(57)【要約】【課題】強誘電体メモリの記憶媒体として用いる強誘電体を評価する場合に使用される強誘電体の疲労特性測定装置に関し、強誘電体を形成する試験片に繰り返し電圧波形発生源を形成することなく、強誘電体の疲労特性の測定を高速に行うことができるようにする。【解決手段】プローブ・ケーブル１２、１４の特性インピーダンスを５０Ω、オシロスコープ１３の入力インピーダンスを５０Ωとする。【選択図】　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の特性インピーダンスを有する第１の電線対で電圧波形を強誘電体の両端間に印加し、前記特性インピーダンスと同一ないし略同一の特性インピーダンスを有する第２の電線対を介して前記特性インピーダンスと同一ないし略同一の入力インピーダンスを有する測定手段により前記強誘電体の両端間の電圧を測定することを特徴とする強誘電体の疲労特性測定方法。
【請求項２】
電圧波形発生手段と、特性インピーダンスを同一ないし略同一とする第１、第２の電線対と、入力インピーダンスを前記第１、第２の電線対の特性インピーダンスと同一ないし略同一とする測定手段を有し、
前記第１の電線対は前記電圧波形発生手段から出力される電圧波形を強誘電体の両端間に印加するために使用され、
前記第２の電線対は前記測定手段により前記強誘電体の両端間の電圧を測定するために使用されることを特徴とする強誘電体の疲労特性測定装置。
【請求項３】
前記測定手段は、前記強誘電体の充電特性の変化を測定することにより、前記強誘電体の疲労特性を測定することを特徴とする請求項２記載の強誘電体の疲労特性測定装置。
【請求項４】
前記測定手段は、
前記強誘電体の充電特性を測定するために前記電圧波形発生手段から出力される所定の電圧波形を記憶する手段と、
前記所定の電圧波形と前記強誘電体に前記所定の電圧波形を印加した場合に測定される電圧波形との面積差の初期値との比を前記強誘電体の疲労尺度として算出する手段を有することを特徴とする請求項３記載の強誘電体の疲労特性測定装置。
【請求項５】
前記測定手段は、
前記強誘電体の充電特性を測定するために前記電圧波形発生手段から連続して出力される同一電圧値の第１、第２の電圧波形を記憶する手段と、
前記第１の電圧波形と前記強誘電体に前記第１の電圧波形を印加した場合に測定される電圧波形との面積差から、前記第２の電圧波形と前記強誘電体に前記第２の電圧波形を印加した場合に測定される電圧波形との面積差を減算した値の初期値との比を前記強誘電体の疲労尺度として算出する手段を有することを特徴とする請求項３記載の強誘電体の疲労特性測定装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、強誘電体メモリの記憶媒体として用いる強誘電体を評価する場合に使用して好適な強誘電体の疲労特性測定方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
強誘電体メモリでは、動作の安定性を評価するために、記憶媒体をなす強誘電体のデータ保持特性（リテンション特性）、擦り込み特性（インプリント特性）及び疲労特性（ファティーグ特性）の測定が行われる。
【０００３】
これらの特性の中で疲労特性は、強誘電体メモリに特有の破壊読出しに起因して劣化する。即ち、強誘電体メモリでは、データの読出し後、元のデータを保持するために再書込みを行わなければならず、強誘電体では分極反転が繰り返されることになるが、この分極反転の繰り返しにより強誘電体は疲労し、自発分極が徐々に低下し、疲労特性が劣化する。
【０００４】
図８は従来の強誘電体の疲労特性測定装置の一例の概略的構成図である。図８中、１は試験片に形成された評価対象の強誘電体、２は電圧波形発生手段であるパルス・ジェネレータ、３は切替スイッチ、４はソーヤタワー回路の負荷容量、５は測定手段であるオシロスコープである。
【０００５】
この疲労特性測定装置を使用して強誘電体１の疲労特性を測定する場合には、まず、切替スイッチ３の接点３Ａを接点３Ｂに接続し、パルス・ジェネレータ２から強誘電体１に対して、例えば、繰り返しパルス波形６、７等のように、強誘電体１に分極反転を繰り返して起こさせるための繰り返し電圧波形を印加して強誘電体１に分極反転による疲労を起こさせる。
【０００６】
次に、切替スイッチ３の接点３Ａを接点３Ｃに接続し、パルス・ジェネレータ２から強誘電体１に対して、例えば、三角波８を印加して、オシロスコープ５で強誘電体１のヒステリシス特性を測定する。このようにすると、ヒステリシス特性の形状から強誘電体１の疲労による劣化の程度を測定することができる。図９は強誘電体１の疲労による劣化前のヒステリシス特性と疲労による劣化後のヒステリシス特性を示している。
【０００７】
また、強誘電体１の疲労特性を測定する方法として、両極性ダブルパルス９を強誘電体１に印加し、スイッチング電荷量（Ｑｓｗ）を測定するという方法も行われている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
強誘電体１について高い長期信頼性を保証するためには、強誘電体１に起こさせる分極反転の回数を多くして疲労特性を測定する必要がある。このためには、分極反転を起こさせるために強誘電体１に印加する繰り返し電圧波形の周波数を高くするか、測定時間を長くする必要がある。効率を考えれば、短時間での測定が望ましく、分極反転を起こさせるための繰り返し電圧波形の周波数を高くすることが妥当である。
【０００９】
図８に示す従来の強誘電体の疲労特性測定装置では、パルス・ジェネレータ２と強誘電体１との接続に使用される伝送線について、電圧波形の高速伝送において重要な構成要因であるインピーダンス整合が考慮されていない。このため、１ＭＨｚを超える繰り返しパルス波形を使用すると、インピーダンス不整合により、強誘電体１の両端間の電圧は、図１０に示すように、オーバーシュートやアンダーシュートやリンギングを含むものとなってしまう。
【００１０】
これでは、強誘電体１に起こる分極反転の回数を把握することができず、精度の高い疲労特性を得ることができない。このため、図８に示す従来の強誘電体の疲労特性測定装置では、数百ＫＨｚから精々１ＭＨｚまでの繰り返しパルス波形しか用いることができず、強誘電体の疲労特性の測定を高速に行うことができないという問題点があった。
【００１１】
そこで、また、従来、このような問題点を解決するために、強誘電体１を形成する試験片にリング・オシレータを作り込み、これを繰り返し電圧波形発生源として使用することにより、強誘電体の疲労特性の高速化を図る技術が提案されている（特開平９―２３２３９８号公報）。しかし、このようにする場合には、試験片の作製が複雑になってしまうという問題点がある。
【００１２】
本発明は、かかる点に鑑み、強誘電体を形成する試験片に繰り返し電圧波形発生源を形成することなく、強誘電体の疲労特性の測定を高速に行うことができるようにした強誘電体の疲労特性測定方法及び装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の強誘電体の疲労特性測定方法は、所定の特性インピーダンスを有する第１の電線対で電圧波形を強誘電体の両端間に印加し、前記特性インピーダンスと同一ないし略同一の特性インピーダンスを有する第２の電線対を介して前記特性インピーダンスと同一ないし略同一の入力インピーダンスを有する測定手段により強誘電体の両端間の電圧を測定するというものである。
【００１４】
本発明の強誘電体の疲労特性測定装置は、電圧波形発生手段と、特性インピーダンスを同一ないし略同一とする第１、第２の電線対と、入力インピーダンスを第１、第２の電線対の特性インピーダンスと同一ないし略同一とする測定手段を有し、第１の電線対は電圧波形発生手段から出力される電圧波形を強誘電体の両端間に印加するために使用され、第２の電線対は測定手段により前記強誘電体の両端間の電圧を測定するために使用されるというものである。
【００１５】
本発明によれば、測定時に、電圧波形発生手段と強誘電体は、第１の電線対を介して接続され、強誘電体と測定手段は、第２の電線対を介して接続されるが、第１、第２の電線対の特性インピーダンスと測定手段の入力インピーダンスは同一ないし略同一とされているので、電圧波形発生手段から強誘電体に分極反転を繰り返して起こさせるための繰り返し電圧波形が出力される場合、この繰り返し電圧波形は、インピーダンス整合された伝送路を伝播することになる。したがって、繰り返し電圧波形の周波数を高くすることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の強誘電体の疲労特性測定装置の一実施形態の概略的構成図である。図１中、１０は試験片に形成された評価対象の強誘電体、１１は電圧波形発生手段であるパルス・ジェネレータ、１２はパルス・ジェネレータ１１に接続された第１の電線対であるプローブ・ケーブルであり、特性インピーダンスを５０Ωとするものである。
【００１７】
１３は測定手段であるオシロスコープであり、入力インピーダンスを５０Ωとするものである。１４はオシロスコープ１３に接続された第２の電線対であるプローブ・ケーブルであり、特性インピーダンスを５０Ωとするものである。
【００１８】
図２は強誘電体１０に対して両極性シングルパルス１７を印加した場合に強誘電体１０が示す充電特性を示す図である。強誘電体１０を疲労させる前に、強誘電体１０に負のリセットパルスＲＰを印加した後、正パルスＡ及び負パルスＢからなる両極性シングルパルス１７を強誘電体１０に印加すると、強誘電体１０の両端間の電圧波形はＣ０、Ｄ０となる。ここで、強誘電体１０の容量が大きいほど、電圧波形Ｃ０、Ｄ０の傾きは小さくなる。
【００１９】
次に、強誘電体１０を疲労させた後に、強誘電体１０に負のリセットパルスＲＰを印加した後、正パルスＡ及び負パルスＢからなる両極性シングルパルス１７を強誘電体１０に印加すると、強誘電体１０の両端間の電圧波形は、傾きを増してＣ１、Ｄ１となる。これは、疲労劣化により強誘電体１０の容量が小さくなるためである。このような両極性シングルパルス１７に対する強誘電体１０の充電特性を利用することにより強誘電体１０の疲労特性を測定することができる。
【００２０】
図３は両極性シングルパルス１７に対する強誘電体１０の充電特性を利用することにより強誘電体１０の疲労特性を測定する場合のオシロスコープ１３の疲労特性測定部の構成例（第１構成例）を示すブロック回路図である。
【００２１】
図３中、１９はメモリ、２０は減算処理部、２１は積分処理部、２２はメモリ、２３は除算処理部である。なお、減算処理部２０、積分処理部２１及び除算処理部２３は、例えば、マイクロプロセッサ等をハードウエア資源とするソフトウエアで実現することができる。
【００２２】
オシロスコープ１３の疲労特性測定部を図３に示すように構成した場合には、まず、単極性シングルパルス１７を強誘電体１０に印加せず、プローブ・ケーブル１２、１４を介してオシロスコープ１３に伝送し、単極性シングルパルス１７の正パルスＡ及び負パルスＢの電圧波形（電圧値の変化）をオシロスコープ１３のメモリ１９に記憶する。
【００２３】
次に、プローブ・ケーブル１２の先端１２Ａ、１２Ｂを強誘電体１０の両端に接続すると共に、プローブ・ケーブル１４の先端１４Ａ、１４Ｂを強誘電体１０の両端に接続する。
【００２４】
次に、パルス・ジェネレータ１１からプローブ・ケーブル１２を介して強誘電体１０に対して負のリセットパルスＲＰを印加した後、両極性シングルパルス１７を強誘電体１０の両端間に印加し、正パルスＡが印加された場合に強誘電体１０の両端間に現われる電圧波形Ｃ０と、負パルスＢが印加された場合に強誘電体１０の両端間に現われる電圧波形Ｄ０をプローブ・ケーブル１２を介してオシロスコープ１２で測定する。
【００２５】
次に、減算処理部２０において、正パルスＡと電圧波形Ｃ０との電圧差（Ａ−Ｃ０）、及び、負パルスＢと電圧波形Ｄ０との電圧差（Ｂ−Ｄ０）を演算し、積分処理部２１において、正パルスＡと電圧波形Ｃ０との面積差Ｐ０＝∫（Ａ−Ｃ０）、及び、正パルスＢと電圧波形Ｄ０との面積差Ｑ０＝∫（Ｂ−Ｄ０）を演算し、演算結果をメモリ２２に記憶する。
【００２６】
次に、パルス・ジェネレータ１１からプローブ・ケーブル１２を介して強誘電体１０に対して、繰り返しパルス波形１５、１６等のように、強誘電体１０に分極反転を繰り返して起こさせるための繰り返し電圧波形を印加して強誘電体１０に分極反転による疲労を起こさせる。
【００２７】
次に、パルス・ジェネレータ１１からプローブ・ケーブル１２を介して強誘電体１０に対して負のリセットパルスＲＰを印加した後、両極性シングルパルス１７を強誘電体１０の両端間に印加し、正パルスＡが印加された場合に強誘電体１０の両端間に現われる電圧波形Ｃ１と、負パルスＢが印加された場合に強誘電体１０の両端間に現われる電圧波形Ｄ１をプローブ・ケーブル１４を介してオシロスコープ１３で測定する。
【００２８】
次に、減算処理部２０において、正パルスＡと電圧波形Ｃ１との電圧差（Ａ−Ｃ１）、及び、負パルスＢと電圧波形Ｄ１との電圧差（Ｂ−Ｄ１）を演算し、積分処理部２１において、正パルスＡと電圧波形Ｃ１との面積差Ｐ１＝∫（Ａ−Ｃ１）、及び、正パルスＢと電圧波形Ｄ１との面積差Ｑ１＝∫（Ｂ−Ｄ１）を演算し、除算処理部２３において、Ｐ１／Ｐ０及びＱ１／Ｑ０を演算し、これらを強誘電体１０の疲労尺度として出力する。
【００２９】
以下、強誘電体１０を疲労させる工程と、強誘電体１０の充電特性Ｃｉ、Ｄｉを得る工程とを繰り返して、強誘電体１０の充電特性Ｃｉ、Ｄｉを得るごとに、強誘電体１０の疲労尺度Ｐｉ／Ｐ０、Ｑｉ／Ｑ０を演算して出力する。このようにすると、強誘電体１０の疲労特性を得ることができる。
【００３０】
この場合に得られる疲労特性は分極反転容量の減少というもので表されることになるが、これは、ヒステリシス特性の測定における２Ｐｒ（２×自発分極）やＱｓｗ（スイッチング電荷量）の減少と同意義である。なお、Ｐｉ／Ｐ０、Ｑｉ／Ｑ０のいずれか一方のみを測定するようにしても良い。
【００３１】
図４は強誘電体１０に対して両極性ダブルパルス１８を印加した場合に強誘電体１０が示す充電特性を示す図である。即ち、強誘電体１０を疲労させる前に、強誘電体１０に負のリセットパルスＲＰを印加した後、正パルスＥ、Ｆ及び負パルスＧ、Ｈからなる両極性ダブルパルス１８を強誘電体１０に印加すると、強誘電体１０の両端間の電圧波形はＪ０、Ｋ０、Ｌ０、Ｍ０となる。なお、強誘電体１０の容量が大きいほど、電圧波形Ｊ０、Ｌ０の傾きは小さく、電圧波形Ｋ０、Ｍ０の傾きは大きくなる。
【００３２】
次に、強誘電体１０を疲労させた後に、強誘電体１０に負のリセットパルスＲＰを印加した後、正パルスＥ、Ｆ及び負パルスＧ、Ｈからなる両極性ダブルパルス１８を強誘電体１０の両端間に印加すると、強誘電体１０の両端間の電圧波形はＪ１、Ｋ１、Ｌ１、Ｍ１となる。これは、強誘電体１０の疲労劣化により容量が小さくなるためである。このような両極性ダブルパルス１８に対する強誘電体１０の充電特性を利用することにより強誘電体１０の疲労特性を測定することができる。
【００３３】
図５は両極性ダブルパルス１８に対する強誘電体１０の充電特性を利用することにより強誘電体１０の疲労特性を測定する場合のオシロスコープ１３の疲労特性測定部の構成例（第２構成例）を示すブロック回路図である。図５中、２４はメモリ、２５は減算処理部、２６は積分処理部、２７は減算処理部、２８はメモリ、２９は除算処理部である。
【００３４】
オシロスコープ１３の疲労特性測定部を図５に示すように構成した場合には、まず、両極性ダブルパルス１８を強誘電体１０に印加せず、プローブ・ケーブル１２、１４を介してオシロスコープ１３に伝送し、両極性ダブルパルス１８の正パルスＥ、Ｆ及び負パルスＧ、Ｈの電圧波形をオシロスコープ１３のメモリ２４に記憶する。
【００３５】
次に、プローブ・ケーブル１２の先端１２Ａ、１２Ｂを強誘電体１０の両端に接続すると共に、プローブ・ケーブル１４の先端１４Ａ、１４Ｂを強誘電体１０の両端に接続する。
【００３６】
次に、パルス・ジェネレータ１１からプローブ・ケーブル１２を介して強誘電体１０に対して負のリセットパルスＲＰを印加した後、両極性ダブルパルス１８を強誘電体１０の両端間に印加し、正パルスＥ、Ｆが印加された場合に強誘電体１０の両端間に現われる電圧波形Ｊ０、Ｋ０と、負パルスＧ、Ｈが印加された場合に強誘電体１０の両端間に現われる電圧波形Ｌ０、Ｍ０をオシロスコープ１３で測定する。
【００３７】
次に、減算処理部２５において、正パルスＥと電圧波形Ｊ０との電圧差（Ｅ−Ｊ０）、正パルスＦと電圧波形Ｋ０との電圧差（Ｆ−Ｋ０）、負パルスＧと電圧波形Ｌ０との電圧差（Ｇ−Ｌ０）、及び、負パルスＨと電圧波形Ｍ０との電圧差（Ｈ−Ｍ０）を演算する。
【００３８】
次に、積分処理部２６において、正パルスＥと電圧波形Ｊ０との面積差∫（Ｅ−Ｊ０）、正パルスＦと電圧波形Ｋ０との面積差∫（Ｆ−Ｋ０）、負パルスＧと電圧波形Ｌ０との面積差∫（Ｇ−Ｌ０）、及び、負パルスＨと電圧波形Ｍ０との面積差∫（Ｈ−Ｍ０）を演算する。
【００３９】
次に、減算処理部２７において、面積差∫（Ｅ−Ｊ０）から面積差∫（Ｆ−Ｋ０）を減算した値Ｘ０＝∫（Ｅ−Ｊ０）−∫（Ｆ−Ｋ０）、及び、面積差∫（Ｇ−Ｌ０）から面積差∫（Ｈ−Ｍ０）を減算した値Ｙ０＝∫（Ｇ−Ｌ０）−∫（Ｈ−Ｍ０）を求め、演算結果をメモリ２８に記憶する。
【００４０】
次に、パルス・ジェネレータ１１からプローブ・ケーブル１２を介して強誘電体１０に対して、繰り返しパルス波形１５、１６等のように、強誘電体１０に分極反転を繰り返して起こさせるための繰り返し電圧波形を印加して強誘電体１０に分極反転による疲労を起こさせる。
【００４１】
次に、パルス・ジェネレータ１１からプローブ・ケーブル１２を介して強誘電体１０に対して負のリセットパルスＲＰを印加した後、両極性ダブルパルス１８を強誘電体１０の両端間に印加し、正パルスＥ、Ｆが印加された場合に強誘電体１０の両端間に現われる電圧波形Ｊ１、Ｋ１と、負パルスＧ、Ｈが印加された場合に強誘電体１０の両端間に現われる電圧波形Ｌ１、Ｍ１をオシロスコープ１３で測定する。
【００４２】
次に、減算処理部２５において、正パルスＥと電圧波形Ｊ１との電圧差（Ｅ−Ｊ１）、正パルスＦと電圧波形Ｋ１との電圧差（Ｆ−Ｋ１）、負パルスＧと電圧波形Ｌ１との電圧差（Ｇ−Ｌ１）、及び、負パルスＨと電圧波形Ｍ１との電圧差（Ｈ−Ｍ１）を演算する。
【００４３】
次に、積分処理部２６において、正パルスＥと電圧波形Ｊ１との面積差∫（Ｅ−Ｊ１）、正パルスＦと電圧波形Ｋ１との面積差∫（Ｆ−Ｋ１）、負パルスＧと電圧波形Ｌ１との面積差∫（Ｇ−Ｌ１）、及び、負パルスＨと電圧波形Ｍ１との面積差∫（Ｈ−Ｍ１）を演算する。
【００４４】
次に、減算処理部２７において、面積差∫（Ｅ−Ｊ１）から面積差∫（Ｆ−Ｋ１）を減算した値Ｘ１＝∫（Ｅ−Ｊ１）−∫（Ｆ−Ｋ１）、及び、面積差∫（Ｇ−Ｌ１）から面積差∫（Ｈ−Ｍ１）を減算した値Ｙ１＝∫（Ｇ−Ｌ１）−∫（Ｈ−Ｍ１）を求め、除算処理部２９において、Ｘ１／Ｘ０及びＹ１／Ｙ０を演算し、これらを強誘電体１０の疲労尺度として出力する。
【００４５】
以下、強誘電体１０を疲労させる工程と、強誘電体１０の充電特性Ｊｉ、Ｋｉ、Ｌｉ、Ｍｉを得る工程とを繰り返して、強誘電体１０の充電特性Ｊｉ、Ｋｉ、Ｌｉ、Ｍｉを得るごとに、強誘電体１０の疲労尺度Ｘｉ／Ｘ０、Ｙｉ／Ｙ０を演算して出力する。このようにすると、強誘電体１０の疲労特性を得ることができる。
【００４６】
このように、両極性ダブルパルス１８に対する強誘電体１０の充電特性を利用する疲労測定方法は、分極反転容量と非反転容量との差を取るようにしているので、両極性シングルパルス１７に対する強誘電体１０の充電特性を利用する疲労測定方法よりも高い精度で強誘電体１０の疲労特性を得ることができる。なお、Ｘｉ／Ｘ０、Ｙｉ／Ｙ０のいずれか一方のみを測定するようにしても良い。
【００４７】
図６はオシロスコープ１３の疲労特性測定部を図５に示すように構成した場合に得られる強誘電体１０の疲労特性（Ｘｉ／Ｘ０、Ｙｉ／Ｙ０）の測定例を示す図である。図６中、Ｗ１、Ｗ２は両極性ダブルパルス１８の電圧振幅の絶対値が３Ｖの場合のＸｉ／Ｘ０、Ｙｉ／Ｙ０であり、Ｗ３、Ｗ４は両極性ダブルパルス１８の電圧振幅の絶対値が５Ｖの場合のＸｉ／Ｘ０、Ｙｉ／Ｙ０である。
【００４８】
以上のように、本発明の強誘電体の疲労特性測定装置の一実施形態によれば、プローブ・ケーブル１２、１４の特性インピーダンスとオシロスコープ１３の入力インピーダンスを同一値である５０Ωとしたので、パルス・ジェネレータ１１から強誘電体１０に分極反転を繰り返して起こさせるための繰り返し電圧波形が出力される場合、この繰り返し電圧波形は、インピーダンス整合された伝送路を伝播することになり、オシロスコープ１３で反射することがない。
【００４９】
例えば、１０ＭＨｚの繰り返しパルス波形１６を強誘電体１０の両端間に印加した場合であっても、強誘電体１０の両端間の電圧波形は、図７に示すように、オーバシュートやアンダーシュートやリンギングのないものとなり、分極反転回数を１０１２回とする疲労特性の測定を１５時間程度で行うことができる。
【００５０】
このように、本発明の強誘電体の疲労特性測定装置の一実施形態によれば、強誘電体１０に分極反転による疲労を起こさせるための繰り返し電圧波形の周波数を高くすることができるので、強誘電体の疲労特性の測定を高速に行うことができる。
【００５１】
なお、強誘電体１０の容量を小さくすることにより、繰り返しパルス波形１５、１６等として、周波数を５０ＭＨｚ〜１００ＭＨｚとする繰り返しパルス波形を使用することができ、更なる高速化を図ることができる。また、本実施形態では、プローブ・ケーブル１２、１４の特性インピーダンスとオシロスコープ１３の入力インピーダンスを同一値である５０Ωとしているが、これらは同一ないし略同一であれば、５０Ω以外の値であっても良い。
【００５２】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、第１、第２の電線対の特性インピーダンスと測定手段の入力インピーダンスを同一ないし略同一としたことにより、電圧波形発生手段から強誘電体に分極反転を繰り返して起こさせるための繰り返し電圧波形が出力される場合、この繰り返し電圧波形は、インピーダンス整合された伝送路を伝播することになるので、繰り返し電圧波形の周波数を高くし、強誘電体の疲労特性の測定を高速に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の強誘電体の疲労特性測定装置の一実施形態の概略的構成図である。
【図２】強誘電体に対して両極性シングルパルスを印加した場合に強誘電体が示す充電特性を示す図である。
【図３】本発明の強誘電体の疲労特性測定装置の一実施形態が備えるオシロスコープの疲労特性測定部の第１構成例を示すブロック回路図である。
【図４】強誘電体に対して両極性ダブルパルスを印加した場合に強誘電体が示す充電特性を示す図である。
【図５】本発明の強誘電体の疲労特性測定装置の一実施形態が備えるオシロスコープの疲労特性測定部の第２構成例を示すブロック回路図である。
【図６】本発明の強誘電体の疲労特性測定装置の一実施形態が備えるオシロスコープの疲労特性測定部を図５に示すように構成した場合に得られる強誘電体の疲労特性の測定例を示す図である。
【図７】本発明の強誘電体の疲労特性測定装置の一実施形態において、１０ＭＨｚの繰り返しパルス波形を強誘電体の両端間に印加した場合の強誘電体の両端間の電圧変化を示す図である。
【図８】従来の強誘電体の疲労特性測定装置の一例の概略的構成図である。
【図９】強誘電体の疲労による劣化前のヒステリシス特性と疲労による劣化後のヒステリシス特性を示す図である。
【図１０】図８に示す従来の強誘電体の疲労特性測定装置が有する問題点を説明するための図である。
【符号の説明】
１…強誘電体
２…パルス・ジェネレータ
３…切替スイッチ
４…キャパシタ
５…オシロスコープ
１０…強誘電体
１１…パルス・ジェネレータ
１２…プローブ・ケーブル
１３…オシロスコープ
１４…プローブ・ケーブル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2004039183.tif 000007
【図６】
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【図７】
2004039183.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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