(57)【要約】【課題】物体の表面から粒子を除去して物体の表面を洗浄する方法を提供すること。【解決手段】リソグラフィ・マスクは、そのとき気密方法で封止されるチャンバ内に配置される。チャンバ内のガス圧力は、大気圧から１０-2ミリバールに急速に下がって、マスク表面の汚染粒子を取り除く。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
　物体の表面から粒子を除去して前記物体の表面を洗浄する方法であって、
　気密方法で封止することができるチャンバを実現するステップと、
　前記物体を、洗浄すべき表面が露出された状態で、前記チャンバ内に配置するステップと、
　前記チャンバを封止するステップと、
　前記チャンバ内のガス圧力を低圧力に下げるステップとを含み、前記ガス圧力が５秒より短い間に１０-2ミリバールに急速に下げられることを特徴とする方法。
【請求項２】
　前記物体がリソグラフィ・マスクである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
　さらに、前記ガス圧力を急速に上げる後のステップを含む、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
　前記ガス圧力は、前記ガス圧力が下げられる前の元のガス圧力に急速に上げられる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
　前記ガス圧力が、低圧力とより高い圧力の間で繰り返し循環される、請求項３または請求項４に記載の方法。
【請求項６】
　前記ガス圧力を急速に下げる前に、前記ガス圧力が上げられる、請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
　さらに、洗浄すべき前記表面から粒子を引き寄せかつ除去するために電界を供給するステップを含む、請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
　洗浄すべき前記物体の表面が、粒子除去を助けるように帯電される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
　前記物体が振動させられる、請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
　前記物体の温度が変えられる、請求項１から請求項９までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
　粒子が洗浄すべき前記物体の表面に衝撃を与える、請求項１から請求項１０までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
　衝撃粒子が凝縮ＣＯ2である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
　さらに、洗浄すべき前記物体の表面に液体の層を付けるステップを含む、請求項１から請求項１２までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
　前記層が洗浄すべき前記物体の全表面にわたって一様である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
　物体の表面から粒子を除去するための装置であって、
　気密方法で封止することができるドアの付いたチャンバと、
　前記封止チャンバのガス圧力を下げるための手段とを備え、さらに
　前記表面から粒子を引き寄せかつ除去するために電界を供給するための手段、
　洗浄すべき前記物体を振動させるための手段、
　洗浄すべき前記物体の表面を粒子で衝撃するための手段、および
　洗浄すべき前記物体の表面の液体の層を付けるための手段、のうちの少なくとも１つを備える装置。
【請求項１６】
　放射の投影ビームを供給するための放射システムと、
　所望のパターンに従って前記投影ビームをパターン形成するように使用されるパターン形成手段を支持するための支持構造と、
　基板を保持するための基板テーブルと、
　前記パターン形成されたビームを前記基板の目標部分に投影するための投影システムとを備えたリソグラフィ投影装置であって、さらに、
　気密方法で封止することができるドアの付いたチャンバと、
　前記封止チャンバのガス圧力を５秒より短い間に大気圧から１０-2ミリバールに下げるための手段とを備え物体の表面から粒子を除去するデバイス、を備えることを特徴とするリソグラフィ投影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、敏感な表面から粒子を除去して洗浄する方法に関する。この方法は、特に、
　放射の投影ビームを供給するための放射システムと、
　所望のパターンに従って投影ビームをパターン形成するように使用されるパターン形成手段を支持するための支持構造と、
　基板を保持するための基板テーブルと、
　パターン形成されたビームを基板の目標部分に投影するための投影システムとを備えるリソグラフィ投影装置と共に使用される。
【背景技術】
【０００２】
　ここで使用されるような「パターン形成手段」という用語は、基板の目標部分に作成すべきパターンに対応するパターン形成された断面を、入射放射ビームに与えるために使用することができる手段のことを言うものとして、広く解釈すべきである。また、用語「光弁」は、この背景で使用することもできる。一般に、前記のパターンは、集積回路または他のデバイスのような、目標部分に作られるデバイスの特定の機能層に対応する（下を参照されたい）。そのようなパターン形成手段の実施例は、次のものを含む。すなわち、
　マスク。マスクの概念は、リソグラフィではよく知られており、様々な混成マスクの種類はもちろんのこと、２進位相シフト、交番位相シフトおよび減衰位相シフトのようなマスクの種類を含む。そのようなマスクを放射ビーム内に配置することで、マスクのパターンに応じて、マスクに当る放射の選択的な透過（透過マスクの場合）または反射（反射マスクの場合）が起こる。マスクの場合、支持構造は一般にマスク・テーブルであり、このマスク・テーブルによって、マスクは、確実に入射放射ビーム内の所望の位置に保持することができるようになり、さらに、望むならば、マスクをビームに対して移動させることができるようになる。
　プログラム可能ミラー・アレイ。そのようなデバイスの一例は、粘弾性制御層および反射表面を有するマトリックス・アドレス指定可能表面である。そのような装置の基本原理は、（例えば）反射表面のアドレス指定された領域は入射光を回折光として反射するが、アドレス指定されない領域は入射光を非回折光として反射する。適切なフィルタを使用して、前記の非回折光を、反射ビームからフィルタ除去して、後に回折光だけを残すことができる。このようにして、マトリックス・アドレス指定可能表面のアドレス指定パターンに従って、ビームはパターン形成されるようになる。プログラム可能ミラー・アレイの他の実施例では、小さなミラーのマトリックス配列が使用される。この小さなミラーの各々は、適切な局部電界を加えることで、または圧電作動手段を使用することで、軸のまわりに個々に傾斜させることができる。もう一度、アドレス指定されたミラーがアドレス指定されないミラーに対して異なる方向に入射放射ビームを反射するように、ミラーはマトリックス・アドレス指定可能である。このようにして、反射ビームは、マトリックス・アドレス指定可能ミラーのアドレス指定パターンに応じてパターン形成される。必要なマトリックス・アドレス指定は、適切な電子的な手段を使用して行うことができる。上記の両方の状況で、パターン形成手段は１つまたは複数のプログラム可能ミラー・アレイを含むことができる。ここで言及したようなミラー・アレイについて、例えば、米国特許第５，２９６，８９１号および米国特許第５，５２３，１９３号およびＰＣＴ特許出願ＷＯ９８／３８５９７およびＷＯ９８／３３０９６からより多くの情報を収集することができる。これらの特許および特許出願は、参照として本明細書に組み込む。プログラム可能ミラー・アレイの場合、前記の支持構造は、例えば、フレームまたはテーブルとして具体化することができ、それは、必要に応じて、固定するか、可動にすることができる。
　プログラム可能ＬＣＤアレイ。そのような構造の実施例は、米国特許第５，２２９，８７２号に与えられている。この特許は、参照として本明細書に組み込む。上記のように、この場合の支持構造は、例えば、フレームまたはテーブルとして具体化することができ、それは、必要に応じて、固定するか、可動にすることができる。
簡単にするために、本明細書の残りは、ある場所で、特別に、マスクおよびマスク・テーブルを含む実施例に充てられる。しかし、そのような例で述べる一般的な原理は、上で述べたようなパターン形成手段のより広い背景の中で理解すべきである。
【０００３】
　リソグラフィ投影装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造で使用することができる。そのような場合、パターン形成手段は、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することができる。このパターンの像が、放射敏感材料（レジスト）の層で覆われた基板（シリコン・ウェーハ）上の目標部分（例えば、１つまたは複数のダイで構成される）に形成される。一般に、単一のウェーハは全体として網の目のような隣接する目標部分を含み、この隣接する目標部分が、投影システムにより、一度に１つずつ、連続的に放射を照射される。マスク・テーブル上のマスクによるパターン形成が使用される現在の装置は、２つの異なる種類の機械に区別することができる。一方の種類のリソグラフィ投影装置では、全マスク・パターンを一括して目標部分に露出させることで、各目標部分が放射を照射される。そのような装置は、通常、ウェーハ・ステッパと呼ばれる。走査ステップ式装置と通常呼ばれる他方の装置では、投影ビームの当るマスク・パターンを特定の基準方向（「走査」方向）に漸進的に走査し、同時に、同期して、この方向に対して平行または逆平行に基板テーブルを走査することで、各目標部分が放射を照射される。一般に、投影システムは、拡大率Ｍ（一般に、Ｍ＜１）を持つので、基板テーブルが走査される速度Ｖは、マスク・テーブルが走査される速度の係数Ｍ倍となる。ここで説明したようなリソグラフィ・デバイスに関して、例えば、米国特許第６，０４６，７９２号から、もっと多くの情報を収集することができる。この特許は、参照として本明細書に組み込む。
【０００４】
　リソグラフィ投影装置を使用する製造プロセスでは、放射敏感材料（レジスト）の層で少なくとも部分的に覆われた基板に、パターン（例えば、マスク内の）の像が作られる。この像形成ステップの前に、基板は、下塗り、レジスト被覆、およびソフト・ベークのような様々な手順を経ることができる。露出後に、基板は、露出後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーク、および形成された像の特徴の測定／検査のような他の手順を受けることができる。この手順の配列は、デバイス、例えばＩＣの個々の層をパターン形成する基礎として使用される。次に、そのようなパターン形成層は、エッチング、イオン打込み（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械研磨などのような、全て個々の層を仕上げるために意図された、様々なプロセスを経る可能性がある。いくつかの層が必要な場合には、この全手順またはその変形を、新しい層ごとに繰り返さなければならない。最終的に、デバイスの配列が基板（ウェーハ）上に存在するようになる。次に、ダイシングまたは鋸引きのような方法で、これらのデバイスを互いに分離し、それから、個々のデバイスは、ピンなどに接続されたキャリアに取り付けることができる。そのようなプロセスに関するより多くの情報は、例えば、「Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ　Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ　Ｐｒａｃｔｉｃａｌ　Ｇｕｉｄｅ　ｔｏ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ（マイクロチップの製造：半導体処理への実用的入門書）」，Ｔｈｉｒｄ　Ｅｄｉｔｉｏｎ，ｂｙ　Ｐｅｔｅｒ　ｖａｎ　Ｚａｎｔ，ＭｃＧｒａｗ　Ｈｉｌｌ　Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ　Ｃｏ．，１９９７，ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４の本から得ることができる。この本を参照として本明細書に組み込む。
【０００５】
　簡単にするために、投影システムを以下で「レンズ」と呼ぶことができる。しかし、この用語は、例えば、屈折光学システム、反射光学システム、およびカタディオプトリック・システムなどの様々な種類の投影システムを包含するものとして広く解釈すべきである。また、放射システムは、これらの設計方式のいずれかに従って動作して放射の投影ビームの方向付け、整形、または制御を行う部品を含むことができる。さらに、そのような部品もまた、下で一括してまたは単独で、「レンズ」と呼ぶことができる。さらに、リソグラフィ装置は、２以上の基板テーブル（および／または２以上のマスク・テーブル）を有する種類のものであることができる。そのような「マルチ・ステージ」・デバイスでは、追加のテーブルは並列に使用することができ、または、１つまたは複数の他のテーブルを露出に使用しながら、１つまたは複数のテーブルで準備ステップを行うことができる。デュアル・ステージ・リソグラフィ装置は、例えば、米国特許第５，９６９，４４１号および国際公開ＷＯ９８／４０７９１に記載されている。これらを参照として、本明細書に組み込む。
【０００６】
　シャープでクリーンな像を確実に基板に投影するために、マスクを使用前に完全に洗浄する。マスクの表面に残っているどんな粒子でも、像をだめにし、またマスクに引っかき傷をつけるかもしれない。集積回路のクリティカルな寸法が小さくなるにつれて、像形性誤りの範囲が大きくなるので、浮遊粒子を無くすることの重要性は絶えず増している。特に精密なマスクに引っかき傷をつけることがないようにするために、非接触方法の洗浄が望ましい。現在の非接触洗浄の方法には、レーザ洗浄、バースト洗浄またはウェット超音波洗浄がある。しかし、これらの方法に関して、粒子に誘起される振動の性質のために、マスクを損傷する危険性がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
　本発明の目的は、マスクまたは他の物体の表面から粒子を除去して、マスクまたは他の物体を洗浄する新しい改良された方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
　この目的および他の目的は、本発明に従って、物体の表面から粒子を除去して物体の表面を洗浄する方法で達成され、この方法は、
　気密方法で封止することができるチャンバを実現するステップと、
　物体を、洗浄すべき表面が露出された状態で、前記のチャンバに配置するステップと、
　前記のチャンバを封止するステップと、
　前記のチャンバ内のガス圧力を低圧に下げるステップとを含み、このガス圧力が急速に下げられることを特徴とする。
【０００９】
　本発明者は、ガス圧力を大気圧から１０-2ミリバールに下げることで、有利な結果が達成されることを発見した。さらに、好ましくは、ガス圧力低下は５秒より短い間に行われるべきである。より大きなガス圧力差をつくるために、急速な圧力低下の前にガス圧力を上げることができる。
【００１０】
　急速にガス圧力を下げた後で、次に、好ましくはガス圧力を下げる前の元のガス圧力まで、ガス圧力を急速に（すなわち、圧力変化が５秒より短い間に起こる）上げることができる。特に完全な洗浄のためには、低圧力とより高い圧力の間で、ガス圧力を繰り返し循環させる。
【００１１】
　この洗浄方法は、粒子を除去する他の方法と共に使用することができる。例えば、電界を使用して、表面から粒子を引き寄せかつ取り去ることができる。これによって、粒子を除去する力が追加される。この力をさらに増すために、洗浄すべき物体の表面を帯電させる。代わるべきものとして、または追加的に、物体を振動させる。このことは、静止摩擦によって物体の表面に捕えられているかもしれない粒子を自由にするのに役立つ。同様に、洗浄すべき物体の表面に粒子で衝撃を与えることは、静止摩擦で捕えられている静止した汚染粒子を除去する助けとなる。不活性な性質および低価格のために、凝縮ＣＯ2はこの目的のために理想的であることが分かった。また、物体の温度を変えることも、結果として起こる材料の膨張または収縮のために、粒子を取り除くのを助けることができる。粒子を除去するこれらの追加的な方法は、チャンバの減圧中か減圧前かいずれかに行うことができる。
【００１２】
　粒子と洗浄すべき物体の表面の間の付着力を減少させるために、液体の層、好ましくは溶剤の層を、洗浄すべき物体の表面に付けることができる。
【００１３】
　本発明は、特にリソグラフィ・マスクの洗浄のために開発されたが、他の全ての敏感な表面に適用することができる。
【００１４】
　本発明のさらに他の態様に従って、物体の表面から粒子を除去するための装置が提供される。この装置は、
　気密方法で封止することができるドアの付いたチャンバと、
　封止チャンバのガス圧を下げるための手段とを備え、さらに、
　表面から粒子を引き寄せかつ除去するために電界を供給するための手段、
　洗浄すべき物体を振動させるための手段、
　洗浄すべき物体の表面を粒子で衝撃するための手段、および
　洗浄すべき物体の表面の液体の層を付けるための手段、のうちの少なくとも１つを備える。
【００１５】
　本発明のさらに他の態様に従って、冒頭のパラグラフで明示したようなリソグラフィ装置が提供され、この装置は、さらに
　気密方法で封止することができるドアの付いたチャンバと、
　封止されたチャンバのガス圧力を大気圧から１０-2ミリバールまで５秒より短い間に下げるための手段とを備え物体の表面から粒子を除去するデバイス、を備えることを特徴とする。
【００１６】
　したがって、本発明は、特にＥＵＶ放射を含んだリソグラフィに適用することができる。それは、このリソグラフィは誤りに特に敏感なリソグラフィ領域であるからである。
【実施例】
【００１７】
　この明細書で、ＩＣの製造における本発明に従った装置の使用を特に参照するかもしれないが、そのような装置には多くの他の可能な用途があることを明確に理解すべきである。例えば、集積光システム、磁気ドメイン・メモリ用の誘導検出パターン、液晶表示パネル、薄膜磁気ヘッド、その他の製造で使用することができる。当業者は理解するであろうが、そのような他の用途の背景で、この明細書における用語「レチクル」、「ウェーハ」、または「ダイ」の使用は全て、より一般的な用語である「マスク」、「基板」、および「目標部分」にそれぞれ置き換えられるものとして考えるべきである。
【００１８】
　この文献において、用語「放射」および「ビーム」は、紫外線放射（例えば、波長が３６５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍである）およびＥＵＶ（極端紫外線放射、例えば、波長が５〜２０ｎｍ範囲である）、並びに、イオン・ビームまたは電子ビームのような粒子ビームを含んだ、全ての種類の電磁放射を包含するように使用される。
【００１９】
　ここで、本発明の実施例は、単に例として、添付の模式化された図面を参照して説明する。
【００２０】
　図において、対応する参照符号は対応する部分を示す。
「実施例１」
【００２１】
　図１は本発明に従った装置を示し、チャンバ１０は、チャンバ１０の内部と外部の間に大きな圧力差ができるように気密方法で封止することができるドア１１を有する。パイプ１３がチャンバ１０の内部からポンプ手段１５に通じており、チャンバ内に物体テーブル１４がある。洗浄すべきマスクＭＡは、洗浄すべき表面２５が露出した状態で物体テーブル１４に固定されている。マスクＭＡは、例えば真空吸着手段で物体テーブル１４にしっかり固定しなければならない。いったんドア１１が封止されると、ポンプ手段がチャンバ１０の中のガス圧力を大気圧から１０-2ミリバールまで約１秒で下げる。ガス圧力を下げる時間は変化することができるが、５秒よりも長くてはいけない。本発明者は、実験を行って、この急速な減圧によってうまく粒子を取り除くことができることを明らかにした。減圧で粒子がどのように取り除かれるかは正確に知られていないが、考えられる方法は、チャンバ１０からガスが非常に急速に抽出されるとき、粒子２６の裏に捕えられているガスのポケット２７が、図２に示すように、粒子を取り除く。粒子２６を取り除く他の可能な力は、粒子２６にぶつかってその粒子を取り除くことができるガスの乱流である。粒子２６がいったん取り除かれると、粒子は、空気と一緒にチャンバ１０から抽出され、それから空気流から除去される。ガス圧力を下げた後で、次にガス圧力を上げて１秒で大気圧まで戻す。チャンバ内のガス圧力を急速に上げることでも、乱流が発生し、同様に空気のポケットで粒子を取り除くことができる。大気圧からより低い圧力まで圧力を下げ、そして大気圧まで戻すというサイクルを必要な回数繰り返すことができる。
【００２２】
　圧力は１０-2ミリバールまで下げる必要はないが、圧力降下が大きければ大きいほど、また速ければ速いほど、洗浄方法は効果的である。このように、圧力を１０-7ミリバールまで下げると、いっそう有利であろう。同様に、ガス圧力は１気圧から急速に下げる必要はない。例えば、チャンバ内のガス圧力を１０気圧または１００気圧（または、その間の任意の圧力）にも上げて、１０-2または１０-7ミリバール（または、その間の任意の圧力）へのより大きな急速な圧力降下を生成することができるかもしれない。
【００２３】
　粒子２６と洗浄すべきマスクの表面２５の間の付着力を小さくするために、チャンバ１０内のガスの成分を変えることができる。また、ガス混合物を最適化することを使用して、例えば異なる粘性によって粒子除去を改良し、また粒子除去の機会を増すことができる。
「実施例２」
【００２４】
　第２の実施例は、次の説明で述べる特徴を除いて、第１の実施例と同じである。
【００２５】
　図３に示すように、洗浄すべきマスクの表面２５に向き合って、チャンバ内に帯電可能板３２がある。この実施例で、物体テーブル１４は、金属で作られており、帯電することもできる。チャンバ１０の圧力の急速な低下と同時に、電圧源Ｖが帯電板３２および物体テーブル１４を１０Ｖから２０００Ｖに帯電させる。したがって、物体テーブル１４のマスクＭＡも帯電するようになる。マスクＭＡが帯電するとき、その上の粒子は帯電板３２の方に引き寄せられる。したがって、粒子２６を取り除く別の力がある。
「実施例３」
【００２６】
　第３の実施例は、次の説明で述べる特徴を除いて、第１の実施例と同じである。この実施例では、図４に示すように、物体テーブル１４は、チャンバ１０の減圧中に振動する。図４に（両方向の矢印で）示す振動は、マスクＭＡの面に直線的に平行であり、ほぼ１ｍｍである。振動の周波数は、５０Ｈｚから５００Ｈｚの間であることができる。粒子２６をマスクＭＡに付着させる力の１つは、静止摩擦である。物体テーブル１４（およびマスクＭＡも、なぜならば、マスクは物体テーブル１４にしっかり固定されているので）が振動中に方向を変えるとき、粒子の慣性で、結果として、粒子は元の方向に移動し続け、一方でその粒子の下でマスクＭＡが方向を変えるということになる。これは静止摩擦に打ち勝って、粒子２６を取り除く。
【００２７】
　直線振動の代わりに、マスクＭＡの面に平行な回転振動も使用されるかもしれない。１Ｈｚから５０００Ｈｚの周波数で、振動は約５°であるべきである。もしくは、マスクＭＡの面に垂直な直線振動が使用されるかもしれない。
「実施例４」
【００２８】
　第４の実施例は、次の説明で述べる特徴を除いて、第１の実施例と同じである。図５に示すこの実施例では、凝縮ＣＯ2が、チャンバ１０の外の容器４３に含まれている。チャンバ１０が減圧されると同時に、凝縮ＣＯ2は、一方向弁４５を通ってマスクＭＡに向けて発射される。凝縮ＣＯ2の粒子がマスクＭＡを衝撃するとき、この力で洗浄すべきマスクの表面２５から粒子２６が取り除かれる。凝縮ＣＯ2は気化し、減圧中にチャンバ１０から抽出される。この方法は、凝縮ＣＯ2の使用に限定されないで、粒子の形の任意の不活性液体または固体が使用されるかもしれない。
「実施例５」
【００２９】
　第５の実施例は、次の説明で述べる特徴を除いて、第１の実施例と同じである。図６に示すように、チャンバ１０の減圧前に、溶剤の薄い層５２が洗浄すべきマスクの表面２５に塗布される。溶剤は、粒子２６とマスクＭＡの間の付着力を減少させ、また粒子２６を溶かす。したがって、溶剤が、全ての粒子２６に近接し、かつ好ましくは粒子２６を完全に覆って粒子２６を溶かすかまたは浮遊させるのに十分な厚さであることを保証するように、溶剤の層５２は、洗浄すべき基板の全表面にわたって一様であるべきである。チャンバ内のガス圧力が下がり、ガスが抽出されるときに、溶解粒子または浮遊粒子と共に、溶剤は、チャンバ１０から抽出される。それから、この粒子をガスから除去することができる。粒子２６の溶解性を最適化するように、溶剤を変えることができる。
「実施例６」
【００３０】
　上で説明した装置は、個々の洗浄デバイスとして使用することができ、またはより大きなリソグラフィ装置の一部であることができる。図７は、前の実施例のいずれか１つで説明したデバイスが組み込まれるかもしれないリソグラフィ投影装置を模式的に示す。この装置は、
・　放射（例えば、ＥＵＶ放射）の投影ビームＰＢを供給するための放射システムＥｘ、ＩＬであって、この特定の場合には放射源ＬＡも備える放射システムＥｘ、ＩＬと、
・　マスクＭＡ（例えば、レチクル）を保持するためのマスク・ホルダを備え、かつ要素ＰＬに対してマスクを正確に位置決めするための第１の位置決め手段に接続された第１の物体テーブル（マスク・テーブル）ＭＴと、
・　基板Ｗ（例えば、レジスト被覆シリコン・ウェーハ）を保持するための基板ホルダを備え、かつ要素ＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段に接続された第２の物体テーブル（基板テーブル）ＷＴと、
・　マスクＭＡの放射照射部分の像を、基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つまたは複数のダイで構成される）に形成するための投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば、屈折型）とを備える。
ここに示すように、本装置は、反射型（すなわち、反射マスクを有する）である。しかし、一般に、本装置は、例えば、透過型（例えば、透過マスクを有する）であることもできる。もしくは、本装置は、上で言及したような種類のプログラム可能ミラー・アレイのような、他の種類のパターン形成手段を使用することができる。
【００３１】
　放射源ＬＡ（例えば、レーザ生成プラズマ源または放電プラズマ源）は、放射のビームを生成する。このビームは、直接か、または、例えばビーム拡大器Ｅｘのようなコンディショニング手段を通り抜けた後かいずれかで、照明システム（照明装置）ＩＬに送られる。照明装置ＩＬは、ビーム内の強度分布の外側半径範囲および／または内側半径範囲（通常、それぞれ、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を設定するための調整手段ＡＭを備えることができる。さらに、照明装置は、一般に、積分器ＩＮおよび集光器ＣＯのような様々な他の部品を備える。このようにして、マスクＭＡに当っているビームＰＢは、その断面内に所望の一様性強度分布を持つ。
【００３２】
　図１に関して留意すべきことであるが、放射源ＬＡは、リソグラフィ投影装置のハウジング内にあることができるが（放射源ＬＡが例えば水銀ランプの場合、そうであることが多い）、また、放射源ＬＡがリソグラフィ投影装置から遠く離れており、それの生成する放射ビームを装置の中に導くことができる（例えば、適切な方向付けミラーを使用して）。この後者のシナリオは、放射源ＬＡがエキシマ・レーザである場合に多い。本発明および特許請求の範囲は、これらのシナリオの両方を含む。
【００３３】
　ビームＰＢは、その後、マスク・テーブルＭＴに保持されているマスクＭＡと交差する。マスクＭＡで選択的に反射されたビームＰＢは、レンズＰＬを通り抜ける。このレンズＰＬは、ビームＰＢを基板Ｗの目標部分Ｃに集束させる。第２の位置決め手段（および干渉測定手段ＩＦ）を使って、例えば、ビームＰＢの経路内に異なった目標部分Ｃを位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決め手段を使用して、例えば、マスク・ライブラリからマスクＭＡを機械的に取り出した後で、または走査中に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、物体テーブルＭＴ、ＷＴの移動は、長行程モジュール（粗い位置決め）と短行程モジュール（精密位置決め）を使って行われる。これらのモジュールは、図１に明示的に示さない。しかし、ウェーハ・ステッパ（走査ステップ式装置に対して）の場合は、マスク・テーブルＭＴは、短行程用アクチュエータに接続するだけでよく、または、固定してもよい。
【００３４】
　図示の装置は、次の２つの異なるモードで使用することができる。
１．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴは基本的に静止したままであり、全マスク像が一括して（すなわち、単一「フラッシュ」で）目標部分Ｃに投影される。次に、異なる目標部分ＣがビームＰＢで照射されるように、基板テーブルＷＴがｘおよび／またはｙ方向に移動される。
２．走査モードでは、基本的に同じシナリオが当てはまるが、ただ、特定の目標部分Ｃが単一「フラッシュ」で露光されないことが異なる。代わりに、マスク・テーブルＭＴが、特定の方向（いわゆる「走査方向」、例えば、ｙ方向）に速度ｖで移動可能であり、その結果、投影ビームＰＢはマスク像全体を走査することができるようになる。これと並行して、基板テーブルＷＴが、速度Ｖ＝Ｍｖで、同じ方向または反対方向に同時に移動する。ここで、ＭはレンズＰＬの拡大率である（一般に、Ｍ＝１／４または１／５）。このようにして、分解能で妥協する必要なく、比較的大きな目標部分Ｃを露光することができる。
【００３５】
　本発明の特定の実施例を上で説明したが、本発明は説明したようなものと違った別の方法で実施することができる。この説明は、本発明を制限するように意図されていない。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の第１の実施例に従った洗浄装置を示す図である。
【図２】粒子を取り除く方法を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施例に従った静電引き付け手段を有する洗浄装置を示す図である。
【図４】本発明の第３の実施例に従った振動する物体テーブルを有する洗浄装置を示す図である。
【図５】本発明の第４の実施例に従った、マスクが凝縮ＣＯ2で衝撃される洗浄装置を示す図である。
【図６】溶剤の層の付いたマスクの断面を示す図である。
【図７】本発明の実施例に従ったリソグラフィ投影装置を示す図である。
【符号の説明】
【００３７】
　１０　チャンバ
　１１　ドア
　１４　物体テーブル
　１５　ポンプ手段
　２５　洗浄すべき表面
　２６　粒子
　２７　ガスのポケット
　３２　帯電可能板
　４３　凝縮ＣＯ2の容器
　５２　溶剤の薄い層
　ＬＡ　放射源
　Ｅｘ、ＩＬ　放射システム
　ＰＬ　投影システム
　ＭＡ　マスク（レチクル）
　ＭＴ　第１の物体テーブル（マスク・テーブル）
　Ｃ　目標部分
　ＰＢ　投影ビーム
　Ｗ　基板（ウェーハ）
　ＷＴ　第２の物体テーブル（基板テーブル）
【図１】
2004102293.tif 000003
【図２】
2004102293.tif 000004
【図３】
2004102293.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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