(57)【要約】【課題】測定対象物の平均温度を応答性よく測定可能な、平均温度測定センサを提供する。【解決手段】複数の白金抵抗体素子（１９Ａ−１９Ｅ）を熱融着型の高分子シート（１７）上に並べ、高分子シート（１７）上にエッチング等の手段でパターニングされたセンサ内導線（１２）によって互いに電気的に接続し、熱融着型の高分子シート（１７）を上方から加熱して押さえつけることにより、高分子シート（１７）同士を融着させた平均温度測定センサであり、白金抵抗体素子（１９Ａ−１９Ｅ）の合成抵抗値を検出することによって、測定対象物の平均温度を検出することを特徴とする平均温度測定センサ、この平均温度測定センサを表面に固定したダミーウェハ（２６）、及びこの平均温度測定センサを表面又は内部に固定した温調装置。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的に接続された複数の抵抗体素子（１９Ａ−１９Ｅ）を備え、
その抵抗値に基づいて測定対象物の平均温度を測定することを特徴とする平均温度測定センサ。
【請求項２】
前記抵抗体素子（１９Ａ−１９Ｅ）を高分子シート（１７）上に並べ、
抵抗体素子（１９Ａ−１９Ｅ）間を、高分子シート（１７）上にパターニングされたセンサ内導線（１２）によって接続したことを特徴とする、請求項１記載の平均温度測定センサ。
【請求項３】
前記抵抗体素子（１９Ａ−１９Ｅ）を、平面上に並べたことを特徴とする、請求項１又は２記載の平均温度測定センサ。
【請求項４】
前記高分子シート（１７）が、熱融着型であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の平均温度測定センサ。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の平均温度測定センサを、ウェハの表面に固定したことを特徴とするダミーウェハ。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれかに記載の平均温度測定センサを、表面又は内部に固定したことを特徴とする温調装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、測定対象物の平均温度を測定する平均温度測定センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体の製造工程の中に、ウェハを加熱／冷却して温度調整を行なう温度調整工程がある。
図１３に、ウェハ４６を温調する温調装置２５の概略構成図を示す。図１３において、例えば熱電素子やヒータなどを用いた温調プレート４４の上部の突起４５上にはウェハ４６が搭載され、加熱／冷却の処理が施される。４８は、温調を行なうコントローラである。
【０００３】
このとき、温調プレート４４への出力値と、ウェハ４６の平均温度との関係を予め把握しておき、これに基づいて温調を行なう場合がある。
即ち、ウェハ４６の代わりに、平均温度測定センサ４１を温調プレート４４上に載置して、温調プレート４４にさまざまな指令信号を出力する。そして、どのような指令信号を出力すると、ウェハ４６の平均温度がどのようになるかという関係を把握しておき、これに基づいて温調プレート４４の制御を行なうようにするものである。
【０００４】
図１４に、従来技術として、非特許文献１における平均温度測定センサ４１の平面図を示す。図１４に示すように、平均温度測定センサ４１は、複数の温度センサ４０がダミーウェハ４２上に接着されて構成されている。例えば温度センサ４０が白金抵抗体で３導線式の場合には、温度センサ４０には、それぞれ３本の外部リード線４３が接続されている。これらの外部リード線４３は、それぞれ検出器４７に接続される。尚、簡単のために、外部リード線４３と検出器４７との接続は、１組のみで代表させている。
検出器４７は、これらの温度センサ４０の温度測定値に基づいて、ウェハ４６の各位置の温度を検出し、この平均値を演算してウェハ４６の平均温度を検出する回路を備えている。
【０００５】
【非特許文献１】
センサレージャパン株式会社電子カタログ［平成１５年２月２８日検索］、インターネット＜ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｓｅｎｓａｒｒａｙ．ｃｏ．ｊｐ／ｐ１８４０ａ．ｈｔｍ＞
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来技術には、次に述べるような問題がある。
即ち、従来技術においては、複数の温度センサ４０をダミーウェハ４２上に並べ、すべての温度センサ４０と検出器４７との間を、外部リード線４３で接続している。そのため、非常に多くの外部リード線４３が必要となり、外部リード線４３の断線やもつれといった問題があって、取り扱いが容易ではない。
【０００７】
さらには、これらの外部リード線４３を伝わって熱が漏れ、センサ４０の温度が変動するのに加え、外部リード線４３がそれぞれ熱容量を有しているため、平均温度測定センサ４１全体の熱容量が大きなものとなって、温度測定が不正確になりやすい。
また、外部リード線４３が束になってダミーウェハ４２上に固定されていることも多く、そのような場合には、固定部の熱容量が大きくなり、近傍の温度測定が不正確になる。
【０００８】
さらには、平均温度を測定するために、検出器４７は、それぞれの温度センサ４０の測定値を平均化演算しなければならず、少なからぬ時間を要する。特に、白金抵抗体を用いた温度センサは、測定値が正確ではあるが応答性は低いため、より時間がかかる。その結果、温調プレート４４の温度を変化させた際の、ウェハ４６の平均温度の瞬間的な変化を検出することが、いっそう困難となっている。
本発明は、上記の問題に着目してなされたものであり、測定対象物の平均温度を応答性よく測定可能な、平均温度測定センサを提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
上記の目的を達成するために、本発明の平均温度測定センサは、
電気的に接続された複数の抵抗体素子を備え、
その抵抗値に基づいて測定対象物の平均温度を測定している。
これにより、温度変化による抵抗体素子の抵抗値の変化が累積されるので、この抵抗値を測定することにより、測定対象物の平均温度が計測される。そして、例えば複数の温度センサの検出値に基づいて平均値を計算するのに比べ、応答性よく測定が可能である。
【００１０】
また、本発明の平均温度測定センサは、
前記抵抗体素子を、平面上に並べている。
これにより、平面物体の表面の平均温度を、正確にかつ応答性よく測定でき、特にウェハの温調を行なう際に有効である。
【００１１】
また、本発明の平均温度測定センサは、
前記抵抗体素子を高分子シート上に並べ、
抵抗体素子間を、高分子シート上にパターニングされたセンサ内導線によって接続している。
これにより、センサ内導線の厚みが薄くなるので、薄い平均温度測定センサを製造できる。
【００１２】
また、本発明の平均温度測定センサは、
前記高分子シートが、熱融着型である。
これにより、接着剤が不要であるので、薄い平均温度測定センサを製造できるとともに、接着剤の熱容量に起因する平均温度測定の誤差が小さくなる。
【００１３】
また、本発明の平均温度測定センサは、
前記抵抗体素子が、白金製である。
白金は、温度変化に対して、抵抗値が直線的に再現性よく変化し、しかも経時変化が小さいので、長期にわたって正確な平均温度の測定が可能である。
【００１４】
また、本発明のダミーウェハは、
上記に記載の平均温度測定センサを、ウェハの表面に固定している。
これにより、ダミーウェハの平均温度を正確に、かつ応答性よく測定することが可能になるので、例えばこのダミーウェハを温調装置に搭載すると、温調装置の出力とダミーウェハの温度変化との関係を、より正確に知ることができる。そして、温調装置でウェハを温調する場合に、この関係に基づいて温調制御を行なえば、より正確な温調制御が可能となる。
【００１５】
また、本発明の温調装置は、
上記に記載の平均温度測定センサを、温調装置の表面又は内部に固定している。
これにより、温調装置の現在の温度を正確に知ることができるので、例えば温調装置でウェハを温調するときにも、より正確な温調制御が可能である。また、ウェハが過熱したりすることも少ない。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図を参照しながら、本発明に係る実施形態を詳細に説明する。
まず、第１実施形態を説明する。図１は、第１実施形態に係る平均温度測定センサの平面図を示している。
図１において平均温度測定センサ１１は、センサ内導線１２を介して複数の白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｅを直列に溶接した、白金抵抗体モジュール１０を備えている。白金抵抗体モジュール１０は、後述するように、２枚のポリイミド等の樹脂シート１７，１７の間に挟まれている。２１は、溶接の箇所である。
【００１７】
各白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｅは、白金抵抗体モジュール１０の合成抵抗が、ＪＩＳで定められた温度測定用の抵抗値（例えば温度０度において１００Ω）となるように構成されている。これは例えば、１本２０Ωの白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｅを、５本直列接続することによって実現される。
【００１８】
白金抵抗体モジュール１０の一端部及び他端部は、外部の導線をハンダづけ等で接続するための、ターミナル２０，２０となっている。ターミナル２０，２０には、電流導入導線１３，１３を介して定電流電源１５が接続され、これと並列に電圧測定導線１４，１４を介して、電圧測定器１６が接続されている。尚、上記においては４導線式について説明したが、３導線式であってもよい。
定電流電源１５から白金抵抗体モジュール１０に所定の電流を流し、そのときの電圧値を電圧測定器１６で測定することによって、白金抵抗体モジュール１０の抵抗値を検出し、温度を測定する。
【００１９】
このとき、白金抵抗体モジュール１０の合成抵抗値は、それぞれの白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｅが配置されている場所の温度に対応した抵抗値ＲＡ〜ＲＥの和となる。従って、白金抵抗体モジュール１０の合成抵抗値を測定することにより、白金抵抗体モジュール１０が接触している測定対象物の平均温度を検出することが、可能となっている。
【００２０】
図２、図３は、いずれも平均温度測定センサ１１の製造方法を示す説明図であり、平均温度測定センサ１１の断面を示している。
図２に示すように、加熱すると接着力を有する熱融着型のポリイミドシート１７（例えば宇部興産（株）社製  製品名ＵＰＩＬＥＸ−Ｓ）の表面には、蒸着や溶着等の手段によって、良導電性の金属薄膜（例えば１０〜２５μｍ）が形成されている。金属薄膜の材質としては、例えば銅、ステンレス、ニッケル、金、又は銀等が好適である。この金属薄膜にエッチングを施すことにより、センサ内導線１２のパターンを形成する。
【００２１】
次に、形成されたセンサ内導線１２の端部に、線状の白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｅを、ハンダづけやスポット溶接により固定する。
【００２２】
そして、図３に示すように、上方から熱融着型のポリイミドシート１７をかぶせ、加熱しながら押さえつけることにより、ポリイミドシート１７，１７同士を融着する。
これにより、厚さ約２００μｍと非常に薄型の、平均温度測定センサ１１が構成される。
【００２３】
尚、センサ内導線１２のパターニング方法としては、スクリーン印刷によって行なってもよく、ポリイミドシート１７のパターン以外の場所をマスキングし、これに蒸着してもよい。
【００２４】
次に、平均温度測定センサ１１を表面に固定した、平均温度測定用のダミーウェハ２６について、説明する。
図４に、平均温度測定用のダミーウェハ２６の断面図を示す。ダミーウェハ２６を製造する場合には、エッチング等によって予めセンサ内導線１２のパターンを形成した熱融着型ポリイミドシート１７を、加熱しながら押さえつけることにより、ウェハ４６表面に固定する。そして、センサ内導線１２に白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｅをハンダづけやスポット溶接によって固定し、その上から熱融着型のポリイミドシート１７をかぶせ、加熱しながら押さえつけて融着させる。
【００２５】
このような平均温度測定用のダミーウェハ２６を、図１３に示したように、ウェハ４６の代わりに温調プレート４４上に載置する。
そして、コントローラ４８から温調プレート４４に指令を出力し、温調プレート４４への出力信号と、ダミーウェハ２６の平均温度との関係を把握する。これにより、温調プレート４４にウェハ４６を載置した場合に、ウェハ４６の温度を正確に制御できるようにする。
【００２６】
以上説明したように、第１実施形態によれば、白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｅを直列に接続して、平均温度測定センサ１１を形成している。これにより、各温度センサ４０の検出値を平均演算するのに比べて、短時間で平均温度を測定することが可能であり、瞬間的な平均温度の変化を測定することができる。
【００２７】
またこれにより、白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｅごとに外部リード線が必要であった従来技術と異なり、白金抵抗体モジュール１０と外部とを接続する線が、飛躍的に少なくなる（４導線式の場合は４本、３導線式の場合は３本）。
その結果、外部リード線の断線やもつれといった問題が少なくなり、平均温度測定センサ１１の取り扱いが容易になるとともに、外部リード線を伝わって熱が逃げたりすることも少なくなるので、平均温度の測定精度が向上する。
【００２８】
また、熱融着型のポリイミドシート１７，１７の間に、白金抵抗体モジュール１０を挟み、加熱して押さえつけることにより、融着している。これにより、接着剤等を用いる必要がなく、非常に薄型のものを製作することが可能となっている。また、接着剤などの熱容量が殆んどないので、平均温度測定センサ１１の熱容量が小さくなり、温度測定が正確になる。
【００２９】
次に、第２実施形態について、説明する。
図５に、第２実施形態に係る平均温度測定センサ１１の平面図を示す。図５に示すように、平均温度測定センサ１１は、ポリイミドシート１７，１７の周辺部に配置された白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｄと、略中央部に配置された白金抵抗体素子１９Ｅとを、直列に接続している。
これにより、測定対象物の中央部をも含めた平均温度を、応答性よく測定することができるようになっている。
【００３０】
またこのとき、略中央部に配置された白金抵抗体素子１９Ｅの抵抗値ＲＥと、他の白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｄの抵抗値ＲＡ〜ＲＤとを、すべて同一にしてもよいが、そのようにすると、略中央部の温度の平均温度に与える影響が小さくなる。
そのため、略中央部の白金抵抗体素子１９Ｅの抵抗値ＲＥを、他の抵抗値ＲＡ〜ＲＤに対して、重みづけを大きくすると尚よい。例えば白金抵抗体モジュール１０の合成抵抗値を１００Ωとした場合、ＲＥ＝５０Ω、ＲＡ〜ＲＤ＝１２．５Ωとすることにより、略中央部の温度と周辺部の温度とが、それぞれ平均温度に与える影響を、略同一にすることができる。
【００３１】
図６に、第２実施形態に係る平均温度測定センサ１１の、他の構成例を示す。図６において、平均温度測定センサ１１は、ポリイミドシート１７，１７の中心部、中間部、及び外周部にそれぞれ配置された白金抵抗体素子１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃを、直列に接続している。
これにより、測定対象物の代表長さ方向（この場合は、ウェハの半径方向）の平均温度を、応答性よく測定できる。そしてこの際に、白金抵抗体素子１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃをすべて同一にすれば、各々の部位の抵抗値による平均温度への寄与度を、それぞれ等しくすることができる。
【００３２】
次に、第３実施形態について説明する。
図７に、第３実施形態に係る平均温度測定センサ１１の平面図を示す。図７において、平均温度測定センサ１１は、白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｅを並列に接続したものを、直列に接続して構成されている。
このとき、左端部の、並列に接続された５個の白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｅの抵抗値ＲＡ〜ＲＥは、いずれも１２５Ωとなっている。その結果、白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｅの合成抵抗は２５Ωとなる。これを、４個直列に接続することにより、白金抵抗体モジュール１０全体の合成抵抗値は、１００Ωとなる。
【００３３】
尚、並列に接続された５個の白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｅのみで、白金抵抗体モジュール１０を構成してもよい。即ち、白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｅは、必ずしも直列に接続される必要はない。
この場合、白金抵抗体モジュール１０全体の合成抵抗値を１００Ωとするために、白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｅの抵抗値ＲＡ〜ＲＥは、いずれも５００Ωとなる。
【００３４】
第３実施形態によれば、少なくとも一部の白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｅを、並列に接続している。これにより、大きな抵抗値を有する白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｅを用いて、所定の合成抵抗値を有する白金抵抗体モジュール１０を構成することが可能である。大きな抵抗値の白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｅは、小さな抵抗値の白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｅに比べ、製造が容易であるとともに、抵抗値の誤差が小さくなる。従って、平均温度の測定を、より正確に行なえる。
【００３５】
一例として図７においては、２０個の白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｅを用いている。これらすべてを直列に接続して、１００Ωの合成抵抗値を得ようとすれば、それぞれの白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｅの抵抗値はＲＡ〜ＲＥは、５Ωとなり、このような小さな抵抗値の白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｅを、精度良く製造することは困難である。
これに対し、図７に示したように白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｅの並列接続を併用することにより、各抵抗値が１２５Ωとなり、製作が容易となる。
【００３６】
また、同様の理由で、多数の白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｅを用いて所定の合成抵抗値を実現することになるため、温度の測定箇所が多くなる。その結果、局所的な温度変化も検出することができ、測定対象物全体の温度を正確に反映した平均温度を測定することが可能となっている。
【００３７】
次に、第４実施形態について、説明する。
図８に、第４実施形態に係る平均温度測定センサ１１の平面図を示す。図８においては、測定対象物を複数（ここでは５つ）の平均温度測定エリア２２Ａ〜２２Ｅに分割している。そして、それぞれの平均温度測定エリア２２Ａ〜２２Ｅに対して白金抵抗体モジュール１０を設け、平均温度測定エリア２２Ａ〜２２Ｅごとに平均温度を測定するようにしている。尚、ターミナル２０外の検出器４７や電圧測定器１６等は図示を省略する。
【００３８】
即ち、例えば測定対象物に風などが当たると、略中央部の平均温度測定エリア２２Ｅの温度と、周辺部の平均温度測定エリア２２Ａ〜２２Ｄの温度とに、差が生じることがある。また、周辺部の平均温度測定エリア２２Ａ〜２２Ｄの中でも、温度が異なることがある。
従って、測定対象物の平均温度測定エリア２２Ａ〜２２Ｅを分割し、各平均温度測定エリア２２Ａ〜２２Ｅに対して個別に平均温度を測定することにより、測定対象物の温度変化を、より正確に検出することが可能となっている。このとき、平均温度測定エリア２２Ａ〜２２Ｅを、同心円状に多重に構成してもよい。
【００３９】
また図９に示すように、ウェハ４６やダミーウェハ２６等の被温調物体を搭載する温調プレート４４（図１３参照）をも、複数の温調エリア２３Ａ〜２３Ｅに分割する。そして、各温調エリア２３Ａ〜２３Ｅに対して、検出器４７から個別に温調制御を行なうようにすると、なおよい。
これにより、各平均温度測定エリア２２Ａ〜２２Ｄに対し、それぞれの平均温度に基づいて温調を行なえるので、一部の平均温度測定エリア２２Ａ〜２２Ｅの温度が変化しても、被温調物体の全体を所定の目標温度に温調することができる。さらには、被温調物体の一部のみを、他の部分とは異なる温度に温調することも可能である。
【００４０】
次に、第５実施形態について、説明する。
図１０に、第５実施形態に係る平均温度測定センサ１１を用いた温調装置２５の平面図を示す。図１０において、温調装置２５は、ポリイミドシート１７，１７間に、白金抵抗体モジュール１０と、帯状のヒータ２４，２４とを挟んでいる。帯状のヒータ２４，２４は、例えば白金抵抗体モジュール１０の外周側及び内周側に配置されており、例えばセンサ内導線１２と同様に、溶着及びエッチングや蒸着等によって形成される。
【００４１】
検出器４７は、白金抵抗体モジュール１０によって、ポリイミドシート１７，１７の平均温度を測定する。そして、これに基づいて、ヒータ２４，２４に指令信号を出力して、温調装置２５の平均温度が所定の加熱温度になるように温調制御する。
【００４２】
即ち、このような場合には、加熱源であるヒータ２４，２４の平均温度を正確に制御するために、平均温度測定センサ１１を用いている。また、ヒータ２４，２４の温度が、過熱とならないように、平均温度測定センサ１１で監視することもできる。
尚、このようにヒータ２４，２４及び平均温度測定センサ１１を間に挟んだポリイミドシート１７，１７を、金属等の適当な材質のプレートの表面に固定したり内部に埋め込んだりしたものを、温調装置２５として用いてもよい。
【００４３】
図１１に、このような温調装置２５を用いて、ウェハ４６の温調を行なう場合の説明図を示す。図１１に示すように、コントローラ４８は温調装置２５に指令信号を出力し、そのときの温調装置２５の温度に基づき、ウェハの平均温度を推測する。
そして、温調装置２５が所定の加熱温度となるように制御することにより、ウェハ４６を所定の目標温度に温調する。
【００４４】
尚、白金抵抗体モジュール１０と、ヒータ２４，２４とは、すべてが２枚の熱融着型ポリイミドシート１７，１７の間に挟まれると限られるものではない。
例えば、ポリイミドシート１７を３層にして、１層目のポリイミドシート１７と２層目のポリイミドシート１７との間に白金抵抗体モジュール１０を挟み、２層目のポリイミドシート１７と３層目のポリイミドシート１７との間に、ヒータ２４，２４を挟むようにしてもよい。
また、一層のポリイミドシート１７上に、ヒータ２４及びセンサ内導線１２が、予めエッチング等によりパターニングされ、そこへ白金抵抗体１９を後づけで溶接するようにして、一層のみで構成されてもよい。
【００４５】
次に、第６実施形態について、説明する。
図１２に、第６実施形態に係る温調装置２５を用いて、ウェハ４６の温調を行なう場合の説明図を示す。図１２において、熱電素子やヒータなどを用いた温調プレート４４の上部には、上記第１実施形態〜第４実施形態に係る平均温度測定センサ１１が貼付されている。平均温度測定センサ１１の上部に設けられた突起４５上には、ウェハ４６が載置されている。
コントローラ４８は、この平均温度測定センサ１１の検出値に基づいて、温調プレート４４の平均温度を測定する。そして、これに基づいてウェハ４６の平均温度を推測し、ウェハ４６が所定の目標温度になるように温調制御を行なう。
【００４６】
例えば、温調プレート４４が熱電素子によって温調を行なう場合、熱電素子の電極の真上等の直近部と、電極の間等とでは温度が異なってしまう。そのため、温調プレート４４上に温度センサを設置したとしても、その平均温度を正確に測定するためには、多数の温度センサが必要となる。
これに対し、第６実施形態によれば、簡単な構成で、温調プレート４４の平均温度を応答性よく検出することができるので、ウェハ４６の温調制御を正確に行なうことが可能である。
【００４７】
尚、第５、第６実施形態において、ウェハ４６の代わりに、表面に平均温度測定センサ１１を付着させたダミーウェハ２６を設置してもよい。そして、温調プレート４４や温調装置２５の平均温度と、ダミーウェハ２６の平均温度との関係を把握し、これに基づいてウェハ４６の温調制御を行なうようにするとよい。
【００４８】
尚、以上の説明において、センサ内導線１２の抵抗値は０であるように説明したが、実際にはわずかな抵抗値を有している。そのため実際には、白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｅの抵抗値ＲＡ〜ＲＥと、センサ内導線１２の抵抗値とを合わせた合成抵抗値が、１００Ωとなるように各白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｅの抵抗値を選択する。或いは、合成抵抗値を精密に調整するため、センサ内導線１２の長さを増減したり太さを変更できるように、バッファ部を予め設けておいて、必要に応じて調整してもよい。
【００４９】
或いは、センサ内導線１２を介さずに、複数の白金抵抗体素子１９Ａ〜１９Ｅ同士を溶接することによって、白金抵抗体モジュール１０を構成してもよい。さらには、抵抗値が１００Ωとなる、長い白金抵抗体素子によって白金抵抗体モジュール１０を構成してもよい。
【００５０】
また、白金抵抗体モジュール１０の合成抵抗値を、１００Ωとして説明したが、ＪＩＳの白金抵抗体における測定方法で定められている値であればよく、例えば１０００Ωなどでもよい。或いは、この目的に特化した検出器４７を用いるならば、合成抵抗値を任意に定めてもよい。
【００５１】
また、白金抵抗体モジュール１０を、熱融着型ポリイミドシート１７，１７の間に挟むようにしたが、これに限られるものではない。即ち、ポリイミドシート１７，１７同士は接着してもよく、白金抵抗体モジュール１０は、他の材質のシートや板の間に挟んでもよい。
【００５２】
また、白金抵抗体モジュール１０として、例えば素早い応答性が不要な場合には、従来型のガラス封入タイプやセラミックタイプの白金抵抗体センサを直列に接続し、これを平面上に接着配置すれば、同様な機能と効果が期待できる。
さらには、抵抗体素子としては白金が最も好適であるが、これに限られるものではなく、抵抗値が温度依存性を有するものであればよい。
さらには、抵抗体素子を、１つの平面上に並べるように説明したが、多層に並べてもよく、曲面上に並べるようにしてもよい。
【００５３】
また、センサ内導線１２は、必ずしもパターニングによって形成される必要はなく、例えばリボン箔等を溶接して形成してもよいし、絶縁コーティングの施された銅ワイヤを用いてもよい。
さらには、ポリイミドシートに限られるものではなく、他の高分子シートでもよい。
【００５４】
また、複数の白金抵抗体素子１９の抵抗値を、任意に設定することにより、特定の部位における重みづけが可能となる。即ち、全抵抗値を同じ値とするならば、それぞれの白金抵抗体素子１９の固定された部位の温度が、均等に平均温度に寄与する。また、それぞれの白金抵抗体素子１９のうち、特定の白金抵抗体素子１９を大きくするならば、その白金抵抗体素子１９の固定された部位の温度が、平均温度により大きく寄与することになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係る平均温度測定センサの平面図。
【図２】平均温度測定センサの製造方法を示す説明図。
【図３】平均温度測定センサの製造方法を示す説明図。
【図４】ダミーウェハの断面図。
【図５】第２実施形態に係る平均温度測定センサの平面図。
【図６】第２実施形態に係る平均温度測定センサの他の構成例を示す平面図。
【図７】第３実施形態に係る平均温度測定センサの平面図。
【図８】第４実施形態に係る平均温度測定センサの平面図。
【図９】温調プレートの平面図。
【図１０】第５実施形態に係る平均温度測定センサを用いた温調装置の平面図。
【図１１】第５実施形態に係る温調装置を用いてウェハの温調を行なう場合の説明図。
【図１２】第６実施形態に係る温調装置の説明図。
【図１３】ウェハの温度調整装置の概略構成図。
【図１４】従来技術におけるウェハの平均温度測定センサの平面図。
【符号の説明】
１０：白金抵抗体モジュール、１１：平均温度測定センサ、１２：センサ内導線、１３：電流導入導線、１４：電圧測定、１５：定電流電源、１６：電圧測定器、１７：熱融着型ポリイミドシート、１９：白金抵抗体素子、２０：ターミナル、２１：溶接、２２：平均温度測定エリア、２３：温調エリア、２４：ヒータ、２５：温調、４０：温度センサ、４１：平均温度測定センサ、４２：ウェハ４３：外部リード線、４４：温調プレート、４５：突起、４６：ウェハ、４７：検出器、４８：コントローラ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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