(57)【要約】【課題】高ＮＡのフィゾーレンズをｐ偏光に対して高精度にキャッツアイ測定することが可能な測定装置、フィゾー干渉計、露光装置及びデバイス製造方法を提供する。【解決手段】直線偏光した光束を被測定対象に入射させる被測定対象側の開口数が０．８以上のフィゾー干渉計の光学系に固有の誤差であるシステムエラーを、フィゾーレンズの焦点位置に曲率中心が一致するように配置した球面を光軸に関して０°及び１８０°回転した位置で測定した波面と、前記フィゾーレンズの焦点位置に反射基板を配置したキャッツアイ測定で得られた波面に基づいて測定する測定装置であって、前記反射基板の屈折率は１．８以上であることを特徴とする装置を提供する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定対象側の開口数が０．８以上のフィゾー干渉計の光学系に固有の誤差であるシステムエラーを、フィゾーレンズの焦点位置に曲率中心が一致するように配置した球面を光軸に関して０°及び１８０°回転した位置で測定した波面と、前記フィゾーレンズの焦点位置に反射基板を配置したキャッツアイ測定で得られた波面に基づいて測定する測定装置であって、
前記反射基板の屈折率は１．８以上であることを特徴とする装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般には、干渉計に係り、特に、波面測定干渉計に関する。本発明は、例えば、投影露光装置の投影光学系の投影レンズの透過波面を測定するフィゾー干渉計のシステムエラーを測定する装置に好適である。また、本発明は、かかる干渉計によって測定されたレンズを有する露光装置にも関する。
【０００２】
【従来の技術】
フォトリソグラフィー技術を用いてデバイスを製造する際に、マスクに描画された回路パターンを投影光学系によってウェハに投影して回路パターンを転写する投影光学装置が従来から使用されている。近年の電子機器の小型化及び薄型化への要請を実現するためには、電子機器に搭載されるデバイスを高集積化する必要があり、転写される回路パターンの微細化、即ち、高解像度化がますます要求されている。高解像力を得るためには、光源の波長を短くすること、及び、投影光学系の開口数（ＮＡ）を上げることが有効であるが、同時に投影光学系の収差を極めて小さく抑えなくてはならない。
【０００３】
投影光学系の高ＮＡの投影レンズの透過波面等を高精度に測定する装置として従来からフィゾー干渉計が利用されている。干渉計により波面測定を行う場合、参照面を基準として被検波面の位相を算出するため、干渉計の測定精度は参照面の面精度を超えることはできない。市販されている高精度な干渉計といわれるものでも参照面の面精度はせいぜいλ／１０〜λ／２０（λ＝６３２．８ｎｍ）であり、これ以上の測定精度は一度の波面測定では達成できない。このため、参照面の面誤差など干渉計光学系固有の誤差（以下、「システムエラー」という。）を別手段により計測して、測定波面データから減算して被検波面成分のみを抽出する方法が従来から採用されている。
【０００４】
かかるシステムエラーの測定方法としては、図３（ａ）乃至図３（ｃ）に示すように、０°、１８０°、キャッツアイ（Ｃａｔ’ｓ  Ｅｙｅ：ＣＥ）の三種類の測定からシステムエラー成分を分離演算して算出する方法が知られている（例えば、非特許文献１）。
【非特許文献１】
オプティカル・ショップ・テスティング、第２版、ワイレー、ｐｐ．５７７−５８０、ダニエル・マラカラ、米国、１９９２年
【０００５】
【数１】
2004271305.tif 000003
【０００６】
【数２】
2004271305.tif 000004
【０００７】
【数３】
2004271305.tif 000005
【０００８】
ここで、ＷαＲは参照アーム波面誤差、ＷαＴは測定アーム波面誤差、ＷαＳは球面ミラー形状誤差、αは波面の向き（０°又は１８０°）である。数式１乃至３より、以下の数式４及び５が導かれる。
【０００９】
【数４】
2004271305.tif 000006
【００１０】
【数５】
2004271305.tif 000007
【００１１】
ここで、ＷＳは球面ミラーの面誤差による波面収差成分、ＷＩは参照面を含む干渉計の波面収差成分である。被測定対象に対して要求される測定精度が厳しくなるにつれて、システムエラーをより高精度に測定することが必要になってきた。
【００１２】
干渉計により波面を計測する場合、被測定対象によっては直線偏光した光束に対する波面誤差や、無偏光に対する波面誤差を評価量として計測する必要が生じる場合がある。そのような場合には干渉計の光源として直線偏光した光源を使用して被測定対象に直線偏光の光束を入射させる。また無偏光に対する波面誤差を計測する場合には、直交する２方向の直線偏光における波面誤差を計測し、それらを平均する方法をとる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
近年の投影レンズのＮＡは０．８以上と高くなる傾向にあるため、透過波面を計測する被検レンズに所望のＮＡの光束を入射させる干渉計側のフィゾーレンズのＮＡもそれ以上に高くする必要がある。しかし、高ＮＡレンズ透過波面計測に使用する光源は直線偏光である場合が多いため、従来法を利用して高ＮＡフィゾーレンズのキャッツアイ測定をする場合、図４に示すように光源の偏光方向と反射面が同一面内となるｐ偏光では、頂点反射する（例えば、石英製の）基板への入射角θ、即ち、ＮＡ（ｓｉｎθ）が大きくなるに従って反射率が低下し、反射角がブリュースター角（ｔａｎ−１（ｎ２／ｎ１）、但し、ｎ２は基板の屈折率、ｎ１は入射側の屈折率）と一致する角度で反射率が０となってしまう。この結果、頂点反射測定では、この領域（図４（ａ）の点線○印の領域）の基板面反射光が干渉計へ戻らないため干渉縞のコントラストが低下、もしくは干渉縞自体が消滅してしまい、頂点反射の波面測定精度が著しく低下するため、高ＮＡな干渉計のシステムエラーを高精度に測定することが困難になる。
【００１４】
そこで、本発明は、高ＮＡのフィゾーレンズをｐ偏光に対して高精度にキャッツアイ測定することが可能な測定装置、フィゾー干渉計、露光装置及びデバイス製造方法を提供することを例示的な目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の一側面としての測定装置は、  被測定対象側の開口数が０．８以上のフィゾー干渉計の光学系に固有の誤差であるシステムエラーを、フィゾーレンズの焦点位置に曲率中心が一致するように配置した球面を光軸に関して０°及び１８０°回転した位置で測定した波面と、前記フィゾーレンズの焦点位置に反射基板を配置したキャッツアイ測定で得られた波面に基づいて測定する測定装置であって、前記反射基板の屈折率が１．８以上であることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して説明する。図１に高ＮＡレンズの透過波面を測定するためのフィゾー干渉計を示す。被検レンズである高ＮＡレンズのＮＡは近年では０．８を超える傾向にあり、被検レンズ１５にこのＮＡの波面を入射させるフィゾーレンズ１４は被検レンズ１５以上のＮＡ例えば０．９程度が高精度な測定のためには必要となる。また光路長が長い被検レンズの透過波面をフィゾー干渉計で測定する場合には、光源１１にはコヒーレンスの長いものが必要である。しかし一般にこのようにコヒーレンスの長い光源は直線偏光で発振しているため、前記のような高ＮＡ干渉計の光源として使用する場合、システムエラーＣＥ測定において上述した問題が生じる。図５は頂点反射用の基板として光源波長に対しての屈折率が１．５０８程度の硝材を使用した場合のＮＡ対ｐ偏光強度反射率のグラフである。図に示すようにＮＡ０．８３付近で反射率が０となるブリュースター角に達する。この時ＮＡ０．８の領域では強度反射率が０．１％まで低下し、頂点反射測定の干渉縞コントラストが低下してしまうため、波面の測定精度が著しく悪化もしくは測定自体が不可能になってしまう。そこで頂点反射用基板の屈折率として、少なくとも数式６を満たすような硝材を選択する。
【００１７】
【数６】
2004271305.tif 000008
【００１８】
数式６でＮＡはブリュースター角となる開口数である。数式６を満たすように頂点反射用基板の屈折率を選ぶことで、干渉計の開口数以下でブリュースター角となることを避けることが可能となる。
【００１９】
更に、本実施形態では所望の開口数で波面測定可能な反射率を得るために、反射基板の屈折率ｎｔｈを式数式７を満たすように選択する。
【００２０】
【数７】
2004271305.tif 000009
【００２１】
ｒ０  ：  ｐ偏光の基板における振幅反射率
ＮＡ：  入射光束のＮＡ
例えば頂点反射測定時の反射基板として、干渉計光源の波長に対して屈折率が１．８４７程度のサファイヤ基板を使用する。図６は屈折率が１．８４７のサファイヤ基板を使用した場合のＮＡ対ｐ偏光反射率のグラフである。この場合図に示すとおり反射率が０となるブリュースター角をＮＡ０．８８近くまで大きくすることができ、またＮＡ０．８では１．１％の反射率となるので、十分測定可能な干渉縞コントラストが得られ、頂点反射測定を高精度に行うことが可能となる。その結果干渉計のシステムエラー測定も高精度に行うことが可能となり、被検レンズ透過波面の計測絶対精度が向上することになる。本実施例では頂点反射に使用する基板の例としてサファイヤガラスを選択し屈折率を１．８４７としたが、数式７から分かる通りこれは干渉計システムエラーのＮＡをどこまで保証するか、また反射率がどの程度必要かにより許容の最小値は当然違ってくる。しかし屈折率は高ければ高いほど本発明の効果は顕著になる。
【００２２】
高ＮＡな被検レンズの例としては半導体露光装置の投影レンズなどが挙げられる。投影レンズの使用光源としてはＫｒＦエキシマレーザ、波長２４８ｎｍやＡｒＦエキシマレーザ、波長１９３ｎｍなどが挙げられ、これら波長の光源を使用した高開口数フィゾー干渉計のシステムエラー測定に上述した方法が利用できる。例えばサファイヤガラスは波長２４８ｎｍでの屈折率が１．８４７であるのでＮＡ０．８以上まで干渉計のシステムエラーを高精度に測定できる。
【００２３】
本発明の第２の実施形態を第２図に示す。図２は面形状測定用のフィゾー干渉計であり、光源２１は直線偏光を発振する可視のレーザーである。この干渉計において被検面２５としてＲナンバー（面の曲率半径／面の直径）の小さい凹面、例えばＲナンバーが０．６２５程度（ＮＡに換算すると０．８）の面を測定する場合、フィゾーレンズ２４のＮＡは０．８以上が必要となる。面形状測定の場合でも面形状の絶対精度を保証するためには、干渉計のシステムエラーを高精度に測定することが必須となる。そこでシステムエラーＣＥ測定の頂点反射に使用する基板として、干渉計の光源波長に対して数式７を満たす高屈折率な硝材を使用すれば、ＮＡ０．８のシステムエラーを高精度に計測することが可能となる。図７は干渉計の使用波長に対して屈折率が１．９程度のＳ−ＬＡＨ５８（ＯＨＡＲＡ）硝材を使用した場合のＮＡ対ｐ偏光反射率を示したグラフである。図に示す通り反射率が０となるブリュースター角をＮＡ０．８８まで大きくすることができ、ＮＡ０．８では１．３％の反射率があり、十分測定可能な干渉縞コントラストが得られ、頂点反射測定を高精度に行うことが可能となる。その結果干渉計のシステムエラー測定も高精度に行うことが可能となり、被検面の面形状計測絶対精度が向上することになる。
【００２４】
以下、図８を参照して、本発明の測定装置によって測定されたレンズやミラーを投影光学系に有する露光装置１００について説明する。ここで、図８は、本発明の例示的な露光装置１００の概略ブロック図である。露光装置１００は、図８に示すように、回路パターンが形成されたマスク１２０を照明する照明装置１１０と、照明されたマスクパターンから生じる回折光をプレート１４０に投影する投影光学系１３０と、プレート１４０を支持するステージ１４５とを有する。
【００２５】
露光装置１００は、例えば、ステップアンドスキャン方式やステップアンドリピート方式でマスク１２０に形成された回路パターンをプレート１４０に露光する投影露光装置である。かかる露光装置は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィー工程に好適であり、以下、本実施形態ではステップアンドスキャン方式（「スキャナー」とも呼ばれる。）を例に説明する。ここで、「ステップアンドスキャン方式」は、マスクに対してウェハを連続的にスキャン（走査）してマスクパターンをウェハに露光すると共に、１ショットの露光終了後ウェハをステップ移動して、次の露光領域に移動する露光方法である。「ステップアンドリピート方式」は、ウェハの一括露光ごとにウェハをステップ移動して次のショットの露光領域に移動する露光方法である。
【００２６】
照明装置１１０は、転写用の回路パターンが形成されたマスク１２０を照明し、光源部１１２と、照明光学系１１４とを有する。
【００２７】
光源部１１２は、例えば、光源としては、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー、波長約１５７ｎｍのＦ２エキシマレーザーなどを使用することができるが、光源の種類はエキシマレーザーに限定されず、例えば、ＹＡＧレーザーを使用してもよいし、その光源の個数も限定されない。また、ＥＵＶ光源等を用いてもよい。また、光源部１１２に使用可能な光源はレーザーに限定されるものではなく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプなどのランプも使用可能である。
【００２８】
照明光学系１１４は、マスク１２０を照明する光学系であり、レンズ、ミラー、ライトインテグレーター、絞り等を含む。例えば、コンデンサーレンズ、ハエの目レンズ、開口絞り、コンデンサーレンズ、スリット、結像光学系の順で整列する等である。照明光学系１１４は、軸上光、軸外光を問わずに使用することができる。ライトインテグレーターは、ハエの目レンズや２組のシリンドリカルレンズアレイ（又はレンチキュラーレンズ）板を重ねることによって構成されるインテグレーター等を含むが、光学ロッドや回折素子に置換される場合もある。
【００２９】
マスク１２０は、例えば、石英製で、その上には転写されるべき回路パターン（又は像）が形成され、図示しないマスクステージに支持及び駆動される。マスク１２０から発せられた回折光は、投影光学系１３０を通りプレート１４０上に投影される。マスク１２０とプレート１４０は、光学的に共役の関係にある。本実施形態の露光装置１００はスキャナーであるため、マスク１２０とプレート１４０を縮小倍率比の速度比でスキャンすることによりマスク１２０のパターンをプレート１４０上に転写する。なお、ステップアンドリピート方式の露光装置（「ステッパー」とも呼ばれる。）の場合は、マスク１２０とプレート２４０を静止させた状態で露光が行われる。
【００３０】
投影光学系１３０は、複数のレンズ素子のみからなる光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡とを有する光学系（カタディオプトリック光学系）、複数のレンズ素子と少なくとも一枚のキノフォームなどの回折光学素子とを有する光学系、全ミラー型の光学系等を使用することができる。色収差の補正が必要な場合には、互いに分散値（アッベ値）の異なるガラス材からなる複数のレンズ素子を使用したり、回折光学素子をレンズ素子と逆方向の分散が生じるように構成したりする。かかる投影光学系１３０の投影レンズやミラーに図１又は図２の干渉計によって測定されたものを使用することができる。これにより、投影光学系１３０は、高ＮＡと少ない収差を有し、所望の光学性能を達成することができる。
【００３１】
プレート１４０は、ウェハや液晶基板などの被処理体でありフォトレジストが塗布されている。フォトレジスト塗布工程は、前処理と、密着性向上剤塗布処理と、フォトレジスト塗布処理と、プリベーク処理とを含む。前処理は、洗浄、乾燥などを含む。密着性向上剤塗布処理は、フォトレジストと下地との密着性を高めるための表面改質（即ち、界面活性剤塗布による疎水性化）処理であり、ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ−ｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）などの有機膜をコート又は蒸気処理する。プリベークは、ベーキング（焼成）工程であるが現像後のそれよりもソフトであり、溶剤を除去する。
【００３２】
ステージ１４５は、プレート１４０を支持する。ステージ１４５は、当業界で周知のいかなる構成をも適用することができるので、ここでは詳しい構造及び動作の説明は省略する。例えば、ステージ１４５は、リニアモーターを利用してＸＹ方向にプレートを移動することができる。マスク１２０とプレート１４０は、例えば、同期走査され、ステージ１４５と図示しないマスクステージの位置は、例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。ステージ１４５は、例えば、ダンパを介して床等の上に支持されるステージ定盤上に設けられ、マスクステージ及び投影光学系１３０は、例えば、床等に載置されたベースフレーム上にダンパ等を介して支持される図示しない鏡筒定盤上に設けられる。
【００３３】
露光において、光源部１１２から発せられた光束は、照明光学系１１４によりマスク１２０を、例えば、ケーラー照明する。マスク１２０を通過してマスクパターンを反映する光は、投影光学系１３０によりプレート１４０に結像される。露光装置１００が使用する投影光学系１３０は収差を抑えることができるので、高いスループットで経済性よく従来よりも高品位なデバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供することができる。
【００３４】
次に、図９及び図１０を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図９は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ４（ウェハプロセス）は前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００３５】
図１０は、図９に示すステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置１によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態のデバイス製造方法によれば、収差の少ない投影レンズを使用して従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、かかる露光装置を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面として機能するものである。
【００３６】
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されずその要旨の範囲内で様々な変形や変更が可能である。
【００３７】
以上、本発明の上述した幾つかの実施形態によれば、従来よりも大きな開口数の干渉計のシステムエラーを高精度に測定可能となり、高開口数レンズの透過波面やＲナンバーの小さい面形状の測定絶対精度を向上させることが可能になる。
【００３８】
本出願は更に以下の事項を開示する。
【００３９】
（実施態様１）  被測定対象側の開口数が０．８以上のフィゾー干渉計の光学系に固有の誤差であるシステムエラーを、フィゾーレンズの焦点位置に曲率中心が一致するように配置した球面を光軸に関して０°及び１８０°回転した位置で測定した波面と、前記フィゾーレンズの焦点位置に反射基板を配置したキャッツアイ測定で得られた波面に基づいて測定する測定装置であって、
前記反射基板の屈折率は１．８以上であることを特徴とする装置。
【００４０】
（実施態様２）  被測定対象側の開口数ＮＡが０．８以上のフィゾー干渉計の光学系に固有の誤差であるシステムエラーを、フィゾーレンズの焦点位置に曲率中心が一致するように配置した球面を光軸に関して０°及び１８０°回転した位置で測定した波面と、前記フィゾーレンズの焦点位置に反射基板を配置したキャッツアイ測定で得られた波面に基づいて測定する測定装置であって、
前記反射基板の屈折率は以下の式を満足することを特徴とする装置。
【００４１】
【数８】
2004271305.tif 000010
【００４２】
（実施態様３）  前記被測定対象は投影露光装置用の投影レンズであり、当該投影レンズは開口数０．８以上であることを特徴とする装置。
【００４３】
（実施態様４）  前記被測定対象はミラーであり、当該ミラーは開口数０．８以上の面形状を有することを特徴とする装置。
【００４４】
（実施態様５）  実施態様３記載の投影レンズ又は実施態様４記載のミラーを投影光学系に有することを特徴とする露光装置。
【００４５】
（実施態様６）  実施態様５記載の露光装置を用いて被処理体を投影露光するステップと、
投影露光された前記被処理体に所定のプロセスを行うステップとを有するデバイス製造方法。
【００４６】
（実施態様７）  前記直線偏光を発する光源が可視のレーザーであり、かつ前記反射基板の光源波長に対する屈折率が１．８３以上であることを特徴とする実施態様１又は２記載の測定装置
（実施態様８）  被測定対象の波面を測定するフィゾー干渉計であって、
被測定対象側の開口数が０．８以上のフィゾーレンズを含む光学系と、
当該光学系に固有の誤差であるシステムエラーを測定する測定部とを有し、
当該測定部は、前記フィゾーレンズの焦点位置に曲率中心が一致するように配置した球面を光軸に関して０°及び１８０°回転した位置で測定した波面と、前記フィゾーレンズの焦点位置に反射基板を配置したキャッツアイ測定で得られた波面に基づいて前記システムエラーを測定し、前記反射基板の屈折率は１．８以上であることを特徴とするフィゾー干渉計。
【００４７】
（実施態様９）  被測定対象の波面を測定するフィゾー干渉計であって、
被測定対象側の開口数が０．８以上のフィゾーレンズを含む光学系と、
当該光学系に固有の誤差であるシステムエラーを測定する測定部とを有し、
当該測定部は、前記フィゾーレンズの焦点位置に曲率中心が一致するように配置した球面を光軸に関して０°及び１８０°回転した位置で測定した波面と、前記フィゾーレンズの焦点位置に反射基板を配置したキャッツアイ測定で得られた波面に基づいて前記システムエラーを測定し、前記反射基板の屈折率は以下の式を満足することを特徴とするフィゾー干渉計。
【００４８】
【数９】
2004271305.tif 000011
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、高ＮＡのフィゾーレンズをｐ偏光に対して高精度にキャッツアイ測定することが可能な測定装置、フィゾー干渉計、露光装置及びデバイス製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る透過波面測定用のフィゾー干渉計の光路図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る面形状測定用のフィゾー干渉計の光路図である。
【図３】従来の干渉計システムエラー測定方法を説明する光路図である。
【図４】図３に示す干渉計の問題点を説明するための、フィゾーレンズ瞳面での偏光方向を示す断面図及び側面図である。
【図５】キャッツアイ測定に使用する反射基板の屈折率を１．５０８とした場合の、ＮＡ対ｐ偏光強度反射率を示したグラフである。
【図６】キャッツアイ測定に使用する反射基板の屈折率を１．８４７とした場合の、ＮＡ対ｐ偏光強度反射率を示したグラフである。
【図７】キャッツアイ測定に使用する反射基板の屈折率を１．９０とした場合の、ＮＡ対ｐ偏光強度反射率を示したグラフである。
【図８】本発明の露光装置の概略ブロック図である。
【図９】本発明の露光装置を有するデバイス製造方法を説明するためのフォローチャートである。
【図１０】図９に示すステップ４の詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
１１                光源
１２                ビームエキスパンダー
１３                ビームスプリッター
１４                フィゾーレンズ
１５                被検レンズ
１６                球面ミラー
１７                結像レンズ
１８                カメラ
２１                光源
２２                ビームエキスパンダー
２３                ビームスプリッター
２４                フィゾーレンズ
２５                被検面
２６                結像レンズ
２７                カメラ
３１                集光レンズ
３２                球面ミラー
３３                頂点反射用基板
【図１】
2004271305.tif 000012
【図２】
2004271305.tif 000013
【図３】
2004271305.tif 000014
【図４】
2004271305.tif 000015
【図５】
2004271305.tif 000016
【図６】
2004271305.tif 000017
【図７】
2004271305.tif 000018
【図８】
2004271305.tif 000019
【図９】
2004271305.tif 000020
【図１０】
2004271305.tif 000021