダイボンディングフィルムが更に収縮し、封止樹脂や半導体チップに割れが発生するという問題もあった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記に鑑み、光が照射されることにより硬化し、硬化時に殆ど収縮することがないダイボンディングフィルムが接着されているダイボンディングフィルム付き半導体チップ、及び、複数個の半導体チップを平行な状態で積層接着することができ、半導体チップや封止樹脂に割れが発生したり、半導体チップが熱劣化したりすることがない半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ダイボンディングフィルムと半導体チップとが接着されたダイボンディングフィルム付き半導体チップであって、前記ダイボンディングフィルムは、光後硬化粘着剤からなるダイボンディングフィルム付き半導体チップである。
以下に本発明を詳述する。
【００１０】
図１は、本発明のダイボンディングフィルム付き半導体チップの一例を模式的に示す断面図である。
図１に示すように、本発明のダイボンディングフィルム付き半導体チップ１０は、半導体チップ１１の一方の面にダイボンディングフィルム１２が接着されている。
【００１１】
本発明のダイボンディングフィルム付き半導体チップにおいて、半導体チップ１１は特に限定されず、例えば、公知のシリコン等の半導体材料上に集積回路（ＩＣ）が形成されたもの等が挙げられる。上記集積回路の集積度としては特に限定されず、例えば、小規模集積回路（ＳＳＩ）、中規模集積回路（ＭＳＩ）、大規模集積回路（ＬＳＩ）、超大規模集積回路（ＶＬＳＩ）、超超大規模集積回路（ＵＬＳＩ）等が挙げられる。
【００１２】
本発明のダイボンディングフィルム付き半導体チップ１０では、ダイボンディングフィルム１２は、光後硬化粘着剤からなる。
上記光後硬化粘着剤は、光硬化する前は粘着性を示し、光硬化後は、粘着性を示さないものであれば特に限定されず、例えば、光カチオン重合性化合物、光カチオン重合開始剤、粘着性ポリマー及び充填剤を含むもの等が挙げられる。
【００１３】
上記光カチオン重合性化合物は、光によりカチオン重合が進行して最終的に接着強度が発現する化合物であれば特に限定されず、例えば、エポキシ基含有化合物、オキセタン化合物、オキソラン化合物等の環状エーテル化合物、環状エステル化合物、ビニルエーテル化合物、プロペニルエーテル化合物等が挙げられ、耐湿性及び膜物性の点から多官能エポキシ化合物が好ましい。
【００１４】
上記エポキシ基含有化合物としては特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ系エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ系エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ系エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂肪族環式エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂、ゴム変成エポキシ樹脂、ウレタン変成エポキシ樹脂、グリシジルエステル系化合物、エポキシ化ポリブタジエン、エポキシ化スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体（エポキシ化ＳＢＳ）等が挙げられる。上記エポキシ基を有する化合物は、硬化後に高い接着性及び耐久性を発現させることができる。
【００１５】
上記光カチオン重合開始剤は、光の照射により上記光カチオン重合性化合物を重合又は硬化させる化合物であり、上記光カチオン重合開始剤としては特に限定されず、例えば、感光性オニウム塩類や感光性有機金属錯体等が挙げられる。上記光カチオン重合開始剤は、例えば、上記光カチオン重合性化合物がエポキシ基含有化合物である場合、光の照射により上記エポキシ基を開環重合させることができる。
【００１６】
また、光カチオン重合性化合物がエポキシ基含有化合物である場合、上記光カチオン重合性化合物のエポキシ基の開環重合を速やかに引き起こすエネルギー強度と、ダイボンディングフィルム１２への透過性とのバランスを図ることができることから、ダイボンディングフィルム１２の硬化反応を進行させるために照射する光としては、３００ｎｍ以上、８００ｎｍ以下の波長の紫外線が好適に用いられる。この場合、上記光カチオン重合開始剤としては、上記波長の紫外線の照射により活性化される化合物である感光性オニウム塩化合物が好ましい。
【００１７】
上記粘着性ポリマーとしては、ダイボンディングフィルム１２に常温での粘着性と、シート凝集力とを与えることができるものであれば特に限定されず、例えば、アクリル系ポリマー、ポリエステル類、ポリウレタン類、シリコーン類、ポリエーテル類、ポリカーボネート類、ポリビニルエーテル類、ポリ塩化ビニル類、ポリ酢酸ビニル類、ポリイソブチレン類等が挙げられる。また、上記粘着性ポリマーは、上記ポリマーの主成分としてのモノマーを含む共重合体であってもよい。なかでも、従来から優れた初期粘着力を発揮するため、粘着剤の主成分として慣用されており、かつ、粘着物性の制御が容易であることから、アクリル系ポリマー又はポリエステル類が好ましい。
【００１８】
上記充填剤としては特に限定されず、例えば、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、クレー、シリカ、マイカ、タルク、酸化チタン、アスベスト等の無機充填剤、レーヨン、アクリル繊維、ナイロン繊維、ガラス繊維、炭素繊維、セルロース等の繊維、ガラスバルーン、シラスバルーン、塩化ビニリデンバルーン、アクリルバルーン等の中空状充填剤、ナイロンビーズ、アクリルビーズ、シリコンビーズ等の有機球状体、尿素メラミン樹脂粉末、アクリル樹脂粉末、フェノール樹脂粉末等の合成樹脂粉末、木粉、果実殻粉等の天然物粉末、これらの表面処理物等、従来公知の各種充填剤等が挙げられる。これらは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００１９】
ダイボンディングフィルム１２には、本発明の目的を阻害しない範囲で、必要に応じて、ダイボンディングフィルム１２の硬化を遅延させるために、脂肪族水酸基含有化合物、ポリエーテル類、アルコキシシラン類、シロキサン類、シラノール類等、密着性向上剤、補強剤、軟化剤、可塑剤、粘度調整剤等の各種添加物が１種、又は、２種以上含有されていてもよい。
【００２０】
ダイボンディングフィルム１２の可使時間、即ち、光を照射してから粘着ができなくなるまでの時間は、５分以上であることが好ましい。可使時間が５分未満である場合、ダイボンディングフィルム１２に光を照射すると、すぐに硬化が進行してしまうため、本発明のダイボンディングフィルム付き半導体チップを用いて、半導体パッケージを製造するときに、実装する半導体チップの接着強度を充分に確保することができなくなることがある。
【００２１】
ダイボンディングフィルム１２の厚さは、上記光後硬化粘着剤の種類、及び、目的とする光後硬化粘着剤の可使時間等を考慮して適宜調整されるが、１〜１０００μｍ程度であることが好ましい。
【００２２】
本発明のダイボンディングフィルム付き半導体チップの製造方法を、図２〜図４を参照しながら説明する。
図２〜図４は、本発明のダイボンディングフィルム付き半導体チップの製造方法の一過程を模式的に示す断面図である。
【００２３】
図２に示すように、一方の面に支持フィルム１４が貼り付けられ、他方の面に離型フィルム１３が貼り付けられたダイボンディングフィルム１２を作製する。
【００２４】
支持フィルム１４を構成する材料としては、離型性を有する材料であれば特に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル等が挙げられる。
【００２５】
また、多数の回路が形成された半導体ウェハーを用いて、本発明のダイボンディングフィルム付き半導体チップを作製する場合、支持板に固定することにより、半導体ウェハーの取扱い性が向上し、例えば、厚さ５０μｍ程度の極めて薄い半導体ウェハーであっても半導体ウェハーの破損等を防止し、良好に半導体チップへの加工を行うことができることから、支持フィルム１４に代えて、上記支持板を用いてもよい。
【００２６】
上記支持板としては特に限定されず、例えば、アクリル、オレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ＡＢＳ、ＰＥＴ、ナイロン、ウレタン、ポリイミド等の樹脂からなる板状体等が挙げられる。
【００２７】
ダイボンディングフィルム１２は、例えば、ダイボンディングフィルム１２となる材料を溶融混合したり、ダイボンディングフィルム１２となる材料を溶剤に溶解したりして混合組成物を調製し、上記混合組成物を、支持フィルム１４の表面にホットメルト塗工やキャスト塗工等の公知の塗工方法により塗工することで作製することができる。
【００２８】
離型フィルム１３は、ダイボンディングフィルム１２の表面を保護する目的で形成されており、離型フィルム１３は、半導体チップ１１をダイボンディングフィルム１２に接着する際に剥ぎ取られるものである。
離型フィルム１３は、離型性を有するフィルムであれば特に限定されず、例えば、紙、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル、アルミ箔等からなる基材表面に、シリコーン系材料からなる剥離剤をコートしたもの等が挙げられる。
【００２９】
離型フィルム１３と支持フィルム１４とは、共に離型性を有するものであるが、ダイボンディングフィルム１２に対する剥がれ易さに差をつけておくことが好ましい。本発明のダイボンディングフィルム付き半導体チップ１０を作製するには、先に離型フィルム１３を剥離する必要があり、離型フィルム１３と支持フィルム１４との剥がれ易さに差をつけていないと、離型フィルム１３のみを剥がすことができなくなる恐れがある。
【００３０】
図３に示すように、離型フィルム１３を剥離してダイボンディングフィルム１２を露出させた後、図４に示すように、ダイボンディングフィルム１２側に半導体チップ１１を貼り付ける。
【００３１】
図４において、ダイボンディングフィルム１２は、半導体チップ１１の一方の面の略全面に形成されているが、本発明のダイボンディングフィルム付き半導体チップでは、例えば、半導体チップ１１の一方の面の一部のみにダイボンディングフィルムが形成されていてもよい。
本発明のダイボンディングフィルム付き半導体チップを用いて製造する半導体パッケージのタイプによっては、半導体チップの一方の面にダイボンディングフィルム非形成領域が存在する方が好ましい場合があるからである。
【００３２】
支持フィルム１４を剥離することで、図１に示すような本発明のダイボンディングフィルム付き半導体チップ１０を作製することができる。
本発明のダイボンディングフィルム付き半導体チップ１０を用いて、すぐに半導体パッケージを製造しない場合、ダイボンディングフィルム１２の粘着面に不純物等が付着することを防止するために、本発明のダイボンディングフィルム付き半導体チップは、図４に示すように、支持フィルム１４を剥離せず、ダイボンディングフィルム１２に支持フィルム１４が貼り付けられた状態としておくことが好ましい。
【００３３】
本発明のダイボンディングフィルム付き半導体チップは、予めダイサー等を用いて多数の回路が形成された半導体ウェハーを個片化して半導体チップとし、得られた半導体チップに、それぞれ上記ダイボンディングフィルムを貼り付けることで作製することができる。
また、本発明のダイボンディングフィルム付き半導体チップは、チップ状に加工する前の多数の回路が形成された半導体ウェハーの一方の面全体又は半導体チップに対応する部分のみにダイボンディングフィルムを貼り付け、ダイサー等を用いて半導体ウェハーをチップ状に個片化することでも作製することができる。
【００３４】
本発明のダイボンディングフィルム付き半導体チップを用いて半導体パッケージを製造するには、ダイボンディングフィルム１２側から光を照射する。
【００３５】
上記光の波長としては、ダイボンディングフィルム１２を構成する光カチオン重合開始剤が、光カチオン重合性化合物の重合又は硬化を開始させることができる波長であれば特に限定されず、光カチオン重合開始剤の感光波長に応じて適宜選択される。
上記光の照射量としては特に限定されず、上記光カチオン重合開始剤の種類やダイボンディングフィルム１２の厚さ等により適宜決定される。
上記波長及び照射量の光を照射する照射光源としては特に限定されず、例えば、蛍光ランプ、高圧水銀灯、キセノン灯等が挙げられる。また、上記光は、ダイボンディングフィルム１２に直接照射してもよく、石英ファイバーや反射鏡等を利用してダイボンディングフィルム１２に光線を導いてもよい。
【００３６】
ダイボンディングフィルム１２に光を照射した後、上述したダイボンディングフィルム１２の可使時間内に、ダイボンディングフィルム付き半導体チップ１０を所定の基板上に載置したり、複数個積層したりすることで本発明のダイボンディングフィルムを用いた半導体パッケージを製造することができる。
【００３７】
本発明のダイボンディングフィルム付き半導体チップ１０を用いて半導体パッケージを製造する場合、半導体チップ１０をダイボンディングフィルム１２に貼り付ける前に、ダイボンディングフィルム１２に光を照射しておくことで、半導体チップ１１に直接光が照射されることがなく、半導体チップ１１が光により劣化することがないから、図３に示す、半導体チップ１１を貼り付ける前のダイボンディングフィルム１２に光を照射しておき、ダイボンディングフィルム１２の可使時間内に、半導体パッケージを製造することが好ましい。
【００３８】
本発明のダイボンディングフィルム付き半導体チップは、ダイボンディングフィルムが光後硬化粘着剤からなるものである。即ち、光の照射により上記光後硬化粘着剤で進行する硬化反応は、カチオン反応によるエポキシ樹脂等の光カチオン重合性化合物の架橋反応であり、更に、上記光後硬化粘着剤に含有される光カチオン重合性化合物の割合を低く抑えているため、ダイボンディングフィルムを光の照射により硬化させた場合であっても、殆ど硬化収縮することがない。
従って、本発明のダイボンディングフィルム付き半導体チップを用いると、半導体チップに傾きが発生することがなく、好適に半導体パッケージを製造することができる。
また、光を照射することでダイボンディングフィルムを硬化させ半導体チップを接着することができるため、半導体チップが加熱されることがなく、半導体チップが熱劣化することもない。
【００３９】
上記本発明のダイボンディングフィルム付き半導体チップのダイボンディングフィルムに光を照射した後、上記ダイボンディングフィルム付き半導体チップを、複数個、積層接着する半導体パッケージの製造方法も本発明の１つである。
【００４０】
本発明の半導体パッケージの製造方法により製造される半導体パッケージは、複数個の半導体チップが積層接着されており、ＰＧＡ、ＢＧＡ等、いずれのタイプであってもよい。
以下の説明では、図５に示すように、２個の半導体チップが積層され、各半導体チップと基板とがボンディングワイヤで接続されたＢＧＡタイプの半導体パッケージを製造する場合について説明する。
図５は、本発明の半導体パッケージの製造方法により製造される半導体パッケージの一例を模式的に示した断面図である。
【００４１】
本発明の半導体パッケージの製造方法では、上述した本発明のダイボンディングフィルム付き半導体チップのダイボンディングフィルムに光を照射する。
即ち、上記ダイボンディングフィルムに光を照射することで、ダイボンディングフィルムを構成する光カチオン重合開始剤が、光カチオン重合性化合物の重合又は硬化を開始させる。
【００４２】
上記ダイボンディングフィルムの可使時間内に、ダイボンディングフィルム付き半導体チップを、複数個、積層接着する。
具体的には、図５に示すように、基板１６上に、絶縁層１５を介して、ダイボンディングフィルム付き半導体チップを複数個、積層する。
【００４３】
上記ダイボンディングフィルム付き半導体チップの上面の外縁付近には、図示しない入出力端子が形成されており、下方に積層するダイボンディングフィルム付き半導体チップの上記入出力端子を露出させ、該入出力端子と、基板１６に対して電気的な導通が図られた図示しない配線とをワイヤボンディングにより接続するために、図５に示すように、上方に積層するダイボンディングフィルム付き半導体チップは、下方に積層するダイボンディングフィルム付き半導体チップよりも小さなものとなる。
【００４４】
基板１６としては特に限定されず、例えば、公知のプリント配線板等が挙げられる。基板１６の一方の面には絶縁層１５が形成されており、他方の面には、図示しないパッドを介して半田ボール１７が形成されている。
また、図示しない銅等からなる配線が、絶縁層１６を貫通するように設けられており、上記配線と基板１６とは、電気的な導通が図られている。
【００４５】
絶縁層１５としては特に限定されず、例えば、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなるソルダーレジスト層が挙げられる。上記ソルダーレジスト層は、半田のショートを回避するために形成する。
【００４６】
所定の可使時間が経過し、ダイボンディングフィルムが硬化し、半導体チップを接着した後、公知ワイヤボンディング装置を用いて、図示しない半導体チップ上に形成された入出力端子と、上記配線とをワイヤ線１９にて接続する。
【００４７】
絶縁層１５上に積層接着した半導体チップ、及び、ワイヤ線１９全体を、トランスファー成形機等を用いてエポキシ樹脂等の封止樹脂でモールドすることにより半導体パッケージ２０を製造することができる。
【００４８】
本発明の半導体パッケージの製造方法によれば、複数個の半導体チップを平行な状態で積層接着することができるため、確実にワイヤボンディングを施すことができ、半導体チップや封止樹脂に割れが発生することもない。また、半導体チップが加熱されることもないため、半導体チップが熱劣化することがない。従って、半導体チップが複数個、積層接着された半導体パッケージを、確実かつ簡易に製造することができる。
【００４９】
【実施例】
以下、実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【００５０】
実施例１
（１）ダイボンディングフィルムの作製
光カチオン重合性化合物として、エポキシ樹脂（ビスフェノールＡグリシジルエーテル、油化シェルエポキシ社製　エピコート８２８）を用いた。
光カチオン重合開始剤として、芳香族スルホニウム６フッ化アンチモン塩（旭電化工業社製　アデカオプトマーＳＰ１７０）を用いた。
粘着性ポリマーとして、テレフタル酸２５モル％、イソフタル酸２５モル％、エチレングリコール、ネオペンチルグリコール１７．５モル％、ビスフェノールＡのエチレングリコール付加物１７．５モル％、及び、テトラメチレンエーテルグリコール２５モル％が共重合されたポリエステルを用いた。
【００５１】
上記光カチオン重合性化合物を２０重量部と、上記光カチオン重合開始剤を１重量部と、上記粘着性ポリマーを８０重量部と、メチルエチルケトンを１５０重量部とを、ホモディスパー型攪拌混合機（商品名「ホモディスパーＬ型」、特殊機化社製）を用いて攪拌速度３０００ｒｐｍで均一に攪拌混合して、光後硬化型エポキシ樹脂組成物を調製した。
【００５２】
支持フィルムとして、厚さ２００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）を使用し、バーコータを用いて、塗工後の厚みが１００μｍとなるように、上記光後硬化型エポキシ樹脂組成物を上記ＰＥＴフィルム上に塗工し、乾燥させて、光後硬化粘着剤からなるダイボンディングフィルムを形成した。
上記ダイボンディングフィルムに、離型フィルムとして、シリコーン離型処理が施されたＰＥＴフィルムの離型処理面をラミネートした。
【００５３】
（２）ダイボンディングフィルム付き半導体チップの作製
上記ダイボンディングフィルムから離型フィルムを剥離してダイボンディングフィルムを露出させ、上記ダイボンディングフィルム上に半導体チップを貼り付け、図１に示す構造のダイボンディングフィルム付き半導体チップを作製した。
【００５４】
（３）半導体パッケージの製造
上記ダイボンディングフィルム付き半導体チップの支持フィルムを剥離した後、ダイボンディングフィルムが露出した側から、超高圧水銀灯を用いて、波長３６５ｎｍの紫外線を、照射量が２４００ｍＪ／ｃｍ２となるように照射した。
上記ダイボンディングフィルム付き半導体チップを、ソルダーレジスト層を介してポリイミド製の配線基板上に、速やかに２個積層接着した。
ワイヤボンディング装置にて、各半導体チップの入出力端子と、上記ソルダーレジスト層に形成された銅配線とを金線にてワイヤボンディングし、エポキシ樹脂にてモールドし、図５に示す構造の半導体パッケージを製造した。
【００５５】
実施例１に係る半導体パッケージを縦方向に切断し、積層接着した半導体チップの断面を観察したところ、半導体チップは、傾くことなく平行に形成されていた。
【００５６】
比較例１
ダイボンディングフィルムとして、加熱硬化性樹脂（日立製作所社製、ハイアタッチ）を用い、半導体チップを積層接着する際に、１４０℃に加熱したほかは、実施例１と同様にして半導体パッケージを製造した。
比較例１に係る半導体パッケージを縦方向に切断し、積層接着した半導体チップの断面を観察したところ、半導体チップは、僅かに傾いており、また、一部の金線に切断が生じていた。
【００５７】
【発明の効果】
本発明は、上記の構成よりなるので、ダイボンディングフィルムが、硬化時に殆ど収縮することがないダイボンディングフィルム付き半導体チップを提供することができ、また、積層接着する半導体チップに傾きが発生せず、半導体チップや封止樹脂に割れが発生することがなく、更に、半導体チップが加熱されることもないため、半導体チップが熱劣化することがない半導体パッケージの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のダイボンディングフィルム付き半導体チップの一例を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明のダイボンディングフィルム付き半導体チップを作製する際の一過程を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明のダイボンディングフィルム付き半導体チップを作製する際の一過程を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明のダイボンディングフィルム付き半導体チップを作製する際の一過程を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の半導体パッケージの製造方法により製造した半導体パッケージの一例を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
１０　ダイボンディングフィルム付き半導体チップ
１１　半導体チップ
１２　ダイボンディングフィルム
１３　離型フィルム
１４　支持フィルム
１５　絶縁層
１６　基板
１７　半田ボール
１８　封止樹脂
１９　ワイヤ線
２０　半導体パッケージ
【図１】
2004039992.tif 000003
【図２】
2004039992.tif 000004
【図３】
2004039992.tif 000005
【図４】
2004039992.tif 000006
【図５】
2004039992.tif 000007