(57)【要約】【課題】下位互換性の高い相変化型光記録媒体に対する高い線速での記録を可能とする。【解決手段】相変化型光記録媒体に対して、対をなす加熱パルスと冷却パルスとによって構成される幅Ｔのパルス部を複数有して、一対の加熱パルスおよび冷却パルスを有する先頭部と、１ないし複数対の加熱パルスおよび冷却パルスを有する中間部と、後端で一対の加熱パルスおよび冷却パルスを有する後端部とによって構成されるパルス列にしたがう発光波形の光を光ピックアップから照射させることにより記録マークを形成する光記録装置で、後端部の冷却パルスにおいて光ピックアップから照射させる光の照射パワーＰｂ１と、先頭部および中間部の冷却パルスにおいて光ピックアップから照射させる光の照射パワーＰｂ２とを異ならせるようにした。【選択図】　　図２
2004110884.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相変化型光記録媒体に対して光を照射する光ピックアップと、
前記光ピックアップに対して前記相変化型光記録媒体を相対的に移動させる相対移動手段と、
周期Ｔの基準クロックを発生させるクロック発生手段と、
前記光ピックアップを駆動制御することで、対をなす加熱パルスＯＰｉと冷却パルスＦＰｉとによって構成される幅Ｔ（Ｔ＝ＯＰｉ＋ＦＰｉ）のパルス部をｉ個（ｉ＝１，…，ｍ）有して、先頭のパルス部である先頭部の加熱パルスおよび冷却パルスの各パルス幅をＯＰ１，ＦＰ１、続く中間のパルス部である中間部の加熱パルスおよび冷却パルスの各パルス幅をＯＰｊ，ＦＰｊ（ｊ＝２，…，ｍ−１）、後端のパルス部である後端部の加熱パルスおよび冷却パルスの各パルス幅をＯＰｍ，ＦＰｍ（ただし、ｍ＝ｎ−２，ｎは２以上の整数）とするパルス列にしたがう発光波形の光を前記光ピックアップから照射させることにより、時間的な長さがｎＴである記録マークを前記相変化型光記録媒体に形成する記録手段と、
を具備し、
前記記録手段は、前記後端部の冷却パルスにおいて前記光ピックアップから照射させる光の照射パワーＰｂ１と、前記先頭部および前記中間部の冷却パルスにおいて前記光ピックアップから照射させる光の照射パワーＰｂ２とを異ならせるようにした光記録装置。
【請求項２】
消去パワーＰｅの光を前記光ピックアップから照射させることにより前記相変化型光記録媒体に形成された記録マークを消去する消去手段と、
再生パワーＰｒの光を前記光ピックアップから照射させることにより前記相変化型光記録媒体に形成された記録マークを再生する再生手段と、
を具備し、
前記記録手段は、前記パルス列中の加熱パルスにおいて前記光ピックアップから照射させる光の照射パワーＰｗと、消去パワーＰｅと、照射パワーＰｂ１と、照射パワーＰｂ２との関係を、
Ｐｗ＞Ｐｅ≧Ｐｂ１＞Ｐｂ２
とし、かつ、再生パワーＰｒと、照射パワーＰｂ１と、照射パワーＰｂ２との関係を、
Ｐｂ１＞Ｐｒ≧Ｐｂ２
とする請求項１記載の光記録装置。
【請求項３】
前記記録手段は、前記相変化型光記録媒体に対する記録が可能な記録線速Ｖが中間線速から最高線速Ｖｍａｘまでの範囲における照射パワーＰｗと、消去パワーＰｅと、再生パワーＰｒと、照射パワーＰｂ１と、照射パワーＰｂ２との関係を、
Ｐｗ＞Ｐｅ≧Ｐｂ１＞Ｐｂ２，
Ｐｂ１＞Ｐｒ≧Ｐｂ２，
ただし、Ｐｂ１＝Ｐｂ２＋（Ｐｅ−Ｐｂ２）＊（２Ｖ−Ｖｍａｘ）／Ｖｍａｘ
とし、記録線速Ｖが最低線速から中間線速までの範囲における照射パワーＰｂ１と照射パワーＰｂ２との関係を、
Ｐｂ１＝Ｐｂ２
とする請求項１または２記載の光記録装置。
【請求項４】
前記記録手段は、前記先頭部の加熱パルス，前記中間部の加熱パルス，前記後端部の加熱パルスの開始時間を、基準クロックの基準位置から−０．５Ｔ〜０．５Ｔの間でそれぞれ変動させる請求項１、２または３記載の光記録装置。
【請求項５】
前記記録手段は、前記先頭部の加熱パルスの開始時間を前記基準位置から−０．５Ｔ〜０．２Ｔの間で変動させる請求項１ないし４のいずれか一に記載の光記録装置。
【請求項６】
前記記録手段は、前記先頭部の加熱パルスにおいて前記光ピックアップから照射させる照射パワーＰｗ１と、前記中間部の加熱パルスにおいて前記光ピックアップから照射させる照射パワーＰｗ２と、前記後端部の加熱パルスにおいて前記光ピックアップから照射させる照射パワーＰｗ３とを、すべて同じとするか、すべて異ならせるか、または、いずれか２つを同じとする請求項１ないし５のいずれか一記載の光記録装置。
【請求項７】
前記記録手段は、前記先頭部の加熱パルス幅ＯＰ１を０．３Ｔ≦ＯＰ１≦０．８Ｔとし、前記中間部および前記後端部の加熱パルス幅ＯＰｊ，ＯＰｍを、前記相変化型光記録媒体に対する記録が可能な記録線速Ｖが最低線速から中間線速までの範囲では０．２Ｔ≦ＯＰｊ，ＯＰｍ≦０．６Ｔとし、記録線速Ｖが中間線速度から最高線速までの範囲では０．３Ｔ≦ＯＰｊ，ＯＰｍ≦０．７Ｔとする請求項１ないし６のいずれか一に記載の光記録装置。
【請求項８】
前記記録手段は、前記後端部の冷却パルス幅ＦＰｍを０≦ＦＰｍ≦１．５Ｔとする請求項１ないし７のいずれか一に記載の光記録装置。
【請求項９】
前記記録手段は、照射パワーＰｂ１と照射パワーＰｂ２との関係を記録線速Ｖに依らず、
Ｐｂ１＝Ｐｂ２
とし、前記先頭部の加熱パルス，前記中間部の加熱パルス，前記後端部の加熱パルスの開始時間を、基準クロックの基準位置から−０．５Ｔ〜０．５Ｔの間でそれぞれ変動させる請求項１または２記載の光記録装置。
【請求項１０】
前記先頭部の加熱パルスの開始時間を、前記基準位置から−０．５Ｔ〜０．２Ｔの間で変動させる請求項９記載の光記録装置。
【請求項１１】
前記記録手段は、前記相変化型光記録媒体に対する記録が可能な記録線速Ｖが中間線速から最高線速までの範囲での消去パワーＰｅと記録パワーＰｗとの比Ｐｅ／Ｐｗを、記録パワーＰｗ毎に変える請求項９または１０記載の記録装置。
【請求項１２】
前記記録手段は、前記相変化型光記録媒体に対する記録が可能な記録線速Ｖが中間線速から最高線速までの範囲での消去パワーＰｅを記録パワーＰｗに依らずに一定とする請求項１ないし１１のいずれか一に記載の記録装置。
【請求項１３】
相変化型光記録媒体に対して光を照射する光ピックアップと、前記光ピックアップに対して前記相変化型光記録媒体を相対的に移動させる相対移動手段と、周期Ｔの基準クロックを発生させるクロック発生手段と、を具備する光記録装置を用いた光記録方法において、
前記光ピックアップを駆動制御することで、対をなす加熱パルスＯＰｉと冷却パルスＦＰｉとによって構成される幅Ｔ（Ｔ＝ＯＰｉ＋ＦＰｉ）のパルス部をｉ個（ｉ＝１，…，ｍ）有して、先頭のパルス部である先頭部の加熱パルスおよび冷却パルスの各パルス幅をＯＰ１，ＦＰ１、続く中間のパルス部である中間部の加熱パルスおよび冷却パルスの各パルス幅をＯＰｊ，ＦＰｊ（ｊ＝２，…，ｍ−１）、後端のパルス部である後端部の加熱パルスおよび冷却パルスの各パルス幅をＯＰｍ，ＦＰｍ（ただし、ｍ＝ｎ−２，ｎは２以上の整数）とするパルス列にしたがう発光波形の光を前記光ピックアップから照射させることにより、時間的な長さがｎＴである記録マークを前記相変化型光記録媒体に形成する際に、前記後端部の冷却パルスにおいて前記光ピックアップから照射させる光の照射パワーＰｂ１と、前記先頭部および前記中間部の冷却パルスにおいて前記光ピックアップから照射させる光の照射パワーＰｂ２とを異ならせるようにしたことを特徴とする光記録方法。
【請求項１４】
前記パルス列中の加熱パルスにおいて前記光ピックアップから照射させる光の照射パワーＰｗと、前記光ピックアップから照射させることにより前記相変化型光記録媒体に形成された記録マークを消去する消去パワーＰｅと、照射パワーＰｂ１と、照射パワーＰｂ２との関係を、
Ｐｗ＞Ｐｅ≧Ｐｂ１＞Ｐｂ２
とし、かつ、前記光ピックアップから照射させることにより前記相変化型光記録媒体に形成された記録マークを再生する再生パワーＰｒと、照射パワーＰｂ１と、照射パワーＰｂ２との関係を、
Ｐｂ１＞Ｐｒ≧Ｐｂ２
とするようにしたことを特徴とする請求項１３記載の光記録方法。
【請求項１５】
前記相変化型光記録媒体に対する記録が可能な記録線速Ｖが中間線速から最高線速Ｖｍａｘまでの範囲における照射パワーＰｗと、消去パワーＰｅと、再生パワーＰｒと、照射パワーＰｂ１と、照射パワーＰｂ２との関係を、
Ｐｗ＞Ｐｅ≧Ｐｂ１＞Ｐｂ２，
Ｐｂ１＞Ｐｒ≧Ｐｂ２，
ただし、Ｐｂ１＝Ｐｂ２＋（Ｐｅ−Ｐｂ２）＊（２Ｖ−Ｖｍａｘ）／Ｖｍａｘ
とし、記録線速Ｖが最低線速から中間線速までの範囲における照射パワーＰｂ１と照射パワーＰｂ２との関係を、
Ｐｂ１＝Ｐｂ２
とするようにしたことを特徴とする請求項１３または１４記載の光記録方法。
【請求項１６】
前記先頭部の加熱パルス，前記中間部の加熱パルス，前記後端部の加熱パルスの開始時間を、基準クロックの基準位置から−０．５Ｔ〜０．５Ｔの間でそれぞれ変動させるようにしたことを特徴とする請求項１３、１４または１５記載の光記録方法。
【請求項１７】
前記先頭部の加熱パルスの開始時間を前記基準位置から−０．５Ｔ〜０．２Ｔの間で変動させるようにしたことを特徴とする請求項１３ないし１６のいずれか一に記載の光記録方法。
【請求項１８】
前記先頭部の加熱パルスにおいて前記光ピックアップから照射させる照射パワーＰｗ１と、前記中間部の加熱パルスにおいて前記光ピックアップから照射させる照射パワーＰｗ２と、前記後端部の加熱パルスにおいて前記光ピックアップから照射させる照射パワーＰｗ３とを、すべて同じとするか、すべて異ならせるか、または、いずれか２つを同じとするようにしたことを特徴とする請求項１３ないし１７のいずれか一記載の光記録方法。
【請求項１９】
前記先頭部の加熱パルス幅ＯＰ１を０．３Ｔ≦ＯＰ１≦０．８Ｔとし、前記中間部および前記後端部の加熱パルス幅ＯＰｊ，ＯＰｍを、前記相変化型光記録媒体に対する記録が可能な記録線速Ｖが最低線速から中間線速までの範囲では０．２Ｔ≦ＯＰｊ，ＯＰｍ≦０．６Ｔとし、記録線速Ｖが中間線速度から最高線速までの範囲では０．３Ｔ≦ＯＰｊ，ＯＰｍ≦０．７Ｔとするようにしたことを特徴とする請求項１３ないし１８のいずれか一に記載の光記録方法。
【請求項２０】
前記後端部の冷却パルス幅ＦＰｍを０≦ＦＰｍ≦１．５Ｔとするようにしたことを特徴とする請求項１３ないし１９のいずれか一に記載の光記録方法。
【請求項２１】
照射パワーＰｂ１と照射パワーＰｂ２との関係を記録線速Ｖに依らず、
Ｐｂ１＝Ｐｂ２
とし、前記先頭部の加熱パルス，前記中間部の加熱パルス，前記後端部の加熱パルスの開始時間を、基準クロックの基準位置から−０．５Ｔ〜０．５Ｔの間でそれぞれ変動させるようにしたことを特徴とする請求項１３または１４記載の光記録方法。
【請求項２２】
前記先頭部の加熱パルスの開始時間を、前記基準位置から−０．５Ｔ〜０．２Ｔの間で変動させるようにしたことを特徴とする請求項２１記載の光記録方法。
【請求項２３】
前記相変化型光記録媒体に対する記録が可能な記録線速Ｖが中間線速から最高線速までの範囲での消去パワーＰｅと記録パワーＰｗとの比Ｐｅ／Ｐｗを、記録パワーＰｗ毎に変えるようにしたことを特徴とする請求項２１または２２記載の記録方法。
【請求項２４】
前記相変化型光記録媒体に対する記録が可能な記録線速Ｖが中間線速から最高線速までの範囲での消去パワーＰｅを記録パワーＰｗに依らずに一定とするようにしたことを特徴とする請求項１３ないし２３のいずれか一に記載の記録方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録装置および光記録方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年では、画像データ等のように大容量のデータを扱うようになってきている。このため、今後、大容量の記録媒体がますます要求されるのは言うまでもない。
【０００３】
このような大容量のデータの扱いに際しては、データの記録再生を高速化することが要求されている。そして、大容量であるとともに高速記録が可能であり、また、ＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ−ＲＯＭ等の記録媒体との互換性が高いことから、ＣＤ，ＤＶＤ等の記録媒体の中で書き換え型の記録媒体として用いられている相変化型光記録媒体が普及してきている。
【０００４】
ＣＤ，ＤＶＤの書き換え型記録媒体である相変化型光記録媒体に対しては、ＣＤ−ＲＯＭ，ＣＤ−Ｒにおける著しい高速化に伴い、さらなる高速化が要求されている。
【０００５】
ところで、高速（高線速）記録に対応した記録媒体は、低速（低線速）記録に対応した記録媒体に対応する低速ドライブでも記録できることが望ましい。高線速記録に対応している記録媒体であるＣＤ−Ｒは、低速ドライブでも記録することが可能であり、広い線速範囲での記録をカバーできている。
【０００６】
ここで、高線速で記録するためには、より高い記録パワーの出せるレーザが必要になるが、低速ドライブに搭載されているレーザ光のパワーは、高線速記録に対応した高速ドライブに搭載されているレーザ光のパワーより低いのが普通である。このため、高線速記録に対応した相変化型光記録媒体に対して、低線速でより低い記録パワーで記録を行なうことは、カバーしようとする記録線速範囲が広がれば広がるほど難しくなる。
【０００７】
また、ＣＤ，ＤＶＤの書き換え型記録媒体として用いられている相変化型光記録媒体では、ＣＤ−ＲＯＭあるいはＤＶＤ−ＲＯＭとの互換を確保する必要があるため高い感度を維持する必要があり、例えば、反射率を極端に下げるといった対策を講じることはできない。
【０００８】
ここ数年の間に商品化されている相変化型光記録媒体としての書き換え可能型ＤＶＤにおいては、２．４Ｘが最高線速であり、これより高線速に対応した相変化型光記録媒体およびこの相変化型光記録媒体に対応したドライブはない。また、２．４Ｘに対応した高線速記録対応の相変化型記録媒体でも、低速ドライブで記録できる、いわゆる、下位互換可能な高線速記録対応の相変化型記録媒体はない。
【０００９】
下位互換可能な高線速記録対応の相変化型記録媒体を実現するために、相変化型光記録層に用いられる材料としては、例えば、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の材料が挙げられる。中でも、Ｓｂ−Ｔｅ系の状態図に示されているＳｂ：Ｔｅ＝７０：３０（原子比）付近の共晶組成を基本に、Ａｇ，Ｉｎ、Ｇｅを添加したＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系は、高密度、高線速記録をしても繰り返し記録（オーバーライト）特性に優れた記録材料である。また、相変化型光記録層を形成する材料には、高温環境下における記録マークの保存性の高いＧｅ−Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の材料が挙げられる。さらに、相変化型光記録層を形成する材料には、Ｇｅ−Ｍｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｍｎ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇａ系の材料が挙げられる。
【００１０】
一方で、高線速記録に対応した記録媒体に対して下位互換を可能とする記録方法として、例えば、書き換え型ＣＤで用いられている方法として、ＰＷＭ記録の際に変調後信号幅ｎＴの０信号の記録、書き換え時の記録波をｅの連続波とし、変調後信号幅ｎＴの１信号の記録、書き換え時の記録パルス列を、時間幅ｘと値ａのｆｐと、合計時間がＴとなる値ｂと値ｃとが交互にデューティ比ｙでｎ−ｎ’回連続するｍｐと、時間幅ｚと値ｄのｏｐとし、ｘ，ｙ，ｚを０．５Ｔ≦ｘ≦２Ｔ、０．４≦ｙ≦０．６、０．５Ｔ≦ｚ≦１Ｔ、ｎ’をｎ’≦ｎの正の整数とし、（ａ、ｃ）＞ｅ＞（ｂ、ｄ）とすることで、記録信号品質とオーバーライト繰り返し時の安定性の向上、信頼性、汎用性の向上を達成するようにした技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【００１１】
特に、書き換え型ＤＶＤに対して、ＣＡＶで記録特性を得るためのレーザ光のパルス状発光波形におけるパルス幅を制御するようにした技術として、ＳｂＴｅにＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂのうちの１種以上を添加した相変化型記録を有する光記録媒体を用い、これに記録マークを形成する際、レーザー光の発光波形を複数のオンパルスとこれに続くオフパルスからなる記録パルス列とし、内周から外周あるいは外周から内周へ記録半径位置に対応して連続的に記録周波数ν（ν＝１／Ｔｗ；Ｔｗはウインドウ幅）を変化させて記録することにより、高記録線速度で高密度記録を行なうことができるようにした技術がある（例えば、特許文献２参照）。
【００１２】
【特許文献１】
特開平９−１３８９４７号公報
【特許文献２】
特開２０００−３２２７４０公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述したように、相変化型光記録層材料や媒体の構成等により高線速記録対応の記録媒体に対する下位互換を可能にした場合、高線速側、特に最高線速側において十分な記録特性が得にくいという問題が生じる。例えば、ＤＶＤと等速の線速３．４９ｍ／ｓからその４倍である１４ｍ／ｓ（１３．９６ｍ／ｓ）までの記録線速での記録ができる書き換え型のＤＶＤディスクに対して、等速から２．４倍速（８．４４ｍ／ｓ）を下位ドライブで記録する場合、４倍の記録線速のオーバーライト特性が十分でなく、記録パワーに対するマージンが狭くなってしまう。
【００１４】
すなわち、下位互換性を優先すると、相変化型光記録媒体の記録線速に対する結晶化速度のうち最高線速に対する結晶化速度が遅くなり、非晶質相が形成され易くなる。このため、繰り返し記録を行なう場合に前の記録マークを消しにくくなり、十分な繰り返し記録特性が得にくくなるのである。
【００１５】
これに対し、消去パワーを上げることによって結晶化させ易くすることが可能になるが、消去パワーを必要以上に上げると却って非晶質相を形成させ易くなってしまう。
【００１６】
本発明の目的は、下位互換性の高い相変化型光記録媒体に対する高い線速での記録を可能とすることである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明の光記録装置は、相変化型光記録媒体に対して光を照射する光ピックアップと、前記光ピックアップに対して前記相変化型光記録媒体を相対的に移動させる相対移動手段と、周期Ｔの基準クロックを発生させるクロック発生手段と、前記光ピックアップを駆動制御することで、対をなす加熱パルスＯＰｉと冷却パルスＦＰｉとによって構成される幅Ｔ（Ｔ＝ＯＰｉ＋ＦＰｉ）のパルス部をｉ個（ｉ＝１，…，ｍ）有して、先頭のパルス部である先頭部の加熱パルスおよび冷却パルスの各パルス幅をＯＰ１，ＦＰ１、続く中間のパルス部である中間部の加熱パルスおよび冷却パルスの各パルス幅をＯＰｊ，ＦＰｊ（ｊ＝２，…，ｍ−１）、後端のパルス部である後端部の加熱パルスおよび冷却パルスの各パルス幅をＯＰｍ，ＦＰｍ（ただし、ｍ＝ｎ−２，ｎは２以上の整数）とするパルス列にしたがう発光波形の光を前記光ピックアップから照射させることにより、時間的な長さがｎＴである記録マークを前記相変化型光記録媒体に形成する記録手段と、を具備し、前記記録手段は、前記後端部の冷却パルスにおいて前記光ピックアップから照射させる光の照射パワーＰｂ１と、前記先頭部および前記中間部の冷却パルスにおいて前記光ピックアップから照射させる光の照射パワーＰｂ２とを異ならせるようにした。
【００１８】
したがって、低線速で低パワーでの記録を可能にする再結晶化速度が設定されている相変化型光記録媒体に対して、設定されている再結晶化速度以上の高線速で記録する場合にも、非晶質相を形成し易くすることができる。
【００１９】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の光記録装置において、消去パワーＰｅの光を前記光ピックアップから照射させることにより前記相変化型光記録媒体に形成された記録マークを消去する消去手段と、再生パワーＰｒの光を前記光ピックアップから照射させることにより前記相変化型光記録媒体に形成された記録マークを再生する再生手段と、を具備し、前記記録手段は、前記パルス列中の加熱パルスにおいて前記光ピックアップから照射させる光の照射パワーＰｗと、消去パワーＰｅと、照射パワーＰｂ１と、照射パワーＰｂ２との関係を、Ｐｗ＞Ｐｅ≧Ｐｂ１＞Ｐｂ２とし、かつ、再生パワーＰｒと、照射パワーＰｂ１と、照射パワーＰｂ２との関係を、Ｐｂ１＞Ｐｒ≧Ｐｂ２とする。
【００２０】
したがって、高線速になる程非晶質相を形成し易くしているために繰り返し記録（オーバーライト）に際しての消去比が低下するような相変化型光記録媒体に対しても、繰り返し記録に際しての消去比を向上させることができる。
【００２１】
請求項３記載の発明は、請求項１または２記載の光記録装置において、前記記録手段は、前記相変化型光記録媒体に対する記録が可能な記録線速Ｖが中間線速から最高線速Ｖｍａｘまでの範囲における照射パワーＰｗと、消去パワーＰｅと、再生パワーＰｒと、照射パワーＰｂ１と、照射パワーＰｂ２との関係を、Ｐｗ＞Ｐｅ≧Ｐｂ１＞Ｐｂ２，Ｐｂ１＞Ｐｒ≧Ｐｂ２，ただし、Ｐｂ１＝Ｐｂ２＋（Ｐｅ−Ｐｂ２）＊（２Ｖ−Ｖｍａｘ）／Ｖｍａｘとし、記録線速Ｖが最低線速から中間線速までの範囲における照射パワーＰｂ１と照射パワーＰｂ２との関係を、Ｐｂ１＝Ｐｂ２とする。
【００２２】
したがって、高線速になる程非晶質相を形成し易くしている相変化型光記録媒体に対して、特に、高線速側での繰り返し記録に際しての消去比を向上させることができる。
【００２３】
請求項４記載の発明は、請求項１、２または３記載の光記録装置において、前記記録手段は、前記先頭部の加熱パルス，前記中間部の加熱パルス，前記後端部の加熱パルスの開始時間を、基準クロックの基準位置から−０．５Ｔ〜０．５Ｔの間でそれぞれ変動させる。
【００２４】
したがって、記録マーク長を制御して、記録マークが不用意に長くなることを抑制することができる。
【００２５】
請求項５記載の発明は、請求項１ないし４のいずれか一に記載の光記録装置において、前記記録手段は、前記先頭部の加熱パルスの開始時間を前記基準位置から−０．５Ｔ〜０．２Ｔの間で変動させる。
【００２６】
したがって、記録マークの先端部をより正確に制御することができる。
【００２７】
請求項６記載の発明は、請求項１ないし５のいずれか一記載の光記録装置において、前記記録手段は、前記先頭部の加熱パルスにおいて前記光ピックアップから照射させる照射パワーＰｗ１と、前記中間部の加熱パルスにおいて前記光ピックアップから照射させる照射パワーＰｗ２と、前記後端部の加熱パルスにおいて前記光ピックアップから照射させる照射パワーＰｗ３とを、すべて同じとするか、すべて異ならせるか、または、いずれか２つを同じとする。
【００２８】
したがって、基本的には、照射パワーＰｗ１，Ｐｗ２，Ｐｗ３を同じとするが、いずれの場合にも繰り返し記録特性を改善することができる。
【００２９】
請求項７記載の発明は、請求項１ないし６のいずれか一に記載の光記録装置において、前記記録手段は、前記先頭部の加熱パルス幅ＯＰ１を０．３Ｔ≦ＯＰ１≦０．８Ｔとし、前記中間部および前記後端部の加熱パルス幅ＯＰｊ，ＯＰｍを、前記相変化型光記録媒体に対する記録が可能な記録線速Ｖが最低線速から中間線速までの範囲では０．２Ｔ≦ＯＰｊ，ＯＰｍ≦０．６Ｔとし、記録線速Ｖが中間線速度から最高線速までの範囲では０．３Ｔ≦ＯＰｊ，ＯＰｍ≦０．７Ｔとする。
【００３０】
したがって、先頭部の加熱パルス幅ＯＰ１に加えて、中間部および後端部の加熱パルス幅ＯＰｊ，ＯＰｍを記録線速Ｖに応じて制御することにより、記録線速Ｖに依存することなく良好な繰り返し記録特性を得ることができる。
【００３１】
請求項８記載の発明は、請求項１ないし７のいずれか一に記載の光記録装置において、前記記録手段は、前記後端部の冷却パルス幅ＦＰｍを０≦ＦＰｍ≦１．５Ｔとする。
【００３２】
したがって、高線速記録である程短くする方が好ましい後端部の冷却パルスを制御することで、記録マーク長の制御が可能になる。
【００３３】
請求項９記載の発明は、請求項１または２記載の光記録装置において、前記記録手段は、照射パワーＰｂ１と照射パワーＰｂ２との関係を記録線速Ｖに依らず、Ｐｂ１＝Ｐｂ２とし、前記先頭部の加熱パルス，前記中間部の加熱パルス，前記後端部の加熱パルスの開始時間を、基準クロックの基準位置から−０．５Ｔ〜０．５Ｔの間でそれぞれ変動させる。
【００３４】
したがって、照射パワーＰｂ１と照射パワーＰｂ２と記録線速Ｖに依らず等しくすることで光ピックアップの駆動制御を容易化しつつ、先頭部の加熱パルス，中間部の加熱パルス，後端部の加熱パルスの開始時間を制御することで、高線速になる程非晶質相を形成し易くしている相変化型光記録媒体に対して、高線速側での繰り返し記録特性を向上させることができる。
【００３５】
請求項１０記載の発明は、請求項９記載の光記録装置において、前記先頭部の加熱パルスの開始時間を、前記基準位置から−０．５Ｔ〜０．２Ｔの間で変動させる。
【００３６】
したがって、記録マークの先端部をより正確に制御することができる。
【００３７】
請求項１１記載の発明は、請求項９または１０記載の記録装置において、前記記録手段は、前記相変化型光記録媒体に対する記録が可能な記録線速Ｖが中間線速から最高線速までの範囲での消去パワーＰｅと記録パワーＰｗとの比Ｐｅ／Ｐｗを、記録パワーＰｗ毎に変える。
【００３８】
したがって、Ｐｅ／Ｐｗを一定にした場合には低い記録パワーでの記録に際しての消去パワーも低下するために２回目記録（繰り返し記録１回目）の記録特性が劣化し、消去パワーの低下を防止するために消去パワーを一定にした場合には高記録パワーでの消去パワーが不足するという不具合が生じるが、Ｐｅ／Ｐｗを記録パワーＰｗ毎に変えることにより記録パワーＰｗに依らず繰り返し記録特性を改善することができる。
【００３９】
請求項１２記載の発明は、請求項１ないし１１のいずれか一に記載の記録装置において、前記記録手段は、前記相変化型光記録媒体に対する記録が可能な記録線速Ｖが中間線速から最高線速までの範囲での消去パワーＰｅを記録パワーＰｗに依らずに一定とする。
【００４０】
したがって、低記録パワー側で求められる消去パワーに固定すると高記録パワーでの消去パワーが不足するという不具合が生じるが、中間線速から最高線速までの範囲での消去パワーＰｅを記録パワーＰｗに依らずに一定とすることで、消去パワーＰｅを一定にした場合にも消去パワーを不足させることなく、処理を容易化することができる。
【００４１】
請求項１３記載の発明の光記録方法は、相変化型光記録媒体に対して光を照射する光ピックアップと、前記光ピックアップに対して前記相変化型光記録媒体を相対的に移動させる相対移動手段と、周期Ｔの基準クロックを発生させるクロック発生手段と、を具備する光記録装置を用いた光記録方法において、前記光ピックアップを駆動制御することで、対をなす加熱パルスＯＰｉと冷却パルスＦＰｉとによって構成される幅Ｔ（Ｔ＝ＯＰｉ＋ＦＰｉ）のパルス部をｉ個（ｉ＝１，…，ｍ）有して、先頭のパルス部である先頭部の加熱パルスおよび冷却パルスの各パルス幅をＯＰ１，ＦＰ１、続く中間のパルス部である中間部の加熱パルスおよび冷却パルスの各パルス幅をＯＰｊ，ＦＰｊ（ｊ＝２，…，ｍ−１）、後端のパルス部である後端部の加熱パルスおよび冷却パルスの各パルス幅をＯＰｍ，ＦＰｍ（ただし、ｍ＝ｎ−２，ｎは２以上の整数）とするパルス列にしたがう発光波形の光を前記光ピックアップから照射させることにより、時間的な長さがｎＴである記録マークを前記相変化型光記録媒体に形成する際に、前記後端部の冷却パルスにおいて前記光ピックアップから照射させる光の照射パワーＰｂ１と、前記先頭部および前記中間部の冷却パルスにおいて前記光ピックアップから照射させる光の照射パワーＰｂ２とを異ならせるようにした。
【００４２】
したがって、低線速で低パワーでの記録を可能にする再結晶化速度が設定されている相変化型光記録媒体に対して、設定されている再結晶化速度以上の高線速で記録する場合にも、非晶質相を形成し易くすることができる。
【００４３】
請求項１４記載の発明は、請求項１３記載の光記録方法において、前記パルス列中の加熱パルスにおいて前記光ピックアップから照射させる光の照射パワーＰｗと、前記光ピックアップから照射させることにより前記相変化型光記録媒体に形成された記録マークを消去する消去パワーＰｅと、照射パワーＰｂ１と、照射パワーＰｂ２との関係を、Ｐｗ＞Ｐｅ≧Ｐｂ１＞Ｐｂ２とし、かつ、前記光ピックアップから照射させることにより前記相変化型光記録媒体に形成された記録マークを再生する再生パワーＰｒと、照射パワーＰｂ１と、照射パワーＰｂ２との関係を、Ｐｂ１＞Ｐｒ≧Ｐｂ２とするようにした。
【００４４】
したがって、高線速になる程非晶質相を形成し易くしているために繰り返し記録（オーバーライト）に際しての消去比が低下するような相変化型光記録媒体に対しても、繰り返し記録に際しての消去比を向上させることができる。
【００４５】
請求項１５記載の発明は、請求項１３または１４記載の光記録方法において、前記相変化型光記録媒体に対する記録が可能な記録線速Ｖが中間線速から最高線速Ｖｍａｘまでの範囲における照射パワーＰｗと、消去パワーＰｅと、再生パワーＰｒと、照射パワーＰｂ１と、照射パワーＰｂ２との関係を、Ｐｗ＞Ｐｅ≧Ｐｂ１＞Ｐｂ２，Ｐｂ１＞Ｐｒ≧Ｐｂ２，ただし、Ｐｂ１＝Ｐｂ２＋（Ｐｅ−Ｐｂ２）＊（２Ｖ−Ｖｍａｘ）／Ｖｍａｘとし、記録線速Ｖが最低線速から中間線速までの範囲における照射パワーＰｂ１と照射パワーＰｂ２との関係を、Ｐｂ１＝Ｐｂ２とするようにした。
【００４６】
したがって、高線速になる程非晶質相を形成し易くしている相変化型光記録媒体に対して、特に、高線速側での繰り返し記録に際しての消去比を向上させることができる。
【００４７】
請求項１６記載の発明は、請求項１３、１４または１５記載の光記録方法において、前記先頭部の加熱パルス，前記中間部の加熱パルス，前記後端部の加熱パルスの開始時間を、基準クロックの基準位置から−０．５Ｔ〜０．５Ｔの間でそれぞれ変動させるようにした。
【００４８】
したがって、記録マーク長を制御して、記録マークが不用意に長くなることを抑制することができる。
【００４９】
請求項１７記載の発明は、請求項１３ないし１６のいずれか一に記載の光記録方法において、前記先頭部の加熱パルスの開始時間を前記基準位置から−０．５Ｔ〜０．２Ｔの間で変動させるようにした。
【００５０】
したがって、記録マークの先端部をより正確に制御することができる。
【００５１】
請求項１８記載の発明は、請求項１３ないし１７のいずれか一記載の光記録方法において、前記先頭部の加熱パルスにおいて前記光ピックアップから照射させる照射パワーＰｗ１と、前記中間部の加熱パルスにおいて前記光ピックアップから照射させる照射パワーＰｗ２と、前記後端部の加熱パルスにおいて前記光ピックアップから照射させる照射パワーＰｗ３とを、すべて同じとするか、すべて異ならせるか、または、いずれか２つを同じとするようにした。
【００５２】
したがって、基本的には、照射パワーＰｗ１，Ｐｗ２，Ｐｗ３を同じとするが、いずれの場合にも繰り返し記録特性を改善することができる。
【００５３】
請求項１９記載の発明は、請求項１３ないし１８のいずれか一に記載の光記録方法において、前記先頭部の加熱パルス幅ＯＰ１を０．３Ｔ≦ＯＰ１≦０．８Ｔとし、前記中間部および前記後端部の加熱パルス幅ＯＰｊ，ＯＰｍを、前記相変化型光記録媒体に対する記録が可能な記録線速Ｖが最低線速から中間線速までの範囲では０．２Ｔ≦ＯＰｊ，ＯＰｍ≦０．６Ｔとし、記録線速Ｖが中間線速度から最高線速までの範囲では０．３Ｔ≦ＯＰｊ，ＯＰｍ≦０．７Ｔとするようにした。
【００５４】
したがって、先頭部の加熱パルス幅ＯＰ１に加えて、中間部および後端部の加熱パルス幅ＯＰｊ，ＯＰｍを記録線速Ｖに応じて制御することにより、記録線速Ｖに依存することなく良好な繰り返し記録特性を得ることができる。
【００５５】
請求項２０記載の発明は、請求項１３ないし１９のいずれか一に記載の光記録方法において、前記後端部の冷却パルス幅ＦＰｍを０≦ＦＰｍ≦１．５Ｔとするようにした。
【００５６】
したがって、高線速記録である程短くする方が好ましい後端部の冷却パルスを制御することで、記録マーク長の制御が可能になる。
【００５７】
請求項２１記載の発明は、請求項１３または１４記載の光記録方法において、照射パワーＰｂ１と照射パワーＰｂ２との関係を記録線速Ｖに依らず、Ｐｂ１＝Ｐｂ２とし、前記先頭部の加熱パルス，前記中間部の加熱パルス，前記後端部の加熱パルスの開始時間を、基準クロックの基準位置から−０．５Ｔ〜０．５Ｔの間でそれぞれ変動させるようにした。
【００５８】
したがって、照射パワーＰｂ１と照射パワーＰｂ２と記録線速Ｖに依らず等しくすることで光ピックアップの駆動制御を容易化しつつ、先頭部の加熱パルス，中間部の加熱パルス，後端部の加熱パルスの開始時間を制御することで、高線速になる程非晶質相を形成し易くしている相変化型光記録媒体に対して、高線速側での繰り返し記録特性を向上させることができる。
【００５９】
請求項２２記載の発明は、請求項２１記載の光記録方法において、前記先頭部の加熱パルスの開始時間を、前記基準位置から−０．５Ｔ〜０．２Ｔの間で変動させるようにした。
【００６０】
したがって、記録マークの先端部をより正確に制御することができる。
【００６１】
請求項２３記載の発明は、請求項２１または２２記載の記録方法において、前記相変化型光記録媒体に対する記録が可能な記録線速Ｖが中間線速から最高線速までの範囲での消去パワーＰｅと記録パワーＰｗとの比Ｐｅ／Ｐｗを、記録パワーＰｗ毎に変えるようにした。
【００６２】
したがって、Ｐｅ／Ｐｗを一定にした場合には低い記録パワーでの記録に際しての消去パワーも低下するために２回目記録（繰り返し記録１回目）の記録特性が劣化し、消去パワーの低下を防止するために消去パワーを一定にした場合には高記録パワーでの消去パワーが不足するという不具合が生じるが、Ｐｅ／Ｐｗを記録パワーＰｗ毎に変えることにより記録パワーＰｗに依らず繰り返し記録特性を改善することができる。
【００６３】
請求項２４記載の発明は、請求項１３ないし２３のいずれか一に記載の記録方法において、前記相変化型光記録媒体に対する記録が可能な記録線速Ｖが中間線速から最高線速までの範囲での消去パワーＰｅを記録パワーＰｗに依らずに一定とするようにした。
【００６４】
したがって、低記録パワー側で求められる消去パワーに固定すると高記録パワーでの消去パワーが不足するという不具合が生じるが、中間線速から最高線速までの範囲での消去パワーＰｅを記録パワーＰｗに依らずに一定とすることで、消去パワーＰｅを一定にした場合にも消去パワーを不足させることなく、処理を容易化することができる。
【００６５】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施の形態について図１および図２を参照して説明する。本実施の形態は、光記録装置として、例えば、ＤＶＤ＋ＲＷ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ　Ｄｉｓｃ＋ＲｅＷｒｉｔａｂｌｅ）等の繰り返し記録が可能な相変化型光記録媒体を対象とする光ディスク装置への適用例を示す。
【００６６】
図１は、本実施の形態の光ディスク装置の構成を概略的に示すブロック図である。光ディスク装置１は、記録再生位置にセットされた相変化型光記録媒体としての光ディスク２を回転させる相対移動手段としてのスピンドルモータ３を備えている。
【００６７】
なお、本実施の形態では、光ディスク２を回転させるスピンドルモータ３を相対移動手段として用いているため、記録再生に際して、例えば、光ディスク２と後述する光ピックアップ１０とを直線的に移動させる場合と比較して、記録再生を高速化することができる。
【００６８】
ここで、光ディスク装置１で用いられる光ディスク２について説明する。特に図示しないが、本実施の形態の光ディスク２は、データの書き換え（繰り返し記録）を可能とする相変化型光記録媒体であり、下部誘電体保護層、相変化型光記録層、上部誘電体保護層、硫化防止層および反射層を透明基板上に順次積層した構成、あるいは、下部誘電体保護層、相変化型光記録層、界面層、上部誘電体保護層、硫化防止層および反射層を透明基板上に順次積層した構成を基本構成として有する。
【００６９】
透明基板は、記録再生光の波長に対して透明な材料によって形成されている。例えば、透明基板を形成する材料として、ポリカーボネート（ＰＣ），ポリメタアクリル酸（ＰＭＭＡ）等のプラスチックや、ガラス等が挙げられる。本実施の形態では、ポリカーボネートによって形成された透明基板を用い、厚さは０．６ｍｍに設定されている。ポリカーボネート製の透明基板は、安価であり、現在、ＣＤ，ＤＶＤ，ＭＯ等の記録媒体で用いられている。
【００７０】
透明基板と相変化型光記録層との間に設けられる下部誘電体保護層や、相変化型光記録層と反射層との間に設けられる上部誘電体保護層を形成する材料としては、ＳｉＯｘ，ＺｎＯ，ＳｎＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２，Ｉｎ２Ｏ３，ＭｇＯ，ＺｒＯ２，Ｔａ２Ｏ５等の金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ，ＴｉＮ，ＢＮ，ＺｒＮ等の窒化物、ＺｎＳ，ＴａＳ４，等の硫化物、ＳｉＣ，ＴａＣ，Ｂ４Ｃ，ＷＣ，ＴｉＣ，ＺｒＣ等の炭化物が挙げられる。これらの材料は、単体あるいは混合物として用いることもできる。
【００７１】
中でも、相変化型光記録媒体の下部誘電体保護層を構成する材料としては、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）が一般的に用いられている。このＺｎＳとＳｉＯ２との混合比は、８０：２０（モル比）が良い。ここで、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（８０：２０）は、熱伝導率が低く、比熱が小さく、繰り返し記録により結晶化せず、加熱と急冷の多数回の履歴によるクラックの発生、元素の拡散等がないため、下部誘電体保護層を形成する材料として適している。また、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（８０：２０）は、上述した性質から、上部誘電体保護層にも用いられる。
【００７２】
また、屈折率がＺｎＳＳｉＯ２とほぼ同じかそれよりも大きく、熱伝導率も低い材料として、ＺｒＯ２にＹ２Ｏ３を３ｍｏｌ％から６ｍｏｌ％を含む混合物が挙げられる。ＺｒＯ２を主成分とする系において、バルクにおける熱伝導率をレーザフラッシュ法により測定したところ、ＺｒＯ２・Ｙ２Ｏ３（３ｍｏｌ％），ＺｒＯ２・ＳｉＯ２（５ｍｏｌ％）・Ｙ２Ｏ３（３ｍｏｌ％），ＺｒＯ２・ＴｉＯ２（５０ｍｏｌ％）・Ｙ２Ｏ３（３ｍｏｌ％）、ＺｒＯ２・ＴｉＯ２（４０ｍｏｌ％）・ＳｉＯ２（２０ａｔ％）・Ｙ２Ｏ３（３ｍｏｌ％）の熱伝導率は、それぞれ、５．１Ｗ／ｍ・Ｋ、３．５Ｗ／ｍ・Ｋ、１．７３Ｗ／ｍ・Ｋ、２．６Ｗ／ｍ・Ｋ、ＺｎＳ・ＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）が、８．４Ｗ／ｍ・Ｋであった。屈折率（ｎ）は、ＺｒＯ２・ＳｉＯ２（５ｍｏｌ％）以外は、すべて２以上であった。なお、Ｙ２Ｏ３の代わりに、ＭｇＯを用いても良い。
【００７３】
いずれもスパッタ法による成膜のためのターゲットを作製する際に、ターゲットの割れを防止するために用いる材料である。
【００７４】
下部誘電体保護層の膜厚は、４０ｎｍないし２５０ｎｍの範囲に設定されており、６５ｎｍないし２００ｎｍが好ましい。ここで、下部誘電体保護層の膜厚が４０ｎｍより薄くなると、耐環境性保護機能が低下し、放熱効果が低下して、繰り返し記録特性の劣化が大きくなる。一方、下部誘電体保護層の膜厚が２５０ｎｍより厚くなると、スパッタ法等による製膜過程において、膜温度の上昇により膜剥離やクラックが生じる。また、透明基板の厚さが０．６ｍｍともなると、下部誘電体保護層の膜厚を２５０ｎｍより厚くすることで、クラック等の発生に伴って透明基板の変形を起こす。
【００７５】
上部誘電体保護層の膜厚は、５ｎｍないし５０ｎｍの範囲に設定されており、８ｎｍないし２０ｎｍが好ましい。ここで、上部誘電体保護層の膜厚が５ｎｍより薄くなると、記録感度が低下する。一方、上部誘電体保護層の膜厚が５０ｎｍより厚くなると、温度上昇による変形や放熱性の低下による繰り返し記録特性の低下を引き起こす。
【００７６】
ところで、上述した材料を用いて形成した上部誘電体保護層を有する記録媒体に対して記録を行ない、８０℃，８５％ＲＨで記録マークの保存性を調べたところ、ＺｒＯ２の含有量が５０ａｔ％より多い系の場合には、記録マークが消滅するか、ジッターが大きく劣化することが判った。一方で、ＺｒＯ２系は、繰り返し記録特性が良好であり、１０００回記録した後のジッター劣化は、ＺｎＳＳｉＯ２より少なく、高線速で繰り返し記録する場合により効果があることが判る。このようなことから、上部誘電体保護層を形成する材料としては、ＺｎＳＳｉＯ２：ＺｒＯ２が（８０：２０）が良い。
【００７７】
本実施の形態では、繰り返し記録特性を良くする効果を活かすために、相変化型光記録層と上部誘電体保護層との間に、ＺｒＯ２系材料を界面層として設けることを検討し、その結果、ＺｒＯ２系材料の界面層を設ける場合には、膜厚が１ｎｍ以上５ｎｍの範囲に設定された界面層を設けることにより、繰り返し記録特性が良好であるという効果を保ち、かつ、保存信頼性の劣化もかなり抑制されることが判った。
【００７８】
界面層としては、ＺｒＯ２系材料の他に、ＳｉＣも有効である。なお、膜厚を厚くすると光吸収が大きくなり、反射率の低下を生じるため、ＳｉＣによって形成される界面層の膜厚は５ｎｍ以下が良い。
【００７９】
反射層を形成する材料としては、Ａｌ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉ等の金属材料が挙げられる。反射層は、膜厚が厚い程放熱性がより向上するが、厚くなり過ぎると薄膜を作製する間に媒体が温度上昇して透明基板が変形してしまい、逆に、薄すぎると放熱性が悪くなって記録特性（繰り返し記録特性を含む）が劣化するため、膜厚が５０ｎｍから２５０ｎｍの範囲に設定されていることが良い。
【００８０】
ここで、記録線速が速くなると冷却速度が大きくなって非晶質の記録マークを形成し易くなるが、記録マークを形成するためには相変化型光記録層を融点付近まで加熱させるので発光パルスの加熱パルス時間を長くする必要がある。一方で、一つの加熱パルス時間と冷却パルス時間との和は基準クロックの周期Ｔであり、この制約の中で加熱パルス時間と冷却パルス時間とを変えているため、加熱パルス時間を長くすると、冷却パルス時間が短くなってしまい冷却時間が不足して記録マークが形成しにくくなる。
【００８１】
従来、反射層として、ＡｌあるいはＡｌ合金を用いてきたが、ＤＶＤの２倍速では、熱伝導率がより高いＡｇを用いることにより反射特性が向上することが判ったため、本実施の形態では、媒体で冷却効率を上げるために、反射層を形成する材料としてＡｇを用いることが好ましい。
【００８２】
しかしながら、上部誘電体保護層がＳを含み反射層がＡｇによって形成されている場合、高温高湿下ではＡｇ２Ｓが生成されやすい。Ａｇ２Ｓが生成されることにより、特性が劣化し、欠陥が発生する原因となる。
【００８３】
このため、上部誘電体保護層がＳを含み反射層がＡｇによって形成されている場合には、反射層と上部誘電体保護層との間に硫化反応防止層を設ける必要がある。
【００８４】
これまで、酸化物、窒化物、炭化物、金属について鋭意検討した結果、硫化反応防止層を形成する材料としては、Ｓｉ，ＳｉＣが好ましいことが判った。また、硫化反応防止層を形成する材料としては、ＺｒＯ２、ＭｇＯ，ＴｉＯｘも適しており好ましい。中でも、ＳｉＣは、ＡｇとＳとの反応を防止し、膜厚を３ｎｍと薄くしてもその効果が高い。ＳｉＣによる硫化防止層の膜厚は、２ｎｍ以上とし、上限を１０ｎｍとする。硫化防止層の膜厚を１０ｎｍ以上にすると、反射層と上部誘電体保護層との距離が離れて放熱効率が下がってしまったり、吸収係数が高いために反射率が低下してしまったりする。
【００８５】
なお、反射層をＡｇ単体とすることで、特性を向上させることができるが、Ａｇそのものの腐食性や硫化防止層との密着性等を考慮する必要がある。
【００８６】
例えば、Ａｇそのものの腐食性については、粒径が大きくなると表面が凹凸状になり密着性の弱いところから剥がれやすくなるので、薄膜作製時のスパッタリング条件（アルゴンガス圧）を最適化し、Ａｇの結晶粒径を小さくして粒成長を抑制してＡｇの薄膜表面を平滑とすることで、Ａｇ単体でも、Ａｇ層の腐食性や硫化防止層との密着性の不具合を解消することができる。Ａｇの膜をスパッタ法により作製する場合には、Ａｇ膜の結晶粒径を小さくするために透明基板とターゲット間に３ｋＷ以下のパワーをかけることが良い。
【００８７】
また、例えば、硫化防止層との密着性を向上させるには、反射層の上にアクリル系紫外線硬化型樹脂によって形成される環境保護層を設け、このアクリル系紫外線硬化型樹脂の硬化条件や環境保護層の厚さを最適化することで、Ａｇ単体の反射層を設けることも可能である。
【００８８】
しかしながら、量産等に際しては、最適条件で作製されていなかったり、記録膜のない透明基板を貼り合わせる前の保管条件や、透明基板自身の吸湿、紫外線硬化型樹脂の吸湿等の条件が不適切であったりすることによってＡｇが劣化する懸念がある。
【００８９】
そこで、Ａｇを９５ａｔ％以上の合金にすることにより、信頼性を向上させることができる。Ａｇに添加する添加元素としては、Ｃｕ，Ｎｉが熱伝導率をあまり下げることなく、粒径成長を抑制し、耐環境性を向上させるため好ましい。Ａｇに対する添加元素の添加量が５ａｔ％を超えると、熱伝導率が著しく減少するため、Ａｇに対する添加元素の添加量は、好ましくは、２ａｔ％以下が良い。
【００９０】
相変化型光記録層は、後述する光ピックアップ１０の半導体レーザから照射されるレーザ光によって非晶質相と結晶相の可逆的相変化をする。相変化型光記録層を形成する材料としては、これまでＳｂ７０Ｔｅ３０付近の共晶組成を基本とし、Ａｇ，Ｉｎや、さらにＧｅを添加したＡｇＩｎＳｂＴｅ系、ＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅ系が挙げられる。これらの材料系は、高線速でしかも高密度記録に適している。
【００９１】
ＳｂのＴｅに対する比率が大きくなる程、また、Ｓｂ量が８０ａｔ％を超えると、相変化型光記録層の結晶化速度は高くなるが、保存性が極端に悪くしかも非晶質相を形成しにくくなるため、高線速記録に対応するための好ましいＳｂ量としては、Ｓｂ量が６５ａｔ％以上であって８０ａｔ％より少ない方が良い。
【００９２】
また、高線速記録に対応するための好ましいＴｅ量は、１５ａｔ％以上、２５ａｔ％以下が良い。
【００９３】
Ｇｅは、結晶化速度が遅いにも拘わらず、記録した記録マークの高温環境下での保存性を向上させるために必須の元素である。ＧｅとＴｅとの結合エネルギーが大きいことから保存性が良いと考えられる。また、Ｇｅ添加量が増加する程、結晶化温度が高くなるためこれによっても保存性が良いと考えられる。
【００９４】
しかしながら、Ｇｅをあまり多く入れると結晶化温度がさらに高くなり、結晶化速度も遅くなるので５ａｔ％以下がよい。Ａｇは、記録マークを安定化させるが、結晶化温度はあまり増加させない。
【００９５】
また、Ａｇは、過剰に入れると結晶化の速度を下げてしまうが、結晶状態を安定化する役割も果たすため、３ａｔ％が良い。
【００９６】
Ｉｎは、結晶化速度を上げるとともに結晶化温度を上げるため、保存性を向上させることができるが、多く入れると偏析しやすく繰り返し記録特性の劣化と再生光パワーに対する劣化が起きるため、Ｉｎ量は、５ａｔ％以下が良い。本発明においては、３ａｔ％以下がよい。
【００９７】
Ｉｎ以外に、結晶化速度を速くする材料としては、Ｇａがある。Ｇａは、同量のＩｎに比べ、結晶化速度をより速くするが、結晶化温度もより高くなる。例えば、Ｇｅが５ａｔ％で、Ｇａが５ａｔ％以上になると結晶化温度が２００℃をはるかに超えて、２５０℃以上にもなる。これにより、相変化型光記録層を非晶質状態から結晶化させるための初期化過程において、トラック一周の反射率分布が大きくなり、記録特性、データエラーの原因になるため、Ｇａは、結晶化速度を速くさせるための補助的な元素として、３ａｔ％以下添加するのが良い。
【００９８】
ＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅ系は、高線速な材料としては限界があり、Ａｇ，Ｉｎに代わる元素を検討した結果、結晶化速度を速くするが、結晶化温度を必要以上に上げない元素として、Ｍｎが効果的であることが判った。Ｍｎは、Ｉｎと同じく結晶化速度を上げ、多量に入れても繰り返し記録特性を劣化させずに保存特性も良好である。また、Ｍｎは、結晶化温度も上げるが、添加量に対する結晶化温度の増加量は小さく、再生光劣化も小さい。本実施の形態では、Ｍｎを、多くて５ａｔ％入れれば充分である。このように、ＧｅＭｎＳｂＴｅ系も高線速に適した材料である。
【００９９】
さらに、Ｇａを添加し結晶化速度と保存性を向上させる系も有効である。
【０１００】
上述したような材料系によって形成される相変化型光記録層の膜厚は、１０ｎｍから２０ｎｍがよい。１０ｎｍ以下では、結晶と非晶質相の反射率差が小さくなり、２０ｎｍ以上に厚くなると記録感度、繰り返し記録特性が悪くなる。
【０１０１】
上述した相変化型光記録媒体には、ピッチ０．７４μｍ，深さ１５ｎｍ〜４５ｎｍ，幅０．２〜０．３μｍに設定されて、約８２０ｋＨｚの周期で５ｎｍから２０ｎｍの振幅をもつ蛇行状とされた溝が設けられている。
【０１０２】
上述した光ディスク２に対して記録再生を行なう光ディスク装置１におけるスピンドルモータ３は、光ディスク装置１が備えるマイコン４によって駆動制御されるモータドライバ５とサーボ手段６とによって、線速度一定（ＣＬＶ）または回転数一定（ＣＡＶ）となるように制御される。
【０１０３】
マイコン４は、光ディスク装置１が備える各部を駆動制御するＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）７に、各種コンピュータプログラム等の固定的なデータを格納するＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）８と、ＣＰＵ７のワークエリアとして機能するＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）９とを接続することによって構成されている。ＣＰＵ７は、計時機能を有しており、光ディスク２に対する記録再生に際して周期Ｔの基準クロックを発生させる。このため、本実施の形態ではＣＰＵ７によってクロック発生手段としての機能が実現される。
【０１０４】
光ディスク装置１は、スピンドルモータ３によって回転駆動される光ディスク２に対して照射するレーザ光を出射する図示しない半導体レーザを有する光ピックアップ１０を備えている。特に図示しないが、光ピックアップ１０は、半導体レーザ、光学系、フォーカシングアクチュエータ、トラッキングアクチュエータ、受光素子、ポジションセンサ等を内蔵している。また、光ピックアップ１０は、図示しないシークモータによってスレッジ方向（ディスク半径方向）に移動可能とされている。
【０１０５】
フォーカシングアクチュエータ、トラッキングアクチュエータ、シークモータは、モータドライバ５とサーボ手段６とによって駆動制御される。モータドライバ５、サーボ手段６は、受光素子やポジションセンサから得られる信号に基づいて、レーザスポットを光ディスク２上の目的の場所に位置させるように、フォーカシングアクチュエータ、トラッキングアクチュエータ、シークモータを駆動制御する。
【０１０６】
光ディスク装置１におけるデータの再生に際しては、モータドライバ５とサーボ手段６とによりフォーカシングアクチュエータ、トラッキングアクチュエータ、シークモータを駆動制御して、半導体レーザから出射されて光学系によって導かれるレーザ光を、光ディスク２にレーザスポットとして照射させる。
【０１０７】
一般的に、光ディスク２は、４００〜７８０ｎｍの波長範囲での記録再生が可能であるが、本実施の形態では光ディスク２としてＤＶＤを例示しているため、本実施の形態の光ディスク装置１では、波長が６５０ｎｍから６６０ｎｍのレーザ光を半導体レーザから出射する。また、光ピックアップ１０における図示しない対物レンズの開口率は、０．６０〜０．６５の範囲に設定されており、光ディスク２にレーザスポットとして照射されるレーザ光のビーム径が１μｍ以下とされている。
【０１０８】
光ディスク２に照射されたレーザ光は、反射層によって反射され、光学系によって所定の光路に導かれて受光素子で受光される。光ピックアップ１０は、受光素子が受光した光信号を再生信号として取得する。
【０１０９】
光ピックアップ１０で得られた再生信号は、リードアンプ１１で増幅されて２値化された後、ＤＶＤデコーダ１２に入力される。ＤＶＤデコーダ１２に入力された２値化データは、ＤＶＤデコーダ１２でＥＦＭ（Ｅｉｇｈｔ　ｔｏ　Ｆｏｕｒｔｅｅｎ　Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）復調される。
【０１１０】
光ディスク２に記録されているデータは、８ビットずつまとめられてＥＦＭ変調されているため、ＤＶＤデコーダ１２では、８ビットを１４ビットに変換し、結合ビットを３ビット付加して合計１７ビットにする。このとき、結合ビットは、それまでの「１」と「０」との数が平均的に等しくなるように付けられる。この処理を「ＤＣ成分の抑制（ＤＣカット）」といい、ＤＣ成分を抑制（ＤＣカット）することで、再生信号のスライスレベル変動が抑圧される。
【０１１１】
復調されたデータは、デインターリーブとエラー訂正の処理が行われて、ＤＶＤ−ＲＯＭデコーダ１３に入力される。ＤＶＤ−ＲＯＭデコーダ１３では、データの信頼性を高めるためのエラー訂正処理が行われる。
【０１１２】
このように、２回のエラー訂正の処理が行われたデータは、バッファマネージャ１４によって一旦バッファＲＡＭ１５に蓄積される。バッファＲＡＭ１５に蓄積されたデータは、セクタデータとして揃ったときに、ＡＴＡＰＩ／ＳＣＳＩインターフェイス１６によって、セクタデータとして揃った状態で図示しない外部装置へ一気に転送される。
【０１１３】
なお、音楽データの場合、ＤＶＤデコーダ１２から出力されるデータは、Ｄ／Ａコンバータ１７に入力され、Ｄ／Ａコンバータ１７からアナログのオーディオ信号として取り出される。
【０１１４】
一方、ユーザデータの記録に際しては、ＡＴＡＰＩ／ＳＣＳＩインターフェイス１６を介して、図示しない外部装置からユーザデータが転送されてくる。外部装置から転送されてきたユーザデータは、バッファマネージャ１４によって、バッファＲＡＭ１５に一旦蓄積される。ユーザデータの記録は、バッファＲＡＭ１５にある程度のユーザデータが溜まったときに開始される。バッファＲＡＭ１５のデータは、ＤＶＤ−ＲＯＭエンコーダ１８やＤＶＤエンコーダ１９でエラー訂正コードの付加やインターリーブが行われ、レーザコントローラ２０、光ピックアップ１０を介して光ディスク２に記録される。
【０１１５】
光ディスク装置１は、ユーザデータの記録に先立って、レーザスポットを書き込み開始地点に位置させ、光ディスク２に設けられた溝の蛇行によって該光ディスク２に予め刻まれているウォブル信号に基づいて、書き込み開始地点を求める。一般的に、ウォブル信号には、ＡＤＩＰ（Ａｄｄｒｅｓｓ　ｉｎ　ｐｒｅ−ｇｒｏｏｖｅ）が含まれており、再生に際しては、蛇行する溝の周波数の位相を変調させて、この位相変化部分を検出し、２値化信号に変換することでアドレス（番号）を読み取る。ウォブル信号からＡＤＩＰデコーダ２１によって取り出されるＡＤＩＰの情報に基づいて書き込み開始地点が求められる。
【０１１６】
本実施の形態の光ディスク装置１は、ユーザデータの記録に際して、光ディスク２に対して、０．２６７μｍ／ｂｉｔの記録線密度で、（８−１６）変調方法で記録を行なう。このときの最短記録マーク長は０．４μｍになる。
【０１１７】
ユーザデータの記録に際しては、ＡＴＡＰＩ／ＳＣＳＩインターフェイス１６を介して外部装置から送られてきたデータを一旦バッファＲＡＭ１５に蓄えてから記録を開始するが、この記録に先立って、当該光ディスク２のＰＣＡ（Ｐｒｏｇｒａｍ　Ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ　Ａｒｅａ）においてＯＰＣを行い、半導体レーザの最適な記録パワーを求める。
【０１１８】
公知の技術であるため説明を省略するが、ＯＰＣの実行に際しては、例えば、光ディスク２のＰＣＡにおいて、１ブロック毎に（１ステップ毎に）半導体レーザの記録パワーを増加させながら、所定回数分に相当する所定ブロック（例えば、１５ブロック）分の試し記録を行ない、続いて、試し記録した領域を再生することにより光ピックアップ１０において得られる反射光に応じたデータ信号をリードアンプ１１によって増幅し、増幅したデータ信号から検出されるピークレベルやボトムレベル等のレベル信号をＡ／Ｄ変換し、それを基に、ＣＰＵ７等でＲＦ信号対称性を表すβ値を測定し、β値が目標値に最も近いブロックで使用された記録パワーを最適記録パワーとして決定する。
【０１１９】
なお、このＯＰＣ実行時には、光ディスク２は線速度一定なるＣＬＶ方式により回転駆動される。このような方法で最適記録パワーを計算しレーザコントローラ２０に記録パワーの指令を出す。
【０１２０】
詳細は後述するが、レーザコントローラ２０は、計算された記録パワーに基づいて、半導体レーザから出射するレーザ光量を調整する。このため、本実施の形態では、レーザコントローラ２０によって記録手段としての機能が実現される。また、レーザコントローラ２０は、光ディスク２に記録された記録マークを消去する消去パワーＰｅのレーザ光や、光ディスク２に記録された記録マークを再生する再生パワーＰｒのレーザ光を半導体レーザから出射させるように半導体レーザを駆動制御する。このため、本実施の形態では、レーザコントローラ２０によって、消去手段および再生手段としての機能が実現される。
【０１２１】
なお、ＤＶＤの２倍速は、線速７ｍ／ｓ（６．９８ｍ／ｓ）であり、基準クロック周波数は５２．３ＭＨｚ（Ｔ：１９．１ｎｓ，Ｔは、基準クロックの周期）になる。また、ＤＶＤの４倍速では、線速１４ｍ／ｓ（１３．９６ｍ／ｓ）になり基準クロック周波数は１０４．６ＭＨｚ（Ｔ：９．５６ｎｓ）である。
【０１２２】
このような光ディスク装置１において、上述した光ディスク２を、最適消去パワー以上の一定の消去パワーで消去するとともに記録線速を低い線速から高い線速まで変化させ、このときの反射信号をモニターしたところ、消去前は結晶状態にあった相変化型光記録層がある線速以上になると非晶質相となり、以降線速が増えるとともに非晶質相領域が広がり反射率が減少することが判った。
【０１２３】
以降、反射率が下がり始める線速を結晶から非晶質相に転移する線速ということで転移線速、または、ある線速以下では溶融後再結晶化するという意味で、再結晶化上限速度と呼び符号Ｖｃを付して説明する。
【０１２４】
ところで、例えば、１−２．４倍速記録に際しての最大記録パワーが１５ｍＷである光ディスク装置１において４倍速記録するためには１５ｍＷ以上の記録パワーが必要となる。これに対し、１５ｍＷで４倍速記録する光ディスク装置１において１−２．４倍速記録する場合には、１５ｍＷ以下で記録されなければならない。
【０１２５】
なお、本実施の形態で用いる光ディスク２の構成は、上述した光ディスク装置を用いて、最低線速（ｍｉｎ線速）を３．４９ｍ／ｓ，最高線速（ｍａｘ線速）を１３．９６ｍ／ｓとして１２ｍＷで消去する場合の再結晶化上限速度Ｖｃが以下に示す（１）式を満たすような範囲となるように設定されている。
（ｍａｘ線速＋ｍｉｎ線速）／２＜Ｖｃ＜｛（ｍａｘ線速＋ｍｉｎ線速）／２｝＋３　　　…（１）
【０１２６】
再結晶化上限速度Ｖｃの最適範囲は、９．０ｍ／ｓから１０．５ｍ／ｓであることが好ましい。
【０１２７】
光ディスク２の再結晶化上限速度を上述した（１）式に示す範囲内に設定することにより、高線速記録対応の光ディスクに対して低速ドライブでの記録を可能とする、すなわち、下位互換を可能としている。
【０１２８】
ところで、従来の光ディスク装置では、上述したような光ディスク２に対して、図１０に示すようなパルス列にしたがう発光波形のレーザ光を照射する。ここで、図１０は、従来光ディスク装置で用いられてきた発光波形を示している。図１０に示すように、半導体レーザから照射されるレーザ光の照射パワーは、記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、および、ボトムパワーＰｂに分類される。相変化型光記録層を加熱するための記録パワーＰｗは、先頭部における幅ＯＰ１の加熱パルス、中間部における幅ＯＰｊ（ｊ＝２〜ｍ−１）の加熱パルス、および、後端部における幅ＯＰｍの加熱パルスにおいて照射される。ボトムパワーＰｂは、先端部における幅ＦＰ１の冷却パルス、中間部における幅ＦＰｊの冷却パルス、後端部における幅ＦＰｍの冷却パルスにおいて照射される。このとき、中間部においてそれぞれ対をなす幅ＯＰｊの加熱パルスと幅ＦＰｊの冷却パルスとの時間の和はＴになっている。パルス列におけるパルス数は、記録マーク長ｎＴに対し、（ｎ−１）個である。
【０１２９】
なお、パルスの数は（ｎ−２）個でも良いが、本実施の形態では、記録マーク長制御をしやすい（ｎ−１）個とする。
【０１３０】
先頭部の加熱パルスの開始時間は、形成される記録マークの先端である０Ｔから１Ｔまでの範囲に設定されている。
【０１３１】
図１０に例示するようなパルス列にしたがう発光波形では、Δ２＝０、Δ１を最大０．５＊Ｔ、Δ３を−０．３〜０．２Ｔの範囲で調整することで、所定の長さの記録マークを記録することができる。ここで、記録マークの後端位置を０とし、この０を基準として記録マークの内側を＋、外側を−とする。
【０１３２】
しかしながら、図１０に例示するようなパルス列にしたがう発光波形では、線速２．４倍速までは良好な繰り返し記録特性を得ることができるが、記録線速が速くなって４倍線速度（１４ｍ／ｓ）になってくると、所定の長さ（３Ｔから１４Ｔ）の記録マークが形成しにくくなり、十分な記録特性を得ることが難しくなってくる。これは、結晶化速度が速くなることによって、記録マークが一旦形成された後に再結晶化する速度が速くなるためである。
【０１３３】
この対策として、先端部における加熱パルスの幅ＯＰ１，中間部における加熱パルスの幅ＯＰｊ，後端部における加熱パルスの幅ＯＰｍを狭くし加熱時間を短くすることで相変化型光記録層を短時間で溶融させ、先端部における冷却パルスの幅ＦＰ１，中間部における冷却パルスの幅ＦＰｊ，後端部における冷却パルスの幅ＦＰｍを広くし冷却時間を長くすることで、相変化型光記録層の再結晶化を抑えることが考えられるが、この方法では、相変化型光記録層を短時間で溶融させるために記録パワー（Ｐｗ）をより高くすることが必要となるため、光ディスク装置の記録パワーの上限値によってはパワーが不足してしまう。
【０１３４】
また、図１０に示すような発光波形例では、低速側でも同様に、線速が高くなるほど相変化型光記録層が非晶質相を形成しやすくなり、繰り返し記録に際して先に記録されている記録マークを消去する消去比が悪くなって、２回目以降の記録特性（繰り返し記録特性）が悪くなる傾向がある。
【０１３５】
この対策としては、消去パワーを高くして消去比を上げることが良いが、消去パワーをあまり高くすると非晶質相が形成されやすくなり、ますます消去できない状態になる。加えて、消去パワーは、低すぎると記録マークを消去しにくい。特に、一旦、相変化型光記録層を溶融状態にしてから徐冷させる過程における消去が確実であるが、消去パワーを低くする場合にはこの過程を使えない。
【０１３６】
つまり、図１０に示すような従来の発光例では、例えば、４倍速等の高線速になると最終冷却パルス部を長くとれない。一方で、低記録線速側では冷却パルス時間が必要となる。
【０１３７】
これに対して、本実施の形態では、図１０中のパルス列の冷却パルスにおける照射パワーＰｂを、図２中のパルス列の後端部の冷却パルスにおいて光ピックアップ１０から照射させる光の照射パワーＰｂ１と、先頭部および中間部の冷却パルスにおいて光ピックアップ１０から照射させる光の照射パワーＰｂ２とに２値化し、照射パワーＰｂ１と照射パワーＰｂ２とを異ならせ、照射パワーＰｂ１と照射パワーＰｂ２との関係が以下に示す（２）式および（３）式によって示される関係となるようにする。
Ｐｗ＞Ｐｅ≧Ｐｂ１＞Ｐｂ２　　…（２）
Ｐｂ１＞Ｐｒ≧Ｐｂ２　　　　　…（３）
【０１３８】
ここで、Ｐｗはパルス列中の加熱パルスにおいて光ピックアップ１０から照射させる光の照射パワーであり、Ｐｅは光ピックアップ１０から照射させることにより光ディスク２に記録された記録マークを消去する照射パワーであり、再生に際して光ピックアップ１０から照射させる光の照射パワーである。
【０１３９】
このように、ボトムパワーＰｂをＰｂ１とＰｂ２とに２値化することにより、低線速で低パワーでの記録を可能にするために設定されている光ディスク２に対して再結晶化速度以上の高線速で記録する場合にも、非晶質相を形成し易くすることができるので、下位互換性の高い光ディスク２に対する高線速記録を実現することができる。
【０１４０】
また、照射パワーＰｂ１と照射パワーＰｂ２との関係を（２）式および（３）式によって示される関係となるようにすることにより、高線速になる程非晶質相を形成し易くしているため繰り返し記録（オーバーライト）に際しての消去比が低下するような光ディスク２に対しても、繰り返し記録に際しての消去比を向上させることができ、これによって、繰り返し記録特性を向上させることができる。
【０１４１】
ところで、光ディスク２に対する記録が可能な記録線速をＶとすると、本実施の形態では、上述した（２）式および（３）式によって示される関係は、記録線速Ｖが中間線速から最高線速Ｖｍａｘまでの範囲において満足される。本実施の形態では、８．８ｍ／ｓを中間線速とする。
【０１４２】
（２）式および（３）式によって示される関係が満足される場合の照射パワーＰｂ１は、以下に示す（３）式の関係で表わされる。
Ｐｂ１＝Ｐｂ２＋（Ｐｅ−Ｐｂ２）＊（２Ｖ−Ｖｍａｘ）／Ｖｍａｘ　…（３）
【０１４３】
そして、記録線速Ｖが最低線速から中間線速までの範囲における照射パワーＰｂ１と照射パワーＰｂ２との関係は、以下に示す（４）式によって表わされる。
Ｐｂ１＝Ｐｂ２　　　…（４）
【０１４４】
このように、記録線速に応じて、照射パワーＰｂ１と照射パワーＰｂ２との関係を調整することにより、高線速になる程非晶質相を形成し易くしている相変化型光記録媒体に対して、特に、高線速側での繰り返し記録に際しての消去比を向上させることができ、これによって、高線速側での繰り返し記録特性を向上させることができる。
【０１４５】
図２に示すパルス列において、先頭部の加熱パルスにおいて光ピックアップ１０から照射させる照射パワーＰｗ１と、中間部の加熱パルスにおいて光ピックアップ１０から照射させる照射パワーＰｗ２と、後端部の加熱パルスにおいて光ピックアップ１０から照射させる照射パワーＰｗ３とは、すべて同じであっても、すべて異なっていても、さらには、２つが同じであっても（Ｐｗ１≠Ｐｗ２＝Ｐｗ３、Ｐｗ１＝Ｐｗ２≠Ｐｗ３）よく、いずれの場合にも図１０に示すパルス列にしたがう発光波形と比較して繰り返し記録特性を改善することができる。なお、基本は、照射パワーＰｗ１，Ｐｗ２，Ｐｗ３は、すべて同じパワーとする。
【０１４６】
図２のパルス列において先頭部の加熱パルス幅ＯＰ１は、以下に示す（６）式の範囲で調整される。
０．３Ｔ≦ＯＰ１≦０．８Ｔ　　　…（６）
【０１４７】
このとき、図２のパルス列において中間部および後端部の加熱パルス幅ＯＰｊ，ＯＰｍは、記録線速Ｖに応じて以下に示す（７）式または（８）式の範囲となるように調整される。
【０１４８】
すなわち、記録線速Ｖが最低線速から中間線速までの範囲では（７）式の範囲で調整され、記録線速Ｖが中間線速度から最高線速までの範囲では（８）式の範囲で調整される。
０．２Ｔ≦ＯＰｊ，ＯＰｍ≦０．６Ｔ　　　…（７）
０．３Ｔ≦ＯＰｊ，ＯＰｍ≦０．７Ｔ　　　…（８）
【０１４９】
このように、先頭部の加熱パルス幅ＯＰ１に加えて、中間部および後端部の加熱パルス幅ＯＰｊ，ＯＰｍを記録線速Ｖに応じて制御することにより、記録線速Ｖに依存することなく良好な繰り返し記録特性を得ることができる。
【０１５０】
また、光ピックアップ１０は、記録に際して、図２に示すパルス列における先頭部の加熱パルス，中間部の加熱パルス，後端部の加熱パルスの開始時間を、基準クロックの基準位置から−０．５Ｔ〜０．５Ｔの間でそれぞれ変動させる（図２中ｄＴｔｏｐ，ｄＴｍｐ，ｄＴｌｐ参照）。なお、マイナスは、記録マークの内側を示している。
【０１５１】
これにより、記録マークが不用意に長くなることを抑制し、記録マーク長を制御することができる。
【０１５２】
特に、先頭部の加熱パルスの開始時間を、基準位置から−０．５Ｔ〜０．２Ｔの間で変動させることにより、記録マークの先端部をより正確に制御することができる。
【０１５３】
また、中間部の加熱パルス，後端部の加熱パルスの開始時間も、同様に、基準クロックの基準位置から−０．５Ｔ〜０Ｔの間で変動させることにより、良好な繰り返し記録特性を得ることができる。
【０１５４】
パルス列における加熱パルス幅ＯＰｊとパルス列における冷却パルス幅ＦＰｊとの関係が、ＯＰｊ＋ＦＰｊ＝Ｔとなる場合は、より良好な繰り返し記録特性が得られ易い。
【０１５５】
ただし、後端部の冷却パルスの幅ＦＰｍは、高い線速になるほど短くすることが良い。このため、本実施の形態では、後端部の冷却パルスの幅ＦＰｍの最適範囲が、以下に示す（９）式によって示される関係となるようにする。
０≦ＦＰｍ≦１．５Ｔ　　　…（９）
【０１５６】
これにより、高線速記録である程短くする方が好ましい後端部の冷却パルスを制御することができ、記録マーク長の制御が可能になる。
【０１５７】
なお、本実施の形態では、後端部の冷却パルスの幅ＦＰｍの最適範囲を（９）式によって示される範囲内としたが、好ましくは、０≦ＦＰｍ≦１Ｔが良い。
【０１５８】
また、後端部の冷却パルスは、高線速記録である程短くする方が好ましいことから、最高線速では０Ｔでも良い。
【０１５９】
加えて、図２中のｄＴｅ（＋が記録マークの内側、−が記録マークの外側）は、ＦＰｍと関係しており、ＦＰｍはｄＴｅ、ＯＰｍ、ｄＴｌｐから決めることもできる。
【０１６０】
本実施の形態では、記録に際しての発光波形を以下に示すように調整することにより、例えば、記録パワーや消去パワーの限られた２．４倍速までのドライブでも４倍速での記録ができる、すなわち、下位互換性を確保し、低いパワーでも高速記録することができる。
【０１６１】
次に、本発明の第２の実施の形態について図３を参照して説明する。なお、第１の実施の形態と同一部分は同一符号で示し、説明も省略する。
【０１６２】
図３は、本実施の形態の光ディスク装置の発光波形を示している。本実施の形態では、照射パワーＰｂ１と照射パワーＰｂ２との関係を記録線速Ｖに依らず、Ｐｂ１＝Ｐｂ２とし、パルス列における先頭部の加熱パルス，中間部の加熱パルス，後端部の加熱パルスの開始時間を、基準クロックの基準位置から−０．５Ｔ〜０．５Ｔの間でそれぞれ変動させる。
【０１６３】
これにより、照射パワーＰｂ１と照射パワーＰｂ２と記録線速Ｖに依らず等しくすることにより、図２に示すように、Ｐｂを２値で制御する場合と比較して、光ピックアップ１０の駆動制御を容易化し、レーザコントローラを構成する回路の複雑化を抑制しながら、高線速になる程非晶質相を形成し易くしている相変化型光記録媒体に対して、高線速側での繰り返し記録特性を向上させることができる。
【０１６４】
特に、先頭部の加熱パルスの開始時間を、前記基準位置から−０．５Ｔ〜０．２Ｔの間で変動させることで、記録マークの先端部をより正確に制御することができ、好ましい。
【０１６５】
また、本実施の形態では、記録に際して、光ディスク２に対する記録が可能な記録線速Ｖが中間線速から最高線速までの範囲での消去パワーＰｅと記録パワーＰｗとの比Ｐｅ／Ｐｗを、記録パワーＰｗ毎に変えるように半導体レーザを駆動制御する。
【０１６６】
ここで、従来では、記録パワーＰｗと消去パワーＰｅの比を一定にして、記録パワーＰｗと該記録パワーＰｗの変化とともに決まる消去パワーＰｅとによって記録消去を行っていたが、Ｐｅ／Ｐｗを一定にした場合には低い記録パワーでの記録に際しての消去パワーも低下するために２回目記録（繰り返し記録１回目）の記録特性が劣化するという不具合がある。
【０１６７】
また、従来では、消去パワーの低下を防止するために消去パワーを一定にした場合、高記録パワーでの消去パワーが不足するという不具合がある。
【０１６８】
これに対し、本実施の形態では、Ｐｅ／Ｐｗを、記録パワーＰｗ毎に変えることにより記録パワーに依らず繰り返し記録特性を改善することができる。このとき、記録パワー毎に最適な消去パワーを設定する方がより好ましい。
【０１６９】
加えて、本実施の形態の光ディスク装置１では、光ディスク２に対する記録が可能な記録線速Ｖが中間線速から最高線速までの範囲では、消去パワーＰｅを記録パワーＰｗに依らずに一定とする。
【０１７０】
これにより、低記録パワー側で求められる消去パワーに固定すると高記録パワーでの消去パワーが不足するという不具合が生じるが、中間線速から最高線速までの範囲での消去パワーＰｅを記録パワーＰｗに依らずに一定とすることで、消去パワーＰｅを一定にした場合にも消去パワーを不足させることなく、処理を容易化することができる。
【０１７１】
【実施例】
以下に、本発明の実施例について説明する。
【０１７２】
（実施例１）
実施例１では、ピッチが０．７４μｍ，幅が０．２５μｍ，深さが２５ｎｍに設定された溝が形成された厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製透明基板の上に、スパッタリング方式により以下に示す条件に設定した下部誘電体層，相変化型光記録層，界面層，上部誘電体保護層，硫化防止層，反射層等の各層を積層し、光ディスク２を作製した。
【０１７３】
下部誘電体保護層は、ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０（ｍｏｌ％）系の材料によって形成し、膜厚を６８ｎｍとした。
【０１７４】
相変化型光記録層は、Ｇｅ：Ａｇ：Ｉｎ：Ｓｂ：Ｔｅ＝３：１：３：７３．０：２０．０系の材料によって形成し、下部誘電体保護層上に膜厚を１５ｎｍに設定して積層した。
【０１７５】
界面層は、ＺｒＯ２：ＴｉＯ２：Ｙ２Ｏ３＝６７：３０：３系の材料によって形成し、相変化型光記録層の上に膜厚２ｎｍに設定して積層した。
【０１７６】
上部誘電体保護層は、ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０（ｍｏｌ％）系の材料によって形成し、膜厚１１ｎｍに設定した。
【０１７７】
硫化防止層としては、膜厚４ｎｍに設定したＳｉＣ層を上部誘電体保護層の上に積層した。
【０１７８】
反射層は、Ａｇ系の材料によって形成し、硫化防止層上に膜厚１４０ｎｍで積層した。なお、Ａｇの製膜に際しては、スパッタ投入パワーを３ｋＷとした。
【０１７９】
加えて、耐環境性を向上させるために、大日本インキ製ＳＤ３１８紫外線硬化樹脂を塗布後、硬化させ５μｍ厚として保護膜を設けた後、いずれの層も製膜されていないポリカーボネート製透明基板を、厚さ４０μｍに塗布された紫外線硬化樹脂（アクリル製、日本化薬　ＤＶＤ００３）を介して貼合わせて光ディスク２とした。
【０１８０】
このような光ディスク２に対して、波長８１０ｎｍの大口径ＬＤ（ビーム径；トラック方向１μｍ×半径方向７５μｍ）を用いてレーザ光を照射して相変化型光記録層を結晶化させた。このときの線速は９ｍ／ｓ，パワーは１０００ｍＷ、ヘッドの送り速度は１８μｍ／回転とした。
【０１８１】
続いて、上述の光ディスク２を用いて記録再生を行なった。このとき、波長６５７ｎｍ，対物レンズのＮＡが０．６５に設定された光ピックアップ１０を用い、最高線速度１４ｍ／ｓで記録密度が０．２６７μｍ／ｂｉｔとなるように設定した。このときの記録データの変調方式は（８，１６）変調とし、バイアスパワーＰｂ２は０．１ｍＷとし、バイアスパワーＰｂ１は３ｍＷとし、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．３３５とした。なお、ＯＰｊ＋Ｆｐｊ＝Ｔに設定されている。
【０１８２】
記録方法は、図２に示すパルス列にしたがう記録波形にて行った。このときの記録条件を表１に示す。この結果を図４に示す。図４は、表１に示す条件で、隣接する５トラックの記録を行なった場合の中心トラックのｄａｔａ　ｔｏ　ｃｌｏｃｋジッターの記録パワー依存性を示している。
【０１８３】
【表１】
2004110884.tif 000003
【０１８４】
（実施例２）
実施例２の光ディスク２は、相変化型光記録層をＧｅ：Ａｇ：Ｉｎ：Ｓｂ：Ｔｅ＝３．０：１．０：２．５：７２．５：２１．０系の材料によって形成した以外は、実施例１の光ディスク２と同様の構成を有する。
【０１８５】
実施例２では、光ディスク２の相変化型光記録層の結晶化に際しての照射パワーＰｂ１を２ｍＷに設定した以外は、実施例１と同様にして結晶化した。
【０１８６】
このような光ディスク２に対して、表２に示す記録条件で記録を行ない、実施例１と同様に、隣接する５トラックを記録した場合の中心トラックのｄａｔａ　ｔｏ　ｃｌｏｃｋ　ジッターの記録パワー依存性を調べた。その結果を図５に示す。
【０１８７】
【表２】
2004110884.tif 000004
【０１８８】
（実施例３）
実施例３の光ディスク２は、相変化型光記録層をＧｅ：Ａｇ：Ｉｎ：Ｓｂ：Ｔｅ＝３．０：１．０：２．５：７２．５：２１．０系の材料によって形成した以外は、実施例１の光ディスク２と同様の構成を有する。
【０１８９】
実施例３では、光ディスク２の相変化型光記録層の結晶化に際しての照射パワーＰｂ１，Ｐｂ２を０．１ｍＷに設定し、図３に示すパルス列にしたがう記録波形にて行った。このとき、記録パワーＰｗおよび消去パワーＰｅは、記録パワーＰｗ毎に最適化した。なお、記録パワーＰｗが１５ｍＷの場合の消去パワーＰｅを５．０ｍＷとし、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．３３となるようにした。また、記録パワーＰｗが１９ｍＷの場合の消去パワーＰｅを５．５ｍＷとし、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２９となるようにした。
【０１９０】
このような光ディスク２に対して、表３に示す記録条件で記録を行ない、実施例１と同様に、隣接する５トラックを記録した場合の中心トラックのｄａｔａ　ｔｏ　ｃｌｏｃｋ　ジッターの記録パワー依存性を調べた。その結果を図６に示す。
【０１９１】
【表３】
2004110884.tif 000005
【０１９２】
（実施例４）
実施例４の光ディスク２は、相変化型光記録層をＧｅ：Ａｇ：Ｉｎ：Ｓｂ：Ｔｅ＝３．０：１．０：２．５：７２．５：２１．０系の材料によって形成した以外は、実施例１の光ディスク２と同様の構成を有する。
【０１９３】
実施例４では、実施例３と同様にして相変化型光記録層の結晶化を行なった。このとき、消去パワーＰｅを５．７ｍＷ一定とした。
【０１９４】
このような光ディスク２に対して、表４に示す記録条件で記録を行ない、実施例１と同様に、隣接する５トラックを記録した場合の中心トラックのｄａｔａ　ｔｏ　ｃｌｏｃｋ　ジッターの記録パワー依存性を調べた。その結果を図７に示す。
【０１９５】
【表４】
2004110884.tif 000006
【０１９６】
（実施例５）
実施例５では、実施例４と同様の光ディスク２を用いて、表５に示す記録条件で２．４Ｘ記録を行ない、実施例１と同様に、隣接する５トラックを記録した場合の中心トラックのｄａｔａ　ｔｏ　ｃｌｏｃｋ　ジッターの記録パワー依存性を調べた。その結果を図８に示す。表５に示す記録条件は下位の記録ドライブにおける記録条件であり、記録パワーも下位の記録ドライブにおける記録パワー範囲を示している。
【０１９７】
【表５】
2004110884.tif 000007
【０１９８】
図４ないし図８に示すように、いずれも繰り返し記録１回目（ＤＯＷ１）、繰り返し記録１０００回目（ＤＯＷ１０００）の記録パワーマージンが広くなっていることが判る。また、ジッター特性の基準値が９％以下であることが判る。また、表５から判るように、記録パワーＰｗが１５ｍＷ以下において、記録パワーに対するマージンが確保できていることが判る。
【０１９９】
（比較例）
比較例として、実施例１と同様の光ディスク２を用い、図１０に示すパルス列にしたがう発光波形により表６に示す記録条件で記録を行なった。このとき、Δ２＝０とする。また、消去パワーＰｅは、記録パワーＰｗに対してＰｅ／Ｐｗ＝０．３０となるようにした。その結果を図９に示す。
【０２００】
【表６】
2004110884.tif 000008
【０２０１】
なお、上述した実施例で示した４倍速記録は、ＣＬＶ記録における条件である。設定された記録線速範囲内の任意の線速でＣＬＶ記録する場合は、（ｉ＊Ｔ／ａ）＋ｊ（ｉ＝１，２，…、ｊ＝２，３，…）（単位はｎｓ）として、パルス幅を設定する。例えば、ａ＝６とした場合、パルス幅の精度を上げるためにはａを２倍の１２とすればよい。
【０２０２】
このように、基準クロックの周期Ｔに比例する量でパルス幅およびパルス開始時間あるいは終了時間を決めたり、基準クロックの周期Ｔに比例する量と一定時間との和でパルス幅およびパルス開始時間あるいは終了時間を決めたりすることにより、ＣＡＶでも記録も可能となる。
【０２０３】
ＣＡＶ記録は、中間線速から最高線速までと、最低線速から中間線速までの各線速範囲で可能であり、さらに最低線速から最高線速までの線速範囲でも可能である。
【０２０４】
中間線速から最高線速の場合は、一定のパルス幅、例えば、中間加熱パルス幅をｂ＊Ｔ（ｂ＝０．１、０．２，０．４，０．５…の中から任意の定数を選択）固定とすれば、各線速に相当する基準クロックの周期Ｔで決まるため、連続的に線速が変わっても記録が可能である。
【０２０５】
【発明の効果】
請求項１記載の発明の光記録装置によれば、低線速で低パワーでの記録を可能にする再結晶化速度が設定されている相変化型光記録媒体に対して、設定されている再結晶化速度以上の高線速で記録する場合にも、非晶質相を形成し易くすることができるので、下位互換性の高い相変化型光記録媒体に対する高線速記録を実現することができる。
【０２０６】
請求項２記載の発明によれば、請求項１記載の光記録装置において、高線速になる程非晶質相を形成し易くしているために繰り返し記録（オーバーライト）に際しての消去比が低下するような相変化型光記録媒体に対しても、繰り返し記録に際しての消去比を向上させ、繰り返し記録特性を向上させることができる。
【０２０７】
請求項３記載の発明によれば、請求項１または２記載の光記録装置において、高線速になる程非晶質相を形成し易くしている相変化型光記録媒体に対して、特に、高線速側での繰り返し記録に際しての消去比を向上させ、高線速側での繰り返し記録特性を向上させることができる。
【０２０８】
請求項４記載の発明によれば、請求項１、２または３記載の光記録装置において、記録マーク長を制御して記録マークが不用意に長くなることを抑制することにより、１回目の記録時よりも劣化し易い２回目の記録に際してのジッター特性の劣化を抑制することができる。
【０２０９】
請求項５記載の発明によれば、請求項１ないし４のいずれか一に記載の光記録装置において、記録マークの先端部をより正確に制御することができる。
【０２１０】
請求項６記載の発明によれば、請求項１ないし５のいずれか一記載の光記録装置において、基本的には、照射パワーＰｗ１，Ｐｗ２，Ｐｗ３を同じとするが、いずれの場合にも繰り返し記録特性を改善することができる。
【０２１１】
請求項７記載の発明によれば、請求項１ないし６のいずれか一に記載の光記録装置において、先頭部の加熱パルス幅ＯＰ１に加えて、中間部および後端部の加熱パルス幅ＯＰｊ，ＯＰｍを記録線速Ｖに応じて制御することにより、記録線速Ｖに依存することなく良好な繰り返し記録特性を得ることができる。
【０２１２】
請求項８記載の発明によれば、請求項１ないし７のいずれか一に記載の光記録装置において、高線速記録である程、短くする方が好ましい後端部の冷却パルスを制御することで、記録マーク長を制御して、良好な繰り返し記録特性を得ることができる。
【０２１３】
請求項９記載の発明によれば、請求項１または２記載の光記録装置において、照射パワーＰｂ１と照射パワーＰｂ２と記録線速Ｖに依らず等しくすることで光ピックアップの駆動制御を容易化しつつ、先頭部の加熱パルス，中間部の加熱パルス，後端部の加熱パルスの開始時間を制御することで、高線速になる程非晶質相を形成し易くしている相変化型光記録媒体に対して、高線速側での繰り返し記録特性を向上させることができる。
【０２１４】
請求項１０記載の発明によれば、請求項９記載の光記録装置において、記録マークの先端部をより正確に制御することができる。
【０２１５】
請求項１１記載の発明によれば、請求項９または１０記載の記録装置において、Ｐｅ／Ｐｗを一定にした場合には低い記録パワーでの記録に際しての消去パワーも低下するために２回目記録（繰り返し記録１回目）の記録特性が劣化し、消去パワーの低下を防止するために消去パワーを一定にした場合には高記録パワーでの消去パワーが不足するという不具合が生じるが、Ｐｅ／Ｐｗを記録パワーＰｗ毎に変えることにより記録パワーＰｗに依らず繰り返し記録特性を改善することができる。
【０２１６】
請求項１２記載の発明によれば、請求項１ないし１１のいずれか一に記載の記録装置において、低記録パワー側で求められる消去パワーに固定すると高記録パワーでの消去パワーが不足するという不具合が生じるが、中間線速から最高線速までの範囲での消去パワーＰｅを記録パワーＰｗに依らずに一定とすることで、消去パワーＰｅを一定にした場合にも消去パワーを不足させることなく、処理を容易化することができる。
【０２１７】
請求項１３記載の発明の光記録方法は、低線速で低パワーでの記録を可能にする再結晶化速度が設定されている相変化型光記録媒体に対して、設定されている再結晶化速度以上の高線速で記録する場合にも、非晶質相を形成し易くすることができるので、下位互換性の高い相変化型光記録媒体に対する高線速記録を実現することができる。
【０２１８】
請求項１４記載の発明は、請求項１３記載の光記録方法において、高線速になる程非晶質相を形成し易くしているために繰り返し記録（オーバーライト）に際しての消去比が低下するような相変化型光記録媒体に対しても、繰り返し記録に際しての消去比を向上させ、繰り返し記録特性を向上させることができる。
【０２１９】
請求項１５記載の発明は、請求項１３または１４記載の光記録方法において、高線速になる程非晶質相を形成し易くしている相変化型光記録媒体に対して、特に、高線速側での繰り返し記録に際しての消去比を向上させ、高線速側での繰り返し記録特性を向上させることができる。
【０２２０】
請求項１６記載の発明は、請求項１３、１４または１５記載の光記録方法において、記録マーク長を制御して記録マークが不用意に長くなることを抑制することにより、１回目の記録時よりも劣化し易い２回目の記録に際してのジッター特性の劣化を抑制することができる。
【０２２１】
請求項１７記載の発明は、請求項１３ないし１６のいずれか一に記載の光記録方法において、記録マークの先端部をより正確に制御することができる。
【０２２２】
請求項１８記載の発明は、請求項１３ないし１７のいずれか一記載の光記録方法において、基本的には、照射パワーＰｗ１，Ｐｗ２，Ｐｗ３を同じとするが、いずれの場合にも繰り返し記録特性を改善することができる。
【０２２３】
請求項１９記載の発明は、請求項１３ないし１８のいずれか一に記載の光記録方法において、先頭部の加熱パルス幅ＯＰ１に加えて、中間部および後端部の加熱パルス幅ＯＰｊ，ＯＰｍを記録線速Ｖに応じて制御することにより、記録線速Ｖに依存することなく良好な繰り返し記録特性を得ることができる。
【０２２４】
請求項２０記載の発明は、請求項１３ないし１９のいずれか一に記載の光記録方法において、高線速記録である程短くする方が好ましい後端部の冷却パルスを制御することで、記録マーク長を制御して、良好な繰り返し記録特性を得ることができる。
【０２２５】
請求項２１記載の発明は、請求項１３または１４記載の光記録方法において、照射パワーＰｂ１と照射パワーＰｂ２と記録線速Ｖに依らず等しくして光ピックアップの駆動制御を容易化しつつ、先頭部の加熱パルス，中間部の加熱パルス，後端部の加熱パルスの開始時間を制御することで、高線速になる程非晶質相を形成し易くしている相変化型光記録媒体に対して、高線速側での繰り返し記録特性を向上させることができる。
【０２２６】
請求項２２記載の発明は、請求項２１記載の光記録方法において、記録マークの先端部をより正確に制御することができる。
【０２２７】
請求項２３記載の発明は、請求項２１または２２記載の記録方法において、Ｐｅ／Ｐｗを一定にした場合には低い記録パワーでの記録に際しての消去パワーも低下するために２回目記録（繰り返し記録１回目）の記録特性が劣化し、消去パワーの低下を防止するために消去パワーを一定にした場合には高記録パワーでの消去パワーが不足するという不具合が生じるが、Ｐｅ／Ｐｗを記録パワーＰｗ毎に変えることにより記録パワーに依らず繰り返し記録特性を改善することができる。
【０２２８】
請求項２４記載の発明は、請求項１３ないし２３のいずれか一に記載の記録方法において、低記録パワー側で求められる消去パワーに固定すると高記録パワーでの消去パワーが不足するという不具合が生じるが、中間線速から最高線速までの範囲での消去パワーＰｅを記録パワーＰｗに依らずに一定とすることで、消去パワーＰｅを一定にした場合にも消去パワーを不足させることなく、処理を容易化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の光ディスク装置の構成を概略的に示すブロック図である。
【図２】半導体レーザから照射するレーザ光の発光波形を示す説明図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の光ディスク装置が半導体レーザから照射するレーザ光の発光波形を示す説明図である。
【図４】実施例１においてｄａｔａ　ｔｏ　ｃｌｏｃｋジッターの記録パワー依存性を示すグラフである。
【図５】実施例２においてｄａｔａ　ｔｏ　ｃｌｏｃｋジッターの記録パワー依存性を示すグラフである。
【図６】実施例３においてｄａｔａ　ｔｏ　ｃｌｏｃｋジッターの記録パワー依存性を示すグラフである。
【図７】実施例４においてｄａｔａ　ｔｏ　ｃｌｏｃｋジッターの記録パワー依存性を示すグラフである。
【図８】実施例５においてｄａｔａ　ｔｏ　ｃｌｏｃｋジッターの記録パワー依存性を示すグラフである。
【図９】比較例においてｄａｔａ　ｔｏ　ｃｌｏｃｋジッターの記録パワー依存性を示すグラフである。
【図１０】半導体レーザから照射するレーザ光の従来の発光波形を示す説明図である。
【符号の説明】
１　　　光記録装置
３　　　相対移動手段
１０　　　光ピックアップ
２０　　　記録手段、消去手段、再生手段
【図１】
2004110884.tif 000009
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2004110884.tif 000016
【図９】
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【図１０】
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