(57)【要約】【課題】反射面の位置精度を向上させ、反射率及び光損失を向上させられる反射器を備えた双方向光通信モジュールを提供する。【解決手段】入力導波管２３４と、該入力導波管から入力された光信号を反射させるため、モジュールの一端部２１７ａから入力導波管に向かって延設されるようにフォトリソグラフィ工程によって形成された反射溝２４９及び該反射溝の基底面上に形成された反射層２４１を含む反射器２０４と、該反射器によって反射した光信号を出力させる出力導波管２３３と、入力導波管を通じて入力される光信号を反射器に伝達し且つ反射器で反射した光信号を出力導波管に出力させる連結導波管２４３ａと、を備えることを特徴とする。フォトリソ工程により反射溝を形成することで位置精度が向上する。【選択図】  図５
2004361947.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
双方向光通信モジュールにおいて、
光信号を入力させる入力導波管と、該入力導波管を通じて入力された光信号を反射させるため、当該双方向光通信モジュールの一端部から前記入力導波管に向かって延設されるようにフォトリソグラフィ工程によって形成された反射溝及び該反射溝の基底面上に形成された反射層を含む反射器と、該反射器によって反射した光信号を出力させる出力導波管と、前記入力導波管を通じて入力される光信号を前記反射器に伝達し且つ前記反射器で反射した光信号を前記出力導波管に出力させる連結導波管と、を具備することを特徴とする双方向光通信モジュール。
【請求項２】
入力導波管と出力導波管は２゜ないし５゜の角度で重なって連結導波管に接続される請求項１記載の双方向光通信モジュール。
【請求項３】
反射溝の基底面位置変化の許容値が数式１（d０；基底面位置変化の許容値、λ；光信号波長、n０、n１；入力導波管と出力導波管が合わせられる連結導波管での第１モード、第２モードの有效屈折率、x；追加損失が発生する領域を設定するための損失値）によって計算された値以内に制限される請求項２記載の双方向光通信モジュール。
【数１】
2004361947.tif 000011
【請求項４】
入力導波管と出力導波管は１０゜ないし４０゜の角度で重なって連結導波管に接続される請求項１記載の双方向光通信モジュール。
【請求項５】
反射溝の基底面位置変化の許容値が数式２（d１；基底面位置変化の許容値、x；追加損失が発生する領域を設定するための損失値、w；モードフィールド直径の半分値、θb；入力導波管と出力導波管がなす角度）によって計算された値以内で制限される請求項４記載の双方向光通信モジュール。
【数２】
2004361947.tif 000012
【請求項６】
反射層は反射溝の基底面上に蒸着または接着される金属層である請求項１記載の双方向光通信モジュール。
【請求項７】
多重化器がさらに具備され、入力導波管は前記多重化器と接続され、出力導波管は光信号検出器に接続される請求項１記載の双方向光通信モジュール。
【請求項８】
多重化器がさらに具備され、入力導波管は光源に接続され、出力導波管は前記多重化器に接続される請求項１記載の双方向光通信モジュール。
【請求項９】
シリコンまたはポリマー材質の基板上に積層されたクラッド層上に形成された入力導波管、出力導波管、連結導波管及び反射溝から多重化器が構成されている請求項１記載の双方向光通信モジュール。
【請求項１０】
多重化器は、方向性結合器、多重モード干渉計、または光導波管列格子のいずれかである請求項９記載の双方向光通信モジュール。
【請求項１１】
双方向光信号通信が可能な双方向光通信モジュールにおいて、
多重化光信号を入出力する第１導波管及び逆多重化光信号を入出力する少なくとも二つの第２導波管がそれぞれ接続された多重化器と、前記第２導波管のうちのいずれかの端部に接続されて光信号を反射させる反射層と、該反射層に光信号を入射させ、また前記反射層によって反射した光信号を出射させる第３導波管と、を具備し、
前記反射層は、当該双方向光通信モジュールの一端部から延設されるようにフォトリソグラフィ工程によって形成された反射溝の基底面上に形成されていることを特徴とする双方向光通信モジュール。
【請求項１２】
反射層に接続されない第２導波管の端部に光源がさらに具備され、第３導波管の端部に光信号検出器がさらに具備される請求項１１記載の双方向光通信モジュール。
【請求項１３】
反射層に接続されない第２導波管の端部に光信号検出器がさらに具備され、第３導波管の端部に光源がさらに具備される請求項１１記載の双方向光通信モジュール。
【請求項１４】
反射層に光信号を入射させ、また前記反射器から反射した光信号を出射させる連結導波管をさらに具備し、
前記反射層に接続される第２導波管と第３導波管は前記連結導波管の端部で所定角度でお互いに重なる請求項１１記載の双方向光通信モジュール。
【請求項１５】
第２導波管と第３導波管は２゜ないし５゜の角度で重なって連結導波管に接続される請求項１４記載の双方向光通信モジュール。
【請求項１６】
基底面位置変化の許容値は数式３（d０；基底面位置変化の許容値、λ；光信号波長、n０、n１；入力導波管と出力導波管が合わせられる連結導波管での第１モード、第２モードの有效屈折率、x；追加損失が発生する領域を設定するための損失値）によって計算された値以内で制限される請求項１５記載の双方向光通信モジュール。
【数３】
2004361947.tif 000013
【請求項１７】
入力導波管と出力導波管は１０゜ないし４０゜の角度で重なって連結導波管に接続される請求項１４記載の双方向光通信モジュール。
【請求項１８】
基底面位置変化の許容値は数式４（d１；基底面位置変化の許容値、x；追加損失が発生する領域を設定するための損失値、w；モードフィールド直径の半分値、θb；入力導波管と出力導波管がなす角度）によって計算された値以内で制限される請求項１７記載の双方向光通信モジュール。
【数４】
2004361947.tif 000014
【請求項１９】
多重化器は方向性結合器、多重モード干渉計、または導波管列格子のいずれかである請求項１１記載の双方向光通信モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、双方向光通信モジュールに関し、特に、反射器を具備する双方向光通信モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
双方向光通信モジュールは、光通信網の送受信端で光信号の多重化または逆多重化の機能などを遂行する要素であり、一般的にシリコンまたはポリマー基板上にアンダークラッド層（under cladding layer）、所定パターンのコア層（core layer）、オーバークラッド層（over cladding layer）を順次に積層した形態として製作されている。
【０００３】
光通信網の送受信端には光信号を発生させる光源と、受信された光信号を検出するための光検出器が備えられる。これら光源と光検出器は、一つの基板上に装備された双方向光通信モジュールの形態で光通信網の送受信端に設置され得る。双方向光通信モジュールにおける光源と光検出器は、多重化器を通じて光信号を送信し、また受信するものであるが、この時、光源と光検出器との間の相互干渉（cross−talk）を最小化するために、光源と光検出器は双方向光通信モジュールの両端に離して設置される。光源と光検出器をお互いに離れた位置に設置するためには、光源と光検出器のいずれか一方が反射器を通じて多重化器に接続される。
【０００４】
図１は従来技術の第１例による双方向光通信モジュールの反射器を示す図であり、図２は従来技術の第２例による双方向光通信モジュールの反射器を示す。図１と図２に示したように、反射器１０４は、双方向光通信モジュールの端面１１７に金属層１４１を蒸着または接着させることにより製作される。射器１０４は双方向光通信モジュール上で、多重化器から出力された光信号を光検出器に入力させ、また光源から発生された光信号を多重化器に入力させるもので、光源と光検出器の位置によって設計される。
【０００５】
図１及び図２に示した反射器１０４の構造は、金属層１４１が連結導波管１４３a、１４３bの一端に接しており、連結導波管１４３a、１４３bの他端に入力導波管１３４と出力導波管１３３が連結されている。図１に示した反射器１０４の構造で、入力導波管１３４と出力導波管１３３がなす角度θbは１０゜ないし４０゜であり、比較的大きい角度をなしながら反射器１０４の金属層１４１に近接して入力導波管１３４と出力導波管１３３がお互いに重なる形態である。
【０００６】
図２に示した反射器１０４の構造で、入力導波管１３４と出力導波管１３３がなす角度θbは２゜ないし５゜であり、比較的小さな角度をなしながら近付いて連結導波管１４３bの端部でお互いに合わせられる形態である。
【０００７】
前記のような反射器１０４を具備する双方向光通信モジュールは、シリコンまたはポリマー基板上にコア層及びアンダークラッド層を蒸着させた後、フォトリソグラフィ（photolithography）工程を通じてコア層を蝕刻し、そしてオーバークラッド層を蒸着して多重化器、導波管などを製作して、反射器１０４を製作するために基板の一面１１７を切断（dicing）または研磨（polishing）した後、金属層１４１を蒸着することで製造される。このような双方向光通信モジュール及び反射器の製作過程は当業者なら容易に理解することができる。
【０００８】
しかし、一面を切断または研磨した後に金属層を蒸着する双方向光通信モジュールの反射器は、切断または研磨工程の特性上、工程の誤差を±１０μm以内に減らすのに限界がある。これによって、反射面の位置、すなわち連結導波管の長さが設計値とずれる可能性があり、これは光信号が反射器を通る間に進行距離が±２０μmまで設計値と違う可能性があることを意味する。双方向光通信モジュールの反射面の位置が設計値と違ってしまうと、反射率が減少して光信号の損失が増加する問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記背景に鑑みて、本発明の目的は、反射面位置の精度を向上させて、反射率及び光損失の再現性を改善した反射器を具備する双方向光通信モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような目的を達成するために、本発明の双方向光通信モジュールは、光信号を入力させる入力導波管と、該入力導波管を通じて入力された光信号を反射させるため、当該双方向光通信モジュールの一端部から入力導波管に向かって延設されるようにフォトリソグラフィ工程によって形成された反射溝及び該反射溝の基底面上に形成された反射層を含む反射器と、該反射器によって反射した光信号を出力させる出力導波管と、入力導波管を通じて入力される光信号を反射器に伝達し且つ反射器で反射した光信号を出力導波管に出力させる連結導波管と、を具備することを特徴とする。
【００１１】
入力導波管と出力導波管は２゜ないし５゜の角度で重なって連結導波管に接続される構造とし、この場合の反射溝の基底面位置変化の許容値は、数式１（d０；基底面位置変化の許容値、λ；光信号波長、n０、n１；入力導波管と出力導波管が合わせられる連結導波管での第１モード、第２モードの有效屈折率、x；追加損失が発生する領域を設定するための損失値）によって計算された値以内に制限されるものとすることができる。
【００１２】
【数１】
2004361947.tif 000003
【００１３】
あるいは、入力導波管と出力導波管は１０゜ないし４０゜の角度で重なって連結導波管に接続される構造とし、この場合の反射溝の基底面位置変化の許容値は数式２（d１；基底面位置変化の許容値、x；追加損失が発生する領域を設定するための損失値、w；モードフィールド直径の半分値、θb；入力導波管と出力導波管がなす角度）によって計算された値以内で制限されるものとすることができる。
【００１４】
【数２】
2004361947.tif 000004
【００１５】
反射層は、反射溝の基底面上に蒸着または接着される金属層とすることが可能である。また、このようなモジュールは、多重化器をさらに具備し、入力導波管はその多重化器と接続され、出力導波管は光信号検出器に接続されるものとすることができる。あるいは、多重化器をさらに具備し、入力導波管は光源に接続され、出力導波管はその多重化器に接続されるものとすることができる。また、当該モジュールは、シリコンまたはポリマー材質の基板上に積層されたクラッド層上に形成された入力導波管、出力導波管、連結導波管及び反射溝から多重化器が構成された構造をもつことが可能である。その多重化器は、方向性結合器、多重モード干渉計、または光導波管列格子のいずれかとすることができる。
【００１６】
本発明によれば、この他に、双方向光信号通信が可能な双方向光通信モジュールにおいて、多重化光信号を入出力する第１導波管及び逆多重化光信号を入出力する少なくとも二つの第２導波管がそれぞれ接続された多重化器と、第２導波管のうちのいずれかの端部に接続されて光信号を反射させる反射層と、該反射層に光信号を入射させ、また反射層によって反射した光信号を出射させる第３導波管と、を具備し、その反射層について、当該双方向光通信モジュールの一端部から延設されるようにフォトリソグラフィ工程によって形成された反射溝の基底面上に形成することを特徴とする。
【００１７】
反射層に接続されない第２導波管の端部には光源をさらに具備し、第３導波管の端部には光信号検出器をさらに具備するようにしてもよい。あるいは、反射層に接続されない第２導波管の端部には光信号検出器をさらに具備し、第３導波管の端部に光源をさらに具備することも可能である。
【００１８】
さらに、反射層に光信号を入射させ、また反射器から反射した光信号を出射させる連結導波管をさらに具備し、反射層に接続される第２導波管と第３導波管はその連結導波管の端部で所定角度でお互いに重なる構造とすることができる。
【００１９】
この場合の第２導波管と第３導波管は２゜ないし５゜の角度で重なって連結導波管に接続され、その基底面位置変化の許容値は数式３（d０；基底面位置変化の許容値、λ；光信号波長、n０、n１；入力導波管と出力導波管が合わせられる連結導波管での第１モード、第２モードの有效屈折率、x；追加損失が発生する領域を設定するための損失値）によって計算された値以内で制限されるものとすることができる。
【００２０】
【数３】
2004361947.tif 000005
【００２１】
あるいは、入力導波管と出力導波管は１０゜ないし４０゜の角度で重なって連結導波管に接続され、その基底面位置変化の許容値は数式４（d１；基底面位置変化の許容値、x；追加損失が発生する領域を設定するための損失値、w；モードフィールド直径の半分値、θb；入力導波管と出力導波管がなす角度）によって計算された値以内で制限されるものとすることができる。
【００２２】
【数４】
2004361947.tif 000006
【００２３】
このモジュールの多重化器は方向性結合器、多重モード干渉計、または導波管列格子のいずれかとすることが可能である。
【発明の効果】
【００２４】
上述したように、本発明による双方向光通信モジュールはフォトリソグラフィ工程を利用して反射面の位置を決定し、金属蒸着による反射器を製作することにより、反射面の位置を精密に制御することができるようになった。従って、反射面の位置変化による反射率低下を防止でき、反射面の位置変化による不良率を減少させて、収率向上、生産費用節減もできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の好適な実施形態について添付図を参照しつつ詳細に説明する。下記説明において、本発明の要旨のみを明瞭にするために公知の機能又は構成に対する詳細な説明は省略する。
【００２６】
図３は本発明の望ましい実施例による反射器を具備する双方向光通信モジュール２００を示す。図３に示したように、双方向光通信モジュール２００は、シリコンまたはポリマー基板２０１上にアンダークラッド層２０２が積層されて、該アンダークラッド層２０２上にコア層（図示せず）が形成された後、フォトリソグラフィ工程などを通じてコア層を蝕刻し、オーバークラッド層を蒸着して、多重化器２０３、反射溝（図５に示す）２４９及び光導波管２３１、２３２、２３３、２３４が形成される。双方向光通信モジュール２００上には光源２１３と光検出器２１１がそれぞれ装着されて、多重化器２０３、反射器２０４、光源２１３及び光検出器２１１は光導波管２３１、２３２、２３３、２３４を通じて相互接続される。反射器２０４は、双方向光通信モジュール２００の端面２１７aから延設された反射溝２４９内に形成された金属層（図５に示す）２４１を具備する構造である。この時、反射溝２４９は反射器２０４の位置精度を確保するためにフォトリソグラフィ工程を通じて蝕刻される。
【００２７】
多重化器２０３は、方向性結合器（directional coupler）、多重モード干渉計（multi mode interferometer）または導波管列格子（arrayed waveguide grating）などを利用することができる。図３は方向性結合器が多重化器２０３として利用された例を示している。多重化器２０３は、通信網上の光ファイバを通じて受信される光信号を光検出器２１１側に出力し、光源２１３から発信された光信号を通信網上の光ファイバに出力するようになる。
【００２８】
図５は、図３に示した双方向光通信モジュール２００の反射器を拡大して示す。図５に示したように、反射器２０４は、双方向光通信モジュール２００の一端部に形成された反射溝２４９内に金属層２４１を蒸着または接着させることにより製作される。
【００２９】
反射溝２４９は、フォトリソグラフィ工程を通じて形成され、双方向光通信モジュール２００の端面から長さ方向に延設された形状であり、反射溝２４９と双方向光通信モジュール２００上の導波管２４３aとが接する基底面２１７bに金属層２４１を蒸着または接着させることにより反射器２０４が完成される。従って、反射溝２４９の基底面２１７bは反射器２０４の反射面として利用される。この反射溝２４９を形成する際に、フォトリソグラフィ工程を利用することによって、反射器２０４、具体的には基底面２１７bの位置精度を確保することができる。従来の切断または研磨工程は反射器の位置を設計値から±１０μm以内に制御しにくかったが、フォトリソグラフィ工程の場合は反射器の位置を設計値から±０．２μm内にまで制御可能である。
【００３０】
光導波管２３１、２３２、２３３、２３４は、光通信網上の光ファイバと多重化器２０３との間で光信号の伝送路を提供する第１導波管２３１、多重化器２０３から光信号を光検出器２１１側に出力し、また光源から発生された光信号を多重化器２０３に入力させる少なくとも二つの第２導波管２３２、２３３、反射器２０４と光源２１３との間の光信号伝送路を提供する第３導波管２３４に区分することができる。反射器２０４は、光源２１３から発生された光信号を多重化器２０３の方向に反射させるようになる。反射器２０４から見ると、第３導波管２３４は光源２１３から発生された光信号を反射器２０４に入射させる入力導波管であり、第２導波管のうち、図示の例では第２導波管２３３は反射した光信号を多重化器２０３側に出射させる出力導波管である。
【００３１】
一方、図４は多重化器２０３として多重モード干渉計が利用された例を示しており、反射器２０４は第３導波管２３４を通じて光検出器２１１に接続されている。すなわち、反射器２０４は、多重化器２０３から出力された光信号を反射させて光検出器２１１に入力させるようになる。従って、図４に示した反射器２０４は、第２導波管２３３を通じて光信号が入力され、第３導波管２３４を通じて光検出器２１１側に出力する。
【００３２】
図６は図５に示した双方向光通信モジュールの反射器を示す平面図である。反射器２０４は、連結導波管２４３aを通じて第２導波管２３３と第３導波管２３４にそれぞれ接続される。図６に示した反射器２０４は、第２導波管２３３と第３導波管２３４がなす角度θbが２゜ないし５゜であり、連結導波管２４３aを通じて反射器２０４に接続される構造である。
【００３３】
図６に示した反射器２０４の反射率Rは基底面、すなわち反射面２１７bの位置によって下記数式５で定義される。
【００３４】
【数５】
2004361947.tif 000007
【００３５】
ここで、R０は設計値の反射率、n０とn１はそれぞれ第２、第３導波管が重なる領域、すなわち連結導波管２４３aにおける第１、第２モードの有效屈折率、λは光信号の波長、dは基底面２１７bの位置変化、すなわち設計値と製作された反射器の実際位置値との差を意味する。
【００３６】
反射面２１７bの位置変化dの許容値d０は、反射器２０４の損失をどの程度まで許容することができるかに関わっている。すなわち。反射面２１７bの位置変化dによる反射器２０４の追加損失をxdBまで許容するならば、反射面２１７bの位置変化dの許容値d０は下記数式６で定義される。
【００３７】
【数６】
2004361947.tif 000008
【００３８】
この時、第２導波管２３３と第３導波管２３４が２゜ないし５゜の角度で重なる場合、第１及び第２モードの屈折率n０、n１は導波管の線幅（linewidth）の影響を受けるようになる。
【００３９】
反射面２４１の位置が同一であるという条件下で、導波管の線幅変化による反射率Rの変化を示すグラフ１０が図８に示される。フォトリソグラフィ工程によって製作される導波管の線幅は一般的に設計値から±０．２μmの誤差を示す。図８に示したグラフ１０によれば、導波管の線幅に０．２μm程度の誤差が発生した場合、反射率Rはおおよそ０．２dB程度低下することが分かる。導波管線幅の変化によって反射率Rが低下することによって、基底面、すなわち反射面２１７bの位置はさらに精密に制御されなければならないことは自明である。
【００４０】
図９は図６に示した反射器２０４で、反射面２１７bの位置変化dによる反射率Rの変化を数式１に基づいて計算した値と、BPM（beam propagation metal；ビーム伝達金属）シミュレーションを通じて計算した値とを比べたものである。導波管の幅と高さが６．５μm、第１屈折率n０と第２屈折率n１の差が０．７５%である。この計算結果によれば、導波管線幅の変化によって０．２dBの反射率損失がある条件下で、反射器２０４の追加損失xを０．０５dBないし０．０１dBの範囲で制御するためには、反射面２１７bの位置変化許容値d０は５．７μmないし１２．６μmの範囲で制御されなければならない。従来の切断または研磨工程は反射面２１７bの位置変化dを±１０μm以内に制御しにくいから、このような反射面２１７bの位置変化許容値d０は従来の切断、研磨工程で達成されにくい。これは、反射面２１７bの位置変化dを±０．２μmまで制御が可能なフォトリソグラフィ工程を利用する本発明で達成される。
【００４１】
図７に示した反射器は第２導波管２３３と第３導波管２３４がなす角度θbが１０゜ないし４０゜であり、それぞれの端部から一つの導波管に合わせられて連結導波管２４３bが形成されている。
【００４２】
図７に示した反射器２０４の反射率Rは、基底面、すなわち反射面２１７bの位置によって下記数式７で定義される。
【００４３】
【数７】
2004361947.tif 000009
【００４４】
ここで、R０は設計値の反射率、dは基底面２１７b位置の変化、すなわち設計値と製作された反射器２０４の実際位置値との差、θbは第２導波管２３３と第３導波管２３４がなす角度、wは光導波管のモードフィールド直径（MFD；mode field diameter）の半分値を意味する。
【００４５】
反射面２１７bの位置変化dによる反射器２０４の追加損失をxdBまで許容するならば、反射面２１７bの位置変化dの許容値d１は下記数式８で定義される。
【００４６】
【数８】
2004361947.tif 000010
【００４７】
図１０は図７に示した反射器２０４で、反射面２７１bの位置変化dによる反射率Rの変化を数式３に基づいて計算した値と、BPMシミュレーションを通じて計算した値とを比べたものである。導波管の幅と高さが６．５μm、コアとクラッドの屈折率の差が０．７５%、第２導波管２３３と第３導波管２３４のなす角度θbが２０゜である場合、反射器２０４の追加損失を０．１dB以内に制御しようとすれば、数式４に基づいて反射面２１７bの位置変化dは１．６μm以内に制御しなければならない。従って、反射器２０４は反射面２１７bの位置変化dを±０．２μmまで制御が可能なフォトリソグラフィ工程を通じて製作されることが望ましい。
【００４８】
以上、本発明の詳細について具体的な実施形態に基づき説明してきたが、本発明の範囲を逸脱しない限り、各種の変形が可能なのは明らかである。従って、本発明の範囲は、上記実施形態に限られるものでなく、特許請求の範囲のみならず、その範囲と均等なものにより定められるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】従来技術の第１例による双方向光通信モジュールの反射器を示す図。
【図２】従来技術の第２例による双方向光通信モジュールの反射器を示す図。
【図３】本発明の望ましい実施例による反射器を具備する双方向光通信モジュールを示す図。
【図４】図３に示した反射器を具備する他の形態の双方向光通信モジュールを示す図。
【図５】図３に示した双方向光通信モジュールの反射器を拡大して示す図。
【図６】図５に示した双方向光通信モジュールの反射器を示す平面図。
【図７】図５に示した双方向光通信モジュールの反射器の他の形態を示す平面図。
【図８】光導波管の線幅変化による反射率の変化を示すグラフ。
【図９】図６に示した双方向光通信モジュールの反射器で反射器の位置変化による反射率の変化を示すグラフ。
【図１０】図７に示した双方向光通信モジュールの反射器で反射器の位置変化による反射率の変化を示すグラフ。
【符号の説明】
【００５０】
２００，３００  双方向光通信モジュール
２０１  基板
２０２  アンダークラッド層
２０３  多重化器
２０４  反射器
２１１  光検出器
２１３  光源
２１７ａ  端面（モジュールの）
２１７ｂ  反射面（基底面）
２３１，２３２，２３３，２３４  光導波管
２４１  金属層（反射層）
２４９  反射溝
【図１】
2004361947.tif 000015
【図２】
2004361947.tif 000016
【図３】
2004361947.tif 000017
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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