(57)【要約】【課題】高速でダイレクトオーバーライト可能な光情報記録媒体（特にＣＤ−ＲＷ）およびその記録方法の提供。【解決手段】透明基板上に少なくとも記録層および反射層が積層されており、集光された光を照射および走査することによって該記録層に記録マークを形成・消去することにより情報の記録、消去および／または書換えが行われる光情報記録媒体において、記録層に、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とする下記式で表される合金または金属間化合物を含有することを特徴とする光情報記録媒体。ＧａｘＧｅｙ（ＳｂｚＴｅ１−ｚ）１−ｘ−ｙここで、ｘ、ｙ、ｚは原子比を表わす１未満の正の実数であり、０．０２≦ｘ≦０．０６、０．０１≦ｙ≦０．０６、０．８０≦ｚ≦０．８６、ｘ≧ｙ、ｘ＋ｙ≦０．１である。【選択図】        図１
2004206851.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に少なくとも記録層および反射層が積層されており、集光された光を照射および走査することによって該記録層に記録マークを形成・消去することにより情報の記録、消去および／または書換えが行われる光情報記録媒体において、記録層に、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とし、これらの元素の組成比が下記式で表される合金または金属間化合物を含有することを特徴とする光情報記録媒体。
ＧａｘＧｅｙ（ＳｂｚＴｅ１−ｚ）１−ｘ−ｙ
ここで、ｘ、ｙ、ｚは原子比を表わす１未満の正の実数であり、次の要件を満足する。
０．０２≦ｘ≦０．０６
０．０１≦ｙ≦０．０６
０．８０≦ｚ≦０．８６
ｘ≧ｙ
ｘ＋ｙ≦０．１
【請求項２】
記録層中のＧａ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とする合金または金属間化合物の含有量が９０原子％以上であることを特徴とする請求項１記載の光情報記録媒体。
【請求項３】
Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とする合金または金属間化合物が、原子比で０．０１〜０．０４の範囲のＭｎを含むことを特徴とする請求項１又は２記載の光情報記録媒体。
【請求項４】
記録層がＡｒ及びＮ２含有雰囲気中での真空成膜法により形成され、Ａｒの分圧をＰＡｒ、Ｎ２の分圧をＰＮ、媒体の結晶化上限速度をｖ０とし、ＰＮ／ＰＡｒ＜０．００１のときの媒体の結晶化上限速度をｖＬとした場合に、
１．１≦ｖ０／ｖＬ≦１．３
という条件を満足することを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の光情報記録媒体。
【請求項５】
ＰＮ／ＰＡｒと記録層のＧｅ含有量ｙの比が、次の条件を満足することを特徴とする請求項４記載の光情報記録媒体。
１≦（ＰＮ／ＰＡｒ）／ｙ≦１．５
【請求項６】
記録、消去および／または書換えの走査速度がプリフォーマットされており、該走査速度が９．６〜３３．６ｍ／ｓであることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の光情報記録媒体。
【請求項７】
反射層がＡｇ或いはＡｇを９５モル％以上含有する合金からなることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の光情報記録媒体。
【請求項８】
記録層からみて基板側および／または反射層側に、記録層に隣接した酸化物を主成分とする層を有し、その膜厚が１〜５ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の光情報記録媒体。
【請求項９】
高出力レーザーを走査速度１〜２．５ｍ／ｓの範囲で照射および走査することにより初期化（媒体を使用する前に媒体の情報記録領域の記録層を結晶化状態にする操作）が行われたことを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載の光情報記録媒体。
【請求項１０】
Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とし、これらの元素の組成比が下記式で表される合金または金属間化合物を含有することを特徴とする光情報記録媒体製造用のスパッタリングターゲット。
ＧａｘＧｅｙ（ＳｂｚＴｅ１−ｚ）１−ｘ−ｙ
ここで、ｘ、ｙ、ｚは原子比を表わす１未満の正の実数であり、次の要件を満足する。
０．０２≦ｘ≦０．０６
０．０１≦ｙ≦０．０６
０．８０≦ｚ≦０．８６
ｘ≧ｙ
ｘ＋ｙ≦０．１
【請求項１１】
Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とする合金または金属間化合物の含有量が９０原子％以上であることを特徴とする請求項１０記載のスパッタリングターゲット。
【請求項１２】
Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とする合金または金属間化合物が、原子比で０．０１〜０．０３の範囲のＭｎを含むことを特徴とする請求項１０又は１１記載のスパッタリングターゲット。
【請求項１３】
高出力レーザーを走査速度１〜２．５ｍ／ｓの範囲で照射および走査することにより初期化（媒体を使用する前に媒体の情報記録領域の記録層を結晶化状態にする操作）を行うことを特徴とする請求項１〜９の何れかに記載の光情報記録媒体の初期化方法。
【請求項１４】
記録マークの形成を、照射強度ＰがＰ＝ＰｗのパルスとＰ＝Ｐｂパルスを交互に照射及び走査することで行い、基本クロック周期Ｔｗに対して記録マーク長がｎＴｗ（ｎは自然数）であるとき、Ｐ＝Ｐｗのパルス数をｍ（ｍはｎ以下の自然数）として、ｎ＝２ｍ（ｎが偶数の場合）またはｎ＝２ｍ＋１（ｎが奇数の場合）の関係がなりたち、記録マークの消去を、Ｐ＝Ｐｅの強度一定の光を照射および走査することで行い、かつＰｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂであることを特徴とする請求項１〜９の何れかに記載の光情報記録媒体の記録方法。
【請求項１５】
走査速度が２２．４ｍ／ｓ以下、Ｔｗが１４．４ｎｓ以上の場合に、ｎ＝ｍ＋１とすることを特徴とする請求項１４記載の記録方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、相変化型光情報記録媒体、特にＣＤ−ＲＷとその記録方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
コンパクトディスク（ＣＤ）やＤＶＤでは、媒体に照射した光の反射光の強度変化により情報を再生する。再生専用の光ディスクの場合は、上記の強度変化を、基板上に凹凸を作ることにより反射光の位相差を生じさせ干渉させることにより実現している。
一方、記録型の媒体の場合は前述の反射光の強度変化は、媒体の基板上に形成されている記録層の微小領域に光学特性の異なる領域を形成することで実現している。記録層の具体的な材料としては、ＣＤ  Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ（ＣＤ−Ｒ）やＤＶＤ＋Ｒ（ＤＶＤ  Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）の有機色素記録層、ＣＤ  ＲｅＷｒｉｔａｂｌｅ（ＣＤ−ＲＷ）やＤＶＤ＋ＲＷ（ＤＶＤ  ＲｅＷｒｉｔａｂｌｅ）の相変化記録層などがある。
何れの例においても、集光した光を記録層近傍に照射することで、微小領域に状態変化を生じさせ、その領域の光学特性の差により、位相差や強度差を発生させて情報を記録することになる。
【０００３】
上記の相変化材料を記録層に用いた場合は、記録に結晶−アモルファス間の可逆的な相変化を利用するため、記録マークを形成することが可能であると同時に消去も可能となっている。従って、書換え可能な光情報記録媒体を実現することができる。また、結晶−アモルファス相転移は材料の急冷、徐冷の熱履歴によって相をコントロールできるため、照射する光の強度変調によって記録、消去が可能であることから、記録装置を安価に作製できるという利点がある。更に、記録された媒体は再生専用の装置で再生可能であることから広く普及してきている。
近年、電子情報の大容量化、情報処理の高速化の需要に伴い、光ディスクにも大容量化と高速化の要求が高まってきている。これらの需要に対応するためには、記録媒体の高密度化が最も有効な手段である。媒体の高密度化を実現する方法としては、記録再生に用いる光学系の変更（高ＮＡ化、短波長化）や、変調方式の変更などがあり、その例としてＣＤからＤＶＤへの移行が挙げられる。しかし、高密度であるＤＶＤは既存のＣＤ再生装置では再生ができなくなってしまう。このような、再生非互換性は配布用の媒体としては大きな問題である。互換性を重視する場合は、高速化が最も大きな課題となる。
【０００４】
相変化材料を使用した書き換え型の光情報記録媒体では、色素を用いたライトワンス（Ｗｒｉｔｅ  Ｏｎｃｅ：一度だけの記録が可能である）の媒体と比較すると高速化が非常に困難であるとされている。高速で記録マークを形成させるには色素の場合と同様に高い記録パワーを照射すればよいが、そうすると記録マークを消去することが出来なくなるためである。即ち、高速な走査速度では、消去状態である結晶相を実現するのに必要な「徐冷」の条件を作り出すことが不可能となるためである。
そのため、相変化型の書き換え可能な光ディスクの高速化は、色素を用いた光ディスクに比べ遅れているのが現状である。例えば、ＣＤ−Ｒでは現時点で４０倍速（走査速度４８ｍ／ｓ、チャンネルビットレート１．６Ｇｂｐｓ）、ＣＤ−ＲＷでは１０倍速（走査速度１２ｍ／ｓ、チャンネルビットレート４１Ｍｂｐｓ）の関係がある。
【０００５】
また、本出願前公知の特許文献としては次のようなものが挙げられる。
特許文献１には、記録層材料として、（（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）ｙＧｅ１−ｙ）ｚＭ１−ｚ（ただし、０．７≦ｘ≦０．９、０．８≦ｙ＜１、０．８８≦ｚ＜１、ＭはＩｎ及び／又はＧａ）を用いた光学的情報記録用媒体が開示されているが、該数値限定の範囲が広範である上に、実施例はＭ＝Ｉｎの場合のみであって、Ｍ＝Ｇａの場合の効果確認データは全く示されておらず、本発明で明らかにしたＧａの必要性およびＧａとＩｎとの大きな違いについても全く記載されていない。更に、本発明の課題である保存信頼性の確保と走査速度２０ｍ／ｓ以上の高速でのダイレクトオーバーライト特性の改善には全く言及していない。
特許文献２には、ＧｅＳｂＴｅを主成分とし多数の中から選択される任意の金属元素を添加した記録層を有する高速でオーバーライトすることが可能な光学的情報記録用媒体が開示されており、実施例１６として、Ｇａ０．０６Ｇｅ０．０６Ｓｂ０．６８Ｔｅ０．２２を用いたものも記載されているが、ここでいう高速とは請求項３１などの記載からみて高々１０ｍ／ｓのことであり、本発明のような２０ｍ／ｓ以上の走査速度でのオーバーライト特性の改善については記載されておらず、上記実施例１６の合金組成も本発明の数値限定範囲を外れている。更に、本発明で指摘しているＧａの有効性については記載も示唆もされていない。
【０００６】
特許文献３及び特許文献４には、ＳｂＴｅを主成分とし多数の中から選択される任意の元素を添加した記録層を有する光学的情報記録用媒体が開示されているが、ＧａＧｅＳｂＴｅ合金については具体的記載が全くない。また、本発明の目的である２０ｍ／ｓ以上の走査速度でのダイレクトオーバーライト特性や、本発明で指摘しているＧａの有効性については記載も示唆もされていない。
特許文献５には、ＧａＧｅＳｂＴｅを主成分とする記録層を有する光情報記録媒体が開示されているが、ＧｅＴｅ合金（もしくは金属間化合物）を主体としているため、本発明のＳｂ−Ｔｅ共融合金に微量の金属元素を添加した材料系とは組成範囲および特性が大きく異なる。
【０００７】
【特許文献１】
特開２０００−３１３１７０号公報
【特許文献２】
特開２００１−５６９５８号公報
【特許文献３】
特開２００１−２３６６９０号公報
【特許文献４】
特許第３２５５０５１号（特開平１０−１７２１７９号）公報
【特許文献５】
特許第２６２９７４９号（特開平１−１３８６３４号）公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、現在広く普及している光情報記録媒体、特にＣＤ−ＲＷにおいて、高速でダイレクトオーバーライト可能なもの、およびその記録方法の提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、次の１）〜１３）の発明（以下、本発明１〜１３という）によって解決される。
１）  基板上に少なくとも記録層および反射層が積層されており、集光された光を照射および走査することによって該記録層に記録マークを形成・消去することにより情報の記録、消去および／または書換えが行われる光情報記録媒体において、記録層に、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とし、これらの元素の組成比が下記式で表される合金または金属間化合物を含有することを特徴とする光情報記録媒体。
ＧａｘＧｅｙ（ＳｂｚＴｅ１−ｚ）１−ｘ−ｙ
ここで、ｘ、ｙ、ｚは原子比を表わす１未満の正の実数であり、次の要件を満足する。
０．０２≦ｘ≦０．０６
０．０１≦ｙ≦０．０６
０．８０≦ｚ≦０．８６
ｘ≧ｙ
ｘ＋ｙ≦０．１
２）  記録層中のＧａ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とする合金または金属間化合物の含有量が９０原子％以上であることを特徴とする１）記載の光情報記録媒体。
３）  Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とする合金または金属間化合物が、原子比で０．０１〜０．０４の範囲のＭｎを含むことを特徴とする１）又は２）記載の光情報記録媒体。
４）  記録層がＡｒ及びＮ２含有雰囲気中での真空成膜法により形成され、Ａｒの分圧をＰＡｒ、Ｎ２の分圧をＰＮ、媒体の結晶化上限速度をｖ０とし、ＰＮ／ＰＡｒ＜０．００１のときの媒体の結晶化上限速度をｖＬとした場合に、
１．１≦ｖ０／ｖＬ≦１．３
という条件を満足することを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の光情報記録媒体。
５）  ＰＮ／ＰＡｒと記録層のＧｅ含有量ｙの比が、次の条件を満足することを特徴とする４）記載の光情報記録媒体。
１≦（ＰＮ／ＰＡｒ）／ｙ≦１．５
６）  記録、消去および／または書換えの走査速度がプリフォーマットされており、該走査速度が９．６〜３３．６ｍ／ｓであることを特徴とする１）〜５）の何れかに記載の光情報記録媒体。
７）  反射層がＡｇ或いはＡｇを９５モル％以上含有する合金からなることを特徴とする１）〜６）の何れかに記載の光情報記録媒体。
８）  記録層からみて基板側および／または反射層側に、記録層に隣接した酸化物を主成分とする層を有し、その膜厚が１〜５ｎｍの範囲にあることを特徴とする１）〜７）の何れかに記載の光情報記録媒体。
９）  高出力レーザーを走査速度１〜２．５ｍ／ｓの範囲で照射および走査することにより初期化（媒体を使用する前に媒体の情報記録領域の記録層を結晶化状態にする操作）が行われたことを特徴とする１）〜８）の何れかに記載の光情報記録媒体。
１０）  Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とし、これらの元素の組成比が下記式で表される合金または金属間化合物を含有することを特徴とする光情報記録媒体製造用のスパッタリングターゲット。
ＧａｘＧｅｙ（ＳｂｚＴｅ１−ｚ）１−ｘ−ｙ
ここで、ｘ、ｙ、ｚは原子比を表わす１未満の正の実数であり、次の要件を満足する。
０．０２≦ｘ≦０．０６
０．０１≦ｙ≦０．０６
０．８０≦ｚ≦０．８６
ｘ≧ｙ
ｘ＋ｙ≦０．１
１１）  Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とする合金または金属間化合物の含有量が９０原子％以上であることを特徴とする１０）記載のスパッタリングターゲット。
１２）  Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とする合金または金属間化合物が、原子比で０．０１〜０．０３の範囲のＭｎを含むことを特徴とする１０）又は１１）記載のスパッタリングターゲット。
１３）  高出力レーザーを走査速度１〜２．５ｍ／ｓの範囲で照射および走査することにより初期化（媒体を使用する前に媒体の情報記録領域の記録層を結晶化状態にする操作）を行うことを特徴とする１）〜９）の何れかに記載の光情報記録媒体の初期化方法。
１４）  記録マークの形成を、照射強度ＰがＰ＝ＰｗのパルスとＰ＝Ｐｂパルスを交互に照射及び走査することで行い、基本クロック周期Ｔｗに対して記録マーク長がｎＴｗ（ｎは自然数）であるとき、Ｐ＝Ｐｗのパルス数をｍ（ｍはｎ以下の自然数）として、ｎ＝２ｍ（ｎが偶数の場合）またはｎ＝２ｍ＋１（ｎが奇数の場合）の関係がなりたち、記録マークの消去を、Ｐ＝Ｐｅの強度一定の光を照射および走査することで行い、かつＰｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂであることを特徴とする１）〜９）の何れかに記載の光情報記録媒体の記録方法。
１５）  走査速度が２２．４ｍ／ｓ以下、Ｔｗが１４．４ｎｓ以上の場合に、ｎ＝ｍ＋１とすることを特徴とする１４）記載の記録方法。
【００１０】
以下、上記本発明について詳述する。
図１に本発明の光情報記録媒体の一例の断面図（模式図）を示す。本発明の光情報記録媒体は、基板（１）上に少なくとも記録層（３）と反射層（５）を有する。記録、消去、再生に使用される光は図の下方にあたる基板側から入射されるため、基板（１）は、記録、書き換え、再生に用いる光の波長領域で透過率が高く、かつ強度の高いものが好ましい。このような基板材料としては、ガラス、セラミクス、樹脂が例として挙げられるが、強度およびコスト、生産性を考慮すると樹脂製の基板を用いることが好ましく、更に強度や複屈折率の低さを考慮すると、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂が特に好ましい。
基板上には記録、再生に用いる光の案内溝（グルーブ）を設けてもよい。案内溝の形状即ち溝深さ、溝幅は記録・再生に使用する光の波長、集光に用いる対物レンズの開口数（ＮＡ）や収差などによって最適化される。例えば、波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５０の光学系を用いるＣＤ−ＲＷでは、溝幅は５００〜６５０ｎｍ、溝深さは３０〜５０ｎｍが好ましく、更に好ましくは、溝幅５８０〜６１０ｎｍ、溝深さ３２〜４４ｎｍである。グルーブは蛇行していても良く、その蛇行（ウォブリング）にプリフォーマットされたアドレス情報をエンコードしてもよい。アドレスのプリフォーマットとしては、ウォブリングを周波数変調させるＣＤ−Ｒ／ＲＷのＡＴＩＰ（Ａｂｓｏｌｕｔｅ  Ｔｉｍｅ  ｉｎ  Ｐｒｅｇｒｏｏｖｅ）やウォブリングに位相変調を加えるＤＶＤ＋ＲＷ／ＲのＡＤＩＰ（Ａｄｄｒｅｓｓ  ｉｎ  Ｐｒｅｇｒｏｏｖｅ）がある。
【００１１】
記録層（３）としては、ＧａＧｅＳｂＴｅを主成分とする合金または金属間化合物を用いる。記録層中に占める該合金または金属間化合物の割合は９０原子％以上が好ましく、更に好ましくは９６原子％以上である。それ以上に不純物または添加物が添加されると、十分な再結晶化速度を得ることが困難になるため、高い走査速度での消去性を悪化させる原因となる。更に、上記合金または金属間化合物は、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅの組成を
ＧａｘＧｅｙ（ＳｂｚＴｅ１−ｚ）１−ｘ−ｙ
で表したとき（ｘ、ｙ、ｚは原子比を表わす１未満の正の実数）、ｘ、ｙ、ｚが、次の要件を満たすようにする必要がある。
０．０２≦ｘ≦０．０６
０．０１≦ｙ≦０．０６
０．８０≦ｚ≦０．８６
ｘ≧ｙ
ｘ＋ｙ≦０．１
【００１２】
本発明の記録層材料はＳｂＴｅの共融混合物組成であるＳｂ０．７Ｔｅ０．３が基本材料となる。この材料系ではＳｂとＴｅの比率である上記ｚの値を調整することによって基本的な媒体の特性を制御することができる。ｚを大きくすることにより、再結晶化速度を向上させ、高い走査速度領域でも結晶化が容易になるため、高速でのアモルファスマークの消去が可能となり、ダイレクトオーバーライト（即ち、消去動作を含まないオーバーライト）が可能となる。コンパクトディスクの２４倍速に相当する２８．８〜３３．６ｍ／ｓでダイレクトオーバーライト可能とするためには、ｚを上記の範囲とすることが必要であり、更に好ましくは０．８１５以上である。一方、ｚが大きくなると、高速でのオーバーライト特性は良好になるが、アモルファスマークの安定性が著しく低下する。この現象は後述する添加元素を加えた場合でも顕著であるから、７０℃で１０００時間以上の保存寿命を確保するためには、上記のｚの上限値を超えてはならない。（この知見は、従来のＣＤ−ＲＷ即ち１０倍速相当のＣＤ−ＲＷではｚは０．７〜０．７５が最適であるとされているのと明瞭に異なる。）
【００１３】
また、ＳｂＴｅに添加元素を加えることで、アモルファスマークの安定性を向上させることができる。ＳｂＴｅ共融混合物に添加元素を加えて実用化された例としては、Ｇｅ、Ｉｎを添加したＧｅＩｎＳｂＴｅ合金、Ａｇ、Ｉｎを添加したＡｇＩｎＳｂＴｅ合金、Ａｇ、Ｇｅ、Ｉｎを添加したＡｇＧｅＩｎＳｂＴｅ合金などが挙げられる。しかし、これらの記録層材料系では組成比率ｚを高めに設定し、結晶化速度を向上させると保存信頼性が著しく低下するという問題があった。即ち、記録時の走査速度が１４ｍ／ｓ以下の領域では良好な特性を示すが、それ以上の走査速度に対する対応は非常に困難であった。
【００１４】
また、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系、ＧｅＩｎＳｂＴｅ系、ＡｇＧｅＩｎＳｂＴｅ系の場合はＩｎの添加量を増加させることで、結晶化速度と保存信頼性の両立を図ることは可能であるが、Ｉｎ量が増加すると結晶化温度が上昇し、高出力レーザーでの初期化が非常に困難になるという問題があった。このような結晶化温度が高い記録材料の場合は、媒体の反射率変動が大きくなり、再生信号のノイズ成分が載ってしまい、結果としてジッタの上昇やエラーの増加につながり、媒体の信頼性を低下させる要因となってしまう。
これらの課題を解決する手段としては、Ｉｎを同属元素のＧａに置換することが効果的である。これにより、結晶化速度を高くできると共に結晶化温度の上昇を抑えることができる。そして、コンパクトディスクの２４倍速相当の２８．８ｍ／ｓ（または基準線速度を１．４ｍ／ｓとした場合、３３．６ｍ／ｓ）での記録が可能となり、結晶化温度を２００℃以下に抑えることができ、初期化を容易にすることができる。
【００１５】
以上のことから、高速記録と初期化の容易性を両立させるためにはＧａＳｂＴｅ記録層が有効であることが分る。しかし、記録マークの安定性が低いという課題が残る。即ち、記録されたアモルファスマークを７０℃の環境下に放置すると、１０００時間以内にマークが結晶化して消えてしまうという現象が発生する。
この課題を解決する手段としては、Ｇｅの添加がある。Ｇｅを添加することで、結晶化の温度依存性を高くすることが可能となり、２００℃以上の高温での結晶化速度を向上させつつ、７０℃近傍での結晶化速度を遅くすることが可能となる。これにより、高速での優れた消去性（即ちオーバーライト特性）と記録マークの安定性を両立させることが可能となる。
Ｇａ、Ｇｅの組成比率ｘ、ｙは、前述の範囲にあることが必要である。また、ｘ＋ｙ≦０．１であることが必要である。Ｇｅ、Ｇａを過剰に添加すると記録層の光吸収率が高くなるため、結果として媒体の反射率を著しく低下させてしまう。その結果、再生信号の絶対的な振幅が不足し、媒体の信頼性を低下させてしまう。
【００１６】
ＧａＧｅＳｂＴｅ記録層に微量の元素を添加することで、高速記録でのダイレクトオーバーライト特性を改善することができる。添加元素はＧａＧｅＳｂＴｅに対して１０原子％未満とすることが好ましく、更に好ましくは４原子％以下である。添加元素として、Ａｇ、Ｄｙ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｓｅ、Ｓｎを微量加えることにより、記録層の結晶化速度を微調整することができる。特にＭｎは、前述のＧａの効果と同様に結晶化速度を向上すると同時に結晶化温度を低くすることが可能なため、高速でのダイレクトオーバーライト特性を改善すると同時に、初期化（記録層を成膜後に結晶化を行う操作）を容易にすることができる。Ｍｎの添加量は１〜４原子％（原子比で０．０１〜０．０４）とすることが好ましく、更に好ましくは１〜３原子％である。
【００１７】
記録層の膜厚は、記録感度やオーバーライト特性等に関係する熱的特性と変調度や反射率などの光学的特性から最適値を設定する。適切な膜厚の範囲としては１０〜２５ｎｍであり、更に好ましくは１２〜１８ｎｍの範囲である。この範囲に設定することで２０ｍ／ｓ以上の高速記録において良好なオーバーライト特性を実現できる。
記録層の形成には任意の方法を用いることができるが、不純物の混入や樹脂基板への成膜可能である点から真空成膜法（気相法）が好ましい。真空成膜法としては、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  ＶａｐｏｒｅｄＤｅｏｐｓｉｔｉｏｎ）法、イオンプレーティング法などがあるが、生産性を考慮するとスパッタリング法が好ましい。
スパッタリング法を用いる場合、ターゲットの元素組成と成膜された薄膜の元素組成のずれが小さいいため、ターゲット材料を所望の組成とすることで、容易に目的の組成の薄膜を得ることができる。ターゲットは、構成元素の純物質を目的の組成比率で混合・固溶させて合金ターゲットを作成しても良いし、合金または純物質の微粒子を焼結させることにより作成しても良い。焼結させる場合は、ターゲットの密度が高いほどスパッタリングレート（単位時間当りに成膜される膜厚）を高くすることが可能であるため好ましく、９０％以上であることが好ましい。
【００１８】
更に、本発明の光情報記録媒体は、窒素Ｎを含有する雰囲気中（通常はＮ２を用いる）で成膜されることが好ましい。成膜方法としては、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法などの真空成膜法が一般に知られているが、本発明ではＡｒとＮ２の混合気体を用いたスパッタリング法を用いるのが最も良い。更に、Ｎ２雰囲気中で記録層を形成することによって、記録層材料を一層高速記録に適した特性とすることが可能となる。即ち、結晶化上限速度を高めることが可能となる。
ここで、本発明で言う結晶化上限速度の定義について説明する。
媒体の初期化後（初期化の詳細については後述する）の反射率をＲ０とし、媒体に照射パワーＰ０の光を走査速度ｖで照射した後の反射率をＲとする。なお、媒体への光の照射・走査、および反射率Ｒの測定には、媒体の情報記録に用いるものと同様の光学系を用いることが好ましく、照射パワーＰは１０〜３０ｍＷの範囲であることが好ましい。
Ｒ≧Ｒ０であれば記録層は結晶化状態であるが、Ｒ＜Ｒ０の場合には、記録層は照射・走査部分がアモルファス状態又はアモルファス状態を含む状態になっている。即ち、反射率の低いアモルファス状態が記録層中に形成されるため平均的な反射率Ｒは低下すると考えられる。走査速度ｖを速くすると記録層は急冷状態に近づくため、アモルファス状態になり易くなる。走査速度ｖと媒体の規格化した反射率Ｒ／Ｒ０の関係は図９に示す通りとなる。即ち、横軸に示すｖが小さいとき、記録層は徐冷状態となって結晶化し、ｖが大きいときは急冷状態にあるのでアモルファス化しＲ／Ｒ０が低くなる。そして、本発明では、Ｒ／Ｒ０＝１となる走査速度ｖ０を結晶化上限速度と定義する。
【００１９】
このｖ０が高いことは、より速い走査速度でも結晶化が可能であることを意味する。即ち、高速での記録マークの消去が可能となり、高速でのダイレクトオーバーライト（ＤＯＷ）が可能となる。従って、図９の（ａ）に対して、図９の（ｂ）ではより高速でのＤＯＷが可能であり、図９の（ｃ）はより低速でのみＤＯＷが可能ということになる。
このｖ０は記録層の結晶化速度と密接な関係があると考えられるため、前述の通り記録層の構成元素組成を変えることで、調整することが可能である。また、記録層の成膜時の雰囲気により調整することも可能である。特に、記録層成膜時のＮ２分圧によって調整するのが容易である。
分圧比ＰＮ／ＰＡｒとｖ０の関係を図１０に示す。図１０に示したように、分圧比を増加させるとｖ０は不連続に上昇する。図１０中の分圧比の高いＡの領域でのｖ０をｖＬ、分圧比の高いＣの領域でのｖ０をｖＨとすると、ｖＬ＜ｖＨの関係が成り立つ。Ａの領域ではｖ０は低く高速でのＤＯＷ特性を確保できないが、領域Ｃではｖ０が高く高速向きとなる。領域Ｂは、Ａ、Ｃの混在状態となり、不安定な領域である。
【００２０】
ここで特徴的なのは「不連続」に状態が変わることにある。即ち、Ｎ２を含有する雰囲気中の成膜によって、記録層の状態が明らかに異なる状態となっている。
本発明の光情報記録媒体においては、結晶化上限速度ｖ０が、記録層形成時の雰囲気のＮ２分圧がＡｒ分圧に対して実質上０と見なせる程度、即ちＰＮ／ＰＡｒ＜０．００１である時の結晶化上限速度ｖＬに対して、１．１≦ｖ０／ｖＬ≦１．３の関係にあることが好ましい。ｖ０／ｖＬが１．１より小さい場合は、結晶化上限速度を上げる効果が少なく、高速記録での特性が若干悪化する。また、１．３を越えると、媒体の低温、即ち室温近傍（２０〜６０℃）での記録マーク（アモルファスマーク）の安定性を著しく低下させることになり、記録情報の保存信頼性の観点から好ましくない。
また、ＰＮ／ＰＡｒの最適値は、記録層のＧｅ組成比によって変わる。Ｇｅ組成比が高い記録層材料には、より高いＰＮ／ＰＡｒを設定する必要がある。そこで、前述のＧｅ組成ｙに合わせて次の条件を満足するような範囲とすることが好ましい。
１≦（ＰＮ／ＰＡｒ）／ｙ≦１．５
【００２１】
Ｎ２含有雰囲気中での記録層成膜が結晶化上限速度に与える影響は明確になっていないが、記録層の成膜後の組織構造に影響するのではないかと考えられる。
何故ならば、成膜直後の記録層をＳＩＭＳ分析（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  ＩｏｎＭａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ分析＝２次イオン質量分析）を行うとＮが検出されるが、アニールまたは初期化を行った後の記録層中にはＮが検出されず、Ｎ２含有雰囲気中の製膜工程で記録層中に取り込まれたＮは、媒体の１００℃以下でのアニールや初期化（後述する高出力レーザーを用いた記録層全体の結晶化動作）によって拡散してしまうと見られるからである。
従って、媒体への記録は初期化後に行うことから、媒体の最終的な形態の記録層中にＮが含有されている必要は無いことになる。
【００２２】
本発明の光情報記録媒体においては、上記記録層の上方即ち基板とは反対側に反射層を設けることが必要である。反射層は基板側から入射した記録光、再生光を反射する機能がある。そのため、反射率の高い材料を用いることが好ましく、高反射率の材料としてはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、或いはこれらの金属を主成分とする合金または金属間化合物が好ましい。これらの材料に加えることができる添加元素としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｈｆ等の金属が例として挙げられる。
反射層は記録・再生光を反射する光学的な機能と同時に、記録・消去時に記録層近傍にかかる熱を放出する役割がある。高速記録に対応するためには、上記の通り結晶化速度の高い記録層材料を使用する必要があるため、媒体自体を急冷構造とすることが好ましい。即ち、反射層材料として熱伝導率の高い材料を使用することで、再結晶化速度の高い記録層材料でも十分なサイズのマークを形成することが可能となる。熱伝導率の高い材料としてはＡｇまたはＡｇ合金があり、Ａｇ合金を用いる場合には、Ａｇの含有量が９５モル％以上、好ましくは９９モル％以上であるものがよい。合金とする場合の添加元素としては、上記の金属を使用できるが、添加量が多いと熱伝導率を著しく低下させてしまうので留意する必要がある。Ａｇ単体を用いる場合は９９．９９モル％以上の純度のものが好ましい。
反射層は前記記録層と同様に真空成膜法で形成するのが好ましく、膜厚も記録層と同様に熱的特性と光学的特性から決定される。反射層が薄すぎる場合は、記録および再生光が透過してしまい、十分な反射率を得ることができない。また、反射層が厚すぎる場合は、媒体の熱容量が高くなり記録感度が低下してしまう。熱的特性と光学的特性から決定される膜厚の最適値は８００〜３０００ｎｍの範囲であり、更に好ましくは１０００〜２２００ｎｍの範囲である。
【００２３】
上記記録層の上下に保護層を形成することが好ましい。図１に示す通り、記録層の下部即ち基板側の保護層を下部保護層（２）、記録層の上部即ち反射層側の保護層を上部保護層（４）とする。
下部保護層は記録、消去、書換え（オーバーライト）の時に記録層および記録層近傍に発生する熱から樹脂製の基板を保護するために必要である。また、同時に、光学定数（屈折率）と膜厚を調整することによって、記録層に記録されたアモルファスマークによるコントラストを強める働きもある。
下部保護層の材料としては、高屈折率でかつ高融点（１０００℃以上）である材料が好ましく、誘電体を用いるのが一般的である。誘電体としては、金属酸化物、窒化物、硫化物、ハロゲン化物などの化合物やＳｉ、Ｇｅ等の無機物も利用できる。また、これらの物質は純物質でも混合物でもよい。
【００２４】
上記化合物の例としては、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｂなどの酸化物、硫化物、炭化物が挙げられ、ハロゲン化物の例としては、Ｍｇ、Ｃａ、Ｌｉのフッ化物などが挙げられる。
特にＺｎＳにＳｉＯ２を混合した材料が広く利用されている。下部保護層の膜厚は４０〜２００ｎｍとすることが好ましく、４０ｎｍよりも薄いと樹脂基板への熱的ダメージが増加するため好ましくなく、２００ｎｍよりも厚いと繰り返し記録時の熱膨張・熱収縮等の熱履歴による機械的損傷（亀裂等）が発生するため好ましくない。また、再生波長で反射光が最小となる膜厚の近傍に設定することが好ましい。従って、最適な下部保護層膜厚は５０〜９０ｎｍの範囲である。
【００２５】
下部保護層は１層でも多層でも構わない。同一の材料を多層とし複数の成膜装置で形成すると、媒体の製造時間を短縮することができ、媒体の製造コストを下げる効果がある。また、記録層に隣接する層に記録層の結晶化を促進する層を設けることで、媒体の初期化マージンを確保することも可能である。結晶化を促進する層としてはＢｉ、ＧａＮなどが一般的であるが、本発明では、酸化物層を設けることが好ましい。酸化物の例としては、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＺｎＯなどが挙げられる。これらの酸化物は、結晶の格子定数が比較的ＳｂＴｅ系材料のものと近いため、結晶化促進の効果があると考えられている。酸化物層の膜厚としては１〜５ｎｍが適切である。１ｎｍよりも薄いと均一な膜が形成されず、光ディスクの均一性を損ねることになる。また、前述の酸化物層はＺｎＳ等の一般的な保護層材料と比較するとスパッタリングレートが１／５以下となることが多い。そのため、結晶化を促進する効果が得られる最低膜厚に設定することが好ましい。
下部保護層を多層化する場合は、保護層全体の膜厚が前記の範囲にあることが好ましく、その比率は光学的特性、熱的特性、生産性等から設定することが可能である。
【００２６】
上部保護層は記録層材料の反射層材料中への拡散または反射層材料の記録層材料中への拡散を防止するための界面層としての働きと、熱的特性を制御する働きがある。上部保護層材料としては、前述の下部保護層材料と同じのものを使用することが可能であるが、熱伝導率が低い材料を用いることが好ましい。熱伝導率の高い材料を使用すると熱効率が下がるため、集光したビームを照射したときに、記録層材料中で融点以上の温度に達する体積が小さくなる。そのため、媒体の感度が著しく低下すると同時に、記録マークが小さくなるため十分な再生信号振幅が確保できなくなってしまう。
【００２７】
上部保護層の膜厚は５〜５０ｎｍの範囲にあることが好ましく、更に好ましくは１０〜２３ｎｍの範囲である。上部保護層を多層化することも可能である。
特に、上部保護層材料に硫化物、ハロゲン化物を用い、更に反射層にＡｇまたはＡｇを主成分とする合金を用いた場合は、反射層の腐食が発生し易くなり、媒体の保存信頼性を低下させてしまう。このような場合は上部保護層を多層化し、反射層に隣接する層にＡｇ腐食性の低い材料を積層することが好ましい。このような層の材料としては、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、ＧｅＮ、ＧａＮなどが例として挙げられる。このような層の膜厚としては２〜１０ｎｍが好ましく、媒体の反射率を維持するためには２〜５ｎｍの範囲であることが好ましい。２ｎｍよりも薄いと腐食防止の役割を果さないので好ましくない。
また、下部保護層と同様に記録層材料の結晶化を促進する材料を記録層との界面に設けても良い。
【００２８】
媒体の基板上に積層された多層膜を物理的および化学的損傷から保護するために図１に示すようなオーバーコート層（６）を設けても良い。オーバーコート層には樹脂材料を用いることが一般的であり、紫外線硬化樹脂、電子線硬化樹脂、熱硬化樹脂等を塗布・硬化することが好ましい。樹脂材料の中では紫外線硬化樹脂が成膜時の媒体へのダメージを低減することが出来るため好ましい。成膜にはディッピング法、スピンコーティング法などが用いられるが、膜厚の均一性からスピンコーティング法を用いるのが好ましい。また、反射層材料にＡｇまたはＡｇを主成分とする材料を用いた場合には、Ａｇを腐食しない材料を使用することが好ましい。
光ディスクを物理的損傷と化学的損傷から更に保護するために、オーバーコート層上に更に多層の膜を形成してもよい。
【００２９】
上記のようにして作成された媒体の記録層がアモルファス状態である場合には媒体の記録領域を結晶化する初期化が必要となる。初期化方法としては任意のものを用いることができ、例えば高出力レーザーを照射・走査し記録層を結晶化させる方法、媒体全面に光を照射するフラッシュ法などが挙げられる。
高出力レーザーを用いる方法は、対物レンズを用いて記録層近傍にレーザーの照射エネルギーを収束することが出来るため好ましい。更に、高出力レーザーを用いることで、記録層近傍での照射ビーム径を大きくすることと、走査速度を高めることが可能となる。高出力レーザーの出力としては、消費電力で５００ｍＷ以上が好ましく、更に好ましくは９００ｍＷ以上である。またビーム形状としては、走査方向に垂直な方向に長い形状とすると１回の走査で初期化される面積が大きいため好ましい。ビームのサイズとしては、走査方向に０．５〜２．０μｍが好ましく、走査方向と垂直な方向に５０〜３００μｍが好ましい。ビームの走査速度はビームの幅とレーザー出力によって異なり、ビームの単位面積当りのエネルギー量が高いほど（即ち、ビーム径が小さく出力が高いほど）走査速度を早くできる。走査速度としては、１．０〜１２．０ｍ／ｓの範囲が好ましく、出力９００ｍＷのレーザーを用いた場合は、１．０〜２．５ｍ／ｓが最適である。
また、記録層の成膜をＮ２を含有する雰囲気中で行い結晶化速度を高めた場合には、５．０〜７．０ｍ／ｓの範囲が適切な走査速度となる。
【００３０】
本発明の光情報記録媒体への情報の記録、消去、再生、書換えは集光した光を媒体記録層近傍に照射および走査することで行う。記録、再生にはレーザー光を用いる。レーザーの波長は記録密度等によって選定することができる。例としては７８０ｎｍのＣＤ、６５０または６６０ｎｍのＤＶＤが挙げられる。また集光に用いる対物レンズも波長、記録密度によって決定され、ＣＤ−Ｒ／ＲＷのＮＡ０．５０、ＤＤ（ダブルデンシティー）ＣＤ−ＲＷのＮＡ０．５５、ＤＶＤ＋Ｒ／ＲＷのＮＡ０．６５などがある。
本発明の光情報記録媒体に記録される情報はＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ  ＷｉｄｔｈＭｏｄｕｌａｔｉｏｎ）を光ディスクに応用したマーク間長、マーク長変調方式で変調された情報を記録する。この変調方式の例としてはコンパクトディスクで採用されている８−１４変調（ＥＦＭ）やＤＶＤで採用されている８−１６変調の一種であるＥＦＭ＋などを例として挙げることができる。
【００３１】
媒体への記録は強度変調した光を照射することで行う。強度変調を用いた例としては、特開平９−２１９０２１号公報で公開されている手法やオレンジブックパートＩＩＩに記載されている手法を用いることができる。この手法では照射するパワーを３値で変調する。この手法の例を図２に示す。図２（ａ）は記録すべきアモルファスマークを模式的に表したものである。図はＥＦＭ（Ｅｉｇｈｔ  ｔｏ  Ｆｏｕｒｔｅｅｎ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）を例として示してあるため、基本クロック周期Ｔｗに対してマークの長さは３Ｔｗ、４Ｔｗ、．．．１１Ｔｗである。このマーク長さをｎＴｗ（ｎ＝３、４、．．．１１）とすると、記録に用いる照射パターン（以下記録ストラテジという）は図２（ｂ）となる。図のように、Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂの３値に変調し、かつＰ＝Ｐｗのパルス数がｎ−１となる。
この記録方法のパラメータはＴｔｏｐ、ｄＴｔｏｐ、Ｔｍｐ、ｄＴｅｒａで表される。
【００３２】
この記録方法では書き込み時の基本クロック周期が短くなる高速記録ではパルス幅に対してレーザーの応答時間が追いつかない場合が発生する。ＣＤの２４倍速相当では基本クロック周期は９．６ｎｓであり、クロック周波数は１０４ＭＨｚとなる。この場合、媒体に十分なエネルギーを印加するためには、レーザーの発光の立ち上がり立下がりの時間が１ｎｓ以下である必要がある。
立ち上がり立下がり時間の長いレーザーで高速記録を行う手法として、米国特許５７３２０６２号明細書に開示されている様なパルス数を減らす手法がある。即ちｎＴｗのマークを形成するためにｍ個のパルスを用いる場合、ｎが偶数の場合はｎ＝２ｍの関係が成立し、ｎが奇数の場合はｎ＝２ｍ＋１の関係が成立するものである。この記録ストラテジを用いることで、２ｎｓの立ち上がり立下がり時間のレーザーでも２４倍速相当の記録が可能となる。
このストラテジの例を図３に示す。図３は図２と同様にＥＦＭの場合である。
【００３３】
本発明の光情報記録媒体への記録は、走査速度９．６〜３３．６ｍ／ｓの範囲で行い、記録時の基本クロック周期は９．６〜２９．０ｎｓの範囲とする。この記録時の走査速度についての情報は、光情報記録媒体にプリフォーマットしておくことが望ましい。即ち、媒体に情報を記録する以前の状態で上記の記録可能な走査速度範囲についての情報が付加されていることが望ましい。
プリフォーマットの方法としては任意のものを用いることができ、例えば基板にエンボスピットを設ける手法やグルーブの蛇行（ウォブリング）に情報を入れ込む手法のように基板自体にプリフォーマットを行う手法と、記録装置を用いて媒体の一部に記録しておく手法とがある。これらのうち、基板自体に情報をプリフォーマットしておく手法が媒体の生産工程上有利なため好ましいが、エンボスピットを設ける場合は、エンポスピットとグルーブの最適な深さが異なるため、基盤加工または基板を成形するスタンパー加工上問題がある。そのためグルーブのウォブリングにプリフォーマットする手法が最も好ましい。
【００３４】
このような例としては、前述のＡＴＩＰやＡＤＩＰと同様の手法を用いてアドレス情報の代りに走査速度や適切な記録状態の情報をプリフォーマットする手法がある。ＡＴＩＰに走査速度の情報をプリフォーマットしている例としては、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷにおけるＨＴＳ（Ｈｉｇｅｓｔ  Ｔｅｓｔｉｎｇ  Ｓｐｅｅｄ、最高試験速度）、ＬＴＳ（Ｌｏｗｅｓｔ  Ｔｅｓｔｉｎｇ  Ｓｐｅｅｄ、最低試験速度）があり、ＡＤＩＰを利用している例としてはＤＶＤ＋ＲのＭａｘｉｍｕｍ  Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ（最大記録速度）およびＲｅｆｅｒｅｎｃｅ  Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ（基準記録速度）がある。記録装置はこれらの記録可能な走査速度に関する情報を記録媒体から読み出すことによって、適切な記録走査速度を設定することが可能となる。
上記の走査速度に関する情報は、一意的に決まる形式で記述されていれば良い。上記のＡＴＩＰにプリフォーマットされているＣＤ−ＲおよびＣＤ−ＲＷの場合は、基準走査速度の倍数がプリフォーマットされているが、ＣＤの基準走査速度が１．２〜１．４ｍ／ｓであると明記されているため、プリフォーマット情報から走査速度を特定できる。例えば、プリフォーマットされた走査速度の倍数が「２４倍」である場合は、走査速度は２８．８〜３３．６ｍ／ｓになる。
また、上記速度領域のうちで、前述のｍ＝ｎ−１の記録ストラテジとｎ＝２ｍ（またはｎ＝２ｍ−１）の記録ストラテジの双方で記録できる領域が存在する必要がある。ｍ＝ｎ−１（即ち、ｎ＝ｍ＋１）の記録ストラテジで記録する範囲は低速記録側に限定されることが好ましく、ＣＤの１６倍速相当以下、即ち走査速度２２．４ｍ／ｓ以下、基本クロック周期Ｔｗが１４．４ｎｓ以上とすることが更に好ましい。
【００３５】
【実施例】
以下、実施例および比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
【００３６】
実施例１
らせん状の連続グルーブを転写したポリカーボネート製の透明基板に下部保護層、記録層、上部保護層、反射層、オーバーコート層を順次積層し光ディスクを作成した。
基板には外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのＣＤ−ＲＷ用の基板を使用した。基板は射出成形で作成し、スタンパを用いてらせん状の連続グルーブが転写されている。基板に転写されたグルーブの形状をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で測定したところ、溝幅は６２０ｎｍ、溝深さは４０ｎｍであった。グルーブは蛇行（ウォブリング）しており、蛇行は線速１．２ｍ／ｓで走査したときに平均周波数が２２．０５ｋＨｚとなるようにした。また、ウォブリングは周波数変調を用いてアドレス情報がプリフォーマットされており、変調方式およびアドレス情報はＣＤ−ＲＷの国際標準規格である通称オレンジブック  パートＩＩＩ  ヴォリューム２  ヴァージョン１．１（Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ  Ｃｏｍｐａｃｔ  ＤｉｓｃＳｙｓｔｅｍｓ  Ｐａｒｔ  ＩＩＩ  ｖｏｌｕｍｅ  ２  ｖｅｒｓｉｏｎ  １．１）に準拠するものとした。
媒体の記録および再生の信頼性を確保するために基板の複屈折を記録・再生波長である７８０ｎｍにおいて４０ｎｍ以下となるように調整した。複屈折は射出成形時に樹脂射出速度および金型の温度調整をすることで最適化を行った。
更に、以下に説明する各層を成膜する前に６０℃で１２時間アニールし、基板に吸着または取り込まれた水分を十分に取り除いた。
上記の透明基板上にＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなる下部保護層を設けた。ＺｎＳとＳｉＯ２の組成比はモル比で８０：２０とした。成膜には真空成膜法の一種であるＲＦマグネトロンスパッタリング法を用いた。スパッタリングガスには一般的な不活性ガスであるＡｒを用い、スパッタリングの高圧電源の出力を４ｋＷとし、Ａｒガスの流入量を１５ｓｃｃｍとした。下部保護層の膜厚は７５ｎｍとした。
下部保護層上に、次の組成式で表される材料からなる記録層を形成した。
ＧａｘＧｅｙ（ＳｂｚＴｅ１−ｚ）１−ｘ−ｙ
式中、ｘ、ｙ、ｚは原子比であり、その値は次の通りである。
ｘ＝０．０３８
ｙ＝０．０３０
ｚ＝０．８１５
成膜はＧａＧｅＳｂＴｅ合金ターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタリング法で行った。スパッタリングガスにはＡｒを用い、その流入量は２０ｓｃｃｍとし、スパッタパワーを４００Ｗに設定した。記録層の膜厚は１６ｎｍに設定した。
記録層上に更に上部保護層を形成した。上部保護層材料は下部保護層材料と同一の材料を用いた。成膜も同様にＡｒガスを用いたＲＦマグネトロンスパッタリング法を用いた。但し、スパッタリングパワーを１．５ｋＷに設定した。その膜厚は１８ｎｍとした。
上部保護層上にＡｇの硫化を防止するために、膜厚４ｎｍのＳｉを成膜した。Ｓｉは純度９９．９９％のものを用いた。成膜には記録層と同様にＤＣマグネトロンスパッタリング法を用た。成膜時のスパッタリングパワーは０．５ｋＷに設定した。
Ｓｉ層の上にＡｇ反射層を形成した。成膜は純度９９．９９％以上のターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法で行った。スパッタリングチャンバーへのＡｒ流入量は２０ｓｃｃｍとし、スパッタリングパワーは３ｋＷに設定した。反射層の膜厚は１４０ｎｍとした。
上記５層の薄膜の膜厚は、何れも分光エリプソメーターを用いて光学的に測定した値である。また、成膜は枚葉式のスパッタリング装置を用いたため、下部保護層から反射層までを成膜する間に大気に暴露されないように設定し、記録層の酸化等の化学反応やガスの吸着を防止した。
反射層上に市販の光ディスク用コーティング材（大日本インキ製ＵＶ硬化樹脂ＳＤ３１８）を用いてオーバーコート層とした。成膜はスピンコーティング法で塗布し、ＵＶランプで照射して硬化させた。オーバーコート層の膜厚は光ディスク内周部で８μｍ、光ディスク外周部で１４μｍであった。
【００３７】
完成した光ディスクの記録層はスパッタリング後の急冷状態にあり、全面アモルファス状態となっているため、高出力レーザーを照射および走査することで、初期化を行った。高出力レーザーは出力９００ｍＷのものを用いた。レーザーのビーム形状は、光ディスクの記録層近傍に集光され楕円となるように対物レンズを調整している。楕円は走査方向（即ちディスクの周方向）に短くなるようにした。つまり、楕円の短軸と走査方向が一致するように調整した。ビームの大きさはピーク強度の１／ｅ２となる（ｅは自然対数の底である）位置をビームのエッジとしたとき、短軸で１μｍ、長軸で９０μｍであった。このビームを走査速度２ｍ／ｓでらせん状に走査することで光ディスク全面を初期化した。このとき、螺旋のピッチ（１回転あたりの半径方向のずれ量）は４５μｍに設定し、レーザービームが２回走査するように設定した。
初期化が終了した光ディスクはオレンジブックパートＩＩＩに記載される機械特性と未記録信号特性を満足する、未記録状態のＣＤ−ＲＷとなった。
完成した光ディスクに実際に記録およびオーバーライトを行い、記録信号特性を評価した。信号特性の評価にはパルステック工業株式会社製光ディスク評価装置ＤＤＵ１０００を用いた。その光ピックアップの仕様はＮＡ０．５０、λ＝７８９ｎｍ、最大射出パワー３５ｍＷである。光ディスクの回転数は最大６０００ｒｍｐであり、コンパクトディスクの３０倍速相当の評価が可能である。
記録ストラテジとして、図４に記載したものを用いた。即ちパルス数をｍ、記録するマークを基本クロック周期ｎＴで表したとき、パルスの発光周期がｎＴ／ｍとなるようにした。ストラテジの各パラメータは以下の通りに設定した。なお、図中のＴはＴｗと同じ意味である。
Ｔｍｐ＝１．０Ｔ
Ｔｍｐ′＝１．６Ｔ
Ｔｄ１＝０．５Ｔ
Ｔｄ２＝０Ｔ
δ＝０．１２５Ｔ
走査速度＝２８．８ｍ／ｓ（ＣＤの２４倍速相当）
基本クロック周期Ｔ＝９．６４ｎｓ
また、記録パワーＰｗ、Ｐｅ、Ｐｂは以下の通り設定した。
Ｐｗ＝３３ｍＷ
Ｐｅ＝１１ｍＷ
Ｐｂ＝０．５ｍＷ
なお、記録する情報としてはＥＦＭのルールに準拠したパターンを記録した。また、記録は１回からダイレクトオーバーライト１０００回まで行った。
同一の装置で走査速度を１．２ｍ／ｓ（ＣＤの１倍速相当）に設定し、記録信号の評価を行った。評価項目は１１Ｔ変調度、３Ｔマークジッタ、３Ｔスペースジッタである。ＣＤ−ＲＷの標準規格では次のように規定されている。
１１Ｔ変調度：０．５５〜０．７０
ジッタ：３５ｎｓ以下
作成した光ディスクの測定結果を図５に示すが、図から分るように、繰り返し記録回数１〜１０００回に渡って標準規格を満足する良好な結果となった。
【００３８】
上記の評価を行った光ディスクと同一の光ディスクを用い、記録ストラテジの各パラメータおよび記録パワーＰｗ、Ｐｅ、Ｐｂを次のように変更した点以外は、上記の場合と全く同様にして記録し信号特性の評価を行った。
Ｔｍｐ＝０．５Ｔ
Ｔｍｐ′＝０．８Ｔ
Ｔｄ１＝０．５Ｔ
Ｔｄ２＝０Ｔ
δ＝０．１２５Ｔ
走査速度：９．６ｍ／ｓ（ＣＤの８倍速相当）
基本クロック周期Ｔ：２８．９ｎｓ
Ｐｗ＝３０ｍＷ
Ｐｅ＝１０ｍＷ
Ｐｂ＝０．５ｍＷ
測定結果を図６に示すが、図から分るように、繰り返し記録回数１〜１０００回に渡って標準規格を満足する良好な結果となった。
更に上記と同一の光ディスクを８０℃、８５％ＲＨ環境下に３００時間放置した後に、記録部分の３Ｔジッタを測定した。その結果３５ｎｓ以下であり、十分な保存信頼性が確保されていることを確認した。
以上の結果から明らかなように、ＣＤの８〜２４倍速でダイレクトオーバーライト可能であり、保存信頼性も十分なＣＤ−ＲＷディスクを得ることが出来た。
【００３９】
比較例１
記録層材料の組成を以下の通りに変更した点以外は、実施例１と同様の手法で光ディスクを作成し、実施例１と同様にして初期化した。
ｘ＝０．０２９
ｙ＝０．０３９
ｚ＝０．８２０
しかし、この光ディスクは、未記録状態で再生信号上にノイズが発生し、また実施例１の走査速度＝２８．８ｍ／ｓの場合と同様にして記録し評価を行ったところ、１回目の記録でジッタが３５ｎｓを超えてしまい規格外となった。Ｇｅの添加量がＧａの添加量を超えている（ｘ＜ｙ）ため、結晶化温度が高く、均一な結晶相を作ることが出来なかったものと考えられる。
【００４０】
比較例２
記録層材料の組成を以下の通りに変更した点以外は、実施例１と同様の手法で光ディスクを作成した。
ｘ＝０．０１６
ｙ＝０．０４９
ｚ＝０．７９３
また、初期化についても、走査速度を４．０ｍ／ｓに設定した点以外は実施例１と同様にして行った。
この光ディスクに対し、記録ストラテジの各パラメータおよび記録パワーＰｗ、Ｐｅ、Ｐｂを次のように変更した点以外は、実施例１と同様にして記録し信号特性の評価を行った。
Ｔｍｐ＝１．０Ｔ
Ｔｍｐ′＝１．６Ｔ
Ｔｄ１＝０．５Ｔ
Ｔｄ２＝０Ｔ
δ＝０．１２５Ｔ
走査速度＝２８．８ｍ／ｓ（ＣＤの２４倍速相当）
基本クロック周期Ｔ＝９．６４ｎｓ
Ｐｗ＝３０ｍＷ
Ｐｅ＝１０ｍＷ
Ｐｂ＝０．５ｍＷ
その結果、１回目の記録では、３Ｔスペースジッタ２０ｎｓ、３Ｔマークジッタ１９ｎｓと良好な結果を示した。しかし、２回目の記録（オーバーライト）では、スペースジッタ、マークジッタ共に４２ｎｓ程度となった。従って、ＣＤの２４倍速相当ではオーバーライト不可であることを確認した。
【００４１】
実施例２
記録層材料の組成を以下の組成式の通りに変更した点以外は、実施例１と同様の手法で光ディスクを作成した。
〔ＧａｘＧｅｙ（ＳｂｚＴｅ１−ｚ）１−ｘ−ｙ〕１−ｗＭｎｗ
で表されるとき、
ｘ＝０．０３８
ｙ＝０．０３０
ｚ＝０．８１５
ｗ＝０．０２
また、初期化についても、走査速度を２．５ｍ／ｓに設定した点以外は実施例１と同様にして行った。
この光ディスクに対し、実施例１と同様に記録し評価を行った結果について、走査速度２８．８ｍ／ｓの場合を図７に示し、走査速度９．６ｍ／ｓの場合を図８に示したが、図から分るように、何れも良好な結果が得られ、記録層にＭｎを添加することで、より高い走査速度で良好な特性を確保することができた。
【００４２】
実施例３
下部保護層と記録層の間に、ＺｒＯ２（７７モル％）、ＴｉＯ２（２０モル％）、Ｙ２Ｏ３（３モル％）からなる酸化物層を設けた点以外は、実施例１と同様にして光ディスクを作成した。成膜は、下部保護層と同一の手法であるＲＦマグネトロンスパッタリング法を用いた。
この光ディスクを、走査速度を２．５ｍ／ｓに設定した点以外は実施例１と同様にして初期化し、未記録状態での再生信号上のノイズを調べたところ、実施例１の光ディスクとほぼ同等であった。また、実施例１の走査速度＝２８．８ｍ／ｓの場合と同様にして記録し評価を行ったところ、１回目の記録ジッタも２３ｎｓと良好な結果となった。
従って、酸化物層を記録層に隣接して設けることで初期化の走査速度を上げられることが確認できた。
【００４３】
比較例３
記録層材料の組成を以下の通りに変更した点以外は、実施例１と同様の手法で光ディスクを作成した。
ｘ＝０．０７２
ｙ＝０．０２９
ｚ＝０．７９０
（ｘ＋ｙ＝０．１１）
この光ディスクを、走査速度を２．０ｍ／ｓに設定した点以外は実施例１と同様にして初期化した。
得られたディスクは反射率が低く、未記録状態で０．１４となり、標準規格の０．１５以上０．２５以下を満足することが出来なかった。
また、実施例１の走査速度＝２８．８ｍ／ｓの場合と同様にして記録し評価を行ったところ、２回目の記録でのジッタが５０ｎｓを超えてしまい特性を確保することができなかった。
これは、ｘ＋ｙが０．１を超えたため記録層の吸収係数が高くなり、反射率が低下し、その結果良好なオーバーライトジッタを確保できなかったものと考えられる。
【００４４】
比較例４
記録層材料の組成を以下の通りに変更した点以外は、実施例１と同様の手法で光ディスクを作成し、実施例１と同様にして初期化した。
ｘ＝０．０４８
ｙ＝０．０３１
ｚ＝０．８６３
この光ディスクに対し、実施例１の走査速度＝２８．８ｍ／ｓの場合と同様にして記録し評価を行ったところ、１１Ｔ変調度が０．４２となったため、十分な再生信号振幅を得ることが出来なかった。
【００４５】
実施例４
初期化の条件を下記のように設定した点以外以外は、実施例１と同様の手法で光ディスクを作成した。
初期化パワー：９００ｍＷ
走査速度：３．０ｍ／ｓ
１回転あたりの半径方向の移動量：２０μｍ
この光ディスクに対して、実施例１の走査速度＝２８．８ｍ／ｓの場合と同様にして記録し評価を行った。その結果、１０回のオーバーライト後のジッタが３０ｎｓと良好な結果となった。一方、未記録状態での再生信号に結晶の微細構造によるノイズが発生したため、１回目の記録でのジッタが３２ｎｓとなり、実施例１〜３と比較すると高い値となった。
【００４６】
比較例５
実施例１と同様の手法で光ディスクを作成した。但し、記録層材料として下記の組成式で表されるＩｎＧｅＳｂＴｅを用いた（ＧａをＩｎに置換した）。
ＩｎｘＧｅｙ（ＳｂｚＴｅ１−ｚ）１−ｘ−ｙ
式中、ｘ、ｙ、ｚは原子比であり、その値は次の通りである。
ｘ＝０．０３５
ｙ＝０．０２
ｚ＝０．８０２
作成したディスクに対して実施例１に記載した方法で１回記録し、温度８０℃、相対湿度８５％環境下に３００時間放置した。その結果、環境試験前のジッタ２３ｎｓに対して、試験後のジッタは４２ｎｓと大幅に悪化した。
同一のディスクに対して、実施例１に記載の方法で走査速度２８．８ｍ／ｓで２回記録（即ち１回オーバーライト）を行ったところ、ジッタは４５ｎｓとなり、規格を大幅に越えた結果となった。
上記の結果から、ＧａをＩｎに置換した場合は、保存信頼性およびオーバーライト特性が達成できないことが明らかになった。
【００４７】
実施例６
記録層の成膜スパッタリング条件および初期化条件を以下のように変更した点以外は、実施例１と同様の手法を用いて光ディスクを作成した。
記録層の成膜については、スパッタリングガスとしてＡｒを用い、その流入量を２０ｓｃｃｍとし、スパッタリングパワーを４００Ｗに設定した。更に、スパッタリングチャンバーに純度９９．９９％の窒素ガスを導入した。窒素ガス流量はマスフローを用いて制御した（流量を調整することで記録層中に取り込まれるＮを調整することができる）。流量は０〜１．０ｓｃｃｍの範囲で調整し、チャンバー内のＡｒの分圧ＰＡｒおよびＮ２の分圧ＰＮをマススペクトルアナライザで測定することによりＰＮ／ＰＡｒを定量化した。
初期化は次のような条件で行った。
初期化パワー      ：９００ｍＷ
走査速度          ：５．０ｍ／ｓ
１回転当りの移動量：２０μｍ
以上のようにして作成したディスクは、実施例１と同様に未記録状態でオレンジブック規格を満足するものとなった。また、完成したディスクをＳＩＭＳ分析したが、記録層中に元素Ｎは検出されなかった。
次に完成したディスクの結晶化上限速度の測定を行った。測定にはパルステック工業（株）製の光ディスク評価装置ＤＤＵ１０００を用いた。光ピックアップの仕様はＮＡ０．５０、λ＝７８９ｎｍであり、測定時のパワーは０．７ｍＷとし、照射パワーＰは２０ｍＷとした。
分圧比ＰＮ／ＰＡｒと結晶化上限速度の測定結果を図１１にＧｅ＝３％の場合として示すが、分圧比０．０３５以上で結晶化上限速度が大きく上昇しているのが分る。
更に、ＣＤの２４倍速相当（走査速度２８．８ｍ／ｓ、クロック周波数１０３．７ＭＨｚ）で１０Ｔ−１０Ｔの単一パターンを記録した。記録方法は、実施例１と同様の方法を用いた。記録したパターンを、ＣＤの１倍速（走査速度１．２ｍ／ｓ）で再生し、ＣＮ比をスペクトルアナライザで測定した。
図１２にＶＯ／ＶＬとＣＮ比の測定結果をＧｅ＝３％の場合として示す。図から分るように、ＶＯ／ＶＬが１．１以上のとき、ＣＮ比は５５ｄＢを超える高い値となった。
更に、ダイレクトオーバライトの容易さを判断する特性として、消去比を測定した。ここでいう消去比とは次のように測定される「Ｓ０／Ｓ」のことである。即ち前述のＣＮ比の測定と同様にして媒体に１０Ｔ−１０Ｔの単一パターンを記録してＣＮ比を測定し、その測定値をＳ０とする。次いで記録した部分に、Ｐ＝１０ｍＷで１度だけ照射及び走査し記録マークの消去動作を行った後、記録した部分のＣＮ比を測定し、その測定値をＳとする。Ｓが高いほど、消去できていないマークが残っていることを意味する。つまりＳ０／Ｓが高いほど記録マークの消去性が高いことになり、ダイレクトオーバーライトに適した媒体となる。
図１３にＰＮ／ＰＡｒと消去比の関係を示す。
図１３から、Ｇｅ３％ではＶＯ／ＶＬが高くなるＰＮ／ＰＡｒ≧０．０３５の領域で消去比が高くなっていることが分る。
これらの結果を比較例２と対比すると、初期化の走査速度が５ｍ／ｓと高いにも拘わらず、高いＣＮと消去比が得られることが分る。
【００４８】
実施例７
記録層組成を以下のように変更した点以外は、実施例６と同様にして光ディスクを作成し、実施例１と同様にして結晶化上限速度を測定した。
結果を図１１のＧｅ２％の場合として示すが、分圧比０．０２以上で結晶化上限速度が大きく上昇することが確認できた。
ｘ＝０．０３８
ｙ＝０．０２０
ｚ＝０．８１５
【００４９】
実施例８
記録層組成を以下のように変更した点以外は実施例６と同様にして光ディスクを作成し、実施例６と同様にして結晶化上限速度、ＣＮ比、消去比を測定した。
結果を図１１〜図１３のＧｅ１％の場合として示すが、分圧比０．０１５以上で高い消去比とＣＮを得られることが分った。
ｘ＝０．０３８
ｙ＝０．０１０
ｚ＝０．８１５
【００５０】
実施例９
実施例６で作成したディスクの内、消去比が良好な分圧比０．０４５の媒体について、実施例１と同様の方法で２４倍速での記録評価を行ったところ、ジッタの測定値は下記の通りとなり、ジッタ規格値３５ｎｓを１０００回ＤＯＷまで満足する良好な特性を得た。即ち、窒素を添加することで、より高い走査速度での初期化を可能とし、初期化プロセス時間を短縮しつつ、良好な特性を確保することが出来た。
初期記録        ：２４．３ｎｓ
ＤＯＷ１回      ：２８．４ｎｓ
ＤＯＷ１０００回：３２．５ｎｓ
【００５１】
【発明の効果】
本発明１〜２によれば、ＣＤ−ＲＷの８〜２４倍速記録に相当する９．６〜３３．６ｍ／ｓの範囲での良好なダイレクトオーバーライト特性を実現できると共に、記録した情報の保存寿命を確保することが可能となる。
本発明３によれば、記録層材料の結晶化温度を下げることが可能となり、高出力レーザーでの結晶化が容易となるため、反射率の均一な低ノイズ（高ＳＮ比）の再生信号を得ることができる。
本発明４〜５によれば、結晶化上限速度を高めているため、より高速での初期化、結晶化が可能となり、良好な記録品質を維持しつつ初期化のプロセス時間を短縮できる。
本発明６によれば、適切な走査速度で記録、消去および／または書換えを行うことができる。
本発明７によれば、反射層の熱伝導率の向上により、情報を記録および／または書き換えるときに記録層を容易に急冷状態にすることができ、２０ｍ／ｓ以上の高い走査速度のため媒体に十分なエネルギーが印加されない場合でもアモルファス状態を作ることできるので、高速記録でも良好な記録感度を確保することができる。
本発明８によれば、記録層の近傍に酸化物膜を形成することで、記録層の結晶化を促進することが可能となり、本発明３と同等の効果を得ることができる。
本発明９、１３によれば、光情報記録媒体の初期化プロセスにおける、高出力レーザーの走査速度を最適化しているため、記録層材料に十分なエネルギーを印加することができ、記録層材料をより光学的異方性の少ない均一な状態にすることが可能となり、再生信号を低ノイズにすることができる。
本発明１０〜１２によれば、本発明の光情報記録媒体の記録層を作成するためのスパッタリングターゲットを提供できる。
本発明１４〜１５によれば、本発明の光情報記録媒体の適切な記録方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光情報記録媒体の一例の断面図（模式図）。
【図２】強度変調した光を照射する手法の一例を示す図。
（ａ）  記録すべきアモルファスマークを模式的に表したもの
（ｂ）  記録に用いる照射パターン（記録ストラテジ）
【図３】パルス数を減らす手法のストラテジの例を示す図。
【図４】実施例１の光ディスクの記録信号特性の評価に用いた記録ストラテジを示す図。
【図５】実施例１の光ディスクの走査速度２８．８ｍ／ｓでの測定結果を示す図。
【図６】実施例１の光ディスクの走査速度９．６ｍ／ｓでの測定結果を示す図。
【図７】実施例２の光ディスクの走査速度２８．８ｍ／ｓでの測定結果を示す図。
【図８】実施例２の光ディスクの走査速度９．６ｍ／ｓでの測定結果を示す図。
【図９】走査速度ｖと媒体の規格化した反射率Ｒ／Ｒ０の関係を示す図。
【図１０】分圧比ＰＮ／ＰＡｒとｖ０の関係を示す図。
【図１１】分圧比ＰＮ／ＰＡｒを変化させたときの結晶化上限速度の測定結果を示す図。
【図１２】ＶＯ／ＶＬとＣＮ比の測定結果を示す図。
【図１３】分圧比ＰＮ／ＰＡｒを変化させたときの消去比の測定結果を示す図。
【符号の説明】
Ｔｗ  基本クロック周期
３Ｔｗ〜１１Ｔｗ  マークの長さ
Ｐｗ  記録パワー
Ｐｅ  消去パワー
Ｐｂ  バイアスパワー
Ｔｔｏｐ  先頭パルスの幅
ｄＴｔｏｐ  先頭パルス開始時間
Ｔｍｐ  マルチパルス部のピークパワーパルスの幅
ｄＴｅｒａ  消去開始時間
Ｔ  基本クロック周期
Ｔｍｐ′  ｎ＝３の場合のピークパルスの幅
Ｔｄ１  データ立ち上がりから最初のピークパルスの立ち上がりまでの時間
Ｔｄ２  Ｐ＝Ｐｅとなる位置からデータの立下りまでの時間
Ｔｄ２′  ｎ＝３の場合のＴｄ２
δＴ  ｎが奇数の場合の最終パルスの延長時間（Ｔｍｐに対して）
Ｒ０  媒体の初期化後の反射率
Ｒ  媒体に照射パワーＰ０の光を走査速度ｖで照射した後の反射率
ｖ０  結晶化上限速度
（ａ）  規格化反射率の変化例
（ｂ）  規格化反射率の変化例
（ｃ）  規格化反射率の変化例
Ａ  ｖ０が低く高速でのＤＯＷ特性を確保できない領域
Ｂ  Ａ、Ｃの混在状態となり、不安定な領域
Ｃ  ｖ０が高く高速向きの領域
ｖＬ  ＰＮ／ＰＡｒ＜０．００１である時の結晶化上限速度
ｖＨ
【図１】
2004206851.tif 000003
【図２】
2004206851.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004206851.tif 000009
【図８】
2004206851.tif 000010
【図９】
2004206851.tif 000011
【図１０】
2004206851.tif 000012
【図１１】
2004206851.tif 000013
【図１２】
2004206851.tif 000014
【図１３】
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