(57)【要約】【課題】可変光減衰器の減衰率は温度により変動し、また、駆動電流に対して極大値を持つので十分な減衰量を与えることができない。【解決手段】可変光減衰器の減衰量Ａは、ファラデー回転子により回転した光の偏光方向と検出子の偏光方向との相対角度に応じて変化し、ファラデー回転子による偏光方向の回転量は、駆動電流により生じた電磁石の磁界により変化するので、可変光減衰器の減衰率は特定の駆動電流で極大となる。信号光送出部の可変光減衰器の駆動電流を、減衰量が極大となるように制御することで、可変光減衰器により信号光送出部の出力を抑制できるので、機器構成が簡易となる。【選択図】図２
2004361818.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減衰量を変化させた際に減衰量の極大値を有する可変光減衰器と、
前記可変光減衰器の出力をモニタし、前記モニタ結果に基づき前記減衰量を前記極大値に制御する制御部を備えた信号光送出部。
【請求項２】
光源と、
前記光源の出力光を変調する変調器と、
前記変調器の出力信号光をモニタし、前記変調器の前記モニタ結果に基づき前記変調器のバイアス電圧を制御し、前記変調器に前記光源の出力光を特定量減衰して出力させる第１の制御部と、
前記変調器の出力信号光を減衰する、減衰量を変化させた際に減衰量の極大値を有する可変光減衰器と、
前記可変光減衰器の出力をモニタし、前記可変減衰器の前記モニタ結果に基づき前記減衰量を前記極大値に制御する制御部を備えた信号光送出部。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光伝送システムに用いられる信号光送出部に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、情報の伝送容量への需要は飛躍的に増大しており、幹線系に用いられる光伝送システムでは、大容量かつ柔軟なネットワーク形成が求められている。このような光伝送システムへの需要に対応するために、波長多重（ＷＤＭ；Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘ）通信が広く用いられている。ＷＤＭ伝送では、複数の異なる波長の光を多重化し、１本の光ファイバで複数の信号を同時に伝送することで、伝送容量を増加させている。
【０００３】
ＷＤＭ伝送に用いられる信号光を出力する送信端局は、複数の波長の異なる光を、それぞれのチャンネルの信号で変調した後、多重化することにより、複数の信号を１本の光ファイバにより伝送する。ＷＤＭ伝送システムにおいて、伝送路の特性や中継器の光増幅器等のデバイスの特性は、波長に対し一様ではないので、受信端における信号対雑音比（ＯＳＮＲ；Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｓｉｇｎａｌ−ｔｏ−Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ）を揃えるために、送信端側で信号光波長の強度に予め強度差（プリエンファシス；ｐｒｅｅｍｐｈａｓｉｓ）をつけたＷＤＭ信号光を送出することが行われている。このため、ＷＤＭ送信端局を構成する単波長信号光送出部は、出力信号光強度が可変であることが求められる。
【０００４】
また、ＷＤＭ送信端局では、現用系／予備系（Ｗ／Ｐ；Ｗｏｒｋ  ／  Ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ）切り替えを短時間に、例えば１０ｍｓ以内に行うことにより、光源等の故障により信号光を送出できなくなってから、迅速に通信を再開できる冗長構成も用いられている。
【０００５】
図９に、従来の技術による、１チャンネルの信号光を送出する単波長信号光送出部を示す。図９の単波長信号光送出部１Ｂは、現用トランスポンダ部２Ｃと、予備トランスポンダ部２Ｄと、光スイッチ（ＯＳＷ；Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｓｗｉｔｃｈ）４Ａと、制御部５Ａにより構成される。
【０００６】
現用トランスポンダ部２Ｃは、外部からの電気信号を光源からの光を変調した信号光として出力する電気／光信号変換部（Ｅ／Ｏ；Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｔｏ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ  ｕｎｉｔ）１０Ｄと、Ｅ／Ｏ１０Ｄからの出力光の光強度を変化させる可変光減衰器（ＶＯＡ；Ｖａｒｉａｂｌｅ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ａｔｔｅｎｕａｔｏｒ）１１Ｄと、可変光減衰器１１Ｄを駆動する可変光減衰器駆動部（ＶＯＡ  ＤＲＶ；Ｖａｒｉａｂｌｅ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ａｔｔｅｎｕａｔｏｒ  Ｄｒｉｖｅ  Ｕｎｉｔ）１２Ｄと、カプラ（ＣＰＬ；Ｃｏｕｐｌｅｒ）１４Ｄにより分岐された出力光強度をモニタするフォトダイオード（ＰＤ；ＰｈｏｔｏＤｉｏｄｅ）１３Ｄと、制御部（ＣＴＲＬ；Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｕｎｉｔ）１５Ｄより構成される。
【０００７】
同様に、予備トランスポンダ部２ＤはＥ／Ｏ１０Ｅと、可変光減衰器（ＶＯＡ）１１Ｅと、可変光減衰器駆動部（ＶＯＡ  ＤＲＶ）１２Ｅと、フォトダイオード（ＰＤ）１３Ｅと、カプラ（ＣＰＬ）１４Ｅと、制御部（ＣＴＲＬ）１５Ｅより構成される。
【０００８】
Ｅ／Ｏ１０Ｄおよび１０Ｅは、レーザダイオード（ＬＤ；Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ）等の光源より出力される光を、直接変調または外部変調により変調し、信号光として出力するが、１０ｍｓ程度の短時間で出力光強度を変化させることはできない。
【０００９】
図９に示される単波長信号光送出部１Ｂでは、現用トランスポンダ部２Ｃと予備トランスポンダ部２Ｄとを、光スイッチ４Ａで切り替えている。光スイッチの切り替え速度は１０ｍｓ程度であるので、前記Ｗ／Ｐ切り替え時間の基準を満たして切り替えることができる。
【００１０】
また、単波長信号光送出部は、Ｅ／Ｏの波長および出力強度が安定するまでは、外部に信号光を出力しないことが求められるので、Ｅ／Ｏ１０Ｄの波長および出力強度が安定するまでは、光スイッチ４Ａは信号光を出力しない。Ｅ／Ｏ１０Ｄの波長および出力強度が安定すると、光スイッチ４Ａは現用トランスポンダ部２Ｃからの信号光を出力する。
【００１１】
光強度が１０ｍｓ程度の短時間で増加する信号光が光増幅器に入力された場合、誘導放出により光増幅器の増幅率が一時的に増大し、設計値以上の強度を持つ光サージが発生し、ＷＤＭシステムに悪影響を与える。
【００１２】
したがって、光スイッチ４Ａが現用トランスポンダ部２Ｃからの信号光を出力する場合、光スイッチ４Ａを単独で動作させると光サージが発生するので、可変光減衰器１１Ｄおよび１１Ｅと光スイッチ４Ａを連動させ、光強度が緩やかに変化するように制御する必要がある。すなわち、可変光減衰器を制御する制御部１５Ｄおよび１５Ｅと、光スイッチを制御する制御部５Ａとが連携する必要がある。
【００１３】
可変光減衰器１１Ｄおよび１１Ｅに用いられる可変光減衰器として、ファラデー回転子を用いた可変光減衰器が知られている（例えば特許文献１）。図１０に、ファラデー回転子を用いた可変光減衰器を示す。
【００１４】
図１０に示される可変光減衰器は、偏光子（Ｐ；Ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）２０と、磁気光学結晶であるファラデー回転子（ＦＲ；Ｆａｒａｄａｙ  Ｒｏｔａｔｏｒ）２１と、検光子（Ａ；Ａｎａｌｙｚｅｒ）２２と、ファラデー回転子２１に磁界を印加する永久磁石２３と、ヨーク３１及びコイル３２からなる電磁石２４により構成され、光ビーム６は、偏光子１０、ファラデー回転子２１、検光子２２の順に供給される。
【００１５】
永久磁石２３による磁界は、ファラデー回転子２１に、光ビーム６の方向と垂直の方向に印加され、電磁石２４による磁界は、ファラデー回転子２１に、光ビーム６の方向と同じ方向に印加される。
【００１６】
光ビーム６が偏光子２０に供給されると、偏光子２０の偏光方向と同じ偏光方向を有する直線偏光の光が出力される。この直線偏光の光は、ファラデー回転子２１を通過し、このとき、通過光の偏光方向は、光ビーム６の方向に発生した磁化ベクトルの大きさに応じてファラデー効果によって回転される。偏光方向が回転された光ビーム６は、検光子２２へ供給される。
【００１７】
永久磁石２３による磁界は、ファラデー回転子２１内の磁区を単一にするくらいに十分大きいので、永久磁石２３と電磁石２４との合成磁界も十分大きく、多数の磁区が存在することによるファラデー回転子２１内での光ビーム６の損失を非常に少なくすることができる。
【００１８】
電磁石２４の磁界の大きさは、コイル３２に印加する電流によって変化でき、それによって、合成磁界の方向も変化できる。このとき、合成磁界のうちの光ビーム６と同一の方向の成分（磁化ベクトル）によって、光ビーム６の偏光方向がファラデー効果によって回転させられる。
【００１９】
光ビーム６の偏光方向のファラデー効果による回転角θＦは、
【００２０】
【数１】
θＦ＝Ｖ×Ｌ×Ｈ    （１）
で表される。ここで、Ｖは、ヴェルデ定数であり、ファラデー回転子２１の材質によって決定される。Ｌは、ファラデー回転子２１における光路長、Ｈは合成磁界の強さを示す。ファラデー効果によって回転された光ビーム６の偏光方向が、検光子２２の偏光方向と一致しない場合、光ビーム６の一部或いは全部が検光子２２によって遮断され、光ビーム６は減衰する。
【００２１】
可変光減衰器の減衰量Ａは、ファラデー回転子により回転した光の偏光方向と検出子の偏光方向との相対角度をθとすると、
【００２２】
【数２】
Ａ＝１０  ｌｏｇ（ｃｏｓ２（９０−θ）＋Ｅ）＋Ｌｏ    （２）
で表される。ここで、Ｅは、可変光減衰器を構成する光学部品の消光比（真数）、Ｌｏは、光学部品の内部損失（ｄＢ）である。
【００２３】
図１１に、可変光減衰器の駆動電流を変化させたときの減衰量の変化を示す。（２）式に示されるように、可変光減衰器の減衰量Ａは、ファラデー回転子により回転した光の偏光方向と検出子の偏光方向との相対角度θに応じて変化し、ファラデー回転子による偏光方向の回転量θＦは、（１）式に示されるように、合成磁界Ｈにより変化するから、可変光減衰器の駆動電流により電磁石２４の磁界を変化させ、合成磁界を変化させることにより、可変光減衰器の減衰量を制御することができる。
【００２４】
図１１に示されるように、駆動電流値により可変光減衰器の減衰量は変化するが、可変光減衰器の減衰量が最大となる駆動電流値は、温度によって変化する。
【００２５】
【特許文献１】
特開平６−５１２５５号公報
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】
可変光減衰器としてファラデー回転子を用いた可変光減衰器を用いる場合、図１１に示されるように、可変光減衰器の減衰量は駆動電流値により変化し、駆動電流と減衰量との関係は温度により変化する。すなわち、特定の減衰量に対応する駆動電流値や、減衰量極大点に対応する駆動電流値は一定ではない。
【００２７】
また、減衰量極大点の前後で、駆動電流値を増加させたときの減衰量の変化方向が逆になる。
【００２８】
このため、例えば、図９においてＰＤ１３Ｄまたは１３Ｅにより分岐光をモニタした出力により、単純に可変光減衰器駆動部１２Ｄまたは１２Ｅにフィードバックをかけるだけでは、可変光減衰器１１Ｄまたは１１Ｅの減衰量を最大とすることはできないので、可変光減衰器のみで出力信号光を抑制することはできない。
【００２９】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決するものであり、第１の発明による信号光送出部は、減衰量を変化させた際に減衰量の極大値を有する可変光減衰器と、前記可変光減衰器の出力をモニタし、前記モニタ結果に基づき前記減衰量を前記極大値に制御する制御部を備える。
【００３０】
可変光減衰器の減衰量が極大値となるように制御することにより、信号光送出部の出力を抑制できるので、信号光を出力しない状態から、任意の強度の信号光を出力する状態までを連続的に変化することのできる信号光送出部が構成される。
【００３１】
第２の発明による信号光送出部は、光源と、前記光源の出力光を変調する変調器と、前記変調器の出力信号光をモニタし、前記変調器の前記モニタ結果に基づき前記変調器のバイアス電圧を制御し、前記変調器に前記光源の出力光を特定量減衰して出力させる第１の制御部と、前記変調器の出力信号光を減衰する、減衰量を変化させた際に減衰量の極大値を有する可変光減衰器と、前記可変光減衰器の出力をモニタし、前記可変減衰器の前記モニタ結果に基づき前記減衰量を前記極大値に制御する制御部を備える。
【００３２】
これにより、可変光減衰器に入力する光の強度が十分でなく、可変光減衰器の出力をモニタすることにより減衰量の制御が十分にできない場合でも、変調器のバイアス電圧制御により、光源からの出力は一定量減衰され、信号光送出部の出力を確実に抑制することができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下に、図面を参照しながら本発明による単波長信号光送出部およびこれを用いた光伝送システムについて説明する。
【００３４】
図１に、第１の実施例による、１チャンネルの信号光を送出する単波長信号光送出部を示す。図１の単波長信号光送出部１Ａは、現用トランスポンダ部２Ａと、予備トランスポンダ部２Ｂと、カプラ３Ａにより構成される。
【００３５】
現用トランスポンダ部２Ａは、信号光発生部として、外部からの電気信号を光源からの光を変調した信号光として出力する電気／光信号変換部（Ｅ／Ｏ；Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｔｏ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ  ｕｎｉｔ）１０Ａと、Ｅ／Ｏ１０Ａからの出力光の光強度を変化させる可変光減衰器（ＶＯＡ；Ｖａｒｉａｂｌｅ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ａｔｔｅｎｕａｔｏｒ）１１Ａと、可変光減衰器１１Ａを駆動する可変光減衰器駆動部（ＶＯＡ  ＤＲＶ；Ｖａｒｉａｂｌｅ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ａｔｔｅｎｕａｔｏｒ  Ｄｒｉｖｅ  Ｕｎｉｔ）１２Ａと、カプラ（ＣＰＬ；Ｃｏｕｐｌｅｒ）１４Ａにより分岐された出力光強度をモニタするフォトダイオード（ＰＤ；ＰｈｏｔｏＤｉｏｄｅ）１３Ａと、制御部（ＣＴＲＬ；Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｕｎｉｔ）１５Ａより構成される。
【００３６】
同様に、現用トランスポンダ部２Ｂは、外部からの電気信号を光源からの光を変調した信号光として出力するＥ／Ｏ１０Ｂと、Ｅ／Ｏ１０Ｂからの出力光の光強度を変化させる可変光減衰器（ＶＯＡ）１１Ｂと、可変光減衰器１１Ｂを駆動する可変光減衰器駆動部（ＶＯＡ  ＤＲＶ）１２Ｂと、カプラ（ＣＰＬ）１４Ｂにより分岐された出力光の強度をモニタするＰＤ１３Ｂと、制御部（ＣＴＲＬ）１５Ｂより構成される。
【００３７】
Ｅ／Ｏ１０Ａおよび１０Ｂは、光源と変調手段を有し、光源からの光を、図１に示されるように、外部からの信号により変調し、信号光として出力する。
【００３８】
可変光減衰器１１Ａおよび１１Ｂは、それぞれＥ／Ｏ１０Ａおよび１０Ｂより出力された信号光を減衰し、出力する。可変光減衰器１１Ａおよび１１Ｂの与える減衰量は、それぞれ可変光減衰器駆動部１２Ａおよび１２Ｂより出力される電流により変化する。
【００３９】
カプラ１４Ａおよび１４Ｂは、それぞれ可変光減衰器１１Ａおよび１１Ｂより出力された信号光を、トランスポンダ部２Ａおよび２Ｂより出力する光と、ＰＤ１３Ａおよび１３Ｂに入力される光とに分岐するカプラであり、例えば２０：１カプラが用いられる。
【００４０】
制御部１５Ａおよび１５Ｂは、ＰＤ１３Ａおよび１３Ｂにより電気信号に変換された出力から、可変光減衰器１１Ａおよび１１Ｂの出力をモニタし、可変光減衰器駆動部１２Ａおよび１２Ｂより可変光減衰器１１Ａおよび１１Ｂに出力される電流値を制御する。可変光減衰器１１Ａおよび１１Ｂの減衰量を制御することにより、トランスポンダ部２Ａおよび２Ｂの出力信号光強度が制御されるから、トランスポンダ部２Ａおよび２Ｂの外部より制御部１５Ａおよび１５Ｂを制御することで、トランスポンダ部２Ａおよび２Ｂの出力信号光強度が制御される。
【００４１】
カプラ３Ａは、現用（Ｗｏｒｋ）トランスポンダ部２Ａと、予備（Ｐｒｏｔｅｃｔ）トランスポンダ部２Ｂの出力を合波するカプラであり、トランスポンダ部２Ａおよび２Ｂの一方の出力を抑制すれば、他方の出力がカプラ３Ａの出力となる。
【００４２】
第１の実施例による単波長信号光送出部１Ａは、可変光減衰器１１Ａおよび１１Ｂの減衰量を常に極大点周辺に制御するモードを備えることにより、短時間でのＷ／Ｐ切り替えと、信号光出力の変化速度変化を行う単波長信号光送出部を構成する。
【００４３】
まず、可変光減衰器１１Ａおよび１１Ｂの減衰量を常に極大点周辺に制御する方法について説明する。
【００４４】
図２に可変減衰器の駆動電流と減衰量との関係を、図３に、可変光減衰器の減衰量を極大値付近とする制御方法を示す。
【００４５】
図３において、可変光減衰器の減衰量を常に極大点周辺とする制御を始める場合（Ｓ１１）、まず、可変光減衰器の駆動電流を単位分増加させる（Ｓ１２）。駆動電流の増加／減少単位量は、減衰量が極大値付近に収斂する大きさであり、後述するように、可変光減衰器の駆動電流−減衰量特性等により定められる。駆動電流を単位分増加させることは、図２の駆動電流−減衰量のグラフ上の点を右に移動することに対応する。
【００４６】
駆動電流を単位分増加させる（Ｓ１２）ことによりモニタ電流が増加した場合（ｂ）、可変光減衰器の減衰量が減少した、すなわち図２のグラフ上の点が下に移動したことに対応するから、駆動電流は減衰量が極大となる駆動電流値より大であると判断される。駆動電流を単位分減少させるステップ（Ｓ１４）へと移行することにより、駆動電流は減衰量が極大となる駆動電流値に近づく。
【００４７】
駆動電流を単位分増加させる（Ｓ１２）ことによりモニタ電流が減少するか、変化しなかった場合（ａ）、可変光減衰器の減衰量が増加した、あるいは変化しない、すなわち図２のグラフ上の点が上に移動したか、横這いであることに対応する。
【００４８】
モニタ電流が減少した場合、駆動電流は減衰量が極大となる駆動電流値より小であると判断され、再度駆動電流を単位分増加させるステップ（Ｓ１２）へと移行する。
【００４９】
Ｓ１３（ａ）の場合のうち、モニタ電流が変化しなかった場合、これは駆動電流を単位分増加させることにより、極大点を挟んで同じ減衰量の点に移動した場合と、駆動電流の単位分増加による減衰量の変化をモニタ電流の変化より読み取れない場合が考えられる。
【００５０】
極大点を挟んで同じ値の点に移動した場合、駆動電流は減衰量が極大となる駆動電流値より大となっているが、単位分増加させるステップ（Ｓ１２）に進むことにより、次回の移動では減衰量の減少がモニタされ、駆動電流は減衰量が極大となる駆動電流値より大であると正しく判断される。可変光減衰器の極大値付近での減衰量が、最低限の基準（この場合３０ｄＢ）よりも十分大きく、減衰量が極大となる駆動電流値から数単位駆動電流が増減しても上記最低限の基準を満たすように駆動電流の増加／減少単位を定めているならば、再度単位分増加させるステップ（Ｓ１２）に進むことに問題はない。
【００５１】
また、駆動電流の単位分増加による減衰量の変化をモニタ電流の変化より読み取れない場合、可変光減衰器の減衰量が最低限の基準よりも十分大きいことを意味するから、極大点を挟んで同じ減衰量の点に移動した場合と同様に、駆動電流の増加／減少単位が適切な大きさであれば、再度単位分増加させるステップ（Ｓ１２）に進むことに問題はない。
【００５２】
したがって、駆動電流を単位分増加させる（Ｓ１２）ことによりモニタ電流が減少するか、変化しなかった場合（ａ）、駆動電流の増加／減少単位が適切であれば、再度駆動電流を単位分増加させるステップ（Ｓ１２）へと移行することにより、駆動電流は減衰量が極大となる駆動電流値に近づくか、十分な減衰量をＳ１２移行後も持つ。
【００５３】
駆動電流を単位分減少（Ｓ１４）させた後の判断（Ｓ１５）は、駆動電流を単位分増加（Ｓ１２）させた後の判断（Ｓ１３）と同様である。駆動電流を単位分減少させることは、図２の駆動電流−減衰量のグラフ上の点を左に移動することに対応する。
【００５４】
駆動電流を単位分減少させる（Ｓ１４）ことによりモニタ電流が増加した場合（ｄ）、可変光減衰器の減衰量が減少した、すなわち図２のグラフ上の点が下に移動したことに対応するから、駆動電流は減衰量が極大となる駆動電流値より小であると判断され、駆動電流を単位分増加させるステップ（Ｓ１２）へと移行することにより、駆動電流は減衰量が極大となる駆動電流値に近づく。
【００５５】
駆動電流を単位分減少させる（Ｓ１４）ことによりモニタ電流が減少するか、変化しなかった場合（ｃ）、可変光減衰器の減衰量が増加した、あるいは変化しない、すなわち図２のグラフ上の点が上に移動したか、横這いであることに対応する。
【００５６】
モニタ電流が減少した場合、駆動電流は減衰量が極大となる駆動電流値より大であると判断され、再び駆動電流を単位分減少させるステップ（Ｓ１４）へと移行する。
【００５７】
Ｓ１５（ｃ）の場合のうち、モニタ電流が変化しなかった場合、駆動電流を単位分増加させることによりモニタ電流が変化しなかった場合（Ｓ１３）と同様であり、駆動電流の増加／減少単位が適切であれば、再度駆動電流を単位分減少させるステップ（Ｓ１４）へと移行することにより、駆動電流は減衰量が極大となる駆動電流値に近づくか、十分な減衰量をＳ１４移行後も持つ。
【００５８】
したがって、可変光減衰器の極大値付近での減衰量が、最低限の基準（この場合３０ｄＢ）よりも十分大きく、減衰量が極大となる駆動電流値から数単位駆動電流が増減しても上記最低限の基準を満たすように駆動電流の増加／減少単位を定めているならば、上記制御方法により可変光減衰器の減衰量を常に極大点周辺に制御することができる。
【００５９】
また、上記制御過程により、現在の駆動電流値が、減衰量が極大となる駆動電流値より大か小かを判断できる。可変光減衰器の減衰量を目的の減衰量に制御する場合、駆動電流値が、減衰量が極大となる駆動電流値より小となる領域、すなわち駆動電流が増加すると減衰量が増加する領域で制御をすることができるので、自動光強度制御（ＡＬＣ；Ａｕｔｏ  Ｌｅｖｅｌ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）のような簡易な制御方法により、可変光減衰器の減衰量を目的の減衰量に制御することができる。
【００６０】
次に、単波長信号光送出部１Ａの動作について説明する。
【００６１】
図１において、単波長信号光送出部１Ａは、現用（Ｗｏｒｋ）トランスポンダ部２Ａおよび予備（Ｐｒｏｔｅｃｔ）トランスポンダ部２Ｂの出力を、カプラ３Ａで合波し出力する。
【００６２】
通常の運用状態においては、現用トランスポンダ部２Ａの可変光減衰器１１Ａの減衰量は、複数の波長の信号光を多重化する際に要求される信号光強度や、プリエンファシスをつけられたことによる信号光強度等の、外部より要求された強度となるように、制御部１５Ａにより制御される。一方、予備トランスポンダ部２Ｂの可変光減衰器１１Ｂは、減衰量が常に極大点周辺となるように制御される。
【００６３】
これにより、現用トランスポンダ部２Ａからは、外部より要求された強度の信号光が出力され、予備トランスポンダ部２Ｂの出力は抑制されるので、これをカプラ３Ａにより合波した単波長信号光送出部は、外部より要求された強度の信号光を出力する。
【００６４】
制御部１５Ａおよび１５Ｂは、ＰＤ１３Ａおよび１３Ｂにより電気信号に変換された出力から、可変光減衰器１１Ａおよび１１Ｂの出力をモニタし、可変光減衰器駆動部１２Ａおよび１２Ｂより可変光減衰器１１Ａおよび１１Ｂに出力される電流値を制御する。可変光減衰器１１Ａおよび１１Ｂの減衰量を制御することにより、トランスポンダ部２Ａおよび２Ｂの出力信号光強度が制御されるから、トランスポンダ部２Ａおよび２Ｂの外部より制御部１５Ａおよび１５Ｂを制御することで、トランスポンダ部２Ａおよび２Ｂの出力信号光強度が制御される。
【００６５】
次に、単波長信号送出部１Ａの現用系／予備系（Ｗ／Ｐ；Ｗｏｒｋ  ／  Ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ）切り替え動作について説明する。
【００６６】
図４（ａ）に、Ｗ／Ｐ切り替えにおける現用（ｗｏｒｋ）トランスポンダ部と、予備（ｐｒｏｔｅｃｔ）トランスポンダ部の出力光の時間変化を示す。図４（ａ）において、Ｗ／Ｐ切り替えの際、現用トランスポンダ部の出力光強度がＰｗ１よりＰｄ１に変化し、予備トランスポンダ部の出力光強度がＰｄ２よりＰｗ２に変化し、現用トランスポンダ部より予備トランスポンダ部への切り替えに要する時間がＴ１であるとする。
【００６７】
単波長送出部１Ａより送出される信号光は、現用トランスポンダ部２Ａと予備トランスポンダ部２Ｂの出力を合波したものであるので、Ｐｄ１およびＰｄ２は信号光が出力されていないとされる光強度（例えば−３０ｄＢｍ）よりも小さい必要がある。
【００６８】
Ｅ／Ｏ１０Ａの故障等の理由により、トランスポンダ部２Ａの出力光強度が低下すると、単波長信号光送出部１Ａの出力光強度が低下する。単波長信号光送出部１Ａの出力光強度低下が連続するのを防ぐために、現用トランスポンダ部２Ａの出力を抑制し、予備トランスポンダ部２Ｂの出力を通常出力とするＷ／Ｐ切り替えが行われる。
【００６９】
現用トランスポンダ部２Ａの出力光強度が低下すると、図４（ａ）に示されるように、予備トランスポンダ部２Ｂは、強度Ｐｄ２の出力抑制の状態から、強度Ｐｗ２の通常出力状態へと移行する。予備トランスポンダ部２Ｂの出力光強度変化は、可変光減衰器１１Ｂの駆動電流変化により行われるので、可変光減衰器としてファラデー回転子を用いると、切り替え時間Ｔ１は１０ｍｓ程度となる。
【００７０】
したがって、第１の実施例による単波長信号光送出部は、光スイッチを用いることなく、１０ｍｓ以内にＷ／Ｐ切り替えを行うことができる。
【００７１】
また、第１の実施例のトランスポンダ部２Ａおよび２Ｂや、単波長信号光送出部１Ａの出力は、出力抑制状態から、通常出力状態まで、可変光減衰器の減衰量の制御により変化するので、図４（ｂ）に示されるように、トランスポンダ部の出力光強度をＰｄ３よりＰｗ３に、光サージを防止するのに十分な時間Ｔ２をかけて漸増させることができる。
【００７２】
なお、図３に示される手順により行われる可変光減衰器の制御は、ＰＤ１３Ａによるモニタ出力に基づくものであるが、ＰＤ１３Ａに入力される光は、可変光減衰器１１Ａにより減衰され、カプラ１４Ａにより分岐されたものであるので、減衰量が高くなるに従い、その強度検出は困難となる。
【００７３】
したがって、ＰＤ１３Ａの微小な出力を検出するために、ＰＤ１３Ａと制御部１５Ａとの間にフィルタを設け、ＰＤ１３Ａの出力信号に含まれるノイズを除去することにより、ＰＤ１３Ａおよび制御部１５Ａを用いて制御される信号光の強度範囲を広くし、可変光減衰器の減衰量が大きい領域でも制御できるようにしてもよい。
【００７４】
次に、本発明による第２の実施例について説明する。
【００７５】
図５に示される、第２の実施例によるトランスポンダ部は、可変光減衰器に入力される光強度が十分強くなく、可変光減衰器の減衰量を極大点周辺に制御することが困難な場合、例えば運用開始時においても、トランスポンダ部の出力を規定値以下に制御するトランスポンダ部である。
【００７６】
第１の実施例では、図３に示される手順により、可変光減衰器１１Ａの減衰量を極大値付近に制御し、Ｅ／Ｏ１０Ａより出力される信号光の強度を、信号光が出力されていないと判断される強度に抑えている。
【００７７】
ところが、第１の実施例において説明したように、図３に示される手順により行われる可変光減衰器の制御は、ＰＤ１３Ａによる分岐光のモニタ出力に基づくものであるが、ＰＤ１３Ａに入力される光は、可変光減衰器１１Ａにより減衰され、カプラ１４Ａにより分岐されたものであるので、減衰量が高くなるに従い、その強度検出は困難となる。
【００７８】
Ｅ／Ｏ１０Ａより出力される信号光の強度、すなわち可変光減衰器１１Ａに入力される信号光の強度が必ずしも強くなく、可変光減衰器１１Ａの減衰量が大きい場合、ＰＤ１３Ａによる分岐光のモニタ出力に基づく制御のみで、トランスポンダ部の出力を抑制できるとは限らない。
【００７９】
第２の実施例では、可変光減衰器１１Ｃによる減衰量制御に加えて、Ｅ／Ｏ１０ＣのＭＺ変調器４１の出力強度制御を用いることにより、トランスポンダ部２Ｃより出力される光の強度を制御する。
【００８０】
図５において、トランスポンダ部２Ｃは、外部からの電気信号を光源からの光を変調した信号光として出力するＥ／Ｏ１０Ｃと、Ｅ／Ｏ１０Ｃからの出力光の光強度を変化させる可変光減衰器（ＶＯＡ）１１Ｃと、可変光減衰器１１Ｃを駆動する可変光減衰器駆動部（ＶＯＡ  ＤＲＶ）１２Ｃと、カプラ（ＣＰＬ）１４Ｃにより分岐された出力光強度をモニタするフォトダイオード（ＰＤ）１３Ｃと、制御部（ＣＴＲＬ）１５Ｃより構成される。
【００８１】
Ｅ／Ｏ１０Ｃは、光源４０と、光源４０からの出力光を変調するマッハツェンダ（ＭＺ；Ｍａｃｈ−Ｚｅｈｎｄｅｒ）変調器４１と、低周波発信器４３より出力される低周波信号と伝送対象の信号を入力し、コンデンサを介してＭＺ変調器４１の一方の変調入力端子に出力する変調器ドライバ４２と、ＭＺ変調器４１の出力を分岐するカプラ４６と、カプラ４６より入力される分岐光と低周波発信器４３より出力される低周波信号を入力し、分岐光に重畳された低周波成分に基づきＭＺ変調器４１のバイアス電圧を出力する動作点制御回路４４と、低周波発信器４３より出力される低周波信号を入力し、動作点制御回路４４の出力に低周波信号を重畳する低周波重畳制御回路４５と、動作点制御回路４４および低周波重畳制御回路４５の出力を、ＭＺ変調器４１の他方の変調入力端子に入力するバイアスティ（ｂｉａｓ  ｔｅｅ）４７および終端抵抗４８を備える。
【００８２】
可変光減衰器１１Ｃは、Ｅ／Ｏ１０Ｃより出力された信号光を減衰し、出力する。可変光減衰器１１Ｃの与える減衰量は、可変光減衰器駆動部１２Ｃより出力される電流により変化する。
【００８３】
カプラ１４Ｃは、可変光減衰器１１Ｃより出力された信号光を、トランスポンダ部２Ｃを出力する光と、ＰＤ１３Ｃ入力される光とに分岐するカプラであり、例えば２０：１カプラが用いられる。
【００８４】
制御部１５Ｃは、ＰＤ１３Ｃにより電気信号に変換された出力から、可変光減衰器１１Ｃの出力をモニタし、可変光減衰器駆動部１２Ｃより可変光減衰器１１Ｃに出力される電流値を制御する。また、制御部１５Ｃは、Ｅ／Ｏ１０Ｃの図示しない制御機構を通じてＭＺ変調器４１の出力を制御する。
【００８５】
ＭＺ変調器４１は、光源４０から出力された光を、変調入力端子の電圧に基づき変調する変調器である。光源４０として、例えば、半導体レーザが用いられる。ＭＺ変調器は、出力される信号光の波長変動（チャーピング；ｃｈｉｒｐｉｎｇ）を生じない変調器であるが、ＭＺ変調器を長期に安定して動作させるためには、温度変化および経時変化による動作点の変動を補償する、バイアス制御を行う必要がある。
【００８６】
ここで、ＭＺ変調器のバイアス制御方法について説明する。
【００８７】
ＭＺ変調器のバイアス制御方法として、特開平３−２５１８１５号公報に開示された、入力信号に低周波を重畳し、信号光の低周波成分をモニタすることによりバイアス電圧を制御する方法が知られている。
【００８８】
図６（ａ）に、ＭＺ変調器の入出力特性曲線と、変調入力信号および出力光の関係を示す。図６（ａ）において、ＭＺ変調器の入出力特性、すなわち制御電圧に対する出力光強度は、周期性を有している。ＭＺ変調器の入出力特性の山から谷までの制御電圧の電圧差をＶπとすると、図６（ａ）（１）のように、入力信号の各論理値が入出力特性の尖頭値に対応するように駆動電圧Ｖ０およびＶ１を用いることにより、ＭＺ変調器の最大および最小出力光強度に対応した出力信号光が得られるので、効率的な二値変調を行うことができる。
【００８９】
一方、駆動電圧が最適点より移動（ドリフト）した図６（ａ）（２）の状態では、ＭＺ変調器の特性により、出力信号光の消光比は、図６（ａ）に示されるように、（１）の状態よりも劣化する。
【００９０】
前述の入力信号に低周波を重畳し、出力信号光の低周波成分をモニタすることによりバイアス電圧を制御する方法では、入力信号に低周波を重畳したとき、入力信号とＭＺ変調器の制御電圧の関係により、出力信号光に含まれる低周波成分が異なることを用いる。
【００９１】
図６（ｂ）に示される、バイアス電圧が最適である場合は、入力信号が変調器の入出力特性曲線の山と谷の部分で変調されるので、出力信号光の強度は周波数２ｆの成分が現れる。また、入力信号の各論理値に対応する出力光に対して、周波数２ｆの低周波成分は逆位相となるので、図６（ｂ）に示される出力信号光の平均値には、周波数ｆの低周波成分は現れない。
【００９２】
一方、図６（ｃ）に示される、バイアス電圧が最適でない場合は、入力信号が、変調器の入出力特性曲線の山および谷以外の部分で変調されるので、出力信号光の平均値に周波数ｆの低周波成分が現れる。
【００９３】
この特性を利用して、変調器の出力信号光よりモニタされる周波数ｆの低周波成分に応じてバイアス電圧を変化させることにより、例えば、元の低周波信号源と出力信号光のモニタ出力を入力して作動増幅し、ＭＺ変調器の変調入力端子に入力することにより、バイアス電圧が最適点に制御される。
【００９４】
次に、第２の実施例における、ＭＺ変調器４１のバイアス制御について説明する。
【００９５】
第２の実施例では、変調器の出力信号光よりモニタされる周波数ｆの低周波成分に応じた出力をする動作点制御回路４４に加えて、低周波重畳制御回路４５からの低周波信号をＭＺ変調器４１の変調入力端子に入力し、入力信号振幅の片側だけを低周波変調する。これにより、変調器ドライバ４２に信号光が入力されない場合、ＭＺ変調器４１は光源４０の出力光に一定の損失を与え出力する。
【００９６】
低周波発信器４３は、ＭＺ変調器４１のバイアス制御に用いられる低周波信号を出力する発信器であり、その周波数は入力信号の周波数よりも十分低い。変調器ドライバ４２は、入力信号を低周波信号により振幅変調し、コンデンサを介してＭＺ変調器４１の一方の変調入力端子に入力する。
【００９７】
カプラ４６は、ＭＺ変調器４１より出力された信号光を、Ｅ／Ｏ１０Ｃより出力する光と、動作点制御回路４４に入力される光とに分岐するカプラであり、例えば２０：１カプラが用いられる
動作点制御回路４４は、カプラ４６からの分岐光と、低周波発信器４３からの低周波信号を入力し、分岐光を電気信号に変換した信号と低周波信号より、ＭＺ変調器４１のバイアス電圧変化を補償する信号を出力する。
【００９８】
低周波重畳制御回路４５は、低周波発信器４３からの低周波信号を入力し、動作点制御回路４４の出力に低周波信号を重畳し、ＭＺ変調器４１の変調入力端子に入力する。これにより、入力信号振幅の変調器ドライバ４２の出力の振幅の片方の低周波変調が打ち消されるので、もう一方の側だけが低周波変調された信号がＭＺ変調器４１変調入力となり、片側だけが低周波で変動する光が出力される。
【００９９】
図７に、第２の実施例におけるＭＺ変調器のバイアス制御を示す。図７（ａ）は通常時のバイアス制御を示す。ＭＺ変調器４１の変調入力端子には、低周波発信器４３より出力される低周波信号と伝送対象の信号を入力した変調器ドライバ４２からの出力５０と、動作点制御回路４４の出力に低周波重畳制御回路４５により低周波を重畳した出力５１が入力される。これにより、ＭＺ変調器４１の入力信号は、振幅の片方の低周波変調が打ち消されたものとなり、出力光信号も片方の論理値に対応する部分に、周波数ｆまたは周波数２ｆの低周波成分が現れ、出力信号光の平均値にも周波数ｆまたは周波数２ｆの低周波成分が現れるので、片方の論理値についてバイアス制御を行うことができる。
【０１００】
また、低周波重畳制御回路４５より出力される低周波の位相を変化させれば、もう一方の論理値に対応する部分のみに低周波変調がかけられた信号をＭＺ変調器４１に入力できるので、それぞれの論理値についてバイアス制御を行うことができる。
【０１０１】
ここで、変調器ドライバ４２に入力される伝送対象の信号を打ち切ると、図７（ｂ）に示されるように、変調器ドライバ４２の出力５２には、低周波成分が含まれない。ＭＺ変調器４１の変調入力端子には、変調器ドライバ４２の出力５２と、動作点制御回路４４の出力に低周波重畳制御回路４５により低周波を重畳した出力５３が入力されるので、ＭＺ変調器４１の入力信号は、低周波成分のみとなる。
【０１０２】
動作点制御回路４４は、出力信号光に周波数ｆの低周波成分が含まれないように、ＭＺ変調器４１のバイアス制御を行うので、変調器ドライバ４２に入力される伝送対象の信号を打ち切った状態では、バイアス点がＭＺ変調器の入出力特性曲線の底の部分になるように制御される。
【０１０３】
これにより、ＭＺ変調器４１を出力する光の強度は、入出力特性曲線の底に対応する弱いものとなるので、光源４０から入力された光に損失を与えることとなる。
【０１０４】
次に、第２の実施例によるトランスポンダ部の動作について説明する。
【０１０５】
通常運用時における、第２の実施例によるトランスポンダ部２Ｃの出力強度制御は、第１の実施例において説明した制御方法により行われる。
【０１０６】
一方、例えば運用開始時の、可変光減衰器に入力される光強度が十分強くなく、可変光減衰器の減衰量を極大点周辺に制御することが困難な場合、通常時とは異なる制御によりトランスポンダ部の出力が抑制される。
【０１０７】
図８に、運用開始時に、電源投入後、Ｅ／Ｏ部の出力、すなわちレーザおよび変調器の出力が安定するまで、トランスポンダ部の出力を抑制し、Ｅ／Ｏ部の出力安定後に目的の信号光強度（ここでは０ｄＢｍ）へ変化させ、通常動作へ移行する過程を示す。図８の過程は、第２の実施例において、光源４０としてレーザダイオード（ＬＤ；Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ）を用いた場合である。
【０１０８】
運用開始時において、トランスポンダ部の電源投入（Ｓ２１）後、可変光減衰器（ＶＯＡ）１１Ｃを４０ｍＡの駆動電流で駆動する。運用開始時には光源４０より光は出力されないので、可変光減衰器１１Ｃに光は入力されず、ＰＤ１３Ｃのモニタ出力を用いた制御はできない。
【０１０９】
しかしながら、図１１に示されるように、可変光減衰器の減衰量は温度により変化し、特性変化による減衰量の最大変化量を見積もることにより、特定の電流値に対する最低減衰量が得られる。これにより、可変減衰器１１Ｃの駆動電流を４０ｍＡとすることにより、最低でも２０ｄＢの損失率を得る。可変光減衰器１１Ｃに光が入力されていないので、可変光減衰器１１Ｃの出力およびトランスポンダ部２Ｃの出力からは、光は送出されない。
【０１１０】
次に、光源の温度を変化させることにより、トランスポンダ部２Ｃより出力する信号光の光波長に合わせて、光源４０の出力光波長を制御する（Ｓ２３）。Ｓ２２と同様に、光源４０より光は出力されていないので、トランスポンダ部２Ｃから光は出力されない。
【０１１１】
光源４０の出力波長が目的波長に制御後、光源４０の出力光強度を通常出力光強度より小さい値、ここでは通常出力光強度より１１ｄＢ小さい値で出力する（Ｓ２４）。可変光減衰器の減衰量が、最低でも２０ｄＢ得られるので（Ｓ２２）、トランスポンダ部２Ｃの出力光強度は、目標出力よりも３１ｄＢよりも小さい値、すなわち−３１ｄＢｍ以下となる。トランスポンダ部の出力光強度が−３０ｄＢｍ以下であれば、トランスポンダ部より光が出力されない状態として許容されるから、Ｓ２４ステップまでは、トランスポンダ部２Ｃは光を出力しない状態を保っている。
【０１１２】
次に、低周波重畳制御回路４５より低周波信号を印加することにより、ＭＺ変調器４１のバイアス点を制御し、１０ｄＢの損失を与える（Ｓ２５）。これにより出力光強度は−４１ｄＢｍ以下となり、図３による減衰量極大点探索方法の探索過程で、駆動電流を単位分増加／減少させても、出力光強度が−３０ｄＢｍを超えることはない。
【０１１３】
次に、図３による減衰値極大点探索方法をとることにより、可変光減衰器１１Ｃの減衰量を最大減衰量とする（Ｓ２６）。可変光減衰器１１Ｃの最大減衰量は４０ｄＢより大であるが、可変光減衰器１１Ｃに入力される光の強度は、通常状態よりも２１ｄＢ小さいため、ここでは、図３の制御による可変光減衰器の減衰量を３０ｄＢ以上と見積もる。Ｓ２６のステップにより、トランスポンダ部２Ｃの出力光強度は、−５１ｄＢｍ以下となる。
【０１１４】
次に、光源４０の出力を通常出力光強度とする（Ｓ２７）。光源の出力光強度を変化させるために、光源に流す電流を増加させると、光源の温度も変化するので、光源より出力される光の波長も変動する。光源の出力光強度を通常出力光強度とした状態で、光源より出力する波長が安定するように光源を制御する。光源４０の出力光強度を通常出力光強度より１１ｄＢ小さい値から、通常出力光強度へと増加させるので、Ｓ２７のステップにより、トランスポンダ部２Ｃの出力光強度は−４０ｄＢｍ以下となる。
【０１１５】
次に、ＭＺ変調器４１のバイアス点を制御し、１０ｄＢの損失を与えていたものを通常動作に戻し、変調により信号光を出力する（Ｓ２８）。これにより、トランスポンダ部は、通常状態で、可変光減衰器の減衰量を極大値付近とすることにより出力を抑制している状態となる。
【０１１６】
ここで、Ｓ２７ステップおよびＳ２８ステップにより、可変光減衰器に入力される光の強度はＳ２６ステップの時点よりも増加するので、図３に示される可変光減衰器による制御により、減衰量を大きくしてもよい。
【０１１７】
上記過程により、Ｅ／Ｏ部の出力、すなわちレーザおよび変調器の出力が安定したので、トランスポンダ部の出力光強度を目的の信号光強度（ここでは０ｄＢｍ）へ変化させる（Ｓ２９）。出力光強度を変化させる際は、第１の実施例と同じく、光サージを防止するために可変光減衰器の減衰量を漸減させ、図４（ｂ）に示されるように、信号光強度を漸増させる。
【０１１８】
上述したように、第２の実施例によるトランスポンダ部によれば、可変光減衰器１１ＣとＭＺ変調器４１を連動させて制御することにより、通常時だけでなく、電源投入時においても、出力信号光強度を、出力抑制状態および任意の強度の状態に制御される。また、第２の実施例によるトランスポンダ部２Ｃを、第１の実施例によるトランスポンダ部２Ａおよび２Ｂに用いることにより、通常時だけでなく、電源投入時においても、出力信号光強度を、出力抑制状態および任意の強度の状態に制御される単波長信号光送出部が構成される。
【０１１９】
本願は以下の付記の発明を包含する。
【０１２０】
（付記１）
減衰量を変化させた際に減衰量の極大値を有する可変光減衰器と、
前記可変光減衰器の出力をモニタし、前記モニタ結果に基づき前記減衰量を前記極大値に制御する制御部を備えた信号光送出部。
【０１２１】
（付記２）
光源と、
前記光源の出力光を変調する変調器と、
前記変調器の出力信号光をモニタし、前記変調器の前記モニタ結果に基づき前記変調器のバイアス電圧を制御し、前記変調器に前記光源の出力光を特定量減衰して出力させる第１の制御部と、
前記変調器の出力信号光を減衰する、減衰量を変化させた際に減衰量の極大値を有する可変光減衰器と、
前記可変光減衰器の出力をモニタし、前記可変減衰器の前記モニタ結果に基づき前記減衰量を前記極大値に制御する制御部を備えた信号光送出部。
【０１２２】
（付記３）
付記１または付記２記載の第１および第２の信号光送出部と、
前記第１および前記第２の信号光送出部の出力を合波する合波手段を備え、
前記第１の信号送出部の制御部と、前記第２の信号送出部の制御部は、
前記第２の信号光送出部の出力を抑制し、前記第１の信号光送出部の出力を出力する状態と、
前記第１の信号光送出部の出力を抑制し、前記第２の信号光送出部の出力を出力する状態を有することを特徴とする信号光送出ユニット。
【０１２３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、光スイッチを用いることなく信号光出力が抑制される、トランスポンダ部および単波長信号光送出部が構成される。
【０１２４】
また、可変光減衰器としてファラデー回転子を用いた可変光減衰器を用いた場合、ファラデー回転子を用いた可変光減衰器の駆動電流に対する減衰量特性に合わせた制御を行うことにより、減衰量が極大付近となるように可変光減衰器が制御される。
【０１２５】
さらに、可変光減衰器とＭＺ変調器のバイアス点制御を組み合わせることにより、Ｅ／Ｏ部の出力が安定するまで光出力を確実に抑制するように制御が行われる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施例による単波長信号光送出部を示す図
【図２】可変光減衰器の特性と減衰量制御を示す図
【図３】可変光減衰器の減衰量制御を示す図
【図４】トランスポンダ部より送出される信号光強度の変化を示す図
【図５】第２の実施例によるトランスポンダ部を示す図
【図６】ＭＺ変調器の動作点制御を示す図
【図７】第２の実施例による、ＭＺ変調器の動作点制御を示す図
【図８】第２の実施例によるトランスポンダ部の電源投入後の制御を示す図
【図９】従来技術による単波長信号光送出部を示す図
【図１０】ファラデー回転子を用いた可変光減衰器の構成を示す図
【図１１】可変光減衰器の特性を示す図
【符号の説明】
１Ａ〜１Ｂ    単波長信号光送出部
２Ａ〜２Ｅ    トランスポンダ部
３Ａ    カプラ
４Ａ    光スイッチ
５Ａ    制御部
６    光ビーム
１０Ａ〜１０Ｅ    電気／光信号変換部
１１Ａ〜１１Ｅ    可変光減衰器
１２Ａ〜１２Ｅ    可変光減衰器駆動部
１３Ａ〜１３Ｅ    フォトダイオード
１４Ａ〜１４Ｅ    カプラ
１５Ａ〜１５Ｅ    制御部
２０    偏光子
２１    ファラデー回転子
２２    検光子
２３    永久磁石
２４    電磁石
３１    ヨーク
３２    コイル
４０    光源
４１    マッハツェンダ変調器
４２    変調器ドライバ
４３    低周波発信器
４４    動作点制御回路
４５    低周波重畳制御回路
４６    カプラ
４７    バイアスティ
４８    終端抵抗
５０、５２    変調器ドライバ出力信号
５１、５３    低周波重畳制御回路出力信号
【図１】
2004361818.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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