(57)【要約】【課題】カソード層による反射が防止し、表示のコントラストが向上させる。【解決手段】デバイスガラス基板１上に、発光層２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ及びカソード層３を有する有機ＥＬ素子が形成されると共に、発光層２Ｒ，２Ｇ，２Ｂがカソード層３で被覆された有機ＥＬ表示装置において、発光層２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの形成領域を除く、デバイスガラス基板１上の領域に、カソード層３による光の反射を防止する反射防止層７が形成されている。これにより、発光層２Ｒ，２Ｇ，２Ｂからの光のみが外部に射出され、カソード層３による反射が防止されるので、表示のコントラストが向上する。【選択図】　図１
2004134356.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と、この絶縁性基板上に第１の電極層と、この第１の電極層上に形成された発光層と、この前記発光層を被覆する第２の電極層とを有するエレクトロルミネッセンス素子と、
前記絶縁基板上に形成され、前記第１の電極層又は前記第２の電極層による光の反射を防止する反射防止層と、を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
前記反射防止層は、前記第１の電極層より下層に形成されていることを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
前記反射防止層は、前記第１の電極層を部分的に被覆していることを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
前記反射防止層は反射率が５０％以下の低反射層から成ることを特徴とする請求項１、２、３いずれかに記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５】
前記低反射層は、酸化クロム層から成ることを特徴とする請求項４記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６】
前記発光層が発生する光と同色の着色層が形成されていることを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項７】
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された平坦化絶縁膜と、
前記平坦化絶縁膜上に形成された第１の電極層と、
前記第１の電極層上に形成された発光層と、
前記発光層を被覆する第２の電極層と、
前記平坦化絶縁膜上に形成され、前記第２の電極による光の反射を防止する反射防止層と、を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項８】
前記反射防止層は反射率が５０％以下の低反射層から成ることを特徴とする請求項７記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項９】
前記低反射層は、酸化クロム層から成ることを特徴とする請求項８記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１０】
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に形成された第１の電極層と、
前記第１の電極層上に形成された発光層と、
前記発光層を被覆する第２の電極層と、
前記絶縁性基板上に形成され、前記発光層が発光する光と同色の着色層と、
を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１１】
前記絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された第１の平坦化絶縁膜と、を有し、前記着色層はこの第１の平坦化絶縁膜であることを特徴とする請求項１０記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１２】
前記第１の平坦化絶縁膜は、前記発光層から発生する光と同色の着色材料を含有する感光性樹脂から成ることを特徴とする請求項１１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１３】
前記第１の電極層を部分的に被覆する第２の平坦化絶縁膜を有し、前記着色層はこの第２の平坦化絶縁膜であることを特徴とする請求項１０記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１４】
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に第１の電極層と、この第１の電極層上に形成された発光層と、この前記発光層を被覆する第２の電極層と、を有するエレクトロルミネッセンス素子と、
前記絶縁性基板上に形成され前記エレクトロルミネッセンス素子を駆動する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタへの能動層への入射光を遮光する遮光層と、を備えることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１５】
前記遮光層は、前記薄膜トランジスタの上方に形成されていることを特徴とする請求項１４記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１６】
前記遮光層は、前記薄膜トランジスタの下方に形成されていることを特徴とする請求項１４記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１７】
前記遮光層は、酸化クロムから成ることを特徴とする請求項１４記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エレクトロルミネッセンス表示装置に関し、特に、絶縁性基板上にアノード層、発光層及びカソード層を有するエレクトロルミネッセンス素子が形成された、エレクトロルミネッセンス表示装置において、その表示品位を向上する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下、「有機ＥＬ」と称する。）素子を用いた有機ＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装置として注目されている。
【０００３】
図８は従来例の有機ＥＬ表示パネルの構造を示す断面図である。デバイスガラス基板１は、その表面に有機ＥＬ素子を含む画素が複数個、形成された表示領域を有している。図８においては簡単のため、Ｒ，Ｇ，Ｂの各一画素を部分的に示している。つまり、デバイスガラス基板１上には、発光層２Ｒ，２Ｇ，２Ｂが所定の間隔で形成されている。そして、カソード層３は、これらの発光層２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを被覆し、デバイスガラス基板１の表示領域の全体に延在している。カソード層３は例えばアルミニウム層で形成されている。
【０００４】
そして、上記構成のデバイスガラス基板１は、封止ガラス基板４とエポキシ樹脂等から成るシール樹脂５を用いて、貼り合わされている。なお、特に図示しないが、封止ガラス基板４上には、水分等の湿気を吸収するための乾燥剤層が塗布されている。
【０００５】
上記構成の有機ＥＬパネルにおいて、有機ＥＬ素子は不図示の駆動回路によって駆動され、点灯する際には、図８に示すように、発光層２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから発生したＲ，Ｇ，Ｂの光が、透明あるいは半透明のデバイスガラス基板１を透過して外部へ射出される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の有機ＥＬパネルでは、図８に示すように、有機ＥＬパネルの外部からの外光が、デバイスガラス基板１を通過し、アルミニウム層から成るカソード層３からの光の反射が生じる。この反射光はデバイスガラス基板１を通過して外部へ放出される。
【０００７】
例えば、有機ＥＬパネルを明るい場所で見る場合のように、このカソード層３による反射が強いと、表示領域の全体が白っぽく見えてしまい、表示のコントラストが悪くなるという問題があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上述した従来技術の課題に鑑みてなされたものであり、その主な特徴構成は以下の通りである。
【０００９】
絶縁性基板上に、アノード層、発光層及びカソード層を有するエレクトロルミネッセンス素子が形成されると共に、前記発光層が前記カソード層で被覆されたエレクトロルミネッセンス表示装置において、カソード層による光の反射を防止する反射防止層が形成されていることである。
【００１０】
これにより、カソード層による外部からの外光の反射が防止されるので、表示のコントラストが向上する。
【００１１】
また、絶縁性基板上にアノード層、発光層及びカソード層を有するエレクトロルミネッセンス素子が形成されると共に、前記発光層が前記カソード層で被覆されたエレクトロルミネッセンス表示装置において、少なくとも前記カソード層の下層に、前記発光層が発成する光と同色の着色層が形成されていることである。
【００１２】
これにより、カソード層による光の反射が生じても、その反射光は発光層が発光する光と同色となるので、表示のコントラストが向上する。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルを示す断面図である。図１において、図８と同一の構成部分には同一の符号を付している。また図２はＲ，Ｇ，Ｂに対応した、各画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂの概略の平面図である。
【００１４】
図１、図２に示すように、第２の電極層であるカソード層３は、これらの発光層２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを被覆し、デバイスガラス基板１の表示領域の全体に延在している。カソード層３は例えばアルミニウム層で形成されている。そして、画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ内の発光層２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの形成領域を除くデバイスガラス基板１上の領域に、カソード層３による光の反射を防止する反射防止層７が形成されている。
【００１５】
図においては、便宜上３つの画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂにみを示しているが、全画素に渡って同様に構成されている。反射防止層７は、デバイスガラス基板１の裏面から入射された光の反射を防止するものであるから、カソード層３の下層であれば、デバイスガラス基板１のどこに形成されていてもよい。
【００１６】
また、反射防止層７は反射率が５０％以下であればよいが、好ましくは２０％以下であり、例えば、酸化クロム（ＣｒＯ）が適している。また、この反射防止層７を、発光層２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの形成領域を除く部分の光の透過を防止するための、いわゆるブラックマトリクスとしても機能させる場合には、例えば、酸化クロム（ＣｒＯ）とクロム（Ｃｒ）との積層構造が適している。
【００１７】
本発明者は、ガラス基板上に、膜厚が約５００ÅのＣｒＯ膜上に膜厚が約１０００ÅのＣｒ膜を積層して形成した反射防止層により、４５０ｎｍの波長の光に対する反射率にして約１２％の反射率が得られることを確認している。なお、反射率については波長依存性があり、波長が４５０ｎｍ付近でピーク値（約１２％）を示した。
【００１８】
次に、本実施形態の詳細について、図３、図４を参照しながら説明する。図３は、有機ＥＬパネルの画素（上記の画素６Ｒに対応する）付近を示す平面図、図４（ａ）は、図３中のＡ−Ａ線に沿った断面図、図４（ｂ）は、図３中のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【００１９】
図３及び図４に示すように、ゲート信号線５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に画素が形成されており、マトリクス状に配置されている。画素には、自発光素子である有機ＥＬ素子６０と、この有機ＥＬ素子６０に電流を供給するタイミングを制御するスイッチング用ＴＦＴ３０（第１のＴＦＴ）と、有機ＥＬ素子６０に電流を供給する駆動用ＴＦＴ４０（第２のＴＦＴ）と、保持容量とが配置されている。なお、有機ＥＬ素子６０は、第１の電極層であるアノード層６１と、発光層６３を含む発光素子層と、第２の電極層であるカソード層６５とから成っている。後述するように、このカソード層６５の下層に反射防止層１８が設けられている。
【００２０】
両信号線５１，５２の交点付近にはスイッチング用ＴＦＴ３０が備えられており、そのスイッチング用ＦＴ３０のソース３３ｓは保持容量電極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ねるとともに、ＥＬ素子の駆動用ＴＦＴ４０のゲート４１に接続されており、駆動用ＴＦＴ４０のソース４３ｓは有機ＥＬ素子６０のアノード層６１に接続され、他方のドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子６０に供給される電流源である駆動電源線５３に接続されている。
【００２１】
また、ゲート信号線５１と並行に保持容量電極線５４が配置されている。この保持容量電極線５４はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜１２を介してスイッチング用ＴＦＴ３０のソース３３ｓと接続された容量電極５５との間で電荷を蓄積して容量を成している。この保持容量５６は、駆動用ＴＦＴ４０のゲート電極４１に印加される電圧を保持するために設けられている。
【００２２】
図４に示すように、有機ＥＬ表示装置は、ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場合には、これらの基板１０上にＳｉＯ２やＳｉＮなどの絶縁膜を形成した上にスイッチング用ＴＦＴ３０、駆動用ＴＦＴ４０及び有機ＥＬ素子を形成する。いずれのＴＦＴともに、ゲート電極がゲート絶縁膜を介して能動層の上方にある、いわゆるトップゲート構造である。なお、トップゲート構造に限らず、ゲート電極上に能動層が重なる、いわゆるボトムゲート構造でもよい。
【００２３】
まず、スイッチング用ＴＦＴ３０について説明する。
【００２４】
図４（ａ）に示すように、絶縁性基板１０上に非晶質シリコン膜（以下、「ａ−Ｓｉ膜」と称する。）をＣＶＤ法等にて成膜し、そのａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜（以下、「ｐ−Ｓｉ膜」と称する。）とし、これを能動層３３とする。チャネル３３ｃが能動層３３の中に形成され、ソース３３ｓ及びドレイン３３ｄがチャネル３３ｃの両側にそれぞれ形成されている。
【００２５】
その上に、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜の単層あるいは積層体をゲート絶縁膜１２として形成する。更にその上に、Ｃｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極３１を兼ねたゲート信号線５１及びＡｌから成るドレイン信号線５２を備えており、有機ＥＬ素子の駆動電源でありＡｌから成る駆動電源線５３が配置されている。
【００２６】
そして、ゲート絶縁膜１２及び能動層３３上の全面には、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ２膜の順に積層された層間絶縁膜１５が形成されており、ドレイン３３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填したドレイン電極３６が設けられ、更に全面に有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７が形成されている。
【００２７】
次に、有機ＥＬ素子の駆動用ＴＦＴ４０について説明する。
図４（ｂ）に示すように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、ａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して多結晶化してなる能動層４３、ゲート絶縁膜１２、及びＣｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１が順に形成されており、その能動層４３には、チャネル４３ｃと、このチャネル４３ｃの両側にソース４３ｓ及びドレイン４３ｄが設けられている。
【００２８】
そして、ゲート絶縁膜１２及び能動層４３上の全面に、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ２膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン４３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填して駆動電源に接続された駆動電源線５３が配置されている。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を備えている。
【００２９】
そして、その平坦化絶縁膜１７のソース４３ｓに対応した位置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを介してソース４３ｓとコンタクトしたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）又は、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）から成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子のアノード層６１を平坦化絶縁膜１７上に設けている。このアノード層６１は各表示画素ごとに島状に分離形成されている。
【００３０】
有機ＥＬ素子６０は、ＩＴＯ等の透明電極から成るアノード層６１、ＭＴＤＡＴＡ（４，４−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ）から成る第１ホール輸送層、ＴＰＤ（４，４，４−ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｎｉｎｅ）からなる第２ホール輸送層から成るホール輸送層６２、キナクリドン（Ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）誘導体を含むＢｅｂｑ２（１０−ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層６３、及びＢｅｂｑ２から成る電子輸送層６４、マグネシウム・インジウム合金もしくはアルミニウム、もしくはアルミニウム合金から成るカソード層６５が、この順番で積層形成された構造である。
【００３１】
カソード層６５は、発光層６３を被覆し、画素領域全体に延在している。そして、カソード層６５の下層の、平坦化絶縁膜１７上には、酸化クロムから成る反射防止層１８が、蒸着法やスパッタ法を用いて形成されている。ただし、反射防止層１８は発光層６３の下層には形成されていない。
【００３２】
有機ＥＬ素子６０は、アノード層６１から注入されたホールと、カソード層６５から注入された電子とが発光層６３の内部で再結合し、発光層６３を形成する有機分子を励起して励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層６３から光が放たれ、この光が透明なアノード層６１から透明、あるいは半透明の絶縁性基板１０を透過して外部へ射出されて発光する。
【００３３】
本実施形態によれば、上記の反射防止層１８を設けたので、カソード層６５による反射が極力防止されるので、表示のコントラストが向上する。
【００３４】
次に、本発明の第２の実施形態について図５を参照しながら説明する。図５（ａ）は、図３中のＡ−Ａ線に対応する断面図、図５（ｂ）は、図３中のＢ−Ｂ線に対応する断面図である。なお、図５において、図４と同一の構成部分については同一の符号を付してその説明を省略する。
【００３５】
本実施形態の特徴とする点は、平坦化絶縁膜１７Ｒが、発光層６３から発生する光と同色で着色されていることである。例えば、Ｒ（赤）の光を発生する発光層６３を有する画素については、その画素の平坦化絶縁膜１７Ｒは赤に着色される。同様に、隣接するＧ（緑）の光を発生する発光層６３を有する画素については、その画素の平坦化絶縁膜（不図示）は緑に着色され、Ｂ（青）の光を発生する発光層６３を有する画素については、その画素の平坦化絶縁膜（不図示）は青に着色される。
【００３６】
例えば、赤の平坦化絶縁膜１７Ｒは、赤の着色材料を含有する感光性樹脂から成る。その形成方法は、赤の着色材料を含有する感光性樹脂を全面に塗布し、その後、フォトリソ工程により、当該感光性樹脂をＲの画素列に合わせてストライプ状に残存させることで形成する。緑、青の平坦化絶縁膜についても同様に形成することができる。
【００３７】
これにより、例えばＲ（赤）の画素において、カソード層６５による光の反射が生じても、その反射光は平坦化絶縁膜１７Ｒを通して、絶縁性基板１０から外部に射出されるため、その反射光は、発光層６３と同色となる。このため、表示のコントラストが向上する。
【００３８】
上述したように、第１の実施形態では反射防止層７を形成し、デバイスガラス基板１の裏面から入射された光の反射を防止し、第２の実施形態では、平坦化絶縁膜１７を発光層が発生する光と同色に着色しているが、それらの構成を組み合わせてもよい。すなわち、反射防止層７を形成すると共に、平坦化絶縁膜１７を発光層が発生する光と同色に着色することで、両者の相乗効果によりさらに表示のコントラストが向上する。例えば、反射防止層７によって反射は抑えられるが、反射率が０％でなければ多少の反射光が生じる。その反射光は平坦化絶縁膜１７Ｒを通して、絶縁性基板１０から外部に射出されるため、発光層６３と同色となり、表示のコントラストが向上する。
【００３９】
次に、本発明の第３の実施形態について図６を参照しながら説明する。図６（ａ）は、図３中のＡ−Ａ線に対応する断面図、図６（ｂ）は、図３中のＢ−Ｂ線に対応する断面図である。なお、図６において、図４と同一の構成部分については同一の符号を付してその説明を省略する。
【００４０】
上述したように、反射防止層１８はデバイスガラス基板１の裏面から入射された光の反射を防止するものであるからカソード層３の下層であれば、発光層６３の形成領域を除き、デバイスガラス基板１のどこに形成されていてもよいが、本実施形態では、上述したスイッチング用ＴＦＴ３０及び駆動用ＴＦＴ４０の下層に、酸化クロム層１９（ＣｒＯ層）を形成した。具体的には、絶縁性基板１０上に、酸化クロム層１９を蒸着法やスパッタ法を用いて形成し、少なくともスイッチング用ＴＦＴ３０及び駆動用ＴＦＴ４０の形成領域に残すようにパターニングする。そして、前述した方法で、この酸化クロム層１９上にポリシリコン膜から成る能動層３３、４３を形成する。酸化クロム層１９の厚さは、約５００Åが適当であるが、これに限るものではない。
【００４１】
この酸化クロム層１９は、デバイスガラス基板１の裏面から入射された光の反射を防止するための反射防止層として機能するが、これに加えて、スイッチング用ＴＦＴ３０及び駆動用ＴＦＴ４０の能動層３３、４３への入射光を遮光する遮光層としても機能し、スイッチング用ＴＦＴ３０及び駆動用ＴＦＴ４０にホトカレントが流れるのを防止する効果も有する。
【００４２】
すなわち、そのような遮光層が無いと、デバイスガラス基板１の裏面からスイッチング用ＴＦＴ３０及び駆動用ＴＦＴ４０の能動層３３、４３に光が入射し、この光のエネルギーによって能動層３３、４３内にキャリアが生成する。するとスイッチング用ＴＦＴ３０及び駆動用ＴＦＴ４０がオフ状態に設定されていてもソースドレイン間にホトカレントが流れてしまい、表示コントラストの劣化が生じる。そこで、上記の酸化クロム層１９を形成することで、そのようなホトカレントの発生を抑制し、表示品位の向上を図ることができる。
【００４３】
以上に説明した実施形態は、有機ＥＬ素子６０から発生された光が、スイッチング用ＴＦＴ３０及び駆動用ＴＦＴ４０が形成されるデバイスガラス基板１を通って放出される、いわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置について説明した。しかし、本発明はこれに限らず、有機ＥＬ素子から発生された光が、デバイスガラス基板１の反対側から放出される、つまりデバイスガラス基板１を通さずに放出される、トップエミッション型の有機ＥＬ装置にも適用できる。
【００４４】
図７の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそのようなボトムエミッション型の有機ＥＬパネルの画素を示す断面図である。図４（ｂ）と同一の構成部分については同一符号を付して説明を省略する。
【００４５】
図７（ａ）に示すように、この有機ＥＬ素子７０は、アノード層７１（第１の電極層）、ホール輸送層、発光層、電子輸送層などを積層した有機層７３及びカソード層７５（第２の電極層）から構成される。ここで、カソード層７５は有機層７３からの発生する光を上方に放出するために、透明または半透明の電極材料で形成されている。アノード層７１は光を反射する金属材料で形成されているが、ＩＴＯのような透明電極材料で形成しても良いし、それらの組み合わせでも良い。反射防止層１８Ａは、アノード層７１またはカソード層７５よりも上方（光放出側）に、つまり、少なくともアノード層７１よりも上方に設けられる。
【００４６】
さらに詳しく言えば、反射防止層１８Ａはアノード層７１の端部をカバーし、平坦化絶縁膜１７上に延びている。反射防止膜１８Ａは、アノード層７１の端部による光の反射を防止するとともに、平坦化絶縁膜としても機能して、有機膜７３のカバレッジを向上させる。また、アノード層７１が透明電極材料から成る場合はアノード層７１の直下に反射防止層１８Ａを設けても良い。さらに、デバイスガラス基板１と封止ガラス基板４とを用いて封止する場合には、封止ガラス基板４の有機ＥＬ素子７０に対向する面上に反射防止層１８Ａを設けても良い。
【００４７】
また、図７（ｂ）に示すように、アノード層７１がホール輸送層、発光層、電子輸送層などを積層した有機層７３に接触する面積を制限するような第２の平坦化絶縁膜７６を形成する場合、この第２の平坦化絶縁膜７６は第２の実施形態と同様に、有機層７３が発する光と同色に着色されている。さらに、図７（ｃ）に示すように、駆動用ＴＦＴ４０の上方であり、これに対応するカソード層７５上の領域に遮光層１９Ａを形成する。なお図示しないが、スイッチング用ＴＦＴ３０の上方にも同様に遮光層１９Ａを形成する。
【００４８】
図７（ｃ）では、遮光層１９Ａは例えば酸化クロムで形成されている。これにより、第３の実施形態と同様に、反射防止効果やスイッチング用ＴＦＴ３０及び駆動用ＴＦＴ４０にホトカレントが流れることが防止される。なお図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）においては、アノード層７１はカソード層７５の下に形成されているが、この関係は逆になっていても良い。
【００４９】
【発明の効果】
本発明によれば、絶縁性基板上に、アノード層、発光層及びカソード層を有するエレクトロルミネッセンス素子が形成されると共に、前記発光層が前記カソード層で被覆されたエレクトロルミネッセンス表示装置において、前記カソード層による光の反射を防止する反射防止層が形成されているので、カソード層による反射が防止され、表示のコントラストが向上する。
【００５０】
また、本発明によれば、絶縁性基板上に、アノード層、発光層及びカソード層を有するエレクトロルミネッセンス素子が形成されると共に、前記発光層が前記カソード層で被覆されたエレクトロルミネッセンス表示装置において、少なくとも前記カソード層の下層に、前記発光層と同色の着色層が形成されているので、カソード層による光の反射が生じても、その反射光は発光層と同色となるので、表示のコントラストが向上する。
【００５１】
さらに、本発明によれば、エレクトロルミネッセンス素子を駆動するためのＴＦＴへの光を遮光する機能を有する酸化クロム層を設けたので、この酸化クロム層により反射防止が成されると共に、ＴＦＴにホトカレントが流れるのを防止し、更に表示のコントラストを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルを示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係るＲ，Ｇ，Ｂに対応した、各画素６Ｒ，６Ｇ，６Ｂの概略の平面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの画素付近を示す平面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの画素の断面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの画素の断面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの画素の断面図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係るボトムエミッション型の有機ＥＬパネルの画素を示す断面図である。
【図８】従来例に係る有機ＥＬ表示パネルの断面図である。
【符号の説明】
１　デバイスガラス基板　　　２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ　発光層
３　カソード層　　　　　　　４　封止ガラス基板　　　５　シール樹脂
６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ　画素　　　７　反射防止層　　　　　１０　絶縁性基板
１２　ゲート絶縁膜　　　　　１５　層間絶縁膜　　　　１７　平坦化絶縁膜
１８　反射防止層　　　　　　１９　酸化クロム層
３０　スイッチング用ＴＦＴ　　　　　　　　　　　　　３１　ゲート電極
３２　ゲート絶縁膜　　　　　３３　能動層　　　　　　３６　ドレイン電極
４０　駆動用ＴＦＴ　　　　　４１　ゲート電極　　　　４３　能動層
５１　ゲート信号線　　　　　５２　ドレイン信号線　　５３　駆動電源線
５４　保持容量電極線　　　　５５　容量電極　　　　　５６　保持容量
６０　有機ＥＬ素子　　　　　６１　アノード層　　　　６２　ホール輸送層
６３　発光層　　　　　　　　６４　電子輸送層　　　　６５　カソード層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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