(57)【要約】【課題】配線層の表面に、直径が１００μｍ以上のアルミニウム製ボンディングワイヤを強固に被着させることができない。【解決手段】電気絶縁材料から成る基板１と、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも１種より成り、前記基板１に同時焼成により形成され、かつ直径が１００μｍ以上のアルミニウム製ボンディングワイヤ５が接合される領域を有する配線層２と、前記配線層２の少なくともボンディングワイヤ５が接合される領域に被着され、内部応力が９８Ｎ／ｍｍ２以下のＮｉから成る被覆層６とで形成された配線基板。【選択図】　図１
2004119438.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気絶縁材料から成る基板と、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも１種より成り、前記基板に同時焼成により形成され、かつ直径が１００μｍ以上のアルミニウム製ボンディングワイヤが接合される領域を有する配線層と、前記配線層の少なくともボンディングワイヤが接合される領域に被着され、内部応力が９８Ｎ／ｍｍ２以下のＮｉから成る被覆層とで形成された配線基板。
【請求項２】
前記Ｎｉから成る被覆層の厚みが４μｍ乃至１３μｍであることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記Ｎｉから成る被覆層の硬さが、ビッカース硬度で２００Ｈｖ以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記Ｎｉから成る被覆層の表面粗さが算術平均粗さ（Ｒａ）で０．１μｍ乃至０．３μｍであることを特徴とする請求項１乃至３に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子や容量素子、抵抗器等の電子部品が搭載される配線基板に関し、より詳細には大きな電流の流れを許容する直径の大きなボンディングワイヤが配線層に接続される配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子や容量素子、抵抗器等の電子部品が搭載される配線基板は酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成り、表面に電子部品搭載部を有する基板と、該基板に形成されたタングステン、モリブデン等の高融点金属材料から成る配線層とで構成されており、基板の搭載部に半導体素子や容量素子、抵抗器等の電子部品を搭載するとともに各電子部品の電極を配線層にボンディングワイヤを介して電気的に接続するようになっている。
【０００３】
かかる配線基板は、配線層の一部を外部電気回路基板の配線導体に錫−鉛半田等の低融点ろう材を介し接続することによって外部電気回路基板上に実装され、同時に配線基板に搭載されている電子部品の各電極が所定の外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【０００４】
なお、前記電子部品の各電極を配線層に接続するボンディングワイヤの材料としては、一般にアルミニウム、金が使用されており、特に大電流を流すためにボンディングワイヤの径を大きくする必要があるような場合には経済性を重視してアルミニウム製のボンディングワイヤが多用される。
【０００５】
また前記配線層と電子部品の電極とのボンディングワイヤを介しての接続は、一般に超音波ボンダーを使用することによって行われており、具体的には配線層の表面にボンディングワイヤの一端を当接摺動させ、ボンディングワイヤと配線層表面との間に摩擦エネルギーを発生させるとともに該摩擦エネルギーでボンディングワイヤと配線層表面部分との間に金属拡散を行わせることによってボンディングワイヤは配線層に接合される。
【０００６】
この場合、従来のボンディングワイヤの直径は約３０μｍ程度であり、ボンディングワイヤは配線層の表面に対して約３０ｇｆ〜５０ｇｆ（０．２９４Ｎ〜０．４９Ｎ）の荷重で押し付けられ、摺動により摩擦エネルギーが効率よく発生するようにされている。
【０００７】
更に前記配線基板の配線層は、通常、その表面に平均の厚さが約３μｍのＮｉから成る被覆層がめっき法等により被着されており、超音波ボンダーを使用してのボンディングワイヤのボンディング性を良好としている。なお、前記Ｎｉからなる被覆層は一般に次亜リン酸ナトリウム等のリン系還元剤やジメチルアミンボラン等のホウ素系還元剤を用いる無電解Ｎｉめっき液を用いることによって形成されている。
【０００８】
しかしながら、この従来の配線基板においては、タングステンやモリブデン等で形成されている配線層の電気抵抗値が高く、配線層を伝わる電気信号に電圧降下を招来させて配線層に接続されている半導体素子等の電子部品に電気信号を正確に入出力させることができないという欠点があった。特に配線層を伝わる電気信号の電流値が大きくなるほど、この欠点が顕著となる。
【０００９】
そこで上記欠点を解消するために、配線層をＣｕ（銅）やＡｇ（銀）、Ａｕ（金）等の電気抵抗値が低い金属材料で形成し、表面にＮｉから成る被覆層を被着させた配線基板が提案されている。
【００１０】
かかる配線基板によれば、配線層が電気抵抗値の低いＣｕやＡｇ、Ａｕ等で形成されていることから配線層に電気信号を伝搬させた場合、配線層で電気信号に大きな電圧降下を招来することはなく電子部品に電気信号を正確に伝えることが可能となる。
【００１１】
【特許文献１】
特開２００２−１２４５９０号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近時、配線基板はＥＣＵ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｃｏｎｔｒｏｌ　Ｕｎｉｔ）用の基板等、約５Ａ以上という大電流の電気信号を流す必要のある用途での使用が増加しつつあり、この場合、配線基板上に搭載されている電子部品に大電流を流すために配線層と電子部品とを接続させるボンディングワイヤの直径を１００μｍ以上と非常に大きくする必要があり、このような直径の大きなボンディングワイヤを超音波ボンダーにより配線層に接続させようとすると、配線層の表面に被着されているＮｉからなる被覆層中やＮｉから成る被覆層とボンディングワイヤの接続界面にクラックが発生し、ボンディングワイヤの配線層への接続信頼性が大きく低下するという欠点を有していた。
【００１３】
このようなＮｉからなる被覆層中やＮｉから成る被覆層とボンディングワイヤの接続界面にクラックが発生する原因としては、Ｎｉから成る被覆層が次亜リン酸ナトリウム等のリン系還元剤やジメチルアミンボラン等のホウ素系還元剤を用いた無電解Ｎｉめっき液により形成され、Ｎｉから成る被覆層中に９８Ｎ／ｍｍ２（１０ｋｇ／ｍｍ２）を超える大きな内部応力が、主に引張り応力として、内在しており、直径が１００μｍ以上と大きなボンディングワイヤを配線層に接続する場合、ボンディングワイヤと配線層との間に大きな摩擦エネルギーを発生させる必要があり、この大きな摩擦エネルギーを発生させるためにボンディングワイヤを配線層表面に対して約９０ｇｆ〜６００ｇｆ（０．８８２Ｎ〜５．８８Ｎ）というに大きな荷重をかけなければならず、この大きな荷重と前記内部応力とが相俟って被覆層に極めて大きな力が作用し被覆層にクラック等の機械的な破壊が発生するためであると考えられる。
【００１４】
本発明は、上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、配線層表面に被着されているＮｉから成る被覆層にクラックを発生させることなく直径が１００μｍ以上と大きな径のアルミニウム製ボンディングワイヤを配線層に強固に接続させることができる配線基板を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線基板は、電気絶縁材料から成る基板と、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも１種より成り、前記基板に同時焼成により形成され、かつ直径が１００μｍ以上のアルミニウム製ボンディングワイヤが接合される領域を有する配線層と、前記配線層の少なくともボンディングワイヤが接合される領域に被着され、内部応力が９８Ｎ／ｍｍ２以下のＮｉから成る被覆層とで形成されていることを特徴とするものである。
【００１６】
また本発明の配線基板は、前記Ｎｉから成る被覆層の厚みが４μｍ乃至１３μｍであることを特徴とするものである。
【００１７】
更に本発明の配線基板は、前記Ｎｉから成る被覆層の硬さが、ビッカース硬度で２００Ｈｖ以上であることを特徴とするものである。
【００１８】
また更に本発明の配線基板は、前記Ｎｉから成る被覆層の表面粗さが算術平均粗さ（Ｒａ）で０．１μｍ乃至０．３μｍであることを特徴とするものである。
【００１９】
本発明の配線基板によれば、配線層がＡｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｐｔ（白金）の少なくとも１種より成り、低電気抵抗であることから配線層に電子信号を伝搬させた際、配線層で電気信号に大きな電圧降下を招来することはなく電気信号を正確に伝えることができる。
【００２０】
また本発明の配線基板によれば、Ｎｉから成る被覆層の内部応力を９８Ｎ／ｍｍ２以下としたことから、直径が１００μｍ以上と大きなボンディングワイヤを配線層に接続する際、ボンディングワイヤと配線層との間に大きな摩擦エネルギーを発生させるためにボンディングワイヤを配線層表面に対して約９０ｇｆ〜６００ｇｆ（０．８８２Ｎ〜５．８８Ｎ）というに大きな荷重をかけたとしても、この荷重と内部応力とが相俟って被覆層に極めて大きな力が作用することはなく、被覆層にクラック等の機械的な破壊が発生するのを有効に防止して直径が１００μｍ以上の大きなボンディングワイヤを配線層に確実、強固に接続させることが可能となる。
【００２１】
更に本発明の配線基板によれば、前記配線層のボンディングワイヤが接続される領域に被着されるＮｉから成る被覆層の厚みを４μｍ乃至１３μｍと厚くしておくと配線層に直径が１００μｍ以上と大きなボンディングワイヤを接続させる場合、ボンディングワイヤを配線層表面に押し付ける荷重、ボンディングワイヤと配線層との摺動にともなって発生する機械的応力は被覆層で吸収・緩和されて小さくなり、その結果、配線層と基板との界面に大きな力が作用することはなく、配線層と基板との間で亀裂やハガレ等の不具合が発生するのを有効に防止して配線層を基板に強固に接合させておくことが可能となる。
【００２２】
また更に本発明の配線基板によれば、配線層の表面に被着されているＮｉから成る被覆層の表面粗さを算術平均粗さ（Ｒａ）で０．１μｍ乃至０．３μｍとし、適度に平滑にしておくと配線層に直径が１００μｍ以上と大きなボンディングワイヤを超音波ボンダーで接続する場合、Ｎｉから成る被覆層とボンディングワイヤとを接合面の全面で良好に密着させ、両者間の全面で均一に大きな摩擦エネルギーを発生させてボンディングワイヤと配線層との間に充分な金属拡散を行なわせることができ、これによって配線層へのボンディングワイヤの接続信頼性を高いものとすることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
【００２４】
図１及び図２は本発明の配線基板をＥＣＵ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｃｏｎｔｒｏｌ　Ｕｎｉｔ）基板等の半導体素子搭載用の基板に適用した場合の一実施例を示し、１は基板、２は配線層である。この基板１と配線層２とで半導体素子３を搭載するための配線基板４が形成される。
【００２５】
前記配線基板４の基板１は半導体素子３を支持する支持部材として作用し、上面の略中央部に半導体素子３がガラス、ろう材、樹脂等の接着材を介して取着固定される。
【００２６】
前記基板１は、ガラスセラミック焼結体や結晶性ガラス、マンガン化合物を添加すること等により１２００℃の低温焼成を可能とした酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成り、例えば、ガラスセラミック焼結体から成る場合であれば、酸化珪素、酸化ホウ素、酸化カルシウム等のガラス粉末と、酸化アルミニウム、ムライト等のセラミック粉末とから成るガラスセラミック原料粉末に適当な有機バインダ、溶剤等を添加混合して泥漿物を作るとともに該泥漿物をドクターブレード法やカレンダーロール法を採用することによってガラスセラミックグリーンシート（ガラスセラミック生シート）と成し、しかる後、前記ガラスセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに必要に応じてこれを複数枚積層し、約９００℃の温度で焼成することによって製作される。
【００２７】
また前記基板１はその上面で半導体素子３が搭載実装される領域周辺から下面にかけて複数の配線層２が形成してあり、該配線層２の基板１上面に露出する部位には半導体素子３の電極がボンディングワイヤ５を介して接続され、また基板１の下面に導出する部位は外部の電気回路基板に半田等の導電性接続材を介して接続される。
【００２８】
前記配線層２は半導体素子３の各電極を外部電気回路に接続するための導電路として作用し、半導体素子３の各電極をボンディングワイヤ５を介し配線層２に接続することによって半導体素子３の各電極は配線層２を介して外部電気回路に接続されることとなる。
【００２９】
前記配線層２は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも１種より成り、このようなＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ等から成る配線層２は電気抵抗値が小さいことから配線層２に電気信号を伝搬させた場合、配線層２で電気信号に大きな電圧降下を招来することはなく半導体素子３に電気信号を正確に伝えることが可能となる。
【００３０】
前記配線層２は、例えば、Ａｇから成る場合であれば、Ａｇ粉末に適当な有機バインダ及び溶剤を添加混合して金属ペーストを作成し、この金属ペーストを基板１となるガラスセラミックグリーンシートの表面に所定パターンに印刷塗布することによって基板１の上面から下面にかけて所定パターンに形成される。
【００３１】
また前記配線層２は、基板１の上面に露出する領域に半導体素子３の電極が、直径が１００μｍ以上のアルミニウム製ボンディングワイヤ５を介して接続され、これによって半導体素子３の各電極がボンディングワイヤ５を介して配線層２に電気的に接続されることとなる。
【００３２】
前記ボンディングワイヤ５はその直径が１００μｍ以上と大きいことからボンディングワイヤ５を介して配線層２から半導体素子３に約５Ａ以上という大電流の電気信号を流した場合、大電流の電気信号は何ら支障をきたすことなく半導体素子３に伝搬させることができる。
【００３３】
前記ボンディングワイヤ５はその直径が１００μｍ未満となると大電流の電気信号を伝搬させることが困難となる。従って、前記ボンディングワイヤ５はその直径が１００μｍ以上に特定される。
【００３４】
なお、前記配線層２へのボンディングワイヤ５の接続は、配線層２の表面にボンディングワイヤ５の一端を約９０ｇｆ〜６００ｇｆ（０．８８２Ｎ〜５．８８Ｎ）という大きな荷重で押し付けて摺動させ、ボンディングワイヤ５と配線層２表面との間に摩擦エネルギーを発生させるとともに該摩擦エネルギーでボンディングワイヤ５と配線層２表面部分との間に金属拡散を行わせることによって行われる。
【００３５】
また前記配線層２は更に少なくともボンディングワイヤ５が接続される領域に、図２に示す如く、Ｎｉから成る被覆層６が被着されており、該Ｎｉから成る被覆層６は、アルミニウム製のボンディングワイヤ５との間で金属拡散が生じやすく、これによって配線層２にボンディングワイヤ５を強固に接続することができる。
【００３６】
また前記Ｎｉから成る被覆層６は内在する内部応力が１０ｋｇ／ｍｍ２（１０ｋｇ／ｍｍ２）以下となっている。なお、この場合の内部応力は、めっき液中の成分濃度やめっき条件等により引張り応力または圧縮応力となり、主に引っ張り応力として作用する。
【００３７】
前記Ｎｉから成る被覆層６は内在する内部応力が９８Ｎ／ｍｍ２以下と小さいことから直径が１００μｍ以上と大きなボンディングワイヤ５を配線層２に接続する際、ボンディングワイヤ５と配線層２との間に大きな摩擦エネルギーを発生させるためにボンディングワイヤ５を配線層２表面に対して約９０ｇｆ〜６００ｇｆ（０．８８２Ｎ〜５．８８Ｎ）というに大きな荷重をかけたとしても、この荷重が被覆層６に作用するだけで荷重と被覆層６中に内在する内部応力とが相俟って大きくなり、かかる大きくなった力が被覆層６に作用することはなく、その結果、被覆層６にクラック等の機械的な破壊を発生するのが有効に防止され、直径が１００μｍ以上の大きなボンディングワイヤ５を配線層２に確実、強固に接続させることが可能となる。
【００３８】
前記内部応力が１０ｋｇ／ｍｍ２以下のＮｉから成る被覆層６は、例えば次亜リン酸ナトリウム等のリン系還元剤やジメチルアミンボラン等のホウ素系の還元剤を用いる無電解Ｎｉめっき液中に配線層２を所定時間浸漬して配線層２の表面にＮｉ粒子を被着させ、しかる後、約３００℃の温度で１２０分乃至１８０分間程度で加熱処理し内部応力を除去することによって形成される。
【００３９】
なお、前記被覆層６の内部応力は従来周知の測定方法、例えば、ＪＩＳ　Ｈ　８６２６に示される装置を用いた簡易平均応力測定方法や、スパイラルコントラクトメーター法などで測定でき、内部応力が引張り応力または圧縮応力で９８Ｎ／ｍｍ２を超えると配線層２に直径が１００μｍ以上の大きなボンディングワイヤ５を接続する際に内部応力と接続のための荷重とが相俟って大きな力となり、これが被覆層６に作用してクラック等の機械的な破壊を発生してしまう。従って、前記被覆層６の内部応力（引張り応力または圧縮応力）は９８Ｎ／ｍｍ２以下に特定される。
【００４０】
また、前記Ｎｉから成る被覆層６はその厚みを４μｍ乃至１３μｍと厚くしておくと、配線層２を完全に被覆して配線層２の酸化等を有効に防止することができるとともに配線層２に直径が１００μｍ以上と大きなボンディングワイヤ５を接続させる場合、ボンディングワイヤ５を配線層２表面に押し付ける荷重、ボンディングワイヤ５と配線層２との摺動にともなって発生する機械的応力は被覆層６で吸収・緩和されて極めて小さな値となる。
【００４１】
前記被覆層６は、その厚さが４μｍ未満では、ボンディングワイヤ５を配線層２表面に押し付ける荷重、ボンディングワイヤ５と配線層２との摺動にともなって発生する機械的応力を十分に吸収緩和することが困難となり、配線層２と基板１との界面に亀裂やハガレ等の不具合が生じてしまう危険性があり、また、１３μｍを超えると、その皮膜内部応力が非常に大きくなり被覆層６と配線層２との間や、配線層２と基板１との間での接合強度が劣化し、被覆層６が配線層２より剥離したり、配線層２が基板１より剥離したりしてしまう危険性がある。従って、前記被覆層６は、その厚さを４μｍ乃至１３μｍの範囲としておくことが好ましい。
【００４２】
また、前記被覆層６は、その厚みを５μｍ乃至１０μｍの範囲としておくと、ボンディングワイヤ５を配線層２により一層確実、強固に接続させることができるできるとともに被覆層６が配線層２より剥離したり、配線層２が基板１より剥離したりしてしまうのを完全に防止して配線基板としての信頼性をより一層良好となすことができる。したがって、前記被覆層６は、その厚さを５μｍ乃至１０μｍの範囲としておくことがより一層好ましい。
【００４３】
更に前記被覆層６は、その硬さをビッカース硬度で２００Ｈｖ以上としておくとボンディングワイヤ５を配線層２表面に押し付ける荷重で大きく変形することはなく、これによって前記荷重は配線層２と基板１との界面に伝わることが効果的に遮断され、その結果、配線層２と基板１との界面に大きな力が作用することはなく、配線層２と基板１との間で亀裂やハガレ等の不具合が発生するのをより一層有効に防止し配線層２を基板１により強固に接合させておくことが可能となる。従って、前記被覆層６は、その硬さをビッカース硬度で２００Ｈｖ以上としておくことが好ましい。
【００４４】
前記被覆層６の硬さをビッカース硬度で２００Ｈｖ以上と硬くするには、厚さが４μｍ乃至１３μｍとなるようにしてＮｉ層をめっき法等で配線層２の表面に被着させた後、熱処理を加え、Ｎｉ３ＰやＮｉ３Ｂなどの金属間化合物を析出させることによる析出硬化を行なったり、Ｎｉの結晶を緻密化させて、硬さが２００Ｈｖ以上となるようにする方法や、無電解めっき法でＮｉから成る被覆層を形成する過程で、めっき時間を長くすることによりＮｉの結晶の緻密化を図り硬さを２００Ｈｖ以上と硬くする等の方法を用いることができる。
【００４５】
なお、めっき法等でＮｉを配線層２の表面に被着させ、被覆層６を形成する場合、その硬さをビッカース硬度で５００Ｈｖを超えるようなものとしようとすると、必要以上にめっき時間を長くしたり、高温でＮｉ層を熱処理したりする必要が生じ、生産性や経済性を低下させるおそれがある。したがって、前記被覆層６は、その硬さを、ビッカース硬度で２００Ｈｖ乃至５００Ｈｖの範囲とすることが好ましい。
【００４６】
また前記被覆層６は、その表面の粗さが算術平均粗さ（Ｒａ）で０．１μｍ乃至０．３μｍの範囲とし、適度に平滑にしておくと、配線層２に直径が１００μｍ以上と大きなボンディングワイヤ５を超音波ボンダーで接続する場合、Ｎｉから成る被覆層６とボンディングワイヤ５とを接合面の全面にわたって良好に密着させることができ、両者間の全面で大きな摩擦エネルギーを発生させてボンディングワイヤ５と配線層２との間に十分な金属拡散を行わせることができ、これによって配線層２へのボンディングワイヤ５の接続信頼性を高いものとなすことができる。
【００４７】
前記被覆層６はその表面の粗さが算術平均粗さ（Ｒａ）で０．１μｍ未満となると、平滑になり過ぎるため、配線層２に直径が１００μｍ以上と大きなボンディングワイヤを超音波ボンダーで接続する場合、被覆層６とボンディングワイヤ５を超音波ボンダーで接続する場合、被覆層６表面でボンディングワイヤ５がすべって被覆層６とボンディングワイヤ５との間に大きな摩擦エネルギーを発生させることができず、配線層２にボンディングワイヤ５を強固に接続することが困難となり、また表面の粗さが算術平均粗さ（Ｒａ）で０．３μｍを超えると、配線層２に直径が１００μｍ以上と大きなボンディングワイヤ５を超音波ボンダーで接続する場合、被覆層６とボンディングワイヤ５との広い接合面の全面にわたって良好かつ均一に両者を密着させることが難しく、部分的に摩擦エネルギーが不十分となって、ボンディングワイヤ５と被覆層６との間の全面で十分な金属拡散を行わせることが困難となり、配線層２に対するボンディングワイヤ５の接続強度が低下する危険性がある。従って、前記被覆層６はその表面の粗さを算術平均粗さ（Ｒａ）で０．１μｍ乃至０．３μｍの範囲しておくことが好ましい。
【００４８】
前記被覆層６の表面を算術平均粗さ（Ｒａ）で０．１μｍ乃至０．３μｍの範囲とするには、例えば、配線層２に無電解めっき法によりＮｉから成るめっき層を被着させることにより被覆層６を形成する場合、無電解Ｎｉめっき液中に結晶調整剤（光沢剤）として硫黄化合物等やＢｉ、Ｓｅ、Ｔｅ等を適量添加したり、ＮｉおよびＮｉと共析するリンやボロンとの安定度定数（錯化力）が異なる錯化剤を２〜３種類組み合わせたり、ｐＨ，液温，撹拌スピード等のめっき条件を、配線層２の表面状態等に応じて調整したりすることによって、配線層２表面の凹凸を埋めて平滑化させるようにしてＮｉを析出・被着させる、等の方法を用いることができる。
【００４９】
かくして半導体素子３が搭載された配線基板４は、半導体素子３を蓋体や封止樹脂等の封止材（不図示）を用いて封止するとともに、ＭＯＳ−ＦＥＴ、コンデンサー等の電子部品（不図示）を搭載し、その電極を配線層２に接続することにより製品としてのＥＣＵ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｃｏｎｔｒｏｌ　Ｕｎｉｔ）基板が完成する。
【００５０】
なお本発明は上述の実施例、実験例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例において前記配線層２の外周上端の角（稜線）部分を円弧状に面取りしておくと、この角部分で、配線層２と被覆層６との被着界面に応力が集中し、被覆層６に亀裂等の機械的な破壊が生じることを効果的に防止することができる。したがって、前記配線層２は、その外周上端の角（稜線）部分を円弧状に面取りしておくことが好ましい。
【００５１】
【発明の効果】
本発明の配線基板によれば、配線層がＡｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｐｔ（白金）の少なくとも１種より成り、低電気抵抗であることから配線層に電子信号を伝搬させた際、配線層で電気信号に大きな電圧降下を招来することはなく電気信号を正確に伝えることができる。
【００５２】
また本発明の配線基板によれば、Ｎｉから成る被覆層の内部応力を９８Ｎ／ｍｍ２以下としたことから、直径が１００μｍ以上と大きなボンディングワイヤを配線層に接続する際、ボンディングワイヤと配線層との間に大きな摩擦エネルギーを発生させるためにボンディングワイヤを配線層表面に対して約９０ｇｆ〜６００ｇｆ（０．８８２Ｎ〜５．８８Ｎ）というに大きな荷重をかけたとしても、この荷重と内部応力とが相俟って被覆層に極めて大きな力が作用することはなく、被覆層にクラック等の機械的な破壊が発生するのを有効に防止して直径が１００μｍ以上の大きなボンディングワイヤを配線層に確実、強固に接続させることが可能となる。
【００５３】
更に本発明の配線基板によれば、前記配線層のボンディングワイヤが接続される領域に被着されるＮｉから成る被覆層の厚みを４μｍ乃至１３μｍと厚くしておくと配線層に直径が１００μｍ以上と大きなボンディングワイヤを接続させる場合、ボンディングワイヤを配線層表面に押し付ける荷重、ボンディングワイヤと配線層との摺動にともなって発生する機械的応力は被覆層で吸収・緩和されて小さくなり、その結果、配線層と基板との界面に大きな力が作用することはなく、配線層と基板との間で亀裂やハガレ等の不具合が発生するのを有効に防止して配線層を基板に強固に接合させておくことが可能となる。
【００５４】
また更に本発明の配線基板によれば、配線層の表面に被着されているＮｉから成る被覆層の表面粗さを算術平均粗さ（Ｒａ）で０．１μｍ乃至０．３μｍとし、適度に平滑にしておくと配線層に直径が１００μｍ以上と大きなボンディングワイヤを超音波ボンダーで接続する場合、Ｎｉから成る被覆層とボンディングワイヤとを接合面の全面で良好に密着させ、両者間の全面で均一に大きな摩擦エネルギーを発生させてボンディングワイヤと配線層との間に充分な金属拡散を行なわせることができ、これによって配線層へのボンディングワイヤの接続信頼性を高いものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板の一実施例を示す断面図である。
【図２】本発明の配線基板の一実施例の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
１・・・・基板
２・・・・配線層
３・・・・半導体素子
４・・・・配線基板
５・・・・ボンディングワイヤ
６・・・・被覆層
【図１】
2004119438.tif 000003
【図２】
2004119438.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月17日(2003.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また前記Ｎｉから成る被覆層６は内在する内部応力が９８Ｎ／ｍｍ２（１０ｋｇ／ｍｍ２）以下となっている。なお、この場合の内部応力は、めっき液中の成分濃度やめっき条件等により引張り応力または圧縮応力となり、主に引っ張り応力として作用する。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
前記内部応力が９８Ｎ／ｍｍ２以下のＮｉから成る被覆層６は、例えば次亜リン酸ナトリウム等のリン系還元剤やジメチルアミンボラン等のホウ素系の還元剤を用いる無電解Ｎｉめっき液中に配線層２を所定時間浸漬して配線層２の表面にＮｉ粒子を被着させ、しかる後、約３００℃の温度で１２０分乃至１８０分間程度で加熱処理し内部応力を除去することによって形成される。