(57)【要約】【課題】クロストークによる画質劣化改善のため、接続配線にクロム等の低反射金属層を追加して接続配線の抵抗値を下げると、液晶層のギャップムラによる表示劣化を招くという問題が起こる。【解決手段】液晶表示パネルにおいて、上側基板上で非画像表示部には酸化インジウム錫（ＩＴＯ）と低反射金属層との２層構造からなる接続配線を形成し、一方、下側基板上で非画像表示部には遮蔽膜を形成する。遮蔽膜の厚さを下側基板上で画像表示部に形成したカラーフィルタに対して調整するか、あるいは非画像表示部に配されるスペーサーの径を画像表示部に配されるスペーサーの径に対して調整するかして、上側基板と下側透明基板とのギャップを画像表示部から非画像表示部まで等しくする。【選択図】　　　図１
2004102252.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々電極を有する第１の基板と第２の基板との間に液晶層を挟持し、前記第１の基板の一辺側にまたはその一辺とそれに対向する辺に、前記第１の基板の電極及び前記第２の基板の電極をそれぞれ駆動するための駆動電極群を配設した液晶表示パネルであって、前記第１及び第２の基板を貼り合わせているシール部と、前記駆動電極群を配設した辺と直交する辺の側に設置され、前記電極と前記駆動電極群とを接続するための接続配線とを有し、前記シール部より内側には画像表示部を設け、さらに、前記画像表示部と前記シール部との間には非画像表示部を設け、前記接続配線は前記非画像表示部に配設し、前記接続配線の厚さは前記画像表示部における前記電極の厚さより大きくし、かつ前記画像表示部における第１及び第２の基板間の距離と前記非画像表示部における第１及び第２の基板間の距離とをほぼ等しくしている、前記の液晶表示パネル。
【請求項２】
前記接続配線は低反射金属層を含む、請求の範囲第１項に記載の液晶表示パネル。
【請求項３】
前記電極は酸化インジウム錫から構成され、前記接続配線は酸化インジウム錫と低反射金属層との２層構造である、請求の範囲第１項に記載の液晶表示パネル。
【請求項４】
前記電極は酸化インジウム錫から構成され、前記接続配線は酸化インジウム錫の２層構造である、請求の範囲第１項に記載の液晶表示パネル。
【請求項５】
前記画像表示部にカラーフィルタ層を配置し、かつ、前記第１及び第２の基板の間にはスペーサーを配置し、前記画像表示部に配置されるスペーサーの径は、前記非画像表示部に配置されるスペーサーの径よりも小さくした、請求の範囲第１項に記載の液晶表示パネル。
【請求項６】
前記画像表示部にカラーフィルタ層を配置し、前記接続配線の厚さは、前記画像表示部における前記カラーフィルタ層の厚さに前記電極の厚さを加えた値にほぼ等しくした、請求の範囲第１項に記載の液晶表示パネル。
【請求項７】
前記非画像表示部に遮蔽膜を配置した、請求の範囲第１項に記載の液晶表示パネル。
【請求項８】
前記画像表示部に前記遮蔽膜の厚さよりも大なる厚さのカラーフィルタ層を配置した、請求の範囲第７項に記載の液晶表示パネル。
【請求項９】
前記画像表示部にカラーフィルタ層を配置し、前記非画像表示部に遮蔽膜を配置し、前記電極は酸化インジウム錫から構成され、前記接続配線は酸化インジウム錫と低反射金属層との２層構造とし、前記接続配線を構成する酸化インジウム錫の厚さは前記電極を構成する酸化インジウム錫とほぼ同じ厚さとし、しかも、前記遮蔽膜の厚さを、前記カラーフィルタ層の厚さより低反射金属層の厚さ分だけ薄くした大きさとした、請求の範囲第１項に記載の液晶表示パネル。
【請求項１０】
前記画像表示部に前記遮蔽膜の厚さとほぼ等しい厚さのカラーフィルタ層を配置し、かつ、前記第１及び第２の基板間にスペーサーを配置し、前記画像表示部に配置されるスペーサーの径は前記非画像表示部に配置されるスペーサーの径よりも大きくした、請求の範囲第７項に記載の液晶表示パネル。
【請求項１１】
前記画像表示部には反射層とカラーフィルタ層とを重ねて配置し、前記カラーフィルタ層の厚さを前記遮蔽膜の厚さとほぼ等しくし、しかも、前記接続配線の厚さは、前記反射層の厚さと前記電極の厚さを加えた値にほぼ等しくした、請求の範囲第７項に記載の液晶表示パネル。
【請求項１２】
前記画像表示部にカラーフィルタ層と反射層を重ねて配置し、前記非画像表示部に遮蔽膜を配置し、前記電極は酸化インジウム錫から構成され、前記接続配線は酸化インジウム錫と低反射金属層との２層構造とし、前記接続配線を構成する酸化インジウム錫の厚さは前記電極を構成する酸化インジウム錫とほぼ同じ厚さとし、しかも、前記カラーフィルタ層の厚さと前記遮蔽膜の厚さをほぼ同じにし、かつ、前記低反射金属層の厚さと前記反射層の厚さをほぼ同じにした、請求の範囲第１項に記載の液晶表示パネル。
【請求項１３】
前記遮蔽膜は黒色の樹脂である、請求の範囲第７項に記載の液晶表示パネル。
【請求項１４】
前記駆動電極群に電極駆動用ＩＣを直接実装した、請求の範囲第１項に記載の液晶表示パネル。
【請求項１５】
低反射金属層は、酸化クロム層とクロム層との２層構造である、請求項２、３、９、１２に記載の液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、小型の液晶表示パネル、特に画像表示部におけるギャップムラを解消した小型液晶表示パネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示パネルの構造に関して日本に２００２年２月８日に特許出願され、２００２年１２月４日に出願公開（特許文献１参照）されている。この関連技術を図７〜図１２を用いて以下に説明する。
図７及び図８に示すように、上側の透明基板２と下側の透明基板４は、それぞれガラス基板からなり、シール部１６でもって互いに接着されている。これら基板２と基板４とシール部１６とで囲まれた領域に液晶物質が充填される。図７及び図８では図示していないが、上側の透明基板２の下面及び下側の透明基板４の上面にはそれぞれ電極線群が形成されている。さらに、上側の透明基板２上には、これら電極線群を駆動する信号を出力する電極駆動ＩＣ１２が直接チップ・オン・ガラス実装でもって設けられている。この電極駆動ＩＣ１２に必要な信号は、上側の透明基板２に異方性導電フィルムによって接着されたフレキシブル・プリンテッド・サーキット５０を介して外部から送られる。
【０００３】
図９は、上側及び下側の透明基板２，４上に配置された電極線群を示す図であり、上側の透明基板２上の電極線群６６、５４、５６を実線で示し、下側の透明基板４上の電極線群６２、６４を二点鎖線で示す。上側の透明基板２上の電極線群６６、５４、５６のうち、電極線群６６は信号電極線であり、電極線群５４及び５６はそれぞれ接続配線である。一方、下側の透明基板４上の電極線群６２及び６４はともに走査電極線である。なお、符号５２は上側基板２の外形を示している。
【０００４】
図９に示すように、信号電極線６６は上側透明基板２上で電極駆動ＩＣ１２に直接に接続されている。表示画面の上半分をカバーする走査電極線６２は表示画面右側の接続配線５４を介して電極駆動ＩＣ１２に接続し、表示画面の下半分をカバーする走査電極線６４は表示画面左側の接続配線５６を介して電極駆動ＩＣ１２に接続している。表示画面右側の接続配線５４と表示画面の上半分の走査電極線６２とはシール部１６内の接続部５８によって接続し、また、表示画面左側の接続配線５６と表示画面の下半分の走査電極線６４とはシール部１６内の接続部６０によって接続している。シール部１６には、導電粒がちりばめられた異方性導電シール剤（以下ＡＣＳと略記する）が用いられている。
図９に示すように、矩形をした上側基板２の一辺（上辺）側に電極駆動ＩＣ１２が実装され、かつ、電極駆動ＩＣ１２を実装したその一辺と直交する両辺（左右の辺）の側に接続配線５４及び５６が配置される。
上側の透明基板２上の信号電極線６６と下側の透明基板４上の走査電極線６２、６４とが交差した領域が画像表示部１８である。信号電極線６６と走査電極線６２、６４とが交差した点が１画素を構成する。
【０００５】
液晶表示パネルでシール部１６からシール部１６内側の近傍にわたる領域は正常な液晶表示ができないため、画像表示部１８とシール部１６との間には、斜めから液晶表示パネルを見てもシール部１６が見えてしまわないように若干の隙間、すなわち非画像表示部２０、を設ける必要がある。そこで、液晶表示パネルを小型化するために、接続配線５４，５６をこの非画像表示部２０に引き回している。
【０００６】
多数本の接続配線５４，５６を狭い非画像表示部２０に引き回すには、１本の接続配線５４，５６の幅を相当狭くしなければならない。画素の大きさは通常、その一辺が２００〜３００μｍ程度の四角形であり、したがって走査電極線６２、６６は２００〜３００μｍの幅を有する。しかし、接続配線５４，５６を非画像表示部２０に引き回すには、１本の接続配線５４，５６の幅を走査電極線６２、６６の幅の約１／１０に、すなわち、２０〜３０μｍ幅に、しなければならない。このように、接続配線５４，５６の幅を狭くするとその抵抗値が大きくなってしまい、液晶の駆動の際に液晶画素に印加される信号がなまってしまいクロストークが大きくなるという、画質劣化問題が起きてしまう。
【０００７】
この画質劣化問題を解消するために電極の膜厚を大きくしたり、接続配線にクロム等の低反射金属層を追加する方法がある。通常、電極線には透明な酸化インジウム錫（以下ＩＴＯと略記する）を用いているが、このＩＴＯを厚くしたり、あるいは透明基板の表面に低反射クロムを０．３μｍ程度形成した後に０．２μｍ程度のＩＴＯを付けて接続配線をＩＴＯと低反射クロムとの積層構造することも行われている。０．３μｍ厚の低反射クロムは０．２μｍ厚のＩＴＯよりもシート抵抗が１／１０程度であるため、接続配線の低抵抗化には絶大な効果がある。
【０００８】
また、ＩＴＯと低反射クロムとの２層構造からなる接続配線５４，５６を使用すると、低反射クロムが遮光膜となるので、接続配線５４，５６と走査電極線６２、６４との交差部における液晶が点灯してしまっても上から見えなくするという改善効果もある。
【０００９】
図１０は、図９に示す、表示画面右側の接続配線５４と表示画面の上半分の走査電極線６２とを接続する接続部５８付近の構造を説明するための拡大図である。図１０に示すように、接続配線５４は、その端部がシール部１６まで延長されて接続部５８を形成している。接続配線５４はこの接続部５８でＡＣＳにより走査電極線６２と電気的に接続されている。図１０において、接続配線５４で斜線を施した部分がＩＴＯに低反射クロムを付け加えた領域を示す。前述したように、低反射クロムをＩＴＯに付け加えることにより接続配線５４の低抵抗化が実現できる。接続配線５４のＩＴＯに低反射クロムを付け加える領域は図１０に示すように非画像表示部２０における部分のみとしても、あるいは非画像表示部２０における部分に加え接続部５８も含ませてもよい。
【００１０】
図１１は接続配線のＩＴＯに低反射クロムを付け加える領域を示した図で、同図に斜線で示したように、図９の接続配線５４、５６をカバーする領域７０及び７２にそれぞれ低反射クロムが付け加えられている。
【００１１】
以上紹介した関連技術では、接続配線のＩＴＯに低反射クロムを付加することでその接続配線の抵抗値を下げて画質の劣化を防いでいるが、新たな問題が発生している。かかる問題を図１２を用いて説明する。
【００１２】
図１２は図１１のＡ−Ａ’断面を示す図である。図１２において、下側透明基板４上で、画像表示部１８には赤（Ｒ），緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ層２４が順に繰り返し形成され、また、非画像表示部２０には黒色の樹脂からなる遮蔽膜７４がカラーフィルタ層２４と同じ厚さで形成されている。そして、カラーフィルタ層２４と遮蔽膜７４の上には走査電極線６２が形成されている。この遮蔽膜７４は、下側透明基板４の下面に補助光源（図示せず）を設ける場合には、非画像表示部２０からの光もれを防ぐ効果を有する。
一方、上側透明基板２上で、画像表示部１８には信号電極線６６が形成され、非画像表示部２０には接続配線５４が形成されている。この接続配線５４はＩＴＯ層と低反射クロム層２２との積層構造であり、低反射クロム層２２が透明基板２側に位置する。この接続配線５４のＩＴＯはシール部１６迄延びて接続部５８を形成している。
上側の透明基板２と下側の透明基板４とシール部１６とで囲まれた領域が液晶層１０となっている。液晶層１０のギャップｔ１２を正確に出すため、液晶層１０内には画像表示部１８、非画像表示部２０ともに同じ大きさの径のスペーサー３２，３４が配されている。
【００１３】
問題となるのはＩＴＯに低反射クロム層２２を付加してなる接続配線５４の厚さである。通常、走査電極線６２のＩＴＯ、信号電極線６６のＩＴＯ、接続配線５４におけるＩＴＯは、ともに０．２μｍ程度に形成する。また、接続配線５４におけるＩＴＯに付加する低反射クロムの厚さは０．３μｍ程度にそれぞれ設定される。そうすると、上側透明基板２上で非画像表示部２０に形成された接続配線の厚さは、上側透明基板２上で画像表示部１８に形成された信号電極線６６の厚さよりも、低反射クロム層２２の厚さ分、すなわち、０．３μｍ程度、大きくなる。
ここで、液晶層１０内で、画像表示部１８に配するスペーサー３２と非画像表示部２０に配するスペーサー３４とを同一径のものとすると、図１２に示すように、非画像表示部２０における上側の透明基板２と下側の透明基板４とのギャップｔ１３は、画像表示部１８における上側の透明基板２と下側の透明基板４とのギャップｔ１４よりも低反射クロム層２２の厚さ分（０．３μｍ）大きくなる。上側の透明基板２は硬いガラス基板でできていることから、上側の透明基板２で、非画像表示部２０に隣接する画像表示部１８の一部は、非画像表示部２０に近づくにしたがって下側の透明基板４との間隔を徐々に広げている。その結果、上側の透明基板２のその部分ではスペーサー３２が機能しないため液晶層１０にギャップムラが生じてしまう。ＳＴＮ液晶では０．１μｍを越えるギャップムラは表示異常として視認されてしまうため、０．３μｍ程度のギャップムラは無視し得ない表示劣化を招いてしまう。
【００１４】
上記のような液晶表示パネルにおいて、接続配線を非画像表示部に引き回すことでその幅を狭くしたため抵抗値を大きくしてしまうのを、接続配線（配線パターン）をアルミニウムなどの導電性に優れた金属で形成することで解決することが日本の特許公報（特許文献２参照）に示されている。
【００１５】
【特許文献１】
特開２００２−３５０８９２号公報（第７頁、図７）
【特許文献２】
特開２００２−１８９２２７号公報（第７頁〜第８頁、図１７〜図１９）
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献２では、アルミニウムの接続配線の厚さを信号電極線のＩＴＯの厚さと同じにすることによって、上側基板と下側基板とのギャップを画像表示部から非画像表示部まで同じにして、表示ムラの発生を防いでいる。しかし、アルミの接続配線の厚さを電極線のＩＴＯの厚さに制限したことは、接続配線の厚さを大にして抵抗値を下げようとすることを妨げたことになる。
【００１７】
以上説明したように、クロストークによる画質劣化改善のため、接続配線にクロム等の低反射金属層を追加して接続配線の抵抗値を下げると、液晶層のギャップムラによる表示劣化を招くという問題が起こる。また、かかるギャップムラを解消するために接続配線を導電性に優れた薄い金属でもって形成することも考えられたが、そうするとその金属の薄さが金属により抵抗を小さくするという効果を減殺してしまうという問題がある。
【００１８】
本発明の目的は、低抵抗の接続配線構造を用いかつ液晶層のギャップムラによる表示劣化のない液晶表示パネルを提供することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明による液晶表示パネルは、各々電極を有する第１の基板と第２の基板との間に液晶層を挟持し、前記第１の基板の一辺側にまたはその一辺とそれに対向する辺に、前記第１の基板の電極及び前記第２の基板の電極をそれぞれ駆動するための駆動電極群を配設した液晶表示パネルである。さらに、この液晶表示パネルは、前記第１及び第２の基板を貼り合わせるシール部と、前記駆動電極群を配設した辺　と直交する辺の側に設置され、前記電極と前記駆動電極群とを接続するための接続配線とを有する。そして、前記シール部より内側には画像表示部を設け、また、前記画像表示部と前記シール部との間には非画像表示部を設け、前記接続配線は前記非画像表示部に配設する。前記接続配線の厚さは前記画像表示部における前記電極の厚さより大きくし、かつ、前記画像表示部における第１及び第２の基板間の距離と前記非画像表示部における第１及び第２の基板間の距離とをほぼ等しくする。
【００２０】
本発明による液晶表示パネルは以下の態様をとることができる。
接続配線は低反射金属層を含む。
電極は酸化インジウム錫から構成され、接続配線は酸化インジウム錫と低反射金属層との２層構造である。
電極は酸化インジウム錫から構成され、接続配線は酸化インジウム錫の２層構造である。
画像表示部にカラーフィルタ層を配置し、かつ、第１及び第２の基板の間にはスペーサーを配置し、画像表示部に配置されるスペーサーの径は非画像表示部に配置されるスペーサーの径よりも小さくする。
画像表示部にカラーフィルタ層を配置し、接続配線の厚さは、画像表示部におけるカラーフィルタ層の厚さに電極の厚さを加えた値にほぼ等しくする。
非画像表示部に遮蔽膜を配置する。
画像表示部に遮蔽膜の厚さよりも大なる厚さのカラーフィルタ層を配置する。
【００２１】
画像表示部にカラーフィルタ層を配置し、非画像表示部に遮蔽膜を配置し、電極は酸化インジウム錫から構成され、接続配線は酸化インジウム錫と低反射金属層との２層構造とし、接続配線を構成する酸化インジウム錫の厚さは電極を構成する酸化インジウム錫とほぼ同じ厚さとし、しかも、遮蔽膜の厚さをカラーフィルタ層の厚さより低反射金属層の厚さ分だけ薄くする。
画像表示部に前記遮蔽膜の厚さとほぼ等しい厚さのカラーフィルタ層を配置し、かつ、第１及び第２の基板間にスペーサーを配置し、画像表示部に配置されるスペーサーの径は非画像表示部に配置されるスペーサーの径よりも大きくする。画像表示部には反射層とカラーフィルタ層とを重ねて配置し、カラーフィルタ層の厚さを遮蔽膜の厚さとほぼ等しくし、しかも、接続配線の厚さは反射層の厚さと電極の厚さを加えた値にほぼ等しくする。
画像表示部にカラーフィルタ層と反射層を重ねて配置し、非画像表示部に遮蔽膜を配置し、電極は酸化インジウム錫から構成され、接続配線は酸化インジウム錫と低反射金属層との２層構造とし、接続配線を構成する酸化インジウム錫の厚さは電極を構成する酸化インジウム錫とほぼ同じ厚さとし、しかも、カラーフィルタ層の厚さと遮蔽膜の厚さをほぼ同じにし、かつ、低反射金属層の厚さと反射層の厚さをほぼ同じにする。
遮蔽膜は黒色の樹脂である。
駆動電極群に電極駆動用ＩＣを直接実装する。
低反射金属層は、酸化クロム層とクロム層との２層構造である。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明による液晶表示パネルの各実施形態を図１〜図６を用いて説明する。これら図１〜図６はいずれも図９のＡ−Ａ’断面を示す断面図である。
【００２３】
液晶表示パネルの第１の実施形態を図１を用いて説明する。
下側透明基板４上で画像表示部１８には赤（Ｒ），緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ層２４が０．８μｍ程度の厚さで順に繰り返し形成されている。そのカラーフィルタ層２４の上には８０本の走査電極線６２及び８０本の走査電極線６４が形成されている。なお、図１は図９のＡ−Ａ’断面を示す図であるから、この図には表示画面の上半分をカバーする走査電極線６２のみ示され、表示画面の下半分をカバーする走査電極線６４は示されない。走査電極線６２、６４は０．２μｍ厚程度のＩＴＯで形成されている。
【００２４】
一方、上側透明基板２上で画像表示部１８には、Ｒ，Ｇ，Ｂごとそれぞれ１２０本、合計３６０本の信号電極線６６が形成されている。信号電極線６６は０．２μｍ厚程度のＩＴＯで形成されている。上側透明基板２上で非画像表示部２０には約０．２μｍ厚のＩＴＯ層と約０．３μｍ厚の低反射金属層（酸化クロム層とクロム層を積層した低反射クロム層２２）との積層構造からなる接続配線５４が形成されている。つまり接続配線５４は、透明基板２側から順番に酸化クロム層、クロム層、ＩＴＯ層が積層された構造となっている。低反射クロム層２２は上側透明基板２側に位置する。このように、接続配線５４の厚さは画像表示部の走査電極線６２や信号電極線６６の厚さよりも低反射クロム層２２の厚さ分だけ大きなっている。
上側透明基板２上で（画面右側の）非画像表示部２０に設置される接続配線５４の数は（画面上半分をカバーする）走査電極線６２の数と同じで８０本であるが、図１ではその数を簡略して示している。右端の接続配線５４のＩＴＯはシール部１６迄延びて接続部５８を形成している。
上側の透明基板２と下側の透明基板４とはシール部１６で接着されている。これら上側の透明基板２と下側の透明基板４とシール部１６とで囲まれた領域が液晶層１０となっている。液晶層１０のギャップを正確に出すために、画像表示部１８には画像表示部スペーサー２６が、また、非画像表示部２０には非画像表示部スペーサー２８が、液晶層１０内にそれぞれ配置されている。
なお下側透明基板４上にはその全域に反射層もしくは半透過反射層が設けられているが図１には示されていない。
【００２５】
画像表示部１８において、上側透明基板２と下側透明基板４との間には、０．８μｍ厚のカラーフィルタ層２４と０．２μｍ厚の走査電極線６２と０．２μｍ厚の信号電極線６６があって、それらの合計厚さは１．２μｍである。一方、非画像表示部２０において、上側透明基板２と下側透明基板４との間には、０．２μｍ厚の走査電極線６２と０．５μｍ厚（０．３μｍの低反射クロム＋０．２μｍのＩＴＯ）の接続配線５４があって、それらの合計厚さは０．７μｍである。したがって、本実施形態では、ある径の画像表示部スペーサー２６と、それよりも径が０．５μｍ（＝１．２μｍ−０．７μｍ）大きい非画像表示部スペーサー２８とを用いることによって、画像表示部１８における上側下側透明基板２、４間のギャップｔ１と、非画像表示部２０における上側下側透明基板２、４間のギャップｔ２とを同じにすることで、表示ムラが生じない液晶表示パネルを提供することができる。
【００２６】
なお、液晶層１０内で画像表示部１８と非画像表示部２０とに径の異なるスペーサー２６、２８を配置するには、画像表示部１８または非画像表示部２０をマスクしてスペーサーを散布する方法、画像表示部１８と非画像表示部２０とに、大きさの異なるスペーサーを別々に印刷によって形成する方法、画像表示部１８と非画像表示部２０とを別々にフォトリソ法を用いてそれぞれスペーサーを形成する方法等の従来技術を用いることが可能である。
【００２７】
なお、図１では下側基板４上に走査電極線６２が、また上側基板２上に信号電極線６６が設けられている例を示しているが、これとは逆に下側基板４上に信号電極線６６が、また上側基板２上に走査電極線６２が設けられるよう構成してもよい。
また、上記第１実施形態である図１では、第１の基板である上側透明基板２の一辺側にまたはその一辺とそれに対向する辺に、信号電極６６と走査電極６２、６４をそれぞれ駆動するための駆動電極群が明記していないが、その部分は従来技術と同様なので、説明を簡単にするために省略した。以下の実施形態も同様である。
また本発明では、駆動電極群に電極駆動ＩＣの端子を直接接続する（いわゆるチップオンガラス実装：図１１の構造）か、もしくは電極駆動ＩＣを搭載した回路基板の配線パターンを接続しても良い。
【００２８】
液晶表示パネルの第２の実施形態を図２を用いて説明する。図２では図１と同じ部材には同じ番号を付している。
【００２９】
図２の液晶表示パネルは、図１の液晶表示パネルのカラーフィルタ層２４を０．４μｍ薄くする一方、接続配線５４における低反射クロム層２２を０．１μｍ厚くしたものに相当する。かく変更した結果、画像表示部１８におけるカラーフィルタ層２４の厚さと走査電極線６２の厚さを加算した厚さｔ３（０．６μｍ）と、非画像表示部２０における接続配線５４の厚さｔ４（０．４μｍ＋０．２μｍ＝０．６μｍ）とがほぼ等しくなる。
したがって、画像表示部１８における上側透明基板２と下側透明基板４との間に設置される部材（カラーフィルタ層２４、走査電極線６２、信号電極線６６）の合計厚さと、非画像表示部２０における上側透明基板２と下側透明基板４との間に設置される部材（走査電極線６２、接続配線５４）の合計厚さとが等しくなる。
その結果、本実施形態では、ある径の画像表示部スペーサー３２とそれと同一径の非画像表示部スペーサー３４を用いることで、上側透明基板２と下側透明基板４とのギャップを画像表示部１８から非画像表示部２０まで同じにすることができる。これら同一径のスペーサー３２、３４は同一工程で形成することができる。
【００３０】
図２の液晶表示パネルでは、走査電極線６２のＩＴＯ、信号電極線６６のＩＴＯ、接続配線５４におけるＩＴＯ層をすべて同じ厚さ（たとえば０．２μｍ）に設定している場合、カラーフィルタ層２４の厚さを接続配線５４における低反射クロム層２２の厚さと同じに設定すれば、使用する画像表示部スペーサー３２と非画像表示部スペーサー３４とを同一径とすることができる。
【００３１】
なお低反射クロム層２２の厚さを０．４μｍ程度にすることは製造条件の変更で容易に実現できる。また、カラーフィルタ層２４の厚さを０．４μｍ程度に薄くすることも製造条件及び材料の変更で実現可能である。カラーフィルタ層２４を斯く薄くしてもカラーフィルタ材料の色濃度を通常の約２倍にすることにより通常の（０．８μｍ厚の）のカラーフィルタ層と同等の彩度の表示の実現は可能である。
【００３２】
液晶表示パネルの第３の実施形態を図３を用いて説明する。図３では図１と同じ部材には同じ番号を付している。
【００３３】
本実施形態では下側透明基板４の非画像表示部２０上に遮蔽膜３０を設けている。このように遮蔽膜３０を下側透明基板４上に設けることにより、低反射クロム層２２で覆われた接続配線５４の線間からの光の漏れを防ぐことができ、画質を向上させることができる。そして、その遮蔽膜３０の製造を容易にするためにその厚さをカラーフィルタ層２４と同じ０．８μｍに設定している。一方で、接続配線５４における低反射クロム層２２の厚さは図１の液晶表示パネルと同様に０．３μｍ程度に維持している。
【００３４】
図３の液晶表示パネルでは、遮弊膜３０の厚さがカラーフィルタ層２４の厚さと同じなので、非画像表示部スペーサー３８の径を小さくすることによって、非画像表示部２０における上側透明基板２と下側透明基板４とのギャップを図１の液晶表示パネルの場合と同じにしている。
その結果、図３の液晶表示パネルでは、遮弊膜３０の厚さをカラーフィルタ層２４の厚と等しくしたこと伴って、非画像表示部スペーサー３８の径を画像表示部スペーサー３６の径より小さいものを用いることによって、画像表示部１８における上側透明基板２と下側透明基板４とのギャップｔ９と、非画像表示部２０における上側透明基板２と下側透明基板４とのギャップｔ１０とを同じにして、液晶表示パネルに表示ムラが生じないようにしている。
【００３５】
なお、液晶層１０内で画像表示部１８と非画像表示部２０とに径の異なるスペーサーを配置するには、画像表示部１８または非画像表示部２０をマスクしてスペーサーを散布する方法、画像表示部１８と非画像表示部２０とに、大きさの異なるスペーサーを別々に印刷によって形成する方法、画像表示部１８と非画像表示部２０とを別々にフォトリソ法を用いてそれぞれスペーサーを形成する方法等の従来技術を用いることが可能である。
【００３６】
また図４のように非画像表示部スペーサー３８に画像表示部スペーサー３６よりも径が小さいスペーサーを用いている構成はカラーフィルタ層２４を持たない白黒表示液晶パネルにも応用可能である。
【００３７】
液晶表示パネルの第４の実施形態を図４を用いて説明する。図４では図１と同じ部材には同じ番号を付している。
【００３８】
図４の液晶表示パネルでは、下側透明基板４で非画像表示部２０には黒色の樹脂で形成した遮蔽膜３０を設けている。このように遮蔽膜３０を下側透明基板４上に設けることにより、前述の第３実施形態と同様に、低反射クロム層２２で覆われた接続配線５４の線間からの光の漏れを防ぐことができ、画質を向上させることができる。
【００３９】
この遮蔽膜３０はカラーフィルタ層２４よりも薄く設定している。この場合、例えば遮蔽膜３０を構成する樹脂材料の粘度を下げて塗布したり、スピンナーによる形成条件を変えたりすることで、容易に遮蔽膜３０をカラーフィルタ層２４よりも薄く設定できる。本実施形態では、例えば、カラーフィルタ層２４の厚さは０．８μｍに設定されているのに対し、遮蔽膜３０の厚さは０．５μｍに設定されている。また、接続配線５４における低反射クロム層２２の厚さは０．３μｍに設定されている。したがって、カラーフィルタ層２４の厚さｔ５（０．８μｍ）は、遮蔽膜３０の厚さｔ６（０．５μｍ）と低反射クロム層２２の厚さｔ７（０．３μｍ）を加えた厚さとはほぼ等しくなっている。
よって、本実施形態では、信号電極線６６のＩＴＯとさらに接続配線５４におけるＩＴＯとを同じ厚さに設定すれば、ある径の画像表示部スペーサー３２とそれと同一径の非画像表示部スペーサー３４とを用いることによって、上側透明基板２と下側透明基板４とのギャップを画像表示部１８から非画像表示部２０まで等しくすることができる。
【００４０】
このように図４の液晶表示パネルでは、非画像表示部２０の遮蔽膜３０の厚さを、カラーフィルタ層２４の厚さｔ５よりも接続配線５４における低反射クロム層２２の厚さｔ７分小さく設定したため、使用する画像表示部１８のスペーサー３２と非画像表示部スペーサー３４とを同一径とすることができ、製造上のスペーサー管理が容易になる。
【００４１】
以上図１〜図４に示した液晶表示パネルは、下側透明基板４上全域に反射層もしくは半透過反射層が設けられるが、図示は省略した。
液晶表示パネルの第５の実施形態を図５を用いて説明する。図５では図３と同じ部材には同じ番号を付している。
【００４２】
図５の液晶表示パネルでは、反射層４０を下側透明基板４上の画像表示部１８にのみ設けている。この反射層４０は０．３μｍ程度の厚さで形成されている。また遮蔽膜３０は図４と同様にカラーフィルタ層２４と同じ０．８μｍ厚で形成されている。
【００４３】
この実施形態では、反射層４０の厚さｔ８と低反射クロム層２２の厚さｔ７とが同じに設定されているため、走査電極線６２のＩＴＯと信号電極線６６のＩＴＯを同じ厚さにすれば、ある径の画像表示部スペーサー３２とそれと同一径の非画像表示部スペーサー３４とを用いることによって、上側透明基板２と下側透明基板４とのギャップを画像表示部１８から非画像表示部２０まで等しくすることができるので、表示ムラが生じない液晶表示パネルを提供できる。
【００４４】
このように、本実施形態では、遮蔽膜３０とカラーフィルタ層２４とを同じ厚さとし、かつ接続配線５４の厚さを反射層４０と走査電極線６２の厚さを足した厚さとほぼ同じにしたため、小型でかつ表示劣化のない液晶表示パネルが実現できる。
【００４５】
なお反射層４０には、ほぼ完全に光を反射する反射層、一定の比率で光を透過／反射する半透過反射層、画素毎に一部に穴を開けて一定の比率の光を透過させる反射層と各種あるが、すべて図５の反射層の概念に含まれるものである。
【００４６】
液晶表示パネルの第６の実施形態を図６を用いて説明する。図６では図１と同じ部材には同じ番号を付している。
この図６に示す液晶表示パネルは、カラーフィルタ層２４を持たず白黒表示液晶表示パネルであること、さらに接続配線がＩＴＯ層と低反射クロム層との積層構造ではなくＩＴＯ層とＩＴＯ層との積層構造である点で、図１〜図５に示した液晶表示パネルとは異なる。
接続配線は上側透明基板２上の第１のＩＴＯ層５４ａと第１のＩＴＯ層５４ａ上の第２のＩＴＯ層５４ｂとの積層構造である。上側透明基板２上で非画像表示部２０に第１のＩＴＯ層５４ａを形成した後に、上側透明基板２上で画像表示部１８に信号電極線６６のＩＴＯを形成するのと同一の工程で第２のＩＴＯ層５４ｂを第１のＩＴＯ層５４ａの上に形成する。第２のＩＴＯ層５４ｂの厚さは信号電極線６６のＩＴＯの厚さに等しい。なお、第１のＩＴＯ層５４ａは第２のＩＴＯ層５４ｂよりも厚くして接続配線全体の抵抗値を低くしている。
【００４７】
本実施形態では、非画像表示部スペーサー３８の径を、画像表示部スペーサー３６の径より接続配線における第１のＩＴＯ層５４ａの厚さ分小さくすることによって、画像表示部１８における上側透明基板２と下側透明基板４とのギャップと、非画像表示部２０における上側透明基板２と下側透明基板４とのギャップとを同じにして、液晶表示パネルに表示ムラが生じないようにしている。
図６の液晶表示パネルでは接続配線をＩＴＯの２層構造にしてその厚さを大にすることで抵抗値を低くしている。図１〜図５に示す液晶表示パネルにおいても、その接続配線５４をＩＴＯ層と低反射クロム層との積層構造とする代わりに、ＩＴＯの２層構造にしても抵抗値を低くすることができる。
【００４８】
以上説明したように、本発明は画像表示部と非画像表示部における上下透明基板間の、スペ　ーサーを含めた、部材の厚さの合計を等しくすることによって、上側の透明基板と下側の透　明基板間の距離を、画像表示部と非画像表示部とで、ほぼ等しくすることを特徴としている　。したがって設計上の問題で走査電極線と信号電極線のＩＴＯの厚さを異ならせるような場　合も本発明による手法で調整することができる。
【００４９】
【発明の効果】
本発明は以上の構成を備えるので、配線パターンの配線抵抗を下げて且つ基板間のギャップムラによる画質の劣化を発生させない液晶表示パネルを実現することができる。また、配線パターンからの光漏れや、配線パターンが立体交差する部分で発生する不必要な表示は、遮光膜によって目隠しすることができ、しかも遮光膜を設けた場合は、その厚さだけを調節して基板間のギャップを一定に保つことができるので、生産上の管理が容易である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態による液晶表示パネルの断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態による液晶表示パネルの断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態による液晶表示パネルの断面図である。
【図４】本発明の第４の実施形態による液晶表示パネルの断面図である。
【図５】本発明の第５の実施形態による液晶表示パネルの断面図である。
【図６】本発明の第６の実施形態による液晶表示パネルの断面図である。
【図７】従来の液晶表示パネルの平面図である。
【図８】図７の液晶表示パネルの側面図である。
【図９】上下の透明基板上に配された電極線群を説明する図である。
【図１０】図９の液晶表示パネルの一部の拡大図である。
【図１１】図９の接続配線に低反射金属層を付加する領域について説明する図である。
【図１２】図１１のＡ−Ａ’断面を示す図である。
【符号の説明】
２　上側透明基板
３　下側透明基板
１６　シール部
１８　画像表示部
２０　非画像表示部
２２　低反射クロム層
５４　接続配線
６２　走査電極線
６６　信号電極線
【図１】
2004102252.tif 000003
【図２】
2004102252.tif 000004
【図３】
2004102252.tif 000005
【図４】
2004102252.tif 000006
【図５】
2004102252.tif 000007
【図６】
2004102252.tif 000008
【図７】
2004102252.tif 000009
【図８】
2004102252.tif 000010
【図９】
2004102252.tif 000011
【図１０】
2004102252.tif 000012
【図１１】
2004102252.tif 000013
【図１２】
2004102252.tif 000014