(57)【要約】【課題】媒体ノイズが小さく、熱揺らぎに強く、しかも記録分解能が高い垂直磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。【解決手段】裏打軟磁性膜を形成するステップと垂直磁化膜を形成するステップの間にＴａを主成分とする膜を形成するステップを有し、かつ垂直磁化膜を形成するステップの後に３５０℃以上４５０℃以下となる加熱プロセスを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に裏打軟磁性膜を介して垂直磁化膜が設けられた垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記裏打軟磁性膜を形成するステップと前記垂直磁化膜を形成するステップの間に、Ｔａを主成分とする膜を形成するステップを有し、かつ前記垂直磁化膜を形成するステップの後に加熱プロセスを有することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記加熱プロセスの到達温度が３５０℃以上４５０℃以下となるように設定されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記垂直磁化膜を形成するステップに用いる材料がＣｏとＣｒを主成分とする合金であり、前記垂直磁化膜を形成するステップの直前に前記垂直磁化膜を形成するステップに用いる材料よりもＣｒ濃度の高い材料を用いて膜を形成するステップを有することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記垂直磁化膜を形成するステップの直後に前記垂直磁化膜を形成するステップに用いる材料よりもＣｒ濃度の高い材料を用いて膜を形成するステップを有することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
請求項３または４記載の垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記垂直磁化膜を形成するステップに用いるＣｏとＣｒを主成分とする合金のＣｒ濃度が１９原子パーセント以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
非磁性基板上に裏打磁性膜を介して垂直磁化膜が設けられた垂直磁気記録媒体において、前記裏打磁性膜と前記垂直磁化膜の間にＴａを主成分とする層を有し、前記垂直磁化膜がＣｏおよびＣｒを主成分とする合金膜で構成され、前記合金膜のＣｒ濃度が膜厚方向に変化しており、前記合金膜の基板側界面から前記合金膜中央へ向かって膜厚方向に減少していることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
請求項６記載の垂直磁気記録媒体において、前記ＣｏおよびＣｒを主成分とする合金膜のＣｒ濃度が前記合金膜の表面側界面から前記合金膜中央へ向かって膜厚方向に減少していることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項８】
非磁性基板上に裏打磁性膜を介して垂直磁化膜が設けられた垂直磁気記録媒体において、前記裏打磁性膜と前記垂直磁化膜の間にＴａを主成分とする層を有し、前記垂直磁化膜がＣｏおよびＣｒを主成分とする合金膜で構成され、前記ＣｏおよびＣｒを主成分とする合金膜の基板側界面近傍においてＣｒ濃度が極大となることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項９】
非磁性基板上に裏打磁性膜を介して垂直磁化膜が設けられた垂直磁気記録媒体において、前記裏打磁性膜と前記垂直磁化膜の間にＴａを主成分とする層を有し、前記垂直磁化膜がＣｏおよびＣｒを主成分とする合金膜で構成され、前記ＣｏおよびＣｒを主成分とする合金膜の表面側界面近傍においてＣｒ濃度が極大となることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、大容量の情報記録が可能な磁気記録媒体およびその製造方法に係り、特に垂直磁化膜が設けられた高密度磁気記録に好適な磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
情報化社会の進行により日常的に扱う情報量が増加し、これに伴って磁気記憶装置に対する大容量化の要求が強くなっている。この要求に対応すべく、高感度の磁気ヘッドや低ノイズの磁気記録媒体などの開発が精力的に行われている。
【０００３】
ところで、現在実用化されている面内磁気記録方式の場合、媒体に記録された磁化が互いに逆向きに向き合って隣接するので、線記録密度を高めるためには記録層の保磁力を増大させるとともに、膜厚を減少させることが必要である。しかし、記録層の保磁力が大きくなると記録ヘッドの書き込み能力が不足する問題が生じ、記録層の膜厚が小さくなると熱減磁により記録情報が失われる問題が生じる。このような問題のために、面内磁気記録方式を用いて現在の記録密度を飛躍的に向上させることは困難となってきている。
【０００４】
これらの問題を克服する手段として、垂直磁気記録方式が検討されている。垂直磁気記録方式の場合、隣接する磁化が向き合わないために高密度でも記録状態が安定であり、本質的に高密度記録に適した方式であると考えられる。また、単磁極型の記録ヘッドと裏打軟磁性層を有する二層垂直磁気記録媒体とを組合せることにより、記録効率を上げることができ、記録膜の保磁力増加に対応することも可能であると考えられる。ただし、垂直磁気記録方式を用いて高密度記録を実現するためには、低ノイズでかつ熱減磁に強い垂直磁気記録媒体を開発する必要がある。
【０００５】
垂直磁気記録媒体の記録層としては、Ｐｔ元素を添加したＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金膜やＣｏ層とＰｄ層を積層した人工格子膜を中心に検討されている。これらの記録層を用いた媒体のノイズを低減するためには、磁性結晶粒間の交換結合を低減させることが重要である。
【０００６】
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金膜の場合、結晶粒界へのＣｒ偏析を利用して交換結合を低減させる方法が従来から検討されている。結晶粒界のＣｒ濃度を増やすためにはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金膜へのＣｒ元素添加量を高めることが有効であるが、このとき結晶粒内にもＣｒ元素が多く残るために、磁性粒子自体の磁気異方性が下がってしまい、熱減磁特性に問題が生じる。一方、熱減磁特性を確保するためにＣｒ元素添加量を低めに抑えた場合には結晶粒界のＣｒ濃度が不足して粒間の交換結合を低減させることができない。
【０００７】
このような問題を解決するための有効な手段として記録層形成後のポストアニールが考えられる。ポストアニールに関しては、例えば特開２０００‐２６８３３８号公報に、面内磁気記録媒体に適用可能な技術が開示されている。垂直磁気記録媒体のポストアニールに関しても、例えば日本応用磁気学会誌２１巻２８９頁（１９９７年発行）およびジャーナル・オブ・アプライド・フィジクス（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ）８７巻６８９０頁（２０００年発行）に報告されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ポストアニールに関する従来技術は、記録層の結晶粒界のＣｒ濃度を増加させる点では有効であるが、裏打軟磁性層の上に薄い中間層を介して記録層を形成した二層垂直磁気記録媒体に適用した場合、中間層が裏打軟磁性層あるいは記録層と反応して磁化し、記録層と裏打軟磁性層の間の磁気的分離が損なわれる。その結果、記録層の結晶粒間の交換相互作用が強まり、ノイズが増加する。
【０００９】
本発明の目的は、非磁性基板上に裏打軟磁性膜と極薄中間膜を介して垂直磁化膜が設けられた二層垂直磁気記録媒体に関して、裏打軟磁性膜と垂直磁化膜の間の磁気的分離を損なうことなく、垂直磁化膜の結晶粒間の交換結合を低減させることにより、媒体ノイズが小さく、熱揺らぎに強く、しかも記録分解能が高い垂直磁気記録媒体およびその製造方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の一つの特徴によれば、非磁性基板上に裏打軟磁性膜を介して垂直磁化膜が設けられた垂直磁気記録媒体の製造方法として、裏打軟磁性膜を形成するステップと垂直磁化膜を形成するステップの間に、Ｔａを主成分とする膜を形成するステップを有し、かつ垂直磁化膜を形成するステップの後に加熱プロセスを有する。
【００１１】
この方法を用いれば垂直磁化膜と軟磁性裏打層の間の磁気的分離を損なうことなく垂直磁化膜の結晶粒間の交換結合を低減させることができ、高い記録分解能を維持しながら媒体ノイズの低減を可能とした垂直磁気記録媒体を製造することができる。なお、この加熱プロセスの到達温度が３５０℃以上４５０℃以下となるように設定されているときに、垂直磁化膜の結晶粒間の交換結合を低減させる効果が大きい。
【００１２】
また、垂直磁化膜を形成するステップに用いる材料がＣｏとＣｒを主成分とする合金であり、垂直磁化膜を形成するステップの直前に垂直磁化膜を形成するステップに用いる材料よりもＣｒ濃度の高い材料を用いて膜を形成するステップを有することがより好ましい。この方法を用いて作製したＣｏとＣｒを主成分とする合金膜はＣｒ濃度が合金膜の基板側界面から合金膜中央へ向かって膜厚方向に減少している特徴を有する。
【００１３】
さらに、垂直磁化膜を形成するステップの直後に垂直磁化膜を形成するステップに用いる材料よりもＣｒ濃度の高い材料を用いて膜を形成するステップを有することがより好ましい。この方法を用いて作製したＣｏとＣｒを主成分とする合金膜はＣｒ濃度が前記合金膜の表面側界面から合金膜中央へ向かって膜厚方向に減少している特徴を有する。
【００１４】
また、垂直磁化膜を形成するステップに用いるＣｏとＣｒを主成分とする合金のＣｒ濃度が１９原子パーセント以下であることがより好ましい。このような製造方法の改善とその結果得られる膜構造の改善により、磁気異方性が高く熱揺らぎに強い垂直磁化膜に対しても結晶粒間の交換結合を低減させることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
（実施例１）
本発明の一実施例の垂直磁気記録媒体を、アネルバ株式会社製のスパッタリング装置（Ｃ−３０１０）を用いて形成した。本スパッタリング装置は８個のプロセスチャンバーと１個の基板導入チャンバーからなり、各チャンバーは独立に排気されている。すべてのプロセスチャンバーを１×１０−５Ｐａ以下の真空度まで排気した後、基板を載せたキャリアを各プロセスチャンバーに移動させることにより順にプロセスを実施した。スパッタ用のプロセスチャンバーには磁石回転型スパッタカソードを設置して、直径１１０ｍｍのターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタリングにより膜形成を行った。加熱用のプロセスチャンバーにはランプヒータを設置して、投入電力の調節により基板温度を制御した。基板温度の確認は放射型温度計を用いて行った。
【００１６】
図１は本発明の一実施形態になる垂直磁気記録媒体の断面構造を示したものである。以下に、本発明の媒体の作製手順を示す。
【００１７】
基板１０としては、厚さ０．６３５ｍｍ、直径６５ｍｍの結晶化ガラスを用いた。まず、基板１０の上にＮｉ−３７．５ａｔ％Ｔａ−１０ａｔ％Ｚｒ合金からなる膜厚３０ｎｍのシード層１１を形成した。次に、Ｆｅ−８ａｔ％Ｔａ−１２ａｔ％Ｃ合金からなる膜厚４００ｎｍの裏打軟磁性層１２を形成した。その後、ランプヒータに１６００Ｗの電力を１２秒間投入して加熱を行った。そのときの到達基板温度は約４５０℃である。
【００１８】
次に、基板温度が下がるのを待ってから、ＴａまたはＴａ合金からなる膜厚３ｎｍのＴａ合金中間層１３を形成し、ついでＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金またはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金などからなる膜厚２０ｎｍのＣｏ−Ｃｒ合金記録層１４を形成した。記録層形成直前の基板温度は約２５０℃である。
【００１９】
さらに、ランプヒータにより加熱処理を行った後、基板温度が１５０℃以下に下がるのを待って、膜厚５ｎｍのカーボン保護層１５を形成した。記録膜形成後に行われるこの加熱処理をポストアニールと呼んでいる。
【００２０】
上記工程において、スパッタガスとしてはアルゴンを用い、スパッタを行う時には０．５Ｐａに設定した。カーボン保護層まで形成した後、媒体をチャンバーから取り出し、その表面に有機系の潤滑剤を塗布して潤滑層（図示せず）を形成した。
【００２１】
実施例１の媒体としては、Ｃｏ−Ｃｒ合金記録層１４にはＣｏ−１７ａｔ％Ｃｒ−１４ａｔ％Ｐｔ合金を用い、Ｔａ合金中間層にはＴａまたはＴａ−５ａｔ％Ｃｒ合金を用いた。ポストアニール温度の異なるサンプルを数種類作製し、磁気特性と記録再生特性を測定した。
【００２２】
比較するためのサンプルとして、前記のＴａ合金中間層の代わりにＮｉ−３７．５ａｔ％Ｔａ−１０ａｔ％Ｚｒ合金、およびＴｉ−１０ａｔ％Ｃｒ合金からなる中間層を形成した垂直磁気記録媒体を作製した。中間層の材料のみが異なっており、それ以外の膜構成およびプロセス条件は実施例１と同じである垂直磁気記録媒体を作製し、これを比較例１とした。
【００２３】
実施例１および比較例１に記載した媒体について測定した記録層の保磁力および保磁力付近のカーループの傾きをそれぞれ表１および表２に示す。保磁力およびカーループの傾きは以下の方法により評価した。測定装置としてはカー効果型磁力計を用いた。サンプル温度が約２５℃になるように環境を設定し、磁界をサンプルの膜面垂直方向に印加しながらカー回転角を検出してカーループを測定した。
【００２４】
【表１】
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【表２】
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磁界の掃印は一定速度でプラス１７６０ｋＡ／ｍからマイナス１７６０ｋＡ／ｍ、そしてマイナス１７６０ｋＡ／ｍからプラス１７６０ｋＡ／ｍまでを６４秒間で行なった。得られたカーループについて傾き補正とオフセット補正を行ない、保磁力と保磁力付近のカーループの傾きを求めた。熱揺らぎに強い媒体を得るためには高い保磁力が必要であり、ノイズの低い媒体を得るためには記録層結晶粒間の交換結合が弱くカーループの傾きが小さいことが必要である。
【００２５】
表１および表２において、ポストアニール温度が１６０℃と示されているサンプルはポストアニールしなかったことを意味する。ポストアニールしない場合には記録層のｃ軸配向性が得られる中間層であれば、どの中間層を用いてもほぼ同じ特性が得られている。ところが、ポストアニールを行った場合には、ＴａまたはＴａを主成分とする合金を中間層に用いた場合にＮｉ−Ｔａ−Ｚｒ合金やＴｉ−Ｃｒ合金を用いた場合に比べて保磁力は大きくカーループの傾きは小さい。ポストアニール温度が３５０℃以上では、Ｎｉ−Ｔａ−Ｚｒ合金やＴｉ−Ｃｒ合金を中間層に用いた場合には保磁力が急激に低下し、カーループの傾きは急激に増加する。ポストアニール温度が４５０℃以上では、ＴａまたはＴａを主成分とする合金を中間層に用いた場合でも、磁気特性が劣化している。
【００２６】
すなわち、垂直磁気記録媒体を作製するプロセスにポストアニールを用いる場合、ＴａまたはＴａを主成分とする合金を中間層に用いることにより媒体の磁気特性を向上させることができ、その効果はポストアニール温度が３５０℃以上で４５０℃以下のときに顕著となる。ＴａまたはＴａを主成分とする合金はＣｏ−Ｃｒ合金記録層のｃ軸配向性を得るための下地としての役割を果たす一方で、ポストアニールの際に裏打軟磁性層とＣｏ−Ｃｒ合金記録層の分離を維持する壁の役割を果たすと考えられる。Ｔａは高融点の材料であるために、このような壁の役割を果たすことができると考えられる。Ｎｉ−Ｔａ−Ｚｒ合金のようにＴａを含む合金であっても、Ｔａが主たる成分でなく５０ａｔ％未満しか含有しない場合には、Ｔａと比較して融点が大幅に低くなるため、３５０℃以上のポストアニールを行う垂直磁気記録媒体の中間層には適さない。
【００２７】
図２および図３にオージェ電子分光法により媒体の深さ方向の組成分布を分析した結果を示す。電子線の加速電圧は１０ｋＶ、ビーム電流は１０ｎＡに設定して分析を行った。深さ方向の分布を得るために、１０ｍＰａのアルゴンガス中で生成したイオンを用いて加速電圧２ｋＶの条件で媒体表面をスパッタリングすることで膜を深さ方向に削りながら分析を行った。図２および図３に示された横軸のスパッタ時間は媒体表面からの深さに対応する。
【００２８】
図２は実施例１のＴａを中間層に用いた媒体を分析した結果であり、図３は比較例１のＮｉ−Ｔａ−Ｚｒ合金を中間層に用いた媒体を分析した結果である。いずれも３９５℃でポストアニールしたサンプルである。サンプルの表面には保護膜のカーボン濃度のピーク２１と３１が観測され、中間層に対応する位置にはＴａ合金中間層あるいはＮｉ−Ｔａ−Ｚｒ合金中間層のＴａ濃度のピーク２２と３２が観測される。ここで、図２の２２と図３の３２はそれぞれＣｒの分布を示すが、図３の場合にはＣｏ−Ｃｒ合金記録層のＣｒ原子が中間層の方向に拡散している様子が確認できる。それに比べて図２の場合には、Ｔａ合金中間層によってＣｒ原子の拡散が抑えられている。
【００２９】
このような中間層を介した原子の拡散が二層垂直磁気記録媒体の特性に及ぼす影響をさらに詳しく調べるために、これら２種類のサンプル、すなわちＴａおよびＮｉ−Ｔａ−Ｚｒ合金を中間層に用いたサンプル（二層媒体と呼ぶ）と、これらと同じ構成でＦｅ−Ｔａ−Ｃ裏打軟磁性層の代わりにＮｉ−３７．５ａｔ％Ｔａ−１０ａｔ％Ｚｒ合金を裏打軟磁性層と同じ膜厚だけ形成したサンプル（単層媒体と呼ぶ）を比較した。保磁力のポストアニール温度依存性を表３に示す。
【００３０】
【表３】
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Ｔａ合金中間層を用いた場合には単層媒体でも二層媒体でもほぼ同じ保磁力を示すのに対して、Ｎｉ−Ｔａ−Ｚｒ中間層を用いた場合には単層媒体はＴａ合金中間層を用いた場合とほぼ同じ保磁力を示すが、二層媒体は３５０℃以上のポストアニールによって、保磁力が急激に低下している。これは裏打軟磁性層とＣｏ−Ｃｒ合金記録層の分離が不十分となり、磁気的な相互作用が働いたためと考えられる。
【００３１】
実施例１および比較例１の媒体について、スピンスタンドにおける記録再生特性の評価を行った。この評価に用いたヘッドはシールドギャップ長６２ｎｍ、トラック幅１２０ｎｍの巨大磁気抵抗効果を利用した再生素子と、トラック幅を１５０ｎｍとした単磁極型書き込み素子からなる複合磁気ヘッドである。
【００３２】
周速１０ｍ／ｓ、スキュー角０度、磁気スペーシング約１５ｎｍの条件で、再生出力とノイズを測定した。媒体ＳＮＲは１９７０ｆｒ／ｍｍ（５０ｋＦＣＩ）の線記録密度における孤立波再生出力と２３６２０ｆｒ／ｍｍ（６００ｋＦＣＩ）の線記録密度での媒体ノイズの比によって評価した。
【００３３】
媒体ＳＮＲの相対値を表４に示す。実施例１のＴａ合金中間層を用いた場合にはポストアニールによりＳＮＲが向上する一方で、比較例１のＮｉ−Ｔａ−Ｚｒ中間層を用いた場合には３５０℃以上のポストアニールによりＳＮＲが低下している。ポストアニールによってＣｏ−Ｃｒ合金記録層のＳＮＲを向上させるためにはＴａ合金中間層を用いると効果的であることが有効である。
【００３４】
【表４】
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（実施例２）
実施例２の垂直磁気記録媒体は、上述した実施例１と同様の膜構成および同じプロセス条件で作製した。図４は本実施例による垂直磁気記録媒体の一実施形態を表し、その断面構造を示したものである。膜構成に関して実施例１と異なるのは、Ｔａ合金中間層４３とＣｏ−Ｃｒ合金記録層４５の間にＣｒ含有中間層４４を挿入したことである。このＣｒ含有中間層４４は、Ｃｏ−４０ａｔ％Ｃｒ合金、Ｃｏ−２５ａｔ％Ｃｒ−２５ａｔ％Ｒｕ合金またはＣｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−３０ａｔ％Ｒｕ合金を用いて形成した。Ｔａ合金中間層４３としてＴａを形成し、Ｃｏ−Ｃｒ合金記録層４５としてＣｏ−１５ａｔ％Ｃｒ−１４ａｔ％Ｐｔ−４ａｔ％Ｂ合金を形成し、３９５℃のポストアニールを行った。
【００３５】
比較のためにＣｒ含有中間層４４の代わりに、Ｃｏ−１０ａｔ％Ｃｒ−３５ａｔ％Ｒｕ合金またはＣｏ−４０ａｔ％Ｒｕ合金を中間層に用いたサンプルを作製し、これらを比較例２とした。いずれの中間層を用いても同等に良好な垂直配向性が得られた。
【００３６】
表５に各中間層を用いた場合に対応して保磁力とＳＮＲ相対値を示した。保磁力およびＳＮＲの測定方法は実施例１と同じである。表５の結果から、Ｃｏ−Ｃｒ合金記録層の直下に存在する中間層には１５ａｔ％以上のＣｒが含有されていることによりポストアニールの効果が十分得られることがわかる。Ｃｏ−Ｃｒ合金記録層のＣｒ濃度が１５ａｔ％であることから、Ｃｏ−Ｃｒ合金記録層よりもＣｒ濃度の高い中間層が必要であると推察できる。
【００３７】
【表５】
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図５に、Ｃｒ含有中間層４４としてＣｏ−４０ａｔ％Ｃｒ合金を用いた実施例２のサンプルについて、オージェ電子分光法により媒体の深さ方向の組成分布を分析した結果を示す。分析の方法は実施例１と同じである。保護膜に対応するカーボン濃度５１のピークとＴａ合金中間層に対応するＴａ濃度５２のピークが観測され、Ｃｒ濃度５３はＣｏ−Ｃｒ合金記録層の基板側界面近傍において極大となっており、Ｃｏ−Ｃｒ合金記録層の基板側界面からＣｏ−Ｃｒ合金記録層中央へ向かって膜厚方向に減少していた。
（実施例３）
実施例３の垂直磁気記録媒体は上述した実施例１と同様の膜構成および同じプロセス条件で作製した。図６は本発明による垂直磁気記録媒体の一実施形態を表し、その断面構造を示したものである。膜構成に関して実施例２と異なるのは、Ｃｏ−Ｃｒ合金記録層６５とカーボン保護膜６７の間にＣｒ含有キャップ層６６を挿入したことである。ただし、Ｃｒ含有キャップ層６６としてＣｒ、Ｃｏ−４０ａｔ％Ｃｒ合金、またはＣｏ−２５ａｔ％Ｃｒ−２５ａｔ％Ｒｕ合金を形成した。Ｔａ合金中間層６３としてＴａを形成し、Ｃｒ含有中間層６４としてＣｏ−４０ａｔ％Ｃｒ合金を形成し、Ｃｏ−Ｃｒ合金記録層６５としてＣｏ−１５ａｔ％Ｃｒ−１４ａｔ％Ｐｔ−４ａｔ％Ｂ合金を形成し、３９５℃のポストアニールを行った。比較のために、Ｃｒ含有キャップ層６６の代わりに、Ｃｏ−１０ａｔ％Ｃｒ−３５ａｔ％Ｒｕ合金またはＲｕをキャップ層６６に用いたサンプルを作製し、これらを比較例３とした。
【００３８】
表６に各キャップ層６６に対応して保磁力とＳＮＲ相対値を示した。保磁力およびＳＮＲの測定方法は実施例１と同じである。表６の結果から、Ｃｏ−Ｃｒ合金記録層の直上に存在するキャップ層には１５ａｔ％以上のＣｒが含有されていることによりポストアニールの効果が十分得られることがわかる。以上から、Ｃｏ−Ｃｒ合金記録層のＣｒ濃度が１５ａｔ％であることから、Ｃｏ−Ｃｒ合金記録層よりもＣｒ濃度の高いキャップ層が必要であると推察できる。
【００３９】
【表６】
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図７にＣｒ含有キャップ層６６としてＣｒを用いた実施例３のサンプルについて、オージェ電子分光法により媒体の深さ方向の組成分布を分析した結果を示す。分析の方法は実施例１と同じである。
【００４０】
保護膜に対応するカーボン濃度７１のピークとＴａ合金中間層に対応するＴａ濃度７２のピークが観測され、Ｃｒ濃度７３はＣｏ−Ｃｒ合金記録層の基板側界面近傍と表面側界面近傍の２箇所において極大を示す。Ｃｒ濃度５３はＣｏ−Ｃｒ合金記録層の基板側界面からＣｏ−Ｃｒ合金記録層中央へ向かって膜厚方向に減少するとともに、Ｃｏ−Ｃｒ合金記録層の表面側界面からＣｏ−Ｃｒ合金記録層中央へ向かって膜厚方向に減少している。このようなＣｒ濃度分布の特徴を有し、Ｔａ合金中間層が形成されているＣｏ−Ｃｒ合金系の二層垂直磁気記録媒体を作製することにより、大きな保磁力を有し熱揺らぎに強く、かつ高いＳＮＲを示す高密度記録に適する媒体を得ることができる。
（実施例４）
実施例４の垂直磁気記録媒体は上述した実施例３と同様の膜構成および同じプロセス条件で作製した。ただし、Ｃｏ−Ｃｒ合金記録層６５として表７に示す９種類の材料を用いて、その特性を比較した。Ｃｒ含有キャップ層６６としてＣｒを形成した。Ｔａ合金中間層６３としてＴａを形成し、Ｃｒ含有中間層６４としてＣｏ−４０ａｔ％Ｃｒ合金を形成し、３９５℃のポストアニールを行った。
【００４１】
表７に各記録層組成に対応して、そのＣｒ濃度、保磁力変化およびＳＮＲ変化を示した。保磁力およびＳＮＲの測定方法は実施例１と同じであり、ポストアニールを行わない場合と比較した値を変化として示した。表７の結果から、Ｃｏ−Ｃｒ合金記録層のＣｒ濃度が１９ａｔ％以下の場合に本発明による保磁力向上とＳＮＲ向上の効果が大きいことがわかる。
【００４２】
【表７】
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なお、本発明は基板を結晶化ガラス基板に特定する必要はなく、ガラス基板、あるいはＳｉ基板等の磁気記録媒体用の基板として知られる材料で耐熱性に優れるものであれば、いずれにおいても効果がある。
【００４３】
【発明の効果】
本発明によれば、二層垂直磁気記録媒体に関して、裏打軟磁性膜と垂直磁化膜の間の磁気的分離を損なうことなく、垂直磁化膜の結晶粒間の交換結合を低減させることができ、媒体ノイズが小さく、熱揺らぎに強く、しかも記録分解能が高い垂直磁気記録媒体およびその製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１の垂直磁気記録媒体の断面構造を示す模式図。
【図２】本発明の実施例１の垂直磁気記録媒体の構成元素の深さ方向濃度分布図。
【図３】比較例１の垂直磁気記録媒体の構成元素の深さ方向濃度分布図。
【図４】本発明の実施例２の垂直磁気記録媒体の断面構造を示す模式図。
【図５】本発明の実施例２の垂直磁気記録媒体の構成元素の深さ方向濃度分布図。
【図６】本発明の実施例３および４の垂直磁気記録媒体の断面構造を示す模式図。
【図７】本発明の実施例３の垂直磁気記録媒体の構成元素の深さ方向濃度分布図。
【符号の説明】
１０…基板、１１…シード層、１２…裏打軟磁性層、１３…Ｔａ合金中間層、１４…Ｃｏ−Ｃｒ合金記録層、１５…カーボン保護層、２１…カーボン濃度、２２…Ｔａ濃度、２３…Ｃｒ濃度。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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