(57)【要約】      （修正有）【課題】非平面対象物の位置計測を可能とする。【解決手段】プローブ３００は目標物３０８の円筒形表面の外形に実質的にマッチするような曲率半径rPを有する形状であり、それによってプローブ先端にあるセンサと形状目標物３０８の間の均一な間隔rP−rTを計測する事を可能にする。センサと目標物３０８との間隔は均一であるから、平行プレートキャパシタの容量と間隔の一般的関係を表す既知の公式を導入して均一な間隔の精確な計測値rP−rTを求める事ができる。【選択図】図３ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
計測する目標物の非線形又は非平面の特徴の少なくとも一つの対応する形状に実質的にマッチする形状を有する、少なくとも一つの伝導性センサ要素を備え、
それによって該センサ要素を該目標物に近接して配置している間、該センサ要素と該目標物の特徴の間の均一な間隔を維持する事ができる、
非接触型容量性変位センサ。
【請求項２】
前記センサ要素を実質的に包囲する為に構成された伝導性ガード要素を更に含む、
請求項１に記載のセンサ。
【請求項３】
前記ガード要素を充分に包囲する為に構成されたグラウンド要素を更に含む、
請求項２に記載のセンサ。
【請求項４】
前記センサ要素と前記センサ要素を包囲するガード要素の間に少なくとも一つ配置された非伝導性要素を更に含む、
請求項２に記載のセンサ。
【請求項５】
計測する該目標物の特徴の形状にマッチするように、少なくともセンサ要素を形作った、
請求項４に記載のセンサ。
【請求項６】
前記センサ要素を実質的に包囲する為に構成されたグラウンド要素を更に含む、
請求項１に記載のセンサ。
【請求項７】
前記センサ要素がその上に配置される基板、
を更に含む請求項１に記載のセンサ。
【請求項８】
前記センサ要素が前記基板上に配置された伝導層を備え、該伝導層が計測する目標物の特徴の形状にマッチするようにパターン化された、
請求項７に記載のセンサ。
【請求項９】
伝導性センサ要素を提供するステップと;
該センサ要素の表面に少なくとも一つ非伝導層を施すステップと、
それによって該センサ要素を該非伝導層で実質的に包囲するステップと;
該非伝導層の表面に少なくとも一つ伝導層を施すステップと、
それによって該非伝導層を該伝導層で実質的に包囲するステップと;
少なくとも該センサ要素に形状を施して、計測する目標物の非線形又は非平面の特徴の少なくとも一つの対応する形状に実質的にマッチするようにするステップと、
それによって該センサ要素を該目標物に近接して配置している間、該センサ要素と該目標物の特徴の間に均一な間隔を維持するステップと、
を有する非接触型容量性変位センサを作る方法。
【請求項１０】
前記第１の施すステップが、前記センサ要素の表面に少なくとも一つの非伝導層を重ね合わせる事を含む、
請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２の施すステップが、前記非伝導層の表面に少なくとも一つの伝導層を重ね合わせる事を含む、
請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記非伝導層の少なくとも一つが誘電層を有する、
請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の施すステップが前記センサ要素の表面に少なくとも一つの伝導層を重ね合わせる事を含み、前記第２の施すステップが前記非伝導層の表面に少なくとも一つの伝導層を重ね合わせる事を含み、それによって少なくとも一つの非伝導層で分離された伝導層の積み重ね構造を形成する、
請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
基板を提供するステップと;
該基板上に少なくとも一つ伝導層を配置するステップと、
そこに於いて少なくとも一つの該伝導層がパターン化されて該基板上に少なくとも一つセンサ要素を形成するステップと、及び
そこに於いて少なくとも該センサ要素が、計測する目標物の非線形又は非平面の特徴の少なくとも一つの対応する形状に実質的にマッチする形状を有するステップと、
それによって該センサ要素を該目標物に近接して配置している間、該センサ要素と該目標物の特徴の間に均一な間隔を維持するステップと、
を有する非接触型容量性変位センサを作る方法。
【請求項１５】
少なくとも一つの前記伝導層がガード要素を備える第一伝導層と前記センサ要素を備える第二伝導層を含み、該ガード要素が該センサ要素を実質的に包囲し、該ガード要素が前記基板と該センサ要素の間に配置される、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記配置ステップが、シルクスクリーン技術によって少なくとも一つの前記伝導層を前記基板の表面に施す事を含む、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
レーザ切断技術によって少なくとも一つの前記伝導層をパターン化するステップを更に含む、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記配置ステップが、フォトリソグラフィ技術によって少なくとも一つの伝導層を前記基板の表面に施す事を含む、
請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
＜関連出願について＞
この出願は２００３年３月１９日出願の形状目標物計測用形状化非接触型容量性変位センサと称する米国仮出願60/455,757の優先権を主張する。
＜連邦政府の後援による研究開発に関する宣明＞
なし
【背景技術】
【０００２】
＜発明の背景＞
本出願は一般的に非接触型容量性変位センサに関し、特に、センサと形状を有する目標物との間隔を精確に計測できる、非接触型容量性変位センサに関する。
【０００３】
センサと目標物間の容量の変化を検出する事によってセンサ要素と目標要素間の小間隔を計測する為に採用可能な非接触型容量性変位センサが知られている。従来の非接触型容量性変位センサは典型的に、センサ要素と、ガード要素と、グラウンド要素とを含むプローブ装置からなる。ガード要素は、プローブのセンサと他の部分の間に発生するかも知れない容量に対するセンサの感度を減らすように、センサ要素を囲むように構成される。グラウンド要素はガード要素を囲むように構成される。特に、グラウンド要素はプローブの構造の一部分を構成する。例えば、グラウンド要素はプローブを取付けるのに用いる表面を用意する為のリングとして構成されても良い。ガード及び/又はグラウンドリングはプローブの構成から省いても良い。従来のプローブ装置のセンサ要素と、ガード要素と、グラウンド要素は典型的に、機械的に別々に作られた金属製部分を製造工程で接合された全体のプローブ構造からなる。
【０００４】
典型的な操作モードでは、従来のプローブ装置のセンサ要素がキャパシタの一プレートを形成し、目標要素が該キャパシタのもう一方のプレートを形成し、該プローブと該目標物との間隔は、該各々の伝導性プレート間の容量の変化を検出して定められる。検出された容量は該プローブと該目標物との間隔によって変化し、この容量変化が、引き続き処理されて該間隔、又は、間隔の変化を示す出力信号を発生する計測信号となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上に述べた従来の非接触型容量性変位センサには不利益な点が幾つかある。例えば、従来のプローブ装置の様々な要素は典型的に個々に機械的に作られた部分からなる為プローブの製造工程には人手が非常に必要になり、センサの全体コストの増加の原因になる。
【０００６】
それに加えて、従来の非接触型容量性変位センサを用いて間隔計測値を求める方法は、センサと形状目標物（即ち、平坦な伝導性プレートに近似しない形状を有する目標要素）の間隔を計測する際問題になる可能性がある。例えば、目標要素はディスクかも知れない。そして、従来のプローブ装置で該プローブと該ディスクのエッジの間隔を計測するのが望ましいかも知れない。この例ではディスクのエッジは平らでなく、ディスクの円周の外形に従う。その結果、センサ要素と目標要素（即ち、ディスクエッジ）の組み合わせは平行プレートキャパシタを形成しない。従って、該二つの平行プレート間の容量を判定する従来の方法は、該プローブと形状目標物の間隔を正確に測定するのに用いる事はできない。
【０００７】
従って、改良した非接触型容量性変位センサを用いる事が望ましい。そのような容量性変位センサは該センサと形状目標物との小さな間隔を精確に計測できる。又、製造が簡単で高価でない非接触型容量性変位センサを用いる事も望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
＜発明の簡単なまとめ＞
本発明に従って、センサと形状目標物との小さな間隔を精確に計測するのに導入できる改良した非接触型容量性変位センサを提供する。ここに開示する容量性変位センサの利点は、目標物の形状に充分マッチした形状を有するセンサ要素を提供する事によって達成される。
【０００９】
一実施例では、非接触型容量性変位センサはセンサ要素と、ガード要素と、グラウンド要素を含むプローブからなる。該ガード要素は該センサ要素を充分に包囲し、該グラウンド要素は該ガード要素を充分に包囲する。更に、該センサ要素は、目標要素の形状に充分にマッチする形状を少なくとも有する。別の実施例では、該グラウンド要素は該センサとガード要素を部分的に包囲するか、又は、該ガード要素及び/又グラウンド要素を省いても良い。
【００１０】
例えば該目標要素がディスクの場合、該センサ要素は、曲率半径を該ディスクエッジの外形にマッチするような形状にする事が出来る。こうすると、該形状センサ要素と形状目標物（例えばディスクエッジ）の間に均一な間隔が維持される。従って、該センサ要素を導入して該センサとディスクエッジとの均一な間隔を計測する事が出来る。
【００１１】
この実施例では、非接触型容量性変位センサは薄膜合板技術を用いて製造される。例えば、薄膜合板技術を導入して該センサ要素と、複数の誘電素子層と、該ガード要素からなる積み重ねを形成する。この例では、該センサ要素は二つの誘電層の間に配置され、該ガード要素は、該誘電層に各々重ね合わせられた二つの伝導平面板からなる。更に、フレキシブルなプリントサーキットボードを製造するのに用いられる薄膜合板技術を導入して、フレキシブルなセンサ要素の形状を該目標要素の外形にマッチさせることも可能である。
【００１２】
ディスクの構造が隆起したリングを含む場合には、該プローブは、該リングの外形にマッチする曲率半径を有する形状のセンサ要素を替わりに含む事が可能である。例えば、このような形状センサ要素を替わりに導入して、該リングの軸の位置を計測しても良い。この例では、該リングの軸位置を計測する時、該プローブを該リングの平面に実質的に直角に配置できる。
【００１３】
このような別の実施例の非接触型容量性変位センサは、シルクスクリーンか、レーザカットか、フォトリソグラフィか、で描かれた伝導層パターンを形成し、該パターン化した伝導層を基板に適用する事によって生産される。更に、フレキシブルなプリント回路ボードを製造するのに用いるようなパターン化技術を導入して、フレキシブルなセンサ要素の形状を該目標要素の外形にマッチさせる事も可能である。
【００１４】
目標要素の形状に充分マッチする形状のセンサ要素を有する非接触型容量性変位センサを提供する事によって、該センサ要素と目標要素間の小さな間隔を、該センサと目標物間の容量を判定する方法で計測する事が出来る。更に、フレキシブルなプリント回路ボードを生産するのに用いるような薄膜合板化技術及び/又はパターン化技術を導入する事によって、形状化したセンサ要素を安価に作る事ができる。
本発明のその他の特徴、機能、及び局面は、以下に続く本発明の詳細な説明から明らかである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
＜発明の詳細な説明＞
２００３年３月１９日出願の米国仮出願60/455,757（形状目標物計測用形状化非接触型容量性変位センサ）を引用をもってここに組み込む。
【００１６】
センサと形状目標物間の間隔を精確に計測する為に導入される、改良した非接触型容量性変位センサを開示する。本開示の容量性変位センサは、該目標要素の形状に実質的にマッチする形状を有するセンサ要素を含む。
【００１７】
一般的に容量性変位センサは、計測する目標物の表面に物理的に触れる事のない変位計測を提供する。従来の容量性変位センサは典型的に一つのキャパシタプレートを有するプローブを含む。該キャパシタのもう一つのプレートは、変位を計測する該目標物からなる。典型的な操作モードでは、該プローブは計測する該目標物の表面の近辺に配置され、そこでキャパシタを形成する。そうすると、間隔と容量の関係は分かっているので、該プローブと目標物との間隔はこの容量を計測する事によって導かれる。特に理想的な平行キャパシタプレートの場合は、容量と間隔は次の式の関係にある。
C = ε0A/d, (1)
【００１８】
ここで、"C"は容量、"ε0"は自由空間の誘電率、"A"は該プローブのセンサ要素の面積、そして"d"は該センサと目標物の間隔である。式(1)で定義されるように、プローブ対目標物の間隔が変わると、容量Cに相伴う変化が現れる。
【００１９】
この技術に普通に熟練した者には、該プローブの感知面積Ａは、該プローブと目標物間に生じる容量が検知可能で引き続き処理できるのに充分な大きさになるように、少なくともある最小限の大きさである事が上の式(1)から理解できるであろう。
【００２０】
図１は、円形センサ要素１０２と、ガード要素２０４と、グラウンド要素１０６を含むプローブ１００からなる従来の非接触型容量性変位センサの背面図を表す。図１に示すように、ガード１０４は円形センサ１０２を包囲し、グラウンド要素１０６はガード１０４を包囲するリングを形成する。ガード１０４は、プローブ１００のセンサ１０２とその他の部分との間に生じるかも知れない容量にセンサ１０２がより鈍感になるように構成される。更に、プローブ１００の構造の一部を形成するグラウンドリング１０６は、プローブ１００を据え付けるのに用いる事が出来る表面を提供する。円形センサ１０２を含む従来のプローブ１００は一般に該プローブの軸の周りの回転に無感覚であり、その寸法としては最大の感知面積を提供する。もっと更に、センサ１０２と、ガード１０４と、グラウンドリング１０６は典型的に各々機械で作った金属製の部分からなり、一緒に接着されてプローブ１００の全体の構造を形成する。
【００２１】
図１の従来のプローブ１００の一つの不利な点は、非平面表面を有する目標物とセンサ１０２との間隔を精確に計測できないかも知れない事である。例えば図２は、従来のプローブ１００と円筒形表面を有する目標物２０８の側面図を表す。図２に示すように、プローブ１００に含まれているセンサと円筒形目標物２０８との間隔"d"を計測するのにプローブ１００が用いられる。
【００２２】
もし該円筒の半径が大きければ、従来のプローブ１００を導入して該センサと円筒形目標物間の間隔を精確に計測する事ができる事が分かる。しかし、もし該円筒形目標物の半径が小さければ、該目標物に過剰に接近しないでも検知できて引き続き処理できるだけの充分な大きさの容量がセンサに発生しないかも知れない。
【００２３】
そのような小さな半径rTを有する円筒形目標物を図２に表す。目標物２０８の半径rTは小さいから、検知と事後処理ができる程に充分な大きさの容量を発生させるには、従来のプローブ１００では目標物２０８の直ぐ近くまで持って来なければならない。更に注意する事は、プローブ１００内のセンサと目標物２０８の円筒形表面によって形成されたキャパシタは平行プレートキャパシタに近似しない事である。従って、平行プレートキャパシタに関する容量と間隔の一般的関係を表す式(1)は、間隔dの精確な結果を生まないかも知れない。
【００２４】
図３ａは、本発明による、プローブ３００を含む非接触型容量性変位センサの図解実施例を表す。該図解実施例では、プローブ３００は目標物３０８の外形に充分マッチする形状を有する。目標物３０８の軸上の高さが大きい（例えば、目標物３０２が円筒の）場合は、該円筒の表面の外形に充分マッチするようにプローブ３００に形状を施す。目標物３０８の軸上の高さが小さい（例えば、目標物３０８がディスクの）場合は、該ディスクのエッジの外形に充分マッチするようにプローブ３００に形状を施す。
【００２５】
図３aに描写するように、円筒形目標物３０８は比較的小さな半径rTを有する事は注意に値する。上に述べたように、プローブ３００は目標物３０８の外形に実質的にマッチする形状を有する。従って、センサ要素３０２（図３b参照）を含むプローブ３００は、該円筒形表面の外形に実質的にマッチするような曲率半径rPを有する形状であり、それによってセンサ３０２が形状センサ３０２と形状目標物３０８の間の均一な間隔rP−rTを計測する事を可能にする。
【００２６】
たとえ目標物３０８の半径rTは小さくても、センサ３０２と目標物３０８の間に検知可能な容量を発生させる為にプローブ３０８を過剰に目標物３０８に近づける必要はない事が分かる。何故なら、形状センサ３０２は、センサ３０２と目標物３０８の円筒形表面との間の均一間隔を維持するように構成されるからである。そして更に、センサ３０２と目標物３０８との間隔は均一であるから、平行プレートキャパシタの容量と間隔の一般的関係を表す式(1)のような既知の公式を導入して均一な間隔の精確な計測値rP−rTを求める事ができる。
【００２７】
図３bはプローブ３００の背面図を表す（図３a参照）。図３bに示すように、プローブ３００は長方形の断面を有する。特に、プローブ３００は長方形センサ要素３０２とセンサ要素３０２を包囲するガード要素３０４を含む。センサ３０２の断面は長方形であるから、センサ３０２に必要な円筒形の軸上の高さは減少する。ガード３０４は、センサ３０２がプローブ３００のセンサ３０２とその他の部分間で発生するかも知れない容量により鈍感になるように構成される。
【００２８】
上に述べたように、目標物３０８の半径rTと軸上の高さは両方とも比較的小くても良く（例えば目標物３０８はディスクでも良い）、図３cは、プローブ３００からディスクの目標物３０８までの間隔を測定するのに導入できるプローブ３００の一実施例を示す。特に図３cのプローブ３００は、二つの誘電層３０３と、二つの誘電層３０３の間に配置したセンサ要素３０２と、該二つの誘電層３０３を包囲するガード要素３０４を含む重ね合わせ構造からなる。一実施例では、図３cのプローブ３００は薄膜合板技術によって、誘電層３０３をセンサ要素３０２に重ね合わせ、ガード要素３０４を誘電層３０３に重ね合わせて作られる。更に、フレキシブルなプリント回路ボードの製造に用いられる薄膜合板技術を導入してセンサ３０２のようなフレキシブルなセンサ要素の形状をディスクの目標物３０８の外形にマッチさせる事もできる。勿論、硬いプリント回路ボードの製造に用いるような薄膜合板技術又はその他の適当な薄膜合板技術でも、電気的伝導層を非電気的伝導層の間に重ね合せる事ができる技術は何でも替わりに導入できる。
【００２９】
図４aに、本発明による非接触型容量性変位センサを用いて計測されるもう一つの代表的目標要素４０８を示す。特に、目標要素４０８は、その軸上の位置を計測する必要がある場合の、隆起したリング４１０を有するディスクである。リング４１０を含むディスク目標物４０８の断面図を図４bに示す。ここに開示する実施例では、ディスク目標物４０８の半径は比較的小さく、リング４１０は比較的狭い。
【００３０】
図４cに、本発明によるプローブ４００を含む非接触型容量性変位センサの実施例を示す。この実施例では、プローブ４００は目標要素４０８の外形、特にリング４１０の外形、に充分マッチする形状を有する。特に、プローブ４００はセンサ４０２と、センサ４０２を充分包囲するガード４０４を含む。このセンサ４０２とガード４０４の組み合わせは基板４１２の表面上に配置される。図４cに示すように、センサ４０２の形状は、曲率半径rSがリング４１０の半径にマッチするリングの一部分の形状である。一実施例では、センサ４０２の幅を、対応するリング４１０の幅よりわずか狭くしている。その結果、センサ４０２とリング４１０間の間隔を均一にし、それ故に、上記の式(1)のような既知の公式を導入してセンサ４０２とリング４１０の間の均一な間隔の精確な計測値を求める事ができるようにプローブ４００を配置する事ができる。
【００３１】
ここに開示する実施例では、基板４１２は長方形の断面を有する。しかし、該基板は、例えば目標物４０８の近辺に据え付けられるかも知れない様々な特徴を避けたり該目標物自体のその他の特徴を避ける為に、その他何でも適当な形状にする事ができる事が分かる。更にガード４０４は、図４cに示すように弓なりの形状でも良いし、その他何でも適当な形状で良い。
【００３２】
図４dに、プローブ４００からリング４１０までの間隔を計測する為に導入する事ができるプローブ４００の一実施例を示す。特に図４dのプローブ４００は、基板４１２の表面に適用されるガード４０４を形成する第一伝導層と、ガード４０４上に配置される誘電層４０３と、誘電層４０３に適用されるセンサ４０２を形成する第二伝導層と、からなる。該第一伝導層はガード４０４を形成する為に任意にパターン化され、第二伝導層はセンサ４０２を形成する為にパターン化される。一実施例では、プローブ４００は、伝導層パターンを描出するのに用いるシルクスクリーン技術か、レーザカット技術か、フォトリソグラフィ（写真平版）技術か、によって作られる。これらの技術を実施する為の技術は厚膜技術か、薄膜技術か、硬いプリント回路ボードやフレキシブルなプリント回路ボードの製造に用いるような技術か、又は、その他パターン化した薄い伝導層を基板に施すのに用いるのに適当な技術など全てを含む。
【００３３】
図３cに示すプローブ３００を含む非接触型容量性変位センサを作る方法を図５aに示す。この説明の方法では、フレキシブルなプリント回路ボードを作るのに用いるような薄膜合板技術が導入され、その結果プローブの形状を目標要素の外形にマッチさせる事を可能にする。ステップ５０２で説明するように、センサ要素が提供される。次に、ステップ５０４で説明するように誘電層が該センサ要素の少なくとも両対向面に各々重ね合わせられる。ステップ５０６に示すように、ガード要素が次に各々の誘電層に重ね合わせられ、該誘電層で分離された伝導性要素（即ち、該センサ要素とガード要素）の積み重ね構造を形成する。最後に、ステップ５０８に示すように、該センサ要素を含む該積み重ね構造が該目標要素の外形にマッチするように形作られる。
【００３４】
図４dに示すプローブ４００を含む非接触型容量性変位センサを作る方法を図５bに示す。ステップ５１２に説明するように、基板が提供される。次にステップ５１４に説明するように第一伝導層が該基板の表面に施されて該基板表面上にガード要素を形成する。該第一伝導層を任意にパターン化し、ガード要素がステップ５１８で施されたセンサ要素を充分包囲するようにする。ステップ５１６に説明するように、次に誘電層を、該ガードを形成する該第一伝導層上に施す。次にステップ５１８に説明するように第二伝導層をパターン化し、該誘電層上に施して該センサを形成する。該第二伝導層をパターン化し、該センサ要素が該目標要素の外形にマッチするようにする。
【００３５】
普通の技術能力を有する者ならば、上に説明した形状目標物計測用非接触型形状容量性変位センサの変更や変化は、ここに開示した発明概念から逸脱する事なくできる。例えば、上に述べた物とは形状や寸法が異なる目標物用に形作られるその他のプローブも、ここに開示する技術で作る事ができる。そのようなプローブは、計測しようとする目標物に望まれる非線形又は非平面の特色の少なくとも一つに実質的にマッチする形状のセンサ要素を少なくとも一つ含む事ができる。従って、添付するクレームの範囲と趣旨による以外は、本発明が限定されると見るべきではない。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
本発明は下記詳細な説明を図面と関連付ける中で充分に理解される。それらの図面は：
【図１】円形センサ要素を含む従来のプローブ装置の背面図;
【図２】従来のプローブと円形目標要素間の間隔の計測に用いる、図１に示すプローブの側面図;
【図３ａ】前記センサと円形目標要素間の間隔計測に用いる、本発明による非接触型容量性変位センサの側面図;
【図３ｂ】図３ａの非接触型容量性変位センサの背面図;
【図３ｃ】図３ａの非接触型容量性変位センサの薄膜合板積み重ね構造を図解する断面図;
【図４ａ】形状目標要素の平面図;
【図４ｂ】図４ａの形状目標要素の断面図;
【図４ｃ】前記センサと図４ａの形状目標要素の間の間隔を計測するのに用いる事ができる、本発明による非接触型容量性変位センサの平面図;
【図４ｄ】図４ｃの非接触型容量性変位センサの基板に適用されるセンサ要素とガード要素からなる伝導パターンを図解する断面図;
【図５ａ】図３ａの非接触型容量性変位センサを製造する方法のフローチャート図;そして
【図５ｂ】図４ｃの非接触型容量性変位センサを製造する方法のフローチャート図。
【図１】
2004286742.tif 000003
【図２】
2004286742.tif 000004
【図３ａ】
2004286742.tif 000005
【図３ｂ】
2004286742.tif 000006
【図３ｃ】
2004286742.tif 000007
【図４ａ】
2004286742.tif 000008
【図４ｂ】
2004286742.tif 000009
【図４ｃ】
2004286742.tif 000010
【図４ｄ】
2004286742.tif 000011
【図５ａ】
2004286742.tif 000012
【図５ｂ】
2004286742.tif 000013
【外国語明細書】
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2004286742.tif 000033
【図１】
2004286742.tif 000034
【図２】
2004286742.tif 000035
【図３−ａ】
2004286742.tif 000036
【図３−ｂ】
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【図３−ｃ】
2004286742.tif 000038
【図４−ａ】
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【図４−ｂ】
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【図４−ｃ】
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【図４−ｄ】
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【図５−ａ】
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【図５−ｂ】
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