(57)【要約】【課題】エネルギー波により接合面を洗浄した被接合物同士を接合するに際し、洗浄時に問題となるチャージアップダメージが生じることを抑え、チャージアップダメージのない状態で所望の接合を行えるようにした接合方法および装置を提供する。【解決手段】基材の表面に金属接合部を有する、少なくとも一方が半導体からなる被接合物同士を接合するに際し、各金属接合部の接合面をエネルギー波により洗浄した後、金属接合部同士を接合する方法であって、少なくとも前記半導体からなる被接合物の洗浄用エネルギー波として、減圧中でＲＦプラズマを用いることを特徴とする接合方法、および接合装置。【選択図】　図２
2004119665.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の表面に金属接合部を有する、少なくとも一方が半導体からなる被接合物同士を接合するに際し、各金属接合部の接合面をエネルギー波により洗浄した後、金属接合部同士を接合する方法であって、少なくとも前記半導体からなる被接合物の洗浄用エネルギー波として、減圧中でＲＦプラズマを用いることを特徴とする接合方法。
【請求項２】
被接合物の金属接合部同士を大気中で接合する、請求項１の接合方法。
【請求項３】
前記ＲＦプラズマとしてＡｒプラズマを用いる、請求項１または２の接合方法。
【請求項４】
前記ＲＦプラズマを発生開始させるための最適なトリガー条件を予め測定し、ＲＦプラズマの発生開始時には常にその最適トリガー条件に自動設定する、請求項１〜３のいずれかに記載の接合方法。
【請求項５】
前記ＲＦプラズマを着火放電により強制的に発生開始させる、請求項１〜３のいずれかに記載の接合方法。
【請求項６】
接合面が金、銅、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎのいずれかにより構成されている金属接合部同士を接合する、請求項１〜５のいずれかに記載の接合方法。
【請求項７】
前記ＲＦプラズマによる洗浄により、前記金属接合部の接合される全表面で１．６ｎｍ以上の深さにエッチングする、請求項１〜６のいずれかに記載の接合方法。
【請求項８】
金属接合部同士の接合時に、金属接合部間の隙間のばらつきを最大４μｍ以下にする、請求項１〜７のいずれかに記載の接合方法。
【請求項９】
金属接合部同士の接合時に、被接合物間の平行度を４μｍ以内に調整する、請求項１〜８のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１０】
少なくとも一方の金属接合部の表面硬度をビッカース硬度Ｈｖで１２０以下にし、３００ＭＰａ以下の加圧力で接合する、請求項１〜９のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１１】
接合面が金で構成されている金属接合部同士を接合し、かつ、接合時に１００℃以下に加熱する、請求項１〜１０のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１２】
基材の表面に金属接合部を有する、少なくとも一方が半導体からなる被接合物同士を接合する装置であって、接合前に各金属接合部の接合面をエネルギー波により洗浄する手段を有し、該洗浄手段のうち、少なくとも前記半導体からなる被接合物の洗浄手段が、減圧中でＲＦプラズマを金属接合部の接合面に照射する手段からなることを特徴とする接合装置。
【請求項１３】
被接合物同士を接合する手段が、大気中で金属接合部同士を接合する手段からなる、請求項１２の接合装置。
【請求項１４】
前記ＲＦプラズマとしてＡｒプラズマを用いる、請求項１２または１３の接合装置。
【請求項１５】
前記ＲＦプラズマの発生開始時に、予め測定した前記ＲＦプラズマを発生開始させるための最適なトリガー条件に自動設定する手段を有する、請求項１２〜１４のいずれかに記載の接合装置。
【請求項１６】
前記ＲＦプラズマを強制的に発生開始させる着火放電手段を有する、請求項１２〜１４のいずれかに記載の接合装置。
【請求項１７】
金属接合部の接合面が金、銅、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎのいずれかにより構成されている、請求項１２〜１６のいずれかに記載の接合装置。
【請求項１８】
前記少なくとも半導体からなる被接合物の洗浄手段が、前記ＲＦプラズマによる洗浄により、前記金属接合部の接合される全表面で１．６ｎｍ以上の深さにエッチング可能な手段からなる、請求項１２〜１７のいずれかに記載の接合装置。
【請求項１９】
金属接合部同士を接合する手段が、金属接合部間の隙間のばらつきを最大４μｍ以下にすることが可能な手段からなる、請求項１２〜１８のいずれかに記載の接合装置。
【請求項２０】
金属接合部同士を接合する手段が、被接合物間の平行度を４μｍ以内に調整することが可能な手段からなる、請求項１２〜１９のいずれかに記載の接合装置。
【請求項２１】
少なくとも一方の金属接合部の表面硬度がビッカース硬度Ｈｖで１２０以下であり、金属接合部同士を接合する手段が、３００ＭＰａ以下の加圧力で接合可能な手段からなる、請求項１２〜２０のいずれかに記載の接合装置。
【請求項２２】
両金属接合部の接合面がともに金で構成されており、金属接合部同士を接合する手段が、接合時に１００℃以下に加熱可能な手段からなる、請求項１２〜２１のいずれかに記載の接合装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップやウエハー、各種回路基板等の、基材の表面に金属接合部を有する被接合物同士を接合する接合方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
接合部を有する被接合物同士を接合する方法として、特許文献１には、シリコンウエハーの接合面同士を接合するに際し、接合に先立って室温の真空中で不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビームを照射してスパッタエッチングする、シリコンウエハーの接合法が開示されている。この接合法では、シリコンウエハーの接合面における酸化物や有機物等が上記のビームで飛ばされて活性化された原子で表面が形成され、その表面同士が、原子間の高い結合力によって接合される。したがって、この方法では、基本的に、接合のための加熱を不要化でき、活性化された表面同士を単に接触させるだけで、常温またはそれに近い低温での接合が可能になる。
【０００３】
また、接合前に、被接合物の金属接合部を、エネルギー波、とくにプラズマによって洗浄し、洗浄された金属接合部同士を接合するようにした方法も提案されている（たとえば、特許文献２）。この方法においても、常温またはそれに近い低温で接合することが可能になる。
【０００４】
【特許文献１】
特許第２７９１４２９号公報（特許請求の範囲）
【特許文献２】
特開２００２−５０８６１号公報（特許請求の範囲）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記のような従来の洗浄方法においては、イオンビームを使用する場合には、基本的に中性でないイオンが飛んでくるため、洗浄面に電荷が蓄積され、それが過大になるおそれがある。蓄積された電荷が過大になると、いわゆるチャージアップダメージが生じ、接合製品、とくに半導体の品質を損なうおそれがある。また、洗浄に直流プラズマを使用する場合には、イオンか電子のいずれかが電極に向かって照射されるため、やはり洗浄面に特定の電荷が蓄積されてしまい、チャージアップダメージが生じることになる。さらに、プラズマを使用する場合、従来、プラズマ発生開始時にマッチングを行って、電力値（電流、電圧）の最適化を自動的に行うようにしているが、通常、この自動マッチングを行うと、確実にプラズマを発生開始させるために強めの電力が印加されてしまうので、そのときにチャージアップダメージが生じることとなっていた。
【０００６】
そこで本発明の課題は、エネルギー波により接合面を洗浄した被接合物同士を接合するに際し、洗浄時に問題となるチャージアップダメージが生じることを抑え、チャージアップダメージのない状態で所望の接合を行えるようにした接合方法および装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明に係る接合方法は、基材の表面に金属接合部を有する、少なくとも一方が半導体からなる被接合物同士を接合するに際し、各金属接合部の接合面をエネルギー波により洗浄した後、金属接合部同士を接合する方法であって、少なくとも前記半導体からなる被接合物の洗浄用エネルギー波として、減圧中でＲＦプラズマを用いることを特徴とする方法からなる。
【０００８】
本発明方法における接合は、特殊雰囲気下、たとえば減圧下あるいは不活性ガスや非酸化性ガス雰囲気下での接合も可能であるが、金属接合部同士を大気中で接合することも可能にすることができる。つまり、上記の如くエネルギー波で洗浄され、表面が活性化された接合面同士の接合となるので、大気中での接合も可能となる。
【０００９】
ＲＦ（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）　プラズマは、たとえば一方の電極に交流を印加し、対向電極をアース側に接続することによって発生させることが可能であり、ＲＦプラズマ発生状態では、アース側の電極側から交流電極側に向けて、プラスイオンと、マイナスの電荷を有する電子とを交互に飛翔される。したがって、この交流電極側に、洗浄されるべき被接合物を位置させておけば、照射されるＲＦプラズマによって洗浄される際、洗浄面に＋イオンと−電子が交互にぶつかることになり、結果として洗浄面が中性に保たれ、基本的にチャージアップダメージの発生が抑えられることになる。
【００１０】
上記ＲＦプラズマとしては、たとえばＡｒプラズマを用いることが好ましい。上述のごとく、＋イオンとしてのＡｒと−電子を、洗浄面に対して交互に照射することができ、チャージアップダメージの発生を抑えることができる。
【００１１】
また、ＲＦプラズマを発生開始させるためには、通常、定常時よりも強めの電力が必要となるが、これを前述の如くマッチングを行って自動設定すると、過大な電力値に設定され、洗浄スタート時にチャージアップダメージが発生するおそれが生じる。そこで、上記ＲＦプラズマを発生開始させるための最適なトリガー条件を予め測定しておき、つまり、強すぎない電力値でＲＦプラズマを発生開始できる最適なトリガー条件を予め把握しておき、実際の洗浄のためにＲＦプラズマを発生開始させる時には、常にその最適トリガー条件に自動設定することが好ましい。
【００１２】
あるいは、洗浄面に悪影響を及ぼすことなく、着火放電を利用してＲＦプラズマが容易に発生開始できる状態を創り出すことも可能である。すなわち、ＲＦプラズマを着火放電により強制的に発生開始させる方法である。
【００１３】
本発明における接合は、とくに、表面が金、銅、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎのいずれかにより構成されている金属接合部同士を接合する場合に好適である。たとえば、互いに接合される金属接合部の組み合わせとして、金、銅、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎのいずれかの同種金属同士、あるいは任意の２つの異種金属同士、あるいは、一方を金とし他方を銅、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎのいずれかとする組み合わせとすることができる。中でも、金同士の接合の場合、常温でも確実に接合できるようになる。ただし、金同士の接合以外の場合でも（たとえば、金／銅、金／アルミニウム等の接合等）、常温あるいはそれに近い低温での接合を可能とすることができる。また、少なくとも一方の金属接合部を特定の金属、たとえば金で構成する場合、金属接合部を形成する電極等の全体を金で構成することもできるが、表面だけを金で構成することもできる。表面を金で構成するための形態はとくに限定されず、金めっきの形態や金薄膜をスパッタリングや蒸着等により形成した形態を採用すればよい。
【００１４】
上記ＲＦプラズマによる洗浄では、金属接合部の接合される全表面で１．６ｎｍ以上の深さにエッチングすることが好ましい。このような深さ以上にエッチング可能なＲＦプラズマ照射により、金属接合部同士を容易に接合するに必要な表面性状を得ることが可能になる。
【００１５】
上記金属接合部同士の接合時には、金属接合部間の隙間のばらつきを最大４μｍ以下にすることが好ましい。隙間のばらつきが４μｍ以下（レンジで４μｍ以下）であれば、適切な接合荷重、たとえば３００ＭＰａ程度の接合荷重で、金属接合部同士の接合のために必要な隙間のばらつき以下に抑えることが可能となる。また、金属接合部同士の接合時に、被接合物間の平行度を４μｍ以内（レンジで４μｍ以内）に調整することが好ましい。このような平行度調整により、上記の隙間のばらつきを小さく抑えることが可能になるとともに、金属接合部同士がより密接に面接触できるようになり、一層容易に接合できるようになる。
【００１６】
また、金属接合部同士の接合に際し、表面同士が良好に密着できるように、少なくとも一方の金属接合部の表面硬度がビッカース硬度Ｈｖで１２０以下、さらに好ましくはアニーリングにより硬度を１００以下に下げたものがよく、この場合には、たとえば３００ＭＰａ以下の加圧力で接合面同士を良好に密着させることが可能になり、容易に接合することが可能になる。たとえば、表面硬度Ｈｖを３０〜７０の範囲内（たとえば、平均Ｈｖを５０）とすることが好ましい。このような低硬度としておくことで、接合荷重印加時に金属接合部の表面が適当に変形し、より密接な接合が可能となる。
【００１７】
また、本発明における接合では、加熱（固相での金属間の接合を促進させるために１８０℃以下好ましくは１５０℃未満に加熱する）を併用することにより、一層確実な接合を目指すこともできる。とくに、接合面が金で構成されている金属接合部同士を接合する場合には、接合時に１００℃以下の低温での加熱で、良好な接合を達成することが可能である。
【００１８】
とくに、洗浄により表面が活性化された接合面同士を大気中で接合する場合、接合面同士を良好に密着させることが好ましく、そのためには、前述したように、隙間のばらつきを小さく抑え、平行度を精度良く調整することが望ましい。
【００１９】
本発明に係る接合装置は、基材の表面に金属接合部を有する、少なくとも一方が半導体からなる被接合物同士を接合する装置であって、接合前に各金属接合部の接合面をエネルギー波により洗浄する手段を有し、該洗浄手段のうち、少なくとも前記半導体からなる被接合物の洗浄手段が、減圧中でＲＦプラズマを金属接合部の接合面に照射する手段からなることを特徴とするものからなる。
【００２０】
この接合装置においても、被接合物同士を接合する手段を、大気中で金属接合部同士を接合する手段に構成することが可能である。
【００２１】
また、このような接合装置においても、上記ＲＦプラズマとしてＡｒプラズマを用いることが好ましい。
【００２２】
また、上記接合装置は、ＲＦプラズマ発生開始時に強めの電力が負荷され、それによるチャージアップダメージの発生を抑えるために、ＲＦプラズマの発生開始時に、予め測定したＲＦプラズマを発生開始させるための最適なトリガー条件に自動設定する手段を有することが好ましい。あるいは、上記ＲＦプラズマを強制的に発生開始させる着火放電手段を有することが好ましい。
【００２３】
この接合装置においても、金属接合部の接合面を、たとえば、金、銅、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎのいずれかにより構成することができる。
【００２４】
また、上記少なくとも半導体からなる被接合物の洗浄手段は、前記ＲＦプラズマによる洗浄により、前記金属接合部の接合される全表面で１．６ｎｍ以上の深さにエッチング可能な手段からなることが好ましい。また、金属接合部同士を接合する手段は、金属接合部間の隙間のばらつきを最大４μｍ以下にすることが可能な手段からなることが好ましい。さらに、金属接合部同士を接合する手段が、被接合物間の平行度を４μｍ以内に調整することが可能な手段からなることが好ましい。
【００２５】
また、少なくとも一方の金属接合部の表面硬度がビッカース硬度Ｈｖで１２０以下好ましくは１００以下であり、金属接合部同士を接合する手段が、３００ＭＰａ以下の加圧力で接合可能な手段からなることも好ましい態様として挙げられる。
【００２６】
さらに、両金属接合部の接合面がともに金で構成されており、金属接合部同士を接合する手段が、接合時に１００℃以下に加熱可能な手段からなることも好ましい態様として挙げられる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施態様に係る接合装置１を示しており、基材の表面に金属接合部２または３を有する被接合物４または５は、エネルギー波による洗浄手段としてのプラズマ照射手段８から照射されたプラズマ９によって金属接合部２、３の接合面がエッチングにより洗浄される（洗浄工程）。本実施態様では、少なくとも被接合物４が半導体チップからなり、少なくとも被接合物４洗浄用プラズマ９として、ＲＦプラズマが使用されている。また、本実施態様では、真空ポンプ６により減圧され所定の真空度にされたチャンバ７内で、ＲＦプラズマ９によって金属接合部２、３の接合面がエッチングにより洗浄されるようになっている（洗浄工程）。さらに、本実施態様では、ポンプ１０によりチャンバ７内にＡｒガスを供給できるようになっており、Ａｒガス雰囲下でプラズマ照射できるようになっている。洗浄された被接合物４、５は、洗浄チャンバ７内から取り出され、接合工程（接合装置部１１）にて、金属接合部２、３同士が、たとえば大気中で接合される。
【００２８】
なお、上記において、被接合物４は、上述の如くたとえば半導体チップからなり、被接合物５は、たとえば基板からなる。ただし、ここでチップとは、たとえば、チャージアップダメージが問題となるもので、とくに形態は限定されず、種類や大きさに関係なく基板と接合される側の全ての形態のものを指す。また、基板とは、たとえば、樹脂基板、ガラス基板、フィルム基板、チップ、ウエハーなど種類や大きさに関係なくチップと接合される側の全ての形態のものを指す。また、チップと基板は位置を入れ替えてもかまわない。
【００２９】
接合装置部１１では、たとえば、所定の待機部１２に、上記洗浄された被接合物４、５が搬送された後載置される。被接合物４は、反転機構１３のヘッド部１４に、洗浄面に触れないように、吸着等により保持され、上下反転された後、ボンディングヘッド１５の下部に設けられたボンディングツール１６に、金属接合部２が下方に向けられた形態で吸着等によって保持される。被接合物５は、待機部１２から移載され、たとえば、ボンディングステージ１７上に、金属接合部３が上方に向けられた形態で吸着等によって保持される。本実施態様では、ボンディングツール１６に加熱手段としてのヒータ１８が内蔵されており、特殊雰囲気中あるいは大気中にて、常温下での接合、加熱下での接合のいずれも可能となっている。
【００３０】
ボンディングヘッド１５は、加圧手段１９により、ボンディングツール１６を介して被接合物４を下方に押圧できるようになっており、被接合物５に対して、所定の接合荷重を印加、コントロールできるようになっている。本実施態様では、ボンディングヘッド１５は、上下方向（Ｚ方向）に移動および位置決めできるようになっている。
【００３１】
また、上記被接合物５を保持しているボンディングステージ１７は、本実施態様では、下部に設けられている位置調整テーブル２０による、Ｘ、Ｙ方向の水平方向位置制御、θ方向の回転方向位置制御、および、Ｘ軸、Ｙ軸周りの傾き調整制御により、被接合物４との間の相対位置合わせおよび平行度調整を行うことができるようになっており、金属接合部同士の接合時の隙間のばらつきを小さく抑えることもできるようになっている。この相対位置合わせおよび平行度調整は、被接合物４、５間に進退可能に挿入される認識手段、たとえば２視野の認識手段２１（たとえば、２視野カメラ）により、被接合物４、５あるいはそれらの保持手段に付された認識マーク（図示略）を読み取り、読み取り情報に基づいて位置や角度の必要な修正を行うことにより、実施される。２視野の認識手段２１は、Ｘ、Ｙ方向、場合によってはＺ方向への位置調整が可能となっている。この相対位置合わせおよび平行度調整は、本実施態様では主としてボンディングステージ１７側で行われるが、ボンディングヘッド１５またはボンディングツール１６側で行うようにすることも可能であり、両側で行うことも可能である。両側で行う場合には、必要に応じて、ボンディングヘッド１５側については昇降制御だけでなく回転制御および／または平行移動制御を行い、ボンディングステージ１７側についても回転制御、平行移動制御および昇降制御などを行うことができ、これら制御形態は必要に応じて任意に組み合わせることが可能である。
【００３２】
洗浄工程におけるＲＦプラズマ洗浄は、たとえば、図２に示すように行われる。図２において、３１はアース３２側に接続された電極、３３は交流電源３４に接続された電極を、それぞれ示しており、これら電極間でＲＦプラズマ９が発生され、電極３３上に位置された被接合物４（または５）にＲＦプラズマ９が照射される。本実施態様では、プラスイオン３５としてのＡｒ＋　とマイナス電荷をもつ電子３６とが、交流電源３４からの交流印加により、交互に被接合物４の洗浄面（接合面）にぶつかることになり、結果的に洗浄面は中性に保たれ、チャージアップダメージの発生が抑えられる。すなわち、従来の直流プラズマの場合、Ａｒ＋　の衝突により、洗浄面の電荷が増加し続け、やがてチャージアップダメージ発生のおそれが生じるが、上記の如くＲＦプラズマとすることにより、電荷が中和され、このようなチャージアップダメージの発生が抑えられる。
【００３３】
また、従来、プラズマの発生開始時には、マッチングを行って、プラズマ発生開始のための電力（電流、電圧）の最適化を自動で行わせるようにしていたので、図３に示すように、プラズマ発生開始時に、強めの電力のピークが印加されるようになっていた。この開始時の電力ピーク値３７は、定常発生時の最適値３８に対して相当高いので、プラズマ発生開始時にチャージアップダメージが発生するおそれがあった。ＲＦプラズマとしても、このような高い電力ピーク値３７を印加したのでは、同様にチャージアップダメージが発生するおそれが残る。
【００３４】
そこで、上記のような高い電力ピーク値３７を印加しなくても、ＲＦプラズマを発生開始させることができ、発生開始後に、最適な定常発生条件に安定させればよいことに着目し、ＲＦプラズマを発生開始させるための最適なトリガー条件を予め測定しておき、実際の洗浄のためにＲＦプラズマを発生開始させる時には、常にその最適トリガー条件に自動設定することにより、安定したＲＦプラズマの発生開始と、発生開始時のチャージアップダメージの発生防止とを両立させることが可能になる。すなわち、図４に示すようなＲＦプラズマ発生特性を持たせることが可能になり、比較的低いＲＦプラズマ発生開始電力３９（最適なトリガー条件）にてＲＦプラズマを発生開始させ、チャージアップダメージの発生を抑えながら、その後に定常発生条件（定常発生時の最適値３８）に安定させることができるようになる。
【００３５】
また、上記とは別のＲＦプラズマ発生開始方法として、図５に示すように、アース側電極３１と交流電源側電極３３との間に、たとえば進退可能に着火放電手段４１を位置させ、着火放電手段４１による着火放電によってＲＦプラズマを発生開始させることも可能である。この方法によれば、ＲＦプラズマの発生開始時から、定常発生条件（定常発生時の最適値３８）の電力を印加しておき、単に発生開始の引金だけを着火放電によればよいことになるから、ＲＦプラズマ発生開始時の過大電力によるチャージアップダメージ発生のおそれは全く無くなる。
【００３６】
上記のように、少なくとも半導体からなる被接合物４の接合面がＲＦプラズマで洗浄された後、前述の如く、接合部１１で被接合物４、５の金属接合部同士が接合される。接合面が表面活性化されているので、常温での接合まで可能となり、加熱下、および／または加圧下では一層容易に接合される。また、大気中での接合も可能となり、不活性ガスや非酸化性ガス雰囲気下での接合も可能となる。
【００３７】
とくに、ＲＦプラズマ洗浄において、後の接合のために表面異物層を除去し十分に表面活性化するために、金属接合部の接合される全表面で１．６ｎｍ以上エッチングできるようにＲＦプラズマ照射強度、時間を設定することにより、一層密接かつ良好な接合が可能となる。
【００３８】
接合においては、対向保持された被接合物４、５は、２視野の認識手段２１による読み取り情報に基づいて、所定の精度内に入るように位置合わせされ、平行度も所定の精度内に入るように調整される。とくに平行度に関しては、良好な接合を達成するために、金属接合部間の隙間のばらつきを最大４μｍ以下（レンジで４μｍ以下）とするように調整されることが好ましい。また、前述の如く、接合面の表面硬度が低ければ（たとえば、ビッカース硬度Ｈｖで１２０以下好ましくは１００以下であれば）、加圧等によりさらに密接に接合することが可能になる。
【００３９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る接合方法および装置によれば、接合面洗浄用エネルギー波としてＲＦプラズマを使用することにより、とくに半導体からなる被接合物に対してチャージアップダメージの発生を適切に抑えることができ、接合製品の品質を良好に保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施態様に係る接合装置の概略構成図である。
【図２】本発明におけるＲＦプラズマ照射の一例を示す概略構成図である。
【図３】従来のプラズマ発生の特性を示す時間と電力との関係図である。
【図４】本発明におけるＲＦプラズマ発生特性の一例を示す時間と電力との関係図である。
【図５】本発明における着火放電手段を用いたＲＦプラズマ発生の一例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
１　接合装置
２、３　金属接合部
２ａ、３ａ　接合面
４　被接合物（チップ）
５　被接合物（基板）
６　真空ポンプ
７　チャンバ
８　プラズマ照射手段
９　プラズマ
１０　特殊ガス供給ポンプ
１１　接合装置部
１２　待機部
１３　反転機構
１４　反転機構のヘッド部
１５　ボンディングヘッド
１６　ボンディングツール
１７　ボンディングステージ
１８　加熱手段としてのヒータ
１９　加圧手段
２０　位置調整テーブル
２１　２視野の認識手段
３１　アース側電極
３２　アース
３３　交流電源側電極
３４　交流電源
３５　プラスイオン３５としてのＡｒ＋　
３６　マイナス電荷をもつ電子
３７　従来のプラズマ発生開始時の電力ピーク
３８　定常発生時の最適値（最適電力）
３９　最適なトリガー条件としてのＲＦプラズマ発生開始電力
４１　着火放電手段
【図１】
2004119665.tif 000003
【図２】
2004119665.tif 000004
【図３】
2004119665.tif 000005
【図４】
2004119665.tif 000006
【図５】
2004119665.tif 000007