(57)【要約】【課題】　レーザー感熱転写法によるOLEDデバイスの製造において色及び／又は均一性を改良すること。【解決手段】　OLEDデバイスの製造工程において基板上に有機発光体層を付着させる方法であって、（ａ）所望の放出スペクトルを示す有機発光体を有し、熱を受けて該基板へ転写する有機発光体層がコーティングされているドナー要素を用意し、（ｂ）該基板に対し、所定の間隔を置いて、材料転写関係をなすように該ドナー要素の被覆面を配置することにより減圧環境下で該発光体層を付着させるに際し、該所定の間隔を、該OLEDデバイスから放出される光のスペクトルが所望の放出スペクトルに含まれるように選定し、そして（ｃ）該ドナー要素を加熱することにより当該転写性層を転写させて当該有機発光デバイスの上に該発光体層を形成させることを特徴とする方法。【選択図】　　　図２ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
　OLEDデバイスの製造工程において基板上に有機発光体層を付着させる方法であって、
　ａ）所望の放出スペクトルを示す有機発光体を有し、熱を受けて該基板へ転写する有機発光体層がコーティングされているドナー要素を用意し、
　ｂ）該基板に対し、所定の間隔を置いて、材料転写関係をなすように該ドナー要素の被覆面を配置することにより減圧環境下で該発光体層を付着させるに際し、該所定の間隔を、該OLEDデバイスから放出される光のスペクトルが所望の放出スペクトルに含まれるように選定し、そして
　ｃ）該ドナー要素を加熱することにより当該転写性層を転写させて当該有機発光デバイスの上に該発光体層を形成させる
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
　該所定の間隔が４μｍ以上７５μｍ未満である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
　該所定の間隔が２５μｍ以上である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
　該有機発光体層がドーパント及びホスト材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
　アノード、カソード、有機発光体層及び該カソードと該有機発光体層との間に配置された電子輸送層を含むOLEDデバイスの製造方法であって、
　ａ）所望の放出スペクトルを示す有機発光体を有し、熱を受けて該OLEDの表面へ転写する有機発光体層がコーティングされているドナー要素を用意し、
　ｂ）減圧環境下、該アノードの上、又は該アノードの上にコーティングされた上層の上に対し、所定の間隔を置いて、材料転写関係をなすように該ドナー要素の被覆面を配置するに際し、該所定の間隔を、当該OLEDデバイス完成体から放出される光のスペクトルが所望の放出スペクトルに含まれるように選定し、そして
　ｃ）該ドナー要素をレーザー光で照射して該ドナー要素を加熱することにより当該転写性層を転写させて当該有機発光デバイスの上に該発光体層を形成させる
ことを特徴とする方法。
【請求項６】
　該所定の間隔が４μｍ以上７５μｍ未満である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
　該所定の間隔が２５μｍ以上である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
　該有機発光体層がドーパント及びホスト材料を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
　該有機発光体が可視スペクトルの青色領域に所望の放出スペクトルを有する、請求項５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、有機発光ダイオード（OLED）デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　赤、緑及び青の色画素のような着色画素（通常ＲＧＢ画素という。）を配列したカラー又はフルカラー有機電場発光(EL)ディスプレイにおいては、ＲＧＢ画素を形成するため発色性有機ＥＬ媒体を精密にパターン化する必要がある。基本的なＥＬデバイスは、共通要素として、アノード、カソード、及び該アノードと該カソードとに挟まれた有機ＥＬ媒体を含む。有機ＥＬ媒体は１又は２層以上の有機薄膜からなり、その層の一つが主として発光、すなわち電場発光を担う。この特定の層を、一般に有機ＥＬ媒体の発光層と称する。有機ＥＬ媒体中に存在する他の有機層は、主として電子輸送機能を提供することができ、（正孔輸送のための）正孔輸送層又は（電子輸送のための）電子輸送層と呼ばれる。フルカラー有機ＥＬディスプレイパネルのＲＧＢ画素を形成する際には、有機ＥＬ媒体の発光層又は有機ＥＬ媒体全体を精密にパターン化する方法を工夫する必要がある。
【０００３】
　典型的には、電場発光画素は、米国特許第５７４２１２９号に記載されているようなシャドーマスク技法によりディスプレイ上に形成される。この技法は有効であるが、いくつかの欠点がある。シャドーマスク技法では、解像度の高い画素サイズを達成することが困難である。さらに、画素が適切な位置に形成されるように基板とシャドーマスクとを整合させることが困難である。基板を大きくしたい場合には、整合工程の一部としてシャドーマスクを操作し適切な位置に画素を形成させることが一層困難となる。シャドーマスク技法のさらなる欠点は、マスクの孔が時間と共に目詰まりすることである。マスクの孔が目詰まりすると、ＥＬディスプレイ上に機能しない画素が形成され、望ましくない。
【０００４】
　米国特許第４７７２５８２号明細書及びその中の引用文献に教示されているように、従前より、画像をレーザー感熱式色素転写するためのドナー材料が知られている。この方式では、ドナーシートを使用し、レーザービームによりドナーから受容体へ色素を熱転写させることにより各色を転写する。この方式は、高画質化のために用いられているが、ＥＬ材料の転写を教示するものではない。
【０００５】
　高解像度有機ＥＬディスプレイをパターン化するのに好適な方法が、米国特許第５８５１７０９号(Grandeら)に記載されている。この方法は、（１）対向する第１表面及び第２表面を有する基板を用意し、（２）該基板の第１表面の上に透光性断熱層を形成し、（３）該断熱層の上に吸光層を形成し、（４）該基板に、該第２表面から該断熱層にまで延在する開口部の配列を設け、（５）該吸光層の上に転写可能な発色性有機ドナー層を形成し、（６）該基板の開口部とデバイス上の対応するカラー画素とが配向するように該ドナー基板をディスプレイ基板に対して精密にアラインし、そして（７）該ドナー基板上の有機層を該ディスプレイ基板に転写させるに十分な熱を該開口部上の吸光層に発生させるための輻射線源を使用する、という工程序列を含む。Grandeらの方法にまつわる問題は、ドナー基板上の開口部の配列をパターン化しなければならないことにある。このことは、ドナー基板とディスプレイ基板との間で精密に機械的にアラインメントしなければならないことをはじめとするシャドーマスク技法と同様の多くの問題を生ずる。さらに、ドナーのパターンが固定され、容易に変更できないという問題もある。
【０００６】
　Littman及びTangは、パターン化されていないドナーシートからＥＬ基板へ有機ＥＬ材料をパターン様式で転写する方法を教示している（米国特許第５６８８５５１号）。Wolkらの一連の特許（米国特許第６１１４０８８号、同第６１４０００９号、同第６２１４５２０号及び同第６２２１５５３号）は、ドナー要素の選ばれた部分をレーザービームで加熱することによりドナー要素から基板へＥＬデバイスの発光層を転写することができる方法を教示している。これらの特許明細書は、当該転写のためには、接触又はほぼ接触させることが好ましいことを教示している。ドナー要素と基板との間を接触させると、ドナー要素と基板とが粘着したり、ドナーから望ましくない不純物や粒状物が受容体へ転写したりするといった問題が生じる。
【０００７】
【特許文献１】米国特許第５７４２１２９号明細書
【特許文献２】米国特許第４７７２５８２号明細書
【特許文献３】米国特許第５８５１７０９号明細書
【特許文献４】米国特許第５６８８５５１号明細書
【特許文献５】米国特許第６１１４０８８号明細書
【特許文献６】米国特許第６１４０００９号明細書
【特許文献７】米国特許第６２１４５２０号明細書
【特許文献８】米国特許第６２２１５５３号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
　したがって、本発明の目的は、レーザー感熱転写法によるOLEDデバイスの製造において、色及び／又は均一性を改良することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
　上記の目的は、OLEDデバイスの製造工程において基板上に有機発光体層を付着させる方法であって、
　ａ）所望の放出スペクトルを示す有機発光体を有し、熱を受けて該基板へ転写する有機発光体層がコーティングされているドナー要素を用意し、
　ｂ）該基板に対し、所定の間隔を置いて、材料転写関係をなすように該ドナー要素の被覆面を配置することにより減圧環境下で該発光体層を付着させるに際し、該所定の間隔を、該OLEDデバイスから放出される光のスペクトルが所望の放出スペクトルに含まれるように選定し、そして
　ｃ）該ドナー要素を加熱することにより当該転写性層を転写させて当該有機発光デバイスの上に該発光体層を形成させる
ことを特徴とする方法によって達成される。
【発明の効果】
【００１０】
　本発明の有利な効果は、ドナー要素と基板との間の接触が原因となる問題がなくなることである。本発明は、真空蒸着された有機発光体層に一層適合する放出を提供するレーザー感熱転写法により調製された有機発光体層を形成する。本法のさらなる利点は、有機発光体層の均一性が改良されることである。本発明により製造されたOLEDデバイスは、電場発光強度が高い上、一層安定であることが見出された。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
　デバイスの構成要素の寸法、例えば層の厚さは、マイクロメートル以下の領域にある場合が多く、このため、図面の拡大割合は、寸法的な正確さよりも、むしろ見やすさを優先してなされていることに留意されたい。
【００１２】
　用語「ディスプレイ」又は「ディスプレイパネル」は、ビデオ画像又はテキストを電子的に表示することができるスクリーンをさす。用語「画素」は、当該技術分野で認識されている意味で使用され、ディスプレイパネルの一領域であって、他の領域とは独立に発光するように刺激され得る領域をさす。用語「OLEDデバイス」は、当該技術分野で認識されている意味で使用され、有機発光ダイオードを画素として含む表示装置をさす。カラーOLEDデバイスは、少なくとも１色の光を発する。用語「多色」は、異なる領域で異なる色相の光を発することができるディスプレイパネルをさし、具体的には、異なる色の画像を表示することができるディスプレイパネルをさす。これらの領域は必ずしも隣接しなくてもよい。用語「フルカラー」は、可視スペクトルの赤、緑及び青の各色域で発光し、任意の組合せの色相で画像を表示することができる多色ディスプレイパネルをさす。赤、緑及び青の各色は三原色を構成し、これらの三原色を適宜混合することにより他のすべての色を発生させることができる。用語「色相」は、可視スペクトル内の発光強度プロファイルをさし、異なる色相は視覚的に識別できる色差を示す。画素又は二次画素とは、一般に、ディスプレイパネルにおいてアドレス可能な最小単位をさす。モノクロディスプレイの場合、画素又は二次画素の間に区別はない。用語「二次画素」は、多色ディスプレイパネルにおいて使用され、特定の色を発光するために独立にアドレスすることができる画素の部分をさす。例えば、青色二次画素は、青光を発するためにアドレスすることができる画素の当該部分である。フルカラーディスプレイの場合、一つの画素が、三原色の二次画素、すなわち青、緑及び赤で構成されることが一般的である。用語「ピッチ」は、ディスプレイパネルにおける２つの画素又は二次画素を隔てる距離をさす。したがって、二次画素ピッチは、２つの二次画素間の分離を意味する。
【００１３】
　図１に、有機発光体層１８がコーティングされているドナー要素１０の構造の一態様を横断面図にて示す。ドナー１０要素は、最低限、軟質のドナー支持体要素１４を含み、それがドナー要素１０の非転写面３２を構成する。ドナー支持体要素１４は、少なくとも以下の要件を満たす数種の材料のいずれでできていてもよい。ドナー支持体要素は、片面が加圧された状態での光熱式転写工程に際して、また水蒸気のような揮発性成分を除去するために企図されるいかなる予備加熱工程に際しても、構造的団結性を維持できることが必要である。さらに、ドナー支持体は、片面上に比較的薄い有機ドナー材料のコーティングを受容し、このコーティングを、コーティングされた支持体の予想される保存期間内に劣化させることなく保持することができる必要もある。これらの要件を満たす支持体材料の例として、金属箔、当該支持体上のコーティングの転写性有機ドナー材料を転写させるために予測される支持体温度値よりも高いガラス転移温度を示す特定のプラスチック箔、及び繊維強化プラスチック箔が挙げられる。好適な支持体材料の選定は既知の工学的手法によることができるが、本発明の実施に有用なドナー支持体として構成されるときに、選ばれた支持体材料の特定の側面がさらなる検討に値することが認識されている。例えば、当該支持体が、転写性有機材料による予備コーティングの前に、多段階洗浄及び表面調製工程を必要とすることもあり得る。当該支持体材料が輻射線透過性材料である場合には、当該支持体の内部又は表面に輻射線吸収材料を含めると、適当なフラッシュランプからの輻射線フラッシュ又は適当なレーザーからのレーザー光を使用する時の当該ドナー支持体の加熱効果が高くなり、これに応じて転写性有機ドナー材料の当該支持体から基板への転写性が向上することとなり有利となり得る。
【００１４】
　ドナー支持体要素１４は、スペクトルの所定の部分の輻射線を吸収して熱を発生させることができる輻射線吸収層１６によって均一にコーティングされる。輻射線吸収性材料１６は、米国特許第５５７８４１６号明細書に記載されている色素のような色素、カーボンのような顔料又はニッケル、クロム、チタン、等のような金属を含むことができる。
【００１５】
　ドナー要素１０は、さらに有機発光体層１８を含む。有機発光体層１８は、熱を受けて基板へ転写されることができる転写性層である。当該熱は、直接適用されるか、又は輻射線吸収性材料１６へ適用された光によって発生させることができる。このように、ドナー支持体要素１４が非転写面３２を構成し、有機発光体層１８がドナー要素１０の被覆面３４を構成する。有機発光体層１８は、周知である１又は２種以上の有機発光体を含む。米国特許第４７６９２９２号及び同第５９３５７２１号に詳述されているように、有機ＥＬ要素の発光体又は発光層（LEL）は発光材料又は蛍光材料を含み、その領域において電子-正孔対が再結合する結果として電場発光が生じる。有機発光体は、単一材料で構成することもできるが、より一般的には、ホスト材料にゲスト化合物（複数可）、すなわちドーパント、をドーピングしてなり、そこで主として当該ドーパントから発光が生じ、その発光色にも制限はない。有機発光体に含まれるホスト材料は、後述する電子輸送性材料、後述する正孔輸送性材料、又は正孔-電子再結合を支援する別の材料、であることができる。ドーパントは、通常は高蛍光性色素の中から選ばれるが、リン光性化合物、例えば、国際公開第９８／５５５６１号、同第００／１８８５１号、同第００／５７６７６号及び同第００／７０６５５号に記載されているような遷移金属錯体も有用である。ドーパントは、ホスト材料に対して０．０１〜１０質量％の範囲内で塗被されることが典型的である。
【００１６】
　ドーパントとしての色素を選定するための重要な関係は、当該分子の最高被占軌道と最低空軌道との間のエネルギー差として定義されるバンドギャップポテンシャルの対比である。ホストからドーパント分子へのエネルギー伝達の効率化を図るためには、当該ドーパントのバンドギャップがホスト材料のそれよりも小さいことが必須条件となる。
【００１７】
　有機発光体を選定する場合に考慮すべき別の重要な事項は、得られたOLEDデバイス完成品の発光スペクトルが所望の放出スペクトルに含まれること、すなわち、デバイス完成品を活性化した時のスペクトルが適当であること、である。例えば、フルカラーOLEDデバイスの場合、第１の有機発光体が可視スペクトルの緑色領域において所望の放出スペクトルを有し、第２の有機発光体が可視スペクトルの青色領域において所望の放出スペクトルを有し、そして第３の有機発光体が可視スペクトルの赤色領域において所望の放出スペクトルを有することが一般的である。
【００１８】
　有用性が知られているホスト及び発光性分子として、米国特許第４７６９２９２号、同第５１４１６７１号、同第５１５０００６号、同第５１５１６２９号、同第５２９４８７０号、同第５４０５７０９号、同第５４８４９２２号、同第５５９３７８８号、同第５６４５９４８号、同第５６８３８２３号、同第５７５５９９９号、同第５９２８８０２号、同第５９３５７２０号、同第５９３５７２１号及び同第６０２００７８号に記載されているものが挙げられるが、これらに限定はされない。
【００１９】
　8-ヒドロキシキノリン及び類似の誘導体の金属錯体（下記構造式Ｅ）は、電場発光を支援することができる有用なホスト化合物の一種であり、特に、500 nmよりも長い波長の光（例、緑色、黄色、橙色及び赤色）を放出させるのに適している。
【００２０】
【化１】
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【００２１】
　上式中、Ｍは金属を表わし、ｎは１〜３の整数であり、そしてＺは、各々独立に、縮合芳香族環を２個以上有する核を完成する原子群を表わす。
　上記より、当該金属は１価、２価又は３価になり得ることが明白である。当該金属は、例えば、リチウム、ナトリウムもしくはカリウムのようなアルカリ金属、マグネシウムもしくはカルシウムのようなアルカリ土類金属、又はホウ素もしくはアルミニウムのような土類金属であることができる。一般に、有用なキレート化金属であることが知られているものであれば、１価、２価又は３価のいずれの金属でも使用することができる。
【００２２】
　Ｚは、その少なくとも一つがアゾール環又はアジン環である２個以上の縮合芳香族環を含有する複素環式核を完成する。必要であれば、当該２個の必須環に、脂肪族環及び芳香族環の双方を含む追加の環を縮合させてもよい。分子の嵩高さが機能向上を伴うことなく増大することを避けるため、通常は環原子の数を１８以下に維持する。
【００２３】
　以下、有用なキレート化オキシノイド系化合物の例を示す。
CO-1：アルミニウムトリスオキシン〔別名、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム(III)〕
CO-2：マグネシウムビスオキシン〔別名、ビス(8-キノリノラト)マグネシウム(II)〕
CO-3：ビス[ベンゾ{f}-8-キノリノラト]亜鉛(II)
CO-4：ビス(2-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)-μ-オキソ-ビス(2-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)
CO-5：インジウムトリスオキシン〔別名、トリス(8-キノリノラト)インジウム〕
CO-6：アルミニウムトリス(5-メチルオキシン)〔別名、トリス(5-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)〕
CO-7：リチウムオキシン〔別名、(8-キノリノラト)リチウム(I)〕
【００２４】
　9,10-ジ-(2-ナフチル)アントラセンの誘導体（下記構造式Ｆ）は、電場発光を支援することができる有用なホスト化合物の一種であり、特に、400 nmよりも長い波長の光（例、青色、緑色、黄色、橙色及び赤色）を放出させるのに適している。
【００２５】
【化２】
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【００２６】
　上式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は、各環上の１又は２以上の置換基であってそれぞれ下記のグループから独立に選ばれるものを表わす。
第１グループ：水素、又は炭素原子数１〜２４のアルキル；
第２グループ：炭素原子数５〜２０のアリール又は置換アリール；
第３グループ：アントラセニル、ピレニルまたはペリレニルの縮合芳香族環の完成に必要な４〜２４個の炭素原子；
第４グループ：フリル、チエニル、ピリジル、キノリニルその他の複素環式系の縮合芳香族環の完成に必要な炭素原子数５〜２４のヘテロアリール又は置換ヘテロアリール；
第５グループ：炭素原子数１〜２４のアルコキシルアミノ、アルキルアミノ又はアリールアミノ；及び
第６グループ：フッ素、塩素、臭素又はシアノ
【００２７】
　ベンズアゾール誘導体（下記構造式Ｇ）は、電場発光を支援することができる有用なホスト化合物の一種であり、特に、400 nmよりも長い波長の光（例、青色、緑色、黄色、橙色及び赤色）を放出させるのに適している。
【００２８】
【化３】
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【００２９】
　上式中、ｎは３〜８の整数であり、
　ＺはＯ、ＮＲ又はＳであり、
　Ｒ’は、水素、炭素原子数１〜２４のアルキル（例えば、プロピル、t-ブチル、ヘプチル、等）、炭素原子数５〜２０のアリールもしくはヘテロ原子置換型アリール（例えば、フェニル及びナフチル、フリル、チエニル、ピリジル、キノリニルその他の複素環式系）、ハロ（例、クロロ、フルオロ）、又は縮合芳香族環の完成に必要な原子群、であり、
　Ｌは、アルキル、アリール、置換アルキル又は置換アリールからなる結合ユニットであって、当該複数のベンズアゾール同士を共役的又は非共役的に連結させるものである。
　有用なベンズアゾールの一例として2,2’,2”-(1,3,5-フェニレン)トリス[1-フェニル-1H-ベンズイミダゾール]が挙げられる。
【００３０】
　望ましい蛍光性ドーパントには、アントラセン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、ルブレン、クマリン、ローダミン、キナクリドン、ジシアノメチレンピラン、チオピラン、ポリメチン、ピリリウム及びチアピリリウムの各化合物の誘導体並びにカルボスチリル化合物が包含される。以下、有用なドーパントの具体例を挙げるが、これらに限定はされない。
【００３１】
【化４】
2004134404.tif 000006
【化５】
2004134404.tif 000007
【化６】
2004134404.tif 000008
【化７】
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【００３２】
　その他の有機発光性材料として、高分子物質、例えば、譲受人共通の米国特許第６１９４１１９号Ｂ１（Wolkら）及びその中の文献に記載されているポリフェニレンビニレン誘導体、ジアルコキシ-ポリフェニレンビニレン、ポリ-パラ-フェニレン誘導体及びポリフルオレン誘導体、を使用することもできる。
【００３３】
　ドナー要素１０は、その他の層、例えば、後述する正孔輸送性材料又は電子輸送性材料を含むことができ、これは図示されていないが、有機発光体層１８の上の被覆層であることができる。
【００３４】
　正孔輸送性材料は、芳香族第三アミンのような化合物を含むことがよく知られている。芳香族第三アミンとは、少なくとも一つが芳香族環の環員である炭素原子にのみ結合している３価窒素原子を１個以上含有する化合物であると解される。一つの形態として、芳香族第三アミンはアリールアミン、例えば、モノアリールアミン、ジアリールアミン、トリアリールアミン又は高分子アリールアミンであることができる。トリアリールアミン単量体の例が、米国特許第３１８０７３０号(Klupfelら)に示されている。１以上のビニル基で置換された、及び／又は少なくとも一つの活性水素含有基を含む、その他の好適なトリアリールアミンが、米国特許第３５６７４５０号及び同第３６５８５２０号(Brantleyら)に記載されている。
【００３５】
　より好ましい種類の芳香族第三アミンは、米国特許第４７２０４３２号及び同第５０６１５６９号に記載されているような芳香族第三アミン部分を２個以上含有するものである。このような化合物には、下記構造式（Ａ）で表わされるものが含まれる。
【００３６】
【化８】
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【００３７】
　上式中、Ｑ1及びＱ2は各々独立に選ばれた芳香族第三アミン部分であり、そしてＧは、アリーレン、シクロアルキレン又は炭素-炭素結合のアルキレン基のような結合基である。一つの実施態様において、Ｑ1及びＱ2の少なくとも一方は、多環式縮合環構造体（例、ナフタレン）を含有する。Ｇがアリール基である場合、それはフェニレン部分、ビフェニレン部分又はナフタレン部分であることが便利である。
　構造式（Ａ）を満たし、かつ、２つのトリアリールアミン部分を含有する有用な種類のトリアリールアミンは、下記構造式（Ｂ）で表わされる。
【００３８】
【化９】
2004134404.tif 000011
【００３９】
　上式中、Ｒ1及びＲ2は、各々独立に、水素原子、アリール基もしくはアルキル基を表わすか、又は、Ｒ1及びＲ2は一緒にシクロアルキル基を完成する原子群を表わし、そして
　Ｒ3及びＲ4は、各々独立に、アリール基であってそれ自体が下記構造式（Ｃ）で示されるようなジアリール置換型アミノ基で置換されているものを表わす。
【００４０】
【化１０】
2004134404.tif 000012
【００４１】
　上式中、Ｒ5及びＲ6は各々独立に選ばれたアリール基である。一つの実施態様において、Ｒ5及びＲ6の少なくとも一方は、多環式縮合環構造体（例、ナフタレン）を含有する。
　別の種類の芳香族第三アミンはテトラアリールジアミンである。望ましいテトラアリールジアミンは、アリーレン基を介して結合された、構造式（Ｃ）で示したようなジアリールアミノ基を２個含む。有用なテトラアリールジアミンには、下記構造式（Ｄ）で表わされるものが含まれる。
【００４２】
【化１１】
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【００４３】
　上式中、Ａｒｅは各々独立に選ばれたアリーレン基、例えば、フェニレン又はアントラセン部分であり、
　ｎは１〜４の整数であり、そして
　Ａｒ、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9は各々独立に選ばれたアリール基である。
　典型的な実施態様では、Ａｒ、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9の少なくとも一つが多環式縮合環構造体（例、ナフタレン）である。
【００４４】
　上記構造式（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）の各種アルキル、アルキレン、アリール及びアリーレン部分も、各々それ自体が置換されていてもよい。典型的な置換基として、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、並びにフッ化物、塩化物及び臭化物のようなハロゲンが挙げられる。各種アルキル及びアルキレン部分は、典型的には約１〜６個の炭素原子を含有する。シクロアルキル部分は３〜約１０個の炭素原子を含有し得るが、典型的には、シクロペンチル、シクロヘキシル及びシクロヘプチルの環構造体のように、５個、６個又は７個の環炭素原子を含有する。アリール部分及びアリーレン部分は、通常はフェニル部分及びフェニレン部分である。
【００４５】
　正孔輸送層は、芳香族第三アミン化合物の単体又は混合物で形成することができる。具体的には、構造式（Ｂ）を満たすトリアリールアミンのようなトリアリールアミンを、構造式（Ｄ）が示すようなテトラアリールジアミンと組み合わせて使用することができる。トリアリールアミンをテトラアリールジアミンと組み合わせて使用する場合、後者を、トリアリールアミンと電子注入及び輸送層との間に挿入された層として配置する。以下、有用な芳香族第三アミンを例示する。
　1,1-ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)シクロヘキサン
　1,1-ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)-4-フェニルシクロヘキサン
　4,4’-ビス(ジフェニルアミノ)クアドリフェニル
　ビス(4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニル)-フェニルメタン
　N,N,N-トリ(p-トリル)アミン
　4-(ジ-p-トリルアミノ)-4’-[4(ジ-p-トリルアミノ)-スチリル]スチルベン
　N,N,N’,N’-テトラ-p-トリル-4,4’-ジアミノビフェニル
　N,N,N’,N’-テトラフェニル-4,4’-ジアミノビフェニル
　N-フェニルカルバゾール
　ポリ(N-ビニルカルバゾール)
　N,N’-ジ-1-ナフタレニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ジアミノビフェニル
　4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
　4,4”-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]-p-ターフェニル
　4,4’-ビス[N-(2-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
　4,4’-ビス[N-(3-アセナフテニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
　1,5-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ナフタレン
　4,4’-ビス[N-(9-アントリル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
　4,4”-ビス[N-(1-アントリル)-N-フェニルアミノ]-p-ターフェニル
　4,4’-ビス[N-(2-フェナントリル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
　4,4’-ビス[N-(8-フルオルアンテニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
　4,4’-ビス[N-(2-ピレニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
　4,4’-ビス[N-(2-ナフタセニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
　4,4’-ビス[N-(2-ペリレニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
　4,4’-ビス[N-(1-コロネニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
　2,6-ビス(ジ-p-トリルアミノ)ナフタレン
　2,6-ビス[ジ-(1-ナフチル)アミノ]ナフタレン
　2,6-ビス[N-(1-ナフチル)-N-(2-ナフチル)アミノ]ナフタレン
　N,N,N’,N’-テトラ(2-ナフチル)-4,4”-ジアミノ-p-ターフェニル
　4,4’-ビス{N-フェニル-N-[4-(1-ナフチル)-フェニル]アミノ}ビフェニル
　4,4’-ビス[N-フェニル-N-(2-ピレニル)アミノ]ビフェニル
　2,6-ビス[N,N-ジ(2-ナフチル)アミン]フルオレン
　1,5-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ナフタレン
【００４６】
　別の種類の有用な正孔輸送性材料として、欧州特許第１００９０４１号に記載されているような多環式芳香族化合物が挙げられる。オリゴマー材料をはじめとする、３個以上のアミン基を有する第三芳香族アミンを使用してもよい。さらに、ポリ(N-ビニルカルバゾール)(PVK)、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン及びPEDOT/PSSとも呼ばれているポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)／ポリ(4-スチレンスルホネート)のようなコポリマー、といった高分子正孔輸送性材料を使用することもできる。
【００４７】
　図２ａに、OLEDデバイスの製造プロセスにおいて、光処理法により、ドナー要素１０から基板３６の部分上へ、最小間隙を差し渡して有機発光体層１８を付着させる方法の横断面図を示す。基板３６は、ドナーから発光材料を受容する表面を提供する有機固体、無機固体又は有機固体と無機固体の混合物であることができる。基板３６は、硬質であっても軟質であってもよく、シートやウェハのような独立片として又は連続ロールとして処理されることができる。典型的な基板材料として、ガラス、プラスチック、金属、セラミック、半導体、金属酸化物、半導体酸化物、半導体窒化物又はこれらの組合せが挙げられる。基板３６は、材料の均質混合物、材料の複合材、又は材料の多層であることができる。基板３６は、OLED基板、すなわちOLEDデバイス製造用の一般的な基板、例えば、アクティブ型低温ポリシリコンTFT基板であることができる。基板３６は、所期の発光方向に依存して、透光性又は不透明であることができる。当該基板を通してＥＬ発光を観察する場合には、透光性が望まれる。このような場合には、一般に、透明なガラス又はプラスチックが用いられる。上部電極を通してＥＬ発光を観察する用途の場合には、底部支持体の透過性は問題とならないので、透光性であっても、吸光性であっても、また光反射性であってもよい。このような場合に用いられる基板として、ガラス、プラスチック、半導体材料、セラミックス、回路基板材料その他のOLEDデバイス（パッシブ型又はアクティブ型のいずれでもよい）の形成に汎用されているものが挙げられるが、これらに限定はされない。本工程の前に、基板３６に他の層を被覆してもよい。
【００４８】
　ドナー要素１０の被覆面３４が、基板３６に対し、材料転写関係をなすように配置されている。「材料転写関係」とは、有機発光体層１８から基板３６への有機発光体の転写が促進されるようにドナー要素１０と基板３６が配置されていることを意味する。ドナー要素１０の被覆面３４は、アノードの上、又はアノードの上にコーティングされた上層の上の、薄膜トランジスタ４０に対して、所定の間隔４４を置いて配置される。所定の間隔は、いくつかの方法で付与されることができる。図２ａの場合、所定の間隔４４が基板３６の構造によって付与されている。所定の間隔は、ドナー要素１０の構造によって付与されることもできる。例えば、譲受人共通の米国特許第５７１４３０１号明細書（Borosonら）に記載されているように、ドナー要素１０の表面にスペーサビーズを付加することにより、所定の間隔を設けることができる。
【００４９】
　ドナー要素１０は輻射線吸収層１６を具備して調製されており、そして所定の間隔４４が、薄膜トランジスタ４０と介在する隆起表面部分４２との構造によって維持される。別の態様として、所定の間隔４４を他の方法で、例えば、ドナー要素１０の被覆面３４の上にスペーサ要素を使用する方法で維持できることを理解されたい。この方法は、譲受人共通の米国特許出願第１０／０６０８３７号（出願日２００２年１月３０日；Mitchell S. Burberryら；発明の名称「Using Spacer Elements to Make Electroluminescent Display Devices」）に教示されており、その開示事項を本明細書の一部とする。所定の間隔の間隙は、平均自由行程が当該所定の間隔よりも大きくなる減圧環境下で維持される。このことは、当該間隙を横断する材料が何らかの残留気体と衝突する確率が低いことを意味する。一般に、これは１トル（約１３３Ｐａ）以下の圧力を意味する。レーザー光４８のパターンが、ドナー要素１０の非転写面３２を照明する。ドナー要素１０の輻射線吸収性層１６に当たるレーザー光４８の大部分が熱５０に変換されるが、これは、ドナー要素１０の選択的に照射された部分においてしか起こらない。このため、レーザー光４８の近傍におけるドナー要素１０の有機発光体層１８が加熱される。有機発光体層１８の加熱された部分の一部又は全部が気化転写により有機発光デバイス基板３６の受容面４６の上に転写され、パターン化転写された有機発光体層６４を形成する。気化転写とは、材料が個別分子又は小さな分子クラスターとして間隙を横断して輸送されるプロセスとして定義される。これには、昇華、気化及びアブレーションのようなプロセスが含まれ得る。有機発光体層１８は、明瞭化のため、単一層として図示されているが、それが本明細書に記載した多層コーティングを代表し得ることを理解されたい。
【００５０】
　図２ｂに、OLEDデバイスの製造プロセスにおいて、光処理法により、ドナー要素１０から基板３６の部分上へ、より大きな間隙を差し渡して有機発光体層１８を付着させる方法の横断面図を示す。この態様では、所定の間隔５４が、スペーサ要素５８により、及び薄膜トランジスタ４０の構造からの所定の間隔４４により、維持される。当該間隙は、平均自由行程が当該所定の間隔よりも大きくなる減圧環境下で維持される。このことは、当該間隙を横断する材料が何らかの残留気体と衝突する確率が低いことを意味する。一般に、これは１トル（約１３３Ｐａ）以下の圧力を意味する。レーザー光４８のパターンが、非転写面３２を照明する。レーザー光４８が輻射線吸収性層１６に当たると熱５０が発生する。このため、レーザー光４８の近傍における有機発光体層１８が加熱される。有機発光体層１８の加熱された部分の一部又は全部が気化転写により基板３６の受容面４６の上に転写され、パターン化転写された有機発光体層６４を形成する。有機発光体層１８は、明瞭化のため、単一層として図示されているが、それが本明細書に記載した多層コーティングを代表し得ることを理解されたい。
【００５１】
　図３に、本発明の方法により製造されたOLEDデバイスを示す。OLEDデバイス７０はアノード６２及びカソード６８を含む。OLEDデバイス７０は有機発光体層６４及び電子輸送層６６をも含む。電子輸送層６６はカソード６８と有機発光体層６４との間に配置される。
【００５２】
　導電性アノード層は、一般に、基板上に形成され、そしてEL発光を当該アノードを介して観察する場合には、当該発光に対して透明又は実質的に透明であることが必要である。本発明に用いられる一般的な透明アノード材料はインジウム錫酸化物（ITO）、インジウム亜鉛酸化物（IZO）及び酸化錫であるが、例示としてアルミニウム又はインジウムをドープした酸化亜鉛、マグネシウムインジウム酸化物及びニッケルタングステン酸化物をはじめとする他の金属酸化物でも使用することができる。これらの酸化物の他、アノード材料として、窒化ガリウムのような金属窒化物、セレン化亜鉛のような金属セレン化物、及び硫化亜鉛のような金属硫化物を使用することもできる。EL発光を上部電極を介して観察する用途の場合には、アノード材料の透過性は問題とならず、透明、不透明又は反射性を問わずいずれの導電性材料でも使用することができる。このような用途向けの導体の例として、金、イリジウム、モリブデン、パラジウム及び白金が挙げられるが、これらに限定はされない。典型的なアノード材料は、透過性であってもそうでなくても、４．１ｅＶ以上の仕事関数を有する。望ましいアノード材料は、一般に、蒸発法、スパッタ法、化学的気相成長(CVD)法又は電気化学法のような適当な手段のいずれによっても付着することができる。アノード材料は、周知のフォトリソグラフ法によってパターン化することもできる。任意ではあるが、他の層を適用する前に、表面粗さを低減して短絡を極力抑え、又は反射性を高めるため、アノードに研磨処理を施すこともできる。
【００５３】
　アノードを介して発光させる場合には、カソード材料は、ほとんどすべての導電性材料を含んでなることができる。望ましい材料は、下部の有機層との良好な接触が確保されるよう良好なフィルム形成性を示し、低電圧での電子注入を促進し、かつ、良好な安定性を有する。有用なカソード材料は、低仕事関数金属（＜４．０ｅＶ）又は合金を含むことが多い。好適なカソード材料の１種に、米国特許第４８８５２２１号明細書に記載されているMg:Ag合金（銀含有率１〜２０％）を含むものがある。別の好適な種類のカソード材料として、低仕事関数金属又は金属塩の薄層に、これより厚い導電性金属の層をキャップしてなる二層形が挙げられる。このようなカソードの一つに、米国特許第５６７７５７２号明細書に記載されている、LiF薄層にこれより厚いAl層を載せてなるものがある。その他の有用なカソード材料として、米国特許第５０５９８６１号、同第５０５９８６２号及び同第６１４０７６３号明細書に記載されているものが挙げられるが、これらに限定はされない。
【００５４】
　カソードを介して発光を観察する場合には、当該カソードは透明又はほぼ透明でなければならない。このような用途の場合、金属が薄くなければならないか、又は透明導電性酸化物もしくはこれら材料の組合せを使用しなければならない。透光性カソードについては、米国特許第４８８５２１１号、米国特許第５２４７１９０号、JP3,234,963、米国特許第５７０３４３６号、米国特許第５６０８２８７号、米国特許第５８３７３９１号、米国特許第５６７７５７２号、米国特許第５７７６６２２号、米国特許第５７７６６２３号、米国特許第５７１４８３８号、米国特許第５９６９４７４号、米国特許第５７３９５４５号、米国特許第５９８１３０６号、米国特許第６１３７２２３号、米国特許第６１４０７６３号、米国特許第６１７２４５９号、欧州特許第１０７６３６８号、米国特許第６２７８２３６号及び米国特許第６２８４３９３号に詳しく記載されている。カソード材料は、蒸発法、スパッタ法又は化学的気相成長法により付着させることができる。必要な場合には、例えば、マスク介在蒸着法、米国特許第５２７６３８０号及び欧州特許出願公開第０７３２８６８号明細書に記載の一体型シャドーマスク法、レーザーアブレーション法及び選択的化学的気相成長法をはじめとする多くの周知の方法により、パターンを形成させてもよい。
【００５５】
　本発明の電子輸送性層６６に使用するのに好ましい電子輸送性材料は、オキシン（通称8-キノリノール又は8-ヒドロキシキノリン）それ自体のキレートをはじめとする金属キレート化オキシノイド系化合物である。このような化合物は、電子の注入及び輸送を助長し、しかも高い性能レベルを示すと共に、薄膜への加工が容易である。企図されるオキシノイド系化合物の例は、既述の構造式（Ｅ）を満たす化合物である。
【００５６】
　その他の電子輸送性材料として、米国特許第４３５６４２９号に記載されている各種ブタジエン誘導体、及び米国特許第４５３９５０７に記載されている各種複素環式蛍光増白剤が挙げられる。既述の構造式（Ｇ）を満たすベンズアゾールも有用な電子輸送性材料となる。電子輸送性材料としては、トリアジンも有用であることが知られている。
【００５７】
　その他の電子輸送性材料として、高分子物質、例えば、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ-パラ-フェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリチオフェン、ポリアセチレンその他の導電性高分子有機材料、例えば、譲受人共通の米国特許第６２２１５５３号及びその中の文献に記載されているもの、を使用することもできる。
【００５８】
　場合によっては、単一の層に発光と電子輸送の両方を支援する機能を発揮させること、したがって発光性材料と電子輸送性材料とを含めること、が可能である。
【００５９】
　図４に、本発明によるOLEDデバイスの製造方法において有機発光体層を基板上に付着させる方法に含まれる全工程を示すブロック図を示す。最初に、ドナー要素１０を調製する（工程２００）。基板３６の上にスペーサ要素（複数可）５８を配置する（工程２０２）。次いで、スペーサ要素５８の上にドナー要素１０を配置する（工程２０４）。その後、レーザー光４８を使用して、ドナー要素１０から基板３６へ有機発光体層１８を光熱式転写させる（工程２０６）。このプロセスについて、後述する実施例において、さらに詳しく説明する。
【実施例】
【００６０】
　本発明とその利点は以下の比較例により一層良好に認識することができる。
　ドナー要素例１（青色ドナー要素）
　本発明の構成要件を満たすドナー要素を以下のように構築した。
　１）厚さ７５μｍのポリスルホン（UDEL）ドナー基板の上に、クロムからなる厚さ３０ｎｍの吸収層を真空蒸着した。
　２）該クロム層の上に、独立した２つの蒸発用ボートから、１．２５％のテトラ-t-ブチル-ペリレン（TBP）を含む2-t-ブチル-9,10-ビス(2-ナフチル）アントラセン（TBADN）からなる厚さ２０ｎｍの層を真空蒸着した。
【００６１】
　ドナー要素例２（赤色ドナー要素）
　本発明の構成要件を満たすドナー要素を、ドナー要素例１について記載した方法において工程２）を以下のように実施したことを除き、同様に構築した。
　２）該クロム層の上に、独立した３つの蒸発用ボートから、４９％のTBADN、４９％のトリス(8-ヒドロキシキノリン）アルミニウム（ALQ）及び２％の4-(ジシアノメチレン)-2-t-ブチル-6-(1,1,7,7-テトラメチルジュロリジル-9-エニル）-4H-ピラン（DCJTB）からなる全体の厚さ２０ｎｍの層を真空蒸着した。
【００６２】
　ドナー要素例３（緑色ドナー要素）
　本発明の構成要件を満たすドナー要素を、ドナー要素例１について記載した方法において工程２）を以下のように実施したことを除き、同様に構築した。
　２）該クロム層の上に、独立した２つの蒸発用ボートから、２％の緑色ドーパントＩを含むTBADNからなる厚さ２０ｎｍの層を真空蒸着した。
【００６３】
　緑色ドーパントＩ：
【化１２】
2004134404.tif 000014
【００６４】
　OLEDデバイス例１
　比較用のOLEDデバイスを以下のように構築した。
　１）清浄なガラスOLED基板上に、厚さ４０〜８０ｎｍのインジウム錫酸化物の透明電極を真空蒸着した。
　２）得られた表面にプラズマ酸素エッチング処理を施し、次いで、厚さ〜０．１ｎｍのCFxをプラズマ蒸着した。
　３）その表面に、厚さ１７０ｎｍのNPBからなる正孔輸送層を真空蒸着した。
　４）ドナー要素例１で調製したドナー要素を、NPB層の上に配置し、そしてカバーガラスの助けを借りて真空（１×１０-3トル）を使用して密着保持した。OLED基板の放出が望まれる領域に、出力６Ｗの赤外レーザービームをポリスルホン基板を通して照射することによりドナー要素から発光性材料を転写させた。ビームの大きさは、強度点１／ｅ2に対して約１４μｍ×５ｍｍとした。ビームは、ビームの長手寸法に垂直な方向に０．１４４ｍ／秒で走査した。走査間の走査方向に垂直な方向にビーム幅を並進させることにより、連続刈幅を露出した。
　５）発光層の上に、トリス（8-ヒドロキシキノリン）アルミニウム（ALQ）の厚さ３５ｎｍの電子輸送層を真空蒸着した。
　６）電子輸送層の上に、真空蒸着法で厚さ２０ｎｍの銀と厚さ２００ｎｍのマグネシウムを共蒸着することにより、電極を形成した。
　７）ガラスの被覆面上に金属製カバープレートを封止することにより、蒸着した層を封入した。
【００６５】
　OLEDデバイス例２
　本発明の構成要件を満たすOLEDデバイスを、OLEDデバイス例１について記載した方法において、工程４）で使用したドナー要素を、当該NPB層から、電極領域における転写を可能ならしめる２ｍｍ×２ｍｍの開口部を有する１０μｍのシムストック（shim stock）によって隔離したことを除き、同様に構築した。
【００６６】
　OLEDデバイス例３〜５
　本発明の構成要件を満たすOLEDデバイスを、OLEDデバイス例２について記載した方法において、使用するシムストックの厚さをそれぞれ２５μｍ、６８μｍ及び１２５μｍとしたことを除き、同様に調製した。
【００６７】
　OLEDデバイス例６
　蒸発型の比較用OLEDデバイスを以下のように構築した。
　１）清浄な平坦なガラスOLED基板上に、厚さ４０〜８０ｎｍのインジウム錫酸化物の透明電極を真空蒸着した。
　２）得られた表面にプラズマ酸素エッチング処理を施し、次いで、厚さ〜０．１ｎｍのCFxをプラズマ蒸着した。
　３）その表面に、厚さ１４０ｎｍのNPBからなる正孔輸送層を真空蒸着した。
　４）NPB層の上に、１．２５％のTBPを含むTBADNからなる厚さ２０ｎｍの層を、独立した２つの蒸発用ボートから真空蒸着した。
　５）発光層の上に、トリス（8-ヒドロキシキノリン）アルミニウム（ALQ）の厚さ３５ｎｍの電子輸送層を真空蒸着した。
　６）電子輸送層の上に、真空蒸着法で厚さ２０ｎｍの銀と厚さ２００ｎｍのマグネシウムを共蒸着することにより、電極を形成した。
　７）ガラスの被覆面上に金属製カバープレートを封止することにより、蒸着した層を封入した。
【００６８】
　OLEDデバイス例７
　蒸発型の比較用OLEDデバイスを、OLEDデバイス例６について記載した方法において、工程１）で使用した基板を、電極領域に１μｍのフォトレジストウェルを有するOLED基板としたことを除き、同様に構築した。
【００６９】
　デバイスの試験は、構築したOLEDデバイスに、プログラム可能な電源で２０ｍＡの一定電流を流すことからなるものとした。光出力は、フォト・リサーチ（Photo Research）ＰＲ６５０分光光度計でモニターした。初期放射輝度並びにＣＩＥ色座標ｘ及びｙを記録した。さらに、デバイスの試験は、構築したOLEDデバイスに一定電流を流し、得られた電場発光の顕微鏡写真を記録して転写の均一性を測定することからなるものとした。間隙０で転写されたデバイスは、発光パターンにおいて干渉様縞（フリンジ）からなる不均一性を示した。これらのパターンを「強い」、「中位」又は「なし」と判定した。結果を表１に示す。
【００７０】
【表１】
2004134404.tif 000015
【００７１】
　OLEDデバイス例８
　比較用OLEDデバイスを、OLEDデバイス例１について記載した方法において、工程４）で、ドナー要素例２で調製したドナー要素を使用したことを除き、同様に構築した。
【００７２】
　OLEDデバイス例９
　本発明の構成要件を満たすOLEDデバイスを、OLEDデバイス例８について記載した方法において、工程４）で使用したドナー要素を、当該NPB層から、電極領域における転写を可能ならしめる２ｍｍ×２ｍｍの開口部を有する１０μｍのシムストックによって隔離したことを除き、同様に構築した。
【００７３】
　OLEDデバイス例１０〜１２
　本発明の構成要件を満たすOLEDデバイスを、OLEDデバイス例９について記載した方法において、使用するシムストックの厚さをそれぞれ２５μｍ、６８μｍ及び１２５μｍとしたことを除き、同様に調製した。
【００７４】
　デバイスの試験は、構築したOLEDデバイスに一定電流を流し、得られた電場発光の顕微鏡写真を記録して転写の均一性を測定することからなるものとした。間隙０で転写されたデバイスは、発光パターンにおいて干渉様縞（フリンジ）からなる不均一性を示した。これらのパターンを「強い」、「中位」又は「なし」と判定した。結果を表２に示す。
【００７５】
【表２】
2004134404.tif 000016
【００７６】
　OLEDデバイス例１３
　比較用OLEDデバイスを、OLEDデバイス例１について記載した方法において、工程４）で、ドナー要素例３で調製したドナー要素を使用したことを除き、同様に構築した。
【００７７】
　OLEDデバイス例１４
　本発明の構成要件を満たすOLEDデバイスを、OLEDデバイス例１３について記載した方法において、工程４）で使用したドナー要素を、当該NPB層から、電極領域における転写を可能ならしめる２ｍｍ×２ｍｍの開口部を有する１０μｍのシムストックによって隔離したことを除き、同様に構築した。
【００７８】
　OLEDデバイス例１５〜１７
　本発明の構成要件を満たすOLEDデバイスを、OLEDデバイス例１４について記載した方法において、使用するシムストックの厚さをそれぞれ２５μｍ、６８μｍ及び１２５μｍとしたことを除き、同様に調製した。
【００７９】
　デバイスの試験は、構築したOLEDデバイスに一定電流を流し、得られた電場発光の顕微鏡写真を記録して転写の均一性を測定することからなるものとした。間隙０で転写されたデバイスは、発光パターンにおいて干渉様縞（フリンジ）からなる不均一性を示した。これらのパターンを「強い」、「中位」又は「なし」と判定した。結果を表３に示す。
【００８０】
【表３】
2004134404.tif 000017
【００８１】
　結果
　青色については、ｘとｙが共に低下すると、色が改良される。表１のデータは、間隙が増大するにつれて実際に青色が改良されたことを示している。このことは、所定の間隔として４μｍ以上を選定することにより、放出スペクトルが改良され得ることを示唆している。所定の間隔は、当該OLEDデバイスから放出される光のスペクトルが所望の放出波長に含まれるように、選定することができる。間隙の増大に伴ない、赤色及び緑色のセルが色を認識できるほど変化することはなかった。
【００８２】
　間隙０で転写された青、赤及び緑の各デバイスは、電場発光パターンにおいて干渉様縞（フリンジ）を示した。これらは、不規則さによって誘発されたドナーと受容体との間の小さなスペース変動を反映する地形的輪郭に対応するようである。間隙が大きいほど、フリンジの程度は小さくなる。間隙が１０μｍより大きくなると、フリンジパターンはほとんど又はまったく示されなかった。このことは、所定の間隔として２５μｍ以上を選定することにより、均一性が改良され得ることを示唆している。所定の間隔の上限は、有機発光体層６４が基板３６の上で所望の位置以外の位置に分散することによって定められる。このような上限は７５μｍ程度である。
【００８３】
　本発明は、間隙を増加させると、ドナー上の異なる位置から転写されてくる材料の空間分布及び到達時間が平均化されることにより、転写の均一性が向上するものと推測する。レーザー転写プロセスは複雑で、様々な材料の発光層を各種様式で生ぜしめ得る。例えば、青色発光セルは、AlQ３状態へのエネルギー移動が発熱性であるため、望ましくない緑色放出を受けやすい。間隙が増加することによる均一性及び形態的な変化は、再結合中心の分布を生ぜしめ、望ましくない緑色を減少させ得る。赤色セルは、赤色ドーパントのエネルギー準位がAlq３の緑色状態よりも低いため、望ましくない緑色放出を受けにくい。緑色セルにおいては、Alq３からの放出は、実際上、緑色発光層と区別することができない。赤色、緑色及び青色のすべてのセルにおいて、電場発光に含まれるフリンジ様アーチファクトの再検出において観測されるように、間隙の増加により放出の均一性が一層高くなった。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明により製造されたドナー要素の構造の一態様を示す略横断面図である。
【図２ａ】光処理法により、ドナーから基板へ、最小間隙を差し渡し有機材料を転写することを示す略横断面図である。
【図２ｂ】光処理法により、ドナーから基板へ、より大きな間隙を差し渡し有機材料を転写することを示す略横断面図である。
【図３】本発明により製造されたOLEDデバイスを示す略横断面図である。
【図４】有機発光体層を基板上に付着させることに含まれる全工程を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００８５】
１０…ドナー要素
１４…ドナー支持体要素
１６…輻射線吸収層
１８、６４…有機発光体層
３０…有機材料
３２…非転写面
３４…被覆面
３６…基板
４０…薄膜トランジスタ
４２…隆起表面部分
４４、５４…所定の間隔
４６…受容面
４８…レーザー光
５０…熱
５８…スペーサ要素
６２…アノード
６６…電子輸送層
６８…カソード
７０…OLEDデバイス
【図１】
2004134404.tif 000018
【図２ａ】
2004134404.tif 000019
【図２ｂ】
2004134404.tif 000020
【図３】
2004134404.tif 000021
【図４】
2004134404.tif 000022