(57)【要約】【課題】反応途中の副生成物の生成を抑制し、高収率かつ高選択率で、シクロヘキシルフェニルケトンを製造する方法を提供する。【解決手段】溶媒の存在下または非存在下で１，３−ブタジエンとアクリル酸との［２＋４］ディールス−アルダー反応を行い、３−シクロヘキセン−１−カルボン酸を製造する段階と、前記３−シクロヘキセン−１−カルボン酸を水素化反応させてシクロヘキサンカルボン酸を製造する段階と、シクロヘキサンカルボン酸溶液中のシクロヘキサンカルボン酸を、分離精製過程を経ずに塩素化反応を行い、塩化シクロヘキサンカルボニルを製造する段階と、中間体及び副生成物の分離精製過程を経ずに同一反応器で塩化シクロヘキサンカルボニルのフリーデル−クラフツ反応によりシクロヘキシルフェニルケトンを製造する段階と、からなる。【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶媒の存在下または非存在下で１，３−ブタジエンとアクリル酸との［２＋４］ディールス−アルダー反応を行い、３−シクロヘキセン−１−カルボン酸を製造する段階と、
前記３−シクロヘキセン−１−カルボン酸を水素化反応させシクロヘキサンカルボン酸を製造する段階と、
前記シクロヘキサンカルボン酸溶液中のシクロヘキサンカルボン酸を、分離精製過程を経ずに塩素化反応を行い、塩化シクロヘキサンカルボニルを製造する段階と、
中間体及び副生成物の分離精製過程を経ずに同一反応器で塩化シクロヘキサンカルボニルをフリーデル−クラフツ反応によりシクロヘキシルフェニルケトンを製造する段階と、
からなることを特徴とする１，３−ブタジエンとアクリル酸とからなるシクロヘキシルフェニルケトンの製造方法。
【請求項２】
［２＋４］ディールス−アルダー反応の溶媒には、ベンゼンまたは非芳香族有機溶媒を用いることを特徴とする請求項１に記載の１，３−ブタジエンとアクリル酸とからなるシクロヘキシルフェニルケトンの製造方法。
【請求項３】
非芳香族有機溶媒は、シクロヘキサン、ヘキサン、へプタン、オクタン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン及びエーテルからなる群から選択される１種または２種以上のものであることを特徴とする請求項２に記載の１，３−ブタジエンとアクリル酸とからなるシクロヘキシルフェニルケトンの製造方法。
【請求項４】
［２＋４］ディールス−アルダー反応は、重合禁止剤の存在下で８０℃から２００℃の反応温度範囲で行われ、水素化反応は、８０℃から１２０℃の反応温度範囲及び、水素圧力８０ｐｓｉから１２０ｐｓｉ（１ｐｓｉ＝１．４５×１０−４Ｐａ）の範囲で行われることを特徴とする請求項１に記載の１，３−ブタジエンとアクリル酸とからなるシクロヘキシルフェニルケトンの製造方法。
【請求項５】
塩素化反応は、塩化チオニルまたは三塩化リンを用いて行われることを特徴とする請求項１に記載の１，３−ブタジエンとアクリル酸とからなるシクロヘキシルフェニルケトンの製造方法。
【請求項６】
塩素化反応は、塩化チオニルまたは三塩化リンをシクロヘキサンカルボン酸に対し、当量比に１−２モル比だけ用いて行われることを特徴とする請求項１または４に記載の１，３−ブタジエンとアクリルと酸からなるシクロヘキシルフェニルケトンの製造方法。
【請求項７】
フリーデル−クラフツ反応は、無水三塩化アルミニウム触媒存在下で行われることを特徴とする請求項１に記載の１，３−ブタジエンとアクリルと酸からなるシクロヘキシルフェニルケトンの製造方法。
【請求項８】
フリーデル−クラフツ反応は、無水三塩化アルミニウムと塩化シクロヘキサンカルボニルに対し、１−３モル比だけ用いて行われることを特徴とする請求項１または７に記載の１，３−ブタジエンとアクリルと酸からなるシクロヘキシルフェニルケトンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、１，３−ブタジエンとアクリル酸とから分離精製過程を経ることなくシクロヘキシルフェニルケトンを製造する方法に関する。詳しくは、ベンゼンまたは非芳香族有機溶媒の存在、若しくは非存在下で１，３−ブタジエンとアクリル酸との［２＋４］ディールス−アルダー（Ｄｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ）反応により３−シクロヘキセン−１−カルボン酸を製造した後、水素化反応によりシクロヘキサンカルボン酸を生成させた後、更に塩素化反応を行い、塩化シクロヘキサンカルボニルを生成させた後、分離精製過程を経ることなく同一反応器でフリーデル−クラフツ（Ｆｒｉｅｄｅｌ−Ｃｒａｆｔｓ）反応を行い、高収率でシクロヘキシルフェニルケトンを製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
シクロへキシルフェニルケトンは、不飽和炭化水素化合物の光重合反応及びポリオレフィンの光化学的架橋反応の光開始剤として用いられる１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンの中間体として使用されている。
【０００３】
光開始剤は、紫外線を用いて液状の原料を、固状の樹脂に瞬間的に変化させる硬化剤であり、紫外線塗料、紫外線インクなどに応用され、特殊な高光沢家具、包装紙の印刷、高光沢プラスチック床材の製造に用いられている。
【０００４】
シクロヘキシルフェニルケトンを製造する従来の方法を説明する。安息香酸（ベンゾ酸）を高温、高圧の下で水素添加反応させた後、反応副生成物を除去する分離精製過程を経て、シクロヘキサンカルボン酸を製造し、精製されたシクロヘキサンカルボン酸を塩化シクロヘキサンカルボニルに転換させた後（非特許文献１参照）、無水三塩化アルミニウムの存在下でベンゼンとのフリーデル−クラフツ反応により製造する方法がある。この方法は高収率でシクロヘキシルフェニルケトンを製造できる方法ではあるが、安息香酸の水素化反応が高温、高圧を求めるため、生産設備の完備が困難であり、また水素化反応による副生成物が生成するために必ず分離精製過程を経なければならないという問題点があった。
【０００５】
他の方法としては、シクロヘキサンカルボン酸と安息香酸とを炭酸マンガン（ＭｎＣＯ３）のようなマンガン塩触媒の存在下で高温（２８０℃から４５０℃）で反応させ、シクロへキシルフェニルケトンを製造する方法（特許文献１、特許文献２参照）が示されているが、反応温度が非常に高いため、生産設備の完備が困難である。
【０００６】
また、シクロヘキサンカルボン酸と安息香酸とを、アルカリ酸化物を含む酸化チタン触媒を使用する反応でシクロへキシルフェニルケトンを製造する方法（特許文献３参照）も提示されたが、選択率が劣るという問題点があった。又、シクロヘキサンカルボン酸と安息香酸とでシクロへキシルフェニルケトンを製造する別の方法（特許文献４参照）が開示された。この方法はコバルト触媒存在下で２００℃未満の低い温度条件でシクロヘキシルフェニルケトンを製造しているが、その転換率は低い。
【０００７】
他の方法としては、ポリリン酸の存在下でシクロヘキサンカルボン酸をベンゼンと反応させてシクロヘキシルフェニルケトンを製造する方法（特許文献５参照）が提示されたが、その収率は非常に低い。
【０００８】
【非特許文献１】
Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，ｃｏｌ．ｖｏｌ．ＩＶ，３３９−３４２
【特許文献１】
英国特許第１，０３０，００３号
【特許文献２】
英国特許第１，０６３，２６８号
【特許文献３】
米国特許第４，９５０，７６３号
【特許文献４】
米国特許第３，６６０，４９１号
【特許文献５】
英国特許第１，０６６，５４２号
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明者らは高選択率と高収率でシクロヘキシルフェニルケトンを製造する方法を模索した結果、出発物質として１，３−ブタジエンとアクリル酸を用いて［２＋４］ディールス−アルダー反応を行い、同一反応器で水素化反応、塩素化反応、及びフリーデル−クラフツ反応の順に行うことによって、反応途中の中間体及び副生成物の分離精製過程を経ることなくかつ、高収率と高い選択率で製造することが可能な産業的に非常に有用なシクロヘキシルフェニルケトンの製造方法を開発するに至った。
【００１０】
本発明の目的は、副生成物の生成を抑制して中間体の分離精製を行わずに、また、用いられる触媒に影響されずに高収率かつ高選択率でシクロヘキシルフェニルケトンを製造する方法を提供するにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
このような目的を達成するため本発明のシクロヘキシルフェニルケトンの製造方法は、溶媒の存在下または非存在下で１，３−ブタジエンとアクリル酸との［２＋４］ディールス−アルダー反応を行い、３−シクロヘキセン−１−カルボン酸を製造する段階と、前記３−シクロヘキセン−１−カルボン酸を水素化反応させてシクロヘキサンカルボン酸を製造する段階と、前記シクロヘキサンカルボン酸溶液からシクロヘキサンカルボン酸を分離精製せずに塩素化反応により塩化シクロヘキサンカルボニルを製造する段階と、中間体及び副生成物の分離精製を行わずに、同一反応器で連続的に塩化シクロヘキサンカルボニルとのフリーデル−クラフツ反応でシクロヘキシルフェニルケトンを製造する段階と、からなることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下本発明を詳しく説明する。
【００１３】
本発明はシクロヘキシルフェニルケトンを１，３−ブタジエンとアクリル酸から同一反応器で中間体及び副生成物の分離精製を行わず製造する方法に関する。
【００１４】
本発明による製造方法の反応メカニズムは、以下の化学式で示される。
【００１５】
【化１】
2004115499.tif 000002
【００１６】
化学式１より、本発明のシクロヘキシルフェニルケトンの製造方法は、まず、１，３−ブタジエンとアクリル酸を用いて溶媒の存在下または、非存在下で副反応が起こらない条件で［２＋４］ディールス−アルダー反応を実施して３−シクロヘキセン−１−カルボン酸を製造し、水素を用いた水素化反応を行い、シクロヘキサンカルボン酸を非常に高い転換率で製造する。その後、シクロヘキサンカルボン酸反応液から生成物を分離精製せずに塩化チオニル等の塩化物を添加して、比較的低い温度で反応させて塩化シクロヘキサンカルボニルを製造し、この溶液に直接無水三塩化アルミニウムを添加してフリーデル−クラフツ反応でシクロヘキシルフェニルケトンを製造する。即ち、中間段階で中間体及び副生成物を分離せず、最終生成物のシクロヘキシルフェニルケトンだけを分離する製造方法であり、各段階における生成物の分離精製過程を必要としないため全体工程が短縮されるという効果があり、高収率でシクロヘキシルフェニルケトンを製造できる。
【００１７】
最初の反応である１，３−ブタジエンとアクリル酸の［２＋４］ディールス−アルダー反応では、溶媒を使用しても使用しなくてもよいが、溶媒を使用する場合には、最終生成物の製造段階を考慮した溶媒のベンゼンを用いるか、あるいはフリーデル−クラフツ反応に影響しない非芳香族有機溶媒を選択して最終段階での副反応を遮断させることが好ましい。このような溶媒系は、水素化反応と塩素化反応及びフリーデル−クラフツ反応時に副生成物の問題を発生させない。
【００１８】
ここで、非芳香族有機溶媒としては脂肪族炭化水素類、即ち、シクロヘキサン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどとテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン、エーテル類などを単独または、混合溶媒として使用できる。
【００１９】
反応条件は１，３−ブタジエン及びアクリル酸の重合禁止剤を添加して副反応を抑制し、反応温度と反応物の比率を調節してアクリル酸の反応転換率を９９％以上に調節するのが好ましい。具体的には反応温度を８０℃から２００℃、好ましくは、１２０℃から１５０℃の範囲に設定して反応を行う。
【００２０】
ここで、重合禁止剤としては４−ｔ−ブチルカテコールが好ましい。反応物の１，３−ブタジエンは、アクリル酸とのモル比が１：１．１から１：２の範囲で用いる。好ましくは、１：１．２から１：１．５モル比が適切である。
【００２１】
反応が完結した後、反応液に不均一水素化触媒類を一定量投入し、反応温度８０から１２０℃、水素圧力８０ｐｓｉから１２０ｐｓｉの条件で水素化反応を行いシクロヘキサンカルボン酸を製造する。このとき、使用可能な不均一水素化触媒類は白金（Ｐｔ／Ｃ）及びパラジウム（Ｐｄ／Ｃ）などが好ましい。
【００２２】
次に、水素化反応により製造されたシクロヘキサンカルボン酸溶液に塩化チオニルまたは、三塩化リンのような塩化物を添加する。この時のシクロヘキサンカルボン酸１モルに対し、１−３モル比、好ましくは１−２モル比で添加して塩素化反応を行い、塩化シクロヘキサンカルボニルを定量的に製造する。
【００２３】
この反応液中の塩化物を除去せずに反応液中に、無水三塩化アルミニウムを塩化シクロヘキサンカルボニルに対し、１−３モル比で添加し、反応溶媒がベンゼンではない場合には、ベンゼンを塩化シクロヘキサンカルボニル対比１−３モル比で添加してフリーデル−クラフツ反応で最終生成物のシクロヘキシルフェニルケトンを製造する。
【００２４】
本発明の特徴は、最終生成物の製造における反応中間段階で、中間体及び副生成物の分離精製過程を経ないことである。これにより、高選択率及び高収率でシクロヘキシルフェニルケトンを製造することができる。
【００２５】
本発明の［２＋４］ディールス−アルダー反応と水素化反応は圧力反応器で行い、塩素化反応とフリーデル−クラフツ反応は常圧下で行う。
【００２６】
反応物の分析は核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトルとガスクロマトグラフィー質量分析検出器（ＧＣ−ＭＳＤ）を用いて確認し、ガスクロマトグラフィーを用いて定量分析値を確認するために以下のような条件で分析し、内部標準物質はｎ−ドデカンを用い、成分比は面積比を換算して用いた。ガスクロマトグラフィーのカラムには、キャピラリーカラム（Ｃａｐｉｌｌａｒｙ　ｃｏｌｕｍｎ−ＵＬＴＲＡ　１、長さ５０ｍ、内径０．２２ｍｍ、液膜の厚さ０．３３μｍ）を用い、キャリアーガスに窒素ガス（圧力１８ｐｓｉ、流速３８ｍｌ／ｍｉｎ）を用いた。試料を、分割注入法（分割比５０：１）にて注入し、測定温度１５０℃から２８０℃（昇温速度は１５０℃から２００℃は５℃／ｍｉｎ、２００℃から２８０℃は１０℃／ｍｉｎ）で測定を行った。なお、検出は、水素炎イオン化検出器（ＦＩＤ）を用いて検出を行った。
【００２７】
【実施例】
本発明の実施例を詳しく説明すると以下のようであるが、本発明がこれらの実施例に限定されるものではない。
【００２８】
［実施例１］
１Ｌ圧力反応器にアクリル酸７２ｇ（１ｍｏｌ）、４−ｔ−ブチルカテコール０．３５ｇ、ベンゼン２８８ｇを入れ、１，３−ブタジエン７０ｇ（１．３ｍｏｌ）、を注入した後、温度を１２０℃に上げて２時間反応させ、ＮＭＲを用いて３−シクロヘキセン−１−カルボン酸を確認した。ガスクロマトグラフィーの分析結果より、生成物である３−シクロヘキセン−１−カルボン酸の収率は、９９％以上であった。なお、ＮＭＲのプロトンのピークの帰属は以下の通りである。
【００２９】
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ１．７０−１．８２（ｍ，１Ｈ）、１．９４−２．３５（ｍ，５Ｈ）、２．４９−２．７５（ｍ，１Ｈ）、５．５９−５．７９（ｍ，２Ｈ）
【００３０】
（１）得られた３−シクロヘキセン−１−カルボン酸溶液に、３％の不均一水素化触媒（Ｐｄ／Ｃ）３．２ｇ（３−シクロヘキセン−１−カルボン酸の２．５ｗｔ％）を入れた後、水素圧１２０ｐｓｉ、温度１００℃で水素化反応を行った。ガスクロマトグラフィーの分析結果より、生成物であるシクロヘキサンカルボン酸への転換率は、９９％以上であった。なお、ＮＭＲのプロトンのピークの帰属は以下の通りである。
【００３１】
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ１．１８−２．３４（ｍ，１０Ｈ）、２．３５−２．４０（ｍ，１Ｈ）
【００３２】
（２）得られたシクロヘキサンカルボン酸溶液（２０．０ｇ：シクロヘキサンカルボン酸６．９５ｇ，０．０５４ｍｏｌ）と内部標準物質のｎ−ドデカン（１．０ｇ）とを、コンデンサーと水分分離機（Ｄｅａｎ−Ｓｔａｒｋ　Ｗａｔｅｒｓｅｐａｒａｔｏｒ）とが設置された反応器に入れ、ベンゼン９０ｍｌを添加した後、窒素雰囲気で約２５ｍｌのベンゼンを蒸留して内部溶液を無水状態にした。反応溶液の温度を常温まで冷却した後、塩化チオニル６．０ｍｌ（９．８ｇ，０．０８２ｍｏｌ）を入れ、１時間還流を行った。
【００３３】
反応の後、塩化シクロヘキサンカルボニルの生成を確認するために反応液の一部を採り、少量のトリエチルアミンを含んだメタノールと反応させた。生成したシクロヘキサンカルボン酸メチルの生成量をガスクロマトグラフィーで分析した結果、シクロヘキサンカルボン酸からの転換率は９９％以上であり又、選択率も９９％以上であったことが示された。
【００３４】
（３）得られた塩化シクロヘキサンカルボニル溶液を、水／氷湯煎器を用いて内部温度を３℃以下で無水三塩化アルミニウム１０．８６ｇ（０．０８１ｍｏｌ）を入れ２０分間撹拌した。水／氷湯煎器を除去してから温度を徐々に上げて１時間還流を行った。ガスクロマトグラフィーの分析結果より、生成物であるシクロヘキシルフェニルケトンの選択率は、９９％以上であり、塩化シクロヘキサンカルボニルからの転換率は９９％であった。ＮＭＲのプロトンのピークの帰属は以下の通りである。
【００３５】
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ１．２２−１．５９（ｍ，４Ｈ）、１．７１−１．９２（ｍ，６Ｈ）、３．１９−３．３２（ｍ，１Ｈ）、７．４１−７．５８（ｍ，３Ｈ）、７．９２−７．９７（ｍ，２Ｈ）
【００３６】
［実施例２］
前記実施例１の（１）において、溶媒を使用せずに実施していることを除いては実施例１と同様に実施した結果、３−シクロヘキセン−１−カルボン酸を９９％の収率で得た。水素化反応、塩素化反応、フリーデル−クラフツ反応は実施例１と同様に実施した結果、ガスクロマトグラフィーの分析結果より、シクロヘキシルフェニルケトンの選択率は９９％であった。なお、塩化シクロヘキサンカルボニルからの転換率は９９％であった。
【００３７】
［実施例３］
前記実施例１の（２）において同一の反応で、シクロヘキサンカルボン酸に対する塩化チオニルのモル比を変化させながら前記実施例１と同様の方法で反応を行った。得られた塩化シクロヘキサンカルボニルは以下の表１のような結果が得られた。
【００３８】
【表１】
2004115499.tif 000003
【００３９】
その後、フリーデル−クラフツ反応を前記実施例１と同様の方法で行った。ガスクロマトグラフィーの分析結果より、得られたシクロヘキシルフェニルケトンの選択率は９９％であり、塩化シクロヘキサンカルボニルからの転換率は９９％であった。
【００４０】
［実施例４］
前記実施例１の（２）において、塩化化合物として塩化チオニルの代わりに三塩化リンを用いた。具体的には、シクロヘキサンカルボン酸溶液２０．０ｇ（シクロヘキサンカルボン酸６．９５ｇ，０．０５４ｍｏｌ）に、内部標準物質のｎ−ドデカン（１．０ｇ）を、コンデンサーと水分分離機とが設置された反応器に入れ、ベンゼン９０ｍｌを添加した後、窒素雰囲気下で約２５ｍｌのベンゼンを蒸留して内部溶液を無水状態にした。反応溶液の温度を常温まで冷却した後、三塩化リン２．４ｍｌ（３．７７ｇ，０．０２７ｍｏｌ）を加え、１時間還流を行った。その後、塩化シクロヘキサンカルボニルの生成を確認するために反応液の一部を採り少量のトリエチルアミンを含んだメタノールと反応させた。前記反応で生成したシクロヘキサンカルボン酸メチルの生成量をガスクロマトグラフィーで分析した結果、シクロヘキサンカルボン酸からの転換率は９９％以上であり又、選択率も９９％以上で塩化シクロヘキサンカルボニルが生成されたことが示された。
【００４１】
その後、同一反応容器でフリーデル−クラフツ反応を前記実施例１と同様の方法で行った。ガスクロマトグラフィーによる分析の結果、得られたシクロヘキシルフェニルケトンの選択率は９９％であり、塩化シクロヘキサンカルボニルからの転換率は９９％であった。
【００４２】
［実施例５］
前記実施例１の（３）において、同一の反応で、塩化シクロヘキサンカルボン酸に対する無水三塩化アルミニウムのモル比を変化させながら前記実施例１と同様の方法で反応を行った。得られたシクロヘキサンフェニルケトンを以下の表２のように得た。
【００４３】
【表２】
2004115499.tif 000004
【００４４】
［実施例６］
前記実施例１において溶媒のベンゼンの代わりにｎ−ヘキサンを用いた。具体的には、１Ｌ圧力反応器にアクリル酸７２ｇ（１．０ｍｏｌ）、４−ｔ−ブチルカテコール０．３５ｇ、ｎ−ヘキサン２８８ｇを入れ、１，３−ブタジエン７０ｇ（１．３ｍｏｌ）を注入した後、温度を１２０℃に上げて２時間反応させた後、ガスクロマトグラフィーで分析した結果より、得られた３−シクロヘキセン−１−カルボン酸の収率は９９％であった。
【００４５】
生成した３−シクロヘキセン−１−カルボン酸溶液に３％の不均一水素化触媒（Ｐｄ／Ｃ）３．２ｇ（３−シクロヘキセン−１−カルボン酸の２．５ｗｔ％）を入れた後に、水素圧１２０ｐｓｉ、温度１００℃で水素化反応を行った。ガスクロマトグラフィーの分析結果より、生成物であるシクロヘキサンカルボン酸への転換率は９９％以上であった。
【００４６】
得られたシクロヘキサンカルボン酸溶液２５ｍｌ（シクロヘキサンカルボン酸６．０ｇ，０．０４７ｍｏｌ）と、内部標準物質のｎ−ドデカン（１．０ｇ）とを、コンデンサーと水分分離機とが設置された反応器に入れ、ベンゼン３０ｍｌとｎ−ヘキサン６０ｍｌとを添加した後に、窒素雰囲気で約２５ｍｌのｎ−ヘキサンを蒸留して内部溶液を無水状態にした。反応溶液を常温まで冷却した後に、塩化チオニル３．４ｍｌ（５．５５ｇ，０．０４７ｍｏｌ）を入れ、１時間還流を行った。その後、塩化シクロヘキサンカルボニルの生成を確認するために反応液の一部を採り、少量のトリエチルアミンを含んだメタノールと反応させた。前記反応で生成したシクロヘキサンカルボン酸メチルの生成量をガスクロマトグラフィーで分析した結果、シクロヘキサンカルボン酸からの転換率は９９％以上であり又、選択率も９９％以上で塩化シクロヘキサンカルボニルが生成したことが示された。
【００４７】
得られた塩化シクロヘキサンカルボニル溶液を水／氷湯煎器を用いて内部温度３℃以下で無水三塩化アルミニウム９．３６ｇ（０．０７０ｍｏｌ）を入れ２０分間攪拌し、水／氷湯煎器を除去した後に、温度を徐々に上げて１時間還流を行った。ガスクロマトグラフィーの分析結果より、生成物であるシクロヘキシルフェニルケトンの収率は、９９％以上であり、塩化シクロヘキサンカルボニルからの転換率は９９％であった。
【００４８】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明は、ベンゼンまたは、非芳香族有機溶媒存在下、若しくは、非存在下で１，３−ブタジエンとアクリル酸との［２＋４］ディールス−アルダー反応で３−シクロヘキセン−１−カルボン酸を製造した後、水素化反応を行ってシクロヘキサンカルボン酸を生成させ、塩素化反応を実施して塩化シクロヘキサンカルボニルを製造し、分離精製過程を経ずに同一反応器でフリーデル−クラフツ反応を行うことにより、高選択率と高収率で産業的に有用なシクロヘキシルフェニルケトンを製造することができるという効果がある。