(57)【要約】【課題】作用力間の干渉が小さい単純な構造で、小型化および低コスト化を図ることができ、しかも、組み立てが容易となり、衝撃力に対する信頼性を向上することができる多分力検出器を提供する。【解決手段】弾性体１と、弾性体１の内部に設けられた永久磁石２と、弾性体１とは非接触に設けられた複数のホール素子６ａ〜６ｄと、ホール素子６ａ〜６ｄの出力に基づいて弾性体１への作用力Ｆを算出するＭＰＵシステムとを備える。【選択図】  図１
2004325328.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性体と、前記弾性体の変位を電気的変位に変換する変位変換手段と、前記変位変換手段の出力に基づいて前記弾性体への作用力を算出する作用力算出手段とを備える多分力検出器であって、
前記変位変換手段は、前記弾性体の変位領域に設けられた磁性体と、前記弾性体とは非接触に設けられた複数の磁電変換素子とを有することを特徴とする多分力検出器。
【請求項２】
請求項１において、
さらに、前記弾性体を支持する弾性体支持部と、前記磁電変換素子を支持し且つ前記弾性体支持部の前記弾性体支持面とは反対側に設けられた磁電変換素子支持部とを備え、
前記磁電変換素子は、前記弾性体支持部又は前記磁電変換素子支持部を介して前記弾性体とは非接触に設けられていることを特徴とする多分力検出器。
【請求項３】
請求項２において、
前記磁性体の磁気モーメントの方向が前記磁電変換素子支持部の前記磁電変換素子の配置面に対して直交又はほぼ直交するように前記弾性体の内部に前記磁性体を設け、
前記磁性体から前記配置面に向かって前記磁気モーメントの方向に伸びる直線が前記配置面と交差する点を中心点として、前記中心点を通過する互いに直交する２つの軸のうち一方の軸上に前記中心点を対称として２つの前記磁電変換素子を配置し、前記２つの軸のうち他方の軸上に前記中心点を対称として２つの前記磁電変換素子を配置したことを特徴とする多分力検出器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の分力を検出する多分力検出器に係り、特に、作用力間の干渉が小さい単純な構造で、小型化および低コスト化を図ることができ、しかも、組み立てが容易となり、衝撃力に対する信頼性を向上することができる多分力検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
産業機器やロボットなどの構造体において、各関節、各部（例えば、歩行ロボットの足部）が受ける力やモーメントなどの複合力を検出するのに多分力検出器が用いられている。
従来の多分力検出器としては、例えば、特許文献１に開示されている多分力ロードセル（以下、第１の従来例という。）、または特許文献３に開示されている多分力検出器（以下、第２の従来例という。）があった。
【０００３】
まず、第１の従来例の構造を図９を参照しながら説明する。
図９は、従来の多分力ロードセルの構造を示す斜視図である。
第１の従来例は、図９に示すように、荷重受部に作用した作用力を起歪部に導き、起歪部に貼り付けた歪ゲージの抵抗変化から荷重受部への作用力を算出するようになっている。図９の符号５１〜８２が歪ゲージ（ストレインゲージ）で、これを独特の梁構造の特定の場所に貼り付ける。
【０００４】
次に、第２の従来例の構造を図１０ないし図１２を参照しながら説明する。
図１０は、従来の多分力検出器の外観を示す図である。
図１１は、従来の多分力検出器の構造を示す分解斜視図である。
第２の従来例は、起歪部に発生した歪や変位を磁気的に検出する方式としてホール素子を利用したものである。
【０００５】
図１０および図１１に示すように、作用力は、荷重受部２にかかり、荷重受部２と一体に構成されたリング４に伝えられる。リング４の外周辺には、永久磁石５（５ａ〜５ｄ）および板バネ６（６ａ〜６ｄ）が設けられている。外部固定リング９の内周辺には、ホール素子１０（１０ａ〜１０ｄ）が設置されている。外部固定リング９とリング４は、板バネ６の弾性力で接続されている。
【０００６】
荷重受部２への作用力は、リング４に伝わって永久磁石５の変位となり、永久磁石５に対向して設置されたホール素子１０によりその変位が電圧に変換される。
図１２は、永久磁石５ａ〜５ｄとホール素子１０ａ〜１０ｄの対応関係を示す図である。
図１２に示すように、永久磁石５ａ〜５ｄとホール素子１０ａ〜１０ｄは、特定の位置関係にあり、その箇所の変位とホール素子検出電圧に比例関係が成り立つことを利用する。また、特定箇所の複数変位情報を利用して作用力を算出する。
【０００７】
【特許文献１】
特開昭５７−１６９６４３号公報（第７〜８頁、第９図）
【特許文献２】
特開昭６０‐１７７２３２号公報（第１図〜第３図）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１記載の発明にあっては、荷重受部に作用する複数の分力（偶力）が１つの歪ゲージに異なる歪として寄与するため、歪ゲージの出力値において複数の分力の干渉効果を少なくするために梁の構造、歪ゲージを貼る場所に工夫が必要となり、構造が複雑化している。また、作用力に対応する弾性限界が高いこと、引張り強さが大きいことなどが必要なため、材質、大きさに制約がでてき、検出器が大型および高コストとなる。さらに、歪ゲージの貼り方も、起歪体の種類や検出する歪の大きさに応じて調整しなければならず、専用の技術が必要となるなどの問題がある。
【０００９】
また、特許文献２記載の発明にあっては、荷重受部への作用力を構造体の剛性を利用して特定位置での変位とし、それを対向した永久磁石とホール素子の組で検出するもので、複数の変位検出が必要なため、部品点数が多くなり、コストおよび組み立ての点で問題であり、また、荷重受部への作用力を永久磁石設置場所まで伝えるための構造が必要で、検出器全体の小型化がしにくい。さらに、荷重受部および変位部と固定部との間が板バネで接続されているが、歩行ロボットの足部のような衝撃的な力を受ける場所で使用するには機械的な信頼性の点で問題がある。
【００１０】
そこで、本発明は、このような従来の技術の有する未解決の課題に着目してなされたものであって、作用力間の干渉が小さい単純な構造で、小型化および低コスト化を図ることができ、しかも、組み立てが容易となり、衝撃力に対する信頼性を向上することができる多分力検出器を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る請求項１記載の多分力検出器は、弾性体と、前記弾性体の変位を電気的変位に変換する変位変換手段と、前記変位変換手段の出力に基づいて前記弾性体への作用力を算出する作用力算出手段とを備える多分力検出器であって、前記変位変換手段は、前記弾性体の変位領域に設けられた磁性体と、前記弾性体とは非接触に設けられた複数の磁電変換素子とを有する。
【００１２】
このような構成であれば、弾性体に作用力が加わると、その作用力により弾性体が変位する。このとき、弾性体の変位領域に磁性体が設けられているので、弾性体の変位に伴って磁性体が変位する。磁性体が変位すると、磁電変換素子近傍の磁束密度が変化するので、複数の磁電変換素子により、磁束密度の変化が検出されることにより磁性体の変位（すなわち、弾性体の変位）が電気的変位に変換される。
【００１３】
ここで、磁性体は、弾性体の変位領域に設けるのであればどこに設けてもよく、例えば、弾性体の内部に設けてもよいし、弾性体の外側に設けてもよい。
さらに、本発明に係る請求項２記載の多分力検出器は、請求項１記載の多分力検出器において、さらに、前記弾性体を支持する弾性体支持部と、前記磁電変換素子を支持しかつ前記弾性体支持部の前記弾性体支持面とは反対側に設けられた磁電変換素子支持部とを備え、前記磁電変換素子は、前記弾性体支持部または前記磁電変換素子支持部を介して前記弾性体とは非接触に設けられている。
【００１４】
このような構成であれば、磁電変換素子が、弾性体支持部または磁電変換素子支持部を介して弾性体とは非接触に設けられているので、磁電変換素子と弾性体とを比較的確実に隔離することができる。したがって、異なる複数の方向から加わる作用力間の干渉および作用力が磁電変換素子に直接加わる可能性をさらに低減することができる。
【００１５】
さらに、本発明に係る請求項３記載の多分力検出器は、請求項２記載の多分力検出器において、前記磁性体の磁気モーメントの方向が前記磁電変換素子支持部の前記磁電変換素子の配置面に対して直交またはほぼ直交するように前記弾性体の内部に前記磁性体を設け、前記磁性体から前記配置面に向かって前記磁気モーメントの方向に伸びる直線が前記配置面と交差する点を中心点として、前記中心点を通過する互いに直交する２つの軸のうち一方の軸上に前記中心点を対称として２つの前記磁電変換素子を配置し、前記２つの軸のうち他方の軸上に前記中心点を対称として２つの前記磁電変換素子を配置した。
【００１６】
このような構成であれば、弾性体に作用力が加わり磁性体が配置面に対して直交する方向に変位すると、各磁電変換素子からはいずれも、磁性体の変位量に比例した電気的変位が得られる。また、弾性体に作用力が加わり磁性体が配置面の２つの軸のうち一方の軸方向に変位すると、当該一方の軸上に配置された２つの磁電変換素子のうち一方のものからは、磁性体の変位量に比例した電気的変位が得られ、当該一方の軸上に配置された２つの磁電変換素子のうち他方のものからは、磁性体の変位量に反比例した電気的変位が得られる。また、弾性体に作用力が加わり磁性体が配置面の２つの軸のうち他方の軸方向に変位すると、当該他方の軸上に配置された２つの磁電変換素子のうち一方のものからは、磁性体の変位量に比例した電気的変位が得られ、当該他方の軸上に配置された２つの磁電変換素子のうち他方のものからは、磁性体の変位量に反比例した電気的変位が得られる。
したがって、磁性体の変位のうち、配置面に対して直交する方向の変位および配置面の２つの軸方向の変位を比較的確実に検出することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第１の実施の形態を図面を参照しながら説明する。図１ないし図６は、本発明に係る多分力検出器の第１の実施の形態を示す図である。
本実施の形態は、本発明に係る多分力検出器を、図１に示すように、永久磁石２およびホール素子６ａ〜６ｄを用いて弾性体１への作用力Ｆを検出する場合について適用したものである。
【００１８】
図１は、本発明に係る多分力検出器１００の構造を示す図である。同図（ａ）は、多分力検出器１００を上方からみた上面図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）のＸ軸に沿った側断面図である。
図１において、弾性体支持部４の上部には、弾性体１が設置されており、弾性体１の内部には、永久磁石２が設けられている。永久磁石２は、その磁気モーメントの方向が弾性体支持部４と弾性体１との設置面（以下、単に設置面という。）に対して直交するように設けられている。ここで、設置面に対して直交する方向の軸をＺ軸と定義する。
【００１９】
弾性体支持部４には、貫通孔４ａ，４ｂおよび図示しない貫通孔４ｃ，４ｄがＺ軸方向に形成されている。貫通孔４ａ，４ｂは、永久磁石２からＺ軸方向に伸びる直線が設置面と交差する点を中心点Ｏとして、中心点Ｏを通過する互いに直交する２つの軸のうち一方の軸上に中心点Ｏを対称として形成されている。貫通孔４ｃ，４ｄは、中心点Ｏを通過する互いに直交する２つの軸のうち他方の軸上に中心点Ｏを対称として形成されている。ここで、直交する２つの軸のうち貫通孔４ａ，４ｂが形成されている軸をＸ軸と定義し、直交する２つの軸のうち貫通孔４ｃ，４ｄが形成されている軸をＹ軸と定義する。
【００２０】
磁電変換素子支持部５の上部には、貫通孔４ａ，４ｂの径および位置に対応した凸部５ａ，５ｂと、貫通孔４ｃ，４ｄの径および位置に対応した図示しない凸部５ｃ，５ｄとが形成されている。そして、磁電変換素子支持部５は、貫通孔４ａ〜４ｄに凸部５ａ〜５ｄを填め込んで弾性体支持部４の下方に接合している。凸部５ａ，５ｂの内側にはホール素子６ａ，６ｂが、凸部５ｃ，５ｄの内側にはホール素子６ｃ，６ｄがそれぞれ設けられている。
【００２１】
このような配置構造をとることにより、ホール素子６ａ，６ｂは、磁電変換素子支持部５を介して弾性体１とは非接触にかつ一定の距離をもって設けられるとともに中心点Ｏを対称としてＸ軸上に配置される。同様に、ホール素子６ｃ，６ｄは、磁電変換素子支持部５を介して弾性体１とは非接触にかつ一定の距離をもって設けられるとともに中心点Ｏを対称としてＹ軸上に配置される。
【００２２】
弾性体支持部４および磁電変換素子支持部５は、止め具１０により固定部７上に固定されている。弾性体１の上部には、荷重受部３が設けられ、止め具８により荷重源と接続する役割および弾性体１の保護の役割を果たす。
磁電変換素子支持部５の下部には、ホール素子６ａ〜６ｄからの出力信号を処理する信号処理部９が設けられている。
【００２３】
信号処理部９は、図示しない外部のＭＰＵシステムに接続し、ホール素子６ａ〜６ｄからの出力信号に対して増幅検出制御を行い、増幅した出力信号をＭＰＵシステムに出力するようになっている。ホール素子６ａ〜６ｄで検出される起電圧の変化は微小であるため、ホール素子６ａ〜６ｄからの出力信号は、信号処理部９により増幅される。信号処理部９では、数１０００倍〜数万倍程度の増幅が必要となる。また、ノイズを低減するために低域通過フィルタのカットオフ周波数を低く調整することが必要となる場合がある。
【００２４】
ＭＰＵシステムは、信号処理部９からの出力信号をＡ／Ｄ変換し、得られたディジタルデータに基づいて演算処理を行い、弾性体１への作用力Ｆを算出するようになっている。
次に、弾性体１の材質および大きさ、並びに永久磁石２の材質、大きさおよび位置関係を説明する。
【００２５】
永久磁石２は、例えば、数ｍｍ角の小さな角型ネオジウム磁石で、表面磁束密度が約０．２テスラのものである。弾性体１は、例えば、ゴムである。
図２は、永久磁石２とホール素子６ａ〜６ｄとの位置関係を示す図である。
永久磁石２とホール素子６ａ〜６ｄの位置関係は、磁場シミュレーションにより決定する。永久磁石２は、図２に示すように、Ｚ軸方向の磁気モーメントをもち、Ｘ−Ｙ平面の原点（中心点Ｏ）の上方、Ｚ軸方向の位置に配置される。ホール素子６ａ，６ｂは、原点対称で×軸上に、ホール素子６ｃ，６ｄは、原点対称でＹ軸上にそれぞれ配置される。ホール素子６ａ〜６ｄの感磁面は、Ｚ軸方向を向き、Ｚ軸方向の磁場Ｈｚを検出するようになっている。
【００２６】
図３は、永久磁石２がホール素子６ａ〜６ｄの下方に形成する磁束密度の分布を等高線表示した図である。
図３において、直方体が永久磁石２であり、永久磁石２の下部中心に向かって対称性をもち、Ｚ軸方向の磁場が強くなっているのが分かる。
次に、本発明の実施の形態の動作を図４ないし図６を参照しながら説明する。
【００２７】
荷重受部３に作用力Ｆが加わると、弾性体１は、作用力Ｆに比例した内部歪を発生し、内部に設けられた永久磁石２も、その軸方向で作用力Ｆに比例した変位を示す。ここで、作用力Ｆの×軸方向成分、Ｙ軸方向成分およびＺ軸方向成分をそれぞれＦｘ、Ｆｙ、Ｆｚと定義する。
図４は、永久磁石２がＺ軸方向に変位した場合に、永久磁石２の変位量に対するホール素子６ａ〜６ｄの各配置位置での磁束密度の変位量を示すグラフである。
【００２８】
永久磁石２がＺ軸方向に変位すると、ホール素子６ａ〜６ｄの各配置位置ではいずれも、図４に示すように、永久磁石２の変位量に比例して磁束密度が変化していることが分かる。したがって、各ホール素子６ａ〜６ｄからはいずれも、磁束密度の変位量に比例した電圧の信号が出力される。
図５は、永久磁石２がＸ軸方向に変位した場合に、永久磁石２の変位量に対するホール素子６ａ〜６ｄの各配置位置での磁束密度の変位量を示すグラフである。
【００２９】
永久磁石２がＸ軸方向に変位すると、ホール素子６ａの配置位置では、図５に示すように、永久磁石２の変位量に比例して磁束密度が変化し、ホール素子６ｂの配置位置では、永久磁石２の変位量に反比例して磁束密度が変化していることが分かる。また、ホール素子６ｃ，６ｄの各配置位置ではいずれも、永久磁石２の変位量にかかわらず磁束密度の変化がないことが分かる。したがって、ホール素子６ａからは、磁束密度の変位量に比例した電圧の信号が出力されるとともに、ホール素子６ｂからは、磁束密度の変位量に反比例した電圧の信号が出力される。
【００３０】
図６は、永久磁石２がＹ軸方向に変位した場合に、永久磁石２の変位量に対するホール素子６ａ〜６ｄの各配置位置での磁束密度の変位量を示すグラフである。
永久磁石２がＹ軸方向に変位すると、ホール素子６ｃの配置位置では、図６に示すように、永久磁石２の変位量に比例して磁束密度が変化し、ホール素子６ｄの配置位置では、永久磁石２の変位量に反比例して磁束密度が変化していることが分かる。また、ホール素子６ａ，６ｂの各配置位置ではいずれも、永久磁石２の変位量にかかわらず磁束密度の変化がないことが分かる。したがって、ホール素子６ｃからは、磁束密度の変位量に比例した電圧の信号が出力されるとともに、ホール素子６ｄからは、磁束密度の変位量に反比例した電圧の信号が出力される。
【００３１】
本実施の形態のように、永久磁石２およびホール素子６ａ〜６ｄを配置することにより、比較的大きな変位の範囲で磁束密度変化が線形性を示すことが分かり、この変位の範囲で使用する弾性体１の特性を選択することができる。
ＭＰＵシステムでは、図４ないし図６に示す磁束密度変化曲線を用い、下式（１）〜（３）により作用力Ｆを算出することができる。
【００３２】
ΔＶＨｚ（Ａ）＝κ１１×Ｆｘ＋κ１２×Ｆｙ＋κ１３×Ｆｚ      …（１）
ΔＶＨｚ（Ｂ）＝κ２１×Ｆｘ＋κ２２×Ｆｙ＋κ２３×Ｆｚ      …（２）
ΔＶＨｚ（Ｃ）＝κ３１×Ｆｘ＋κ３２×Ｆｙ＋κ３３×Ｆｚ      …（３）
【００３３】
ここで、ΔＶＨｚ（Ａ）は、ホール素子６ａの出力電圧変化量であって、作用力Ｆが加わっていないときのホール素子６ａの起電圧と、作用力Ｆが加わって永久磁石２が変位したときのホール素子６ａの起電圧との差である。ΔＶＨｚ（Ｂ）は、ホール素子６ｂの出力電圧変化量であって、作用力Ｆが加わっていないときのホール素子６ｂの起電圧と、作用力Ｆが加わって永久磁石２が変位したときのホール素子６ｂの起電圧との差である。ΔＶＨｚ（Ｃ）は、ホール素子６ｃの出力電圧変化量であって、作用力Ｆが加わっていないときのホール素子６ｃの起電圧と、作用力Ｆが加わって永久磁石２が変位したときのホール素子６ｃの起電圧との差である。
【００３４】
また、κ１１、κ２１およびκ３１は、×軸方向に作用力Ｆが加わった場合においてホール素子６ａ〜６ｃの各配置位置での磁束密度変化曲線の傾きを示す比例係数である。κ１２、κ２２およびκ３２は、Ｙ軸方向に作用力Ｆが加わった場合においてホール素子６ａ〜６ｃの各配置位置での磁束密度変化曲線の傾きを示す比例係数である。κ１３、κ２３およびκ３３は、Ｚ軸方向に作用力Ｆが加わった場合においてホール素子６ａ〜６ｃの各配置位置での磁束密度変化曲線の傾きを示す比例係数である。
【００３５】
ＭＰＵシステムでは、最初に、これらの比例係数を決定する。
各軸方向の作用力Ｆの範囲から、数点を選んでその軸方向に作用力Ｆをかけて、そのときの出力電圧変化量を検出し、検出結果に基づいてその傾きを求める。例えば、×軸方向に対して、複数回、異なる大きさの作用力Ｆｘ（ｉ）をかけて、各ホール素子６ａ〜６ｃにより、そのときの出力電圧変化量ΔＶＨｚ（Ａ），ΔＶＨｚ（Ｂ），ΔＶＨｚ（Ｃ）を検出する。ホール素子６ａについては、作用力Ｆｘ（ｉ）対出力電圧変化量ΔＶＨｚ（Ａ）のグラフを作り、その傾きを求めてκ１１とする。ホール素子６ｂについては、作用力Ｆｘ（ｉ）対出力電圧変化量ΔＶＨｚ（Ｂ）のグラフを作り、その傾きを求めてκ２１とする。ホール素子６ｃについては、作用力Ｆｘ（ｉ）対出力電圧変化量ΔＶＨｚ（Ｃ）のグラフを作り、その傾きを求めてκ３１とする。これと同様の処理をＹ軸およびＺ軸に対しても行い、他の比例係数κ１２、κ２２、κ３２、κ１３、κ２３およびκ３３が決定される。
【００３６】
ＭＰＵシステムでは、これらの比例係数が決定されると、上式（１）〜（３）の連立方程式より作用力Ｆｘ、Ｆｙ、Ｆｚを算出することができる。作用力Ｆは、作用力Ｆｘ、Ｆｙ、Ｆｚをベクトル合成すれば算出することができる。
このようにして、本実施の形態では、弾性体１と、弾性体１の内部に設けられた永久磁石２と、弾性体１とは非接触に設けられた複数のホール素子６ａ〜６ｄと、ホール素子６ａ〜６ｄの出力に基づいて弾性体１への作用力Ｆを算出するＭＰＵシステムとを備える。
【００３７】
これにより、弾性体１の内部に永久磁石２を設け、ホール素子６ａ〜６ｄにより弾性体１の変位を電気的変位に変換することにより、弾性体１とは離隔した場所でその電気的変位を検出することができるので、従来に比して、多分力検出器１００を比較的単純な構造とすることができるとともに、異なる複数の方向から加わる作用力Ｆｘ、Ｆｙ、Ｆｚ間の干渉を低減することができる。また、作用力Ｆの大小によらず材質や大きさを比較的幅広く選択することができるので、従来に比して、小型化および低コスト化を図ることができる。さらに、永久磁石２を少なくとも一つ設ければよいので、部品点数を少なくすることができ、従来に比して、小型化および低コスト化を図ることができるとともに組み立てが比較的容易となる。さらに、弾性体１とは非接触にホール素子６ａ〜６ｄを設けたことにより、ホール素子６ａ〜６ｄに作用力Ｆが直接加わる可能性を低減することができるので、従来に比して、衝撃力に対する信頼性を比較的向上することができる。
【００３８】
さらに、本実施の形態では、ホール素子６ａ〜６ｄは、磁電変換素子支持部５を介して弾性体１とは非接触に設けられている。
これにより、ホール素子６ａ〜６ｄと弾性体１とを比較的確実に隔離することができる。したがって、異なる複数の方向から加わる作用力Ｆｘ、Ｆｙ、Ｆｚ間の干渉をさらに低減することができる。また、ホール素子６ａ〜６ｄに作用力Ｆが直接加わる可能性をさらに低減することができるので、衝撃力に対する信頼性をさらに向上することができる。
【００３９】
さらに、本実施の形態では、永久磁石２の磁気モーメントの方向が設置面に対して直交するように弾性体１の内部に永久磁石２を設け、Ｘ軸上に中心点Ｏを対称として２つのホール素子６ａ，６ｂを配置し、Ｙ軸上に中心点Ｏを対称として２つのホール素子６ｃ，６ｄを配置した。
これにより、永久磁石２の変位のうちＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向の変位を比較的確実に検出することができる。
【００４０】
上記第１の実施の形態において、永久磁石２は、請求項１または３記載の磁性体に対応し、ホール素子６ａ〜６ｄは、請求項１ないし３記載の磁電変換素子に対応し、永久磁石２およびホール素子６ａ〜６ｄは、請求項１記載の変位変換手段に対応し、ＭＰＵシステムは、請求項１記載の作用力算出手段に対応している。また、設置面は、請求項３記載の配置面に対応している。
【００４１】
次に、本発明の第２の実施の形態を図面を参照しながら説明する。図７および図８は、本発明に係る多分力検出器の第２の実施の形態を示す図である。
本実施の形態は、本発明に係る多分力検出器を、図７に示すように、ソフトフェライト１２および半導体磁気抵抗素子１１ａ〜１１ｄを用いて弾性体１への作用力Ｆを検出する場合について適用したものである。
【００４２】
図７は、本発明に係る多分力検出器２００の構造を示す図である。同図（ａ）は、多分力検出器２００を上方からみた上面図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）のＸ軸に沿った側断面図である。
図７において、弾性体支持部４の上部には、弾性体１が設置されており、弾性体１の内部には、ソフトフェライト１２が設けられている。ソフトフェライト１２と半導体磁気抵抗素子１１ａ〜１１ｄの位置関係は、磁場シミュレーションにより決定する。
【００４３】
弾性体支持部４には、貫通孔４ｅがＺ軸方向に形成されている。
磁電変換素子支持部５の上部には、貫通孔４ｅの径に対応した永久磁石１３が設置されている。永久磁石１３の上部には、絶縁体を介して半導体磁気抵抗素子１１ａ〜１１ｄが配置されている。そして、永久磁石１３は、貫通孔４ｅに填め込まれて弾性体１を臨んで弾性体１の下方に配置されている。
【００４４】
半導体磁気抵抗素子１１ａ〜１１ｄは、上記第１の実施の形態におけるホール素子６ａ〜６ｄと同様の位置に配置されている。したがって、半導体磁気抵抗素子１１ａ，１１ｂは、弾性体１とは非接触にかつ一定の距離をもって設けられるとともに中心点Ｏを対称としてＸ軸上に配置される。同様に、半導体磁気抵抗素子１１ｃ，１１ｄは、弾性体１とは非接触にかつ一定の距離をもって設けられるとともに中心点Ｏを対称としてＹ軸上に配置される。また、半導体磁気抵抗素子１１ａ〜１１ｄには、永久磁石１３により常に一定の磁気バイアスがかけられている。ここで、永久磁石１３は、例えば、サマリウム・コバルト磁石で数ｍｍ角のサイズである。また、半導体磁気抵抗素子１１ａ〜１１ｄの感度は、永久磁石１３の磁気バイアスがある程度以上大きい必要があり、例えば、０．２テスラ以上である。
【００４５】
弾性体支持部４および磁電変換素子支持部５は、止め具１０により固定部７上に固定されている。弾性体１の上部には、荷重受部３が設けられ、止め具８により荷重源と接続する役割および弾性体１の保護の役割を果たす。
磁電変換素子支持部５には、半導体磁気抵抗素子１１ａ〜１１ｄからなる回路の出力信号を処理する信号処理部１４が設けられている。
【００４６】
図８は、半導体磁気抵抗素子１１ａ〜１１ｄからなる回路を示す回路図である。
図８において、ＶＤＤ、ＶＳＳは、それぞれ電源電圧とグランドである。電圧の抵抗分割の形で、出力信号が作られる。半導体磁気抵抗素子１１ａ〜１１ｄ（ＭＲ素子）が永久磁石１３の上部に設置され、他の抵抗素子は、信号処理部１４上に設けられる。
【００４７】
信号処理部１４は、ＭＰＵシステムに接続し、信号増幅およびノイズのフィルタリングを行う点については、上記第１の実施の形態における信号処理部９と同様であるが、ホール素子６ａ〜６ｄの出力が差動出力であったのに対して、半導体磁気抵抗素子１１ａ〜１１ｄからの出力がシングル出力であるため、この信号を受ける回路部分が異なる。
【００４８】
ＭＰＵシステムは、信号処理部１４からの出力信号をＡ／Ｄ変換し、得られたディジタルデータに基づいて演算処理を行い、弾性体１への作用力Ｆを算出するようになっている。
次に、本実施の形態の動作を説明する。
荷重受部３への作用力Ｆによりソフトフェライト１２が作用力Ｆの方向に変位することは、上記第１の実施の形態と同様である。この変位の際に永久磁石１３の作る磁場が変化し、半導体磁気抵抗素子１１ａ〜１１ｄの各配置位置での磁束密度が変化する。この変化により半導体磁気抵抗素子１１ａ〜１１ｄの抵抗が変化し、その出力電圧が変化する。この出力電圧の変化は、磁束密度の変化量に比例し、ソフトフェライト１２の変位量に比例する。
【００４９】
半導体磁気抵抗素子１１ａ〜１１ｄの出力電圧の変化は、ソフトフェライト１２の変位に対して図４ないし図６と相似のグラフとなる。したがって、上記第１の実施の形態と同様に、各比例係数を決定し、上式（１）〜（３）の連立方程式により作用力Ｆを算出することができる。
このようにして、本実施の形態では、弾性体１と、弾性体１の内部に設けられたソフトフェライト１２と、弾性体１とは非接触に設けられた複数の半導体磁気抵抗素子１１ａ〜１１ｄと、半導体磁気抵抗素子１１ａ〜１１ｄの出力に基づいて弾性体１への作用力Ｆを算出するＭＰＵシステムとを備える。
【００５０】
これにより、弾性体１の内部にソフトフェライト１２を設け、半導体磁気抵抗素子１１ａ〜１１ｄにより弾性体１の変位を電気的変位に変換することにより、弾性体１とは離隔した場所でその電気的変位を検出することができるので、従来に比して、多分力検出器２００を比較的単純な構造とすることができるとともに、異なる複数の方向から加わる作用力Ｆｘ、Ｆｙ、Ｆｚ間の干渉を低減することができる。また、作用力Ｆの大小によらず材質や大きさを比較的幅広く選択することができるので、従来に比して、小型化および低コスト化を図ることができる。さらに、ソフトフェライト１２を少なくとも一つ設ければよいので、部品点数を少なくすることができ、従来に比して、小型化および低コスト化を図ることができるとともに組み立てが比較的容易となる。さらに、弾性体１とは非接触に半導体磁気抵抗素子１１ａ〜１１ｄを設けたことにより、半導体磁気抵抗素子１１ａ〜１１ｄに作用力Ｆが直接加わる可能性を低減することができるので、従来に比して、衝撃力に対する信頼性を比較的向上することができる。
【００５１】
上記第２の実施の形態において、ソフトフェライト１２は、請求項１記載の磁性体に対応し、半導体磁気抵抗素子１１ａ〜１１ｄは、請求項１記載の磁電変換素子に対応し、ソフトフェライト１２および半導体磁気抵抗素子１１ａ〜１１ｄは、請求項１記載の変位変換手段に対応している。また、ＭＰＵシステムは、請求項１記載の作用力算出手段に対応している。
【００５２】
なお、上記第１の実施の形態においては、４つのホール素子６ａ〜６ｄを設けて構成したが、これに限らず、作用力Ｆを求めるには３つのホール素子で足りる。上記第１の実施の形態のように、４つのホール素子６ａ〜６ｄを用いて作用力Ｆを求める場合は、異なる３つのホール素子の組（（６ａ，６ｂ，６ｃ）、（６ａ，６ｂ，６ｄ）、（６ｂ，６ｃ，６ｄ））を利用してそれぞれ作用力Ｆを算出するようにすれば、それらのバラツキを平均化したり、何らかの非線形性が現れることを確認したりすることが可能となるとなるので、作用力Ｆの検出精度を比較的向上することができる。このことは、上記第２の実施の形態についても同様である。
【００５３】
また、上記第１および第２の実施の形態においては、弾性体１として各種の材料が利用可能であるが、内部構造に不均一性があると、作用力Ｆｘ、Ｆｙ、Ｆｚ間で干渉効果が発生するので、均一な材質のものが好ましい。
また、上記第１および第２の実施の形態においては、比例係数κ１２、κ２２、κ３２などを求める際には、弾性体１の不均一性を考慮して、グラフで得た傾きを補正し、測定値を補正する効果を持たせることも可能である。また、作用力Ｆの範囲で、異なる係数を使い、検出する作用力Ｆの精度を上げることも可能である。
【００５４】
また、上記第１の実施の形態においては、ＭＰＵシステムで作用力Ｆを算出するように構成したが、これに限らず、処理速度を上げるために、専用のハードウェア回路を信号処理部９に備え、信号処理部９で作用力Ｆを算出するように構成することもできる。
また、上記第２の実施の形態において、永久磁石１３は、例えば、ネオジウム磁石でもアルニコ（登録商標）磁石でもよいが、多分力検出器２００の全体構造を小型化するためには、より強力な磁石が好ましい。
【００５５】
また、上記第２の実施の形態においては、磁性材料としてソフトフェライト１２以外にも各種のものが利用可能であるが、変位による磁束密度の変化が大きくなるように透磁率の大きいものが好ましい。
また、上記第２の実施の形態においては、磁電変換素子として半導体磁気抵抗素子１１ａ〜１１ｄを用いているが、弾性体１中にソフトフェライト１２を用い、バイアス磁石を利用する場合には、磁電変換素子としてホール素子を利用することも可能である。
【００５６】
また、上記第２の実施の形態においては、ＭＰＵシステムで作用力Ｆを算出するように構成したが、これに限らず、処理速度を上げるために、専用のハードウェア回路を信号処理部１４に備え、信号処理部１４で作用力Ｆを算出するように構成することもできる。
また、上記第１の実施の形態においては、本発明に係る多分力検出器を、図１に示すように、永久磁石２およびホール素子６ａ〜６ｄを用いて弾性体１への作用力Ｆを検出する場合について適用したが、これに限らず、本発明の主旨を逸脱しない範囲で他の場合にも適用可能である。
【００５７】
また、上記第２の実施の形態においては、本発明に係る多分力検出器を、図７に示すように、ソフトフェライト１２および半導体磁気抵抗素子１１ａ〜１１ｄを用いて弾性体１への作用力Ｆを検出する場合について適用したが、これに限らず、本発明の主旨を逸脱しない範囲で他の場合にも適用可能である。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る請求項１ないし３記載の多分力検出器によれば、弾性体の変位領域に磁性体を設け、磁電変換素子により弾性体の変位を電気的変位に変換することにより、弾性体とは離隔した場所でその電気的変位を検出することができるので、従来に比して、検出器を比較的単純な構造とすることができるとともに、異なる複数の方向から加わる作用力間の干渉を低減することができるという効果が得られる。また、作用力の大小によらず材質や大きさを比較的幅広く選択することができるので、従来に比して、小型化および低コスト化を図ることができるという効果も得られる。さらに、磁性体を少なくとも一つ設ければよいので、部品点数を少なくすることができ、従来に比して、小型化および低コスト化を図ることができるとともに組み立てが比較的容易となるという効果も得られる。さらに、弾性体とは非接触に磁電変換素子を設けたことにより、作用力が磁電変換素子に直接加わる可能性を低減することができるので、従来に比して、衝撃力に対する信頼性を比較的向上することができるという効果も得られる。
【００５９】
さらに、本発明に係る請求項２または３記載の多分力検出器によれば、磁電変換素子が、弾性体支持部または磁電変換素子支持部を介して弾性体とは非接触に設けられているので、磁電変換素子と弾性体とを比較的確実に隔離することができる。したがって、異なる複数の方向から加わる作用力間の干渉をさらに低減することができるという効果も得られる。また、作用力が磁電変換素子に直接加わる可能性をさらに低減することができるので、衝撃力に対する信頼性をさらに向上することができるという効果も得られる。
さらに、本発明に係る請求項３記載の多分力検出器によれば、磁性体の変位のうち、配置面に対して直交する方向の変位および配置面の２つの軸方向の変位を比較的確実に検出することができるという効果も得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る多分力検出器１００の構造を示す図である。
【図２】永久磁石２とホール素子６ａ〜６ｄとの位置関係を示す図である。
【図３】永久磁石２がホール素子６ａ〜６ｄの下方に形成する磁束密度の分布を等高線表示した図である。
【図４】永久磁石２がＺ軸方向に変位した場合に、永久磁石２の変位量に対するホール素子６ａ〜６ｄの各配置位置での磁束密度の変位量を示すグラフである。
【図５】永久磁石２がＸ軸方向に変位した場合に、永久磁石２の変位量に対するホール素子６ａ〜６ｄの各配置位置での磁束密度の変位量を示すグラフである。
【図６】永久磁石２がＹ軸方向に変位した場合に、永久磁石２の変位量に対するホール素子６ａ〜６ｄの各配置位置での磁束密度の変位量を示すグラフである。
【図７】本発明に係る多分力検出器２００の構造を示す図である。
【図８】半導体磁気抵抗素子１１ａ〜１１ｄからなる回路を示す回路図である。
【図９】従来の多分力ロードセルの構造を示す斜視図である。
【図１０】従来の多分力検出器の外観を示す図である。
【図１１】従来の多分力検出器の構造を示す分解斜視図である。
【図１２】永久磁石５ａ〜５ｄとホール素子１０ａ〜１０ｄの対応関係を示す図である。
【符号の説明】
１００，２００            多分力検出器
１                        弾性体
２，１３                  永久磁石
３                        荷重受部
４                        弾性体支持部
４ａ〜４ｅ                貫通孔
５                        磁電変換素子支持部
５ａ〜５ｄ                凸部
６ａ〜６ｄ                ホール素子
７                        固定部
８，１０                  止め具
９，１４                  信号処理部
１１ａ〜１１ｄ            半導体磁気抵抗素子
１２                      ソフトフェライト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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