(57)【要約】【課題】気槽式の半田リフロー炉の加熱による各種部品への影響を評価するための加熱試験を行うことができる装置を提供すること。【解決手段】予備加熱槽１０と本加熱槽２０とを設け、これら液槽１０，２０内の熱媒液１３，２３の温度を、リフロー炉の温度プロファイルにより決定される予備加熱温度と本加熱温度に相当する温度に保持したうえで、これの熱媒液１３，２３に対して、被試験部品７をそれぞれ予備加熱区間と本加熱区間に相当する時間を浸漬することで、リフロー炉の温度プロファイルと同じ温度遷移で被試験部品７のリフロー加熱試験を行うことが可能になる。【選択図】        図１
2004286713.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱媒液が注入される複数の液槽と、
前記複数の液槽に注入される熱媒液ごとについて、所要温度が保持されるように制御する温度制御手段と、
前記複数の液槽に注入されている熱媒液の間で、熱媒液に浸漬させるべき被試験部品を移送可能な移送手段と、
から構成されていることを特徴とするリフロー加熱試験装置。
【請求項２】
前記温度制御手段は、
前記被試験部品を加熱するための所要の加熱温度を、加熱用の液槽に注入されている熱媒液に対して設定すると共に、前記加熱用の液槽により加熱された前記被試験部品を冷却するための所要の冷却温度を、冷却用の液槽に注入されている熱媒液に対して設定するようにされている、
ことを特徴とする請求項１に記載のリフロー加熱試験装置。
【請求項３】
前記所要温度は、
前記被試験部品を対象としてリフロー加熱試験を行う場合に設定される加熱条件に基づいて決定される温度であることを特徴とする請求項１に記載のリフロー加熱試験装置。
【請求項４】
複数の液槽に注入される熱媒液について、前記被試験部品を対象としてリフロー加熱試験を行う場合に設定される加熱条件に基づいて決定される温度が保持されるように設定する温度制御手順と、
前記複数の液槽のうちの所要の液槽ごとに対して、前記加熱条件に基づく順序で、且つ、前記加熱条件に基づく時間長により、前記被試験部品を浸漬させる浸漬手順とを、
少なくとも行うようにしたことを特徴とするリフロー加熱試験方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば気槽式のリフロー炉とほぼ同じ温度状態で加熱を行うことができるリフロー加熱試験装置と、そのようなリフロー加熱試験装置を利用したリフロー加熱試験方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から半導体部品などのチップ部品をプリント配線基板に半田付けするときは、例えば所要位置に塗布されたソルダーペースト上にチップ部品が搭載されたプリント配線基板を半田リフロー炉により加熱する。すると、プリント配線基板上のソルダーペーストが溶融し、この溶融した半田が冷めることでプリント配線基板の所要位置にチップ部品が半田付けされることになる。
このようなチップ部品の半田付けには、例えば炉内を赤外線やホットエアーにより加熱する気槽式の半田リフロー炉が一般的に利用されている。
【０００３】
ところで、上記のような気槽式の半田リフロー炉（以下、単に「リフロー炉」と表記する）を利用して各種チップ部品などをプリント配線基板に半田付けする場合には、リフロー炉の加熱がチップ部品に与える影響を評価することが求められている。
【０００４】
特に、近年のプリント配線基板は、その両面にチップ部品を半田付けするように設計されているうえ、プリント配線基板に半田付けする部品自体が、予め複数のチップ部品を半田付けして形成したモジュール部品であるものも多い。
【０００５】
このため、部品によっては、チップ部品を半田付けしてモジュール部品を構成するまでに数回、さらにプリント配線基板にモジュール部品を半田付するときに数回、リフロー炉内で加熱されるものもある。このような場合には、リフロー炉内の加熱がチップ部品に大きな影響を与え、例えばチップ部品のパッケージにクラックが発生して性能の劣化を早めることなどが十分に考えられる。
【０００６】
そこで、従来、リフロー炉による加熱の影響度を評価したい部品を、炉内の温度を、実際にリフロー炉でプリント配線基板に半田付けするのと、ほぼ同じに温度調整がされたリフロー炉で部品を加熱するようにした。
リフロー炉内の温度調整方法としては、例えば温度プロファイル測定用のプリント配線基板に熱電対などを取り付け、そのプリント配線基板をリフロー炉内の移動させることでリフロー炉内の温度を測定して、その測定結果に基づいて、リフロー炉内の温度調整を行うことが特許文献１などに記載されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−２７７９０６号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のようにしてリフロー炉を利用して評価したい部品を加熱した場合はリフロー炉内の温度が部品の形状や熱容量などの影響を受け易く、部品ごとにリフロー炉内の温度分布が異なるものとされる。
このため、リフロー炉を利用して評価したい部品を、プリント配線基板に半田付けするときと同じ或る温度プロファイルとなるように加熱するには、部品ごとにリフロー炉内の温度調整を行う必要がある。またリフロー炉内の温度は外気温の影響を受け易いため、リフロー炉を利用して部品を加熱する場合にはリフロー炉が設置されている室内の温度なども管理する必要もある。
このように、従来、リフロー炉を利用してリフロー温度試験を行う場合は、部品ごとに、プリント配線基板に対して、部品を半田付けするときの温度プロファイルに忠実なリフロー環境を作ることは難しくまた非常に面倒であった。
【０００９】
このため、リフロー炉とほぼ同じ温度状態で加熱することができる加熱試験装置が求められていた。なお、以下本明細書では、このような加熱試験装置のことを「リフロー加熱試験装置」と表記することとする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
そこで、上記したような点を鑑みてなされたものであり、本発明のリフロー加熱試験装置は、熱媒液が注入される複数の液槽と、複数の液槽に注入される熱媒液ごとについて、所要温度が保持されるように制御する温度制御手段と、複数の液槽に注入されている熱媒液の間で、熱媒液に浸漬させるべき被試験部品を移送可能な移送手段とから構成するようにした。
【００１１】
また本発明のリフロー加熱試験方法は、複数の液槽に注入される熱媒液について、前記被試験部品を対象としてリフロー加熱試験を行う場合に設定される加熱条件に基づいて決定される温度が保持されるように設定する温度制御手順と、複数の液槽のうちの所要の液槽ごとに対して、加熱条件に基づく順序で、且つ、加熱条件に基づく時間長により、前記被試験部品を浸漬させる浸漬手順とを少なくとも行うようにした。
【００１２】
本発明のリフロー加熱試験装置の構成では、複数の液槽ごとに熱媒液を所要温度に保持することが可能とされる。そして、このようにして温度が保持された熱媒液の間で、移送手段により被試験部品を移送させるようにすることで、実際のリフロー加熱試験が行われる。このような構成により、例えば、リフロー加熱試験の対象である被試験部品についての条件が予め設定されている場合においては、この試験のための条件に対応させるようにして液槽ごとの熱媒液の温度を保持させた環境のもとで、被試験部品を熱媒液に浸漬させて加熱させることが可能となる。
【００１３】
また本発明のリフロー加熱試験方法によれば、複数の液槽に注入される熱媒液について、被試験部品を対象としてリフロー加熱試験を行う場合に設定される加熱条件に基づいて決定される温度が保持されるように設定し、複数の液槽のうちの所要の液槽ごとに対して、加熱条件に基づいた順序で、且つ、加熱条件に基づいた時間長により、被試験部品を浸漬することで、上記加熱条件とほぼ同じ温度遷移で被試験部品を加熱することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本実施の形態のリフロー加熱試験装置全体の構成を示した図である。
この図１に示す本実施の形態のリフロー加熱試験装置１は、予備加熱槽１０と本加熱槽２０という２つの液槽と、この予備加熱槽１０から本加熱槽２０に被試験部品７を移送する移送手段である移送装置２とから構成される。
【００１５】
被試験部品７としては、気槽式リフロー炉を利用して、プリント配線基板に半田付けされる、例えば半導体部品を含む各種チップ部品とされる。なお、マザーボードなどのプリント配線基板自体を被試験部品７として試験することも可能である。
【００１６】
予備加熱槽１０は、その内部に注入されている熱媒液１３を第１の温度である予備加熱温度に保持するようにされる。
このため、予備加熱槽１０には、熱媒液１３を加熱するためのヒータ１１と熱媒液１３の温度を検出するための温度センサ１２が取り付けられている。
なお、ここでいう予備加熱温度とは、リフロー炉によりチップ部品をプリント配線基板に半田付けするときに、実際にチップ部品をプリント配線基板に半田付けする前に、チップ部品やプリント配線基板を予備的に加熱するための温度であり、通常は１５０℃前後の温度とされる。
【００１７】
熱媒液１３は、被試験部品７に熱を伝える液状の媒体であり、この場合は、金属と殆ど反応しない不活性で、且つ、予備加熱温度でも気化しない液体、例えばフッ素系不活性液として知られているガルデンを用いるようにされる。なお、熱媒液１３は、不活性液で予備加熱温度（１５０℃前後）で気化しない液体であればガルデン以外の液体でも良い。
【００１８】
本加熱槽２０は、その内部に注入されている熱媒液２３を第２の温度である本加熱温度に保持するようにされる。
このため、本加熱槽２０にも熱媒液２３を加熱するためのヒータ２１と、熱媒液２３の温度を検出するための温度センサ２２が取り付けられている。
なお、本加熱温度とは、気槽式リフロー炉を用いて各種チップ部品をプリント配線基板に実際に半田付けするときにプリント配線基板に塗布したソルダーペーストを溶融させる温度であり、通常は２３０℃〜２５０℃前後の温度とされる。
【００１９】
熱媒液２３も、被試験部品７に熱を伝える液状の媒体であり、この場合も、金属と殆ど反応しない不活性で、本加熱温度（２３０℃〜２５０℃）でも気化しないガルデンなどが用いられる。
なお、熱媒液２３も、金属と殆ど反応しない不活性で、本加熱温度でも気化しない液体であればガルデン以外の液体を用いることが可能である。また、熱媒液２３として例えば半田などを用いることも可能である。
【００２０】
移送装置２は、例えば支持棒３を垂直方向に移動させることができる垂直移動部４と、垂直移動部４自体を水平方向に移動させることができる水平移動部５とからなる。支持棒３の先端部には被試験部品７を収納するための試料かご６が取り付けられている。
そして、このような試料かご６の内部に被試験部品７を収納しておくことで、図示するように、被試験部品７を予備加熱槽１０内の熱媒液１３に浸漬するように移送することができる。また本加熱槽２０内の熱媒液２３にも浸漬するように移送することができるようにされる。
【００２１】
図２は、上記図１に示したようなリフロー加熱試験装置１の駆動を制御する駆動制御系の構成を示したブロック図である。
この図２において、制御部３１は、操作部３２からの操作情報などに基づいて、リフロー加熱試験装置１全体の制御を行う。
制御部３１は、操作部３２から、予備加熱槽１０の予備加熱温度と、本加熱槽２０の本加熱温度についての温度情報が入力されたときは、予備加熱槽１０内の熱媒液１３と本加熱槽２０内の熱媒液２３が、それぞれ入力温度となるように制御を行う。
【００２２】
例えば予備加熱槽１０の温度制御を行う場合は、温度センサ１２により熱媒液１３の温度を検知し、その温度検知結果に基づいて、ヒータ駆動部３３によりヒータ１１のオン／オフすることで、予備加熱槽１０内の熱媒液１３の温度を入力された予備加熱温度に保つようにしている。
【００２３】
同様に、本加熱槽２０の温度制御を行う場合は、温度センサ２２により熱媒液２３の温度検知を行い、その温度検知結果に基づいて、ヒータ駆動部３４によりヒータ２１のオン／オフ制御を行うことで、本加熱槽２０内の熱媒液２３の温度を入力された本加熱温度に保つようにしている。
【００２４】
また制御部３１は、操作部３２から、試料かご６に収納した被試験部品７を予備加熱槽１０内の熱媒液１３に浸漬しておく浸漬時間と、本加熱槽２０内の熱媒液２３に浸漬しておく浸漬時間が入力されたときは、その入力情報に基づいて、移送装置２の駆動制御を行うようにされる。移送装置２の駆動制御は移送駆動部３５を介して行うようにされる。
【００２５】
このように本実施の形態のリフロー加熱試験装置１は、予備加熱槽１０と本加熱槽２０という２つの液槽を設け、これら２つの液槽１０，２０内の熱媒液１３，２３の温度管理をそれぞれ独立して行うことができるように構成されているものである。また、移送装置２の支持棒３の先端部に取り付けた試料かご６に被試験部品７を収納しておくことで、この被試験部品７を予備加熱槽１０の熱媒液１３に浸漬する浸漬時間と、本加熱槽２０の熱媒液２３に浸漬する浸漬時間を管理することができるように構成されているものである。
そして、本実施の形態では、このようなリフロー加熱試験装置１を利用して、気槽式リフロー炉による各種チップ部品をプリント配線基板に半田付けするとき品質を確保することができる所定の加熱条件である温度プロファイルを再現して、各種チップ部品などのリフロー加熱試験を行うようにしたものである。
【００２６】
ここで、図３はリフロー炉により或るチップ部品をプリント配線基板に半田付けするときの温度プロファイルと、本実施の形態のリフロー加熱試験装置１により或るチップ部品を加熱したときの温度遷移を示した図である。
また図３には、本実施の形態のリフロー加熱試験装置１による加熱との比較として従来のＩＲリフローを利用してチップ部品を加熱したときの温度遷移の一例が示されている。
【００２７】
この図３に示す温度プロファイルは、例えば１５０℃前後の予備加熱温度で加熱する予備加熱区間Ａと、例えば２３０℃〜２５０℃前後の本加熱温度で加熱する本加熱区間Ｂとからなる。
従って、このような温度プロファイルのもとで、リフロー炉によりチップ部品の半田付けが行われているとすると、この温度プロファイルに則った温度遷移で部品を加熱することが望ましいとされる。
しかし、従来のように、例えば赤外線を利用した赤外線リフロー炉（ＩＲリフロー）を利用して被試験部品７を加熱した場合には、例えばリフロー炉の各部の温度設定をプリント配線基板に被試験部品７としての部品を半田付けするときと同じ温度に設定しても、図３に破線で示すような温度遷移になってしまうことがある。つまり、部品をプリント配線基板に半田付けするときと同じ温度設定で、部品単体を加熱すると、先においても説明したが、部品の形状や熱容量などによって、部品をプリント配線基板に半田付けするときの温度遷移とは異なる温度遷移になってしまう。
例えば、図３に示す場合は、予備加熱温度に到達するまでに時間がかかり予備加熱時間が短くなっている。また予備加熱温度に到達したとされる状態であっても、被試験部品７の温度は予備加熱温度で安定せずに変動したものとなっている。さらに、予備加熱温度から本加熱温度に達するまでに時間を要しているうえ、本加熱温度で加熱されている時間も極端に短くなっている。
【００２８】
そこで、本実施の形態では、リフロー加熱試験装置１の予備加熱槽１０を利用して、上記図３に示した温度プロファイルの予備加熱区間Ａに相当する区間と、本加熱槽２０を利用して温度プロファイルの本加熱区間Ｂに相当する区間とを形成することで、実際の温度プロファイルに近い温度状態ものとでリフロー温度試験を行うようにしたものである。
【００２９】
つまり、図３に示すように、予備加熱槽１０内の熱媒液１３の温度を予備加熱温度（例えば１５０℃前後）に設定すると共に、本加熱槽２０内の熱媒液２３の温度を本加熱温度（２３０〜２５０℃前後）に設定にする。さらに、図３に示した温度プロファイルの予備加熱区間Ａと本加熱区間Ｂのそれぞれの時間に、移送装置２が被試験部品７を予備加熱槽１０内の熱媒液１３に被試験部品７を浸漬する浸漬時間ａと、本加熱槽２０内の熱媒液２３に被試験部品７を浸漬する浸漬時間ｂを設定するようにしている。
【００３０】
このように設定したリフロー加熱試験装置１によってリフロー加熱試験を行うようにすれば、被試験部品７を加熱するための熱媒体がともに液体であることから、被試験部品７の形状や熱容量の影響を殆ど受けることなく、被試験部品７の温度を確実に所定温度に設定することができるようになる。また、周囲温度の影響も殆ど受けることがないという利点もある。
つまり、本実施の形態のリフロー加熱試験装置１を利用して被試験部品７のリフロー加熱試験を行うと、被試験部品７を図３に示すような温度遷移で加熱することができ、上記図３に示した温度プロファイルとほぼ同じ温度遷移で、被試験部品７を加熱することができるようになる。
【００３１】
また、上記のように設定したリフロー加熱試験装置１を利用して被試験部品を加熱すると、ほぼ同一の温度条件で繰り返し加熱することが可能になり、リフロー加熱試験の試験精度の向上を図ることができる。
これにより、例えば被試験部品７のパッケージにクラックなどが発生しないリフロー回数を求めることができるようになる。つまり、部品ごとに、リフロー炉により加熱することができるリフロー回数などを求めることなどができるようになる。
【００３２】
なお、従来からチップ部品を低温（例えば０℃〜−６５℃）の熱媒液と、高温（例えば７０℃〜１５０℃）の熱媒液に交互に繰り返し浸漬する試験装置として液槽式の熱衝撃試験装置などが知られている。
このような熱衝撃試験装置を利用した熱衝撃試験は、部品の温度ストレスに対する耐熱性、物理的、電気的特性の変化を、短時間で評価するための試験とされる。これに対して、本実施の形態のリフロー加熱試験装置１を利用したリフロー加熱試験はリフロー炉の加熱による部品の物理的及び電気的特性の影響度を評価するための試験とされる。
【００３３】
従って、リフロー加熱試験と熱衝撃試験では、部品の物理的及び電気的特性の評価するという点では一致するが、リフロー加熱試験がリフロー炉での加熱環境における部品への影響度を評価するための試験であるのに対して、熱衝撃試験は部品そのものについての温度ストレスを評価するための試験であるという点が異なるものとされる。よって、本実施の形態のリフロー加熱試験装置と熱衝撃試験装置では熱媒液の温度や熱媒液中に部品を浸漬する浸漬時間なども異なるものである。
【００３４】
図４は、本実施の形態のリフロー加熱試験装置の他の構成例を示した図である。
なお、図１と同一部位には同一番号を付して詳細な説明は省略する。
この図４に示すリフロー加熱試験装置５０では、上記した予備加熱槽１０と本加熱槽２０に加えて、第３の液槽である冷却槽４０を設けるようにしている。
【００３５】
冷却槽４０は、その内部に注入されている熱媒液４３を第３の温度である冷却温度に保持するようにされる。
また冷却槽４０にも熱媒液４３の温度を例えば６０℃前後に保つために熱媒液４３を加熱するためのヒータ４１と、熱媒液４３の温度を検知する温度センサ４２が設けられている。なお、冷却槽４０においてはヒータ４１や温度センサ４２は必ずしも設ける必要はない。
【００３６】
なお、冷却温度は、本加熱槽２０で本加熱温度（２３０℃〜２５０℃前後）まで加熱されている被試験部品７を次の作業工程に支障のない温度、例えば常温〜６０℃であれば良い。
【００３７】
このようにリフロー加熱試験装置５０を構成した場合も、予備加熱槽１０と本加熱槽２０という２つの液槽の熱媒液１３，２３によって、半田リフロー炉の温度プロファイルにしたがった温度遷移で被試験部品７を加熱する。
そしてその後、冷却槽４０の熱媒液４３に被試験部品７を浸漬して被試験部品７を冷却するようにしている。
従って、このようなリフロー加熱試験装置５０を利用して被試験部品７を加熱した場合には、短時間で被試験部品７を冷却することができ、被試験部品を次の評価工程などへ素早く移行させることができるという利点がある。
【００３８】
図５は、これまで説明した本実施の形態のリフロー加熱試験装置によるリフロー加熱試験の作業手順を示した図である。
本実施の形態のリフロー加熱試験装置１（５０）を用いて、リフロー加熱試験を行う場合には、先ず、工程Ｓ１として、予備加熱槽１０と本加熱槽２０内の熱媒液１３，２３をそれぞれ所定温度に設定する。即ち、上記図３に示した温度プロファイルに則って、予備加熱槽１０内の熱媒液１３の温度を予備加熱温度に合わせて設定すると共に、本加熱槽２０内の熱媒液２３の温度を本加熱温度に設定するようにされる。
【００３９】
次に、工程Ｓ２として、被試験部品７を予備加熱槽１０の熱媒液１３に所定の浸漬時間ａだけ浸漬するようにしている。即ち、図３に示したリフロー炉の温度プロファイルの予備加熱区間Ａに相当する時間長だけ、被試験部品７を予備加熱槽１０の熱媒液１３に浸漬するようにしている。
【００４０】
そして、次の工程Ｓ３において、被試験部品７を本加熱槽２０の熱媒液２３に所定の浸漬時間ｂだけ浸漬するようにしている。即ち、リフロー炉の本加熱区間Ｂに相当する時間長だけ、被試験部品７を本加熱槽２０の熱媒液２３に浸漬するようにしている。
【００４１】
これにより、本実施の形態のリフロー加熱試験装置１を用いて、被試験部品７を気槽式リフロー炉内により１回加熱したときと、ほぼ同じ温度状態で被試験部品７を加熱することができるようになる。
【００４２】
また、図４に示すようなリフロー加熱試験装置５０を用いてリフロー加熱試験を行う場合には、工程Ｓ４として、本加熱槽２０の熱媒液２３に浸漬時間ｂだけ浸漬させた被試験部品７を、冷却槽４０の熱媒液４３に所要の冷却時間だけ浸漬すれば良い。なお、この場合の冷却時間は、冷却槽４０の熱媒液４３によって被試験部品７を次の作業工程に支障のない温度まで冷却できる時間長であれば良い。
【００４３】
なお、上記図５に示した本実施の形態のリフロー加熱試験装置を利用したリフロー加熱試験方法は、作業者が各液槽１０，２０の温度と、各液槽１０，２０に対して被試験部品７を浸漬する浸漬時間ａ，ｂを予め設定（プログラム）できるように構成することも可能である。このように構成した場合は、例えば制御部３１が、各液槽１０，２０に取り付けられている温度センサ１２，２２の温度検出結果により、各液槽１０，２０内の熱媒液１３，２３の温度が、それぞれ所定の温度に達した時点で移送装置２を動作させることができる。このようにすれば、試料かご６に収納した被試験部品７のリフロー加熱試験を自動的に行うことが可能になる。また移送装置２を用いることなく手作業で被試験部品７を液槽１０，２０に所定時間、浸漬することも可能である。
【００４４】
また、本実施の形態において説明したリフロー加熱試験装置は、あくまでも一例であり、本発明のリフロー加熱試験装置としては、さらに複数（４以上）の液槽を設けるようにしても良い。例えば温度プロファイルが上記したような予備加熱温度と本加熱温度以外の温度区間を有している場合などにおいては、液槽の数を増やすことで、そのような温度プロファイルにより近い温度遷移を実現することが可能になる。
【００４５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のリフロー加熱試験装置によれば、複数の液槽ごとに熱媒液を所要温度に保持することが可能に構成される。そして、このようにして温度が保持された熱媒液の間で、移送手段により被試験部品を移送させるようにすることで、実際のリフロー加熱試験が行われる。
このような構成により、例えば、リフロー加熱試験の対象である被試験部品についての条件が予め設定されている場合においては、この試験のための条件に対応させるようにして液槽ごとの熱媒液の温度を保持させた環境のもとで、被試験部品を熱媒液に浸漬させて加熱させることが可能となる。
この結果、被試験部品の形状や熱容量に関わらず、被試験部品を所要温度まで容易に加熱することができるようになる。
【００４６】
また、本発明のリフロー加熱試験方法によれば、複数の液槽に注入される熱媒液について、被試験部品を対象としてリフロー加熱試験を行う場合に設定される加熱条件に基づいて決定される温度が保持されるように設定し、複数の液槽のうちの所要の液槽ごとに対して、加熱条件に基づいた順序で、且つ、加熱条件に基づいた時間長により、被試験部品を浸漬することで、上記加熱条件とほぼ同じ温度遷移で被試験部品を加熱することができる。また、その温度精度をより向上させることが可能になるという利点もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態のリフロー加熱試験装置全体の構成を示した図である。
【図２】本実施の形態のリフロー加熱試験装置の制御系の構成を示したブロック図である。
【図３】本実施の形態のリフロー加熱試験装置により或る部品を加熱したときの温度遷移と、ＩＲリフローを利用してチップ部品を加熱したときの温度遷移、及びプリント配線基板に半田付けするときの温度プロファイルを示した図である。
【図４】本実施の形態のリフロー加熱試験装置の他の構成例を示した図である。
【図５】本実施の形態のリフロー加熱試験装置によるリフロー加熱試験の作業手順を示した図である。
【符号の説明】
１  ５０  リフロー加熱試験装置、２  移送装置、３  支持棒、４  垂直移動部、５  水平移動部、６  試料かご、７  被試験部品、１０  予備加熱槽、１１２１  ４１  ヒータ、１２  ２２  ４２温度センサ、１３  ２３  ４３  熱媒液、２０  本加熱槽、３１  制御部、３２  操作部、３３  ３４  ヒータ駆動部、３５  移送駆動部、４０  冷却槽
【図１】
2004286713.tif 000003
【図２】
2004286713.tif 000004
【図３】
2004286713.tif 000005
【図４】
2004286713.tif 000006
【図５】
2004286713.tif 000007