(57)【要約】【課題】導電性基体の表面粗さを限定することによって画像の干渉縞発生を防止するとともに、光干渉法により精度のよい層厚測定を可能にする。【解決手段】電子写真感光体１０に備わる導電性基体１１の表面粗さが、（ａ）最大高さ（Ｒｙ）＝０．８〜１．４μｍ，中心線平均粗さ（Ｒａ）＝０．１０〜０．１５μｍ，十点平均粗さ（Ｒｚ）＝０．７〜１．３μｍ，平均山間隔（Ｓｍ）＝５〜３０μｍ，ピークカウントＰｃ＝６０〜１００を満足するように仕上げられる。このような電子写真感光体１０では、露光用の光を適度に散乱して干渉縞の発生が防止されるとともに、光干渉法における感光層１５の層厚測定時に干渉パターンが形成されて層厚が精度よく測定される。【選択図】　　　図１
2004109249.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体上に感光層を備え、可干渉光によって露光される電子写真感光体において、
前記導電性基体の表面粗さは、
最大高さ（Ｒｙ），中心線平均粗さ（Ｒａ），十点平均粗さ（Ｒｚ）および断面曲線の山間隔の平均値である平均山間隔（Ｓｍ）が、
（ａ）Ｒｙ＝０．８〜１．４μｍ
（ｂ）Ｒａ＝０．１０〜０．１５μｍ
（ｃ）Ｒｚ＝０．７〜１．３μｍ
（ｄ）Ｓｍ＝５〜３０μｍ
を満足し、
ピークカウントＰｃが、
（ｅ）Ｐｃ＝６０〜１００
を満足することを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】
導電性基体上に電荷発生層および電荷輸送層、または下引層，電荷発生層および電荷輸送層を順次塗布形成して積層する電子写真感光体の製造方法において、
表面粗さの指標である最大高さ（Ｒｙ），中心線平均粗さ（Ｒａ），十点平均粗さ（Ｒｚ）および断面曲線の山間隔の平均値である平均山間隔（Ｓｍ）が、
（ａ）Ｒｙ＝０．８〜１．４μｍ
（ｂ）Ｒａ＝０．１０〜０．１５μｍ
（ｃ）Ｒｚ＝０．７〜１．３μｍ
（ｄ）Ｓｍ＝５〜３０μｍ
を満足し、
ピークカウントＰｃが、
（ｅ）Ｐｃ＝６０〜１００
を満足する導電性基体を準備し、
前記導電性基体上に層を形成するべく塗布するに際し、層の厚みを光干渉法によって逐次測定する工程と、
測定結果を制御手段にフィードバックする工程と、
測定結果に応じた制御手段の出力によって塗布量を制御し、層の厚みを調整する工程とを含むことを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項３】
前記請求項１記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面に１２００ｄｐｉ以上の画素密度で像露光して静電潜像を形成する露光装置とを備えることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真感光体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、複写機およびレーザプリンタなどの電子写真応用装置における電子写真画像形成プロセスでは、電子写真感光体表面を露光して静電潜像を形成するための光に、Ｈｅ−Ｎｅレーザ，Ａｒレーザ，Ｈｅ−Ｃｄレーザなどの比較的短波長のガスレーザが用いられていた。このようなガスレーザに対応する電子写真感光体の感光層には、厚みの厚い層を形成するＣｄＳ，ＺｎＯ，Ｓｅなどが用いられていた。したがって、前述のガスレーザによって電子写真感光体に照射される露光用の光は、厚みの厚い感光層中で完全に吸収されるので、電子写真感光体の基体表面での反射に起因する干渉の発生することが無かった。
【０００３】
近年、電子写真感光体を露光するための光源に、前述のガスレーザに代わりコンパクトで低コストの半導体レーザまたは発光ダイオード（略称ＬＥＤ）が多用されるに至っている。使用光源の変遷に伴い、半導体レーザまたはＬＥＤから放射される波長：７００ｎｍ以上の長波長光に感光性を有する電子写真感光体、たとえば銅フタロシアニン，アルミニウムクロライドフタロシアニンなどのフタロシアニン顔料を含有させた電荷発生層と電荷輸送層との積層構造を有する積層型の電子写真感光体が、用いられるようになっている。
【０００４】
この長波長光に対して感光性を有する電子写真感光体を、レーザビーム走査方式の電子写真プリンタに装着してレーザビーム露光を行うと、形成された画像には、干渉縞模様の画像むらが発生することがある。この干渉縞模様の画像むらが発生する理由の一つに、長波長レーザ光が、感光層中で完全に吸収されることなく、感光層を透過した光が、電子写真感光体の基体表面にまで到達して反射し、この反射光が感光層内において多重反射することによって、可干渉光となって干渉縞の発生することがあげられる。
【０００５】
このような画像むらの原因となる干渉縞の発生を防止する一つの手法に、電子写真感光体の基体表面を粗面化することがあげられる。図１５は、基体表面における光の反射の状態を示す図である。図１５（ａ）は、平滑に仕上げられた基体表面１における光の反射の状態を示す。平滑な基体表面１では、入射した光Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ１３がそれぞれ正反射する。また平滑な基体表面１上に形成される感光層２の厚みＴ１は均一に形成されるので、基体表面１で反射された光Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ１３が、感光層２の表面でも正反射される。したがって、基体表面１が平滑な場合、位相の揃った光Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ１３が多重反射して強め合い（弱め合い）干渉パターンが形成されるので、感光体表面に形成される画像にも干渉縞が発生する。
【０００６】
図１５（ｂ）は、粗面化された基体表面３における光の反射の状態を示す。粗面化された基体表面３では、入射した光Ｌ２１，Ｌ２２，Ｌ２３がそれぞれ異なった方向に乱反射して散乱する。また粗面化された基体表面３上に形成される感光層４の厚みは、図１５（ｂ）に示すたとえば厚みＴ２１，Ｔ２２のように各所で異なるので、基体表面３で乱反射された光Ｌ２１，Ｌ２２，Ｌ２３は、感光層４の表面では正反射するけれども、その位相が異なる。したがって、基体表面３が粗面化されている場合、光Ｌ２１，Ｌ２２，Ｌ２３による干渉パターンが形成されないので、感光体表面に形成される画像において干渉縞の発生することが防止される。
【０００７】
ところで、電子写真感光体の感光層は、一般的に生産性の高さから、感光体塗布液を満たした塗布槽に基体を浸漬した後、所定の速度で基体を引上げるという浸漬塗布法によって形成されることが多い。この浸漬塗布法では、基体引上げ時に引上げ方向の反対の方向にだれを生じて層厚にむらが形成され易く、また塗布液に蒸発し易い有機溶剤が含まれるので、塗布槽内の塗布液から溶剤のみが蒸発し、塗布液の粘度および濃度が変化して塗布時の層厚が安定しないという問題がある。
【０００８】
層厚むら防止および層厚の安定形成には、基体に感光層を塗布形成する過程において精度良く層厚を測定し、測定結果に応じて塗布量を制御して層厚を調整する方法がとられており、そのために感光層の層厚測定方法が種々提案されている。この層厚測定方法には、段差計および渦電流式膜厚計などの接触式膜厚測定法ならびに色彩色差法，光干渉法および光吸収法などの非接触式膜厚測定法が用いられているけれども、比較的操作が平易であり、かつ短時間での測定が可能なので、光干渉法が多用されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００９】
ここで光干渉法による層厚測定原理について、以下に簡単に説明する。図１６は、透明膜５における光の反射挙動を示す図である。図１６（ａ）には、透明膜５に入射した光Ｌ３１が、透明膜５内で多重反射している状態を示す。透明膜５の表面５ａからの反射光Ｌ３２として測定される光は、透明膜５内を多重反射した光の合成されたものである。光は波であるので、光の合成に際し、位相差が２πの整数倍であれば強め合い、πの奇数倍であれば打消し合って干渉が生じる。
【００１０】
図１６（ｂ）は、基体６上に形成された透明膜７における光の反射の状態を示す。基体６上に形成された透明膜７における光の反射率Ｒは、式（１）によって求められる。
2004109249.tif 000003
ここで、Ｘ＝４πＮ１ｄ／λ
λ：光の波長
ｄ：透明膜の厚み
Ｒ１：透明膜表面における反射率
Ｒ２：基体表面における反射率
Ｎ１：透明膜の屈折率
Ｎ２：基体の屈折率
ただし、Ｎ２＞Ｎ１である。
【００１１】
また透明膜表面７ａにおける反射率Ｒ１および基体表面６ａにおける反射率Ｒ２は、屈折率を用いて式（２）および式（３）によってそれぞれ求められる。
Ｒ１＝（１−Ｎ１）／（１＋Ｎ１）　　　　　　　　　　　　…（２）
Ｒ２＝（Ｎ１−Ｎ２）／（Ｎ１＋Ｎ２）　　　　　　　　　　…（３）
【００１２】
光の干渉によって強め合う（または弱め合う）波長において、反射率Ｒは極大値（または極小値）になるので、この反射率Ｒが極大値（または極小値）を示す波長を求めるべく、反射率Ｒを波長λで微分すると式（４）が得られる。
（１／λｎ）−（１／λｎ＋１）＝１／２Ｎ１ｄ　　　　　　　…（４）
ここで、λｎ：ｎ番目の極大値（または極小値）を持つ波長
【００１３】
前述の式（４）によって、強め合う（または弱め合う）波長および屈折率が既知であれば、透明膜７の厚みｄを得ることができる。膜の屈折率および波長は、たとえば分光光度計によって測定することができるので、その測定結果から式（４）に基づいて膜厚を求めることができる。逆に膜の屈折率が未知のものについては、厚みが明らかな膜を形成し、その厚みが既知である膜の屈折率を式（４）に基づいて予め求めておくことによって、同一の素材で形成される膜の任意の厚みを求めることができる。
【００１４】
このように光干渉法は、電子写真感光体の感光層の中で多重反射される光の干渉パターンを利用して感光層の厚みを測定するので、前述のように画像むらの原因となる干渉縞の発生を防止するために電子写真感光体の基体表面を粗面化し、基体表面と感光層表面との反射に基づく干渉を弱くすると、感光層の厚みを測定することが困難になるという問題がある。
【００１５】
このような問題を解決するために、感光層の厚み測定に用いる光の波長を、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｂ０６０１に規定される十点平均粗さ（Ｒｚ）で示される基体の表面粗さよりも長い波長の光を用いることによって、光の合成時におけるピークの消失を抑制し、弱い干渉であっても厚み測定ができるようにしている（たとえば、特許文献２参照）。
【００１６】
【特許文献１】
特開平４−３３６５４０号公報（第４頁、第２図）
【特許文献２】
特開２０００−３５６８５９号公報（第４頁、第６図）
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述の特許文献２に開示される技術にも、以下のような問題がある。画像形成装置の高解像度化が進むのに伴い、電子写真感光体の表面に静電潜像を書込む光のスポット径は、小径化されている。前述の光のスポット径を小径化すると、電子写真感光体の基体表面を粗面化しているにも関らず、干渉縞の発生する場合がある。したがって、前述の光のスポット径が小さい場合、干渉縞の発生を防止するために基体の表面粗さを一層粗くする傾向にあり、表面粗さが粗くなるのに伴って、厚み測定に用いる光の波長もさらに長いものが用いられる。このように厚み測定に用いる光の波長が長くなると、隣り合う波長間隔が広がるので、厚みの測定精度が低下または測定することができなくなるという問題がある。
【００１７】
本発明の目的は、導電性基体の表面粗さを限定することによって画像の干渉縞発生を防止するとともに、光干渉法により精度良く層厚を測定することのできる電子写真感光体およびその製造方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、種々の電子写真感光体およびそれを備える種々の画像形成装置によって形成された画像のうち、感光層中における多重反射に起因すると考えられる濃淡縞が画像に発生しているものと、発生していないものとについて詳細な観察を重ねた。その結果、基体の表面粗さと濃淡縞発生との間には相関があるけれども、よく用いられている表面粗さの指標であるＪＩＳ　Ｂ０６０１−１９９４に規定される最大高さ（Ｒｙ），中心線平均粗さ（Ｒａ），十点平均粗さ（Ｒｚ）および断面曲線の山間隔の平均値である平均山間隔（Ｓｍ）だけでは、表面粗さと濃淡縞発生の有無との関係を明らかにすることはできないことが判った。
【００１９】
すなわち、可干渉光を用いる電子写真プロセスにおける感光層中での多重反射に起因する干渉縞（画像における濃淡縞）は、基体の表面粗さおよび微細な波形形状に影響を受けることは知られており、基体表面のＲｙ，Ｒａ，ＲｚおよびＳｍをある程度以上の大きさ（粗さ）に設定し粗面化することによって、干渉縞の発生抑止に効果を得ることはできる。
【００２０】
しかしながら、光スポット径の小さい画像形成装置において形成される画像に発生する干渉縞については、その干渉縞発生の有無と表面粗さとを、Ｒｙ，Ｒａ，ＲｚおよびＳｍのみで関係付けることは困難であり、Ｒｙ，Ｒａ，ＲｚおよびＳｍに加えて、予め定める測定距離である基準長さにおいて、予め定める上下幅以上の高さを有する山の数を計数するピークカウントＰｃを指標に導入することによって、初めて干渉縞発生の有無と表面粗さとの相関を明確にすることができるとともに、Ｒｙ，Ｒａ，Ｒｚ，ＳｍおよびＰｃを好適範囲に限定することによって、干渉縞の発生を防止し、表面粗さの粗い領域においても、光干渉法による層厚みを精度良く測定することが可能になるとの知見を得て本発明に至ったものである。
【００２１】
本発明は、導電性基体上に感光層を備え、可干渉光によって露光される電子写真感光体において、
前記導電性基体の表面粗さは、
最大高さ（Ｒｙ），中心線平均粗さ（Ｒａ），十点平均粗さ（Ｒｚ）および断面曲線の山間隔の平均値である平均山間隔（Ｓｍ）が、
（ａ）Ｒｙ＝０．８〜１．４μｍ
（ｂ）Ｒａ＝０．１０〜０．１５μｍ
（ｃ）Ｒｚ＝０．７〜１．３μｍ
（ｄ）Ｓｍ＝５〜３０μｍ
を満足し、
ピークカウントＰｃが、
（ｅ）Ｐｃ＝６０〜１００
を満足することを特徴とする電子写真感光体である。
【００２２】
本発明に従えば、電子写真感光体の導電性基体の表面粗さは、その指標としてＲｙ，Ｒａ，Ｒｚ，Ｓｍに加えてＰｃを用いて好適範囲に限定される。このことによって、導電性基体上に形成される感光層中における光の多重反射に起因する画像の干渉縞発生を防止できるとともに、光干渉法により精度良く層厚を測定することのできる電子写真感光体が実現される。ここで、ピークカウントＰｃは、米国自動車技術者会規格ＳＡＥ　Ｊ９１１−１９８６に規定されるパラメータＰＰＩに準ずる表面粗さの指標であり、前述のように基準長さにおいて予め定める上下幅以上の高さを有する山の数を計数した値である。
【００２３】
また本発明は、導電性基体上に電荷発生層および電荷輸送層、または下引層，電荷発生層および電荷輸送層を順次塗布形成して積層する電子写真感光体の製造方法において、
表面粗さの指標である最大高さ（Ｒｙ），中心平均粗さ（Ｒａ），十点平均粗さ（Ｒｚ）および断面曲線の山間隔の平均値である平均山間隔（Ｓｍ）が、
（ａ）Ｒｙ＝０．８〜１．４μｍ
（ｂ）Ｒａ＝０．１０〜０．１５μｍ
（ｃ）Ｒｚ＝０．７〜１．３μｍ
（ｄ）Ｓｍ＝５〜３０μｍ
を満足し、
ピークカウントＰｃが、
（ｅ）Ｐｃ＝６０〜１００
を満足する導電性基体を準備し、
前記導電性基体上に層を形成するべく塗布するに際し、層の厚みを光干渉法によって逐次測定する工程と、
測定結果を制御手段にフィードバックする工程と、
測定結果に応じた制御手段の出力によって塗布量を制御し、層の厚みを調整する工程とを含むことを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。
【００２４】
本発明に従えば、表面粗さの指標としてＲｙ，Ｒａ，Ｒｚ，Ｓｍに加えてＰｃを用いて表面粗さを好適範囲に限定した導電性基体が準備され、その導電性基体上に感光層を構成する各層を塗布形成するに際し、層の厚みを光干渉法によって測定し、測定結果をフィードバックして、層厚みを調整しながら電子写真感光体を製造する。このように導電性基体の表面粗さが好適範囲にあり、光干渉法による層厚測定を精度良く行うことができるので、感光層を構成する各層を塗布形成する際に層厚の安定形成が可能になるとともに、層厚むらの発生が防止される。また感光層の厚み精度に優れ、干渉縞を発生することのない電子写真感光体が製造される。
【００２５】
また本発明は、前記の電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面に１２００ｄｐｉ以上の画素密度で像露光して静電潜像を形成する露光装置とを備えることを特徴とする画像形成装置である。
【００２６】
本発明に従えば、画像形成装置には、粗さの指標としてＲｙ，Ｒａ，Ｒｚ，Ｓｍに加えてＰｃを用いて表面粗さの好適範囲に限定された導電性基体を有する電子写真感光体と、電子写真感光体の表面に１２００ｄｐｉ以上の画素密度で像露光して静電潜像を形成する露光装置とが備えられる。このことによって、好適な表面粗さの導電性基体を有する電子写真感光体に、小さなスポット径の光で静電潜像を形成することができるので、干渉縞の発生が防止され、かつ高解像度の品質に優れた画像を形成することのできる画像形成装置が実現される。
【００２７】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の実施の一形態である電子写真感光体１０の構成を簡略化して示す斜視図である。電子写真感光体１０（以後、単に感光体と略称する）は、導電性を有する素材からなる導電性基体１１と、導電性基体１１の外周面上に形成される下引層１２と、下引層１２の外周面上に形成される電荷発生層１３と、電荷発生層１３のさらに外周面上に形成される電荷輸送層１４とを含む。ここで下引層１２と、電荷発生層１３と、電荷輸送層１４とは、感光層１５を構成する。
【００２８】
図１（ａ）に示す導電性基体１１は、円筒形状を有し、アルミニウム，銅，ステンレスまたは真鍮などの金属製である。なお導電性基体１１は、金属製に限定されるものではなく、アルミニウム合金などの金属フィルムまたは酸化インジウムなどの導電性材料をポリエステルフィルムや紙などの円筒状部材に成膜したものであってもよい。導電性基体１１は、その外周面１６の表面粗さが以下の範囲を満足するように形成される。ＪＩＳ　Ｂ０６０１−１９９４に規定されるＲｙ，Ｒａ，ＲｚおよびＳｍが、（ａ）Ｒｙ＝０．８〜１．４μｍ、（ｂ）Ｒａ＝０．１０〜０．１５μｍ、（ｃ）Ｒｚ＝０．７〜１．３μｍ、（ｄ）Ｓｍ＝５〜３０μｍの範囲であり、ＳＡＥ　Ｊ９１１−１９８６に規定されるパラメータＰＰＩに準ずるピークカウントＰｃが、（ｅ）Ｐｃ＝６０〜１００の範囲である。
【００２９】
導電性基体１１の表面を前述の表面粗さに仕上げる方法には、切削法，ホーニング法，エッチング法，剛体球落下／衝突法，凹凸形状円筒体圧接法，研削法，レーザー照射法，高圧水噴射法などのような機械的に粗面化する方法、または陽極酸化法，ベーマイト処理法，加熱酸化処理法などのような酸化処理によって粗面化する方法のうち、いずれの方法が用いられてもよい。たとえば、機械的な方法である切削加工では、バイト材質，バイトの切刃形状，バイトの送り速度および潤滑剤の種類などを、適宜選択することによって、各指標値が前述の範囲となる表面粗さを得ることができる。以下に表面粗さの各指標の範囲限定理由について説明する。
【００３０】
（ａ）最大高さＲｙ＝０．８〜１．４μｍ：図２は、最大高さＲｙの定義を説明する図である。Ｒｙは、表面粗さの測定結果を表す断面曲線（カットオフ後では粗さ曲線と呼ばれる。一般的には大きい波長のうねりをカットオフすることが多いので、ここでは測定結果の曲線を以後粗さ曲線と呼ぶことにする）からその平均線ｍの延びる方向に基準長さＬだけ抜取った部分における最大高さを有する山１７の高さＲｑと最大深さを有する谷１８の深さＲｖとの和（Ｒｙ＝Ｒｑ＋Ｒｖ）である。ここで高さおよび深さは、前記平均線ｍに対して直交する方向の距離をいう。
【００３１】
Ｒｙが０．８μｍ未満であると、導電性基体表面１６の反射光による干渉縞が発生する。Ｒｙが１．４μｍを超えると、粗大な導電性基体表面１６が感光層１５内へのキャリア注入部として作用するので、画像形成時の黒地部に白点または白地部に黒点の発生する原因となる。したがって、Ｒｙを０．８〜１．４μｍとした。
【００３２】
（ｂ）中心線平均粗さＲａ＝０．１０〜０．１５μｍ：Ｒａは、平均線ｍから粗さ曲線までの偏差の絶対値の平均である。Ｒａは、平均線ｍをＸ軸とし、平均線ｍに直交する方向の軸をＹ軸とし、粗さ曲線ｙをｙ＝ｆ（ｘ）で表したとき、次の式（５）で与えられる。
【数１】
2004109249.tif 000004
【００３３】
Ｒａが、０．１０μｍ未満であると干渉縞の発生率が大きくなり、０．１５μｍを超えると光干渉法による層厚測定が困難になる。したがって、Ｒａを０．１０〜０．１５μｍとした。
【００３４】
（ｃ）十点平均粗さＲｚ＝０．７〜１．３μｍ：図３は、十点平均粗さＲｚの定義を説明する図である。Ｒｚは、基準長さＬ内における最も高い山から５番目の高さの山までの高さ（Ｙｐ１〜Ｙｐ５）の絶対値の平均値と、基準長さＬ内における最も深い谷から５番目の深さの谷までの深さ（Ｙｖ１〜Ｙｖ５）の絶対値の平均値との和である。前述の最大高さＲｙでは、測定範囲内に局所的な傷や凹部などが存在するとき、その傷や凹部の測定値をＲｙとして抽出し、本来の表面粗さとは乖離した結果を示すことがある。しかしながら、Ｒｚは、複数の山および谷の平均値を採るので、本来の表面粗さと大きく乖離することのない結果を得ることができる。Ｒｚが、０．７μｍ未満であると干渉縞が発生し、１．３μｍを超えると画像形成時の黒地部に白点または白地部に黒点の発生する原因となる。したがって、Ｒｚを０．７〜１．３μｍとした。
【００３５】
（ｄ）平均山間隔Ｓｍ＝５〜３０μｍ：平均山間隔Ｓｍは、平均線ｍの延びる方向における１つの山の距離とその山に隣合う１つの谷の距離との和によって与えられる区間長さ（Ｓｍｉ）の平均値であり、基準長さＬ内の区間がｎ個であるとき、次の式（６）によって与えられる。
【数２】
2004109249.tif 000005
【００３６】
Ｓｍは、導電性基体１１と感光層１５との密着性および干渉縞の発生感受性と相関があり、５μｍ未満であっても、また３０μｍを超えても干渉縞が発生し易くなる。したがって、Ｓｍを５〜３０μｍとした。
【００３７】
（ｅ）ピークカウントＰｃ＝６０〜１００：図４は、ピークカウントＰｃの定義を説明する図である。ピークカウントＰｃは、米国自動車技術者会規格ＳＡＥＪ９１１−１９８６に規定されるパラメータＰＰＩに準ずる表面粗さの指標である。Ｐｃは、粗さ曲線１９の平均線ｍから山および谷の両方向に予め定める基準レベルＨを設け、粗さ曲線１９が、１度谷側に設けられた基準レベルＨを超えた後、山側に設けられた基準レベルＨを超えたとき、１カウントする。Ｐｃは、基準長さＬ内における前述のカウントの累積値である。本実施の形態では、山側に設けられる基準レベルＨを０．２μｍ、谷側に設けられる基準レベルＨを−０．２μｍおよび基準長さＬを４ｍｍとしてＰｃをカウントした。
【００３８】
ピークカウントＰｃは、光が反射する際における散乱の多少に関係する指標である。Ｐｃ測定時における基準レベルＨをたとえば中心線平均粗さＲａよりも大きくし、Ｐｃの範囲を限定することによって、中心線平均粗さＲａよりも大きい凹凸を有する山の数を限定することができる。
【００３９】
Ｐｃが６０未満で大きい凹凸を有する山の数が少ないとき、画像形成に際して干渉縞が発生する。Ｐｃが１００を超えて大きい凹凸を有する山の数が多いとき、光の散乱反射が多くなるので画像形成に際して干渉縞発生の恐れはないけれども、散乱反射が増すことによって干渉光を得ることができないので光干渉法による層厚の測定が不能になる。したがって、Ｐｃを６０〜１００とした。
【００４０】
Ｐｃに好適範囲が得られる理由は、次のように推察される。感光体１０に静電潜像を形成するべく光が照射される微小領域、たとえば画素密度が１２００ｄｐｉ以上の微小な光スポット領域においては、導電性基体表面１６に適正数形成されている比較的大きな凹凸が、微小領域内で光を充分に散乱反射させるので、画像形成の際における干渉縞の発生が防止される。一方、光干渉法において、感光体１０の層厚測定に用いられる投光／受光プローブのような径：２〜５ｍｍ程度の大きさの測定領域においては、導電性基体表面１６に適正数形成されている比較的大きな凹凸が、層厚測定用の光を散乱反射させたとしても、広い測定領域内では多重反射が起こり得るので、わずかながらも干渉が生じ、この干渉を検知することによって光干渉法による層厚測定が可能になるものと考えられる。
【００４１】
図１に戻って、下引層１２は、導電性基体表面１６における欠陥の被覆，導電性基体１１から電荷発生層１３への電荷注入性改良，感光層１５の導電性基体１１に対する接着性改良および電荷発生層１３の塗布性改良のため、導電性基体表面１６に形成される。下引層１２の材料としては、ポリアミド，共重合ナイロン，カゼイン，ポリビニルアルコール，セルロースまたはゼラチンなどが好適に用いられる。下引層１２は、前述の材料から選択される１または２以上を各種有機溶剤に溶解し、層厚が０．１〜５μｍ程度になるように導電性基体１１に塗布して形成される。また、下引層１２中には、低温低湿特性改善および抵抗率調整などを目的として、アルミナ，酸化スズ，酸化チタンなどの無機顔料が分散含有されてもよい。
【００４２】
電荷発生層１３は、光照射により電荷を発生する電荷発生材料を主成分として含み、さらに公知の結合剤（または結着剤），可塑剤および増感剤を含有してもよい。電荷発生材料には、ペリレン系顔料，多環キノン系顔料，無金属フタロシアニン顔料，金属フタロシアニン系顔料，ならびにスクアリリウム色素，アズレウニム色素，チアピリリウム色素およびカルバソール骨格，スチリルスチルベン骨格，トリフェニルアミン骨格，ジベンゾチオフェン骨格，オキサジアゾール骨格，フルオレノン骨格，ビススチルベン骨格，ジスチリルオキサジアゾール骨格またはジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料などが適している。これらの顔料のうち、デジタル複写機およびプリンター用感光体の電荷発生材料には、無金属フタロシアニン顔料，金属フタロシアニン系顔料，アゾ顔料が特に好適に用いられる。
【００４３】
電荷輸送層１４は、電荷発生層１３おいて発生される電荷を受け入れ、これを輸送する電荷輸送材料、たとえばシリコーン系レベリング剤および結合剤（または結着剤）を主成分として含み、さらに公知の可塑剤，増感剤などを含有してもよい。
【００４４】
電荷輸送材料には、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールおよびその誘導体，ポリ−γ−カルボゾリルエチルグルタメートおよびその誘導体，ピレン−ホルムアルデヒド縮合物およびその誘導体，ポリビニルピレン，ポリビニルフェナントレン，オキサゾール誘導体，オキソジアゾール誘導体，イミダゾール誘導体，９−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）アントラセン，１，１−ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン，スチリルアントラセン，スチリルピラゾリン，フェニルヒドラゾン類，ヒドラゾン誘導体などの電子供与性物質，または、フルオレノン誘導体，ジベンゾチオフェン誘導体，インデノチオフェン誘導体，フェナンスレンキノン誘導体，インデノピリジン誘導体，チオキサントン誘導体，ベンゾ［ｃ］シンノリン誘導体，フェナジンオキサイド誘導体，テトラシアノエチレン，テトラシアノキノジメタン，プロマニル，クロラニル，ベンゾイノンなどの電子受容性物質が好適に用いられる。
【００４５】
電荷輸送層１４に含まれる結合剤（または結着剤）には、電荷輸送材料と相溶性を有するもの、たとえばポリカーボネート，ポリビニルブチラール，ポリアミド，ポリエステル，ポリケトン，エポキシ樹脂，ポリウレタン，ポリビニルケトン，ポリスチレン，ポリアクリルアミド，フェノール樹脂，フェノキシ樹脂などが用いられる。
【００４６】
図５は、感光体１０の製造に用いる塗布装置２１の構成を簡略化して示す図である。塗布装置２１は、導電性基体１１の軸線の延びる方向を垂直方向にして導電性基体１１を懸垂するアーム２２と、アーム２２を垂直方向に昇降する昇降手段２３と、昇降手段２３を駆動する駆動手段２４と、塗布液２５を収容する容器２６と、導電性基体１１に形成される層であるたとえば下引層１２の層厚を光干渉法によって測定する分光光度計２７と、分光光度計２７による層厚の測定結果に応答し、駆動手段２４に対して駆動制御信号を出力する制御手段２８とを含む構成である。
【００４７】
容器２６は、たとえばステンレス鋼などからなり、直方体形状の一方に開口部の形成される中空の容器である。塗布液２５は、図示する下引層１２を形成するための液のみでなく、電荷発生層１３および電荷輸送層１４を形成するための液が、個別の容器にそれぞれ準備される。
【００４８】
下引層１２を形成するための塗布液には、たとえば酸化チタンと共重合ナイロン樹脂とを、エタノール，メタノール，メタノール／ジクロロエタンなどの混合溶剤に分散したものが用いられる。電荷発生層１３を形成するための塗布液には、たとえばアゾ系顔料などの電荷発生材料を、結合剤，可塑剤，増感剤などともに、シクロヘキサノン，ベンゼン，クロロホルム，ジクロロエタン，エチルエーテル，アセトン，エタノール，クロロベンゼン，メチルエチルケトンなどの溶剤に分散したものが用いられる。電荷輸送層１４を形成するための塗布液には、たとえばヒドラゾン系化合物などの電荷輸送材料と、シリコーン系レベリング剤および結合剤（または結着剤）とを、可塑剤，増感剤などともに、ジクロロエタン，ベンゼン，クロロホルム，シクロヘキサノン，エチルエーテル，アセトン，エタノール，クロロベンゼン，メチルエチルケトンなどの溶剤に溶解したものが用いられる。
【００４９】
アーム２２は、金属製または硬質合成樹脂製であり、一方の端部付近に前述のように導電性基体１１が懸垂され、他方の端部付近にめねじが刻設されてめねじ部２９が形成される。昇降手段２３は、すべりねじ３０と、すべりねじ３０の一端部３２に固設される第１歯車３１とを含む。すべりねじ３０は、前述のアーム２２に形成されるめねじ部２９に螺合される。
【００５０】
駆動手段２４は、たとえば電動機３３と、電動機３３の出力軸３４に固設される第２歯車３５とを含む。駆動手段２４の第２歯車３５は、昇降手段２３の第１歯車３１と噛合する。したがって、電動機３３の出力軸３４の軸線まわりの回転駆動力が第２および第１歯車３５，３１を介してすべりねじ３０に伝達され、すべりねじ３０の軸線まわりの回転によって、すべりねじ３０とめねじ部２９で螺合するアーム２２およびアーム２２に懸垂される導電性基体１１が垂直方向に移動する。
【００５１】
分光光度計２７は、たとえばＭＣＰＤ−１１００（大塚電子株式会社製）であり、投光／受光用プローブ３６（以後、プローブと略称する）と、光度計本体３７とを含む。図６は、プローブ３６の構成を簡略化して示す投光側から見た正面図である。プローブ３６は、複数の投光ファイバ３８と、複数の受光ファイバ３９とが、束ねられてケーシング４０に収容されている。したがって、プローブ３６は、層厚測定用の光を投光するとともに、ここでは下引層１２と導電性基体１１とで多重反射された干渉光を受光する。光度計本体３７には、プローブ３６で受光される干渉光から前述の式（４）に基づいて下引層１２の層厚を演算する演算部が備えられる。
【００５２】
制御手段２８は、たとえば中央処理装置（略称ＣＰＵ）を搭載するマイクロコンピュータなどによって実現される処理回路である。制御手段２８には、たとえばＲｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ（略称ＲＯＭ）が備わり、このＲＯＭには、制御手段２８を動作させる制御プログラムが予めストアされている。ＲＯＭから読出される制御プログラムに従って、制御手段２８は、分光光度計２７から出力される測定結果である層厚に応答して、駆動手段２４の回転速度を制御する制御信号を出力する。
【００５３】
塗布装置２１では、導電性基体１１上に下引層１２を形成するに際し、光干渉法を用いた分光光度計２７によって下引層１２の層厚を逐次測定し、測定結果である層厚を制御手段２８にフィードバックし、さらに制御手段２８が駆動手段２４および昇降手段２３を介して導電性基体１１の塗布液２５からの引上げ速度を制御して下引層１２の層厚を調整することができる。層厚を調整しながら引上げられた導電性基体１１を乾燥させて、下引層１２が形成される。下引層１２の外層の電荷発生層１３および電荷発生層１３のさらに外層の電荷輸送層１４を形成するに際しても、下引層１２形成の場合と同様にして層厚を調整することができる。
【００５４】
前述のようにして製造される感光体１０を構成する導電性基体１１は、その表面粗さが好適範囲にあり、光干渉法による層厚測定を精度良く行うことができるので、感光層１５を構成する各層１２，１３，１４を塗布形成する際に、層厚の安定形成が可能であり層厚むらの発生が防止される。また干渉縞を発生することのない感光体１０の製造が可能になる。
【００５５】
図７は、本発明のもう一つの実施の形態である画像形成装置５０の構成を簡略化して示す概略断面図である。図７に示す画像形成装置５０は本発明のもう一つの実施の形態であり、ここでは画像形成装置の一つである複写機５０について例示する。図７を参照して前述の実施の形態の感光体１０が備えられる複写機５０の構成と動作について説明する。
【００５６】
複写機５０は、原稿送給部５３と、画像読取部５４と、給紙部５５と、画像形成部５６と、定着部５７とを含む構成である。原稿送給部５３は、複写されるべき原稿を送給する両面自動原稿送り装置５８（略称ＲＡＤＦ：ＲｅｖｅｒｓｉｎｇＡｕｔｏｍａｔｉｃ　Ｄｏｃｕｍｅｎｔ　Ｆｅｅｄｅｒ）と、ＲＡＤＦ５８から送給された原稿が予め定められる位置に載置される原稿台５９と、原稿受けトレイ６０とを含む。ＲＡＤＦ５８は、原稿台５９に対して所定の位置関係を有するとともに開閉可能な状態で支持される。ＲＡＤＦ５８は、原稿の一方の面が原稿台５９の予め定められる位置であって画像読取部５４に対向する位置に載置されるように原稿を送給し、一方の面の画像読取りが終了すると、他方の面が原稿台５９の予め定められる位置であって画像読取部５４に対向する位置に載置されるように原稿を反転送給し、他方の面の画像読取りが終了すると、原稿を原稿受けトレイ６０へ排出する。このような原稿の送給および表裏反転動作は、複写機５０の全体動作に関連して制御される。なお原稿の一方の面のみを複写する場合には、原稿の反転送給は実行されない。
【００５７】
画像読取部５４は、原稿台５９の下方に配置され、ＲＡＤＦ５８によって原稿台５９に送給された原稿の画像を読取る動作を行い、原稿台５９の下面に沿って平行に往復移動する第１および第２走査ユニット６１，６２と、光学レンズ６３と、光電変換素子であるＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅ）ラインセンサ６４とを含む。
【００５８】
第１走査ユニット６１は、読取るべき原稿画像表面を露光する露光ランプ６５と、原稿からの反射光像を所定の方向に偏向する第１ミラー６６とを備え、原稿台５９の下面に対して一定の距離を保ちながら予め定められる走査速度で往復移動する。第２走査ユニット６２は、第１走査ユニット６１の第１ミラー６６によって偏向された反射光像をさらに所定の方向に偏向する第２および第３ミラー６７，６８とを備え、第１走査ユニット６１と一定の速度関係を保って原稿台５９の下面に沿って平行に往復移動する。
【００５９】
光学レンズ６３は、第２走査ユニット６２の第３ミラー６８によって偏向された反射光像を縮小し、ＣＣＤラインセンサ６４の予め定められる位置に結像させる。ＣＣＤラインセンサ６４は、白黒画像またはカラー画像を読取り、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の各色成分に色分解したラインデータを出力することのできる３ラインカラーＣＣＤであり、光学レンズ６３によって結像された反射光像を順次光電変換して電気信号を出力する。ＣＣＤラインセンサ６４から電気信号として出力される原稿画像情報は画像形成部５６に入力される。
【００６０】
給紙部５５は、複写機５０の最下部に配置され、記録媒体である記録紙Ｐを積載収容する用紙トレイ６９と、用紙トレイ６９内の記録紙Ｐを１枚ずつ分離送給する分離ローラ７０および給紙ローラ７１とを含み、画像形成部５６に対して記録媒体である記録紙Ｐを供給する。給紙部５から１枚ずつ分離供給される記録紙Ｐは、記録紙Ｐの搬送経路各所に設けられる搬送ローラ７２によって画像形成部５６の手前まで搬送され、画像形成部５６の手前に設けられる一対のレジストローラ７３によって給紙タイミングが制御されて画像形成部５６に供給される。
【００６１】
画像形成部５６は、画像読取部５４と給紙部５５との間に配置され、レーザビームスキャナユニット７４と、画像形成ステーション７５と、転写搬送ベルト機構７６とを含む。転写搬送ベルト機構７６は、画像形成部５６の下部に配置され、駆動ローラ７７と、従動ローラ７８と、駆動ローラ７７と従動ローラ７８とに張架される無端ベルト７９と、無端ベルト７９表面を帯電させて記録紙Ｐを吸着させるための吸着用帯電器８０と、無端ベルト７９に吸着されている記録紙Ｐを剥離するための除電器８１とを備える。
【００６２】
無端ベルト７９は、駆動ローラ７７の軸線まわりの回転によって矢符８２方向に駆動する。レジストローラ７３によってタイミング制御されて供給される記録紙Ｐは、吸着用帯電器８０によって表面の帯電された無端ベルト７９に静電吸着され、前述の矢符８２方向に搬送される。記録紙Ｐには、無端ベルト７９によって矢符８２方向に搬送される過程において画像が転写され、画像の転写された記録紙Ｐは、除電器８１によって無端ベルト７９から剥離されて定着部５７へと搬送される。レジストローラ７３による給紙のタイミング制御は、記録紙Ｐの搬送方向先端部が搬送経路内に設けられる図示しないセンサによって検知され、このセンサの検知出力に応じて実行される。
【００６３】
複写機５０は、カラー複写機であるので、レーザビームスキャナユニット７４および画像形成ステーション７５は、黒色，シアン色，マゼンタ色およびイエロー色の各色に対応して４組が設けられる。各レーザビームスキャナユニット７４および画像形成ステーション７５は、現像に用いられるトナーの色が、黒色，シアン色，マゼンタ色，イエロー色に異なること、および画像原稿情報のうち黒色成分像に対応する画素信号，シアン色成分像に対応する画素信号，マゼンタ色成分像に対応する画素信号，イエロー色成分像に対応する画素信号が、それぞれ入力されること以外は構成を同じくするので、黒色のレーザビームスキャナユニット７４および画像形成ステーション７５を代表例として説明し、他については説明を省略する。なお、各色に対応するレーザビームスキャナユニット７４および画像形成ステーション７５を個々に示す場合には、アルファベットの添字：ｂ（黒色），ｃ（シアン色），ｍ（マゼンタ色），ｙ（イエロー色）を付して表す。
【００６４】
図８は、黒色画像形成用レーザビームスキャナユニット７４ｂおよび画像形成ステーション７５ｂの構成を示す拡大図である。レーザビームスキャナユニット７４ｂは、画像読取部５４から入力される画像原稿情報に応じて変調されたドット光を発光する図示しない半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子からのレーザビームを主走査方向に偏向させるポリゴンミラー８３ｂと、ポリゴンミラー８３ｂによって偏向されたレーザビームを感光体１０ｂの表面に結像させるｆθレンズ８４ｂ，８５ｂと、反射ミラー８６ｂ，８７ｂ，８８ｂとを備える。反射ミラー８８ｂで反射されたレーザビームは、画像形成ステーション７５ｂの感光体１０ｂ表面を露光し、静電潜像を形成する。このレーザビームスキャナユニット７４ｂは、感光体１０ｂの表面に露光用の光を照射する露光装置を構成する。
【００６５】
露光装置であるレーザビームスキャナユニット７４ｂは、感光体１０ｂの表面に１２００ｄｐｉ以上の画素密度で像露光して静電潜像を形成することができる。すなわち、レーザビームスキャナユニット７４を備える本実施の形態の複写機５０は、高解像度用の機器である。
【００６６】
画像形成ステーション７５ｂは、軸線８９まわりに矢符Ｆ方向に回転自在に支持される感光体１０ｂと、感光体１０ｂの円周面に沿って配置される以下の機器、すなわち前述のレーザビームで露光される前に感光体１０ｂの表面を一様に帯電させる帯電器９１ｂと、レーザビームスキャナユニット７４ｂから出力されるレーザビームの露光によって感光体１０ｂの表面に形成される静電潜像を現像して可視化する現像器９２ｂと、無端ベルト７９を介して感光体１０ｂに対向して設けられ現像された画像を無端ベルト７９上の記録紙Ｐに転写させる転写用放電器９３ｂと、静電潜像の現像処理後に感光体１０ｂの表面に残留するトナーを除去回収するクリーニングユニット９４ｂとを備える。帯電器９１ｂ，現像器９２ｂ，転写用放電器９３ｂおよびクリーニングユニット９４ｂは、矢符Ｆで示す回転方向の上流側から下流側に向ってこの順序で設けられる。
【００６７】
帯電器９１ｂは、放電によって感光体１０ｂの表面を一様に帯電させる。一様に帯電された感光体１０ｂの表面が、画像原稿情報に応じたレーザビームスキャナユニット７４ｂからのレーザビームによって露光され、露光された部位の帯電量と露光されなかった部位の帯電量とに差異が生じて静電潜像が形成される。
【００６８】
現像器９２ｂは、感光体１０ｂに対向して設けられる現像ローラ９５ｂと、現像ローラ９５ｂにトナーを含む現像剤を供給する現像剤搬送ローラ９６ｂと、現像ローラ９５ｂおよび現像剤搬送ローラ９６ｂを回転自在に支持するとともに、その内部空間に現像剤を収容するケーシング９７ｂとを備える。現像器９２ｂの現像ローラ９５ｂから、静電潜像の形成された感光体１０ｂの表面に現像剤が供給されることによって静電潜像が現像されて可視化される。可視化された画像は、前述のように転写用放電器９３ｂによって無端ベルト７９上の記録紙Ｐに転写される。
【００６９】
図７に戻って、黒色の画像が転写された記録紙Ｐには、無端ベルト７９に吸着されたまま矢符８２方向に搬送され、搬送方向上流側から下流側に向って以下の順に設けられるシアン色，マゼンタ色，イエロー色のレーザビームスキャナユニット７４ｃ，７４ｍ，７４ｙおよび画像形成ステーション７５ｃ，７５ｍ，７５ｙを通過する際に、シアン色，マゼンタ色，イエロー色の画像が、前述の黒色画像の場合と同様にして順次転写される。このようにして記録紙Ｐにフルカラー画像が形成される。フルカラー画像の形成された記録紙Ｐは、除電器８１によって無端ベルト７９から剥離されて定着部５７へ送給される。
【００７０】
定着部５７は、図示しない加熱手段を備える加熱ローラ９８と、加熱ローラ９８に対向して設けられ加熱ローラ９８に押圧されて当接部いわゆるニップ部１００を形成する加圧ローラ９９とを備える。定着部５７に供給された記録紙Ｐは、ニップ部１００を通過する際に加熱および加圧され、記録紙Ｐ上の現像剤が定着されて堅牢な画像となる。
【００７１】
定着部５７によって定着された記録紙Ｐは、一方の表面だけに画像形成する場合または一方の表面の画像形成を終えた後反転されて他方の表面に画像形成する場合、切換ゲート１０１の動作によってその上方へ送給され、さらに排出ローラ１０２によって排紙トレイ１０３へ排出される。なお、記録紙Ｐの一方の表面に画像形成した後、さらに続けて他方の表面に画像形成する場合、記録紙Ｐは、切換ゲート１０１の動作によってその下方に送給され、スイッチバック搬送経路１０４を経て表裏反転された後、再度画像形成部５６へ搬送される。画像形成部５６へ送給された記録紙Ｐには、前述と同様にして画像形成される。
【００７２】
前述のように、本実施の形態の複写機５０には、粗さの指標としてＲｙ，Ｒａ，Ｒｚ，Ｓｍに加えてＰｃを用いて表面粗さの好適範囲に限定された導電性基体１１を有する感光体１０と、感光体１０の表面に１２００ｄｐｉ以上の画素密度で像露光することのできるレーザビームスキャナユニット７４とが備えられる。このことによって、好適な表面粗さの導電性基体１１を有する感光体１０に、１２００ｄｐｉ以上の画素密度で像露光して静電潜像を形成することができるので、干渉縞の発生が防止され、かつ高解像度の品質に優れた画像を形成することのできる複写機が実現される。
【００７３】
（実施例）
以下本発明の実施例を説明するけれども、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００７４】
（実施例１〜実施例１１）
直径：３０ｍｍ，厚み：０．７５ｍｍ，長さ：３２２．３ｍｍのアルミニウム製の円筒形状を有する導電性基体を準備した。このアルミニウム製円筒部材からなる導電性基体の外周表面を、ダイヤモンドバイトを用い、バイトの切刃形状，バイトの送り速度および潤滑剤の種類などを変化させて切削加工し、その表面粗さが本発明の範囲内である（ａ）最大高さＲｙ：０．８〜１．４μｍ，（ｂ）中心線平均粗さＲａ：０．１０〜０．１５μｍ，（ｃ）十点平均粗さＲｚ：０．７〜１．３μｍ，（ｄ）平均山間隔Ｓｍ：５〜３０μｍ，（ｅ）ピークカウントＰｃ：６０〜１００になるように仕上げた。切削加工後における導電性基体の表面粗さ、すなわち前述の（ａ）〜（ｅ）は、表面粗さ計：サーフコム５７０Ａ（東京精密株式会社製）によって測定された。
【００７５】
前述のようにして表面仕上げした導電性基体に、まず下引層を形成した。下引層の塗布液は、共重合ナイロン樹脂（ＣＭ４０００；東レ株式会社製）６重量部をメタノール９４重量部に溶解したものを用いた。この塗布液を前述の塗布装置２１を用いて、層厚を調整しながら導電性基体に塗布して、厚みが約０．９μｍの下引層を形成した。塗布装置２１において層厚測定に使用した光干渉法による分光光度計は、大塚電子株式会社製ＭＣＰＤ−１１００である。ＭＣＰＤ−１１００は、光プローブの直径が１０ｍｍであり、このプローブが導電性基体の半径方向の延長方向であって、導電性基体の外周面から約２ｍｍ離隔した位置に配置されたので、導電性基体の外周面における光の照射径は約３ｍｍであった。層厚の測定に用いた光の波長は、５５０〜８５０ｎｍであり、下引層塗膜の反射スペクトルを測定した。測定に先立ち、同一組成で層厚が既知の下引層を形成しておき、該下引層の干渉パターンから前述の式（４）によって屈折率を予め求めて光度計本体の演算部に入力した。この予め求めておいた屈折率と、測定された下引層塗膜の反射スペクトルとから式（４）に従って層厚を求めた。
【００７６】
次に下引層の外層に電荷発生層を形成した。電荷発生層の塗布液は、Ｘ型メタルフリーフタロシアニン１重量部，ブチラール樹脂（エスレックＢＭ−２；積水化学株式会社製）１重量部およびテトラヒドロフラン１２０重量部を調合し、ボールミルにて１２時間分散処理したものを作製した。この塗布液を前述の塗布装置２１を用いて、層厚を調整しながら下引層の外層に塗布して、厚みが約０．２μｍの電荷発生層を形成した。層厚測定は、前述の下引層の層厚測定と同様の手順にて行った。
【００７７】
電荷発生層のさらに外層に電荷輸送層を形成した。電荷輸送層の塗布液は、ヒドラゾン系電荷輸送材（ＡＢＰＨ；日本化薬株式会社製）１重量部，ポリカーボネト樹脂（パンライトＬ−１２５０；帝人化成株式会社製）１重量部およびシリコーン系レベリング剤（ＫＦ−９６；信越化学工業株式会社製）０．０００１３重量部を、ジクロロエタン８重量部に加えて４５℃で加熱溶解し、溶解後自然冷却したものを用いた。この塗布液を前述の塗布装置２１を用いて、層厚を調整しながら電荷発生層の外層に塗布して、厚みが２２μｍ程度の電荷輸送層を形成した。層厚の測定に用いた光の波長は、６５０〜７５０ｎｍであり、電荷発生層と電荷輸送層とを合わせた塗膜の反射スペクトルを測定し、式（４）に従って電荷発生層と電荷輸送層とを合わせた層厚を求め、前述の電荷発生層の層厚を減算して電荷輸送層の層厚を求めた。以上のようにして、導電性基体が、本発明の範囲内の各表面粗さ指標値を有する実施例１〜実施例１１の感光体を作製した。
【００７８】
（比較例１〜比較例１１）
ダイヤモンドバイトの切刃形状，バイトの送り速度および潤滑剤の種類などの条件を変化させて導電性基体の外周表面を切削加工し、表面粗さ指標値であるＲｙ，Ｒａ，Ｒｚ，Ｓｍ，Ｐｃのいずれか１または２以上が、本発明の範囲外になるように仕上げを施した以外は、実施例１〜実施例１１と同様にして比較例１〜比較例１１の感光体を作製した。
【００７９】
前述のようにして作製した実施例１〜実施例１１および比較例１〜比較例１１の感光体を複写機にそれぞれ装着し、複写機によって形成された画像の画質を評価した。また前述の感光体作製過程における下引層の層厚測定（以後、ＵＣ膜厚測定と称する）の難易度および電荷発生層と電荷輸送層との層厚和測定（以後、ＣＴ膜厚測定と称する）の難易度を評価した。以下評価指標について説明する。
【００８０】
画質：　波長が７８０ｎｍのレーザ光を放射し、そのレーザ光の感光体表面に１２００ｄｐｉの画素密度で像露光するレーザビームスキャナユニットを備える複写機に、実施例１〜１１および比較例１〜１０の感光体をそれぞれ装着し、記録紙上に画像形成した。比較例１１の感光体のみは、波長が７８０ｎｍのレーザ光を放射し、そのレーザ光の感光体表面に６００ｄｐｉの画素密度で像露光するレーザビームスキャナユニットを備える複写機に装着させて記録紙上に画像形成された。すなわち、比較例１１では、本発明の範囲外の表面粗さ指標値を有する導電性基体からなる感光体を用いて低解像度の複写機で画像形成した場合の画質評価を行った。
【００８１】
各感光体がそれぞれ装着された複写機によって形成された画像を目視観察し、まったく画像欠陥の認められなかったものを優良（◎）と評価し、干渉縞および／または黒点が若干認められるけれども、実使用上問題ないものを良（○）と評価し、干渉縞および／または黒点が多く実使用に耐えないものを不良（×）と評価した。
【００８２】
ＵＣ膜厚測定：下引層の形成過程において、下引層の層厚測定時に測定された反射スペクトルの干渉パターンによって、測定の難易度を評価した。図９〜図１１は、下引層の層厚測定時における反射スペクトルを示す図である。図９〜図１１のそれぞれに示すライン１１１，１１２，１１３が、下引層の層厚測定時に得られた反射スペクトルである。図９中のライン１１１のように測定波長範囲内において干渉ピークが２個以上存在し、層厚を容易に測定できたものを「○」と評価した。図１０中のライン１１２のように測定波長範囲内において干渉ピークの判別がやや困難であるけれども層厚の測定は可能であったものを、「△」と評価した。図１１中のライン１１３のように測定波長範囲内において干渉ピークが存在せず、層厚の測定が不可能であったものを、「×」と評価した。
【００８３】
ＣＴ膜厚測定：電荷輸送層の形成過程において、電荷発生層と電荷輸送層とを合わせた層厚測定時に測定された反射スペクトルの干渉パターンによって、測定の難易度を評価した。図１２〜図１４は、電荷発生層と電荷輸送層とを合わせた層厚測定時における反射スペクトルを示す図である。図１２〜図１４のそれぞれに示すライン１１４，１１５，１１６が、層厚測定時に得られた反射スペクトルである。図１２中のライン１１４のように測定波長範囲内において干渉ピークが明瞭に認められ、層厚を容易に測定できたものを「○」と評価した。図１３中のライン１１５のように測定波長範囲内において干渉ピークの判別がやや困難であるけれども層厚の測定は可能であったものを、「△」と評価した。図１４中のライン１１６のように測定波長範囲内において干渉ピークが存在せず、層厚の測定が不可能であったものを、「×」と評価した。
【００８４】
実施例１〜１１および比較例１〜１１の評価結果を表１にまとめて示す。表１に示すように、本発明の実施例１〜１１では、画質評価結果が「◎」ないし「○」であり、ＵＣ膜厚測定およびＣＴ膜厚測定の評価結果が「○」ないし「△」であった。すなわち、表面粗さの各指標値が本発明に規定する好適範囲内になるように表面仕上げされた導電性基体からなる感光体を、高解像度の画像形成装置に適用することによって、画質に優れた画像形成をすることができ、かつ光干渉法により精度よく感光層の層厚測定をすることができた。
【００８５】
表面粗さの各指標値のうちいずれか１または２以上が本発明に規定する範囲外になるように表面仕上げされた導電性基体からなる感光体を、高解像度の画像成装置に適用した比較例１〜比較例９では、画質が「×」であり、比較例１０では膜厚測定の評価結果が「×」であった。特に本発明の最も特徴とする表面粗さ指標値であるピークカウントＰｃが、下限値未満である比較例９では、ＵＣおよびＣＴ膜厚測定が「○」であるけれども画質が「×」であり、Ｐｃが上限値を超える比較例１０では、画質が「◎」であるけれどもＵＣおよびＣＴ膜厚測定が「×」であった。
【００８６】
なお表面粗さの各指標値のすべてが本発明に規定する範囲外になるように表面仕上げされた導電性基体からなる感光体を、低解像度の画像成装置である６００ｄｐｉ機に適用した比較例１１では、画質の評価結果が「◎」であり、またＰｃが下限値未満であるのでＵＣおよびＣＴ膜厚測定の評価結果が「○」であった。
【００８７】
比較例１〜比較例１１の評価結果より、低解像度の６００ｄｐｉ機では、導電性基体の表面粗さを特に粗くしなくてもある程度の画質を得ることができるので、光干渉法による膜厚測定も容易であるけれども、高解像度の１２００ｄｐｉ機では、表面粗さを厳密に規定しなければ画質と光干渉法による膜厚測定とを両立させることが困難であった。すなわち、導電性基体の表面粗さを厳密に規定することによって、画質の向上と光干渉法による精度のよい層厚測定とを両立させるという作用効果は、感光体表面に１２００ｄｐｉ以上の画素密度で像露光して静電潜像を形成する露光装置を備える画像形成装置において顕著に発揮されることが明らかにされた。
【００８８】
【表１】
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【００８９】
【発明の効果】
本発明によれば、電子写真感光体の導電性基体の表面粗さは、その指標としてＲｙ，Ｒａ，Ｒｚ，Ｓｍに加えてＰｃを用いて好適範囲に限定される。このことによって、導電性基体上に形成される感光層中における光の多重反射に起因する画像の干渉縞発生を防止できるとともに、光干渉法により精度良く層厚を測定することのできる電子写真感光体が実現される。
【００９０】
また本発明によれば、表面粗さの指標としてＲｙ，Ｒａ，Ｒｚ，Ｓｍに加えてＰｃを用いて表面粗さを好適範囲に限定した導電性基体が準備され、その導電性基体上に感光層を構成する各層を塗布形成するに際し、層の厚みを光干渉法によって測定し、測定結果をフィードバックして、層厚みを調整しながら電子写真感光体を製造する。このように導電性基体の表面粗さが好適範囲にあり、光干渉法による層厚測定を精度良く行うことができるので、感光層を構成する各層を塗布形成する際に層厚の安定形成が可能になるとともに、層厚むらの発生が防止される。また感光層の厚み精度に優れ、干渉縞を発生することのない電子写真感光体が製造される。
【００９１】
また本発明によれば、画像形成装置には、粗さの指標としてＲｙ，Ｒａ，Ｒｚ，Ｓｍに加えてＰｃを用いて表面粗さの好適範囲に限定された導電性基体を有する電子写真感光体と、電子写真感光体の表面に照射される光スポット径が４０μｍ以下である露光手段とが備えられる。このことによって、好適な表面粗さの導電性基体を有する電子写真感光体に、小さなスポット径の光で静電潜像を形成することができるので、干渉縞の発生が防止され、かつ高解像度の品質に優れた画像を形成することのできる画像形成装置が実現される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態である電子写真感光体１０の構成を簡略化して示す斜視図である。
【図２】最大高さＲｙの定義を説明する図である。
【図３】十点平均粗さＲｚの定義を説明する図である。
【図４】ピークカウントＰｃの定義を説明する図である。
【図５】感光体１０の製造に用いる塗布装置２１の構成を簡略化して示す図である。
【図６】プローブ３６の構成を簡略化して示す投光側から見た正面図である。
【図７】本発明のもう一つの実施の形態である画像形成装置５０の構成を簡略化して示す概略断面図である。
【図８】黒色画像形成用レーザビームスキャナユニット７４ｂおよび画像形成ステーション７５ｂの構成を示す拡大図である。
【図９】下引層の層厚測定時における反射スペクトルを示す図である。
【図１０】下引層の層厚測定時における反射スペクトルを示す図である。
【図１１】下引層の層厚測定時における反射スペクトルを示す図である。
【図１２】電荷発生層と電荷輸送層とを合わせた層厚測定時における反射スペクトルを示す図である。
【図１３】電荷発生層と電荷輸送層とを合わせた層厚測定時における反射スペクトルを示す図である。
【図１４】電荷発生層と電荷輸送層とを合わせた層厚測定時における反射スペクトルを示す図である。
【図１５】基体表面における光の反射の状態を示す図である。
【図１６】透明膜ｘにおける光の反射挙動を示す図である。
【符号の説明】
１０　電子写真感光体
１１　導電性基体
１２　下引層
１３　電荷発生層
１４　電荷輸送層
２１　塗布装置
２２　アーム
２３　昇降手段
２４　駆動手段
２５　塗布液
２６　容器
２７　分光光度計
２８　制御手段
５０　複写機
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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