(57)【要約】【課題】ウェハのエッジ部分への異物の付着を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。また、歩留まり向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ウェハ１のエッジ部分に形成された単層あるいは積層膜を、外周部に研磨パッドを取り付けた研磨ドラムを回転させながら研磨し除去する。次に、前述した研磨によりエッジ部にシリコンが露出したウェハ１を洗浄したあと、シリコンが露出したエッジ部分にノズル１０によりオゾン水を滴下して酸化シリコン膜１１を形成する。【選択図】    図１４
2004235286.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）シリコンよりなる半導体ウェハのエッジ部分に形成された単層膜あるいは積層膜を研磨して前記シリコンを露出する工程と、
（ｂ）前記シリコンが露出した前記半導体ウェハの前記エッジ部分上に膜を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
（ａ）シリコンよりなる半導体ウェハのエッジ部分に形成された単層膜あるいは積層膜を研磨して前記シリコンを露出する工程と、
（ｂ）前記シリコンが露出した前記半導体ウェハの前記エッジ部分上に酸化シリコン膜を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
（ａ）シリコンよりなる半導体ウェハのエッジ部分に形成された単層膜あるいは積層膜を研磨して前記シリコンを露出する工程と、
（ｂ）前記シリコンが露出した前記半導体ウェハの前記エッジ部分上に酸化シリコン膜を形成する工程とを備え、
前記（ｂ）工程は、前記半導体ウェハの前記エッジ部分にオゾン水をかけることによって酸化シリコン膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
（ａ）シリコンよりなる半導体ウェハのエッジ部分に形成された単層膜あるいは積層膜を研磨して前記シリコンを露出する工程と、
（ｂ）前記シリコンが露出した前記半導体ウェハの前記エッジ部分上に酸化シリコン膜を形成する工程とを備え、
前記（ｂ）工程は、前記半導体ウェハの前記エッジ部分に前記酸化シリコン膜を堆積させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
（ａ）シリコンよりなる半導体ウェハのエッジ部分に形成された単層膜あるいは積層膜を研磨して前記シリコンを露出する工程と、
（ｂ）前記シリコンが露出した前記半導体ウェハの前記エッジ部分上に酸化シリコン膜を形成する工程とを備え、
前記（ｂ）工程は、前記半導体ウェハを加熱することにより前記酸化シリコン膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に半導体ウェハへの異物付着が問題となる半導体装置の製造工程に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体ウェハ（以下、ウェハという）のエッジ部分からの異物の発生を防止するため、ウェハのエッジ部分に形成された膜を除去する手法がとられている。
【０００３】
例えば、ウェハ上に金属膜を形成した後、化学的機械的研磨法（ＣＭＰ法）によりこの金属膜を研磨しパターンを形成する。その後、ウェハのエッジ部分に残った金属膜をウェットエッチング法、レーザまたはＣＭＰ法を使用して除去することにより、ウェハのエッジ部分からの異物の発生を防ぐ技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、ウェハのエッジ部分に形成された膜を研磨することによって、除去する技術がある。一例として、３個の研磨ドラムを使用して、ウェハのエッジ部分の全域を研磨し、エッジ部分に形成された膜を除去するものがある。すなわち、第１のドラムで、ウェハのエッジ部分の上面側を研磨し、第２のドラムでウェハのエッジ部分の中央部を研磨し、第３のドラムで、ウェハのエッジ部分の下面側を研磨するものである（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
さらに、ウェハのエッジ部分に堆積されたポリシリコン膜を簡単に除去する技術として、表面に砥粒が設けられたテープをウェハのエッジ部分に接触させて除去するものがある（例えば、特許文献３参照）。
【０００６】
また、ウェハのエッジ部分を効率良く研磨することができ、しかも装置としてコンパクト化を図ることができるようにしたエッジ研磨装置がある（例えば、特許文献４または特許文献５参照）。
【０００７】
【特許文献１】
特開２０００−６８２７３号公報（第３頁、第１図）
【０００８】
【特許文献２】
特開２００２−３１３７５７号公報（第６頁〜第７頁、第４図）
【０００９】
【特許文献３】
特開平７−１９３０３０号公報（第２頁〜第３頁、第１図）
【００１０】
【特許文献４】
特開２００１−２８７１４２号公報（第３頁〜第４頁、第１図）
【００１１】
【特許文献５】
特開２００２−３６０８０号公報（第３頁〜第４頁、第１図）
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
上記した従来技術では、ウェハのエッジ部分に形成された膜に起因する異物発生を防止すべく、エッジ部分に形成された膜の除去を行っている。
【００１３】
しかし、エッジ部分の膜の除去を行うと、ウェハのエッジ部分にシリコンが露出する。この露出したシリコン表面には異物が付着し易く、ウェハのエッジ部分からの発塵のポテンシャルを高めているという問題点がある。
【００１４】
例えば、ウェハのエッジ部分を研磨することによってシリコンが露出し、ウェハのエッジ部分に異物が付着したとする。すると、その後物理的要因によってエッジ部分に付着した異物が離れ発塵することがある。物理的要因としては、ウェハを格納するカセットケースに入れる際の衝撃や、ハンドリングでウェハをつかんだ衝撃による場合が考えられる。
【００１５】
また、ウェットエッチングを行う場合のようにウェハを薬液に入れたときにウェハのエッジ部分に付着していた異物がとれ、薬液からウェハを取り出す際にウェハの素子形成面に再付着する問題点がある。
【００１６】
また、シリコンが露出したウェハのエッジ部分に異物として銅（Ｃｕ）が付着した場合、その後のアニールなどの熱処理によって、容易にシリコン内に銅が拡散する。このため、ウェハに形成されたトランジスタの電気特性に悪い影響を及ぼすことが考えられる。
【００１７】
本発明の目的は、ウェハのエッジ部分への異物の付着を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１８】
また、本発明の他の目的は、歩留まり向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１９】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００２１】
本発明は、（ａ）シリコンよりなる半導体ウェハのエッジ部分に形成された膜を研磨して前記シリコンを露出する工程と、（ｂ）前記シリコンが露出した前記半導体ウェハの前記エッジ部分上に膜を形成する工程とを備えるものである。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。また、実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２３】
本実施の形態は、例えばウェハ上にＣＭＯＳ素子を形成する半導体装置の製造方法に本発明を適用したものである。
【００２４】
図１は、本実施の形態におけるウェハ１の要部断面図を示しており、特に、ウェハ１のエッジ部分を示したものである。
【００２５】
ここで、ウェハのエッジ部分とは、ウェハの外周部においてウェハの主面および裏面の平坦な面に対して角度がついた領域をいい、本明細書においては、ウェハの主面および裏面の平坦な面における外端部から製品となるチップが取得できる領域の間の一部の領域も含むものである。
【００２６】
まず、図１に示すように、Ｐ型不純物を導入した単結晶シリコンからなるウェハ１を用意する。このウェハ１は、円板状に加工されているとともに、７２５μｍ程度の厚さを有している。
【００２７】
続いて、ウェハ１を酸などの溶液で洗浄し、純水でリンスし乾燥させる。その後、ウェハ１を酸化炉に入れ、９００℃程度の高温スチームにさらすことによって、シリコンと酸素とを反応させ、ウェハ１の表面に酸化シリコン膜２を形成する。この酸化シリコン膜２は、後述する素子分離溝の内部に埋め込まれた酸化シリコン膜を焼きしめするときなどに、ウェハに加わるストレスを緩和する目的で形成される。なお、ウェハ１のエッジ部分にも酸化シリコン膜２が形成される。
【００２８】
次に、図２に示すように酸化シリコン膜２上に、シランガス（ＳｉＨ４）とアンモニアガス（ＮＨ３）を原料としたＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を使用して、窒化シリコン膜３を形成する。この窒化シリコン膜３は、後述する工程で行われるＣＭＰ法による研磨のストッパとしての役割を有する。なお、ウェハ１のエッジ部分にも窒化シリコン膜３が形成される。
【００２９】
そして、ウェハ１の素子形成面にスピン塗布法を用いてレジスト膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を使用してレジスト膜をパターニングする。パターニングは、図３に示すように素子分離溝を形成する素子分離領域にレジスト膜４が残らないように行われる。
【００３０】
続いて、図４に示すようにパターニングしたレジスト膜４をマスクとしたドライエッチングにより素子分離領域にある窒化シリコン膜３および酸化シリコン膜２を除去する。その後、図５に示すように、再びドライエッチングにより素子分離領域のウェハ１を削り素子分離溝５を形成する。そして、ウェハ１上に形成されていたレジスト膜４を、酸素プラズマを用いて除去する。
【００３１】
次に、ドライエッチングで素子分離溝５の内壁に生じたダメージ層を除去するために、図６に示すようにウェハ１を１０００℃程度で熱処理して素子分離溝５の内壁に薄い酸化シリコン６を形成する。続いて、図７に示すように、ＴＥＯＳガス（Ｔｅｔｒａｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ；Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）とオゾンガス（Ｏ３）を原料としたＣＶＤ法によりウェハ１上に酸化シリコン膜７を堆積する。そして、膜質を改善するためにウェハ１を熱処理して酸化シリコン膜７の焼きしめを行う。この酸化シリコン膜７は、ウェハ１のエッジ部分にも形成されるが、図７に示すようにエッジ部分の上部からエッジ部分の下部にいくに連れて、形成される酸化シリコン７の膜厚が薄くなっていっていることがわかる。
【００３２】
続いて、図８に示すように窒化シリコン膜３をストッパとしたＣＭＰ法を使用して、酸化シリコン膜７を研磨する。窒化シリコン膜３をストッパとしたため、素子分離溝５の内部には、酸化シリコン膜７が残ることになる。また、エッジ部分はラウンドしているため、図８に示すように酸化シリコン膜７が除去されずに残っていることがわかる。
【００３３】
次に、ウェハ１のエッジ部分に残存する酸化シリコン膜７が後の工程で剥がれて異物発生の原因となるため、エッジ部分の研磨を行う。エッジ部に残存した酸化シリコン膜７を除去する工程は、ウェハ１のエッジ部分に複数個の研磨ドラムを接触させて行うものであり、例えば図９に示すように３個の研磨ドラム８Ａ〜８Ｃをウェハ１に接触させて行うことができる。
【００３４】
図１０から図１２は、図９におけるＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線およびＣ−Ｃ線での断面図である。
【００３５】
図１０から図１２に示すように、研磨ドラム８Ａは、ウェハ１のエッジ部分の上面（素子形成面）側を研磨し、研磨ドラム８Ｂは、ウェハ１のエッジ部分の中央部を研磨し、研磨ドラム８Ｃは、ウェハ１のエッジ部分の下面（裏面）側を研磨していることがわかる。
【００３６】
次に、研磨ドラムを使用してウェハ１のエッジ部分を研磨する研磨装置を、図１０を参照して説明する。図１０において、ウェハ１は、素子形成面を上にしてウェハホルダ９に搭載されている。このウェハホルダ９は、ウェハ１を搭載した状態で、回転しており、その回転速度は、例えば１〜１２ｒｐｍである。そして、回転しているウェハ１のエッジ部分には、研磨ドラム８Ａが接触しており、エッジ部分に研磨ドラム８Ａが例えば１００〜５０００ｇの一定の荷重で接触するようになっている。また、研磨ドラム８Ａのウェハ１のエッジ部分と接触する領域には、研磨パッドが貼られているとともに、研磨ドラム８Ａは、１０００〜５０００ｒｐｍで回転している。研磨時には、例えばシリカ砥粒を含むスラリが研磨パッド上に滴下される。
【００３７】
上記した研磨装置において、ウェハ１のエッジ部分の研磨が終了すると、この研磨装置においてウェハ１の洗浄が行われるが、エッジ部分の研磨直後には、ウェハ１の全面にシリカ粒子が付着している。このため、研磨後すぐにスクラブブラシ洗浄を始めると、スクラブブラシ自体にシリカ粒子が付着し、スクラブブラシの粒子除去性能が低下するため、例えば３０秒程度の時間、ウェハ１を３０ｒｐｍ程度の回転速度で回転させながら純水だけでスピン洗浄する。
【００３８】
このスピン洗浄が終了すると、ウェハ１の表面に付着した異物粒子の除去を目的としたスクラブブラシによるスクラブブラシ洗浄を行う。このスクラブブラシ洗浄には、異物粒子の再付着を防止する目的で、０．３％の濃度のアンモニア水が用いられる。スクラブブラシ洗浄の次は、金属イオンの除去を目的としたシュウ酸等のいわゆるキレートによるスクラブブラシ洗浄を行い、最後にスピン乾燥させる。このようにして、図１３に示すような、ウェハ１のエッジ部分に形成された膜が研磨され、シリコンが露出したウェハ１を得ることができる。
【００３９】
このシリコンが露出したウェハ１のエッジ部分は、異物が付着し易く、後の工程での異物発生の原因となっている。このため、図１４に示すように、ノズル１０から例えばオゾン水などの機能水をウェハ１のエッジ部分に流すことによって、酸化シリコン膜１１をエッジ部分に形成する。これは、シリコン表面よりも酸化シリコン表面の方が、異物付着が少ないこと見出したためである。このため、エッジ部分の研磨によって露出したシリコンを酸化シリコン膜１１で覆うことにより、エッジ部分への異物付着を低減することができ、異物発生のポテンシャルを下げることができる。したがって、本実施の形態における半導体装置の製造方法によれば歩留まり向上を図ることができる。
【００４０】
また、上述したノズル１０によるオゾン水の滴下を上記した研磨装置によって行うことで、研磨、洗浄およびエッジ部分の酸化を一つの装置で行うことができ、工程の簡略化を図ることができる。
【００４１】
また、形成される酸化シリコン膜１１は、フッ酸（ＨＦ）洗浄により容易に除去できるので、例えば付着してしまった粒子が銅（Ｃｕ）の場合でも、熱処理などの前にフッ酸洗浄を行なうことで、シリコン内部へ銅が拡散することを防止できる。したがって、銅がシリコン内部へ拡散することによってウェハ１に形成されたトランジスタなどの電気特性に悪影響を及ぼすことを防ぐことができる。
【００４２】
なお、本実施の形態では、ウェハ１のエッジ部分にオゾン水を滴下して、酸化シリコン膜を形成したが、例えばウェハ１に熱処理を施してエッジ部分に酸化シリコン膜を形成してもよいし、ＣＶＤ法を使用してエッジ部分に酸化シリコン膜を堆積させてもよい。
【００４３】
次に、図１４に示す窒化シリコン膜３を熱リン酸（Ｈ２ＰＯ３）やプラズマガスを使用して除去した後、フォトリソグラフィ技術を使用して図１５に示すＮ型ＭＯＳ素子Ｑｎ１形成領域をレジスト膜（図示せず）で覆う。その後、このレジスト膜をマスクとしたイオン注入法により、Ｐ型ＭＯＳ素子Ｑｎ２形成領域に例えばリン（Ｐ）などのＮ型不純物を注入してＮ型ウェル１２を形成する。
【００４４】
続いて、Ｎ型ＭＯＳ素子Ｑｎ１形成領域に形成されていたレジスト膜を除去した後、ウェハ１の表面にできた薄い酸化シリコン膜（図示せず）をフッ酸でエッチングすることにより除去し、ウェハ１の表面にシリコンを露出する。そして、露出したシリコン表面に熱酸化法を使用してゲート酸化膜１３を形成する。
【００４５】
その後、シランガス（ＳｉＨ４）を窒素ガス（Ｎ２）中で熱分解させることによって、ポリシリコン膜をゲート酸化膜１３上に形成する。このポリシリコン膜の成長時には、リン（Ｐ）などの導電性不純物が添加される。さらに、ＣＶＤ法を使用してこのポリシリコン膜上に酸化シリコン膜を形成する。
【００４６】
次に、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされたレジスト膜をマスクとして、ポリシリコン膜および酸化シリコン膜をエッチングし、ゲート電極１４およびキャップ絶縁膜１５を形成する。なお、ゲート電極１４の抵抗を下げるため、ゲート電極１４上にＷＳｉｘ、ＭｏＳｉｘ、ＣｏＳｉｘなどの高融点金属シリサイド膜を形成してもよい。
【００４７】
続いて、ゲート電極１４を形成する際に使用したレジスト膜を除去した後、新たにレジスト膜をウェハ１の素子形成面上に塗布した後パターニングしてＰ型ＭＯＳ素子Ｑｎ２形成領域を覆うようにする。そして、Ｎ型ＭＯＳ素子Ｑｎ１形成領域にイオン注入法を使用してＮ型不純物であるリン（Ｐ）を注入し、低濃度Ｎ型不純物拡散層１６、１７を形成する。このとき、ゲート電極１４がイオン注入のマスクとなるため、低濃度Ｎ型不純物拡散層１６、１７とゲート電極１４が自己整合的に形成される。その後、Ｐ型ＭＯＳ素子Ｑｎ２形成領域を覆っていたレジスト膜を除去した後、今度は、Ｎ型ＭＯＳ素子Ｑｎ１形成領域を覆うレジスト膜を形成する。そして、Ｐ型ＭＯＳ素子Ｑｎ２形成領域にイオン注入法を使用して、Ｐ型不純物であるボロン（Ｂ）を注入し、低濃度Ｐ型不純物拡散層１８、１９を形成する。
【００４８】
次に、Ｎ型ＭＯＳ素子Ｑｎ１形成領域を覆うレジスト膜を除去後、ウェハ１上にＣＶＤ法を使用して酸化シリコン膜を形成する。そして、反応性イオンエッチングを使用した異方性エッチングを行なうことにより、ゲート電極１４の側壁にサイドスペーサ２０を形成する。
【００４９】
続いて、イオン注入法により、Ｎ型ＭＯＳ素子Ｑｎ１形成領域にリン（Ｐ）を注入して高濃度Ｎ型不純物拡散層２１、２２を形成する。同様に、Ｐ型ＭＯＳ素子Ｑｎ２形成領域にボロン（Ｂ）を注入して高濃度Ｐ型不純物拡散層２３、２４を形成する。このようにして、基板工程が終了し、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造のＮ型ＭＯＳ素子Ｑｎ１およびＰ型ＭＯＳ素子Ｑｎ２が完成する。
【００５０】
次に、図１６に示すように、ＴＥＯＳガス（Ｔｅｔｒａｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ；Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）を使用したＣＶＤ法により、ウェハ１上に厚い酸化シリコン膜２６を形成する。この酸化シリコン膜２６は、エッジ部分にまで形成されるが、エッジ部分の上部から下部にいくに従って膜厚が薄くなっていることがわかる。そして、酸化シリコン膜２６を、ＣＭＰ法を使用して研磨し、その表面を平坦化する。ここで、基板工程により、ウェハ１のエッジ部分および裏面に形成された膜を一まとめにして膜２５で表してある。
【００５１】
続いて、図１７に示すように、ウェハ１の高濃度Ｎ型不純物拡散層２１、２２上および高濃度Ｐ型不純物拡散層２３、２４上の酸化シリコン膜２６に、フォトリソグラフィ技術を使用して接続孔２７を開口する。そして、図１８に示すようにスパッタリング法を用いてウェハ１上に窒化チタン膜２８を形成する。この窒化チタン膜２８は、例えばターゲットとしてチタンを使用し、これを窒素ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより形成することができる。この窒化チタン膜２８は、図１８に示すようにウェハ１のエッジ部分にまで形成される。ここで、エッジ部分に形成された窒化チタン膜２８は、後の工程での異物発生の原因となるため、クランプを取り付けた状態でスパッタリングを行い、エッジ部分に窒化チタン膜２８を形成しないようにすることが考えられるが、クランプを取り付けた状態でスパッタリングを行なうと膜の厚さなど膜の均一性が損なわれるため、クランプの取り付け状態でのスパッタリングは行なわない。
【００５２】
次に、図１９に示すように、ＣＶＤ法を使用して、タングステン膜２９をウェハ１上に堆積させる。ここで、ＣＶＤ法を行なう際、ウェハ１の外周部を覆うようにクランプを取り付けた状態で行なうため、ウェハ１のエッジ部分には、タングステン膜２９は形成されない。ここでの工程では、クランプを取り付けた状態でＣＶＤ法を行なうが、形成されたタングステン膜２９は、後述する工程でＣＭＰ法によって研磨するため、膜の均一性が堆積したときになくても問題はない。
【００５３】
続いて、図２０に示すように、ＣＭＰ法を使用してウェハ１上に形成されたタングステン膜２９を研磨し、接続孔２７以外の領域に形成されていたタングステン膜２９を除去する。その後、図２１に示すようにスパッタリング法を使用してウェハ１上にアルミニウム膜３０を形成し、このアルミニウム膜３０上にＣＶＤ法を使用してＳｉＯＮ膜３１を形成する。このＳｉＯＮ膜３１は、フォトリソグラフィ技術の露光工程で、アルミニウム膜３０など反射率の高い膜にパターニングを施す際、アルミニウム膜３０からの反射光の影響を抑制するために設けられた反射防止膜である。アルミニウム膜３０およびＳｉＯＮ膜３１を形成する際には、ウェハ１のエッジ部分を覆うようにクランプが取り付けられているため、エッジ部分には、膜が形成されない。
【００５４】
次に、図２２に示すようにフォトリソグラフィ技術を使用してパターニングされたレジスト膜（図示せず）をマスクにして、アルミニウム膜３０およびＳｉＯＮ膜３１のエッチングを行い、アルミニウム配線を形成する。その後、図２３に示すように、ＣＶＤ法を使用して、ウェハ１上に酸化シリコン膜３２を形成する。この酸化シリコン膜３２は、ウェハ１のエッジ部分にも形成される。続いて、図２４に示すように、ＣＭＰ法を使用することにより、酸化シリコン膜３２を研磨し、その表面を平坦化する。ここまでの配線工程で、ウェハ１のエッジ部分には、酸化シリコン膜２６、窒化チタン膜２８および酸化シリコン膜３２が形成されている。ここで、ウェハ１のエッジ部分に形成された酸化シリコン膜および窒化チタン膜は、その後の工程で、剥がれたりして異物発生の原因となるため、エッジ部分を研磨する。ここでの研磨方法は、先ほど述べたように、複数の研磨ドラムを用いて研磨するものである。
【００５５】
ウェハ１のエッジ部分を研磨した様子を図２５に示す。図２５を見てわかるようにエッジ部分に形成された積層膜は除去され、シリコンが露出していることがわかる。このエッジ部分において露出しているシリコンには、異物が付着し易い。このため、付着した異物がその後の工程で剥がれ、異物発生の原因となるおそれがある。すなわち、露出したシリコン部分は、発塵のポテンシャルが高いことになる。
【００５６】
したがって、図２６に示すように、ＣＶＤ法を使用して、酸化シリコン膜３３をウェハ１のエッジ部分および素子形成面に形成する。酸化シリコン膜の表面は、シリコン表面より異物付着しづらいので、研磨直後のシリコン表面に酸化シリコン膜を形成することにより、ウェハ１のエッジ部分への異物付着を低減し、エッジ部分からの異物発生のポテンシャルを下げることができる。
【００５７】
また、ＣＶＤ法を使用して酸化シリコン膜３３を堆積させたので、ＣＭＰ法により酸化シリコン膜３２の表面にできたスクラッチ（傷）を覆うことができる効果も得られる。
【００５８】
なお、エッジ部分に形成する酸化シリコン膜３３をＣＶＤ法によって堆積させるようにしたが、例えば前述したようにエッジ部分にオゾン水を滴下することにより酸化シリコン膜を形成したり、ウェハ１を熱処理することによりエッジ部分に酸化シリコン膜を形成するようにしてもよい。
【００５９】
上述したように工程を経ることにより、第１層配線を形成することができる。
【００６０】
なお、第１層配線の上部に多層配線を形成する場合も前述したような方法で、ウェハのエッジ部分に積層された膜を研磨し、研磨して露出したシリコン表面に酸化シリコン膜を形成してもよい。
【００６１】
以上、本発明者によってなされた発明を前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００６２】
ウェハのエッジ部分に積層された膜を研磨し、研磨して露出したシリコン表面に酸化シリコン膜を形成する工程を前記実施の形態で説明した以外のところに挿入してもよい。
【００６３】
また、前記実施の形態では、エッジ部分を研磨することにより露出したシリコンの表面に酸化シリコン膜を形成する場合を説明したが、酸化シリコン膜に限らず、例えば酸化タンタル膜、酸化チタン膜、窒化シリコン膜などを形成してもよい。
【００６４】
【発明の効果】
本願によって開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下の通りである。
【００６５】
ウェハのエッジ部分への異物の付着を抑制することができる。
【００６６】
また、歩留まり向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図３】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図４】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図５】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図６】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図７】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図８】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図９】本発明の実施の形態において、ウェハのエッジ部分を研磨する研磨ドラムを示した平面図である。
【図１０】図９のＡ―Ａ断面で切断した要部断面図である。
【図１１】図９のＢ−Ｂ断面で切断した要部断面図である。
【図１２】図９のＣ−Ｃ断面で切断した要部断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１９】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２０】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２１】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２２】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２３】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２４】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２５】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図２６】本発明の実施の形態における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【符号の説明】
１  ウェハ
２  酸化シリコン膜
３  窒化シリコン膜
４  レジスト膜
５  素子分離溝
６  酸化シリコン膜
７  酸化シリコン膜
８Ａ  研磨ドラム
８Ｂ  研磨ドラム
８Ｃ  研磨ドラム
９  ウェハホルダ
１０  ノズル
１１  酸化シリコン膜
１２  Ｎ型ウェル
１３  ゲート酸化膜
１４  ゲート電極
１５  キャップ絶縁膜
１６  低濃度Ｎ型不純物拡散層
１７  低濃度Ｎ型不純物拡散層
１８  低濃度Ｐ型不純物拡散層
１９  低濃度Ｐ型不純物拡散層
２０  サイドスペーサ
２１  高濃度Ｎ型不純物拡散層
２２  高濃度Ｎ型不純物拡散層
２３  高濃度Ｐ型不純物拡散層
２４  高濃度Ｐ型不純物拡散層
２５  膜
２６  酸化シリコン膜
２７  接続孔
２８  窒化チタン膜
２９  タングステン膜
３０  アルミニウム膜
３１  ＳｉＯＮ膜
３２  酸化シリコン膜
３３  酸化シリコン膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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