(57)【要約】【課題】外部リード端子とメタライズ配線層との接続部におけるインピーダンスの急激な変化を緩やかにして高周波信号の伝送特性を向上させることである。【解決手段】半導体素子１０の載置部１ａを有する基体１と、側部に入出力端子４の取付部３ａが形成された枠体３と、複数のメタライズ配線層４ａを有する平板部および平板部の上面にメタライズ配線層４ａの一部を間に挟んで接合された立壁部から構成され、取付部３ａに嵌着された入出力端子４と、メタライズ配線層４ａの枠体３外側の部位に一端部がロウ付けされた外部リード端子７とを具備した半導体パッケージにおいて、外部リード端子７は、一端部の端面と両側面との間に先細り部７ａが形成されているとともに一端部に先端に向かって漸次薄くなるように上面が傾斜した傾斜部７ｂが形成されており、この傾斜部７ｂは、外部リード端子７の長手方向の長さが先細り部７ａよりも長い。【選択図】　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上側主面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、該基体の前記上側主面に前記載置部を囲繞するように取着され、側部に貫通孔または切欠きから成る入出力端子の取付部が形成された金属製の枠体と、上面の一辺側から対向する他辺側にかけて形成された複数のメタライズ配線層を有する誘電体から成る平板部および該平板部の上面に前記複数のメタライズ配線層の一部を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部から構成され、前記取付部に嵌着された入出力端子と、前記メタライズ配線層の前記枠体外側の部位に一端部がロウ付けされた外部リード端子とを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記外部リード端子は、前記一端部に幅が先端に向かって漸次小さくなる先細り部が形成されているとともに前記一端部に先端に向かって漸次薄くなるように上面が傾斜した傾斜部が形成されており、該傾斜部は、前記外部リード端子の長手方向の長さが前記先細り部よりも長いことを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
請求項１記載の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置固定されるとともに前記入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を収納するための半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置に関し、特に、高周波信号の入出力を行なう外部リード端子を有する半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光通信分野で使用されるマイクロ波帯やミリ波帯等の高周波信号を用いる各種半導体素子を収納する半導体素子収納用パッケージ（以下、半導体パッケージともいう）としては、例えば、半導体素子として半導体レーザ（ＬＤ）やフォトダイオード（ＰＤ）等の光半導体素子を用いた半導体パッケージの斜視図を図４に、図４の入出力端子と外部リード端子との接合部の部分拡大平面図を図５に、図５の拡大斜視図を図６に示す。これらの図において、２１は基体、２３は枠体、２４は入出力端子である。
【０００３】
基体２１は鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）等の金属等から成り、その上側主面の略中央部には、ＬＤ，ＰＤ等の光半導体素子などの半導体素子３０を載置する載置部２１ａを有している。
【０００４】
基体２１の上側主面の外周部には、載置部２１ａを囲繞するようにして接合され、側壁に光ファイバ３１を固定するための光ファイバ固定部材（以下、固定部材ともいう）２２および入出力端子２４の取付部２３ａを有する枠体２３が立設されており、枠体２３は基体２１とともにその内側に半導体素子３０を収容する空所を形成する。この枠体２３は基体２１と同様にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗ等の金属等から成り、基体２１と一体成形される、または基体２１に銀（Ａｇ）ロウ等のロウ材を介してロウ付けされる、またはシーム溶接法等の溶接法により接合されることによって、基体２１の上側主面の外周部に立設される。
【０００５】
固定部材２２は枠体２３の内側の端部がサファイアやガラス等から成る透光性部材（図示せず）で塞がれており、枠体２３の外側の端部から光ファイバ３１が挿入固定される。
【０００６】
入出力端子２４は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）質焼結体，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体，ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）質焼結体等の焼結体（セラミックス）から成り、枠体２３の取付部２３ａにロウ材を介して嵌着接合され、枠体２３の内外を電気的に導通する多数のメタライズ配線層２４ａが被着形成されている。また、入出力端子２４は枠体２３の内外に突出する平板部と枠体２３に嵌着される立壁部とを有している。
【０００７】
メタライズ配線層２４ａの枠体２３外側の部位には、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る外部リード端子２７がＡｇロウ等のロウ材を介して取着され、一方メタライズ配線層２４ａの枠体２３内側の部位には、半導体素子３０の各電極がボンディングワイヤ３２を介して電気的に接続される。
【０００８】
枠体２３および入出力端子２４の上面には、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成るシールリング２５がＡｇロウ等のロウ材を介して接合され、シールリング２５の上面には、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る蓋体２６がロウ付け法やシームウエルド法等の溶接法で接合され、基体２１、枠体２３、シールリング２５および蓋体２６から成る容器内部に半導体素子３０を収容し気密に封止する。
【０００９】
最後に、枠体２３に設けた固定部材２２に光ファイバ３１を溶接等によって接合させ、光ファイバ３１を枠体２３に固定することによって製品としての半導体装置となる。この場合、光ファイバ３１は、その端部に金属製フランジ３１ａを予め取着させておき、金属製フランジ３１ａを例えばレーザ溶接法によって固定部材２２に溶接する（例えば、下記の特許文献１参照）。
【００１０】
この半導体装置は、外部電気回路から供給される電気信号によって半導体素子３０に光を励起させ、この光を光ファイバ３１を介して外部に伝送することによって高速光通信等に使用される。または、外部から光ファイバ３１を介して伝送してくる光信号を、透光性部材を透過させ半導体素子３０に受光させて光信号を電気信号に変換することによって、高速光通信等に使用される。
【００１１】
【特許文献１】
特開２００２−１００６９３号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半導体装置は、外部電気回路基板に接続した場合、外部リード端子２７の厚さおよび幅とメタライズ配線層２４ａの厚さおよび幅とが異なるため、特に厚さが異なるため、また、外部リード端子２７とメタライズ配線層２４ａとの間には外部リード端子２７の厚さ分の段差が形成されているため、外部リード端子２７とメタライズ配線層２４ａとの接続部において、高周波信号のインピーダンス値が急激に変化して入出力する高周波信号に反射損失や透過損失等の損失が生じるという問題点があった。
【００１３】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、外部リード端子２７とメタライズ配線層２４ａとの接続部におけるインピーダンスの急激な変化を緩やかにして高周波信号の損失を小さくしてその伝送特性を向上させることである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上側主面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、該基体の前記上側主面に前記載置部を囲繞するように取着され、側部に貫通孔または切欠きから成る入出力端子の取付部が形成された金属製の枠体と、上面の一辺側から対向する他辺側にかけて形成された複数のメタライズ配線層を有する誘電体から成る平板部および該平板部の上面に前記複数のメタライズ配線層の一部を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部から構成され、前記取付部に嵌着された入出力端子と、前記メタライズ配線層の前記枠体外側の部位に一端部がロウ付けされた外部リード端子とを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記外部リード端子は、前記一端部に幅が先端に向かって漸次小さくなる先細り部が形成されているとともに前記一端部に先端に向かって漸次薄くなるように上面が傾斜した傾斜部が形成されており、該傾斜部は、前記外部リード端子の長手方向の長さが前記先細り部よりも長いことを特徴とする。
【００１５】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、外部リード端子は一端部に幅が先端に向かって漸次小さくなる先細り部が形成されているとともに一端部に先端に向かって漸次薄くなるように上面が傾斜した傾斜部が形成されていることから、外部リード端子の厚さおよび幅が漸次変化することにより外部リード端子のインピーダンス値をメタライズ配線層のインピーダンス値に連続的に緩やかな変化で近づけることができ、インピーダンス値の急激な変化により生じる高周波信号の損失を低減することが可能となり、その結果、高周波信号の伝送特性を向上することができる。また、外部リード端子の一端部に幅が先端に向かって漸次小さくなる先細り部が形成されていることから、外部リード端子をメタライズ配線層にロウ付けする際、外部リード端子の端面から両側面にかけて連続したロウ材のメニスカスを形成することができ、その結果、外部リード端子とメタライズ配線層の接合強度を大きくすることができるとともに接合部におけるインピーダンス値の変化をより緩やかにすることができる。さらに、傾斜部は、外部リード端子の長手方向の長さが先細り部よりも長いことから、外部リード端子の表面（主に上面）を伝送してきた高周波信号は、傾斜部およびロウ材のメニスカスによって外部リード端子の上面とメタライズ配線層の表面とが滑らかに連続するような表面状態となり、その結果、外部リード端子の表面（主に上面）を伝送してきた高周波信号は、反射損失を小さくしてメタライズ配線層へと伝送される。従って、高周波信号の伝送特性がさらに向上することとなる。
【００１６】
本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置されるとともに前記入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことを特徴とする。
【００１７】
本発明の半導体装置は、上記の構成により、上記本発明の半導体素子収納用パッケージを用いた信頼性の高いものとなる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体素子収納用パッケージについて以下に詳細に説明する。図１は本発明の半導体パッケージについて実施の形態の例を示す斜視図、図２（ａ），（ｂ）は図１の半導体パッケージにおける入出力端子と外部リード端子との接合部の各種例を示す部分拡大平面図、図３（ａ），（ｂ）はそれぞれ図２（ａ），（ｂ）の拡大斜視図である。
【００１９】
これらの図において、１は基体、３は枠体、４は入出力端子、７は外部リード端子であり、主にこれらで内部に半導体素子１０を収納するための半導体パッケージが基本的に構成される。また、半導体パッケージ内に半導体素子１０を収容し、シールリング５を介して蓋体６を取着することにより半導体装置となる。
【００２０】
本発明の基体１は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗ等の金属等から成り、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金のインゴットに圧延加工や打ち抜き加工、切削加工等の従来周知の金属加工法を施すことによって、所定形状に製作される。また、基体１の上側主面には、ＬＤ，ＰＤ等の光半導体素子等の半導体素子１０を載置する載置部１ａが設けられており、載置部１ａには半導体素子１０が載置固定される。
【００２１】
また、基体１の上側主面の外周部には、載置部１ａを囲繞するようにして接合されるとともに、側部に光ファイバ１１を固定する筒状の固定部材２を設けるための貫通孔および入出力端子４の取付部３ａを有する枠体３が立設されており、枠体３は基体１とともにその内側に半導体素子１０を収容する空所を形成する。
【００２２】
固定部材２は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る円筒状等の筒状であり、枠体３内側の端部がサファイアやガラス等から成る透光性部材（図示せず）で塞がれており、枠体３外側の端部から光ファイバ１１が挿入固定される。光ファイバ１１は、その端部に金属製フランジ１１ａを予め取着させておき、金属製フランジ１１ａを例えばＹＡＧレーザ溶接法で固定部材２に溶接することにより枠体３に固定される。これにより、光ファイバ１１を介して内部に収容される半導体素子１０と外部との光信号の授受が可能となる。
【００２３】
枠体３は、略長方形の枠状体であり、固定部材２および入出力端子４を支持するためのものである。また、枠体３は基体１と同様にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗの金属等から成り、基体１と一体成形される、または基体１にＡｇロウ等のロウ材を介してロウ付けされる、または基体１にシーム溶接法等の溶接法により接合されることによって、基体１の上側主面の外周部に立設される。
【００２４】
入出力端子４は、Ａｌ２Ｏ３セラミックス，ＡｌＮセラミックス，３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２セラミックス等の誘電体から成り、上面の一辺側から対向する他辺側にかけて形成された複数のメタライズ配線層４ａを有する平板部およびこの平板部の上面に複数のメタライズ配線層４ａの一部を間に挟んで接合された立壁部から構成された断面が逆Ｔ字型の部材であり、枠体３の取付部３ａに嵌め込まれるとともに、入出力端子４と取付部３ａとの隙間に溶融したＡｇロウ等のロウ材を毛細管現象により充填させることで枠体３に嵌着接合される。
【００２５】
なお、入出力端子４は、枠体３の一部となって枠体３内外を気密に仕切るとともに枠体３内外を導通させる導電路であるメタライズ配線層４ａの支持体として機能する。
【００２６】
また、メタライズ配線層４ａは、枠体３の外側において、その上面にＡｇロウ等のロウ材により外部リード端子７がロウ材を介して、また、枠体３内側において、半導体素子１０の各電極とボンディングワイヤ１２を介して電気的に接続される。
【００２７】
このような入出力端子４は、例えばＡｌ２Ｏ３セラミックスから成る場合、以下のようにして作製される。まず、Ａｌ２Ｏ３，酸化珪素（ＳｉＯ２），酸化カルシウム（ＣａＯ），酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等の原料粉末に適当な有機バインダや可塑剤，分散剤，溶剤等を添加混合して泥漿状となす。これを従来周知のドクターブレード法でシート状に成形することによって複数枚のセラミックグリーンシートを得る。しかる後、これらのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施しメタライズ配線層４ａとなる金属ペーストを印刷塗布して積層する。最後に、この積層体の枠体３および後述のシールリング５と接合される面に、メタライズ金属層となる金属ペーストを印刷塗布し、還元雰囲気中で約１６００℃の温度で焼成することによって製作される。
【００２８】
なお、メタライズ金属層は、入出力端子４と枠体３とを、および入出力端子４とシールリング５とをロウ材を介して強固に接合させる機能を有するとともに、接地導体としてメタライズ配線層４ａの高周波信号の伝送性を向上する機能も有する。
【００２９】
また、メタライズ配線層４ａおよびメタライズ金属層となる金属ペーストは、Ｗ，モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ）等の高融点金属粉末に適当な有機バインダや溶剤を添加混合してペースト状となしたものを従来周知のスクリーン印刷法で印刷することにより、セラミックグリーンシートおよびその積層体に印刷塗布される。
【００３０】
本発明の外部リード端子７は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成り、図２および図３に示すように、その一端部に幅が先端に向かって漸次小さくなる先細り部７ａが形成されているとともにその一端部に先端に向かって漸次薄くなるように上面が傾斜した傾斜部７ｂが形成されており、この傾斜部７ｂは、外部リード端子７の長手方向の長さが先細り部７ａよりも長くなっている。
【００３１】
傾斜部７ｂは、その傾斜面（上面）と外部リード端子７の下面との成す角度θが５〜２０°であるのがよい。５°未満であると、傾斜部７ｂにおいて外部リード端子７の上面とメタライズ配線層４ａの表面とが滑らかに連続せずに段差が形成され易くなり、その結果、高周波信号の反射損失が増大し易くなる。また、２０°を超えると、傾斜部７ｂ以外の外部リード端子７の厚さとメタライズ配線層４ａとの厚さの差が大きいため、外部リード端子７のインピーダンス値をメタライズ配線層４ａのインピーダンス値に連続的に緩やかな変化で近づけることが困難となり、高周波信号の損失が生じ易くなる。
【００３２】
先細り部７ａは、外部リード端子７の幅方向の幅ｃが外部リード端子７の幅Ｗに対して、Ｗ／１０〜Ｗ／２倍であるのがよい。Ｗ／１０倍未満であると、外部リード端子７の端部を漸次細くすることによって外部リード端子７のインピーダンス値をメタライズ配線層４ａのインピーダンス値に連続的に近づけて、インピーダンス値の変化を緩やかにすることが困難となる。また、外部リード端子７とメタライズ配線層４ａとをロウ材を介して接合する際、外部リード端子７の端面から両側面にかけて連続したロウ材のメニスカスを形成し難くなって、外部リード端子７とメタライズ配線層４ａとの接合強度が低下し易くなるとともに接合部におけるインピーダンス値の変化をより緩やかにすることが困難となる。一方、Ｗ／２倍を超えて２つの先細り部７ａを形成することはできず、一方の先細り部７ａの幅ｃがＷ／２倍を超えると、２つの先細り部７ａの幅ｃが異なってくるため、外部リード端子７をメタライズ配線層４ａに接合する際の加熱工程において外部リード端子７が歪み、外部リード端子７同士が接触し易くなる。
また、傾斜部７ｂは、高周波信号の伝送性を向上させるという観点からは、外部リード端子７の長手方向における傾斜部７ｂの長さは先細り部７ａよりも長くする必要があり、好ましくは、傾斜部７ｂの長さは先細り部７ａの長さの１．５〜３倍であるのがよい。１．５倍未満であると、高周波信号の反射損失が増大し易くなる。また、３倍を超えると、外部リード端子７の強度が弱くなり、外部リード端子７が折れ易くなる。
【００３３】
さらに、外部リード端子７は、メタライズ配線層４ａにロウ付けされている側の端面の高さが０．０５〜０．１５ｍｍであるのがよい。０．０５ｍｍ未満であると、外部リード端子７をメタライズ配線層４ａにロウ付けした際に、ロウ材が傾斜部７ｂ上に流出して良好なメニスカスを形成し難くなる。また、０．１５ｍｍを超えると、外部リード端子７の端面の高さが大きいために外部リード端子のインピーダンス値をメタライズ配線層４ａのインピーダンス値に連続的に緩やかな変化で近づけることが困難となり、インピーダンス値の急激な変化により高周波信号の損失が大きくなり易い。
【００３４】
本発明の枠体３および入出力端子４の上面には、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成るシールリング５がＡｇロウ等のロウ材を介して接合される。そして、基体１、枠体３およびシールリング５から成る容器内部に半導体素子１０を収容し、シールリング５の上面にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る蓋体６をロウ付け法やシームウエルド法等の溶接法で接合して気密に封止することにより、製品としての半導体装置となる。
【００３５】
この半導体装置は、基体１が半田付けやネジ止め等によって外部電気回路基板に実装され、外部リード端子７と外部電気回路とを接続することにより、内部に収容される半導体素子１０が外部電気回路に電気的に接続される。
【００３６】
また、この半導体装置は、例えば外部電気回路から供給される高周波信号によって半導体素子１０に光を励起させ、この光を光ファイバ１１を介して外部に伝達することによって高速光通信等に使用される。または、外部から光ファイバ１１を伝送してくる光信号を、透光性部材を透過させ半導体素子１０に受光させて光信号を電気信号に変換することによって、高速光通信等に使用される。
【００３７】
【実施例】
本発明の半導体素子収納用パッケージの実施例を以下に説明する。
【００３８】
図２（ａ）の入出力端子４を以下のように構成した。Ａｌ２Ｏ３セラミックスから成る入出力端子４の略長方形の平板部の上面の中央に、Ｗのメタライズ層から成る幅が０．５ｍｍの線路状のメタライズ配線層４ａを設け、平板部の下面にはＷのメタライズ層から成るメタライズ金属層を設けた。また、上面にＷのメタライズ層から成るメタライズ金属層を有したＡｌ２Ｏ３セラミックスから成る略直方体の立壁部を、上記平板部の上面にメタライズ配線層４ａの一部を間に挟んで積層した。さらに、これらの平板部および立壁部の線路方向に略平行な両側面にも、メタライズ配線層４ａと同様のメタライズ層から成るメタライズ金属層を設けた。次に、メタライズ配線層４ａに、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成り厚さが０．２５ｍｍ、幅Ｗが０．３ｍｍの外部リード端子７をＡｇロウで接合することにより、入出力端子４を作製した。なお、この外部リード端子７は、メタライズ配線層４ａに接合される側の一端部の端面と両側面との間に幅ｃが０．１ｍｍであるとともに外部リード端子７の長手方向の長さが０．３ｍｍの先細り部７ａが形成されており、かつ先端に向かって薄くなっており、先端の端面の高さが０．１ｍｍであるとともに外部リード端子７の長手方向の長さが０．７ｍｍの傾斜部７ｂが形成されたものを用いた。この入出力端子４をサンプルＰとした。
【００３９】
また、図２（ｂ）の入出力端子４をサンプルＰと同様に作製した。なお、この外部リード端子７は、メタライズ配線層４ａに接合される側の一端部の端面と両側面との間に幅ｃが０．１５ｍｍである先細り部７ａを形成したこと以外はサンプルＰと同様のものを用いた。この入出力端子４をサンプルＱとした。
【００４０】
また、比較例として図５，図６の構成の入出力端子２４をサンプルＰと同様に作製した。なお、この外部リード端子２７は、先細り部７ａも傾斜部７ｂも無いものを用いた。これをサンプルＲとした。
【００４１】
これらのサンプルＰ，Ｑ，Ｒについて、外部リード端子７，２７のメタライズ配線層４ａ，２４ａに接合されていない側の一端に１〜３０ＧＨｚの高周波信号を入力してその反射損失を測定した結果を図７に示す。図７より、サンプルＰ，ＱはサンプルＲに比べて１〜３０ＧＨｚの全周波数帯域で反射損失が改善され、ＧＨｚ帯域の高周波信号を入出力する場合に反射損失を有効に低減できることがわかった。なお、サンプルＰ，Ｑの反射損失にはほとんど差が見られなかった。
【００４２】
なお、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更を施すことは何等差し支えない。
【００４３】
【発明の効果】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、外部リード端子は一端部に幅が先端に向かって漸次小さくなる先細り部が形成されているとともに一端部に先端に向かって漸次薄くなるように上面が傾斜した傾斜部が形成されていることから、外部リード端子の厚さおよび幅が漸次変化することにより外部リード端子のインピーダンス値をメタライズ配線層のインピーダンス値に連続的に緩やかな変化で近づけることができ、インピーダンス値の急激な変化により生じる高周波信号の損失を低減することが可能となり、その結果、高周波信号の伝送特性を向上することができる。また、外部リード端子の一端部に幅が先端に向かって漸次小さくなる先細り部が形成されていることから、外部リード端子をメタライズ配線層にロウ付けする際、外部リード端子の端面から両側面にかけて連続したロウ材のメニスカスを形成することができ、その結果、外部リード端子とメタライズ配線層の接合強度を大きくすることができるとともに接合部におけるインピーダンス値の変化をより緩やかにすることができる。さらに、傾斜部は、外部リード端子の長手方向の長さが先細り部よりも長いことから、外部リード端子の表面（主に上面）を伝送してきた高周波信号は、傾斜部およびロウ材のメニスカスによって外部リード端子の上面とメタライズ配線層の表面とが滑らかに連続するような表面状態となり、その結果、外部リード端子の表面（主に上面）を伝送してきた高周波信号は、反射損失を小さくしてメタライズ配線層へと伝送される。従って、高周波信号の伝送特性がさらに向上することとなる。
【００４４】
本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、載置部に載置されるとともに入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことにより、上記本発明の半導体素子収納用パッケージを用いた信頼性の高いものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージについて実施の形態の例を示す斜視図である。
【図２】（ａ）は図１の半導体素子収納用パッケージにおける入出力端子および外部リード端子の接合部の部分拡大平面図、（ｂ）は図１の半導体素子収納用パッケージにおける入出力端子と外部リード端子との接合部の実施の形態の他の例を示す部分拡大平面図である。
【図３】（ａ）は図２（ａ）の拡大斜視図、（ｂ）は図２（ｂ）の拡大斜視図である。
【図４】従来の半導体素子収納用パッケージの斜視図である。
【図５】図４の半導体素子収納用パッケージにおける入出力端子および外部リード端子の接合部の部分拡大平面図である。
【図６】図５の拡大斜視図である。
【図７】本発明の半導体素子収納用パッケージと従来の半導体素子収納用パッケージについて高周波信号の反射損失を測定した結果のグラフである。
【符号の説明】
１：基体
１ａ：載置部
３：枠体
３ａ：取付部
４：入出力端子
４ａ：メタライズ配線層
７：外部リード端子
７ａ：先細り部
７ｂ：傾斜部
１０：半導体素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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