(57)【要約】【課題】発光素子から側方への放出される光を効率的に利用した、発光効率の高い発光装置を提供する。【解決手段】発光素子と、その底部に前記発光素子が載置されるカップ状部を有し、該カップ状部の内周面上に金属又は合金からなる反射層が形成されてなる筐体と、及び前記発光素子を被覆して前記カップ状部に充填される封止部材と、を備える発光装置。【選択図】　図１
2004134699.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
その底部に前記発光素子が載置されるカップ状部を有し、該カップ状部の内周面上に金属又は合金からなる反射層が形成されてなる筐体と、及び
前記発光素子を被覆して前記カップ状部に充填される封止部材と、を備える発光装置。
【請求項２】
前記筐体が、前記発光素子が載置される基板と、及び該基板上に設置されて該基板の一部とともに前記カップ状部を形成する樹脂製のリフレクタとからなる、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記発光素子が５００ｎｍ以下の波長領域に主発光ピークを有する、請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記発光素子が４００ｎｍ以下の波長領域に主発光ピークを有する、請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項５】
前記発光素子がＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層を備える、請求項３又は４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記反射層がアルミ（Ａｌ）又はその合金からなる、請求項１〜５のいずれかに記載の発光装置。
【請求項７】
前記封止部材がシリコーンからなる、請求項１〜６のいずれかに記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は発光装置に関する。詳しくは、比較的短波長領域の光を発光する発光素子を利用した発光装置に関する。本発明の発光装置は、例えば蛍光体励起用光源や各種センサー用の光源として利用される。
【０００２】
【従来の技術】
発光素子を利用した発光装置として図７に示す構成のものが知られている。図はＳＭＤ（ｓｕｒｆａｃｅ　ｍｏｕｎｔｅｄ　ｄｅｖｉｃｅ）タイプのＬＥＤ１００の構成を模式的に表したものである。ＬＥＤ１００ではマウント基板１２０とリフレクタ１３０により形成されるカップ状部１５０に発光素子１１０が配置され、カップ状部１５０には封止部材１４０（光透過性の樹脂）が充填されている。リフレクタ１３０は、例えば酸化チタンなどの白色系の充填材を含有したポリマー樹脂により形成される。このリフレクタ１３０は発光素子１１０から側方に放射された光をその表面で拡散反射して軸方向に分配し、これによって軸上強度を高めることを目的として使用される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、紫外領域などに発光ピーク波長を有する短波長の発光素子の開発が行われ、かかる発光素子についてもＳＭＤタイプのＬＥＤへの適用が期待されている。本発明者らが短波長の発光素子を用いてＳＭＤタイプのＬＥＤを構成することを試みたところ、一般に使用されているリフレクタ材料では発光波長が短波長領域になると急激にその反射率が低下し、良好な光の取り出し効率が得られなかった。この反射率の低下は、リフレクタ材料に含まれる酸化チタンなどによる光の吸収に起因するものと考えられた。
本発明者らが更に検討したところでは、一般に利用されているリフレクタ材料の一部では紫外線などによる劣化が原因となって可視領域の光に対しても反射率の低下が生ずることが認められた。
本発明は以上の検討結果に鑑み、発光素子から側方へ放出される光を効率的に利用した、発光効率の高い発光装置を提供することを目的とする。特に、高い発光効率で短波長領域の光を放出する発光装置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は以上の目的を達成すべく、次の構成からなる。即ち、発光素子と、
その底部に前記発光素子が載置されるカップ状部を有し、該カップ状部の内周面上に金属又は合金からなる反射層が形成されてなる筐体と、及び
前記発光素子を被覆して前記カップ状部に充填される封止部材と、を備える発光装置である。
【０００５】
かかる構成によれば、発光素子から側方に放出された光が筐体のカップ状部の内周面上に形成された反射層によって効率的に反射される。即ち、カップ状部の内周面が反射率の高いリフレクタとなる。これにより、発光素子から側方に放出された光のより多くを光軸方向（主たる光の取り出し方向）の光へと変換することができ、もって発光効率の高い発光装置となる。
また、反射層を金属又は合金製としたことで発光素子の駆動に伴って発生する熱の拡散、放出をこの反射層が促すこととなる。即ち、放熱効率の向上も期待される。さらには、反射層が発光素子の側方を包囲して外部からの水分の浸入に対する障壁として作用し、これによって発光装置の耐久性及び信頼性の向上も期待できる。
一方、反射層の表面において良好な光の反射が得られることは、反射層の裏面側に位置する筐体（リフレクタ）を構成する材料に直接照射する光の量が可及的に少なくなることを意味する。したがって、短波長の光を放出する発光素子を使用した場合にその光の照射によって経時的にリフレクタが劣化、変色して発光特性の変化が引き起こされるといった、従来問題視されていた現象を防止することができる。これにより、リフレクタ材料の選択の自由度も増すこととなる。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の発光装置を構成する各要素について説明する。
（発光素子）
主発光ピーク波長を５００ｎｍ以下の波長領域に有する発光素子（例えば主発光ピーク波長が３７０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲にある発光素子）を好適に用いることができる。さらに好ましくは、主発光ピーク波長を４００ｎｍ以下の波長領域に有する発光素子（例えば主発光ピーク波長が３７０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲にある発光素子）が用いられる。さらにさらに好ましくは主発光ピーク波長を３９０ｎｍ以下の波長領域に有する発光素子（例えば主発光ピーク波長が３７０ｎｍ〜３９０ｎｍの範囲にある発光素子）が用いられる。
【０００７】
本発明者らの検討結果によれば、発光素子から側方に放出された光を反射する目的で現在使用されているリフレクタ材料の反射率は一般に照射光の波長が短波長領域になると急激に低下する。具体的には、リフレクタ材料として頻用されるポリフタルアミド等の反射率はおよそ４００〜４３０ｎｍを境界として照射光の波長が短くなるに従って指数関数的な低下を示す。したがって、このようなリフレクタ材料の反射率の低下が著しい波長領域の光を放出する発光素子（例えば、主発光ピーク波長が４００ｎｍ以下にある発光素子）との組合わせにおいて後述の反射層を用いた場合に当該反射層の効果がより一層顕著なものとなる。
単一の発光ピークを有する発光素子に限らず、複数の発光ピークを有する発光素子を用いることもできる。尚、複数の発光ピークを有する場合には５００ｎｍより長波長の領域に一又は二以上の発光ピークを有していてもよい。
【０００８】
発光素子の構成は上記の波長特性を備えるものであれば特に限定されない。例えば、本発明の発光素子としてＩＩＩ族窒化物系化合物半導体からなる発光層を備える半導体発光素子を採用することができる。ここで、一般に、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体とは、一般式としてＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｘ＋Ｙ≦１）の四元系で表され、ＡｌＮ、ＧａＮ及びＩｎＮのいわゆる２元系、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮ及びＧａｘＩｎ１−ｘＮ（以上において０＜ｘ＜１）のいわゆる３元系を包含する。ＩＩＩ族元素の一部をボロン（Ｂ）、タリウム（Ｔｌ）等で置換しても良く、また、窒素（Ｎ）の一部も　リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等で置換できる。また、発光層は任意のドーパントを含有するものであってもよい。
【０００９】
（筐体）
筐体はカップ状部を有し、当該カップ状部の底部に発光素子がマウントされる。カップ状部とは底部と側面部とを有し、光軸に垂直方向の断面の面積が当該底部から発光装置の光の取り出し方向に向かって連続的又は段階的に増加する形状を有する空間からなる部分をいう。かかる条件を満たす範囲において、底部及び側面部の形状は特に限定されるものではない。
【００１０】
本明細書での筐体にはカップ状部を有する単一の部材からなるものの他に、複数の部材を組み合わせることによりカップ状部を構成する場合の当該複数の部材が含まれる。筐体の具体例としては、略平板状の基板又はリードフレーム上にカップ状部が形成されるように他の部材（以下、「リフレクタ」ともいう）を配置して構成されるもの（この場合には、基板又はリードフレームの表面の一部がカップ状部の底部を形成し、他の部材の表面の一部がカップ状部の側面部を形成する）を挙げられる。
【００１１】
筐体を構成する材料は特に限定されない。例えば基板とリフレクタとを組合わせて筐体とする場合には、基板の材料としてはポリイミド、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ガラスエポキシ等の樹脂やセラミックス等を採用することができ、他方リフレクタの材料としてはポリアミド系樹脂（芳香族ポリアミド系樹脂を含む）、液晶ポリマー、ポリフタルアミド、ナイロン６Ｔ等を採用することができる。リフレクタ材料には種々の配合剤が含有されていてもよい。配合剤としては酸化チタン、チタン酸カリウム、及びガラス繊維を例示することができる。
【００１２】
筐体のカップ状部の側面部表面（内周面上）には金属又は合金からなる反射層が形成される。反射層は必ずしもカップ状部の側面部表面の全体に形成されなくてもよいが、反射層による発光効率の改善効果が最大限発揮されるように発光素子から側方に放出された光が照射する領域についてはその全体に反射層を設けることが好ましい。
尚、反射面をカップ状部の側面部表面以外の部分にも形成してもよいが、基板（又はリードフレーム）の上にリフレクタを設置して筐体とする場合には、リフレクタを設置した際にリフレクタと基板表面の配線パターン（又はリードフレーム）とが直接接触すれば短絡するため、少なくともリフレクタの基板との接触面には反射面を設けないことが好ましい。但し、基板（又はリードフレーム）表面に保護膜を設けてかかる短絡を防止できる場合にはこの限りでない。
【００１３】
発光素子の光に対する反射層の反射率が高いことが好ましく、例えばＡｌ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｐｄ等から選択される一以上の金属又はその合金を反射層の材料として採用することができる。その他、窒化チタン、窒化ハフニウム、窒化ジルコニウム、窒化タンタルなどの金属窒化物を反射層の材料として用いることもできる。特に、Ａｌ又はその合金によって反射層を構成することが好ましい。
反射層の厚さは発光素子からの光を反射するのに十分な厚さであれば特に限定されず、例えば約０．１〜約２．０μｍの範囲とする。好ましくは約０．５〜約１．０μｍの範囲とする。
【００１４】
その表面ができるだけ平滑な反射層を形成することが好ましい。平滑なほど反射層における鏡面反射が起こりやすくなり、反射効率の向上ひいては発光効率の向上が図られるからである。
反射層が形成されるカップ状部の側面部の角度は光軸方向への反射効率を考慮して設計することができ、発光素子の光軸に対して２０°〜６０°の範囲にすることが好ましい。さらに好ましくは４０°〜５０°の範囲とする。
反射層の形成には蒸着、塗付、印刷等の方法を採用できる。特に、蒸着法によれば厚さが均一で、かつ表面が平滑な反射層を容易に形成することができる。
反射層の表面を光透過率の高い樹脂（例えばシリコーン樹脂）等でコーティングしてもよい。このようなコーティングを施すことにより反射膜を物理的又は化学的侵食から保護することができる。
【００１５】
（封止部材）
封止部材は発光素子を被覆するように形成される部材であり、主として外部環境から発光素子を保護する目的で備えられる。封止部材の材料としては発光素子の光に対して透明であり、且つ耐久性、耐候性などに優れたものを採用することが好ましい。例えばシリコーン（シリコーン樹脂、シリコーンゴム、及びシリコーンエラストマーを含む）、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、ガラス等の中から、発光素子の発光波長との関係で適当なものを選択することができる。発光素子の光が短波長領域の光を含む場合には特に紫外線劣化が問題となるため、シリコーン等の紫外線劣化に対する耐性の高い材料を採用することが好ましい。
封止部材の材料は、発光素子の光に対する透過性、硬化した状態の硬度、取り扱いの容易さ等を考慮して適当なものが採用される。
【００１６】
異なる材料からなる複数の層が発光素子上に積層して形成されるように封止部材を設けることができる。
【００１７】
封止部材に蛍光体を含有させることもできる。蛍光体を用いることにより発光素子からの光の一部を異なる波長の光に変換することができ、発光装置の発光色を変化させ又は補正することができる。発光素子からの光により励起可能なものであれば任意の蛍光体を用いることができ、その選択においては発光装置の発光色、耐久性等が考慮される。蛍光体を封止部材に一様に分散させても、また一部の領域に局在させてもよい。例えば蛍光体を発光素子の近傍に局在させることにより、発光素子から放出された光を効率的に蛍光体に照射できる。
【００１８】
複数種類の蛍光体を組み合わせて封止部材に含有させることもできる。この場合には発光素子からの光により励起されて発光する蛍光体と当該蛍光体からの光により励起されて発光する蛍光体とを組み合わせて用いることもできる。
封止部材に光拡散材を含有させて封止部材内での光の拡散を促進させ、発光ムラの減少を図ることもできる。特に上記のように蛍光体を用いる構成においては、発光素子からの光と蛍光体からの光との混色を促進させて発光色のムラを少なくするためにこのような光拡散材を用いることが好ましい。
【００１９】
【実施例】
以下、本発明の一の実施例であるＳＭＤタイプのＬＥＤを用いて本発明の構成をより詳細に説明する。
図１は実施例のＬＥＤ１の断面を模式的に表した図である。ＬＥＤ１は発光素子１０、基板２０、リフレクタ３０、及び封止部材４０から概略構成される。ここでの基板２０及びリフレクタ３０が上記の説明における筐体に相当する。尚、静電耐圧のためにＬＥＤ１は図示しないツェナーダイオードを内蔵する。
【００２０】
発光素子１０はＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子である。その構成を図２に模式的に示した。図２に示されるように、発光素子１０はサファイア基板１１上に複数の半導体層が積層された構成からなり、主発光ピーク波長を３８０ｎｍ付近に有する。発光素子１０の各層のスペックは次の通りである。
2004134699.tif 000003
【００２１】
基板１１の上にはバッファ層１２を介してｎ型不純物としてＳｉをドープしたＧａＮからなるｎ型層１３を形成する。ここで、基板１１にはサファイアを用いたがこれに限定されることはなく、サファイア、スピネル、炭化シリコン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化マンガン、ジルコニウムボライド、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体単結晶等を用いることができる。さらにバッファ層はＡｌＮを用いてＭＯＣＶＤ法で形成されるがこれに限定されることはなく、材料としてはＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＩｎＧａＮ等を用いることができ、製法としては分子線結晶成長法（ＭＢＥ法）、ハライド系気相成長法（ＨＶＰＥ法）、スパッタ法、イオンプレーティング法、電子シャワー法等を用いることができる。ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体を基板として用いた場合は、当該バッファ層を省略することができる。
さらに基板とバッファ層は半導体素子形成後に、必要に応じて、除去することもできる。
ここでｎ型層１３はＧａＮで形成したが、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ若しくはＡｌＩｎＧａＮを用いることができる。
また、ｎ型層１３はｎ型不純物してＳｉをドープしたが、このほかにｎ型不純物として、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を用いることもできる。
発光する層を含む層１４は量子井戸構造（多重量子井戸構造、若しくは単一量子井戸構造）を含んでいてもよく、また発光素子の構造としてはシングルへテロ型、ダブルへテロ型及びホモ接合型のものなどでもよい。
【００２２】
発光する層を含む層１４はｐ型層１５の側にＭｇ等をドープしたバンドギャップの広いＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層を含むこともできる。これは発光する層を含む層１４中に注入された電子がｐ型層１５に拡散するのを効果的に防止するためである。
発光する層を含む層１４の上にｐ型不純物としてＭｇをドープしたＧａＮからなるｐ型層１５を形成する。このｐ型層１５はＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ又はＩｎＡｌＧａＮとすることもできる、また、ｐ型不純物としてはＺｎ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａを用いることもできる。ｐ型不純物の導入後に、電子線照射、炉による加熱、プラズマ照射等の周知の方法によ低抵抗化することも可能である。
上記構成の発光素子において、各ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層は一般的な条件でＭＯＣＶＤを実行して形成するか、分子線結晶成長法（ＭＢＥ法）、ハライド系気相成長法（ＨＶＰＥ法）、スパッタ法、イオンプレーティング法、電子シャワー法等の方法で形成することもできる。
【００２３】
ｎ電極１８はＡｌとＶの２層で構成され、ｐ型層１５を形成した後にｐ型層１５、発光する層を含む層１４、及びｎ型層１３の一部をエッチングにより除去することにより表出したｎ型層１３上に蒸着で形成される。
透光性電極１６は金を含む薄膜であって、ｐ型層１５の上に積層される。ｐ電極１７も金を含む材料で構成されており、蒸着により透光性電極１６の上に形成される。以上の工程により各層及び各電極を形成した後、各チップの分離工程を行う。
尚、基板１１の裏面（半導体層が形成されない側の表面）にＡｌ、Ａｇ、窒化チタン、窒化ハフニウム、窒化ジルコニウム、窒化タンタルなどからなる反射層を形成してもよい。反射層を設けることにより、基板１１側に向かった光を取り出し方向へと効率的に反射、変換することができ、光の取り出し効率の向上が図られる。このような反射層は形成材料の蒸着などの公知の方法で形成することができる。
【００２４】
マウント基板２０は絶縁性の基板であって、図３に示されるようにその表面には所望の配線パターン２２、２３がプリントされている。尚、図３は発光素子１０をマウントする前のマウント基板２０の表面状態を模式的に表した図である。
図３において斜線部分で表した表面は酸化シリコンからなるレジストで被覆されている。
【００２５】
リフレクタ３０は酸化チタンを一様に分散させたポリアミド系樹脂からなり、カップ状部５０を形成する内周面が光軸に対して所望の角度となるように成型されている。本実施例では当該面の角度を発光素子１０の光軸に対して約４５°とした。カップ状部５０を構成するリフレクタ３０の内周面上には厚さ約０．５μｍの反射層３１が形成されている。本実施例ではかかる反射層をＡｌの蒸着によって形成した。
封止部材４０は発光素子１０を被覆するようにカップ状部５０に充填される。
本実施例では封止部材４０をシリコーン樹脂製とした。
【００２６】
以上の構成のＬＥＤ１は次のように作製される。まず、マウント基板２０上に所定の配線パターン及びレジスト（図３を参照）を形成した後、発光素子１０をその基板１１面を接着面として図３の矢印２１で示す位置に銀フレークを含む接着材（マウントペースト）で接着・固定する。
続いて発光素子１０の各電極とマウント基板２０上の配線パターン２２、２３とをリードで接続する。リードはＡｕ製、Ａｌ製、Ａｇ製のものなどを使用することができる。特に後二者ではリードによる光の吸収を効果的に抑えることができ、一層の発光効率向上が図られる。
次に、その内周面が発光素子１０を取り囲むようにリフレクタ３０をマウント基板２０にエポキシ系接着材で接着・固定する。これによって、マウント基板２０の表面の一部とリフレクタ２０の内周面とによってカップ状部５０が形成される。
その後、液状に調製したシリコーンゴムをカップ状部５０にポッティングする。この状態でシリコーンゴムの硬化温度まで加熱してシリコーンゴムを熱硬化させる。これによりシリコーンゴムは反射層３１の表面になじみ、当該表面に接着した状態で硬化する。最後に空気中で放熱させる。
【００２７】
以上の方法で作製したＬＥＤ１の発光特性を積分球出力によって評価した。積分球出力の測定にはインストルメントシステムズ社製、ＣＡＳ−１４０Ｂを使用し、２０ｍＡの通電における出力（ｍＷ）を評価に用いた。尚、リフレクタ３０の表面に反射層３１を設けず、それ以外は実施例のＬＥＤ１の構成と同様に作製したＬＥＤ（従来品）を比較対照として使用した。
【００２８】
従来品及び実施例を各１５サンプル測定し、その結果を図４にまとめた。図４において左欄が従来品の測定結果、右欄が実施例の測定結果である。各表の最下段にはそれぞれの平均出力が示される。この表からわかるように、実施例では従来品に比較して平均約１．６倍の出力が得られている。このように、実施例の構成を採用することにより５０％以上もの大幅な出力の増加が実現された。
【００２９】
次に、他の実施例であるＬＥＤ２について説明する。図５はＬＥＤ２の模式断面図である。図５においてＬＥＤ１と同一の要素には同一の符号を付してその説明を省略する。ＬＥＤ２ではＬＥＤ１におけるマウント基板２０及びリフレクタ３０の代わりにリードフレーム８０を一体的に内包した基体３３が用いられる。
基体３３の上部はカップ状部５０を形成するように成形されており、当該部分の発光素子１０に対向する面上には反射層３１が形成されている。発光素子１０はリードフレーム８０上にマウントされる。その他の構成はＬＥＤ１と同様である。
【００３０】
さらに他の実施例であるフリップチップタイプのＬＥＤ３の模式断面図を図６に示す。図６においてＬＥＤ１と同一の要素には同一の符号を付してその説明を省略する。ＬＥＤ３で使用される発光素子９０の構成は、透光性電極を有しないこと以外は上記の発光素子１０と同様である。このような発光素子９０はそのｐ型層１５を形成した後、ｐ型層１５、発光する層を含む層１４、ｎ型層１３のそれぞれ一部をエッチングにより除去し、ｎ型層１３の一部を表出させ、続いてｐ型層１５上にＲｈからなるｐ電極１７ａを蒸着により形成し、ＡｌとＶの２層で構成されたｎ電極１８ａを蒸着によりｎ型層１３上に形成し、その後に周知の方法でアロイ化して作製される。発光素子９０は各電極１７ａ、１８ａがマウント基板２０に形成された所定の配線パターンとそれぞれ電気的に接続されるように、電極側を下に（フェースダウン）してマウントされる。
このようなＬＥＤ３では発光素子９０の発光する層を含む層１４で生じた光の一部は直接又は電極１７ａ、１８ａで反射された後、図示上方に向かって発光素子９０の基板１１表面から取り出される。一方、一部の光は発光素子９０の側方に放出され、リフレクタ３０表面の反射層３１に反射された後、光軸方向の光に変換されることとなる。
【００３１】
以上、本発明が適用される実施例としてＳＭＤタイプのＬＥＤについて説明したが、リードフレーム上に発光素子がマウントされ、発光素子及びリードフレームの一部を封止部材で被覆してなる、いわゆる砲弾型ＬＥＤにも本発明を適用できる。
【００３２】
本発明は、上記発明の実施の形態の説明に何ら限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲で種々の変形態様もこの発明に含まれる。
【００３３】
【発明の効果】
発光素子の周囲に配置されるリフレクタの表面に反射層を設けることにより、発光素子から側方に放射される光を効率的に反射して光軸方向の光として利用できる。その結果、発光効率の高い発光装置となる。また、反射層による放熱作用、発光素子部への防水作用が得られ、耐久性及び信頼性に優れた発光装置となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の一実施例であるＬＥＤ１の構成を模式的に示した断面図である。
【図２】図２はＬＥＤ１を構成する発光素子１０の構成を模式的に示した断面図である。
【図３】図３はＬＥＤ１に使用されるマウント基板２０の平面図である。
【図４】図４はＬＥＤ１の発光特性を試験した結果をまとめた表である。左欄が従来品の出力を測定した結果を示す表であり、右欄がＬＥＤ１の出力を測定した結果を示す表である。
【図５】図５は本発明の他の実施例であるＬＥＤ２の構成を模式的に示した断面図である。
【図６】図６は本発明のさらに他の実施例であるＬＥＤ３の構成を模式的に示した断面図である。
【図７】図７は従来の構成のＬＥＤ１００を示す断面図である。
【符号の説明】
１　２　３　１００　ＬＥＤ
１０　９０　１１０　発光素子
２０　１２０　マウント基板
３０　１３０　リフレクタ
３１　反射層
４０　１４０　封止部材
５０　１５０　カップ状部
【図１】
2004134699.tif 000004
【図２】
2004134699.tif 000005
【図３】
2004134699.tif 000006
【図４】
2004134699.tif 000007
【図５】
2004134699.tif 000008
【図６】
2004134699.tif 000009
【図７】
2004134699.tif 000010