(57)【要約】【課題】  現行の熱ＣＶＤ及びＰＥＣＶＤにおける高温やガス流の問題を、克服あるいは防止する。【解決手段】    プラズマエンハンス化学気相成長により、従来の熱ＣＶＤの温度よりかなり低い温度で基板（２２）上に成膜するため、基板を反応室（１２）内に配置し、第１のガスを基板の前段で励起して、第１のガスの活性化ラジカルを発生する。第２のガスを基板近傍に供給し、第１のガスの活性化ラジカルと混合し、この混合ガスが基板にて表面反応を起こし成膜する。基板の回転により、混合ガスが層流（２９）にて基板表面に向かって下方に移動され、再循環やラジカルの再結合を低減する。他の方法では、ＲＦエネルギによりバイアスが印加されたガス分散シャワーヘッド（２９８）を用いて、基板表面に近接して集中するプラズマ中の活性化ラジカル及びイオンを発生する電極を形成する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学気相成長反応室内に基板を配設する工程と、上記基板を加熱する工程と、上記反応室内に第１のガスを供給する工程と、上記第１のガスを励起してプラズマを発生する工程と、上記反応室内に第２のガスを供給する工程とを有するプラズマ化学気相成長による基板上への成膜方法において、
上記第１のガスのプラズマは、上記第１のガスの活性化ラジカルを含み、上記第２のガスはチタン含有ガスであり、
上記第２のガスと、上記第１のガスの活性化ラジカルとを混合する工程と、
上記第２のガスと、上記第１のガスの活性化ラジカルとが混合された混合ガスを上記基板表面に導入し、表面反応を起こして上記基板上にチタン含有膜を成長させる工程とを有することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
上記第１のガスを励起してプラズマを発生する工程において、活性化ラジカルに加えて上記第１のガスのイオンを発生することを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項３】
上記化学気相成長反応室内のガス分散シャワーヘッドが電極として機能してＲＦ電界を発生するように、ＲＦ電源により該ガス分散シャワーヘッドにバイアスを印加して、上記第１のガスを励起してプラズマを生成する工程と、
上記第１のガスを上記電極として機能するガス分散シャワーヘッド及び上記ＲＦ電界を通過させて、上記基板近傍に上記第１のガスの活性化ラジカルを含有するプラズマを発生する工程と、
上記第１のガスの活性化ラジカルと上記第２のガスとを結合し、上記基板の表面で表面反応させて上記基板の表面にチタンを含有する膜を成膜する工程とを有する請求項１項又は２記載の成膜方法。
【請求項４】
上記第１のガスを励起してプラズマを発生する工程において、マイクロ波エネルギ源を用いて活性化ラディカルを発生させることを特徴とする請求項１項又は２記載の成膜方法。
【請求項５】
上記第１のガスは、上記基板から離間した上記マイクロ波のエネルギ源により励起され、上記第１のガスは、上記基板に向かって移動されるときに追加ラジカルを発生することを特徴とする請求項４記載の成膜方法。
【請求項６】
上記第２のガスを励起して、上記基板表面に導入されるガス混合物は、第１のガスのラジカルと励起された第２のガスからなることを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項７】
上記第１のガスを、ＲＦコイルにより包囲され上記基板の前段に配置されたＲＦ電界領域を通るように方向付けて、上記第１のガスを励起してラジカルを発生する工程を有する請求項１記載の成膜方法。
【請求項８】
上記基板は回転されて、上記第１のガスラジカル及び第２のガスを該基板の表面に誘導し、上記第１のガスラジカル及び第２のガスを混合して表面反応を促進することを特徴とする請求項１項に記載の成膜方法。
【請求項９】
上記第１のガスは、上記基板の上方に配設された上記ガス分散シャワーヘッドに連結されたシリンダを通過し、該第１のガスが上記ガス分散シャワーヘッドを通過する前に所定の第１のガスフローを確立し、上記基板に対するラジカルのフローを均一にすることを特徴とする請求項３記載の成膜方法。
【請求項１０】
上記ガス分散シャワーヘッドは上記基板から２５ｍｍ（１インチ）程度あるいは未満の位置に配置されることを特徴とする請求項３記載の成膜方法。
【請求項１１】
上記基板は０〜５００００ｒｐｍの速度で回転されることを特徴とする請求項８記載の成膜方法。
【請求項１２】
上記第１のガスは、水素、窒素、アンモニア、あるいはこれらの混合ガスから選択されることを特徴とする請求項１項又は８記載の成膜方法。
【請求項１３】
上記基板は、成膜の際に２００℃〜８００℃に加熱されることを特徴とする請求項１項又は第８記載の成膜方法。
【請求項１４】
上記化学気相成長反応室内の圧力を６７〜２０００Ｐａ（０．５〜１５Ｔｏｒｒ）に維持する工程を有することを特徴とする請求項１項又は８記載の成膜方法。
【請求項１５】
上記第２のガスは、５０〜５００００ｓｃｃｍのレートで供給されることを特徴とする請求項１項又は８記載の成膜方法。
【請求項１６】
上記第２のガスは１〜２０ｓｃｃｍのレートで供給されることを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項１７】
上記基板は、上記基板上に上記第１及び第２のガスの混合ガスの層流を形成し、ガスの再循環及び上記活性化ラジカルの再結合を低減するのに十分な速度で回転されることを特徴とする請求項８記載の成膜方法。
【請求項１８】
上記基板は、半導体層の上に酸化層を有し、上記酸化層は、上記半導体層が露出する少なくとも１つのビアを有し、上記化学気相成長反応室は、ＲＦエネルギ源と、ＲＦ電界を形成するＲＦ電極を有し、
上記第１のガスを、上記ＲＦ電界を通るように方向付け、上記第１のガスを励起してその活性化ラジカル及びイオンを発生し、上記第２のガスを上記第１のガスのラジカル及びイオンとを混合し、上記基板の表面上に上記第１のガスのラジカル及びイオンと上記第２のガスとの混合ガスを導入し、上記第１のガスのラジカル及びイオンと上記第２のガスとを表面反応させて、上記酸化層上の成長を生じずに、上記少なくとも１つのビアを介して上記半導体層にチタン層を成膜する工程を有する請求項１記載の成膜方法。
【請求項１９】
基板が設置される反応室と、上記反応室内で基板を加熱する加熱手段と、第１のガスを供給する第１のガス供給手段と、上記第１のガス供給手段を上記反応室に接続し、上記第１のガスを上記反応室内の基板近傍に方向付ける出口を形成する通路と、上記出口の前段の通路に連結され、上記第１のガスを励起してプラズマを発生するエネルギ源と、上記反応室内で基板を支持するサセプタと、上記反応室に連結され、第２のガスを上記基板近傍に方向付ける第２のガス供給手段とを備え、上記基板に化学的気相成長を行う成膜装置において、
上記第２のガスはチタン含有ガスであり、上記エネルギ源は上記第１のガスの活性ラジカルを含むプラズマを発生し、上記反応室内における上記基板の近傍で上記第１のガスの活性ラジカルと上記第２のガスが混合され、化学的に反応して上記基板の表面にチタン含有膜を成長させることを特徴とする成膜装置。
【請求項２０】
上記通路は石英製の管からなり、上記エネルギ源は、マイクロ波エネルギを発生し、上記通路に連結されて上記第１のガスの活性化ラジカルを発生することを特徴とする請求項１９記載の成膜装置。
【請求項２１】
上記エネルギ源はＲＦエネルギを発生させることを特徴とする請求項１９記載の成膜装置。
【請求項２２】
上記サセプタに対向して配設され、上記第１のガス供給手段に接続され、上記第１のガスを分散して、上記反応室内の基板近傍に導入する複数の分散孔を有するガス分散シャワーヘッドと、
上記ガス分散シャワーヘッドに電気的に接続され、上記ガス分散シャワーヘッドが電極として機能して周囲に電界を形成するように上記ガス分散シャワーヘッドにバイアス電圧を印加する電源とを備え、
上記ガス分散シャワーヘッドは、上記第１のガスを励起して活性化ラジカルを発生することを特徴とする請求項１９記載の成膜装置。
【請求項２３】
上記電極として機能するガス分散シャワーヘッドと上記基板の表面との間の距離は、約２５ｍｍ（１インチ）又はそれ以下であり、上記第１のガスの活性化ラジカルの密度を高め、上記基板表面における表面反応を促進することを特徴とする請求項２２記載の成膜装置。
【請求項２４】
上記第２のガス供給手段は、上記電極として機能するガス分散シャワーヘッドに接続され、上記第２のガスは、該ガス分散シャワーヘッドにより励起されることを特徴とする請求項２２記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に膜のコーティングを行うプラズマエンハンス化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）に関し、特に、基板表面に対して有益な低い成膜温度のＰＥＣＶＤに関する。より具体的には、本発明は、低温のＣＶＤを用いたチタン含有膜の成長法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路（ＩＣ）の製造において、半導体ウェハ等の基板表面に金属や半金属の元素を含む薄膜が形成される。回路内やＩＣの種々の素子間の電気的接続且つオーミックコンタクトを実現するために、薄膜が堆積される。例えば、絶縁層を横断して配線を行うために、半導体ウェハ上のコンタクトホールあるいはビアホールの内壁面に所望の薄膜を形成して、この薄膜をウェハ上の絶縁膜を通り抜けさせ、導電性材料からなるプラグを形成することがある。
【０００３】
金属薄膜成長法でよく知られているプロセスは、基板表面での種々の成長ガスあるいは反応ガスの化学反応を用いて薄膜を堆積する化学気相成長法（ＣＶＤ）である。ＣＶＤでは、反応チャンバ内の基板近傍に反応ガスが供給され、これらのガスが基板表面で順次反応し、基板表面上に膜を形成する１以上の反応生成物が得られる。成長後に残存する生成物はチャンバから除去される。ＣＶＤは有効な成膜技術であるが、従来のＣＶＤプロセスの多くは基本的に熱プロセスであり、必要な反応物を得るには１０００℃より高い温度を要する。このような成膜温度は高すぎて、ＩＣを構成する電気素子の種々の特性や層に対して影響があるため、ＩＣの製造においては実用的な温度ではないことが多い。
【０００４】
特に、ＩＣ部品のある特性は、従来の熱ＣＶＤプロセスにおける一般的な高温にさらされることにより劣化する。例えば、ＩＣの素子レベルにおいて、ＩＣ内の電気的素子の接合を形成する半導体不純物の浅い拡散がある。不純物は、通常、拡散工程において熱により最初に拡散するので、ＩＣがＣＶＤにおいて高温処理されると、不純物は拡散し続ける。このような拡散は、素子の接合を移動させ、結果的にＩＣの電気的特性を変化させてしまうので望ましくない。したがって、あるＩＣについては、８００℃より高い処理温度に基板をさらすことは避け、より温度に敏感な他の素子については、温度の上限を６５０℃程度の低温にしている。
【０００５】
さらに、ＩＣに金属での内部接続や配線が行われた後に熱ＣＶＤを行う場合、このような温度の限定はより厳密なものとなる。例えば、多くのＩＣは、内部配線金属としてアルミニウムを用いる。しかしながら、高温処理を行うと、アルミニウム内に種々の望ましくない欠陥や突起が生じる。このため、ＩＣ上に内部配線用のアルミニウムを堆積した後は、これを処理することができる最高温度は５００℃程度であり、好ましい上限温度は４００℃である。したがって、ＣＶＤプロセスにおいては可能な限り低い成膜温度を維持することが好ましい。
【０００６】
その結果、基板がさらされる上限温度により、他の場合においてはＩＣを製造するのに非常に有効な従来の熱ＣＶＤプロセスの中には、使用できないものもある。このような有効なプロセスの一例として、チタンの化学気相成長法がある。チタンは、一般的に、ＩＣ素子のシリコンコンタクトと金属の内部配線間のオーミックコンタクトを得るのに用いられる。チタンは、単一分子熱分解や水素還元等のＣＶＤ法を用いて、ＴｉＢｒ４、ＴｉＣｌ４、ＴｉＩ４ から堆積することができる。しかしながら、これら熱プロセスに必要な温度は１０００℃より高く、このような成膜温度は高すぎてＩＣの製造においては実用的ではない。したがって、チタンやチタン含有膜の堆積は、集積回路の製造において問題がある。
【０００７】
温度に敏感な基板上にチタンを堆積する手法として、低温の物理的技術がある。スパッタリングは、このような技術の１つであり、層材料のターゲットとイオン化されたプラズマを用いる。スパッタリングにより成膜するには、ターゲットに電気的にバイアスを印加し、プラズマからのイオンをターゲットに吸着させて、ターゲットに衝撃を与え、ターゲット材料の粒子を叩き出させる。この粒子は、基板上に膜として堆積する。チタンは、例えば、種々のコンタクトやビア開口部が基板レベルに形成された後、シリコン基板上にスパッタリングされる。基板は、約８００℃に加熱され、シリコンとチタンを結合して、珪化チタン（ＴｉＳｉ２）層を形成する。チタン層の堆積後、余ったチタンは基板表面上部からエッチングにより除去され、各コンタクトやビアの底部にＴｉＳｉ２を残存させる。そして、金属製の内部配線が直接ＴｉＳｉ２上に形成される。
【０００８】
物理的スパッタリングにより低温でチタン膜を堆積することができるが、スパッタリングプロセスには種々の問題がある。通常、スパッタリングは、得られるステップカバレージが悪い。ステップカバレージは、基板の上面あるいはコンタクトの内壁面の膜厚に対する基板上のコンタクトの底部の膜厚の比である。したがって、コンタクトやビアの底部に所定量のチタンをスパッタリングにより堆積させるには、スパッタリングされた多量のチタンをコンタクトの内壁面や基板の上面に堆積させなければならない。例えば、スパッタリングによりコンタクトの底部に２００Åの膜を堆積するには、６００乃至１０００Åの厚さの膜の層を、基板の上面やコンタクトの内壁面に堆積しなければならない。余剰のチタンはエッチング除去されるため、チタン含有層を堆積する場合、スパッタリングは無駄が多く、コストがかかってしまう。
【０００９】
さらに、スパッタリングを用いたコンタクトのステップカバレージは、コンタクトあるいはビアのアスペクト比が増加すると、減少する。コンタクトのアスペクト比は、コンタクトの径に対するコンタクトの深さの比である。したがって、コンタクトの底部に特定の厚さの膜を堆積するには、狭くて深い（高アスペクト比の）コンタクトの内壁面あるいは上面に、浅くて広い（低アスペクト比の）コンタクトのそれよりも厚いスパッタリングによる膜を堆積する必要がある。換言すると、高アスペクト比のコンタクトやビアに対応する、ＩＣの素子の微細な寸法においては、スパッタリングは、さらに有効性を失い、無駄が大きい。微細な素子に対するスパッタリングによる堆積ではステップカバレージは悪化し、堆積すべきチタンの量が増加し、堆積されてエッチングにより除去されるチタンの量が増加し、チタンを堆積する時間が増加し、且つ余剰チタンを除去するためのエッチング時間が増加する。したがって、ＩＣ素子の構造が微細化し、アスペクト比が大きくなると、スパッタリングによるチタン含有層の堆積は、非常にコストが高くなる。
【００１０】
一方、チタン含有膜の層を堆積するためにＣＶＤプロセスを用いると、略１００％のステップカバレージを達成することができる。すなわち、コンタクトの底部の膜厚は、コンタクトあるいはビアのアスペクト比に殆ど無関係となり、上面の膜厚にほぼ等しい。しかしながら、上述したように、このようなＣＶＤプロセスに必要とされる温度は高すぎて、ＩＣの他の特性を劣化させてしまう。その結果、チタンＣＶＤを８００℃未満、好ましくは６５０℃未満の温度で行うことが望ましい。さらに、一般的に、ＩＣ製造における膜の堆積に用いられるＣＶＤプロセスでは、成膜温度を低下させることが望ましい。
【００１１】
ＣＶＤプロセスに用いられる反応温度を低下させる１つの技術として、１以上の反応ガスをイオン化することが挙げられる。このような技術は、通常、プラズマエンハンス化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）と称される。このような技術により成膜温度を幾分か低下させることが可能であるが、イオン化されたプラズマ粒子の付着する係数が高く、膜のステップカバレージを悪化させてしまう。すなわち、反応ガスのイオンは、非常に反応性が高く、基板内のビアやコンタクトの内壁面に接触したり付着する傾向がある。イオン粒子は、コーティングが望まれるコンタクトの底面に向かって下方に移動せず、コンタクトの内壁面を不必要にコーティングする。これにより、使用材料、成膜時間及びエッチング時間が増加する。したがって、イオン化反応ガスを用いるＰＥＣＶＤは、従来のＣＶＤの高い温度を低下させ、良好なステップカバレージや膜の適合性を得るのための完璧な解決法ではなかった。
【００１２】
また、ＣＶＤプロセスを用いて成膜する場合、均一に成膜することが望ましい。このため、例えば、タングステン（Ｗ）の均一な膜を形成するには、基板表面全体に亘って反応ガスを均一に供給する必要があり、コーティングされた表面から、使用したガスや反応生成物を除去しなければならない。この点についても、従来のＣＶＤプロセスには限界がある。具体的には、既知のＣＶＤにおいては、反応ガスの流れの乱れにより、コーティング処理の効率や均一性が阻害され、反応チャンバ内での汚染物の堆積及び移動を悪化させてしまう。タングステンＣＶＤプロセスにおいて、六フッ化タングステン（ＷＦ６ ）が反応ガスとして用いられる。六フッ化タングステンは、非常に高価であり、従来のＣＶＤプロセスにおけるように反応ガスの利用効率が低い場合、プロセス全体のコストは大幅に増加してしまう。このため、ガスの流れの向上とガス流の乱れの低減が行われ、コーティングされた基板表面に反応ガスをより効率的に且つより均一に供給し、また反応生成物を除去することができるＣＶＤプロセスが必要である。
【００１３】
したがって、低い有効な温度で行うことができるＣＶＤプロセスが望まれる。また、良好なステップカバレージが得られる低温の成膜プロセスが望ましい。さらに、均一な膜厚が得られ、反応ガスを有効に利用することができるＰＥＣＶＤプロセスが望まれる。
【００１４】
【特許文献１】特開昭６２−２５３７７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
したがって、本発明は、これらを目的とし、現行の種々のＣＶＤ及びＰＥＣＶＤのプロセスにおける問題を解決する。さらに、本発明は、特に、ＣＶＤを用いたチタンやチタン含有膜の堆積に関する問題を解決する。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明に係る成膜方法及び成膜装置は、現行の熱ＣＶＤ及びＰＥＣＶＤにおける高温やガス流の問題を、克服あるいは防止するものである。具体的には、本発明では、従来の熱ＣＶＤプロセスと比較して、かなり低い温度でチタン含有膜を成膜する。また、その一方で、本発明は、形成される膜の適合性を犠牲にすることなく、活性化された反応ガスを効率的に利用するとともに、基板表面でのガスの乱れを低減する。
【００１７】
本発明に係る低温成膜は２つの手法により行われる。第１の手法では、上流においてプラズマを離れた位置で発生する。プラズマは、回転サセプタにより基板に向かって下方にポンピングされ、基板に向かって移動するに従って消滅し、活性化されたガスのラジカルが供給される。ガスラジカルは、非励起反応ガスと混合され、ＣＶＤプロセスにより基板上に膜の層を堆積する。回転サセプタのポンピング作用は、ガス粒子の再循環や衝突を最小限に抑え、利用するラジカルの比率を高める。
【００１８】
第２の手法では、基板表面に非常に近接して高密度のプラズマを得るように設計されたＲＦシャワーヘッド／電極が用いられる。プラズマ及び反応ガスを含む全てのガスは、ＲＦシャワーヘッド／電極を通過して励起される。回転サセプタが他方の電極として動作するので、ＲＦシャワーヘッドと回転サセプタは、平行平板電極の構造となっている。このＲＦシャワーヘッド／電極を用いた方法では、基板での化学気相成長において用いられるプラズマガスは、表面での反応にエネルギを供給するイオン及びラジカルの混合ガスを含有している。
【００１９】
具体的には、本発明に係る１つのＣＶＤプロセスでは、基板ウェハの上流において、荷電イオンや励起された荷電中性ラジカルや自由電子を含む、ガスの種々の励起粒子を含有するガスプラズマを発生するプラズマ源が用いられる。プラズマガスの励起粒子や、特に励起ラジカル粒子は基板上に移動された後、結合して中性分子を形成する。励起ラジカルは、基板上に薄膜を形成するための１以上の反応ガスと化学反応を起こす。励起ラジカルは、表面反応にエネルギを供給し、本発明の原理に基づいて、従来のＣＶＤ法よりかなり低い温度でＣＶＤが行われるようにする。
【００２０】
イオン化粒子を用いた従来のＰＥＣＶＤに関する粒子の付着や層の適合性の低下を防ぐために、本発明に係る方法の上流では、特に適合性及び均一性のある膜を形成する電荷が中性の活性化されたラジカルが、基板表面で用いられる。しかしながら、このような活性化されたガスラジカルは、再結合して低いエネルギの安定した分子構造になるため、このラジカルの寿命は短い。上述のように、本発明は、多数のラジカルが再結合して元の安定ガス分子を形成する前に、ラジカルを基板表面に供給することにより、活性化されたガスラジカルを効率的に利用することができる。ラジカルの効率的な供給のため、本発明では、基板を支持及び回転させ、基板の方向に下向きのポンピング作用を働かせる回転サセプタが用いられる。回転サセプタは、基板表面に対してラジカルをポンピングする。
【００２１】
１以上の反応ガスは、基板表面の上方の堆積領域内に導入され、活性化されたガスラジカルと混合される。回転サセプタの下向きのポンピング作用は、同時に、ラジカルと反応ガスの混合ガスを基板表面に向けて移動させる。基板表面では、ラジカルと反応ガスの混合ガスが、ほぼ均一な層流のパターンで基板の中央から外側に向かって放射状に流れ、励起ラジカルが反応ガスと反応して表面反応をおこし、基板表面に膜の層が堆積する。
【００２２】
活性化ラジカルは、表面反応にエネルギを供給することにより、基板表面で化学反応を起こさせるに必要な熱エネルギ等のエネルギを低減する。このため、従来のＣＶＤプロセスよりかなり低い温度で成膜が行われる。例えば、本発明を用いたチタン含有層の堆積は、従来の熱ＣＶＤプロセスにおける１０００℃に対して、６００℃以下で行うことができる。
【００２３】
回転サセプタによる独特のポンピング作用とガスの層流により、基板表面での有用なラジカル密度が確実に得られる。例えば、５００〜５００００ｓｃｃｍ（標準立方センチメートル／分）のガス流、０〜１０００ｒｐｍのサセプタの回転速度、６７〜１３００Ｐａ（０．５〜１０Ｔｏｒｒ）の反応チャンバ圧力、１〜２０ｓｃｃｍの反応ガス流量を用いることにより、本発明は、ＣＶＤにより６５０℃未満の温度で薄膜を形成した。上流のプラズマは、ＲＦ信号あるいはマイクロ波信号のいずれかを用いて励起される。したがって、本発明では、プラズマが最高で２．５４ＧＨｚ、最低で１３．５６ｋＨｚの周波数で励起されたときに、好ましい結果が得られることがわかった。
【００２４】
回転サセプタにより生じる層流のパターンは、ガス粒子の再循環及び基板表面でのラジカル再結合を最小限に抑える。したがって、低温ＣＶＤプロセスのための活性化ラジカルがより多く基板表面で得られる。さらに、本発明に係る成膜方法においては、サセプタの回転速度を上昇させることにより、基板表面での成膜速度が上昇する。回転サセプタのポンピング作用により得られる活性化ラジカルの独特の組合せ及び層流により、本発明での成膜速度は、ポンピング作用を増すことから得られる基板表面での分子反応物の増加によってのみ得られる成膜速度より、上昇する。すなわち、サセプタの回転速度を上昇させることにより、単に反応ガスを基板に向けて高速で移動させる以上の効果がある。基板表面へのラジカルの供給におけるこの促進は、ＰＥＣＶＤプロセスにおける重要な進歩である。これにより、上流あるいは基板から離れた位置で形成されたラジカルの大部分を、基板表面に供給することができ、多量のラジカルが再結合することによる損失を生じることなく、表面で成膜反応を行うことができる。この促進及びそれによる表面反応に対するエネルギの増大により、低い成膜温度であっても反応を起こさせることができる。
【００２５】
また、本発明に係る成膜方法の１実施例においては、ＲＦ電力が印加されて電極として機能するガス分散シャワーヘッドを用い、プラズマガスを基板表面近傍に供給する。基板を支持する回転サセプタは、他方の平行電極として動作する。ＲＦシャワーヘッド／電極が、高密度のプラズマを基板表面に非常に近接して発生するとともに、このシャワーヘッドに取り付けられたガスを供給するシリンダが、プラズマに対して均一なガスの流れを確実にする。プラズマが基板に近接していることにより、表面反応のために十分な密度の活性化ラジカル及びイオンが確実に得られる。すなわち、ＲＦシャワーヘッド／電極の方法においては、ガスラジカルとガスイオンの組合せが用いられる。シャワーヘッド／電極を用いると、発生されたプラズマと基板の間隔を１インチ未満とすることができ、望ましいＣＶＤ膜を形成することができる。さらに、ＲＦシャワーヘッド／電極を用いた成膜方法においては、効率的な成長のために、プラズマをシャワーヘッドの下方及び基板近傍に集中させて封じ込める。ＲＦシャワーヘッドは、１３．５６ＭＨｚ〜４５０ｋＨｚのＲＦ周波数で用いられる。
【００２６】
本発明では、種々のプラズマガス及び反応ガスが用いられるが、本発明は、特に、水素と窒素のイオン及びラジカルを含むプラズマを用い、及び／又は、四塩化チタン（ＴｉＣｌ４）及びアンモニア（ＮＨ３）を分解して、純チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）及び／又は珪化チタン（ＴｉＳｉ２ ）膜等のチタン含有膜を基板上に堆積するのに有効であった。アルゴン等の希釈ガスをプラズマガスに混合してもよい。さらに、本発明の原理に基づいてＨ２、Ｎ２、ＮＨ３ 以外の種々のプラズマガスを用い、本発明に係る表面反応にラジカル及びイオンを供給するようにしてもよい。
【００２７】
具体的な実施例において、本発明は、基板上のアルミニウム層を覆ってチタン膜を堆積するのに有効であることが見出された。本発明の原理に基づいた成膜温度は、十分に低く、成膜の際にアルミニウム層が溶けることにより損傷を受けることはない。
【００２８】
他の具体的な実施例では、本発明は、下層シリコン層へのビアを有する配線がなされたフィールド酸化膜（酸化シリコン）を有する基板上に、選択的にチタンの堆積を行うのに有効であることがわかった。ある条件下では、酸化フィールド膜上にはチタンがあまり堆積せず、シリコン層のビア内にのみ堆積することがわかった。
【００２９】
本発明に係る成膜装置の実施例では、マイクロ波源や無線周波数（ＲＦ）源を含む種々のエネルギ源からのエネルギを用いて、プラズマが発生される。成膜装置の一実施例では、ＲＦ電力が印加されてプラズマを発生するシャワーヘッド／電極が用いられる。上流でプラズマを発生させる一実施例では、市販されているプラズマ領域を囲むＲＦコイルを有するプラズマ源が用いられる。また、他の実施例では、プラズマをマイクロ波のエネルギにより離れた位置で励起する上流のマイクロ波のプラズマ発生源が用いられる。そして、離れた位置のプラズマは、筒に沿ってポンピングされ、これにより活性化ラジカルが形成される。筒から成膜チャンバに供給されると、ラジカルは、反応ガスと混合され、回転サセプタにより基板表面に移動される。
【００３０】
本発明、本発明の利点及び特徴を、添付の図面を参照して以下に詳細に説明する。
【発明の効果】
【００３１】
上述したように本発明によれば、現行の熱ＣＶＤ及びＰＥＣＶＤにおける高温やガス流の問題を、克服あるいは防止することができる。具体的には、本発明では、従来の熱ＣＶＤプロセスと比較して、かなり低い温度でチタン含有膜を成膜することができる。また、その一方で、本発明は、形成される膜の適合性を犠牲にすることなく、活性化された反応ガスを効率的に利用するとともに、基板表面でのガスの乱れを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
本発明は、活性化ガスラジカル及び／又は活性化ガスラジカル及びイオンを用いて低温ＣＶＤを行う成膜方法及び成膜装置を提供する。活性化イオン及びラジカルの適切な使用とそれに伴う低温ＣＶＤは、基板表面にて有効な密度のラジカル及び／又はイオンを必要とする。本発明に基づいて、成膜チャンバ内で基板を回転させ、基板表面に向かって下方に活性化ガスラジカルを移動させる回転サセプタが用いられる。ラジカル及び反応ガスは、基板上の表面反応を起こさせ、膜を堆積する。活性化された荷電中性ラジカル及び荷電イオンは、表面反応にエネルギを供給し、熱ＣＶＤプロセスの場合よりもかなり低い温度で、膜が化学気相成長の技術により基板表面に堆積される。また、イオンやラジカルはプラズマにより活性化されているので、表面反応を起こすのに必要な熱エネルギは少なくてすむ。
【００３３】
好ましくは、上流においてプラズマが発生され、特にラジカルが基板表面に存在して低温の表面反応を行う。回転サセプタにより得られた層流状態のガス流は、活性化ラジカルの衝突や再結合して安定分子が形成されることを抑え、有効な密度のラジカルが基板表面に供給されて、表面反応及びよれにより膜が形成される。ＲＦシャワーヘッド／電極を用いた方法では、以下に説明するように、プラズマを基板に非常に近接して発生し、活性化イオン及びラジカルの効率的利用を促進することができる。本発明は、従来の熱ＣＶＤ技術と比較して非常に低温で行うことができるＣＶＤ技術を提供することにより、低い成膜温度を必要とする集積回路の製造において実用的である。さらに、本発明に係る方法は、スパッタリング成長の技術や他のＣＶＤ技術と比較して、ステップカバレージ及び膜の適合性を向上させる。本発明は、低温のＣＶＤによる種々の膜の堆積に用いることができる。なお、本発明は、特に、窒化チタン（ＴｉＮ）等のチタン含有膜、特に純チタン金属膜の堆積に有効である。
【００３４】
図１は、本発明に係る上流のプラズマエンハンスＣＶＤを行う回転サセプタを有する上流のプラズマ発生装置の一実施例を示す。図１の実施例では、マイクロ波プラズマ発生装置を用いて、上流の反応ガスプラズマを発生し、この反応ガスプラズマから必要な活性化ラジカルを得ている。反応装置５は、反応室１２を収容するチャンバハウジング１０を有している。チャンバハウジング１０は、本発明を実施するのに望ましい内部成膜圧力となるように調整可能に排気される。水素ガス（Ｈ２）、窒素ガス（Ｎ２）及び／又はアンモニア（ＮＨ３ ）等の励起されるプラズマガスは、石英製の管１４を介して反応室１２に導入される。プラズマ発生用の管１４は、Ｌ字型であり、９０°曲げられた屈曲部１５に至るまで水平に延在する長尺部１６を有している。９０°曲げられた屈曲部１５の後には、短尺部１８が下方に垂直に延在し、反応室１２に開口した吐出部１９を有している。また、チャンバハウジング１０は、モータ（図示せず）に連結された軸２１によって回転する回転サセプタ２０を有し、この回転速度は調整される。回転サセプタ２０には温度制御装置（図示せず）が連結され、基板を所望の温度に加熱するのに用いられる。本発明に係る方法を実施するのに好適な回転サセプタを有する反応装置としては、アメリカ合衆国アリゾナ州フェニックスのマテリアルズリサーチコーポレーション社（Materials Research Corporation (MRC), Phoenix, Arizona）のロテーティングディスクリアクタ（Rotating Disk Reactor）がある。
【００３５】
エネルギ源であるマイクロ波発生装置２４は、マイクロ波導波路２６を介してプラズマ発生用の管１４に連結されている。マイクロ波導波路２６は、マイクロ波発生装置２４からのマイクロ波のエネルギ２７を管１４に伝播し、管１４内に励起領域２８を形成する。プラズマガスは、端部１３から管１４に導入され、領域２８を通過して管１４の長さに沿って移動し、領域２８において、マイクロ波のエネルギ２７がガスに吸収されてガスを励起し、プラズマを発生する。管１４内で発生されたプラズマは、イオンや活性化された荷電中性ラジカルを含む種々の活性化粒子を含んでいる。例えば、水素ガス（Ｈ２ ）が管１４内に導入された場合、自由電子（ｅ−）、水素イオン（Ｈ＋）、電荷が中性の活性化された水素ラジカル（Ｈ＊）を含む水素プラズマが生成され、一方、窒素ガス（Ｎ２）は、電子、窒素イオン（Ｎ＋）、活性化ラジカル（Ｎ＊）を発生する。水素及び窒素のラジカル（Ｈ＊及びＮ＊）を生成するためにはアンモニア（ＮＨ３ ）ガスを用いてもよい。しかしながら、以下に詳細に説明するが、ＮＨ３は、ＴｉＣｌ４等の反応ガスと反応し、望ましくない付加的な生成物を生成する。したがって、好ましくは、純粋なＨ２及び／又はＮ２を励起して、低温ＣＶＤを行うのに用いる。
【００３６】
水素（Ｈ２ ）をプラズマガスとして用いると、プラズマの発生により、以下のように、イオン化されたものだけでなくラジカル（Ｈ＊）の発生も行われる。
Ｈ２  →  ２Ｈ＋＋２ｅ−（イオン化）                       （式１）
【００３７】
励起ガスプラズマが管１４の水平部分に沿って移動すると、下記式２に従って再結合が行われ、プラズマが消滅し、水素イオンと自由電子の結合により新たな水素ラジカル（Ｈ＊）が生成される。
Ｈ＋＋ｅ−  →  Ｈ＊（再結合）                             （式２）
【００３８】
時間が経過すると、式３に従った第２の結合が起こる。第２の結合により、表面反応に反応エネルギを供給しない不活性の安定な水素ガス分子が生成される。したがって、活性化ラジカルが再結合する前に、活性化ラジカルを基板２２の表面２３に供給することが重要である。
Ｈ＊＋Ｈ＊  →  Ｈ２                                       （式３）
【００３９】
水素ラジカル（Ｈ＊） やプラズマの他の残存するガス粒子は、回転サセプタ２０の回転により、管１４の９０°曲げられた屈曲部１５を回り、短尺部１８に沿って下方に移動され、吐出口１９を介して反応室１２に供給される。回転サセプタ２０は、基板２２の方向に下向きのポンピング作用を起こす。このポンピング作用により、矢印２９で示すように、ウェハ表面２３上にガスの層流が形成される。
【００４０】
好ましくは、回転サセプタ２０は、ガス流が層流の条件を達成するように動作する。層流状態のガス流では、Ｑ−１で示す下向きのガス流量が、Ｑ−２で示す水平方向のガス流量に等しい。これらの２つのガス流量が等しいとき、層流が発生する。層流については、Serial No. 08/131,900 １９９３年１０月５日出願の A Method For Chemical Vapor Deposition Of Titanium-Nitride Films At Low Temperatures に詳細に説明される。ここではこの出願を参照する。
【００４１】
本発明の原理に基づいた効率的なＣＶＤ反応では、基板２２に達したプラズマガスは、多量のラジカル、好ましくは組成比で８０％以上の活性化ラジカルを含む。このような高いラジカル混合ガスでは、最小限の再結合でプラズマガスを基板２２に移動させる必要がある。ラジカルの最大限の利用は、回転サセプタ２０により形成される層流により達成される。実験によって、回転サセプタ２０による層流のパターンにより、ガス反応物の再循環、特に基板表面２３での活性化ガスラジカルの再循環が最小限に抑えられることがわかった。そして、再循環が最小限に抑えられたことにより、活性化ラジカルの気相衝突が最小限になり、ラジカルが再結合して安定な分子を形成する速度が低減される。すなわち、式３によるＨ＊のＨ２への再結合量が減少する。この結果、基板表面２３での有効な活性化ラジカルが高密度で得られ、化学的表面反応にエネルギを供給し、膜の化学気相成長に必要な熱エネルギを低減する。これにより、本発明は、成膜温度を有効に低下させる。
【００４２】
ガスラジカルが反応室１２に導入されるときに、反応ガスが、図１に示す垂直方向に調整可能なシャワーヘッド３０等を介して導入される。例えば、チタン含有膜を堆積するには、四塩化チタン（ＴｉＣｌ４）、四臭化チタン（ＴｉＢｒ４）、又は四ヨウ化チタン（ＴｉＩ４） 等の四ハロゲン化チタンガス、好ましくはＴｉＣｌ４が導入される。純チタン層に対しては、Ｈ２がプラズマに励起され、且つＴｉＣｌ４ が反応室１２に導入される。そして、回転サセプタ２０及び基板２２の略上方にある反応室１２内に、Ｈ＊とＴｉＣｌ４の混合ガスが生成される。回転サセプタ２０のポンピング作用により、この混合ガスは層流状態で基板表面２３に供給され、活性化Ｈ＊とＴｉＣｌ４が表面２３で反応し、基板２２上に薄膜を堆積する。水素ラジカルＨ＊は、式４に従って表面反応にエネルギを供給する。
４Ｈ＊＋ＴｉＣｌ４  →  Ｔｉ＋４ＨＣｌ                    （式４）
【００４３】
この反応により、基板表面２３のチタン（Ｔｉ）膜と、所定の排気管３２を介して除去される塩酸（ＨＣｌ）が生成される。式４の反応に起こさせる活性化ラジカルからのエネルギによって、低い成膜温度にてＣＶＤで膜を形成することができる。
【００４４】
上述のような本発明の実施例では、基板２２上に純チタン層を形成したが、本発明の原理に基づいて、チタンあるいは他の所望の元素を含有する種々の材料層を堆積してもよい。例えば、Ｈ＊及びＮ＊のラジカルを生成するために水素（Ｈ２）及び窒素（Ｎ２） をプラズマ発生用の管１４に導入して、窒化チタン（ＴｉＮ）を堆積するようにしてもよい。また、アンモニアガス（ＮＨ３）を励起して、Ｈ＊及びＮ＊ のラジカルを含むプラズマに解離してもよい。水素ガスプラズマ粒子の再結合と同様、Ｎ＊ ラジカルは、基板表面２３に迅速に供給されないと、結合して窒素分子（Ｎ２）を生成する。さらに、本発明の原理に基づいて、珪化チタン（ＴｉＳｉ２）を堆積してもよい。このような場合、シランガス（ＳｉＨ４）をチタン含有ガス（例えばＴｉＣｌ４ ）とともに反応室１２に導入する。また、図１の装置及び説明した方法を用いて、タングステン（Ｗ）を堆積してもよい。窒化チタン及び珪化チタンを生成する化学反応の例は、それぞれ、以下の式５、６で示される。
ＴｉＣｌ４＋Ｎ＊＋４Ｈ＊  →  ＴｉＮ＋４ＨＣｌ             （式５）
ＴｉＣｌ４＋２ＳｉＨ４＋４Ｈ＊  →  ＴｉＳｉ２＋４ＨＣｌ＋４Ｈ２
（式６）
【００４５】
図１に示すマイクロ波のプラズマ成膜装置を用いて、タングステン層を堆積し、本発明に係る方法の実施可能性を判断する試験を行った。水素を石英製の管１４に通過させた。励起プラズマは領域２８近傍で発生され、管１４を介して下流の反応室１２に達した。プラズマは、石英製の管１４に沿って移動するうちに、マイクロ波による励起領域２８の下流で減少した。これは、上記式２に従って励起プラズマ粒子の再結合が起こり、新たな水素ラジカルが生成されたことを示す。次いで、水素ラジカルは、回転サセプタ２０により基板表面２３に供給された。同時に、下記式７に従った成膜反応がおこり、基板２２上にタングステン層を堆積した。
ＷＦ６＋６Ｈ＊  →  Ｗ＋６ＨＦ                            （式７）
【００４６】
水素ラジカルが実際に基板表面２３に達し、ＣＶＤプロセスに貢献していたことを確認するため、活性化エネルギの比較を行った。具体的には、タングステンの堆積速度を、基板温度の関数として測定した。この測定は、マイクロ波発生装置の電源をオフにしてプラズマを使用しない場合と、マイクロ波発生装置の電源をオンにしてプラズマ及び水素ラジカルを発生した場合との両方で行った。測定データを、アレニウス関数として、すなわち１／Ｔに対してｌｎ（ｋ）として、図４Ａ及び図４Ｂに示す。なお、ｋは反応速度定数であり、Ｔは絶対温度である。プラズマを用いない場合と用いた場合の図４Ａ及び図４Ｂに示すプロセス及び堆積パラメータは、以下のようになっている。
Ｈ２流量  ＝  ２０００ｓｃｃｍ
ＷＦ６流量  ＝  ２２５ｓｃｃｍ
圧力  ＝  ５３３Ｐａ（４Ｔｏｒｒ）
サセプタの回転速度  ＝  ３０ｒｍｐ
マイクロ波電力  ＝  ９００ワット
【００４７】
実験及び得られたアレニウス関数から、活性化エネルギＥａが算出された。図４Ａは、プラズマを用いない場合のタングステン（Ｗ）堆積の活性化エネルギを示し、図４Ｂは、マイクロ波によるプラズマを用いた場合の活性化エネルギを示す。熱処理の場合、すなわち、マイクロ波発生装置の電源をオフにした場合、Ｅａ＝６７．１ｋＪ／ｍｏｌ−ｄｅｇｒｅｅ  Ｋであった。しかし、マイクロ波発生装置の電源をオンにしてプラズマを発生した場合、成膜プロセスに必要な活性化エネルギは、Ｅａ＝６３．２ｋＪ／ｍｏｌｅ−ｄｅｇｒｅｅ  Ｋしかなかった。プラズマを用いた場合と用いなかった場合の成膜プロセスの活性化エネルギＥａの減少は、活性化水素ラジカルが基板表面に達し、本発明の原理に基づいて表面反応が行われていることを示している。活性化ラジカルを用いた場合に必要な活性化エネルギの低減により、ＣＶＤプロセスに必要な成膜温度が低下する。上述のように、６５０℃未満の成膜温度を必要とする温度に敏感な回路からなる集積回路の製造には、低い成膜温度が望ましい。
【００４８】
タングステンの堆積速度は、サセプタの回転速度あるいは基板の回転速度として測定された。図５は、熱プロセスの場合の堆積速度が、回転速度の増加に伴って増加したことを示す。これは、分子反応ガスが回転する基板表面に高速でポンピングされているためである。しかし、本発明に係る上流のラジカルによるプロセスの場合、堆積速度は回転速度の増加よりも大幅に増加した。すなわち、堆積速度の増加を生じる回転基板により得られた反応ガスの基本的なポンピング以上の効果がある。本発明に係る上流のプラズマ方法では、回転サセプタにより得られた層流のパターンにより、気相衝突が最小限に抑えられ、必要な活性化水素ラジカルＨ＊が再結合して水素分子Ｈ２を形成する速度が低減される。本発明に係る上流の方法における基板表面へのラジカルの効率的な供給は、プラズマＣＶＤにおける重要な進歩である。活性化ラジカルの大部分は、基板表面に供給され、表面成膜の反応を行う。したがって、活性化ラジカルが、エネルギの供給や成膜温度を低下させるだけでなく、回転サセプタ２０の層流により基板に供給された高密度のラジカルが、熱ＣＶＤの実用的でない高温より低い温度に成膜温度を低下させる。
【００４９】
図１Ａは、活性化ガスラジカルを発生するための上流のマイクロ波発生装置を用いた他のＣＶＤの構成を示す。反応装置１００は、反応領域１０４を収容するチャンバハウジング１０２を有している。図１の反応装置５と同様、チャンバハウジング１０２は、所望の内部成膜圧力になるように調整可能に排気される。プラズマガスが、垂直方向に延在する石英製の導管１０６に導入される。石英製の導管１０６には、マイクロ波導波路１０８が連結されている。マイクロ波導波路１０８は、マイクロ波発生装置１１２を備えた水平部１１０を有している。導波路の傾斜部１１４が、水平部１１０と導波路の垂直部１１６を連結している。石英製の導管１０６は、開口部（図示せず）を介して傾斜部１１４内に延在し、傾斜部１１４及び垂直部１１６を通って、チャンバハウジング１０２の天板１１５を貫通して延在している。石英製の導管１０６は、天板１１５を通って延在し、ガス分散シャワーヘッド１２２の上方の吐出部１２０にて止まっている。ガス分散シャワーヘッド１２２は、このガス分散シャワーヘッド１２２をチャンバハウジング１０２の天板１１５に連結する石英製の絶縁リング１２４に取り付けられている。また、ガス分散シャワーヘッド１２２の上方で、石英製の導管１０６の吐出部１２０に隣接して、反応ガスを分散するための複数の開口部を有する傘状の反応ガス供給機構あるいは分散リング１２８が配置されている。分散リング１２８には、ＴｉＣｌ４ 等の反応ガスを分散リング１２８に供給するための導管１３０が連結されている。
【００５０】
導波路の水平部１１０内のマイクロ波発生装置１１２は、マイクロ波周波数でエネルギを発生するマグネトロンあるいは他の好適な装置である。例えば、同軸導波路アダプタ（図示せず）を導波路の水平部１１０の一端に取り付けて、必要なマイクロ波のエネルギを発生するようにしてもよい。
【００５１】
図１Ａに示す上流のマイクロ波のプラズマ源と反応装置１００は、図１の反応装置５とほぼ同様に動作する。すなわち、水素、窒素及び／又はアンモニア等のプラズマガスが、石英製の導管１０６に導入され、この石英製の導管１０６に沿って移動し、マイクロ波導波路１０８を通り、導管１０６のある領域内でガスがプラズマに励起される。回転サセプタ１３２は、ガス分散シャワーヘッド１２２及びリング１２８の下方に基板１３４を支持する。図１の回転サセプタと同様、回転サセプタ１３２は、基板１３４を所望の温度に加熱する温度制御装置（図示せず）に連結されている。また、回転サセプタ１３２は、軸１３４によってモータ（図示せず）に連結され、回転サセプタ１３２の回転は所望の回転数に設定される。回転サセプタ１３２は、石英製の導管１０６の吐出部１２０から活性化ラジカルを、リング１２８からの反応ガスをガス分散シャワーヘッド１２２を介してポンピングし、ガスが反応して、基板１３４上に膜の層を堆積する。好ましくは、基板１３４に達する活性化プラズマ粒子の大部分は、表面反応にエネルギを供給して低温ＣＶＤを行わせる活性化ラジカルである。残りの未使用のガスは、排気管１３８を介して排気される。
【００５２】
上流のプラズマ源とともに回転サセプタの層流により、望ましいラジカル密度が得られるが、チタンの低温ＣＶＤ法は、イオンやラジカルのプラズマを基板近傍で発生させ、イオンとラジカルの両方が低温の表面反応に貢献するように、ＲＦ電極としてバイアスが印加されたガス分散シャワーヘッドを用いるようにしてもよい。ここで、図２に、本発明の原理に基づいた活性化ラジカル及びイオンを用いて低温成膜を行うＣＶＤ反応装置の好ましい実施例を示す。図２に示すように、反応装置４０は、成膜用のチャンバハウジング４２と、反応室４４を形成するハウジングカバー４３を有している。また、チャンバハウジング４２は、反応室４４内に基板４８を支持する回転サセプタ４６を備えている。図１の反応装置と同様、反応装置４０は、種々の内部圧力に選択的に排気され、回転サセプタ４６は、種々の温度及び速度に基板４８を加熱及び回転させる調整可能な加熱装置及び回転制御装置に連結されている。
【００５３】
チャンバハウジング４２の上部から、シャワーヘッド５２が取り付けられたシリンダ機構５０が下方に延在している。シャワーヘッド５２は、基板４８の上方に懸下されている。励起されてプラズマに励起されるガスは、ガス吹出リング５４に設けられた複数のリング孔５６を介してシリンダ機構５０内に導入される。ガス吹出リング５４は、導管５５を介してプラズマガス供給源に連結されている。シャワーヘッド５２は、シリンダ機構５０からシャワーヘッド５２に延在するＲＦ供給ライン機構５８によりＲＦ電源５７に接続されている。シリンダ機構５０は、シリンダ５１と、以下の理由によりシリンダ５１とシャワーヘッド５２を絶縁する絶縁リング６０とを有している。反応装置４０の一実施例において、シリンダ５１は電気的に接地されている。シャワーヘッド５２は、電極として動作し、ＲＦ電力が印加されて、対応するＲＦ電界を発生する。シャワーヘッド／電極５２は、６．４ｍｍ（０．２５インチ）程度の厚さを有し、例えば３００個〜６００個程度のガス分散孔６２を有している。プラズマガス吹出リング５４を介して導入されたガスは、シリンダ５１内を下方に流れる。バイアスが印加されたシャワーヘッド／電極５２により得られたＲＦ電界は、ガスを励起し、シャワーヘッド／電極５２の下面５３の下方にプラズマが発生される。好ましくは、シャワーヘッドのガス分散孔６２は、このガス分散孔６２内でのプラズマの発生やそれによる分散孔内での堆積及び基板の衝撃を防止するため、従来のシャワーヘッドの分散孔より小径となっている。さらに、シャワーヘッド５２の小径のガス分散孔６２により、シリンダ５１内においてシャワーヘッド５２の上方でプラズマが発生することが防止され、シャワーヘッド５２の下方及び基板４８近傍にプラズマが集中する。この実施例におけるシャワーヘッドのガス分散孔６２の直径は、０．８ｍｍ（１／３２インチ）とされている。シリンダ５１は、プラズマ及び反応ガスをシャワーヘッド５２全体に分散させるため、シャワーヘッド／電極５２と直径であることが好ましい。
【００５４】
ＴｉＣｌ４等の反応ガスは、ライン６４によって反応ガス供給装置に連結され、ガス吹出リング５４と略同心円状に配設されたガス吹出リング６６を介して導入される。ガス吹出リング５４及び６６からのガス流は、ガスがシャワーヘッド／電極５２に向かって移動する際に、シリンダ５１の長さ内で形成される。回転サセプタ４６、シリンダ５１、及びシャワーヘッド／電極５２を用いて、シャワーヘッド５２を流れるプラズマガスが回転する基板４８に達する前に、その速度分布を完全に形成することが好ましい。基板４８からシャワーヘッド／電極５２までの間隔は、６．３〜１００ｍｍ（０．２５〜４インチ）の範囲にあり、プラズマを基板４８に確実に近接させる。好ましくは、この間隔は、２５ｍｍ（１インチ）未満であり、この実施例においては２０ｍｍ程度である。ガスがシャワーヘッド／電極５２を通過すると、シャワーヘッド／電極５２に横切る圧力降下により、ガスの速度分布は平坦となる。すなわち、ガスは、シャワーヘッド／電極５２の中央部と周辺部とで同じ速度であることが多い。このことは、基板表面４９上に膜を均一に堆積させるのに好適である。プラズマガスは、シャワーヘッド／電極５２を通り、シャワーヘッド／電極５２の下面５３近傍でプラズマに励起される。上述したように、ＲＦプラズマは、最低で４５０ｋＨｚ、最高で１３．５６ＭＨｚのＲＦエネルギで励起され、本発明は、特に周波数に対して敏感ではない。
【００５５】
図２に示す成膜の構成を有する回転サセプタ４６が回転されると、回転サセプタ４６のポンピング効果がシャワーヘッド／電極５２の下方で発生する。図２に示す本発明の実施例において、シャワーヘッド／電極５２を基板４８に非常に近接させて用いることにより、基板表面４９近傍に有効なガスラジカル及びイオンを高密度で有する集中したプラズマが生成される。図２のＲＦシャワーヘッド／電極を用いた構成では、回転サセプタ４６を１００ｒｐｍより高速で回転させると、顕著な促進が得られないことがわかった。しかしながら、回転速度が０ｒｐｍでは、成膜速度には大幅に影響しないものの、反応ガス及びプラズマガスの流れの均一性や成膜の均一性を低下させる。一般的には、ＲＦシャワーヘッド／電極を用いた成膜の構成では、０〜２０００ｒｍｐの基板回転速度が用いられる。
【００５６】
以下に説明するが、回転サセプタ４６の回転速度は、成膜に対して１００ｒｐｍ程度で十分である。上流のプラズマ発生方法においてはラジカルのみを用いることが好ましく、ＲＦシャワーヘッド／電極５２を用いた成膜では、ラジカルとイオンの両方が存在する。すなわち、イオンとラジカルの両方が表面反応にエネルギを供給する。イオンのみを用いると、コンタクトやビアの表面に付着して適合性のない膜を形成することが多いので、一般的には好ましくないが、基板４８へのイオンの衝突は、更なるエネルギを供給するので、基板４８の表面４９上に膜の層を成長させるためは有益である。しかしながら、基板４８に対するイオンの衝撃が大きすぎると、基板４８の集積回路素子に損傷を与え、膜の適合性を失う。したがって、成膜パラメータやシャワーヘッドの間隔は、上述のように、ラジカルとイオンの有効な混合ガスが得られるように選択させる。上述のように、図２の構成においては、間隔は２５ｍｍ（１インチ）未満であり、２０ｍｍ程度であることが好ましい。
【００５７】
ＴｉＣｌ４ 等の反応ガスは、別のガス吹出リング６６を介してシリンダ５１内に導入される。反応ガスは、シリンダ５１の長さに沿って下方に移動し、シャワーヘッド５２のガス分散孔６２を通過する際に、シャワーヘッド／電極５２によって得られたＲＦ電界により励起される。反応ガスは、励起プラズマのラジカルやイオンとともに、基板４８の表面に向かって移動する。ラジカル、イオン及び励起された反応ガスの粒子は、基板４８の表面４９にて反応し、基板４８上にチタン含有膜等の膜を堆積させる。
【００５８】
シャワーヘッド／電極５２を、シリンダ５１とともに、基板４８から近い距離に配設したことにより、シャワーヘッド５２から放出された混合ガスの流線６５は基板４８に近接し、効率的な成膜が行われ、基板４８をバイパスする混合ガスの量が低減される。すなわち、回転サセプタ４６に対して停滞している流線６５の下方の量あるいは間隔として定義されるガスの境界層は、非常に小さい。したがって、ラジカル、イオン及び反応ガス粒子の多くは、表面反応に用いられ、ＣＶＤプロセスの効率及び成膜速度が向上する。
【００５９】
ＲＦ電極として動作するシャワーヘッド／電極５２により、より均一なプラズマが基板４８で発生される。このため、基板４８におけるラジカル及びイオンの密度の均一性や堆積れた膜の均一性が向上する。図２、２Ａ、２Ｂに示すＲＦシャワーヘッド／電極の構成において、回転速度が、入力されるプラズマ及び反応ガス流と整合したとき、すなわち層流が形成されたときに、成膜速度は最高となる。したがって、回転サセプタ４６が回転するときに、層流が形成されることが好ましい。
【００６０】
図２Ａは、詳細部分を除いて、図２の構成を同様のＲＦシャワーヘッド／電極を示す。図２と図２Ａでは、同様の参照符号を用いる。図２Ａの構成は、本願において参照する米国特許出願 Serial No. 08/166,745  に開示される構成と同様である。
【００６１】
図２Ａは、ＣＶＤ成膜用のチャンバハウジング４２の一部の断面を示し、チャンバハウジング４２には、本発明に係る低温成膜を行うのに用いられるＲＦシャワーヘッド／電極１４２が取り付けられている。ここで記載される特徴は、本発明の実施例の全てではないが１つ以上の実施例に適合することは、当該分野の技術者にとって明らかである。図２Ａにおいて、シャワーヘッド／電極５２には、ＲＦラインステム１４４が取り付けられている。さらに詳細に説明すると、ＲＦラインステム１４４はＲＦ供給ライン機構５８を構成する１つの部品である。ＲＦ供給ライン機構５８は、以下に説明するように、シャワーヘッド／電極５２から熱を排出するヒートパイプとして動作する。例えば、ＲＦラインステム１４４は、シャワーヘッド／電極５２の上面１４６に軸を同じくして一体的に形成され、ＲＦ信号の伝達及び熱伝導の効率を向上させている。ＲＦライン１４８は、ＲＦラインステム１４４と、それに溶接されたさらに長さを有する延長管１５０とから構成され、ＲＦライン１４８全体の長さを所望の長さとしている。溶接点は１４９にて示される。好ましくは、シャワーヘッド／電極５２と、これと一体化されたＲＦラインステム１４４は、ニッケル−２００からなり、ＲＦラインの延長管１５０は、６０６１−Ｔ６アルミニウム等の高導電性材料からなる。なお、ＲＦラインの延長管１５０にニッケル−２００等の他の材料を用いてもよいことは、当該分野の技術者にとっては明らかである。一実施例において、ＲＦライン１４８は、ニッケルをコーティングしたアルミニウムからなり、本発明に係るプラズマエンハンスＣＶＤ反応の際に、シリンダ機構５０のシリンダ５１内でＲＦプラズマが発生するを防止する。好ましくは、シャワーヘッド／電極は、６．４ｍｍ（０．２５インチ）程度の厚さである。
【００６２】
シャワーヘッド／電極５２は、所定のパターンに穿設された複数のガス分散孔６２を有し、ＣＶＤプロセスの際に反応ガス及びプラズマガスを均一に分配する。図２Ａに示すように、植立したＲＦラインステム１４４には、シャワーヘッド／電極５２に隣接且つ平行した環状の肩フランジ１５２が設けられている。肩フランジ１５２は、シャワーヘッド／電極の上面１４６の上方に間隔を有して配置され、ガス分散孔パターンが肩フランジ１５２の下方に位置するようにしている。さらに、肩フランジ１５２は、ＲＦライン１４８を介してシャワーヘッド／電極５２へのＲＦ電力を供給する際の抵抗値を下げ、シャワーヘッド／電極５２を冷却し、セラミック製の絶縁管１５４、１５６を機械的に支持する。シャワーヘッド／電極の構成の他の実施例では、図２Ｂに示すように肩フランジ１５２を用いない。
【００６３】
さらに、図２ＡのＲＦシャワーヘッド／電極１４２は、それぞれＲＦライン１４８の少なくとも一部と同じ軸を有し、及び少なくとも一部を包囲する第１及び第２のセラミック製の絶縁管１５４、１５６を有している。図に示すように、セラミック製の絶縁管１５４、１５６は、環状の肩フランジ１５２により支持されている。絶縁管１５４、１５６は、例えばアメリカ合衆国コロラド州ゴールデンのクアーズセラミックス社（Coors Ceramics, Golden, Colorado）等から市販されているアルミナ（９９．７％  Ａｌ２Ｏ３）を材料とする。これらの絶縁管１５４、１５６の機能の１つは、ＲＦライン１４８をシリンダ機構５０内のプラズマ及び反応ガスから絶縁することにより、ＣＶＤプロセスの際にＲＦライン１４８の周囲にＲＦプラズマが生じるのを防止することである。プラズマをシャワーヘッド／電極５２の下方に集中させるために、シリンダ機構５０内でプラズマが生じることを防止することが望ましい。したがって、絶縁管１５４、１５６は、そのようなシリンダ機構５０内でのプラズマの生成を防止するように作用する。さらに、以下に詳細に説明するように、絶縁管１５４、１５６は、（アース電位にある）ガス散布カバー１５８と、ＲＦライン１４８がこのガス散布カバー１５８を通る位置のＲＦライン１４８との間に、電気的短絡が生じるのを防止するのに役立つ。ガス散布カバー１５８は、複数のネジ１５０によりチャンバハウジング４２に取り付けられている。図２Ａに示すように、（一点鎖線で示す）リング５４、６６等の傘状のガス吹出機構あるいはガス吹出リングが、ガス散布カバー１５８のやや下方に配置され、ＣＶＤ反応ガス及びプラズマガスをシリンダ機構５０内に供給する。ガス吹出リング５４、６６は、多数の反応ガスを導入するための複数の同心円状に配設されたリングの内の２つである。
【００６４】
シール機構は、ＲＦライン１４８がガス散布カバー１５８を貫通する位置において、真空漏れを防止する。これは、軸シールやフランジシールにより行われる。図２Ａに示すように、セラミック製のシール板１６０が２つのステンレススチール製のクランプ１６２により下方に押圧されている。クランプ１６２は、ワッシャ付きのネジ１６４により散布カバー１５８に対して付勢され、シール部品に所定の下向きの力を与え、適切なシーリングを確実にし、シール部品の寸法公差の累積を許容し、ＣＶＤプロセスの際に発生する熱膨張による寸法変化に対応する。シール板１６０は、ステンレススチール製の黙ネジ１６６を下方に押圧し、黙ネジ１６６は、セラミック製のシール部材１７０内に配置されたＯリング１６８を下方に押圧する。クランプ１６２によりシール板１６０に加えられた下方の力は、シール部材１７０もガス散布カバー１５８に対して下方に押圧し、これによりシール部材１７０とガス散布カバー１５８との間に配置されたＯリング１７２を圧縮する。なお、シール部材１７０は、ガス散布カバー１５８を貫通するＲＦライン１４８を、その全体の長さに亘って囲むように下方に延在された環状の突出部１７４を有している。環状の突出部１７４の下端部１７６は、セラミック製の絶縁管１５４に達する位置まで下方に延在している。図に示すように、外側のセラミック製の絶縁管１５６は、絶縁管１５４より上方に延在し、ガス散布カバー１５８とＲＦライン１４８との間に直線ラインが存在しないように構成される。これにより、ＲＦライン１４８がシャワーヘッド／電極５２に電力を供給しているときに、アークが発生するのを防止するためである。
【００６５】
ＲＦライン１４８はヒートパイプ機構としても機能する。ヒートパイプ機構については、このような機構自体が知られているが、本発明においては、加熱された回転サセプタ４６からの放射エネルギによる熱や、シャワーヘッド／電極に供給されたＲＦエネルギによる熱をシャワーヘッド／電極５２から運び去るために、ヒートパイプ機構が用いられる。ＲＦライン１４８の中央の空間１７８には、フェルトあるいはその他の好適な毛管状の材料からなるライナ（図示せず）が設けられている。空間１７８は、液体（例えばアセトン）が、その蒸気圧以下の圧力で封印されており、毛管状材料の孔に入り込んで、ＲＦライン１４８の内部表面を湿らせている。ＲＦラインの長さに沿ったいかなる位置に熱を加えても、その位置にある液体は沸騰して蒸気になる。このとき、毛管状材料内の液体は気化熱を奪い、蒸気はより高圧となって、封印されたされたパイプ内でより低温の部分に移動し、そこで蒸気が凝縮して再びライナ内に戻る。したがって、蒸気は、気化熱を放出し、このヒートパイプ機構の「入口」から「出口」に熱を運ぶ。この熱の移動速度は、参考文献によれば、ヒートパイプに沿って５００ｍｐｈ程度の速度である。
【００６６】
図２Ａで用いられる具体的な構成を参照すると、ヒートパイプ機構の「入口」は、シャワーヘッド／電極５２に取り付けられている端部である。「出口」は図２Ａに示すその回りを液体冷却ジャケット１８０でシールされた上端部である。このシーリングは、軸をシールするＯリング１８２、１８３により行われる。冷却ジャケット１８０は、好ましくはポリマ材料からなり、テフロン（登録商標）製の導管１８６を冷却ジャケット１８０に連結するテフロン（登録商標）製の締結部１８４、１８５が設けられている。水等の好適な冷却液が、導管１８６及び冷却ジャケット１８０を流れ、ＲＦライン１４８から熱を除去する。これにより、冷却液をＲＦライン１４８に直接接触させることができ、ＲＦライン１４８から熱を効率的に除去することができる。さらに、この構成においては、ＣＶＤ反応室が内部の冷却液漏れにさらされたり、また、液体を流すＲＦにより金属製の配管が腐食することもない。上述のように、テフロン（登録商標）製の導管１８６を通りＲＦライン１４８から熱を除去する液体としては、水を使用することができるが、ＲＦライン１４８から除去される熱量に応じて種々の液体を用いることができる。また、ＲＦライン１４８は、適所に溶接され、所望の液体を内部の空間１７８に充填するための充填管１９０を備えたキャップ１８８を有している。一般に販売されている好適なヒートパイプは、アメリカ合衆国ペンシルバニア州ランカスターのサーモコアインク社（Thermocore Inc., Lancaster, PA ）から入手できる。
【００６７】
図２Ａに示すように、アルミニウム製のシリンダ５１は、シャワーヘッド／電極と基板との間隔を調節するのに用いられる。シャワーヘッド／電極５２は、ネジ１９２によりシリンダ５１に固定されている。ネジ１９２は、ＲＦプラズマ中でも腐食しない材料により作られていることが好ましい。そのような材料としては、アメリカ合衆国インディアナ州ココモのハンズインターナショナル社（Hanes International, Kokomo, IN）の商品名ハステロイＣ−２２（Hastelloy C-22）がある。この材料からなる好適なネジは、アメリカ合衆国テンペのピナクルマニュファクチャリング社（Pinnacle Mfg., Tempe, AZ）から入手可能である。石英製の絶縁リング６０は、シャワーヘッド／電極５２をアルミニウム製のシリンダ５１から電気的に絶縁する。絶縁リング６０に好適な材質の石英としては、アメリカ合衆国アリゾナ州テンペのヘレウスアマーシル社（Hereaus Amersil, Tempe, Arizona）から入手できるクオーツＴ０８−Ｅ（Quartz TO8-E）がある。ネジ１９２はアース電位にあり、組み合わせて使用される２つのセラミック製の絶縁スリーブ１９４、１９６によりシャワーヘッド／電極５２から絶縁されている。石英は、対熱衝撃性が高いので絶縁リング６０に使用される。このことは、石英製の絶縁リング６０の下方のＲＦシャワーヘッド／電極５２は高温に、しかも石英製の絶縁リング６０の上方のアルミニウム製のシリンダ５１よりも急速に加熱され、絶縁リング６０に熱衝撃や歪みが生じるので、重要である。ネジ１９８は、ネジ１９２と同じ材料により形成されてもよいが、アルミニウム製のシリンダ５１をチャンバハウジング４２に取り付けるのに用いられる。上述のように、シャワーヘッド／電極と基板との間隔を変化させるために、種々の長さのシリンダ５１を用いることができる。シリンダ５１の長さは、回転サセプタ４６の１インチ内にシャワーヘッド／電極５２を配置するように選択されることが好ましい。
【００６８】
ＲＦエネルギは、ＲＦラインステム１４４と延長管１５０を有するＲＦ供給ライン機構５８により、シャワーヘッド／電極５２に供給される。絶縁管１５４、１５６は、電気的に絶縁され、延長管１５０と散布カバー１５８を含む金属製のチャンバハウジング４２のあらゆる部分とのアークの発生を防止するためのものである。また、この装置は、上述のように図２Ａに示すように、延長管１５０が散布カバー１５８を貫通している位置の延長管１５０の回りにシールを有している。
【００６９】
ＲＦエネルギは、（図２Ａには示されない）ＲＦ電源５７に接続され、ＵＨＦコネクタ２０２を一端に有するシールドされたＲＦ供給ケーブル２００を介して供給される。ＵＨＦコネクタ２０２は、別のＵＨＦコネクタ２０４に対応し、ＵＨＦコネクタ２０４は、一定の長さの１２ゲージのワイヤ２０６を介して、ＲＦライン１４８の上端部に取り付けられたステンレススチール製のシャフトカラー２０８に接続されている。この構成において、ＲＦ電流に対して抵抗値は最小限である。シャフトカラー２０８の上方に露出したＲＦライン１４８の部分は、ポリマ材料からなるキャップ２１２により、接地された金属製のシールド部材２１０から絶縁されている。この本装置は、４５０ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚで２５０〜３００ワットのＲＦ電力を供給することができる。
【００７０】
図２Ｂに、本発明を実施するのに用いられるＲＦシャワーヘッド／電極の他の実施例を示す。図２ＢのＣＶＤ装置２２０は、図２及び２Ａに示す装置と同様に動作する。すなわち、ＲＦシャワーヘッド／電極２２２は、ＲＦ供給ライン機構２２４によりバイアスされ、プラズマ及び反応ガスがシリンダ機構２２６を介して回転サセプタ２３０上の基板２２８にポンピングされる。しかしながら、図２Ｂの実施例では、ＲＦライン近傍のシリンダ機構２２６内での電気的なアーク発生を防止し、また、シャワーヘッド２２２が電極としてバイアスされたときにシリンダ機構２２６内で望ましくないプラズマが発生するのを防止するために、図２及び２Ａの金属製のシリンダ５１と絶縁リング６０を用いていない。図２Ｂの実施例では、図２に示すチャンバハウジング４２と同様のチャンバハウジングが用いられるが、このチャンバハウジングは、図２の各部品と同様の、ハウジングカバー２３２、ＲＦ供給機構２３４、冷却ジャケット２３７と冷却液供給ラインを備えたヒートパイプ機構２３６、シーリング機構２４１を備えたガス分配カバー２３９を有している。しかしながら、シリンダ機構２２６は、図２に示す金属製のシリンダ５１と絶縁リング６０を有していない。代わりに、石英等の絶縁材料からなるシリンダ２３８が、ＲＦ供給ライン機構２２４を包囲している。
【００７１】
シリンダ２３８は、好ましくは、上述のようにヘラウスアマーシル社（Hereaus Amersil） から入手可能な Quartz T08-E 等の高級石英を材料とする。石英製のシリンダ２３８は、図２及び図２Ａの実施例で用いられたネジや他の取付部品を用いずに、ニッケル−２００等の導電性金属からなるニッケルシャワーヘッド／電極２２２により支持される。具体的には、凹部２４０がハウジングカバー２３２内に形成され、シリンダ２３８の上端部２４２が取り付けられる。Ｏリング２４３、２４４が、凹部２４０とシリンダ２３８との境界面に配置され、境界面のシールを形成する。シリンダ２３８の下端部２４６において、環状の係合段部２４８がシリンダ２３８に形成され、シャワーヘッド／電極２２２の周縁部２５０が取り付けられる。シリンダ２３８の係合段部２４８は、シャワーヘッド／電極２２２の周縁部２５０上に位置いている。シャワーヘッド／電極２２２は、ＲＦライン管２５４に溶接位置２５５等により取り付けられたステム２５２を有し、一体型のＲＦライン２５６を形成する。ＲＦライン２５６は、図２Ａのシャフトカラー２０８と同様のカラー２５８により、上端部にて摩擦により支持されている。ＲＦラインは、シャワーヘッド／電極２２２を回転サセプタ２３０の上方で支持する。シャワーヘッド／電極２２２は、シリンダ２３８に係合段部２４８にて当接し、凹部２４０内に保持することにより、シリンダ２３８をシリンダ機構２２６内に支持する。シャワーヘッド／電極の周縁部２５０と環状の係合段部２４８との境界面は、係合段部２４８と、シャワーヘッド／電極２２２の周縁部２５０に形成された対応する環状の係合段部２６０との間の圧着Ｏリング２５８によりシールされる。図２及び２Ａの実施例と同様に、複数の傘状の機構あるいはリング２６２、２６４が、必要なプラズマ及び反応ガスをシリンダ２３８内に導入する。
【００７２】
図２Ｂの実施例では、シリンダ２３８をハウジングカバー２３２に取り付ける金属製のネジや、シャワーヘッド／電極２２２をシリンダ２３８に取り付ける金属製のネジは不要である。これにより、ＲＦバイアスが印加されたＲＦシャワーヘッド／電極２２２の付近の金属が少なくなるため、シリンダ２３８内でのアークの発生のおそれがさらに少なくなる。また、シャワーヘッドの周縁部２５０にてセラミック製の絶縁スリーブを用いる必要もない。
【００７３】
したがって、ＲＦシャワーヘッド／電極２２２も変更されている。シャワーヘッド／電極２２２はフランジのないステム２５２を有している。その代わりに、小さな突片２６６がステム２５２の外周に形成され、図２Ａに示すように、突片２６６は、図２Ａに示すスリーブであるセラミック製の絶縁管１５４、１５６と同様のアルミナ（９９．７％  Ａｌ２Ｏ３）等のセラミック材料からなるセラミック製の環状をなす載置部２６８を支持する。セラミック製の載置部２６８は、突片２６６により支持され、絶縁スリーブ２７０、２７１を支持する。絶縁スリーブ２７０、２７１も、好ましくは、図２Ａに示す絶縁管１５４、１５６に用いられたのと同様のセラミック絶縁材料によりなる。上述の本発明を行うのに用いられた実施例と同じように、シャワーヘッド／電極２２２の孔は、０．７９４ｍｍ（１／３２（０．０３１３）インチ）程度の直径を有し、シリンダ２３８内でのプラズマの発生を防止し、プラズマをシャワーヘッド／電極２２２の下方で且つ回転サセプタ２３０の上方に集中させる。図２Ｂの実施例では、石英製のシリンダ２３８が用いられ、シャワーヘッド／電極２２２付近の金属製の取付ネジが除去されることにより、シリンダ２３８内でのプラズマ発生の防止、及びＲＦライン２５６とシャワーヘッド／電極２２２と周辺の金属部分との間のアーク発生を防止している。絶縁層２７２は、ガス分配カバー２３９の上部に配置され、操作者による接触を防止するようにしてもよい。これは、ガス分配カバー２３９が動作中に非常に熱くなるためである。
【００７４】
本発明の効果を確認するために、図２及び２Ａに示すＲＦシャワーヘッド／電極の構成を用いて、種々の成膜実験を行った。具体的には、４００℃程度の温度で窒化チタン層を基板ウェハ上に堆積させた。この温度は、１０００℃を大幅に越える熱ＣＶＤプロセスに本来必要な基板温度より、かなり低いものである。例えば、窒化チタン層を、アンモニアガス（ＮＨ３）と窒素ガス（Ｎ２）を用いて堆積させた。パラメータを以下に示し、結果を表１に示す。本発明の構成では、５００〜５０００ｓｃｃｍ（ＮＨ３ の場合、５０〜５００ｓｃｃｍ）のプラズマガス流が用いられ、ＴｉＣｌ４ 等の反応ガスの流量は０．５〜１０ｓｃｃｍであることが好ましい。反応室４４は、６７〜１３００Ｐａ（０．５〜１０Ｔｏｒｒ）の圧力に排気される必要がある。
【００７５】
表１の成膜パラメータ
ＴｉＣｌ４（ｓｃｃｍ）           １０
ＮＨ３（ｓｃｃｍ）               ５００
Ｎ２（ｓｃｃｍ）                 ５００
ＲＦ電力（ワット）              ２５０＠４５０ｋＨｚ
反応室内圧力（Ｐａ）            １３３（１Ｔｏｒｒ）
サセプタ回転速度（ｒｐｍ）      １００
基板温度（℃）                  ４００
【００７６】
【表１】
2004263306.tif 000003
【００７７】
ウェハ１〜３はシリコンウェハであり、ウェハ４〜６は表面に酸化シリコンの薄層を有する熱酸化ウェハである。これは、本発明に係るプロセスが、シリコンウェハと酸化ウェハの両方にＣＶＤプロセスを広く適用できるようにするためである。表１の各基板ウェハには、図２の装置において、内部圧力６６７Ｐａ（５Ｔｏｒｒ）、流量５０００ｓｃｃｍのＮＨ３ の中で、２５０ワットのＲＦプラズマアンモニア（ＮＨ３） アニールを１２０秒程度行った。このアニールの際の回転サセプタの回転速度は１００ｒｐｍ程度である。ＮＨ３ ＲＦプラズマにより、以下に説明するように、堆積されたＴｉＮ膜の膜質が向上された。
【００７８】
本発明の原理に基づいたＲＦプラズマ電極シャワーヘッドの構成を、アンモニアガス（ＮＨ３）の代わりに窒素ガス（Ｎ２）と水素ガス（Ｈ２）の両方を用いて、基板上に窒化チタン（ＴｉＮ）層を堆積させるのに用いるようにしてもよい。種々の膜の結果と、Ｈ２とＮ２を用いた低温ＴｉＮ成膜の成膜パラメータを、表２、３、４及び５に示す。表番号が大きくなると、成膜温度は高くなっている。
【００７９】
表２の成膜パラメータ
ＴｉＣｌ４（ｓｃｃｍ）           １０
Ｈ２（ｓｃｃｍ）                 ５００
Ｎ２（ｓｃｃｍ）                 ５００
ＲＦ電力（ワット）              ２５０＠４５０ｋＨｚ
反応室内圧力（Ｐａ）            １３３（１Ｔｏｒｒ）
サセプタ回転速度（ｒｐｍ）      １００
基板温度（℃）                  ４００
成膜時間（秒）                  １８０
【００８０】
【表２】
2004263306.tif 000004
【００８１】
表２のウェハ１及び２はシリコンウェハであり、ウェハ３〜１０は熱酸化ウェハである。ウェハ６〜１０に対しては、内部圧力４００Ｐａ（３Ｔｏｒｒ）（ウェハ６の場合、６６７Ｐａ（５Ｔｏｒｒ））、回転サセプタの回転速度を１００ｒｐｍとして、流量５０００ｓｃｃｍのＮＨ３ ガスの中で、２５０ワットのＲＦプラズマアニールを１２０秒間行った。
【００８２】
表３は、基板温度を４５０℃にし、表２と同じガス及び成膜パラメータを用いて成膜実験を行った結果を示す。ウェハ１及び２はシリコンであり、ウェハ３〜８は熱酸化ウェハである。以下のような結果となるが、表３のウェハ６〜８に対しては、５０００ｓｃｃｍ、６７７Ｐａ（５Ｔｏｒｒ）、回転速度１００ｒｐｍ、電力レベル２５０ワットで、１２０秒のＲＦプラズマアンモニアアニールを行った。
【００８３】
【表３】
2004263306.tif 000005
【００８４】
低温ＴｉＮ成膜を、５００℃の基板温度で繰り返し行い、その結果を下記表４に示す。ウェハ１はシリコンであり、ウェハ２〜７は熱酸化ウェハである。
【００８５】
【表４】
2004263306.tif 000006
【００８６】
表４のウェハ１〜４にはアニールを行わず、ウェハ５〜７には、表３での成膜実験で用いたのと同様のＲＦプラズマＮＨ３ アニール処理及びパラメータを用いて、アニールを行った。
【００８７】
同様に、６００℃の基板温度で、本発明に係るＣＶＤプロセスを用いてＴｉＮ成膜を行い、下記表５に示すような結果を得た。ウェハ１と２はシリコンであり、ウェハ３〜８は熱酸化ウェハである。
【００８８】
【表５】
2004263306.tif 000007
【００８９】
ここでも、表５のウェハ６〜８に対しては、内部圧力を６６７Ｐａ（５Ｔｏｒｒ）ではなく、１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）とし、それ以外は表３及び４のアニールプロセスと同様に、ＲＦプラズマＮＨ３ アニールを行った。したがって、本発明に係る低温ＣＶＤプロセスを用いたＴｉＮ成膜を、従来の熱ＣＶＤで必要とされる温度より低い種々の温度で行うことができる。
【００９０】
本発明により窒化チタン成膜を行うことができるが、単に純チタン層を堆積させることも望まれる。例えば、チタン層をシリコン層上に堆積させ、このシリコンがチタンと反応して、珪化チタン膜（ＴｉＳｉ２） が形成される。すなわち、本発明は、チタン層を堆積するのに用いることができる。
【００９１】
下記表６には、熱酸化ウェハ上に８４％程度のチタンの膜を６５０℃で堆積させた成膜実験の結果及びパラメータを示す。これは、このような低温化学気相成長にしては非常によい結果である。表６の成膜実験は、図２のＲＦシャワーヘッド／電極構成を用いて、以下の成膜パラメータにより行われた。
【００９２】
表６の成膜パラメータ
ＴｉＣｌ４（ｓｃｃｍ）           １０
Ｈ２（ｓｃｃｍ）                 ５００
ＲＦ電力（ワット）              ２５０＠４５０ｋＨｚ
反応室内圧力（Ｐａ）            １３３（１Ｔｏｒｒ）
サセプタ回転速度（ｒｐｍ）      １００
成膜時間（秒）                  ２７００
基板温度（℃）                  ５６５
【００９３】
【表６】
2004263306.tif 000008
【００９４】
表６の基板ウェハに対しては、アニールを行わなかった。
【００９５】
下記表７のパラメータにより、さらにＴｉ層の成膜実験を行った。結果を下記表７に示す。
【００９６】
表７の成膜パラメータ
ＴｉＣｌ４（ｓｃｃｍ）           １０
Ｈ２（ｓｃｃｍ）                 ５００
ＲＦ電力（ワット）              ２５０＠４５０ｋＨｚ
反応室内圧力（Ｐａ）            １１３（０．８５Ｔｏｒｒ）
サセプタ回転速度（ｒｐｍ）      １００
成膜時間（秒）                  １２０
（ウェハ７については１８０秒）
基板温度（℃）                  ５６５
サセプタ温度（℃）              ６５０
【００９７】
【表７】
2004263306.tif 000009
【００９８】
表７のウェハ１〜３及び７〜９はシリコンであり、その他のウェハは熱酸化ウェアである。表７のウェハには、ＲＦプラズマＮＨ３アニールを行わなかった。
【００９９】
チタン含有膜の化学気相成長の利点は、ステップカバレージの向上と物理的成長法に優る膜の適合性であり、本発明により成長された膜のいくつかについて、適合性とステップカバレージを測定した。表８のパラメータにより、適合性とステップカバレージを測定するための層を堆積させた。その結果を下記表８に示す。下記パラメータにより成長された膜の適合性及びステップカバレージは非常に良好であった。
【０１００】
表８の成膜パラメータ
ＴｉＣｌ４（ｓｃｃｍ）           １０
Ｈ２（ｓｃｃｍ）                 ５００
Ｎ２（ｓｃｃｍ）                 ５００
ＲＦ電力（ワット）              ２５０＠４５０ｋＨｚ
反応室内圧力（Ｐａ）            １３３（１Ｔｏｒｒ）
サセプタ回転速度（ｒｐｍ）      １００
基板温度（℃）                  ４５０
サセプタ温度（℃）              ５２０
【０１０１】
【表８】
2004263306.tif 000010
【０１０２】
表８に示すステップカバレージを測定したウェハに対しては、ＲＦプラズマＮＨ３アニールを行わなかった。
【０１０３】
上述のように、本発明の原理に基づいて、アンモニアガス（ＮＨ３） を用いずに、窒化チタン層（ＴｉＮ）を堆積させてもよい。アンモニアガスの代わりに、Ｈ２とＮ２の混合ガスが用いられる。ＴｉＣｌ４、Ｎ２、Ｈ２ を用いた窒化チタン低温成膜は、ＴｉＣｌ４とＮＨ３の化学反応により反応室内に形成される汚染物が低減されるため、好ましい。具体的には、ＴｉＣｌ４ は、１２０℃より低い温度でＮＨ３ と反応し、黄色の粉末状の付加的な生成物を生成する。この付加的な生成物の生成を防止するため、従来では、反応室の壁面を少なくとも１５０℃に加熱する必要があった。しかし、ここでは、ＮＨ３の代わりにＴｉＣｌ４、Ｎ２、Ｈ２を用いて、窒化チタン層を低温で堆積長させることができるので、堆積した付加的な生成物を除去したり、反応室の壁部を加熱したりする必要がなく、ＣＶＤ装置のコストを大幅に削減することができる。
【０１０４】
表９の成膜パラメータにより、壁面が加熱されない反応室とＨ２とＮ２の混合ガスを用いて、窒化チタン層をいくつかの熱酸化基板上に堆積させた。成膜後、反応室を検査したが、黄色の付加的な生成物は発見されなかった。表９のウェハには、ＲＦＮＨ３アニールを行わなかった。
【０１０５】
表９の成膜パラメータ
ＴｉＣｌ４（ｓｃｃｍ）           １０
Ｎ２（ｓｃｃｍ）                 ５００
Ｈ２（ｓｃｃｍ）                 ５００
ＲＦ電力（ワット）              ２５０＠４５０ｋＨｚ
反応室内圧力（Ｐａ）            １３３（１Ｔｏｒｒ）
サセプタ回転速度（ｒｐｍ）      １００
基板温度（℃）                  ４５０
成膜時間（秒）                  ９５
サセプタ温度（℃）              ５２０
【０１０６】
【表９】
2004263306.tif 000011
【０１０７】
さらに、図２の構成を用いて成膜実験を行った。ここでは、プラズマ及び反応ガス流を調整し、反応室４４の内部成膜圧力も調整した。例えば、表１０に示す成膜実験では、Ｈ２の流量を大きく、成膜圧力を１３３Ｐａから６７７Ｐａ（１Ｔｏｒｒから５Ｔｏｒｒ）に増加させた。また、成膜実験のいくつかでは、Ｈ２にアルゴンを混合した。
【０１０８】
表１０の成膜パラメータ
ＴｉＣｌ４（ｓｃｃｍ）           １０
Ｈ２（ｓｃｃｍ）                 ５０００（ウェハ１〜４）
３７５０（ウェハ５〜９）
アルゴン（ｓｌｍ）              ０．５（ウェハ５〜９）
ＲＦ電力（ワット）              ２５０＠４５０ｋＨｚ
反応室内圧力（Ｐａ）            ６６７（５Ｔｏｒｒ）
サセプタ回転速度（ｒｐｍ）      １００
成膜時間（秒）                  ３００（ウェハ９の場合６００）
基板温度（℃）                  ５６５
サセプタ温度（℃）              ６５０程度
【０１０９】
【表１０】
2004263306.tif 000012
【０１１０】
表１０において、Ｈ２ の流量を、ウェハ１〜４に対しては５０００ｓｃｃｍ、ウェハ５〜９に対しては３７５０ｓｃｃｍに増加させた。成膜圧力は、６６７Ｐａ（５Ｔｏｒｒ）に増加した。ウェハ５〜９については、Ｈ２ を希釈ガスとして０．５ｓｌｍの流量のアルゴンを用いた。表１０において、ウェハ１、２及び５、６はシリコンであり、ウェハ３、４及び７〜９は熱酸化ウェハである。
【０１１１】
表１１に、Ｈ２流量を増加させ、成膜圧力も増加させて行った実験を示す。
【０１１２】
表１１の成膜パラメータ
ＴｉＣｌ４（ｓｃｃｍ）           １０
Ｈ２（ｓｃｃｍ）                 ３７５０
アルゴン（ｓｌｍ）              ０．５
ＲＦ電力（ワット）              ２５０＠４５０ｋＨｚ
反応室内圧力（Ｐａ）            ６６７（５Ｔｏｒｒ）
サセプタ回転速度（ｒｐｍ）      １００
成膜時間（秒）                  ３００
（ウェハ９〜１２の場合６００）
基板温度（℃）                  ５６５
サセプタ温度（℃）              ６５０
【０１１３】
【表１１】
2004263306.tif 000013
【０１１４】
成膜圧力を１３３Ｐａから６６７Ｐａ（１Ｔｏｒｒから５Ｔｏｒｒ）に変化させたことにより、より安定で対称的なプラズマが得られた。また、小流量のアルゴンの追加によって流量が増加した水素を用いたことにより、プラズマの強度だけでなくプラズマの安定性も向上した。アルゴンの流量は０〜１０ｓｌｍが好ましい。ウェハ１、２はシリコンであり、ウェハ３〜１０は熱酸化ウェハである。ウェハ１１と１２は、アメリカ合衆国カリフォルニア州フリーマウントのシンフィルムズインク社（Thin Films, Inc., Freemont, California）から入手可能なボロホスホシリケートグラスを材料とする。表１０、１１のウェハに対しては、ＮＨ３プラズマアニールを行わなかった。
【０１１５】
ウェハ１１及び１２は、シリコンコンタクト（すなわち、酸化フィールド層から下部シリコン層へのビア）を有する配線がなされた酸化フィールド層（酸化シリコン）からなる上部層を有する。上述の処理を行った後、ウェハ１１に選択的な成膜が観察された。図６は、シリコンコンタクト（ビア）の底部において堆積が行われ、酸化フィールド層上には堆積が行われなかったことを示す。選択的な成膜を繰り返し行い、同一のパラメータを用いた各成膜が行われることが確認された。選択的な成膜処理は、ビアを形成する複数の処理工程の代わりに用いることができる。選択的な成膜は、シリコンや酸化シリコンの異なる核形成時間の結果である。核形成は、シリコンの場合は早く、酸化シリコンの場合３０秒程度後である。ウェハ１１に適用された処理は、３０秒という通常の酸化シリコンの核形成時間より長かったが、プラズマ中の不安定要因により、酸化シリコン上に核形成は見られなかった。選択的効果を得るには高圧処理が重要である。
【０１１６】
表１２は、回転サセプタの温度を４５０℃にしてさらに行った成膜実験を示す。
【０１１７】
表１２の成膜パラメータ
ＴｉＣｌ４（ｓｃｃｍ）           ５
Ｈ２（ｓｃｃｍ）                 ３７５０
アルゴン（ｓｌｍ）              ０．３
ＲＦ電力（ワット）              ２５０＠４５０ｋＨｚ
反応室内圧力（Ｐａ）            ６６７（５Ｔｏｒｒ）
サセプタ回転速度（ｒｐｍ）      １００
成膜時間（秒）                  １８０
基板温度（℃）                  ４００程度
サセプタ温度（℃）              ４５０
【０１１８】
【表１２】
2004263306.tif 000014
【０１１９】
ウェハ１〜４はシリコンであり、ウェハ５は熱酸化ウェハであり、ウェハ６、７はアルミニウム、シリコン、銅を含むアルミ合金である。表１２の実験６、７は、本発明を用いてアルミニウム上にチタン含有膜を堆積させることができることを示している。表１２の成膜実験では、表１１の実験より少ない流量の反応ガス、すなわち、５ｓｃｃｍのＴｉＣｌ４を用いた。
【０１２０】
アルミニウム層の腐食を最小限に抑えることにより、アルミニウムとチタン層の良好な密着性が得られた。腐食は、主に、成膜の際に四塩化チタン（ＴｉＣｌ４）から放出された塩素イオン（Ｃｌ−）にアルミニウム層がさらされることにより生じる。四塩化チタンの流量を低減することにより、アルミニウム層の腐食は低減され、密着性が向上する。また、四塩化チタンの流量を低減することにより、成膜速度が低減され、解離したチタン原子の付加時間により、下地のアルミニウム層内の安定位置に配置することができる。この付加時間は、低温の処理において熱エネルギを下げ、及びチタン原子の熱運動が低下させるには、特に必要である。
【０１２１】
表１３の成膜実験は、ＴｉＣｌ４ の流量をさらに低減して行われた。表１３のウェハは全て、熱酸化ウェハである。表１２、１３のウェハに対しては、 ＮＨ３ＲＦアニールを行わなかった。
【０１２２】
表１３の成膜パラメータ
ＴｉＣｌ４（ｓｃｃｍ）           ４（ウェハ１、２）
３（ウェハ３、４）
２（ウェハ５、６）
１（ウェハ７）
Ｈ２（ｓｃｃｍ）                 ３７５０
ＲＦ電力（ワット）              ２５０＠４５０ｋＨｚ
反応室内圧力（Ｐａ）            ６６７（５Ｔｏｒｒ）
サセプタ回転速度（ｒｐｍ）      １００
成膜時間（秒）                  ３００
（ウェハ１の場合１８０、ウェハ２の場合２４０）
基板温度（℃）                  ４００程度
サセプタ温度（℃）              ４５０
【０１２３】
【表１３】
2004263306.tif 000015
【０１２４】
成膜実験の結果について
上述のパラメータ及び装置を用いて、３０Å／ｍｉｎから変化するレートで、チタン膜を堆積させ、マスゲインや波分散性Ｘ線蛍光（ＷＤＸＲＦ）により測定した。成膜速度は、成膜温度とＴｉＣｌ４の部分圧力に比例することがわかった。成膜温度が５５０℃から４５０℃に低下すると、膜抵抗は１２０μΩから１５０μΩ−ｃｍに上昇する。熱酸化物上に５５０℃で堆積されたチタン膜について、ラザフォード型後方散乱分光器（ＲＢＳ）により分析したところ、元素状態のチタンであることがわかった。ＲＢＳにより検出された唯一の不純物は酸素である。オージェ電子分光器（ＡＥＳ）による深さ分析を行い、低レベルの汚染を確認した。ＡＥＳ分析により、塩化物の体積含有量が０．１％であることが示される。塩化物についてはＷＤＸＲＦでも測定し、この場合０．４５％の体積濃度を示した。
【０１２５】
また、光滑剤処理していないシリコン基板上に５５０℃で成膜した。これら膜をＲＢＳで分析したところ、成膜処理中に珪化物を生成したことがわかった。堆積後のアニールは行わなかった。自然状態で珪化されたチタンの化学量論的組成はＴｉＳｉ２ であるが、０．５％の塩化物が検出された。ＡＥＳ深さ分析では、自然状態での珪化物の化学量論的組成と、体積含有量０．５％の塩化物が確認された。ＡＥＳ分析により、珪化物中に低レベルの酸素が示されたが、シリコンとＴｉＳｉ２ の界面には酸素ピークは確認されていない。このことは、自然酸化物がＣＶＤ−Ｔｉ処理により除去されたことを示す。
【０１２６】
膜適合性を観察するため、パターン化されたボロホスホシリケート（ＢＰＳＧ）上に５５０℃でチタン膜を堆積させた。全てのコンタクトは１μｍ〜０．３５μｍである（アスペクト比は１．０〜２．９）。全アスペクト比について、チタン膜は適合性があることがわかった。１５００Åまで膜厚を成長させ、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により断面図を観察した。コンタクトホールに突出部の形成は見られなかった。突出部の形成は、スパッタリング等の成プロセスのラインの根本的な問題である。この問題は、従来及びコリメートスパッタリングの両方に認められるため、ＣＶＤ−Ｔｉプロセスの適合性はスパッタリング技術と比較して大きな利点を示す。
【０１２７】
ＣＶＤ−ＴｉとスパッタリングＴｉについての電気的特性の比較を、上述の電気的試験の装置を用いて行った。コンタクトの大きさを０．３５μｍ〜０．６０μｍに変化させて、コンタクトの抵抗をケルビンブリッジにより測定した。０．３５μｍのコンタクトの底部に１００Åのチタンを堆積させるためには、２００ÅのＣＶＤ−Ｔｉに対して９００ÅのスパッタリングＴｉを堆積させた。ＣＶＤ−ＴｉとスパッタリングＴｉは、全てのコンタクトの大きさにおいて、共に等しいコンタクト抵抗を得た。しかしながら、コンタクトが小さいほど、ＣＶＤ−Ｔｉコンタクト層について高い歩留まりが得られた。０．３５μｍのコンタクトについて、ＣＶＤ−Ｔｉコンタクト層の歩留まりはスパッタリングＴｉの２倍であった。この歩留まりの向上は、ＣＶＤ−Ｔｉ処理によりウェハ表面に均一で繰り返し可能な結果が得られることを示し、コンタクトエッチングやコンタクト洗浄処理により生じるコンタクト毎の微細な変化を克服できることを示す。このことは、ＣＶＤ−Ｔｉ及び自然状態の珪化の後、シリコンとＴｉＳｉ２ の界面に残存自然酸化物が検出されなかったという上述のＡＥＳの結果により確認される。
【０１２８】
１００００個のコンタクトチェーンを用いて、２つのコンタクト層をより厳密に比較した。大型のコンタクトについては同様の結果が得られたが、０．３５μｍのコンタクトについては、ＣＶＤコンタクト層の方がよい結果が得られた。ＣＶＤ−Ｔｉコンタクト層のコンタクトチェーンの抵抗値は、スパッタリングＴｉより２桁程度低いものである。さらに、ＣＶＤ−Ｔｉ層の歩留まりは、スパッタリング層のそれよりも５倍高かった。
【０１２９】
漏洩電流の測定では、ＣＶＤ−ＴｉとスパッタリングＴｉは同様であった。このことは、ＣＶＤ−Ｔｉ処理により得られた自然状態の珪化は、接合部の損傷を生じるものではないことを示す。これは、電気的測定の完了後、サンプルに対して行われたＳＥＭ断面観察により確認される。この断面観察は、ＣＶＤ−Ｔｉ処理の際にコンタクトの底部に形成された珪化物は均一であることを証明するものである。
【０１３０】
最後に、４５０℃〜５５０℃の温度で化学気相成長法により、チタン膜を堆積した。シリコン表面への成膜処理の際に、チタンは完全にＴｉＳｉ２に変化した。コンタクトホールにはチタンの突出部はなく、成膜は適合性のあるものであった。コンタクト抵抗及び接合部の漏れ電流の測定により、低アスペクト比においては、ＣＶＤ−Ｔｉ処理はスパッタリングＴｉと同様の電気的特性を得たことが示された。高アスペクト比においては、ＣＶＤ−Ｔｉ処理の方が高いコンタクト抵抗及び歩留まりを得た。電気的特性の向上は、ＣＶＤ−Ｔｉの適合性や、コンタクトの底部からの残存自然酸化物の除去や、コンタクトの底部での均一なＴｉＳｉ２ 層の形成により達成される。
【０１３１】
図３は、上述の回転サセプタを用い、図１の構成の上流プラズマ発生に関して開示された低温ＰＥＣＶＤプロセスに必要なラジカルを発生するのに用いることができる、ＲＦプラズマ源を有する成膜チャンバの他の実施例を示す。具体的には、成膜チャンバ２８０は、ＲＦプラズマ発生装置２８２に取り付けられている。好適なＲＦプラズマ発生装置として、アメリカ合衆国アリゾナ州テンプのプロテックリサーチインク社（Prototech Research, Inc., Tempe, Arizona）から入手可能なＲＦプラズマ発生装置がある。ＲＦプラズマ発生装置２８２は、プラズマ発生領域２８６を内部に形成するハウジング２８４を有している。Ｈ２、Ｎ２、及び／又はＮＨ３ 等の励起されるプラズマガスは、ガス供給管２８７、２８８とガスリング２８９、２９０をそれぞれ介して導入される。プラズマ発生領域２８６内において、プラズマガスは、ＲＦ信号供給装置２９４に接続されたＲＦコイル２９２により発生されたＲＦ電界によって励起される。例えば、１３．５６ＭＨｚのＲＦエネルギがプラズマ発生領域２８６内のガスに供給され、自由電子、イオン、ラジカルを含むプラズマガスが発生される。励起されたガスがプラズマ発生領域２８６の長さに沿って下方に移動されると、好ましくは十分な量のラジカルが残るまでガス粒子は結合する。ラジカルは成膜領域２９６を介して下方に移動される。ＴｉＣｌ４ 等の反応ガスは、垂直方向に調整可能なガスシャワーヘッド２９８により成膜領域２９６内に導入され、反応ガス及び活性化ラジカルが回転サセプタ３０２により基板３００に向かって下方に移動され、結合して、基板３００上に成膜する。上述のように加熱された基板３００や、上述の例と同様の圧力、回転サセプタの回転速度、ガス流量を、図３のＲＦプラズマ源に用いることができる。したがって、チタン含有膜等の膜を、従来の熱ＣＶＤプロセスよりかなり低い温度で堆積することができる。
【０１３２】
本発明を実施例により説明し、実施例をかなりの詳細にわたって説明したが、添付の請求の範囲をそのような詳細に限定することは、本出願人の意図するところではない。更なる利点や変更は、当業者にとって明らかである。例えば、本発明に係る低温ＣＶＤを、ここで説明したチタン含有膜以外の膜を堆積するのに用いてもよい。さらに、Ｈ２、Ｎ２、及び／又はＮＨ３ 以外の活性化ラジカルを用いて、成膜温度を低下させてもよい。本発明は、上述した具体的な詳細事項や、代表的な装置及び方法や、説明した例に限定されない。本出願人の発明概念の範囲を逸脱することなく、種々の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１３３】
【図１】マイクロ波のエネルギを用いて、本発明に係る方法を実施するのに用いられる上流のプラズマエンハンス成膜チャンバの一実施例の側面図及び部分的断面図である。
【図１Ａ】マイクロ波のエネルギを用いた上流のプラズマエンハンス成膜チャンバの他の実施例を示す図である。
【図２】ＲＦシャワーヘッド／電極を用いて本発明に係る方法を実施するのに用いられる成膜チャンバの一実施例の側面図及び部分的断面図である。
【図２Ａ】図２の構造をより詳しく示す図である。
【図２Ｂ】図２の構造の他の実施例を示す図である。
【図３】ＲＦエネルギを用いた上流のプラズマエンハンス成膜チャンバの第２の実施例の側面図及び部分的断面図である。
【図４Ａ】本発明の上流の活性化ラジカルを用いない場合と用いる場合の成膜に必要な活性化エネルギをそれぞれ示すアレニウス関数グラフである。
【図４Ｂ】本発明の上流の活性化ラジカルを用いない場合と用いる場合の成膜に必要な活性化エネルギをそれぞれ示すアレニウス関数グラフである。
【図５】上流の活性化ラジカルを用いる場合と用いない場合の回転速度を関数とした成膜速度の上昇を示すグラフである。
【図６】シリコン基板上の酸化シリコン内のパターン化されたビア上にチタン膜を選択的に堆積させる様子を示す顕微鏡写真である。
【符号の説明】
【０１３４】
１０  チャンバハウジング、１１  ウェハ、１２  反応室、１３  端部、１４  管、１５  屈曲部、１６  長尺部、１８  短尺部、１９  吐出部、２０  回転サセプタ、２１  軸、２２  基板、２３  表面、２４  マイクロ波発生装置、２６  マイクロ波導波路、４０  反応装置、４２  チャンバハウジング、４３  ハウジングカバー、４４  反応室、４６  回転サセプタ、４８  基板、４９  表面、５１  シリンダ、５２  シャワーヘッド、５３  下面、５４  ガス吹出リング、５５  導管、５６  リング孔、５７  電源、５８  供給ライン機構、６０  絶縁リング、６２  ガス分散孔、６４  ライン、６５  流線、６６  ガス吹出リング
【図１】
2004263306.tif 000016
【図１Ａ】
2004263306.tif 000017
【図２】
2004263306.tif 000018
【図２Ａ】
2004263306.tif 000019
【図２Ｂ】
2004263306.tif 000020
【図３】
2004263306.tif 000021
【図４Ａ】
2004263306.tif 000022
【図４Ｂ】
2004263306.tif 000023
【図５】
2004263306.tif 000024
【図６】
2004263306.tif 000025
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月11日(2004.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室と、上記反応室内で基板を支持するサセプタと、上記反応室内で基板を加熱する加熱手段と、上記反応室内に第１のガスと第２のガスを導入するガス導入手段とを備え、上記第１のガスと上記第２のガスとを反応させて上記基板に膜を堆積させる成膜装置において、
ＲＦ電力が印加されて上記第１のガスと上記第２のガスを励起する電極を有し、
上記電極は、上記励起によって生じたプラズマを基板に近接させるため、上記基板との間隔が１００ｍｍ以下であるように配置されている
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
上記電極は、ラジカルとイオンの有効な混合ガスが得られるように、上記基板との間隔が２５ｍｍ未満であるように配置されている
ことを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
反応室と、上記反応室内で基板を支持するサセプタと、上記反応室内で基板を加熱する加熱手段と、上記反応室内に第１のガスと第２のガスを導入するガス導入手段とを備え、上記第１のガスと上記第２のガスとを反応させて上記基板に膜を堆積させる成膜装置において、
ＲＦ電力が印加されて上記第１のガスと上記第２のガスを励起する電極を有し、
上記電極は、ガス分散孔を有し、このガス分散孔を通過した上記第１のガスと上記第２のガスを励起する
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項４】
反応室と、上記反応室内で基板を支持するサセプタと、上記反応室内で基板を加熱する加熱手段と、上記反応室内に第１のガスと第２のガスを導入するガス導入手段とを備え、上記第１のガスと上記第２のガスとを反応させて上記基板に膜を堆積させる成膜装置において、
上記ガス導入手段は、上記第１のガスを吹き出す複数の孔を有する第１のガス吹出手段と、
上記第２のガスを吹き出す第２の第２のガス吹出手段と、
上記第１のガス吹出手段を介して導入された第１のガスと上記第２のガス吹出手段を介して導入された第２のガスを通過させるガス分散孔を有するシャワーヘッドとを有する
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項５】
上記第１のガスは、水素ガス（Ｈ２）、窒素ガス（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、これらの混合ガスの何れかである
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４の内何れか１項記載の成膜装置。
【請求項６】
上記第２のガスは、四ハロゲン化チタンガスであり、
上記膜は、チタン含有膜である
ことを特徴とする請求項１乃至請求項５の内何れか１項記載の成膜装置。
【請求項７】
上記第１のガスは、水素ガス（Ｈ２）であり、上記第２のガスは、四塩化チタンガス（ＴｉＣｌ４）であり、
前記膜は、チタン（Ｔｉ）膜である
ことを特徴とする請求項１乃至請求項６記載の内何れか１項記載の成膜装置。
【請求項８】
反応室内でサセプタに支持された基板を加熱するとともに、上記反応室内に第１のガスと第２のガスを導入して、上記第１のガスと上記第２のガスとを反応させて上記第１の基板に膜を堆積させる成膜方法において、
ＲＦ電力が印加される電極を、励起によって生じたプラズマを基板に近接させるために、基板との間隔が１００ｍｍ以下であるように配置して、上記第１のガスと上記第２のガスを励起する
ことを特徴とする成膜方法。
【請求項９】
上記電極を、ラジカルとイオンの有効な混合ガスが得られるように、基板との間隔が２５ｍｍ未満であるように配置する
ことを特徴とする請求項８記載の成膜方法。
【請求項１０】
反応室内でサセプタに支持された基板を加熱するとともに、上記反応室内に第１のガスと第２のガスを導入して、上記第１のガスと上記第２のガスとを反応させて上記第１の基板に膜を堆積させる成膜方法において、
ガス分散孔を有し、ＲＦ電力が印加される電極によって、このガス分散孔を通過した上記第１のガスと上記第２のガスとを励起する
ことを特徴とする成膜方法。
【請求項１１】
反応室内でサセプタに支持された基板を加熱するとともに、上記反応室内に第１のガスと第２のガスを導入して、上記第１のガスと上記第２のガスとを反応させて上記第１の基板に膜を堆積させる成膜方法において、
上記反応室への上記第１のガスと上記第２のガスの導入は、上記第１のガスを吹き出す複数の孔を有する第１のガス吹出手段と、
上記第２のガスを吹き出す第２のガス吹出手段と、
上記第１のガス吹出手段を介して導入された第１のガスと上記第２のガス吹出手段を介して導入された第２のガスを通過させるガス分散孔を有するシャワーヘッドとを用いて行う
ことを特徴とする成膜方法。
【請求項１２】
上記第１のガスは、水素ガス（Ｈ２）、窒素ガス（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、これらの混合ガスの何れかである
ことを特徴とする請求項８乃至請求項１１の内何れか１項記載の成膜方法。
【請求項１３】
上記第２のガスは、四ハロゲン化チタンガスであり、
上記膜は、チタン含有膜である
ことを特徴とする請求項８乃至請求項１２の内何れか１項記載の成膜方法。
【請求項１４】
上記第１のガスは、水素ガス（Ｈ２）であり、上記第２のガスは、四塩化チタンガス（ＴｉＣｌ４）であり、
前記膜は、チタン（Ｔｉ）膜である
ことを特徴とする請求項８乃至請求項１３の内何れか１項記載の成膜方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、成膜装置及び成膜方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明に係る成膜方法の実施例として２つの手法が開示される。第１の手法では、上流においてプラズマを離れた位置で発生する。プラズマは、回転サセプタにより基板に向かって下方にポンピングされ、基板に向かって移動するに従って消滅し、活性化されたガスのラジカルが供給される。ガスラジカルは、非励起反応ガスと混合され、ＣＶＤプロセスにより基板上に膜の層を堆積する。回転サセプタのポンピング作用は、ガス粒子の再循環や衝突を最小限に抑え、利用するラジカルの比率を高める。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
具体的には、本発明に係るＣＶＤプロセスの１実施例では、基板ウェハの上流において、荷電イオンや励起された荷電中性ラジカルや自由電子を含む、ガスの種々の励起粒子を含有するガスプラズマを発生するプラズマ源が用いられる。プラズマガスの励起粒子や、特に励起ラジカル粒子は基板上に移動された後、結合して中性分子を形成する。励起ラジカルは、基板上に薄膜を形成するための１以上の反応ガスと化学反応を起こす。励起ラジカルは、表面反応にエネルギを供給し、本発明の原理に基づいて、従来のＣＶＤ法よりかなり低い温度でＣＶＤが行われるようにする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
イオン化粒子を用いた従来のＰＥＣＶＤに関する粒子の付着や層の適合性の低下を防ぐために、本発明に係る方法の１実施例では、特に適合性及び均一性のある膜を形成する電荷が中性の活性化されたラジカルが、基板表面で用いられる。しかしながら、このような活性化されたガスラジカルは、再結合して低いエネルギの安定した分子構造になるため、このラジカルの寿命は短い。上述のように、本発明は、多数のラジカルが再結合して元の安定ガス分子を形成する前に、ラジカルを基板表面に供給することにより、活性化されたガスラジカルを効率的に利用することができる。ラジカルの効率的な供給のため、本発明の１実施例では、基板を支持及び回転させ、基板の方向に下向きのポンピング作用を働かせる回転サセプタが用いられる。回転サセプタは、基板表面に対してラジカルをポンピングする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
回転サセプタにより生じる層流のパターンは、ガス粒子の再循環及び基板表面でのラジカル再結合を最小限に抑える。したがって、低温ＣＶＤプロセスのための活性化ラジカルがより多く基板表面で得られる。さらに、本発明に係る成膜方法においては、サセプタの回転速度を上昇させることにより、基板表面での成膜速度が上昇する。回転サセプタのポンピング作用により得られる活性化ラジカルの独特の組合せ及び層流により、本発明に係る成膜方法の１実施例においては、ポンピング作用を増すことから得られる基板表面での分子反応物の増加によってのみ得られる成膜速度より、上昇する。すなわち、サセプタの回転速度を上昇させることにより、単に反応ガスを基板に向けて高速で移動させる以上の効果がある。基板表面へのラジカルの供給におけるこの促進は、ＰＥＣＶＤプロセスにおける重要な進歩である。これにより、上流あるいは基板から離れた位置で形成されたラジカルの大部分を、基板表面に供給することができ、多量のラジカルが再結合することによる損失を生じることなく、表面で成膜反応を行うことができる。この促進及びそれによる表面反応に対するエネルギの増大により、低い成膜温度であっても反応を起こさせることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図１は、本発明の参考例となる上流のプラズマエンハンスＣＶＤを行う回転サセプタを有する上流のプラズマ発生装置の一実施例を示す。図１の参考例では、マイクロ波プラズマ発生装置を用いて、上流の反応ガスプラズマを発生し、この反応ガスプラズマから必要な活性化ラジカルを得ている。反応装置５は、反応室１２を収容するチャンバハウジング１０を有している。チャンバハウジング１０は、実施に望ましい内部成膜圧力となるように調整可能に排気される。水素ガス（Ｈ２）、窒素ガス（Ｎ２）及び／又はアンモニア（ＮＨ３ ）等の励起されるプラズマガスは、石英製の管１４を介して反応室１２に導入される。プラズマ発生用の管１４は、Ｌ字型であり、９０°曲げられた屈曲部１５に至るまで水平に延在する長尺部１６を有している。９０°曲げられた屈曲部１５の後には、短尺部１８が下方に垂直に延在し、反応室１２に開口した吐出部１９を有している。また、チャンバハウジング１０は、モータ（図示せず）に連結された軸２１によって回転する回転サセプタ２０を有し、この回転速度は調整される。回転サセプタ２０には温度制御装置（図示せず）が連結され、基板を所望の温度に加熱するのに用いられる。本発明に係る方法を実施するのに好適な回転サセプタを有する反応装置としては、アメリカ合衆国アリゾナ州フェニックスのマテリアルズリサーチコーポレーション社（Materials Research Corporation (MRC), Phoenix, Arizona）のロテーティングディスクリアクタ（Rotating Disk Reactor）がある。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
このＣＶＤ反応では、基板２２に達したプラズマガスは、多量のラジカル、好ましくは組成比で８０％以上の活性化ラジカルを含む。このような高いラジカル混合ガスでは、最小限の再結合でプラズマガスを基板２２に移動させる必要がある。ラジカルの最大限の利用は、回転サセプタ２０により形成される層流により達成される。実験によって、回転サセプタ２０による層流のパターンにより、ガス反応物の再循環、特に基板表面２３での活性化ガスラジカルの再循環が最小限に抑えられることがわかった。そして、再循環が最小限に抑えられたことにより、活性化ラジカルの気相衝突が最小限になり、ラジカルが再結合して安定な分子を形成する速度が低減される。すなわち、式３によるＨ＊のＨ２への再結合量が減少する。この結果、基板表面２３での有効な活性化ラジカルが高密度で得られ、化学的表面反応にエネルギを供給し、膜の化学気相成長に必要な熱エネルギを低減する。これにより、成膜温度を有効に低下させる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
上述のような本発明の参考例では、基板２２上に純チタン層を形成したが、この原理に基づいて、チタンあるいは他の所望の元素を含有する種々の材料層を堆積してもよい。例えば、Ｈ＊及びＮ＊のラジカルを生成するために水素（Ｈ２）及び窒素（Ｎ２）をプラズマ発生用の管１４に導入して、窒化チタン（ＴｉＮ）を堆積するようにしてもよい。また、アンモニアガス（ＮＨ３）を励起して、Ｈ＊及びＮ＊のラジカルを含むプラズマに解離してもよい。水素ガスプラズマ粒子の再結合と同様、Ｎ＊ラジカルは、基板表面２３に迅速に供給されないと、結合して窒素分子（Ｎ２）を生成する。さらに、この原理に基づいて、珪化チタン（ＴｉＳｉ２）を堆積してもよい。このような場合、シランガス（ＳｉＨ４）をチタン含有ガス（例えばＴｉＣｌ４）とともに反応室１２に導入する。また、図１の装置及び説明した方法を用いて、タングステン（Ｗ）を堆積してもよい。窒化チタン及び珪化チタンを生成する化学反応の例は、それぞれ、以下の式５、６で示される。
ＴｉＣｌ４＋Ｎ＊＋４Ｈ＊  →  ＴｉＮ＋４ＨＣｌ             （式５）
ＴｉＣｌ４＋２ＳｉＨ４＋４Ｈ＊  →  ＴｉＳｉ２＋４ＨＣｌ＋４Ｈ２
（式６）
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
図１に示すマイクロ波のプラズマ成膜装置を用いて、タングステン層を堆積し、実施可能性を判断する試験を行った。水素を石英製の管１４に通過させた。励起プラズマは領域２８近傍で発生され、管１４を介して下流の反応室１２に達した。プラズマは、石英製の管１４に沿って移動するうちに、マイクロ波による励起領域２８の下流で減少した。これは、上記式２に従って励起プラズマ粒子の再結合が起こり、新たな水素ラジカルが生成されたことを示す。次いで、水素ラジカルは、回転サセプタ２０により基板表面２３に供給された。同時に、下記式７に従った成膜反応がおこり、基板２２上にタングステン層を堆積した。
ＷＦ６＋６Ｈ＊  →  Ｗ＋６ＨＦ                            （式７）
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
実験及び得られたアレニウス関数から、活性化エネルギＥａが算出された。図４Ａは、プラズマを用いない場合のタングステン（Ｗ）堆積の活性化エネルギを示し、図４Ｂは、マイクロ波によるプラズマを用いた場合の活性化エネルギを示す。熱処理の場合、すなわち、マイクロ波発生装置の電源をオフにした場合、Ｅａ＝６７．１ｋＪ／ｍｏｌ−ｄｅｇｒｅｅ  Ｋであった。しかし、マイクロ波発生装置の電源をオンにしてプラズマを発生した場合、成膜プロセスに必要な活性化エネルギは、Ｅａ＝６３．２ｋＪ／ｍｏｌｅ−ｄｅｇｒｅｅ  Ｋしかなかった。プラズマを用いた場合と用いなかった場合の成膜プロセスの活性化エネルギＥａの減少は、活性化水素ラジカルが基板表面に達し、以上の原理に基づいて表面反応が行われていることを示している。活性化ラジカルを用いた場合に必要な活性化エネルギの低減により、ＣＶＤプロセスに必要な成膜温度が低下する。上述のように、６５０℃未満の成膜温度を必要とする温度に敏感な回路からなる集積回路の製造には、低い成膜温度が望ましい。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
タングステンの堆積速度は、サセプタの回転速度あるいは基板の回転速度として測定された。図５は、熱プロセスの場合の堆積速度が、回転速度の増加に伴って増加したことを示す。これは、分子反応ガスが回転する基板表面に高速でポンピングされているためである。しかし、上流のラジカルによるプロセスの場合、堆積速度は回転速度の増加よりも大幅に増加した。すなわち、堆積速度の増加を生じる回転基板により得られた反応ガスの基本的なポンピング以上の効果がある。上流のプラズマ方法では、回転サセプタにより得られた層流のパターンにより、気相衝突が最小限に抑えられ、必要な活性化水素ラジカルＨ＊が再結合して水素分子Ｈ２を形成する速度が低減される。上流の方法における基板表面へのラジカルの効率的な供給は、プラズマＣＶＤにおける重要な進歩である。活性化ラジカルの大部分は、基板表面に供給され、表面成膜の反応を行う。したがって、活性化ラジカルが、エネルギの供給や成膜温度を低下させるだけでなく、回転サセプタ２０の層流により基板に供給された高密度のラジカルが、熱ＣＶＤの実用的でない高温より低い温度に成膜温度を低下させる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
図１Ａは、活性化ガスラジカルを発生するための上流のマイクロ波発生装置を用いた本発明のＣＶＤの構成を示す。反応装置１００は、反応領域１０４を収容するチャンバハウジング１０２を有している。図１の反応装置５と同様、チャンバハウジング１０２は、所望の内部成膜圧力になるように調整可能に排気される。プラズマガスが、垂直方向に延在する石英製の導管１０６に導入される。石英製の導管１０６には、マイクロ波導波路１０８が連結されている。マイクロ波導波路１０８は、マイクロ波発生装置１１２を備えた水平部１１０を有している。導波路の傾斜部１１４が、水平部１１０と導波路の垂直部１１６を連結している。石英製の導管１０６は、開口部（図示せず）を介して傾斜部１１４内に延在し、傾斜部１１４及び垂直部１１６を通って、チャンバハウジング１０２の天板１１５を貫通して延在している。石英製の導管１０６は、天板１１５を通って延在し、ガス分散シャワーヘッド１２２の上方の吐出部１２０にて止まっている。ガス分散シャワーヘッド１２２は、このガス分散シャワーヘッド１２２をチャンバハウジング１０２の天板１１５に連結する石英製の絶縁リング１２４に取り付けられている。また、ガス分散シャワーヘッド１２２の上方で、石英製の導管１０６の吐出部１２０に隣接して、反応ガスを分散するための複数の開口部を有する傘状の反応ガス供給機構あるいは分散リング１２８が配置されている。分散リング１２８には、ＴｉＣｌ４等の反応ガスを分散リング１２８に供給するための導管１３０が連結されている。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
【表６】
2004263306.tif 000026
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
【表７】
2004263306.tif 000027
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
さらに、図２の構成を用いて成膜実験を行った。ここでは、プラズマ及び反応ガス流を調整し、反応室４４の内部成膜圧力も調整した。例えば、表１０に示す成膜実験では、表９の例を前提にして、Ｈ２の流量を大きく、成膜圧力を１３３Ｐａから６７７Ｐａ（１Ｔｏｒｒから５Ｔｏｒｒ）に増加させた。また、成膜実験のいくつかでは、Ｈ２にアルゴンを混合した。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
表１０において、表９の例を前提にして、Ｈ２の流量を、ウェハ１〜４に対しては５０００ｓｃｃｍ、ウェハ５〜９に対しては３７５０ｓｃｃｍに増加させた。成膜圧力は、６６７Ｐａ（５Ｔｏｒｒ）に増加した。ウェハ５〜９については、Ｈ２を希釈ガスとして０．５ｓｌｍの流量のアルゴンを用いた。表１０において、ウェハ１、２及び５、６はシリコンであり、ウェハ３、４及び７〜９は熱酸化ウェハである。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
表１１に、表９を前提にして、Ｈ２流量を増加させ、成膜圧力も増加させて行った実験を示す。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
表１２は、表９を前提にして、回転サセプタの温度を４５０℃にしてさらに行った成膜実験を示す。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
表１３の成膜実験は、表９を前提にして、ＴｉＣｌ４の流量をさらに低減して行われた。表１３のウェハは全て、熱酸化ウェハである。表１２、１３のウェハに対しては、ＮＨ３ＲＦアニールを行わなかった。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】
図３は、上述の回転サセプタを用い、図１の構成の上流プラズマ発生に関して開示された低温ＰＥＣＶＤプロセスに必要なラジカルを発生するのに用いることができる、ＲＦプラズマ源を有する成膜チャンバの他の参考例を示す。具体的には、成膜チャンバ２８０は、ＲＦプラズマ発生装置２８２に取り付けられている。好適なＲＦプラズマ発生装置として、アメリカ合衆国アリゾナ州テンプのプロテックリサーチインク社（Prototech Research, Inc., Tempe, Arizona）から入手可能なＲＦプラズマ発生装置がある。ＲＦプラズマ発生装置２８２は、プラズマ発生領域２８６を内部に形成するハウジング２８４を有している。Ｈ２、Ｎ２、及び／又はＮＨ３等の励起されるプラズマガスは、ガス供給管２８７、２８８とガスリング２８９、２９０をそれぞれ介して導入される。プラズマ発生領域２８６内において、プラズマガスは、ＲＦ信号供給装置２９４に接続されたＲＦコイル２９２により発生されたＲＦ電界によって励起される。例えば、１３．５６ＭＨｚのＲＦエネルギがプラズマ発生領域２８６内のガスに供給され、自由電子、イオン、ラジカルを含むプラズマガスが発生される。励起されたガスがプラズマ発生領域２８６の長さに沿って下方に移動されると、好ましくは十分な量のラジカルが残るまでガス粒子は結合する。ラジカルは成膜領域２９６を介して下方に移動される。ＴｉＣｌ４等の反応ガスは、垂直方向に調整可能なガスシャワーヘッド２９８により成膜領域２９６内に導入され、反応ガス及び活性化ラジカルが回転サセプタ３０２により基板３００に向かって下方に移動され、結合して、基板３００上に成膜する。上述のように加熱された基板３００や、上述の例と同様の圧力、回転サセプタの回転速度、ガス流量を、図３のＲＦプラズマ源に用いることができる。したがって、チタン含有膜等の膜を、従来の熱ＣＶＤプロセスよりかなり低い温度で堆積することができる。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
【図１】マイクロ波のエネルギを用いた本発明の第１の参考例となる上流のプラズマエンハンス成膜チャンバの側面図及び部分的断面図である。
【図１Ａ】マイクロ波のエネルギを用いた上流のプラズマエンハンス成膜チャンバの他の参考例を示す図である。
【図２】ＲＦシャワーヘッド／電極を用いて本発明に係る方法を実施するのに用いられる成膜チャンバの一実施例の側面図及び部分的断面図である。
【図２Ａ】図２の構造をより詳しく示す図である。
【図２Ｂ】図２の構造の他の実施例を示す図である。
【図３】ＲＦエネルギを用いた上流のプラズマエンハンス成膜チャンバの第２の参考例の側面図及び部分的断面図である。
【図４Ａ】上流の活性化ラジカルを用いない場合と用いる場合の成膜に必要な活性化エネルギをそれぞれ示すアレニウス関数グラフである。
【図４Ｂ】上流の活性化ラジカルを用いない場合と用いる場合の成膜に必要な活性化エネルギをそれぞれ示すアレニウス関数グラフである。
【図５】上流の活性化ラジカルを用いる場合と用いない場合の回転速度を関数とした成膜速度の上昇を示すグラフである。
【図６】シリコン基板上の酸化シリコン内のパターン化されたビア上にチタン膜を選択的に堆積させる様子を示す顕微鏡写真である。