(57)【要約】【課題】金属部分と樹脂部分とが混在して形成されており、光輝製品等として用いられる膜形成体を、より簡易に短時間で製造することである。【解決手段】真空チャンバ１内に基材８を配置し、真空成膜により基材８に対して金属部の成膜と樹脂部の成膜を行う。基材８を保持する基材ホルダ７を挟んで対向するように配置された一対の成膜ユニット１７、１７’により成膜を行う。基材ホルダ７により基材８を回転させつつ、成膜ユニット１７により金属部の成膜を行うとともに成膜ユニット１７’により樹脂部の成膜を行い、この金属部の成膜と樹脂部の成膜とを同時に行う。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバ内に基材を配置し、前記基材に真空成膜により薄膜部分を形成する膜形成体の製造方法であって、
一つの真空チャンバ内で、前記基材に金属材を膜の原料として金属部を成膜するとともに樹脂材を膜の原料として樹脂部を成膜し、かつ前記金属部の成膜と樹脂部の成膜を同時に行う工程を備え、
前記金属部を島状に分散させて形成するとともに、該島状に分散する金属部の各々の間に形成される部分を備える前記樹脂部を形成することを特徴とする膜形成体の製造方法。
【請求項２】
前記基材を回転中心の回りに回転させるとともに、前記回転する基材に対する外方における前記回転中心に対する一方側と他方側とから前記基材への成膜を行い、
前記基材を前記一方側と他方側との間を回転させつつ、前記一方側から金属部の成膜を行うと同時に、前記他方側から樹脂部の成膜を行うことを特徴とする請求項１に記載の膜形成体の製造方法。
【請求項３】
前記真空チャンバ内を、前記基材を回転させる回転中心に対する一方側の領域と他方側の領域とを仕切るとともに、前記一方側の領域と他方側の領域とで真空度に差を設けることを特徴とする請求項２に記載の膜形成体の成膜方法。
【請求項４】
前記金属部を、スパッタリング又はアークイオンプレーティングにより成膜することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の膜形成体の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂部を、前記真空チャンバ内に前記樹脂材の原料ガスを供給するとともにプラズマ放電を発生させることに基づくプラズマ重合によって成膜することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の膜形成体の製造方法。
【請求項６】
前記樹脂部を、前記樹脂材の原料を加熱して蒸発させることに基づく蒸着により成膜することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の膜形成体の製造方法。
【請求項７】
前記樹脂部及び金属部を形成した後に、前記樹脂部と異なる樹脂材により他の樹脂層を成膜する工程を備えることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の膜形成体の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかの製造方法により製造され、電波受信用のセンサ基盤として用いられることを特徴とする膜形成体。
【請求項９】
前記樹脂部の一つ又は複数が、電波を受信するためのアンテナを前記金属部から電気的に絶縁して支持し得るようにされている請求項８に記載の膜形成体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、膜形成体を製造する方法及び膜形成体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、薄膜を応用した各種の製品が用いられている。この薄膜が形成された製品として、例えば自動車のフロントグリルやウインドー周縁部に装着される部材がある。
【０００３】
これらの部材は、樹脂や金属の基材の上に金属材を原料とする薄膜を形成して製造されることがある。そして、これらの部材は、金属材の膜を設けることにより、光沢感が高められた光輝製品として用いられる。
【０００４】
ところで、これらの製品は、上記金属材からなる薄膜を基材に対して隙間なく形成すると、自動車の一部に組み込んだ場合に、外部から外力を受けて撓んだり変形することによって金属の薄膜部分に亀裂を生ずることがある。
【０００５】
そして、上記金属の薄膜部分に亀裂を生ずることを防ぐため、この薄膜部分を島状に分散させるように形成することがある。このように、金属の薄膜部分を島状に分散させて形成すると、上記部材が撓んだり変形しても亀裂を生じ難くすることができる。
また、上記製品には、上記金属の薄膜部分を覆って保護するための樹脂部分が形成される。
【０００６】
【発明が解決しょうとする課題】
ここで、従来にあっては、上記金属の薄膜部分と樹脂部分とを備える製品は、特開平７−３４２２６号や特開平１１−１３１２１３号に開示される工程によって製造されていた。
【０００７】
まず、スパッタリングや蒸着等の真空成膜により、基材上に金属の薄膜を成膜する。そして、金属の薄膜の成膜を終えた後に、成膜した薄膜の部分を適度に分離させるように、薄膜中の不要な部分をエッチングにより除去する等が行われる。そして、前記分離している金属部分の各々の間を埋めるとともに覆うように樹脂液を塗布し、この樹脂液を乾燥させ固化させて樹脂部分が形成される。
【０００８】
かかる従来の製造方法によると、成膜を終了した後に、さらに樹脂液を塗布する等の工程を経て製品の製造を完了することができる。従って、前記製品を製造するにあたり、作業の内容の異なる複数の工程を経る必要があり、製品を製造するための工程が煩雑であった。また、製品の製造を完了するまでに多くの作業時間を要した。
【０００９】
そこで、本発明は、上記製品に応用される膜形成体を製造する作業を簡易にできる膜形成体の製造方法を提供することを目的にする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、真空チャンバ内に基材を配置し、前記基材に真空成膜により薄膜部分を形成する膜形成体の製造方法であって、
一つの真空チャンバ内で、前記基材に金属材を膜の原料として金属部を成膜するとともに樹脂材を膜の原料として樹脂部を成膜し、かつ前記金属部の成膜と樹脂部の成膜を同時に行う工程を備え、
前記金属部を島状に分散させて形成するとともに、該島状に分散する金属部の各々の間に形成される部分を備える前記樹脂部を形成することを特徴とする膜形成体の製造方法である（請求項１）。
【００１１】
本発明によると、一つの真空チャンバ内において、一つの基材に対して上記金属材を膜の原料とする成膜と樹脂材を膜の原料とする成膜とを同時に行う工程を備えることにより、前記金属部及び樹脂部が形成された膜形成体を製造することができる。
【００１２】
これにより、一つの真空チャンバ内に基材を配置して行われる真空成膜の一連の工程によって前記膜形成体の製造を完了することができる。これにより、前記膜形成体を製造する作業が煩雑となることなく、前記膜形成体を簡易に製造することができる。また、前記膜形成体の製造に要する時間を短縮することもできる。
【００１３】
また、上記製造方法を実施するにあたり、前記基材を回転中心の回りに回転させるとともに、前記回転する基材に対する外方における前記回転中心に対する一方側と他方側とから前記基材への成膜を行い、
前記基材を前記一方側と他方側との間を回転させつつ、前記一方側から金属部の成膜を行うと同時に、前記他方側から樹脂部の成膜を行うことができる（請求項２）。
【００１４】
これにより、前記一方側より金属部の成膜を行い、この一方側と対向する他方側より樹脂部の成膜を行うので、混在して形成される金属部と樹脂部を所要の状態に形成するにあたり、成膜する条件の調整を容易にできる。
【００１５】
また、前記一方側より金属部の成膜を行い、前記他方側より樹脂部の成膜を行う場合において（請求項２）、前記真空チャンバ内を、前記基材を回転させる回転中心に対する一方側の領域と他方側の領域とを仕切るとともに、前記一方側の領域と他方側の領域とで真空度に差を設けることができる（請求項３）。
【００１６】
これにより、前記金属部の成膜を行う一方側の領域と樹脂部の成膜を行う他方側の領域とで真空度に差を与えるので、金属部と樹脂部の原料が異なる等の成膜を行う条件の違いに対応させ、より適切な圧力下で金属部及び樹脂部の各々の成膜を行うことができ好ましい。
【００１７】
また、前記金属部の成膜を行うにあたり、スパッタリング又はアークイオンプレーティングにより成膜することができる（請求項４）。これにより、上記金属部を形成するにあたり、金属材をイオン化させることに基づき成膜できるので、金属部をより組織が緻密にされ強固にされたものに形成できる。これにより、製造される膜形成体において、金属部をより光沢が高く美観の優れたものにすることができ、また耐食性が高められたものにすることもできる。
【００１８】
ここで、前記スパッタリングとは、金属材のターゲットにイオンを入射して前記ターゲットより金属イオンを射出させることに基づき金属の薄膜を成膜する成膜方式である。
【００１９】
このスパッタリングのうち、特にプラズママグネトロンスパッタリングを用いるのが、より好ましい。このプラズママグネトロンスパッタリングは、ターゲット近傍により強い磁界を形成してターゲット近傍の電子密度を高めることによってイオンの密度を高め、ターゲット近傍に形成されるプラズマ状態を積極的に利用するスパッタリングの方式である。このプラズママグネトロンスパッタリングによると、金属の薄膜を成膜する成膜レートを高めることができ好ましい。
【００２０】
また、前記アークイオンプレーティングとは、金属材をアーク放電によってイオン化させることに基づき金属の薄膜を成膜する成膜方式である。
【００２１】
また、前記樹脂部を、前記真空チャンバ内に前記樹脂材の原料ガスを供給するとともにプラズマ放電を発生させることに基づくプラズマ重合によって成膜することができる（請求項５）。
【００２２】
このプラズマ重合により前記樹脂部の成膜を行うと、樹脂材の原料ガスをイオン化させることに基づき樹脂部を成膜できるので、樹脂部をより組織が緻密にされたものに形成することができる。これにより、製造される膜形成体の美観を高めることができる。
【００２３】
また、前記樹脂部を、前記樹脂材の原料を加熱して蒸発させることに基づく蒸着により成膜することもできる（請求項６）。
【００２４】
また、前記金属部及び樹脂部を形成した後に、前記樹脂部と異なる樹脂材により他の樹脂層を成膜することもできる（請求項７）。これにより、前記金属部及び樹脂部に対する外側に他の樹脂層が形成された膜形成体を製造することができる。この他の樹脂層が形成された膜形成体によると、この他の樹脂層によって内側の金属部を保護することができる。
【００２５】
また、以上の製造方法（請求項１乃至７）のいずれかにより製造された膜形成体を電波受信用のセンサ基盤として用いることができる（請求項８）。そして、前記膜形成体を前記センサ基盤として用いる場合、膜形成体の樹脂部の一つ又は複数を、電波を受信するためのアンテナを金属部から電気的に絶縁して支持するようにすることができる（請求項９）。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について、図１乃至図１４に基づいて説明する。図１は、本発明の製造方法の一実施形態を実施するための真空成膜装置の一例である真空成膜装置２０を示す図である。図１は、真空成膜装置２０の構成の概略を模式的に示している。図１により、真空成膜装置２０を上方から眺めた場合の、主要部材の平面的な配置関係が示される。
【００２７】
真空成膜装置２０は、真空チャンバ１と基材ホルダ７と排気装置１４と原料供給装置２と一対の成膜ユニット１７及び１７’を備えている。真空チャンバ１は、内部の空間が排気装置１４によって排気される。
【００２８】
排気装置１４は、真空チャンバ１内に連通する排気管４を介して真空チャンバ１内を排気する。排気管４には、排気装置１４と真空チャンバ１間を開閉するためのゲートバルブ等が設けられている。
【００２９】
排気装置１４は、真空チャンバ１内を後に説明するプラズマ重合やプラズママグネトロンスパッタによる成膜を行うための所要の真空度とする能力を備えるものが設けられる。
【００３０】
真空チャンバ１内には、成膜される基材８を保持するための基材ホルダ７が設けられている。基材ホルダ７は、基材８を成膜される面がチャンバ１の中心に対する外方を向くように保持し、後に説明する成膜ユニット１７、１７’によって成膜されるように保持する。
【００３１】
基材ホルダ７は、真空チャンバ１内の底面に固定された図示しない支持構造によって支持されている。そして、基材ホルダ７は、その中心９を回転中心として回転するように設けられている。そして、基材８は、基材ホルダ７によって回転中心９の回りに回転されつつ成膜される。成膜装置２０には、基材ホルダ７を回転させるための図示しないモータ等の回転手段が設けられている。
【００３２】
また、基材ホルダ７には、導電性部材により形成されるもの又は非導電性部材により形成されるもののいずれを用いても構わない。基材ホルダ７を導電性部材により形成されるものを用いると、真空チャンバ１内に放電させるにあたって異常放電を防止することができる。
【００３３】
原料供給装置２は、プラズマ重合により成膜するための膜の原料を供給する。膜の原料としての樹脂材は、原料供給装置２により供給される。原料供給装置２は、樹脂材その他膜の原料を原料ガスの形態で供給する。
【００３４】
原料供給装置２は、真空チャンバ１内に連通する供給管３を介して真空チャンバ１内に原料ガスを供給する。供給管３には、原料供給装置２と真空チャンバ１間を開閉するためのゲートバルブ等が設けられている。
【００３５】
原料供給装置２は、成膜しようとする樹脂等の種類に応じて、その原料ガスを含む容器が装填される。そして、樹脂材からなる膜を成膜する工程に応じて、原料供給装置２より各原料ガスが供給される。
【００３６】
また、特に図示しないガス供給系統によって、真空チャンバ１内にＡｒ（アルゴン）ガスを供給できるようにされている。Ａｒ（アルゴン）ガスは、プラズママグネトロンスパッタ及びプラズマ重合を行う際のプラズマ放電の媒質として用いられる。なお、Ａｒガス以外にも、プラズマ放電を形成することが可能な他の不活性ガスを用いることができる。
【００３７】
次に、一対の成膜ユニット１７、１７’について説明する。成膜ユニット１７、１７’は、各々がプラズマ重合による成膜とプラズママグネトロンスパッタによる成膜を行えるように構成されている。
【００３８】
成膜ユニット１７は、カソード５とターゲット６と電磁石１０と磁石電源１２と高周波（ＨＦ）電源１１と制御装置１３を備えている。カソード５は、真空チャンバ１内に電力を供給するための電極である。
【００３９】
カソード５は、その一部（裏面を含む部分）がチャンバ１の外部に突出し、他の部分（表面を含む部分）がチャンバ１内に位置するように設けられている。カソード５と真空チャンバ１との間には図示されない絶縁部材が設けられており、カソード５と真空チャンバ１とは電気的に絶縁されている。
【００４０】
真空チャンバ１内では、カソード５の表面にターゲット６が配置される。ターゲット６は、プラズママグネトロンスパッタによる成膜を行うためのターゲットである。
【００４１】
ターゲット６は、カソード５と同一の材質のものを用いることもでき、カソード５と同一の材質により一体に形成されたものでもよい。また、ターゲット６は、プラズマ重合による成膜を行う場合には、カソード５とともに電極として機能する。
【００４２】
カソード５及びターゲット６は、真空チャンバ１外に配置される高周波電源１１に接続されており、高周波電源１１より高周波電力を供給されるようにされている。カソード５及びターゲット６を介して真空チャンバ１内に高周波電力を供給してプラズマ放電を発生させることにより、プラズマ重合による成膜を行うことができる。
【００４３】
高周波電源１１により真空チャンバ１内に電力を供給するにあたり、高周波電源１１の出力端子をカソード５及びターゲット６に接続し、高周波電源１１の接地端子を接地する。また、導電性の材質により形成される真空チャンバ１は接地される。
【００４４】
真空チャンバ１外では、カソード５の裏面に電磁石１０が配置される。電磁石１０は、プラズママグネトロンスパッタにより成膜するための磁界を発生する。電磁石１０は、磁石電源１２に接続されており、磁石電源１２によって通電すると、真空チャンバ１内のカソード５及びターゲット６の周囲に磁界５０が形成される。
【００４５】
そして、この磁界５０に電子５１がトラップされ、イオンがカソード５及びターゲット６の周囲に集中し、このイオンによってターゲット６がスパッタされることにより、プラズママグネトロンスパッタによる成膜を行うことができる。
【００４６】
磁石電源１２は制御装置１３により制御される。そして、制御装置１３により磁石電源１２がオフ状態からオン状態に切り替えられると、電磁石１０が動作して磁界５０が形成される。
【００４７】
成膜ユニット１７’は、カソード５’とターゲット６’と電磁石１０’と磁石電源１２’と高周波（ＨＦ）電源１１’と制御装置１３’を備えている。成膜ユニット１７’に備わるこれらの各部材は前記成膜ユニット１７の対応する各部材と同様に構成され同様の機能を有しており、各部材の詳しい説明を省略する。
【００４８】
成膜ユニット１７’のカソード５’及びターゲット６’は、図１に示されるように、成膜ユニット１７のカソード５及びターゲット６に対して、基材ホルダ７を挟んで対向するように設けられている。
【００４９】
次に、以上に説明した真空成膜装置２０を動作させることによる膜形成体を製造する工程について説明する。成膜装置２０を動作させるにあたり、以下のように成膜装置２０のセットアップを行う。
【００５０】
基材ホルダ７に基材８をセットする。また、成膜ユニット１７に、膜形成体の金属部を形成するためのターゲット６をセットする。そして、樹脂部を形成するための樹脂の原料ガスが入った容器を原料供給装置２に装填する。これらのセットアップを終えると、真空チャンバ１を閉じる。
【００５１】
次に、真空チャンバ１内を排気装置１４により排気しつつＡｒガスを供給し、Ａｒガスによる所定の圧力の雰囲気とする。次に、基材８への成膜を開始する。基材８に成膜するにあたり、成膜ユニット１７を動作させてプラズママグネトロンスパッタによる成膜を行うとともに、原料供給装置２及び成膜ユニット１７’を動作させてプラズマ重合による成膜を行う。
【００５２】
基材ホルダ７を回転させて基材８を回転させるとともに、原料供給装置２により樹脂部を形成するための原料ガスの供給を開始し、成膜ユニット１７及び成膜ユニット１７’の動作を開始させる。
【００５３】
成膜ユニット１７及び成膜ユニット１７’を以下のように動作させる。成膜ユニット１７については、プラズママグネトロンスパッタによる成膜を行うように動作させる。即ち、制御装置１３により磁石電源１２を動作させ、電磁石１０による磁界５０を発生させる。その後、高周波電源１１を動作させカソード５及びターゲット６を介して真空チャンバ１内に高周波電力を供給することにより、真空チャンバ１内にプラズマ放電を発生させる。
【００５４】
これにより、ターゲット６をＡｒイオンによりスパッタし、スパッタされたターゲットイオンを基材８に向かって噴射させ、基材８上に金属材からなる薄膜部分を形成することができる。
【００５５】
一方、成膜ユニット１７’については、プラズマ重合による成膜を行うように動作させる。即ち、高周波電源１１’を動作させカソード５’及びターゲット６’を介して真空チャンバ１内に高周波電力を供給することにより、真空チャンバ１内にプラズマ放電を発生させる。
【００５６】
これにより、原料供給装置２より供給される原料ガスをイオン化させ又は励起させ、イオン化等した膜の原料を基材８上でプラズマ重合させて樹脂材等からなる薄膜部分を形成することができる。
【００５７】
そして、基材８を回転させつつ、成膜ユニット１７を動作させることによるプラズママグネトロンスパッタによる成膜と、成膜ユニット１７’及び原料供給装置２を動作させることによるプラズマ重合による成膜とを同時に行うことにより、基材８に金属部及び樹脂部が形成された膜形成体を製造することができる。
【００５８】
図２は、製造された膜形成体の一例である膜形成体２５を示している。図２は、膜形成体２５の断面を表す図である。膜形成体２５は、図２に示されるように、基材８上に金属部２１及び樹脂部２２が形成されている。
【００５９】
金属部２１は、独立した各々の部分が分離され、島状に分散されて形成されている。そして、樹脂部２２、２２、・・・が、金属部２１、２１、・・の各々の間を埋めるように形成されている。
【００６０】
金属部２１は、各種の金属材により形成することができる。以上に説明した工程を介して膜形成体２５を形成すると、金属部２１を形成する材質について、基材８に対する熱膨張係数を調整する等の必要がなく、材質の制約を受けることがない。
【００６１】
例えば、特開平１１−１３１２１３号公報に開示される公知技術によると、基材に離散させた金属の薄膜層を形成するにあたり、金属材には基材より熱膨張係数の小さい材質が選択される。そして、金属の連続した薄膜層を形成した後に基材を熱膨張させ、金属の薄膜層にクラックを発生させることによって金属の薄膜部分を島状に分離させるようにしている。
【００６２】
一方、以上の成膜装置２０を用いて以上のように金属部２１及び樹脂部２２を形成すると、基材８に対する熱膨張係数の差を利用する必要がないので、金属部２１を形成するための金属材の種類に制約を受けることがない。
【００６３】
また、樹脂部２２を形成するための材質は、樹脂部２２に形成した状態で可視光に対して透明となるものが選択される。主に、無色の透明な樹脂が用いられるが、有色の透明な樹脂を用いることもできる。また、樹脂部２２を形成するにあたり、樹脂の原料ガスよりプラズマ重合によって成膜することが可能な樹脂材が選択される。
【００６４】
以上の金属部２１及び樹脂部２２を成膜するにあたり、成膜ユニット１７、原料供給装置２及び成膜ユニット１７’を動作させる条件を調節することにより、樹脂部２２及び金属部２１の重量や体積等の相対的な比率を調節することができる。
【００６５】
即ち、原料供給装置２より供給する樹脂の原料ガスの供給量や高周波電源１１、１１’より出力する電力及び磁石電源１２の出力を調節することにより、金属部２１及び樹脂部２２の成膜レートを調節し、樹脂部２２と金属部２１の相対的な比率を調節することができる。
【００６６】
以上に説明したように膜形成体を製造すると、一つの真空チャンバ１内でプラズママグネトロンスパッタによる成膜とプラズマ重合による成膜とを同時に行うことにより、基材８上に金属部２１及び樹脂部２２が混在する薄膜部分を形成することができる。
【００６７】
これにより、一つの真空チャンバ１内で金属部２１及び樹脂部２２を形成するための全ての工程を終了させることができ、膜形成体を製造するための作業が煩雑となることなく、また膜形成体を製造するための作業時間を短縮することもできる。
【００６８】
次に、以上の成膜装置２０を用いることによって製造することができる他の膜形成体の例について説明する。図３は、膜形成体の一例である膜形成体２６の断面を示す図である。膜形成体２６は、基材８の上にアンダーコート層２４が形成され、アンダーコート層２４の上に金属部２１及び樹脂部２２が形成されている。
【００６９】
この膜形成体２６は、以上に説明した成膜装置２０により、以下のようにして製造することができる。原料供給装置２にアンダーコート層２４を形成するための原料ガスの容器をセットしておく。そして、金属部２１及び樹脂部２２を成膜する前にアンダーコート層２４を形成する。
【００７０】
アンダーコート層２４は、プラズマ重合による成膜によって形成することができる。即ち、真空チャンバ１内を排気装置１４により排気しつつＡｒガスを供給し、Ａｒガスによる所定の圧力の雰囲気とする。
【００７１】
そして、基材８へのアンダーコート層２４の成膜を開始する。基材ホルダ７を回転させて基材８を回転させるとともに、原料供給装置２によりアンダーコート層２４を形成するための原料ガスを供給し、成膜ユニット１７’の高周波電源１１’の動作を開始させる。
【００７２】
高周波電源１１’を動作させカソード５及びターゲット６を介して真空チャンバ１内に高周波電力を供給する。これにより、真空チャンバ１内にプラズマ放電を発生させ、アンダーコート層２４を形成するための原料ガスをイオン化させ又は励起させることができる。これにより、イオン化等した原料を基材８上でプラズマ重合させ、アンダーコート層２４を形成することができる。
【００７３】
次に、アンダーコート層２４の上に金属部２１及び樹脂部２２を形成する。金属部２１及び樹脂部２２を形成する工程については、以上に説明したとおりである。
【００７４】
以上に説明した膜形成体２６のアンダーコート層２４を、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシロキサン）を原料ガスとして成膜することができる。即ち、ＨＭＤＳの原料ガスをポリマーに重合させ、アンダーコート層２４を形成することができる。ＨＭＤＳの原料ガスをポリマーに重合する過程は、以下のとおりである。
【００７５】
ＨＭＤＳのモノマー粒子を含む原料ガスを供給し、プラズマ放電によってＨＭＤＳのモノマー粒子を励起してイオン化及びラジカル化させる。そして、ラジカル化されたＨＭＤＳのモノマー粒子のラジカル重合反応をへてＨＭＤＳのポリマーを形成する。これにより、アンダーコート層２４を得ることができる。
【００７６】
ＨＭＤＳのモノマー粒子よりＨＭＤＳのポリマーが形成される反応式を図４に示す。図４に示すように、ラジカル重合反応を経てＨＭＤＳのポリマーを形成することができる。
【００７７】
次に、膜形成体のさらに異なる例を説明する。図５は、膜形成体の一例である膜形成体２７の断面を示す図である。膜形成体２７は、基材８の上に金属部２１と樹脂部２２が形成されている。
【００７８】
この膜形成体２７では、樹脂部２２として２２Ａと２２Ｂが形成されている。樹脂部２２Ｂは、金属部２１及び樹脂部２２Ａの上を覆うように形成されている。この樹脂部２２Ｂは、樹脂部２２Ａと同一の樹脂材により形成される。
【００７９】
以下に、膜形成体２７を製造する工程の例について説明する。金属部２１と樹脂部２２Ａは、以上に説明した膜形成体２５の金属部２１及び樹脂部２２を成膜する工程と同様の工程により形成することができる。
【００８０】
即ち、成膜装置２０の成膜ユニット１７を動作させることによるプラズママグネトロンスパッタによる成膜と、原料供給装置２及び成膜ユニット１７’を動作させることによるプラズマ重合による成膜とを同時に進行させることにより、金属部２１及び樹脂部２２Ａを形成する。
【００８１】
そして、金属部２１及び樹脂部２２Ａの成膜を終了すると、成膜ユニット１７の動作を停止させる一方、原料供給装置２及び成膜ユニット１７’によるプラズマ重合による成膜を継続して行う。これにより、樹脂部２２Ｂを形成することができる。
【００８２】
この膜形成体２７における樹脂部２２Ｂは、金属部２１を保護するための保護層としての機能を備えている。特に、金属部２１が酸化を受け易いものや物理的強度が高くない材質により形成される場合、かかる金属部２１を樹脂部２２Ｂによって保護することができる。
【００８３】
次に、膜形成体のさらに異なる例について説明する。図６は、膜形成体の一例である膜形成体２８の断面を示す図である。膜形成体２８は、基材８の上に金属部２１及び樹脂部２２が形成され、その上に他の樹脂層２３が形成されている。他の樹脂層２３は、樹脂部２２と異なる樹脂材により形成される。
【００８４】
以下に、膜形成体２８を製造する工程の例について説明する。金属部２１及び樹脂部２２は、以上に説明した膜形成体２５の金属部２１及び樹脂部２２を形成した場合と同様の工程によって形成できる。
【００８５】
即ち、成膜装置２０の成膜ユニット１７を動作させることによるプラズママグネトロンスパッタによる成膜と、原料供給装置２及び成膜ユニット１７’を動作させることによるプラズマ重合による成膜とを同時に行うことにより、金属部２１及び樹脂部２２を形成することができる。
【００８６】
そして、金属部２１及び樹脂部２２の成膜を終了すると、成膜ユニット１７の動作を停止させ、原料供給装置２による樹脂部２２を成膜するための原料ガスの供給を停止させる。
【００８７】
そして、原料供給装置２により他の樹脂層２３を成膜するための原料ガスの供給を開始するとともに、成膜ユニット１７’の高周波電源１１’により高周波電力を供給し、プラズマ重合による成膜を行う。これにより、プラズマ重合により他の樹脂層２３を成膜することができる。
【００８８】
この膜形成体２８の他の樹脂層２３は、金属部２１を保護するための保護層としての機能を備える。特に、金属部２１が酸化を受け易いものや物理的強度が高くない材質により形成される場合、かかる金属部２１を他の樹脂層２３によって保護することができる。
【００８９】
他の樹脂層２３を形成するための樹脂材は、成膜装置２０により成膜する場合、樹脂の原料ガスよりプラズマ重合によって成膜できるものが選ばれる。また、他の樹脂層２３を形成するための樹脂材は、他の樹脂層２３に形成された状態で可視光に対して透明であるものが選ばれる。
【００９０】
次に、膜形成体のさらに異なる例について説明する。図７は、膜形成体の一例である膜形成体２９の断面を表す図である。膜形成体２９は、基材８の上に金属部２１及び樹脂部２２Ａが形成され、その上に樹脂部２２Ｂが形成されており、さらにその上に他の樹脂層２３が形成されている。
【００９１】
この膜形成体２９を成膜装置２０によって形成するにあたり、金属部２１と樹脂部２２Ａ及び２２Ｂは、以上に説明した膜形成体２７の金属部２１と樹脂部２２Ａ及び２２Ｂを形成した工程と同様の工程により形成することができる。
【００９２】
また、膜形成体２９の他の樹脂層２３は、樹脂部２２Ｂを成膜した後に、以上に説明した膜形成体２８の他の樹脂層２３を形成した工程と同様の工程により形成することができる。
【００９３】
なお、以上に説明した膜形成体２７、２８、２９についても、膜形成体２６と同様に基材８と金属部２１及び樹脂部２２との間にアンダーコート層２４を形成することもできる。
【００９４】
以上に説明した膜形成体２５乃至２９（以下、各々を区別する必要がない時は「膜形成体２５等」という）は、各種の用途に用いることができる。膜形成体２５等の用途として、いわゆる光輝製品を挙げることができる。
【００９５】
膜形成体２５等は、図２に示される膜形成体２５等に対する上方より眺められる表面側が金属部２１による光沢を呈するものに形成されている。従って、膜形成体２５等を、外観に光沢を要求される光輝製品として用いることができる。
【００９６】
また、膜形成体２５等の他の用途として、電波を受信して動作するセンサの基盤を挙げることができる。膜形成体２５等を前記センサとして用いる場合、膜形成体２５等の金属部２１間に形成される樹脂部２２を利用し、図示されないアンテナを設ける。即ち、前記アンテナを、金属部２１から電気的に絶縁されており樹脂部２２によって支持されるように設ける。
【００９７】
そして、前記アンテナを膜形成体２５等に設けてセンサとして動作させる場合、送信局より送信された電波をアンテナが受信すると、この電波によって送信された信号は膜形成体２５等の内部を通って信号処理用の機器へと導かれる。一方、金属部２１に入射した電波は金属部２１によって反射される。
【００９８】
以上の膜形成体２５等をセンサの基盤として用いる場合、多数の樹脂部２２のうちの一つの樹脂部２２をアンテナを支持し得るようにしても良く、複数の樹脂部２２をアンテナを支持し得るようにしてもよい。
【００９９】
次に、以上に説明した膜形成体を製造することができる真空成膜装置の他の例について、図８により説明する。図８は、他の真空成膜装置の一例である真空成膜装置３５を示す図である。図８は、真空成膜装置３５の構成の概略を模式的に示している。図８により、真空成膜装置３５を上方から眺めた場合の、主要部材の平面的な配置関係が示される。
【０１００】
真空成膜装置３５は、真空成膜装置２０と略同一の部材により略同様に構成されており、部材番号が一致する部材については、同様の構成であり同様の機能を有する。また、真空成膜装置３５は、以上に説明した真空成膜装置２０と比べ、以下のように変更されている。
【０１０１】
成膜装置３５は、成膜ユニット１８に二つのカソード５Ａ、５Ｂが設けられ、成膜ユニット１８’に二つのカソード５Ｃ、５Ｄが設けられている。カソード５Ａ、５Ｂは真空チャンバ１に対して絶縁されるとともに、カソード５Ａ、５Ｂ間も絶縁されている。また、カソード５Ｃ、５Ｄは真空チャンバ１に対して絶縁されるとともに、カソード５Ｃ、５Ｄ間も絶縁されている。
【０１０２】
そして、成膜ユニット１８は、カソード５Ａ、５Ｂの各々の表面にターゲット６が配置されている。また、成膜ユニット１８’は、カソード５Ｃ、５Ｄの各々の表面にターゲット６が配置されている。
【０１０３】
また、成膜ユニット１８は、カソード５Ａの裏面に電磁石１０ａが配置され、カソード５Ｂの裏面に電磁石１０ｂが配置されている。また、成膜ユニット１８’は、カソード５Ｃの裏面に電磁石１０’ｃが配置され、カソード５Ｄの裏面に電磁石１０’ｄが配置されている。
【０１０４】
カソード５Ａ、５Ｂは、いずれか一方が高周波電源１１の正極に接続され、他方が高周波電源１１の負極に接続されている。これにより、プラズマ放電させるにあたり、カソード５Ａ、５Ｂを交互に放電の正極と負極として動作させることができる。
【０１０５】
また、カソード５Ｃ、５Ｄは、いずれか一方が高周波電源１１’の正極に接続され、他方が高周波電源１１’の負極に接続されている。これにより、プラズマ放電させるにあたり、カソード５Ｃ、５Ｄを交互に放電の正極と負極として動作させることができる。
【０１０６】
また、電磁石１０ａ、１０ｂは、各々が磁石電源１２に接続されている。そして、電磁石１０ａが電極５Ａ及びターゲット６の周囲に磁界を発生させ、電磁石１０ｂがカソード５Ｂ及びターゲット６の周囲に磁界を発生させる。
【０１０７】
また、電磁石１０’ｃ、電磁石１０’ｄは、各々が磁石電源１２’に接続されている。そして、電磁石１０’ｃがカソード５Ｃ及びターゲット６の周囲に磁界を発生させ、電磁石１０’ｄがカソード５Ｄ及びターゲット６の周囲に磁界を発生させる。
【０１０８】
成膜ユニット１８のカソード５Ａ、５Ｂ、成膜ユニット１８’のカソード５Ｃ、５Ｄは、真空チャンバ１に対して以下のように配置されている。カソード５Ｃ、５Ｄは、チャンバ１の中心９に対してカソード５Ａ、５Ｂと対称に配置されている。
【０１０９】
また、カソード５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、５Ｄは、これらの各々に配置される前記ターゲット６や電磁石とともに、一定の幾何的な関係を満たすように真空チャンバ１に配置されている。
【０１１０】
図９は、ターゲット６及び電磁石１０ａが配置されるカソード５Ａと、ターゲット６及び電磁石１０ｂが配置されるカソード５Ｂがチャンバ１に配置される関係を示している。カソード５Ａと５Ｂは、中心９を含む基材ホルダ７の直径の延長線４５に対して対称で、かつカソード５Ａ、５Ｂの主面の法線が延長線４５に対して所定の角度傾斜して配置される。
【０１１１】
このカソード５Ａ、５Ｂの傾斜角度θＡ、θＢは、プラズマ重合及びプラズママグネトロンスパッタによる成膜に最適な角度に設定される。この傾斜角度θＡ、θＢを１５度程度に設定するのが好ましい。
【０１１２】
カソード５Ｃと５Ｄの関係については、図９により説明したカソード５Ａと５Ｂの関係と同じであるので、説明を省略する。
【０１１３】
また、成膜装置３５には、基材ホルダ７の裏面に永久磁石１５が設けられている。永久磁石１５は、リング状をなしており、その中心が基材ホルダ７の中心９と一致するように設けられている。
【０１１４】
図１０は、永久磁石１５の構造を示す模式的な斜視図である。永久磁石１５を図１０（ａ）に示すように構成することができる。即ち、Ｎ極面１５ａとＳ極面１５ｂとを有する大きさが等しい薄いリング状の永久磁石を逆極性面同士が接するように中心を一致させて複数積層することにより、永久磁石１５を構成することができる。
【０１１５】
また、永久磁石１５を、図１０（ｂ）に示すように構成することもできる。即ち、一端がＮ極性を有し多端がＳ極性を有する棒状の永久磁石１５ｃを複数本用意し、複数本の永久磁石１５ｃを同極性同士が隣接するように幅方向に隙間なく配置してリングを形成することにより、永久磁石１５を構成することもできる。
【０１１６】
この成膜装置３５によると、一対の成膜ユニット１８、１８’を備えており、各々の成膜ユニットによりプラズママグネトロンスパッタによる成膜を行うことができるとともに、プラズマ重合による成膜を行うこともできる。
【０１１７】
そして、この成膜装置３５によると、成膜ユニット１８、１８’の一方を動作させてプラズママグネトロンスパッタによる成膜を行うとともに、成膜ユニット１８、１８’の他方を動作させてプラズマ重合による成膜を行い、かつこれらの成膜を同時に行うことによって、基材８に金属部及び樹脂部を形成することができる。
【０１１８】
また、この成膜装置３５によると、成膜ユニット１８、１８’の各々について、カソード、ターゲット及び電磁石が二つ設けられている。これにより、高周波（ＨＦ）電源よりカソードやターゲットを介して真空チャンバ１内に供給する電力量を増加させることができ、磁石電源より電磁石に供給する通電量を増加させることができる。
【０１１９】
これにより、この成膜装置３５によると、プラズマ重合による成膜レートを向上させることができ、プラズママグネトロンスパッタによる成膜レートを向上させることもできる。これにより、プラズママグネトロンスパッタによる成膜とプラズマ重合による成膜とを行うことによって膜形成体を製造するにあたり、製造に要する時間をより短縮することができる。
【０１２０】
また、成膜装置３５にあっては、基材ホルダ７の裏面に配置された永久磁石１５により基材８の周囲に磁界を形成することができる。これにより、前記磁界によって電子をトラップすることにより、基材８の近傍にイオンを集めることができる。
【０１２１】
これにより、プラズママグネトロンスパッタによる成膜及びプラズマ重合による成膜を行うにあたり、イオンの濃度を増加させることによって成膜レートを向上させることができる。
【０１２２】
次に、膜形成体を製造することができる真空成膜装置のさらに異なる例について説明する。図１１は、他の真空成膜装置の一例である真空成膜装置６０を示す図である。図１１は、真空成膜装置６０の構成の概略を模式的に示している。
【０１２３】
成膜装置６０は、真空チャンバ６１と基材ホルダ６２とアーク蒸発源６３と蒸発源６４を備えている。真空チャンバ６１内は、特に図示しない真空ポンプにより、成膜を行うにあたり所要の真空雰囲気に排気される。
【０１２４】
基材ホルダ６２は、真空チャンバ６１内に設けられる。基材ホルダ６２は、図１１に示されるように略円筒状をなしている。そして、基材ホルダ６２は、円筒の外周に沿って図示しない基材を保持し、基材の成膜される面がチャンバ６１の中心に対する外方を向くように保持する。
【０１２５】
また、基材ホルダ６２には、円筒の中心に沿って互いに中心を一致させるように回転軸６５が固設されている。そして、基材ホルダ６２は、回転軸６５とともに円筒の中心の回りに回転する。これにより、基材を回転軸６５及び基材ホルダ６２の回転中心の回りに回転させつつ成膜することができる。成膜装置６０には、回転軸６５を回転駆動するための特に図示しないモータ等の回転手段が設けられる。
【０１２６】
また、アーク蒸発源６３と蒸発源６４は、真空チャンバ６１に基材ホルダ６２を挟んで対向するように設けられている。アーク蒸発源６３は、いわゆるアークイオンプレーティングと呼ばれる成膜方式に基づいて成膜できるようにされている。
【０１２７】
即ち、アーク蒸発源６３は、膜の原料として保持される金属材にアーク放電を照射してイオン化させる。アーク蒸発源６３によりイオン化された金属材は基材ホルダ６２が設けられる中心方向に向かって噴射し、基材ホルダ６２に保持される基材に金属の薄膜部分が成膜される。
【０１２８】
成膜装置６０には図示されないアーク放電用電源が設けられており、アーク蒸発源６３は前記アーク放電用電源より電力を供給されてアーク放電を発生させる。
【０１２９】
蒸発源６４は、膜の原料物質を加熱して蒸発させ蒸着による成膜を行うようにされている。蒸発源６４には膜の原料物質として樹脂材が供給される。そして、蒸発源６４によって樹脂材を蒸発させ基材ホルダ６２が設けられる中心方向に向かって噴射させることにより、基材に樹脂材からなる薄膜部分が成膜される。
【０１３０】
蒸発源６４は、膜の原料を蒸発させて蒸着による成膜を行えるものであればよい。蒸発源６４として、抵抗加熱により膜の原料を加熱して蒸発させるものや電子ビーム（ＥＢ）を膜の原料に照射して加熱し蒸発させるものを用いることができる。
【０１３１】
この成膜装置６０によると、以上に説明した膜形成体２５乃至２９を、以下のようにして製造することができる。基材ホルダ６２を回転させて基材を回転させつつ、アーク蒸発源６３を動作させることによる成膜と、蒸発源６４を動作させることによる成膜とを同時に行う。これにより、基材上に金属部２１及び樹脂部２２を形成することができる。
【０１３２】
なお、前記膜形成体２７のように、金属部２１及び樹脂部２２Ａの上を覆う樹脂部２２Ｂを形成する場合には、アーク蒸発源６３の動作を停止させた後に、蒸発源６４を継続して動作させることにより、樹脂部２２Ｂを成膜することができる。
【０１３３】
また、膜形成体２８や２９に設けられた他の樹脂層２３を形成する場合には、他の樹脂層２３を形成するための樹脂を蒸発源６４に供給しておき、金属部２１及び樹脂部２２の成膜を終えた後に、蒸発源６４を動作させて蒸着による成膜を行うことにより他の樹脂層２３を形成することができる。
【０１３４】
また、成膜装置６０を以下のように構成するとともに、以下のように動作させることもできる。即ち、図１１に示されるように、仕切り部材６８、６９を設けることにより、真空チャンバ６１内をアーク蒸発源６３による成膜が行われる一方側の領域と蒸発源６４による成膜が行われる他方側の領域とを仕切るようにする。
【０１３５】
そして、真空チャンバ６１内を排気するにあたり、アーク蒸発源６３が設けられる側の領域と蒸発源６４が設けられる側の領域とで圧力差を与えて真空度に差を設ける差動排気を行う。
【０１３６】
これにより、アーク蒸発源６３による成膜と蒸発源６４による成膜とを行うにあたり、アーク蒸発源６３及び蒸発源６４の各々に対応させたより適切な圧力として成膜できるので、より好ましい。
【０１３７】
そして、真空チャンバ６１内のアーク蒸発源６３が設けられる側の領域を１０−２Ｐａオーダーの圧力とし、蒸発源６４が設けられる側の領域を１０−３Ｐａオーダーの圧力とするのが好ましい。
【０１３８】
次に、膜形成体を製造することができる真空成膜装置のさらに異なる例について説明する。図１２は、他の真空成膜装置の一例である真空成膜装置７０を示す図である。図１２は、真空成膜装置７０の構成の概略を模式的に示している。
【０１３９】
成膜装置７０は、真空チャンバ６１と基材ホルダ６２とスパッタリングユニット（ＳＰ）６６と蒸発源６４を備えている。真空チャンバ６１、基材ホルダ６２及び蒸発源６４については、以上に説明した真空成膜装置６０に設けられたものと同じであり、ここでは説明を省略する。
【０１４０】
スパッタリングユニット６６によると、スパッタリングによる成膜を行うことができる。スパッタリングユニット６６により、その金属材のターゲットをスパッタすることにより、金属材のイオンを基材ホルダ６２が設けられる中心方向に向かって噴射させ、基材に金属の薄膜部分を成膜することができる。スパッタリングユニット６６は、基材ホルダ６２を挟んで蒸発源６４と対向するように真空チャンバ６１に設けられている。
【０１４１】
この成膜装置７０によると、以上に説明した膜形成体２５乃至２９を、以下のようにして製造することができる。基材ホルダ６２を回転させて基材を回転させつつ、スパッタリングユニット６６を動作させることによる成膜と、蒸発源６４を動作させることによる成膜とを同時に行う。これにより、基材上に金属部２１及び樹脂部２２を形成することができる。
【０１４２】
なお、前記膜形成体２７のように、金属部２１及び樹脂部２２Ａの上を覆う樹脂部２２Ｂを形成する場合には、スパッタリングユニット６６の動作を停止させた後に、蒸発源６４を継続して動作させることにより、樹脂部２２Ｂを成膜することができる。
【０１４３】
また、この成膜装置７０により、膜形成体２８や２９に設けられた他の樹脂層２３を形成することについては、成膜装置６０において説明したのと同様の方法によって成膜することができる。
【０１４４】
また、成膜装置７０を以下のように構成し、以下のように動作させることもできる。即ち、図１２に示されるように、仕切り部材６８、６９を設けことにより、真空チャンバ６１内をスパッタリングユニット６６が設けられる一方側の領域と蒸発源６４が設けられる他方側の領域とを仕切るようにする。
【０１４５】
そして、真空チャンバ６１内を真空に排気するにあたり、スパッタリングユニット６６が設けられる側の領域と蒸発源６４が設けられる側の領域とで圧力差を与えて真空度に差を設ける差動排気を行う。
【０１４６】
これにより、スパッタリングユニット６６による成膜と蒸発源６４による成膜とを行うにあたり、スパッタリングユニット６６及び蒸発源６４の各々に対応させたより適切な圧力として成膜できるので、より好ましい。
【０１４７】
そして、真空チャンバ６１内のスパッタリングユニット６６が設けられる側の領域を１０−１Ｐａオーダーの圧力とし、蒸発源６４が設けられる側の領域を１０−３Ｐａオーダーの圧力とするのが好ましい。
【０１４８】
次に、膜形成体を製造することができる真空成膜装置のさらに異なる例について説明する。図１３は、他の真空成膜装置の一例である真空成膜装置８０を示す図である。図１３は、真空成膜装置８０の構成の概略を模式的に示す図である。
【０１４９】
成膜装置８０は、真空チャンバ６１と基材ホルダ６２とスパッタリングユニット６６と重合電極（ＲＦ）６７を備えている。また、この成膜装置８０には、特に図示されない原料供給装置が設けられている。そして、この原料供給装置により、樹脂材を原料ガスの形態で真空チャンバ６１内に供給できる。
【０１５０】
真空チャンバ６１、基材ホルダ６２及びスパッタリングユニット６６については、以上に説明した真空成膜装置６０や７０に設けられたものと同じであり、ここでは説明を省略する。
【０１５１】
重合電極６７は、プラズマ重合による成膜を行うために設けられている。即ち、真空チャンバ６１内に重合電極６７を介して電力を供給し、プラズマ放電を発生させる。
【０１５２】
そして、このプラズマ放電により、前記原料供給装置によって真空チャンバ６１内に供給された樹脂材の原料ガスをイオン化又は励起させ、プラズマ重合による樹脂材の薄膜を形成することができる。これにより、基材ホルダ６２に保持される基材に樹脂材の薄膜部分を成膜することができる。
【０１５３】
重合電極６７は、基材ホルダ６２を挟んでスパッタリングユニット６６と対向するように真空チャンバ１に設けられている。また、成膜装置８０には、真空チャンバ６１内にプラズマ放電を発生させる電力を供給するための図示されない高周波電源（ＲＦ）等が設けられており、この高周波電源（ＲＦ）等より出力された電力が重合電極６７に入力され、重合電極６７より真空チャンバ６１内に供給される。
【０１５４】
この成膜装置８０によると、以上に説明した膜形成体２５乃至２９を、以下のように製造することができる。基材ホルダ６２を回転させて基材を回転させつつ、スパッタリングユニット６６を動作させることによる成膜と、重合電極６７によるプラズマ重合による成膜とを同時に行う。これにより、基材上に金属部２１及び樹脂部２２を形成することができる。
【０１５５】
なお、前記膜形成体２７のように、金属部２１及び樹脂部２２Ａの上を覆う樹脂部２２Ｂを形成する場合には、スパッタリングユニット６６の動作を停止させた後に、重合電極６７によりプラズマ放電を発生させてプラズマ重合を継続して行うことにより、樹脂部２２Ｂを成膜することができる。
【０１５６】
また、この成膜装置８０により、膜形成体２８や２９に設けられた他の樹脂層２３を形成する場合には、他の樹脂層２３を形成するための樹脂を前記図示されない原料供給装置に供給しておき、金属部２１及び樹脂部２２の成膜を終えた後に、重合電極６７によるプラズマ放電に基づきプラズマ重合による成膜を行うことによって他の樹脂層２３を形成することができる。
【０１５７】
また、成膜装置８０を以下のように構成し、以下のように動作させることもできる。即ち、図１３に示されるように、仕切り部材６８、６９を設ける。そして、真空チャンバ６１内をスパッタリングユニット６６が設けられる側の領域と重合電極６７が設けられる側の領域とで仕切るようにする。
【０１５８】
そして、真空チャンバ６１内を真空に排気するにあたり、スパッタリングユニット６６が設けられる側の領域と重合電極６７が設けられる側の領域とで圧力差を与えて真空度に差を設ける差動排気を行う。
【０１５９】
これにより、スパッタリングユニット６６による成膜と重合電極６７によるプラズマ重合による成膜とを行うにあたり、スパッタリングユニット６６及び重合電極６７によるプラズマ重合の各々に対応させたより適切な圧力として成膜できるので、より好ましい。
【０１６０】
そして、真空チャンバ６１内のスパッタリングユニット６６が設けられる側の領域を１０−１Ｐａオーダーの圧力とし、重合電極６７が設けられる側の領域を１０−１〜１０−２Ｐａオーダーの圧力とするのが好ましい。
【０１６１】
次に、膜形成体を製造することができる真空成膜装置のさらに異なる例について説明する。図１４は、他の真空成膜装置の一例である真空成膜装置９０を示す図である。図１４は、真空成膜装置９０の構成の概略を模式的に示している。
【０１６２】
成膜装置９０は、真空チャンバ６１と基材ホルダ６２とアーク蒸発源６３と重合電極（ＲＦ）６７を備えている。また、この成膜装置９０には、特に図示されない原料供給装置が設けられている。そして、この原料供給装置により、樹脂材を原料ガスの形態で真空チャンバ６１内に供給できる。
【０１６３】
真空チャンバ６１、基材ホルダ６２、アーク蒸発源６３及び重合電極６７については、以上に説明した真空成膜装置６０や７０、８０に設けられたものと同じであり、ここでは説明を省略する。アーク蒸発源６３と重合電極６７とは、基材ホルダ６２を挟んで対向するように真空チャンバ１に設けられている。
【０１６４】
この成膜装置９０によると、以上に説明した膜形成体２５乃至２９を、以下のようにして製造することができる。基材ホルダ６２を回転させて基材を回転させつつ、アーク蒸発源６３を動作させることによる成膜と、重合電極６７によるプラズマ重合による成膜とを同時に行う。これにより、基材に金属部２１及び樹脂部２２を形成することができる。
【０１６５】
なお、前記膜形成体２７のように、金属部２１及び樹脂部２２Ａの上を覆う樹脂部２２Ｂを形成する場合については、アーク蒸発源６３の動作を停止させた後に、重合電極６７によりプラズマ放電を発生させることに基づくプラズマ重合を継続して行うことにより、樹脂部２２Ｂを成膜することができる。
【０１６６】
また、この成膜装置９０により、膜形成体２８や２９に設けられた他の樹脂層２３を形成することについては、成膜装置８０において説明したのと同様の方法によって成膜することができる。
【０１６７】
また、成膜装置９０を以下のように構成し、以下のように動作させることもできる。即ち、図１４に示されるように、仕切り部材６８、６９を設けることにより、真空チャンバ６１内を、アーク蒸発源６３が設けられる側の領域と重合電極６７が設けられる側の領域とを仕切るようにする。
【０１６８】
そして、真空チャンバ６１内を真空に排気するにあたり、アーク蒸発源６３が設けられる側の領域と重合電極６７が設けられる側の領域とで圧力差を与えて真空度に差を設ける差動排気を行う。
【０１６９】
これにより、アーク蒸発源６３による成膜と重合電極６７によるプラズマ重合による成膜とを行うにあたり、アーク蒸発源６３及び重合電極６７によるプラズマ重合の各々に対応させたより適切な圧力として成膜できるので、より好ましい。
【０１７０】
そして、真空チャンバ６１内のアーク蒸発源６３が設けられる側の領域を１０−２Ｐａオーダーの圧力とし、重合電極６７が設けられる側の領域を１０−１〜１０−２Ｐａオーダーの圧力とするのが好ましい。
【０１７１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によると、一つの真空チャンバ内において、金属材を膜の原料とする成膜と樹脂材を膜の原料とする成膜とを同時に行うことによって、島状に分散して形成された金属部と該分散する金属部間に形成される部分を有する樹脂部とを形成し、かかる金属部及び樹脂部を有する膜形成体を製造することができる。
【０１７２】
これにより、一つの真空チャンバ内に基材を配置すると、一連の工程として実行される成膜の工程によって前記膜形成体の製造を完了することができる。従って、前記膜形成体を製造する作業が煩雑となることなく、前記膜形成体を簡易に製造することができる。また、前記膜形成体の製造に要する時間を短縮することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態である製造方法を実施するための真空成膜装置の構成の概略を示す模式図である。
【図２】膜形成体の一例の構成を示す断面図である。
【図３】膜形成体の一例の構成を示す断面図である。
【図４】ヘキサメチルジシロキサンの重合反応を示す反応式である。
【図５】膜形成体の一例の構成を示す断面図である。
【図６】膜形成体の一例の構成を示す断面図である。
【図７】膜形成体の一例の構成を示す断面図である。
【図８】本発明の一実施形態である製造方法を実施するための真空成膜装置の一例の構成の概略を示す模式図である。
【図９】図８に示される真空成膜装置の電極が配置される幾何的な関係を示す図である。
【図１０】永久磁石の構成の例を示す図である。
【図１１】本発明の一実施形態である製造方法を実施するための真空成膜装置の一例の構成の概略を示す模式図である。
【図１２】本発明の一実施形態である製造方法を実施するための真空成膜装置の一例の構成の概略を示す模式図である。
【図１３】本発明の一実施形態である製造方法を実施するための真空成膜装置の一例の構成の概略を示す模式図である。
【図１４】本発明の一実施形態である製造方法を実施するための真空成膜装置の一例の構成の概略を示す模式図である。
【符号の説明】
１      真空チャンバ
２    原料供給装置
３    供給管
４    排気管
５、５’、５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、５Ｄ    カソード
６    ターゲット
７    基材ホルダ
８    基材
９    基材ホルダの中心（真空チャンバの中心）
１０、１０’、１０ａ、１０ｂ、１０’ｃ、１０’ｄ    電磁石
１１、１１’    高周波電源
１２、１２’    磁石電源
１３、１３’    制御装置
１４    排気装置
１７、１７’    成膜ユニット
１８、１８’    成膜ユニット
２０    真空成膜装置
２１    金属部
２２、２２Ａ２２Ｂ    樹脂部
２３    他の樹脂層
２４    アンダーコート層
２５    膜形成体
２６    膜形成体
２７    膜形成体
２８    膜形成体
２９    膜形成体
３５    真空成膜装置
６０    真空成膜装置
６１    真空チャンバ
６２    基材ホルダ
６３    アーク蒸発源
６４    蒸発源
６５    回転軸
６６    スパッタリングユニット
６７    重合電極
６８、６９    仕切り部材
７０    真空成膜装置
８０    真空成膜装置
９０    真空成膜装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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