(57)【要約】【課題】設計の自由度を高くし、配線密度を高くし、また製造リードタイムを短くする。【解決手段】両面に銅箔２、３を有する樹脂板１に孔４を設け、孔４内に放射状の突起が形成された銀粒子をエポキシ樹脂からなるバインダに混合分散させた銀ペースト５を充填して仮硬化し、銅箔２、３、銀ペースト５上に銅メッキ膜６を形成し、銅箔２、３、銅メッキ膜６を選択的にエッチングすることにより配線層７を形成して、配線基体８を形成し、第２の樹脂板１１の両面にドライフィルムを貼着し、樹脂板１１に孔１５を設け、孔１５内に銀ペースト１６を充填して仮硬化し、ドライフィルムを除去して、接続基体１７を形成し、配線基体８と接続基体１７とを交互に積層し、交互に積層された配線基体８、接続基体１７の両側から加圧するとともに加熱することにより、配線基体８と接続基体１７とを熱圧着する。【選択図】　　　　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の樹脂板に第１の孔を設け、上記第１の孔内に導電ペーストを充填し、上記第１の樹脂板の表面に配線層を形成することにより配線基体を作製し、一方第２の樹脂板にドライフィルムを貼着したのち第２の孔を設け、第２の孔内に導電ペーストを充填したのち上記ドライフィルムを除去することにより接続基体を作製し、上記配線基体と上記接続基体とを交互に積層して熱圧着することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
第１の樹脂板に第１の孔を設け、上記第１の孔内に導電ペーストを充填し、上記第１の樹脂板の表面に配線層を形成することにより配線基体を作製し、一方第２の樹脂板に第２の孔を設け、第２の孔内に導電ペーストを充填することにより接続基体を作製し、上記配線基体と上記接続基体とを交互に積層して熱圧着することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
上記第１の樹脂板に上記第１の孔を設け、上記第１の孔の内面に第１の導体膜を形成したのち上記導電ペーストを充填し、上記第１の樹脂板の表面に配線層を形成することにより上記配線基体を作製することを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
上記第１の樹脂板に上記第１の孔を設け、上記第１の孔の内面に第１の導体膜を形成したのち上記導電ペーストを充填し、上記導電ペースト上に第２の導体膜形成したのち、上記第１の樹脂板の表面に配線層を形成することにより上記配線基体を作製することを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載した配線基板の製造方法により製造した配線基板に線膨張係数が７×１０−６１／℃以下の材料からなる低膨張係数板を接着したことを特徴とする配線基板体。
【請求項６】
上記配線基板の間に上記低膨張係数板を設け、上記低膨張係数板を貫通するスルホールを設けたことを特徴とする請求項５に記載の配線基板体。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれかに記載した配線基板の製造方法により製造した配線基板に放熱板を接着したことを特徴とする配線基板体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は複数の配線層を有する配線基板の製造方法および配線基板体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、配線基板を製造するには、配線層を形成した樹脂板をプリプレーグにより接着して積層体とし、積層体にスルホール用孔を設け、スルホール用孔の内面にメッキ膜を形成してスルホールを形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような配線基板の製造方法においては、設計の自由度が低く、配線密度を高くすることができず、また製造リードタイムを短くすることができない。
【０００４】
本発明は上述の課題を解決するためになされたもので、設計の自由度が高く、配線密度を高くすることができ、また製造リードタイムを短くすることができる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
また、実装された電子部品が損傷するのを防止することができる配線基板体を提供することを目的とする。
【０００６】
また、実装された電子部品から発生する熱を放熱することができる配線基板体を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため、本発明においては、配線基板の製造方法において、第１の樹脂板に第１の孔を設け、上記第１の孔内に導電ペーストを充填し、上記第１の樹脂板の表面に配線層を形成することにより配線基体を作製し、一方第２の樹脂板にドライフィルムを貼着したのち第２の孔を設け、第２の孔内に導電ペースト充填したのち上記ドライフィルムを除去することにより接続基体を作製し、上記配線基体と上記接続基体とを交互に積層して熱圧着する。
【０００８】
また、第１の樹脂板に第１の孔を設け、上記第１の孔内に導電ペーストを充填し、上記第１の樹脂板の表面に配線層を形成することにより配線基体を作製し、一方第２の樹脂板に第２の孔を設け、第２の孔内に導電ペーストを充填することにより接続基体を作製し、上記配線基体と上記接続基体とを交互に積層して熱圧着する。
【０００９】
これらの場合、上記第１の樹脂板に上記第１の孔を設け、上記第１の孔の内面に第１の導体膜を形成したのち上記導電ペーストを充填し、上記第１の樹脂板の表面に配線層を形成することにより上記配線基体を作製する。
【００１０】
また、上記第１の樹脂板に上記第１の孔を設け、上記第１の孔の内面に第１の導体膜を形成したのち上記導電ペーストを充填し、上記導電ペースト上に第２の導体膜形成したのち、上記第１の樹脂板の表面に配線層を形成することにより上記配線基体を作製する。
【００１１】
また、配線基板体において、上記の各配線基板の製造方法により製造した配線基板に線膨張係数が７×１０−６１／℃以下の材料からなる低膨張係数板を接着する。
【００１２】
この場合、上記配線基板の間に上記低膨張係数板を設け、上記低膨張係数板を貫通するスルホールを設けてもよい。
【００１３】
また、配線基板体において、上記の各配線基板の製造方法により製造した配線基板に放熱板を接着する。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１〜図５により本発明に係る配線基板の製造方法を説明する。まず、図１（ａ）に示すように、ポリイミド樹脂からなる第１の樹脂板１の両面に銅箔２、３を設ける。つぎに、図１（ｂ）に示すように、レーザ光により樹脂板１に第１の孔４を設ける。この場合、孔４のレーザ光を照射した側の径は反対側の径よりも大きくなるが、図では同径としている。つぎに、図１（ｃ）に示すように、孔４内に放射状の突起が形成された銀粒子を熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂からなるバインダに混合分散させた銀ペースト５（たとえば、化研テック株式会社製の「ＴＫペーストＣＴ−１７２２」、「電子材料」２００１年７月号、工業調査会、第８９〜９６頁参照）を充填したのち、８０〜１００℃で３０分間加熱することにより、銀ペースト５を仮硬化する。つぎに、図１（ｄ）に示すように、電解銅メッキを行なうことにより銅箔２、３、銀ペースト５上に銅メッキ膜６を形成する。つぎに、図１（ｅ）に示すように、銅箔２、３、銅メッキ膜６を選択的にエッチングすることにより、配線層７を形成する。このようにして、配線基体８を形成する。一方、図２（ａ）に示すように、プリプレーグからなる第２の樹脂板１１の両面に感光性樹脂１２、キャリアフィルム（離型フィルム）１３からなるドライフィルム１４を貼着する。つぎに、図２（ｂ）に示すように、レーザ光により樹脂板１１に第２の孔１５を設ける。つぎに、図２（ｃ）に示すように、孔１５内に放射状の突起が形成された銀粒子を熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂からなるバインダに混合分散させた銀ペースト１６を充填したのち、８０〜１００℃で３０分間加熱することにより、銀ペースト１６を仮硬化する。つぎに、図２（ｄ）に示すように、キャリアフィルム１３を除去する。つぎに、図２（ｅ）に示すように、現像を行なうことにより感光性樹脂１２を除去する。このようにして、接続基体１７を形成する。つぎに、図３に示すように、配線基体８と接続基体１７とを交互に積層する。この場合、両側の配線基体８の外側の面には配線層を形成しない。また、配線基体８、接続基体１７の周辺部に位置決め用孔（図示せず）を設け、位置決め用孔内にピン（図示せず）を挿入することにより、各配線基体８、接続基体１７の位置決めを行なう。また、銀ペースト１６が隣接する配線層７と接触するように積層する。つぎに、図４に示すように、交互に積層された配線基体８、接続基体１７の両側から加圧するとともに１８０〜２００℃で１時間加熱することにより、配線基体８と接続基体１７とを熱圧着する。この場合、隣接する樹脂板１、１１が一体化し、また銀ペースト５、１６が硬化して導電性組成物２１ａ、２１ｂとなり、導電性組成物２１ｂと配線層７とが接続される。つぎに、図５に示すように、両面の銅箔２、３、銅メッキ膜６を選択的にエッチングすることにより、配線層２２を形成する。
【００１５】
この配線基板の製造方法においては、任意の位置で配線層７を接続することができるから、設計の自由度が高く、また配線密度を高くすることができる。また、交互に積層された配線基体８、接続基体１７の両側から加圧するとともに１８０〜２００℃で１時間加熱することにより、配線基体８と接続基体１７とを熱圧着しているから、各層を積み上げる必要がないので、製造リードタイムを短くすることができ、しかも配線層７と銀ペースト１６との位置ずれが小さいから、確実に各層の配線層７を接続することができる。また、樹脂板１１の両面にドライフィルム１４を貼着し、孔１５内に銀ペースト１６を充填したのち、ドライフィルム１４のキャリアフィルム１３、感光性樹脂１２を除去して、接続基体１７を形成しているから、容易にかつ確実に樹脂板１１から導電性組成物２１ｂが突出した状態とすることができ、また樹脂板１１から導電性組成物２１ｂが突出した状態となっているので、導電性組成物２１ｂと配線層７とを確実に接続することができる。また、銀ペースト１６を仮硬化し、キャリアフィルム１３を除去したのち、現像を行なうことにより感光性樹脂１２を除去するから、感光性樹脂１２を除去する際に仮硬化した銀ペースト１６が損傷することがないので、導電性組成物２１ｂと配線層７とを確実に接続することができる。また、銀ペースト５、１６が硬化した導電性組成物２１ａ、２１ｂを用いているから、導電性組成物２１ａ、２１ｂの抵抗が小さく、また導電性組成物２１ａ、２１ｂの熱伝導性は良好である。
【００１６】
つぎに、図６により本発明に係る他の配線基板の製造方法を説明する。まず、図６（ａ）に示すように、ポリイミド樹脂からなる第１の樹脂板３１の両面に銅箔３２、３３を設ける。つぎに、図６（ｂ）に示すように、樹脂板３１に第１の孔３４を設ける。つぎに、図６（ｃ）に示すように、無電解銅メッキを行なったのち電解銅メッキを行なうことにより、孔３４の内面、樹脂板３１（銅箔３２、３３）の表面に銅メッキ膜３５を設ける。つぎに、図６（ｄ）に示すように、孔３４内に放射状の突起が形成された銀粒子を熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂からなるバインダに混合分散させた銀ペースト３６を充填したのち、８０〜１００℃で３０分間加熱することにより、銀ペースト３６を仮硬化する。つぎに、図６（ｅ）に示すように、銅箔３２、３３、銅メッキ膜３５を選択的にエッチングすることにより、配線層３７を形成する。このようにして、配線基体を形成する。以下は、図１〜図５により説明した配線基板の製造方法と同様の工程により配線基板を製造する。
【００１７】
つぎに、図７により本発明に係る他の配線基板の製造方法を説明する。まず、図７（ａ）に示すように、ポリイミド樹脂からなる第１の樹脂板４１の両面に銅箔４２、４３を設ける。つぎに、図７（ｂ）に示すように、樹脂板４１に第１の孔４４を設ける。つぎに、図７（ｃ）に示すように、無電解銅メッキを行なったのち電解銅メッキを行なうことにより、孔４４の内面、樹脂板４１（銅箔４２、４３）の表面に銅メッキ膜４５を設ける。つぎに、図７（ｄ）に示すように、孔４４内に放射状の突起が形成された銀粒子を熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂からなるバインダに混合分散させた銀ペースト４６を充填したのち、８０〜１００℃で３０分間加熱することにより、銀ペースト４６を仮硬化する。つぎに、図７（ｅ）に示すように、電解銅メッキを行なうことにより銅メッキ膜４５、銀ペースト４６上に銅メッキ膜４７を設ける。つぎに、図７（ｆ）に示すように、銅箔４２、４３、銅メッキ膜４５、４７を選択的にエッチングすることにより、配線層４８を形成する。このようにして、配線基体を形成する。以下は、図１〜図５により説明した配線基板の製造方法と同様の工程により配線基板を製造する。
【００１８】
つぎに、図８〜図１１により本発明に係る他の配線基板の製造方法を説明する。まず、図８（ａ）に示すように、レーザ光によりプリプレーグからなる第２の樹脂板５１に第２の孔５２を設ける。つぎに、図８（ｂ）に示すように、孔５２内に放射状の突起が形成された銀粒子を熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂からなるバインダに混合分散させた銀ペースト５３を充填したのち、８０〜１００℃で３０分間加熱することにより、銀ペースト５３を仮硬化する。つぎに、図８（ｃ）に示すように、研磨により銀ペースト５３の表面を平坦にする。このようにして、接続基体５４を形成する。つぎに、図９に示すように、配線基体８と接続基体５４とを交互に積層する。この場合、両側の配線基体８の外側の面には配線層を形成しない。また、配線基体８、接続基体５４の周辺部に位置決め用孔（図示せず）を設け、位置決め用孔内にピン（図示せず）を挿入することにより、各配線基体８、接続基体５４の位置決めを行なう。また、銀ペースト５３が隣接する配線層７と接触するように積層する。つぎに、図１０に示すように、交互に積層された配線基体８、接続基体５４の両側から加圧するとともに１８０〜２００℃で１時間加熱することにより、配線基体８と接続基体５４とを熱圧着する。この場合、隣接する樹脂板１、５１が一体化し、また銀ペースト５、５３が硬化して導電性組成物６１ａ、６１ｂとなり、導電性組成物６１ｂと配線層７とが接続される。つぎに、図１１に示すように、両面の銅箔２、３、銅メッキ膜６を選択的にエッチングすることにより、配線層６２を形成する。
【００１９】
つぎに、図１２〜図１７により本発明に係る配線基板の製造方法を説明する。図１２（ａ）に示すように、ポリイミド樹脂からなる第１の樹脂板１５１の両面に銅箔１５２、１５３を設ける。つぎに、図１２（ｂ）に示すように、レーザ光により樹脂板１５１に第１の孔１５４を設ける。つぎに、図１２（ｃ）に示すように、孔１５４内に放射状の突起が形成された銀粒子を熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂からなるバインダに混合分散させた銀ペースト１５５を充填したのち、８０〜１００℃で３０分間加熱することにより、銀ペースト１５５を仮硬化する。つぎに、図１２（ｄ）に示すように、銅箔１５２、１５３を選択的にエッチングすることにより、配線層１５６を形成する。このようにして、配線基体１５７を形成する。つぎに、図１３に示すように、配線基体１５７と接続基体５４とを交互に積層する。この場合、両側の配線基体１５７の外側の面には配線層を形成しない。また、配線基体１５７、接続基体５４の周辺部に位置決め用孔（図示せず）を設け、位置決め用孔内にピン（図示せず）を挿入することにより、各配線基体１５７、接続基体５４の位置決めを行なう。また、銀ペースト１５５と銀ペースト５３とが接触するように積層する。つぎに、図１４に示すように、交互に積層された配線基体１５７、接続基体５４の両側から加圧するとともに１８０〜２００℃で１時間加熱することにより、配線基体１５７と接続基体５４とを熱圧着する。この場合、隣接する樹脂板１５１、５１が一体化し、また銀ペースト１５５、５３が硬化して一体化した導電性組成物１６１となる。つぎに、図１５に示すように、樹脂板１５１、５１が一体化したものにスルホール用孔１６２を設ける。つぎに、図１６に示すように、無電解銅メッキを行なったのち電解銅メッキを行なうことにより、銅箔１５２、１５３の表面およびスルホール用孔１６２の内面に銅メッキ膜１６３を形成する。つぎに、図１７に示すように、両面の銅箔１５２、１５３、銅メッキ膜１６３を選択的にエッチングすることにより、配線層１６４を形成するとともに、配線層１５６、１６４を接続するスルホール１６５を形成する。
【００２０】
この配線基板の製造方法においては、任意の位置で配線層１５６を接続することができるから、設計の自由度が高く、また配線密度を高くすることができる。また、交互に積層された配線基体１５７、接続基体５４の両側から加圧するとともに１８０〜２００℃で１時間加熱することにより、配線基体１５７と接続基体５４とを熱圧着しているから、各層を積み上げる必要がないので、製造リードタイムを短くすることができ、しかも銀ペースト１５５と銀ペースト５３との位置ずれが小さいから、確実に各層の配線層１５６を接続することができる。また、銀ペースト１５５、５３が硬化した導電性組成物１６１を用いているから、導電性組成物１６１の抵抗が小さい。
【００２１】
つぎに、図１８〜図２３により本発明に係る配線基板の製造方法を説明する。図１８（ａ）に示すように、ポリイミド樹脂からなる第１の樹脂板７１の両面に銅箔７２、７３を設ける。つぎに、図１８（ｂ）に示すように、レーザ光により樹脂板７１に第１の孔７４を設ける。この場合、照射するレーザ光の強度を調節することにより、銅箔７３には孔が設けられないようにする。つぎに、図１８（ｃ）に示すように、孔７４内に放射状の突起が形成された銀粒子を熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂からなるバインダに混合分散させた銀ペースト７５を充填したのち、８０〜１００℃で３０分間加熱することにより、銀ペースト７５を仮硬化する。つぎに、図１８（ｄ）に示すように、電解銅メッキを行なうことにより銅箔７２、７３、銀ペースト７５上に銅メッキ膜７６を形成する。つぎに、図１８（ｅ）に示すように、銅箔７２、７３、銅メッキ膜７６を選択的にエッチングすることにより、配線層７７を形成する。このようにして、配線基体７８を形成する。つぎに、図１９に示すように、配線基体７８と接続基体５４とを交互に積層する。この場合、両側の配線基体７８の外側の面には配線層を形成せず、かつ銅メッキ膜７６を形成しない。また、配線基体７８、接続基体５４の周辺部に位置決め用孔（図示せず）を設け、位置決め用孔内にピン（図示せず）を挿入することにより、各配線基体７８、接続基体５４の位置決めを行なう。また、銀ペースト５３が隣接する配線層７７と接触するように積層する。つぎに、図２０に示すように、交互に積層された配線基体７８、接続基体５４の両側から加圧するとともに１８０〜２００℃で１時間加熱することにより、配線基体７８と接続基体５４とを熱圧着する。この場合、隣接する樹脂板７１、５１が一体化し、また銀ペースト７５、５３が硬化して導電性組成物８１ａ、８１ｂとなり、導電性組成物８１ｂと配線層７７とが接続される。つぎに、図２１に示すように、樹脂板７１、５１が一体化したものにスルホール用孔８２を設ける。つぎに、図２２に示すように、無電解銅メッキを行なったのち電解銅メッキを行なうことにより、銅箔７３の表面およびスルホール用孔８２の内面に銅メッキ膜８３を形成する。つぎに、図２３に示すように、両面の銅箔７３、銅メッキ膜８３を選択的にエッチングすることにより、配線層８４を形成するとともに、配線層７７、８４を接続するスルホール８５を形成する。
【００２２】
この配線基板の製造方法においては、任意の位置で配線層７７を接続することができるから、設計の自由度が高く、また配線密度を高くすることができる。また、交互に積層された配線基体７８、接続基体５４の両側から加圧するとともに１８０〜２００℃で１時間加熱することにより、配線基体７８と接続基体５４とを熱圧着しているから、各層を積み上げる必要がないので、製造リードタイムを短くすることができ、しかも配線層７７と銀ペースト５３との位置ずれが小さいから、確実に各層の配線層７７を接続することができる。また、銀ペースト７５、５３が硬化した導電性組成物８１ａ、８１ｂを用いているから、導電性組成物８１ａ、８１ｂの抵抗が小さい。また、配線基体７８と接続基体５４とを交互に積層したときに、両側の配線基体７８の外側の面には銅メッキ膜７６を形成しないから、配線層８４は銅箔７３および銅メッキ膜８３からなるので、配線層８４の厚さが小さいため、配線層８４の回路を微細にすることができる。
【００２３】
つぎに、図２４により本発明に係る他の配線基板の製造方法を説明する。まず、図２４（ａ）に示すように、ポリイミド樹脂からなる第１の樹脂板９１の両面に銅箔９２、９３を設ける。つぎに、図２４（ｂ）に示すように、樹脂板９１に第１の孔９４を設ける。この場合、照射するレーザ光の強度を調節することにより、銅箔９３には孔が設けられないようにする。つぎに、図２４（ｃ）に示すように、孔９４内に放射状の突起が形成された銀粒子を熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂からなるバインダに混合分散させた銀ペースト９５を充填したのち、８０〜１００℃で３０分間加熱することにより、銀ペースト９５を仮硬化する。つぎに、図２４（ｄ）に示すように、銅箔９２、９３を選択的にエッチングすることにより、配線層９６を形成する。このようにして、配線基体を形成する。以下は、図１８〜図２３により説明した配線基板の製造方法と同様の工程により配線基板を製造する。
【００２４】
つぎに、図２５により本発明に係る他の配線基板の製造方法を説明する。まず、図２５（ａ）に示すように、ポリイミド樹脂からなる第１の樹脂板１０１の両面に銅箔１０２、１０３を設ける。つぎに、図２５（ｂ）に示すように、樹脂板１０１に第１の孔１０４を設ける。この場合、照射するレーザ光の強度を調節することにより、銅箔１０３には孔が設けられないようにする。つぎに、図２５（ｃ）に示すように、無電解銅メッキを行なったのち電解銅メッキを行なうことにより、孔１０４の内面、樹脂板１０１（銅箔１０２、１０３）の表面に銅メッキ膜１０５を設ける。つぎに、図２５（ｄ）に示すように、孔１０４内に放射状の突起が形成された銀粒子を熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂からなるバインダに混合分散させた銀ペースト１０６を充填したのち、８０〜１００℃で３０分間加熱することにより、銀ペースト１０６を仮硬化する。つぎに、図２５（ｅ）に示すように、銅箔１０２、１０３、銅メッキ膜１０５を選択的にエッチングすることにより、配線層１０７を形成する。このようにして、配線基体を形成する。以下は、図１８〜図２３により説明した配線基板の製造方法と同様の工程により配線基板を製造する。
【００２５】
つぎに、図２６により本発明に係る他の配線基板の製造方法を説明する。まず、図２６（ａ）に示すように、ポリイミド樹脂からなる第１の樹脂板１１１の両面に銅箔１１２、１１３を設ける。つぎに、図２６（ｂ）に示すように、樹脂板１１１に第１の孔１１４を設ける。この場合、照射するレーザ光の強度を調節することにより、銅箔１１３には孔が設けられないようにする。つぎに、図２６（ｃ）に示すように、無電解銅メッキを行なったのち電解銅メッキを行なうことにより、孔１１４の内面、樹脂板１１１（銅箔１１２、１１３）の表面に銅メッキ膜１１５を設ける。つぎに、図２６（ｄ）に示すように、孔１１４内に放射状の突起が形成された銀粒子を熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂からなるバインダに混合分散させた銀ペースト１１６を充填したのち、８０〜１００℃で３０分間加熱することにより、銀ペースト１１６を仮硬化する。つぎに、図２６（ｅ）に示すように、電解銅メッキを行なうことにより銅メッキ膜１１５、銀ペースト１１６上に銅メッキ膜１１７を設ける。つぎに、図２６（ｆ）に示すように、銅箔１１２、１１３、銅メッキ膜１１５、１１７を選択的にエッチングすることにより、配線層１１８を形成する。このようにして、配線基体を形成する。以下は、図１８〜図２３により説明した配線基板の製造方法と同様の工程により配線基板を製造する。
【００２６】
図２７（ａ）は本発明に係る配線基板体を示す概略図である。図に示すように、図１〜図５により説明した配線基板の製造方法により製造した配線基板１２１の片面にセラミックからなる低膨張係数板１２２が接着されている。
【００２７】
また、図２７（ｂ）は本発明に係る他の配線基板体の一部を示す概略図である。図に示すように、低膨張係数板１２２の両面に配線基板１２１が接着されている。
【００２８】
また、図２７（ｃ）は本発明に係る他の配線基板体の一部を示す概略図である。図に示すように、中央の配線基板１２１の両面に低膨張係数板１２２が接着され、両低膨張係数板１２２に配線基板１２１が接着されている。
【００２９】
図２７（ａ）〜（ｃ）に示した配線基板体においては、低膨張係数板１２２の線膨張係数が小さい（約３×１０−６１／℃）から、配線基板体の線膨張係数が実装された電子部品の線膨張係数とほぼ等しいので、電子部品の熱膨張量と配線基板用基材の電子部品が実装された部分の熱膨張量との差が小さいため、電子部品が損傷することがなく、またセラミックは放熱性が良好であるから、実装された電子部品から発生する熱を低膨張係数板１２２を介して放熱することができる。
【００３０】
また、図２８は本発明に係る他の配線基板体の一部を示す図である。図に示すように、セラミックからなる低膨張係数板１３１の両面に図１〜図５により説明した配線基板の製造方法により製造した配線基板１３２、１３３が接着され、配線基板１３２、低膨張係数板１３１、配線基板１３３を貫通したスルホール１３４が設けられ、スルホール１３４により配線基板１３２に形成された配線層と配線基板１３３に形成された配線層とが接続されている。
【００３１】
図２８に示した配線基板体においては、スルホール１３４により配線基板１３２に形成された配線層と配線基板１３３に形成された配線層とを接続することができるから、設計の自由度が高くなる。
【００３２】
図２９（ａ）は本発明に係る配線基板体を示す概略図である。図に示すように、図１〜図５により説明した配線基板の製造方法により製造した配線基板１４１の片面にアルミニウムからなる放熱板１４２が接着されている。
【００３３】
また、図２９（ｂ）は本発明に係る他の配線基板体の一部を示す概略図である。図に示すように、放熱板１４２の両面に配線基板１４１が接着されている。
【００３４】
また、図２９（ｃ）は本発明に係る他の配線基板体の一部を示す概略図である。図に示すように、中央の配線基板１４１の両面に放熱板１４２が接着され、両放熱板１４２に配線基板１４１が接着されている。
【００３５】
図２９（ａ）〜（ｃ）に示した配線基板体においては、アルミニウムは放熱性が良好であるから、実装された電子部品から発生する熱を放熱板１４２を介して放熱することができる。
【００３６】
なお、上述実施の形態においては、銅箔２、３、銀ペースト５上に銅メッキ膜６を形成し、銅箔２、３、銅メッキ膜６を選択的にエッチングすることにより配線層７を形成したが、銅箔２、３、銀ペースト５上に銅メッキ膜６およびニッケルメッキ膜を形成し、銅箔２、３、銅メッキ膜６、ニッケルメッキ膜を選択的にエッチングすることにより配線層を形成してもよい。この場合には、銀ペースト５と配線層７との間の抵抗が小さくなる。また、上述実施の形態においては、レーザ光により樹脂板１に孔４を設け、レーザ光により樹脂板１１に孔１５を設けたが、ＮＣドリルにより第１、第２の樹脂板に第１、第２の孔を設けてもよい。また、上述実施の形態においては、配線基体８と接続基体１７とを熱圧着したのちに、配線層２３を形成したが、全ての第１の樹脂板の両面に配線層を形成し、配線基体と接続基体とを熱圧着してもよい。また、上述実施の形態においては、孔４４の内面、樹脂板４１の表面に銅メッキ膜４５を設け、銅メッキ膜４５、銀ペースト４６上に銅メッキ膜４７を設け、銅箔４２、４３、銅メッキ膜４５、４７を選択的にエッチングすることにより、配線層４８を形成したが、孔４４の内面、樹脂板４１の表面に銅メッキ膜４５を設け、銅メッキ膜４５をその厚さが約１／２になるまでエッチング（ハーフエッチング）したのち、銅メッキ膜４５、銀ペースト４６上に銅メッキ膜４７を設け、銅箔４２、４３、銅メッキ膜４５、４７を選択的にエッチングすることにより、配線層４８を形成してもよい。この場合、銅箔４２、４３、銅メッキ膜４５、４７の合計厚さが小さくなるから、微細な配線層４８を形成することができる。また、上述実施の形態においては、ポリイミド樹脂からなる樹脂板１を用いたが、エポキシ樹脂、テフロン（登録商標）、ＢＴレジン（登録商標）等からなる第１の樹脂板を用いてもよい。また、複数の材質からなる第１の樹脂板を用いたとき（複合材を用いたとき）には、層ごとに強度、電気特性等の特性を変えることができるから、性能を向上することができるとともに、製造コストを安価にすることができる。また、上述実施の形態においては、プリプレーグからなる樹脂板１１を用いたが、他の熱硬化性樹脂からなる第２の樹脂板、熱可塑性樹脂からなる第２の樹脂板を用いてもよい。また、上述実施の形態においては、導電ペーストとして銀ペースト５、１６、３６、４６等を用いたが、他の導電ペーストを用いてもよい。また、上述実施の形態においては、第１の導体膜として銅メッキ膜３５、４５を用い、第２の導体膜として銅メッキ膜４７を用いたが、他の第１、第２の導体膜を用いてもよい。また、上述実施の形態においては、セラミックからなる低膨張係数板１２２を用いたが、ＣＩＣ（銅、インバー、銅を積層したもの）、カーボン等からなる低膨張係数板を用いてもよい。また、上述実施の形態においては、図１〜図５により説明した配線基板の製造方法により製造した配線基板１２１に低膨張係数板１２２を接着し、また低膨張係数板１３１に図１〜図５により説明した配線基板の製造方法により製造した配線基板１３２、１３３を接着したが、図６、図７により説明した配線基板の製造方法等により製造した配線基板に低膨張係数板を接着してもよい。また、上述実施の形態においては、図１〜図５により説明した配線基板の製造方法により製造した配線基板５１に放熱板１４２を接着したが、図６、図７により説明した配線基板の製造方法等により製造した配線基板に放熱板を接着してもよい。また、第１、第２の樹脂板の厚さを調整することにより、配線基板の厚さを任意に定めることができ、配線基板の厚さを大きくすれば、配線基板の強度を大きくすることができる。また、上述実施の形態において、接続基体１７の代わりに接続基体５４を用いてもよく、また接続基体５４の代わりに接続基体１７を用いてもよい。
【００３７】
【発明の効果】
本発明に係る配線基板の製造方法においては、設計の自由度が高く、配線密度を高くすることができ、また製造リードタイムを短くすることができる。
【００３８】
また、本発明に係る低膨張係数板を有する配線基板体においては、電子部品の熱膨張量と配線基板用基材の電子部品が実装された部分の熱膨張量との差が小さくなるから、電子部品が損傷するのを防止することができる。
【００３９】
また、配線基板の間に低膨張係数板を設け、低膨張係数板を貫通するスルホールを設けたときには、設計の自由度が高くなる。
【００４０】
また、本発明に係る放熱板を有する配線基板体においては、実装された電子部品から発生する熱を放熱板を介して放熱することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る配線基板の製造方法の説明図である。
【図２】本発明に係る配線基板の製造方法の説明図である。
【図３】本発明に係る配線基板の製造方法の説明図である。
【図４】本発明に係る配線基板の製造方法の説明図である。
【図５】本発明に係る配線基板の製造方法の説明図である。
【図６】本発明に係る他の配線基板の製造方法の説明図である。
【図７】本発明に係る他の配線基板の製造方法の説明図である。
【図８】本発明に係る他の配線基板の製造方法の説明図である。
【図９】本発明に係る他の配線基板の製造方法の説明図である。
【図１０】本発明に係る他の配線基板の製造方法の説明図である。
【図１１】本発明に係る他の配線基板の製造方法の説明図である。
【図１２】本発明に係る他の配線基板の製造方法の説明図である。
【図１３】本発明に係る他の配線基板の製造方法の説明図である。
【図１４】本発明に係る他の配線基板の製造方法の説明図である。
【図１５】本発明に係る他の配線基板の製造方法の説明図である。
【図１６】本発明に係る他の配線基板の製造方法の説明図である。
【図１７】本発明に係る他の配線基板の製造方法の説明図である。
【図１８】本発明に係る他の配線基板の製造方法の説明図である。
【図１９】本発明に係る他の配線基板の製造方法の説明図である。
【図２０】本発明に係る他の配線基板の製造方法の説明図である。
【図２１】本発明に係る他の配線基板の製造方法の説明図である。
【図２２】本発明に係る他の配線基板の製造方法の説明図である。
【図２３】本発明に係る他の配線基板の製造方法の説明図である。
【図２４】本発明に係る他の配線基板の製造方法の説明図である。
【図２５】本発明に係る他の配線基板の製造方法の説明図である。
【図２６】本発明に係る他の配線基板の製造方法の説明図である。
【図２７】本発明に係る配線基板体を示す概略図である。
【図２８】本発明に係る他の配線基板体の一部を示す断面図である。
【図２９】本発明に係る他の配線基板体を示す概略図である。
【符号の説明】
１…第１の樹脂板
４…第１の孔
５…銀ペースト
７…配線層
８…配線基体
１１…第２の樹脂板
１４…ドライフィルム
１５…第２の孔
１６…銀ペースト
１７…接続基体
３１…第１の樹脂板
３４…第１の孔
３５…銅メッキ膜
３６…銀ペースト
３７…配線層
４１…第１の樹脂板
４４…第１の孔
４５…銅メッキ膜
４６…銀ペースト
４７…銅メッキ膜
４８…配線層
５１…第２の樹脂板
５２…第２の孔
５３…銀ペースト
５４…接続基体
７１…第１の樹脂板
７４…第１の孔
７５…銀ペースト
７７…配線層
７８…配線基体
９１…第１の樹脂板
９４…第１の孔
９５…銀ペースト
９６…配線層
１０１…第１の樹脂板
１０４…第１の孔
１０５…銅メッキ膜
１０６…銀ペースト
１０７…配線層
１１１…第１の樹脂板
１１４…第１の孔
１１５…銅メッキ膜
１１６…銀ペースト
１１７…銅メッキ膜
１１８…配線層
１２１…配線基板
１２２…低膨張係数板
１３１…低膨張係数板
１３２…配線基板
１３３…配線基板
１３４…スルホール
１４１…配線基板
１４２…放熱板
１５１…第１の樹脂板
１５４…第１の孔
１５５…銀ペースト
１５６…配線層
１５７…配線基体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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