(57)【要約】【課題】製造工程のリードタイムを短くして製品コストを下げる。【解決手段】前面ガラス基板１と背面ガラス基板４の互いに対向される側にそれぞれ構造物を形成し、互いに対向された二枚の基板の間の放電空間Ｓを封止し、加熱状態で放電空間Ｓ内から排気を行うベーキング工程Ｓ４を経た後、高スパッタレートの洗浄ガスを放電空間Ｓ内に導入する工程Ｓ５と、洗浄ガスが導入された放電空間Ｓ内においてエージングを行う工程Ｓ６とを経て、放電ガスの導入工程Ｓ７および排気管封止工程Ｓ８，放電ガスが導入された放電空間Ｓ内におけるエージング工程Ｓ９を行う。【選択図】　　図４
2004134157.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二枚の基板の互いに対向される側にそれぞれ構造物を形成し、この構造物が形成された二枚の基板を互いに対向させてその間の放電空間を封止し、この後、加熱状態で放電空間内から排気を行うベーキング工程，このベーキング工程後に放電空間内に放電ガスを導入する工程，この放電ガス導入工程後に放電空間内に放電を発生させるエージング工程を経てプラズマディスプレイパネルの製造を行う方法において、
前記ベーキング工程後に、放電ガス導入工程後に導入される放電ガスに比べてスパッタレートが高い洗浄ガスを二枚の基板の間の放電空間に導入する工程と、この放電空間に洗浄ガスが導入されている状態でこの空間内において放電を発生させる工程とを有していることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
前記洗浄ガスが、キセノンの分圧が１パーセント以下の放電ガスである請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前記洗浄ガスの圧力が、放電ガス導入工程において導入される放電ガスの圧力よりも低く設定されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、プラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１は、交流駆動方式の反射型プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）のパネル構造を示す縦断面図である。
【０００３】
このＰＤＰの前面基板１の内面側に、それぞれＩＴＯなどからなる透明電極Ｘａ，Ｙａと銀などの厚膜電極からなるバス電極Ｘｂ，Ｙｂとによって構成される行電極ＸとＹが対になった行電極対（Ｘ，Ｙ）と、この行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆する誘電体層２と、この誘電体層２を被覆するＭｇＯなどからなる保護層３が形成されている。
【０００４】
また、背面基板４の前面基板１に対向する内面側には、行電極対（Ｘ，Ｙ）と交差する方向に延びて行電極対（Ｘ，Ｙ）と交差する位置の放電空間Ｓ内に放電セルＣを構成する列電極Ｄと、この列電極Ｄを被覆する列電極保護層５と、この列電極保護層５上に各放電セルＣ毎に赤，緑，青に色分けされた蛍光体層６と、放電空間Ｓを各放電セルＣ毎に区画する隔壁（図示せず）が形成されている。
【０００５】
そして、放電空間Ｓ内には、キセノンＸｅを５〜１０％含むネオンＮｅとの混合ガスが放電ガスとして封入されている。
【０００６】
蛍光体層６は、放電によってＸｅガスから放出される真空紫外線（波長１４７ｎｍ）によって励起されることにより発光する。
【０００７】
図２は、上記のような構成のＰＤＰの従来の製造工程を示す工程説明図である。
この図２の前面基板作製工程ｓ１において、前面基板１上にフォトリソ法などによる行電極Ｘ，Ｙの形成とスクリーン印刷法などによる誘電体層２の形成が行われた後、保護層（ＭｇＯ層）３が成膜される。
【０００８】
一方、背面基板作製工程ｓ２において、背面基板４上にフォトリソ法などによる列電極Ｄの形成、および、スクリーン印刷法などによる列電極保護層５の形成，サンドブラスト法などによる隔壁の形成が順次行われた後、隔壁間に蛍光体ペーストが充填されて焼成されることにより、蛍光体層６が成膜される。
【０００９】
次に、背面基板４の前面基板１に対向される側の面の周縁部に、封着用のガラスフリットが塗布されて、約４００℃の温度で焼成されることにより封着層が形成され、この後、前面基板１と背面基板４とが、それぞれに形成された行電極Ｘ，Ｙと列電極Ｄとが直交する向きになるように互いに対向されて重ね合わされる。そして、この状態で約４５０℃の温度で加熱され、背面基板４に形成された封着層が前面基板１に溶着されることによって、背面基板４と前面基板１の間に形成される放電空間Ｓの周囲が封止される（工程ｓ３）。
【００１０】
この後、約３５０℃の温度での加熱状態において放電空間Ｓ内からの排気（ベーキング）が行われ（工程ｓ４）、冷却後に放電空間Ｓ内に放電ガスが所定の圧力（４００〜６００Ｔｏｏｒ）で導入される（工程ｓ５）。
この放電ガスの導入が終了した後、排気および放電ガスの導入に使用された排気管が封止される（工程ｓ６）。
【００１１】
そして、前面基板１の対をなす行電極Ｘ，Ｙ間に駆動パルスが印加されて所定時間放電が発生されることにより、前面基板１に形成されている保護層３の活性化（エージング）と放電の安定化が行われる（工程ｓ７）。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような従来のＰＤＰの製造工程において、工程ｓ４のベーキング工程は、放電空間Ｓ内のいわゆる枯らしを行うことによって、パネルの初期性能だけでなく、長期に亘る信頼性を確保するために行われるものである。
【００１３】
このために、この工程ｓ４におけるベーキング工程の工程時間を長く設定しておく必要があり、このベーキング工程の工程時間が短いと、工程ｓ７におけるエージング工程の工程時間の方を長く設定する必要が生じるので、図３に示されるように、このベーキング工程時間とエージング工程時間を合わたリードタイムＬ１が長くなって、ＰＤＰの製造時間を短縮しようとする際の障害になっている。
【００１４】
この発明は、上記のようなプラズマディスプレイパネルの製造工程における問題点を解決するために為されたものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
この発明によるプラズマディスプレイパネルの製造方法は、上記目的を達成するために、二枚の基板の互いに対向される側にそれぞれ構造物を形成し、この構造物が形成された二枚の基板を互いに対向させてその間の放電空間を封止し、この後、加熱状態で放電空間内から排気を行うベーキング工程，このベーキング工程後に放電空間内に放電ガスを導入する工程，この放電ガス導入工程後に放電空間内に放電を発生させるエージング工程を経てプラズマディスプレイパネルの製造を行う方法において、前記ベーキング工程後に、放電ガス導入工程後に導入される放電ガスに比べてスパッタレートが高い洗浄ガスを二枚の基板の間の放電空間に導入する工程と、この放電空間に洗浄ガスが導入されている状態でこの空間内において放電を発生させる工程とを有していることを特徴としている。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の最も好適と思われる実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明を行う。
【００１７】
図４は、この発明によるプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の製造方法の実施形態における一例を示す工程説明図である。
この図４の製造方法は、前面基板作製工程Ｓ１において、前面基板１上にフォトリソ法などによって行電極Ｘ，Ｙが形成され、この行電極Ｘ，Ｙを被覆するようにスクリーン印刷法などによって誘電体層２が形成され、さらに、この誘電体層２にその背面を被覆する保護層（ＭｇＯ層）３が形成される（図１参照）。
【００１８】
一方、背面基板作製工程Ｓ２においては、背面基板４上にフォトリソ法などによって列電極Ｄが形成され、スクリーン印刷法などによって列電極Ｄを被覆する列電極保護層５が形成され、この列電極保護層５上にサンドブラスト法などによって放電空間Ｓを区画する隔壁が形成され、さらに、隔壁間に蛍光体ペーストが充填されて焼成されることにより蛍光体層６が形成される（図１参照）。
【００１９】
以上のようにして、前面基板作製工程Ｓ１および背面基板作製工程Ｓ２が終了すると、次に、図５に示されるように、背面基板４の前面基板１に対向される側の面の周縁部に、封着用のガラスフリットが塗布されて約４００℃の温度で焼成されることにより、封着層７が形成され、この後、前面基板１と背面基板４とが、それぞれに形成された行電極Ｘ，Ｙと列電極Ｄとが直交する向きになるように互いに対向されて重ね合わされる。
【００２０】
そして、この状態でベーク炉Ｈ内において、約４５０℃の温度で加熱され、背面基板に形成された封着層が前面基板に溶着されることによって、背面基板４と前面基板１の間に形成される放電空間の周囲が封止される（工程Ｓ３）。
【００２１】
この後、背面基板４に形成された排気孔に排気管１０が接続されて封着され、約３５０℃による加熱状態において、排気管１０を介して放電空間Ｓ内からの排気を行う真空ベーキングが行われる（工程Ｓ４）。
この工程Ｓ４のベーキング工程終了後、パネル温度が下がった状態で、洗浄ガス導入系１１から洗浄ガス（放電ガス）を導入する（工程Ｓ５）。
【００２２】
この工程Ｓ５において導入される洗浄ガスは、保護層を形成するＭｇＯに対するスパッタレートが、Ｘｅの分圧を約１パーセントに設定するかガス全圧を低く設定するなどの方法によって、後述する放電ガスに対して高くなるように設定されている。
【００２３】
このような高スパッタレートの洗浄ガスの導入方法としては、
（１）Ｘｅの分圧が１パーセント以下のＮｅ−Ｘｅガスを４００〜６００Ｔｏｏｒの圧力で導入する、
（２）Ｘｅの分圧が５〜１０パーセント以下のＮｅ−Ｘｅガスを３００Ｔｏｏｒ以下の圧力で導入する、
等の方法がある。
【００２４】
この工程Ｓ５の終了後、前面基板１の対をなす行電極Ｘ，Ｙ間に駆動パルスが印加されて所定時間放電が発生されることにより、前面基板１に形成されている保護層（ＭｇＯ層）３に対するエージング（活性化）が行われる（工程Ｓ６）。
【００２５】
この工程Ｓ６の後、放電空間Ｓ内から洗浄ガスの排気が行われると、次に、放電ガス導入系１２から排気管１０を介して放電空間Ｓ内に放電ガスが所定の圧力（４００〜６００Ｔｏｏｒ）で導入される（工程Ｓ７）。
【００２６】
さらに、この放電ガスの導入の終了後、排気および放電ガスの導入に使用された排気管１０が封止される（工程Ｓ８）。
【００２７】
そして、前面基板１０の対をなす行電極Ｘ，Ｙ間に駆動パルスが印加されて所定時間放電が発生されることにより、前面基板１に形成されている保護層（ＭｇＯ層）３のエージング（活性化）と放電の安定化が行われる（工程Ｓ９）。
【００２８】
上記ＰＤＰの製造方法によれば、工程Ｓ４におけるベーキング工程の後に行われる工程Ｓ５のエージング工程によって、保護層３を形成するＭｇＯに対するプラズマイオンによるスパッタが行われるが、このエージングの際に、放電空間Ｓ内に高スパッタレートの洗浄ガスが導入されていることによって、保護層３のＭｇＯに対するプラズマイオンによるスパッタが促進される。
【００２９】
これによって、図６に示されるように、工程Ｓ４におけるベーキング工程時間と、工程Ｓ９におけるエージングの工程時間を短くすることができ、これらの工程時間を合わせたリードタイムＬ２を従来の従来の製造方法におけるリードタイムＬ１（図３参照）と比べて大幅に短縮することが出来る。
【００３０】
そして、この保護層３のＭｇＯを活性化するための工程時間の短縮化によって、ＰＤＰの製造工程における省電力化およびスペース効率化を図ることが可能になり、ＰＤＰの製品コストを下げることが出来るようになる。
【００３１】
上記の実施形態によるＰＤＰの製造方法は、二枚の基板の互いに対向される側にそれぞれ構造物を形成し、この構造物が形成された二枚の基板を互いに対向させてその間の放電空間を封止し、この後、加熱状態で放電空間内から排気を行うベーキング工程，このベーキング工程後に放電空間内に放電ガスを導入する工程，この放電ガス導入工程後に放電空間内に放電を発生させるエージング工程を経てプラズマディスプレイパネルの製造を行う方法において、前記ベーキング工程後に、放電ガス導入工程後に導入される放電ガスに比べてスパックレートが高い洗浄ガスを二枚の基板の間の放電空間に導入する工程と、この放電空間に洗浄ガスが導入されている状態でこの空間内において放電を発生させる工程とを有しているＰＤＰの製造方法を、その上位概念の実施形態としているものである。
【００３２】
この上位概念を構成する実施形態によれば、それぞれに構造物が形成された二枚の基板を重ね合わせてその間の放電空間が封止された後、ベーキング工程において基板に形成された構造物の加熱による活性化が行われると、次の工程において、放電空間内に高スパッタレートの洗浄ガスが導入され、この状態で放電空間内に放電が発生されることにより、基板に形成された構造物に対するプラズマイオンによる活性化が行われる。
そして、この後、放電空間への放電ガスの導入工程およびエージング工程を経てＰＤＰが製造される。
【００３３】
以上のように、このＰＤＰの製造方法によれば、ベーキング工程の直ぐ後にエージングが行われ、このエージングが高スパッタレートの洗浄ガスの雰囲気内において行われることによって、基板に形成された構造物に対するプラズマイオンによる活性化が促進される。
【００３４】
これによって、ベーキングの工程時間と、放電空間内に放電ガスが導入された状態で行われる最終工程のエージングの工程時間を短縮することができ、これらの工程時間を合わせたリードタイムを従来の製造方法に比べて大幅に短縮することが出来る。
【００３５】
そして、この基板の構造物を活性化するための工程時間の短縮化によって、ＰＤＰの製造工程における省電力化およびスペース効率化を図ることが可能になり、ＰＤＰの製品コストを下げることが出来るようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】プラズマディスプレイパネルの一般的構成を示す断面図である。
【図２】従来のプラズマディスプレイパネルの製造方法を示す工程説明図である。
【図３】従来の製造方法におけるリードタイムを説明するための説明図である。
【図４】この発明によるプラズマディスプレイパネルの製造方法の一例を示す工程説明図である。
【図５】同例における洗浄ガス導入工程および放電ガス導入工程の説明図である。
【図６】同例の製造方法におけるリードタイムを説明するための説明図である。
【符号の説明】
１　　　…前面基板（基板）
２　　　…誘電体層
３　　　…保護層（構造物）
４　　　…背面基板（基板）
５　　　…列電極保護層
７　　　…蛍光体層
１１　　…洗浄ガス導入系
１２　　…放電ガス導入系
Ｘ，Ｙ　…行電極
Ｄ　　　…列電極
【図１】
2004134157.tif 000003
【図２】
2004134157.tif 000004
【図３】
2004134157.tif 000005
【図４】
2004134157.tif 000006
【図５】
2004134157.tif 000007
【図６】
2004134157.tif 000008