(57)【要約】【課題】内層配線導体層となる金属箔およびガラスセラミックグリーンシートを同時焼成した際、配線基板内部の層間にデラミネーションの発生がなく、また金属箔に形成された貫通孔の部位に変形やクラック等が発生しないようにし、さらに内層配線導体層の電気抵抗が低くなって電気的特性に優れた配線基板を提供すること。【解決手段】複数のガラスセラミック層１０ａ〜１０ｄが積層されて成る絶縁基体１０の内部に、複数の貫通孔１１が形成された金属箔および貫通孔１１に充填されたメタライズ部から成る内層配線導体層６が形成されている。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のガラスセラミック層が積層されて成る絶縁基体の内部に、複数の貫通孔が形成された金属箔および前記貫通孔に充填されたメタライズ部から成る内層配線導体層が形成されていることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品搭載用基板や半導体素子収納用パッケージなどに適した配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子収納用パッケージ等に使用される配線基板として、比較的高密度の配線が可能な多層セラミック配線基板が多用されている。この多層セラミック配線基板は、アルミナセラミックスやガラスセラミックなどの絶縁層を複数積層した絶縁基体と、その表面に形成された、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ）等の金属からなる配線導体とから構成されるものであり、例えば絶縁基体の上面に形成されたキャビティ内に半導体素子が収容され、絶縁基体の上面のキャビティの周囲に接合された蓋体によってキャビティが気密に封止されるものである。
【０００３】
近年、高集積化が進むＩＣやＬＳＩ等の半導体素子を搭載する半導体素子収納用パッケージや、各種電子部品が搭載される混成集積回路装置等に適用される配線基板においては、高密度化、低抵抗化、小型軽量化が要求されており、アルミナ系セラミック材料に比較して低い誘電率が得られ、配線導体として銅等の低抵抗金属を用いることができることから、焼成温度が１０００℃以下のいわゆるガラスセラミックから成る配線基板が注目されている。
【０００４】
このガラスセラミックから成る配線基板において、配線導体を形成する手法としてＣｕ，Ａｇ等の金属からなる配線導体を主成分とするメタライズペーストをスクリーン印刷法等によって絶縁基体上に印刷する手法が用いられている。しかしながら、この手法を用いた場合、配線幅１００μｍ以下の配線導体を形成するのが難しく、その結果、さらなる高密度化、小型軽量化の達成することは困難であった。また、電気抵抗についてもメタライズペーストで配線導体を形成するため、配線導体内に空隙が多く存在することとなり、低抵抗化が困難になるという問題点があった。
【０００５】
この問題を解決する構成として、ガラスセラミックグリーンシートにエッチング加工した金属箔から成る配線導体を形成した構成が知られている（例えば、下記の特許文献１参照）。
【０００６】
配線導体を金属箔により形成することで電気抵抗を従来の印刷法を用いた場合と比較して約６０〜７０％に低下させることができ、また金属箔をエッチング加工することで配線幅を１００μｍ以下にすることも可能となる。
【０００７】
【特許文献１】
特開昭６３−９９５９６号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、配線基板中の内層接地導体層のような大面積の内層配線導体層を金属箔によって形成する場合、ガラスセラミックグリーンシートから成る絶縁層の焼成時に発生するバインダーの分解ガスが外に抜けにくくなるため、絶縁層の層間や内層配線導体層と絶縁層との間でデラミネーション（層間剥離）やクラックが発生し、歩留まりが低下するという問題点があった。
【０００９】
その対策として、内層接地導体層等の大面積の内層配線導体層をメッシュ状（格子状）として複数の貫通孔を形成した構成が一般に採られている。
【００１０】
しかしながら、内層配線導体層をメッシュ状として多数の貫通孔を形成すると、複数のセラミックグリーンシートを積層して生セラミック成形体を作製する際に、貫通孔の部位には十分な加圧ができない。そのため、生セラミック成形体を内層配線導体層と同時焼成した際、絶縁基体の絶縁層の層間や内層配線導体層と絶縁層との間でデラミネーションが発生してしまう。また、デラミネーションを防ぐために、複数のセラミックグリーンシートを十分に加圧して積層すると、加圧の圧力により貫通孔の部位に変形やクラック等が発生してしまうという問題点があった。さらに、貫通孔の数が増えると内層配線導体層の電気抵抗が高くなり、高周波信号の伝送特性の劣化、電源電流の損失、接地電位の不安定化や低下といった配線基板の電気的特性に悪影響を及ぼすという問題点もあった。
【００１１】
したがって、本発明は上記従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、内層配線導体層となる金属箔およびガラスセラミックグリーンシートを同時焼成した際、配線基板内部の絶縁層の層間や内層配線導体層と絶縁層との間でデラミネーションの発生がなく、また金属箔に形成された貫通孔の部位に変形やクラック等が発生することがないものとすることである。さらに、内層配線導体層の電気抵抗が低くなり、高周波信号の伝送特性の向上、電源電流の低損失化、接地電位の安定化といった電気的特性に優れた配線基板を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線基板は、複数のガラスセラミック層が積層されて成る絶縁基体の内部に、複数の貫通孔が形成された金属箔および前記貫通孔に充填されたメタライズ部から成る内層配線導体層が形成されていることを特徴とする。
【００１３】
本発明の配線基板は、複数のガラスセラミック層が積層されて成る絶縁基体の内部に、複数の貫通孔が形成された金属箔および貫通孔に充填されたメタライズ部から成る内層配線導体層が形成されていることにより、絶縁基体となる生セラミック成形体を積層し加圧する際に、金属箔の貫通孔にはメタライズ部となる導体ペーストが充填されていることから、加圧の圧力が貫通孔の部位にも均一に加わることとなり、これにより内層配線導体層のメタライズ部となる導体ペーストとセラミックグリーンシートを同時焼成した際に絶縁基板内部の絶縁層の層間や内層配線導体層と絶縁層との間でデラミネーションが発生することがなくなる。また、金属箔の貫通孔に充填された導体ペーストが補強部材として機能し、貫通孔の部位に変形やクラック等が発生することがなくなる。さらに、メタライズ部は金属箔と一体化されていることから、内層配線導体層が低抵抗化され、電気的特性に優れた配線基板が得られる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の配線基板について以下に詳細に説明する。図１は本発明の配線基板Ａの断面図であり、図１において、絶縁基体１０は、厚み５０〜２５０μｍのガラスセラミック絶縁層１０ａ〜１０ｄを複数積層してなる積層体から成り、絶縁層１０ａ〜１０ｄの層間には厚みが３〜２５μｍ程度の内層接地導体層等としての内層配線導体層６が形成され、また絶縁基体１０表面には厚みが３〜２５μｍ程度の配線導体層３が形成されている。
【００１５】
また、各ガラスセラミック層１０ａ〜１０ｄの厚み方向を貫くようにして直径５０〜２００μｍの貫通導体２が形成されており、これにより、配線導体層３と内層配線導体層６との間等を電気的に接続し、所定の電気回路が構成される。また、配線導体層３の一部（電極パッド部）の上面には、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子等からなる電子部品Ｂが半田や導電性樹脂接着剤等を介して接合されて搭載される。即ち、配線導体層３の一部は、ＩＣチップなどの各種電子部品Ｂを搭載するための電極パッドとして、またはシールド用導体層として、または外部電気回路に電気的に接続される端子電極として用いられ、例えば電子部品Ｂが配線導体層３の一部に半田や導電性樹脂接着剤などを介して接合される。
【００１６】
さらに、配線基板Ａの表面には、珪化タンタル、珪化モリブデンなどの厚膜抵抗体膜や配線保護膜などを形成しても構わない。
【００１７】
本発明において、内層配線導体層６のうち、それが形成された絶縁層の主面に対する面積比率が５０％以上のものが金属箔およびメタライズ部から成ることが好ましい。５０％以上となると、焼成時の脱バインダーの際に発生する有機成分の分解ガスが外へ抜けにくくなるため分解ガスの内圧によりデラミネーションやクラックが発生し易いからである。
【００１８】
本発明による内層配線導体層６は、図２に示すように、金属箔に複数の貫通孔１１が形成されており、生セラミック成形体の焼成前には貫通孔１１に導体ペーストが充填されている。これにより、絶縁基体１０となる生セラミック成形体を積層し加圧する際に、金属箔の貫通孔１１にはメタライズ部となる導体ペーストが充填されていることから、加圧の圧力が貫通孔１１の部位にも均一に加わることとなり、これにより内層配線導体層６のメタライズ部となる導体ペーストとセラミックグリーンシートを同時焼成した際に絶縁基板１０内部の絶縁層の層間や内層配線導体層６と絶縁層との間でデラミネーションが発生することがなくなる。また、金属箔の貫通孔１１に充填された導体ペーストが補強部材として機能し、貫通孔１１の部位に変形やクラック等が発生することがなくなる。さらに、メタライズ部は金属箔と一体化されていることから、内層配線導体層６が低抵抗化され、電気的特性に優れた配線基板Ａが得られる。
【００１９】
本発明において、複数の貫通孔１１間の距離（中心間距離）は平均して０．１〜２．０ｍｍであることが好ましい。０．１ｍｍ未満の場合、貫通孔１１の数が多くなり、貫通孔１１に充填された導体ペーストの内層配線導体層６に占める面積比率が大きくなり、内層配線導体層６の電気抵抗が大きくなるため配線基板Ａの電気的特性が劣化し易くなる。即ち、導体ペーストは、銅（Ｃｕ）粉末にアクリル樹脂等の有機バインダおよびトルエン，イソプロビルアルコール，アセトン等の有機溶剤を添加混合して適当な粘度に調整されたものであるため、導体ペースト中には空隙が多く、銅等の金属箔に比べて電気抵抗が高く、従って金属箔と導体ペーストが一体化された内層配線導体層６の電気抵抗が大きくなる。２．０ｍｍを超える場合、貫通孔１１の数が少なくなり、焼成時の脱バインダーの際に発生する有機成分の分解ガスが貫通孔１１に充填された導体ペーストを通って外へ抜けにくくなるため、分解ガスの内圧によりデラミネーションやクラックが発生する。さらに、貫通孔１１形成の容易性の点から上記距離は０．３〜１．０ｍｍがより好ましい。
【００２０】
また、貫通孔１１の径は平均して０．０５〜０．４ｍｍであることが好ましい。０．０５ｍｍ未満では、貫通孔１１に充填された導体ペーストを通って外へ脱バインダー時の分解ガスが通過する経路としての役割を十分果たすことができない。０．４ｍｍを超えると、貫通孔１１に充填された導体ペーストの内層配線導体層６に占める面積比率が大きくなり、内層配線導体層６の抵抗が大きくなり易い。より好ましくは、貫通孔１１の径は０．０８〜０．２ｍｍがよい。
【００２１】
なお、貫通孔１１の径とは最大径であり、貫通孔１１の断面形状が円形の場合は直径に相当し、貫通孔１１の断面形状が楕円形の場合は長径に相当し、貫通孔１１の断面形状が四角形の場合には対角線の長さに相当する。従って、貫通孔１１の径の平均とは、各貫通孔１１の径（最大径）の和を貫通孔１１の数で割ったものである。
【００２２】
また、貫通孔１１の平均の距離と平均の径の関係について、それらの比（距離／径）が１．２より小さいと導通抵抗が大きくなることから、上記比は１．２以上であることが好ましい。
【００２３】
平均の距離の算出方法は、図２に示すように、例えば内層配線導体層６内部にある貫通孔ａに関しては、隣接する全ての貫通孔ａ１〜ａ９との距離の平均値を算出することによって行なう。また、内層配線導体層６の最外周部に存在する貫通孔ｂに関しては、隣接する全ての貫通孔ｂ１〜ｂ４，ｂ６に加え、内層配線導体層６の辺ｂ５も貫通孔の開口とみなし、貫通孔ｂと貫通孔ｂ１〜ｂ６との距離の平均値を算出することによって算出した。
【００２４】
次に、本発明の配線基板Ａの製造方法を、図１の配線基板Ａについて図３の工程図を基に説明する。
【００２５】
絶縁基体１０はガラスセラミックスからなり、その材料として先ず平均粒径０．５〜１０μｍ、好ましくは１〜５μｍのガラス粉末と、平均粒径０．５〜１０μｍ、好ましくは１〜５μｍのセラミックフィラー粉末とを準備する。ガラス粉末の平均粒径が０．５μｍ未満では、グリーンシート化する際に粉末の比表面積が大きくなって有機成分比が高くなるため、グリーンシート１の収縮ばらつきが大きくなる。１０μｍを超えると、スラリーをグリーンシート化した際にそのグリーンシート１表面に粉末の粗大粒による突起などの欠陥が生じやすくなる。セラミックフィラー粉末の平均粒径が０．５μｍ未満では、粉末の比表面積が大きくなり、凝集粒が生じやすくなるため、スラリーへの分散性が劣化してスラリーの粘度等が不安定となる。１０μｍを超えると、グリーンシート化した際に、そのグリーンシート１表面に粉末の粗大粒による突起などの欠陥が生じ、その突起はグリーンシート１の焼成時に破壊起点となりやすく機械的強度のばらつきの要因となる。
【００２６】
ガラス粉末のガラス成分としては、少なくともＳｉＯ２を含み、Ａｌ２Ｏ３，Ｂ２Ｏ３，ＺｎＯ，ＰｂＯ，アルカリ土類金属酸化物，アルカリ金属酸化物のうちの少なくとも１種以上を含有したものであって、例えばＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭＯ系（但し、ＭはＣａ，Ｓｒ，Ｍｇ，ＢａまたはＺｎである）等のホウケイ酸ガラス，アルカリ珪酸ガラス，Ｂａ系ガラス，Ｐｂ系ガラス，Ｂｉ系ガラス等が挙げられる。
【００２７】
これらのガラスは、焼成処理することによって非晶質ガラスとなるもの、また焼成処理によって、アルカリ金属シリケート，クォーツ，クリストバライト，コージェライト，ムライト，エンスタタイト，アノーサイト，セルジアン，スピネル，ガーナイト，ディオプサイド，イルメナイト，ウイレマイト，ドロマイト，ペタライトやその置換誘導体の結晶の少なくとも１種を析出するものが用いられる。
【００２８】
セラミックフィラー粉末としては、クォーツ，クリストバライト等のＳｉＯ２や、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３），ジルコニア（ＺｒＯ２），ムライト，フォルステライト，エンスタタイト，スピネル，マグネシアの群から選ばれる少なくとも１種が好適に用いられる。
【００２９】
上記ガラス粉末とセラミックフィラー粉末とを、ガラス成分１０〜９０重量％、特に好ましくは５０〜８０重量％と、セラミックフィラー成分１０〜９０重量％、特に好ましくは２０〜５０重量％の割合で混合する。その混合物に有機バインダー等を加えた後、ドクターブレード法、圧延法、プレス法などによりシート状に成形して厚さ約５０〜５００μｍのガラスセラミックスのグリーンシート１を作製する。
【００３０】
次に、このグリーンシート１に、レーザ光照射、マイクロドリル、パンチングなどの方法により直径５０〜２００μｍの貫通孔を形成し、その内部に導体ペーストを充填して貫通導体２を形成する（図３（ａ））。
【００３１】
導体ペーストは、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ等の金属成分と、アクリル樹脂などの有機バインダー，トルエン，イソプロピルアルコール，アセトンなどの有機溶剤とを混合して形成される。有機バインダーは金属成分１００重量部に対して０．５〜１５重量部、有機溶剤は固形成分および有機バインダー１００重量部に対して５〜１００重量部の割合で混合されることがよい。有機バインダーが金属成分１００重量部に対して０．５重量部未満では、導体ペーストの粘性が不足し安定した印刷性が確保できない。１５重量部を超えると、導体ペースト中の金属成分比率が低下して、焼結後の電気抵抗の値が高くなる。有機溶剤が固形成分および有機バインダー１００重量部に対して５重量部未満では、印刷した際にグリーンシート１への溶剤の浸透が不足し、十分な密着性が得られない。１００重量部を超えると、印刷した際にグリーンシート１への溶剤の浸透が過多となり、グリーンシート１の延びや変形などの不具合が生じ易くなる。
【００３２】
なお、導体ペースト中にはガラスセラミック材料との焼成収縮を合わせるため、若干のホウケイ酸ガラス等のガラス成分やアルミナ等の無機粉末等を添加してもよい。
【００３３】
また、内層配線導体層６の貫通孔１１に充填される導体ペーストは、貫通孔１１の内部を完全に充填してもよいし、貫通孔１１の内部を５０体積％程度以上占めるように充填してもよい。導体ペーストが完全に充填されていない場合、脱バインダー時の分解ガスが効率的に外部に抜け易くなり、好ましい。導体ペーストの充填率が５０体積％未満では、製造が困難になる。これは、貫通孔１１の径は平均で０．０５〜０．４ｍｍ程度であるため、導体ペーストを充填することは容易にできるが、不完全な充填を行なうには貫通孔１１に導体ペーストを上側から垂れ込ませて下側から吸引する方法等で行なう必要があり、貫通孔１１における導体ペーストの量を制御するのが難しくなり、非常に製造が難しくなるからである。
【００３４】
次に、グリーンシート１の表面に配線導体層３および内層配線導体層６を形成する。配線導体層３としては、配線導体層３の線幅が７５μｍ以下がよく、特に５０μｍ以下がよく、また配線導体層３間の距離が１５０μｍ以下であることが好ましい。配線導体層３の線幅が７５μｍを超えると、配線導体層３の高密度配線が難しくなるため配線基板が大型化し易くなる。配線導体層３間の距離が１５０μｍを超えると、同様に高密度配線が難しくなるため配線基板が大型化し易くなる。
【００３５】
上記のように配線導体層３の線幅を７５μｍ以下に微細化するには、純度９９．５重量％以上の高純度金属で形成することがよく、特に金属箔を用いると配線導体層３全体を容易に高純度金属で形成することができ、好ましい。金属箔の材料としては、低抵抗であることやマイグレーションを抑制しうることなどから銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ）等が好ましい。内層配線導体層６についても同様の理由から銅箔等で形成することが好ましい。
【００３６】
このような金属箔からなる配線導体層３および内層配線導体層６は、グリーンシート１の表面に金属箔を接着した後に周知のフォトエッチング法等によって所望の回路を形成する方法が知られているが、かかる方法ではエッチング液によってグリーンシート１を変質させてしまうため、本発明では転写法で形成することが好ましい。
【００３７】
転写法では、まず高分子材料からなる樹脂フィルム５（図３（ｂ））の一主面に銅箔等の金属箔を熱可塑性樹脂からなる接着剤により接着する。次に、金属箔の表面にレジストを鏡像の配線パターン状に塗布するとともに貫通孔の形成部分に塗布した後、エッチング処理およびレジスト除去を行うことによって、樹脂フィルム５の表面に配線導体層３や内層配線導体層６を形成する。
【００３８】
次に、貫通導体２が形成されたグリーンシート１の表面に、樹脂フィルム５上の配線導体層３や内層配線導体層６を位置合わせして積層し圧着した後（図３（ｂ））、樹脂フィルム５を剥がしてグリーンシート１の表面に配線導体層３や内層配線導体層６を転写する。そして、貫通導体２と接続された内層配線導体層６の貫通孔１１の内部に貫通導体２と同じ材料の導体ペーストを充填して、配線導体層３および内層配線導体層６を有するグリーンシート１を形成する。
【００３９】
その後、同様にして得られた複数のガラスセラミックのグリーンシート１ａ〜１ｄを積層し圧着して積層体を形成する（図３（ｃ））。グリーンシート１ａ〜１ｄの積層は、積み重ねられたグリーンシート１ａ〜１ｄに熱と圧力を加えて熱圧着する方法、有機バインダー，可塑剤，溶剤等からなる接着剤をグリーンシート１ａ〜１ｄの間に塗布して熱圧着する方法等により行なうことができる。
【００４０】
次に、焼成時にグリーンシート１ａ〜１ｄの積層体の平面方向の収縮を抑制するため、積層体の焼成温度で難焼結性のセラミック材料を主成分とする拘束シート８を積層体の両主面または一主面に積層加圧して拘束シート付きの積層体を作製する（図３（ｄ））。
【００４１】
この拘束シート８は、難焼結性セラミック材料を主成分とする無機成分に、有機バインダー，可塑剤，溶剤等を加えたスラリーをシート状に成形して得られる。難焼結性セラミック材料は、具体的には１０００℃以下の温度で緻密化しないようなセラミック組成物から成り、好ましくは平均粒径が１〜２０μｍ、より好ましくは３〜１０μｍのＡｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＭｇＯ，ＺｒＯ２，ＢＮ，ＴｉＯ２の群から選ばれる少なくとも１種および／またはこれらの複合酸化物｛フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４），エンスタタイト（ＭｇＳｉＯ３）等｝の粉末が挙げられる。
【００４２】
上記平均粒径が１μｍ未満では、粉末の比表面積が大きくなるため有機成分比が高くなり焼成時に拘束性が不安定となる。２０μｍを超えると、グリーンシート化した際に、そのグリーンシート表面に粉末の粗大粒による突起などの欠陥が生じ易くなる。
【００４３】
また、拘束シート８中の有機バインダー、可塑剤および溶剤としては、ガラスセラミックスのグリーンシート１を形成するものと同じ材料、具体的にはアクリル系樹脂，ＤＢＰ（フタル酸ジブチル）等の可塑剤，ＩＰＡ（イソプロピルアルコール），アセトン，トルエン等の溶剤等が好適に使用できる。また、拘束シート８中にはガラス成分、換言すれば非晶質成分を０．５〜１５重量％、特に１〜１２重量％含有していることが好ましく、これにより焼成収縮に対する拘束力を高め、また、拘束シート８と接する部分でのガラス成分の移動を抑制して焼結不良などの発生を防ぐことができる。このガラス成分は、グリーンシート１中に含まれるガラス成分と異なるものでも良いが、グリーンシート１中のガラスの拡散を防止するうえで同じガラス成分を用いることがよい。
【００４４】
次に、上記拘束シート付きの積層体を、好ましくは１００〜８５０℃、より好ましくは４００〜７５０℃の温度で、酸化性または弱酸化性雰囲気中で加熱処理して、グリーンシート１ａ〜１ｄ内や貫通導体２中の有機成分を分解除去する。このとき、グリーンシート１ａ〜１ｄ中の有機成分を除去するとともに、配線導体層３および内層配線導体層６を転写形成する際にそれらの表面に形成された接着層をも分解除去できるように温度等の条件を設定する。即ち、有機成分および接着層として熱分解性に優れたアクリル系樹脂を用いた場合、５００〜８００℃、Ｎ２の雰囲気中で、０．５〜２時間程度温度を保持することによって、炭素の残存をほとんど皆無とすることができる。その後、８００〜１０５０℃のＮ２雰囲気中で同時焼成する。
【００４５】
焼成後は、拘束シート８を、Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＭｇＯ，ＺｒＯ２，ＢＮ，ＴｉＯ２等から選ばれる少なくとも１種を含む砥粒を空気と共に０．０５〜０．５ＭＰａ（メガパスカル）の圧力で吹き付けて除去することによって、本発明の配線基板Ａを作製する。
【００４６】
上記拘束シート８を用いて焼成することによって、焼成時の収縮が拘束シート８によって厚さ方向だけとなるように積層体が拘束されているので、例えば積層体が略直方体状の場合には一辺の長さの収縮率が０．５％以下となるように抑えることができる。しかも、グリーンシート１ａ〜１ｄは拘束シート８によって全面にわたって均一にかつ確実に結合されているので、拘束シート８の剥離によって反りや変形が起こるのを防止することができる。
【００４７】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。
【００４８】
【発明の効果】
本発明の配線基板は、複数のガラスセラミック層が積層されて成る絶縁基体の内部に、複数の貫通孔が形成された金属箔および貫通孔に充填されたメタライズ部から成る内層配線導体層が形成されていることにより、絶縁基体となる生セラミック成形体を積層し加圧する際に、金属箔の貫通孔にはメタライズ部となる導体ペーストが充填されていることから、加圧の圧力が貫通孔の部位にも均一に加わることとなり、これにより内層配線導体層のメタライズ部となる導体ペーストとセラミックグリーンシートを同時焼成した際に絶縁基板内部の絶縁層の層間や内層配線導体層と絶縁層との間でデラミネーションが発生することがなくなる。また、金属箔の貫通孔に充填された導体ペーストが補強部材として機能し、貫通孔の部位に変形やクラック等が発生することがなくなる。さらに、メタライズ部は金属箔と一体化されていることから、内層配線導体層が低抵抗化され、電気的特性に優れた配線基板が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板について実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の配線基板における内層配線導体層の平面図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は本発明の配線基板の各製造工程における断面図である。
【符号の説明】
１：ガラスセラミックスのグリーンシート
２：貫通導体
３：配線導体層
５：樹脂フィルム
６：内層配線導体層
１０：絶縁基体
１０ａ〜１０ｄ：ガラスセラミック層
１１：貫通孔
Ａ：配線基板
Ｂ：電子部品
【図１】
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【図２】
2004119587.tif 000004
【図３】
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