(57)【要約】【課題】圧電性基板ウエハーを切断して各弾性表面波素子に分割する際に発生するチッピングを抑制する。【解決手段】圧電性基板の一方主面に電極パターンを形成した弾性表面波素子において、前記電極パターンの形成領域よりも外側に、圧電性基板の外周縁より離間してチッピング抑制パターンを形成する。【選択図】図１
2004235705.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電性基板の一主面に少なくとも一つのＩＤＴ電極を含む電極パターンを被着させてなる弾性表面波素子において、前記圧電性基板の一主面上で、前記電極パターンの形成領域よりも外側に、圧電性基板の外周縁より離間して配されるチッピング抑制パターンを該外周縁に沿って被着させたことを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項２】
前記チッピング抑制パターン材料の延性並びに靭性が前記圧電性基板材料の延性並びに靭性に比し大となしてあることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波素子。
【請求項３】
前記チッピング抑制パターンと、前記電極パターンの少なくとも一部とが、同質の導電材料により形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の弾性表面波素子。
【請求項４】
前記圧電性基板の一主面に、前記電極パターン及び前記チッピング抑制パターンを被覆する保護膜が被着され、該保護膜が前記チッピング抑制パターンよりも外側の領域で前記圧電性基板の主面に対し被着されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の弾性表面波素子。
【請求項５】
前記チッピング抑制パターンが前記電極パターンを囲繞するように形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の弾性表面波素子。
【請求項６】
前記チッピング抑制パターンが２重もしくは３重に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の弾性表面波素子。
【請求項７】
複数の区画を有する圧電性母基板の一主面上で、各区画の内側に、少なくとも一つのＩＤＴ電極を含む電極パターンと、該電極パターンの形成領域の外側に、隣接する区画の境界より所定の距離だけ離間させて配したチッピング抑制パターンとを被着させる工程Ａと、
前記圧電性母基板を隣接する区画の境界に沿ってブレードでダイシングすることにより区画毎に分割し、該区画と１対１に対応する複数個の弾性表面波素子を同時に得る工程Ｂと、を含む弾性表面波素子の製造方法。
【請求項８】
前記工程Ａにおいて、前記電極パターンと前記チッピング抑制パターンとが同一の薄膜プロセスもしくは厚膜プロセスにて同時に形成されることを特徴とする請求項７に記載の弾性表面波素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば携帯電話等の移動体通信機器や車載用機器、医療用機器等に用いられる弾性表面波素子及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
弾性表面波共振器や弾性表面波フィルタ等の弾性表面波装置は、マイクロ波帯を利用する各種無線通信機器や車載用機器、医療用機器等に幅広く用いられている。
【０００３】
かかる従来の弾性表面波装置に用いられる弾性表面波素子としては、圧電性基板の一主面上に、櫛歯状電極を対向配置させてなるＩＤＴ（インタデジタル・トランスデューサ）電極やその両側に反射器電極等を被着・形成した構造のものが知られており、前記ＩＤＴ電極に所定の電力を印加し、圧電性基板の一主面上でＩＤＴ電極の電極指ピッチに対応した所定の弾性表面波を発生させることによって弾性表面波素子として機能するようになっている。
【０００４】
また、このような従来の弾性表面波素子は、以下のような“多数個どり”の手法にて製造するのが一般的であった。
【０００５】
まず、複数の区画を有する、圧電性を有する母基板（以下、圧電性母基板と称する）の一主面を複数の区画に区分するとともに、該各区画内に、少なくとも一つのＩＤＴ電極を含む電極パターンを形成し、次に、前記圧電性母基板を隣接する区画の境界に沿ってブレードでダイシングすることにより個々の圧電性基板毎に分割する。これにより、各区画と一対一に対応する複数個の弾性表面波素子が同時に得られる。
【０００６】
ところが、上述した従来の弾性表面波素子は、その製造工程において以下のような問題を有していた。
【０００７】
即ち、弾性表面波素子に用いられる圧電性母基板には、例えばタンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム単結晶、四ホウ酸リチウム単結晶、水晶等の圧電性の単結晶や、チタン酸鉛、ジルコン酸鉛等の圧電セラミクスが用いられる。しかし、いずれも延性が小さく、塑性変形を起こしにくい材料であるため、圧電性母基板をダイシングして各弾性表面波素子に分割する際に、切断部にチッピングが生じやすい。
【０００８】
よって、チッピングによる電極パターンの損傷を防ぐために、切断部と電極パターンとの間に大きなスペースが必要となり、弾性表面波素子が大型化するという問題があった。また、チッピングによって生じた大きな破片が飛散し、ＩＤＴ電極を損傷するという問題もあった。
【０００９】
故に、圧電性母基板をダイシングする際に発生するチッピングを抑制すべく、弾性表面波素子の構造及び製造工程において様々な試みがなされてきた。
【００１０】
例えば、圧電性母基板のダイシング位置にダイシングブレードより幅広の切断パターンを設け、切断パターンを介して圧電性母基板をダイシングするもの（例えば、特許文献１参照）や、圧電性母基板に、ダイシングされる領域を避けて吸音材を塗布するもの（例えば、特許文献２参照）や、圧電性母基板全体に感光性樹脂を塗布し、感光性樹脂膜を介して圧電性母基板をダイシングするもの（例えば、特許文献３参照）等が知られている。
【００１１】
【特許文献１】
特開平５−１５２８７９号公報  （図１）
【特許文献２】
特開平９−２７０６５４号公報  （図１）
【特許文献３】
特開平９−１９９９６６号公報  （図１）
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したチッピングの抑制方法は、それぞれ問題を有していた。
【００１３】
即ち、特許文献１に記載の弾性表面波素子の製造方法においては、切断パターン上をダイシングすることにより、表面に導電性を有する切断パターンが付着した破片が飛散する。そのため、飛散した破片がＩＤＴ電極に接触すると、異なる電位の電極指同士が短絡することによりショート不良が発生する欠点を有していた。
【００１４】
また、特許文献２に記載の弾性表面波素子の製造方法は、ダンピング樹脂が必要なトランスバーサル型フィルタには適用可能であるが、それ以外の、ダンピング樹脂を必要としない弾性表面波装置には適用不可能であった。
【００１５】
更に、特許文献３に記載の弾性表面波素子の製造方法においては、感光性樹脂膜が弾性表面波を励振するＩＤＴ電極上にも形成される。それ故、チッピング抑制作用を向上させるために感光性樹脂膜の厚みを厚くすると、ＩＤＴ電極上で弾性表面波が減衰されて電気特性が悪化し、逆に、感光性樹脂膜の厚みを薄くすると、弾性表面波の減衰による電気特性の劣化は回避できるが、チッピングを抑制する効果が不十分になってしまい、チッピング抑制効果と電気特性とを両立させることが困難であった。
【００１６】
本発明は上述の課題に鑑みて案出されたものであり、その目的は、圧電性母基板をダイシングして個々の弾性表面波素子に分割する際に発生するチッピングを新たな問題を生じることなく有効に抑制し、小型で高性能かつ信頼性の高い弾性表面波素子及びその製造方法を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明の弾性表面波素子は、圧電性基板の一主面に少なくとも一つのＩＤＴ電極を含む電極パターンを被着させてなる弾性表面波素子において、前記圧電性基板の一主面上で、前記電極パターンの形成領域よりも外側に、圧電性基板の外周縁より離間して配されるチッピング抑制パターンを該外周縁に沿って被着させたことを特徴とするものである。
【００１８】
また、本発明の弾性表面波素子は、前記チッピング抑制パターン材料の延性並びに靭性が前記圧電性基板材料の延性並びに靭性に比し大となしてあることを特徴とするものである。
【００１９】
更に、本発明の弾性表面波素子は、前記チッピング抑制パターンと、前記電極パターンの少なくとも一部とが、同質の導電材料により形成されていることを特徴とするものである。
【００２０】
また更に、本発明の弾性表面波素子は、前記圧電性基板の一主面に、前記電極パターン及び前記チッピング抑制パターンを被覆する保護膜が被着され、該保護膜が前記チッピング抑制パターンよりも外側の領域で前記圧電性基板の主面に対し被着されていることを特徴とするものである。
【００２１】
更にまた、本発明の弾性表面波素子は、前記チッピング抑制パターンが前記電極パターンを囲繞するように形成されていることを特徴とするものである。
【００２２】
また更に、本発明の弾性表面波素子は、前記チッピング抑制パターンが２重もしくは３重に形成されていることを特徴とするものである。
【００２３】
そして本発明の弾性表面波素子の製造方法において、複数の区画を有する圧電性母基板の一主面上で、各区画の内側に、少なくとも一つのＩＤＴ電極を含む電極パターンと、該電極パターンの形成領域の外側に、隣接する区画の境界より所定の距離だけ離間させて配したチッピング抑制パターンとを被着させる工程Ａと、前記圧電性母基板を隣接する区画の境界に沿ってブレードでダイシングすることにより区画毎に分割し、該区画と１対１に対応する複数個の弾性表面波素子を同時に得る工程Ｂと、を含むことを特徴とするものである。
【００２４】
また、本発明の弾性表面波素子の製造方法は、前記工程Ａにおいて、前記電極パターンと前記チッピング抑制パターンとが、同一の薄膜プロセスもしくは厚膜プロセスにて同時に形成されることを特徴とするものである。
【００２５】
【作用】
本発明によれば、圧電性基板の外周縁より離間してチッピング抑制パターンを形成するようにしたことから、ダイシング時に導電性パターンが付着した破片が飛散することは殆どなく、これによってＩＤＴ電極にショート不良が発生するのを有効に防止することができる。
【００２６】
また、本発明によれば、チッピング抑制パターン材料の延性並びに靭性を圧電性基板材料に比べて高く設定しておくことにより、ダイシング時に発生する亀裂の先端にて塑性変形を生じさせ、塑性領域でエネルギーを吸収することにより亀裂の進展を抑制することができ、これによってチッピングの発生を効果的に抑制することができる。
【００２７】
更に、本発明によれば、チッピング抑制パターンと、電極パターンの少なくとも一部とを同質の導電材料で形成することにより、電極パターンと同時にチッピング抑制パターンを形成することが可能となり、工数の増加を防止することができる。
【００２８】
また更に、本発明によれば、圧電性基板の一主面に設けられる電極パターン及びチッピング抑制パターンを保護膜で被覆するとともに、該保護膜を前記チッピング抑制パターンよりも外側の領域で前記圧電性基板の一主面に対し被着させている。この場合、保護膜と圧電性基板との密着強度は、保護膜とチッピング抑制パターンとの密着強度に比して大きいことから、保護膜の剥離が発生しやすい弾性表面波素子の外周縁部において保護膜の剥離が有効に防止されるようになり、保護膜を長期にわたって下地に対し良好に被着させておくことができる。
【００２９】
更にまた、本発明によれば、チッピング抑制パターンで電極パターンを囲繞するように配置させておくことにより、弾性表面波素子の全外周縁においてチッピングの発生を確実に抑制することができる。
【００３０】
また更に、本発明によれば、チッピング抑制パターンを２重もしくは３重に形成しておくことにより、弾性表面波素子を“多数個どり”の手法によって製作する場合に圧電性母基板のダイシング位置が若干ずれたとしても対応することができる。
【００３１】
更にまた、本発明によれば、圧電性母基板の各区画に電極パターンとチッピング抑制パターンとを被着させる工程Ａと、圧電性母基板を区画の境界に沿ってダイシングして複数個の弾性表面波素子を同時に得る工程Ｂと、によって弾性表面波素子を製造するようにしており、これによってチッピングの少ない小型・高性能・高信頼性の弾性表面波素子を効率よく製造することができる。
【００３２】
また更に、本発明によれば、チッピング抑制パターンと、電極パターンの少なくとも一部とを同一の薄膜プロセスもしくは厚膜プロセスにて同時に形成することにより、チッピングの少ない小型・高性能・高信頼性の弾性表面波素子を、工数を増加させることなく製造することができ、弾性表面波素子の生産性を高く維持することができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。
図１は本発明の一実施形態に係る弾性表面波素子を模式的に示す平面図であり、同図に示す弾性表面波素子１０は、圧電性基板２０ａと、圧電性基板２０ａの一主面上に形成される電極パターン３０と、チッピング抑制パターン４０と、保護膜（図示せず）とから構成される。
【００３４】
前記圧電性基板２０ａは、例えばタンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム単結晶、四ホウ酸リチウム単結晶等の圧電性の単結晶、或いはチタン酸鉛、ジルコン酸鉛等の圧電セラミックスから成り、その一主面で電極パターン３０、チッピング抑制パターン４０、保護膜等を支持する支持母材として機能するとともに、電極パターン３０を介して圧電性基板２０ａに電力が印加されると、その一主面で所定の弾性表面波を発生させる作用を為す。
【００３５】
また、前記電極パターン３０は、アルミニウムもしくはアルミニウムを主成分とする合金から成り、弾性表面波を励振するＩＤＴ電極３０ａ、弾性表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極３０ａの両側に配置される反射器電極３０ｂ、ＩＤＴ電極３０ａに接続される外部接続用のパッド電極３０ｃ等によって構成される。
【００３６】
前記ＩＤＴ電極３０ａは、各々が帯状の共通電極と該共通電極に対し直交する方向に延びる複数の電極指とで形成されている一対の櫛歯状電極を、その共通電極同士が平行に配置され、且つ両共通電極の対向領域内で各櫛歯状電極の電極指が弾性表面波の伝搬方向に交互に配置されるようにかみ合わせて対向配置させてなり、かかるＩＤＴ電極３０ａに所定の電力を印加することによって、圧電性基板１の一主面に電極指の配列ピッチに対応した所定の弾性表面波、具体的には、電極指の配列ピッチを１／４波長とする弾性表面波を発生するようになっている。
【００３７】
一方、前記反射器電極３０ｂは、ＩＤＴ電極３０ａの形成領域内で発生する弾性表面波を一対の反射器電極３０ｂ間に閉じ込めて定在波を良好に発生させるためのものであり、例えば、ＩＤＴ電極３０ａの外側に、ＩＤＴ電極３０ａの電極指の配列ピッチとほぼ同じ間隔だけ離れて配置され、そのパターン形状はＩＤＴ電極３０ａの電極指と同じ配列ピッチのすだれ状パターンをなしている。
【００３８】
このような一対の反射器電極３０ｂと、その間に配置されるＩＤＴ電極３０ａとで一端子対共振器３１ａが構成される。
【００３９】
尚、前記パッド電極３０ｃは、外部回路との接続性を向上させるために、複数の材料を積層して構成することが好ましい。例えば、弾性表面波素子１０と外部回路とを半田接合により接続する場合には、アルミニウム等から成る電極パターンの上にクロム、ニッケル等の半田の拡散を抑制する金属によるバリア層を形成し、更にその上に白金、金等の酸化されにくく半田ぬれ性の良い金属を薄く被着させておけば、そのボンディング性を良好となすことができる。
【００４０】
そして、前記チッピング抑制パターン４０は、圧電性基板２０ａの一主面上で、各種電極パターン３０の形成領域よりも外側に、圧電性基板２０ａの外周縁より所定の距離だけ離間して形成されている。
【００４１】
前記チッピング抑制パターン４０は、圧電性基板２０ａの外形加工を行う際等に、外力の印加に伴なって圧電性基板２０ａのエッジにチッピングを生じたとしても、該チッピングがチッピング抑制パターン４０の内側まで及ぼうとするのを有効に防止するためのものであり、かかるチッピング抑制パターン４０にてチッピングの広がりを止めることにより、その内側に設けられている電極パターン３０を良好な状態に保つことができる。
【００４２】
しかも、前記チッピング抑制パターン４０は圧電性基板２０ａの外周より離間して設けられており、チッピング抑制パターン４０の存在しない箇所でダイシングされるようになっていることから、圧電性基板２０ａの外形加工を行う際に、ダイシングによってチッピング抑制パターン４０の破片が飛散したりすることはなく、ＩＤＴ電極３０ａ等にショート不良が発生するのも有効に防止される。
【００４３】
尚、前記チッピング抑制パターン４０の形成位置、形状、寸法などは、圧電性基板２０ａの材質、ダイシングブレードの種類、ダイシング条件、ダイシング位置の精度などを考慮して決定される。
【００４４】
また、このようなチッピング抑制パターン４０の材料としては、圧電性基板２０ａより延性及び靭性の高い材料を用いるのがことが好ましく、特に金属材料は適度の延性と強度を有し、圧電性基板２０ａを形成する圧電材料に比べて靭性が高いので、圧電性基板２０ａの外形加工を行う際に圧電性母基板のダイシング等に伴なって発生する亀裂の先端にて塑性変形を生じさせ、塑性領域でエネルギーを吸収することにより亀裂の進展を抑制することができ、これによってチッピングの発生をより効果的に抑制することができる。
【００４５】
更にこの場合、前記チッピング抑制パターン４０を電極パターン３０と同質の金属材料によって形成するようにすれば、電極パターン３０を形成する工程でチッピング抑制パターン４０も同時に形成することができ、弾性表面波素子１０の製造に必要な工数の増加させることなく、その生産性を高く維持することができる。したがって、前記チッピング抑制パターン４０を電極パターン３０と同質の金属材料によって形成することが好ましい。
【００４６】
また更に、前記チッピング抑制パターン４０は、電極パターン３０を囲繞するように配置させておくことが好ましく、かかる構成となしておくことにより、電極パターン３０の形成領域全体にわたり圧電性基板２０ａのチッピングをより確実に防止することができる。
【００４７】
そして、このようなチッピング抑制パターン４０や先に述べた電極パターン３０上には保護膜が被着・形成される。
前記保護膜は、圧電性基板２０の一主面上に、パッド電極３０ｃの一部を露出し、且つ電極パターン３０やチッピング抑制パターン４０を被覆するようにして被着・形成されており、その外周部はチッピング抑制パターン４０よりも外側の領域まで延在され、この延在部で圧電性基板２０ａの一主面に対して直に被着されている。
【００４８】
前記保護膜は、酸化ケイ素等の電気絶縁性材料によって薄く形成されており、ＩＤＴ電極３０ａを大気中に含まれている水分等の接触による腐食から保護したり、或いは、導電性異物等の付着による短絡不良の発生等を有効に防止する作用を為す。
【００４９】
ここで、前記保護膜は、チッピング抑制パターン４０の外側まで延在されるとともに、該延在部で圧電性基板２０ａに対して直に密着させてあり、両者の密着強度は保護膜−チッピング抑制パターン４０の密着強度に比して大きいことから、保護膜剥離が発生しやすい弾性表面波素子の外周縁部にあっても保護膜を下地に対して良好に被着させておくことができる。
【００５０】
かくして、上述した弾性表面波素子１０は、パッド電極３０ｃに導電性接着剤やＡｕバンプ，金属細線等を介して外部回路の接続パッドにボンディングされ、外部回路と電気的に接続される。
【００５１】
次に、上述した弾性表面波素子の製造方法について図２を用いて説明する。
図２は圧電性母基板２０のダイシング前の状態を模式的に示す平面図であり、破線が各区画の境界を示す。
【００５２】
（工程Ａ）まず、複数の区画を有する圧電性母基板２０の一主面上で、各区画の内側に、弾性表面波を用いて機能する各種電極を構成する電極パターン３０と、チッピング抑制パターン４０とを形成する。電極パターン３０及びチッピング抑制パターン４０の形成には、蒸着、スパッタ等による成膜と、フォトリソグラフィーによるパターン加工が好適に用いられる。
このとき、チッピング抑制パターン４０を電極パターン３０の少なくとも一部と同質の金属材料によって形成するようにすれば、両者を同一のプロセスにて同時に形成することができ、工数の増加を防止することが可能である。
【００５３】
その後、パッド電極３０ｃの少なくとも一部を露出して圧電性母基板２０の一主面を被覆する保護膜が形成される。保護膜の形成も電極パターン３０及びチッピング抑制パターン４０と同様の方法、具体的には、蒸着、スパッタ等による成膜と、フォトリソグラフィーによるパターン加工を経て所定厚み、所定パターンをなすように形成される。
【００５４】
（工程Ｂ）次に、圧電性母基板２０を隣接する区画の境界に沿ってブレードでダイシングすることにより区画毎に分割する。これによって、各区画と１対１に対応する複数個の弾性表面波素子１０が同時に得られ、弾性表面波素子１０が完成する。
【００５５】
このとき、チッピング抑制パターン４０は、各区画の内側に、隣接する区画の境界より離間して形成されていることから、ダイシングに際して圧電性基板２０ａのエッジにチッピングを生じたとしても、該チッピングがチッピング抑制パターン４０の内側まで及ぼうとするのを有効に防止することができ、チッピング抑制パターン４０の内側に設けられている電極パターン３０は良好な状態に保たれる。
【００５６】
また、上述のダイシングはチッピング抑制パターン４０の存在しない隣接する区画の境界部で行なわれることから、かかるダイシングによってチッピング抑制パターン４０の破片が飛散したりすることは殆どなく、チッピング抑制パターン４０の内側に設けられているＩＤＴ電極３０ａ等にショート不良が発生するのを有効に防止することができる。
【００５７】
よって、以上のような工程を経て弾性表面波素子を製造することにより、チッピングの少ない小型・高性能・高信頼性の弾性表面波素子１０を極めて効率よく製造することができる。
【００５８】
尚、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更・改良などが可能である。
【００５９】
例えば、上述の実施形態においては、圧電性基板２０ａの全周にわたって連続環状のチッピング抑制パターン４０を形成するようにしたが、必ずしも連続環状である必要はなく、また、必ずしも全周にわたって形成する必要もない。
【００６０】
更に、上述の実施形態においては、チッピング抑制パターン４０を電極パターン３０の周囲に１重だけ形成するようにしたが、これに代えて、図３に示すように、チッピング抑制パターンを電極パターン３０の周囲に２重もしくは３重に形成しても良く、この場合、圧電性母基板２０のダイシング位置が若干ずれたとしても対応可能である。
【００６１】
また、上述の実施形態においては、本発明を一端子対共振器に適用した例について説明したが、それ以外にも、トランスバーサル型やラダー型などの弾性表面波フィルタ、あるいはデュプレクサ等の他の弾性表面波素子にも本発明が適用可能であることはいうまでもない。
【００６２】
【実施例】
次に、本発明の実施例について図４を用いて説明する。
図４は弾性表面波素子の製造プロセスを模式的に示す断面図である。なお、製造にはステッパー（縮小投影露光機）及びＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置を用いフォトリソグラフィーを行った。
【００６３】
本発明品の弾性表面波素子サンプルは、以下の工程、条件にて製作した。
（１）まず、圧電性母基板２０（ＳＴカット水晶）にアセトン・ＩＰＡ等を使用して超音波洗浄を施し、有機成分の除去を行った。次に、クリーンオーブンによって充分に乾燥を行った後、圧電性母基板２０の一方主面に電極（最終的に電極パターン３０及びチッピング抑制パターン４０となる導体で、便宜上電極６０と付す）の成膜を行った。尚、電極６０の材料にはアルミニウムを、成膜には蒸着装置を使用し、膜厚は約２４００Åとした（図４（ａ）参照）。
【００６４】
（２）次にレジスト８０を全面にスピンコートし（図４（ｂ）参照）、その後、ステッパーにより所望形状に露光して、現像装置にて不要部分のレジスト８０をアルカリ現像液で溶解・除去することによって所望のレジストパターンを形成した（図４（ｃ）参照）。
【００６５】
（３）次いで、レジスト８０を除去した部分の電極６０を、ＲＩＥ装置にてエッチング除去し（図４（ｄ）参照）、その後、レジスト８０を剥離して、電極６０のパターニングを終了し、これにより電極パターン３０及びチッピング抑制パターン４０を同時に形成した（図４（ｅ）参照）。
【００６６】
（４）次に、ＳｉＯ２から成る保護膜５０をＣＶＤ装置にて２００Åの厚みに成膜し（図４（ｆ）参照）、レジスト８０を全面に再度塗布した（図４（ｇ）参照）後、パッド電極３０ｃの上に位置する部分のレジスト８０を感光させて除去し（図４（ｈ）参照）、更に、レジスト８０を除去した部分の保護膜５０をＣＤＥにより除去し（図４（ｉ）参照）、レジスト８０を剥離した（図４（ｊ）参照）。
【００６７】
（５）そして最後に、圧電性母基板２０をダイシングして分割し、弾性表面波素子１０を得た（図４（ｋ）参照）。
【００６８】
以上のようにして製作した本発明品の弾性表面波素子サンプルと、チッピング抑制パターン４０を形成しなかった従来品（比較例）とを用いてチッピング抑制パターン４０の効果を検証した。
尚、チッピング抑制パターン４０は、ダイシング位置から１００μｍ離間して幅２０μｍのパターンを全周にわたって形成した。また、ダイシングにはレジンボンドタイプのブレードを使用した。
【００６９】
また、試験方法としては、本発明品の製造に用いる圧電性母基板２０と、従来品の製造に用いる圧電性母基板２０とをそれぞれ３枚ずつ準備し、各圧電性母基板２０に対してダイシングを行った。
【００７０】
次に、それぞれの圧電性母基板２０上の、異なる５つの領域から一つずつ弾性表面波素子１０を取り出し、各弾性表面波素子１０の外周縁について外観検査を行った。弾性表面波素子１０の外周縁（切断面）からチッピングの先端までの長さをチッピングサイズとし、各弾性表面波素子１０について、最も大きいチッピングサイズを記録した。
その結果を表１に示す。
【００７１】
【表１】
2004235705.tif 000003
【００７２】
チッピング抑制パターン４０を形成した本発明品の弾性表面波素子サンプルでは、チッピング抑制パターンを形成しなかった従来品の弾性表面波素子サンプルに比べて、チッピングサイズが平均値で約４０％減少した。
【００７３】
以上のような試験結果からも、チッピング抑制には、圧電性基板の一主面上に、その外周に沿ってチッピング抑制パターン４０を形成しておくことが重要であることが判る。
【００７４】
尚、本実施例では電極パターン３０及びチッピング抑制パターン４０をアルミニウムの単層にて形成したが、電極パターン３０を複数材料による積層体で形成しても良い。この場合、チッピング抑制パターン４０は、複数材料による積層体としても良いし、電極パターン３０を形成する材料のいずれかによる単層としても良い。また、保護膜５０は、酸化シリコン以外に、窒化シリコンなどの絶縁性材料を用いても良いし、シリコンなどの半導電性材料を用いても良い。
【００７５】
【発明の効果】
本発明によれば、圧電性基板の外周縁より離間してチッピング抑制パターンを形成するようにしたことから、ダイシング時に導電性パターンが付着した破片が飛散することは殆どなく、これによってＩＤＴ電極にショート不良が発生するのを有効に防止することができる。
【００７６】
また、本発明によれば、チッピング抑制パターン材料の延性並びに靭性を圧電性基板材料に比べて高く設定しておくことにより、ダイシング時に発生する亀裂の先端にて塑性変形を生じさせ、塑性領域でエネルギーを吸収することにより亀裂の進展を抑制することができ、これによってチッピングの発生を効果的に抑制することができる。
【００７７】
更に、本発明によれば、チッピング抑制パターンと、電極パターンの少なくとも一部とを同質の導電材料で形成することにより、電極パターンと同時にチッピング抑制パターンを形成することが可能となり、工数の増加を防止することができる。
【００７８】
また更に、本発明によれば、圧電性基板の一主面に設けられる電極パターン及びチッピング抑制パターンを保護膜で被覆するとともに、該保護膜を前記チッピング抑制パターンよりも外側の領域で前記圧電性基板の一主面に対し被着させている。この場合、保護膜と圧電性基板との密着強度は、保護膜とチッピング抑制パターンとの密着強度に比して大きいことから、保護膜の剥離が発生しやすい弾性表面波素子の外周縁部において保護膜の剥離が有効に防止されるようになり、保護膜を長期にわたって下地に対し良好に被着させておくことができる。
【００７９】
更にまた、本発明によれば、チッピング抑制パターンで電極パターンを囲繞するように配置させておくことにより、弾性表面波素子の全外周縁においてチッピングの発生を確実に抑制することができる。
【００８０】
また更に、本発明によれば、チッピング抑制パターンを２重もしくは３重に形成しておくことにより、弾性表面波素子を“多数個どり”の手法によって製作する場合に圧電性母基板のダイシング位置が若干ずれたとしても対応することができる。
【００８１】
更にまた、本発明によれば、圧電性母基板の各区画に電極パターンとチッピング抑制パターンとを被着させる工程Ａと、圧電性母基板を区画の境界に沿ってダイシングして複数個の弾性表面波素子を同時に得る工程Ｂと、によって弾性表面波素子を製造するようにしており、これによってチッピングの少ない小型・高性能・高信頼性の弾性表面波素子を効率よく製造することができる。
【００８２】
また更に、本発明によれば、チッピング抑制パターンと、電極パターンの少なくとも一部とを同一の薄膜プロセスもしくは厚膜プロセスにて同時に形成することにより、チッピングの少ない小型・高性能・高信頼性の弾性表面波素子を、工数を増加させることなく製造することができ、弾性表面波素子の生産性を高く維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の弾性表面波素子を模式的に示す平面図である。
【図２】本発明の弾性表面波素子のダイシング前の状態を模式的に示す平面図である。
【図３】本発明の別の実施形態の弾性表面波素子を模式的に示す平面図である。
【図４】（ａ）〜（ｋ）は、それぞれ本発明の弾性表面波素子の製造工程を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
１０：弾性表面波素子
２０ａ：圧電性基板
３０ａ：  ＩＤＴ電極
３０ｂ：反射器電極
３０ｃ：パッド電極
４０：チッピング抑制パターン
【図１】
2004235705.tif 000004
【図２】
2004235705.tif 000005
【図３】
2004235705.tif 000006
【図４】
2004235705.tif 000007