(57)【要約】【課題】電子部品を接合する半田の再溶融による不良の発生を、抑制することのできる構造を有した複合電子部品を提供することを目的とする。【解決手段】電子部品２４ａと積層セラミック基板２１との間に隙間２８ａを設け、その隙間２８ａを樹脂２７で埋めることにより、電子部品の実装接合部の半田の再溶融による不良の発生を抑制できる。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、この基板に実装した電子部品と、少なくともこの電子部品を覆う樹脂とからなり、この樹脂は前記電子部品と基板との間の隙間を埋めてなる複合電子部品。
【請求項２】
基板の表面と、この基板に実装した電子部品との対向する表面との面間距離を４０μｍ以上とした請求項１に記載の複合電子部品。
【請求項３】
基板は、この基板表面の電子部品を実装する対向位置に凹部を設けた請求項１に記載の複合電子部品。
【請求項４】
基板の凹部の深さは、４０μｍ以上とした請求項３に記載の複合電子部品。
【請求項５】
基板の凹部は、樹脂モールドにおける樹脂の流れ方向に沿って設けた請求項３に記載の複合電子部品。
【請求項６】
電子部品は、基板の実装側対向面に凹部を設けた請求項１に記載の複合電子部品。
【請求項７】
電子部品の凹部の深さは、４０μｍ以上とした請求項６に記載の複合電子部品。
【請求項８】
基板は、電子部品が実装されている対向位置に貫通孔を設けた請求項１に記載の複合電子部品。
【請求項９】
貫通孔は、少なくともその一部に樹脂を埋めてなる請求項８に記載の複合電子部品。
【請求項１０】
基板は、電子部品が実装されている対向位置に非貫通孔を設けた請求項１に記載の複合電子部品。
【請求項１１】
非貫通孔は、少なくともその一部に、樹脂を埋めてなる請求項１０に記載の複合電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多数個取りの集合基板である基板に抵抗、コンデンサ、ＳＡＷフィルタなどの電子部品を実装し、その上から一括樹脂封止した後、個々に分割してなる複合電子部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
以下、従来の複合電子部品について図面を参照しながら説明する。
【０００３】
図５は従来の複合電子部品の断面図である。
【０００４】
図５において、１は導体層とセラミック層とを交互に積層して焼成して形成した積層セラミック基板である。２は積層セラミック基板１の下面に設けた下面電極である。この下面電極２は、銀、銅などの金属を主成分とする導電ペーストを積層セラミック基板１の所望の箇所に複数個印刷し、加熱・加圧した後、焼成して形成したものである。３は積層セラミック基板１の上面に設けた上面電極で、銀、銅などの金属を主成分とする導電ペーストを積層セラミック基板１の所望の箇所に複数個印刷・焼成し形成したものである。４（４ａ〜４ｂ）は積層セラミック基板１の上面電極３の上面に実装した電子部品で、ＳＡＷフィルタ、チップ部品などである。５（５ａ〜５ｂ）は電子部品４のそれぞれの端子電極で、積層セラミック基板１の上面電極３に半田６を介して接合する。７は積層セラミック基板１の上面および電子部品４の周囲を覆う樹脂である。
【０００５】
以上のように構成した複合電子部品９は、親プリント基板１０に設けた表面ランド１１に下面電極２を半田付けして用いる。
【０００６】
従来、複合電子部品９の内部の電子部品４を積層セラミック基板１に接合するのに用いる半田６は高温半田を用い、複合電子部品９を親プリント基板１０に接合するのに用いる半田は低温半田を用いていた。そして、複合電子部品９を親プリント基板１０に低温で半田付けする時に、電子部品４を積層セラミック基板１に接合した半田６は溶融しなかった。
【０００７】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、積層セラミック基板の替わりに樹脂系絶縁層を持つプリント配線板を用いた事例として、例えば、特許文献１、特許文献２がある。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００２−１９０５６４号公報
【特許文献２】
特開２００２−１９０４９８号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
近年、廃棄された各種電子機器から溶出する鉛が環境汚染を引き起こすことから、各種電子機器の鉛非含有化が要請されてきている。そこで、電子部品４を積層セラミック基板１に接合する半田６と、複合電子部品９を親プリント基板１０に接合する半田とは、ともに高温半田である鉛非含有半田を用いる必要が生じてきている。この場合、複合電子部品９を親プリント基板１０に半田付けするときの熱で、複合電子部品９の内部の電子部品４を積層セラミック基板１に接合している半田６が再溶融する。この再溶融した半田６が積層セラミック基板１と電子部品４との間隙の空間８（８ａ〜８ｂ）に流出し、オープン不良が発生するという問題点を有していた。
【００１０】
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、半田の再溶融による不良の発生を抑制する複合電子部品を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、以下の構成を有する。
【００１２】
本発明の第１の発明は、特に、電子部品と積層セラミック基板との間の隙間を樹脂で埋めるもので、電子部品と積層セラミック基板を接合する半田が樹脂で覆われているため再溶融しても半田が流出せず、オープン不良が発生しないという作用を有するものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１における複合電子部品について、図面を参照しながら説明する。
【００１４】
図１は本実施の形態１における複合電子部品の断面図である。
【００１５】
図１において、２１は導体層とセラミック層とを交互に積層して焼成して形成した積層セラミック基板である。２２は積層セラミック基板２１の下面に設けた下面電極である。この下面電極２２は、銀、銅などの金属を主成分とする導電ペーストを積層セラミック基板２１の所望の箇所に複数個印刷し、加熱・加圧した後、焼成して形成する。２３は積層セラミック基板２１の上面に設けた上面電極で、銀、銅などの金属を主成分とする導電ペーストを積層セラミック基板２１の所望の箇所に複数個印刷・焼成する。２４（２４ａ〜２４ｂ）は積層セラミック基板２１の上面電極２３の上面に実装した電子部品で、ＳＡＷフィルタ、チップ部品などである。２５（２５ａ〜２５ｂ）は電子部品２４のそれぞれの端子電極で、積層セラミック基板２１の上面電極２３に半田２６を介して接合する。２７は積層セラミック基板２１の上面に少なくとも電子部品２４の周囲を覆うように設けた樹脂である。２８（２８ａ〜２８ｂ）は、積層セラミック基板２１の上面と電子部品２４の下面との間の隙間で、電子部品２４を覆う樹脂と同一の樹脂２７を充填したものである。
【００１６】
以上のように構成した複合電子部品２９は、親プリント基板１０に設けた表面ランド１１に下面電極２２を半田付けして用いる。
【００１７】
本実施の形態は、積層セラミック基板表面２１と電子部品２４との間の隙間２８に樹脂２７を充填するものであり、半田２６が再溶融しても流出しないのでオープン不良にはならないという効果を奏する。
【００１８】
また、樹脂２７の封止方法はトランスファーモールド法とし、樹脂材料はフィラー径７０μｍのエポキシ樹脂を用いる。この樹脂２７は粒径３０μｍ以下のフィラーを１５〜２５％含有する。電子部品２４として平面寸法１．０ｍｍ×０．５ｍｍの１００５チップ抵抗器を用い、積層セラミック基板２１の上に実装・樹脂モールドして、サンプルを作製した。このサンプル各５０個の水平断面をスライスして、積層セラミック基板２１と１００５チップ抵抗器との間隙における樹脂２７の充填不良の発生率を確認した。その結果を（表１）に示す。
【００１９】
【表１】
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【００２０】
（表１）から明らかなように、積層セラミック基板２１と１００５電子部品２４との対向する面間距離が４０μｍ以上のときに充填不良は発生しなかった。これにより、積層セラミック基板２１と１００５電子部品２４との対向する面間距離を４０μｍ以上とすると特に効果的であることが判る。
【００２１】
なお、本実施の形態では、図１に示すように上面が平坦な積層セラミック基板２１を用いたが、図２に示すように上面電極２６の間に凹部３２ａ〜３２ｂを設けることにより、積層セラミック基板２１と１００５電子部品２４との対向する面間距離を確保しても同様の効果を奏する。この時、凹部は、樹脂モールドにおける樹脂の流れ方向に沿って設けると、モールド時に樹脂がスムーズに流れ込むという効果を奏する。さらに、凹部３２ａ〜３２ｂの深さを４０μｍ以上とすると良い。
【００２２】
また、本実施の形態では図１に示すように下面が平坦な電子部品２４ａ〜２４ｂを用いたが、図３に示すように端子電極２５ａ〜２５ｂの間に凹部４２ａ〜４２ｂを設けることにより、積層セラミック基板２１と１００５電子部品２４との対向する面間距離を確保しても同様の効果を奏する。この時、凹部４２ａ〜４２ｂの深さを４０μｍ以上とすると更に良い。
【００２３】
また、本実施の形態は、基板をセラミック基板として説明したが、セラミック以外の基板でも良い。
【００２４】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２における複合電子部品について、図面を参照しながら説明する。
【００２５】
図４は本実施の形態２における複合電子部品の断面図である。
【００２６】
図４において、５１は導体層とセラミック層とを交互に積層して焼成して形成した積層セラミック基板である。５２は積層セラミック基板５１の下面に設けた下面電極である。この下面電極５２は、銀、銅などの金属を主成分とする導電ペーストを積層セラミック基板５１の所望の箇所に印刷し、加熱・加圧した後、焼成して形成するものである。５３は積層セラミック基板５１の上面に設けた上面電極で、銀、銅などの金属を主成分とする導電ペーストを積層セラミック基板５１の所望の箇所に印刷・焼成して形成する。
【００２７】
５４（５４ａ〜５４ｂ）は積層セラミック基板５１の上面電極５３の上面に実装した電子部品で、ＳＡＷフィルタ、チップ部品などである。５５（５５ａ〜５５ｂ）は電子部品５４のそれぞれの端子電極で、積層セラミック基板５１の上面電極５３に半田５６を介して接合する。５７は積層セラミック基板５１の上面の少なくとも電子部品５４を覆うように設けた樹脂である。５８は積層セラミック基板５１の上面から垂直に下面に至る貫通孔であり、電子部品５４ａの下方に位置する。５９は積層セラミック基板５１の上面から下面方向に向かって垂直に設けた非貫通孔で、電子部品５４ｂの下方に位置する。６０は、５１〜５９の構成を備えた複合電子部品である。
【００２８】
本実施の形態は、積層セラミック基板５１の電子部品５４が実装されている対向位置に貫通孔５８および非貫通孔５９を設けたものである。貫通孔５８は、樹脂５７を注入する時に、注入圧力によりエアを抜くものであり、電子部品５４と積層セラミック基板５１との接合部間を隙間なく充填する。貫通孔５８の少なくとも一部には樹脂５７を埋め込み、電子部品５４と積層セラミック基板５１との隙間への樹脂５７の埋め込みを確実にする。
【００２９】
非貫通孔５９は、注入圧力によりエアを非貫通孔５９に閉じ込めるものであり、電子部品５４と積層セラミック基板５１との接合部間を隙間なく充填する。これは設計上、貫通孔５８を設ける余地がない場合に有効である。非貫通孔５９の少なくとも一部には樹脂５７を埋め込み、電子部品５４と積層セラミック基板５１との接合部への樹脂５７の埋め込みを確実にする。
【００３０】
なお、本実施の形態は、基板をセラミック基板として説明したが、セラミック以外の基板でも良い。
【００３１】
【発明の効果】
以上のように本発明は、基板と電子部品との間に隙間を設け、その隙間を樹脂で埋めることにより、半田の再溶融による不良の発生を抑制することができるという効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における複合電子部品の断面図
【図２】本発明の他の実施の形態１における複合電子部品の断面図
【図３】本発明の他の実施の形態１における複合電子部品の断面図
【図４】本発明の実施の形態２における複合電子部品の断面図
【図５】従来の複合電子部品の断面図
【符号の説明】
２１　積層セラミック基板
２２　下面電極
２３　上面電極
２４ａ　電子部品
２４ｂ　電子部品
２５ａ　電子部品の端子電極
２５ｂ　電子部品の端子電極
２６　半田
２７　樹脂
２８ａ　隙間
２８ｂ　隙間
２９　複合電子部品
３１　積層セラミック基板
３２ａ　凹部
３２ｂ　凹部
４１ａ　電子部品
４１ｂ　電子部品
４２ａ　凹部
４２ｂ　凹部
５１　積層セラミック基板
５２　下面電極
５３　上面電極
５４ａ　電子部品
５４ｂ　電子部品
５５ａ　電子部品の端子電極
５５ｂ　電子部品の端子電極
５６　半田
５７　樹脂
５８　貫通孔
５９　非貫通孔
６０　複合電子部品
【図１】
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【図２】
2004134562.tif 000005
【図３】
2004134562.tif 000006
【図４】
2004134562.tif 000007
【図５】
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