(57)【要約】【課題】電界吸収形光変調素子を備える光半導体装置と、その駆動用電気回路との間のインピーダンスミスマッチングを低減できるようにする。駆動用電気回路からの電圧が効率良く電界吸収形光変調素子に印加されるようにする。これらにより、ジッタ、パターン効果及び波形歪みが抑制された良好な光出力波形を実現でき、しかも、消費電力が小さく高速光伝送に好適な光半導体装置及び光通信用モジュールを提供する。【解決手段】入力される高周波電気信号に応じて光信号を変調する電界吸収型光変調素子２１と、該電界吸収型光変調素子２１に一端が接続され他端がグランドに接地された終端抵抗２と、を備える光半導体装置である。終端抵抗の抵抗値は、電界吸収型光変調素子２１に高周波電気信号を伝送するための高周波電気線路３の特性インピーダンスよりも大きい値に設定されている。【選択図】    図１
2004325495.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力される高周波電気信号に応じて光信号を変調する電界吸収型光変調素子と、該電界吸収型光変調素子に一端が接続され他端がグランドに接地された終端抵抗と、を備える光半導体装置において、
前記終端抵抗の抵抗値は、前記電界吸収型光変調素子に前記高周波電気信号を伝送するための高周波電気線路の特性インピーダンスよりも大きい値に設定されていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光半導体装置において、
前記特性インピーダンスは５０Ωに設定されている一方で、
前記終端抵抗は７０Ωよりも大きい抵抗値に設定されていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項３】
入力される高周波電気信号に応じて光信号を変調する電界吸収型光変調素子と、
前記電界吸収型光変調素子に一端が接続され他端がグランドに接地された終端抵抗と、
前記電界吸収型光変調素子と、該電界吸収型光変調素子に対する前記高周波電気信号の入力端子と、の間に直列に挿入された直列抵抗と、を備える光半導体装置において、
前記直列抵抗の抵抗値は、前記電界吸収型光変調素子に前記高周波電気信号を伝送するための高周波電気線路の特性インピーダンスの０．２倍以下の値に設定されている一方で、
前記終端抵抗の抵抗値は、前記特性インピーダンスから前記直列抵抗の抵抗値を差し引いた値の１．２倍以上の値に設定されていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光半導体装置と、
前記光半導体装置に前記高周波電気信号を入力して該光半導体装置を駆動させる駆動用電気回路と、を備えることを特徴とする光通信用ボード。
【請求項５】
入力される高周波電気信号に応じて光信号を変調する電界吸収型光変調素子と、該電界吸収型光変調素子に一端が接続され他端がグランドに接地された終端抵抗と、を有する光半導体装置と、
前記光半導体装置に前記高周波電気信号を入力して該光半導体装置を駆動させる駆動用電気回路と、
前記駆動用電気回路と前記光半導体装置との間に直列に挿入された直列抵抗と、を備え、
前記終端抵抗の抵抗値は、
前記電界吸収型光変調素子に前記高周波電気信号を伝送するための高周波電気線路の特性インピーダンスから、前記直列抵抗の抵抗値を差し引いた値の、１．２倍以上の値に設定されていることを特徴とする光通信用ボード。
【請求項６】
入力される高周波電気信号に応じて光信号を変調する電界吸収型光変調素子と、該電界吸収型光変調素子に一端が接続され他端がグランドに接地された終端抵抗と、前記電界吸収型光変調素子と該電界吸収型光変調素子に対する前記高周波電気信号の入力端子との間に直列に挿入された第１の直列抵抗と、を有する光半導体装置と、
前記光半導体装置に前記高周波電気信号を入力して該光半導体装置を駆動させる駆動用電気回路と、
前記駆動用電気回路と前記光半導体装置との間に直列に挿入された第２の直列抵抗と、を備え、
前記終端抵抗の抵抗値は、
前記電界吸収型光変調素子に前記高周波電気信号を伝送するための高周波電気線路の特性インピーダンスから、前記第１及び第２の直列抵抗の抵抗値をそれぞれ差し引いた値の、１．２倍以上の値に設定されていることを特徴とする光通信用ボード。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれか一項に記載の光通信用ボードを備えることを特徴とする光通信用モジュール。
【請求項８】
請求項４乃至６のいずれか一項に記載の光通信用ボード、又は、請求項７に記載の光通信用モジュールを備えることを特徴とする光通信装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光ファイバ通信システム用の光源として、種々の光半導体装置が研究・開発されている。光ファイバ通信に用いられる光信号の変調方式は、半導体レーザ（レーザダイオード）の駆動電流を変調する直接変調方式と、半導体レーザには一定電流を印加し、該半導体レーザからの出力光を外部の光変調器によって変調する外部変調方式とに大別される。このうち外部変調方式は、半導体レーザの緩和振動の影響が無いとともに波長チャーピングが小さい。このため、数Ｇｂｉｔ／ｓｅｃ以上の伝送速度で数十ｋｍ〜数百ｋｍ以上の長距離伝送を行うような場合には、外部変調方式が比較的多く用いられる。この外部変調方式に用いられる光変調器としては、小型かつ低消費電力であり、しかも、半導体レーザとのモノリシック集積も可能な半導体電界吸収型光変調器（電界吸収型光変調素子）が広く実用に供されている。なお、半導体電界吸収型光変調器はＥＡ変調器ともいう（ＥＡ：Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ）。
＜第１の従来技術＞
図７は電界吸収型光変調素子を具備する光半導体装置の基本構成例を示す模式図である。
【０００３】
図７に示すＥＡ変調器集積化分布帰還型レーザダイオード１は、レーザ光（光信号）を出力するレーザダイオードと、該レーザダイオードからの光信号を変調する光変調素子（ＥＡ変調器：電界吸収型光変調素子）２１（図８）とがモノシリック集積された構成となっている。このうち光変調素子２１の一端はグランドに接地されている。この光変調素子２１の他端には、該光変調素子２１に高周波電気信号を伝送するための高周波電気線路（例えば、マイクロストリップライン或いはコプレーナライン等）３の一端が接続されている。この高周波電気線路３の一端は終端抵抗２の一端にも接続されていて、該終端抵抗２の他端はグランドに接地されている。つまり、終端抵抗２は光変調素子２１と並列に接続されていて、終端抵抗２の一端は光変調素子２１に接続されている。なお、これら終端抵抗２、高周波電気線路３及びレーザダイオード１（光変調素子２１を含む）は、光出力モニタ用フォトダイオード５及び温度モニタ用サーミスタ６とともにチップキャリア７上に固定され、該チップキャリア７ごとペルチェクーラー８上に搭載されている。また、光変調素子２１によって変調された出力光はファイバ結合用レンズ９およびアイソレータ１０を介してシングルモードファイバ１１に結合されるようになっている。このうち、レーザダイオード１、終端抵抗２、高周波電気線路３、フォトダイオード５、サーミスタ６、チップキャリア７、ペルチェクーラー８、レンズ９及びアイソレータ１０は気密ケース１２内にパッケージされている。この気密ケース１２には、該気密ケース１２の内外を貫通した状態に電気信号入力端子１３が設けられている。この電気信号入力端子１３の気密ケース１２内部側には、ボンディングワイヤ４を介して高周波電気線路３が接続されている。
【０００４】
そして、光変調素子２１を駆動させるための高周波電気信号が、気密ケース１２外部より電気信号入力端子１３、ボンディングワイヤ４及び高周波電気線路３を介して光変調素子２１に入力されるようになっている。光変調素子２１は、入力される高周波電気信号に応じて、レーザダイオードからの光信号を変調する。
【０００５】
図８は光変調素子２１及びその周辺の電気的な回路図を示したものである。従来技術においては、終端抵抗（Ｒｔ）２の抵抗値は、光変調素子２１を駆動するための駆動用電気回路の出力インピーダンス或いは該光変調素子２１に高周波電気信号を伝送するための高周波電気線路３の特性インピーダンスと同一の値に設定されていた。この場合、光変調素子２１に光信号が入力される実使用条件下においては、該光変調素子２１にて光吸収によるフォトカレントが発生することにより、光半導体装置のインピーダンスが低下する。
【０００６】
図９はこのフォトカレント発生を考慮した近似的な等価回路であり、容量（Ｃ）２１１と並列に接続された抵抗（Ｒｐｈ）２１２によってフォトカレントの寄与を記述している。実験的にこの抵抗２１２の抵抗値Ｒｐｈは５０Ω〜１５０Ω程度となることが確認されている。図９に示すように、抵抗２１２が容量（Ｃ）２１１と並列に接続されることによってインピーダンスミスマッチが増加し、電気反射の増大により信号歪みやジッタの増大など、光半導体装置の光出力波形に大きな劣化が現れる。
【０００７】
図１０は高周波電気線路３の特性インピーダンス＝５０Ω、終端抵抗２の抵抗値Ｒｔ＝５０Ωの場合のリターンロスの周波数特性の一例を示したものである。光変調素子２１に光が入力されていない状態では低周波域（例えば０．５ＧＨｚ以下）において−４０ｄＢ以下の良好なインピーダンスマッチングがとれているが、光変調素子２１に光信号が入力される実使用条件下においては、フォトカレントの発生によりインピーダンスが低下し、低域のリターンロスが−１７ｄＢ前後まで悪化している。このため、光出力波形のジッタが大きくなり、特に電気的反射に敏感な駆動用電気回路を使用した際にはパターン効果や波形歪みが顕著となる。
【０００８】
第１の従来技術において上記のごとく欠点が顕れる理由は、フォトカレントの発生によるインピーダンス低下を考慮した終端抵抗設計となっていないためである。
＜第２の従来技術＞
他の従来技術としては、終端抵抗の他に、直列抵抗、又は、直列抵抗及びインダクタンスを付与することにより、広帯域における周波数特性をチューニングする技術がある（例えば、特許文献１参照）。
＜第３の従来技術＞
その他の従来技術としては、直列抵抗及び直列インダクタンスを付与し、３Ω〜２５Ωの範囲で設定される直列抵抗によってフォトカレント発生による低周波域のインピーダンス低下を補償し、かつ、直列インピーダンスによって高周波域において低下する変調器のインピーダンス低下を補償する技術がある（例えば、特許文献２参照）。
【０００９】
【特許文献１】
特開平９−２５２１６４号公報（第３−５頁、第２図、第６図、第８図）
【００１０】
【特許文献２】
特開２００１−２５７４１２号公報（第４−６頁、第１図−第９図）
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１の技術においては、終端抵抗の抵抗値は高周波電気線路の特性インピーダンスと等しい５０Ωに設定されており、直列抵抗の抵抗値は２５Ω以上に設定されている。従って、外部から印加される電圧の１／３程度は直列抵抗に印加されて（直列抵抗にて消費されて）変調器の消光動作に寄与しないので、変調装置としての効率が悪化するという問題を有している。
【００１２】
また、特許文献２の技術においても、終端抵抗の抵抗値は高周波電気線路の特性インピーダンスと等しい５０Ωに設定することを前提としているため、直列抵抗の抵抗値を小さくした場合にはフォトカレントによるインピーダンス低下の補償不足が生じ、逆に直列抵抗の抵抗値を大きくした場合には変調器に印加される電圧の低下というトレードオフが存在する。
【００１３】
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、電界吸収形光変調素子を備える光半導体装置とその駆動用電気回路との間のインピーダンスミスマッチングを低減されるようにすることによって、ジッタ、パターン効果及び波形歪みの抑制された良好な光出力波形を実現できて高速光伝送を好適に実施可能とし、より好ましくは駆動用電気回路からの電圧が効率良く電界吸収形光変調素子に印加されるようにすることにより、消費電力を低減することができる光半導体装置、これを備える光通信用ボード、光通信用モジュール及び光通信装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の光半導体装置は、入力される高周波電気信号に応じて光信号を変調する電界吸収型光変調素子と、該電界吸収型光変調素子に一端が接続され他端がグランドに接地された終端抵抗と、を備える光半導体装置において、前記終端抵抗の抵抗値は、前記電界吸収型光変調素子に前記高周波電気信号を伝送するための高周波電気線路の特性インピーダンスよりも大きい値に設定されていることを特徴としている。ここで、前記特性インピーダンスは５０Ωに設定されている一方で、前記終端抵抗は７０Ωよりも大きい抵抗値に設定されていることを好ましい例とする。
【００１５】
また、本発明の光半導体装置は、入力される高周波電気信号に応じて光信号を変調する電界吸収型光変調素子と、前記電界吸収型光変調素子に一端が接続され他端がグランドに接地された終端抵抗と、前記電界吸収型光変調素子と該電界吸収型光変調素子に対する前記高周波電気信号の入力端子との間に直列に挿入された直列抵抗と、を備える光半導体装置において、前記直列抵抗の抵抗値は、前記電界吸収型光変調素子に前記高周波電気信号を伝送するための高周波電気線路の特性インピーダンスの０．２倍以下の値に設定されている一方で、前記終端抵抗の抵抗値は、前記特性インピーダンスから前記直列抵抗の抵抗値を差し引いた値の１．２倍以上の値に設定されていることを特徴としている。
【００１６】
また、本発明の光通信用ボードは、本発明の光半導体装置と、この光半導体装置に前記高周波電気信号を入力して該光半導体装置を駆動させる駆動用電気回路と、を備えることを特徴としている。
【００１７】
また、本発明の光通信用ボードは、入力される高周波電気信号に応じて光信号を変調する電界吸収型光変調素子と、該電界吸収型光変調素子に一端が接続され他端がグランドに接地された終端抵抗とを有する光半導体装置と、前記光半導体装置に前記高周波電気信号を入力して該光半導体装置を駆動させる駆動用電気回路と、前記駆動用電気回路と前記光半導体装置との間に直列に挿入された直列抵抗と、を備え、前記終端抵抗の抵抗値は、前記電界吸収型光変調素子に前記高周波電気信号を伝送するための高周波電気線路の特性インピーダンスから前記直列抵抗の抵抗値を差し引いた値の１．２倍以上の値に設定されていることを特徴としている。
【００１８】
また、本発明の光通信用ボードは、入力される高周波電気信号に応じて光信号を変調する電界吸収型光変調素子と、該電界吸収型光変調素子に一端が接続され他端がグランドに接地された終端抵抗と、前記電界吸収型光変調素子と該電界吸収型光変調素子に対する前記高周波電気信号の入力端子との間に直列に挿入された第１の直列抵抗と、を有する光半導体装置と、前記光半導体装置に前記高周波電気信号を入力して該光半導体装置を駆動させる駆動用電気回路と、前記駆動用電気回路と前記光半導体装置との間に直列に挿入された第２の直列抵抗と、を備え、前記終端抵抗の抵抗値は、前記電界吸収型光変調素子に前記高周波電気信号を伝送するための高周波電気線路の特性インピーダンスから前記第１及び第２の直列抵抗の抵抗値をそれぞれ差し引いた値の１．２倍以上の値に設定されていることを特徴としている。
【００１９】
また、本発明の光通信用モジュールは、本発明の光通信用ボードを備えることを特徴としている。また、本発明の光通信装置は、本発明の光通信用ボード又は光通信用モジュールを備えることを特徴としている。
【００２０】
本発明によれば、フォトカレントの発生によるインピーダンス低下を補償することにより、電界吸収型光変調素子を備える光半導体装置と該光半導体装置を駆動する駆動用電気回路との間のインピーダンスミスマッチングを改善することができる。その結果、ジッタ、パターン効果及び波形歪みの抑圧された良好な光出力波形を実現できて、高速光伝送を好適に行うことができる。また、駆動用電気回路からの電圧を効率良く電界吸収型光変調素子に印加することができるので、消費電力の増大を抑制することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明に係る実施の形態について説明する。
〔第１の実施形態〕
第１の実施形態に係る光半導体装置の基本構成は、図７に示した従来の光半導体装置と同様である。
【００２２】
すなわち、第１の実施形態に係る光半導体装置は、光信号出力用のレーザダイオードと、このレーザダイオードからの出力光（光信号）を、入力される高周波電気信号に応じて変調する電界吸収型光変調素子２１（レーザダイオードとともに電界吸収型変調器集積化分布帰還型レーザダイオード１に含まれる）と、該電界吸収型光変調素子２１に一端が接続され他端がグランドに接地された終端抵抗（Ｒｔ）２とを備える他、上記従来技術の欄にて説明した各構成要素を備えている。
【００２３】
図１に、第１の実施形態の光半導体装置の電気等価回路を示す。
【００２４】
図１に示すように、第１の実施形態の光半導体装置における回路構成は、図９に示した従来技術と同様のものである。従って、図１においては、図９と同様の構成要素には同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００２５】
ただし、第１の実施形態の光半導体装置においては、終端抵抗２の抵抗値Ｒｔが従来技術と異なる。すなわち、第１の実施形態の光半導体装置における終端抵抗２の抵抗値Ｒｔは、電界吸収型光変調素子に高周波電気信号を伝送するための高周波電気線路３の特性インピーダンスＺ０よりも大きい値に設定されている。
【００２６】
つまり、Ｒｔ＞Ｚ０を満たしている。
【００２７】
また、第１の実施形態の光半導体装置では、終端抵抗２の抵抗値Ｒｔは、高周波電気線路３の特性インピーダンスＺ０の１．２倍以上であることが好ましく、より具体的には、例えば、高周波電気線路３の特性インピーダンスＺ０を５０Ωに設定した場合において、終端抵抗２の抵抗値Ｒｔは７０Ωよりも大きい値に設定されていることを好ましい例とする。
【００２８】
このような第１の実施形態によれば、フォトカレントの発生によるインピーダンス低下を補償することにより、電界吸収型光変調素子を備える光半導体装置と、該光半導体装置を駆動する駆動用電気回路との間のインピーダンスミスマッチングを改善することができる。その結果、ジッタ、パターン効果及び波形歪みの抑圧された良好な変調光出力波形（光出力波形）を実現できて、高速光伝送を好適に行うことができる。
＜第１の実施例＞
第１の実施例では、第１の実施形態の光半導体装置（図１）において、特に、高周波電気線路３の特性インピーダンスＺ０＝５０Ω、終端抵抗２の抵抗値Ｒｔ＝８０Ωとした構成を例示する。
【００２９】
従来構成であるＲｔ＝５０Ωの場合には低域におけるリターンロスが−１７ｄＢ前後だったのに対し、第１の実施例によれば、図２に示すように、低域におけるリターンロスが−２７ｄＢ以下に改善された。これにより、ジッタ、パターン効果及び波形歪みが抑制された良好な変調光出力波形を得ることができた。
〔第２の実施形態〕
図３に、第２の実施形態の光半導体装置の電気等価回路を示す。なお、図３においては、図１と同様の構成要素には同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００３０】
図３に示すように、第２の実施形態の光半導体装置における回路構成は、第１の実施形態の回路構成（図１）と比べて、電界吸収型光変調素子２１と、該電界吸収型光変調素子２１に対する高周波電気信号の入力端子Ｔと、の間に直列に挿入された直列マッチング抵抗（Ｒｍ）２２を備える点が異なる。
【００３１】
また、第２の実施形態においては、直列マッチング抵抗２２の抵抗値Ｒｍは、高周波電気線路３の特性インピーダンスＺ０の０．２倍以下の値に設定されている。
【００３２】
つまり、Ｒｍ≦０．２Ｚ０を満たしている。
【００３３】
さらに、第２の実施形態においては、終端抵抗２の抵抗値Ｒｔは、高周波電気線路３の特性インピーダンスＺ０から直列マッチング抵抗２２の抵抗値Ｒｍを差し引いた値の１．２倍以上の値に設定されている。
【００３４】
つまり、Ｒｔ≧１．２（Ｚ０−Ｒｍ）を満たしている。
【００３５】
すなわち、第２の実施形態の光半導体装置は、電界吸収型光変調素子２１と、終端抵抗２と、電界吸収型光変調素子２１と入力端子Ｔとの間に直列に挿入された直列抵抗（直列マッチング抵抗２２）とを備え、この直列マッチング抵抗２２の抵抗値Ｒｍは高周波電気線路３の特性インピーダンスの０．２倍以下の値に設定されている一方で、終端抵抗２の抵抗値Ｒｔは高周波電気線路３の特性インピーダンスから直列マッチング抵抗２２の抵抗値Ｒｍを差し引いた値の１．２倍以上の値に設定されている。
【００３６】
このような第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果が得られる他、光半導体装置への印加電圧のうちで直列抵抗にて消費される無効電圧Ｖｍの割合を０．２／｛０．２＋１．２（１−０．２）｝未満、すなわち約１７％未満に抑制することができる。このため、光半導体装置を駆動する駆動用電気回路からの電圧を効率良く電界吸収型光変調素子２１に印加することができるので、変調光出力の消光比低下や、印加電圧増大による消費電力の増大を極めて軽微なものとすることができる。
＜第２の実施例＞
第２の実施例では、第２の実施形態の光半導体装置（図３）において、特に、直列マッチング抵抗２２の抵抗値Ｒｍ＝５Ω、終端抵抗２の抵抗値Ｒｔ＝７２Ωとした構成を例示する。
【００３７】
この第２の実施例によれば、図４に示すように、低域におけるリターンロスとして、−３０ｄＢ以下の良好な特性を得ることができた。
【００３８】
ここで、第２の実施例の場合、図３の等価回路におけるフォトカレント成分を表すＲｐｈの値は１２０Ω程度と見積もられるが、これを従来技術に準じてＲｔ＝５０Ωとしたままで直列マッチング抵抗２２によって低域のインピーダンスマッチングをとるためには、該直列マッチング抵抗２２の抵抗値を１５Ωという大きな値に設定する必要がある。この場合、外部から印加された電圧のうち１５／（５０＋１５）＝約２３％が変調器の動作に寄与しない無効電圧となり、変調光出力の消光比低下、あるいは消光比を確保するための印加電圧増大による消費電力の増加が問題となる。
【００３９】
これに対し、第２の実施例の場合における無効電圧は５／（５＋７２）＝約６％であり、変調光出力の消光比低下や印加電圧増大による消費電力の増加は極めて軽微なものとすることができる。
〔第３の実施形態〕
図５に、第３の実施形態の光通信用モジュールにおける電界吸収型光変調素子２１周辺の電気等価回路を示す。なお、図５においては、図１と同様の構成要素には同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００４０】
図５に示すように、第３の実施形態の光通信用モジュールにおける回路構成は、第１の実施形態の光半導体装置（＝図１（図１の光半導体装置は図５では光半導体装置部２３に相当する））の回路構成と比べて、駆動回路ボード部２５を備える点が異なる。
【００４１】
この駆動回路ボード部２５は、光半導体装置部２３に高周波電気信号を入力して該光半導体装置部２３の電界吸収型光変調素子２１を駆動させる駆動用電気回路２６と、この駆動用電気回路２６と光半導体装置部２３との間に直列に挿入された外部マッチング抵抗（Ｒｏ）２４とを備える。
【００４２】
すなわち、第３の実施形態の光通信用モジュールは、入力される高周波電気信号に応じて光信号を変調する電界吸収型光変調素子２１と、該電界吸収型光変調素子２１に一端が接続され他端がグランドに接地された終端抵抗２と、を有する光半導体装置（光半導体装置部２３）と、この光半導体装置２３に高周波電気信号を入力して該光半導体装置２３を駆動させる駆動用電気回路２６と、この駆動用電気回路２６と光半導体装置２３との間に直列に挿入された直列抵抗（外部マッチング抵抗２４）とを備えている。
【００４３】
さらに、第３の実施形態の光通信用モジュールでは、終端抵抗２の抵抗値Ｒｔは、電界吸収型光変調素子２１に高周波電気信号を伝送するための高周波電気線路３の特性インピーダンスＺ０から、外部マッチング抵抗２４の抵抗値Ｒｏを差し引いた値の、１．２倍以上の値に設定されている。
【００４４】
つまり、Ｒｔ≧１．２（Ｚ０−Ｒｏ）を満たしている。
【００４５】
このような第３の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果が得られる他、良好な光出力波形が得られるように外部マッチング抵抗２４の抵抗値Ｒｏを適宜に調整することが可能となる。
＜第３の実施例＞
第３の実施例では、第３の実施形態の光通信用モジュール（図５）において、特に、駆動回路ボード２５の外部マッチング抵抗２４の抵抗値Ｒｏ＝８Ω、光半導体装置部２３内の終端抵抗２の抵抗値Ｒｔ＝６３Ωとした構成を例示する。
【００４６】
この第３の実施例によれば、従来技術の如くＲｔ＝５０Ωとした場合よりも、外部マッチング抵抗２４の抵抗値Ｒｏが小さくて済むため、消光比低下や消費電力の増加が軽微であるという効果を奏する。
〔第４の実施形態〕
図６に、第４の実施形態の第３の実施形態の光通信用モジュールにおける電界吸収型光変調素子２１周辺の電気等価回路を示す。なお、図６においては、図５と同様の構成要素には同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００４７】
図６に示すように、第４の実施形態の光通信用モジュールにおける回路構成は、第２の実施形態の光半導体装置（＝図２（図２の光半導体装置は図６では光半導体装置部２３１に相当する））の回路構成と比べて、第３の実施形態の光通信用モジュールにおける駆動回路ボード部２５（図５参照）を備える点が異なる。
【００４８】
すなわち、第４の実施形態の光通信用モジュールは、入力される高周波電気信号に応じて光信号を変調する電界吸収型光変調素子２１と、該電界吸収型光変調素子２１に一端が接続され他端がグランドに接地された終端抵抗２と、電界吸収型光変調素子２１と該電界吸収型光変調素子２１に対する高周波電気信号の入力端子Ｔとの間に直列に挿入された第１の直列抵抗（直列マッチング抵抗２２）と、を有する光半導体装置（光半導体装置部２３１）と、この光半導体装置２３に高周波電気信号を入力して該光半導体装置２３を駆動させる駆動用電気回路２６と、この駆動用電気回路２６と光半導体装置２３との間に直列に挿入された第２の直列抵抗（外部マッチング抵抗２４）とを備えている。
【００４９】
さらに、第４の実施形態の光通信用モジュールでは、終端抵抗２の抵抗値Ｒｔは、電界吸収型光変調素子２１に高周波電気信号を伝送するための高周波電気線路３の特性インピーダンスＺ０から、直列マッチング抵抗２２の抵抗値Ｒｍと、外部マッチング抵抗２４の抵抗値Ｒｏと、をそれぞれ差し引いた値の１．２倍以上の値に設定されている。
【００５０】
つまり、Ｒｔ≧１．２（Ｚ０−Ｒｍ−Ｒｏ）を満たしている。
【００５１】
このような第４の実施形態によれば、第３の実施形態と同様の効果が得られる他、駆動用電気回路２６と電界吸収型光変調素子２１との間にマッチング抵抗（直列マッチング抵抗２２又は外部マッチング抵抗２４）を一カ所のみに配置した場合（例えば図３又は図５の場合）よりも駆動用電気回路２６〜マッチング抵抗、ならびにマッチング抵抗〜電界吸収型光変調素子２１間の電気信号多重反射の影響が軽減されるという効果が得られる。
【００５２】
なお、第３及び第４の実施形態の光通信用モジュールは、第３又は第４の実施形態で説明した各構成要素をそれぞれボード上に配することにより得られる光通信用ボードを、図示しない筐体内に収容することにより構成される。
【００５３】
また、第３及び第４の実施形態の光通信用モジュールは、それぞれ、該光通信用モジュールと、外部の機器とを電気的に接続するための電気的インターフェース（図示略）を備えている。この電気的インターフェースは、例えば、ピン（端子）或いはコネクタにより構成される。そして、この電気的インターフェースを介して、光通信用モジュールは外部機器との間で電気信号の入出力、或いは、電源電圧・電流の入出力を行うことが可能となっている。
＜第４の実施例＞
第４の実施例では、第４の実施形態の光通信用モジュール（図６）において、特に、駆動回路ボード２５の外部マッチング抵抗２４の抵抗値Ｒｏ＝５Ω、光半導体装置部２３の直列マッチング抵抗２２の抵抗値Ｒｍ＝３Ω、光半導体装置部２３の終端抵抗２の抵抗値Ｒｔ＝６０Ωとした構成を例示する。この第４の実施例によれば、ジッタやパターン効果の少ない良好な変調光出力波形が得られた。
【００５４】
なお、上記の第１及び第２の実施形態では、それぞれ光半導体装置についてのみ説明したが、第１又は第２の実施形態の光半導体装置の各構成要素と、第３の実施形態における駆動回路ボード部２５から外部マッチング抵抗２４を除くことにより得られる駆動回路部（図示略）と、をボード上に配することにより、本発明に係る光通信用ボードを構成することができる。また、このように得られる光通信用ボードを図示しない筐体内に収容することにより、本発明に係る光通信用モジュールを構成することができる。
【００５５】
また、従来周知の光通信装置における光通信用モジュール或いは光通信用ボードに代えて、上記にて説明した何れかの光通信用モジュール或いは光通信用ボードを搭載することにより、本発明に係る光通信装置を構成することができる。
【００５６】
【発明の効果】
本発明によれば、フォトカレントの発生によるインピーダンス低下を補償することにより、電界吸収型光変調素子を備える光半導体装置と該光半導体装置を駆動する駆動用電気回路との間のインピーダンスミスマッチングを改善することができる。その結果、ジッタ、パターン効果及び波形歪みの抑圧された良好な光出力波形を実現できて、高速光伝送を好適に行うことができる。また、駆動用電気回路からの電圧を効率良く電界吸収型光変調素子に印加することができるので、消費電力の増大を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第１の実施形態を説明するための回路図である。
【図２】第１の実施形態の好適な具体例としての第１の実施例で得られたリターンロス特性を示す図である。
【図３】本発明に係る第２の実施形態を説明するための回路図である。
【図４】第２の実施形態の好適な具体例としての第２の実施例で得られたリターンロス特性を示す図である。
【図５】本発明に係る第３の実施形態を説明するための回路図である。
【図６】本発明に係る第４の実施形態を説明するための回路図である。
【図７】一般的な光半導体装置を示す平面図である。
【図８】従来技術を説明するための回路図である。
【図９】従来技術を説明するための回路図である。
【図１０】従来の光半導体装置のリターンロス特性を示す図である。
【符号の説明】
１      電界吸収型変調器集積化分布帰還型レーザダイオード
２１    電界吸収型光変調素子
２      終端抵抗
３      高周波電気線路
２２    直列マッチング抵抗（直列抵抗、第１の直列抵抗）
２６    駆動用電気回路
２４    外部マッチング抵抗（直列抵抗、第２の直列抵抗）
２３    光半導体装置部（光半導体装置）
２３１  光半導体装置部（光半導体装置）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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