(57)【要約】    【課題】  従来の材料よりも誘電率が高く、強度の低下がなく、小型で高性能、総合的な電気特性に優れた電子部品、特にフィルタを提供し、使用材料の電気特性、特に誘電率のロット間変動を抑え、さらには材料形成の際の金型の摩耗を抑制できる電子部品、特にフィルタを提供し、耐電圧の高い電子部品、特にフィルタを提供する。    【解決手段】  樹脂を有する構成層を積層して多層化した構造を具備し、前記構成層の少なくとも１層が、少なくとも投影形状が円、扁平円、または楕円形の誘電体が樹脂中に分散されている複合誘電体材料の層であるフィルタ。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂を有する構成層を積層して多層化した構造を具備し、前記構成層の少なくとも１層が、少なくとも投影形状が円、扁平円、または楕円形の誘電体が樹脂中に分散されている複合誘電体材料の層であるフィルタ。
【請求項２】
さらに、導電体層を有する請求項１のフィルタ。
【請求項３】
前記投影形状が円形の誘電体は、平均粒径が１〜５０μm 、球形度が０．９〜１．０である請求項１または２のフィルタ。
【請求項４】
さらに、前記複合誘電体材料は、磁性粉を含有する請求項１〜３のいずれかのフィルタ。
【請求項５】
さらに、前記複合誘電体材料は、破砕粉を含有する請求項１〜４のいずれかのフィルタ。
【請求項６】
さらに、前記複合誘電体材料は、ガラスクロスが埋設されている請求項１〜５のいずれかのフィルタ。
【請求項７】
２種以上の異なる前記複合誘電体材料を有する請求項１〜６のいずれかのフィルタ。
【請求項８】
少なくとも１種の複合誘電体材料層に１種または２種以上の難燃剤を含有する請求項１〜７のいずれかのフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリプレグおよび基板を用いた電子部品や積層回路に関し、特に高周波数領域（１００MHz以上）での使用に好適であり、誘電率の優れたプリプレグおよび基板を用いた電子部品、特にフィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信用、民生用、産業用等の電子機器の分野における実装方法の小型化・高密度化への指向は著しいものがあり、それに伴って材料の面でもより優れた耐熱性、寸法安定性、電気特性、成形性が要求されつつある。
【０００３】
高周波用電子部品もしくは高周波用多層基板としては、焼結フェライトや焼結セラミックを基板上に多層化、成形したものが一般に知られている。これらの材料を多層基板にすることは、小型化が図れるというメリットがあることから従来より用いられてきた。
【０００４】
しかしながら、これら焼結フェライトや焼結セラミックを用いた場合、焼成工程や厚膜印刷工程数が多く、また、焼成時のクラックや反り等、焼結材料特有の問題が多いことと、プリント基板との熱膨張係数の違い等によるクラックの発生等といった問題が多いことから、樹脂系材料への要求が年々高まっている。
【０００５】
しかしながら、樹脂系の材料ではそれ自体で十分な誘電率を得ることが極めて困難であり、これと併せて透磁率の向上を図ることも困難である。このため、単に樹脂材料を利用した電子部品では、十分な特性を得ることができず、形状的にも大きなものとなり、小型、薄型化を図ることが困難である。
【０００６】
また、樹脂材料にセラミック粉末をコンポジットする手法も、例えば特許文献１（特開平１０−２７０２５５号公報）、特許文献２（特開平１１−１９２６２０号公報）、特許文献３（特開平８−６９７１２号公報）に開示されているが、いずれも十分な誘電率や、これと併せて透磁率を得られてはいない。誘電率を上げるためにセラミック粉末の充填率を上げると、強度が低下し、ハンドリング時や加工時に破損しやすくなるといった問題もあった。
【０００７】
また、これらの文献で用いられている材料は破砕粉であるため、混練成型時の金型の摩耗が早いという欠点がある。そのうえ、破砕粉の場合、粒子の形状や大きさがまちまちであるため、分散性や充填率が安定せず、誘電率を高めることが困難であり、誘電率や透磁率が安定しにくいという欠点があった。さらに破砕粉を用いると、粒子の形状から耐電圧が低くなってしまうという欠点もあった。
【０００８】
球状の磁性体粉を樹脂に分散させる試みとしては、特許文献４（特公平７−５６８４６号公報）、特許文献５（特許第２８３００７１号）、特許文献６（特許第２８７６０８８号）、特許文献７（特許第２８９３５３１号）等に記載されている。しかし、これらの文献に開示されているのは、フェライト磁性粉のみであり、他の材料、あるいは磁性粉と他の材料についての検討はなされていない。
【特許文献１】特開平１０−２７０２５５号公報
【特許文献２】特開平１１−１９２６２０号公報
【特許文献３】特開平８−６９７１２号公報
【特許文献４】特公平７−５６８４６号公報
【特許文献５】特許第２８３００７１号
【特許文献６】特許第２８７６０８８号
【特許文献７】特許第２８９３５３１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、従来の材料よりも誘電率が高く、強度の低下がなく、小型で高性能、総合的な電気特性に優れた電子部品、特にフィルタを提供することである。
また、使用材料の電気特性、特に誘電率のロット間変動を抑え、さらには材料形成の際の金型の摩耗を抑制できる電子部品、特にフィルタを提供することである。
また、耐電圧の高い電子部品、特にフィルタを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的は、下記の本発明の構成により達成される。
（１）  樹脂を有する構成層を積層して多層化した構造を具備し、前記構成層の少なくとも１層が、少なくとも投影形状が円、扁平円、または楕円形の誘電体が樹脂中に分散されている複合誘電体材料の層であるフィルタ。
（２）  さらに、導電体層を有する上記（１）のフィルタ。
（３）  前記投影形状が円形の誘電体は、平均粒径が１〜５０μm 、球形度が０．９〜１．０である上記（１）または（２）のフィルタ。
（４）  さらに、前記複合誘電体材料は、磁性粉を含有する上記（１）〜（３）のいずれかのフィルタ。
（５）  さらに、前記複合誘電体材料は、破砕粉を含有する上記（１）〜（４）のいずれかのフィルタ。
（６）  さらに、前記複合誘電体材料は、ガラスクロスが埋設されている上記（１）〜（５）のいずれかのフィルタ。
（７）  ２種以上の異なる前記複合誘電体材料を有する上記（１）〜（６）のいずれかのフィルタ。
（８）  少なくとも１種の複合誘電体材料層に１種または２種以上の難燃剤を含有する上記（１）〜（７）のいずれかのフィルタ。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、従来の材料よりも誘電率が高く、強度の低下がなく、小型で高性能、総合的な電気特性に優れた電子部品、特にフィルタを提供し、使用材料の電気特性、特に誘電率のロット間変動を抑え、さらには材料形成の際の金型の摩耗を抑制できる電子部品、特にフィルタを提供し、耐電圧の高い電子部品、特にフィルタを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の電子部品は、少なくとも投影形状が円、扁平円、または楕円形の誘電体が樹脂中に分散されている複合誘電体材料を有するものである。
【００１３】
このように、樹脂中に分散される誘電体の投影形状を円、扁平円、または楕円とすることにより、誘電体粒子の表面が滑らかになり、充填率が向上するとともに分散性が向上する。また、樹脂材料が誘電体の周囲に均一に存在するようになり、ハイブリッド材の耐圧が向上し、強度も向上する。また、成型の際の金型に与えるダメージが減少し、金型の寿命が延びる。
【００１４】
誘電体は、特に、前記投影形状が円形である球状のものが好ましい。その平均粒径は、０．１〜５０μm 、特に０．５〜２０μm が好ましく、球形度は０．９〜１．０、特に０．９５〜１．０が好ましい。
【００１５】
平均粒径が０．１μm より小さいと、粒子の表面積が増大し、分散、混合時の粘度、チクソ性が上昇し、高充填率化が困難となり、樹脂との混練がし難くなってくる。逆に５０μm より大きいと、均一な分散・混合を行うことが困難となり、沈降が激しくなって不均一となり、粉末の含有量が多い組成の成形の際に、緻密な成型体を得られ難くなる。
【００１６】
また、球形度が０．９より小さくなると、例えば圧粉コア等の成型体の成型時において、粉末の均一な分散が困難となり、誘電体特性のばらつきを生じる原因となるなど、所望の特性が得られにくくなり、ロット間、製品間のばらつきが増大してくる。球形度は複数のサンプルを任意に測定し、その平均値が上記値となっていればよい。
【００１７】
本発明において、”投影形状が円形”となる”球状”とは、表面が平滑な球状の他、極めて真円に近い多面体も含まれる。すなわち、球状にはWulffモデルで表されるような安定な結晶面で囲まれた等方的な対象性を有し、かつ球形度が１に近い多面体も含まれる。また、本発明における”球形度”とは、Wadellの実用球形度、すなわち粒子の投影面積に等しい円の直径の、粒子の投影像に外接する最小円の直径に対する比で表される。
【００１８】
本発明では、誘電体の球形度が０．９よりも小さい場合であっても、表面が滑らかであるような、投影形状が円、扁平円、または楕円となる粒子であれば有効である。このような滑らかな表面を有することにより、金型の摩耗を減少させることができる。この場合、球形度が０．９より大きく、鋭角的な突起を有する（角が立っている）形状よりも有効である。
【００１９】
本発明では、さらに上記形状の誘電体に加えて破砕粉を含有していてもよい。誘電体破砕粉を含有することにより、さらに充填率を向上させることができる。この場合、金型の摩耗抑制効果は若干劣るが、充填率の向上により、誘電特性などの電気特性を向上させることができる。このため、要求される特性により好適な態様を選択すればよい。
【００２０】
破砕粉を用いる場合、粒径は０．０１〜１００μm 、特に０．０１〜５０μm であることが好ましく、平均粒径は１〜５０μm であることが好ましい。このような粒径とすることによって、破砕粉の分散性が良好となり、本発明の効果が向上する。これに対し、破砕粉の粒径がこれより小さいと、比表面積が大きくなり、高充填率化が困難になってくる。一方、これより大きくなるとペースト化した際に沈降し易くなり、均一に分散しにくくなってくる。また、肉薄の基板、プリプレグを形成しようとした場合に、表面の平滑性を得ることが困難になってくる。粒径をあまり小さくすることは実際上困難であり、０．０１μm 程度が限度である。
【００２１】
本発明に用いる誘電体材料粉はセラミクス粉末が好ましく、高周波数帯域において、分散媒となる樹脂よりも大きい比誘電率とＱを持つセラミクス粉末であればよく、２種類以上用いてもよい。
【００２２】
特に本発明に用いるセラミクス粉末は、比誘電率が１０〜２００００、誘電正接が０．０５以下のものを使用することが好ましい。
【００２３】
比較的高い誘電率を得るためには、特に以下の材料を用いることが好ましい。
チタン−バリウム−ネオジウム系セラミックス、チタン−バリウム−スズ系セラミックス、鉛−カルシウム系セラミックス、二酸化チタン系セラミックス、チタン酸バリウム系セラミックス、チタン酸鉛系セラミックス、チタン酸ストロンチウム系セラミックス、チタン酸カルシウム系セラミックス、チタン酸ビスマス系セラミックス、チタン酸マグネシウム系セラミックス、ＣａＷＯ4 系セラミックス、Ｂａ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ3 系セラミックス、Ｂａ（Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ3 系セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ3 系セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ3 系セラミックス。なお、二酸化チタン系セラミックスとは、二酸化チタンのみを含有するもののほか、他の少量の添加物を含有するものも含み、二酸化チタンの結晶構造が保持されているものをいう。また、他のセラミックスも同様である。特に、二酸化チタン系セラミックスは、ルチル構造を有するものが好ましい。
【００２４】
誘電率をあまり高くせずに、高いＱを得るためには以下の材料を用いることが好ましい。
【００２５】
シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタン酸カリウムウイスカ、チタン酸カルシウムウイスカ、チタン酸バリウムウイスカ、酸化亜鉛ウイスカ、ガラスチョップ、ガラスビーズ、カーボン繊維、酸化マグネシウム（タルク）。
【００２６】
これらは単独で用いてもよいし２種以上を混合して用いてもよい。２種以上を混合して用いる場合、その混合比は任意である。
【００２７】
具体的には、比較的高い誘電率を必要としない場合には以下の材料が好ましい。
【００２８】
Ｍｇ2ＳｉＯ4［ε＝７、Ｑ＝２００００］、Ａｌ2Ｏ3［ε＝９．８、Ｑ＝４００００］、ＭｇＴｉＯ3［ε＝１７、Ｑ＝２２０００］、ＺｎＴｉＯ3［ε＝２６、Ｑ＝８００］、Ｚｎ2ＴｉＯ4［ε＝１５、Ｑ＝７００］、ＴｉＯ2［ε＝１０４、Ｑ＝１５０００］、ＣａＴｉＯ3［ε＝１７０、Ｑ＝１８００］、ＳｒＴｉＯ3［ε＝２５５、Ｑ＝７００］、ＳｒＺｒＯ3［ε＝３０、Ｑ＝１２００］、ＢａＴｉ2Ｏ5［ε＝４２、Ｑ＝５７００］、ＢａＴｉ4Ｏ9［ε＝３８、Ｑ＝９０００］、Ｂａ2Ｔｉ9Ｏ20［ε＝３９、Ｑ＝９０００］、Ｂａ2（Ｔｉ，Ｓｎ）9Ｏ20［ε＝３７、Ｑ＝５０００］、ＺｒＴｉＯ4［ε＝３９、Ｑ＝７０００］、（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4［ε＝３８、Ｑ＝７０００］、ＢａＮｄ2Ｔｉ5Ｏ14［ε＝８３、Ｑ＝２１００］、ＢａＳｍ2ＴｉＯ14［ε＝７４、Ｑ＝２４００］、Ｂｉ2Ｏ3−ＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系［ε＝８８、Ｑ＝２０００］、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系［ε＝９０、Ｑ＝５２００］、（Ｂｉ2Ｏ3、ＰｂＯ）−ＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系［ε＝１０５、Ｑ＝２５００］、Ｌａ2Ｔｉ2Ｏ7［ε＝４４、Ｑ＝４０００］、Ｎｄ2Ｔｉ2Ｏ7［ε＝３７、Ｑ＝１１００］、（Ｌｉ，Ｓｍ）ＴｉＯ3［ε＝８１、Ｑ＝２０５０］、Ｂａ（Ｍｇ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3［ε＝２５、Ｑ＝３５０００］、Ｂａ（Ｚｎ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3［ε＝３０、Ｑ＝１４０００］、Ｂａ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3［ε＝４１、Ｑ＝９２００］、Ｓｒ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3［ε＝４０、Ｑ＝４０００］等。
【００２９】
より好ましくは、以下の組成を主成分とするものである。
ＴｉＯ2、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系、Ｂｉ2Ｏ3−ＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系、ＢａＴｉ4Ｏ9、Ｂａ2Ｔｉ9Ｏ20、Ｂａ2（Ｔｉ，Ｓｎ）9Ｏ20系、ＭｇＯ−ＴｉＯ2系、ＺｎＯ−ＴｉＯ2系、ＭｇＯ−ＳｉＯ2系、Ａｌ2Ｏ3 等。
【００３０】
一方、比較的高い誘電率を必要とする場合には以下の材料が好ましい。
【００３１】
ＢａＴｉＯ3［ε＝１５００］、（Ｂａ，Ｐｂ）ＴｉＯ3系［ε＝６０００］、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3系［ε＝９０００］（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3系［ε＝７０００］。
【００３２】
より好ましくは、以下の組成を主成分とする誘電体の粉末から選択される。
ＢａＴｉＯ3、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3系。
【００３３】
セラミクス粉末は単結晶や多結晶の粉末でもよい。
【００３４】
セラミクスの含有量は、樹脂とセラミクス粉末との合計量を１００体積％としたとき、セラミクス粉末の含有量は１０体積％以上６５体積％未満であり、好ましくは２０体積％以上６０体積％以下の範囲である。
【００３５】
セラミクス粉末が６５体積％以上であると緻密な組成物が得られなくなる。また、セラミクス粉末を添加しない場合に比べて、Ｑが大きく低下することもある。一方、セラミクス粉末が１０体積％未満であると、セラミクス粉末を含有する効果があまりみられない。
【００３６】
本発明の電子部品は、各成分を上記の範囲内で適宜設定することにより、樹脂単体から得られる誘電率よりも大きくすることができ、必要に応じた比誘電率と高いＱを得ることが可能となる。
【００３７】
上記セラミック粉末を球形等に造粒するには、公知のスプレードライヤー造粒法等により得ることができる。具体的には、形成用混合粉末を、分散媒に分散混合し、所定濃度のスラリーに調製した後、噴霧乾燥して球状の造粒物とし、その後この造粒物を焼成することによって得られる。
【００３８】
本発明の電子部品に用いられる樹脂は特に限定されるものではなく、成形性、加工性、積層時の接着性、電気的特性に優れた樹脂材料の中から適宜選択して用いることができる。具体的には、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等が好ましい。
【００３９】
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル（オキサイド）樹脂、ビスマレイミドトリアジン（シアネートエステル）樹脂、フマレート樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリビニルベンジルエーテル樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、芳香族ポリエステル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、グラフト樹脂等が挙げられる。これらのなかでも、特にフェノール樹脂、エポキシ樹脂、低誘電率エポキシ樹脂、ポリブタジエン樹脂、ＢＴレジン、ポリビニルベンジルエーテル樹脂等が、ベースレジンとして好ましい。
【００４０】
これらの樹脂は、単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。２種以上を混合して用いる場合の混合比は任意である。
【００４１】
本発明では２種以上の異なる複合誘電体材料を用いた積層体により、電子部品を構成してもよい。また、２種以上の異なる分散材料を含有させてもよい。このように２種以上の種類の異なる複合誘電体材料を組み合わせたり２種以上の異なる粉体、また同種であっても組成、電気（誘電率等）、磁気特性の異なる粉体と樹脂とを混合することによって、誘電率や透磁率の調整が容易となり、各種電子部品に合わせた特性に調整することができる。特に、波長短縮効果のある誘電率や透磁率を最適な値にすることにより、装置の小型化、薄型化が実現できる。また、比較的周波数の低い領域で良好な電気特性が得られる材料と、比較的周波数の高い領域で良好な電気特性が得られる材料とを組み合わせることにより、広い周波数帯域で良好な電気特性を得ることができる。
【００４２】
また、このようなハイブリッド層を用いて基板、電子部品を形成する場合、接着剤等を用いることなく、銅箔との接着やパターニングが実現でき、かつ多層化を実現することができる。こうしたパターニングや多層化処理は、通常の基板製造工程と同じ工程でできるので、コストダウンおよび作業性の改善を図ることができる。また、このようにして得られる基板による電子部品は、高強度で、高周波特性の向上したものである。
【００４３】
誘電率を高めることで波長短縮効果が得られる。すなわち、基板上での実行波長λは、
λ＝λ0 ／（ε・μ）1/2
で与えられる。ここで、λ0 は実際の波長、ε、μは電子部品や基板の誘電率、透磁率である。従って、例えばλ／４の電子部品、回路を設計する場合、その回路を構成する部材のε、μを高めることで、長さλ／４が必要な部分を、ε、μの積の平方根で除した値だけ小さくすることができる。従って、電子部品、基板材料の少なくともεを高めることにより電子部品、基板の大きさを小さくすることができる。
【００４４】
また、比較的周波数の低い領域で良好な電気特性が得られる材料と、比較的周波数の高い領域で良好な電気特性が得られる材料とを組み合わせることにより、広い周波数帯域、具体的には１〜２０００MHz、特に５０〜１０００MHzの広い周波数帯域で良好なＨＰＦ等の電気特性を得ることができる。
【００４５】
具体的には、波長短縮効果だけを考えた場合、高誘電率材を樹脂材料に混合することにより目的を達成することが可能である。しかし、このような高誘電率材は高周波特性がさほど優れていないため、これを補う必要がある。そこで、高誘電率材、例えばＢａＴｉＯ3 、ＢａＺｒＯ3 等と共に、高周波特性に優れた磁性材料、例えばカーボニール鉄等を併用することにより、高周波領域においても所望の特性を得ることができる。
【００４６】
このような、波長短縮と高周波特性の必要な電子部品としては、積層フィルタ、バルントランス、誘電体フィルタ、カプラ、アンテナ、ＶＣＯ（電圧制御発振器）、ＲＦ（高周波）ユニット、共振器等を挙げることができる。
【００４７】
さらに、ある材料を用いて一つの電気的特性を高めたとき、他の材料により不足した電気特性を補うことができる。
【００４８】
本発明の電子部品は、上記誘電体と樹脂との複合誘電体材料に、さらに１種または２種以上の磁性体を含有していてもよい。
【００４９】
磁性体材料であるフェライトとしては、Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系などであり、特にこれらの単結晶、あるいはＭｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ系などが好ましい。
【００５０】
磁性体材料である強磁性金属としては、カーボニール鉄、鉄−シリコン系合金、鉄−アルミ−珪素系合金（商標名：センダスト）、鉄−ニッケル系合金（商標名：パーマロイ）、アモルファス系（鉄系、コバルト系）などが好ましい。
【００５１】
これらを粉末にするための手段は、粉砕、造粒など公知の方法に従えばよい。
【００５２】
磁性体材料粉の粒径や形状は、上記誘電体材料と同様であり、誘電体と同様に表面が平滑な材料が好ましいが、破砕粉を用いてもよい。破砕粉を用いる効果は上記と同様である。
【００５３】
さらに、種類、粒度分布の異なる磁性体材料粉を２種以上用いてもよい。その際の混合比は任意であり、用途により用いる材料、粒度分布、混合比を調整すればよい。
【００５４】
磁性体材料粉の透磁率μは１０〜１００００００であることが好ましい。また、バルクの絶縁性は高い方が基板化した際の絶縁性が向上して好ましい。
【００５５】
樹脂と磁性体材料粉との混合比としては、形成される構成層全体の透磁率が３〜２０となるように添加されることが好ましい。特にガラスクロスなどに塗布するペースト段階で、樹脂と磁性材料粉との比率で示した場合、磁性材料粉の含有量は１０〜６５ 体積％、特に２０〜６０ 体積％であることが好ましい。このような磁性材料粉の含有量とすることで、構成層全体の透磁率が３〜２０となり、所望の電気特性が得られ易くなる。これに対し、磁性材料粉の含有量が多くなると、誘電率が低下し、スラリー化して塗工することが困難になり、電子部品、基板、プリプレグの作製が困難になる。一方、磁性材料粉の含有量が少なくなると透磁率を確保できなくなる場合があり、磁気特性を付与することが困難となる。
【００５６】
本発明に用いられる難燃剤としては、通常基板の難燃化のために用いられている種々の難燃剤を用いることができる。具体的には、ハロゲン化リン酸エステル、ブロム化エポキシ樹脂等のハロゲン化物、また、リン酸エステルアミド系等の有機化合物や、三酸化アンチモン、水素化アルミニウム等の無機材料を用いることができる。
【００５７】
本発明に用いられるガラスクロス等の強化繊維は、目的・用途に応じて種々のものであってよく、市販品をそのまま用いることができる。このときの強化繊維は、電気的な特性に応じてＥガラスクロス（ε＝７、tanδ＝０．００３、  １ＧHz）、Ｄガラスクロス（ε＝４、tanδ＝０．００１３、  １ＧHz）、Ｈガラスクロス（ε＝１１、tanδ＝０．００３、  １ＧHz）等を使い分けてもよい。また、層間密着力向上のため、カップリング処理などを行ってもよい。その厚さは１００μm 以下、特に２０〜６０μm であることが好ましい。布重量としては、１２０g／m2 以下、特に２０〜７０g／m2 が好ましい。
【００５８】
また、樹脂とガラスクロスとの配合比は、重量比で、樹脂／ガラスクロスが４／１〜１／１であることが好ましい。このような配合比とすることによって本発明の効果が向上する。これに対し、この比が小さくなって、エポキシ樹脂量が少なくなると銅箔との密着力が低下し、基板の平滑性に問題が生じる。逆にこの比が大きくなって、エポキシ樹脂量が多くなると使用できるガラスクロスの選択が困難となり、薄肉での強度の確保が困難となる。
【００５９】
使用する金属箔としては、金、銀、銅、アルミニウムなど導電率の良好な金属のなかから好適なものを用いればよい。これらのなかでも特に銅が好ましい。
【００６０】
金属箔を作製する方法としては、電解、圧延法等種々の公知の方法を用いることができるが、箔ピール強度をとりたい場合には電解箔を、高周波特性を重視したい場合には、表面凹凸による表皮効果の影響の少ない圧延箔を使用するとよい。
【００６１】
金属箔の厚みとしては、８〜７０μm が好ましく、特に１２〜３５μm が好ましい。
【００６２】
本発明において、電子部品の基礎となるプリプレグを得るには、所定の配合比とした誘電体材料と樹脂、必要により磁性体材料、難燃剤とを含み、溶剤に混練してスラリー化したペーストを塗布して、乾燥（Ｂステージ化）する工程に従う。この場合に用いられる溶剤は揮発性溶剤が好ましく、上記極性中性溶媒が特に好ましく、ペーストの粘度を調整し塗工しやすくする目的で用いられる。混練はボールミル、撹拌等により公知の方法によって行えばよい。ペーストを金属箔上に塗工、またはガラスクロス上に含浸することにより、形成することができる。
【００６３】
プリプレグの乾燥（Ｂステージ化）は、含有する誘電体材料粉、必要により磁性体材料粉、難燃剤の含有量などにより適宜調整すればよい。乾燥、Ｂステージ化した後の厚みは５０〜３００μm 程度が好ましく、その用途や要求される特性（パターン幅および精度、直流抵抗）等により最適な膜厚に調整すればよい。
【００６４】
プリプレグは、図７２または図７３に示すような方法により製造することができる。この場合、図７２の方法は比較的量産に適しており、図７３の方法は、膜厚制御を行い易く、特性の調整が比較的容易に行えるという特徴を有している。図７２において、（ａ）に示すように、ロール状に巻回されたガラスクロス１０１ａは、このロール９０から繰り出され、ガイドローラ９１を介して塗工槽９２に搬送される。この塗工槽９２には、溶剤中に分散されている誘電体材料粉、必要により磁性材料粉、難燃剤と樹脂がスラリー状調整されており、この塗工槽９２をガラスクロスが通過すると、上記スラリー中に浸漬され、ガラスクロスに塗工されるとともに、その中のすきまが埋められることになる。
【００６５】
塗工槽９２を通過したガラスクロスは、ガイドローラー９３ａ，９３ｂを介して乾燥炉１２０に導入される。乾燥炉に導入された樹脂含浸ガラスクロスは、所定の温度と時間乾燥され、Ｂステージ化されるとともに、ガイドローラー９５により方向転換して巻取ローラ９９に巻回される。
【００６６】
そして、所定の大きさに切断されると、（ｂ）に示すように、ガラスクロス１０１の両面に誘電体材料粉、必要により磁性体材料粉、難燃剤を含有した樹脂１０２が配置されたプリプレグが得られる。
【００６７】
さらに、（ｃ）に示すように、得られたプリプレグの上下両面上に銅箔などの金属箔１００を配置し、これを加熱・加圧プレスすると、（ｄ）に示すような両面金属箔付き基板が得られる。成形は条件をかえて複数段階に分けて行うことができる。なお、金属箔を設けない場合には、金属箔を配置することなく加熱・加圧プレスすればよい。
【００６８】
次に、図７３の製造方法について説明する。図７３において、（ａ）に示すように、誘電体材料粉、必要により磁性材料粉、難燃剤と樹脂を溶剤中に分散したスラリー１０２ａをドクターブレード９６等によってクリアランスを一定に保ちながら銅箔などの金属箔上に塗工する。
【００６９】
そして、所定の大きさに切断されると、（ｂ）に示すように、金属箔１００の上面に誘電体材料粉、必要により磁性体材料粉、難燃剤を含有した樹脂１０２が配置されたプリプレグが得られる。
【００７０】
さらに、（ｃ）に示すように、ガラスクロス１０１の上下両面に得られたプリプレグ１０２をそれぞれ樹脂１０２側を内面にして配置し、これを加熱・加圧プレスすると、（ｄ）に示すような両面金属箔付き基板が得られる。加熱加圧条件は上記と同様でよい。
【００７１】
電子部品を構成する基板、およびプリプレグは、上記塗工法以外に材料を混練し、固体状とした混練物を成型することによっても得ることができる。この場合、原料が固体状であるため、厚みをとりやすく、比較的厚みのある基板、プリプレグを形成する方法として適している。
【００７２】
混練は、ボールミル、撹拌、混練機などの公知の方法で行えばよい。その際、必要により溶媒を用いてもよい。また、必要に応じてペレット化、粉末化してもよい。
【００７３】
この場合に得られるプリプレグの厚みとしては、０．０５〜５mm程度である。プリプレグの厚みは、所望する板厚、誘電体材料粉、磁性体材料粉の含有率に応じて適宜調整すればよい。
【００７４】
さらに、上記同様に得られたプリプレグの上下両面上に銅箔などの金属箔を配置し、これを加熱・加圧プレスすると両面金属箔付き基板が得られる。成形は条件をかえて複数段階に分けて行うことができる。なお、金属箔を設けない場合には、金属箔を配置することなく加熱・加圧プレスすればよい。
【００７５】
このようにして得られる成形材料としての基板（有機複合材料）は、透磁率および誘電率の高周波数特性に優れる。また絶縁材として耐えうる絶縁特性に優れる。さらには、後述のように銅箔付基板とした場合、銅箔との接着強度が大きい。また半田耐熱性等の耐熱性に優れる。
【００７６】
本発明のプリプレグは銅箔と重ねて加熱加圧して成形することにより銅箔付基板を形成することができる。この場合の銅箔の厚さは１２〜３５μm 程度である。
【００７７】
このような銅箔付基板には、両面パターンニング基板や多層基板などがある。
【００７８】
図７４、図７５には両面パターンニング基板形成例の工程図を示す。図７４、図７５に示されるように、所定厚さのプリプレグ２１６と所定厚さの銅（Ｃｕ）箔２１７とを重ねて加圧加熱して成形する（工程Ａ）。次にスルーホール２１８をドリリングにより形成する（工程Ｂ）。形成したスルーホール２１８に銅（Ｃｕ）メッキを施し、メッキ膜２２５を形成する（工程Ｃ）。さらに両面の銅箔２１７にパターニングを施し、導体パターン２２６を形成する（工程Ｄ）。その後、図７４に示されるように、外部端子等の接続のためのメッキを施す（工程Ｅ）。この場合のメッキはＮｉメッキ後にさらにＰｄメッキを施す方法、Ｎｉメッキ後にさらにＡｕメッキを施す方法（メッキは電解または無電解メッキ）、半田レベラーを用いる方法により行われる。
【００７９】
図７６、図７７には多層基板形成例の工程図であり、４層積層する例が示されている。図７６、図７７に示されるように、所定厚さのプリプレグ２１６と所定厚さの銅（Ｃｕ）箔２１７とを重ねて加圧加熱して成形する（工程ａ）。次に両面の銅箔２１７にパターニングを施し、導体パターン２２４を形成する（工程ｂ）。このようにして得られた両面パターンニング基板の両面に、さらに所定厚さのプリプレグ２１６と銅箔２１７とを重ねて、同時に加圧加熱して成形する（工程ｃ）。次にスルーホール２１８をドリリングにより形成する（工程ｄ）。形成したスルーホール２１８に銅（Ｃｕ）メッキを施し、メッキ膜２１９を形成する（工程ｅ）。さらに両面の銅箔２１７にパターニングを施し、導体パターン２２４を形成する（工程ｆ）。その後図７６に示されるように、外部端子との接続のためのメッキを施す（工程ｇ）。この場合のメッキはＮｉメッキ後にさらにＰｄメッキを施す方法、Ｎｉメッキ後にさらにＡｕメッキを施す方法（メッキは電解または無電解メッキ）、半田レベラーを用いる方法により行われる。
【００８０】
本発明では、前記例に限らず、種々の基板を形成することができる。例えば、成形材料としての基板や、銅箔付基板とプリプレグとを用い、プリプレグを接着層として多層化することも可能である。
【００８１】
また、プリプレグや成形材料としての基板と銅箔とを接着する態様において、前述の誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉、必要により難燃剤と樹脂とブチルカルビトールアセテート等の高沸点溶剤とを混練して得られたハイブリッド材ペーストをパターニングした基板の上にスクリーン印刷等にて形成してもよく、これにより特性の向上を図ることができる。
【００８２】
このようなプリプレグ、銅箔付き基板、積層基板等と素子構成パターン、構成材料を組み合わせることにより、電子部品を得ることができる。
【００８３】
本発明の電子部品は、コンデンサ（キャパシタ）、コイル（インダクタ）、フィルター等の他、これらと、あるいはそれ以外に配線パターン、増幅素子、機能素子を組み合わせ、アンテナや、ＲＦモジュール（ＲＦ増幅段）、ＶＣＯ（電圧制御発振回路）、パワーアンプ（電力増幅段）等の高周波電子回路、光ピックアップなどに用いられる重畳モジュール等の高周波用電子部品を得ることができる。
【実施例】
【００８４】
以下、本発明の具体的実験例、実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
＜実験例１＞
樹脂材料として表１−１，１−２に示す材料を用意し、これに表１−１，１−２に示す誘電体材料粉、磁性材料粉を所定の割合で混合して得られたハイブリッド材の誘電率εをそれぞれ測定した。結果を表１−１，１−２に示す。また、磁性材料を含有した際の誘電率の低下を比較サンプルとともに示す。なお、表１−１において、誘電体材料粉の含有量が５０体積％のものは従来の比較サンプル、誘電体材料粉の含有量が６０体積％のものは本発明サンプルを表す。また、表１−１では（ε×μ）1/2 において、磁性材料粉を含まないためμ＝１として計算した。
【００８５】
【表１−１】
2004208324.tif 000002
【００８６】
【表１−２】
2004208324.tif 000003
【００８７】
表１−１，１−２から明らかなように、用いる樹脂に含有される誘電体材料粉、磁性体材料粉の最大含有量が、従来の誘電体材料粉に比べて５０体積％から６０体積％に増大し、誘電率も増加していることがわかる。また、磁性材料粉を混合したときにも、（ε×μ）1/2 がむしろ増大していることがわかる。
【００８８】
＜実施例１＞
図１、図２は、本発明の第１の実施態様であるインダクタを示した図であり、図１は透視斜視図、図２は断面図を表している。
【００８９】
図において、インダクタ１０は本発明の樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）１０ａ〜１０ｅと、この構成層１０ｂ〜１０ｅ上に形成されている内部導体（コイルパターン）１３と、この内部導体１３を電気的に接続するためのビアホール１４とを有する。このビアホール１４はドリル、レーザー加工、エッチング等により形成することができる。また、形成されたコイルの終端部は、それぞれインダクタ１０の端面に形成された貫通ビア１２とそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン１１と接続されている。貫通ビア１２は、ダイシング、Ｖカット等により、半分に切断された構造となっている。これは、集合基板で複数の素子を形成し、最終的に個片に切断する際に貫通ビア１２の中心から切断するためである。
【００９０】
このインダクタ１０の構成層１０ａ〜１０ｅの少なくともいずれかには、少なくとも投影形状が円、扁平円、または楕円形の、特に平均粒径が１〜５０μm 、球形度が０．９〜１．０である誘電体が樹脂中に分散されている複合誘電体材料が用いられている。この複合誘電体材料には、さらに、磁気特性を調整するために磁性粉が含有されていてもよく、場合によってはこれらの破砕粉を含有していてもよい。
【００９１】
この複合誘電体材料は、高周波用のチップインダクタとしての用途を考えたとき、分布容量をできるだけ減らす必要があることから比誘電率を２．６〜３．５とすることが好ましい。また、共振回路を構成するインダクタにおいては、積極的に分布容量を用いる場合があり、このような用途では比誘電率を５〜４０とすることが好ましい。このようにすることで、素子の小型化、容量素子の省略を図ることができる。また、このインダクタにおいては、材料の損失をできるだけ抑える必要がある。このため、誘電正接（ tanδ）を０．００２５〜０．００７５とすることにより、材料損失の極めて少ない、Ｑの高いインダクタを得ることができる。さらに、ノイズ除去のための用途を考えた場合、除去したいノイズの周波数でインピーダンスをできるだけ大きくする必要がある。このような場合には透磁率を３〜２０と調整することが好ましい。これにより、高周波ノイズの除去効果を飛躍的に向上させることができる。また、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。
【００９２】
なお、その等価回路を図１０（ａ）に示す。図１０（ａ）に示されるように、等価回路ではコイル３１を有する電子部品（インダクタ）となっている。
【００９３】
＜実施例２＞
図３、図４は、本発明の第２の実施態様であるインダクタを示した図であり、図３は透視斜視図、図４は断面図を表している。
【００９４】
この例では、実施例１において上下方向に巻回されていたコイルパターンを、横方向に巻回したヘリカル巻とした構成態様を表している。その他の構成要素は実施例１と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【００９５】
＜実施例３＞
図５、図６は、本発明の第３の実施態様であるインダクタを示した図であり、図５は透視斜視図、図６は断面図を表している。
【００９６】
この例では、実施例１において上下方向に巻回されていたコイルパターンを、上下面でのスパイラルを連結した構成態様としたものを表している。その他の構成要素は実施例１と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【００９７】
＜実施例４＞
図７、図８は、本発明の第４の実施態様であるインダクタを示した図であり、図７は透視斜視図、図８は断面図を表している。
【００９８】
この例では、実施例１において上下方向に巻回されていたコイルパターンを、内部に形成されたミアンダー状のパターンとして構成したものを表している。その他の構成要素は実施例１と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【００９９】
＜実施例５＞
図９は本発明の第５の実施態様であるインダクタを示した透視斜視図である。
【０１００】
この例では、実施例１において単独で構成されていたコイルを、４連とした態様を表している。このような構成とすることにより、省スペース化を図ることができる。その他の構成要素は実施例１と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。なお、その等価回路を図１０（ｂ）に示す。図１０（ｂ）に示されるように、等価回路ではコイル３１ａ〜３１ｄが４連装された電子部品（インダクタ）となっている。
【０１０１】
＜実施例６＞
図１１、図１２は、本発明の第６の実施態様であるキャパシタ（コンデンサ）を示した図であり、図１１は透視斜視図、図１２は断面図を表している。
【０１０２】
図において、キャパシタ２０は本発明の樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）２０ａ〜２０ｇと、この構成層２０ｂ〜２０ｇ上に形成されている内部導体（内部電極パターン）２３と、この内部導体２３とそれぞれ交互に接続されるキャパシタの端面に形成された貫通ビア２２とそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン２１ととから構成されている。
【０１０３】
このキャパシタ２０の構成層２０ａ〜２０ｇの少なくともいずれかには、少なくとも投影形状が円、扁平円、または楕円形の、特に平均粒径が１〜５０μm 、球形度が０．９〜１．０である誘電体が樹脂中に分散されている複合誘電体材料が用いられている。この複合誘電体材料には、さらに、磁気特性を調整するために磁性粉が含有されていてもよく、場合によってはこれらの破砕粉を含有していてもよい。
【０１０４】
この複合誘電体材料は、得られる容量の多様性や精度の点を考慮すると比誘電率２．６〜４０、誘電正接０．００２５〜０．０２５であることが好ましい。これにより、得られる容量の範囲が広がり、低い容量値でも高精度に形成できる。また、材料の損失をできるだけ抑える必要がある。このため、誘電正接（ tanδ）を０．００２５〜０．０２５とすることにより、材料損失の極めて少ないキャパシタとすることができる。また、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。
【０１０５】
なお、その等価回路を図１４（ａ）に示す。図１４（ａ）に示されるように、等価回路ではキャパシタ３２を有する電子部品（コンデンサ）となっている。
【０１０６】
＜実施例７＞
図１３は本発明の第７の実施態様であるキャパシタを示した透視斜視図である。
【０１０７】
この例では、実施例６において単独で構成されていたキャパシタを、複数アレイ状に並べて４連とした態様を表している。また、キャパシタをアレイ状に形成する場合、様々な容量を精度よく形成する場合がある。このため、上記誘電率、誘電正接の範囲が好ましいといえる。その他の構成要素は実施例６と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。なお、その等価回路を図１４（ｂ）に示す。図１４（ｂ）に示されるように、等価回路ではキャパシタ３２ａ〜３２ｄが４連装された電子部品（コンデンサ）となっている。
【０１０８】
＜実施例８＞
図１５〜図１８は、本発明の第８の実施態様を示したバルントランスを示している。ここで図１５は透過斜視図、図１６は断面図、図１７は各構成層の分解平面図、図１８は等価回路図である。
【０１０９】
図１５〜１７において、バルントランス４０は、構成層４０ａ〜４０ｏが積層された積層体の上下および中間に配置された内部ＧＮＤ導体４５と、この内部ＧＮＤ導体４５間に形成されている内部導体４３を有する。この内部導体４３は、λg ／４長のスパイラル状導体４３を、図１７の等価回路に示される結合ライン５３ａ〜５３ｄを構成するようにビアホール４４等で連結している。
【０１１０】
このバルントランス４０の構成層４０ａ〜４０ｏの少なくともいずれかには、少なくとも投影形状が円、扁平円、または楕円形の、特に平均粒径が１〜５０μm 、球形度が０．９〜１．０である誘電体が樹脂中に分散されている複合誘電体材料が用いられている。この複合誘電体材料には、さらに、磁気特性を調整するために磁性粉が含有されていてもよく、場合によってはこれらの破砕粉を含有していてもよい。
【０１１１】
この複合誘電体材料は、比誘電率を２．６〜４０とし、誘電正接（ tanδ）を０．００２５〜０．０２５とすることが好ましい。また、用途によっては透磁率を３〜２０とすることが好ましい。なお、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。
【０１１２】
＜実施例９＞
図１９〜図２２は、本発明の第９の実施態様を示した積層フィルターを示している。ここで図１９は斜視図、図２０は分解斜視図、図２１は等価回路図、図２２は伝達特性図である。なお、この積層フィルターは２ポールとして構成されている。
【０１１３】
図１９〜２１において、積層フィルター６０は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ中央に一対のストリップ線路６８と、一対のコンデンサ導体６７とを有する。コンデンサ導体６７は下部構成層群６０ｄ上に形成され、ストリップ線路６８はその上の構成層６０ｃ上に形成されている。構成層６０ａ〜６０ｅの上下端部にはＧＮＤ導体６５が形成されていて、前記ストリップ線路６８とコンデンサ導体６７とを挟み込むようになっている。ストリップ線路６８と、コンデンサ導体６７と、ＧＮＤ導体６５とはそれぞれ端面に形成された端部電極（外部端子）６２とそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン６１と接続されている。また、その両側面およびそこから僅かに上下面方向に形成されたＧＮＤパターン６６はＧＮＤ導体６５と接続されている。
【０１１４】
ストリップ線路６８は、図２１の等価回路図に示されるλg ／４長またはそれ以下の長さを有するストリップ線路７４ａ、７４ｂであり、コンデンサ導体６７は入出力結合容量Ｃｉを構成する。また、それぞれのストリップ線路７４ａ、７４ｂ間は、結合容量Ｃｍおよび結合係数Ｍにより結合されている。このような等価回路により、図２２に示すような２ポール型の伝達特性を有する積層フィルタを得ることができる。
【０１１５】
この積層フィルタ６０の構成層６０ａ〜６０ｅのすくなくともいずれかには、少なくとも投影形状が円、扁平円、または楕円形の、特に平均粒径が１〜５０μm 、球形度が０．９〜１．０である誘電体が樹脂中に分散されている複合誘電体材料が用いられている。この複合誘電体材料には、さらに、磁気特性を調整するために磁性粉が含有されていてもよく、場合によってはこれらの破砕粉を含有していてもよい。
【０１１６】
この複合誘電体材料は、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭHzから数ＧHzの帯域において、所望の伝達特性が得られるようになる。また、ストリップライン共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（ tanδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。なお、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。
【０１１７】
＜実施例１０＞
図２３〜図２６は、本発明の第１０の実施態様を示した積層フィルターを示している。ここで図２３は斜視図、図２４は分解斜視図、図２５は等価回路図、図２６は伝達特性図である。なお、この積層フィルターは４ポールとして構成されている。
【０１１８】
図２３〜２６において、積層フィルター６０は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ中央に４つのストリップ線路６８と、一対のコンデンサ導体６７とを有する。その他の構成要素は実施例９と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１１９】
＜実施例１１＞
図２７〜図３２は、本発明の第１１の実施態様を示したブロックフィルターを示している。ここで図２７は透過斜視図、図２８は正面図、図２９は側面断面図、図３０は平面断面図、図３１は等価回路図、図３２は金型の構造を示した透過側面図である。なお、このブロックフィルターは２ポールとして構成されている。
【０１２０】
図２７〜図３２において、ブロックフィルター８０は、構成ブロック８０ａに形成された一対の同軸導体８１とコンデンサ同軸導体８２とを有する。この同軸導体８１とコンデンサ同軸導体８２とは、構成ブロック８０ａをくり抜くように中空状に形成された導電体で構成されている。また、構成ブロック８０ａの周囲には、これを覆うように表面ＧＮＤ導体８７が形成されている。そしてコンデンサ同軸導体８２に対応する部分にコンデンサ導体８３が形成されている。また、コンデンサ導体８３と表面ＧＮＤ導体８７は、入出力端子、および部品固着用端子としても使用される。なお、同軸導体８１とコンデンサ同軸導体８２とは、構成ブロック８０ａをくりぬくように形成された中空状の孔の内部に、導電材料を無電解メッキ、蒸着などで付着させ伝送路を形成する。
【０１２１】
同軸導体８１は、図３１の等価回路図に示されるλg ／４長またはそれ以下の長さを有する同軸線路９４ａ、９４ｂであり、それらを囲むようにＧＮＤ導体８７が形成されている。また、コンデンサ同軸導体８２とコンデンサ導体８３は入出力結合容量Ｃｉを構成する。また、それぞれの同軸導体８１間は、結合容量Ｃｍおよび結合係数Ｍにより結合されている。このような構成により、図３１に示すような等価回路となり、２ポール型の伝達特性を有するブロックフィルターを得ることができる。
【０１２２】
図３２はブロックフィルター８０の構成ブロック８０ａを形成するための金型の一例を示した概略断面図である。図において、金型は鉄などの金属ベース１０３に、樹脂注入口１０４および注入孔１０６が形成され、これと連結して部品形成部１０５ａ，１０５ｂが形成されている。構成ブロック８０ａを形成するための複合樹脂材料は、液体の状態で樹脂注入口１０４から注入され、注入孔１０６を通って部品形成部１０５ａ，１０５ｂに達する。そして、この金型の内部に複合樹脂が満たされた状態で、冷却または加熱処理を行い複合樹脂を固化して金型から取り出し、注入口などで硬化した不要な部分を切断する。こうして、図２７〜図３０に示される構成ブロック８０ａが形成される。
【０１２３】
このようにして形成された構成ブロック８０ａに、メッキ、エッチング、印刷、スパッタ、蒸着等の処理を行い、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等により形成された表面ＧＮＤ導体８７、同軸導体８１とコンデンサ同軸導体８２等を形成する。
【０１２４】
このブロックフィルタ８０の構成ブロック８０ａは、少なくとも投影形状が円、扁平円、または楕円形の、特に平均粒径が１〜５０μm 、球形度が０．９〜１．０である誘電体が樹脂中に分散されている複合誘電体材料が用いられている。この複合誘電体材料には、さらに、磁気特性を調整するために磁性粉が含有されていてもよく、場合によってはこれらの破砕粉を含有していてもよい。
【０１２５】
このブロックフィルタ８０の構成ブロック８０ａは、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭHzから数ＧHzの帯域において、所望の伝達特性が得られるようになる。また、同軸共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（ tanδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。
【０１２６】
＜実施例１２＞
図３３〜図３７は、本発明の第１２の実施態様を示したカプラを示している。ここで図３３は透過斜視図、図３４は断面図、図３５は各構成層の分解平面図、図３６は内部結線図、図３７は等価回路図である。
【０１２７】
図３３〜３７において、カプラ１１０は、構成層１１０ａ〜１１０ｃが積層された積層体の上下に形成、配置された内部ＧＮＤ導体１１５と、この内部ＧＮＤ導体１１５間に形成されている内部導体１１３を有する。この内部導体１１３は、２つのコイルによりトランスが構成されるようにスパイラル状にビアホール１１４等で連結している。また。形成されたコイルの終端と、内部ＧＮＤ導体１１５とは、図３６に示すように、それぞれ端面に形成された貫通ビア１１２とそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン１１１と接続されている。このように構成することにより、図３７の等価回路図で示すように、２つのコイル１２５ａ，１２５ｂが結合したカプラ１１０が得られる。
【０１２８】
このカプラ１１０の構成層１１０ａ〜１１０ｃの少なくともいずれかには、少なくとも投影形状が円、扁平円、または楕円形の、特に平均粒径が１〜５０μm 、球形度が０．９〜１．０である誘電体が樹脂中に分散されている複合誘電体材料が用いられている。この複合誘電体材料には、さらに、磁気特性を調整するために磁性粉が含有されていてもよく、場合によってはこれらの破砕粉を含有していてもよい。
【０１２９】
この複合誘電体材料は、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。また、小型化を考えると比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、用途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した誘電率の材料を用いればよい。通常、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭHzから数ＧHzの帯域において、所望の伝達特性が得られるようになる。また、内部インダクタのＱ値を上げるために、誘電正接（tanδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。これにより、材料損失が極めて少なく、Ｑ値の高いインダクタを形成でき、高性能のカプラーを得ることができる。なお、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。
【０１３０】
＜実施例１３＞
図３８〜図４０は、本発明の第１３の実施態様であるアンテナを示した図であり、図３８は透視斜視図、図３９（ａ）は平面図、（ｂ）は側面断面図、（ｃ）は正面断面図、図４０は各構成層の分解斜視図を表している。
【０１３１】
図において、アンテナ１３０は本発明の樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）１３０ａ〜１３０ｃと、この構成層１３０ｂと１３０ｃ上にそれぞれ形成されている内部導体（アンテナパターン）１３３を有する。また、この内部導体１３３の終端部は、アンテナの端面に形成された貫通ビア１３２およびそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン１３１と接続されている。この例では内部導体１３３は、使用周波数に対し、約λg ／４長となるようなリアクタンス素子として構成され、ミアンダ状に形成されている。
【０１３２】
このアンテナ１３０の構成層１３０ａ〜１３０ｃの少なくともいずれかには、少なくとも投影形状が円、扁平円、または楕円形の、特に平均粒径が１〜５０μm 、球形度が０．９〜１．０である誘電体が樹脂中に分散されている複合誘電体材料が用いられている。この複合誘電体材料には、さらに、磁気特性を調整するために磁性粉が含有されていてもよく、場合によってはこれらの破砕粉を含有していてもよい。
【０１３３】
この複合誘電体材料は、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。また、小型化を考えると比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、用途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した誘電率の材料を用いればよい。通常、比誘電率２．６〜４０、誘電正接０．００２５〜０．０２５であることが好ましい。これにより、周波数の範囲が広がり、高精度に形成できる。また、材料の損失をできるだけ抑える必要がある。このため、誘電正接（ tanδ）を０．００２５〜０．０２５とすることにより、材料損失の極めて少ないアンテナとすることができる。また、用途によっては透磁率を３〜２０とすることが好ましい。また、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。
【０１３４】
＜実施例１４＞
図４１、図４２は、本発明の第１４の実施態様を示したアンテナを示している。ここで図４１は透過斜視図、図４２は分解斜視図である。なお、この例のアンテナはヘリカル状の内部電極を有するアンテナとして構成されている。
【０１３５】
図４１、４２において、アンテナ１４０は、本発明の樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）１４０ａ〜１４０ｃと、この構成層１４０ｂと１４０ｃ上にそれぞれ形成されている内部導体（アンテナパターン）１４３ａ，１４３ｂを有する。そして、上下の内部導体１４３ａ，１４３ｂはビアホール１４４にて接続され、ヘリカル状のインダクタンス素子を形成するようになっている。その他の構成要素は実施例１３と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１３６】
＜実施例１５＞
図４３、図４４は、本発明の第１５の実施態様であるパッチアンテナを示した図であり、図４３は透視斜視図、図４４は断面図を表している。
【０１３７】
図において、パッチアンテナ１５０は本発明の複合樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）１５０ａと、この構成層１５０ａ上に形成されているパッチ導体１５９（アンテナパターン）と、このパッチ導体１５９に対向するように構成層１５０ａの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有する。また、パッチ導体１５９には給電用のスルー導体１５４が給電部１５３で接続され、このスルー導体１５４はＧＮＤ導体１５５とは接続されないようにＧＮＤ導体１５５との間にギャップ１５６が設けられている。このため、ＧＮＤ導体１５５の下部からスルー導体１５４を通って給電が行われるようになっている。
【０１３８】
このパッチアンテナ１５０の構成層１５０ａには、少なくとも投影形状が円、扁平円、または楕円形の、特に平均粒径が１〜５０μm 、球形度が０．９〜１．０である誘電体が樹脂中に分散されている複合誘電体材料が用いられている。この複合誘電体材料には、さらに、磁気特性を調整するために磁性粉が含有されていてもよく、場合によってはこれらの破砕粉を含有していてもよい。
【０１３９】
この複合誘電体材料は、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。また、小型化を考えると比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、用途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した誘電率の材料を用いればよい。通常、比誘電率２．６〜４０、誘電正接０．００２５〜０．０２５であることが好ましい。これにより、周波数の範囲が広がり、高精度に形成できる。また、材料の損失をできるだけ抑える必要がある。このため、誘電正接（ tanδ）を０．００２５〜０．０２５とすることにより、材料損失の極めて少ない放射効率の高いアンテナとすることができる。
【０１４０】
また、数１００ＭHz以下の周波数帯域においては、磁性体も誘電体と同様の波長短縮効果が得られ、さらに、放射素子のインダクタンス値を上げることができる。また、Ｑの周波数ピークを合わせることにより、比較的低い周波数においても高いＱが得られる。このため、用途によっては透磁率を３〜２０とすることが好ましい。これにより、数１００ＭHz以下の周波数帯域において高特性化、小型化を実現できる。また、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。
【０１４１】
＜実施例１６＞
図４５、図４６は、本発明の第１６の実施態様であるパッチアンテナを示した図であり、図４５は透視斜視図、図４６は断面図を表している。
【０１４２】
図において、パッチアンテナ１６０は本発明の複合樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）１６０ａと、この構成層１６０ａ上に形成されているパッチ導体１６９（アンテナパターン）と、このパッチ導体１６９に対向するように構成層１６０ａの底面に形成されたＧＮＤ導体１６５とを有する。また、パッチ導体１６９の近傍にこれと接触しないように給電用の給電導体１６１が配置され、給電端子１６２を介してこれから給電が行われるようになっている。給電端子１６２は、メッキ、ターミネート、印刷、スパッタ、蒸着等の処理を行い、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等により形成することができる。その他の構成要素は実施例１５と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１４３】
＜実施例１７＞
図４７、図４８は、本発明の第１７の実施態様である多層型のパッチアンテナを示した図であり、図４７は透視斜視図、図４８は断面図を表している。
【０１４４】
図において、パッチアンテナ１７０は本発明の複合樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）１５０ａ、１５０ｂと、この構成層１５０ａ、１５０ｂ上に形成されているパッチ導体１５９ａ，１５９ｅと、このパッチ導体１５９ａ，１５９ｅに対向するように構成層１５０ｂの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有する。また、パッチ導体１５９ａには給電用のスルー導体１５４が給電部１５３ａで接続され、このスルー導体１５４はＧＮＤ導体１５５およびパッチ導体１５９ｅとは接続されないようにＧＮＤ導体１５５およびパッチ導体１５９ｅとの間にギャップ１５６が設けられている。このため、ＧＮＤ導体１５５の下部からスルー導体１５４を通ってパッチ導体１５９ａに給電が行われるようになっている。このときパッチ導体１５９ｅにはパッチ導体１５９ａとの容量結合およびスルー導体１５４とのギャップによって形成される容量により給電される。その他の構成要素は実施例１５と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１４５】
＜実施例１８＞
図４９、図５０は本発明の第１８の実施態様である多連型のパッチアンテナを示した図であり、図４９は透視斜視図、図５０は断面図を表している。
【０１４６】
この例では、実施例１７において単独で構成されていたパッチアンテナを、複数アレイ状に並べて４連とした態様を表している。図において、本発明の複合樹脂を有する構成層１５０ａ、１５０ｂと、この構成層１５０ａ上に形成されているパッチ導体１５９ａ、１５９ｂ、１５９ｃ、１５９ｄと、構成層１５０ｂ上に形成されているパッチ導体１５９ｅ、１５９ｆ、１５９ｇ、１５９ｈと、このパッチ導体１５９ａ，１５９ｅに対向するように構成層１５０ｂの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有する。その他の構成要素は実施例１８と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１４７】
このようにアレイ状に形成することにより、セットの小型化と部品点数の削減が可能となる。
【０１４８】
＜実施例１９＞
図５１〜図５３は、本発明の第１９の実施態様を示したＶＣＯ（電圧制御発振器）を示している。ここで図５１は透過斜視図、図５２は断面図、図５３は等価回路図である。
【０１４９】
図５１〜５３において、ＶＣＯは、構成層２１０ａ〜２１０ｇが積層された積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品２６１と、この構成層２１０ａ〜２１０ｇ中およびその上下面に形成されている導体パターン２６２，２６３，２６４を有する。このＶＣＯは図５３に示すような等価回路により構成されているため、ストリップライン２６３、コンデンサ、信号線、半導体、電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
【０１５０】
この例では、構成層２１０ａ〜２１０ｇの少なくともいずれかには、少なくとも投影形状が円、扁平円、または楕円形の、特に平均粒径が１〜５０μm 、球形度が０．９〜１．０である誘電体が樹脂中に分散されている複合誘電体材料が用いられている。この複合誘電体材料には、さらに、磁気特性を調整するために磁性粉が含有されていてもよく、場合によってはこれらの破砕粉を含有していてもよい。
【０１５１】
共振器を構成する構成層２１０ｆ，２１０ｇでは誘電正接が０．００２５〜０．００７５の誘電体層を用いることが好ましい。コンデンサ構成層２１０ｃ〜２１０ｅには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が５〜４０となるような複合誘電体層を用いることが好ましい。配線、およびインダクタ構成層２１０ａ，２１０ｂには、誘電正接が０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜５．０の誘電体層を用いることが好ましい。
【０１５２】
そして、上記構成層２１０ａ〜２１０ｇの表面には、内部導体であるストリップライン２６３、ＧＮＤ導体２６２、コンデンサ導体２６４，配線インダクタ導体２６５、および端子導体２６６を構成する。また、それぞれの内部導体はビアホール２１４により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品２６１が搭載されて図５３の等価回路に示すようなＶＣＯが形成される。
【０１５３】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。
【０１５４】
＜実施例２０＞
図５４〜図５６は、本発明の第２０の実施態様を示したパワーアンプ（電力増幅部）を示している。ここで図５４は各構成層の分解平面図、図５５は断面図、図５６は等価回路図である。
【０１５５】
図５４〜５６において、パワーアンプは、構成層３００ａ〜３００ｅが積層された積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品３６１と、この構成層３００ａ〜３００ｅ中およびその上下面に形成されている導体パターン３１３，３１５を有する。このパワーアンプは図５６に示すような等価回路により構成されているため、ストリップラインＬ１１〜Ｌ１７、コンデンサＣ１１〜Ｃ２０、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
【０１５６】
この例では、構成層の少なくともいずれかには、少なくとも投影形状が円、扁平円、または楕円形の、特に平均粒径が１〜５０μm 、球形度が０．９〜１．０である誘電体が樹脂中に分散されている複合誘電体材料が用いられている。この複合誘電体材料には、さらに、磁気特性を調整するために磁性粉が含有されていてもよく、場合によってはこれらの破砕粉を含有していてもよい。
【０１５７】
この場合、ストリップラインを構成する構成層３００ｄ，３００ｅには誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が２．６〜４０の複合誘電体層を用いることが好ましい。コンデンサ構成層３００ａ〜３００ｃには、誘電正接が０．００２５〜０．０２５、比誘電率が５〜４０となるような複合誘電体層を用いることが好ましい。
【０１５８】
そして、これらの構成層３００ａ〜３００ｅの表面には、内部導体３１３、ＧＮＤ導体３１５等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール３１４により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品３６１が搭載されて図５６の等価回路に示すようなパワーアンプが形成される。
【０１５９】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。
【０１６０】
＜実施例２１＞
図５７〜図５９は、本発明の第２１の実施態様を示した光ピックアップなどに使用される重畳モジュールを示している。ここで図５７は各構成層の分解平面図、図５８は断面図、図５９は等価回路図である。
【０１６１】
図５７〜５９において、重畳モジュールは、構成層４００ａ〜４００ｋが積層された積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品４６１と、この構成層４００ａ〜４００ｋ中およびその上下面に形成されている導体パターン４１３，４１５を有する。この重畳モジュールは図５９に示すような等価回路により構成されているため、インダクタＬ２１、Ｌ２３、コンデンサＣ２１〜Ｃ２７、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
【０１６２】
この例では、構成層４００ａ〜４００ｋの少なくともいずれかには、少なくとも投影形状が円、扁平円、または楕円形の、特に平均粒径が１〜５０μm 、球形度が０．９〜１．０である誘電体が樹脂中に分散されている複合誘電体材料が用いられている。この複合誘電体材料には、さらに、磁気特性を調整するために磁性粉が含有されていてもよく、場合によってはこれらの破砕粉を含有していてもよい。
【０１６３】
この場合、コンデンサ構成層４００ｄ〜４００ｈには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が１０〜４０となるような複合誘電体層を用いることが好ましい。インダクタを構成する構成層４００ａ〜４００ｃ，４００ｊ〜４００ｋには誘電正接が０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜５．０となるような複合誘電体層を用いることが好ましい。
【０１６４】
そして、これらの構成層４００ａ〜４００ｋの表面には、内部導体４１３、ＧＮＤ導体４１５等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール４１４により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品４６１が搭載されて図５９の等価回路に示すような重畳モジュールが形成される。
【０１６５】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。
【０１６６】
＜実施例２２＞
図６０〜図６３は、本発明の第２２の実施態様を示したＲＦモジュールを示している。ここで図６０は斜視図、図６１は外装部材を外した状態での斜視図、図６２は各構成層の分解斜視図、図６３は断面図である。
【０１６７】
図６０〜６３において、ＲＦモジュールは、構成層５００ａ〜５００ｉが積層された積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品５６１と、この構成層５００ａ〜５００ｉ中およびその上下面に形成されている導体パターン５１３，５１５、５７２と、アンテナパターン５７３を有する。このＲＦモジュールは、上記のようにインダクタ、コンデンサ、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
【０１６８】
この例では、構成層５００ａ〜５００ｉの少なくともいずれかには、少なくとも投影形状が円、扁平円、または楕円形の、特に平均粒径が１〜５０μm 、球形度が０．９〜１．０である誘電体が樹脂中に分散されている複合誘電体材料が用いられている。この複合誘電体材料には、さらに、磁気特性を調整するために磁性粉が含有されていてもよく、場合によってはこれらの破砕粉を含有していてもよい。
【０１６９】
この場合、アンテナ構成、ストリップライン構成および配線層５００ａ〜５００ｄ、５００ｇは、０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜５．０の複合誘電体層を用いることが好ましい。コンデンサ構成層５００ｅ〜５００ｆには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が１０〜４０となるような複合誘電体層を用いることが好ましい。電源ライン層５００ｈ〜５００ｉには、透磁率が３〜２０となるような複合誘電体層を用いることが好ましい。
【０１７０】
そして、これらの構成層５００ａ〜５００ｉの表面には、内部導体５１３、ＧＮＤ導体５１５、アンテナ導体５７３等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール５１４により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品５６１が搭載されてＲＦモジュールが形成される。
【０１７１】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。
【０１７２】
＜実施例２３＞
図６４、図６５は、本発明の第２３の実施態様を示した共振器を示している。ここで図６４は透過斜視図、図６５は断面図である。
【０１７３】
図６４、６５において、共振器は、ベース材６１０に貫通孔状の同軸型導電体６４１が形成されている。その形成方法は、実施例１１のブロックフィルタと同様である。すなわち、金型成形されたベース材６１０に、メッキ、エッチング、印刷、スパッタ、蒸着等の処理を行い、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等により形成された表面ＧＮＤ導体６４７、およびこの表面ＧＮＤ導体６４７と端部電極６８２で接続された同軸導体６４１と、同軸導体６４１と接続されている共振器用ＨＯＴ端子６８１等を形成する。そして、同軸導体６４１は、ある特性インピーダンスを有する同軸型線路であり、これらを囲むように表面ＧＮＤ導体６４７が形成されている。
【０１７４】
この共振器のベース材６１０には、少なくとも投影形状が円、扁平円、または楕円形の、特に平均粒径が１〜５０μm 、球形度が０．９〜１．０である誘電体が樹脂中に分散されている複合誘電体材料が用いられている。この複合誘電体材料には、さらに、磁気特性を調整するために磁性粉が含有されていてもよく、場合によってはこれらの破砕粉を含有していてもよい。
【０１７５】
共振器のベース材６１０は、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭHzから数ＧHzの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（ tanδ）を０．００１〜０．００７５とすることが好ましい。
【０１７６】
＜実施例２４＞
図６６、図６７は、本発明の第２４の実施態様を示したストリップ共振器を示している。ここで図６６は透過斜視図、図６７は断面図である。
【０１７７】
図６６、６７において、ストリップ共振器は、長方形のストリップ導体７８４と、これを構成層７１０を介して上下面より挟み込むようにして配置された矩形状のＧＮＤ導体７８３とを有する。また、ストリップ導体７８４両端には共振器用共振器用ＨＯＴ端子７８１、およびＧＮＤ端子７８２が形成され接続されている。その他の形成方法は、実施例１のインダクタと同様である。
【０１７８】
この共振器の構成層７１０の材料には、少なくとも投影形状が円、扁平円、または楕円形の、特に平均粒径が１〜５０μm 、球形度が０．９〜１．０である誘電体が樹脂中に分散されている複合誘電体材料が用いられている。この複合誘電体材料には、さらに、磁気特性を調整するために磁性粉が含有されていてもよく、場合によってはこれらの破砕粉を含有していてもよい。
【０１７９】
この複合誘電体材料は、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭHzから数ＧHzの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（tanδ）を０．００１〜０．００７５とすることが好ましい。
【０１８０】
＜実施例２５＞
図６８は、本発明の第２５の実施態様を示した共振器を示す透過斜視図である。
【０１８１】
図６８において、共振器は実施例２３同様に、ベース材８１０に２つの貫通孔状の同軸型導電体８４１，８４２が形成されている。そして、表面ＧＮＤ導体８４７、およびこの表面ＧＮＤ導体８４７と端部電極８８２で接続された同軸導体８４２と、同軸導体８４２と接続用電極８８５を介して接続されている同軸導体８４１と、この同軸導体８４１と接続されている共振器用ＨＯＴ端子８８１等を形成する。そして、同軸導体８４１、８４２は、ある特性インピーダンスを有する同軸型線路であり、これらを囲むように表面ＧＮＤ導体８４７が形成されている。
【０１８２】
この共振器のベース材８１０には、少なくとも投影形状が円、扁平円、または楕円形の、特に平均粒径が１〜５０μm 、球形度が０．９〜１．０である誘電体が樹脂中に分散されている複合誘電体材料が用いられている。この複合誘電体材料には、さらに、磁気特性を調整するために磁性粉が含有されていてもよく、場合によってはこれらの破砕粉を含有していてもよい。
【０１８３】
この複合誘電体材料は、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭHzから数ＧHzの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（ tanδ）を０．００１〜０．００７５とすることが好ましい。
【０１８４】
＜実施例２６＞
図６９は、本発明の第２６の実施態様を示したストリップ共振器を示す透過斜視図である。
【０１８５】
図６９において、ストリップ共振器は実施例２４と同様に、コ字状のストリップ導体８８４と、これを構成層８１０を介して上下面より挟み込むようにして配置された矩形状のＧＮＤ導体８８３とを有する。また、ストリップ導体８８４の両端には共振器用共振器用ＨＯＴ端子８８１、およびＧＮＤ端子８８２が形成され接続されている。その他の形成方法は、実施例１のインダクタと同様である。
【０１８６】
この共振器の構成層８１０の材料には、少なくとも投影形状が円、扁平円、または楕円形の、特に平均粒径が１〜５０μm 、球形度が０．９〜１．０である誘電体が樹脂中に分散されている複合誘電体材料が用いられている。この複合誘電体材料には、さらに、磁気特性を調整するために磁性粉が含有されていてもよく、場合によってはこれらの破砕粉を含有していてもよい。
【０１８７】
この複合誘電体材料は、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭHzから数ＧHzの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（tanδ）を０．００１〜０．００７５とすることが好ましい。
【０１８８】
図７０は、上記実施例２３〜２６の共振器の等価回路図を示している。図において、共振器用ＨＯＴ端子９８１は同軸路、またはストリップラインから構成される共振器９８４，９４１の一端に接続され、その他端にはＧＮＤ端子９８２が接続されている。
【０１８９】
＜実施例２７＞
図７１は、本発明の第２７の実施態様である携帯端末機器の高周波部を示したブロック構成図である。
【０１９０】
図において、ベースバンドユニット１０１０から送出された送信信号は、ミキサー１００１により混成回路１０２１からのＲＦ信号と混合される。この混成回路１０２１には電圧制御発信回路（ＶＣＯ）１０２０が接続されていて、フェーズロックループ回路１０１９と共にシンセサイザー回路を構成し、所定の周波数のＲＦ信号が供給されるようになっている。
【０１９１】
ミキサー１００１によりＲＦ変調が行われた送信信号は、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）１００２を経て、パワーアンプ１００３により増幅される。このパワーアンプ１００３の出力の一部は、カップラー１００４から取り出され、減衰器１００５で所定のレベルに調整された後、再びパワーアンプ１００３に入力され、パワーアンプの利得が一定になるように調整される。カップラー１００４から送出された送信信号は、逆流防止用のアイソレータ１００６、ローパスフィルタ１００７を経てデュプレクサ１００８に入力され、これと接続されているアンテナ１００９から送信される。
【０１９２】
アンテナ１００９に入力された受信信号は、デュプレクサ１００８からアンプ１０１１に入力され、所定のレベルに増幅される。アンプ１０１１から出力された受信信号は、バンドパスフィルタ１０１２を経てミキサー１０１３に入力される。このミキサー１０１３には、前記混成回路１０２１からのＲＦ信号が入力され、ＲＦ信号成分が除去され、復調される。ミキサー１０１３から出力された受信信号は、ＳＡＷフィルタ１０１４を経てアンプ１０１５で増幅された後、ミキサー１０１６に入力される。ミキサー１０１６には局部発信回路１０１８から所定の周波数の局部発信信号が入力され、前記受信信号は所望の周波数に変換され、アンプ１０１７で所定のレベルに増幅された後、ベースバンドユニットへ送出される。
【０１９３】
本発明では、上記アンテナ１００９，デュプレクサ１００８，ローパスフィルタ１００７を含むアンテナフロントエンドモジュール１２００や、アイソレータ１００６、カップラー１００４，減衰器１００５，パワーアンプ１００３を含むアイソレータパワーアンプモジュール１１００等を上記と同様の手法によりハイブリッドモジュールとして構成することができる。また、これら以外の構成要素を含むものをＲＦユニットとして構成できることは既に実施例２２で示した通りであり、ＢＰＦ、ＶＣＯ等も実施例９〜１２および１９に示した手法に倣って構成することができる。
【０１９４】
本発明は、上記に例示した電子部品以外に、上記同様の手法で、コイルコア、トロイダルコア、円盤コンデンサ、貫通コンデンサ、クランプフィルタ、コモンモードフィルタ、ＥＭＣフィルタ、電源用フィルタ、パルストランス、偏向コイル、チョークコイル、ＤＣ−ＤＣコンバータ、ディレイライン、電波吸収シート、薄型電波吸収体、電磁シールド、ダイプレクサ、デュプレクサ、アンテナスイッチモジュール、アンテナフロントエンドモジュール、アイソレータ・パワーアンプモジュール、ＰＬＬモジュール、フロントエンドモジュール、チューナーユニット、方向性結合器、ダブルバランスドミキサー（ＤＢＭ）、電力合成器、電力分配器、トナーセンサ、電流センサ、アクチュエータ、サウンダ（圧電型音声発生器）、マイク、レシーバ、ブザー、ＰＴＣサーミスタ、温度ヒューズ、フェライト磁石等に応用することができる。
【０１９５】
以上の各実施例において、必要によりハロゲン化リン酸エステル、ブロム化エポキシ樹脂等のハロゲン化物、また、リン酸エステルアミド系等の有機化合物や、三酸化アンチモン、水素化アルミニウム等の無機材料等の難燃剤を各構成層中に添加してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１９６】
【図１】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。
【図２】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。
【図３】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。
【図４】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。
【図５】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。
【図６】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。
【図７】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。
【図８】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。
【図９】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。
【図１０】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す等価回路図である。
【図１１】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタを示す図である。
【図１２】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタを示す図である。
【図１３】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタを示す図である。
【図１４】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタを示す等価回路図である。
【図１５】本発明の電子部品の構成例であるバルントランスを示す図である。
【図１６】本発明の電子部品の構成例であるバルントランスを示す図である。
【図１７】本発明の電子部品の構成例であるバルントランスを示す図である。
【図１８】本発明の電子部品の構成例であるバルントランスを示す等価回路図である。
【図１９】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す図である。
【図２０】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す図である。
【図２１】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す等価回路図である。
【図２２】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタの伝達特性を示す図である。
【図２３】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す図である。
【図２４】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す図である。
【図２５】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す等価回路図である。
【図２６】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタの伝達特性を示す図である。
【図２７】本発明の電子部品の構成例であるブロックフィルタを示す図である。
【図２８】本発明の電子部品の構成例であるブロックフィルタを示す図である。
【図２９】本発明の電子部品の構成例であるブロックフィルタを示す図である。
【図３０】本発明の電子部品の構成例であるブロックフィルタを示す図である。
【図３１】本発明の電子部品の構成例であるブロックフィルタの等価回路を示す図である。
【図３２】本発明の電子部品の構成例であるブロックフィルタの金型を示す図である。
【図３３】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示す図である。
【図３４】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示す図である。
【図３５】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示す図である。
【図３６】本発明の電子部品の構成例であるカプラの内部結線を示す図である。
【図３７】本発明の電子部品の構成例であるカプラの等価回路を示す図である。
【図３８】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを示す図である。
【図３９】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを示す図である。
【図４０】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを示す図である。
【図４１】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを示す図である。
【図４２】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを示す図である。
【図４３】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図４４】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図４５】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図４６】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図４７】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図４８】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図４９】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図５０】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図５１】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示す図である。
【図５２】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示す図である。
【図５３】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示す等価回路図である。
【図５４】本発明の電子部品の構成例であるパワーアンプを示す図である。
【図５５】本発明の電子部品の構成例であるパワーアンプを示す図である。
【図５６】本発明の電子部品の構成例であるパワーアンプを示す等価回路図である。
【図５７】本発明の電子部品の構成例である重畳モジュールを示す図である。
【図５８】本発明の電子部品の構成例である重畳モジュールを示す図である。
【図５９】本発明の電子部品の構成例である重畳モジュールを示す等価回路図である。
【図６０】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュールを示す図である。
【図６１】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュールを示す図である。
【図６２】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュールを示す図である。
【図６３】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュールを示す図である。
【図６４】本発明の電子部品の構成例である共振器を示す図である。
【図６５】本発明の電子部品の構成例である共振器を示す図である。
【図６６】本発明の電子部品の構成例である共振器を示す図である。
【図６７】本発明の電子部品の構成例である共振器を示す図である。
【図６８】本発明の電子部品の構成例である共振器を示す図である。
【図６９】本発明の電子部品の構成例である共振器を示す図である。
【図７０】本発明の電子部品の構成例である共振器の等価回路を示す図である。
【図７１】本発明の電子部品の構成例である携帯機器の高周波部を示すブロック図である。
【図７２】本発明に用いる銅箔付基板の形成例を示す工程図である。
【図７３】本発明に用いる銅箔付基板の形成例を示す他の工程図である。
【図７４】銅箔付基板の形成例を示す工程図である。
【図７５】銅箔付基板の形成例を示す他の工程図である。
【図７６】多層基板の形成例を示す工程図である。
【図７７】多層基板の形成例を示す工程図である。
【符号の説明】
【０１９７】
１０    インダクタ
１０ａ〜１０ｅ    構成層
１１    ランドパターン
１２    貫通ビア
１３    内部導体（コイルパターン）
１４    ビアホール
２０    キャパシタ
２０ａ〜２０ｇ    構成層
２１    ランドパターン
２２    貫通ビア
２３    内部導体（内部電極パターン）
４０    バルントランス
４０ａ〜４０ｏ構成層
４５    ＧＮＤ導体
４３    内部導体
６０    積層フィルター
８０    ブロックフィルター
１１０    カプラ
１３０、１４０    アンテナ
１５０、１６０、１７０    パッチアンテナ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【図６５】
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【図６６】
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【図６７】
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【図６８】
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【図６９】
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【図７０】
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【図７１】
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【図７２】
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【図７３】
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【図７４】
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【図７５】
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【図７６】
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【図７７】
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