(57)【要約】【課題】小型化したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの位相特性等の電気的特性を改善する手段を得る。【解決手段】圧電基板の主表面上に表面波の伝搬方向に沿って正、負及び零の重み付けを施した２つのＩＤＴ電極を所定の間隙を置いて配置して構成したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタであって、該トランスバーサル型ＳＡＷフィルタの中心周波数における群遅延時間を、２つのＩＤＴ電極の間を表面波が伝搬するに要する時間より大きくなるように構成する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板の主表面上に表面波の伝搬方向に沿って正、負及び零の重み付けを施した２つのＩＤＴ電極を所定の間隙を置いて配置して構成したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタにおいて、
前記トランスバーサル型ＳＡＷフィルタの中心周波数における群遅延時間を、前記２つのＩＤＴ電極の間を表面波が伝搬するに要する時間より大きくしたことを特徴とするトランスバーサル型ＳＡＷフィルタ。
【請求項２】
前記トランスバーサル型ＳＡＷフィルタの中心周波数における群遅延時間が１．３２μｓから１．６μｓの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載のトランスバーサル型ＳＡＷフィルタ。
【請求項３】
前記トランスバーサル型ＳＡＷフィルタの中心周波数における群遅延時間が１．４μｓから１．５５μｓの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載のトランスバーサル型ＳＡＷフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はトランスバーサル型ＳＡＷフィルタに関し、特に位相直線性等の電気的特性を改善したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、弾性表面波フィルタ（以下、ＳＡＷフィルタと称す）は通信分野で広く利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有することから特に携帯電話等に多く用いられている。ここ数年の携帯電話の急速な普及、中でも画像等のデータ通信の需要増により、従来のＰＤＣ、ＡＭＰＳ方式等の狭帯域キャリアを用いる通信方式から、高速大容量に適した広帯域キャリアを使うＣＤＭＡ方式が急速に普及しつつある。
ＣＤＭＡ端末機に用いられるＩＦフィルタは高速大容量のデータを伝送するため、小型軽量、広帯域、低挿入損失であると共に、隣接のキャリアを阻止する急峻な減衰傾度が要求される。さらに、ＩＦフィルタは高速なデジタルデータの品質を保持するため、位相の直線性も要求される。例えば、図７は北米ＣＤＭＡ用ＩＦフィルタとして用いられる、中心周波数１８３．６ＭＨｚ、通過帯域幅１．２３ＭＨｚの典型的なフィルタ仕様である。このような厳しい仕様を満たすフィルタとしては、振幅特性と位相特性とをそれぞれ個別に設計可能なトランスバーサル型ＳＡＷフィルタが適している。
【０００３】
図８は従来のトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの構成を示す平面図であって、圧電基板２１の主表面上に表面波の伝搬方向に沿って２つのＩＤＴ電極２２、２３を所定の間隙を空けて配置すると共に、該ＩＤＴ電極２２、２３の間に電極２４を配設する。ＩＤＴ電極２２、２３はそれぞれ互いに間挿し合う複数の電極指を有する一対のくし形電極より構成されており、ＩＤＴ電極２２の一方のくし形電極を入力端子ＩＮに接続すると共に、他方のくし形電極は接地する。ＩＤＴ電極２３の一方のくし形電極を出力端子ＯＵＴに接続すると共に、他方のくし形電極は接地し、トランスバーサル型ＳＡＷフィルタを構成する。また、ＩＤＴ電極２２、２３の間に設けた電極２４は接地することによって入出力端子間の直達波の遮蔽用として機能している。なお、圧電基板２１の長辺方向（表面波伝搬方向）の両端に粘着材３１を塗布して不要反射波を抑圧するのが一般的である。
【０００４】
図８のような正規型ＩＤＴ電極を用いて表面波を励起した場合、表面波は伝搬方向に沿って左右に等しく伝搬するために、挿入損失は大きくなるという問題があった。この問題を改善すべく単相一方向性変換器（ＳＰＵＤＴ）が考案された。ここで、ＳＰＵＤＴの電極構成について少し説明する。図９はＳＰＵＤＴの基本区間ＩＤＴ電極の一例とその作用を説明するための図であって、図中左端を原点とした場合、それぞれの電極指の中心座標ｄ１、ｄ２、ｄ３と、電極指幅ｗ１、ｗ２、ｗ３を図に示した値のように設定すると、このＳＰＵＤＴ基本区間ＩＤＴ電極の反射中心の座標ｄ１は（（λ／４）／λ）・２π＝９０°となり、励振中心の座標ｄ２は（０．６２５λ／λ）・２π＝２２５°付近となり、図中右方へ表面波を強く励振できることが知られている。ここで、λとは弾性表面波の波長であり、基本区間の長さに対応する。
また、図１０は基本区間ＩＤＴ電極の別の例であり、励振作用は有するものの反射作用が無いＩＤＴ電極である。
【０００５】
図１１（ａ）は、ＳＰＵＤＴ基本区間ＩＤＴ電極を複数個配置してＩＤＴ電極を構成したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタを示す図であって、図中左側のＩＤＴ電極は図９に示す一方向に強く表面波を励起するＳＰＵＤＴ基本区間ＩＤＴ電極を３つ配置したものであり、図中右方への表面波を強く励振することができ、図中右側のＩＤＴ電極は圧電基板の中心に対し図中左側のＩＤＴ電極と対称に構成されているので、左方から伝搬する表面波を効率よくピックアップし、電気信号に変換することができる。このようなＳＰＵＤＴを入出力ＩＤＴ電極として用いることにより、トランスバーサル型ＳＡＷフィルタの挿入損失は大幅に低減されるようになった。
【０００６】
しかし、入出力ＩＤＴ電極にＳＰＵＤＴのみを用いてトランスバーサル型ＳＡＷフィルタを構成すると、挿入損失は低減するもののＩＤＴ電極の方向性が強すぎるため、フィルタの位相歪みが発生するという問題があった。そこで、ＩＤＴ電極をＳＰＵＤＴと、反射電極が間引かれて方向性が無い、所謂反射間引き電極とで構成することにより、ＩＤＴ電極全体として適度な方向性を持たせ、低挿入損失と位相直線性とを共に実現する設計手法が考案された。これは、低挿入損失と位相直線性を同時に満たすように、ＩＤＴ電極の反射に重み付けしたとも云える。図１１（ｂ）はそのようなトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの例であり、入力ＩＤＴ電極２８は図９に示す基本区間ＩＤＴ電極αと、図１０に示す基本区間ＩＤＴ電極βとをαβαの順に配置して、反射に重み付けを施した構成例である。
【０００７】
一方、トランスバーサル型ＳＡＷフィルタのカットオフ特性をさらに急峻にするために、上述のような反射の重み付けに加えて、ＩＤＴ電極に励振の間引き重み付けを施す手法も考案されている。また、米国特許５，７０３，４２７号には、方向性の異なるＳＰＵＤＴ  基本区間ＩＤＴ電極を組み合わせて、ＩＤＴ電極内部に幾つかの局所的な共振キャビティを生じさせ、ＩＤＴ電極全体としては一方向性を持たせた変換器、即ち内部共振型一方向性変換器（ＲＳＰＵＤＴ）を用いたトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの設計手法が開示されている。
このＲＳＰＵＤＴをＩＤＴ電極に用いたトランスバーサル型ＳＡＷフィルタは、挿入損失が低減すると共に伝送特性が改善されるという特徴がある。つまり、このＩＤＴ電極内は方向性の異なる３つのグループのＳＰＵＤＴから構成されている。図中右方への伝搬方向を順方向、左方への伝搬方向を逆方向とすれば、順方向のＳＰＵＤＴ  基本区間ＩＤＴ電極を５０λ分配した第１のグループと、逆方向のＳＰＵＤＴ  基本区間ＩＤＴ電極を４０λ分配した第２のグループと、更に順方向のＳＰＵＤＴ基本区間ＩＤＴ電極を２０λ分配した第３のグループとからなるＩＤＴ電極を用いてトランスバーサル型ＳＡＷフィルタを構成した例と、その伝達応答が示されている。
この米国特許のｆｉｇ．１１には、ＩＤＴ電極の位置（ＳＡＷの伝搬方向）を横軸にＳＰＵＤＴの反射係数縦軸にとったグラフが図示されている。反射の重み付けを施したＩＤＴ電極を用いたトランスバーサル型ＳＡＷフィルタが例示されている。同図から、この米国特許発明はＩＤＴ電極に反射係数が正の部分と、反射係数が負の部分と、零の部分とが存在する。ここで反射の正負について簡単に説明する。これまでは正と零の反射重み付けを施したフィルタが一般的であったが上記米国特許発明のものは、これと比べ、挿入損失が７．４ｄＢから６．５ｄＢに低減されること、群遅延時間偏差が２００ｎｓｅｃから１００ｎｓｅｃに半減されること、第二のサイドローブの減衰量が大きく確保されること、通過帯域が広がること等の特徴を有すると記されている。
【０００８】
このように、ＳＰＵＤＴを用いて正、負及び零の反射重み付けをしたＩＤＴ電極からなるトランスバーサル型ＳＡＷフィルタでは、入力側ＩＤＴ電極及び出力側ＩＤＴ電極のどの位置に左、右どちらの方向性を有するＳＰＵＤＴをどの程度配置するかによって、フィルタの伝達応答が大きく異なる。通常、入力側ＩＤＴ電極、あるいは出力側ＩＤＴ電極、もしくは入出力両方のＩＤＴ電極に反射と励振の重み付けを施すため、ＩＤＴ電極のどの位置にどの程度の反射の重み付けと、励振の重み付け、即ち励振の有無及びその正、負の両方の重み付けを、要求仕様を満たすように適切に設計することは難しい。そこで、設計しようとするフィルタの伝送特性が要求仕様に近づくように、ＩＤＴ電極に反射と励振との重み付けの最適配置を行う組み合わせ、つまり最適化をコンピューターを用いて行うことが一般的である。
【０００９】
図１２は、要求仕様を満たすようにＩＤＴ電極に反射と励振の重み付けの最適配置をシミュレーションによって求めたトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの入力側あるいは出力側ＩＤＴ電極の構成例を示す図である。図１２のＩＤＴ電極は６個のＳＰＵＤＴ（基本区間ＩＤＴ電極）、即ち６λのＩＤＴ電極からなる構成例である。図１２の基本区間ＩＤＴ電極の励振及び反射の作用は図１３に説明してある。励振中心を０〜３６０°の数値で表すものとする。図１２の例では励振中心が９０°に位置する場合を正の励振、これとは１８０°反転した位置、即ち２７０°に励振中心が位置する場合を負の励振、励振電極が間引かれて存在しない場合は零の励振と表せば、図１２のＩＤＴ電極は図中左端から順に、＜零、正、負、零、正、正＞の励振重み付けが施されていることになる。
【００１０】
また、図１２において反射中心が１３５°、あるいは３１５°に位置する場合を正の反射、これとは９０°反転した位置即ち４５°、あるいは２２５°に位置する場合を負の反射、反射電極が間引かれて反射が存在しない場合は零の反射と表せば、図１２のＩＤＴ電極は図中左端から順に、＜負、負、零、零、負、正＞の反射重み付けが施されていることになる。
また、基本区間内（λ）の局所的な方向性を左、右で表せば、図１１のＩＤＴ電極は図中左端から順に、＜右、右、零、零、右、左＞の方向性を有していると言える。励振電極が間引かれて存在しない電極においては仮に励振中心が９０°にあるものとすると、方向性の有無で表せば、図中左端から順に＜有、有、無、無、有、有＞の重み付けが施されていると表すことも出来る。
【００１１】
ここで、トランスバーサル型ＳＡＷフィルタのもう１つの重要な電気的特性である群遅延時間について少し説明する。図１４に示すように、入出力ＩＤＴ電極３０、３１の長さをそれぞれＬ１、Ｌ３、該ＩＤＴ電極３０、３１の間隙をＬ２とし、入力ＩＤＴ電極３０の中心から出力ＩＤＴ電極３１の中心までの長さをＬｍとすれば、Ｌｍ＝（Ｌ１／２＋Ｌ２＋Ｌ３／２）となる。無反射のＩＤＴ電極で構成され、かつ励振の重み付けがない古典的なトランスバーサル型ＳＡＷフィルタでは、中心周波数における群遅延時間τｏはτｏ＝Ｌｍ／Ｖ０（ｓｅｃ．）となる。ここで、Ｖ０はこのフィルタの中心周波数における表面波の位相速度である。
しかし、実際のトランスバーサル型ＳＡＷフィルタではいろいろな電極ピッチのＩＤＴ電極やグレーティングが混在し、更にシールド電極部３２のように自由表面基板部とメタライズ部から構成される部分がＩＤＴ電極間に存在する場合がある。このような実際のフィルタの遅延時間Ｔについて考える。いま、電極ピッチλ１の基本区間ＩＤＴ電極が１０個（１０λ１）、電極ピッチλ２の基本区間ＩＤＴ電極が１０個（１０λ２）、自由表面基板部、メタライズ部分であるシールド電極部３２の長さがそれぞれＬｆ、Ｌｓであるとする。つまり、全体の長さＬ’はＬ’＝１０λ１＋１０λ２＋Ｌｆ＋Ｌｓとなる。このときの距離Ｌ’を伝搬する表面波の中心周波数における遅延時間Ｔ’は、次式で求まる。
Ｔ’＝１０λ１／Ｖ１＋１０λ２／Ｖ２＋Ｌｆ／Ｖｆ＋Ｌｓ／Ｖｍ        （１）
ここで、Ｖ１、Ｖ２はそれぞれ電極ピッチλ１、λ２のＩＤＴ電極における表面波の位相速度であり、フィルタの中心周波数ｆ０からＶ１＝λ１×ｆ０でおおよそ求めることができる。また、電極ピッチλ１、λ２の電極構造から有限要素法（ＦＥＭ）解析等の計算によって求めてもよい。Ｖｆ、Ｖｍはそれぞれ自由表面基板部、メタライズ部の表面波の位相速度であり、文献値、計算値、実測値等のいずれか適切な値を用いればよい。
【００１２】
図７に示した要求仕様を満たすべく、反射に正負及び零の重み付けを施したパッケージサイズ６．０ｍｍ×３．５ｍｍの小型トランスバーサル型ＳＡＷフィルタを検討した。パッケージサイズ６．０ｍｍ×３．５ｍｍに収容する圧電基板の長辺方向（表面波の伝搬方向）は４．７５ｍｍ、短辺方向は１．２０ｍｍとし、圧電基板の両端に長さ０．３ｍｍ程度の吸音材を付着することにした。そうすると、入出力側ＩＤＴ電極の長さＬ１、Ｌ３はそれぞれ１．０２０ｍｍ、２．８５６ｍｍ、該ＩＤＴ電極間の間隙Ｌ２を０．２４２ｍｍとすると、ＩＤＴ電極の全長ＬはＬ＝Ｌ１＋Ｌ２＋Ｌ３＝４．１１８ｍｍとなる。入出力ＩＤＴ電極間には接地されたグレーティングを配置した。表面波の位相速度を３１２１．１０ｍ／ｓｅｃ．とすると、表面波がＩＤＴ電極の全長Ｌを伝搬するのに要する時間、即ち遅延時間ＴはＴ＝０．００４１１８（ｍ）／３１２１．１（ｍ／ｓｅｃ）＝約１．３２μｓｅｃ．となる。ＩＤＴ電極の全長Ｌを伝搬する表面波の遅延時間Ｔより、トランスバーサル型ＳＡＷフィルタの中心周波数における群遅延時間τｏが小さくなる範囲内（τｏ＜１．３２μｓｅｃ．）でＩＤＴ電極の設計を行うことにし、ＩＤＴ電極には反射、励振ともに正負及び零の重み付けを施した。
【００１３】
具体的な入出力ＩＤＴ電極構造として、図１３に示す１１種類の基本区間ＩＤＴ電極を組み合わせて、反射、励振に正負及び零の重み付けを行い、電極膜厚は２．９％λ（λは電極周期）とした。トランスバーサル型ＳＡＷフィルタの伝達応答は１１種類の基本区間ＩＤＴ電極をどのように組み合わせるかに左右される。つまり、トランスバーサル型ＳＡＷフィルタの設計とは位相直線性も含めて、図７に示した要求仕様を満足するように、１１種類の基本区間ＩＤＴ電極の最適な組み合わせを見出すことである。この最適な組み合わせを求めるには、コンピューターによる遺伝的アルゴリズムを用いて最適化問題を解くことで求める。要求仕様を満足する解が存在しない場合には、要求仕様に最も近い特性が得られる組み合わせを解とすることにする。この様な設計方法を最適化設計と称す。
図１５は、図７の要求仕様を満たすように最適化設計を行ったトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの電気特性を示す図であり、中心周波数における絶対群遅延時間は約０．８μｓｅｃ．であった。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図１５から明らかなようにトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの位相直線性は要求仕様を満たすことが出来ず、また、中心周波数ｆ０±１．２５ＭＨｚにおける減衰量も要求規格を辛うじて満たす程度で、実際の生産時には製造偏差による不良が生ずるおそれがある。このように、パッケージサイズ６．０ｍｍ×３．５ｍｍの小型トランスバーサル型ＳＡＷフィルタに従来の設計基準を適用して設計しても要求仕様を満たすこと出来ないという問題があった。
本発明は上記問題を解決するためになされたものであって、要求仕様を満たしたパッケージサイズ６．０ｍｍ×３．５ｍｍの小型なトランスバーサル型ＳＡＷフィルタを提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明に係るトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの請求項１記載の発明は、圧電基板の主表面上に表面波の伝搬方向に沿って正、負及び零の重み付けを施した２つのＩＤＴ電極を所定の間隙を置いて配置して構成したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタにおいて、前記トランスバーサル型ＳＡＷフィルタの中心周波数における群遅延時間を、前記２つのＩＤＴ電極の間を表面波が伝搬するに要する時間より大きくしたことを特徴とするトランスバーサル型ＳＡＷフィルタである。
請求項２記載の発明は、前記トランスバーサル型ＳＡＷフィルタの中心周波数における群遅延時間が１．３２μｓから１．６μｓの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載のトランスバーサル型ＳＡＷフィルタである。
請求項３記載の発明は、前記トランスバーサル型ＳＡＷフィルタの中心周波数における群遅延時間が望ましくは１．４μｓから１．５５μｓの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載のトランスバーサル型ＳＡＷフィルタである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下本発明を図面に示した実施の形態に基づいて詳細に説明する。
図１は本発明に係るトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの構成を示す平面図であって、圧電基板１の主表面上に表面波の伝搬方向に沿って２つのＩＤＴ電極２、３を所定の間隙を空けて配置すると共に、該ＩＤＴ電極２、３の間に電極４を配設する。ＩＤＴ電極２、３はそれぞれ互いに間挿し合う複数の電極指を有する一対のくし形電極より構成されており、ＩＤＴ電極２の一方のくし形電極を入力端子ＩＮに接続すると共に、他方のくし形電極は接地する。ＩＤＴ電極３の一方のくし形電極を出力端子ＯＵＴに接続すると共に、他方のくし形電極は接地し、トランスバーサル型ＳＡＷフィルタを構成する。そして、ＩＤＴ電極２、３の間に設けたシールド電極部４は接地することによって入出力端子間の直達波の遮蔽用として機能している。なお、圧電基板１の長辺方向（表面波伝搬方向）の両端に粘着材５、６を塗布して不要反射波を抑圧している。
【００１７】
ここで、従来の設計基準に基づいた、パッケージサイズ６．０ｍｍ×３．５ｍｍのトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの電気的特性、特に位相直線性が要求仕様を満たさない原因として、表面波がＩＤＴ電極の全長Ｌを伝搬するのに要する時間、即ち遅延時間Ｔ（１．３２μｓｅｃ）より、フィルタの中心周波数における群遅延時間τｏを小さくする設計条件が不適切であると推測した。そこで、  フィルタの中心周波数における群遅延時間τｏが、遅延時間Ｔ（１．３２μｓｅｃ）より大きな１．３２〜１．７μｓｅｃ．の範囲に入るように、遺伝的アルゴリズムを用いた最適設計を行った。
一般的に最適化設計の結果は初期パラメータの設定如何に大きく依存するので、最適化設計ごとに初期パラメータを異ならせて、複数回の最適化を試行した。図２は群遅延時間を１．３２μｓｅｃ．から１．４０μｓｅｃ、１．４０μｓｅｃから１．４５μｓｅｃ、１．４５μｓｅｃから１．５０μｓｅｃ、１．５０μｓｅｃから１．５５μｓｅｃ、１．５５μｓｅｃから１．６０μｓｅｃ、１．６０から１．７０μｓｅｃと区分し、これらの区分の中に群遅延時間τｏが収まるように、初期パラメータの設定を２度異ならせて最適化シミュレーションを行った。この最適化シミュレーションで得られたトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの群遅延時間τｏと位相直線性との関係を図３に示す。
【００１８】
図３から、トランスバーサル型ＳＡＷフィルタの中心周波数における群遅延時間τｏが１．３２μｓｅｃ．〜１．６μｓｅｃ．の範囲になるように設定すると、最適化設計されたトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの位相直線性は、従来の設計基準で得られたフィルタの位相直線性４．４°より優れていることが判明した。特に群遅延時間τｏを１．４μｓｅｃ．〜１．５５μｓｅｃ．に設定したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタでは、設計誤差や製造バラツキを考慮しても位相直線性が要求仕様の３°以下を満足できるものが実現可能となる。
図４は群遅延時間τｏを１．４７μｓｅｃになるように、最適化設計を行ったトランスバーサル型ＳＡＷフィルタのシミュレーション特性である。この図から全ての要求仕様を満足しており、特に位相直線性は１．８°、ｆ０±１．２５ＭＨｚにおける減衰量も４１ｄＢと十分に改善されていることが分かる。
図５は図４に示した最適化設計で得られたＩＤＴ電極パターンを用いてトランスバーサル型ＳＡＷフィルタを試作し、その伝達応答を測定した。位相特性はシミュレーションでは１．８°と求められたが、実測では１．９°と極めてよく一致していた。
図６は試作したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの伝達応答を示す図で、同図（ａ）はパスバンド特性、同図（ｂ）は減衰特性を示す図である。いずれの特性もほぼ設計通りの性能が得られ、試作したフィルタは全ての要求仕様を満足していた。
【００１９】
【発明の効果】
本発明は、以上説明したように構成したので、請求項１に記載の発明はトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの電気的特性、例えば位相直線性を改善するという優れた効果を表す。請求項２に記載の発明は小型パッケージサイズ６．０ｍｍ×３．５ｍｍのトランスバーサル型ＳＡＷフィルタに適用すると、位相直線性を改善するという優れた効果を表す。請求項３に記載の発明は特に設計誤差や製造バラツキを考慮したもので、トランスバーサル型ＳＡＷフィルタの位相直線性を改善するという優れた効果を表す。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの構成を示す平面図である。
【図２】トランスバーサル型ＳＡＷフィルタの最適化試行を表す図である。
【図３】トランスバーサル型ＳＡＷフィルタの群遅延時間と位相直線性との関係を示す図である。
【図４】最適化シミュレーションによって得られたフィルタの電気的特性と要求仕様との対比図である。
【図５】試作したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの電気的特性と要求仕様との対比図である。
【図６】試作したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの、（ａ）はパスバンド特性、（ｂ）は減衰域の特性である。
【図７】ＣＤＭＡ用ＩＦフィルタの要求仕様である。
【図８】正規型ＩＤＴ電極を用いたトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの構成を示す図である。
【図９】基本区間ＳＰＵＤＴの励振、反射の作用を説明する図である。
【図１０】別の基本区間ＳＰＵＤＴの作用を説明する図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）とも複数の基本区間ＳＰＵＤＴを用いて構成したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタである。
【図１２】複数の基本区間ＳＰＵＤＴを用いて構成したＩＤＴ電極である。
【図１３】実際に用いた１１種類の基本区間ＳＰＵＤＴの構成とその作用を示す図である。
【図１４】トランスバーサル型ＳＡＷフィルタのＩＤＴ電極の各部の長を示す図である。
【図１５】試作したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの電気的特性を示す図である。
【符号の説明】
１・・圧電基板
２、３・・ＩＤＴ電極
４・・シールド電極
５、６・・吸音材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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