(57)【要約】【課題】  特定の環境下において電極に電圧を印加しても、電極の劣化や短絡を生じにくくし、信頼性の向上及び長寿命化を図れるようにした光導波路デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】  可変光減衰器１００は、ニオブ酸リチウム（ＬＮ）基板１１上に設けた２本の光導波路１４ａと１４ｂの間に電極１２が形成されており、この電極１２に印加する電圧に応じて電界が生じ、屈折率が変化する。電極１２は、ＬＮ基板１１上の所定位置に設けられると共に酸化物を含んだＩＴＯ薄膜３１と、このＩＴＯ薄膜３１上に設けられると共に酸化物が酸性を示すクロム薄膜３２とを備えて構成されている。ＩＴＯ薄膜３１とクロム薄膜３２は、共に酸化物が酸性を示すためにイオン流出は生じない。よって、電極劣化が生じなくなることで、電極短絡は発生しない。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に形成される光導波路と、
前記光導波路の近傍に形成される電極とを備え、
前記電極は、
前記基板上に積層され、酸化インジウムを含み酸性を示す導電性の第１の薄膜層と、
前記第１の薄膜層に積層され、クロムを含み酸化された状態で酸性を示す導電性の第２の薄膜層と、
前記第２の薄膜層に積層され、酸化された状態で中性を示す導電性の第３の薄膜層とを備え、
さらに、前記第２の薄膜層は、前記第１の薄膜層よりも薄いことを特徴とする光導波路デバイス。
【請求項２】
前記第３の薄膜層は、金を含むことを特徴とする請求項１記載の光導波路デバイス。
【請求項３】
前記第１の薄膜層にのみ、その露出面に保護膜が備えられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光導波路デバイス。
【請求項４】
前記第２の薄膜層にのみ、その露出面に保護膜が備えられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光導波路デバイス。
【請求項５】
前記電極は、その露出面の全域に保護膜が備えられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光導波路デバイス。
【請求項６】
前記基板は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）基板であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の光導波路デバイス。
【請求項７】
前記光導波路は、マッハツエンダ型方向性結合器として形成され、前記電極は、位相シフト器として形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の光導波路デバイス。
【請求項８】
前記光導波路デバイスは、可変光減衰器として機能することを特徴とする請求項７記載の光導波路デバイス。
【請求項９】
前記光導波路デバイスは、光スイッチとして機能することを特徴とする請求項７記載の光導波路デバイス。
【請求項１０】
前記光導波路デバイスは、光変調器として機能することを特徴とする請求項７記載の光導波路デバイス。
【請求項１１】
基板に光導波路を形成し、
前記基板上に、酸化インジウムを含み酸性を示す導電性の第１の薄膜層を積層し、
前記第１の薄膜層上にフォトレジストを形成してパターニングをし、
前記フォトレジストをマスクにして前記第１の薄膜層の不要部分をエッチングにより除去して前記第１の薄膜層パターンを形成し、
前記第１の薄膜層パターン上のフォトレジストを除去し、
前記第１の薄膜層上に、前記第１の薄膜層よりも膜厚が薄く、クロムを含み酸化された状態で酸性を示す導電性の第２の薄膜層を積層し、
前記第２の薄膜層にフォトレジストを施し、
前記第２の薄膜層の不要部分をエッチングにより除去し、
前記エッチング後に前記第２の薄膜層上に残留したフォトレジストを除去し、
前記第２の薄膜層上に、酸化された状態で中性を示す導電性の第３の薄膜層を積層し、
前記第３の薄膜層にフォトレジストを施し、
前記第３の薄膜層の不要部分をエッチングにより除去し、
前記エッチング後に前記第３の薄膜層上に残留したフォトレジストを除去することを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光導波路デバイス及びその製造方法に関し、特に、基板中に形成された光導波路に電極に印加した電圧による電界で光路切替や光減衰などを行う構造にあって、電極の信頼性を高めた光導波路デバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光導波路デバイスは、集積化等に適しており、また低消費電力化にも適していることから光スイッチや光変調器などへの適用が検討されている。また、近年では、ＤＷＤＭ（Dense Wavelength Devision Multiplexing：高密度波長多重伝送）の普及に伴い、波長多重時における各波長の光パワーを揃える手段や、伝送路において任意波長を選択して挿抜する光ＡＤＭ（Add Drop Multiplexer）の光部品として可変光減衰器の必要性が高まってきている。
【０００３】
図４は、可変光減衰器を用いた光ＡＤＭの構成例を示す。
この光ＡＤＭは、複数のチャンネル（例えば、３２チャンネル）を有する光伝送路の途中に設けられ、前記伝送路の途中には、入力側に配置されたデマルチプレクサ（Ｄｅｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｒ) ３０１と出力側に配置されたマルチプレクサ（Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｒ) ３０２、及びこれらの間にチャンネル数分の信号処理部が設けられている。この信号処理部の１チャンネル分は、１×２光スイッチ３０３、可変光減衰器３０４、及び２×１光スイッチ３０５から構成されている。ここでは、１チャンネル分の信号処理部の構成のみを示しているが、他のチャンネルも全て同一構成である。
【０００４】
図４における１チャンネル分の信号処理部の構成について説明する。デマルチプレクサ３０１は、多重化された光信号入力を異なる波長毎に分波し、これを各チャンネルの信号処理部へ送出する。デマルチプレクサ３０１の出力線の各々には、１×２光スイッチ３０３が接続され、その一方の出力端子はドロップ（Ｄｒｏｐ）端子となり、他方の出力端子には可変光減衰器３０４の入力端子が接続されている。可変光減衰器３０４には２×１光スイッチ３０５の一方の入力端子が接続され、その他方の入力端子はアド（Ａｄｄ）端子として用いられる。２×１光スイッチ３０５の出力端子には、マルチプレクサ３０２の入力端子が接続されている。
【０００５】
図４の光ＡＤＭは、或る距離をもって敷設された光伝送線路の途中に設けられている。デマルチプレクサ３０１に入力される多重光信号は不図示の光増幅器で増幅された後、デマルチプレクサ３０１によって分波される。分波された信号のそれぞれは、１×２光スイッチ３０３の切り替えに応じてドロップされ（外部に取り出され）、或いは、ドロップせずに出力側（可変光減衰器３０４側）へ送られる。出力側に送られた光信号は、チャンネル毎の出力レベルを合わせるために、可変光減衰器３０４による光減衰量の調整が行われる。可変光減衰器３０４のそれぞれからの光信号は、マルチプレクサ３０２による合波によって多重光にされ、後段へ出力される。また、２×１光スイッチ３０５がＡｄｄ側に切り替えられた場合、アド端から取り込まれた光情報が２×１光スイッチ３０５に入力され、デマルチプレクサ３０１から取り込まれた多重光信号に合波（Ａｄｄ）される。
【０００６】
可変光減衰器３０４としては、２つの方向性結合器と、この２つの方向性結合器の間に設けた位相シフタからなり、それぞれが小型化および低消費電力化に有利なＬｉＮｂＯ3（ニオブ酸リチウム：ＬＮ）基板上に光導波路を設けた構成、すなわち方向性結合器型マッハツエンダ（ＭＺ）構成による可変光減衰器が実用化されつつある。この方向性結合器型マッハツエンダ構成による可変光減衰器３０４は、光信号の通る光導波路に電界を加えて基板の屈折率を変化させることにより信号光の減衰量を制御することができる。
【０００７】
図５は、従来の光導波路デバイスとしての可変光減衰器の構成を示す。
図５に示す可変光減衰器２００は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）基板（以下、ＬＮ基板という）１、このＬＮ基板１上に形成された電極２、この電極２とＬＮ基板１の間に設けられたＳｉＯ2膜３を備えて構成されている。また、電極２の両側のＬＮ基板１の表面近傍には光導波路４ａ，４ｂが設けられている。電極２は、ＬＮ基板１の表面に設けられたＩＴＯ（錫を添加した酸化インジウム：Indium Tin Oxide）膜２１、このＩＴＯ薄膜２１上に設けられたチタン（Ｔｉ）薄膜２２、このチタン薄膜２２上に設けられた金（Ａｕ）薄膜２３からなる３層構造がとられている。この電極２には＋極性の電圧が、他方の電極（図示せず）には−極性の電圧が印加される。
【０００８】
ＩＴＯ薄膜２１は、錫を添加した酸化インジウムであり、９０％以上の可視光透過率と、１０Ω／□以下のシート抵抗値をもつ透明電極であり、目合わせずれ（電極２と光導波路４ａ，４ｂの位置づれ）により、チタン薄膜２２、金薄膜２３がＳｉＯ２膜３を介して光導波路４ａ，４ｂに近接することで光吸収が生じ、挿入損失が増えるのを防止している。また、チタン薄膜２２は、ＩＴＯ薄膜２１と金薄膜２３とを接合する接着剤の役割を担っている。金薄膜２３は外部との接続に用いられる電極板として機能するものであり、合金化による接着性に優れ、ワイヤボンディングがし易いという性質から選ばれている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、従来の光導波路デバイスによると、特定の環境下、例えば、高温環境下（例えば、＋８０℃）で電圧を印加する状況が継続的に行われた場合、チタン薄膜２２の酸化物がアルカリを示すため、ＩＴＯ薄膜２１の酸化インジウムと反応してイオン流出が生じ、これによってＩＴＯ薄膜２１が徐々に溶け出し、ついには電極短絡に至ることが判明した。電極短絡が発生することにより、光導波路デバイスの信頼性及び長寿命化は著しく低下する。
【００１０】
したがって、本発明の目的は、特定の環境下において電極に電圧を印加しても、電極の劣化や短絡を生じにくくし、信頼性の向上及び長寿命化を図れるようにした光導波路デバイス及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記の目的を達成するため、第１の特徴として、前記基板に形成される光導波路と、前記光導波路の近傍に形成される電極とを備え、前記電極は、前記基板上に積層され、酸化インジウムを含み酸性を示す導電性の第１の薄膜層と、前記第１の薄膜層に積層され、クロムを含み酸化された状態で酸性を示す導電性の第２の薄膜層と、前記第２の薄膜層に積層され、酸化された状態で中性を示す導電性の第３の薄膜層とを備え、さらに、前記第２の薄膜層は、前記第１の薄膜層よりも薄いことを特徴とする光導波路デバイスを提供する。
ここで、前記第３の薄膜層は、金を含むことが好ましい。
また、前記第１の薄膜層にのみ、その露出面に保護膜が備えられていることが好ましい。
また、前記第２の薄膜層にのみ、その露出面に保護膜が備えられていることが好ましい。
また、前記電極は、その露出面の全域に保護膜が備えられていることが好ましい。
また前記基板は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）基板であることが好ましい。
また、前記光導波路は、マッハツエンダ型方向性結合器として形成され、前記電極は、位相シフト器として形成されていることが好ましい。
また、前記光導波路デバイスは、可変光減衰器として機能することが好ましい。
また、前記光導波路デバイスは、光スイッチとして機能することが好ましい。
また、前記光導波路デバイスは、光変調器として機能することが好ましい。
【００１２】
本発明は、上記の目的を達成するため、第２の特徴として、基板に光導波路を形成し、前記基板上に、酸化インジウムを含み酸性を示す導電性の第１の薄膜層を積層し、前記第１の薄膜層上にフォトレジストを形成してパターニングをし、前記フォトレジストをマスクにして前記第１の薄膜層の不要部分をエッチングにより除去して前記第１の薄膜層パターンを形成し、前記第１の薄膜層パターン上のフォトレジストを除去し、前記第１の薄膜層上に、前記第１の薄膜層よりも膜厚が薄く、クロムを含み酸化された状態で酸性を示す導電性の第２の薄膜層を積層し、前記第２の薄膜層にフォトレジストを施し、前記第２の薄膜層の不要部分をエッチングにより除去し、前記エッチング後に前記第２の薄膜層上に残留したフォトレジストを除去し、前記第２の薄膜層上に、酸化された状態で中性を示す導電性の第３の薄膜層を積層し、前記第３の薄膜層にフォトレジストを施し、前記第３の薄膜層の不要部分をエッチングにより除去し、前記エッチング後に前記第３の薄膜層上に残留したフォトレジストを除去することを特徴とする光導波路デバイスの製造方法を提供する。
【００１３】
本発明によれば、基板上に設けられた電極が、酸化物を含む導電性の第１の薄膜層と、この第１の薄膜層上に積層され、酸化された状態で酸性又は中性を示す導電性の第２の薄膜層を備えて構成されているため、第１の薄膜層と第２の薄膜層との間には、第１の薄膜層にイオン流出を生じさせるような反応は生ぜず、電極に電圧を継続的に印加しても電極破壊による電極劣化は生じにくくなり、製品寿命及び信頼性を向上させることができる。
本発明によれば、ＬＮ基板上にＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜を所望の形状のＩＴＯパターンを得、このＩＴＯパターン上にクロム薄膜を形成する際、ＩＴＯ膜よりも膜厚が薄くなるように設けられ、このクロム薄膜を所望の形状にエッチングすることにより、クロム薄膜の接着性を良好にしながら、電極破壊が生じない構造の電極を備えた光導波路デバイスを得ることができる。
【発明の効果】
【００１４】
以上より明らかなように、本発明の光導波路デバイスによれば、基板上に設けられた電極の構成が、酸化物が酸性を示す第１の薄膜層と、この第１の薄膜層上に設けられると共に酸化された状態で酸性または中性を示す第２の薄膜層を備えるようにしたので、第１層にイオン流出を生じさせる反応は発生せず、電極劣化を生じないようにすることができるため、電極短絡を防止でき、製品寿命や信頼性を向上させることができる。
【００１５】
本発明の光導波路デバイスの製造方法によれば、ＬＮ基板上にＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をエッチングにより所望の形状のＩＴＯパターンにし、このＩＴＯパターン上にクロム薄膜を形成する際、ＩＴＯ膜よりも膜厚が薄くなるように形成し、このクロム薄膜をエッチングにより所望の形状にするようにしたので、クロム薄膜の接着性を良好にしながら、電極破壊が生じない構造の電極を備えた光導波路デバイスを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について図面を基に説明する。
本発明の実施の形態を説明する前に、本願に示す光導波路デバイスを発明するに至った経緯について説明する。本発明者は、図５の様な構造の光導波路デバイスの電極に異常（電気的なマイグレーション（ｍｉｇｒａｔｉｏｎ））が生じる原因について精査したところ、その原因を明らかにすることができた。まず、光導波路デバイスに用いる電極として最適と思われる元素について、〔表１〕のような調査を実施した。その結果、電極劣化の原因をつきとめることができた。その原因は、チタン（Ｔｉ）の酸化物であるＴｉＯ2 がアルカリ性を示すためであり、その発生メカニズムも解明することができた。
【００１７】
【表１】
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【００１８】
まず、ＩＴＯ薄膜２１の構成物質であるＩｎＯ（酸化インジウム）の溶解が、次の化学式で示すように生じる。
（ｉ）Ｉｎ→Ｉｎ2+＋Ｏ2
Ｈ2 Ｏ→Ｈ＋ＯＨ-
２Ｈ+ ＋２ｅ→Ｈ2
（ii）Ｉｎ2+＋２（ＯＨ- ）→Ｉｎ（ＯＨ）2
この溶解により、イオン移動（イオン流出）が次のように生じる。
Ｉｎ（ＯＨ）2→  Ｉｎ＋Ｈ2Ｏ
さらに、ＩｎＯの析出が生じる。
ＩｎＯ＋Ｈ2 Ｏ←→Ｉｎ（ＯＨ）2←→Ｉｎ2+＋（ＯＨ- ）
【００１９】
以上の反応を繰り返しながら、ＩｎＯ及びＩｎ2+が陰極へ移動し、陽極（金薄膜２３）に向かって成長する。この様にして生じた電極が電極短絡を発生させる。図５の構成においては、チタン薄膜２２により生じるチタン酸化物がアルカリ性なため、上記したＩｎ→Ｉｎ2+＋Ｏ2 とＨ2 Ｏ→Ｈ＋ＯＨ- の反応が活発になってＩｎまたはＩｎＯが成長し、ついには電極短絡に至る。
【００２０】
そこで、本発明は、上記の問題を解決すべく、ＬＮ基板上に第１及び第２の薄膜層を積層して電極を構成する際、第１の薄膜層は酸化物を含む導電性の薄膜層とし、第２の薄膜層は、酸化された状態で酸性又は中性を示す導電性の薄膜層とした。これにより、第１の薄膜層にイオン流出が発生するのを防止することができた。なお、第２の薄膜層上には、酸化された状態で中性を示す導電性の第３の薄膜層を、電圧印加のための電極板として設けることができる。
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について図面を基に説明する。
〔第１の実施の形態〕
図１は、本発明による光導波路デバイスの第１の実施の形態を示す。ここでは、光導波路デバイスの具体例として、本発明の採用に最適な可変光減衰器を示している。
本発明の光導波路デバイス（可変光減衰器１００）は、ＬＮ基板１１、電極１２、およびＳｉＯ2 膜１３を備えて構成されている。ＳｉＯ2 膜１３は、光導波路４ａ，４ｂからの光の吸収を抑えるために設けられているが、無くともよい。ＬＮ基板１１の表面には、ＳｉＯ2 （二酸化珪素）膜１３が設けられ、このＳｉＯ2 膜１３上に電極１２が設けられている。電極１２の両側のＬＮ基板１１の表面近傍には、光導波路１４ａ，１４ｂが設けられている。電極１２は、ＬＮ基板１１の表面に設けられたＩＴＯ薄膜３１、このＩＴＯ薄膜３１上に設けられたクロム（Ｃｒ）薄膜３２、このクロム薄膜３２上に設けられた金薄膜３３からなる３層構造を有している。クロム薄膜３２は、酸化物が若干酸性を示す金属であることが望ましい。
【００２２】
ここで、図１の構成の光導波路デバイスの製造方法について説明する。まず、ＬＮ基板１１の表面近傍に光導波路４ａ，４ｂを形成する。この光導波路４ａ，４ｂは、例えば、所望の導波路のパターンを有するチタン金属膜ストリップを成膜し、さらに結晶中に拡散させることにより形成することができる。ついで、光導波路４ａ，４ｂ及びＬＮ基板１１の表面に一様にＳｉＯ2 膜１３を設け、さらに、このＳｉＯ2 膜１３の表面にＩＴＯ薄膜をスパッタ法により一定の厚みに形成する。次に、ＩＴＯ薄膜上にフォトレジストを形成し、パターニング（露光、現像等）を行う。このパターニングされたフォトレジストをマスクにして、ＩＴＯ薄膜の不要部分をフォトレジストにより除去する。これにより、所望の形状及びサイズのＩＴＯ薄膜３１（ＩＴＯパターン）が形成される。ついで、このＩＴＯ薄膜３１上のフォトレジストを除去した後、ＩＴＯ薄膜３１の表面とＳｉＯ2 膜１３の露出面にクロム薄膜を蒸着等により形成する。このクロム薄膜は、ＩＴＯ薄膜３１よりも薄い厚みに形成する。ついで、クロム薄膜にフォトレジストを施した後、クロム薄膜３２として残す部分を除き、他の部分をエッチングにより除去する。これによりクロム薄膜３２が形成される。ついで、クロム薄膜３２上に残されたフォトレジストを除去する。さらに、クロム薄膜３２を形成したときと同様の方法により、クロム薄膜３２上に金薄膜３３を形成する。
【００２３】
クロム薄膜３２は、ＩＴＯ薄膜３１との接着性に劣る特性を持っている。しかし、上記したようにクロム薄膜３２の膜厚をＩＴＯ薄膜３１よりも薄くすることにより、歪みを低減し、接着性を向上させることができる。この結果、電極の信頼性を上げることが可能になる。
【００２４】
ＩＴＯ薄膜３１、クロム薄膜３２、及び金薄膜３３のそれぞれは、起電力の異なる異種材料の接合による三層構造の電極になるため、微少電池効果による電極劣化を防ぐことができる。ＩＴＯ薄膜３１は、錫を添加した酸化インジウム（ＩＴＯ）であり、９０％以上の可視光透過率と１０Ω／□以下のシート抵抗値を持つ透明電極であり、目合わせずれによりクロム薄膜３２、金薄膜３３がＳｉＯ2 薄膜１３を介して導波路に近接することで、挿入損失が増大することを防いでいる。クロム薄膜３２は、ＩＴＯ薄膜３１と金薄膜３３を接着する接着剤の役割を果たしている。
【００２５】
〔表２〕は、クロム薄膜３２の特性を示す。
【００２６】
【表２】
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【００２７】
〔表２〕に示すように、本実施の形態で使用したクロム薄膜３２は、その酸化物であるＣｒＯ42- が酸性を示している。そして、〔表１〕に示したように、ＩＴＯに含まれる酸化インジウム（ＩｎＯ）も同じく酸性を示すので、イオン流出の反応を抑圧することができ、結果として電極短絡を防止することができる。したがって、製品寿命及び信頼性が向上する。
【００２８】
上記実施の形態においては、クロム薄膜３２は酸化物が酸性であるとしたが、イオン流出の反応を生じるアルカリ性以外であればよく、したがって中性でもよい。また、電極１２にクロム（Ｃｒ）薄膜を用いたが、本発明はクロム薄膜に限定されるものではなく、その酸化物が中性または酸性を示す金属であれば特に限定されない。さらに、第３層にはＡｕ薄膜を用いたが、これに近い機能（物性）が得られるものであればよく、他の金属を用いても構わない。
【００２９】
〔第２の実施の形態〕
図２は、本発明の光導波路デバイスの第２の実施の形態を示す。
上記したように、イオン流出は、ＩＴＯ薄膜２１上に酸性または中性の金属薄膜を設けることにより防止できるが、さらに、図２の（ａ）に示すように、図１の構成において、少なくとも第２層のクロム薄膜３２の側面にポリイミド、ポリマー、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ等による保護膜４１を設けることにより、イオン流出の反応の抑圧は更に高められる。或いは、図２の（ｂ）に示すように、ＩＴＯ薄膜２１を窒化膜等による保護膜４２で被覆するようにしても同様の効果が得られる。この図２の（ａ），（ｂ）に示した保護膜は、図５に示した構造の光導波路デバイスにも適用可能であり、チタン薄膜２２の使用に起因して生じていた従来の問題を低減することができる。
【００３０】
〔第３の実施の形態〕
図３は、本発明の光導波路デバイスの第３の実施の形態を示す。
本実施の形態は、電極１２が外気に触れ、空気中の酸素と反応することにより酸化し、電極劣化が生じるのを防止するようにしたものである。その手段として、電極１２の全体を覆うように保護膜４３を設けている。保護膜４３として、ポリイミド、ＳｉＯ2 等を用いることができる。
【００３１】
上記の説明においては、光導波路デバイスの実施の形態として可変光減衰器を示したが、本発明は可変光減衰器に限定されるものではなく、本発明にかかる電極構造を用いた光部品、例えば、光スイッチ、光変調器等についても適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の光導波路デバイスの第２の実施の形態を示す斜視図である。
【図２】本発明の光導波路デバイスの第２の実施の形態を示す断面図である。
【図３】本発明の光導波路デバイスの第３の実施の形態を示す断面図である。
【図４】可変光減衰器を用いた光ＡＤＭの構成例を示すブロック図である。
【図５】従来の光導波路デバイスを示す斜視図である。
【符号の説明】
【００３３】
１，１１  ＬＮ（ニオブ酸リチウム：ＬｉＮｂＯ3 ）基板
２，１２  電極
３，１３  ＳｉＯ2 膜
４ａ，４ｂ１４ａ，１４ｂ  光導波路
２１，３１  ＩＴＯ薄膜
２２  チタン薄膜
２３，３３  金（Ａｕ）薄膜
３２  クロム（Ｃｒ）薄膜
４１，４２，４３  保護膜
１００，２００  可変光減衰器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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