(57)【要約】【課題】消費電流を精度よく測定することができ、かつ静電気に対する耐性が強い半導体装置を提供する。【解決手段】この保護回路３０は、ＬＣＤモジュール１５の製造工程において、第１正電源端子２０に発生した静電気からＬＣＤモジュール１５を保護する回路であって、第１正電源端子２０に接続される第１のノードＮ４１と基準電位ＶＲを受ける第２のノードＮ４２との間に直列接続された４つのダイオード４１と、第２のノードＮ４２と第１のノードＮ４１の間に接続されたダイオード４２とを含む。第１正電源端子２０に第１正電源電圧（１０Ｖ）を印加した場合は、４つのダイオード４１は導通しないので、ＬＣＤモジュール１５の消費電流を正確に測定することができる。【選択図】        図４
2004271840.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置であって、
前記半導体装置の検査時および通常動作時に第１の正電圧を外部から受ける第１の入力端子、
前記第１の入力端子に接続され、所定の動作を行なう内部回路、および
前記第１の入力端子に発生した静電気から前記内部回路を保護する第１の保護回路を備え、
前記第１の保護回路は、
前記第１の入力端子と基準電位のラインとの間に直列接続され、前記第１の入力端子の電圧が前記第１の正電圧よりも高い第２の正電圧を超えたことに応じて導通する複数の第１のダイオード素子、および
前記基準電位のラインと前記第１の入力端子との間に接続された第２のダイオード素子を含む、半導体装置。
【請求項２】
さらに、前記内部回路に接続され、前記半導体装置の検査時および通常動作時に第１の負電圧を外部から受ける第２の入力端子、および
前記第２の入力端子に発生した静電気から前記内部回路を保護する第２の保護回路を備え、
前記第２の保護回路は、
前記基準電位のラインと前記第２の入力端子との間に直列接続され、前記第２の入力端子の電圧が前記第１の負電圧よりも低い第２の負電圧を超えたことに応じて導通する複数の第３のダイオード素子、および
前記第２の入力端子と前記基準電位のラインとの間に接続された第４のダイオード素子を含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
さらに、前記内部回路に接続され、前記半導体装置の検査時および通常動作時に第３の正電圧以下で第３の負電圧以上の電圧を外部から受ける第３の入力端子、および
前記第３の入力端子に発生した静電気から前記内部回路を保護する第３の保護回路を備え、
前記第３の保護回路は、
前記第３の入力端子と前記基準電位のラインとの間に直列接続され、前記第１の入力端子の電圧が前記第３の正電圧よりも高い第４の正電圧を超えたことに応じて導通する複数の第５のダイオード素子、および
前記基準電位のラインと前記第３の入力端子との間に直列接続され、前記第３の入力端子の電圧が前記第３の負電圧よりも低い第４の負電圧を超えたことに応じて導通する複数の第６のダイオード素子を含む、請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体装置であって、
前記半導体装置の検査時および通常動作時に第１の負電圧を外部から受ける入力端子、
前記入力端子に接続され、所定の動作を行なう内部回路、および
前記入力端子に発生した静電気から前記内部回路を保護する保護回路を備え、
前記保護回路は、
基準電位のラインと前記入力端子との間に直列接続され、前記入力端子の電圧が前記第１の負電圧よりも低い第２の負電圧を超えたことに応じて導通する複数の第１のダイオード素子、および
前記入力端子と前記基準電位のラインとの間に接続された第２のダイオード素子を含む、半導体装置。
【請求項５】
半導体装置であって、
前記半導体装置の検査時および通常動作時に第１の正電圧以下で第１の負電圧以上の電圧を外部から受ける入力端子、
前記入力端子に接続され、所定の動作を行なう内部回路、および
前記入力端子に発生した静電気から前記内部回路を保護する保護回路を備え、
前記保護回路は、
前記入力端子と基準電位のラインとの間に直列接続され、前記入力端子の電圧が前記第１の正電圧よりも高い第２の正電圧を超えたことに応じて導通する複数の第１のダイオード素子、および
前記基準電位のラインと前記入力端子との間に直列接続され、前記入力端子の電圧が前記第１の負電圧よりも低い第２の負電圧を超えたことに応じて導通する複数の第２のダイオード素子を含む、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体装置に関し、特に、入力端子に発生した静電気から内部回路を保護する保護回路を備えた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、アクティブマトリックス型液晶パネルのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）はアモルファスシリコンで形成されていたが、近年、ＴＦＴをポリシリコンで形成することが検討されている。従来は、走査線駆動回路、データ線駆動回路などは、結晶シリコンで形成されたＬＳＩで構成され、アモルファスシリコンで形成された液晶パネルとは別個に設けられていた。しかし、ポリシリコンの移動度はアモルファスシリコンの移動度よりも１００倍程度大きいので、液晶パネル、走査線駆動回路、データ線駆動回路などをポリシリコンで形成し、１つのＬＣＤ（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ）モジュールにすることができる。
【０００３】
しかし、ポリシリコンＴＦＴはしきい値電圧、移動度などのＴＦＴ特性のばらつきが大きいので、ＬＣＤモジュールの消費電流のばらつきが大きくなる。このため、ＬＣＤモジュールの消費電流が規格値を満足しているか否かを精度よく検査することが極めて重要になる。
【０００４】
また、従来のアレイ検査では、各液晶セルに対応して設けられたキャパシタを充電した後に放電電流を検出し、検出結果に基づいてアレイが正常か否かを検査している。しかし、このアレイ検査を行なう前に、ＬＣＤモジュールの消費電流の検査を行ない、この検査で不良となれば従来のアレイ検査を行なわないこととすれば、検査時間を大幅に短縮することができる。この意味でも、ＬＣＤモジュールの消費電流を精度よく検出することが重要になる。
【０００５】
さらに、ポリシリコンＴＦＴのゲート酸化膜はアモルファスシリコンＴＦＴのゲート酸化膜よりも薄いので、静電気によるゲート酸化膜の破壊が起こりやすくなる。アレイ製造工程における静電気によるＴＦＴの破壊を防止する方法としては、端子間を短絡する方法がある。
【０００６】
また、静電気によるＴＦＴの破壊を防止するとともに、アレイ検査において端子に電圧を印加することを可能とする方法としては、各端子と導体パターンの間に抵抗素子を接続する方法、および各端子と導体パターンの間に２つのダイオードを互いに逆向きにして並列接続する方法がある（たとえば特許文献１参照）。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１１−１１９２５７号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ＬＣＤモジュールの消費電流を精度よく測定するためには、抵抗素子またはダイオードの抵抗値を大きくする必要がある一方、抵抗素子またはダイオードの抵抗値を大きくすると静電気を流出させにくくなり、ＬＣＤモジュールの静電気に対する耐性が低くなってしまう。
【０００９】
それゆえに、この発明の主たる目的は、消費電流を精度よく測定することができ、かつ静電気に対する耐性が強い半導体装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体装置は、半導体装置の検査時および通常動作時に第１の正電圧を外部から受ける第１の入力端子と、第１の入力端子に接続され、所定の動作を行なう内部回路と、第１の入力端子に発生した静電気から内部回路を保護する第１の保護回路とを備えたものである。ここで、第１の保護回路は、第１の入力端子と基準電位のラインとの間に直列接続され、第１の入力端子の電圧が第１の正電圧よりも高い第２の正電圧を超えたことに応じて導通する複数の第１のダイオード素子と、基準電位のラインと第１の入力端子との間に接続された第２のダイオード素子とを含む。
【００１１】
また、この発明に係る他の半導体装置は、半導体装置の検査時および通常動作時に第１の負電圧を外部から受ける入力端子と、入力端子に接続され、所定の動作を行なう内部回路と、入力端子に発生した静電気から内部回路を保護する保護回路とを備えたものである。ここで、保護回路は、基準電位のラインと入力端子との間に直列接続され、入力端子の電圧が第１の負電圧よりも低い第２の負電圧を超えたことに応じて導通する複数の第１のダイオード素子と、入力端子と基準電位のラインとの間に接続された第２のダイオード素子とを含む。
【００１２】
また、この発明に係るさらに他の半導体装置は、半導体装置の検査時および通常動作時に第１の正電圧以下で第１の負電圧以上の電圧を外部から受ける入力端子と、入力端子に接続され、所定の動作を行なう内部回路と、入力端子に発生した静電気から内部回路を保護する保護回路とを備えたものである。ここで、保護回路は、入力端子と基準電位のラインとの間に直列接続され、入力端子の電圧が第１の正電圧よりも高い第２の正電圧を超えたことに応じて導通する複数の第１のダイオード素子と、基準電位のラインと入力端子との間に直列接続され、入力端子の電圧が第１の負電圧よりも低い第２の負電圧を超えたことに応じて導通する複数の第２のダイオード素子とを含む。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１は、この発明の一実施の形態によるカラー液晶表示装置の構成を示すブロック図である。図１において、このカラー液晶表示装置は、画素アレイ部１、垂直走査回路７および水平走査回路８を備え、たとえば携帯電話機に設けられる。
【００１４】
画素アレイ部１は、複数行複数列に配置された複数の液晶セル２と、それぞれ複数行に対応して設けられた複数の走査線４と、それぞれ複数行に対応して設けれた複数の共通電位線５と、それぞれ複数列に対応して設けられた複数のデータ線６とを含む。複数の共通電位線５は、互いに接続されている。
【００１５】
液晶セル２は、各行において３つずつ予めグループ化されている。各グループの３つの液晶セル２には、それぞれＲ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタが設けられている。各グループの３つの液晶セル２は、１つの画素３を構成している。
【００１６】
各液晶セル２には、図２に示すように、液晶駆動回路１０が設けられている。液晶駆動回路１０は、Ｎ型ＴＦＴ１１およびキャパシタ１２を含む。Ｎ型ＴＦＴ１１は、データ線６と液晶セル２の一方電極２ａとの間に接続され、そのゲートは走査線４に接続される。キャパシタ１２は、液晶セル２の一方電極２ａと共通電位線５との間に接続される。共通電位線５には、共通電位ＶＣＯＭが与えられる。液晶セル２の他方電極は、対向電極に接続される。対向電極には、一般には共通電位ＶＣＯＭと同電位が与えられる。
【００１７】
図１に戻って、垂直走査回路７は、画像信号に従って、複数の走査線４を所定時間ずつ順次選択し、選択した走査線４を選択レベルの「Ｈ」レベルにする。走査線４が選択レベルの「Ｈ」レベルにされると、図２のＮ型ＴＦＴ１１が導通し、その走査線４に対応する各液晶セル２の一方電極２ａとその液晶セル２に対応するデータ線６とが結合される。
【００１８】
水平走査回路８は、画像信号に従って、垂直走査回路７によって１本の走査線４が選択されている間に、各データ線６に階調電位ＶＧを与えるとともに、共通電位線５に共通電位ＶＣＯＭを与える。液晶セル２の光透過率は、その電極間電圧に応じて変化する。
【００１９】
垂直走査回路７および水平走査回路８によって画素アレイ部１の全液晶セル２が走査されると、画素アレイ部１に１つのカラー画像が表示される。
【００２０】
図３は、図１および図２に示したカラー液晶表示装置の検査方法を説明するための回路ブロック図である。図３において、この検査方法では、ガラス基板（図示せず）表面に、カラー液晶表示装置の組立部品であるＬＣＤモジュール１５と、複数の保護回路３０〜３８と、基準電位線４０とが形成される。
【００２１】
ＬＣＤモジュール１５は、四角形のモジュール領域内に形成されたＴＦＴアレイ１ａ、走査線駆動回路１６、データ線駆動回路１７、第１正電源端子２０、第１負電源端子２１、第１スタート端子２２、第１クロック端子２３、第２スタート端子２４、第２クロック端子２５、複数のデータ端子２６、第２の正電源端子２７、および第２負電源端子２８を備える。
【００２２】
ＴＦＴアレイ１ａは、ガラス基板上に形成された複数の走査線４、複数のデータ線６、複数のＮ型ＴＦＴ１１、複数のキャパシタ１２、および液晶セル２の一方電極を含む。走査線４およびデータ線６の各交差部に、１組のＮ型ＴＦＴ１１、キャパシタ１２および液晶セル２の一方電極が設けられる。液晶パネルは、ＴＦＴアレイ基板ともう１枚のガラス基板との間に液晶を充填したものである。もう１枚のガラス基板には、液晶セル２の一方電極に対向する対向電極と、カラーフィルタが設けられている。
【００２３】
走査線駆動回路１６は、垂直走査回路７の一部を構成しており、端子２０，２１を介して与えられる第１正電源電圧ＶＰ１および第１負電源電圧ＶＮ１によって駆動され、端子２２，２３を介して与えられる第１スタート信号ＳＴ１および第１クロック信号ＣＬＫ１に同期して動作し、複数の走査線４を１本ずつ順次選択し、選択した走査線を選択レベルの「Ｈ」レベルにする。
【００２４】
データ線駆動回路１７は、水平走査回路８の一部を構成しており、端子２７，２８を介して与えられる第２正電源電圧ＶＰ２および第２負電源電圧ＶＮ２によって駆動され、端子２４，２５を介して与えられる第２スタート信号ＳＴ２および第２クロック信号ＣＬＫ２に同期して動作し、１本の走査線４が選択されている間に、複数のデータ端子２６を介して与えられる複数の階調電位ＶＧを選択された走査線４に対応する複数の液晶セル２に書込む。
【００２５】
端子２０〜２５，２７，２８および複数のデータ端子２６は、四角形のモジュール領域の一辺に沿って所定のピッチで配置される。端子２０〜２８の各々は、検査時はプローブを介して検査装置に接続され、検査後はＦＰＣ（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）に接続される。
【００２６】
複数の保護回路３０〜３８は、モジュール領域外に形成され、それぞれ端子２０〜２８に対応して設けられる。保護回路３０〜３８の各々は、対応の端子と基準電位線４０との間に接続され、対応の端子に発生した静電気を基準電位線４０流出させてＬＣＤモジュール１５を保護する。基準電位線４０は基準電位用端子（たとえば接地電位ＧＮＤ端子）に接続され、基準電位線４０には基準電位ＶＲ（たとえば接地電位ＧＮＤ）が与えられる。
【００２７】
図４（ａ）は、保護回路３０の構成を示す回路図である。図４（ａ）において、保護回路３０は、ノードＮ４１とＮ４２の間に直列接続された４つのダイオード４１と、ノードＮ４２とＮ４１の間に接続されたダイオード４２とを含む。ノードＮ４１は第１正電源端子２０に接続され、ノードＮ４２は基準電位線４０に接続される。
【００２８】
ダイオード４１，４２は、図４（ｂ）に示すように、Ｎ型ＴＦＴ４３，４４で構成してもよいし、図４（ｃ）に示すように、Ｐ型ＴＦＴ４５，４６で構成してもよい。ゲートとドレインが接続されたＴＦＴは、ダイオードを構成する。ダイオード４１，４２の各々のしきい値電圧Ｖｔｈは３Ｖに設定されている。
【００２９】
アレイ検査における電流チェック時は、第１電源電圧ＶＰ１すなわち１０Ｖが第１正電源端子２０に印加される。このとき、ダイオード４１，４２は非導通状態に維持されるので、第１正電源端子２０からＬＣＤモジュール１５に流れる電流を精度よく測定することができる。端子２０の正の静電気が発生して端子２０の電圧が１２Ｖ以上になった場合は、４つのダイオード４１が導通し、正の静電気は基準電位線４０に流出される。また、端子２０に負の静電気が発生して端子２０の電圧が３Ｖ以下になった場合は、ダイオード４２が導通し、負の静電気が基準電位線４０からの電流によって消去される。したがって、静電気によってＬＣＤモジュール１５が破壊されるのを防止することができる。保護回路３２〜３５，３７も、保護回路３０と同じ構成である。電流チェック時には、端子３２〜３５，３７の各々に１０Ｖまたは０Ｖが印加される。
【００３０】
図５（ａ）は、保護回路３１の構成を示す回路図である。図５（ａ）において、保護回路３１は、ノードＮ５１とＮ５２の間に接続されたダイオード５１と、ノードＮ５２とＮ５１の間に直列接続された２つのダイオード５２とを含む。ノードＮ５１は第１負電源端子２１に接続され、ノードＮ５２は基準電位線４０に接続される。
【００３１】
ダイオード５１，５２は、図５（ｂ）に示すように、Ｎ型ＴＦＴ５３，５４で構成してもよいし、図５（ｃ）に示すように、Ｐ型ＴＦＴ５５，５６で構成してもよい。ゲートとドレインが接続されたＴＦＴは、ダイオードを構成する。ダイオード５１，５２の各々のしきい値電圧Ｖｔｈは３Ｖに設定されている。
【００３２】
アレイ検査における電流チェック時は、第１負電源電圧ＶＮ１すなわち−５Ｖが第１負電源端子２１に印加される。このとき、ダイオード５１，５２は非導通状態に維持されるので、第１負電源端子２１からＬＣＤモジュール１５に流れる電流を精度よく測定することができる。端子２１に負の静電気が発生して端子２１の電圧が−５Ｖ以下になった場合は、２つのダイオード５２が導通し、負の静電気が基準電位線４０からの電流によって消去される。また、端子２１に正の静電気が発生して端子２１の電圧が３Ｖ以上になった場合は、ダイオード５１が導通し、正の静電気は基準電位線４０に流出される。したがって、静電気によってＬＣＤモジュール１５が破壊されるのを防止することができる。保護回路３８も保護回路３１と同じ構成である。電流チェック時には、端子２８にも−５Ｖが印加される。
【００３３】
図６（ａ）は、保護回路３６の構成を示す回路図である。図６（ａ）において、保護回路３６は、ノードＮ６１とＮ６２の間に直列接続された４つのダイオード６１と、ノードＮ６２とＮ６１の間に接続された２つのダイオード６２とを含む。ノードＮ６１はデータ端子２６に接続され、ノードＮ６２は基準電位線４０に接続される。
【００３４】
ダイオード６１，６２は、図６（ｂ）に示すように、Ｎ型ＴＦＴ６３，６４で構成してもよいし、図６（ｃ）に示すように、Ｐ型ＴＦＴ６５，６６で構成してもよい。ゲートとドレインが接続されたＴＦＴは、ダイオードを構成する。ダイオード６１，６２の各々のしきい値電圧Ｖｔｈは３Ｖに設定されている。
【００３５】
アレイ検査における電流チェック時は、階調電位ＶＧの上限値である１０Ｖと下限値である−５Ｖがデータ端子２０に印加される。このとき、ダイオード６１，６２は非導通状態に維持されるので、データ端子２６からＬＣＤモジュール１５に流れる電流を精度よく測定することができる。端子２６に正の静電気が発生して端子２６の電圧が１２Ｖ以上になった場合は、４つのダイオード６１が導通し、正の静電気が基準電位線４０に流出される。また、端子２６に負の静電気が発生して端子２６の電圧が６Ｖ以下になった場合は、２つのダイオード６２が導通し、負の静電気は基準電位線４０からの電流によって消去される。したがって、静電気によってＬＣＤモジュール１５が破壊されるのを防止することができる。
【００３６】
図３に戻って、検査の終了後は、ＬＣＤモジュール１５はガラス基板から切出される。このとき、端子２０〜２８と保護回路３０〜３８とが切離される。この後、ＴＦＴアレイ１ａの表面に液晶を介してもう１枚のガラス基板が搭載されて画素アレイ部１が構成される。また、端子２０〜２８がＦＰＣに接続されてカラー液晶表示装置が完成する。
【００３７】
図７は、この実施の形態の変更例を示す回路ブロック図である。図７を参照して、この変更例では、ガラス基板表面のモジュール領域外に、さらにテスト回路７０、第２スタート端子７１、第２クロック端子７２、複数のデータ端子７３、第２電源端子７４、第２負電源端子７５、複数の保護回路８１〜８５、および基準電位線９０が形成される。
【００３８】
テスト回路７０は、アレイ検査時において、端子７４，７５を介して与えられる第２正電源電圧ＶＰ２および第２負電源電圧ＶＮ２によって駆動され、端子７１，７２を介して与えられる第２スタート信号ＳＴ２および第２クロック信号ＣＬＫ２に同期して動作し、複数のデータ端子７３を介して与えられる階調電位ＶＧを選択された走査線４に対応する複数のキャパシタ１２に与えて各キャパシタ１２を充電する。そしてテスト回路７０は、キャパシタ１２の放電電流を検出し、その検出結果に基づいて各キャパシタ１２が正常か否かを判定する。
【００３９】
複数の保護回路８１〜８５は、それぞれ端子７１〜７５に対応して設けられる。保護回路８１〜８５の各々は、対応の端子と基準電位線９０との間に接続され、対応の端子に発生した静電気を基準電位線９０に流出させてテスト回路７０およびＬＣＤモジュール１５を保護する。基準電位線９０は基準電位用端子（たとえば接地電位ＧＮＤ端子）に接続され、基準電位線９０には基準電位ＶＲ（たとえば接地電位ＧＮＤ）が与えられる。保護回路８１〜８５は、それぞれ保護回路３４〜３８と同じ構成である。したがって、テスト回路７０の消費電流を精度よく検出することができる。
【００４０】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００４１】
【発明の効果】
以上のように、この発明に係る半導体装置は、半導体装置の検査時および通常動作時に第１の正電圧を外部から受ける第１の入力端子と、第１の入力端子に接続され、所定の動作を行なう内部回路と、第１の入力端子に発生した静電気から内部回路を保護する第１の保護回路とが設けられ、第１の保護回路は、第１の入力端子と基準電位のラインとの間に直列接続され、第１の入力端子の電圧が第１の正電圧よりも高い第２の正電圧を超えたことに応じて導通する複数の第１のダイオード素子と、基準電位のラインと第１の入力端子との間に接続された第２のダイオード素子とを含む。したがって、検査時に第１の正電圧を第１の入力端子に印加した場合は、複数の第１のダイオード素子は導通しないので、半導体装置の消費電流を正確に測定することができる。また、第１の入力端子の電圧が第１の正電圧よりも高い第２の正電圧を超えた場合は、複数の第１のダイオード素子が導通するので、静電気から内部回路を確実に保護することができる。
【００４２】
また、この発明に係る他の半導体装置では、半導体装置の検査時および通常動作時に第１の負電圧を外部から受ける入力端子と、入力端子に接続され、所定の動作を行なう内部回路と、入力端子に発生した静電気から内部回路を保護する保護回路とが設けられ、保護回路は、基準電位のラインと入力端子との間に直列接続され、入力端子の電圧が第１の負電圧よりも低い第２の負電圧を超えたことに応じて導通する複数の第１のダイオード素子と、入力端子と基準電位のラインとの間に接続された第２のダイオード素子とを含む。したがって、検査時に第１の負電圧を入力端子に印加した場合は、複数の第１のダイオード素子は導通しないので、半導体装置の消費電流を正確に測定することができる。また、入力端子の電圧が第１の負電圧より低い第２の負電圧を超えた場合は、複数の第１のダイオード素子が導通するので、静電気から内部回路を確実に保護することができる。
【００４３】
また、この発明に係るさらに他の半導体装置は、半導体装置の検査時および通常動作時に第１の正電圧以下で第２の負電圧以上の電圧を外部から受ける入力端子と、入力端子に接続され、所定の動作を行なう内部回路と、入力端子に発生した静電気から内部回路を保護する保護回路とが設けられ、保護回路は、入力端子と基準電位のラインとの間に直列接続され、入力端子の電圧が第１の正電圧よりも高い第２の正電圧を超えたことに応じて導通する複数の第１のダイオード素子と、基準電位のラインと入力端子との間に直列接続され、入力端子の電圧が第１の負電圧よりも低い第２の負電圧を超えたことに応じて導通する複数の第２のダイオード素子とを含む。したがって、検査時に第１の正電圧以下で第１の負電圧以上の電圧を入力端子に印加した場合は、複数の第１のダイオード素子および複数の第２のダイオード素子は導通しないので、半導体装置の消費電流を正確に測定することができる。また、入力端子の電圧が第１の正電圧よりも高い第２の正電圧を超えた場合および入力端子の電圧が第１の負電圧よりも低い第２の負電圧を超えた場合は、それぞれ複数の第１のダイオード素子および複数の第２のダイオード素子が導通するので、静電気から内部回路を確実に保護することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施の形態によるカラー液晶表示装置の全体構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示した各液晶セルに対応して設けられる液晶駆動回路の構成を示す回路図である。
【図３】図１に示したカラー液晶表示装置の検査方法を説明するための回路ブロック図である。
【図４】図３に示した保護回路３０の構成を示す回路図である。
【図５】図３に示した保護回路３１の構成を示す回路図である。
【図６】図３に示した保護回路３６の構成を示す回路図である。
【図７】この実施の形態の変更例を示す回路ブロック図である。
【符号の説明】
１  画素アレイ部、１ａ  ＴＦＴアレイ、２  液晶セル、３  画素、４  走査線、５  共通電位線、６  データ線、７  垂直走査回路、８  水平走査回路、１０  液晶駆動回路、１１，４３，４４，５３，５４，６３，６４  Ｎ型ＴＦＴ、１２  キャパシタ、１５  ＬＣＤモジュール、１６  走査線駆動回路、１７  データ線駆動回路、２０〜２８，７１〜７５  端子、３０〜３８，８１〜８５  保護回路、４０，９０  基準電位線、４１，４２，５１，５２，６１，６２  ダイオード、４５，４６，５５，５６，６５，６６  Ｐ型ＴＦＴ、７０  テスト回路。
【図１】
2004271840.tif 000003
【図２】
2004271840.tif 000004
【図３】
2004271840.tif 000005
【図４】
2004271840.tif 000006
【図５】
2004271840.tif 000007
【図６】
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【図７】
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