(57)【要約】【課題】近接効果の差による所望のパターンの素子集合領域の輪郭部における露光量の低減を補正し、ディスクの全面にパターンを高精度にかつ均一に最適露光量による電子ビーム描画が行えるようにする。【解決手段】レジストが塗布されたディスク１１を載置した回転ステージ４１を回転させつつ電子ビームを走査することにより記録信号に対応する記録素子の集合体よりなる所望のパターン１２の描画を行う際に、所望のパターン１２の素子集合領域の半径方向に隣接する外側および／または内側の不使用領域１１ａ，１１ｂにダミーパターン１３ａ，１３ｂを描画する。また素子集合領域の円周方向に隣接するデータ領域１１ｃにデータパターン１３ｃを描画することなどで、近接効果が小さく露光アンダーとなるパターン１２の素子集合領域の輪郭部の露光量を増加して全体で均一な最適露光量を得て、ディスク１１の全面に高精度に電子ビーム描画を行う。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転ステージに設置され、レジストが塗布されたディスク上に、前記回転ステージを回転させつつ、電子ビームを走査することにより、記録信号に対応する記録素子の集合体よりなる所望のパターンの描画を行う電子ビーム描画方法であって、
前記所望のパターンの素子集合領域の半径方向に隣接する外側および内側の少なくとも一方の不使用領域に、ダミーパターンを描画することを特徴とする電子ビーム描画方法。
【請求項２】
回転ステージに設置され、レジストが塗布されたディスク上に、前記回転ステージを回転させつつ、電子ビームを走査することにより、記録信号に対応する記録素子の集合体よりなる所望のパターンの描画を行う電子ビーム描画方法であって、
前記所望のパターンの素子集合領域の円周方向に隣接するデータ領域に、データパターンを描画することを特徴とする電子ビーム描画方法。
【請求項３】
回転ステージに設置され、レジストが塗布されたディスク上に、前記回転ステージを回転させつつ、電子ビームを走査することにより、記録信号に対応する記録素子の集合体よりなる所望のパターンの描画を行う電子ビーム描画方法であって、
前記所望のパターンの素子集合領域内の外周側輪郭部および内周側輪郭部の描画速度を遅くすることを特徴とする電子ビーム描画方法。
【請求項４】
回転ステージに設置され、レジストが塗布されたディスク上に、前記回転ステージを回転させつつ、電子ビームを走査することにより、記録信号に対応する記録素子の集合体よりなる所望のパターンの描画を行う電子ビーム描画方法であって、
前記所望のパターンの素子集合領域内の外周側輪郭部および内周側輪郭部の電子ビーム強度を大きくすることを特徴とする電子ビーム描画方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気転写用マスター担体などを作製する際に、その凹凸パターンなどを形成するためにディスクに設けたレジストに対して電子ビームによってパターンを描画露光する電子ビーム描画方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、磁性体の微細凹凸パターンにより転写情報を担持した磁気転写用マスター担体と、転写を受ける磁気記録部を有するスレーブ媒体とを密着させた状態で、転写用磁界を印加してマスター担体に担持した情報（例えばサーボ信号）に対応する磁化パターンをスレーブ媒体に転写記録する磁気転写方法が知られている。
【０００３】
この磁気転写に使用されるマスター担体の作製方法としては、転写すべき情報に応じたレジストによる凹凸パターンが形成された原盤を基にして作製する、光ディスクスタンパー作製方法を応用した方法が考えられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
上記光ディスクスタンパーの作製の際には、レジストが塗布されたディスク（ガラス板等）を回転させながら、データをピットの長短に変換し、これに応じて変調したレーザービームを照射したデータをレジストに書き込むことがなされている。
【０００５】
また、磁気転写用マスター担体においても微細パターンの描画は、上記光ディススタンパーの作製と同様に、レジストが塗布されたディスクを回転させながら、転写する情報に応じて変調したレーザービームを照射して形成することが、一般に考えられる。
【０００６】
しかしながら、磁気ディスク媒体においては、小型化および高容量化が図られており、記録密度の増大などに対応してビット長またはトラック幅が狭くなると（例えば、ビット長またはトラック幅が０．３μｍ以下になると）、レーザービームでは描画径の限界に近づき、描画された部分の端部形状が円弧状となって、パターンの矩形状記録要素の形成が困難となる。マスター担体に形成されるパターンを構成する各記録要素の特にその上面形状は、この描画された部分に応じた形状となるものであり、該描画された部分の端部形状が円弧状となるとマスター担体基板の凹凸パターンの凸部上面形状が円弧状等の矩形から大きくはずれた形状となり、スレーブ媒体への所望の磁化パターンの形成が困難となる。
【０００７】
一方、半導体分野においては、既にレーザービームより小径のスポットによる露光が可能な電子ビームを利用したパターニングが行われており、この電子ビームを利用することにより、微細パターンの高精度なパターニングが可能となってきている。
【０００８】
また、小型軽量の高密度磁気記録媒体として実現化が期待されているパターンドメディアの作製においては、電子ビームによりパターン露光を行うことが提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００１−２５６６４４号公報
【００１０】
【特許文献２】
特開２００１−１１００５０号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記のような電子ビームの走査によって所望のパターンの描画を行った際に、いわゆる近接効果によって、全体で同様の露光を行っても所望のパターンの形成領域の中央部と輪郭部とでレジストに対する実際の露光程度が異なり、最適露光量に対して輪郭部で露光アンダーとなったり、中央部で露光オーバーとなる問題がある。
【００１２】
上記電子ビーム描画における近接効果は、照射された電子ビームの散乱による近接領域への露光影響のことであり、その描画パターンにおける記録要素の粗密によって受ける影響が異なっている。つまり、電子ビームがレジストに入射されると、前方散乱によりレジスト内よりディスクに向けて進むにしたがってビームに広がりが起こる。さらに、ディスクに入射したビームが散乱し、その底部より１８０゜以上の散乱角をもって跳ね返ってくる後方散乱が生じる。近接効果はこれらの散乱電子によりレジストが感光することにより生じる。
【００１３】
そして、上記パターンは、記録信号に対応する微細な記録素子の集合体よりなり、このパターンの素子集合領域の中央部のように記録素子が近接して配置された描画が多い部位では、周囲の描画に伴う多くの散乱電子により近接効果が大きくなり、露光オーバーとなりやすい傾向にある。一方、パターンの素子集合領域の輪郭部では、外側部位には描画が行われないために、例えば輪郭線より約２０μｍの範囲の散乱電子が少なく、近接効果が小さくなり、露光アンダーとなりやすい傾向にある。これらの現象は、レジスト感度が高くなると顕著となる。
【００１４】
上記のような露光オーバーまたは露光アンダーが生じると、描画露光後のレジストを現像したときに、露光範囲と除去されるレジスト範囲とが異なって、パターン形状に誤差が発生し、所望のパターンの形成精度に影響を与える。例えば、ポジタイプのレジストの場合には、露光アンダーの部分は露光範囲に対して除去されるレジスト範囲が狭くなり、反対に露光オーバーの部分は露光範囲に対して除去されるレジスト範囲が広くなる。この点を改善し所望のパターンの全体で均一な最適露光量となって精度のよい電子ビーム描画が実行されることが望まれる。
【００１５】
本発明は上記事情に鑑みて、近接効果の差を補正してディスクの全面にパターンを高精度にかつ均一に最適露光量による電子ビーム描画が行えるようにした電子ビーム描画方法を提供することを目的とするものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子ビーム描画方法は、回転ステージに設置され、レジストが塗布されたディスク上に、前記回転ステージを回転させつつ、電子ビームを走査することにより、記録信号に対応する記録素子の集合体よりなる所望のパターンの描画を行う電子ビーム描画方法であって、
前記所望のパターンの素子集合領域の半径方向に隣接する外側および内側の少なくとも一方の不使用領域に、ダミーパターンを描画することを特徴とするものである。
【００１７】
上記ダミーパターンの描画は、所望のパターンの素子集合領域の輪郭線より約２０μｍの範囲における輪郭部の近接効果が集合領域内部と同等となる程度の描画面積を有する範囲に行うもので、所望のパターンの読み取りに影響を与えない形態で行う。
【００１８】
また本発明の他の電子ビーム描画方法は、前記所望のパターンの素子集合領域の円周方向に隣接するデータ領域に、データパターンを描画することを特徴とするものである。
【００１９】
上記データパターンとしては、使用時に消去されるダミーデータ、または、オペレーティング・システム（ＯＳ）などのシステムデータ、地図情報などのデータ等を描画する。
【００２０】
さらに本発明の他の電子ビーム描画方法は、前記所望のパターンの素子集合領域内の外周側輪郭部および内周側輪郭部の描画速度を遅くすることを特徴とするものである。
【００２１】
上記描画速度を遅くする方法としては、回転ステージの回転速度（角速度）を例えば輪郭線より約２０μｍの所定範囲の外周側輪郭部および内周側輪郭部で遅くする。これにより、近接効果の小さい領域の露光量を増加して最適露光量とするもので、その増加程度は一定、あるいは輪郭部内の近接効果の低減程度に応じて連続的または段階的に変更して行う。
【００２２】
さらにまた本発明の他の電子ビーム描画方法は、前記所望のパターンの素子集合領域内の外周側輪郭部および内周側輪郭部の電子ビーム強度を大きくすることを特徴とするものである。これにより、近接効果の小さい領域の露光量を増加して最適露光量とする。
【００２３】
上記電子ビーム強度の変更としては、ビーム電流を大きくすればよく、例えば、電子ビーム光学系にレンズを追加し、焦点距離を変えることでビーム電流を微小変化させる。
【００２４】
前記「所望のパターン」とは、サーボ信号に対応した凹凸パターン等の記録信号の対応する記録要素の集合体であり、この記録要素形状は、通常、矩形状を含む略平行四辺形となり、トラック方向と平行な辺と、トラック方向に交差する垂直または傾斜した辺で囲まれる。
【００２５】
なお、本発明の電子ビーム描画方法は、磁気転写用マスター担体、パターンドメディア、光ディスク等の円盤状の媒体の作製過程において必要な同心円状もしくは螺旋状などの回転媒体を前提としたパターニングに適用可能なものであり、磁気転写用マスター担体、パターンドメディア作製時には、同心円状のパターンを描画し、光ディスク作製時には螺旋状のパターンを描画する。
【００２６】
【発明の効果】
本発明の電子ビーム描画方法は、レジストが塗布されたディスクを載置した回転ステージを回転させつつ電子ビームを走査することにより記録信号に対応する記録素子の集合体よりなる所望のパターンの描画を行う際に、前記所望のパターンの素子集合領域の半径方向に隣接する外側および／または内側の不使用領域にダミーパターンを描画するか、前記所望のパターンの素子集合領域の円周方向に隣接するデータ領域にデータパターンを描画するか、前記所望のパターンの素子集合領域内の外周側輪郭部および内周側輪郭部の描画速度を遅くするか、前記所望のパターンの素子集合領域内の外周側輪郭部および内周側輪郭部の電子ビーム強度を大きくして描画を行うことにより、所望のパターンの電子ビーム描画における近接効果が小さく露光アンダーとなる輪郭部の露光量を増加して、パターン全体で均一な最適露光量を得て、ディスクの全面に微細パターンを高精度に形成できる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。図１は本発明の電子ビーム描画方法により描画する磁気転写用マスター担体のパターン例を示す平面図（ａ）および一つの実施形態の描画パターンを示す一部拡大模式図（ｂ）であり、図２は他の実施形態の描画パターンを示す一部拡大模式図（ａ）および回転速度の変化特性を示す図（ｂ）であり、図３はさらに他の実施形態を示す電子ビーム装置の概略機構図である。図４は本発明の電子ビーム描画方法を実施する一実施形態の電子ビーム描画装置の要部側面図（ａ）および上面図（ｂ）である。
【００２８】
図１（ａ）に示すように、一実施形態の磁気転写用マスター担体に形成される微細凹凸形状による所望のパターン１２（サーボパターン）は、記録信号に対応する記録要素の集合体で構成され、円盤状のディスク１１（円形基盤）に、外周側不使用領域１１ａおよび内周側不使用領域１１ｂを除く円環状領域に形成される。この所望のパターン１２は、転写情報がサーボ信号の場合であり、ディスク１１の同心円状トラックに等間隔で、中心部からほぼ放射方向に延びる細幅の領域（素子集合領域）に記録素子が配置形成されてなる。なお、サーボパターン１２の場合には、図示のように半径方向に連続した湾曲放射状に形成されるほか、直線放射形状に形成されることもある。
【００２９】
上記パターン１２の素子集合領域は、一部を拡大した図１（ｂ）に示すように、同心円状のトラックのＩＤフィールドに記録され、これに続いてデータ領域１１ｃが配置されてなる。そして、この所望のパターン１２は、上記のようにサーボ信号を含む転写情報に対応する微細な記録要素（図示せず）の集合体による凹凸パターン等で構成され、この記録要素を電子ビームの走査によって描画する。記録要素の形状は、通常、矩形状を含む略平行四辺形となり、トラック方向と平行な辺と、トラック方向に交差する垂直または傾斜した辺で囲まれる。最終的な磁気転写用マスター担体では記録要素の部分が凸部または凹部に、その他の部分が平坦部（ランド）となる。
【００３０】
そして、上記パターン１２の記録方式がＣＡＶ（角速度一定）方式の場合には、セクターの長さが内外周で変化するのに応じ、そのパターン１２の１つの素子集合領域の周方向長さは、外周側トラックで長く内周側トラックで短く形成される。
【００３１】
上記パターン１２の描画は、表面にレジストが塗布されたディスク１１を後述の回転ステージ４１（図４参照）に設置して回転させつつ、例えば、外周側のトラックより内周側トラックへ順に、またはその反対方向へ、１トラックまたは複数トラックずつ電子ビームで記録要素を走査しレジストを露光するものである。
【００３２】
つまり、図４（ｂ）に示すようにディスク１１を一方向Ａに回転させつつ、ディスク１１の半径方向Ｙおよび周方向Ｘに電子ビームを偏向させて、パターン１２の記録要素の形状を塗りつぶすように微小径の電子ビームで走査して描画するものである。この走査は、記録要素の最小幅より小さいビーム径の電子ビームを、例えば半径方向Ｙとほぼ直交する周方向Ｘへ一定の振幅で高速に往復振動させて振らせるとともに、半径方向Ｙへ電子ビームを偏向させて送りを行うことで、電子ビームが記録要素の形状を三角波状の軌跡で塗りつぶすように走査して、順次描画を行い、１つのトラックを１周描画した後、次のトラックに移動して同様に描画して、ディスク１１の全領域に所望の微細パターン１２を描画する。
【００３３】
なお、電子ビームのトラック移動は、回転ステージ４１を半径方向Ｙに直線移動させて行う。その移動は１トラックの描画毎に行うか、電子ビームの偏向可能範囲に応じて複数トラックの描画毎に行う。
【００３４】
また、前記ディスク１１の描画領域における、描画部位の半径方向位置の移動つまりトラック移動に対し、ディスク１１の外周側部位でも内周側部位でも全描画域で同一の線速度となるように、前記回転ステージ４１の回転速度を外周側描画時には遅く、内周側描画時には速くなるように調整して、電子ビームによる描画を行うのが均一露光を得るためおよび描画位置精度を確保する点で好ましい。
【００３５】
上記のようなパターン１２の描画において、記録要素が密に配置されている素子集合領域の中央部では前述の近接効果により、散乱電子によって露光量が増大し、パターン１２の素子集合領域の輪郭線近傍の２０μｍ程度の輪郭部では、その集合領域より外側には記録要素がないことで外側からの散乱電子の影響がなく近接効果が小さく、その分だけ露光量がパターン内部に比較して少なくなる。本発明ではこのパターン１２の素子集合領域の輪郭部の露光量不足を補正するように、次のような各実施形態の電子ビーム描画を行うものである。
【００３６】
本発明の一つの実施形態に係る電子ビーム描画方法は、図１（ｂ）に示すように、前記所望のパターン１２の素子集合領域の半径方向に内外輪郭部に隣接する不使用領域、すなわち、外周側不使用領域１１ａおよび内周側不使用領域１１ｂに、外側ダミーパターン１３ａおよび内側ダミーパターン１３ｂを描画するものである。
【００３７】
上記ダミーパターン１３ａ，１３ｂは、所望のパターン１２の素子集合領域の外側輪郭部および内側輪郭部の周方向長さに沿ってトラック方向に延びた所定幅の帯状範囲に形成され、そのダミーパターン１３ａ，１３ｂの電子ビーム描画に伴う散乱電子による露光で、所望のパターン１２の素子集合領域の内外輪郭線より約２０μｍの範囲の内外輪郭部における近接効果が集合領域内部と同等となる程度の描画面積を有している。なお、このダミーパターン１３ａ，１３ｂの形成に伴って磁気ディスク媒体へ転写記録された磁化パターンは、所望のパターン１２の読み取りに影響を与えない形態に行われる。
【００３８】
上記ダミーパターン１３ａ，１３ｂの描画は、必要に応じて、前記所望のパターン１２の外周側不使用領域１１ａおよび内周側不使用領域１１ｂの少なくとも一方に行われる。
【００３９】
また、前記近接効果により露光アンダー傾向となる素子集合領域の輪郭部は、所望のパターン１２の円周方向の前後輪郭部においても同様であり、これに対応して、図１（ｂ）に示すように、前記所望のパターン１２の素子集合領域の円周方向の前後輪郭部に隣接する前後のデータ領域１１ｃに、データパターン１３ｃ，１３ｃを描画している。
【００４０】
上記データパターン１３ｃ，１３ｃは、所望のパターン１２の素子集合領域の前側隣接部および後側隣接部に所定周方向長さに形成され、そのデータパターン１３ｃ，１３ｃの電子ビーム描画に伴う散乱電子による露光で、所望のパターン１２の素子集合領域の前後輪郭線より約２０μｍの範囲の前後輪郭部における近接効果が集合領域内部と同等となる程度の描画面積を有している。
【００４１】
上記データパターン１３ｃ，１３ｃとしては、使用時に消去されるダミーデータ、または、オペレーティング・システム（ＯＳ）などのシステムデータ、地図情報などのデータを変換した凹凸パターンで、データ領域１１ｃの全体に形成してもよいが、少なくとも前記パターン１２に隣接した前部または後部に形成される。
【００４２】
ダミーパターン１３ａ，１３ｂおよびデータパターン１３ｃ，１３ｃの描画はいずれか一方であってもよいが、図１（ｂ）のように、所望のパターン１２の外側を囲むように配置するのが好ましい。
【００４３】
上記実施形態の所望のパターン１２では、サーボ信号のようにディスクの部分的に素子集合領域が形成される場合について示したが、ディスクの記録領域の全体の所望のパターンが形成される場合、また、光ディスクのように所望のパターンが螺旋状に連続して形成されるものでは、上記ダミーパターン１３ａ，１３ｂは記録領域（素子集合領域）の外周側不使用領域１１ａおよび内周側不使用領域１１ｂの全周にわたって形成することになり、ダミーパターンの形成は不要となる場合がある。
【００４４】
さらに本発明の他の実施形態に係る電子ビーム描画方法は、図２（ａ）に示すように、前記所望のパターン１２の素子集合領域内における、例えば輪郭線より約２０μｍの範囲の外周側輪郭部１２ａおよび内周側輪郭部１２ｂの電子ビーム描画速度を遅くするものである。なお、トラック幅が狭い場には、複数のトラックにわたって描画速度を遅くすることになる。
【００４５】
上記描画速度を遅くする方法としては、図２（ｂ）に示すように、ディスク１１の半径Ｒに対して、素子集合領域（描画領域）の外径Ｒｏおよび内径Ｒｉの近傍における回転ステージ４１の回転速度（角速度）が遅くなるように調整することにより、前記外周側輪郭部１２ａおよび内周側輪郭部１２ｂで描画速度を遅くし、単位面積当たりの露光量を増大する。この回転ステージ４１の回転速度は、前述のように、基本的に、ディスク１１の全描画域で同一の線速度となるように、外周側描画時には遅く内周側描画時には速くなるように調整しているもので、外周側輪郭部１２ａおよび内周側輪郭部１２ｂではこの速度より遅くなるように調整するものである。
【００４６】
上記描画速度の低減程度は、近接効果に伴う外周側輪郭部１２ａおよび内周側輪郭部１２ｂの露光不足分を補ってパターン内部と同等の最適露光量が得られるように設定される。
【００４７】
なお、電子ビーム描画速度の低減方式としては、上記回転速度の調整のほか、電子ビームの走査速度を遅くすることによって行うようにしてもよい。また、上記電子ビーム描画速度の低減程度は、外周側輪郭部１２ａおよび内周側輪郭部１２ｂの内部で一定とするか、あるいは輪郭部１２ａ，１２ｂ内の近接効果の程度に応じて連続的または段階的に変更してもよい。
【００４８】
さらにまた本発明の他の実施形態の電子ビーム描画方法は、前記所望のパターン１２の素子集合領域内における、例えば輪郭線より約２０μｍの範囲の外周側輪郭部１２ａおよび内周側輪郭部１２ｂの電子ビーム強度を大きくして、露光量を増大するものである。これにより、近接効果の小さい外周側輪郭部１２ａおよび内周側輪郭部１２ｂの露光量を増加して最適露光量とする。
【００４９】
上記電子ビーム強度の変更としては、ビーム電流を大きくすればよく、例えば、図３に示すような電子ビーム光学系にレンズを追加し、焦点距離を変えることでビーム電流を微小変化させる。つまり、電子銃２３の光学系（実際は電子レンズで構成されるが光学レンズに置換して示す）は、出射レンズ２４、コンデンサーレンズ２５、対物レンズ絞り２６、コリメーターレンズ２７、対物レンズ２８で構成され、例えば対物レンズ２８の前方または後方に補助レンズ２９を追加することで、焦点距離を変え、ディスク１１のレジストに対するエネルギーの収束程度を変更して、外周側輪郭部１２ａおよび内周側輪郭部１２ｂの露光量をパターン内部の描画時より増加するように調整される。
【００５０】
上記のような各実施形態の電子ビーム描画を行うために、図４に示すような電子ビーム描画装置４０を使用する。この電子ビーム描画装置４０は、ディスク１１を支持する回転ステージ４１および該ステージ４１の中心軸４２と一致するように設けられたモータ軸を有するスピンドルモータ４４を備えた回転ステージユニット４５と、回転ステージユニット４５の一部を貫通し、回転ステージ４１の一半径方向Ｙに延びるシャフト４６と、回転ステージユニット４５をシャフト４６に沿って移動させるための直線移動手段４９とを備えている。回転ステージユニット４５の一部には、上記シャフト４６と平行に配された、精密なネジきりが施されたロッド４７が螺合され、このロッド４７は、パルスモータ４８によって正逆回転されるようになっており、このロッド４７とパルスモータ４８により回転ステージユニット４５の直線移動手段４９が構成される。
【００５１】
さらに、電子ビーム描画装置４０は、電子ビームＥＢを出射する電子銃２３（前述の光学系を内蔵している）、電子ビームＥＢをＹ方向（ディスク径方向）およびＹ方向に直交するＸ方向（周方向）へ偏向させる偏向手段２１、２２を備えており、電子銃２３から出射された電子ビームＥＢは偏向手段２１、２２および図示しないレンズ等を経て、ディスク１１上に照射される。なお、パターン描画時には、偏向手段２１、２２を制御して電子ビームＥＢを、例えば、ディスク１１の周方向Ｘに一定の振幅で微少往復振動させる。
【００５２】
そして、スピンドルモータ４４の駆動すなわち回転ステージ４１の回転速度、パルスモータ４８の駆動すなわち直線移動手段４９による直線移動、電子ビームＥＢの変調、偏向手段２１および２２の制御等は制御手段であるコントローラ５０から送出された描画データ信号によって基準クロック信号に基づいて行われる。
【００５３】
同心円状のパターン描画のときには、回転ステージ４１が１回転する毎に該回転ステージ４１を所定距離移動させ、螺旋状のパターン描画のときには、回転ステージ４１をほぼ連続的に直線移動させる。
【００５４】
前記回転ステージ４１に設置するディスク１１は、例えばシリコン、ガラスあるいは石英からなり、その表面には予めポジ型電子ビーム描画用レジストが塗設されている。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子ビーム描画方法により描画する磁気転写用マスター担体のパターン例を示す図および一つの実施形態の描画パターンを示す一部拡大模式図
【図２】他の実施形態の描画パターンを示す一部拡大模式図および回転速度の変化特性を示す図
【図３】さらに他の実施形態を示す電子ビーム装置の概略機構図
【図４】本発明の電子ビーム描画方法を実施する一実施形態の電子ビーム描画装置の要部側面図および上面図
【符号の説明】
１１    ディスク
１１ａ    外周側不使用領域
１１ｂ    内周側不使用領域
１１ｃ    データ領域
１２    パターン（素子集合領域）
１２ａ    外周側輪郭部
１２ｂ    内周側輪郭部
１３ａ，１３ｂ    ダミーパターン
１３ｃ    データパターン
ＥＢ    電子ビーム
２１、２２    偏向手段
２３    電子銃
２９    補助レンズ
４０    電子ビーム描画装置
４１    回転ステージ
４４    スピンドルモータ
４５    回転ステージユニット
４９    直線移動手段
５０    コントローラ
【図１】
2004177783.tif 000003
【図２】
2004177783.tif 000004
【図３】
2004177783.tif 000005
【図４】
2004177783.tif 000006