(57)【要約】【課題】パターン飛びを起こさない合わせマーク、これを備えたマスク、半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、ウエハ７上に被加工膜を堆積する工程と、この被加工膜上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することにより、該被加工膜上にレジストパターンを形成する工程と、このレジストパターンをマスクとして被加工膜にウエットエッチングを行う工程と、を具備し、上記レジストパターンは、ラインパターン１〜４と、このラインパターンの両端に配置され、ウエットエッチングを行ってもパターン飛びを起こさない幅Ｌを有する押さえパターン１１〜１４と、を備えた合わせマークパターンを有するものである。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハ上又はマスク上に形成された合わせマークであって、
ラインパターンと、
このラインパターンの両端に配置された押さえパターンと、
を具備し、
この押さえパターンはウエットエッチング又はサイドエッチングされるドライエッチングを行ってもパターン飛びを起こさない幅を有するものであることを特徴とする合わせマーク。
【請求項２】
上記押さえパターンの幅は５．０μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の合わせマーク。
【請求項３】
上記合わせマークはウエハのスクライブラインに配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の合わせマーク。
【請求項４】
ラインパターンと、
このラインパターンの両端に配置され、ウエットエッチング又はサイドエッチングされるドライエッチングを行ってもパターン飛びを起こさない幅を有する押さえパターンと、
を備えた合わせマークを具備することを特徴とするマスク。
【請求項５】
上記押さえパターンの幅は５．０μｍ以上であることを特徴とする請求項４に記載のマスク。
【請求項６】
上記合わせマークはウエハのスクライブラインに対応する位置に配置されていることを特徴とする請求項４又は５に記載のマスク。
【請求項７】
請求項４〜６のうちいずれか１項記載のマスクを用い、合わせマークによりウエハとマスクとを重ね合わせる工程を経て製造されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項４〜６のうちいずれか１項記載のマスクを用い、合わせマークによりウエハとマスクとを重ね合わせる工程を経て半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
ウエハ上に被加工膜を堆積する工程と、
この被加工膜上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することにより、該被加工膜上にレジストパターンを形成する工程と、
このレジストパターンをマスクとして被加工膜にウエットエッチング又はサイドエッチングされるドライエッチングを行う工程と、
を具備し、
上記レジストパターンは、ラインパターンと、このラインパターンの両端に配置され、ウエットエッチング又はサイドエッチングされるドライエッチングを行ってもパターン飛びを起こさない幅を有する押さえパターンと、を備えた合わせマークパターンを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
上記押さえパターンの幅は５．０μｍ以上であることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
上記合わせマークパターンはウエハのスクライブラインに配置されていることを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
ウエハ上に被加工膜を堆積する工程と、
この被加工膜上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することにより、該被加工膜上にレジストパターンを形成する工程と、
このレジストパターンをマスクとして被加工膜にウエットエッチング又はサイドエッチングされるドライエッチングを行う工程と、
このドライエッチングを行う工程によりウエハ上に形成された合わせマークとマスクを重ね合わせる工程と、
を具備し、
上記レジストパターンは、第１のラインパターンと、この両端に配置され、ウエットエッチング又はサイドエッチングされるドライエッチングを行ってもパターン飛びを起こさない幅を有する第１の押さえパターンと、を備えた第１の合わせマークのパターンを有し、
上記マスクは、第２のラインパターンと、この両端に配置され、ウエットエッチング又はサイドエッチングされるドライエッチングを行ってもパターン飛びを起こさない幅を有する第２の押さえパターンと、を備えた第２の合わせマークを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、合わせマーク、マスク、半導体装置及びその製造方法に係わり、特に、パターン飛びを起こさない合わせマーク、これを備えたマスク、半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置を製造する際に用いる合わせマークにはオートアライメント・ターゲットマークがある。このオートアライメント・ターゲットマークは、ウエハとマスクとを重ね合わせ、マスク面のマークと共に光走査し、光信号を検出して位置合わせするウエハ面のターゲットマークである。このオートアライメント・ターゲットマークは、主にイオン注入工程などのラフな合わせの工程で使用されるものである。
【０００３】
図５（ａ）は、従来のオートアライメント・ターゲットマークを示す平面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示すオートアライメント・ターゲットマークを光走査する方向に切断した断面図である。
【０００４】
図５（ｂ）に示すように、ウエハ１０７の上にはウエハ面のターゲットマークが形成されており、マスク１０８の下にはマスク面のマークが形成されている。
【０００５】
ウエハ面のターゲットマークは、図５（ａ）に示すように、平面形状が傾斜した凸状の第１組の平行ラインパターン１０１，１０２と、第１組の平行ラインパターンとは逆側に平面形状が傾斜した凸状の第２組の平行ラインパターン１０３，１０４と、からなり、このターゲットマークはウエハのスクライブライン上に配置されている。マスク面のマークは、第１組の平行ラインパターン相互間の中心ラインに配置された第１ラインパターン１０５と、第２組の平行ラインパターン相互間の中心ラインに配置された第２ラインパターン１０６と、からなり、これらラインパターンはクロムパターンからなるものである。
【０００６】
図６（ａ）〜（ｃ）は、ウエハ面のターゲットマークを製作する方法を示す断面図である。
まず、図６（ａ）に示すように、ウエハ１０７の全面上に被加工膜（ウエットエッチング加工が施される膜）１０９を堆積する。次いで、この被加工膜１０９の上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することにより、被加工膜上にはレジストパターン１１０が形成される。このレジストパターン１１０は、平面形状が図５（ａ）に示す第１組の平行ラインパターン１０１，１０２及び第２組の平行ラインパターン１０３，１０４と同様である。
【０００７】
この後、図６（ｂ）に示すように、レジストパターン１１０をマスクとして被加工膜１０９をウエットエッチングする。これにより、被加工膜１０９がエッチング加工され、ウエハ１０７上には第１組の平行ラインパターン１０１，１０２及び第２組の平行ラインパターン１０３，１０４が形成され、ウエハ面のターゲットマークが形成される。次いで、図６（ｃ）に示すように、レジストパターン１１０を剥離する。
【０００８】
次に、ウエハ１０７の全面上に図示せぬ被加工膜（ウエットエッチング加工が施される膜）を堆積する。次いで、この被加工膜の上にフォトレジスト膜を塗布する。
【０００９】
次に、上記オートアライメント・ターゲットマークを用いてウエハとマスクとを重ね合わせる。この重ね合わせの方法について説明する。
図５（ｂ）に示すように、ウエハ１０７にマスク１０８を重ねる。オートアライメント・ターゲットマークは、ウエハ及びマスクそれぞれのスクライブラインなどに複数箇所設けられている。
【００１０】
次いで、オートアライメント・ターゲットマークの検出を行う。この検出の方法は、マスク１０８の上方に配置したレーザー光源（図示せず）からレーザー光を、マスクを透過させてウエハ１０７とマスク１０８の両方に照射し、図５（ａ）に示す矢印１１１の方向にレーザー光を走査し、その反射光を光信号検出器（図示せず）で検出する。この検出された光信号から、ウエハ面のターゲットマーク１０１，１０２と１０３，１０４それぞれの中心にマスク面のマーク１０５と１０６が配置されるように（即ち、図５（ａ）に示す状態となるように）、ウエハステージ（図示せず）を自動的に移動させて調整する。このようにしてウエハとマスクを重ね合わせる。
【００１１】
次いで、このマスク１０８を用いてフォトレジスト膜を露光、現像することにより、被加工膜上にはレジストパターン（図示せず）が形成される。この後、このレジストパターンをマスクとして被加工膜をウエットエッチングする。これにより、被加工膜がエッチング加工される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記従来のオートアライメント・ターゲットマークでは、図６（ｂ）に示す工程で、レジストパターン１１０をマスクとして被加工膜１０９をウエットエッチングした際、ウエハ面のターゲットマークの幅が図５（ａ）に示すように細いため、ウエットエッチング中にレジストパターン１１０が被加工膜から剥がれてパターン飛びを起こしてしまうことがある（図６（ｂ）に点線で示すレジストパターン１１０がパターン飛びを起こした部分）。このようにパターン飛びを起こして剥がれたレジストパターンは他のチップ領域上に貼り付くことがある。この貼り付いたレジストパターンがマスクとして作用し、その結果、不良チップを形成するという問題が生じる。
【００１３】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、パターン飛びを起こさない合わせマーク、これを備えたマスク、半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係る合わせマークは、ウエハ上又はマスク上に形成された合わせマークであって、
ラインパターンと、
このラインパターンの両端に配置された押さえパターンと、
を具備し、
この押さえパターンは、ウエットエッチング又はサイドエッチングされるドライエッチングを行ってもパターン飛びを起こさない幅を有するものであることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明に係る合わせマークにおいて、上記押さえパターンの幅は５．０μｍ以上であることが好ましい。
【００１６】
また、本発明に係る合わせマークにおいて、上記合わせマークはウエハのスクライブラインに配置されていることも可能である。
【００１７】
本発明に係る合わせマスクは、ラインパターンと、
このラインパターンの両端に配置され、ウエットエッチング又はサイドエッチングされるドライエッチングを行ってもパターン飛びを起こさない幅を有する押さえパターンと、
を備えた合わせマークを具備することを特徴とする。
【００１８】
また、本発明に係る合わせマスクにおいて、上記押さえパターンの幅は５．０μｍ以上であることが好ましい。
【００１９】
また、本発明に係る合わせマスクにおいて、上記合わせマークはウエハのスクライブラインに対応する位置に配置されていることも可能である。
【００２０】
本発明に係る半導体装置は、請求項４〜６のうちいずれか１項記載のマスクを用い、合わせマークによりウエハとマスクとを重ね合わせる工程を経て製造されたことを特徴とする。
【００２１】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項４〜６のうちいずれか１項記載のマスクを用い、合わせマークによりウエハとマスクとを重ね合わせる工程を経て半導体装置を製造することを特徴とする。
【００２２】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、ウエハ上に被加工膜を堆積する工程と、
この被加工膜上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することにより、該被加工膜上にレジストパターンを形成する工程と、
このレジストパターンをマスクとして被加工膜にウエットエッチング又はサイドエッチングされるドライエッチングを行う工程と、
を具備し、
上記レジストパターンは、ラインパターンと、このラインパターンの両端に配置され、ウエットエッチング又はサイドエッチングされるドライエッチングを行ってもパターン飛びを起こさない幅を有する押さえパターンと、を備えた合わせマークパターンを有することを特徴とする。
【００２３】
上記半導体装置の製造方法によれば、ラインパターンの両端に押さえパターンを形成し、この押さえパターンはウエットエッチング又はサイドエッチングされるドライエッチングを行ってもパターン飛びを起こさない幅を有する。このため、レジストパターンをマスクとして被加工膜にウエットエッチング又はサイドエッチングされるドライエッチングを行った際、レジストパターンが被加工膜から剥がれてパターン飛びを起こすことを防止できる。
【００２４】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法において、上記押さえパターンの幅は５．０μｍ以上であることが好ましい。
【００２５】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法において、上記合わせマークパターンはウエハのスクライブラインに配置されていることも可能である。
【００２６】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、ウエハ上に被加工膜を堆積する工程と、
この被加工膜上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することにより、該被加工膜上にレジストパターンを形成する工程と、
このレジストパターンをマスクとして被加工膜にウエットエッチング又はサイドエッチングされるドライエッチングを行う工程と、
このドライエッチングを行う工程によりウエハ上に形成された合わせマークとマスクを重ね合わせる工程と、
を具備し、
上記レジストパターンは、第１のラインパターンと、この両端に配置され、ウエットエッチング又はサイドエッチングされるドライエッチングを行ってもパターン飛びを起こさない幅を有する第１の押さえパターンと、を備えた第１の合わせマークのパターンを有し、
上記マスクは、第２のラインパターンと、この両端に配置され、ウエットエッチング又はサイドエッチングされるドライエッチングを行ってもパターン飛びを起こさない幅を有する第２の押さえパターンと、を備えた第２の合わせマークを有することを特徴とする。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１（ａ）は、本発明に係る第１の実施の形態によるオートアライメント・ターゲットマークを示す平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示すオートアライメント・ターゲットマークを光走査する方向に切断した断面図である。
図１（ｂ）に示すように、ウエハ７の上にはウエハ面のターゲットマークが形成されており、マスク８の下にはマスク面のマークが形成されている。
【００２８】
ウエハ面のターゲットマークは、図１（ａ）に示すように、平面形状が傾斜した凸状の第１組の平行ラインパターン１，２及びそれの両端に形成された押さえパターン１１，１２と、第１組の平行ラインパターンとは逆側に平面形状が傾斜した凸状の第２組の平行ラインパターン３，４及びそれの両端に形成された押さえパターン１３，１４と、からなり、このターゲットマークはウエハのスクライブライン上に配置されている。押さえパターン１１〜１４の幅Ｌは、ウエットエッチングを行ってもパターン飛びを起こさない程度の太さである。パターン飛びを起こさない程度の太さとは、エッチングレートなどのエッチング条件によっても変わるが、例えば５．０μｍ以上であることが好ましい。
【００２９】
マスク面のマークは、第１組の平行ラインパターン相互間の中心ラインに配置された第１ラインパターン５及びそれの両端に形成された押さえパターン（図示せず）と、第２組の平行ラインパターン相互間の中心ラインに配置された第２ラインパターン６及びそれの両端に形成された押さえパターン（図示せず）と、からなり、これらラインパターンはガラス基板上に形成されたクロムパターンからなるものである。この押さえパターンの幅は、ウエットエッチングを行ってもパターン飛びを起こさない程度の太さである。パターン飛びを起こさない程度の太さとは、エッチングレートなどのエッチング条件によっても変わるが、例えば５．０μｍ以上であることが好ましい。
【００３０】
図２（ａ）〜（ｃ）は、ウエハ面のターゲットマークを製作する方法を示す断面図である。
まず、図２（ａ）に示すように、ウエハ７の全面上に被加工膜（ウエットエッチング加工が施される膜）９を堆積する。次いで、この被加工膜９の上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することにより、被加工膜上にはレジストパターン１０が形成される。このレジストパターン１０は、平面形状が図１（ａ）に示す第１組の平行ラインパターン１，２と押さえパターン１１，１２及び第２組の平行ラインパターン３，４と押さえパターン１３，１４と同様である。
【００３１】
この後、図２（ｂ）に示すように、レジストパターン１０をマスクとして被加工膜９をウエットエッチングする。これにより、被加工膜９がエッチング加工され、ウエハ７上には第１組の平行ラインパターン１，２とそれの両端の押さえパターン１１，１２及び第２組の平行ラインパターン３，４とそれの両端の押さえパターン１３，１４が形成され、ウエハ面のターゲットマークが形成される。次いで、図２（ｃ）に示すように、レジストパターン１０を剥離する。
【００３２】
次に、ウエハ７の全面上に図示せぬ被加工膜（ウエットエッチング加工が施される膜）を堆積する。次いで、この被加工膜の上にフォトレジスト膜を塗布する。
【００３３】
次に、上記オートアライメント・ターゲットマークを用いてウエハとマスクとを重ね合わせる。この重ね合わせの方法について説明する。
図１（ｂ）に示すように、ウエハ７にマスク８を重ねる。オートアライメント・ターゲットマークは、ウエハ及びマスクそれぞれのスクライブラインなどに複数箇所設けられている。
【００３４】
次いで、オートアライメント・ターゲットマークの検出を行う。この検出の方法は、マスク８の上方に配置したレーザー光源（図示せず）からレーザー光を、マスクを透過させてウエハ７とマスク８の両方に照射し、図１（ａ）に示す矢印２１の方向にレーザー光を走査し、その反射光を光信号検出器（図示せず）で検出する。この検出された光信号から、ウエハ面のターゲットマーク１，２と３，４それぞれの中心にマスク面のマーク５と６が位置するように（即ち、図１（ａ）に示す状態となるように）、ウエハステージ（図示せず）を自動的に移動させて調整する。このようにしてウエハとマスクを重ね合わせる。
【００３５】
次いで、このマスク８を用いてフォトレジスト膜を露光、現像することにより、被加工膜上にはレジストパターン（図示せず）が形成される。この後、このレジストパターンをマスクとして被加工膜をウエットエッチングする。これにより、被加工膜がエッチング加工される。
【００３６】
上記第１の実施の形態によれば、平行ラインパターンの両端に押さえパターン１１〜１４を形成し、この押さえパターンはウエットエッチングを行ってもパターン飛びを起こさない程度の太さを有する。このため、図２（ｂ）に示す工程で、レジストパターン１０をマスクとして被加工膜９をウエットエッチングした際、レジストパターン１０が被加工膜から剥がれてパターン飛びを起こすことを防止できる。また、オートアライメント・ターゲットマークを検出する際、レーザー光を走査する平行ラインパターン１〜４は従来のものと同様に細く形成しているので、従来技術と同様の検出方法を用いることができる。
【００３７】
図３（ａ）は、本発明に係る第２の実施の形態によるオートアライメント・ターゲットマークを示す平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示すオートアライメント・ターゲットマークを光走査する方向に切断した断面図である。
図３（ｂ）に示すように、ウエハ７の上にはウエハ面のターゲットマークが形成されており、マスク８の下にはマスク面のマークが形成されている。
【００３８】
ウエハ面のターゲットマークは、図３（ａ）に示すように、平面形状が傾斜した凸状の第１ラインパターン３５及びその両端に形成された押さえパターン４１，４２と、第１ラインパターンとは逆側に平面形状が傾斜した凸状の第２ラインパターン３６及びその両端に形成された押さえパターン４３，４４と、からなり、このターゲットマークはウエハのスクライブライン上に配置されている。押さえパターン４１〜４４の幅Ｌは、ウエットエッチングを行ってもパターン飛びを起こさない程度の太さである。パターン飛びを起こさない程度の太さとは、エッチングレートなどのエッチング条件によっても変わるが、例えば５．０μｍ以上であることが好ましい。
【００３９】
マスク面のマークは、第１ラインパターン３５の両側に平行に配置された第１組の平行ラインパターン３１，３２及びそれの両端に形成された押さえパターン（図示せず）と、第２ラインパターン３６の両側に平行に配置された第２組の平行ラインパターン３３，３４及びそれの両端に形成された押さえパターン（図示せず）と、からなり、これらラインパターンはガラス基板上に形成されたクロムパターンからなるものである。この押さえパターンの幅は、ウエットエッチングを行ってもパターン飛びを起こさない程度の太さである。パターン飛びを起こさない程度の太さとは、エッチングレートなどのエッチング条件によっても変わるが、例えば５．０μｍ以上であることが好ましい。
【００４０】
図４（ａ）〜（ｃ）は、ウエハ面のターゲットマークを製作する方法を示す断面図である。
まず、図４（ａ）に示すように、ウエハ７の全面上に被加工膜（ウエットエッチング加工が施される膜）９を堆積する。次いで、この被加工膜９の上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することにより、被加工膜上にはレジストパターン４０が形成される。このレジストパターン４０は、平面形状が図３（ａ）に示す第１ラインパターン３５と押さえパターン４１，４２及び第２ラインパターン３６と押さえパターン４３，４４と同様である。
【００４１】
この後、図４（ｂ）に示すように、レジストパターン４０をマスクとして被加工膜９をウエットエッチングする。これにより、被加工膜９がエッチング加工され、ウエハ７上には第１ラインパターン３５とその両端の押さえパターン４１，４２及び第２ラインパターン３６とその両端の押さえパターン４３，４４が形成され、ウエハ面のターゲットマークが形成される。次いで、図４（ｃ）に示すように、レジストパターン４０を剥離する。
【００４２】
次に、ウエハ７の全面上に図示せぬ被加工膜（ウエットエッチング加工が施される膜）を堆積する。次いで、この被加工膜の上にフォトレジスト膜を塗布する。
【００４３】
次に、上記オートアライメント・ターゲットマークを用いてウエハとマスクとを重ね合わせる。この重ね合わせの方法について説明する。
図３（ｂ）に示すように、ウエハ７にマスク８を重ねる。オートアライメント・ターゲットマークは、ウエハ及びマスクそれぞれのスクライブラインなどに複数箇所設けられている。
【００４４】
次いで、オートアライメント・ターゲットマークの検出を行う。この検出の方法は、マスク８の上方に配置したレーザー光源（図示せず）からレーザー光を、マスクを透過させてウエハ７とマスク８の両方に照射し、図３（ａ）に示す矢印５１の方向にレーザー光を走査し、その反射光を光信号検出器（図示せず）で検出する。この検出された光信号から、ウエハ面のターゲットマーク３５と３６がマスク面のマーク３１，３２と３３，３４それぞれの中心に位置するように（即ち、図３（ａ）に示す状態となるように）、ウエハステージ（図示せず）を自動的に移動させて調整する。このようにしてウエハとマスクを重ね合わせる。
【００４５】
次いで、このマスク８を用いてフォトレジスト膜を露光、現像することにより、被加工膜上にはレジストパターン（図示せず）が形成される。この後、このレジストパターンをマスクとして被加工膜をウエットエッチングする。これにより、被加工膜がエッチング加工される。
【００４６】
上記第２の実施の形態においても第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
すなわち、ラインパターンの両端に押さえパターン４１〜４４を形成し、この押さえパターンはウエットエッチングを行ってもパターン飛びを起こさない程度の太さを有する。このため、図４（ｂ）に示す工程で、レジストパターン４０をマスクとして被加工膜９をウエットエッチングした際、レジストパターン４０が被加工膜から剥がれてパターン飛びを起こすことを防止できる。
【００４７】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態では、オートアライメント・ターゲットマークに本発明を適用しているが、これに限定されるものではなく、フォトリソグラフィ工程で使用する合わせマークであってパターン飛びが起きる程度に細長いパターンからなる他の合わせマークに本発明を適用することも可能であり、例えばボックスマーク、レーザーステップアライメントマークなどに本発明を適用することも可能である。
【００４８】
また、上記実施の形態では、ウエットエッチング工程で用いる合わせマークに本発明を適用しているが、ドライエッチング工程（サイドエッチングされるようなドライエッチングの工程）で用いる合わせマークに本発明を適用することも可能である。
【００４９】
また、上記第１の実施の形態では、押さえパターン１１と押さえパターン１３及び押さえパターン１２と押さえパターン１４それぞれは分離しているが、押さえパターン１１と押さえパターン１３を連結することも可能であり、また押さえパターン１２と押さえパターン１４を連結することも可能である。これは第２の実施の形態についても同様である。
【００５０】
また、上記第１の実施の形態では、押さえパターン１１〜１４の平面形状を四角形にしているが、押さえパターンの平面形状を他の形状（例えば楕円形、円形、三角形等）とすることも可能である。これは第２の実施の形態についても同様である。
【００５１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、ラインパターンの両端に押さえパターンを形成し、この押さえパターンはウエットエッチング又はサイドエッチングされるドライエッチングを行ってもパターン飛びを起こさない幅を有する。したがって、パターン飛びを起こさない合わせマーク、これを備えたマスク、半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明に係る第１の実施の形態によるオートアライメント・ターゲットマークを示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示すオートアライメント・ターゲットマークを光走査する方向に切断した断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、ウエハ面のターゲットマークを製作する方法を示す断面図である。
【図３】（ａ）は、本発明に係る第２の実施の形態によるオートアライメント・ターゲットマークを示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示すオートアライメント・ターゲットマークを光走査する方向に切断した断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、ウエハ面のターゲットマークを製作する方法を示す断面図である。
【図５】（ａ）は、従来のオートアライメント・ターゲットマークを示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示すオートアライメント・ターゲットマークを光走査する方向に切断した断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、ウエハ面のターゲットマークを製作する方法を示す断面図である。
【符号の説明】
１，２，３１，３２，１０１，１０２…第１組の平行ラインパターン
３，４，３３，３４，１０３，１０４…第２組の平行ラインパターン
５，３５，１０５…第１ラインパターン
６，３６，１０６…第２ラインパターン
７，１０７…ウエハ
８，１０８…マスク
９，１０９…被加工膜
１０，４０，１１０…レジストパターン
１１〜１４，４１〜４４…押さえパターン
２１，５１，１１１…矢印
【図１】
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【図２】
2004039903.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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