(57)【要約】【課題】屈折率及び膜厚の均一な薄膜を、成膜速度及び収率を低下させることなく形成できるＣＶＤ膜の製造方法及びその製造装置を提供する。【解決手段】密閉された反応室２内に上部電極３及び下部電極４を所定間隔で対向配置させ、下部電極４上に基板６ａ〜６ｃを保持させ、反応室２内を真空排気し、両電極３，４間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させると共に、両電極３，４を所望の温度に加熱し、薄膜の原料ガスを上部電極３に形成された貫通孔を通してその上部電極３と一体に設けられたシャワー板１２へ送り込み、このシャワー板１２を通して基板６ａ〜６ｃ上面全体に吹き付けるＣＶＤ膜の製造方法及びその装置において、上部電極３の貫通孔とシャワー板１２との間にガス拡散器１４を設け、貫通孔を通ったガスをこのガス拡散器１４によりシャワー板１２の面方向に案内する。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
密閉された反応室内に一対の平板電極を所定間隔で対向配置させ、一方の平板電極上に基板を保持させ、上記反応室内を排気手段により真空排気し、上記平板電極間に高周波電源により高周波電圧を印加してプラズマを発生させると共に、上記平板電極を加熱手段により所望の温度に加熱し、上記基板上に薄膜を形成するためのガスを、上記基板に対向する他方の平板電極に形成された貫通孔を通してその他方の平板電極と一体に設けられたシャワー板へ送り込み、該シャワー板を通して上記基板上面全体に吹き付けて、上記基板上に薄膜を形成するＣＶＤ膜の製造方法において、上記貫通孔を通ったガスをガス拡散器により上記シャワー板の面方向に案内することを特徴とするＣＶＤ膜の製造方法。
【請求項２】
上記ガス拡散器により上記シャワー板の面方向に案内された上記ガスをキャビティ中で上記シャワー板の全面にわたって拡散させる請求項１に記載のＣＶＤ膜の製造方法。
【請求項３】
密閉された反応室と、該反応室内を真空排気する排気手段と、上記反応室内に所定間隔で対向配置され一方の上に基板が保持されると共に他方に貫通孔が形成された一対の平板電極と、該平板電極間に高周波電圧を印加する高周波電源と、上記平板電極を所望の温度に加熱する加熱手段と、上記基板上に薄膜を形成するためのガスを上記貫通孔を通して搬入させるガス搬送手段と、上記他方の平板電極と一体に設けられ上記貫通孔を通して搬入されたガスを上記基板上面全体に吹き付けるシャワー板とを有するＣＶＤ膜の製造装置において、上記他方の電極の上記貫通孔と上記シャワー板との間に、上記貫通孔を通ったガスを上記シャワー板の面方向に案内するガス拡散器を備えていることを特徴とするＣＶＤ膜の製造装置。
【請求項４】
上記ガス拡散器は、上記貫通孔の内径よりも大きな外径を有すると共に上記ガスを一旦収容する筒部と、該筒部の一方の開口部を塞ぐように設けられ上記ガスを案内するための多数の孔が形成された底部とで構成されており、該底部はメッシュ構造或いは多重同心円に沿って多数の孔を有するシャワー構造で形成されている請求項３に記載のＣＶＤ膜の製造装置。
【請求項５】
上記底部が平面状又はドーム状に形成されている請求項４に記載のＣＶＤ膜の製造装置。
【請求項６】
上記他方の平板電極と上記シャワー板との間及び上記ガス拡散器と上記シャワー板との間に、上記ガス拡散器により案内された上記ガスを上記シャワー板の全面にわたって拡散させるためのキャビティが形成されている請求項４に記載のＣＶＤ膜の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）により、基板上に均一な屈折率及び膜厚の薄膜を形成するＣＶＤ膜の製造方法及びその製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、基板上にガラス薄膜を形成する方法としては、図１０に示すようなＣＶＤ装置を用いる方法が知られている。
【０００３】
図１０は従来のＣＶＤ膜の製造装置の概略図である。
【０００４】
図１０に示すように、この装置を用いてガラス薄膜を製造するに際しては、反応室４１内に設けられた上部電極４２と下部電極４３とを所望間隔で対向配置させ、下部電極４３上に例えば３枚の基板４５ａ〜４５ｃを保持させ、反応室４１内を排気装置４０ａ，４０ｂで高真空に排気し、高周波電源４４により上部電極４２と下部電極４３との間に周波数が１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加してプラズマを発生させると共に、上部電極４２及び下部電極４３をそれらの電極４２，４３内に設けられたヒータ（図示せず）により所望の温度（５００℃以下）に加熱する。
【０００５】
そして、その反応室４１内に、原料として、アルコキシド系の［Ｓｉ（ＯＣ２　Ｈ５　）４　］４６、［Ｇｅ（ＯＣＨ３　）４　］４７及び［Ｐ（ＯＣＨ３　）３　］４８の液体ソースの蒸気をＯ２　ガス４９と共にガス導入管５０内を搬送させて反応室４１内に導入し、プラズマ雰囲気下での熱分解反応によりガラス薄膜を形成する方法である。
【０００６】
これらのガス４６〜４９の基板４５ａ〜４５ｃ上への吹き付けは、シャワー板５１と基板４５ａ〜４５ｃとの間を側面保護板５４にて取り囲むと共に、上部電極４２の貫通孔を通して上部電極４２と一体に設けられた、同心多重リング状の多数の孔５２を有するシャワー板５１から、このシャワー板５１の孔５２を通して基板４５ａ〜４５ｃの上面に吹き付けることにより行われていた（例えば、特許文献１、２、３参照。）。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１１−２８８９２８号公報（図１）
【特許文献２】
特開２００１−３４８２３６号公報（図１）
【特許文献３】
特開２００２−１４１３４２号公報（図１）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のＣＶＤ法によるガラス薄膜の製造方法には以下に示すような課題が存在していた。
【０００９】
（１）基板４５上に成膜したガラス薄膜の屈折率偏差は±０．５％及び膜厚偏差は約±５％もあり、均一な膜を成膜することが難しかった。
【００１０】
（２）下部電極４３上に複数枚の基板４５ａ〜４５ｃを置いて成膜した場合にもそれらの基板４５ａ〜４５ｃ間の屈折率偏差は±０．８％及び膜厚の偏差は±８％程度あり、大きかった。
【００１１】
（３）屈折率や膜厚の値はガス流量、液体ソースの種類、真空度などに大きく依存しており、これらのパラメータを変えるたびに屈折率及び膜厚偏差も大きく変化してしまい、均一な膜を得ることが難しかった。
【００１２】
（４）ガラス薄膜の原料として複数のアルコキシドを用いる場合には、これらの蒸気を十分に混合し、反応させて基板面内及び基板４５ａ〜４５ｃ間で均一な組成の膜を得ることも難しかった。
【００１３】
（５）（４）の場合には未反応物がガラス薄膜内に混入し、透過率を低下させたり、ガラス薄膜を均一にエッチングすることが難しいという問題点もあった。
【００１４】
（６）できる限り屈折率及び膜厚が均一なガラス膜を得ようとすると、シャワー板５１と基板４５ａ〜４５ｃの表面との間の間隔Ｓを大きくとらなければならず、このように間隔Ｓを大きくとると、逆にガラス薄膜の成膜速度が遅くなり、さらにガラス薄膜の収率も低下するといった課題も生じた。
【００１５】
（７）シャワー板５１の全面にガスを拡散させるためには、シャワー板５１の外周の側板５３からもわずかにガスがリークするようにしなければならず、（６）と同様の課題に直面した。
【００１６】
そこで、本発明の目的は、上述した従来技術の課題を解決し、屈折率及び膜厚の均一な薄膜を、成膜速度及び収率を低下させることなく形成できるＣＶＤ膜の製造方法及びその製造装置を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために請求項１の発明は、密閉された反応室内に一対の平板電極を所定間隔で対向配置させ、一方の平板電極上に基板を保持させ、反応室内を排気手段により真空排気し、平板電極間に高周波電源により高周波電圧を印加してプラズマを発生させると共に、平板電極を加熱手段により所望の温度に加熱し、基板上に薄膜を形成するためのガスを、基板に対向する他方の平板電極に形成された貫通孔を通してその他方の平板電極と一体に設けられたシャワー板へ送り込み、このシャワー板を通して基板上面全体に吹き付けて、基板上に薄膜を形成するＣＶＤ膜の製造方法において、貫通孔を通ったガスをガス拡散器によりシャワー板の面方向に案内する方法である。
【００１８】
請求項２の発明は、請求項１に記載の構成に加え、ガス拡散器によりシャワー板の面方向に案内されたガスをキャビティ中でシャワー板の全面にわたって拡散させる方法である。
【００１９】
請求項３の発明は、密閉された反応室と、この反応室内を真空排気する排気手段と、反応室内に所定間隔で対向配置され一方の上に基板が保持されると共に他方に貫通孔が形成された一対の平板電極と、これらの平板電極間に高周波電圧を印加する高周波電源と、平板電極を所望の温度に加熱する加熱手段と、基板上に薄膜を形成するためのガスを貫通孔を通して搬入させるガス搬送手段と、他方の平板電極と一体に設けられ貫通孔を通して搬入されたガスを基板上面全体に吹き付けるシャワー板とを有するＣＶＤ膜の製造装置において、他方の電極の貫通孔とシャワー板との間に、貫通孔を通ったガスをシャワー板の面方向に案内するガス拡散器を備えているものである。
【００２０】
請求項４の発明は、請求項３に記載の構成に加え、ガス拡散器は、貫通孔の内径よりも大きな外径を有すると共にガスを一旦収容する筒部と、この筒部の一方の開口部を塞ぐように設けられガスを案内するための多数の孔が形成された底部とで構成されており、この底部はメッシュ構造或いは多重同心円に沿って多数の孔を有するシャワー構造で形成されているものである。
【００２１】
請求項５の発明は、請求項４に記載の構成に加え、底部は平面状又はドーム状に形成されているものである。
【００２２】
請求項６の発明は、請求項４に記載の構成に加え、他方の平板電極とシャワー板との間及びガス拡散器とシャワー板との間に、ガス拡散器により案内されたガスをシャワー板の全面にわたって拡散させるためのキャビティが形成されているものである。
【００２３】
上記構成によれば、貫通孔を通して反応室内に搬入されたガスは、一旦ガス拡散器内に収容され、底部に当たって内部で攪拌された後、ガス拡散器の多数の孔から噴出される。この孔から噴出したガスは、シャワー板の面方向に案内され、シャワー板に到達するまでにキャビティ中でシャワー板の全面にわたって拡散する。そして、シャワー板の孔を通ったガスは、均一な状態で基板上面全体に吹き付けられる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。
【００２５】
図１は本発明の一実施の形態を示すＣＶＤ膜の製造装置の概略図である。
【００２６】
図１に示すように、このＣＶＤ膜の製造装置は、密閉された反応室２と、この反応室２内を真空排気すべく、底部の適宜間隔を隔てた２個所に設けられた排気手段としての排気装置１ａ，１ｂと、この反応室２内に、例えばガラス薄膜の原料となるアルコキシド系の液体ソース［Ｓｉ（ＯＣ２　Ｈ５　）４　］７、［Ｇｅ（ＯＣＨ３　）４　］８、［Ｐ（ＯＣＨ３　）３　］９の蒸気をＯ２　ガス１０と共に搬送するガス搬送手段としてのガス導入管１１とで主に構成されている。
【００２７】
反応室２内には、平板状の上部電極３及び下部電極４が所定間隔を隔てて対向配置されており、上部電極３には上述したガスを電極３，４間に導入すべく貫通孔が形成されていると共に、下部電極４は、例えば直径約１０．１６ｍｍ（４インチ）φの基板６ａ〜６ｃを３枚載置できる面積を有し、これらの基板６ａ〜６ｃを保持できるようになっている。
【００２８】
さらに、これら上部電極３及び下部電極４には、両電極３，４間に例えば周波数が１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加するための高周波電源５が接続されている。
【００２９】
さらに、図示されていないが、各電極３，４内にはそれらを所望の温度（例えば５００℃以下）に加熱するための加熱手段としてヒータが設けられている。
【００３０】
また、上部電極３には、貫通孔を通して搬入されたガスを基板６ａ〜６ｃ上面全体に吹き付けるシャワー板１２が、基板６ａ〜６ｃ上面と所定の間隔Ｓ１　を隔てられ、上部電極３との間に、ガスをシャワー板１２の全面にわたって拡散するに十分な広さのキャビティ１５を挟んで接続管１７により一体に設けられている。
【００３１】
また、シャワー板１２には、多重同心円に沿って所望ピッチで、多数（数百個）のガス噴出ノズル１３が、例えば直径０．４ｍｍφの大きさで形成されている。
【００３２】
また、上部電極３の貫通孔からのガスを下方に案内すべく、上部電極３から下部電極４にわたって取り囲むように、側面保護板１６が設けられている。
【００３３】
さらに、キャビティ１５内には、貫通孔を覆い、その貫通孔を通ったガスをシャワー板１２の面方向に案内するガス拡散器１４が設けられている。
【００３４】
尚、キャビティ１５内のガス拡散器１４とシャワー板１２との間隔ｄは３ｍｍから２０ｍｍの範囲内が好ましく、ｄの値が大きいほど、より均一にガスが混合され、基板表面内及び基板間の屈折率、膜厚分布を均一にすることができる。また、このキャビティ１５の水平断面積は下部電極４にセットする複数の基板６ａ〜６ｃの面積をカバーするだけの面積（例えば、直径約１０．１６ｍｍ（４インチ）φの基板３枚にガラス薄膜を一度に成膜する）の場合には、直径３００ｍｍφ程度が好ましい。
【００３５】
図５に図１の装置に設けられたガス拡散器の斜視図を示す。
【００３６】
図５に示すように、ガス拡散器１４は、貫通孔の内径よりも大きな外径、例えば直径５０ｍｍ（直径が大きいほど屈折率及び膜厚の均一性が向上する。）で形成されていると共にガスを一旦収容する筒部１４ｂと、この筒部１４ｂの一方の開口部を塞ぐように設けられ、ガスを案内するための多数の孔が形成された底部１４ａとからなるざる状の金属容器で形成されている。
【００３７】
底部１４ａは、網目（目開きが７５μｍから３００μｍの範囲内のものが良い。）が形成されたメッシュ構造を有する板（ステンレス、アルミニウム等）からなり、また筒部１４ｂは、高さが底部１４ａの面積に対して低く、例えば深さ５ｍｍに形成されている。
【００３８】
次に、図１の装置を用いたＣＶＤ膜の製造方法を作用と共に説明する。
【００３９】
このＣＶＤ装置によりガラス薄膜を製造するに際しては、図１に示したように、下部電極４上に基板６ａ〜６ｃを保持させ、反応室２内を排気装置１ａ，１ｂにより真空排気し、両電極３，４間に高周波電源５により高周波電圧を印加してプラズマを発生させると共に、両電極３，４を加熱する。
【００４０】
そして、ガス導入管１１から、薄膜を形成するためのガスを、貫通孔を通して電極３，４間に導入する。
【００４１】
この貫通孔を通して導入されたガスは、一旦ガス拡散器１４内に収容され、底部１４ａに当たって内部で攪拌された後、ガス拡散器１４の多数の孔から噴出される。
【００４２】
そして、この孔から噴出したガスは、シャワー板１２の面方向に案内され、シャワー板１２に到達するまでにキャビティ１５中でシャワー板１２の全面にわたって拡散した後、シャワー板１２のガス噴出ノズル１３を通ったガスは、均一な状態で基板６ａ〜６ｃ上面全体に吹き付けられると共にプラズマにより熱分解され、基板６ａ〜６ｃ上にガラス薄膜が形成される。
【００４３】
このように、ガスが均一な状態で基板６ａ〜６ｃ上に吹き付けられるので、複数の基板６ａ〜６ｃ上に均一な屈折率及び膜厚を有したガラス薄膜を形成することができる。
【００４４】
また、この方法でガスを吹き付けることにより、ガス流量、液体ソースの種類、真空度などを変えても屈折率及び膜厚偏差の小さいガラス薄膜を形成することができる。
【００４５】
さらに、貫通孔を通して導入されたガスは、ガス拡散器１４の底部１４ａに当たって流れる方向が変化し、ガス拡散器１４内で十分に攪拌された後、キャビティ１５内で十分に拡散されるので、ガラス薄膜の原料として複数のアルコキシドを用いる場合でも、基板面内及び基板間で均一な組成の膜が実現可能になると共に、未反応物が膜内に混入する確率が極めて低くなり、低パーティクルで透過率が良いガラス薄膜を得ることが可能になる。これにより、ガラス薄膜を所望パターンに高精度にエッチングすることも可能になる。また、結果的にプラズマ温度も一様になり、より均一なガラス薄膜の成膜が可能になる。
【００４６】
さらに、ガス噴出用シャワー板１２と基板６ａ〜６ｃとの表面間の間隔Ｓ１　を従来の間隔Ｓよりも８０％から５０％程度小さくすることができ、これにより、屈折率及び膜厚が均一なガラス薄膜をより高速（少なくとも１．３倍より速い速度）で実現できると共に、反応収率も大幅に改善される。
【００４７】
また、ガラス薄膜を成膜中に基板６ａ〜６ｃを回転させなくても非常に均一な屈折率及び膜厚のガラス薄膜を形成することができるので、簡単な構成で低価格の装置を実現できる。
【００４８】
さらに、反応室２内に回転機構がないので、高真空に排気することが容易であり、また不要な真空リークを起こしたりすることが少なく、信頼性を向上できる。
【００４９】
また、反応室２内の部品の取り外しによる定期的なウエット洗浄、その後の部品取付けが容易であり、またドライ洗浄によるクリーニングも簡単となり、より信頼性が高い装置を実現することができる。
【００５０】
実際に、図１の装置を用い、直径約１０１．６ｍｍ（４インチ）の３枚のＳｉ基板を下部電極４上に置いてＳｉＯ２　−ＧｅＯ２　−Ｐ２　Ｏ５　膜からなるガラス薄膜を約５μｍ形成し、基板面内の屈折率偏差及び膜厚の偏差と、基板間の屈折率偏差及び膜厚の偏差を測定した結果、基板面内の屈折率偏差は±０．０２％、膜厚偏差は±２％、また、基板間の屈折率偏差は±０．０３％、膜厚偏差は２．５％であり、従来の製造装置に比し、大幅に改善することができた。さらに、膜の成膜速度も１．４倍になった。また膜中のパーティクル数（サイズが１μｍ〜３μｍのパーティクル数：５個、サイズが３μｍ〜５μｍのパーティクル数：３個、サイズが５μｍ以上のパーティクル数：４個）も従来のパーティクル数（３２個）の半分以下に低減することができた。
【００５１】
次に、本発明の他の実施の形態について詳述する。
【００５２】
図２は本発明の他の実施の形態を示すＣＶＤ膜の製造装置の概略図である。
【００５３】
図２に示すように、このＣＶＤ膜の製造装置は、基本的な構成は図１の装置と同じであるが、ガス拡散器２４として容積が極端に大きなものを用い、更なる屈折率及び膜厚の均一化を図るように構成したものである。
【００５４】
このガス拡散器２４として、図６に示すような、底部１４ｃの直径が２００ｍｍで、筒部１４ｄの深さが５ｍｍの大型の楕円状構造のものを用いる。
【００５５】
このように構成することにより、直径約１０１．６ｍｍ（４インチ）φの基板３枚にガラス薄膜を厚み約５μｍ形成したところ、基板面内の屈折率偏差は±０．０１％、膜厚偏差は±１．２％という結果を得ることができた。
【００５６】
尚、図１及び図２において、上部電極３に形成された貫通孔のすぐ真下近傍のガス拡散器１４，２４の目開きのサイズは小さく（例えば１００μｍ）、外周に向かって目開きのサイズを大きく（例えば３００μｍ）形成することにより、より一層キャビティ１５内でのガスの拡散効果が向上し、ガス噴出用シャワー板１２の多重同心円状に所望ピッチで開けられた数百個のガス噴出ノズル（直径０．４ｍｍφ）１３のそれぞれからほぼ均一なガス流が噴出され、基板表面に均一な屈折率及び膜厚のガラス薄膜を形成することが可能になる。
【００５７】
図３は本発明の他の実施の形態を示すＣＶＤ膜の製造装置の概略図である。
【００５８】
図３に示すように、このＣＶＤ膜の製造装置は、密閉された反応室２と、この反応室２内を真空排気すべく、底部の適宜間隔を隔てた２個所に設けられた排気手段としての排気装置１ａ，１ｂと、この反応室２内に、例えばガラス薄膜の原料となるアルコキシド系の液体ソース［Ｓｉ（ＯＣ２　Ｈ５　）４　］７、［Ｇｅ（ＯＣＨ３　）４　］８、［Ｐ（ＯＣＨ３　）３　］９の蒸気をＯ２　ガス１０と共に搬送するガス搬送手段としてのガス導入管１１とで主に構成されている。
【００５９】
反応室２内には、平板状の上部電極３及び下部電極４が所定間隔を隔てて対向配置されており、下部電極４には上述したガスを電極３，４間に導入すべく貫通孔が形成されていると共に、上部電極３は、例えば直径約１０．１６ｍｍ（４インチ）φの基板６ａ〜６ｃを３枚載置できる面積を有し、これらの基板６ａ〜６ｃを保持できるようになっている。
【００６０】
さらに、これら上部電極３及び下部電極４には、両電極３，４間に例えば周波数が１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加するための高周波電源５が接続されている。
【００６１】
さらに、図示されていないが、各電極３，４内にはそれらを所望の温度（例えば５００℃以下）に加熱するための加熱手段としてヒータが設けられている。
【００６２】
また、下部電極４には、貫通孔を通して搬入されたガスを基板６ａ〜６ｃ上面全体に吹き付けるシャワー板１２が、基板６ａ〜６ｃ上面と所定の間隔Ｓ１　を隔てられ、上部電極３との間に、ガスをシャワー板１２の全面にわたって拡散するに十分な広さのキャビティ１５を挟んで接続管１７により一体に設けられている。
【００６３】
また、シャワー板１２には、多重同心円に沿って所望ピッチで、多数（数百個）のガス噴出ノズル１３が、例えば直径０．４ｍｍφの大きさで形成されている。
【００６４】
また、下部電極４の貫通孔からのガスを上方に案内すべく、下部電極４から上部電極３にわたって取り囲むように、側面保護板１６が設けられている。
【００６５】
さらに、キャビティ１５内には、貫通孔を覆い、その貫通孔を通ったガスをシャワー板１２の面方向に案内するガス拡散器１４が設けられている。
【００６６】
このように構成することにより、ガス拡散器１４内で攪拌されたガスが、シャワー板１２の全面にわたって拡散し、ガス噴出ノズル１３から上方の基板６ａ〜６ｃ上面に吹き付けられた後、反応済のガスは速やかに排気されるようになり、上述した図１の装置を用いたＣＶＤ膜の製造方法の効果に加え、基板表面やガラス薄膜内にパーティクルが混入しにくくなる。
【００６７】
図４は本発明の他の実施の形態を示すＣＶＤ膜の製造装置の概略図である。
【００６８】
図４に示すように、このＣＶＤ膜の製造装置は、基本的な構成は図３の装置と同じであるが、ガス拡散器２４として容積が極端に大きなものを用い、更なる屈折率及び膜厚の均一化を図るように構成したものである。
【００６９】
このガス拡散器２４として、図６に示したような、底部１４ｃの直径が２００ｍｍで、筒部１４ｄの深さが５ｍｍの大型の楕円状構造のものを用いる。
【００７０】
このように構成することにより、図２の装置と同様に、ガス拡散器１４の底部１４ｃに当たって流れる方向が変化し、ガス拡散器１４内で十分に攪拌されるので、更なる屈折率及び膜厚の均一化を図ることができる。
【００７１】
また、図７から図９に、図１のガス拡散器の変形例の斜視図を示す。
【００７２】
図７に示すガス拡散器は、底部１４ｅが、同心多重リング状（等間隔の同心円に沿って形成されている）に多数の孔が形成されたシャワー構造を有するものである。
【００７３】
図８に示すガス拡散器は、筒部１４ｆの高さがより高く、例えば深さ１０ｍｍで形成されたふるい状の金属容器からなるものである。
【００７４】
図９に示すガス拡散器は、底部１４ｇがドーム状に湾曲して形成されたものである。
【００７５】
また、これら以外にも、図６、図８及び図９のガス拡散器の底部１４ｃ，１４ａ，１４ｇを図７のガス拡散器の底部１４ｅのようにシャワー構造に形成しても良い。
【００７６】
尚、本発明は上述した実施の形態に限定されない。
【００７７】
基板表面に形成するガラス薄膜は、ＳｉＯ２　、あるいはＳｉＯ２　にＧｅ、Ｐ、Ｔｉ、Ｂ、Ｆ、Ｔａ、Ｓｎ等のドーパントを少なくとも１種添加したガラス薄膜でも良く、さらにガラス薄膜の中に希土類元素を少なくとも１種添加したガラス薄膜でも良い。
【００７８】
また、基板６ａ〜６ｃには種々の材質のものを用いることができる。例えば、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の半導体基板、石英ガラス、多成分ガラス等のガラス基板、アルミナ、セラミックス等の磁性材料基板、ポリイミド、シリコーン、ＰＥＴ等のプラスチック基板、ＬｉＮａＯ３　、ＬｉＴａＯ５　等の強誘電体基板等を用いることができる。
【００７９】
また、基板サイズは直径約５０．８ｍｍ（２インチ）φ程度の小さいものから直径約２５４ｍｍ（１０インチ）φ程度の大型サイズのものでも良い。
【００８０】
また、高周波電圧は周波数が１３．５６ＭＨｚに限定されることなく、それよりもさらに高い周波数でも良い。
【００８１】
また、上部電極３及び下部電極４の加熱温度は１００℃から８００℃の範囲内から選ぶことができ、抵抗加熱以外に、赤外線加熱でも良い。
【００８２】
また、排気装置１ａ，１ｂは２セットに限定されることはなく、１セット、あるいはそれよりも多くても良い。
【００８３】
また、反応室２にロードロック室を直結させ、基板６ａ〜６ｃをロードロック室から出し入れする、いわゆるロードロック室付きのＣＶＤ装置であっても良い。さらにＣＶＤ装置がマルチチャンバー構造になっていても良い。またさらに、ＣＶＤ装置にドライエッチング装置、蒸着装置などが接続されたマルチチャンバー型製造装置であっても良い。
【００８４】
【発明の効果】
以上要するに本発明によれば、屈折率及び膜厚の均一な薄膜を、成膜速度及び収率を低下させることなく形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態を示すＣＶＤ膜の製造装置の概略図である。
【図２】本発明の他の実施の形態を示すＣＶＤ膜の製造装置の概略図である。
【図３】本発明の他の実施の形態を示すＣＶＤ膜の製造装置の概略図である。
【図４】本発明の他の実施の形態を示すＣＶＤ膜の製造装置の概略図である。
【図５】図１のガス拡散器の斜視図である。
【図６】図１のガス拡散器の変形例の斜視図である。
【図７】図１のガス拡散器の変形例の斜視図である。
【図８】図１のガス拡散器の変形例の斜視図である。
【図９】図１のガス拡散器の変形例の斜視図である。
【図１０】従来のＣＶＤ膜の製造装置の概略図である。
【符号の説明】
１ａ，１ｂ　排気装置
２　反応室
３　上部電極
４　下部電極
５　高周波電源
６ａ〜６ｃ　基板
１１　ガス導入管
１２　ガス噴出用シャワー板
１４　ガス拡散器
１５　キャビティ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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