(57)【要約】【課題】基板として半導体基板を用いた半導体装置において、高周波信号の伝送損失を抑制した半導体装置を提供する。【解決手段】シリコン基板１と、シリコン基板１の表面に形成された絶縁層４と、絶縁層４の内部に互いの間隙を介して形成された信号線２および信号用接地導体３と、絶縁層４の内部に、上記の間隙とシリコン基板１とに挟まれるように形成されたシールド用接地導体５とを備える。【選択図】        図１
2004357011.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成された絶縁層と、
前記絶縁層の内部に互いの間隙を介して形成された信号線および信号用接地導体と、
前記絶縁層の内部に、前記間隙と前記半導体基板とに挟まれるように形成されたシールド用接地導体と
を備える、半導体装置。
【請求項２】
前記半導体基板として、誘電正接の値が０．０１以上になるものを用いた、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体基板としてシリコン基板が用いられた、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記シールド用接地導体は、前記半導体基板の側から前記絶縁層を透視して見たときに、前記間隙の全体を完全に覆うように形成された、請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記信号線および前記信号用接地導体は、略同一平面上に形成された、請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記信号用接地導体は、前記信号線を挟むように形成された構成を含む、請求項１から５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記信号線は、長手方向に垂直な断面において、前記信号用接地導体と対向しない端部を含み、
前記端部と前記半導体基板とに挟まれるように前記シールド用接地導体が形成され、
前記シールド用接地導体は、前記信号線を前記半導体基板に投影したときに、前記信号線の影となる部分の内側から前記影となる部分の外側まで形成された構成を含む、請求項１から５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記間隙を複数含み、それぞれの前記間隙ごとに前記シールド用接地導体が形成された構成を含む、請求項１から７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記間隙を複数含み、２以上の前記間隙に対して、一の前記シールド用接地導体が形成された構成を含む、請求項１から８のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１０】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成された絶縁層と、
前記絶縁層の内部に互いに離れて形成された信号線および接地導体と
を備え、
前記接地導体は、前記信号線を含む面と前記半導体基板との間に前記信号線の端部ごとに別個に形成され、前記信号線を前記半導体基板に投影したときに、前記信号線の影となる部分の内側から前記影となる部分の外側まで形成された構成を含む、半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体基板として、誘電正接の値が０．０１以上になるものを用いた、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記半導体基板としてシリコン基板が用いられた、請求項１０または１１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置に関する。特に、高周波信号を用いる高周波半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高周波半導体装置は、半導体基板の上に形成された絶縁層の内部に、高周波を伝送するための信号線と接地導体とが形成された構造を有する。信号線に高周波信号が伝播した際、信号線および接地導体を含む伝送線路が半導体基板と電磁的に結合することがある。この場合、半導体基板内に電流が流れて、高周波信号の伝送損失が生じる場合があった。すなわち、高周波信号が減衰してしまうという問題があった。
【０００３】
高周波信号の伝送損失の低減が図れるように提案された技術として、基板として高抵抗の材料を用いる半導体装置がある。たとえば、特開平１１−３０８０１５号公報においては、高抵抗の基板としてＧａＡｓ（ガリウムひ素）からなる基板を用いて、この基板の上に高誘電体層を形成し、高誘電体層の上にユニプレーナ線路を形成する装置が開示されている。この構成によると、ユニプレーナ線路が高誘電体層の上に形成され、ユニプレーナ線路の下側では信号線路および接地線路間の電気力線が集中するため、線路間の容量が大きくなって、その結果、誘電率に反比例する誘電正接の値が減少するというものである。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１１−３０８０１５号公報（第３頁、第１−３図）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の特許文献１に開示された高周波半導体装置は、基板としてＧａＡｓ基板を用いるため、半導体装置が高価になるという問題がある。これを回避するためには、半導体基板として、たとえば材料費が安価であるシリコン基板を用いることが考えられる。しかし、シリコン基板は通常イオン注入を行なって用いるために、絶縁性の高い半導体基板と比較して電気伝導度が高くなってしまって、伝送損失が大きくなるという問題があった。
【０００６】
半導体基板の上に絶縁層が形成されて、この絶縁層の内部に伝送線路としてのコプレーナ線路が形成された高周波半導体装置を想定する。半導体基板としてｐ型シリコン基板を用いて、ｐ型シリコン基板の電気伝導度を１０Ｓ／ｍ、高周波の周波数を５ＧＨｚとして伝送損失を計算すると、図７に示されるグラフのような結果が得られる。横軸がｐ型シリコン基板から伝送線路までの距離であり、縦軸がシリコン基板による伝送損失を示している。このグラフから分かるように、伝送線路とシリコン基板との距離が小さくなるほど、伝送線路とシリコン基板との電磁的結合が大きくなって伝送損失が大きくなる。特に、シリコン基板と伝送線路との距離が１μｍ以下の場合、１ｄＢ／ｍｍ以上の損失が生じていることがわかる。このように、基板として電気伝導度の大きな半導体基板を用いた場合においては、伝送損失が大きくなってしまうため、安価な高周波半導体装置を提供することに対して大きな障害となっている。
【０００７】
高周波信号の伝送損失を小さくするために、シリコン基板などの半導体基板と伝送線路との距離を大きくすることも考えられる。しかし伝送線路とシリコン基板との距離を大きくすると絶縁層の厚さも厚くなって、製造プロセスが複雑化したり、製造コストが増加したりするという問題がある。また、絶縁層の膜剥れが生じるなどの半導体装置の信頼性が低下する問題も生じる。したがって、絶縁層を厚くすることは容易ではない。
【０００８】
本発明の目的は上記の問題点を解決するためになされたものであり、基板として半導体基板を用いた半導体装置において、高周波信号の伝送損失を抑制した半導体装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に基づく半導体装置は、半導体基板と、上記半導体基板の表面に形成された絶縁層と、上記絶縁層の内部に互いの間隙を介して形成された信号線および信号用接地導体と、上記絶縁層の内部に、上記間隙と上記半導体基板とに挟まれるように形成されたシールド用接地導体とを備える。
【００１０】
または、本発明に基づく半導体装置は、半導体基板と、上記半導体基板の表面に形成された絶縁層と、上記絶縁層の内部に互いに離れて形成された信号線および接地導体とを備え、上記接地導体は、上記信号線を含む面と上記半導体基板との間に上記信号線の端部ごとに別個に形成され、上記信号線を上記半導体基板に投影したときに、上記信号線の影となる部分の内側から上記影となる部分の外側まで形成された構成を含む。
【００１１】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
（構成）
図１を参照して、本発明に基づく実施の形態１における半導体装置について説明する。図１（ａ）は、本実施の形態における半導体装置の一部の断面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＩＢ−ＩＢ線に関する矢視断面図である。
【００１２】
半導体基板としてシリコンを材料としたシリコン基板１が形成されている。シリコン基板１は板状に形成されている。シリコン基板１の主表面には、絶縁層４が形成されている。絶縁層４は、たとえば、酸化シリコンからなる。絶縁層４の内部には、高周波信号を伝送するための信号線２が板状に形成されている。絶縁層４の内部には、信号線２が形成されている面と同一平面上に、銅で形成された信号用接地導体３が配置されている。信号用接地導体３は、信号線２の両側に信号線２を挟むように形成され、信号線２と信号用接地導体３で伝送線路２０が形成されている。それぞれの信号用接地導体３は、信号線２から間隙を介して離れて形成されている。信号線２および信号用接地導体３はシリコン基板１から離れて、シリコン基板１の主表面と平行になるように形成されている。
【００１３】
信号線２と信号用接地導体３との間隙の下には、シールド用接地導体５が形成されている。すなわち、シールド用接地導体５は、上記の間隙とシリコン基板１とに挟まれるように形成されている。シールド用接地導体５は板状に形成され、シリコン基板１の主表面と平行になるように形成されている。シールド用接地導体５の材料としては、銅またはアルミニウムなどを用いることができる。
【００１４】
シールド用接地導体５は、シリコン基板１の側から絶縁層４を透視して見たときに信号線２と信号用接地導体３との間隙の全体を完全に覆うように形成されている。すなわち、図１（ａ）において、信号線２の両側に絶縁層４からなる間隙が形成されており、下側から見たとき、これらの間隙をシールド用接地導体５が隠すように形成されている。
【００１５】
また、本実施の形態におけるシールド用接地導体５は、信号線２の長手方向に垂直な断面において、間隙を２つ含み、この２つの間隙に対して、シールド用接地導体が１つ形成されている。図１（ａ）の断面図において、信号線２の両側に配置された信号用接地導体３同士の距離１１よりも、シールド用接地導体５の幅１２の方が長くなるように形成されている。シールド用接地導体５のシリコン基板１の主表面に垂直な方向の位置については、伝送線路２０およびシリコン基板１のいずれにも接触しないように配置されている。
【００１６】
本実施の形態においては、半導体基板として汎用的なシリコン基板が用いられているが、半導体基板としては、シリコン基板の他にガリウムひ素基板、炭化シリコン基板などを用いることができる。
【００１７】
（作用・効果）
高周波信号は、信号線２を伝わって送られる。高周波の伝播によって発生する電気力線は、信号線２のうち信号用接地導体３と対向している端部で発生し、信号線２と信号用接地導体３とに挟まれる間隙の部分に集中する。伝送線路２０とシリコン基板１との距離が近いと、これらの電気力線がシリコン基板１内を通る。シリコン基板１は絶縁体の基板に比べて電気伝導度が大きい。したがって、高周波信号が伝送線路に沿って伝播するときに、仮に、伝送線路の周囲の電気力線がシリコン基板内を通ると、すなわち、伝送線路周囲の電磁場がシリコン基板に入り込むと、シリコン基板１内部で電流が流れて伝送損失が生じる。
【００１８】
しかし、本発明に基づいて形成されたシールド用接地導体５は、信号線２と信号用接地導体３との間隙の真下に配置されているので、伝送線路２０とシリコン基板１との電磁的結合を弱めて、高周波の電磁場がシリコン基板１の内部に侵入することを防ぐことができる。すなわち、信号線２と信号用接地導体３との間に生じる電気力線が、シリコン基板１に侵入することを防止するシールドの役目を果たすことができる。従って、上記の間隙と半導体基板とに挟まれるように形成されたシールド用接地導体を含む構成を採用することにより、半導体基板の内部に電流が流れることを低減することができ、高周波信号の伝送損失を抑制することができる。その結果、高周波信号の減衰を小さくすることができる。また、同じ基板内に近接する複数の信号線がある場合には、信号線同士の電磁的結合も抑制することができて、クロストーク雑音を低減することができる。
【００１９】
本実施の形態における半導体基板としては、汎用的なシリコン基板が用いられている。この構成を採用することにより、半導体装置を安価に形成することができる。また、基板が汎用的であるため、様々な種類の半導体装置に適用することができる。また、シリコン基板を用いた半導体装置では通常、単結晶シリコンなどにイオン注入が行なわれた基板が用いられているため、電気伝導度が大きくなっている。このため、伝送線路とシリコン基板との電磁的結合が強い場合には、シリコン基板内部に高周波電流が流れて大きな伝送損失を生じる。したがって、このことを防止できる本発明は、半導体基板としてシリコン基板を用いた場合において、特に顕著な効果を奏する。
【００２０】
高周波信号の伝送損失は、基板の種類の他に高周波信号の周波数にも依存する。これらの依存性を示す指標として、誘電損失の大きさを用いることができる。誘電損失の大きさは、以下の誘電正接ｔａｎδで示される。
【００２１】
ｔａｎδ＝σ／ωε    …（１）
（σ：電気伝導度，ε：誘電率，ω：２πｆ，ｆ：周波数）
この誘電正接の値が大きいと高周波信号の伝送損失が大きく、逆に誘電正接の値が小さいと伝送損失が小さい。本発明において、実質的に伝送損失の弊害が生じることを考慮すると、誘電正接の値が０．０１以上の高周波の半導体装置に対して特に有用である。
【００２２】
伝送損失を低減するには、信号線と信号用接地導体との間に生じる電気力線をシールド用接地導体で遮蔽することができればよい。断面において、信号線と信号用接地導体との間隙の下側にシールド用接地導体が形成されていれば、本発明の効果を得ることができる。本実施の形態におけるシールド用接地導体は、断面における幅（図１（ａ）における幅１２）が、信号用接地導体同士の距離（図１（ａ）における距離１１）より長くなっている。シールド用接地導体は、半導体基板の側から絶縁層を透視して見たときに、信号線と信号用接地導体との間隙を完全に覆うように形成されている。この構成を採用することにより、伝送損失を低減する効果を大きくすることができる。
【００２３】
本実施の形態における半導体装置は、信号線と信号用接地導体とが略同一平面上に形成されている。この構成を採用することによって、半導体装置の製造において、信号線および信号用接地導体を容易に形成することができる。また、信号用接地導体は信号線を挟むように形成されている。この構成を採用することによって、本発明をコプレーナ線路の構成を有する半導体装置に適用することができる。また、本実施の形態においては、信号線と信号用接地導体との２つの間隙に対して、１つのシールド用接地導体が形成されている。このように、複数の間隙に対して、一のシールド用接地導体が形成されることによって、シールド用接地導体の形状を簡単にすることができる。
【００２４】
本実施の形態においては、シールド用の導体として接地された導体が採用されているが、接地された導体に代えて、接地が行なわれていない導体、すなわち、絶縁層の内部で電気的に浮遊している導体を採用することもできる。
【００２５】
（実施の形態２）
（構成）
図２から図４を参照して本発明に基づく実施の形態２における半導体装置について説明する。
【００２６】
図２は、本実施の形態における半導体装置の一部の断面図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は（ａ）におけるＩＩＢ−ＩＩＢ線に関する矢視断面図である。
【００２７】
半導体基板としてシリコン基板１が板状に形成されていることや、シリコン基板１の主表面上に絶縁層４が形成され、絶縁層４の内部に、信号線２および信号用接地導体３が形成されていることは実施の形態１における半導体装置と同様である。信号線２を挟むように信号用接地導体３が、間隙を介して略同一平面上に形成されていることも実施の形態１における半導体装置と同様である。
【００２８】
本実施の形態における半導体装置には、それぞれの信号線２と信号用接地導体３との間隙ごとにシールド用接地導体６が形成されている。１つの上記の間隙に対応して、シールド用接地導体６が１つ形成されている。図２に示す半導体装置においては、２つの間隙に対してシールド用接地導体６が２つ形成されている。
【００２９】
図３（ａ）に本実施の形態におけるシールド用接地導体６のみの平面図を示す。本実施の形態におけるシールド用接地導体６は板状に形成され、シールド用接地導体６は、信号線２と信号用接地導体３との間隙の形状に合わせてそれぞれ形成されている。本実施の形態におけるシールド用接地導体６は、平面形状が一定の幅を有して延びるように形成されている。シール導用接地導体は、外周面が平面で形成されている形態に限られず、曲面を含むような形状でもあってもよい。また、図３（ｂ）に示すように、２つのシールド用接地導体の一部が互いにつながった形状を有するシールド用接地導体７であってもよい。この場合、シールド用接地導体７は、実施の形態１における平板状のシールド用接地導体に、開口部１６を形成した形状とすることができる。開口部１６は、信号用接地導体と信号線との間隙の真下を避けて形成されることが好ましい。
【００３０】
その他の構成については実施の形態１における半導体装置と同様であるのでここでは説明を繰返さない。
【００３１】
（作用・効果）
高周波信号が信号線を伝播する際、電気力線は信号線と信号用接地導体との間隙に集中する。特に、信号線２の幅が広いとき（信号線２の長手方向に垂直な長さが長いとき）は、信号線２の幅方向における中央部においては、電気力線の密度が小さくなる。したがって、信号線２の長手方向に垂直な断面における信号線２の幅方向のほぼ中央部の真下には、シールド用接地導体６が形成されていなくても伝送損失を十分に抑制することができる。
【００３２】
図２に示すように、本実施の形態におけるシールド用接地用導体は、半導体基板の側から絶縁層を透視して見たときに、信号線と信号用接地導体との間隙の全体を覆うように形成されている。すなわち、図２（ａ）の断面図において、信号線２と信号用接地導体３との距離１３よりシールド用接地導体６の幅１４の方が長くなるように形成されている。この構成を採用することにより、伝送損失を低減する効果を十分に大きくすることができる。なお、信号線２と信号用接地導体３との距離１３とシールド用接地導体６の幅１４とを同程度にすることによっても、十分な効果を得ることができる。
【００３３】
一方で、図４の断面図に示すように、シリコン基板１の側から絶縁層４を透視して見たときに、信号線２と信号用接地導体３との間隙の一部のみを隠すように、シールド用接地導体８が形成されていても伝送損失を低減する効果をある程度は得ることができる。
【００３４】
その他の作用および効果については実施の形態１における半導体装置と同様であるのでここでは説明を繰返さない。
【００３５】
（実施の形態３）
（構成）
図５を参照して本発明に基づく実施の形態３における半導体装置について説明する。図５（ａ）は、本実施の形態における半導体装置の一部の断面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＶＢ−ＶＢ線に関する矢視断面図である。
【００３６】
半導体基板としてシリコン基板１が板状に形成されていることや、シリコン基板１の主表面上に絶縁層４が形成され、絶縁層４の内部に、信号線２および信号用接地導体３が形成されていることは実施の形態１における半導体装置と同様である。
【００３７】
本実施の形態における半導体装置は、コプレーナ線路の構成を有していない伝送線路を備える。伝送線路２０は、信号線２および信号用接地導体３が、それぞれ離れて略同一平面上に形成され、１つの信号線２に対して１つの信号用接地導体３が形成されている。すなわち、信号線２の長手方向に垂直な断面において、信号線２の片側の端部のみに対向するように信号用接地導体３が形成されている。信号線２の端部１５は、信号用接地導体に対向していない。
【００３８】
信号線２と信号用接地導体３との間隙の真下には、この間隙とシリコン基板１とに挟まれるように、シールド用接地導体９が形成されている。シールド用接地導体９は板状に形成され、シリコン基板１の側から絶縁層４を透視して見たときに、間隙の全体を完全に覆うように形成されている。信号線２の端部１５の側においては、シールド用接地導体９は、端部１５とシリコン基板１とに挟まれるように形成され、信号線２をシリコン基板１に投影したときに、信号線２の影となる部分の内側から影となる部分の外側まで形成されている。伝送線路側から絶縁層４を透視して見た場合には、信号線２の端部１５からシールド用接地導体９がはみ出して見えるように形成されている。
【００３９】
その他の構成については実施の形態１における半導体装置と同様であるのでここでは説明を繰返さない。
【００４０】
（作用・効果）
本実施の形態における半導体装置において、信号線２と信号用接地導体３との間隙における電気力線を、この間隙の真下に形成されているシールド用接地導体９で遮蔽することについては実施の形態１と同様である。
【００４１】
電気力線は、信号用接地導体３と対向する端部のみでなく、信号用接地導体３と対向しない端部１５からも発生する。このため、信号線２の端部１５から発生する電気力線についても、シリコン基板１に到達しないようにシールド用接地導体９で遮蔽する必要がある。図５に示すように、シールド用接地導体９が、信号線２をシリコン基板１に投影したときに、端部１５の影となる部分の内側から影となる部分の外側まで形成されていることによって、端部１５におけるシリコン基板１との電磁的結合を抑制することができる。シールド用接地導体９の幅方向の長さのうち、端部１５の影の外側に突出する部分の長さは、ある程度長い方が好ましい。この突出する部分の好ましい長さは、伝送線路と半導体基板との距離や信号線とシールド用接地導体との距離などに依存するが、一般的な半導体装置の構成を考慮すると、信号線の長手方向に垂直な断面における信号線の長さの半分程度である。
【００４２】
その他の作用および効果については実施の形態１における半導体装置と同様であるのでここでは説明を繰返さない。
【００４３】
（実施の形態４）
（構成）
図６を参照して本発明に基づく実施の形態４における半導体装置について説明する。図６（ａ）は、本実施の形態における半導体装置の一部の断面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＶＩＢ−ＶＩＢ線に関する矢視断面図である。
【００４４】
半導体基板としてシリコン基板１が板状に形成されていることや、シリコン基板１の主表面上に絶縁層４が形成され、絶縁層４の内部に、信号線２が形成されていることは実施の形態１における半導体装置と同様である。
【００４５】
本実施の形態における半導体装置は、信号線２と接地導体１０とが、略同一平面上に形成されておらず、それぞれ異なる平面上に形成されている構成を有する。接地導体１０は、信号線２を含む面とシリコン基板１との間に形成されている。接地導体１０は、信号線２の端部ごとに別個に形成され、信号線２をシリコン基板１に投影したときに、信号線２の影となる部分の内側から影となる部分の外側まで形成されている。図６に示す信号線の長手方向に垂直な断面においては、１つの信号線２に含まれる２つの端部に対して、それぞれの接地導体１０が形成されている。
【００４６】
半導体基板として、シリコン基板以外にも炭化シリコン基板が用いることができることなど、その他の構成については実施の形態１における半導体装置と同様であるのでここでは説明を繰返さない。
【００４７】
（作用・効果）
本実施の形態における半導体装置においては、信号線２に、高周波信号を伝播させると、電気力線は、信号線２と接地導体１０との間に集中して発生する。すなわち、図６（ａ）において、電気力線は、シリコン基板１の厚さの方向に向けて発生するので、従来問題とされていた電気力線がシリコン基板１内を通ることを回避できる。したがって、接地導体１０は、信号用接地導体としての機能を有するとともに、シールド用接地導体としての機能も有する。その結果、高周波信号の伝送損失を低減することができる。また、本実施の形態の構成を採用することによって、半導体装置の構成を簡単にすることができる。
【００４８】
その他の作用および効果については実施の形態１における半導体装置と同様であるのでここでは説明を繰返さない。
【００４９】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は、上記した説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【００５０】
【発明の効果】
本発明によれば、基板として半導体基板を用いた半導体装置において、高周波信号の伝送損失を低減した半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に基づく実施の形態１における半導体装置の説明図であり、（ａ）は半導体装置の一部の断面図、（ｂ）は（ａ）におけるＩＢ−ＩＢ線に関する矢視断面図である。
【図２】本発明に基づく実施の形態２における一の半導体装置の説明図であり、（ａ）は半導体装置の一部の断面図、（ｂ）は（ａ）におけるＩＩＢ−ＩＩＢ線に関する矢視断面図である。
【図３】（ａ）は、本発明に基づく実施の形態２における一のシールド用接地導体の平面図であり、（ｂ）は他のシールド用接地導体の平面図である。
【図４】本発明に基づく実施の形態２における他の半導体装置の一部の断面図である。
【図５】本発明に基づく実施の形態３における半導体装置の説明図であり、（ａ）は半導体装置の一部の断面図、（ｂ）は（ａ）におけるＶＢ−ＶＢ線に関する矢視断面図である。
【図６】本発明に基づく実施の形態４における半導体装置の説明図であり、（ａ）は半導体装置の一部の断面図、（ｂ）は（ａ）におけるＶＩＢ−ＶＩＢ線に関する矢視断面図である。
【図７】シリコンを材料とした基板を備える高周波半導体装置の伝送損失を示すグラフである。
【符号の説明】
１  シリコン基板、２  信号線、３  信号用接地導体、４  絶縁層、５，６，７，８，９  シールド用接地導体、１０  接地導体、１１，１３  距離、１２，１４  幅、１５  端部、１６  開口部、２０  伝送線路。
【図１】
2004357011.tif 000003
【図２】
2004357011.tif 000004
【図３】
2004357011.tif 000005
【図４】
2004357011.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2004357011.tif 000009