(57)【要約】【課題】プラズマ処理装置の大きさによらず、プラズマを効率良く制御することができるプラズマ処理装置、プラズマ酸化処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】電磁波源３と、矩形導波管１と、プラズマ処理室５と、電磁波放射窓４とを具備し、電磁波源３から発せられ、プラズマ処理室５内に放射された電磁波によってプラズマを生成し、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、プラズマ処理室５内のプラズマ発生部１５の体積を変化させる移動体９をプラズマ処理室５内に設けた構成。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波源とプラズマ処理室とを具備し、前記電磁波源から発せられた電磁波によって前記プラズマ処理室内に生成されたプラズマ発生部でプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
前記プラズマ処理室内の前記プラズマ発生部の体積を変化させる移動体を前記プラズマ処理室内に設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記移動体は、前記プラズマ処理室の内側の壁面に沿って上下動する環状体であることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記移動体が処理基板を載置する基板支持台を兼ねており、上下方向に移動することを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記プラズマ処理室の上面に、前記電磁波源からの電磁波を前記プラズマ処理室内に導入する電磁波放射窓を有し、
前記移動体は前記電磁波放射窓とほぼ平行に設けられ、上下方向に移動することを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記プラズマ処理室の上面に、前記電磁波源からの電磁波を前記プラズマ処理室内に導入する電磁波放射窓を有し、
前記移動体は前記電磁波放射窓とほぼ垂直に設けられ、水平方向に移動することを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記電磁波の周波数が１３ＭＨｚから３０ＧＨｚであることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記電磁波がマイクロ波であることを特徴とする請求項５記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記電磁波の周波数が２．４５ＧＨｚであることを特徴とする請求項６記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
電磁波源から発せられた電磁波によってプラズマ酸化処理室内に生成されたプラズマ発生部でプラズマ酸化処理するプラズマ酸化処理装置であって、
前記プラズマ酸化処理室内の前記プラズマ発生部の体積を変化させる移動体を前記プラズマ酸化処理室内に設けたことを特徴とするプラズマ酸化処理装置。
【請求項１０】
電磁波源から発せられた電磁波によってプラズマ処理室内にプラズマを発生させ、このプラズマ発生部の体積を変化させてプラズマを制御してプラズマ処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、酸化、成膜（膜堆積）、エッチング、あるいは表面改質等のプラズマ処理するためのプラズマ処理装置、プラズマ酸化処理装置およびプラズマ処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
【特許文献１】特許第２７２２０７０号公報
【特許文献２】特許第２８５７０９０号公報
従来、半導体装置や液晶表示装置等の製造プロセスにおいて、酸化、成膜、エッチング、あるいは表面改質等のプラズマ処理を施すためには、平行平板型の高周波プラズマ処理装置や、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマ処理装置などが用いられている。
また、高密度でかつ電子温度が低いプラズマが生成し得るプラズマ処理装置が提案されている。
【０００３】
以下、高密度かつ電子温度が低いプラズマ処理装置により従来技術を説明する。
《第１の従来装置》
図１１（ａ）は、従来の第１のプラズマ処理装置の上面図、（ｂ）は断面図である。
この装置は、上記特許文献１に記載されている。
６１は同軸伝送路、６３は円形マイクロ波放射板、６２は円形マイクロ波放射板６３に同心円状に設けたスロット、６４は誘電体からなる電磁波放射窓、６５はプラズマ処理室（真空容器、プラズマ反応室）、６６はガス導入口、６７はガス排気口、６８はプラズマ処理される基板、６９は基板支持台である。
【０００４】
この装置は、同心円状に配されたスロット６２を有する円形マイクロ波放射板６３に、同軸伝送路６１からマイクロ波電力が供給される。
【０００５】
この装置では、同軸伝送路６１から円形マイクロ波放射板６３の中心に向けて導入したマイクロ波を、円形マイクロ波放射板６３の径方向に伝播させつつ、円形マイクロ波放射板６３に設けたスロット６２から放射することにより、プラズマ処理室６５内に均一なプラズマを生成しようとするものである。
【０００６】
《第２の従来装置》
図１２（ａ）は、従来の第２のプラズマ処理装置の上面図、（ｂ）は断面図である。
この装置は、上記特許文献２に記載されている。
７１は矩形導波管、７２は導波管アンテナを構成するスロット、７３はマイクロ波源、７４は誘電体からなる電磁波放射窓、７５はプラズマ処理室、７６はガス導入口、７７はガス排気口、７８はプラズマ処理される基板、７９は基板支持台、８０は矩形導波管７１の反射面（短絡面、Ｒ面）、８１は矩形導波管７１のＨ面（マイクロ波の電界方向に垂直な面）である。
【０００７】
この装置は、矩形導波管７１のＨ面８１の一部に配され、導波管アンテナを構成するスロット７２から、電磁波放射窓７４を介してマイクロ波電力を供給することにより、プラズマ処理室７５内にプラズマを生成する。
【０００８】
この装置では、矩形導波管７１の反射面８０でのマイクロ波の反射を考慮し、矩形導波管７１のＨ面８１に設けた２つのスロット７２の幅（開口面積）を変化させることにより（図示は省略。上記特許文献２参照）、マイクロ波のスロット７２からの放射電力を均一化しようとするものである。なお、図７（ａ）では、スロット７２の幅の変化については、図示省略しているが、上記特許文献２に記載されているように、例えば、スロット７２は、矩形導波管７１の反射面８０に向かって狭くなるように、階段状あるいはテーパ状に変化した形状を有する。
【０００９】
これにより、生成されたプラズマが十分に拡散すれば、２つのスロット７２から放射されたマイクロ波電力により比較的均一なプラズマを発生させることが可能となる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
プラズマを効率良く制御するためには、電子密度を制御する必要がある。図６、図７に示した第１、第２の従来装置にあっては、プラズマの条件、すなわち、プラズマ処理室内のガス圧力値、印加電圧、希ガス添加量を制御することにより、電子密度を制御していた。しかし、上記プラズマ条件に対する電子密度の変化は、所望するプラズマ処理の電子密度を十分に制御することができなかった。
【００１１】
また、例えばプラズマ酸化装置により低温酸化膜を形成する場合には、原子状酸素（すなわち、酸素ラジカル）の密度を増加する必要がある。上記第１、第２の従来装置では、プラズマの条件、（プラズマ処理室内のガス圧力、印加電圧、希ガス添加）により、原子状酸素密度を制御していた。しかし、プラズマ条件に対する原子状酸素密度の変化は、所望する酸化膜を得るために原子状酸素密度を十分に制御することができなかった。
【００１２】
本発明の目的は、上記の課題を解決し、プラズマを効率良く制御することができるプラズマ処理装置、プラズマ酸化処理装置およびプラズマ処理方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明のプラズマ処理装置は、電磁波源とプラズマ処理室とを具備し、前記電磁波源から発せられた電磁波によって前記プラズマ処理室内に生成されたプラズマ発生部でプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、前記プラズマ処理室内の前記プラズマ発生部の体積を変化させる移動体を前記プラズマ処理室内に設けた構成を備えている。
【００１４】
このプラズマ処理装置によれば、プラズマを効率良く制御することができる。
【００１５】
また、移動体は処理基板を載置する基板支持台を兼ね、上下方向に移動する構成を備えている。この結果、移動体の移動機構を処理基板の移動機構と兼用することができる。
【００１６】
また、プラズマ処理室の上面に、電磁波源からの電磁波をプラズマ処理室内に導入する電磁波放射窓を有し、移動体は電磁波放射窓とほぼ平行に設けられ、上下方向に移動する構成を備えている。この結果、処理基板の位置と独立にプラズマの電子密度を制御することができる。
【００１７】
また、移動体は電磁波放射窓とほぼ垂直に設けられ、水平方向に移動する構成を備えている。この結果、処理基板の位置と独立にプラズマの電子密度を制御することができる。
【００１８】
また、例えば、電磁波の周波数は１３ＭＨｚから３０ＧＨｚであり、電磁波はマイクロ波であり、周波数は２．４５ＧＨｚである。マイクロ波源の周波数としては、２．４５ＧＨｚが現在標準となっており、安価であり、種類も豊富である。また、電磁波は超短波であり、周波数は４０ＭＨｚから８０ＭＨｚである。また、電磁波の周波数が１３．５６ＭＨｚである。
【００１９】
また、プラズマ処理が酸化の場合は、電子密度と電子密度により決まる原子状酸素密度をプラズマ処理装置の大きさによらず制御することができる。プラズマ処理が成膜、エッチングあるいは表面改質である場合は、電子密度と電子密度により決まるプラズマ密度をプラズマ処理装置の大きさによらず制御することができる。
【００２０】
また、本発明のプラズマ酸化処理装置は、電磁波源から発せられた電磁波によってプラズマ酸化処理室内に生成されたプラズマ発生部でプラズマ酸化処理するプラズマ酸化処理装置であって、前記プラズマ酸化処理室内の前記プラズマ発生部の体積を変化させる移動体を前記プラズマ酸化処理室内に設けた構成を備えている。
【００２１】
また、本発明のプラズマ処理方法は、電磁波源から発せられた電磁波によってプラズマ処理室内にプラズマを発生させ、このプラズマ発生部の体積を変化させてプラズマを制御してプラズマ処理する構成を備えている。
【００２２】
本発明では、プラズマ処理室内の移動体を移動させ、実質的なプラズマ発生部の体積を制御し、電子の壁への侵入や原子状酸素のプラズマ処理室の壁での再結合を含めたプラズマ中での電荷粒子のバランスを制御することにより、プラズマ条件以外に、電子密度や原子状酸素密度を制御できるので、プラズマを効率良く制御できるプラズマ処理装置を提供することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて、本発明を表面波プラズマによるプラズマ処理装置に適用した実施の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する図１〜図１０で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
実施の形態１
図１は本発明の実施の形態のプラズマ処理装置の断面図、図２はその外観斜視図である。なお、図１と図２とは厳密には対応していない部分がある。
【００２４】
１は矩形導波管、２０は矩形導波管１の反射面、２１は矩形導波管１のＨ面、２は矩形導波管１のＨ面２１に設けたスロット、３は電磁波源、４は電磁波放射窓、５はプラズマ処理室、６はガス導入口、７はガス排気口、８はプラズマ処理される基板、１５はプラズマ処理室５内におけるプラズマ発生部、９はプラズマ発生部１５の体積を変化させる移動体、１０は電磁波源３からの電磁波をプラズマ処理室５に送りこむためのオートチューナ、１１はＯリング、１２は質量分析計、１３は質量分析計１２のイオン化室、１４は質量分析計１２のオリフィス、１６、２６は真空保持用のベローズ、１７はラングミュアプローブ、１８はラングミュアプローブ１７のセンサ、２２は基板支持台、２３は基板支持台２２の側壁、２４はプラズマ処理室５の内側壁、２５は支持棒（制御棒）である。
【００２５】
プラズマ処理室５の材質は、例えばステンレスやアルミニウムである。電磁波放射窓４の材質は、例えば石英であり、厚さ例えば１５ｍｍで直径例えば２２ｃｍの、形状例えば円板状をしている。電磁波源３としては、電磁波の周波数１３ＭＨｚ〜３０ＧＨｚ、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源を用いている。電磁波を放射するアンテナを構成する２個のスロット２の長軸方向は、矩形導波管１の長軸方向に平行な図２に示すような形状に設けられている。プラズマ処理室５内の原子状酸素密度を出現質量計測法により測定するために、質量分析計１２がプラズマ処理室５の内壁部に取り付けられている。プラズマ処理室５と質量分析計１２内のイオン化室１３とのガス圧力差を制御するために、質量分析計１２には、直径例えば０．１ｍｍのオリフィス１４から質量分析計１２のイオン化室１３にガスを取り込み、差動排気を行うようになっている。プラズマ処理室５内の電子密度をラングミュア法により測定するために、プラズマ処理室５の側壁面には、ラングミュアプローブ１７が取り付けられている。ラングミュアプローブ１７のセンサ１８は、プラズマ処理室５内のプラズマ発生部１５に出入り可能に設けられている。センサ１８の出入方向は、矢印Ｆの方向である。
【００２６】
本実施の形態１のプラズマ処理装置は、電磁波源３とプラズマ処理室５とを具備し、電磁波源３から発せられた電磁波によってプラズマ処理室５内に生成されたプラズマ発生部１５でプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、プラズマ処理室５内のプラズマ発生部１５の体積を変化させるために、移動体９がプラズマ処理室５内に設けられている。プラズマ発生部１５は、電磁波によって生成されたプラズマの存在する領域をいう。移動体９は、被処理基板８を支持する基板支持台２２の側壁２３とプラズマ処理室５の内側壁２４との間に設けられた環状板（環状体）である。この移動体９の材質は、例えばステンレスやアルミニウムなどである。
【００２７】
この移動体９は、電磁波放射窓４と平行な面を有し、内側壁２４に沿って上下動する。この上下動は、移動体９の底面に一端が取り付けられた支持棒２５により行われ、この支持棒２５の他端は、図示しない上下駆動源に接続されている。この上下駆動源は、プラズマ処理室５の外に設けられている。したがって、支持棒２５は、プラズマ処理室５の底面に設けられた貫通孔を介して設けられ、ベローズ１６により気密に構成されている。
【００２８】
プラズマ処理室５の上面には、電磁波源３からの電磁波をプラズマ処理室内５に導入する電磁波放射窓４を有し、移動体９は電磁波放射窓４とほぼ平行に設けられ、ベローズ１６の下の方に設けた図示しない駆動機構によって矢印Ａに示すごとく上下方向に移動されるようになっている。移動体９の上下方向の位置は、所望するプラズマ密度分布になった位置である。
【００２９】
図１中の各寸法例は、Ｂは１０ｃｍ、Ｃは直径２３ｃｍ、Ｄは２６．５ｃｍ、Ｅは４０ｃｍ×４０ｃｍ角である。
【００３０】
図３に、移動体９を最も下げた状態（電磁波放射窓４から５０ｃｍ下方の位置）において、純Ａｒプラズマの場合（図３中の白の丸で示す）と、３％（容積％。以下同様）の酸素で希釈したＡｒプラズマの場合（図３中の黒の四角で示す）の場合について、全ガス圧力に対するラングミュア法により測定した電子密度を示す。この場合の体積は、０．０５ｍ３である。この場合の体積を大プラズマ体積と称する。酸素で希釈した場合は、プラズマ酸化を行うことができ、本装置は、プラズマ酸化処理装置として使用できる。Ａｒプラズマの場合は、エッチングを行うことができ、本装置は、エッチング処理装置として使用できる。
電力は２５０Ｗである。図３に示されるように、全ガス圧力を増加させると共に、電子の拡散定数が減少するため、電子密度は減少する。Ａｒガスへ３％の酸素ガスを混ぜることにより、電子密度は純Ａｒの場合より増加した。
【００３１】
次に、プラズマ発生部１５の体積（以下、プラズマ体積と記す）を減少させるため、移動体９を上方に移動させ、電磁波放射窓４から２６．５ｃｍのところに移動した。図４は、このプラズマ体積を小さくした場合の、全ガス圧力に対する電子密度を示す。電力とガス流量は、図３の場合と同じである。この場合の体積は、０．０２ｍ３である。この場合の体積を小プラズマ体積と称する。
【００３２】
小プラズマ体積の場合、電子密度は、３％の酸素で希釈したＡｒプラズマ（図３と同様、黒四角で示す）の方が純Ａｒプラズマ（図３と同様、白丸で示す）の場合より小さい。この結果は、図３の大プラズマ体積の場合と逆である。
【００３３】
図５は、図３と図４の純Ａｒプラズマでの大小プラズマ体積を変えた状態を比較して示す特性図であり、図６は、図３と図４の酸素で希釈したＡｒプラズマでの大小プラズマ体積を変えた状態を比較して示す特性図である。
【００３４】
図３〜図６から判るように、純Ａｒプラズマの場合、プラズマ体積の増加と共に電子密度は減少した。しかし、酸素添加Ａｒプラズマの場合は、プラズマ体積の増加と共に、電子密度はかなり増加した。特に、全ガス圧力が低い条件で、この電子密度の増加が大きい。
このプラズマ体積が電子密度に影響する原因は明らかではないが、プラズマ処理室５のプラズマに面する内壁面で原子状酸素が再結合し、プラズマ中の荷電粒子のバランスに影響することが考えられる。図１のプラズマ処理装置をプラズマ酸化装置として構成した場合において、原子状酸素密度を、質量分析計１２を用い、出現質量計測法により測定した。全ガス圧力に対する原子状酸素密度を図７に示す。電力とガス流量の実験条件は、図３、図４と同じである。大プラズマ体積は黒丸、小プラズマ体積は白丸で示す。大プラズマ体積の場合、原子状酸素密度は、全ガス圧力の増加と共に増加した。小プラズマ体積の場合は、原子状酸素密度は、全ガス圧力に対してほとんど変化しなかった。図７において、原子状酸素密度大は、酸化速度が速いことを示している。
【００３５】
これらの結果から、プラズマの条件以外に、プラズマ処理室５内の移動体９を移動させて、実質的なプラズマ体積を制御して、原子状酸素のプラズマ処理室５のプラズマに面する内壁面での再結合を含めた電荷粒子のプラズマ中でのバランスを制御することにより、原子状酸素密度を制御できることが判った。
【００３６】
実施の形態２
本実施の形態２は、本発明を平行平板プラズマ処理装置に適用した場合である。図８は、平行平板対向電極３１、３２間に、電磁波源として、高周波例えば１３．５６ＭＨｚを発振する高周波源３３を接続してプラズマを発生させるプラズマ処理装置に、実施の形態１で説明した移動体９を設けた実施の形態である。電極３１は、処理ガスを流入するためのシャワー電極になっており、そこから処理ガスが流入され、電極３１、３２間にプラズマ発生部１５が形成される。
【００３７】
大プラズマ体積動作時、移動体９は、最下位置に移動され、小プラズマ体積動作時、移動体９は、最上位置に移動される。上記プラズマ体積が電子密度や原子状酸素密度に影響する原因が、電子がプラズマ処理室５のプラズマに面する内壁面へ侵入したり、該壁で原子状酸素が再結合し、プラズマ中の荷電粒子のバランスに影響することが考えられることから、本発明はプラズマを生成する電磁波の周波数に拠らず、どの周波数にも適用できる。好ましくは、通常、プラズマ処理装置に用いられている１３ＭＨｚから３０ＧＨｚの周波数である。特に、生産される電源の種類が多いマイクロ波の２．４５ＧＨｚや、ＶＨＦ（超短波）プラズマで用いられている４０ＭＨｚから８０ＭＨｚ、ＲＦ（高周波）プラズマで法律で許可されている１３．５６ＭＨｚの周波数を用いることが工業的には好ましい。
【００３８】
実施の形態３
本実施の形態３は、実施の形態１のプラズマ処理装置において、移動体９を被処理基板８の基板支持台２２と一体に設けた場合である。図９は、基板支持台２２の基板８の載置面と同一平面となるように、環状の移動体９を一体に設けた状態を説明するための断面図である。大プラズマ体積動作時、移動体９および基板支持台２２は、最下位置に移動される。小プラズマ体積動作時、移動体９および基板支持台２２は、最上位置に移動される。
【００３９】
実施の形態４
本実施の形態４は、移動体９を電磁波放射窓４とほぼ垂直方向に設け、この移動体９を水平方向に移動させることにより、プラズマ体積を制御する場合である。図１０には、プラズマ処理室５の内側壁２４の一壁面に平板状方形の移動体９を設けた断面図が示されている。プラズマ処理室５内は、ここでは液晶表示装置作成用の方形状ガラス基板である基板８を収容するために、立方体状空間に形成されている。移動体９は、立方体状空間の一側壁面に平行に設け、矢印Ｇ方向に移動させる例である。移動体９を矢印Ｇ方向に移動させるために、支持棒４１の一端に移動体９の裏面が取り付けられている。支持棒４１の他端には、プラズマ処理室５の外において駆動源（図示せず）が取り付けられている。
【００４０】
支持棒４１は、プラズマ処理室５の側壁面を貫通して設けられている。この貫通部は、ベローズ４２により気密でかつ移動可能に構成されている。大プラズマ体積動作時、移動体９は、プラズマ処理室５の側壁面方向に移動され、小プラズマ体積動作時、移動体９は、プラズマ処理室５の内方に移動される。
【００４１】
以上本発明を実施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
例えば、上記実施の形態では、ウェハ温度が６００℃以下の低温酸化の場合であったが、酸化、成膜、エッチングあるいは表面改質等のプラズマ処理にも適用可能である。
【００４２】
このように、上記実施の形態では、プラズマ処理室５内の移動体９を移動させ、実質的なプラズマ発生部１５の体積を制御し、電子や原子状酸素のプラズマ処理室５のプラズマに面する内壁面での再結合を制御することにより、プラズマ条件以外で、電子密度や原子状酸素密度を制御できるので、プラズマを効率良く制御できるプラズマ処理装置、プラズマ酸化処理装置およびプラズマ処理方法を提供することができる。
【００４３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、プラズマを効率良く制御できるプラズマ処理装置、プラズマ酸化処理装置およびプラズマ処理方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１のプラズマ処理装置の断面図である。
【図２】図１の本発明の実施の形態１のプラズマ処理装置の外観斜視図である。
【図３】移動体を最も下げた状態、すなわち、大プラズマ体積において、純Ａｒプラズマの場合と、３％酸素で希釈したＡｒプラズマの場合の場合について、全ガス圧力に対するラングミュア法により測定した電子密度を示す特性図である。
【図４】小プラズマ体積の場合の、純Ａｒプラズマと３％酸素希釈Ａｒプラズマの場合について、全ガス圧力に対する電子密度を示す特性図である。
【図５】図３と図４の純Ａｒプラズマでの大小プラズマ体積を変えた場合の電子密度を比較して示す特性図である。
【図６】図３と図４の酸素で希釈したＡｒプラズマでの大小プラズマ体積を変えた場合の電子密度を比較して示す特性図である。
【図７】大プラズマ体積および小プラズマ体積の場合の、全ガス圧力に対する原子状酸素密度を示す特性図である。
【図８】本発明の実施の形態２のプラズマ処理装置の断面図である。
【図９】本発明の実施の形態３のプラズマ処理装置の断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態４のプラズマ処理装置の断面図である。
【図１１】（ａ）は従来の第１のプラズマ処理装置の上面図、（ｂ）は（ａ）の断面図である。
【図１２】（ａ）は従来の第２のプラズマ処理装置の上面図、（ｂ）は（ａ）の断面図である。
【符号の説明】
１…矩形導波管、２…スロット、３…電磁波源、４…電磁波放射窓、５…プラズマ処理室、６…ガス導入口、７…ガス排気口、８…基板、９…移動体、１０…オートチューナ、１１…Ｏリング、１２…質量分析計、１３…イオン化室、１４…オリフィス、１５…プラズマ発生部、１６、２６…真空保持用のベローズ、１７…ラングミュアプローブ、１８…センサ、２０…反射面、２１…Ｈ面、２２…基板支持台、２３…側壁、２４…内側壁、２５、４１…支持棒、
３１、３２…電極、３３…高周波源３３、
６１…同軸伝送路、６２…スロット、６３…円形マイクロ波放射板、６４…電磁波放射窓、６５…プラズマ処理室、６６…ガス導入口、６７…ガス排気口、６８…基板、６９…基板支持台、
７１…矩形導波管、７２…スロット、７３…マイクロ波源、７４…電磁波放射窓、７５…プラズマ処理室、７６…ガス導入口、７７…ガス排気口、７８…基板、７９…基板支持台、８０…矩形導波管の反射面、８１…矩形導波管のＨ面。
【図１】
2004235215.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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