(57)【要約】【課題】電歪による械的振動を抑制することにより、雑音を低減し得るセラミック電子部品を提供する。【解決手段】セラミック基体１は、圧電特性を有している。金属膜は、少なくとも２つの端子電極２１、２２を含み、セラミック基体１の表面に設けられている。絶縁ギャップ５１は、セラミック基体１の表面において、端子電極２１、２２を分離するものであって、ギャップ幅αは、端子電極間２１−２２において要求される絶縁耐電圧に対応する縮小された幅に設定されている。セラミック基体１は、絶縁ギャップ５１の設けられた領域を除く表面の全面が、金属膜によって覆われている。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基体と、金属膜と、絶縁ギャップとを含むセラミック電子部品であって、
前記セラミック基体は、圧電特性を有しており、
前記金属膜は、少なくとも２つの端子電極を含み、前記セラミック基体の表面に設けられており、
前記絶縁ギャップは、前記セラミック基体の表面において、前記端子電極を分離するものであって、ギャップ幅が、端子電極間において要求される絶縁耐電圧に対応する縮小された幅に設定されており、
前記セラミック基体は、前記絶縁ギャップの設けられた領域を除く表面の全面が、前記金属膜によって覆われている
セラミック電子部品。
【請求項２】
セラミック基体と、金属膜と、絶縁ギャップとを含むセラミック電子部品であって、
前記セラミック基体は、圧電特性を有しており、
前記金属膜は、少なくとも２つの端子電極を含み、前記セラミック基体の表面に設けられており、
前記絶縁ギャップは、前記セラミック基体の表面において、前記端子電極を分離するものであり、
前記セラミック基体は、前記絶縁ギャップの設けられた領域を除く表面の全てが、前記金属膜によって覆われており、
前記セラミック基体の表面積をＳとし、前記金属膜の形成されている部分の表面積をＳ１としたとき、
１＞Ｓ１／Ｓ≧０．８
を満たす
セラミック電子部品。
【請求項３】
請求項２に記載されたセラミック電子部品であって、
０．９≧Ｓ１／Ｓを満たすセラミック電子部品。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載されたセラミック電子部品であって、前記セラミック基体は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系セラミックスを含むセラミック電子部品。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れかに記載されたセラミック電子部品であって、更に、内部電極を含み、前記内部電極は、前記セラミック基体の内部に埋設され、前記端子電極に接続されているセラミック電子部品。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れかに記載されたセラミック電子部品であって、
前記絶縁ギャップは、少なくとも２つであり、
前記金属膜は、少なくとも一つのダミー電極を含み、前記ダミー電極は、前記絶縁ギャップによって、前記端子電極から電気的に絶縁されている
セラミック電子部品。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れかに記載されたセラミック電子部品であって、セラミックコンデンサであるセラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミック電子部品に関する。更に詳しくは、圧電特性を有するセラミック基体を用いたセラミックコンデンサ等のセラミック電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
セラミック電子部品として、セラミックコンデンサ、インダクタ、バリスタまたはこれらを複合した複合部品等が知られている。このうち、セラミックコンデンサを含むセラミック電子部品は、薄層化技術および多層化技術の進展が目覚しく、アルミ電解コンデンサに匹敵する高静電容量を有する製品が商品化されてきている。
【０００３】
ところが、セラミックコンデンサに用いられるチタン酸バリウム等のセラミック材料は、圧電特性を有し、電界が加えられると歪みが生じる。このため、セラミックコンデンサは、交流電界が印加された場合、交流電界の周波数に同期した機械的歪みを生じる。この機械的歪みが可聴周波数帯域である場合、セラミックコンデンサの機械的歪みは、振動音として現れる。
【０００４】
例えば、オーディオ機器等は、可聴周波数帯域の雑音に対して、非常に敏感な回路を有するので、セラミックコンデンサから可聴周波数帯域の振動音が生じた場合、製品の性能及び品質が悪影響を受ける。
【０００５】
このため、従来のセラミックコンデンサは、アルミ電解コンデンサに匹敵する高静電容量を持ちながら、雑音に敏感な回路に対する使用は、敬遠されていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、電歪による械的振動を抑制することにより、雑音を低減し得るセラミック電子部品を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、本発明に係るセラミック電子部品は、セラミック基体と、金属膜と、絶縁ギャップとを含む。前記セラミック基体は、圧電特性を有している。前記金属膜は、少なくとも２つの端子電極を含み、前記セラミック基体の表面に設けられている。前記絶縁ギャップは、前記セラミック基体の表面において、前記端子電極を電気的に分離するものであって、ギャップ幅が、端子電極間において要求される絶縁耐電圧に対応する縮小された幅に設定されている。前記セラミック基体は、前記絶縁ギャップの設けられた領域を除く表面の全面が、前記金属膜によって覆われている。
【０００８】
上述したように、本発明に係るセラミック電子部品は、セラミック基体と、金属膜と、絶縁ギャップとを含む。金属膜は、少なくとも２つの端子電極を含み、セラミック基体の表面に設けられている。絶縁ギャップは、セラミック基体の表面において、端子電極を電気的に分離する。従って、２つの端子電極を、絶縁ギャップにより電気的に絶縁し、２つの端子電極に電圧を印加し、または、端子電極から電気的特性を取り出すいわゆるチップタイプのセラミック電子部品が得られる。
【０００９】
セラミック基体は、圧電特性を有する。そのようなセラミック材料の代表例はチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系セラミックスであり、誘電率の高い強誘電体材料として、セラミックコンデンサに用いられ、または、電圧非直線性材料としてバリスタなどに用いられる。
【００１０】
チタン酸バリウム等のセラミック材料で構成されたセラミック基体は、圧電特性を有し、電界が加えられると歪みが生じる。このため、セラミックコンデンサは、交流電界が印加された場合、交流電界の周波数に同期した機械的歪みを生じ、この機械的歪みが可聴周波数帯域である場合、セラミックコンデンサの機械的歪みが、振動音として現れることは、前述したとおりである。
【００１１】
この問題を解決する手段として、本発明では、絶縁ギャップのギャップ幅を、端子電極間において要求される絶縁耐電圧に対応する縮小された幅に設定する。そして、セラミック基体の表面のうち、絶縁ギャップの設けられた領域を除く表面の全面を金属膜によって覆う構造とした。
【００１２】
上記構造によれば、セラミック基体は、その表面の広い領域が金属膜で覆われることになるので、電歪による械的振動を抑制することが可能となる。これは、金属膜を含めた全体の剛性が高くなるためであると推測される。絶縁ギャップのギャップ幅は、端子電極間において要求される絶縁耐電圧に対応する幅に設定されているので、端子電極間では、必要な電気絶縁耐圧を確保し得る。
【００１３】
本発明に係るセラミック電子部品は、電歪による機械的振動が抑制されるので、雑音の発生が低減する。特に、例えば、２０Ｈｚ〜２０ｋＨｚの可聴周波数の振動音が著しく低減する。このため、例えば、オーディオ機器等の雑音に敏感な回路にも使用することができる。
【００１４】
絶縁ギャップのギャップ幅は、具体的には、セラミック基体の表面積をＳとし、金属膜の表面積をＳ１としたとき、１＞Ｓ１／Ｓ≧０．８を満たすように設定する。この条件を満たすことにより、電歪による械的振動を確実に抑制し得ることが確認された。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係るセラミック電子部品を示す斜視図、図２は図１に示したセラミック電子部品の正面拡大断面図、図３は図１に示したセラミック電子部品の分解斜視図である。図３においては金属膜の図示を省略してある。
【００１６】
図示されたセラミック電子部品は、セラミックコンデンサであり、セラミック基体１と、金属膜と、絶縁ギャップ５１と、内部電極３１、３２とを含む。本実施例において、金属膜は、２つの端子電極２１、２２である。
【００１７】
セラミック基体１は圧電特性を有する。図示実施例は、セラミックコンデンサをであるので、セラミック基体１は、誘電率の高いチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系セラミックスで構成されている。セラミック基体１は、長さ方向Ｘの両側面１１、１２と、幅方向Ｙの両側面１３、１４と、厚み方向Ｚの両側面１５、１６とが交叉する。即ち、セラミック基体１は、その形状が略直方体状となる。具体的には、例えば、長さ方向Ｘ、幅方向Ｙ、厚み方向Ｚが３．２ｍｍ×２．５ｍｍ×２．５ｍｍである。
【００１８】
内部電極３１、３２は、図２、図３に示すように、複数であり、間隔を隔てて層状に備えられ、セラミック基体１の内部に埋設されている。具体的には、内部電極３１、３２は、厚み方向Ｚに交互に重なっている。隣接する内部電極３１、３２において、一方の内部電極３１は、一端が長さ方向Ｘの一側面１１に導出され、他方の内部電極３２は、一端が、一側面１１と対向する他側面１２に導出されている。
【００１９】
本実施例において、内部電極３１、３２は、ほぼ同じ面積の長方形状である。但し、図２、図３に示された内部電極パターンは一例であり、その他、種々の形状を取り得ることはいうまでもない。また、内部電極３１、３２の個数は任意である。
【００２０】
セラミック基体１及び内部電極３１、３２を含む積層構造は、周知の技術により実現することが可能である。例えば、内部電極３１、３２を印刷したセラミックグリーンシート（未焼成セラミックシート）を所定枚数積層して積層体を構成し、この積層体をラミネート（加熱圧縮一体化）し、その後、切断し、脱脂し、焼成する工程を経て製造することができる。
【００２１】
端子電極２１、２２は、セラミック基体１の表面に形成されている。図示の端子電極２１、２２は、Ｃｕを主成分とした下地電極２１３、２２３に、Ｎｉめっき層２１２、２２２が形成され、その上にＳｎめっき層２１１、２２１が形成されている。但し、端子電極２１、２２の金属膜積層構造は、実施例に示すものに限らず、他の構造であってもよい。
【００２２】
端子電極２１、２２は、セラミック基体１の長さ方向Ｘにおいて、対向して配置されている。具体的には、端子電極２１は、セラミック基体１の長さ方向Ｘの一側面１１の全面に備えられ、かつ、一側面１１に隣接する面１３、１４、１５、１６の一部に延長して備えられている。端子電極２２は、一側面１１と対向する他側面１２の全面に備えられ、かつ、面１３、１４、１５、１６の一部に延長して備えられている。
【００２３】
端子電極２１、２２の厚みは、例えば、一側面１１及び他側面１２において、５０〜１５０ｎｍであり、面１３、１４、１５、１６において、５〜２０ｎｍである。端子電極２１は、一側面１１に導出された内部電極３１に接続される。端子電極２２は、他側面１２に導出された内部電極３２に接続される。
【００２４】
絶縁ギャップ５１は、セラミック基体１の表面において、端子電極２１、２２を電気的に分離するものであって、ギャップ幅αは、端子電極２１−２２間において要求される絶縁耐電圧に対応する縮小されたギャップ幅αに設定されている。具体的なギャップ幅αは、端子電極２１、２２に印加される電圧により定まるものであり、設計的事項である。図示の絶縁ギャップ５１は、セラミック基体１１を一周する環状に形成されている。
【００２５】
セラミック基体１は、絶縁ギャップ５１の設けられた領域を除く表面の全面が、金属膜２１、２２によって覆われている。
【００２６】
上述したように、本発明に係るセラミック電子部品は、セラミック基体１と、金属膜２１、２２と、絶縁ギャップ５１とを含む。金属膜２１、２２は、少なくとも２つの端子電極２１、２２を含み、セラミック基体１の表面に設けられている。絶縁ギャップ５１は、セラミック基体１の表面において、端子電極２１、２２を電気的に分離する。従って、２つの端子電極２１、２２を、絶縁ギャップ５１により電気的に絶縁し、２つの端子電極２１、２２に電圧を印加し、または、端子電極２１、２２から電気的特性を取り出すいわゆるチップタイプのセラミック電子部品が得られる。
【００２７】
セラミック基体１は、圧電特性を有する。実施例において、セラミック基体１は誘電率の高い強誘電体材料として周知のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系セラミックスによって構成されている。チタン酸バリウムで構成されたセラミック基体１は、圧電特性を有し、電界が加えられると歪みが生じる。このため、セラミックコンデンサは、交流電界が印加された場合、交流電界の周波数に同期した機械的歪みを生じ、この機械的歪みが可聴周波数帯域である場合、セラミックコンデンサの機械的歪みが、振動音として現れることは、前述したとおりである。
【００２８】
この問題を解決する手段として、本発明では、絶縁ギャップ５１のギャップ幅αを、端子電極２１−２２間において要求される絶縁耐電圧に対応する縮小されたギャップ幅αに設定する。そして、セラミック基体１の表面のうち、絶縁ギャップ５１の設けられた領域を除く表面の全面を金属膜２１、２２によって覆う構造とした。
【００２９】
上記構造によれば、セラミック基体１は、端子電極２１、２２の電気絶縁に必要不可欠なギャップ幅αを除いて、その表面の広い領域が金属膜２１、２２で覆われることになるので、電歪による械的振動を抑制することが可能となる。これは、金属膜２１、２２を含めた全体の剛性が高くなるためであると推測される。絶縁ギャップ５１のギャップ幅αは、端子電極２１−２２間において要求される絶縁耐電圧に対応するギャップ幅αに設定されているので、端子電極２１−２２間では、必要な電気絶縁耐圧を確保し得る。
【００３０】
本発明に係るセラミック電子部品は、電歪による機械的振動が抑制されるので、雑音の発生が低減する。特に、例えば、２０Ｈｚ〜２０ｋＨｚの可聴周波数の振動音が著しく低減する。このため、例えば、オーディオ機器等の雑音に敏感な回路にも使用することができる。
【００３１】
より具体的には、セラミック基体１の表面積をＳとし、金属膜２１、２２の表面積をＳ１としたとき、１＞Ｓ１／Ｓ≧０．８を満たすように、絶縁ギャップ５１のギャップ幅αを設定する。この条件を満たすことにより、電歪による械的振動を確実に抑制し得ることが確認された。
【００３２】
特に、０．９≧Ｓ１／Ｓ≧０．８の範囲では、電歪による械的振動を、より確実に、かつ、安定して抑制し得ることが確認された。
【００３３】
次に、具体的なデータを用いて、本発明に係るセラミック電子部品の上記効果を説明する。以下の説明において、比（Ｓ１／Ｓ）の１００分率を、被覆率と称することがある。
【００３４】
図４は、データの測定に用いた歪み検出装置の概略図である。図４において、データの測定に用いた歪み検出装置は、ドップラー振動計である。この歪み検出装置では、センサユニット４５から出射されたレーザ光４４を、セラミックコンデンサ２に照射し、照射されたレーザ光４４はセラミックコンデンサ２に当たって反射し、反射波となる。反射波は、変換部４６で処理され、オシロスコープ４９から波形が出力される。
【００３５】
セラミックコンデンサ２が振動しているときは、ドップラー効果により反射波の振動数が変化するので、変換部４６のＯ／Ｅ４７、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａ４８等で反射波を処理することにより、セラミックコンデンサ２の歪量Δｘが検出される。
【００３６】
測定対象であるセラミックコンデンサ２は、端子電極が、ハンダ４３で回路基板４上の導体パターン４１にハンダ付けされている。セラミックコンデンサ２に対しては、交流電源４２から５ｋＨｚ、実効電圧１Ｖｒｍｓの正弦波が印加される。セラミックコンデンサ２としては、図１〜図３に示した本発明に係るセラミック電子部品、及び、比較例のセラミック電子部品を用いた。図１〜図３に示した本実施例に係るセラミック電子部品、及び、比較例のセラミック電子部品は、長さ、幅、厚みが３．２ｍｍ×２．５ｍｍ×２．５ｍｍ、静電容量が１０μＦのセラミックコンデンサである。
【００３７】
図５は、比較例のセラミック電子部品を示す斜視図である。比較例のセラミック電子部品は、セラミック基体９１と、端子電極９２１、９２２と、絶縁ギャップ９５１とを含む。図５に示すように、比較例のセラミック電子部品は、端子電極の被覆率が小さく、８０％未満である。
【００３８】
表１は、従来の一般的なセラミック電子部品の寸法、被覆率、ギャップ幅を示す表である。表１に示すように、比較例のセラミック電子部品は、従来の一般的なセラミック電子部品と同程度の小さな被覆率である。
2004039937.tif 000003
図６は、オシロスコープから出力された波形図であり、被覆率が約８０％の本実施例のセラミック電子部品により得られたものである。図７は、オシロスコープから出力された波形図であり、被覆率が約４０％の比較例のセラミック電子部品により得られたものである。
【００３９】
図８は、本実施例のセラミック電子部品、及び、比較例のセラミック電子部品の歪み量を示す特性図である。図において、黒丸は、本実施例のセラミック電子部品の特性を示し、白丸は、比較例のセラミック電子部品の特性を示している。
【００４０】
図８に示したように、被覆率８０％付近の点が臨界点となっており、被覆率が８０％未満の場合、歪み量が大きな値であるのに対して、被覆率が８０％以上の場合、歪み量が減少し、ほぼ一定の値に収束している。特に、０．９≧Ｓ１／Ｓ≧０．８の範囲では、歪み量は一定の安定した値に収束している。
【００４１】
また、本発明に係るセラミック電子部品は、長さ、幅、厚みを３．２ｍｍ×２．５ｍｍ×２．５ｍｍに限定するものでなく、長さ、幅、厚みを任意の寸法としても、同様の作用効果が得られることは、言うまでもない。
【００４２】
また、本実施例に係るセラミック電子部品において、端子電極２１、２２は、セラミック基体１の一側面１１又は他側面１２の全面に備えられ、かつ、これに隣接する面１３、１４、１５、１６に連続して形成されている。このため、端子電極２１、２２は、充分に大きなハンダ付け面積を確保できる。
【００４３】
図９は本発明に係るセラミック電子部品の別の実施例を示す斜視図である。図において、図１〜図３に図示された構成部分と同一の構成部分には、同一の参照符号を付してある。
【００４４】
図において、本実施例に係るセラミック電子部品は、端子電極２１、２２の形状が図１〜図３に図示された実施例と異なる。また、セラミック基体１の表面積をＳとし、端子電極２１、２２の表面積をＳ１としたとき、１＞Ｓ１／Ｓ≧０．８、好ましくは、０．９≧Ｓ１／Ｓ≧０．８を満たすように、絶縁ギャップ５１のギャップ幅αが設定されている。
【００４５】
本実施例に係るセラミック電子部品は、図１〜図３に示したセラミック電子部品と同様の構成を含むので、同様の作用効果を奏することができる。
【００４６】
図１０は本発明に係るセラミック電子部品の更に別の実施例を示す斜視図である。図において、図１〜図３に図示された構成部分と同一の構成部分には、同一の参照符号を付してある。
【００４７】
図において、本実施例に係るセラミック電子部品は、端子電極２１、２２の形状が図１〜図３に図示された実施例と異なる。また、セラミック基体１の表面積をＳとし、端子電極２１、２２の表面積をＳ１としたとき、１＞Ｓ１／Ｓ≧０．８、好ましくは、０．９≧Ｓ１／Ｓ≧０．８を満たすように、絶縁ギャップ５１のギャップ幅αが設定されている。
【００４８】
本実施例に係るセラミック電子部品は、図１〜図３に示したセラミック電子部品と同様の構成を含むので、同様の作用効果を奏することができる。
【００４９】
図１１は本発明に係るセラミック電子部品の更に別の実施例を示す斜視図である。図において、図１〜図３に図示された構成部分と同一の構成部分には、同一の参照符号を付してある。
【００５０】
図１１において、本実施例のセラミック電子部品は、セラミック基体１と、金属膜と、絶縁ギャップ５１１、５１２と、内部電極３１、３２とを含む。本実施例において、金属膜は、２つの端子電極２１、２２と、１つのダミー電極２３である。
【００５１】
ダミー電極２３は、一側面１１に隣接する面１３、１４、１５、１６の一部に備えられた電極であり、形状及び個数は任意である。本実施例において、ダミー電極２３は、端子電極２１、２２及び内部電極３１、３２と絶縁されている。
【００５２】
本実施例に係るセラミック電子部品は、ダミー電極２３の両側に絶縁ギャップ５１１、５１２が形成されているので、２つの絶縁ギャップ５１１、５１２の和が、端子電極２１、２２の短絡を防止するために必要なギャップ幅αとなる。
【００５３】
また、本実施例に係るセラミック電子部品は、図１〜図３に示したセラミック電子部品と同様の構成を含むので、同様の作用効果を奏することができる。
【００５４】
図１２は本発明に係るセラミック電子部品の更に別の実施例を示す正面断面図である。図において、図１〜図３に図示された構成部分と同一の構成部分には、同一の参照符号を付してある。
【００５５】
図１２において、本実施例のセラミック電子部品は、セラミック基体１と、金属膜と、絶縁ギャップ５１と、内部電極３１、３２と、絶縁層６１とを含む。絶縁層６１は、絶縁ギャップ５１上のみに備えられている。
【００５６】
本実施例に係るセラミック電子部品は、２つの端子電極２１、２２の間に絶縁層６１が備えられているので、その分だけ絶縁性が増大し、端子電極の短絡等を確実に回避することができる。
【００５７】
また、本実施例に係るセラミック電子部品は、２つの端子電極２１、２２の間に絶縁層６１が備えられているので、その分だけ剛性が高くなり、電歪による械的振動を更に確実に抑制することができる。
【００５８】
また、本実施例に係るセラミック電子部品は、図１〜図３に示したセラミック電子部品と同様の構成を含むので、同様の作用効果を奏することができる。
【００５９】
図１３は本発明に係るセラミック電子部品の別の実施例を示す斜視図、図１４は図１３の１４−１４線に沿った断面図である。図において、図１〜図３に図示された構成部分と同一の構成部分には、同一の参照符号を付してある。
【００６０】
本実施例に係るセラミック電子部品は、図１３、図１４に示すように、端子電極２１が、セラミック基体１の長さ方向Ｙの一側面１４の全面に備えられ、かつ、一側面１４に隣接する面１１、１２、１５、１６の一部に備えられている。端子電極２２は、一側面１４と対向する他側面１３の全面に備えられ、かつ、一側面１４に隣接する面１１、１２、１５、１６の一部に備えられている。
【００６１】
内部電極３１は、一側面１４に導出され、内部電極３２は、他側面１３に導出されている。また、図１４に示すように、端子電極２１は、一側面１４に導出された内部電極３１に接続される。端子電極２２は、他側面１３に導出された内部電極３２に接続される。
【００６２】
本実施例に係るセラミック電子部品は、図１〜３及び図９〜１２に示したセラミック電子部品と同様の構成を含むので、同様の作用効果を奏することができる。
【００６３】
図１５は本発明に係るセラミック電子部品の更に別の実施例を示す斜視図である。図において、図１〜図１４に図示された構成部分と同一の構成部分には、同一の参照符号を付してある。
【００６４】
図１５において、本実施例のセラミック電子部品は、セラミック基体１と、金属膜と、絶縁ギャップ５１１、５１２と、内部電極３１、３２とを含む。本実施例において、金属膜は、２つの端子電極２１、２２と、１つのダミー電極２３である。
【００６５】
本実施例に係るセラミック電子部品は、図１〜３及び図９〜１４に示したセラミック電子部品と同様の構成を含むので、同様の作用効果を奏することができる。
【００６６】
また、本発明に係るセラミック電子部品は、セラミックコンデンサの他、ジャンパ素子、インダクタ、バリスタまたはそれらの組み合わせになる複合部品等であってもよい。
【００６７】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果を得ることができる。
電歪による械的振動を抑制することにより、雑音を低減し得るセラミック電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るセラミック電子部品を示す斜視図である。
【図２】図１に示したセラミック電子部品の正面断面図である。
【図３】図１に示したセラミック電子部品の分解斜視図である。
【図４】データの測定に用いた歪み検出装置の概略図である。
【図５】比較例のセラミック電子部品を示す斜視図である。
【図６】オシロスコープから出力された波形図である。
【図７】オシロスコープから出力された別の波形図である。
【図８】本実施例のセラミック電子部品及び比較例のセラミック電子部品の歪み量を示す特性図である。
【図９】本発明に係るセラミック電子部品の別の実施例を示す斜視図である。
【図１０】本発明に係るセラミック電子部品の更に別の実施例を示す斜視図である。
【図１１】本発明に係るセラミック電子部品の更に別の実施例を示す斜視図である。
【図１２】本発明に係るセラミック電子部品の更に別の実施例を示す正面断面図である。
【図１３】本発明に係るセラミック電子部品の別の実施例を示す斜視図である。
【図１４】図１３の１４−１４線に沿った断面図である。
【図１５】本発明に係るセラミック電子部品の更に別の実施例を示す斜視図である。
【符号の説明】
１　　　　　　　セラミック基体
２１、２２　　　端子電極
３１、３２　　　内部電極
５１　　　　　　絶縁ギャップ
【図１】
2004039937.tif 000004
【図２】
2004039937.tif 000005
【図３】
2004039937.tif 000006
【図４】
2004039937.tif 000007
【図５】
2004039937.tif 000008
【図６】
2004039937.tif 000009
【図７】
2004039937.tif 000010
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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