(57)【要約】【課題】半導体基板に貫通孔を形成し該貫通孔により半導体基板の表裏面の導通を、良好に行う半導体装置の製造方法【解決手段】半導体基板を貫通する第１の貫通孔をレーザ加工により形成し、第１の貫通孔の内部に絶縁性材料を充填し、絶縁性物質を貫通する第２の貫通孔を形成し、第２の貫通孔の内部に導電性材料を充填または第２の貫通孔の内表面に導電膜を形成する。これにより貫通孔の内面にレーザ加工による加工残存物およびクラックや結晶欠陥がある場合でも、良好な絶縁膜を形成する事ができ、良好な半導体装置を形成する事ができる。また、半導体基板にレーザ加工により貫通孔を形成した後、異方性エッチングを行うことにより、貫通孔がアンダーカット部を有する形状にであっても、良好な絶縁膜を形成する事ができ、良好な半導体装置を形成する事ができる。【選択図】　　　図１
2004119593.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板にレーザ加工により、該半導体基板の表裏面を貫通する第１の貫通孔を形成し、該第１の貫通孔の内部に絶縁物を充填し、該絶縁物を貫通する第２の貫通孔を形成し、該第２の貫通孔の内部に導電物を充填または該第２の貫通孔の内表面に導電膜を形成する事により、該半導体基板の表裏面の導通をとることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の貫通孔を形成した後、貫通孔の内面をエッチング処理する事を特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記エッチング処理により形成されたアンダーカット部を有する前記第１の貫通孔に、液相法により前記絶縁物を充填する事を特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２の貫通孔はレーザ加工又はリソグラフィにより形成される事を特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記半導体基板の表裏面の少なくとも一方の面には、あらかじめ半導体素子が形成されており、前記導電膜は該半導体素子と電気的に接続するように形成している事を特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板を用いた半導体装置の製造方法に関するものである。特に半導体基板に貫通孔を形成する事で半導体基板の表裏面の導通をとる半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、インクジェットプリンタヘッドや、電子撮像装置や、光記録装置等の半導体プロセスで形成される半導体装置は、半導体基板の表面に複数の半導体素子を形成し、それらの半導体素子を電気的に接続することで形成されている。電子機器の小型化に伴い、半導体装置は小型化、高密度化が要求されている。そのため半導体基板の表裏面の導通をとり半導体基板の裏面も配線に利用したり、半導体基板を複数個積層しそれらの各表裏面を電気的に接続する事で実装密度を高めたりしている。
【０００３】
また、半導体基板に貫通孔を形成し、半導体基板の表裏面の導通をとる方法としては、例えば特開平１１−２５１３２０号に示されるように、レーザビームを用いてシリコンウェハに貫通孔（スルーホール）を形成し、スルーホール内部に熱酸化もしくはＣＶＤ等による絶縁膜を形成した後、スルーホール内部を電気メッキ等により導電膜を形成する方法が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
レーザ加工によりシリコン基板にスルーホール形成する場合、スルーホール内表面には、レーザ加工に伴って生じる加工残存物およびクラックや結晶欠陥が発生する。そのため、レーザ加工後直ちに良好な絶縁膜を形成する事は困難である。絶縁膜に欠陥等があると、絶縁膜の内面に形成される導電膜が、シリコン基板とリークしてしまい、半導体装置としては不良品となってしまう。
【０００５】
レーザ加工後エッチング等の処理によりスルーホール内面をクリーニングし、加工残存物およびクラックや結晶欠陥を除去した後に、良好な絶縁膜を形成する事が考えられている。しかしながら、エッチング処理を行うと、スルーホールの内径がスルーホールの基板表面の開口部から基板中心部に向けて徐々に大きくなりアンダーカット部を形成する事になる。アンダーカット部にＣＶＤ等によって良好な膜を形成する事は非常に困難であり、やはりスルーホール内面に良好な絶縁膜を形成する事が困難となっている。
【０００６】
また、一般に半導体素子は６００℃以上の高温に曝されると、半導体素子の機能に障害を及ぼす可能性が高い事が知られている。そのため１０００℃以上の高温にする事で緻密な酸化膜を形成する熱酸化処理や、高温で行われるＣＶＤ等の気相法は、既に基板上に半導体素子が形成されている場合に使用する事はできない。従って、スルーホールを形成し、スルーホール内面に絶縁膜の形成した後、半導体素子を形成せざるを得ないため、デバイス工程設計上、自由度が非常に制限されるという課題もある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前述課題を解決するために本発明においては、半導体基板にレーザ加工により、該半導体基板の表裏面を貫通する第１の貫通孔を形成し、該第１の貫通孔の内部に絶縁物を充填し、該絶縁物を貫通する第２の貫通孔を形成し、該第２の貫通孔の内部に導電物を充填または該第２の貫通孔の内表面に導電膜を形成する事により、該半導体基板の表裏面の導通をとる半導体装置の製造方法を提案している。
【０００８】
また本発明においては、前記第１の貫通孔を形成した後、貫通孔の内面をエッチング処理する半導体装置の製造方法を提供している。
【０００９】
また本発明においては、前記エッチング処理により形成されたアンダーカット部を有する前記第１の貫通孔に、液相法により前記絶縁物を充填する半導体装置の製造方法を提供している。
【００１０】
また本発明においては、前記第２の貫通孔はレーザ加工又はリソグラフィにより形成される半導体装置の製造方法を提供している。
【００１１】
また本発明においては、前記半導体基板の表裏面の少なくとも一方の面には、あらかじめ半導体素子が形成されており、前記導電膜は該半導体素子と電気的に接続するように形成している半導体装置の製造方法を提供している。
【００１２】
これらの構成により、貫通孔の内面にレーザ加工による加工残存物およびクラックや結晶欠陥がある場合でも、良好な絶縁膜を形成する事ができ、良好な半導体装置を形成する事ができる。また、レーザ加工により貫通孔を形成した後、エッチング処理によりアンダーカット部が形成されていても同様に良好な絶縁膜を形成する事ができ、良好な半導体装置を形成する事ができる。また、基板上にあらかじめ半導体素子が形成されている場合でも貫通孔を形成し、良好な絶縁膜を形成する事ができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の好適な実施の形態を図面を参照して説明する。
【００１４】
（第１の実施の形態）
図１は本発明の第１の実施の形態に関わる半導体装置の断面図である。図中１００は半導体装置であり、１０１は半導体材料（たとえばシリコン）からなる半導体基板である。１０２は半導体基板１０１上に形成された半導体素子であり、半導体基板１０１に半導体プロセスにより作りこまれるトランジスターのような機能性素子である。例えばインクジェットプリンタヘッド駆動素子、電子撮像素子、光記録素子等である。半導体素子１０２は半導体基板１０１の片面にしか形成されていないが、両面に形成してもかまわない。１０４は半導体素子１０２から延びている導電性の配線部である。１０３は、半導体素子１０２および配線部１０４を、後述するレーザ加工やエッチング、メッキ等による汚染から保護する絶縁性の保護層である。配線部１０４の半導体素子１０２と逆の端部には電極１１０が形成されている。１０５は半導体基板１０１をレーザ加工により貫通して形成された貫通孔である。１０６は貫通孔の内周面に形成された絶縁物である。１０７は絶縁物１０６の更に内周面に形成された導電物である。１０８、１０９は半導体基板１０１の表裏面に形成され、導電物１０６と電気的に接続された導電膜である。導電膜１０８、１０９は導電物１０６と同じ材料で同時に形成する事のできる。半導体基板１０１の表面側に形成された導電膜１０８は、電極１１０と電気的に接続する様に形成されており、配線部１０４、電極１１０、導電膜１０８、導電物１０７、導電膜１０９により、半導体素子１０２は半導体基板１０１の裏面と導通する事ができる。
【００１５】
次に図１に示した半導体装置１００の製造プロセスを図２（ａ）乃至図２（ｅ）を使って説明する。図２（ａ）乃至図２（ｅ）において、図１と同じ部材には同じ符号が付してある。
【００１６】
まず図２（ａ）において、あらかじめ半導体素子が形成された半導体基板を準備する。図中１０１は半導体基板、１０２は半導体素子、１０３は保護層、１０４は配線部である。配線部１０４はあらかじめ半導体基板１０１上に通常の半導体プロセスにより形成されている。半導体基板１０１としては、シリコン、ゲルマニウム、セレン等の単一元素や、酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物、アンチモン化合物、ヒ素化合物、リン化合物等の化合物や有機半導体材料等を主成分としたものを用いることもできる。また基板の形状としては、ウエハ状、四角形、多角形のものを好適に用いることができ、マイクロマシーン等で多用されている複雑に加工された形状の半導体基板にも用いることができる。保護層１０３は、ＳｉＮ、Ｔａ、ＳｉＯ２、ＳｉＯ等を用いる事ができる。
【００１７】
保護層１０３は通常ＣＶＤ法またはＰＶＤ法により形成される。保護層１０３の膜厚は、１μｍ〜３μｍが好ましいがこの範囲に限定されるものではなく、半導体素子１０２および配線部１０４を、後述するレーザ加工やエッチング、メッキ等による汚染から保護することができるのであれば良い。電極１１０は金、銀、アルミ、銅、ケイ素などを主成分としている。また電極１１０の表面は保護層１０３から露出して形成されている。
【００１８】
次に図２（ｂ）において、半導体基板１０１の電極１１０の近傍に貫通孔１０５が形成される。この貫通孔１０５の形成方法としてはレーザ加工法が用いられる。レーザ加工法は、半導体材料１０１および保護膜１０３を除去できる波長、出力を備えたものであり、例えばＹＡＧ、ＹＬＦ、ＹＶＯ４、ガラス、チサンサファイア等の固体レーザや、ＣＯ２、銅蒸気、エキシマ等のガスレーザ、もしくは色素レーザ等を使用する事ができる。レーザ加工法は半導体基板１０１の表面に対して垂直な貫通孔１０５を容易に形成でき、基板１の表裏面のスペースを有効に活用する事ができる。この時、レーザ加工直後の貫通孔１０５の内周面は、加工残存物やクラック、結晶欠陥等が存在する層が存在している。
【００１９】
次に図２（ｃ）において、貫通孔１０５の内部に、ポリマー材料等の絶縁物１０６を充填する。充填する方法としては液相法が用いられる。液相法には、ディッピング、ディスペンス、印刷、電着、陽極酸化等が含まれる。液相法は、基板を高温にする必要がないため、あらかじめ半導体素子１０２が形成された基板であっても使用する事が可能である。例えばチャンバ容器内にて半導体基板１０１を高速回転させ、絶縁物をスピンコート塗布した後にチャンバ容器の圧力を低下させ、貫通孔１０５の内部に残存する気泡を貫通孔１０５の外に放出させる手法が挙げられる。尚、絶縁物１０６は、本プロセス以降の半導体プロセスにおける温度等の雰囲気や、各プロセスで使用する薬品に耐えうる材料を選定する。
【００２０】
次に図２（ｄ）において、貫通孔１０５の内部に充填された絶縁物１０６に、更に貫通孔１０５’を形成する。貫通孔１０５’の形成方法は、レーザ加工もしくはリソグラフィプロセスによるエッチング処理で形成され、貫通孔１０５の内周面との間に一定厚さの絶縁物１０６が存在し、半導体基板１０１との電気的な絶縁特性を確保している。貫通孔１０５’をレーザ加工で形成する場合、例えば絶縁物１０６がポリマー樹脂ならば、波長の短いレーザ、例えばＹＡＧレーザの３倍波もしくは４倍波、エキシマレーザ等が用いられる。これは、波長の短い、高ポテンシャルエネルギーのレーザ光により、ポリマー材料を蒸発させる事ができるため、加工残存物を形成しない加工が可能となるためである。
【００２１】
次に図２（ｅ）において、貫通孔１０５’の内部は導電物１０７で埋め込む。また半導体基板１０１表面に導電層１０８を、半導体基板１０１の裏面に導電層１０９を形成する。導電物１０７と導電層１０８、１０９とは、順に形成しても良いが、同時に形成するほうが製造プロセスを減らす事ができ好適である。導電層１０８と導電物１０７、導電層１０９と導電物１０７はそれぞれ電気的に接続しており、導電層１０８と半導体基板１０１の配線パターン１０４の先端に形成された電極１１０とを電気的に接続している。導電層１０８、１０９、導電物１０７は銅、ニッケル、パラジウム、金、銀、等で形成されている。導電層１０８、１０９の膜厚としては、０．５μｍ〜１．０μｍが好ましいがこの範囲に限定されるものではなく、半導体基板１０１の表裏面を確実に導通するものであれば良い。導電層１０８、１０９、導電物１０７の製法としては、処理温度が１０００℃を超えるＰＶＤやＣＶＤを使用する事はできないが、ドライメッキ、ウエットメッキ、ジェットプリンティング法、導電ペーストや溶融金属の成膜法等を使用する事ができ、貫通孔の形状やアスペクト比に応じて適宜選択される。
【００２２】
尚、貫通孔１０５’は必ずしも導電物１０７で埋め込む必要はなく、半導体基板１０１の表裏面が確実に導通されていれば、貫通孔１０５’の内表面にのみ導電膜を形成し、貫通孔１０５’は貫通したままであってもかまわない。また、別工程で貫通孔１０５’をさらに埋め込んでもかまわない。特に無電界メッキを用いれば、絶縁物１０６に内表面においても簡単に均一な膜が、短時間で成膜する事ができる。
【００２３】
以上のような製造プロセスにより半導体基板１０１の表裏面を、配線部１０４、電極１１０、導電層１０８、導電物１０７、導電層１０９により導通させる事ができ、半導体素子１０２の信号を、半導体基板１０１の裏面に取り出すことが可能な貫通電極が形成される。
【００２４】
本発明の第１の実施の形態に示した半導体装置は、貫通孔の内面にレーザ加工による加工残存物およびクラックや結晶欠陥がある場合でも、良好な絶縁膜を形成する事ができ、良好な半導体装置を形成する事ができる。また、基板上にあらかじめ半導体素子が形成されている場合でも貫通孔を形成し、良好な絶縁膜を形成する事ができる。
【００２５】
（第２の実施の形態）
図３は本発明の第２の実施の形態に関わる半導体装置の断面図である。図中２００は半導体装置であり、２０１は半導体材料（たとえばシリコン）からなる半導体基板である。２０２は半導体基板２０１の上面に実装されたＩＣの等のパッケージ部品からなる半導体素子である。例えばインクジェットプリンタヘッド駆動素子、電子撮像素子、光記録素子等である。半導体素子２０２は半導体基板２０１の片面にしか実装されていないが、両面に実装してもかまわない。２０３は半導体基板２０１と半導体素子２０２を絶縁する絶縁性の保護層である。
【００２６】
２０４は導電性の配線部である。２０５は半導体基板２０１をレーザ加工により貫通して形成された貫通孔である。２０６は貫通孔の内部に形成された絶縁物である。２０７は絶縁物２０６の更に内周面に形成された導電物である。２０８、２０９は半導体基板２０１の表裏面に形成され、導電物２０７と電気的に接続された導電膜であり、導電物２０７と同じ材料で形成されている。２１０および２１０’は、配線部２０４の上に形成され絶縁膜２０３から露出した電極であり、電極２１０は導電膜２０８と電極２１０’は半導体素子２０２と電気的に導通している。上述の構成により、半導体素子２０２は半導体基板２０１の裏面と導通する事ができる。
【００２７】
次に図３に示した半導体装置２００の製造プロセスを図４（ａ）乃至図４（ｆ）を使って説明する。図４において、図３と同じ部材には同じ符号が付してある。
【００２８】
まず図４（ａ）において、図中２０１は半導体基板、２０２は半導体素子、２０３は保護層、２０４は配線部である。半導体基板２０１としては、シリコン、ゲルマニウム、セレン等の単一元素や、酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物、アンチモン化合物、ヒ素化合物、リン化合物等の化合物や有機半導体材料等を主成分としたものを用いることもできる。また基板の形状としては、ウエハ状、四角形、多角形のものを好適に用いることができ、マイクロマシーン等で多用されている複雑に加工された形状の半導体基板にも用いることができる。半導体素子２０２は、半導体基板２０１および保護層２０３に形成されている。保護層２０３は、ＳｉＮ、Ｔａ、ＳｉＯ２、ＳｉＯ等を用いる事ができ、通常ＣＶＤ法またはＰＶＤ法により形成する。膜厚としては、１μｍ〜３μｍが好ましいがこの範囲に限定されるものではなく、配線部２０４を、後述するレーザ加工やエッチング、メッキ等による汚染から保護することができるのであれば良い。配線部２０４および電極２１０および２１０’は、半導体基板２０１の形成プロセス上で形成されるプロセスであり、例えば、熱酸化膜やＣＶＤ等で形成された絶縁膜上に、金、銀、アルミ、銅、ケイ素等の導電性膜を形成後、所定パターンにエッチングする事によって形成される。また電極２１０および２１０’の表面は保護層２０３から露出して形成され、電極２１０’と半導体素子２０２は電気的に接続されている。
【００２９】
次に図４（ｂ）において、半導体基板２０１の電極２１０の近傍に貫通孔２０５が形成される。この貫通孔２０５の形成方法としてはレーザ加工法が用いられる。レーザ加工法は、半導体基板２０１および保護膜２０３を除去できる波長、出力をそなえたものであり、例えばＹＡＧ、ＹＬＦ、ＹＶＯ４、ガラス、チサンサファイア等の固体レーザや、ＣＯ２、銅蒸気、エキシマ等のガスレーザ、もしくは色素レーザ等を使用する事ができる。レーザ加工法は半導体基板２０１の表面に対して垂直な貫通孔２０５を容易に形成でき、半導体基板２０１の表裏面のスペースを有効に活用する事ができる。この時、レーザ加工直後の貫通孔２０５の内周面は、加工残存物やクラック、結晶欠陥等が存在する層が存在している。
【００３０】
次に図４（ｃ）において、レーザ加工により形成された貫通孔２０５を、酸またはアルカリ溶液、エッチングガス等によりエッチング処理を行い、加工残存物やクラック、結晶欠陥等が存在する層を除去する。ここで挙げるエッチング処理とは、例えば半導体材料がシリコン単結晶の場合、酸系ではフッ酸、硝酸、酢酸の水溶液による等方性エッチングであり、アルカリ系では水酸化カリウムもしくはＴＭＡＨ（テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドライド）の水溶液による異方性エッチングであり、エッチングガスではＳＦ６などによる等方性エッチングである。ここで、シリコン単結晶に対して、アルカリ系エッチング溶液による異方性エッチングの場合、シリコン結晶方位によってエッチング速度が異なるため、例えば１００結晶方位で切り出されたシリコン単結晶基板は、図４（ｃ）に示すように１００面方位の基板表面より約５５°の方向に１１１面が析出し、貫通孔２０５’の形状となる。貫通孔２０５’は貫通孔２０５に比べて、貫通孔全域に亙って内径が大きくなっているが、内径は半導体基板２０１の表面の貫通孔２０５’の開口部から半導体基板２０１の中心部に向けて徐々に大きくなっている。したがって貫通孔２０５’にはアンダーカット部が形成される事になる。
【００３１】
次に図４（ｄ）において、貫通孔２０５’の内部に、ポリマー材料等の絶縁物２０６を充填する。充填する方法としては液相法を使用する事ができる。液相法には、ディッピング、ディスペンス、印刷、電着、陽極酸化等が含まれる。液相法は、基板を高温にする必要がないため、あらかじめ半導体素子が形成された基板であっても使用する事が可能である。例えばチャンバ容器内にて半導体基板２０１を高速回転させ、絶縁物をスピンコート塗布した後にチャンバ容器の圧力を低下させ、貫通孔２０５の内部に残存する気泡を貫通孔１０５の外に放出させる手法が挙げられる。絶縁物２０６は、本プロセス以降の半導体プロセスにおける温度等の雰囲気や、各プロセスで使用する薬品に耐えうる材料を選定する。
【００３２】
次に図４（ｅ）において、貫通孔２０５’の内部に充填された絶縁物２０６に、更に貫通孔２０５”を形成する。貫通孔２０５”の形成方法は、レーザ加工もしくはリソグラフィプロセスによるエッチング処理で形成され、貫通孔２０５’の内周面との間に一定厚さの絶縁物２０６が存在し、半導体基板２０１との電気的な絶縁特性を確保している。貫通孔２０５”をレーザ加工で形成する場合、例えば絶縁物２０６がポリマー樹脂ならば、波長の短いレーザ、例えばＹＡＧレーザの３倍波もしくは４倍波、エキシマレーザ等が用いられる。これは、波長の短い、高ポテンシャルエネルギーのレーザ光により、ポリマー材料を蒸発させる事ができるため、加工残存物を形成しない加工が可能となるためである。
【００３３】
次に図４（ｆ）において、半導体基板２０１表面に導電層２０８を、半導体基板２０１の裏面に導電層２０９を同時に形成する。また貫通孔２０５”の内部は導電物２０７で埋め込む。導電物２０７は導電層２０８、２０９と同時に形成する事ができる。導電層２０８と導電物２０７、導電層２０９と導電物２０７はそれぞれ電気的に接続しており、導電層２０８と半導体基板２０１の表面の配線パターン２０４の先端に形成された電極２１０を電気的に接続している。導電層２０８、２０９、導電物２０７は銅、ニッケル、パラジウム、金、銀、等で形成されている。導電層２０８、２０９の膜厚としては、０．５μｍ〜１．０μｍが好ましいがこの範囲に限定されるものではなく、半導体基板２０１の表裏面を確実に導通するものであれば良い。導電層２０８、２０９、導電物２０９の製法としては、処理温度が１０００℃を超えるＰＶＤやＣＶＤを使用する事はできないが、ドライメッキ、ウエットメッキ、ジェットプリンティング法、導電ペーストや溶融金属の成膜法等を使用する事ができ、貫通孔の形状やアスペクト比に応じて適宜選択される。
【００３４】
尚、貫通孔２０５”は必ずしも導電物２０７で埋め込む必要はなく、半導体基板２０１の表裏面が確実に導通されていれば、貫通孔２０５”の内表面にのみ導電膜を形成し、貫通孔貫通孔２０５”は貫通したままであってもかまわない。また、別工程で貫通孔２０５”をさらに埋め込んでもかまわない。特に無電界メッキを用いれば、絶縁物２０６に内表面においても簡単に均一な膜が、短時間で成膜する事ができる。
【００３５】
以上のような製造プロセスにより半導体基板２０１の表裏面を、配線部２０４、電極２１０および２１０’、導電層２０８、導電性物質２０７、導電層２０９により導通させる事ができ、半導体素子２０２の信号を、半導体基板２０１の裏面に取り出すことが可能な貫通電極が形成される。
【００３６】
本発明の第２の実施の形態に示した構成とする事で、レーザ加工により貫通孔を形成した後、エッチング処理によりアンダーカット部が形成されていても同様に良好な絶縁膜を形成する事ができ、良好な半導体装置を形成する事ができる。また、基板上にあらかじめ半導体素子が形成されている場合でも貫通孔を形成し、良好な絶縁膜を形成する事ができる。
【００３７】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、一方または両方の面に機能素子が形成された半導体材料基板に貫通孔を形成し、貫通孔内面に絶縁性物質を充填した後に絶縁性物質の内部に再び貫通孔を形成し、その貫通孔の内部に導電性物質を充填して貫通電極を形成することにより、貫通孔の内面にレーザ加工による加工残存物およびクラックや結晶欠陥がある場合でも、良好な絶縁膜を形成する事ができ、良好な半導体装置を形成する事ができる。
【００３８】
また、本発明によれば、半導体基板にレーザ加工により貫通孔を形成した後、異方性エッチングを行うことにより、貫通孔がアンダーカット部を有する形状にであっても、良好な絶縁膜を形成する事ができ、良好な半導体装置を形成する事ができる。
また、絶縁性物質、導電性物質を液相法で形成する事で、半導体基板を高温にする事がなく、あらかじめ半導体基板上に半導体素子が形成されていても、貫通電極を形成する事ができ、デバイス工程設計上の自由度を大幅に向上させる事ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態における半導体装置の断面図
【図２】第１の実施の形態における半導体装置の製造プロセスを示す断面図
【図３】第２の実施の形態における半導体装置の断面図
【図４】第２の実施の形態における半導体装置の製造プロセスを示す断面図
【符号の説明】
１００、２００　半導体装置
１０１、２０１　半導体基板
１０２、２０２　半導体素子
１０３、２０３　保護層
１０４、２０４　配線部
１０５、１０５’、２０５、２０５’、２０５”　貫通孔
１０６、２０６　絶縁物
１０７、２０７　導電物
１０８、１０９、２０８、２０９　導電層
１１０、２１０、２１０’　電極
【図１】
2004119593.tif 000003
【図２】
2004119593.tif 000004
【図３】
2004119593.tif 000005
【図４】
2004119593.tif 000006