(57)【要約】【課題】流路表面の作動液との親液性を向上させることにより作動液の輸液量の増加を可能にし、それによりデバイス内の気化熱量の上昇及び熱効率の向上を可能とする冷却装置、電子機器装置及び冷却装置の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の冷却装置１は、作動液が循環する流路の溝が表面に形成された第１の基板１０の液相路１２の溝表面にハイドロシルセスキオキサン等からなる親水性の膜１８を形成し、該溝表面と作動液との親液性を向上させることにより、作動液の輸液量の増加を可能にし、それによりデバイス内の気化熱量の上昇及び熱効率の向上を可能とする。【選択図】　図２
2004044990.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物からの熱により作動液を気化させることで対象物を冷却する冷却部と、
前記冷却部で気化された作動液を液化して前記冷却部に循環する液化部と、
前記液化部から前記冷却部に液化された作動液を流通させ、表面に親水性の膜が形成された第１の流路と、
前記冷却部から前記液化部に気化された作動液を流通させる第２の流路と
を具備することを特徴とする冷却装置。
【請求項２】
請求項１に記載の冷却装置において、
前記冷却部を構成するウィック溝が第１の表面に設けられた第１の基板と、
前記第１の表面に接合される第２の表面を有し、前記第２の表面に前記第１の流路及び前記第２の流路を構成する溝が表面に設けられた第２の基板と
を具備することを特徴とする冷却装置。
【請求項３】
請求項１に記載の冷却装置において、
前記親水性の膜は塗布処理により形成されることを特徴とする冷却装置。
【請求項４】
請求項１に記載の冷却装置において、
前記親水性の膜はＳｉ−ＯＨ基を有する材料からなることを特徴とする冷却装置。
【請求項５】
請求項１に記載の冷却装置において、
前記親水性の膜は、ハイドロシルセスキオキサンからなることを特徴とする冷却装置。
【請求項６】
請求項１に記載の冷却装置において、
前記親水性の膜は、アルカリガラスからなることを特徴とする冷却装置。
【請求項７】
請求項１に記載の冷却装置において、
前記流路表面と前記作動液の接触角が０〜３０度であることを特徴とする冷却装置。
【請求項８】
対象物からの熱により作動液を気化させることで対象物を冷却する冷却部と、
前記冷却部で気化された作動液を液化して前記冷却部に循環する液化部と、
前記液化部から前記冷却部に液化された作動液を流通させ、表面に親水性の膜が形成された第１の流路と、
前記冷却部から前記液化部に気化された作動液を流通させる第２の流路と
を具備する冷却装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
【請求項９】
冷却部を構成するウィック溝が第１の表面に設けられた第１の基板を形成する工程と、
第１の流路及び第２の流路を構成する溝が第２の表面に設けられた第２の基板を形成する工程と、
前記第２の基板表面に親水性の膜を形成する工程と、
前記第１の基板の前記第１の表面と前記第２の基板の前記第２の表面とが接触するように接合する工程と
を具備することを特徴とする冷却装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の冷却装置の製造方法において、
前記第２の基板に前記親水性の膜を形成する工程は、塗布処理によることを特徴とする冷却装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の冷却装置の製造方法において、
前記親水性の膜を塗布した後に、前記第１の流路の溝以外の部分を除去する工程を更に具備することを特徴とする冷却装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の冷却装置の製造方法において、
前記親水性の膜を除去する工程は、ドライエッチング、アッシング又は酸素プラズマにより除去することを特徴とする冷却装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、冷却装置、電子機器装置及び冷却装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
メモリスティック（登録商標）、スマートメディア（登録商標）、コンパクトフラッシュ（登録商標）等の記憶媒体は、フロッピィ−ディスク等の従来のものと比べて小型かつ薄型であり、しかも記憶容量も非常に大きくすることが可能であることから、パソコンやディジタルカメラ等の電子機器装置に汎用されるようになってきている。
【０００３】
これらの記憶媒体はフラッシュメモリとドライバとを一体的に有するものや、ドライバが装置本体や別のカード等に搭載されたものがあるが、いずれにしても最近では相当大容量化してきている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このように記憶媒体の記憶容量が大容量化してくると、上記のドライバから多大な熱が発生し、動作不良等の問題を生じる。
【０００５】
そこで、例えば電子機器装置側に冷却装置を設けることが考えられ、そのような冷却方法としてヒートパイプを用いた技術が挙げられる。
【０００６】
ヒートパイプとは、管の内壁に毛細管構造を持たせた金属製パイプであり、内部は真空で、少量の水もしくは代替フロンなどが封入されている。ヒートパイプの一端を熱源に接触させて加熱すると、内部の液体が蒸発して気化し、このとき潜熱（気化熱）として、熱が取り込まれる。そして、低温部へ高速に（ほぼ音速で）移動し、そこで、冷やされてまた液体に戻り、熱を放出する（凝縮潜熱による熱放出）。液体は毛細管構造を通って（もしくは重力によって）元の場所へ戻るので、連続的に効率よく熱を移動させることができる。
【０００７】
しかしながら、従来のヒートパイプは管状であり空間的に大掛かりな装置となるので、小型薄型化が求められるパソコンやディジタルカメラ等の電子機器装置の冷却装置には不向きである。
【０００８】
そこで、ヒートパイプを小型化するために、２枚のパイレックス（登録商標）等のガラス基板の接合面上に溝を形成し、これらの基板を接合することによってヒートパイプを構成する流路を基板間に形成した冷却装置が提案されている。なお、上記の接合の際には、少量の水もしくは代替フロンなどが封入され、それらが、ヒートパイプ内で状態変化を起こすことによって、ヒートパイプとしての役割を果たすものである。
しかしながら、上記のようなパイレックス（登録商標）等のガラスは、親液性が十分でなく、ヒートパイプの流路基板として使用すると、輸液量が少なく、それにより熱輸送効率が低いという問題が生じる。
【０００９】
そこで、流路基板表面に膜を形成する方法が考えられる。しかしながら、膜を形成する方法として主流であるスパッタは、深い溝の流路には適切に膜形成することができないという不具合が生じる。
【００１０】
そこで、本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、デバイス内の気化熱量の上昇及び熱効率の向上を可能とする冷却装置、電子機器装置及び冷却装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の観点に係る冷却装置は、対象物からの熱により作動液を気化させることで対象物を冷却する冷却部と、前記冷却部で気化された作動液を液化して前記冷却部に循環する液化部と、前記液化部から前記冷却部に液化された作動液を流通させ、表面に親水性の膜が形成された第１の流路と、前記冷却部から前記液化部に気化された作動液を流通させる第２の流路とを具備することを特徴とする。
【００１２】
本発明では、液化部から冷却部に液化された作動液を流通させる第１の流路の表面に親水性の膜が形成されているので、作動液の輸液量の増加を可能にし、それによりデバイス内の気化熱量の上昇及び熱効率の向上を可能とする。
【００１３】
本発明の一の形態によれば、前記冷却部を構成するウィック溝が第１の表面に設けられた第１の基板と、前記第１の表面に接合される第２の表面を有し、前記第２の表面に前記第１の流路及び前記第２の流路を構成する溝が表面に設けられた第２の基板とを具備することを特徴とする。２枚の基板を接合することによって小型薄型化を図ることができる。
【００１４】
本発明の一の形態によれば、前記溝表面の膜は塗布処理により形成されることを特徴とする。これにより、溝表面に膜を確実に成膜することが可能となる。
【００１５】
本発明の一の形態によれば、前記塗布膜はＳｉ−ＯＨ基を有する材料からなることを特徴とする。これにより、Ｓｉ−ＯＨ基のように親液性を有する膜が形成されるので、輸液量を増加可能となる。
【００１６】
本発明の一の形態によれば、前記親水性の膜は、ハイドロシルセスキオキサン又はアルカリガラスからなることを特徴とする。これにより、親水性を高めることができ、輸液量を増加可能となる。
【００１７】
本発明の一の形態によれば、前記流路表面と前記作動液の接触角が０〜３０度であることを特徴とする。これにより、毛細管力はｃｏｓθ（θ：接触角）に比例することから接触角を小さくすることで、より大きな毛細管力を得ることができる。
【００１８】
本発明の第２の観点に係る電子機器は、対象物からの熱により作動液を気化させることで対象物を冷却する冷却部と、前記冷却部で気化された作動液を液化して前記冷却部に循環する液化部と、前記液化部から前記冷却部に液化された作動液を流通させ、表面に親水性の膜が形成された第１の流路と、前記冷却部から前記液化部に気化された作動液を流通させる第２の流路とを具備する冷却装置を搭載したことを特徴とする。
【００１９】
本発明では、上記構成の、冷却性能の良い冷却装置を搭載するので、電子機器装置自体は熱による動作不良が生じることがない。
【００２０】
本発明の第３の観点に係る冷却装置の製造方法は、冷却部を構成するウィック溝が第１の表面に設けられた第１の基板を形成する工程と、第１の流路及び第２の流路を構成する溝が第２の表面に設けられた第２の基板を形成する工程と、前記第２の基板表面に親水性の膜が形成する工程と、前記第１の基板の前記第１の表面と前記第２の基板の前記第２の表面とが接触するように接合する工程とを具備することを特徴とする。本発明は、上記構成の冷却装置を効率よく確実に製造することが可能となる。
【００２１】
本発明の一の形態によれば、前記第１の基板に前記親水性の膜を形成する工程は、塗布処理によることを特徴とする。これにより、深い溝に対しても適切に成膜をすることができる。
【００２２】
本発明の一の形態によれば、前記親水性の膜を塗布した後に、前記第１の流路の溝以外の部分を除去する工程を更に具備することを特徴とする。これにより、作動液が循環する第１の流路にのみ適切に親水性の膜を成膜することができる。
【００２３】
本発明の一の形態によれば、前記親水性の膜を除去する工程は、ドライエッチング、アッシング又は酸素プラズマにより除去することを特徴とする。これにより、確実に不要部位の膜を除去することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００２５】
（第１の実施形態）
（冷却装置）
図１は本発明の冷却装置を分解した斜視図であり、図２は冷却装置の組み立てた状態の断面図である。
【００２６】
図１及び図２に示すように、冷却装置１は４枚の基板からなる。下部基板１０はパイレックス（登録商標）ガラスからなる矩形状の基板であり、下側に配置される。コンデンサ基板２０、ウィック基板４０はシリコンからなる矩形状の基板である。上部基板３０はパイレックス（登録商標）ガラスからなる矩形状の基板であり、上側に配置される。コンデンサ基板２０、ウィック基板４０の溝はそれぞれ上部基板３０の孔３２、３４に組み込まれる。これら４枚の基板１０、２０、３０、４０が接着層５０を介して接着固定される。下部基板１０の表面１０ａ、コンデンサ基板２０の表面２０ｂ、上部基板３０の表面３０ｂ及びウィック基板の表面４０ｂには溝１１、２１、３１、及び４１が形成されている。これらの溝は４枚の基板が接着する際にループ状のヒートパイプとして機能するように形成されている。
【００２７】
以下、図３及び図４を用いて各基板１０、２０、３０及び４０に形成された溝の構成について説明する。
【００２８】
図３に示すように、下部基板１０の表面１０ａには溝１１が形成されている。この溝１１は、主要部として、液相となった作動液が流れる液相路１２と、気相となった作動液が流れる気相路１５と、作動液を供給するリザーバ１３と貯蔵部１７とから構成されている。この液相路１２は、例えばハイドロシルセスキオキサンからなる親水性の膜１８で被覆され形成されている。
【００２９】
図４に示すように、コンデンサ基板２０及びウィック基板４０が上部基板３０に組み込まれて上部複合基板１００を形成する。ここで、図４に示すように、コンデンサ基板２０及びウィック基板４０が上部基板３０に組み込まれて上部複合基板１００が構成される。
【００３０】
コンデンサ基板２０の表面２０ｂ上には溝２１が形成されている。この溝２１は、気相路１５から導入された気相の作動液を液相へ凝縮させるコンデンサ２２として機能する。
【００３１】
ウィック基板４０の表面４０ｂ上には溝４１が形成される。この溝４１は、冷却部として機能するもので、液相路１２またはリザーバ１３から導入された液相の作動液を気化（気相化）する。
【００３２】
図５は、下部基板１０と、上部複合基板１００とが接合した状態を示している。
【００３３】
これら下部基板１０と上部複合基板１００との接合により構成されるヒートパイプの内部には作動液（図示せず）が封入されている。封入された作動液はヒートパイプ内で液相から気相、または気相から液相へと状態変化しながら循環する。これにより熱移動を行わせ、冷却装置１として機能する。
【００３４】
以下、その液相／気相の循環の様子を便宜的に流路１２を始点として説明する。
【００３５】
まず、作動液が流路１２からウィック４２へ流入する。その際にウィック４２に流入する液体の量が所定以下であるときにはドライアウトを回避するために、リザーバ１３から不足分の液体が供給されるようになっている。
【００３６】
ウィック４２に流入した液体は、加熱され沸騰する。沸騰することによって気化して気相となった作動液は、気体受部１４に流入される。この気体は流路１５を介してコンデンサ２２へ流入し、液体に凝縮される（液相化）。このとき凝縮された作動液はコンデンサ２２の下部に配置される低温部１６へ流入する。そしてこの作動液は、低温部１６から流路１２へ再度循環される。また、低温部１６からこの流路１２へ流入する液体の量が所定以下の場合には液体貯蔵部１７に貯蔵された液体が低温部１６へ流入するようになっている。
【００３７】
なお、本実施形態では、基板の材料としてガラスを用いたが、他に材料、例えばプラスチックを用いても良いし、ガラス基板とプラスチック基板との組み合わせであっても良い。さらに、本発明では、シリコンよりも熱伝導性の低い材料であれば、それを基板の材料として用いることが可能である。
【００３８】
また、コンデンサ基板２０及びウィック基板４０の材料としてシリコンからなるものとしたが、他の材料、例えば銅又はニッケル等の金属を用いても良い。
【００３９】
また、親水性の膜材料として、ハイドロシルセスキオキサンに代えてアルカリガラスを用いることもできる。図６はアルカリガラスを親水性の膜材料として用いた冷却装置の断面図である。図６に示すように、基板１０及び基板３０に形成する親水性の膜１８としてハイドロシルセスキオキサンの代わりにアルカリガラスを用いている。
【００４０】
この場合は、アルカリガラス自体が接着剤としても機能するために、このアルカリガラスを上述の液相路１２等の溝だけでなく、基板１０及び基板３０の接合面上にも接着剤として塗布するようになっている。これによって、接着層５０が不要となる。
【００４１】
図７は流路を流れる液体の様子を模式的に示したものである。図７（ａ）は、パイレックス（登録商標）ガラスで形成された溝を流れる液体の様子を模式的に表した図であり、図７（ｂ）は、パイレックス（登録商標）ガラスに親水性の膜が形成された溝を流れる液体の様子を模式的に表した図である。
【００４２】
図７（ａ）に示すように、パイレックス（登録商標）ガラスで形成された溝を流れる液体は、溝を流れる際に形成されるガラス表面の溝との接触角が３０度を超える。このような接触角では、親水性が十分でないので、作動液の輸送量も十分でないという問題が生じている。また、膜１８が形成されていない場合の熱輸送量を計測すると、５Ｗであった。
【００４３】
これに対して、図７（ｂ）に示すように、ガラス表面に親水性の膜で被覆され形成された溝を流れる液体は、溝を流れる際に形成される該親水性の膜１８で被覆された溝との接触角が０〜３０度となる。このような接触角では、親水性を有し、毛細管力も増大する。これにより、作動液の輸送量を増大可能となる。また、このように膜１８を形成した場合の熱輸送量を計測すると、８Ｗであった。つまり、従来の膜１８が形成されていない場合と比較して、膜１８を形成することにより、熱輸送量が６０％程度向上することが確認された。
【００４４】
このように、本発明の冷却装置１は、作動液が循環する流路の溝が表面に形成された第１の基板１０の液相路１２の溝表面にハイドロシルセスキオキサンからなる親水性の膜１８を形成し、該溝表面と作動液との親液性を向上させることにより、作動液の輸液量の増加を可能にし、それによりデバイス内の気化熱量の上昇及び熱効率の向上を可能とする。
【００４５】
（冷却装置の製造方法１）
まず、膜材料としてハイドロシルセスキオキサンを用いた場合の冷却装置の製造方法について説明する。
【００４６】
図８は冷却装置１の製造工程を示したものである。
【００４７】
まず、ヒートパイプとして機能するパイレックス（登録商標）ガラスからなる基板１０の溝及び基板３０の孔を形成する（ステップ８０１）。これら溝と孔の形成方法には、サンドブラスト、ＲＩＥ（ドライエッチング）、ウエットエッチング、ＵＶ光エッチング、レーザーエッチング、プロトン光エッチング、電子線描画エッチング、マイクロモールディング等を用いて形成する。
【００４８】
次に、コンデンサ又はウィックとして機能するシリコンからなるコンデンサ基板２０及びエバポレータ用基板４０の溝を形成する（ステップ８０２）。この際、機械加工によって、溝を形成する。なお、その他の製造方法としては、ドライエッチング（例えばＲＩＥ（反応性イオンエッチング））、ウエットエッチング、ＵＶ−ＬＩＧＡ、電気鋳造などが挙げられる。
【００４９】
次に基板１０の液相路１２の表面に親水性の膜１８の成膜処理を行う（ステップ８０３）。
【００５０】
まず、基板１０に親水性の膜１８を形成する工程を図９を用いて説明する。
【００５１】
図９には、基板１０の液相路１２に表面処理を行う工程を示した図である。
【００５２】
図９（ａ）は、ステップ７０１において溝を形成した基板１０である。
【００５３】
図９（ｂ）において、ハイドロシルセスキオキサンからなる親水性の膜１８を基板全体に０．１〜２０μｍ程度の厚さになるように塗布する。この際、膜１８は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等の蒸着ではなく、塗布により形成されるので、深い溝に対しても確実に成膜することが可能となる。
【００５４】
図９（ｃ）において、膜１８の必要部位、ここでは少なくとも液相路１２にフォトリソマスク法でマスクする。
【００５５】
図９（ｄ）において、ドライエッチングを用いてマスクされていない、不要な部位の膜１８を除去する。これによって、基板１０の表面に成膜された膜１８が少なくとも液相路１２のみに成膜されるようになる。また、気相路１５の溝に膜１８が成膜されてもよい。ここでは、除去方法として、アッシング又は酸素プラズマを用いても良い。
【００５６】
図９（ｅ）において、液相路１２においての膜１８が形成される。
【００５７】
さらに、基板３０の孔に対しても、同様に膜１８を形成してもよい。
【００５８】
図１０には、基板３０の孔に表面処理を行う工程を示した図である。
【００５９】
図１０（ａ）において、ステップ７０１において、孔が形成された基板３０に、基板１０との接合する面上に約５ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さとなるようにａ−Ｓｉの接着層５０を形成する。
【００６０】
図１０（ｂ）において、ハイドロシルセスキオキサンからなる親水性の膜１８を基板全体に０．１〜２０μｍ程度の厚さになるように塗布する。この際の膜１８の形成は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等の蒸着ではなく、塗布によりで形成するので、孔に対しても確実に成膜することが可能となる。
【００６１】
図１０（ｃ）において、エッチバック法を用いて、表面を平坦化させることにより、例えば、膜１８は、基板３０の基板１０との接合する面上には露出せず、孔の内側にのみ形成されている。これによって、後述の工程を経て形成された冷却装置１は、基板３０の孔の内側も親水性が向上するので、作動液の輸液量の増加を可能とする。
【００６２】
次に、溝及び孔が各々形成された基板１０と基板３０とを陽極接合の方法を用いて接合する（ステップ８０４）。この際、基板１０及び基板３０を３００〜４００度に加熱し、５００ｖ〜１ｋｖの電圧を印加する。これによって、基板１０及び基板３０のパイレックス（登録商標）ガラスと、基板３０の基板１０との接合する表面に形成されたａ−Ｓｉの接着層５０との間で静電引力が発生し、化学結合することによって接合される。この接合する際には、作動液としてヒートパイプ内で状態変化する物質、例えば水を溝内へ封入する。
【００６３】
また、ここでは陽極接合で説明したが、他に、加圧・熱融着、超音波接合等様々な接合方法を用いても良い。
【００６４】
更に、基板３０を貫通して開けられた孔にコンデンサ基板２０及びエバポレータ基板４０を組み込む工程を行う（ステップ８０５）。これにより冷却装置１が形成されることになる。
【００６５】
（冷却装置の製造方法２）
次に、親水性の膜１８をハイドロシルセスキオキサンの代わりに、アルカリガラスを用いた場合の製造方法を説明する。ここでは、上述と同様の詳細部分は、省略して説明する。
【００６６】
図１１は冷却装置の製造工程を示したものである。
【００６７】
まず、ヒートパイプとして機能するパイレックス（登録商標）ガラスからなる基板１０の溝及び基板３０の孔を形成する（ステップ１１０１）。
【００６８】
次に、コンデンサ又はウィックとして機能するシリコンからなるコンデンサ基板２０及びエバポレータ用基板４０の溝を形成する（ステップ１１０２）。
【００６９】
次に基板１０及び基板３０の接合面上に親水性の膜１８の成膜処理を行う（ステップ１１０３）。
【００７０】
まず、基板１０に親水性の膜１８を形成する工程を図１２を用いて説明する。
【００７１】
図１２には、基板１０の接合面に膜処理をする工程を示した図である。
【００７２】
図１２（ａ）は、ステップ１１０１において溝を形成した基板１０である。
【００７３】
図１２（ｂ）において、アルカリガラスからなる親水性の膜１８を基板全体に０．１〜２０μｍ程度の厚さになるように塗布する。
【００７４】
図１３には、基板３０の孔に表面処理を行う工程を示した図である。
【００７５】
図１３（ａ）において、ステップ１１０１において、孔が形成された基板３０である。
【００７６】
図１３（ｂ）において、基板３０にアルカリガラスからなる親水性の膜１８を基板全体に０．１〜２０μ程度の厚さになるように塗布する。このように、基板１０及び基板３０の接合面に対して塗布したアルカリガラスの親水性の膜１８は、接着剤としても機能するため、上述のハイドロシルセスキオキサンの製造方法と異なり、親水性の膜１８を除去する必要がない。
【００７７】
次に、溝及び孔が各々形成された基板１０と基板３０とを陽極接合の方法を用いて接合する（ステップ１１０４）。この接合の際には、作動液として、例えば水を溝内へ封入する。
【００７８】
更に、基板３０を貫通して開けられた孔にコンデンサ基板２０及びエバポレータ基板４０を組み込む工程を行う（ステップ１１０５）。これにより冷却装置１が形成されることになる。
【００７９】
以上説明した各製造方法により、冷却装置を効率よく製造できる。
【００８０】
（電子機器装置）
図１４は本発明に係る冷却装置が搭載されたパソコンの概略斜視図である。
【００８１】
パソコン１５０は、フラッシュメモリ１５３とドライバ１５２とを有する記録媒体１５４を着脱するためのスロット１５１、及び処理部１５５を有する。本発明に係る冷却装置１はスロット１５１を介して装着された記録媒体１５４の例えばドライバ１５２の直下にウィックイックの溝４１が位置するようにパソコン１５０内に配置されている。
【００８２】
また、本発明に係る冷却装置１は、エバポレータが処理部１５５に隣接するように配置されてもよい。この場合、コンデンサは図示しない例えば冷却ファンなどに隣接するように設置するのが好ましい。これにより、処理部１５５から発せられた熱は、エバポレータで吸収され、冷却ファンの働きによってコンデンサから放出されることとなるため、処理部１５５を冷却することができる。
【００８３】
なお、ここでは、電子機器装置としてパソコンを例にとり説明したが、本発明に係る冷却装置はディジタルカメラやビデオカメラ等の他の電子機器装置にも搭載することが可能である。
【００８４】
（表示装置）
図１５は本発明に係る冷却装置が搭載された液晶ディスプレイの概略斜視図である。
【００８５】
液晶ディスプレイ１６０は、ドライバ１６１、表示部１６２、冷却ファン１６３とを有する。本発明に係る冷却装置１はドライバ１６１に隣接してエバポレータが位置するように、さらに冷却ファン１６３に隣接してコンデンサが位置するように液晶ディスプレイ内に配置されている。液晶ディスプレイ１６０の起動によってドライバ１６１から発生した熱は、エバポレータに吸収され、この吸収熱により冷却装置１の内部の液体が気化し、流路を通ってコンデンサに流れる。冷却ファン１６３はコンデンサを冷却し、コンデンサに流れてきた気体の熱を放出させ、この気体を再び液化させる。コンデンサで液化された液体は流路を通ってエバポレータに流れ、ドライバ１６１から発生した熱を吸収して再び気化する。このように冷却装置１内部の液体の循環によってドライバ１６１を冷却することができる。同様にして、エバポレータを表示部１６２に隣接して設置することにより、表示部１６２を冷却することも可能である。
【００８６】
なお、ここでは、表示装置として液晶ディスプレイを例にとり説明したが、本発明に係る冷却装置はプラズマディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等の他の表示装置にも搭載することが可能である。
【００８７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、作動液の輸液量の増加を可能とし、それによりデバイス内の気化熱量の上昇及び熱効率の向上を可能とする冷却装置、電子機器装置及び冷却装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一の形態に係る冷却装置の構成を表す分解した斜視図である。
【図２】本発明の一の形態に係る冷却装置の組み立てた状態の断面図である。
【図３】本発明の一の形態に係る冷却装置の基板を示す平面図である。
【図４】本発明の一の形態に係る冷却装置の基板を示す平面図である。
【図５】本発明の一の形態に係る冷却装置の２枚の基板、コンデンサ用基板及びエバポレータ用基板を組み立てた状態を示した平面図である。
【図６】本発明の他の形態に係る冷却装置の組み立てた状態の断面図である。
【図７】本発明において、溝表面に親水性の膜を形成するガラス基板に対して親水性の観点から比較した図である。
【図８】本発明の一の形態に係る冷却装置の製造工程を示した図である。
【図９】本発明の一の形態に係る冷却装置の基板に親水性の膜を形成する工程を示した概略図である。
【図１０】本発明の一の形態に係る冷却装置の基板に親水性の膜を形成する工程を示した概略図である。
【図１１】本発明の他の形態に係る冷却装置の製造工程を示した図である。
【図１２】本発明の他の実施形態に係る冷却装置の基板に親水性の膜を形成する工程を示した概略図である。
【図１３】本発明の他の実施形態に係る冷却装置の基板に親水性の膜を形成する工程を示した概略図である。
【図１４】本発明の冷却装置を搭載したパソコンの概略斜視図である。
【図１５】本発明の冷却装置を搭載した液晶ディスプレイの概略斜視図である。
【符号の説明】
１　　　冷却装置
１０　　基板
２０　　コンデンサ用基板
３０　　基板
４０　　エバポレータ用基板
１１　　溝
２１ｃ　溝
４１　　溝
２２　　放熱フィン
１５０　パソコン
１６０　液晶ディスプレイ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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