(57)【要約】　　　（修正有）【課題】フェライトなどの磁束伝達体を備えた粒子光学装置において、磁束伝達体における温度変化が荷電粒子ビームに及ぼす影響を減じる。比較的良好な結像特性を達成する電子顕微鏡システムまたはリソグラフィーシステムを提供する。【解決手段】荷電粒子を操作するための磁界を供給する粒子光学装置２は、高透磁率を有する材料からなる磁束伝達体４５と、磁束伝達体４５の周囲で少なくとも部分的に係合する電流コンダクタ４７を含む。温度調整部４９は、磁束伝達体４５の温度を、次の数式を満たす温度範囲内の略公称温度に調整する。（μｍａｘ−μｍｉｎ）／（μｍａｘ・ΔＴ）＝ｃ　とすると、　ｃ＜３・１０−３Ｋ−１　但し、ΔＴは温度範囲の幅、μｍａｘは透磁率の最大値、μｍｉｎは透磁率の最小値。【選択図】　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
　荷電粒子ビーム（１４）の荷電粒子を操作するための磁界を供給する粒子光学装置（２５、２７）を備えた粒子光学システムであって、前記装置は、
　高透磁率を有する材料からなる磁束伝達体（４５）と、
　前記磁束伝達体（４５）の周囲で少なくとも部分的に係合する少なくとも１つの電流コンダクタ（４７）と、
　前記磁束伝達体（４５）の温度を略公称温度に調整するように構成された温度調整部（４９）とを含み、
　前記材料の透磁率は温度に依存し、前記公称温度は以下となるような温度範囲内にある、すなわち、
2004134382.tif 000004
　とすると、ｃ＜３・１０-3Ｋ-1、
　但し、
　μmaxは前記温度範囲における前記透磁率の最大値、
　μminは前記温度範囲における前記透磁率の最小値、
　ΔＴは前記温度範囲の幅、
　を満たす粒子光学システム。
【請求項２】
　ｃ＜９・１０-4Ｋ-1、好ましくはｃ＜３・１０-4Ｋ-1、より好ましくはｃ＜９・１０-5Ｋ-1、より一層好ましくはｃ＜３・１０-5Ｋ-1となる請求項１に記載の粒子光学システム。
【請求項３】
　ｃ＜９・１０-6Ｋ-1、好ましくはｃ＜３・１０-6Ｋ-1、そして、より一層好ましくはｃ＜１・１０-6Ｋ-1となる請求項１または２のいずれか１つに記載の粒子光学システム。
【請求項４】
　前記材料の温度依存性は、前記温度範囲において極値を示す請求項１から３のいずれか１つに記載の粒子光学システム。
【請求項５】
　前記公称温度は略、前記温度依存性が前記極値を示すような温度である請求項４に記載の粒子光学システム。
【請求項６】
　前記温度調整部（４９）は、前記磁束伝達体（４５）の温度を検出するための温度センサー（６５）を含む請求項１から５のいずれか１つに記載の粒子光学システム。
【請求項７】
　前記材料は、軟磁性体材料、特にフェライト材料である請求項１から６のいずれか１つに記載の粒子光学システム。
【請求項８】
　前記材料の透磁率は、５，０００より高く、好ましくは８，０００より高く、そしてより好ましくは１０，０００より高い請求項１から７のいずれか１つに記載の粒子光学システム。
【請求項９】
　前記システムは、少なくとも１つの書込み荷電粒子ビーム（３３ａ）を用いてパターンを粒子感度基板（５ａ）上に転写するためのリソグラフィーシステムである請求項１から８のいずれか１つに記載の粒子光学システム。
【請求項１０】
　前記システムは、物体（５）を検査するための顕微鏡システムである請求項１から８のいずれか１つに記載の粒子光学システム。
【請求項１１】
　高透磁率（μ）を有する材料からなる磁束伝達体（４５）、及び前記磁束伝達体（４５）の周囲で少なくとも部分的に係合する少なくとも１つの電流コンダクタを備えた磁界生成装置（２５）を設けることと、
　前記磁束伝達体（４５）を操作温度で操作することからなり、
　磁界を用いて荷電粒子ビーム（１４）の荷電粒子を操作する方法であって、
　前記材料の透磁率は温度に依存し、前記材料及び前記操作温度は、前記操作温度が、以下となるような温度範囲内にある、すなわち、
2004134382.tif 000005
　とすると、ｃ＜３・１０-3Ｋ-1、
　但し、
　μmaxは前記温度範囲における前記透磁率の最大値、
　μminは前記温度範囲における前記透磁率の最小値、
　ΔＴは前記温度範囲の幅、を満たすように選ばれる方法。
【請求項１２】
　ｃ＜９・１０-4Ｋ-1、好ましくはｃ＜３・１０-4Ｋ-1、より好ましくはｃ＜９・１０-5Ｋ-1、そして、より一層好ましくはｃ＜３・１０-5Ｋ-1となる請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
　前記材料の温度依存性は、前記温度範囲において少なくとも１つの極値を有する請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
　前記操作温度は略、前記温度依存性が極値を示すような温度である請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
　前記材料の透磁率は、５，０００より高く、好ましくは８，０００より高く、そしてより好ましくは１０，０００より高い請求項１１から１４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１６】
　前記磁界生成装置（２５）は、クレーム１〜１０のいずれか1つに記載の粒子光学システムによって実現される請求項１１から１５のいずれか１つに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、荷電粒子ビームを操作するための粒子光学装置、そのような粒子光学装置を操作するための方法、顕微鏡システム及びリソグラフィーシステムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
　粒子光学装置は、操作対象ビームが横切る磁界を供給する。この操作にはビームの集束、偏向、変換などが含まれてもよい。
【０００３】
　荷電粒子ビームに対する集束、偏向または変換作用を有する磁界構成については従来技術から公知である。
【０００４】
　例えば、ビーム偏向器は、リソグラフィーシステムにおける使用が米国登録特許第６，１８８，０７１号から公知である。ここで、装置を横切るビームは、リソグラフィーシステムの書込みビームとして用いられる電子ビームである。そのため、それを用いて実施されるリソグラフィー法の解像度は、装置において行われる書込みビームの偏向または／及び集束の精度によっても決まる。装置は、電流コンダクタ巻線によって生成される磁界を伝達するためのフェライト体を含む。フェライト材料はその透磁性が温度に依存するというのがその特性である。そのため、フェライト体の温度が変化すれば、その磁気特性も変化するであろう。従って、装置を横切る書込みビームに対して及ぼされる装置の作用が温度変動とともに変化するであろう。米国登録特許第６，１８８，０７１号によると、リソグラフィープロセスの特質に対する温度の影響を低減することを目的として、フェライト体の温度を安定させるために温度制御器が設けられている。同文献においてまた、温度調節は、特定の環境下においては、非常に時間がかかり過ぎて、フェライト体における温度変化を充分に抑制することが出来ない可能性があることが確認されている。このため、従来の装置は、低い誘導率（ｉｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ）を有する付加的な補正コイルを備え、それにより、温度制御によっては完全に抑制されない、フェライト材料の透磁性が有する温度依存性のビームに対する影響を能動的に補償している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　フェライト材料に対する温度の影響を抑制することは容易ではないことが分かっている。そこで、本発明は、フェライトなどの磁束伝達体を備えた粒子光学装置であって、前記磁束伝達体における温度変化が、前記装置によって操作される荷電粒子ビームに及ぼす影響が少ない粒子光学装置を提供することを目的とする。更に本発明は、そのような装置を操作するための方法を提供することを目的とする。本発明の更なる目的は、比較的良好な結像特性を達成することが出来る電子顕微鏡システム及び／またはリソグラフィーシステムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
　本発明は、高透磁率材料からなる磁束伝達体と、前記磁束伝達体の周囲で少なくとも部分的に係合する少なくとも１つの電流コンダクタと、前記磁束伝達体の温度を略公称または目標温度に調整するための温度調整部とを含み、荷電粒子ビームを操作するための磁界を供給する粒子光学装置から出発している。
【０００７】
　本発明は、磁束伝達体の透磁率は常に温度に依存するという事実を考慮したものである。磁束伝達体における温度変化がビーム操作に及ぼす影響を低減することを目的とし、それに応じて、温度調整部が、磁束伝達体を略公称または目標温度に安定させるために設けられている。ここでも、本発明は、そのような温度調整部は、フィードバック制御器を備えていてもいなくても、磁束伝達体における温度変動を完全に防止することは出来ないであろうという事実を更に考慮している。この点において、本発明の根拠となる概念は、すなわち、磁束伝達体材料の透磁率の温度に依存する変化が比較的小さくなるような温度範囲にあるように、磁束伝達体の公称または目標温度を選択することにある。
【０００８】
　温度変化がそのような範囲で起こった場合、その温度変化の透磁率に対する影響は、このように比較的小さく、その結果として、粒子光学装置が粒子光学装置を横切るビームに及ぼす作用に対する影響が比較的小さい。
【０００９】
　透磁率の変化が比較的小さくなるような温度範囲は、透磁率の温度に対する依存性を表すグラフが比較的平坦な勾配を示すような範囲である。従って、そのような範囲は以下の式によって特徴づけることが出来る。
【００１０】
2004134382.tif 000003
　　但しｃ＜３・１０-3Ｋ-1。
【００１１】
　ここで、
　μmaxは温度範囲における透磁率の最大値であり、
　μminは温度範囲における透磁率の最小値であり、
　ΔＴは温度範囲の幅である。
【００１２】
　公称温度が実用的条件下にある場合の温度範囲内において透磁率の温度依存性を特に小さくするために、ｃは好ましくはｃ＜９・１０-4Ｋ-1、好ましくはｃ＜３・１０-4Ｋ-1、より好ましくはｃ＜９・１０-5Ｋ-1、より一層好ましくはｃ＜３・１０-5Ｋ-1となるように選択される。更に好ましくはｃの値が一層小さく、すなわちｃ＜９・１０-6Ｋ-1、特にｃ＜３・１０-6Ｋ-1、そして、より一層好ましくはｃ＜１・１０-6Ｋ-1である。
【００１３】
　公称または目標温度が、磁束伝達体材料の透磁率の温度依存性がこの公称温度において極値を有するように調整された場合、特に好ましい温度変動の無依存性が達成される。極値は最大値または最小値である。
【００１４】
　本発明によれば、上記の粒子光学装置及びその操作方法は、リソグラフィーシステムまたは／及び顕微鏡システムにおいて用いられるのが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
　以下に本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
【００１６】
　図１は、顕微鏡システム１を模式的に示したものであり、顕微鏡システム１は、その物体面３内に位置する半導体ウェハー５を位置感度検出器７上に結像するためのものである。この目的のため、顕微鏡システム１は、二次電子のためのビーム経路を供給することによって、物体面３の領域１３を検出器７上に電子光学的に結像する顕微鏡光学機器１１を含む。検出器７上に結像される領域１３を結像するために用いられるビーム経路は、顕微鏡システム１の光軸１７に平行に変位可能である（図１において変位はＭで示されている）。
【００１７】
　顕微鏡光学機器１１は、光軸１７を中心として対称的に配置された複数の部材、すなわち、対物レンズ１９、視野レンズ２１、及び更に拡大光学機器２３を含む。
【００１８】
　対物レンズ１９と視野レンズ２１との間には、２つのビーム偏向器２５及び２７が、光軸１７に沿って互いに間隔を置いて設けられている。偏向器２５、２７は制御器２９によって制御される。ビーム偏向器２５、２７はいずれも、二次電子ビーム１４に、制御器２９によって制御することが出来る、調整可能な偏向角βを供給する。しかし、２つのビーム偏向器２５、２７によって供給される偏向角は符号が互いに逆である。従って、二次電子ビーム１４は、２つのレンズ１９、２１を直線的に通過するが、光軸１７に平行に変位調整が可能である。
【００１９】
　半導体ウェハー５から抽出された二次電子は、光軸１７に平行な方向において、取り出し電極１８によって加速される。
【００２０】
　対物レンズ１９は、二次電子ビーム１４のための集束場を供給する。対物レンズ１９の光軸３１は、他の部材の光軸１７に対して相対的に変位可能である。制御器２９は、対物レンズ１９を、対物レンズ１９の光軸３１が検出器７上に結像される物体面３の領域１３の中心と垂直に交差するように制御する。Ｅ．Ｇｏｔｏらによる論文「ＭＯＬ（「ｍｏｖｉｎｇ　ｏｂｊｅｃｔｉｖｅ　ｌｅｎｓ」）、Ｏｐｔｉｋ　４８（１９７７）、ｎｏ．　２、２５５−２７０頁、または米国特許第４，３７６，２４９号に、そのような対物レンズの例が記載されている。本願の譲受人による米国公開特許第２００３／００６６９６１号に、そのような対物レンズの更なる例が記載されている。
【００２１】
　二次電子は、電子源３５によって生成された一次電子ビーム３３によって、半導体ウェハー５から抽出される。一次電子ビーム３３は、コリメートレンズ３７によってコリメートされ、開口絞り３９によって成形され、ビーム結合器／ビームスプリッター４１に供給される。ビーム結合器４１は、一次電子ビーム３３を、二次電子ビーム１４のビーム経路上に重ね合わせる。一次電子ビーム３３は、視野レンズ２１、偏向器２５、２７及び対物レンズ１９を通過する。一次電子ビーム３３も、偏向器２５、２７によって偏向されるが、必ずしも二次電子ビーム１４と全く同じ角度で偏向されるとは限らない。しかし、一次ビーム３３は、偏向器７上に結像されるフィールド１３をただ適度に均一に照明するだけでよい。従って、光学システム１１の結像特性についての一次電子ビーム３３に対する要求は、二次電子ビーム１４に対するものより小さい。
【００２２】
　図２は、偏向器２５を模式的に示した斜視部分図である。偏向器２５は、光軸１７に対して同心円状に配置された、低透磁率材料からなる複数のリング４３、及び高透磁率材料からなり、低透磁率材料からなる隣接するリング４３同士の間に配置された複数のリング４５を含む。リング４３、４５は、このようにスタックとして互いに交互に配置されている。電流コンダクタ４７は、リング４３、４５の周囲で係合する。電流コンダクタは、光軸１７に略平行に延び、最上及び最下リング４３を放射状に貫通する。
【００２３】
　図３は、電流コンダクタ巻線の、光軸１７を中心とする周方向における配列を示したものである。図３に示されている角Θ1から角Θ7の角度値は以下のとおりである。Θ1＝２１．６°、Θ2＝４１．６°、Θ3＝４７．６°、Θ4＝６２．４°、Θ5＝６８．４°、Θ6＝７８．５°、及びΘ7＝８４．５°。これらの角度は、電流コンダクタ巻線４７によって生成された磁界がｙ方向の向きを持った略均一な磁界となるように選択される。
【００２４】
　制御器２９によって調整された電流を用いて電流コンダクタ巻線４７を励磁することによって、二次電子ビームをｘ方向に調整可能な角β分偏向することが可能になる。
【００２５】
　低透磁率を有するリング４３は、米国、ニューヨーク、Ｃｏｒｎｉｎｇ，Ｉｎｃ．から入手可能なＭａｃｏｒ（登録商標）と呼ばれる材料からなる。
【００２６】
　高透磁率材料からなるリング４５は、ＭＮ−６０という製品名で米国、ニュージャージー、Ｃｅｒａｍｉｃ　Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ，Ｉｎｃ．から入手可能なマンガン／亜鉛／フェライト材料からなる。
【００２７】
　この材料の透磁率は、温度に依存する。図４は、この材料のサンプルについてのこの依存性を表すグラフである。そこから明らかなように、透磁率は、約２０℃の温度において最大値を有し、約７５℃の温度において最小値を有する。通常、技術的装置の操作温度がある２５℃から４０℃の範囲の温度において、温度依存性は、比較的急峻な勾配を示している。たとえ、温度調整部により、リング４５の温度をこの範囲に能動的に安定させようとしても、やはり避けられない温度変動がリング４５の透磁率に変化をもたらしてしまう。本発明によれば、リング４５の温度は、そのため、透磁率の温度依存変動が小さな変動に限られるような温度範囲にある公称温度、好ましくは透磁率の温度依存性の極値、すなわち、約２０℃または約７５℃の温度のいずれかに調整される。
【００２８】
　この目的のために、図２に模式的に示された温度調整部４９が設けられている。温度調整部４９は、例えば水などの液体が流れるコンジット５３の複数巻きされた巻線５１を含む。液体は、加熱／冷却部５７を貫通する閉回路５５においてコンジット５３内を流れる。加熱／冷却部５７において、コンジット５３内を流れる液体は、制御器６１によって調整可能な温度になる。コンジット５３の巻線５１は、熱接触部５９により、粒子光学機器１１の真空チェンバーの一部を構成するビーム管６３と接する。
【００２９】
　ビーム偏向器２５は、巻線５１がビーム管６３の外面周囲に巻回されている領域において、ビーム管６３の内部に配置されている。これにより、ビーム管６３と偏向器２５との間の放熱伝達による熱交換が可能になる。加熱／冷却部５７により巻線５１内を流れる媒体の温度を調整することによって、ビーム偏向器２５のフェライトリング４５の温度を公称温度付近の範囲に調整することが可能になる。この調整は、リング４３、４５のスタックに固定されたセンサー６５を含むフィードバック制御器によって行われ、制御器６１によって読み出しが行われる。従って、制御器６１は、リング４３、４５の実際の温度とその公称温度とを比較することが出来、それによって、冷却／加熱部５７を介して、巻線５１内における媒体の温度に作用を及ぼすことが出来る。
【００３０】
　図２に示された温度調整部において、フェライトリング４５は、公称温度２０℃に調整される。これは、この温度において、リング４５に用いられる材料が最大透磁率（図４参照）を示すからである。それに代わり、公称温度として、リング４５に用いられる材料の透磁率が最小値を有する約７５℃の温度値を選択することが可能である。図４から明らかなように、この温度において、極値（最小値）は、温度２０℃における極値（最大値）よりもかなり平坦な形状を呈している。従って、透磁率は、公称温度２０℃におけるよりも公称温度７５℃における方が、その極値付近でのより正確な保持が可能である。一方、より高い温度７５℃において最小である透磁率の値は、２０℃における最大値よりかなり低い。従って、フェライトリング４５の磁気作用は、この温度において、それに応じて低減する。
【００３１】
　ビーム偏向器２５は更に、リング４３、４５の内部に放射状に配置されたセクタ電極６７を含む。セクタ電極６７は、偏向器２５を横切るビームのための付加的な偏向電界を供給する。この偏向電界は、ビームコンダクタ４７によって供給される磁界と重ね合わされる。従って、偏向器２５、２７をウィーンフィルタとして動作させることが出来るので、偏向器２５、２７によって供給される偏向角βを更に自由度をもって調整することが出来る。特に、偏向のために供給される磁界及び電界は、一次電子、二次電子いずれにも略同じ偏向角βがもたらされるように調整することが可能である。
【００３２】
　ビームコンダクタ４７は、フェライトリング４５内の磁束が飽和値をかなり下回るように、磁界における変化が励磁電流の変動から略線形従属するように励磁される。例えば、フェライトリング４５において誘導される最大磁束は、フェライトリング４５内の飽和磁束の２５％未満、または特に１５％未満または更に１０％未満であってもよい。また、励磁電流は、フェライトリングによって伝達される磁束の向きが時々または定期的に変化するような交流電流であってもよい。
【００３３】
　図１から図４を参照して説明した実施形態の別の形態を説明する。図１から図４の部材と同一の機能または構造を有する部材には同一の参照番号が付されるが、区別する目的で付加的に文字を添えている。上記説明全体を参照する。
【００３４】
　図５は、制御器２９ａのメモリ７３に記憶されたパターンを粒子感度層またはレジスト上に転写するために用いられるリソグラフィーシステム７１を模式的に示したものである。粒子感度層またはレジストにより、小型半導体構造を製造するためのリソグラフィープロセスにおいて、半導体ウェハー５ａの面３ａを被覆する。
【００３５】
　パターンの転写は書込み電子ビーム３３ａを用いて行われる。書込み電子ビーム３３ａは、先端部７７がエンボス加工されたカソードプレート７５を含む電子源３５ａによって生成される。先端部７７は、アノードとしてカソードプレート７５に対してバイアスをかけられている開口絞り３９ａのボアに対向して配置される。また、先端部７７は、リソグラフィーシステム７１の光軸１７ａ上に配置され、半導体レーザ７９によって生成され、コリメートレンズ８１によって先端部７７にコリメートされるレーザビーム７８によって上方から照射される。制御器２９ａを介してレーザ７９を制御することによって、レーザビーム７８の素早いオンとオフの切り換えが可能である。レーザビーム７８は、先端部７７の領域において光励起電界放射をサポートし、その結果、電子が先端部７７から抽出され、開口絞り３９ａにより加速されて書込み電子ビーム３３ａとなる。書込み電子ビーム３３ａは、開口絞り３９ａを通過後、コリメートレンズ３７ａを通過する。
【００３６】
　コリメートレンズ３７ａは更に、書込み電子ビーム３３ａを光軸１７ａに沿って進む略平行なビームにする。このビームは、光軸１７ａに対して同心円状に配置された２つの偏向器２５ａ及び２７ａを順次通過し、その後、対物レンズ１９ａに入射する。対物レンズ１９ａは、このビームを半導体面３ａ上またはリソグラフィーシステム７１の物体面上に精密に集束する。偏向器２５ａ及び２７ａの構造は、図２及び図３を参照して説明したビーム偏向器の構造と同様である。また、制御器２９ａによって同様に制御されるコイル８３は、それ自体が光軸１７ａに対して回転対称形である対物レンズ１９ａの内部に配置される。コイルは、双極場と対物レンズ１９ａの集束場を重ね合わせることにより、対物レンズ１９ａの集束作用の光軸を、偏向器２５ａ、２７ａによって光軸から変位される書込み電子ビーム３３ａの中心と一致するように、光軸１７ａから離れるようにずらす。リソグラフィーシステム７１内部の偏向器２５ａ、２７ａ、及びコイル８３もまた、図２及び図３を参照して説明したように構成することが出来る。それらの構成において電極（図２における参照番号６７）は、必ずしも磁気偏向器内部及びコイル内部それぞれに配置されるわけではない。
【００３７】
　メモリ７３に蓄積されているパターンをウェハー５aの面３ａに転写するために、制御器２９ａは、それに応じて、レーザ７９と同様に、偏向器２５ａ及び２７ａ及びコイル８３を、書込み電子ビーム３３ａが面３ａにわたって所望する通り移動し、必要に応じてオンとオフを切り換えられるように制御する。
【００３８】
　図１を参照して説明してきた電子顕微鏡システムは、物体面の延長された領域を位置感度検出器上、例えば、ＣＣＤチップ上に結像する。このような電子顕微鏡システムは通常、ＬＥＥＭ（低エネルギー電子顕微鏡）またはＳＥＥＭ（二次電子放出顕微鏡）と呼ばれる。しかし、他の種類の電子顕微鏡に、本発明の根拠となる概念を用いること、すなわち、磁束伝達材料を、その透磁率の温度依存性が小さい、または極値を有するような温度に安定させることも可能である。この例として、ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）が挙げられる。
【００３９】
　図５を参照して説明したリソグラフィーシステムは、「マスクレス」リソグラフィーシステムであり、そのシステムにおいては、書込みビームはビーム源を介してオンとオフを切り換えられる。しかし、本発明の概念を、転写対象パターンの画定にマスクまたはレチクルを用いるリソグラフィーシステムにおいて実現することも可能である。
【００４０】
　上記の各実施形態において、対応するように選択された公称温度に安定させた磁束伝達体は、ビーム偏向器としての機能を果たす粒子光学装置内に配置される。しかし、磁束伝達体を、他の粒子光学装置において選択された温度に調整することも可能である。この例として、六重極場生成部材などの、集束レンズまたは補正部材として機能する粒子光学装置が挙げられる。
【００４１】
　一方、粒子光学装置の操作温度が所定の温度である場合、フェライト材料の適切な選択が可能である。フェライト材料の温度依存性は、その組成に依存する。従って、操作温度付近の温度範囲において僅かな透磁率変動しか示さないフェライト材料を用いる、または設計することが好ましい。
【００４２】
　図１を参照して説明した電子顕微鏡システム及び図５を参照して図解したリソグラフィーシステムは、いずれも１つの一次電子ビーム及び書込みビームをそれぞれ用いて動作する。しかし、複数の一次ビーム及び書込みビームをそれぞれ、そのような装置において、互いに平行に用いることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施形態による電子顕微鏡システムを示す図
【図２】図１の顕微鏡システムにおいて使用可能な、本発明の実施形態によるビーム偏向器を示す斜視部分図
【図３】図１の顕微鏡システムにおいて使用可能な、本発明の実施形態によるビーム偏向器を示す斜視部分図
【図４】図２及び図３に示されたビーム偏向器において使用可能なフェライト材料の温度依存性を表すグラフ
【図５】図２及び図３に示されたビーム偏向器が使用され得る、本発明の実施形態によるリソグラフィーシステムを示す図
【図１】
2004134382.tif 000006
【図２】
2004134382.tif 000007
【図３】
2004134382.tif 000008
【図４】
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【図５】
2004134382.tif 000010
【外国語明細書】
2004134382000001.pdf