(57)【要約】【課題】イメージセンサ用半導体チップパッケージ及びその製造方法を提供する。【解決手段】イメージセンサ用半導体チップ、上記半導体チップが実装される装着部を持つベース部材、上記半導体チップと所定間隔離間し上記ベース部材を貫通して形成されたリード、上記リードと上記半導体チップを電気的に繋ぐ導電性連結部材、及び上記装着部に形成され、上記イメージセンサ用半導体チップと導電性連結部材とが封止される透明封止材を有し、上記封止材の上部面は半導体チップの上部面と平行であることを特徴とするイメージセンサ用半導体チップパッケージ。【選択図】図２
2004134713.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージセンサ用半導体チップ、
上記の半導体チップが実装される装着部を持つベース部材、
上記の半導体チップと所定間隔離間し上記ベース部材を通して形成されたリード、
上記リードと上記半導体チップを電気的に連結する導電性連結部材、
及び
上記イメージセンサ用半導体チップと導電性連結部材とを封止して上記装着部を覆う透明な封止材
を有し、
上記封止材の上部面は半導体チップの上部面と平行であることを特徴とするイメージセンサ用半導体チップパッケージ。
【請求項２】
上記透明な封止材は、シリコン、エポキシ、アクリル樹脂等の樹脂製であることを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサ用半導体チップパッケージ。
【請求項３】
イメージセンサパッケージの製造方法として、
（ａ）イメージセンサ用半導体チップをベース部材装着部に実装して装着する工程；
（ｂ）導電性連結部材を利用して上記の半導体チップとベース部材に形成されたリードを電気的に連結する工程；
（ｃ）上記の半導体チップの上部面に透明な封止材をドロップ（ｄｒｏｐ）する工程；
（ｄ）上記ドロップ（ｄｒｏｐ）された封止材が上記装着部を上記半導体チップと平行に埋めるように上記の封止材の表面に高速回転力を印加する工程；
および
（ｅ）上記の封止材を硬化させる工程；
を含有することを特徴とするイメージセンサ用半導体チップパッケージの製
造方法。
【請求項４】
上記透明な封止材として、シリコン、エポキシ、アクリル樹脂等の樹脂を使用することを特徴とする請求項３に記載のイメージセンサ用半導体チップパッケージの製造方法。
【請求項５】
内部に一定な回路のパターンが形成された回路基板、
上記の回路基板に装着されるイメージセンサ用半導体チップ、
上記半導体チップと回路基板を電気的に連結する導電性連結部材、
および
上記半導体チップと導電性連結部材とを包みながらこれら部材が封止されるように上記の回路基板上部に一体に形成される透明な封止材
を有し、
上記封止材の上部面は上記半導体上部面と平行であることを特徴とするイメージセンサ用半導体チップパッケージ。
【請求項６】
上記透明な封止材はシリコン、エポキシ、アクリル樹脂等の樹脂製であることを特徴とする請求項５に記載のイメージセンサ用半導体チップパッケージ。
【請求項７】
イメージセンサパッケージの製造方法として、
（ａ）イメージセンサ用半導体チップを一定な回路パターンが形成される回路基板に装着する工程；
（ｂ）導電性連結部材を利用して上記の半導体チップと回路基板を電気的に連結する工程；
（ｃ）上記半導体チップ及び上記導電性連結部材の外郭を四方に囲まれる外郭封止材を形成する工程；
（ｄ）上記半導体チップの上部面に透明封止材をドロップ（ｄｒｏｐ）する工程；
（ｅ）上記ドロップ（ｄｒｏｐ）された封止材が上記外郭封止材の内部を上記半導体チップと平行に埋めるように上記封止材の表面に高速回転力を印加する工程；
および
（ｆ）上記外郭封止材とその内部の封止材を硬化させる工程；
を含有することを特徴とするイメージセンサ用半導体チップパッケージの製造方法。
【請求項８】
上記透明な封止材として、シリコン、エポキシ、アクリル樹脂等の樹脂を使用することを特徴とする請求項７に記載のイメージセンサー用半導体チップパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】
本発明は、半導体チップパッケ−ジおよびその製造方法に係り、特に画像認識用半導体チップを内蔵して構成されるイメージセンサ（ｉｍａｇｅ　ｓｅｎｓｏｒ）用半導体チップパッケージおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
イメージセンサは、被写体情報を感知して映像信号に変換する装置として、撮像管と固体イメージセンサに大きく分けられ、前者にはビジコン、プランビコンなどがあって、後者には相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）と電荷結合素子（ＣＣＤ）等がある。その中で、固体イメージセンサで利用されるイメージセンサはイメージセンサ用半導体チップを内蔵した半導体チップパッケージにレンズを結合した形態で利用されるのが一般的である。
【０００３】
図１は従来技術によって製造されたイメージセンサ用半導体チップパッケージを表す断面図である。図面の参照符号１はべース部材、２は半導体チップが実装される装着部、３はイメージセンサチップ、４はリード、５は導電性連結部材、６はガラスリッド（ｇｌａｓｓ　ｌｉｄ）、７は電極パッド、８は　シール材を表す。
図面を参照すれば、従来のイメージセンサパッケージは、イメージセンサチップ（３）、イメージセンサチップ（３）が実装される装着部（２）を有するように予め成形された（ｐｒｅ−ｍｏｌｄｅｄ）　ベース部材（１）を含んでおり、上記チップ（３）は図示せぬ外部回路と電気的に連結されるため複数の電極パッド（７）を持ち、上記電極パッド（７）は導電性連結部材（５）によってリード（４）と連結されている。
【０００４】
上記ベース部材（１）　上端は、イメージセンサチップ（３）と導電性連結部材（５）を保護するためガラスリッド（６）により封止されている。
一方、上記従来の技術によるイメージセンサパッケージの場合ガラスリッド（６）は平坦でなければならず、内部に気泡が含まれてはならない。又、上記ガラスリッド（６）は上記ベース部材（１）とシール材（８）で封止されているが、シール材（８）の硬化後にガラスリッド（６）の平坦度を同一に維持させるのは大変難しい。その上、ガラスリッド（６）の指紋等による汚染もイメージセンサの不良の要因になる為、取扱い上も相当な注意を要し、また価格も高くなる。
【０００５】
また、上記ガラスリッド（６）を使用するためには、上記導電性連結部材（５）とガラスリッド（６）が接触しないようイメージセンサチップ（３）とガラスリッド（６）まで最小限の隔離（距離）が必要であり、　また、外部衝撃から損傷を受けない程度の十分な厚さを持つガラスリッド（６）が要求されるため、パッケージの厚さを一定水準以下まで低くするのは無理である。
【０００６】
このような問題点を解決するために、大韓民国特許広報第　２００２−６６６４２号には、ベース部材を含むパッケージ本体全体を、透明な樹脂にて封止する発明に関して記述されている。上記発明によるとセラミック材質のベース部材の変わりにパッケージ本体全体を透明な樹脂で封止しているが、このような方法によれば、高価なセラミックを用いる場合に比べて生産原価を減らせる長所があるがセラミック材質に比べ樹脂の硬度が低く、スクラッチ（ｓｃｒａｔｃｈ）による不良率が高くなるという問題点がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は前記した問題点を解決するために案出されたもので、ガラスリッドの代わりに透明封止材を使用すると共に、上記封止材により、イメージセンサチップと導電性連結部材を一緒に封止し、厚さの薄いイメージセンサパッケージを提供することにその目的がある。
【０００８】
本発明の他の目的及び長所は、下記の説明および、本発明の実施例によって知ることが出来る。また、本発明の目的及び長所は、特許請求範囲に表した手段及び以下に詳説する説明などを照合によって実現できる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記のような目的を達成するための本発明に係るイメージセンサ用半導体パッケージ（イメージセンサパッケージとも言う。）は、
イメージセンサ用半導体チップ、
上記半導体チップが実装される装着部を持つベース部材、
上記半導体チップと所定間隔離間し、上記ベース部材を通して（貫通して）形成されたリード、
上記リードと上記半導体チップを電気的に連結する導電性連結部材、
及び
上記イメージセンサ用半導体チップと導電性連結部材とを封止して上記装着部を覆うように形成された透明な封止材を有し、
上記封止材の上部面は半導体チップの上部面と平行であることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明に係る上記イメージセンサパッケージの製造方法では、
（ａ）イメージセンサ用半導体チップをベース部材装着部に実装して装着する工程、
（ｂ）導電性連結部材を利用して上記半導体チップとベース部材に形成されたリードを電気的に連結する工程、
（ｃ）上記半導体チップ上部面に透明封止材をドロップ（ｄｒｏｐ、滴下、流下）する工程、
（ｄ）上記ドロップ（ｄｒｏｐ）された封止材が上記装着部を半導体チップと平行に覆う（埋める）ように上記封止材に高速回転力を印加する工程、
及び
（ｅ）上記封止材を硬化させる工程を有することを特徴とする。
【００１１】
本発明の他の態様（特に、実施例）においては、
内部に一定な回路パターンが形成された回路基板、
上記回路基板に装着されるイメージセンサ用半導体チップ、
上記半導体チップと回路基板を電気的に連結する導電性連結部材、
および
上記半導体チップと導電性連結部材とを覆いながら（包みながら）これら部材が封止されるよう上記回路基板上部に一体に形成される透明封止材
を有し、
上記封止材上部面は上記半導体上部面と平行である。
【００１２】
本発明の上記イメージセンサパッケージの製造方法としては、
イメージセンサ用半導体チップを一定な回路パターンが形成された回路基板に装着する工程、
導電性連結部材を利用して上記半導体チップと回路基板を電気的に連結する工程、
上記半導体チップ及び上記導電性連結部材外部の四方に外郭封止材を形成する工程、
上記半導体チップ上部面に透明封止材をドロップ（ｄｒｏｐ、滴下）する工程、
上記ドロップ（ｄｒｏｐ）された封止材が上記外郭封止材内部を半導体チップと平行に覆うよう上記封止材に高速回転力を印加する工程、
および
上記外郭封止材とその内部封止材を硬化させる工程を含む。
【００１３】
上述した封止材料としては、シリコン、エポキシ、アクリル樹脂等の透明な樹脂なら使用可能である。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面を参照しつつ、本発明の望ましい実施例を詳細に説明する。
なお、本明細書の「特許請求の範囲」や「発明の詳細な説明」の欄などに使用した用語や単語は、通常用いられる意味や従来一般的に用いられる意味に限定して解釈されるべきものではなく、「発明者は自身の発明を最も最善の方法で説明するため、用語の概念を適切に定義できる」という原則にたち、本発明の技術的事項に符合する意味と概念で解釈されなければならない。
【００１５】
よって本明細書に記載された実施例と図面に図示された本発明の構成は、本発明の最も望ましい実施例に過ぎず、本発明の技術的思想を全て代弁するのではなく、本出願時点にあってこれらを代替できる、多様な均等物や変形例等が本発明の技術的思想の範疇に包含されるものとして存在し得る（ありえる）事を理解しなければならない。
【００１６】
図２は、本発明の望ましい第１の実施例に係るイメージセンサ用半導体パッケージ（イメージセンサパッケージ）の断面図を表す。図１と同一な参照符合は同一な機能を遂行する同一部材を示す。
図面を参照すれば明らかなように、本発明のイメージセンサパッケージ（１０）は、イメージセンサチップ（３）が実装される装着部（２）が予め（既に）成型された（ｐｒｅ−ｍｏｌｄｅｄ）ベース部材（１）と、上記装着部に装着されるイメージセンサチップ（３）を含む。
【００１７】
リード（４）は、上記ベース部材（１）を通して（貫通しつつ）、該ベース部材（１）内に配設されているイメージセンサチップ（３）と所定距離離間（隔離）するように配置され、上記イメージセンサチップ（３）は外部回路と電気的に連結されるため複数の電気パッド（７）を有する。上記電気パッド（７）と上記リード（４）は導電性連結部材（５）により電気的に連結されている。
【００１８】
本発明では、イメージセンサチップ（３）を保護する為、ガラスリッドを使用するのではなく封止材（９）を使用するが、上記封止材（９）はイメージセンサチップ（３）が実装される装着部（２）の全体を覆いイメージセンサチップ（３）と導電性連結部材（５）を封止する。
よって従来技術のガラスリッドにおいては、このガラスリッドが導電性連結部と接触しないよう最小限の離間（隔離）距離が必要であったのに対し、本発明では封止材（９）が導電性連結部材（５）と接触しつつ装着部（２）を覆う為、イメージセンサパッケージ（１０）の厚みを薄くすることが可能である。
【００１９】
一方、上記封止材（９）は透明で、上部面はイメージセンサチップ（３）と平行で且つ平坦に硬化されれば、光透過時に光は屈折せず、結果的に画像信号が歪曲されない。
封止材（９）として望ましくはシリコン、エポキシ、アクリル樹脂（ｒｅｓｉｎ）等の透明な樹脂が挙げられ、本発明ではこのような透明樹脂であれば使用可能である。
【００２０】
上記ベース部材（１）としては、主に高価なセラミックを使用するが、セラミック基板は素材が絶縁性の為、ホールを形成し、そのホール内部に電導性部材を形成してもショート現象が起こることは無く、よって上記セラミック基板に対しては絶縁物質を塗布する別途工程を実施しなくてもよい。
しかしながらセラミック基板は、高価で熱放出がされにくく、脆く割れやすいという短所がある。
【００２１】
このようなセラミックス基板の短所を解決する為、コンパウンド（ｃｏｍｐｏｕｎｄ）又はプラスティックでモールディングされたリードフレームをイメージセンサパッケージのベース部材に使用することも可能であるが、組み立て上の問題と吸湿性による鮮明度の問題でいまだ広く利用されていない。
図３中、（ａ）〜（ｄ）は、本発明の望ましい第１の実施例によりイメージセンサパッケージを製造する工程を表す。
【００２２】
図２と同一な参照符号は同一な機能を有する同一部材を示す。
図面を参照すれば明らかなように、本実施例においては、イメージセンサチップ（３）が実装される装着部（２）が予め成型され、該装着部（２）を具備したベース部材（１）を準備し、装着部内ボンディングパッド（図示せず）にイメージセンサチップ（３）を装着する。（図３中、（ａ））
イメージセンサチップ（３）をこのように装着したのち、金属線のような導電性連結部材（５）でイメージセンサの電極パッド（７）とリード（４）をボンディング（ｂｏｎｄｉｎｇ）し、イメージセンサチップ（３）を図示せぬ外部回路と連結する（図３中、（ｂ））。
【００２３】
導電性連結部（５）のボンディング（ｂｏｎｄｉｎｇ）が完了したら、イメージセンサチップ（３）を封止する為、封止材（９）を装着部（２）にドロップ（ｄｒｏｐ、滴下、流下）する（図３中、（ｃ））。
イメージセンサチップ（３）を封止する理由は、イメージセンサチップ（３）内の異物質進入防止及び外部衝撃からの保護等物理的、化学的保護が目的である。
【００２４】
装着部を封止する過程を具体的にみれば、イメージセンサチップ（３）上部面に適正量の封止材（９）をドロップ（ｄｒｏｐ）する（図３中、（ｃ））。
封止材（９）としては、光を透過出来る、透明なシリコン、エポキシ、アクリル樹脂（ｒｅｓｉｎ）等が使用される。適正量の封止材（９）をドロップ（ｄｒｏｐ）する為には、ディスペンサー（ｄｉｓｐｅｎｓｅｒ）（１１）を使用することが望ましい。
【００２５】
封止材（９）がドロップされた後、装着部（２）に気泡が残存しないように封止材（９）にて上部面を平坦に形成する為に、スピンドラー（ｓｐｉｎｄｌｅｒ）（１３）の高速回転力をドロップ（ｄｒｏｐ）された封止材（９）に加える（図３中、（ｄ））。
この時、封止材（９）の上部面はイメージセンサチップ（３）と平行を維持しなければならず、光が透過する時、封止材（９）の厚みによりその光が屈折しないよう封止材（９）の上部面は、平坦でなければならない。
【００２６】
封止材（９）が装着部（２）を均等に覆ったら、上記特性、状態を維持したまま硬化させる。
なお、封止材（９）に使用される物質の特性により硬化方法を変えてもよい。
上述した工程が完了すればイメージセンサパッケージ製造工程は完了し、レンズと結合しカメラ、携帯電話等のイメージ撮影に必要な装置に使用できる。
【００２７】
図４は、本発明の望ましい第２の実施例に係るイメージセンサパッケージの断面図を表す。図面の参照符号４１は回路基板、４３はイメージセンサチップ、４５は導電性連結部材、４７は電極パッド、４９は封止材を示す。
図面を参照すれば明らかなように、本発明の本実施例に係るイメージセンサパッケージは、内部に一定な回路パターンが形成された回路基板（４１）、上記回路基板（４１）に装着されるイメージセンサチップ（４３）、上記チップ（３）と上記回路基板（４１）とを電気的に連結する導電性連結部材（４５）、上記チップ（４３）と導電性連結部材（４５）とを覆い封止するよう上記回路基板（４１）上部に一体に形成される透明封止材（４９）で構成される。
【００２８】
この時上記封止材の上部面はイメージセンサチップ（４３）と平行な構造を持つ。上記封止材（４９）は、シリコン、エポキシ、アクリル樹脂（ｒｅｓｉｎ）等の透明な樹脂が使用でき、上記回路基板は一般的にＰＣＢ（ｐｒｉｎｔｅｄ　ｃｉｒｃｕｉｔ　ｂｏａｒｄ）基板を使用できる。
本実施例では、あらかじめ成型された（ｐｒｅ　ｍｏｌｄｅｄ）ベース部材（図２の参照符号１）を使用せず、直接回路基板にイメージセンサパッケージを形成する。
【００２９】
本実施例では、従来技術のガラスリッドを使わないので薄い厚さを有するイメージセンサパッケージの製造が可能である。
図５中、（ａ）〜（ｃ）は、本発明の望ましい第２の実施例に係るイメージセンサーパッケージの製造工程を示す図面である。
図５中、図４と同一な参照符号は同一な機能をする同一な部材を示し、参照符号５３は外郭封止材、５５は内部封止材を示す。
図面を参照すれば明らかなように、図５では、一定な回路パターンが形成された回路基板（４１）にイメージセンサチップ（４３）を装着させた後、回路基板（４１）のリードとイメージセンサチップ（４３）の電極パッド（４７）を金属線と同じ導電性連結部材（４５）を利用してボンデイングさせる。以上の工程は実施例１と同一なので詳しい説明は省略する。
【００３０】
以後に上記イメージセンサチップ（４３）と導電性連結部材（４５）を封止する工程が行なわれる。この時回路基板に封止材（４９）が流れ回路基板に存在するほかの素子に悪影響を与えるのを防止するためにイメージセンサチップ（４３）と導電性連結部材（４５）外郭に外郭封止材（５３）を形成するのが望ましい（図５（ａ））。
外郭封止材（５３）を形成する時、封止材として使う物質が回路基板（４１）に流れないように内部封止材（５５）と同一な物質を使うが内部封止材（５５）よりは粘度を強くして硬化時間を早めるのが望ましい。
【００３１】
外郭封止材（５３）が形成されば実施例１と同じくイメージセンサチップ（４３）上に適正量の内部封止材（５５）をドロップ（ｄｒｏｐ）させる（図５（ｂ））。
内部封止材（５５）をドロップ（ｄｒｏｐ）させる過程は実施例１と同様にデイスペンサー（ｄｉｓｐｅｎｓｅｒ）（５７）を利用できる。
外郭封止材（５３）に囲まれた内部を内部封止材（５５）で封止させるのに内部封止材（５５）に使用される物質としては、外郭封止材（５３）と同一な物質を選択し、最終的に外郭封止材（５３）と内部封止材（５５）を一体に結合させることが望ましい。
【００３２】
但し、内部封止材（５５）は、外郭封止材（５３）に囲まれる領域に均等に分散されなければならないので、外郭封止材（５３）より粘度が少なくすることが望ましい。
外郭封止材（５３）と内部封止材（５５）に使われる物質としては、実施例１と同様に透明なシリコン、エポキシ、アクリル樹脂（ｒｅｓｉｎ）などの透明樹脂が可能である。
【００３３】
イメージセンサチップ（４３）上に適正量の内部封止材（５５）を滴下（ドロップ）した後、前記実施例１と同一な方法でスピンドラー（ｓｐｉｎｄｌｅｒ）（５８）を利用して外郭封止材（５３）に囲まれる領域を内部封止材（５５）で封止する（図５（ｃ））。
本実施態様においても、前記と同じように内部封止材（５５）の上部面はイメージセンサチップ（４３）と平行しなければならないし、光透過時厚さの差によって屈折が発生しないように平坦でなければならない。
【００３４】
上記工程により外郭封止材（５３）内部が内部封止材（５５）によって封止したのち、上記特性、状態を維持しながら外郭封止材（５３）と内部封止材（５５）を硬化させ所要の工程を終える。
上述した工程によりイメージセンサパッケージが完成さればレンズと結合してカメラ、携帯電話などイメージ撮像装置に使われる。
【００３５】
図６は、本発明の望ましい実施例によってコンパクトカメラ（ｃｏｍｐａｃｔ　ｃａｍｅｒａ）に装着されたイメージセンサパッケージを例示する図面である。
図４と同一な参照符号は同一な機能をする同一な部材を示し、参照符号６２はレンズホルダー（Ｌｅｎｓ　ｈｏｌｄｅｒ）、６３は赤外線遮断フイルター（ＩＲ　ｃｕｔ　ｆｉｌｔｅｒ）、６５はレンズを示す。
【００３６】
図面を参照すれば明らかなように、本実施例においては、回路基板（４１）に装着されたレンズホルダー（６２）によってレンズ（６５）及び赤外線遮断フイルター（６３）が置かれ、レンズ（６５）を通じて入射された光は、赤外線遮断フイルター（６３）によって赤外線がフイルタリングされイメージセンサのチップ（４３）に入力される。
イメージセンサチップ（４３）に入力された光信号は、電気的信号に変換され画像処理される。
【００３７】
以上詳述したように、本発明に係るイメージセンサ用半導体チップパッケージ（イメージセンサパッケージ）およびその製造方法について、限定された実施例と図面によって説明したが、本発明はこれによって何ら限定されず、本発明が属する技術分野で通常の知識を持つ者によって本発明の技術の思想と下記に記載される特許請求範囲の均等範囲内で多様に修正及び変形することが可能である。
【００３８】
【発明の効果】
本発明のイメージセンサパッケージによると、高価なガラスリッド及び封合材（封止材）を使わないので、生産単価を低減出来るだけではなく、簡単で早い製造工程で薄くて取り扱いが容易なイメージセンサのパッケージの製造が可能である。
【００３９】
また、本発明によれば、イメージセンサチップと導電性の連結部材が封止材と一緒に封止されるので外部の衝撃から従来例に比して、より堅固にイメージセンサーを保護することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、従来技術によるイメージセンサ用半導体チップパッケージの一例を表した断面図である。
【図２】図２は、本発明の望ましい第１実施例によるイメージセンサ用チップパッケージの断面図である。
【図３】図３は、本発明の望ましい第１の実施例に係るイメージセンサ用チップパッケージを製造する工程を表す図面である。
【図４】図４は、本発明の望ましい第２実施例に係るイメージセンサ用チップパッケージの断面図である。
【図５】図５は、本発明の望ましい第２の実施例に係るイメージセンサ用チップパッケージを製造する工程を表す図面である。
【図６】図６は、本発明のイメージセンサ用チップパッケージをコンパクトカメラに装着した時の図面である。
【符号の説明】
１　：　ベース部材、
２：装着部、
３　，　４３　：　イメージセンサチップ、
４　：リード、
５　，　４５　：　導電性連結部材、
７　，　４７　：　電極パッド、
８　：　シール材、
９　，　４９　：　封止材、
１０：イメージセンサ用半導体パッケージ、
１１　，　５７　：　ディスペンサー（ｄｉｓｐｅｎｓｅｒ）、
１３　，　５８　：　スピンドラー（ｓｐｉｎｄｌｅｒ）、
４１　：　回路基板、
５３　：　外郭封止材、
５５　：　内部封止材、
６２　：　レンズホルダー、
６３　：　赤外線遮断フィルター（ＩＲ　ｃｕｔ　ｆｉｌｔｅｒ）、
６５　：　レンズ（ｌｅｎｓ）。
【図１】
2004134713.tif 000003
【図２】
2004134713.tif 000004
【図３】
2004134713.tif 000005
【図４】
2004134713.tif 000006
【図５】
2004134713.tif 000007
【図６】
2004134713.tif 000008