(57)【要約】【課題】抵抗とインダクタンスとコンデンサの３つの成分を一つのチップ部品に収容した複合電子部品を提供する。また、その静電容量値の調整方法を提供する。【解決手段】積層体内部で誘電体層と内部電極とを積層してなる積層セラミックコンデンサの主面にミアンダ状パターンをなすように被着され、その両端部を一対の端面電極に電気的に接続させた抵抗体を備える。また、積層セラミックコンデンサの誘電体層には、内部電極を露出する孔部を有しており、静電容量値を測定しつつ孔部から露出した内部電極を削除することで静電容量値の調整を行う。【選択図】図１
2004235208.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ個（ｎは３以上の自然数）の誘電体層を積層してなる積層体の内部で、各誘電体層間に第１の内部電極と第２の内部電極とを誘電体層の積層方向に交互に介在させるとともに、前記誘電体層の積層方向と平行な積層体の端面に一対の端面電極を被着させ、該端面電極の一方に第１の内部電極を、他方に第２の内部電極を電気的に接続させた積層セラミックコンデンサと、
前記積層セラミックコンデンサの主面にミアンダ状パターンをなすように被着され、その両端部を前記一対の端面電極に電気的に接続させた抵抗体とを備えてなる複合電子部品であって、
前記積層セラミックコンデンサは、最上層及び／または最下層の誘電体層に、第１の内部電極もしくは第２の内部電極の一部を露出させる孔部を有していることを特徴とする複合電子部品。
【請求項２】
請求項１に記載の複合電子部品であって、前記一対の端面電極間の静電容量値を測定しつつ、該静電容量値が目標値に達するまで前記第１の内部電極及び／または第２の内部電極の露出部を徐々に除去して静電容量値を調整することを特徴とする複合電子部品の特性調整方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、容量成分、抵抗成分、インダクタンス成分を一つのチップ部品に形成した複合電子部品とその特性調整方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の複合電子部品を図４及び図５に示す。
図４（ａ）は従来の複合電子部品の一例を示す外観斜視図、図４（ｂ）はその等価回路図であり、同図に示す従来の複合電子部品１００は、抵抗ＲとコンデンサＣとを並列に接続した回路構成を有している。
【０００３】
この複合電子部品１００は、複数の誘電体層を積層してなる積層体の端面に一対の端面電極１０２、１０３を被着させた直方体状のチップ型コンデンサ１０１と、前記積層体の一主面に直線状に被着される帯状抵抗体１０４とを備えている。
【０００４】
前記チップ型コンデンサ１０１は、一対の端面電極１０２、１０３にそれぞれ接続された第１、第２の内部電極と誘電体層とを厚み方向に交互に重ね合わせた構造を有し、また、帯状抵抗体１０４は、その両端が一対の端面電極１０２、１０３に接続され、これによって抵抗ＲとコンデンサＣとを並列に接続した所定の電気回路を構成している。尚、前記帯状抵抗体１０４は、酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）などの電気抵抗材料を従来周知の厚膜手法等を採用しチップ型コンデンサ１０１の一主面上に直線状に被着させることにより形成される。
【０００５】
また一方、図５（ａ）は従来の複合電子部品の他の例を示す外観斜視図、図５（ｂ）はその等価回路図であり、同図に示す従来の複合電子部品２００は、インダクタンスＬとコンデンサＣとを並列に接続した回路構成を有している。
【０００６】
この複合電子部品２００は、先に述べたチップ型コンデンサ１０１と同様の構成を有したチップ型コンデンサ２０１と、その一主面に被着されたミアンダ（蛇行）状のインダクタンスパターン２０４とを備えている。
【０００７】
前記インダクタンスパターン２０４は、その両端がチップ型コンデンサ２０１の端面電極２０２，２０３に電気的に接続され、これによってインダクタンスＬとコンデンサＣとを並列に接続した所定の電気回路を構成している。尚、前記インダクタンスパターン２０４は、例えば銀ペーストなどの導体材料を従来周知の厚膜手法等を採用しチップ型コンデンサ２０１の一主面上に蛇行状に被着させることによって形成される。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００１−３３８８３８号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の複合電子部品によれば、図４の複合電子部品１００は抵抗成分とコンデンサ成分のみを備えた複合電子部品、また図５の複合電子部品２００はインダクタンス成分とコンデンサ成分のみを備えた複合電子部品であり、抵抗成分とインダクタンス成分とコンデンサ成分の３つの成分を一つのチップ部品に収容した複合電子部品はこれまで存在しなかった。それ故、抵抗、インダクタンス、コンデンサの３つの回路要素を備えた電気回路を構成する場合、図４に示すような複合電子部品１００と図５に示すような複合電子部品２００を組み合わせて電気回路を構成するか、或いは、チップ抵抗やチップインダクタンスを別途用意して複合電子部品１００や複合電子部品２００と組み合わせる必要があり、実装面積の大型化やコストアップを招く欠点を有していた。
【００１０】
また、上述した従来の複合電子部品１００，２００は、その製造に際して、チップ型コンデンサ１０１の静電容量値を一定に揃えることが難しく、製造バラツキ等に起因した特性不良の発生等によって生産性の低下を招く欠点も有していた。
【００１１】
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、抵抗成分、インダクタンス成分、容量成分の３つの成分を一つのチップ部品に備え、しかも電気的特性を簡単な手法により調整することが可能な、簡素な構成の複合電子部品を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の複合電子部品は、ｎ個（ｎは３以上の自然数）の誘電体層を積層してなる積層体の内部で、各誘電体層間に第１の内部電極と第２の内部電極とを誘電体層の積層方向に交互に介在させるとともに、前記誘電体層の積層方向と平行な積層体の端面に一対の端面電極を被着させ、該端面電極の一方に第１の内部電極を、他方に第２の内部電極を電気的に接続させた積層セラミックコンデンサと、前記積層セラミックコンデンサの主面にミアンダ状パターンをなすように被着され、その両端部を前記一対の端面電極に電気的に接続させた抵抗体とを備えてなる複合電子部品であって、前記積層セラミックコンデンサは、最上層及び／または最下層の誘電体層に、第１の内部電極もしくは第２の内部電極の一部を露出させる孔部を有していることを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の複合電子部品の特性調整方法は、上述した複合電子部品の一対の端面電極間の静電容量値を測定しつつ、この静電容量値が目標値に達するまで前記第１の内部電極及び／または第２の内部電極の露出部を徐々に除去して静電容量値を調整することを特徴とするものである。
【００１４】
【作用】
本発明の複合電子部品によれば、端面に一対の端面電極を有する積層セラミックコンデンサの主面に、両端部を一対の端面電極に電気的に接続させたミアンダ状の抵抗体を被着・形成した構造を有している。この場合、積層セラミックコンデンサの主面に形成されたミアンダ状の抵抗体パターンがインダクタンスパターンとしても機能することから、このミアンダ状パターンにより、抵抗成分に加えてインダクタンス成分をも形成することができ、抵抗成分、インダクタンス成分、容量（コンデンサ）成分の３つの成分を一つのチップ部品に備えた複合電子部品を構成することが可能となる。これにより、機器の高密度実装やコストダウンに寄与することができるようになる。
【００１５】
また、本発明の複合電子部品の調整方法によれば、前記積層セラミックコンデンサは最上層及び／または最下層の誘電体層に、第１の内部電極もしくは第２の内部電極の一部を露出させる孔部を有していることから、前記複合電子部品における一対の端面電極間の静電容量値を測定しつつ、この静電容量値が目標値に達するまで第１の内部電極及び／または第２の内部電極の露出部を徐々に除去することで静電容量値を極めて容易に調整することができる。従って、複合電子部品の製造バラツキ等によってコンデンサの静電容量値が所定の規格から外れていたとしても、コンデンサの形成後に、第１の内部電極及び／または第２の内部電極の露出部を除去し静電容量値が規格に合致するように調整することにより、不良品の発生を極力抑えて複合電子部品の生産性を向上させることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき詳説する。
図１（ａ）は本発明の一実施形態に係る複合電子部品の外観斜視図、図１（ｂ）はその等価回路図、図２（ａ）は図１（ａ）のＡ−Ａ´線断面図であり、同図に示す複合電子部品１０は、積層セラミックコンデンサ１１の主面１２に抵抗体１３を被着・形成した構造を有している。
【００１７】
前記積層セラミックコンデンサ１１は、ｎ個（ｎは３以上の自然数）の誘電体層１７を積層してなる矩形状の積層体１６と、内部電極１８、１９と、一対の端面電極１４，１５とで構成されている。
【００１８】
誘電体層１７はチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム等の誘電体材料から成り、内部電極１８，１９はＰｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金などの貴金属材料やＮｉ、Ｃｕなどの卑金属材料から成る。この内部電極は、複数の第１内部電極１８と複数の第２内部電極１９とで構成され、この２種類の内部電極が隣接する誘電体層間に一部を対向させた状態で交互に介在されている。
【００１９】
また、一対の端面電極１４，１５は、誘電体層１７の積層方向と平行な一対の端面とその近傍に位置する積層体１６の側面とに被着・形成されており、一方の端面電極１４に第１の内部電極１８が、他方の端面電極１５に第２の内部電極１９が電気的に接続されている。
【００２０】
そして、前記抵抗体１３は、積層セラミックコンデンサ１１の主面１２、即ち、積層体１６の主面にミアンダ状パターンをなすように被着・形成されており、その両端部は一対の端面電極１４，１５にそれぞれ接続されている。
【００２１】
この抵抗体１３は、従来周知の厚膜手法や薄膜手法を採用することによって形成され、例えば、厚膜手法を採用する場合、ＲｕＯ２等の電気抵抗材料にＡｇ、ガラス、樹脂等を添加・混合して得た所定の抵抗体ペーストを積層セラミックコンデンサ１１の一主面１２上に従来周知のスクリーン印刷等によって所定のミアンダ状パターンをなすように印刷・塗布し、これを高温で焼成することによって形成される。また、前記抵抗体１３を薄膜手法によって形成する場合、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｔａ、Ｔａ−Ｎ、Ｔａ−Ｓｉ等から成る抵抗薄膜を積層セラミックコンデンサ１１の一主面１２上に従来周知のスパッタリング及びフォトエッチング等により所定厚み、所定パターンに被着させることによって形成される。
【００２２】
このような抵抗体１３は、ミアンダ状パターンをなすように形成されているため、インダクタンスＬとしても機能するようになっており、ミアンダライン間隔、ミアンダ本数等を適宜選択することによって所定のインダクタンス値が得られる。
【００２３】
以上のように、積層セラミックコンデンサ１１の主面に、両端部を一対の端面電極１４，１５に電気的に接続させたミアンダ状の抵抗体１３を被着・形成して複合電子部品を構成するようにしたことから、ミアンダ状の抵抗体１３をインダクタンスパターンとして機能させることができ、抵抗Ｒ、インダクタンスＬ、コンデンサＣの３つの成分を一つのチップ部品に備えた簡素な構成の複合電子部品を形成することが可能となる。これにより、機器の高密度実装やコストダウンに寄与することができるようになる。
【００２４】
更に、前記積層セラミックコンデンサ１１は、積層体１６を構成する誘電体層１７に第１内部電極１８もしくは第２内部電極１９の一部を露出させる孔部２０を有している。
【００２５】
この孔部２０は、積層体１６を構成する複数の誘電体層１７のうち最上層及び／または最下層の誘電体層に形成されており、その形成位置は、ミアンダ状パターンをなす抵抗体１３の形成位置及び形状を勘案し、決定される。
【００２６】
即ち、図２（ｂ）に示すように、誘電体層１７の最下層に形成しても良いし、最上層と最下層の両方に形成しても良いが、ミアンダ状抵抗体１３の形成位置を避けるようにして形成する必要がある。そして、後述する調整方法に基づき、必要に応じて露出している第１の内部電極１８もしくは第２の内部電極１９を除去することにより、積層セラミックコンデンサ１１の静電容量値が所望する値に設定されることとなる。
【００２７】
かかる静電容量値の調整は次のようにして行なわれる。
即ち、図３に示す如く、一対の端面電極１４，１５間の静電容量値をキャパシティメータ等によって測定しつつ、この静電容量値が目標値に達するまで、孔部２０からレーザー照射やサンドブラスト等により第１内部電極１８及び／または第２内部電極１９の露出部を除々に除去し、測定中の静電容量値が目標値に達したところで内部電極１８，１９の除去作業を止めるというという極めて簡易な方法によって実現される。このとき、上記目標値にある程度の許容幅をもたせておいても良いことは言うまでもない。
【００２８】
従って、複合電子部品の製造バラツキ等によって積層セラミックコンデンサ１１の当初の静電容量値が所定の規格から外れていたとしても、積層セラミックコンデンサ１１の形成後に、その静電容量値を上述の内部電極露出部の除去によって変動させ、静電容量値が規格に合致するよう調整することにより、不良品の発生を極力抑えて複合電子部品の生産性を向上させることができる。
【００２９】
尚、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更・改等が可能である。
【００３０】
【発明の効果】
本発明の複合電子部品によれば、端面に一対の端面電極を有する積層セラミックコンデンサの主面に、両端部を一対の端面電極に電気的に接続させたミアンダ状の抵抗体を被着・形成した構造を有している。この場合、積層セラミックコンデンサの主面に形成されたミアンダ状の抵抗体パターンがインダクタンスパターンとしても機能することから、このミアンダ状パターンにより、抵抗成分に加えてインダクタンス成分をも形成することができ、抵抗成分、インダクタンス成分、容量（コンデンサ）成分の３つの成分を一つのチップ部品に備えた複合電子部品を構成することが可能となる。これにより、機器の高密度実装やコストダウンに寄与することができるようになる。
【００３１】
また、本発明の複合電子部品の調整方法によれば、前記積層セラミックコンデンサは最上層及び／または最下層の誘電体層に、第１の内部電極もしくは第２の内部電極の一部を露出させる孔部を有していることから、前記複合電子部品における一対の端面電極間の静電容量値を測定しつつ、この静電容量値が目標値に達するまで第１の内部電極及び／または第２の内部電極の露出部を徐々に除去することで静電容量値を極めて容易に調整することができる。従って、複合電子部品の製造バラツキ等によってコンデンサの静電容量値が所定の規格から外れていたとしても、コンデンサの形成後に、第１の内部電極及び／または第２の内部電極の露出部を除去し静電容量値が規格に合致するように調整することにより、不良品の発生を極力抑えて複合電子部品の生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の一実施形態に係る複合電子部品の外観斜視図、（ｂ）はその等価回路図である。
【図２】（ａ）は図１（ａ）のＡ−Ａ´線断面図、（ｂ）は本発明の他の実施形態に係る複合電子部品の断面図である。
【図３】本発明の複合電子部品の静電容量値の調整方法を示す説明図である。
【図４】（ａ）は従来の複合電子部品の一例を示す外観斜視図、（ｂ）はその等価回路図である。
【図５】（ａ）は従来の複合電子部品の他の例を示す外観斜視図、（ｂ）はその等価回路図である。
【符号の説明】
１０・・・複合電子部品
１１・・・積層セラミックコンデンサ
１２・・・積層セラミックコンデンサ主面
１３・・・抵抗体
１４、１５・・・端面電極
１６・・・積層体
１７・・・誘電体層
１８・・・第１内部電極
１９・・・第２内部電極
２０・・・孔部
Ｒ・・・抵抗
Ｌ・・・インダクタンス
Ｃ・・・コンデンサ
【図１】
2004235208.tif 000003
【図２】
2004235208.tif 000004
【図３】
2004235208.tif 000005
【図４】
2004235208.tif 000006
【図５】
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