(57)【要約】【課題】ベースフィルム１の片面に一対の扁平リード導体２，２が固着され、各扁平リード導体２の先端から所定距離隔てた部分がベースフィルムの他面に露出され、両露出部２１，２１間にヒューズエレメント３が接続され、該ヒューズエレメント３を覆うカバー用絶縁体５がベースフィルム１の他面の周囲に固着されてなる薄型ヒューズにおいて、高度の感温性や薄型化をそのまま保持して扁平リード導体の固定安定性の向上を図る。【解決手段】扁平リード導体２の側面に接触若しくは接合された突部１０がベースフィルム１の片面に設けられている。【選択図】図１
2004227962.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースフィルムの片面に一対の扁平リード導体が固着され、各扁平リード導体の先端から所定距離隔てた部分がベースフィルムの他面に露出され、両露出部間にヒューズエレメントが接続され、該ヒューズエレメントを覆うカバー用絶縁体がベースフィルム他面の周囲に固着されてなるヒューズにおいて、扁平リード導体側面に接触若しくは接合された突部がベースフィルム片面に設けられていることを特徴とする薄型ヒューズ。
【請求項２】
ベースフィルムの片面に一対の扁平リード導体が固着され、各扁平リード導体の先端から所定距離隔てた部分がベースフィルムの他面に露出され、両露出部間にヒューズエレメントが接続され、該ヒューズエレメントを覆うカバー用絶縁体がベースフィルム他面の周囲に固着されてなるヒューズにおいて、ベースフィルム片面に扁平リード導体がその導体厚みよりも浅い深さで埋着されていることを特徴とする薄型ヒューズ。
【請求項３】
ベースフィルムの片面に一対の扁平リード導体が固着され、各扁平リード導体の先端から所定距離隔てた部分がベースフィルムの他面に露出され、両露出部間にヒューズエレメントが接続され、該ヒューズエレメントを覆うカバー用絶縁体がベースフィルム他面の周囲に固着されてなるヒューズにおいて、ベースフィルム片面に扁平リード導体がその導体厚みよりも浅い深さで埋着されていると共に扁平リード導体側面に接触若しくは接合された突部がベースフィルム片面に設けられていることを特徴とする薄型ヒューズ。
【請求項４】
突部の高さが扁平リード導体のベースフィルム片面からの高さよりも低くされている請求項１または２記載の薄型ヒューズ。
【請求項５】
突部が気泡を含有していることを特徴とする請求項１、２、４何れか記載の薄型ヒューズ。
【請求項６】
突部の材質とベースフィルムの材質とが同材質であることを特徴とする請求項１、２、４何れか記載の薄型ヒューズ。
【請求項７】
扁平リード導体の側面に凹凸が付されていることを特徴とする請求項１〜６何れか記載の薄型ヒューズ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は薄型ヒューズに関し、二次電池保護用の温度ヒューズとして有用なものである。
【０００２】
【従来の技術】
携帯電子機器の電源として使用されている二次電池においては、携帯電話・携帯端末やノート型パソコン等の多機能化のために高密度エネルギー化、高容量密度化が要請され、リチウムイオン二次電池、リチウムポリマー二次電池等の高密度エネルギー・高容量密度の二次電池が開発されている。
而るに、二次電池が高密度エネルギー・高容量密度になるほど、短絡等による発生熱も大きくなり、電池爆裂の危険性が高い。
そこで、温度ヒューズを二次電池パックに装着し、当該電池の所定の昇温で温度ヒューズを作動させて当該電池の充電・放電を遮断させることが行われている。
一方、近来、携帯電話、ノート型パソコン等の小型軽量化・薄型化が進められ、これに伴う二次電池の小型・薄型化に対応するために、温度ヒューズにおいても、小型・薄型化が要請されている。
【０００３】
而して、本出願人においては、薄型ヒューズ、特に薄型温度ヒューズとして、図８の（イ）〔一部欠切平面図〕、（ロ）〔図８の（イ）におけるロ−ロ断面図〕及び（ハ）〔底面図〕に示すように、「一対の扁平リード導体２’，２’の各先端部２１’，２１’をベースフィルム１’の片面より他面に水密に露出させ、該ベースフィルム１’の他面において、上記の扁平リード導体先端部２１’，２１’間にヒューズエレメント３’を接続し、ヒューズエレメント３’にフラックス４’を塗布し、同上ベースフィルム１’の他面を絶縁被覆（５’は絶縁被覆体を示す）した薄型ヒューズ」をすでに提案した（特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４、特許文献５、特許文献６、特許文献７、特許文献８、特許文献９等参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平２−２９１６２４号公報
【特許文献２】
特開平７−２０１２６３号公報
【特許文献３】
特開平７−２０１２６４号公報
【特許文献４】
特開平７−２０１２６５号公報
【特許文献５】
特開平９−１７３０２号公報
【特許文献６】
特開平１０−１０６４２５号公報
【特許文献７】
特開２００１−２９７６７３号公報
【特許文献８】
特開２００２−１５０９０７公報
【特許文献９】
特開２００２−１５０９０８公報
【０００５】
この薄型ヒューズによれば、例えば、ベースフィルム１’には厚み２００μｍのプラスチックフィルムを、扁平リード導体２’には厚み１００μｍの帯状導体を、絶縁被覆体（カバー用絶縁体）５’には厚み２００μｍのプラスチックフィルムをそれぞれ使用することにより、厚み１０００μｍ以下の薄型温度ヒューズを提供できる。
更に、ヒューズ本体の裏面を扁平リード導体からなる熱良導体を介して発熱側の相手面に熱的に接触させ得、相手側の発生熱を熱良導体を介してヒューズエレメントに速やかに伝達できるから高度の感温性を保証できる、絶縁プレートとカバー用絶縁体との界面に扁平リード導体を挿通させなくてもすみ、その界面のシールを確実・容易に行うことができる、等の利点が得られる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
この薄型温度ヒューズでは、扁平リード導体２’とベースフィルム１’との接着界面が剥離すると、リード導体２’に加わる外力が、リード導体膨出部２１’の外周面２１０’とベースフィルム１’の孔内周１００’との間の薄いシール面に諸に作用してそのシール面が解離されるから、ベースフィルムと扁平リード導体との間を可及的に強力に接着することが要求される。
【０００７】
しかしながら、扁平リード導体をベースフィルム片面に埋設するとか、扁平リード導体の固定強度を接着剤の塗布や接着テープの貼着で強化するといった通常の手段では、ヒューズ本体裏面での扁平リード導体の相手面への密接性の低下が避けられず前記した高度の感温性の保証が困難になり、特に、接着剤の塗布や接着テープの貼着等では、ヒューズの薄型化に対し支障となる。
【０００８】
本発明の目的は、上記の薄型ヒューズにおいて、高度の感温性や薄型化をそのまま保持して扁平リード導体の固定安定性の向上を図ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る薄型ヒューズは、ベースフィルムの片面に一対の扁平リード導体が固着され、各扁平リード導体の先端から所定距離隔てた部分がベースフィルムの他面に露出され、両露出部間にヒューズエレメントが接続され、該ヒューズエレメントを覆うカバー用絶縁体がベースフィルム他面の周囲に固着されてなるヒューズにおいて、扁平リード導体側面に接触若しくは接合された突部がベースフィルム片面に設けられていることを特徴とする。
【００１０】
請求項２に係る薄型ヒューズは、ベースフィルムの片面に一対の扁平リード導体が固着され、各扁平リード導体の先端から所定距離隔てた部分がベースフィルムの他面に露出され、両露出部間にヒューズエレメントが接続され、該ヒューズエレメントを覆うカバー用絶縁体がベースフィルム他面の周囲に固着されてなるヒューズにおいて、ベースフィルム片面に扁平リード導体がその導体厚みよりも浅い深さで埋着されていることを特徴とする。
【００１１】
請求項３に係る薄型ヒューズは、ベースフィルムの片面に一対の扁平リード導体が固着され、各扁平リード導体の先端から所定距離隔てた部分がベースフィルムの他面に露出され、両露出部間にヒューズエレメントが接続され、該ヒューズエレメントを覆うカバー用絶縁体がベースフィルム他面の周囲に固着されてなるヒューズにおいて、ベースフィルム片面に扁平リード導体がその導体厚みよりも浅い深さで埋着されていると共に扁平リード導体側面に接触若しくは接合された突部がベースフィルム片面に設けられていることを特徴とする。
【００１２】
請求項４に係る薄型ヒューズは、請求項１または２記載の薄型ヒューズにおいて、突部の高さが扁平リード導体のベースフィルム片面からの高さよりも低くされていることを特徴とする。
【００１３】
請求項５に係る薄型ヒューズは、請求項１、２、４何れか記載の薄型ヒューズにおいて、突部が気泡を含有していることを特徴とする。
【００１４】
請求項６に係る薄型ヒューズは、請求項１、２、４何れか記載の薄型ヒューズにおいて、突部の材質とベースフィルムの材質とが同材質であることを特徴とする。
【００１５】
請求項７に係る薄型ヒューズは、請求項１〜６何れか記載の薄型ヒューズにおいて、扁平リード導体の側面に凹凸が付されていることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図１の（イ）は請求項１に係る薄型温度ヒューズの一実施例を示す一部切欠平面図、図１の（ロ）は図１の（イ）におけるロ−ロ断面図、図１の（ハ）は同実施例の底面図である。更に、図１の（ニ）は図１の（イ）におけるニ−ニ断面図、図１の（ホ）は図１の（イ）におけるホ−ホ断面図であり、図１の（ヘ）は図１の（ロ）、（ニ）、（ホ）における点線枠内を拡大して示す図である。
図１において、１は厚み５０〜３００μｍのベースフィルムであり、通常、プラスチックが用いられる。２，２は一対の扁平リード導体であり、厚みは前記ベースフィルムよりもやや薄い３０〜２５０μｍとし、先端から所定の距離を隔てた位置に膨出部２１を加工し、前方部２０をベースフィルム１の裏面に融着し、膨出部２１をベースフィルム１の表面に露出させると共に膨出部２１の外周側面をベースフィルム１に融着してある。１０はベースフィルム１の裏面に扁平リード導体２の縁端に沿って設けた突部であり、扁平リード導体端面２００に接触させるか、接合してある。３はリード導体膨出部２１，２１間に溶接等により接続したヒューズエレメント（可溶合金片）であり、断面円形線、円形線を圧延した扁平線等を使用できる。４は可溶合金片３に塗布したフラックスである。５はカバー用絶縁体であり、通常、厚み５０〜３００μｍのプラスチックフィルムが用いられ、周囲部を前記ベースフィルム１の表面の周囲部に超音波または高周波溶着等により固着してある。
一層の薄型化のために、カバー用絶縁体５を可溶合金片３に球状化分断を妨げない範囲で接触させることが好ましい。
【００１７】
上記において、図１の（ヘ）に示すように突部１０の高さｈを扁平リード導体１の表面高さＨより低くした場合、温度ヒューズ本体裏面の扁平リード導体部分２０の全面を発熱側の相手面に密接でき、この密接界面を経てヒューズエレメントに相手側の発生熱を迅速に伝達でき、温度ヒューズを高感度で動作させることができる。
また、突部の高さが扁平リード導体の表面高さより多少高くても、後述するように突部を気泡を含有する多孔質として易圧縮性とすることにより、前記と同様に温度ヒューズ本体裏面の扁平リード導体を発熱側の相手面に密接でき、この密接界面を経てヒューズエレメントに相手側の発生熱を迅速に伝達でき、温度ヒューズを高感度で動作させることができる。
【００１８】
従来の薄型温度ヒューズについての本発明者の鋭意検討結果によれば、図２の（ハ）に示すように取扱い中での曲げ時、扁平リード導体縁端２００’を境にしての曲げ剛性の顕著な差異のためにその境界に曲げが集中し、その境界に臨む扁平リード導体縁端とベースフィルムとの接着箇所ｅ’が剥離し、その後に作用する外力（曲げ外力の他、引っ張り外力も該当する）で前記剥離点ｅ’を始点として界面Ｅ’の剥離が進行して行く。
この界面剥離の進行によって扁平リード導体２’とベースフィルム１’との接着面積が減少し、扁平リード導体膨出部２１’の外周２０１’とベースフィルム孔内周１００’とのシール界面で負担しなければならない外力分が増し、そのシール界面での応力が増加して遂にはシール破壊に到る。
しかしながら、請求項１に係る薄型温度ヒューズでは、図２の（イ）に示すように扁平リード導体側面２００に接触乃至は接合させた突部１０をベースフィルム１に設けてあり、扁平リード導体縁端の手前に入隅コーナｃが存在し、この入隅コーナｃが曲げ変形し易く、曲げ外力Ｍの一部がこの入隅コーナｃで吸収され、扁平リード導体縁端とベースフィルムとの境界点ｅに伝達される曲げ外力が減少されるから、前記境界点ｅでの曲げ力が軽減され、その境界点ｅでの剥離が抑えられ、この境界点ｅでの剥離を始点としての扁平リード導体２とベースフィルム１との接着界面Ｅの剥離が抑えられる結果、扁平リード導体膨出部の外周とベースフィルム孔内周とのシール界面を安定に保持できる。
【００１９】
上記突部１０の形成には、扁平リード導体の前方部をベースフィルムに接触させた状態で扁平リード導体をごく短時間（０．２〜０．６秒程度）だけ高温に加熱し、扁平リード導体に接するベースフィルム部分を所定の浅い厚み深だけ溶融液化させ、扁平リード導体の前記短時間加熱中の加圧により、前記の溶融液化樹脂を扁平リード導体の方に絞り出し、この絞り出し樹脂を固化させる方法を使用できる。この場合、通常、溶融状態の絞り出し樹脂への樹脂内部や周囲の水分の分解や気化あるいは空気のまき込により固化樹脂が多孔質化され、気泡を含有した突部が形成される。
【００２０】
上記において、扁平リード導体１の側面に図３の（イ）に示すような凹凸を付けると、一の方向の曲げ外力に対する前記境界点の剥離性に位置に応じた方向性をもたせることができ（例えば、部分Ａ，Ａ’ではａ方向の曲げ外力に対しては剥離し易いが、ｂ，ｂ’方向の曲げ外力に対しては剥離し難く、部分Ｂ，Ｂ’ではｂ，ｂ’方向の曲げ外力に対しては剥離し易いが、ａ，ａ’方向の曲げ外力に対しては剥離し難い）、所定方向の曲げ外力に対し剥離し難い箇所を所定の間隔ごとに存在させ得て全体的に剥離を生じ難くさせ得るから、扁平リード導体の側面に例えば図３の（ロ）〜（ニ）に示すような凹凸を付けることが好ましい。また、図４の（イ）、（ロ）［図４の（イ）における側面図］及び（ハ）［図４の（イ）における正面図］に示すような凹凸を付することも好ましい。更に、図３の（ロ）〜（ニ）と図４とを組み合わせた凹凸としてもよい。
【００２１】
上記図２の（イ）に示した曲げの分散作用においては、突部と扁平リード導体側面との間が接触か接合かによって実質的な差異を生じることはないが、前記した扁平リード導体縁端とベースフィルムとの境界点の剥離開始後での剥離進行を促す曲げ外力や引っ張り外力に対しては、接合しておく方が剥離進行の抑制に有利である。
【００２２】
上記突部は、膨出部付き扁平リード導体をベースフィルムの裏面に通常の熱融着により固着するとともに膨出部をベースフィルムの表面に露出させたのち、扁平リード導体端面とベースフィルムとの間のコーナに接着剤、例えばエポキシ樹脂を塗布したり、同コーナに熱可塑性樹脂紐を隅肉溶接すること等により設けることもできる。
【００２３】
図５の（イ）は請求項２に係る薄型温度ヒューズの一実施例を示す断面図、図５の（ロ）は同じく底面図である。更に図５の（ハ）は図５の（イ）におけるハ−ハ断面図、図５の（ニ）は図５の（イ）におけるニ−ニ断面図である。
図５において、１は前記したベースフィルムであり、通常、プラスチックが用いられる。２，２は前記した一対の扁平リード導体であり、先端から所定の距離を隔てた位置に膨出部２１を加工し、前方部２０をベースフィルム１の裏面に導体厚みよりも浅い深さで融着し（すなわち、半埋状態で融着し）、膨出部２１をベースフィルム１の表面に露出させると共に膨出部２１の外周面をベースフィルム１の孔内周に融着してある。
上記扁平リード導体２のベースフィルム裏面への半埋深さｈ’は、扁平リード導体厚みＴの２０〜９０％としてある。
３はリード導体膨出部２１，２１間に溶接等により接続したヒューズエレメント（可溶合金片）であり、断面円形線、円形線を圧延した扁平線材を使用できる。４は可溶合金片３に塗布したフラックスである。５はカバー用絶縁体であり、通常、プラスチックフィルムを用い、周囲部を前記ベースフィルム１の他面の周囲部に超音波または高周波溶着等により固着してある。一層の薄肉化のために、カバー用絶縁体５を可溶合金片３に、球状化分断を妨げない範囲で接触させることが好ましい。
【００２４】
上記扁平リード導体２のベースフィルム１裏面への半埋状態での融着は、ベースフィルムの裏面に扁平リード導体を配設し、この扁平リード導体をヒートチップで加熱・加圧することにより行うことができる。この場合、扁平リード導体に接するベースフィルム部分が加熱されても、塑性加工可能な程度に軟化されるにとどめられ、前記した樹脂の溶融液化が生じるまでには到らず、従って溶融液化樹脂の絞り出しが生じるまでには到らず、突部は形成されない。
【００２５】
請求項２に係る薄型温度ヒューズのベースフィルムには、熱軟化は可能であるが分子構造的に熱溶融が難しい樹脂、例えば架橋ポリエチレン、硬化樹脂等の使用も可能である。
【００２６】
請求項２に係る薄型温度ヒューズおいては、例えば図５の（ハ）に示されているように扁平リード導体２をベースフィルム１の裏面に導体厚みＴよりも浅い深さｈ’で埋着しているから、その導体厚みをベースフィルム裏面より突出させ得、温度ヒューズ本体裏面の扁平リード導体の全面を発熱側の相手面に密接でき、この密接界面を経てヒューズエレメントに相手側の発生熱を迅速に伝達できるから、温度ヒューズを高感度で動作させることができる。
また、図２の（ロ）において、扁平リード導体とベースフィルム裏面との間のコーナｄを始点として扁平リード導体側面とベースフィルムとの接着界面ｉの剥離が開始されても、剥離が点ｊに到達すると、この箇所でベースフィルム１が入隅コーナであることに基づく曲げ応力の集中のために容易に曲げ変形され、曲げ外力Ｍの一部が吸収され、それより先方への曲げ外力の伝達が抑制されるから、それより先方への剥離進行がよく抑えられる。従って、扁平リード導体２とベースフィルム１との接着面積を充分に保持でき、この接着面積で扁平リード導体に作用する外力を支持でき、扁平リード導体膨出部の外周とベースフィルム孔内周とのシール界面で負担しなければならない外力分を小さくできる結果、そのシール界面を安定に保持できる。
【００２７】
請求項２に係る薄型温度ヒューズに対しても、扁平リード導体の側面に凹凸を付けると、一の方向の曲げ外力に対する前記境界点の剥離性に位置に応じて方向性をもたせることができ、所定方向の曲げ外力に対し剥離し難い箇所を所定のピッチで存在させ全体として剥離を生じ難くさせ得るから、扁平リード導体の側面に例えば図３の（ロ）〜（ニ）または図４に示すような凹凸を付けることが好ましい。
【００２８】
図６の（イ）は請求項３に係る薄型温度ヒューズの一実施例を示す断面図、図６の（ロ）は図６の（イ）におけるロ−ロ断面図である。
図６において、１は前記したベースフィルムであり、通常、プラスチックが用いられる。２，２は前記した一対の扁平リード導体であり、先端から所定の距離を隔てた位置に膨出部２１を加工し、前方部２０をベースフィルム１の裏面に導体厚みよりも浅い深さで融着し、膨出部２１をベースフィルム１の表面に露出させると共に膨出部２１の外周面をベースフィルム１の孔内周に融着し、ベースフィルム１の裏面に扁平リード導体２の縁端に沿って突部１０を設け、この突部１０を扁平リード導体端面２００に接触させるか、接合してある。
上記扁平リード導体２のベースフィルム裏面への半埋深さｈ’は、扁平リード導体厚みＴの２０〜９０％としてある。
３はリード導体膨出部２１，２１間に溶接等により接続したヒューズエレメント（可溶合金片）であり、断面円形線、円形線を圧延した扁平線材を使用できる。４は可溶合金片３に塗布したフラックスである。５はカバー用絶縁体であり、通常、プラスチックフィルムが用いられ、周囲部を前記ベースフィルム１の他面の周囲部に超音波または高周波溶着等により固着してある。一層の薄肉化のために、カバー用絶縁体５を可溶合金片３に、球状化分断を妨げない範囲で接触させることが好ましい。
【００２９】
請求項３に係る薄型温度ヒューズでは、ベースフィルム片面に扁平リード導体をその導体厚みよりも浅い深さで埋着すると共に扁平リード導体側面に接触若しくは接合させた突部をベースフィルム片面に設けてあるから、図２の（イ）で示した曲げの分散作用と、図２の（ロ）で示した曲げ外力の吸収作用との協働により、扁平リード導体とベースフィルム裏面との接着界面の剥離進行を一層効果的に抑えて扁平リード導体膨出部の外周とベースフィルム孔内周とのシール界面を安定に保持できる。
【００３０】
請求項３に対しても、突部を多孔質とすること、突部を接着剤の塗布や樹脂紐の溶接により設けること、扁平リード導体の側面に例えば図３の（ロ）〜（ニ）または図４に示すような凹凸を付けることが可能である。
【００３１】
請求項３に係る薄型温度ヒューズにおいて扁平リード導体をベースフィルム裏面に固着するには、膨出部を加工した扁平リード導体を樹脂製のベースフィルム裏面に配置し、扁平リード導体を加圧下でごく短時間、電磁誘導加熱して当該導体に接するベースフィルム部分の表面層を溶融液化して絞り出し扁平リード導体の三方縁端に沿ってベースフィルム裏面に突部を形成すると共に扁平リード導体をベースフィルム裏面に半埋状態で融着する方法を使用できる。扁平リード導体の加圧と瞬時電磁誘導加熱には電磁誘導加熱プレスを用いることができる。
【００３２】
本発明において、扁平リード導体の膨出部は絞り出し加工により形成できる。膨出部の寸法には、ヒーズエレメントの溶断時、溶融エレメントをスムーズに濡れ拡げさせて球状化分断を迅速に行わせ得るに足る露出部面積を有すること、膨出部の付け根から扁平リード導体縁端までの最短距離が充分なシール性を保証するに足る距離であること等が要求される。膨出部の形状は特に限定されず、例えば、図７の（イ）に示すような円形、図７の（ロ）及び（ハ）に示すような四角形（長方形、正方形）とすることができる。ベースフィルムに扁平リード導体の膨出部装着用の孔を予め開けておくことが好ましいが、加熱した扁平リード導体膨出部の高熱でベースフィルムを溶融して膨出部をベースフィルム表面に表出させることもできる。
【００３３】
本発明において、ベースフィルムの表面側に露出させた扁平リード導体膨出部とヒューズエレメントとの接合には、溶接、例えばスポット抵抗溶接、レーザ溶接、ビーム溶接等を使用できる。
また、ベースフィルム周囲とカバーフィルムとの接着には、超音波溶接、高周波誘電加熱溶接、ヒートチップによる加熱加圧の他、接着剤による接着も可能である。
【００３４】
本発明において、ベースフィルム、カバーフィルムには、厚み５０μｍ〜３００μｍ程度のプラスチックフィルム、例えばポリエチレンテレフタレ−ト、ポリアミド、ポリイミド、ポリブチレンテレフタレ−ト、ポリフェニレンオキシド、ポリエチレンサルファイド、ポリサルホン等のエンジニアリングプラスチック、ホリアセタ−ル、ポリカ−ボネ−ト、ポリフェニレンスルフィド、ポリオキシベンゾイル、ポリエ−テルエ−テルケトン、ポリエ−テルイミド等のエンジニアリングプラスチックやポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレ−ト、ポリ塩化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、エチレンポリテトラフルオロエチレン共重合体、エチレン酢酸ビニル共重合体、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、アイオノマ−、ＡＡＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂等の他、エチレン−プロピレン共重合体、架橋ポリエチレン等の架橋ポリマーのフィルムも使用できる。
特に、含水率の高いポリエチレンテレフタレ−トでは、加熱による加水分解で反応性基を生成し、接着界面での架橋結合が期待できるので、吸湿処理したポリエチレンテレフタレ−トフィルムを使用することが好まし。
【００３５】
扁平リード導体には、上記のフィルムよりも薄い厚み５０μｍ〜３００μｍ程度の例えば、ニッケル、銅、ステンレス帯状体を使用でき、先端に可溶合金片との溶接性に優れた金属を、後端に電極とのはんだ付け性に優れた金属を、例えば、銀、銅をめっき、またはクラッド等による複合化することもできる。
【００３６】
上記可溶合金片には、線径２００〜５００μｍφの所定融点の可溶合金体、またはその扁平帯体を使用でき、融点は機器の保護温度に応じて選定されるが、既述した二次電池用には、固相線温度が８０℃〜１２０℃、固相線温度が８０℃〜１２０℃である合金を使用できる。例えばＩｎ３０〜７５重量％、Ｓｎ５〜５０重量％、Ｃｄ０．５〜２５重量％の合金、更にこの合金組成にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｂｉのうちの１種または２種以上を合計０．１〜５重量％添加した合金、Ｂｉ４８〜５３重量％、Ｐｂ２８〜３３重量％、Ｓｎ１３〜１９重量％の合金、Ｉｎ０．５〜４重量％、Ｂｉ５０〜５４重量％、Ｐｂ３０〜３４重量％、Ｓｎ１４〜１８重量％の合金、Ｉｎ４６〜５１重量％、Ｓｎ４０〜４７重量％、Ｂｉ３〜１２重量％の合金等を使用できる。
【００３７】
フラックスには、天然ロジン、変性ロジン（水添ロジン、不均化ロジン、重合ロジン等）及びこれらの精製ロジンにジエチルアミンの塩酸塩、ジエチルアミンの臭化水素酸塩、有機酸例えばアジピン酸等を添加したものを使用できる。
【００３８】
上記温度ヒューズの動作機構は次の通りである。すなわち、保護しようとする電気機器や回路素子に熱的に接触して配設され、電気機器や回路素子が何らかの異常により発熱すると、その発生熱により温度ヒューズのヒューズエレメント合金が溶融され、既溶融の活性化されたフラックスとの共存下、溶融合金がリード導体や電極への濡れにより分断球状化され、その分断球状化の進行により通電が遮断され、この通電遮断による機器の降温で分断溶融合金が凝固されて非復帰のカットオフが終結される。
この場合、ヒューズエレメントの抵抗値をＲ、平時通電電流をｉ、ヒューズエレメントの融点をＴ、機器の保護温度をＴｘとし、ヒューズエレメントのジュール発熱によるヒューズエレメントの昇温温度をαＲｉ２とすれば、
【００３９】
【数１】Ｔ＝αＲｉ２＋Ｔｘ                  （１）
が成立し、通常、αＲｉ２を無視できるが、Ｒや電流値ｉが大きい場合は、式（１）に従ってヒューズエレメントの融点Ｔを設定することが必要である。また、同じＴｘに対して、高い融点Ｔのヒューズエレメントを使用するために、式（１）を満たすように抵抗値Ｒを設定することも可能である。
【００４０】
【実施例】
〔実施例〕
図６において、ベースフィルム１に長さ１０．５ｍｍ、巾６ｍｍ、厚み０．２５ｍｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを使用した。扁平リード導体２には、膨出部２１を下端直径２．５ｍｍの薄型円錐台形とし、膨出部２１表面を銅面とするように先端部側に銅をクラッドした巾３．５ｍｍ、厚み０．１ｍｍの銅−ニッケル複合体を使用し、膨出部２１，２１間の距離を３．０ｍｍとした。
扁平リード導体２をベースフィルム１の裏面に配設し膨出部２１をベースフィルム１の装着孔に装着した状態で電磁誘導加熱プレスを用い、加圧しながら通電時間０．３〜０．５秒の間、高周波電流を通電して扁平リード導体を瞬時７００〜８００℃に加熱し、ベースフィルム裏面に扁平リード導体の三方に沿って高さほぼ５０μｍの気泡入り突部１０を形成すると共に扁平リード導体２を深さｈほぼ３０μｍの半埋状態でベースフィルム１に融着した。次で、直径０．４５ｍｍのヒューズエレメント３をリード導体膨出部２１，２１間にスポット抵抗溶接により接続し、更に、ヒューズエレメント３にフラックス４を塗布したのち、厚み０．１８８ｍｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（カバーフィルム）５をベースフィルム１の表面周囲に超音波溶接により封着した。
【００４１】
〔比較例〕
図８に示す構成である。実施例と同様、ベースフィルム１’に長さ１０．５ｍｍ、巾６ｍｍ、厚み０．２５ｍｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを使用し、扁平リード導体２’には、膨出部２１’を下端直径を２．５ｍｍの薄型円錐台形とし、膨出部２１表面を銅面とするように先端部側に銅をクラッドした巾３．５ｍｍ、厚み０．１ｍｍの銅−ニッケル複合体を使用し、膨出部２１，２１間の距離を３．０ｍｍとした。
製作においては、扁平リード導体をポリエチレンテレフタレートの融点以上に加熱し、ベースフィルムの孔と扁平リード導体の膨出部を位置合わせして加熱扁平リード導体上にベースフィルムを配置して実質的に無加圧でベースフィルムの片面に扁平リード導体を融着し、ベースフィルム片面への扁平リード導体の埋着深さを実質上０とした。次で、実施例と同様に直径０．４５ｍｍのヒューズエレメント３’をリード導体膨出部２１’，２１’間にスポット抵抗溶接により接続し、更に、ヒューズエレメント３’にフラックス４’を塗布したのち、厚み０．１８８ｍｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（カバーフィルム）５’をベースフィルム表面の周囲に超音波溶接により封着した。
【００４２】
これら実施例品及び比較例品につきヒューズ本体部を繰り返して曲げ、扁平リード導体のベースフィルム裏面からの剥離に到るまでの曲げ回数を比較する試験を行ったが、実施例では比較例の２倍以上の曲げ回数に耐えることが明かになった。
【００４３】
【発明の効果】
本発明によれば、本出願人が既に提案した薄型ヒューズ、すなわち「一対のリード導体の各先端部を絶縁プレートの片面より他面に水密に表出させ、該絶縁プレートの片面の他面において、上記のリード導体先端部間にヒューズエレメントを接続し、同上絶縁プレートの他面を絶縁被覆したことを特徴とする薄型ヒューズ」の有利性、すなわちヒューズ本体裏面でのリード導体と相手面との密接による高感度作動や１０００μｍ以下の薄型という有利性を保持してシール性能の向上を図ることができる。
【００４４】
特に、請求項２の薄型温度ヒューズでは、扁平リード導体を瞬時高温加熱・加圧して扁平リード導体に接するベースフィルム部分を扁平リード導体の三方に絞り出すことにより突部を形成でき、薄型温度ヒューズの高速製造を保証できる。
【００４５】
特に、請求項２の薄型温度ヒューズでは、ベースフィルムに熱軟化は可能であるが溶融液体化が分子構造的に難しい樹脂、例えば架橋ポリエチレンフィルムを使用することが可能である。
【００４６】
特に、請求項５の薄型温度ヒューズでは、突部の高さが扁平リード導体の表面高さより多少高くても、多孔質突部の易圧縮性のために、ヒューズ本体裏面でのリード導体と相手面との密接による高感度作動を保証できる。
【００４７】
特に、請求項７の薄型温度ヒューズでは、扁平リード導体の耐剥離強度を更に高めることができ、シール性能の一層の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】請求項１の薄型ヒューズの一実施例を示す図面である。
【図２】本発明に係る薄型ヒューズの曲げ分散作用や曲げ外力吸収作用を説明するために使用した図面である。
【図３】請求項５において使用する扁平リード導体の異なる例を示す図面である。
【図４】請求項５において使用する扁平リード導体の上記とは別の例を示す図面である。
【図５】請求項２の薄型ヒューズの一実施例を示す図面である。
【図６】請求項３の薄型ヒューズの一実施例を示す図面である。
【図７】本発明において使用する扁平リードの膨出部の異なる例を示す図面である。
【図８】従来の薄型ヒューズを示す図面である。
【符号の説明】
１            ベースフィルム
１０          突部
２            扁平リード導体
２１          膨出部
３            可溶合金片
４            フラックス
５            カバー用絶縁材
【図１】
2004227962.tif 000003
【図２】
2004227962.tif 000004
【図３】
2004227962.tif 000005
【図４】
2004227962.tif 000006
【図５】
2004227962.tif 000007
【図６】
2004227962.tif 000008
【図７】
2004227962.tif 000009
【図８】
2004227962.tif 000010