(57)【要約】　　　（修正有）【課題】シリコンウェハを高温でバッチ処理するサセプタプレートを提供する。【解決手段】サセプタプレート１００は、１枚のウエハを収容するように設計され、ウエハを載置した複数のサセプタプレート１００は、バッチまたは炉処理中にサセプタプレートホルダー内に垂直に間隔をおいて配置される。サセプタプレート１００は、ウエハを下から「全面」支持することができ、支持面１１０内に直径が最大２０ｍｍの開口部１３０を有する。突起も最小限に抑えられる。したがって、サセプタプレート１００はウエハが塑性変形点を越えてたわむのを妨げる。支持面１１０もまた所定の高さを超える突起を除去するために研削または研磨される。所与の処理温度については、サセプタプレート１００は、ウェハの塑性変形またはサセプタプレートへの付着なしに昇温速度を高め得る。一実施形態では、サセプタプレート１００はたわむ方向と逆の方向に予めたわんでいる。【選択図】　図７
2004134761.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直に間隔をおいて配置される複数のサセプタプレートを収容するための複数のスロットを有するサセプタプレートホルダー内に水平に取り外し可能に収容されるサセプタプレートであって、
　半導体ウエハが、実質的に表面領域全体を支持されるとともに高温処理中に実質的に平坦に保持されるように、上側支持面上に、直径が３００ｍｍまたはそれ以上の半導体ウエハを高温処理の間収容するように形成される、サセプタプレート。
【請求項２】
前記支持面は、ウエハが載置されると、３２８μｍ未満のたわみを示す請求項１に記載のサセプタプレート。
【請求項３】
前記支持面は、ウエハが載置されると、２００μｍ未満のたわみを示す請求項２に記載のサセプタプレート。
【請求項４】
前記支持面は、ウエハが載置されると、１２５μｍ未満のたわみを示す請求項３に記載のサセプタプレート。
【請求項５】
前記支持面は、ウエハが載置されると、７５μｍ未満のたわみを示す請求項４に記載のサセプタプレート。
【請求項６】
前記支持面は、０．５μｍを超える種々の突起が除去されるように、研削または研磨されている請求項１に記載のサセプタプレート。
【請求項７】
前記支持面は、０．２５μｍを超える種々の突起が除去されるように、研削または研磨されている請求項１に記載のサセプタプレート。
【請求項８】
前記支持面は、０．１５μｍを超える種々の突起が除去されるように、研削または研磨されている請求項１に記載のサセプタプレート。
【請求項９】
前記支持面は、０．１０μｍを超える種々の突起が除去されるように、研削または研磨されている請求項１に記載のサセプタプレート。
【請求項１０】
前記サセプタプレート上へのウエハの自動搬入、および前記サセプタプレートからのウエハの自動搬出を容易にするように、間隔をおいて配置された３つの貫通孔を備え、前記貫通孔は、直径が２０ｍｍを超えるウエハ円形領域が非支持状態に放置されないような寸法である請求項１に記載のサセプタプレート。
【請求項１１】
前記貫通孔は、直径が１０ｍｍを超えるウエハ円形領域が非支持状態に放置されないような寸法である請求項１０に記載のサセプタプレート。
【請求項１２】
前記サセプタプレートは、ＣＶＤ　ＳｉＣ材料を含み、前記支持面を提供する請求項１に記載のサセプタプレート。
【請求項１３】
ＣＶＤ　ＳｉＣ材料は、自立ＣＶＤ　ＳｉＣ材料である請求項１２に記載のサセプタプレート。
【請求項１４】
前記サセプタプレートホルダーは、ウエハを縁で支持するための前記スロットを画定する３本の支持カラムを備える請求項１に記載のサセプタプレート。
【請求項１５】
前記サセプタプレートホルダーは、約１０００℃を超える温度で作動する縦型炉内において使用するために、形成される請求項１に記載のサセプタプレート。
【請求項１６】
前記縦型炉は、約１２００℃を超える温度で作動する請求項１５に記載のサセプタプレート。
【請求項１７】
上向き凸状方向に予めたわんでいる請求項１に記載のサセプタプレート。
【請求項１８】
高い処理温度で複数のシリコンウェハを熱処理する方法であって、該複数のウエハは、垂直に間隔を置いた関係に、ホルダー内に水平に収容され、該方法は、
　前記処理温度へ前記ウエハを加熱するステップと、
　前記処理温度で前記ウエハを処理するステップと、
　処理後に前記ウエハを冷却するステップと、
　前記各ウエハの実質的に表面領域全体を支持し、加熱、処理および冷却中に前記各ウエハを実質的に平坦に保持するステップと、を含み、
　所与の処理温度では、前記各ウエハが、表Ｉが明示するのと少なくとも同じ平坦度でまたはそれよりも高い平坦度で保持されるシリコンウエハ熱処理方法。
【請求項１９】
前記処理温度は、約１０００℃より高い請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記処理温度は、約１２００℃より高い請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
サセプタプレート上に前記ウエハを載置し、前記サセプタプレートを反応室内へ移動させるステップをさらに含む請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
複数のサセプタプレートにそれぞれウエハを載置し、前記ウエハを載置したサセプタプレートをサセプタプレートホルダー内へ移送するステップをさらに含み、高温処理が、前記サセプタプレートホルダー内に前記ウエハを載置した複数のサセプタプレートを用いて行われる請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記処理温度は、約１０００℃より高い請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記サセプタプレートは、ウエハの下にある支持面内に、２０ｍｍの円形領域を収容する程大きい開口部は有していない請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
前記支持面は、約３２８μｍ以下のたわみを有するのに十分平坦である請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】
前記支持面は、２００μｍ未満のたわみを有するのに十分平坦である請求項２１に記載の方法。
【請求項２７】
０．５μｍを超える種々の突起を除去するために、前記支持面を研削または研磨するステップをさらに含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２８】
０．２５μｍを超える種々の突起を除去するために、前記支持面を研削または研磨するステップをさらに含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２９】
前記各ウエハは、少なくとも約３００ｍｍの直径を有する請求項２１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、炉内において高温で半導体ウエハのバッチ処理を行う分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
　縦型炉内において半導体ウエハを処理中に、比較的多数のウエハが、水平方向にかつ垂直に間隔を置いた関係で、ウエハボート内に収容される。標準的なウエハボートにおいては、ウエハは、周縁（ウエハ縁）の３つまたはそれ以上の場所で支持される。しかしながら、（例えば１０００℃を超える）高温では、ウエハの降伏強度は、減少し、ウエハは、それ自体の重量の下でたわみ得るか、または、それらは、熱により応力が生じた結果変形し得るか、あるいは、両方が作用した結果変形し得る。
ウエハの厚さは直径に比例して増加しないので、直径が大きいウエハは、直径が小さいウエハよりもこの作用を受けやすい。
【０００３】
　米国特許第５，２１９，０７９号明細書において、ウエハの反りを回避するためにサセプタプレートを備えるウエハボートが、提案された。サセプタプレートには、ロボットエンドエフェクタでウエハをサセプタプレート上に載置しウエハと下面で接触し得るように、大きな凹所が設けられる。しかしながら、比較的大きな凹所によって、ウエハが局所的に変形してしまうことが分かった。リング型支持ボートのように、ウエハ用の支持領域を広げた他のボートが、本技術において提案されている。しかしながら、３００ｍｍウエハを高温処理するために、提案された支持物は、適切ではなく、ウエハの塑性変形をなお生じさせる（特許文献１参照）。
【０００４】
　別の努力が行われ、ウエハを下面全体の上に支持するサセプタプレートを備える、特開昭６３−１０２２２５号明細書のウエハボートが、提案されている。このボートは、ウエハに反応ガスの乱れを触れさせないようにし、よってウエハ上にＣＶＤにより堆積する膜の均一性を改善するために使用される。ウエハは、サセプタプレートに手作業で載置する必要がある。これは、今日の処理において許容可能ではなく、この場合、３００ｍｍウエハの手作業による取り扱いは、実行可能な選択肢ではない（特許文献２参照）。
【０００５】
　したがって、ウエハが自動的にハンドリングされ、ウエハの塑性変形の発生が最小限にされるか除去される、１０００℃を超える温度で３００ｍｍウエハを熱処理する方法および装置を提供することが、本発明の目的である。
【特許文献１】米国特許第５，２１９，０７９号明細書
【特許文献２】特開昭６３−１０２２２５号明細書
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
　本発明によれば、処理中に、ウエハが、ウエハボート内に垂直に間隔を置いた関係で収容され、ウエハは、サセプタプレートによって実質的に下面領域全体を支持される。サセプタプレートは、ウエハボート内に収容され３００ｍｍウェハが載置された場合、処理中にウエハのスリップを最小限にする範囲内にある全平坦度を有する。
【０００７】
　ここに示す実施形態では、サセプタプレート上へのウエハの自動搬入出を容易にするために、プレートには、２０ｍｍ以下の直径を有する３つまたはそれ以上の孔が設けられることが好ましい。サセプタプレートの支持面上の突起は、スリップの局所的な発生を回避するように、高さが０．７μｍ以下であることが好ましい。
【０００８】
　関連出願第６０／３６５，１２２号明細書には、本発明のサセプタプレート上に自動的にウエハを載置する方法及び装置が、開示されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
　縦型炉内においてシリコンウエハを高温処理している間の結晶スリップを防止することについては、ウエハの実質的に表面領域全体の支持を行う必要があることが分かった。この支持は、サセプタプレートホルダー内に取り外し可能に収容されるサセプタプレートによって得られる。サセプタプレートホルダーは、標準的な開放型ウエハボートと同様に設計され、少なくとも３本の垂直のカラムを備え、このサセプタプレートホルダーでは、カラムの上方端部が上方プレートに取り付けられ、カラムの下方端部が下方プレートに取り付けられ、各カラムは、サセプタプレートの縁を受け取るように相互に間隔をおいて配置された凹所を有し、その結果、サセプタプレートは、垂直に間隔をおいて配置されホルダー内に実質的に水平に載る。ここに「サセプタ」という用語を使用することが、放射または誘導による熱を吸収するようにプレートを形成しなければならないことを意味しないことに注意する。実際に、当業者には理解されるように、ここに記述されたサセプタプレートには、支持された基板に対する熱効果がなかったとしても、サセプタプレートは、なお、ここに記述されるように構成可能であり、ここに記述された利点を達成可能である。
【００１０】
　サセプタプレート上にウエハを自動搬入すること、およびサセプタプレートからウエハを搬出することを容易にするためには、各サセプタプレートに、サセプタプレートの下側からリフトピンの通路を与えるように複数の（例えば３つの）貫通孔を設けることが好ましい。貫通孔は、貫通孔を通る３本のリフトピン上に支持されたウエハが安定可能に支持されるような間隔をおいて配置されることが好ましい。各貫通孔の直径は、好ましくはスリップの発生を妨げるように２０ｍｍ以下であり、貫通孔の直径は、さらに好ましくは１０ｍｍ以下である。
【００１１】
　重力による応力または熱応力は、ウエハの変形に帰着する。変形が小さい時は、弾性がある。これは、応力が取り除かれると、ウエハがもとの平坦な形状を取り戻すということを意味する。しかしながら、ウエハ内の応力が降伏応力を超過すると、ウエハは、塑性変形する。これは、変形の少なくとも一部分が永続的であることを意味する。微視的スケールでは、結晶スリップが生じる。ウエハの降伏強度は、温度に依存し、温度が上昇することで減少する。この理由のために、高温処理は、非常にデリケートである。処理温度が高くなればなるほど、ウエハの変形は、減少し許容可能となる。以下に、変形の許容範囲を提供する。
【００１２】
　円筒形状をとるように、わずかに変形する平坦なプレートを考える（プレートの側面図を表わす図１を参照）。プレートが図示したように湾曲すると、プレートの中央面（半径＝Ｒ）は、伸びたり縮んだりしないが、しかし、上面（半径＝Ｒ−ｄ）は少し伸び、かつ下面（半径＝Ｒ＋ｄ）は少し収縮する。次いで、ひずみεSは以下の式から得られる。
【００１３】
【数１】
2004134761.tif 000003
【００１４】
　上記式において、
σSは、材料の降伏強度であり、
Eは、ヤング率であり、弾性変形の場合に応力とひずみとの間の関係を決める。
υは、ポワソン比である。
【００１５】
　１−０−０あるいは＜１００＞の１３００℃における単結晶シリコンについては、次の値が適用可能である。
σS= 0.45Mpa
E = 130Gpa
υ= 0.28
　式（１）においてこれらの値を代入すると、
【００１６】
【数２】
2004134761.tif 000004
【００１７】
　ここで、このひずみを曲率半径に関連づける。中央面から下面へ進むと、下面の収縮は、半径の減少に比例する。同様に、中央面から上面へ進むと、上面の伸びは、半径の増加に比例する。プレートの厚さを２ｄとする。上面および下面の両方における応力は、降伏応力より小さくなる。応力を降伏応力と等しいものと仮定することによって、以下の式が得られる。
【００１８】
【数３】
2004134761.tif 000005
【００１９】
その結果、
【００２０】
【数４】
2004134761.tif 000006
【００２１】
となる。
【００２２】
　標準的なシリコンウェハの厚さの半分を表わすｄ＝３８０×１０-6ｍを代入すると、
R = 152 m
となる。
【００２３】
　これは、塑性変形が１３００℃の処理温度で生じ始める、ウエハの曲率半径である。さらに、ウエハのひずみに曲率半径を相互に関連付けることができる（図２を参照）。たわみｂは、曲率半径Ｒおよびウエハの直径Dに以下のような関係がある。
【００２４】
【数５】
2004134761.tif 000007
【００２５】
【数６】
2004134761.tif 000008
【００２６】
同様の方法で、他の処理温度用の、ウエハの許容最大曲率半径を計算可能であり、以下の表Ｉに示す。
【００２７】
【表１】
2004134761.tif 000009
【００２８】
　表Ｉから、３００ｍｍシリコンウェハの塑性変形が始まる、異なる温度、および曲率半径またはひずみに対するシリコンの強度が得られる。
【００２９】
　表Ｉから明らかなように、（サセプタプレートのひずみの設計によって制御される）たわみによる許容可能なウエハのたわみは、処理温度に左右される。処理温度が約１０００℃未満または約１０００℃である場合、許容可能なたわみは、好ましくは３２８μｍ未満であり、約１１００℃未満または約１１００℃である場合、許容可能なたわみは、好ましくは２００μｍ未満であり、約１２００℃未満または約１２００℃である場合、たわみは、好ましくは１２５μｍ未満であり、約１３００℃未満または約１３００℃である場合、たわみは、好ましくは７５μｍ未満である。
【００３０】
　処理温度でウエハを処理している間に、サセプタプレートホルダー内に保持されたサセプタプレート上に支持されたウエハのたわみが表Ｉの定める値未満である時、あるいはその曲率半径が表Ｉの定める値より大きい時、塑性変形は、生じない。処理温度の中間値、ひずみの中間値、および曲率半径の中間値が適用可能であることは明らかだろう。第１の近似において、当業者は、所与の値同士の間に線形補間を用いることができる。
【００３１】
　曲がりによるウエハ内の機械応力に加えて、熱により引き起こされる応力が、ウエハ上における温度勾配により生じる場合がある。表Ｉにおいて得られる許容可能なたわみの範囲は、熱により引き起こされる応力がゼロであると仮定しているが、実際にはそうではない。
【００３２】
　したがって、ウエハが、処理中にサセプタプレート上に支持される時、その平坦度が表Ｉに定める平坦度より高い（すなわち曲率半径がより小さい）と有利である。ウエハが平坦であるほど、スリップを引き起こさずに、許容可能な昇温または降温速度が増す。例として、２５μｍ未満のたわみを有するサセプタプレートに関連して用いる昇降温速度に対するいくつかの値を、表ＩＩに示し、組み合わせによりウエハにスリップが生じなくなる。典型的であるに過ぎず最大値を示さないが、所与の温度範囲については、表ＩＩ中の典型的な昇降温速度より低い速度を、スリップなしに用いることができることが、本開示を考慮して理解されるだろう。
【００３３】
【表２】
2004134761.tif 000010
【００３４】
　ウエハが塑性変形しないようにするのに必要な平坦度を有するサセプタでウエハの下「全体の」支持をすることによって、支持されたウエハは、非常に高い（１０００度を超える）温度で処理される時同じ程度までたわむことが妨げられる。
【００３５】
　サセプタプレートの支持面は、概ね、その上に支持されるシリコンウェハの塑性変形を最小限にする範囲内のあらゆる平坦度を持ち得るが、別の結果では、好ましくない場合がある。支持面上に付随的に突起が発生することによって、局所的なスリップが生じ得る。サセプタプレート面上の突起、およびその結果を、図３に概略的に示す。ウエハは、突起によって持ち上がり、その結果、いくらかの円形領域上は、支持されない。２０ｍｍの直径を有するサセプタプレート内の孔が、許容可能であり、スリップを発生させないことが分かった。スリップは、より大きい直径に対して生じやすい。したがって、非支持領域の最大直径は、２０ｍｍとなり得る。あるいは、プレートの孔は、全くの円形とは異なる形状を持ち得る。その場合には、開口部の寸法は、実際の開口部内に適合可能な円形開口部の最大直径が、２０ｍｍになるようなものにすべきである。例えば、１０×４０ｍｍの長方形の開口部が、２０ｍｍの直径の円は内部に納まらないことから、許容可能である。同様に、支持面からの押し込み部（すなわちくぼみまたは溝）が２０ｍｍの円に適合可能な限り、溝あるいは格子パターン（図９および図１０を参照）が、許容可能である。
【００３６】
　図３に示すウエハについては、中央の凸状の領域では、ウエハが、許容最大曲率半径を有する円形形状であり、かつ凹状の外側領域では、ウエハがまた、同じ曲率半径を有するが逆向きの円形形状にたわむものと仮定する。中央の凸状部分は、非支持領域全体の約半分の直径である半径ｒを有する領域を占めることになる。非支持領域のための最大直径を２０ｍｍまたは２０×１０-3ｍｍと仮定すると、これは、ｒ＝５．０×１０-3ｍになる。ここで、突起の最大許容高さを計算するために式（５）に似た式を用いることができる。
【００３７】
【数７】
2004134761.tif 000011
【００３８】
　上記のｒの値および表ＩからＲの値を代入して、表IIIに示す結果が得られる。
【００３９】
【表３】
2004134761.tif 000012
【００４０】
　表IIIは、２０ｍｍの範囲内の突起の許容可能な高さを提供する。表IIIから明らかなように、許容可能な突起の高さは、処理温度により変わる。処理温度が約１０００℃未満または約１０００℃である場合、ウエハ支持面上の種々の突起の高さは７５μｍ未満であることが好ましく、約１１００℃未満または約１１００℃である場合、突起の高さは０．５μｍ未満であることが好ましく、約１２００℃未満または約１２００℃である場合、突起の高さは０．２５μｍ未満であることが好ましく、約１３００℃未満または約１３００℃である場合、突起の高さは、０．１５μｍ未満であることが好ましい。最も好ましくは、支持面は、研削されるか研磨されて、約０．１０μｍより高いどんな突起も除去される。
【００４１】
　サセプタプレートの表面上の固有の突起を除去するためには、研削または研磨すべきである。好ましくは、少なくとも表IIIによる仕様が達成されるまで、研磨及び研削処理を続けるべきである。
【００４２】
　突起は許容不可能であるが、穴およびくぼみ、貫通孔でさえも、直径２０ｍｍを越えない寸法である限り、あるいは形状が異なる時は直径が２０ｍｍより大きいウエハ円形領域を非支持状態にしない限りは、許容可能である。
【００４３】
　ウエハには、処理温度でホルダー内のサセプタプレート上に支持される時に、表Ｉに明示されるような平坦度の要件が適用される。しかしながら、単にサセプタプレートホルダー内においてその縁で支持されるサセプタプレート自体はまた、それ自体の重量により、かつシリコンウェハが追加する重量によりたわみ得る。耐熱材料からなる十分な厚さのサセプタプレートが得られると、サセプタプレートがたわむことは重要ではない。一例として、サセプタプレートの厚さが２ｍｍである、３００ｍｍシリコンウェハ用のＣＶＤ　ＳｉＣサセプタプレートが、２５μｍのたわみでたわむと計算され、これは、十分許容範囲内である。より薄いサセプタプレートについては、サセプタプレートがたわむことを考慮に入れる必要がある。シリコンウェハをサセプタプレートに載置した後に、全ての平坦度要求が満たされることに注意しなければならない。
【００４４】
　サセプタプレートがたわみ得ることを、図４、図５および図６に例示する。図４では、サセプタプレートホルダーが縁に沿って３つの場所でサセプタプレートを支持する状態と仮定する。方向Ａ−Ａへのたわみと方向Ｂ−Ｂへのたわみとは、比較すると異なる。
【００４５】
　本発明の実施形態によれば、サセプタプレートは、サセプタプレートがサセプタプレートホルダー内に配置された時に、かつウエハがサセプタプレート上に載置された時に生じると思われる曲がりとは逆にある程度予め曲がっている。一例として、直径が３００ｍｍで厚さが０．７ｍｍのＣＶＤ　ＳｉＣプレートを挙げる。方向Ａ−Ａでは、図５Ａに示すように、サセプタプレートは、ｂA-A＝１５０μｍのたわみに相当する上向き凸状の曲率半径で予め曲がっている。サセプタプレートホルダーに内サセプタプレートを配置した後に、それは、図５Ｂに示すように、たわみがｂA-A＝５０μｍに減少するように、それ自体の重量の下でたわむ。サセプタプレートにウエハを載置した後のたわみは、２５μｍ未満である。
【００４６】
　方向Ｂ−Ｂについては、図６Ａに示すように、サセプタプレートのたわみ量は、５００μｍである。サセプタプレートホルダー内にサセプタプレートを載置した後のたわみは、図６Ｂに示すように、１５０μｍである。繰り返すが、サセプタプレートにシリコンウェハを載置した後のたわみは重要でない。
【００４７】
　シリコンウェハと接する材料として、ＣＶＤ　ＳｉＣは、１３００℃の温度でシリコンウェハの付着が実証されなかった、適切な材料であると思われる。ＣＶＤ　ＳｉＣは、被焼結ＳｉＣ材料を適切に封じ込める十分な厚さに、被焼結ＳｉＣ材料上に堆積させることができる。さらに好ましくは、サセプタプレートは、いわゆる「自立（free-standing）」ＣＶＤ　ＳｉＣで作製されている。これは、最初に支持材料上に、ただしその支持材料（例えばグラファイト）を除去可能な程度十分な厚さで堆積させる、ＳｉＣコーティングであり、型を転写する「ロストワックス」法と類似する。１９９０年１２月１８日付でＭｉｌｌｅｒに発行された米国特許第４，９７８，５６７号明細書を参照し、その開示は、参照によりここに組込まれる。サセプタプレートの設計形状に機械加工が必要な時は、逆に、すなわち、ＣＶＤ　ＳｉＣコーティングによる堆積を行う前に、支持材料に機械加工を行うことができ、その結果、硬質のＣＶＤ　ＳｉＣ材料の機械加工を省略または最小限に減らすことができる。あるいは、ＣＶＤ　ＳｉＣは、平坦な支持材料の上に堆積させることができ、ＣＶＤ　ＳｉＣは、要件によって機械加工することができる。いずれの場合にも、サセプタプレートの支持面は、その上に存在するどんな隆起部分をも除去するために、ＳｉＣ材料を堆積させた後に研磨処理すべきである。
【００４８】
　サセプタプレートの第１の例を図７に示す。サセプタプレート１００は、ウェハの直径よりわずかに大きな直径を有する。その上のウエハを支持するための支持面１１０は、実質的に平坦である。サセプタプレート１００は、円周に、高くなった肩状部分または縁１２０が設けられる。加熱中には、高くなった縁は、加熱中における過度の熱放射からウエハ縁を保護し、ウエハ縁の過熱を回避する。冷却中には、高くなった縁は、ウエハが急速に冷えすぎないようにする。さらに、高くなった縁は、ウエハを上に有したサセプタプレート１００の搬送中に、ウエハが水平に動くのを妨げる。サセプタプレート１００には、自動搬入出を容易にするために３つの貫通孔１３０が設けられる。孔は、第１の方向における最小寸法が約５ｍｍであり、かつ第１の方向に垂直な第２の方向における最大寸法が約６ｍｍの、やや楕円形である。一定比率に縮小拡大せずに描いたが、支持面に垂直な寸法は説明のために拡大した、サセプタプレート１００の概略断面を図８に示す。本目的のためには、サセプタプレート１００の下面の形状は、重要ではない。中央の凹所１４０の機能が、２００２年５月２日に出願されＴＷＯ−ＬＥＶＥＬ　ＥＮＤ　ＥＦＦＥＣＴＯＲという発明の名称である、関連する米国の仮出願第６０／３７７，９０４号明細書に、さらに詳細に説明されている。
【００４９】
　サセプタプレート１００の第２の例を図９に示す。同様の部分は、図７における同様の参照番号で示す。この例では、支持面１１０には、溝１５０が設けられる。溝は、幅５ｍｍ、深さ０．２ｍｍである。ウエハがサセプタプレート１００上に支持されるように、サセプタプレート１００がウエハの方へまたはその逆に移動する時に、溝１５０は、ウエハとサセプタプレート１００との間の空気の漏出を容易にする。さらに重要なことは、処理後に、ウエハがサセプタプレート１００から離れている時に、溝１５０が、ウエハとサセプタプレート１００との間において空気の進入を容易にすることである。図９に示すように、それは、溝１５０内のリフトピン用貫通孔１３０の位置決めをするのに非常に有効に思われる。支持面１１０用の平坦度要求は、このサセプタプレート１００になお適用可能である。孔の場合と同様に、溝が最小寸法である限り、溝が支持面の一部分ではないことが、本開示から見て当業者には明らかだろう。
【００５０】
　サセプタプレートの第３の例を、図１０に示す。同様の部分は、図７におけるのと同様の参照番号で示す。この例における支持面１１０は、高くなったペデスタル１６０を備える。近隣のペデスタル１６０同士の間の間隔は、７ｍｍである。ペデスタル１６０の寸法は、１×１ｍｍで、高さが０．２ｍｍである。支持面は、組み合わせたペデスタル１６０の上面からなり、平坦度要求は、この不連続な上面に適用可能である。ペデスタル１６０同士の間隔が離れ過ぎない限り、０．１×０．１ｍｍというペデスタル１６０の寸法が、応力集中によるウエハへの損傷を回避するのに十分な支持領域を提供することが分かった。
【００５１】
　本発明の範囲を逸脱せずに、上述のプロセスに、種々の省略、追加および変更を行うことができることを、当業者は理解するだろう。例えば、ここに記述した中継ステーションは、オープンカセット内に設けることができるか、あるいはカセットに関連のない個別のステーション内に設けることができる。さらに、異なる構成では、搬出中に支持プレートからウエハを引き離すための、あるいは搬入中に支持プレートにウエハを接合するための機構は、異なる構成にすることができる。添付の特許請求の範囲によって限定されるように、このような変形および変更は、すべて本発明の範囲以内であるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】輪郭が曲率半径に沿ってたわむかまたは湾曲した半導体ウエハのような、物体を示す図である。
【図２】たわんだ物体のたわみを示す図である。
【図３】平坦な面上の突起、およびその上に支持された物体に対する作用を示す図である。
【図４】サセプタプレートホルダー内におけるサセプタプレートの３点支持を示す図である。
【図５Ａ】未搬入状態で予めたわませたサセプタプレートを示す、図４のＡ−Ａ線に沿って得られた概略側面図である。
【図５Ｂ】予めたわませたサセプタプレートであって、図４のサセプタプレートホルダー内に収容された時の、したがって、それ自体の重量の下でたわむことにより、予めたわませた形状のたわみが軽減された、予めたわませたサセプタプレートを示す、図４のＡ−Ａ線に沿って得られた概略側面図である。
【図６Ａ】未搬入状態における予めたわませたサセプタプレートの、図４のＢ−Ｂ線に沿ったたわみを示す概略側面図である。
【図６Ｂ】予めたわませたサセプタプレートであって、図４のサセプタプレートホルダー内に収容された時の、したがって、それ自体の重量の下でたわむことにより、予めたわませた形状のたわみが軽減された、予めたわませたサセプタプレートの図４のＢ−Ｂ線に沿ったたわみを示す図である。
【図７】本発明の第１の実施形態によって構成されたサセプタプレートを示す、平面図、およびいくつかの局所的な断面を有する側面図である。
【図８】図７の（サセプタプレートとは拡大比率が異なる）サセプタプレートの概略断面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態によって形成されたサセプタプレートを示す、平面図、およびいくつかの局所的な断面を有する側面図である。
【図１０】本発明の第３の実施形態によって形成されたサセプタプレートを示す、平面図、およびいくつかの局所的な断面を有する側面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１００：　サセプタプレート
１１０：　支持面
１２０：　ウエハ縁
１３０：　貫通孔
１４０：　凹所
１５０：　溝
１６０：　ペデスタル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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