(57)【要約】【課題】ＧＨｚ帯域の高周波領域で高い透磁率を有し、かつ高い飽和磁化を有する高周波用磁性薄膜をフィルム上に形成した軟磁性部材等を提供する。【解決手段】樹脂フィルム１１と、この樹脂フィルム１１上に形成された軟磁性層と、を含む軟磁性部材であって、軟磁性層がＴ−Ｌ組成物層７（ただし、Ｔ＝ＦｅまたはＦｅＣｏ、Ｌ＝Ｃ，ＢおよびＮの１種または２種以上）と、このＴ−Ｌ組成物層７のいずれかの面側に配置されたＣｏ系非結晶質合金層３とを備えるようにした。【選択図】    図１
2004235355.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルムと、
前記フィルム上に形成された軟磁性層と、を含む軟磁性部材であって、
前記軟磁性層は、
Ｔ−Ｌ組成物（ただし、Ｔ＝ＦｅまたはＦｅＣｏ、Ｌ＝Ｃ，ＢおよびＮの１種または２種以上）からなる第１の層と、
前記第１の層のいずれかの面側に配置されたＣｏ系非結晶質合金からなる第２の層と、
を備えることを特徴とする軟磁性部材。
【請求項２】
前記軟磁性層は、複数の前記第１の層と複数の前記第２の層とが交互に積層されて多層膜構造をなすことを特徴とする請求項１に記載の軟磁性部材。
【請求項３】
前記第１の層は、非結晶質構造であることを特徴とする請求項１または２に記載の軟磁性部材。
【請求項４】
前記第１の層の厚さをＴ１とした場合に、前記第１の層の厚さＴ１が０．５〜３．０ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の軟磁性部材。
【請求項５】
前記軟磁性部材は、１ＧＨｚにおける複素透磁率の実数部（μ’）が４００以上で、かつ性能指数Ｑ（Ｑ＝μ’／μ”）が１０以上、飽和磁化が１４ｋＧ（１．４Ｔ）以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の軟磁性部材。
【請求項６】
前記第２の層は、Ｃｏを主成分とし、Ｂ，Ｃ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗから選択される少なくとも１種の添加元素を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の軟磁性部材。
【請求項７】
樹脂フィルムと、
前記樹脂フィルム上に形成される軟磁性層と、を含む軟磁性部材であって、
前記軟磁性層は、
ＦｅまたはＦｅＣｏを主成分とし、かつ非結晶質構造を示す第１の層と、
Ｃｏを主成分とし、かつ非結晶質構造を示す第２の層とが交互に積層して構成されることを特徴とする軟磁性部材。
【請求項８】
前記軟磁性層の総厚さは２００〜２０００ｎｍであることを特徴とする請求項７に記載の軟磁性部材。
【請求項９】
高周波用軟磁性部材を有する磁気素子であって、
前記高周波用軟磁性部材は、
フィルムと、
前記フィルム上に形成された軟磁性非結晶質金属層と、を含み、
前記軟磁性非結晶質金属層は、
Ｔ−Ｌ組成物（ただし、Ｔ＝ＦｅまたはＦｅＣｏ、Ｌ＝Ｃ，ＢおよびＮの１種または２種以上）からなる第１の層と、
前記第１の層のいずれかの面側に配置されたＣｏ系非結晶質合金からなる第２の層とが交互に積層された多層膜であることを特徴とする磁気素子。
【請求項１０】
前記フィルムの厚さは、１０〜２００μｍであることを特徴とする請求項９に記載の磁気素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高抵抗かつ高い飽和磁化を有するとともに、ＧＨｚの高周波帯域で高い透磁率および性能指数Ｑを示す軟磁性層が、フィルム上に形成された軟磁性部材に関する。また、この軟磁性部材を適用したインダクタ等の磁気素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ワイヤレス送受信装置や携帯情報端末を中心に、高周波用電子機器の小型化・高密度実装化に対する要求がある。特に、高周波チョークコイル、キャパシタ、抵抗などの電子部品を実装した多層配線基板（例えば、特開２００２−５７４６７号公報）が開発されるなど、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ：Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）またはシステムオンパッケージ（ＳＯＰ：Ｓｙｓｔｅｍ  Ｏｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）への指向が著しい。
こうした多層配線基板に内蔵されているインダクタとしては、空芯コイルからなるインダクタが主に用いられている。このインダクタにおいて高いインダクタンス値を得るために、通常、コイルのターン数を増やす方法が用いられているが、コイルのターン数を増やすと、インダクタのサイズが大きくなる、直流抵抗が大きくなる、等の不具合が生じてしまう。こうした不具合を解消して、多層配線基板に内蔵されるインダクタの小型化・大容量化を図るために、近年、インダクタに磁性材料を導入することが行われている。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−５７４６７号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述した目的に最適な磁性材料の要求条件としては、ＧＨｚ帯域で高い透磁率を有すること、高温熱処理をしなくても特性が発揮できることなどが挙げられるが、こうした特性を備えた磁性材料は未だ得られていない。また、多層配線基板の内部にインダクタを形成するためには、上記したインダクタに導入される磁性薄膜は、フィルム上に形成され、転写・ラミネートができること、が望まれる。しかしながら、従来の磁性薄膜は、残留応力が大きいこと、高温熱処理を採用していること等の理由により、フィルム上に磁性薄膜を形成すると、フィルムが反ってしまうという問題がある。その結果、フィルム上に形成され、転写およびラミネートが可能な高周波用軟磁性部材は未だ得られていない。
一方、大規模集積回路（ＬＳＩ：Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）の集積においては、動作周波数が１ＧＨｚ以上まで高くなっており、配線によるノイズおよび電力消費を低減することが課題となっている。配線によるノイズを低減する方法としては、例えば配線距離を短縮する方法がある。この配線距離を短縮する方法としては、ＬＳＩ直下に受動素子を配置し、接続する方法が考えられる。しかしながら、ＬＳＩ直下のＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）接続におけるＬＳＩチップとパッケージ間の間隔は約１００μｍしかなく、従来のチップ型セラミックス部品では対応ができないという問題がある。このため、厚さ５０μｍ以下の支持部材を用いて薄膜または受動部品を形成する技術が必要とされている。最近の半導体技術では、単結晶基板を厚さ５０μｍまで研磨することも可能ではあるが、精密研磨に大きな費用が発生してしまう。よって、薄膜または受動部品を、薄い安価なフィルム上へ形成するための技術が求められている。
このような実状のもとに本発明は創案されたものであり、その目的は、ＧＨｚ帯域の高周波領域で高い透磁率を有し、かつ高い飽和磁化を有する高周波用磁性薄膜をフィルム上に形成した軟磁性部材を提供することにある。また、本発明は、そのような軟磁性部材を用いた磁気素子を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
かかる目的のもと、ＧＨｚ帯域の高周波領域で、高い透磁率を有し、かつ高い飽和磁化を有するとともに、高い比抵抗を備え、フィルム上に形成可能な磁性薄膜を得るために、本発明者は様々な検討を行った。その結果、Ｔ−Ｌ組成物（ただし、Ｔ＝ＦｅまたはＦｅＣｏ、Ｌ＝Ｃ，ＢおよびＮの１種または２種以上）からなる第１の層と、この第１の層のいずれかの面側に配置されたＣｏ系非結晶質合金からなる第２の層とを組み合わせることにより、高い透磁率および高い飽和磁化を兼備する高周波用磁性薄膜が得られることを知見した。この高周波用磁性薄膜は、高温熱処理をしなくても高い特性を発揮することができるため、フィルム上に形成することも可能である。すなわち、本発明は、フィルムと、このフィルム上に形成された軟磁性層と、を含む軟磁性部材であって、軟磁性層がＴ−Ｌ組成物（ただし、Ｔ＝ＦｅまたはＦｅＣｏ、Ｌ＝Ｃ，ＢおよびＮの１種または２種以上）からなる第１の層と、この第１の層のいずれかの面側に配置されたＣｏ系非結晶質合金からなる第２の層とを備えることを特徴とする軟磁性部材を提供する。本発明の軟磁性部材において、軟磁性層が、複数の第１の層と複数の第２の層とが交互に積層されて多層膜構造をなす形態を採用することができる。
【０００６】
また、本発明の軟磁性部材において、Ｔ−Ｌ組成物からなる第１の層を非結晶質構造とすることが重要である。上述したように、従来の磁性薄膜は、残留応力が大きいこと、高温熱処理を採用していること等の理由により、フィルム上に磁性薄膜を形成すると、フィルムが反ってしまうという問題があった。本発明者は、磁性薄膜の残留応力を低減して、フィルムに形成された際にも反りが生じない磁性薄膜を得るために様々な検討を行った。その結果、第２の層のみならず、第１の層についても非結晶質構造とすることが、磁性薄膜の残留応力を低減する上で極めて有効であることを知見したのである。例えば、第１の層を非結晶質構造とするには、第１の層の厚さＴ１を０．５〜３．０ｎｍの範囲に設定すればよい。
【０００７】
本発明の軟磁性部材によれば、１ＧＨｚにおける複素透磁率の実数部（μ’）が４００以上で、かつ性能指数Ｑ（Ｑ＝μ’／μ”）が１０以上、飽和磁化が１４ｋＧ（１．４Ｔ）以上という優れた特性が得られる。しかも、本発明において、これら特性は成膜したままの状態で得ることができる。つまり、成膜完了からの経過時間を問わないが、成膜後に例えば熱処理等の処理を加えていない状態で測定した値によって、本発明で規定する特性を具備するか否かの判断を行うことができる。ただし、成膜後に熱処理等の処理を加えた場合（フィルムが変形する程度の高温熱処理を除く）であっても、本発明で規定する特性を具備するものが本発明の範囲に含まれることは言うまでもない。以下も同様である。
また、本発明の軟磁性部材において、上述した第２の層は、Ｃｏを主成分とし、Ｂ，Ｃ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗから選択される少なくとも１種の添加元素を含むものとすることができる。
【０００８】
さらに、本発明は、樹脂フィルムと、この樹脂フィルム上に形成される軟磁性層と、を含む軟磁性部材であって、軟磁性層がＦｅまたはＦｅＣｏを主成分とし、かつ非結晶質構造を示す第１の層と、Ｃｏを主成分とし、かつ非結晶質構造を示す第２の層とが交互に積層して構成されることを特徴とする軟磁性部材を提供する。ＦｅまたはＦｅＣｏを主成分とする第１の層と、Ｃｏを主成分とする第２の層とを交互に積層することで、高透磁率および高飽和磁化が達成される。また、上述した第１の層と、第２の層とをともに非結晶質構造とすることで、樹脂フィルムに過度の応力がかかることを未然に防止することができる。このため、本発明に係る軟磁性部材では、樹脂フィルム上に軟磁性層を形成した後においても、樹脂フィルムには反りが生じない。ここで、本発明に係る軟磁性部材では、軟磁性層の総厚さを２００〜２０００ｎｍとすることが望ましい。
【０００９】
さらにまた、本発明は、高周波用軟磁性部材を有する磁気素子であって、高周波用軟磁性部材は、フィルムと、このフィルム上に形成された軟磁性非結晶質金属層とを含み、軟磁性非結晶質金属層は、Ｔ−Ｌ組成物（ただし、Ｔ＝ＦｅまたはＦｅＣｏ、Ｌ＝Ｃ，ＢおよびＮの１種または２種以上）からなる第１の層と、この第１の層のいずれかの面側に配置されたＣｏ系非結晶質合金からなる第２の層とが交互に積層された多層膜であることを特徴とする磁気素子を提供する。本発明の磁気素子としては、インダクタ、トランス等、より具体的には、コイルを挟持するように対向配置された高周波用磁性薄膜を有する磁気素子、ハイブリッドマイクロ波集積回路に用いられるインダクタ、チップサイズパッケージ向けのインダクタ等が挙げられる。
本発明の磁気素子において、フィルムの厚さは１０〜２００μｍとすることが望ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の軟磁性部材について詳細に説明する。
本発明の軟磁性部材１００は、図１の模式的断面図に示されるように、樹脂フィルム（フィルム）１１と、樹脂フィルム１１上に形成された高周波用磁性薄膜（軟磁性層）１から構成される。高周波用磁性薄膜１は、Ｃｏ系非結晶質合金層（第２の層）３とＴ−Ｌ組成物層（第１の層）７とが交互に積層された多層膜構造をなす複合磁性薄膜である。図１に示される実施形態では、高周波用磁性薄膜１として合計６層からなる多層膜構造を例示している。
【００１１】
はじめに、Ｔ−Ｌ組成物層７について説明する。
図１に示したように、Ｔ−Ｌ組成物層７は、Ｃｏ系非結晶質合金層３の一方の面側に配置される。Ｔ−Ｌ組成物層７のＴはＦｅまたはＦｅＣｏであり、ＬはＣ，ＢおよびＮの１種または２種以上である。ＦｅまたはＦｅＣｏを主成分とする合金からなる薄膜は、高い飽和磁化を示すものの、保磁力が大きくかつ非抵抗が小さくなる傾向にあった。そこで本発明は、軟磁気特性を向上することのできるＬ（Ｃ，ＢおよびＮの１種または２種以上）を含有する。
【００１２】
本発明のＴ−Ｌ組成物層７は、その中に含有されるＬ元素（Ｃ，ＢおよびＮの１種または２種以上）濃度が２〜２０ａｔ％、望ましくは４〜１０ａｔ％とされる。Ｌ元素濃度が２ａｔ％未満であると、ｂｃｃ構造の柱状結晶が基板に対して垂直方向に成長しやすくなり、保磁力が大きくなるとともに、比抵抗が小さくなってしまい、良好な高周波特性を得ることが困難となってしまう。この一方で、このＬ元素濃度が２０ａｔ％を超えると、異方性磁界が減少するために共鳴周波数の低下が生じて、高周波用の薄膜として十分に機能することが困難となってしまう。また、ＴとしてはＦｅのみよりもＦｅＣｏを採用するほうが高い飽和磁化が得られることから望ましい。このときのＣｏの含有量は、８０ａｔ％以下の範囲で適宜定めればよいが、２０〜５０ａｔ％の範囲で含有させることが望ましい。また、Ｆｅ、ＦｅＣｏ以外に本発明に悪影響を与えない範囲で他の元素を含有させることを本発明は許容する。
【００１３】
Ｔ−Ｌ組成物層７の厚さ（Ｔ１）は、望ましくは０．５〜３．０ｎｍの範囲内とする。Ｔ１を３．０ｎｍ以下に設定することで、Ｔ−Ｌ組成物層７を非結晶質構造とすることができる。Ｔ−Ｌ組成物層７が非結晶質構造をなすことにより、軟磁気特性の向上および高電気抵抗が達成できる。性能的には、例えば、Ｔ１を０．２ｎｍまで薄くしても性能の低下は起こらない。しかし、Ｔ１が薄くなりすぎると積層回数が増えるため、成膜時間が長くなるという製造上の不具合が生じる。従って、Ｔ１は、０．５ｎｍ以上、さらには１．０ｎｍ以上とすることが望ましい。また、高周波特性に効果を見出すためには、Ｔ−Ｌ組成物層７は、単層膜で飽和磁化１．６Ｔ以上の特性を有することが望ましい。
【００１４】
ここで、厚さＴ１が３．０ｎｍ以下のＦｅ−Ｃ薄膜とＣｏＺｒＮｂ非結晶質合金薄膜とを積層した複合磁性薄膜のＸ線回折結果を図２に示す。図２から分かるように、Ｆｅ−Ｃ薄膜の厚さが３．０ｎｍ以下の積層膜は、Ｆｅ−Ｃのｂｃｃ（１１０）結晶面の回折ピークは典型的な非結晶質のブロードな形状を示す。
【００１５】
次に、Ｃｏ系非結晶質合金層３について説明する。
Ｃｏ系の非結晶質合金は、高透磁率かつ高抵抗（比抵抗が１００〜１５０μΩｃｍ）であるという特徴があるため、高周波域での渦電流損失を抑制する上で有効である。また、Ｃｏ系の合金は他の系の合金に比べて、非結晶質構造を作りやすい、磁歪が小さい、耐酸化性が良いという特徴もある。このため、本発明では、第１の層であるＴ−Ｌ組成物層７に接する第２の層として、Ｃｏ系の非結晶質合金を採用する。Ｃｏ系非結晶質合金層３は、単層膜で透磁率が１０００以上（測定周波数：１０ＭＨｚ）、飽和磁化が１０ｋＧ（１．０Ｔ）以上、比抵抗１００μΩｃｍ以上の特性を有していることが望ましい。
【００１６】
なお、第２の層が非結晶質材料であると、第１の層がその一部に柱状構造を含む場合（例えば、第１の層の厚さが３．０ｎｍを超えるような場合）にも、第２の層によってその柱状構造の成長が分断されるため、連続的な柱状構造にはならない。仮に連続的な柱状構造が存在すると、残留応力が大きくなり、樹脂フィルム１１に過度の応力がかかるため、好ましくない。
【００１７】
本発明における第２の層としてのＣｏ系非結晶質合金層３は、Ｃｏを主成分とし、Ｂ，Ｃ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗから選択される少なくとも１種の添加元素を含んで形成されており、このものは非結晶質相を主体として構成されている。添加元素の割合（２種以上の場合は総和量）は、通常、５〜５０ａｔ％、好ましくは、１０〜３０ａｔ％とされる。添加元素の割合が多くなり過ぎると、飽和磁化が小さくなってしまうという不都合が生じる。逆に、添加元素の割合が少なくなり過ぎると、磁歪の制御が困難となり、有効な軟磁気特性が得られなくなるという不都合が生じる。
【００１８】
Ｃｏ系非結晶質合金層３を構成する好適な組成系の例としては、ＣｏＺｒ，ＣｏＨｆ，ＣｏＮｂ，ＣｏＭｏ，ＣｏＺｒＮｂ，ＣｏＺｒＴａ，ＣｏＦｅＺｒ，ＣｏＦｅＮｂ，ＣｏＴｉＮｂ，ＣｏＺｒＭｏ，ＣｏＦｅＢ，ＣｏＺｒＮｂＭｏ，ＣｏＺｒＭｏＮｉ，ＣｏＦｅＺｒＢ，ＣｏＦｅＳｉＢ，ＣｏＺｒＣｒＭｏなどが挙げられる。
【００１９】
次に、上述したＴ−Ｌ組成物層７と、Ｔ−Ｌ組成物層７のいずれかの面側に配置されたＣｏ系非結晶質合金層３とを組み合わせることにより、高い透磁率および高い飽和磁化を兼備する高周波用磁性薄膜１が得られる理由について述べる。
本発明の高周波用磁性薄膜１は、数１００ＭＨｚ以上の周波数帯域、特に、１ＧＨｚ以上のＧＨｚ周波数帯域で好適に使用される。このような高周波帯域における透磁率（以下、単に「高周波透磁率」と称す）は、試料の様々な物性と複雑に関係する物性である。この透磁率ともっとも関係が密なものとして、異方性磁界と飽和磁化がある。概ね、透磁率と共鳴周波数の積は、異方性磁界の１／２乗および飽和磁化の３／２乗に比例する関係にある。ここで、共鳴周波数は、
【式１】
ｆｒ＝（γ／２π）［Ｈｋ４πＭｓ］１／２      …式（１）
という関係式（１）で表される。式（１）中で、ｆｒは共鳴周波数を表し、γはジャイロ磁気定数を表し、Ｈｋは異方性磁界を表し、４πＭｓは飽和磁化を表している。
【００２０】
従って、材料の異方性磁界および飽和磁化を大きくすることで共鳴周波数を上げ、使用限界周波数を上げることが可能となる。従来のＣｏ系非結晶質合金薄膜の代表的な一例であるＣｏＺｒＮｂ非結晶質合金薄膜の共鳴周波数を２ＧＨｚまで向上させるために必要な異方性磁界を上記式（１）を用いて計算してみる。すると、４４Ｏｅ（３５０１．５２Ａ／ｍ）以上の異方性磁界を必要とすることが算出される。この算出結果により、通常、１５Ｏｅ（１１９３．７Ａ／ｍ）程度の異方性磁界しか持たない当該膜を、ＧＨｚ周波数帯域へ応用することは困難であることが分かる。ところが、２ＧＨｚの共鳴周波数を実現するために必要とされる異方性磁界は、飽和磁化が、１４ｋＧ（１．４Ｔ）の場合は３６Ｏｅ（２８６４．８８Ａ／ｍ）、１８ｋＧ（１．８Ｔ）の場合は２８Ｏｅ（２２２８．２４Ａ／ｍ）となり、飽和磁化および結晶磁気異方性が大きいＦｅ系合金またはＦｅＣｏ系合金との組み合わせにより必要な飽和磁化および異方性磁界を実現することが期待できる。
【００２１】
従来より、ＦｅあるいはＦｅＣｏを主成分とする合金は高飽和磁化を示す材料として広く知られていた。しかしながら、Ｆｅ系またはＦｅＣｏ系合金の磁性薄膜をスパッタなどの成膜技術により作製すると、飽和磁化は高いものの、保磁力が大きく、また比抵抗が小さくなってしまい良好な高周波特性を得ることが困難であった。その主原因としては、以下のことが考えられていた。すなわち、図３に示すように、スパッタなどで成膜したＦｅ系またはＦｅＣｏ系の薄膜１０１は、基板３０１の垂直方向に柱状に成長しており、この柱状構造に起因する垂直磁気異方性の発生が問題とされていた。それに加え、基板３０１に代えて、薄い樹脂フィルム１１を使用した場合には、柱状構造に起因する残留応力のために、樹脂フィルム１１が大きく反ってしまうという問題が生じていた。
【００２２】
しかしながら、本発明者らが鋭意研究したところ、Ｆｅに所定量のＣ（炭素）を添加したＦｅ−Ｃ薄膜では、その厚さを規制することで、Ｆｅ−Ｃ薄膜を非結晶質（アモルファス）構造とすることができることを知見した。つまり、本発明者がＦｅ−Ｃ薄膜の成長過程を綿密に調査したところ、厚さ３ｎｍ以下程度までの膜成長初期段階においては、結晶粒径が３ｎｍ以下の微結晶状態になる。さらに、不安定な表面の割合が多くなるため、非結晶質（アモルファス）の特徴が現れるのである。このことを、図４を用いて説明する。
【００２３】
図４は、厚さ５０ｎｍのＦｅ−Ｃ薄膜１２１を基板１２０上に形成させた様子を模式的に示す図である。この状態では、Ｆｅ−Ｃ薄膜１２１は基板１２０上に形成された非結晶質構造部分１２１ａと、非結晶質構造部分１２１ａ上に形成される柱状構造部分１２１ｂとから構成される。非結晶質であることは、Ｘ線回折により、Ｆｅ−Ｃ薄膜の場合にはＦｅ−Ｃのｂｃｃ（１１０）結晶面の回折ピークが現れないことから判断すればよい。このような非結晶質構造の薄膜は、柱状構造にならないことはもちろん、非結晶質構造に起因する高抵抗（１００μΩｃｍ以上）特性が得られる。しかも、主に柱状構造の存在に起因する残留応力を、低減することができる。したがって、Ｆｅ−Ｃ薄膜とＣｏ系非結晶質合金薄膜と積層する形態を採択すれば、軟磁気特性はもちろん高抵抗化が実現でき、ＧＨｚ帯域における透磁率が大きいとともに、渦電流損失が抑制され性能指数が大きい磁性薄膜を得ることができる。また、この磁性薄膜全体が非結晶質構造となるようにＦｅ−Ｃ薄膜の厚さを規定すれば、基板１２０として薄い樹脂フィルム１１を用いた場合であっても、樹脂フィルム１１に過度の応力がかかることがなくなる。これにより、樹脂フィルム１１の反りを防止しつつ、高特性な磁性薄膜を樹脂フィルム１１上に形成することが可能となる。なお、樹脂フィルム１１が反った状態では、軟磁性部材１００を薄型インダクタとして用いることが困難となる。軟磁性部材１００を転写またはラミネートすることが困難となる、等の問題が生じるため、好ましくない。
以上、Ｆｅ−Ｃ薄膜を例にして、Ｆｅ−Ｃ薄膜とＣｏ系非結晶質合金薄膜との積層が有効であることを詳述したが、以上の事項はＦｅ−Ｃ薄膜に限らず、ＦｅＣｏ−Ｃ薄膜、さらにはＣをＢまたはＮで置換した場合でも有効である。
【００２４】
以上の理由から、軟磁気特性に優れているＣｏ系非結晶質合金層３を、高飽和磁化かつ高異方性磁界を持つＴ−Ｌ組成物層７のいずれかの面側に配置することによって、高い透磁率および高い飽和磁化を兼備することが可能となる。また、高い透磁率および高い飽和磁化を兼備する磁性薄膜を、樹脂フィルム１１上に形成することが可能、換言すれば、樹脂フィルム１１と磁性薄膜とからなる高特性の軟磁性部材１００を得ることが可能となる。
具体的には、Ｔ−Ｌ組成物層７およびＣｏ系非結晶質合金層３を交互に積層することにより、１ＧＨｚにおける複素透磁率の実数部（μ’）が４００以上で、かつ性能指数Ｑ（Ｑ＝μ’／μ”）が１０以上、飽和磁化が１４ｋＧ（１．４Ｔ）以上の高周波用磁性薄膜１を得ることができる。しかも、このような高い磁気特性を維持した状態で、１３０μΩｃｍという高い比抵抗をも得ることができる。なお、ＧＨｚ領域（１ＧＨｚ）で複素透磁率の実数部（μ’）はできるだけ大きな値をとることが望まれ、特に上限値はない。同様に、飽和磁化についてもできるだけ大きな値をとることが望まれ、特に上限値はない。また、比抵抗についても特に上限値はないが、比抵抗が大きくなりすぎると軟磁気特性および高飽和磁化特性を失う観点から、上限を１０００μΩｃｍ以下程度とすることが望ましい。
【００２５】
以上の特性を得るためには、Ｔ−Ｌ組成物層７の厚さ（Ｔ１）を３．０ｎｍ以下（０を含まず）、望ましくは０．５〜３．０ｎｍの範囲とする。Ｔ−Ｌ組成物層７の厚さをこの範囲とすることで、上述したように柱状構造の発生を抑えることができる。これにより、柱状構造に起因する問題点が解消できるため、良好な軟磁性特性を得ることができる。
また、Ｔ１を０．５〜３．０ｎｍの範囲とするとともに、Ｃｏ系非結晶質合金層３の厚さＴ２を、Ｔ１／Ｔ２が０．８〜３．０の範囲になるように設定することが望ましい。Ｔ１／Ｔ２が、３．０を超えると、Ｆｅ−Ｃの粒子が大きく成長してしまい、１３０μΩｃｍ以上の高い比抵抗が得られなくなるとともに、Ｃｏ系非結晶質合金層３の割合が少なくなってしまい、高い軟磁気特性を得ることが困難となる。一方、Ｔ１／Ｔ２が０．８未満となると、高飽和磁化であるＴ−Ｌ組成物層７の割合が少なくなってしまい、共鳴周波数の高周波数化が困難となってしまう。Ｔ１／Ｔ２の好ましい値は１．０〜３．０、より好ましくは１．０〜２．５である。上記のＴ１、およびＴ１／Ｔ２を本発明の範囲内とすることで、比抵抗が１３０μΩｃｍ以上で、かつ１ＧＨｚにおける複素透磁率の実数部（μ’）が４００以上、性能指数Ｑ（Ｑ＝μ’／μ”）が１０以上、飽和磁化が１４ｋＧ（１．４Ｔ）以上という極めて優れた特性を有する複合薄膜の実現が可能となる。なお、このような特性は、前述したように、熱処理等を施さない成膜したままの状態で測定される。
【００２６】
本発明の軟磁性部材１００、つまり樹脂フィルム１１上に高周波用磁性薄膜１が形成された軟磁性部材１００において、Ｔ−Ｌ組成物層７およびＣｏ系非結晶質合金層３の合計積層回数に関する制限はないが、通常、５〜３０００回、好ましくは１０〜７００回程度とされる。高周波用磁性薄膜１の中で同一種類（Ｔ−Ｌ組成物層７またはＣｏ系非結晶質合金層３）の膜は、通常、同じ膜厚となるように形成される。ただし、稀なケースとして、同一種類の膜であっても、積層箇所によって成膜厚さを他の部分と異ならしめることがあり得る。極端な例として、例えば、中間付近のＴ−Ｌ組成物層７の膜厚を２０ｎｍ、上下のＴ−Ｌ組成物層７の２層の膜厚をそれぞれ５ｎｍとするような仕様も場合によってはあり得る。このような場合、本発明におけるＴ−Ｌ組成物層７の膜厚は算術平均の厚さ（Ｔｆ）により算出すればよい。上記例では、算術平均値であるＴｆ＝１０ｎｍという数値を採択して、例えばＴｆ／Ｔｃ（ＴｃはＣｏ系非結晶質合金層３の膜厚の算術平均値）を求めるようにすればよい。また、本発明の高周波用磁性薄膜１は、Ｃｏ系非結晶質合金層３およびＴ−Ｌ組成物層７以外の層を配設することを許容する。
【００２７】
このような本発明の高周波用磁性薄膜１の厚さは、２００〜２０００ｎｍ、好ましくは３００〜１０００ｎｍとされる。この値が、２００ｎｍ未満であると、平面型磁気素子に応用する場合、所望のパワーを担うことが困難になるという不都合が生じ得る。また、後述の図８および図９に示される磁性薄膜を備える有芯コイルの形態としても、空芯コイルに比べてインダクタンスの増加が１０％未満となる傾向が生じ、磁性薄膜の効果が十分発揮できないという不都合が生じる。また、この値が、２０００ｎｍを超えると、表皮効果による高周波損失が顕著になり、ＧＨｚ帯域の損失が増大するという不都合が生じ得る。
【００２８】
本発明の高周波用磁性薄膜１は、真空薄膜形成方法、特にスパッタ法により形成されることが好ましい。より具体的には、ＲＦスパッタ、ＤＣスパッタ、マグネトロンスパッタ、イオンビームスパッタ、誘導結合ＲＦプラズマ支援スパッタ、ＥＣＲスパッタ、対向ターゲット式スパッタ、多元同時スパッタなどが用いられる。
【００２９】
Ｃｏ系非結晶質合金層３を形成するためのターゲットとしては、Ｃｏターゲット上に、所望の添加元素のペレットを配置した複合ターゲットを用いたり、所望の添加成分を含有するＣｏ合金のターゲットを用いればよい。
Ｔ−Ｌ組成物層７を形成するためのターゲットとしては、Ｆｅ（またはＦｅＣｏ合金）ターゲットの上にＬ元素のペレットを配置した複合ターゲットを用いるか、Ｆｅ（またはＦｅＣｏ）とＬ元素の合金ターゲットを用いればよい。Ｌ元素の濃度調整は、例えば、Ｌ元素ペレットの量を調整するようにすればよい。
なお、スパッタリングはあくまで本発明の一態様であり、他の薄膜作成プロセスを適用できることは言うまでもない。本発明の高周波用磁性薄膜１の具体的な成膜方法については、後述の実施例を参照されたい。
【００３０】
続いて、図１に示したように、高周波用磁性薄膜１が形成される樹脂フィルム１１について説明する。
本発明の高周波用磁性薄膜１が形成される樹脂フィルム１１（図１）としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレンコポリマー、テトラフルオロエチレン−パーフロロアルキルビニルエーテルコポリマー、テトラフルオロエチレン−エチレンコポリマー、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニルなどのフッ素樹脂からなるプラスチックフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリエステルフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリサルフォンフィルム、ポリエーテルサルフォンフィルム、ポリアミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポリフェニレンスルフィドフィルムなどの公知のプラスチックフィルムが挙げられる。なかでも、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、二軸延伸ポリプロピレン（ＯＰＰ）フィルム、メチルペンテンコポリマー（ＰＴＸ）フィルム、フッ素樹脂フィルムなどが好ましい。なお、フッ素樹脂フィルムは、フッ化エチレン（１Ｆ）、３フッ化エチレン（３Ｆ）および４フッ化エチレン（４Ｆ）からなるフィルムが好ましい。
また、樹脂フィルム１１の厚さは約１０〜２００μｍ、望ましくは約１５〜１５０μｍとする。
【００３１】
本発明の軟磁性部材１００は、上述してきたように極めて優れた高周波特性を有するとともに室温で成膜したままの状態でその性能が発揮できる。そのため、ハイブリッドマイクロ波集積回路、多層配線基板、特に、チップサイズパッケージ向けのインダクタを作成する際に、好適に用いられる。
【００３２】
続いて、本発明の高周波用磁性薄膜１を適用した磁気素子の具体例を示す。
平面型の磁気素子をインダクタに応用した一例を図５および図６に示す。図５は、インダクタの平面図を模式的に示したものであり、図６は図５のＡ−Ａ矢視断面を模式的に示した図面である。
【００３３】
これらの図面に示されるインダクタ（磁気素子）３００は、樹脂フィルム１１、この樹脂フィルム１１の両面にスパイラル状に形成された平面コイル３２，３２と、これらの平面コイル３２，３２と樹脂フィルム１１面を覆うように形成された絶縁膜３３，３３と、これの各々の絶縁膜３３，３３の上を覆うように形成された一対の本発明の高周波用磁性薄膜１とを備えている。そして、上記２つの平面コイル３２，３２は、樹脂フィルム１１の略中央部分に形成されたスルーホール３５を介して電気的に接続されている。さらに、樹脂フィルム１１の両面の平面コイル３２，３２からそれぞれ接続のための端子３６が樹脂フィルム１１の外方に引き出されている。このようなインダクタ３００は、一対の高周波用磁性薄膜１によって、絶縁膜３３，３３を介して平面コイル３２，３２を挟むように構成されているので、接続端子３６，３６間にインダクタが形成される。
このように形成されたインダクタ３００は、小型かつ薄型軽量で、特に１ＧＨｚ以上の高周波帯域で優れたインダクタンスを示す。
なお、上記説明したインダクタ３００において、平面コイル３２を並列的に複数設けることによりトランスを形成することができる。
【００３４】
本発明の平面型磁気素子をインダクタに応用した他の好適な実施の形態を図７に示す。図７は、インダクタの断面を模式的に示したものである。この図に示されるようにインダクタ（磁気素子）４００は、樹脂フィルム１１と、この樹脂フィルム１１の上に必要に応じて形成される酸化膜４２と、この酸化膜４２の上に形成された本発明の高周波用磁性薄膜（軟磁性層）１ａと、この高周波用磁性薄膜１ａの上に形成された絶縁膜４３を備え、さらにこの絶縁膜４３の上に形成された平面コイル４４と、これらの平面コイル４４と絶縁膜４３を覆うように形成された絶縁膜４５と、この絶縁膜４５の上に形成された本発明の高周波用磁性薄膜（軟磁性層）１ｂとを有している。このように形成されたインダクタ４００もやはり、小型かつ薄型軽量で、特に１ＧＨｚ以上の高周波帯域で優れたインダクタンスを示す。そしてこのようなインダクタ４００において、平面コイル４４を並列的に複数設けることによりトランスを形成することができる。
【００３５】
ところで、薄膜インダクタなどの平面型磁気素子においては、それぞれの素子の設計仕様に応じた最適な透磁率を提供することが要望される。高周波帯域における透磁率は、異方性磁界と相関が高く、高周波帯域における透磁率は異方性磁界の逆数に比例する。高周波帯域における高透磁率を実現するためには、磁性薄膜面内で一軸異方性を有することが必要である。また、薄膜インダクタなどの平面型磁気素子では、磁性薄膜の飽和磁化が高いほど直流重畳特性の向上が期待できる。そのため、飽和磁化の大きさは、高周波用磁性薄膜１の設計において重要なパラメータといえる。
【００３６】
続いて、本発明の軟磁性部材１００を適用した磁気素子の具体例を示す。
平面型の磁気素子をＭＭＩＣ（モノリシックマイクロ波集積回路）用インダクタに応用した一例を図８および図９に示す。図８は、インダクタの導体層部分を抜き出した平面図を模式的に示したものであり、図９は図８のＡ−Ａ矢視断面を模式的に示した図面である。
【００３７】
これらの図面で示しているインダクタ（磁気素子）２００は、樹脂フィルム１１と、その樹脂フィルム１１の上に形成された高周波用磁性薄膜１ａと、この高周波用磁性薄膜１ａの上に形成された絶縁膜１２を備え、さらにこの絶縁膜１２の上に形成されたスパイラルコイル１３と、このスパイラルコイル１３と絶縁膜１２を覆うように形成された絶縁膜１４と、この絶縁膜１４の上に形成された本発明の高周波用磁性薄膜１ｂとを有している。また、スパイラルコイル１３は配線１５を介して一対の電極１６に接続されている。そして、スパイラルコイル１３を囲むように設けられた一対のグラウンドパターン１７は、それぞれ一対のグラウンド電極１８に接続され、グラウンド−シグナル−グラウンド（Ｇ−Ｓ−Ｇ）タイプのプローブにより、ウェハ上で周波数特性を評価する形状を有している。
【００３８】
本実施の形態にかかるインダクタ２００においては、磁芯となる高周波用磁性薄膜１ａ、１ｂでもってスパイラルコイル１３が挟み込まれた有芯構造を採用しているため、スパイラルコイル１３が同じ形状でありながらも高周波用磁性薄膜１ａ、１ｂが形成されていない空芯構造のインダクタに比べ、インダクタンス値が５０％以上向上される。したがって、同じインダクタンス値を得るために必要なスパイラルコイル１３の占有面積は小さくてもよいことになり、その結果としてスパイラルコイル１３の小型化・高容量化が実現される。なお、本実施例の場合、樹脂フィルム１１を含めた素子全体の厚さは約４５μｍ以上約１８０μｍ以下（例：樹脂フィルム１１厚さ１５〜１５０μｍ＋高周波用磁性薄膜１ａ厚さ０．５μｍ＋絶縁膜１２厚さ１０μｍ＋絶縁膜１４厚さ１０μｍ＋高周波用磁性薄膜１ｂ厚さ０．５μｍ）に制御することができる。
【００３９】
【実施例】
以下、具体的実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
【００４０】
〔実施例１〕
以下の成膜手法に従って本発明の高周波用磁性薄膜を作製した。
図１に示した基板となる樹脂フィルム１１としては、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用いた。
対向ターゲット式スパッタ装置を用いて、下記の要領で基板上に高周波用磁性薄膜を成膜（ｄｅｐｏｓｉｔ）させた。すなわち、対向ターゲット式スパッタ装置内を８×１０−５Ｐａまで予備排気した後、圧力が１０ＰａになるまでＡｒガスを導入した。続いて、１００ＷのＲＦパワーで１０分間、樹脂フィルム表面をスパッタエッチングした。次いで、圧力が０．４ＰａになるようにＡｒガスの流量を調整し、３００ＷのパワーでＣｏ８７Ｚｒ５Ｎｂ８ターゲット、およびＦｅターゲット上にＣ（炭素）ペレットを配置した複合ターゲットを、順次交互に繰り返しスパッタリングして後述する仕様からなる高周波用磁性薄膜１としての複合磁性薄膜を成膜（ｄｅｐｏｓｉｔ）させた。
【００４１】
成膜時には基板となる樹脂フィルム１１に−４０〜−８０ＶのＤＣバイアスを印加した。また、ターゲット表面の不純物の影響を防止するためにシャッターを閉めた状態で１０分以上プリスパッタリングを行った。その後、シャッターを開けることにより樹脂フィルム１１上に成膜を行った。成膜速度（ｒａｔｅ）は、ＣｏＺｒＮｂ層の成膜時で０．３３ｎｍ／秒、Ｆｅ−Ｃ層の成膜時で０．２７ｎｍ／秒とした。シャッターの開閉時間を制御することで交互に積層される各層の膜厚を調整した。樹脂フィルム１１上の第１層目としてＣｏＺｒＮｂ層を成膜した後、その上にＦｅ−Ｃ層を形成し、以下順次ＣｏＺｒＮｂ層とＦｅ−Ｃ層とを交互に積層した。成膜中に樹脂フィルム１１の温度制御は行っていないが、樹脂フィルム１１の温度は、総膜厚が５００ｎｍになるまで成膜する間に３０℃まで上昇した。
【００４２】
このような成膜手法に基づき、厚さ１．０ｎｍのＣｏＺｒＮｂ層と、厚さ１．０ｎｍのＦｅ−Ｃ層（炭素濃度：５ａｔ％）とを交互に２５０回ずつ順次積層して総膜厚５００ｎｍ（合計５００層）の本発明の複合磁性薄膜（実施例１）を形成した。成膜後、大気中に取り出した軟磁性部材１００の断面模式図を図１０に示す。軟磁性部材１００を構成する樹脂フィルム１１は、高周波用磁性薄膜１を成膜する前と同様に平らな状態が維持されており、ハサミを用いて簡単に物性評価に必要なサイズに切断できた。
【００４３】
次に、Ｘ線回折および透過型電子顕微鏡により、複合磁性膜の構造を確認した。その結果、結晶面からの反射は観測されず、複合磁性膜を構成するＦｅ−Ｃ層およびＣｏＺｒＮｂ層はともに非結晶質であることが確認された。結晶面からの反射が観測されなかった理由は、Ｆｅ−Ｃ層の厚さを１．０ｎｍとしたこと、ＣｏＺｒＮｂ層によってＦｅ−Ｃ層の粒成長が抑制されたこと、が原因であると考えられる。
【００４４】
成膜後に測定された磁化曲線を図１１に示した。図１１に示される磁化曲線から明らかなように、積層膜では面内一軸磁気異方性が観察されており、飽和磁化として１４．３ｋＧ（１．４３Ｔ）、磁化容易軸の保磁力として０．６Ｏｅ（４７．８Ａ／ｍ）、磁化困難軸の保磁力として０．８Ｏｅ（６３．７Ａ／ｍ）が得られた。
さらに、この複合磁性薄膜の高周波透磁率特性を図１２に示した。図１２に示されるグラフより、共鳴周波数は測定限界の２ＧＨｚを超えており、ＧＨｚ領域で複素透磁率の実数部（μ’）が５００以上であることがわかる。また性能指数Ｑ（Ｑ＝μ’／μ”）は１ＧＨｚでは１５の値が得られ、２ＧＨｚでは７の値が得られた。なお、高周波透磁率の測定は、薄膜高周波透磁率測定装置（成瀬科学器機、ＰＨＦ―Ｆ１０００）を用い、磁気特性は振動試料型磁力計（理研電子、ＢＨＶ―３５）を用いて測定した。また、４短針抵抗器（マイクロスイス、４短針プローブヘッド付き、エヌピイエス、Σ−５）を用いて比抵抗を測定したところ、１５０μΩｃｍの値が得られた。なお、磁気特性および比抵抗の測定方法は、後述の実施例でも同様である。
【００４５】
〔実施例２〕
上記実施例１の成膜手法に基づき、厚さ１．５ｎｍのＣｏＺｒＮｂ層と、厚さ１．５ｎｍのＦｅ−Ｃ層（炭素濃度：５ａｔ％）とを交互に１７０層ずつ順次積層して総膜厚５１０ｎｍ（合計３４０層）の本発明の複合磁性薄膜（実施例２）を形成した。
Ｘ線回折および透過型電子顕微鏡により、複合磁性膜の構造を確認した。その結果、結晶面からの反射は観測されず、複合磁性膜を構成するＦｅ−Ｃ層およびＣｏＺｒＮｂ層はともに非結晶質であることが確認された。
【００４６】
成膜後に測定された磁化曲線を図１３に示した。図１３に示される磁化曲線から明らかなように、積層膜では面内一軸磁気異方性が観察されており、飽和磁化として１５．５ｋＧ（１．５５Ｔ）、磁化容易軸の保磁力として０．６Ｏｅ（４７．８Ａ／ｍ）、磁化困難軸の保磁力として０．８Ｏｅ（６３．７Ａ／ｍ）が得られた。
また、この複合磁性薄膜の高周波透磁率特性を図１４に示した。図１４に示されるグラフによれば、複素透磁率の実数部（μ’）が１ＧＨｚでは７２０の値が得られ、１．５ＧＨｚでは１０５５の値が得られた。また、性能指数Ｑ（Ｑ＝μ’／μ”）は１ＧＨｚでは１３の値が得られており、１．５ＧＨｚでは５の値が得られた。また、比抵抗を測定したところ、１３０μΩｃｍの値が得られた。
【００４７】
〔実施例３〕
上記実施例１の成膜手法に基づき、厚さ１．０ｎｍのＣｏＺｒＮｂ層と、厚さ２．０ｎｍのＦｅ−Ｃ層（炭素濃度：５ａｔ％）とを交互に１７０層ずつ順次積層して総膜厚５１０ｎｍ（合計３４０層）の本発明の複合磁性薄膜（実施例３）を形成した。
Ｘ線回折および透過型電子顕微鏡により、複合磁性膜の構造を確認した。その結果、結晶面からの反射は観測されず、複合磁性膜を構成するＦｅ−Ｃ層およびＣｏＺｒＮｂ層はともに非結晶質であることが確認された。
【００４８】
成膜後に測定された磁化曲線を図１５に示した。図１５に示される磁化曲線から明らかなように、積層膜では面内一軸磁気異方性が観察されており、飽和磁化として１４．８ｋＧ（１．４８Ｔ）、磁化容易軸の保磁力として０．７Ｏｅ（５５．７Ａ／ｍ）、磁化困難軸の保磁力として１．０Ｏｅ（７９．６Ａ／ｍ）が得られた。
また、この複合磁性薄膜の高周波透磁率特性を図１６に示した。図１６に示されるグラフによれば、複素透磁率の実数部（μ’）が１ＧＨｚでは５００以上の値が得られ、１．５ＧＨｚでは７７５の値が得られた。また、性能指数Ｑ（Ｑ＝μ’／μ”）は１ＧＨｚでは２４の値が得られており、１．５ＧＨｚでは８．５の値が得られた。また、比抵抗を測定したところ、１４５μΩｃｍの値が得られた。
【００４９】
〔比較例１〕
上記実施例１において、厚さ５００ｎｍの複合磁性薄膜を、厚さ５００ｎｍのＦｅ−Ｃの単層膜に変えた。それ以外は、上記実施例１と同様にして、比較例の磁性薄膜（比較例１）を形成した。
その結果、図１７の断面模式図に示すように、磁性薄膜１１１ａが形成された樹脂フィルム１１が大きく反ってしまい、物性評価が困難であった。この磁性薄膜１１１ａの透過型電子顕微鏡による断面像を図１８に示すが、Ｆｅ−Ｃ層は主に柱状結晶粒から構成されており、柱状構造の成長による残留応力が、反りの原因であることがわかった。
【００５０】
〔実施例４〕
上記実施例１において、Ｃｏ系非結晶質合金層の組成であるＣｏ８７Ｚｒ５Ｎｂ８を、Ｃｏ８９Ｚｒ６Ｔａ５に変えた。それ以外は、上記実施例１と同様にして、本発明の複合磁性薄膜（実施例４）を形成した。
【００５１】
〔実施例５〕
上記実施例１において、Ｃｏ系非結晶質合金層の組成であるＣｏ８７Ｚｒ５Ｎｂ８を、Ｃｏ８０Ｆｅ９Ｚｒ３Ｂ８に変えた。それ以外は、上記実施例１と同様にして、本発明の複合磁性薄膜（実施例５）を形成した。
【００５２】
〔実施例６〕
上記実施例１において、Ｆｅ−Ｃ層をＦｅ−Ｂ層に変えた。それ以外は、上記実施例１と同様にして、本発明の複合磁性薄膜（実施例６）を形成した。なお、実施例６では、Ｆｅ９５Ｂ５合金ターゲットを用いることにより、Ｆｅ−Ｂ層を形成した。
【００５３】
〔実施例７〕
上記実施例１において、Ｆｅ−Ｃ層をＦｅ−Ｂ−Ｎ層に変えた。それ以外は、上記実施例１と同様にして、本発明の複合磁性薄膜（実施例７）を形成した。なお、Ｆｅ９５Ｂ５合金ターゲットを用いるとともに、スパッタリング中にＮガスをスパッタ装置のチャンバ内に導入することにより、Ｆｅ−Ｂ−Ｎ層を形成した。
【００５４】
〔実施例８〕
上記実施例１において、Ｆｅ−Ｃ層をＦｅ−Ｂ−Ｃ層に変えた。それ以外は、上記実施例１と同様にして、本発明の複合磁性薄膜（実施例８）を形成した。なお、Ｆｅ９５Ｂ５合金ターゲットを用いることにより、Ｆｅ−Ｂ−Ｃ層を形成した。
【００５５】
〔実施例９〕
上記実施例１において、Ｆｅ−Ｃ層をＦｅ−Ｃ−Ｎ層に変えた。それ以外は、上記実施例１と同様にして、本発明の複合磁性薄膜（実施例９）を形成した。なお、スパッタリング中にＮガスをスパッタ装置のチャンバ内に導入することにより、Ｆｅ−Ｃ−Ｎ層を形成した。
【００５６】
実施例４〜９で得られた複合磁性薄膜の磁気特性、高周波透磁率特性および比抵抗をそれぞれ測定した。また、樹脂フィルム１１の反りの有無を目視で確認した。それらの結果を表１にまとめて示す。なお、比較の便宜のために、表１には実施例１〜３の特性も併せて示す。
【００５７】
【表１】
2004235355.tif 000003
【００５８】
表１の実施例４〜９から、Ｔ−Ｌ組成物層７を構成する膜にはＣのみならずＢおよび／またはＮを適用できることがわかる。
【００５９】
〔実施例１０〕
上記実施例１において、Ｆｅ−Ｃ層をＦｅＣｏ−Ｃ層に変えた。それ以外は、上記実施例１と同様にして、本発明の複合磁性薄膜（実施例１０）を形成した。なお、Ｆｅ７０Ｃｏ３０ターゲット上にＣ（炭素）ペレットを配置した複合ターゲットを用いることにより、ＦｅＣｏ−Ｃ層を形成した。
【００６０】
〔実施例１１〕
上記実施例１において、Ｆｅ−Ｃ層をＦｅＣｏ−Ｂ層に変えた。それ以外は、上記実施例１と同様にして、本発明の複合磁性薄膜（実施例１１）を形成した。なお、Ｆｅ６５Ｃｏ３０Ｂ５合金ターゲットを用いることにより、ＦｅＣｏ−Ｂ層を形成した。
【００６１】
〔実施例１２〕
上記実施例１において、Ｆｅ−Ｃ層をＦｅＣｏ−Ｂ−Ｎ層に変えた。それ以外は、上記実施例１と同様にして、本発明の複合磁性薄膜（実施例１２）を形成した。なお、Ｆｅ６５Ｃｏ３０Ｂ５合金ターゲットを用いるとともに、スパッタリング中にＮガスをスパッタ装置のチャンバ内に導入することにより、ＦｅＣｏ−Ｂ−Ｎ層を形成した。
【００６２】
〔実施例１３〕
上記実施例１において、Ｆｅ−Ｃ層をＦｅＣｏ−Ｂ−Ｃ層に変えた。それ以外は、上記実施例１と同様にして、本発明の複合磁性薄膜（実施例１３）を形成した。なお、Ｆｅ６５Ｃｏ３０Ｂ５合金ターゲット上にＣ（炭素）ペレットを配置した複合ターゲットを用いることにより、ＦｅＣｏ−Ｂ−Ｃ層を形成した。
【００６３】
〔実施例１４〕
上記実施例１において、Ｆｅ−Ｃ層をＦｅＣｏ−Ｃ−Ｎ層に変えた。それ以外は、上記実施例１と同様にして、本発明の複合磁性薄膜（実施例１４）を形成した。なお、Ｆｅ７０Ｃｏ３０ターゲット上にＣ（炭素）ペレットを配置した複合ターゲットを用いるとともに、スパッタリング中にＮガスをスパッタ装置のチャンバ内に導入することにより、ＦｅＣｏ−Ｃ−Ｎ層を形成した。
【００６４】
実施例１０〜１４で得られた複合磁性薄膜の磁気特性、高周波透磁率特性および比抵抗をそれぞれ測定した。また、樹脂フィルム１１の反りの有無を目視で確認した。それらの結果を表２にまとめて示す。なお、磁気特性、高周波透磁率特性および比抵抗の測定条件は、上述の場合と同様である。
【００６５】
【表２】
2004235355.tif 000004
【００６６】
表２の実施例１０〜１４から、Ｔ−Ｌ組成物層７のＴの部分を、ＦｅＣｏとすることも有効であることがわかる。ここで、実施例１０〜１４はいずれも１６ｋＧ（１．６０Ｔ）以上の飽和磁化を示していることが注目される。よって、Ｔ−Ｌ組成物層７のＴの部分を、ＦｅＣｏとすることは、磁気特性の向上に特に有効であることが確認された。
【００６７】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、ＧＨｚ帯域の高周波領域で高い透磁率を有し、かつ高い飽和磁化を有する高周波用磁性薄膜をフィルム上に形成した軟磁性部材を得ることができる。また本発明によれば、そのような軟磁性部材を用いた磁気素子が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の軟磁性部材の断面図である。
【図２】厚さＴ１が３．０ｎｍ以下のＦｅ−Ｃ薄膜とＣｏＺｒＮｂ非結晶質合金薄膜とを積層した複合磁性薄膜のＸ線回折結果を示す図である。
【図３】Ｆｅ系またはＦｅＣｏ系薄膜の結晶粒の状態を示す断面模式図である。
【図４】厚さ５０ｎｍのＦｅ−Ｃ薄膜を基板上に形成させた様子を模式的に示す図である。
【図５】本実施の形態の高周波用磁性薄膜が適用されたインダクタの一例を示す平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図７】本実施の形態の高周波用磁性薄膜が適用されたインダクタの他の例を示す断面図である。
【図８】本発明の軟磁性部材が適用されたインダクタの一例を示す平面図である。
【図９】図８のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図１０】成膜後、大気中に取り出した軟磁性部材の断面模式図である。
【図１１】実施例１サンプルの磁化曲線である。
【図１２】実施例１サンプルの高周波透磁率特性を示すグラフである。
【図１３】実施例２サンプルの磁化曲線である。
【図１４】実施例２サンプルの高周波透磁率特性を示すグラフである。
【図１５】実施例３サンプルの磁化曲線である。
【図１６】実施例３サンプルの高周波透磁率特性を示すグラフである。
【図１７】比較例１サンプルの断面模式図である。
【図１８】比較例１サンプルの断面模式図である。
【符号の説明】
１，１ａ，１ｂ…高周波用磁性薄膜（軟磁性層）、３…Ｃｏ系非結晶質合金層（第２の層）、７…Ｔ−Ｌ組成物層（第１の層）、１１…樹脂フィルム（フィルム）、１００…軟磁性部材、２００，３００，４００…インダクタ（磁気素子）
【図１】
2004235355.tif 000005
【図２】
2004235355.tif 000006
【図３】
2004235355.tif 000007
【図４】
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【図５】
2004235355.tif 000009
【図６】
2004235355.tif 000010
【図７】
2004235355.tif 000011
【図８】
2004235355.tif 000012
【図９】
2004235355.tif 000013
【図１０】
2004235355.tif 000014
【図１１】
2004235355.tif 000015
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2004235355.tif 000019
【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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