(57)【要約】【課題】複数回のリフロー加熱処理をした後においても、良好なはんだ付け性を確保することのできるめっき皮膜を有するようにする。【解決手段】前処理工程１１、自己触媒Ｎｉめっき工程１２、置換Ａｕめっき工程１３を経て、セラミック素体の表面に形成されたＣｕ電極上にＮｉ−Ｐ皮膜及びＡｕ皮膜を順次形成する。そして後処理工程１４では、Ａｕ皮膜の形成されたセラミック素体を被乾燥物とし、少なくとも１３．３Ｐａ以下に減圧された真空乾燥装置内に被乾燥物を供給し、真空乾燥処理を施し、Ｎｉ−Ｐ皮膜とＡｕ皮膜との界面に残存している水分を除去する。【選択図】　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板素体の表面に形成された導電部に第１の金属皮膜を被着した後、該第１の金属皮膜との間の置換反応によって第２の金属皮膜を前記第１の金属皮膜に被着し、その後、前記第１の金属皮膜と前記第２の金属皮膜との界面に残存する水分を除去する水分除去処理を施すことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記水分除去処理は、２５℃以下の低温で行なうことを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記水分除去処理は、真空乾燥処理であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記真空乾燥処理は、少なくとも１３．３Ｐａ以下に減圧して行なうことを特徴とする請求項３記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記第１の金属皮膜は、Ｎｉ及びＮｉ合金のいずれかを主成分としていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記第２の金属皮膜は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、及びＰｔの中から選択された少なくとも１種の金属を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の製造方法を使用して製造されたことを特徴とする電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品の製造方法、及び電子部品に関し、より詳しくはセラミック素体の表面に形成された導電部にめっき皮膜を形成する電子部品の製造方法、及び該製造方法により製造された多層基板にコンデンサパターンやインダクタパターンを内蔵してなるローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ等のＬＣフィルタやセラミックアンテナなどのセラミック多層基板を利用した電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、電子部品としてのセラミック多層基板では、一般に、セラミック素体に内部導体が埋設されると共に、該セラミック素体の表面に外部導体が形成され、外部導体と内部導体とが電気的に接続されている。そして、ボンディング性やはんだ付け性等を向上させる観点から、通常、外部導体の導電部にはＮｉ皮膜が形成され、さらにＮｉ皮膜の表面にはＡｕ皮膜が形成されている。
【０００３】
Ｎｉ皮膜やＡｕ皮膜は、通常、めっき処理して形成されるが、周知のようにめっき方法には電解めっき法と無電解めっき法とがある。そして、セラミック多層基板のような微細で複雑な導電パターンが要求されるものについては、めっき用リード線を設ける必要がなく、また電流分布の影響を受けることがない無電解めっきが多用されている。
【０００４】
また、前記無電解めっき法には、めっき液に還元剤を添加し該還元剤の酸化反応によって生ずる電子を金属の析出反応に利用する自己触媒型と、溶液中の金属イオンと素地金属間で生じる置換反応を利用した置換型とがあるが、Ｎｉ皮膜については、自己触媒型無電解めっき（以下、「自己触媒めっき」という）により形成し、Ａｕ皮膜については、置換型無電解めっき（以下、「置換めっき」という）により形成することが行われている。また、近年では、環境への配慮からシアンを含まないノンシアン系のＡｕめっき液を使用することが多い。
【０００５】
ところで、この種の電子部品では、被めっき物に含まれる水分を除去する必要があることから、水分の除去方法について、従来より、種々の方法が提案されている。
【０００６】
例えば、無電解めっき処理を行なってめっき皮膜を形成した後、洗浄槽で被めっき物を洗浄し、その後被めっき物を温純水槽に浸漬し、その後被めっき物を引き上げて乾燥するようにした技術が提案されている（特許文献１）。
【０００７】
該特許文献１では、洗浄槽と温純水槽を設けることにより無電解めっきから洗浄、乾燥までを連続処理している。
【０００８】
また、従来より、水性置換めっき組成物に金属表面を接触させて該金属表面に銀皮膜を形成し、その後銀で被覆した金属表面を洗浄し、乾燥する方法も提案されている（特許文献２）。
【０００９】
該特許文献２では、乾燥は温風を用いるのが一般的であり、例えば、処理された金属を乾燥用オーブン内に通過させてもよい旨が記載されている。
【００１０】
また、従来より、液晶ポリマー基材上に無電解Ｃｕめっき又は無電解Ｎｉめっきを行い、次いで表面めっきを施し、その後水分除去のための熱処理を行う技術も提案されている（特許文献３）。
【００１１】
該特許文献３では、１３０℃〜１７５℃に加熱された炉内で１〜２時間の熱処理を行なうことにより、液晶ポリマー基材内の水分を除去している。
【００１２】
また、上記特許文献３には、表面めっき層と無電解Ｃｕめっき層又は無電解Ｎｉめっき層との間に無電解Ｎｉめっき層を介装し、かつ５０〜２５０℃程度に加熱されたオーブン内で１〜３時間、熱処理を行うことにより前記無電解Ｎｉめっき層を硬化させる手法も開示されている。
【００１３】
さらに、従来より、セラミックと金属との複合材料上に第１及び第２のめっき皮膜を順次形成し、その後酸化性ガスが存在しない雰囲気下で乾燥熱処理を行う技術も提案されている（特許文献４）。
【００１４】
該特許文献４では、ＳｉＣ等のセラミック材料からなる多孔質焼結体の気孔にＣｕ等の金属を含浸させてなるセラミック／金属複合材料において、酸化性ガスの存在しない１００℃〜５００℃の高温雰囲気下で熱乾燥処理を施すことにより、前記複合材料に含浸された溶液が滲み出るのを防止している。
【００１５】
また、該特許文献４では、第２のめっき皮膜を形成した後に６０〜９０℃で５分間以上予備乾燥を行うことにより、複合材料表面のめっき液を蒸発揮散させることのできることが記載されている。
【００１６】
また、その他の従来技術としては、銅合金素材に２層のＮｉめっき層を形成し、その上に金めっき層を形成した後、めっきの後処理後に乾燥させる技術も提案されている（特許文献５）。
【００１７】
【特許文献１】
特開平６−６５７４８号公報（請求項１、段落番号〔００１４〕、〔００１５〕）
【特許文献２】
特開平８−２３２０７２号公報（請求項１、請求項１６、段落番号〔００６３〕）
【特許文献３】
特開平１０−１６８５７７号公報（請求項１〜３、段落番号〔００１４〕、〔００１６〕）
【特許文献４】
特開２０００−１９２２８３号公報（請求項４〜６、１０、段落番号〔００４７〕〜〔００４９〕、〔００５９〕、〔００６０〕）
【特許文献５】
特開平１０−２５１８６０号公報（請求項２）
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記セラミック多層基板では、以前より、セラミック多層基板に搭載される外部電子部品（例えば、コンデンサ）を実装すべく複数回のリフロー加熱処理を施した場合、はんだ付け性が十分に得られないという問題があった。
【００１９】
そして、本発明者らの検討結果により、上記問題の発生は、Ｎｉ皮膜と、該Ｎｉ皮膜上に置換めっきにより形成されたＡｕ皮膜との界面に存在する水分に依るものであるということが判明した。
【００２０】
すなわち、置換めっきによりＮｉ皮膜上にＡｕ皮膜を形成する場合、Ｎｉ皮膜の溶解を駆動力にしてＡｕがＮｉ皮膜上に析出し、図７に示すように、導電部１０１上のＮｉ皮膜１０２表面にＡｕ皮膜１０３が形成される。すなわち、素地金属であるＮｉとＡｕとのイオン化傾向の差によって置換反応が進行し、Ｎｉは酸化されてＮｉイオンとなり、Ａｕめっき液中に溶出する一方、めっき液中のＡｕイオンは還元されてＡｕ（金属）となり、Ｎｉ皮膜１０２上に析出する。
【００２１】
このとき、ＮｉとＡｕとの置換反応は、Ｎｉの溶出箇所とＡｕの析出箇所とは無関係にＮｉ皮膜１０２の表面で進行するため、Ｎｉの溶出によってＮｉ皮膜１０２には多数の凹所１０４が形成され、該凹所１０４に水分１０５が浸入して残存する。
【００２２】
すなわち、前記凹所１０４に水分１０５が残存しているため、セラミック多層基板に搭載される外部電子部品を実装すべく複数回のリフロー加熱処理を施した場合、Ｎｉ皮膜１０２が酸化し、はんだ付け性が低下していたのである。
【００２３】
しかも、近年、環境問題を考慮してＰｂフリーのはんだ材の使用が要望されているが、Ｐｂフリー化に伴いはんだ付け性の低下が更に顕在化するものと思われる。
【００２４】
しかしながら、上記特許文献１〜５は、いずれも温風処理又は加熱処理により被乾燥物を乾燥させているため、Ｎｉ皮膜１０２の酸化が促進され、したがってはんだ付け性の低下を防止することができない。
【００２５】
すなわち、上述のようなめっき皮膜間に残留している水分を確実に除去する技術が未だ存在しておらず、今日、Ｐｂフリー化の要請に伴いＮｉ皮膜１０２の酸化を防止する技術の開発が要請されている。
【００２６】
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、複数回のリフロー加熱処理を施した後においても、良好なはんだ付け性を有する電子部品の製造方法、及び該製造方法により製造された電子部品を提供することを目的とする。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明に係る電子部品の製造方法は、基板素体の表面に形成された導電部に第１の金属皮膜を被着した後、該第１の金属皮膜との間の置換反応によって第２の金属皮膜を前記第１の金属皮膜に被着し、その後、前記第１の金属皮膜と前記第２の金属皮膜との界面に残存する水分を除去する水分除去処理を施すことを特徴としている。
【００２８】
上記製造方法によれば、第１の金属皮膜と第２の金属皮膜との界面に残存する水分を除去しているので、その後リフロー加熱処理を行なっても第１の金属皮膜が酸化されるのを回避することができ、はんだ付け性が低下するのを防止することができる。
【００２９】
また、本発明の電子部品の製造方法は、前記水分除去処理を２５℃以下の低温で行なうことを特徴としている。
【００３０】
上記製造方法によれば、前記水分除去処理を２５℃以下の低温で行なうので、被乾燥物が高温雰囲気に晒されることもなく、したがって第１の金属皮膜が酸化されるのを回避することができる。
【００３１】
さらに、本発明の電子部品の製造方法は、前記水分除去処理が、真空乾燥処理であることを特徴としている。
【００３２】
上記製造方法によれば、真空乾燥処理を行って前記界面に残存する水分を除去しているので、被乾燥物の処理温度を上昇させることなく水分を除去することができ、第１の金属皮膜が酸化するのを回避することができる。
【００３３】
また、本発明の電子部品の製造方法は、前記真空乾燥処理が、少なくとも１３．３Ｐａ以下に減圧して行なうことを特徴としている。
【００３４】
上記製造方法によれば、少なくとも１３．３Ｐａ以下の高真空に減圧して真空乾燥処理を施すので、前記界面に残存する水分を容易に除去することができる。
【００３５】
また、この種の電子部品では、耐熱性を向上させる観点から、通常、導電部上にはＮｉ系皮膜が形成される。
【００３６】
すなわち、本発明の電子部品の製造方法は、前記第１のめっき皮膜は、Ｎｉ及びＮｉ合金のいずれかを主成分としていることを特徴としている。
【００３７】
また、置換反応によって第２の金属皮膜を第１の金属皮膜上に形成するためには、第２の金属皮膜が第１の金属皮膜よりもイオン化傾向が小さいことが必要であり、したがって第２の金属皮膜はＮｉよりもイオン化傾向が小さい金属、具体的には、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、及びＰｔ、又はこれらの合金を使用することができる。
【００３８】
すなわち、本発明の電子部品の製造方法は、前記第２の金属皮膜は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、及びＰｔの中から選択された少なくとも１種の金属を含むことを特徴としている。
【００３９】
また、本発明に係る電子部品は、上記製造方法を使用して製造されたことを特徴としている。
【００４０】
上記電子部品によれば、ＮｉやＮｉ合金からなる第１の金属皮膜の酸化を回避することができるので、複数回のリフロー加熱処理を繰り返してもはんだ付け性の低下が招来することのないセラミック多層基板等の電子部品を得ることができる。
【００４１】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳説する。
【００４２】
図１は本発明の製造方法を使用して製造された電子部品としてのＬＣフィルタの一実施の形態を示す断面図であって、該ＬＣフィルタはコンデンサパターンやインダクタパターンが多層基板としてのセラミック素体に内蔵されている。
【００４３】
すなわち、該ＬＣフィルタは、多数の内部電極２がセラミック素体１に並列状に埋設されると共に、該セラミック素体１の外周端部には多数の外部電極３が形成されている。
【００４４】
内部電極２は、具体的には、上方に第１のグランド電極２ａ、２ｂが設けられると共に、略中央部には第２のグランド電極２ｃ、２ｄが設けられ、さらに下方には第３のグランド電極２ｅ、２ｆが設けられている。そして、第１のグランド電極２ａ、２ｂと第２のグランド電極２ｃ、２ｄとの間にはコイル形状に形成されたインダクタンス電極２ｇ、２ｈが設けられている。また、第２のグランド電極２ｃ、２ｄと第３のグランド電極２ｅ、２ｆとの間には第１のコンデンサ電極２ｉ、２ｊ及び第２のコンデンサ電極２ｋ、２ｌが設けられ、さらに、第１のコンデンサ電極２ｉ、２ｊと第２のコンデンサ電極２ｋ、２ｌとの間には共通電極２ｍが設けられ、該共通電極２ｍは、全てのコンデンサ電極２ｉ〜２ｌと対向状に形成されている。そして、各グランド電極２ａ〜２ｆ、インダクタンス電極２ｇ、２ｈ、及びコンデンサ電極２ｉ〜２ｌは、いずれも外部電極３と電気的に接続可能となるように形成されている。
【００４５】
また、外部電極３は、図２に示すように、Ｃｕ等の導電部４の表面にＮｉ−Ｐ皮膜（第１の金属皮膜）５が形成され、さらに、該Ｎｉ−Ｐ皮膜５の表面にはＡｕ皮膜（第２の金属皮膜）６が形成されている。そして、本実施の形態では、Ｎｉ−Ｐ皮膜５は自己触媒めっきにより形成され、Ａｕ皮膜６は置換めっきにより形成されている。すなわち、Ｎｉ−Ｐ皮膜５中のＮｉ成分が、Ａｕめっき液中のＡｕ源と反応してめっき液中に溶出し、Ａｕが置換析出する一方で、ＮｉとＡｕとの間の置換反応は、Ｎｉの溶出箇所とは無関係に進行するため、Ｎｉ−Ｐ皮膜５の表面はＡｕによって粗される結果となり、このためＮｉ−Ｐ皮膜５には多数の凹所７が形成される。
【００４６】
次に、上記ＬＣフィルタの製造方法を説明する。
【００４７】
まず、所定形状に成形されたセラミックシートに対し、導電性ペーストを使用してスクリーン印刷を施し、導電パターンを形成する。次いで、導電パターンの形成されたセラミックシートと導電パターンの形成されていないセラミックシートとを適宜積層し、所定温度で焼成処理し、内部電極２が埋設されたセラミック素体１を形成する。
【００４８】
次に、セラミック素体１の両端部の適数箇所に導電性ペーストを塗布して焼付処理を行ない、導電部４を形成して被めっき物を作製し、該被めっき物に一連の前処理を行なった後、無電解めっき処理を施し、皮膜形成を行なう。
【００４９】
図３は製造方法の処理手順を示す製造工程図である。
【００５０】
まず、前処理工程１１では、被めっき物から有機物質や無機物質による汚染を除去すると共に、めっき液と導電部４との濡れ性を向上させるべく、被めっき物に脱脂処理を施す、尚、脱脂処理はアセトン等の非水系溶液で実施することが望ましいが、ｐＨ４〜１０のエマルジョン系脱脂液や水を使用してもよい。
【００５１】
次いで、被めっき物を硫酸塩やクエン酸等の酸性水溶液に浸漬して導電部４の表面に固着している酸化物をエッチング除去し、さらに導電部４の表面に形成されたスマットを酸性処理液で除去する。
【００５２】
次に、自己触媒Ｎｉめっき工程１２では、被めっき物をＰｄ触媒液に浸漬し、導電部４にＰｄ触媒を付与する。そして、還元剤として、Ｎｉに対し優れた還元性を有するホスフィン酸塩を使用し、浴温６０〜９０℃の無電解Ｎｉめっき液に被めっき物を浸漬して無電解Ｎｉめっきを施し、導電部４上にＮｉ−Ｐ皮膜５を形成する。
【００５３】
尚、ホスフィン酸塩としては、ホスフィン酸ナトリウム（ＮａＨ２ＰＯ２）、ホスフィン酸カリウム（ＫＨ２ＰＯ２）、ホスフィン酸カルシウム（Ｃａ（Ｈ２ＰＯ２）２）等の可溶性塩を使用することができる。
【００５４】
また、無電解Ｎｉめっき液のＮｉ２＋の供給源としては、各種ニッケル塩を使用することができ、例えば水酸化ニッケル（Ｎｉ（ＯＨ）２）、炭酸ニッケル（ＮｉＣＯ３）、硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４）、塩化ニッケル（ＮｉＣｌ２）、スルファミン酸ニッケル（Ｎｉ（ＮＨ２ＳＯ３）２）、硫酸ニッケルアンモニウム（（ＮＨ４）２Ｎｉ（ＳＯ４）２・６Ｈ２Ｏ）等を使用することができ、また無電解Ｎｉめっき液には、クエン酸やグルタミン酸等の錯化剤、その他の添加剤が含有され、ｐＨが４〜１０に調製されている。
【００５５】
次いで、置換Ａｕめっき工程１３では、Ａｕ＋或いはＡｕ３＋を含有した浴温５５〜９０℃のめっき液（Ａｕめっき液）に被めっき物を浸漬してＮｉ−Ｐ皮膜５上にＡｕめっきを施す。
【００５６】
すなわち、Ｎｉ−Ｐ皮膜５が形成された被めっき物をＡｕめっき液に浸漬すると、電気化学的に卑な金属であるＮｉが溶出して電子（ｅ−）を放出し、該放出された電子（ｅ−）によって電気化学的に貴なＡｕ＋或いはＡｕ３＋が還元され、ＡｕがＮｉ−Ｐ皮膜５上に析出し、これによりＡｕ皮膜６が形成される。
【００５７】
尚、Ａｕめっき液のＡｕ＋或いはＡｕ３＋の供給源としては、塩化金ナトリウムや亜硫酸金ナトリウムなどの金塩を使用することができ、またＡｕめっき液には、前記金塩の他、シアン化ナトリウムや亜硫酸ナトリウム、チオ硫酸などの錯化剤、その他の添加剤が含有され、ｐＨが５〜９に調製されている。
【００５８】
そしてこの後、後処理工程１４に進み、Ａｕ皮膜６の形成されたセラミック素体２を被乾燥物として真空乾燥処理を施す。
【００５９】
すなわち、上述したように、ＮｉとＡｕとの間の酸化還元反応は、Ｎｉの溶出箇所とＡｕの析出箇所とは無関係に進行するため、Ｎｉの溶出箇所にＡｕが析出するとは限らず、Ｎｉ−Ｐ皮膜５の表面はＡｕとの置換反応によって粗される。したがって、Ｎｉの溶出箇所が凹所７を形成し、該凹所７に水分が浸入して残存するため、その後のリフロー加熱処理でＮｉ−Ｐ皮膜５が酸化し、はんだ付け性が低下する。
【００６０】
そこで、本実施の形態では、加熱することなく水分除去することのできる真空乾燥処理を被乾燥物に施し、凹所７、すなわち、Ｎｉ−Ｐ皮膜５とＡｕ皮膜６との界面に残存している水分を除去している。
【００６１】
また、前記界面に残存している水分を除去するためには、真空度を高くする必要があり、このため、本実施の形態では、真空乾燥装置内の圧力を少なくとも１３．３Ｐａ以下、好ましくは１．３３×１０−４Ｐａ以下の高真空となるように減圧して真空乾燥処理を施している。
【００６２】
そしてこのようにして被乾燥物に真空乾燥処理を施した後、水洗し、次いでＡｕ皮膜６の表面に付着している水分を乾燥させ、これによりＬＣフィルタを製造している。
【００６３】
このように本実施の形態では、Ｎｉ−Ｐ皮膜５とＡｕ皮膜６との界面（凹所７）に残存している水分を真空乾燥処理により除去しているので、被乾燥物の処理温度を上昇させることなく乾燥処理を行なうことができ、Ｎｉ−Ｐ皮膜５が酸化するのを防止することができる。したがって、その後、複数回のリフロー加熱処理を行ってもめっき皮膜は良好なはんだ付け性を保持することができ、これにより実装性に優れたＬＣフィルタを得ることができる。
【００６４】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態では、置換ＡｕめっきでＡｕ皮膜６を形成した後、真空乾燥処理を施しているが、置換Ａｕめっき終了後、真空乾燥処理前に自己触媒Ａｕめっきを施し、所望の厚膜を有するＡｕ膜を形成するようにしてもよい。
【００６５】
また、上記実施の形態では、第１の金属皮膜としてＮｉを主成分としたＮｉ−Ｐ皮膜４を形成しているが、Ｎｉ合金を主成分とした金属皮膜で第１の金属皮膜を形成してもよい。
【００６６】
また、第２の金属皮膜はＡｕ皮膜に限定されるものではなく、第１の金属皮膜との間で置換反応が生じるものであればよい。具体的には、第１の金属皮膜を形成するＮｉ又はＮｉ合金よりもイオン化傾向が小さい金属種、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、及びＰｔ、或いはこれらの合金（Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ等）を第２の金属皮膜として使用することが可能である。
【００６７】
また、水分の除去についても、被乾燥物の処理温度を上昇させることなく乾燥処理を行なうことができればよい。すなわち、２５℃以下の低温で乾燥処理を行うことができるのであれば、真空乾燥処理に限定されることはなく、例えば、溶剤を使用した置換乾燥処理を行っても本発明の目的を達成することができる。
【００６８】
さらに、上記実施の形態では、ＬＣフィルタを例示して説明したが、その他のセラミック多層基板、例えばセラミックアンテナにも適用することができ、また、チップ型のコンデンサやインダクタのようなチップ型電子部品にも適用することができる。尚、チップ型電子部品の場合、第１の金属皮膜を電解めっき法で形成した場合であっても、上述した真空乾燥処理（水分除去処理）を行なうことができるのはいうまでもない。
【００６９】
【実施例】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【００７０】
本発明者らは、まず、縦１０ｍｍ、横３０ｍｍ、板厚０．３ｍｍの無酸素Ｃｕ板（以下、単に「Ｃｕ板」という）を水洗し、ペルオキソ二硫酸アンモニウム溶液に２５℃で１分間浸漬しエッチング処理を施した後、水洗処理した。
【００７１】
次いで、Ｐｄ触媒液に２５℃で２分間浸漬し、Ｃｕ板上にＰｄ触媒を付与し、下記のめっき組成を有する無電解Ｎｉめっき液に２０分間浸漬し、膜厚４μｍのＮｉ−Ｐ皮膜を形成した。
【００７２】
〔無電解Ｎｉめっき液の組成〕
塩化ニッケル：３０ｋｇ／ｍ３　
ホスフィン酸ナトリウム：１０ｋｇ／ｍ３　
クエン酸ナトリウム：１５ｋｇ／ｍ３　
酢酸ナトリウム：５ｋｇ／ｍ３　
ｐＨ：４．５
浴温：８５℃
次に、Ｎｉ−Ｐ皮膜が形成されたＣｕ板を純水で洗浄した後、下記のめっき組成を有する無電解Ａｕめっき液に１０分間浸漬し、厚さ０．０５μｍのＡｕ皮膜を形成し、被乾燥物を作製した。
【００７３】
〔無電解Ａｕめっき液の組成〕
亜硫酸金ナトリウム：２ｋｇ／ｍ３　
エチレンジアミン四酢酸ナトリウム：１０ｋｇ／ｍ３　
クエン酸ナトリウム：２５ｋｇ／ｍ３　　
ｐＨ：７．０
浴温：６５℃
次に、被乾燥物を水洗した後、室温で約１５ｓｅｃ間、窒素ガスを吹き付けてＡｕ皮膜の表面に付着している水分を乾燥させ、その後、２．６６×１０−４Ｐａに減圧された真空乾燥装置に被乾燥物を供給し、温度２５℃の下、６時間、真空乾燥処理を施して実施例１の試験片を作製し、また、２４時間、真空乾燥処理を施して実施例２の試験片を作製した。
【００７４】
また、本発明者らは、真空乾燥処理を施さずに室温で約１５ｓｅｃ間、窒素ガスを吹き付けたものを比較例の試験片とした。
【００７５】
次に、本発明者らは、実施例１、２及び比較例について昇温脱離分析（Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｄｅｓｅｒｔｉｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ；ＴＤＳ）を行い、残存水分を計測した。すなわち、５００℃に達するまで昇温速度２０℃／ｍｉｎで赤外線により間接加熱し、発生した水分ガス分圧を計測した。
【００７６】
次に、本発明者らは、実施例１、２及び比較例について、大気雰囲気中、所定のヒートサイクルでもって４回のリフロー加熱処理を行った、
図４はリフロー加熱処理のヒートサイクルを示すプロファイルであって、最初の８０秒で温度１７５℃まで昇温し、その後温度１７５℃で６０秒間予熱し、次いで、３０秒間で１７５℃から２６０℃まで昇温し、温度２６０℃で１５秒間加熱した。尚、コンベアの搬送速度は０．７ｍ／ｍｉｎとした。
【００７７】
そしてこの後、ＳＡＴ−５０００（レスカ社製）を使用し、メニスコグラフ法によりはんだの引張力とはんだの排斥力とが等しくなるゼロクロス時間を測定した。すなわち、浸漬速度２０ｍｍ／ｍｉｎ、浸漬深さ５ｍｍ、浸漬時間１５ｓｅｃで浴温２３５℃のはんだ溶融槽（６０％Ｓｎ−４０％Ｐｂ）に浸漬し、前記ゼロクロス時間を測定してはんだ濡れ性を評価した。
【００７８】
表１は水分ガス分圧及びゼロクロス時間の測定結果を示している。
【００７９】
【表１】
2004115902.tif 000003
この表１から明らかなように、実施例１は比較例に比べて水分量が５４．５％減少し、また実施例２は３１．８％減少しており、真空乾燥処理を施すことにより水分量が大幅に低減できることが分かる。
【００８０】
また、ゼロクロス時間も、実施例１は比較例に対し２４．５％改善されており、また、実施例２は４６．８％改善されており、水分を除去することにより、はんだ濡れ性を改善できることが分かった。
【００８１】
次に、本発明者らは、実施例２及び比較例について、めっき皮膜（Ｎｉ−Ｐ皮膜及びＡｕ皮膜）の深さ方向の組成分析を走査型オージェ電子顕微鏡（ＳｃａｎｎｉｎｇＡｕｇｅｒ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＳＡＭ）で行った。
【００８２】
図５は実施例２の組成分析を示し、図６は比較例の組成分析を示している。横軸はスパッタ時間（ｍｉｎ）であり、縦軸は原子濃度（ａｔｍ％）である。
【００８３】
また、二点鎖線はＡｕの原子濃度、破線はＮｉの原子濃度、一点鎖線はＰの原子濃度を示し、実線は酸素の原子濃度を示している。
【００８４】
図６（比較例）では、Ａ部に示すように、Ａｕ皮膜とＮｉ−Ｐ皮膜との界面近傍に酸素が検出されており、Ｎｉ−Ｐ皮膜が酸化しているものと考えられる。
【００８５】
これに対して図５（実施例２）は、Ａｕ皮膜とＮｉ−Ｐ皮膜との界面に酸素が検出されておらず、Ｎｉ−Ｐ皮膜が酸化していないことが分かった。
【００８６】
このように真空乾燥処理を施してＡｕ皮膜とＮｉ−Ｐ皮膜との界面に残存している水分量を低減させることにより、Ｎｉ−Ｐ皮膜の酸化が阻止され、はんだ濡れ性を改善できることが確認された。
【００８７】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明に係る電子部品の製造方法は、基板素体の表面に形成された導電部に第１の金属皮膜を被着した後、該第１の金属皮膜との間の置換反応によって第２の金属皮膜を前記第１の金属皮膜に被着し、その後、前記第１の金属皮膜と前記第２の金属皮膜との界面に残存する水分を除去する水分除去処理を施すので、第１の金属皮膜の酸化が阻止され、これによりはんだ付け性の改善を図ることができる。
【００８８】
また、前記水分除去処理は、２５℃以下の低温で行なうので、室温以下の低温で水分を除去することができ、被乾燥物を加熱しなくとも水分を除去することが可能となる。
【００８９】
また、前記水分除去処理は、真空乾燥処理とすることにより、被乾燥物の処理温度を上昇させることなく水分を除去することができ、第１の金属皮膜の酸化が防止され、はんだ付け性を改善することができる。
【００９０】
また、前記真空乾燥処理は、少なくとも１３．３Ｐａ以下に減圧して行なうことにより、最上層のめっき皮膜に付着している水分のみならず、前記界面に残留している水分を容易に除去することができる。
【００９１】
また、本発明の製造方法は、前記第１の金属皮膜が、Ｎｉ及びＮｉ合金のいずれかを主成分とし、前記第２の金属皮膜が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、及びＰｔの中から選択された少なくとも１種の金属を含むものに効果的である。
【００９２】
また、本発明に係る電子部品は、上記製造方法を使用して製造されているので、第１の金属皮膜が酸化されることもなく、複数回のリフロー加熱処理を繰り返しても良好なはんだ付け性を保持することのできる各種電子部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法を使用して製造された電子部品としてのＬＣフィルタの一実施の形態を示す断面図である。
【図２】図１のＡ部拡大図である。
【図３】本発明に係る電子部品の製造方法の一実施の形態を示す製造工程図である。
【図４】本発明の実施例で行ったリフロー加熱処理のヒートサイクルを示すプロファイル図である。
【図５】実施例２の深さ方向の組成分析を示す図である。
【図６】比較例の深さ方向の組成分析を示す図である。
【図７】従来の問題点を説明するための図である。
【符号の説明】
１　　セラミック素体（基板素体）
４　　Ｃｕ電極（導電部）
５　　Ｎｉ−Ｐ皮膜（第１の金属皮膜）
６　　Ａｕ皮膜（第２の金属皮膜）
７　　凹所（界面）
１４　後処理工程（水分除去処理）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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