(57)【要約】【課題】隣接トラックからヨーク型ＭＲヘッド内に流入する漏れ磁束を低減することによってサイドクロストークを低減し、再生時のビット誤り率の低減が可能なヨーク型ＭＲヘッドを提供すること。【解決手段】非磁性層を挟んだ部分の第１のヨーク前部１０２ａと第２のヨーク前部１０３ａを再生ギャップとして磁気記録媒体に記録された信号磁束を検出する検出部と、磁気抵抗効果素子１１０と、各ヨーク前部１０２ａ、１０３ａと磁気抵抗効果素子とを磁気的に接続する第１、第２のヨーク後部１０２ｂ、１０３ｂと、各ヨーク前部１０２ａ、１０３ａを磁気記録媒体から遮蔽するように配置された磁気遮蔽板１２１ａ、１２１ｂとを備え、再生ギャップの両端を遮蔽するように配置された磁気遮蔽板１２１ａ、１２１ｂの開口部の幅が磁気記録媒体の記録トラックの幅よりも小さい幅である構成を有する。【選択図】　　　図１
2004127416.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性層、前記非磁性層を一部に挟んで積層された第１のヨーク前部および第２のヨーク前部によって構成され、前記非磁性層を挟んだ部分の第１のヨーク部と第２のヨーク部を再生ギャップとして磁気記録媒体に記録された信号磁束を検出する検出部と、印加される磁界に応じて電気抵抗値が変わる磁気抵抗効果素子と、前記第１のヨーク前部と前記磁気抵抗効果素子とを磁気的に接続する第１のヨーク後部と、前記第２のヨーク前部と前記磁気抵抗効果素子とを磁気的に接続する第２のヨーク後部と、前記第１のヨーク前部及び前記第２のヨーク前部を前記磁気記録媒体から遮蔽するように配置され、磁性材料を含む磁気遮蔽板とを備え、前記検出部が検出した信号磁束を前記第１のヨーク後部および前記第２のヨーク後部経由で前記磁気抵抗効果素子に伝達する磁気回路を構成し、前記磁気抵抗効果素子は、前記検出部が検出した信号磁束に応じて磁気抵抗が変化し、前記再生ギャップの両端を遮蔽するように配置された磁気遮蔽板の開口部の幅が検出部を構成する前記第１のヨーク前部と、前記第２のヨーク前部に位置する前記磁気記録媒体上の記録トラックの幅方向の幅が前記記録トラックの幅よりも小さい幅であることを特徴とするヨーク型ＭＲヘッド。
【請求項２】
前記磁気遮蔽板は、２枚からなり、各前記磁気遮蔽板の前記磁気記録媒体上の記録トラック上に記録される信号ビットのビット長方向の長さが前記磁気記録媒体上の記録トラック上に記録される最長の信号ビットに応じた記録トラック上の長さの最大値の２倍以上であることを特徴とする請求項１記載のヨーク型ＭＲヘッド。
【請求項３】
前記磁気記録媒体に垂直な方向の前記磁気遮蔽板の厚さは、２ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内のいずれかの値で一定であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のヨーク型ＭＲヘッド。
【請求項４】
前記検出部の中央が前記記録トラックの中央に位置しオントラックの状態のとき、前記第１のヨーク前部に最寄りの磁気シールドのエッジ端と、前記第２のヨーク前部に最寄りの磁気シールドのエッジ端とが当該記録トラックと隣接する２つの記録トラックとの間のデータが記録されていない部分にそれぞれ位置することを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のヨーク型ＭＲヘッド。
【請求項５】
前記磁気記録媒体に水平かつ前記記録トラック方向に垂直な方向の前記磁気シールドの幅は、前記記録トラックの幅以上であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のヨーク型ＭＲヘッド。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ヨーク型ＭＲ（ＭａｇｎｅｔｏＲｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッドに関し、特に、ＭＲ素子部に非常に高い感度を有するトンネル磁気抵抗効果（Ｔｕｎｎｅｌｌｉｎｇ　ＭａｇｎｅｔｏＲｅｓｉｓｔｉｖｅ　Ｅｆｆｅｃｔ、以下、単にＴＭＲという。）素子を用いることにより、高い再生出力を得ることができるヨーク型ＭＲヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＭＲ素子を用いた薄膜磁気ヘッドは、コンピュータ用の大容量記憶装置、ビデオテープレコーダ、ビデオハードディスクなど幅広く利用されており、昨今のデジタル情報時代において更なる大容量化すなわち記録密度の高密度化が望まれている。係る薄膜磁気ヘッドの一例としてヨーク型ＭＲヘッドを取り上げ、従来のヨーク型ＭＲヘッドについて図７を用いて説明する。
【０００３】
図７は、従来のヨーク型ＭＲヘッドの概略の構造を示す上面図である。なお、以下では、「前方」という場合は図に記号Ｆと共に示された矢印の方向のことをいい、「後方」という場合は記号Ｂと共に示された矢印の方向のことをいう。また、上面図を含む平面図の場合において、「上部」という場合は図の紙面の表面から外側に垂直に向いた方向をいい、「下部」という場合は図の紙面の表面から裏面に垂直に向いた方向をいうことにする。
【０００４】
従来のヨーク型ＴＭＲヘッドは、大略すると、ＴＭＲ素子７１０、第１のヨーク７０２（第１のヨーク前部７０２ａおよび第１のヨーク後部７０２ｂからなる。）、第２のヨーク７０３（第２のヨーク前部７０３ａおよび第２のヨーク後部７０３ｂからなる。）、上部引き出し電極７０７、および下部引き出し電極７０６により構成されており、第１のヨーク前部７０２ａおよび第２のヨーク前部７０３ａの横にそれぞれ第１の磁気遮蔽版（以下、磁気シールドという。）７２１ａおよび第２の磁気シールド７２１ｂを配した構造となっている。
【０００５】
ここで、第１のヨーク７０２および第２のヨーク７０３は、共に強磁性材料により形成されている。また、第１のヨーク前部７０２ａと第２のヨーク前部７０３ａとは、非磁性層を挟むように積層されており、第１のヨーク前部７０２ａと第２のヨーク前部７０３ａとの間には再生ギャップが形成される。そして、第１のヨーク前部７０２ａ、非磁性層、および第２のヨーク前部７０３ａによって信号磁束を検出する検出部が形成され、検出部または再生ギャップは磁気記録媒体上の記録トラック８０１に相対して配置される。なお、従来のヨーク型ＴＭＲヘッドでは、第１のヨーク前部７０２ａの記録トラックの幅方向の幅Ｗｂが第２のヨーク前部７０３ａの幅Ｗｕよりも広く設計されている。
【０００６】
一方、ＴＭＲ素子７１０は、第１のヨーク後部７０２ｂと第２のヨーク後部７０３ｂとの間に形成されたヨーク間ギャップ７０９を橋渡しするように配置されている。そのため、第１のヨーク後部７０２ｂとＴＭＲ素子７１０との間および第２のヨーク後部７０３ｂとＴＭＲ素子７１０との間において磁気的結合力の低下を防止でき、効率良くＴＭＲ素子７１０を励磁することができる構造となっている。
【０００７】
また、ＴＭＲ素子７１０の両面には上部引き出し電極７０７および下部引き出し電極７０６が形成され、上部引き出し電極７０７と下部引き出し電極７０６との間の電気的絶縁を確保するために、非磁性絶縁層７１１（７１１ａおよび７１１ｂからなる。）が形成されている。そして、上部引き出し電極７０７と下部引き出し電極７０６とを介してＴＭＲ素子７１０に電圧を印加することによって、ＴＭＲ素子７１０の膜面に対し垂直な方向に電流（トンネル電流）が流れるようになっている。
【０００８】
したがって、ヨーク型ＴＭＲヘッドは、再生ギャップを介して記録トラック８０１上の信号磁束を検出し、信号磁束の大部分が磁気回路の一部を構成するＴＭＲ素子７１０によって電気信号に変換され、再生出力が生成される構成となっている。
また、第１のヨーク前部７０２ａと第２のヨーク前部７０３ａの横前方に配置された磁気シールド７２１によって、隣接する記録トラック（以下、隣接トラックという。）８０２ａ、８０２ｂからの漏れ磁束がヘッド内に流入すること（サイドクロストーク）を防止できるために、ノイズに対する信号出力の割合が増加してビット誤り率を低減できるという特徴がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のヨーク型ＴＭＲヘッドでは、図７に示すように第１のヨーク前部７０２ａのうち第２のヨーク前部７０３ａと積層されている部分の記録トラック幅方向の幅（Ｗｂ）が記録トラック幅（Ｔｗ）とほぼ同じかあるいはそれ以上の幅であるために、隣接トラック８０２ａ、８０２ｂからの漏れ磁束が、第１のヨーク前部７０２ａおよび第２のヨーク前部７０３ａからヨーク型ＴＭＲヘッド内へ流入することを十分に防止できないという問題があった。
【００１０】
また、第１の磁気シールド７２１ａおよび第２の磁気シールド７２１ｂを基板７０１上に形成していることから、それらが隣接トラック８０２ａ、８０２ｂに対向する面の磁気記録媒体上の記録トラック上に記録される信号ビットのビット長方向の長さ（ここでは、第１の磁気シールド７２１ａおよび第２の磁気シールド７２１ｂの膜厚）を、記録トラック上に記録される最長の信号ビットに応じた記録トラック上の長さの最大値（以下、単に最長信号ビット長という。）の２倍以上とすることが作成工程上の理由から困難であるために、サイドクロストークを十分に防止できないという問題があった。
【００１１】
また、図７に示すように、上記の第１の磁気シールド７２１ａおよび第２の磁気シールド７２１ｂの膜厚、すなわちヨーク型ＴＭＲヘッドから磁気記録媒体へ向かう方向の厚さはテーパがつけられ一定ではないため、第１の磁気シールド７２１ａと第１のヨーク前部７０２ａとの間の距離および第２の磁気シールド７２１ｂと第２のヨーク前部７０３ａとの間の距離を十分に遠ざけることが困難である。そのため、例えば図８に示すように、第１の隣接トラック８０２ａと第１の磁気シールド７２１ａとの間に磁路ａが形成され、第１の磁気シールド７２１ａが図２に記号Ｍと共に示された矢印の向きに磁化される。この矢印の向きに磁化された第１の磁気シールド７２１ａと第１のヨーク７０２との間の磁気的な結合により磁路ｂが連鎖的に形成され、さらにヨーク型ＴＭＲヘッド内には磁路ｃが形成される。その結果、再生出力にノイズが重畳されるという問題があった。
【００１２】
本発明は、かかる問題を解決するためになされたものであり、その目的は、隣接トラックからヨーク型ＭＲヘッド内に流入する漏れ磁束を低減することによってサイドクロストークを低減し、再生時のビット誤り率の低減が可能なヨーク型ＭＲヘッドを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
以上の点を考慮して、請求項１に係る発明は、非磁性層、前記非磁性層を一部に挟んで積層された第１のヨーク前部および第２のヨーク前部によって構成され、前記非磁性層を挟んだ部分の第１のヨーク部と第２のヨーク部を再生ギャップとして磁気記録媒体に記録された信号磁束を検出する検出部と、印加される磁界に応じて電気抵抗値が変わる磁気抵抗効果素子と、前記第１のヨーク前部と前記磁気抵抗効果素子とを磁気的に接続する第１のヨーク後部と、前記第２のヨーク前部と前記磁気抵抗効果素子とを磁気的に接続する第２のヨーク後部と、前記第１のヨーク前部及び前記第２のヨーク前部を前記磁気記録媒体から遮蔽するように配置され、磁性材料を含む磁気遮蔽板とを備え、前記検出部が検出した信号磁束を前記第１のヨーク後部および前記第２のヨーク後部経由で前記磁気抵抗効果素子に伝達する磁気回路を構成し、前記磁気抵抗効果素子は、前記検出部が検出した信号磁束に応じて磁気抵抗が変化し、前記検出部を構成する前記第１のヨーク前部と、前記第２のヨーク前部に位置する前記磁気記録媒体上の記録トラックの幅方向の幅が記録トラックの幅よりも小さい幅である構成を有している。
【００１４】
この構成により、検出部を構成する第１のヨーク前部と、第２のヨーク前部に位置する磁気記録媒体上の記録トラックの幅方向の幅が記録トラックの幅よりも小さい幅としたため、隣接トラックからの漏れ磁束が、第１のヨーク前部および第２のヨーク前部からヨーク型ＭＲヘッド内へ流入するのを低減することができ、ノイズの発生を抑制することが可能なヨーク型ＭＲヘッドを実現できる。
【００１５】
また、請求項２に係る発明は、請求項１において、前記磁気遮蔽板は、２枚からなり、各前記磁気遮蔽板の前記磁気記録媒体上の記録トラック上に記録される信号ビットのビット長方向の長さが前記磁気記録媒体上の記録トラック上に記録される最長の信号ビットに応じた記録トラック上の長さの最大値の２倍以上である構成を有している。
この構成により、磁気遮蔽板を隣接トラックに対向する面上に形成するため、磁気シールドの長さＬｓを最長信号ビット長Ｌｂの２倍以上とすることが容易になり、サイドクロストークをさらに抑制することが可能なヨーク型ＭＲヘッドを実現できる。
【００１６】
また、請求項３に係る発明は、請求項１または請求項２において、前記磁気記録媒体に垂直な方向の前記磁気遮蔽板の厚さは、２ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内のいずれかの値で一定である構成を有している。
この構成により、磁気遮蔽板の膜厚、すなわち、ヨーク型ＭＲヘッドから磁気記録媒体へ向かう方向の厚さを２ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内のいずれかの値をとる一定値としているために、第１の磁気シールドと第１のヨーク前部との間の距離および第２の磁気シールドと第２のヨーク前部との間の距離を十分に遠ざけることができ、磁気シールドとヨーク（第１のヨークおよび第２のヨーク）との間の磁気的な結合が弱められ、再生出力に重畳されるノイズをさらに低減することが可能なヨーク型ＭＲヘッドを実現できる。
【００１７】
また、請求項４に係る発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかにおいて、前記検出部の中央が前記記録トラックの中央に位置しオントラックの状態のとき、前記第１のヨーク前部に最寄りの磁気シールドのエッジ端と、前記第２のヨーク前部に最寄りの磁気シールドのエッジ端とが当該記録トラックと隣接する２つの記録トラックとの間のデータが記録されていない部分にそれぞれ位置する構成を有している。
この構成により、ヨーク型ＭＲヘッドがオントラックの状態にあるとき、第１のヨーク前部に最寄りの第１の磁気シールドエッジが記録トラック端からガードバンド幅までの範囲となる位置に配置され、かつ第２のヨーク前部に最寄りの第２の磁気シールドエッジが、記録トラック端からガードバンド幅までの範囲となる位置に配置されるため、サイドクロストークをさらに抑制することが可能なヨーク型ＭＲヘッドを実現できる。
【００１８】
また、請求項５に係る発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかにおいて、前記磁気記録媒体に水平かつ前記記録トラック方向に垂直な方向の前記磁気シールドの幅は、前記記録トラックの幅以上である構成を有している。
この構成により、磁気シールドの幅が少なくとも記録トラックの幅以上となっているために、隣接トラックからのサイドクロストークだけでなく、隣接トラックに隣接する記録トラックからのサイドクロストークも抑制することが可能なヨーク型ＭＲヘッドを実現できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の一実施の形態について説明する。
図１は、本発明の一実施の形態に係るヨーク型ＭＲ（ＭａｇｎｅｔｏＲｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッドの構造を説明するための上面図である。ヨーク型ＭＲヘッドは、磁化の配列がデジタル情報として記録された磁気記録媒体から磁化の配列の情報を信号磁束として読み取るための磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子という。）を用いた薄膜の磁気ヘッドである。ＭＲ素子には、トンネル磁気抵抗効果（Ｔｕｎｎｅｌｌｉｎｇ　ＭａｇｎｅｔｏＲｅｓｉｓｔｉｖｅ　Ｅｆｆｅｃｔ）素子（以下、ＴＭＲ素子という。）が含まれ、本実施の形態では、ＭＲ素子としてＴＭＲ素子を用いたヘッドであるヨーク型ＴＭＲヘッドを例に取り説明する。
【００２０】
図２は、図１に示すヨーク型ＴＭＲヘッド１００の一部を取り出し、立体的に示した斜視図である。
なお、以下で、「前方」という場合は図に記号Ｆと共に示された矢印の方向のことをいい、「後方」という場合は記号Ｂと共に示された矢印の方向のことをいう。また、上面図を含む平面図の場合において、「上部」という場合は図の紙面の表面から外側に垂直に向いた方向をいい、「下部」という場合は図の紙面の表面から裏面に垂直に向いた方向をいうことにする。また、磁気記録媒体には記録トラック上に上記のデジタル情報が記録され、所定の間隔を置いて隣接する記録トラックが配列されているものとする。
【００２１】
図１において、ヨーク型ＴＭＲヘッド１００は、大略すると、第１のヨーク１０２と、第２のヨーク１０３と、第１のヨーク１０２と第２のヨーク１０３を接続するＴＭＲ素子１１０と、ＴＭＲ素子１１０の両面に電気的に接続された上部引き出し電極１０７と、下部引き出し電極１０６と、第１のヨーク１０２および第２のヨーク１０３の横前方にそれぞれ第１の磁気遮蔽板（以下、磁気シールドという。）１２１ａと、第２の磁気シールド１２１ｂとを配した構造となっている。
【００２２】
ここで、第１のヨーク１０２は、さらに第１のヨーク前部１０２ａと第１のヨーク後部１０２ｂとが接続された構造をしており、第２のヨーク１０３は、さらに第２のヨーク前部１０３ａと第２のヨーク後部１０３ｂとが接続された構造をしている。これらのヨークは、例えば強磁性体材料等の磁束を通し易い材料により形成されている。
【００２３】
図１および図２において、第１のヨーク前部１０２ａと第２のヨーク前部１０３ａは、その一部で非磁性層を挟むように積層されている。非磁性層を挟んで積層された第１のヨーク前部１０２ａおよび第２のヨーク前部１０３ａによって再生ギャップ１２０が形成され、非磁性層、非磁性層を挟んで積層された第１のヨーク前部１０２ａ、および第２のヨーク前部１０３ａによって信号磁束を検出する検出部が形成される。
【００２４】
一方、ＴＭＲ素子１１０は、少なくとも１層以上の絶縁層を有し、その絶縁層を少なくとも２層以上の強磁性層が挟み込むように形成されている。ＴＭＲ素子１１０の絶縁層の膜厚は、例えば０．３ｎｍ〜２ｎｍ程度の範囲とする。そして、ＴＭＲ素子１１０は、第１のヨーク後部１０２ｂと第２のヨーク後部１０３ｂとの間に形成されたヨーク間ギャップ１０９を橋渡しするように配置されている。そのため、第１のヨーク後部１０２ｂとＴＭＲ素子１１０との間および第２のヨーク後部１０３ｂとＴＭＲ素子１１０との間において磁気的結合力の低下を防止でき、効率良くＴＭＲ素子２１０を励磁することができる構造となっている。
【００２５】
図２に示すように、ヨーク型ＴＭＲヘッド１００では、ヘッド先端の再生ギャップ１２０、第１のヨーク前部１０２ａ、第１のヨーク後部１０２ｂ、第２のヨーク後部１０３ｂ、第２のヨーク前部１０３ａ、およびＴＭＲ素子１１０によって環状の磁気回路が構成されている。再生ギャップ１２０または検出部は、磁気記録媒体上の記録トラック２０１に相対して配置され、再生ギャップ１２０を介して検出された信号磁束が上記の磁気回路によってＴＭＲ素子１１０に伝達される。
【００２６】
ＴＭＲ素子１１０の上面（上部）と下面（下部）には、それぞれ上部引き出し電極１０７と下部引き出し電極１０６が接続されている。また、上部引き出し電極１０７と下部引き出し電極１０６との電気的絶縁を確保するために、非磁性絶縁層１１１ａ、１１１ｂが形成されている。そして、上部引き出し電極１０７と下部引き出し電極１０６とを介してＴＭＲ素子１１０に電圧を印加することによって、ＴＭＲ素子１１０の膜面に対し垂直な方向に電流が流れるようになっている。この電流は、所謂、トンネル電流と呼ばれる。
【００２７】
以下に、本発明の実施の形態に係るヨーク型ＴＭＲヘッド１００の再生原理について説明する。
記録トラック２０１から再生ギャップ１２０を介して検出された信号磁束は、第１のヨーク１０２および第２のヨーク１０３経由でＴＭＲ素子１１０に伝達され、ＴＭＲ素子１１０を励磁する。励磁されたＴＭＲ素子１１０は、流入した磁束の量と向きに応じて電気抵抗を変化させるために、上部引き出し電極１０７と下部引き出し電極１０６との間に流れるトンネル電流が変化する。このトンネル電流を不図示の外部回路が検出することにより、磁気記録媒体上の記録トラック２０１に記録された信号を再生することができる。
【００２８】
ここで、本発明の実施の形態に係るヨーク型ＴＭＲヘッド１００において、信号磁束を検出するための検出部の幅Ｗｆ（図１参照）は、磁気記録媒体に形成された記録トラック２０１の幅Ｔｗより小さくなっている。すなわち、Ｗｆ＜Ｔｗという条件を満足する構造となっている。この様子が図２に示されている。これにより、記録トラック２０１に隣接する記録トラック（以下、隣接トラックという。）２０２ａ、２０２ｂからの漏れ磁束が、第１のヨーク前部１０２ａを介してヨーク型ＴＭＲヘッド１００内へ流入するのを低減することができる。
【００２９】
なお、本実施の形態においては、第１のヨーク前部１０２ａおよび第２のヨーク前部１０３ａとが積層された部分の第１のヨーク前部１０２ａの記録トラック幅方向の幅Ｗ１と第２のヨーク前部１０３ａの記録トラック幅方向の幅Ｗ２とをそれぞれ同じ幅Ｗｆとして形成したが、作製工程を容易にするため、Ｗ２をＷ１よりも広くしても良い。ただし、Ｗ２は、記録トラック幅Ｔｗよりも小さいという条件を満たさなければならない。すなわち、Ｗ１≦Ｗ２＜Ｔｗであってもよい。
【００３０】
また、本発明の実施の形態に係るヨーク型ＴＭＲヘッド１００では、第１の磁気シールド１２１ａおよび第２の磁気シールド１２１ｂが磁気記録媒体に対向する基板１０１面上に形成され、第１の磁気シールド１２１ａおよび第２の磁気シールド１２１ｂの長さ（以下、磁気シールド長という。）Ｌｓが、記録トラック上に記録される最長の信号ビットに応じた記録トラック上の長さの最大値（以下、単に最長信号ビット長という。）Ｌｂの２倍の長さとした。また、各磁気シールド１２１ａ、１２１ｂの幅を、隣接トラックの次に隣接する記録トラックからの漏れ磁束を低減するように、記録トラックの幅以上とするのでも良い。
【００３１】
図３に、本発明の実施の形態に係るヨーク型ＴＭＲヘッド１００における磁気シールド長Ｌｓとサイドクロストークとの関係を示す。ここでは、記録トラック２０１の最大信号ビット長Ｌｂを５μｍとしている。図３には、磁気シールド長Ｌｓと最長信号ビット長Ｌｂとの関係がＬｓ≧２×Ｌｂであるとき、サイドクロストークが大幅に減少することが示されている。これにより、磁気シールド１２１（第１の磁気シールド１２１ａおよび第２の磁気シールド１２１ｂ）を、隣接トラック２０２（第１の隣接トラック２０２ａおよび第２の隣接トラック２０２ｂ）に対向する面上に形成するため、磁気シールド長Ｌｓを最長信号ビット長Ｌｂの２倍以上とすることが容易になり、サイドクロストークを低減することができる。
【００３２】
図４に、記録トラック２０１の中央が第１のヨーク前部１０２ａおよび第２のヨーク前部１０３ａの中央に位置するとき、第１のヨーク１０２および第２のヨーク１０３に最寄りの磁気シールドエッジ１３１ａ、１３１ｂにおける記録トラック２０１端からの距離とサイドクロストークとの関係を示す。ここで、記録トラック２０１の中央が第１のヨーク前部１０２ａおよび第２のヨーク前部１０３ａの中央に位置するときとは、記録トラック２０１中央とヨーク型ＴＭＲヘッド１００の中央が図中Ｌ−Ｌ’上に位置した状態、すなわちオントラックの状態にあるときをいう。
【００３３】
図４には、磁気シールドエッジ１３１が記録トラック２０１端から記録トラック２０１と隣接トラック２０２との間の記録されていない部分（以下、ガードバンドという。）の幅Ｇｗまでの範囲にあるとき、サイドクロストークが極小になることが示されている。したがって、本実施の形態では、オントラックの状態にあるとき、第１のヨーク前部１０２ａに最寄りの第１の磁気シールドエッジ１３１ａが記録トラック２０１端からガードバンド幅Ｇｗの１／２の距離となる位置に配置されている。同様に、第２のヨーク前部１０３ａに最寄りの第２の磁気シールドエッジ１３１ｂが、記録トラック２０１端からガードバンド幅Ｇｗの１／２の距離となる位置に配置されている。
【００３４】
本発明の実施の形態に係るヨーク型ＴＭＲヘッド１００では、光学的な再生ギャップ幅Ｗｆを１２０ｎｍ、第１のヨーク前部１０２ａおよび第２のヨーク前部１０３ａの膜厚を共に３０ｎｍ、第１のヨーク後部１０２ｂおよび第２のヨーク後部１０３ｂの膜厚を共に５０ｎｍ、再生ギャップのギャップ長を３０ｎｍとし、ＴＭＲ素子１１０の幅と高さをそれぞれ１５０ｎｍ、３５０ｎｍとした。
【００３５】
また、磁気シールド長Ｌｓを１０μｍ、磁気記録媒体に記録される最長信号ビット長Ｌｂを５μｍとしており、Ｌｓ≧２×Ｌｂという条件を満足するようにした。なお、磁気シールド１２１の膜厚ｔｓを１０ｎｍ一定とすることで、第１の磁気シールド１２１ａと第１のヨーク前部１０２ａとの間の距離および第２の磁気シールド１２１ｂと第２のヨーク前部１０３ａとの間の距離を極力遠ざける構造とした。
【００３６】
ここで、磁気記録媒体上の記録トラック２０１の幅Ｔｗを１６０ｎｍ、記録トラック２０１のピッチＴｐを２００ｎｍ、ガードバンド部の幅Ｇｗを４０ｎｍとした。なお、第１の磁気シールド１２１ａおよび第２の磁気シールド１２１ｂの記録トラック幅方向の幅Ｗｓをそれぞれ１８０ｎｍとし、これらの幅が記録トラック幅Ｔｗよりも大きくなるようにした。
【００３７】
また、磁気シールド１２１の膜厚、すなわち、ヨーク型ＴＭＲヘッド１００から磁気記録媒体へ向かう方向の厚さを２ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内のいずれかの値をとる一定値としているために、第１の磁気シールド１２１ａと第１のヨーク前部１０２ａとの間の距離および第２の磁気シールド１２１ｂと第２のヨーク前部１０３ａとの間の距離を十分に遠ざけることができる。
【００３８】
そのため、たとえば図５に示すように、第１の隣接トラック２０２ａと第１の磁気シールド１２１ａとの間に磁路ａ’形成され、第１の磁気シールド１２１ａが図中に記号Ｍ’と共に示された矢印の向きに磁化される。しかし、第１の磁気シールド１２１ａと第１のヨーク前部１０２ａとの間の距離が十分に離れているために、第１の磁気シールド１２１ａと第１のヨーク１０２との間の磁気的な結合が弱められ、磁路ｂ’を流れる磁束は大幅に減少する。そのため、ヘッド内の磁路ｃ’を流れる磁束も十分小さくなり、再生出力に重畳されるノイズを十分に防止することができる。
【００３９】
図６は、上記のように形成された本発明のヨーク型ＴＭＲヘッドと従来のヨーク型ＴＭＲヘッドのヘッド位置対クロストーク特性を示す。図６には、ヘッド位置が記録トラック幅方向にずれた場合のクロストーク特性が、従来のヨーク型ＴＭＲヘッドよりも本発明のヨーク型ＴＭＲヘッドを用いることによって大幅に改善されたことを示している。
【００４０】
以上説明したように、本発明の第１の実施の形態に係るヨーク型ＭＲヘッド１００は、検出部の幅Ｗｆを記録トラックの幅Ｔｗより狭くしたため隣接トラック２０２からの漏れ磁束が、第１のヨーク前部１０２ａを介してヘッド内へ流入することを十分に防止できる。
また、磁気シールド１２１を隣接トラック２０２に対向する面上に形成するため、磁気シールドの長さＬｓを最長信号ビット長Ｌｂの２倍以上とすることが容易であり、サイドクロストークをさらに防止できる。
【００４１】
さらに、磁気シールド１２１の膜厚を２ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内のいずれかの一定値としているために、磁気シールドとヨーク前部との間の距離を十分に遠ざけることができるため、磁気シールドとヨークとの間の磁気的な結合が弱められ、再生出力に重畳されるノイズをさらに防止することができる。
さらに、ヨーク型ＴＭＲヘッド１００がオントラックの状態にあるとき、各ヨーク前部に最寄りの磁気シールドエッジが記録トラック端からガードバンド幅までの範囲となる位置に配置することによって、サイドクロストークをさらに防止することができる。
【００４２】
磁気シールドの幅が少なくとも記録トラックの幅以上となっているために、隣接トラックからのサイドクロストークだけでなく、隣接トラックに隣接する記録トラックからのサイドクロストークも十分に防止することができる。
したがって、本発明の薄膜磁気ヘッドは、隣接トラックからの漏れ磁束がヘッド内に流入することを十分に防止できる構造を有しているために、再生時にノイズに対する信号出力の割合が増加し、ビット誤り率を大幅に低減させることができる。
【００４３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、隣接トラックからヨーク型ＭＲヘッド内に流入する漏れ磁束を低減することによってサイドクロストークを低減し、再生時のビット誤り率の低減が可能なヨーク型ＭＲヘッドを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のヨーク型ＭＲヘッドの構造を説明するための上面図である。
【図２】本発明のヨーク型ＭＲヘッドの構造を説明するための斜視図である。
【図３】本発明のヨーク型ＴＭＲヘッドにおけるシールド長対クロストーク特性の一例を示す図である。
【図４】本発明のヨーク型ＴＭＲヘッドにおけるクロストーク特性の一例を示す図である。
【図５】本発明のヨーク型ＴＭＲヘッドにおける隣接トラックからの磁束の流れを説明するための図である。
【図６】本発明のヨーク型ＴＭＲヘッドと従来のヨーク型ＴＭＲヘッドのクロストーク特性の一例を示す図である。
【図７】従来のヨーク型ＭＲヘッドの構造を説明するための上面図である。
【図８】従来のヨーク型ＴＭＲヘッドにおける隣接トラックからの磁束の流れを説明するための図である。
【符号の説明】
１００、７００　ヨーク型ＴＭＲヘッド
１０１、７０１　基板
１０２、７０２　第１のヨーク
１０２ａ、７０２ａ　第１のヨーク前部
１０２ｂ、７０２ｂ　第１のヨーク後部
１０３、７０３　第２のヨーク
１０３ａ、７０３ａ　第２のヨーク前部
１０３ｂ、７０３ｂ　第２のヨーク後部
１０６、７０６　下部引き出し電極
１０７、７０７　上部引き出し電極
１０９、７０９　ヨーク間ギャップ
１１０、７１０　ＴＭＲ素子
１１１、１１１ａ、１１１ｂ、７１１、７１１ａ、７１１ｂ　非磁性絶縁層
１２０　再生ギャップ
１２１、１２１ａ、１２１ｂ、７２１、７２１ａ、７２１ｂ　磁気シールド
１３１、１３１ａ、１３１ｂ　磁気シールドエッジ
２０１、８０１　記録トラック
２０２、２０２ａ、２０２ｂ、８０２、８０２ａ、８０２ｂ　隣接トラック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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