(57)【要約】【課題】多層回路基板の各の厚みを均等にして、インピーダンス整合を図る。【解決手段】非圧縮性絶縁基材１０２と、表面に接着剤層１０１ａが設けられた圧縮性絶縁基材１０１との間に配線パターン１０５を設けたうえで、非圧縮性絶縁基材１０２と配線パターン１０５と圧縮性絶縁基材１０１とを加熱加圧することで多層回路基板を作製する際に、配線パターン１０５のパターン隙間１１０の大きさに応じて圧縮性絶縁基材１０１の加熱加圧前の厚みを設定する。【選択図】　図１
2004039809.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に接着剤層が設けられた圧縮性絶縁基材と非圧縮性絶縁基材との間に配線パターンを設けたうえで、前記圧縮性絶縁基材と前記配線パターンと前記非圧縮性絶縁基材とを加熱加圧することで多層回路基板を作製する多層回路基板の製造方法であって、
前記配線パターンのパターン残存率に応じて加熱加圧前の厚みが設定された前記圧縮性絶縁基材を作製する工程と、
前記工程により過熱加圧前の厚みが設定された前記圧縮性絶縁基材と前記配線パターンと前記非圧縮性絶縁基材とを積層して加熱加圧する工程と、
を含むことを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の多層回路基板の製造方法において、
前記配線パターンのパターン残存率が低い場合に、前記圧縮性絶縁基材の加熱加圧前の厚みを薄くする、
ことを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の多層回路基板の製造方法において、
前記配線パターンのパターン残存率が高い場合には、
Ｐ０＝Ａ／Ｃｐ
Ｐ０：圧縮性絶縁基材の加熱加圧前の厚み
Ａ：非圧縮性絶縁基材の厚み
Ｃｐ：圧縮性絶縁基材の加熱加圧による圧縮率
の算定式により前記圧縮性絶縁基材の加熱加圧前の厚みを設定する、
ことを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の多層回路基板の製造方法において、
前記配線パターンのパターン残存率が低い場合には、
Ｐ０＝Ａ／Ｃｐ＋Ｂ
Ｐ０：圧縮性絶縁基材の加熱加圧前の厚み
Ａ：非圧縮性絶縁基材の厚み
Ｃｐ：圧縮性絶縁基材の加熱加圧による圧縮率
Ｂ：配線パターンの厚み
の算定式により前記圧縮性絶縁基材の加熱加圧前の厚みを設定する、
ことを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の多層回路基板の製造方法において、
前記配線パターンのパターン残存率が低く、かつ、前記非圧縮性基材が当接していない前記圧縮性絶縁基材の表面に、接着剤層を介してパターン残存率の低いもう一つの配線パターン、または金属箔が配置される場合には、
Ｐ０＝Ａ／Ｃｐ＋２Ｂ
Ｐ０：圧縮性絶縁基材の加熱加圧前の厚み
Ａ：非圧縮性絶縁基材の厚み
Ｃｐ：圧縮性絶縁基材の加熱加圧による圧縮率
Ｂ：配線パターンおよびもう一つの配線パターンの厚み
の算定式により前記圧縮性絶縁基材の加熱加圧前の厚みを設定する、
ことを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の多層回路基板の製造方法において、
前記非圧縮性基材が当接していない前記圧縮性絶縁基材の表面に、接着剤層を介してもう一つの配線パターンが配置される場合には、
Ｐ０＝Ａ／Ｃｐ＋Ｂｔ（１−Ｓｔ）＋Ｂｂ（１−Ｓｂ）
Ｐ０：圧縮性絶縁基材の熱プレス前の厚み
Ａ：非圧縮性基材の厚
Ｃｐ：圧縮性基材の熱プレス圧縮率
Ｂｔ：配線パターンの厚み
Ｂｂ：もう一つの配線パターンの厚み
Ｓｔ：配線パターンのパターン残存率
Ｓｂ：もう一つの配線パターンのパターン残存率
の算定式により前記圧縮性絶縁基材の加熱加圧前の厚みを設定する、
ことを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載の多層回路基板の製造方法において、
前記非圧縮性基材が当接していない前記圧縮性絶縁基材の表面に、接着剤層を介してもう一つの配線パターンが配置される場合には、
前記両接着剤層の厚みの相対比率が前記配線パターンのパターン残存率と前記もう一つの配線パターンのパターン残存率との間の相対比率の逆数に一致するように、前記両接着剤層の厚みを設定する、
ことを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかの多層回路基板の製造方法により製造されたことを特徴とする多層回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層回路基板、及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
導電ペーストにて層間の電気的接続を行う多層配線基板としてＡＬＩＶＨ（Ａｎｙ　Ｌａｙｅｒ　Ｉｎｎｅｒ　Ｖｉａ　Ｈｏｌｅ）基板が知られている（特許第２６０１１２８号）。
【０００３】
ＡＬＩＶＨ基板の製造プロセスを説明する。
【０００４】
図４（ａ）に示すように、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の離型フィルム４０１の片面に接着剤層４０２が形成されたもの（以下、接着剤フィルムという）が用意される。また、芳香性ポリアミド繊維に熱硬化性エポキシ樹脂が含浸された多孔質基材（以下、プリプレグという）４０３が用意される。そして、図４（ｂ）に示すように、プリプレグ４０３の両面に上記接着剤フィルムがラミネートされる。
【０００５】
次に、図４（ｃ）に示すように、プリプレグ４０３の所定の箇所にレーザー加工法により貫通孔４０４が形成される。次に、図４（ｄ）に示すように、貫通孔４０４に銅粉とエポキシ樹脂とからなる導電ペースト４０５が充填される。
【０００６】
導体ペースト４０５の充填方法としては、例えば次の方法がある。貫通孔４０４を有するプリプレグ４０３がスクリーン印刷機のテーブル上に設置され、導電ペース４０５が離型フィルム４０１の上から直接印刷形成される。その際、印刷面の離型フィルム４０１は印刷マスクの役割とプリプレグ４０３の表面汚染防止の役割とを果たす。
【０００７】
次に、図４（ｅ）に示すようにプリプレグ４０３の両面から離型フィルム４０１が剥離される。次に、プリプレグ４０３の両面に銅箔等の金属箔４０６が積層される。この状態でプリプレグ４０３と金属箔４０６とが加熱加圧される。これにより、図４（ｆ）に示すように、プリプレグ４０３と金属箔４０６とが接着される。
【０００８】
このとき、プリプレグ４０３と貫通孔４０４内の導電ペースト４０５とが加熱加圧工程により圧縮される。そのため、導電ペースト４０５中のバインダ成分がプリプレグ４０３中に押し出される。これにより、銅粉同士および銅粉と金属箔４０６との間の結合が強固になり、導電ペースト４０５中の銅粉密度が緻密化され、層間の電気的接続が得られる。その後、プリプレグ４０３の構成成分である熱硬化性樹脂および導電ペースト４０５の樹脂成分が硬化する。
【０００９】
次に、図４（ｇ）に示すように、金属箔４０６が所定のパターンに選択エッチングされることで、両面配線基板が完成する。
【００１０】
作製した両面配線基板をコア材（ベース）として、そのコア材両面に、図４（ａ）〜（ｅ）の製法により得られるプリプレグ４０３を位置合わせし、さらに積層配置したプリプレグ４０３の表面に銅箔を配置する。そして、コア材（ベース）とプリプレグ４０３と銅箔とを再度、熱プレス機により加熱加圧することで積層化と多層化とを行い、最後に銅箔をエッチング、パターニングする。これにより４層の多層回路基板が得られる。
【００１１】
さらに、多層化が必要な場合はこの４層の多層回路基板をコア材（ベース）にして、再度、上述した工程を繰り返すことにより６層、８層の多層回路基板が得られる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上述した従来の製造方法により作製された多層回路基板においては、配線間のインピーダンス整合が取りにくいという課題があった。以下、説明する。
【００１３】
多層回路基板における各層の配線パターンのインピーダンスは、基板厚み方向における配線パターンの離間間隔となる各絶縁層の厚みに左右される。各絶縁層の厚みは絶縁層を構成する各プリプレグ４０３が製造工程中にどれだけ圧縮されるかにより最終的に決定される。そして、各プリプレグ４０３の圧縮度合は、厳密にいえば、各プリプレグ４０３に対向する配線パターンのパターン残存率に左右される。以下、説明する。
【００１４】
まず、パターン残存率を説明する。配線パターンは、基板表面の金属箔（銅箔等）を全面形成したうえで、フォトリソグラフィ工程等を行って余分な箔部分を除去することで形成される。このような製造工程を踏まえて、基板上において、単位面積当たりに配線パターンが残存する面積率をパターン残存率という。
【００１５】
パターン残存率の低い配線パターンでは、平面方向に隣接する配線パターンの間に存在するパターン隙間の体積が大きくなる。反対にパターン残存率の高い配線パターンでは、前記パターン隙間の体積が小さくなる。
【００１６】
多層回路基板を作製する場合、接着剤層４０２は配線パターンのパターン隙間に入り込んで配線パターンと一体化する。そのため、各プリプレグ４０３は、接着剤層４０２がパターン隙間に入り込むことにより見かけ上圧縮されることになる。そして、パターン残存率の低い配線パターンが設けられた場合、前記見かけ上の圧縮量は大きくなる。反対に、パターン残存率の低い配線パターンが設けられた場合、前記見かけ上の圧縮量は小さくなる。
【００１７】
これに対して、プリプレグ４０３上に形成される配線パターンのパターン残存率は、通常、プリプレグ４０３それぞれにおいて互いに同一とはならず、相違するのは避けられない。具体的には、プリプレグ４０３に接するコア材（両面基板）に形成される配線パターンが電源パターンやグランドパターンの場合、パターン残存率が高くなる。一方、配線パターンが信号線パターンの場合、パターン残存率が低くなる。
【００１８】
したがって、このようなパターン残存率の違いにより、各配線パターン間に配置される基板厚みにばらつきが生じ、そのために、各層の配線の間でインピーダンスの不整合が生じていた。
【００１９】
本発明は、上記従来のこのような課題を考慮し、各配線でインピーダンスが整合した多層回路基板を提供することを目的とするものである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために、表面に接着剤層が設けられた圧縮性絶縁基材と非圧縮性絶縁基材との間に配線パターンを設けたうえで、前記圧縮性絶縁基材と前記配線パターンと前記非圧縮性絶縁基材とを加熱加圧することで多層回路基板を作製する多層回路基板の製造方法であって、
前記配線パターンのパターン残存率に応じて加熱加圧前の厚みが設定された前記圧縮性絶縁基材を作製する工程と、
前記工程により過熱加圧前の厚みが設定された前記圧縮性絶縁基材と前記配線パターンと前記非圧縮性絶縁基材とを積層して加熱加圧する工程と、
を含むことに特徴を有している。
【００２１】
なお、前記配線パターンのパターン残存率が低い場合に、前記圧縮性絶縁基材の加熱加圧前の厚みを薄くするのが好ましい。
【００２２】
なお、前記配線パターンのパターン残存率が高い場合には、
Ｐ０＝Ａ／Ｃｐ
Ｐ０：圧縮性絶縁基材の加熱加圧前の厚み
Ａ：非圧縮性絶縁基材の厚み
Ｃｐ：圧縮性絶縁基材の加熱加圧による圧縮率
の算定式により前記圧縮性絶縁基材の加熱加圧前の厚みを設定するのが好ましい。
【００２３】
なお、前記配線パターンのパターン残存率が低い場合には、
Ｐ０＝Ａ／Ｃｐ＋Ｂ
Ｐ０：圧縮性絶縁基材の加熱加圧前の厚み
Ａ：非圧縮性絶縁基材の厚み
Ｃｐ：圧縮性絶縁基材の加熱加圧による圧縮率
Ｂ：配線パターンの厚み
の算定式により前記圧縮性絶縁基材の加熱加圧前の厚みを設定するのが好ましい。
【００２４】
なお、前記配線パターンのパターン残存率が低く、かつ、前記非圧縮性基材が当接していない前記圧縮性絶縁基材の表面に、接着剤層を介してパターン残存率の低いもう一つの配線パターン、または金属箔が配置される場合には、
Ｐ０＝Ａ／Ｃｐ＋２Ｂ
Ｐ０：圧縮性絶縁基材の加熱加圧前の厚み
Ａ：非圧縮性絶縁基材の厚み
Ｃｐ：圧縮性絶縁基材の加熱加圧による圧縮率
Ｂ：配線パターンおよびもう一つの配線パターンの厚み
の算定式により前記圧縮性絶縁基材の加熱加圧前の厚みを設定するのが好ましい。
【００２５】
なお、前記非圧縮性基材が当接していない前記圧縮性絶縁基材の表面に、接着剤層を介してもう一つの配線パターンが配置される場合には、
Ｐ０＝Ａ／Ｃｐ＋Ｂｔ（１−Ｓｔ）＋Ｂｂ（１−Ｓｂ）
Ｐ０：圧縮性絶縁基材の熱プレス前の厚み
Ａ：非圧縮性基材の厚
Ｃｐ：圧縮性基材の熱プレス圧縮率
Ｂｔ：配線パターンの厚み
Ｂｂ：もう一つの配線パターンの厚み
Ｓｔ：配線パターンのパターン残存率
Ｓｂ：もう一つの配線パターンのパターン残存率
の算定式により前記圧縮性絶縁基材の加熱加圧前の厚みを設定するのが好ましい。
【００２６】
なお、前記非圧縮性基材が当接していない前記圧縮性絶縁基材の表面に、接着剤層を介してもう一つの配線パターンが配置される場合には、
前記両接着剤層の厚みの相対比率が前記配線パターンのパターン残存率と前記もう一つの配線パターンのパターン残存率との間の相対比率の逆数に一致するように、前記両接着剤層の厚みを設定するのが好ましい。
【００２７】
これにより、本発明は、各配線パターン間に配置される基板厚みの一致させることができ、そのために、各層の配線の間でインピーダンスの不整合を抑制することができる。
【００２８】
なお、本発明では、上述した各式により設定される圧縮性絶縁基材の厚みだけに限定されるものではなく、上述した各式により設定される厚みに近似した厚みを圧縮性絶縁基材の熱プレス前の厚みとして設定してもよい。ここでいう近似の範疇としては、各式により設定される厚みの±１０％以内が適当である。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明を行う。
（実施の形態１）
図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の多層回路基板の製造方法の実施形態１である４層の多層回路基板の製造工程断面図である。
【００３０】
本実施形態は以下に示す多層回路基板の製造方法において本発明を実施している。すなわち、従来からあるＡＬＩＶＨの製造方法に基づいて予め製造された一対のコア材（非圧縮性絶縁基材）１０２の間にプリプレグ（両面に接着材層１０１ａを有する圧縮性絶縁基材）１０１を介在させたうえでコア材１０２，１０２とプリプレグ１０１とを積層して接着しこれによって４層の多層回路基板を製造する方法において本実施形態は本願発明を実施している。なお、プリプレグ１０１の熱プレスによる圧縮率Ｃｐ（以下、熱プレス圧縮率という）は、以下に示す（１）式で定義される。
Ｃｐ＝Ｐ／Ｐ０　…（１）
Ｐ：プリプレグ１０１の熱プレス後の厚み
Ｐ０：プリプレグ１０１の熱プレス前の厚み
本実施形態では、まず、一対のコア材１０２，１０２と、単一のプリプレグ１０１とが用意される。コア材１０２，１０２としては、一方面に電源パターンもしくはグランドパターン（以下、電源・グランドパターンという）といったパターン残存率の高い配線パターン１０５が予め形成され、他方面にほぼ前面に銅箔等の金属箔１０４が貼着されたものが用意される。なお、本発明でいうパターン残存率の高い配線パターン１０５とは、具体的には、５０％以上のパターン残存率を有する配線パターン１０５をいう。　配線パターン１０５は、例えば、コア材１０２に金属箔が貼着されたうえで、貼着された金属箔にフォトリソグラフィ工程等を施すことで形成される。プリプレグ１０１としては、両面に接着剤層１０１ａが形成されたものが用意される。なお、熱プレス前におけるプリプレグ１０１の厚みＰ０は、接着層１０１ａの厚みを含めたものとされる。また、パターン残存率とは、コア材１０２等に全面形成した金属箔の面積に対して、配線パターンとして残存する面積の比率をいう。
【００３１】
次に、図１（ｂ）に示すように、上記方法により得られたプリプレグ１０１とコア材（両面基板）１０２とが積層配置される。ここでは、各コア材１０２の配線パターン１０５がプリプレグ１０１に対向するように、プリプレグ１０１とコア材１０２とが積層される。
【００３２】
積層配置されたプリプレグ１０１・コア材１０２に対して、所定の温度と圧力とが加熱プレス機等によって所定時間にわたって印加される。この工程が実施されることにより、プリプレグ１０１は圧縮されて完全硬化状態となる。例えばプリプレグ１０１としてアラミドエポキシ樹脂を用いた場合、加圧：３０Ｋｇ／ｃｍ２、加熱：１８０℃の条件に基づいて加熱・加圧処理が１時間実施されることで、プリプレグ１０１は完全硬化状態となる。
【００３３】
次に、図１（ｃ）に示すように、最外層に配置されたコア材（両面基板）１０２の金属箔１０４に周知の技術であるフォトリソグラフィ工程等を施すことにより、表層配線パターン１０６が形成される。これにより４層の多層回路基板が出来上がる。
【００３４】
以上の製造工程により多層回路基板を作製する本実施形態において、プリプレグ１０１の厚みは次のようにして設定される。
【００３５】
本実施形態では、プリプレグ１０１の両面それぞれに、電源・グランドパターンといったパターン残存率の高い配線パターン１０５が対向配置される。そこで、本実施形態では、次に示す（２）式に基づいてプリプレグ１０１の熱プレス前の厚みＰ０が設定される。
Ｐ０＝Ａ／Ｃｐ　…（２）
Ｐ０：プリプレグ１０１の加熱加圧前の厚み
Ａ：コア材１０２の厚み
Ｃｐ：プリプレグ１０１の熱プレス圧縮率
（２）式では、次のような理論に基づいてプリプレグ１０１の熱プレス前の厚みＰ０が設定される。まず、プリプレグ１０１が圧縮される原理を説明する。プリプレグ１０１では、加熱加圧処理によりプリプレグ１０１自身が圧縮される他、見かけ上、次のようにして圧縮される。
【００３６】
プリプレグ１０１とコア材１０２とが圧着される際には、プリプレグ１０１の両面に設けられた接着剤層１０１ａと、プリプレグ１０１に対向する配線パターン１０５とが密着して両者は接着される。その際、接着剤層１０１ａは、平面方向に隣接する配線パターン１０５の間に存在するパターン隙間１１０に入り込んだ状態で配線パターン１０５に密着する。このようなパターン隙間１１０に対する接着剤層１０１ａの入り込みによってプリプレグ１０１は見かけ上、圧縮される。
【００３７】
パターン残存率の高い配線パターン１０５では、上記パターン隙間１１０の体積は小さい。そのため、パターン隙間１１０が体積的に小さい配線パターン１０５がプリプレグ１０１の両面に対向配置される場合には、接着剤層１０１ａは配線パターン１０５に対して埋め込まれにくくなる。その結果、パターン隙間１１０に対する接着剤層１０１ａの入り込みに起因するプリプレグ１０１の見かけ上の圧縮量は小さくなる。
【００３８】
このようなプリプレグ１０１の圧縮理論に基づき、パターン残存率の高い配線パターン１０５がプリプレグ１０１に対向配置されるという状態においては、プリプレグ１０１の見かけ上の圧縮はほとんど生じないと見なせる。そして、この場合におけるプリプレグ１０１の圧縮量は、ほとんど、プリプレグ１０１自身が圧縮されることに起因する圧縮量だけであると見なせる。
【００３９】
そこで、このような配線パターン１０５が対向配置されるプリプレグ１０１では、熱プレスによるプリプレグ１０１の圧縮量は、熱プレス前のプリプレグ１０１の厚みＰとプリプレグ１０１の圧縮率Ｃｐとだけによって規定されると考えられる。このような圧縮理論に基づいて上記（２）式は設定されている。
【００４０】
例えば、プリプレグ１０１の熱プレス圧縮率Ｃｐが９８％（０．９８）であり、コア材（両面基板）１０２における絶縁基材１０３の厚みＡが９８μｍである場合、（２）式により、プリプレグ１０１の熱プレス前の厚みＰ０は、
Ｐ０＝Ａ／Ｃｐ＝９８／０．９８＝１００（μｍ）
となる。
【００４１】
この算定結果に基づいて、１００μｍの熱プレス前の厚みＰ０を有するプリプレグ１０１が準備される。そして、このようにして熱プレス前の厚みＰ０が設定されたプリプレグ１０１とコア材１０２とを積層一体化することにより、各絶縁基材１０３の厚みが設計通りで均一となった４層の多層回路基板が得られる。
【００４２】
さらには、上記方法により得られた４層の多層回路基板を用いて、４層以上の多層回路基板を形成することができる。その場合には、まず、上記方法により得られた４層の多層回路基板をコア材１０２にして、さらにプリプレグ１０１が積層配置される。そして、その積層体が一括して熱プレスされたうえで、最外層に位置する金属箔１０４に対してフォトリグラフィ法等のパターン形成方法が実施されることで、表層配線パターン１０６が形成される。これにより５層、６層の多層回路基板が得られる。さらに多層の多層回路基板が必要となる場合には、上記製法が繰り返し実施される。
【００４３】
なお、本実施の形態においては、（２）式により設定される熱プレス前の厚みＰ０だけではなく、（２）式により設定される厚みＰ０に近似した厚みＰ０’をプリプレグ１０１の熱プレス前の厚みとして設定してもよい。ここでいう近似の範疇としては、（２）式により設定される厚みＰの±１０％以内が適当である。
【００４４】
（実施の形態２）
図２（ａ）〜（ｃ）は本発明の多層回路基板の製造方法の実施形態２である４層の多層回路基板の製造工程断面図である。
【００４５】
本実施形態は、基本的には、上述した実施の形態１と同様の多層回路基板の製造方法である。ただし、各部分に付している符号は、２００番台としている。すなわち、２０１はプリプレグであり、２０１ａは接着剤層であり、２０２はコア材であり、２０３は絶縁基材であり、２０４は金属箔であり、２０５は配線パターンであり、２１０はパターン隙間である。
【００４６】
本実施形態では、プリプレグ２０１の熱プレス前の厚みＰ０は次のようにして設定される。
【００４７】
本実施形態では、プリプレグ２０１の両面それぞれに、信号線パターンといったパターン残存率の低い配線パターン２０５が対向配置される。そこで、本実施形態では、次に示す（３）式に基づいてプリプレグ２０１の熱プレス前の厚みＰ０が設定される。
Ｐ０＝Ａ／Ｃｐ＋２Ｂ　…（３）
Ｐ０：プリプレグ２０１の熱プレス前の厚み
Ａ：コア材１０２の厚み
Ｃｐ：プリプレグ１０１の熱プレス圧縮率
Ｂ：配線パターン２０５の厚み
（３）式では、次のような理論に基づいてプリプレグ２０１の厚みが設定される。実施の形態１で述べたように、接着剤層２０１ａは、平面方向に隣接する配線パターン２０５の間に存在するパターン隙間２１０に入り込んだ状態で配線パターン２０５に密着する。このようなパターン隙間２１０に対する接着剤層２０１ａの入り込みによってプリプレグ２０１は見かけ上、圧縮される。
【００４８】
パターン残存率の低い信号線パターン等の配線パターン２０５では、上記パターン隙間２１０が体積的に大きい。なお、本発明でいうパターン残存率の低い配線パターン２０５とは、具体的には、５０％未満のパターン残存率を有する配線パターン２０５をいう。そのため、パターン隙間２１０が体積的に大きい配線パターン２０５がプリプレグ２０１の両面に対向配置される場合には、配線パターンは２０５接着剤層２０１ａに対して埋め込まれやすくなる。その結果、パターン隙間２１０に対する接着剤層２０１ａの入り込みに起因するプリプレグ２０１の見かけ上の圧縮量は大きくなる。
【００４９】
このようなプリプレグ２０１の圧縮理論に基づき、信号線パターン等の配線パターン２０５がプリプレグ２０１に対向配置される、という状態においては、プリプレグ２０１の見かけ上の圧縮は十分生じると見なせる。そして、この場合におけるプリプレグ２０１の圧縮量は、プリプレグ２０１自身が圧縮されることに起因する圧縮量に、プリプレグ２０１の両面に設けられた接着剤層１０１ａがパターン隙間２１０に入り込むことに起因するプリプレグ２０１の見かけ上の圧縮量を加算したものであると考えられる。ここで、接着剤層２０１ａの入り込みに起因するプリプレグ２０１の見かけ上の圧縮量は、配線パターン２０５のパターン厚みに相当する。
【００５０】
そこで、このような配線パターン２０５が対向配置されるプリプレグ２０１では、熱プレスによるプリプレグ２０１の圧縮量は、熱プレス前のプリプレグ２０１の厚みＰとプリプレグ２０１の圧縮率Ｃｐと、接着剤層２０１ａの入り込みに起因するプリプレグ２０１の見かけ上の圧縮量とを加算したもものであると考えられる。このような圧縮理論に基づいて上記（３）式は設定されている。
【００５１】
例えば、プリプレグ２０１の圧縮率Ｃｐが９８％（０．９８）であり、コア材（両面基板）２０２の基材２０３の厚みＡが９８μｍ、配線パターン２０５の厚みＢが２０μｍであった場合、（３）式により、プリプレグ２０１の厚みは、
Ｐ＝Ａ／Ｃｐ＋２Ｂ＝９８／０．９８＋２×２０＝１４０（μｍ）
となる。
【００５２】
この算定結果に基づいて、１４０μｍの熱プレス前の厚みＰ０を有するプリプレグ２０１が準備される。そして、このようにして熱プレス前の厚みＰが設定されたプリプレグ２０１とコア材２０２とを積層一体化することにより、各絶縁基材２０３の層間厚みが均一となった４層の多層回路基板が得られる。
【００５３】
さらには、上記方法により得られた４層の多層回路基板を用いた４層以上の多層回路基板の製造方法は、実施の形態１で説明したのと同様である。また、本実施の形態においても、（３）式により設定される厚みＰだけではなく、（３）式により設定される厚みに近似した厚みＰ’をプリプレグ２０１の熱プレス前の厚みとして設定してもよい。ここでいう近似の範疇としては、（３）式により設定される厚みＰの±１０％以内が適当である。
【００５４】
（実施の形態３）
図３（ａ）〜（ｃ）は本発明の多層回路基板の製造方法の実施形態３である４層の多層回路基板の製造工程断面図である。
【００５５】
本実施形態は、基本的には、上述した実施の形態１と同様の多層回路基板の製造方法である。ただし、各部分に付している符号は、３００番台としている。すなわち、３０１はプリプレグであり、３０１ａは接着剤層であり、３０２はコア材であり、３０３は絶縁基材であり、３０４は金属箔であり、３０５Ａは電源・グランドパターン等の配線パターンであり、３０５Ｂは信号線パターン等の配線パターンであり、３１０はパターン隙間である。
【００５６】
本実施形態では、プリプレグ３０１の厚みは次のようにして設定される。
【００５７】
本実施形態では、プリプレグ３０１の一方面には、電源・グランドパターンといったパターン残存率の高い配線パターン３０５Ａが対向配置され、他方面には、信号線パターンといったパターン残存率の低い配線パターン３０５Ｂが対向配置される。そこで、本実施形態では、次に示す（４）式に基づいてプリプレグ３０１の熱プレス前の厚みＰ０が設定される。
Ｐ０＝Ａ／Ｃｐ＋Ｂ　…（４）
Ｐ０：プリプレグ３０１の熱プレス前の厚み
Ａ：コア材３０２の厚み
Ｃｐ：プリプレグ３０１の熱プレス圧縮率
Ｂ：配線パターン３０５Ａ，３０５Ｂの厚み
（４）式では、次のような理論に基づいてプリプレグ３０１の厚みが設定される。実施の形態１で述べたように、接着剤層３０１ａは、平面方向に隣接する配線パターン３０５Ａ，３０５Ｂの間に存在するパターン隙間３１０に入り込んだ状態で配線パターン３０５Ａ，３０５Ｂに密着する。このようなパターン隙間３１０に対する接着剤層３０１ａの入り込みによってプリプレグ３０１は見かけ上、圧縮される。
【００５８】
パターン残存率の低い信号線パターン等の配線パターン３０５Ｂでは、パターン隙間３１０が体積的に大きい。一方、パターン残存率の高い電源・パターン等の配線パターン３０５Ａでは、パターン隙間３１０が体積的に小さい。そのため、配線パターン３０５Ａがプリプレグ３０１の一方面に対向配置され、他方面には、配線パターン３０５Ｂがプリプレグ３０１の他方面に対向配置される本実施形態の構成では、配線パターン３０５Ａは接着剤層３０１ａに対して埋め込まれにくくなり、配線パターン３０５Ｂは接着剤層３０１ａに対して埋め込まれやすくなる。その結果、パターン隙間３１０に対する接着剤層３０１ａの入り込みに起因するプリプレグ３０１の見かけ上の圧縮量は、実施の形態２における見かけ上の圧縮量の半分程度の大きさとなる。
【００５９】
したがって、パターン残存率が低いためにパターン隙間３１０が体積的に大きいという特徴を有する信号線パターン等の配線パターン３０５Ｂがプリプレグ３０１の片面にだけ対向配置される、という本実施形態の構成におけるプリプレグ３０１の見かけ上の圧縮は、両面に配線パターン３０５Ｂがある場合の半分程度と見なせる。
【００６０】
そのため、この場合におけるプリプレグ３０１の圧縮量は、プリプレグ３０１自身が圧縮されることに起因する圧縮量に、プリプレグ３０１の一方面側にある接着剤層３０１ａに配線パターン３０５Ｂが入り込むことに起因するプリプレグ３０１の見かけ上の圧縮量を加算したものであると考えられる。ここで、配線パターン３０５Ｂの入り込みに起因するプリプレグ３０１の見かけ上の圧縮量は、配線パターン３０５Ｂの厚みに相当する。
【００６１】
そこで、本実施形態の構成におけるプリプレグ３０１の圧縮量は、プリプレグ３０１自身の圧縮量と、配線パターン３０５Ｂが接着剤層３０１ａに入り込むことに起因するプリプレグ３０１の見かけ上の圧縮量とを加算したもものであると考えられる。このような圧縮理論に基づいて上記（４）式は設定されている。
【００６２】
例えば、プリプレグ３０１の圧縮率Ｃｐが９８％（０．９８）であり、コア材（両面基板）３０２の基材３０３の厚みＡが９８μｍ、配線パターン３０Ａ、３０５Ｂの厚みＢが２０μｍであった場合、（４）式により、プリプレグ３０１の熱プレス前の厚みＰ０は、
Ｐ０＝Ａ／Ｃｐ＋Ｂ＝９８／０．９８＋２０＝１２０（μｍ）
となる。
【００６３】
この算定結果に基づいて、１２０μｍの熱プレス前の厚みＰ０を有するプリプレグ３０１が準備される。そして、このようにして熱プレス前の厚みＰ０が設定されたプリプレグ３０１とコア材３０２とを積層一体化することにより、各絶縁基材３０３の層間厚みが均一となった４層の多層回路基板が得られる。
【００６４】
さらには、上記方法により得られた４層の多層回路基板を用いた４層以上の多層回路基板の製造方法は、実施の形態１で説明したのと同様である。また、本実施の形態においても、（４）式により設定される熱プレス前の厚みＰ０だけではなく、（４）式により設定される厚みＰ０に近似した厚みＰ０’をプリプレグ３０１の熱プレス前の厚みとして設定してもよい。ここでいう近似の範疇としては、（４）式により設定される厚みＰ０の±１０％以内が適当である。
【００６５】
なお、上述した各実施の形態において、５層以上の多層回路基板を作製する場合では、各層の配線パターンのパターン隙間は大小種々のものとなる。その場合には、各プリプレグに対向する配線パターンのパターン隙間の組合せに応じて上述した実施の形態１〜４上記式（２）〜（４）を選択し、選択した式（２）〜（４）に基づいて各プリプレグの厚みを算定すればよい。そうすれば、各層間の厚み（絶縁基材の厚み）が均一に制御された多層回路基板を得ることができる。
【００６６】
（実施の形態４）
本実施形態は、基本的には、上述した実施の形態２同様の多層回路基板の製造方法である。そのため、以下の説明におけめ各部分に付している符号は実施の形態２と同一の符号を用いている。すなわち、２０１はプリプレグであり、２０１ａは接着剤層であり、２０２はコア材であり、２０３は絶縁基材であり、２０４は金属箔であり、２０５は配線パターンであり、２１０はパターン隙間である。
【００６７】
本実施形態では、プリプレグ２０１の厚みは次のようにして設定される。
【００６８】
本実施形態では、プリプレグ２０１の一方面に、パターン残存率がＳｔとなった厚みＢｔの配線パターン２０５Ａが対向配置され、他方面には、パターン残存率がＳｂとなった厚みＢｂの配線パターン２０５Ｂが対向配置される。そこで、本実施形態では、次に示す（５）式に基づいてプリプレグ２０１の熱プレス前の厚みＰ０が設定される。
Ｐ０＝Ａ／Ｃｐ＋Ｂｔ（１−Ｓｔ）＋Ｂｂ（１−Ｓｂ）　…（５）
Ｐ０：プリプレグ２０１の熱プレス前の厚み
Ａ：コア材２０２の厚み
Ｃｐ：プリプレグ２０１の熱プレス圧縮率
Ｂｔ：配線パターン２０５Ａの厚み
Ｂｂ：配線パターン２０５Ｂの厚み
Ｓｔ：配線パターン２０５Ａのパターン残存率
Ｓｂ：配線パターン２０５Ｂのパターン残存率
（５）式では、次のような理論に基づいてプリプレグ２０１の厚みが設定される。実施の形態１で述べたように、接着剤層２０１ａは、平面方向に隣接する配線パターン２０５Ａ、２０５Ｂの間に存在するパターン隙間２１０に入り込んで配線パターン２０５Ａ、２０５Ｂに密着する。このようなパターン隙間２１０に対する接着剤層２０１ａの入り込みによってプリプレグ２０１は、見かけ上においても圧縮される。
【００６９】
上記見かけ上の圧縮におけるプリプレグ２０１の圧縮量は、パターン残存率Ｓｔ，Ｓｂに左右される。すなわち、パターン残存率Ｓｔ，Ｓｂが０％に近い場合には、配線パターン２０５Ａ，２０５Ｂの厚みＢｔ，Ｂｂのほぼ１００％に相当する厚さにわたってプリプレグ２０１は見かけ上圧縮される。これに対して、パターン残存率Ｓｔ，Ｓｂが１００％に近い場合には、プリプレグ２０１は見かけ上ほとんど圧縮されない。
【００７０】
このような着眼点に立って、本実施形態では、前述した（２）〜（４）式に対して、さらに配線パターン２０５Ａ、２０５Ｂのパターン残存率Ｓｔ，Ｓｂと厚みＢｔ，Ｂｂという二つのパラメータを追加した上記（５）式に基づいてプリプレグ２０１の熱プレス前の厚みＰ０が設定される。
【００７１】
例えば、プリプレグ２０１の圧縮率Ｃｐが９８％（０．９８）であって、コア材（両面基板）２０２の基材２０３の厚みＡが９８μｍ、プリプレグ２０１の一方面側に対向する配線パターン２０５Ａの厚みＢｔが２０μｍ、同じくパターン残存率Ｓｔが５０％（０．５）、プリプレグ２０１の他方面に対向する配線パターン２０５Ｂの厚みＢｂが１８μｍ、同じくパターン残存率Ｓｂが６５％（０．６５）であった場合、
Ｐ０＝Ａ／Ｃｐ＋Ｂｔ（１−Ｓｔ）＋Ｂｂ（１−Ｓｂ）
＝９８／０．９８＋２０×（１−０．５）＋１８×（１−０．６５）
＝１１６．３（μｍ）
となる。
【００７２】
この算定結果に基づいて、１１６．３μｍの熱プレス前の厚みＰ０を有するプリプレグ２０１が準備される。そして、このようにして熱プレス前の厚みＰ０が設定されたプリプレグ２０１とコア材２０２とを積層一体化することにより、各絶縁基材２０３の層間厚みが均一となった４層の多層回路基板が得られる。
【００７３】
さらには、上記方法により得られた４層の多層回路基板を用いた４層以上の多層回路基板の製造方法は、実施の形態１で説明したのと同様である。また、本実施の形態においても、（５）式により設定される熱プレス前の厚みＰ０だけではなく、（５）式により設定される厚みＰ０に近似した厚みＰ０’をプリプレグ２０１の熱プレス前の厚みＰ０として設定してもよい。ここでいう近似の範疇としては、（５）式により設定される厚みＰの±１０％以内が適当である。
【００７４】
（実施の形態５）
本実施形態は、上述した実施の形態１〜４の製造方法おいて、さらに各配線パターン（１０５，２０５，２０５Ａ，２０５Ｂ，３０５）の厚みの比率をパラメータに加えて、接着剤層（１０１ａ，２０１ａ，３０１ａ）の厚みを以下のように設定している。
【００７５】
まず、プリプレグ（１０１，２０１，３０１）の一方面側の接着剤層（１０１ａ，２０１ａ，３０１ａ）に対向する配線パターン（１０５，２０５，２０５Ａ，３０５）のパターン残存率Ｓｔと、他方面側の接着剤層（１０１ａ，２０１ａ，３０１ａ）に対向する配線パターン（１０５，２０５，２０５Ｂ，３０５）のパターン残存率Ｓｂとに基づいてパターン比率（Ｓｔ／Ｓｂ）を算定する。
【００７６】
そして、算定した比率（Ｓｔ／Ｓｂ）に基づいて、プリプレグ（１０１，２０１，３０１）の一方面に設ける接着剤層（１０１ａ，２０１ａ，３０１ａ）の厚みｈｔと、他方面に設ける接着剤層（１０１ａ，２０１ａ，３０１ａ）の厚みｈｂとを次のように設定する。
【００７７】
まず、厚みｈｔ，ｈｂに基づいた厚み比率（ｈｔ／ｈｂ）を想定する。そのうえで、想定した厚み比率（ｈｔ／ｈｂ）の逆数１／（ｈｔ／ｈｂ）がパターン比率（Ｓｔ／Ｓｂ）に一致するように、接着剤層（１０１ａ，２０１ａ，３０１ａ）の厚みｈｔ，ｈｂを設定する。
【００７８】
具体的には、例えばプリプレグ（１０１，２０１，３０１）両面にそれぞれ対向配置される配線パターン（１０５，２０５，２０５Ａ，２０５Ｂ，３０５）のパターン残存率の相対比率が一方面側：他方面側＝２：１である場合、そのパターン比率（Ｓｔ／Ｓｂ）は（２／１）となり、その逆数は（１／２）となる。
【００７９】
この場合、プリプレグ（１０１，２０１，３０１）の接着剤層（１０１ａ，２０１ａ，３０１ａ）の厚み比率（ｈｔ／ｈｂ）が前記逆数（１／２）と同一となるように、両面の各接着剤層（１０１ａ，２０１ａ，３０１ａ）の厚みの相対比率が設定される。
【００８０】
このようにすることで、各層間の間隔（絶縁基材１０３，２０３，３０３の厚み）がさらに均一に制御された多層回路基板を得ることができる。
【００８１】
さらには、上記方法により得られた４層の多層回路基板を用いた４層以上の多層回路基板の製造方法は、実施の形態１で説明したのと同様である。また、本実施の形態においても、上記した設定方法により設定される接着剤層１０１ａ，２０１ａ，３０１ａの厚みだけではなく、上記した設定方法により設定される厚みに近似した厚みを接着剤層１０１ａ，２０１ａ，３０１ａの厚みとして設定してもよい。ここでいう近似の範疇としては、上記した設定方法により設定される値の±１０％以内が適当である。
【００８２】
【発明の効果】
以上述べたところから明らかなように、本発明は、多層配線基板の層間の厚みを均一に制御することができ、それによって各層の配線パターンの間でインピーダンス整合を容易に取ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１，５における多層回路基板の製造方法の説明図である。
【図２】本発明の実施の形態２，４，５における多層回路基板の製造方法の説明図である。
【図３】本発明の実施の形態３，５における多層回路基板の製造方法の説明図である。
【図４】従来の多層回路基板の製造方法の説明図である。
【符号の説明】
１０１，２０１，３０１　プリプレグ　１０１ａ，２０１ａ，３０１ａ　接着剤層
１０２，２０２，３０２　コア材　　１０３，２０３，３０３　絶縁基材
１０４，２０４，３０４　金属箔　　１０５，２０５，３０５　配線パターン
３０５Ａ，３０５Ｂ　配線パターン
１０６，２０６，３０６　表層配線パターン　１１０，２１０　パターン隙間
【図１】
2004039809.tif 000003
【図２】
2004039809.tif 000004
【図３】
2004039809.tif 000005
【図４】
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