(57)【要約】【課題】光ヘッドにおいて、レーザ駆動ＩＣの発熱による半導体レーザの温度上昇を効果的に低減し得るとともに、小型の光ヘッドを実現すること。【解決手段】レーザ光源と、レーザ光源から出射されたレーザ光を光ディスク上に集光する対物レンズを含む光学系と、レーザ光源を駆動する駆動ＩＣと、駆動ＩＣを搭載した回路基板と、駆動ＩＣの熱を放熱するためのヒートシンクと、これらを保持するケースとを、含んで構成され、駆動ＩＣおよび回路基板を、レーザ光と平面的に重なり、かつ、対物レンズに入射するレーザ光を遮らない位置に配置し、ヒートシンクには、駆動ＩＣに熱伝導性材を介してあるいは直接接合されるＩＣ接合部と、放熱主体部と、ＩＣ接合部と放熱主体部とを連結する連結部とを設けて、放熱主体部を、レーザ光を挟んで回路基板と反対側に配置する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光源と、このレーザ光源から出射されたレーザ光を光ディスク上に集光する対物レンズを含む光学系と、前記レーザ光源を駆動する駆動ＩＣと、この駆動ＩＣを搭載した回路基板と、前記駆動ＩＣの熱を放熱するためのヒートシンクと、これらを保持するケースとを、含んで構成される光ヘッドであって、
前記駆動ＩＣおよび前記回路基板を、前記レーザ光と平面的に重なり、かつ、前記対物レンズに入射する前記レーザ光を遮らない位置に配置し、
前記ヒートシンクには、前記駆動ＩＣに熱伝導性材を介してあるいは直接接合されるＩＣ接合部と、放熱主体部と、前記ＩＣ接合部と前記放熱主体部とを連結する連結部とを設けて、前記放熱主体部を、前記レーザ光を挟んで前記回路基板と反対側に配置したことを特徴とする光ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載において、
前記ヒートシンクの前記連結部は、前記対物レンズに入射する前記レーザ光を遮らない位置に配置されていることを特徴とする光ヘッド。
【請求項３】
請求項１または２記載において、
前記ヒートシンクの放熱主体部は、前記光ディスク側に配置され、前記回路基板は、前記レーザ光を挟んで前記光ディスクと反対側に配置されたことを特徴とする光ヘッド。
【請求項４】
請求項３記載において、
前記ヒートシンクの放熱主体部は、前記ケースにおける前記光ディスク側の開放面をほぼ覆い、前記放熱主体部には、前記対物レンズと対向する部位に前記レーザ光通過用の窓が形成されたことを特徴とする光ヘッド。
【請求項５】
請求項１または２記載において、
前記回路基板は、前記光ディスク側に配置され、前記ヒートシンクの主体部は、前記レーザ光を挟んで前記光ディスクと反対側に配置されたことを特徴とする光ヘッド。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載において、
前記ヒートシンクの放熱主体部における前記半導体レーザから遠い箇所において、前記ヒートシンクは前記ケースに接触・固定されていることを特徴とする光ディスク。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載において、
前記回路基板における前記半導体レーザから遠い箇所において、前記回路基板は前記ケースに接触・固定されていることを特徴とする光ディスク。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスク上にレーザ光を集光して情報の記録または再生を行う光ディスク装置の光ヘッドに係り、特に、光ヘッドに搭載する電子回路の放熱にかかわる技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光ディスク装置は、半導体レーザから出射した光を、回転する光ディスクの記録面に絞って照射することにより、光ディスク上への記録および光ディスク上の情報の再生を行う。一般の光ディスク装置は、半導体レーザに代表される光源と、レーザ光を光ディスク上に絞り込むための対物レンズを含む光学系と、光ディスクからの反射光から光ディスク上の情報を検出するための光検出器などを、主要構成要素とする光ヘッドを備えている。
【０００３】
図９は、従来の技術による光ヘッドの構成の一例である。図９において、１は光ディスク、２は光ヘッド、３はケース、４はガイドバー、５は半導体レーザ、６はレーザ光、７はビームスプリッタ、８はコリメートレンズ、９はミラー、１０は対物レンズ、１１は光検出器、１２は回路基板、１３はレーザ駆動ＩＣ、１４はフレキシブル基板、１５はネジ、１６は熱伝導性シート、５０はヒートシンクである。
【０００４】
光ヘッド２の金属製（例えば、アルミダイススト製）のケース３には、半導体レーザ５、ビームスプリッタ７、コリメートレンズ８、ミラー９、対物レンズ１０、光検出器１１が配置されており、対物レンズ１０は、図示せぬバネによって移動可能な状態でケース３に支持されている。また、光ヘッド２は、２本のガイドバー４に沿って光ディスク１の半径方向に移動可能なように、図示せぬ光ディスク装置のシャーシに保持されている。
【０００５】
また、ケース３には（ケース３の外側には）、レーザ駆動ＩＣ１３を搭載した回路基板１２がネジ１５によって固定されており、レーザ駆動ＩＣ１３は、回路基板１２から延長されたフレキシブル基板１４によって半導体レーザ５に接続されている。発熱要素であるレーザ駆動ＩＣ１３には、弾性を有する熱伝導性シート１６を介して、金属製（例えば、アルミ材、銅系材）のヒートシンク５０が取り付けられており、レーザ駆動ＩＣ１３の熱をヒートシンク５０によって放熱するようになっている。なお、熱伝導性シート１６の両面には接着剤が塗布されている。
【０００６】
半導体レーザ５から出射したレーザ光６は、ビームスプリッタ７を透過し、コリメートレンズ８で平行光束となり、ミラー９で反射して向きを変えて、対物レンズ１０によって光ディスク１上に焦点を結ぶ。
【０００７】
光ディスク１で反射されたレーザ光６は、上記と逆の経路と通ってビームスプリッタ７で反射されて光検出器１１に達し、図示せぬシステム制御回路が、光検出器１１の出力によって、対物レンズ１０の光ディスク１に対する位置制御を行うとともに、光ディスク１の信号を再生する。
【０００８】
光ディスク装置で光ディスク１に情報を記録する際には、レーザ駆動ＩＣ１３から半導体レーザ５に流す電流をパルス状に増減させることで、レーザ光６のパワーがパルス状に増減し、光ディスク１上に熱的に記録マークが形成される。
【０００９】
ところで、ＤＶＤなどの高密度光ディスクの場合、光ディスク１の信号を再生するときに、レーザ駆動ＩＣ１３から半導体レーザ５に流す電流を数百メガヘルツで変調する。これは、レーザ光５を数百メガヘルツでパルス発光させることによりレーザノイズを低減する方法で、高周波重畳法と呼ばれており、詳細は例えば、１９８５年１０月発行の「光学」第１４巻第５号「高周波電流重畳法による半導体レーザ搭載ビデオディスクプレーヤのレーザノイズ低減化」に記載されている。
【００１０】
上記のように半導体レーザ５を高速で駆動するためには、レーザ駆動ＩＣ１３を半導体レーザ５のできるだけ近く（例えば、１０ｍｍ以下）に配置するのが望ましい。一方、半導体レーザ５は、温度が上昇すると、電流対光出力特性の直線性が劣化したり、寿命が短くなることが知られており、レーザ駆動ＩＣ１３を半導体レーザ５の近くに配置すると、レーザ駆動ＩＣ１３の発熱による半導体レーザ５の温度上昇が問題となる。
【００１１】
このため、図９に示した構成のように、レーザ駆動ＩＣ１３を搭載した回路基板１２を光ヘッド２のケース３の外側に配置し、弾性のある熱伝導性シート１６を介してヒートシンク５０から放熱するようにすることで、半導体レーザ５とレーザ駆動ＩＣ１３との間の距離をできるだけ短くし、また、半導体レーザ５の温度上昇を低減するようにした構成が、提案されていた（特許文献１、特許文献２参照）。
【００１２】
【特許文献１】
特開２００２−２５０９５号公報
【００１３】
【特許文献２】
特開２００１−３０７３７２号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記した従来技術においては、レーザ駆動ＩＣ１３を搭載した回路基板１２を、ケース３の横外側に配置しているため、水平投影面の面積が大きくなり、光ヘッドの小型化に対して問題があることが指摘されていた。
【００１５】
本発明の目的は、回路基板を光ヘッドケースの水平投影面内に配置するとともに、レーザ駆動ＩＣの発熱による半導体レーザの温度上昇を可及的に低減して、小型で高性能の光ヘッドを実現することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記した目的を達成するため、本発明の光ヘッドは、レーザ光源と、レーザ光源から出射されたレーザ光を光ディスク上に集光する対物レンズを含む光学系と、レーザ光源を駆動する駆動ＩＣと、駆動ＩＣを搭載した回路基板と、駆動ＩＣの熱を放熱するためのヒートシンクと、これらを保持するケースとを、含んで構成され、
駆動ＩＣおよび回路基板を、レーザ光と平面的に重なり、かつ、対物レンズに入射するレーザ光を遮らない位置に配置し、
ヒートシンクには、駆動ＩＣに熱伝導性材を介してあるいは直接接合されるＩＣ接合部と、放熱主体部と、ＩＣ接合部と放熱主体部とを連結する連結部とを設けて、放熱主体部を、レーザ光を挟んで回路基板と反対側に配置する。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を用いて説明する。
【００１８】
図１は、本発明の第１実施形態に係る光ヘッドの構成を示す一部を分解した斜視図である。図１において、１は光ディスク、２は光ヘッド、３はケース、４、４はガイドバー、５は半導体レーザ、６はレーザ光、７はビームスプリッタ、８はコリメートレンズ、９はミラー、１０は対物レンズ、１１は光検出器、１２は回路基板、１３はレーザ駆動ＩＣ、１４、１７はフレキシブル基板、１６は熱伝導性シート、２０はヒートシンクである。なお、図１に示す本実施形態において、図９に示す構成要素と均等なものには同一符号を付してある。
【００１９】
半導体レーザ５、ビームスプリッタ７、コリメートレンズ８、ミラー９は、金属製（例えば、アルミダイカスト製）のケース３に接着固定されており、対物レンズ１０は、図示せぬアクチュエータのバネによって支持され、常に光ディスク１のトラック上に焦点を結ぶように、図示せぬ制御回路によって制御されるようになっている。
【００２０】
回路基板１２には、レーザ駆動ＩＣ１３と、フレキシブル基板１７を介して光検出器１１が搭載されており、回路基板１２は、図１の矢印Ａの方向からケース３の下面側に組み付けられるようになっている。そして、これにより、レーザ駆動ＩＣ１３は、ケース３の下面（底面）に設けられた開口部３ａを通して、ケース３の外表面より内側に位置するとともに、半導体レーザ５に対して近接配置されるようになっている。また、光検出器１１は、回路基板１２にフレキシブル基板１７を介して取り付けられているので位置調整が可能となっており、ビームスプリッタ７で反射されたレーザ光６と位置を合わせた状態で、ケース３に接着固定されるようになっている（図１の矢印Ｂ参照）。また、回路基板１２から延長された別のフレキシブル基板１４が半導体レーザ２と接続され（図１の矢印Ｃ参照）、これによりレーザ駆動ＩＣ１３により半導体レーザ５が駆動されるようになっている。なお、回路基板１２のケース３に対する固定については、後述する。
【００２１】
金属板製（例えば、アルミ板製）のヒートシンク２０には、レーザ駆動ＩＣ１３の上面に熱伝導性材を介してあるいは直接接合されるＩＣ接合部２０ａと、ケース３の上面カバーを兼ねる平板状の放熱主体部２０ｂと、ＩＣ接合部２０ａと放熱主体部２０ｂとを連結する連結部２０ｃとが設けられており、連結部２０ｃによって、実質的にレーザ光６の通過を許容する（記録／再生に影響を与えないようにレーザ光６の通過を許容する）光通過部２０ｄが形成されている。このヒートシンク２０は、ＩＣ接合部２０ａが、両面に接着剤が塗布された弾性を有する熱伝導性シート１６（例えば、厚み０．５ｍｍ程度）を介して、レーザ駆動ＩＣ１３の上面に接合されるように、ケース３に組み付けられるようになっている（図１の矢印Ｄ参照）。ここで、本実施形態では、ＩＣ接合部２０ａを熱伝導性シート１６を介してレーザ駆動ＩＣ１３に接合しているが、ＩＣ接合部２０ａを熱伝導性接着剤を介してレーザ駆動ＩＣ１３に接合しても、あるいは、ＩＣ接合部２０ａを接着部材を介在させることなく、直接レーザ駆動ＩＣ１３に接合してネジ止めするようにしてもよい。なお、ヒートシンク２０のケース３に対する固定については、後述する。
【００２２】
次に、回路基板１２の固定手法や、ヒートシンク２０の形状、固定手法や、光ヘッド２内のレーザ光６の経路について、図１とともに図２〜図６を用いて説明する。図２は光ヘッド２の上面図（平面図）、図３はヒートシンク２０を外した状態の光ヘッド２の上面図、図４は光ヘッド２の下面図（底面図）、図５は光ヘッド２の断正面図、図６はヒートシンクの斜視図である。
【００２３】
図４、図５に示すように、回路基板１２は、半導体レーザ５と離れた箇所において、ネジ１５によってケース３の下面側に固定されており、本実施形態では、回路基板１２とケース３との接触箇所は、上記のネジ止め部近傍のみとなっている（例えば、ケース３の下端面のネジ止め部に段差を設けて、これを実現している）。上記の回路基板１２の取り付けによって、図５に示すように、レーザ駆動ＩＣ１３はケース３の開口部３ａに収まるようになっており、これにより、半導体レーザ５とレーザ駆動ＩＣ１３との間の距離の短縮と、光ヘッド２の縦寸法の増大なく、光ヘッド２の水平投影面内での面積の縮小とが、達成されている。半導体レーザ５の一点から出射されたレーザ光６は放射状に進み、ビームスプリッタ７を透過してコリメートレンズ８で平行光束となって対物レンズ１０に入射する。ここで、レーザ駆動ＩＣ１３は、レーザ光６の下面側で対物レンズ１０に入射するレーザ光６を遮蔽しない位置にあり、上記したように、レーザ駆動ＩＣ１３は半導体レーザ５の近くに配置されているので、半導体レーザ５を高速で駆動することができる。また、回路基板１２は、平面的にはケース３の内側においてレーザ光６と重なる位置に配置されているので、上記したように、光ヘッド２の水平投影面の面積を小さく抑えることができる。
【００２４】
また、図２、図５に示すように、ヒートシンク２０の前記した放熱主体部２０ｂは、半導体レーザ５と離れた箇所において、ネジ１５によってケース３の上面側に固定されている。ヒートシンク２０の放熱主体部２０ｂは、ケース３の上面を覆うカバーとしても機能するようになっており、これによって部品点数の削減が図れている。なお、図２において、ヒートシンク２０の放熱主体部２０ｂの右側に、対物レンズ１０と対向する部位に開口を穿設した別ピースのカバーを取り付ける場合もあり得る。
【００２５】
上記したように、レーザ駆動ＩＣ１３は回路基板１２のレーザ光側の面に半導体レーザ５に近づけて配置されているので、回路基板１２はケース３の下面からの突出量が小さく、また、ヒートシンク２０（放熱主体部２０ｂ）はケース３の上面からの突出量が小さいので、光ヘッド２全体の高さ寸法を小さく抑えることができるようにもなっている。
【００２６】
本実施形態のヒートシンク２０は、図６に示すような形状を呈しており、例えば厚み０．３〜０．５ｍｍの金属板材を折り曲げ加工して形成されている。前記連結部２０ｃから水平に折り曲げられた前記ＩＣ接合部２０ａは、ここでは端面同士で突き合わされるようにしているが、この端面間には隙間があってもよく、要は、ＩＣ接合部２０ａは、熱伝導性シート１６（レーザ駆動ＩＣ１３）からの熱が伝えられるのに十分な接触面積が得られるものであればよい。このヒートシンク２０の材質は、アルミニウム、銅、真鍮などを条件に応じて選択することができる。本実施形態では、ヒートシンク２０は、図６に示した放熱主体部２０ｂのネジ穴２０ｅ近辺を除いて、ケース３とは接触しないように構成されており（例えば、ケース３の上端面のネジ止め部に段差を設けて、これを実現している）、また、放熱効果を大きくするため、放熱主体部２０ｂは可能な範囲で大きな面積となるようにされている。図６に示した形状の本実施形態のヒートシンク２０の場合、放熱主体部２０ｂから折れ曲がった連結部２０ｃは、他の部分に比較して幅が小さく、熱抵抗が相対的に大きいので、極力この部分の幅を大きくするかあるいは、厚みを他の部分よりも厚くすることが望ましい。
【００２７】
本実施形態では、レーザ駆動ＩＣ１３にはケース３と直接接触している部分はなく、また、回路基板１２とケース３とは、レーザ駆動ＩＣ１３に対し半導体レーザ５と反対側において固定されている。そして、ケース３に回路基板１２をネジ止めで固定する部分以外の、ケース３の下端面と回路基板１２との対向部位は、その間に所要の熱抵抗が存在するように、少なくとも０．１ｍｍ程度は離すように構成されている。回路基板１２と空気の熱伝導率の比は１０倍以上であるから、本実施形態の場合は、ケース３と回路基板１２との間に１ｍｍ以上の厚みの回路基板を断熱材として挿入するのと同等である。
【００２８】
レーザ駆動ＩＣ１３の発熱の一部は、回路基板１２を図４の矢印Ｈの方向に伝わって回路基板１２から空気中に放熱されるとともに、図５の矢印Ｊに示すように、ケース３に固定されている部分からケース３に伝わって、ケース３から空気中に放熱されるとともに一部はガイドバー４から図示されていないシャーシにも伝わって空気中に放熱される。ここで、上記した回路基板１２自身からの放熱や、回路基板１２からケース３を伝わる経路からの放熱だけでは熱抵抗が大きいため、レーザ駆動ＩＣ１３の温度上昇が大きくなり、レーザ駆動ＩＣ１３近傍の空気の温度が上昇して、半導体レーザ５の温度を上昇させてしまう。そのため、本実施形態のように、別途ヒートシンク２０を設けることが必要となる。
【００２９】
本実施形態では上述したようなヒートシンク２０を設けているので、レーザ駆動ＩＣ１３で発生した熱の多くは、図５の矢印Ｉ方向に示すように、熱伝導性の良好な伝導性シート１６から熱伝導性の良好なヒートシンク２０に伝わり、図２の矢印Ｇ方向に示すように、ヒートシンク２０から空気中に放熱されるとともに、さらに、ヒートシンク２０からケース３に伝わって、ケース３からも放熱される。また、その熱の一部はさらにケース３からガイドバー４にも伝わって放熱される。特に、ヒートシンク２０の放熱主体部２０ｂは光ディスク１と対面しているので、光ディスク１の回転で生じる空気の流れによる放熱効果の増加が期待できる。このようなヒートシンク２０を設けたことによって、レーザ駆動ＩＣ１３で発生した熱を、発熱源の近くで効果的に放熱できるので、レーザ駆動ＩＣ１３自体の温度上昇が小さく、したがって、半導体レーザ５の温度上昇を小さく抑えることができる。
【００３０】
また、ヒートシンク２０の取り付けにおいて、本実施形態では、ヒートシンク２０の放熱主体部２０ｂにおけるネジ穴２０ｅ近傍は、ネジ１５により締め付けられてケース３の上端面に密着するが、それ以外のヒートシンク２０の放熱主体部２０ｂとケース３の上端面とは、その間に所要の熱抵抗が存在するように、少なくとも０．１ｍｍ程度離すように構成されている。例えばアルミ材と空気との熱伝導率の比は４０００倍程度であるから、上記の隙間は４００ｍｍの長さのケース材の熱抵抗に相当する。なお、本実施形態では、ケース３の幅とヒートシンク２０の放熱主体部２０ｂの幅は同じであるが、上記した隙間から塵埃が光ヘッド２内に侵入しないように、放熱主体部２０ｂの幅をケース３の幅より大きめにするようにしてもよい。なおまた、熱抵抗を大きくするために、上記のように隙間を設けるのでなく、熱伝導率の低いプラスチックシートなどをケース３の上端面と放熱主体部２０ｂとの間に挟むことにすれば、塵埃の侵入を防止することができる。
【００３１】
ここで、以上までの説明では、半導体レーザ５の発熱については触れなかったが、半導体レーザ５も発熱するため、半導体レーザ５のための放熱手段が必要である。光ヘッドの機能面から、半導体レーザ５はケース３に強固に取り付ける必要があり、通常の構成では、ケース３が半導体レーザ５の放熱手段になっている。半導体レーザ５の発熱を考慮すると、ケース３の半導体レーザ５に近い部分が半導体レーザ５のヒートシンクとして機能し、ケース３の半導体レーザ５から遠い側とヒートシンク２０とがレーザ駆動ＩＣ１３の放熱手段として機能するようにすれば良い。そのため、レーザ駆動ＩＣ１３とケース３を熱的に接続するヒートシンク２０あるいは回路基板１２をケース３に固定する部分を、レーザ駆動ＩＣ１３よりも半導体レーザ５から遠い側にする。このことは、前述したように、図１〜図６を用いて説明したヒートシンク２０および回路基板１２をケース３に固定するときの考慮すべき事項と一致している。
【００３２】
次に、本発明の第２実施形態を説明する。図７の（ａ）は、本発明の第２実施形態に係る光ヘッドの上面図、図７の（ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る光ヘッドの断正面図である。なお、図７において、前記した第１実施形態と均等な構成要素には同一符号を付し、その説明は重複を避けるため割愛する（これは、以下の第３実施形態においても同様である）。
【００３３】
本実施形態が前記第１実施形態と相違するのは、ヒートシンク２０の放熱主体部の形状であり、本実施形態の放熱主体部２０ｂ’は、第１放熱主体部２０ｂ−１と、第２放熱主体部２０ｂ−２と、この両者２０ｂ−１、２０ｂ−２を連結する連結部２０ｂ−３とで構成されている。第１放熱主体部２０ｂ−１は前記第１実施形態の放熱主体部２０ｂと均等なもので、先に述べたようにネジ１５によってその一部がケース３の上端面に接触・固定されている。また、第２放熱主体部２０ｂ−２は、図７においてケース３の右側上面を覆うように、かつ、光ディスク１とより近接するように配設されており、この第２放熱主体部２０ｂ−２には、対物レンズ１０と対向する部位にレーザ光通過用の窓２０ｂ−４が形成されている。
【００３４】
本実施形態では、放熱主体部２０ｂ’の面積が前記第１実施形態の放熱主体部２０ｂよりも広く、しかも、第２放熱主体部２０ｂ−２が光ディスク１のより近傍に位置しているので、光ディスク１の回転で生じる空気の流れによる放熱効果を、より一層向上させることが期待できる。
【００３５】
次に、本発明の第３実施形態を説明する。図８の（ａ）は、本発明の第３実施形態に係る光ヘッドの上面図、図８の（ｂ）は、本発明の第３実施形態に係る光ヘッドの断正面図である。
【００３６】
本実施形態が前記第１実施形態と相違するのは、本実施形態では、回路基板１２がケース３の上面側に取り付けられており、ヒートシンク２０がケース３の下面側に取り付けられている点にある。つまり、第１実施形態に対して、回路基板１２、レーザ駆動ＩＣ１３、熱伝導性シート１６、シートシンク２０の位置関係を上下反転させた配置になっている。本実施形態においても、レーザ駆動ＩＣ１３の発熱は回路基板１２に伝わるとともに熱伝導性シート１６を介してヒートシンク２０に伝わって放熱されるが、本実施形態では、回路基板１２が光ディスク１と対面しているので、光ディスク１の回転で生じる空気の流れによって、回路基板１１からの放熱効果が期待できる。
【００３７】
本実施形態においても、レーザ駆動ＩＣ１３を半導体レーザ５の温度を上昇させずにその近くに配置することができるので、半導体レーザ５を高速で駆動することが可能であること、および、回路基板１２が平面的にケース３の内側に配置されているので、光ヘッド２の水平投影面の面積を小さく抑えることができること、および、ケース３の下面と上面からのヒートシンク２０と回路基板１２の突出量が小さいので、光ヘッド１６の高さ寸法を小さくできることの効果は、第１実施形態と同じように得ることができる。
【００３８】
よって、光ヘッドの実装上の制約や必要な放熱効果に応じて、第１実施形態の配置もしくは第２実施形態の配置を選択するようになせばよい。
【００３９】
なお、上述した実施形態では、１個のレーザ駆動ＩＣ１３で発生した熱を放熱する構造を示したが、レーザ駆動ＩＣが複数個の場合でも本発明は適用可能であり、また、レーザ駆動ＩＣの放熱に併せて、回路基板１２上の他の回路構成要素の放熱にも本発明は適用可能である。
【００４０】
なおまた、上述した実施形態では、ヒートシンク２０の放熱主体部や回路基板は、そのネジ止め部近傍を除いてケース３とは非接触であるとしたが、必要な放熱効果が得られるなら、ネジ止め部以外の部分においても、ケース３の上下の端面とヒートシンク２０の放熱主体部や回路基板とを接触させるように構成してもよい。
【００４１】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、レーザ駆動ＩＣを搭載した回路基板を半導体レーザの近くでレーザ光と平面的に重なる位置に配置するので、レーザ駆動ＩＣによって半導体レーザを高速で駆動することができるとともに、光ヘッドの水平投影面の面積を小さくすることができ、さらに、レーザ駆動ＩＣの発熱をレーザ光を挟んで反対側に導いて放熱するヒートシンクを設けたので、レーザ駆動ＩＣの発熱による半導体レーザの温度上昇を可及的に低減することが可能となり、しかも、光ヘッドの高さ寸法を小さく抑えることができるので、光ヘッドの小型化に大きく貢献できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る光ヘッドの構成を示す一部を分解した斜視図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る光ヘッドの上面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る光ヘッドにおいてヒートシンクを外した状態の上面図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る光ヘッドの下面図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る光ヘッドの断正面図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る光ヘッドにおける、ヒートシンクの斜視図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る光ヘッドの上面図および断正面図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係る光ヘッドの上面図および断正面図である。
【図９】従来の光ヘッドの構成を示す一部を分解した斜視図である。
【符号の説明】
１  光ディスク
２  光ヘッド
３  ケース
４  ガイドバー
５  半導体レーザ
６  レーザ光
７  ビームスプリッタ
８  コリメートレンズ
９  ミラー
１０  対物レンズ
１１  光検出器
１２  回路基板
１３  レーザ駆動ＩＣ
１４、１７  フレキシブル基板
１６  熱伝導性シート
２０  ヒートシンク
２０ａ  ＩＣ接合部
２０ｂ、２０ｂ’  放熱主体部
２０ｃ  連結部
【図１】
2004178749.tif 000003
【図２】
2004178749.tif 000004
【図３】
2004178749.tif 000005
【図４】
2004178749.tif 000006
【図５】
2004178749.tif 000007
【図６】
2004178749.tif 000008
【図７】
2004178749.tif 000009
【図８】
2004178749.tif 000010
【図９】
2004178749.tif 000011