(57)【要約】　　　（修正有）【課題】投影露光用リソグラフィ装置において、自由支持バランス質量に対する代替方法を提供する。【解決手段】バランス質量ＢＭと基板テーブルＷＴまたは支持構造の間に反力を生成し、それによって基板テーブルＷＴを位置決めするアクチュエータを備えるリソグラフィ投影機器であって、バランス質量ＢＭが、０．３〜１０Ｈｚのサスペンション固有振動数を有するように弾性カップリングを介してバランス質量ＢＭをベース・フレームＢＦに結合し、それによって反力の一部がベース・フレームＢＦに加えられることを特徴とする。【選択図】　　　図２
2004134745.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射投影ビームを供給する放射システムと、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン化する助けとなるパターン化手段を支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
基板のターゲット部分上にパターン化したビームを投影する投影システムと、
ベース・フレームと、
バランス質量と、
前記バランス質量と前記基板テーブルまたは前記支持構造の間に反力を生成し、それによって前記投影システムに対して相対的に前記基板テーブルまたは前記支持構造を位置決めする、前記基板テーブルまたは前記支持構造と前記バランス質量の間に連結した位置決めアクチュエータとを備えるリソグラフィ投影機器であって、
前記バランス質量が０．３〜１０Ｈｚのサスペンション固有振動数を有するように弾性カップリングを介して前記バランス質量を前記ベース・フレームに結合し、それによって前記反力の一部が前記ベース・フレームに加えられることを特徴とする機器。
【請求項２】
バランス質量が軸受を介してベース・フレームで支持されることを特徴とする、請求項１に記載の機器。
【請求項３】
前記基板テーブルまたは前記支持構造の位置決めの際にそれを動かすと、前記基板テーブルまたは前記支持構造と前記バランス質量の前記ベース・フレームに対する相対的な合成重心位置も動くように構築され配置されている、請求項１または請求項２に記載の機器。
【請求項４】
前記バランス質量の位置を制御するバランス質量アクチュエータをさらに備える、請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の機器。
【請求項５】
前記バランス質量アクチュエータが前記弾性カップリングと平行に配置され、バランス質量がバランス質量アクチュエータをも介して前記ベース・フレームに結合される、請求項４に記載の機器。
【請求項６】
前記弾性カップリングと平行に配置されたばね−ダンパ・システムをさらに備え、バランス質量がばね−ダンパ・システムをも介して前記ベース・フレームに結合される、請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の機器。
【請求項７】
ばね−ダンパ・システムが、ダンパ特性を有する少なくとも１つの要素に直列に連結された、ばね特性を有する少なくとも１つの要素を備える、請求項６に記載の機器。
【請求項８】
前記ばね−ダンパ・システムが渦電流ダンパを備える、請求項７に記載の機器。
【請求項９】
使用中に、前記弾性カップリングによる前記バランス質量の振動を、前記バランス質量アクチュエータによって能動的に減衰させる、請求項４または請求項５に記載の機器。
【請求項１０】
使用中に、０．５〜１．０、好ましくは０．６５〜０．７５の減衰係数ｂを有するダンパで、前記弾性カップリングによって生成される前記バランス質量の振動を減衰させる、請求項１から請求項９までのいずれか一項に記載の機器。
【請求項１１】
前記ダンパが前記弾性カップリングと平行に配置され、バランス質量が前記ダンパをも介して前記ベース・フレームに結合される、請求項１０に記載の機器。
【請求項１２】
周波数の関数として変化する減衰係数ｂで前記バランス質量を減衰させる、請求項９から請求項１１までのいずれか一項に記載の機器。
【請求項１３】
前記バランス質量アクチュエータを制御し、周期的に位置制御ループを適用して、前記基板テーブルまたは前記支持構造の繰返し運動による前記バランス質量のドリフトを実質的に防止するコントローラをさらに備える、請求項４、請求項５または請求項９のいずれか一項に記載の機器。
【請求項１４】
３〜１０Ｈｚ未満の周波数をもつ前記反力の５０〜１００％が、前記弾性カップリングによって前記ベース・フレームに加えられる、前記請求項のいずれか一項に記載の機器。
【請求項１５】
ベローズが前記バランス質量と前記ベース・フレームの間を延びる、前記請求項のいずれか一項に記載の機器。
【請求項１６】
前記基板テーブルまたは前記支持構造および前記バランス質量を収納する真空チャンバをさらに備える、前記請求項のいずれか一項に記載の機器。
【請求項１７】
前記ベース・フレームが前記真空チャンバの壁の部分の一部を形成し、ベローズが前記バランス質量と前記壁の部分の間を延びる、請求項１６に記載の機器。
【請求項１８】
前記ベローズが前記弾性カップリングの少なくとも一部を形成する、請求項１５または請求項１７に記載の機器。
【請求項１９】
前記ベローズ中を通して前記バランス質量アクチュエータまたは前記ばね−ダンパ・システムを前記バランス質量に連結する、請求項１７または請求項１８に記載の機器。
【請求項２０】
弾性カップリングの剛性が、バランス質量のベース・フレームに対する相対位置の関数であることを特徴とする、前記請求項のいずれか一項に記載の機器。
【請求項２１】
リソグラフィ機器が、バランス質量アクチュエータを制御するフィードフォワード・コントローラをさらに備えることを特徴とする、請求項４、請求項５、請求項９または請求項１３に記載の機器。
【請求項２２】
弾性カップリングを少なくとも３自由度でバランス質量に使用することを特徴とする、前記請求項のいずれか一項に記載の機器。
【請求項２３】
ベース・フレーム上に配置した基板テーブル上に、放射感受性材料の層で少なくとも部分的に覆われた基板を提供するステップと、
放射システムを使用して放射投影ビームを提供するステップと、
支持構造上に支持したパターン化手段を使用して投影ビームの横断面にパターンを付与するステップと、
放射感受性材料の層のターゲット部分上にパターン化した放射ビームを投影するステップと、
前記基板テーブルまたは前記支持構造とバランス質量の間に反力を生成することによって、前記基板テーブルまたは前記支持構造を前記ベース・フレームに対して相対的に移動させるステップとを含むデバイスを製造する方法であって、
前記バランス質量を０．３〜１０Ｈｚのサスペンション固有振動数で前記ベース・フレームに結合する弾性カップリングによって、前記反力の一部を前記ベース・フレームに伝達することを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リソグラフィ投影機器に関する。この機器は、
−放射投影ビームを供給する放射システムと、
−所望のパターンに従って投影ビームをパターン化する助けとなるパターン化手段を支持する支持構造と、
−基板を保持する基板テーブルと、
−基板のターゲット部分上にパターン化したビームを投影する投影システムと、
−ベース・フレームと、
−バランス質量と、
−前記バランス質量と前記基板テーブルまたは前記支持構造の間に反力を生成し、それによって前記投影システムに対して相対的に前記基板テーブルまたは前記支持構造を位置決めする、前記基板テーブルまたは前記支持構造と前記バランス質量の間に連結した位置決めアクチュエータとを備える。
【０００２】
【従来の技術】
ここで使用する「パターン化手段」という用語は、基板のターゲット部分に形成すべきパターンに相当するパターン化した横断面を、入射する放射ビームに付与するのに使用することができる複数の手段を指すものと広く解釈すべきである。ここでは、「光バルブ」という用語を使用することもある。一般に、前記パターンは、集積回路その他のデバイス（下記参照）など、ターゲット部分に形成されるデバイス中の特定の機能層に相当する。こうしたパターン化手段には、以下の例が含まれる。
−マスク：マスクの概念はリソグラフィにおいては周知であり、２値型、交互配置型位相シフト、ハーフトーン位相シフト、ならびに様々なハイブリッド・マスク型などのマスク・タイプの例が含まれる。こうしたマスクを放射ビーム中に配置することにより、マスク上のパターンに従って、マスク上に入射する放射を、選択的に透過（透過型マスクの場合）または反射（反射型マスクの場合）させる。マスクの場合、一般に、支持構造はマスク・テーブルであり、それによって入射する放射ビーム中で所望の位置にマスクを保持し、望まれる場合には、マスクがビームに対して相対的に移動できるようにする。
−プログラム可能なミラー・アレイ：このようなデバイスの一例は、粘弾性制御層および反射面を有するマトリックス・アドレス可能型表面である。こうした機器の基礎となる基本原理は、（たとえば）反射面のアドレスされた区域は入射光を回折光として反射し、アドレスされない区域は入射光を非回折光として反射するというものである。適当なフィルタを使用して、前記非回折光をフィルタリングして反射光から除去し、回折光のみを後に残すことができる。このようにして、マトリックス・アドレス可能型表面のアドレス・パターンに従ってビームがパターン化される。また、プログラム可能なミラー・アレイの代替実施形態では、適切な（電磁的、静電的）局所電界を印加し、あるいは圧電作動手段を使用することによってそれぞれ独立にある軸の周りで傾けることができる小ミラーのマトリックス構成を使用する。この場合も、ミラーはマトリックス・アドレス可能型であり、そのためアドレスされたミラーは、アドレスされないミラーとは異なる方向に、入射する放射ビームを反射する。このようにして、反射ビームは、マトリックス・アドレス可能型ミラーのアドレス・パターンに従ってパターン化される。必要とされるマトリックス・アドレス指定は、適当な電子的手段を使用して行うことができる。上記のいずれの状況でも、パターン化手段は、１つまたは複数のプログラム可能なミラー・アレイを備えることができる。ここで言及したミラー・アレイに関するより多くの情報は、たとえば、米国特許第５，２９６，８９１号および第５，５２３，１９３号、ならびにＰＣＴ特許出願ＷＯ９８／３８５９７号およびＷＯ９８／３３０９６号から得ることができる。参照によりこれらを本明細書に合体する。プログラム可能なミラー・アレイの場合、前記支持構造は、たとえばフレームまたはテーブルとして実施することができ、必要に応じて、固定あるいは移動可能とすることができる。
−プログラム可能なＬＣＤアレイ：このような構造の一例が、米国特許第５，２２９，８７２号に示されている。参照によりこれを本明細書に合体する。上記の場合と同様に、この場合の支持構造も、たとえばフレームまたはテーブルとして実施することができ、必要に応じて、固定あるいは移動可能とすることができる。
簡単にするために、本明細書の残りの部分は、ある個所では、具体的にはマスクおよびマスク・テーブルを含む例を取り上げる。しかし、こうした例で論じる一般原理は、上記のパターン化手段のより広い状況の中で理解すべきである。
【０００３】
リソグラフィ投影機器は、たとえばＩＣ（集積回路）の製造に使用することができる。この場合、パターン化手段は、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することができ、これらのパターンを、放射感受性材料（レジスト）の層を塗布した基板（シリコン・ウエハ）上の（たとえば１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分上に結像させることができる。一般に、１枚のウエハは、投影システムにより１度に１つずつ次々に照射される網目状に並んだ隣接するターゲット部分全体を含んでいる。マスク・テーブル上のマスクによってパターン形成を行う現在の機器では、２つの異なるタイプの機械を区別することができる。１つのタイプのリソグラフィ投影機器では、１回でマスク・パターン全体をターゲット部分上に露光することによって、各ターゲット部分を照射する。通常、このような機器をウエハ・ステッパと称する。通常ステップ・アンド・スキャン機器と称する代替機器では、投影ビーム下でマスク・パターンを所与の基準方向（「走査」方向）に順次走査することによって各ターゲット部分を照射し、基板テーブルをこの基準方向と平行または逆平行に同期走査する。一般に、投影システムは倍率Ｍ（一般に１未満）を有するので、基板テーブルを走査する速度Ｖは、マスク・テーブルを走査する速度のＭ倍となる。ここで述べたリソグラフィ装置に関するより多くの情報は、たとえば、米国特許第６，０４６，７９２号から得ることができる。参照によりこれを本明細書に合体する。
【０００４】
リソグラフィ投影機器を使用する製造プロセスでは、放射感受性材料（レジスト）の層で少なくとも部分的に覆われた基板上に、（たとえばマスク内の）パターンを結像させる。この結像ステップの前に、基板に様々な処理、たとえば、プライミング、レジスト塗布、およびソフト・ベークを施すことがある。露光後、基板を、その他の処理、たとえば、ＰＥＢ（露光後ベーク）、現像、ハード・ベーク、および画像形成したフィーチャーの測定／検査にかけることがある。この一連の処理をベースとして使用して、デバイスたとえばＩＣの個々の層のパターン形成を行う。次いで、このようなパターン形成された層を、様々なプロセス、たとえば、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械研磨などにかけることができる。これらの処理はどれも、個々の層を完成させるためのものである。複数の層が必要とされる場合には、それぞれ新しい層ごとにこの処理全体またはその変形を繰り返さなければならない。最終的に、デバイス・アレイが基板（ウエハ）上に得られる。次いで、これらのデバイスを、ダイシングまたはソーイングなどの技術によって互いに分離し、その後、個々のデバイスをキャリア上に実装し、ピンに接続する、などを行うことができる。こうしたプロセスに関するさらなる情報は、たとえば、Ｐｅｔｅｒ　ｖａｎ　Ｚａｎｔ著「Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ　Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ　Ｐｒａｃｔｉｃａｌ　Ｇｕｉｄｅ　ｔｏ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ」、Ｔｈｉｒｄ　Ｅｄｉｔｉｏｎ、ＭｃＧｒａｗ　Ｈｉｌｌ　Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ　Ｃｏ．、ＩＳＢＮ　０−０７−０６７２５０−４、１９９７年から得ることができる。参照によりこれを本明細書に合体する。
【０００５】
簡単にするため、以下では、投影システムを「レンズ」と称する。しかし、この用語は、たとえば、屈折光学系、反射光学系、および反射屈折型システムを含む様々なタイプの投影システムを包含すると広く解釈すべきである。また、放射システムは、これらの設計タイプのいずれかに従って動作する構成要素を含み、放射投影ビームを方向づけ、整形し、または制御することができる。下記では、このような構成要素も総称してあるいは単独で「レンズ」と称する。さらに、リソグラフィ機器は、２つ以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスク・テーブル）を有するタイプのものとすることもできる。このような「マルチ・ステージ」型の装置では、追加のテーブルを並列で使用し、あるいは準備ステップを１つまたは複数のテーブル上で実施しながら、１つまたは複数の他のテーブルを使用して露光を行うことができる。複式ステージ・リソグラフィ機器が、たとえば、米国特許第５，９６９，４４１号および国際公開ＷＯ９８／４０７９１号に記載されている。参照によりこれらを本明細書に合体する。
【０００６】
リソグラフィ投影機器では、支持構造上に位置決めしたマスクの情報が、支持構造および基板テーブルが定速で同期して動く、いわゆる走査プロセス中に基板テーブル上に投影される。一般に、基板テーブルの加速度は５〜１００ｍ／ｓ２程度、その重量は約１０〜２００Ｋｇとなり得るので、加速力または減速力は大きくなることがある。ベース・フレームに取り付けたアクチュエータによってこの基板テーブルを動かす場合、反力がベース・フレームに伝達される。この反力がベース・フレームに直接伝達される場合、ベース・フレームがその固有振動数（一般に、１０〜５０Ｈｚ）で大きく励振されることになる。その結果、投影レンズの防振システムを乱すベース・フレームの振動が生じる。次いで、この振動の一部が、投影レンズに伝わることもある。基板テーブルは投影レンズに対して相対的に位置決めされるので、投影レンズの振動によりサーボ位置決めエラーが発生し、結像プロセスに影響を及ぼす。
【０００７】
米国特許第６，２６２，７９６号に記載されている自由支持のバランス質量の使用により、こうした反力の影響を低減することができる。これは、基板テーブルとバランス質量の間の位置決めアクチュエータを使用して反力を生成し、それによって、基板テーブルが一方向に動き、バランス質量がその反対方向に、基板テーブルの移動距離に基板テーブルとバランス質量の質量の比を乗じた値に等しい量だけ動くことによって行われる。こうすると、ベース・フレームに大きな反力が伝わらず、ベース・フレームに対する相対的なバランス質量と基板テーブルの合成重心はほぼ同じところに留まる。
【０００８】
このような自由支持のバランス質量のストロークが長い場合、このバランス質量は動く際に案内を必要とし、また、特にバランス質量が真空中にある場合、バランス質量にユーティリティを搬送するケーブルおよびチューブを通す手はずを整えるのが難しく、その結果機械が大型化することがある。
【０００９】
リソグラフィ投影機器のサイズを最小限に抑えようとして、バランス質量をほぼ摩擦なしで支持するために余分な複雑さを追加するという代償を払えば、バランス質量の質量を増やして質量バランスに必要なストロークを短くすることができる。
【００１０】
上記の問題は、やはり投影システムに対して相対的に移動させる必要があり、バランス質量を使用して動かすことができるパターン化手段を支持する支持構造にも同様に当てはまる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記で述べた問題の１つを少なくとも部分的に解決する、自由支持のバランス質量に対する代替方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、上記その他の目的は、前記バランス質量が０．３〜１０Ｈｚのサスペンション固有振動数を有するように弾性カップリングを介して前記バランス質量を前記ベース・フレームに結合し、それによって前記反力の一部が前記ベース・フレームに加えられることを特徴とする、冒頭の段落で規定したリソグラフィ機器において達成される。
【００１３】
こうすると、弾性カップリングを介して反力の一部しかベース・フレームに伝わらない。バランス質量の固有振動数は０．３〜１０Ｈｚであることが好ましい。というのは、こうすると以下に述べるように低周波数振動しかベース・フレームに伝わらないからである。すなわち、基板テーブルまたは支持構造の約１０〜１５Ｈｚよりも高い周波数の動きによって生じた反力は、ベース・フレームにほとんど伝わらない。これらの周波数では、バランス質量は弾性カップリングによる影響を受けず、ほぼ自由なバランス質量として振る舞うからである。一般に、基板テーブルまたは支持構造の望ましくない乱れは、１０Ｈｚよりもはるかに高い周波数の乱れであるが、バランス質量はこの周波数領域では大きな乱れを伝達しない。しかし、基板テーブルまたは支持構造の長ストローク動作によって生じる加速力は、一般に、１０Ｈｚ未満の周波数のエネルギーを有しており、ベース・フレームに伝わる。弾性カップリングのばね剛性によって、バランス質量にかかる反力の一部が吸収され、これには短ストロークしか要しない。ベース・フレームに伝わるこのような低周波数の力は、機器に有害な影響を及ぼす前に、強度が非常に大きくなり得ることがわかっている。こうすると、本発明による典型的なリソグラフィ投影機器では、一般に、バランス質量のストロークは約２０ｍｍ未満となる。弾性カップリングは、たとえば、板ばね、ねじりばね、または他の機械式ばね、ばね様の特性を有する磁石アセンブリなどを備えることができる。さらに、弾性カップリングはバランス質量をその中立位置に動かす傾向があることにも留意されたい。このことにより、たとえば、前記位置決めアクチュエータの初期化中にいくつかの利点が得られる。
【００１４】
本発明による一実施形態では、さらに軸受を介してバランス質量をベース・フレームに支持する。この軸受は、たとえばベース・フレームとバランス質量の間の空気軸受とすることができる。これにより、バランス質量が並進方向に必要なストロークだけ移動することができるように支持される。
【００１５】
本発明による一実施形態では、前記基板テーブルまたは前記支持構造の位置決めの際にそれを動かすと、前記基板テーブルまたは前記支持構造と前記バランス質量の前記ベース・フレームに対する相対的な合成重心位置も動くように、この機器を構築し配置する。バランス質量をベース・フレームに結合する弾性カップリングにより、前記基板テーブルまたは前記支持構造の位置決めの際にそれを動かすと、重心は元の位置に留まらない。
【００１６】
本発明の一実施形態では、この機器は、前記バランス質量の位置を制御するバランス質量アクチュエータをさらに備える。この能動的な実施形態では、バランス質量アクチュエータを前記弾性カップリングと平行に配置することができ、バランス質量が前記バランス質量アクチュエータをも介して前記ベース・フレームに結合される。このバランス質量アクチュエータを使用して、バランス質量に低周波数の位置補正力を加えることができる。こうすると、大きいが低周波数の並進方向の力を低周波数でベース・フレームに加えることができる。バランス質量アクチュエータは、（バランス質量の質量とベース・フレームに対する弾性カップリングの剛性とによって形成される）バランス質量システムの共振周波数を減衰させ、ベース・フレームとバランス質量の間で１０Ｈｚよりも高い周波数範囲における力の伝達をさらに減少させることもできる。
【００１７】
本発明の一実施形態では、フィルタ処理したフィードフォワード・プログラムをバランス質量アクチュエータに適用して、ベース・フレームに伝わる力を滑らかにする。バランス質量アクチュエータは、たとえば空気圧、油圧、電磁または圧電アクチュエータとすることができる。
【００１８】
本発明の別の実施形態では、この機器は前記弾性カップリングと平行に配置されたばね−ダンパ・システムを備え、バランス質量が前記ばね−ダンパ・システムをも介して前記ベース・フレームに結合される。このばね−ダンパ・システムでは、（機械式、空気式、磁気式の）異なるタイプのばねを、異なるタイプのダンパ、たとえば粘性ダンパ、渦電流ダンパなどと組み合わせることができる。必要な伝達特性を得るために、ばねとダンパを直列および並列に連結することもできる。この受動的な実施形態の利点は、より安価な解決策を実現し、また一般に、性能をいくらか犠牲にすれば、能動的な解決策よりも堅固なことである。
【００１９】
ばね−ダンパ・システムは、ダンパ特性を有する少なくとも１つの要素を直列に連結した、ばね特性を有する少なくとも１つの要素を備えることが好ましい。弾性カップリングが実質上ばね特性を有する実施形態では、さらにこのシステムをＫＤＫシステムと称する。このダンパは、粘性ダンパその他のタイプのダンパとして実施することができるはずである。
【００２０】
このダンパは、渦電流ダンパとして実施することが好ましい。耐久性、信頼性、保守性および汚染の点で利点を有するからである。このＫＤＫシステムは、（バランス質量の質量とベース・フレームに対する弾性カップリングの剛性とによって形成される）バランス質量システムの共振周波数を減衰させ、ベース・フレームとバランス質量の間で１０Ｈｚよりも高い周波数範囲の力の伝達をさらに減少させることができる。このばね−ダンパ・システムは、ばねとダンパの両方の特性を組み込んだ構成要素、たとえばゴム様の材料または記憶合金を使用して実現することもできる。
【００２１】
本発明の一実施形態では、０．３〜０．９、好ましくは０．６５〜０．７５の減衰係数ｂを有するダンパでバランス質量を減衰させる。こうすると、ベース・フレームに加えられる基板テーブルの長ストロークの反力が増幅されなくなる。
【００２２】
本発明の一実施形態では、このダンパは前記弾性カップリングと平行に配置され、バランス質量が前記ダンパをも介して前記ベース・フレームに結合される。こうした減衰は、別の構成要素によって実現することもでき、また内部ダンパを有する弾性カップリング自体によって得ることもできる。
【００２３】
本発明の一実施形態では、周波数の関数として変化する減衰係数ｂでバランス質量を減衰させる。たとえば、渦電流ダンパを使用することができる。また、前記バランス質量の振動を能動的に減衰させるバランス質量アクチュエータを使用する場合、その減衰係数を周波数の関数として変えることができる。
【００２４】
本発明の一実施形態では、この機器は、位置制御ループを周期的に適用するコントローラをさらに備える。たとえば、これを使用して、前記基板テーブルまたは支持構造の繰返し運動による前記バランス質量のドリフトを防止し、あるいはバランス質量の摩擦を補償し、または弾性カップリングのヒステリシス効果を補正することができる。
【００２５】
本発明の一実施形態では、３〜１０Ｈｚ未満の周波数をもつ反力の５０〜１００％が、前記弾性カップリングによって前記ベース・フレームに加えられる。
【００２６】
本発明の一実施形態では、この機器は、基板テーブルまたは支持構造およびバランス質量を収納する真空チャンバをさらに備える。本発明のバランス質量はそのストロークが短いので、このような応用例に特に適する。
【００２７】
本発明の一実施形態では、バランス質量と真空チャンバ壁の間でベローズを使用する。これは、バランス質量のストロークが短いから可能であり、バランス質量にユーティリティを供給するケーブルおよびチューブ、たとえば空気軸受用の空気、または位置センサ用の電気ケーブルなどをベローズ中に通すことができ、したがって真空対応にする必要がないので有利である。
【００２８】
本発明の一実施形態では、ベローズは少なくとも弾性カップリングの一部を形成する。その剛性によっては、ベローズは、部分的にあるいは完全にバランス質量とベース・フレームの間にある弾性カップリングの機能を引き継ぐことができる。
【００２９】
本発明の一実施形態では、前記ベローズ中を通してバランス質量アクチュエータまたはばね−ダンパ・システムを前記バランス質量に連結する。
【００３０】
本発明の別の態様によれば、
−ベース・フレーム上に配置した基板テーブル上に、放射感受性材料の層で少なくとも部分的に覆われた基板を提供するステップと、
−放射システムを使用して放射投影ビームを提供するステップと、
−支持構造上に支持したパターン化手段を使用して投影ビームの横断面にパターンを付与するステップと、
−放射感受性材料の層のターゲット部分上にパターン化した放射ビームを投影するステップと、
−前記基板テーブルまたは前記支持構造とバランス質量の間に反力を生成することによって、前記基板テーブルまたは前記支持構造を前記ベース・フレームに対して相対的に移動させるステップとを含み、前記バランス質量を０．３〜１０Ｈｚのサスペンション固有振動数で前記ベース・フレームに結合する弾性カップリングによって、前記反力の一部を前記ベース・フレームに伝達することを特徴とする、デバイスの製造方法が提供される。
【００３１】
本明細書では、ＩＣ製造における本発明による機器の使用について具体的に参照するが、このような機器は他の多くの応用が可能であることを明確に理解されたい。たとえば、集積光学システムや、磁気ドメイン・メモリ、液晶ディスプレイ・パネル、薄膜磁気ヘッド用の誘導／検出パターンなどの製造に使用することができる。こうした他の応用例では、本明細書において使用する「レチクル」、「ウエハ」あるいは「ダイ」という用語を、それぞれ「マスク」、「基板」および「ターゲット部分」というより一般的な用語で置き換えて考えるべきであることが当業者には理解されよう。
【００３２】
この文章では、「放射」および「ビーム」という用語は、（たとえば、３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長を有する）紫外放射、および（極紫外放射、たとえば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）ＥＵＶ、ならびにイオン・ビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを含むあらゆるタイプの電磁放射を包含するものとして使用する。
【００３３】
次に、添付の概略図面を参照して、本発明の実施形態を例としてのみ説明する。
【００３４】
図では、対応する参照記号はそれに対応する部品を示す。
【００３５】
【発明の実施の形態】
図１に、リソグラフィ投影機器の関連する部品を概略的に示す。この機器は、放射投影ビームＰＢ（たとえば、Ｉ線、ＵＶ、ＥＵＶ放射、電子ビームなど）を供給し、この特定のケースでは放射源ＬＡも備える放射システムＥｘ、ＩＬと、
マスクＭＡ（たとえばレチクル）を保持するマスク・ホルダを備え、第１位置決め手段ＰＭに連結されて要素ＰＬに対してマスクを正確に位置決めする第１対象物テーブル（マスク・テーブル）ＭＴと、
基板Ｗ（たとえばレジストを塗布したシリコン・ウエハ）を保持する基板ホルダを備え、第２基板テーブル位置決め手段ＰＷに連結されて要素ＰＬに対して基板を正確に位置決めする第２対象物テーブル（基板テーブル）ＷＴと、
基板Ｗの（たとえば１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃ上に、マスクＭＡの照射された部分を結像する投影システム（「レンズ」）ＰＬ（たとえばミラー・システム）とを備える。
ここで示すように、この機器は、反射タイプの（すなわち、反射型マスクを有する）ものである。しかし、一般に、たとえば（透過型マスクを備える）透過タイプのものとすることもできる。あるいは、この機器では、別の種類のパターン化手段、たとえば上記で言及したタイプのプログラム可能なミラー・アレイを使用することもできる。
【００３６】
放射源ＬＡ（たとえば、レーザ生成放電プラズマ源）は、放射ビームを生成する。このビームを、直接、あるいはビーム・エキスパンダＥｘなどの調節手段を通った後に、照明システム（照明器）ＩＬ内に供給する。照明器ＩＬは、ビームの強度分布の外側および／または内側半径方向範囲（通常、それぞれ外側σおよび内側σと称する）を設定する調節手段ＡＭを備えることができる。さらに、一般に、照明器ＩＬは、様々な他の構成要素、たとえば統合器ＩＮおよびコンデンサＣＯも備えている。このようにして、マスクＭＡ上に入射するビームＰＢは、所望の均一性および強度分布をその横断面に有する。
【００３７】
図１を参照すると、（放射源ＬＡが、たとえば水銀ランプであるときはしばしばそうであるが）、放射源ＬＡを、このリソグラフィ投影機器のハウジング内に置くことができるが、リソグラフィ投影機器から離し、放射源ＬＡが生成する放射ビームを（たとえば適当な方向づけミラーによって）機器内に導入することもできることに留意されたい。後者の状況が生じるのは、しばしば放射源ＬＡがエキシマ・レーザのときである。本発明および特許請求の範囲は、どちらの状況も包含するものとする。
【００３８】
その後、ビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴ上に保持されるマスクＭＡに当たる。マスクＭＡを横切ったビームＰＢは、レンズＰＬを通過し、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に結像する。第２位置決め手段（および干渉計測手段ＩＦ）により、基板テーブルＷＴは正確に動き、たとえば異なるターゲット部分ＣをビームＰＢの経路内に位置決めすることができる。同様に、第１位置決め手段を使用して、たとえば、マスク・ライブラリからマスクＭＡを機械的に取り出した後、あるいは走査中に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、対象物テーブルＭＴ、ＷＴの移動は、長ストローク・モジュール（粗い位置決め用）および短ストローク・モジュール（精密位置決め用）によって行われる。これらのモジュールは、図１に明示的に示していない。一般に、長ストローク・モジュールは、ほぼ平面内で基板テーブルが長ストローク移動できるようにし、マスク・テーブルの長ストローク・モジュールは、ほぼ１方向に長ストローク移動できるようにすることに留意されたい。しかし、ウエハ・ステッパの場合には（ステップ・アンド・スキャン機器と異なり）、マスク・テーブルＭＴを、短ストローク・アクチュエータだけに連結し６自由度の動きができるようにするか、あるいは固定とすることもできる。
【００３９】
図の機器は、下記の２つの異なるモードで使用することができる。
１．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴはほぼ固定したまま、ターゲット部分Ｃ上にマスク像全体を１回で（すなわち１回の「フラッシュ」で）投影する。次いで、基板テーブルＷＴを、ｘ方向および／またはｙ方向に移動し、それによってビームＰＢで異なるターゲット部分Ｃを照射することができる。
２．スキャン・モードでは、所与のターゲット部分Ｃが１回の「フラッシュ」で露光されない点を除き、ほぼ同じ状況が当てはまる。その代わりに、マスク・テーブルＭＴが、所与の方向（いわゆる「走査方向」、たとえばｙ方向）に速度ｖで移動可能であり、それによって、投影ビームＰＢがマスク像の上を走査する。それに並行して、基板テーブルＷＴが同時に同方向または反対方向に速度Ｖ＝Ｍｖで移動する。ただし、ＭはレンズＰＬの倍率（通常、Ｍ＝１／４または１／５）である。このようにして、比較的大きなターゲット部分Ｃを、解像力を損なわずに露光することができる。
【００４０】
次に、基板テーブルＷＴに関して本発明を説明する。ただし、本発明は、マスク・テーブルＭＴにも同様に適用可能である。
【００４１】
図１からわかるように、典型的なリソグラフィ機器は、様々な構成要素を支持するベース・フレームＢＦを備える。
【００４２】
例として、様々な構成要素のベース・フレームへの取付けを概略的に図２に示す。図には、好ましくは堅固に地面１０に連結するベース・フレームＢＦを示す。投影システムＰＬは、ＡＶＩＳ（アクティブ防振システム）からなる柔らかいサスペンション・システム５５によってコンプライアントにベース・フレームＢＦに連結された計測用フレーム５０上に取り付けることによってベース・フレームＢＦの振動から分離する。アクチュエータ２０によってウエハ・テーブルを駆動すると、ＢＭ（バランス質量）にかかる反力が発生する。弾性カップリング１５０は、バランス質量とベース・フレームの間に連結する。弾性カップリング１５０の剛性は、並進（水平）面内のサスペンション固有振動数が０．３〜１０Ｈｚ、好ましくは１〜６Ｈｚでバランス質量がベース・フレームＢＦ上に取り付けられるように選択する。適切なサスペンション固有振動数は約３Ｈｚである。
【００４３】
サスペンション固有振動数ｆ０は、式（１）に従って計算することができる。
【数１】
2004134745.tif 000003
式中、ｋｓｐｒｉｎｇは弾性カップリング１５０のばね剛性、ｍＢＭはバランス質量ＢＭの質量である。バランス質量のサスペンション固有振動数が０．３〜１０Ｈｚの範囲となるように構成し、大きいが低周波数の力（３Ｈｚ未満の周波数の約５０００Ｎまでの力）が、バランス質量からベース・フレームに並進水平面内で両方向に伝わることができるようにする。この例では、弾性カップリング１５０と平行に、ダンパ１７０とバランス質量アクチュエータ１００を配置する。ベローズ１２０によって、任意選択で、弾性カップリング１５０、ダンパ１７０、およびバランス質量アクチュエータを収容することができる。こうすると、弾性カップリング、ダンパ、およびバランス質量アクチュエータは、基板テーブルＷＴおよびバランス質量を配置した区画に対して密封される。ベローズの使用により、汚染特性またはガス放出特性などに関して、弾性カップリング、ダンパ、およびバランス質量アクチュエータに課される厳しい条件を緩めることができる。
【００４４】
バランス質量アクチュエータ１００を使用して、正しい位置からドリフトする傾向をもち得るバランス質量の位置を補正する。このドリフトは、ヒステリシスと考えることができ、たとえば、ベース・フレームＢＦとバランス質量ＢＭの間の摩擦から生じることがある。バランス質量アクチュエータ１００を制御し、必要な場合には周期的に（たとえば１ミリ秒ごとに）力を印加してバランス質量ＢＭを中心に戻すコントローラを備えることによって、閉ループ制御として補正を加え、基板テーブルの繰返し運動から生じるバランス質量のドリフトを実質的に防止する。
【００４５】
アクチュエータ１００を使用してバランス質量ＢＭの動きを減衰させて、バランス質量ＢＭのワインドアップすなわち共振を回避することもできる。あるいは、別の機械式パッシブ・ダンパ１７０によって、この機能を実施することもできる。どんな形の減衰を使用しても、相対減衰係数ｂは、好ましくは０．５〜１．０、より好ましくは０．６５〜０．７５である。バランス質量アクチュエータ１００を使用する場合、それをアクティブ・ダンパとして使用し、減衰係数ｂを周波数の関数として変えることができる。たとえばｂ＝０．７の減衰係数を（たとえば０．３〜２０Ｈｚの範囲の）閾値周波数まで使用して、その後、周波数無限大で減衰係数がゼロになるように減衰係数を減少させることができる。こうすると、高周波数におけるバランス質量からベース・フレームへの力の伝達は、減衰係数が一定の場合よりも小さくなる。このような減衰により、基板テーブルＷＴの運動周波数がバランス質量ＢＭのサスペンション固有振動数に近い場合、バランス質量からベース・フレームへの力の伝達の大きさも減少する。
【００４６】
バランス質量アクチュエータ１００を使用し、かつフィルタ処理したフィードフォワード・プログラムを用いて、低周波数でベース・フレームに伝わる力のプロフィールを滑らかにすることもできる。これは、ベース・フレームＢＦにかかるバランス質量ＢＭの予想反力をローパス・フィルタに通し、バランス質量アクチュエータ１００によりバランス質量ＢＭに力を加え、反力の急な変化を滑らかにすることによって行われる。どんな場合でも、高周波数の乱れはベース・フレームに伝わらない。
【００４７】
図３に、真空応用例で使用するベース・フレームＢＦで支持した様々な構成要素の代替構成を示す。この例では、基板テーブルＷＴは、連結手段１２を介して（ベース・フレームＢＦに堅固に連結した）基板テーブル支持フレームＳＦ上に配置する。アクチュエータ２０によってウエハ・テーブルを駆動すると、ＢＭ（バランス質量）にかかる反力が発生する。バランス質量アクチュエータ１００およびダンパ１７０と平行に配置された弾性カップリング１５０を、バランス質量と基板テーブル支持フレームの間に連結する。この実施形態では、投影システムＰＬ、バランス質量ＢＭ、および基板テーブルＷＴは、ベース・フレームＢＦに堅固に連結した真空チャンバＶＣによって収納する。
【００４８】
基板テーブルＷＴおよびバランス質量ＢＭはともに、基板テーブル支持フレームＳＦの表面に平行な水平面内の並進移動がほぼ摩擦なしで行われるように取り付ける。これは、たとえば、バランス質量から基板テーブルＷＴを懸架し、かつバランス質量に空気軸受を設けるか、あるいは基板テーブルおよびバランス質量ともに空気軸受を設け、それによって基板テーブルＷＴおよびバランス質量ＢＭの重量を基板テーブル支持フレームＳＦで支持することによって実現することができる。弾性機械式ばねまたは空気ばね上にバランス質量を取り付けることもできる。
【００４９】
位置決めアクチュエータ２０を作動させて反力を生成すると、基板テーブルＷＴおよびバランス質量ＢＭはその反対方向に並進移動することになる。
【００５０】
バランス質量ＢＭは、弾性ばねカップリング１５０で基板テーブル支持フレームＳＦに弾性的に結合し、それによってベース・フレームＢＦに結合する。並進（水平）面内のサスペンション固有振動数が０．３〜１０Ｈｚ、好ましくは１〜６Ｈｚでウエハ・ステージ支持フレームＳＦ上にバランス質量が取り付けられるように、弾性カップリング１５０の剛性を選択する。適切なサスペンション固有振動数は約３Ｈｚである。
【００５１】
図４に、一般に、走査プロセス中に生じる加速力および減速力を示す。加速力および減速力は、時間領域および周波数領域に示される。この例では、最大加速力は約１５００Ｎである。パワー・スペクトルすなわち１周波数バンド当たりのエネルギーも示す。一般に、加速プロフィールのパワー・スペクトルは、２０Ｈｚ未満の周波数で大きな力を示す。これより高い周波数では、残りのエネルギーは極めて小さい。
【００５２】
０．３〜１０Ｈｚの範囲のサスペンション固有振動数をバランス質量に適用すると、約１０〜１５Ｈｚおよびそれより高い周波数で行われる基板テーブルＷＴの短ストローク並進運動は、この周波数範囲ではバランス質量が通常の自由質量として振る舞うので、ほとんどベース・フレームに伝わらない。しかし、約１５Ｈｚ未満の低周波数で行われる基板テーブルＷＴの長ストローク並進運動の場合、少なくとも反力の一部が基板テーブル支持フレームＳＦに伝わり、それによってベース・フレームＢＦに伝わる。このように、反力の一部（５０〜１００％）が弾性カップリング１５０を介して基板テーブル支持フレームＳＦに加えられるので、低周波数運動の場合にバランス質量に要求される変位は減少する。このような大きいが低周波数の力（一般に、３Ｈｚ未満の周波数で約１０００〜５０００Ｎ）を水平並進方向にベース・フレームＢＦに伝えても、機器の性能に有害な影響を及ぼさないことがわかっている。
【００５３】
図５に、本発明のいくつかの実施形態について、バランス質量力をベース・フレームに伝達するボード線図を示す。図には、バランス質量力とベース・フレーム力の比（ｄＢで表す）に対する周波数（Ｈｚ）の関係を示す。参考として、自由支持のバランス質量（すなわちニュートンのバランス質量）の特性をグラフＧ０に示す。ニュートンの「作用・反作用」の法則に従って動く完全なバランス質量は、すべてのエネルギーを吸収し、したがってベース・フレームに力を伝達することができない。不完全なニュートンのバランス質量は、極めて小さな低周波数の力を部分的に伝達する。ニュートンのバランス質量は、運動または変位がバランス質量と基板テーブルの質量の比に等しいという欠点を有する。
【００５４】
バランス質量とベース・フレームの間に弾性カップリングを連結する場合、バランス質量の変位をはるかに大きく減少させることができる。しかし、グラフＧ１に示すように、低周波数の力は直接（ベース・フレームに）伝わり、共振周波数ではベース・フレーム力がバランス質量力よりもはるかに大きくなり得るという効果が生じる。共振周波数より高い周波数では、この場合も、減衰しないバランス質量は、ベース・フレームへの力の伝達を減少させ、−４０ｄＢ／ｄｅｃのロールオフをもつメカニカル・フィルタを形成する。グラフＧ３に示すように、共振周波数での増幅は、バランス質量とベース・フレームの間で弾性カップリングと平行にパッシブ・ダンパを使用することによって減少する。しかし、この場合には、この減衰するバランス質量のメカニカル・フィルタは、−２０ｄＢ／ｄｅｃのロールオフしかもたないことになる。
【００５５】
ばねと直列に連結したダンパによって減衰要素を形成するとき、弾性カップリングとばね−ダンパ・システムからなりＫＤＫシステムとも呼ばれるこの合成システムは、やはり−４０ｄＢ／ｄｅｃのロールオフを有するが、フィルタリングがより高周波数から開始される。グラフＧ３に示すように、このＫＤＫシステムのバランス質量の性能は、Ｇ２に示す減衰するバランス質量よりも優れている。
【００５６】
別の実施形態では、バランス質量とベース・フレームの間のアクチュエータと、ベース・フレームに対するバランス質量の位置を測定する位置センサとによって形成される制御ループを使用する。このコントローラは、共振周波数を減衰させるとともに急勾配の−４０ｄＢのロールオフを維持するように調節することができる（グラフＧ４参照）。
【００５７】
図６に、バランス質量の移動を反力に伝達するボード線図を示す。低周波数では、入力される力の関数としてのバランス質量の移動は、弾性カップリングの剛性の逆数に比例する。したがって、バランス質量とベース・フレームの間の剛性が１×ｅ５Ｎ／ｍのとき、入力される力１Ｎ当たりの変位は１／ｅ５ｍになる（したがって、伝達は１／ｅ５ｍ／Ｎすなわち−１００ｄＢ）。１５００Ｎでは、変位は約１５ｍｍとなる。剛性が増加すると、移動量は同じ率で減少するが、出力される力の周波数バンドも増加する（図６および式１を参照）。そのため、柔らかい弾性カップリングはソフトな力（強力なバランス質量のフィルタリング）を伴うが、変位も大きい。硬い弾性カップリングはハードな力（不十分なフィルタリング）を伴うが、変位は少ない。なんらかの方法で、バランス質量の変位と力のフィルタリング性能の間で適当な妥協点を見つけることができる。非線形特性を有する弾性カップリングを使用して、こうした妥協に対処することができる。線形および非線形のばね型の要素を使用して、これを実現することができる。バランス質量をその中立位置から変位させるときに剛性が徐々に増加するように、バランス質量とベース・フレームの間にこれらの要素を配置することができる。
【００５８】
共振周波数付近では、減衰がない場合、変位は増幅されることになる（図６に示す増幅率は約１００倍にもなる）。これを回避するために、減衰要素を弾性カップリングと組み合わせるべきである。図６のグラフＧ１は減衰しないシステムの特性を示し、Ｇ２は減衰するシステムの特性を、Ｇ３はＫＤＫシステムの特性を、Ｇ４はバランス質量アクチュエータと組み合わせた弾性カップリングの特性をそれぞれ示す。減衰するシステム（Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４）では、減衰しないシステムで生じる共振周波数における増幅が減衰する。高周波数では、すべてのシステムが−４０ｄＢ／ｄｅｃのロールオフを有し、そのため、極めて高い周波数の力は小さいバランス質量変位しかもたらさないようにすることができる。
【００５９】
図７に、バランス質量とベース・フレームの間にＫＤＫシステムを使用した本発明の実施形態を概略的に示す。このＫＤＫシステムは、ダンパ特性を有する要素を直列に連結した、ばね特性を有する要素を含むばね−ダンパ・システム１８０に平行に配置した弾性カップリング１５０を備える受動的なシステムである。このＫＤＫシステムを、それを収容するベローズ１２０と組み合わせて使用して、真空対応ではない材料または構成要素をＫＤＫシステム用に使用することができる。このベローズは、部分的にあるいは完全に弾性カップリング１５０の機能を引き継ぐこともできる。図に示すＫＤＫシステムは、バランス質量アクチュエータと組み合わせた弾性カップリングの代替手段として、図３に示す実施形態の内部で使用することもできる。
【００６０】
真空応用例では、バランス質量ＢＭは、金属ベローズ１２０によって真空チャンバＶＣの壁に連結する。金属ベローズ１２０は、湾曲プレートを溶接するか、あるいは壁が薄く口の広いパイプを曲げて製作することができる。このベローズにより、弾性カップリング１５０およびアクチュエータ１００またはＫＤＫシステムを真空チャンバＶＣの外側に配置することができ、そのため真空対応にする必要がないので、それらに課される厳しい設計要件（たとえば、ガス放出基準を満足する）が緩くなる。さらに、ベローズ１２０中を通したパイプまたはケーブルを介して、バランス質量ＢＭにユーティリティを供給することができる。基板テーブルＷＴの位置決め中にバランス質量ＢＭが動くストロークが短いので、ベローズ１２０の使用が可能となる。このベローズは、バランス質量ＢＭをベース・フレームに結合する弾性カップリングの少なくとも一部を形成することができる。
【００６１】
図８に、この実施形態では真空チャンバＶＣの壁の一部であるベース・フレームにバランス質量ＢＭを連結するための代替配置を示す。弾性カップリング１５０およびバランス質量アクチュエータ１００は、基板テーブル真空チャンバ内で、好都合には基板テーブル真空チャンバＶＣよりも高圧である第２真空チャンバ２１０内に収納する。連結部材２００は、基板テーブル真空チャンバＶＣの壁に、弾性カップリング１５０およびバランス質量アクチュエータ１００を連結する。第２真空チャンバ２１０と連結チャンバの間にはシールまたはベローズが必要である。図９に示す代替方法では、連結部材２００は、ベース・フレームＢＦに直接連結される弾性カップリング１５０およびバランス質量アクチュエータ１００にバランス質量ＢＭを連結する。この実施形態では、基板テーブル真空チャンバＶＣはベース・フレームから分離しており、バランス質量アクチュエータ１００は真空の外側に置かれるので、それを真空対応とする必要がない。基板テーブル真空チャンバＶＣと連結部材２００の間にはシールが必要である。
【００６２】
図１０に、バランス質量ＢＭとベース・フレームＢＦの間に連結したＫＤＫシステムを概略的に示す。バランス質量は、軸受システム２１５で支持される。このＫＤＫシステムは、弾性カップリング１５０と、ばね２４０と磁石プレート２２０および磁石プレート間に位置する導電プレート２３０からなる渦電流ダンパとを有するばね−ダンパ・システムとを備える。
【００６３】
バランス質量ＢＭは１〜６つの自由度をもつことができるが、（水平面内で）３自由度または（水平面および垂直面内で）６自由度であることが好ましい。本発明で説明したように、バランス質量と支持フレームの間のカップリングは、基板テーブルまたは支持構造が動くすべての自由度に適用可能である。バランス質量と支持フレームの間の弾性カップリングは、異なる自由度に対して異なる特性をもつことができる。この弾性カップリングは、さらに異なる自由度に対して異なる特性を有するバランス質量アクチュエータおよび／またはばね−ダンパ・システムと組み合わせることができる。
【００６４】
例として、図１１に、弾性カップリング１５０がバランス質量ＢＭとベース・フレームＢＦの間のばねである、可能な構成の上面図を示す。図の弾性カップリングは、ＫＤＫシステムと組み合わせることができ、またダンパおよびバランス質量アクチュエータと組み合わせることができることが明らかであろう。この構成では、ＸおよびＹ方向のばねのみを使用するが、バランス質量は３自由度（Ｘ、ＹおよびＲｚ）で結合されていることにも留意されたい。様々な自由度で弾性カップリングを規定するこの方法は、自由度が３つよりも多い場合にも適用できる。
【００６５】
本発明の具体的な実施形態を上記で説明してきたが、記載した以外の形でも本発明が実施できることを理解されたい。この説明は本発明を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】リソグラフィ投影機器の関連する部品を示す図である。
【図２】本発明の実施形態によるリソグラフィ投影機器を示す図である。
【図３】本発明の実施形態による真空応用例に適したリソグラフィ投影機器を示す図である。
【図４】走査プロセス中の典型的な力のパターンを時間領域および周波数領域に示すグラフである。
【図５】本発明の異なる実施形態について、反力のベース・フレームへの伝達を周波数領域に示す図である。
【図６】本発明の異なる実施形態について、バランス質量の変位のベース・フレーム力への伝達関数を周波数領域に示す図である。
【図７】本発明の実施形態に従って、ベース・フレームとバランス質量を連結するＫＤＫシステムを示す図である。
【図８】本発明の実施形態に従って、バランス質量をベース・フレームに連結するための代替構成を示す図である。
【図９】本発明の実施形態に従って、バランス質量をベース・フレームに連結するための別の代替構成を示す図である。
【図１０】渦電流ダンパを備えるＫＤＫシステムを示す概略図である。
【図１１】水平面内で３自由度で結合されたバランス質量を示す概略図である。
【符号の説明】
１０　地面
１２　連結手段
２０　アクチュエータ
５０　計測用フレーム
５５　サスペンション・システム
１００　バランス質量アクチュエータ
１２０　ベローズ
１５０　弾性カップリング
１７０　ダンパ
１８０　ばね−ダンパ・システム
２００　連結部材
２１０　第２真空チャンバ
２１５　軸受システム
２２０　磁石プレート
２３０　導電プレート
２４０　ばね
ＡＭ　調節手段
ＢＦ　ベース・フレーム
ＢＭ　バランス質量
Ｃ　ターゲット部分
ＣＯ　コンデンサ
Ｅｘ　ビーム・エキスパンダ
ＩＦ　干渉計測手段
ＩＬ　照明器
ＩＮ　統合器
ＬＡ　放射源
ＭＡ　マスク
ＭＴ　マスク・テーブル、第１対象物テーブル
ＰＢ　放射投影ビーム
ＰＬ　投影システム、レンズ
ＰＭ　第１位置決め手段
ＰＷ　第２基板テーブル位置決め手段
ＳＦ　基板テーブル支持フレーム
ＶＣ　真空チャンバ
Ｗ　基板
ＷＴ　基板テーブル、第２対象物テーブル
Ｇ１〜Ｇ４　特性グラフ
【図１】
2004134745.tif 000004
【図２】
2004134745.tif 000005
【図３】
2004134745.tif 000006
【図４】
2004134745.tif 000007
【図５】
2004134745.tif 000008
【図６】
2004134745.tif 000009
【図７】
2004134745.tif 000010
【図８】
2004134745.tif 000011
【図９】
2004134745.tif 000012
【図１０】
2004134745.tif 000013
【図１１】
2004134745.tif 000014
【外国語明細書】
2004134745.tif 000015
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