(57)【要約】【課題】ガラスフリット混合物からなるグリーンシート表面に銀電極を形成し、このグリーンシートとともに銀電極を焼成して電子回路基板を製造したときの基板の反りを小さくできるガラスフリット混合物の提供。【解決手段】質量百分率表示で、ガラス転移点が４５０〜８００℃のガラス粉末５０〜９９．９９％、酸化銅、酸化銀、酸化金、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化パラジウム、酸化オスミウム、酸化イリジウムおよび酸化白金からなる群から選ばれる１種以上の金属酸化物の粉末であって質量平均粒径が０．１μｍ以上である粉末０．０１〜１％、ＣｅＯ２粉末０〜１０％、セラミックスフィラー０〜４８％、から本質的になるガラスフリット混合物。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量百分率表示で、ガラス転移点が４５０〜８００℃のガラス粉末５０〜９９．９９％、酸化銅、酸化銀、酸化金、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化パラジウム、酸化オスミウム、酸化イリジウムおよび酸化白金からなる群から選ばれる１種以上の金属酸化物の粉末であって質量平均粒径が０．１μｍ以上である粉末０．０１〜１％、ＣｅＯ２粉末０〜１０％、セラミックスフィラー０〜４８％、から本質的になるガラスフリット混合物。
【請求項２】
前記金属酸化物の粉末の質量平均粒径が２０μｍ以下である請求項１に記載のガラスフリット混合物。
【請求項３】
前記ガラス粉末が、下記酸化物基準のモル％表示で、ＳｉＯ２  ３５〜６０％、Ａｌ２Ｏ３  ２〜２０％、Ｂ２Ｏ３  ０〜７％、ＭｇＯ  ０〜４０％、ＣａＯ０〜４０％、ＳｒＯ  ０〜３５％、ＢａＯ  ０〜３５％、ＺｎＯ  ０〜１０％、から本質的になる無鉛ガラスの粉末である請求項１または２に記載のガラスフリット混合物。
【請求項４】
前記ガラス粉末が、９００℃で焼成したときに結晶化するガラスの粉末である請求項１、２または３に記載のガラスフリット混合物。
【請求項５】
セラミックスフィラーがα−アルミナ、コーディエライト、フォルステライト、エンスタタイトおよびスピネルからなる群から選ばれる１種以上の無機物の粉末である請求項１、２、３または４に記載のガラスフリット混合物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載のガラスフリット混合物を焼成して電子回路基板を製造することを特徴とする電子回路基板製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の電子回路基板製造方法によって製造された電子回路基板であって、該基板表面に銀含有導体を用いて配線が形成されていることを特徴とする電子回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、焼成して電子回路基板を作製するのに好適なガラスフリット混合物、電子回路基板およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子回路基板として、アルミナ粉末を焼結して作製されるアルミナ基板が広く使用されている。
前記アルミナ基板においては、アルミナ粉末の焼結温度が約１６００℃と高いために、アルミナ基板作製と同時に焼成する電極の材料としてタングステン（融点：３４００℃）、モリブデン（融点：２６２０℃）等の高融点金属しか使用できなかった。そのため、比抵抗が小さいが融点が１６００℃以下である銀（融点：９６２℃）等の非・高融点金属を前記電極の材料として使用できない問題があった。
【０００３】
このような問題を解決するために９５０℃以下で焼結可能なガラスセラミックス組成物が開発されているが、これらガラスセラミックス組成物の焼成体の比誘電率および誘電損失はいずれもアルミナと同程度またはそれ以下であることが求められている。
【０００４】
また、焼成体の強度を高くするために、焼成によって結晶化するガラスすなわち結晶化ガラスを含有するガラスセラミックス組成物も開示されている（たとえば特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−２２０２５６号公報（表１）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
これらガラスセラミックス組成物は、グリーンシートにして、表面に銀含有導体を用いて電極を形成し、電極とともに焼成して電子回路基板とすることができる。しかし、焼成時におけるガラスセラミックス組成物と銀含有導体の焼結収縮挙動が異なるために焼成して得られた基板に反り等の変形が生じることがある。本発明は、上記課題を解決するガラスフリット混合物、電子回路基板製造方法および電子回路基板の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、質量百分率表示で、ガラス転移点が４５０〜８００℃のガラス粉末５０〜９９．９９％、酸化銅、酸化銀、酸化金、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化パラジウム、酸化オスミウム、酸化イリジウムおよび酸化白金からなる群から選ばれる１種以上の金属酸化物の粉末であって質量平均粒径が０．１μｍ以上である粉末０．０１〜１％、ＣｅＯ２粉末０〜１０％、セラミックスフィラー０〜４８％、から本質的になるガラスフリット混合物を提供する。
【０００８】
また、前記ガラスフリット混合物を焼成して電子回路基板を製造することを特徴とする電子回路基板製造方法を提供する。
また、前記電子回路基板製造方法によって製造された電子回路基板であって、該基板表面に銀含有導体を用いて配線が形成されていることを特徴とする電子回路基板を提供する。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明のガラスフリット混合物（以下、本発明の混合物という。）は通常、グリーンシート化して使用される。すなわち、本発明の混合物はポリビニルブチラールやアクリル樹脂等の樹脂と、トルエン、キシレン、ブタノール等の溶剤と、さらに必要に応じてフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等の可塑剤や分散剤を添加して混合し、スラリーとされる。次に、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のフィルム上にドクターブレード法等によって、前記スラリーをシート状に成形する。このシート状に成形されたものを乾燥して溶剤を除去し、グリーンシートとする。
【００１０】
このグリーンシートは、典型的には８００〜９５０℃に５〜１８０分間、より典型的には８５０〜９００℃に５〜１８０分間保持する焼成工程を経て、電子回路基板とされる。
【００１１】
このようにして本発明の混合物を焼成して電子回路基板を製造する方法は本発明の電子回路基板製造方法である。
【００１２】
本発明の混合物を９００℃で焼成して得られる焼成体の２０℃、３５ＧＨｚにおける比誘電率εは８．６以下であることが好ましい。より好ましくは７．８以下である。また、εは典型的には４以上である。なお、前記９００℃に保持する時間は典型的には３０分間である。
【００１３】
また、前記焼成体の２０℃、３５ＧＨｚにおける誘電損失ｔａｎδは０．００３０以下であることが好ましい。より好ましくは０．００２４以下、さらに好ましくは０．００１９以下である。なお、ｔａｎδは典型的には０．０００５以上である。
【００１４】
次に、本発明の混合物の成分について説明する。なお、含有量は質量百分率表示を用いて示す。
【００１５】
ガラス転移点ＴＧが４５０〜８００℃であるガラス粉末（以下、本発明のガラス粉末という。）は本発明の混合物の主成分であり、焼成体の緻密性を向上させる等の効果を有し、必須である。５０％未満では緻密性が不足する。好ましくは５５％以上、より好ましくは５７％以上である。９９．９９％超では後述する他の成分の含有量が小さくなる。好ましくは７０％以下である。
【００１６】
前記ＴＧは８００℃以下であるが、本発明の混合物を９００℃またはそれ以下の温度で焼成して得られる焼成体の緻密性をより向上させるためには７６０℃以下であることが好ましく、７３０℃以下であることがより好ましい。
【００１７】
また、ＴＧは４５０℃以上であるが、本発明の混合物を９００℃で焼成しても流動性が過多とならず所望の焼成体をより容易に得られるようにするためには５５０℃以上であることが好ましく、６００℃以上であることがより好ましい。
【００１８】
本発明のガラス粉末の質量平均粒径Ｄ５０は０．５〜１５μｍであることが好ましい。０．５μｍ未満では保存安定性が低下するおそれがある。１５μｍ超では焼結性が低下するおそれがある。
【００１９】
本発明のガラス粉末を９００℃で焼成して得られる焼成体の２０℃、３５ＧＨｚにおける比誘電率εＧは８以下であることが好ましい。また、εＧは典型的には４以上である。なお、前記９００℃に保持する時間は典型的には３０分間である。
【００２０】
また、前記焼成体の２０℃、３５ＧＨｚにおける誘電損失ｔａｎδＧは０．００７０以下であることが好ましい。より好ましくは０．００５５以下、特に好ましくは０．００３０以下である。なお、ｔａｎδＧは典型的には０．００１０以上である。
【００２１】
本発明のガラス粉末は、９００℃で焼成したときに結晶が析出するものであることが好ましい。結晶が析出しないものでは焼成体の強度が低下するおそれがある。
εＧまたはｔａｎδＧを小さくするためには、前記結晶は、アノーサイト、ＢａＡｌ２ＳｉＯ８、コーディエライト、ディオプサイド、エンスタタイトおよびフォルステライトからなる群から選ばれる結晶の１種以上であることが好ましい。
【００２２】
本発明のガラス粉末は、下記酸化物基準のモル％表示で、ＳｉＯ２  ３５〜６０％、Ａｌ２Ｏ３  ２〜２０％、Ｂ２Ｏ３  ０〜７％、ＭｇＯ  ０〜４０％、ＣａＯ  ０〜４０％、ＳｒＯ  ０〜３５％、ＢａＯ  ０〜３５％、ＺｎＯ  ０〜１０％、から本質的になる無鉛ガラスの粉末であることが好ましい。
【００２３】
以下、前記好ましいガラス粉末の組成についてモル％表示含有量を用いて説明する。
ＳｉＯ２はガラスのネットワークフォーマであり、必須である。３５％未満ではガラス化しないおそれがある、εＧが大きくなる、ｔａｎδＧが大きくなる、または化学的耐久性が低下する。好ましくは４０％以上である。６０％超ではＴＧが高くなり、９５０℃以下の温度で焼結することが困難となる。また、焼成したときに結晶が析出するものを得にくくなり焼成体の強度が低下するおそれがある。好ましくは５５％以下、より好ましくは５２％以下である。
【００２４】
Ａｌ２Ｏ３はガラスを安定化させ、また化学的耐久性を高める成分であり、必須である。２％未満ではガラスが不安定になる。好ましくは４％以上である。また、Ａｌ２Ｏ３はアノーサイト、ＢａＡｌ２ＳｉＯ８およびコーディエライトの構成成分であるので焼成したときにこれら結晶が析出するものが得られなくなる、または得にくくなる。これら結晶を析出させたい場合等においてはＡｌ２Ｏ３は７％以上であることが好ましい。２０％超ではＴＧが高くなり、９５０℃以下の温度で焼結することが困難となる。好ましくは１５％以下、より好ましくは１０％以下である。
【００２５】
Ｂ２Ｏ３は必須ではないが、流動性を高め、焼成体の緻密性を高めるために７％まで含有してよい。７％超では化学的耐久性が低下する、またはｔａｎδＧが大きくなるおそれがある。好ましくは５％以下、より好ましくは２％以下である。
【００２６】
ＭｇＯは必須ではないが、コーディエライトまたはディオプサイドを焼成時に析出させたい等の場合には４０％まで含有してもよい。４０％超ではガラスが不安定になる。好ましくは３８％以下、より好ましくは３５％以下である。ＭｇＯを含有する場合その含有量は、好ましくは７％以上、より好ましくは１５％以上、特に好ましくは２０％以上である。
【００２７】
ＣａＯは必須ではないが、アノーサイトまたはディオプサイドを焼成時に析出させたい等の場合には４０％まで含有してもよい。４０％超ではガラスが不安定になる。好ましくは３０％以下、より好ましくは２５％以下、特に好ましくは２０％以下である。ＣａＯを含有する場合その含有量は、好ましくは７％以上、より好ましくは１０％以上、特に好ましくは１２％以上である。
【００２８】
ＳｒＯおよびＢａＯはいずれも必須ではないが、ガラスを安定化させる等のためにそれぞれ３５％まで含有してもよい。３５％超ではガラスがかえって不安定になる、またはεＧが大きくなるおそれがある。好ましくはそれぞれ２０％以下、より好ましくは１０％以下である。
【００２９】
ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯのいずれか１種以上を含有することが好ましい。これら４成分のいずれも含有しないとガラスが不安定になる、または焼成時に結晶が析出しにくくなるおそれがある。特に、ＭｇＯ、ＣａＯおよびＢａＯいずれか１種以上を含有することが好ましい。
【００３０】
ＭｇＯ、ＣａＯおよびＢａＯの含有量の合計は、好ましくは２０％以上、より好ましくは２５％以上である。また、前記合計は６０％以下であることが好ましい。６０％超ではガラスがかえって不安定になる。
【００３１】
ＺｎＯは必須ではないが、ガラスの溶融温度を低下させる等のために１０％まで含有してもよい。１０％超では化学的耐久性、特に耐酸性が低下する。好ましくは５％以下である。
【００３２】
前記好ましいガラス粉末は本質的に上記成分からなるが、他の成分を本発明の目的を損なわない範囲で含有しても良い。当該他の成分の含有量の合計は好ましくは１０％以下である。１０％超ではガラスが失透しやすくなる。より好ましくは５％以下である。
【００３３】
当該他の成分として、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２、Ｐ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３、ＭｏＯ３、ＣｅＯ２等が例示される。
【００３４】
酸化銅、酸化銀、酸化金、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化パラジウム、酸化オスミウム、酸化イリジウムおよび酸化白金の粉末であってＤ５０が０．１μｍ以上である粉末（以下、酸化金属粉末という。）は、前記基板の反り等の変形を抑制する、または本発明のガラス粉末の焼成時における結晶析出を促進する等の効果を有し、必須である。
【００３５】
酸化金属粉末の含有量の合計が０．０１％未満では前記効果が小さい。好ましくは０．０２％以上、より好ましくは０．０３％以上、特に好ましくは０．１％以上である。１％超ではｔａｎδが大きくなる。好ましくは０．７％以下、より好ましくは０．５％以下である。
【００３６】
酸化銅粉末を含有する場合その含有量は０．３％以下であることが好ましい。０．３％超ではｔａｎδが大きくなるおそれがある。より好ましくは０．２％以下である。
【００３７】
酸化金属粉末のＤ５０は０．５μｍ以上であることが好ましい。また、前記Ｄ５０は２０μｍ以下であることが好ましい。２０μｍ超では混合度が低下し焼成体の強度が低下するおそれがある。
【００３８】
ＣｅＯ２粉末は必須ではないが、たとえば本発明の混合物を用いて作製したグリーンシート上に銀を含む導体層を形成して焼成するときに、導体層周辺に着色が生じることを抑制する等のために１０％まで含有してもよい。１０％超では化学的耐久性が低下するおそれがある、ｔａｎδが大きくなるおそれがある、焼成体の緻密性が低下するおそれがある、または強度が低下するおそれがある。好ましくは８％以下、より好ましくは６％以下である。ＣｅＯ２粉末を含有する場合その含有量は１％以上であることが好ましい。より好ましくは１．８％以上、特に好ましくは４％以上である。
【００３９】
セラミックスフィラーは、融点またはガラス転移点が１０００℃以上の無機物の粉末である。
セラミックスフィラーは必須ではないが、焼成体の強度を増加させる等のために４８％まで含有してもよい。好ましくは４５％以下、より好ましくは４０％以下である。セラミックスフィラーを含有する場合その含有量は好ましくは９％以上、より好ましくは２０％以上である。
【００４０】
焼成体のｔａｎδをより低下させたい等の場合には、セラミックスフィラーは、α−アルミナ（融点＝２０５０℃）、コーディエライト（融点＝１４６０℃）、フォルステライト（融点＝１８９０℃）、エンスタタイト（融点＝１５５０℃）およびスピネル（融点＝２０５０℃）からなる群から選ばれる１種以上の無機物の粉末であることが好ましい。α−アルミナ粉末を含有することがより好ましい。
【００４１】
セラミックスフィラーの平均粒径は０．５〜２０μｍであることが好ましい。０．５μｍ未満では流動性が不足し、焼成体の緻密性が不足する、または焼成体の強度が低下するおそれがある。好ましくは２μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、特に好ましくは７μｍ以上である。焼成体の変形をより少なくしたい等の場合には７μｍ以上であることが好ましい。２０μｍ超では混合度が低下するおそれがある、または焼成体の強度が低くなるおそれがある。より好ましくは１５μｍ以下、特に好ましくは１２μｍ以下である。
【００４２】
本発明の混合物は本質的に上記成分からなるが、本発明の目的を損なわない範囲で他の成分を含有してもよい。当該他の成分の含有量の合計は好ましくは１０％以下、より好ましくは７％以下である。
前記他の成分としては耐熱着色顔料、Ｂ２Ｏ３粉末、ＺｎＯ粉末、ＴｉＯ２粉末等が例示される。
【００４３】
Ｂ２Ｏ３粉末、ＺｎＯ粉末およびＴｉＯ２粉末は、ＣｅＯ２粉末と同様に前記着色を抑制する効果を有し、合計で５％まで含有してもよい。５％超では、化学的耐久性が低下する、焼成体の緻密性が低下する等の問題が起こる。好ましくは４％以下である。これら３種の粉末のいずれか１種以上を含有する場合その含有量の合計は０．５％以上であることが好ましい。より好ましくは０．７％以上である。
【００４４】
Ｂ２Ｏ３粉末を含有する場合、その含有量は０．２〜５％であることが好ましい。５％超では化学的耐久性が低下する、または、グリーンシート化するときにスラリーの粘性が不安定となりグリーンシートの性状が悪化するおそれがある。より好ましくは３％以下、特に好ましくは２．５％以下である。
【００４５】
ＺｎＯ粉末を含有する場合、その含有量は０．２〜５％であることが好ましい。５％超では化学的耐久性、特に耐酸性が低下するおそれがある、ｔａｎδが大きくなるおそれがある、または焼成体の緻密性が低下するおそれがある。好ましくは２％以下である。
【００４６】
ＺｎＯ粉末の平均粒径Ｄ５０は１０μｍ以下であることが好ましい。１０μｍ超であるとＺｎＯ粉末含有効果が不十分となる。より好ましくは５μｍ以下、特に好ましくは１μｍ以下、最も好ましくは０．１μｍ以下である。
【００４７】
ＴｉＯ２粉末を含有する場合、その含有量は０．２〜５％であることが好ましい。５％超では焼成体の緻密性が低下する。より好ましくは３％以下、特に好ましくは１％以下である。
【００４８】
本発明の電子回路基板はたとえば、本発明の混合物をグリーンシート化し、その表面に銀含有導体を含む導体ペーストをスクリーン印刷等によって塗布して配線を形成した後、導体ペーストとともに焼成して製造される。
【００４９】
また、前記導体ペーストをグリーンシートに形成されたスルーホールに充填してビアを形成する等してもよい。
【００５０】
表面に配線を形成したグリーンシートを重ねて、典型的には１００〜１５０℃に加熱してプレスすることにより積層し、これを焼成して積層タイプの本発明の電子回路基板を得ることもできる。
【００５１】
前記導体ペーストは通常、銀粉末と、エチルセルロース等の有機樹脂成分と、α−テルピネオール、ブチルカルビトールアセテート等の溶剤とを主成分とするペーストである。
【００５２】
本発明の電子回路基板における反りは存在するとしても１００μｍ／ｃｍ以下であることが好ましい。１００μｍ／ｃｍ超ではベアチップの搭載、ベース基板への接合等が困難になるおそれがある。より好ましくは５０μｍ／ｃｍ以下、特に好ましくは１０μｍ／ｃｍ以下である。なお、当該反りの測定方法については後述する。
【００５３】
【実施例】
酸化物基準のモル％表示で、ＳｉＯ２が４４％、Ａｌ２Ｏ３が８％、ＭｇＯが３０％、ＣａＯが１６％、ＺｎＯが２％の組成を有するガラスの粉末を以下の方法で作製した。すなわち、ガラス原料としてケイ砂、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、亜鉛華を使用して、前記組成になるように調合、混合した原料を白金ルツボに入れて、１６００℃で１２０分間、溶融してから流し出して冷却した。
【００５４】
得られたガラスをアルミナ製ボールミルを使用して粉砕した。このガラス粉末のＤ５０を、水を溶媒として島津製作所社製レーザー回折式粒度分布計ＳＡＬＤ２１００を用いて測定した結果、２．５μｍであった。
【００５５】
また、このガラス粉末のＴＧおよび結晶化ピーク温度ＴＣは、マックサイエンス社製示差熱分析計ＴＧ−ＤＴＡを用いて測定した結果それぞれ７２０℃および９４８℃であった。なお、このガラス粉末を９００℃に６０分間保持して得られた焼成体にはＸ線回折でアノ−サイト、ディオプサイドおよびフォルステライトの析出が認められた。
また、このガラス粉末のεＧおよびｔａｎδＧを、後述するεおよびｔａｎδの測定と同様にして測定した結果、それぞれ６．７および０．００５２であった。
【００５６】
表１のガラス粉末からＡｇ２Ｏ粉末までの欄に質量百分率表示で示した割合で各粉末を混合し、例１〜例６の混合粉末を得た。
なお、アルミナ粉末として住友化学工業社製スミコランダムＡＡ１０（Ｄ５０＝９．７μｍ）を、ＣｅＯ２粉末として新日本金属化学工業社製ＣｅＯ２−１００粉末（Ｄ５０＝８．３μｍ）を、ＣｕＯ粉末Ａとして純正化学社製ＣｕＯ試薬（Ｄ５０＝４．８μｍ）を、ＣｕＯ粉末Ｂとしてシーアイ化成社製酸化銅ナノテック超微粒子（Ｄ５０＝０．０３μｍ）を、Ａｇ２Ｏ粉末とし添川理化社製Ａｇ２Ｏ試薬（Ｄ５０＝１４．７μｍ）をそれぞれ使用した。ここで、アルミナ粉末、ＣｅＯ２粉末、ＣｕＯ粉末ＡおよびＣｕＯ粉末ＢのＤ５０の測定はガラス粉末の場合と同様にして行なった。
【００５７】
例１〜例６の各混合粉末１００質量部にトルエン、キシレン、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコールからなる有機溶剤７０質量部、フタル酸ジブチル５質量部、分散剤０．５質量部およびポリビニルブチラール１０質量部を加えて攪拌し、なめらかなスラリーを得た。
【００５８】
ＰＥＴフィルム上に前記スラリーをドクターブレード法によって塗布し、乾燥してグリーンシートを得た。グリーンシートの厚さは約２００μｍであった。
【００５９】
このようなグリーンシートを２枚作製し、これらを重ねた後１１０℃に加熱してプレスすることにより積層した。得られた積層体を９００℃で１時間焼成し、厚さが約０．３ｍｍの焼成体を得た。
この焼成体の上下両面を鏡面研磨して厚さ２００μｍのサンプルを作製した。このサンプルについて空洞共振法により２０℃、３５ＧＨｚにおける比誘電率εおよび誘電損失ｔａｎδを測定した。結果を表１に示す。
【００６０】
また、４ｃｍ×４ｃｍに切断したグリーンシート６枚を用意し前記サンプルの作製と同様にしてこれらを積層した。得られた積層体（図１における符号１）の表面に、ナミックス社製銀ペーストＸ７５５８−８０Ｄを用いて図１に示すような櫛形パターンの配線２を印刷し、９００℃で１時間焼成して銀導体配線が表面に形成された焼成体（電子回路基板）が得られた。銀導体配線の厚みは０．９ｍｍであった。
【００６１】
前記銀導体配線が表面に形成された焼成体の反りを図２に示すようにして測定した。すなわち、焼成体４の厚みｔ、幅ａおよび高さｂをノギスを用いて測定し次式により反り（単位：μｍ／ｃｍ）を算出した。なお、３は銀導体配線である。
反り＝｛（ｂ−ｔ）／ａ｝×１００００          。
【００６２】
【表１】
2004182510.tif 000003
【００６３】
【発明の効果】
本発明によれば、９５０℃以下の温度で、銀導体と同時に焼成したときに基板の反りが小さく、かつεおよびｔａｎδの小さい電子回路基板が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子回路基板の製造方法を説明する図。
【図２】銀導体配線が形成された焼成体の反りの測定方法を説明する図。
【符号の説明】
１：積層体
２：印刷された櫛形パターンの配線
３：銀導体配線
４：焼成体
【図１】
2004182510.tif 000004
【図２】
2004182510.tif 000005