(57)【要約】【課題】光ファイバに形成されたブラッグ回折格子の反射特性が変化するのを抑制することが可能な光モジュールを提供すること。【解決手段】フェルール１の中心には、当該部材の中心軸方向に延びて形成された貫通孔７が設けられている。フェルール１の一端には、当該フェルール１の中心軸に対して平行な搭載面９が設けられている。搭載面９は貫通孔７を切り欠くようにして形成されている。これらにより、フェルール１は、貫通孔７が形成された第１の部分１ａと、貫通孔７に連続して当該貫通孔７が延びる方向に延びる溝１１が形成された第２の部分１ｂとを含む。光ファイバ３は、貫通孔７に挿通され、搭載面９側に所定の長さ突出した状態でフェルール１に固定される。光ファイバ３における搭載面９側に突出している部分には、ブラッグ回折格子１３が設けられている。ブラッグ回折格子１３は、光ファイバ３がフェルール１に固定された後に形成される。【選択図】　図１
2004117708.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
柱状の部材からなり、当該部材の中心軸方向に延びて形成された貫通孔と、前記貫通孔の内周面が露出するように前記柱状の部材の一部を切り欠くことにより形成された搭載面とを含む搭載部材と、
前記貫通孔に挿通され、前記搭載面側に所定の長さ突出して固定される光ファイバと、を有し、
前記光ファイバにおける前記搭載面側に突出した部分には、ブラッグ回折格子が形成されていることを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記搭載面に設けられ、前記光ファイバの端部と光学的に結合する光半導体素子を更に有することを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記光半導体素子が、半導体光増幅素子であることを特徴とする請求項２に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記光半導体素子が、フォトダイオードであることを特徴とする請求項２に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記搭載面は、前記溝が延びる方向に沿って配置された第１及び第２の領域を含み、前記光ファイバにおけるブラッグ回折格子が形成された部分は前記第１の領域に位置しており、
前記光ファイバの端部と対向するように前記搭載面の前記第２の領域に設けられ、前記光ファイバの前記端部と光学的に結合する半導体発光素子と、
所定の波長帯の入射光を反射し、当該所定の波長帯とは異なる所定の波長帯の入射光を透過する光学素子と、
前記搭載面の前記第１の領域に設けられ、前記光学素子と光学的に結合する半導体受光素子と、を更に有し、
前記光学素子は、前記光ファイバにおけるブラッグ回折格子が形成された部分と前記光ファイバにおける前記貫通孔に挿通された部分との間に設けられ、当該両部分に光学的に結合されていることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項６】
前記搭載部材がセラミック材料からなることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項７】
前記セラミック材料がアルミナあるいはジルコニアであることを特徴とする請求項６の記載の光モジュール。
【請求項８】
前記搭載部材を支持するとともに、前記光半導体素子に前記電気的に接続されるリードフレームを更に有することを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項９】
前記光ファイバにおける前記搭載面側に突出した部分及び前記光半導体素子を封止する樹脂体を更に有することを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項１０】
柱状の部材からなり、当該部材の中心軸方向に延びて形成された貫通孔と、前記貫通孔の内周面が露出するように前記柱状の部材の一部を切り欠くことにより形成された搭載面とを含む搭載部材と、
前記貫通孔に挿通され、前記搭載面側に所定の長さ突出して固定される光ファイバと、を有し、
前記光ファイバにおける前記搭載面側に突出した部分には、当該光ファイバが固定された後に形成されるブラッグ回折格子が設けられていることを特徴とする光モジュール。
【請求項１１】
中心軸方向に延びる貫通孔が形成された第１の部分と、貫通孔に連続して当該貫通孔が延びる方向に延びる溝が形成された第２の部分とを含む搭載部材と、
前記溝に所定の長さ突出するように前記貫通孔に挿通されて固定される光ファイバと、を有し、
前記光ファイバにおける前記溝に突出した部分には、ブラッグ回折格子が形成されていることを特徴とする光モジュール。
【請求項１２】
中心軸方向に延びる貫通孔が形成された第１の部分と、貫通孔に連続して当該貫通孔が延びる方向に延びる溝が形成された第２の部分とを含む搭載部材と、
前記溝に所定の長さ突出するように前記貫通孔に挿通されて固定される光ファイバと、を有し、
前記光ファイバにおける前記溝に突出した部分には、当該光ファイバが固定された後に形成されるブラッグ回折格子が設けられていることを特徴とする光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、ブラッグ回折格子は、ブラッグ条件を満たす特定の波長（ブラッグ波長）の光を選択的に反射させることができるので、例えば光通信システムにおいて波長選択フィルタとして用いられる。ブラッグ回折格子は、光ファイバ端部付近に周期的な屈折率変化を与えることにより該光ファイバ内に形成され、この屈折率変化の周期により決定されるブラッグ波長の光が反射することとなる。このようなブラッグ回折格子が作り込まれた光ファイバは、その先端部分がフェルール等の搭載部材に取り付けられて固定される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２０００−３５３８４５号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ブラッグ回折格子が作り込まれた光ファイバの搭載部材への固定は、当該ファイバのうちフェルール内に収納された部分全体を、接着剤を介してフェルール内壁に密着固定することにより行われる。この場合、上記光ファイバをフェルールに固定する際に、直接光ファイバ、特にブラッグ回折格子が形成された回折格子領域にストレスが加えられ、ブラッグ回折格子の反射特性が変化してしまう。
【０００５】
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、光ファイバに形成されたブラッグ回折格子の反射特性が変化するのを抑制することが可能な光モジュールを提供することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る光モジュールは、柱状の部材からなり、当該部材の中心軸方向に延びて形成された貫通孔と、貫通孔の内周面が露出するように柱状の部材の一部を切り欠くことにより形成された搭載面とを含む搭載部材と、貫通孔に挿通され、搭載面側に所定の長さ突出して固定される光ファイバと、を有し、光ファイバにおける搭載面側に突出した部分には、ブラッグ回折格子が形成されていることを特徴としている。
【０００７】
本発明に係る光モジュールでは、光ファイバが、搭載部材の貫通孔に挿通され、当該搭載部材の搭載面側に所定の長さ突出して固定されるので、光ファイバを搭載部材に固定した後に、光ファイバにおける搭載面側に突出して配置された部分にブラッグ回折格子を形成することが可能となる。この結果、光ファイバに形成されたブラッグ回折格子の反射特性が変化するのを抑制することができる。
【０００８】
また、搭載面に設けられ、光ファイバの端部と光学的に結合する光半導体素子を更に有することが好ましい。このように構成した場合、上記光半導体素子が搭載部材の搭載面に配置されることとなり、モジュールを小型化することができる。
【０００９】
また、光半導体素子が、半導体光増幅素子であることが好ましい。このように構成した場合、小型の光送信モジュールを実現することができる。
【００１０】
また、光半導体素子が、フォトダイオードであることが好ましい。このように構成した場合、小型の光受信モジュールを実現することができる。
【００１１】
また、搭載面は、溝が延びる方向に沿って配置された第１及び第２の領域を含み、光ファイバにおけるブラッグ回折格子が形成された部分は第１の領域に位置しており、光ファイバの端部と対向するように搭載面の第２の領域に設けられ、光ファイバの端部と光学的に結合する半導体発光素子と、所定の波長帯の入射光を反射し、当該所定の波長帯とは異なる所定の波長帯の入射光を透過する光学素子と、搭載面の第１の領域に設けられ、光学素子と光学的に結合する半導体受光素子と、を更に有し、光学素子は、光ファイバにおけるブラッグ回折格子が形成された部分と光ファイバにおける貫通孔に挿通された部分との間に設けられ、当該両部分に光学的に結合されていることが好ましい。このように構成した場合、小型の光送受信モジュールを実現することができる。
【００１２】
また、搭載部材がセラミック材料からなることが好ましい。セラミック材料は熱的に安定であり、電気的絶縁性に優れ、微細な加工も可能である。また、セラミック材料がアルミナあるいはジルコニアであると、より加工性に優れ、広く利用されている材料であるので好ましい。
【００１３】
また、搭載部材を支持するとともに、光半導体素子に電気的に接続されるリードフレームを更に有することが好ましい。このように構成した場合、リードフレームにより、モジュールの外部基板への搭載が可能となると共に、光半導体素子と外部基板との電気的接続を容易に行うことができる。
【００１４】
また、光ファイバにおける搭載面側に突出した部分及び光半導体素子を封止する樹脂体を更に有することが好ましい。このように構成した場合、光ファイバにおける搭載面側に突出した部分及び光半導体素子を良好に保持することができると共に、各要素を保護することができる。
【００１５】
本発明に係る光モジュールは、柱状の部材からなり、当該部材の中心軸方向に延びて形成された貫通孔と、貫通孔の内周面が露出するように柱状の部材の一部を切り欠くことにより形成された搭載面とを含む搭載部材と、貫通孔に挿通され、搭載面側に所定の長さ突出して固定される光ファイバと、を有し、光ファイバにおける搭載面側に突出した部分には、当該光ファイバが固定された後に形成されるブラッグ回折格子が設けられていることを特徴としている。
【００１６】
本発明に係る光モジュールでは、光ファイバを搭載部材に固定した後に、ブラッグ回折格子が光ファイバにおける搭載面側に突出して配置された部分に形成されることとなるので、光ファイバに形成されたブラッグ回折格子の反射特性が変化するのを抑制することができる。
【００１７】
本発明に係る光モジュールは、中心軸方向に延びる貫通孔が形成された第１の部分と、貫通孔に連続して当該貫通孔が延びる方向に延びる溝が形成された第２の部分とを含む搭載部材と、溝に所定の長さ突出するように貫通孔に挿通されて固定される光ファイバと、を有し、光ファイバにおける溝に突出した部分には、ブラッグ回折格子が形成されていることを特徴としている。
【００１８】
本発明に係る光モジュールでは、光ファイバが、搭載部材の第１の部分に形成された貫通孔に挿通され、当該搭載部材の第２の部分に形成された溝に所定の長さ突出して固定されるので、光ファイバを搭載部材に固定した後に、光ファイバにおける溝に突出して配置された部分にブラッグ回折格子を形成することが可能となる。この結果、光ファイバに形成されたブラッグ回折格子の反射特性が変化するのを抑制することができる。
【００１９】
本発明に係る光モジュールは、中心軸方向に延びる貫通孔が形成された第１の部分と、貫通孔に連続して当該貫通孔が延びる方向に延びる溝が形成された第２の部分とを含む搭載部材と、溝に所定の長さ突出するように貫通孔に挿通されて固定される光ファイバと、を有し、光ファイバにおける溝に突出した部分には、当該光ファイバが固定された後に形成されるブラッグ回折格子が設けられていることを特徴としている。
【００２０】
本発明に係る光モジュールでは、光ファイバを搭載部材に固定した後に、ブラッグ回折格子が光ファイバにおける溝に突出して配置された部分に形成されることとなるので、光ファイバに形成されたブラッグ回折格子の反射特性が変化するのを抑制することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明の好適な実施形態について図面を参照して説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００２２】
（第１実施形態）
第１実施形態は、本発明を、入力された電気信号を光信号へと変換して送信する光送信モジュールに適用したものである。図１は、本第１実施形態に係る光送信モジュールの断面構成を示す図面である。図２は、図１に示した光送信モジュールの平面構成を示す図面であり、図３は、図１に示した光送信モジュールの外観構成を示す斜視図である。
【００２３】
図１〜図３を参照すると、光送信モジュールＯＭ１は、搭載部材としてのフェルール１、光ファイバ３、光半導体素子としての半導体光増幅素子５等を有する。
【００２４】
フェルール１は、セラミック材料（本実施形態においては、アルミナあるいはジルコニア）からなる柱状（本実施形態においては、円柱状）の部材であり、その中心には当該部材の中心軸方向に延びて形成された貫通孔７が設けられている。この貫通孔７は、フェルール１の中心軸に対して±２μｍ程度の精度で形成されている。フェルール１の一端には、当該フェルール１の中心軸に対して平行な搭載面９が設けられている。この搭載面９は研磨法または放電加工等により形成することができる。そして、この搭載面９はフェルール１の中心軸より所定の距離、例えば１０μｍ程度離間し、その精度は±５μｍ程度以内となるように貫通孔７を切り欠くことにより形成されている。これらにより、フェルール１は、貫通孔７が形成された第１の部分１ａと、貫通孔７に連続して当該貫通孔７が延びる方向に延びる溝１１が形成された第２の部分１ｂとを含むこととなる。
【００２５】
たとえば、フェルール１の直径は１．２５ｍｍ〜２．５０ｍｍに設定し、中心軸方向での長さは５ｍｍ〜１５ｍｍに設定することができる。また、貫通孔７の直径は、１２６μｍ±２μｍに設定することができる。また、フェルール１の中心軸方向での搭載面９の長さは、３ｍｍ〜１５ｍｍに設定することができる。
【００２６】
光ファイバ３は、フェルール１の貫通孔７に挿通され、搭載面９側に所定の長さ（たとえば、２〜５ｍｍ程度）突出した状態で、接着剤等によりフェルール１に固定される。したがって、光ファイバ３は、溝１１に所定の長さ突出するように貫通孔７に挿通されて固定されている。
【００２７】
光ファイバ３における搭載面９側に突出、すなわち溝１１に突出してその一部が露出している部分には、ブラッグ回折格子１３が設けられている。このブラッグ回折格子１３は、光ファイバ３がフェルール１に固定された後に形成される。ブラッグ回折格子１３は、後述するように、光送信モジュールＯＭ１において、半導体光増幅素子５の光反射面５ｂとともに光共振器を構成する。典型的な値を例示すると、ブラッグ回折格子１３のピッチは０．４６μｍ程度でよく、また、ブラッグ回折格子１３の全長は２ｍｍ〜３．０ｍｍとすることができる。上述のピッチを有するブラッグ回折格子１３の反射波長は、例えば１３１０ｎｍ帯といった波長帯にあることができる。
【００２８】
ブラッグ回折格子１３の形成方法については、ＳｉＯ２（石英ガラス）系光ファイバのコアまたはクラッドに予め感光性成分としてＧｅＯ２（酸化ゲルマニウム）を添加しておき、これに例えば紫外光など所定波長の光を照射させて、その光エネルギー強度分布などに応じた屈折率変化パターンを形成することによってブラッグ回折格子１３の形成するのが一般的である。具体的には、光ファイバに対して、マスクを介してレーザなどの光源から所定波長の紫外光を照射することによって、コアまたはクラッドの少なくとも一方に所定の屈折率変化パターンの書込を行う。
【００２９】
半導体光増幅素子５は、その光出射面５ａが光ファイバ３の端部と対向するようにフェルール１の搭載面９に設けられ、光ファイバ３の端部と光学的に結合している。この半導体光増幅素子５は、例えば、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰのダブルヘテロ構造の半導体光増幅素子チップを用いることができる。また、半導体光増幅素子５は、例えば、搭載面９に形成されたメタライズ層（メタライズパターン）上に実装することにより、搭載面９に設けることができる。
【００３０】
半導体光増幅素子５は、その一端面が光出射面５ａとされ、他端面が光反射面５ｂとされている。光反射面５ｂは、コーティングされており、その反射率は８５〜１００％である。
【００３１】
光送信モジュールＯＭ１は、以下の通り動作する。光送信モジュールＯＭ１において、半導体光増幅素子５に所定の信号を含んだ電流を流すと、その光出射面５ａから光が出力される。この光は、光ファイバ３の端面を透過して光ファイバ３内に入射する。その後、光ファイバ３に設けられたブラッグ回折格子１３と半導体光増幅素子５の光反射面５ｂとの間でレーザ発振が生じる。レーザ発振により発生したレーザ光は、光ファイバ３を透過し、端面から外部へ放出される。
【００３２】
なお、フェルール１の搭載面９に形成された溝１１の深さは、搭載面９に載置、固定された状態の半導体光増幅素子５の発光部中央部が貫通孔７の中心軸上、すなわち、光ファイバ３の中心軸上にくるように設定されるのが理想的である。これにより、半導体光増幅素子５が発する光を光ファイバ３に効率よく導入することができる。
【００３３】
以上のように、本第１実施形態の光送信モジュールＯＭ１では、光ファイバ３が、フェルール１の貫通孔７に挿通され、当該フェルール１の搭載面９側に所定の長さ突出して固定されるので、光ファイバ３をフェルール１に固定した後に、光ファイバ３における搭載面９側に突出して配置された部分にブラッグ回折格子１３を容易に形成することが可能となる。この結果、光ファイバ３に形成されたブラッグ回折格子１３の反射特性が変化するのを抑制することができる。
【００３４】
本第１実施形態の光送信モジュールＯＭ１においては、フェルール１の搭載面９に半導体光増幅素子５が実装されるので、小型の光送信モジュールＯＭ１を実現することができる。
【００３５】
また、本第１実施形態の光送信モジュールＯＭ１においては、フェルール１がセラミック材料からなる。セラミック材料は熱的に安定であり、電気的絶縁性に優れ、微細な加工も可能である。また、セラミック材料がアルミナあるいはジルコニアであると、より加工性に優れ、広く利用されている材料であるので好ましい。
【００３６】
なお、上記第１実施形態の変形例としては、図４に示されるように、光送信モジュールＯＭ１が有する光ファイバ３を、ピッグテール部分１５を有する光ファイバ３としてもよい。
【００３７】
（第２実施形態）
第２実施形態は、本発明を、入力された光信号を電気信号へと変換して受信する光受信モジュールに適用したものである。図５は、本第２実施形態に係る光受信モジュールの断面構成を示す図面である。図６は、図５に示した光受信モジュールの平面構成を示す図面であり、図７は、図５に示した光受信モジュールの外観構成を示す斜視図である。
【００３８】
図５〜図７を参照すると、光受信モジュールＯＭ２は、フェルール１、光ファイバ３、光半導体素子としてのフォトダイオード２１等を有する。
【００３９】
フォトダイオード２１は、その光入射面２１ａが光ファイバ３の端部と対向するようにフェルール１の搭載面９に設けられ、光ファイバ３の端部と光学的に結合している。このフォトダイオード２１は、例えば、受光部としてＩｎＧａＡｓＰを有する端面入射型フォトダイオードを用いることができる。また、フォトダイオード２１は、例えば、搭載面に形成されたメタライズ層（メタライズパターン）上に実装することにより、搭載面に設けることができる。
【００４０】
以上のように、本第２実施形態の光受信モジュールＯＭ２においても、光ファイバ３が、フェルール１の貫通孔７に挿通され、当該フェルール１の搭載面９側に所定の長さ突出して固定されるので、光ファイバ３をフェルール１に固定した後に、光ファイバ３における搭載面９側に突出して配置された部分にブラッグ回折格子１３を容易に形成することが可能となる。この結果、光ファイバ３に形成されたブラッグ回折格子１３の反射特性が変化するのを抑制することができる。
【００４１】
また、本第２実施形態の光受信モジュールＯＭ２においては、フェルール１の搭載面９にフォトダイオード２１が実装されるので、小型の光受信モジュールＯＭ２を実現することができる。
【００４２】
なお、上記第２実施形態の変形例としては、図８に示されるように、光受信モジュールＯＭ２が有する光ファイバ３を、ピッグテール部分１５を有する光ファイバ３としてもよい。
【００４３】
（第３実施形態）
第３実施形態は、本発明を、入力された電気信号を光信号へと変換して送信する一方、入力された光信号を電気信号へと変換して受信する光送受信モジュールに適用したものである。図９は、本第３実施形態に係る光送受信モジュールの断面構成を示す図面である。図１０は、図９に示した光送受信モジュールの平面構成を示す図面であり、図１１は、図９に示した光送受信モジュールの正面構成を示す図面であり、図１２は、図９に示した光送受信モジュールの外観構成を示す斜視図である。また、図１３は、図９に示した光送受信モジュールにおいて、樹脂体を除いた状態での外観構成を示す斜視図である。
【００４４】
図９〜図１２を参照すると、光送受信モジュールＯＭ３は、フェルール１、光ファイバ３、半導体発光素子としての半導体光増幅素子５、半導体受光素子としてのフォトダイオード３１、光学素子３３等を有する。
【００４５】
フェルール１の搭載面９は、第１の領域９ａと、第２の領域９ｂとを有している。第１の領域９ａ及び第２の領域９ｂは、溝１１が延びる方向に沿って配置されている。光ファイバ３におけるブラッグ回折格子１３が形成された部分は、第１の領域９ａに位置している。
【００４６】
半導体光増幅素子５は、その光出射面５ａが光ファイバ３の端部と対向するようにフェルール１における搭載面９の第２の領域９ｂに設けられ、光ファイバ３の端部と光学的に結合している。
【００４７】
光学素子３３は、第１の波長帯（例えば、１５５０ｎｍ帯）の入射光を反射し、第１の波長帯とは異なる第２の波長帯（例えば、１３１０ｎｍ帯）の入射光を透過する。この光学素子３３としては、誘電体多層膜を有する光フィルタを用いることができる。光学素子３３は、第１の領域９ａにおける光ファイバ３のブラッグ回折格子１３が形成された部分３ａと光ファイバ３における貫通孔７に挿通された部分３ｂとの間に設けられ、当該両部分３ａ，３ｂに光学的に結合されている。光学素子３３は、フェルール１の搭載面９と鋭角（例えば、３０°程度）を成す。
【００４８】
光学素子３３は、光ファイバ３に設けられたブラッグ回折格子１３と半導体光増幅素子５の光反射面５ｂとの間で生じたレーザ発振により発生した第２の波長帯のレーザ光を透過する。一方、光学素子３３は、光ファイバ３内を上記レーザ光とは反対方向に伝播する第１の波長帯の光を反射する。
【００４９】
フォトダイオード３１は、搭載面９の第１の領域９ａに設けられ、光学素子３３と光学的に結合する。このフォトダイオード３１としては、裏面入射型のフォトダイオードを用いることができる。フォトダイオード３１は、マウント部材３５上に搭載されており、光ファイバ３上に配置される。つまり、フォトダイオード３１とフェルール１との間に、光ファイバ３が設けられている。マウント部材３５は、光ファイバ３を固定するために利用する固定部材として利用できる。フォトダイオード３１は、光ファイバ３（貫通孔７に挿通された部分３ａ）、光学素子３３及びマウント部材３５を介して入射する第１の波長帯の光を受光する。
【００５０】
マウント部材３５は、第１の波長帯の光を透過可能であり、フォトダイオード３１を搭載する搭載面３５ａを有する。搭載面３５ａの裏面が光ファイバ３を位置決めするための位置決め面として機能する。フォトダイオード３１は、その光入射面が搭載面に向くように設けられている。
【００５１】
光送受信モジュールＯＭ３は、リードフレーム３７を更に有する。リードフレーム３７は、フェルール１の外周面に当接して当該フェルール１を支持する支持部３７ａと、半導体光増幅素子５と電気的に接続されるリード端子３７ｂ，３７ｃ、及び、フォトダイオード３１と電気的に接続されるリード端子３７ｄ，３７ｅを含んでいる。
【００５２】
半導体光増幅素子５はアノード及びカソードを有しており、アノードはボンディングワイヤといった接続部材３９ａを介してリード端子３７ｂに接続され、カソードはボンディングワイヤといった接続部材３９ｂを介してリード端子３７ｃに接続されている。フォトダイオード３１は、アノード及びカソードを有しており、アノードはボンディングワイヤといった接続部材３９ｃを介してリード端子３７ｄに接続され、カソードはボンディングワイヤといった接続部材３９ｄを介してリード端子３７ｅに接続されている。
【００５３】
また、光送受信モジュールＯＭ３は、光ファイバ３における搭載面９側に突出した部分、半導体光増幅素子５、フォトダイオード３１及び光学素子３３を封止する樹脂体４１を更に有する。この場合、光ファイバ３における搭載面９側に突出した部分及び半導体光増幅素子５、フォトダイオード３１及び光学素子３３を良好に保持することができると共に、各要素を保護することができる。なお、樹脂体４１は、半導体光増幅素子５と光ファイバ３との光学的結合、光学素子３３と光ファイバ３（３ａ，３ｂ）との光学的結合、光学素子３３とフォトダイオード３１との光学的結合を確実に保つために、第１の波長帯の光及び第２の波長帯の光に対して透明であることが好ましい。
【００５４】
以上のように、本第３実施形態の光送受信モジュールＯＭ３においても、光ファイバ３が、フェルール１の貫通孔７に挿通され、当該フェルール１の搭載面９側に所定の長さ突出して固定されるので、光ファイバ３をフェルール１に固定した後に、光ファイバ３における搭載面９側に突出して配置された部分にブラッグ回折格子１３を容易に形成することが可能となる。この結果、光ファイバ３に形成されたブラッグ回折格子１３の反射特性が変化するのを抑制することができる。
【００５５】
また、本第３実施形態の光送受信モジュールＯＭ３においては、フェルール１の搭載面９上に半導体光増幅素子５及びフォトダイオード３１が実装されるので、小型の光送受信モジュールＯＭ３を実現することができる。
【００５６】
また、本第３実施形態の光送受信モジュールＯＭ３においては、フェルール１を支持するとともに、光半導体素子（半導体光増幅素子５、フォトダイオード３１）に電気的に接続されるリードフレーム３７を更に有している。これにより、当該リードフレーム３７により、光送受信モジュールＯＭ３の外部基板（図示せず）への搭載が可能となると共に、光半導体素子（半導体光増幅素子５、フォトダイオード３１）と外部基板との電気的接続を容易に行うことができる。
【００５７】
本発明による光モジュールは、上述した実施形態に限られるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、光信号を電気信号へと変換する受光素子としては、フォトダイオード２１，３１以外の素子を用いてもよい。電気信号を光信号へと変換する発光素子としては、半導体光増幅素子５以外の素子を用いてもよい。また、第１実施形態の光送信モジュールＯＭ１及び第２実施形態の光受信モジュールＯＭ２も、リードフレーム３７と樹脂体４１とを設けるようにしてもよい。また、第３実施形態の光送受信モジュールＯＭ３が有する光ファイバ３も、ピッグテール部分を有する光ファイバを用いることができる。
【００５８】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、光ファイバに形成されたブラッグ回折格子の反射特性が変化するのを抑制することが可能な光モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係る光送信モジュールの断面構成を示す図面である。
【図２】図１に示した光送信モジュールの平面構成を示す図面である。
【図３】図１に示した光送信モジュールの外観構成を示す斜視図である。
【図４】第１実施形態に係る光送信モジュールの変形例の外観構成を示す斜視図である。
【図５】第２実施形態に係る光受信モジュールの断面構成を示す図面である。
【図６】図５に示した光受信モジュールの平面構成を示す図面図である。
【図７】図５に示した光受信モジュールの外観構成を示す斜視図である。
【図８】第２実施形態に係る光受信モジュールの変形例の外観構成を示す斜視図である。
【図９】第３実施形態に係る光送受信モジュールの断面構成を示す図面図である。
【図１０】図９に示した光送受信モジュールの平面構成を示す図面図である。
【図１１】図９に示した光送受信モジュールの正面構成を示す図面である。
【図１２】図９に示した光送受信モジュールの外観構成を示す斜視図である。
【図１３】図９に示した光送受信モジュールにおいて、樹脂体を除いた状態での外観構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１…フェルール、１ａ…第１の部分、１ｂ…第２の部分、３…光ファイバ、３ａ…ブラッグ回折格子が形成された部分、３ｂ…貫通孔に挿通された部分、５…半導体光増幅素子、７…貫通孔、９…搭載面、９ａ…第１の領域、９ｂ…第２の領域、１１…溝、１３…ブラッグ回折格子、２１，３１…フォトダイオード、３３…光学素子、３７…リードフレーム、３７ａ…支持部、３７ｂ〜３７ｅ…リード端子、４１…樹脂体、ＯＭ１〜ＯＭ３…光送信モジュール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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