(57)【要約】【課題】比較的低い周波数帯域においても、そのサイズの大型化を抑制できる、折り返し構造の半同軸型フィルタを提供する。【解決手段】断面矩形状の導体ケース１０の内部に、仕切壁１１を設け、この仕切壁１１により折り返し用の空間を形成する。導体ケース１０の内側壁には複数の共振器２３が設けられ、仕切壁１１からは、その軸心が、共振器２３の軸心の延長線上に位置するように複数の共振器２２，２１が配される。また、上記空間には直近の共振器２３，２２の結合の仲介を行う同軸線路４０が配されている。これにより、折り返し構造をもちつつ小型化を図ることができる。【選択図】    図６
2004235770.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の幅、高さ及び長さを有する断面矩形状の導体ケースの内部に、両面部を有する導電性の仕切壁が設けられた折り返し構造の半同軸型フィルタであって、
前記仕切壁は、前記導体ケースの一対の内側壁に対して平行に、前記導体ケースの幅方向の略中央部を起点として設けられ、
前記仕切壁の終端部とそれに対向する前記導体ケースの内端壁との間には折り返し用の空間が形成されており、
前記導体ケースの一つの内側壁からは使用周波数に応じて選定されたサイズ及び数の第１の共振器が当該内側壁を起点として前記仕切壁の一方の面部に向けて配されており、
前記仕切壁の他方の面部からは、その軸心が前記第１の共振器の軸心の延長線上に位置するように第２の共振器が配されており、
前記空間には、前記第１の共振器と第２の共振器との結合の仲介を行う線路が配されていることを特徴とする、
半同軸型フィルタ。
【請求項２】
前記第１の共振器及び前記第２の共振器の各々が半同軸共振器であり、
前記線路は、前記第１の共振器及び前記第２の共振器のほぼ２倍の長さを有し、その軸心が前記第１の共振器の軸心及び前記第２の共振器の軸心と平行になる同軸線路であり、この同軸線路の基端のみが前記第１の共振器の基端と共に前記一つの内側壁に接合されていることを特徴とする、
請求項１記載の半同軸型フィルタ。
【請求項３】
所定の幅、高さ及び長さを有する断面矩形状の導体ケースの内部に、両面部を有する導電性の仕切壁が設けられた折り返し構造の半同軸型フィルタであって、
前記仕切壁は、前記導体ケースの一対の内側壁に対して平行に、前記導体ケースの幅方向の略中央部を起点として設けられ、
前記仕切壁の終端部とそれに対向する前記導体ケースの内端壁との間には折り返し用の空間が形成されており、
前記導体ケースの一つの内側壁からは使用周波数に応じて選定されたサイズ及び数の第１の共振器が当該内側壁を起点として前記仕切壁の一方の面部に向けて配されており、
前記仕切壁の他方の面部からは、その軸心が前記第１の共振器の軸心の延長線上に位置するように第２の共振器が配されており、
前記空間には、前記第１の共振器と第２の共振器との結合の仲介を行うとともに、前記第１の共振器及び第２の共振器と同一の共振周波数で共振する共振器として動作する線路が配されていることを特徴とする、
半同軸型フィルタ。
【請求項４】
前記第１の共振器及び前記第２の共振器の各々が半同軸共振器であり、
前記線路は、前記第１の共振器及び前記第２の共振器のほぼ２倍の長さを有し、その軸心が前記第１の共振器の軸心及び前記第２の共振器の軸心と平行になるように配されている同軸線路であり、この同軸線路の両端が、それぞれ非導電性部材を通じて前記一対の内側壁に支持されていることを特徴とする、
請求項３記載の半同軸型フィルタ。
【請求項５】
所定の幅、高さ及び長さを有する断面矩形状の導体ケースの内部に、両面部を有する導電性の仕切壁が設けられた折り返し構造の半同軸型フィルタであって、
前記導体ケースの主面部内壁の一方には、一対の内側壁に対して平行に、前記導体ケースの幅方向の略中央部を起点として仕切壁が設けられており、
前記仕切壁の終端部とそれに対向する前記導体ケースの内端壁との間には折り返し用の空間が形成されており、
前記導体ケースの一つの内側壁からは、同一の共振周波数で共振する半同軸共振器である複数の第１の共振器が当該内側壁を起点として前記仕切壁の一方の面部に向けて配されており、
前記仕切壁の他方の面部からは、その軸心が、前記第１の共振器の軸心の延長線上に位置するように、半同軸共振器である複数の第２の共振器が配されており、
前記仕切壁の終端部とそれに対向する前記導体ケースの内端壁との間に形成される空間には直近の前記第１の共振器と前記第２の共振器との結合の仲介を行う同軸線路が、その基端のみが前記第１の共振器の基端と共に前記一つの内側壁に接合され、且つその軸心が前記第１の共振器の軸心及び前記第２の共振器の軸心と平行になるように配されており、
前記第１の共振器及び前記第２の共振器の各々に対応する部位には、共振周波数及び／又は他の共振器との結合度を調整するための調整用ビスが前記導体ケース内にその挿入量を調整できるように設けられており、
さらに、前記仕切壁で二つに仕切られる前記導体ケースの２つの内部空間の一方に電磁波を導く入力用コネクタが設けられ、前記２つの内部空間の他方から電磁波を出力するための出力用コネクタが設けられていることを特徴とする、
半同軸型フィルタ。
【請求項６】
所定の幅、高さ及び長さを有する断面矩形状の導体ケースの内部に、両面部を有する導電性の仕切壁が設けられた折り返し構造の半同軸型フィルタであって、
前記導体ケースの主面部内壁の一方には、一対の内側壁に対して平行に、前記導体ケースの幅方向の略中央部を起点として仕切壁が設けられており、
前記仕切壁の終端部とそれに対向する前記導体ケースの内端壁との間には折り返し用の空間が形成されており、
前記導体ケースの一つの内側壁からは、同一の共振周波数で共振する半同軸線路から成る複数の第１の共振器が当該内側壁を起点として前記仕切壁の一方の面部に向けて配されており、
前記仕切壁の他方の面部からは、その軸心が、前記第１の共振器の軸心の延長線上に位置するように、半同軸線路から成る複数の第２の共振器が配されており、
前記仕切壁の終端部とそれに対向する前記導体ケースの内端壁との間に形成される空間には、直近の前記第１の共振器と前記第２の共振器との結合の仲介を行う同軸線路が、その両端がそれぞれ非導電性部材を通じて前記一対の内側壁に支持され、且つその軸心が前記第１の共振器の軸心及び前記第２の共振器の軸心と平行になるように配されており、
前記同軸線路は、前記第１の共振器及び前記第２の共振器のほぼ２倍の長さであって前記第１の共振器及び前記第２の共振器と同一の共振周波数で共振する共振器として動作するものであり、
前記第１の共振器及び前記第２の共振器の各々に対応する部位には、共振周波数及び／又は他の共振器との結合度を調整するための調整用ビスが前記導体ケース内にその挿入量を調整できるように設けられており、
さらに、前記仕切壁で二つに仕切られる前記導体ケースの２つの内部空間の一方に電磁波を導く入力用コネクタが設けられ、前記２つの内部空間の他方から電磁波を出力するための出力用コネクタが設けられていることを特徴とする、
半同軸型フィルタ。
【請求項７】
前記同軸線路の近傍には、前記第１共振器及び前記第２共振器との結合度を調整するための調整用ビスが前記導体ケース内にその挿入量を調整できるように設けられていることを特徴とする、
請求項５又は６記載の半同軸型フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ波帯やミリ波帯において用いられる高周波フィルタに係り、特に、折り返し構造をもつ半同軸型フィルタに関する。半同軸とは、同軸線路の一方が短絡していることをいう。
【０００２】
【従来の技術】
例えば移動体通信等のように、使用する周波数帯域が広く、且つ、一時期に複数の帯域幅の周波数が使用される用途では、広帯域で、通過帯域以外は減衰量が大きくなるフィルタが要求される。このようなフィルタを実現するために、内部導体及び共振器の数を多くすることができる半同軸型フィルタが注目されている。
【０００３】
図８は、従来のこの種の半同軸型フィルタのうち、コムライン型の半同軸型フィルタの概念図、図９は、インターデジタル型の半同軸型フィルタの概念図である。図中、符号１０は、使用周波数によって決まる所定の幅、高さ及び長さを有する断面矩形状の導体ケース、２１，２２，２３は、約λ／４（λは通過信号の波長）で共振する共振器である。共振器としては、公知の半同軸型共振器（又は素子）が用いられる。
【０００４】
各共振器の基端は、ネジあるいは半田づけ等によって電気的に導体ケース１０の主面部（幅方向と長さ方向のサイズにより決定される面部、以下同じ）内壁と接合しており、その開放端付近には、対向する導体ケース１０の外壁から挿入された、共振周波数を調整するための調整用ビス３１，３２，３３が、対応する共振器と平行に配されている。これらの調整用ビス３１，３２，３３は、その先端と共振器２１，２２，２３の開放端との間のキャパシタンスを変化させることによって、所望の共振周波数が得られるように微調整するものである。
【０００５】
これらの共振器同士の結合の様子を図１０に示す。
半同軸型フィルタは、ある共振器の周囲を取り巻く磁界成分Ｍが、図１０のように隣り合う共振器と結合することによってフィルタ機能を形成する。そのため、隣り合う共振器２１，２２は、導体ケース１０の高さ方向（以下、Ｚ軸方向）において平行で、且つ、導体ケース１０の長さ方向（以下、Ｙ軸方向）において同一軸線上に配される必要がある。なお、電界成分については磁界成分と直交するだけなので、ここでは言及しない。
このため、半同軸型フィルタの全体長は、共振器の数つまり共振器段数に左右され、共振器段数が多くなるにつれて、半同軸型フィルタの長さ方向のサイズが大きくなる。それを解決する手段として、折り返し構造がある。
【０００６】
図１１は、折り返し構造をもつ半同軸型フィルタの具体的な構造を示す切り欠き図である。折り返し構造は、導電性の仕切壁１１を導体ケース１０の一対の内側壁に対して平行に、且つ導体ケース１０の幅方向（Ｘ軸方向）の略中央部を起点として接合し、仕切壁１１の終端部とそれに対向する導体ケース１０の内端壁との間に折り返し用の空間が形成されるようにするとともに、この仕切壁１１によって仕切られた導体ケース１０の主面部内壁上に、それぞれ共振器２２，２３を互いに平行に配列することによって実現することができる。
このような折り返し構造においても、磁界成分を結合し易くするためには、すべての共振器２２、２３の軸心がＺ軸に対して平行となる必要がある。
【０００７】
一方、折り返し構造をもつ半同軸型フィルタであっても、その高さサイズ（Ｚ軸方向）は、使用周波数（通過帯域の中心周波数）に左右され、使用周波数が低くなるにつれてＺ軸方向のサイズが大きくなる。これは、高周波の場合、内蔵する共振器の長さが使用周波数との関係で一意に定まる（例えば、通過信号の約λ／４長となる）ためである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、折り返し構造を有する従来の半同軸型フィルタでは、Ｚ軸方向に平行に共振器を設けないと共振器同士で磁界成分が結合されないため、図１１のような構造の半同軸型フィルタにならざるを得ない。しかし、使用周波数が相対的に低い場合には、そのＺ軸方向のサイズが大きくなり、またフィルタの段数が多くなるにつれて、Ｙ軸方向のサイズも大きくなる。そのため、半同軸型フィルタを通信装置等に組み込むのが困雑になるという問題があった。
本発明は、このような問題点を解消すべく、比較的低い周波数帯域においても、そのサイズの大型化を抑制できる、折り返し構造の半同軸型フィルタを提供することを、その課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する本発明の第１の構成の半同軸型フィルタは、所定の幅、高さ及び長さを有する断面矩形状の導体ケースの内部に、両面部を有する導電性の仕切壁が設けられた折り返し構造の半同軸型フィルタであって、前記仕切壁は、前記導体ケースの一対の内側壁に対して平行に、前記導体ケースの幅方向の略中央部を起点として設けられ、前記仕切壁の終端部とそれに対向する前記導体ケースの内端壁との間には折り返し用の空間が形成されており、前記導体ケースの一つの内側壁からは使用周波数に応じて選定されたサイズ及び数の第１の共振器が当該内側壁を起点として前記仕切壁の一方の面部に向けて配されており、前記仕切壁の他方の面部からは、その軸心が前記第１の共振器の軸心の延長線上に位置するように第２の共振器が配されており、前記空間には、前記第１の共振器と第２の共振器との結合の仲介を行う線路が配されていることを特徴とする。
このような半同軸型フィルタでは、第１の共振器と第２の共振器とが線路によって仲介されて結合するので、使用周波数が比較的低い帯域であっても、全体的なサイズを大型化させることなく、フィルタ機能を実現することができる。
【００１０】
第１の構成の半同軸型フィルタにおける発明の実施の一態様では、前記第１の共振器及び前記第２の共振器の各々が半同軸共振器であり、前記線路は、前記第１の共振器及び前記第２の共振器のほぼ２倍の長さを有し、その軸心が前記第１の共振器の軸心及び前記第２の共振器の軸心と平行になる同軸線路であり、この同軸線路の基端のみが前記第１の共振器の基端と共に前記一つの内側壁に接合される。このような構成にすることにより、共振器間で磁界が結合しやすくなる。
【００１１】
本発明の第２の構成の半同軸型フィルタは、所定の幅、高さ及び長さを有する断面矩形状の導体ケースの内部に、両面部を有する導電性の仕切壁が設けられた折り返し構造の半同軸型フィルタであって、前記仕切壁は、前記導体ケースの一対の内側壁に対して平行に、前記導体ケースの幅方向の略中央部を起点として設けられ、前記仕切壁の終端部とそれに対向する前記導体ケースの内端壁との間には折り返し用の空間が形成されており、前記導体ケースの一つの内側壁からは使用周波数に応じて選定されたサイズ及び数の第１の共振器が当該内側壁を起点として前記仕切壁の一方の面部に向けて配されており、前記仕切壁の他方の面部からは、その軸心が前記第１の共振器の軸心の延長線上に位置するように第２の共振器が配されており、前記空間には、前記第１の共振器と第２の共振器との結合の仲介を行うとともに、前記第１の共振器及び第２の共振器と同一の共振周波数で共振する共振器として動作する線路が配されていることを特徴とする。
このような半同軸型フィルタでは、線路が、直近の第１及び第２の共振器と同一の共振周波数で共振する共振器として動作するので、第１及び第２の共振器の結合がより円滑になる。
【００１２】
第２の構成の半同軸型フィルタにおける実施の一態様では、前記第１の共振器及び前記第２の共振器の各々が半同軸共振器であり、前記線路は、前記第１の共振器及び前記第２の共振器のほぼ２倍の長さを有し、その軸心が前記第１の共振器の軸心及び前記第２の共振器の軸心と平行になるように配されている同軸線路であり、この同軸線路の両端が、それぞれ非導電性部材を通じて前記一対の内側壁に支持されている。
【００１３】
本発明の第３の構成の半同軸型フィルタは、所定の幅、高さ及び長さを有する断面矩形状の導体ケースの内部に、両面部を有する導電性の仕切壁が設けられた折り返し構造の半同軸型フィルタであって、前記導体ケースの主面部内壁の一方には、一対の内側壁に対して平行に、前記導体ケースの幅方向の略中央部を起点として仕切壁が設けられており、前記仕切壁の終端部とそれに対向する前記導体ケースの内端壁との間には折り返し用の空間が形成されており、前記導体ケースの一つの内側壁からは、同一の共振周波数で共振する半同軸共振器である複数の第１の共振器が当該内側壁を起点として前記仕切壁の一方の面部に向けて配されており、前記仕切壁の他方の面部からは、その軸心が、前記第１の共振器の軸心の延長線上に位置するように、半同軸共振器である複数の第２の共振器が配されており、前記仕切壁の終端部とそれに対向する前記導体ケースの内端壁との間に形成される空間には直近の前記第１の共振器と前記第２の共振器との結合の仲介を行う同軸線路が、その基端のみが前記第１の共振器の基端と共に前記一つの内側壁に接合され、且つその軸心が前記第１の共振器の軸心及び前記第２の共振器の軸心と平行になるように配されており、前記第１の共振器及び前記第２の共振器の各々に対応する部位には、共振周波数及び／又は他の共振器との結合度を調整するための調整用ビスが前記導体ケース内にその挿入量を調整できるように設けられており、さらに、前記仕切壁で二つに仕切られる前記導体ケースの２つの内部空間の一方に電磁波を導く入力用コネクタが設けられ、前記２つの内部空間の他方から電磁波を出力するための出力用コネクタが設けられていることを特徴とする。
【００１４】
本発明の第４の構成の半同軸型フィルタは、所定の幅、高さ及び長さを有する断面矩形状の導体ケースの内部に、両面部を有する導電性の仕切壁が設けられた折り返し構造の半同軸型フィルタであって、前記導体ケースの主面部内壁の一方には、一対の内側壁に対して平行に、前記導体ケースの幅方向の略中央部を起点として仕切壁が設けられており、前記仕切壁の終端部とそれに対向する前記導体ケースの内端壁との間には折り返し用の空間が形成されており、前記導体ケースの一つの内側壁からは、同一の共振周波数で共振する半同軸線路から成る複数の第１の共振器が当該内側壁を起点として前記仕切壁の一方の面部に向けて配されており、前記仕切壁の他方の面部からは、その軸心が、前記第１の共振器の軸心の延長線上に位置するように、半同軸線路から成る複数の第２の共振器が配されており、前記仕切壁の終端部とそれに対向する前記導体ケースの内端壁との間に形成される空間には、直近の前記第１の共振器と前記第２の共振器との結合の仲介を行う同軸線路が、その両端がそれぞれ非導電性部材を通じて前記一対の内側壁に支持され、且つその軸心が前記第１の共振器の軸心及び前記第２の共振器の軸心と平行になるように配されており、前記同軸線路は、前記第１の共振器及び前記第２の共振器のほぼ２倍の長さであって前記第１の共振器及び前記第２の共振器と同一の共振周波数で共振する共振器として動作するものであり、前記第１の共振器及び前記第２の共振器の各々に対応する部位には、共振周波数及び／又は他の共振器との結合度を調整するための調整用ビスが前記導体ケース内にその挿入量を調整できるように設けられており、さらに、前記仕切壁で二つに仕切られる前記導体ケースの２つの内部空間の一方に電磁波を導く入力用コネクタが設けられ、前記２つの内部空間の他方から電磁波を出力するための出力用コネクタが設けられていることを特徴とする。
【００１５】
第３又は第４の構成の半同軸型フィルタにおける実施の一態様では、前記同軸線路の近傍には、前記第１共振器及び前記第２共振器との結合度を調整するための調整用ビスが前記導体ケース内にその挿入量を調整できるように設けられている。
【００１６】
【発明の実施の形態】
＜第１実施形態＞
課題を解決するために本発明が採用する第１の解決手法による実施形態を説明する。図１は、この実施形態による半同軸型フィルタの構造を示す部分切り欠き図、図２は図１の半同軸型フィルタの上部断面図である。
図１及び図２のうち、図８〜図１１に示したものと同一の部品又は対応する部品については、同一符号を付してある。図３は、複数の共振器を各軸長方向をそれぞれ平行にして並べた横置き構造のフィルタの説明図である。
【００１７】
本発明は、まず、図３のように複数の共振器をＸ軸方向に平行に並べることにより、すべての共振器を同一軸心上に積み重ねたものと同一の特性を維持しつつ、半同軸型フィルタのＺ軸方向の高さを低くすることができる、つまり、一つの共振器の長さ分にすることができることを、初期の着眼点としている。
しかし、Ｘ軸方向に共振器を複数並べても、図１０に示した関係を保ち得ないので、そのままでは磁界成分が共振器間で結合しない。そこで、図１及び図２に示されるように、導体ケース１０の一つの内側壁からは、使用周波数（通過帯域の中心周波数）に応じたサイズ及び数の半同軸型の共振器２３を当該内側壁を起点として仕切壁１１の一方の面部に向けて配し、仕切壁１１の他方の面部からは、その軸心が共振器２３の軸心の延長線上に位置するように、同じく半同軸の共振器２２を配するとともに、仕切壁１１の外端部とそれに対向する導体ケース１０の内端壁との間に形成される折り返し用の空間に、これらの共振器２２，２３と平行に、これらの共振器２２，２３間の磁界の結合の仲介を行う線路、例えば同軸線路４０を配したものである。
【００１８】
このような構造の半同軸型フィルタでは、一方の共振器２３の周りを取り巻く電磁界は同軸線路４０に補足される。同軸線路４０に補足された電磁界は、同軸線路４０内を進み、次いで、他方の共振器２２に補足される。従って、使用周波数が比較的低い帯域であっても、全体的なサイズを大型化させることなく、容易に共振器２２，２３を結合させることができる。これにより、小型の半同軸型フィルタを実現することができる。
なお、共振器２２，２３の結合の強さは、共振器２２と同軸線路４０、及び同軸線路４０と共振器２３の距離に依存する。互いの距離が近いほど強い結合が得られる。
【００１９】
＜第２実施形態＞
図４は、本発明が採用する第２の解決手法の実施形態を説明するための半同軸型フィルタの概略構造を示す部分切り欠き図、図５は図４の半同軸型フィルタの上部断面図である。図４及び図５のうち、図８〜図１１に示したものと同一の部品又は対応する部品については、同一符号を付してある。
【００２０】
この実施形態の半同軸型フィルタは、第１実施形態の同軸線路４０に代えて、その両端が非導電部材、例えば樹脂部材によって、導体ケース１０の内側壁に支持された同軸線路４１を設け、この同軸線路４１が、共振器２２，２３間の結合の仲介を行うとともに、その同軸線路４１自身が、λ／２共振器として作用するようにしたものである。これにより、共振器２２，２３の結合がより円滑になる。この場合も、結合の強さは、共振器２２と同軸線路４１、同軸線路４１と共振器２３の距離がそれぞれ近いほど強くなる。
【００２１】
【実施例】
＜第１実施例＞
次に、第１の実施形態の半同軸型フィルタの実施例を具体的に説明する。
図６は、この実施例による半同軸型フィルタの構造例を示す切り欠き図である。
この半同軸型フィルタは、Ｘ軸方向に一対の内側壁、Ｙ軸方向に一対の内端壁、Ｚ軸方向に一対の主面部内壁がそれぞれ形成された断面矩形状の導体ケース１０を有している。この導体ケース１０の主面部内壁の一方（図では下部面）には、一対の内側壁に対して平行に、Ｘ軸方向の略中央部を起点として、真鍮等からなる仕切壁１１が設けられている。
【００２２】
仕切壁１１の終端部とそれに対向する導体ケース１０の内端壁との間には、折り返し用の空間が形成されている。導体ケース１０の一つの内側壁（図では左側の内側壁）からは、互いに同一の共振周波数で共振する複数の共振器２３（図６には１つしか図示していない）が当該内側壁を起点として仕切壁１１の一方の面部に向けて配されている。
仕切壁１１の他方の面部からは、その軸心が、内側壁に配された共振器２３の軸心の延長線上に位置するように、複数の共振器２２、２１が配されている。
各共振器２１，２２，２３は、例えば、使用周波数（通過信号）のλ／４の長さの半同軸共振器（又は素子）である。半同軸共振器（又は素子）自体の構造については公知なので、ここではその説明を省略する。
【００２３】
仕切壁１１の終端部とそれに対向する導体ケース１０の内端壁との間に形成される空間には、共振器２３と共振器２２との結合の仲介を行う同軸線路４０が、共振器２２，２３と平行に配されている。同軸線路４０の長さは、共振器２２，２３のほぼ２倍の長さ、すなわち、ほぼλ／２である。このように同軸線路４０の長さを共振器２２，２３のほぼ２倍の長さにすることにより、不要共振を使用周波数の約半分の周波数にすることができる。
【００２４】
共振器２３及び同軸線路４０は、その基端が導体ケース１０の内側壁にネジ止めもしくは半田づけにより電気的に接合されている。共振器２１，２２もまた、仕切壁１１の他方の面部にネジ止めもしくは半田づけにより電気的に接合されている。
【００２５】
導体ケース１０の前面端部（Ｙ軸方向、図６の最前列）には、電磁波を入力するための入力用コネクタ６２と、電磁波を出力するための出力用コネクタ６３とが設けられている。
【００２６】
この実施例の半同軸型フィルタは、また、共振周波数を調整するための調整用ビス３１，３２，３３，３４が、図６の矢線の方向に移動自在に設けられている。これらの調整用ビス３１，３２，３３，３４は、共振器２１，２２，２３の先端が開放端になっている場合には導体ケース１０の内側壁に直接、共振器２１，２２，２３の基端が導体ケース１０の内側壁に接合されているときは当該内側壁の背面側に設けられた調整機構（図示省略）を通じて設けられる。
調整用ビス３１，３２，３３，３４は、当該共振器２１，２２，２３がその要素として含まれる磁気回路のキャパシタンスを事後的に変化させて共振周波数を微調整できるようにするものである。
【００２７】
この実施例の半同軸型フィルタには、また、共振器２１，２２，２３相互間に形成される内部空間に、結合調整用ビス５１，５２，５３，５４が、矢線で示される方向に移動自在に設けられている。
結合調整用ビス５１，５４は、共振器２１，２２，２３と垂直方向つまり導体ケース１０内の磁界と平行になるように、導体ケース１０の主面部外壁から内部方向に挿入される。挿入量が増えるにつれて磁界成分の強さを弱めるように作用するため、結果的に、共振器間の結合の強さを弱くすることができる。
【００２８】
なお、結合調整用ビス５１，５４は、共振器２１，２２，２３と平行になる方向に設けても構わない。この場合は、共振器２１，２２，２３と垂直方向に設けた場合と逆の作用となる。つまり、挿入量が増えるにつれて、磁界成分が強まり、共振器間の結合を強くすることができる。
【００２９】
結合調整用ビス５２，５３もまた導体ケース１０内の磁界と平行になるように、導体ケース１０の主面部外壁から挿入されるが、これらは、共振器２２，２３と同軸線路４０との結合の強さを微調整するものである。
符号６０は、同軸線路４０の共振周波数を微調整できるようにするための調整用ビスである。この調整用ビス６０の作用は、前述した共振器用の調整用ビス３１，３２，３３，３４とほぼ同じである。
【００３０】
図６のように構成される半同軸型フィルタの動作は、以下のようになる。
すなわち、入力用コネクタ６２から入力された電磁界は、仕切壁１１で仕切られた一方の内部空間に導かれる。この電磁界のうち、複数の共振器２３の周りを取り巻く成分は、同軸線路４０に一端補足される。補足された電磁界は、同軸線路４０で仲介されて、共振器２２，共振器２１へと補足された後、出力用コネクタ６３に到達する。その際、結合の強さは結合調整用ビス５１，５２，５３，５４で調整され、共振周波数は調整用ビス３１，３２，３３，３４によって調整される。
【００３１】
＜第２実施例＞
次に、第２の実施形態の半同軸型フィルタの実施例を具体的に説明する。
図７は、この半同軸型フィルタの構造を示す切り欠き図である。
【００３２】
図４、図５及び図７を参照すると、第１実施例の半同軸型フィルタと異なるのは、その基端が導体ケース１０の内側壁に接合されている第１実施例の同軸線路４０の代わりに、導体ケース１０からは電気的に絶縁された同軸線路４１をλ／２共振器としてフッ素樹脂材ないしその加工品などの非導電性部材７０，７１で支持して設けた点、及び、その同軸線路４１（λ／２共振器）の共振周波数を微調整するために、その同軸線路４１に対して垂直方向に結合調整用ビス６１を設けた点である。
このように構成される半同軸型フィルタの作用については、第２実施形態において述べたとおりである。
なお、結合調整用ビス６１は、キャパシタンスを多くとるために、電界強度が相対的に強い同軸線路４１の開放端付近に設けることが望ましい。
【００３３】
以上、本発明の特徴を複数の実施形態及び実施例を示して説明したが、本発明の範囲は、上述した例に限定されるものではなく、種々の設計変更が可能である。例えば、以上の実施例では、複数の共振器の基端を導体ケース１０の内側壁又は仕切壁１１に並べたいわゆるコムライン型の共振器群（フィルタとして機能する）の例を示したが、共振器群を設ける部位が、導体ケース１０の内側壁と仕切壁１１の一方の面部とで交互になるいわゆるインターデジタル型のものであってもよい。また、共振器の数は、１つであってもよく、３つ以上であってもよい。
【００３４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、使用周波数が比較的低い場合であっても、高さ方向と長さ方向の両方向で小型化が図れる半同軸型フィルタを構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態による半同軸型フィルタの構造を示す部分切り欠き図。
【図２】図１の半同軸型フィルタの上部断面図。
【図３】いわゆる横置き構造をもつフィルタの原理説明図。
【図４】本発明の第２実施形態による半同軸型フィルタの概略構造を示す部分切り欠き図。
【図５】図４の半同軸型フィルタの上部断面図。
【図６】本発明の第１実施例による半同軸型フィルタの構造を示す切り欠き図。
【図７】本発明の第２実施例による半同軸型フィルタの構造を示す切り欠き図。
【図８】従来のコムライン型の半同軸型フィルタの概念図。
【図９】従来のインターデジタル型の半同軸型フィルタの概念図。
【図１０】従来の半同軸型フィルタの動作概念を説明する説明図。
【図１１】折り返し構造をもつ従来の半同軸型フィルタの構成例を示す切り欠き図。
【符号の説明】
１０    導体ケース
１１    仕切壁
２１，２２，２３，２４    共振器
３１，３２，３３，３４，６０  共振周波数の調整用ビス
４０，４１    同軸線路
５１，５２，５３，５４，６１  結合調整用ビス
６２    入力用コネクタ
６３    出力用コネクタ
７０，７１  非導電性部材
Ｍ    磁界成分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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