(57)【要約】【課題】非偏光状態で高反射特性を有するとともに丈夫な金属反射膜を有し、製造容易な紫外域反射ミラーの製造方法を提案する。【解決手段】金属材料からなる金属反射膜を基材１１に形成する紫外域用反射ミラーの製造方法であり、基材１１を真空容器２１内に配置し、真空容器２１内の表面及び基材１１の表面にゲッタ材料２２からなるゲッタ膜１２を形成して真空容器２１内の残留物質を吸着する第１の工程と、残留物質が吸着された真空容器２１内において、基材１１のゲッタ膜の表面に金属反射膜２３を形成する第２の工程とを有している。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属材料からなる金属反射膜を基材に形成する紫外域用反射ミラーの製造方法であって、
前記基材を真空容器内に配置し、該真空容器内の表面及び前記基材の表面にゲッタ材料からなるゲッタ膜を形成して前記真空容器内の残留物質を吸着する第１の工程と、
前記残留物質が吸着された前記真空容器内において、前記基材のゲッタ膜の表面に前記金属反射膜を形成する第２の工程とを有することを特徴とする紫外域用反射ミラーの製造方法。
【請求項２】
前記基材は、石英ガラス又はフッ化物単結晶からなるとともに、前記金属材料は、アルミニウム、金、銀、及び銅からなる群から選ばれる少なくとも一種の金属からなり、且つ、前記ゲッタ材料は、チタン、ジルコン、タングステン、モリブテン、バリウム、シリコン、ストロンチウム、及びクロムからなる群から選ばれる少なくとも一種の材料であることを特徴とする請求項１に記載の紫外域用反射ミラーの製造方法。
【請求項３】
前記ゲッタ材料は、チタンからなることを特徴とする請求項２に記載の紫外域反射ミラーの製造方法。
【請求項４】
前記残留物質が吸着された前記真空容器内において、前記金属反射膜の表面に誘電体膜を形成することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一つに記載の紫外域反射ミラーの製造方法。
【請求項５】
前記請求項１乃至４の何れか一つに記載の製造方法により製造された紫外線反射ミラーであって、前記基材と前記金属反射膜との間に前記ゲッタ膜が形成されていることを特徴とする紫外線反射ミラー。
【請求項６】
真空紫外線を露光光としてマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターン像を被露光基板上に形成する投影光学系とを有する投影露光装置であって、請求項５に記載の紫外線反射ミラーが前記照明光学系及び／又は前記投影光学系に配置されていることを特徴とする投影露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、紫外線や真空紫外線などの紫外域の照射光を反射可能な紫外域反射ミラーの製造方法、その方法により得られた紫外域反射ミラー、及びその紫外域反射ミラーを用いた投影露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体素子の集積度を増すために、半導体製造用縮小露光装置（ステッパー）の高解像力化の要求が高まっている。このステッパーによるフォトリソグラフィーの解像力を挙げる一つの方法として、光源波長の単波長化が挙げられる。最近では、水銀ランプより短波長で、かつ高出力なエキシマレーザーを光源としたステッパーの実用化が始まっている。このステッパーの光学系は、レンズやミラーなどの各種の光学素子を組合せて構成されている。
【０００３】
より高解像化することにより、ウェハに転写されるレチクルパターンのアスペクト比も１：１に近いことが要求されてくる。ウェハ上での結像されるパターンのアスペクト比を決定しているのは、ステッパーにおいてウェハに至るまでの偏光の比率である。本来、光源から非偏光板を通った光は非偏光状態であり、この状態で露光すると転写パターンのアスペクト比は１：１に近くなる。
【０００４】
しかし、実際のステッパーの光路は、５〜２０ｍ程度になるため、光路を折り曲げる必要がある。光路を折り曲げると偏光を生じ、その偏光状態は折り曲げに用いる反射ミラーの光学特性に依存する。
【０００５】
光源に水銀ランプを用いている場合、反射ミラーの偏光を抑えるために、折り曲げ用の反射ミラーに誘電体多層膜が形成されている。反射ミラーに使用できる誘電体は、波長が短くなるに従い限られる。即ち、使用できる誘電体の屈折率が限定されてしまうことを意味している。
【０００６】
更に、実際に反射ミラーに入射される光は広がり（ＮＡ：開口数）を持っているので、反射ミラーに要求される角度帯域は０〜７０°である。しかし、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）のエキシマ光用の反射ミラーの場合、誘電体多層膜で入射角度０〜７０°の角度帯域を有する高反射の非偏光ミラーを製造するのは困難である。
【０００７】
また、金属のみのミラーの場合、入射角度帯域は広いが、誘電体のみの構成よりも反射率が低く、なおかつ、広入射になるに従い、ｐ，ｓ偏光差が広がってしまう。
【０００８】
そこで、広い入射角度帯域を有し、非偏光状態の高反射特性を持つ反射ミラーを製造するためには、金属＋誘電体の構成の使用が必須となる。広い入射角度帯域を有する金属層と優れた偏光性能を有する誘電体層を組合せることにより、優れた反射ミラーを得ることができる。このような反射ミラーを用いれば、結像性能を向上させるとともに、光量増加によるスループットを向上させることができる。
【０００９】
このような反射ミラーは、一般に、合成石英ガラス又はフッ化物単結晶からなる基材に、アルミニウム等の金属からなる金属反射膜が積層され、その表面に複数の誘電体層が積層されて構成されている。金属反射膜や誘電体層は真空蒸着により形成されており、真空容器内に基材と各成分を配置して蒸着させるのが一般的である（例えば、下記特許文献１参照。）。
【００１０】
このような反射ミラーでは、紫外域或いは真空紫外域の光学特性は、金属反射膜の純度に大きく影響される。成膜により形成される金属反射膜の金属の純度は、成膜時の真空度、成膜装置内の蒸発源から基材までの距離、蒸発速度の３要素により決まることが知られている。真空度は高真空である程よく、装置内の距離は短い程よく、蒸発速度は速い程よい。これらの３要素は、何れも蒸着粒子の平均自由行程を延ばすことを意味している。
【００１１】
つまり、蒸着粒子が基材に到達するまでの間に、酸素分子や水分子等の残留物質が真空容器内に残留、滞留していると、蒸着粒子が残留物質に衝突して金属が酸化反応を起こす。この粒子が基材に到達して金属反射膜が形成されると、金属反射膜の純度が下がり、光学特性が低下するのである。そのため、光学特性の優れた金属反射膜を得るためには、平均自由行程を延ばす必要がある。
【００１２】
【特許文献１】
特開平７−１３８７３９号公報。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の成膜装置では、前記３要素のうち、蒸発源から基材までの距離は成膜装置のレイアウトで機械的に決定されるものであり、通常変更することが容易でない。また、蒸発源の蒸発速度は蒸発源に大きな熱量を投入すれば上昇させることは可能であるが、このようにすると、蒸発源に用いた蒸発ボートなどの加熱部分からの汚染が生じて、逆に性能を劣化させてしまう。
【００１４】
そのため、真空度は蒸着粒子の平均自由行程を決定するための重量な要素となる。真空度は、成膜装置に搭載された真空ポンプの排気性能、真空容器の気密性や放出ガス量等により決定される。しかし、これらの真空ポンプや真空容器の性能を向上させて、現在の真空度を更に向上させることは容易でなく、光学特性をさらに向上させることは困難であった。
【００１５】
また、紫外域用反射ミラーの金属反射膜として通常使用されているアルミニウム、金、銀、銅は、基材の石英ガラスやフッ化物結晶との密着性が悪い。そのため、金属反射膜の光学特性を向上させても、その後の製造工程や使用時等において不測の外力が負荷されると、金属反射膜に傷や剥離等が生じて光学特性が低下し易いという問題点も有していた。
【００１６】
そこで、この発明では、反射特性等の光学特性をより向上させ易いとともに、製造容易な紫外域反射ミラー及びその製造方法を提供することを課題とする。
【００１７】
更に、金属反射膜の密着性を向上することができる紫外域反射ミラー及びその製造方法を提供することを他の課題とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を達成する請求項１に記載の発明は、金属材料からなる金属反射膜を基材に形成する紫外域用反射ミラーの製造方法であって、前記基材を真空容器内に配置し、該真空容器内の表面及び前記基材の表面にゲッタ材料からなるゲッタ膜を形成して前記真空容器内の残留物質を吸着する第１の工程と、前記残留物質が吸着された前記真空容器内において、前記基材のゲッタ膜の表面に前記金属反射膜を形成する第２の工程とを有することを特徴とする。
【００１９】
また、請求項２に記載の紫外域用反射ミラーの製造方法は、請求項１の構成に加え、前記基材は、石英ガラス又はフッ化物単結晶からなるとともに、前記金属材料は、アルミニウム、金、銀、及び銅からなる群から選ばれる少なくとも一種の金属からなり、且つ、前記ゲッタ材料は、チタン、ジルコン、タングステン、モリブテン、バリウム、シリコン、ストロンチウム、及びクロムからなる群から選ばれる少なくとも一種の材料であることを特徴とする。
【００２０】
更に、請求項３に記載の紫外域反射ミラーの製造方法は、請求項２に記載の構成に加え、前記ゲッタ材料は、チタンからなることを特徴とする。
【００２１】
また、請求項４に記載の紫外域反射ミラーの製造方法は、請求項１乃至３の何れか一つに記載の構成に加え、前記残留物質が吸着された前記真空容器内において、前記金属反射膜の表面に誘電体膜を形成することを特徴とする。
【００２２】
更に、請求項５に記載の紫外線反射ミラーは、前記請求項１乃至４の何れか一つに記載の製造方法により製造された紫外線反射ミラーであって、前記基材と前記金属反射膜との間に前記ゲッタ膜が形成されていることを特徴とする。
【００２３】
また、請求項６に記載の投影露光装置は、真空紫外線を露光光としてマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターン像を被露光基板上に形成する投影光学系とを有する投影露光装置であって、請求項５に記載の紫外線反射ミラーが前記照明光学系及び／又は前記投影光学系に配置されていることを特徴とする。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について説明する。
【００２５】
図１乃至図３はこの実施の形態を示す。
【００２６】
図１において、符号１０は紫外域、真空紫外域の照射光を反射するための紫外域反射ミラーであり、基材１１の表面に、ゲッタ材料からなるゲッタ膜１２と金属反射膜１３とが積層され、この金属反射膜１３の表面に低屈折率誘電体層１４ａと高屈折率誘電体層１４ｂとからなる誘電体膜１５が多数積層されている。
【００２７】
このような紫外線反射ミラー１０をこの実施の形態により製造するには、予め形成された基材１１に、ゲッタ膜１２、金属反射膜１３、及び誘電体膜１５を真空成形で形成することにより製造する。
【００２８】
まず、この製造方法において使用する基材１１は、金属反射膜１３の支持体となる板材であり、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ、Ｆ２レーザ等の短波長の照射光の照射により損傷し難い材料から予め形成されたものである。このような材料としては、フッ化カルシウム、フッ化バリウム等のフッ化物結晶、合成石英ガラスが例示できる。金属反射膜１３の形成されていない部分やピンホール等から照射光が照射された際の損傷を抑えるためである。
【００２９】
また、金属反射膜１３は、アルミニウム、金、銀、銅、チタン、シリコン、クロムなどの金属材料の１種又は２種以上からなる蒸着膜であり、照射光を安定に反射できるものであれば特に限定されない。
【００３０】
さらに、ゲッタ膜１２は、基材１１と金属反射膜１３との間に、各々に直接接するように積層されるゲッタ材料からなる膜である。
【００３１】
このゲッタ材料としては、従来より知られている水分子、酸素分子、水素分子等を吸着可能なゲッタ材料を使用することができる。金属反射膜１３として基材１１との密着性の悪いアルミニウム、金、銀又は銅を用いる場合、ゲッタ材料としては、チタン、ジルコン、タングステン、モリブテン、バリウム、シリコン、ストロンチウム、及びクロムの内の１種又は２種以上のゲッタ材料を選択するのが特に好ましい。
【００３２】
これらの特に好ましいゲッタ材料は、基材１１を構成する材料との相性がよく、直接積層した際に基材１１との密着性が良好であり、しかも、金属反射膜１３を構成する金属材料とも相性がよく、直接積層した際に金属反射膜１３との密着性が良好である。即ち、基材１１との密着性及び金属反射膜１３との密着性が良好であれば、金属反射膜１３が基材１１から容易に剥離され難くすることができるのである。
【００３３】
この実施の形態ではチタンを用いる。チタンは水分子、酸素分子、水素分子の何れも吸着し易いからである。
【００３４】
なお、このゲッタ膜１２は、通常の状態では照射光が直接照射されることはないため、用いる材料としては光学的な特性は要求されない。
【００３５】
金属反射膜１３の表面に積層する誘電体膜１５は、通常、紫外域ミラーで使用可能な誘電体材料からなる。この誘電体材料としては、例えば、フッ化ネオジム（ＮｄＦ３）、フッ化ランタン（ＬａＦ３）、フッ化ガドリニウム（ＧｄＦ３）、フッ化ディスプロシウム（ＤｙＦ３）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、フッ化鉛（ＰｂＦ２）、フッ化ハフニウム（ＨｆＯ２）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化アルミニウム（ＡｌＦ３）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化イットリウム（ＹＦ３）、クリオライト（Ｎａ３ＡｌＦ３）、チオライト（Ｎａ５Ａｌ３Ｆ１４）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、これらの混合物、及びこれらの化合物からなる群から選ばれる１種又は２種以上の成分からなるものが挙げられる。
【００３６】
この実施の形態では、２種類の誘電体を用いており、低屈折率誘電体と高屈折率誘電体とを交互に１乃至１５層積層する。
【００３７】
次に、真空蒸着に用いる真空蒸着装置について説明する。図２に示すように、真空蒸着装置２０には、図示しない真空ポンプ等により内部が減圧可能な真空容器２１が設けられ、真空容器２１の内部に、ゲッタ材料の蒸発源２２、金属材料の蒸発源２３、及び２種類の誘電体材料を隔離して収容した蒸発源２４とを備え、上部に基材１１を支持する基材支持部２５を備えている。また、真空容器２１の内壁２６の直性的な汚れを防ぐための防着板２７が配設されている。
【００３８】
以上のような材料及び真空蒸着装置２０を用いて、紫外域反射ミラー１０を製造するには、まず、ゲッタ材料の蒸発源２２、金属材料の蒸発源２３、及び誘電体材料の蒸発源２４にそれぞれの材料を充填するとともに、基材支持部２５に基材１１を配置して、真空容器２１を密封する。そして、図示しない真空ポンプにより、真空容器２１の内部を真空引きすることにより減圧する。
【００３９】
真空蒸着可能な十分な真空度に到達した段階で、まず、第１の工程として、ゲッタ材料の蒸発源２２から、ゲッタ材料の真空蒸着を行う。これにより、このゲッタ材料は、基材１１の表面に蒸着されるとともに、真空容器２１の内壁２６の表面及び防着板２７の表面を含む真空容器２１内の表面に蒸着され、ゲッタ膜１２が形成される。
【００４０】
このゲッタ膜１２の形成時には、ゲッタ材料の蒸着粒子が蒸発源２２から基材１１或いは真空容器２１内の各表面に到達するまでの間に、真空容器２１内に残留して滞留していた水分子、酸素分子、水素分子等の各種の残留物質と衝突して反応する。更に、基材１１或いは真空容器２１内の表面に形成されたゲッタ膜１２が、真空容器２１内に更に残留或いは漏洩した各種の残留物質を吸着する。そのため、このゲッタ膜１２の形成により、真空容器２１の内部の真空度が更に高真空の状態となる。
【００４１】
そして、真空度が更に高真空になった状態で、第２の工程として、金属材料の蒸発源２３から金属材料を蒸発させ、基材１１表面のゲッタ膜１２に金属反射膜１３を真空蒸着により形成する。
【００４２】
このとき、真空容器２１内がゲッタ膜１２の真空蒸着時に比べて高真空になっているため、真空容器２１内の平均自由行程が延長されている。従って、金属材料の蒸着粒子が蒸発源２３から基材１１に到達するまでの間に反応により劣化され難く、金属反射膜１３をより高純度なものにすることができる。
【００４３】
次に、金属反射膜１３を形成した後、２種類の誘電体材料が充填されている蒸発源２４から、交互に誘電体材料を真空蒸着させて、低屈折率誘電体層１４ａ及び高屈折率誘電体層１４ｂを積層して誘電体膜１５を形成し、紫外域反射ミラー１０を製造する。
【００４４】
以上のようにして紫外域反射ミラー１０を製造すれば、基材１１を真空容器２１内に配置して真空容器２１内の表面及び基材１１にゲッタ膜１２を形成することにより、真空容器２１内の残留物質を吸着し、この吸着した状態で、その真空容器２１内で、金属反射膜１３を真空蒸着により形成するので、従来に比べ、金属反射膜１３の真空蒸着時に真空容器２１内の真空度をより高真空の状態にできる。そのため、残留物質を低減して、高純度の金属材料により金属反射膜１３を形成することができる。
【００４５】
また、残留物質を低減させた真空容器２１内で誘電体膜１５を真空蒸着により形成すれば、誘電体膜１５も、従来に比べ、より高純度に形成することができる。従って、このようにして製造すれば、紫外域反射ミラー１０の反射特性等の光学特性を向上し易い。
【００４６】
しかも、ゲッタ膜１２を基材１１の表面に形成しても、その表面に、更に金属反射膜１３を形成するので、ゲッタ膜１２が光学特性に影響を与えることがない。そのため、基材１１を配置した状態で真空容器２１の内面全てにゲッタ膜１２を形成することができ、ゲッタ膜１２の真空蒸着と金属反射膜１３の真空蒸着とを容易に行うことが可能で、製造が容易である。
【００４７】
また、このようにして製造された紫外域反射ミラーは、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ、Ｆ２レーザ等の紫外域の照射光において、０〜７０°の広い入射角度帯域を有し、非偏向状態の高反射特性を有する。
【００４８】
しかも、この紫外域反射ミラー１０によれば、基材１１と金属反射膜１３とが密着性の悪い材料であっても、ゲッタ膜１２に両者との密着性のよいゲッタ材料を用いたので、金属反射膜１３の傷や剥離を防止でき、不測の外力が負荷されても光学特性が低下し難い。
【００４９】
次に、このようにして製造された紫外域反射ミラー１０を備えた投影露光装置について説明する。
【００５０】
図３は、この実施の形態の投影露光装置の基本構造を示す。
【００５１】
この露光装置３０は少なくとも、表面に感光剤を塗布した被露光基板Ｗを置くことのできるウェハーステージ３１，露光光としての真空紫外光を照射し、被露光基板Ｗ上にレチクルＲのパターンを転写するための照明光学系３２，照明光学系３２に露光光を供給するための光源３３，被露光基板Ｗ上にレチクルＲのパターンのイメージを投影するための投影光学系３４とを含む。投影光学系３４はレチクルＲが配された最初の表面Ｐ１（物体面）と、被露光基板Ｗの表面に一致させた二番目の表面Ｐ２（像面）との間に配置されている。
【００５２】
ウェハーステージ３１はステージ制御系３５により位置が制御される。照明光学系３２は、レチクルＲと被露光基板Ｗとの間の相対位置を調節するための、アライメント光学系３６を含んでいる。レチクルＲはウェハーステージ３１の表面に対して平行に動くことのできるレチクルステージ３７に配置されている。レチクル交換系３８は、レチクルステージ３７にセットされたレチクルＲを交換する。レチクル交換系３８はウェハーステージ３１の表面に対してレチクルステージ３７を平行に動かすためのステージドライバーを含んでいる。投影光学系３４は、スキャンタイプの露光装置に応用されるアライメント光学系を持っている。更に、光源３３、ステージ制御系３５、アライメント光学系３６、レチクル交換系３８は主制御部３９によって制御されている。
【００５３】
この露光装置３０では、前記のようにして製造された紫外域反射ミラー１０が、詳細な図示は省略されているが、照明光学系３２及び／又は投影光学系３４に使用されている。即ち、照明光学系３２及び／又は投影光学系３４において、光路を折り曲げるために紫外域反射ミラー１０が配置されている。
【００５４】
そして、このような露光装置３０によれば、紫外域反射ミラー１０の光学特性が優れているので、結像性能を向上させ易いとともに、光量増加によりスループットを向上させ易く、耐久性も向上させることができる。
【００５５】
なお、上記実施の形態では、誘電体膜１５を複数積層した紫外域反射ミラー１０について説明したが、特に限定されることはなく、誘電体膜１５或いは誘電体層１４ａ、１４ｂが一層だけであってもよく、更に、誘電体層１４ａ、１４ｂを形成しなくても、この発明を適用することが可能である。
【００５６】
また、上記実施の形態では、真空蒸着装置２０において誘電体層１４ａ、１４ｂを形成したが、他の方法により形成することも可能である。
【００５７】
さらに、上記では、真空蒸着装置２０として、蒸着物質を加熱して蒸発させる例を用いたが、特に限定されることはなく、真空容器２１内に基材１１を配置して蒸着物質を蒸着させるものであれば適用可能である。
【００５８】
【実施例】
以下、この発明の実施例について説明する。
【００５９】
図２のような真空蒸着装置２０を用い、単一の誘電体からなる誘電体膜１５を有する紫外域反射ミラー１０を製造した。
【００６０】
基材１１として石英ガラス、ゲッタ膜１２のゲッタ材料としてチタン、金属反射膜１３の金属としてアルミニウム、誘電体膜１５の誘電体材料としてフッ化マグネシウムを用いた。
【００６１】
また、真空蒸着装置２０では、真空容器２１の内部の空間は、一辺が１ｍの立方体であった。また、１５０分で５×１０−５Ｐａに到達できる構成となっていた。
【００６２】
実施例
真空蒸着装置２０に基材１１及び各蒸着材料を配置し、真空容器２１を密封して１５０分で５×１０−５Ｐａまで減圧した。
【００６３】
この状態で基材１１上に、堆積速度３ｎｍ／秒で２０秒間、チタンの蒸着を行い、ゲッタ膜１２を形成した。この操作により、基材１１の表面と、防着板２７及び真空容器２１の内壁２６を含む表面の合計面積の約６割にチタンを蒸着させた。
【００６４】
このゲッタ膜１２の形成により、真空容器２１内の真空度が更に高真空になり、１×１０−５Ｐａに到達した。これはゲッタ膜１２のゲッタ効果によるものであった。
【００６５】
その後、ゲッタ膜１２上に誘電体膜１５を蒸着させ、紫外域反射ミラーを完成させた。
【００６６】
この製造工程中の真空容器２１内の到達圧力の経時変化を図４の実線からなる曲線ａに示す。
【００６７】
図４の曲線ａに示すように、ゲッタ膜１２の成膜とともに（排気時間１５０分）、真空容器２１内の真空度は５×１０−５Ｐａから１×１０−５Ｐａとなり高真空となった。
【００６８】
そして、ゲッタ膜１２により高真空にした後、アルミニウムとフッ化マグネシウムを順に真空蒸着することにより、紫外域反射ミラーを製造した。
【００６９】
比較例
チタンのゲッタ膜１２を形成しない他は、実施例と同一にして紫外域反射ミラーを製造した。
【００７０】
製造工程中の真空容器２１内の到達圧力の経時変化を図４の破線からなる曲線ｂに示す。
【００７１】
図４の曲線ｂに示すように、誘電体膜１５の蒸着時における真空容器２１内の圧力は、ほぼ５×１０−５Ｐａである。
【００７２】
測  定
実施例及び比較例の紫外域反射ミラーの分光反射特性を測定した。
【００７３】
ここでは、反射率は偏光子を含むＶ−Ｎ型光学系で絶対反射率測定を、ｐ偏光、ｓ偏光について行い、（ｐ偏光反射率＋ｓ偏光反射率）／２＝反射率として求めている。
【００７４】
結果を、図５に示す。実線からなる曲線ｃが実施例を示し、破線からなる曲線ｄが比較例を示す。
【００７５】
図４及び図５から明らかなように、実施例の紫外域反射ミラーの製造工程においては、チタンのゲッタ膜１２を形成後に真空容器内の到達圧力が比較例の製造工程に比べて、高真空になっていた。
【００７６】
そして、得られた紫外域反射ミラーの分光反射率は、比較例に比べて実施例では全体的に高くなり、特に波長が２２０ｎｍ以下では、実施例品は比較例品より著しく高い値を示した。
【００７７】
次に実施例及び比較例の紫外域反射ミラーの膜の密着性を測定した。
【００７８】
ここでは、ＡＳＴＭ  Ｄ３３５９−８７に準拠し、基材に形成された膜に一定間隔で格子上の傷を入れ、その上にセロハンテープを貼り付け、規定の力でテープを剥がし、膜の状態を確認するというクロスハッチテープテストにより、密着性を確認した。
【００７９】
その結果、実施例により得られた紫外域反射ミラーでは、連続５回のテストを行っても膜の剥がれが発生しないのに対し、比較例では１回で剥がれが発生した。
【００８０】
なお、この実施例で蒸着時の成膜速度や成膜時間を例示したが、これらは特に限定されるものではなく、真空容器２１の内部の容積に対して、十分に大きな残留物質の吸着量を確保できれば適宜変更可能である。
【００８１】
【発明の効果】
以上詳述の通り、請求項１に記載の発明によれば、第１の工程では、基材を真空容器内に配置して真空容器内の表面及び基材にゲッタ膜を形成することにより、真空容器内の残留物質を吸着し、第２工程では、残留物質が吸着された真空容器内で、基材のゲッタ膜の表面に金属反射膜を形成するので、ゲッタ膜のゲッタ効果により真空容器内の真空度をより高真空の状態にすることができ、真空容器内の残留物質をより低減することができる。そのため、金属材料を蒸着させる際、平均自由行程を延ばして金属反射膜をより高純度に形成することが可能であり、紫外域反射ミラーの反射特性等の光学特性を向上し易い。
【００８２】
しかも、ゲッタ膜の表面に金属反射膜を形成するので、ゲッタ膜が光学性能に影響を与えることがなく、そのため、基材を配置した状態で真空容器の内面全てにゲッタ膜を形成することができ、成膜のための装置の構成を複雑にすることなく、容易にゲッタ膜と金属反射膜とを形成でき、紫外域反射ミラーを容易に製造することができる。
また、請求項２又は３に記載の発明によれば、基材が石英ガラス又はフッ化物単結晶からなるとともに、金属反射膜の金属材料が、この基材との密着性の悪い、アルミニウム、金、銀、及び銅からなる群から選ばれる少なくとも一種の金属からなるものであっても、ゲッタ膜のゲッタ材料がチタン、ジルコン、タングステン、モリブテン、バリウム、シリコン、ストロンチウム、及びクロムからなる群から選ばれる少なくとも一種の材料であるので、基材とゲッタ膜との密着性がよいとともに、ゲッタ膜と金属反射膜との密着性がよく、これにより金属反射膜の剥離を防止して光学特性の低下を防止し易い。
【００８３】
さらに、請求項４に記載の発明によれば、ゲッタ効果により残留物質が吸着された真空容器内において、金属反射膜の表面に誘電体膜を形成するので、誘電体膜を高純度に形成することができ、紫外域反射ミラーの光学特性をより向上し易い。
【００８４】
また、請求項５に記載の発明によれば、請求項１乃至４の何れか一つにより形成されているので、金属反射膜の金属材料の純度が高く、優れた反射特性等の光学特性を有する紫外域反射ミラーを提供することができる。
【００８５】
更に、請求項６に記載の発明によれば、請求項１乃至４の何れか一つにより形成された紫外域反射ミラーを備えた投影露光装置としているので、結像性能を向上させ易いとともに、光量増加によりスループットを向上させ易く、耐久性も向上させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態の紫外域反射ミラーを示す縦断面図である。
【図２】図１の紫外域反射ミラーを製造するための製造装置を示す模式図である。
【図３】図１の紫外域反射ミラーを用いた投影露光装置の基本構成を示す構成図である。
【図４】実施例の製造工程中の到達圧力の経時変化を示すグラフである。
【図５】実施例の紫外域反射ミラーの分光反射率の測定結果を示すグラフである。
【符号の説明】
１０  紫外域反射ミラー
１１  基材
１２  ゲッタ膜
１３  金属反射膜
１４ａ  低屈折率誘電体層
１４ｂ  高屈折率誘電体層
１５  誘電体膜
２０  真空蒸着装置
２１  真空容器
３０  露光装置
【図１】
2004258496.tif 000003
【図２】
2004258496.tif 000004
【図３】
2004258496.tif 000005
【図４】
2004258496.tif 000006
【図５】
2004258496.tif 000007