(57)【要約】【課題】安定した高周波信号を得るとともに、集積化に適する高周波重畳回路を提供する。【解決手段】所定周波数で発振する発振回路と、前記発振回路から出力される発振信号を増幅する増幅回路と、を備え、前記増幅回路から出力される増幅信号を所定値の直流電流に重畳させてレーザー素子に供給する高周波重畳回路であって、前記発振回路は、反転位相を有する１対の発振信号を出力する出力回路を有し、前記増幅回路は、前記１対の発振信号が供給される差動増幅回路と、前記差動増幅回路の出力が供給されるプッシュプル回路と、を有することを特徴とする。【選択図】      図１
2004349598.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定周波数で発振する発振回路と、前記発振回路から出力される発振信号を増幅する増幅回路と、を備え、前記増幅回路から出力される増幅信号を所定値の直流電流に重畳させてレーザー素子に供給する高周波重畳回路であって、
前記発振回路は、反転位相を有する１対の発振信号を出力する出力回路を有し、
前記増幅回路は、前記１対の発振信号が供給される差動増幅回路と、前記差動増幅回路の出力が供給されるプッシュプル回路と、を有することを特徴とする高周波重畳回路。
【請求項２】
前記差動増幅回路は、前記１対の発振信号の振幅を調整するための定電流源と出力抵抗と、を有することを特徴とする請求項１記載の高周波重畳回路。
【請求項３】
前記差動増幅回路および前記プッシュプル回路は、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタで構成されることを特徴とする請求項１または２記載の高周波重畳回路。
【請求項４】
前記プッシュプル回路の出力が供給されるエミッタフォロワ出力回路をさらに有することを特徴とする請求項３記載の高周波重畳回路。
【請求項５】
前記プッシュプル回路の出力が供給される単一のＮＰＮ型バイポーラトランジスタからなるコレクタ出力回路をさらに有することを特徴とする請求項３記載の高周波重畳回路。
【請求項６】
高周波重畳回路の電源電圧が所定電圧まで上昇したとき、前記プッシュプル回路の入力電流の上昇を防止する消費電流低減回路を、備えたことを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の高周波重畳回路。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れかに記載の高周波重畳回路を集積化したことを特徴とする集積回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波重畳回路および集積回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ディスク（ＤＶＤ、ＤＶＤ−Ｒ／ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＯＭ等）に記録されている情報を再生する場合、光ピックアップを構成するレーザーダイオードが光ディスクにレーザー光を照射し、その後、光ピックアップを構成する受光ダイオードが光ディスクから反射光を受光し、当該反射光の変調成分を電気信号に変換することによって再生信号を出力する。
【０００３】
尚、上記のレーザーダイオードとしては、単一の波長のレーザー光を発光するシングルモード用、複数の波長のレーザー光を発光するマルチモード用がある。シングルモード用のレーザーダイオードの場合、汎用性を有する反面、光ディスクの戻り光で誘起されるレーザーノイズが再生信号に重畳することによって、光ディスク駆動装置におけるジッターを悪化させる。一方、マルチモード用のレーザーダイオードの場合、レーザーノイズを防止する反面、高価で汎用性に欠ける。そこで、シングルモード用のレーザーダイオードが立上り動作および立下り動作の過渡期において複数の波長のレーザー光を発光する特性を利用し、即ち、シングルモード用のレーザーダイオードを高周波信号でオンオフし、汎用性を有するシングルモード用のレーザーダイオードをマルチモード用のレーザーダイオードとして擬似的に使用可能とする高周波重畳技術（例えば、特許文献１参照）がある。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−６７７０４号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の高周波重畳回路は、高周波信号の振幅を調整するための共振回路を発振回路とともに備えることとなるため、外付部品が増加して集積化には適さない問題があった。更に、共振回路の特性がばらつくため、安定した高周波信号を得ることができない問題があった。そこで、本発明は、安定した高周波信号を得ることができ、集積化に適する高周波重畳回路を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するための発明は、所定周波数で発振する発振回路と、前記発振回路から出力される発振信号を増幅する増幅回路と、を備え、前記増幅回路から出力される増幅信号を所定値の直流電流に重畳させてレーザー素子に供給する高周波重畳回路であって、前記発振回路は、反転位相を有する１対の発振信号を出力する出力回路を有し、前記増幅回路は、前記１対の発振信号が供給される差動増幅回路と、前記差動増幅回路の出力が供給されるプッシュプル回路と、を有することを特徴とする。この高周波重畳回路によれば、差動増幅回路とプッシュプル回路は１対の素子で構成され且つバランスよく動作するため、集積化に適する効果を奏する。
【０００７】
また、かかる高周波重畳回路において、前記差動増幅回路は、前記１対の発振信号の振幅を調整するための定電流源と出力抵抗と、を有することを特徴とする。この高周波重畳回路によれば、差動増幅回路を構成する定電流源と出力抵抗の値に応じて１対の発振信号の振幅を調整できるため、安定した高周波信号を得ることができ、更に集積化に適する効果を奏する。
【０００８】
また、かかる高周波重畳回路において、前記差動増幅回路および前記プッシュプル回路は、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタで構成されることを特徴とする。この高周波重畳回路によれば、低電圧で駆動できるため、携帯用の電子機器に適する。更に、高い遮断周波数（例えば４ＧＨｚ〜６ＧＨｚ）を得ることができるため、高い周波数（例えば３００ＭＨｚ〜５００ＭＨｚ）を有する発振信号の振幅を十分増幅できる効果を奏する。
【０００９】
また、かかる高周波重畳回路において、前記プッシュプル回路の出力が供給されるエミッタフォロワ出力回路をさらに有することを特徴とする。この高周波増幅回路によれば、電力消費量を低減できる効果を奏する。一方、かかる高周波重畳回路において、前記プッシュプル回路の出力が供給される単一のＮＰＮ型バイポーラトランジスタからなるコレクタ出力回路をさらに有することとしてもよい。この高周波重畳回路によれば、低電圧で駆動される場合であっても、広いダイナミックレンジを有する増幅回路を提供できる効果を奏する。
【００１０】
また、かかる高周波重畳回路において、高周波重畳回路の電源電圧が所定電圧まで上昇したとき、前記プッシュプル回路の入力電流の上昇を防止する消費電流低減回路を、備えたことを特徴とする。この高周波重畳回路によれば、電力消費量を低減できるため、携帯用の電子機器に適する効果を奏する。
更に、上記の高周波重畳回路を集積化した集積回路も実現可能である。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本明細書及び添付図面の記載により、少なくとも以下の事項が明らかとなる。
【００１２】
＝＝＝高周波重畳回路の全体構成＝＝＝
図１および図２を参照しつつ、本発明の高周波重畳回路の全体構成について説明する。図１は、本発明の高周波重畳回路の全体構成を説明するための回路ブロック図である。図２は、レーザーダイオード（レーザー素子）の特性を説明するための特性図である。尚、本実施形態では、他励発振型のシングルモード用のレーザーダイオードを使用することとする。
【００１３】
シングルモード用のレーザーダイオード２は、立上り動作および立下り動作の過渡期の特性を利用して、高周波数（例えば３００ＭＨｚ〜５００ＭＨｚ）でオンオフすることによって、複数の波長を有するレーザー光を発光するマルチモード用のレーザーダイオードとして使用される。発振回路４は、レーザーダイオード２を上記の高周波数でオンオフするための発振周波数（例えば３００ＭＨｚ〜５００ＭＨｚ）を有し、且つ、反転位相を有する１対の発振信号を出力するものである。
なお、発振回路４の構成として、定電流源の電流値とコンデンサの容量値で発振周波数を決定するエミッタ接合型バイブレータを使用することができる。この場合、エミッタ接合型バイブレータは、１対の素子でバランスよく動作するため、集積化に適することとなる。
【００１４】
増幅回路６は、発振回路４から出力される１対の発振信号の振幅を増幅するものである。増幅回路６は、１対の振幅信号が供給される差動増幅回路と、差動増幅回路の出力が供給されるプッシュプル回路と、を有する。消費電流低減回路８は、高周波重畳回路の電源電圧ＶＣＣが所定電圧まで上昇したとき、増幅回路６を構成するプッシュプル回路の入力電流の上昇を防止して、増幅回路６の消費電流を一定とするものである。出力回路１０は、増幅回路６から出力される高周波数の増幅信号を、電力効率、ダイナミックレンジ等を考慮した状態で出力するものである。カップリングコンデンサ１２は、出力回路１０から出力される増幅信号の交流成分のみを通過させるものである。従って、増幅信号の交流成分は、定電流源１４の直流電流と重畳されてレーザーダイオード２のアノードに供給される。これにより、レーザーダイオード２が高周波数で継続してオンオフし、複数の波長を有するレーザー光が光ディスクに照射されることとなる。尚、定電流源１４から供給される直流電流は、レーザーダイオード２が発振を開始する一点鎖線の動作電流（発振開始電流）に設定される。また、カップリングコンデンサ１２を通過する交流成分は、この発振開始電流に重畳する。従って、レーザーダイオード２は、発振開始電流をバイアスとして動作し、交流値が発振開始電流より大のときにオンし、交流値が発振開始電流より小のときにオフする。これにより、レーザーダイオード２は、交流値に応じて断続的に発光することとなる。
【００１５】
＝＝＝高周波重畳回路の回路例＝＝＝
１．エミッタフォロワ出力型
≪回路構成≫
図３を参照しつつ、本発明の高周波重畳回路の回路例について説明する。図３は、本発明の高周波重畳回路の一回路例を説明するための回路図である。
発振回路４は、電源電圧ＶＣＣと接地ＧＮＤとの間に接続され、出力回路１０２から、レーザーダイオード２を上記の高周波数でオンオフするための発振周波数（例えば３００ＭＨｚ〜５００ＭＨｚ）を有し、且つ、反転位相を有する１対の発振信号を出力する。
【００１６】
増幅回路６は、発振回路４から出力される１対の発振信号が供給される差動増幅回路１０４と、差動増幅回路１０４の出力電流が供給されるプッシュプル回路１０６と、を有する。詳述すると、差動増幅回路１０４は、差動接続されるトランジスタ１０８、１１０と、出力抵抗１１２、１１４と、定電流源１１６と、を有する。トランジスタ１０８、１１０は、反転位相を有する１対の発振信号がベースに供給されて相補的に動作するものである。出力抵抗１１２、１１４は、電源電圧ＶＣＣとトランジスタ１０８、１１０のコレクタとの間に接続され、トランジスタ１０８、１１０のコレクタ電圧を電源電圧ＶＣＣ側へシフトするものである。従って、図３の高周波重畳回路に対して、低電圧の電源電圧ＶＣＣを使用することが可能となる。定電流源１１６は、トランジスタ１０８、１１０の共通するエミッタと接地ＧＮＤとの間に接続され、トランジスタ１０８、１１０の出力電流を供給するものである。従って、出力抵抗１１２、１１４の抵抗値および定電流源１１６の電流値に応じて、１対の発振信号の振幅レベルを調整することが可能となる。換言すると、発振信号の振幅を調整するための共振回路が不要となって、図３の高周波重畳回路は集積化に適する。
【００１７】
また、プッシュプル回路１０６は、エミッタフォロワのトランジスタ１１８、１２０と、抵抗１２２、１２４と、電流ミラー接続されるトランジスタ１２６、１２８と、を有する。トランジスタ１１８、１２０は、出力抵抗１１２、１１４を流れる電流がベースに供給されて相補的に動作するものである。トランジスタ１２６、１２８は、トランジスタ１１８のエミッタ電流が抵抗１２２を介して供給されたときに電流ミラー動作するものである。また、増幅回路６のトランジスタ１０８、１１０、１１８、１２０、１２６、１２８は全てＮＰＮ型バイポーラトランジスタで構成される。従って、高い遮断周波数（例えば４ＧＨｚ〜６ＧＨｚ）を得ることができるため、高い周波数（例えば３００ＭＨｚ〜５００ＭＨｚ）を有する１対の発振信号の振幅を十分増幅することが可能となる。また、集積化されるＮＰＮ型バイポーラトランジスタのサイズはＰＮＰ型バイポーラトランジスタのサイズに比べて小さいため、このことからも、図３の高周波重畳回路は集積化に適する。更に、増幅回路６のトランジスタ１０８、１１０、１１８、１２０、１２６、１２８は、一対のトランジスタ素子で構成される。即ち、１対のトランジスタ素子は、１０８、１１０の組合せ、１１８、１２０の組合せ、１２６、１２８の組合せ、１１８、１２６の組合せ、１２０、１２８の組合せ等である。従って、１対のトランジスタ素子がバランスよく動作するため、このことからも、図３の高周波重畳回路は集積化に適することとなる。
【００１８】
尚、増幅回路６を構成するプッシュプル回路１０６のバイアス電流は、電源電圧ＶＣＣの上昇に伴って増大する。詳述すると、出力抵抗１１２、トランジスタ１１８のベースエミッタ路、抵抗１２２、トランジスタ１２６のベースエミッタ路が電源電圧ＶＣＣと接地ＧＮＤの間に直列接続されているため、エミッタフォロワのトランジスタ１１８、１２０のエミッタ電流は、電源電圧ＶＣＣの上昇に伴って、上記の直列接続回路のインピーダンスに応じて増大することとなる。そこで、消費電流低減回路８は、電源電圧ＶＣＣの上昇の度合いを監視して、電源電圧ＶＣＣの分圧電圧ＶＤＥＶが基準電圧ＶＲＥＦ以上となったとき、増幅回路６の消費電流の上昇を防止して一定とするものである。
【００１９】
消費電流低減回路８は、分圧電圧ＶＤＥＶおよび基準電圧ＶＲＥＦが印加される差動増幅回路１３０と、差動増幅回路１３０の出力電流が供給される電流ミラー回路１３２、１３４と、電流ミラー回路１３４の出力電流が供給される電流源回路１３６と、を有する。詳述すると、差動増幅回路１３０は、差動接続されるトランジスタ１３８、１４０と、電流ミラー接続されるトランジスタ１４２、１４４、１４６と、抵抗１４８、１５０、１５２、１５４と、を有する。トランジスタ１３８、１４０は、基準電圧ＶＲＥＦと、抵抗１４８、１５０で分圧される分圧電圧ＶＤＥＶとが印加されて差動動作する。即ち、トランジスタ１３８は、分圧電圧ＶＤＥＶが基準電圧ＶＲＥＦ未満のときにオンし、トランジスタ１４０は、分圧電圧ＶＤＥＶが基準電圧ＶＲＥＦ以上となったときにオンする。
【００２０】
尚、分圧電圧ＶＤＥＶは、抵抗１４８、１５０の抵抗値に応じて適宜設定することが可能である。抵抗１５２は、差動接続されるトランジスタ１３８、１４０のエミッタの間に接続され、電源電圧ＶＣＣが変動したときのトランジスタ１３８、１４０の出力電流の変動の度合いを設定するためのものである。トランジスタ１３８、１４０の出力電流の変動の度合いは、抵抗１５２の抵抗値が大きくなる程小さくなる。ダイオード接続されるトランジスタ１４２は、コレクタエミッタ路が抵抗１５４を介した電源電圧ＶＣＣと接地ＧＮＤとの間に接続される。電流ミラー接続されるトランジスタ１４４、１４６は、コレクタエミッタ路が差動接続されるトランジスタ１３８、１４０のエミッタと接地ＧＮＤとの間に接続され、トランジスタ１３８、１４０の出力電流を供給するものである。
【００２１】
また、電流ミラー回路１３２は、差動接続される一方のトランジスタ１３８の出力電流が供給されて動作する。また、電流ミラー回路１３４は、差動接続される他方のトランジスタ１４０の出力電流が供給されて動作する。また、電流源回路１３６は、電流ミラー接続されるトランジスタ１５６、１５８、１６０を有する。ダイオード接続されるトランジスタは、コレクタエミッタ路が電流ミラー回路１３４の出力と接地ＧＮＤとの間に接続される。電流ミラー接続されるトランジスタ１５８は、コレクタエミッタ路が差動接続される一方のトランジスタ１０８のコレクタと接地ＧＮＤとの間に接続され、出力抵抗１１２からトランジスタ１１８のベースへ供給される電流を制限するものである。同様に、電流ミラー接続されるトランジスタ１６０は、コレクタエミッタ路が差動接続される他方のトランジスタ１１０のコレクタと接地ＧＮＤとの間に接続され、出力抵抗１１４からトランジスタ１２０のベースへ供給される電流を制限するものである。尚、本実施形態において、消費電流低減回路８のトランジスタ１３８、１４０、１４２、１４４、１４６、１５６、１５８、１６０はＮＰＮ型バイポーラトランジスタで構成され、電流ミラー回路１３２、１３４のトランジスタはＰＮＰ型バイポーラトランジスタで構成される。
【００２２】
出力回路１０（エミッタフォロワ出力回路）は、増幅回路６から出力される高周波数の増幅信号が供給されるトランジスタ１６２と、トランジスタ１６２の出力電流に応じて相補的に動作する電流ミラー回路１６４、１６６と、抵抗１６８と、を有する。詳述すると、電流ミラー回路１６４は、ダイオード接続されるトランジスタ１７０と、エミッタフォロワのトランジスタ１７２と、を有する。同様に、電流ミラー回路１６６は、ダイオード接続されるトランジスタ１７４と、エミッタフォロワのトランジスタ１７６と、を有する。抵抗１６８、ダイオード接続されるトランジスタ１７０、１７４、トランジスタ１６２のコレクタエミッタ路は、電源電圧ＶＣＣと接地ＧＮＤとの間に直列接続される。エミッタフォロワのトランジスタ１７２、１７６のエミッタは、カップリングコンデンサ１２の一端側と接続される。従って、出力回路１０は、電流ミラー回路１６４のトランジスタ１７０、１７２がＮＰＮ型バイポーラトランジスタで構成され、且つ、電流ミラー回路１６６のトランジスタ１７４、１７６がＰＮＰ型バイポーラトランジスタで構成されるため、高い電力効率でプッシュプル動作することが可能となる。
【００２３】
≪回路動作≫
発振回路４から出力される１対の発振信号の振幅レベルに応じて、差動接続される一方のトランジスタ１０８が動作する場合、トランジスタ１２０、１６２が動作して、カップリングコンデンサ１２の一端側からトランジスタ１７６のエミッタへ出力電流を供給する状態となる。一方、発振回路４から出力される１対の発振信号の振幅レベルに応じて、差動接続される他方のトランジスタ１１０が動作する場合、トランジスタ１１８、電流ミラー接続されるトランジスタ１２６、１２８が動作して、トランジスタ１７２のエミッタからカップリングコンデンサ１２の一端側へ出力電流を供給する状態となる。電流ミラー回路１６４、１６６が１対の発振信号の発振周波数に同期して相補的に動作することによって、増幅回路６から出力される増幅信号の交流成分のみがカップリングコンデンサ１２を通過して、定電流源１４の直流電流と重畳されてレーザーダイオード２のアノードに供給される。これにより、レーザーダイオード２が高周波数で継続してオンオフし、複数の波長を有するレーザー光が光ディスクに照射されることとなる。
【００２４】
≪消費電流低減動作≫
図３および図４を参照しつつ、本発明の高周波重畳回路の消費電流低減動作について説明する。図４は、本発明の高周波重畳回路における消費電流低減回路の特性を説明するための特性図である。
【００２５】
分圧電圧ＶＤＥＶが基準電圧ＶＲＥＦ未満の場合、差動接続される一方のトランジスタ１３８がオンするため、電流ミラー回路１３２が動作し、電流ミラー回路１３４が動作を停止し、電流源回路１３６が動作を停止する。これにより、プッシュプル回路１０６を構成するトランジスタ１１８、１２０のベース電流は電源電圧ＶＣＣの上昇とともに増大し、増幅回路６の消費電流は電源電圧ＶＣＣの上昇とともに増大することとなる。一方、分圧電圧ＶＤＥＶが基準電圧ＶＲＥＦ以上となった場合、差動接続される他方のトランジスタ１４０がオンするため、電流ミラー回路１３２が動作を停止し、電流ミラー回路１３４が動作し、電流源回路１３６が動作する。従って、電流源回路１３６が出力抵抗１１２、１１４を流れる電流から電流ミラー回路１３４の出力電流に相当する電流を分流させる。これにより、プッシュプル回路１０６を構成するトランジスタ１１８、１２０のベース電流は電源電圧ＶＣＣの上昇に関わらず一定となり、増幅回路６の消費電流は電源電圧ＶＣＣの上昇に関わらず一定となる。つまり、増幅回路６の電力消費量を効果的に低減することが可能となる。
【００２６】
２．単一トランジスタのコレクタ出力型
≪回路構成≫
図５を参照しつつ、本発明の高周波重畳回路の他回路例について説明する。図５は、本発明の高周波重畳回路の他回路例を説明するための回路図である。尚、図３と同一素子に関しては同一符号を記すとともに説明を省略する。
【００２７】
出力回路１０（コレクタ出力回路）は、増幅回路６から出力される高周波数の増幅信号が供給されるトランジスタ１７８と、出力抵抗１８０と、を有する。詳述すると、抵抗１８０およびトランジスタ１７８のコレクタエミッタ路は、電源電圧ＶＣＣと接地ＧＮＤとの間に接続される。トランジスタ１７８のコレクタは、カップリングコンデンサ１２の一端側と接続される。尚、トランジスタ１７８は、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタで構成される。従って、単一のトランジスタ１７８のコレクタから増幅信号を出力するため、低電圧で駆動される場合であっても、広いダイナミックレンジを得ることが可能となる。
【００２８】
≪回路動作≫
発振回路４から出力される１対の発振信号の振幅レベルに応じて、差動接続される一方のトランジスタ１０８が動作する場合、トランジスタ１２０、１７８が動作して、カップリングコンデンサ１２の一端側からトランジスタ１７８のコレクタへ出力電流を供給する状態となる。一方、発振回路４から出力される１対の発振信号の振幅レベルに応じて、差動接続される他方のトランジスタ１１０が動作する場合、トランジスタ１１８、電流ミラー接続されるトランジスタ１２６、１２８が動作して、出力抵抗１８０からカップリングコンデンサ１２の一端側へ電流を供給する状態となる。トランジスタ１７８が１対の発振信号の発振周波数に同期して動作することによって、増幅回路６から出力される増幅信号の交流成分のみがカップリングコンデンサ１２を通過して、定電流源１４の直流電流と重畳されてレーザーダイオード２のアノードに供給される。これにより、レーザーダイオード２が高周波数で継続してオンオフし、複数の波長を有するレーザー光が光ディスクに照射されることとなる。
尚、消費電流低減回路８の動作は、図３と同様である。
【００２９】
＝＝＝その他の実施形態＝＝＝
以上、本発明に係る高周波重畳回路および集積回路について説明したが、上記した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易とするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることはもちろんである。
【００３０】
≪増幅回路≫
本実施形態では、増幅回路６がＮＰＮ型バイポーラトランジスタで構成される場合を説明しているが、増幅回路６はＭＯＳＦＥＴで構成することも可能である。
【００３１】
≪出力回路≫
本実施形態では、出力回路１０がバイポーラトランジスタで構成される場合を説明しているが、出力回路１０はＭＯＳＦＥＴで構成することも可能である。この場合、図３のエミッタフォロワはソースフォロワへ変更され、図５のコレクタ出力はドレイン出力へ変更される。
【００３２】
【発明の効果】
本発明によれば、安定した高周波信号を得るとともに、集積化に適する高周波重畳回路を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高周波重畳回路の全体構成を説明するための回路ブロック図である。
【図２】レーザーダイオード（レーザー素子）の特性を説明するための特性図である。
【図３】本発明の高周波重畳回路の一回路例を説明するための回路図である。
【図４】本発明の高周波重畳回路における消費電流低減回路の特性を説明するための特性図である。
【図５】本発明の高周波重畳回路の他回路例を説明するための回路図である。
【符号の説明】
４      発振回路
６      増幅回路
８      消費電流低減回路
１０    出力回路（エミッタフォロワ出力回路、コレクタ出力回路）
１２    カップリングコンデンサ
１４    定電流源
１０２  出力回路
１０４  差動増幅回路
１０６  プッシュプル回路
【図１】
2004349598.tif 000003
【図２】
2004349598.tif 000004
【図３】
2004349598.tif 000005
【図４】
2004349598.tif 000006
【図５】
2004349598.tif 000007