(57)【要約】【課題】電気光学装置において、データ線に対する通電によって画素電極の電位に変動がもたらされ、その結果、発生するデータ線に沿った表示ムラ等のない高品質な画像を表示する。【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、下から順に、ＴＦＴ（３０）、走査線（３ａ）、蓄積容量（７０）、データ線（６ａ）及び画素電極（９ａ）という積層構造を有する。このうちデータ線及び画素電極間に位置する第３層間絶縁膜（４３）は、蓄積容量を構成する誘電体膜（７５）の比誘電率よりも低い。また、好ましくは、第３層間絶縁膜の比誘電率は、第１及び第２層間絶縁膜（４１及び４２）のそれよりも低い。【選択図】　　　図３
2004102058.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
一定の方向に延在するデータ線及び該データ線に交差する方向に延在する走査線と、前記データ線及び前記走査線の交差領域に対応するように配置された画素電極及び薄膜トランジスタとが、積層構造の一部を構成してなり、
前記積層構造には、
前記画素電極及び前記薄膜トランジスタに接続された画素電位側容量電極、該画素電位側容量電極に対向配置された固定電位側容量電極、及び前記画素電位側容量電極及び前記固定電位側容量電極間に配置された誘電体膜からなる蓄積容量と、
前記固定電位側容量電極及び前記走査線間に配置された第１層間絶縁膜と、
前記データ線前及び前記固定電位側容量電極間に配置された第２層間絶縁膜と、
前記画素電極及び前記データ線間に配置された第３層間絶縁膜と、
が更に備えられており、
前記第１層間絶縁膜、前記第２層間絶縁膜及び前記第３層間絶縁膜の少なくとも一つの比誘電率は、前記蓄積容量を構成する誘電体膜の比誘電率よりも低いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第３層間絶縁膜の比誘電率は、前記第１層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁膜のそれよりも低いことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１層間絶縁膜、前記第２層間絶縁膜及び前記第３層間絶縁膜の少なくとも一つの比誘電率は、３．９未満であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１層間絶縁膜、前記第２層間絶縁膜及び前記第３層間絶縁膜の少なくとも一つの厚さは、８００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１層間絶縁膜、前記第２層間絶縁膜及び前記第３層間絶縁膜の少なくとも一つは、無機系材料からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記無機系材料は、ＳｉＯＦ及びアモルファスカーボンの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記薄膜トランジスタを構成する半導体層は低温ポリシリコン膜からなるとともに、
前記第１層間絶縁膜、前記第２層間絶縁膜及び前記第３層間絶縁膜の少なくとも一つは、有機系材料からなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記画素電極及び前記データ線は、平面的に見て、少なくとも部分的に重なり合わない部分を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記積層構造には、前記画素電極及び前記データ線間に固定電位とされたシールド層が更に備えられてなり、
前記第３層間絶縁膜は、
前記画素電極及び前記シールド層間に配置された第４層間絶縁膜と、
前記シールド層及び前記データ線間に配置された第５層間絶縁膜とからなり、前記第４層間絶縁膜及び前記第５層間絶縁膜の少なくとも一つの比誘電率は、前記誘電体膜の比誘電率よりも低いことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記第５層間絶縁膜の比誘電率は、前記第４層間絶縁膜のそれよりも低いことを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記積層構造は、前記基板上、下から順に、
前記薄膜トランジスタを構成する半導体層、該半導体層上に形成され前記薄膜トランジスタのゲート電極を含む前記走査線、前記画素電位側容量電極、前記誘電体膜、前記固定電位側容量電極、前記データ線及び前記画素電極の順で構成されていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記固定電位側容量電極は、前記走査線に沿うように形成された容量線の一部を構成することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶装置等の電気光学装置及び該電気光学装置を具備する電子機器の技術分野に属する。また、本発明は、電子ペーパ等の電気泳動装置等の技術分野にも属する。
【０００２】
【背景技術】
従来、液晶装置等の電気光学装置としては、例えば、マトリクス状に配列された画素電極及び該電極の各々に接続された薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下適宜、「ＴＦＴ」という。）、該ＴＦＴの各々に接続され、行及び列方向それぞれに平行に設けられた走査線及びデータ線等を備えるとともに、前記走査線に対しては走査線駆動回路による駆動が、前記データ線に対してはデータ線駆動回路による駆動が、それぞれ行われることによって、いわゆるアクティブマトリクス駆動が可能なものが知られている。
【０００３】
ここで、アクティブマトリクス駆動とは、前記走査線に走査信号を供給することで前記ＴＦＴの動作を制御するとともに、前記データ線には、画像信号を供給することで、前記走査信号によってＯＮとされたＴＦＴに対応する画素電極に対し、当該画像信号に対応した電界の印加を行う駆動方法である。この画像信号の供給方法には、種々のものが提案されており、例えば、データ線の１本１本に逐次画像信号を供給する方法や、画像信号をシリアル−パラレル変換して隣接するデータ線の何本かに対して、グループ毎同時に画像信号を供給する方法もある。例えば、特許文献１参照。
【０００４】
【特許文献１】
特開平２００１−１８８２５３号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来におけるデータ線を通じた画像信号の供給については、次のような問題点があった。すなわち、上で例示した画像信号の供給方法のうち、グループ毎に同時に画像信号の供給を行う方法を例として説明すると、この場合、画像信号の供給を現に受けているグループ（以下、「供給グループ」という。）と、それに隣接するグループ（以下、「非供給グループ」という。）との間において、当該位置に延在するデータ線にほぼ沿った形で、画像上に表示ムラが現れるという不具合があったのである。
【０００６】
これは、前記供給グループと前記非供給グループとのちょうど端境に存在する画素電極において、画像信号に正確に対応した電界が結果的に印加されないことによる。より詳しくは、この場合、当該画素電極の一方の端には、画像信号が供給されるデータ線が存在し、他方の端には画像信号が供給されないデータ線が存在するということになるから、当該画素電極に対して、画像信号に対応した正確な電界を印加したとしても、当該画素電極と前記画像信号が供給されないデータ線との間における容量カップリングの影響で、その電位に変動が生じるのである。
【０００７】
このような問題に対処するため、画素電極とデータ線との間に位置する層間絶縁膜の厚さを大きくするという試みが考えられる。これによれば、画素電極及びデータ線間の容量カップリングを小さくすることが可能となるからである。しかしながら、層間絶縁膜の厚さを大きくすると、例えば、画素電極及びＴＦＴ間を接続するコンタクトホールの形成が困難となる。また、厚さを大きくして容量カップリングの影響をなくすためには、そもそも当該厚さを一般に非常に大きくしなければならない。これでは、電気光学装置一般について、小型化・高精細化が望まれている現状に対して、逆行することとなる。
【０００８】
ちなみに、このような問題点は、画素電極及びデータ線間についてに限らず、基板上に構成される各種の要素間についても同様に見られる。例えば、蓄積容量を構成する固定電位側容量電極とデータ線との間においても、上述のような寄生容量が生じる可能性があるし、あるいは固定電位側容量電極と走査線との間においても同様に生じ得る。そして、このような寄生容量が生じれば、対向する各要素が本来あるべき電位から外れた電位となることとなり、電気光学装置の正常な動作を妨げるおそれがあるのである。
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、データ線に対する通電によって画素電極の電位に変動がもたらされ、その結果、発生するデータ線に沿った表示ムラ等のない高品質な画像を表示することが可能な電気光学装置を提供することを課題とする。また、本発明は、基板上に構成される各要素間に生じる寄生容量の影響を可及的に排除し、常に正常な動作を期待し得る電気光学装置を提供することをも課題とする。さらに、本発明は、そのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することをも課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するため、基板上に、一定の方向に延在するデータ線及び該データ線に交差する方向に延在する走査線と、前記データ線及び前記走査線の交差領域に対応するように配置された画素電極及び薄膜トランジスタとが、積層構造の一部を構成してなり、前記積層構造には、前記画素電極及び前記薄膜トランジスタに接続された画素電位側容量電極、該画素電位側容量電極に対向配置された固定電位側容量電極、及び前記画素電位側容量電極及び前記固定電位側容量電極間に配置された誘電体膜からなる蓄積容量と、前記画素電極及び前記データ線間に配置された第１層間絶縁膜と、前記データ線前及び前記固定電位側容量電極間に配置された第２層間絶縁膜と、前記固定電位側容量電極及び前記走査線間に配置された第３層間絶縁膜とが更に備えられており、前記第１層間絶縁膜、前記第２層間絶縁膜及び前記第３層間絶縁膜の少なくとも一つの比誘電率は、前記蓄積容量を構成する誘電体膜の比誘電率よりも低い。
【００１１】
本発明の電気光学装置によれば、走査線を通じて、画素スイッチング用素子の一例たる薄膜トランジスタ等のスイッチング動作を制御するとともに、データ線を通じて画像信号を供給することで、薄膜トランジスタを介して画素電極に対し、該画像信号に応じて電圧を印加することが可能である（アクティブマトリクス駆動）。
【００１２】
そして、本発明では特に、積層構造を構成するものとして、画素電位側容量電極、誘電体膜及び固定電位側容量電極の積層体からなる蓄積容量、前述したような各要素間に配置された第１、第２及び第３層間絶縁膜が少なくとも備えられているとともに、これらの層間絶縁膜の少なくとも一つの比誘電率は、誘電体膜の比誘電率よりも低い。すなわち、これら層間絶縁膜の比誘電率は、比較的小さい値をとることになる。これにより、第１層間絶縁膜にあっては、固定電位側容量電極及び走査線間に生じる寄生容量の容量値を小さくすることができ、第２層間絶縁膜にあっては、データ線及び固定電位側容量電極間に生じる寄生容量の容量値を小さくすることができ、更に、第３層間絶縁膜にあっては、画素電極及びデータ線間に生じる寄生容量の容量値を小さくすることができる。
【００１３】
したがって、これら層間絶縁膜を挟んで対向する要素において、寄生容量を通じた電位変動を生じさせる可能性を低減することができるから、より正確な動作が期待できる電気光学装置を提供することができる。特に、第３層間絶縁膜に関しては、データ線の通電を原因とする画素電極における電位変動を防止することができ、もって画像上にデータ線に沿った表示ムラ等を発生させる可能性を低減することができる。
【００１４】
ちなみに、本発明では、上述のような作用効果の他、蓄積容量が設けられていること自体によって、画素電極の電位保持特性を向上させることができ、これにより、高コントラスト等の特質を備えた高品質な画像表示も可能となる。
【００１５】
なお、本発明において、「蓄積容量を構成する誘電体膜」としては、該蓄積容量については画素電極の電位保持特性をなるべく向上させるべく、比較的高い比誘電率を備えた材料を用いることが好ましい。そのような材料としては、例えば、窒化シリコン、酸化タンタル等を挙げることができる。また、該誘電体膜は、一層構造に限る必要はなく、二層以上の構造を備えるものとしてもよい。この場合、本発明にいう「誘電体膜の比誘電率よりも低い」ということの意義は、「当該二層以上の構造のうち最も高い比誘電率を有する材料からなる層の当該比誘電率よりも低い」と考えることができる。
【００１６】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記第１層間絶縁膜の比誘電率は、前記第２層間絶縁膜及び前記第３層間絶縁膜のそれよりも低い。
【００１７】
この態様によれば、画素電極及びデータ線間に配置された第３層間絶縁膜の比誘電率が、相対的に最も低いということになるから、これらの間に生じる寄生容量の容量値を極めて小さくすることができる。これにより、本発明の主たる目的である、データ線に沿った表示ムラの発生防止という作用効果を、より効果的に享受することが可能となる。
【００１８】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１層間絶縁膜、前記第２層間絶縁膜及び前記第３層間絶縁膜の少なくとも一つの比誘電率は、３．９未満である。
【００１９】
この態様によれば、各層間絶縁膜の比誘電率が最適に設定されることから、上述したような作用効果が、より確実に奏されることになる。なお、より好ましくは、該比誘電率の値は、２．０程度以下であるとなおよい。
【００２０】
ちなみに、従来、絶縁膜として広く用いられてきた酸化シリコンは、その比誘電率が３．９であることが知られている。
【００２１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１層間絶縁膜、前記第２層間絶縁膜及び前記第３層間絶縁膜の少なくとも一つの厚さは、８００ｎｍ以上である。
【００２２】
この態様によれば、各層間絶縁膜の厚さが比較的大きくなることから、前述の寄生容量の容量値を低減することができる。なお、より好ましくは、当該厚さの値は、１０００ｎｍ程度以上であるとなおよい。
【００２３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１層間絶縁膜、前記第２層間絶縁膜及び前記第３層間絶縁膜の少なくとも一つは、無機系材料からなる。
【００２４】
この態様によれば、各層間絶縁膜が無機系材料からなるから、比較的耐熱性の高い電気光学装置を提供することができる。この点、薄膜トランジスタを構成する半導体層に対するアニール処理等が比較的高温環境下で実施されることに鑑みるに、本態様に係る構造の優位さがより際立つ。また、当該電気光学装置が、投射型表示装置のライトバルブとして用いられる場合を想定すると、該ライトバルブには比較的強力な光が照射されることにより、該ライトバルブにおける蓄熱ないし温度上昇に注意すべきことからすると、本態様の優位さは更に際立つ。
【００２５】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記無機系材料は、ＳｉＯＦ及びアモルファスカーボンの少なくとも一つを含む。
【００２６】
このような構成によれば、前記の各層間絶縁膜は、誘電率の観点、或いは耐熱性の観点から最適な態様の一つをとる。よって、前述の作用効果は、より確実に奏されることになる。
【００２７】
なお、本態様の「ＳｉＯＦ」については、例えば、原料ガスとして、ＳｉＨ４、ＤＦ４、ＳｉＦ６、Ｓ２Ｆ６を用い、プラズマＣＶＤ法、あるいはＨＤＰ（Ｈｉｇｈ　Ｄｅｎｓｉｔｙ　Ｐｌａｓｍａ）−ＣＶＤ法によって形成することができる。また、「アモルファスカーボン」については、例えば、ＣＶＤ法によって形成することができる。
【００２８】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層は低温ポリシリコン膜からなるとともに、前記第１層間絶縁膜、前記第２層間絶縁膜及び前記第３層間絶縁膜の少なくとも一つは、有機系材料からなる。
【００２９】
この態様によれば、薄膜トランジスタを構成する半導体層が低温ポリシリコン膜からなる。すなわち、当該電気光学装置は、いわゆる低温プロセスによって製造することが可能となる。したがって、製造容易性が確保される。ここで本態様では特に、前記の各層間絶縁膜が、比較的製造容易な有機系材料からなるから、製造容易性は更に促進されることになる。例えば、当該有機系材料からなる層間絶縁膜は、例えば、スピンコート法等によって形成可能なものがあり、これによれば製造容易性は促進されるといい得る。また、有機系材料は一般に耐熱性に劣るものの、本態様においては、電気光学装置は前述のように低温プロセスにより製造可能であるから、特に問題となるようなことはない。
【００３０】
なお、本態様にいう「有機系材料」としては、具体的には例えば、ＨＳＱ（Ｈｙｄｒｏｇｅｎ　Ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ）、メチルシルセスキオキサン、エアロジェル／ゼロジェル、ポリイミド、フッ素化ポリイミド、ポリアリルエーテル、フッ素化ポリアリルエーテル、ＤＶＳ−ベンゾシクロブテン、パーフルオロシクロブテン、パリレン−Ｎ、パリレン−Ｆ、ポリナフタレン−Ｎ、ポリナフタレン−Ｆ、テフロン（登録商標）等を挙げることができる。
【００３１】
ちなみに、これらの材料の中で、前述したスピンコート法によって好適に形成することができるものは、前述のうちメチルシルセスキオキサンからパーフルオロシクロブテンまでである。
【００３２】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電極及び前記データ線は、平面的に見て、少なくとも部分的に重なり合わない部分を有する。
【００３３】
この態様によれば、画素電極及びデータ線は、平面的に見て、少なくとも部分的に重なり合わない部分を有する。したがって、当該部分においては、原理的には、そもそも寄生容量が発生しないことになる。よって、上述した作用効果は、より確実に奏されることになる。
【００３４】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記積層構造には、前記画素電極及び前記データ線間に固定電位とされたシールド層が更に備えられてなり、前記第１層間絶縁膜は、前記画素電極及び前記シールド層間に配置された第４層間絶縁膜と、前記シールド層及び前記データ線間に配置された第５層間絶縁膜とからなり、前記第４層間絶縁膜及び前記第５層間絶縁膜の少なくとも一つの比誘電率は、前記誘電体膜の比誘電率よりも低い。
【００３５】
この態様によれば、画素電極及びデータ線間には、固定電位とされたシールド層が更に備えられていることにより、画素電極とデータ線とが直接的には対向しない構造が形作られることになる。したがって、両者間における、いわば直接的な寄生容量の影響は相当程度排除されることになり、上述したと略同様な作用効果が得られることになる。
【００３６】
そして、本態様では更に、このようなシールド層が新たに追加されることに伴い、前記の第３層間絶縁膜が、第４及び第５層間絶縁膜に分かたれ、且つ、これら第４層間絶縁膜及び第５層間絶縁膜の比誘電率は、蓄積容量を構成する誘電体膜のそれよりも低くされている。したがって、画素電極及びシールド層間、或いはシールド層及びデータ線間に生じ得る寄生容量もまた、殆ど生じ得ないという状況が現出されることになり、上述の作用効果は極めて効果的に得られることになる。
【００３７】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第５層間絶縁膜の比誘電率は、前記第４層間絶縁膜のそれよりも低い。
【００３８】
このような構成によれば、シールド層の電位変動を低く抑えることができ、且つ、画素電極における電位変動の生じる可能性を極めて低く抑制することができる。したがって、本態様によれば、本発明の主たる目的である、データ線に沿った表示ムラの発生防止という作用効果を、より効果的に享受することが可能となる。
【００３９】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記積層構造は、前記基板上、下から順に、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層、該半導体層上に形成され前記薄膜トランジスタのゲート電極を含む前記走査線、前記画素電位側容量電極、前記誘電体膜、前記固定電位側容量電極、前記データ線及び前記画素電極の順で構成されている。
【００４０】
この態様によれば、基板上に構築する積層構造として、最適な配置ないしレイアウトとなる一態様が提供されることになる。
【００４１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記固定電位側容量電極は、前記走査線に沿うように形成された容量線の一部を構成する。
【００４２】
この態様によれば、蓄積容量を構成する固定電位側容量電極が、走査線に沿うように形成された容量線の一部を構成しているから、積層構造の簡易化を図ることができる。また、固定電位側容量電極を、このような線状部材の一部として構成することによれば、該固定電位側容量電極を固定電位とするためには、該線状部材の一端を所定の電源に接続するだけでよいから、より信頼性の高い蓄積容量を構成することが可能となるし、また、画素毎に特性の異なる蓄積容量が構成されるということがない。
【００４３】
本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述の本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む。）を具備してなる。
【００４４】
本発明の電子機器によれば、データ線の通電により画素電極の電位が変動し、これにより画像上にデータ線に沿った表示ムラ等が発生するなどということのない、高品質な画像を表示可能な、投射型表示装置（液晶プロジェクタ）、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等の各種電子機器を実現することができる。
【００４５】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００４６】
【発明の実施の形態】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００４７】
（画素部における構成）
まず、本発明の第１実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図１から図３を参照して説明する。ここに図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ´断面図である。なお、図３においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００４８】
図１において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００４９】
また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００５０】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００５１】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、走査線３ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量線３００を含んでいる。
【００５２】
以下では、上記データ線６ａ、走査線３ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の、実際の構成について、図２及び図３を参照して説明する。
【００５３】
まず、本実施形態に係る電気光学装置は、図２のＡ−Ａ´線断面図たる図３に示すように、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。
【００５４】
ＴＦＴアレイ基板１０には、図３に示すように、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。このうち対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなり、前記の配向膜１６及び２２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、後述のシール材（図８及び図９参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した電気光学物質からなる。シール材は、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサが混入されている。
【００５５】
一方、図２において、前記画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（点線部９ａ´により輪郭が示されている）、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。データ線６ａは、例えばアルミニウム膜等の金属膜あるいは合金膜からなり、走査線３ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線３ａは、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向するように配置されており、該走査線３ａはゲート電極として機能する。すなわち、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に走査線３ａの本線部がゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００５６】
ＴＦＴ３０は、図３に示すように、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ　Ｄｏｐｅｄ　Ｄｒａｉｎ）構造を有しており、その構成要素としては、上述したようにゲート電極として機能する走査線３ａ、例えばポリシリコン膜からなり走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００５７】
なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは図３に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また、本実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。さらに、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａは非単結晶層でも単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層１ａを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化を図ることができる。
【００５８】
一方、図３においては、蓄積容量７０が、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。
【００５９】
中継層７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただし、中継層７１は、後に述べる容量線３００と同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。中継層７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホール８３及び８５を介して、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。
【００６０】
容量線３００は、例えば金属又は合金を含む導電膜からなり固定電位側容量電極として機能する。この容量線３００は、平面的に見ると、図２に示すように、走査線３ａの形成領域に重ねて形成されている。より具体的には容量線３００は、走査線３ａに沿って延びる本線部と、図中、データ線６ａと交差する各個所からデータ線６ａに沿って上方に夫々突出した突出部と、コンタクトホール８５に対応する個所が僅かに括れた括れ部とを備えている。このうち突出部は、走査線３ａ上の領域及びデータ線６ａ下の領域を利用して、蓄積容量７０の形成領域の増大に貢献する。また、容量線３００は、好ましくは、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。このような定電位源としては、データ線駆動回路１０１に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。
【００６１】
誘電体膜７５は、図３に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（Ｈｉｇｈ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｏｘｉｄｅ）膜、ＬＴＯ（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｏｘｉｄｅ）膜等の酸化シリコン膜（比誘電率３．９）から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。より具体的に、この誘電体膜７５は、ＴａＯｘ（酸化タンタル）、ＢＳＴ（チタン酸ストロンチウムバリウム）、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸塩）、ＴｉＯ２（酸化チタン）、ＺｉＯ２（酸化ジルコニウム）、ＨｆＯ２（酸化ハフニウム）及びＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）及びＳｉＮ（窒化シリコン）のうち少なくとも一つを含んでなる絶縁材料等を挙げることができる。特に、ＴａＯｘ、ＢＳＴ、ＰＺＴ、ＴｉＯ２、ＺｉＯ２及びＨｆＯ２といった高誘電率材料を使用すれば、限られた基板上領域で容量値を増大できる。あるいは、ＳｉＯ２（酸化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）及びＳｉＮといったシリコンを含む材料を使用すれば、層間絶縁膜等におけるストレス発生を低減できる。
【００６２】
そして、本実施形態においては特に、前述のデータ線６ａ上、且つ、画素電極９ａ下に形成された第３層間絶縁膜４３が、無機系材料、例えばＳｉＯＦ及びアモルファスカーボンの少なくとも一つから構成されている。したがって、該第３層間絶縁膜４３の比誘電率は、３．５又は２．１〜２．３とされており、前述の誘電体膜７５を構成する酸化シリコン膜の比誘電率よりも低くされている。これにより、画素電極９ａ及びデータ線６ａ間に生じる寄生容量の容量値を小さく抑制することが可能となる。この点に関する作用効果については、後に改めて触れることとする。
【００６３】
ちなみに、該第３層間絶縁膜４３には、中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が形成されている。また、第３層間絶縁膜４３の表面は、ＣＭＰ（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理等により平坦化されており、その下方に存在する各種配線や素子等による段差に起因する液晶層５０の配向不良を低減する。ただし、このように第３層間絶縁膜４３に平坦化処理を施すのに代えて、又は加えて、ＴＦＴアレイ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２のうち少なくとも一つに溝を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込むことにより、平坦化処理を行ってもよい。
【００６４】
図２及び図３においては、上記のほか、ＴＦＴ３０の下側に、下側遮光膜１１ａが設けられている。下側遮光膜１１ａは、格子状にパターニングされており、これにより各画素の開口領域を規定している。なお、開口領域の規定は、図２中のデータ線６ａと、これに交差するよう形成された容量線３００とによっても、なされている。また、下側遮光膜１１ａについても、前述の容量線３００の場合と同様に、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。
【００６５】
また、ＴＦＴ３０下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００６６】
加えて、走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３がそれぞれ開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００６７】
第１層間絶縁膜４１上には、中継層７１、及び容量線３００が形成されており、これらの上には高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び中継層７１へ通じるコンタクトホール８５がそれぞれ開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。
【００６８】
なお、本実施形態では、第１層間絶縁膜４１に対しては、約１０００℃の焼成を行うことにより、半導体層１ａや走査線３ａを構成するポリシリコン膜に注入したイオンの活性化を図ってもよい。他方、第２層間絶縁膜４２に対しては、このような焼成を行わないことにより、容量線３００の界面付近に生じるストレスの緩和を図るようにしてもよい。
【００６９】
このような構成となる本実施形態における電気光学装置においては、上記第３層間絶縁膜４３の比誘電率が比較的低くされていることを要因として、次のような作用効果が奏されることとなる。
【００７０】
すなわち、第３層間絶縁膜４３がＳｉＯＦ等からなることで、その比誘電率が比較的低くされていることから、画素電極９ａ及びデータ線６ａ間に生じる寄生容量の容量値を小さく抑制することができ、したがって、該寄生容量の存在及びデータ線６ａに対する通電に基因して起こる、画素電極９ａの電位変動を抑制することができる。よって、本実施形態によれば、従来のように、データ線６ａに沿った画像上の表示ムラ等は殆ど発生することなく、高品質な画像が表示されることになる。
【００７１】
ちなみに、このような作用効果は、データ線６ａに対する画像信号の供給を、相隣接する複数のデータ線６ａに対して同時に実施するような場合において、より効果的に享受することが可能となる。というのも、前述のような表示ムラは、このような場合においてより顕著に現れる、ないしは視認されやすくなるからである。以下、このような事情を、図４及び図５を参照しながら説明することとする。ここに、図４は、データ線に画像信号が供給される様子を図式的に示した斜視図であり、図５は、同様の趣旨の図であって特に、画素電極及びデータ線間に生じる寄生容量の様子を図式的に示した斜視図である。なお、図４においては、本来示されるべきコンタクトホール等は図示されておらず、本実施形態に係る主要な作用効果を説明するための必要最小限の構成たるデータ線６ａ及び画素電極９ａ並びに第３層間絶縁膜４３のみが示されている。図５についても同様である（ただし、第３層間絶縁膜は不図示。）。
【００７２】
この図４において、本実施形態に係る電気光学装置では、データ線６ａに供給される画像信号が、１本のシリアル信号を、シリアル−パラレル変換することにより得られる６本のパラレル信号からなっている。つまり、画像信号の供給は、６本のデータ線６ａからなるグループ毎同時に行われることになる。このような画像信号の供給方法の場合、該画像信号の供給を現に受けている供給グループ６０１Ｇに相隣接する非供給グループ６０２Ｇに属するデータ線６ａについては、当然ながら画像信号が供給されないことになる。なお、図４においては、黒く塗りつぶされたデータ線６ａが、画像信号の供給を現に受けているデータ線であることを示しており、そうでないデータ線６ａが、画像信号の供給を受けていないデータ線であることを示している。
【００７３】
ここで、供給グループ６０１Ｇに着目すると、図中最左端に位置するデータ線６ａ１と図中最右端に位置するデータ線６ａ２とに対応する画素電極９ａ（図中符号９１参照）には、その外方に位置するデータ線との間で容量カップリングが生じることになる。図５においては、この容量カップリングの発生を両矢印でもって表している。したがって、図５では、データ線６ａ１及び６ａ２に対応する画素電極９ａの電位は、前記容量カップリングの影響を受けて（比喩的に言えば、いわば「引っぱられる」形で）、変動することになる。すなわち、当該画素電極９ａには、画像信号に正確に対応した電界が印加されないことになるのである。よって、図５のような場合には、データ線６ａ１及び６ａ２にほぼ沿った形で、画像上に表示ムラが現れるという不具合が生じることとなる。しかも、この例のように、６本ごとのデータ線６ａに応じて表示ムラ等が表れる場合には、画像上における視認がなされやすいということがいえ、事態はより深刻だといえる。
【００７４】
しかるに、本実施形態においては、図４に示すように、画素電極９ａ及びデータ線６ａ間には、その比誘電率が比較的低い第３層間絶縁膜４３が配置されている。したがって、図４では、図５に示したような寄生容量の容量値はきわめて低く抑制されているのである。これにより、データ線６ａに対応する画素電極９ａにおいては電位の変動が殆ど生じないこととなる。
【００７５】
以上のように、本実施形態の電気光学装置によれば、従来に見られていたような、データ線６ａに沿った表示ムラの発生を極力抑制することが可能となるのである。
【００７６】
なお、上記実施形態においては、第３層間絶縁膜４３が無機系材料からなることで、その比誘電率が、蓄積容量７０を構成する誘電体膜７５の比誘電率よりも低いという場合について説明したが、本発明は、このような形態に限定されるものではない。
【００７７】
まず、第３層間絶縁膜４３に限らず、上述の第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁間４２についても、これらを無機系材料から構成し、その比誘電率を、誘電体膜７５の比誘電率よりも低くしてよい。この場合、図３に示すように、第１層間絶縁膜４１は、走査線３ａと中継層７１との間に配置されており、第２層間絶縁膜４２は、容量線３００及びデータ線６ａとの間に配置されていることから、これら第１及び第２層間絶縁膜４１及び４２の比誘電率を比較的低い状態とするならば、走査線３ａ及び中継層７１間に生じる寄生容量、或いは容量線３００及びデータ線６ａ間に生じる寄生容量の容量値を小さく抑えることが可能となる。これにより、走査線３ａの通電による中継層７１の電位変動、或いはデータ線６ａの通電による容量線３００の電位変動等が生じる可能性を低減することができる。
【００７８】
以上のように、本実施形態に係る電気光学装置によれば、いずれの要素についても、容量カップリングを原因とした不必要な電位変動が生じないことになるから、より正確な動作を期待し得る電気光学装置を提供することができる。
【００７９】
なお、すぐ上で述べた構成は、第１、第２及び第３層間絶縁膜４１、４２及び４３のすべてについて低誘電率とする場合を前提としていたが、場合によっては、低誘電率とする層間絶縁膜を、第１層間絶縁膜４１のみ或いは第２層間絶縁膜４２のみとしたり、又は両者のみとしたり、更には第１層間絶縁膜４１及び第３層間絶縁膜４３のみとする等、種々の組合せを実現するようにしてよい。いずれにせよ、上述したような層間絶縁膜の上下それぞれに位置する要素間の寄生容量の容量値低減という作用効果は得られるから、より正確な動作を期待し得る電気光学装置の提供に資することとなるのは言うまでもない。
【００８０】
また、上記実施形態においては、第３層間絶縁膜４３の比誘電率が誘電体膜７５の比誘電率よりも低いということのみ言及したが、これに加えて、第３層間絶縁膜４３の比誘電率が、第１及び第２層間絶縁膜４１及び４２のそれよりも低いという限定を付すようにしてもよい。この場合、第３層間絶縁膜４３の比誘電率が、相対的に最も低いということになるから、画素電極９ａ及びデータ線６ａの間に生じる寄生容量の容量値を極めて小さくすることができる。これにより、本発明の主たる目的である、データ線６ａに沿った表示ムラの発生防止という作用効果を、より効果的に享受することが可能となる。
【００８１】
さらに、上記実施形態における各種の層間絶縁膜４１、４２及び４３は、その厚さが８００ｎｍ以上、より好ましくは１０００ｎｍ以上となるように形成するのが好ましい。これによれば、寄生容量の容量値は更に低下することになるから、上述の作用効果は、より効果的に享受されることになる。
【００８２】
加えて、上記実施形態においては、図２に示したように、画素電極９ａ及びデータ線６ａが、平面的に見て、重なり合うように形成されていたが、より好ましくは、両者の重なり合いの部分は可及的に小さくなるように、或いは完全になくすように、該画素電極９ａ及び該データ線６ａの配置関係を決定するとよい。このような場合においては、原理的には、そもそも寄生容量が発生しないことになるから、上述した作用効果は、より確実に奏されることになる。
【００８３】
以上述べたことを一般的にまとめると、次のように言える。すなわち、ある層間絶縁膜の上下それぞれに位置する要素間において発生する寄生容量の容量値をＣｓは、該層間絶縁膜の比誘電率及び厚さをε及びｄ、当該要素間が平面的に見て重なりあっている面積をＳとすると、
Ｃｓ＝ε・（Ｓ／ｄ）
と表現することができる。この式によれば、可能な限り小さい容量値Ｃｓを実現するためには、比誘電率εをより小さく、重なり合いの面積Ｓをより大きく、そして当該層間絶縁膜の厚さｄをより大きく、するようにするとよい。上に述べた各種方策は、これらに基づいていることは言うまでもない。
【００８４】
更にいえば、上記実施形態における第３層間絶縁膜４３は、ＳｉＯＦ又はアモルファスカーボン等の無機系材料からなる場合についてのみ言及したが、本発明は、このような形態に限定されるものではなく、例えばこれに代えて、有機系材料からなるように構成してもよい。ここで有機系材料としては、ＨＳＱ（Ｈｙｄｒｏｇｅｎ　Ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ）、メチルシルセスキオキサン、エアロジェル／ゼロジェル、ポリイミド、フッ素化ポリイミド、ポリアリルエーテル、フッ素化ポリアリルエーテル、ＤＶＳ−ベンゾシクロブテン、パーフルオロシクロブテン、パリレン−Ｎ、パリレン−Ｆ、ポリナフタレン−Ｎ、ポリナフタレン−Ｆ、テフロン等を挙げることができる。
【００８５】
このような有機系材料から、層間絶縁膜を構成する場合においては、例えば、スピンコート法等によって形成可能なものがあり、これによれば本実施形態に係る電気光学装置の製造容易性が促進されることになる。以下の表１においては、これらの材料の比誘電率を掲げておく。
【００８６】
【表１】
2004102058.tif 000003
【００８７】
この表１に示すように、いずれの場合においても、比誘電率は、酸化シリコン膜の比誘電率３．９よりも下回ることから、容量カップリングの影響排除という作用効果が相応に得られることになる。
【００８８】
なお、前述のような有機系材料から層間絶縁膜を構成する場合においては、ＴＦＴ３０の半導体層１ａは、低温ポリシリコン膜からなるように構成するとよい。なぜなら、有機系材料は一般に耐熱性に劣り、当該電気光学装置を高温環境下で製造する場合においては、その途中で、有機系材料からなる層間絶縁膜に悪影響を及ぼすことが考えられるが、低温プロセスで当該電気光学装置を製造する場合においては、そのような不具合に配慮する必要が殆どないからである。
【００８９】
（第２実施形態）
以下では、本発明の第２実施形態について、図６及び図７を参照しながら説明することとする。ここに図６及び図７は、図２及び図３と同趣旨の図であるが、それぞれ、シールド層４００が設けられている点につき図２及び図３とは異なる態様を示す平面図及び断面図である。
【００９０】
第２実施形態では、図６及び図７に示すように、シールド層４００が、データ線６ａ及び画素電極９ａ間に設けられている。このシールド層４００は、平面的に見ると、図６に示すように、データ線６ａに沿うように、且つ、該データ線６ａの幅よりも若干大きめの幅でもって、ストライプ状に形成されている。このストライプ状となるシールド層４００の図示しない端部には、固定電位を供給する電源又は該電源に接続された配線等が接続され、該シールド層４００は固定電位とされている。
【００９１】
また、該シールド層４００が設けられていることにより、ＴＦＴアレイ基板１０上における積層構造は一層増加し、前述の第１実施形態における第３層間絶縁膜４３が、第４層間絶縁膜４３１及び第５層間絶縁膜４３２の二層に分かたれたような構造を有することになる。また、これら第４層間絶縁膜４３１及び第５層間絶縁膜４３２の比誘電率は、蓄積容量７０の誘電体膜７５の比誘電率よりも低くされている。
【００９２】
このような第２実施形態における電気光学装置によれば、シールド層４００が存在していることにより、まず、それだけで、画素電極９ａ及びデータ線６ａ間に生じる寄生容量の影響を相当程度排除することが可能である。
【００９３】
また、第２実施形態では、上述の事項に加えて、第４層間絶縁膜４３１及び第５層間絶縁膜４３２の比誘電率が、誘電体膜７５の比誘電率よりも低くされているから、画素電極９ａ及びシールド層４００間、或いはシールド層４００及びデータ線６ａ間に生じる寄生容量の容量値も小さく抑えることが可能となっている。
【００９４】
以上により、第２実施形態によれば、データ線６ａの通電に基因した画素電極９ａにおける電位変動という事象は、極めて生じ難い状況となっている。したがって、上記第１実施形態にも増して、より高品質な画像を表示することが可能である。
【００９５】
なお、このような第２実施形態においては更に、前記の第５層間絶縁膜４３２の比誘電率については、第４層間絶縁膜４３１のそれよりも低くなるようにしておくとよい。この場合、シールド層の電位変動を低く抑えることができ、さらに、画素電極９ａにおける電位変動の生じる可能性を極めて低く抑制することができる。したがって、このような態様によれば、本発明の主たる目的である、データ線６ａに沿った表示ムラの発生防止という作用効果を、より効果的に享受することが可能となる。
【００９６】
（電気光学装置の全体構成）
以下では、以上のように構成された本実施形態における電気光学装置の全体構成を図８及び図９を参照して説明する。なお、図８は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板２０の側からみた平面図であり、図９は図８のＨ−Ｈ´断面図である。
【００９７】
図８及び図９において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００９８】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるため、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、紫外線、加熱等により硬化させられたものである。また、このシール材５２中には、本実施形態における電気光学装置を、液晶装置がプロジェクタ用途のように小型で拡大表示を行う液晶装置に適用するのであれば、両基板間の距離（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ、あるいはガラスビーズ等のギャップ材（スペーサ）が散布されている。あるいは、当該電気光学装置を液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置に適用するのであれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含まれてよい。
【００９９】
シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所定のタイミングで供給することにより該データ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査信号を所定のタイミングで供給することにより、走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する二辺に沿って設けられている。
【０１００】
なお、走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでもよいことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよい。
【０１０１】
ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナ部の少なくとも一箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられている。
【０１０２】
図９において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１のほか、最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマテッィク液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【０１０３】
なお、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【０１０４】
また、上述した各実施形態においては、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には、それぞれ、例えばＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ　Ａｌｉｇｎｅｄ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ　ＤｉｓｐｅｒｓｅｄＬｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード・ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が所定の方向で配置される。
【０１０５】
（電子機器）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図１０は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１０６】
図１０において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１０７】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路を示す回路図である。
【図２】本発明の実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ´断面図である。
【図４】データ線に画像信号が供給される様子を図式的に示した斜視図である。
【図５】図４と同趣旨の図であって特に、画素電極及びデータ線間に生じる寄生容量の様子を図式的に示した斜視図である。
【図６】図２と同趣旨の図であって、シールド層がデータ線及び画素電極間に設けられている態様となるものを示す断面図である。
【図７】図３と同趣旨の図であって、シールド層がデータ線及び画素電極間に設けられている態様となるものを示す断面図である。
【図８】本発明の実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板を、その上に形成された各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図である。
【図９】図８のＨ−Ｈ´断面図である。
【図１０】本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【符号の説明】
３ａ…走査線
６ａ…データ線
９ａ…画素電極
１０…ＴＦＴアレイ基板
２０…対向基板
２１…対向電極
３０…ＴＦＴ
５０…液晶層
７０…蓄積容量
７１…中継層
７５…誘電体膜
３００…容量線
４００…シールド層
４１…第１層間絶縁膜
４２…第２層間絶縁膜
４３…第３層間絶縁膜
４３１…第４層間絶縁膜
４３２…第５層間絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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