(57)【要約】【課題】薄型の半導体基板などの被封止体と下型との間に溜まるエアを減少又は除去することによって、高品位に被封止体を封止可能な樹脂封止装置及び金型を提供する。【解決手段】上金型と下金型からなる金型で封止空間を規定し、被封止体を前記金型に吸着して固定する吸着手段と、前記封止空間内に封止樹脂を導入して前記被封止体を封止する封止手段を有する樹脂封止装置において、前記被封止体と前記被封止体を吸着固定した前記金型との間に残留したエアを排気するための排気孔が形成された前記金型を有することを特徴とする樹脂封止装置を提供する。【選択図】　　　　　図１
2004050738.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上金型と下金型からなる金型で封止空間を規定し、被封止体を前記金型に吸着して固定する吸着手段と、
前記封止空間内に封止樹脂を導入して前記被封止体を封止する封止手段を有する樹脂封止装置において、
前記被封止体と前記被封止体を吸着固定した前記金型との間に残留したエアを排気するための排気孔が形成された前記金型を有することを特徴とする樹脂封止装置。
【請求項２】
前記金型は前記封止樹脂が導入される第１の辺と、
当該第１の辺に対向して前記排気孔が形成される第２の辺を有することを特徴とする請求項１記載の樹脂封止装置。
【請求項３】
被封止体の周囲を支持する支持部と、当該支持部との間に排気孔を形成して前記支持部に囲まれると共に前記被封止体との間に空隙を介して配置され、前記被封止体を前記金型に固定するための載置部とを有し、封止空間を規定する金型と、
前記載置部に形成された前記排気孔を介して前記被封止体を前記金型に吸着して固定すると共に前記空隙の排気を行う吸着手段と、
前記封止空間に封止物を導入して前記被封止体を封止する封止手段とを有することを特徴とする樹脂封止装置。
【請求項４】
封止空間を規定すると共に被封止体を前記封止空間内に配置する金型であって、
被封止体の周囲を支持する支持部と、
当該支持部との間に排気孔を形成して前記支持部に囲まれると共に前記被封止体との間に空隙を介して配置され、前記被封止体を前記金型に固定するための載置部とを有することを特徴とする金型。
【請求項５】
前記載置部は前記支持部に対して移動可能に構成されることを特徴とする請求項４記載の金型。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂等の封止物によってチップがマウントされたリードフレームなどの被封止体を封止する樹脂封止装置に係る。本発明は、例えば、薄型の半導体を樹脂によって封止する樹脂封止装置、当該樹脂封止装置に使用される金型、及び、かかる樹脂封止装置を有する半導体製造装置に好適である。
【０００２】
【従来の技術】
近年の電子機器の小型化及び多機能化の要請から、電子機器に搭載される半導体の薄型化及び高品位化が望まれている。かかる薄型の半導体の例としては、ポリミイド基板、ガラスエポキシ基板及びリードフレーム基板等を使用し、マトリクス状に実装された複数のＩＣチップを一括樹脂封止したＭｏｌｄｅｄ　Ａｒｅａ　Ｐａｃｋａｇｅタイプのパッケージ（以下、「ＭＡＰタイプ」という。）がある。
【０００３】
半導体装置の製造工程の一例として、ＩＣチップをリードフレームの所定の位置に固着するマウント工程と、リードフレームとＩＣチップの電極をボンディングワイヤーで電気的に接続するワイヤーボンディング工程と、ワイヤーボンディングされたリードフレーム及びＩＣチップ（以下、「半導体基板」という。）を外部衝撃から保護するために樹脂封止するパッケージ工程とを有する。
【０００４】
樹脂封止の際には、予め加熱された金型の下型上に半導体基板を載置し、真空ポンプなどの負圧発生装置によって下型に設けられた半導体基板の四隅に対応する孔から半導体基板を吸着する。これによって、半導体基板は、下型上の凹部（キャビティ）に固定される。次に上型を下型クランプして金型内部に封止空間を形成し、かかる封止空間に熱硬化性樹脂を注入・充填して樹脂封止を行う。吸着手段が半導体基板を下型上の凹部に固定するので、樹脂封止時に半導体基板の移動を防止することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ＭＡＰタイプの半導体装置に使用する基板は、その特徴の一つである薄さのために高温の下型上に載置すると熱膨張してチップ側に反り返ってしまい、半導体基板と下型の間にエアが溜まり易く、また、かかるエアが抜ける前に吸着手段によって半導体基板の周囲が下型と直ちに接触するためにエアが抜けにくく、その結果、半導体基板と下型の間にエアを残留させてしまうという問題があった。
【０００６】
かかる様子を図１７に示す。ここで、図１７は、従来の封止空間の部分概略断面図である。同図に示すように、半導体基板１０００は、下型２２００の熱によりチップ１２００側に反り返り、周囲を下型２２００に形成された吸着孔２２１０を介して吸着手段によって下型２２００の表面に接触させるため、半導体基板１０００の中央部と下型２２００との間にはエアＡＲが残留する。半導体基板１０００は、リードフレーム１１００の中央にチップ１２００を配置し、リードフレーム１１００とチップ１２００とをボンディングワイヤー１３００によってボンディングしている。
【０００７】
この状態で上型２１００が下型２２００にクランプされ、矢印方向から樹脂が導入されると、樹脂の圧力によってエアＡＲが集まり、半導体基板１０００の変形は局所的に更に増大する。この結果、ボンディングワイヤー１３００が上型２１００の下面に部分的に接触し、封止後にパッケージ表面に露出して樹脂封止が不良となったり、ボンディングワイヤー１３００が断線して不良製品となったりする問題があった。また、成形品の底部が変形するために高品位な半導体を製造できないという問題もあった。
【０００８】
かかるエアＡＲは、従来は封止空間の容積に対して無視できるものであったが、近年の半導体の薄型化の要請によって上型２１００及び下型２２００の間隔が狭くなるにつれて、上述の問題が無視できなくなってきた。そこで、金型の下型に複数の吸着孔を設けて下型に半導体基板を吸着固定して半導体基板の反り返りを防止する方法が公開特許２００２年７９５４７号公報において提案されている。しかし、公開特許２００２年７９５４７号公報では、複数の吸着孔を下型の中央に配置して半導体基板中央下部に強い吸着圧が加わるため基板が陥没変形し、その吸着孔部分の上部のパッケージ表面に吸着孔痕を発生させて樹脂封止が不良となってしまう。更に、チップに直接に吸着力（即ち、衝撃）を付加することになり好ましくない。また、例えば、半導体基板の搬送ミスなどで半導体基板が載置されていない状態の金型内に樹脂を注入してしまうと樹脂が吸着孔に流入、付着する。吸着孔内部に付着した樹脂は熱硬化性樹脂であるため加熱によって溶解させることができず、吸着孔のクリーニングは下金型の分解清掃となり困難を極める。また、金型は、加工が困難な超鋼材であるため複数の吸着孔を設けることは加工工数の増加を生じコストの増加を招くことになる。
【０００９】
そこで、本発明は、薄型の半導体基板などの被封止体と下型との間に溜まるエアを減少又は除去することによって、高品位に被封止体を封止可能な樹脂封止装置及び金型を提供することを例示的目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための、本発明の一側面としての樹脂封止装置は、上金型と下金型からなる金型で封止空間を規定し、被封止体を前記金型に吸着して固定する吸着手段と、前記封止空間内に封止樹脂を導入して前記被封止体を封止する封止手段を有する樹脂封止装置において、前記被封止体と前記被封止体を吸着固定した前記金型との間に残留したエアを排気するための排気孔が形成された前記金型を有することを特徴とする。かかる樹脂封止装置によれば、吸着手段が被封止体を封止空間に固定する際に、排気孔が被封止体と金型との間に溜まるエアを減少又は除去して被封止体の局所的な更なる変形を防止する。前記金型は、前記封止樹脂が導入される第１の辺と、当該第１の辺に対向して前記排気孔が形成される第２の辺を有する、ほぼ断面矩形形状を有してもよい。これにより、被封止体と金型との間に溜まるエアを封止物が封止空間に充填するために封止物に加えられる圧力を利用して除去することができる。また、かかる金型自体も本発明の一側面を構成する。
【００１１】
本発明の別の側面としての樹脂封止装置は、被封止体の周囲を支持する支持部と、当該支持部との間に排気孔を形成して前記支持部に囲まれると共に前記被封止体との間に空隙を介して配置され、前記被封止体を前記金型に固定するための載置部とを有し、封止空間を規定する金型と、前記載置部に形成された前記排気孔を介して前記被封止体を前記金型に吸着して固定すると共に前記空隙の排気を行う吸着手段と、前記封止空間に封止物を導入して前記被封止体を封止する封止手段とを有することを特徴とする。かかる樹脂封止装置は、吸着手段が排気孔を介しての排気と吸着の両方を兼ねており、同様に被封止体と金型との間に溜まるエアを減少又は除去して被封止体の変形を防止する。かかる金型も本発明の一側面を構成する。また、前記載置部は前記支持部に対して移動可能に構成されてもよい。
【００１２】
本発明の更に別の側面としての封止方法は、封止空間を規定する金型の前記封止空間内に配置された被封止体と前記金型の間に溜まったエアを排気するステップと、前記封止空間に封止物を導入する前記被封止体を封止するステップとを有することを特徴とする。かかる封止方法によれば、被封止体と金型の間に溜まったエアを排気することで被封止体の変形を招くことなく封止物による封止を行うことができる。
【００１３】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は添付図面を参照して説明される好ましい実施例において明らかにされるであろう。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の例示的一態様としての樹脂封止装置について説明する。ここで、図１は、本発明に係る樹脂封止装置１を示す概略側面図、図２は、図１に示す樹脂封止装置１の概略正面図である。
【００１５】
樹脂封止装置１は、リードフレーム１２に半導体チップ１４をボンディングワイヤー１６によりボンディングした半導体基板１０（被封止体）に熱硬化性樹脂（封止物）を供給して樹脂封止をする樹脂封止装置である。樹脂封止装置１は、図１及び図２に示すように、上型１１０と下型１２０で構成される金型１００と、上型１１０を支持する固定プラテン１３０と、下型１２０を支持する可動プラテン１４０と、可動プラテン１４０を昇降駆動して金型１００を型締めする型締め機構１５０と、半導体基板１０を吸着して下型１２０に固定する図示しない吸着手段と、金型１００へ樹脂を導入する封止手段２００とを備えるプレス部Ａと、金型１００をクリーニングするクリーナー部Ｂと、半導体基板１０と樹脂タブレットＴを整列してプレス部Ａに供給するインローダ部Ｃと、樹脂封止後の半導体基板１０をプレス部Ａから取り出すアンローダ部Ｄと、ディゲート後の半導体基板１０を保管する保管部Ｅとを有する。
【００１６】
樹脂封止装置１のプレス部Ａ、クリーナー部Ｂ、インローダ部Ｃ、アンローダ部Ｄ及び保管部Ｅの動作は従来の樹脂封止装置の動作と同様であり、半導体基板１０と樹脂タブレットＴとをプレス部Ａでの封止手段２００の位置及び半導体基板１０のセット位置（金型１００の位置）の配置に合わせてピックアップしたインローダ部Ｃを、金型１００を型開きした状態でプレス部Ａに進入させ、封止手段２００に樹脂タブレットＴを投下し、下型１２０には図示しない吸着手段を接続し、半導体基板１０を吸着固定して金型１００を型締めし、封止手段２００により金型１００に樹脂を導入して樹脂封止する。樹脂封止した後、金型１００を型開きし、アンローダ部Ｄにより半導体基板１０をプレス部Ａから搬出し、ディゲートした後、保管部Ｅに保管する。クリーナー部Ｂは、半導体基板１０を搬出した後、プレス部Ａに進入し金型１００面に付着しているバリ等をクリーニングする。
【００１７】
本発明の樹脂封止装置１は、プレス部Ａ、特に、金型１００の構成に大きな特徴を有する。以下では、樹脂封止装置１のプレス部Ａ、特に、金型１００について説明する。図３は、上型１１０と下型１２０により半導体基板１０をクランプしたプレス部Ａの要部概略断面図である。
【００１８】
図３を参照するに、金型１００は、上型１１０及び下型１２０を型締めした際に封止空間１１２ａを規定する。封止空間１１２ａは、主として上型１１０に形成された半導体基板１０の半導体チップ１４を収納する収納部１１２により形成され、かかる収納部１１２と下型１２０に配置された半導体基板１０のリードフレーム１２との間に形成される空間により定義される。上型１１０の収納部１１２は、半導体基板１０に形成される樹脂封止形状（パッケージ）の外形寸法に合わせて凹形状に形成される。本実施形態では便宜上半導体チップ１４は図３（ｂ）のように配置しているが、実使用においては１０個以上の半導体チップ１４をマトリクス状に配置することが多い。
【００１９】
上型１１０のゲート１１４には、封止空間１１２ａ（収納部１１２）に樹脂を導入して半導体基板１０を封止する封止手段２００が接続されている。ゲート１１４は、封止手段２００が導入する樹脂を封止空間１１２ａに供給する部位であり、封止空間１１２ａと封止手段２００を接続する。
【００２０】
封止手段２００は、ポット２１０と、プランジャ２２０と、ランナー２３０とを有し、例えば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を封止空間１１２ａに導入する。封止手段２００は、ポット２１０に供給された樹脂タブレットＴをポット２１０内で溶融し、プランジャ２２０により加圧して溶融した樹脂を所定の樹脂圧で押し出す。押し出された樹脂は、ポット２１０に連結されたランナー２３０を介して上型１１０のゲート１１４に供給され、封止空間１１２ａに注入、充填される。
【００２１】
下型１２０の上面（即ち、封止空間１１２ａの底面）には、上型１１０に形成される収納部１１２の配置にあわせて、半導体基板１０のリードフレーム１２を載置する載置部１２２を有する。なお、載置部１２２は、半導体基板１０の外形形状に合わせた凹形状の溝として形成してもよい。下型１２０の載置部１２２は、載置する半導体基板１０の四隅に対応する位置に４つの吸着孔１２４を有する。
【００２２】
吸着孔１２４は、吸着手段３００が載置部１２２に載置された半導体基板１０を吸着するために設けられている。吸着孔１２４は、下型１２０に形成された吸着路１２４ａにそれぞれ連通され、プレス部Ａの外部に配置した吸着手段３００にエアチューブ３２０及び開閉バルブ３３０を介して接続される。なお、吸着路１２４ａを介さずに、４つの吸着孔１２４それぞれを直接、吸着手段３００に接続してもよい。
【００２３】
吸着手段３００は、吸着孔１２４を介して載置部１２２に載置された半導体基板１０を吸着することによって下型１２０（載置部１２２）に固定する。吸着手段３００は、例えば、真空ポンプ３１０と、エアチューブ３２０と、開閉バルブ３３０とを有する。真空ポンプ３１０は、エアチューブ３２０に接続し、吸着路１２４ａを介して吸着孔１２４を減圧して、半導体基板１０を吸着する。エアチューブ３２０は、吸着路１２４ａ及び真空ポンプ３１０に接続し、吸着孔１２４と真空ポンプとを連結する。開閉バルブ３３０は、エアチューブ３２０に設けられ、吸着孔１２４と真空ポンプ３１０との連結を開閉する。
【００２４】
図４は、図１に示す金型１００の概略構成図であって、図４（ａ）は、金型１００の概略透視平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示す金型１００のα−α´断面図、図４（ｃ）は、図４（ａ）に示す金型１００のβ−β´断面図である。
【００２５】
図４を参照するに、金型１００は、封止空間１１２ａに樹脂が導入される第１の辺１００ａと、第１の辺１００ａに対向して排気孔１２６が形成される第２の辺１００ｂと、第１の辺１００ａ及び第２の辺１００ｂの端部を繋ぐ第３の辺１００ｃ及び第４の辺１００ｄとを有する、ほぼ断面矩形形状を有する。
【００２６】
本実施形態においては、図４（ａ）によく示されるように、上型１１０の第１の辺１００ａに封止手段２００のランナー２３０と接続するゲート１１４ａ乃至１１４ｃが形成され、ゲート１１４ａ乃至１１４ｃ各々から封止空間１１２ａに導入される樹脂の圧力及び量は均等である。従って、封止空間１１２ａに導入される樹脂は、第１の辺１００ａに平行な線Ａ´（以下、「樹脂流線Ａ」とする）を描くように矢印Ａ方向（即ち、第２の辺１００ｂに向かって）流れ、封止空間１１２ａを充填する。但し、後述するように、ゲート１１４ａ乃至１１４ｃから封止空間１１２ａに導入される樹脂の圧力、量及び方向は均等でなくてもよい。
【００２７】
排気孔１２６は、封止空間１１２ａ側の端部１２６ａが封止空間１１２ａの外周と重なる領域Ｒを有するように、下型１２０の第２の辺１００ｂに形成され、後述するように、封止空間１１２ａに導入される樹脂の圧力を用いて、下型１２０の載置部１２２に載置した半導体基板１０と封止空間１１２ａ（即ち、下型１２０の載置部１２２）との間に溜まったエアＡＲを排気するのに使用される。領域Ｒは、排気孔１２６を介して、封止空間１１２ａと外部とを連通する部位であり、半導体基板１０と封止空間１１２ａとの間に溜まったエアＡＲを外部に逃がす。換言すれば、排気孔１２６は、エアＡＲを排気して、半導体基板１０の全面に亘って平坦にさせる（下型１２０の載置部１２２に密着させる）機能を有する。但し、領域Ｒ、特に、領域Ｒの縦方向の長さＲ１が大きいと、樹脂封止を行った際に、パッケージ表面に領域Ｒに相当する窪みを発生させてしまう。従って、排気孔１２６の端部１２６ａは、できるだけ封止空間１２２ａの外周周縁近傍に、即ち、領域Ｒの縦方向の長さＲ１を小さく構成することが好ましい。しかし、領域Ｒがないと、排気孔１２６は、封止空間１１２ａと外部とを連通することができないことは言うまでもない。
【００２８】
排気孔１２６の形成位置、配置間隔、配置数及び寸法は、半導体基板１０と封止空間１１２ａとの間に溜まったエアＡＲを全て排気する上で非常に重要である。例えば、エアＡＲを全て排気する前に封止空間１１２ａに樹脂が回り込むと、それ以降の排気が行われず、エアＡＲの一部が残留することになる。
【００２９】
排気孔１２６は、図４に示すように、封止空間１１２ａに樹脂が導入される第１の辺１００ａに対向する第２の辺１００ｂに形成されている。第２の辺１００ｂは、封止空間１１２ａに導入される樹脂の流れる方向（即ち、樹脂の圧力を最も利用することができる）に位置する辺である。本実施形態では、３つのゲート１１４ａ乃至１１４ｃから封止空間１１２ａに導入される樹脂が樹脂流線Ａ´を描くように矢印Ａ方向に流れ、樹脂の圧力により半導体基板１０と封止空間１１２ａとの間に溜まったエアＡＲも樹脂流線Ａ´に沿って移動するため、排気孔１２６は第２の辺１００ｂに形成されている。
【００３０】
３つのゲート１１４ａ乃至１１４ｃから封止空間１１２ａに導入される樹脂の圧力及び量が異なり、例えば、図５に示すように、樹脂が樹脂流線Ｂ´を描くように矢印Ｂ方向に放射状に流れる場合がある。かかる場合は、樹脂の流れる方向（矢印Ｂ方向）の辺、即ち、第２の辺１００ｂ及び第３の辺１００ｃに排気孔１２６を形成する。これにより、樹脂の圧力により樹脂流線Ｂ´に沿って移動する半導体基板１０と封止空間１１２ａとの間に溜まったエアＡＲを排気することができる。即ち、排気孔１２６は、最も樹脂の圧力を利用することができるように、樹脂の流れる方向の辺に形成する。ここで、図５は、樹脂が封止空間１１２ａを放射状に流れる場合の金型１００の概略透視平面図である。
【００３１】
排気孔１２６は、図４に示すように、第２の辺１００ｂに等間隔で配置されている。封止空間１１２ａの中央部付近の領域Ｘに均一に溜まった半導体基板１０と封止空間１１２ａとの間のエアＡＲは、ゲート１１４ａ乃至１１４ｃから導入される樹脂の圧力によって樹脂流線Ａ´に沿って矢印Ａ方向に均一に移動する。従って、排気孔１２６を等間隔で配置することで、第２の辺１００ｂにおけるエアＡＲの排気能力が均一となり、樹脂の回り込みを生じさせることなく、移動してきた全てのエアＡＲを均一に排気する。
【００３２】
半導体基板１０と封止空間１１２ａとの間のエアＡＲが均一に溜まらず、例えば、図６に示すように、封止空間１１２ａの中央部付近の領域Ｙに局所的にエアＡＲが溜まる場合がある。かかる場合は、ゲート１１４ａ乃至１１４ｃから封止空間１１２ａに導入され、樹脂流線Ａ´を描くように矢印Ａ方向に流れていた樹脂が領域Ｙに溜まったエアＡＲによって抵抗を受け、樹脂流線Ｃ´を描くように矢印Ｃ方向に流れてしまう。従って、排気孔１２６を等間隔で配置する（即ち、第２の辺１００ｂにおけるエアＡＲの排気能力を均一とする）と、エアＡＲを全て排気する前に樹脂が回り込み、エアＡＲが残留することになる。そこで、図６に示すように、第２の辺１２０ａの中央付近が密、両端が疎となるように排気孔１２６を配置する。これにより、第２の辺１００ａにおける中央付近のエアＡＲの排気能力が両端に比べて高くなり、樹脂が回り込む前に領域ＹのエアＡＲを全て排気することができる。即ち、排気孔１２６は、半導体基板１０と封止空間１１２ａとの間に溜まったエアＡＲの分布に応じて、かかるエアＡＲを樹脂が回り込む前に全て排気するように、配置される。なお、排気孔１２６を等間隔で配置しても、ゲート１１４ａ及びゲート１１４ｃから導入される樹脂の圧力及び量よりもゲート１１４ｂから導入される樹脂の圧力及び量を多くすることで、領域Ｙに溜まったエアＡＲによる抵抗の影響を打ち消し（即ち、領域Ｙを通過した後も樹脂が樹脂流線Ａ´を描くように矢印Ａ方向に移動し）、樹脂の回り込みを生じさせることなく、移動してきた全てのエアＡＲを均一に排気することが可能である。ここで、図６は、半導体基板１０と封止空間１１２ａとの間のエアＡＲが局所的に溜まった場合の金型１００の概略透視平面図である。
【００３３】
排気孔１２６は、図４に示すように、第２の辺１００ｂに８つの排気孔１２６が形成されている。本実施形態では、下型１２０の第２の辺１００ｂ側に位置あわせ用マークＭが９つ存在するために、かかるマークＭに重ならないように、間に８つの排気孔１２６を形成している。ここで、位置あわせ用マークＭとは、封止空間１１２ａに対する半導体基板１０の位置をあわせるためのものであり、例えば、リードフレーム１２の外周に形成された孔と照合させることで、半導体基板１０を下型１２０の所定の位置（即ち、載置部１２２）に載置することができる。排気孔１２６は、数が多ければ多いほど半導体基板１０と封止空間１１２ａとの間に溜まったエアＡＲを効率的に排気することができる。従って、下型１２０の第２の辺１００ｂ側にマークＭが存在しない場合など、自由に排気孔１２６を形成することが可能ならば、できるたけ多くの排気孔１２６を形成することが好ましい。但し、第２の辺１２０ａ全体を一つの排気孔１２６として形成すると、上述したように、領域Ｒが大きくなることになり、パッケージ表面に窪みを発生させてしまうために好ましくない。
【００３４】
排気孔１２６は、図４に示すように、幅ａ、深さｂの断面矩形形状を有する。本実施形態では、排気孔１２６は、樹脂流線Ａ´を描くように矢印Ａ方向に流れる樹脂の圧力によって、樹脂流線Ａ´に沿って移動する半導体基板１０と封止空間１１２ａとの間に溜まったエアＡＲを効率的に排気するために、幅ａを３ｍｍ乃至４ｍｍ、深さｂを１０μｍ乃至１５μｍの寸法の断面矩形形状とすることが好ましい。排気孔１２６の幅ａが３ｍｍ以下、深さｂが１０μｍ以下であると、効率的にエアを排気させることができず、また、幅ａが４ｍｍ以上、深さｂが１５μｍ以上であると、樹脂封止を行った際に、パッケージ表面に窪みを発生させてしまう。また、例えば、半導体基板１０の搬送ミスなどで半導体基板１０が金型内に載置されていない状態の金型１００内に樹脂Ｊを注入してしまうと樹脂Ｊが排気孔１２６に流入、付着してしまうが、排気孔１２６が幅ａを３ｍｍ乃至４ｍｍ、深さｂを１０μｍ乃至１５μｍの寸法の断面矩形形状であるため、排気孔１２６に流入する樹脂Ｊは、微量となり、排気孔１２６の入口付近のみ付着することになるため、容易にクリーニングを行うことができる。但し、排気孔１２６は、断面矩形形状に限定されず、封止空間１１２ａにおける樹脂の流れを考慮して、最も樹脂の圧力を利用して効率的に排気を行える断面形状を有し、例えば、断面半円形状や断面三角形状などとして実現されてもよい。更に、本実施形態において、排気孔１２６は、一定の断面積を有しているが、漸減する断面積を有してもよい。
【００３５】
また、排気孔１２６は、本実施形態では、全て同じ幅ａ及び深さｂの寸法で形成されている。これは、上述したように、樹脂の圧力によって樹脂流線Ａ´に沿って矢印Ａ方向に均一に移動してくる半導体基板１０と封止空間１１２ａとの間に溜まったエアＡＲを均一に排気するためである。即ち、排気孔１２６を全て同じ幅ａ及び深さｂの寸法で形成することで、第２の辺１００ａにおけるエアＡＲの排気能力を均一にしている。従って、例えば、図６に示すように、エアＡＲが局所的に領域Ｙに溜まり、かかる領域ＹのエアＡＲによって樹脂が抵抗を受け、樹脂流線Ｃ´を描くように矢印Ｃ方向に流れてしまう場合は、第２の辺１００ｂにおける中央付近のエアＡＲの排気能力を両端に比べて高くする必要がある。かかる場合には、排気孔１２６の寸法を変更し、図７に示すように、第２の辺１００ａの中央付近の排気孔１２６の幅ａ（又は深さｂ）を両端の排気孔１２６に比べて大きくしたり、第２の辺１００ａの両端の排気孔１２６の幅ａ（又は深さｂ）を中央付近の排気孔１２６に比べて小さくしたりすることで、第２の辺１００ｂにおける中央付近のエアＡＲの排気能力を両端に比べて高くすることができる。ここで、図７は、排気孔１２６の寸法が異なった場合の金型１００の概略透視平面図である。
【００３６】
以上のように、排気孔１２６の形成位置、配置間隔、配置数及び寸法は、封止空間１１２ａにおける樹脂の流れる方向、半導体基板１０と封止空間１１２ａとの間に溜まったエアＡＲの分布などによって異なる。従って、排気孔１２６は、エアＡＲを全て排気して（即ち、樹脂の回り込みによるエアＡＲの残留を防止して）半導体基板１０の全面に亘って平坦にさせる（下型１２０の載置部１２２に密着させる）ように、コンピューターシミュレーション等により形成位置、配置間隔、配置数を求め、最適に組み合わせる。また、排気孔１２６を吸着手段３００もしくは別に設けた吸着手段に接続してエアを吸引することも可能である。
【００３７】
以下、図８を参照して、樹脂封止の際の半導体基板１０（半導体チップ１４は複数個実装するが、ここでは便宜上１個で表している。）の状態を説明する。図８は、樹脂封止の際の金型１００内の半導体基板１０の状態を示す模式図である。まず、半導体基板１０を予め加熱した金型１００の下型１２０に載置した後、吸着手段３００によって吸着孔１２４を介して半導体基板１０を吸着して下型１２０の載置部１２２に固定すると、半導体基板１０は、図８（ａ）に示すように、下型１２０の熱によって熱膨張して半導体チップ１４側に反り返り、下型１２０との間にエアＡＲが残留する。次に、上型１１０を下型１２０にクランプして金型１００内に封止空間１１２ａを形成し、封止空間１１２ａにゲート１１４を介して樹脂Ｊを導入すると、図８（ｂ）に示すように、樹脂Ｊの圧力によって、半導体基板１０と下型１２０との間のエアＡＲが樹脂の流れる方向に向かって移動を始める。更に、封止空間１１２ａへの樹脂Ｊの導入を進めると、図８（ｃ）に示すように、半導体基板１０と下型１２０との間のエアＡＲが排気孔１２６に到達し、排気孔１２６を介して外部に排気される。これにり、半導体基板１０と下型１２０との間のエアＡＲが局所的に寄せ集められることによって生じる更なる半導体基板１０の変形を防止することができる。従って、半導体チップ１４及びボンディングワイヤー１６が上型１１０の下面に部分的に接触し、樹脂封止後にパッケージ表面に露出して樹脂封止が不良となったり、ボンディングワイヤー１６が断線して不良製品となったりすることを防止することができる。樹脂Ｊが完全に封止空間１１２ａに充填されると、図８（ｄ）に示すように、半導体基板１０と下型１２０との間のエアＡＲは全て排気され、半導体基板１０の樹脂封止が完了する。即ち、半導体基板１０は、変形することなく、全面に亘って平坦な状態で樹脂封止され、高品位な薄型の半導体基板１０を製造することができる。
【００３８】
次に、図９乃至図１２を参照して、本発明の金型１００の変形例である金型５００について説明する。ここで、図９は、上型５１０と下型５２０により半導体基板１０をクランプした金型５００の概略断面図である。図９の金型５００は、図３の金型１００と比較して下型５２０の構成が異なる。その他、図３に示すものと同一の参照番号を付したものはその参照番号を表わす部材と同一であるものとし、重複説明は省略する。
【００３９】
図９を参照するに、金型５００は、上型５１０及び下型５２０を型締めした際に封止空間５１２ａを規定する。封止空間５１２ａは、主として上型５１０に形成された半導体基板１０の半導体チップ１４を収納する収納部５１２により形成され、かかる収納部５１２と下型５２０に配置された半導体基板１０のリードフレーム１２との間に形成される空間により定義される。上型５１０の収納部５１２は、半導体基板１０に形成される樹脂封止形状（パッケージ）の外形寸法（即ち、封止したい半導体チップ１４及びボンディングワイヤー１６の配置）に合わせて凹形状に形成される。本実施形態において、上型５１０の収納部５１２は、複数の半導体チップ１４を一括して封止できる空間に形成されており、金型５００が規定する封止空間１１２ａはほぼ断面矩形形状となる。
【００４０】
上型５１０のゲート５１４には、封止空間５１２ａ（収納部５１２）に樹脂を導入して半導体基板１０を封止する封止手段２００が接続されている。ゲート５１４は、封止手段２００が導入する樹脂を封止空間５１２ａに供給する部位であり、封止空間５１２ａと封止手段２００とを接続する。
【００４１】
下型５２０は、上型５１０に形成される収納部５１２の配置にあわせて、支持部５３０と、載置部５４０とを有し、半導体基板１０を封止空間５１２ａに配置する。
【００４２】
支持部５３０は、図９に示すように、上型５１０に形成した収納部５１２の真下に挿入孔５３２を有し、かかる挿入孔５３２を跨ぐように半導体基板１０の周囲を支持する。挿入孔５３２は、封止空間１１２ａの外周形状に等しい寸法で形成され、後述する載置部５４０が挿入される。本実施形態では、挿入孔５３２は、封止空間１１２ａが断面矩形形状であるため、矩形形状となっているが、例えば、封止空間１１２ａが断面円形形状であれば円形形状とする。
【００４３】
図１０は、図９に示す金型５００の概略構成図であって、図１０（ａ）は、金型５００の概略透視平面図、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）に示す金型５００のα−α´断面図である。図９及び図１０を参照するに、載置部５４０は、挿入孔５３２に挿入され、載置部５４０を支持する支持ブロック５４２と載置部５４０の背面との間に弾発用のスプリングＳを設けることにより、上型５１０に向けて付勢して支持される。載置部５４０には、載置部５４０が上昇する位置を規制するストッパ５４４が設けられている。ストッパ５４４は、支持部５３０に半導体基板１０を載置した状態で、半導体基板１０との間に空隙Ｋを形成するように設定されている。これにより、載置部５４０は、支持部５３０に囲まれると共に半導体基板１０との間に空隙Ｋを介して配置される。空隙Ｋは、後述するように、排気孔５４８と連通し、半導体基板１０と封止空間５１２ａ（即ち、載置部５４０）との間に溜まったエアＡＲを排気するのに利用され、吸着手段３００の吸引開始により、載置部５４０が下動して設けられる。これは、載置部５４０と支持ブロック５４２との間に設けられた吸着路の負圧により、載置部５４０が下動するようにスプリングＳのばね定数を調節しておくことにより可能となり、支持部５３０と載置部５４０との高さの寸法を研削により調整するよりも、スプリングＳにて調整する方が容易であるためである。
【００４４】
載置部５４０は、支持ブロック５４２及びスプリングＳによって支持部５３０に対して移動可能に支持されると共に、吸着手段３００が半導体基板１０を吸着するための吸着孔５４６を形成するために支持部５３０の挿入孔５３２の外周形状より若干小さい寸法で形成される。吸着孔５４６は、支持ブロック５４２に形成された吸着路５４２ａに連通し、吸着手段３００にエアチューブ３２０及び開閉バルブ３３０を介して接続されて支持部５３０に支持された半導体基板１０を吸着する。本実施形態では、吸着孔５４６を矩形枠形状に形成し、半導体基板１０を均等に吸着することで、吸着による半導体基板１０の変形を抑制している。従って、吸着孔５４６は、吸着によって半導体基板１０を著しく変形させることなく、支持部５３０に吸着することができれば、Ｌ字形状、ニ字形状などを形成するように構成されてもよい。但し、吸着孔５４６は、幅ａが小さすぎると半導体基板１０を十分に吸着することができないために半導体基板１０は支持部５３０に固定されず、幅ａが大きすぎると支持部５３０及び載置部５４０により封止空間５１２ａの内側に形成されるため、樹脂封止の際に、パッケージ表面に窪みを発生させてしまう。従って、吸着孔５４６の幅ａは、１５μｍ乃至２０μｍ程度とすることが好ましい。また、例えば、半導体基板１０の搬送ミスなどで半導体基板１０が金型内に載置されていない状態の金型５００内に樹脂Ｊを注入してしまうと樹脂Ｊが吸着孔５４６に流入、付着してしまうが、吸着孔５４６の幅ａは、１５μｍ乃至２０μｍ程度であるため、吸着孔５４６に流入する樹脂Ｊは、微量となり、吸着孔５４６の入口付近のみ付着することになるため、容易にクリーニングを行うことができる。
【００４５】
載置部５４０は、上面に排気孔５４８を有する。排気孔５４８は空隙Ｋ及び吸着孔５４６と連通するように形成される。排気孔５４８は、下型５２０の支持部５３０に支持された半導体基板１０と封止空間５１２ａ（即ち、載置部５４０）との間に溜まったエアＡＲを排気するのに使用される。即ち、吸着手段３００が吸着孔５４６を減圧して半導体基板１０を吸着すると、吸着孔５４６に連通している排気孔５４８及び空隙Ｋを介して半導体基板１０と封止空間５１２ａとの間に溜まったエアＡＲが排気される。但し、空隙Ｋの深さｚが長すぎると、吸着手段３００の吸引により半導体基板１０が凹形状にへこんでしまい、一方、空隙Ｋの深さｚが小さい（又は空隙Ｋを設けない）と、排気孔５４８付近のみを吸着してしまい（即ち、半導体基板１０の中央付近との連通が確保されない）、半導体基板１０と封止空間５１２ａとの間に溜まったエアＡＲを排気することができない。従って、空隙Ｋの深さｚは、５μｍ程度とすることが好ましい。
【００４６】
本実施形態では、排気孔５４８は、載置部５４０の上面の辺５４０ａ乃至５４０ｄに形成されている。従って、図１０（ａ）に示すように、領域Ｆに存在する半導体基板１０と封止空間５１２ａ（即ち、固定部５４０）との間に溜まったエアＡＲを、各辺５４０ａ乃至５４０ｄに形成された排気孔５４８を介して均一に排気する。例えば、図１１に示すように、領域ＤにエアＡＲが存在する場合は、載置部５４０の上面の辺５４０ｃ及び５４０ｄに排気孔５４８を形成することで、かかるエアＡＲを排気する。ここで、図１１は、半導体基板１０と封止空間５１２ａとの間のエアＡＲが局所的に溜まった場合の金型５００の概略透視平面図である。
【００４７】
本実施形態では、排気孔５４８は、幅ｘ及び長さｙの矩形形状で形成されている。排気孔５４８の幅ｘ及び長さｙが長すぎると、樹脂封止の際に、パッケージ表面に排気孔５４８に相当する窪みを発生させ、排気孔５４８の幅ｘ及び長さｙが小さすぎると、半導体基板１０と封止空間５１２ａとの間に溜まったエアＡＲを十分に排気することができない。従って、排気孔５４８の幅ｘは、１５μｍ乃至２０μｍ程度、長さｙは、３ｍｍ乃至４ｍｍ程度で形成することが好ましい。但し、排気孔５４８は、上述の機能を有するならば、矩形形状に限定されず、三角形状や円形状などとして実現されてもよい。
【００４８】
また、排気孔５４８は、本実施形態では、全て同じ幅ｘ及び長さｙの寸法でくし歯状に形成されている。これは、上述したように、領域Ｆに存在する半導体基板１０と封止空間５１２ａとの間に溜まったエアＡＲを均一に排気するためである。従って、図１２に示すように、領域ＧにエアＡＲが存在する場合は、載置部５４０の上面の辺５４０ａ及び５４０ｂに形成する排気孔５４８の幅ｘ及び長さｙを他の辺５４０ｃ及び５４０ｄに比べて大きくすることで、効率的にエアＡＲを排気することができる。また、載置部５４０の上面の辺５４０ａ及び５４０ｂの排気孔５４８を密に形成することで、領域ＧのエアＡＲを効率的に排気することも可能である。ここで、図１２は、半導体基板１０と封止空間５１２ａとの間のエアＡＲが局所的に溜まった場合の金型５００の概略透視平面図である。
【００４９】
以上のように、排気孔５４８の形成位置、配置間隔及び寸法は、半導体基板１０と封止空間５１２ａとの間に溜まったエアＡＲの分布などによって異なる。従って、排気孔５４８は、エアＡＲを全て排気して半導体基板１０の全面に亘って平坦にさせるように、コンピューターシミュレーション等により形成位置、配置間隔及び寸法を求め、最適に組み合わせる。
【００５０】
以下、図１３を参照して、樹脂封止の際の半導体基板１０の状態を説明する。図１３は、樹脂封止の際の金型５００内の半導体基板１０の状態を示す模式図である。まず、半導体基板１０を予め加熱した金型５００の下型５２０の支持部５３０に載置し、固定部５４０を支持部５２０の挿入孔５３２に挿入して空隙Ｋ、吸着孔５４６及び排気孔５４８を形成するように載置部５４０を配置させると、半導体基板１０は、図１３（ａ）に示すように、下型５２０の熱によって熱膨張して半導体チップ１４側に反り返り、下型５２０との間にエアＡＲが残留する。次に、吸着手段３００によって吸着孔５４６を介して半導体基板１０を吸着すると、図１３（ｂ）に示すように、半導体基板１０と下型１２０との間のエアＡＲが空隙Ｋ及び排気孔５４８を介して吸着孔５４６へ移動を始める。吸着孔５４６へ移動したエアＡＲは、図１３（ｃ）に示すように、吸着孔５４６を介して排気され、半導体基板１０の全面に亘って平坦になっていく。これにより、上型５１０を下型５２０にクランプした際に半導体チップ１４及びボンディングワイヤー１６が上型５１０の下面に部分的に接触し、樹脂封止後にパッケージ表面に露出して樹脂封止が不良となったり、ボンディングワイヤー１６が断線して不良製品となったりすることを防止することができる。また、封止空間５１２ａに樹脂Ｊを導入することで半導体基板１０と下型５２０との間のエアＡＲが局所的に寄せ集められることによって生じる更なる半導体基板１０の変形を防止することができる。半導体基板１０と下型１２０との間のエアＡＲが全て排気され、半導体基板１０が全面に亘って平坦になると、上型５１０を下型５２０にクランプして金型５００内に封止空間５１２ａを形成し、封止空間５１２ａにゲート５１４を介して樹脂Ｊを導入し、図１３（ｄ）に示すように、半導体基板１０の樹脂封止が完了する。即ち、半導体基板１０は、変形することなく、全面に亘って平坦な状態で樹脂封止され、高品位な薄型の半導体基板１０を製造することができる。
【００５１】
次に、図１４及び図１５を参照して、本発明の別の金型６００について説明する。図１４は、本発明に係る金型６００の概略透視平面図である。
【００５２】
金型６００は、上型６１０及び下型６２０を型締めした際に封止空間６１２ａを規定する。封止空間６１２ａは、主として上型６１０に形成された半導体基板１０の半導体チップ１４を収納する収納部６１２により形成され、かかる収納部６１２と下型６２０に配置された半導体基板１０のリードフレーム１２との間に形成される空間により定義される。上型６１０の収納部６１２は、半導体基板１０に形成される樹脂封止形状（パッケージ）の外形寸法（即ち、封止したい半導体チップ１４及びボンディングワイヤー１６の配置）にあわせて形成される。
【００５３】
上型６１０のゲート６１４には、封止空間６１２ａ（収納部６１２）に樹脂を導入して半導体基板１０を封止する図示しない封止手段が接続されている。ゲート６１４は、封止手段が導入する樹脂を封止空間６１２ａに供給する部位であり、封止空間６１２ａと封止手段とを接続する。
【００５４】
下型６２０の上面（即ち、封止空間６１２ａの底面）には、上型６１０に形成される収納部６１２の配置にあわせて、半導体基板１０のリードフレーム１２を載置する載置部６２２を有する。下型６２０の載置部６２２は、封止空間６１２ａに対応する位置に複数の吸着孔６２４を有する。
【００５５】
吸着孔６２４は、図示しない吸着手段に接続され、かかる吸着手段が載置部６２２に載置された半導体基板１０を吸着して下型６２０に固定するために設けられている。また、吸着孔６２４は、下型６２０の載置部６２２に載置した半導体基板１０と封止空間６１２ａ（即ち、下型６２０の載置部６２２）との間に溜まったエアＡＲを排気するのに使用される。換言すれば、吸着孔６２４は、半導体基板１０を吸着することによってエアＡＲを排気して、半導体基板１０の全面に亘って平坦にしながら下型６２０の載置部６２２に密着固定させる機能を有する。
【００５６】
吸着孔６２４には、図１５に示すように、下型６２０に半導体基板１０を載置した状態で、半導体基板１０との間に空隙Ｈを形成するように固定ピン６２６が挿入されている。即ち、吸着孔６２４は、後述するように、固定ピン６２６の存在しない範囲である吸着孔６２４と固定ピン６２６との間の領域で半導体基板１０を吸着する。固定ピン６２６には、金型に用いられるインデックスピンを利用することができる。ここで、図１５は、図１４に示す吸着孔６２４の概略断面図である（半導体チップ１４の数は便宜上１個にしてある）。固定ピン６２６は、吸着孔６２４を介して半導体基板１０を吸着することに起因するパッケージ表面の吸着孔６２６の痕の発生を防止する。即ち、固定ピン６２６は、空隙Ｈによって吸着孔６２４が半導体基板１０を吸着する領域（即ち、吸着孔６２４の面積）を確保すると共に、吸着による半導体基板１０の変形を抑制する。空隙Ｈの深さｚがない（又は小さい）と、半導体基板１０を吸着する領域（吸着孔６２６の開口）を確保することができないために（吸着力が小さいために）半導体基板１０を下型６２０に固定することができず、空隙の深さｚが長すぎると、吸着により半導体基板１０が凹形状にへこんでしまう。従って、空隙Ｈの深さｚは、５μｍ程度とすることが好ましい。
【００５７】
吸着孔６２４は、半導体基板１０の吸着及び半導体基板１０と封止空間６１２ａとの間に溜まったエアＡＲを排気するために、固定ピン６２６との間に間隔ｆを有する。吸着孔６２４と固定ピン６２６との間隔ｆは、広すぎると半導体基板１０を直接吸着する領域が大きくなり半導体基板１０が凹形状にへこみ、狭すぎると半導体基板１０の吸着及びエアＡＲの排気を行うことができない。従って、吸着孔６２４と固定ピン６２６との間隔ｆは、１５μｍ乃至２０μｍとすることが好ましい。また、吸着孔６２４と固定ピン６２６との間隔ｆを一定とすることで、半導体基板１０を均等に吸着することができる。
【００５８】
本実施形態では、吸着孔６２４及び固定ピン６２６は、同一形状で、下型６２０の載置部６２２に均等に形成されている。これは、上述したように、半導体基板１０と封止空間６１２ａとの間のエアＡＲを均一に排気するためと、半導体基板１０を均一に吸着して下型６２０の載置部６２２に固定するためである。また、吸着孔６２４及び固定ピン６２６は、円形形状である。但し、かかる形状は例示的であり、上述した機能を有するならばどのような形状であってもかまわない。また、例えば、矩形の吸着孔６２４に円形の固定ピン６２６を挿入するといった異なる形状の吸着孔６２４及び固定ピン６２６を組み合わせてもよい。
【００５９】
以下、図１６を参照して、樹脂封止の際の半導体基板１０の状態を説明する。図１６は、樹脂封止の際の金型６００の半導体基板１０の状態を示す模式図である。まず、予め加熱した金型６００の下型６２０に載置すると、半導体基板１０は、図１６（ａ）に示すように、下型６２０の熱によって熱膨張して半導体チップ１４側に反り返り、下型５２０との間にエアＡＲが残留する。次に、吸着手段によって吸着孔６２４を介して半導体基板１０を吸着すると、図１６（ｂ）に示すように、半導体基板１０と下型６２０との間のエアＡＲが空隙Ｈを介して吸着孔６２４と固定ピン６２６の間へ移動を始める。吸着孔６２４と固定ピン６２６の間へ移動したエアは、図１６（ｃ）に示すように、吸着孔６４６から排気され、半導体基板１０は、全面に亘って平坦になっていく。これにより、上型６１０を下型６２０にクランプした際に半導体チップ１４及びボンディングワイヤー１６が上型６１０の下面に部分的に接触し、樹脂封止後にパッケージ表面に露出して樹脂封止が不良となったり、ボンディングワイヤー１６が断線して不良製品となったりすることを防止することができる。また、封止空間６１２ａに樹脂Ｊを導入することで半導体基板１０と下型６２０との間のエアＡＲが局所的に寄せ集められることによって生じる更なる半導体基板１０の変形を防止することができる。半導体基板１０と下型６２０との間のエアＡＲが全て排気され、半導体基板１０が全面に亘って平坦になると、上型６１０を下型６２０にクランプして金型６００内に封止空間６１２ａを形成し、封止空間６１２ａにゲート６１４を介して樹脂Ｊを導入し、図１６（ｄ）に示すように、半導体基板１０の樹脂封止が完了する。即ち、半導体基板１０は、変形することなく、全面に亘って平坦な状態で樹脂封止され、高品位な薄型の半導体基板１０を製造することができる。また、例えば、半導体基板１０の搬送ミスなどで半導体基板１０が金型内に載置されていない状態の金型６００内に樹脂Ｊを注入してしまうと樹脂Ｊが吸着孔６２４に流入、付着してしまうが、吸着孔６２４には固定ピン６２６が挿入されており、吸着孔６２４に流入する樹脂Ｊは、微量となり、吸着孔６２４の入口付近のみ付着することになるため、容易にクリーニングを行うことができる。
【００６０】
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されずその要旨の範囲内で様々な変形や変更が可能であり、例えば、チップをワイヤーボンディングではなく、フリップチップボンディングした基板であっても同様の効果を得られることは言うまでもない。
【００６１】
【発明の効果】
本発明の樹脂封止装置及び金型によれば、薄型の半導体基板などの被封止体と下型との間に溜まるエアを減少又は除去することによって、高品位に被封止体を封止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る樹脂封止装置を示す概略側面図である。
【図２】図１に示す樹脂封止装置の概略正面図である。
【図３】上型と下型により半導体基板をクランプしたプレス部の要部概略断面図である。
【図４】図１に示す金型１００の概略構成図であって、図４（ａ）は、金型の概略透視平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示す金型のα−α´断面図、図４（ｃ）は、図４（ａ）に示す金型のβ−β´断面図である。
【図５】樹脂が封止空間を放射状に流れる場合の金型の概略透視平面図である。
【図６】半導体基板と封止空間との間のエアが局所的に溜まった場合の金型の概略透視平面図である。
【図７】排気孔の寸法が異なった場合の金型の概略透視平面図である。
【図８】樹脂封止の際の金型内の半導体基板の状態を示す模式図である。
【図９】上型と下型により半導体基板をクランプしたプレス部の要部概略断面図である。
【図１０】図９に示す金型の概略構成図であって、図１０（ａ）は、金型の概略透視平面図、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）に示す金型１００のα−α´断面図である。
【図１１】半導体基板と封止空間との間のエアが局所的に溜まった場合の金型の概略透視平面図である。
【図１２】半導体基板と封止空間との間のエアが局所的に溜まった場合の金型の概略透視平面図である。
【図１３】樹脂封止の際の金型内の半導体基板の状態を示す模式図である。
【図１４】本発明に係る金型の概略透視平面図である。
【図１５】図１４に示す吸着孔の概略断面図である。
【図１６】樹脂封止の際の金型内の半導体基板の状態を示す模式図である。
【図１７】従来の封止空間の部分概略断面図である。
【符号の説明】
１　　　　　　　　　樹脂封止装置
１００　　　　　　　金型
１１０　　　　　　　上型
１１２　　　　　　　収納部
１１２ａ　　　　　　封止空間
１２０　　　　　　　下型
１２２　　　　　　　載置部
１２４　　　　　　　吸着孔
１２６　　　　　　　排気孔
２００　　　　　　　封止手段
５００　　　　　　　金型
５１０　　　　　　　上型
５１２ａ　　　　　　封止空間
５２０　　　　　　　下型
５３０　　　　　　　支持部
５３２　　　　　　　挿入孔
５４０　　　　　　　載置部
５４８　　　　　　　排気孔
６００　　　　　　　金型
６１０　　　　　　　上型
６２０　　　　　　　下型
６２４　　　　　　　吸着孔
６２６　　　　　　　固定ピン
【図１】
2004050738.tif 000003
【図２】
2004050738.tif 000004
【図３】
2004050738.tif 000005
【図４】
2004050738.tif 000006
【図５】
2004050738.tif 000007
【図６】
2004050738.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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