(57)【要約】【課題】磁気ディスク装置を使用する環境温度の変化や薄膜磁気ヘッドを構成する導体コイルの発熱に起因する薄膜磁気ヘッドの熱変形による影響を防止した薄膜磁気ヘッドならびに磁気ディスク装置を提供する．【解決手段】基板上に積層された再生素子部と、この再生素子部上に積層され、下部コア層と、この下部コア層と磁気回路を構成する記録ギャップ層及び上部コア層と、前記磁気回路に起磁力を与える第一の導体層とを有する記録素子部と、前記再生素子部及び前記記録素子部を保護する保護層とで構成される磁気記録媒体に情報を読み書きする薄膜磁気ヘッドにおいて薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を変形させる機能を有する第二の導体層を少なくとも一つ以上備えることを特徴とする。【選択図】　図３
2004110976.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に積層された再生素子部と、この再生素子部上に積層され、下部コア層と、この下部コア層と磁気回路を構成する記録ギャップ層及び上部コア層と、前記磁気回路に起磁力を与える第一の導体層とを有する記録素子部と、前記再生素子部及び前記記録素子部を保護する保護層とで構成される磁気記録媒体に情報を読み書きする薄膜磁気ヘッドにおいて、この薄膜磁気ヘッドの前記磁気記録媒体対向面を変形させる機能を有する第二の導体層を少なくとも一つ以上備えることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
基板と、基板上に形成される第一の絶縁層と、この絶縁層上に形成される下部シールド層と、この下部シールド層上に形成される磁気抵抗効果膜層と、この磁気抵抗効果層の上に形成される上部磁気シールド層とで構成される再生素子部と、この再生素子上に第二の絶縁層を介して形成される下部コア層と、この下部コア層と磁気回路を構成する記録ギャップ層及び上部コア層と、前記下部コア層と前記上部コア層との間に第三の絶縁層を介して形成され、前記磁気回路に起磁力を与える第一の導体層とで構成される記録素子部と、前記再生素子部及び前記記録素子部を保護する保護層とで構成される磁気記録媒体に情報を読み書きする薄膜磁気ヘッドにおいて、この薄膜磁気ヘッドの前記磁気記録媒体対向面を変形させる機能を有する第二の導体層を少なくとも一つ以上備えることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
基板上に積層された再生素子部と、この再生素子部上に積層され、下部コア層と、この下部コア層と磁気回路を構成する記録ギャップ層及び上部コア層と、前記磁気回路に起磁力を与える第一の導体層とを有する記録素子部と、前記再生素子部及び前記記録素子部を保護する保護層とで構成される磁気記録媒体に情報を読み書きする薄膜磁気ヘッドにおいて、電流量が変化する第二の導体層を少なくとも一つ以上備えることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記第二の導体層は、環境温度に応じて、電流量が変化することを特徴とする請求項３に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記第二の導体層は、信号の読み出し及び書き込み動作に応じて、電流量が変化することを特徴とする請求項４に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記信号読み出し動作時に前記第二の導体層を流れる電流量に対して、前記信号書き込み時に前記第二の導体層を流れる電流量が小さいことを特徴とする請求項５に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
情報を記録する磁気記録媒体と、この磁気記録媒体を回転駆動させるモータと、前記磁気記録媒体から情報を再生する再生素子部と磁気回路に起磁力を与える第一の導体層を有し、情報を記録する記録素子部と前記再生素子部及び前記記録素子部を保護する保護層とで構成される薄膜磁気ヘッドと、この薄膜磁気ヘッドをスライダ、サスペンション及びアームを介して支持するロータリアクチュエータと、再生信号の処理及び情報の入出力を行う電気回路とを具備する磁気ディスク装置において、前記薄膜磁気ヘッドは、電流量が変化する第二の導体層を少なくとも一つ以上備え、前記電気回路は、前記第二の導体層の電流量を制御する機能を有することを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項８】
情報を記録する磁気記録媒体と、この磁気記録媒体を回転駆動させるモータと、前記磁気記録媒体から情報を再生する再生素子部と磁気回路に起磁力を与える第一の導体層を有し、情報を記録する記録素子部と前記再生素子部及び前記記録素子部を保護する保護層とで構成される薄膜磁気ヘッドと、この薄膜磁気ヘッドをスライダ、サスペンション及びアームを介して支持するロータリアクチュエータと、再生信号の処理及び情報の入出力を行う第一の電気回路とを具備する磁気ディスク装置において、前記薄膜磁気ヘッドは、電流量が変化する第二の導体層を少なくとも一つ以上備え、前記電気回路とは別に前記第二の導体層の電流量を制御する機能を有する第二の電気回路を備えることを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項９】
前記電気回路は、環境温度に応じて、前記第二の導体層の電流量を変化させることを特徴とする請求項７あるいは８に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１０】
前記電気回路は、前記第一の導体層に電流が流れると、前記第二の導体層の電流量を減少させることを特徴とする請求項７あるいは８に記載の磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は薄膜磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置に関する．
【０００２】
【従来の技術】
磁気ディスク装置の高記録密度化を図る上で重要な要因の一つとして、信号の書き込みおよび読み出しの機能を有する薄膜磁気ヘッドを備えたスライダと回転する記録媒体間の隙間として定義される浮上量を狭小化することが挙げられる。しかしながら、磁気ディスク装置の信頼性を確保しつつスライダの浮上量の狭小化を実現する上で問題となる要因の一つとして、薄膜磁気ヘッドの熱変形に起因する浮上量変動がある。
【０００３】
以下、図１および２を用いて薄膜磁気ヘッドの熱変形が磁気ディスク装置に及ぼす影響について説明する。なお、図１および２は従来型薄膜磁気ヘッドの縦断面図の一例であり、点線部は薄膜磁気ヘッドが熱変形したときの媒体対向面の形状を模式的に表している。
【０００４】
薄膜磁気ヘッドの熱変形とは、磁気ディスク装置を使用する環境温度の変化や薄膜磁気ヘッドを構成する導体コイルの発熱により記録素子ならびに再生素子、そして全体を覆う保護層が熱変形し膨張・収縮することであり、いわゆるサーマル・プロトルージョン（Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）と呼ばれている．
具体的には、磁気ディスク装置において、記録素子を構成する導体コイルに書き込み電流を流すことによって、上部コア層、記録ギャップ層および下部コア層とから構成される磁気回路に起磁力を与えた結果発生する記録ギャップ部の漏洩磁界により、信号が記録媒体に書き込まれる。しかしながら、導体コイルに書き込み電流を供給すると、導体コイル自体が発熱する。導体コイルは、上部コア層および下部コア層から電気的に絶縁することを目的とした有機系レジスト等からなる絶縁層に囲まれて形成されるため、導体コイルから発生した熱が絶縁層に伝導し、絶縁層自体が膨張してしまう。絶縁層の熱膨張により、絶縁層を囲む上部コア層および下部コア層、さらに全体を覆う保護層や再生素子が、押し出されて媒体対向面に向かって外部に突出する。その結果、図１に示す点線部Ａ−Ａ’のように媒体対向面が変形するため、媒体対向面が突出した分だけスライダの浮上量が所定の設計値に対して低下する。したがって信号書き込み時にはスライダは常に低下した浮上量で動作し続けることになるので、浮上量の狭小化を行う場合に薄膜磁気ヘッドの熱変形による浮上量の低下を考慮しなければならず、磁気ディスク装置の高記録密度化を阻害する要因となっていた。
【０００５】
また、磁気ディスク装置の動作保証環境温度は一般的に０℃〜６０℃程度の範囲であるが、例えば磁気ディスク装置を６０℃という高温環境下で使用したときも、上述した導体コイルの発熱による場合と同様に記録素子ならびに再生素子、さらに保護層が媒体対向面に向かって外部に突出する。図２に示す点線部Ａ−Ａ’のように媒体対向面が変形するため、薄膜磁気ヘッドが熱変形した分だけスライダの浮上量が所定の設計値に対して低下する。したがって、高温環境下ではスライダは常に低下した浮上量で動作し続けることになるので、浮上量の狭小化を行う場合に薄膜磁気ヘッドの熱変形による浮上量の低下を考慮しなければならず、磁気ディスク装置の高記録密度化を阻害する要因となっていた．
逆に０℃という低温環境下で磁気ディスク装置を使用すると、今度は記録素子ならびに再生素子、さらに保護層が薄膜磁気ヘッド内部に向かって引き込まれる。図２に示す点線部Ｂ−Ｂ’のように媒体対向面が変形しスライダの浮上量が所定の設計値に対して増加する。その結果、浮上増大に伴う再生出力・Ｓ／Ｎ低下等の電気特性の劣化を引き起こす可能性があった。
【０００６】
このような問題を解決する手段として特開２００１−９３１１７公報が挙げられる。これによれば上部コア層の表面からみたときの保護層の最小膜厚をＡとし、上部コア層と下部コア層との間の間隔内でみたときの導体コイル層を囲む絶縁層の最大膜厚をＢとすると、１≦（Ａ／Ｂ）≦２．５とすることにより、導体コイル層に書き込み電流を供給したときの保護層の突出量を３ｎｍ以下に抑制することができるとしている。
【特許文献１】
特開２００１−９３１１７号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、保護層の突出量を３ｎｍとしても、浮上量の狭小化が今後１０ｎｍ以下まで進むと考えられるので、十分とは言えない。また、上記公知例は、磁気ディスク装置の低温動作時の浮上量増大に伴う電気特性劣化を解決する手段については開示していない。
【０００８】
本発明は、これらの問題点を克服して、１０ｎｍ以下の極低浮上領域で薄膜磁気ヘッドの熱変形による影響を防止できる薄膜磁気ヘッドならびにこれを用いた磁気ディスク装置を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、基板上に積層された再生素子部と、この再生素子部上に積層され、下部コア層と、この下部コア層と磁気回路を構成する記録ギャップ層及び上部コア層と、前記磁気回路に起磁力を与える第一の導体層とを有する記録素子部と、前記再生素子部及び前記記録素子部を保護する保護層とで構成される磁気記録媒体に情報を読み書きする薄膜磁気ヘッドにおいて、この薄膜磁気ヘッドの前記磁気記録媒体対向面を変形させる機能を有する第二の導体層を少なくとも一つ以上備えることを特徴とする。
【００１０】
本発明では、第二の導体層に電流を流して発熱させて、磁気ディスク装置を使用する環境温度の変化あるいは記録素子を構成する磁気回路に起磁力を与える第一の導体層の発熱によって、薄膜磁気ヘッドの媒体対向面が媒体側に向かって突出する変化量分だけあらかじめ薄膜磁気ヘッドを熱変形させる。このように媒体対向面が記録媒体に向かって突出させた状態で所望の浮上量が得られるようにスライダを記録媒体上に浮上走行させる。
【００１１】
そして、環境温度の変化や信号書き込み時か読み出し時かに応じて第二の導体層を流れる電流量を変化させることで、環境温度の変化や第一の導体層の発熱に起因する分の媒体対向面の変形量が，第二の導体層の発熱に起因する分の変形量の変化分で相殺され、全体の変形量を一定に保つことが可能となり，浮上量変動を抑制することができる。したがって、本発明によれば、磁気ディスク装置を使用する環境温度の変化や第一の導体層の発熱に起因する薄膜磁気ヘッドの熱変形による影響を防止することが可能となる。
【００１２】
以上のように本発明によれば、磁気ディスク装置を使用する環境温度や第一の導体層の発熱に起因する薄膜磁気ヘッドの熱変形による影響を防止することができ、１０ｎｍ以下の極低浮上領域でも信頼性の高い磁気ディスク装置を供給することが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について図面を参照しながら詳細に説明する。
図３は本発明の第一の実施例における薄膜磁気ヘッドを模式的に表した斜視図であり、図４、５、６はそれぞれ本発明の第一の実施例における薄膜磁気ヘッドの縦断面図を表している。
【００１４】
まず、図３および４に示すように，本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、再生素子部と、再生素子部上に絶縁層１１を介して形成される記録素子部と記録素子及び再生素子を覆って形成される保護層１７と、セラミック基板１上に絶縁層２で囲まれて形成される第２の導体層３とで構成される。再生素子部は、絶縁層２上に形成される、下部シールド層４、上部シールド層１０、下部シールド層４と上部シールド層１０との空隙内に下部絶縁層５ならびに上部絶縁層９を介して配置される磁気抵抗効果型素子層６、磁区制御層７ならびに電極層８とから構成される。また、記録素子部は、上部コア層１６、下部コア層１２、記録ギャップ層１３、上部コア層１６と下部コア層１２との間に絶縁層１５を介して形成された第一の導体層１４とから構成される。
【００１５】
次に、本実施例における薄膜磁気ヘッドの製造工程の一例について説明する。まず、アルチックなどのセラミック材料からなる精密研磨された基板１上に、Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２等の高絶縁、非磁性材料からなる絶縁層２を、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法等を用いて１〜２μｍの厚みで成膜した後、第二の導体層３を、電解めっきを用いて２μｍ程度の厚みで形成する。このとき，第二の導体層３は記録媒体に対向する面に露出する様に形成してもよいが、耐食性等の観点から記録媒体に対向する面に露出しない方が望ましい。なお、第二の導体層３を形成する金属材料としては、例えばＣｕを用いる。
【００１６】
次に、第二の導体層３全体を、Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２等からなる絶縁膜２で覆って、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：化学機械研磨）等で平坦化した後、下部シールド層４を１〜３μｍ程度の厚みで形成する。下部シールド層４は、パーマロイやセンダスト等からなる軟磁性材料を、電解めっきを用いて積層する。
【００１７】
下部シールド層４の上にはＡｌ２Ｏ３等からなる下部絶縁層５をスパッタ成膜して、その上に各種磁性層を積層して形成される磁気抵抗型素子層６を所望のパターン形状に形成する。磁気抵抗効果型素子層６としては、異方性磁気抵抗効果型（ＡＭＲ）素子や、ＡＭＲ素子よりも再生出力の得られる巨大磁気抵抗効果型（ＧＭＲ）素子，トンネル磁気抵抗型素子（ＴＭＲ）等が用いられる。続いて、この磁気抵抗効果型素子層５の不要部分を、イオンミリングを用いて除去した後、磁気抵抗効果型素子層６を磁気的に安定させることを目的とするＣｏＣｒＰｔなどの硬磁性材料からなる磁区制御層７、磁気抵抗効果型素子層６に検出電流を供給するＡｕ、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｌなどの導電性材料を積層した電極層８を、磁気抵抗効果型素子層６の両端に順次形成する。
【００１８】
次に、Ａｌ２Ｏ３等からなる上部絶縁層９を積層する。そして、上部絶縁層９の上には、パーマロイ等の軟磁性材料からなる上部シールド層１０を、電解めっきで１〜３μｍの厚みで形成して、再生素子部が形成される。
【００１９】
次に、上部シールド層１０と下部コア層１２とを磁気的に分離するために、Ａｌ２Ｏ３やＳｉ０２等からなる絶縁層１１を形成する。そして、絶縁層１１の上に記録素子の磁気回路として機能する下部コア層１２を、電解めっきで３μｍ程度に形成する。下部コア層１２を構成する材料としては、パーマロイや高飽和磁束材料であるＣｏＮｉＦｅが用いられる。
【００２０】
次に、下部コア層９の上に，Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの絶縁膜を成膜して、記録ギャップ層１３を形成する。そして、上部コア層１６、記録ギャップ層１３、下部コア層１２とから構成される磁気回路に起磁力を与える機能を有するＣｕ等の導電性材料からなる第一の導体層１４を、螺旋形状に２μｍ程度の厚みでパターンめっきして形成した後、第一の導体層１４の全体を覆うようにして有機系レジスト材料からなる絶縁層１５を積層する。次に、絶縁層１５上に上部コア層１６を、フレームめっき法を用いて一括形成する。上部コア層１６を形成する磁性材料には、記録磁界を高めることを目的として、ＣｏＦｅＮｉ系の高飽和磁束材料を用いる。ここで、上部コア層１６は、フレームめっきにより一括形成する構成となっているが、狭トラック幅形成の観点から、上部コア層１６を、磁極として機能する第一の磁性層と、第一の導体層に電流を流すことにより生ずる起磁力を第一の磁性層に伝達する機能を有する第二の磁性層とに分けて形成してもよい。そして全体を保護層１７で覆って、本実施例の薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００２１】
ここで、本実施例では第二の導体層３が、基版１と下部シールド層４との間に絶縁層２に囲まれて形成された構成となっているが、図５に示すように、例えば上部シールド層１６上に絶縁層に囲まれて第二の導体層３を設けてもよい。さらに、図６に示すように、例えば基板１と下部シールド層４との間と、上部シールド層１６上に絶縁層に囲まれた位置とに、二つの第二の導体層を設けてもよい。第二の導体層は、第一の導体層に平行に位置することが好ましい。
【００２２】
すなわち、本発明に係る構成の薄膜磁気ヘッドは、上部コア層１６、記録ギャップ層１３、下部コア層１２とから構成される磁気回路に起磁力を与える機能を目的とする第一の導体層１４の他に、磁気回路に起磁力を与えず薄膜磁気ヘッドを熱変形させることを目的とした発熱体としての第二の導体層３が少なくとも一つ以上形成されていればよい。
【００２３】
次に図４−図６に示した薄膜磁気ヘッドが実際に動作する様子の一例を、図７を用いて説明する。図７は磁気ディスク装置内でスライダ１０２が記録媒体１０１上を浮上走行している様子を模式的に表したものである。
【００２４】
図７−（Ａ）は、環境温度２５℃で第二の導体層３に流れる電流量を０としたときにスライダ１０２が記録媒体１０１上を浮上走行している様子を表している。このとき第二の導体層３は発熱していないため、薄膜磁気ヘッドの熱変形は生じていない。つまり、（Ａ）は、理想の浮上量より高いことを示している。
【００２５】
次に図７−（Ｂ）に示すように、本発明は、まず図７−（Ａ）の状態から、第二の導体層３に電流を流し発熱させることで、媒体対向面１８を理想の浮上量となるまで記録媒体１０１に向かってあらかじめ突出させ、信号の読み出しを行う。これによって、環境温度の変化や信号の読み出しや書き込みのように条件が変わっても、第二の導体層３に流れる電流量を制御することにより、薄膜磁気ヘッドの熱変形による浮上量変動を抑制し、理想の浮上量を一定に保つことができる。
【００２６】
図７−（Ｃ）、７−（Ｄ）は環境温度６０℃という高温環境下で信号を読み出す際にスライダ１０２が記録媒体１０１上を浮上走行している様子を表している。具体的に、図７−（Ｃ）点線部は、第二の導体層３に流れる電流量を図７−（Ｂ）の電流量と同じにした場合の媒体対向面１８の様子を示している。また、図７−（Ｄ）は、第二の導体層３に流れる電流量を図７−（Ｂ）の状態の電流量に比べて小さくした場合の媒体対向面１８の様子を表している。
【００２７】
環境温度が上昇すると、薄膜磁気ヘッドの熱変形が大きくなるため、媒体対向面１８の変形量は、第二の導体層３の発熱に起因する分の変形量に、環境温度の上昇に起因する分の変形量が加算された量となる。この結果、環境温度が６０℃であるとき、図７−（Ｃ）点線部で示すように、媒体対向面１８の変形量が増加する。したがって浮上量は理想の浮上量より減少することになる。
【００２８】
そこで、本発明では、環境温度が６０℃のとき第二の導体層３に流れる電流量を図７−（Ｂ）の設定状態に比べて小さくすることで、環境温度の上昇に起因する変形量の増加分だけ第二の導体層３の発熱に起因する分の変形量を減少させる。この結果、媒体対向面１８の変形量を一定に保つことができる。したがって、図７−（Ｄ）に示すように環境温度が６０℃という高温環境下でも２５℃の場合と同等の浮上量を実現することが可能となる。
【００２９】
また、図７−（Ｅ）、図７−（Ｆ）は環境温度０℃という低温環境下で信号を読み出す際にスライダ１０２が記録媒体１０１上を浮上走行している様子を表している。図７−（Ｅ）点線部は第二の導体層３に流れる電流量を図７−（Ｂ）の電流量と同じにした場合の媒体対向面１８の様子、図７−（Ｆ）は第二の導体層３に流れる電流量を図７−（Ｂ）の電流量に比べて大きくした場合の媒体対向面１８の様子を表している。
【００３０】
環境温度が０℃のときには、今度は媒体対向面１８の変形量は、第二の導体層３の発熱に起因する分の変形量から、環境温度の低下に起因する分の変形量が差し引かれた量となる。この結果、図７−（Ｅ）点線部に示すように、図７−（Ｂ）の場合に比べて０℃の場合の方が媒体対向面１８の変形量が減少する。したがって、浮上量は理想の浮上量より増加することになる。
【００３１】
そこで、本発明で、環境温度が０℃のとき第二の導体層３に流れる電流量を図７−（Ｂ）の設定状態に比べて大きくすることで、環境温度の低下に起因する変形量の減少分だけ第二の導体層３の発熱に起因する分の変形量を増加させる。この結果、全体として媒体対向面１８の変形量を一定に保つことができる。したがって、図７−（Ｆ）に示すように環境温度が０℃という低温環境下でも２５℃のときと同等の浮上量を実現することが可能となる。
【００３２】
また、図７−（Ｇ）、図７−（Ｈ）は環境温度２５℃で信号書き込みを行うときに、スライダ１０２が記録媒体１０１上を浮上走行している様子を表している。図７−（Ｇ）点線部は、第二の導体層３に流れる電流量を信号読み出し時と書き込み時とで等しくした場合の媒体対向面１８の様子、図７−（Ｈ）は、第二の導体層３に流れる電流量が信号読み出し時に比べ書き込み時で小さくした場合の媒体対向面１８の様子を表している。
【００３３】
信号書き込み時には、第一の導体層１４の発熱により薄膜磁気ヘッドの熱変形が大きくなるため、媒体対向面１８の突出量は、第二の導体層３の発熱に起因する分の変形量に、第一の導体層１４の発熱に起因する分の変形量が加算された量となる。この結果、信号書き込み時では図７−（Ｇ）点線部で示すように、媒体対向面１８の変形量が増加する。したがって浮上量は減少することになる。
【００３４】
そこで、本発明では信号書き込み時には第二の導体層３に流れる電流量を、信号の読み出し時あるいは読み書き制御時以外の時より小さくすることで、第一の導体層１４の発熱に起因して増加した変形量分だけ第二の導体層３の発熱に起因する分の変形量を減少させる。この結果、媒体対向面１８の変形量は一定に保つことができる。したがって、図７−（Ｈ）に示すように、信号書き込み時でも読み出し時と同等の浮上量を実現することが可能となる。
【００３５】
さらに、例えば環境温度が６０℃あるいは０℃で信号を書き込む場合は、環境温度の変化に起因する分と第一の導体層１４の発熱に起因する分とを合わせた媒体対向面１８の変形量の増減分だけ第二の導体層３の発熱に起因する変形量を変化させるように第二の導体層３を流れる電流量を制御する。これにより，薄膜磁気ヘッドの熱変形による浮上量変動を抑制できる。
【００３６】
以上ように、構成された本実施例に係る薄膜磁気ヘッドを第二の実施例に示す磁気ディスク装置に搭載することで、磁気ディスク装置を使用する環境温度や第一の導体層の発熱に起因する薄膜磁気ヘッドの熱変形による影響を防止することができる。
【００３７】
次に、第一の実施例に係る薄膜磁気ヘッドを適用した、第二の実施例である磁気ディスク装置の基本構成の一例を図８と図９とを用いて説明する。　図８は磁気ディスク装置の主要部を模式的に表した平面図であり、図９はその断面図である。
【００３８】
記録媒体１０１は、モータ１００に直結され、情報の入出力時に回転する機能を有する。第一の実施例で開示した薄膜磁気ヘッドを備えるスライダ１０２は、アーム１０６を介してロータリアクチュエータ１０３に支持される。サスペンション１０８は、スライダ１０２を記録媒体１０１に所定の荷重で押しつける機能を有する。再生信号の処理及び情報の入出力には、所定の電気回路が必要であり、ケース１０７に主に取り付けられている。スライダ１０８は、ロータリアクチュエータ１０３の回転と共に記録媒体１０１面上を移動し、任意の場所に位置決めし、信号の書き込みならびに読み出し機能を実現する。
【００３９】
この動作を制御する回路は、信号処理回路および第二の導体層に流れる電流量を制御する回路と合わせて電気回路１０４を構成している。そして、第一実施例で開示した薄膜磁気ヘッドを構成する記録素子部および再生素子部により信号の書き込みおよび読み出しが行われる。なお、上述の第二の導体層に流れる電流量を制御する回路については、電気回路１０４とは別の電気回路に設けてもよい。
【００４０】
また、第二の導体層を流れる電流量を制御するために、例えば環境温度を計測するセンサ１０９を磁気ディスク装置内の設けてもよい。センサ１０９で計測された環境温度、あるいは書き込み及び読み出し動作の処理信号を基に、電気回路１０４は、第二の導体層を流れる電流量の制御を行う。
【００４１】
具体的には、環境温度に応じて、第二の導体層の電流量を変化させたり、第一の導体層に電流が流れるときに、第二の導体層の電流量を減少させたりする制御を行う。これにより、薄膜磁気ヘッドの熱変形による浮上量変動を抑制し、理想の浮上量を実現できる。
【００４２】
第一の実施例の薄膜磁気ヘッドを磁気ディスク装置に適用することで、１０ｎｍ以下の極低浮上領域でも信頼性の高い磁気ディスク装置を供給することが可能となる。
【００４３】
【発明の効果】
本発明によれば、磁気ディスク装置を使用する環境温度の変化や信号書き込み時の第一の導体層の発熱に起因する薄膜磁気ヘッドの熱変形による影響を防止でき、１０ｎｍ以下の極低浮上領域でも信頼性の高い磁気ディスク装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の薄膜磁気ヘッドが熱変形する様子を表した模式図
【図２】従来の薄膜磁気ヘッドが熱変形する様子を表した模式図
【図３】本発明の第一実施例の薄膜磁気ヘッド主要部の斜視概略図
【図４】本発明の第一実施例の薄膜磁気ヘッド主要部の断面概略図
【図５】本発明の第一実施例の薄膜磁気ヘッド主要部の断面概略図
【図６】本発明の第一実施例の薄膜磁気ヘッド主要部の断面概略図
【図７】磁気ディスク装置内でスライダが記録媒体上を浮上走行している様子の模式図
【図８】本発明の第二実施例の磁気ディスク装置主要部の平面概略図
【図９】本発明の第二実施例の磁気ディスク装置主要部の断面概略図
【符号の説明】
１　基板
２　絶縁層
３　第二の導体層
４　下部シールド層
５　下部絶縁層
６　磁気抵抗効果層
７　磁区制御層
８　電極層
９　上部絶縁層
１０　上部シールド層
１１　絶縁層
１２　下部コア層
１３　記録ギャップ層
１４　第一の導体層
１５　絶縁層
１６　上部コア層
１７　保護層
１８　媒体対向面
１００　モータ
１０１　記録媒体
１０２　スライダ
１０３　ロータリアクチュエータ
１０４　電気回路
１０５　電気配線
１０６　アーム
１０７　ケース
１０８　サスペンション
１０９　温度センサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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