(57)【要約】【課題】ウエハの処理空間における雰囲気の清浄化が必要なプロセスにおいて、該基板の表面に付着する不純物を低減する。【解決手段】ウエハＷの表面に対し該ウエハＷと略平行にＳｉＨ４ガスを流しながら、該ウエハＷ上にＨＳＧを形成する処理を行う基板処理装置において、ＳｉＨ４ガスの流れ方向の全長Ａが、ＳｉＨ４ガスの流れに垂直な方向の全長Ｂよりも大きく形成されてなるプレート７０を、ウエハＷの周囲に該ウエハＷと略平行に配置した状態で、該ウエハＷに対してＨＳＧを形成する処理を施すようにした基板処理装置を提供する。【選択図】　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に対し該基板と略平行に処理用ガスを流しながら、該基板を処理する基板処理装置において、
前記処理用ガスの流れ方向の全長が、前記処理用ガスの流れに垂直な方向の全長よりも大きく形成されてなるプレートを、前記基板の周囲に該基板と略平行に配置した状態で、該基板を処理するようにしたことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法と、その方法の実施に使用する基板処理装置とに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＤＲＡＭキャパシタには、ほぼ一定の容量値が要求されるが、ＤＲＡＭの高集積化に伴い、キャパシタセルの占有面積が小さくなる傾向にあり、それにより、キャパシタ容量値が足りなくなってしまい、安定した記憶動作が行えなくなる。そこで、キャパシタ容量を確保する方法として、容量絶縁膜の薄膜化、高誘電率絶縁膜の採用、電極表面積の拡大化等が行われている。このうち容量絶縁膜であるＳｉ３Ｎ４膜の薄膜化は略限界に達している。また、容量絶縁膜は、誘電率の高いＴａ２Ｏ５膜へ移行しつつあるものの、その誘電率はＳｉ３Ｎ４膜の２．５倍程度であり、必ずしも充分とはいえない。
【０００３】
そのため、デバイスの高集積化には半球状結晶粒（ＨＳＧ；Ｈｅｍｉ−Ｓｐｈｅｒｉｃａｌ−Ｇｒａｉｎ）等の凹凸（以下、これをＨＳＧと総称する。）を形成することによる電極表面積の拡大化で対応せざるを得ないのが実情である。この方法として、例えば下部電極であるアモルファスシリコン膜の核形成温度を制御することにより、シリコン表面にＨＳＧを発生させ、そのＨＳＧを生成した表面積を例えば６００℃で形成した多結晶シリコン膜の表面積の２倍以上とする技術が知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
この技術は、アモルファスシリコン膜の表面を実質的に清浄な状態としておくことを前提とした上で、ＣＶＤ法であれＭＢＥ法であれ特に薄膜形成法は限定されないが、シリコンを含む化合物の気体を供給することにより、アモルファスシリコン膜表面に結晶核を形成させ、その後、気体の供給を止め、結晶核を成長させるものである。このようなＨＳＧの形成に関しては、半導体装置の歩留まりの点から、ＨＳＧ粒径及び粒密度が均一であることが必要である。
【０００５】
【特許文献１】
特開平５−３０４２７３号公報（第３−７頁、第１図）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＨＳＧの形成には、ウエハの表面状態によりＨＳＧの出来方が異なりやすいという困難性がある。そのため、この種の技術においては、ＨＳＧを形成するまでのウエハの表面状態を、如何に清浄に保つかが非常に重要な課題となっている。
【０００７】
本発明の目的は、基板の処理空間における雰囲気の清浄化が必要なプロセスにおいて、該基板の表面に付着する不純物を低減する技術を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、基板の表面に対し該基板と略平行に処理用ガスを流しながら、該基板を処理する基板処理装置において、前記処理用ガスの流れ方向の全長が、前記処理用ガスの流れに垂直な方向の全長よりも大きく形成されてなるプレートを、前記基板の周囲に該基板と略平行に配置した状態で、該基板を処理するようにしたことを特徴とする基板処理装置が提供される。
【０００９】
また本発明によれば、基板の周囲に該基板と略平行にプレートを配置するプレート配置工程と、前記基板の周囲にプレートを配置した状態で、前記基板の表面に対し該基板と略平行に処理用ガスを流しながら、該基板を処理する基板処理工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記プレートの前記処理用ガスの流れ方向の全長が、前記処理用ガスの流れに垂直な方向の全長よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１０】
本発明においては、基板の周囲にプレートを配置するようにしたから、基板に付着しようとする不純物が該基板ではなくプレートに付着することになる。これにより、プレートを用いない場合に比べると、基板に付着する不純物を飛躍的に低減できる。また、プレートは、基板と略平行に配置されると共に、処理用ガスの流れ方向の全長が、処理用ガスの流れに垂直な方向の全長よりも大きいから、処理用ガスの流れを乱さずに、特に処理ガスの流れる方向に流下又は流上する不純物を効果的に捕獲できる。
【００１１】
本発明において、前記プレートは、前記処理用ガスの上流側、又は上流側及び下流側の両方の表面に凹凸が形成されてなるのが好ましい。また前記プレートは、全表面に凹凸が形成されてなるものであってもよい。この場合において、前記凹凸は、サンドブラスト加工により形成されたものであるのが好ましい。
【００１２】
本発明においては、前記基板の表面と、前記プレートの表面とが略同一平面上となるように、該プレートを配置するのが好ましい。また、前記プレートは平面視において長方形であるのが好ましい。本発明において、前記処理用ガスとは、モノシラン（ＳｉＨ４）であり、前記処理とはＨＳＧの形成であるのが好ましい。
【００１３】
本発明においては、前記プレートの処理用ガスの流れ方向の上流側または／および下流側の面積を、該ガス流と垂直方向側の面積より大きくするのが好ましい。
詳細には、前記プレートは、前記処理用ガスの流れ方向を左右方向とした平面視において、前記基板の左端よりも左側の余白ａ１の面積と、当該基板の右端よりも右側の余白ａ２の面積との和が、当該基板の上端よりも上側の余白ｂ１の面積と、当該基板の下端よりも下側の余白ｂ２の面積との和よりも大きくなるように形成されているのが好ましい。
【００１４】
また本発明によれば、基板の表面に対し該基板と略平行に処理用ガスが一方向に流されながら、該基板の処理が行われる反応室を有する基板処理装置において、前記反応室内に、前記基板よりも前記処理ガスの流れ方向上流側に、不純物が付着する第１の不純物付着用領域を有するプレートを該基板と略平行に配置した状態で、該基板を処理するようにしたことを特徴とする基板処理装置も提供される。
少なくとも前記第１の不純物付着用領域は、その表面が凹凸に形成されているのが好ましい。少なくとも前記第１の不純物付着用領域は、その表面がシリコンでコーティングされているのが好ましい。
【００１５】
この場合において、前記プレートは、前記基板よりも前記処理用ガスの流れ方向下流側に、該処理用ガスの流れ方向とは逆の方向に流上する不純物が付着する第２の不純物付着用領域をさらに有するのが好ましい。前記第２の不純物付着用領域は、その表面が凹凸に形成されているのが好ましい。前記第２の不純物付着用領域は、その表面がシリコンでコーティングされているのが好ましい。前記プレートは、該プレートに設けられた支持部（例えば、支持爪や、ザグリ等の凹部）によって前記基板を支持するものであるのが好ましい。一実施例では、基板として、円盤状の半導体基板を採用する。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１は、実施の形態による基板処理装置の平面図である。図１において、符号２０は搬送室である。この搬送室２０の周囲には、ロードロック室１０，１０、冷却室６０，６０、及び反応室３０，３０がそれぞれ放射状に連結されている。ロードロック室１０，１０と搬送室２０との間には、それぞれゲートバルブ４０，４０が設けられている。また、反応室３０，３０と搬送室２０との間にも、それぞれゲートバルブ５０，５０が設けられている。なお、搬送室２０内には、図示せぬウエハ搬送ロボットが配置されている。
ロードロック室１０，１０には、複数のウエハＷを収容したカセットを搬入するようにしてもよいし、又はロードロック室１０，１０内にウエハ保持具を置いておき、該ウエハ保持具にウエハを直接移載するようにしてもよい。
【００１７】
図２は、本基板処理装置における反応室３０まわりの構成を示す縦断面図である。本基板処理装置は、２つの反応室３０，３０を有するが、各々の構成は同様であるから、一つの反応室３０について説明する。反応室３０は、ホットウォール型の枚葉式成膜装置となっている。ゲートバルブ５０を介して搬送室２０と連結されている反応室３０内において、処理対象であるウエハＷの周囲には、プレート７０が配置される。このプレート７０の支持部によってウエハＷが支持されている。
【００１８】
また反応室３０には、処理用ガスとしてのモノシランガス（ＳｉＨ４）供給用のノズル１３０が接続されている。一方、反応室３０内におけるウエハＷを挟んでノズル１３０の反対側には、排気配管１３５が接続されている。これにより、ノズル１３０から供給されたガスは、ウエハＷの表面に対し該ウエハＷと略平行に一方向に流された後、排気配管１３５を経由しターボ分子ポンプ１４０で吸引される。
なお、反応室３０は、超高真空対応となっている。またＳｉＨ４ガスの流量は、所定流量となるように図示せぬ流量制御手段によって制御される。
【００１９】
このように、ウエハＷの面に対し一方向より処理用ガスを流すことで、選択性良くウエハ面内均一性が確保できる。これは、成長速度がジシランより遅く、ＨＳＧ形成を制御し易いモノシランを使用しているためである。モノシランは、シリコンを含む化合物ガスの中でジクロルシランより低温で成長するので、下地のアモルファスシリコン膜が結晶化されないようにするのに有効である。
【００２０】
また、反応室３０の外側には、該反応室３０に配置されたウエハＷの表裏面を挟むように相対面する一対のヒータ２１０，２１０が設けられている。対面式のヒータ２１０，２１０でウエハＷの上下を加熱することにより、ウエハＷ面内の温度均一性を短時間で確保することが容易になっている。なお、ヒータ２１０，２１０の各々は、反応室３０内の温度を所定の温度範囲内にはいるよう制御する図示せぬ温度制御手段によって通電制御される。
【００２１】
対面式のヒータ２１０，２１０は上下で構造が同じである。これらヒータ２１０，２１０の各々は、複数（例えば５つ）に分割されてなる分割型抵抗加熱ヒータである。分割された各部を独立して通電制御することにより、ＨＳＧ膜の安定形成に必要なウエハＷの温度分布を±０．５℃に保てる。
【００２２】
図３（ａ）は、ウエハＷを支持しているプレート７０を平面方向からみた図であり、図３（ｂ）は、その断面図を示す。
図示のように、プレート７０には、ウエハＷが平面方向に遊びをもって通過しうるサイズを有し、当該プレート７０の厚さ方向に貫通する貫通口７６が形成されていると共に、この貫通口７６の下側の開口部には、ウエハＷの裏面を支持する少なくとも３つ（ここでは４つ）の支持爪７５が設けられている。これら支持爪によってウエハＷの支持部が構成されている。
【００２３】
また、図３（ｂ）に示すように、プレート７０は、ウエハＷよりも厚く、貫通口７６の上側の開口部から支持爪７５までの深さを、ウエハＷの厚さと略一致させている。これにより、当該各支持爪７５によってウエハＷが支持されたときには、該ウエハＷの表面と、プレート７０の表面とが略同一平面上に配置されることになる。
【００２４】
また、貫通口７６は、平面視においてプレート７０の略中央に形成されている。従って、各支持爪７５によってウエハＷが支持されたときには、該ウエハＷの周囲に当該プレート７０が配置されることになる。詳細には、このときウエハＷはその全周がプレート７０によって取り囲まれる。
【００２５】
また、図３（ａ）に示すように、プレート７０は、平面視において、処理用ガスの流れ方向の全長Ａが、処理用ガスの流れに垂直な方向の全長Ｂよりも大きく形成された長方形をなしている（Ａ＞Ｂ）。但し、ＢはウエハＷの外径よりも大きい。従って、プレート７０は、該プレート７０の支持爪７５によりウエハＷを支持したときに、平面視においてウエハＷがプレート７０からはみ出さないサイズを有している。
【００２６】
具体的には図４（ａ），（ｂ）に示すように、プレート７０は、ＳｉＨ４ガスの流れ方向を左から右へ向かう方向とした平面視において、このプレート７０に設けられた支持爪７５によって支持されたウエハＷの左端よりも左側の余白ａ１の面積と、該ウエハＷの右端よりも右側の余白ａ２の面積との和が、該ウエハＷの上端よりも上側の余白ｂ１の面積と、該ウエハＷの下端よりも下側の余白ｂ２の面積との和よりも大きくなるように構成されている。
【００２７】
このプレート７０において、余白ａ１は処理用ガスの流れ方向に流下する不純物が付着する第１の不純物付着用領域として機能し、余白ａ２は処理用ガスの流れ方向とは逆方向に流上する不純物が付着する第２の不純物付着用領域として機能する。
【００２８】
以下、半導体デバイスの製造工程の一工程として本基板処理装置を用いて基板であるウエハを処理する方法について説明する。
まず、半導体チップの所定の容量電極部にアモルファスシリコン膜が形成されたウエハＷを本基板処理装置へ搬送する前に、自然酸化膜やＮＨ４ＯＨ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ等の混合液によって形成される化学酸化膜を、例えば希釈フッ酸水溶液で予め洗浄して除去した後、スピンドライ乾燥機等で乾燥処理をする。
【００２９】
次いで、乾燥処理が施されたウエハＷを、本基板処理装置内のカセット室１０へ清浄なまま素早く搬送する。清浄なまま搬送することにより、カセット室１０をはじめとした基板処理装置内の汚染を防止できる。また、ウエハＷを素早く搬送することにより、該ウエハに汚染物質が付着したり、自然酸化膜が再形成されてしまうことを防止できる。なお、この時点でアモルファスシリコン膜表面に異物や自然酸化膜等が多く付着又は形成されていると、アモルファスシリコン表面の状態と、例えば該アモルファスシリコン上に堆積した自然酸化膜表面の状態とでシリコンの結合手密度が異なるため、ＨＳＧ化されなかったり、ＨＳＧの形成状態つまりＨＳＧの粒径や密度が異なる問題が発生し、半導体装置の歩留まり低下の原因となる。
【００３０】
次いで、カセット室１０内を高純度の窒素でパージしながら減圧し大気を除去する。高純度窒素でパージしながら減圧するのは、乾燥した窒素のパージにより水分が充分に雰囲気中に飽和するのを満たし、また急激な減圧によりウエハ表面やカセット等に付着している水分（液体）が全て水蒸気（気体）にならず、むしろ一部が気体になる際に奪われる熱により温度が低下し、氷（固体）になるのを防止するためである。氷は反応室３０内に搬送後、熱により溶融し水となるため表面の一部が酸化してＨＳＧの形成を阻害する要因となる。さらにパージにより気流を構成することにより、ウエハＷ等への付着物を排出する効果も得られる。また、カセット１０内の圧力を数回昇降させることにより、残留物質を最大限置換させることも有効である。
【００３１】
また、搬送室２０は窒素で常時パージするようにしており、該搬送室２０内に存在し、又は該搬送室２０内で発生した不純物物質がウエハＷの表面に付着しないようになっている。
【００３２】
次いで、上記のように、カセット室１０内の雰囲気の酸素や水分等の不純物物質を除去した後、カセット室１０と搬送室２０及び反応室３０の圧力を窒素でパージしながら同圧化する。その後、それぞれのゲートバルブ４０，５０を開ける。
【００３３】
〔プレート配置工程〕
次いで、搬送室２０に配置されたウエハ搬送ロボットによりウエハＷをカセット室１０から搬送室２０を介して反応室３０内へ搬入するが、ウエハＷの搬入に先立って、又はウエハＷの搬入と共に、該反応室３０内にプレート７０を配置する。一実施例では、先に反応室３０内へプレート７０を配置しておき、その後該プレート７０の各支持爪７５によってウエハＷを支持させる。別の実施例では、予め未処理ウエハＷをプレート７０の各支持爪７５に支持させておき（図３の状態）、ロボットハンド等によりそれらを反応室３０内に搬入する。
【００３４】
〔基板処理工程〕
次いで、反応室３０内に搬入されたウエハＷは、まず予め設定された温度（例えば６００〜６２０℃）で温度安定化が図られる。このときの反応室３０内の雰囲気は、高真空又はアモルファスシリコン表面と反応しない非反応性ガス（例えば窒素その他の不活性ガス）とする。
【００３５】
次いで、反応室３０内にＳｉＨ４ガスを供給する。即ち、ウエハＷをプレート７０の支持爪７５により支持した状態で、ウエハＷの表面に対し該ウエハと略平行にＳｉＨ４ガスを流す。これにより、アモルファスシリコンの表面に微細な結晶核が形成される（核形成工程）。
【００３６】
次いで、ＳｉＨ４ガスの供給を止め、アモルファスシリコンの表面に形成した結晶核をシリコン原子のマイグレーションにより成長させる。これにより、アモルファスシリコン膜上にＨＳＧが形成される（核成長工程）。
【００３７】
反応室３０にてＨＳＧ形成し、上記基板処理工程を終えた後、ゲートバルブ５０を開ける。そして、搬送室２０に配置されたウエハ搬送ロボットにより、反応室３０内の処理済みウエハＷを、搬送室２０を介してウエハ冷却室６０に搬送する。冷却室６０において、処理済みウエハＷが充分に冷えたら、ゲートバルブ４０を開け、搬送室２０に配置されたウエハ搬送ロボットにより該充分に冷えた処理済みウエハＷをカセット室１０に搬出し、処理を終了する。
【００３８】
本基板処理装置によれば、次のような効果が得られる。
（１）プレート７０をウエハＷの周囲に配置した状態で処理するようにしたから、ウエハＷに付着しようとする不純物を該ウエハＷではなくプレート７０に付着させることができる。これにより、プレート７０を用いない場合に比べると、ウエハＷに付着する不純物を飛躍的に低減できる。また、プレート７０は、ウエハＷと略平行に配置されると共に、ＳｉＨ４ガスの流れ方向の全長が、ＳｉＨ４ガスの流れに垂直な方向の全長よりも大きいから、反応室３０内におけるＳｉＨ４ガスの流れを乱さずに、特にＳｉＨ４ガスの流れる方向に流下又は流上する不純物を適切に捕獲できる。
【００３９】
（２）具体的には、プレート７０は、ＳｉＨ４ガスの流れ方向を左から右に向かう方向とした平面視において、ウエハＷの左端よりも左側に余白ａ１を有するから、この余白がＳｉＨ４ガスの流れ方向に流下する不純物が付着する第１の不純物付着領域ａ１として機能する。これにより例えば、未処理ウエハＷを反応室３０へ搬送する際に、カセット室１０や搬送室２０等から該反応室３０内へ流れ込んでしまった不純物、反応室３０内を外部からシールするＯリング（図示せず）等のシール部材におけるリークによって反応室３０内に侵入した不純物、又は該Ｏリングその他の部品から放出したガス中の不純物等が、ウエハＷに付着する前に、プレート７０における第１の不純物付着領域ａ１で捕獲される。従って、ウエハＷに付着する不純物を低減でき、その結果、ウエハ表面の清浄度が向上して、ＨＳＧ成長阻害を防止できる。
【００４０】
（３）また、プレート７０は、ＳｉＨ４ガスの流れ方向を左から右に向かう方向とした平面視において、ウエハＷの右端よりも右側に余白ａ２を有するから、この余白がＳｉＨ４ガス流れ方向とは逆方向に流上する不純物が付着する第２の不純物付着用領域ａ２として機能する。従って、排気配管１３５等の排気系から逆拡散する不純物が、ウエハＷに付着する前に、プレート７０における第２の不純物付着領域ａ２で捕獲される。これにより、ウエハＷに付着する不純物を一層低減できる。その結果、ウエハ表面の清浄度がより向上して、ＨＳＧ成長阻害を確実に防止できる。
【００４１】
（４）反応室３０で行われるＨＳＧの形成処理は、ウエハＷ表面状態に大きく影響を受けるプロセスである。ここで、ウエハＷ表面の清浄度は、反応室３０の雰囲気に依存するところが大きい。そのため反応室３０の構造的な改善並びに使用部品の見直しによる、例えばＯ２，Ｈ２Ｏ等外部からのリークや放出ガスの低減を図り、高清浄化を図ることが望まれる。
この要請に対して本実施の形態によれば、不純物を付着するためのプレート７０を用いることにより、従来の反応室の構造並びに使用部品を何ら変更することなく、ウエハＷ表面の高清浄化を図ることを達成できる。
【００４２】
以上において、プレート７０には、ウエハＷの処理ガスと同一のガスであるＳｉＨ４ガスを用いてシリコン（Ｓｉ）のコーティングを施しておくのが好ましい。Ｓｉのコーティングは、少なくとも第１の不純物付着用領域ａ１及び第２の不純物付着用領域ａ２に施すのが好ましいが、プレート７０の全表面をシリコンでコーティングしてもよい。このようにすれば、プレート７０の不純物付着効果を一層向上できる。
【００４３】
〔変形例１〕
図５は、プレートの変形例を示す。このプレート７１は、ウエハＷに対応したサイズの貫通口７６と少なくとも３つの支持爪７５とを有する点で上記プレート７０と略同様であるが、上記プレート７０の余白ａ１（第１の不純物付着用領域）、及び余白ａ２（第２の不純物付着用領域）に相当する部分の表面に、それぞれサンドブラスト加工によって凹凸７１ａ，７１ｂを設けたものである。このように、凹凸７１ａ，７１ｂを設けることにより、第１の不純物付着用領域ａ１及び第２の不純物付着用領域ａ２における不純物付着効果を一層向上できる。また凹凸７１ａ，７１ｂは、一旦付着した不純物を放しにくいから、反応室３０内の汚染をより一層低減できる。
なお、凹凸をプレート７１の全表面に設けるのも効果的である。また、凹凸の上にシリコンのコーティングを施すとなお一層不純物付着効果を向上できる。
【００４４】
〔変形例２〕
図６は、プレートの別の変形例を示す。このプレート７２は、ウエハＷに対応したサイズの貫通口７６と少なくとも３つの支持爪７５とを有する点で上記プレート７０と略同様であるが、平面視において、処理ガスの流れ方向（図５中、左右方向）を長軸とする楕円状に形成したものである。このプレート７２も、処理用ガスの流れ方向の全長Ａが、処理用ガスの流れに垂直な方向の全長Ｂよりも大きく形成されている（Ａ＞Ｂ）。またプレート７２は、処理ガスの流れ方向を左から右へ向かう方向とした平面視において、ウエハＷの左端よりも左側の余白ａ１の面積と、該ウエハＷの右端よりも右側の余白ａ２の面積との和が、該ウエハＷの上端よりも上側の余白ｂ１の面積と、該ウエハＷの下端よりも下側の余白ｂ２の面積との和よりも大きくなるように構成されている。従って、上記実施の形態や変形例１と同様の効果が得られる。
【００４５】
〔変形例３〕
図７は、プレートのさらに別の変形例を示す。このプレート７３は、ウエハＷに対応したサイズの貫通口７６と少なくとも３つの支持爪７５とを有する点で上記プレート７０と略同様であるが、平面視において長方形をなすプレートの、長手方向（処理ガスの流れ方向）の端部を半円又は円弧状に形成したものである。このプレート７２も、処理用ガスの流れ方向の全長Ａが、処理用ガスの流れに垂直な方向の全長Ｂよりも大きく形成されている（Ａ＞Ｂ）。またプレート７は、処理ガスの流れ方向を左から右へ向かう方向とした平面視において、ウエハＷの左端よりも左側の余白ａ１の面積と、該ウエハＷの右端よりも右側の余白ａ２の面積との和が、該ウエハＷの上端よりも上側の余白ｂ１の面積と、該ウエハＷの下端よりも下側の余白ｂ２の面積との和よりも大きくなるように構成されている。従って、上記実施の形態や変形例１と同様の効果が得られる。
以上、変形例２及び変形例３で示したように、プレートの形状は、特に長方形に限定されない。
【００４６】
尚、プレートは、特に上記のもの限定される訳ではなく、適宜設計変更可能である。例えば、プレートには、上記貫通口７６に代えて、ザグリ等の有底の凹部を形成することとしてもよい。この場合は、支持爪７５が不要になり、ウエハＷが凹部の底面で支持されることになる。また、該凹部の深さをウエハＷの厚さと略一致させることにより、この凹部の底面によりウエハＷが支持されたときには、該ウエハＷの表面と、プレートの表面とが略同一平面上に配置されることになる。
【００４７】
〔比較例〕
濃度１％のフッ酸水溶液中にウエハを１分間浸漬することにより、該ウエハに形成された自然酸化膜或いは化学酸化膜を除去した後、該ウエハをスピンドライ乾燥機で乾燥させ、ただちにカセット室１０に搬送する。そして、カセット室１０を高純度の窒素でパージしながら減圧して該カセット室１０内の大気を除去する。さらに、カセット室１０内の圧力を複数回昇降させた後、カセット室１０と搬送室２０及び反応室３０とを窒素でパージしながら同圧化し、ウエハをカセット室から搬送室２０を経由して反応室３０へ搬送する。
【００４８】
しかしながら、このとき、カセット室１０と搬送室２０との雰囲気をウエハと共に反応室３０内へ持ち込んでしまうことは避けられない。従って、該雰囲気中に不純物が存在している場合には、その不純物が反応室３０内へ侵入することになる。その結果、反応室３０内でウエハにＨＳＧ形成処理を施す過程で、結晶核の成長阻害を引き起こしてしまうことがある。
また、ＨＳＧ形成処理中に、反応室３０内を外部からシールするＯリング（図示せず）等のシール部材におけるリークによって反応室３０内に不純物が侵入したり、又は該Ｏリングその他の部品から不純物を含むガスが放出したり、又は排気系から不純物が流上してしまうことがある。これらの要因によっても、結晶核の成長が阻害されてしまうことがある。
【００４９】
一方、本発明は、これらの要因自体を解消するものではないが、上述のように、これらの要因に起因する結晶核の成長阻害等の問題を、プレートを用いること等によって回避又は少なくとも低減するものである。
【００５０】
【発明の効果】
本発明によれば、基板の処理空間における雰囲気の清浄化が必要なプロセスにおいて、該基板の表面に付着する不純物を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態による基板処理装置の平面概略図。
【図２】基板処理装置における反応室の構成を示す縦断面概略図。
【図３】プレートの一態様を示す平面概略図。
【図４】プレートの一態様を示す平面概略図。
【図５】プレートの別の態様を示す平面概略図。
【図６】プレートのさらに別の態様を示す平面概略図。
【図７】プレートのさらに別の態様を示す平面概略図。
【符号の説明】
１０…カセット室、２０…搬送室、３０…反応室、４０，５０…ゲートバルブ、６０…冷却室、７０…プレート、１３０…ＳｉＨ４ガス（処理用ガス）供給用ノズル、Ｗ…ウエハ（基板）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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