(57)【要約】【課題】実使用条件下での磁気テープの耐久性を定量的に評価することができる磁気テープのエッジダメージ測定装置を提供する。【解決手段】磁気テープＭＴを走行させる走行手段と、前記磁気テープＭＴのエッジに記録された振幅が一定の磁気信号を再生する検査用ヘッドＨ２と、この検査用ヘッドＨ２で再生された磁気信号の出力の大きさを表示する出力表示機構１４とで構成される。【選択図】      図１
2004178713.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気テープを走行させる走行手段と、前記磁気テープのエッジに記録された振幅が一定の磁気信号を再生する再生ヘッドと、この再生ヘッドで再生された磁気信号の出力の大きさ表示する出力表示機構とを備えることを特徴とする磁気テープのエッジダメージ測定装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気テープの耐久性試験装置に関し、特に、磁気テープのエッジダメージを測定する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、磁気テープの耐久性試験装置として、磁気テープのエッジに負荷をかけながらこの磁気テープを走行させるとともに、磁気テープのエッジを光学顕微鏡で観察するように構成したものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この耐久性試験装置は、エッジに負荷をかけながら磁気テープを多数回走行させることによって、エッジに延びや磁性層の割れといったダメージ（エッジダメージ）を生じさせるようになっている。
この耐久試験装置では、所定の走行回数ごとに光学顕微鏡で磁気テープのエッジの様子を観察し、そしてエッジダメージが生じるまでの磁気テープの走行回数を計測することによって磁気テープの耐久性が評価できるようになっている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平９−３５２６０号公報（図１等）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この耐久性試験装置では、光学顕微鏡を使用することによってエッジダメージを映像として捉えているので、そのエッジダメージがどの程度で磁気的に影響を与えるのかが判別できない。したがって、この耐久性試験装置では、実使用条件下での耐久性を評価することができない。
また、この耐久性試験装置では、光学顕微鏡を使用してエッジダメージの有無を判断しているので、どの程度でエッジが損傷しているか、すなわちエッジダメージの程度を定量的に検出することができない。
【０００５】
そこで、本発明の課題は、実使用条件下での磁気テープの耐久性を定量的に評価することができる磁気テープのエッジダメージ測定装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決した請求項１に記載のエッジダメージ測定装置は、磁気テープを走行させる走行手段と、前記磁気テープのエッジに記録された振幅が一定の磁気信号を再生する再生ヘッドと、この再生ヘッドで再生された磁気信号の出力の大きさ表示する出力表示機構とを備えることを特徴とする。
【０００７】
このエッジダメージ測定装置によれば、磁気テープのエッジに記録された振幅が一定の磁気信号を再生ヘッドが再生するにあたって、磁気テープのエッジダメージ部分から出力される磁気信号の出力が低下しているので、その出力の大きさを出力表示機構で特定すればエッジダメージのダメージレベルは磁気信号の出力の大きさで定量化することができる。
【０００８】
また、このエッジダメージ測定装置では、エッジダメージの程度を磁気信号の出力の低下量で判断することができるので、実使用条件下での耐久性を評価することができる。
【０００９】
また、このようなエッジダメージ測定装置を使用するにあたって、予め磁気テープの少なくともエッジに振幅が一定の磁気信号を書き込む工程と、所定の回数で磁気テープを走行させる工程と、磁気テープを走行させた後にエッジの前記磁気信号のみを再生ヘッドで再生する工程と、再生した磁気信号の出力の大きさを測定する工程とを備えるエッジダメージの測定方法を提供することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るエッジダメージ測定装置の一実施の形態について、適宜図面を参照して詳細に説明する。
参照する図面において、図１は、本発明に係るエッジダメージ測定装置を示す構造図、図２は、図１のエッジダメージ測定装置に使用されるドロップアウトテスタ及びマーキング機構を示す構成図である。
【００１１】
エッジダメージ測定装置は、図１に示すように、送出リール１１、巻取リール１２、キャプスタンローラ１３ａ，１３ｂ並びに送出リール１１及び巻取リール１２を回転させる図示しないモータからなる磁気テープＭＴの走行手段を備えており、送出リール１１に巻回された磁気テープＭＴが、巻取リール１２に巻き取られることによって上流側の送出リール１１から下流側の巻取リール１２に向かって走行するようになっている。そして、このエッジダメージ測定装置は、磁気テープＭＴの走行経路に沿うように配設された書込ヘッドＨ１及び検査用ヘッドＨ２と、検査用ヘッドＨ２に電気的に接続された出力表示機構１４及びドロップアウトテスタ２０と、ドロップアウトテスタ２０に電気的に接続されたマーキング機構１５とを備えている。
【００１２】
書込ヘッドＨ１は、磁気テープＭＴのエッジに磁気信号を記録するものであり、例えば電磁誘導型書込素子を備えたヘッドを使用することができる。この書込ヘッドＨ１は、送出リール１１の下流側で、例えばカム機構といった公知の手段で磁気テープＭＴに対して接触と脱離が可能なように配設されている。この書込ヘッドＨ１で書き込む磁気信号としては、例えば出力波形が一定振幅の正弦波となる信号を使用することができる。
【００１３】
検査用ヘッドＨ２は、書込ヘッドＨ１でエッジに書き込まれた磁気信号を再生するためのものであり、例えば、磁気抵抗効果型素子を備えたヘッドを使用することができる。この検査用ヘッドＨ２は、書込ヘッドＨ１の下流側で、例えばカム機構といった公知の手段で磁気テープＭＴに対して接触と脱離が可能なように配設されている。
【００１４】
出力表示機構１４は、検査用ヘッドＨ２で再生された磁気信号の出力の大きさを表示するための機構であり、この出力表示機構１４としては、例えば、オシロスコープ、磁気信号の波形を印刷するプリンタ等が挙げられる。
【００１５】
ドロップアウトテスタ２０は、図２に示すように、検査用ヘッドＨ２から磁気信号を受け取った際にその磁気信号に基づいてエラー信号を発信するか否かを決定するための閾値が記録されているメモリＭと、中央演算処理ユニット（ＣＰＵ）と、検査用ヘッドＨ２及びマーキング機構１５並びに中央演算処理ユニット（ＣＰＵ）間での信号のやり取りの仲立ちをするインターフェイス（Ｉ／Ｆ）とで構成されている。
【００１６】
中央演算処理ユニット（ＣＰＵ）は、検査用ヘッドＨ２からインターフェイス（Ｉ／Ｆ）を介して磁気信号を受け取った際に、メモリＭに記録された閾値を参照するとともに、磁気信号の出力の大きさが閾値以下である場合には、次に説明するマーキング機構１５にエラー信号を出力するとともに、磁気信号の出力の大きさが閾値を超える場合には、エラー信号を出力しないように構成されている。
【００１７】
マーキング機構１５は、図２に示すように、その先端が磁気テープＭＴの表面に接触可能な針状部材１６と、針状部材１６を回転可能に針状部材１６の中央部を軸支する支持軸１６ａと、針状部材１６の後端を両側から挟み込むように配置された電磁石１７ａ，１７ｂと、電磁石１７ａ，１７ｂに電力を供給する電力供給部１８と、電磁石１７ａ，１７ｂ及び電力供給部１８の間に配設されたリレー回路１９とを備えている。
【００１８】
このマーキング機構１５は、リレー回路１９が初期状態でスイッチ１９ａを介して電力供給部１８と電磁石１７ａとが接続するように設定されているとともに、リレー回路１９がドロップアウトテスタ２０からのエラー信号を受けた際にスイッチ１９ａが切り替わって電力供給部１８と電磁石１７ｂとが接続するようになっている。その結果、初期状態で後端が電磁石１７ａに引き寄せられていた針状部材１６は、リレー回路１９がエラー信号を受けることによって後端が電磁石１７ｂに引き寄せられるとともに、その先端が支持軸１６ａを中心にして回動することによって磁気テープＭＴの表面に擦り傷を付けるようになっている。
【００１９】
次に、このエッジダメージ測定装置の動作を示しながら、磁気テープのエッジダメージの測定方法を説明する。
参照する図面において、図３は、エッジダメージ測定装置の検査用ヘッド付近の磁気テープの様子を概念的に示す斜視図、図４（ａ）、図４（ｂ）及び図４（ｃ）は、エッジダメージ測定装置の検査用ヘッドで再生された磁気信号の具体例として挙げた正弦波及びその包絡線を示す波形図である。
【００２０】
まず、図１に示すように、耐久性を評価する磁気テープＭＴが巻回された送出リール１１から磁気テープＭＴの一端を引き出して、磁気テープＭＴをキャプスタンローラ１３ａ，１３ｂに掛け渡すとともに、磁気テープＭＴの一端を巻取リール１２のハブに取り付ける。そして、エッジダメージ測定装置は、送出リール１１及び巻取リール１２を順方向に回転させて磁気テープＭＴを走行させるとともに、書込ヘッドＨ１を磁気テープＭＴに接触させて磁気テープＭＴのエッジに、出力波形が正弦波となる磁気信号を書き込んでいく。このとき検査用ヘッドＨ２は、磁気テープＭＴの表面から脱離している。
【００２１】
次に、送出リール１１に巻回された磁気テープＭＴが巻取リール１２に巻き取られると、エッジダメージ測定装置は、書込ヘッドＨ１を磁気テープＭＴの表面から脱離させるとともに、送出リール１１及び巻取リール１２を逆方向に回転させることによって、巻取リール１２に巻回された磁気テープＭＴを送出リール１１に巻き戻す巻戻工程を実行する。
【００２２】
そして、送出リール１１に磁気テープＭＴが巻き戻されると、エッジダメージ測定装置は、再び書込ヘッドＨ１を磁気テープＭＴの表面に接触させるとともに、磁気テープＭＴに磁気信号を書き込まないほかは前記したと同様にして、巻取リール１２に磁気テープＭＴが巻き取られるまで磁気テープＭＴを走行させる送出工程を実行する。
【００２３】
このエッジダメージ測定装置を使用した測定方法では、前記した送出工程及び巻戻工程の順で行われる磁気テープＭＴの走行工程を１パスとし、例えば１００パスといった所定のパス回数ごとにエッジダメージの測定が行われる。所定のパス回数が終了すると、エッジダメージ測定装置は、送出リール１１及び巻取リール１２を順方向に回転させることによって磁気テープＭＴを走行させるとともに、図３に示すように、検査用ヘッドＨ２を磁気テープＭＴの表面に接触させることによって検査用ヘッドＨ２の読出素子ＲＤに磁気テープＭＴのエッジに書き込まれた磁気信号２１を読み出させる。
【００２４】
このとき磁気テープＭＴのエッジダメージがない部分２１ａから検査用ヘッドＨ２が再生した磁気信号２１は、図４（ａ）に示すように、一定の振幅を有する正弦波２２ｂを形成している。そして、この磁気信号２１が出力表示機構１４（図１参照）に送信されると、出力表示機構１４として例えばオシロスコープが使用される場合には、その磁気信号２１がオシロスコープに包絡線２２ａとして表示される。
【００２５】
また、磁性層の割れといったエッジダメージ部分２１ｂ（図３参照）を検査用ヘッドＨ２が通過すると、磁気テープＭＴから再生された磁気信号２１は、図４（ｂ）に示すように、磁性層の割れに対応する部分Ｘで正弦波２２ｂの振幅が減衰する。そして、出力表示機構１４として、例えばオシロスコープが使用される場合には、その磁気信号２１がオシロスコープに包絡線２２ａとして表示されるとともに、その包絡線２２ａは磁性層の割れに対応する部分Ｘで括れる。
【００２６】
また、エッジの延びといったエッジダメージ部分２１ｃ（図３参照）を検査用ヘッドＨ２が通過すると、その延びた部分では磁性層の磁性粉の密度が低下するため、磁気テープＭＴから再生された磁気信号２１は、図４（ｃ）に示すように、エッジの延びに対応する部分Ｙで正弦波２２ｂの振幅が減衰する。そして、出力表示機構１４として、例えばオシロスコープを使用する場合には、その磁気信号２１がオシロスコープに包絡線２２ａとして表示されるとともに、その包絡線２２ａはエッジの延びに対応する部分Ｙで括れる。
【００２７】
したがって、このエッジダメージ測定装置を使用したエッジダメージの測定方法では、磁気テープＭＴのエッジに書き込まれた磁気信号２１を検査用ヘッドＨ２で再生することによって、エッジダメージの程度を磁気信号２１の振幅（出力）の大きさに定量化することができる。
【００２８】
その一方で、エッジダメージ測定装置は、再び図２を参照すると明らかなように、検査用ヘッドＨ２で再生された磁気信号２１をドロップアウトテスタ２０に送信する。次いで、磁気信号２１をインターフェイス（Ｉ／Ｆ）を介して受け取った中央演算処理ユニット（ＣＰＵ）は、メモリＭを参照することによって、メモリＭに記録された閾値と磁気信号２１の出力の大きさとを比較する。そして、磁気信号２１の出力の大きさが閾値以下の場合には、中央演算処理ユニット（ＣＰＵ）がマーキング機構１５に向けてエラー信号を送信する。なお、メモリＭに記録される閾値は、どのようなダメージレベルのエッジダメージを検査対象とするかによって、例えば磁気信号２１の最大出力Ｐ（図４（ａ）、図４（ｂ）及び図４（ｃ）参照）以下の範囲で適宜に決定すればよい。
【００２９】
次に、エラー信号がドロップアウトテスタ２０の中央演算処理ユニット（ＣＰＵ）からインターフェイス（Ｉ／Ｆ）を介してマーキング機構１５のスイッチ回路１９（図２参照）に向けて送信されると、スイッチ回路１９は、電力供給部１８と電磁石１７ｂとを接続することによって、針状部材１６の先端を回動させる。そして、回動した針状部材１６の先端は、エッジダメージ部分２１ｂ，２１ｃの近傍で磁気テープＭＴの表面に摺り傷を付けることによってマーキングを行う。そして、このようなエッジダメージの測定が前記した所定のパス回数ごとに複数回行われると、このエッジダメージ測定装置の動作は終了する。
【００３０】
このエッジダメージ測定装置によれば、磁気テープＭＴのエッジに記録された磁気信号２１を検査用ヘッドＨ２が再生するにあたって、磁気テープＭＴのエッジダメージ部分２１ｂ，２１ｃから出力される磁気信号２１の出力が低下しているので、その出力の大きさを出力表示機構１４で特定すればエッジダメージのダメージレベルは磁気信号の出力の大きさで定量化することができる。また、このエッジダメージ測定装置では、エッジダメージの程度を磁気信号の出力の低下量で判断することができるので、実使用条件下での耐久性を評価することができる。
【００３１】
以上、本発明は、前記実施の形態に限定されることなく、様々な形態で実施される。
本実施の形態では、再生波形が一定振幅の正弦波となる磁気信号２１を磁気テープＭＴのエッジに書き込んでいるが、本発明では出力表示機構１４で磁気信号２１の出力の大きさを特定することができればこれに限定されることはなく、磁気テープに書き込まれる磁気信号がデジタル信号であってもよいし、また、磁気信号は、一定の振幅を形成するピークが所定の周期で現れる限り、そのピーク間の波形に制限はない。
【００３２】
また、本実施の形態では、磁気テープＭＴのエッジに磁気信号２１を書き込んでいるが、本発明では少なくとも磁気テープのエッジに磁気信号が書き込まれていればよく、例えば磁気テープの幅方向の全体にわたって磁気信号が書き込まれてもよい。
【００３３】
また、本実施の形態では、マーキング機構１５の針状部材１６の配置位置を検査用ヘッドＨ２の下流側に設定しているが、本発明では針状部材１６の配置位置を検査用ヘッドＨ２の配置位置と同じ位置に設定してもよい。このように針状部材１６を配置することによって、エッジダメージ部分２１ｂ，２１ｃ（図３参照）とマーキング位置とをより近づけることができる。
【００３４】
また、本実施の形態では、マーキング機構１５の初期状態を電磁石１７ａに針状部材１６の後端が引き寄せられた状態に設定したが、後端が電磁石１７ｂに引き寄せられた状態を初期状態に設定してもよい。この場合には、リレー回路１９がエラー信号を受けることによって後端が電磁石１７ａに引き寄せられるようにすればよい。
【００３５】
また、本実施の形態では、送出リール１１及び巻取リール１２を順方向に回転させて、エッジに磁気信号２１を書き込み、あるいは磁気信号２１を再生する際に書込ヘッドＨ１及び検査用ヘッドＨ２のいずれか一方は、磁気テープＭＴの表面から脱離するように設定しているが、書込ヘッドＨ１及び検査用ヘッドＨ２の両方が磁気テープＭＴの表面に接触するように設定してもよい。
【００３６】
また、本発明のエッジダメージ測定装置は、検査用ヘッドＨ２で再生した磁気信号２１を記憶させるためのメモリやハードディスクドライブ（ＨＤＤ）といった記憶媒体をさらに備えていてもよい。
【００３７】
【発明の効果】
本発明の磁気テープのエッジダメージ測定装置によれば、実使用条件下での磁気テープの耐久性を定量的に評価することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るエッジダメージ測定装置を示す構造図である。
【図２】図１のエッジダメージ測定装置に使用されるドロップアウトテスタ及びマーキング機構を示す構成図である。
【図３】エッジダメージ測定装置の検査用ヘッド付近の磁気テープの様子を概念的に示す斜視図である。
【図４】図４（ａ）、図４（ｂ）及び図４（ｃ）は、エッジダメージ測定装置の検査用ヘッドで再生された磁気信号の具体例として挙げた正弦波及びその包絡線を示す波形図である。
【符号の説明】
１１    送出リール
１２    巻取リール
１３ａ，１３ｂ    キャプスタンローラ
１４    出力表示機構
ＭＴ    磁気テープ
Ｈ１    書込ヘッド
Ｈ２    検査用ヘッド
【図１】
2004178713.tif 000003
【図２】
2004178713.tif 000004
【図３】
2004178713.tif 000005
【図４】
2004178713.tif 000006