(57)【要約】【課題】画素の開口率の向上【解決手段】液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の面の画素領域に一方の電極が形成され、他方の基板の液晶側の面の少なくとも画素領域に他方の電極が形成され、前記一方の電極は複数の円形パターンまたは円形に近似するパターンが互いに接触しあって配置される形状をなし、これによって該一方の電極が形成されない領域を囲む前記パターンは３個以上の奇数個からなり、前記他方の基板の液晶側の面の前記各円形パターンまたは円形に近似するパターンのほぼ中心に対向する部分に突起体が形成されている。【選択図】        図１
2004177788.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の面の画素領域に一方の電極が形成され、他方の基板の液晶側の面の少なくとも画素領域に他方の電極が形成され、
前記一方の電極は複数の円形パターンまたは円形に近似するパターンが互いに接触しあって配置される形状をなし、これによって該一方の電極が形成されない領域を囲む前記パターンは３個以上の奇数個からなり、
前記他方の基板の液晶側の面の前記各円形パターンまたは円形に近似するパターンのほぼ中心に対向する部分に突起体が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の面の画素領域に画素電極が形成され、他方の基板の液晶側の面の少なくとも画素領域に対向電極が形成され、
前記画素電極は複数の円形パターンまたは円形に近似するパターンが互いに接触しあって配置される形状をなし、これによって該画素電極が形成されない領域を囲む前記パターンは３個以上の奇数個からなり、
前記他方の基板の液晶側の面の前記各円形パターンまたは円形に近似するパターンのほぼ中心に対向する部分に突起体が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の面の画素領域に画素電極が形成され、他方の基板の液晶側の面の少なくとも画素領域に対向電極が形成され、
前記画素電極は、複数の円形パターンまたは円形に近似するパターンが一方向に隣接されたパターン群が該一方向と直交する方向に隣接され、一のパターン群の各パターンはそれに隣接する他のパターン群の各パターンと半ピッチずれて配置され、これら各パターンはその輪郭部で互いに当接したパターンからなり、
前記他方の基板の液晶側の面の前記各円形パターンまたは円形に近似するパターンのほぼ中心に対向する部分に突起体が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の面の画素領域に画素電極が形成され、他方の基板の液晶側の面の少なくとも画素領域に対向電極が形成され、
前記画素電極は複数の円形パターンまたは円形に近似するパターンが互いに隣接し電気的に接続されて配置される形状をなし、これによって該画素電極が形成されない領域を囲む前記パターンは３個以上の奇数個からなり、
前記他方の基板の液晶側の面の前記各円形パターンまたは円形に近似するパターンのほぼ中心に対向する部分に突起体が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の面の画素領域に画素電極が形成され、他方の基板の液晶側の面の少なくとも画素領域に対向電極が形成され、
前記画素電極は、複数の円形パターンまたは円形に近似するパターンが一方向に隣接されたパターン群が該一方向と直交する方向に隣接され、一のパターン群の各パターンはそれに隣接する他のパターン群の各パターンと半ピッチずれて配置され、これら各パターンはその輪郭部で互いに電気的に接続されたパターンからなり、
前記他方の基板の液晶側の面の前記各円形パターンまたは円形に近似するパターンのほぼ中心に対向する部分に突起体が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
前記円形に近似するパターンは５角形以上の多角形からなることを特徴とする請求項１から５のうちいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記多角形はその角が丸みを有することを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレイン信号線が形成され、これらゲート信号線とドレイン信号線とで囲まれた各領域を画素領域とし、
該画素領域にゲート信号線からの走査信号によって駆動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極とを有し、
該画素電極の各円形パターンまたは円形に近似するパターンのうち、ドレイン信号線あるいはゲート信号線に近接する円形パターンまたは円形に近似するパターンは該ドレイン信号線あるいはゲート信号線に近接する部分にて該ドレイン信号線あるいはゲート信号線の辺に沿った辺を有するように変形されていることを特徴とする請求項２から５のうちいずれかに記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
各種の液晶表示装置のうち、液晶を介して対向する各基板のうち、一方の基板の液晶側の各画素領域に透明導電層からなる画素電極が形成され、他方の基板の液晶側の各画素領域に共通に透明導電層からなる対向電極が形成され、これら各電極の間に発生する電界によって該液晶の光透過率を制御するものであって、電界の無電界時に該液晶の分子が基板に対して垂直配向されるものが知られている。
【０００３】
そして、このような構成からなる液晶表示装置において、その広視野角特性を得るため、前記画素電極を複数の領域に分割させた電極（以下、サブピクセルと称す）として形成し、さらに前記対向電極が形成されている側の基板の液晶側の面に各サブピクセルの中心に対向する位置に突起を設けたものも知られている（たとえば特許文献１参照）。
【０００４】
画素電極と対向電極の間に電界を発生せしめると、サブピクセル上の液晶の各分子は前記突起を中心として放射状に倒れるように挙動し、これにより該液晶を通過する光は広い範囲で観察者側に照射されるようになるからである。
【特許文献１】
特開２０００−４７２１７号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このように構成された液晶表示装置は、画素電極が複数に分割された各サブピクセルの集合によって形成されていることから、一つのサブピクセルとこの一つのサブピクセルの周囲に配置される他のサブピクセルとの間に電極が形成されていない領域が形成されることは免れない。
【０００６】
このことは一つの画素領域において、液晶の駆動されない領域が生じることを意味し、いわゆる画素の開口率の向上に限界を生じさせるものとなっていた。
【０００７】
本発明は、このような事情に基づいてなされたもので、その目的は、画素の開口率を向上させた液晶表示装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
手段１．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の面の画素領域に一方の電極が形成され、他方の基板の液晶側の面の少なくとも画素領域に他方の電極が形成され、
前記一方の電極は複数の円形パターンまたは円形に近似するパターンが互いに接触しあって配置される形状をなし、これによって該一方の電極が形成されない領域を囲む前記パターンは３個以上の奇数個からなり、
前記他方の基板の液晶側の面の前記各円形パターンまたは円形に近似するパターンのほぼ中心に対向する部分に突起体が形成されていることを特徴とするものである。
【０００９】
手段２．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の面の画素領域に画素電極が形成され、他方の基板の液晶側の面の少なくとも画素領域に対向電極が形成され、
前記画素電極は複数の円形パターンまたは円形に近似するパターンが互いに接触しあって配置される形状をなし、これによって該画素電極が形成されない領域を囲む前記パターンは３個以上の奇数個からなり、
前記他方の基板の液晶側の面の前記各円形パターンまたは円形に近似するパターンのほぼ中心に対向する部分に突起体が形成されていることを特徴とするものである。
【００１０】
手段３．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の面の画素領域に画素電極が形成され、他方の基板の液晶側の面の少なくとも画素領域に対向電極が形成され、
前記画素電極は、複数の円形パターンまたは円形に近似するパターンが一方向に隣接されたパターン群が該一方向と直交する方向に隣接され、一のパターン群の各パターンはそれに隣接する他のパターン群の各パターンと半ピッチずれて配置され、これら各パターンはその輪郭部で互いに当接したパターンからなり、
前記他方の基板の液晶側の面の前記各円形パターンまたは円形に近似するパターンのほぼ中心に対向する部分に突起体が形成されていることを特徴とするものである。
【００１１】
手段４．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の面の画素領域に画素電極が形成され、他方の基板の液晶側の面の少なくとも画素領域に対向電極が形成され、
前記画素電極は複数の円形パターンまたは円形に近似するパターンが互いに隣接し電気的に接続されて配置される形状をなし、これによって該画素電極が形成されない領域を囲む前記パターンは３個以上の奇数個からなり、
前記他方の基板の液晶側の面の前記各円形パターンまたは円形に近似するパターンのほぼ中心に対向する部分に突起体が形成されていることを特徴とするものである。
【００１２】
手段５．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の面の画素領域に画素電極が形成され、他方の基板の液晶側の面の少なくとも画素領域に対向電極が形成され、
前記画素電極は、複数の円形パターンまたは円形に近似するパターンが一方向に隣接されたパターン群が該一方向と直交する方向に隣接され、一のパターン群の各パターンはそれに隣接する他のパターン群の各パターンと半ピッチずれて配置され、これら各パターンはその輪郭部で互いに電気的に接続されたパターンからなり、
前記他方の基板の液晶側の面の前記各円形パターンまたは円形に近似するパターンのほぼ中心に対向する部分に突起体が形成されていることを特徴とするものである。
【００１３】
手段６．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段１から５のうちのいずれかの構成を前提とし、前記円形に近似するパターンは５角形以上の多角形からなることを特徴とするものである。
【００１４】
手段７．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段６の構成を前提とし、前記多角形はその角が丸みを有することを特徴とするものである。
【００１５】
手段８．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段２から５のうちいずれかの構成を前提とし、一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレイン信号線が形成され、これらゲート信号線とドレイン信号線とで囲まれた各領域を画素領域とし、
該画素領域にゲート信号線からの走査信号によって駆動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極とを有し、
該画素電極の各円形パターンまたは円形に近似するパターンのうち、ドレイン信号線あるいはゲート信号線に近接する円形パターンまたは円形に近似するパターンは該ドレイン信号線あるいはゲート信号線に近接する部分にて該ドレイン信号線あるいはゲート信号線の辺に沿った辺を有するように変形されていることを特徴とするものである。
【００１６】
なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による液晶表示装置の実施例を図面を用いて説明をする。
実施例１．
《全体の構成》
図２は、本発明による液晶表示装置の一実施例を示す平面図である。
同図において、まず、液晶を介して互いに対向配置される一対の透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該液晶は一方の透明基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板ＳＵＢ２の固定を兼ねるシール材ＳＬによって封入されている。
【００１８】
シール材ＳＬによって囲まれた前記一方の透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在しｘ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成されている。
【００１９】
各ゲート信号線ＧＬと各ドレイン信号線ＤＬとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、これら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部ＡＲを構成するようになっている。
【００２０】
各画素領域には、その片側のゲート信号線ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジスタＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素電極ＰＸが形成されている。
【００２１】
この画素電極ＰＸは、他方の透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面に各画素領域に共通に形成した対向電極ＣＴ（図示せず）との間に電界を発生させ、この電界によって液晶の光透過率を制御させるようになっている。
【００２２】
なお、画素電極ＰＸと当該画素領域の薄膜トランジスタＴＦＴを駆動させるためのゲート信号線ＧＬと隣接して配置される他のゲート信号線ＧＬとの間には付加容量素子Ｃａｄｄが形成されている。この付加容量素子Ｃａｄｄは画素電極ＰＸに供給された映像信号を該画素電極ＰＸに保持させるために設けられたものである。
【００２３】
また、前記対向電極ＣＴは、たとえばシール材ＳＬの四隅に形成された導電体ＣＬを介して透明基板ＳＵＢ１側の面に引き出されるようになっている。
【００２４】
前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は走査信号駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子を構成するようになっている。また、前記走査信号駆動回路Ｖの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基板（図示せず）からの信号が入力されるようになっている。
【００２５】
走査信号駆動回路Ｖは複数個の半導体装置からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線ＧＬどおしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装置があてがわれるようになっている。
【００２６】
同様に、前記ドレイン信号線ＤＬのそれぞれの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基板（図示せず）からの信号が入力されるようになっている。
【００２７】
この映像信号駆動回路Ｈｅも複数個の半導体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線ＤＬどおしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装置があてがわれるようになっている。
【００２８】
前記各ゲート信号線ＧＬは、走査信号駆動回路Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択されるようになっている。
【００２９】
また、前記各ドレイン信号線ＤＬのそれぞれには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲート信号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号が供給されるようになっている。
【００３０】
なお、上述した実施例では、走査信号駆動回路Ｖおよび映像信号駆動回路Ｈｅは透明基板ＳＵＢ１に搭載された半導体装置を示したものであるが、たとえば透明基板ＳＵＢ１とプリント基板との間を跨って接続されるいわゆるテープキャリア方式の半導体装置であってもよく、さらに、前記薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層が多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）から構成される場合、透明基板ＳＵＢ１面に前記多結晶シリコンからなる半導体素子を配線層とともに形成されたものであってもよい。
【００３１】
《画素の構成》
図１は前記画素の構成の一実施例を示す構成図である。図１（ａ）は透明基板ＳＵＢ１の液晶側の平面図を、図１（ｂ）は透明基板ＳＵＢ２の液晶側の平面図を、図１（ｃ）は図１（ａ）のｃ−ｃ線における断面図を示している。なお、図１（ｂ）の平面図は表示の観察者側から観た図を示している。
【００３２】
図１（ａ）において、まず、透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面に、ｘ方向に延在しｙ方向に並設される一対のゲート信号線ＧＬが形成されている。
【００３３】
これらゲート信号線ＧＬは後述の一対のドレイン信号線ＤＬとともに矩形状の領域を囲むようになっており、この領域を画素領域として構成するようになっている。
【００３４】
このようにゲート信号線ＧＬが形成された透明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮからなる絶縁膜ＧＩが該ゲート信号線ＧＬをも被って形成されている。
【００３５】
この絶縁膜ＧＬは、後述のドレイン信号線ＤＬの形成領域においては前記ゲート信号線ＧＬに対する層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての機能を、後述の容量素子Ｃａｄｄの形成領域においてはその誘電体膜としての機能を有するようになっている。
【００３６】
そして、この絶縁膜ＧＩの表面であって、前記ゲート信号線ＧＬの延在部に重畳するようにしてたとえばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが形成されている。
【００３７】
この半導体層ＡＳは、薄膜トランジスタＴＦＴのそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２を形成することにより、ゲート信号線ＧＬの前記延在部をゲート電極とする逆スタガ構造のＭＩＳ型トランジスタを構成することができる。
【００３８】
ここで、前記ドイレン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２はドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時に形成されるようになっている。
【００３９】
すなわち、ｙ方向に延在されｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成され、その一部が前記半導体層ＡＳの上面にまで延在されてドレイン電極ＳＤ１が形成され、また、このドレイン電極ＳＤ１と薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル長分だけ離間されてソース電極ＳＤ２が形成されている。
【００４０】
このソース電極ＳＤ２は半導体層面から画素領域側の絶縁膜の上面に至るまで若干延在され、後述の画素電極ＰＸとの接続を図るためのコンタクト部ＣＴが形成されている。
【００４１】
このように薄膜トランジスタＴＦＴ、ドイレン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、およびソース電極ＳＤ２が形成された透明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえば樹脂等の低誘電率絶縁膜からなる保護膜ＰＡＳが形成されている。この保護膜ＰＡＳは前記薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避する層で、該薄膜トランジスタＴＦＴの特性劣化を防止せんとするようになっている。
【００４２】
保護膜の上面には画素電極ＰＸが形成されている。この画素電極ＰＸはたとえばＩＴＯ  （Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ  （Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ２（酸化スズ）、Ｉｎ２Ｏ３（酸化インジウム）等からなる透光性の導電膜から構成されている。
【００４３】
この画素電極ＰＸは、多数のたとえば円形状のパターンからなる電極（サブピクセル）の集合体からなっている。
【００４４】
すなわち、該画素電極ＰＸは円形状のサブピクセルが複数配置されて構成され、これらの各サブピクセルはそれに隣接する他のサブピクセルと比較的幅の狭く一体に形成された透光性の導電膜によって互いに電気的に接続された形状となっている。
【００４５】
換言すれば、該画素電極ＰＸは、画素領域の大部分の領域に平面的に形成された透光性の導電膜をやはりマトリクス状に配列された多数の菱形（その各辺は内側に指向する円弧状）で孔開けした形状で形成されたものとなっている。
【００４６】
ここで、ｙ方向に並設された各サブピクセル群の各サブピクセルは隣接する他のサブピクセル群の二つのサブピクセルの間に位置づけられるようになっている。これにより、画素電極ＰＸが形成されない領域ｎｏｎ−ＰＸを囲んで配置される前記サブピクセルは３個の奇数個からなっている。
【００４７】
また、一つのサブピクセルに対し、これに隣接する他のサブピクセルとは電気的に互いに接続され、その接続はパターンの形状からそれらが接触し合っててもよく、また比較的細い接続体（たとえばサブピクセルの導体層と一体的に形成される接続体）を介してなされていてもよい。
【００４８】
このようにして各サブピクセルを配置させて画素電極ＰＸを形成した場合、限られた面積内に多数のサブピクセルを配置させることができ、結果として画素の開口率を向上させることができるようになる。
【００４９】
そして、この画素電極ＰＸは、その一部が前記保護膜ＰＡＳの一部に形成されたコンタクト部ＣＴを通して薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２に電気的に接続されている。
【００５０】
そして、このように画素電極ＰＸが形成された透明基板ＳＵＢ１の上面には該画素電極ＰＸをも被って配向膜ＯＲＩ１が形成されている。この配向膜ＯＲＩ１は液晶と直接に当接する膜で、その表面に形成されたラビングによって該液晶の分子の初期配向方向を決定づけるようになっている。
【００５１】
透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面には、まず、その各画素領域を画するようにしてブラックマトリクスＢＭが形成されている。すなわち、ブラックマトリクスＢＭは各画素領域の周辺部（薄膜トランジスタＴＦＴを被う部分を含む）を残す領域に開口が形成されたパターンをなし、これにより表示のコントラストの向上、および該薄膜トランジスタＴＦＴの特性劣化を回避するようになっている。
【００５２】
ブラックマトリクスＢＭが形成された透明基板ＳＵＢ２の面には該ブラックマトリクスＢＭの開口を被ってカラーフィルタＦＩＬが形成されている。このカラーフィルタＦＩＬはたとえば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色のフィルタからなり、ｙ方向に並設される各画素領域群にたとえば赤色のフィルタが共通に形成され、該画素領域群にｘ方向に順次隣接する画素領域群に共通に赤（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色、赤（Ｒ）色、……、というような配列で形成されている。
【００５３】
そして、前記ブラックマトリクスＢＭおよびカラーフィルタＦＩＬをも被って配向膜ＯＲＩ２が形成され、この配向膜ＯＲＩ２は液晶と直接に当接する膜で、該液晶の分子の初期配向方向を決定づけるようになっている。
【００５４】
さらに、前記配向膜ＯＲＩ２の上面には、前記画素電極ＰＸの各サブピクセルの中心部に対向するようにしてたとえば樹脂からなる突起体ＰＲＪが形成されている。ここで、透明基板ＳＵＢ１側の画素電極ＰＸの各サブピクセルと透明基板ＳＵＢ２側の前記突起体ＰＲＪとの位置関係を図３に示している。しかし、突起体ＰＲＪは必ずしも画素電極ＰＸのサブピクセルの中心に正確に位置付けられている必要はなく、若干のずれがあっても後述する効果を有する。
【００５５】
すなわち、このような構成において、前記液晶としては、たとえば負の誘電率異方性を有するもので、電界の無印加時において、透明基板ＳＵＢ１に対して液晶の分子がほぼ垂直に配向するものが用いられ、電界の印加の際に、該液晶分子が基板に対して平行に倒れる際に、前記突起体ＰＲＪを中心として放射状に倒れるようになる。
【００５６】
このため、液晶を通過して観察者の眼に届く光は広い角度で出射され、いわゆる広視野角特性が得られる。
【００５７】
以上説明した液晶表示装置によれば、画素電極ＰＸを複数のサブピクセルによって構成することによる画素の開口率の低下を該サブピクセルの配置によって向上させることができるようになる。
【００５８】
実施例２．
図４は本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図となっている。
【００５９】
図１の場合と比較して異なる構成はドレイン信号線ＤＬにある。すなわち、ドレイン信号線ＤＬに近接して配置される画素電極ＰＸのたとえば各円形状パターンはその円形状パターンとｙ方向に隣接して配置される他の円形状パターンとの間に無駄な隙間が生じ、この隙間をドレイン信号線ＤＬで埋めるようにすることによって該ドレイン信号線ＤＬがジグザグ状の形状となったものである。
【００６０】
換言すれば、画素電極ＰＸは、複数の円形状パターンが互いに接触しあって配置される形状をなし、その大体の包絡線に沿ってドレイン信号線ＤＬを形成したことにある。
【００６１】
このように構成することによって、画素領域内に無駄な領域を無くし、これにより画素の開口率をさらに向上せしめんとするものである。
【００６２】
また、この場合、カラーフィルタＦＩＬをドレイン信号線ＤＬと同様にジグザグ状としてもよい。開口率向上が図れるからである。さらに同様の理由でブラックマトリクスＢＭをドレイン信号線ＤＬと同様にジグザグ状とすることもできる。
【００６３】
実施例３．
図５は本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図となっている。
【００６４】
図１の場合と比較して異なる構成は画素電極ＰＸのパターンにある。すなわち、互いに接触しあって配置される複数の各パターン（サブピクセル）は６角形あるいはそれに近似したものとなっている。
【００６５】
６角形は円形に近似したパターンで、このように形成した場合であっても、各液晶分子は該パターンの中心から放射状に倒れるように挙動するからである。このことから、必ずしも６角形に限定されることはなく５角形以上の多角形状とするようにしてもよく、また、その角に丸みを施されるパターンであってもよい。
【００６６】
また、このようにした場合、透明基板ＳＵＢ２側の突起体ＰＲＪの形状も前記パターンに相似となるように形成するとが望ましい。しかし必ずしもこのようにすることに限定されない。
【００６７】
実施例４．
図６は本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図となっている。
【００６８】
図１の場合と比較して異なる構成は、図６（ｃ）で示すように、保護膜ＰＡＳの上面形成された画素電極ＰＸの周辺に、たとえば前記保護膜ＰＡＳと同材料からなる材料層ＰＳＶが形成されている。すなわち、この材料層ＰＳＶの形成によって、この材料層ＰＳＶの表面と画素電極ＰＸの表面をほぼ面一にするようにしている。
【００６９】
画素電極ＰＸが形成された透明基板ＳＵＢ１の表面には、この画素電極ＰＸをも被って配向膜ＯＲＩ１が形成されることから、該画素電極ＰＸの段差における該配向膜ＯＲＩ１の信頼性の劣化を回避せんがためである。
【００７０】
画素電極ＰＸは上述したような形状をなし、その輪郭部における周辺長が比較的大きいことから、この周辺の段差における不都合を信頼性よく解消せしめたものである。
【００７１】
実施例５．
図７は本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図となっている。
【００７２】
図１の場合と比較して異なる構成はゲート信号線ＧＬにあり、この実施例の場合、該ゲート信号線ＧＬは直線状に形成されている。
【００７３】
このようにすることによって、画素のいわゆる開口率は図１の場合と比較して若干小さくなるが、複数のたとえば円形状パターンを互いに近づける構成とすることによって充分な開口率を得ることができる。
【００７４】
実施例６．
図８は本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図４に対応した図となっている。
【００７５】
図４の場合と比較して異なる構成はゲート信号線ＧＬにあり、この実施例の場合、該ゲート信号線ＧＬは直線状に形成されている。
【００７６】
実施例７．
図９は本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図５に対応した図となっている。
【００７７】
図５の場合と比較して異なる構成はゲート信号線ＧＬにあり、この実施例の場合、該ゲート信号線ＧＬは直線状に形成されている。
【００７８】
実施例８．
図１０は本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図６に対応した図となっている。
【００７９】
図６の場合と比較して異なる構成はゲート信号線ＧＬにあり、この実施例の場合、該ゲート信号線ＧＬは直線状に形成されている。
【００８０】
そして、保護膜ＰＡＳの上面形成された画素電極ＰＸの周辺に、たとえば前記保護膜ＰＡＳと同材料からなる材料層ＰＳＶが形成され、この材料層ＰＳＶによって、この材料層ＰＳＶの表面と画素電極ＰＸの表面をほぼ面一にするようにしている。
【００８１】
実施例９．
図１１は本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、画素電極のパターンを示した図である。
【００８２】
分割された各パターンは円形状、あるいはその他の点対称的図形に限らず、図１１に示すように、その一部において、たとえばドレイン信号線ＤＬあるいはゲート信号線ＧＬに近接する部分において直線的部分を備えていてもよいことはもちろんである。
【００８３】
該画素電極ＰＸの各円形パターンまたは円形に近似するパターンのうち、ドレイン信号線ＤＬあるいはゲート信号線ＧＬに近接する円形パターンまたは円形に近似するパターンは該ドレイン信号線ＤＬあるいはゲート信号線ＧＬに近接する部分にて該ドレイン信号線ＤＬあるいはゲート信号線ＧＬの辺に沿った辺を有するように変形させることにより、画素の開口率の向上を図ることができるようになる。
【００８４】
実施例１０．
図１２は本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、画素電極のパターンを示した図である。
【００８５】
同図は、ｙ方向に並設される複数のパターン群がｘ方向に３列に並設されている。そして、各列のパターン群において、それぞれパターンの形状が異なったものとなっている。
【００８６】
なお、上述した画素電極ＰＸの形状として、電極が形成されていない領域を囲む各サブピクセルは３個として説明したものであるが、これに限定されることはなく、３個以上の奇数個とすることにより、該領域がさらに狭くなり、画素の開口率を向上させることができる。
【００８７】
また、上述した各実施例では、画素電極ＰＸにおいて複数のサブピクセルを形成したものとなっているが、対向電極において複数のサブピクセルを形成する構成としてもよい。この場合、画素電極ＰＸは画素領域のほぼ全域に形成される電極として構成され、その上方の面に該対向電極の各サブピクセルの中心に対向する部分に突起体ＰＲＪを形成する必要がある。
【００８８】
液晶から見た場合、画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴは特に区別されるものではなく、その一方が他方と置き換えられても事情は同じだからである。
【００８９】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかなように、本発明による液晶表示装置によれば、その画素の開口率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を示す構成図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の全体の構成の一実施例を示す平面図である。
【図３】本発明による液晶表示装置の画素の画素電極（サブピクセル）と突起体との位置関係を示す平面図である。
【図４】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図６】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図７】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図８】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図９】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図１０】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図１１】本発明による液晶表示装置の画素における画素電極の他の実施例を示す構成図である。
【図１２】本発明による液晶表示装置の画素における画素電極の他の実施例を示す構成図である。
【符号の説明】
ＳＵＢ…透明基板、ＧＬ…ゲート信号線、ＤＬ…ドレイン信号線、ＰＸ…画素電極、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、ＰＲＪ…突起体、ＰＡＳ…保護膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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