(57)【要約】【課題】プローブ検査工程に要する時間を短縮できる技術を提供する。【解決手段】ウェハＷＨ内の全チップについて１回目のプローブ検査を行い、全チップの良・不良の判定結果ウェハマップデータとしてまとめた後、ウェハＷＨをウェハステージＷＳＴＧからウェハキャリアＷＨＣＲへアンロードせずに、プローブ針と電極パッドとの接触の不具合に起因すると推定される特定カテゴリの不良が検出された不良チップに対してのみ２回目のプローブ検査を実施し、再度不良チップと判定されたチップを本物の不良チップと見なす。【選択図】　　図３
2004134565.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハ上に半導体チップ単位で集積回路および前記集積回路と電気的に接続する電極パッドを形成した後、複数のプローブ針が針立てしてあるプローブカードを用い、半導体チップの前記電極パッドに前記プローブ針を接触させて前記半導体チップ単位で前記集積回路に対してプローブ検査を行う工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記プローブ検査は、
（ａ）前記半導体ウェハ内の全ての半導体チップに対して第１のプローブ検査を行う工程と、
（ｂ）前記第１のプローブ検査にて第１のカテゴリの不良が検出された前記半導体チップに対して第２のプローブ検査を行う工程と、
（ｃ）前記第１のカテゴリ以外の不良が検出された前記半導体チップおよび前記第２のプローブ検査で不良が検出された前記半導体チップを不良と判定する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体ウェハ上に半導体チップ単位で集積回路および前記集積回路と電気的に接続する電極パッドを形成した後、複数のプローブ針が針立てしてあるプローブカードを用い、半導体チップの前記電極パッドに前記プローブ針を接触させて前記半導体チップ単位で前記集積回路に対してプローブ検査を行う工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記プローブ検査は、
（ａ）前記半導体ウェハ内の全ての半導体チップに対して第１のプローブ検査を行う工程と、
（ｂ）前記第１のプローブ検査にて第１のカテゴリの不良が検出された前記半導体チップに対して第２のプローブ検査を行う工程と、
（ｃ）前記第１のカテゴリ以外の不良が検出された前記半導体チップおよび前記第２のプローブ検査で不良が検出された前記半導体チップを不良と判定する工程とを含み、前記第１のカテゴリの不良は、前記プローブ針と前記電極パッドとの接触の不具合に起因すると推定される不良であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体ウェハ上に半導体チップ単位で集積回路および前記集積回路と電気的に接続する電極パッドを形成した後、複数のプローブ針が針立てしてあるプローブカードを用い、半導体チップの前記電極パッドに前記プローブ針を接触させて前記半導体チップ単位で前記集積回路に対してプローブ検査を行う工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記プローブ検査は、
（ａ）前記半導体ウェハ内の全ての半導体チップに対して第１のプローブ検査を行う工程と、
（ｂ）前記第１のプローブ検査にて第１のカテゴリの不良が検出された前記半導体チップに対して第２のプローブ検査を行う工程と、
（ｃ）前記第１のカテゴリ以外の不良が検出された前記半導体チップおよび前記第２のプローブ検査で不良が検出された前記半導体チップを不良と判定する工程とを含み、前記（ｂ）工程は、前記半導体ウェハを前記第１のプローブ検査を行った第１の位置からウェハ待機位置へ移動させずに行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体ウェハ上に半導体チップ単位で集積回路および前記集積回路と電気的に接続する電極パッドを形成した後、複数のプローブ針が針立てしてあるプローブカードを用い、半導体チップの前記電極パッドに前記プローブ針を接触させて前記半導体チップ単位で前記集積回路に対してプローブ検査を行う工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記プローブ検査は、
（ａ）前記半導体ウェハ内の全ての半導体チップに対して第１のプローブ検査を行う工程と、
（ｂ）前記第１のプローブ検査にて第１のカテゴリの不良が検出された前記半導体チップに対して第２のプローブ検査を行う工程と、
（ｃ）前記第１のカテゴリ以外の不良が検出された前記半導体チップおよび前記第２のプローブ検査で不良が検出された前記半導体チップを不良と判定する工程とを含み、前記（ａ）工程は、前記第１カテゴリの不良を有する前記半導体チップを所定数連続して検出した時に前記プローブ針の針先のクリーニングを行う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体ウェハ上に半導体チップ単位で集積回路および前記集積回路と電気的に接続する電極パッドを形成した後、複数のプローブ針が針立てしてあるプローブカードを用い、半導体チップの前記電極パッドに前記プローブ針を接触させて前記半導体チップ単位で前記集積回路に対してプローブ検査を行う工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記プローブ検査は、
（ａ）前記半導体ウェハ内の一部に第１領域を設定する工程と、
（ｂ）前記第１領域内に形成された半導体チップが第１のカテゴリの不良を有すると仮定する工程と、
（ｃ）前記第１領域内に形成された前記半導体チップに対して第１のプローブ検査を行う工程と、
（ｄ）前記第１のプローブ検査にて第１のカテゴリの不良が検出された前記半導体チップに対して第２のプローブ検査を行う工程と、
（ｅ）前記第１領域内において前記第１のカテゴリ以外の不良が検出された前記半導体チップおよび前記第２のプローブ検査で不良が検出された前記半導体チップを不良と判定する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、半導体ウェハ上に形成された集積回路の良・不良を半導体チップ単位で判定する検査工程に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウェハ（以降、単にウェハと記す）上に半導体チップ（以降、単にチップと記す）単位で集積回路を作り込んだ後、個々のチップの良・不良を判定する検査（以降、プローブ検査と記す）が行われる。このプローブ検査では、チップに設けられた電極パッドの配置に合わせて複数の触針（以降、プローブ針と記す）を配置したプローブカードが用いられ、プローブカードからは全プローブ針に対応する信号線が出ており、この信号線の他方はテスタに接続されている。
【０００３】
チップの電極パッドにプローブ針を接触させた状態で、あらかじめプログラムされている信号波形をチップの電極パッドから入力すると、チップの他の電極パッドから一定の信号波形が出力される。これをテスタが読み取ることで、チップの良・不良の判定が行われる。
【０００４】
なお、たとえば１９９９年１２月２０日、株式会社プレスジャーナル発行「月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｗｏｒｌｄ　２０００年１月号」、Ｐ１２８〜Ｐ１３２に、各社のウェハプローバおよびプローブカードの概要について記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者は、プローブ検査工程に関する技術について検討しており、その中で以下のような課題を見出した。
【０００６】
すなわち、プローブ検査時においては、特定のカテゴリのチップ不良（たとえば断線（開放）故障）が連続して検出されることがある。このような場合、検出されたチップ不良には、チップそのものの不良以外にも、たとえばプローブ針の針先に異物が付着し、プローブ針とチップの電極パッドとの接触状態が好ましくない状態となっていることに起因する不良が含まれていることが考えられることから、プローブ針の針先のクリーニングを行う。続いて、未測定のチップからプローブ検査を再開し、ウェハ内の全チップについてのプローブ検査が終了後にウェハマップデータとして検査結果を保存する。このようなプローブ検査工程を１ロット分のウェハの全てに対して行った後、上記したような特定のカテゴリのチップ不良が連続して検出されたウェハについては、ウェハ内の全チップに対して同様のプローブ検査を再度行い、新たなウェハマップデータを作成することによって、保存されているウェハマップデータを更新する。
【０００７】
しかしながら、上記のようなプローブ検査工程によれば、プローブ検査を再度行うウェハにおいては、ウェハ内の良品チップについても再検査の対象となってしまうことから、プローブ検査工程に要する時間が長くなってしまう問題がある。また、プローブ検査を再度行うことから、１回目のプローブ検査時に良品と判定されたチップについても、２回目のプローブ検査ではプローブ針とチップの電極パッドとの接触状態が好ましくない状態となってしまうこともあり、不良と判定されてしまうことがある。このような場合には、プローブ検査の歩留りが低下してしまう問題がある。
【０００８】
また、上記プローブ針の先端は、電極パッドの可能な限り中央に接触させてプローブ検査を行うものであるが、プローブ検査を繰り返すに従って、たとえばプローブ針には機械的負荷が累積され、プローブ針が歪んでしまったりすることから、プローブ針の針先が電極パッドの中央に接触できなくなってしまう、いわゆる針ずれが発生する場合がある。この針ずれが発生した場合も、上記したような特定のカテゴリのチップ不良が連続して検出されることになる。上記２回目のプローブ検査時において、このような針ずれに起因するチップ不良が連続して検出された場合には、ウェハ内の全チップについて再びプローブ検査を行うことになり、さらにプローブ検査工程に要する時間が長くなってしまう問題がある。また、針ずれが起こったまま２回目のプローブ検査を開始した場合には、ウェハ内の全チップが不良と判定されてしまうことになり、プローブ検査の歩留りがさらに低下してしまう問題がある。
【０００９】
本発明の目的は、プローブ検査工程に要する時間を短縮できる技術を提供することにある。
【００１０】
また、本発明の他の目的は、プローブ検査の歩留りを向上できる技術を提供することにある。
【００１１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１３】
すなわち、本発明は、半導体ウェハ上に半導体チップ単位で集積回路および前記集積回路と電気的に接続する電極パッドを形成した後、複数のプローブ針が針立てしてあるプローブカードを用い、半導体チップの前記電極パッドに前記プローブ針を接触させて前記半導体チップ単位で前記集積回路に対してプローブ検査を行う工程を含むものであり、前記プローブ検査は、前記半導体ウェハ内の全ての半導体チップに対して第１のプローブ検査を行う工程と、前記第１のプローブ検査にて第１のカテゴリの不良が検出された前記半導体チップに対して第２のプローブ検査を行う工程と、前記第１のカテゴリ以外の不良が検出された前記半導体チップおよび前記第２のプローブ検査で不良が検出された前記半導体チップを不良と判定する工程とを含むものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１５】
（実施の形態１）
図１は、本実施の形態１のプローブ検査に用いる機器の構成の概略を示す説明図である。
【００１６】
ウェハステージＷＳＴＧ上には、チップ単位で集積回路が作りこまれたウェハが載置される。プローバＰＲＯＢにはプローブカードおよびプローブ針の針先のクリーニングを行うクリーニングシートが含まれており、プローブカードにはチップに設けられた電極パッドの配置に合わせて複数のプローブ針が配置されている。プローブカードからは全プローブ針に対応する信号線ＳＬ１が出ており、この信号線ＳＬ１の他方はテスタＴＥＳＴに接続されている。チップの電極パッドにプローブ針を接触させた状態で、予めテスタＴＥＳＴ内にてプログラムされている信号波形をチップの電極パッドから入力すると、チップの他の電極パッドから一定の信号波形が出力される。これをテスタが読み取ることで、チップの良・不良の判定が行われる。
【００１７】
チップの良・不良の判定結果は、ウェハマップデータとしてテスタＴＥＳＴ内に蓄積されていき、ウェハ内の全チップについてのプローブ検査終了によって完成したウェハマップデータが信号線ＳＬ２を通じてテスタＴＥＳＴからサーバＳＥＲＶへ送信される。
【００１８】
次に、図１に示した機器を用いた本実施の形態１のプローブ検査工程について図２〜図４を用いて説明する。図２および図３は、本実施の形態１のプローブ検査工程フローを示すものであり、図４は、ウェハマップデータの更新手順を示すものである。
【００１９】
まず、チップ単位で集積回路およびその集積回路と電気的に接続する電極パッドが作り込まれた複数枚（１ロット分）のウェハＷＨが収納されたウェハキャリア（ウェハ待機位置）ＷＨＣＲより１枚のウェハＷＨを取り出し、そのウェハＷＨをウェハステージ（第１の位置）ＷＳＴＧ上に載置（ウェハロード）する（工程ＴＰ１）。
【００２０】
次に、プローブカードＰＣをウェハＷＨ上に移動し、チップの電極パッドにプローブ針を接触させる。続いて、予めテスタＴＥＳＴ内にてプログラムされている信号波形をプローブ針を通じてチップの電極パッドから入力し、チップの他の電極パッドから出力される信号波形を他のプローブ針を通じてテスタにて読み取ることによりプローブ検査を行う（工程ＴＰ２）。このような信号波形の入力および読み取りを他のチップに対しても順次行っていき、プローブ針と電極パッドとの接触の不具合に起因すると推定される特定カテゴリの不良（たとえば断線（開放）故障）が検出されたチップが所定数（たとえば１０個）連続しているか否かを確認する（工程ＴＰ３）。
【００２１】
ここで、そのようなチップが所定数連続している場合には、プローブ針の針先に電極パッドを形成するアルミニウムなどの異物が付着して導通不良を引き起こしていることが推定される。そこで、本実施の形態１のプローバＰＲＯＢ（図１参照）においては、そのようなチップが所定数連続している場合には、自動的にプローブカードＰＣをクリーニングシートＣＳＨ上に移動し、プローブ針の針先をクリーニングシートＣＳＨに擦りつけ、針先に付着している異物を除去することによって針先をクリーニングする（工程ＴＰ４）ように、その動作が予めプログラムされている。それにより、たとえば上記のような特定カテゴリの不良チップが所定数連続した場合に人為的にプローバＰＲＯＢの稼動を停止させ、人為的にプローブ針の針先をクリーニングする手段に比べて、プローブ検査工程が停滞してしまう時間を短縮することができる。その結果、本実施の形態１のプローブ検査のスループットを向上することが可能となる。
【００２２】
プローブ針の針先のクリーニングが終了した後、再びプローブカードをウェハＷＨ上に移動し、プローブ検査の済んでいないチップについて工程ＴＰ２で説明したプローブ検査を順次行っていき（工程ＴＰ５）、ウェハＷＨ内の全チップについてプローブ検査（第１のプローブ検査）を行う（工程ＴＰ６）。ここまでの工程により得られた全チップの良・不良の判定結果は、テスタＴＥＳＴ内にてウェハマップデータとしてまとめられる。
【００２３】
次に、ウェハＷＨをウェハステージＷＳＴＧ上からアンロードせず、ウェハステージＷＳＴＧ上に載置された状態を維持しつつ、上記工程ＴＰ６までの工程によりまとめられたウェハマップデータの解析を行う。図４にはそのウェハマップデータの一例を図示しており、“／”で示したカテゴリーのチップは良品のチップであり、“Ａ”で示した不良カテゴリーのチップはプローブ針と電極パッドとの接触の不具合に起因すると推定される特定カテゴリ（第１のカテゴリ）の不良（たとえば断線（開放）故障）が検出された不良チップであり、“Ｆ”で示した不良カテゴリーのチップは“Ａ”で示した不良カテゴリーのチップ以外の不良チップ（本物の不良チップ）である。本実施の形態１においては、その“Ａ”で示した不良カテゴリーのチップがウェハＷＨ内にて所定の発生数以上または発生率以上となっているか否かをテスタＴＥＳＴにて自動的に判定する（工程ＴＰ７）。その“Ａ”で示した不良カテゴリーのチップが所定の発生数以上または発生率以上となっている場合には、その“Ａ”で示した不良カテゴリーのチップについてのみ再プローブ検査（第２のプローブ検査）を行い、テスタＴＥＳＴ内にてまとめられているウェハマップデータを新たに取得したチップの良・不良の判定結果で書き換えていく（工程ＴＰ８）。なお、図４においては、その再プローブ検査を行うチップをハッチングを付して示してある。たとえば、全チップ中、“Ａ”で示した不良カテゴリーのチップの発生率が２５％以上の場合（ウェハＷＨ内に５００個のチップが形成されているとすれば、“Ａ”で示した不良カテゴリーのチップが１２５個以上発生している場合）に、“Ａ”で示した不良カテゴリーのチップの再プローブ検査を行うものである。なお、本実施の形態においては、再プローブ検査を行う基準となる“Ａ”で示した不良カテゴリーのチップの発生数または発生率は、任意に設定することが可能であり、ウェハＷＨ内にて“Ａ”で示した不良カテゴリーのチップが１個のみの場合でも、再プローブ検査を実施することが可能である。本実施の形態１においては、このような再プローブ検査によって良品と見なされたチップは良品として扱い、再度不良チップと判定されたチップは本物の不良チップ（“Ｆ”で示した不良カテゴリーのチップ）と見なすものである。
【００２４】
上記ような再プローブ検査を“Ａ”で示した不良カテゴリーのチップの全てに対して行った（工程ＴＰ９）後、更新されたウェハマップデータをテスタＴＥＳＴからサーバＳＥＲＶへ信号線ＳＬ１（図１参照）を介して転送し、そのウェハマップデータを正式なチップの良・不良の判定結果としてサーバＳＥＲＶ内にて保存する（工程ＴＰ１０）。その後、ウェハＷＨをウェハステージＷＳＴＧからウェハキャリアＷＨＣＲへ移送（アンロード）する（工程ＴＰ１１）。
【００２５】
本発明者は、上記の本実施の形態１のプローブ検査工程と他のプローブ検査工程の一例（以降、第２のプローブ検査工程と記す）とを比較および検討した。
【００２６】
第２のプローブ検査工程においては、ウェハＷＨをウェハキャリアＷＨＣＲからウェハステージＷＳＴＧ上へ載置（ウェハロード）し、ウェハＷＨ内の全てのチップについてのプローブ検査が終了後にウェハマップデータとして検査結果をサーバＳＥＲＶ内にて保存し、ウェハＷＨをウェハキャリアＷＨＣＲへアンロードする。このようにして１ロット分のウェハの全てに対して１回目のプローブ検査を行った後、プローブ針と電極パッドとの接触の不具合に起因すると推定される特定カテゴリの不良が検出された不良チップ（“Ａ”で示した不良カテゴリーのチップ（図４参照））が検出されたウェハＷＨをウェハキャリアＷＨＣＲからウェハステージＷＳＴＧ上へ再度載置（ウェハロード）し、ウェハＷＨの全てのチップに対して再プローブ検査を行う。このような第２のプローブ検査工程では、ウェハＷＨ内の良品チップ（“／”で示したカテゴリーのチップ（図４参照））についても再プローブ検査の対象となってしまうことから、プローブ検査工程のスループットが低下してしまう不具合が生じる。
【００２７】
また、第２のプローブ検査工程においては、再プローブ検査のためにウェハキャリアＷＨＣＲからウェハステージＷＳＴＧへウェハＷＨをロードする工程およびウェハステージＷＳＴＧからウェハキャリアＷＨＣＲへウェハＷＨをアンロードする工程が必要となることも、プローブ検査工程のスループットが低下してしまう不具合の原因となる。
【００２８】
また、第２のプローブ検査工程においては、ウェハＷＨ内の全てのチップに対してプローブ検査を再度行うことから、１回目のプローブ検査時に良品と判定されたチップについても、２回目のプローブ検査ではプローブ針とチップの電極パッドとの接触状態が好ましくない状態となってしまうこともあり、不良と判定されてしまうことがある。このような場合には、プローブ検査の歩留りが低下してしまう不具合が生じる。
【００２９】
一方、本実施の形態１のプローブ検査工程によれば、再プローブ検査の対象となるのは、プローブ針と電極パッドとの接触の不具合に起因すると推定される特定カテゴリの不良が検出された不良チップ（“Ａ”で示した不良カテゴリーのチップ（図４参照））である。そのため、ウェハＷＨ内の全てのチップに対してプローブ検査を行う場合に比べてプローブ検査のスループットを向上することができる。
【００３０】
また、本実施の形態１のプローブ検査工程によれば、１回目のプローブ検査終了後、ウェハＷＨをウェハステージＷＳＴＧからウェハキャリアＷＨＣＲへアンロードせずに再プローブ検査を行う。そのため、再プローブ検査のためにウェハキャリアＷＨＣＲからウェハステージＷＳＴＧへウェハＷＨをロードする工程およびウェハステージＷＳＴＧからウェハキャリアＷＨＣＲへウェハＷＨをアンロードする工程がを省略できるので、プローブ検査のスループットを向上することができる。
【００３１】
また、本実施の形態１のプローブ検査工程によれば、プローブ針と電極パッドとの接触の不具合に起因すると推定される特定カテゴリの不良が検出された不良チップ（“Ａ”で示した不良カテゴリーのチップ（図４参照））のみに対して再プローブ検査を行う。それにより、１回目のプローブ検査時に良品と判定されたチップが２回目のプローブ検査で不良と判定されてしまうことを防ぐことができる。さらに、そのような不良チップがウェハＷＨ内にて１個のみの場合でも、その不良チップに対して再プローブ検査を行うことを可能としている。そのため、実際には良品のチップが不良チップとして判定されてしまうことを低減することができる。すなわち、本実施の形態１のプローブ検査の歩留りを向上することができる。
【００３２】
ところで、プローブ検査を繰り返すに従って、たとえばプローブ針には機械的負荷が累積され、プローブ針が歪んでしまったりすることから、プローブ針の針先が電極パッドの中央に接触できなくなってしまう、いわゆる針ずれが発生する場合がある。上記第２のプローブ検査工程において、２回目のプローブ検査時にその針ずれが起こっている場合には、全てのチップに対して２回目のプローブ検査を実施することから、ウェハ内の全チップが不良と判定されてしまう恐れがある。一方、本実施の形態１のプローブ検査工程においては、２回目のプローブ検査を行うのは、プローブ針と電極パッドとの接触の不具合に起因すると推定される特定カテゴリの不良が検出された不良チップ（“Ａ”で示した不良カテゴリーのチップ（図４参照））のみである。そのため、本実施の形態１によれば、２回目のプローブ検査時にその針ずれが起こっている場合でも、針ずれに起因して不良と判定されてしまうチップ数を多くても２回目のプローブ検査を実施したチップ数に止めることができる。
【００３３】
（実施の形態２）
本実施の形態２は、前記実施の形態１で示した機器（図１参照）およびプローブ検査工程（図２〜図４参照）を応用してウェハ内の特定の領域に形成されたチップに対してのみプローブ検査を実施するものである。
【００３４】
たとえば、ウェハ内における不良チップの分布調査を行う場合には、ウェハ内の全てのチップに対してプローブ検査を実施せずに、一部の領域のチップについてプローブ検査を行い、その領域における不良チップの分布状態が他の領域においても当てはまると見なし、ウェハ内全域の不良チップの分布状態を予測することができる。そこで、ウェハＷＨに対して１回目のプローブ検査を実施する前に、予め図５に示すような仮のウェハマップデータを作成しておく。このウェハマップデータでは、ウェハＷＨ内の特定の領域（第１領域）ＣＡ（ハッチングを付した領域）内に配置されたチップがプローブ検査を行うチップであり、予めプローブ針と電極パッドとの接触の不具合に起因すると推定される特定カテゴリの不良（たとえば断線（開放）故障）が検出された不良チップ（“Ａ”で示した不良チップ）と規定している。また、それ以外のチップについては良品チップと規定している。
【００３５】
ウェハＷＨをウェハキャリアＷＨＣＲから取り出し、ウェハステージＷＳＴＧ上に載置した後、上記仮のウェハマップデータに基づき、前記実施の形態１にて説明した工程ＴＰ８以降の工程（図３および図４参照）に従って、ウェハＷＨ内の特定の領域ＣＡ内に配置されたチップに対してのみプローブ検査（第１のプローブ検査）を行う。このプローブ検査にて、プローブ針と電極パッドとの接触の不具合に起因すると推定される特定カテゴリ（第１のカテゴリ）の不良（たとえば断線（開放）故障）を有するチップが検出された場合には、前記実施の形態１にて説明した工程ＴＰ７以降の工程（図３および図４参照）に沿って、そのチップに対して２回目のプローブ検査（第２のプローブ検査）を行うことが可能である。このような２回のプローブ検査を経ることにより、領域ＣＡ内における不良チップの分布状態を明らかにすることができる。
【００３６】
上記のような本実施の形態２のプローブ検査工程によれば、ウェハＷＨ内の一部の領域のチップについてプローブ検査を行うことが可能となるので、その領域における不良チップの分布状態からウェハＷＨ内全域における不良チップの分布状態を予測することができる。また、ウェハＷＨ内の全てのチップに対してプローブ検査を実施せずに済むことから、プローブ検査工程のスループットを向上することができる。
【００３７】
なお、本実施の形態２においては、ウェハ内における不良チップの分布調査を行う場合について例示したが、ウェハ内の特定の領域に形成されたチップに対してのみプローブ検査を実施する工程は、チップの解析を行う場合に適用しても良い。
【００３８】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００３９】
【発明の効果】
本願によって開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。
（１）プローブ針と電極パッドとの接触の不具合に起因すると推定される特定カテゴリの不良が検出された不良チップに対してのみ２回目のプローブ検査を行うので、プローブ検査のスループットを向上することができる。
（２）１回目のプローブ検査後、ウェハをウェハキャリアへアンロードせずに２回目のプローブ検査を行うので、プローブ検査のスループットを向上することができる。
（３）プローブ針と電極パッドとの接触の不具合に起因すると推定される特定カテゴリの不良が検出された不良チップに対してのみ２回目のプローブ検査を行い、良品のチップが不良チップとして判定されてしまうことを低減することができるので、プローブ検査の歩留りを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程に含まれるプローブ検査工程にて用いる機器の構成の概略を示す説明図である。
【図２】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程に含まれるプローブ検査工程の説明図である。
【図３】図２に続くプローブ検査工程の説明図である。
【図４】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程に含まれるプローブ検査工程におけるウェハマップデータの更新手順を示す説明図である。
【図５】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程に含まれるプローブ検査工程におけるウェハマップデータを示す説明図である。
【符号の説明】
ＣＡ　領域（第１領域）
ＣＳＨ　クリーニングシート
ＰＣ　プローブカード
ＰＲＯＢ　プローバ
ＳＥＲＶ　サーバ
ＴＥＳＴ　テスタ
ＴＰ１〜ＴＰ１１　工程
ＷＨ　ウェハ
ＷＨＣＲ　ウェハキャリア（ウェハ待機位置）
ＷＳＴＧ　ウェハステージ（第１の位置）
【図１】
2004134565.tif 000003
【図２】
2004134565.tif 000004
【図３】
2004134565.tif 000005
【図４】
2004134565.tif 000006
【図５】
2004134565.tif 000007