(57)【要約】【課題】陽極からの正孔の輸送を良好にして発光層での発光特性を向上させるようにした、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及びそのような電気光学装置を備えた電子機器を提供する。【解決手段】対向する電極２３、５０間に、正孔輸送層７０と発光層６０とが設けられてなる電気光学装置の製造方法である。電極のうちの一方である画素電極２３を形成する工程と、この一方の電極２３の上に正孔輸送材料を設けて正孔輸送層７０を形成する工程とを備えてなる。正孔輸送層７０の形成材料は、一方の電極２３を構成する金属元素のうちの少なくとも一種を含有している。【選択図】　図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する電極間に、正孔輸送層と発光層とが設けられてなる電気光学装置の製造方法であって、
前記電極のうち一方の電極を形成する工程と、
前記一方の電極の上に正孔輸送材料を設けて正孔輸送層を形成する工程と、を備えてなり、
前記正孔輸送層の形成材料は、前記一方の電極を構成する金属元素のうちの少なくとも一種を含有してなることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記一方の電極を、透明導電材料によって形成することを特徴とする請求項１記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記正孔輸送層の形成材料として、水に分散または溶解した状態でｐＨが４以下の酸性を呈するものを用いることを特徴とする請求項１又は２記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記正孔輸送層の形成材料として、ポリチオフェン誘導体にポリスチレンスルフォン酸が添加されてなるものを用いることを特徴とする請求項１又は２記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
対向する電極間に、正孔輸送層と発光層とが設けられてなる電気光学装置であって、
前記正孔輸送層は、隣接する電極を構成する金属元素のうちの少なくとも一種を含有してなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
対向する電極間に、発光層が設けられてなる電気光学装置の製造方法であって、
前記電極の一方を形成するに際して、その形成材料として、正孔輸送層の形成材料に導電性元素が添加されてなるものを用いることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記導電性元素は、仕事関数が４．１以上、５．７以下の金属元素であることを特徴とする請求項６記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
対向する電極間に発光層が設けられてなる電気光学装置であって、
前記電極のうちの一方が、正孔輸送層の形成材料に導電性元素が添加されてなるものであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１〜４記載の製造方法又は請求項６又は７記載の製造方法によって得られた電気光学装置、あるいは請求項５又は請求項８記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電気光学装置を備えた電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと略記する）表示装置などの電気光学装置においては、基板上に陽極、正孔注入層、ＥＬ物質などの電気光学物質からなる発光層、及び陰極等が積層され、さらにこれらが封止基板等によって封止された構造のものが知られている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【０００３】
具体的には、ガラス基板等の透明基板上に、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電材料からなる陽極と、ポリチオフェン誘導体（以下、ＰＥＤＯＴと略記する）のドーピング体などからなる正孔輸送層と、ＬＥＰ等の発光物質からなる発光層と、Ａｌ等の高融点金属材料や金属化合物からなる陰極とを順次積層したものである。
このような電気光学装置では、陽極側から注入された正孔と、陰極側から注入された電子とが、蛍光能を有する発光層内で再結合し、励起状態から失活する際に発光する現象を利用し、表示をなすように構成されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１１−８７０６３号公報
【特許文献２】
特開２０００−１０６２７８号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記の電気光学表示装置においては、陽極側から注入された正孔を速やかにかつ効率よく発光層に輸送するよう、陽極と発光層との間に正孔輸送層が設けられている。
しかしながら、特に陽極と正孔輸送層との間では、その界面において陽極側と正孔輸送層側とで電気特性等の物性などが大きく異なることから、正孔の輸送がこの界面を越える際に十分良好になされず、結果的に正孔が発光層に効率良く輸送されないことにより、発光特性が十分良好にならないといった課題があった。
【０００６】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、陽極からの正孔の輸送を良好にして発光層での発光特性を向上させるようにした、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及びそのような電気光学装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明の電気光学装置の製造方法では、対向する電極間に、正孔輸送層と発光層とが設けられてなる電気光学装置の製造方法であって、前記電極のうち一方の電極を形成する工程と、前記一方の電極の上に正孔輸送材料を設けて正孔輸送層を形成する工程と、を備えてなり、前記正孔輸送層の形成材料は、前記一方の電極を構成する金属元素のうちの少なくとも一種を含有してなることを特徴としている。
この電気光学装置の製造方法によれば、正孔輸送層の形成材料が、一方の電極を構成する金属元素のうちの少なくとも一種を含有しているので、得られた正孔輸送層は前記の電極構成金属元素を含有するものとなる。したがって、正孔輸送層の物性などが電極に近くなり、これにより該電極と正孔輸送層との間の界面における正孔の輸送が速やかにかつ効率よくなされるようになる。よって、発光層での発光特性が向上する。
【０００８】
また、前記の電気光学装置の製造方法においては、前記一方の電極を、透明導電材料によって形成するのが好ましい。
このようにすれば、発光層からの光をこの電極側から出射させることが可能になる。
【０００９】
また、前記の電気光学装置の製造方法においては、前記正孔輸送層の形成材料として、水に分散または溶解した状態でｐＨが４以下の酸性を呈するものを用いるのが好ましい。
このようにすれば、正孔輸送層の形成材料中に電極構成金属元素を含有させる処理を、正孔輸送層の形成材料を水に分散または溶解した状態のものに、電極構成金属元素を溶解させることで行うことができ、したがってその処理が容易になるとともに、電極構成金属元素の含有量の調整も容易になる。
【００１０】
また、前記の電気光学装置の製造方法においては、前記正孔輸送層の形成材料として、ポリチオフェン誘導体にポリスチレンスルフォン酸が添加されてなるものを用いるのが好ましい。
このようにすれば、ポリチオフェン誘導体が強酸性であるポリスチレンスルフォン酸に分散され、さらにこれが水に分散させられその一部が溶解されることにより、例えばｐＨ４以下の酸性を呈する分散液となる。したがって、このような分散液を用いることにより、前述したようにこれに電極構成金属元素を容易に溶解させることができる。
【００１１】
本発明の電気光学装置では、対向する電極間に、正孔輸送層と発光層とが設けられてなる電気光学装置であって、前記正孔輸送層は、隣接する電極を構成する金属元素のうちの少なくとも一種を含有してなることを特徴としている。
この電気光学装置によれば、正孔輸送層が隣接する電極を構成する金属元素のうちの少なくとも一種を含有してなるので、この正孔輸送層の物性などが電極に近くなり、これにより該電極と正孔輸送層との間の界面における正孔の輸送が速やかにかつ効率よくなされるようになる。よって、発光層での発光特性が向上する。
【００１２】
本発明の別の電気光学装置の製造方法では、対向する電極間に、発光層が設けられてなる電気光学装置の製造方法であって、前記電極の一方を形成するに際して、その形成材料として、正孔輸送層の形成材料に導電性元素が添加されてなるものを用いることを特徴としている。
この電気光学装置の製造方法によれば、電極の一方を、正孔輸送層の形成材料に導電性元素が添加されてなる材料を用いて形成するので、この電極を陽極とした場合に、電極中を流れる正孔がより速やかに発光層側に流れるようになり、しかも正孔輸送層が不要となることにより電極と正孔輸送層との界面もなくなる。したがって、発光層での発光特性が向上する。
また、従来のごとく電極の形成と正孔輸送層の形成とをそれぞれ別工程で行うのに比べ、本発明では電極形成の一工程で電極の形成と正孔輸送層の形成とを兼ねることができ、したがって工程の簡略化、生産性の向上を図ることができる。
【００１３】
また、前記電気光学装置の製造方法においては、前記導電性元素が、仕事関数が４．１以上、５．７以下の金属元素であるのが好ましい。
従来陽極として普通に用いられているＩＴＯの仕事関数が、４．７〜５．０程度であることから、この範囲に近い仕事関数を有する金属元素を導電性元素として含有させて電極を形成することにより、得られる電極を電極としての機能に加え、正孔輸送層としても良好に機能させることができる。したがって、発光層での発光特性を向上させることができる。
【００１４】
本発明の別の電気光学装置の製造方法では、対向する電極間に発光層が設けられてなる電気光学装置であって、前記電極のうちの一方が、正孔輸送層の形成材料に導電性元素が添加されてなるものであることを特徴としている。
この電気光学装置によれば、電極の一方が、正孔輸送層の形成材料に導電性元素が添加されてなるものであるので、この電極を陽極とした場合に、電極中を流れる正孔がより速やかに発光層側に流れるようになり、しかも正孔輸送層が不要となることにより電極と正孔輸送層との界面もなくなる。したがって、発光層での発光特性が向上する。
また、電極形成の一工程で電極の形成と正孔輸送層の形成とを兼ねることができ、したがって工程の簡略化、生産性の向上を図ることができる。
【００１５】
本発明の電子機器では、前記製造方法によって得られた電気光学装置、あるいは前記電気光学装置を備えたことを特徴としている。
この電子機器によれば、発光層での発光特性が向上した電気光学装置を備えているので、電子機器自体の表示性能も優れたものとなる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の電気光学装置の一実施形態として、電気光学物質の一例である電界発光型物質、中でも有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）材料を用いたＥＬ表示装置について説明する。
まず、本実施形態のＥＬ表示装置の配線構造を、図１を参照して説明する。
図１に示すＥＬ表示装置（電気光学装置）１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下ではＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス方式のＥＬ表示装置である。
【００１７】
このＥＬ表示装置１は、図１に示すように、複数の走査線１０１…と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２…と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３…とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１…と信号線１０２…の各交点付近に、画素領域Ｘ…が設けられている。
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。
【００１８】
さらに、画素領域Ｘ各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（電極）２３と、この画素電極２３と陰極（電極）５０との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。画素電極２３と陰極５０と機能層１１０により、発光素子（有機ＥＬ素子）が構成されている。
【００１９】
このＥＬ表示装置１によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、該保持容量１１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極２３に電流が流れ、さらに機能層１１０を介して陰極５０に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００２０】
次に、本実施形態のＥＬ表示装置１の具体的な構成を図２〜図５を参照して説明する。
本実施形態のＥＬ表示装置１は、図２に示すように光透過性と電気絶縁性を備える基板２０と、スイッチング用ＴＦＴ（図示せず）に接続された画素電極が基板２０上にマトリックス状に配置されてなる画素電極域（図示せず）と、画素電極域の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線（図示せず）と、少なくとも画素電極域上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部３（図２中一点鎖線枠内）とを具備して構成されている。また、画素部３は、中央部分の実表示領域４（図２中二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）とに区画されている。
【００２１】
実表示領域４には、それぞれ画素電極を有する表示領域Ｒ、Ｇ、ＢがＡ−Ｂ方向およびＣ−Ｄ方向に離間して配置されている。
また、実表示領域４の図２中両側には、走査線駆動回路８０、８０が配置されている。これら走査線駆動回路８０、８０は、ダミー領域５の下側に配置されたものである。
【００２２】
さらに、実表示領域４の図２中上側には、検査回路９０が配置されている。この検査回路９０は、ＥＬ表示装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されたものである。なお、この検査回路９０も、ダミー領域５の下側に配置されたものである。
【００２３】
走査線駆動回路８０および検査回路９０は、その駆動電圧が、所定の電源部から駆動電圧導通部３１０（図３参照）および駆動電圧導通部３４０（図４参照）を介して、印加されるよう構成されている。また、これら走査線駆動回路８０および検査回路９０への駆動制御信号および駆動電圧は、このＥＬ表示装置１の作動制御を行う所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部３２０（図３参照）および駆動電圧導通部３５０（図４参照）を介して、送信および印加されるようになっている。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０および検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。
【００２４】
ＥＬ表示装置１は、図３、図４に示すように、基板２０と封止基板３０とが封止樹脂４０を介して貼り合わされてなるものである。基板２０、封止基板３０および封止樹脂４０で囲まれた領域においては、封止基板３０の内面に乾燥剤４５が貼着されている。また、その空間部は窒素ガスが充填されて窒素ガス充填層４６となっている。このような構成のもとに、ＥＬ表示装置１内部に水分や酸素が浸透するのが抑制され、これによりＥＬ表示装置１はその長寿命化が図られたものとなっている。なお、乾燥剤４５に代えてゲッター剤を用いてもよい。
【００２５】
基板２０としては、いわゆるトップエミッション型のＥＬ表示装置の場合、この基板２０の対向側である封止基板３０側から発光光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミック、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。
また、いわゆるバックエミッション型のＥＬ表示装置の場合には、基板２０側から発光光を取り出す構成であるので、基板２０としては、透明あるいは半透明のものが採用される。例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特にガラス基板が好適に用いられる。なお、本実施形態では、基板２０側から発光光を取り出すバックエミッション型とし、よって基板２０としては透明あるいは半透明のものを用いるようにする。
封止基板３０としては、例えば電気絶縁性を有する板状部材を採用することができる。また、封止樹脂４０は、例えば熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂からなるものであり、特に熱硬化樹脂の一種であるエポキシ樹脂よりなっているのが好ましい。
【００２６】
また、基板２０上には、画素電極２３を駆動するための駆動用ＴＦＴ１２３などを含む回路部１１が形成されており、その上に発光素子（有機ＥＬ素子）が設けられている。発光素子は、図５に示すように、陽極として機能する画素電極２３と、この画素電極２３からの正孔を注入／輸送する正孔輸送層７０と、電気光学物質の一つである有機ＥＬ物質を備える発光層６０と、陰極５０とが順に形成されたことによって構成されたものである。
このような構成のもとに、発光素子はその発光層６０において、正孔輸送層７０から注入された正孔と陰極５０からの電子とが結合することにより、発光光を発生するようになっている。
【００２７】
陽極として機能する画素電極２３は、本例ではバックエミッション型であることから透明導電材料によって形成されている。透明導電材料としてはＩＴＯが好適とされるが、これ以外にも、例えば酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ　：ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー）（登録商標））（出光興産社製）等を用いることができる。なお、本実施形態ではＩＴＯを用いるものとする。
【００２８】
正孔輸送層７０は、本実施形態においては、隣接する電極である前記画素電極２３を構成する金属元素のうちの少なくとも一種を、含有してなるものである。すなわち、通常用いられる正孔輸送層の形成材料に、画素電極２３を構成する金属元素であるＩｎ（インジウム）、Ｓｎ（錫）の一方あるいは両方が添加されて形成されたものである。ここで、正孔輸送層の形成材料としては、水に分散または溶解した状態でｐＨが４以下の酸性を呈するものが好適に用いられ、具体的には、ポリチオフェン誘導体やポリピロール誘導体などにポリスチレンスルフォン酸が添加されてなるものが好適に用いられる。
【００２９】
また、このような正孔輸送層の形成材料としては、特に３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）［商品名；バイトロン−ｐ（Ｂｙｔｒｏｎ−ｐ）：バイエル社製］の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液が用いられる。この分散液は、使用する水の量によっても異なるものの、通常の使用範囲ではｐＨが２〜４程度の酸性を呈する。
なお、正孔輸送層の形成材料としては、前記のものに限定されることなく種々のものが使用可能である。例えば、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体などを、適宜な分散媒、例えば前記のポリスチレンスルフォン酸に分散させたものなどが使用可能である。
【００３０】
このような、通常用いられる正孔輸送層の形成材料に添加され含有させられる金属元素、すなわちＩＴＯを構成するＩｎ（インジウム）、Ｓｎ（錫）の量（両方が添加される場合にはその合計量）としては、特に限定されることなく、数十ｐｐｍ〜数％の広い範囲で使用可能であり、例えば８０〜１００ｐｐｍの低濃度でも十分に効果が得られる。また、前記金属元素については、画素電極２３を構成する金属元素の少なくとも一種を含有していればよいが、全ての種類を含有しているのが、画素電極２３との界面においてより画素電極２３の組成により近いものとなり好ましい。すなわち、画素電極２３の組成により近くなれば、その分電気特性等の物性などにおいても近くなると考えられ、したがって画素電極２３からの正孔の輸送が速やかにかつ効率よくなされるようになるからである。なお、同じ理由により、含有される金属元素量の比も、画素電極２３を構成するＩＴＯ中の金属元素（Ｉｎ、Ｓｎ）の比と同じかあるいはこれに近い値であるのが好ましい。
なお、画素電極２３を構成する透明導電材料としてＩＴＯに代えて例えば前記のＩＺＯを用いた場合には、ＩＺＯを構成する金属元素であるＩｎ、Ｚｎのうちの少なくとも一種が正孔輸送層７０中に含有されるようになる。
【００３１】
発光層６０を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。
また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
なお、前記の高分子材料に代えて、従来公知の低分子材料を用いることもできる。
【００３２】
陰極５０は、図３〜図５に示すように、実表示領域４およびダミー領域５の総面積より広い面積を備え、それぞれを覆うように形成されている。
陰極５０を形成するための材料としては、本実施形態はバックエミッション型であることから特に光透過性である必要がなく、したがってアルミニウムなどが用いられている。
【００３３】
また、このような発光素子の下方には、図５に示したように回路部１１が設けられている。この回路部１１は基板２０上に形成されたものである。すなわち、基板２０の表面にはＳｉＯ２　を主体とする下地保護層２８１が下地として形成され、その上にはシリコン層２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面には、ＳｉＯ２　および／またはＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２が形成されている。
【００３４】
また、前記シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａとされている。なお、このゲート電極２４２は、図示しない走査線１０１の一部である。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２を形成したゲート絶縁層２８２の表面には、ＳｉＯ２　を主体とする第１層間絶縁層２８３が形成されている。
【００３５】
また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には、低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｄｏｐｅｄ　Ｄｒａｉｎ　）構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、前述した電源線１０３（図１参照、図５においてはソース電極２４３の位置に紙面垂直方向に延在する）の一部として構成されている。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４４ａを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。
【００３６】
ソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３の上層は、例えばアクリル系の樹脂成分を主体とする第２層間絶縁層２８４によって覆われている。この第２層間絶縁層２８４は、アクリル系の絶縁膜以外の材料、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ２　などを用いることもできる。そして、ＩＴＯからなる画素電極２３が、この第２層間絶縁層２８４の表面上に形成されるとともに、該第２層間絶縁層２８４に設けられたコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。すなわち、画素電極２３は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに接続されている。
【００３７】
なお、走査線駆動回路８０および検査回路９０に含まれるＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）、すなわち、例えばこれらの駆動回路のうち、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型のＴＦＴは、画素電極２３と接続されていない点を除いて前記駆動用ＴＦＴ１２３と同様の構造とされている。
【００３８】
画素電極２３が形成された第２層間絶縁層２８４の表面は、画素電極２３と、例えばＳｉＯ２　などの親液性材料を主体とする親液性制御層２５と、アクリルやポリイミドなどからなる有機バンク層２２１とによって覆われている。そして、画素電極２３には親液性制御層２５に設けられた開口部２５ａ、および有機バンク２２１に設けられた開口部２２１ａの開口内部に、正孔輸送層７０と、発光層６０とが画素電極２３側からこの順で積層されている。なお、本実施形態における親液性制御層２５の「親液性」とは、少なくとも有機バンク層２２１を構成するアクリル、ポリイミドなどの材料と比べて親液性が高いことを意味するものとする。
以上に説明した基板２０から第２層間絶縁層２８４までの層が、回路部１１を構成するものとなっている。
【００３９】
また、本実施形態のＥＬ表示装置１は、カラー表示を行うべく、各発光層６０が、その発光波長帯域が光の三原色にそれぞれ対応して形成されている。例えば、発光層６０として、発光波長帯域が赤色に対応した赤色用発光層６０Ｒ、緑色に対応した緑色用発光層６０Ｇ、青色に対応した青色用有機ＥＬ層６０Ｂとをそれぞれに対応する表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂに設け、これら表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂをもってカラー表示を行う１画素が構成されている。また、各色表示領域の境界には、金属クロムをスパッタリングなどにて成膜した図示略のＢＭ（ブラックマトリクス）が、有機バンク層２２１と親液性化制御層２５との間に位置して形成されている。
【００４０】
次に、本実施形態に係るＥＬ表示装置１の製造方法を基に、本発明の電気光学装置（ＥＬ表示装置１）の製造方法の一例を、図６〜図１０を参照して説明する。なお、本例においては、電気光学装置としてのＥＬ表示装置１が、バックエミッション型である場合について説明する。また、図６〜図１０に示す各断面図は、図２中のＡ−Ｂ線の断面図に対応した図である。
【００４１】
まず、図６（ａ）に示すように、基板２０の表面に、下地保護層２８１を形成する。次に、下地保護層２８１上に、ＩＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などを用いてアモルファスシリコン層５０１を形成した後、レーザアニール法又は急速加熱法により結晶粒を成長させてポリシリコン層とする。
【００４２】
次いで、図６（ｂ）に示すように、ポリシリコン層をフォトリソグラフィ法によりパターニングし、島状のシリコン層２４１、２５１および２６１を形成する。これらのうちシリコン層２４１は、表示領域内に形成され、画素電極２３に接続される駆動用ＴＦＴ１２３を構成するものであり、シリコン層２５１、２６１は、走査線駆動回路８０に含まれるＰチャネル型およびＮチャネル型のＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）をそれぞれ構成するものである。
【００４３】
次に、プラズマＣＶＤ法、熱酸化法などにより、シリコン層２４１、２５１および２６１、下地保護層２８１の全面に厚さが約３０ｎｍ〜２００ｎｍのシリコン酸化膜によって、ゲート絶縁層２８２を形成する。ここで、熱酸化法を利用してゲート絶縁層２８２を形成する際には、シリコン層２４１、２５１および２６１の結晶化も行い、これらのシリコン層をポリシリコン層とすることができる。
【００４４】
また、シリコン層２４１、２５１および２６１にチャネルドープを行う場合には、例えば、このタイミングで約１×１０１２／ｃｍ２　のドーズ量でボロンイオンを打ち込む。その結果、シリコン層２４１、２５１および２６１は、不純物濃度（活性化アニール後の不純物にて算出）が約１×１０１７／ｃｍ３　の低濃度Ｐ型のシリコン層となる。
【００４５】
次に、Ｐチャネル型ＴＦＴ、Ｎチャネル型ＴＦＴのチャネル層の一部にイオン注入選択マスクを形成し、この状態でリンイオンを約１×１０１５／ｃｍ２　のドーズ量でイオン注入する。その結果、パターニング用マスクに対してセルフアライン的に高濃度不純物が導入されて、図６（ｃ）に示すように、シリコン層２４１及び２６１中に高濃度ソース領域２４１Ｓおよび２６１Ｓ並びに高濃度ドレイン領域２４１Ｄおよび２６１Ｄが形成される。
【００４６】
次に、図６（ｃ）に示すように、ゲート絶縁層２８２の表面全体に、ドープドシリコンやシリサイド膜、あるいはアルミニウム膜やクロム膜、タンタル膜という金属膜からなるゲート電極形成用導電層５０２を形成する。この導電層５０２の厚さは概ね５００ｎｍ程度である。その後、パターニング法により、図６（ｄ）に示すように、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴを形成するゲート電極２５２、画素用ＴＦＴを形成するゲート電極２４２、Ｎチャネル型の駆動回路用ＴＦＴを形成するゲート電極２６２を形成する。また、駆動制御信号導通部３２０（３５０）、陰極電源配線の第１層１２１も同時に形成する。なお、この場合、駆動制御信号導通部３２０（３５０）はダミー領域５に配設するものとされている。
【００４７】
続いて、図６（ｄ）に示すように、ゲート電極２４２，２５２および２６２をマスクとして用い、シリコン層２４１，２５１および２６１に対してリンイオンを約４×１０１３／ｃｍ２　のドーズ量でイオン注入する。その結果、ゲート電極２４２，２５２および２６２に対してセルフアライン的に低濃度不純物が導入され、図６（ｄ）に示すように、シリコン層２４１および２６１中に低濃度ソース領域２４１ｂおよび２６１ｂ、並びに低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび２６１ｃが形成される。また、シリコン層２５１中に低濃度不純物領域２５１Ｓおよび２５１Ｄが形成される。
【００４８】
次に、図７（ｅ）に示すように、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴ２５２以外の部分を覆うイオン注入選択マスク５０３を形成する。このイオン注入選択マスク５０３を用いて、シリコン層２５１に対してボロンイオンを約１．５×１０１５／ｃｍ２　のドーズ量でイオン注入する。結果として、Ｐチャネル型駆動回路用ＴＦＴを構成するゲート電極２５２もマスクとして機能するため、シリコン層２５２中にセルフアライン的に高濃度不純物がドープされる。したがって、低濃度不純物領域２５１Ｓおよび２５１Ｄはカウンタードープされ、Ｐ型チャネル型の駆動回路用ＴＦＴのソース領域およびドレイン領域となる。
【００４９】
次いで、図７（ｆ）に示すように、基板２０の全面にわたって第１層間絶縁層２８３を形成するとともに、フォトリソグラフィ法を用いて該第１層間絶縁層２８３をパターニングすることにより、各ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極に対応する位置にコンタクトホールＣを形成する。
【００５０】
次に、図７（ｇ）に示すように、第１層間絶縁層２８３を覆うように、アルミニウム、クロム、タンタルなどの金属からなる導電層５０４を形成する。この導電層５０４の厚さは概ね２００ｎｍないし８００ｎｍ程度である。この後、導電層５０４のうち、各ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極が形成されるべき領域２４０ａ、駆動電圧導通部３１０（３４０）が形成されるべき領域３１０ａ、陰極電源配線の第２層が形成されるべき領域１２２ａを覆うようにパターニング用マスク５０５を形成するとともに、該導電層５０４をパターニングして、図８（ｈ）に示すソース電極２４３、２５３、２６３、ドレイン電極２４４、２５４、２６４を形成する。
【００５１】
次いで、図８（ｉ）に示すように、これらが形成された第１層間絶縁層２８３を覆う第２層間絶縁層２８４を、例えばアクリル系樹脂などの高分子材料によって形成する。この第２層間絶縁層２８４は、約１〜２μｍ程度の厚さに形成されることが望ましい。なお、ＳｉＮ、ＳｉＯ２　により第２層間絶縁膜を形成することも可能であり、ＳｉＮの膜厚としては２００ｎｍ、ＳｉＯ２　の膜厚としては８００ｎｍに形成することが望ましい。
【００５２】
次いで、図８（ｊ）に示すように、第２層間絶縁層２８４のうち、駆動用ＴＦＴのドレイン電極２４４に対応する部分をエッチングにより除去してコンタクトホール２３ａを形成する。
その後、基板２０の全面を覆うように画素電極２３となる導電膜を形成する。そして、この透明導電膜をパターニングすることにより、図９（ｋ）に示すように、第２層間絶縁層２８４のコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４と導通する画素電極２３を形成すると同時に、ダミー領域のダミーパターン２６も形成する、なお、図３、４では、これら画素電極２３、ダミーパターン２６を総称して画素電極２３としている。
【００５３】
ダミーパターン２６は、第２層間絶縁層２８４を介して下層のメタル配線へ接続しない構成とされている。すなわち、ダミーパターン２６は、島状に配置され、実表示領域に形成されている画素電極２３の形状とほぼ同一の形状を有している。もちろん、表示領域に形成されている画素電極２３の形状と異なる構造であってもよい。なお、この場合、ダミーパターン２６は少なくとも前記駆動電圧導通部３１０（３４０）の上方に位置するものも含むものとする。
【００５４】
次いで、図９（ｌ）に示すように、画素電極２３、ダミーパターン２６上、および第２層間絶縁膜上に絶縁層である親液性制御層２５を形成する。なお、画素電極２３においては一部が開口する態様にて親液性制御層２５を形成し、開口部２５ａ（図３も参照）において画素電極２３からの正孔移動が可能とされている。逆に、開口部２５ａを設けないダミーパターン２６においては、絶縁層（親液性制御層）２５が正孔移動遮蔽層となって正孔移動が生じないものとされている。続いて、親液性制御層２５において、異なる２つの画素電極２３の間に位置して形成された凹状部にＢＭ（図示せず）を形成する。具体的には、親液性制御層２５の前記凹状部に対して、金属クロムを用いスパッタリング法にて成膜する。
【００５５】
次いで、図９（ｍ）に示すように、親液性制御層２５の所定位置、詳しくは前記ＢＭを覆うように有機バンク層２２１を形成する。具体的な有機バンク層の形成方法としては、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などのレジストを溶媒に溶解したものを、スピンコート法、ディップコート法などの各種塗布法により塗布して有機質層を形成する。なお、有機質層の構成材料は、後述するインクの溶媒に溶解せず、しかもエッチングなどによってパターニングし易いものであればどのようなものでもよい。
続いて、有機質層をフォトリソグラフィ技術、エッチング技術を用いてパターニングし、有機質層にバンク開口部２２１ａを形成することにより、開口部２２１ａに壁面を有した有機バンク層２２１を形成する。なお、この場合、有機バンク層２２１は、少なくとも前記駆動制御信号導通部３２０の上方に位置するものを含むものとする。
【００５６】
次いで、有機バンク層２２１の表面に、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域とを形成する。本実施形態においては、プラズマ処理によって各領域を形成するものする。具体的には、該プラズマ処理を、予備加熱工程と、有機バンク層２２１の上面および開口部２２１ａの壁面ならびに画素電極２３の電極面２３ｃ、親液性制御層２５の上面をそれぞれ親液性にする親インク化工程と、有機バンク層の上面および開口部の壁面を撥液性にする撥インク化工程と、冷却工程とで構成する。
【００５７】
すなわち、基材（バンクなどを含む基板２０）を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱し、次いで親インク化工程として大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ２　プラズマ処理）を行う。次いで、撥インク化工程として大気雰囲気中で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４　プラズマ処理）を行い、その後、プラズマ処理のために加熱された基材を室温まで冷却することで、親液性および撥液性が所定箇所に付与されることとなる。
【００５８】
なお、このＣＦ４　プラズマ処理においては、画素電極２３の電極面２３ｃおよび親液性制御層２５についても多少の影響を受けるが、画素電極２３の材料であるＩＴＯおよび親液性制御層２５の構成材料であるＳｉＯ２　、ＴｉＯ２　などはフッ素に対する親和性に乏しいため、親インク化工程で付与された水酸基がフッ素基で置換されることがなく、親液性が保たれる。
【００５９】
次いで、正孔輸送層形成工程によって正孔輸送層７０の形成を行う。この正孔輸送層形成工程では、例えばインクジェット法等の液滴吐出法や、スピンコート法などにより、正孔輸送層材料を電極面２３ｃ上に塗布し、その後、乾燥処理および熱処理を行い、電極２３上に正孔輸送層７０を形成する。
ここで、正孔輸送層材料としては、前述したように正孔輸送層の形成材料に、画素電極２３を構成する金属元素であるＩｎ（インジウム）、Ｓｎ（錫）の一方あるいは両方が添加されてなるものを用いる。
【００６０】
このような正孔輸送層材料の作製方法としては、例えば以下に示す方法が採用される。
第１の方法は、ＩＴＯのスパッタ用のターゲットを、正孔輸送層の形成材料中に浸漬し、ＩＴＯの金属元素を正孔輸送層の形成材料中に溶解させる方法である。ここで、正孔輸送層の形成材料としては、例えば前記した、ポリチオフェン誘導体にポリスチレンスルフォン酸が添加され、さらに水で分散させられた、（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の水分散液が用いられる。この水分散液は、前述したようにそのｐＨが２〜４程度であることから、その温度を高くした状態でこれにＩＴＯターゲットを浸漬し、十分な時間おくことにより、ＩＴＯを溶解してその金属元素を水分散液中に移行させることができる。
この方法では、水分散液中の水量を調整することなどによりそのｐＨを調整したり、温度や浸漬時間を調整することなどにより、水分散液中への金属元素の移行量（溶解量）を適宜に調整することができる。
【００６１】
第２の方法は、ガラス基板などに画素電極２３と同じ組成のＩＴＯ膜を形成しておき、これを直接前記の正孔輸送層の形成材料中に浸漬し、ＩＴＯの金属元素を正孔輸送層の形成材料中に溶解させる方法である。
この方法では、予め所望する量のＩＴＯを成膜し、形成したＩＴＯ膜の全量を正孔輸送層の形成材料中に溶解させるようにすれば、より確実に金属元素の量を制御することができる。また、溶解したＩｎとＳｎとの比が、画素電極２３中のＩｎとＳｎとの比と同じになることから、形成される正孔輸送層７０はその界面において画素電極２３とより物性が近くなり、これによって正孔の輸送がより速やかに、かつ、より効率よくなされるようになる。
【００６２】
第３の方法は、ＩｎやＳｎの微粉や金属コロイドを、前記の正孔輸送層の形成材料中に直接分散あるいは溶解させる方法である。
このようにして添加しても、最終的には焼成されることにより、ＩｎやＳｎは正孔輸送層７０中に含有されることになる。そして、この方法によれば、金属元素を直接添加することにより、正孔輸送層材料の作製を格段に容易にすることができる。
なお、このようにして作製された正孔輸送層材料については、必要に応じて、これの塗布性を高めるためなどの目的で各種の溶媒や分散媒などを添加してもよい。
【００６３】
このようにして作製された正孔輸送層材料を、例えばインクジェット法で選択的に塗布する場合には、まず、インクジェットヘッド（図示略）に正孔輸送層材料を充填し、インクジェットヘッドの吐出ノズルを親液性制御層２５に形成された前記開口部２５ａ内に位置する電極面２３ｃに対向させ、インクジェットヘッドと基材（基板２０）とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された液滴を電極面２３ｃに吐出する。次に、吐出後の液滴を乾燥処理し、正孔輸送層材料に含まれる分散媒や溶媒を蒸発させることにより、正孔輸送層７０を形成する。
【００６４】
ここで、吐出ノズルから吐出された液滴は、親液性処理がなされた電極面２３ｃ上にて広がり、親液性制御層２５の開口部２５ａ内に満たされる。その一方で、撥インク処理された有機バンク層２２１の上面では、液滴がはじかれて付着しない。したがって、液滴が所定の吐出位置からはずれて有機バンク層２２１の上面に吐出されたとしても、該上面が液滴で濡れることがなく、弾かれた液滴が親液性制御層２５の開口部２５ａ内に転がり込む。
なお、この正孔輸送層形成工程以降は、正孔輸送層７０および発光層６０の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気などの不活性ガス雰囲気で行うのが好ましい。
【００６５】
次いで、図１０（ｎ）に示すように、発光層形成工程によって発光層６０の形成を行う。この発光層形成工程では、例えば前記のインクジェット法により、発光層形成材料を正孔輸送層７０上に吐出し、その後、乾燥処理および熱処理を行うことにより、有機バンク層２２１に形成された開口部２２１ａ内に発光層６０を形成する。この発光層形成工程では、正孔輸送層７０の再溶解を防止するため、発光層形成材料に用いる溶媒として、正孔輸送層７０に対して不溶な無極性溶媒を用いる。
なお、この発光層形成工程では、前記のインクジェット法によって例えば青色（Ｂ）の発光層形成材料を青色の表示領域に選択的に塗布し、乾燥処理した後、同様にして緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）についてもそれぞれその表示領域に選択的に塗布し、乾燥処理する。
【００６６】
次いで、図１０（ｏ）に示すように、陰極層形成工程によって陰極５０の形成を行う。この陰極層形成工程では、例えば蒸着法やスパッタ法等によってＡｌ等の陰極材料を成膜する。
その後、封止工程によって封止基板３０の形成を行う。この封止工程では、封止基板３０の内側に乾燥剤４５を貼着しつつ、該封止基板３０と基板２０とを封止樹脂４０にて封止する。なお、この封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うのが好ましい。
【００６７】
このようなＥＬ表示装置１の製造方法にあっては、正孔輸送層７０の形成材料として、画素電極２３を構成する金属元素のうちの少なくとも一種を含有したものを用いているので、得られた正孔輸送層７０は前記の電極構成金属元素、本実施形態ではＩｎ、Ｓｎの少なくとも一種を含有するものとなる。したがって、正孔輸送層７０の物性などがこれに隣接する画素電極２３に近くなり、これにより該電極２３と正孔輸送層７０との間の界面における正孔の輸送が速やかにかつ効率よくなされるようになる。よって、発光層６０での発光特性を向上させることができる。
また、画素電極２３を透明導電材料によって形成しているので、ＥＬ表示装置１をいわゆるバックエミッション型にすることができる。なお、陰極５０を透明導電材料によって形成することにより、いわゆるトップエミッション型にしてもよいのはもちろんである。
【００６８】
また、このような製造方法で得られたＥＬ表示装置１にあっては、正孔輸送層７０が隣接する画素電極２３を構成する金属元素のうちの少なくとも一種を含有してなるので、前述したように該画素電極２３と正孔輸送層７０との間の界面における正孔の輸送が速やかにかつ効率よくなされるようになり、よって発光層６０での発光特性を向上させることができる。
【００６９】
次に、本発明の電気光学装置（ＥＬ表示装置）の他の実施形態を説明する。
この実施形態が先の実施形態と異なるところは、先の実施形態において有機ＥＬ素子を構成している画素電極２３と正孔輸送層７０とを、本実施形態では画素電極のみにしている点である。
すなわち、本実施形態のＥＬ表示装置６００では、図１１に示すように、陽極となる画素電極６０１上に直接発光層６０が形成されている。ただし、本実施形態において画素電極６０１は、その形成材料が、正孔輸送層の形成材料に導電性元素が添加されて形成されている。
【００７０】
正孔輸送層の形成材料としては、先の実施形態において正孔輸送層７０を形成する際に用いた正孔輸送層の形成材料、すなわち、ポリチオフェン誘導体やポリピロール誘導体などに分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸が添加されてなるものや、さらにはポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体などを、ポリスチレンスルフォン酸等の適宜な分散媒に分散させたものなどが使用可能である。
【００７１】
また、このような正孔輸送層の形成材料に添加される導電性元素としては、特に限定はされないものの、仕事関数が４．１［ｅＶ］以上、５．７［ｅＶ］以下の金属元素、例えば以下に示す金属元素が好適とされる。なお、下記の元素記号の後の（　）内に示す数値は、仕事関数（単位は［ｅＶ］）である。
Ｔｉ（４．３３）、Ｖ（４．３）、Ｃｒ（４．５）、Ｆｅ（４．５）、Ｃｏ（５．０）、Ｎｉ（５．１５）、Ｃｕ（４．６５）、Ｚｎ（４．３３）、Ｍｏ（４．６）、Ｔｃ（４．４）、Ｒｕ（４．７１）、Ｒｈ（４．９８）、Ｐｄ（５．１２）、Ａｇ（４．２６）、Ｉｎ（４．１２）、Ｓｎ（４．４２）、Ｓｂ（４．５５）、Ｔｅ（４．９５）、Ｔａ（４．２５）、Ｗ（４．５５）、Ｒｅ（４．９６）、Ｏｓ（４．８３）、Ｉｒ（５．２７）、Ｐｔ（５．６５）、Ａｕ（５．１）、Ｈｇ（４．４９）。
このような、仕事関数が４．１［ｅＶ］以上、５．７［ｅＶ］以下の金属元素を導電性元素として添加した場合に、以下の利点が得られる。
従来陽極として普通に用いられているＩＴＯの仕事関数が、４．７〜５．０程度であることから、この範囲に近い仕事関数を有する前記金属元素を導電性元素として添加して画素電極６０１を形成することにより、得られる画素電極６０１を電極としての機能に加え、正孔輸送層としても良好に機能させることができる。したがって、発光層６０での発光特性を向上させることができる。
【００７２】
また、これら金属元素の合金や、さらには化合物についても、正孔輸送層の形成材料に添加する導電性元素として使用可能である。
ここで、正孔輸送層の形成材料に添加される導電性元素の量としては、特に限定されることなく任意の量とすることができる。ただし、形成される電極が良好に機能するよう、電極の抵抗が十分に小さくなるように調整する必要がある。
【００７３】
このようにして形成される画素電極６０１は、ポリチオフェン誘導体やポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンがもともと導電性を有しており、しかもこれらに導電性元素が添加されていることから、十分に低抵抗となり、したがって電極として良好に機能するものとなる。また、正孔輸送層の形成材料を有して形成されていることから、この画素電極６０１中を流れる正孔がより速やかに発光層６０側に流れるようになる。しかも、画素電極６０１とは別に形成する正孔輸送層が不要となることにより、画素電極６０１と正孔輸送層との界面もなくなることから、画素電極６０１からの正孔はより速やかにかつより効率よく発光層６０に流れるようになる。
したがって、このような画素電極２３を備えてなるＥＬ表示装置６００によれば、発光層６０での発光特性を一層向上させることができる。
【００７４】
また、このようなＥＬ表示装置６００の製造方法によれば、従来のごとく画素電極の形成と正孔輸送層の形成とをそれぞれ別工程で行うのに比べ、画素電極６０１形成の一工程で画素電極６０１の形成と正孔輸送層の形成とを兼ねることができ、したがって工程の簡略化、生産性の向上を図ることができる。
なお、前記の実施形態においては、いずれの場合もバックエミッション型を例にして説明したが、本発明はこれに限定されることなく、トップエミッション型にも、また、両側に発光光を出射するタイプのものにも適用可能である。
【００７５】
次に、本発明の電子機器を説明する。本発明の電子機器は、前記のＥＬ表示装置（電気光学装置）を表示部として有したものであり、具体的には図１２に示すものが挙げられる。
図１２（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１２（ａ）において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は前記のＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。
図１２（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１２（ｂ）において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は前記のＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。
図１２（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１２（ｃ）において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０１はキーボードなどの入力部、符号１２０２は前記のＥＬ表示装置を用いた表示部、符号１２０３は情報処理装置本体を示している。
図１２（ａ）〜（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、前記ＥＬ表示装置（電気光学装置）を有した表示部を備えているので、表示部の発光特性に優れたものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＥＬ表示装置の配線構造を示す模式図である。
【図２】本発明のＥＬ表示装置の構成を模式的に示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図４】図２のＣ−Ｄ線に沿う断面図である。
【図５】図３の要部拡大断面図である。
【図６】ＥＬ表示装置の製造方法を工程順に説明する断面図である。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図である。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図である。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の他のＥＬ表示装置の要部拡大断面図である。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は本発明の電子機器を示す斜視図である。
【符号の説明】
１　ＥＬ表示装置（電気光学装置）
２３　画素電極（電極）
５０　陰極（電極）
６０　発光層
７０　正孔輸送層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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