(57)【要約】【課題】或る画素の有機物層に欠落部が生じた場合や導電性異物が混入した場合であっても、その画素が滅点欠点として視認され難い有機ＥＬ表示装置を提供すること。【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置１は、基板と前記基板の一方の主面上で配列した複数の画素とを具備し、前記複数の画素のそれぞれは互いに対向した陽極２５及び陰極とそれらの間に介在するとともに発光層を含んだ有機物層とを備え、前記複数の画素のそれぞれにおいて、前記陽極２５は、電源から電力を供給される第１部分２５ａと、前記第１部分２５ａから前記有機物層の一部を介して離間するとともに前記第１部分２５ａから前記有機物層の前記一部を介して電力を供給される第２部分２５ｂ１乃至２５ｂ４とを備えたことを特徴とする。【選択図】　　図１
2004119207.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と前記基板の一方の主面上で配列した複数の画素とを具備し、前記複数の画素のそれぞれは互いに対向した陽極及び陰極とそれらの間に介在するとともに発光層を含んだ有機物層とを備え、
前記複数の画素のそれぞれにおいて、前記陽極は、電源から電力を供給される第１部分と、前記第１部分から前記有機物層の一部を介して離間するとともに前記第１部分から前記有機物層の前記一部を介して電力を供給される第２部分とを備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記複数の画素のそれぞれにおいて、前記有機物層は前記陽極と前記発光層との間に介在して前記陽極から前記発光層への正孔の注入を媒介するバッファ層をさらに含んだことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記第１部分と前記第２部分との間の間隙は前記バッファ層で埋め込まれたことを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記複数の画素のそれぞれにおいて、前記第２部分は前記第１部分を取り囲んでいることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記複数の画素のそれぞれにおいて、前記陽極は前記第２部分を複数備えたことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置に係り、特には有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機ＥＬ表示装置は自己発光表示装置であるため、視野角が広く、応答速度が速い。また、バックライトが不要であるため、薄型軽量化が可能である。これらの理由から、近年、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる平面表示装置として注目されている。
【０００３】
ところで、有機ＥＬ表示装置の製造プロセスでは、発光層を形成する際、その材料として低分子有機材料を使用する場合には真空蒸着法を利用している。また、発光層の材料として高分子有機材料を使用する場合には、高分子有機材料を含有した溶液を塗布してなる塗膜を乾燥するという方法を採用している。
【０００４】
後者の方法では、具体的には、まず、各画素に対応した位置に貫通孔を有する撥水性の隔壁絶縁層を基板上に形成する。次に、これら貫通孔を液溜めとして利用して、インクジェット法などの溶液塗布法により、高分子有機材料を含有した溶液でそれら貫通孔を満たす。その後、貫通孔内の液膜を乾燥することにより、それら液膜から溶媒を除去する。以上のようにして発光層を得る。なお、これと同様の方法により、バッファ層なども形成することができる。
【０００５】
しかしながら、この方法では、上記液膜が液溜め内全体に拡がらないことがある。この場合、液溜めの周縁部で有機物層に欠落を生じ、その欠落部で陽極と陰極とが短絡することとなる。
【０００６】
また、有機物層には不可避的に導電性異物が混入することがある。有機物層に導電性異物が混入した場合、導電性異物が陽極と陰極とに接触することがある。
この場合、陽極と陰極とは、その導電性異物を介して短絡する。
【０００７】
このように有機物層に欠落部が生じた画素や有機物層に導電性異物が混入した画素では、陽極と陰極とが短絡することがあるため、有機物層に電流が流れ難くなる。そのため、これら画素は、滅点欠点として視認されることとなる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、或る画素の有機物層に欠落部が生じた場合や導電性異物が混入した場合であっても、その画素が滅点欠点として視認され難い有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、基板と前記基板の一方の主面上で配列した複数の画素とを具備し、前記複数の画素のそれぞれは互いに対向した陽極及び陰極とそれらの間に介在するとともに発光層を含んだ有機物層とを備え、前記複数の画素のそれぞれにおいて、前記陽極は、電源から電力を供給される第１部分と、前記第１部分から前記有機物層の一部を介して離間するとともに前記第１部分から前記有機物層の前記一部を介して電力を供給される第２部分とを備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置を提供する。
【００１０】
上記複数の画素のそれぞれにおいて、有機物層は陽極と発光層との間に介在して陽極から発光層への正孔の注入を媒介するバッファ層をさらに含んでいてもよい。この場合、第１部分と第２部分との間の間隙はバッファ層で埋め込まれていてもよい。
【００１１】
また、上記複数の画素のそれぞれにおいて、第２部分は第１部分を取り囲んでいてもよい。さらに、上記複数の画素のそれぞれにおいて、陽極は第２部分を複数備えていてもよい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様または類似する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１３】
図１は、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図である。また、図２（ａ）は図１に示す有機ＥＬ表示装置のＡ−Ａ線に沿った断面図であり、図２（ｂ）は図１に示す有機ＥＬ表示装置のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。なお、図１では、有機ＥＬ表示装置の構成要素の一部のみが描かれている。また、図２（ａ），（ｂ）では、図１よりも広い範囲が描かれている。
【００１４】
図１及び図２（ａ），（ｂ）に示す有機ＥＬ表示装置１は、互いに対向したアレイ基板２及び封止基板３とそれらの間に介在したシール層４とを備えている。
シール層４は封止基板３の周縁に沿って設けられており、それにより、アレイ基板２と封止基板３との間に密閉された空間を形成している。この空間は、Ａｒガスなどの希ガスやＮ２ガスのような不活性ガスで満たされている。
【００１５】
アレイ基板２は、基板１１を有している。基板１１上には、アンダーコート層として、例えば、ＳｉＮｘ層１２とＳｉＯ２層１３とが順次積層されている。アンダーコート層１３上には、チャネル及びソース・ドレインが形成されたポリシリコン層のような半導体層１４、ゲート絶縁膜１５、及びゲート電極１６が順次積層されており、それらはトップゲート型の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）２０を構成している。
【００１６】
ゲート絶縁膜１５及びゲート電極１６上には、ＳｉＯ２などからなる層間絶縁膜２１が設けられている。層間絶縁膜２１上には電極配線（図示せず）及びソース・ドレイン電極２３が設けられており、それらは、ＳｉＮｘなどからなるパッシベーション膜２４で埋め込まれている。なお、ソース・ドレイン電極２３は、層間絶縁膜２１に設けられたコンタクトホールを介してＴＦＴ２０のソース・ドレインに電気的に接続されている。
【００１７】
パッシベーション膜２４上には、透明電極（陽極）２５が互いに離間して並置されている。それぞれの陽極２５は、パッシベーション膜２４に設けられたビアホールを介してドレイン電極２３に電気的に接続された第１部分２５ａと、第１部分２５ａから離間配置した第２部分２５ｂ１乃至２５ｂ４とで構成されている。
【００１８】
パッシベーション膜２４上には、さらに、絶縁層２６ａが設けられている。絶縁層２６ａは、例えば、親水性の無機絶縁層である。絶縁層２６ａは、陽極２５に対応した位置に貫通孔を有しており、パッシベーション膜２４の陽極２５から露出した部分と陽極２５の周縁部とを被覆している。すなわち、陽極２５の第１部分２５ａと第２部分２５ｂ１乃至２５ｂ４の第１部分２５ａにより近い領域とは絶縁層２６ａから露出し、第２部分２５ｂ１乃至２５ｂ４の第１部分２５ａからより遠い領域は絶縁層２６ａにより被覆されている。
【００１９】
絶縁層２６ａ上には、絶縁層２６ｂが設けられている。絶縁層２６ｂは、例えば、撥水性の有機絶縁層である。絶縁層２６ｂは、陽極２５に対応した位置に、絶縁層２６ａの貫通孔と等しいか或いはそれよりも大きな径の貫通孔を有している。なお、絶縁層２６ａと絶縁層２６ｂとの積層体は、陽極２５に対応した位置に貫通孔を有する隔壁絶縁層２６を構成している。
【００２０】
隔壁絶縁層２６の貫通孔内で露出した陽極２５上には、バッファ層２７及び発光層２８を含む有機物層が設けられている。バッファ層２７は、陽極２５から発光層２８への正孔の注入を媒介する役割を果たす。また、発光層２８は、例えば、発光色が赤色、緑色、または青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。
【００２１】
隔壁絶縁層２６及び発光層２８上には共通電極（陰極）２９が設けられている。陰極２９は、パッシベーション膜２４及び隔壁絶縁層２６に設けられたコンタクトホール（図示せず）を介して電極配線に電気的に接続されている。それぞれの有機ＥＬ素子３０は、これら陽極２５、バッファ層２７、発光層２８、及び陰極２９で構成されている。
【００２２】
さて、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、先に述べたように、それぞれの陽極２５を第１部分２５ａと第２部分２５ｂ１乃至２５ｂ４とで構成している。このような構造を採用すると、或る画素で有機物層に欠落部を生じるか或いは有機物層中に導電性異物が混入することなどにより第２部分２５ｂ１乃至２５ｂ４の何れかと陰極２９とが短絡したとしても、その画素が滅点欠点として視認されるのを防止することができる。これについては、図３（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。
【００２３】
図３（ａ），（ｂ）は、図１及び図２（ａ），（ｂ）に示す有機ＥＬ表示装置１のＴＦＴ２０と有機ＥＬ素子３０との接続状態を示す等価回路図である。なお、図３（ａ），（ｂ）において、ＴＦＴ２０は、例えば、駆動用のｐチャネルＴＦＴである。ＴＦＴ２０のソースは図示しない第１電源Ｖｓｓに接続されており、ドレインは有機ＥＬ素子３０の陽極２５のうち第１部分２５ａのみに接続されている。また、ＴＦＴ２０のゲートは、例えば、ゲートが走査信号線に接続され且つドレインが映像信号線に接続された選択用のｎチャネルＴＦＴのソースに接続され（何れも図示せず）、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置が構成されている。
【００２４】
先に述べたように、バッファ層２７は陽極２５から発光層２８への正孔の注入を媒介する役割を果たす。すなわち、バッファ層２７は導電層の１種である。そのため、それぞれの有機ＥＬ素子３０は、陽極２５の第１部分２５ａ及び第２部分２５ｂ１乃至２５ｂ４にそれぞれ対応し且つＴＦＴ２０のドレインと第２電源（ここではＧＮＤ）Ｖｄｄとの間で並列接続された有機ＥＬ素子３０ａ及び３０ｂ１乃至３０ｂ４で構成されていると考えることができる。
【００２５】
但し、第１部分２５ａと第２部分２５ｂ１乃至２５ｂ４とは、前者がＴＦＴ２０のドレインに直接的に接続されているのに対し、後者は第１部分２５ａに加えてバッファ層２７の第１部分２５ａと第２部分２５ｂ１乃至２５ｂ４との間に介在した部分を介してＴＦＴ２０のドレインに接続されている点で異なっている。バッファ層２７は、導電層であるが、抵抗値がゼロであるわけではない。したがって、図３（ａ）に示すように、ＴＦＴ２０のドレインと有機ＥＬ素子３０ｂ１乃至３０ｂ４の第２部分２５ｂ１乃至２５ｂ４とは、それぞれ、抵抗Ｒ１乃至Ｒ４を介して接続されているとみなすことができる。
【００２６】
このような回路構成によると、例えば、図３（ｂ）に示すように有機ＥＬ素子３０ｂ１の第２部分２５ｂ１と陰極２９とが短絡した場合であっても、抵抗Ｒ１が存在しているため、点Ｐの電位が低下するのを抑制することができる。すなわち、有機ＥＬ素子３０ｂ１の第２部分２５ｂ１と陰極２９とが短絡したとしても、有機ＥＬ素子３０ａ及び３０ｂ２乃至３０ｂ４に十分な電流を流すことができる。したがって、その画素の発光輝度が低下するのを抑制することができ、その画素が滅点欠点として視認されるのを防止可能となる。
【００２７】
上記の通り、本実施形態では、或る画素で第２部分２５ｂ１乃至２５ｂ４の何れかと陰極２９とが短絡した場合に生じる点Ｐ電位の低下を抑制することにより、その画素が滅点欠点として視認されるのを防止する。この点Ｐ電位の低下を抑制する効果は、抵抗Ｒ１乃至Ｒ４の抵抗値を高めることにより大きくすることができる。しかしながら、抵抗Ｒ１乃至Ｒ４の抵抗値を過剰に高くするとと、有機ＥＬ素子３０ｂ１乃至３０ｂ４では有機ＥＬ素子３０ａに比べて電流密度が著しく低くなることがある。この場合、有機ＥＬ素子３０ａは、有機ＥＬ素子３０ｂ１乃至３０ｂ４に比べ、寿命が著しく短くなるおそれがある。すなわち、寿命の観点からは、有機ＥＬ素子３０ａ及び有機ＥＬ素子３０ｂ１乃至３０ｂ４間で電流密度をほぼ等しくすることが望まれる。
【００２８】
点Ｐ電位が一定の条件下では、有機ＥＬ素子３０ａにおける電流密度はその面積に殆ど依存しないのに対し、有機ＥＬ素子３０ｂ１乃至３０ｂ４における電流密度は抵抗Ｒ１乃至Ｒ４の抵抗値とそれらの面積とに依存する。例えば、有機ＥＬ素子３０ｂ１乃至３０ｂ４における電流密度は、抵抗Ｒ１乃至Ｒ４の抵抗値を高めると低くなり、有機ＥＬ素子３０ｂ１乃至３０ｂ４の個々の面積を狭くすると高くなる。したがって、有機ＥＬ素子３０ｂ１乃至３０ｂ４の個々の面積を十分に狭くすれば、抵抗Ｒ１乃至Ｒ４の抵抗値を高めた場合であっても、有機ＥＬ素子３０ａ及び有機ＥＬ素子３０ｂ１乃至３０ｂ４間で電流密度をほぼ等しくすることができる。
【００２９】
本実施形態において、抵抗Ｒ１乃至Ｒ４の抵抗値は、バッファ層２７に使用する材料の組成（比抵抗）、バッファ層２７の膜厚ｄ、第１部分２５ａと第２部分２５ｂ１乃至２５ｂ４との間の距離Ｄ、及び、第１部分２５ａの輪郭のうち第２部分２５ｂ１乃至２５ｂ４の何れかと対向した領域の長さＬなどにより調節することができる。例えば、バッファ層２７に比抵抗の高い材料を使用すること、膜厚ｄを小さくすること、距離Ｄを長くすること、或いは、長さＬを短くすることにより、抵抗Ｒ１乃至Ｒ４の抵抗値を高めることができる。
【００３０】
本実施形態において、第２部分２５ｂ１乃至２５ｂ４は第１部分２５ａを取り囲むように設けることが好ましい。これは、有機物層の欠落は、その周縁部で生じることが多いためである。
【００３１】
本実施形態において、第１部分２５ａの面積Ｓａと第２部分２５ｂ１乃至２５ｂ４の面積の和Ｓｂとの比Ｓａ／Ｓｂに特に制限はない。但し、抵抗Ｒ１乃至Ｒ４で消費される電力は発光に寄与しないので、消費電力などの観点からは、比Ｓａ／Ｓｂは大きいことが望ましい。また、導電性異物は有機物層の周縁部だけでなく中央部にも混入し得るので、導電性異物に起因して画素が滅点欠点として視認されるのを防止する観点からは、比Ｓａ／Ｓｂは小さいことが望ましい。
【００３２】
本実施形態では、第２部分２５ｂ１乃至２５ｂ４の面積の和Ｓｂを一定とした場合、第２部分の数が多いほど、点Ｐ電位の低下をより良好に抑制することができる。但し、第２部分の数を多くすると、それらの間の間隙部の面積が広くなる。
【００３３】
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の主要な構成要素に使用可能な材料などについて説明する。
基板１１としては、その上に形成される構造を保持可能なできるものであれば、どのようなものを用いてもよい。基板１１としては、ガラス基板のように硬質な基板が一般的であるが、有機ＥＬ表示装置１の用途によっては、プラスチックシートなどのようにフレキシブルな基板を使用してもよい。
【００３４】
有機ＥＬ表示装置１が基板１１側から光を発する下面発光型の場合、陽極２５としては光透過性を有する透明電極を使用する。透明電極の材料としては、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）等の透明導電材料を使用することができる。透明電極の膜厚は、通常、１０ｎｍ乃至１５０ｎｍ程度である。透明電極は、ＩＴＯ等の透明導電材料を蒸着法やスパッタリング等により堆積し、それにより得られる薄膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより得ることができる。
【００３５】
隔壁絶縁層２６は、単層構造を有していてもよく、或いは、多層構造を有していてもよい。例えば、隔壁絶縁層２６を絶縁層２６ｂのみで構成してもよい。但し、隔壁絶縁層２６を絶縁層２６ａ，２６ｂで構成した場合、バッファ層２７や発光層２８の位置精度及び断面形状をより高精度に制御可能となる。
【００３６】
絶縁層２６ａの材料としては、例えば、シリコン窒化物やシリコン酸化物のような無機絶縁材料を使用することができる。これら無機絶縁材料からなる絶縁層２６ａは比較的高い親水性を示す。
【００３７】
絶縁層２６ｂの材料としては、例えば、有機絶縁材料を使用することができる。絶縁層２６ｂに使用可能な有機絶縁材料に特に制限はないが、感光性樹脂を使用した場合、貫通孔が設けられた絶縁層２６ｂを容易に形成可能である。絶縁層２６ｂを形成するのに使用可能な感光性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、ポリアクリル、ポリアミド樹脂、ポリアミック酸などのアルカリ可溶性の高分子誘導体にナフトキノンジアジドなどの感光性化合物を添加してなり、露光及びアルカリ現像によりポジパターンを与える材料を挙げることができる。また、ネガパターンを与える感光性樹脂としては、化学線の照射により現像液への溶解速度が遅くなる感光性組成物，例えばエポキシ基のように化学線照射により架橋する官能基を有する感光性組成物を挙げることができる。絶縁層２６ｂは、例えば、これら感光性樹脂を基板１１の陽極２５などが形成された面にスピンコート法などにより塗布し、それにより得られた塗膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより得られる。
【００３８】
隔壁絶縁層２６の膜厚は、バッファ層２７の膜厚と発光層２８の膜厚との和以上であることが望ましい。なお、バッファ層２７や発光層２８を形成する際には、インクジェット法による溶液塗布時の位置精度向上のため、絶縁層２６ｂの表面を予めＣＦ４・Ｏ２などのプラズマガスで撥水処理しておくことが望ましい。
【００３９】
バッファ層２７の材料としては、例えば、ドナー性の高分子有機化合物とアクセプタ性の高分子有機化合物との混合物を使用することができる。ドナー性の高分子有機化合物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（以下、ＰＥＤＯＴという）のようなポリチオフェン誘導体及び／またはポリアニリンのようなポリアニリン誘導体などを使用することができる。また、アクセプタ性の有機化合物としては、例えば、ポリスチレンスルホン酸（以下、ＰＳＳという）などを使用することができる。
【００４０】
バッファ層２７は、隔壁絶縁層２６が形成する液溜めを、溶液塗布法により、ドナー性の高分子有機化合物とアクセプタ性の高分子有機化合物との混合物を有機溶媒中に溶解してなる溶液で満たし、液溜め内の液膜を乾燥することにより、それら液膜から溶媒を除去することにより得られる。バッファ層２７を形成するのに利用可能な溶液塗布法としては、例えば、ディッピング、インクジェット、及びスピンコート法などを挙げることができるが、なかでも、インクジェット法を利用することが好ましい。また、上記液膜の乾燥は、熱及び／または減圧のもとで行ってもよく、或いは、自然乾燥により行ってもよい。
【００４１】
発光層２８の材料としては、有機ＥＬ表示装置で一般に使用されているルミネセンス性有機化合物を用いることができる。そのような有機化合物のうち赤色のルミネセンスを発するものとしては、例えば、ポリビニレンスチレン誘導体のベンゼン環にアルキルまたはアルコキシ置換基を有する高分子化合物や、ポリビニレンスチレン誘導体のビニレン基にシアノ基を有する高分子化合物などを挙げることができる。緑色のルミネセンスを発する有機化合物としては、例えば、アルキルまたはアルコキシまたはアリール誘導体置換基をベンゼン環に導入したポリビニレンスチレン誘導体などを挙げることができる。青色のルミネセンスを発する有機化合物としては、例えば、ジアルキルフルオレンとアントラセンの共重合体のようなポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。また、発光層２８には、これらの高分子のルミネセンス性有機化合物に低分子のルミネセンス性有機化合物などをさらに添加してもよい。
【００４２】
発光層２８は、上記の通り、隔壁絶縁層２６が形成する液溜めを、溶液塗布法により、ルミネセンス性有機化合物を溶媒中に溶解してなる溶液で満たし、液溜め内の液膜を乾燥することにより、それら液膜から溶媒を除去することにより得られる。発光層２８を形成するのに利用可能な溶液塗布法としては、例えば、ディッピング、インクジェット、及びスピンコート法などを挙げることができるが、なかでも、インクジェット法を利用することが好ましい。また、上記液膜の乾燥は、熱及び／または減圧のもとで行ってもよく、或いは、自然乾燥により行ってもよい。
【００４３】
発光層２８の膜厚は、使用する材料に応じて適宜設定する。通常、発光層２８全体の膜厚は５０ｎｍ乃至２００ｎｍの範囲内である。
【００４４】
陰極２９は、単層構造を有していてもよく、或いは、多層構造を有していてもよい。陰極２９を多層構造とする場合、例えば、発光層２８上にバリウムやカルシウムなどを含有した主導体層と銀やアルミニウムなどを含有した保護導体層とを順次積層してなる二層構造としてもよい。また、発光層２８上にフッ化バリウムなどを含有した非導体層と銀やアルミニウムなどを含有した導体層とを順次積層してなる二層構造としてもよい。さらに、発光層２８上にフッ化バリウムなどを含有した非導体層とバリウムやカルシウムなどを含有した主導体層と銀やアルミニウムなどを含有した保護導体層とを順次積層してなる三層構造としてもよい。
【００４５】
上述した実施形態では、陽極２５をパッシベーション膜２４上に設けたが、陽極２５は層間絶縁膜２１上に、つまり信号線と陽極２５とを同一平面上に設けてもよい。また、上記実施形態では有機ＥＬ表示装置１を下面発光型としたが、上面発光型とすることもできる。さらに、アレイ基板２を対向基板３によりシーリングする場合、基板間の空間に乾燥剤を封入することで、素子の長寿命化を図ることも可能であり、また、対向基板３とアレイ基板２との間に樹脂を充填して放熱特性を向上させることもできる。
【００４６】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。
本実施例では、図１及び図２（ａ），（ｂ）に示す有機ＥＬ表示装置１を以下の方法により作製した。
【００４７】
すなわち、まず、ガラス基板１１のアンダーコート層１１，１２が形成された面に対し、通常のＴＦＴ形成プロセスと同様に成膜とパターニングとを繰り返し、ＴＦＴ２０、層間絶縁膜２１、電極配線（図示せず）、ソース・ドレイン電極２３、及びパッシベーション膜２４を形成した。
【００４８】
次に、パッシベーション膜２４上に、スパッタリング法を用いてＩＴＯ膜を形成した。続いて、このＩＴＯ膜を、フォトリソグラフィ技術を用いて図１に示す形状にパターニングすることにより陽極２５を得た。ここでは、陽極２５は、それに外接する正八角形の最も遠い対辺間距離が７９μｍとなるように形成した。
また、第１部分２５ａの面積Ｓａと第２部分２５ｂ１乃至２５ｂ４の面積の和Ｓｂとの比Ｓａ／Ｓｂは１とし、第１部分２５ａと第２部分２５ｂ１乃至２５ｂ４との間の距離Ｄは５μｍとした。なお、陽極２５は、マスクスパッタリング法により形成してもよい。
【００４９】
次いで、基板１１の陽極２５を形成した面に、各画素の発光部に対応して開口を有する親水性の無機絶縁層２６ａを形成した。続いて、基板１１の陽極２５を形成した面に、感光性樹脂を塗布し、得られた塗膜をパターン露光及び現像することにより、各画素の発光部に対応して開口を有する撥水性の有機絶縁層２６ｂを形成した。以上のようにして、絶縁層２６ａと絶縁層２６ｂとを積層してなる隔壁絶縁層２６を得た。
【００５０】
次に、基板１１の隔壁絶縁層２６を形成した面に対して、反応性イオンエッチング装置により反応性フッ素含有ガスを用いた表面処理を施し、隔壁絶縁層２６及び陽極２５の表面を改質した。次いで、隔壁絶縁層２６が形成するそれぞれの液溜めに、インクジェット法によりバッファ層形成用インクを吐出して液膜を形成した。続いて、これら液膜を加熱することにより、厚さ約１００ｎｍのバッファ層２７を得た。なお、バッファ層２７の材料としては、ＰＥＤＯＴとＰＳＳとの混合物を使用した。
【００５１】
その後、バッファ層２７上に、発光層形成用インクをインクジェット法により吐出して液膜を形成した。続いて、これら液膜を加熱することにより発光層２８を得た。
【００５２】
次いで、基板１１の発光層２８を形成した面にバリウムを真空蒸着し、続いてアルミニウムを蒸着することにより陰極２９を形成した。これにより、ＴＦＴアレイ基板２を完成した。
【００５３】
その後、封止基板３の一方の主面の周縁部に紫外線硬化型樹脂を塗布してシール層４を形成した。次いで、封止基板３とアレイ基板２とを、封止基板３のシール層４を設けた面とアレイ基板２の陰極２９を設けた面とが対向するようにＮ２ガス中で貼り合せた。さらに、紫外線照射によりしてシール層を硬化させることにより、図１及び図２（ａ），（ｂ）に示す有機ＥＬ表示装置１を完成した。
【００５４】
このような方法により、バッファ層２７の比抵抗が互いに異なる複数の有機ＥＬ表示装置１を作製した。なお、バッファ層２７の比抵抗は、ＰＥＤＯＴとＰＳＳとの比により調節した。また、何れの有機ＥＬ表示装置１においても、印加電圧を６Ｖとしたときに３９ｍＡ／ｃｍ２の電流が流れるように有機ＥＬ素子３０を形成した。
【００５５】
次に、これら有機ＥＬ表示装置１のそれぞれについて、或る画素の第２部分２５ｂ１と陰極２９とを短絡させ、点Ｐ電位の低下率を調べた。その結果を図４に示す。
【００５６】
図４は、本発明の実施例に係る有機ＥＬ表示装置１について陽極２５の一部と陰極２９とを短絡させることにより得られた点Ｐ電位の低下率を示すグラフである。図中、横軸はバッファ層２７の比抵抗を示し、縦軸は点Ｐ電位の低下率を示している。
【００５７】
図４に示すように、本発明の実施例に係る有機ＥＬ表示装置１の何れにおいても、点Ｐ電位の低下率は４０％以下であり、上記短絡を生じさせた画素が滅点欠点として視認されるのを抑制することができた。特に、バッファ層２７の比抵抗を２×１０３Ω・ｃｍよりもよりも高くした場合、点Ｐ電位の低下率をほぼ１０％以下とすることができ、上記短絡を生じさせた画素が滅点欠点として視認されるのをほぼ完全に抑制することができた。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、陽極を、電源から電力を供給される第１部分と、第１部分から有機物層の一部を介して電力を供給される第２部分とで構成する。これにより、或る画素の第２部分の位置で有機物層に欠落部が生じた場合や導電性異物が混入した場合であっても、その画素が滅点欠点として視認されるのを抑制することができる。
すなわち、本発明によると、或る画素の有機物層に欠落部が生じた場合や導電性異物が混入した場合であっても、その画素が滅点欠点として視認され難い有機ＥＬ表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図。
【図２】（ａ）は図１に示す有機ＥＬ表示装置のＡ−Ａ線に沿った断面図、（ｂ）は図１に示す有機ＥＬ表示装置のＢ−Ｂ線に沿った断面図。
【図３】（ａ），（ｂ）は、図１及び図２（ａ），（ｂ）に示す有機ＥＬ表示装置のＴＦＴと有機ＥＬ素子との接続状態を示す等価回路図。
【図４】本発明の実施例に係る有機ＥＬ表示装置について陽極の一部と陰極とを短絡させることにより得られた電位の低下率を示すグラフ。
【符号の説明】
１…有機ＥＬ表示装置
２…アレイ基板
３…封止基板
４…シール層
１１…基板
１２…アンダーコート層
１３…アンダーコート層
１４…半導体層
１５…ゲート絶縁膜
１６…ゲート電極
２０…ＴＦＴ
２１…層間絶縁膜
２３…ソース・ドレイン電極
２４…パッシベーション膜
２５…陽極
２５ａ…第１部分
２５ｂ…第２部分
２６…隔壁絶縁層
２６ａ，２６ｂ…絶縁層
２７…バッファ層
２８…有機発光層
２９…陰極
３０，３０ａ，３０ｂ１乃至３０ｂ４…有機ＥＬ素子
Ｒ１乃至Ｒ４…抵抗
【図１】
2004119207.tif 000003
【図２】
2004119207.tif 000004
【図３】
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【図４】
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