(57)【要約】【課題】低抵抗値かつ低ＴＣＲの抵抗体ペーストおよび抵抗器を提供する。【解決手段】銅の粉体を８５〜９４重量パーセント、マンガンの粉体を５〜１０重量パーセント、スズの粉体を１〜５重量パーセント混合した導電性金属粉体と、この導電性金属粉体の全体量に対して３〜７重量パーセントのガラス粉体、および３〜７重量パーセントの銅酸化物粉体の混合体と、これら導電性金属粉体および混合体の全体量に対して７〜１５重量パーセントのビヒクルとを混合して抵抗体ペースト、および抵抗器を作製する。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅粉体とマンガン粉体とスズ粉体とからなる第１の混合粉体と、銅とマンガンとスズの合金粉体と、前記第１の混合粉体と前記合金粉体からなる第２の混合粉体の少なくともいずれかの粉体からなる導電性金属粉体と、
ガラス粉体と、
銅酸化物粉体と、
樹脂と溶剤を含むビヒクルとからなることを特徴とする抵抗体組成物。
【請求項２】
銅の粉体を８５乃至９４重量パーセント、マンガンの粉体を５乃至１０重量パーセント、スズの粉体を１乃至５重量パーセント混合した導電性金属粉体と、前記導電性金属粉体の全体量に対して３乃至７重量パーセントのガラス粉体、および３乃至７重量パーセントの銅酸化物粉体の混合体と、前記導電性金属粉体および前記混合体の全体量に対して７乃至１５重量パーセントのビヒクルとを混合してなることを特徴とする抵抗体組成物。
【請求項３】
前記導電性金属粉体、ガラス粉体、および銅酸化物粉体のいずれもが、鉛およびカドミウムを含有しないことを特徴とする請求項１または２記載の抵抗体組成物。
【請求項４】
前記銅酸化物はＣｕＯとＣｕ２Ｏのいずれかであることを特徴とする請求項１または２記載の抵抗体組成物。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の抵抗体組成物を抵抗体として用いたことを特徴とする抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、電流検出回路等における電流検出抵抗器に使用する抵抗体組成物および抵抗器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器等の小型化とともに、機器に使用する電子部品、特にチップ部品の小型化が要請されている。チップ部品の用途として、例えば、電子回路や電源回路における電流検出等の用途のため、低抵抗値かつ低ＴＣＲ（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ　ｏｆ　Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ：抵抗値の温度係数）特性を有するものも要求されている。
【０００３】
従来の抵抗器は、低抵抗特性を得るため、例えば、銀（Ａｇ）／パラジウム（Ｐｄ）、あるいは、銅（Ｃｕ）／ニッケル（Ｎｉ）からなる抵抗ペーストを使用している。また、比抵抗値が低く、抵抗温度係数の小さい抵抗材料、例えば、銅（Ｃｕ）／マンガン（Ｍｎ）／スズ（Ｓｎ）からなる線材、あるいは、それを箔状に加工した材料を使用した抵抗器もある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
さらには、抵抗体として銅／ニッケル合金、銅／マンガン／スズ系合金等を使用して、抵抗器の温度変化に伴う電流検出精度の劣化を抑えた電流検出用チップ抵抗器も、従来より提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−１４３９０１号公報（図１等）
【特許文献２】
特開２００２−５０５０１号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した銀／パラジウムからなる抵抗ペーストは、カドミウムを含有しないが、バインダーガラスに有害物質である鉛を含んでいるため、環境上の問題がある。同時に、かかる成分からなる市販の抵抗ペーストの場合、その特性も自ずと決定されてしまう。
【０００７】
また、上述した特許文献１に記載の銅／マンガン／スズを使用した抵抗器では、クラッド材に鉛を使用しているため、上記の抵抗ペーストと同様、環境上の問題が発生する。
【０００８】
一方、特許文献２に記載の銅／ニッケル合金等を抵抗体に使用したチップ抵抗器のように、銅／ニッケルの配合を適用した抵抗ペーストの場合、銅の持つ固有特性、すなわち、抵抗値やＴＣＲ（抵抗値の温度係数）の占有が大きいため、抵抗値が下がるほどＴＣＲが高くなり、所望の特性が得られないという問題もある。
【０００９】
かかる従来例における具体的な特性は、銅／ニッケルの配合を６０／４０とした場合、シート抵抗値は３５ｍΩ／□で、ＴＣＲは５０ｐｐｍ／℃となり、また、銅／ニッケルの配合を９０／１０とした場合、シート抵抗値は１５ｍΩ／□で、ＴＣＲは１２００ｐｐｍ／℃となる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上述した課題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、環境有害物質を含まず、かつ、低抵抗値であるとともに低ＴＣＲの抵抗体組成物および抵抗器を提供することである。
【００１１】
かかる目的を達成し、上述した課題を解決する一手段として、例えば、以下の構成を備える。すなわち、本発明に係る抵抗体組成物は、銅粉体とマンガン粉体とスズ粉体とからなる第１の混合粉体と、銅とマンガンとスズの合金粉体と、上記第１の混合粉体と上記合金粉体からなる第２の混合粉体の少なくともいずれかの粉体からなる導電性金属粉体と、ガラス粉体と、銅酸化物粉体と、樹脂と溶剤を含むビヒクルとからなることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明に係る抵抗体組成物は、銅の粉体を８５乃至９４重量パーセント、マンガンの粉体を５乃至１０重量パーセント、スズの粉体を１乃至５重量パーセント混合した導電性金属粉体と、上記導電性金属粉体の全体量に対して３乃至７重量パーセントのガラス粉体、および３乃至７重量パーセントの銅酸化物粉体の混合体と、上記導電性金属粉体および上記混合体の全体量に対して７乃至１５重量パーセントのビヒクルとを混合してなることを特徴とする。
【００１３】
例えば、上記導電性金属粉体、ガラス粉体、および銅酸化物粉体のいずれもが、鉛およびカドミウムを含有しないことを特徴とする。また、例えば、上記銅酸化物は、ＣｕＯとＣｕ２Ｏのいずれかよりなることを特徴とする。
【００１４】
上述した課題を解決する他の手段として、例えば、以下の構成を備える。すなわち、本発明に係る抵抗器は、上述したいずれかの抵抗体組成物を抵抗体として用いたことを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面、および表を参照して、本発明に係る実施の形態例を詳細に説明する。本実施の形態例においては、例えば、銅の粉体とマンガンの粉体とスズの粉体を混合した導電性金属粉体と、かかる導電性金属粉体にガラス粉体および銅酸化物粉体を混合した混合体と、樹脂と溶剤からなるビヒクルとから、抵抗体組成物である抵抗体ペーストを作製し、この抵抗体ペーストを用いて抵抗器を製造する。
【００１６】
上記の抵抗体ペーストの導電性金属粉体は、例えば、８５〜９４重量パーセントの銅と、５〜１０重量パーセントのマンガンと、１〜５重量パーセントのスズを混合してなる。また、導電性金属粉体の全体量に対して、ガラス粉体を３〜７重量パーセント、銅酸化物粉体を３〜７重量パーセント混合し、これらの導電性金属粉体と、ガラス粉体および銅酸化物粉体の混合体との全体量に対して７〜１５重量パーセントのビヒクルを混合して抵抗体ペーストとすることが好ましい。
【００１７】
なお、抵抗体ペーストに配合される全ての粉体、および材料は、環境や人体に有害な鉛を含まないばかりでなく、カドミウムも含まない（カドミウムフリー）ものである。また、抵抗体ペーストの導電性金属材料である銅等の粉体は、後述する基板上へのスクリーン印刷が可能な粒径を有することが好ましく、例えば、粒径０．１μｍ〜５μｍの範囲にあり、この中でも平均粒径２μｍ以下のものが特に好ましい。
【００１８】
また、本実施の形態例に係る抵抗ペーストに用いる銅、マンガン、スズの粉体については、各材料の混合粉体に代えて、Ｃｕ／Ｍｎ／Ｓｎの合金粉体を使用してもよい。この場合における合金粉体についても、スクリーン印刷が可能な粒径を有することが好ましく、例えば、粒径０．１μｍ〜５μｍの範囲にあり、さらには、平均粒径２μｍ以下のものが特に好ましい。
【００１９】
本実施の形態例の抵抗体ペーストにおいて、銅、マンガン、スズの各粉体を混合した混合粉体と、銅、マンガン、スズの合金粉体とを混合した混合粉体を導電性金属粉体として用いてもよい。
【００２０】
上記いずれの場合においても、最終的な合算した銅、マンガン、スズの混合比率が上述した比率であれば、抵抗体ペーストとしての抵抗値やＴＣＲにおいて所望の特性が得られる。
【００２１】
本実施の形態例の抵抗体ペーストにおいては、ガラス粉体として適した材料は、抵抗体ペーストで抵抗体層を形成する絶縁性基体との密着性、および抵抗体としての必要な種々の安定性を有するものが好ましく、例えば、硼珪酸バリウム系ガラス、硼珪酸カルシウム系ガラス、硼珪酸バリウムカルシウム系ガラス、硼珪酸亜鉛系ガラス、硼酸亜鉛系ガラス等を用いることができる。
【００２２】
このガラス粉体の粒径としては、スクリーン印刷で使用できる範囲内にあり、例えば、粒径０．１μｍ〜５μｍが好ましく、特に平均粒径２μｍ以下のものがより好ましい。
【００２３】
本実施の形態例における銅酸化物粉体の銅酸化物として適した材料は、抵抗体ペーストで抵抗体層を形成する絶縁性基体との密着性、および抵抗体としての必要な種々の安定性を有するものが好ましく、例えば、ＣｕＯ（酸化第二銅）とＣｕ２Ｏ（酸化第一銅）のいずれかを用いることができる。また、銅酸化物粉体の粒径は、スクリーン印刷で使用できる範囲にある粒径であって、例えば、粒径０．１μｍ〜５μｍが好ましく、特に平均粒径２μｍ以下のものがより好ましい。
【００２４】
本実施の形態例の抵抗体ペーストにおける樹脂と溶剤からなるビヒクルに使用される樹脂としては、例えば、セルロース系樹脂、アクリル系樹脂、アルキッド系樹脂等を使用することができる。より具体的には、例えば、エチルセルロース、エチルアクリレート、ブチルアクリレート、エチルメタアクリレート、ブチルメタアクリレート等を挙げることができる。
【００２５】
また、抵抗体ペーストにおける樹脂と溶剤からなるビヒクルに使用される溶剤としては、例えば、テルペン系溶剤、エステルアルコール系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、エステル系溶剤等を使用することができる。より具体的には、例えば、ターピネオール、ジヒドロターピネオール、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオール、テキサノール、キシレン、イソプロピルベンゼン、トルエン、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノブチルエーテル等を挙げることができる。
【００２６】
なお、ビヒクルの構成は、上記の樹脂と溶剤に限らず、抵抗体ペーストの特性を向上させるために、種々の添加剤を加えてもよい。
【００２７】
本実施の形態例に係る抵抗体ペーストは、上述した各粉体の配合条件により、その特性の微調整が可能であり、それに従って、製品特性にも幅を持たせることができる。例えば、所望の特性を得るための最適な粉体配合量は、以下のようになる。
【００２８】
Ｃｕ／Ｍｎ／Ｓｎ＝９０／７／３（重量パーセント）の混合物に対して、ガラス粉体を５重量パーセント、銅酸化物粉体を５重量パーセント混合し、これらに対して、ビヒクルを１２重量パーセント混合する。この配合によって得られる抵抗体ペーストは、シート抵抗値（膜厚４０μｍ）が１５ｍΩ／□、ＴＣＲが１００ｐｐｍ／℃という特性を有する。
【００２９】
図１は、本実施の形態例に係る抵抗体組成物である抵抗体ペーストの製造工程を具体的に示している。同図のステップＳ１では、抵抗体ペーストの導電性金属材料として、銅／マンガン／スズ（Ｃｕ／Ｍｎ／Ｓｎ）の導電性金属粉体を混合する。
【００３０】
この導電性金属粉体の具体的な配合比は、上述したように、例えば、銅を８５〜９４重量パーセント、マンガンを５〜１０重量パーセント、スズを１〜５重量パーセントの割合で混合する。導電性金属粉体そのものの特性は、例えば、Ｃｕ／Ｍｎ／Ｓｎ＝９０．７／７／２．３（重量パーセント）に対して、硼珪酸亜鉛ガラス５パーセントと、Ｃｕ２Ｏ５パーセントと、ビヒクル１２パーセントを混合し、かつ、窒素雰囲気中にて９６０℃で１０分間、加熱焼成した場合、２０℃において２９ｍΩの抵抗値を有する。
【００３１】
本実施の形態例に係る抵抗ペーストでは、例えば、従来のＣｕ／Ｎｉに代わる上記の材料（Ｃｕ／Ｍｎ／Ｓｎ）を使用することで、銅の固有特性を他材料で調整している。
【００３２】
続くステップＳ２において、上記のステップＳ１で混合された導電性金属粉体に、ガラス粉体として硼珪酸亜鉛ガラス粉体、および銅酸化物粉体としてのＣｕ２Ｏ粉体を混合する。すなわち、Ｃｕ／Ｍｎ／Ｓｎの導電性金属粉体全体量に対して、鉛を含有しない（鉛フリー）ガラス粉体を３〜７重量パーセント、および、銅酸化物粉体を３〜７重量パーセントそれぞれ混合する。
【００３３】
このように、本実施の形態例に係る抵抗ペーストは、抵抗ペーストの鉛フリー化のため、バインダー用ガラスに鉛フリーガラスを適用している。
【００３４】
そして、ステップＳ３では、ビヒクルの混合を行う。ここでは、上記のＣｕ／Ｍｎ／Ｓｎの導電性金属粉体とガラス粉体と銅酸化物粉体とを混合した全体量に対して、有機樹脂と溶剤からなるビヒクルを、７〜１５重量パーセントの割合で混合する。
【００３５】
表１は、本実施の形態例に係る抵抗ペーストの具体的な成分配合例と、その特性を示している。ここでは、上述したＣｕ／Ｍｎ／Ｓｎと、硼珪酸亜鉛ガラスよりなるガラス粉体と、Ｃｕ２Ｏよりなる銅酸化物粉体と、ビヒクルとを混合したときの抵抗ペースト（試料番号１〜１４）について、そのシート抵抗値、抵抗温度係数（ＴＣＲ）、および完成抵抗値を測定した。
【００３６】
なお、シート抵抗値は、テストパターンとして１ｍｍ×１ｍｍ×２０μｍ（焼成膜厚）のものについて、また、ＴＣＲと完成抵抗値は、チップサイズが３．２ｍｍ×１．６ｍｍのものについて測定した結果である。
【００３７】
【表１】
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【００３８】
本実施の形態例では、抵抗ペーストについて、そのＴＣＲの目標値を３５０ｐｐｍ／℃以下とし、完成抵抗値の目標値を３０ｍΩ以下（１０〜３０ｍΩ）とした。その結果、これらの目標値を満たす抵抗ペーストは、表中の備考欄に“ＯＫ”と記した、試料番号４，７〜９，１２の５サンプルであった。その他の抵抗ペーストは、例えば、表面に凹凸ができたり、ＴＣＲが大きい等の理由で、不具合品と判定した。
【００３９】
図２は、本実施の形態例に係る抵抗ペーストを使用した角型チップ抵抗器（以下、単にチップ抵抗器という）の一例についての断面構成を示している。同図において、基板１は、所定サイズのチップ形状を有する、例えば、電気絶縁性のセラミックス基板（絶縁性基体）である。基板１上には、上述した成分の粉体を配合してなる抵抗体ペーストを、例えば、スクリーン印刷等で塗布した後、焼成して、抵抗層２を形成する。
【００４０】
抵抗層２の上部は、プリガラス７で覆われ保護されている。さらに、プリガラス７の上には、絶縁膜として機能する保護膜３が配されている。基板１の両端部であって抵抗層２の両端には、それと電気的に接触する上部電極（表面電極）４ａ，４ｂが形成されている。また、基板下部の端部には、下部電極（裏面電極）５ａ，５ｂが形成されている。そして、基板１の各端部側面には、上部電極４ａ，４ｂと下部電極５ａ，５ｂを電気的に接続するため、これらの電極間に端部電極６ａ，６ｂが配設されている。
【００４１】
さらに、下部電極５ａと端部電極６ａを覆うように外部電極８ａが、例えば、メッキ等によって形成されている。同様に、下部電極５ｂと端部電極６ｂを覆うように外部電極８ｂが、メッキ等によって形成されている。
【００４２】
上述した抵抗器で用いる絶縁性基体としては、例えば、アルミナ系基板、フォルステライト系基板、ムライト系基板、窒化アルミニウム系基板、ガラスセラミック系基板等を用いることができる。
【００４３】
また、抵抗層２には、その主導電性金属成分として、上述した比率で配合した銅、マンガン、スズの各粉体を混合した混合粉体、または、銅、マンガン、スズの合金粉体を使用する。なお、銅、マンガン、スズの各粉体を混合して使用する場合には、焼成時に合金化している。
【００４４】
次に、上記の構成を備える本実施の形態例に係る抵抗器の製造工程を説明する。図３は、本実施の形態例に係る抵抗器の製造工程を説明するための工程図である。まず、図３のステップＳ１１において、上述した基板１を製造する工程を実行する。なお、ここでは、基板としてアルミナ９６ｗｔ％のアルミナ基板を使用する。
【００４５】
基板形状としては、例えば、製造単位の大きさの、矩形の基板を製造するが、製造する基板の大きさは任意であり、１つの抵抗器毎の大きさの基板であっても、あるいは多数個分の抵抗器の大きさの基板を同時に製造してもよい。
【００４６】
続くステップＳ１２において、基板１の下面（抵抗器実装時のはんだ面）に、スクリーン印刷により裏面電極の厚膜印刷をし、焼成することにより、下部電極（裏面電極）５ａ，５ｂを形成する。具体的には、アルミナ基板の裏面に銅ペースト（Ｃｕペースト）を印刷し、その後、乾燥させて、窒素（Ｎ２）雰囲気中において、例えば、９６０℃で１０分間焼成して裏面電極を形成する。
【００４７】
次に、ステップＳ１３において、基板１の上面（抵抗体を形成する側）に、スクリーン印刷により表面電極の厚膜印刷をし、焼成することにより、上部電極（表面電極）４ａ，４ｂを形成する。具体的には、アルミナ基板の表面に銅ペーストを印刷し、その後、それを乾燥させて、窒素雰囲気中で、例えば、９６０℃で１０分間焼成して表面電極を形成する。
【００４８】
なお、上部電極（表面電極）４ａ，４ｂと下部電極（裏面電極）５ａ，５ｂの焼成を同時に行ってもよい。
【００４９】
本実施の形態例では、例えば、裏面および表面ともに厚膜印刷する電極材料として銅ペーストを使用することで、従来の抵抗器のように、銀のエレクトロニックマイグレーションによる信頼性低下の問題を回避している。また、不活性雰囲気である窒素（Ｎ２）雰囲気中で焼成するのは、電極である銅の酸化を防止するためである。なお、焼成温度は９６０℃でなく、それ以外の温度、例えば９８０℃で焼成してもよい。
【００５０】
ステップＳ１４では、例えば、上述した抵抗体ペーストを上部電極（表面電極）４ａ，４ｂ間に一部が上部電極（表面電極）４ａ，４ｂに重なるように塗布し、抵抗体ペースト厚膜を形成する。そして、この抵抗体ペースト厚膜を、窒素（Ｎ２）雰囲気の下、例えば、９６０℃で焼成する。それ以外の温度、例えば焼成温度を９８０℃としてもよい。
【００５１】
本実施の形態例において、抵抗体ペーストへの銅酸化物の添加により、基板と抵抗体との良好な接着が得られ、ガラス（例えば、ＺｎＢＳｉＯｘ系ガラス）によって、無機バインダー膜の強度が得られる。さらに、ビヒクルは、有機バインダーによる印刷適正が得られるよう機能する。
【００５２】
ステップＳ１５では、このようにして形成された抵抗体層２の上にプリガラスコート厚膜を印刷等で形成し、乾燥した後、焼成を行う。ここでは、抵抗体層上に例えば、ＺｎＢＳｉＯｘ系ガラスペーストを印刷し、その後、それを乾燥させて、窒素雰囲気中で、例えば、６７０℃で１０分間焼成してプリガラスコートを形成する。
【００５３】
それ以外の温度、例えば、焼成温度は６９０℃であってもよい。また、ガラスペーストは、ＺｎＢＳｉＯｘ系ガラスペーストに限るものではなく、上述した硼珪酸バリウム系ガラス、硼珪酸カルシウム系ガラス、硼珪酸バリウムカルシウム系ガラス、硼珪酸亜鉛系ガラス、硼酸亜鉛系ガラス等を用いることができる。
【００５４】
次に、ステップＳ１６において、必要に応じて抵抗体のトリミング（抵抗値調整）を行う。このトリミングは、例えば、レーザビームやサンドブラスト等によって、抵抗体のパターンに切れ込みを入れることによって抵抗値を調整する。
【００５５】
そして、ステップＳ１７において、例えば、プリガラスコートと上部電極４ａ，４ｂを覆うようにエポキシ系樹脂をスクリーン印刷等によって形成し、それを硬化させて、絶縁膜としての機能をも有する保護膜３であるオーバーコートを形成する。
【００５６】
その後、必要に応じてオーバーコート（保護膜３）上にエポキシ系樹脂を印刷し、それを硬化させて、抵抗値等を表示するための表示部を形成する。
【００５７】
さらに、ステップＳ１８において、Ａブレイク（１次ブレーク）を行い、アルミナ基板を短冊状に分割する。続くステップＳ１９で、短冊上のアルミナ基板の端面にスッパタリング法によりＮｉＣｒ合金膜を形成し、端部電極６ａ，６ｂを形成する。なお、ＮｉＣｒ合金膜の形成は、スパッタリング法に限定されるものではなく、蒸着等により形成してもよい。
【００５８】
次にステップＳ２０で、Ｂブレイク（２次ブレーク）を行い、端部電極６ａ，６ｂを形成した短冊状のアルミナ基板をさらに分割し、個片（チップ）にする。得られた個片（チップ）の大きさは、例えば、３．２ｍｍ×１．６ｍｍである。
【００５９】
そして、ステップＳ２１において、上部電極４ａ，４ｂのうち、保護膜３で覆われていない部分と、下部電極５ａ，５ｂ、および端部電極６ａ，６ｂ上に外部電極８ａ，８ｂを形成する。
【００６０】
外部電極８ａ，８ｂは、例えば、順に、電解ニッケル（Ｎｉ）メッキ―電解銅（Ｃｕ）メッキ―電解ニッケル（Ｎｉ）メッキ―電解錫（Ｓｎ）メッキを施し、Ｎｉ膜―Ｃｕ膜―Ｎｉ膜―Ｓｎ膜が積層した状態とする。
【００６１】
以上のようにして製造されたチップサイズ３．２ｍｍ×１．６ｍｍの抵抗器は、例えば、基板厚さ４７０μｍ、上面電極厚さ２０μｍ、下面電極厚さ２０μｍ、抵抗体層厚さ３０〜４０μｍ、プリガラスコート厚さ１０μｍ、保護膜厚さ３０μｍ、端部電極厚さ０．０５μｍ、外部電極厚さは、順にＮｉ膜厚さ３〜７μｍ、Ｃｕ膜厚さ２０〜３０μｍ、Ｎｉ膜厚さ３〜１２μｍ、Ｓｎ膜厚さ３〜１２μｍに形成されている。
【００６２】
本実施の形態例の抵抗体ペーストを用いて抵抗器を製造する場合における、抵抗体ペーストの焼成方法と焼成後の抵抗体については、抵抗体ペーストを中性雰囲気中または不活性雰囲気中（例えば、窒素雰囲気中）において６００℃〜１０００℃で焼成するのが好ましい。なお、上記抵抗体ペーストの焼成時間は任意に設定することができる。これにより、銅／マンガン／スズ系抵抗体、より好ましくは銅／マンガン／スズ合金抵抗体を得ることができる。
【００６３】
以上説明したように、本実施の形態例によれば、抵抗体ペーストの材料として、銅／マンガン／スズ（Ｃｕ／Ｍｎ／Ｓｎ）の導電性金属粉体を混合したものに、鉛フリーのガラス粉体、および銅酸化物粉体を混合することで、鉛やカドミウム等の環境有害物質を含まず、かつ、低抵抗値で低ＴＣＲの抵抗体ペーストを得ることができる。
【００６４】
また、各粉体の配合条件により、抵抗体ペーストの特性の微調整が可能であることから、例えば、ペーストを社内製造する際、粉体の配合を調整することで、ペーストの抵抗値、およびＴＣＲにも幅を持たせることができる。
【００６５】
さらには、かかる抵抗体ペーストを使用した高信頼性、高性能のチップ抵抗器を製造できるため、その抵抗器は、例えば、電源回路やモーター回路等の電流検出抵抗器（シャント抵抗器）としての用途に最適となる。
【００６６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、環境に対する有害物質を含有せず、低抵抗値かつ低ＴＣＲの抵抗体組成物および抵抗器を製造することができる。
【００６７】
また、本発明によれば、抵抗体組成物の抵抗値、およびＴＣＲに幅を持たせることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態例に係る抵抗体ペーストの製造工程を示すフローチャートである。
【図２】実施の形態例に係るチップ抵抗器の断面構成を示す図である。
【図３】実施の形態例に係る抵抗器の製造工程を説明するための工程図である。
【符号の説明】
１　　基板
２　　抵抗層
３　　保護膜
４ａ，４ｂ　　上部電極（表面電極）
５ａ，５ｂ　　下部電極（裏面電極）
６ａ，６ｂ　　端部電極
７　　プリガラス
８ａ，８ｂ　　外部電極（メッキ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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