(57)【要約】【課題】ＴＦＴに対する光の入射を未然に防止することで高品位な画像を表示することの可能な電気光学装置を提供する。【解決手段】電気光学装置は、走査線（３ａ）及びこれに交差する方向に延在するデータ線（６ａ）と、これらの交差領域に対応するように配置されたＴＦＴ（３０）及び画素電極（９ａ）と、これらに電気的に接続された蓄積容量（７０）とを備えてなり、この蓄積容量は、ＴＦＴ及び画素電極に電気的に接続された下側電極（７１）と、これに対向配置された上側電極（３００）と、これらの間に挟持された誘電体膜（７５）とからなり、前記下側電極は、ＷＳｉ層（７１１）及び導電性ポリシリコン層（７１２）を少なくとも含む積層構造を有する。【選択図】      図３
2004177594.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
一定の方向に延在する走査線及び該走査線に交差する方向に延在するデータ線と、
前記走査線及び前記データ線の交差領域に対応するように配置された薄膜トランジスタ及び画素電極と、
前記薄膜トランジスタ及び画素電極に電気的に接続された蓄積容量と
を備えてなり、
前記蓄積容量は、前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極に電気的に接続された画素電位側容量電極と、該画素電位側容量電極に対向配置された固定電位側容量電極と、前記画素電位側容量電極及び前記固定電位側容量電極間に挟持された誘電体膜とからなり、
前記画素電位側容量電極は、高融点金属膜からなる層及び半導体膜からなる層を少なくとも含む積層構造を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記画素電位側容量電極は、その上層側に前記半導体膜からなる層が、その下層側に前記高融点金属膜からなる層が配置された積層構造を有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記高融点金属膜は、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記高融点金属膜は、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）及びチタン（Ｔｉ）を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記画素電位側容量電極は、前記薄膜トランジスタを覆うように形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記高融点金属膜に代えて又は加えて、
前記画素電位側容量電極は、高融点化合物の膜からなる層及び半導体膜からなる層を少なくとも含む積層構造を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記高融点化合物の膜は、チタンナイトライド（ＴｉＮ）を含むことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記基板は、前記走査線、前記データ線、前記画素電極及び前記薄膜トランジスタが作り込まれた領域として規定される画像表示領域と、前記画像表示領域の周囲の領域として規定される周辺領域とを有し、
前記周辺領域上に作り込まれ第２の薄膜トランジスタを含む周辺回路と、
前記第２の薄膜トランジスタに接続されるコンタクトホールと、
該コンタクトホールを埋めるように且つ前記画素電位側容量電極と同一膜として形成された膜からなる、前記第２の薄膜トランジスタに接続される配線と
を備えたことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第２の薄膜トランジスタは、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｎ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）型薄膜トランジスタを含み、
前記画素電位側容量電極は、その上層側に前記半導体膜からなる層が、その下層側に前記高融点金属膜からなる層が配置された積層構造を有し、
前記配線は、前記ＣＭＯＳ型薄膜トランジスタを構成するＰ型の薄膜トランジスタのソース領域及びドレイン領域の少なくとも一方と接続されていることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記配線と前記ソース領域及びドレイン領域との間には、該ソース領域及び該ドレイン領域を含む半導体層と化合物を形成していることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に、前記薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタの上に、前記画素電位側容量電極、前記誘電体膜及び前記固定電位側容量電極を形成して、前記蓄積容量を形成する工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に、前記画像表示領域における前記薄膜トランジスタ及び前記周辺領域における前記第２の薄膜トランジスタを同一の機会に形成する工程と、
前記第２の薄膜トランジスタの上に層間絶縁膜を形成すると共に、該層間絶縁膜に前記第２の薄膜トランジスタに通ずるようにコンタクトホールを開孔する工程と、
前記薄膜トランジスタの上且つ前記層間絶縁膜の上に、前記画素電位側容量電極及び前記コンタクトホールを埋める配線とを同一の機会に形成する工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記配線の上に他の層間絶縁膜を形成すると共に、該他の層間絶縁膜に前記配線に通ずるように他のコンタクトホールを開孔する工程と、
前記他の層間絶縁膜の上に、前記他のコンタクトホールを埋めるように他の配線を形成する工程と
を更に含むことを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置の技術分野に属する。また、本発明は、このような電気光学装置を具備してなる電子機器の技術分野にも属する。さらには、本発明は、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置、電子ペーパ等の電気泳動装置の技術分野にも属する。
【０００２】
【背景技術】
従来、画素電極及び該画素電極に接続された画素スイッチング素子としてのＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等を備えることにより、いわゆるアクティブマトリクス駆動が可能とされた電気光学装置が知られている。このような電気光学装置においては、昨今、より小型でありながら、より高品位な画像を表示可能なものが一般的に要請されている。
【０００３】
この要請に応えるためには特に、各画素に設けられたＴＦＴ、とりわけその半導体層中のチャネル領域に対する光入射に係る課題の克服は重要である。というのも、該チャネル領域に光が照射されると、該光による励起で光リーク電流が発生してＴＦＴの特性が変化するからである。この光リーク電流が発生すると、画像上にフリッカ等が生じ、もはや高品位な画像表示が困難になる。特に、プロジェクタのライトバルブ用の電気光学装置の場合には、入射光の強度が高いため、ＴＦＴのチャネル領域やその周辺領域に対する入射光の遮光を行うことはより重要となる。
【０００４】
そこで従来は、前記ＴＦＴ等が作り込まれたＴＦＴアレイ基板に対して、液晶等の電気光学物質を挟んで対向する対向基板に、各画素の開口領域を規定する遮光膜を設けることにより、チャネル領域やその周辺領域に光が到達しないような構成がとられている。あるいはまた、ＴＦＴアレイ基板上において、ＴＦＴの上を通過するＡｌ（アルミニウム）等の金属膜からなるデータ線を遮光膜として利用する構成等もとられている（特許文献１参照。）。さらには、ＴＦＴのゲート電極を含む走査線において、チャネル領域の長手方向に突出する突出部を設けることによって、該チャネル領域に対する光の入射を、該突出部によって遮る技術なども提供されている（特許文献２参照。）。これらのような構成を採ることにより、当該電気光学装置のＴＦＴないしはそのチャネル領域に光が入射するのを未然に防ぐこと、すなわち光リーク電流の発生を未然に防止することが可能となる。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−３３０８６１号公報
【特許文献２】
特開２００２−１５８３６０号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した遮光技術には、以下のような問題点があった。すなわち、対向基板上やＴＦＴアレイ基板上に遮光膜を形成する技術によれば、遮光膜とチャネル領域との間は、３次元的に見て例えば液晶層、電極、層間絶縁膜等を介してかなり離間しており、両者間へ斜めに入射する光に対する遮光が十分ではない。特に、プロジェクタのライトバルブとして用いられる小型の電気光学装置においては、入射光は光源からの光をレンズで絞った光束であり、斜めに入射する成分を無視し得ない程度（例えば、基板に垂直な方向から１０度から１５度程度傾いた成分を１０％程度）含んでいるので、このような斜めの入射光に対する遮光が十分でないことは実践上問題となる。
【０００７】
また、データ線をＡｌ等の金属膜から構成する技術では特に、次の二点が問題となる。第一に、このデータ線は当然にＴＦＴとの間で電気的接続がなされていなければならないが、そのためには、通常、両者間にコンタクトホールを設けることが行われている。そして、このコンタクトホールは、データ線とＴＦＴとの鉛直的距離に応じて比較的深いものになり得る。しかし、これでは当該データ線が遮光機能をいくら発揮したとしても、前記コンタクトホールを原因とする光抜けが生じることを防止することができない。これにより、データ線をＡｌ等で構成することで遮光機能をもたせようとする意図は相応分失われることになる。
【０００８】
さらに、前記の遮光技術一般についていえば、上述した電気光学装置の小型化という一般的要請に沿うべく、該装置の高精細化あるいは画素ピッチの微細化が推し進められるとともに、表示画像の高品位化という一般的要請に沿って更に明るい画像を表示すべく、入射光の光強度は高められる傾向にあるから、上述した従来の遮光技術によれば、十分な遮光を施すのが困難な状況にある。
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、ＴＦＴに対する光の入射を未然に防止することで高品位な画像を表示することの可能な電気光学装置及びその製造方法を提供することを課題とする。また、本発明は、そのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することも課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するため、基板上に、一定の方向に延在する走査線及び該走査線に交差する方向に延在するデータ線と、前記走査線及び前記データ線の交差領域に対応するように配置された薄膜トランジスタ及び画素電極と、前記薄膜トランジスタ及び画素電極に電気的に接続された蓄積容量とを備えてなり、前記蓄積容量は、前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極に電気的に接続された画素電位側容量電極と、該画素電位側容量電極に対向配置された固定電位側容量電極と、前記画素電位側容量電極及び前記固定電位側容量電極間に挟持された誘電体膜とからなり、前記画素電位側容量電極は、高融点金属膜からなる層及び半導体膜からなる層を少なくとも含む積層構造を有する。
【００１１】
本発明の電気光学装置によれば、例えばプロジェクタのライトバルブとしての液晶装置等の電気光学装置に用いられる。その動作時には、薄膜トランジスタに対して、走査線を介して走査信号をそのゲート電極に供給しつつ、データ線を介して画像信号をそのソース領域に供給する。これにより、薄膜トランジスタにより画像信号に応じて、そのドレイン領域に接続された画素電極をスイッチング制御でき、アクティブマトリクス駆動による表示動作が可能となる。
【００１２】
そして、本発明ではまず、蓄積容量が備えられていることにより、画素電極における電位保持特性を顕著に高めることができるから、画像の品質を向上させることができる。
【００１３】
また特に、このような蓄積容量を構成する画素電位側容量電極が、高融点金属膜からなる層及び半導体膜からなる層を少なくとも含む積層構造を有している。これにより、まず、画素電位側容量電極が、例えば導電性のポリシリコン膜等の半導体膜を含んでいることにより、良好な電気伝導性を達成することが可能である。したがって、例えば薄膜トランジスタから画素電極に至る電気の流れにおいて、それらの間に本発明に係る画素電位側容量電極が存在する場合であっても、その電気の流れを滞りなく実現することができる。
【００１４】
また、画素電位側容量電極が、例えばクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等及びこれらの合金、或いはこれらの金属シリサイド等を含む高融点金属膜からなる層を含んでいることにより、該画素電位側容量電極の遮光性を向上させることができる。これにより、薄膜トランジスタに対する光入射を未然に防止することが可能となり、その耐光性を高めることができる。したがって、該薄膜トランジスタにおける光リーク電流の発生を未然に防止することが可能となり、画像上にフリッカ等が表示されることを防止することが可能となる。
【００１５】
更にいえば、本発明において、画素電位側容量電極が高融点金属膜からなる層を含むことから、該画素電位側容量電極を形成した後に、高温プロセスを行うことが可能である。例えば、画素電位側容量電極の上に、前述の誘電体膜を形成する場合においては該誘電体膜、或いは高誘電金属膜からなる層を形成した後に前記半導体膜からなる層を形成する場合においては該半導体膜からなる層を、減圧ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の比較的高温な環境下で行われるプロセスで形成することが可能である。
【００１６】
また、画素電位側容量電極の上に高温プロセスで形成することが必要な要素を配置可能であるということは、該画素電位側容量電極を基板上に構築する積層構造の比較的下層側に形成すること、したがって、薄膜トランジスタにより近い層として形成することが可能となることを意味する。したがって、この場合における画素電位側容量電極は、薄膜トランジスタにより近接した領域で遮光を行うことになるから、多分に斜め成分を含む入射光をも十分に遮光することができる。また、画素電位側容量電極と薄膜トランジスタとを比較的近くに形成することが可能であるということは、両者間を電気的に接続するためのコンタクトホールを設けたとしても、それは比較的浅くて済むから、該コンタクトホールを原因とする光抜けも殆ど生じ得ない。
【００１７】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記画素電位側容量電極は、その上層側に前記半導体膜からなる層が、その下層側に前記高融点金属膜からなる層が配置された積層構造を有する。
【００１８】
この態様によれば、画素電位側容量電極におけるより高い遮光性能の発揮が可能となる。その事情は以下のとおりである。
【００１９】
すなわち、画素電位側容量電極は、基板上に構築される積層構造の最上層として形成される画素電極と電気的に接続されなければならないから、両者間にはコンタクトホールが設けられることが一般的である。すると、該コンタクトホールを抜けてくる光の薄膜トランジスタへの到達が懸念されることになるが、本態様によれば、該コンタクトホールは画素電位側容量電極の上層に位置する半導体膜からなる層に接続可能であるとともに、仮に該コンタクトホールを抜けてくる光が存在したとしても、それは画素電位側容量電極の下層に位置する高融点金属膜からなる層によって遮光可能なのである。
【００２０】
このように、本態様によれば、画素電位側容量電極及び画素電極間にコンタクトホールを設けたとしても、該コンタクトホールを抜けてくる光を有効に遮光可能であることにより、より高い遮光性能の発揮が可能となることになる。
【００２１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記高融点金属膜は、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）を含む。
【００２２】
この態様によれば、画素電位側容量電極は、例えばＷＳｉからなる層及び半導体膜からなる層という積層構造を有している。このうちＷＳｉからなる層は、比較的優れた光吸収性能を発揮することから、薄膜トランジスタに対する光入射をより有効に遮ることが可能となる。
【００２３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記高融点金属膜は、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）及びチタン（Ｔｉ）を含む。
【００２４】
この態様によれば、画素電位側容量電極は、例えばＷＳｉからなる層、Ｔｉからなる層及び半導体膜からなる層という積層構造を有している。本態様においては、前述のＷＳｉ層に加えて、比較的光吸収性能に優れたＴｉからなる層が加えられていることにより、より優れた遮光性能を享受することができる。
【００２５】
なお、この場合においては特に、Ｔｉからなる層の両側にチタンナイトライド（ＴｉＮ）からなる層を配置するようにするとよい。この場合、Ｔｉのもつ光吸収性能によって、画素電位側容量電極の遮光性を高めることができると共に、該Ｔｉの酸化がＴｉＮからなる層によって防止されることになる。この点、Ｔｉが酸化してしまうと（即ち、ＴｉＯ２等が生成されると）その遮光性能が落ちることになるが、ＴｉＮがそれを防止することにより、Ｔｉの比較的優れた光吸収性能を、比較的長期にわたり享受することが可能となるのである。
【００２６】
本発明の電気光学装置の他の態様では、画素電位側容量電極は、前記薄膜トランジスタを覆うように形成されている。
【００２７】
この態様によれば、画素電位側容量電極が、薄膜トランジスタを覆うように形成されていることから、高融点金属膜を含む当該画素電位側容量電極の遮光性を、より効果的に享受することが可能となる。
【００２８】
なお、本態様において、「薄膜トランジスタを覆うように」とは、具体的には例えば、次のような例が考えられる。すなわち、「前記薄膜トランジスタのチャネル領域を含む半導体層が、前記データ線に沿うように形成されており、前記画素電位側容量電極は、前記半導体層を覆い且つ前記データ線に沿う第１部分と、該第１部分と交差すると共に前記走査線に沿う第２部分とからなる」というようである。この場合、第１部分及び第２部分により、該画素電位側容量電極は、平面視してＴ字型の形状（又は該Ｔ字型を横倒ししたかのような形状）、或いはＬ字型の形状、更には十字型の形状等を有することになる。これにより、Ｔ字型、Ｌ字型及び十字型のいずれの場合でも、前記チャネル領域を横棒と縦棒の交差する部分に配置することにより、該横棒の長さ部分及び該縦棒の長さ部分による遮光を実現することができ、斜め成分を含む入射光の遮光を極めて効果的に実現することができる。また、このような形状によれば、画素電位側容量電極を光透過領域にはみ出さないように形成可能であるから、画像の明るさを維持することが可能であると共に、前記の横棒及び縦棒の長さ部分が、蓄積容量の容量値増大に貢献することから、画素電極における電位保持特性は向上し、より高品質な画像を表示することが可能となる。
【００２９】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記高融点金属膜に代えて又は加えて、前記画素電位側容量電極は、高融点化合物の膜からなる層及び半導体膜からなる層を少なくとも含む積層構造を有する。
【００３０】
この態様によれば、高融点金属膜に代えて又は加えて、画素電位側容量電極は、例えばチタンナイトライド等の高融点化合物の膜からなる層を含んでいることにより、該画素電位側容量電極の遮光性を向上させることができる。これにより、薄膜トランジスタに対する光入射を未然に防止することが可能となり、その耐光性を高めることができる。したがって、該薄膜トランジスタにおける光リーク電流の発生を未然に防止することが可能となり、画像上にフリッカ等が表示されることを防止することが可能となる。
【００３１】
この態様では、前記高融点化合物の膜は、チタンナイトライド（ＴｉＮ）を含むように構成するとよい。
【００３２】
このような構成によれば、画素電位側容量電極は、例えばＴｉＮからなる層及び半導体膜からなる層という積層構造を有している。このうちＴｉＮからなる層は、比較的優れた光吸収性能を発揮することから、薄膜トランジスタに対する光入射をより有効に遮ることが可能となる。
【００３３】
なお、本態様においてはこの他に、画素電位側容量電極をチタン膜を含む構成とし、かつ、該チタン膜を前述のＴｉＮからなる層で挟持する構成を採用することなどが可能である。この場合、Ｔｉのもつ光吸収性能によって、画素電位側容量電極の遮光性を高めることができると共に、このＴｉの酸化が、ＴｉＮからなる層によって防止されることになる。すなわち仮に、Ｔｉが酸化してしまうと（即ち、ＴｉＯ２等が生成されると）その遮光性能が落ちることになるが、ＴｉＮがそれを防止することにより、Ｔｉの光吸収性能を比較的長期にわたり享受することが可能となるのである。
【００３４】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板は、前記走査線、前記データ線、前記画素電極及び前記薄膜トランジスタが作り込まれた領域として規定される画像表示領域と、前記画像表示領域の周囲の領域として規定される周辺領域とを有し、前記周辺領域上に作り込まれ第２の薄膜トランジスタを含む周辺回路と、前記第２の薄膜トランジスタに接続されるコンタクトホールと、該コンタクトホールを埋めるように且つ前記画素電位側容量電極と同一膜として形成された膜からなる、前記第２の薄膜トランジスタに接続される配線とを備えている。
【００３５】
この態様によれば、周辺領域上に第２の薄膜トランジスタを含む周辺回路が形成されると共に、前記第２の薄膜トランジスタに接続される配線が、前記画素電位側容量電極と同一膜として形成されている。したがって、本態様によればまず、例えば配線及び画素電位側容量電極を別々に形成する態様等に比べて、その製造工程の簡略化、或いは省略化等を達成することができる。
【００３６】
また、画素電位側容量電極は、薄膜トランジスタにより近い層として形成することが可能であるから、第２の薄膜トランジスタと配線との電気的接続を図るためのコンタクトホールを深く形成する必要がない。
【００３７】
この点、本態様と、第２の薄膜トランジスタと接続されるべき配線が相当程度上層に位置するデータ線等と同一膜として形成される態様などとを比較すると、本態様の有利さが明瞭になる。すなわち、後者の態様では、そのためのコンタクトホールが比較的深くなって配線の付き回りが悪くなり、配線及び第２の薄膜トランジスタ間の電気的接続を良好に実現することが困難となる。また、前記の配線の付き回りの悪さを改善するためには、従来、コンタクトホールの開口径を大きくするためにウェットエッチングを行うことが行われていたが、これでは、該コンタクトホールを形成（或いは、開孔）するためのエッチング工程とは別に、該ウェットエッチングを行う工程が必要となり、製造工程の複雑化を招いていた。また、該ウェットエッチング工程を実施すれば、たしかに、付き回りの改善を果たせるものの、その分コンタクトホールの開口径が大きくなることにより、電気光学装置の小型化・微細化が不可能になる。
【００３８】
しかるに、本態様によれば、上述のような不具合を被らない。すなわち、第２の薄膜トランジスタと、画素電位側容量電極と同一膜として形成される配線とは相互に近接した層に形成することが可能であるから、コンタクトホールは比較的浅くて済み、配線の付き回りは比較的良好に維持することが可能であるし、またしたがって、この付き回りの改善のため、別にウェットエッチング工程を行う必要もないのである。
【００３９】
なお、このようなことは、前記画素電位側容量電極及び前記薄膜トランジスタ間を電気的に接続するためのコンタクトホールについても全く同様に当てはまることは言うまでもない。
【００４０】
この態様では、前記第２の薄膜トランジスタは、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｎ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）型薄膜トランジスタを含み、前記画素電位側容量電極は、その上層側に前記半導体膜からなる層が、その下層側に前記高融点金属膜からなる層が配置された積層構造を有し、前記配線は、前記ＣＭＯＳ型薄膜トランジスタを構成するＰ型の薄膜トランジスタのソース領域及びドレイン領域の少なくとも一方と接続されているように構成するとよい。
【００４１】
このような構成によれば、まず、画素電位側容量電極と同一膜として形成される配線もまた、その上層に半導体膜からなる層が位置し、その下層に高融点金属膜からなる層が位置することになる。したがって、周辺領域上のＰ型の薄膜トランジスタのソース領域及びドレイン領域と直接的に接続されるのは、配線の下層側たる高融点金属膜からなる層ということになる。これにより、本態様においては、画素電位側容量電極、或いは配線の上層側たる半導体膜からなる層が、Ｎ型の導電性ポリシリコンであったとしても、配線及びＰ型の薄膜トランジスタ間の電気的接続を良好に維持することが可能である。
【００４２】
この点仮に、画素電位側容量電極、或いは配線がＮ型の導電性ポリシリコンのみからなるという場合においては、該配線及び前記Ｐ型の薄膜トランジスタ間の接続において、ＰＮ接合を生じさせることになり、両者間の電気的接続が極めて困難となることに鑑みるに、本態様の優位さはより明らかとなる。なお、このようなことから、本態様においては、配線の上層に位置する半導体膜からなる層を、Ｎ型の導電性ポリシリコン膜からなる層として構成可能である、という作用効果が得られるということもできる。
【００４３】
さらに、この構成では、前記配線と前記ソース領域及びドレイン領域との間には、該ソース領域及び該ドレイン領域を含む半導体層と化合物を形成しているように構成するとよい。
【００４４】
このような構成によれば、例えば、ソース領域及びドレイン領域と、高融点金属膜からなる層との間に、シリサイド化された化合物を介在させることが可能となることにより、両者間のコンタクトをより良好なものとすることが可能となる。
【００４５】
本発明の第１電気光学装置の製造方法は、上記課題を解決するために、上述の本発明の電気光学装置（ただし、周辺領域の構成に関する言及のないものに限る。）を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記基板上に、前記薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタの上に、前記画素電位側容量電極、前記誘電体膜及び前記固定電位側容量電極を形成して、前記蓄積容量を形成する工程とを含む。
【００４６】
本発明の第１電気光学装置の製造方法によれば、上述の本発明の電気光学装置を好適に製造することができる。
【００４７】
本発明の第２電気光学装置の製造方法は、上記課題を解決するために、上述の本発明の電気光学装置（ただし、周辺領域の構成に関する言及があるものに限る。）を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記基板上に、前記画像表示領域における前記薄膜トランジスタ及び前記周辺領域における前記第２の薄膜トランジスタを同一の機会に形成する工程と、前記第２の薄膜トランジスタの上に層間絶縁膜を形成すると共に、該層間絶縁膜に前記第２の薄膜トランジスタに通ずるようにコンタクトホールを開孔する工程と、前記薄膜トランジスタの上且つ前記層間絶縁膜の上に、前記画素電位側容量電極及び前記コンタクトホールを埋める配線とを同一の機会に形成する工程とを含む。
【００４８】
本発明の第２電気光学装置の製造方法によれば、まず、薄膜トランジスタ及び第２の薄膜トランジスタが同一の機会に形成される。ここで「同一の機会に」とは、例えば薄膜トランジスタの半導体層と、第２の薄膜トランジスタのそれとが同一膜として形成された後に、該膜に対するパターニング処理をする結果、別々の半導体層それぞれが形成されるということを意味する。ここでは「半導体層」を例にして述べたが、薄膜トランジスタを構成するその他の構成（例えば、ゲート電極等）であってもよい。
【００４９】
次に、第２の薄膜トランジスタの上に層間絶縁膜が形成されると共に、該層間絶縁膜には前記第２の薄膜トランジスタに通ずるようにコンタクトホールが開孔される。このコンタクトホールは、例えば、該第２の薄膜トランジスタが前述のＣＭＯＳ型薄膜トランジスタを含む場合においては特に、そのＰ型の薄膜トランジスタのソース領域及びドレイン領域に通ずるものとして開孔するとよい。
【００５０】
ここで、該コンタクトホールは、一層の層間絶縁膜に開孔すればよいから、比較的浅いものとして形成すればよい。すなわち、本発明に係るコンタクトホールは、ドライエッチングだけで十分に開孔可能であり、逆にいうと、ウェットエッチングの実施が不要である。
【００５１】
この点、例えば第２の薄膜トランジスタと接続されるべき配線が相当程度上層に位置するデータ線等と同一膜として形成される態様では、コンタクトホールは比較的深いものとして形成しなければならず、ドライエッチングのみでは開孔が不可能となり、ウェットエッチングの助けが必要となるのとは異なる。なお、このようなウェットエッチングを実施するのでは、別工程の加入により製造工程が複雑化すると共に、該ウェットエッチングによってコンタクトホールの開口径が比較的大きくなり、電気光学装置の小型化・微細化が困難となる。
【００５２】
しかるに、本発明においては、そのような不具合を被らない。すなわち、開孔しなければならないコンタクトホールは比較的浅いものでよくウェットエッチングの助けが必要ないことから、製造工程の簡略化、或いは低コスト化が実現されると共に、電気光学装置の小型化・微細化が可能となるのである。
【００５３】
次に、前記薄膜トランジスタの上且つ前記層間絶縁膜の上に、前記画素電位側容量電極及び前記コンタクトホールを埋める配線とが同一の機会に形成される。これにより、第２の薄膜トランジスタ及び配線間の電気的接続を良好に実現することが可能となる。なお、ここにいう「同一の機会」も前述した意義と同様である。
【００５４】
そして特に、前記コンタクトホールが、第２の薄膜トランジスタの一例たるＣＭＯＳ型の薄膜トランジスタを構成する、Ｐ型の薄膜トランジスタに通じている場合には、前記配線は、当該Ｐ型の薄膜トランジスタと電気的に接続されることになる。この場合、該配線は、画素電位側容量電極と同一の機会に形成されているから、その下層には前記の高融点金属膜からなる層が配置され得る。したがって、この配線において、前記Ｐ型の薄膜トランジスタと直接的に接触するのは、高融点金属膜からなる層とすることができる。これによると、例えば当該配線が、Ｎ型の導電性ポリシリコン膜からのみなっている場合においては、配線及びＰ型の薄膜トランジスタ間にＰＮ接合を形成してしまうことになるところ、本発明においては、そのような不都合が生じないことになる。このように、本発明によれば、配線及びＰ型の薄膜トランジスタ間の電気的接続を良好に実現することができる。
【００５５】
以上のように、本発明の製造方法によれば、例えば走査線駆動回路、或いはデータ線駆動回路等の周辺回路が基板上に内蔵された電気光学装置を好適に製造することができる。
【００５６】
本発明の第２電気光学装置の製造方法の一態様では、前記配線の上に他の層間絶縁膜を形成すると共に、該他の層間絶縁膜に前記配線に通ずるように他のコンタクトホールを開孔する工程と、前記他の層間絶縁膜の上に、前記他のコンタクトホールを埋めるように他の配線を形成する工程を更に含む。
【００５７】
この態様によれば、前記配線を介した、他の配線及び第２の薄膜トランジスタ間の電気的接続を実現することができる。
【００５８】
そして、本態様では特に、前記配線の上に他の層間絶縁膜が形成されると共に、該他の層間絶縁膜に前記配線に通ずるように他のコンタクトホールが開孔される。この場合、該他のコンタクトホールは、前記コンタクトホールと同様に、比較的浅いものとして形成すれば済む。したがって、当該他のコンタクトホールに関しても、上述したのと略同様な作用効果（即ち、製造工程の簡略化、或いは低コスト化、更には電気光学装置の小型化・微細化）を得ることができる。
【００５９】
加えて本態様では特に、該他のコンタクトホールは前記配線に通ずるように形成されるが、この際、該配線は高融点金属膜を含むものとして形成されているから、該配線を、いわゆるエッチストップとして好適に利用することができる。すなわち、本態様では、他のコンタクトホールを形成する際において、該配線における、いわゆる突き抜け等が生じる可能性が小さく、電気光学装置を高精度に製造することができる。
【００６０】
本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む。）を具備してなる。
【００６１】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるから、高融点金属膜、或いは高融点化合物膜を含む画素電位側容量電極が優れた遮光性を発揮することにより、薄膜トランジスタにおける光リーク電流の発生が抑止され、もって高品質な画像が表示可能な、投射型表示装置、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００６２】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００６３】
【発明の実施の形態】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００６４】
（画素部における構成）
まず、本発明の実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図１から図３を参照して説明する。ここに図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ´断面図である。なお、図３においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００６５】
図１において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないが、本実施形態では特に、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、Ｎ個のパラレルな画像信号にシリアル−パラレル展開され、Ｎ本の画像信号線１１５から相隣接するＮ本のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給可能に構成されている。
【００６６】
画像表示領域外である周辺領域には、データ線６ａの一端（図１中で下端）が、サンプリング回路３０１を構成するスイッチング用回路素子２０２に接続されている。このスイッチング用回路素子としては、例えばＣＭＯＳ型等のＴＦＴ等をあてることができる（以下、図１に示す該スイッチング用回路素子２０２を「ＴＦＴ２０２」と呼称する。）。この場合、このＴＦＴ２０２のドレインには、引き出し配線２０６を介して前記データ線６ａの図１中下端が接続され、該ＴＦＴ２０２のソースには、引き出し配線１１６を介して画像信号線１１５が接続されるとともに、該ＴＦＴ２０２のゲートには、データ線駆動回路１０１に接続されたサンプリング回路駆動信号線１１４が接続されている。そして、画像信号線１１５上の画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号線１１４を通じてサンプリング信号が供給されるのに応じ、サンプリング回路３０１によりサンプリングされて、各データ線６ａに供給されるように構成されている。
【００６７】
このようにデータ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給してもかまわないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。本実施形態では、図１に示すように、６本のデータ線６ａを一組として、これに対して一時に画像信号が供給されるようになっている。
【００６８】
また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００６９】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００７０】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、走査線３ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量線３００を含んでいる。
【００７１】
以下では、上記データ線６ａ、走査線３ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の、実際の構成について、図２及び図３を参照して説明する。
【００７２】
まず、本実施形態に係る電気光学装置は、図２のＡ−Ａ´線断面図たる図３に示すように、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。
【００７３】
ＴＦＴアレイ基板１０には、図３に示すように、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。このうち対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなり、前記の配向膜１６及び２２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、後述のシール材（図９及び図１０参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した電気光学物質からなる。シール材は、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサが混入されている。
【００７４】
一方、図２において、前記画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（点線部９ａ´により輪郭が示されている）、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。このうちデータ線６ａは、例えばアルミニウム膜等の金属膜あるいは合金膜からなり、走査線３ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。
【００７５】
また、走査線３ａは、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向するように配置されており、該走査線３ａはゲート電極として機能する。すなわち、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に走査線３ａの本線部がゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００７６】
ＴＦＴ３０は、図３に示すように、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造を有しており、その構成要素としては、上述したようにゲート電極として機能する走査線３ａ、例えばポリシリコン膜からなり走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００７７】
なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは図３に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また、本実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。さらに、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａは非単結晶層でも単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層１ａを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化を図ることができる。
【００７８】
一方、図３においては、蓄積容量７０が、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。
【００７９】
これら三要素のうちまず、容量線３００は固定電位側容量電極として機能する。この容量線３００は、平面的に見ると、図２に示すように、走査線３ａの形成領域に重ねて形成されている。より具体的には容量線３００は、走査線３ａに沿って延びる本線部と、図中、データ線６ａと交差する各個所からデータ線６ａに沿って上方に夫々突出した突出部と、コンタクトホール８５に対応する個所が僅かに括れた括れ部とを備えている。このうち突出部は、走査線３ａ上の領域及びデータ線６ａ下の領域を利用して、蓄積容量７０の形成領域の増大に貢献する。
【００８０】
このような容量線３００は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなり、蓄積容量７０の固定電位側容量電極としての機能のほか、ＴＦＴ３０の上側において入射光からＴＦＴ３０を遮光する遮光層としての機能をもつ。ただし、容量線３００は、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる第１膜と高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第２膜とが積層された多層構造をもってもよい。
【００８１】
また、容量線３００は、好ましくは、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。このような定電位源としては、データ線駆動回路１０１に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。
【００８２】
次に、誘電体膜７５は、図３に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（Ｈｉｇｈ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｏｘｉｄｅ）膜、ＬＴＯ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｏｘｉｄｅ）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。
【００８３】
最後に、中継層７１は、画素電位側容量電極として機能する。また、中継層７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホール８３及び８５を介して、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。
【００８４】
そして、本実施形態においては特に、この中継層７１は、高融点金属膜からなる層の一例たるタングステンシリサイド（ＷＳｉ）層７１１及び半導体膜からなる層の一例たる導電性のポリシリコン層７１２を含む積層構造を有する。このうちＷＳｉ層７１１はより下層に、ポリシリコン層７１２はより上層に配置されている。また、ＷＳｉ層７１１の厚さは例えば５０ｎｍ、ポリシリコン層７１２の厚さは例えば２００ｎｍなどとするとよい。
【００８５】
この中継層７１は、平面的に見ると、図２に示すように、半導体層１ａ上でこれを覆うように且つデータ線６ａに沿う第１部分と、該第１部分と交差すると共に走査線３ａに沿う第２部分とからなる平面形状を有している。これにより、本実施形態においては、中継層７１は平面的にみて略Ｔ字型の形状を有するようになっている。すなわち、前記の第１部分が該略Ｔ字型の横棒の部分に、前記の第２部分が該略Ｔ字型の縦棒の部分に、それぞれ概ね該当していると考えることができる。このような形状、とりわけ第１部分は、前述の容量線３００における突出部に対応しており、蓄積容量７０の容量値増大化に貢献することになる。なお、容量線３００は、前述のように、中継層７１と接続されるコンタクトホール８５に対応した括れ部を備えていることにより、該括れ部において、その下層に位置する中継層７１の表面が見えるが如き状態となっていることがわかる。
【００８６】
図２及び図３においては、上記のほか、ＴＦＴ３０の下側に、下側遮光膜１１ａが設けられている。下側遮光膜１１ａは、格子状にパターニングされており、これにより各画素の開口領域を規定している。なお、開口領域の規定は、図２中のデータ線６ａと、これに交差するよう形成された容量線３００とによっても、なされている。また、下側遮光膜１１ａについても、前述の容量線３００の場合と同様に、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。
【００８７】
また、ＴＦＴ３０下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００８８】
加えて、走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３がそれぞれ開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００８９】
第１層間絶縁膜４１上には、中継層７１及び容量線３００が形成されており、これらの上には高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び中継層７１へ通じるコンタクトホール８５がそれぞれ開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。
【００９０】
なお、本実施形態では、第１層間絶縁膜４１に対しては、約１０００℃の焼成を行うことにより、半導体層１ａや走査線３ａを構成するポリシリコン膜に注入したイオンの活性化を図ってもよい。他方、第２層間絶縁膜４２に対しては、このような焼成を行わないことにより、容量線３００の界面付近に生じるストレスの緩和を図るようにしてもよい。
【００９１】
加えて更に、第２層間絶縁膜４２上には、データ線６ａが形成されており、これらの上には中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。
【００９２】
なお、第３層間絶縁膜４３の表面は、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理等により平坦化すると好ましい。これによれば、その下方に存在する各種配線や素子等による段差に起因する液晶層５０の配向不良を低減する。ただし、このように第３層間絶縁膜４３に平坦化処理を施すのに代えて、又は加えて、ＴＦＴアレイ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２のうち少なくとも一つに溝を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込むことにより、平坦化処理を行ってもよい。
【００９３】
以上のような構成となる電気光学装置、とりわけ前記中継層７１が、上層にポリシリコン層７１２、下層にＷＳｉ層７１１という二層構造を有することにより、本実施形態においては、次のような作用効果を享受することが可能となる。
【００９４】
まず第一に、該中継層７１が、その上層にポリシリコン層７１１を備えていることにより、ＴＦＴ３０及び画素電極９ａ間の良好な電気伝導性を享受することが可能である。
【００９５】
そして第二に、該中継層７１が、その下層にＷＳｉ層７１１を備えていることにより、該中継層７１の遮光性を向上させることができる。これにより、ＴＦＴ３０に対する光入射を未然に防止することが可能となり、その耐光性を高めることができる。したがって、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生を未然に防止することが可能となり、画像上にフリッカ等が表示されることを防止することが可能となる。
【００９６】
この点、本実施形態においては殊に、中継層７１がＴＦＴ３０により近接した層に形成されていること、及び該中継層７１が特有の平面的形状を有していること等から、本実施形態に特有の遮光に係る作用効果もまた発揮される。以下では、この点について、図４を参照しながら説明する。ここに図４は、本実施形態において特有な遮光に係る作用効果を説明するための斜視図である。なお、図４においては、そのような目的を有する図であることから、半導体層１ａ及び中継層７１の配置関係を中心として、その他必要最小限の構成のみを図示したものとなっている（中継層７１が二層構造であること等も図示されていない。）。
【００９７】
まず、図４、或いは図２及び図３に示されるように、本実施形態に係る中継層７１は、ＴＦＴ３０ないし半導体層１ａにより近い層に形成されている、すなわちこれら中継層７１及びＴＦＴ３０ないし半導体層１ａは、第１層間絶縁膜４１のみを挟んで形成されていることにより、多分に斜め成分を含む入射光をも十分に遮光することができる（図４中入射光Ｌ１等参照）。また、中継層７１とＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ドレイン領域との間に形成されたコンタクトホール８３も、比較的浅いものであるから、該コンタクトホール８３を原因とする光抜けを等も殆ど生じ得ない。
【００９８】
次に、中継層７１の平面的形状が、走査線３ａに沿って延びる第１部分及びデータ線６ａに沿って延びる第２部分からなる略Ｔ字型の形状となっているから、半導体層１ａのチャネル領域１ａ´に対する遮光を、より有効になしうることになる。すなわち、図４に示すように斜め成分を多分に含む入射光Ｌ２或いはＬ１は、略Ｔ字型の横棒又は縦棒の部分により、有効に遮蔽可能となっているから、チャネル領域１ａ´に入射する光は顕著に減少することとなるのである。
【００９９】
さらに、該中継層７１と画素電極９ａとの電気的接続は、上層に位置するポリシリコン層７１２に接続されるコンタクトホール８５によって実現されており（図２及び図３も参照。）、該コンタクトホール８５の存在によると、該コンタクトホール８５を抜けてくる光の存在、或いは該コンタクトホール８５を設けるために本実施形態において特に形成された容量線３００の括れ部（図４において符号３００Ｋ参照。）の存在により、入射光Ｌ３が、ＴＦＴ３０にまで到達してしまう懸念が増大することになる。しかるに、本実施形態においては、中継層７１の下層にＷＳｉ層７１１が存在することにより、コンタクトホール８５或いは括れ部３００Ｋを抜けてきた光は、該ＷＳｉ層７１１によって遮られる。このように、本実施形態によれば、中継層７１の下層にＷＳｉ層７１１が存在することにより、より高い遮光性能の発揮が可能となる。
【０１００】
さて、中継層７１が二層構造であることにより得られる作用効果の第三に、中継層７１がＷＳｉ層７１１を含むことから、該中継層７１を形成した後に、高温プロセスを行うことが可能である。例えば、中継層７１の上に、前述の誘電体膜７５を形成する場合における該誘電体膜７５、或いはＷＳｉ層７１１を形成した後に前記ポリシリコン層７１２を形成する場合においては該ポリシリコン層７１２を、減圧ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の比較的高温な環境下で行われるプロセスで形成することが可能である。
加えて第四に、本実施形態に係る中継層７１は、図５に示すように、画像表示領域１０ａの周囲の領域として規定される周辺領域に形成される周辺回路を構成する、ＣＭＯＳ型のＴＦＴ２０２（図１参照）に接続されるべき配線２１２と同一膜として形成可能である。ここに図５は、図１に示したＣＭＯＳ型のＴＦＴ２０２の実際的・一般的な構造を示す断面図である。なお、この図において、符号１２、４１、４２及び４３等が示されていることかわかるように、当該ＣＭＯＳ型のＴＦＴ２０２及びその上層の構築物は、図３に示した電気光学装置と同一の機会に形成されているものである（後述の図６乃至図７を参照する製造方法の説明参照。）。
【０１０１】
このように、中継層７１及び配線２１２を同一の機会に形成する構成によれば、まず、これら中継層７１及び配線２１２とを別々に形成する態様等に比べて、その製造工程の簡略化、或いは省略化等を達成することができる。
【０１０２】
また、中継層７１及びＴＦＴ３０が、本実施形態のように相互に近接した層に形成されていれば、配線２１２及びＴＦＴ２０２もまた相互に近接した層に形成されることになる。この場合、該配線２１２及び該ＴＦＴ２０２間の電気的接続を図るためのコンタクトホール２１０ａ乃至２１０ｄ（以下、まとめて「コンタクトホール２１０」ということがある。）は深く形成する必要がない。この点、例えば、ＴＦＴ２０２と接続されるべき配線が相当程度上に位置するデータ線６ａと同一膜として形成される態様などとを比較すると、本実施形態の有利さが際立つ。すなわち、このような態様では、コンタクトホールが比較的深くなって配線の付き回りが悪くなり、配線及びＴＦＴ２０２間の電気的接続を良好に実現することが困難となる。また、前記の配線の付き回りの悪さを改善するためには、従来、コンタクトホールの開口径を大きくするためにウェットエッチングを行うことが行われていたが、これでは、該コンタクトホールを形成するためのエッチング工程とは別に、該ウェットエッチングを行う工程が必要となり、製造工程の複雑化を招いていた。また、該ウェットエッチング工程を実施すれば、たしかに付き回りの回線を果たせるものの、その分コンタクトホールの開口径が大きくなることにより、電気光学装置の小型化・微細化が不可能になる。しかるに、本実施形態によれば、上述のような不具合を被らないのである。
【０１０３】
更に加えて、第五に、ＣＭＯＳ型のＴＦＴ２０２は、図５に示すように、Ｎ型のＴＦＴ２０２ｎとＰ型のＴＦＴ２０２ｐの双方を含む構成を採るが、本実施形態において、これらＴＦＴ２０２ｎ及び２０２ｐに接続される配線２１２が、中継層７１と同一膜として形成されているという事実は、当該配線２１２において、ＴＦＴ２０２、とりわけＰ型のＴＦＴ２０２ｐと直接的に接続されるのは、その下層側に位置するＷＳｉ層７１１ということになる。これにより、本実施形態では、配線２１２の上層側たるポリシリコン層７１２がＮ型の導電性ポリシリコンであったとしても、配線２１２及びＴＦＴ２０２の電気的接続を良好に実現することが可能となっているのである。
【０１０４】
なお、上記実施形態においては、中継層７１は、下層にポリシリコン層７１２、上層にＷＳｉ層７１１が配された二層構造を有するものとなっていたが、本発明は、このような形態に限定されるものではない。この他に、該中継層７１が採り得る構成としては、例えば以下のようなものを挙げることができる。
【０１０５】
第一に、中継層７１は、高融点金属膜からなる層の一例たるＴｉ層を含んでよい。この場合、より具体的には、下から順に、Ｔｉ層及びポリシリコン層という二層構造、或いはＴｉ層、ＷＳｉ層及びポリシリコン層という三層構造等を採用することが可能である。
【０１０６】
第二に、中継層７１は、高融点化合物の膜からなる層の一例たるＴｉＮ層を含んでよい。この場合、より具体的には、下から順に、ＴｉＮ層、ポリシリコン層という二層構造、或いはＴｉＮ層、ＷＳｉ層及びポリシリコン層という三層構造等を採用することが可能である。更には、ＴｉＮ層、Ｔｉ層、ＴｉＮ層及びポリシリコン層という四層構造や、ＷＳｉ層、ＴｉＮ層、Ｔｉ層、ＴｉＮ層、ＷＳｉ層及びポリシリコン層という六層構造も採用可能である。なお、前述の四層構造の中継層７１にあっては、各層の具体的厚さを、例えば１５０ｎｍ、５０ｎｍ、１００ｎｍ、５０ｎｍなどとするとよい。
【０１０７】
以上のうち、中継層７１がＴｉ層を含む構成にあっては、該Ｔｉが比較的光吸収性に優れた材料であることから、該中継層７１において、更に高い遮光性の発揮が期待できることになる。また、該Ｔｉ層を含む場合であって且つ該Ｔｉ層の両側にＴｉＮ層が存在する構成にあっては、該Ｔｉが酸化することを未然に防止すること、即ち該Ｔｉの光吸収性能を失わせることを未然に防止することが可能となるから、比較的長期にわたり、該Ｔｉの比較的優れた光吸収性を享受することが可能となる。
【０１０８】
（製造方法）
次に、上述した実施形態の電気光学装置の製造プロセスについて、図６乃至図８を参照して説明する。ここに図６乃至図８は、製造プロセスの各工程における電気光学装置の積層構造を、図３の断面図及び周辺領域上に形成された周辺回路を構成するＣＭＯＳ型のＴＦＴ２０２付近に係る部分（図５の断面図）に関して、順を追って示す工程図である（前者は図中右方、後者は図中左方に示されている。）。
【０１０９】
まず、図６の工程（１）に示すように、石英基板、ハードガラス、シリコン基板等のＴＦＴアレイ基板１０を用意する。ここで、好ましくはＮ２（窒素）等の不活性ガス雰囲気で約９００〜１３００℃の高温でアニール処理し、後に実施される高温プロセスでＴＦＴアレイ基板１０に生じる歪が少なくなるように前処理しておく。続いて、このように処理されたＴＦＴアレイ基板１０の全面に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜を、スパッタリングにより、１００〜５００ｎｍ程度の膜厚、好ましくは２００ｎｍの膜厚の遮光膜を形成する。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、平面形状が格子状の下側遮光膜１１ａを形成する。
【０１１０】
更に続けて、下側遮光膜１１ａ上に、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を用いて、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる下地絶縁膜１２を形成する。この下地絶縁膜１２の膜厚は、例えば約５００〜２０００ｎｍ程度とする。
【０１１１】
続いて、下地絶縁膜１２上に、約４５０〜５５０℃、好ましくは約５００℃の比較的低温環境中で、流量約４００〜６００ｃｃ／ｍｉｎのモノシランガス、ジシランガス等を用いた減圧ＣＶＤ（例えば、圧力約２０〜４０ＰａのＣＶＤ）により、アモルファスシリコン膜を形成する。その後、窒素雰囲気中で、約６００〜７００℃にて約１〜１０時間、好ましくは４〜６時間の熱処理を施すことにより、ｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）膜を約５０〜２００ｎｍの厚さ、好ましくは約１００ｎｍの厚さとなるまで固相成長させる。固相成長させる方法としては、ＲＴＡを使ったアニール処理でもよいし、エキシマレーザ等を用いたレーザアニールでもよい。この際、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を、ｎチャネル型とするかｐチャネル型とするかに応じて、Ｖ族元素やＩＩＩ族元素のドーパントを僅かにイオン注入等によりドープしてもよい。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、所定パターンを有する半導体層１ａを形成する。
【０１１２】
この際、本実施形態においては特に、該半導体層１ａの形成と同時に、将来ＴＦＴ２０２の一部となるべき半導体層２０２ａもまた形成されることになる。なお、以下、特に言及しなくても、ＴＦＴ３０及びＴＦＴ２０２それぞれを構成する各要素、例えば絶縁膜２、或いは走査線３ａないしゲート電極２０２ｂ等は、前記の半導体層１ａ及び２０２ａと同様にして、同一の機会に形成されていくことになる（図６乃至図８における各工程の左方参照。）。ただし、ＴＦＴ２０２はＣＭＯＳ型のＴＦＴであるから、後述するＴＦＴ３０に関するｎ型の不純物導入工程の他に、ボロン（Ｂ）等のＩＩＩ族元素の不純物導入工程が別途必要となる。これにより、ＴＦＴ２０２は、図６の工程（２）或いは工程（３）等に示すように、ｎ型のＴＦＴ２０２ｎとｐ型のＴＦＴ２０２ｐを含むものとして形成されることになる。なお、本実施形態においては、前記ｐ型の不純物導入工程の点についての説明並びに当該不純物導入工程により形成されるソース領域及びドレイン領域の図６乃至図８における図示等は省略することとするが、その概要は、後述するＶ族元素の導入工程とほぼ同様と考えてよい。
【０１１３】
続いて、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａを約９００〜１３００℃の温度、好ましくは約１０００℃の温度により熱酸化して下層ゲート絶縁膜を形成し、場合により、これに続けて減圧ＣＶＤ法等により上層ゲート絶縁膜を形成することにより、一層又は多層の高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜からなる（ゲート絶縁膜を含む）絶縁膜２を形成する。この結果、半導体層１ａは、約３０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３５〜５０ｎｍの厚さとなり、絶縁膜２の厚さは、約２０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３０〜１００ｎｍの厚さとなる。
【０１１４】
続いて、画素スイッチング用のＴＦＴ３０のスレッシュホールド電圧Ｖｔｈを制御するために、半導体層１ａのうちｎチャネル領域あるいはｐチャネル領域に、ボロン等のドーパントを予め設定された所定量だけイオン注入等によりドープする。
【０１１５】
次に、図６の工程（２）では、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を堆積し、更にリン（Ｐ）を熱拡散して、このポリシリコン膜を導電化する。この熱拡散に代えて、Ｐイオンをポリシリコン膜の成膜と同時に導入したドープドシリコン膜を用いてもよい。このポリシリコン膜の膜厚は、約１００〜５００ｎｍの厚さ、好ましくは約３５０ｎｍ程度である。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、ＴＦＴ３０のゲート電極部を含めて所定のパターンの走査線３ａを形成する。
【０１１６】
次に、前記半導体層１ａについて、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成する。
【０１１７】
ここでは、ＴＦＴ３０をＬＤＤ構造をもつｎチャネル型のＴＦＴとする場合を説明すると、具体的にまず、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃを形成するために、走査線３ａ（ゲート電極）をマスクとして、Ｐ等のＶ族元素のドーパントを低濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０１３ｃｍ２のドーズ量にて）ドープする。これにより走査線３ａ下の半導体層１ａはチャネル領域１ａ´となる。このとき走査線３ａがマスクの役割を果たすことによって、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃは自己整合的に形成されることになる。次に、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成するために、走査線３ａよりも幅の広い平面パターンを有するレジスト層を走査線３ａ上に形成する。その後、Ｐ等のＶ族元素のドーパントを高濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０１５／ｃｍ２のドーズ量にて）ドープする。
【０１１８】
なお、このように低濃度と高濃度の２段階に分けて、ドープを行わなくてもよい。例えば、低濃度のドープを行わずに、オフセット構造のＴＦＴとしてもよく、走査線３ａ（ゲート電極）をマスクとして、Ｐイオン・Ｂイオン等を用いたイオン注入技術によりセルフアライン型のＴＦＴとしてもよい。この不純物のドープにより、走査線３ａは更に低抵抗化される。
【０１１９】
次に、図６の工程（３）では、走査線３ａ上に、例えば、ＴＥＯＳガス、ＴＥＢガス、ＴＭＯＰガス等を用いた常圧又は減圧ＣＶＤ法等により、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜からなる第１層間絶縁膜４１を形成する。この第１層間絶縁膜４１の膜厚は、例えば約３００〜２０００ｎｍ程度とする。ここで好ましくは、８００℃程度の高温でアニール処理し、第１層間絶縁膜４１の膜質を向上させておく。
【０１２０】
続いて、第１層間絶縁膜４１に対する反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより、コンタクトホール８３を同時開孔する。この際、本実施形態においては特に、このコンタクトホール８３の開孔と同時に、半導体層２０２ａに通ずるようにコンタクトホール２１０ａ乃至２１０ｄをも開孔する。この場合、これらコンタクトホール８３及び２１０の開孔は、第１層間絶縁膜４１について行われるだけだから、ウェットエッチングの助けを借りることなく、前記ドライエッチングのみで実施することができる。
【０１２１】
すなわち、従来のように、ＴＦＴ２０２と接続されるべき配線が、相当程度上層に位置するデータ線６ａ等と同一膜として形成されるという態様であると、ＴＦＴ２０２へ通ずるコンタクトホールは、第１層間絶縁膜４１のみならず、第２層間絶縁膜４２をも貫通しなければならない。この場合、ドライエッチングのみでは該コンタクトホールの開孔は困難であり、また、該配線を構成する膜の付き回りが悪化する等の不具合を被る。したがって、従来においては、ドライエッチングに加えて、ウェットエッチングをも行うことが通常行われていた。
【０１２２】
しかるに、本実施形態においては、コンタクトホール２１０は、第１層間絶縁膜４１についてのみ開孔されればよいから、ドライエッチングのみで対応可能であり、ウェットエッチングを実施する必要がない。
【０１２３】
このように、本実施形態によれば、コンタクトホール２１０の開孔にドライエッチングのみを実施すればよいから、製造工程の簡略化、ないし低コスト化を達成することができる。また、コンタクトホール２１０は比較的浅くてよいから付き回りの悪化を招くこともなく、該コンタクトホール２１０の開口径が、ウェットエッチングの実施によって大口径化することもないから、電気光学装置の小型化・微細化等を達成することができる。
【０１２４】
さて、上述のようにコンタクトホール８３、或いはコンタクトホール２１０の開孔が済んだら続いて、本実施形態においては特に、図６の工程（４）に示すように、第１層間絶縁膜４１上に、六フッ化タングステン（ＷＦ６）ガス及びシランガスを用いたＣＶＤ法等によってＷＳｉの前駆膜を形成した後、該ＷＳｉの前駆膜に対してフォトリソグラフィ及びエッチング工程により、所定パターンをもつＷＳｉ層７１１を形成する。このＷＳｉ層７１１の膜厚は、５０ｎｍ程度である。
【０１２５】
その後、図７の工程（５）に示すように、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を堆積し、更にリン（Ｐ）を熱拡散して、このポリシリコン膜を導電化する。なお、この熱拡散に代えて、Ｐイオンをポリシリコン膜の成膜と同時に導入したドープドシリコン膜を用いてもよい。このポリシリコン膜の膜厚は、２００ｎｍ程度である。そして、フォトリソグラフィ及びエッチング工程によって、以上の工程によって、所定パターンをもつポリシリコン層７１２を形成する。以上により、所定パターン、即ち本実施形態においては、図２及び図４に示したように、平面視して略Ｔ字型の形状を有する中継層７１を形成する。
【０１２６】
ちなみに、前述のＷＳｉ層７１１及びポリシリコン層７１２からなる中継層７１を形成する際においては、周辺領域上のＴＦＴ２０２に接続されるための配線２１２もまた同時に形成される（図６の工程（４）及び図７の工程（５）参照）。すなわち、中継層７１の形成においては、前述のＷＳｉ層７１１及びポリシリコン層７１２は、コンタクトホール８３を埋めるように形成されると同時に、コンタクトホール２１０をも埋めるように形成される。また、ＷＳｉ層７１１及びポリシリコン層７１２に対するフォトリソグラフィ及びエッチング工程では、これと同時に、配線２１２に対するパターニングも実施されることになる。
【０１２７】
以上により、画素電位側容量電極たる中継層７１とＴＦＴ３０との電気的接続が図られると同時に、配線２１２とＴＦＴ２０２との電気的接続が図られることになる。ここで本実施形態では特に、配線２１２及びＴＦＴ２０２間の電気的接続において、次のような作用効果を得ることができる。すなわち、配線２１２は、中継層７１と同一膜として形成されていることにより、その下層にＷＳｉ層７１１が存在していることから、ＴＦＴ２０２、とりわけｐ型のＴＦＴ２０２ｐと直接的に接続されるのは当該ＷＳｉ層７１１ということになる。これにより、本実施形態では、配線２１２の上層側たるポリシリコン層７１２がＮ型の導電性ポリシリコンであったとしても、配線２１２及びＴＦＴ２０２の電気的接続を良好に実現することが可能となるのである。
【０１２８】
なお、この中継層７１の形成では、その下層としてまず、「高融点」金属膜の一例であるＷＳｉ層７１１が形成されることから、その上層にポリシリコン層７１２を形成する場合において、上述のように、減圧ＣＶＤ法等の高温環境下における製造プロセスを利用することが可能となっている。すなわち、本実施形態に係る中継層７１はＷＳｉ層７１１を含むことにより、これより上層に位置する各種要素の形成において、高温プロセスを利用することが可能となっているのである。
【０１２９】
続いて、図７の工程（６）では、プラズマＣＶＤ法等により、ＴａＯｘ膜等からなる誘電体膜７５を、中継層７１上に形成する。この誘電体膜７５は、絶縁膜２の場合と同様に、単層膜又は多層膜のいずれから構成してもよく、一般にＴＦＴゲート絶縁膜を形成するのに用いられる各種の公知技術により形成可能である。そして、誘電体膜７５を薄くする程、蓄積容量７０は大きくなるので、結局、膜破れなどの欠陥が生じないことを条件に、膜厚５０ｎｍ以下のごく薄い絶縁膜となるように形成すると有利である。続いて、誘電体膜７５上に、Ａｌ等の金属膜を、スパッタリングにより、約１００〜５００ｎｍ程度の膜厚に形成する。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、所定パターンをもつ容量線３００を形成する。これにより、該容量線３００と前述の中継層７１及び誘電体膜７５とによって、蓄積容量７０が完成する。
【０１３０】
次に、図８の工程（７）では、例えば、ＴＥＯＳガス等を用いた常圧又は減圧ＣＶＤ法により、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第２層間絶縁膜４２を形成する。この第２層間絶縁膜４２の膜厚は、例えば約５００〜１５００ｎｍ程度とする。続いて、第２層間絶縁膜４２に対する反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより、コンタクトホール８１を開孔する。また、本実施形態においては、このコンタクトホール８１の開孔に前後して、前記配線２１２に通ずるようにコンタクトホール２１４（本発明にいう「他のコンタクトホール」の一例に該当する。）をも開孔する。このコンタクトホール２１４の開孔は、第２層間絶縁膜４２について行われるだけだから、ウェットエッチングの助けを借りることなく、前記ドライエッチングのみで実施することができる。つまり、このコンタクトホール２１４においても、前述のコンタクトホール８３及び２１０で享受しえた作用効果を同様に享受しえる。また、配線２１２へ通ずるコンタクトホール２１４の開孔では特に、該配線２１２がＷＳｉ層７１１を含んでいることにより、該配線２１２をいわゆるエッチストップとして好適に利用することができる。すなわち、本実施形態では、コンタクトホール２１４を形成する際において、配線２１２における、いわゆる突き抜け等が生じる可能性が小さいのである。
【０１３１】
更に続いて、第２層間絶縁膜４２上の全面に、スパッタリング等により、遮光性のＡｌ等の低抵抗金属や金属シリサイド等を金属膜として、約１００〜５００ｎｍ程度の厚さ、好ましくは約３００ｎｍに堆積する。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、所定パターンをもつデータ線６ａを形成する。この際、本実施形態においては特に、このデータ線６ａの形成と同時に、周辺領域上における配線２１６（本発明にいう「他の配線」の一例に該当する。）が形成されることになる。この配線２１６は、コンタクトホール２１４を埋めるように形成され、もって配線２１６からＴＦＴ２０２に至る電気の流れを実現することができる（ただし、本実施形態においては、ｐ型のＴＦＴ２０２ｐのみについて、該配線２１６との電気的接続が図られる例について示した。）。
【０１３２】
次に、図８の工程（８）では、データ線６ａ上を覆うように、例えば、ＴＥＯＳガス等を用いた常圧又は減圧ＣＶＤ法により、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第３層間絶縁膜４３を形成する。この第３層間絶縁膜４３の膜厚は、例えば約５００〜１５００ｎｍ程度とする。続いて、第３層間絶縁膜４３に対する反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより、不図示のコンタクトホール８５（図１から図３参照）を開孔する。
【０１３３】
続いて、第３層間絶縁膜４３上に、スパッタ処理等により、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜を、約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積する。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、画素電極９ａを形成する。なお、当該電気光学装置を、反射型として用いる場合には、Ａｌ等の反射率の高い不透明な材料によって画素電極９ａを形成してもよい。続いて、画素電極９ａの上に、ポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角をもつように、かつ所定方向でラビング処理を施すこと等により、配向膜１６が形成される。
【０１３４】
これにより、ＴＦＴアレイ基板１０に関する各種要素の製造が完了する。
【０１３５】
他方、対向基板２０については、ガラス基板等がまず用意され、額縁としての遮光膜が、例えば金属クロムをスパッタした後、フォトリソグラフィ及びエッチングを経て形成される。なお、これらの遮光膜は、導電性である必要はなく、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ等の金属材料のほか、カーボンやＴｉをフォトレジストに分散した樹脂ブラック等の材料から形成してもよい。
【０１３６】
その後、対向基板２０の全面にスパッタ処理等により、ＩＴＯ等の透明導電性膜を、約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積することにより、対向電極２１を形成する。さらに、対向電極２１の全面にポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角をもつように、かつ所定方向でラビング処理を施すこと等により、配向膜２２が形成される。
【０１３７】
これにより、対向基板２０に関する各種要素の製造が完了する。
【０１３８】
最後に、上述のように、各層が形成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、配向膜１６及び２２が対面するようにシール材により貼り合わされ、真空吸引等により、両基板間の空間に、例えば複数種のネマテッィク液晶を混合してなる液晶が吸引されて、所定層厚の液晶層５０が形成される。
【０１３９】
以上説明した製造プロセスにより、前述した本発明の実施形態の電気光学装置を製造できる。
【０１４０】
（電気光学装置の全体構成）
以上のように構成された各実施形態における電気光学装置の全体構成を図９及び図１０を参照して説明する。尚、図９は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図１０は、図９のＨ−Ｈ’断面図である。
【０１４１】
図９において、ＴＦＴアレイ基板１０の上には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、画像表示領域１０ａの周辺を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所定タイミングで供給することによりデータ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査信号を所定タイミングで供給することにより走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよい。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられている。そして、図１０に示すように、図９に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。
【０１４２】
尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【０１４３】
以上図１から図１０を参照して説明した実施形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  ｂｏｎｄｉｎｇ）基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ  Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  Ａｌｉｇｎｅｄ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【０１４４】
以上説明した実施形態における電気光学装置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光学装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、各実施形態では、対向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。また、対向基板２０上に１画素１個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。
【０１４５】
（電子機器）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図１１は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１４６】
図１１において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１４７】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路を示す回路図である。
【図２】本発明の実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ´断面図である。
【図４】画素電位側容量電極たる中継層及び薄膜トランジスタの半導体層の配置関係を示す斜視図である。
【図５】画像表示領域の周囲の領域として規定される周辺領域に形成される周辺回路を構成するＣＭＯＳ型のＴＦＴの構造を示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態の電気光学装置の製造方法を、図３の断面図及び周辺領域上に形成された周辺回路を構成するＣＭＯＳ型のＴＦＴ２０２付近に係る部分に関して、順を追って示す製造工程断面図（その１）である。
【図７】本発明の実施形態の電気光学装置の製造方法を、図３の断面図及び周辺領域上に形成された周辺回路を構成するＣＭＯＳ型のＴＦＴ２０２付近に係る部分に関して、順を追って示す製造工程断面図（その２）である。
【図８】本発明の実施形態の電気光学装置の製造方法を、図３の断面図及び周辺領域上に形成された周辺回路を構成するＣＭＯＳ型のＴＦＴ２０２付近に係る部分に関して、順を追って示す製造工程断面図（その３）である。
【図９】本発明の電気光学装置の実施形態における電気光学基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図１０】図９のＨ−Ｈ’断面図である。
【図１１】本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【符号の説明】
３ａ…走査線、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０…画像表示領域、２０…対向基板、３０…ＴＦＴ、２０２…（周辺領域上の）ＴＦＴ、５０…液晶層、７０…蓄積容量、７１…中継層、７１１…ＷＳｉ層、７１２…ポリシリコン層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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