(57)【要約】【課題】面方位が制御された結晶粒からなる半導体膜を用いて半導体素子を形成することを可能とする半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】金属含有物質から成り半導体膜の結晶化を促進する結晶化促進膜（１１）を基板（１０）上に形成する結晶化促進膜形成工程と、基板（１０）上に下地絶縁膜（１２）を堆積する下地絶縁膜堆積工程と、下地絶縁膜（１２）に微細孔（１３）を開け、当該微細孔（１３）の底部に結晶化促進膜（１１）を露出させる微細孔形成工程と、下地絶縁膜（１２）及び微細孔（１３）内に半導体膜（１４）を堆積する半導体膜堆積工程と、基板（１０）に熱処理を施し、半導体膜（１４）の微細孔（１３）の底部付近を含む領域を固相状態にて結晶化させて結晶成分含有半導体膜を得る熱処理工程と、微細孔（１３）内の結晶成分含有半導体膜を起点として半導体膜（１４）を溶融結晶化させて結晶性半導体膜（１８）を得る溶融結晶化工程と、を含む。【選択図】　　図２
2004134533.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に半導体素子を形成する半導体装置の製造方法であって、
金属含有物質から成り半導体膜の結晶化を促進する結晶化促進膜を基板上に形成する結晶化促進膜形成工程と、
前記基板上に前記結晶化促進膜を覆うように下地絶縁膜を堆積する下地絶縁膜堆積工程と、
前記結晶化促進膜上の前記下地絶縁膜に微細孔を開け、当該微細孔の底部に前記結晶化促進膜を露出させる微細孔形成工程と、
前記下地絶縁膜及び前記微細孔内に半導体膜を堆積する半導体膜堆積工程と、
前記基板に熱処理を施し、前記半導体膜の前記微細孔の底部付近を含む領域を固相状態にて結晶化させて結晶成分含有半導体膜を得る熱処理工程と、
前記微細孔内の前記結晶成分含有半導体膜を起点として前記半導体膜を溶融結晶化させて結晶性半導体膜を得る溶融結晶化工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記結晶性半導体膜を使用して半導体素子を形成する素子形成工程を含む、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記結晶化促進膜は、遮光性を有し、前記結晶性半導体膜に形成すべき前記半導体素子の下方に当該半導体素子の少なくとも一部を遮蔽するようにパターニングして形成される、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記金属含有物質はニッケル、コバルト、白金、パラジウム及びタングステンのうち何れかを含む物質である、請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記金属含有物質は珪素化合物（シリサイド）である、請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記微細孔は孔の深さと孔径との比が２．７５よりも大きくなるように形成される、請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記微細孔は孔の深さと孔径との比が５よりも大きくなるように形成される、請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記微細孔は孔の深さと孔径との比が１１よりも大きくなるように形成される、請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記微細孔の孔径は４５ｎｍ以上１９０ｎｍ以下である、請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体膜堆積工程において堆積される半導体膜の膜厚は３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である、請求項１乃至９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記半導体堆積工程において堆積される前記半導体膜の厚みは前記微細孔の孔径の０．５２倍以上０．６７倍以下である、請求項１乃至１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記半導体膜堆積工程において堆積される前記半導体膜は珪素を主構成元素とする、請求項１乃至１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記熱処理を３００℃以上５５０℃以下で行う、請求項１乃至１２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記熱処理の処理時間ｔ（秒）は、処理温度Ｔ（℃）、ボルツマン定数ｋＢ＝８．６１７×１０−５ｅＶ・Ｋ−１、ε＝０．７８３ｅＶ、ｔ０＝１．５９×１０−３（秒）としたときに、
ｔ≧ｔ０・ｅｘｐ｛ε／ｋＢ（Ｔ＋２７３．１６）｝、
の関係を満たすように設定される、請求項１乃至１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記溶融結晶化はレーザ照射によって行う、請求項１乃至１４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記溶融結晶化は、前記微細孔以外の領域にある前記半導体膜が膜厚方向全域に渡って溶融する条件にて行われる、請求項１乃至１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記溶融結晶化は、前記微細孔内にある前記結晶成分含有半導体膜が膜厚方向全域に渡って溶融しない条件にて行われる、請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
絶縁基板上に形成された半導体素子を含む半導体装置であって、
前記半導体素子はこの半導体素子の配置位置から広がって溶融結晶化した、少なくとも前記半導体素子の素子領域に相当する大きさの大結晶粒の結晶性半導体膜を用いて形成されており、
前記結晶性半導体膜は前記半導体素子の配置位置に応じて前記絶縁基板上に形成された微細孔を起点として結晶化が行われ、
前記微細孔の底部には金属含有物質からなり半導体膜の結晶化を促進する結晶化促進膜が配置されている半導体装置。
【請求項１９】
複数の電気光学素子と当該電気光学素子のそれぞれを駆動するための複数の半導体素子とを含む電気光学装置の製造方法であって、
金属含有物質から成り半導体膜の結晶化を促進する結晶化促進膜を基板上に形成する結晶化促進膜形成工程と、
前記基板上に前記結晶化促進膜を覆うように下地絶縁膜を堆積する下地絶縁膜堆積工程と、
前記結晶化促進膜上の前記下地絶縁膜に微細孔を開け、当該微細孔の底部に前記結晶化促進膜を露出させる微細孔形成工程と、
前記下地絶縁膜及び前記微細孔内に半導体膜を堆積する半導体膜堆積工程と、
前記基板に熱処理を施し、前記半導体膜の前記微細孔の底部付近を含む領域を固相状態にて結晶化させて結晶成分含有半導体膜を得る熱処理工程と、
前記微細孔内の前記結晶成分含有半導体膜を起点として前記半導体膜を溶融結晶化させて結晶性半導体膜を得る溶融結晶化工程と、
前記結晶性半導体膜を用いて前記半導体素子を形成する素子形成工程と、
前記基板上に前記半導体素子によって駆動されるべき前記電気光学素子を形成する電気光学素子形成工程と、を含み、
前記結晶化促進膜は、遮光性を有し、前記電気光学素子のそれぞれにより形成される複数の表示領域の相互間を遮光すると共に前記半導体素子の少なくとも一部への光入射を抑制する遮光膜として機能するようにパターニングして形成される、電気光学装置の製造方法。
【請求項２０】
前記微細孔形成工程において、前記微細孔は前記半導体素子のそれぞれが形成されるべき領域内又は当該領域近傍にのみ形成される、請求項１９に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２１】
前記結晶化促進膜は前記表示領域の縁辺部近傍を覆うように形成される、請求項１９又は２０に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項１９乃至２１に記載の製造方法によって製造される電気光学装置を含んで構成される電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、薄膜トランジスタ等の半導体素子を含んで構成される半導体装置及び電気光学装置の製造方法と当該製造方法を用いて製造される半導体装置、電気光学装置及び電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置やＥＬ（エレクトロルミネセンス）表示装置などの電気光学装置においては、薄膜トランジスタ等の半導体素子を含んで構成される薄膜回路を用いて画素のスイッチングなどを行っている。従来の薄膜トランジスタは、非晶質シリコン膜を用いて、活性領域（チャネル形成領域）を形成している。また、多結晶シリコン膜を用いて活性領域を形成した薄膜トランジスタも実用化されている。多結晶シリコン膜を用いることにより、非晶質シリコン膜を用いた場合に比較して移動度などの電気的特性が向上し、薄膜トランジスタの性能を向上させることができる。
【０００３】
また、薄膜トランジスタの性能を更に向上させるために、大きな結晶粒からなる半導体膜を形成し、薄膜トランジスタの形成領域内に結晶粒界が入り込まないようにする技術が検討されている。例えば、基板上に微細な穴（微細孔）を形成し、この微細孔を結晶成長の起点として半導体膜の結晶化を行うことにより、数μｍ程度のシリコンの結晶粒を形成する技術がいくつかの文献において提案されていた（非特許文献１及び非特許文献２）。これらの技術を用いて形成される、大きな結晶粒を含むシリコン膜を用いて薄膜トランジスタを形成することにより、移動度等の電気的特性に優れた薄膜トランジスタを実現することが可能になる。
【０００４】
【非特許文献１】
「Ｓｉｎｇｌｅ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ」，　ＩＢＭ　ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ　ＤＩＳＣＬＯＳＵＲＥ　ＢＵＬＬＥＴＩＮ　Ａｕｇ．１９９３　ｐｐ２５７−２５８
【０００５】
【非特許文献２】
「Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｅｘｃｉｍｅｒ−Ｌａｓｅｒ　Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ　Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ　ｏｆ　Ｓｉ　Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ　ＦｏｒＬｏｃａｔｉｏｎ　Ｃｏｎｔｒｏｌ　ｏｆ　Ｌａｒｇｅ　Ｇｒａｉｎ　ｏｎ　Ｇｌａｓｓ　」，　Ｒ．Ｉｓｈｉｈａｒａ等，　ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ　２００１，　ｖｏｌ．４２９５，　ｐ．１４〜２３
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の方法では、数μｍ程度の大きな結晶粒を形成することが可能となるものの、得られる結晶粒の面方位については制御されておらず、それぞれの結晶粒の面方位についてランダムな状態となっていた。薄膜トランジスタの電気的特性の更なる向上を図るために、結晶粒の面方位を制御して半導体膜を形成することが可能な製造方法の確立が望まれている。
【０００７】
よって、本発明は、面方位が制御された結晶粒からなる半導体膜を用いて半導体素子を形成することを可能とする半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
また、本発明は、電気的特性の良好な半導体装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の製造方法は、基板上に半導体素子を形成する半導体装置の製造方法であって、金属含有物質から成り半導体膜の結晶化を促進する結晶化促進膜を基板上に形成する結晶化促進膜形成工程と、上記基板上に結晶化促進膜を覆うように下地絶縁膜を堆積する下地絶縁膜堆積工程と、結晶化促進膜上の下地絶縁膜に微細孔を開け、当該微細孔の底部に結晶化促進膜を露出させる微細孔形成工程と、下地絶縁膜及び微細孔内に半導体膜を堆積する半導体膜堆積工程と、上記基板に熱処理を施し、半導体膜の微細孔の底部付近を含む領域を固相状態にて結晶化させて結晶成分含有半導体膜を得る熱処理工程と、微細孔内の結晶成分含有半導体膜を起点として半導体膜を溶融結晶化させて結晶性半導体膜を得る溶融結晶化工程と、を含む。
【００１０】
半導体膜の結晶化を行う際の起点としての微細孔内に、金属含有物質からなる結晶化促進材料と半導体膜とを固相状態にて結晶化させて結晶成分含有半導体膜を形成しているので、その後に半導体膜の溶融結晶化を行うことにより、微細孔を略中心とする範囲に結晶粒が大きく、かつ面方位の制御された半導体膜（結晶性半導体膜）を形成することが可能になる。この略単結晶状態と見なせ、かつ面方位も制御された良質な半導体膜を用いて半導体素子を形成することにより、半導体装置の高性能化を図ることが可能になる。
【００１１】
ここで本明細書において「略単結晶」とは、結晶粒が単一である場合のみならずこれに近い状態、すなわち、複数の結晶が組み合わさっていてもその数が少なく、半導体薄膜の性質の観点からほぼ単結晶により形成された半導体薄膜と同等の性質を備えている場合も含む。
【００１２】
また、本発明に係る製造方法は、結晶性半導体膜を使用して半導体素子を形成する素子形成工程を更に含むことが好ましい。ここで本明細書において「半導体素子」とは、各種トランジスタやダイオード、抵抗、インダクタ、キャパシタ、その他の能動素子・受動素子を問わず、Ｎ型やＰ型半導体の組み合わせにより製造可能な素子を含む。また本明細書において「半導体装置」とは、上記半導体素子を含んで構成される装置であり、例えば集積回路等を含む装置である。本発明に係る結晶性半導体膜を用いることにより、電気的特性に優れた半導体素子、半導体装置を得ることが可能となる。
【００１３】
上述した結晶化促進膜は、遮光性を有し、結晶性半導体膜に形成すべき半導体素子の下方に当該半導体素子の少なくとも一部を遮蔽するようにパターニングして形成されることが好ましい。これにより、半導体素子の少なくとも一部（例えば、薄膜トランジスタであれば活性領域等）に対する光の入射を結晶化促進膜によって遮り、半導体膜に光励起による起電力や暗電流の発生を防ぐことが可能となる。
【００１４】
上述した結晶化促進材料はニッケル、鉄、コバルト、白金、パラジウムのうちいずれかを含む物質とすることが好適である。また、結晶化促進材料は珪素化合物（シリサイド）とすることも好適である。このような結晶化促進材料を用いることにより、結晶粒の面方位を効果的に制御することが可能になる。
【００１５】
また、微細孔は孔の深さと孔径との比が２．７５よりも大きくなるように形成することが好ましい。より好ましくは、微細孔は孔の深さと孔径との比が５よりも大きくなるように形成するとよい。更に好ましくは、微細孔は孔の深さと孔径との比が１１よりも大きくなるように形成するとよい。上記した条件で微細孔を形成することにより、微細孔の上部へ表れる結晶粒の結晶方位を特定の方向へ優先的に揃えることが可能となり、半導体膜の結晶化を行う際には、微細孔の上部に表れた結晶粒の面方位に基づいて、半導体膜の面方位を整えることが可能となる。
【００１６】
また、微細孔の孔径は４５ｎｍ以上１９０ｎｍ以下とすることが好ましい。この条件で微細孔を形成することにより、微細孔内で１つの結晶核を優先的に成長させる作用をより確実に得ることが可能となる。
【００１７】
上述した半導体膜堆積工程において堆積される半導体膜は、その膜厚を３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることが好適である。また当該半導体膜の厚みは微細孔の孔径の０．５２倍以上０．６７倍以下とすることが好適である。このような条件で半導体膜を堆積することにより、溶融結晶化の際に結晶化の進む方向をほぼ半導体膜の膜厚方向と略直交する方向のみにし、他の方向へ結晶化が進みにくくすることが可能となり、結晶性半導体膜のより一層の均質化を図ることができる。
【００１８】
また、半導体膜形成工程において成膜される半導体膜は珪素（シリコン）を主構成元素とすることが好ましい。係る半導体膜としては、例えば非晶質又は多晶質のシリコン膜を用いることが好適である。これにより、微細孔を略中心とした範囲に略単結晶状態であり、かつ面方位の制御された良質なシリコン膜を形成し、この良質なシリコン膜を用いて半導体素子を形成することが可能になる。
【００１９】
上述した熱処理は、３００℃以上５５０℃以下の温度で行うことが好ましい。熱処理の温度の下限を３００℃程度とするのは、半導体膜と結晶化促進材料の化合物を必要十分に形成するためである。また、熱処理の温度の上限を５５０℃程度とするのは以下のような理由による。すなわち、電気光学装置などに用いられる半導体装置を形成する場合には、材料コスト等の観点から、絶縁基板として安価なガラス基板（例えばソーダ石灰ガラス等）を用いることが多い。この場合に、ソーダ石灰ガラス等の一般的に用いられるガラスの軟化点は５５０℃程度であるので、製造プロセス中に加えられる熱によって絶縁基板の軟化を生じないようにするために、絶縁基板に加わる温度の上限を軟化点に対応して５５０℃程度としておく必要があるからである。
【００２０】
また、上記熱処理における処理時間ｔ（秒）は、処理温度Ｔ（℃）、ボルツマン定数ｋＢ＝８．６１７×１０−５ｅＶ・Ｋ−１、ε＝０．７８３ｅＶ、ｔ０＝１．５９×１０−３（秒）としたときに、
ｔ≧ｔ０・ｅｘｐ｛ε／ｋＢ（Ｔ＋２７３．１６）｝、
の関係を満たすように設定するとよい。これにより、熱処理の処理時間を的確に設定することが可能となる。ここで、上記「処理温度」とは、基本的には、熱処理の対象となる基板の基板温度を示すが、工業的な便宜上、基板に熱を加えるための高温炉等の容器内の温度をもって代用してもよい。この場合には、実験等を行い、雰囲気温度Ｔ（℃）の容器内に基板を置いてからどの程度の時間を経過すると基板温度が雰囲気温度とほぼ同じになるかを予め確かめておき、当該時間が経過して基板温度がほぼＴ（℃）となった時点から、上記計算式により求められる処理時間ｔ（秒）の計測を開始するとよい。
【００２１】
また、半導体膜の溶融結晶化はレーザ照射によって行うことが好適である。これにより、溶融結晶化を効率よく行うことが可能となる。用いるレーザとしては、エキシマレーザ、固体レーザ、ガスレーザなど種々のものが考えられる。
【００２２】
また、上記溶融結晶化は、微細孔以外の領域にある半導体膜が膜厚方向全域に渡って溶融する条件にて行われることが好ましい。また当該溶融結晶化は、微細孔内にある結晶成分含有半導体膜が膜厚方向全域に渡って溶融しない条件にて行われることが更に好ましい。このような条件を満たすことにより、半導体膜の溶融結晶化をより良好に行うことが可能となる。
【００２３】
また本発明は、上述した製造方法を用いて製造される半導体装置でもある。具体的には、本発明に係る半導体装置は、絶縁基板上に形成された半導体素子を含む半導体装置であって、当該半導体素子はこの半導体素子の配置位置から広がって溶融結晶化した、少なくとも半導体素子の素子領域に相当する大きさの大結晶粒の結晶性半導体膜を用いて形成されており、当該結晶性半導体膜は半導体素子の配置位置に応じて絶縁基板上に形成された微細孔を起点として結晶化が行われ、当該微細孔の底部には金属含有物質からなり半導体膜の結晶化を促進する結晶化促進膜が配置されている。
【００２４】
上述した本発明に係る半導体装置は、特に電気光学装置に用いて好適である。具体的には、本発明に係る半導体装置を所望の配置状態（例えばマトリクス状）に配設し、画素を駆動する駆動素子として用いて電気光学装置を構成することにより、性能のよい電気光学装置を得ることが可能となる。そして、このような電気光学装置を用いることにより、品質のよい電子機器を構成することが可能になる。
【００２５】
ここで本明細書において「電気光学装置」とは、本発明に係る半導体装置を備え、電気的作用によって発光するあるいは外部からの光の状態を変化させる電気光学素子を備えた装置一般をいい、自ら光を発するものと外部からの光の透過を制御するもの双方を含む。例えば、電気光学素子として、液晶素子、電気泳動粒子が分散した分散媒体を有する電気泳動素子、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、電界の印加により発生した電子を発光板に当てて発光させる電気放出素子を備えた表示装置等をいう。
【００２６】
また本明細書において「電子機器」とは、本発明に係る半導体装置を備えた一定の機能を有する機器一般をいい、例えば電気光学装置やメモリを備えて構成される。その構成には特に限定がないが、例えば、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ（携帯型情報端末）、電子手帳、ＩＣカード、電光掲示板、宣伝広告用ディスプレイ等が含まれる。
【００２７】
また、本発明は、複数の電気光学素子と当該電気光学素子のそれぞれを駆動するための複数の半導体素子とを含む電気光学装置の製造方法であって、金属含有物質から成り半導体膜の結晶化を促進する結晶化促進膜を基板上に形成する結晶化促進膜形成工程と、上記基板上に結晶化促進膜を覆うように下地絶縁膜を堆積する下地絶縁膜堆積工程と、結晶化促進膜上の下地絶縁膜に微細孔を開け、当該微細孔の底部に結晶化促進膜を露出させる微細孔形成工程と、下地絶縁膜及び微細孔内に半導体膜を堆積する半導体膜堆積工程と、基板に熱処理を施し、半導体膜の微細孔の底部付近を含む領域を固相状態にて結晶化させて結晶成分含有半導体膜を得る熱処理工程と、微細孔内の結晶成分含有半導体膜を起点として半導体膜を溶融結晶化させて結晶性半導体膜を得る溶融結晶化工程と、当該結晶性半導体膜を用いて半導体素子を形成する素子形成工程と、基板上に当該半導体素子によって駆動されるべき電気光学素子を形成する電気光学素子形成工程と、を含む。そして、上記結晶化促進膜として遮光性を有するものを用いており、当該結晶化促進膜は、電気光学素子のそれぞれにより形成される複数の表示領域の相互間を遮光すると共に半導体素子の少なくとも一部への光入射を抑制する遮光膜として機能するようにパターニングして形成される。
【００２８】
半導体膜の結晶化を行う際の起点としての微細孔内に、金属含有物質からなる結晶化促進材料と半導体膜とを固相状態にて結晶化させて結晶成分含有半導体膜を形成しているので、その後に半導体膜の溶融結晶化を行うことにより、微細孔を略中心とする範囲に結晶粒が大きく、かつ面方位の制御された半導体膜（結晶性半導体膜）を形成することが可能になる。この略単結晶状態と見なせ、かつ面方位も制御された良質な半導体膜を用いることにより特性のよい半導体素子を形成することが可能となり、当該半導体素子を用いて電気光学装置を構成することにより、電気光学装置の高性能化を図ることが可能になる。また、結晶化促進膜として遮光性を有するものを用いるようにし、各表示領域の相互間を遮光して画素間の光漏れを防ぐための遮光膜を兼ねるようにパターニングしているので、製造工程を簡略化することが可能となる。また、結晶化促進膜により遮光膜の機能を兼ねていることから、半導体膜の結晶性を向上させるために結晶化促進膜を設けることによる構造の複雑化を回避することが可能となる。更には、遮光性を有する結晶化促進膜によって半導体素子の少なくとも一部（例えば、薄膜トランジスタであれば活性領域等）に対する光の入射を抑制するように構成しているので、半導体膜に光励起による起電力や暗電流の発生を防ぐことが可能となる。
【００２９】
上述した微細孔形成工程において、微細孔は半導体素子のそれぞれが形成されるべき領域内又は当該領域近傍にのみ形成されることが好ましい。これにより、所望の領域（すなわち半導体素子を形成したい領域）に対して的確に結晶性半導体膜を形成することが可能となる。
【００３０】
また、上記結晶化促進膜は表示領域の縁辺部近傍を覆うように形成されることが好ましい。これにより、表示領域の縁辺部及びその近傍において生じやすい出射光の乱れによる悪影響を回避することが可能となる。
【００３１】
なお、本発明に係る電気光学装置の製造方法における好適な諸条件、具体的には、（１）結晶化促進膜として好適なもの、（２）微細孔の形状（孔の深さと孔径との比など）、（３）半導体膜堆積構成において堆積される半導体膜の膜厚や膜材料、（４）熱処理の温度や処理時間、（５）半導体膜の溶融結晶化の方法、等については、上述した本発明に係る半導体装置の製造方法において説明した内容と同様である。
【００３２】
また、本発明は上記製造方法によって製造される電気光学装置を含んで構成される電子機器である。本発明に係る電気光学装置を用いることにより、品質のよい電子機器を構成することが可能になる。なお本明細書における「電気光学装置」及び「電子機器」の内容については上述した通りである。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００３４】
＜第１の実施形態＞
図１及び図２は、第１の実施形態の半導体装置の製造方法について説明する図である。
【００３５】
（結晶化促進膜形成工程）
図１（ａ）に示すように、ガラス等の絶縁材料からなる基板１０上に、金属含有物質からなり半導体膜の結晶化を促進する性質を有する結晶化促進膜としてのニッケル膜１１を形成する。ニッケル膜１１はプラズマ化学気相堆積法（ＰＥＣＶＤ法）、低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ法）、スパッタリング法等の物理気相堆積法によって成膜可能である。なお、金属含有物質として、コバルト、白金、パラジウム及びタングステンのうち何れかを含む物質、あるいは珪素化合物（シリサイド）を用いてもよい。基板１０を構成する絶縁材料もガラスに限定されるものではない。
【００３６】
また結晶化促進膜は、遮光性を有するものを用いて、その上側に形成される半導体素子の少なくとも一部を遮蔽するようにパターニングして形成されることが望ましく、本実施形態でもそのようにしてニッケル膜１１をパターニングしている。ニッケル膜１１と半導体素子との位置関係については後述する。かかる構成とすることにより、半導体素子の少なくとも一部（例えば、薄膜トランジスタであれば活性領域等）に対する光の入射を結晶化促進膜によって遮り、半導体膜に光励起による起電力や暗電流の発生を防ぐことが可能となる。
【００３７】
（下地絶縁膜堆積工程）
次に、図１（ｂ）に示すように、基板１０及びニッケル膜１１を覆うようにして下地絶縁膜としての酸化シリコン膜１２を堆積する。酸化シリコン膜１２はＰＥＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法、スパッタリング法等により成膜可能である。例えば本実施形態では、ＰＥＣＶＤ法により厚さ１００ｎｍ程度の酸化シリコン膜１２を堆積する。
【００３８】
（微細孔形成工程）
次に、図１（ｃ）に示すように、ニッケル膜１１上の酸化シリコン膜１２に微細孔１３を開け、当該微細孔１３の底部にニッケル膜１１の一部を露出させる。この微細孔１３は、１つの結晶核のみを優先的に成長させる役割を担うためのものである。以降の説明ではこの微細孔を「グレイン・フィルタ」と称することとする。グレイン・フィルタ１３は、例えばグレイン・フィルタ１３の形成位置を露出させる開口部を有するフォトレジスト膜（図示せず）を酸化シリコン膜１２上に形成し、このフォトレジスト膜をマスクとして用いて反応性イオンエッチングを行い、その後、酸化シリコン膜１２上のフォトレジスト膜を除去することによって形成することができる。また、グレイン・フィルタ１３は円筒状に形成することが好適であるが、円筒状以外の形状（例えば、円錐状、角柱状、角錐状など）としてもよい。
【００３９】
ここで、グレイン・フィルタ１３の孔径は４５ｎｍ〜１９０ｎｍとすることが好適である。また、グレイン・フィルタ１３の孔径は、後に酸化シリコン膜１２上に形成される半導体膜（本実施形態ではシリコン膜）の膜厚の１．５〜１．９倍となるように形成することが好適である。例えば本実施形態では、シリコン膜の膜厚を５０ｎｍとし、グレイン・フィルタ１３の孔径を７５ｎｍ（＝５０ｎｍ×１．５）とする。また本実施形態では、グレイン・フィルタ１３の深さを８２５ｎｍとしている。グレイン・フィルタ１３の寸法をこのような値とする理由については後述する。
【００４０】
（半導体膜堆積工程）
次に、図１（ｄ）に示すように、酸化シリコン膜１２上およびグレイン・フィルタ１３内にシリコン（珪素）を主構成元素とする半導体膜を形成する。本実施形態では半導体膜として非晶質（又は多結晶）のシリコン膜１４を形成する。このシリコン膜１４は、ＬＰＣＶＤ法などの成膜法によって３０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の膜厚に形成することが好適である。
【００４１】
別の観点からは、本工程において堆積されるシリコン膜１４の厚みは上記グレイン・フィルタ１３の孔径の０．５２倍以上０．６７倍以下であることが望ましい。例えば、上記したようにグレイン・フィルタ１３の孔径を７５ｎｍとした場合には、シリコン膜１４の厚みは３９ｎｍ〜５０ｎｍ程度の範囲が好適となる。
【００４２】
（熱処理工程）
次に、図２（ａ）に示すように、酸化シリコン膜１２及びシリコン膜１４が形成された基板１０に対して熱処理を加え、グレイン・フィルタ１３の底部付近を含む領域を固相状態にて結晶化させて、結晶成分含有半導体膜（本例ではシリコンとニッケルの化合物ＮｉＳｉ２）を得る。この熱処理は３００℃〜５５０℃程度の温度にて行うことが好適である。熱処理の温度の下限を３００℃程度とするのは、結晶成分含有半導体膜を必要十分に形成するためである。また、熱処理の温度の上限を５５０℃程度とするのは以下のような理由による。すなわち、材料コスト等の観点からは基板１０として安価なガラス基板（例えばソーダ石灰ガラス等）を用いることが多い。この場合に、一般的に用いられるガラスの軟化点が５５０℃程度であるので、製造中に加えられる熱によって基板１０の軟化を生じないようにするために、基板１０に加わる温度の上限を軟化点に対応して５５０℃程度より低くする必要があるからである。以上のような理由から、本実施形態では、熱処理を行う際に好適な温度として、３００℃〜５５０℃という範囲を採用している。
【００４３】
また、熱処理時の処理温度と処理時間の関係についても、本願発明者による詳細な検討によって好適な条件が見いだされている。以下に、熱処理の好適条件を説明する。熱処理を行う際の処理時間ｔ（秒）は、処理温度Ｔ（℃）、ボルツマン定数ｋＢ＝８．６１７×１０−５ｅＶ・Ｋ−１、ε＝０．７８３ｅＶ、ｔ０＝１．５９×１０−３（秒）としたときに、
ｔ≧ｔ０・ｅｘｐ｛ε／ｋＢ（Ｔ＋２７３．１６）｝　　　…（１）、
の関係を満たすように設定するとよい。
【００４４】
図３は、上記（１）式に基づいて、熱処理時の処理温度Ｔ（℃）と処理時間ｔ（秒）の関係を示した図（グラフ）である。例えば処理温度を３００℃とした場合には、処理時間を１２２０６秒（約３時間２３分）以上とすればよいことが分かる。同様に処理温度を４００℃とした場合には、処理時間を１１５８秒（約１９分）以上とすればよいことが分かる。処理温度を５００℃とした場合には、処理時間を２０２秒以上とすればよいことが分かる。処理温度を５５０℃とした場合には、処理時間を９９秒以上とすればよいことが分かる。また、生産性等の観点からは、処理時間は３００００秒（約８時間）以下とすることが実用的である。このような観点から、熱処理の処理時間ｔは、図３において斜線により示すような範囲内で設定することが好適である。
【００４５】
（溶融結晶化工程）
次に、図２（ｂ）に示すようにシリコン膜１４に対してレーザ照射を行うことにより、グレイン・フィルタ１３内の結晶成分含有半導体膜を起点としてシリコン膜１４を溶融結晶化させて結晶性半導体膜を形成する。これにより、図２（ｃ）に示すようにグレイン・フィルタ１３を中心とした結晶性半導体膜、具体的には大粒径の結晶粒からなる略単結晶のシリコン膜１８が形成される。この溶融結晶化の際に、グレイン・フィルタ１３内に形成されたシリコンとニッケルの化合物が結晶の面方位を整える作用を奏することにより、シリコン膜１８の面方位を特定の方向にほぼ制御することが可能になる。
【００４６】
上述したレーザ照射は、例えば波長３０８ｎｍ、パルス幅２０ｎｍ〜３０ｎｓのＸｅＣｌパルスエキシマレーザを用いて、エネルギー密度が０．４〜１．５Ｊ／ｃｍ２　程度となるようにして行うことが好適である。このような条件でレーザ照射を行うことにより、照射したレーザはそのほとんどがシリコン膜１４の表面付近で吸収される。これはＸｅＣｌパルスエキシマレーザの波長（３０８ｎｍ）における非晶質シリコンの吸収係数が０．１３９ｎｍ−１と比較的に大きいためである。このようにしてレーザ照射の条件を適宜に選択することにより、グレイン・フィルタ１３内にある結晶成分含有半導体膜が膜厚方向全域に渡ってほとんど溶融せずに非溶融状態の部分が残り、グレイン・フィルタ１３以外の領域にあるシリコン膜１４が膜厚方向全域に渡って溶融するようにする。これにより、レーザ照射後のシリコンの結晶成長はグレイン・フィルタ１３の底部近傍で先に始まり、シリコン膜１４の表面付近、すなわち略完全溶融状態の部分へ進行する。グレイン・フィルタ１３の底部ではいくつかの結晶粒が発生する。このとき、グレイン・フィルタ１３の断面寸法（本実施形態では、円の直径）を１個の結晶粒と同程度か少し小さい程度にしておくことにより、グレイン・フィルタ１３の上部（開口部）には１個の結晶粒のみが到達するようになる。これにより、シリコン膜１４の略完全溶融状態の部分ではグレイン・フィルタ１３の上部に到達した１個の結晶粒を核として結晶成長が進行するようになる。
【００４７】
図４は、上記したような溶融結晶化を行うために好適なグレイン・フィルタ１３の形状について説明する図である。グレイン・フィルタ１３は、深さｈと径ｒの比ｈ／ｒが２．７５よりも大きくなるように形成することが好ましい。すなわち、グレイン・フィルタ１３の中心軸（図示のｚ軸）からグレイン・フィルタ１３の側壁方向へ見た角度をφとおくと、ｈ／ｒ＞２．７５とした場合には、角度φが２０°より小さくなる。グレイン・フィルタ１３内において、シリコン結晶粒の結晶方位は（１１１）面がｚ軸方向に向かうようになる。また、（１１１）面と（３３１）面とは約２２°の角度を持っている。このため、ｈ／ｒ＞２．７５としてφ＜２０°となるようにしてグレイン・フィルタ１３を形成することにより、（１１１）面と約２２°の角度を持つ（３３１）面はグレイン・フィルタ１３の側壁へ向かって成長するようになる。これにより、グレイン・フィルタ１３の上部のシリコン結晶粒は（１１１）面が優先的に表れるようになり、シリコン膜の結晶化を行う際にはこの（１１１）面に基づいて面方位を整えることができる。
【００４８】
また、ｈ／ｒ＞５としてグレイン・フィルタ１３を形成した場合には、上述した角度φが１１°より小さくなり、グレイン・フィルタ１３を略中心として形成されるシリコン結晶粒の面方位のずれをさらに抑制することが可能となる。具体的には、本願発明者によれば、複数のグレイン・フィルタ１３に基づいて形成される複数のシリコン結晶粒の相互間の面方位のずれは平均して１０°以下となることが確かめられている。
【００４９】
さらに、ｈ／ｒ＞１１としてグレイン・フィルタ１３を形成した場合には、上述した角度φが５°より小さくなりグレイン・フィルタ１３を略中心として形成されるシリコン結晶粒の面方位のずれをより一層抑制することが可能となる。具体的には、本願発明者によれば、複数のグレイン・フィルタ１３に基づいて形成される複数のシリコン結晶粒の相互間の面方位のずれは平均して５°以下となることが確かめられている。このような検討結果に基づいて、本実施形態では、グレイン・フィルタ１３の深さｈを径ｒ（＝７５ｎｍ）の１１倍の８２５ｎｍにしている。
【００５０】
（素子形成工程）
上述したようにしてシリコン膜１４の溶融結晶化を行うことにより、グレイン・フィルタ１３を略中心として、略単結晶状態であり、かつ面方位が制御されたシリコン膜１８を形成することができる。このようにして得られた略単結晶のシリコン膜１８を用いることにより、高性能な半導体素子（例えば薄膜トランジスタや薄膜ダイオード等）を形成することができる。
【００５１】
次に、薄膜トランジスタを例にして、本発明に係る結晶性半導体膜（シリコン膜１８）を用いて半導体素子を形成する際の工程を説明する。本発明に係る結晶性半導体膜を薄膜トランジスタの活性領域に用いることにより、オフ電流が少なく移動度の大きい高性能な薄膜トランジスタを形成することができる。
【００５２】
図５は、薄膜トランジスタの形成工程について説明する図である。まず、図５（ａ）に示すように、シリコン膜１８をパターニングし、薄膜トランジスタの形成に不要となる部分を除去して整形する。
【００５３】
次に、図５（ｂ）に示すように、酸化シリコン膜１２およびシリコン膜１８の上面に電子サイクロトロン共鳴ＰＥＣＶＤ法（ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ法）またはＰＥＣＶＤ法等の成膜法によって酸化シリコン膜２０を形成する。この酸化シリコン膜２０は薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として機能する。
【００５４】
次に、図５（ｃ）に示すように、スパッタリング法などの成膜法によってタンタル、アルミニウム等の導電体薄膜を形成した後にパターニングを行うことによってゲート電極２２及びゲート配線膜（図示せず）を形成する。そして、このゲート電極２２をマスクとしてドナーまたはアクセプタとなる不純物元素を打ち込む、いわゆる自己整合イオン打ち込みを行うことによりシリコン膜１８にソース領域２４、ドレイン領域２５及び活性領域２６を形成する。例えば本実施形態では、不純物元素としてリン（Ｐ）を打ち込み、その後、ＸｅＣｌエキシマレーザを４００ｍＪ／ｃｍ２　程度のエネルギー密度に調整して照射して不純物元素を活性化することによってＮ型の薄膜トランジスタを形成する。なお、レーザ照射の代わりに２５０℃〜４００℃程度の温度で熱処理を行うことにより不純物元素の活性化を行ってもよい。
【００５５】
次に、図５（ｄ）に示すように、酸化シリコン膜２０およびゲート電極２２の上面に、ＰＥＣＶＤ法などの成膜法によって、５００ｎｍ程度の膜厚の酸化シリコン膜２８を形成する。次に酸化シリコン膜２０、２８のそれぞれを貫通してソース領域２４及びドレイン領域２５のそれぞれに至るコンタクトホールを形成し、これらのコンタクトホール内にスパッタリング法などの成膜法によってアルミニウム、タングステン等の導電体を埋め込んでパターニングすることにより、ソース電極３０及びドレイン電極３２を形成する。これにより、図５（ｄ）に示すように金属含有物質からなり半導体膜の結晶化を促進する結晶化促進膜としてのニッケル膜１１がグレイン・フィルタ１３の底部に配置され、当該グレイン・フィルタ１３を起点として溶融結晶化が行われて形成されたシリコン膜１８を用いて活性領域２６が形成された薄膜トランジスタＴが得られる。
【００５６】
図６は、薄膜トランジスタＴを上面側から見た平面図である。同図では、主にゲート電極２２、ソース領域２４、ドレイン領域２５及び活性領域２６について着目し、他の構成要素については省略して薄膜トランジスタＴの平面図が示されている。図６及び上述した図５（ｄ）に示すように、薄膜トランジスタＴは、少なくとも活性領域２６とドレイン領域２５の境界領域（ドレイン端領域）とニッケル膜１１の一部とが上下方向で重なるようにして各要素の配置が設定されている。更に本実施形態では活性領域２６とソース領域２４の境界領域についてもニッケル膜１１の一部と上下方向で重なるようにして配置されている。このような配置とすることにより、ニッケル膜１１は基板１０の下面側から入射する光がドレイン端などに照射されることを回避する遮光膜としても機能することとなり、ドレイン端などへの光照射による電流の発生を防止することが可能となる。
【００５７】
このように本実施形態では、非晶質のシリコン膜１４の溶融結晶化を行う際の起点としてのグレイン・フィルタ１３内に、金属含有物質からなる結晶化促進膜としてのニッケル膜１１を露出させておき、グレイン・フィルタ１３内のシリコン膜１４を固相状態にて結晶化させることによりニッケルとシリコンとの化合物（結晶成分含有半導体膜）を形成している。これにより、シリコン膜１４の溶融結晶化を行う際に、グレイン・フィルタ１３を略中心とする範囲に結晶粒が大きく、かつ面方位の制御された略単結晶のシリコン膜１８（結晶性半導体膜）を形成することが可能になる。この結晶粒径が大きく面方位も制御された良質なシリコン膜１８を用いて薄膜トランジスタＴを形成しているので、薄膜トランジスタの高性能化を図ることが可能になる。このような本実施形態に係る薄膜トランジスタは、例えば電気光学装置などの各種装置に用いて好適である。
【００５８】
なお、本第１の実施形態では、半導体素子の具体例として薄膜トランジスタについて説明していたが、本発明の適用範囲はこれに限定されるものではなく、他にも薄膜ダイオードなど各種の半導体素子について本発明を適用することが可能である。
【００５９】
＜第２の実施形態＞
次に、本発明を適用した一実施形態の電気光学装置の製造方法について説明を行う。上述したように電気光学装置とは電気的作用によって発光するあるいは外部からの光の状態を変化させる電気光学素子を備えた装置一般をいい、例えば液晶表示装置やＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置などを含む。以下では、電気光学装置の一例として液晶表示装置を採り上げて説明を行う。
【００６０】
図７乃至図１０は、第２の実施形態の製造方法について説明する図である。
【００６１】
（結晶化促進膜形成工程）
図７（ａ）は本実施形態に係る液晶表示装置の画素駆動用の半導体素子（例えば薄膜トランジスタ等）が形成されるべき基板１０の部分的な平面図を示しており、図７（ｂ）は図７（ａ）に示すＡ−Ａ’断面図を示している。図７に示すように、基板１０上に金属含有物質からなり半導体膜の結晶化を促進する性質を有する結晶化促進膜としてのニッケル膜１１ａを形成する。ニッケル膜１１ａの成膜方法は第１の実施形態の場合と同様である。また金属含有物質として、コバルト、白金、パラジウム及びタングステンのうち何れかを含む物質、あるいは珪素化合物（シリサイド）を用いてもよい。
【００６２】
ここで、結晶化促進膜は、遮光性を有するように形成されており、複数の表示領域４０の相互間を遮光すると共に複数の素子形成領域４２のそれぞれに形成されるべき各半導体素子の少なくとも一部への光入射を抑制する遮光膜として機能するようにパターニングして形成される。ニッケル膜１１ａと表示領域４０及び半導体素子の位置関係については後ほどさらに詳細に説明する。
【００６３】
（下地絶縁膜堆積工程、微細孔形成工程）
次に、図８に示すように、基板１０及びニッケル膜１１ａを覆うようにして下地絶縁膜としての酸化シリコン膜１２を堆積し、その後この酸化シリコン膜１２にグレイン・フィルタ１３を開け、当該グレイン・フィルタ１３の底部にニッケル膜１１ａの一部を露出させる。酸化シリコン膜１２の成膜方法やグレイン・フィルタ１３の形成方法の好適な例については上述した第１の実施形態と同様である。
【００６４】
ここで、本実施形態におけるグレイン・フィルタ１３は、図８に示すように複数の半導体素子（本例では薄膜トランジスタ）のそれぞれが形成されるべき領域（素子形成領域４０）内又は当該領域近傍にのみ形成される。これにより、所望の領域（すなわち半導体素子を形成したい領域）に対して的確に結晶性半導体膜を形成することが可能となる。
【００６５】
次に、上述した第１の実施形態と同様にして半導体膜堆積工程、熱処理工程及び溶融結晶化工程のそれぞれを行い、基板１０上に結晶性に優れたシリコン膜（結晶化半導体膜）を形成する。その後、基板１０上に形成されたシリコン膜を用いて薄膜トランジスタを形成する（素子形成工程）。なお、半導体膜堆積工程等の各工程の具体的な内容については上述した第１の実施形態の場合と同様であるためにここでは説明を省略する。これにより、図９に示すように各表示領域４０に対応して複数の薄膜トランジスタＴが形成される。
【００６６】
（電気光学素子形成工程）
次に、図１０に示すように、基板１０上に各薄膜トランジスタＴによって駆動されるべき複数の電気光学素子を形成する。本実施形態では電気光学素子として液晶表示素子が形成される。具体的には、図１０に示すように、薄膜トランジスタＴが形成された基板１０上に絶縁膜４４を形成して平坦化し、当該絶縁膜４４上に画素電極４６を形成する。この画素電極４６は、上述した表示領域４０とほぼ同形状であって、縁辺部４６ａとその近傍がニッケル膜１１ａによって遮蔽されるようにパターニングして形成される。換言すると、本実施形態におけるニッケル膜１１ａは、電気光学素子形成工程において形成される画素電極４６の形状に合わせて、当該画素電極４６の縁辺部４６ａ及びその近傍を遮蔽することが可能なようにパターニングがなされて各表示領域４０が開口されている。
【００６７】
次に、対向電極４８及びカラーフィルタ５０が形成された対向基板５２を基板１０と所定間隔（例えば５〜１０μｍ程度）だけ離間させて貼り合わせる。この貼り合わせは、対向基板５２側のカラーフィルタ５０と基板１０側の画素電極４６とを正確に位置合わせして行われる。その後、基板１０と対向基板５２の間に液晶５４を注入し、封止を行うことにより液晶表示装置が完成する。当該液晶表示装置において、画素電極４６、対向電極４８及び液晶５４によって液晶素子（電気光学素子）が構成されており、外部から入射して表示領域４０を通過する光の透過量が当該液晶素子によって制御される。またニッケル膜１１ａは、各表示領域４０の相互間を遮蔽して当該領域からの光漏れを防止するとともに、薄膜トランジスタＴへの光照射を抑制する遮光膜として機能する。
【００６８】
このように本実施形態では、非晶質のシリコン膜１４の溶融結晶化を行う際の起点としてのグレイン・フィルタ１３内に、金属含有物質からなる結晶化促進膜としてのニッケル膜１１ａを露出させておき、グレイン・フィルタ１３内のシリコン膜１４を固相状態にて結晶化させることによりニッケルとシリコンとの化合物（結晶成分含有半導体膜）を形成している。これにより、シリコン膜１４の溶融結晶化を行う際に、グレイン・フィルタ１３を略中心とする範囲に結晶粒が大きく、かつ面方位の制御された略単結晶のシリコン膜１８（結晶性半導体膜）を形成することが可能になる。この結晶粒径が大きく面方位も制御された良質なシリコン膜１８を用いて薄膜トランジスタＴを形成しているので、特性のよい薄膜トランジスタを得ることが可能となり、当該薄膜トランジスタを用いて電気光学装置を構成するので電気光学装置の高性能化を図ることが可能になる。また、結晶化促進膜として遮光性を有するものを用いるようにし、各表示領域４０の相互間を遮光して画素間の光漏れを防ぐための遮光膜を兼ねるようにパターニングしているので、製造工程を簡略化することが可能となる。また、結晶化促進膜により遮光膜の機能を兼ねていることから、半導体膜の結晶性を向上させるために結晶化促進膜を設けることによる構造の複雑化を回避することが可能となる。更には、遮光性を有する結晶化促進膜によって薄膜トランジスタの活性領域等に対する光の入射を抑制するように構成しているので、光励起による起電力や暗電流の発生を防ぐことが可能となる。
【００６９】
なお、上述した説明では電気光学装置の一例として液晶表示装置を採り上げていたが、有機ＥＬ表示装置など他の電気光学装置に対しても同様にして本発明を適用可能である。
【００７０】
図１１は、本発明を適用した有機ＥＬ表示装置について説明する図である。当該有機ＥＬ表示装置は、電気光学素子としての複数の有機ＥＬ素子を含んで構成されるものである。具体的には、図１１に示すように、薄膜トランジスタＴが形成された基板１１０上に絶縁膜１１２を形成して平坦化し、当該絶縁膜１１２上に画素電極１１４を形成する。本実施形態では、基板１１０の裏面側に光を出射する構造を採用しており、当該画素電極１１４はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）膜等の透明導電膜によって構成される。次に当該画素電極１１４を露出するバンク（隔壁）１１８を形成する。当該バンク１１８は例えばポリイミド膜によって構成される。次にこのバンク１１８に囲まれた領域に、インクジェット法等の手法を用いて正孔注入層１２０と発光層１２２を形成する。正孔注入層１２０は、例えばＰＥＤＯＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ　Ｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）−ＰＳＳ（Ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ　Ｓｕｌｐｈｏｎａｔｅ）によって構成される。また発光層１２２は、例えば共役系ポリマーの１つであるＰＰＶ（ｐｏｌｙ（ｐ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ））によって構成される。その後、発光層１２２上にスパッタリング法等の方法によって対向電極１２４を形成することにより有機ＥＬ表示装置が完成する。当該有機ＥＬ表示装置において、画素電極１１４、正孔注入層１２０、発光層１２２及び対向電極１２４によって一の発光素子（電気光学素子）が構成されている。そして、発光層１２２の形成領域がほぼ表示領域に対応している。
【００７１】
また、図１１に示すように、薄膜トランジスタＴの形成時に用いられるニッケル膜１１１は、各発光層１２２（すなわち表示領域）の相互間を遮蔽して当該領域からの光漏れを防止するとともに、薄膜トランジスタＴへの光照射を抑制する遮光膜として機能する。換言すると、本実施形態におけるニッケル膜１１１は、電気光学素子形成工程において形成される発光層１２２の形状に合わせて、当該発光層１２２の縁辺部１２２ａ及びその近傍を遮蔽することが可能なようにパターニングがなされている。
【００７２】
なお、本第２の実施形態では、本発明に係る電気光学装置の具体例として液晶表示装置及び有機ＥＬ表示装置について説明していたが、これら以外の電気光学装置においても本発明を適用することが可能である。
【００７３】
＜第３の実施形態＞
上述した実施形態に係る電気光学装置（表示装置）は種々の電子機器に適用可能である。
【００７４】
図１２は、電気光学装置を適用可能な電子機器の例を示す図である。
【００７５】
図１２（ａ）は携帯電話への適用例であり、当該携帯電話２３０は、アンテナ部２３１、音声出力部２３２、音声入力部２３３、操作部２３４、および本発明に係る電気光学装置１００を備えている。このように本発明に係る電気光学装置は表示部として利用可能である。
【００７６】
図１２（ｂ）はビデオカメラへの適用例であり、当該ビデオカメラ２４０は、受像部２４１、操作部２４２、音声入力部２４３、および本発明に係る電気光学装置１００を備えている。このように本発明に係る電気光学装置は、ファインダや表示部として利用可能である。
【００７７】
図１２（ｃ）は携帯型パーソナルコンピュータ（いわゆるＰＤＡ）への適用例であり、当該コンピュータ２５０は、カメラ部２５１、操作部２５２、および本発明に係る電気光学装置１００を備えている。このように本発明に係る電気光学装置は、表示部として利用可能である。
【００７８】
図１２（ｄ）はヘッドマウントディスプレイへの適用例であり、当該ヘッドマウントディスプレイ２６０は、バンド２６１、光学系収納部２６２および本発明に係る電気光学装置１００を備えている。このように本発明に係る電気光学装置は画像表示源として利用可能である。
【００７９】
図１２（ｅ）はリア型プロジェクターへの適用例であり、当該プロジェクター２７０は、筐体２７１に、光源２７２、合成光学系２７３、ミラー２７４、２７５、スクリーン２７６、および本発明に係る電気光学装置１００を備えている。このように本発明に係る電気光学装置は画像表示源として利用可能である。
【００８０】
図１２（ｆ）はフロント型プロジェクターへの適用例であり、当該プロジェクター２８０は、筐体２８２に光学系２８１および本発明に係る電気光学装置１００を備え、画像をスクリーン２８３に表示可能になっている。このように本発明に係る電気光学装置は画像表示源として利用可能である。
【００８１】
本発明に係る電気光学装置１００は、上述した例に限らずアクティブ型あるいはパッシブマトリクス型の、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置などを適用可能なあらゆる電子機器に適用可能である。例えば、この他に、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイなどにも活用することができる。
【００８２】
なお、本発明は上述した実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々の変形実施が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態の製造方法について説明する図である。
【図２】第１の実施形態の製造方法について説明する図である。
【図３】熱処理時の処理温度と処理時間の関係を示した図である。
【図４】グレイン・フィルタの好適な形状について説明する図である。
【図５】薄膜トランジスタの形成工程について説明する図である。
【図６】薄膜トランジスタを上面側から見た平面図である。
【図７】第２の実施形態の製造方法について説明する図である。
【図８】第２の実施形態の製造方法について説明する図である。
【図９】第２の実施形態の製造方法について説明する図である。
【図１０】第２の実施形態の製造方法について説明する図である。
【図１１】本発明を適用した有機ＥＬ表示装置について説明する図である。
【図１２】電気光学装置を適用可能な電子機器の例を示す図である。
【符号の説明】
１０…基板、　１１…ニッケル膜（結晶化促進膜）、　１２…酸化シリコン膜（下地絶縁膜）、　１３…グレイン・フィルタ（微細孔）、　１４…非晶質のシリコン膜（半導体膜）、　１８…略単結晶のシリコン膜（結晶性半導体膜）、
１００…電気光学装置、　Ｔ…薄膜トランジスタ
【図１】
2004134533.tif 000003
【図２】
2004134533.tif 000004
【図３】
2004134533.tif 000005
【図４】
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【図５】
2004134533.tif 000007
【図６】
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【図７】
2004134533.tif 000009
【図８】
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【図９】
2004134533.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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