(57)【要約】【課題】電源およびドライバの負担を軽減し、かつ黒表示を確実に行う。【解決手段】ゲートラインＧＬをＨにして、選択ＴＦＴ１０および短絡ＴＦＴ１６をオンとし、データラインＤａｔａにデータに応じた電流（データ電流（負））を流す。これによって、この電圧変換ＴＦＴ１２、駆動ＴＦＴ１４にデータ電流に応じた電流が流れ、有機ＥＬ素子５０が発光する。そして、この際の電圧変換ＴＦＴ１２、駆動ＴＦＴ１４のゲート電圧が保持容量Ｃに保持される。そこで、データ電流がオフされ、選択ＴＦＴ１０、短絡ＴＦＴ１６がオフした後も、駆動ＴＦＴ１４は電流を流し続ける。そして、所定の発光期間後イレーズラインＥＳＬを駆動して、イレーズＴＦＴ１８をオンして、保持容量Ｃを放電し、駆動ＴＦＴ１４をオフする。【選択図】図１
2004109991.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　電源からの電流をＥＬ素子に供給する駆動トランジスタを有し、この駆動トランジスタを制御してＥＬ素子の発光を制御する表示駆動回路であって、
　発光量についてのデータに応じた電流により駆動されるデータラインと、
　発光させるＥＬ素子を選択する選択信号により駆動されるゲートラインと、
　前記データラインに一端が接続され、ゲートが前記ゲートラインに接続された選択トランジスタと、
　この選択トランジスタの他端に一端が接続され、他端が電源に接続されるとともに、ゲートが前記駆動トランジスタのゲートに接続された電圧変換トランジスタと、
　前記選択トランジスタの他端と、前記電圧変換トランジスタのゲートとを接続するとともに、ゲートが前記ゲートラインに接続された短絡トランジスタと、
　前記駆動トランジスタのゲートに一端が接続され、他端が電源に接続され、ゲートがイレーズラインに接続されたイレーズトランジスタと、
　駆動トランジスタのゲートに接続され電圧を保持するコンデンサと、
　を有し、
　前記データラインをデータに応じた電流で駆動するとともに、前記ゲートラインを駆動して前記選択トランジスタ、短絡トランジスタをオンして前記電圧変換トランジスタにデータに応じた電流を流し、これによって前記コンデンサをデータに応じた電圧に充電し、このコンデンサの充電電圧に応じた電流を駆動トランジスタを介しＥＬ素子に流し、かつ所定の発光期間の経過後に前記イレーズラインを駆動することで前記イレーズトランジスタをオンして前記コンデンサから放電する表示駆動回路。
【請求項２】
　電源からの電流をＥＬ素子に供給する駆動トランジスタを有し、この駆動トランジスタを制御してＥＬ素子の発光を制御する表示駆動回路であって、
　発光量についてのデータに応じた電流により駆動されるデータラインと、
　発光させるＥＬ素子を選択する選択信号により駆動されるゲートラインと、
　前記データラインに一端が接続され、ゲートが前記ゲートラインに接続された選択トランジスタと、
　この選択トランジスタの他端に一端が接続され、他端が電源に接続されるとともに、ゲートが前記駆動トランジスタのゲートに接続された電圧変換トランジスタと、
　前記選択トランジスタの他端と、前記電圧変換トランジスタのゲートとを接続するとともに、ゲートに書き込みタイミング信号を受け入れる短絡トランジスタと、
　前記駆動トランジスタのゲートに一端が接続され、他端が電源に接続され、ゲートがイレーズラインに接続されたイレーズトランジスタと、
　駆動トランジスタのゲートに接続され電圧を保持するコンデンサと、
　を有し、
　前記データラインをデータに応じた電流で駆動するとともに、前記ゲートラインを駆動して前記選択トランジスタをオンし、かつ書き込みタイミング信号により短絡トランジスタをオンして前記電圧変換トランジスタにデータに応じた電流を流し、これによって前記コンデンサをデータに応じた電圧に充電し、このコンデンサの充電電圧に応じた電流を駆動トランジスタを介しＥＬ素子に流し、かつ所定の発光期間の経過後に前記イレーズラインを駆動することで前記イレーズトランジスタをオンして前記コンデンサから放電する表示駆動回路。
【請求項３】
　請求項２に記載の回路において、
　前記書き込みタイミング信号は、前記選択信号による選択と同タイミングで、書き込みレベルになり、かつ選択信号が選択状態を維持している期間内の終了以前に非書き込みレベルに変化する表示駆動回路。
【請求項４】
　請求項２または３のいずれか１つに記載の回路において、
　前記書き込みタイミング信号は、前記ゲートラインと併設される書き込みラインから供給される表示駆動回路。
【請求項５】
　請求項１〜４のいずれか１つに記載の回路において、
　前記駆動トランジスタ、電圧変換トランジスタ、およびイレーズトランジスタはｐチャンネルトランジスタであり、前記選択トランジスタおよび短絡トランジスタはｎチャンネルトランジスタである表示駆動回路。
【請求項６】
　請求項１〜４のいずれか１つに記載の回路において、
　前記駆動トランジスタ、電圧変換トランジスタ、イレーズトランジスタ、選択トランジスタおよび短絡トランジスタは、すべてｎチャンネルトランジスタである表示駆動回路。
【請求項７】
　請求項１〜４のいずれか１つに記載の回路において、
　前記駆動トランジスタ、電圧変換トランジスタ、イレーズトランジスタ、選択トランジスタおよび短絡トランジスタは、すべてｐチャンネルトランジスタである表示駆動回路。
【請求項８】
　請求項１〜７のいずれか１つに記載の回路において、
　前記駆動トランジスタ、電圧変換トランジスタ、イレーズトランジスタ、選択トランジスタおよび短絡トランジスタは、すべて画素毎に設けられたＥＬ素子に対応して、画素毎に設けられ、かつ画素がマトリクス状に配置され、ゲートラインが行方向に配置され、データラインが列方向に配置されている表示駆動回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、電源からの電流をＥＬ素子に供給する駆動トランジスタを有し、この駆動トランジスタを制御してＥＬ素子の発光を制御する表示駆動回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
　自発光素子であるエレクトロルミネッセンス（Electroluminescence：以下ＥＬ）素子を各画素に発光素子として用いたＥＬ表示装置は、自発光型であると共に、薄く消費電力が小さい等の有利な点があり、液晶表示装置（ＬＣＤ）やＣＲＴなどの表示装置に代わる表示装置として注目されている。
【０００３】
　特に、ＥＬ素子を個別に制御する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などのスイッチ素子を各画素に設け、画素毎にＥＬ素子を制御するアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置では、高精細な表示が可能である。
【０００４】
　このアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置では、基板上に複数本のゲートラインが行方向に延び、複数本のデータライン及び電源ラインが列方向に延びており、各画素は有機ＥＬ素子と、選択ＴＦＴ、駆動用ＴＦＴ及び保持容量を備えている。ゲートラインを選択することで選択ＴＦＴをオンし、データライン上のデータ電圧を保持容量に充電し、この電圧で駆動ＴＦＴをオンして電源ラインからの電力を有機ＥＬ素子に流している。
【０００５】
　また、特許文献１には、各画素において、制御用のトランジスタとしてｐチャンネルの２つのＴＦＴを追加し、データラインに信号電流を流す回路が示されている。
【０００６】
　この特許文献１に記載の画素回路を図４に示す。このように、ｓｃａｎＡにゲートが接続されたｎチャンネルＴＦＴ（選択ＴＦＴ）３の一端が電流Ｉｗを流すデータラインｄａｔａに接続され、他端はｐチャンネルＴＦＴ１およびｐチャンネルＴＦＴ（駆動ＴＦＴ）４の一旦に接続されている。ＴＦＴ１は、他端が電源ラインＶｄｄに接続され、ゲートが有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）駆動用のｐチャンネルＴＦＴ２のゲートに接続されている。また、ＴＦＴ４は、他端がＴＦＴ１およびＴＦＴ２のゲートに接続されている。そして、ＴＦＴ４のゲートは、ｓｃａｎＢに接続されている。
【０００７】
　この構成では、ｓｃａｎＡをＨとしてＴＦＴ３をオンするとともに、ｓｃａｎＢをＬとしてＴＦＴ４をオンする。そして、ｄａｔａにデータに応じた電流Ｉｗを流す。これによって、ＴＦＴ１はそのゲートソース間が短絡され、電流Ｉｗが電圧に変換され、その電圧がＴＦＴ１、２のゲートに設定される。そして、ＴＦＴ３、４がオフされた後は、ＴＦＴ２のゲート電圧はコンデンサＣによって保持されるため、その後も電流Ｉｗに対応した電流がＴＦＴ２に流れ、この電流により有機ＥＬ（ＯＬＥＤ）が発光する。そして、ｓｃａｎＢをＬとすることで、ＴＦＴ１がオンして、そのゲート電圧が上昇し、コンデンサＣが放電されてデータがイレーズされ、ＴＦＴ１、ＴＦＴ２がオフする。
【０００８】
　この回路によれば、ＴＦＴ１に電流が流れることで、この電流が電圧に変換されてゲート電圧が決定され、そのゲート電圧に応じてＴＦＴ２の電流量が決定される。従って、ＴＦＴ２の電流量を信号電流Ｉｗに対し設定できる。
【０００９】
【特許文献１】特開２００１−１４７６５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
　しかし、この回路では、ＴＦＴ４を制御するためのｓｃａｎＢが必要であり、このｓｃａｎＢをデータ書き込み時およびデータイレーズ時の両方に駆動しなければならない。
【００１１】
　特に、データ書き込み時には、ｓｃａｎＡ、Ｂの両方のラインを駆動しなければならず、ドライバに負担がかかるという問題があった。また、イレーズの際には、ＴＦＴ４をオンしてＴＦＴ１のゲート電圧を上昇させるが、ＴＦＴ１を介して、そのゲート電圧を上昇させるため、十分ゲート電圧が上昇しない場合もある。この場合、ＴＦＴ２に若干の電流が流れて続けてしまい、黒表示が十分でなくなるという問題もあった。
【００１２】
　本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、電源およびドライバの負担を軽減し、かつ黒表示を確実に行える画素回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
　本発明は、電源からの電流をＥＬ素子に供給する駆動トランジスタを有し、この駆動トランジスタを制御してＥＬ素子の発光を制御する表示駆動回路であって、発光量についてのデータに応じた電流により駆動されるデータラインと、発光させるＥＬ素子を選択する選択信号により駆動されるゲートラインと、前記データラインに一端が接続され、ゲートが前記ゲートラインに接続された選択トランジスタと、この選択トランジスタの他端に一端が接続され、他端が電源に接続されるとともに、ゲートが前記駆動トランジスタのゲートに接続された電圧変換トランジスタと、前記選択トランジスタの他端と、前記電圧変換トランジスタのゲートとを接続するとともに、ゲートが前記ゲートラインに接続された短絡トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲートに一端が接続され、他端が電源に接続され、ゲートがイレーズラインに接続されたイレーズトランジスタと、駆動トランジスタのゲートに接続され電圧を保持するコンデンサと、を有し、前記データラインをデータに応じた電流で駆動するとともに、前記ゲートラインを駆動して前記選択トランジスタ、短絡トランジスタをオンして前記電圧変換トランジスタにデータに応じた電流を流し、これによって前記コンデンサをデータに応じた電圧に充電し、このコンデンサの充電電圧に応じた電流を駆動トランジスタを介しＥＬ素子に流し、かつ所定の発光期間の経過後に前記イレーズラインを駆動することで前記イレーズトランジスタをオンして前記コンデンサから放電することを特徴とする。
【００１４】
　本発明は、電源からの電流をＥＬ素子に供給する駆動トランジスタを有し、この駆動トランジスタを制御してＥＬ素子の発光を制御する表示駆動回路であって、発光量についてのデータに応じた電流により駆動されるデータラインと、発光させるＥＬ素子を選択する選択信号により駆動されるゲートラインと、前記データラインに一端が接続され、ゲートが前記ゲートラインに接続された選択トランジスタと、この選択トランジスタの他端に一端が接続され、他端が電源に接続されるとともに、ゲートが前記駆動トランジスタのゲートに接続された電圧変換トランジスタと、前記選択トランジスタの他端と、前記電圧変換トランジスタのゲートとを接続するとともに、ゲートに書き込みタイミング信号を受け入れる短絡トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲートに一端が接続され、他端が電源に接続され、ゲートがイレーズラインに接続されたイレーズトランジスタと、駆動トランジスタのゲートに接続され電圧を保持するコンデンサと、を有し、前記データラインをデータに応じた電流で駆動するとともに、前記ゲートラインを駆動して前記選択トランジスタをオンし、かつ書き込みタイミング信号により短絡トランジスタをオンして前記電圧変換トランジスタにデータに応じた電流を流し、これによって前記コンデンサをデータに応じた電圧に充電し、このコンデンサの充電電圧に応じた電流を駆動トランジスタを介しＥＬ素子に流し、かつ所定の発光期間の経過後に前記イレーズラインを駆動することで前記イレーズトランジスタをオンして前記コンデンサから放電することを特徴とする。
【００１５】
　また、前記書き込みタイミング信号は、前記選択信号による選択と同タイミングで、書き込みレベルになり、かつ選択信号が選択状態を維持している期間内の終了以前に非書き込みレベルに変化することが好適である。
【００１６】
　また、前記書き込みタイミング信号は、前記ゲートラインと併設される書き込みラインから供給されることが好適である。
【００１７】
　また、前記駆動トランジスタ、電圧変換トランジスタ、およびイレーズトランジスタはｐチャンネルトランジスタであり、前記選択トランジスタおよび短絡トランジスタはｎチャンネルトランジスタであることが好適である。
【００１８】
　また、前記駆動トランジスタ、電圧変換トランジスタ、イレーズトランジスタ、選択トランジスタおよび短絡トランジスタは、すべてｎチャンネルトランジスタであることが好適である。
【００１９】
　また、前記駆動トランジスタ、電圧変換トランジスタ、イレーズトランジスタ、選択トランジスタおよび短絡トランジスタは、すべてｐチャンネルトランジスタであることが好適である。
【００２０】
　また、前記駆動トランジスタ、電圧変換トランジスタ、イレーズトランジスタ、選択トランジスタおよび短絡トランジスタは、すべて画素毎に設けられたＥＬ素子に対応して、画素毎に設けられ、かつ画素がマトリクス状に配置され、ゲートラインが行方向に配置され、データラインが列方向に配置されていることが好適である。
【発明の効果】
【００２１】
　以上説明したように、本発明によれば、データラインのデータに応じた電流（データ電流）が電圧変換トランジスタに電流が流れることで、そのゲート電圧が決定され、そのゲート電圧に応じて駆動トランジスタの電流量が決定される。そして、電圧変換トランジスタと、駆動トランジスタの不純物濃度などはほぼ同一にできるため、その電圧変換トランジスタと、駆動トランジスタのゲートサイズ比によって、駆動トランジスタの電流量をデータ電流に対し設定できる。そこで、パネル全体におけるトランジスタの特性のバラツキの影響を排除して均質な表示が行えるという利点がある。そして、データラインからのデータ電流の取り込みの際には、ゲートラインのみを駆動すればよく、電源、ドライバの負担を軽減することができる。さらに、イレーズラインにより、駆動ＴＦＴのゲートを電源まで確実に設定することができるため、駆動トランジスタを確実にオフして、有機ＥＬ素子５０の黒表示を確実に行える。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
　以下、本発明の実施形態について、図面に基づいて説明する。
【００２３】
　図１は、実施形態の構成を示す図であり、ｍ行ｎ列のアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置における各画素の回路構成を示している。基板上にゲートラインＧＬ、ＲＧＢの３色用のイレーズスキャンラインＥＳＬＲ、ＥＳＬＧ、ＥＳＬＢの４本が画素の区切り毎に行方向に延び、データラインＤａｔａ及び電源ラインＰＶＤＤの２本が画素の区切り毎に列方向に延びている。なお、この例では、各画素の上側のゲートラインＧＬと、イレーズスキャンラインＥＳＬＲ、ＥＳＬＧ、ＥＳＬＢの１本がその画素のＴＦＴに接続され、各画素の左側のデータラインＤａｔａと、右側の電源ラインＰＶＤＤがその画素に接続されている。図においては、左から１番目の列が青（Ｂ）、２番目の列がグリーン（Ｇ）、３番目の列が赤（Ｒ）となっており、各列の画素にはイレーズラインＥＳＬＢ、ＥＳＬＧ、ＥＳＬＲがそれぞれ接続されている。
【００２４】
　各画素は、有機ＥＬ素子５０の他に、３つのｐチャンネルＴＦＴと、２つのｎチャンネルＴＦＴと、保持容量Ｃを備えている。
【００２５】
　ｎチャンネルの選択ＴＦＴ１０は、ドレインがデータラインＤａｔａと接続され、ゲートがゲートラインＧＬとに接続されており、そのソースはｐチャンネルの電圧変換ＴＦＴ１２のドレインに接続されている。この電圧変換ＴＦＴ１２のソースは、電源ラインＰＶＤＤに接続され、そのゲートは、駆動ＴＦＴ１４のゲートに接続されている。さらに、電圧変換ＴＦＴ１２のドレインにはｎチャンネル短絡ＴＦＴ１６のソースが接続され、短絡ＴＦＴ１６のドレインは、電圧変換ＴＦＴ１２のゲートに接続されている。また、短絡ＴＦＴ１６のゲートは、選択ＴＦＴ１０と同様にゲートラインＧＬに接続されている。
【００２６】
　駆動ＴＦＴ１４のソースは、電源ラインＰＶＤＤに接続され、ドレインは有機ＥＬ素子５０の陽極に接続されている。そして、有機ＥＬ素子５０の陰極がグランドに接続されている。そこで、駆動ＴＦＴ１４がオンすることで、その電流が有機ＥＬ素子５０に流れ、有機ＥＬ素子５０が発光する。
【００２７】
　さらに、電圧変換ＴＦＴ１２および駆動ＴＦＴ１４のゲートには、ソースが電源ラインＰＶＤＤに接続されたｐチャンネルのイレーズＴＦＴ１８のドレインが接続されている。このイレーズＴＦＴ１８のゲートは、イレーズラインＥＳＬの内の１本が画素の色に応じて接続されている。図における左上（１番左の列）の画素では、イレーズラインＥＳＬＢ（青）が接続されている。
【００２８】
　また、電圧変換ＴＦＴ１２および駆動ＴＦＴ１４のゲートには、他端が電源ラインＰＶＤＤに接続された保持容量Ｃの一端が接続されている。
【００２９】
　この構成において、１つの画素を発光させる場合、その行のゲートラインをＨとして選択ＴＦＴ１０および短絡ＴＦＴ１６をオンする。そして、データラインにデータに応じたデータ電流Ｉｗを流す。
【００３０】
　これによって、電圧変換ＴＦＴ１２は短絡ＴＦＴ１６のオンによりゲートドレイン間が短絡され、電圧変換ＴＦＴ１２にデータ電流Ｉｗが流れる。また、電圧変換ＴＦＴ１２と駆動ＴＦＴ１４はカレントミラーを構成するため、この駆動ＴＦＴ１４にもデータ電流Ｉｗが流れる。なお、電圧変換ＴＦＴ１２と駆動ＴＦＴ１４のゲートサイズを変更すれば、そのサイズ比に応じた電流が駆動ＴＦＴ１４に流れる。
【００３１】
　有機ＥＬ素子５０は陽極から注入される正孔と陰極から注入される電子とが発光層内で再結合して発光分子が励起され、この発光分子が励起状態から基底状態に戻る際に発光する。有機ＥＬ素子５０の発光輝度は有機ＥＬ素子５０に供給される電流にほぼ比例しており、上述のように各画素ごとに決定されるデータ電流Ｉｗを有機ＥＬ素子５０に流す電流を流すことで、データ信号に応じた輝度で有機ＥＬ素子を発光し、表示装置全体で所望のイメージ表示が行われる。
【００３２】
　そして、この際に、電圧変換ＴＦＴ１２および駆動ＴＦＴ１４のゲート電圧がデータ電流Ｉｗに対応するものに設定され、保持容量Ｃがその電圧（電圧ＰＶＤＤに対し、低く電圧）に充電される。データラインＤａｔａに電流が流れなくなり、またその後にゲートラインＧＬがＬになることによって選択ＴＦＴ１０、短絡ＴＦＴ１６がオフされ、また電圧変換ＴＦＴ１２もオフするが、電圧変換ＴＦＴ１２および駆動ＴＦＴ１４のゲート電圧は保持容量Ｃによって保持される。従って、駆動ＴＦＴ１４には、同一の電流が流れ続け、有機ＥＬ素子５０の発光が継続される。
【００３３】
　次に、所定の発光時間が経過した場合には、イレーズラインＥＳＬ（例えば、ＥＳＬＢ）がＬにセットされる。これによって、イレーズＴＦＴ１８がオンし、保持容量Ｃの両端はともに電源ラインＰＶＤＤに接続されて放電され、駆動ＴＦＴ１４のゲートはＰＶＤＤとなりオフされる。これによって、有機ＥＬ素子５０の発光が停止される。
【００３４】
　なお、ゲートラインＧＬは、１フレームの表示期間に順次１つずつオンされ、これによって、そのゲートラインＧＬに接続されているその行の選択ＴＦＴ１０、短絡ＴＦＴ１６がオンする。この状態で、データラインＤａｔａは、１本ずつ順次駆動される。すなわち、駆動された１本のデータラインＤａｔａが表示データ（輝度データ）に応じたデータ電流Ｉｗを流す。これによって、データ電流Ｉｗが流れているデータラインＤａｔａに接続されている画素の電圧変換ＴＦＴ１２および駆動ＴＦＴ１４に電流が流れ、その画素の有機ＥＬ素子５０が発光を開始する。そして、このデータ電流Ｉｗが流れることによって、対応する電圧が保持容量Ｃに保持され、データ電流Ｉｗが停止された後にも駆動ＴＦＴ１４の電流は維持される。さらに、ゲートラインＧＬがＬとなり、選択ＴＦＴ１０、短絡ＴＦＴ１４がオフになった後も、駆動ＴＦＴ１４は電流を流し続ける。
【００３５】
　そして、上述のように、接続されているイレーズラインＥＳＬがＬにセットされることによって、駆動ＴＦＴ１４がオフされる。ここで、イレーズラインＥＳＬＲ，ＥＳＬＧ、ＥＳＬＢは、それぞれ別々のタイミングでＬにセットされる。これによって、Ｒ、Ｇ、Ｂの色の別に従って、発光時間が制御される。すなわち、１画素の有機ＥＬ素子が発光できるのは、１フレームにおいて、次に対応するゲートラインＧＬがＨになるまでの期間（１フレームの期間）である。本実施形態では、まずイレーズラインＥＳＬＧ（グリーン）、その後イレーズラインＥＳＬＢ（ブルー）、最後にイレーズラインＥＳＬＲの順でＬにセットされ画素の発光が停止される。これによって、各色において発光時間が異なる時間に設定される。これは、各色において、発光効率が異なるからであり、このように時間を異ならせることで、各色のバランスをとり、発光のホワイトバランスを設定することができる。従って、本実施形態においては、画素の発光面積はどの色でも同一でよい。なお、発光効率は発光材料に依存しており、その表示装置において用いた各色の発光効率に応じて発光時間を設定すればよい。
【００３６】
　図５には、ゲートラインＧＬ１と、３本のイレーズラインＥＳＬＲ１、ＥＳＬＧ１、ＥＳＬＢ１についてのタイミングチャートが示されている。このように、ゲートラインＧＬ１は、１フレームごとに一定期間Ｈとなる。そして、３本のイレーズラインＥＳＬＲ１、ＥＳＬＧ１、ＥＳＬＢ１は、ゲートラインＧ１がＨからＬになるタイミングでＨとなり、イレーズＴＦＴ１８をオフし、それぞれ異なるタイミングでＬになり、イレーズＴＦＴ１８をオンしてイレーズを行う。この例では、３本のイレーズラインＥＳＬＲ１、ＥＳＬＧ１、ＥＳＬＢ１は、順次この順序でＬに移行するため、レッドが発光期間が最も短く、次にグリーン、ブルーが最も発光期間が長くなっている。
【００３７】
　このように、本実施形態によれば、データラインＤａｔａのデータ電流Ｉｗが電圧変換ＴＦＴ１２に電流が流れることで、そのゲート電圧が決定され、そのゲート電圧に応じて駆動ＴＦＴ１４の電流量が決定される。そして、電圧変換ＴＦＴ１２と、駆動ＴＦＴ１４の不純物濃度などはほぼ同一にできるため、その電圧変換ＴＦＴ１２と、駆動ＴＦＴ１４のゲートサイズ比によって、駆動ＴＦＴ１４の電流量を信号データ電流Ｉｗに対し設定できる。そこで、パネル全体におけるＴＦＴの特性のバラツキの影響を排除して均質な表示が行えるという利点がある。そして、データラインＤａｔａからのデータ取り込みの際には、ゲートラインＧＬのみを駆動すればよく、電源、ドライバの負担を軽減することができる。さらに、イレーズラインＥＳＬにより、駆動ＴＦＴ１４のゲートを電源ＰＶＤＤまで確実に引き上げることができるため、駆動ＴＦＴ１４を確実にオフして、有機ＥＬ素子５０の黒表示を確実に行える。
【００３８】
　図２は、他の実施形態の構成を示す図であり、この例では、選択ＴＦＴ１０および短絡ＴＦＴ１６をｐチャンネルＴＦＴで形成してある。従って、ゲートラインＧＬをＬにすることによって、そのゲートラインＧＬが選択され、対応する選択ＴＦＴ１０および短絡ＴＦＴ１６がオンされる。その他の点は、上述の実施形態と同様である。
【００３９】
　この構成により、使用するＴＦＴがすべてｐチャンネルとなる。そこで、ＴＦＴを基板上に形成する時に、これを同一プロセスで作製することが可能になり、マスクの枚数を減少しコストダウンすることができる。この場合、画素領域の周辺に配置されるドライバ回路など周辺回路もすべてｐチャンネルＴＦＴで構成することが好適である。
【００４０】
　図３は、さらに他の実施形態の構成を示す図である。この例では、選択ＴＦＴ１０、電圧変換ＴＦＴ１２、駆動ＴＦＴ１４、短絡ＴＦＴ１６、イレーズＴＦＴ１８のすべてをｎチャンネルＴＦＴで構成している。そこで、電圧変換ＴＦＴ１２およびイレーズＴＦＴ１８のソースは、ともにグランドに接続され、保持容量Ｃの他端もグランドに接続されている。そして、データラインＤａｔａは、そのデータラインＤａｔａが選択されたときに、データに応じた定電流であるデータ電流Ｉｗを出力する。
【００４１】
　従って、ゲートラインＧＬをＨとして選択した状態で、データラインＤＬにデータ電流Ｉｗを流すと、このデータ電流Ｉｗが電圧変換ＴＦＴ１２に流れ、これに対応した電流が駆動ＴＦＴ１４に流れる。そして、このときの電圧変換ＴＦＴ１２のゲート電圧が保持容量Ｃによって保持され、駆動ＴＦＴ１４に流れる有機ＥＬ素子５０の駆動電流が決定される。このように、電圧変換ＴＦＴ１２によりゲート電圧を設定する際の基準がグランドに対する電圧になるだけであって、他は上述の実施形態と同一である。
【００４２】
　この構成により、使用するＴＦＴがすべてｎチャンネルとなる。そこで、ＴＦＴを基板上に形成する時に、これを同一プロセスで作製することが可能になり、マスクの枚数を減少しコストダウンすることができる。この場合、画素領域の周辺に配置されるドライバ回路など周辺回路もすべてｎチャンネルＴＦＴで構成することが好適である。
【００４３】
　なお、図１の実施形態におけるＴＦＴとは、反対に選択ＴＦＴ１０および短絡ＴＦＴ１６をｐチャンネル、その他の電圧変換ＴＦＴ１２、駆動ＴＦＴ１４、イレーズＴＦＴ１８をｎチャンネルにすることも可能である。この場合、図３の構成で、ゲートラインＧＬの極性を反対にすればよい。
【００４４】
　また、上述の例では、色によって表示期間を変更するフルカラー表示を行うため、イレーズラインＥＳＬをＲＧＢ用に各行３本設けたが、画素の発光面積を変更するなど他の手段でホワイトバランスをとる構成としたり、白色発光の場合には、イレーズラインＥＳＬを１本とし、すべてのイレーズＴＦＴ１８をイレーズラインＥＳＬに接続すればよい。なお、白色発光材料をＥＬ素子５０に用いても、カラーフィルタを配置することで、フルカラー表示が行える。
【００４５】
　図６には、図１の短絡ＴＦＴ１６のゲートにゲートラインＧＬに代えて、専用のライトラインＷｒｉｔｅＬｉｎｅを接続する実施形態の構成を示す。すなわち、図６の構成では、各ゲートラインＧＬと平行してライトラインＷｒｉｔｅＬｉｎｅが設けられており、このライトラインＷｒｉｔｅＬｉｎｅにその行の各画素の短絡ＴＦＴ１６のゲートが接続されている。
【００４６】
　この構成によれば、ゲートラインＧＬの選択のタイミングと独立してライトラインＷｒｉｔｅＬｉｎｅのレベルを制御することができる。
【００４７】
　図７には、ゲートラインＧＬ１、ライトラインＷｒｉｔｅＬｉｎｅ１、イレーズラインＥＳＬＲ１、ＥＳＬＧ１、ＥＳＬＢ１のタイミングチャートが示してある。この例では、ゲートラインＧＬ１と、ライトラインＷｒｉｔｅＬｉｎｅは同時に立ち上がり、ライトラインＷｒｉｔｅＬｉｎｅの方が先に立ち下がる。これによって、選択ＴＦＴ１０がオフした後に、短絡トランジスタ１６がオフしており、これによって、コンデンサＣに保持されたデータ電圧が放電されてしまうことを確実の防止できる。
【００４８】
　図８は、画素回路のＴＦＴをすべてｐチャンネルＴＦＴにした、図２に対応する構成であり、図９は画素回路のＴＦＴをすべてｎチャンネルＴＦＴにした、図３に対応する構成でる。これら構成によっても同様の動作が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】実施形態の構成を示す図である。
【図２】他の実施形態の構成を示す図である。
【図３】さらに他の実施形態の構成を示す図である。
【図４】従来例の構成を示す図である。
【図５】図１の実施形態における動作を示すタイミングチャートである。
【図６】さらに他の実施形態の構成を示す図である。
【図７】図６の実施形態における動作を示すタイミングチャートである。
【図８】さらに他の実施形態の構成を示す図である。
【図９】さらに他の実施形態の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００５０】
　１０　選択ＴＦＴ、１２　電圧変換ＴＦＴ、１４　駆動ＴＦＴ、１６　短絡ＴＦＴ、１８　イレーズＴＦＴ、５０　有機ＥＬ素子、Ｃ　保持容量。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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