(57)【要約】【課題】  基板にレジストを塗布し、露光後の基板を現像する塗布、現像装置において、基板を高い精度で所定温度に維持した状態で反射防止膜の塗布処理などを行うことができ、これにより例えば基板上の塗布膜について高い精度で目標膜厚が得られるなど精度のよい処理を行うこと。【解決手段】  基板に所定の処理を施す複数個の処理部と、前記各処理部との間で基板の受渡しを行うための複数個の基板搬送手段とを備えた単位ブロックを複数用いて塗布、現像装置を構成し、前記複数個の基板搬送手段は、処理液で処理された基板を扱う基板搬送手段と、塗布部、現像部または反射防止膜形成部と基板を冷却するための冷却部との間で基板を搬送する専用の搬送手段と、に区別されている構成とする。【選択図】        図１                                                   
2004235659.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に一連の処理を施す基板処理装置を構成するための単位ブロックである基板処理装置用ブロックであって、
基板に所定の処理を施す複数個の処理部と、
前記各処理部との間で基板の受渡しを行うための複数個の基板搬送手段と、を備えたことを特徴とする基板処理装置用ブロック。  
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置用ブロックにおいて、
前記複数個の処理部は、基板に塗布液を塗布する塗布部と、基板を熱処理するための熱処理部と、を含むことを特徴とする基板処理装置用ブロック。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理装置用ブロックにおいて、前記複数個の処理部は、塗布液が塗布された基板を現像する現像部と、基板を熱処理するための熱処理部と、を含むことを特徴とする基板処理装置用ブロック。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置用ブロックにおいて、
前記複数個の基板搬送手段は、処理液で処理された基板を扱う基板搬送手段と、塗布部、現像部または反射防止膜形成部と基板を冷却するための冷却部との間で基板を搬送する専用の搬送手段と、に区別されていることを特徴とする基板処理装置用ブロック。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置用ブロックにおいて、
前記基板搬送手段は、鉛直軸周りに回転可能で、前記鉛直軸に沿って昇降移動可能で、かつ回転半径方向に進退移動可能に構成された、基板を保持するアームを備えていることを特徴とする基板処理装置用ブロック。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板処理装置用ブロックを複数個用いて構成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理装置において、
前記基板処理装置用ブロックは、基板上に塗布液を塗布する前に反射防止膜を形成する反射防止膜形成部および基板に対して熱処理を行う熱処理部を備えたもの、または、基板に塗布液を塗布する塗布部および前記熱処理部を備えたもの、または、塗布液が塗布された基板を現像する現像部および前記熱処理部を備えたものであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項６に記載の基板処理装置において、
水平面内で隣接する複数個の前記基板処理装置用ブロックの境界部に、基板を受け渡すための受け渡し部が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
基板に一連の処理を施す基板処理装置を構成するための単位ブロックである基板処理装置用ブロックであって、
基板に所定の処理を施す複数個の処理部と、
前記各処理部との間で基板の受渡しを行うための複数個の基板搬送手段とが収納される、他とは区画された個別の筺体を備えていることを特徴とする基板処理装置用ブロック。
【請求項１０】
請求項６に記載の基板処理装置において、
前記反射防止膜形成部、塗布部、現像部の各液処理部は、各々複数段に積み重ねられ、
前記各液処理部で使用する処理液を収納する容器が収納され、複数段に積み重ねられた液処理部の隣に設けられた容器収納部を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウエハや液晶ディスプレイ用のガラス基板などの基板に対して例えばレジスト液の塗布処理や現像処理などを行う基板処理装置用ブロック及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィ−技術においては半導体ウエハ（以下ウエハという）の表面にレジストを塗布し、この塗布レジストを所定パタ−ンに露光処理し、更に現像処理して所定パタ−ンのレジスト膜が形成される。このような一連の処理は、塗布／現像装置に露光装置を接続したシステムにより行われる。
【０００３】
図１５はこのような装置の従来例を示す平面図であり、基板例えば半導体ウエハを２５枚収納したカセットＣはカセットステ−ションＡ１のカセットステ−ジ１に搬入される。
【０００４】
前記カセットステ−ションＡ１には処理ステ−ションＡ２が接続されており、更に処理ステ−ションＡ２にはインタ−フェイスステ−ションＡ３を介して露光装置Ａ４が接続されている。処理ステ−ションＡ２は、ウエハＷにレジスト液を塗布する例えば２個の塗布ユニット１１と、露光後のウエハＷを現像する例えば２個の現像ユニットとを備えている（この例では下段に現像ユニットが配列されている）。なおウエハＷにレジストを塗布する前に反射防止膜を形成する場合には反射防止膜形成ユニットが更に設けられる。
【０００５】
また当該ステ−ションＡ２は、ウエハＷが多段に載置される例えば３個の棚ユニット１２，１３，１４を備えており、これら棚ユニット１２，１３，１４の各棚は、加熱部、冷却部、ウエハＷの受け渡し部などとして構成されている。そしてウエハＷはウエハ搬送手段１５により、前記塗布ユニット１１と現像ユニットと棚ユニット１２，１３，１４との間で搬送されるようになっている。
【０００６】
このようなシステムでは、前記カセットステ−ジ１上のカセットＣ内のウエハＷは、受け渡しア−ム１６により取り出され、棚ユニット１２の受け渡し部を介して塗布ユニット１１に送られ、ここでレジストが塗布される。その後ウエハＷはウエハ搬送手段１５→棚ユニット１３の受け渡し部→インタ−フェイスステ−ションＡ３の受け渡しアーム１７→露光装置Ａ４の経路で搬送されて露光される。露光後のウエハＷは、逆経路で処理ステ−ションＡ２に搬送され、塗布ユニット１１の下段に設けられた図示しない現像ユニットにて現像された後、ウエハ搬送手段１５→棚ユニット１２の受け渡し部→カセットＣの経路で搬送される。なお１７は処理ステ−ションＡ２と露光装置Ａ４との間でウエハＷの受け渡しを行うための受け渡しア−ムである。
【０００７】
本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、基板搬送手段の搬送の負担を軽減すると共に搬送効率の高い技術を提供することにある。本発明の他の目的は、基板を高い精度で所定温度に維持した状態で処理を行うことができ、これにより例えば基板上の塗布膜について高い精度で目標膜厚が得られるなど精度のよい処理を行うことができる技術を提供することにある。本発明の更に他の目的は、システムの増減が容易な基板処理装置を提供することにある。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、基板に一連の処理を施す基板処理装置を構成するための単位ブロックである基板処理装置用ブロックであって、基板に所定の処理を施す複数個の処理部と、前記各処理部との間で基板の受渡しを行うための複数個の基板搬送手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置用ブロックである。  
この基板処理装置用ブロックは例えば次のような構成とすることができる。
前記複数個の処理部は、基板に塗布液を塗布する塗布部と、基板を熱処理するための熱処理部とを含む構成。
前記複数個の処理部は、塗布液が塗布された基板を現像する現像部と、基板を熱処理するための熱処理部とを含む構成。
前記複数個の基板搬送手段は、処理液で処理された基板を扱う基板搬送手段と、塗布部、現像部または反射防止膜形成部と基板を冷却するための冷却部との間で基板を搬送する専用の搬送手段と、に区別されている構成。
前記基板搬送手段は、鉛直軸周りに回転可能で、前記鉛直軸に沿って昇降移動可能で、かつ回転半径方向に進退移動可能に構成された、基板を保持するアームを備えている構成。
【０００９】
本発明の他の発明は、上記のように構成された基板処理装置用ブロックを複数個用いて構成されていることを特徴とする基板処理装置である。
【００１０】
この基板処理装置用ブロックは例えば次のような構成とすることができる。
前記基板処理装置用ブロックは、基板上に塗布液を塗布する前に反射防止膜を形成する反射防止膜形成部および基板に対して熱処理を行う熱処理部を備えたもの、または、基板に塗布液を塗布する塗布部および前記熱処理部を備えたもの、または、塗布液が塗布された基板を現像する現像部および前記熱処理部を備えた構成。
水平面内で隣接する複数個の前記基板処理装置用ブロックの境界部に、基板を受け渡すための受け渡し部が設けられている構成。
前記反射防止膜形成部、塗布部、現像部の各液処理部は、各々複数段に積み重ねられており、前記各液処理部で使用する処理液を収納する容器が収納され、複数段に積み重ねられた前記各液処理部の隣に設けられた容器収納部を備えた構成。
【００１１】
更にまた他の発明は、基板に一連の処理を施す基板処理装置を構成するための単位ブロックである基板処理装置用ブロックであって、基板に所定の処理を施す複数個の処理部と、前記各処理部との間で基板の受渡しを行うための複数個の基板搬送手段とが収納される、他とは区画された個別の筺体を備えていることを特徴とする基板処理装置用ブロックである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、複数個の処理部と、各処理部との間で基板の受け渡しを行うための複数の基板搬送手段と、を設けているので、基板搬送手段の搬送の負担を軽減でき、また搬送効率が高い。また処理液で処理された基板を扱う基板搬送手段と、塗布部、現像部または反射防止膜形成部と基板を冷却するための冷却部との間で基板を搬送する専用の搬送手段と、に区別することにより、基板を高い精度で所定温度に維持した状態で処理を行うことができ、これにより例えば基板上の塗布膜について高い精度で目標膜厚が得られるなど精度のよい処理を行うことができる。更にまた基板処理装置用ブロックを複数個用いて基板処理装置を構成することにより、システムの増減に容易に対応できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に本発明の基板処理装置を基板の塗布、現像装置に適用した実施の形態について説明する。図１はこの実施の形態の内部を透視して示す概観図、図２は概略平面図である。図中Ｓ１はカセットステ−ション、Ｓ２はウエハＷに対してレジストの塗布処理や現像処理等を行うための処理ステ−ション、Ｓ３はインタ−フェイスステ−ション、Ｓ４は露光ステーションである。
【００１４】
カセットステ−ションＳ１は、複数の基板例えば２５枚のウエハＷを収納した例えば５個の基板カセットをなすウエハカセット（以下「カセット」という）２２をＸ方向に配列して載置する載置部をなすカセットステ−ジ２１と、カセットステ−ジ２１上のカセット２２と後述する処理ステ−ションＳ２の受け渡し部との間でウエハＷの受け渡しを行なうための受け渡し手段をなす受け渡しア−ム２３とを備えている。受け渡しア−ム２３は、昇降自在、Ｘ，Ｙ方向に移動自在、鉛直軸まわりに回転自在に構成されている。
【００１５】
処理ステーションＳ２は、カセットステーションＳ１から露光ステーションＳ３を見て奥側に向かって３個のブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３が配列されて構成されている。各ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３及びインターフェイスステーションＳ３は筺体で囲まれており、各ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３の間、及びブロックＢ１とカセットステーションＳ１との間、ブロックＢ３とインターフェイスステーションＳ３との間も仕切られていて、各々雰囲気が区画されるように構成されている。なおカセットステーションＳ１及びブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３はクリーンエアのダウンフローが形成されている。
【００１６】
ブロックＢ１は、カセットステーションＳ１の背面に沿って設けられた棚ユニットＲ１と、カセットステーションＳ１から奥側を見て左側及び右側に夫々設けられた棚ユニットＲ２及び液処理ユニットである反射防止膜形成ユニット３と、棚ユニットＲ１、Ｒ２及び反射防止膜形成ユニット３の間並びに隣のブロックＢ２の受け渡し部の間でウエハＷの搬送を行う基板搬送手段であるメインアーム４Ａと、後述する容器収納部であるケミカルユニット５Ａとを備えている。
【００１７】
図３はカセットステーションＳ１及びブロックＢ１の一部を側面から見て平面的に展開した説明図である。前記棚ユニットＲ１は図３に示すようにウエハＷを加熱するための加熱部２４、ウエハＷを冷却するための冷却部２５が積み重ねられており、更にこれら棚の一部にウエハＷの位置合わせを行うアライメント部２６と、受け渡しアーム２３及びメインアーム４Ａの間でウエハＷの受け渡しを行う、ステージを備えた受け渡し部２７とが割り当てられている。なお加熱部２４、冷却部２５は互に異なる棚ユニットに夫々割り当ててもよい。
【００１８】
反射防止膜形成ユニット３について例えば図４に基づいて説明すると、３１はカップであり、このカップ３１内に真空吸着機能を有する回転自在なスピンチャック３２が設けられている。このスピンチャック３２は昇降機構３３により昇降自在に構成されており、カップ３１の上方側に位置しているときに、前記搬送手段４Ａの後述するア−ム４１との間でウエハＷの受け渡しが行われる。３４は吐出ノズル、３５は処理液供給管、３４ａはノズルを水平移動させる支持ア−ムである。処理液供給管３５は、処理液を収納している容器５１内に上流端が突入されており、容器５１内に蓄えられた処理液をポンプ３６により吸入してフィルタ３７にて濾過し、パーティクル等を除いた処理液をサックバルブ３８、ノズル３４を通して吐出する。ノズル３４から吐出した処理液は、スピンチャック３２により回転しているウエハＷ上に滴下され、伸展されて反射防止膜が形成される。またカップ３１内は気液分離手段３９ａを介して排気ポンプ３９により吸引されている。
【００１９】
図５は反射防止膜形成ユニット３及びケミカルユニット５Ａのレイアウトを横から見た図であり、反射防止膜形成ユニット３は例えば３段に積み重ねられている。各ユニット３は、既述のカップ３１やノズル３４ａが筐体３０により覆われていると共に、筐体３０の上部にフィルタユニットＦが設けられており、フィルタユニットＦから温度、湿度調整された清浄気体のダウンフローが形成され、筐体３０によって、その外の雰囲気と区画されている。
【００２０】
３段の反射防止膜形成ユニット３のカセットステーションＳ１側の隣には、既述のようにケミカルユニット５Ａが設けられ、このケミカルユニット５Ａは全体が筐体５０で囲まれると共に、例えば３段の反射防止膜形成ユニット３の夫々に使用される処理液を収納した容器５１が、３段に配置して収納されている。更にケミカルユニット５Ａ内には、ポンプ３６、フィルタ３７及びサックバルブ３８等の処理液供給制御機器が収納されている。なお図面では、容器５１を代表して記載してある。
【００２１】
また最下段の反射防止膜形成ユニット３の下方側には、各段の反射防止膜形成ユニット３に用いられる用力機器６１が筐体６０内にまとめて配置されて、用力系ユニット６Ａを構成している。用力機器６１とは、例えばカップ３１内を排気するための排気ポンプ３９、スピンチャック３２の吸引源である真空ポンプ、昇降部３３をなすエアシリンダーに用いられるエアー源、スピンチャック３２を回転させるモータの電力源などが相当する。また容器内に加圧気体が供給されることにより処理液が吐出される場合には加圧気体の供給源である例えば窒素ボンベなども用力機器６１に相当する。前記メインアーム４Ａは、図６に示すようにウエハＷを保持するアーム４１と、このアーム４１を進退自在に支持する支持台４２と、この支持台４２を昇降自在に支持する基体４３と、この基体４３を鉛直軸周りに回転自在に駆動するための回転駆動部４４とを備えている。アーム４１は、夫々ウエハＷを保持し得るように３段構成になっており、その各段にそれぞれ設けられた例えば３片の爪部４５の上にウエハＷの周縁を載せるようになっている。
【００２２】
以上のようにブロックＢ１は構成されているが、このブロックＢ１の隣に接続されているブロックＢ２も同様の構成である。ブロックＢ１がウエハＷの表面に反射防止膜を形成するのに対し、ブロックＢ２は、ウエハＷの反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのものであり、反射防止膜形成ユニット３の代りに、液処理ユニットであるレジスト液を塗布する塗布ユニット７が配置されている。両ユニット３、７は同様の構成であり、塗布ユニット７では処理液としてレジスト液が用いられる。Ｒ３、Ｒ４は棚ユニット、４Ｂはメインアーム、５Ｂはケミカルユニット、６Ｂは用力系ユニットである。
【００２３】
ブロックＢ２の隣に接続されているブロックＢ３は、露光ステーションＳ４にて露光されたウエハを現像するためのものである。液処理ユニットである現像ユニット８は、前記反射防止膜形成ユニット３及び塗布ユニット７の並びの延長線上に２個ずつ上下に合計４個設けられている。現像ユニット８の構成は反射防止膜形成ユニット３とほぼ同じであるが、ウエハＷの直径方向に多数の供給孔を配列したノズルを用いるなどの点に差異がある。またケミカルユニット５Ｃは現像ユニット８の下方側に配置され、用力系ユニット６Ｃはケミカルユニット５Ｃの下方側に配置されている。
【００２４】
棚ユニットＲ５、Ｒ６は夫々ブロックＢ２及びインターフェイスステーションＳ３寄りに設けられており、棚ユニットＲ１、Ｒ２とほぼ同じ構成であるが、加熱板と冷却板とを１枚に並べ、この間を専用に搬送する搬送アームを設けた加熱−冷却部が含まれている。加熱−冷却部を設ける理由は、化学増幅型のレジストを用いた場合、露光後に行う加熱時間を高精度に管理する必要があることに基づいている。
【００２５】
またブロックＢの奥側に接続されたインターフェイスステーションＳ４は、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向に移動自在でかつ鉛直軸まわりに回転自在な受け渡しアーム２８をを備えており、この受け渡しアーム２８はブロックＢ３及び露光ステーションＳ４間でウエハＷの受け渡しを行う。
【００２６】
次に上述の実施の形態の作用について説明する。外部から例えば２５枚のウエハＷを収納したカセット２２がカセットステージ２１に搬入されると、受け渡しアーム２３によりカセット２１内からウエハＷが取り出されてブロックＢ１の棚ユニット内の受け渡し部２７に置かれ、メインアーム４Ａに受け渡される。このウエハＷはブロックＢ１にて先ず反射防止膜が形成され、次いでブロックＢ２にて反射防止膜の上に例えば化学増幅型のレジスト膜が形成され、その後露光ステーションＳ４にて露光される。ブロックＢ１では、反射防止膜が形成されたウエハＷは棚ユニットＲ１（Ｒ２）の加熱部２４にて加熱され、次いで冷却部２５にて冷却される。またブロックＢ２においてもレジスト膜が形成されたウエハＷは棚ユニットＲ３（Ｒ４）にて加熱、冷却される。ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３及びインターフェイスステーションＳ３間のウエハＷの搬送は、棚ユニットＲ３、Ｒ５、Ｒ６内の受け渡し部を通じて行われる。
【００２７】
露光されたウエハＷは、棚ユニットＲ５（Ｒ６）内の加熱−冷却部に加熱、冷却され、現像ユニット８にて現像処理される。現像後のウエハＷは棚ユニットＲ５（Ｒ６）にて加熱、冷却されて一連のレジストパターン形成工程を終了し、ブロックＢ２、Ｂ１を介して元のカセット２１内に戻される。
【００２８】
上述実施の形態によれば、ケミカルユニット５Ａ（５Ｂ）を反射防止膜形成ユニット３（塗布ユニット７）の隣に設けているため、処理液の配管を短くできる。従って高価な処理液の滞留量が少なくて済み、滞留して処理液はメンテナンス時等に廃棄されるので、コストの削減を図れる。またケミカルユニット５Ａ（５Ｂ）と反射防止膜形成ユニット３（塗布ユニット７）が接近しているので、処理液を定量的に送るポンプ３６や、ノズル３４からの処理液吐出後に液ダレを防止するために処理液を若干吸引してノズル３４内の液面を引き上げるサックバルブ３８といった供給制御機器をケミカルユニット５Ａ（５Ｂ）内に設けても圧損が少ないので処理液の供給制御を精度良く行うことができると共に、供給制御機器をケミカルユニット５Ａ（５Ｂ）内に設けることによりメンテナンスが行いやすくなる。そして上記ユニット３、７を複数段積み重ねる場合に、例えば各段のユニット３、７に夫々適応した高さに、容器５１や供給制御機器を配置すれば処理液の配管をより短くすることができ、有利である。
【００２９】
また現像ユニット８においても、処理液である現像液の容器や供給制御機器を最下段の現像ユニット８の下方側に設けているため、現像液の配管が短くて済み、メンテナンスも行いやすい。更に反射防止膜形成ユニット等の液処理ユニット３、７、８の下方側に既述の用力機器６１が配置されているため、排気管、真空引きチューブ、エアー供給管、加圧気体供給管などの用力線の引き回し長さが短くて済み、また各ブロックＢ１（Ｂ２、Ｂ３）単位で用力機器６１や用力線が組み込まれるので、例えばブロックＢ１（Ｂ２、Ｂ３）を接続する前に調整を行うことができる等、作業性が良いという利点がある。
【００３０】
図７及び図８は本発明の他の実施の形態を示し、この実施の形態では反射防止膜形成ユニット３及び塗布ユニット７を２段積みの構成とし、反射防止膜形成ユニット３（塗布ユニット７）の下方側にケミカルユニット５Ａ（５Ｂ）を配置すると共に、ケミカルユニット５Ａ（５Ｂ）の下方に用力系ユニット６Ａ（６Ｂ）を配置している。なお図８では反射防止膜形成ユニット３の並びを代表して示してある。更にブロックＢ２、Ｂ３においては、棚ユニットを１個ずつ（Ｒ１、Ｒ４）設けていると共に、ブロックＢ２、Ｂ３間のウエハＷの受け渡しは、メインアーム４Ａ、４Ｂからアクセスできる位置に設けた中間ステージ９１により行うように構成されている。
【００３１】
図９〜図１１は本発明の更に他の実施の形態を示している。この実施の形態における反射防止膜形成ユニット３（塗布ユニット７）、ケミカルユニット５Ａ（５Ｂ）、用力系ユニット６Ａ（６Ｂ）のレイアウトは図１等に示す１番目の実施の形態と同じであるが、ケミカルユニット５Ａ（５Ｂ）の上に冷却部１０１を設け、この冷却部１０１を、メインアーム４Ａの搬送領域（搬送雰囲気）から区画し、反射防止膜形成ユニット３（塗布ユニット７）のカップ３１が置かれている雰囲気と同じになるように構成している。例えば冷却部１０１が置かれている雰囲気を筐体１０２で囲み、当該雰囲気と反射防止膜形成ユニット３内の雰囲気との間に、筐体３０の一部である仕切り板１０３を介在させると共に、両雰囲気の天井部のフィルタＦから共通の雰囲気形成用の清浄気体、つまり温度、湿度調整された共通の清浄気体を降下させるように構成している。
【００３２】
このような構成とした理由は次の通りである。即ち反射防止膜やレジスト膜の膜厚は、ウエハＷの温度により左右されるため、棚ユニットＲ１（Ｒ３）の加熱部２４で加熱した後、冷却部２５でいわば粗熱取りを行い（ラフな冷却温度に調整し）、その後前記冷却部１０１にて冷却を行えば、冷却部１０１は反射防止膜形成ユニット３（塗布ユニット７）と同じ雰囲気であるため同じ温度になり、膜厚が精度が良くなるからである。この場合冷却部１０１からの搬送は、メインアーム４Ａ（４Ｂ）を用いてもよいが、冷却部１０１と反射防止膜形成ユニット３との間を結ぶ専用の搬送手段を設ければ、冷却後のウエハＷがメインアーム４Ａ（４Ｂ）の搬送領域を通らないのでより好ましい。
【００３３】
冷却部１０１はケミカルユニット５Ａ（５Ｂ）の下方側に設けてもよい。なお図１１中１０４、１０５は夫々反射防止膜形成ユニット３（塗布ユニット７）及び筐体１０２に形成されたウエハＷの搬送口である。また現像ユニット８においても反射防止膜形成ユニット３と同様に３段積みの構成となっており、ケミカルユニット５Ｃ、用力系ユニット６Ｃ、冷却部１０１（便宜上同符号を用いている）の構成についても図１０、図１１に示したと同様の構成である。
【００３４】
図１２は、図９に示した実施の形態の変形例を示し、３段積みの現像ユニット８を２個設け、その間にケミカルユニット及び冷却部１０１を設けた点及び棚ユニットＲ５、Ｒ６の配置が図９の構成と異なる。
【００３５】
図１３は上記以外の本発明の実施の形態を示す図である。この実施の形態では図７に示す実施の形態のように反射防止膜形成ユニット３及び塗布ユニット７を２段積みとし、その下にケミカルユニット５Ａ（５Ｂ）を設け、更にその下に用力系ユニット６Ａ（６Ｂ）を設けている。また現像ユニット８に関しても同様の構成となっている。またブロックＢ３とインターフェイスステーションＳ３との間のウエハＷの受け渡しはインターフェイスユニットＳ３に設けた受け渡しステージ９２を介して行われる。
【００３６】
図１４は図１３の実施の形態の変形例を示す図である。この実施の形態においては、メインアーム４Ａ、４Ｂ、４Ｃが夫々反射防止膜形成ユニット３、塗布ユニット７及び現像ユニット８に対してＸ方向に対向しており、棚ユニットＲ１、Ｒ２、Ｒ６の並びは、搬送手段４Ａ、４Ｂ、４Ｃの並びから見て液処理ユニット３、７、８の並びと反対側に配置されている。そしてカセットステーションＳ１寄りのブロックＢ１の棚ユニットＲ１はメインアーム４Ａから見てＸ方向に対してカセットステーションＳ１側に斜めに配置されていると共に、その隣のブロックＢ２の棚ユニットＲ３はメインアーム４Ｂから見てＸ方向に配置されている。またインターフェイスステーションＳ３寄りのブロックＢ３の棚ユニットＲ６は、メインアーム４Ｃから見てＸ方向に対してインターフェイスステーションＳ３側に斜めに配置されている。メインアーム４Ａ、４Ｂ間及び４Ｂ、４Ｃ間のウエハの受け渡しは中間ステージ９１を介して行われる。
【００３７】
図１４のようなレイアウトによれば、各ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３を小型化できる。即ち棚ユニットＲ１（Ｒ６）はカセットステーションＳ１（インターフェイスステーション５）寄りに設けなければならないがメインアーム４Ａ（４Ｃ）の真横に配置するよりも図１４で斜め左（右）に配置した方がＹ方向の長さを短くでき、また中央のブロックＢ２については棚ユニットＲ３を中央に置くことによりＹ方向の長さを短くできる。半導体製造工場では半導体製造装置の奥行きが短い方が有利であるので、図１４のレイアウトは有効である。
【００３８】
以上において塗布、現像装置は反射防止膜形成ユニットを含むブロックＢ１がない場合もあり、その場合例えば塗布ユニットを含むブロックＢ２の棚ユニットＲ３（Ｒ４）内で疎水化処理が行われる。また本発明は、塗布、現像装置に限らず、シリコン酸化膜の前駆体を含む処理液をスピンコーティング等で基板上に塗布し、その後加熱、冷却する装置に対しても適用できる。なお基板にはウエハに限らず液晶ディスプレイ用のガラス基板であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施の形態である塗布、現像装置の概観を示す斜視図である。
【図２】図１の塗布、現像装置を示す概略平面図である。
【図３】図１の塗布、現像装置の一部を横に展開して示す説明図である。
【図４】図１の塗布、現像装置に用いられる液処理ユニット及び処理液の供給系を示す説明図である。
【図５】図１の塗布、現像装置の液処理ユニット及び関連部位を略解的に示す側面図である。
【図６】基板搬送装置であるメインアームを示す斜視図である。
【図７】本発明の他の実施の形態である塗布、現像装置を示す概略平面図である。
【図８】図７の塗布現像装置の液処理ユニット及び関連部位を略解的に示す側面図である。
【図９】本発明の更に他の実施の形態である塗布、現像装置を示す概略平面図である。
【図１０】図９の塗布現像装置の液処理ユニット及び関連部位を略解的に示す側面図である。
【図１１】図９の実施の形態おいて冷却部を液処理ユニット内の雰囲気に配置した構成を示す概観斜視図である。
【図１２】本発明の更にまた他の実施の形態である塗布、現像装置を示す概略平面図である。
【図１３】上記以外の実施の形態である塗布、現像装置を示す概略平面図である。
【図１４】上記以外の実施の形態である塗布、現像装置を示す概略平面図である。
【図１５】従来の塗布、現像装置を示す概略平面図である。
【符号の説明】
【００４０】
Ｓ１            カセットステ−ション
Ｓ２            処理ステ−ション
Ｓ３            インタ−フェイスステ−ション
Ｓ４            露光ステーション
Ｂ１〜Ｂ３      ブロック
２２            ウエハカセット
Ｒ１〜Ｒ６      棚ユニット
２３            加熱部
２５            冷却部
３              反射防止膜形成ユニット
３１            カップ
３２            スピンチャック
３４            ノズル
３６            ポンプ
３７            フィルタ
３８            サックバルブ
３９            排気ポンプ
４Ａ〜４Ｃ      メインアーム
５Ａ〜５Ｃ      ケミカルユニット
５１            容器
６Ａ〜６Ｃ      用力系ユニット
６１            用力機器
７              塗布ユニット
８              現像ユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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