(57)【要約】【課題】簡単な構造で性能を高くする。【解決手段】チップキャリア４０は、シャーシ３２の光ファイバ３４とほぼ平行な内壁面に接した状態で当該チップキャリアを保持するための第１の面４０ａと、その第１の面４０ａに対して所定の角度をなし受光素子３６を実装するための第２の面４０ｂと、その第２の面４０ｂに隣接し処理回路４４を実装するための第３の面４０ｃとを有しており、第１の面４０ａがケース内の光ファイバ３４とほぼ平行なシャーシ３２の内壁面に接し、第２の面４０ｂが光ファイバ３４の端面に対向した状態でシャーシ３２内に固定され、第２の面４０ｂに固定された受光素子３６と、それに隣接する第３の面４０ｃに固定された処理回路４４との間が導電パターン４１を介して接続されている。【選択図】　　　　図２
2004117902.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面側が開口された箱型のシャーシ（３２）と、該シャーシの開口された一面側を塞ぐカバー（３３）とによって構成されたケース（３１）と、
前記シャーシの側面にほぼ直交するように貫通し、前記ケースの外部から内部に光を導く光ファイバ（３４）と、
前記ケース内に固定されたチップキャリア（４０）と、
前記チップキャリアに固定され、前記光ファイバによって前記ケース内に導かれた光を受光するための受光素子（３６）と、
前記チップキャリアに固定され、前記受光素子の出力信号に対する処理を行なうための処理回路（４４）とを有する光モジュールにおいて、
前記チップキャリアは、前記シャーシの前記光ファイバとほぼ平行な内壁面に接した状態で当該チップキャリアを保持する第１の面（４０ａ）と、該第１の面に対して所定の角度をなし前記受光素子を実装するための第２の面（４０ｂ）と、該第２の面に隣接し前記処理回路を実装するための第３の面（４０ｃ）とを有し、前記第１の面を前記光ファイバとほぼ平行な前記シャーシの内壁面に接した状態で、且つ前記第２の面を前記光ファイバの端面に対向させた状態で固定されており、
該チップキャリアの前記第２の面に前記受光素子が固定され、前記チップキャリアの前記第３の面に前記処理回路が固定され、前記受光素子と前記処理回路との間が導電材（４１、４５）を介して接続されていることを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記光ファイバによって前記ケース内に導かれた光の光軸が前記受光素子の受光面に対して９０度より所定角度ずれた状態で入射されるように設定されていることを特徴とする請求項１記載の光モジュール。
【請求項３】
前記チップキャリアの前記受光素子が固定されている部分と前記処理回路が固定されている部分との間に断熱層（４３）が形成されていることを特徴とする請求項１記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ファイバによってケース内に導いた光を受光素子で受光し、その受光信号に対する処理を行なう光モジュールにおいて、簡単な構造で性能を高くするための技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光通信機器や光測定機器には、光ファイバによってケース内に導いた光を受光素子で受光し、その受光信号に対する増幅処理等を行なう光モジュールが用いられている。
【０００３】
図１２、図１３は、この種の機器に用いられる従来の光モジュール１０の構造を示している。
【０００４】
この光モジュール１０は、金属で密閉された略直方体状のケース１１を有している。
【０００５】
ケース１１は、上面側が開口された箱型のシャーシ１２と、そのシャーシ１２の上面側を塞ぐカバー１３とによって構成されている。シャーシ１２は、長方形の底板１２ａ、底板１２ａの前後の縁部から直角を成すように立設された前板１２ｂおよび後板１２ｃ、底板１２ａの左右の縁部から直角を成すように立設された側板１２ｄ、１２ｅと有している。
【０００６】
シャーシ１２の前板１２ｂには、外部からケース１１内に光を導く光ファイバ１４が直交貫通している。
【０００７】
シャーシ１２内の光ファイバ１４は、支持部材１５によって底板１２ｂから一定の高さで、側板１２ｄ、１２ｃと平行になるように支持されている。
【０００８】
光ファイバ１４によって導かれた光は、受光素子１６の一面１６ａ側に入射される。
【０００９】
受光素子１６は、例えばＡＰＤ（アバランシェフォトダイオード）であり、一面１６ａ側の所定位置の受光部１７に入射された光のパワーに対応した電流を、反対面１６ｂ側に設けられた電極１８、１９を介して出力する。
【００１０】
この受光素子１６は、シャーシ１２の底板１２ａに立設された平板状の第１のチップキャリア２０の一面２０ａ側に固定されている。受光素子１６の固定位置は、その一面１６ａ側の受光部１７の高さが、光ファイバ１４の高さと一致するように設定されている。
【００１１】
第１のチップキャリア２０は、絶縁性を有するセラミック基板等からなり、その一面２０ａ側には受光素子１６の２つの電極１８、１９にそれぞれ接触可能な導電パターン２１、２２が形成されており、受光素子１６は、一面１６ａを光ファイバ１４にほぼ直交させた状態で、電極１８、１９を導電パターン２１、２２にそれぞれハンダ付けされて、固定されている。
【００１２】
第１のチップキャリア２０の背後には、絶縁性を有するセラミック基板等からなる平板状の第２のチップキャリア２３が配置されている。
【００１３】
第２のチップキャリア２３は、下面２３ａ側をシャーシ１２の底板１２ａに接合させた状態で固定され、その上面２３ｂの前端部には、受光素子１６の出力電流を電圧信号に変換して増幅するための処理回路子２４が固定されている。
【００１４】
この処理回路２４と第１のチップキャリア２０の導電パターン２１との間は、ボンディングワイヤ２５を介して接続されている。なお、導電パターン２２はバイアス電源ライン（図示せず）に接続されている。
【００１５】
また、処理回路２４は、第２のチップキャリア２３の上面２３ｂに形成されたストリップ線路２６の一端側にボンディングワイヤ２７を介して接続され、ストリップ線路２６の他端側は、シャーシ１２の後板１２ｃを貫通する出力端子２８に接続されている。
【００１６】
なお、この光モジュール１０のケース１１内における光ファイバ１４の向きと、第１のチップキャリア２０の位置は、光ファイバ１４から出射された光が受光素子１６の一面１６ａ側の受光部１７に入射されるように設定されている。
【００１７】
このように構成された光モジュール２０では、光ファイバ１４に入射された光がケース１１内に導かれて、第１のチップキャリア２０に固定された受光素子１６の受光部１７に入射し、その光のパワーに対応した電流がボンディングワイヤ２５を介して第２のチップキャリア２３上の処理回路２４に入力され、その電流が処理回路２４によって電圧信号に変換され増幅されて、ボンディングワイヤ２７、ストリップ線路２６を介して出力端子２８から出力される。
【００１８】
なお、この光モジュール１０の受光素子１６および処理回路子２４に対する電源供給は、シャーシ１２の側板１２ｃ、１２ｄを貫通するように設けられた複数の端子（図示せず）を介してなされる。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のように、シャーシ１２内に立設された第１のチップキャリア２０の一面に受光素子１６を固定し、その出力信号を、シャーシ１２に寝かせるように固定された第２のチップキャリア２３上の処理回路２４で処理する構造の光モジュール１０では、受光素子１６と処理回路２４との間の接続長が長くなり、しかも、受光素子１６と処理回路２４との間はインピーダンスが高いため、その間に大きな寄生インダクタンスが生じ、この寄生インダクタンスあるいは寄生インダクタンスと受光素子の内部容量とで形成される遅延回路によって、光を変調している信号成分を少ない歪みで処理回路２４に効率よく供給することができず、変調に使用する周波数の上限が低くなってしまうという問題がある。
【００２０】
例えば、受光素子の内部容量が１５０ｐＦで、受光対象が１０Ｇｂｐｓ（ビット周期１００ｐｓ）のデータで変調された光の場合、接続長が０．４ｍｍのとき寄生インダクタンスＬが０．４ｎＨとなり、そのときの郡遅延時間は約６ｐｓとなる。この郡遅延時間６ｐｓは、ビット周期１００ｐｓの約１／１６で無視し得るが、接続長が０．８ｍｍ増加して１．２ｍｍになると、寄生インダクタンスＬが１．２ｎＨとなり、そのときの郡遅延時間は約１９ｐｓとなり、ビット周期１００ｐｓの約１／５となり、波形を歪み無く伝達することが困難となる。
【００２１】
また、平板状の第１のチップキャリア２０は、狭い端面でシャーシ１２の底板１２ａに接した状態で立てて固定する必要があり、その固定作業が煩雑で、機械的な強度が不十分となり、信頼性に欠けるという問題があった。
【００２２】
この問題を解決するために、例えば図１４、図１５に示す光モジュール１０′のように、チップキャリア２３を前方に延長し、その上面２３ｂに導電パターン２１、２２を設け、その導電パターン２１、２２の上に受光素子１６の電極１８、１９をハンダ付け固定するとともに、光ファイバ１４によって導かれた光を、反射体２９によって反射させて受光素子１６の一面１６ａの受光部１７に入射させることも考えられる。
【００２３】
しかし、このように反射体２９を用いた構造の光モジュール１０′では、チップキャリア２３の上方で反射体２９を保持する構造（図示せず）が必要となり、しかも、光ファイバ１４から受光素子１６の受光部１７に至る光軸合わせが非常に煩雑になるという問題がある。
【００２４】
本発明は、これらの問題を解決し、簡単な構造で、高い変調周波数まで対応でき、信頼性が高い光モジュールを提供することを目的としている。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明の請求項１の光モジュールは、
一面側が開口された箱型のシャーシ（３２）と、該シャーシの開口された一面側を塞ぐカバー（３３）とによって構成されたケース（３１）と、
前記シャーシの側面にほぼ直交するように貫通し、前記ケースの外部から内部に光を導く光ファイバ（３４）と、
前記ケース内に固定されたチップキャリア（４０）と、
前記チップキャリアに固定され、前記光ファイバによって前記ケース内に導かれた光を受光するための受光素子（３６）と、
前記チップキャリアに固定され、前記受光素子の出力信号に対する処理を行なうための処理回路（４４）とを有する光モジュールにおいて、
前記チップキャリアは、前記シャーシの前記光ファイバとほぼ平行な内壁面に接した状態で当該チップキャリアを保持する第１の面（４０ａ）と、該第１の面に対して所定の角度をなし前記受光素子を実装するための第２の面（４０ｂ）と、該第２の面に隣接し前記処理回路を実装するための第３の面（４０ｃ）とを有し、前記第１の面を前記光ファイバとほぼ平行な前記シャーシの内壁面に接した状態で、且つ前記第２の面を前記光ファイバの端面に対向させた状態で固定されており、
該チップキャリアの前記第２の面に前記受光素子が固定され、前記チップキャリアの前記第３の面に前記処理回路が固定され、前記受光素子と前記処理回路との間が導電材（４１、４５）を介して接続されていることを特徴としている。
【００２６】
また、本発明の請求項２の光モジュールは、請求項１の光モジュールにおいて、
前記光ファイバによって前記ケース内に導かれた光の光軸が前記受光素子の受光面に対して９０度より所定角度ずれた状態で入射されるように設定されていることを特徴としている。
【００２７】
また、本発明の請求項３の光モジュールは、請求項１の光モジュールにおいて、
前記チップキャリアの前記受光素子が固定されている部分と前記処理回路が固定されている部分との間に断熱層（４３）が形成されていることを特徴としている。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
図１、図２は、本発明を適用した光モジュール３０の構造を示している。
【００２９】
これらの図において、光モジュール３０は、金属で密閉された略直方体状のケース３１を有している。ケース３１は、上面側が開口された矩形箱型のシャーシ３２と、シャーシ３２の上面側を塞ぐ矩形のカバー３３とによって構成されている。シャーシ３２は、長方形の底板３２ａ、底板３２ａの前後の縁部から直角を成すように立設された前板３２ｂおよび後板３２ｃ、底板３２ａの左右の縁部から直角を成すように立設された側板３２ｄ、３２ｅと有している。
【００３０】
シャーシ３２の前板３２ｂには、外部からケース３１内に光を導く光ファイバ３４が直交貫通している。
【００３１】
シャーシ３２内の光ファイバ３４は、支持部材３５によって底板３２ｂから一定の高さで、側板３２ｄ、３２ｃと平行になるように支持されている。
【００３２】
光ファイバ３４によって導かれた光は、受光素子３６の一面３６ａに入射される。
【００３３】
受光素子３６は、例えばＡＰＤ（アバランシェフォトダイオード）であり、一面３６ａ側の所定位置の受光部３７に入射された光のパワーに対応した電流を、反対面３６ｂ側に設けられた電極３８、３９（一方はアノード電極、他方はカソード電極）を介して出力する。
【００３４】
この受光素子３６は、チップキャリア４０に固定されている。
チップキャリア４０は、絶縁性を有するセラミックやアルミナ等からなり、光ファイバ３４とほぼ平行なシャーシ３２の内壁面（底板３２ａ）に接した状態でこのチップキャリア４０自体の姿勢を安定に保持するのに必要な広さを有する下面４０ａ（第１の面）と、下面４０ａに対してほぼ９０度の角度をなし受光素子３６の実装に必要な広さを有する前面４０ｂ（第２の面）と、前面４０ｂに隣接し後述する処理回路４４の実装に必要な広さを有する上面４０ｃ（第３の面）とを有する略直方体に形成され、下面４０ａをシャーシ３２の底板３２ａ上に接合させ、前面４０ｂを光ファイバ３４の端面に対向させた状態でシャーシ３２に固定されている。
【００３５】
チップキャリア４０の前面４０ｂには、受光素子３６の２つの電極３８、３９にそれぞれ接触可能な導電パターン４１、４２が形成されており、受光素子３６は、その一面３６ａ側を光ファイバ３４の端面に対向させ、一面３６ａ側の受光部３７の高さが、光ファイバ３４の高さと一致する状態で、電極３８、３９を導電パターン４１、４２にそれぞれハンダ付けされて固定されている。
【００３６】
チップキャリア４０の前面４０ｂに形成されている一方の導電パターン４１は、前面４０ｂに隣接する上面４０ｃまで延びている。また、他方の導電パターン４２は図示しないバイアス電源ラインに接続されている。
【００３７】
チップキャリア４０の上面４０ａの前部で、導電パターン４１の先端の近くには、受光素子３６の出力電流を電圧信号に変換して増幅するための集積化された処理回路４４が実装されている。
【００３８】
処理回路４４と導電パターン４１との間はボンディングワイヤ４５を介して接続されている。
【００３９】
また、処理回路４４は、チップキャリア４０の上面４０ｃに形成されたストリップ線路４６の一端側にボンディングワイヤ４７を介して接続され、ストリップ線路４６の他端側は、シャーシ３２の後板３２ｃを絶縁された状態で貫通する出力端子４８に接続されている。なお、この出力端子４８の代わりに同軸コネクタを用いる場合もある。
【００４０】
また、図示していないが、この光モジュール３０の受光素子３６および処理回路４４に対する電源供給は、シャーシ３２の側板３２ｃ、３２ｄを絶縁された状態で貫通する複数の端子を介してなされる。
【００４１】
このように構成された光モジュール３０では、光ファイバ３４に入射された光がケース３１内に導かれて、チップキャリア４０の前面４０ｂに固定された受光素子３６の一面３６ａ側の受光部３７に入射し、その光のパワーに対応した電流が導電材（導電部４１およびボンディングワイヤ４５）を介してチップキャリア４０の上面４０ｃの処理回路４４に入力され、その電流が処理回路４４によって電圧信号に変換され、その電圧信号が増幅されて、ボンディングワイヤ４７、ストリップ線路４６を介して出力端子４８から出力される。
【００４２】
上記構造の光モジュール３０では、受光素子３６と処理回路４４とを共通の一つのチップキャリア４０の前面４０ｂとそれに隣接する上面４０ｃにそれぞれ固定し、その間を導電材を介して接続する構造であるので、その接続長を短くすることができ、高周波（例えば１０ＧＨｚ）の変調成分を効率よく且つ少ない遅延で処理回路４４に供給することができる。
【００４３】
また、チップキャリア４０は、チップキャリア４０自体の姿勢を安定に保持するのに必要な広さの下面４０ａを有する直方体状に形成されているので、シャーシ３２の底板３２ａに対する固定が容易で、機械的な強度も十分あり、信頼性が高い。
【００４４】
また、光ファイバ３４と受光素子３６との間だけで光軸合わせをすればよいので、その調整が容易である。
【００４５】
なお、上記光モジュール３０のチップキャリア４０の寸法の一例を示すと、一般的なＡＰＤ等の受光素子３６の大きさは０．３ｍｍ×０．３ｍｍ程度で、導電パターン４１、４２形成のための領域を含めると、チップキャリア４０の前面の高さとして要求される寸法は０．５ｍｍ以上である。また、チップキャリア４０の前面４０ｂの幅は０．３ｍｍ以上必要である。
【００４６】
一方、処理回路４４は通常半導体集積回路の１チップで形成されており、１ｍｍ×１ｍｍ程度の大きさを有しており、電源ライン用のバイパスコンデンサも実装する必要があるので、ストリップ線路４６を含めると上面４０ａの大きさとしては４ｍｍ×４ｍｍ程度が必要となる。
【００４７】
したがって、このチップキャリア４０は、下面４０ａおよび上面４０ｃが４ｍｍ×４ｍｍ、前面４０ｂが０．５ｍｍ×４ｍｍの広さをもつ直方体であればよい。
【００４８】
なお、上記説明では、チップキャリア４０の形状を直方体状にしていたが、この形状は種々の変形が可能である。
【００４９】
例えば、図３、図４に示している光モジュール３０′のように、全体として直方体状のチップキャリア４０の前部に、上面４０ｃから下面４０ａ側へ向かって所定幅の溝４３を所定深さで形成して、処理回路４４が発生する熱の受光素子３６への伝達を阻止する空気による断熱層を形成することができる。なお、この溝４３に他の断熱材を挿入してもよい。
【００５０】
このように、チップキャリア４０の受光素子３６が固定されている部分と処理回路４４が固定されている部分との間に溝４３等による断熱層を形成することで、処理回路４４が発生した熱が受光素子３６に伝達されにくくなり、受光素子３６の温度上昇による増倍率変動を防止することができる。
【００５１】
また、チップキャリア４０の前面４０ｂは、下面４０ａに対して９０度をなすように設定されていてもよいが、図５に示しているように、下面４０ａに対して９０度より僅か（１度〜数度程度）に小さい（あるいは大きくてもよい）角度αをなすよう傾いて形成してもよい。
【００５２】
このように前面４０ｂを下面４０ａに対して９０度より僅かに小さくあるいは大きく形成すると、前面４０ｂに固定されている受光素子３６の一面３６ａ側も下面４０ａに対してその前面４０ｂと同一角度で固定され、光ファイバ３４から出射される光の光軸に対して９０度より僅かに傾いた状態となる。
【００５３】
このため、光ファイバ３４から受光素子３６に出射された光の反射成分Ｒが光ファイバ３４側に戻ることがなく、その戻り光によって光源動作に悪影響を与えるという現象を防止することができる。
【００５４】
また、光ファイバ３４への反射光の戻りを防止する方法としては、上記のように、チップキャリア４０の下面４０ａに対して前面４０ｂを９０度より僅かに小さい（あるいは大きい）角度に設定する方法だけでなく、光ファイバ３４によってケース３１内に導かれた光の光軸が受光素子３６の受光面に対して９０度より所定角度ずれた状態で入射されるように設定すればよい。
【００５５】
例えば、下面４０ａに対して９０度の角度をなす前面４０ｂをシャーシ３２の一方の側板側へ僅かに向けたり、下面４０ａに対して９０度の角度をなし且つ光軸に直交する前面４０ｂに対して、受光素子３６自体の固定角度を平行状態から僅かに傾いた状態にしたり、さらには、ケース３１内の光ファイバ３４を、その軸方向が受光素子３６の受光面に対して傾くように支持してもよい。
【００５６】
上記した光モジュール３０、３０′では全体として直方体状のチップキャリア４０を用いていたが、チップキャリア全体の形状は、光ファイバ３４とほぼ平行なシャーシ３２の内壁面に接した状態でチップキャリア自体の姿勢を安定に保持するのに必要な広さを有する第１の面と、その第１の面に対してほぼ９０度の角度をなし受光素子３６の実装に必要な広さを有する第２の面と、その第２の面に隣接し処理回路４４の実装に必要な広さを有する第３の面とを有するものであれば任意であり、例えば、チップキャリア全体の形状を三角柱や五角柱等の角柱体にしてもよい。
【００５７】
この場合、例えば、角柱体の三角形や五角形等の底面を前記第１の面、その底面に隣接する長方形状の一つの側面を第２の面、第２の面に隣接する上面または他の側面を第３の面とする。また、一つの側面を第１の面、その側面に対して９０度の角度をなすに他の側面（８角柱等の場合）または三角形や五角形等の上面を第２の面、第２の面に隣接する他の側面または三角形や五角形等の底面を第３の面とすればよい。
そして、前記同様に、第１の面をシャーシ３２の底板３２ａに接合させ、第２の面に受光素子３６を固定し、第３の面に処理回路４４を固定し、両者の間を導電材を介して接続すればよい。
【００５８】
また、前記光モジュール３０では、処理回路４４と出力端子４８の間にストリップ線路４６を設けていたが、図６、図７に示す光モジュール５０のように、ケース３１、チップキャリア４０を短縮し、ストリップ線路４６を省略して、処理回路４４と出力端子４８の間をボンデングワイヤ４７で接続したり、あるいは図示しないが、処理回路４４に出力端子４８を直結してもよい。
【００５９】
また、前記光モジュール３０では、チップキャリア４０の第３の面を上面４０ｃとし、その上面４０ｃに処理回路４４を固定していたが、チップキャリア４０の前面４０ｂに隣接する一つの側面に処理回路４４を固定してもよい。
【００６０】
また、図８、図９に示す光モジュール６０のように、チップキャリア４０の後部に低段部４０ｄ（高段部でもよい）を設け、この低段部４０ｄの上にストリップ線路４６を設け、ストリップ線路４６と処理回路４４の間をボンディングワイヤ４７で接続してもよい。
【００６１】
この場合、段差の分だけ接続長が延びるが、処理回路４４とストリップ線路４６のインピーダンスは低い（例えば５０Ω）ので、この接続長の増加による信号遅延は無視できる。
【００６２】
ただし、ボンディングワイヤ４７の接続部分による反射が起こる可能性があるので、ボンディングワイヤ４７の長さは波長に対して無視できる程度、例えば波長の１／２４以下にすることが望ましく、１０ＧＨｚの場合の自由空間波長は３ｃｍであるので、ボンディングワイヤ４７の長さは１．２５ｍｍ程度以下にすればよい。
【００６３】
また、図１０、図１１に示す光モジュール７０のように、横向き凹状に形成されたチップキャリア４０を用いることもできる。このような横向き凹状のチップキャリア４０を用いた場合、チップキャリア自体の表面積が多くなり、放熱効果が高くなる。また、凹部４９の内側表面に金属膜を被着することで、より放熱効果を高くすることができる。
【００６４】
また、前記した各光モジュールは、受光素子の出力信号に対する電圧変換処理と増幅処理を行い、その増幅した信号を出力するものであったが、本発明は、光ファイバによってケース内に導いた光を受光素子で受光し、その出力信号に対する各種の処理を行なう処理回路を有する他の光モジュール、例えば、受光素子の出力信号を増幅して波形整形して２値化し、その２値化された信号で強度変調した光を出射する中継用の光モジュール等にも同様に適用することができる。
【００６５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の光モジュールは、シャーシの光ファイバとほぼ平行な内壁面に接した状態で当該チップキャリアを保持するための第１の面と、その第１の面に対して所定の角度をなし受光素子を実装するための第２の面と、その第２の面に隣接し処理回路を実装するための第３の面とを有するチップキャリアを、その第１の面がケース内に光ファイバとほぼ平行なシャーシの内壁面に接し、第２の面が光ファイバの端面に対向した状態でシャーシ内に固定し、そのチップキャリアの第２の面に受光素子を固定し、第３の面に処理回路を固定し、受光素子と処理回路との間を導電材を介して接続している。
【００６６】
このため、簡単な構造で、受光素子と処理回路の間の接続長を短くすることができ、高周波の変調成分を効率よく且つ少ない遅延で処理回路に供給することができる。
【００６７】
また、チップキャリアの第１の面は、光ファイバとほぼ平行なシャーシの内壁面に接した状態で当該チップキャリアを保持できるようになっているため、チップキャリアをシャーシの内壁に安定した状態で固定でき、固定作業が容易で、機械的な強度も十分となり、信頼性が高い。また、光ファイバと受光素子との間だけで光軸合わせをすればよく、その調整が容易である。
【００６８】
また、受光素子の一面が、光ファイバによってケース内に導かれた光の光軸に対して完全に直交しておらず、僅かな傾きをもたせたものでは、光ファイバから受光素子に出射された光の反射成分が光ファイバ側に戻ることがなく、その戻り光によって光源動作に悪影響を与えるという現象を防止することができる。
【００６９】
また、チップキャリアの受光素子が固定されている部分と処理回路が固定されている部分との間に断熱層を設けたものでは、処理回路が発生した熱が受光素子に伝達されにくくなり、受光素子の温度上昇による増倍率変動を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の平面図
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図
【図３】実施形態の変形例を示す図
【図４】図３のＢ−Ｂ線断面図
【図５】光軸と受光素子の面との関係を示す図
【図６】実施形態の変形例を示す図
【図７】図６のＣ−Ｃ線断面図
【図８】実施形態の他の変形例を示す図
【図９】図８のＤ−Ｄ線断面図
【図１０】実施形態の他の変形例を示す図
【図１１】図１０のＥ−Ｅ線断面図
【図１２】従来装置の構造を示す図
【図１３】図１２のＦ−Ｆ線断面図
【図１４】別の従来装置を示す図
【図１５】図１４のＧ−Ｇ線断面図
【符号の説明】
３０、３０′、５０、６０……光モジュール、３１……ケース、３２……シャーシ、３３……カバー、３４……光ファイバ、３５……支持部材、３６……受光素子、３７……受光部、３８、３９……電極、４０……チップキャリア、４０ａ……下面（第１の面）、４０ｂ……前面（第２の面）、４０ｃ……上面（第３の面）、４１、４２……導電パターン、４３……溝、４４……処理回路、４５……ボンディングワイヤ、４６……ストリップ線路、４７……ボンディングワイヤ、４８……出力端子
【図１】
2004117902.tif 000003
【図２】
2004117902.tif 000004
【図３】
2004117902.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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