(57)【要約】【課題】比誘電率εｒが高く、無負荷Ｑ値を高く維持でき、かつ共振周波数の温度係数τｆを低く維持できるような低温焼成用誘電体組成物を提供する。【解決手段】本発明の低温焼成用誘電体組成物は、組成 x・BaO-y・TiO2-z1・Nd2O3-z2・La2O3-z3・Sm2O3-ｔ・Bi2O3(x + ｙ+ ｚ1+ｚ2+ ｚ3 + ｔ＝ 1； 0.070≦x≦0.300； 0.385≦y≦0.844； 0.010≦z1≦0.130； 0.000≦z2≦0.120； 0.000≦z3≦0.120；0.075＜ｔ≦0.185)を有する主成分組成物100重量部に対して、B2O3を0.1重量％以上含有するガラス成分を0.05重量部以上、20重量部以下混合してなる。あるいは、前記主成分組成物100重量部に対して、B2O3が0.05重量部以上10重量部以下含有されている。【選択図】            なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成  x・BaO-y・TiO2-z1・Nd2O3-z2・La2O3-z3・Sm2O3-ｔ・Bi2O3
(x + ｙ+ ｚ1+
ｚ2+ ｚ3 + ｔ＝ 1； 0.070≦x≦0.300； 0.385≦y≦0.844； 0.010≦z1≦0.130； 0.000≦z2≦0.120；
0.000≦z3≦0.120；0.075＜ｔ≦0.185)を有する主成分組成物100重量部に対して、B2O3を0.1重量％以上含有するガラス成分を0.05重量部以上、20重量部以下混合してなることを特徴とする、低温焼成用誘電体組成物。
【請求項２】
前記ガラス成分が、以下の組成系から選択されていることを特徴とする、請求項１記載の低温焼成用誘電体組成物。
ZnO‐B2O3‐SiO2系、 ZnO‐Bi2O3-B2O3‐SiO2系、 B2O3-SiO2系、 RO-B2O3-SiO2系ガラス（Rはアルカリ土類金属）、
GeO2-B2O3系、 GeO2-B2O3‐SiO2系、 GeO2-ZnO-B2O3‐SiO2系、 GeO2-ZnO‐B2O3系、 Li2O-Al2O3-SiO2-B2O3系、 Li2O-Al2O3-SiO2-ZnO-B2O3系、 RO-Li2O-Al2O3-SiO2-B2O3系（Rはアルカリ土類金属）、
RO-Li2O-Al2O3-SiO2-ZnO-B2O3系（Rはアルカリ土類金属）、
Re2O-B2O3-SiO2系（Reはアルカリ金属）、
Re2O-B2O3-ZnO-SiO2系（Reはアルカリ金属）、
Re2O-RO-B2O3-SiO2系ガラス（Reはアルカリ金属、Rはアルカリ土類金属）、
Re2O-RO-B2O3-ZnO-SiO2系ガラス（Reはアルカリ金属、Rはアルカリ土類金属）
【請求項３】
前記ガラス成分が、
k（重量％) ZnO・m(重量％) B2O3・n（重量％) SiO2にて表される組成のZnO-B2O3-SiO2系ガラス成分（10≦k≦85，
5≦m≦50， 2≦n≦60; ｋ+ｍ+ｎ＝100）であることを特徴とする、請求項２記載の低温焼成用誘電体組成物。
【請求項４】
組成  x・BaO-y・TiO2-z1・Nd2O3-z2・La2O3-z3・Sm2O3-ｔ・Bi2O3
(x + ｙ+ ｚ1+
ｚ2+ ｚ3 + ｔ＝ 1;  0.070≦x≦0.300； 0.385≦y≦0.844；
0.010≦z1≦0.130； 0.000≦z2≦0.120； 0.000≦z3≦0.120；0.075＜ｔ≦0.185)を有する主成分組成物100重量部に対して、B2O3が0.05重量部以上、10重量部以下含有されていることを特徴とする、低温焼成用誘電体組成物。
【請求項５】
組成  x・BaO-y・TiO2-z1・Nd2O3-z2・La2O3-z3・Sm2O3-ｔ・Bi2O3
(x + ｙ+ ｚ1+
ｚ2+ ｚ3 + ｔ＝ 1； 0.100≦x≦0.250； 0.600≦y≦0.750； 0.010≦z1≦0.120； 0.000≦z2≦0.120；
0.000≦z3≦0.120；0.010≦(ｚ1+ ｚ2+ ｚ3 )≦0.120；0.065≦ｔ≦0.075；0.35≦ｔ／（z1＋z2＋z3＋ｔ)を有する主成分組成物100重量部に対して、B2O3を0.1重量％以上含有するガラス成分を0.05重量部以上、20重量部以下混合してなることを特徴とする、低温焼成用誘電体組成物。
【請求項６】
前記ガラス成分が、以下の組成系から選択されていることを特徴とする、請求項５記載の低温焼成用誘電体組成物。
ZnO‐B2O3‐SiO2系、 ZnO‐Bi2O3-B2O3‐SiO2系、 B2O3-SiO2系、 RO-B2O3-SiO2系ガラス（Rはアルカリ土類金属）、
GeO2-B2O3系、 GeO2-B2O3‐SiO2系、 GeO2-ZnO-B2O3‐SiO2系、 GeO2-ZnO‐B2O3系、 Li2O-Al2O3-SiO2-B2O3系、 Li2O-Al2O3-SiO2-ZnO-B2O3系、 RO-Li2O-Al2O3-SiO2-B2O3系（Rはアルカリ土類金属）、
RO-Li2O-Al2O3-SiO2-ZnO-B2O3系（Rはアルカリ土類金属）、
Re2O-B2O3-SiO2系（Reはアルカリ金属）、
Re2O-B2O3-ZnO-SiO2系（Reはアルカリ金属）、
Re2O-RO-B2O3-SiO2系ガラス（Reはアルカリ金属、Rはアルカリ土類金属）、
Re2O-RO-B2O3-ZnO-SiO2系ガラス（Reはアルカリ金属、Rはアルカリ土類金属）
【請求項７】
前記ガラス成分が、
k（重量％) ZnO・m(重量％) B2O3・n（重量％) SiO2にて表される組成のZnO-B2O3-SiO2系ガラス成分（10≦k≦85，
5≦m≦50， 2≦n≦60; ｋ+ｍ+ｎ＝100）であることを特徴とする、請求項６記載の低温焼成用誘電体組成物。
【請求項８】
組成  x・BaO−y・TiO2−z1・Nd2O3−z2・La2O3−z3・Sm2O3−ｔ・Bi2O3
(x + ｙ+ ｚ1+ ｚ2+ ｚ3 + ｔ＝ 1;  0.100≦x≦0.250；
0.600≦y≦0.750； 0.010≦z1≦0.120； 0.000≦z2≦0.120； 0.000≦z3≦0.120；0.010≦(ｚ1+ ｚ2+ ｚ3
)≦0.120；0.065≦ｔ≦0.075；0.35≦ｔ／（z1＋z2＋z3＋ｔ)を有する主成分組成物100重量部に対して、B2O3が0.05重量部以上、10重量部以下含有されていることを特徴とする、低温焼成用誘電体組成物。
【請求項９】
Ag，CuおよびNiからなる群より選ばれた一種以上の金属を金属換算で合計で5重量％以下含有することを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一つの請求項に記載の低温焼成用誘電体組成物。
【請求項１０】
CuO、V2O5およびWO3からなる群より選ばれた一種以上の金属酸化物を含有することを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一つの請求項に記載の低温焼成用誘電体組成物。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一つの請求項に記載の低温焼成用誘電体組成物を含むことを特徴とする、電子部品。
【請求項１２】
誘電体積層フィルターであることを特徴とする、請求項１１記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高い比誘電率εｒを有する低温焼成磁器およびこれを用いた電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機等の高周波回路無線機器においては、高周波回路フィルターとして、例えばトップフィルター、送信用段間フィルター、ローカルフィルター、受信用段間フィルター等として、積層型誘電体フィルターが使用されている。
【０００３】
誘電型積層フィルターを製造するためには、誘電体を構成するセラミック粉末の成形体を複数作製し、各成形体に対して、所定の導体ペーストを塗布することによって所定の電極パターンを各成形体に作製する。次いで、各成形体を積層して積層体を得、この積層体を焼成することによって、導体ペースト層と各成形体とを同時に焼成し、緻密化させる。
【０００４】
この際、電極は一般的に銀系導体、銅系導体、ニッケル系導体のような低融点金属の導体を使用しているが、これらの融点は例えば１１００℃以下であり、Agの融点は950〜960℃付近にある。このため、誘電体の焼成温度を電極の融点よりも低くする必要がある。
【０００５】
本出願人は、特許文献１において、このような低温焼成用誘電体組成物を開示した。
【特許文献１】特開平５−３１９９２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、最近は、電子部品の一層の小型化が求められており、このために誘電体磁器組成物の比誘電率εｒを上昇させることが求められている。例えば、誘電率80では誘電体積層フィルター形状の小型化は2.0mm×1.25mmが限界である。しかし、誘電体磁器組成物の誘電率を110以上とすることで、例えば1.6mm×0.8mmの寸法まで小さくすることが可能になる。
【０００７】
本発明の課題は、比誘電率εｒが高く、無負荷Ｑ値を高く維持でき、かつ共振周波数の温度係数τｆを低く維持できるような低温焼成用誘電体組成物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第一の発明は、組成  x・BaO−y・TiO2−z1・Nd2O3
−z2・La2O3−z3・Sm2O3−ｔ・Bi2O3
(x + ｙ+ ｚ1+ ｚ2+ ｚ3 + ｔ＝ 1； 0.070≦x≦0.300； 0.385≦y≦0.844； 0.010≦z1≦0.130；
0.000≦z2≦0.120； 0.000≦z3≦0.120；0.075＜ｔ≦0.185)を有する主成分組成物100重量部に対して、B2O3を0.1重量％以上含有するガラス成分を0.05重量部以上、20重量部以下混合してなることを特徴とする、低温焼成用誘電体組成物に係るものである。
【０００９】
また、第二の発明は、組成  x・BaO−y・TiO2−z1・Nd2O3
−z2・La2O3−z3・Sm2O3−ｔ・Bi2O3  (x + ｙ+ ｚ1+ ｚ2+ ｚ3 + ｔ＝ 1； 0.070≦x≦0.300；
0.385≦y≦0.844； 0.010≦z1≦0.130； 0.000≦z2≦0.120； 0.000≦z3≦0.120；0.075＜ｔ≦0.185)を有する主成分組成物100重量部に対して、B2O3が0.05重量部以上10重量部以下含有されていることを特徴とする、低温焼成用誘電体組成物に係るものである。
第一の発明と第二の発明とは、磁器の基本組成を同一とするものである。
【００１０】
第三の発明は、組成  x・BaO−y・TiO2−z1・Nd2O3
−z2・La2O3−z3・Sm2O3−ｔ・Bi2O3
(x + ｙ+ ｚ1+ ｚ2+ ｚ3 + ｔ＝ 1； 0.100≦x≦0.250； 0.600≦y≦0.750； 0.010≦z1≦0.120；
0.000≦z2≦0.120； 0.000≦z3≦0.120；0.010≦(ｚ1+ ｚ2+ ｚ3 )≦0.120；0.065≦ｔ≦0.075；0.35≦ｔ／（z1＋z2＋z3＋ｔ)）を有する主成分組成物100重量部に対して、B2O3を0.1重量％以上含有するガラス成分を0.05重量部以上、20重量部以下混合してなることを特徴とする、低温焼成用誘電体組成物に係るものである。
【００１１】
第四の発明は、組成  x・BaO−y・TiO2−z1・Nd2O3
−z2・La2O3−z3・Sm2O3−ｔ・Bi2O3
(x + ｙ+ ｚ1+ ｚ2+ ｚ3 + ｔ＝ 1; 0.100≦x≦0.250； 0.600≦y≦0.750； 0.010≦z1≦0.120；
0.000≦z2≦0.120； 0.000≦z3≦0.120；0.010≦(ｚ1+ ｚ2+ ｚ3 )≦0.120；0.065≦ｔ≦0.075；0.35≦ｔ／（z1＋z2＋z3＋ｔ)を有する主成分組成物100重量部に対して、B2O3が0.05重量部以上、10重量部以下含有されていることを特徴とする、低温焼成用誘電体組成物に係るものである。
第三の発明と第四の発明とは、磁器の基本組成を同一とするものである。
【００１２】
また、本発明は、第一〜第四の発明に係る各低温焼成用誘電体組成物を含むことを特徴とする、電子部品に係るものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の誘電体磁器組成物は、比誘電率（εｒ）、Ｑ値が高く、τｆ（共振周波数の温度係数）を低減できるものであり、かつ低温焼成が可能なものである。典型的には、組成が本発明クレームの範囲内にある場合は、比誘電率εrを１１０以上とし、Ｑを２００以上とし、τｆの絶対値を５０以下とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
第一の発明、第二の発明において、主成分組成物は同じであるので、まとめて説明する。
【００１５】
本主成分組成物において、ＢａＯの比率xは、0.070以上、0.300以下とする。ｘを0.070以上とすることによって、比誘電率εｒが向上する。この観点からは、ｘを0.070以上とすることが好ましく、0.100以上とすることが更に好ましい。また、ｘを0.300以下とすることによって、Ｑ値を向上させ、τｆを低減することができる。この観点からは、ｘを0.300以下とすることが好ましく、0.250以下とすることが更に好ましい。
【００１６】
TiO2の比率ｙは、0.385以上、0.844以下とする。ｙを0.385以上とすることによって、Ｑ値を向上させ、τｆを低減することができる。この観点からは、ｙを0.385以上とすることが好ましく、0.390以上とすることが更に好ましい。また、ｙを0.844以下とすることによって、比誘電率εｒを向上させることができる。この観点からは、ｙを0.844以下とすることが好ましく、0.800以下とすることが更に好ましい。
【００１７】
Nd2O3 の比率ｚ1は、0.010以上、0.130以下とする。ｚ1を0.010〜0.130とすることによって、比誘電率εｒを高く維持できる。Z1は、0.030以上であることが更に好ましく、あるいは、0.130以下であることが更に好ましい。
【００１８】
Bi2O3 の比率ｔは0.075を超えており、0.185以下とする。ｔが0.075を超えることによって、比誘電率εｒが向上する。この観点からは、ｔが0.0751以上であることが好ましく、0.076以上とすることが更に好ましい。また、ｔを0.185以下とすることによって、Ｑ値を向上させ、τｆを低減することができる。この観点からは、ｔを0.185以下とすることが好ましく、0.160以下とすることが更に好ましい。
【００１９】
La2O3 の比率ｚ2は0.120以下とする。La2O3
を添加することによて、比誘電率εｒが一層向上する。この観点からは、ｚ２を0.000以上とすることが好ましい。また、ｚ２を0.120以下とすることによって、Ｑ値を高くでき、τｆを低減できる。この観点からは、ｚ2を0.120以下とすることが好ましく、0.100以下とすることが更に好ましい。
【００２０】
Sm2O3 の比率ｚ3は0.120以下とする。Sm2O3
を0.120以下添加することによって、比誘電率εｒを高くし、Ｑ値を向上させ、τｆを低減することができる。この観点からは、ｚ3を0.000以上とすることが好ましい。また、z3を0.120以下とすることが好ましく、0.100以下とすることが更に好ましい。
【００２１】
第三の発明、第四の発明において、主成分組成物は同じであるので、まとめて説明する。
本主成分組成物において、ＢａＯの比率xは、0.100以上、0.250以下とする。ｘを0.100以上とすることによって、比誘電率εｒが向上する。この観点からは、ｘを0.150以上とすることが更に好ましい。また、ｘを0.250以下とすることによって、Ｑ値を向上させ、τｆを低減することができる。この観点からは、ｘを0.200以下とすることが更に好ましい。
【００２２】
TiO2の比率ｙは、0.600以上、0.750以下とする。ｙを0.600以上とすることによって、Ｑ値を向上させ、τｆを低減することができる。この観点からは、ｙを0.640以上とすることが更に好ましい。また、ｙを0.750以下とすることによって、比誘電率εｒを向上させることができる。この観点からは、ｙを0.720以下とすることが更に好ましい。
【００２３】
Nd2O3 の比率ｚ1は、0.010以上、0.120以下とする。ｚ1を0.120以下とすることによって、比誘電率εｒを高く維持できる。Ｚ1を0.010以上とすることによって、τｆを低く維持できる。このｚ1は、0.030以上であることが更に好ましい。
【００２４】
La2O3 の比率ｚ2は0.120以下とする。La2O3
を添加することによって、比誘電率εｒが一層向上する。ｚ２を0.120以下とすることによって、Ｑ値を高くでき、τｆを低減できる。
【００２５】
Sm2O3 の比率ｚ3は0.120以下とする。Sm2O3
を0.120以下添加することによって、比誘電率εｒを高くし、Ｑ値を向上させ、τｆを低減することができる。
【００２６】
(ｚ1+ ｚ2+ ｚ3 )は、0.010以上、0.120以下とする。これによって比誘電率εｒを向上させることができる。
【００２７】
Bi2O3 の比率ｔは、0.65以上、0.75以下とする。ｔが0.75以下の場合には、ｔ／（z1＋z2＋z3＋ｔ)が0.35以上の場合に限り、比誘電率εｒが高くなることを見いだした。また、ｔ／（z1＋z2＋z3＋ｔ)が0.35以上の場合であっても、ｔが0.065未満になると、Ｑ値が低下することも判明した。また、ｔ／（z1＋z2＋z3＋ｔ)が0.35未満でああると、ｔが0.65〜0.75の範囲内にある場合でも、やはり比誘電率εｒが低下することもわかった。
【００２８】
第一の発明、第三の発明においては、前記主成分組成物に対して、B2O3を0.1重量％以上含有するガラス成分を0.05重量部以上、20重量部以下混合する。ここで、ガラス成分に対してB2O3を0.1重量％以上含有させることによって、磁器の低温焼成が可能となる。この観点からは、ガラス成分におけるB2O3の含有率は、
0.05以上とすることが好ましく、0.10以上とすることが更に好ましい。
【００２９】
また、前記ガラス製分の添加量は0.05重量部以上とする必要があり、これによって磁器の比誘電率εｒを向上させることができる。この観点からは、前記ガラス製分の添加量は、0.05重量部以上とすることが好ましく、0.10重量部以上とすることが更に好ましい。また、また、ガラス成分の添加量を20.0重量部以下とすることによって、比誘電率εｒを高くできる。この観点からは、ガラス成分の添加量を20.00重量部以下とすることが好ましく、15.00重量部以下とすることが更に好ましい。
【００３０】
前記ガラス成分は限定されないが、特に好ましくは以下のものである。
ZnO‐B2O3‐SiO2系、 ZnO‐Bi2O3-B2O3‐SiO2系、 B2O3-SiO2系、 RO-B2O3-SiO2系ガラス（Rはアルカリ土類金属）、
GeO2-B2O3系、 GeO2-B2O3‐SiO2系、 GeO2-ZnO-B2O3‐SiO2系、 GeO2-ZnO‐B2O3系、 Li2O-Al2O3-SiO2-B2O3系、 Li2O-Al2O3-SiO2-ZnO-B2O3系、 RO-Li2O-Al2O3-SiO2-B2O3系（Rはアルカリ土類金属）、
RO-Li2O-Al2O3-SiO2-ZnO-B2O3系（Rはアルカリ土類金属）、
Re2O-B2O3-SiO2系（Reはアルカリ金属）、
Re2O-B2O3-ZnO-SiO2系（Reはアルカリ金属）、
Re2O-RO-B2O3-SiO2系ガラス（Reはアルカリ金属、Rはアルカリ土類金属）、
Re2O-RO-B2O3-ZnO-SiO2系ガラス（Reはアルカリ金属、Rはアルカリ土類金属）
【００３１】
特に好適な実施形態においては、ガラス成分が、k（重量％) ZnO・m(重量％)
B2O3・n（重量％) SiO2にて表される組成のZnO-B2O3-SiO2系ガラス成分（10≦k≦85，5≦m≦50，2≦n≦60  ｋ+ｍ+ｎ＝100）である。
【００３２】
この組成系において、ＺｎＯの含有量（ｋ）を10重量％以上とすることによって、ガラス化を促進できる。この観点からは、ｋを10重量％以上とすることが好ましく、20重量％以上とすることが更に好ましい。また、ｋを８５重量％以下とすることによって、ガラス化を促進でき、誘電体磁器組成物の焼成温度を低減できる。この観点からは、ｋを85重量％以下とすることが好ましく、80重量％以下とすることが更に好ましい。
【００３３】
Ｂ2Ｏ3の含有量（ｍ）を５重量％以上とすることによって、ガラス化を促進でき、比誘電率εｒを向上させることができる。この観点からは、ｍを5重量％以上とすることが好ましく、10重量％以上とすることが更に好ましい。また、ｍを５０重量％以下とすることによって、無負荷Ｑを低減できる。この観点からは、ｍを50重量％以下とすることが好ましく、45重量%以下とすることが更に好ましい。
【００３４】
ＳｉＯ2の添加量(ｎ)を2重量％以上とすることによって、安定なガラスを得ることができる。この観点からは、ｎを5重量％以上とすることが更に好ましい。一方、ＳｉＯ2
の含有量（ｎ）を60重量％以下とすることによって、ガラス化を促進でき、誘電体磁器組成物の焼成温度を低減できる。
【００３５】
第二の発明、第四の発明においては、主成分組成物100重量部に対して、B2O3を0.05重量部以上、10重量部以下含有させる。B2O3を0.05重量部以上添加することによって、比誘電率εｒおよびＱ値を高くできる。この観点からは、B2O3
の添加量を0.05重量部以上とすることが好ましく、0.1重量部以上とすることが更に好ましい。また、B2O3 の添加量を10重量部以下とすることによって、比誘電率εｒおよびＱ値を高くできる。この観点からは、B2O3
の添加量を10重量部以下とすることが好ましく、9重量部以下とすることが更に好ましい。
【００３６】
第一〜第四の各発明において、前記した各金属酸化物成分の比率x、y、z1、z2、z3、tは、原料混合物における各金属の酸化物への換算値である。原料混合物における各金属の酸化物への換算値は、各金属原料の混合比率によって定まる。本発明においては、各金属原料の混合比率を精密天秤によって秤量し、この秤量値に基づいて前記換算値を算出する。
【００３７】
第一〜第四の各発明の誘電体磁器組成物の基本組成は、上記のとおりである。しかし、他の金属元素を含有していてもよい。
【００３８】
例えば、Ag，CuおよびNiからなる群より選ばれた一種以上の金属を金属換算で合計で5重量％以下含有していてよい。これによってτｆを一層低減できる。
【００３９】
また、CuO、V2O5およびWO3からなる群より選ばれた一種以上の金属酸化物を含有していてよい。この場合には、これら金属酸化物の含有量の合計値は、0.0〜5.0重量％とすることが好ましい。
【００４０】
更に、Mg、Al、Si、Ca、Sc、Fe、Co、Ni、Zn、Ga、Ge、Se、Sr、Ｙ、Zr、Nb、Mo、Ru、Hf、Mnの各金属の酸化物を合計で５重量％以下含有していてもよい。
【００４１】
電子部品において使用できる金属電極は限定されないが、銀電極、銅電極、ニッケル電極、またはこれらの合金からなる電極が好ましく、銀または銀合金からなる電極が更に好ましく、銀電極が特に好ましい。
【００４２】
第一〜第四の各発明の対象となる電子部品は特に限定されないが、例えば積層誘電体フィルター、多層配線基板、誘電体アンテナ、誘電体カプラー、誘電体複合モジュール、バルク型誘電体フィルターを例示できる。
【００４３】
低温焼成用誘電体組成物の焼成温度は、１１００℃以下であることが好ましく、１０５０℃であることが更に好ましく、１０００℃以下であることが最も好ましい。
【００４４】
第一〜第四の各発明に係る低温焼成磁器を製造する際には、好ましくは、各金属成分の原料を所定比率で混合して混合粉末を得、混合粉末を１０００−１４００℃で仮焼し、仮焼体を粉砕し、セラミック粉末を得る。そして、好ましくは、セラミック粉末と、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３およびＺｎＯからなるガラス粉末とを使用して、グリーンシートを作製し、グリーンシートを８５０−９３０℃で焼成する。各金属成分の原料としては、各金属の酸化物、硝酸塩、炭酸塩、硫酸塩などを使用できる。
【実施例】
【００４５】
（実験１）
（主成分粉末の製造）
高純度の炭酸バリウム、酸化チタン、酸化ネオジム、酸化ビスマス、酸化ランタン、酸化サマリウムの各粉末原料を用い、これら原料粉末を、表２、３、４に示す各比率となるように秤量し、混合粉末を得た。混合粉末をポリエチレン製ポットの中にアルミナ玉石と共に投入し、純水を加え、湿式混合した。得られた混合物をポットから取り出し、乾燥し、アルミナ製坩堝に入れ、９００〜１２７０℃の各種温度で４時間、空気雰囲気下に仮焼を行なった。次いで、その仮焼物を解砕し、ポリエチレン製ポットの中にジルコニア玉石と共に投入し、レーザー回折散乱法を利用して測定される平均粒子径が0.1〜2.0μｍになるまで、粉砕を行ない、各種の仮焼粉砕物を得た。
【００４６】
（ガラス粉末の製造）
高純度の酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化珪素の各原料粉末を用いた。これら原料粉末を、表１に示す比率となるように秤量し、混合粉末を得た。混合粉末をポリエチレン製ポットの中にアルミナ玉石と共に投入し、乾式混合した。得られた混合物をシャモット坩堝の中で融解させ、水中に投下し、急冷し、ガラス化させた。得られたガラスをアルミナ製ポットの中にアルミナ玉石と共に投入し、エタノール中で平均粒子径が４μｍになるまで粉砕することにより、表１に示す各ガラス粉末を得た。
【表１】
2004284941.tif 000002
【００４７】
（磁器の製造）
上記のようにして各例の主成分粉末とガラス粉末とを、表２〜表４に示されるように配合した。配合物を、アルミナ玉石と共にポリエチレン製ポットの中に投入し、純水を加え、湿式混合した。その際、主成分粉末量とガラス粉末量の合計に対して、バインダーとしてポリビニルアルコール１重量％を加えた。得られた混合物を乾燥した後、目開き３５５μｍの篩を通して、造粒した。表２、３、４における「ガラス添加率」は、主成分粉末１００重量部に対するガラス成分の添加率を示す。
【００４８】
かくして得られた造粒粉体を、プレス成形機を用いて、面圧：１ｔ／ｃｍ2 にて成形し、２０ｍｍφ×１５ｍｍt の大きさの円板状の試験片を得た。得られた試験片を、空気中において、９００℃の温度で２時間、焼成することにより、各種の誘電体磁器サンプルを作製した。更に、この焼成して得られたサンプルを１６ｍｍφ×８ｍｍt
の大きさの円板状に研磨し、それぞれ、その誘電体特性を測定した。なお、比誘電率（εｒ）と無負荷Ｑは、平行導体板型誘電体共振器法によって測定し、また共振周波数の温度係数（τｆ）は、−２５℃〜７５℃の範囲で測定した。測定周波数は、２〜４ＧＨｚであった。得られた結果を、表２、３、４に示す。
【００４９】
【表２】
2004284941.tif 000003
【００５０】
【表３】
2004284941.tif 000004
【００５１】
【表４】
2004284941.tif 000005
【００５２】
表２に示すように、ＢａＯの比率xを0.070以上とすることによって、比誘電率εｒが向上する。また、ｘを0.300以下とすることによって、Ｑ値を向上させ、τｆを低減することができる。
【００５３】
表２に示すように、TiO2の比率ｙを0.385以上とすることによって、Ｑ値を向上させ、τｆを低減することができる。また、ｙを0.844以下とすることによって、比誘電率εｒを向上させることができる。
【００５４】
表３に示すように、Nd2O3 の比率ｚ1を0.010以上、0.130以下とすることによって、比誘電率εｒを高く維持できる。
【００５５】
表３に示すように、Bi2O3 の比率ｔが0.075を超えることによって、比誘電率εｒが向上する。また、ｔを0.185以下とすることによって、Ｑ値を向上させ、τｆを低減することができる。
【００５６】
表４に示すように、La2O3 を添加することによって、比誘電率εｒが一層向上する。また、ｚ２を0.120以下とすることによって、Ｑ値を高くでき、τｆを低減できる。
【００５７】
表４に示すように、Sm2O3 を0.120以下添加することによって、比誘電率εｒを高くし、Ｑ値を向上させ、τｆを低減することができる。
【００５８】
（実験２）
実験１と同様にして各例の磁器を製造し、実験１と同様にして各特性を測定した。ただし、各ガラス成分の組成系Ａ１〜Ａ１８は表１に示す。また、各金属元素の組成比率およびガラス組成の種類と比率とは、表５および表６に示す。表５には、ガラス組成系Ａ１〜１４を使用した場合の結果を示しており、表６には、ガラス組成系Ａ１５〜１８を使用した場合の結果を示す。
【００５９】
【表５】
2004284941.tif 000006
【００６０】
【表６】
2004284941.tif 000007
【００６１】
表５、表６の結果から分かるように、表１に示すような本発明内のガラス成分を使用したとき、高い比誘電率εｒ、Ｑ値および低いτｆを達成できた。
【００６２】
（実験３）
実験１と同様にして各例の磁器を製造し、実験１と同様にして各特性を測定した。ただし、組成系Ａ３のガラス成分を使用し、ガラス成分の比率を、表６に示すように変更した。この結果から分かるように、ガラス添加率を０．０５〜２０．００重量％とすることによって、高い比誘電率εｒ、Ｑ値および低いτｆが得られる。
【００６３】
（実験４）
実験１と同様にして各例の磁器を製造し、実験１と同様にして各特性を測定した。ただし、ガラス成分の組成系は、表７に示すように変更した。また、各金属酸化物の比率およびガラス組成系の種類と比率とを、表８に示すように変更した。この結果、本発明の範囲内においては、高い比誘電率εｒ、Ｑ値および低いτｆが得られた。
【００６４】
【表７】
2004284941.tif 000008
【００６５】
【表８】
2004284941.tif 000009
【００６６】
（実験５）
実験１と同様にして各例の磁器を製造し、実験１と同様にして各特性を測定した。ただし、ガラス成分の組成はＢｉ２Ｏ３とし、その添加量は、表９に示すように変更した。また、各金属酸化物の比率は、表９に示すように変更した。この結果、０．０１重量％以上のＢｉ２Ｏ３成分を添加することによって、高い比誘電率εｒ、Ｑ値および低いτｆが得られた。
【００６７】
【表９】
2004284941.tif 000010
【００６８】
（実験６）
実験１と同様にして各例の磁器を製造し、実験１と同様にして各特性を測定した。ただし、ガラス成分の組成はＡ３とし、その添加量は１．５重量部とした。各金属酸化物の比率は、表１０に示すように変更した。そして、表１０に示す比率の銀、銅またはニッケルを主成分組成物に添加した。
【００６９】
【表１０】
2004284941.tif 000011
【００７０】
この結果、銀、銅またはニッケルを添加した場合にも、高い比誘電率εｒ、Ｑ値および低いτｆが得られた。
【００７１】
（実験７）
実験１と同様にして各例の磁器を製造し、実験１と同様にして各特性を測定した。ただし、ガラス成分の組成はＡ３とし、その添加量は１．５重量部とした。各金属酸化物の比率は、表１０に示すように変更した。そして、表１０に示す比率の酸化銅、酸化バナジウムまたは酸化タングステンを主成分組成物に添加した。
【００７２】
【表１１】
2004284941.tif 000012
【００７３】
この結果、酸化銅、酸化バナジウムまたは酸化タングステンを添加した場合にも、高い比誘電率εｒ、Ｑ値および低いτｆが得られた。
【００７４】
（実験８）
実験１と同様にして各例の磁器を製造し、実験１と同様にして各特性を測定した。ただし、ガラス組成はＡ３とし、ガラス添加量は２．５重量％とした。各金属成分の比率は、表１２、表１３に示すように変更した。この結果を表１２、表１３に示す。
【００７５】
【表１２】
2004284941.tif 000013
【００７６】
【表１３】
2004284941.tif 000014
【００７７】
組成番号Ｃ１では、ＢａＯの比率ｘが低いが、比誘電率εｒが低くなった。番号Ｃ２〜６では、比誘電率εｒ、無負荷Ｑが高くなり、共振周波数の温度係数（τｆ）を低く維持できた。番号Ｃ７では、ＢａＯの比率ｘが大きく、Ｂｉ２Ｏ３の比率ｔが低いが、無負荷Ｑが低下した。番号Ｃ８では、ＴｉＯ２の比率ｙが低いが、無負荷Ｑが低下した。番号Ｃ９では、ＴｉＯ２の比率ｙが高いが、比誘電率εｒが低くなった。番号Ｃ１０では、（ｚ１＋ｚ２＋ｚ３）が高いが、比誘電率εｒが低くなった。番号Ｃ１１では、Ｎｄ２Ｏ３の比率ｚ１が低いが、共振周波数の温度係数（τｆ）が大きくなった。番号Ｃ１２では、ａ（ｔ／（z1＋z2＋z3＋ｔ))が低く、Ｂｉ２Ｏ３の比率ｔが低いが、比誘電率εｒが低くなった。番号１３〜１６では、比誘電率εｒ、無負荷Ｑが高くなり、共振周波数の温度係数（τｆ）を低く維持できた。番号Ｃ１７では、Ｎｄ２Ｏ３の比率ｚ１が低いが、共振周波数の温度係数（τｆ）が大きくなった。番号Ｃ１８では、ａ（ｔ／（z1＋z2＋z3＋ｔ))が低く、Ｂｉ２Ｏ３の比率ｔも低いが、比誘電率εｒが低くなった。
【００７８】
以上述べたように、本発明によれば、比誘電率εｒが高く、無負荷Ｑ値を高く維持でき、かつ共振周波数の温度係数τｆを低く維持できるような低温焼成用誘電体組成物を提供することができる。