(57)【要約】【課題】高速読取、読取回路の簡素化が可能で、しかも取扱が容易である。【解決手段】入射した放射線の強度に応じた発光を行なう第１層と、前記第１層から出力された光を電気エネルギーに変換する第２層と、前記第２層で得られた電気エネルギーの蓄積及び該蓄積された電気エネルギーに基づく信号の出力を行なう第３層と、前記第１層から前記第３層を保持する第４層を備え、前記第３層から出力された信号に基づいて、入射した放射線の画像信号を出力する放射線画像検出器において、前記第３層がポリシリコン半導体で形成されている。【選択図】図２
2004235579.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射した放射線の強度に応じた発光を行なう第１の構成要素と、前記第１の構成要素から出力された光を電気エネルギーに変換する第２の構成要素と、前記第２の構成要素で得られた電気エネルギーの蓄積及び該蓄積された電気エネルギーに基づく信号の出力を行なう第３の構成要素と、前記第１の構成要素から前記第３の構成要素を保持する第４の構成要素を備え、
前記第３の構成要素から出力された信号に基づいて、入射した放射線の画像信号を出力する放射線画像検出器において、
前記第３の構成要素はポリシリコン半導体を含んで形成されていることを特徴とする放射線画像検出器。
【請求項２】
前記出力する各画素の画素サイズが２５〜２００μｍ、フィルファクターが６０〜９５％であることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像検出器。
【請求項３】
前記ポリシリコン半導体は、クロック周波数が３０〜６００ＭＨｚ、移動度μが１００〜４００ｃｍ２／Ｖｓ、長辺平均結晶粒径が１０〜１０００μｍであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の放射線画像検出器。
【請求項４】
前記ポリシリコン半導体は、クロック周波数が１００〜６００ＭＨｚ、移動度μが２００〜４００ｃｍ２／Ｖｓ、長辺平均結晶粒径が１００〜１０００μｍであることを特徴とする請求項３に記載の放射線画像検出器。
【請求項５】
前記第２の構成要素を、光電変換可能な有機化合物を含有するものを用いて形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の放射線画像検出器。
【請求項６】
前記有機化合物が、有機伝導高分子と、フラーレンまたはカーボンナノチューブを含有するものからなることを特徴とする請求項５に記載の放射線画像検出器。
【請求項７】
前記第２の構成要素を、移動度μが１００〜４００ｃｍ２／Ｖｓ、長辺平均結晶粒径が１００〜１０００μｍであるポリシリコン半導体を含んで形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の放射線画像検出器。
【請求項８】
前記第２の構成要素を、アモルファスシリコン半導体を含んで形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の放射線画像検出器。
【請求項９】
前記第１の構成要素を、ＣｓＩ：Ｔｌ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｇｄ，Ｍ１，Ｅｕ）２Ｏ３、（Ｇｄ，Ｍ２，Ｔｂ）２Ｏ３のいずれかを用いて形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の放射線画像検出器。
「Ｍ１」はＹ、Ｎｂ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂの少なくとも一つ以上の希土類元素
「Ｍ２」はＹ、Ｎｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂの少なくとも一つ以上の希土類元素
【請求項１０】
前記第１の構成要素を、（Ｇｄ，Ｙ，Ｅｕ）２０３、（Ｇｄ，Ｙ，Ｔｂ）２０３、のいずれかを用いて形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の放射線画像検出器。
【請求項１１】
前記第４の構成要素が、厚さ０．１ｍｍ〜１０ｍｍ、板厚偏差０．００９〜０．００４ｍｍ／１５０ｍｍのガラス基板であることを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の放射線画像検出器。
【請求項１２】
前記第４の構成要素が、樹脂であることを特徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の放射線画像検出器。
【請求項１３】
前記第４の構成要素が、ガラスと樹脂が貼り合わされて構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の放射線画像検出器。
【請求項１４】
可搬構造であることを特徴とする請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の放射線画像検出器。
【請求項１５】
駆動させるために必要な電力を供給する電力供給手段を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項１４のいずれか１項に記載の放射線画像検出器。
【請求項１６】
前記画像信号を記憶する記憶手段を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項１５のいずれか１項に記載の放射線画像検出器。
【請求項１７】
前記記憶手段は脱着可能であることを特徴とする請求項１６に記載の放射線画像検出器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、放射線画像検出器に関し、特に医療におけるＸ線画像診断のＸ線画像検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の放射線画像検出器は、蛍光増感紙とＸ線フィルムとを組み合わせたスクリ―ン・フィルムシステム（ＳＦシステム）がＸ線画像形成に用いられてきている。しかし、ＳＦシステムでは、水を用いる現像処理が必要であって、更にその現像液や定着液が廃液として生じ、これは環境上好ましいものではない。また、ＳＦシステムはアナログ画像であり、デジタルネットワークシステムを利用する遠隔診断などには、この画像のデジタルネットなどの作業が必要となる。
【０００３】
近年Ｘ線画像撮影においては、ＳＦシステムに代わってコンピューテッドラジオグラフィ（ＣＲ）やフラットパネルＸ線ディテクタ（ＦＰＤ）（例えば特許文献１）など、Ｘ線画像のデジタル電気信号を取り出してＸ線画像を得るシステムが登場している。
【０００４】
このシステムでは、従来のＳＦシステムのようにＸ線フィルムを用いないので、現像処理などの煩雑なプロセスがなく、迅速に陰極管（ＣＲＴ）上や液晶表示パネルなどのモニター画面にＸ線画像を描くことができるので、迅速性が要求される医用現場では有用である。
【０００５】
この医用Ｘ線画像検出は、胸部や腹部など診断対象全体をカバーする一定以上の大きさが必要でありかつ患部を明瞭に描写する必要がある。すなわち通常１４インチ×１７インチまたは１７インチ×１７インチサイズの大きさの画像検出器が医療用に用いられる。さらに、愚部を明瞭に描写する必要があるために、デジタル画像を構成する画像要素である画素のサイズは２５μｍから２００μｍが必要である。このとき画素サイズが２５μｍのとき１７インチ角の画像検出器の場合、約３×１０８個の画素数となり、また２００μｍの場合は約５×１０６個の画素数となる。特に、医療現場では、このように非常に多くの画素情報を短時間に読出す必要がある。
【０００６】
【特許文献１】
特開２０００−３４７３３０号公報（第１〜第１４頁、図１〜図１３）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従来のＦＰＤでは、画像検出のスイッチング素子のＴＦＴ部分にアモルファスシリコン半導体が使用されていた。この場合、半導体の電荷担体の移動度が十分ではなく、読取時間がかかると同時に画素駆動回路をＸ線受光面の周りに配置するため、必要以上の大きなサイズとなっていた。
【０００８】
一方、画質を決める大きな要素としては、放射線画像検出器のＸ線吸収量が大きな要因である。しかしながら従来の放射線画像検出器に用いられてきた蛍光体は不定形な形状で、平均粒径は５ミクロンを越えるものであった。このような蛍光体では、高い密度で蛍光体を充填できず、Ｘ線吸収率を十分高めることができず、Ｘ線画質の向上は望めない。
【０００９】
また、医療現場では、患者が動けない場合が多く、ベッドサイドでＸ線写真撮影をする必要があり、その取り扱い性についても向上が望まれている。
【００１０】
この発明は、かかる実情に鑑みてなされたもので、高速読取、読取回路の簡素化が可能で、しかも取扱が容易な放射線画像検出器を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決し、かつ目的を達成するために、この発明は、以下のように構成した。
【００１２】
請求項１に記載の発明は、入射した放射線の強度に応じた発光を行なう第１の構成要素と、前記第１の構成要素から出力された光を電気エネルギーに変換する第２の構成要素と、前記第２の構成要素で得られた電気エネルギーの蓄積及び該蓄積された電気エネルギーに基づく信号の出力を行なう第３の構成要素と、前記第１の構成要素から前記第３の構成要素を保持する第４の構成要素を備え、
前記第３の構成要素から出力された信号に基づいて、入射した放射線の画像信号を出力する放射線画像検出器において、
前記第３の構成要素はポリシリコン半導体を含んで形成されていることを特徴とする放射線画像検出器である。
【００１３】
この請求項１に記載の発明によれば、第３の構成要素がポリシリコン半導体を含んで形成されていることで、高速読取が可能で、かつ読取回路の簡素化が可能である。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、前記出力する各画素の画素サイズが２５〜２００μｍ、フィルファクターが６０〜９５％であることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像検出器である。
【００１５】
この請求項２に記載の発明によれば、出力する各画素の画素サイズが２５〜２００μｍ、フィルファクターが６０〜９５％であることで、高精度、高感度の読み取りが可能である。
【００１６】
請求項３に記載の発明は、前記ポリシリコン半導体は、クロック周波数が３０〜６００ＭＨｚ、移動度μが１００〜４００ｃｍ２／Ｖｓ、長辺平均結晶粒径が１０〜１０００μｍであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の放射線画像検出器である。
【００１７】
この請求項３に記載の発明によれば、ポリシリコン半導体のクロック周波数、移動度μ、長辺平均結晶粒径を規定することで、高速読取が可能で、かつ読取回路の簡素化が可能である。
【００１８】
請求項４に記載の発明は、前記ポリシリコン半導体は、クロック周波数が１００〜６００ＭＨｚ、移動度μが２００〜４００ｃｍ２／Ｖｓ、長辺平均結晶粒径が１００〜１０００μｍであることを特徴とする請求項３に記載の放射線画像検出器である。
【００１９】
この請求項４に記載の発明によれば、ポリシリコン半導体のクロック周波数、移動度μ、長辺平均結晶粒径を規定することで、より一層の構成要素高速読取が可能で、かつ読取回路の簡素化が可能である。
【００２０】
請求項５に記載の発明は、前記第２の構成要素を、光電変換可能な有機化合物を含有するものを用いて形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の放射線画像検出器である。
【００２１】
この請求項５に記載の発明によれば、第２の構成要素を光電変換可能な有機化合物を含有するものを用いて形成することで、塗布での作製が可能になるので安価に製造できる。
【００２２】
請求項６に記載の発明は、前記有機化合物が、有機伝導高分子と、フラーレンまたはカーボンナノチューブを含有するものからなることを特徴とする請求項５に記載の放射線画像検出器である。
【００２３】
この請求項６に記載の発明によれば、有機化合物が有機伝導高分子と、フラーレンまたはカーボンナノチューブを含有するものからなることで、高感度である。
【００２４】
請求項７に記載の発明は、前記第２の構成要素を、移動度μが１００〜４００ｃｍ２／Ｖｓ、長辺平均結晶粒径が１００〜１０００μｍであるポリシリコン半導体を含んで形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の放射線画像検出器である。
【００２５】
この請求項７に記載の発明によれば、第２の構成要素はポリシリコン半導体をを含んで形成することで、より一層高速読取が可能である。
【００２６】
請求項８に記載の発明は、前記第２の構成要素を、アモルファスシリコン半導体を含んで形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の放射線画像検出器である。
【００２７】
この請求項８に記載の発明によれば、第２の構成要素をアモルファスシリコン半導体を含んで形成することで、第２の構成要素の結晶化が不要であり、製造工程が簡素化できる。
【００２８】
請求項９に記載の発明は、前記第１の構成要素を、ＣｓＩ：Ｔｌ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｇｄ，Ｍ１，Ｅｕ）２Ｏ３、（Ｇｄ，Ｍ２，Ｔｂ）２Ｏ３のいずれかを用いて形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の放射線画像検出器である。
【００２９】
「Ｍ１」はＹ、Ｎｂ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂの少なくとも一つ以上の希土類元素
「Ｍ２」はＹ、Ｎｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂの少なくとも一つ以上の希土類元素
この請求項９に記載の発明によれば、第１の構成要素をＣｓＩ：Ｔｌ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｇｄ，Ｍ１，Ｅｕ）２Ｏ３、（Ｇｄ，Ｍ２，Ｔｂ）２Ｏ３のいずれかを用いて形成することで、鮮鋭性、粒状性がある高画質の画像を得ることができる。
【００３０】
請求項１０に記載の発明は、前記第１の構成要素を、（Ｇｄ，Ｙ，Ｅｕ）２０３、（Ｇｄ，Ｙ，Ｔｂ）２０３、のいずれかを用いて形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の放射線画像検出器である。
【００３１】
この請求項１０に記載の発明によれば、第１の構成要素を（Ｇｄ，Ｙ，Ｅｕ）２０３、（Ｇｄ，Ｙ，Ｔｂ）２０３、のいずれかを用いて形成することで、鮮鋭性、粒状性がある高画質の画像を得ることができる。
【００３２】
請求項１１に記載の発明は、前記第４の構成要素が、厚さ０．１ｍｍ〜１０ｍｍ、板厚偏差０．００９〜０．００４ｍｍ／１５０ｍｍのガラス基板であることを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の放射線画像検出器である。
【００３３】
この請求項１１に記載の発明によれば、第４の構成要素が所定のガラス基板であることで、センサとして各画素のばらつきがなくなる。
【００３４】
請求項１２に記載の発明は、前記第４の構成要素が、樹脂であることを特徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の放射線画像検出器である。
【００３５】
この請求項１２に記載の発明によれば、第４の構成要素が樹脂であることで、軽量化でき、しかも耐衝撃性がある。
【００３６】
請求項１３に記載の発明は、前記第４の構成要素が、ガラスと樹脂が貼り合わされて構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の放射線画像検出器である。
【００３７】
この請求項１３に記載の発明によれば、第４の構成要素がガラスと樹脂が貼り合わされて構成されていることで、ガラス上で作製するので高温プロセスでも製造可能、主なる基板は樹脂を使用するので、軽量化でき、しかも耐衝撃性がある。
【００３８】
請求項１４に記載の発明は、可搬構造であることを特徴とする請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の放射線画像検出器である。
【００３９】
この請求項１４に記載の発明によれば、可搬構造で取扱が容易である。
【００４０】
請求項１５に記載の発明は、駆動させるために必要な電力を供給する電力供給手段を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項１４のいずれか１項に記載の放射線画像検出器である。
【００４１】
この請求項１５に記載の発明によれば、駆動させるために必要な電力を供給する電力供給手段を備えることで、携帯ができ、取扱が容易である。
【００４２】
請求項１６に記載の発明は、前記画像信号を記憶する記憶手段を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項１５のいずれか１項に記載の放射線画像検出器である。
【００４３】
この請求項１６に記載の発明によれば、画像信号を記憶する記憶手段を備えることで、画像の保存が可能である。
【００４４】
請求項１７に記載の発明は、前記記憶手段は脱着可能であることを特徴とする請求項１６に記載の放射線画像検出器である。
【００４５】
この請求項１７に記載の発明によれば、記憶手段は脱着可能であることで、大量の画像保存が可能である。
【００４６】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の放射線画像検出器の実施の形態を図面に基づいて説明するが、この発明は、この実施の形態に限定されない。
【００４７】
図１は放射線画像検出器の斜視図、図２は放射線画像検出器の基本構成を示す図である。
【００４８】
この実施の形態の放射線画像検出器１は、フラットパネルＸ線ディテクタ（ＦＰＤ）であり、すなわち入射電磁波を吸収してその電磁波より波長の長い電磁波を発光する第１の構成要素１０、第１の構成要素１０から発光する電磁波を電気エネルギー（電荷）に変換する素子からなる第２の構成要素１１、第２の構成要素１１の電気エネルギー（電荷）を検出器外へ取り出すためのスイッチング素子で構成される第３の構成要素１２、そして第１から第３の構成要素を保持する第４の構成要素１３、検出器駆動のための電気を供給する第５の構成要素１４、そして得られた入射電磁波の電気信号をカード状の信号蓄積手段あるいは導電コードによって取り出す第６の構成要素１５からなる。
【００４９】
このように、第１の構成要素１０が入射した放射線の強度に応じた発光を行ない、第２の構成要素１１が第１の構成要素から出力された光を電気エネルギー（電荷）に変換し、第３の構成要素１２が第２の構成要素で得られた電気エネルギー（電荷）の蓄積及び該蓄積された電気エネルギー（電荷）に基づく信号の出力を行ない、第４の構成要素１３が第１の構成要素から第３の構成要素を保持し、第３の構成要素から出力された信号に基づいて、入射した放射線の画像信号を出力する。
【００５０】
また、第５の構成要素１４が駆動させるために必要な電力を供給する電力供給手段を構成し、携帯ができ、取扱が容易である。また、第６の構成要素１５が画像信号を記憶する記憶手段を構成し、この記憶手段は脱着可能であり、大量の画像保存が可能である。
【００５１】
この放射線画像検出器１は平板型であって、これらの要素が一体化して可搬構造であり、取り扱い性が優れている。
【００５２】
第１の構成要素１０に入射する電磁波は波長がｌオームストロング（１×１０−１０ｍ）程度のいわゆるＸ線であって、人体や船舶そして航空機の部材を透過する電磁波である。この電磁波は一般に固定陽極あるいは回転陽極Ｘ線管で得られるもので、陽極の負荷電圧は１０ｋＶから３００ｋＶである。特に、医療用に用いられる場合は２０ｋＶから１５０ｋＶが用いられる。そしてこの入射電磁波が第１の構成要素１０に照射されたあとに発生する電磁波の波長は３００ｎｍ（３×１０−７ｍ）から８００ｎｍ（８×１０−７ｍ）であって、いわゆる可視光線を中心に紫外光から赤外光にわたる電磁波である。
【００５３】
この第１の構成要素１０の主たる成分は蛍光体であって、一般に総称してシンチレータともよばれる。この第１の構成要素に使用されるシンチレータの蛍光体は、ＣａｗＯ４、ＣａＷＯ４：Ｐｂ、ＭｇＷＯなどのタングステン酸塩系蛍光体、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｙ，Ｇｄ）２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｙ，Ｇｄ）２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ，Ｔｍなどのテルビウム賦活希士類酸硫化物系蛍光体、ＹＰＯ４：Ｔｂ、ＧｄＰＯ４：Ｔｂ、ＬａＰＯ４：Ｔｂなどのテルビウム賦活希士類酸硫化物系蛍光体、ＬａＯＢｒ：Ｔｂ、ＬａＯＢｒ：Ｔｂ，Ｔｍ、ＬａＯＣｌ：Ｔｂ、ＬａＯＣｌ：Ｔｂ，Ｔｍ、ＧｄＯＢｒ：Ｔｂ、ＧｄＯＢｒ：Ｔｂ，Ｔｍ、ＧｄＯＣｌ：Ｔｂ、ＧｄＯＣｌ：Ｔｂ，Ｔｍなどのテルビウム賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体、ＬａＯＢｒ：Ｔｍ、ＬａＯＣｌ：Ｔｍなどのツリウム賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体、ＬａＯＢｒ：Ｇｄ、ＬｕＯＣｌ：Ｇｄなどのガドリニウム賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体、ＧｄＯＢｒ：Ｃｅ、ＧｄＯＣｌ：Ｃｅ、（Ｇｄ，Ｙ）ＯＢｒ：Ｃｅ、（Ｇｄ，Ｙ）ＯＣｌ：Ｃｅなどのセリウム賦活希土類オキシハロゲン化合物系蛍光体、ＢａＳＯ４：Ｐｂ、ＢａＳＯ４：Ｅｕ２＋、（Ｂａ，Ｓｒ）ＳＯ４：Ｅｕ２＋などの硫酸バリウムウム系蛍光体、Ｂａ３（ＰＯ４）２：Ｅｕ２＋、（Ｂａ２ＰＯ４）２：Ｅｕ２＋、Ｓｒ３（ＰＯ４）２：Ｅｕ２＋、（Ｓｒ２ＰＯ４）２：Ｅｕ２＋などの２価のユーロピウム賦舌アルカリ土類金属燐酸塩系蛍光体、ＢａＦＣｌ：Ｅｕ２＋、ＢａＦＢｒ：Ｅｕ２＋、ＢａＦＣｌ：Ｅｕ２＋，Ｔｂ、ＢａＦＣｌ：Ｅｕ２＋，Ｔｂ、ＢａＦ２・ＢａＣｌ・ＫＣｌ：Ｅｕ２＋、（Ｂａ，Ｍｇ）Ｆ２・ＢａＣｌ２・ＫＣｌ：Ｅｕ２＋などの２価のユーロピウム賦活アルカリ土３類金属弗ハロゲン化物系蛍光体、Ｃｓｌ：Ｎａ、Ｃｓｌ：Ｔｌ、ＮａＩ、ＫＩ：Ｔｌなどの化物系蛍光体、Ｚｎｓ：Ａｇ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｇなどの硫化系蛍光体、ＨｆＰ２Ｏ７、ＨｆＰ２Ｏ７：Ｃｕ、Ｈｆ３（ＰＯ４）４などの燐酸ハフニウム系蛍光体、ＹＴａＯ４、ＹＴａＯ４：Ｔｍ、ＹＴａＯ４：Ｎｂ、（Ｙ，Ｓｌ）ＴａＯ４：Ｎｂ、ＬｕＴａＯ４、ＬｕＴａＯ４：Ｔｍ、ＬｕＴａＯ４：Ｎｂ、（Ｌｕ，Ｓｒ）ＴａＯ４：Ｎｂ、ＧｄＴａＯ４：Ｔｍ、Ｍｇ４Ｔａ２Ｏ９：Ｎｂ、Ｇｄ２Ｏ３・Ｔａ２Ｏ５・Ｂ２Ｏ３：Ｔｂなどのタンタル酸塩系蛍光体、他に、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋、（Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ）２Ｓｉ２Ｏ７：Ｅｕ、ＺｎＳｉＯ４：Ｍｎ、Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｅｕなどを用いることができる。
【００５４】
また、蛍光体は、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｇｄ，Ｍ１，Ｅｕ）２Ｏ３、（Ｇｄ，Ｍ２，Ｔｂ）２Ｏ３のいずれかを用いることができ、「Ｍ１」はＹ、Ｎｂ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂの少なくとも一つ以上の希土類元素、「Ｍ２」はＹ、Ｎｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂの少なくとも一つ以上の希土類元素である。
【００５５】
また、蛍光体は、（Ｇｄ，Ｙ，Ｅｕ）２０３、（Ｇｄ，Ｙ，Ｔｂ）２０３、のいずれかを用いて形成してもよい。
【００５６】
特に、これら蛍光体の粒子は球状の形態が好ましく、平均粒径が１〜５μｍで、発光波長ピークは５００〜７０００ｍｍが好ましい。この蛍光体粒子を分散させる媒体は、例えば、ポリウレタン、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ブタジエンーアクリロニトリル、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体、スチレンーブタジエン共重合体、各種合成ゴム系樹脂、フェノーノル樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラニン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂らがあげられる。中でもポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロースを使用することは好ましい。
【００５７】
前記バインダー中に分散される蛍光体の含有量は９０〜９９％である。この発明で用いられる蛍光体層の厚さは２０ミクロンから１ｍｍであって、好ましくは５０μｍから３００μｍである。
【００５８】
第２の構成要素１１は、いくつかの層を合わせて構成され、この第２の構成要素１１の光電変換機能は、有機化合物あるいはポリシリコン又はアモルファスシリコンを含んで形成された電荷発生層が有する。この発明で使用する有機化合物は、いわゆる有機ＥＬ素子の構成を適用することができ、有磯ＥＬ素子はその構成材料が低分子系のものでも高分子系のもの（ライトエミッティングポリマーとも言う）でもよい。光電変換可能な材料としては、π共役系高分子材料や低分子系有機ＥＬ素子に使用される発光材料等が挙げられる。例えば、ポリ（２−メトキシ、５−（２’エチルヘキシロキシ）−ｐ−フェニレンビニレン）、そしてポリ（３−アルディオフェン）、などがある。
【００５９】
また、「有機ＥＬ材料とディスプレイ（２００１年２月２８日株式会社シー・エム・シー発行）」の第１９０頁〜第２０３頁に記載されている化合物や、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・テイー・エス社発行）」の第８１頁〜第９９頁に記載されている化合物などが挙げられる。前記低分子系有機ＥＬ素子に使用される発光材料としては、例えば、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線線（１９９８年１１月３０日エヌ・テイー・エス社発行）」の第３６頁〜第５６頁に記載されている化合物や、「有機ＥＬ材料とディスプレイ（２００１年２月２８日株式会社シー・エム・シー発行）」の第１４８頁〜第１７２頁に記載されている化合物等が挙げられる。この発明において、光電変換可能な材料として特に好ましいものはπ共役系高分子化合物である。
【００６０】
図３は放射線画像検出器の第２の構成要素の光電変換機能を示す図であり、第１の構成要素１０の放射線照射面側とは逆の面側に、第１の構成要素１０から出力された電磁波（光）を電気エネルギーに変換する第２の構成要素１１が形成される。この第２の構成要素１１には、第１の構成要素１０側から、隔膜１１２ａ、透明電極膜１１２ｂ、正孔伝導層１１２ｃ、電荷発生層１１２ｄ、電子伝導層１１２ｅ、導電層１１２ｆが設けられている。ここで、電荷発生層１１２ｄは、光電変換可能な即ち電磁波（光）によって電子や正孔を発生し得る有機化合物を含有するものであり、光電変換を行うために、いくつかの機能分離された層を有することが好ましい。
【００６１】
隔膜１１２ａは、第１の構成要素１０と他の層を分離するための物であり、例えば、Ｏｘｉ−ｎｉｔｒｉｄｅなどが用いられる。透明電極膜１１２ｂは、例えばインジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性透明材料を用いて形成される。この透明電極膜１１２ｂの形成では、蒸着やスパッタリング等の方法を用いて薄膜を形成できる。また、フォトリングラフィー法で所望の形状のパターンを形成しても良く、或いは高いパターン精度を必要としない場合（１００μｍ以上程度）は、電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成しても良い。この透明電極は透過率を１０％より大きくすることが望ましく、又シート抵抗は数百Ω／ｃｍ２以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。膜厚が薄い場合には透明電極がアイランド状になってしまうからであり、膜厚が厚い場合には、透明電極の形成に時間を要してしまうからである。
【００６２】
電荷発生層１１２ｄでは、第１の構成要素１０から出力された電磁波（光）によって電子と正孔を発生される。ここで発生した正孔は正孔伝導層１１２ｃに集められ、電子は電子伝導層１１２ｃに集められる。
【００６３】
この発明における電荷発生層１１２ｄに、さらにその変換効率や電極へのキャリア受け渡し効率を向上させるために添加剤を添加してもよい。また、添加剤を別の層として設けた電子伝導層１１２ｅ、そして正孔伝導層１１２ｃを形成する。澗添加剤としては、有機ＥＬ素子で使用される、正孔注入材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、電子注入材料等を適用することができる。その具体例としては、例えば卜リアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、キノキサリン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体（例えば卜リス（８−キノリノラート）アルミニウム（Ａｌｑ３、トリス（５，７−ジクロロー８−キノリトラート）アルミニウム、卜リス（５，７−ジブロモー８−キノリラート）アルミニウム、卜リス（２−メチル８−キノリラート）アルミニウム、卜リス（５−メチル８−キノリラート）アルミニウム、ビス（８−キノリラート）亜鉛（Ｚｎｑ２）など）である。
【００６４】
導電層１１２ｆは、例えばクロム等で生成されている。また、一般の金属電極若しくは前記透明電極の中から選択可能であるが、良好な特性を得るためには仕事関数の小さい（４．５ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましい。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／イノジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（ＡＬｕＯ２）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。この導電層１１２ｆは、これらの電極物質を原料として、蒸着やスパッタリング等の方法を用いて生成できる。
【００６５】
また、導電層１１２ｆのシート抵抗は数１００Ω／ｃｍ２以下が好ましく、膜厚は通常１０μｍ〜１μｍ、好ましくは５０μｍ〜１００μｍの範囲で選ばれる。膜厚が薄い場合には導電層がアイランド状になってしまうからであり、膜厚が厚い場合には導電層の形成に時間を要してしまうからである。
【００６６】
この第２の構成要素１１を構成するπ共役系高分子化合物を用いる電子伝導層１１２ｅ、電荷発生層１１２ｄ、そして正孔伝導１１２ｃには、複数のπ共役高分子間でのキャリア授受やキャリアトラップの目的で、フラ―レンやカーボンナノチューブのような立体的なπ電子雲を有する化合物を添加することがこのましい。これらの化合物は、例えばフラーレンＣ−６０，フラーレンＣ−７０，フラーレンＣ−７６，フラーレンＣ−７８，フラーレンＣ−８４，フラーレンＣ−２４０，フラーレンＣ−５４０，ミックスドフラーレン、フラーレンナノチューブ、多層ナノチューブＭｕｌｔｉＷａｌｌｅｄ  Ｎａｎｏｔｕｂｅ）、単層ナノチューブ（ＳｉｎｇｌｅＷａｌｌｅｄ  Ｎａｎｏｔｕｂｅであり、さらに、前記フラーレンや前記カーボンナノチューブは溶剤への相溶性を付与する目的で置換基を導入してもよい。
【００６７】
この発明のいくつかの層を合わせて構成される第２の構成要素は、光電変換機能を有するポリシリコンを含んで構成されることが、好ましい態様である。すなわち、移動度μ＝１００〜４００ｃｍ２／Ｖｓ、長辺平均結晶粒径が１〜ｌ０００μｍであることを特徴とするポリシリコン半導体を含んでいることが好ましい。この多結晶シリコン結晶は、アモルファスシリコンを一度溶融し、そして冷却をして結晶化するアニ−リング法を用いて得ることができる。このとき、冷却する方向で垂直方向でも横方向でもとくに問題ない。さらに、冷却方向が異なるアニーリングを繰り返して、構成する結晶の大きさをコントロールすることは、好ましい態様である。
【００６８】
この発明では、上記いくつかの層を合わせて構成される第２の構成要素１１で発生せしめた電荷を、第２の構成要素１１を挟む導電性物質により、コンデンサ機能をもたせて、電荷を保持することが好ましい。第２の構成要素１１の光電変換機能とシンチレータの間には、いわゆる透明電極膜で覆うことが好ましく、例えばインジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯなどの導電性透明材料が挙げられる。実際には基板上に、これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この透明電極は透過率を１０％より大きくすることが望ましく、またシート抵抗は数百Ω／ｃｍ２以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【００６９】
また、一般の金属電極もしくは透明電極の中から選択可能であるが、仕事関数の小さい（４．５ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましい。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウムーカリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀化合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａ１２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属などが挙げられる。この電極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／ｃｍ２以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜ｌμｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【００７０】
また、この第２の構成要素１１及び第３の構成要素１２は、図４に示すように構成される。第２の構成要素１１の放射線照射面側とは逆の面側には、第２の構成要素１１で得られた電気エネルギーの蓄積及び蓄積された電気エネルギーに基づき信号の出力を行う第３の構成要素１２が形成されている。第３の構成要素１２は、第２の構成要素１１で生成された電気エネルギーを画素毎に備えるコンデンサ１２１と、蓄えられた電気エネルギーを信号として出力するためのスイッチング素子であるトランジスタ１２２を用いて構成されている。なお、第３の構成要素１２は、スイッチング素子を用いるものに限られるものではなく、例えば蓄えられた電気エネルギーのエネルギーレベルに応じた信号を生成して出力する構成とすることもできる。
【００７１】
スイッチング素子であるトランジスタ１２２には、第２の構成要素１１で生成された電気エネルギーを蓄積すると共に、コンデンサ１２１の一方の電極となる収集電極１２０が接続されている。このコンデンサ１２１には第２の構成要素１１で生成された電気エネルギーが蓄積されるとともに、この蓄積された電気エネルギーはトランジスタ１２２を駆動することで読み出される。すなわちスイッチング素子を駆動することで放射線画像を画素毎の信号を生成することができる。なお、トランジスタ１２２は、ゲート電極１２２ａ、ソース電極１２２ｂ、ドレイン電極１２２ｃ、ポリシリコン等を用いた半導体層１２２ｄ、絶縁層１２２ｅで構成されている。
【００７２】
第２の構成要素１１の隔膜１１２ａとしては、電極部分であることから特に暗抵抗値が高いものが望ましく、アモルファスセレン、酸化鉛、硫化カドミウム、ヨウ化第２水銀、または光導電性を示す有機材料（Ｘ線吸収コンパウンドが添加された光伝導性ポリマを含む）などが用いられ、特にアモルファスセレンが望ましい。
【００７３】
この発明の第３の構成要素１２は、画素サイズ２５〜２００μｍ、フィルファクターが６０〜９５０％、クロック周波数が３０〜６００ＭＨｚ、移動度μ＝ｌ００〜４００ｃｍ２／Ｖｓ、長辺平均結晶粒径が１０〜１０００μｍであり、好ましくはクロック周波数が１００〜６００ＭＨｚ、移動度μ＝２００〜４００ｃｍ２／Ｖｓ、長辺平均結晶粒径が１００〜１０００μｍであることを特徴とするポリシリコン半導体を含んで形成することが好まし態様である。
【００７４】
この多結晶シリコン結晶は、アモルファスシリコンを一度溶融し、そして冷却をして結晶化するアニ−リング法を用いて得ることができる。このとき、冷却する方向で垂直方向でも横方向でもとくに問題ない。さらに、冷却方向が異なるアニ−リングを繰り返して、構成する結晶の大きさをコントロールすることは、好ましい態様である。
【００７５】
この発明の第４の構成要素１３は、厚さ０．１ｍｍ〜１０ｍｍ、板厚偏差０．００９〜０．００４ｍｍ／１５０ｍｍであるガラス基板であることが好ましい。ガラスの厚さは一定強度をもたせるために０．１ｍｍ〜１０ｍｍが好ましいが、厚すぎると重量がかさみ、薄すぎると強度が不足する。特に１ｍｍ以下のとき１樹脂層を貼り合わせて強度を保つことが好ましい。また、この発明の第４の構成要素は、精密な配線に支障をきたさないように、その平滑性が十分に高いことがこのましい。すなわち板厚偏差０．００９〜０．００４ｍｍ／１５０ｍｍであるガラス基板であることが好ましい。これは、ガラス板製造を鉛フローティング法や、さらに表面を研磨することで達成することができる。この発明の第４の構成要素は樹脂基板のみを用いることは好ましい態様である。上記のガラス強度補完のための樹脂と同じ組成の樹脂を用いることができる。すなわち、光透過性プラスチックフィルムであり、光透過性プラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣセルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。さらにこれらのプラスチックフィルムには、卜リオクチレホスフェートやジブチルレフタレート等の可塑剤を添加してもよく、ベンゾトリアゾール系やベンゾフェノン系等の公知の紫外線吸収剤を添加してもよい。また、テトラエトキシシラン等の無機高分子の原料を添加し、化学触媒や、光等のエネルギーを付与することにより高分子化する、いわゆる有機−無機ポリマーハイブリッド法を適用して作製した樹脂を原料として用いることもできる。
【００７６】
この発明の放射線画像検出システムを用いて医用画像を得る方法を、図５に示す。Ｘ線管５０から放射されるＸ線が、被与体（医療施設では例えば患者）５１を通過して、この発明である一体化した放射線画像検出器１に入射する。この放射線画像検出器１から、撮影された被写体の画像情報が電気信号として取り出される。これは一旦カード等の画像信号を記憶する記憶手段にこの情報を蓄積した上で、この情報を蓄積しカード自身を放射線画像検出器１からはずして、画像信号受取部６０で画像信号を読み取る。あるいは、直接に放射線画像検出器１から画像信号受取部６０に導線を直結し、放射線画像検出器１で得られた画像情報を、画像信号受取部６０に送ることができる。
【００７７】
この発明の放射線画像検出器１に、本体外部から電気が供給される場合は電源コードであり、そしてこの電源コードとともに、画像信号を外部に送るコードをＦＰＤに接合することは好ましい態様である。また、この発明においては駆動電源はＦＰＤ本体に電池として内蔵することができる。マンガン電池、ニッケル・カドミウム電池、水銀電池、鉛電池などいずれの電池を用いることができる。充電型電池を用いて適宜充電して用いることは好ましい態様である。このように、放射線画像検出器１に駆動させるために必要な電力を供給する電力供給手段を備える。
【００７８】
また、電池の形態として平板状の形態はもっとも好ましい態様である。さらに本体に取り外し可能な画像信号蓄積機能を付加し、撮影後に適宜画像信号を取り出すものである。とくに第５の構成要素が電池等でコードを有しない場合にもっとも好ましい実施態様である。
【００７９】
この発明における放射線画像検出器１は可搬性をもたすことは好ましい態様である。外部からの衝撃に耐えかつ重量ができるだけ軽い素材、すなわちアルミニウムあるいはその合金を素材として外形を構成することは好ましい態様である。このときＸ線が入射する面においてはその面をカーボン繊維などＸ線を透過し易い非金属を用い、そしてＸ線の入射とは逆の背面においてはＦＰＤ本体をＸ線が透過することを防ぐ目的やあるいは、本体を構成する素材がＸ線を吸収することで生ずる２次Ｘ線から影響を防ぐために、鉛板などＸ線を効果的に吸収する素材を用いることは好ましい態様である。
【００８０】
また、構成要素１から構成要素４までを、空気中の水分影響などを与えないために密封をすることもできる。
【００８１】
この発明の平板型の放射線画像検出器１で得られた画像信号は、画像処理部６１で画像処理が行なわれる。基本的なシェーディング補正やゲイン補正、階調補正、エッジ強調処理、ダイナミックレンジ圧縮など必要に応じて任意に画像処理を施すことが可能である。また、画像情報の蓄積や転送を容易に行なうために、画像圧縮処理を行なうことができる。画像処理を行なった画像はいったんモニタ６２に写し出されるが、この画像をもとに、上記画像処理や拡大、縮小などの処理を任意に行なうことができる。また、モニタ画面より、撮影部位を予め指定しておき、その部位に適切な画像処理を自動的に行なうことができる。また、患者情報などを入力し、画像情報に付け加えることができる。また、画像保存を行なうかどうか、外部モニタへの情報送付の指示等も情報入力手段６３で行なうことができる。また、Ｘ線ＣＴ画像やＭＲＩ画像、そのほか患者医療情報をモニタ６２に表示するように、情報入力手段６３で行なうことができる。この情報入力手段６３は一般的なキーボード、マウス、ポインターなどが使用される。モニタ６２は陰極管あるいは液晶表示手段が用いられ、またプロジェクターやその他の表示手段を用いることは差し支えない。モニタ６２で画像診断された画像情報は、必要に応じてプリンタ６４で画像を書き出すことができる。モニタ６２では、単に画像の確認のみで、プリンタ６４で描き出した画像で画像診断することもできる。プリンタ６４は銀塩写真フィルムを用いて水系の現像処理を行なって銀画像としてＸ線情報を描き出すことができる。また画像信号をレーザー書き込みをした上で、加熱によって画像を得るいわゆるフォトサーマルプリンタを用いることができる。あるいは画像信号にしたがって熱量を制御して画像を描くサーマル方式のプリンタを用いることができる。また画像情報にもとづき、ベースに着弾するインク量を制御して画像を描くいわゆるインクジェットプリンタを使用することができる。得られた画像の電気信号を用いて、Ｃｏｍｐｕｔｅｒ−ＡｉｄｅｄＤｉａｇｎｏｓｉｓ（ＣＡＤ）６５を使用して、診断性の向上を図ることができる。得られたＸ線画像情報は、電気信号として保存し、また必要に応じて適宜読み出すことができる。この画像情報保存手段６６は磁気的、ホログラム素子、穿孔、色素分布変化等、とくにその技術を特定するものではない。
【００８２】
画像情報信号はいわゆるＬＡＮやＰＡＣＳ、そしてＷＷＷなどのネットワーク６７に接続し、病院施設内のほかの部署あるいは遠隔地に画像情報を送付することができる。また別途、ＣＲや他のＦＰＤから得られた画像情報、Ｘ線ＣＴ７０やＭＲＩ７１、ＣＲ，ＦＰＤ７２、外部モニタ７３、外部画像保存手段７４、そして他の検査情報をネットワークを経由してえることができ、これらの情報は、この発明の放射線画像検出器１で得られた画像と比較検討するためにモニタに表示したり、またプリンタで書き出すことができる。また、ネットワークにのせられた画像情報は、外部の電気信号蓄積手段で電気信号として画像保存することができる。
【００８３】
このように、この実施の形態の放射線画像検出器１は、入射した放射線の強度に応じた発光を行なう第１の構成要素と、第１の構成要素から出力された光を電気エネルギーに変換する第２の構成要素と、第２の構成要素で得られた電気エネルギーの蓄積及び該蓄積された電気エネルギーに基づく信号の出力を行なう第３の構成要素と、第１の構成要素から前記第３の構成要素を保持する第４の構成要素を備えており、図６（ａ）に示すように、第３の構成要素をポリシリコン半導体８０を含んで形成することで、読取回路８１が、従来の図６（ｂ）に示すように、第３の構成要素をアモルファスシリコン半導体９０で形成した場合の読取回路９１と比較して、簡素化が可能である。
【００８４】
【発明の効果】
前記したように、請求項１に記載の発明では、第３の構成要素がポリシリコン半導体を含んで形成されていることで、高速読取が可能で、かつ読取回路の簡素化が可能である。
【００８５】
請求項２に記載の発明では、出力する各画素の画素サイズが２５〜２００μｍ、フィルファクターが６０〜９５％であることで、高精度、高感度の読み取りが可能である。
【００８６】
請求項３に記載の発明では、ポリシリコン半導体のクロック周波数、移動度μ、長辺平均結晶粒径を規定することで、高速読取が可能で、かつ読取回路の簡素化が可能である。
【００８７】
請求項４に記載の発明では、ポリシリコン半導体のクロック周波数、移動度μ、長辺平均結晶粒径を規定することで、より一層高速読取が可能で、かつ読取回路の簡素化が可能である。
【００８８】
請求項５に記載の発明では、第２の構成要素を光電変換可能な有機化合物を含有するものを用いて形成することで、塗布での作製が可能になるので安価に製造できる。
【００８９】
請求項６に記載の発明では、有機化合物が有機伝導高分子と、フラーレンまたはカーボンナノチューブを含有するものからなることで、高感度である。
【００９０】
請求項７に記載の発明では、第２の構成要素がポリシリコン半導体を含んで形成されることで、より一層高速読取が可能である。
【００９１】
請求項８に記載の発明では、第２の構成要素をアモルファスシリコン半導体を含んで形成することで、第２の構成要素の結晶化が不要であり、製造工程が簡素化できる。
【００９２】
請求項９に記載の発明では、第１の構成要素をＣｓＩ：Ｔｌ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｇｄ，Ｍ１，Ｅｕ）２Ｏ３、（Ｇｄ，Ｍ２，Ｔｂ）２Ｏ３のいずれかを用いて形成することで、鮮鋭性、粒状性がある高画質の画像を得ることができる。
【００９３】
請求項１０に記載の発明では、第１の構成要素を（Ｇｄ，Ｙ，Ｅｕ）２０３、（Ｇｄ，Ｙ，Ｔｂ）２０３、のいずれかを用いて形成することで、鮮鋭性、粒状性がある高画質の画像を得ることができる。
【００９４】
請求項１１に記載の発明では、第４の構成要素が所定のガラス基板であることで、センサとして各画素のばらつきがなくなる。
【００９５】
請求項１２に記載の発明では、第４の構成要素が樹脂であることで、軽量化でき、しかも耐衝撃性がある。
【００９６】
請求項１３に記載の発明では、第４の構成要素がガラスと樹脂が貼り合わされて構成されていることで、ガラス上で作製するので高温プロセスでも製造可能で、主なる基板は樹脂を使用するので、軽量化でき、しかも耐衝撃性がある。
【００９７】
請求項１４に記載の発明では、可搬構造で取扱が容易である。
【００９８】
請求項１５に記載の発明では、駆動させるために必要な電力を供給する電力供給手段を備えることで、携帯ができ、取扱が容易である。
【００９９】
請求項１６に記載の発明では、画像信号を記憶する記憶手段を備えることで、画像の保存が可能である。
【０１００】
請求項１７に記載の発明では、記憶手段は脱着可能であることで、大量の画像保存が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】放射線画像検出器の斜視図である。
【図２】放射線画像検出器の基本構成を示す図である。
【図３】放射線画像検出器の第２の構成要素の光電変換機能を示す図である。
【図４】放射線画像検出器の第２の構成要素及び第３の構成要素を示す図である。
【図５】放射線画像検出システムを用いて医用画像を得る方法を示す図である。
【図６】この発明と従来の読取回路の構成を比較する図である。
【符号の説明】
１  放射線画像検出器
１０  第１の構成要素
１１  第２の構成要素
１２  第３の構成要素
１３  第４の構成要素
１４  第５の構成要素
１５  第６の構成要素
【図１】
2004235579.tif 000003
【図２】
2004235579.tif 000004
【図３】
2004235579.tif 000005
【図４】
2004235579.tif 000006
【図５】
2004235579.tif 000007
【図６】
2004235579.tif 000008