(57)【要約】【課題】異なる３色にそれぞれ対応するサブ画素が三角配置されている電気光学装置、および電子機器において、開口率を向上可能な構成を提供すること。【解決手段】電気光学装置１００において、Ｒ、Ｇ、Ｂにそれぞれ対応するサブ画素は、列方向では、同一の繰り返しパターンをもって直線的に配列されている一方、行方向で隣接するサブ画素列では、同一の色に対応するサブ画素が列方向における１．５サブ画素ピッチ分だけ、列方向にシフトし、Ｒ、Ｇ、Ｂにそれぞれ対応するサブ画素が三角配置されている。行方向で隣接するサブ画素列の間において、各データ線２１２には、その両側に位置するサブ画素のうち、一方側のサブ画素の画素電極２３４のみがＴＦＤ素子を介して電気的に接続している。【選択図】      図６
2004258365.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なる３色にそれぞれ対応する多数のサブ画素が行方向および列方向に配列され、かつ、３色にそれぞれ対応するサブ画素が三角配置されている電気光学装置において、
各列において、前記３色にそれぞれ対応するサブ画素が同一の繰り返しパターンをもって直線的に配列されている一方、行方向で隣接するサブ画素列では、同一の色に対応するサブ画素が列方向における１サブ画素ピッチ分を超え、かつ、２サブ画素ピッチ分未満の寸法だけ列方向にシフトしていることにより、３色にそれぞれ対応する前記サブ画素が三角配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１において、行方向で隣接するサブ画素列で同一の色に対応する画素が列方向でシフトしている寸法は、列方向における略１．５サブ画素ピッチ分であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１または２において、行方向で隣接するサブ画素列の間には、列方向に配列された複数のサブ画素が電気的に接続された共用のデータ線が通っており、当該データ線には、当該データ線の両側に位置するサブ画素のうち、一方側に位置するサブ画素の画素電極のみがアクティブ素子を介して電気的に接続していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項３において、前記アクティブ素子は、導電体、絶縁体及び導電体からなる薄膜ダイオード素子であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに規定する電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、異なる３色に対応するサブ画素が三角配置された電気光学装置、およびこの電気光学装置を有する電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、小型コンピュータや、デジタルカメラ、携帯電話機等といった電子機器に液晶装置などといった電気光学装置が広く用いられている。液晶装置は、一般に、液晶を挟んで互いに対向する一対の基板と、これらの基板の対向面にそれぞれ形成された電極とを有する。さらに、これらの両電極と、電極間に挟まれる液晶とによってドット状の画素が形成されており、このような画素は、行方向（横方向）および列方向（縦方向）に多数、マトリクス状に配列している。ここで、画素を形成する電極間に電圧が選択的に印加されると、液晶の配向が変化し、液晶を通過する光量が制御されて、ドット表示が行われることとなる。
【０００３】
このような液晶装置においてカラー表示を行う場合、１画素がＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色にそれぞれ対応するサブ画素に分割され、これらのサブ画素が所定のパターンにてマトリクス状に配列する。なお、一般に、サブ画素における着色は、一方の基板に形成されたカラーフィルタによって行われる。
【０００４】
ここで、液晶装置において、サブ画素の色配列、すなわち、カラーフィルタにおける着色層の配列としては、ＲＧＢストライプ配列やＲＧＢモザイク配列が知られている。このような配列のうち、ＲＧＢストライプ配列は、トリオ配列とも呼ばれ、文字や直線等を表示するデータディスプレイなどの用途に適しているが、他の配列に比べて解像度が低い。また、ＲＧＢモザイク配列は、右上がりの斜線と左上がりのの斜線とにおいて表示品位に差があるので、画像全体に斜線状のノイズが生じる。特に、サブ画素数が少ないとき、そのノイズが顕著となる。
【０００５】
一方、サブ画素の色配列としては、さらには、図９〜図１１に示されるようなＲＧＢデルタ配列なども知られており、図９〜図１１において、「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」は、それぞれサブ画素によって着色される色を示し、具体的には「Ｒ」は赤、「Ｇ」は緑、「Ｂ」は青を、それぞれ示している。また、各データ線２１２と各サブ画素とを結ぶ短い線は、データ線２１２とサブ画素の画素電極とを接続するＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）などのようなアクティブ素子を示している。
【０００６】
ここに示すＲＧＢデルタ配列は、ＲＧＢモザイク配列と比較して１．５倍の水平解像度を有する。なお、斜め成分が劣るためにＲＧＧＢモザイク配列と比較して画像の輪郭等に難があるとされるが、主観評価実験では評価が最も高い。このように、サブ画素の密度を同一として各配列を比較した場合において、高い水平解像度が得られるＲＧＢデルタ配列が、高精細および高画質を図る際に適した配列であると考えられる。
【０００７】
このようなＲＧＢデルタ配列において、サブ画素と、それを駆動するための導通ライン（例えばデータ線または走査線）とを接続するには、次のような２つの配線パターンが知られている。すなわち、図９に示されるように、１本のデータ線２１２が、ＲＧＢの３色のうち、２色のサブ画素の画素電極に接続される配線パターン（以下、タイプ１と称する）と、図１０に示されるように、１色のサブ画素のみの画素電極に接続される配線パターン（以下、タイプ２と称する）とが知られている。
【０００８】
また、図９および図１０に示す配線パターンで問題となる縦ストロークおよび横ストロークに起因する表示品位の低下を防止するために、図１１に示すように、１本のデータ線２１２は、「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」の３色に対応するサブ画素の画素電極に対し、一定の順番で繰返してＴＦＤなどのアクティブ素子を介して接続される一方、ある１本のデータ線２１２に共通接続される画素電極は、そのデータ線２１２からみて、同一サイド（図１１では左サイド）に配置しているものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００１−１９４６８１（第７頁、図１）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図９〜図１１のいずれに示す配線パターンにおいても、列方向に延びるデータ線２１２を途中でコの字形状に屈曲させる必要があるため、各サブ画素の開口率が小さいという問題点がある。特に図１１に示すような配線パターンを採用したとき、配線の引き回し距離が長い分だけ、開口率の低下が著しい。
【００１１】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、異なる３色にそれぞれ対応するサブ画素が三角配置されている電気光学装置、およびそれを用いた電子機器において、開口率を向上可能な構成を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明では、異なる３色にそれぞれ対応する多数のサブ画素が行方向および列方向に配列され、かつ、３色にそれぞれ対応するサブ画素が三角配置されている電気光学装置において、各列において、前記３色にそれぞれ対応するサブ画素が同一の繰り返しパターンをもって直線的に配列されている一方、行方向で隣接するサブ画素列では、同一の色に対応するサブ画素が列方向における１サブ画素ピッチ分を超え、かつ、２サブ画素ピッチ分未満の寸法だけ列方向にシフトしていることにより、３色にそれぞれ対応する前記サブ画素が三角配置されていることを特徴とする。
【００１３】
本発明では、３色にそれぞれ対応するサブ画素が三角配置されているが、３色にそれぞれ対応するサブ画素が同一の繰り返しパターンをもって直線的に配列されているため、データ線を直線的に形成することができる。従って、同一のデータ線で３色分のサブ画素を駆動する配線パターンを採用したときでも、サブ画素の開口率が高い。
【００１４】
本発明において、行方向で隣接するサブ画素列で同一の色に対応する画素が列方向でシフトしている寸法は、例えば、列方向における略１．５サブ画素ピッチ分である。
【００１５】
本発明において、行方向で隣接するサブ画素列の間には、列方向に配列された複数のサブ画素が電気的に接続された共用のデータ線が通っており、当該データ線には、当該データ線の両側に位置するサブ画素のうち、一方側のサブ画素の画素電極のみがアクティブ素子を介して電気的に接続していることが好ましい。この構成によれば、どの行のサブ画素に着目しても、いずれか一方の側に位置するデータ線によって接続され、かつ、各サブ画素は、その他方の側に位置するデータ線としかカップリングしない。このため、各行に存在する同一色のサブ画素を見たとき、それらのサブ画素にカップリングするデータ線によって駆動されるサブ画素の色は各行にわたって同一となる。したがって、横クロストークの影響は、全てのサブ画素に対して均一となるので、スジムラの発生しない良好な表示品質を得ることができる。
【００１６】
本発明において、前記アクティブ素子は、例えば、導電体、絶縁体及び導電体からなる薄膜ダイオード素子であることが好ましい。このようなアクティブ素子により、オンさせるサブ画素とオフさせるサブ画素とを電気的に分離でき、また、アクティブ素子として画素電極と並列な保持容量を形成することが困難な薄膜ダイオー素子を用いた場合であっても、均一な表示画像を得ることが可能となる。
【００１７】
本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機、モバイルコンピュータなどの電子機器に搭載される。
【００１８】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
【００１９】
［全体構成］
図１は、本発明が適用される電気光学装置（液晶表示装置）の電気的構成を示すブロック図である。図２および図３はそれぞれ、電気光学装置のの構成を示す斜視図、および断面図である。図４は、電気光学装置において、ＴＦＤ素子を含む数画素分のレイアウトを示す平面図であり、図５は、そのＡ−Ａ’線に沿って示す断面図である。
【００２０】
図１に示すように、本形態の電気光学装置１００では、複数本の走査線３１２が行（Ｘ）方向に延在して形成され、また、複数本のデータ線２１２が列（Ｙ）方向に延在して形成されるとともに、走査線３１２とデータ線２１２との各交差において画素１１６が形成されている。さらに、各画素１１６は、液晶表示要素（液晶層）１１８と二端子型アクティブ素子たるＴＦＤ素子２２０との直列接続からなり、液晶層１１８が走査線３１２の側に、ＴＦＤ素子２２０がデータ線２１２の側に、それぞれ接続されている。また、各走査線３１２は、走査線駆動回路３５０によって駆動される一方、各データ線２１２は、データ線駆動回路２５０によって駆動される構成となっている。
【００２１】
このような電気光学装置１００は、図２に示すように、一対の透光性基板２００、３００を有する。このうち、基板２００は、アクティブ素子が形成される素子側基板であり、他方、基板３００は、素子側基板２００に対向する対向基板である。
【００２２】
このうち、素子側基板２００の内側表面には、図３に示されるように、複数本のデータ線２１２と、それらのデータ線２１２に接続される複数のＴＦＤ２２０と、それらのＴＦＤ２２０と１対１に接続される画素電極２３４とが形成されている。ここで、各データ線２１２は、図３において紙面に対して垂直方向に延在して形成される一方、ＴＦＤ２２０および画素電極２３４は、ドットマトリクス状に配列している。そして、画素電極２３４などの表面には、一軸配向処理、例えばラビング処理が施された配向膜２１４が形成されている。
【００２３】
一方、対向基板３００の内側表面には、カラーフィルタ３０８が形成されて、「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」の３色の着色層を構成している。なお、これら３色の着色層の隙間には、ブラックマトリクス３０９が形成されて、着色層の隙間からの入射光を遮蔽する構成となっている。カラーフィルタ３０８およびブラックマトリクス３０９の表面にはオーバーコート層３１０が形成され、さらに、その表面には、走査線として機能する対向電極３１２が、データ線２１２と直交する方向に形成されている。なお、オーバーコート層３１０は、カラーフィルタ３０８およびブラックマトリクス３０９の平滑性を高めて、対向電極３１２の断線を防止する目的などのために設けられる。さらに、対向電極３１２の表面には、ラビング処理が施された配向膜３１４が形成されている。なお、配向膜２１４、３１４は、一般にポリイミド等から形成される。
【００２４】
素子側基板２００と対向基板３００とは、スペーサ（図示省略）を含むシール材１０４によって一定の間隙を保って接合されるとともに、この間隙に、液晶１０５が封入された構成となっている。また、素子側基板２００の外側表面には、配向膜２１４へのラビング方向に対応した光軸を有する偏光板３１７が貼着されている。同様に、対向基板３００の外側表面には、配向膜３１４へのラビング方向に対応した光軸を有する偏光板２１７が貼着されている。
【００２５】
また、電気光学装置１００は、図２に示すように、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）技術が適用されて、素子側基板２００の表面に直接、液晶駆動用ＩＣ（ドライバ）２５０が実装されている。この結果、液晶駆動用ＩＣ２５０の各出力端子が、データ線２１２のそれぞれに接続されている。同様に、対向基板３００の表面にも直接、液晶駆動用３５０が実装されて、液晶駆動用ＩＣ３５０の各出力端子が、走査線たる対向電極２１２のそれぞれに接続されている。
【００２６】
なお、ＣＯＧ技術に限られず、それ以外の技術を用いて、ＩＣチップと液晶装置とが接続された構成としても良い。例えば、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術を用いて、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）の上にＩＣチップがボンディングされたＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）を電気光学装置に電気的に接続する構成としても良い。また、ＩＣチップをハード基板にボンディングするＣＯＢ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｂｏａｒｄ）技術を用いても良い。
【００２７】
図４および図５において、ＴＦＤ素子２２０は、第１のＴＦＤ素子２２０ａおよび第２のＴＦＤ素子２２０ｂからなり、素子基板２００の表面に形成された絶縁膜２０１上において、第１金属膜２２２と、この第１金属膜２２２の表面に陽極酸化によって形成された絶縁体たる酸化膜２２４と、この表面に形成されて相互に離間した第２金属膜２２６ａ、２２６ｂとから構成されている。また、第２金属膜２２６ａは、そのままデータ線２１２となる一方、第２金属膜２２６ｂは、画素電極２３４に接続されている。
【００２８】
ここで、第１のＴＦＤ素子２２０ａは、データ線２１２の側からみると順番に、第２金属膜２２６ａ／酸化膜２２４／第１金属膜２２２となって、金属（導電体）／絶縁体／金属（導電体）のサンドイッチ構造を採るため、正負双方向のダイオードスイッチング特性を有することになる。一方、第２のＴＦＤ素子２２０ｂは、データ線２１２の側からみると順番に、第１金属膜２２２／酸化膜２２４／第２金属膜２２６ｂとなって、第１のＴＦＤ素子２２０ａとは、反対のダイオードスイッチング特性を有することになる。したがって、ＴＦＤ素子２２０は、２つのダイオードを互いに逆向きに直列接続した形となっているため、１つのダイオードを用いる場合と比べると、電流−電圧の非線形特性が正負の双方向にわたって対称化されることになる。なお、このように非線形特性を厳密に対称化する必要がないのであれば、１つのＴＦＤ素子のみを用いても良い。
【００２９】
一方、第２金属膜２２６ｂに接続される画素電極２３４は、透過型として用いられる場合には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明性金属膜から形成される一方、反射型として用いられる場合には、アルミニウムや銀などの反射率の大きな反射性金属膜から形成される。なお、画素電極２３４は、反射型であってもＩＴＯなどの透明性金属から形成される場合もある。この場合には、反射層としての反射性金属が形成された後に、層間絶縁膜を介して、透明性金属からなる画素電極２３４が形成される。一方、半透過・半反射型として用いられる場合には、反射層を極く薄く形成して半透過鏡とするか、あるいは、スリットが設けられる構成となる。
【００３０】
また、素子基板２００自体は、例えば、石英やガラスなどの絶縁性を有するものが用いられる。なお、透過型として用いる場合には、透明であることも素子基板２００の要件となるが、反射型として用いる場合には、透明であることが要件にならない。また、図５において、素子基板２００の表面に絶縁膜２０１が設けられる理由は、熱処理により、第１金属膜２２２が下地から剥離しないようにするとともに、第１金属膜２２２に不純物が拡散しないようにするためである。したがって、これが問題とならない場合には、絶縁膜２０１は省略可能である。
【００３１】
なお、ＴＦＤ素子２２０は、ダイオード素子としての一例であり、他に、酸化亜鉛（ＺｎＯ）バリスタや、ＭＳＩ（Ｍｅｔａｌ  Ｓｅｍｉ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）などを用いた素子や、これらの素子を、単体、または、逆向きに直列接続もしくは並列接続したものなどが適用可能である。
【００３２】
［サブ画素の色配列パターン］
図６は、図１に示す電気光学装置におけるサブ画素の色配列、およびサブ画素とデータ線との対応関係を示す説明図である。
【００３３】
本形態の電気光学装置１００において、素子側基板２００の内側表面において、ＴＦＤ２２０および画素電極２３４は、図４および図６に示すようにドットマトリクス状に配列されている。
【００３４】
また、画素電極２３４は、列方向（すなわち、縦方向）において直線的に配列している一方、行方向（すなわち、横方向）において隣接する画素電極２３４では、列方向における０．５ピッチ分だけ列方向にシフトしている。
【００３５】
一方、対向基板３００の表面内側に形成される対向電極３１２は、素子側基板２００に形成される画素電極２３４の１行分と対向する位置関係にあり、さらに、対向基板３００に形成されるカラーフィルタ３０８のうち、１色分の着色層は、画素電極２３４と対向電極３１２との交差領域に対応して設けられている。従って、１つのサブ画素は、画素電極２３４と、対向電極３１２と、この間に挟持された液晶１０５と、カラーフィルタ３０８における１色分の着色層とから構成されることとなる。
【００３６】
ここで、各画素電極２３４に付された「Ｒ」は、これと対向する対向基板３００に形成されるカラーフィルタ３０８において、赤色光を透過する着色層が配置していることを示している。同様に「Ｇ」は、緑色光を透過する着色層が配置していることを示し、「Ｂ」は、青色光を透過する着色層が配置していることを示している。
【００３７】
従って、本形態では、異なる３色、Ｒ、Ｇ、Ｂにそれぞれ対応する多数のサブ画素も行方向および列方向に配列されている。また、列方向では、Ｒ、Ｇ、Ｂにそれぞれ対応するサブ画素が同一の繰り返しパターンをもって直線的に配列されている一方、行方向で隣接するサブ画素列では、同一の色に対応するサブ画素が列方向における１．５サブ画素ピッチ分だけ、列方向にシフトしていることにより、Ｒ、Ｇ、Ｂにそれぞれ対応するサブ画素が三角配置されている。
【００３８】
さらに、配線パターンとして、本形態では、行方向で隣接するサブ画素列の間には、列方向に配列された複数のサブ画素の画素電極が電気的に接続されたデータ線２１２（共用配線）が通っており、これらのデータ線２１２には、データ線２１２の両側に位置するサブ画素のうち、一方側のサブ画素の画素電極２３４のみがＴＦＤ素子を介して電気的に接続している。
【００３９】
（動作）
このように構成された電気光学装置１００において、液晶駆動用ＩＣ２５０、３５０が作動すると、選択されたサブ画素では、画素電極２３４と対向電極３１２との間にオン電圧またはオフ電圧が印加される結果、かかる電圧制御によって液晶１０５の配向状態が各サブ画素ごとに制御される。そして、この配向制御に基づいて特定色のサブ画素を通過する光が変調されるので、文字や、数字、絵柄等といった画像がカラー表示されることとなる。
【００４０】
このような表示動作を行う際、本形態では、走査線３１２の各々には、データ線２１２に印加されるデータ信号の中間値を基準として異なる極性の選択電圧が、１水平走査期間毎に反転されて順次供給される。このような駆動方式を採用する際の動作を図６を参照して説明する。なお、ここでの説明では、ノーマリーホワイトモードであるとして、赤色の表示を行う場合を想定する。
【００４１】
まず、ある１水平走査期間において、ｎ本目の走査線３１２（ｎ）が選択されて、当該走査線３１２（ｎ）に例えば負極性の選択電圧が印加されると、走査線３１２（ｎ）に接続するＲ（ｎ）のサブ画素については白表示とする必要から、Ｒ（ｎ）のサブ画素に対応するデータ線２１２には、選択信号の極性とは同一の負極性（Ｌ）のデータ信号が印加される。このため、Ｒ（ｎ）のサブ画素における液晶層では、電圧絶対値の小さい書き込みが行われることとなる。
【００４２】
この際、Ｒ（ｎ）のサブ画素に対して列方向で相隣接するＢ（ｎ−１）のサブ画素、およびＧ（ｎ＋１）のサブ画素における画素電極２３４は、走査線３１２（ｎ）ではなく、ｎ−１本目およびｎ＋１本目の走査線３１２（ｎ−１）、３１２（ｎ＋１）に接続されている。このため、Ｂ（ｎ−１）のサブ画素、およびＧ（ｎ＋１）のサブ画素において、この水平走査期間では書き込みが行われない。従って、Ｒ（ｎ）のサブ画素の書き込みは、それに隣接するＢ（ｎ−１）のサブ画素、およびＧ（ｎ＋１）のサブ画素における書き込みの影響を受けないで行われることとなる。
【００４３】
そして、次の１水平走査期間において走査線３１２（ｎ−１）、３１２（ｎ＋１）が選択されて、走査線３１２（ｎ−１）、３１２（ｎ＋１）に正極性の選択電圧が印加されたとき、Ｂ（ｎ−１）のサブ画素、およびＧ（ｎ＋１）のサブ画素については黒表示とする必要から、これらの画素に対応するデータ線２１２には、当該選択信号の極性とは反対の負極性（Ｌ）のデータ信号が印加される。このため、、Ｂ（ｎ−１）のサブ画素、およびＧ（ｎ＋１）のサブ画素における液晶層では、電圧絶対値の大きい書き込みが行われることとなる。
【００４４】
一方、この水平走査期間においては、走査線３１２（ｎ）には選択信号が印加されておらず、また、Ｒ（ｎ）のサブ画素における書き込みは、直前の水平走査期間においてすでに完了している。さらに、Ｂ（ｎ−１）のサブ画素、およびＧ（ｎ＋１）のサブ画素に対応するデータ線２１２には、そこに挟まれたＲ（ｎ）のサブ画素における書き込み時と同様に、負極性（Ｌ）のデータ信号が印加される。このため、Ｂ（ｎ−１）のサブ画素、およびＧ（ｎ＋１）のサブ画素における書き込みは、Ｒ（ｎ）のサブ画素においてすでに行われた書き込みに影響をほとんど与えないので、Ｒ（ｎ）のサブ画素は、本来の濃度を保つことになる。
【００４５】
この点については、その他のＲの画素についても同様であり、あるＲの画素において印加される選択信号の極性が正極性（＋）であれば、当該Ｒの画素に対応するデータ２１２には正極性（Ｈ）のデータ信号が印加され、また、それに隣接するＢの画素およびＧの画素への書き込み時に印加されるデータ信号も正極性（Ｈ）となる。一方、あるＲの画素において印加される選択信号の極性が負極性（−）であれば、当該Ｒの画素に対応するデータ２１２には負極性（Ｌ）のデータ信号が印加され、また、それに隣接するＢの画素およびＧの画素への書き込み時に印加されるデータ信号も負極性（Ｌ）となる。このため、他のＲの画素も同様に、隣接するＢの画素およびＧの画素における書き込みによる影響を受けにくくなって、画素濃度の低下が防止されることとなる。この点については、赤色を表示する場合に限られず、他の原色たる緑色または青色を表示する場合でも同様である。
【００４６】
このように、列方向で相隣接するサブ画素同士では異なる水平走査期間において書き込みが行われる。さらに、列方向で相隣接するサブ画素同士を互いに異なる表示（白あるいは黒）とするのであれば、これらの画素に対応するデータ線２１２に印加されるデータ信号の極性が、互いに同一極性となるので、列方向で隣接するサブ画素における書き込みの影響を受けにくくなる。このため、本実施形態では、画素濃度の低下が防止されて、高品位な画像表示が可能となるのである。
【００４７】
（本形態の効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００では、カラーフィルタの配列がＲＧＢデルタ配列となっているので、ＲＧＢストライプ配列やＲＧＢモザイク配列と比較して、高い水平解像度を得ることができ、その結果、高精細および高画質の液晶表示を行うことが可能となっている。
【００４８】
また、本態では、１本のデータ線２１２が３色分のサブ画素を駆動する、という配線パターンが採用されているので、図９に示すサブ画素の色配列を採用した場合の縦クロストーク抑えられる。それ故、品位の高い画像を表示できる。
【００４９】
さらに、本形態では、どの行のサブ画素に着目しても、常に右側に位置するデータ線２１２に接続され、かつ、各サブ画素は、その反対の左側に位置するデータ線２１２としかカップリングしない。このため、各行において同一色のサブ画素を見たとき、それらのサブ画素にカップリングするデータ線２１２によって駆動されるサブ画素の色は、各行にわたって同一となる。したがって、各行において各色のサブ画素に及ぼされるクロストークの影響は、全てのサブ画素に対して均一となるので、スジムラの発生しない良好な表示品質を得ることができる。
【００５０】
しかも、このような構成を実現するにあたって、本形態では、列方向では、Ｒ、Ｇ、Ｂにそれぞれ対応するサブ画素が同一の繰り返しパターンをもって直線的に配列されている。このため、データ線２１２を直線的に形成すればよいので、各サブ画素における開口率が高いという利点がある。
【００５１】
［その他の実施の形態］
なお、上記形態では、行方向で隣接するサブ画素列では、同一の色に対応するサブ画素が列方向における１．５サブ画素ピッチ分だけ、列方向にシフトした構成であったが、同一の色に対応するサブ画素が列方向における１サブ画素ピッチ分を超え、かつ、２サブ画素ピッチ分未満の寸法だけ列方向にシフトしている構成であればよく、例えば、図７に示すように、同一の色に対応するサブ画素が列方向における１．２５サブ画素ピッチ分だけ、列方向にシフトした構成であってもよい。
【００５２】
また、上記形態では、アクティブ素子としてＴＦＤ素子を用いた例であったが、アクティブ素子としてＴＦＴを用いた電気光学装置に本発明を適用してよい。
【００５３】
［電子機器への搭載例］
図８は、本形態の電気光学装置を搭載した電子機器の一例としての携帯電話の構成を示す斜視図である。
【００５４】
図８において、携帯電話１４００は、複数の操作ボタン１４０２のほか、受話口１４０４、送話口１４０６とともに、電気光学装置１００を備えるものである。この電気光学装置１００にも、必要に応じてその背面にバックライトが設けられる。
【００５５】
なお、本形態の電気光学装置を搭載可能な電子機器としては、携帯電話機の他、モバイルコンピュータ、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用される電気光学装置（液晶表示装置）の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示す電気光学装置の構成を示す斜視図である。
【図３】図１に示す電気光学装置の構成を示す断面図である。
【図４】図１に示す電気光学装置において、ＴＦＤ素子を含む数画素分のレイアウトを示す平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ’線に沿って示す断面図である。
【図６】図１に示す電気光学装置におけるサブ画素の色配列、およびサブ画素とデータ線との対応関係を示す説明図である。
【図７】本発明を適用した電気光学装置におけるサブ画素の色配列の変形例を示す説明図である。
【図８】本発明に係る電気光学装置を搭載した電子機器の一例たる携帯電話機の説明図である。
【図９】従来のＲＧＢデルタ配列、およびサブ画素とデータ線との対応関係を示す説明図である。
【図１０】従来のＲＧＢデルタ配列、およびサブ画素とデータ線との別の対応関係を示す説明図である。
【図１１】従来のＲＧＢデルタ配列、およびサブ画素とデータ線とのさらに別の対応関係を示す説明図である。
【符号の説明】
１００  電気光学装置、１１６  画素、１１８  液晶、２００  素子側基板、２１２  データ線、２２０  ＴＦＤ素子、２３４  画素電極、３００  対向基板、３０８  カラーフィルタ、３１２  走査線、Ｒ  赤のサブ画素、Ｇ  緑のサブ画素、Ｂ  青のサブ画素
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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