(57)【要約】【課題】本発明は、液晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを用いた液晶表示装置に関し、良好な表示特性及び高い信頼性を有し、かつ製造工程を簡略化できる液晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】基板６上に金属層を形成し、金属層上にレジストを塗布してパターニングし、レジストパターン６３及び上層部６２を形成し、レジストパターン６３及び上層部６２をマスクとして金属層をパターニングし、ＴＦＴ２０のソース／ドレイン電極２１、２２を形成するとともに、上層部６２と金属層からなる下層部６１とを有する凹凸形成用突起６０を画素領域内に形成し、レジストパターン６３及び上層部６２上に絶縁性樹脂を塗布して、凹凸形成用突起に倣った凹凸を表面に有するＯＣ層３６を形成し、ＯＣ層３６上に反射電極１６を形成する。【選択図】    図４
2004271988.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に導電層を形成し、
前記導電層上に感光性樹脂を塗布してパターニングし、所定形状の感光性樹脂層を形成し、
前記感光性樹脂層をマスクとして前記導電層をパターニングし、薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極を形成するとともに、前記感光性樹脂層からなる上層部と前記導電層からなる下層部とを有する凹凸形成用突起を画素領域内に形成し、
前記感光性樹脂層上に絶縁性樹脂を塗布して、前記凹凸形成用突起に倣った凹凸を表面に有する絶縁性樹脂層を形成し、
前記絶縁性樹脂層上に反射電極を形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項２】
基板上に配置された複数の画素領域と、
前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極と同一の形成材料で形成された下層部と、感光性樹脂で形成された上層部とを有し、前記画素領域内に配置された凹凸形成用突起と、
前記凹凸形成用突起上に形成された絶縁性樹脂層と、
前記絶縁性樹脂層上に形成され、前記ソース電極に電気的に接続された反射電極と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項３】
請求項２記載の液晶表示装置用基板において、
前記絶縁性樹脂層は、前記凹凸形成用突起に倣った凹凸を表面に有し、
前記反射電極は、前記絶縁性樹脂層表面に倣った凹凸を表面に有すること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の液晶表示装置用基板において、
前記ソース／ドレイン電極及び前記下層部は、酸化導電膜を少なくとも最上層に有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項５】
対向配置された一対の基板と、前記一対の基板間に封止された液晶とを備えた液晶表示装置において、
前記一対の基板の一方は、請求項２乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板が用いられていること
を特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置に関し、特に、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）等のスイッチング素子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置に用いられる液晶表示装置用基板及びその製造方法に関する。
また本発明は、スイッチング素子が形成されたアレイ基板上に反射電極を備えた反射型液晶表示装置に用いられる液晶表示装置用基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶表示装置に対して、より一層の高性能化が求められている。携帯電話機や携帯型電子機器等の普及とともに、特に低消費電力化や屋外での使用容易性等が強く要求されている。これらの低消費電力化と屋外使用容易性を十分に満たすものとして、光反射性を有する画素電極（反射電極）を備え、外光を用いることにより光源装置が不要な反射型液晶表示装置がある。
【０００３】
反射型液晶表示装置のＴＦＴ基板には、光反射率の高い金属薄膜により反射電極が形成されている。反射型液晶表示装置は、表示画面側から入射する自然光や電光をＴＦＴ基板上の反射電極で反射させ、その反射光を表示用の光源として利用している。反射電極は凹凸状の表面を有している。反射電極の凹凸状の表面は、表面に凹凸を有する感光性樹脂膜を予め下層に形成することにより得られる。表示画面側から入射する光を反射電極の凹凸状表面で乱反射させることにより、高輝度及び高視野角が得られるようになっている。
【０００４】
例えば特許文献３及び４には、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィ工程や、研磨工程とエッチング工程との組合せを用いて反射電極表面に凹凸が形成された反射型液晶表示装置が記載されている。
【０００５】
ここで、従来の一般的な反射型液晶表示装置のＴＦＴ基板について説明する。図１９は、反射型液晶表示装置のＴＦＴ基板の構成を示している。図２０は、図１９のＸ−Ｘ線で切断したＴＦＴ基板の断面構成を示している。図１９及び図２０に示すように、ＴＦＴ基板１０２のガラス基板１０６上には、図１９の左右方向に延びるゲートバスライン１１２が互いに並列して複数形成されている（図１９では１本のみ示している）。ゲートバスライン１１２は、比較的低抵抗のＡｌ系金属層１１２ａと、高融点金属層１１２ｂとがこの順に積層された構造を有している。
【０００６】
ゲートバスライン１１２上の全面には絶縁膜（以下、成膜部位により「ゲート絶縁膜」ともいう）１３２が形成されている。ゲートバスライン１１２に絶縁膜１３２を介して交差して、図１９の上下方向に延びるドレインバスライン１１４が互いに並列して複数形成されている（図１９では２本示している）。ゲートバスライン１１２とドレインバスライン１１４の各交差位置近傍には、ＴＦＴ１２０が形成されている。
【０００７】
ＴＦＴ１２０は、ゲート絶縁膜１３２上に、ａ−Ｓｉ層からなる動作半導体層１５０を有している。動作半導体層１５０上にはチャネル保護膜１２３が形成されている。チャネル保護膜１２３上には、隣接するドレインバスライン１１４から引き出されたドレイン電極１２１及びその下層のｎ＋ａ−Ｓｉ層１５１と、ソース電極１２２及びその下層のｎ＋ａ−Ｓｉ層１５１とが、所定の間隙を介して互いに対向して形成されている。ドレイン電極１２１及びソース電極１２２は、高融点金属層１１４ｂとＡｌ系金属層１１４ａと高融点金属層１１４ｂとがこの順に積層された構造を有している。チャネル保護膜１２３直下のゲートバスライン１１２は、当該ＴＦＴ１２０のゲート電極として機能するようになっている。
【０００８】
ＴＦＴ基板１０２上にマトリクス状に配列された各画素領域のほぼ中央を横切って、ゲートバスライン１１２に並列して図１９の左右方向に延びる蓄積容量バスライン１１８が形成されている（図１９では１本のみ示している）。蓄積容量バスライン１１８は、ゲートバスライン１１２と同一の形成材料で形成されている。蓄積容量バスライン１１８上には、絶縁膜１３２を介して蓄積容量電極（中間電極）１２５が画素領域毎に形成されている。蓄積容量電極１２５は、ドレインバスライン１１４と同一の形成材料で形成されている。ドレインバスライン１１４、ドレイン電極１２１、ソース電極１２２及び蓄積容量電極１２５上には、保護膜１３４が形成されている。保護膜１３４上の画素領域には、複数の凹凸形成用突起１６０が形成されている。凹凸形成用突起１６０上の基板全面には、絶縁性樹脂層であるオーバーコート（ＯＣ）層１３６が形成されている。ＯＣ層１３６の表面は、凹凸形成用突起１６０の形状に倣った凹凸状に形成されている。
【０００９】
ＯＣ層１３６上には、反射電極１１６が画素領域毎に形成されている。反射電極１１６はＡｌ等の光反射材料で形成されている。反射電極１１６の表面は、ＯＣ層１３６表面の形状に倣った凹凸状に形成されている。反射電極１１６は、ソース電極１２２上のＯＣ層１３６及び保護膜１３４が開口されたコンタクトホール１２４を介して、ソース電極１２２に電気的に接続されている。また反射電極１１６は、蓄積容量電極１２５上のＯＣ層１３６及び保護膜１３４が開口されたコンタクトホール１２６を介して、蓄積容量電極１２５に電気的に接続されている。
【００１０】
図２１は、ＴＦＴ基板１０２のドレインバスライン１１４に接続される外部接続端子（以下、「ドレイン端子」と略称する）近傍の構成を示している。図２２は、図２１のＹ−Ｙ線で切断したＴＦＴ基板１０２の断面構成を示している。図２１及び図２２に示すように、ドレイン端子は、ドレイン端子下部電極１７０とドレイン端子上部電極１７２を有している。ドレイン端子下部電極１７０は、ドレインバスライン１１４と同一の形成材料で形成されている。ドレイン端子上部電極１７２は、反射電極１１６と同一の形成材料（Ａｌ等）で形成されている。ドレイン端子上部電極１７２は、ＯＣ層１３６及び保護膜１３４が開口されたコンタクトホール１７４を介して、ドレイン端子下部電極１７０に電気的に接続されている。
【００１１】
図示していないが、ゲートバスライン１１２に接続される外部接続端子（以下、「ゲート端子」と略称する）は、ゲート端子下部電極とゲート端子上部電極を有している。ゲート端子下部電極は、ゲートバスライン１１２と同一の形成材料で形成されている。ゲート端子上部電極は、反射電極１１６と同一の形成材料（Ａｌ等）で形成されている。ゲート端子上部電極は、ＯＣ層１３６、保護膜１３４及び絶縁膜１３２が開口されたコンタクトホールを介して、ゲート端子下部電極に電気的に接続されている。
【００１２】
次に、ＴＦＴ基板１０２の製造方法について説明する。図２３乃至図２７は、ＴＦＴ基板１０２の製造方法を示す工程断面図であり、図２０に対応する断面を示している。まず、図２３（ａ）に示すように、ガラス基板１０６上の全面に、Ａｌ系金属層１１２ａと、チタン（Ｔｉ）層等の高融点金属層１１２ｂとをこの順に成膜する。
【００１３】
次いで、高融点金属層１１２ｂ上の全面に、感光性樹脂であるフォトレジスト（以下、単に「レジスト」という）を塗布する。次に、第１のフォトマスクあるいはレチクル（以下、単に「マスク」という）を用いて露光して現像し、所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。次に、得られたレジストパターンをエッチングマスクとして用いてエッチングし、図２３（ｂ）に示すように、ゲートバスライン（ゲート電極）１１２を形成する。同時に、蓄積容量バスライン１１８やゲート端子下部電極が形成される。
【００１４】
次に、図２４（ａ）に示すように、基板全面にＳｉＮ膜を成膜し、絶縁膜１３２を形成する。次に、動作半導体層１５０を形成するためのａ−Ｓｉ層１５０’を絶縁膜１３２上の全面に成膜する。さらに、チャネル保護膜１２３を形成するためのＳｉＮ膜１２３’をａ−Ｓｉ層１５０’上の全面に成膜する。
【００１５】
次に、ＳｉＮ膜１２３’上の全面にレジストを塗布する。次に、ゲート端子及びドレイン端子が形成される額縁領域を遮光するマスクを用い、またゲートバスライン１１２をマスクとして、ガラス基板１０６の裏面側（図２４（ａ）では下方）から背面露光を行う。続いて、ガラス基板１０６の表面側（図２４（ａ）では上方）から第２のマスクを用いて露光する。その後現像し、露光された領域のレジストを溶解して除去する。これにより、ゲートバスライン１１２上に自己整合的にレジストパターン（図示せず）が形成される。次に、得られたレジストパターンをエッチングマスクとして用いてエッチングし、図２４（ｂ）に示すように、チャネル保護膜１２３を形成する。
【００１６】
次に、図２５（ａ）に示すように、ｎ＋ａ−Ｓｉ層１５１を基板全面に成膜する。次いで、ｎ＋ａ−Ｓｉ層１５１上の全面に、高融点金属層１１４ｂ、Ａｌ系金属層１１４ａ及び高融点金属層１１４ｂをこの順に成膜する。
【００１７】
次に、上層の高融点金属層１１４ｂ上の全面にレジストを塗布する。次に、第３のマスクを用いて露光して現像し、所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。次に、得られたレジストパターンをエッチングマスクとして用いて、高融点金属層１１４ｂ、Ａｌ系金属層１１４ａ、高融点金属層１１４ｂ、ｎ＋ａ−Ｓｉ層１５１及びａ−Ｓｉ層１５０’をエッチングする。これにより、図２５（ｂ）に示すように、ドレイン電極１２１、ソース電極１２２及び動作半導体層１５０が形成される。同時に、ドレインバスライン１１４やドレイン端子下部電極１７０が形成される。このエッチング処理において、チャネル保護膜１２３はエッチングストッパとして機能し、その下層のａ−Ｓｉ層１５０’はエッチングされずに残存する。
【００１８】
次に、図２６（ａ）に示すように、ＳｉＮ膜を基板全面に成膜し、保護膜１３４を形成する。次に、保護膜１３４上の全面に感光性樹脂を塗布し、第４のマスクを用いて露光して現像し、図２６（ｂ）に示すように、複数の凹凸形成用突起１６０を画素領域内に形成する。
【００１９】
次に、図２７に示すように、感光性樹脂を凹凸形成用突起１６０上の全面に塗布し、第５のマスクを用いて露光して現像し、ＯＣ層１３６を形成する。ＯＣ層１３６の表面は、凹凸形成用突起１６０の形状に倣った凹凸状に形成される。また、ソース電極１２２上のＯＣ層１３６は開口され、コンタクトホール形成用の開口部が形成される。次に、ＯＣ層１３６をエッチングマスクとして用いて保護膜１３４（及び絶縁膜１３２）をエッチングし、ソース電極１２２上のコンタクトホール１２４を形成する。同時に、蓄積容量電極１２５上のコンタクトホール１２６や、ドレイン端子下部電極１７０上のコンタクトホール１７４、ゲート端子下部電極上のコンタクトホール等が形成される。
【００２０】
次に、ＡｌやＡｌ合金等の光反射材料をＯＣ層１３６上の全面に成膜し、光反射材料層を形成する。次に、光反射材料層上の全面にレジストを塗布して、第６のマスクを用いて露光して現像し、所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。次に、得られたレジストパターンをエッチングマスクとして用いて光反射材料層をエッチングし、画素領域毎に反射電極１１６を形成する。同時に、ドレイン端子上部電極１７２やゲート端子上部電極が形成される。反射電極１１６の表面は、ＯＣ層１３６表面の形状に倣った凹凸状に形成される。以上の工程を経て、図１９乃至図２２に示すＴＦＴ基板１０２が製造される。このように、ＴＦＴ１２０や各バスライン１１２、１１４、１１８、反射電極１１６等はフォトリソグラフィ工程で形成され、「成膜→レジスト塗布→露光→現像→エッチング→レジスト剥離」という一連の半導体プロセスを繰り返して形成される。
【００２１】
【特許文献１】
特開２００２−２０２５０２号公報
【特許文献２】
特開２００２−２２１７１６号公報
【特許文献３】
特開平５−２３２４６５号公報
【特許文献４】
特開平８−３３８９９３号公報
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】
上記のＴＦＴ基板１０２では、反射電極１１６表面に凹凸を形成して反射特性を向上させるために、ＯＣ層１３６の下層に凹凸形成用突起１６０が形成されている。しかしながら、凹凸形成用突起１６０の形成には新たなマスクが必要になるため、マスク枚数が増加する。したがって、ＴＦＴ基板１０２の製造工程が増加し、製造プロセスが煩雑になってしまうという問題が生じる。
【００２３】
また、上記のＴＦＴ基板１０２では、ドレイン端子上部電極１７２やゲート端子上部電極がＡｌやＡｌ合金で形成されている。しかしながら、ＡｌやＡｌ合金は腐食し易いため、液晶表示装置の製造歩留まりや信頼性が低下してしまうという問題が生じる。ドレイン端子上部電極１７２やゲート端子上部電極をＩＴＯ等の透明導電酸化膜で形成すれば上記の問題を回避できる。しかし、そのためにはマスク枚数を増加させる必要があるため、ＴＦＴ基板１０２の製造工程が増加し、製造コストが増加してしまうという問題が生じる。
【００２４】
本発明の目的は、良好な表示特性及び高い信頼性を有し、かつ製造工程を簡略化できる液晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置を提供することにある。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、基板上に導電層を形成し、前記導電層上に感光性樹脂を塗布してパターニングし、所定形状の感光性樹脂層を形成し、前記感光性樹脂層をマスクとして前記導電層をパターニングし、薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極を形成するとともに、前記感光性樹脂層からなる上層部と前記導電層からなる下層部とを有する凹凸形成用突起を画素領域内に形成し、前記感光性樹脂層上に絶縁性樹脂を塗布して、前記凹凸形成用突起に倣った凹凸を表面に有する絶縁性樹脂層を形成し、前記絶縁性樹脂層上に反射電極を形成することを特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法によって達成される。
【００２６】
【発明の実施の形態】
〔第１の実施の形態〕
本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置について図１乃至図１０を用いて説明する。図１は、本実施の形態による反射型液晶表示装置の概略構成を示している。図１に示すように、反射型液晶表示装置は、光反射材料からなる反射電極やＴＦＴ等が画素領域毎に形成されたＴＦＴ基板２と、共通電極等が形成された対向基板４とを対向させて貼り合わせ、その間に液晶を封止した構造を有している。
【００２７】
ＴＦＴ基板２には、複数のゲートバスライン１２を駆動するドライバＩＣが実装されたゲートバスライン駆動回路８０と、複数のドレインバスライン１４を駆動するドライバＩＣが実装されたドレインバスライン駆動回路８２とが設けられている。両駆動回路８０、８２は、制御回路８４から出力された所定の信号に基づいて、走査信号やデータ信号を所定のゲートバスライン１２あるいはドレインバスライン１４に出力するようになっている。
【００２８】
対向基板４は、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれか１色が画素領域毎に形成された樹脂ＣＦ層を有している。両基板２、４の対向面には、液晶分子を所定方向に配向させる配向膜が形成されている。対向基板４の対向面と反対側の面には、偏光板８７が貼り付けられている。
【００２９】
図２は、ＴＦＴ基板２上に形成された素子の等価回路を模式的に示している。図３はＴＦＴ基板２のほぼ１画素分の構成を示し、図４は図３のＡ−Ａ線で切断したＴＦＴ基板２の断面構成を示している。図２乃至図４に示すように、ＴＦＴ基板２のガラス基板６上には、図２及び図３の左右方向に延びるゲートバスライン１２が互いに並列して複数形成されている（図３では１本のみ示している）。ゲートバスライン１２は、比較的低抵抗の例えばＡｌ系金属層１２ａと、高融点金属層１２ｂとがこの順に積層された構造を有している。
【００３０】
ゲートバスライン１２上の全面には絶縁膜（ゲート絶縁膜）３２が形成されている。ゲートバスライン１２に絶縁膜３２を介して交差して、図２及び図３の上下方向に延びるドレインバスライン１４が互いに並列して複数形成されている（図３では２本示している）。ゲートバスライン１２とドレインバスライン１４の交差位置近傍には、チャネル保護膜型のＴＦＴ２０が形成されている。
【００３１】
ＴＦＴ２０は、絶縁膜３２上に、ａ−Ｓｉ層からなる動作半導体層５０を有している。動作半導体層５０上にはチャネル保護膜２３が形成されている。チャネル保護膜２３上には、隣接するドレインバスライン１４から引き出されたドレイン電極２１及びその下層のオーミックコンタクト層となるｎ＋ａ−Ｓｉ層５１と、ソース電極２２及びその下層のｎ＋ａ−Ｓｉ層５１とが、所定の間隙を介して互いに対向して形成されている。このような構成において、チャネル保護膜２３直下のゲートバスライン１２が当該ＴＦＴ２０のゲート電極として機能するようになっている。ドレイン電極２１及びソース電極２２は、高融点金属層１４ｂと、Ａｌ系金属層１４ａと、高融点金属層１４ｂと、ＩＴＯ層等の透明酸化導電膜（又は酸化導電膜）１４ｃとがこの順に積層された構成を有している。
【００３２】
ＴＦＴ基板２上にマトリクス状に配列された各画素領域のほぼ中央を横切って、ゲートバスライン１２に並列して図２及び図３の左右方向に延びる蓄積容量バスライン１８が形成されている。蓄積容量バスライン１８は、ゲートバスライン１２と同一の形成材料で形成されている。蓄積容量バスライン１８上には、絶縁膜３２を介して蓄積容量電極（中間電極）２５が画素領域毎に形成されている。蓄積容量電極２５は、ドレインバスライン１４と同一の形成材料で形成されている。
【００３３】
ドレイン電極２１及びソース電極２２上には、当該ドレイン電極２１及びソース電極２２を形成する際にエッチングマスクとして用いられたレジストパターン６３が残存している。図示していないが、ドレインバスライン１４及び蓄積容量電極２５上にも同様にレジストパターン６３が残存している。
【００３４】
画素領域内には、複数の凹凸形成用突起６０が形成されている。凹凸形成用突起６０は、下層部６１と上層部６２とで構成されている。下層部６１は、ドレインバスライン１４と同一の形成材料で形成され、ａ−Ｓｉ層５０’、ｎ＋ａ−Ｓｉ層５１、高融点金属層１４ｂ、Ａｌ系金属層１４ａ、高融点金属層１４ｂ、及び透明酸化導電膜１４ｃが順に積層された構成を有している。上層部６２はレジストパターン６３と同一の形成材料で形成され、下層部６１を形成する工程ではエッチングマスクとしても用いられる。
【００３５】
レジストパターン６３及び凹凸形成用突起６０上の全面には、絶縁性樹脂層であるＯＣ層３６が形成されている。ＯＣ層３６の表面は、凹凸形成用突起６０の形状に倣った凹凸状に形成されている。
【００３６】
ＯＣ層３６上には、反射電極１６が画素領域毎に形成されている。反射電極１６は光反射材料等で形成され、例えば高融点金属層１６ａ及びＡｌ系金属層１６ｂの積層構造を有している。反射電極１６の表面は、ＯＣ層３６表面の形状に倣った凹凸状に形成されている。表示画面側から入射する光を反射電極１６の凹凸状表面で乱反射させることにより、良好な反射表示特性が得られるようになっている。反射電極１６は、ソース電極２２上のＯＣ層３６及びレジストパターン６３が開口されたコンタクトホール２４を介して、ソース電極２２に電気的に接続されている。また反射電極１６は、蓄積容量電極２５上のＯＣ層３６及びレジストパターン６３が開口されたコンタクトホール２６を介して、蓄積容量電極２５に電気的に接続されている。
【００３７】
図５は、ＴＦＴ基板２のドレイン端子近傍の構成を示している。図６は、図５のＢ−Ｂ線で切断したＴＦＴ基板２の断面構成を示している。図５及び図６に示すように、ドレイン端子７０は、ドレインバスライン１４と同一の形成材料で形成され、ａ−Ｓｉ層５０’、ｎ＋ａ−Ｓｉ層５１、高融点金属層１４ｂ、Ａｌ系金属層１４ａ、高融点金属層１４ｂ、及び透明酸化導電膜１４ｃが順に積層された構成を有している。ドレイン端子７０上のＯＣ層３６及びレジストパターン６３は開口され、コンタクトホール２８が形成されている。コンタクトホール２８の形成された領域では、ドレイン端子７０の最上層である透明酸化導電膜１４ｃが露出している。なお、ゲート端子はドレイン端子７０と同様の構成を有していてもよい。その場合、ゲート端子は繋ぎ換え領域を介してゲートバスライン１２に電気的に接続される。
【００３８】
本実施の形態では、反射電極１６の表面が、凹凸形成用突起６０及びＯＣ層３６の形状に倣った凹凸状に形成されている。このため、表示画面側から入射する光を反射電極１６表面で乱反射させることにより、高輝度及び高視野角の液晶表示装置が得られる。
【００３９】
また本実施の形態では、ドレイン端子７０が透明酸化導電膜１４ｃを最上層に有している。このため、ドレイン端子７０の耐腐食性が向上し、液晶表示装置の製造歩留まりや信頼性が向上する。
【００４０】
次に、本実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法について図７乃至図１０を用いて説明する。図７乃至図１０は、ＴＦＴ基板２の製造方法を示す工程断面図であり、図４に対応する断面を示している。まず、図７（ａ）に示すように、透明絶縁性基板であるガラス基板６上に直接、又は必要に応じてＳｉＯＸ等の保護膜を形成した後に、例えば膜厚１３０ｎｍのＡｌ系金属層１２ａと、例えば膜厚７０ｎｍのＴｉ層等の高融点金属層１２ｂとをスパッタリングによりこの順に成膜する。これにより、厚さ約２００ｎｍの金属層が形成される。高融点金属としては、Ｔｉ以外にも例えばクロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、及びこれらの合金を用いることができる。Ａｌ系金属には、ＡｌやＡｌ合金が含まれる。Ａｌ合金としては、ネオジム（Ｎｄ）、ケイ素（Ｓｉ）、銅（Ｃｕ）、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、スカンジウム（Ｓｃ）等のうち１つ又は複数をＡｌに添加した材料を用いることができる。
【００４１】
次に、高融点金属層１２ｂ上の全面にレジストを塗布する。次に、第１のマスクを用いて露光して現像し、所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。次に、得られたレジストパターンをエッチングマスクとして、塩素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、図７（ｂ）に示すようにゲートバスライン１２が形成されるとともに、蓄積容量バスライン１８及びゲート端子（図示せず）が形成される。
【００４２】
次に、図８（ａ）に示すように、例えば膜厚４００ｎｍのＳｉＮ膜をプラズマＣＶＤ法により基板全面に成膜し、絶縁膜３２を形成する。続いて、動作半導体層５０を形成するための例えば膜厚３０ｎｍのａ−Ｓｉ層５０’をプラズマＣＶＤ法により基板全面に成膜する。さらに、チャネル保護膜２３を形成するための例えば膜厚１２０ｎｍのＳｉＮ膜２３’をプラズマＣＶＤ法により基板全面に成膜する。
【００４３】
次に、スピンコート等によりＳｉＮ膜２３’上の全面にレジストを塗布する。次に、ゲート端子及びドレイン端子７０が形成される額縁領域を遮光するマスクを用い、またゲートバスライン１２をマスクとして、ガラス基板６の裏面側（図８（ａ）では下方）から背面露光を行う。続いて、ガラス基板６の表面側（図８（ａ）では上方）から第２のマスクを用いて露光する。その後現像し、露光された領域のレジストを溶解して除去する。これにより、ゲートバスライン１２上のチャネル保護膜２３形成領域上のみに、自己整合的にレジストパターン（図示せず）が形成される。次に、得られたレジストパターンをエッチングマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、図８（ｂ）に示すように、チャネル保護膜２３が形成される。
【００４４】
次に、図９（ａ）に示すように、希フッ酸を用いてａ−Ｓｉ層５０’表面を洗浄（自然酸化膜の除去）した後、速やかに、例えば膜厚３０ｎｍのｎ＋ａ−Ｓｉ層５１をプラズマＣＶＤ法により全面に成膜する。次いで、高融点金属層（例えばＴｉ層又はＴｉ合金層）１４ｂ、Ａｌ系金属層（Ａｌ層又はＡｌ合金層）１４ａ及び高融点金属層１４ｂ、透明酸化導電膜（例えばＩＴＯ層）１４ｃをスパッタリングによりそれぞれ２０／７５／１００／７０ｎｍの膜厚に成膜し、導電層を形成する。高融点金属層１４ｂには、例えばＣｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ及びこれらの合金等を用いることもできる。
【００４５】
次に、透明酸化導電膜１４ｃ上の全面にレジストを塗布する。次に、第３のマスクを用いて露光して現像し、図９（ｂ）に示すように、所定形状のレジストパターン６３と凹凸形成用突起６０の上層部６２とを形成する。次に、レジストパターン６３及び上層部６２をエッチングマスクとして、透明酸化導電膜１４ｃ、高融点金属層１４ｂ、Ａｌ系金属層１４ａ、高融点金属層１４ｂ、ｎ＋ａ−Ｓｉ層５１及びａ−Ｓｉ層５０’に対して塩素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、凹凸形成用突起６０の下層部６１、ドレイン電極２１、ソース電極２２、及び動作半導体層５０が形成される。同時に、ドレインバスライン１４、ドレイン端子７０及び蓄積容量電極２５が形成される。このエッチング処理において、チャネル保護膜２３はエッチングストッパとして機能し、その下層のａ−Ｓｉ層５０’はエッチングされずに残存する。
【００４６】
次に、エッチングマスクとして用いたレジストパターン６３及び上層部６２を剥離除去せずに、感光性を有するノボラック系樹脂（絶縁性樹脂）をスピンコータやスリットコータ等を用いて基板全面に塗布し、１６０℃以下の温度で加熱処理して、図１０に示すようにＯＣ層３６を形成する。ＯＣ層３６表面は、凹凸形成用突起６０に倣った凹凸状に形成される。次に、第４のマスクを用いて露光し、ＴＭＡＨ等のアルカリ現像液を用いて現像する。これにより、ソース電極２２上のＯＣ層３６には、コンタクトホール２４形成用の開口部が形成される。ソース電極２２上の開口部では、レジストパターン６３が露出する。また、蓄積容量電極２５上や、ゲート端子上、ドレイン端子７０上のＯＣ層３６にも開口部が形成される。蓄積容量電極２５上及びドレイン端子７０上の開口部では、レジストパターン６３が露出する。ゲート端子上の開口部では、絶縁膜３２が露出する。この露光工程では、例えばハーフ露光や２回露光等を組み合わせることによって、より複雑な凹凸をＯＣ層３６表面に形成することも可能である。
【００４７】
次に、ＯＣ層３６をマスクとして、Ｏ２ガスを用いたアッシング、あるいはフッ素系ガス＋Ｏ２ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、ソース電極２２上の開口部で露出していたレジストパターン６３が除去され、透明酸化導電膜１４ｃが露出するコンタクトホール２４が形成される。同時に、蓄積容量電極２５上及びドレイン端子７０上の開口部で露出しているレジストパターン６３が除去され、透明酸化導電膜１４ｃが露出するコンタクトホール２６、２８がそれぞれ形成される。ソース電極２２、蓄積容量電極２５及びドレイン端子７０の最上層は透明酸化導電膜１４ｃであるため、Ｏ２ガスを用いたアッシング、あるいはフッ素系ガス＋Ｏ２ガスを用いたドライエッチングを行っても酸化による抵抗上昇が生じない。続いて、フッ素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、ゲート端子上の開口部で露出している絶縁膜３２が除去され、ゲート端子表面が露出するコンタクトホールが形成される。このように、レジストパターン６３と絶縁膜３２は、ＯＣ層３６をマスクとして一括して開口される。なお、レジストパターン６３がＯＣ層３６に対して剥離選択性のある材料で形成されていれば、各開口部で露出しているレジストパターン６３を剥離除去することも可能である。
【００４８】
次に、スパッタリング等の薄膜形成方法により、例えば膜厚１００ｎｍの高融点金属層（Ｔｉ層又はＴｉ合金層等）１６ａと、例えば膜厚１００ｎｍのＡｌ系金属層（Ａｌ層又はＡｌ合金層等）１６ｂとを基板全面にこの順に成膜する。次に、Ａｌ系金属層１６ｂ上の全面にレジストを塗布し、第５のマスクを用いて露光して現像し、所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。得られたレジストパターンをエッチングマスクとして、塩素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、コンタクトホール２４を介してソース電極２２に電気的に接続され、コンタクトホール２６を介して蓄積容量電極２５に電気的に接続された反射電極１６が画素領域毎に形成される。この後、１５０〜２３０℃の範囲内、好ましくは２００℃で熱処理する。以上の工程を経て、図３乃至図６に示すＴＦＴ基板２が完成する。
【００４９】
本実施の形態によれば、ドレイン電極２１及びソース電極２２の形成と同時に凹凸形成用突起６０を形成でき、凹凸形成用突起６０を形成するための新たなマスクが不要である。このため、ＴＦＴ基板２の製造工程を増加させずに、高輝度及び高視野角の得られる液晶表示装置を実現できる。
【００５０】
〔第２の実施の形態〕
次に、本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板及びその製造方法について図１１乃至図１８を用いて説明する。図１１はＴＦＴ基板２のほぼ１画素分の構成を示し、図１２は図１１のＣ−Ｃ線で切断したＴＦＴ基板２の断面構成を示している。図１１及び図１２に示すように、ＴＦＴ基板２のガラス基板６上には、図１１の左右方向に延びるゲートバスライン１２が互いに並列して複数形成されている（図１１では１本のみ示している）。ゲートバスライン１２は、比較的低抵抗の例えばＡｌ系金属層１２ａと、高融点金属層１２ｂとがこの順に積層された構造を有している。
【００５１】
ゲートバスライン１２上の全面には絶縁膜（ゲート絶縁膜）３２が形成されている。ゲートバスライン１２に絶縁膜３２を介して交差して、図１１の上下方向に延びるドレインバスライン１４が互いに並列して複数形成されている（図１１では２本示している）。ゲートバスライン１２とドレインバスライン１４の交差位置近傍には、チャネルエッチ型のＴＦＴ２０が形成されている。
【００５２】
ＴＦＴ２０は、絶縁膜３２上に、ａ−Ｓｉ層からなる動作半導体層５０を有している。動作半導体層５０上には、隣接するドレインバスライン１４から引き出されたドレイン電極２１及びその下層のオーミックコンタクト層となるｎ＋ａ−Ｓｉ層５１と、ソース電極２２及びその下層のｎ＋ａ−Ｓｉ層５１とが、所定の間隙を介して互いに対向して形成されている。動作半導体層５０のチャネル領域表面は、両電極２１、２２間の分離絶縁を確実にするために一部エッチングされている。動作半導体層５０直下のゲートバスライン１２は、当該ＴＦＴ２０のゲート電極として機能するようになっている。本例のゲートバスライン１２は、ゲート電極として機能する領域が他の領域より幅広に形成されている。ドレイン電極２１及びソース電極２２は、高融点金属層１４ｂと、Ａｌ系金属層１４ａと、高融点金属層１４ｂと、ＩＴＯ層等の透明酸化導電膜（又は酸化導電膜）１４ｃとがこの順に積層された構成を有している。
【００５３】
ＴＦＴ基板２上にマトリクス状に配列された各画素領域のほぼ中央を横切って、ゲートバスライン１２に並列して図１１の左右方向に延びる蓄積容量バスライン１８が形成されている。蓄積容量バスライン１８は、ゲートバスライン１２と同一の形成材料で形成されている。蓄積容量バスライン１８上には、絶縁膜３２を介して蓄積容量電極２５が画素領域毎に形成されている。蓄積容量電極２５は、ドレインバスライン１４と同一の形成材料で形成されている。
【００５４】
ドレイン電極２１及びソース電極２２上には、当該ドレイン電極２１及びソース電極２２を形成する際にエッチングマスクとして用いられたレジストパターン６３が残存している。図示していないが、ドレインバスライン１４及び蓄積容量電極２５上にも同様にレジストパターン６３が残存している。
【００５５】
画素領域内には、複数の凹凸形成用突起６０が形成されている。凹凸形成用突起６０は、特に表示画面に垂直な方向に対して画面上下方向に傾いた方向からの光を多く乱反射させ、指向性の高い反射表示特性が得られるように、例えば画素領域内で図１１の左右方向に延びる線状に形成されている。凹凸形成用突起６０は、下層部６１と上層部６２とで構成されている。下層部６１は、ドレインバスライン１４と同一の形成材料で形成され、高融点金属層１４ｂ、Ａｌ系金属層１４ａ、高融点金属層１４ｂ、及び透明酸化導電膜１４ｃが順に積層された構成を有している。上層部６２はレジストパターン６３と同一の形成材料で形成され、下層部６１を形成する工程ではエッチングマスクとしても用いられる。レジストパターン６３及び凹凸形成用突起６０上の全面には、ＯＣ層３６が形成されている。ＯＣ層３６の表面には、例えば皺状の凹凸が形成されている。
【００５６】
ＯＣ層３６上には、反射電極１６が画素領域毎に形成されている。反射電極１６は光反射材料等で形成され、例えば高融点金属層１６ａ及びＡｌ系金属層１６ｂの積層構造を有している。反射電極１６の表面には、ＯＣ層３６表面の形状に倣った凹凸が形成されている。表示画面側から入射する光を反射電極１６の凹凸状表面で乱反射させることにより、良好な反射表示特性が得られるようになっている。反射電極１６は、ソース電極２２上のＯＣ層３６及びレジストパターン６３が開口されたコンタクトホール２４を介して、ソース電極２２に電気的に接続されている。また反射電極１６は、蓄積容量電極２５上のＯＣ層３６及びレジストパターン６３が開口されたコンタクトホール２６を介して、蓄積容量電極２５に電気的に接続されている。
【００５７】
図１３は、ＴＦＴ基板２のドレイン端子近傍の構成を示している。図１４は、図１３のＤ−Ｄ線で切断したＴＦＴ基板２の断面構成を示している。図１３及び図１４に示すように、ドレイン端子７０は、ドレインバスライン１４と同一の形成材料で形成され、高融点金属層１４ｂ、Ａｌ系金属層１４ａ、高融点金属層１４ｂ、及び透明酸化導電膜１４ｃが順に積層された構成を有している。ドレイン端子７０上のＯＣ層３６及びレジストパターン６３は開口され、コンタクトホール２８が形成されている。コンタクトホール２８の形成された領域では、ドレイン端子７０の最上層である透明酸化導電膜１４ｃが露出している。露出している透明酸化導電膜１４ｃは、ドレイン端子７０の保護導電膜としても機能するようになっている。なお、ゲート端子はドレイン端子７０と同様の構成を有していてもよい。その場合、ゲート端子は繋ぎ換え領域を介してゲートバスライン１２に電気的に接続される。
【００５８】
本実施の形態では、反射電極１６の表面が、ＯＣ層３６の形状に倣った凹凸状に形成されている。このため、表示画面側から入射する光を反射電極１６表面で乱反射させることにより、高輝度及び高視野角の液晶表示装置が得られる。
【００５９】
また本実施の形態では、ドレイン端子７０が透明酸化導電膜１４ｃを最上層に有している。このため、ドレイン端子７０の耐腐食性が向上し、液晶表示装置の製造歩留まりや信頼性が向上する。
【００６０】
次に、本実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法について図１５乃至図１８を用いて説明する。図１５乃至図１８は、ＴＦＴ基板２の製造方法を示す工程断面図であり、図１２に対応する断面を示している。まず、図１５（ａ）に示すように、透明絶縁性基板であるガラス基板６上に直接、又は必要に応じてＳｉＯＸ等の保護膜を形成した後に、例えば膜厚１３０ｎｍのＡｌ系金属層１２ａと、例えば膜厚７０ｎｍのＴｉ層等の高融点金属層１２ｂとをスパッタリングによりこの順に成膜する。これにより、厚さ約２００ｎｍの金属層が形成される。高融点金属としては、Ｔｉ以外にも例えばＣｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、及びこれらの合金を用いることができる。Ａｌ系金属には、ＡｌやＡｌ合金が含まれる。Ａｌ合金としては、Ｎｄ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｃ等のうち１つ又は複数をＡｌに添加した材料を用いることができる。
【００６１】
次に、高融点金属層１２ｂ上の全面にレジストを塗布する。次に、第１のマスクを用いて露光して現像し、所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。次に、得られたレジストパターンをエッチングマスクとして、塩素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、図１５（ｂ）に示すようにゲートバスライン１２が形成されるとともに、蓄積容量バスライン１８及びゲート端子（図示せず）が形成される。
【００６２】
次に、図１６（ａ）に示すように、例えば膜厚４００ｎｍのＳｉＮ膜をプラズマＣＶＤ法により基板全面に成膜し、絶縁膜３２を形成する。続いて、動作半導体層５０を形成するための例えば膜厚１５０ｎｍのａ−Ｓｉ層５０’をプラズマＣＶＤ法により基板全面に成膜する。さらに、例えば膜厚３０ｎｍのｎ＋ａ−Ｓｉ層５１をプラズマＣＶＤ法により基板全面に成膜する。
【００６３】
次に、スピンコート等によりｎ＋ａ−Ｓｉ層５１上の全面にレジストを塗布する。次に、ガラス基板６の表面側（図１６（ａ）では上方）から第２のマスクを用いて露光する。その後現像し、露光された領域のレジストを溶解して除去する。これにより、ゲートバスライン１２上のチャネル領域、ドレイン電極２１上及びソース電極２２上に、レジストパターン（図示せず）が形成される。次に、得られたレジストパターンをエッチングマスクとして、ｎ＋ａ−Ｓｉ層５１及びａ−Ｓｉ層５０’に対してフッ素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、図１６（ｂ）に示すように、動作半導体層５０及びその上層のｎ＋ａ−Ｓｉ層５１が島状に形成される。
【００６４】
次に、図１７（ａ）に示すように、高融点金属層（例えばＴｉ層又はＴｉ合金層）１４ｂ、Ａｌ系金属層（Ａｌ層又はＡｌ合金層）１４ａ及び高融点金属層１４ｂ、透明酸化導電膜（例えばＩＴＯ層）１４ｃをスパッタリングによりそれぞれ２０／７５／１００／７０ｎｍの膜厚に成膜し、導電層を形成する。高融点金属層１４ｂには、例えばＣｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ及びこれらの合金等を用いることもできる。
【００６５】
次に、透明酸化導電膜１４ｃ上の全面にレジストを塗布する。次に、第３のマスクを用いて露光して現像し、図１７（ｂ）に示すように、所定形状のレジストパターン６３と凹凸形成用突起６０の上層部６２とを形成する。次に、レジストパターン６３及び上層部６２をエッチングマスクとして、透明酸化導電膜１４ｃに対してシュウ酸系エッチャントを用いたウエットエッチングを行う。続いて、高融点金属層１４ｂ、Ａｌ系金属層１４ａ及び高融点金属層１４ｂに対して塩素系ガスを用いたドライエッチングを行う。さらに、ドレイン電極２１とソース電極２２の間に残存するｎ＋ａ−Ｓｉ層５１に対して、塩素系ガスを用いたドライエッチングを行う。このエッチングでは、ドレイン電極２１及びその下層のｎ＋ａ−Ｓｉ層５１と、ソース電極２２及びその下層のｎ＋ａ−Ｓｉ層５１との間を確実に分離させるため、動作半導体層５０表面までエッチング（チャネルエッチング）される。これにより、凹凸形成用突起６０の下層部６１、ドレイン電極２１及びソース電極２２が形成される。同時に、ドレインバスライン１４、ドレイン端子７０及び蓄積容量電極２５が形成される。
【００６６】
次に、エッチングマスクとして用いたレジストパターン６３及び上層部６２を剥離除去せずに、感光性を有するノボラック系樹脂をスピンコータやスリットコータ等を用いて基板全面に塗布し、１４０℃以下の温度で加熱処理して、ＯＣ層３６を形成する。このときのＯＣ層３６表面は、凹凸形成用突起６０に倣った凹凸状に形成される。次に、第４のマスクを用いて露光し、ＴＭＡＨ等のアルカリ現像液を用いて現像する。これにより、図１８に示すようにソース電極２２上のＯＣ層３６には、コンタクトホール２４形成用の開口部が形成される。ソース電極２２上の開口部では、レジストパターン６３が露出する。また、蓄積容量電極２５上や、ゲート端子上、ドレイン端子７０上のＯＣ層３６にも開口部が形成される。蓄積容量電極２５上及びドレイン端子７０上の開口部では、レジストパターン６３が露出する。ゲート端子上の開口部では、絶縁膜３２が露出する。
【００６７】
次いで、ＯＣ層３６を１２０〜１５０℃でポストベークする。さらに、ＯＣ層３６の表面に波長２００〜２６０ｎｍのＵＶ光を照射して、ＯＣ層３６の厚さ方向又は基板面方向に熱的変形特性の分布を形成する。その後、ＯＣ層３６を２２０℃でアニールする。これにより、ＯＣ層３６表面に例えばランダムな皺状の凹凸が形成される。あるいは、ＯＣ層３６を１２０〜１５０℃でポストベークした後に、ＯＣ層３６の表面にＢ２Ｈ６ガスを用いたイオンドーピングを施し、その後ＯＣ層３６を２２０℃でアニールしてもよい。
【００６８】
次に、ＯＣ層３６をマスクとして、Ｏ２ガスを用いたアッシング、あるいはフッ素系ガス＋Ｏ２ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、ソース電極２２上の開口部で露出していたレジストパターン６３が除去され、透明酸化導電膜１４ｃが露出するコンタクトホール２４が形成される。同時に、蓄積容量電極２５上及びドレイン端子７０上の開口部で露出しているレジストパターン６３が除去され、透明酸化導電膜１４ｃが露出するコンタクトホール２６、２８がそれぞれ形成される。ソース電極２２、蓄積容量電極２５及びドレイン端子７０の最上層は透明酸化導電膜１４ｃであるため、Ｏ２ガスを用いたアッシング、あるいはフッ素系ガス＋Ｏ２ガスを用いたドライエッチングを行っても酸化による抵抗上昇が生じない。ここで、レジストパターン６３がＯＣ層３６に対して剥離選択性のある材料で形成されていれば、各開口部で露出しているレジストパターン６３を剥離除去することも可能である。続いて、フッ素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、ゲート端子上の開口部で露出している絶縁膜３２が除去され、ゲート端子表面が露出するコンタクトホールが形成される。
【００６９】
次に、スパッタリング等の薄膜形成方法により、例えば膜厚１００ｎｍの高融点金属層（Ｔｉ層又はＴｉ合金層等）１６ａと、例えば膜厚１００ｎｍのＡｌ系金属層（Ａｌ層又はＡｌ合金層等）１６ｂとを基板全面にこの順に成膜する。次に、Ａｌ系金属層１６ｂ上の全面にレジストを塗布し、第５のマスクを用いて露光して現像し、所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。得られたレジストパターンをエッチングマスクとして、塩素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、コンタクトホール２４を介してソース電極２２に電気的に接続され、コンタクトホール２６を介して蓄積容量電極２５に電気的に接続された反射電極１６が画素領域毎に形成される。この後、１５０〜２３０℃の範囲内、好ましくは２００℃で熱処理する。以上の工程を経て、図３乃至図６に示すＴＦＴ基板２が完成する。
【００７０】
本実施の形態によれば、ドレイン電極２１及びソース電極２２の形成と同時に凹凸形成用突起６０を形成でき、凹凸形成用突起６０を形成するための新たなマスクが不要である。このため、ＴＦＴ基板２の製造工程を増加させずに、良好な反射表示特性の得られる液晶表示装置を実現できる。
【００７１】
以上説明した実施の形態による液晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
（付記１）
基板上に導電層を形成し、
前記導電層上に感光性樹脂を塗布してパターニングし、所定形状の感光性樹脂層を形成し、
前記感光性樹脂層をマスクとして前記導電層をパターニングし、薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極を形成するとともに、前記感光性樹脂層からなる上層部と前記導電層からなる下層部とを有する凹凸形成用突起を画素領域内に形成し、
前記感光性樹脂層上に絶縁性樹脂を塗布して、前記凹凸形成用突起に倣った凹凸を表面に有する絶縁性樹脂層を形成し、
前記絶縁性樹脂層上に反射電極を形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【００７２】
（付記２）
付記１記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記絶縁性樹脂として、感光性樹脂を用いること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【００７３】
（付記３）
付記２記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記絶縁性樹脂層をパターニングする工程と、
パターニングされた前記絶縁性樹脂層をマスクとして、前記感光性樹脂層と前記感光性樹脂層の下層に形成された絶縁膜とを一括して開口し、コンタクトホールを形成する工程とをさらに有すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【００７４】
（付記４）
付記２記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記感光性樹脂層は、前記絶縁性樹脂層に対して剥離選択性を有し、
前記絶縁性樹脂層をパターニングする工程と、
パターニングされた前記絶縁性樹脂層をマスクとして、前記感光性樹脂層を剥離した後に、前記感光性樹脂層の下層に形成された絶縁膜を開口し、コンタクトホールを形成する工程とをさらに有すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【００７５】
（付記５）
付記２乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記絶縁性樹脂層表面に所定のエネルギーを与えて、前記絶縁性樹脂層に熱的変形特性の分布を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂層を熱処理して、前記絶縁性樹脂層表面に凹凸を形成する工程とをさらに有すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【００７６】
（付記６）
付記２乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記絶縁性樹脂層を露光又はハーフ露光して現像し、前記絶縁性樹脂層表面に凹凸を形成する工程をさらに有すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【００７７】
（付記７）
基板上に配置された複数の画素領域と、
前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極と同一の形成材料で形成された下層部と、感光性樹脂で形成された上層部とを有し、前記画素領域内に配置された凹凸形成用突起と、
前記凹凸形成用突起上に形成された絶縁性樹脂層と、
前記絶縁性樹脂層上に形成され、前記ソース電極に電気的に接続された反射電極と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
【００７８】
（付記８）
付記７記載の液晶表示装置用基板において、
前記絶縁性樹脂層は、前記凹凸形成用突起に倣った凹凸を表面に有し、
前記反射電極は、前記絶縁性樹脂層表面に倣った凹凸を表面に有すること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【００７９】
（付記９）
付記７又は８に記載の液晶表示装置用基板において、
前記ソース／ドレイン電極及び前記下層部は、酸化導電膜を少なくとも最上層に有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【００８０】
（付記１０）
付記９記載の液晶表示装置用基板において、
前記ソース／ドレイン電極及び前記下層部は、高融点金属層と、Ａｌ層又はＡｌ合金層と、高融点金属層と、前記酸化導電膜とがこの順に積層された構造を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【００８１】
（付記１１）
付記９又は１０に記載の液晶表示装置用基板において、
前記反射電極は、高融点金属層と、Ａｌ層又はＡｌ合金層とがこの順に積層された構造を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【００８２】
（付記１２）
付記７乃至１１のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記基板上に形成された複数のバスラインと、前記複数のバスラインにそれぞれ接続された複数の端子部とを有し、
前記複数の端子部のいずれかは、酸化導電膜を少なくとも最上層に有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【００８３】
（付記１３）
付記１２記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の端子部のいずれかは、高融点金属層と、Ａｌ層又はＡｌ合金層と、高融点金属層と、前記酸化導電膜とがこの順に積層された構造を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【００８４】
（付記１４）
対向配置された一対の基板と、前記一対の基板間に封止された液晶とを備えた液晶表示装置において、
前記一対の基板の一方は、付記７乃至１３のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板が用いられていること
を特徴とする液晶表示装置。
【００８５】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、良好な表示特性及び高い信頼性を有し、かつ製造工程を簡略化できる液晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の等価回路を模式的に示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線で切断した液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の端子部の構成を示す図である。
【図６】図５のＢ−Ｂ線で切断した液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図１２】図１１のＣ−Ｃ線で切断した液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の端子部の構成を示す図である。
【図１４】図１３のＤ−Ｄ線で切断した液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１６】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１７】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１８】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１９】従来の液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図２０】図１９のＸ−Ｘ線で切断した液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図２１】従来の液晶表示装置用基板の端子部近傍の構成を示す図である。
【図２２】図２１のＹ−Ｙ線で切断した液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図２３】従来の液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２４】従来の液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２５】従来の液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２６】従来の液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２７】従来の液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【符号の説明】
２  ＴＦＴ基板
４  対向基板
６  ガラス基板
８  ゲート端子
１２  ゲートバスライン
１２ａ  Ａｌ系金属層
１２ｂ  高融点金属層
１４  ドレインバスライン
１４ａ  Ａｌ系金属層
１４ｂ  高融点金属層
１４ｃ  透明酸化導電膜
１６  反射電極
１６ａ  高融点金属層
１６ｂ  Ａｌ系金属層
１８  蓄積容量バスライン
２０  ＴＦＴ
２１  ドレイン電極
２２  ソース電極
２３  チャネル保護膜
２４、２６、２８  コンタクトホール
２５  蓄積容量電極
３２  絶縁膜
３４  保護膜
３６  ＯＣ層
４２  突起
４４  樹脂ＣＦ層
５０  動作半導体層
５０’  ａ−Ｓｉ層
５１  ｎ＋ａ−Ｓｉ層
６０  凹凸形成用突起
６１  下層部
６２  上層部
６３  レジストパターン
７０  ドレイン端子
８０  ゲートバスライン駆動回路
８２  ドレインバスライン駆動回路
８４  制御回路
８７  偏光板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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