(57)【要約】【課題】マスクへの静電気の発生を防止でき、静電気によるマスクの破壊・異物の付着を防止し耐久性の高い近接場光露光用マスクを提供すること。【解決手段】近接場露光用マスクのパターン部に露光光に対して透明である透明導電物質（ＩＴＯなど）充填し、露光用マスク全体を導電状態にした。また、露光装置の構成としては、導電近接場露光用マスクの電位を制御することにより近接場露光用マスクへの部分的な静電気の集中を回避し、マスクの静電気による破壊を防止する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
近接場露光用マスクのパターン部に露光光に対して透明である透明導電物質（ＩＴＯなど）充填し露光用マスク全体を導電状態にしたことを特徴とする近接場露光用マスク。
【請求項２】
請求項１に記載の導電近接場露光用マスクの電位を制御することにより近接場露光用マスクへの部分的な静電気の集中を回避しマスクの静電気による破壊を防止することを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は微細パターンを転写する近接場光露光に用いられる露光用マスクの構造と露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年の半導体デバイスの集積度向上により光リソグラフィのさらなる微細化は必要不可欠のものとなっている。従来、光の波長により微細加工限界が制限される光リソグラフィ装置に対して、光の波長以下の微細加工を可能とする手段としてエバネッセント光を用いて露光マスク前面をレジスト面に密着させ露光させる方法が考えられる。従来、この密着露光に用いられるマスクは露光光に対して透明であるガラスやＳｉＯ２等からなるマスク母材の表面に、Ｃｒ等の金属膜に反射防止膜を付加してなる遮光膜を形成し、その上にフォトレジストを塗布し、これに電子ビーム露光を行なう等して露光光波長よりも狭い幅の開口を有するレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングし、エッチング部分をマスク開口とすることにより作成されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上述の方法で作成された従来のマスクは、マスク母材の平坦な表面上に所定パターンの開口部を有する形で遮光膜が堆積したものとなる。このマスクを近接場光露光用に用いる場合は、マスク母材の上記表面と反対側から露光光を入射させ、遮光膜の開口部から近接場光をしみ出させて、該遮光膜と密着あるいは近接させて配されたフォトレジスト等をこの近接場光によって露光するように用いられる。該マスクは要求パターンの形状によりパターンの一部が電気的にフローティング状態になることがあった。静電気の発生や電荷集中によりマスクやフォトレジスト等への損傷が発生する恐れや異物の付着などが懸念される。本発明は上記の事情に鑑みて、マスクへの静電気の発生を防止でき、静電気によるマスクの破壊・異物の付着を防止し耐久性の高い近接場光露光用マスクを提供することを目的とする。また本発明は、該導電性近接場光露光用マスクを用いた露光装置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明による近接場光露光用マスクは、前述したように、近接場露光用マスクのパターン部に露光光に対して透明である透明導電物質（ＩＴＯなど）充填し露光用マスク全体を導電状態にしたことを特徴とするものである。一方、露光装置の構成としては、導電近接場露光用マスクの電位を制御することにより近接場露光用マスクへの部分的な静電気の集中を回避しマスクの静電気による破壊を防止することを特徴とする。
【０００５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態について、添付の図１、図２、図３を参照して説明する。図１は、本発明の透明導電膜を用いて構成した露光マスクの構成を示す図面。図２は導電近接場光露光用マスクの概念図。図３は本発明の導電近接場光露光用マスクを用いた露光装置の構成を表す図面である。
【０００６】
本発明の透明導電膜を用いた露光マスク１００について、図１，２を参照して説明する。
【０００７】
図１における露光マスク１００は、マスク支持体１０４、マスク母材１０１、遮光膜１０２、透明導電膜１０３から構成されている。遮光膜１０２は、マスク母材１０１の上に成膜されており、その遮光膜１０２に微少開口が所望のパターンに形成され、そこに透明導電膜１０３が充填されている。また、マスク母材１０１は弾性体で構成されており、薄膜として存在している。遮光膜１０２はＣｒ等の金属膜で構成され微少開口に充填された透明導電膜１０３とで、マスク全体として良好な電気伝導特性を有する導電近接場光露光用マスクとなる。
【０００８】
この露光マスクは、図３において説明するが、近接場露光装置の圧力調整容器内に、露光マスクの裏面が面するように配置して圧力調整を加えマスクのたわみを調整する。
【０００９】
（実施例）
次に本発明の導電近接場光露光用マスクを使用した露光装置の動作を図３を参照して説明する。
【００１０】
被露光物としては、基板２０３の表面にレジスト２０２を形成する。レジスト２０２／基板２０３をステージ２０７上に取付け、ステージ２０７を駆動することにより、露光マスク１００に対する基板２０３のマスク面内２次元方向の相対位置あわせを行なう。次に、マスク面法線方向にステージ２０７を駆動し、露光マスク１００のおもて面と基板２０３上のレジスト面２０２との間隔が全面にわたって１００ｎｍ以下になるように両者を密着させる。
【００１１】
この後、露光光源２０９から照射される露光光２１０をコリメータレンズ２１１で平行光にした後、ガラス窓２１２を通し、圧力調整容器２０５内に導入し、露光マスク１００に対して裏面（図３では上側）から照射し、露光マスク１００おもて面のマスク母材１０１上の遮光膜１０２に形成された透明導電膜１０３による微少開口パターンから滲み出す近接場でレジスト２０２の露光を行なう。なお、露光マスクとレジスト／基板の密着は圧力調整手段２１３からの圧力により露光マスク１００に弾性変形による撓みを生じさせることにより薄膜部が全体にわたって密着させることが出来る。
【００１２】
ここで、ステップ・アンド・リピート動作により露光作業を繰り返すと通常の露光マスクでは静電気の蓄積などにより異物の吸引や電荷集中によりマスクやレジストにダメージを与えることがある。
【００１３】
本発明による露光装置では露光マスク１００、レジスト２０２、基板２０３などに発生した静電気は、危険領域まで蓄積される前に電位制御コントローラ２２０により適宜処理される。
【００１４】
【発明の効果】
本発明の導電近接場露光用マスクにおいては、マスクの電位を制御することにより近接場露光用マスクへの部分的な静電気の集中を回避しマスクの静電気による破壊を防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】導電近接場光露光用マスク概略図
【図２】導電近接場光露光用マスク概念図
【図３】本発明の導電近接場光露光用マスクを用いた露光装置
【符号の説明】
１００  導電近接場光露光用マスク
１０１  マスク母材
１０２  遮光膜
１０３  透明導電膜
１０４  マスク支持体
２００  電位制御タブ
２０２  レジスト
２０３  基板
２０５  圧力調整容器
２０７  ステージ
２０９  露光光源
２１０  露光光
２１１  コリメータレンズ
２１２  ガラス窓
２１３  圧力調整手段
２００  電位制御タブ
２２０  電位制御装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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