(57)【要約】【課題】優れた絶縁性を保持しつつ、優れた接着性、塗工性を同時に達成し得る半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤シート、半導体接続用基板ならびに半導体装置を提供する。【解決手段】熱可塑性樹脂と、熱硬化性樹脂を有する半導体装置用接着剤組成物であって、組成物全体に対し１０〜４０重量％のフェノールモノマーを含有することを特徴とする半導体装置用接着剤組成物。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂と、熱硬化性樹脂を有する半導体装置用接着剤組成物であって、組成物全体に対し１０〜４０重量％のフェノールモノマーを含有することを特徴とする半導体装置用接着剤組成物。
【請求項２】
熱硬化性樹脂であるフェノール樹脂が３〜８０重量％含有される請求項１記載の半導体装置用接着剤組成物。
【請求項３】
熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂が２〜５０重量％含有される請求項１記載の半導体装置用接着剤組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置用接着剤組成物を少なくとも１層の接着剤層とし、かつ少なくとも１層の有機絶縁性フィルムを有する半導体装置用接着剤シート。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置用接着剤シートを用いた半導体接続用基板。
【請求項６】
請求項５記載の半導体接続用基板を用いた半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体集積回路を実装する際に用いられる、テープオートメーテッドボンディング（ＴＡＢ）方式のパターン加工テープ、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）パッケージ用インターポーザー等の半導体接続用基板、リードフレーム固定テープ、ＬＯＣ固定テープ、ダイボンディング材、フリップチップ接続用接着剤、ヒートスプレッダ、補強板、シールド材の接着剤、フィルム状ソルダーレジスト、等を作成するために適した接着剤組成物およびそれを用いた接着剤シート、半導体接続用基板、半導体装置用部品ならびに半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路（ＩＣ）の実装には、金属製のリードフレームを用いた方式がもっとも多く用いられているが、近年ではガラスエポキシやポリイミド等の有機絶縁性フィルム上にＩＣ接続用の導体パターンを形成した、インターポーザーと称する半導体接続用基板を介した方式が増加している。半導体接続用基板にＴＡＢ用接着剤付きテープを使用するのはインナーリードを有する接続方式に有利である。また、ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）方式では半田ボール用の孔やＩＣ用のデバイスホールを機械的に打ち抜いた後に銅箔をラミネートするプロセスに特に適している。
【０００３】
一方、インナーリードを有しないワイヤーボンディングおよびフリップチップ接続の場合は、ＴＡＢ用接着剤付きテープだけでなく、すでに銅箔を積層し接着剤を加熱硬化させた銅張り積層板を用いることも可能である。さらに、半導体接続用基板には剛性と平面性の付与のための補強板（スティフナー）あるいは放熱のための放熱板（ヒートスプレッダー）等の部品を積層することも行われるが、その際にも接着剤が使用される。
【０００４】
電子機器の小型化、高密度化が進行するに伴い、これらの半導体接続用基板に使用される接着剤はいずれも最終的にパッケージ内に残留することが多いため、絶縁性、耐熱性、接着性等の諸特性を満たすことが要求される。これまではフリーフェノールが５％以下の樹脂を必須成分とすることにより、絶縁性と半田耐熱性を両立させる方法が提示されている（例えば特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−２７１０５０号公報（特許請求の範囲）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述の諸特性を全て満足するには、従来の半導体用接着剤組成物は必ずしも十分とはいえず、フリーフェノールが少ないと、絶縁性は良好だが接着性が低下する。また接着剤シートを製造する際には溶剤に分散させた接着剤組成物を所定の厚みに塗工するが、フリーフェノールが少ないと、塗工欠点が多くなる。つまり、優れた絶縁性と優れた接着性、塗工性は同時に達成不可能であった。
【０００７】
本発明はこのような問題点を解決し、優れた絶縁性を保持しつつ、優れた接着性、塗工性を同時に達成し得る半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤シート、半導体接続用基板ならびに半導体装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明は、熱可塑性樹脂と、熱硬化性樹脂を有する半導体装置用接着剤組成物であって、組成物全体に対し１０〜４０重量％のフェノールモノマーを含有することを特徴とする半導体装置用接着剤組成物である。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明は、絶縁性を保持しつつ、優れた接着性と塗工性を有する半導体装置用接着剤組成物であり、半導体用接着剤組成物の接着剤成分のフェノールモノマー量と絶縁性、接着性および塗工性との関係を鋭意検討した結果、得られたものである。
【００１０】
本発明の接着剤組成物は、組成物全体に対し、フェノールモノマーを１０〜４０重量％含むことが必要であり、好ましくは１０〜２５重量％である。１０重量％未満だと接着力が十分でなく、また塗工時にはじきやすくなり欠点が発生する。４０重量％を越えると未反応モノマーが残留して高温時にガスが発生しやすくなり絶縁性、耐熱性が低下する。１０〜４０重量％にする事で、接着性と絶縁性、塗工性を全て満たすことができる。
【００１１】
本発明におけるフェノールモノマーとは、化合物の構造全体の中でフェノール構造を一つだけ持ち、分子量が１０００以下のものである。通常合成、市販されるフェノール類の他に、フェノール樹脂等の中に一部含まれるフリーフェノールもフェノールモノマーに含まれる。合成したフェノールモノマーや、樹脂中に含まれるフリーフェノールの分子量や重量比は、熱分解ＧＣ−ＭＳ等で解析が可能である。接着剤中に含まれるフェノールモノマーは、１種類でも良いし、複数でも良い。フェノールモノマーの種類は特に限定されないが、含まれる熱可塑性樹脂との相性、硬化特性、接着剤特性などを考慮して適切に選ばれる。中でもアルキルフェノールは極性が低く、接着剤の絶縁性が向上するので好ましい。アルキルフェノールとしてはクレゾール、ｔ−ブチルフェノール、ノニルフェノールなどがあげられる。これらはフェノール樹脂中のフリーフェノールとしても存在していてもよい。
【００１２】
本発明の接着剤組成物は、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂をそれぞれ１種類以上含むことが好ましく、その種類は特に限定されない。熱可塑性樹脂は接着性、可とう性、熱応力の緩和、低吸水性による絶縁性の向上等の機能を有し、熱硬化性樹脂は耐熱性、高温での絶縁性、耐薬品性、接着剤層の強度等の物性のバランスを実現するために必要である。
【００１３】
熱可塑性樹脂としては、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体（ＮＢＲ）、アクリロニトリル−ブタジエンゴム−スチレン樹脂（ＡＢＳ）、ポリブタジエン、スチレン−ブタジエン−エチレン樹脂（ＳＥＢＳ）、炭素数１〜８の側鎖を有するアクリル酸および／またはメタクリル酸エステル樹脂（アクリルゴム）、ポリビニルブチラール、ポリアミド、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリウレタン、ポリエステルアミド、等公知のものが例示される。また、これらの熱可塑性樹脂は後述の熱硬化性樹脂との反応が可能な官能基を有していてもよい。具体的には、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、水酸基、メチロール基、イソシアネート基、ビニル基、シラノール基等である。これらの官能基により熱硬化性樹脂との結合が強固になり、耐熱性が向上するので好ましい。熱可塑性樹脂として被着体との接着性、可撓性、熱応力の緩和効果の点から、下記に例示するものは特に好ましい。すなわち、カルボキシル基、エポキシ基等の官能基を有するアクリロニトリル−ブタジエン共重合体（ＮＢＲ）、炭素数１〜８の側鎖を有するアクリル酸および／またはメタクリル酸エステルを有する共重合体、ダイマー酸ポリアミド、テトラメチレングリコール、ネオペンチルグリコール等の可とう性成分を有するポリエステル、シリコーンジアミンを成分とするポリイミドまたはポリアミドイミド、等種々のものが使用できる。さらに、これらの熱可塑性樹脂を複数混合または共重合して用いても好適である。
【００１４】
熱可塑性樹脂の添加量は接着剤組成物の好ましくは１０〜８０重量％、より好ましくは２０〜７０重量％、さらに好ましくは３０〜６０重量％である。熱可塑性樹脂が１０重量％未満になると接着性が低下するので好ましくなく、８０重量％より多いと絶縁性が低下するので好ましくない。
【００１５】
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、キシレン樹脂、フラン樹脂、シアン酸エステル樹脂、等公知のものが例示される。特に、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂は絶縁性に優れるので好適である。軟化点特性の制御には相溶性の制御が必要であるが、これらの熱硬化樹脂の構造と分子量を適切に選択することが有力な方法である。
【００１６】
フェノール樹脂を添加することにより、絶縁性、耐薬品性、接着剤組成物の強度を向上させることができ、フェノール樹脂としては、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、等の公知のフェノール樹脂がいずれも使用できる。たとえば、フェノール、クレゾール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、ノニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール等のアルキル置換フェノール、テルペン、ジシクロペンタジエン等の環状アルキル変性フェノール、ニトロ基、ハロゲン基、シアノ基、アミノ基等のヘテロ原子を含む官能基を有するもの、ナフタレン、アントラセン等の骨格を有するもの、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、レゾルシノール、ピロガロール等の多官能性フェノールからなる樹脂が挙げられる。中でも、レゾール型フェノール樹脂は絶縁抵抗低下時間が向上させる効果があるのでより好適である。
【００１７】
フェノール樹脂の添加量は接着剤組成物の好ましくは３〜８０重量％、より好ましくは４〜７０重量％、さらに好ましくは５重量％以上６０重量％以下である。３重量％未満では絶縁性が低下するので好ましくなく、８０重量％より多いと接着力が低下するので、いずれも好ましくない。特に、接着剤層がレゾール型フェノール樹脂を、５重量％以上６０重量％以下含有することが好ましい。尚、多くの市販されているフェノール樹脂はフェノールモノマーを一部含むが、ここで言うフェノール樹脂の添加量はフェノールモノマーを除いたものである。
【００１８】
本発明の接着剤組成物に公知のエポキシ樹脂を添加すると、接着力の向上が計れるので好ましい。エポキシ樹脂は１分子内に２個以上のエポキシ基を有するものであれば特に制限されないが、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、ジヒドロキシナフタレン、ジシクロペンタジエンジフェノール、ジシクロペンタジエンジキシレノール等のジグリシジルエーテル、エポキシ化フェノールノボラック、エポキシ化クレゾールノボラック、エポキシ化トリスフェニロールメタン、エポキシ化テトラフェニロールエタン、エポキシ化メタキシレンジアミン、脂環式エポキシ等が挙げられる。エポキシ樹脂の添加量は接着剤組成物の好ましくは２〜５０重量％、さらに好ましくは３〜３０重量％である。
【００１９】
本発明の接着剤層にエポキシ樹脂およびフェノール樹脂の硬化剤および硬化促進剤を添加することは何等制限されない。たとえば、芳香族ポリアミン、三フッ化ホウ素トリエチルアミン錯体等の三フッ化ホウ素のアミン錯体、２−アルキル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−アルキルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、無水フタル酸、無水トリメリット酸等の有機酸、ジシアンジアミド、トリフェニルフォスフィン、ジアザビシクロウンデセン等公知のものが使用できる。添加量は０．０５〜１０重量％、さらに好ましくは０．１〜５重量％であると好ましい。
【００２０】
本発明において、耐リフロー性、打ち抜き性等の加工性、熱伝導性、絶縁性、難燃性等を向上させる目的で、接着剤層に無機質充填剤を添加することができる。無機質充填剤は接着剤の特性を損なうものでなければ特に限定されないが、微粒子状の無機成分としては水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、カルシウム・アルミネート水和物等の金属水酸化物、球状シリカ、破砕シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化鉄、酸化コバルト、酸化クロム、タルク等の金属酸化物、炭酸カルシウム等の無機塩、アルミニウム、金、銀、ニッケル、鉄、等の金属微粒子、あるいはカーボンブラック、ガラスが挙げられる。これらは単独または２種以上混合して用いても良い。微粒子状の成分の重量平均粒子径は分散安定性を考慮すると、０．１〜５μｍが好ましい。なお、ここでいう重量平均粒子径とはレーザー回折式粒度分布計で測定したメジアン径の値を指す。また、配合量は接着剤層全体の２〜５０重量部が適当である。
【００２１】
以上の成分以外に、接着剤の特性を損なわない範囲でイオン捕捉剤、酸化防止剤などの有機、無機成分を添加することは何ら制限されるものではない。
【００２２】
イオン補足剤の添加は加水分解の原因となるイオンの挙動を抑制するために有効である。イオン補足剤は有機物、無機物いずれも適用できるが、アンチモン、ビスマス、鉛、アルミニウム、マグネシウム、等の酸化物からなる無機のイオン補足剤は分散系として少量で効果があるので好ましい。イオン補足剤の添加量は、イオン補足剤以外の接着剤層１００重量部に対し、０．０１〜１０重量部、好ましくは０．０５〜５重量部、さらに好ましくは０．１〜３重量部であるとよい。０．０１重量部より少ないと効果が得られず、１０重量部より多いと接着剤の接着性、反応性を損なう恐れがあるのでいずれも好ましくない。
【００２３】
酸化防止剤は高温時の酸化劣化による接着力低下を抑制できるので好ましい。酸化防止剤の種類は特に制限されず、フェノール系、アミン系、等種々のものが使用できる。添加量は、酸化防止剤以外の接着剤層１００重量部に対し、０．０１〜１０重量部、好ましくは０．０５〜５重量部、さらに好ましくは０．１〜３重量部であるとよい。０．０１重量部より少ないと効果が得られず、１０重量部より多いと接着剤の接着性、反応性を損なう恐れがあるのでいずれも好ましくない。
【００２４】
次に本発明の半導体用接着剤組成物を用いた接着剤シートについて説明する。本発明の接着剤シートは、少なくとも１層の接着剤層と少なくとも１層の有機絶縁性フィルムを有するものであればよい。したがって、複数の接着剤層および有機絶縁性フィルム層を有していてもよい。さらに、接着剤層間に接着性を持たないフィルム層を有していてもよい。また、接着剤層の厚みは好ましくは５〜３００μｍ、さらに好ましくは２０〜２００μｍの範囲である。
【００２５】
接着剤シートの製造方法としては、有機絶縁性フィルムに、接着剤組成物を溶剤に溶解した塗料を塗布、乾燥する。接着剤層の膜厚は５〜３００μｍとなるように塗布することが好ましい。乾燥条件は、１００〜２００℃、１〜５分である。溶剤は特に限定されないが、トルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族系、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の非プロトン性極性溶剤で、いずれも乾燥に適度な沸点を有するものが好適である。このようにして得られたフィルムはそのまま巻き取るかあるいはさらに有機絶縁性フィルムをラミネートする。使用形態に応じ、任意の幅にスリットする。
【００２６】
本発明で用いる有機絶縁性フィルムとは、”カプトン”（東レ・デュポン（株））、”アピカル”（鐘淵化学工業（株））、”ユーピレックス”（宇部興産（株））に代表されるポリイミドフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、アラミドフィルム等があるが、耐熱性や難燃性の点からポリイミドフィルムが好ましく用いられる。また本発明に使用する可撓性絶縁フィルムは、必要に応じてコロナ放電処理、低温プラズマ処理、易接着コーティング等の表面処理を施して用いることもできる。フィルム厚みは可撓性を損なわない厚みであれば特に限定されないが、ポリイミドフィルムにおいては好ましくは１５μｍ以上１５０μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以上１００μｍ以下である。フィルム厚みが薄過ぎると搬送、位置決め等が困難になり加工性が低下する。
【００２７】
さらに有機絶縁性フィルムは、接着剤シートに構成される保護フィルムの役割も有する。その場合、接着剤シートを銅箔、金属板、絶縁性フィルム等の被着体にラミネートする前に接着剤面から接着剤シートの形態を損なうことなく剥離できることが必要であり、保護フィルムが付いた状態で視認性がよいことが好ましく、たとえばシリコーンあるいはフッ素化合物のコーティング処理を施したポリエステルフィルム、ポリオレフィンフィルム、これらをラミネートした紙、ハロゲン化ポリオレフィンフィルム等が挙げられる。
【００２８】
次に本発明の半導体装置用接着剤組成物を用いた半導体装置等の好ましい製造方法を例示して説明する。
【００２９】
（ア）半導体装置用接着剤組成物を用いた半導体装置用接着剤シートの製造方法の一例
本発明の半導体用接着剤組成物をメタノール／クロロベンゼン（１：１）溶液に固形分濃度２０重量％になるように溶解させる。次いで、得られた溶液をシリコーンをコーティングしたポリエチレンテレフタレートフィルム（厚み２５〜５０μｍ）に、ウェット厚み１００〜１１０μｍになるようにリバースロールコーティングし、１６０〜１８０℃で乾燥させて厚み１９〜２３μｍの接着剤層を有する接着剤シートを作製する。
【００３０】
（イ）接着剤シートを用いた半導体用接着剤付きテープおよび半導体接続用基板、半導体装置の製造方法の一例
ポリイミド等の絶縁性フィルム（幅３５〜７０ｍｍ）に、該絶縁性フィルムより狭い幅（２９．７〜６０．６ｍｍ）の本発明の接着剤シートを１００〜１６０℃、１０Ｎ／ｃｍ、５ｍ／分の条件で熱ロールラミネートし、半導体用接着剤付きテープを作成する。次いで、該半導体用接着剤付きテープに例えば１８μｍの電解銅箔を、１１０〜１８０℃、３０Ｎ／ｃｍ、１ｍ／分の条件でラミネートする。続いてエアオーブン中で、８０℃、３時間、１００℃、５時間、１５０℃、５時間の順次加熱硬化処理を行ない、銅箔付きの半導体用接着剤付きテープを作製する。
【００３１】
得られた銅箔付きの半導体用接着剤付きテープの銅箔面に常法によりフォトレジスト膜形成、エッチング、レジスト剥離、電解金メッキ、ソルダーレジスト膜形成を行ない、半導体接続用基板（パターン加工テープ）を作製する。
【００３２】
該半導体接続用基板上に、半導体集積回路（ＩＣ）を、１１０〜２５０℃、３秒でダイボンディングし、さらにワイヤーボンディング接続する。ワイヤーボンディング条件は、１１０〜２００℃、６０〜１１０ｋＨｚが好ましい。最後にエポキシ系封止樹脂による封止、ハンダボール接続工程を経てＦＰ−ＢＧＡ方式の半導体装置を作製する。
【００３３】
（ウ）接着剤シートを半導体接続用基板と補強板との接着に使用した例
厚さ０．２５ｍｍのニッケルメッキ銅板に、厚さ１００μｍの本発明の接着剤シートを、１００〜２００℃、３０Ｎ／ｃｍ、１ｍ／分の条件で熱ロールラミネートし、３０〜５０ｍｍ角に打ち抜いた接着剤付き補強板を作製する。
【００３４】
一方、フィンガーリード形成と無電解スズメッキを行った以外は（イ）と同様に作成したギャングボンディング用パターン加工ＴＡＢテープに、金バンプ形成した半導体集積回路（ＩＣ）を、５００℃、１秒のギャングボンディング方式でインナーリード接続し、さらに液状封止樹脂による封止を行う。この半導体を接続したパターン加工ＴＡＢテープに、上記の接着剤付き補強板を、１００〜２００℃、３０ＭＰａ、５秒の条件でプレス貼り付けし、１００℃、１時間の処理後、１６０℃、２時間の接着剤の加熱硬化を行い、さらにハンダボール接続工程を経てテープＢＧＡ方式の半導体装置を作製する。
【００３５】
（エ）接着剤シートを用いたダイボンド材の製造方法の一例
ＩＣを形成したシリコンウエハーの裏面に接着剤シートを１００〜２００℃、０．１〜５ＭＰａでラミネートする。ウエハーをダイシング用粘着シートに張り合わせ、ダイシングしてＩＣチップとする。この接着剤シート付きのＩＣチップをガラスエポキシ材の回路基板、リードフレーム等に１１０〜２５０℃、０．５〜１０ＭＰａ、０．５〜５秒で圧着する。１１０〜２００℃、６０〜１１０ｋＨｚでワイヤーボンディングする。必要に応じて１００〜１７０℃、３０〜６０分加熱硬化させてからワイヤーボンディングしてもよい。次いで、エポキシ系封止樹脂でモールドし、さらにハンダボール接続工程を経てテープＢＧＡ方式の半導体装置を作製する。
【００３６】
図１および図２に、本発明の接着剤シートを使用した半導体装置（ＢＧＡ、ＣＳＰ）の一態様の断面図を示す。半導体集積回路接続用の導体３、１１は、ハンダボール７、１５を介して接続され、電子機器への実装がなされる。また、図３に本発明の接着剤シートを使用した半導体接続用基板の一態様を示す。
【００３７】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例の説明に入る前に評価方法について述べる。
【００３８】
評価方法
（１）評価用サンプル作成方法
（ａ）接着剤シートの作成
実施例および比較例の接着剤組成物をモノクロルベンゼン／エタノール＝２／１重量比の溶剤に、濃度２５重量％となるように３０℃で撹拌、混合して接着剤溶液を作成した。この接着剤溶液を乾燥後に１２μｍ厚の接着剤層となるように、シリコーン処理により離型性を有するポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）保護フィルム（２５μｍ）上に、バーコータで塗工し、１００℃、１分および１６０℃で５分間で乾燥した。
【００３９】
（ｂ）接着剤付きテープの作成
（ａ）の接着剤シートを、７５μｍ厚のポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、”ユーピレックス”７５Ｓ）に、１３０℃、１０Ｎ／ｃｍ、５ｍ／ｍｉｎの条件で熱ロールラミネートし、３５ｍｍ幅のＴＡＢ用接着剤付きテープを作成した。
【００４０】
（ｃ）パターン加工テープの作成
（ｂ）の接着剤付きテープサンプルに１８μｍの電解銅箔を、１４０℃、３０Ｎ／ｃｍ、１ｍ／ｍｉｎの条件でラミネートした。続いてエアオーブン中で、８０℃、３時間、１００℃、５時間、１５０℃、５時間の順次加熱硬化処理を行ない、銅箔付きの半導体用接着剤付きテープを作成した。得られた銅箔付きの半導体用接着剤付きテープの銅箔面に、スピンコーターを用いてレジスト液（東京応化（株）製  ＰＭＥＲ  Ｐ−ＲＨ３０  ＰＭ）をコーティングし、１００℃、１時間乾燥して厚さ５μｍのフォトレジスト膜を形成する。次に所定のパターンを形成したフォトマスクを介して水銀ランプで２０秒露光する。次にレジスト現像液（東京応化（株）製  ＰＭＥＲ現像液  Ｐ−１Ｓ、４倍希釈）に２．５ｍｉｎ浸漬して不要部分のレジスト膜を除去する。次に銅のエッチングをシャワー法で行い、銅箔を所定のパターンに加工する。次にアセトンに２ｍｉｎ浸漬してレジスト膜を除去する。最後に、メッキ液（シプレイ・ファーイースト（株）製  スズメッキ液  ＴＩＮＰＯＳＩＴ  ＬＴ−３４）を用いて７０℃、４ｍｉｎ無電解スズメッキを行ない、評価用サンプルおよび半導体装置接続用基板を作成した。メッキ厚は０．５μｍとした。
【００４１】
（ｄ）半導体接続基板とＩＣ接続用接着剤シートの作成
（ａ）と同様にして接着剤層が５０μｍ厚の接着剤シートを作成した。
【００４２】
（２）評価用半導体装置の作成
（１）（ｂ）で得た接着剤付きテープに、（１）（ｄ）で得られた接着剤シートを加熱圧着し、さらに接着剤シートの反対面に２０ｍｍ角のＩＣを加熱圧着する。この状態で１７０℃、２時間の加熱硬化を行う。次いで、ＩＣと配線基板を１５０℃、１１０ｋＨｚの条件でワイヤーボンディング接続した後、樹脂封止する。最後にハンダボールをリフローにて搭載し、評価用の半導体装置を得た。
【００４３】
（３）塗工欠点
上記（１）（ａ）の方法で得た接着剤シートをＡ４大にカットし、目視で観察し、繊維等明らかに外部起因と思われるものを除いた欠点の個数を調べた。
【００４４】
（４）接着強度
上記（１）の方法で得た導体幅５０μｍの評価用サンプルを用いて、テンシロン（オリエンテック（株）製、ＵＴＭ−１１−５ＨＲ型）を用いて導体を９０°方向に１０ｍｍ／ｍｉｎの速度で剥離し、その際の剥離力を測定した。
【００４５】
（５）絶縁性
上記（１）の方法で得た導体幅２５μｍ、導体間距離２５μｍ、対抗電極長４０ｍｍのくし型形状の評価用サンプルを用いて、恒温恒湿槽中で８５℃、８５％ＲＨ、直流１００Ｖの電圧を連続的に印加した状態において、抵抗値が１０の８乗Ω以下となる絶縁抵抗低下時間を測定した。最大測定時間は１０００時間とした。
【００４６】
実施例１
（１）接着剤シートの作成
カルボキシル基を有するアクリロニトリルブタジエンゴム（ＪＳＲ（株）製、ＰＮＲ−１Ｈ）、エポキシ樹脂ジャパンエポキシレジン（株）製”エピコート”１００１、添加剤４，４’−ジアミノジフェニルスルフォンおよび、無機質充填剤として水酸化アルミニウムをそれぞれ表１の組成比となるように配合し、評価方法（１）（ａ）および（ｄ）の条件に従って接着剤シートを作成した。このようにして得られた接着剤シートの塗工欠点を検査した。結果を表３に示す。
【００４７】
（２）接着剤付きテープの作成
得られた接着剤シートを用いて評価方法（１）（ｂ）に従って接着剤付きテープとした。
【００４８】
（３）半導体接続用基板の作成
上記の手順で得られた接着剤付きテープを用いて、前述の評価方法（１）（ｃ）と同一の方法で半導体集積回路接続用の導体回路を形成し、半導体接続用基板（パターンテープ）を得た。このようにして得られた半導体接続用基板の接着性、絶縁性の評価を行った。結果を表３に示す。
【００４９】
実施例２〜４、比較例１〜３
表１および表２に記された化合物を用い、表３の配合比で実施例１と同様に接着剤シートの塗工欠点および半導体接続用基板の接着性、絶縁性の評価を行った。結果を表３に示す。
【００５０】
【表１】
2004263089.tif 000002
【００５１】
【表２】
2004263089.tif 000003
【００５２】
【表３】
2004263089.tif 000004
【００５３】
実施例および比較例の結果より、本発明により得られる半導体装置用接着剤組成物を用いた半導体接続用基板は、接着性、塗工性に優れ、さらに絶縁性にも優れていた。
【００５４】
【発明の効果】
本発明によれば、優れた絶縁性を保持しつつ、さらに優れた接着性、塗工性を同時に達成し得る半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤シート、半導体接続用基板ならびに半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置用接着剤組成物を用いた半導体装置（ＢＧＡ）の一態様の断面図。
【図２】本発明の半導体装置用接着剤組成物を用いた半導体装置（ＣＳＰ）の一態様の断面図。
【図３】本発明の半導体装置用接着剤組成物を加工して得られた、半導体集積回路搭載前の半導体接続用基板（パターンテープ）の一態様の斜視図。
【符号の説明】
１，９，１７    ：有機絶縁性絶縁性フィルム
２，１０，１８  ：半導体接続基板の導体を接着する接着剤層
３，１１，２１  ：半導体集積回路接続用の導体
４，１２  ：半導体集積回路
５，１３  ：封止樹脂
６，１４  ：金バンプ
７，１５  ：半田ボール
８  ：補強板
１６  ：ソルダーレジスト
１９  ：スプロケット孔
２０  ：デバイス孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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