(57)【要約】【課題】マルチレベル光記録媒体の基板に種々の大きさを有する良好なピットを形成可能な光記録媒体用原盤の製造方法を提供する。【解決手段】レーザビームを照射することによりフォトレジスト原盤を露光する工程と、露光によってフォトレジスト原盤に形成されたパターンを転写することにより光記録媒体用原盤を作製する工程とを備え、レーザビームの露光パワーに応じて、第１のピットが形成された相対的な光反射率が最も高い仮想記録セルの前記相対的な光反射率及び第２のピットが形成された相対的な光反射率が最も低い仮想記録セルの前記相対的な光反射率の割り当てを決定する。これにより、同じ種類のピットが形成された仮想記録セルの相対的な光反射率のばらつきが抑制されるとともに、広いダイナミックレンジを確保することが可能となるので、良好な再生信号を得ることが可能となる。【選択図】　　　　　図９
2004110889.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピットの大きさよって仮想記録セルの相対的な光反射率が多段階に設定されるマルチレベル光記録媒体の作製に用いる光記録媒体用原盤の製造方法であって、レーザビームを照射することによりフォトレジスト原盤を露光する工程と、露光によって前記フォトレジスト原盤に形成されたパターンを転写することにより光記録媒体用原盤を作製する工程とを備え、前記レーザビームの露光パワーに応じて、第１のピットが形成された相対的な光反射率が最も高い仮想記録セルの前記相対的な光反射率及び第２のピットが形成された相対的な光反射率が最も低い仮想記録セルの前記相対的な光反射率の少なくとも一方の割り当てを決定することを特徴とする光記録媒体用原盤の製造方法。
【請求項２】
前記レーザビームの露光パワーがＰｗＬである場合における前記第１のピットが形成された仮想記録セルの相対的な光反射率をＲａ’Ｌとし、前記レーザビームの露光パワーがＰｗＨ（＞ＰｗＬ）である場合における前記第１のピットが形成された仮想記録セルの相対的な光反射率をＲａ’Ｈとした場合、
Ｒａ’Ｌ＜Ｒａ’Ｈ
を満たすように、前記第１のピットが形成された仮想記録セルの相対的な光反射率の割り当てを決定することを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体用原盤の製造方法。
【請求項３】
前記レーザビームの露光パワーがＰｗＬである場合における前記第２のピットが形成された仮想記録セルの相対的な光反射率をＲｈ’Ｌとし、前記レーザビームの露光パワーがＰｗＨ（＞ＰｗＬ）である場合における前記第２のピットが形成された仮想記録セルの相対的な光反射率をＲｈ’Ｈとした場合、
Ｒｈ’Ｌ＜Ｒｈ’Ｈ
を満たすように、前記第２のピットが形成された仮想記録セルの相対的な光反射率の割り当てを決定することを特徴とする請求項１または２に記載の光記録媒体用原盤の製造方法。
【請求項４】
ピットが形成されていない仮想記録セルの相対的な光反射率と前記第１のピットが形成された仮想記録セルの相対的な光反射率との差をＡとし、前記第２のピットが形成された仮想記録セルの相対的な光反射率と飽和状態である仮想記録セルの相対的な光反射率との差をＢとした場合、前記レーザビームの露光パワーがＰｗＬである場合には
Ａ＞Ｂ
に設定し、
前記レーザビームの露光パワーがＰｗＨ（＞ＰｗＬ）である場合には
Ａ＜Ｂ
に設定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光記録媒体用原盤の製造方法。
【請求項５】
ピットの大きさよって仮想記録セルの相対的な光反射率が多段階に設定されるマルチレベル光記録媒体の作製に用いる光記録媒体用原盤の製造方法であって、レーザビームを照射することによりフォトレジスト原盤を露光する工程と、露光によって前記フォトレジスト原盤に形成されたパターンを転写することにより光記録媒体用原盤を作製する工程とを備え、前記露光する工程において、第１の線速度で露光を行う場合における前記レーザビームの露光パワー及び／又はパルス幅と、前記第１の線速度よりも高い第２の線速度で露光を行う場合における前記レーザビームの露光パワー及び／又はパルス幅とを実質的に同一に設定することを特徴とする光記録媒体用原盤の製造方法。
【請求項６】
前記仮想記録セルの長さをＬ、前記第１の線速度をＶ１、前記仮想記録セルの光反射率が実質的に飽和するのに必要な前記レーザビームの照射時間をＴｓとした場合、
Ｔｓ≦Ｌ／Ｖ１
が満たされていることを特徴とする請求項５に記載の光記録媒体用原盤の製造方法。
【請求項７】
前記第２の線速度をＶ２とした場合、
Ｔｓ≦Ｌ／Ｖ２
が満たされていることを特徴とする請求項６に記載の光記録媒体用原盤の製造方法。
【請求項８】
ピットの大きさよって仮想記録セルの相対的な光反射率が多段階に設定されるマルチレベル光記録媒体の作製に用いる光記録媒体用原盤の製造方法であって、レーザビームを照射することによりフォトレジスト原盤を露光する工程と、露光によって前記フォトレジスト原盤に形成されたパターンを転写することにより光記録媒体用原盤を作製する工程とを備え、前記仮想記録セルの長さをＬ、前記露光する工程における前記レーザビームの線速度をＶ、前記仮想記録セルの光反射率が実質的に飽和するのに必要な前記レーザビームの照射時間をＴｓとした場合、
Ｔｓ≦Ｌ／Ｖ
が満たされる範囲において、前記レーザビームの露光パワー及び／又はパルス幅を一定に設定することを特徴とする光記録媒体用原盤の製造方法。
【請求項９】
基板に形成されたピットの大きさよって仮想記録セルの相対的な光反射率が多段階に設定される光記録媒体の製造方法であって、レーザビームを照射することによりフォトレジスト原盤を露光する工程と、露光によって前記フォトレジスト原盤に形成されたパターンを転写することにより光記録媒体用原盤を作製する工程と、前記光記録媒体用原盤に形成されたパターンを転写することにより前記基板を作製する工程とを備え、前記レーザビームの露光パワーに応じて、第１のピットが形成された相対的な光反射率が最も高い仮想記録セルの前記相対的な光反射率及び第２のピットが形成された相対的な光反射率が最も低い仮想記録セルの前記相対的な光反射率の少なくとも一方の割り当てを決定することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
基板に形成されたピットの大きさよって仮想記録セルの相対的な光反射率が多段階に設定される光記録媒体の製造方法であって、レーザビームを照射することによりフォトレジスト原盤を露光する工程と、露光によって前記フォトレジスト原盤に形成されたパターンを転写することにより光記録媒体用原盤を作製する工程と、前記光記録媒体用原盤に形成されたパターンを転写することにより前記基板を作製する工程とを備え、前記露光する工程において、第１の線速度で露光を行う場合における前記レーザビームの露光パワー及び／又はパルス幅と、前記第１の線速度よりも高い第２の線速度で露光を行う場合における前記レーザビームの露光パワー及び／又はパルス幅とを実質的に同一に設定することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
基板に形成されたピットの大きさよって仮想記録セルの相対的な光反射率が多段階に設定される光記録媒体の製造方法であって、レーザビームを照射することによりフォトレジスト原盤を露光する工程と、露光によって前記フォトレジスト原盤に形成されたパターンを転写することにより光記録媒体用原盤を作製する工程と、前記光記録媒体用原盤に形成されたパターンを転写することにより前記基板を作製する工程とを備え、前記仮想記録セルの長さをＬ、前記露光する工程における前記レーザビームの線速度をＶ、前記仮想記録セルの光反射率が実質的に飽和するのに必要な前記レーザビームの照射時間をＴｓとした場合、
Ｔｓ≦Ｌ／Ｖ
が満たされる範囲において、前記レーザビームの露光パワー及び／又はパルス幅を一定に設定することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光記録媒体用原盤の製造方法に関し、特に、一つの仮想記録セルに２ビット以上のデータを記録可能なマルチレベル光記録媒体の作製に用いる原盤の製造方法に関する。また、本発明は光記録媒体の製造方法に関し、特に、マルチレベル光記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録媒体が広く利用されている。これらの光記録媒体は、ＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭのようにデータの追記や書き換えができないタイプの光記録媒体（ＲＯＭ型光記録媒体）と、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒのようにデータの追記はできるがデータの書き換えができないタイプの光記録媒体（追記型光記録媒体）と、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷのようにデータの書き換えが可能なタイプの光記録媒体（書き換え型光記録媒体）とに大別することができる。これらの光記録媒体では、上記いずれのタイプにおいても、記録すべきデータをトラックに沿ったピット及びブランクの長さに変調するという方式が用いられている。
【０００３】
しかしながら、近年、光記録媒体に対するいっそうの高密度記録が求められており、これを実現する手法として、いわゆる「マルチレベル記録方式」が提案されている。マルチレベル記録方式は、上述した従来の記録方式とは異なり、互いに異なる意味を持つ複数のピットのうちの一つを所定の大きさを有する１の仮想記録セルに割り当てる方式であり、データの読み出しに際しては、再生パワーに設定されたレーザビームがマルチレベル光記録媒体のトラックに沿って照射され、その反射光量を検出することにより、各仮想記録セルに割り当てられたピットの種類が判別される。
【０００４】
したがって、このようなマルチレベル記録方式によるＲＯＭ型光記録媒体（ＲＯＭ型マルチレベル光記録媒体）を作製するためには、所定の大きさを有する各仮想記録セルに種々の大きさを有するピットを割り当て、これによって、各仮想記録セル毎の光反射率を多段階に制御する必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このように、ＲＯＭ型マルチレベル光記録媒体においては、通常のＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭとは異なり、種々の大きさを有するピットを形成することにより各仮想記録セル毎の光反射率を多段階に制御する必要があることから、通常のＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭと同様の製造方法によっては各仮想記録セル毎の光反射率を多段階に制御することは困難である。このような問題は、光記録媒体の基板にピットを形成するための光記録媒体用原盤（スタンパ）の製造条件が、通常のＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭ用の光記録媒体用原盤の製造条件と大きく異なる点に主に起因しているものと考えられる。
【０００６】
したがって、本発明の目的は、マルチレベル光記録媒体の基板に種々の大きさを有する良好なピットを形成可能な光記録媒体用原盤の製造方法を提供することである。
【０００７】
また、本発明の他の目的は、良好なピットを有するマルチレベル光記録媒体の製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の一側面による光記録媒体用原盤の製造方法は、ピットの大きさよって仮想記録セルの相対的な光反射率が多段階に設定されるマルチレベル光記録媒体の作製に用いる光記録媒体用原盤の製造方法であって、レーザビームを照射することによりフォトレジスト原盤を露光する工程と、露光によって前記フォトレジスト原盤に形成されたパターンを転写することにより光記録媒体用原盤を作製する工程とを備え、前記レーザビームの露光パワーに応じて、第１のピットが形成された相対的な光反射率が最も高い仮想記録セルの前記相対的な光反射率及び第２のピットが形成された相対的な光反射率が最も低い仮想記録セルの前記相対的な光反射率の少なくとも一方の割り当てを決定することを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、レーザビームの露光パワーに応じて、相対的な光反射率が最も高い仮想記録セル及び／又は相対的な光反射率が最も低い仮想記録セルの相対的な光反射率の割り当てを決定していることから、同じ種類のピットが形成された仮想記録セルの相対的な光反射率のばらつきが抑制されるとともに、広いダイナミックレンジを確保することが可能となる。これにより、良好な再生信号を得ることが可能となる。
【００１０】
ここで、前記レーザビームの露光パワーがＰｗＬである場合における前記第１のピットが形成された仮想記録セルの相対的な光反射率をＲａ’Ｌとし、前記レーザビームの露光パワーがＰｗＨ（＞ＰｗＬ）である場合における前記第１のピットが形成された仮想記録セルの相対的な光反射率をＲａ’Ｈとした場合、
Ｒａ’Ｌ＜Ｒａ’Ｈ
を満たすように、前記第１のピットが形成された仮想記録セルの相対的な光反射率の割り当てを決定することが好ましい。
【００１１】
また、前記レーザビームの露光パワーがＰｗＬである場合における前記第２のピットが形成された仮想記録セルの相対的な光反射率をＲｈ’Ｌとし、前記レーザビームの露光パワーがＰｗＨ（＞ＰｗＬ）である場合における前記第２のピットが形成された仮想記録セルの相対的な光反射率をＲｈ’Ｈとした場合、
Ｒｈ’Ｌ＜Ｒｈ’Ｈ
を満たすように、前記第２のピットが形成された仮想記録セルの相対的な光反射率の割り当てを決定することもまた好ましい。
【００１２】
また、ピットが形成されていない仮想記録セルの相対的な光反射率と前記第１のピットが形成された仮想記録セルの相対的な光反射率との差をＡとし、前記第２のピットが形成された仮想記録セルの相対的な光反射率と飽和状態である仮想記録セルの相対的な光反射率との差をＢとした場合、前記レーザビームの露光パワーがＰｗＬである場合には
Ａ＞Ｂ
に設定し、
前記レーザビームの露光パワーがＰｗＨ（＞ＰｗＬ）である場合には
Ａ＜Ｂ
に設定することもまた好ましい。
【００１３】
これらによれば、フォトレジスト原盤を露光するために照射するレーザビームの照射量に応じた、仮想記録セルの相対的な光反射率の変化が緩慢な領域を効果的に排除しつつ、レーザビームの照射量に応じて仮想記録セルの相対的な光反射率が直線的に変化する領域を広く利用することが可能となるので、仮想記録セルの相対的な光反射率のばらつきを抑制しつつ広いダイナミックレンジを確保することが可能となる。
【００１４】
本発明の他の側面による光記録媒体用原盤の製造方法は、ピットの大きさよって仮想記録セルの相対的な光反射率が多段階に設定されるマルチレベル光記録媒体の作製に用いる光記録媒体用原盤の製造方法であって、レーザビームを照射することによりフォトレジスト原盤を露光する工程と、露光によって前記フォトレジスト原盤に形成されたパターンを転写することにより光記録媒体用原盤を作製する工程とを備え、前記露光する工程において、第１の線速度で露光を行う場合における前記レーザビームの露光パワー及び／又はパルス幅と、前記第１の線速度よりも高い第２の線速度で露光を行う場合における前記レーザビームの露光パワー及び／又はパルス幅とを実質的に同一に設定することを特徴とする。
【００１５】
本発明によれば、異なる２つの線速度での露光において、レーザビームの露光パワー及び／又はパルス幅を実質的に同一に設定していることから、フォトレジスト原盤のカッティング時における制御を簡素化することが可能となる。
【００１６】
ここで、前記仮想記録セルの長さをＬ、前記第１の線速度をＶ１、前記第２の線速度をＶ２、前記仮想記録セルの光反射率が実質的に飽和するのに必要な前記レーザビームの照射時間をＴｓとした場合、
Ｔｓ≦Ｌ／Ｖ１
が満たされていることが好ましく、
Ｔｓ≦Ｌ／Ｖ２
が満たされていることがより好ましい。これによれば、異なる２つの線速度で記録されたデータの信号特性についても、実質的に同一とすることが可能となる。
【００１７】
本発明のさらに他の側面による光記録媒体用原盤の製造方法は、ピットの大きさよって仮想記録セルの相対的な光反射率が多段階に設定されるマルチレベル光記録媒体の作製に用いる光記録媒体用原盤の製造方法であって、レーザビームを照射することによりフォトレジスト原盤を露光する工程と、露光によって前記フォトレジスト原盤に形成されたパターンを転写することにより光記録媒体用原盤を作製する工程とを備え、前記仮想記録セルの長さをＬ、前記露光する工程における前記レーザビームの線速度をＶ、前記仮想記録セルの光反射率が実質的に飽和するのに必要な前記レーザビームの照射時間をＴｓとした場合、
Ｔｓ≦Ｌ／Ｖ
が満たされる範囲において、前記レーザビームの露光パワー及び／又はパルス幅を一定に設定することを特徴とする。
【００１８】
本発明によれば、上記関係式が満たされる範囲内においてレーザビームの露光パワー及び／又はパルス幅を実質的に同一に設定していることから、フォトレジスト原盤のカッティング時における制御を簡素化することが可能となるとともに、最終的に作製されるマルチレベル光記録媒体より得られる信号特性についても、カッティング線速度に関わらず実質的に同一とすることが可能となる。
【００１９】
本発明の一側面による光記録媒体の製造方法は、基板に形成されたピットの大きさよって仮想記録セルの相対的な光反射率が多段階に設定される光記録媒体の製造方法であって、レーザビームを照射することによりフォトレジスト原盤を露光する工程と、露光によって前記フォトレジスト原盤に形成されたパターンを転写することにより光記録媒体用原盤を作製する工程と、前記光記録媒体用原盤に形成されたパターンを転写することにより前記基板を作製する工程とを備え、前記レーザビームの露光パワーに応じて、第１のピットが形成された相対的な光反射率が最も高い仮想記録セルの前記相対的な光反射率及び第２のピットが形成された相対的な光反射率が最も低い仮想記録セルの前記相対的な光反射率の少なくとも一方の割り当てを決定することを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の他の側面による光記録媒体の製造方法は、基板に形成されたピットの大きさよって仮想記録セルの相対的な光反射率が多段階に設定される光記録媒体の製造方法であって、レーザビームを照射することによりフォトレジスト原盤を露光する工程と、露光によって前記フォトレジスト原盤に形成されたパターンを転写することにより光記録媒体用原盤を作製する工程と、前記光記録媒体用原盤に形成されたパターンを転写することにより前記基板を作製する工程とを備え、前記露光する工程において、第１の線速度で露光を行う場合における前記レーザビームの露光パワー及び／又はパルス幅と、前記第１の線速度よりも高い第２の線速度で露光を行う場合における前記レーザビームの露光パワー及び／又はパルス幅とを実質的に同一に設定することを特徴とする。
【００２１】
また、本発明のさらに他の側面による光記録媒体の製造方法は、基板に形成されたピットの大きさよって仮想記録セルの相対的な光反射率が多段階に設定される光記録媒体の製造方法であって、レーザビームを照射することによりフォトレジスト原盤を露光する工程と、露光によって前記フォトレジスト原盤に形成されたパターンを転写することにより光記録媒体用原盤を作製する工程と、前記光記録媒体用原盤に形成されたパターンを転写することにより前記基板を作製する工程とを備え、前記仮想記録セルの長さをＬ、前記露光する工程における前記レーザビームの線速度をＶ、前記仮想記録セルの光反射率が実質的に飽和するのに必要な前記レーザビームの照射時間をＴｓとした場合、
Ｔｓ≦Ｌ／Ｖ
が満たされる範囲において、前記レーザビームの露光パワー及び／又はパルス幅を一定に設定することを特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施態様について詳細に説明する。
【００２３】
図１は、マルチレベル光記録媒体１（以下、「光記録媒体１」ともいう）の外観を示す切り欠き斜視図及びその一部を拡大した斜視図である。
【００２４】
光記録媒体１は、ＣＤ−ＲＯＭ型のマルチレベル光記録媒体であって、図１に示すように、光透過性基板１１と、光透過性基板１１上に設けられた反射層２２及び保護層２３とを備えて構成されている。光透過性基板１１は、透明な樹脂を基材として円盤状に形成されている。光透過性基板１１の一方の面（図１における下面）はレーザビームが入射する光入射面を構成し、他方の面（図１における上面）には、その中心部近傍から外縁部に向けて、種々の大きさを有する複数のピットＰａ〜Ｐｈ（以下、区別しないときには「ピットＰ」ともいう）が螺旋状に形成されている。詳細については後述するが、これらピットＰはそれぞれ１つの仮想記録セルＳに割り当てられており、その大きさによって、対応する仮想記録セルＳの光透過率が変化する。反射層２２は、光記録媒体１に記録されたデータの再生時に光透過性基板１１を通過したレーザビームを反射するための薄膜層であって、金や銀、アルミニウムなどの金属を主原料として光透過性基板１１の上に例えばスパッタリングによって形成されている。保護層２３は、反射層２２を保護する層であって、反射層２２の表面外面を覆うように形成されている。光透過性基板１１は、約１．２ｍｍの厚みを有している。
【００２５】
次に、光記録媒体１のデータ保持原理について、図面を参照して説明する。
【００２６】
光記録媒体１の光透過性基板１１上には、図１に示すように、その回転方向（円周方向）に沿って多数のピットＰが形成されており、各ピットＰが形成された領域は、１つの記録単位である仮想記録セルＳ，Ｓ・・となる。
【００２７】
図２は、光透過性基板１１上に形成されたピットＰａ〜Ｐｈと、これらが割り当てられた仮想記録セルＳの光反射率との関係を示す図である。図２に示すように、仮想記録セルＳのピット列に沿った方向の長さＬは、集光ビーム径（ビームウエストの直径）Ｄよりも若干長く規定されている。尚、各仮想記録セルＳは、あくまで光再生装置（ドライブ）側において想定される仮想的なセルであり、図２に示すように各仮想記録セルＳの境界を画定する区画が光記録媒体１内に存在する訳ではない。
【００２８】
図２に示すように、割り当てられたピットＰの形状が小さいほど、仮想記録セルＳの光反射率は大きくなる。このため、最も小さなピットＰａが割り当てられた仮想記録セルＳが最も大きい光反射率の特性を有し、以降、ピットＰｂ〜Ｐｇが割り当てられた仮想記録セルＳの順に光反射率が低下し、最も大きなピットＰｈが割り当てられた仮想記録セルＳが最小光反射率の特性を有する。したがって、データの再生時においてレーザビームを光入射面側から照射すれば、得られる反射光の光量はピットＰの大きさによって８段階となることから、これに基づきデータを再生することが可能となる。
【００２９】
次に、図１に示す光記録媒体１の製造方法について説明する。
【００３０】
まず、光透過性基板１１を作製するための光記録媒体用原盤（スタンパ）の製造方法について説明する。
【００３１】
図３は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体用原盤の製造方法に用いるカッティングマシン１００を示す概略構成図である。
【００３２】
図３に示すカッティングマシン１００は、レーザビーム１０１を発生するレーザ発生装置１０２と、ＥＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｏｐｔｉｃ　Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ：電気光学効果を用いた変調器）１０３と、ビームスプリッタ１０４，１０６と、光変調ユニット１０５と、光学ヘッド１０７と、ターンテーブル１０８とを備えている。ターンテーブル１０８にはフォトレジスト原盤１１０が載置される。フォトレジスト原盤１１０は、ガラス基板１１０ａ及びこの上に積層された感光性材料層１１０ｂからなる円盤状の原盤であり、光記録媒体用原盤を作製するための型として用いられる。また、図３に示すように、光変調ユニット１０５は、レンズ１０５ａ、光変調器１０５ｂ及びレンズ１０５ｃからなり、光学ヘッド１０７は、ミラー１０７ａ及びレンズ１０７ｂからなる。
【００３３】
このような構成を有するカッティングマシン１００は、レーザビーム１０１をフォトレジスト原盤１１０の感光性材料層１１０ｂに集光させることによってこれを露光し、これによってピットＰに対応するパターンの潜像１１０ｃを形成するために用いられる。
【００３４】
すなわち、形成すべきパターンの潜像１１０ｃに対応するパルス信号列１０５ｄを光変調ユニット１０５内の光変調器１０５ｂに入力しながら、フォトレジスト原盤１１０が載置されたターンテーブル１０８を回転させ、光学ヘッド１０７をフォトレジスト原盤１１０の半径方向に移動させることにより、パルス状のレーザビーム１０１がフォトレジスト原盤１１０に次々と照射され、ピットＰに対応する多数の潜像１１０ｃが形成される。この時、レーザ発生装置１０２より出射されたレーザビーム１０１は、ＥＯＭ１０３により露光に適した所定のパワーとされた後、ビームスプリッタ１０４、ビームスプリッタ１０６、ミラー１０７ａにて反射して、レンズ１０７ｂによりフォトレジスト原盤１１０上に集光される。
【００３５】
図４（ａ）〜（ｆ）は、光記録媒体用原盤の製造工程を示す工程図である。上述のとおり、フォトレジスト原盤１１０はガラス基板１１０ａと、ガラス基板１１０ａ上に形成された厚さ１００〜１５０ｎｍの感光性材料層１１０ｂとを有している（図４（ａ））。また図示を省略するが、ガラス基板１１０ａと感光性材料層１１０ｂとの間には、接着性を高めるための接着層（プライマー）を有してもよい。
【００３６】
次に、光変調器１０５ｂによって強度変調されたレーザビーム１０１を、レンズ１０７ｂによってフォトレジスト原盤１１０の感光性材料層１１０ｂ上に集光させると、その照射部分が露光される（図４（ｂ））。この場合、レーザビーム１０１の照射量に応じて、図４（ｂ）に示すように露光領域の広さや深さが多段階に制御される。これにより、ピットＰに対応する複数の潜像１１０ｃが形成される。その後、露光したフォトレジスト原盤１１０に水酸化ナトリウム溶液等の現像液をスプレーし、潜像１１０ｃに対応する凹パターン２０２を現像する（図４（ｃ））。
【００３７】
次に、現像した感光性材料層１１０ｂ上に、無電解メッキや蒸着法によりニッケル等の金属薄膜２０３を形成する（図４（ｄ））。さらに、金属薄膜２０３の表面を陰極とし、陽極をニッケル等として厚膜メッキを行い、厚さ約０．３μｍの金属厚膜２０４を形成する（図４（ｅ））。
【００３８】
そして、金属薄膜２０３からレジスト面を剥離し、洗浄及び内外径加工を施すことにより、光記録媒体用原盤（スタンパ）２０５が完成する（図４（ｆ））。これにより、光記録媒体用原盤２０５には、凹パターン２０２の転写パターンである複数の凸パターン２０６が形成されるので、以下に説明するように、この光記録媒体用原盤２０５を用いて射出成形法や２Ｐ法等によりパタ−ンの転写を行うことにより、多数の凹パターン（ピットＰ）を有する光透過性基板１１を量産することができる。
【００３９】
詳細については後述するが、凹パターン２０２及び凸パターン２０６の種類は、作製すべきマルチレベル光記録媒体に用いるピットの種類に基づき定められる。したがって、上述のように各仮想記録セルＳにピットＰａ〜Ｐｈのいずれかを割り当てる場合にあっては、凹パターン２０２及び凸パターン２０６の種類は、ピットＰａに対応するものからピットＰｈに対応するものまでの８種類となる。
【００４０】
次に、このようにして作製された光記録媒体用原盤２０５を用いたマルチレベル光記録媒体１の製造方法について説明する。
【００４１】
図５（ａ）乃至（ｃ）は、マルチレベル光記録媒体１の製造工程を示す工程図である。
【００４２】
まず、上述の方法により作製したスタンパ２０５を用い、射出成形法（インジェクション法）により厚さが約１．２ｍｍの光透過性基板１１を射出成形する。これにより、スタンパ２０５の表面の凸パターン２０６が転写された光透過性基板１１が作製される（図５（ａ））。形成された凹部はピットＰとなる。尚、光透過性基板１１の材料としては、使用されるレーザビームの波長領域において光透過率が十分に高い材料であれば特に限定されないが、ポリカーボネートを用いることが好ましい。また、スタンパ２０５を用いた光透過性基板１１の作製は、光硬化法（２Ｐ法）を用いても構わない。
【００４３】
次に、光透過性基板１１のピットＰが形成されている側の表面に反射層２２を形成する（図５（ｂ））。反射層２２の形成には、例えば反射層２２の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用いることができる。このような気相成長法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法等が挙げられる。
【００４４】
次に、反射層２２上に保護層２３を形成する（図５（ｃ））。保護層２３は、例えば、粘度調整されたアクリル系又はエポキシ系の紫外線硬化性樹脂をスピンコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法等により皮膜させ、紫外線を照射して硬化する等の方法により形成することができる。以上により、マルチレベル光記録媒体１の製造が完了する。
【００４５】
なお、上記マルチレベル光記録媒体１の製造方法は、上記製造方法に特に限定されるものではなく、公知の光記録媒体の製造に採用される製造技術を用いることができる。
【００４６】
以上が、図１に示す光記録媒体１の基本的な製造方法である。
【００４７】
次に、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体用原盤２０５の製造方法について、特にフォトレジスト原盤１１０が有する感光性材料層１１０ｂの露光工程を中心に説明する。
【００４８】
フォトレジスト原盤１１０が有する感光性材料層１１０ｂは、当然ながら、レーザビーム１０１の照射時間の増加に伴って露光による変質の度合いも増加する。したがって、感光性材料層１１０ｂ上において１つの仮想記録セルＳに対応する領域を「仮想記録セル対応領域Ｓ’」と定義した場合、ピットＰａ〜Ｐｈのいずれかに対応する潜像１１０ｃを各仮想記録セル対応領域Ｓ’に形成するためには、レーザビーム１０１の照射量を各仮想記録セル対応領域Ｓ’において多段階に制御する必要がある。
【００４９】
図６は、フォトレジスト原盤１１０の感光性材料層１１０ｂにピットＰａ〜Ｐｈに対応する潜像１１０ｃを形成するためのレーザビーム１０１の波形を模式的に示す波形図である。図６に示すように、仮想記録セル対応領域Ｓ’にピットＰａ〜Ｐｈに対応する潜像１１０ｃを形成する場合、照射されるレーザビーム１０１の波形は基底パワー（Ｐｂ）から露光パワー（Ｐｗ）までの振幅を持ったパルス波形とされる。この場合、露光パワー（Ｐｗ）とされる時間（パルス幅）はＴａ〜Ｔｈのいずれかに設定され、これによってピットＰａ〜Ｐｈに対応する潜像１１０ｃが任意の仮想記録セル対応領域Ｓ’に形成される。ここで、レーザビーム１０１の波形は、光変調器１０５ｂに入力されるパルス信号列１０５ｄの波形に対応している。
【００５０】
尚、図６に示した例においては、対象となる仮想記録セル対応領域Ｓ’の開始位置にレーザビーム１０１が到達したタイミングにおいて、これを基底パワー（Ｐｂ）から露光パワー（Ｐｗ）に立ち上げているが、レーザビーム１０１を立ち上げるタイミングとしてはこれに限定されず、対象となる仮想記録セル対応領域Ｓ’の開始位置にレーザビーム１０１が到達したタイミングの前後に設定しても構わない。また、図６に示した例においては、形成すべき潜像１１０ｃの種類に関わらず、レーザビーム１０１を基底パワー（Ｐｂ）から露光パワー（Ｐｗ）に立ち上げるタイミングを固定しているが、形成すべき潜像１１０ｃの種類ごとに異なるタイミングでレーザビーム１０１を立ち上げても構わない。
【００５１】
次に、レーザビーム１０１のパルス幅（Ｔａ〜Ｔｈ）と最終的に形成されるピットＰの大きさとの関係について、レーザビーム１０１のパルス幅をＴａ及びＴｈに設定した場合を例に説明する。
【００５２】
図７及び図８は、レーザビーム１０１のパルス幅をＴａ及びＴｈに設定した場合において、それぞれピットＰａ及びＰｈが形成される様子を模式的に示す図である。図７及び図８において、（ａ）は感光性材料層１１０ｂに照射するレーザビーム１０１のパルス波形を示し、（ｂ）は露光により感光性材料層１１０ｂに潜像１１０ｃが形成された状態を示し、（ｃ）は現像により感光性材料層１１０ｂに凹パターン２０２が形成された状態を示し、（ｄ）は転写により光記録媒体用原盤２０５に凸パターン２０６が形成された状態を示し、（ｅ）は転写により光透過性基板１１にピットＰが形成された状態を示している。
【００５３】
まず、図７に示すように、最も小さいピットＰａを形成する場合、感光性材料層１１０ｂに照射するレーザビーム１０１のパルス幅は最小幅であるＴａに設定される（図７（ａ））。つまり、当該仮想記録セル対応領域Ｓ’に対する露光量は相対的に最小値に設定される。このため、感光性材料層１１０ｂに形成される潜像１１０ｃの大きさは相対的に最小となるので（図７（ｂ））、現像により感光性材料層１１０ｂに形成される凹パターン２０２の大きさも相対的に最小となる（図７（ｃ））。したがって、かかる凹パターン２０２が転写される光記録媒体用原盤２０５においては、相対的な大きさが最小である凸パターン２０６が形成され（図７（ｄ））、さらにこれが転写される光透過性基板１１においては、相対的な大きさが最小であるピットＰａが形成される。
【００５４】
上述のとおり、光記録媒体１において最も小さなピットＰａが形成された仮想記録セルＳは、再生時に照射されるレーザビームに対し最も高い光反射率特性を示す。このように、感光性材料層１１０ｂに照射するレーザビーム１０１のパルス幅を最小幅であるＴａに設定することにより、最終的に、仮想記録セルＳの光反射率が相対的に最高となるピットＰａが形成することができる。
【００５５】
一方、図８に示すように、最も大きいピットＰｈを形成する場合、感光性材料層１１０ｂに照射するレーザビーム１０１のパルス幅は最大幅であるＴｈに設定される（図８（ａ））。つまり、当該仮想記録セル対応領域Ｓ’に対する露光量は相対的に最大値に設定される。このため、感光性材料層１１０ｂに形成される潜像１１０ｃの大きさは相対的に最大となるので（図８（ｂ））、現像により感光性材料層１１０ｂに形成される凹パターン２０２の大きさも相対的に最大となる（図８（ｃ））。したがって、かかる凹パターン２０２が転写される光記録媒体用原盤２０５においては、相対的な大きさが最大である凸パターン２０６が形成され（図８（ｄ））、さらにこれが転写される光透過性基板１１においては、相対的な大きさが最大であるピットＰｈが形成される。
【００５６】
上述のとおり、光記録媒体１において最も大きなピットＰｈが形成された仮想記録セルＳは、再生時に照射されるレーザビームに対し最も低い光反射率特性を示す。このように、感光性材料層１１０ｂに照射するレーザビーム１０１のパルス幅を最大幅であるＴｈに設定することにより、最終的に、仮想記録セルＳの光反射率が相対的に最低となるピットＰｈを形成することができる。
【００５７】
図示しないが、ピットＰａとピットＰｈとの間の大きさを持つピットＰｂ〜Ｐｇを形成する場合についても、レーザビーム１０１のパルス幅がこの順に大きく設定され（Ｔｂ〜Ｔｇ）、これにより光記録媒体用原盤２０５にはこの順に大きい凸パターン２０６が形成されることになるので、これが転写される光透過性基板１１においては、この順に大きいピットＰｂ〜Ｐｇが形成されることになる。
【００５８】
図９は、感光性材料層１１０ｂに対するレーザビーム１０１の照射時間と、これに対応するピットＰが形成された仮想記録セルＳの光反射率との関係を模式的に示すグラフである。
【００５９】
上述のとおり、感光性材料層１１０ｂに対するレーザビーム１０１の照射時間が長くなると、すなわちレーザビーム１０１のパルス幅が広くなると、最終的に形成されるピットＰは大きくなり、対応する仮想記録セルＳの光反射率も低下する。したがって、図９に示すようにレーザビーム１０１の照射時間がＴａである場合に対応するピットＰａが形成された仮想記録セルＳの光反射率（絶対値）をＲａとし、レーザビーム１０１の照射時間がＴｈである場合に対応するピットＰｈが形成された仮想記録セルＳの光反射率（絶対値）をＲｈとした場合、仮想記録セルＳの光反射率が光反射率Ｒａと光反射率Ｒｈとの間を略８等分した光反射率Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄ，Ｒｅ，Ｒｆ，Ｒｇ，Ｒｈのいずれかとなるようにレーザビーム１０１の照射時間を設定すれば、各仮想記録セルＳにピットＰａ〜Ｐｈのいずれかを形成することが可能となる。
【００６０】
但し、１つの仮想記録セル対応領域Ｓ’にレーザビーム１０１を照射可能な最大の時間Ｔｍａｘは、仮想記録セル対応領域Ｓ’の長さ（仮想記録セルＳの長さＬと同じ）及びカッティング線速度Ｖによって制限されるため（Ｔｍａｘ＝Ｌ／Ｖ）、光反射率が最小（Ｒｈ）となるピットＰｈを形成するためのレーザビーム１０１の照射時間Ｔｈは、上記Ｔｍａｘ以下に設定する必要がある。
【００６１】
ここで、ピットＰが形成されていない仮想記録セルＳの光反射率（絶対値）をＲ０、ピットＰにより仮想記録セルＳの光反射率が飽和状態となるレベル（絶対値）をＲｓ、すなわち光反射率の下限をＲｓとした場合、ピットＰａ〜Ｐｈが形成された仮想記録セルＳの相対的な光反射率Ｒａ’〜Ｒｈ’は、次式によって表わすことができる。
【００６２】
【数１】
2004110889.tif 000003
また、感光性材料層１１０ｂに対するレーザビーム１０１の照射時間と、これに対応するピットＰが形成された仮想記録セルＳの光反射率との関係は直線的ではなく、図９に示すように曲線的な変化を示す。つまり、レーザビーム１０１の照射時間に応じた仮想記録セルＳの反射率の低下が緩やかな領域（領域Ａ、領域Ｃ）と、レーザビーム１０１の照射時間に応じた仮想記録セルＳの反射率の低下が急峻且つ直線的な領域（領域Ｂ）が現れる。
【００６３】
この場合、レーザビームの照射時間に応じた仮想記録セルＳの光反射率の低下が緩やかな領域Ａ及び領域Ｃにおいては、レーザビーム１０１に対する感光性材料層１１０ｂの反応性が乏しく、最終的に得られる光反射率のばらつきが相対的に大きくなる傾向があることから、ピットＰａ〜Ｐｈが形成された仮想記録セルＳの光反射率（Ｒａ〜Ｒｈ）としてはできる限りこのような領域を排除することが好ましい。一方で、異なるピット間における光反射率差をより大きく確保するためには、ピットＰａが形成された仮想記録セルＳの光反射率ＲａをピットＰが形成されていない仮想記録セルＳの光反射率Ｒ０により近く設定するとともに、ピットＰｈが形成された仮想記録セルＳの光反射率Ｒｈを光反射率の飽和レベルである下限Ｒｓにより近く設定する必要がある。すなわち、より広いダイナミックレンジを確保する必要がある。したがって、最大光反射率Ｒａ及び最小光反射率Ｒｈの設定においては、これらを考慮して決定する必要がある。
【００６４】
さらに、レーザビーム１０１の照射時間に応じた仮想記録セルＳの光反射率の変化特性は、レーザビーム１０１の照射強度、すなわち露光パワー（Ｐｗ）によっても変化する。図１０は、レーザビーム１０１の露光パワー（Ｐｗ）による特性の変化を模式的に示すグラフである。図１０に示すように露光パワー（Ｐｗ）を高く設定すると、領域Ａに相当する部分が短く、領域Ｃに相当する部分が長くなり、さらに領域Ｂに相当する部分がより急峻となる。逆に、露光パワー（Ｐｗ）を低く設定すると、領域Ａに相当する部分が長く、領域Ｃに相当する部分が短くなり、さらに領域Ｂに相当する部分がややなだらかとなる。
【００６５】
本実施態様においては、以上を考慮して、フォトレジスト原盤１１０のカッティング時に照射するレーザビーム１０１の露光パワー（Ｐｗ）に応じて、ピットＰａが形成された仮想記録セルＳの相対的な光反射率Ｒａ’及びピットＰｈが形成された仮想記録セルＳの相対的な光反射率Ｒｈ’の少なくとも一方、好ましくは両方が設定される。具体的な設定条件は次の通りである。
【００６６】
第１に、光反射率が最も高いピットＰａが形成された仮想記録セルＳの相対的な光反射率Ｒａ’については、レーザビーム１０１の露光パワーがＰｗＬである場合の光反射率をＲａ’Ｌとし、レーザビーム１０１の露光パワーがＰｗＨ（＞ＰｗＬ）である場合の光反射率をＲａ’Ｈとすると、これら光反射率Ｒａ’Ｌ及び光反射率Ｒａ’Ｈの関係を
Ｒａ’Ｌ＜Ｒａ’Ｈ
に設定する。図１０を用いて説明したとおり、レーザビーム１０１の照射開始直後に現れる、光反射率の低下が緩やかな領域Ａは、レーザビーム１０１の露光パワー（Ｐｗ）が高い場合には短く、レーザビーム１０１の露光パワー（Ｐｗ）が低い場合には逆に長くなることから、光反射率Ｒａ’Ｌと光反射率Ｒａ’Ｈとの関係を上記のように設定すれば、光反射率のばらつきを抑制しつつ広いダイナミックレンジを確保することが可能となる。
【００６７】
第２に、光反射率が最も低いピットＰｈが形成された仮想記録セルＳの相対的な光反射率Ｒｈ’については、レーザビーム１０１の露光パワーがＰｗＬである場合の光反射率をＲｈ’Ｌとし、レーザビーム１０１の露光パワーがＰｗＨである場合の光反射率をＲｈ’Ｈとすると、これら光反射率Ｒｈ’Ｌ及び光反射率Ｒｈ’Ｈの関係を
Ｒｈ’Ｌ＜Ｒｈ’Ｈ
に設定する。これについても図１０を用いて説明したとおり、レーザビーム１０１の照射時間が所定時間を超えた後に現れる、光反射率の低下が緩やかな領域Ｃは、レーザビーム１０１の露光パワー（Ｐｗ）が高い場合には長く、レーザビーム１０１の露光パワー（Ｐｗ）が低い場合には逆に短くなることから、光反射率Ｒｈ’Ｌと光反射率Ｒｈ’Ｈとの関係を上記のように設定すれば、光反射率のばらつきを抑制しつつ広いダイナミックレンジを確保することが可能となる。
【００６８】
第３に、ピットＰが形成されていない仮想記録セルＳの相対的な光反射率（＝１００％）と相対的な光反射率Ｒａ’との差（１００−Ｒａ’）と、相対的な光反射率Ｒｈ’と飽和状態おける相対的な光反射率（＝０％）との差（Ｒｈ’）との大小関係については、レーザビーム１０１の露光パワーがＰｗＬである場合には
１００−Ｒａ’＞Ｒｈ’
に設定し、
レーザビーム１０１の露光パワーがＰｗＨである場合には
１００−Ｒａ’＜Ｒｈ’
に設定する。このように設定すれば、上述の説明と同様に、光反射率のばらつきを抑制しつつ広いダイナミックレンジを確保することが可能となる。
【００６９】
本実施態様においては、上記第１乃至第３の設定条件の少なくとも一つ、好ましくは２つ、より好ましくは全部を満たすようにピットＰａが形成された仮想記録セルＳの相対的な光反射率Ｒａ’及び／又はピットＰｈが形成された仮想記録セルＳの相対的な光反射率Ｒｈ’が決定される。これにより、光反射率のばらつきを抑制しつつ広いダイナミックレンジを確保することが可能となることから、良好な再生信号が得られるＲＯＭ型マルチレベル光記録媒体を作成することが可能となる。
【００７０】
次に、本発明の好ましい他の実施態様にかかる光記録媒体用原盤２０５の製造方法について、やはりフォトレジスト原盤１１０の感光性材料層１１０ｂの露光工程を中心に説明する。
【００７１】
上述のとおり、感光性材料層１１０ｂ上の一つの仮想記録セル対応領域Ｓ’にレーザビーム１０１を照射可能な最大の時間Ｔｍａｘは、仮想記録セル対応領域Ｓ’の長さＬ（仮想記録セルＳの長さＬと同じ）及びカッティング線速度Ｖによって制限されるため（Ｔｍａｘ＝Ｌ／Ｖ）、光反射率が最小（Ｒｈ）となるピットＰｈに対応する潜像１１０ｃを形成するためのレーザビーム１０１の照射時間Ｔｈは、上記Ｔｍａｘ以下に設定する必要がある。
【００７２】
例えば、仮想記録セル対応領域Ｓ’の長さＬ（＝仮想記録セルＳの長さＬ）が６００ｎｍ、カッティング線速度Ｖが１．２ｍ／ｓｅｃである場合（以下、このカッティング線速度を等倍速として取り扱い、明細書・図面においては「ｘ１」と表記する）にはＴｍａｘ（ｘ１）は５００ｎｓｅｃとなるので、ピットＰｈに対応する潜像１１０ｃを形成するためのレーザビーム１０１の照射時間Ｔｈとしては５００ｎｓｅｃ以下に設定する必要がある。また、仮想記録セル対応領域Ｓ’の長さＬが上記の通りであり、カッティング線速度Ｖが２．４ｍ／ｓｅｃである場合（以下、このカッティング線速度を２倍速として取り扱い、明細書・図面においては「ｘ２」と表記する）にはＴｍａｘ（ｘ２）は２５０ｎｓｅｃとなるので、ピットＰｈに対応する潜像１１０ｃを形成するためのレーザビーム１０１の照射時間Ｔｈとしては２５０ｎｓｅｃ以下に設定する必要がある。さらに、仮想記録セル対応領域Ｓ’の長さＬが上記の通りであり、カッティング線速度Ｖが４．８ｍ／ｓｅｃである場合（以下、このカッティング線速度を４倍速として取り扱い、明細書・図面においては「ｘ４」と表記する）にはＴｍａｘ（ｘ４）は１２５ｎｓｅｃとなるので、ピットＰｈに対応する潜像１１０ｃを形成するためのレーザビーム１０１の照射時間Ｔｈとしては１２５ｎｓｅｃ以下に設定する必要がある。
【００７３】
図１１は、カッティング線速度を等倍速（ｘ１）、２倍速（ｘ２）及び４倍速（ｘ４）にそれぞれ設定した場合における、仮想記録セル対応領域Ｓ’の時間軸方向の長さ並びにピットＰａ〜Ｐｈに対応する潜像１１０ｃを形成するためのレーザビーム１０１の波形を模式的に示す図である。図１１に示す仮想記録セル対応領域Ｓ’の長さは、物理的な長さＬではなく時間軸方向の長さ、すなわち照射されるレーザビーム１０１が仮想記録セル対応領域Ｓ’を通過するのに必要な時間を概念的に「長さ」として表している。仮想記録セル対応領域Ｓ’の物理的な長さＬは、カッティング線速度によらず一定（６００ｎｍ）である。したがって、図１１に示すように、仮想記録セル対応領域Ｓ’の時間軸方向の長さは、カッティング線速度が等倍速（ｘ１）である場合には５００ｎｓｅｃ、２倍速（ｘ２）である場合には２５０ｎｓｅｃ、４倍速（ｘ４）である場合には１２５ｎｓｅｃとなる。
【００７４】
このような仮想記録セル対応領域Ｓ’にピットＰａ〜Ｐｈに対応する潜像１１０ｃを形成する場合、上述のとおり、照射されるレーザビーム１０１の波形は基底パワー（Ｐｂ）から露光パワー（Ｐｗ）までの振幅を持ったパルス波形とされ、露光パワー（Ｐｗ）に設定される時間がＴａ〜Ｔｈのいずれかに設定される。
【００７５】
本実施態様においては、図１１に示すようにピットＰａ〜Ｐｈに対応する潜像１１０ｃを形成するために照射するレーザビーム１０１の波形（基底パワー（Ｐｂ）及び露光パワー（Ｐｗ）のレベル、パルス幅等）が、カッティング線速度によらず一定とされる。レーザビーム波形のこのような設定は、ピットＰｈに対応する潜像１１０ｃを形成するためのレーザビーム１０１の照射時間Ｔｈが一つの仮想記録セル対応領域Ｓ’にレーザビーム１０１を照射可能な最大時間Ｔｍａｘを超えないような記録線速度範囲において可能であり、図１１に示す例では、カッティング線速度が４倍速以下であればどのようなカッティング線速度であっても同じレーザビーム波形を用いてピットＰａ〜Ｐｈに対応する潜像１１０ｃを形成することが可能となる。したがって、図１１には示されていないが、カッティング線速度が３倍速（カッティング線速度Ｖ＝３．６ｍ／ｓｅｃ）である場合についても、図１１に示すレーザビーム１０１の波形を用いてピットＰａ〜Ｐｈに対応する潜像１１０ｃを形成することができる。これにより、カッティング線速度に応じて基底パワー（Ｐｂ）及び露光パワー（Ｐｗ）のレベルやパルス幅等を変更する必要がなくなることから、フォトレジスト原盤１１０のカッティング時における制御を簡素化することが可能となる。つまり、レーザビーム１０１の波形は、光変調器１０５ｂに入力されるパルス信号列１０５ｄの波形に対応していることから、本実施態様によれば、パルス信号列１０５ｄの波形制御を簡素化することが可能となる。
【００７６】
このようにレーザビーム１０１の波形をカッティング線速度によらず一定とする方法は、通常のＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭのように記録すべきデータをトラックに沿ったピットの長さに変調するという方式のＲＯＭ型光記録媒体を製造する場合のフォトレジスト原盤のカッティングに適用することは困難である。これは、かかる変調方式においてはピットとブランク領域との境界（エッジ部）にデータをもたせることから、カッティング線速度が異なればピット前縁部のエッジからピット後縁部のエッジまでの時間軸方向における長さが変化し、このためフォトレジスト原盤のカッティング時においても、レーザビーム１０１のパルス幅を変更せざるを得ないからであり（カッティング線速度が高いほどパルス幅を短くする）、またこれに伴って露光パワー（Ｐｗ）のレベルも変更せざるを得ないからである（カッティング線速度が高いほど露光パワー（Ｐｗ）を高くする）。
【００７７】
また、上述のとおり、レーザビーム１０１の照射時間と、これに対応するピットＰが形成された仮想記録セルＳの光反射率との関係は、レーザビーム１０１の照射強度、すなわち露光パワー（Ｐｗ）によって変化し、図１２に示すように、光反射率が下限に達するのに必要なレーザビーム１０１の照射時間Ｔｓについては、露光パワー（Ｐｗ）を高く設定すると短くなり、逆に、露光パワー（Ｐｗ）を低く設定すると長くなる。光反射率が下限に達するのに必要なレーザビーム１０１の照射時間Ｔｓが一つの仮想記録セル対応領域Ｓ’にレーザビーム１０１を照射可能な最大の時間Ｔｍａｘを越えると、利用可能な光反射率範囲（ダイナミックレンジ）が狭くなることから、
Ｔｓ≦Ｔｍａｘ
であることが好ましい。ここで、一つの仮想記録セル対応領域Ｓ’にレーザビーム１０１を照射可能な最大の時間Ｔｍａｘはカッティング線速度によって変化することから、上記関係式が成り立つように、カッティング線速度及び露光パワー（Ｐｗ）を設定すればよい。
【００７８】
この場合、Ｔｍａｘはカッティング線速度が高くなるほど短くなり、Ｔｓは露光パワー（Ｐｗ）を高く設定するほど短くなることから、より広い記録線速度範囲において共通のレーザビーム波形を用いるためには、レーザビーム１０１の露光パワー（Ｐｗ）を十分に高く設定すればよい。
【００７９】
以上説明したように、本実施態様においては、異なるカッティング線速度でフォトレジスト原盤１１０のカッティングを行う場合におけるレーザビーム１０１の露光パワー及び／又はパルス幅を実質的に同一に設定していることから、フォトレジスト原盤１１０のカッティング時における制御を簡素化することが可能となる。
【００８０】
本発明は、以上の実施態様に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００８１】
例えば、上記各実施態様においては、ＣＤ−ＲＯＭ型のマルチレベル光記録媒体を製造する場合を例に説明したが、本発明はこれに限定されるものでなく、少なくとも一部にＲＯＭ領域を含む他のマルチレベル光記録媒体の製造に適用することも可能である。
【００８２】
また、上記各実施態様においては、互いに光反射率が異なる８段階のピットＰａ〜Ｐｈを有するマルチレベル光記録媒体を製造する場合を例に説明したが、ピットＰの段階数としてはこれに限定されず、一つの仮想記録セルＳに１ビットを超える情報を格納可能である限り、何段階であっても構わない。
【００８３】
さらに、後者の実施態様においては、カッティング線速度に関わらず、レーザビーム１０１の出射パルスのレベルとパルス幅の両方を固定しているが、これらの両方を固定することは必須でなく、いずれか一方のみを固定するととともに、カッティング線速度によって他方を変更しても構わない。但し、上記実施態様のように、カッティング線速度に関わらずこれらの両方を固定した方が、フォトレジスト原盤１１０のカッティング時における制御をより簡素化することができるため好ましい。また、本発明において、異なるカッティング線速度でフォトレジスト原盤１１０のカッティングを行う場合に、露光パワー（Ｐｗ）及び／又はパルス幅を完全に同一とする必要はなく、カッティング線速度ごとに露光パワー（Ｐｗ）及び／又はパルス幅を微調整しても構わない。
【００８４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、簡易な方法により光記録媒体用原盤（スタンパ）に良好なパターンを形成することができるので、良好な再生信号を得ることが可能なＲＯＭ型マルチレベル光記録媒体を作成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】マルチレベル光記録媒体１の構成を示す切り欠き斜視図である。
【図２】光透過性基板１１上に形成されたピットＰａ〜Ｐｈと、これらが割り当てられた仮想記録セルＳの光反射率との関係を示す図である。
【図３】本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体用原盤の製造方法に用いるカッティングマシン１００を示す概略構成図である。
【図４】光記録媒体用原盤２０５の製造工程を示す工程図である。
【図５】マルチレベル光記録媒体１の製造工程を示す工程図である。
【図６】フォトレジスト原盤１１０の感光性材料層１１０ｂにピットＰａ〜Ｐｈに対応する潜像１１０ｃを形成するためのレーザビーム１０１の波形を模式的に示す波形図である
【図７】レーザビーム１０１のパルス幅をＴａに設定した場合にピットＰａが形成される様子を模式的に示す図であり、（ａ）は感光性材料層１１０ｂに照射するレーザビーム１０１のパルス波形を示し、（ｂ）は露光により感光性材料層１１０ｂに潜像１１０ｃが形成された状態を示し、（ｃ）は現像により感光性材料層１１０ｂに凹パターン２０２が形成された状態を示し、（ｄ）は転写により光記録媒体用原盤２０５に凸パターン２０６が形成された状態を示し、（ｅ）は転写により光透過性基板１１にピットＰが形成された状態を示している。
【図８】レーザビーム１０１のパルス幅をＴｈに設定した場合にピットＰｈが形成される様子を模式的に示す図であり、（ａ）は感光性材料層１１０ｂに照射するレーザビーム１０１のパルス波形を示し、（ｂ）は露光により感光性材料層１１０ｂに潜像１１０ｃが形成された状態を示し、（ｃ）は現像により感光性材料層１１０ｂに凹パターン２０２が形成された状態を示し、（ｄ）は転写により光記録媒体用原盤２０５に凸パターン２０６が形成された状態を示し、（ｅ）は転写により光透過性基板１１にピットＰが形成された状態を示している。
【図９】感光性材料層１１０ｂに対するレーザビーム１０１の照射時間と、これに対応するピットＰが形成された仮想記録セルＳの光反射率との関係を模式的に示すグラフである。
【図１０】レーザビーム１０１の露光パワー（Ｐｗ）による特性の変化を模式的に示すグラフである。
【図１１】カッティング線速度を等倍速（ｘ１）、２倍速（ｘ２）及び４倍速（ｘ４）にそれぞれ設定した場合における、仮想記録セル対応領域Ｓ’の時間軸方向の長さ並びにピットＰａ〜Ｐｈに対応する潜像１１０ｃを形成するためのレーザビーム１０１の波形を模式的に示す図である。
【図１２】レーザビーム１０１の露光パワー（Ｐｗ）による特性の変化を模式的に示すグラフである。
【符号の説明】
１　マルチレベル光記録媒体
１１　光透過性基板
２２　反射層
２３　保護層
１００　カッティングマシン
１０１　レーザビーム
１０２　レーザ発生装置
１０３　ＥＯＭ
１０４，１０６　ビームスプリッタ
１０５　光変調ユニット
１０５ａ，１０５ｃ　レンズ
１０５ｂ　光変調器
１０５ｄ　パルス信号列
１０７　光学ヘッド
１０７ａ　ミラー
１０７ｂ　レンズ
１０８　ターンテーブル
１１０　フォトレジスト原盤
１１０ａ　ガラス基板
１１０ｂ　感光性材料層
１１０ｃ　潜像
２０２　凹パターン
２０３　金属薄膜
２０４　金属厚膜
２０５　光記録媒体用原盤（スタンパ）
２０６　凸パターン
【図１】
2004110889.tif 000004
【図２】
2004110889.tif 000005
【図３】
2004110889.tif 000006
【図４】
2004110889.tif 000007
【図５】
2004110889.tif 000008
【図６】
2004110889.tif 000009
【図７】
2004110889.tif 000010
【図８】
2004110889.tif 000011
【図９】
2004110889.tif 000012
【図１０】
2004110889.tif 000013
【図１１】
2004110889.tif 000014
【図１２】
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