(57)【要約】【課題】積層化による絶縁性、信頼性の低下を抑制した積層薄膜コンデンサを提供する。【解決手段】支持基板上に設けられた、少なくとも複数の電極層２、４と複数の誘電体層３と外部との接続に用いる外部端子５、６で構成される積層型薄膜コンデンサにおいて、各電極層２（４）の外周辺が、他の同一極性の電極層２ａ、２ｂ、２ｃ（４ａ、４ｂ）の外周辺と交差しないように、電極層を変位させた。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に、一方極性の電極層と他方極性の電極層との間に薄膜誘電体層を挟持した複数の容量領域を積層するとともに、同一極性の電極層どうしを接続する外部端子を備える積層型薄膜コンデンサにおいて、
前記各電極層は、その外周辺が同一極性の他の電極層の外周辺と互いに交差することがないことを特徴とする積層型薄膜コンデンサ。
【請求項２】
前記各電極層の一部は、薄膜誘電体層から延出するとともに、該延出部を有し、該各電極の延出部に跨がって前記外部端子が設けられていることを特徴とする請求項１記載の積層型薄膜コンデンサ。
【請求項３】
前記複数の同一極性を有する電極層のうち上側に位置する電極層は、平面上、下側に位置する電極層の配置領域内に形成されていることを特徴とする請求項１記載の積層型薄膜コンデンサ。
【請求項４】
前記複数の同一極性を有する電極層のうち上側に位置する電極層は、平面上、下側に位置する電極層の配置領域を包含して形成されていることを特徴とする請求項１記載の積層型薄膜コンデンサ。
【請求項５】
薄膜誘電体層の厚みが各電極層の厚みの３倍以上あることを特徴とする請求項１または２のいずれか記載の薄膜コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、積層型薄膜コンデンサ、即ち、支持基板上に第１の一方極性の電極層、第１の薄膜誘電体層、第１の他方極性の電極層、第２の薄膜誘電体層、第２の一方極性の電極層、第３の薄膜誘電体層、第２の他方極性の電極層、第４の薄膜誘電体層・・の順に積層した積層型薄膜コンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年においては、電子機器の小型化に伴い、電子機器内に設置される電子部品にも小型化の要求があり、コンデンサとしては、積層セラミックコンデンサなどを用いて既にハンドリング可能な大きさ程度まで、小型化が実現されている。
【０００３】
一方、電子機器の小型化にも使いやすい大きさという点から、下限に達しつつあり、今後は、軽量化、薄型化、高機能化の要求が強くなると予想される。
【０００４】
電子部品の薄型化に適したコンデンサとして、薄膜コンデンサがある。誘電体層の厚みを１μｍ以下に薄膜化したものが既に開示されている（例えば、特許文献１参照）。また、小型、大容量を得る目的で複数の電極層と複数の薄膜誘電体層とを積層させた積層型の薄膜コンデンサもいくつか開示されている（例えば、特許文献２，３参照）。
【０００５】
また、積層セラミックコンデンサの分野で開示事例があり、電極面積を素子中央付近から段階的に変化させて、電気的歪みによる誘電体クラックの発生を抑制することを目的としている（例えば、特許文献４参照）。
【０００６】
【特許文献１】
特開昭６０−９４７１６号公報
【特許文献２】
特開平７−１６９６４８号公報
【特許文献３】
特開平１１−２１４２４５号公報
【特許文献４】
特開２０００−１２４０５７号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
単に薄膜誘電体層の厚みを薄くし、積層するだけでは、実用に耐えうる薄膜コンデンサを作製することはできない。特に、コンデンサとしての信頼性の観点から充分な絶縁性を確保することは、重要な問題である。
【０００８】
薄膜コンデンサはその構造上、支持基板を用いて、この支持基板上に電極層、薄膜誘電体層を交互に被着形成するものであり、薄膜誘電体層の下層にある電極層を被覆する必要がある。
【０００９】
図６（ａ）（ｂ）は、従来の積層型薄膜コンデンサの一例である。図６（ａ）は平面図であり、（ｂ）はその断面図である。
【００１０】
支持基板２１上には、第１の一方極性の電極層２２ａ、第１の薄膜誘電体層２３ａ、第１の他方極性の電極層２４ａ、第２の薄膜誘電体層２３ｂ、第２の一方極性の電極層２２ｂ、第３の薄膜誘電体層２３ｃ、第２の他方極性の電極層２４ｂ、第４の薄膜誘電体層２３ｄ、第３の一方極性の電極層２２ｃが順に積層した積層型薄膜コンデンサである。即ち、一方極性の電極層（総じて２２という）と、他方極性の電極層（総じて２４という）とによって、４つの薄膜誘電体層（総じて２３という）が挟持されて、４つの容量領域が積層されている。図６では、一方極性の電極層２２の端部は、薄膜誘電体層２３よりも図の下側に延出して、延出端部で形成される段差部には外部端子２５が設けられている。また、他方極性の電極層２４の端部は、薄膜誘電体層２３よりも図の上側に延出して、延出端部で形成される段差部に外部端子２６が設けられている。
【００１１】
このような積層型薄膜コンデンサでは、特に、下層に位置する電極層、例えば２２ａの延出部以外を薄膜誘電体層２３ａで被覆するため、その境界部分に段差部Ｓが存在し、この段差部Ｓの処理をどのようにするかが絶縁性、信頼性を確保する観点から重要な問題の一つである。
【００１２】
また、電極層２２、２４の充分な厚みの薄膜誘電体層２３で被覆しないと、異なる極性の電極層とのショート不良や絶縁性劣化を引き起こし、薄膜コンデンサの信頼性が損なわれる。
【００１３】
特に、積層数が増えるにつれて、電極層２２、２４の有無による段差部Ｓが顕著となり、電極層２２、２４の段差部Ｓ側の端部を被覆するための薄膜誘電体層２３厚みの確保が困難になり、充分な絶縁性、信頼性が確保されない問題がある。
【００１４】
本発明は、積層数によらず、電極層の有無による段差に起因する絶縁性、信頼性の低下を抑制した積層型の薄膜コンデンサを提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜コンデンサは、支持基板上に、一方極性の電極層と他方極性の電極層との間に薄膜誘電体層を挟持した複数の容量領域を積層するとともに、同一極性の電極層どうしを接続する外部端子を備える積層型薄膜コンデンサにおいて、
前記各電極層は、その外周辺が同一極性の他の電極層の外周辺と互いに交差することがない。
また、前記各電極層の一部は、薄膜誘電体層から延出するとともに、該延出部を有し、該各電極の延出部に跨がって前記外部端子が設けられている。
さらに、前記複数の同一極性を有する電極層のうち上側に位置する電極層は、平面上、下側に位置する電極層の配置領域内に形成されている。
さらに、前記複数の同一極性を有する電極層のうち上側に位置する電極層は、平面上、下側に位置する電極層の配置領域を包含して形成されている。
さらに、薄膜誘電体層の厚みが各電極層の厚みの３倍以上あることが望ましい。
【００１６】
【作用】
本発明の薄膜コンデンサの電極層は、その外周辺が同一極性の他の電極層の外周辺と互いに交差することなく変位されて形成されている。このため、容量領域の積層数が増加しても電極層の有無による段差が最大で電極厚みの２倍となり、どの電極層においても薄膜誘電体層の被覆性は変わらず、充分な絶縁性、信頼性が確保することができる。
【００１７】
また、複数の同一極性を有する電極層において、上層の電極層は下層の電極層の内側領域に、また、下層の電極層を包含するように配置されているので、より充分な絶縁性、信頼性が確保することができる。さらに、薄膜誘電体層の厚みが下層に位置する電極層の厚みの３倍以上あれば、より充分な絶縁性、信頼性が確保することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の積層型薄膜コンデンサを図面に基づいて詳説する。
【００１９】
図１は、保護膜を省略した４つの容量領域を積層した積層型薄膜コンデンサを示し、図１（ａ）はその平面図であり、図１（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【００２０】
本発明の積層型薄膜コンデンサは、支持基板１上に、第１の一方極性の電極層２ａ、第１の薄膜誘電体層３ａ、第１の他方極性の電極層４ａ、第２の薄膜誘電体層３ｂ、第２の一方極性の電極層２ｂ、第３の薄膜誘電体層３ｃ、第２の他方極性の電極層４ｂ、第４の薄膜誘電体層３ｄ、第３の一方極性の電極層２ｃが順に積層した積層型薄膜コンデンサである。即ち、一方極性の電極層（総じて２という）と、他方極性の電極層（総じて４という）とによって、４つの薄膜誘電体層（総じて３という）が挟持されて、４つの容量領域が積層されている。
また、一方極性の電極層２の端部は、薄膜誘電体層３よりも図の下側に延出して、延出端部で形成される段差部には、各電極層２ａ〜２ｃに跨がって外部端子５が設けられている。また、他方極性の電極層４の端部は、薄膜誘電体層３よりも図の上側に延出して、延出端部で形成される段差部には、各電極層４ａ、４ｂに跨がって外部端子６が設けられている。
【００２１】
しかも、各電極層２、４の左右側においては、上層側の一方極性の電極層２は、下層に位置する電極層２の内部領域に形成され、上層側の他方極性の電極層４は、下層に位置する電極層４の内部領域に形成されている。例えば、図２の電極パターン図から明らかのように、第１の一方極性の電極層２ａは、その形状は第２の一方極性の電極層２ｂよりも大きく設定されている（図２（ａ））。また、第２の一方極性の電極層２ｂは、その形状は第３の一方極性の電極層２ｃよりも大きく設定されている（図２（ｃ））。そして、第２の一方極性の電極層２ｂは、薄膜誘電体層３から延出するものの、全体が第１の一方極性の電極層２ａの配置領域内に形成される（図２（ａ）と図２（ｃ）参照）。また、図２（ｅ）である第３の一方極性の電極層２ｃは、薄膜誘電体層３から延出するものの全体が第２の一方極性の電極層２ｂの配置領域内に形成される（図２（ｃ）と図２（ｅ）参照）。
【００２２】
また、他方極性の電極４は、一方極性の電極層２が薄膜誘電体層３から延出する方向が相違するものの、同様にして形成されている。第１の他方極性の電極層４ａは、その形状は第２の他方極性の電極層４ｂよりも大きく設定されている（図２（ｂ））。そして、図２（ｄ）である第２の他方極性の電極層４ｂは、薄膜誘電体層３から延出するものの全体が第１の他方極性の電極層４ａの配置領域内に形成される（図２（ｂ）と図２（ｄ）参照）。尚、図２（ｆ）には、第１乃至第４の薄膜誘電体層３ａ〜３ｄのパターンを示している。また、図２（ｇ）は、３つの一方極性の電極層２ａ〜２ｃが薄膜誘電体層３から延出する端部に跨がって形成される外部端子５及び２つの他方極性の電極層３が薄膜誘電体層３から延出する端部に跨がって形成される外部端子６の電極パターンを示している。
【００２３】
即ち、電極層２、４に着目すると、各電極層２、４は、その外周辺が同一極性の他の電極層２、４の外周辺と互いに交差（一致することも含む）することなく変位されて配置されている。これに対して、従来では、同一極性の電極層を形成する際に、成膜用マスクを一方方向にずらして形成するようにしたことにより、例えば、各電極層２２、２４の外周辺の左右側の辺が一致しており、電極層２２、２４の左右境界部分で段切れが発生してしまうのに対して、本実施例では、薄膜誘電体層３の外周領域では、各電極層２、４の各端部に応じた全体として緩やかな段差部となっている。
【００２４】
尚、図１（ａ）の平面図では、薄膜誘電体層３を破線で示しているが、この薄膜誘電体層は各層３ａ〜３ｄまで同一の形状となっている。また、外部と接続する外部端子５、６は平面図において黒色で示した。
【００２５】
図１（ａ）の平面図に示すように、積層型薄膜コンデンサは、電極層２、４で同一極性の電極２外周辺が、他の同一極性の電極２の外周辺と交差しないように変位して配置されており、図１（ｂ）の断面図から電極層２、４のすべて端部において、薄膜誘電体層３の被覆状態、積層数に関わらず、同じ被覆状態、即ち、緩やかな段差状となる。
【００２６】
これにより、薄膜誘電体層３の積層数が増加しても、薄膜誘電体層３中で段差による段切れが発生することなく、コンデンサとしての絶縁性が悪くなることはなく、また、信頼性においても絶縁劣化しにくい構造となる。ここで、薄膜誘電体層３の厚みを電極層２、４の厚みに比較して、３倍以上にすることにより、この段差部分で段切れが全く発生せず、コンデンサとしての絶縁性が悪くなることは皆無となる。
【００２７】
図３は、本発明の積層型薄膜コンデンサの他の実施例を示すものであり、保護膜を省略した概略図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ線断面図である。
【００２８】
この実施例では、図１では、積層構造の上層に位置する電極層は、下層に位置する同一極性の電極層の配置領域内に形成されていたのに対して、逆の積層構造となっている。尚、電極層、薄膜誘電体層の符合を図１と同一符合を付す。
【００２９】
支持基板１側から最下層に位置する第１の一方極性の電極層２ａは、その形状は第２の一方極性の電極層２ｂよりも小さく設定されている。また、第２の一方極性の電極層２ｂは、その形状は第３の一方極性の電極層２ｃよりもさらに小さく設定されている。そして、第２の一方極性の電極層２ｂは、薄膜誘電体層３から延出するものの全体が第１の一方極性の電極層２ａの配置領域を完全に包含するように形成される。また、第３の一方極性の電極層２ｃは、薄膜誘電体層３から延出するものの全体が第２の一方極性の電極層２ｂの配置領域を完全に包含するよう形成される。
【００３０】
また、他方極性の電極４は、一方極性の電極層２が薄膜誘電体層３から延出する方向が相違するものの、同様にして形成されている。
【００３１】
尚、図１の積層型薄膜コンデンサも、図３に示す積層型薄膜コンデンサも、各電極層２、４の延出端部に設ける外部端子５、６として、各電極層２、４の延出端部側の薄膜誘電体層３の境界部分で薄膜誘電体層３の厚み及び積層数による段差が発生する。しかし、外部端子５、６を各電極層２、４の端部に跨がって形成し、場合よっては、外部端子５、６の厚みを厚くしたり、薄膜技法で下地導体膜を形成し、ハンダなどのバンプ部材を形成することにより、高い信頼性の外部端子５、６を得ることができる。
【００３２】
図４は、さらに別の積層型薄膜コンデンサの概略図を示す。この実施例では、一方極性の電極層１２、他方極性の電極層１３の配置領域内の複数箇所に外部端子１５、１６が形成される低インダクタンスの積層型薄膜コンデンサである。図４では、合計４つの外部端子１５、１６が２行２列に配置されている。図４（ａ）は、支持基板、保護膜を省略した状態の平面である。また、図４（ｂ）は各薄膜誘電体層１３のパターンを示し、薄膜誘電体層１３の外部端子１５、１６形成領域に対応するように貫通孔１３ａ、１３ｂが形成されている。また、図４（ｃ）は各薄膜誘電体層１３の貫通孔に形成され、且つ各一方極性の電極層１２と外部端子１５とを接続し、また、各他方極性の電極層１４と外部端子１６とを接続する端子下地層１５ａ、１６ａのパターンを示す。
【００３３】
また、図４（ｄ）、（ｆ）、（ｈ）は、それぞれ第１の一方極性の電極層１２ａ、第２の一方極性の電極層１２ｂ、第３の一方極性の電極層１２ｃの電極パターン図である。図４（ｄ）、（ｆ）、（ｈ）において、電極パターンの右上及び左下の比較的大きな円は、他方極性の電極層１４どうしを接続する導体と短絡しないように形成された貫通孔Ｘであり、電極パターンの左上及び右下の小さな円は、一方極性の電極層１２どうしが接続する導体部位Ｙを示しており、上述の端子下地層１５ａの形成位置に対応する。
【００３４】
さらに、図４（ｅ）、（ｇ）は、それぞれ第１の他方極性の電極層１４ａ、第２の他方極性の電極層１４ｂの電極パターン図である。図４（ｅ）、（ｇ）において、電極パターンの左上及び右下の比較的大きな円は、一方極性の電極層１２どうしを接続する導体と短絡しないように形成された貫通孔Ｗであり、上述の導体部位Ｙに対して一回りを大きくなっている。また、電極パターンの右上及び左下の小さな円は、他方極性の電極層１４どうしが接続する導体部位Ｚを示しおり、上述の貫通孔Ｘ内に相当し、同時に、上述の端子下地層１６ａの形成位置に対応する。
【００３５】
ここで、各電極層１２、１４の外周形状は、支持基板から上層に向かって、電極厚みの２０倍以上の変位を持って小さくなるように形成している。このようにすれば、同一極性の電極層２、４どうしは勿論のこと、全ての電極層２、４について、外周辺が交差することがなく、薄膜誘電体層３と各電極層２、４の境界部分で緩やかな階段状の段差部とすることができる。
【００３６】
尚、図４の積層型薄膜コンデンサは、外部端子１５、１６として、２列に千鳥状に２端子づつ形成しているが、各列に外部端子１５、１６を４端子づつ交互に形成し、しかも、１列目と２列目の同一極性の外部端子を千鳥状に配置してもよい。尚、列の数も、その列の中の外部端子数も、容量領域で発生する容量値、インダクタンス成分を考慮して、任意数だけ形成してもよい。その一例として、２列×８端子の１６端子を有する積層型薄膜コンデンサを図５に示す。尚、図５においては、図４と同一符号を付している。
【００３７】
以上、本発明の積層型薄膜コンデンサの構造において、３層の一方極性の電極層２、２層の他方極性の電極層４、４層の薄膜誘電体層が４層の例を示したが、構造から明らかなように、積層数に制限されるものではない。
【００３８】
外部との接続に用いる端子部５、６は形状としては、図示したバンプ形状が望ましいが、特に限定されるものではない。図示したバンプ形状の場合、その形成位置は、同じ極性の電極層同士を接続していれば、外部端子５、６を電極層２、４に複数形成しても構わない。尚、外部端子５、６は、回路基板などの実装時に発生する熱応力による容量領域へのダメージを考慮すると、薄膜誘電体層３の上方に形成しない方が望ましい。
【００３９】
また、本発明の理解を助けるため、図では、支持基板を、また、保護膜を省略した。支持基板は、最下層の電極層２ａ（１２ａ）及びその上に形成される第１の薄膜誘電体層３ａ（１３）が形成できる大きさを有しておればよい。また、保護膜は、外部端子５、６を露出して、最上層に位置する例えば電極層２ｃ（１２ｃ）及びその下層に位置する薄膜誘電体層３ｄ（１３）を被覆するように形成されている。保護膜の信頼性確保のためには、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘなど透湿係数の低い無機系の膜が望ましく、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ樹脂）やポリイミド樹脂などの有機系の膜でもよい。また、より信頼性を確保する為に、複数を組み合わせても良い。
【００４０】
【実施例】
図４に示す積層型薄膜コンデンサで、外部端子１５、１６が合計２列×８端子の１６端子を有する積層型薄膜コンデンサを作成した。電極層１２、１４、端子の端子下地層１５ａ、１６ａの形成はＤＣスパッタ装置を用い、薄膜誘電体層１３の形成はＲＦスパッタ装置を用いた。
【００４１】
先ず、厚さ０．２５ｍｍのサファイア単結晶基板上に、チタン酸化物からなる密着層を形成し、その上に８０ｎｍのＰｔ電極層を形成した。フォトリソグラフィの技術を用いて、第１の一方極性の電極層１２ａをパターンに加工した。
【００４２】
加工された電極層１２ａの上に、２５０ｎｍのＢａ０．５Ｓｒ０．５ＴｉＯ３からなる薄膜誘電体層１３を形成した。電極層同様、フォトリソグラフィの技術を用いて、第１の他方極性の電極層１４ａをパターンに加工した。
【００４３】
さらに第２の薄膜誘電体層１３ｂ、第２の一方極性の電極層１２ｂ、第３の薄膜誘電体層１３ｃ、第２の他方極性の電極層１４ｂ、第４の薄膜誘電体層１３ｄ、第３の一方極性の電極層１２ｃを順次、形成、パターン加工を繰り返し、薄膜誘電体層４層、電極層５層の薄膜コンデンサを形成した。このとき、下層に位置する電極層１２ａから上層に向かって、加工精度を考慮し、各電極層１２、１４の外周形状が１０μｍづつ小さくなるように設定した。
【００４４】
次に、端子部を形成するための下地層を１．０μｍのＮｉ層と０．１μｍのＡｕ層とで形成し、フォトリソグラフィの技術を用いてパターンに加工した。この後、光感光性ＢＣＢを塗布し、露光、現像を行い、端子部を形成するための下地層の一部が露出するように開口部を有する保護膜を形成した。さらに、スクリーン印刷技術を用いて、保護膜の開口部に市販のはんだペーストを転写、リフローを行い、はんだバンプを形成し、本発明の積層型の薄膜コンデンサを得た。これを本発明の試料とする。
【００４５】
同様の手法を用いて、各電極層の外周形状が同一の従来の積層型の薄膜コンデンサを得た。これを比較試料例とする。
【００４６】
各試料例に対して、高温負荷試験を行った結果を表１にまとめる。高温負荷試験は、１２５℃／３．７５Ｖ／１，０００時間／２４個で行った。絶縁抵抗は、室温／２．５Ｖ／６０秒印加の条件で測定した。
【００４７】
【表１】
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【００４８】
静電容量に関しては、いずれの試料においても、試験前後において大きな変化はなかった。比較試料例の方が少し容量が大きいが、これは、電極層間の対向面積の差に起因している。
【００４９】
試験前の絶縁抵抗において、本発明の試料例の方が比較試料例よりも、少し絶縁抵抗が大きい。また、試験後の絶縁抵抗においてその差が顕著となり、本発明試料例の方が優れていることがわかる。
【００５０】
表１から明らかなように、本発明の薄膜コンデンサは従来品と比べて初期の絶縁抵抗が高く、絶縁抵抗の劣化も抑えられていることがわかる。
【００５１】
【発明の効果】
本発明の積層型薄膜コンデンサは、電極層の端部の外周辺が、他の同一極性の電極層の外周辺と交差しないように変位して形成している。このため、積層数が増加しても電極層の有無による段差が最大で電極厚みの２倍となり、電極層への薄膜誘電体層の被覆性は変わらず、充分な絶縁性、信頼性が確保することができる。また、複数の同一極性を有する電極層において、上層の電極層は下層の電極層の内側にあるので、電極層端部を被覆した薄膜誘電体層上に電極層が形成される部位が少なくなり、より充分な絶縁性、信頼性が確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明の積層型薄膜コンデンサの平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は図１の積層型薄膜コンデンサを各電極層のパターン図であり、（ｆ）は薄膜誘電体層のパターン図であり、（ｇ）は外部端子のパターン図である。
【図３】（ａ）は、本発明の他の積層型薄膜コンデンサの平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図４】本発明の別の積層型薄膜コンデンサを示すものであり、（ａ）はその全体の平面図であり、（ｂ）は薄膜誘電体層のパターン図であり、（ｃ）は外部端子の下地層のパターン図であり、（ｄ）〜（ｈ）は、各電極層のパターン図である。
【図５】本発明の別の積層型薄膜コンデンサを示すものであり、（ａ）はその全体の平面図であり、（ｂ）は薄膜誘電体層のパターン図であり、（ｃ）は外部端子の下地層のパターン図であり、（ｄ）〜（ｈ）は、各電極層のパターン図である。
【図６】従来の積層型薄膜コンデンサを示し、（ａ）は、その平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【符号の説明】
２、２ａ〜２ｃ、１２、１２ａ〜１２ｃ・・・一方極性の電極層
４、４ａ、４ｂ、１４、１４ａ、１４ｂ・・・一方極性の電極層
３、３ａ〜３ｄ、１３、１３ａ〜１３ｄ・・・薄膜誘電体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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