(57)【要約】【課題】保護膜形成時に加熱の必要がなく、精密デバイス表面に残渣が付着しない精密デバイス用表面保護剤を提供する。【解決手段】塩化ビニル酢酸ビニル共重合体を主成分とし、成分中にトルエン，メチルエチルケトンのいずれか１種類もしくは双方の混合液を７５〜９５％含有した塩化ビニル酢酸ビニル共重合体の合成樹脂液１１をメッシュ径３μｍ以上１０μｍ未満のフィルタ１３を用いて濾過した後、これを精密デバイス１５の表面に塗布して保護膜１７を形成すものである。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
精密デバイスの表面に形成するための精密デバイス用表面保護剤において、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体に、トルエン，メチルエチルケトンのいずれか１種類もしくは双方を混合したことを特徴とする精密デバイス用表面保護剤。
【請求項２】
塩化ビニル酢酸ビニル共重合体を主成分とし、成分中にトルエン，メチルエチルケトンのいずれか１種類もしくは双方の混合液を７５〜９５％含有する請求項１記載の精密デバイス用表面保護剤。
【請求項３】
塩化ビニル酢酸ビニル共重合体を主成分とし、成分中にトルエン，メチルエチルケトンのいずれか１種類もしくは双方の混合液を７５〜９５％含有した塩化ビニル酢酸ビニル共重合体の合成樹脂液をメッシュ径３μｍ以上１０μｍ未満のフィルタを用いて濾過した後、これを精密デバイス表面に塗布して保護膜を形成するための請求項１又は２記載の精密デバイス用表面保護剤。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、製造工程や出荷時において、表面に異物の付着が無いことが要求される半導体製品，精密電子部品，光導波路等の精密デバイス用表面保護剤に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製品や光導波路等の精密デバイス製造工程では、ダイシングや研磨等の加工をおこなうものがある。加工時に付着する、水，研磨剤，切削屑等から精密デバイス表面を保護するために、精密デバイス表面上に保護膜を形成する必要がある。
【０００３】
従来の精密デバイス表面保護剤としては、レジスト，ワックス，コート剤が広く知られている。
【０００４】
これらをスピンコートまたは注射器（シリンジ）により塗布し、硬化後に形成される膜により精密デバイス表面を保護している。
【０００５】
レジスト及びワックスは加熱することにより硬化し、コート剤は成分中の溶剤分が揮発し樹脂成分が被膜となることで保護膜を形成する。
【０００６】
【特許文献１】
特開平２−２１０８４４号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、表面保護剤として広く知られているレジスト（例えば特許文献１）は、紫外線により変質するため、製造工程において紫外線の影響を受ける精密デバイスの表面保護剤には適用できない。
【０００８】
ワックスは、洗浄力の弱い有機溶剤では完全に除去しきれないものもあり、強力な洗浄方法が適用できない製品には不向きである。また、加熱をすることができない精密デバイスには適用できない。
【０００９】
コート剤は研磨や加工時の表面保護剤として広く用いられているが、加工後に剥離するとコート剤の残渣が発生する。コート剤の残渣が発生すると、表面に異物の付着が無いことを要求される精密デバイスの表面保護剤には適用できない。
【００１０】
上記の理由から、加熱することができず表面に異物の付着が無いことが要求される精密デバイスの保護剤には、従来の技術では問題があった。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、保護膜形成時に加熱の必要がなく、精密デバイス表面に残渣が付着しない精密デバイス用表面保護剤を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために請求項１の発明は、精密デバイスの表面に形成するための精密デバイス用表面保護剤において、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体に、トルエン，メチルエチルケトンのいずれか１種類もしくは双方を混合した精密デバイス用表面保護剤である。
【００１３】
請求項２の発明は、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体を主成分とし、成分中にトルエン，メチルエチルケトンのいずれか１種類もしくは双方の混合液を７５〜９５％含有する請求項１記載の精密デバイス用表面保護剤である。
【００１４】
請求項３の発明は、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体を主成分とし、成分中にトルエン，メチルエチルケトンのいずれか１種類もしくは双方の混合液を７５〜９５％含有した塩化ビニル酢酸ビニル共重合体の合成樹脂液をメッシュ径３μｍ以上１０μｍ未満のフィルタを用いて濾過した後、これを精密デバイス表面に塗布して保護膜を形成するための請求項１又は２記載の精密デバイス用表面保護剤である。
【００１５】
上記の構成において、製造工程や出荷時において、表面に異物の付着が無いことを要求される精密デバイスの表面保護剤として、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体を主成分とし、成分中にトルエン、メチルエチルケトンのいずれか１種類もしくは双方の混合液を７５〜９５％含有する合成樹脂液を用いることで、良好な保護膜が得られる。
【００１６】
しかし、市販の塩化ビニル酢酸ビニル共重合体は、半導体製造のような精密部品の使用を前提としておらず、その製造過程で、空気や製造容器、攪拌装置などにより外部から必然的に混入するパーティクルが含まれており、精密デバイス上に保護膜を形成した場合、保護膜自体が数〜数十μｍと薄いため、保護膜を精密デバイスから剥離した際に、パーティクル自体が保護膜から分離して精密デバイス上に異物として残る。このパーティクルは、完全に取り除くことは困難であるが、粒径１０μｍ以下であれば、保護膜と一体化して、剥離の際に精密デバイス上に残ることがない。
【００１７】
そこで、上記の合成樹脂液をメッシュ径３μｍ以上〜１０μｍ未満のフィルタを用いて濾過することで、保護剤中に含有する異物を除去する。
【００１８】
保護剤濾過の作業性を向上するためにトルエン又はメチルエチルケトンにより保護剤を稀釈する。稀釈する割合は、溶剤成分（トレエン又はメチルエチルケトン）が保護剤全体の７５〜９５％とする。
【００１９】
保護剤中で溶剤成分が占める割合と、保護剤濾過用フィルタのメッシュ径の最適条件は、フィルタのメッシュ径が小さいと保護剤を濾過できず、使用不可能であった。逆にメッシュ径が大きいと異物を十分に除去できないため、保護剤を剥離した時に保護剤の残渣が異物となり適用できない。よって、フィルタのメッシュ径は３μｍ以上１０μｍ未満とする。
【００２０】
保護剤中で溶剤成分が占める割合が高くなると、樹脂成分と溶剤成分が十分に溶解し、メッシュ径の小さいフィルタでの通過が可能となる。溶剤成分の占める割合が低いと、樹脂成分が十分に溶解せず、また溶剤成分の揮発により保護剤が硬化し、目詰まりをおこし濾過できない。よって、保護剤中に占める溶剤成分の割合は、７５〜９５％が好ましい。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な一実施形態を添付図面に基づいて詳述する。
【００２２】
先ず、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体は、塩化ビニルを主成分とし、これと酢酸ビニルを共重合させたもので、共重合体中の塩化ビニル含有量は８５〜９５％である。
【００２３】
この塩化ビニル酢酸ビニル共重合体を主成分とし、これにトルエン，メチルエチルケトンのいずれか１種類もしくは双方の混合液を７５〜９５％含有するようにして表面保護剤の合成樹脂液とする。
【００２４】
塩化ビニル酢酸ビニル共重合体としては、アセトンなど種々の溶剤があるが、トルエン，メチルエチルケトンの方が溶剤としての効果が高く、特にメチルエチルケトン＋トルエンの混合液が格段に作業性が良かった。
【００２５】
この合成樹脂液の製造は、クリーンルーム内のドラフトやクリーンブース内で、室温において、攪拌棒で、１２０回（２分間）手動で攪拌して製造する。
【００２６】
図１に示すように、合成樹脂液１１をシリンジ（注射器）１２に注入する。
【００２７】
このシリンジ１２には、メッシュ径３μｍ以上１０μｍ未満のテフロンフィルタ１３が設けられ、そのテフロンフィルタ１３を通してシリンジ１２の噴出口１６から残渣が取り除かれたクリーンな表面保護剤１４が噴出される。
【００２８】
このテフロンフィルタ１３を用いて濾過することで、合成樹脂液１１中に含有する、製造過程で混入した微少なパーティクル等の異物が除去される。よって、フィルタ１３を用いて濾過した異物を含まないクリーンな表面保護剤１４を表面に異物の付着が無いことを要求される精密デバイス１５に塗布する。
【００２９】
塗布後、表面保護剤１４中の溶剤分であるトルエンまたはメチルエチルケトンが揮発することにより、樹脂分が保護膜１７となって形成される。
【００３０】
表面保護剤１４中の主成分としての塩化ビニル酢酸ビニル共重合体は、各種の加工に耐え、弱酸・弱アルカリに対する耐性が良好である。
【００３１】
濾過用のフィルタ１３は、合成樹脂液１１中の溶剤にトルエン及びメチルエチルケトンを含んでいるため、有機溶剤に対する耐性からテフロン製フィルタが好ましいが、表面保護剤に染料を含んでいる場合や、表面保護剤の濾過用フィルタの材質として、テフロンの他に金属のフィルタも考えられる。
【００３２】
表１は、フィルタのメッシュ径と合成樹脂液の残渣発生を示したものである。
【００３３】
【表１】
2004119435.tif 000003
【００３４】
フィルタのメッシュ径が小さい（φ０．２μｍ、φ１μｍ）と、合成樹脂液を濾過できず、使用不可能であった。逆にメッシュ径が大きい（φ１０μｍ）と、異物を十分に除去できないため、保護剤を剥離した時に保護剤の残渣が異物となり濾過できない。
【００３５】
よって、フィルタのメッシュ径は３μｍ以上１０μｍ未満が良好である。
【００３６】
次に、表２は保護剤中の溶剤成分とフィルタ濾過の関係を示したものである。
【００３７】
【表２】
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【００３８】
表２は、溶剤の割合を７０〜９５％の範囲で変え、かつ各フィルタのメッシュ径φ０．２〜１０μｍについて濾過が良好かどうかを実験したものである。
【００３９】
表２より、フィルタのメッシュ径は３μｍ以上１０μｍ未満においては、保護剤の成分中にトルエン，メチルエチルケトンのいずれか１種類もしくは双方の混合物を７５〜９５％含有するように保護剤を稀釈するのがよい。
【００４０】
この割合よりも溶剤成分が多い場合は、保護剤硬化時の膜厚が薄くなり、加工時に精密デバイス表面にキズ・チッピングか発生し悪影響を及ぼすため、研磨や切削加工を行う上で適用が困難となる。
【００４１】
溶剤成分の占める割合（７０％）が低いと、樹脂成分が十分に溶解せず、また溶剤成分の揮発により保護剤が硬化しやすく、目詰まりをおこし濾過できない。
【００４２】
これに加え保護剤の押出し圧力が増加するため、フィルタ破損の原因となるため適用できない。
【００４３】
図２は表面に異物の付着がないことを要求される光導波路素子の研磨作業時の研磨剤及び研磨屑からの素子表面保護剤の適用例である。
【００４４】
図２において、光導波路素子２１の一部分には、溝２２が形成されており、導波路２３が露出している。光導波路素子２１の両端面２５は、導波路２３と、光ファイバ２６が接合されたファイバアレイ２４を接続するために、研磨をおこなう。
【００４５】
光導波路素子２１の研磨作業時に、研磨剤及び研磨剤が光導波路素子２１の表面及び溝２２内部への付着を防止するため、本発明の手法を用いてクリーンな表面保護剤１４を塗布する。
【００４６】
クリーンな表面保護剤１４の作製は、以下のように行う。
【００４７】
塩化ビニル酢酸ビニル共重合体を主成分とし、成分中にトルエン，メチルエチルケトンのいずれか１種類もしくは双方の混合液を７５〜９５％含有する合成樹脂液１１をシリンジ１２に注入する。メッシュ径３μｍ以上１０μｍ未満のフィルタ１３を用いて濾過することで、合成樹脂液１１中に含有する異物を除去する。フィルタ１３を用いて濾過した異物を含まないクリーンな表面保護剤１４を表面に異物の付着が無いことを要求される精密デバイスである光導波路素子２１に塗布する。
【００４８】
表面保護剤１４中の溶剤分であるトルエンまたはメチルエチルケトンが揮発することにより、樹脂分が保護膜２７となって形成される。
【００４９】
以上より、本発明の表面保護剤によれば、従来問題となっていた保護剤剥離時に精密デバイスの表面に付着する、保護剤起因の異物を低減することが可能となった。
【００５０】
また、本発明の表面保護剤１４を用いることにより、表面をクリーンに保つことができるため精密デバイスの梱包剤や一時的な保護膜としても利用できる。
【００５１】
さらに本発明は、精密デバイスを加工時の表面保護以外に、メッキ・塗装時のマスキング，錆・腐食・変質の一時防止剤，輸送・保管時の一時保護剤，精密デバイスの表面保護梱包剤の応用例が考えられる。
【００５２】
【発明の効果】
以上、従来の表面保護剤では、剥離後に精密デバイスの表面に１０μｍから３０μｍ程度の異物が付着し、異物の付着が無いことを要求される製品に対し適用できないため、付着した異物を除去する必要があり、作業時間が掛かっていたが、本発明では、保護膜形成時に加熱の必要もなく、表面にも残渣が付着しない保護膜を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態を示す図である。
【図２】本発明において、光導波路素子に適用した例を示す図である。
【符号の説明】
１１　合成樹脂液
１２　シリング
１４　表面保護剤
１５　精密デバイス
１７　保護膜
【図１】
2004119435.tif 000005
【図２】
2004119435.tif 000006