(57)【要約】【課題】低抵抗化と、抵抗率の安定性に優れたバイアホール導体を形成する。【解決手段】少なくとも熱硬化性樹脂を含有する絶縁基板１と、絶縁基板１の表面および／または内部に形成された複数層の導体配線層２と、導体配線層２間を電気的に接続するために絶縁基板内に設けられた貫通孔内に、少なくともＣｕと、Ｗおよび／またはＭｏと、Ｓｎとを含有し、（Ｗ＋Ｍｏ）／（Ｗ＋Ｍｏ＋Ｃｕ）が７５〜９０質量％、（Ｗ＋Ｍｏ＋Ｃｕ）／（Ｗ＋Ｍｏ＋Ｃｕ＋Ｓｎ）が６０〜７５質量％である導電性粉末と、熱硬化性樹脂とを含有する導電性組成物を充填してなるバイアホール導体３を具備する配線基板を得る。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともＣｕと、Ｗおよび／またはＭｏと、Ｓｎとを含有する導電性粉末と、熱硬化性樹脂とを含有する導電性ペースト組成物において、前記導電性粉末中の（Ｗ＋Ｍｏ）／（Ｗ＋Ｍｏ＋Ｃｕ）が７５〜９０質量％、（Ｗ＋Ｍｏ＋Ｃｕ）／（Ｗ＋Ｍｏ＋Ｃｕ＋Ｓｎ）が６０〜７５質量％であることを特徴とする導電性組成物。
【請求項２】
前記導電性粉末が、Ｓｎを含有する第１の金属粉末と、Ｃｕと、Ｗおよび／またはＭｏとを含有する第２の金属粉末との混合粉末からなる請求項１記載の導電性組成物。
【請求項３】
前記第２の金属粉末中のＣｕが、ＷおよびまたはＭｏからなる粉末表面に被覆されていることを特徴とする請求項２記載の導電性組成物。
【請求項４】
前記熱硬化性樹脂が、トリアリルイソシアヌレートを含有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか記載の導電性組成物。
【請求項５】
前記導電性粉末を８８〜９７質量％、前記熱硬化樹脂を３〜１２質量％の割合で含有することを特徴とする請求項１乃至請求項４記載のいずれか記載の導電性組成物。
【請求項６】
少なくとも熱硬化性樹脂を含有する絶縁基板と、該絶縁基板の表面および／または内部に形成された複数層の導体配線層と、該導体配線層間を電気的に接続するために絶縁基板内に設けられた貫通孔内に、請求項１乃至請求項５のいずれか記載の導電性組成物を充填してなるバイアホール導体とを具備することを特徴とする配線基板。
【請求項７】
少なくとも熱硬化性樹脂を含有する未硬化あるいは半硬化状態の絶縁シートに貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔内に請求項１〜５のいずれか記載の前記導電性組成物を充填してバイアホール導体を形成する工程と、前記バイアホール導体形成部を含む前記絶縁シートの表面に導体配線層を形成する工程と、該バイアホール導体および／または導体配線層を形成した複数の絶縁シートを未硬化あるいは半硬化状態のまま積層して一体化した後、該積層物を前記熱硬化性樹脂の硬化温度に加熱して一括硬化する工程とを具備することを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも熱硬化性樹脂を含有する絶縁基板と、導電性ペーストを充填してなるバイアホール導体を具備する配線基板において、バイアホール導体の低抵抗化と接続信頼性の改良に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
近年、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂を含む絶縁基板の表面に導体配線層を形成した、いわゆるプリント基板が回路基板や半導体素子を搭載したパッケージ等に適用されている。このようなプリント基板において導体配線層を形成する方法としては、絶縁基板の表面に銅箔を接着した後、これをエッチングして導体配線層を形成する方法、または導体配線層に形成された銅箔を絶縁基板に転写する方法、絶縁基板の表面に金属メッキ法によって導体配線層を形成する方法等が用いられている。また、導体配線層の多層化に伴い、異なる層間の導体配線層をバイアホール導体によって電気的に接続することも行われている。
このバイアホール導体は多層配線基板の絶縁基板の所定の箇所にドリル等でバイアホールを開けた後に、バイアホール内の内壁にメッキ等を施すのが一般的である。
【０００３】
ところが、上記のような方法では化学的なメッキ処理を施すのに用いられる薬品が高価であり、処理時間も長いなど生産性と経済性に難がある。また、内壁にメッキを施したバイアホール導体は、多層構造における任意の層間に形成することが難しく、導体配線層の密度を向上できないという問題がある。
【０００４】
このような問題に対して、最近では導体配線層を、銀、銅、ハンダなどの金属粉末と熱硬化性樹脂や活性剤とを混合した導電性ペーストを用い、これを絶縁基板の表面に塗布したり、バイアホール内に充填し、積層して多層化する方法が提案されている。
【０００５】
また、従来の金属成分がＣｕからなる導電性ペーストの充填によってバイアホール導体を形成する方法では、導電性ペースト中の熱硬化性樹脂成分の量が多く、またバイアホール導体中において金属粉末間の接触性が充分でないために、バイアホール導体の抵抗率が高いという問題があった。
【０００６】
このような問題に対して、ペースト中にＣｕなどの粉末とともに、Ｐｂ−Ｓｎなどの低融点半田を含有させて銅粉末間を半田によって接続させてバイアホール導体の抵抗率を低めることが特開平１２−４９４６０号等で提案されている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１２−４９４６０号　特許請求の範囲
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のＣｕとＳｎとの反応を促進して、Ｃｕ６Ｓｎ５とＣｕ３Ｓｎ等の金属間化合物が生成されたとしても、この反応は、Ｃｕ粉末の表面で進行するために、Ｃｕ粉末の内部にはＣｕ原子が残った状態となる。
【０００９】
残ったＣｕ原子は、その後の熱処理や経時変化において新たな金属間化合物の生成が徐々に進行する。その際、Ｃｕ６Ｓｎ５とＣｕ３Ｓｎ等の金属間化合物はＣｕ単独より抵抗率が高いため、初期と経時変化後の、バイアホール導体の抵抗率が大きくなることになる。
【００１０】
本発明はこのような欠点を解消し、少なくとも熱硬化性樹脂を含有する絶縁基板に対してＣｕを含む導電性組成物の充填によって形成され、低抵抗化と、抵抗率の安定性に優れたバイアホール導体を具備する配線基板を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、バイアホール導体の低抵抗化と安定性について検討を重ねた結果、バイアホール導体の導電性組成物中に、Ｃｕ、Ｓｎに加え、Ｗおよび／またはＭｏを所定の割合で配合してＣｕの絶対量を低減することによって、ＳｎとＣｕとの反応による金属間化合物の生成によるバイアホール導体の抵抗率を高めることなく、しかも、経時変化に伴う抵抗率の変化を防止することができ、上記の目的が達成できることを見出し本発明に至った。
【００１２】
即ち、本発明の導電性組成物は、少なくともＣｕと、Ｗおよび／またはＭｏと、Ｓｎとを含有する導電性粉末と、熱硬化性樹脂とを含有する導電性ペースト組成物において、前記導電性粉末中の（Ｗ＋Ｍｏ）／（Ｗ＋Ｍｏ＋Ｃｕ）が７５〜９０質量％、（Ｗ＋Ｍｏ＋Ｃｕ）／（Ｗ＋Ｍｏ＋Ｃｕ＋Ｓｎ）が６０〜７５質量％であることを特徴とするものであって、特に、前記導電性粉末が、Ｓｎを含有する第１の金属粉末と、Ｃｕと、Ｗおよび／またはＭｏとを含有する第２の金属粉末との混合粉末からなることが、さらには、前記第２の金属粉末中のＣｕが、ＷおよびまたはＭｏからなる粉末表面に被覆されていることが、ＣｕとＳｎとの反応を促進しつつ、且つ抵抗率の安定性を高めるうえで望ましい。
【００１３】
また、前記熱硬化性樹脂として、トリアリルイソシアヌレートを含有することによって、バイアホールへのペーストの充填性を高めるとともに、バイアホール内のペーストの保形性を高めることができる。
【００１４】
なお、前記導電性粉末を８８〜９７質量％、前記熱硬化樹脂を３〜１２質量％の割合で含有することが適当である。
【００１５】
また、本発明の配線基板は、少なくとも熱硬化性樹脂を含有する絶縁基板と、該絶縁基板の表面および／または内部に形成された複数層の導体配線層と、該導体配線層間を電気的に接続するために絶縁基板内に設けられた貫通孔内に、上記の導電性組成物を充填してなることを特徴とするものである。
【００１６】
さらに、本発明の配線基板の製造方法は、少なくとも熱硬化性樹脂を含有する未硬化あるいは半硬化状態の絶縁シートに貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔内に前記導電性組成物を充填してバイアホール導体を形成する工程と、前記バイアホール導体形成部を含む前記絶縁シートの表面に導体配線層を形成する工程と、該バイアホール導体および／または導体配線層を形成した複数の絶縁シートを未硬化あるいは半硬化状態のまま積層して一体化した後、該積層物を前記熱硬化性樹脂の硬化温度に加熱して一括硬化する工程とを具備することを特徴とするものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の配線基板の一例を示す概略断面図を図１に示した。本発明の配線基板は、少なくとも熱硬化性樹脂を含有する絶縁層１ａ〜１ｄを複数層積層してなる絶縁基板１を有し、その絶縁基板１の表面および内部には、回路パターンに形成された複数層の導体配線層２が被着形成されている。そして、異なる層間の導体配線層２を接続するために、バイアホール導体３が設けられている。
【００１８】
本発明によれば、このバイアホール導体３には、少なくともＣｕと、Ｗおよび／またはＭｏと、Ｓｎとを含有する導電性粉末と、熱硬化性樹脂とを含有する導電性組成物が充填されており、その組成物中における（Ｗ＋Ｍｏ）／（Ｗ＋Ｍｏ＋Ｃｕ）が７５〜９０質量％、（Ｗ＋Ｍｏ＋Ｃｕ）／（Ｗ＋Ｍｏ＋Ｃｕ＋Ｓｎ）が６０〜７５質量％であることが重要である。
【００１９】
本発明によれば、バイアホール導体を上記のように、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｗおよび／またはＭｏで構成することによって、ＣｕとＳｎとの反応に寄与するＣｕをＷおよび／またはＭｏの量を最適化され、最初の熱処理で未反応のＣｕの残存量を低減することができる結果、ＣｕとＳｎとの再反応による抵抗率の増加を防止することができる。
【００２０】
従って、上記の金属元素の比率を上記の範囲に限定したのは、（Ｗ＋Ｍｏ）／（Ｗ＋Ｍｏ＋Ｃｕ）が７５質量％よりも少ないと、未反応のＣｕが多いために熱処理等によるＳｎとの再反応が生じやすくなり、９０質量％よりも大きいと、バイアホール導体の抵抗率がＭｏ、Ｗの抵抗率によって支配される結果、バイアホール導体の抵抗が大きくなるためである。また、（Ｗ＋Ｍｏ＋Ｃｕ）／（Ｗ＋Ｍｏ＋Ｃｕ＋Ｓｎ）が６０質量％よりも少ないと、未反応のＳｎが多いためにバイアホール導体の抵抗率がＳｎによって支配される結果バイアホール導体の高抵抗化を招き、７５質量％よりも大きいとＳｎ量が少ないために未反応のＣｕが存在し、導通ネック面積が少なくなり、バイアホール導体の抵抗が不安定となる
最適には、（Ｗ＋Ｍｏ）／（Ｗ＋Ｍｏ＋Ｃｕ）が７８〜８８質量％、（Ｗ＋Ｍｏ＋Ｃｕ）／（Ｗ＋Ｍｏ＋Ｃｕ＋Ｓｎ）が６５〜７０質量％であることが望ましい。
【００２１】
さらに、本発明によれば、前記導電性粉末は、Ｓｎを含有する第１の金属粉末と、Ｃｕと、Ｗおよび／またはＭｏとを含有する第２の金属粉末との混合粉末からなることが望ましい。これによって、ＣｕとＳｎとの反応を促進することができる。
【００２２】
第１の金属粉末としては、Ｓｎを含んでいればよいが、Ｓｎ以外に、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ａｌの群から選ばれる少なくとも１種の金属と混合物、合金であってもよい。なお、Ｓｎは５０質量％以上含有されることが望ましい。
【００２３】
また、前記第２の金属粉末としては、ＣｕとＷ，Ｍｏとの混合物であればよいが、Ｃｕが、ＷおよびまたはＭｏからなる粉末表面に被覆された粉末を用いることによって、表面に形成されているＣｕが、容易にＳｎと反応して金属間化合物を形成するとともに、Ｃｕが粉末内部に残存することなく、代わりにＷやＭｏが存在するために、ＣｕとＳｎとの再反応が生じることがなく、さらには、抵抗率の大幅な増加を招くこともない。
【００２４】
なお、ＷおよびまたはＭｏからなる粉末表面にＣｕを被覆するには、粉末表面にメッキ法等によって容易に形成することができる。
【００２５】
本発明における導電性組成物中の熱硬化性樹脂としては、トリアリルイソシアヌレートが望ましい。これは、この樹脂の融点が２０〜２５℃であるために、導電性組成物を含む導電性ペーストをスクリーン印刷等によりバイアホールに充填する際に、前記有機バインダの融解する温度に保持することにより導電性ペーストを低粘度に調製して導電性ペーストの充填性を高めるとともに、導電性ペースト中の有機バインダが常温に近い特定の融点を有することから、温度調整によって充填後に前記有機バインダの固化する温度に冷却することによりバイアホール内の導電性ペーストを保形性に優れる粘度に容易に調整できるという利点を有することにある。その他には、トリアリルシアヌレート等の有機物があるが、誘電特性の点でトリアリルイソシアヌレートが望ましい。
【００２６】
前記導電性粉末と熱硬化性樹脂とは、導電性粉末を８８〜９７質量％、前記熱硬化樹脂を３〜１２質量％の割合で含有することが望ましい。上記成分の比率を上記のように限定することによって、導電性ペーストのバイアホールへの充填性に優れた粘度のペーストを調整することが容易となるとともに、バイアホール導体中に残存する熱硬化性樹脂によってバイアホール導体の体積固有抵抗値が高くなるのを防止することができる。
【００２７】
本発明によれば、上記のバイアホール導体中に上記の導電性組成物を充填することによって、図２に示すように、Ｗおよび／またはＭｏの粒子４が分散する間隙にＣｕとＳｎとの金属間化合物５が形成され、さらにその隙間に熱硬化性樹脂６が点在した組織を有する。
【００２８】
本発明の配線基板において、絶縁基板を形成する絶縁性材料としては、少なくとも熱硬化性樹脂を含有することが望ましく、必要に応じて熱可塑性樹脂を含む場合もある。熱可塑性樹脂は生のシート強度を高めるためとシートの取り扱い性を向上させるために添加されるものである。
【００２９】
熱硬化性樹脂としては、Ａ−ＰＰＥ（アリル化ポリフェニレンエーテル樹脂）、ＴＡＩＣ（トリアリルイソシアヌレート樹脂）レジン、ＢＴレジン（ビスマレイドトリアジン）、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、ポリアミノビスマレイミド樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂の群から選ばれる少なくとも１種を挙げることができ、好ましくは室温で液体の熱硬化性樹脂が用いられる。
【００３０】
この絶縁性材料は、一般に強度を高めるために、フィラーが上記熱硬化性樹脂と共に使用される。このようなフィラーとしては、有機質又は無機質の粉末或いは繊維体が挙げられる。
【００３１】
例えば、無機質フィラーとしては、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＭｇＴｉＯ３、ゼオライト、ＣａＴｉＯ３、ほう酸アルミニウム等、それ自体公知のものを使用することができる。これらの無機フィラーは、平均粒径が２０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下、最も好ましくは７μｍ以下のほぼ球形の粉末状であることが好適であるが、平均アスペクト比が２以上、特に５以上の繊維状のものであってもよい。更に繊維体のフィラーとしては、ガラスなどの繊維体があり、織布、不織布など、任意の性質のものを使用することができる。また、有機質フィラーとしては、アラミド繊維、セルロース繊維などを挙げることができる。
【００３２】
上述した各種のフィラーは、それぞれ単独或いは２種以上を組み合わせて使用することができ、一般に、熱硬化性樹脂とフィラーとは、体積基準で、熱硬化性樹脂／フィラー＝１５／８５及至６５／３５の割合で使用されるのがよい。
【００３３】
また、導体配線層２としては、金、銀、銅、アルミニウム等の低抵抗金属、或いはこれら低抵抗金属の少なくとも１種を含む合金の群から選ばれる少なくとも１種の金属箔が使用される。特に、低抵抗化およびバイアホール導体３との接続信頼性を高めるうえでは、Ｃｕを主体とするものが望ましい。
【００３４】
この金属箔の厚みは、１〜１００μｍ、望ましくは５〜５０μｍの範囲にあるのが導体配線層の低抵抗化を図るとともに、導体配線層形成時の変形などの発生を防止できるとともに、微細な導体配線層をエッチングによって形成できる点で望ましい。
【００３５】
次に、本発明の配線基板の製造方法を図面をもとに説明する。
【００３６】
まず、図３（ａ）に示すように未硬化または半硬化状態の軟質の絶縁シート１１に対して、レーザー加工やマイクロドリルなどによってバイアホール１２を形成する。そして、図３（ｂ）に示すように、そのバイアホール１２内に、前述した導電性組成物を含有する導電性ペーストを充填してバイアホール導体１３を形成する。導電性ペーストの充填はスクリーン印刷によって行うことができる。
【００３７】
導電性ペーストの調製にあたっては、金属粉末と有機バインダからなる上記組成物を融点以上の温度に保持して攪拌脱泡機や３本ロール等で混練することにより、所定の粘度の導電性ペーストを作製する。なお、有機バインダとして２種以上の有機物の混合物を用いる場合には、それらをあらかじめ混合してから添加することが望ましい。
【００３８】
さらに、導電性ペーストの粘度を調製するために、有機バインダが溶解可能な溶剤、例えば、イソプロピルアルコール、テルピネオール、２−オクタノール、ブチルカルビトールアセテート等を微量添加することも可能であるが、絶縁基板およびバイアホール導体を熱硬化させる際に、溶剤成分が揮発し、バイアホール導体の充填密度が低下するとともに、揮発気体により絶縁層間に膨れが生じる等の問題があるために、溶剤は含まないほうが望ましい。
【００３９】
次に、絶縁シート１１の表面に、導体配線層１４を形成する。この導体配線層１４の形成は、ａ）絶縁シートの表面に金属箔を貼り付けた後、エッチング処理して回路パターンを形成する方法、ｂ）絶縁シート表面にレジストを形成して、メッキにより金属層を形成する方法、ｃ）転写シート表面に金属箔を貼り付けた後、エッチング処理して回路パターンを形成した後、この金属箔の回路パターンを絶縁シート表面に転写させる方法、等が挙げられるが、この中でも、絶縁シートをエッチングやメッキ液などに浸漬する必要がなく、バイアホール導体内への薬品の侵入を防止する上では、ｃ）の転写法が最も望ましい。
【００４０】
そこで、ｃ）転写法による導体配線層を例にして以下に説明する。図３（ｃ）に示すように、転写シート１５の表面に、金属箔からなる導体配線層１４を形成する。この導体配線層１４は、転写シート１５の表面に金属箔を接着剤によって接着した後、この金属箔の表面にレジストを回路パターン状に塗布した後、エッチング処理およびレジスト除去を行って形成される。この時、金属箔からなる導体配線層１４露出面は、エッチング等により表面粗さ（Ｒａ）０．１〜５μｍ、特に０．２〜４μｍ程度に粗化されていることが望ましい。
【００４１】
次に、図３（ｄ）に示すように、導体配線層１４が形成された転写シート１５を前記バイアホール導体１３が形成された軟質の絶縁シート１１の表面に位置合わせして加圧積層した後、転写シート１５を剥がして導体配線層１４を絶縁シート１１に転写させることにより一単位の配線層ａが形成される。
【００４２】
この時、絶縁シート１１が軟質状態であることから、導体配線層１４は、絶縁シート１１の表面に埋設され、実質的に絶縁シート１１表面と導体配線層１４の表面が同一平面となるように加圧積層する。この時の加圧積層条件としては、圧力２０ｋｇ／ｃｍ２以上、温度６０〜１４０℃が適当である。
【００４３】
そして、上記のようにして作製された未硬化または半硬化状態の一単位の配線層ａおよび同様にして作製された一単位の配線層ｂ、ｃを図３（ｅ）に示すように積層圧着した後、所定の温度に加熱して絶縁シート１１中の熱硬化性樹脂を完全硬化させることにより多層化された配線基板を作製することができる。
【００４４】
なお、本発明によれば、バイアホール導体３中のＣｕとＳｎとの反応を促進させるために、熱硬化温度を２１０℃以上、特に２２０℃以上に設定することが望ましい。
【００４５】
本発明によれば、上記のようにして作製される１つのバイアホール導体を挟んだ２つの配線回路層間の初期の体積抵抗率を８×１０−５Ωｃｍ以下に低めることができるとともに、１５０℃高温中で１０００時間放置後においても抵抗の変化率を±１０％に抑制することができる。
【００４６】
【実施例】
本発明におけるバイアホール導体の特性を評価をするために、以下のようにして多層の配線基板を作製した。
【００４７】
まず、メッキ法によってＣｕを表面に被覆したタングステンまたはモリブデンの粉末（Ｃｕ：２０質量％、平均粒径５μｍ）と、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ（Ｓｎ：９６．５質量％）とを準備し、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｓｎが表１の比率となるように混合した。そして、この金属粉末に対して、トリアリルイソシアヌレートを１０質量％の割合で添加し調合し、３本ロールで混練して導電性ペーストを調製した。
【００４８】
一方、ポリフェニレンエーテル樹脂６０体積％と、シリカを４０体積％からなるＢステージの絶縁シートに対して、絶縁シートのドリルの歯を挿入する面側に離型性フィルムを被着形成し、マイクロドリルによって直径が２００μｍのバイアホールをバイアホールの中心間の間隔５００μｍで２つ形成し、そのバイアホール内に前記のようにして調製した導電性ペーストを充填した。
【００４９】
そして、導電性ペーストを埋め込んだＢステージ状態の絶縁シートの両面に、厚さ１２μｍの銅箔からなる導体配線層を転写法により前記バイアホール導体の両端を挟持するように貼り合わせた後、２４０℃で、２０ｋｇ／ｃｍ２の圧力で、６０分間硬化処理を行い、単層の配線基板を作製した。
【００５０】
そして、これらの処理後の配線基板における導体配線層の初期抵抗値を測定した。また、１５０℃の高温に１０００時間放置後の抵抗変化率を計算し表１に示した。
【００５１】
【表１】
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表１に示すように、バイアホール導体中にＣｕとＳｎを適量配合した試料は、初期においてはいずれも低い体積抵抗率を示したが、さらに、Ｗおよび／またはＭｏを適量配合した本発明品は、ＷやＭｏを含まないＣｕ、Ｓｎからなる試料Ｎｏ．１に比較して、抵抗率の変化が小さく、安定性に優れたものであった。
【００５２】
なお、ＣｕおよびＳｎを含有するバイアホール導体に対して、Ｘ線回折測定を行い、ＣｕとＳｎの金属間化合物の生成を有無を確認した結果、いずれもＣｕ３Ｓｎ、およびＣｕ６Ｓｎ５の生成が認められた。
【００５３】
【発明の効果】
以上詳述したとおり、本発明によれば、バイアホール導体の導電性組成物中に、Ｃｕ、Ｓｎに加え、さらにＷおよび／またはＭｏを所定の割合で配合することによって、ＳｎとＣｕとの反応による金属間化合物の生成によるバイアホール導体の抵抗率を高めることなく、しかも、経時変化に伴う抵抗率の変化を防止することができ、バイアホール導体の低抵抗化とともに、安定性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における配線基板の概略断面図である。
【図２】本発明におけるバイアホール導体の組織を示す概略図である。
【図３】本発明における配線基板の製造方法を説明するための工程図である。
【符号の説明】
１　絶縁基板
２　導体配線層
３　バイアホール導体
４　Ｗおよび／またはＭｏ
５　金属間化合物
６　熱硬化性樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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