(57)【要約】【課題】手作業によるクリーニング作業等を必要とすることなく、真空吸着装置の載置部等に付着したパーティクルを除去することができ、かつ、簡易な構成でかかるパーティクルの除去を実現することにより装置構造の複雑化や製造コストの増大化を抑制することのできる真空吸着装置、基板搬送装置及び基板処理装置を提供する。【解決手段】半導体ウエハＷを吸着保持して搬送する際には、切換バルブ５を吸引源４側に切り換えて、吸引路３、吸引路１ａを介して吸引口２ｃの吸引を行い、載置部２上に半導体ウエハＷを吸着保持する。載置部２のクリーニングを行う場合は、切換バルブ５を清浄用気体供給源６側に切り換えて、清浄用気体供給源６から、吸引路３、吸引路１ａを介して清浄用気体（例えば、空気、窒素ガス等）を供給し、吸引口２ｃから噴出させる。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を載置する基板載置部と、前記基板載置部に設けられた吸引口及びこの吸引口に接続された吸引路とを有し、前記吸引路を介して真空引きすることにより、前記基板載置部に前記基板を真空吸着する真空吸着装置であって、
前記吸引路を介して前記吸引口から清浄用気体を噴出させ、前記基板載置部に付着した塵埃を除去するクリーニング機構を具備したことを特徴とする真空吸着装置。
【請求項２】
請求項１記載の真空吸着装置において、
前記クリーニング機構は、前記吸引路の途中に介挿された切換バルブによって、吸引源と清浄用気体供給源とを切り換えるよう構成されたことを特徴とする真空吸着装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の真空吸着装置において、
前記基板載置部が、アモルファスカーボン又はＳｉＣ又はＳｉから構成されたことを特徴とする真空吸着装置。
【請求項４】
基板を搬送するためのアームと、前記アームの先端部に設けられ、基板を載置する基板載置部が設けられたピックと、前記基板載置部に設けられた吸引口及びこの吸引口に接続された吸引路とを有し、前記吸引路を介して真空引きすることにより、前記基板載置部に前記基板を真空吸着するよう構成された基板搬送装置であって、
前記吸引路を介して前記吸引口から清浄用気体を噴出させ、前記基板載置部に付着した塵埃を除去するクリーニング機構を具備したことを特徴とする基板搬送装置。
【請求項５】
請求項４記載の基板搬送装置において、
前記クリーニング機構は、前記吸引路の途中に介挿された切換バルブによって、吸引源と清浄用気体供給源とを切り換えるよう構成されたことを特徴とする基板搬送装置。
【請求項６】
請求項４又は５記載の基板搬送装置において、
前記基板載置部が、アモルファスカーボン又はＳｉＣ又はＳｉから構成されたことを特徴とする基板搬送装置。
【請求項７】
請求項４〜６いずれか１項記載の基板搬送装置において、
前記クリーニング機構によって、前記吸引口から清浄用気体を噴出させる際に、前記吸引口を対向させて配置可能とされた清浄用気体反射用部材を有することを特徴とする基板搬送装置。
【請求項８】
請求項７記載の基板搬送装置において、
前記ピックが上下方向に間隔を設けて複数設けられ、これらのピックに対応して前記清浄用気体反射用部材が複数設けられていることを特徴とする基板搬送装置。
【請求項９】
請求項７又は８記載の基板搬送装置において、
前記基板を、前記清浄用気体反射用部材として用いるよう構成されたことを特徴とする基板搬送装置。
【請求項１０】
請求項４〜９いずれか１項記載の基板搬送装置と、前記基板搬送装置によって搬送された基板に所定の処理を施す基板処理機構とを具備したことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハやＬＣＤ用基板等の基板の真空吸着装置、基板搬送装置及び基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、半導体ウエハやＬＣＤ用基板等の基板を搬送したり、処理したりする際には、かかる基板を固定するための機構として、真空吸着装置が使用されている。
【０００３】
すなわち、このような真空吸着装置では、基板が載置される載置部に、吸引路によって真空ポンプ等の吸引源に接続された吸引口が設けられている。そして、吸引源から吸引路を介して吸引口の吸引を行うことにより、載置部上に載置された基板を真空吸着するようになっている。
【０００４】
上記のような真空吸着装置では、吸引を行うことによって、吸引口が設けられた載置部等に周囲の塵埃（所謂パーティクル）が引き付けられて付着することがある。このように載置部等にパーティクルが付着すると、真空漏れを起こして吸着力の低下を招いたり、パーティクルが基板に付着して汚染の原因となるという問題が発生する。
【０００５】
このため、真空吸着装置では、従来から載置部等を定期的に手作業でクリーニングすることが行われている。
【０００６】
また、真空吸着装置が設けられた基板搬送装置を有する基板処理装置では、基板処理装置中に、気体供給方式や、スクラブ方式の専用の洗浄機構を設け、基板搬送装置の洗浄部分をこの洗浄機構内に移動させて洗浄するよう構成されたものもある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１０−２５６３４５号公報（第４−５頁、第２−６図）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述したとおり、従来においては、真空吸着装置の載置部等に付着したパーティクルを除去するため、定期的に手作業でクリーニングすることが行われており、装置の稼働率の低下を招くという問題があった。また、専用の洗浄機構を設けた場合、手作業によるクリーニングは必要ないものの、専用の洗浄機構を設けるために、装置全体の部品点数も多くなり、装置の構造が複雑となるとともに、装置の製造コストが増大するという問題が発生する。
【０００９】
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので、手作業によるクリーニング作業等を必要とすることなく、真空吸着装置の載置部等に付着したパーティクルを除去することができ、かつ、簡易な構成でかかるパーティクルの除去を実現することにより装置構造の複雑化や製造コストの増大化を抑制することのできる真空吸着装置、基板搬送装置及び基板処理装置を提供しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１の真空吸着装置は、基板を載置する基板載置部と、前記基板載置部に設けられた吸引口及びこの吸引口に接続された吸引路とを有し、前記吸引路を介して真空引きすることにより、前記基板載置部に前記基板を真空吸着する真空吸着装置であって、前記吸引路を介して前記吸引口から清浄用気体を噴出させ、前記基板載置部に付着した塵埃を除去するクリーニング機構を具備したことを特徴とする。
【００１１】
請求項２の真空吸着装置は、請求項１記載の真空吸着装置において、前記クリーニング機構は、前記吸引路の途中に介挿された切換バルブによって、吸引源と清浄用気体供給源とを切り換えるよう構成されたことを特徴とする。
【００１２】
請求項３の真空吸着装置は、請求項１又は２記載の真空吸着装置において、前記基板載置部が、アモルファスカーボン又はＳｉＣ又はＳｉから構成されたことを特徴とする。
【００１３】
請求項４の基板搬送装置は、基板を搬送するためのアームと、前記アームの先端部に設けられ、基板を載置する基板載置部が設けられたピックと、前記基板載置部に設けられた吸引口及びこの吸引口に接続された吸引路とを有し、前記吸引路を介して真空引きすることにより、前記基板載置部に前記基板を真空吸着するよう構成された基板搬送装置であって、前記吸引路を介して前記吸引口から清浄用気体を噴出させ、前記基板載置部に付着した塵埃を除去するクリーニング機構を具備したことを特徴とする。
【００１４】
請求項５の基板搬送装置は、請求項４記載の基板搬送装置において、前記クリーニング機構は、前記吸引路の途中に介挿された切換バルブによって、吸引源と清浄用気体供給源とを切り換えるよう構成されたことを特徴とする。
【００１５】
請求項６の基板搬送装置は、請求項４又は５記載の基板搬送装置において、前記基板載置部が、アモルファスカーボン又はＳｉＣ又はＳｉから構成されたことを特徴とする。
【００１６】
請求項７の基板搬送装置は、請求項４〜６いずれか１項記載の基板搬送装置において、前記クリーニング機構によって、前記吸引口から清浄用気体を噴出させる際に、前記吸引口を対向させて配置可能とされた清浄用気体反射用部材を有することを特徴とする。
【００１７】
請求項８の基板搬送装置は、請求項７記載の基板搬送装置において、前記ピックが上下方向に間隔を設けて複数設けられ、これらのピックに対応して前記清浄用気体反射用部材が複数設けられていることを特徴とする。
【００１８】
請求項９の基板搬送装置は、請求項７又は８記載の基板搬送装置において、前記基板を、前記清浄用気体反射用部材として用いるよう構成されたことを特徴とする。
【００１９】
請求項１０の基板処理装置は、請求項４〜９いずれか１項記載の基板搬送装置と、前記基板搬送装置によって搬送された基板に所定の処理を施す基板処理機構とを具備したことを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を、図面を参照して実施の形態について説明する。
【００２１】
図１は、本発明を半導体ウエハＷの搬送を行う基板搬送装置に適用した実施形態の要部構成を示すもので、同図において、１は半導体ウエハＷ（図１には図示せず。）を保持するためのピックを示している。このピック１は、後述するローダアームＬＡ１、ＬＡ２の先端部に配設されており、ローダアームＬＡ１、ＬＡ２を回転、伸縮、水平動及び上下動させることによって、ピック１上に保持された半導体ウエハＷを搬送するようになっている。
【００２２】
上記ピック１は、薄板状の部材から構成されており、先端側が二股に分かれ、二本の指を有するフォーク状の形状とされている。そして、ピック１の上側面には、二本の指に相当する部分の先端部と、これらの指の根元部分の合計３箇所に、それぞれ載置部２が設けられている。
【００２３】
上記載置部２は、導電性の材料であって、かつ、ある程度の硬度を有する材料、例えば、アモルファスカーボン、ＳｉＣ、Ｓｉ等から構成されている。
【００２４】
上記のように、載置部２を導電性の材料から構成するのは、静電気によって載置部２にパーティクルが吸着してしまうことを防止するためである。また、載置部２をある程度の硬度を有する材料から構成するのは、載置部２を硬度の低い柔らかい材料から構成すると、パーティクルが載置部２の表面に埋め込まれたような状態となって、パーティクルを除去するのが困難になることがあり、このような状態となることを防止するためである。
【００２５】
上記載置部２の形状は、図２，３に示すような形状に限定されるものではなく、適宜変更することが可能であるが、半導体ウエハＷとの接触面積が少ない方が好ましく、かつ、半導体ウエハＷを確実に吸着できる形状とすることが好ましい。図２，３に示す載置部２の場合、外径が略円板状とされており、その外周側載置面２ａと、この外周側載置面２ａの内側部に間隔を設けて配設された内周側載置面２ｂとからなる同心円状に２重に設けられた載置面によって半導体ウエハＷを保持するように構成されている。
【００２６】
また、載置部２の中心部には、吸引口２ｃが設けられており、この吸引口２ｃは、ピック１の本体内に設けられた吸引路１ａと連通されている。吸引路１ａは、図１に示すように、各載置部２に対応して夫々設けられており、これらの吸引路１ａは、マニホールド１ｂにおいて、連通されている。そして、マニホールド１ｂと、真空ポンプ等から構成された吸引源４との間は、一本の吸引路３によって接続されている。
【００２７】
また、吸引路３の途中には、切換バルブ５が設けられており、この切換バルブ５によって、吸引源４と清浄用気体供給源６とを切り換えることができるようになっている。
【００２８】
そして、半導体ウエハＷを吸着保持して搬送する際には、図１に示した切換バルブ５を吸引源４側に切り換えて、吸引路３、吸引路１ａを介して吸引口２ｃの吸引を行い、図４に矢印で示すように、載置部２上に半導体ウエハＷを吸着保持する。
【００２９】
一方、載置部２のクリーニングを行う場合は、図１に示した切換バルブ５を清浄用気体供給源６側に切り換えて、清浄用気体供給源６から、吸引路３、吸引路１ａを介して清浄用気体（例えば、空気、窒素ガス等）を供給し、吸引口２ｃから噴出させる。そして、吸引口２ｃから噴出した清浄用気体の気流により、載置部２に付着したパーティクルを除去する。
【００３０】
上記のような載置部２のクリーニングを行う場合、図５に示すように、ピック１を、清浄用気体反射用部材１０に近接対向させ、図中矢印で示すように、吸引口２ｃから噴出させた清浄用気体が、この清浄用気体反射用部材１０で反射して載置部２に当たるようにすることにより、載置部２に付着したパーティクルをより効率良く確実に除去することができる。
【００３１】
なお、図５に示した清浄用気体反射用部材１０は、平板状となっているが、清浄用気体反射用部材１０の形状は、かかる平板状のものに限定されるものではなく、適宜凹凸を設けたものや、傾斜面を設けたものを使用することができる。このように、清浄用気体反射用部材１０の反射面の形状を変更することによって、載置部２に当たる気流を制御することができる。
【００３２】
また、清浄用気体反射用部材１０として、ピック１に保持された半導体ウエハＷを用いることもできる。すなわち、ピック１に半導体ウエハＷを吸着保持した状態で、切換バルブ５を清浄用気体供給源６側に切り換えて、清浄用気体供給源６からの清浄用気体を半導体ウエハＷの裏面に向けて噴出させる。このとき、清浄用気体の供給圧は、半導体ウエハＷがピック１から離脱しない程度に制御する必要がある。
【００３３】
また、清浄用気体の供給方法として、たとえば、３箇所ある載置部２のうちの２箇所を吸引源４に接続して、これらの２つの載置部２で半導体ウエハＷを吸着保持し、他方、残りの載置部２を清浄用気体供給源６に接続して、１箇所の載置部２に付着したパーティクルを清浄し、このような工程を繰り返すことによって、それぞれの載置部２を選択的に清浄するように構成してもよい。
【００３４】
次に、上記のように構成された基板搬送装置が設けられた基板処理装置の構成について説明する。
【００３５】
図６に示すように、基板処理装置は、半導体ウエハＷに所定の処理を施す処理部を構成する複数（図６の装置では２つ）のプロセスシップＰＳ１、ＰＳ２と、これらに半導体ウエハＷを搬送するローダモジュールＬＭとを組合わせて構成されている。
【００３６】
ローダモジュールＬＭは、半導体ウエハＷを収容する複数（図６の装置では３つ）のロードポートＬＰ１〜ＬＰ３と、半導体ウエハＷを搬送する搬送室ＴＲと、半導体ウエハＷの位置決めを行う基板位置決め装置（オリエンタ）ＯＲとから構成されている。
【００３７】
搬送室ＴＲには、オリエンタＯＲが連結されるとともに、ロードロックドアＬＧ１、ＬＧ２を介してプロセスシップＰＳ１、ＰＳ２が連結され、さらに、ロードポートドアＣＧ１〜ＣＧ３を介してロードポートＬＰ１〜ＬＰ３が連結されている。このロードポートＬＰ１〜ＬＰ３には、未処理の半導体ウエハＷおよび処理済みの半導体ウエハＷを収容するカセット又はフープ（ＦＯＵＰ）ＣＳ１〜ＣＳ３（以下ではカセットの場合について説明する。）が設置される。
【００３８】
搬送室ＴＲ内には、前述した構成の基板搬送装置が設けられており、この基板搬送装置には、２段構成のローダアームＬＡ１、ＬＡ２が設けられている。そして、これらのローダアームＬＡ１、ＬＡ２の先端部に、前述したピック１が配設されている。
【００３９】
また、搬送室ＴＲ内の端部には、前述した清浄用気体反射用部材１０が配置されている。本実施形態では、上述したように、ローダアームＬＡ１、ＬＡ２が２段構成となっており、ピック１もこれらのローダアームＬＡ１、ＬＡ２に夫々設けられているため、２段構成となっている。このため、図７に示すように、清浄用気体反射用部材１０も上下に２段設けられており、ローダアームＬＡ１、ＬＡ２の２つのピック１のクリーニングを同時に行えるよう構成されている。
【００４０】
ローダアームＬＡ１、ＬＡ２は、ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３とプロセスシップＰＳ１、ＰＳ２（ロードロック室ＬＬ１、ＬＬ２）との間や、オリエンタＯＲとの間での半導体ウエハＷの搬送を行う（図６の▲１▼▲２▼▲６▼の搬送）。なお、ローダアームＬＡ１、ＬＡ２を２段構成とすることにより、一方のローダアームＬＡ１（ＬＡ２）で半導体ウエハＷの搬入を行いつつ、他方のローダアームＬＡ２（ＬＡ１）で半導体ウエハＷの搬出を行うことが可能となり、半導体ウエハＷの入れ替えを効率よく行うことが可能となる。
【００４１】
プロセスシップＰＳ１、ＰＳ２には、ロードロック室ＬＬ１、ＬＬ２およびプロセス室ＰＭ１、ＰＭ２が設けられ、ロードロック室ＬＬ１、ＬＬ２とプロセス室ＰＭ１、ＰＭ２とは、プロセスゲートＰＧ１、ＰＧ２を介して互いに連結されている。
【００４２】
ロードロック室ＬＬ１、ＬＬ２には、ウエハ載置台Ｂ１１、Ｂ１２、Ｂ２１、Ｂ２２およびロードロックアームＬＲ１、ＬＲ２がそれぞれ設けられ、ウエハ載置台Ｂ１１、Ｂ２１には、ローダモジュールＬＭから搬入された半導体ウエハＷが載置されるとともに、ロードロック室ＬＬ１、ＬＬ２から搬出される半導体ウエハＷが載置される。
【００４３】
また、ウエハ載置台Ｂ１２、Ｂ２２には、プロセス室ＰＭ１、ＰＭ２に搬入される半導体ウエハＷが載置される。また、ロードロックアームＬＲ１、ＬＲ２は、ロードロック室ＬＬ１、ＬＬ２とプロセス室ＰＭ１、ＰＭ２との間での半導体ウエハＷの搬送を行う（図６の▲３▼▲４▼▲５▼の搬送）。
【００４４】
上記搬送室ＴＲは大気開放されるとともに、ロードポートドアＣＧ１〜ＣＧ３は、開放された状態に維持される。また、コンタミネーションを防止するため、プロセス室ＰＭ１、ＰＭ２は所定の真空度に維持される。このため、ロードロック室ＬＬ１、ＬＬ２では、搬送室ＴＲとの間での搬送、またはプロセス室ＰＭ１、ＰＭ２との間での搬送に応じ、それぞれの真空度に対応させるための給排気が行われる。
【００４５】
以下、ロードポートＬＰ１とプロセスシップＰＳ１との間での搬送を行う場合を例に取って、基板処理装置の動作について説明する。
【００４６】
まず、ローダアームＬＡ１、ＬＡ２は、ロードポートＬＰ１に載置されているカセットＣＳ１から半導体ウエハＷを取り出し、オリエンタＯＲに搬入する（▲１▼）。
【００４７】
オリエンタＯＲにおける半導体ウエハＷの位置決め等の工程が終わると、ローダアームＬＡ１、ＬＡ２は、半導体ウエハＷをオリエンタＯＲから取り出す。そして、ロードロック室ＬＬ１のロードロックドアＬＧ１が開かれ、ローダアームＬＡ１、ＬＡ２は、その半導体ウエハＷをロードロック室ＬＬ１内に搬入し、ウエハ載置台Ｂ１１上に載置する（▲２▼）。
【００４８】
ウエハ載置台Ｂ１１上に半導体ウエハＷが載置されると、ロードロックドアＬＧ１が閉じられ、ロードロック室ＬＬ１内の排気が行われるとともに、ロードロックアームＬＲ１が、ウエハ載置台Ｂ１１上の半導体ウエハＷをウエハ載置台Ｂ１２に搬送する（▲３▼）。
【００４９】
半導体ウエハＷがウエハ載置台Ｂ１２に搬送され、プロセス室ＰＭ１へ半導体ウエハＷを搬入可能な状態になると、プロセス室ＰＭ１のプロセスゲートＰＧ１が開かれ、ロードロックアームＬＲ１は、ウエハ載置台Ｂ１２上の半導体ウエハＷをプロセス室ＰＭ１内に搬入する（▲４▼）。
【００５０】
半導体ウエハＷがプロセス室ＰＭ１内に搬入されると、プロセスゲートＰＧ１が閉じれられ、半導体ウエハＷにプロセス室ＰＭ１内で所定の処理が施される。この所定の処理は、例えば、エッチング、成膜等の処理である。
【００５１】
プロセス室ＰＭ１内での半導体ウエハＷの処理が終了し、ロードロック室ＬＬ１へ半導体ウエハＷを搬出可能な状態になると、プロセスゲートＰＧ１が開かれ、ロードロックアームＬＲ１は、プロセス室ＰＭ１内の半導体ウエハＷをウエハ載置台Ｂ１１に搬送する（▲５▼）。
【００５２】
そして、プロセスゲートＰＧ１が閉じられ、ロードロック室ＬＬ１内の大気開放が行われる。ロードロック室ＬＬ１内の大気開放が終了すると、次の半導体ウエハＷの搬入タイミングに従って、ロードロックドアＬＧ１が開かれ、一方のローダアームＬＡ１、ＬＡ２が、ウエハ載置台Ｂ１１上の半導体ウエハＷをロードポートＬＰ１に搬出するとともに（▲６▼）、他方のローダアームＬＡ１、ＬＡ２が、オリエンタＯＲで位置決めされた次の半導体ウエハＷをロードロック室ＬＬ１内に搬入する（▲２▼）。
【００５３】
また、ピック１の載置部２のクリーニングを行う場合は、図７に示すように、ローダアームＬＡ１、ＬＡ２のピック１を搬送室ＴＲの端部に設けられた２段構成の清浄用気体反射用部材１０の下方に移動させる。
【００５４】
そして、図１に示した切換バルブ５を清浄用気体供給源６側に切り換えて、清浄用気体供給源６からの清浄用気体（例えば、空気、窒素ガス等）を、図５に示すように、吸引口２ｃから噴出させ、ローダアームＬＡ１、ＬＡ２の２つのピック１の載置部２のクリーニングを同時に行う。
【００５５】
なお、このようにしてピック１の載置部２から除去されたパーティクルは、搬送室ＴＲ内に形成されたダウンフローによって、直ちに搬送室ＴＲ内から排出され、他の部位に再付着することは防止される。
【００５６】
上記のクリーニングは、予め設定した所定のタイミングで、自動的に行うように構成することが好ましいが、また、作業員によるボタン操作等によって、任意のタイミングでも行うことができるよう構成することが好ましい。
【００５７】
また、上記の所定のタイミングは、一定の処理時間毎や、一定の半導体ウエハＷの処理枚数毎に設定することが好ましく、また、スループットの観点からは、例えば、１ロットの処理が終了し、次のロットの処理開始までの空き時間や、プロセス室ＰＭ１、ＰＭ２内で半導体ウエハＷを処理していて半導体ウエハＷの搬送を行う必要のない空き時間等に行うよう設定することが好ましい。
【００５８】
上記のような載置部２のクリーニングを行うことによって、載置部２にパーティクルが付着することによる真空吸着の吸着力の低下が発生することを防止することができるとともに、半導体ウエハＷにパーティクルが付着して不良発生の原因等になることを防止することができる。また、手作業によるクリーニング作業等を必要としないので、労力の削減と稼働率の向上を図ることが可能となる。
【００５９】
また、真空吸着のための吸引路を利用することによって、簡易な構成とすることができるので、装置構造の複雑化や製造コストの増大化を抑制することができる。
【００６０】
なお、上記の実施形態では、本発明を半導体ウエハＷを真空吸着して搬送する場合に適用した例について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、あらゆる真空吸着装置に適用することが可能である。また、基板処理、基板搬送に適用する場合の基板についても、半導体ウエハＷに限定されるものではなく、例えば、ＬＣＤ用基板等あるゆる基板について適用することができる。
【００６１】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、手作業によるクリーニング作業等を必要とすることなく、真空吸着装置の載置部等に付着したパーティクルを除去することができ、かつ、簡易な構成でかかるパーティクルの除去を実現することにより装置構造の複雑化や製造コストの増大化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の基板搬送装置の要部概略構成を模式的に示す図。
【図２】図１の基板搬送装置の要部を拡大して示す図。
【図３】図２の縦断面構成を示す図。
【図４】図１の基板搬送装置の吸着動作を説明するための図。
【図５】図１の基板搬送装置のクリーニング動作を説明するための図。
【図６】図１の基板搬送装置が配設された基板処理装置の構成を模式的に示す図。
【図７】図６の基板処理装置の要部構成を模式的に示す図。
【符号の説明】
Ｗ……半導体ウエハ、１……ピック、１ａ……吸引路、２……載置部、２ｃ……吸引口、３……吸引路、４……吸引源、５……切換バルブ、６……清浄用気体供給源。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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