(57)【要約】【課題】結晶配向したＡｇ或いはＡｇ合金基材上にＣＶＤ法によって酸化物超電導体を成膜する酸化物超電導体テープ線材において、前記Ａｇ基材表面の結晶粒界による凹みによる平坦性の低下によって、酸化物超電導層の連続性が損なわれるために電流パスが途切れて、臨界電流密度が小さくなる問題を解決することにある。【解決手段】結晶配向された銀或いは銀合金表面に銀微粒子が積層され、加熱溶融処理された酸化物超電導体用銀基材上に、化学的気相法によって酸化物超電導体が成膜された酸化物超電導体テープ線材とすることによって、解決される。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶配向された銀或いは銀合金表面に銀微粒子が堆積され、加熱処理された酸化物超電導体用銀基材上に、化学的気相法によって酸化物超電導体が成膜されたことを特徴とする、酸化物超電導体テープ線材。
【請求項２】
前記銀微粒子が、１０〜１００ｎｍの粒径であることを特徴とする、請求項１記載の酸化物超電導体テープ線材。
【請求項３】
前記Ａｇ微粒子が溶融された層の厚さが、１００〜５００ｎｍであることを特徴とする、請求項１または２のいずれかに記載の酸化物超電導体テープ線材。
【請求項４】
前記銀微粒子の層の加熱溶融温度が、４００℃以下で行われることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の酸化物超電導体テープ線材。
【請求項５】
前記酸化物超電導体がＣｕを含有する酸化物超電導体であって、前記Ａｇ微粒子の溶融層に近いほどＣｕ量を過剰にした酸化物超電導体の前駆体を積層して製造したことを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の酸化物超電導体テープ線材。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、超電導電力ケーブル、超電導マグネット、超電導エネルギー貯蔵、超電導発電装置、医療用ＭＲＩ装置、超電導電流リード等の分野において利用される、化学的気相法によって得られる、臨界電流密度の高い酸化物超電導体テープ線材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
酸化物超電導体の製造方法としては、レーザー蒸着法、化学的気相法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法などの気相法により、金属テープ等の長尺の基材上に連続的に酸化物系超電導層を形成する成膜法が知られている。このようなＣＶＤ法により製造された酸化物超電導体テープ線材の一例としては、銀（Ａｇ）からなる基材テープ上にＹＢａＣｕＯ系の酸化物超電導層が形成され、更にこの酸化物超電導層上にＡｇからなる表面保護層が形成されたものが知られている。このような酸化物超電導体テープ線材において、優れた超電導特性を得るためには、Ａｇ基材上に成膜した酸化物超電導層の２軸配向（面内配向）を実現することが重要である。そのためには、前記基材の格子定数を酸化物超電導層の格子定数に近づけることと、前記基材表面を構成する結晶粒が、疑似単結晶的に揃っていることが好ましい。そこで、このような問題を解決するために、圧延、熱処理により集合組織を形成したＡｇ基材が反応性が小さく、基材上に直接酸化物超電導層を形成することができる唯一の金属材料であり、さらには非磁性、低抵抗であるという特徴も有していることから、基材自身が安定化層としても機能するコンパクトなテープ線材構造を実現できるものとして、期待されている。
【０００３】
このような圧延、熱処理により集合組織を形成したテープ状のＡｇ基材としては、基材表面に（１００）面を、長手方向に＜００１＞を優先的に配向させた立方体集合組織を有するＡｇ（１００）＜００１＞、あるいは、基材表面に（１１０）面を、長手方向に＜１１０＞を優先的に配向させた立方体集合組織を有するＡｇ（１１０）＜１１０＞などであり、これらのうちでも、ＹＢａＣｕＯ系の酸化物超電導体との格子のマッチングを考慮すると、Ａｇ（１１０）＜１１０＞の配向Ａｇ基材が有望視されている。しかしながら、このような立方体集合組織を有するＡｇテープは、圧延による機械加工後の配向化熱処理温度が６００℃以上の高温のために、結晶と結晶の粒界に凹みを生じ、表面の平坦性が低下することがある。このような平坦性が悪い上に例えばＹＢａＣｕＯ系の酸化物超電導体を成膜すると、前記酸化物超電導層の平坦性も損なわれ、Ａｇの結晶粒界が存在する個所に相当する部分での電流パスが途切れてしまい、結果としてテープ線材の最大輸送電流の低下が生じることになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
よって本発明が解決しようとする課題は、結晶配向したＡｇ或いはＡｇ合金基材上にＣＶＤ法によって酸化物超電導体を成膜する酸化物超電導体テープ線材において、前記Ａｇ基材表面の結晶粒界による凹みによる平坦性の低下によって、酸化物超電導層の連続性が損なわれるために電流パスが途切れて、臨界電流密度が小さくなる問題を解決することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するためには、請求項１に記載されるように、結晶配向された銀或いは銀合金表面に銀微粒子が積層され、加熱溶融処理された酸化物超電導体用銀基材上に、化学的気相法によって酸化物超電導体が成膜された酸化物超電導体テープ線材とすることによって、解決される。
【０００６】
また請求項２に記載されるように、前記銀微粒子が、１０〜１００ｎｍの粒径であること、さらに請求項３に記載されるように、前記Ａｇ微粒子の溶融層の厚さが、１００〜５００ｎｍとした酸化物超電導体テープ線材とすることによって、解決される。
【０００７】
さらにまた請求項４に記載されるように、前記銀微粒子の層の加熱溶融温度を、４００℃以下とした酸化物超電導体テープ線材とすることによって、解決される。
【０００８】
また請求項５に記載されるように、前記酸化物超電導体がＣｕを含有する酸化物超電導体であって、前記Ａｇ微粒子の溶融層に近いほどＣｕ量を過剰にした酸化物超電導体の前駆体を積層して製造した、酸化物超電導体テープ線材とすることによって、解決される。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下に本発明を詳しく説明する。まず請求項１に記載される発明は、結晶配向された銀或いは銀合金表面に銀微粒子が堆積され、加熱処理された酸化物超電導体用銀基材上に、化学的気相法（ＣＶＤ法）によって酸化物超電導体が成膜された酸化物超電導体テープ線材に関するもので、このように結晶配向されたＡｇ或いはＡｇ合金表面上を、Ａｇ微粒子の加熱溶融層で覆うことによって、平坦性が維持されることになり、その上に設ける酸化物超電導体も欠陥のない臨界電流密度が高いものとすることができる。
【００１０】
すなわち、前記酸化物超電導体用Ａｇ基材４について述べると、図１に記載されるように結晶配向された表面１を有するＡｇ基材２であって、圧延集合組織を有するものである。このような圧延集合組織としては、Ａｇ基材２の表面１に（１００）面を、長手方向に＜００１＞を優先的に配向させた立方体集合組織を有する（１００）＜００１＞集合組織、基材表面１に（１１０）面を、長手方向に＜１１０＞を優先的に配向させた立方体集合組織を有する（１１０）＜１１０＞集合組織、基材表面に（１１０）面を、長手方向に＜００１＞を優先的に配向させた立方体集合組織を有する（１１０）＜００１＞集合組織のいずれかとすることが好ましい。このように立方体集合組織を有する配向Ａｇ表面１を形成したＡｇ基材２を用いることで、特にＹＢａＣｕＯ系の酸化物超電導体層５を形成する際に、前記基材表面の結晶の格子定数と、酸化物超電導体層の格子定数とを近づけることができるので、基本的には形成される酸化物超電導体層の結晶性を向上させ、優れた超電導特性を備えたものとすることができる。
【００１１】
しかしながら前記立方体集合組織は、６００℃以上の配向熱処理によって製造すると、結晶と結晶の粒界が凹みを生じることがあり、表面１の平坦性が低下することがある。このような状態で、この上に例えばＹＢａＣｕＯ系の酸化物超電導体層５を成膜すると、前記酸化物超電導体層も平坦性が損なわれ、電流パスが途切れて臨界電流密度が低下することが見られた。そこでこの問題を解決するために種々の検討を行った結果、前記結晶配向表面１にＡｇ微粒子からなる加熱溶融層３を設けると、配向表面１を平坦化させることができることがわかった。そして、用いるＡｇ微粒子は請求項２に記載するように、その大きさを１０〜１００ｎｍとすることによって、また請求項４に記載するように、従来６００℃以上で行っていたものであっても、加熱温度を３５０℃程度まで低下さて溶融しても、問題を生じないことが確認された。しかもこの溶融加熱処理によって、Ａｇ基板２の結晶配向された面１もこの温度処理で、その表面性がそのままこのＡｇ溶融層３に反映されて、平滑化なものとなりかつ一体化のものとなる。このような表面は、この上に酸化物超電導層５を成膜しても、得られる超電導層に凹みによる欠陥がないものとなり、臨界電流密度の低下もないものである。通常前記温度は３５０〜４００℃程度で行われる。これは溶融時間との関係もあるが、このような範囲で行うことが好ましい。
【００１２】
また前記Ａｇ微粒子からなる溶融層３は、請求項３に記載されるように、その厚さを１００〜５００ｎｍとすることが好ましい。これは、１００ｎｍ未満だとＡｇ微粒子の凝集が生じて好ましくなく、また５００ｎｍを越えるとＡｇ微粒子自体の形状を反映した表面平滑度となってしまい、十分な平滑度が得られず目的とする平坦表面を得られなくなるためである。このようなＡｇ溶融層３上に成膜される酸化物超電導体は、Ｃｕを含むものでＹ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘなる組成のイットリウム（Ｙ）系の酸化物超電導体や、Ｌａ２−ｘＢａｘＣｕＯ４なる組成式で代表されるランタン（Ｌａ）系、Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａｎ−１ＣｕｎＯ２ｎ＋２（ｎは自然数）なる組成式で代表されるビスマス（Ｂｉ）系、Ｔｌ２Ｂａ２Ｃａｎ−１ＣｕｎＯ２ｎ＋２（ｎは自然数）なる組成式で代表されるタリウム（Ｔｌ）系のものなどＣｕを含む高温酸化物超電導体である。中でもＹ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘなる組成のイットリウム（Ｙ）系の酸化物超電導体が好ましい。
【００１３】
なお、前記圧延集合組織を有するＡｇ基材２は、全体が銀或いは銀合金からなるものの他に、圧延が施されたＡｇ箔等をハステロイ（ＮｉＣｒＭｏ合金）、Ｎｉ、インコネル、ステンレス鋼などの高温強度に優れる材料ハステロイなどの高強度金属からなる金属母材またはバリア層に貼り合わせた後に、熱処理を施して集合組織化したものであっても良く、圧延を施したＡｇ箔に予め熱処理を施して圧延集合組織をＡｇ箔中に形成し、この圧延集合組織を有するＡｇ箔を金属母材またはバリア層に貼合わせて形成しても良い。なお、バリア層を備えていない基材におけるＡｇ層の膜厚は、１０μｍ〜２００μｍの範囲がよい。２００μｍを越える場合には、Ａｇの使用量が多くなり、基材としてのコストが高くなり好ましくない。一方、バリア層を備えた基材においては、このバリア層によって前記金属母材の元素の拡散を抑制することができるので、Ａｇ層の膜厚をより薄く形成することができる。従って、Ａｇ層の厚さは５μｍ以上、１０μｍ以下とされる。これは、Ａｇ層の厚さが、５μｍ未満であるとＡｇ層をバリア層に貼合わせるのが困難であり実用上好ましくない。また、１０μｍを越える場合には、基材コストの増加につながるので好ましくない。このようなバリア層を構成する材料としては、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ等の金属や、ＭｇＯ、ＹＳＺ（イットリア安定化ジルコニア）、ＣｅＯ２等の酸化物を用いることができる。また、前記金属母材の厚さは、目的に応じて適宜変更すればよいが、５０μｍ〜２００μｍ程度とするのがよい。
【００１４】
また、前記酸化物超電導体をＣＶＤ法により生成させるための原料溶液は、酸化物超電導体を構成する金属錯体を溶媒中に分散させたものが好ましい。具体的には、Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘなる組成のＹ系の酸化物超電導体層を形成する場合は、Ｂａ−ビス−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン−ビス−１，１０−フェナントロリン（Ｂａ（ｔｈｄ）２・ｐｈｅｎ２）と、Ｙ（ｔｈｄ）２と、Ｃｕ（ｔｈｄ）２などの金属錯体を使用することができ（ｐｈｅｎ＝フェナントロリン）、他にはＹ−ビス−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート（Ｙ（ＤＰＭ）３）と、Ｂａ（ＤＰＭ）２、Ｃｕ（ＤＰＭ）２などの金属錯体を用いることができ、目的の組成に応じた金属錯塩を用いて上述のＣＶＤ法を実施すればよい。ここで例えば、Ｙ系以外の酸化物超電導体層を製造する場合には、必要な組成系に応じて、トリフェニルビスマス（ＩＩＩ）、ビス（ジピバロイメタナト）ストロンチウム（ＩＩ）、ビス（ジピバロイメタナト）カルシウム（ＩＩ）、トリス（ジピバロイメタナト）ランタン（ＩＩＩ）等の金属錯塩を適宜用いてそれぞれの系の酸化物超電導体層の製造に供することができる。
【００１５】
さらに請求項５に記載される発明のように、前記酸化物超電導体がＣｕを含有する酸化物超電導体を、前記Ａｇ微粒子の溶融層に近いほどＣｕ量を過剰にした酸化物超電導体の前駆体を積層して製造した酸化物超電導体テープ線材とすることによって、このような製法によって得られた酸化物超電導体は、その組成が理論値に近い構成のものとすることができる。このような製法の酸化物超電導体テープ線材の製造装置の一例について、図２を参照して簡単に説明する。この図２に示すＣＶＤ製造装置は、基本的に略同等の構造を有する３個の前記反応生成室６Ａ、６Ｂ、６Ｃを備えたもので、前記反応生成室内においてＡｇ微粒子溶融層３が形成されたテープ状のＡｇ基材４上に、順次Ｃｕ濃度を過剰にした酸化物超電導体の前駆体（組成原料）を、供給しながら酸化物超電導体層５を連続して積層形成できるようになっている。すなわち、横長の両端を閉じた筒型の石英製のリアクタ７を有し、このリアクタは、隔壁によって左側から順に基材導入部８と前記反応生成室と、基材導出部９に区画されており、複数の隔壁によって、上記反応生成室が分割されて、それぞれが互いに略同等の構造とされる。従って、このリアクタでは反応生成室が送り込まれる前記テープ状のＡｇ基材の移動方向に直列に設けられていることになる。尚、リアクタを構成する材料は、石英に限らずステンレス鋼などの耐食性に優れた金属であっても良い。また、上記の例では、３個の反応生成室を配置して酸化物超電導層を形成する場合について説明したが、１個の反応生成室によって製造することも可能であるし、２個または多数配置したものでも良い。
【００１６】
また、上記隔壁の下部中央には、長尺のテープ状基材４が通過可能な通過孔がそれぞれ形成されていて、前記リアクタ７の内部には、その中心部を横切る形で基材搬送領域が形成されている。さらに、前記基材導入部８にはテープ状の前記基材を導入するための導入孔が形成されるとともに、前記基材導出部９には前記基材を導出するための導出孔が形成されている。また、導入孔と導出孔の周縁部には、前記基材を通過させている状態で各孔の隙間を閉じて前記基材導入部と前記基材導出部を気密状態に保持するための封止機構が設けられている。また、前記各反応生成室の天井部には、略角錐台型のガス拡散部１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃが取り付けられている。これらのガス拡散部は、リアクタに取り付けられたガス拡散部材と、このガス拡散部材の天井壁に接続され、拡散層または酸化物超電導体の原料ガスをガス拡散部材に供給するガス導入管１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃと、ガス導入管の先端部に設けられたスリットノズルを具備して構成されている。また、ガス拡散部材の底面は、細長い長方形状の開口部とされ、この開口部を介して前記ガス拡散部材が前記各反応生成室に連通されている。また境界室の天井部には、遮断ガス供給手段が供給管を介して接続され、反応生成室どうしを遮断するための遮断ガスを供給できるようになっている。この遮断ガスとして例えばアルゴンガスが選択される。
【００１７】
一方、前記各反応生成室の下方には、基材搬送領域の長さ方向に沿って貫通するように排気室１２が設けられている。そして、この排気室の上部には、基材搬送領域に通されたテープ状の基材４の長さ方向に沿って細長い長方形状のガス排気孔が前記基材の両側に形成されている。また、排気室の下部には複数本の排気管１３がそれぞれ接続されており、これらの排気管は、図示しない真空ポンプを備えた圧力調整装置に接続されている。さらに前記リアクタ７の外部には、加熱ヒータが、更にリアクタの前記基材導入部８が不活性ガス供給源に、また、前記基材導出部９が酸素ガス供給源にそれぞれ接続されている。さらにまた、前記ガス拡散部の天井壁に接続された各原料ガス導入管は、ガスミキサを介して、酸化物超電導体の原料ガス供給手段の原料ガスの気化器（原料ガスの供給源）に接続されている。さらに液体原料供給装置は、管状の原料溶液供給部と、この供給部の外周を取り囲んで設けられた筒状のキャリアガス供給部とから概略構成された２重構造のものである。原料溶液供給部は、原液供給装置から送り込まれてくる原料溶液を気化器の内部に供給するものである。キャリアガス供給部は、原料溶液供給部との隙間に前述の原料溶液を噴出するためのキャリアガスを流すためのもので、キャリアガス供給部内にアルゴンガス、ヘリウムガス、窒素ガスなどのキャリアガスを供給できるように構成されるものである。
【００１８】
さらに、前記リアクタ７の基材導入部８の側部側（前段側）には、図示しないテープ状の基材４をＣＶＤ反応装置に供給するためのテンションドラムと送出ドラムとからなる基材搬送機構が設けられている。このテンションドラムと送出ドラムは正逆回転自在に構成されている。また、リアクタ７の基材導出部９には、リアクタ内の基材搬送領域を通過するテープ状の基材を巻き取るためのテンションドラムと、巻取ドラムとからなる基材搬送機構が設けられている。このテンションドラムと、巻取ドラムも正逆回転自在に構成されている。このような機構を設けることによって、テープ線材は連続して製造することが可能となる。
【００１９】
また、本発明のＣｕを含む多層の酸化物超電導体テープ線材は、Ａｇ上に直接生成する酸化物超電導層のＣｕ含有量が、その上に順次形成する前記酸化物超電導層のＣｕ含有量よりも高い濃度の酸化物超電導層としたので、前記基材のＡｇ中にＣｕ元素が拡散しても、目的とする組成の酸化物超電導体層が得られると共に、その上に順次生成する酸化物超電導体層も、目的とする組成の酸化物超電導体を有するテープ線材とすることができる。上述のようにして形成された酸化物超電導体層上にさらに銀などからなる安定化層（保護層としても作用する）をスパッタ法や蒸着法などにより形成すると、安定化層を備えた酸化物超電導体と同等のものを得ることができる。また、この安定化層は、図２に示す製造装置の反応生成室６Ａ、６Ｂ、６Ｃの１個または複数個、さらには専用の保護層形成室を配置して、気相法等により形成することもできる。このような構成とすれば、安定化層（保護層を含む）を備えた酸化物超電導体を上記製造装置において連続して製造することができる。
【００２０】
【実施例】
以下に本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。厚さ０．２ｍｍの純Ａｇテープを圧延方法によって製造し、これを７２０℃で５時間加熱保持して（１１０）＜１１０＞の配向化Ａｇテープを得た。この配向処理されたＡｇテープを用いて、この上にＡｇ微粒子の溶融による膜を形成し、ついでＹ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ酸化物超電導体テープ線材を製造して、その臨界電流密度を液体窒素中で測定した。なお、前記酸化物超電導体の製造はＣＶＤ法によるものである。そして、前記超電導体テープ線材の製造条件は、Ａｇ微粒子の粒径を１０〜５０ｎｍの範囲でメタノールと混合して塗布、またそれによって得られる膜厚を１００〜５００ｎｍの範囲で、さらに溶融加熱温度を３５０〜４００℃の範囲でそれぞれ変えて行ったものである。また、ＣＶＤ法による前記Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ酸化物超電導体は、成膜後酸素気流中で５００℃、１時間の熱処理を行ったものであり、膜厚は、０．３μｍとした。結果は、表１に示す。
【００２１】
【表１】
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【００２２】
表１から明らかなとおり、本発明の範囲に属する酸化物超電導体テープ線材は臨界電流密度が４０万Ａ／ｃｍ２以上のものが得られ、これは実用的な特性のものであり、結晶配向Ａｇ面の影響を受けないものであることがわかる。すなわち、実験例２〜８に示されるように、Ａｇ微粒子の粒径が１０〜１００ｎｍ、その溶融層の厚さが１００〜５００ｎｍ、溶融温度が３５０〜４００℃のものが好ましいものであることが判る。これに対して、Ａｇ微粒子の粒径が１０ｎｍであり溶融温度が４００℃であっても、溶融層の厚さが７０ｎｍの実験例１場合には、臨界電流密度が１５万Ａ／ｃｍ２と低下している。また、Ａｇ微粒子の粒径が２００ｎｍ、その溶融層の厚さが５００ｎｍで溶融温度が４００℃であっても、溶融時間が２時間（実験例９）または５時間（実験例１０）の場合には、酸化物超電導体テープ線材の臨界電流密度が、８〜１０万Ａ／ｃｍ２程度と１桁も低下している。これは、この酸化物超電導体に欠陥が存在していることを示すものと考えられる。よって、本発明の製造条件を満足する酸化物超電導体テープ線材とすべきである。
【００２３】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、結晶配向された銀或いは銀合金表面に銀微粒子が堆積され、加熱処理された酸化物超電導体用銀基材上に、化学的気相法によって酸化物超電導体が成膜された酸化物超電導体テープ線材とすること、また前記銀微粒子が、１０〜１００ｎｍの粒径であること、さらに前記Ａｇ微粒子が堆積された層の厚さが、１００〜５００ｎｍとした酸化物超電導体テープ線材とすることによって、結晶配向された銀基材表面の結晶粒界による凹みによる平坦性の問題を解決して、酸化物超電導層に欠陥のない臨界電流密度が高い酸化物超電導体テープ線材を製造することが可能となる。しかもこのような製造条件は、比較的安価に行えるものであるから、実用的なものでもある。
【００２４】
また、前記の酸化物超電導体形成用基材を用いて、Ｃｕを含有する酸化物超電導体を前記Ａｇ微粒子の溶融層に近いほどＣｕ量を過剰にした酸化物超電導体の前駆体（組成物）を順次積層して製造すると、Ａｇ中に熱処理時にＣｕが拡散しても得られた酸化物超電導体は、酸化物超電導体の各成分の組成値がより理論値に近いものとすることができ、より好ましい構成のものとすることができる。すなわち、前述の酸化物超電導体テープ線材の製造装置を用いて製造することによって、Ｃｕを含む酸化物超電導体テープ線材は、理論値の酸化物超電導体であり、その酸化物超電導体の層も欠陥がない、臨界電流密度の高い強度的にも優れたものとすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の酸化物超電導体テープ線材の概略断面図である。
【図２】図２は、本発明に係る酸化物超電導テープ線材の製造装置の一例を示す断面概略図である。
【符号の説明】
１　　結晶配向された銀表面
２　　銀基材
３　　銀微粒子の溶融層
４　　酸化物超電導体形成用基材
５　　酸化物超電導層
６Ａ、６Ｂ、６Ｃ　　反応生成室
７　　リアクタ
８　　基材導入部
９　　基材導出部
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ　　ガス拡散部
１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ　　ガス導入管
１２　　排気室
１３　　排気管
【図１】
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【図２】
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