(57)【要約】【課題】温度検知器の応答性かつ信頼性の向上をはかる。【解決手段】縦型の反応室１０を持つ半導体製造装置で使用する温度検出器１６において、温度測定部１５を含む第１の保護管１７の外径を細くし、温度測定部１５を含まない第２の保護管１８の外径を大きくして保護管の外径を異ならせる。温度測定部１５を含む保護管１７の外径が細いため、温度に対する応答性が高くかつ温度誤差が少ない。一方、温度測定部１５を含まない保護管１８の外径は大きいので熱電対素線１３の間隔が広く熱電対素線間の絶縁抵抗が大きい。熱電対素線間の絶縁抵抗が大きいと、温度測定部１５以外で温度を検知することがないので信頼性の高い温度測定が可能となる。また、保護管の外径が大きいので破損しにくい。【選択図】　　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室とヒータと温度検出器を具備した半導体製造装置において、温度測定部の保護管外径と温度測定部以外の保護管外径が異なる温度検出器を使用することを特徴とした半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置の温度検出器、特に温度モニタ及び温度制御用に用いられる応答性かつ信頼性の高い温度検出器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図３において、縦型の反応室を具備する半導体製造装置の一例を説明する。又、図４において、その装置で使用されている従来の温度検出器について説明する。
【０００３】
円筒状のヒータ１の内部にアウタチューブ２が設けられ、該アウタチーュブ２の内部にインナチューブ３が同心に設けられ、前記アウタチューブ２とインナチューブ３との間には円筒状の空間４が形成され、前記インナチューブ３は上端が開放されており、前記空間４は上端においてインナチューブ３の内部と連通している。該インナチューブ３の内部にはウェーハ５が水平姿勢で多段に装填されたボート６が装入され、アウタチューブ２の内部は気密に閉塞される様になっている。又、前記インナチューブ３の下端には反応ガス導入ノズル７が連通され、前記空間４の下端には排気管８が連通している。
【０００４】
図示しない真空ポンプで前記排気管８から排気することにより反応室１０内部を減圧し、前記ヒータ１により該反応室１０内部を所定の温度に加熱し、前記反応ガス導入ノズル７より反応ガスを導入し、ウェーハ５表面に薄膜を生成する。
【０００５】
斯かる薄膜生成において成膜温度は、成膜速度、品質の大きな要因であるので、反応室内の温度はインナチューブ３内に装入された温度検出器９により温度測定域１１の温度が検出され、検出された結果は図示しない制御器にフィードバックされ、前記ヒータ１が制御されるようになっている。
【０００６】
前記温度検出器９は、保護管１２を介して温度を熱電対素線１３の先端にある温度測定部１５で温度を検出するようになっている。前記保護管１２の材質は金属又は石英であり、金属の場合は絶縁物１４としてマグネシアを充填し、石英の場合は該絶縁物１４としてアルミナ製絶縁管が使用されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した温度検出器では、保護管の外径を大きくすると温度測定部が保護管の熱伝導の影響を受けて誤差を生じ温度測定時の信頼性が低下する。更に、保護管内にマグネシアが充填されて場合、絶縁物が厚くなり温度測定時の応答性も低下する。逆に保護管の外径を細くすると保護管の熱容量が小さくなり、応答性良く温度測定が可能であるが、熱電対素線間の間隔が狭くなり絶縁抵抗が小さくなる。熱電対素線間の絶縁抵抗が小さくなると、前記温度測定部１５以外の部分の保護管が温度測定域より温度が高い高温領域に存在している場合に、高温領域の温度を検出してしまうことがあり温度測定時の信頼性が低下するという問題があった。また、保護管の外径が細いと保護管が破損しやすいという問題があった。
【０００８】
本発明は斯かる実情に鑑み、応答性と信頼性の高い温度検出器を使用して反応室内の温度測定を行う半導体製造装置を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、反応室とヒータと温度検出器を具備した半導体製造装置において、温度測定部の保護管外径と温度測定部以外の保護管外径が異なる温度検出器を使用した半導体製造装置に係るものである。
【００１０】
本発明の装置と従来装置の違う点は、温度検出器に関する点である。その他の構成は図３に示した従来例と同じであるので、同一要素は同一符号を付して説明を省略する。以下図１と図２により本発明の実施例を説明する。
【発明の実施の形態】
【００１１】
この装置による温度検出器１６は、温度測定部１５を含む熱電対素線１３の部分を覆って保護する第１の保護管１７、該第１の保護管１７より大きな外径を持ち温度測定部１５を含まない部分を覆う第２の保護管１８とを有し該保護管１７、１８が金属の場合、熱電対素線１３の間隙にはマグネシア１４が充填されている。
【００１２】
前記温度測定部１５を含む前記第１の保護管１７のみ外径を細くしたので、該温度測定部１５は熱容量が小さいので、温度測定の信頼性が高くかつ、温度測定時の応答性も良い。更に、前記第２の保護管１８の外径が大きいので熱電対素線間の絶縁抵抗が大きく、前記温度測定域１１より温度の高い前記高温領域１９に該第２の保護管１８が存在していても該高温領域１９の温度を測定することがなく温度測定時の信頼性が高い。更に、前記保護管１８の外径が大きいので破損しにくい。又、保護管の外径は２段に限定されるものではなく、３段以上の外径を持つようにしても良い、要は温度測定部の保護管外径よりも温度測定部以外の外径を大きくするように外径を異ならせば良い。
【００１３】
【発明の効果】
以上述べた如く本発明によれば、次の効果を得ることができる。
【００１４】
温度測定部では、保護管の外径が細いため、熱容量が小さくなり温度測定時の信頼性が向上し、また、温度測定部での絶縁物の厚みが薄いため、温度測定時の応答性が向上する。
【００１５】
温度測定部を含まない部分では、保護管の外径が大きいため熱電対素線間の絶縁抵抗が高く、高温領域があっても高温領域の温度を検知することがなく温度測定時の信頼性が向上し、更に、保護管が破損しにくい。
【００１６】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されたものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることは言うまでもない。
【００１７】
例えば、前記実施の形態ではバッチ式縦型装置の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、温度検出器を使用する枚葉装置等の半導体製造装置全般に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体製造装置の概略を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図３】従来の半導体製造装置の概略を示す断面図である。
【図４】従来例を示す断面図である。
【符号の説明】
１　　ヒータ
２　　アウタチューブ
３　　インナチューブ
４　　空間
５　　ウェーハ
６　　ボート
７　　反応ガス導入ノズル
８　　排気管
９　　温度検出器
１０　　反応室
１１　　温度測定域
１２　　金属保護管
１３　　熱電対素線
１４　　マグネシア
１５　　温度測定部
１６　　温度検出器
１７　　第１の保護管
１８　　第２の保護管
１９　　高温領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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