(57)【要約】【課題】高強度、低誘電率で信頼性の高い複合酸化物焼結体とその製造方法、並びに低抵抗金属を配線導体として用いても、十分な磁器強度を有し、機械的信頼性の高い配線基板を提供する。【解決手段】ヤング率が１４０ＧＰａ以上の結晶化したガラスからなるマトリックスと、該マトリックス中に分散して存在する平均粒径が２〜５μｍのアルミナ粒子とを具備し、ヤング率が前記マトリックスのヤング率よりも大きく、且つ誘電率が９以下、抗折強度が３５０ＧＰａ以上であることを特徴とし、特に前記マトリックス中に、前記アルミナ粒子が１０〜７０質量％の割合で含まれることが好ましい。【選択図】図１
2004115290.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヤング率が１４０ＧＰａ以上の結晶化したガラスからなるマトリックスと、該マトリックス中に分散して存在する平均粒径が２〜５μｍのアルミナ粒子とを具備する複合酸化物焼結体であって、該複合酸化物焼結体のヤング率が前記マトリックスのヤング率よりも大きく、且つ誘電率が９以下、抗折強度が３５０ＧＰａ以上であることを特徴とする複合酸化物焼結体。
【請求項２】
前記マトリックス中に、前記アルミナ粒子が１０〜７０質量％の割合で含まれることを特徴とする請求項１記載の複合酸化物焼結体。
【請求項３】
前記マトリックスが、ディオプサイド及び／又はコージェライトを主体とすることを特徴とする請求項１又は２記載の複合酸化物焼結体。
【請求項４】
ヤング率が１７０ＧＰａ以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の複合酸化物焼結体。
【請求項５】
結晶化した後のヤング率が１４０ＧＰａ以上のガラス粉末に、平均粒径が２〜５μｍのアルミナ粉末を混合して得られた混合粉末を成形し、しかる後に、水蒸気を含む窒素雰囲気で、１３００℃以下の温度で焼成することを特徴とする複合酸化物焼結体の製造方法。
【請求項６】
前記アルミナ粉末が１０〜７０質量％の割合で含まれることを特徴とする請求項５記載の複合酸化物焼結体の製造方法。
【請求項７】
絶縁基板の表面及び／又は内部に、メタライズ配線層が配設された配線基板において、前記絶縁基板が請求項１乃至４のいずれかに記載の複合酸化物焼結体からなることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子収納用パッケージや多層配線基板等の配線基板用の絶縁基板として好適であり、特に、銅や銀と同時焼成が可能で、誘電率および熱膨張係数の調整が容易で、高強度の複合酸化物焼結体およびその製造方法並びに配線基板に関する。
【０００２】
【従来技術】
従来、アルミナ多層配線基板としては、アルミナ質焼結体からなる絶縁基板の表面または内部にタングステンやモリブデンなどの高融点金属からなる配線層が形成されたものが最も普及している。
【０００３】
最近に至り、高度情報化時代を迎え、使用される周波数帯域はますます高周波化に移行しつつある。このような、高周波の信号の伝送を必要とする高周波配線基板においては、高周波信号を損失なく伝送する上で、配線層を形成する導体の抵抗が小さいこと、また絶縁基板の高周波領域での誘電損失が小さいことが要求される。
【０００４】
従って、従来配線基板に用いられていたタングステン（Ｗ）や、モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属は導体抵抗が大きいために信号の伝搬速度が遅く、また、１ＧＨｚ以上の高周波領域の信号伝搬も困難であることから、Ｗ、Ｍｏなどの金属に代えて、銅、銀などの低抵抗金属を使用することが必要となっている。
【０００５】
このような低抵抗金属からなるメタライズ配線層は、融点が低く、高温で焼成するアルミナとは同時焼成をすることが不可能であるため、最近では、１３００℃以下の温度で焼成が可能なガラス又はガラスとセラミックスとの複合酸化物焼結体を絶縁基板として用いた配線基板が開発されつつある。
【０００６】
しかしながら、従来の複合酸化物焼結体は磁器強度が低いために、機械的信頼性が低く、また、これを絶縁基板として用いると、該絶縁基板表面に形成した配線層に引っ張り応力がかかって配線層が絶縁基板ごと剥離してしまいメタライズ強度を高めることができないという問題があった。
【０００７】
そこで、強度に優れたディオプサイド結晶相を析出可能なガラス粉末に対して、フィラーとしてセラミック粉末を添加することによって、メタライズ強度を改善することが図られた。
【０００８】
例えば、ディオプサイド結晶相を析出可能なガラス粉末７０〜１００％に対して、アルミナ、ムライト等のセラミック粉末を０〜３０％添加、混合して焼成することによって、マイクロ波帯での誘電損失を低減しつつ、磁器強度を改善した磁器が提案されている。
【０００９】
【特許文献１】
特開平１０−１２０４３６号公報
【特許文献２】
特開平１１−４９５３１号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような磁器は、強度が高々２１５．６ＭＰａであり、配線層の剥離を抑制した信頼性の高い配線基板を得るためには、磁器強度が不十分であるという問題があった。
【００１１】
従って、本発明は、高強度、低誘電率で信頼性の高い複合酸化物焼結体とその製造方法、並びに低抵抗金属を配線導体として用いても、十分な磁器強度を有し、機械的信頼性の高い配線基板を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、水蒸気を含む窒素雰囲気で焼成することによって、低誘電率のガラスを結晶化させやすく、しかも結晶化したマトリックスのヤング率を１４０ＧＰａ以上、特に１７０ＧＰａ以上に高めることができ、且つこのようなマトリックス中に特定の大きさのアルミナ粒子を分散させることによって、高ヤング率、高抗折強度及び低誘電率で信頼性の高い複合酸化物焼結体を実現でき、得られた焼結体を用いることによって低抵抗金属を配線導体としても機械的信頼性の高い配線基板を実現できるという知見に基づくものである。
【００１３】
即ち、本発明の複合酸化物焼結体は、ヤング率が１４０ＧＰａ以上の結晶化したガラスからなるマトリックスと、該マトリックス中に分散して存在する平均粒径が２〜５μｍのアルミナ粒子とを具備する複合酸化物焼結体であって、該複合酸化物焼結体のヤング率が前記マトリックスのヤング率よりも大きく、且つ誘電率が９以下、抗折強度が３５０ＧＰａ以上であることを特徴とするものである。
【００１４】
特に、マトリックス相と反応せず高い強度を安定して出現させるため、前記マトリックス中に、前記アルミナ粒子が１０〜７０質量％の割合で含まれることが好ましい。
【００１５】
また、誘電損失などの誘電特性を高める上では、マトリックスが結晶化しており、このマトリックスが、ディオプサイド及び／又はコージェライトを主体とすることが望ましい。
【００１６】
また、さらに高強度化を図る上では、前記複合酸化物焼結体のヤング率が１７０ＧＰａ以上であることが望ましい。
【００１７】
また、本発明の複合酸化物焼結体の製造方法は、結晶化した後のヤング率が１４０ＧＰａ以上のガラス粉末に、平均粒径が２〜５μｍのアルミナ粉末を混合して得られた混合粉末を成形し、しかる後に、水蒸気を含む窒素雰囲気で、１３００℃以下の温度で焼成することを特徴とするものである。
【００１８】
特に、安定した高い強度を得るため、前記アルミナ粉末が１０〜７０質量％の割合で含まれることが好ましい。
【００１９】
また、本発明の配線基板は、絶縁基板の表面及び／又は内部に、メタライズ配線層が配設された配線基板において、前記絶縁基板が上記の複合酸化物焼結体からなることを特徴とするものである。これにより、信頼性を高い配線基板を実現できる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明の複合酸化物焼結体は、ヤング率が１４０ＧＰａ以上の結晶化したガラスをマトリックスとして用いるとともに、このような高ヤング率のマトリックスに平均粒径が２〜５μｍのアルミナ粒子を分散して存在させることが重要である。高いヤング率を有するマトリックスに対して、アルミナ粒子を分散させることによって、高強度化を図ることができ、信頼性を向上することができる。
【００２１】
マトリックスのヤング率が１４０ＧＰａに満たないと、ヤング率の高いフィラーに対しマトリックスのヤング率が低い為にマトリックスが破壊源となり強度が低下する。フィラーとのヤング率の差を低減し強度を安定化するために、マトリックスのヤング率は、特に１５０ＧＰａ以上、更には１６０ＧＰａ以上であることが望ましい。
【００２２】
また、アルミナ粒子の平均粒径が２μｍに満たないと、磁器の焼結性が低下し強度が安定しなくなり、５μｍを越えるとマトリックス相との粒径差が大きくなり強度が不安定になる。より高い強度を得るため、アルミナの平均粒径の下限値は、３μｍ、更には３．５が好ましい。
【００２３】
さらに、複合酸化物焼結体のヤング率は、マトリックスのヤング率よりも高くすることによって高強度化を図ることが重要である。複合酸化物焼結体のヤング率が、マトリックスのヤング率と同等以下である場合、強度がマトリックス相以上に高くならない。
【００２４】
このように、マトリックスのヤング率を高くし、マトリックス中にアルミナ粒子を分散させることによって、磁器全体のヤング率を高くし、アルミナ複合酸化物焼結体全体の強度を高めることができる。
【００２５】
さらにまた、抗折強度はパッケージおよび基板の信頼性を高める為、抗折強度が３５０ＭＰａ以上であることが重要であり、特に４００ＭＰａ以上であることが望ましい。
【００２６】
また、本発明の複合酸化物焼結体は、誘電率が９以下であることが重要である。上記のように、高ヤング率、高強度を保ったまま誘電率を９以下、特に８以下にすることで、配線基板に用い場合に高周波信号の損失を低減することができる。
【００２７】
また、本発明によれば、セラミックスの高周波での誘電損失を低減し基板の伝送損失を低減するために、マトリックスの結晶相が、ディオプサイド、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＺｎＡｌ２Ｏ４、ムライト、コージェライト、エンスタタイト、ウイレマイト、ＣａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８、ＳｒＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８、（Ｓｒ，Ｃａ）Ａｌ２Ｓｉ２Ｏ８、フォルステライト、セルシアン、ヘキサセルシアン、モンティセライト、メリライト、アケーマナイトの群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
【００２８】
これらの中で、特に扱いやすさの点でコージェライトが好ましく、強度向上の点からディオプサイド型結晶相が析出することが最も望ましい。
【００２９】
なお、ディオプサイド型結晶相としては、Ｃａ（Ｍｇ，Ａｌ）（Ｓｉ，Ａｌ）２Ｏ６のディオプサイドや、これと類似するＣａ２ＭｇＳｉ２Ｏ７（ａｋｅｒｍａｎｉｔｅ）、ＣａＭｇＳｉＯ４（ｍｏｎｔｉｃｅｌｌｉｔｅ）、Ｃａ３ＭｇＳｉ２Ｏ８（ｍｅｒｗｉｎｉｔｅ）等が析出してもよく、また、前記ディオプサイド型結晶相中にはＳｒＯが固溶していてもよい。
【００３０】
アルミナ粒子は、３５０ＭＰａ以上の強度を安定して得る為、１０〜７０質量％の割合で含まれることが好ましい。その下限値は、強度向上のため、特に２０質量％、特に３０質量％が好ましく、また、上限値は、強度のばらつきを低減するため６０質量％、特に５０質量％が好ましい。
【００３１】
本発明によれば、ヤング率は１７０ＧＰａ以上、特に１８０ＧＰａ以上であることが好ましい。このように、複合酸化物焼結体のヤング率を高めることによって３５０ＭＰａ以上、更には４００ＭＰａ以上の強度を安定して得ることができるという効果がある。
【００３２】
また、複合酸化物焼結体の開気孔率は１％以下、特に０．５％以下であることが、さらに高強度化とともに低誘電損失化を図る上で望ましい。
【００３３】
以上のように、本発明によれば、このような高強度のアルミナ複合酸化物焼結体を配線基板の絶縁基板として用いることによって、半導体素子等の電子部品の実装に伴い発生する熱応力によるクラックを防止し、メタライズ強度を高め、かつ配線基板の機械的信頼性を高めることができる。さらには、半田実装時や半導体素子の作動停止による繰り返し温度サイクルによって両者間の熱応力に起因するクラックや剥離の発生を防止し、両者間を接続する配線の電気的信頼性を向上させることができる。
【００３４】
次に、本発明のアルミナ複合酸化物焼結体を製造する方法について、ディオプサイトをガラスとして用いた場合を例にとって説明する。
【００３５】
まず、出発原料として、結晶化した後のヤング率が１４０ＧＰａ以上になるディオプサイド粉末と平均粒径が２〜５μｍ以上のアルミナ粉末を用いることが重要である。上記のディオプサイド粉末を３０〜９０質量％、特に４０〜８０質量％、更には５０〜７０質量％と、上記のアルミナ粉末を１０〜７０質量％、特に２０〜６０質量％、更には３０〜５０質量％の割合で混合する。
【００３６】
このように、ディオプサイド粉末とアルミナ粉末とを上記の比率で混合することによって、１３００℃以下の温度でも緻密化を実現しやすく、強度向上が容易になるためである。
【００３７】
また、アルミナ粉末の平均粒径の下限値は２μｍであるが、特に３μｍ、更には３．５μｍであることが望ましい。このように平均粒径の比較的大きい粉末を用いることによって抗折強度をさらに高めることができる。
【００３８】
さらに、ディオプサイド粉末およびアルミナ粉末の混合粉末のＢＥＴ比表面積は、焼結性を高め、緻密な焼結体を作製して高強度化を図るため、３ｍ２／ｇ以下、特に２ｍ２／ｇ以下であることが好ましい。
【００３９】
次に、上記の混合粉末を用いてドクターブレード法やカレンダーロール法、あるいは圧延法、プレス成形法の周知の成型法により所定形状の成形体を作製した後、１３００℃以下の酸化性雰囲気において焼成することが重要である。なお、所望により、焼成に先立ち、成形体を５００〜７５０℃で脱バインダ処理を行っても良い。また、酸化性雰囲気としては、水蒸気を含む窒素雰囲気を例示できる。
【００４０】
焼成温度の下限値は、焼結性を考慮して８００℃、特に８５０℃、更には９００℃であることが好ましい。また、その上限値はＣｕを含む低抵抗金属との同時焼成を円滑に行うため、特に１２００℃、更には１１００℃が好ましい。
【００４１】
なお、１３００℃以下での焼成で磁器の緻密化を容易にするためには、焼成時の昇温速度を１０５０℃／ｈ以下、特に５００℃／ｈ以下で、かつ焼成時間を１０分以上、特に３０分以上とすることが望ましく、また、磁器中の結晶相の結晶性を高めるためには、焼成時の昇温速度を１０５０℃／ｈ以下、特に５００℃／ｈ以下とすることが望ましい。
【００４２】
本発明のアルミナ複合組成物を用いて作製されたアルミナ複合酸化物焼結体は、配線基板の絶縁基板として好適に用いることができる。このような高強度のアルミナ複合酸化物焼結体、特に強度が３５０ＭＰａ以上、特に４００ＭＰａ以上、更には４５０ＭＰａ以上のアルミナ複合酸化物焼結体を用いることによって、半導体素子等の電子部品の実装に伴い発生する熱応力によるクラックを防止し、メタライズ強度を高め、かつ配線基板の機械的信頼性を高めることができる。
【００４３】
また、半田実装時や半導体素子の作動停止による繰り返し温度サイクルによって両者間の熱応力に起因するクラックや剥離の発生を防止し、両者間を接続する配線の電気的信頼性を向上させることができる。
【００４４】
本発明のガラスアルミナ組成物を用いて配線基板を作製するには、前記ディプサイド粉末とアルミナ粉末との混合粉末に、適当な有機溶剤、溶媒を用い混合してスラリーを調製し、これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法、あるいは圧延法、プレス成形法により、シート状に成形する。そして、このシート状成形体に所望によりスルーホールを形成した後、スルーホール内に、銅、金、銀のうちの少なくとも１種を含む導体ペーストを充填する。そして、シート状成形体表面には、高周波信号が伝送可能な高周波線路パターン等に前記導体ペーストを用いてスクリーン印刷法、グラビア印刷法などによって印刷するか、または銅箔などの金属箔をパターン加工して貼りつけるなどの方法によって、厚みが５〜３０μｍの配線パターンを形成する。
【００４５】
その後、複数のシート状成形体を位置合わせして積層圧着し、窒素ガスや窒素−酸素混合ガス等の非酸化性雰囲気中、上述した条件で焼成することにより、高周波用配線基板を作製することができる。具体的に、例えば、導体として銅等の焼成により酸化する恐れもあるものを用いる場合には、脱バインダ処理を水蒸気含有雰囲気等の弱酸化性雰囲気、焼成を窒素、窒素−水素あるいは窒素−不活性ガス等の非酸化性雰囲気中にて焼成することが望ましい。
【００４６】
そして、この配線基板の表面に、適宜半導体素子等のチップ部品が搭載され配線層と信号の伝達が可能なように接続される。接続方法としては、配線層上に直接搭載させて接続したり、あるいは樹脂、Ａｇ−エポキシ、Ａｇ−ガラス、Ａｕ−Ｓｉ等の樹脂、金属、セラミックス等の厚み５０μｍ程度の接着剤によりチップ部品を絶縁基板表面に固着し、ワイヤーボンディング、ＴＡＢテープなどにより配線層と半導体素子とを接続する。なお、半導体素子としては、Ｓｉ系やＧａ−Ａｓ系等のチップ部品の実装に有効である。
【００４７】
さらに、半導体素子が搭載された配線基板表面に、絶縁基板と同種の絶縁材料や、その他の絶縁材料、あるいは放熱性が良好な金属等からなり、電磁波遮蔽性を有するキャップをガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤により接合してもよく、これにより半導体素子を気密に封止することができる。
【００４８】
本発明のガラスアルミナ組成物を好適に使用しうる高周波用配線基板の一例である半導体素子収納用パッケージの具体的な構造とその実装構造について図１をもとに説明する。図１は、半導体素子収納用パッケージ、特に、接続端子がボール状端子からなるボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）型パッケージの概略断面図である。図１によれば、パッケージＡは、絶縁材料からなる絶縁基板１と蓋体２によりキャビティ３が形成されており、そのキャビティ３内には、Ｓｉ、Ｇａ−Ａｓ等のチップ部品４が前述の接着剤等により実装されている。
【００４９】
また、絶縁基板１の表面および内部には、チップ部品４と電気的に接続された配線層５が形成されている。この配線層５は、高周波信号の伝送時に導体損失を極力低減するために、銅を含む低抵抗金属からなることが望ましい。また、この配線層５に１ＧＨｚ以上の高周波信号を伝送する場合には、高周波信号が損失なく伝送されることが必要となるため、配線層５は周知のストリップ線路、マイクロストリップ線路、コプレーナ線路、誘電体導波管線路のうちの少なくとも１種から構成される。
【００５０】
さらに、図１のパッケージＡにおいて、絶縁基板１の底面には、接続用電極層６が被着形成されており、パッケージＡ内の配線層５と接続されている。そして、接続用電極層６には、半田などのロウ材７によりボール状端子８が被着形成されている。
【００５１】
また、上記パッケージＡを外部回路基板Ｂに実装するには、図１に示すように、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの有機樹脂を含む絶縁材料からなる絶縁基板９の表面に配線導体１０が形成された外部回路基板Ｂに対して、ロウ材を介して実装される。具体的には、パッケージＡにおける絶縁基板１の底面に取付けられているボール状端子８と、外部回路基板Ｂの配線導体１０とを当接させてＰｂ−Ｓｎなどの半田１１によりロウ付けして実装される。また、ボール状端子８自体を溶融させて配線導体１０と接続させてもよい。
【００５２】
本発明によれば、Ｇａ−Ａｓ等のチップ部品４のロウ付けや接着剤により実装されるような表面実装型パッケージにおいて、Ｇａ−Ａｓ等のチップ部品４の絶縁基板１との熱膨張差を従来のアルミナ材料よりも小さくできることから、かかる実装構造に対して、熱サイクルが印加された場合においても実装部での応力の発生を抑制することができる結果、実装構造の長期信頼性を高めることができる。なお、図１のボール状端子８に代えて柱状端子（ランドグリッドアレイ（ＬＧＡ））を用いることも可能である。
【００５３】
【実施例】
次の３種類の原料粉体を準備した。まず、マトリックス粉体Ａとして、ＳｉＯ２が５０質量％、Ａｌ２Ｏ３が５．５質量％、ＭｇＯが１８．５質量％、ＣａＯが２６質量％からなるディオプサイド粉体を準備した。次に、マトリクッス粉体Ｂとして、ＳｉＯ２が３５質量％、Ａｌ２Ｏ３が５５質量％、ＭｇＯが１０質量％からなるコージェライト粉体、さらにマトリクッス粉体Ｃとして、ＳｉＯ２が５０質量％、Ｂ２Ｏ３が２７．３質量％、Ａｌ２Ｏ３が９．１質量％、ＣａＯが１３．６質量％からなるガラス粉体を準備した。
【００５４】
そして、上記ガラスに対して表１のアルミナフィラー（純度９９％）を添加した。なお、マトリックス（ガラス）及び複合酸化物焼結体（磁器）のヤング率は超音波パルス法によって求め、表１に示した。
【００５５】
さらに、この混合物に有機バインダ、可塑剤、トルエンを添加し、スラリーを調製した後、このスラリーを用いてドクターブレード法により厚さ３００μｍのグリーンシートを作製した。そして、このグリーンシートを１０〜１５枚積層し、５０℃の温度で１０ＭＰａの圧力を加えて熱圧着した。得られた積層体を水蒸気含有／窒素雰囲気中、７００℃で脱バインダ処理を行った後、表１の昇温速度で加熱し、表１の焼成条件で焼成した後、表１の降温速度で冷却して絶縁基板用磁器を得た。なお、焼成時の酸素分圧は、１０−４気圧に設定した。
【００５６】
得られた磁器について誘電率、誘電損失を以下の方法で評価した。測定は形状、直径２〜７ｍｍ、厚み１．５〜２．５ｍｍの形状に切り出し、６０ＧＨｚにてネットワークアナライザー、シンセサイズドスイーパーを用いて誘電体円柱共振器法により測定した。測定では、ＮＲＤガイド（非放射性誘電体線路）で、誘電体共振器の励起を行い、ＴＥ０２１、ＴＥ０３１モードの共振特性より、誘電率、誘電損失（ｔａｎδ）を算出した。
【００５７】
また、アルキメデス法により開気孔率を測定し、ＪＩＳ−Ｒ１６０１に基づき、アルミナ複合酸化物焼結体の３点曲げ抗折強度を測定した。
【００５８】
また、表１の各々の組成物を用いて、ドクターブレード法により厚み５００μｍのグリーンシートを作製し、このシート表面に厚み１０μｍのＣｕを含むメタライズペーストをスクリーン印刷法を用いて塗布しメタライズ配線層を形成した。また、グリーンシートの所定箇所にスルーホールを形成しその中にもＣｕメタライズペーストを充填した。そして、メタライズペーストが塗布されたグリーンシートをスルーホール間で位置合わせしながら６枚積層し圧着した。この積層体を上述した焼成条件でメタライズ配線層と絶縁基板とを同時焼成し、表面にメタライズ配線層が形成された配線基板を作製した。
【００５９】
得られた配線基板表面の２ｍｍ角のメタライズ配線層の表面にニッケルメッキおよび金メッキを施し、該メッキ膜上に銅リード線を半田付けした後、該リード線をメタライズ配線層と垂直に１０ｍｍ／秒の速度で引っ張ってメタライズ配線層が剥がれまたは破損する引張荷重（Ｆ）を測定し、メタライズ配線層の形成面積（Ｓ）との比であるＦ／Ｓ（ＭＰａ）をメタライズ強度として算出した。
【００６０】
絶縁基板のＸ線回折測定を行い、検出された結晶相およびリートベルト法によって磁器中の結晶相の比率を算出した。結果を表１に示した。
【００６１】
【表１】
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【００６２】
本発明の複合酸化物焼結体焼結体からなる試料Ｎｏ．３〜１２及び１４〜２４はガラスマトリックスのヤング率が１４０ＧＰａ、複合酸化物焼結体がマトリックスよりも大きなヤング率を有し、且つ誘電率が９以下、抗折強度が３５０ＭＰａ以上で、メタライズ強度が２０ＭＰａ以上であった。
【００６３】
特に、ヤング率が１７０ＧＰａ以上の試料Ｎｏ．６〜１２及び１４〜２３は、抗折強度が３５０ＭＰａ以上、メタライズ強度が３２ＭＰａ以上の優れた特性を示した。
【００６４】
一方、アルミナをフィラーとして含まないガラスからなる本発明の範囲外の試料Ｎｏ．１は、抗折強度が２２０ＭＰａ、メタライズ強度が１８ＭＰａと低かった。また、フィラー（Ａｌ２Ｏ３）量が１０質量％未満の試料Ｎｏ．２は、抗折強度が２４０ＭＰａと低いものであった。
【００６５】
さらに、フィラーとしてアルミナの含有量が多く、抗折強度が１８０ＭＰａと低い試料Ｎｏ．１３は、メタライズ強度が１２ＭＰａと低かった。
【００６６】
さらにまた、非晶質ガラスからなるマトリックスのヤング率が１４０ＧＰａに満たない本発明の範囲外の試料Ｎｏ．２５は、抗折強度も１９０ＭＰａ以下と低く、メタライズ強度も１９ＭＰａであった。
【００６７】
【発明の効果】
本発明によれば、水蒸気を含む雰囲気において１３００℃以下の低温で焼成することによって、低誘電率のガラスをほぼ結晶化でき、１４０ＧＰａ以上のヤング率を付与できるため、高強度、低誘電率の複合酸化物焼結体を製造することができる。
【００６８】
そして、銅を含む低抵抗金属による配線層を形成でき、磁器強度が３５０ＭＰａ以上、メタライズ強度が２０ＭＰａ以上と高いために、Ｓｉ、Ｇａ−Ａｓチップを実装した場合において優れた耐熱サイクル性を有し、高信頼性の配線基板を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板を示す概略断面図である。
【符号の説明】
Ａ・・・半導体素子収納用パッケージ
Ｂ・・・外部回路基板
１・・・絶縁基板
２・・・蓋体
３・・・キャビティ
４・・・チップ部品
５・・・配線層
６・・・接続用電極層
７・・・ロウ材
８・・・ボール状端子
９・・・絶縁基板
１０・・・配線導体
１１・・・半田
【図１】
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