(57)【要約】【課題】保護膜の開口部近傍における配線の腐食を抑制し、高信頼性を確保する。【解決手段】プロービングパッド部２やレーザートリミング部等、ウエハー検査の段階で保護膜（パッシベーション膜３）がダメージを受ける虞れのある部分において、保護膜の開口部３Ａ近傍から引き出される配線をポリシリコン配線４とする。ポリシリコン配線４は、水分が進入しても腐食により断線することはない。ポリシリコン配線４はアルミニウム配線に比べて若干抵抗値が高いので、回路特性を損なわないような高濃度のリンを拡散し、できるだけ抵抗値を下げる。【選択図】　図２
2004119720.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロービングパッド及びレーザートリミングパッドから引き出される配線をポリシリコン配線とすることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記ポリシリコン配線は、高濃度のリンが拡散され低抵抗化されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
上記プロービングパッドはアルミニウムからなり、このプロービングパッドと接続されて上記ポリシリコン配線が引き出されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
上記プロービングパッドは、１又は２層のアルミニウム膜から構成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
上記レーザートリミングパッドには、抵抗値調整用のポリシリコンフューズが配置されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
ポリシリコンからなる抵抗素子が上記ポリシリコンフューズと接続されていることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プロービングパッドやレーザートリミング等、ウエハー検査時に保護膜にダメージを与える虞れのある部分の配線に特徴のある半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置上に形成された半導体素子や配線等は、パッシベーション膜と称される保護膜によって表面が覆われ、水分の進入等、外部環境から保護されている
（例えば、
【特許文献１】参照）。
【０００３】
図５は、半導体装置の良否判定の検査を行うためのプロービングパッド部１００の概略構成を示すものであり、方形状のパッシベーション開口部１０１にプロービングパッド１０２が臨んでおり、このプロービングパッド１０２と接続されたアルミニウム配線１０３が内部回路を構成する図示しない半導体素子内に引き出されている。
【０００４】
図６は、レーザートリミング部の概略構成を示すものである。この例では、パッシベーション開口部１１１にトリミング対象となるポリシリコンフューズ１１２が露呈しており、これが抵抗素子であるポリシリコン抵抗１１３と接続されている。ポリシリコンフューズ１１２と接続される配線１１４や、ポリシリコンフューズ１１２とポリシリコン抵抗１１３とを繋ぐ配線１１５には、一般に抵抗値の低いアルミニウム配線が用いられる。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−３３２６２３号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記プロービングパッド部やレーザートリミング部においては、ウエハー検査等でパッシベーション膜にプローブ押圧やレーザーの高温によりダメージを与える虞れがあり、信頼性上、大きな問題となる。
【０００７】
上記ダメージを与えると、例えば上記図５に示すプロービングパッド部１００においては、例えばプローブ押圧によりパッシベーション膜の開口縁に沿った部分にクラック等が生じ、そこから水分の進入によるアルミニウム配線１０３の腐食が起こり、断線等の障害が発生する。同様に、上記図６に示すレーザートリミング部においても、レーザーの高温によるダメージによって、例えばアルミニウム配線に熱膨張が生じアルミニウム配線とポリシリコンとのコンタクト部１１６等においてパッシベーション膜にクラック等が生じ水分の進入による腐食が起こる。
【０００８】
本発明の目的は、このような従来の半導体装置の有する欠点を解消することにある。すなわち、本発明は、ウエハー検査及びレーザートリミングでのダメージを受け水分等が進入した場合にも、腐食を抑制することができ、高信頼性を確保することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明に係る半導体装置は、プロービングパッド及びレーザートリミングパッドから引き出される配線をポリシリコン配線とすることを特徴とする。
【００１０】
プロービングパッドやレーザートリミング等、ウエハー検査の段階で表面保護膜（パッシベーション膜）がダメージを受けると、ここから水分が進入して、アルミニウム配線を腐食する。本発明の半導体装置においては、腐食の可能性があるプロービングパッドやレーザートリミングパットから引き出す配線に、アルミニウム配線を使わずに耐腐食性のポリシリコン配線を用いている。したがって、水分が進入しても配線が腐食することはなく、断線等の障害の発生が大幅に抑制される。
【００１１】
なお、ポリシリコン配線はアルミニウム配線に比べて若干抵抗値が高いが、かかる問題は、配線として使用するポリシリコンに、回路特性を損なわないような高濃度のリンを拡散し、できるだけ抵抗値を下げることによって解消することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した半導体装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１３】
図１はプロービングパッド部の一例を示す平面図であり、図２はその断面図である。プロービングパッド部においては、基板１上にウエハー検査の際にテスト用プローブが接触される方形状のプロービングパッド２が設けられており、このプロービングパッド２に対応してパッシベーション膜３に開口部３Ａが設けられている。
【００１４】
このプロービングパッド２は、内部回路を構成する図示しない半導体素子等と接続する必要があり、したがって、プロービングパッド２の下からポリシリコン配線４が引き出されている。このポリシリコン配線４は、パッド対応部４Ａ及び引き出し配線部４Ｂからなり、パッド対応部４Ａにおいて、上記開口部３Ａよりも一回り小さなコンタクト部５によりアルミニウムからなるプロービングパッド２と接続されている。
【００１５】
ここで、引き出し配線として使用するポリシリコン配線４は、アルミニウム配線と比べて若干抵抗値が高い。そこで、配線として使用するポリシリコン配線４は、回路特性を損なわないように高濃度のリンを拡散し、できるだけ抵抗値を下げることが望ましい。また、ポリシリコン配線４とするのは、パッシベーション膜３がプローブによるダメージを受ける虞れのある領域のみとすればよく、その他の部分、例えばプローブ接触領域以外の配線はアルミニウム配線とすることも可能である。
【００１６】
上記構造のプロービングパッド部において、基板１の表面にはＳｉＯ２等からなる酸化膜６が絶縁膜として形成されており、またポリシリコン配線４上にもＳｉＯ２等からなる層間絶縁膜７が形成され、不用意な短絡等を防止する構造とされている。
【００１７】
上記プロービングパッド部において、ウエハー検査は検査回路に接続されたテスト用プローブをプロービングパッド２に接触させることにより行う。このとき、テスト用プローブとプロービングパッド２との間の接触抵抗を極力小さなものとするために、ある程度の加重を加えて接触を行う。したがって、例えばテスト用プローブに位置ずれ等が生ずると、開口部３Ａ周辺のパッシベーション膜３がダメージを受ける虞れがある。パッシベーション膜３がダメージを受けると、引き出し配線に水分が進入し、例えば引き出し配線がアルミニウム配線であると腐食が進行する。本例では、引き出し配線がポリシリコン配線４であり、水分が進入したとしても、腐食が起こることはない。
【００１８】
プロービングパッド部の構成としてはこれに限らず、例えばアルミニウムからなるパッドを２層構造とすることも可能である。図３は、プロービングパッドを２層のアルミニウムパッドで構成した例を示すものである。基本的な構造は図１及び図２に示すものと同様であり、アルミニウムからなるプロービングパッドが、第１パッド２Ａと第２パッド２Ｂの２層からなる点が異なる。
【００１９】
これら第１パッド２Ａと第２パッド２Ｂとは、例えばスルーホールを介して電気的に接続されており、第１パッド２Ａとポリシリコン配線４とはコンタクトを設けることにより導通されている。なお、プロービングパッドを２層としたことで、層間絶縁膜８が１層追加されている。この層間絶縁膜８もＳｉＯ２等からなる。
【００２０】
このようにプロービングパッドを２層にした場合にも、引き出し配線をポリシリコン配線４とすることで、腐食を回避することができる。
次に、レーザートリミング部の一例について説明する。図４は、パッシベーション開口部１１にレーザートリミングの対象としてポリシリコンフューズが形成された例を示すものである。
【００２１】
本例では、パッシベーション開口部１１にトリミング対象となるポリシリコンフューズ１２が露呈しており、これが抵抗素子であるポリシリコン抵抗１３と接続されている。パッシベーション開口部１１内に臨むポリシリコンフューズ１２をレーザーでトリミングすることにより、図示しない内部回路の抵抗値を調整することが可能となる。
【００２２】
ただし、レーザートリミングの際に、例えばレーザーによりパッシベーション膜にダメージが与えられ、ポリシリコンフューズ周辺のアルミニウム配線上のパッシベーション膜にクラック等が生じた場合、その箇所から水分が進入し該アルミニウム配線に腐食が起こる虞れがある。そこで、本例では、ポリシリコンフューズ１２と接続される配線１５や、ポリシリコンフューズ１２とポリシリコン抵抗１３とを繋ぐ配線１４をポリシリコン配線とし、コンタクト部にはアルミニウムを配置しないようにする。これにより、先の例と同様、腐食を防止することが可能である。
【００２３】
なお、本例においても、使用するポリシリコン配線は、回路特性を損なわないように高濃度のリンを拡散し、できるだけ抵抗値を下げることが望ましい。また、ポリシリコン配線とするのは、パッシベーション膜がダメージを受ける虞れのある領域のみとすればよく、その他の部分はアルミニウム配線とすることも可能である。
【００２４】
【発明の効果】
以上の説明からも明らかなように、本発明の半導体装置においては、プロービングパッドやレーザートリミング等、ウエハー検査時に保護膜にダメージを受ける虞れのある部分の配線にポリシリコン配線を用いているので、水分が進入しても腐食による断線等を抑えることができ、高信頼性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用したプロービングパッド部の一例を示す概略平面図である。
【図２】図１に示すプロービングパッド部の概略断面図である。
【図３】アルミニウムパッドを２層とした例を示す概略断面図である。
【図４】レーザートリミング部の一例を示す概略平面図である。
【図５】プロービングパッド部の従来例を示す概略平面図である。
【図６】レーザートリミング部の従来例を示す概略平面図である。
【符号の説明】
１　　　　　基板
２　　　　　プロービングパッド
３　　　　　パッシベーション膜
３Ａ　　　　開口部
４　　　　　ポリシリコン配線
１１　　　　パッシベーション開口部
１２　　　　ポリシリコンフューズ
１３　　　　ポリシリコン抵抗
１４，１５　配線（ポリシリコン配線）
【図１】
2004119720.tif 000003
【図２】
2004119720.tif 000004
【図３】
2004119720.tif 000005
【図４】
2004119720.tif 000006
【図５】
2004119720.tif 000007
【図６】
2004119720.tif 000008