(57)【要約】【課題】短波長の記録光が用いられる光学記録媒体に合致した金属錯体を含有してなる光学記録材料を提供すること。【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される化合物を配位子として用いた金属錯体を含有してなる光学記録材料。【化１】2004345212.tif 000019【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で表される化合物を配位子として用いた金属錯体を含有してなる光学記録材料。
【化１】
2004345212.tif 000015
【請求項２】
上記一般式（Ｉ）において、Ｒが下記一般式（ＩＩ）で表されるジアミン残基である請求項１記載の光学記録材料。
【化２】
2004345212.tif 000016
【請求項３】
上記一般式（ＩＩ）で表されるジアミン残基が、下記一般式（ＩＩＩ）で表される１，２−アルキレン基である請求項２記載の光学記録材料。
【化３】
2004345212.tif 000017
【請求項４】
上記金属錯体を構成する金属原子が、周期表の２族元素、８族元素、９族元素、１０族元素、１１族元素及び１２族元素からなる群から選ばれる金属原子である、請求項１〜３のいずれかに記載の光学記録材料。
【請求項５】
上記金属原子が、銅、亜鉛、ニッケル、コバルト及び鉄からなる群から選ばれる金属原子である、請求項４記載の光学記録材料。
【請求項６】
上記金属錯体が、下記一般式（ＩＶ）で表される請求項１〜５のいずれかに記載の光学記録材料。
【化４】
2004345212.tif 000018
【請求項７】
上記金属錯体の溶液における光吸収において、最大吸収波長λｍａｘが３４０〜４２０ｎｍの範囲に存在し、このλｍａｘのモル吸光係数εが１．０×１０３以上である請求項１〜６のいずれかに記載の光学記録材料。
【請求項８】
基体上に光学記録層が形成された光学記録媒体において、上記光学記録層が、請求項１〜７のいずれかに記載の光学記録材料を用いて形成されている光学記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報をレーザ等による熱的情報パターンとして付与することにより記録する光学記録媒体に使用される光学記録材料に関し、詳しくは、可視及び近赤外領域の波長を有し且つ低エネルギーのレーザ等により高密度の光学記録及び再生が可能な光学記録媒体に使用される光学記録材料に関する。該光学記録材料は、主として、基体上に光学記録層が形成された光学記録媒体において、該光学記録層の形成に用いられる。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
光学記録媒体は、一般に記録容量が大きく、記録又は再生が非接触で行われる等、優れた特徴を有することから広く普及している。ＷＯＲＭ、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ等の追記型の光ディスクでは、光学記録層の微少面積にレーザを集光させて光学記録層の性状を変えて記録し、未記録部分との反射光量の違いによって再生を行っている。
【０００３】
現在、上記の光ディスクにおいて、記録及び再生に用いられる半導体レーザの波長は、ＣＤ−Ｒで７５０〜８３０ｎｍ、ＤＶＤ−Ｒで６２０〜６９０ｎｍであるが、更なる容量の増加を実現すべく、短波長レーザを使用する光ディスクが検討されており、例えば、記録光として３８０〜４２０ｎｍの光を用いるものが検討されている。
【０００４】
これらの短波長の記録光が用いられる光学記録媒体において形成される光学記録層には、各種金属錯体が使用されている。例えば、下記特許文献１にはアゾ化合物の金属錯体が報告されており、下記特許文献２〜４にはポルフィリン錯体が報告されており、下記特許文献５にはトリアゾールヘミポルフィリン錯体が報告されている。
【０００５】
しかし、これらの金属錯体は、短波長の記録光が用いられる光学記録媒体の光学記録層の形成に用いられる光学記録材料としては、その吸収波長特性が必ずしも適合するものではなかった。
【０００６】
従って、本発明の目的は、短波長の記録光が用いられる光学記録媒体に合致した金属錯体を含有してなる光学記録材料を提供することにある。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００１−２１４０８４号
【特許文献２】
特開平１１−２２１９６４号
【特許文献３】
特開平１１−３３４２２０７号
【特許文献４】
特開２００１−２８７４６２号
【特許文献５】
特開２００１−１８１５２４号
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、特定の配位子化合物を用いた金属錯体が、短波長の記録光、特に３８０ｎｎ〜４２０ｎｍのレーザ光に適合することを知見した。
【０００９】
本発明は、上記知見に基づいてなされたものであり、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を配位子として用いた金属錯体を含有してなる光学記録材料、及び基体上に該光学記録材料からなる薄膜（光学記録層）を形成したことを特徴とする光学記録媒体に関する。
【００１０】
【化５】
2004345212.tif 000002
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００１２】
配位子として用いられる上記一般式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ１及びＲ２で表される炭素数１〜８のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、第二ブチル、第三ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、第三アミル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、イソヘプチル、第三ヘプチル、ｎ−オクチル、イソオクチル、第三オクチル、２−エチルヘキシル等が挙げられ、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリール基としては、フェニル、ナフチル、２−メチルフェニル、３−メチルフェニル、４−メチルフェニル、４−ビニルフェニル、３−イソプロピルフェニル、４−イソプロピルフェニル、４−ブチルフェニル、４−イソブチルフェニル、４−第三ブチルフェニル、４−ヘキシルフェニル、４−シクロヘキシルフェニル、４−オクチルフェニル、４−（２−エチルヘキシル）フェニル、４−ステアリルフェニル、２，３−ジメチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，５−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、３，４−ジメチルフェニル、３，５−ジメチルフェニル、２，４−ジ第三ブチルフェニル、２，５−ジ第三ブチルフェニル、２，６−ジ−第三ブチルフェニル、２，４−ジ第三ペンチルフェニル、２，５−ジ第三アミルフェニル、２，５−ジ第三オクチルフェニル、２，４−ジクミルフェニル、シクロヘキシルフェニル、ビフェニル、２，４，５−トリメチルフェニル、４−クロロフェニル、４−ブロモフェニル、４−メトキシフェニル、４−エトキシフェニル、４−オクトキシフェニル、４−ステアリルオキシフェニル、４−シアノフェニル、４−ニトロフェニル、４−ジエチルアミノフェニル、４−（２，２−ジシアノエテン−１−イル）フェニル等が挙げられる。
【００１３】
また、Ｒ３及びＲ４で表されるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、炭素数１〜１８のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、第二ブチル、第三ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、第三アミル、ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、シクロヘキシル、１−メチルシクロヘキシル、ヘプチル、２−ヘプチル、３−ヘプチル、イソヘプチル、第三ヘプチル、ｎ−オクチル、イソオクチル、第三オクチル、２−エチルヘキシル、ノニル、イソノニル、デシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、へプタデシル、オクタデシル等が挙げられ、炭素数１〜１８のアルコキシ基としては、メチルオキシ、エチルオキシ、プロピルオキシ、イソプロピルオキシ、ブチルオキシ、第二ブチルオキシ、第三ブチルオキシ、イソブチルオキシ、アミルオキシ、イソアミルオキシ、第三アミルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、イソヘプチルオキシ、第三ヘプチルオキシ、ｎ−オクチルオキシ、イソオクチルオキシ、第三オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ステアリルオキシ等が挙げられ、ＮＨＲ’基及びＮＲ’２基における炭素数１〜８のアルキル基であるＲ’としては、Ｒ１で例示したものが挙げられる。
【００１４】
また、Ｒで表されるジアミン残基は、特に制限を受けるものではなく、ジアミン化合物から導入し得る基であるが、該ジアミン残基としては、例えば、下記一般式（ＩＩ）で表される基が挙げられる。
【００１５】
【化６】
2004345212.tif 000003
【００１６】
上記一般式（ＩＩ）において、Ｒａ〜Ｒｄで表される炭素数１〜８のアルキル基としては、Ｒ１及びＲ２で例示したものが挙げられ、炭素数１〜８のアルコキシ基としては、メチルオキシ、エチルオキシ、プロピルオキシ、イソプロピルオキシ、ブチルオキシ、第二ブチルオキシ、第三ブチルオキシ、イソブチルオキシ、アミルオキシ、イソアミルオキシ、第三アミルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、イソヘプチルオキシ、第三ヘプチルオキシ、ｎ−オクチルオキシ、イソオクチルオキシ、第三オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ等が挙げられ、置換基を有してもよい炭素数６〜１０のアリール基としては、フェニル、ナフチル、２−メチルフェニル、３−メチルフェニル、４−メチルフェニル、４−ビニルフェニル、３−イソプロピルフェニル、４−イソプロピルフェニル、４−ブチルフェニル、４−イソブチルフェニル、４−第三ブチルフェニル、２，３−ジメチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，５−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、３，４−ジメチルフェニル、３，５−ジメチルフェニル、２，４，５−トリメチルフェニル、４−クロロフェニル、４−ブロモフェニル、４−メトキシフェニル、４−エトキシフェニル、４−シアノフェニル、４−ニトロフェニル、４−ジエチルアミノフェニル、４−（２，２−ジシアノエテン−１−イル）フェニル等が挙げられる。
【００１７】
また、Ａ１及びＡ２で表される炭素数６〜１０の置換基を有してもよいシクロアルキレン基としては、１，２−シクロヘキシレン、１，３−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキシレン、２−メチル−１，４−シクロヘキシレン、３−メチル−１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘプチレン、１，５−シクロオクチレン、１，５−シクロノニレン、１，６−シクロデカニレン等が挙げられ、シクロアルケニレン基としては、１，２−シクロヘキセニレン、１，３−シクロヘキセニレン、１，４−シクロヘキセニレン、２−メチル−１，４−シクロヘキセニレン、１，４−シクロヘプテニレン、１，５−シクロオクテニレン、１，５−シクロノネニレン、１，６−シクロデカネニレン等が挙げられ、アリーレン基としては、１，２−フェニレン、２−メチル−１，３−フェニレン、４，５−ジメチル−１，２−フェニレン等が挙げられ、ヘテロ原子によって置換されたシクロアルキレン基としては、２，３−ジオキサ−１，４−シクロヘキシレン、２，３−ジチア−１，４−シクロヘキシレン等が挙げられ、ヘテロ原子によって置換されたアリーレン基としては、３，４−ピリジレン、３，４−チオフェニレン等が挙げられる。
【００１８】
上記一般式（ＩＩ）で表されるジアミン残基の中でも、下記一般式（ＩＩＩ）で表される１、２−アルキレン基が、安価に製造でき、得られる金属錯体の光吸収特性も良好なので好ましい。
【００１９】
【化７】
2004345212.tif 000004
【００２０】
上記一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例としては、下記化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１４が挙げられる。
【００２１】
【化８】
2004345212.tif 000005
【００２２】
【化９】
2004345212.tif 000006
【００２３】
本発明の光学記録材料が含有する、上述した上記一般式（Ｉ）で表される化合物を配位子として用いた金属錯体は、金属原子に上記一般式（Ｉ）で表される化合物の配位部分が少なくとも一つ配位したものであり、上記一般式（Ｉ）で表される化合物中の水酸基の水素原子と金属原子とが置換され、さらに窒素原子が金属原子に配位結合することにより少なくとも一つのキレート構造を形成しているものである。また、上記一般式（Ｉ）で表される化合物が有する２つの配位部分がそれぞれ別の金属原子に結合しているものでもよい。
【００２４】
上記金属錯体を構成する金属原子としては、例えば、周期表の２族元素、８族元素、９族元素、１０族元素、１１族元素及び１２族元素からなる群から選ばれる金属原子が挙げられる。
【００２５】
これらの金属原子の中でも、銅、亜鉛、ニッケル、コバルト及び鉄からなる群から選ばれる金属原子であると、該金属原子を含有する金属錯体を安価に製造でき、得られる金属錯体の光吸収特性も良好なのでより好ましい。
【００２６】
上記金属錯体の中でも、二価の金属の錯体化合物である下記一般式（ＩＶ）で表されるものは、化学的及び熱的に安定であり、λｍａｘでの吸光度が、短波長の記録光が用いられる光学記録媒体に適合するので好ましい。
【００２７】
【化１０】
2004345212.tif 000007
【００２８】
上記一般式（ＩＶ）で表される金属錯体の中でも、下記一般式（Ｖ）で表される金属錯体は、安価に製造でき、光吸収特性も良好なので特に好ましい。尚、下記一般式（Ｖ）で表される金属錯体は、配位子として、上記一般式（Ｉ）におけるＲで表されるジアミン残基が、上記一般式（ＩＩＩ）で表される１，２−アルキレン基である化合物を用いたものである。
【００２９】
【化１１】
2004345212.tif 000008
【００３０】
上記一般式（ＩＶ）で表される金属錯体の具体例としては、下記金属錯体Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１８が挙げられる。
【００３１】
【化１２】
2004345212.tif 000009
【００３２】
【化１３】
2004345212.tif 000010
【００３３】
【化１４】
2004345212.tif 000011
【００３４】
上記一般式（Ｉ）で表される化合物を配位子として用いた金属錯体は、その製造方法により特に制限を受けることはないが、例えば、好ましい形態である上記一般式（ＩＶ）で表される金属錯体は、下記〔化１５〕に示す反応式に従って得ることができる。
【００３５】
【化１５】
2004345212.tif 000012
【００３６】
上記〔化１５〕に示すように、上記一般式（ＩＶ）で示される金属錯体は、例えば、サリチルアルデヒド誘導体とアミン化合物とから、該当する配位子である上記一般式（Ｉ）で表される化合物（シッフベース型配位子）を合成し、該シッフベース型配位子と金属塩化合物とのキレート化反応により合成してもよく、また、サリチルアルデヒド誘導体及び金属塩化合物から金属錯体中間体を合成した後、該金属錯体中間体とアミン化合物とを反応させることにより合成してもよい。上記金属塩化合物としては、ハロゲン化金属塩、水酸化物、硫酸塩、硝酸塩等の無機金属塩；酢酸塩等の有機酸金属塩；メトキシド、エトキシド、イソプロポキシド等の低級金属アルコキシド；アセチルアセトン塩、ＥＤＴＡ塩等のキレート錯体等が挙げられる。また、キレート化反応には、必要に応じて、水酸化ナトリウム、水酸化リチウム、ナトリウムメトキシド、水素化ナトリウム、ナトリウムアミド、リチウムアミド、有機アミン化合物等の塩基性化合物を反応剤として用いてもよい。
【００３７】
上記金属錯体を含有する本発明の光学記録材料は、光学記録媒体の光学記録層に用いられるものであり、上記金属錯体の光吸収特性に応じて各種光学記録媒体に適用される。波長が３８０ｎｍ〜４２０ｎｍの短波長レーザ用光ディスクに適合する光吸収特性は、上記金属錯体の溶液状態の最大吸収波長λｍａｘが３４０〜４２０ｎｍの範囲である。また、吸収強度は、λｍａｘのモル吸光係数εが１．０×１０３より小さいと記録感度が低下するおそれがあるので、εが１．０×１０３以上が好ましい。
【００３８】
本発明の光学記録材料中における上記金属錯体の含有量は、本発明の光学記録材料に含まれる固形分中の５０〜１００質量％が好ましい。
【００３９】
本発明の光学記録材料は、上記金属錯体の他に、必要に応じて、シアニン系化合物、アゾ系化合物、フタロシアニン系化合物等の光学記録層に用いられる化合物；ポリエチレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート等の樹脂類；界面活性剤；帯電防止剤；滑剤；難燃剤；ヒンダードアミン等のラジカル捕捉剤；フェロセン誘導体等のピット形成促進剤；分散剤；酸化防止剤；架橋剤；耐光性付与剤等を含有してもよい。さらに、本発明の光学記録材料は、一重項酸素等のクエンチャーとして、芳香族ニトロソ化合物、アミニウム化合物、イミニウム化合物、ビスイミニウム化合物、遷移金属ジチオールキレート化合物等を含有してもよい。これらの任意成分は、本発明の光学記録材料に含まれる固形分中の好ましくは０〜５０質量％の範囲で使用される。
【００４０】
本発明の光学記録材料を用いて基体上に光学記録層を形成する方法は、特に制限を受けるものではないが、一般には、メタノール、エタノール等の低級アルコール類；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ブチルジグリコール等のエーテルアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸メトキシエチル等のエステル類；アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル等のアクリル酸エステル類、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール等のフッ化アルコール類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素類；メチレンジクロライド、ジクロロエタン、クロロホルム等の塩素化炭化水素類等の有機溶媒に、上記金属錯体及び上記任意成分を溶解した溶液を、基体上にスピンコート、スプレー、ディッピング等で塗布する湿式塗布法が用いられる。その他の方法としては蒸着法、スパッタリング法等が挙げられる。
【００４１】
上記光学記録層の厚さは、通常、０．００１〜１０μであり、好ましくは０．０１〜５μの範囲が適当である。
【００４２】
このような光学記録層を設層する上記基体の材質は、書き込み（記録）光及び読み出し（再生）光に対して実質的に透明なものであれば特に制限はなく、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート等の樹脂、ガラス等が用いられる。また、その形状は、用途に応じ、テープ、ドラム、ベルト、ディスク等の任意の形状のものを使用できる。
【００４３】
また、上記光学記録層上に、金、銀、アルミニウム、銅等を用いて蒸着法あるいはスパッタリング法により反射膜を形成することもできるし、アクリル樹脂、紫外線硬化性樹脂等による保護層を形成することもできる。
【００４４】
【実施例】
以下、製造例及び実施例をもって本発明を更に詳細に説明する。しかしながら、本発明は、以下の実施例等によって何ら制限を受けるものではない。
【００４５】
［製造例１］金属錯体Ｎｏ．１の製造
反応フラスコに、４−ジエチルアミノサリチルアルデヒド０．０２モル、酢酸銅０．０１モル、及び水−メタノール１：１（質量比）混合溶媒１００ｍｌを仕込み、２５℃で９０分攪拌した。生成した結晶を濾取し、水、エタノール、ジエチルエーテルの順で洗浄した後、乾燥して、金属錯体中間体の結晶を０．０１０５モル（収率８４．０％）得た。反応フラスコに、得られた結晶０．０１モル及びメタノール２０ｍｌを仕込み、６５℃に加熱してメタノールが還流する状態にした。この状態のままエチレンジアミンを０．０１モル滴下し、更に７．５時間撹拌した。生成した結晶を濾取し、メタノールで洗浄した後、乾燥して結晶を０．００８３１モル（収率８３．１％）得た。得られた結晶について各種分析を行ったところ、該結晶は目的物である金属錯体Ｎｏ．１と同定された。分析結果を以下に示す。
【００４６】
（分析結果）
▲１▼ＩＲ測定：（ｃｍ−１）
１５８８、１５０９、１４４９、１４０６、１３５３、１２４９、１１６４、１１４０、１０７６、８２７、７７３、６９９
▲２▼元素分析：Ｃｕ／Ｃ／Ｈ／Ｎ（質量％）
１３．７／６０．９／６．９／１１．５
（理論値  １３．５／６１．１／６．８／１１．９）
▲３▼ＵＶスペクトル測定（クロロホルム溶媒）
λｍａｘ；３８５ｎｍ、ε；３．２６×１０４
λｍａｘ；３５１ｎｍ、ε；５．６８×１０４
▲４▼窒素気流下での示差熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）
５０％質量減少温度：３６８℃、吸熱ピーク（融点）：２４２℃
【００４７】
［製造例２］金属錯体Ｎｏ．１１の製造
反応フラスコに、４−ジエチルアミノサリチルアルデヒド０．１モル、エチレンジアミン０．０５モル、及びエタノール１００ｍｌを仕込み、７８℃で３時間攪拌した。生成した結晶を濾取し、乾燥して中間体の結晶０．０７７５モル（収率７７．５％）を得た。反応フラスコに、得られた結晶０．０１モル及びメタノール３０ｍｌを仕込み、６５℃に加熱してメタノールが還流する状態にした。この状態のまま酢酸亜鉛２水和物０．０１モルを加え、更に６時間撹拌した。溶媒を留去し、酢酸エチルから再結晶を行い、メタノールで洗浄した後、乾燥して結晶を０．００９０モル（収率９０．３％）得た。得られた結晶について各種分析を行ったところ、該結晶は目的物である金属錯体Ｎｏ．１１と同定された。分析結果を以下に示す。
【００４８】
（分析結果）
▲１▼ＩＲ測定：（ｃｍ−１）
２９６９、１５９４、１５０８、１４５８、１４３２、１３９０、１３７５、１３５８、１３２３、１３０５、１２４６、１２２３、１１６４、１１４０、１０７５
▲２▼元素分析：Ｚｎ／Ｃ／Ｈ／Ｎ（質量％）
１３．８／６０．９／６．９／１１．３
（理論値  １３．８／６０．８／６．８／１１．８）
▲３▼ＵＶスペクトル測定（クロロホルム溶媒）
λｍａｘ；３７６ｎｍ、ε；５．１８×１０４
▲４▼窒素気流下での示差熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）
１０％質量減少温度：３９７℃、吸熱ピーク：４０１℃
【００４９】
［製造例３］金属錯体Ｎｏ．６の製造
反応フラスコに、４−ジエチルアミノサリチルアルデヒド０．０３モル、（±）−１、２−ジフェニルエチレンジアミン０．０１５モル、及びエタノール５０ｍｌを仕込み、７８℃で３時間攪拌した。生成した結晶を濾取し、乾燥して中間体の結晶０．０２７モル（収率８９．４％）を得た。反応フラスコに、得られた結晶０．００７モル及びメタノール３０ｍｌを仕込み、６５℃に加熱してメタノールが還流する状態にした。この状態のまま酢酸銅０．００７モルを加え、更に７時間撹拌した。生成した結晶を濾取し、水、メタノールの順で洗浄した後、乾燥して、結晶を０．００６５モル（収率９２．９％）得た。得られた結晶について各種分析を行ったところ、該結晶は目的物である金属錯体Ｎｏ．６と同定された。分析結果を以下に示す。
【００５０】
（分析結果）
▲１▼ＩＲ測定：（ｃｍ−１）
１５９２、１５１２、１４６７、１４０７、１３７５、１２４８、１２２７、１１３９、１０７６、８２６、７７３、７０１
▲２▼元素分析：Ｃｕ／Ｃ／Ｈ／Ｎ（質量％）
１０．３／６８．４／６．４／９
（理論値  １０．２／６９．３／６．５／９）
▲３▼ＵＶスペクトル測定（クロロホルム溶媒）
λｍａｘ；３５８ｎｍ、ε；７．１９×１０４
▲４▼窒素気流下での示差熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）
５０％質量減少温度：３５４℃、吸熱ピーク（融点）：３３２℃
【００５１】
［製造例４］金属錯体Ｎｏ．９の製造
反応フラスコに、４−ジエチルアミノサリチルアルデヒド０．１モル、１、２−フェニレンジアミン０．０５モル、酢酸銅０．０５モル、及びメタノール１００ｍｌを仕込み、６４℃で５時間攪拌した。反応後、冷却して生成した結晶を濾取し、メタノールで洗浄した後、乾燥して、結晶を０．０２６８５モル（収率５３．７％）得た。得られた結晶について各種分析を行ったところ、該結晶は目的物である金属錯体Ｎｏ．９と同定された。分析結果を以下に示す。
【００５２】
（分析結果）
▲１▼ＩＲ測定：（ｃｍ−１）
１６０６、１５６９、１５０９、１４８８、１３７０、１３４７、１２４７、１２０９、１１４２
▲２▼元素分析：Ｃｕ／Ｃ／Ｈ／Ｎ（質量％）
１２．３／６４．６／６．３／１０．３
（理論値  １２．２／６４．６／６．２／１０．８）
▲３▼ＵＶスペクトル測定（クロロホルム溶媒）
λｍａｘ；４４６ｎｍ、ε；４．３６×１０４
λｍａｘ；３９９ｎｍ、ε；６．４４×１０４
▲４▼窒素気流下での示差熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）
５０％質量減少温度：３７７℃、吸熱ピーク（融点）：３３１℃
【００５３】
［実施例１−１〜１−４］光学記録媒体の製造及びＵＶスペクトル吸収測定
チタンキレート化合物（Ｔ−５０：日本曹達社製）を塗布した後、加水分解して下地層（０．０１μ）を設けた直径１２ｃｍのポリカーボネートディスク基板上に、上記製造例１〜４で得た金属錯体それぞれの２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール溶液（金属錯体濃度２質量％）をスピンコーティング法にて塗布して、厚さ１００ｎｍの光学記録層を形成し光学記録媒体を得た。得られた光学記録媒体について、ＵＶスペクトル吸収の測定を行った。ＵＶスペクトル吸収におけるλｍａｘの結果を表１に記す。
【００５４】
【表１】
2004345212.tif 000013
【００５５】
表１の結果より、上記一般式（Ｉ）で表される化合物を配位子として用いた金属錯体を含有する本発明の光学記録材料を用いて作成した光学記録材媒体は、いずれも３８０〜４２０ｎｍのレーザ光により記録が可能であることが確認できた。
【００５６】
［実施例２−１〜２−３］光学記録媒体の製造及び反射光のＵＶスペクトル測定上記製造例１〜３で得た金属錯体を用いて実施例１と同様にして作成した光学記録媒体それぞれについて、薄膜（光学記録層）の入射角５°の反射光のＵＶスペクトルを測定した。反射光のλｍａｘ及び反射光の４０５ｎｍの強度の結果を表２に記す。なお、反射光の４０５ｎｍの強度は、反射光のλｍａｘの強度に対する相対強度である。
【００５７】
【表２】
2004345212.tif 000014
【００５８】
光ディスクに代表される光学記録媒体の再生モードでは、レーザ光を光学記録媒体に反射させた反射光について、レーザ波長の光量の差で記録の有無を検出するので、反射光の吸収において、レーザ光の波長に近いところで大きい吸収強度を示すものほど好ましい。表２の結果から明らかなように、上記一般式（Ｉ）で表される化合物を配位子として用いた金属錯体を含有する本発明の光学記録材料は、短波長レーザ用光ディスク等の４０５ｎｍのレーザ光を用いる光学記録媒体の光学記録材料として好適である。
【００５９】
【発明の効果】
本発明は、短波長の記録光による光学記録媒体に合致した金属錯体を含有してなる光学記録材料を提供するものである。