(57)【要約】【課題】デバイスのフレキシブル性の向上と共に、その製造コストの低減、更には高速動作も実現することができるＭＯＳ型電界効果トランジスタ等の電界効果半導体装置、及びその製造方法を提供すること。【解決手段】ソース電極４と半導体層９（更には５）とドレイン電極１０とが積層された構造を有し、半導体層９中に絶縁体８に覆われたゲート電極７を有し、かつソース電極４と半導体層９（更には５）とドレイン電極１０と絶縁体８とゲート電極７とがそれぞれ有機物からなることを特徴とする縦型の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ１２。【選択図】　　　　　図１
2004039763.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース電極と半導体層とドレイン電極とが積層された構造を有し、前記半導体層中に絶縁体に覆われたゲート電極を有し、かつ前記ソース電極と前記半導体層と前記ドレイン電極と前記絶縁体と前記ゲート電極とがそれぞれ有機物からなることを特徴とする電界効果半導体装置。
【請求項２】
前記ソース電極と前記ドレイン電極と前記ゲート電極とがそれぞれ導電性を示す有機材料からなり、前記半導体層が半導電性を示す有機材料からなり、前記絶縁体が絶縁性を示す有機材料からなる、請求項１に記載した電界効果半導体装置。
【請求項３】
前記ソース電極又は前記ドレイン電極と前記半導体層との間に、半導電性を示す有機材料からなる第２の半導体層が形成されている、請求項１に記載した電界効果半導体装置。
【請求項４】
支持体も有機物からなり、全体がフレキシブルに形成されている、請求項１に記載した電界効果半導体装置。
【請求項５】
縦型の絶縁ゲート型電界効果トランジスタとして構成された、請求項１に記載した電界効果半導体装置。
【請求項６】
前記ゲート電極が複数に分割され、マルチチャネルタイプで動作可能である、請求項５に記載した電界効果半導体装置。
【請求項７】
ソース電極と半導体層とドレイン電極とが積層された構造を有し、前記半導体層中に絶縁体に覆われたゲート電極を有し、かつ前記ソース電極と前記半導体層と前記ドレイン電極と前記絶縁体と前記ゲート電極とがそれぞれ有機物からなることを特徴とする電界効果半導体装置を製造する方法であって、
支持体上に、親水性領域と疎水性領域を形成する工程と、
導電性を示す有機材料を塗布して、前記支持体上に前記ソース電極又は前記ドレイン電極を形成する工程と、
半導電性を示す有機材料を塗布して、前記ソース電極又は前記ドレイン電極上に前記半導体層を形成する工程と、
導電性を示す有機材料を塗布して、前記ソース電極又は前記ドレイン電極上に前記ゲート電極を形成する工程と、
絶縁性を示す有機材料を塗布して、前記ゲート電極を覆う前記絶縁体を形成する工程と、
導電性を示す有機材料を塗布して、前記半導体層上に前記ドレイン電極又は前記ソース電極を形成する工程と
を有する、電界効果半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記支持体を親水性の有機材料で形成し、この上に疎水性の有機材料層を所定パターンに形成して前記疎水性領域となした後、この疎水性領域が存在しない前記支持体の親水性表面に、前記有機材料を溶媒に溶かした溶液を塗布して前記ソース電極又は前記ドレイン電極を形成し、次いでこの電極上に、絶縁性を示す有機材料を溶媒に溶かした溶液を塗布して絶縁層を所定パターンに形成し、この絶縁層上に、前記有機材料を溶媒に溶かした溶液を塗布して前記ゲート電極を形成した後、このゲート電極を覆うように、前記有機材料を溶媒に溶かした溶液を塗布して前記絶縁体を形成し、この絶縁体で覆われた前記ゲート電極を埋設するように、前記有機材料を溶媒に溶かした溶液を塗布して前記半導体層を形成し、更に前記有機材料を溶媒に溶かした溶液を塗布して前記ドレイン電極又は前記ソース電極を形成する、請求項７に記載した電界効果半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記ソース電極又は前記ドレイン電極と前記半導体層との間に、半導電性を示す有機材料を溶媒に溶かした溶液の塗布によって第２の半導体層を形成する、請求項７に記載した電界効果半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記支持体も有機物で形成し、全体をフレキシブルに形成する、請求項７に記載した電界効果半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
縦型の絶縁ゲート型電界効果トランジスタを製造する、請求項７に記載した電界効果半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記ゲート電極を複数に分割して形成し、マルチチャネルタイプで動作可能な電界効果トランジスタを製造する、請求項１１に記載した電界効果半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電界効果トランジスタとして好適な電界効果半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在、多くの電子機器に用いられているＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型を含む絶縁ゲート型電界効果トランジスタは、例えば、Ｓｉ基板にチャネル層を設け、この上にゲート絶縁層としてのＳｉＯ２層を介して例えばＡｕ／Ｔｉゲート電極等が配置される構成となっている。
【０００３】
こうした電界効果トランジスタは、基板面方向に沿ってチャネルが存在する横型トランジスタが主流を占めているが、基板の縦方向にチャネルが存在する縦型トランジスタも知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
フレキシブルディスプレイの実現が望まれる今日において、フレキシブルディスプレイにおけるスイッチング素子又は駆動回路を構成するトランジスタのフレキシブル化が望まれているが、この要求を十二分に満たすデバイスは未だ見い出されていない。また、半導体製造工程で使用されるリソグラフィ装置等の高価な装置の使用を極力少なくし、低コストの製造工程を実現する必要が生じている。
【０００５】
そして、これらの要求と同時に、映像デバイスに組み込まれることから、トランジスタの高速動作（即ち、映像信号を随時必要なデータに変換し、さらにＯＮ／ＯＦＦのスイッチング動作を高速で行えるトランジスタ性能）の実現が必要とされている。
【０００６】
特開平８−２２８０３４、特開平１０−２７０７１２、特開２０００−２６９５１５、特開２０００−３０７１７２、特開２００２−９２９０等の各公報には、有機材料でチャネル領域を形成したＭＯＳ型電界効果トランジスタが示されている。
【０００７】
しかしながら、これらはいずれも、トランジスタの主要構成部分のうち例えばソース電極、ドレイン電極やゲート絶縁膜などは金属、金属酸化物等の無機物で形成されているために、デバイスのフレキシビリティ（フレキシブル性）に欠けており、また無機物層の加工にフォトリソグラフィ装置が必要であって低コスト化が困難である。しかも、トランジスタは横型であるために、加工プロセス上、チャネル長を短かくすることが難しく、映像信号のデータ変換やスイッチング動作の高速化に限界がある。
【０００８】
本発明の目的は、デバイスのフレキシブル性の向上と共に、その製造コストの低減、更には高速動作も実現することができるＭＯＳ型電界効果トランジスタ等の電界効果半導体装置、及びその製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、ソース電極と半導体層とドレイン電極とが積層された構造を有し、前記半導体層中に絶縁体に覆われたゲート電極を有し、かつ前記ソース電極と前記半導体層と前記ドレイン電極と前記絶縁体と前記ゲート電極とがそれぞれ有機物からなることを特徴とする電界効果半導体装置に係るものである。
【００１０】
本発明はまた、本発明の電界効果半導体装置の製造方法として、
支持体上に、親水性領域と疎水性領域を形成する工程と、
導電性を示す有機材料、特に溶媒に溶かした溶液を塗布して、前記支持体上に前記ソース電極又は前記ドレイン電極を形成する工程と、
半導電性を示す有機材料、特に溶媒に溶かした溶液を塗布して、前記ソース電極又は前記ドレイン電極上に前記半導体層を形成する工程と、
導電性を示す有機材料、特に溶媒に溶かした溶液を塗布して、前記ソース電極又は前記ドレイン電極上に前記ゲート電極を形成する工程と、
絶縁性を示す有機材料、特に溶媒に溶かした溶液を塗布して、前記ゲート電極を覆う前記絶縁体を形成する工程と、
導電性を示す有機材料、特に溶媒に溶かした溶液を塗布して、前記半導体層上に前記ドレイン電極又は前記ソース電極を形成する工程と
を有する、電界効果半導体装置の製造方法も提供するものである。
【００１１】
ここで、上記の「塗布」とは、スピンコートやインクジェット等による場合だけでなく、印刷による有機材料の付着も含む概念である。
【００１２】
本発明の電界効果半導体装置及びその製造方法によれば、少なくともソース電極、半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極及びドレイン電極がそれぞれ有機物からなる積層構造をなしているので、デバイスの主たる構成部分のすべてが有機材料で構成され、デバイスのフレキシブル性を向上させることができ、フレキシブルディスプレイ等におけるスイッチング素子や駆動回路を構成する上で有利である。
【００１３】
そして、有機材料を用いることから、デバイスの製造工程において、チャネル形成時にフォトリソプロセスは不要であり、チャネルも含めて電極や半導体層をスピンコートやインクジェットなどによる溶液の直接塗布によって形成することができ、低コスト化を図ることができる。
【００１４】
しかも、上記の積層構造によって、半導体層の膜厚によりチャネル長を制御することができる縦型構造となるため、フォトリソグラフィーでは不可能な短チャネルの形成が可能となり、スイッチング動作等の高速化も実現することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の電界効果半導体装置及びその製造方法においては、前記ソース電極と前記ドレイン電極と前記ゲート電極とがそれぞれ導電性を示す有機材料からなり、前記半導体層が半導電性を示す有機材料からなり、前記絶縁体が絶縁性を示す有機材料からなるが、更に、支持体も有機物からなり、全体がフレキシブルに形成されているのが望ましい。
【００１６】
また、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と前記半導体層との間に、半導電性を示す有機材料からなる第２の半導体層が、有機材料を溶媒に溶かした溶液の塗布によって形成されているのがよい。この第２の半導体層は省略してもよいが、形成するときには、この半導体層によって上下のソース電極−ドレイン電極間の接触（短絡）を防止し易くなる。
【００１７】
本発明の電界効果半導体装置は、特に縦型の絶縁ゲート型電界効果トランジスタとして構成され、例えば前記ゲート電極が複数に分割され、マルチチャネルタイプで動作可能であってよい。
【００１８】
本発明の製造方法では、前記支持体を親水性の有機材料で形成し、この上に疎水性の有機材料層を所定パターンに形成して前記疎水性領域となした後、この疎水性領域が存在しない前記支持体の親水性表面に、前記有機材料を溶媒に溶かした溶液を塗布して前記ソース電極又は前記ドレイン電極を形成し、次いでこの電極上に、絶縁性を示す有機材料を溶媒に溶かした溶液を塗布して絶縁層を所定パターンに形成し、この絶縁層上に、前記有機材料を溶媒に溶かした溶液を塗布して前記ゲート電極を形成した後、このゲート電極を覆うように、前記有機材料を溶媒に溶かした溶液を塗布して前記絶縁体を形成し、この絶縁体で覆われた前記ゲート電極を埋設するように、前記有機材料を溶媒に溶かした溶液を塗布して前記半導体層を形成し、更に前記有機材料を溶媒に溶かした溶液を塗布して前記ドレイン電極又は前記ソース電極を形成するのがよい。
【００１９】
以下、本発明の好ましい実施の形態による絶縁ゲート型電界効果トランジスタをその製造プロセスに沿って図面参照下に説明する（以下の各図では、断面図と共にその平面図も併せて示す）。但し、本発明は、以下に示す例に限定されるものではない。
【００２０】
まず、図２（ａ）に示すように、電界効果トランジスタを形成する領域と形成しない領域とを形成するために、基板１上に親水性領域２Ａと疎水性領域２Ｂとを形成する。例えば、ポリエチレングリコールを主成分とする親水性に優れたバイオコンタクトＮ（日清紡績（株）製）からなる基板１上に感光性ポリイミドをスピンコート、インクジェット等により塗布した後、必要あれば露光及び現像を行い、所定パターンの疎水性ポリイミド層３を形成する。この時、ポリイミド層３で形成されている領域２Ｂは疎水性であり、それ以外の基板１が表面に出ている領域２Ａは親水性であるため、基板上に所望のパターンで親水性領域２Ａと疎水性領域２Ｂとを形成することができる。
【００２１】
次に、図２（ｂ）に示すように、導電性を示す親水性有機材料を溶かした水溶液を塗布することにより、基板１上の親水性領域２Ａにソース電極４を形成する。このとき、ポリイミド層３で形成されている疎水性領域２Ｂ上に親水性有機材料が広がることはなく、親水性の基板１の露出面にのみソース電極４が形成される。このソース電極４は、例えばポリスチレンスルホン酸（ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ　ｓｕｌｆｏｎｉｃ　ａｃｉｄ）を混ぜたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン（ｐｏｌｙ（３，４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ））：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳをインクジェット等により塗布することにより形成することができる。
【００２２】
次に、図２（ｃ）に示すように、半導電性を示す親水性有機材料を溶かした水溶液を所定パターンに塗布することにより、ソース電極４上にのみ半導体層５を所定パターンに形成することができる。このとき、ポリイミド層３で形成されている疎水性領域上に半導体層５の親水性有機材料が広がることはない。この半導体層５は、例えばポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−ビチオフェン（ｐｏｌｙ（９，９−ｄｉｏｃｔｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ−ｂｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ））：Ｆ８Ｔ２をインクジェット等により塗布することにより形成することができる。
【００２３】
次に、図３（ｄ）に示すように、感光性ポリイミド６を基板１上の全面にスピンコート等で塗布した後、露光及び現像を行い、図３（ｅ）に示すように、所望のパターンのポリイミド層６を複数に分割して形成する。このとき、下地のポリイミド層３上にポリイミド６がスピンコートで全面塗布されるので、下地の影響なしに塗布できる。そして、塗布後にパターニングされるが、ソース電極４の一方の側（図面右側）に存在するポリイミド層３上にはポリイミド層６を残しておく。
【００２４】
続いて、導電性を示す疎水性有機材料、例えばポリアセチレンを溶かした溶液をインクジェット等によりポリイミド層６上にこれと同一パターンに塗布することにより、図３（ｆ）に示すように、ゲート電極７を複数に分割して形成する。このとき、下地は疎水性であるため、ゲート電極材料の塗布は容易となる。
【００２５】
次に図４（ｇ）に示すように、感光性ポリイミド層８をゲート電極７を含む全面にスピンコートで塗布し、ゲート電極７を完全にポリイミド層８で覆う。
【００２６】
この場合、ポリイミド層８をスピンコートするときは、下地が親水性であっても支障なしに塗布することができる。そして、図４（ｈ）に示すように、露光及び現像によってゲート電極７の外面のみにポリイミド層８を残すが、インクジェットによるときはパターニング工程なしに所定パターンに直接形成することができる。また、いずれの場合も、各ゲート電極７の端部は露出し、コンタクトホール１１を形成するようにポリイミド層８のパターニング又は塗布を行う。ゲート電極７は、これを被覆する上面及び側面のポリイミド層８及び下面のポリイミド層６によって半導体層９（更には５）に対し絶縁分離される。
【００２７】
このポリイミド層８は、その塗布後におよそ１００℃程度の温度でベーキングすることにより、ゲート電極７を覆う高抵抗化されたポリイミド層、即ちゲート絶縁膜８となる。上記のスピンコートの際の回転数、インクジェットで塗布する際の溶液の濃度及び粘度を調整することにより、ゲート絶縁膜８の膜厚を制御する。また、電界効果トランジスタを構成する基板１とソース電極４の材料と半導体層５の材料とゲート電極７の材料の特性をそれ程変化させない条件下、例えば１００℃以下の低温雰囲気においてある程度の真空下又は窒素雰囲気下といった低酸素濃度下で、上記のベーキングを行うことが望ましい。
【００２８】
次に、図４（ｉ）に示すように、半導電性を示す親水性有機材料、例えば上記のＦ８Ｔ２を溶かした水溶液をインクジェット等により塗布し、ソース電極４上に形成されている半導体層５上に、ポリイミド層８で被覆されたゲート電極７を埋設するように半導体層９を所定パターンに形成する。この半導体層９は、下地の半導体層５上に容易に形成される。
【００２９】
次に、図５（ｊ）に示すように、導電性を示す親水性有機材料、例えば上記のＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを溶かした水溶液をインクジェット等により塗布し、半導体層５上からポリイミド層６上にかけてドレイン電極１０を所定パターンに形成する。このドレイン電極材料は、下地が親水性の半導体層９であるために、容易に形成される。そして、図１（Ａ）に示すように、各電極に端子電極Ｓ、Ｄ、Ｇ及びその配線を形成して絶縁ゲート型電界効果トランジスタ１２を完成する。
【００３０】
上述のようにして作成した電界効果トランジスタ１２においては、図１（Ａ）に示すように、上部電極（ドレイン電極１０）と下部電極（ソース電極４）との間に流れる電流を、半導体層９中に設けられたゲート電極７により変調することができる。
【００３１】
この縦型の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ１２によれば、支持体としての基板１も含めて、ソース電極４、半導体層９（更には５）、ゲート絶縁膜８（更にはポリイミド層６及び３）、ゲート電極７及びドレイン電極１０がそれぞれ有機物からなる積層構造をなしているので、デバイスの主たる構成部分のすべてが有機材料で構成され、デバイスのフレキシブル性を向上させることができ、フレキシブルディスプレイ等におけるスイッチング素子や駆動回路を構成する上で有利である。
【００３２】
そして、有機材料を用いることから、デバイスの製造工程において、チャネル形成時にフォトリソプロセスは不要であり、チャネルも含めて電極や半導体層をスピンコートやインクジェットなどによる溶液の直接塗布により形成することができ、低コスト化を図ることができる。ゲート電極７は、この塗布方法によって複数個に分割して容易に形成でき、マルチチャネルのトランジスタが得られる。
【００３３】
しかも、上記の積層構造によって、半導体層９（更には５）の膜厚によりチャネル長を制御することができるマルチチャネルの縦型構造となるため、フォトリソグラフィーでは不可能な短チャネルの形成が可能となり、スイッチング動作等の高速化も実現することができる。
【００３４】
なお、ソース電極４と半導体層９との間に第２の半導体層５が形成されているので、この半導体層５によって上下のソース電極４−ドレイン電極１０間の接触（短絡）を防止し易くなる。但し、この接触防止が保証されれば、図１（Ｂ）に示すように、半導体層５は形成しなくても差支えない。
【００３５】
また、ソース電極４の側方において、疎水性ポリイミド層３上にポリイミド層６を積層して形成しているので、このポリイミド層６の厚み分によってドレイン電極１０をより平坦化することができ、その段切れを防止して段差被覆性を向上させることができる。
【００３６】
以上に述べた実施の形態は本発明の技術的思想に基づいて種々に変形可能である。
【００３７】
例えば、上述した例においては、主成分がポリエチレングリコールからなるバイオコンタクトＮを基板１の構成材料としたが、これに限定されるものではなく、親水性に優れた有機物であってフレキシブル性の高い材料であれば、他の有機物からなる基板も同様に使用可能である。
【００３８】
また、ソース電極やドレイン電極材料としてＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを用いたが、これに限定されるものではなく、他の親水性有機材料も同様に使用してもよい。これはゲート電極材料についても同様である。
【００３９】
また、半導体材料としてＦ８Ｔ２を用いたが、これに限定されるものではなく、半導体材料として他の親水性有機材料も同様に適用することができる。その他、ゲート絶縁膜等の絶縁体についても同様である。
【００４０】
ここに、使用可能な電極材料、半導体材料、絶縁体材料を例示する。
電極材料（導電体）（導電率１０−２／Ω・ｍ以上）：
ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）　　親水性
／ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）
ポリアセチレン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　疎水性
ポリピロール　　　　　　　　　　　　　　　　　　親水性又は疎水性
【００４１】
半導体材料（導電率１０−９〜１０−２／Ω・ｍ）：
ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−ビチオフェン）（Ｆ８Ｔ２）親水性
ポリチオフェン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　親水性又は疎水性
ポリ−ｐ−フェニレン　　　　　　　　　　　　　　　　親水性又は疎水性
トランスポリアセチレン　　　　　　　　　　　　　　　親水性又は疎水性
フタロシアニン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　親水性又は疎水性
シスポリアセチレン　　　　　　　　　　　　　　　　　親水性又は疎水性
ポリフルオレン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　親水性又は疎水性
ポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）　　　　　　　　　　親水性又は疎水性
【００４２】
絶縁体材料（導電率１０−９／Ω・ｍ以下）：
ポリイミド　　　　　　　　　　　　　　　　　　疎水性
ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）　　　親水性又は疎水性
アントラセン　　　　　　　　　　　　親水性又は疎水性
ポリエステル　　　　　　　　　　　　親水性又は疎水性
ポリエチレン　　　　　　　　　　　　　　　　　疎水性
テフロン（登録商標）　　　　　　　　親水性又は疎水性
ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）　　　親水性又は疎水性
【００４３】
なお、上記において「親水性又は疎水性」とは、次のように定義する。即ち、例えば、１〜３０の炭素原子を有する直鎖状又は分枝状のアルキル基を側鎖として修飾（導入）することにより疎水性にすることができ、他方、側鎖として−Ｒ−ＣＯＯＮＨ４（Ｒは１〜３０の炭素原子を有する直鎖状又は分枝状のアルキル基またはエーテル基）を修飾すると親水性にすることができる。これらは、主鎖の電子状態を変えることなく反応を進めることができるため、そのもの本来のもつ物性を大きく変えることはない。
【００４４】
また、本発明の電界効果トランジスタは、ゲート電極材料と半導体材料との組み合せの選択によって、デバイス動作としてノーマリオフかノーマリオンを決めることができる。例えば、ゲート電極材料が上述したポリアセチレン又はＰＥＤＯＴ／ＰＰＳ、半導体材料が上述したＦ８Ｔ２であると、ノーマリオフの動作となる。この場合、ポリアセチレンに対するドーピング濃度により、ポリアセチレンの伝導度が大きく変わり、非常に高い濃度でドーピングを行ったときは、導電体の領域まで伝導度が上昇することもあり、この場合にはノーマリオンで動作させることも可能である。なお、ゲート電極材料がＡｌ、半導体材料が銅フタロシアニンであれば、ノーマリオンの動作となる。
【００４５】
また、上述した電界効果トランジスタの構成材料をはじめ、層構成や層厚、各部のパターン、その形成方法等は様々に変更してよい。例えば、上述したソース電極とドレイン電極の位置は上下逆としてよい。
【００４６】
【発明の作用効果】
本発明は上述したように、少なくともソース電極、半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極及びドレイン電極がそれぞれ有機物からなる積層構造をなしているので、デバイスの主たる構成部分のすべてが有機材料で構成され、デバイスのフレキシブル性を向上させることができる。
【００４７】
そして、有機材料を用いることから、デバイスの製造工程において、チャネル形成時にフォトリソプロセスは不要であり、チャネルも含めて電極や半導体層を溶液の直接塗布によって形成することができ、低コスト化を図ることができる。
【００４８】
しかも、上記の積層構造によって、半導体層の膜厚によりチャネル長を制御することができる縦型構造となるため、フォトリソグラフィーでは不可能な短チャネルの形成が可能となり、高速動作も実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態による縦型の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの断面図と平面図（Ａ）と、その変形例の同様の断面図（Ｂ）である。
【図２】同、電界効果トランジスタの製造プロセスを工程順に示す各断面図である。
【図３】同、電界効果トランジスタの製造プロセスを工程順に示す各断面図である。
【図４】同、電界効果トランジスタの製造プロセスを工程順に示す各断面図である。
【図５】同、電界効果トランジスタの製造プロセスの一工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１…基板、２Ａ…親水性領域、２Ｂ…疎水性領域、３、６…ポリイミド層、
４…ソース電極、５…半導体層、７…ゲート電極、
８…ポリイミド層（ゲート絶縁膜）、９…半導体層、１０…ドレイン電極、
１２…絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
【図１】
2004039763.tif 000003
【図２】
2004039763.tif 000004
【図３】
2004039763.tif 000005
【図４】
2004039763.tif 000006
【図５】
2004039763.tif 000007