(57)【要約】【課題】書き込み光源に可干渉光を使用した電子写真装置に使用しても、画像に干渉縞が発生することのない電子写真感光体およびその基体の、簡易な表面粗さ評価方法およびその製造方法を提供する。【解決手段】電子写真感光体用基体の表面粗さ評価方法は、基体表面の任意の位置からＪＩＳ　Ｂ０６０１に定める断面曲線を横軸方向に１００μｍの長さで求め、その横軸方向上の等間隔の位置における断面曲線の縦軸方向の位置を測定し、その位置のＪＩＳ　Ｚ８１０１に定める分散を求め、かつ、ＪＩＳ　Ｂ０６０１に定める表面粗さＲａ、Ｒｚ、およびＲｙから選択される１以上の測定値を求め、その分散と上記１以上の測定値とを用いて基体の表面粗さを評価する【選択図】　　　　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子写真感光体用基体の表面粗さ評価方法であって、
基体表面の任意の位置からＪＩＳ　Ｂ０６０１に定める断面曲線を横軸方向に１００μｍの長さで求め、前記横軸方向上の等間隔の位置における前記断面曲線の縦軸方向の位置を測定し、その位置のＪＩＳ　Ｚ８１０１に定める分散を求め、かつ、ＪＩＳ　Ｂ０６０１に定める表面粗さＲａ、Ｒｚ、およびＲｙから選択される１以上の測定値を求め、
前記分散と前記１以上の測定値とを用いて前記基体の表面粗さを評価することを特徴とする電子写真感光体用基体の表面粗さ評価方法。
【請求項２】
上記横軸方向上の等しい間隔が、０．１μｍ以上、５μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体用基体の表面粗さ評価方法。
【請求項３】
研削あるいは研磨加工によって作製された電子写真感光体用基体の製造方法であって、
基体表面の任意の位置からＪＩＳ　Ｂ０６０１に定める断面曲線を横軸方向に１００μｍの長さで求め、前記横軸方向上の等間隔の位置における前記断面曲線の縦軸方向の位置を測定し、その位置のＪＩＳ　Ｚ８１０１に定める分散を求め、かつ、ＪＩＳ　Ｂ０６０１に定める表面粗さＲａ、Ｒｚ、およびＲｙから選択される１以上の測定値を求め、
前記分散と前記１以上の測定値とを用いて前記基体の表面粗さを評価して製造することを特徴とする電子感光体用基体の製造方法。
【請求項４】
前記Ｒｚが０．７以上、３．０以下であり、かつ、前記分散が０．０２以上であるように調整して製造することを特徴とする請求項３に記載の電子写真感光体用基体の製造方法。
【請求項５】
前記Ｒｚが０．７以上、３．０以下であり、かつ、前記分散が０．１０以上であるように調整して製造することを特徴とする請求項３に記載の電子写真感光体用基体の製造方法。
【請求項６】
上記横軸方向上の等しい間隔が、０．１μｍ以上、５μｍ以下であることを特徴とする請求項３乃至５のいずれかに記載の電子写真感光体用基体の製造方法。
【請求項７】
基体上に中間層および下引き層から選択される１以上の層および単層または多層からなる感光層が順次形成された電子写真感光体における前記感光層の隣接下層面の粗さ評価方法であって、
前記下層面表面の任意の位置からＪＩＳ　Ｂ０６０１に定める断面曲線を横軸方向に１００μｍの長さで求め、前記横軸方向上の等間隔の位置における前記断面曲線の縦軸方向の位置を測定し、その位置のＪＩＳ　Ｚ８１０１に定める分散を求め、かつ、ＪＩＳ　Ｂ０６０１に定める表面粗さＲａ、Ｒｚ、およびＲｙから選択される１以上の測定値を求め、
前記分散と前記１以上の測定値とを用いて前記下層面の表面粗さを評価することを特徴とする電子写真感光体における感光層隣接下層面の表面粗さ評価方法。
【請求項８】
基体上に中間層および下引き層から選択される１以上の層および単層または多層からなる感光層が順次形成された電子写真感光体の製造方法であって、
前記感光層の隣接下層面の任意の位置からＪＩＳ　Ｂ０６０１に定める断面曲線を横軸方向に１００μｍの長さで求め、前記横軸方向上の等間隔の位置における前記断面曲線の縦軸方向の位置を測定し、その位置のＪＩＳ　Ｚ８１０１に定める分散が、０．００３以上であり、かつ、ＪＩＳ　Ｂ０６０１に定める表面粗さＲｚが０．５以上、２．０以下であるように調整して製造することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項９】
さらに、前記感光層の表面上に保護層を設けることを特徴とする請求項８に記載の電子写真感光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真感光体およびそれに用いる基体に関し、特に電子写真感光体用基体の表面粗さ評価方法および製造方法、電子写真感光体における感光層隣接下層面の表面粗さ評価方法ならびに電子写真感光体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子写真装置において、書き込み光源にレーザ等の可干渉光源を使用した場合、画像に干渉縞が発生する問題が有る。この原因としては、可干渉光が感光層へ入射した際、入射光とその反射光の位相の干渉状態によって像形成に寄与する光量が変化することがあげられる。この対策としては、基体表面を粗面化する方法、あるいは基体上に可干渉光による干渉縞の発生を防ぐ層を設ける方法がある。それを順次説明する。
【０００３】
例えば、基体表面を粗面化する方法として、水蒸気を凍結させて得られる微細凍結粒子を気体表面に噴射する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。これにより、基体表面の汚染物質を除去すると共に、基体表面を粗面化することができ、この表面処理法により処理された基体を用いて形成される電子写真感光体は、レーザ光による干渉縞の形成を防止することができるとしている。
また、基体を粗面化する以外の方法として、同機能の薄膜を形成する方法も有り、支持体上に感光層を形成してなる電子写真用感光体において、該支持体と感光層との間にコヒーレント光を吸収するめっき層を設けた特徴とする電子写真用感光体が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
さらに、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる電子写真感光体用の円筒基体であって、この円筒基体にはアルマイト皮膜が構成されてなり、しかもベースとの境界側のアルマイト皮膜の界面が幅は約０．１〜５μｍ、深さは約０．１〜３μｍの略半球状の凹面に構成されたものである電子写真感光体用の円筒基体が提案されている（例えば、特許文献３参照。）。
しかし、基体表面を粗面化する方法として最も一般的で広く用いられている方法は切削加工である。この方法の場合、基体表面にはバイトの送りによって一定間隔の凹凸が生じるため、この基体表面凹凸ピッチと書き込み光のピッチとの組み合わせによっては、尚干渉縞が発生する問題が有る。以下にそれを説明する。
【０００４】
旋盤を使用した切削加工によって電子写真感光体用基体を作成する場合、通称鏡面素管と呼ばれる素管以外では、切削によって基体表面に一定ピッチの凹凸が形成される。レーザ光等の可干渉光を使用した電子写真装置では、感光体表面をレーザ光で走査しているが、このとき、レーザ光は常時点灯しておらず、その装置の解像度に応じてレーザ光を点滅させている。例えば、６００ｄｐｉと言われる電子写真装置では、１インチ当たり６００個のレーザースポットの照射を行っている。このような、一定ピッチの凹凸の有る基体で作成した電子写真感光体に、一定ピッチのレーザースポットを照射したとき、基体の凹凸ピッチとレーザのピッチの組み合わせによっては、干渉縞が発生する場合が有る。
【０００５】
切削面に一定周期の溝が形成される切削加工では、レーザーピッチとの干渉縞が発生しないように、切削による溝の周期を選択する必要がある。すなわち、これは切削加工において、基体の回転数とバイトの送り速度を選定することである。しかし、電子写真装置が複数のレーザーピッチに切り替えられるようになっている場合、両方のレーザーピッチに対応できる切削溝間隔にする必要が有る。このような場合、切削バイトの送り速度を変えて対策としている（例えば、特許文献４参照。）。しかし、この方法では切削における基体の回転数とバイトの送り速度の選択肢は少なく、加工の自由度が狭まるため、切削加工が困難になっている問題が有る。
基体の表面加工方法として、センタレス研削やテープ研磨を使用した場合は、基体表面の凹凸はランダムとなり、このような表面は画像干渉縞対策として十分に好ましい表面である。しかし、砥石の目詰まり状態によっては、凹凸が不十分となり、画像干渉縞が発生することが有る。
【０００６】
また、現在、書き込み光源に半導体レーザを使用した電子写真装置が広く使用されている。このような電子写真装置を高解像度化、高画質化するには、レーザビームのスポット径をできるだけ小さくすることが必要である。しかしながら、現在書き込み光源として広く用いられている近赤外域に発振波長を持つ半導体レーザでは、光学系の最適化を行ってビーム径を細くしても、スポット輪郭の鮮明さが得られ難い問題が有る。ここで、スポット径Ｄはレーザ光の波長λに下式のように正比例することが知られている。
Ｄ＝１．２２λ／ＮＡ　（ＮＡはレンズ開口数）
従って、画質向上には、レーザ光の波長自体を現在の波長より短くすることが有効となる。
【０００７】
このような背景から短波長レーザの出現が望まれていたが、１９９０年代初頭より６５０ｎｍ近傍に発振波長を有する赤色半導体レーザが実用化されている。また、最近では、１９９５年１２月に日亜化学工業より４１０ｎｍ発振の青紫色半導体レーザの開発成功が発表され、また、松下電器産業により、非線形光学素子を用いたＳＨＧ（第２高調波）による４２５ｎｍのレーザも開発されている。このように、発振波長４００〜５００ｎｍ程度の青色系半導体レーザの実用化が現実味を帯びてきた。
【０００８】
電子写真装置への適用としては、波長４００〜５００ｎｍの光源を用いる電子写真装置が提案されている（例えば、特許文献５参照。）。
また、特定の結晶構造のペリレン顔料を用いて可視半導体レーザで露光する感光体も提案されている（例えば、特許文献６参照。）。
しかしながら、現在のレーザ光源を使用した電子写真装置で生じている画像に干渉縞が発生する問題は、依然として発生し、特にスポット径が小さくなり、且つ、波長が短くなることによって、画像での干渉縞の発生の様相は現在と異なってくることがわかってきた。
例えば、現在使用しているレーザ光源を使用した装置では画像に干渉縞が発生しなくとも、短波長のレーザ光源を使用した装置では干渉縞が発生する問題が生じている。従って、現在の基体の粗面化では充分とは言えず、短波長の可干渉光でも画像干渉縞の発生が無い基体の製造方法開発が必要になっている。
最近、円筒状基体上に感光層を有する被覆層を備えた感光体において、円筒状基体表面の円周方向に、幅が１０μｍ〜５００μｍで、深さが０．３μｍ〜３０μｍである溝を並列的に有し、各溝の幅の方向に沿った断面が規則的形状とし、被覆層の膜厚を規則的に変化させることを特徴とする感光体が提案されている（例えば、特許文献７参照。）。これは、干渉縞模様の原因となっている感光層内の多重反射を防止するために均一で適度な表面粗さを持たせた発明である。
【０００９】
このように、基体表面の表面粗さは、画像品質にとって重要であるが、従来、ＪＩＳに定める表面粗さで測定し、判断することが多かった。広く使われている測定方法としては、算術平均粗さ（Ｒａ）、最大高さ（Ｒｙ）、十点平均粗さ（Ｒｚ）等が有る。
【００１０】
例えば、この表面粗さ測定法で基体表面を評価した例としては、合成樹脂感光ドラム基体の表面に、波長６５０ｎｍ　以上のレーザ光線に対して多重反射の生じないように平均表面粗さＲａ０．２〜２．０μｍの均一微細な凹凸が形成されている電子写真感光体用円筒状基体およびその製造方法が提案されている（例えば、特許文献８。）。
【００１１】
また、しごき加工又は冷間引抜き加工によって作られたアルミニウム円筒基体であって、該基体の表面が基体の軸方向のスジを全円周にわたって有し、該表面における円周方向のＲｙが０．２〜３　μｍ　である電子写真感光体用アルミニウム円筒基体及びその製造方法が提案されている（例えば、特許文献９参照。）。
また、光源として発光ダイオードが用いられる電子写真装置における感光体用アルミニウム基盤であって、表面粗さがＲｚ０．８μｍ以下に規定されてなる基盤が提案されている（例えば、特許文献１０参照。）。ここで、複数個の発光ダイオードは感光体に対して同一間隔で平行状に配置されるとともに、発光ダイオードと感光体との間に、発光ダイオードからの光を感光体に垂直に入射させるレンズが配置されてなる電子写真装置に適用するのが好ましいとしている。
【００１２】
また、導電性支持体上に、感光層及び表面保護層を少なくとも有する電子写真感光体において、前記導電性支持体の表面粗さＲｚを０．０１μｍ以上、Ｒｚ０．５μｍ以下とし、かつ表面保護層を表面粗さＲｚを０．２μｍ以上、１．２μｍ以下とすることが提案されている（例えば、特許文献１１参照。）。
【００１３】
しかし、いずれの表面粗さ測定法でも、画像干渉縞対策として十分かつ必要な表面粗さを定義しきれない問題が有った。
【００１４】
このような問題に対し、表面粗さを規定する方法が各種検討されている。次にそれを紹介する。
その１つとして、表面粗さＲｚ以外に、表面積増加率を指標とする方法が開示されている（例えば、特許文献１２参照。）。
また、基準長さ０．２５ｍｍで測定した最大高さ（Ｒｙ）と、基準長さ０．８ｍｍで測定した最大高さ（Ｒｙ）を使用し、陽極酸化皮膜処理した面に対し、表面の粗さが次式
１．０ａ≦ｂ≦２．５ａ
ａ　：　短波長（細かい粗さ）成分の粗さ
ｂ　：　長波長（粗い粗さ）成分の粗さ
に示す２成分からなる粗さ波形を有し、第１成分ａ波形の凹凸の凸部間のピッチが５〜２０μｍであり、第２成分ｂ波形の凹凸の凸部間のピッチが２００〜４００μｍであることを特徴とする電子写真感光体としている（例えば、特許文献１３参照。）。
【００１５】
平行線の深さＲｐが、０．１１μｍ≦Ｒｐ≦０．８μｍ、粗さ曲線の最高高さＲｙが、０．２μｍ≦Ｒｙ≦１．６μｍであるか、十点平均表面粗さＲｚが０．２０μｍ以上、１．５０μｍ以下とする方法が開示されている（例えば、特許文献１４参照。）。
また、表面形状を表面粗さ測定装置で測定して得られる断面曲線１上で、平均線２を中心とした仕切り幅Ｘを規定し、この仕切り幅を超える相隣る山と谷の一対からなるピーク４の単位長Ｌあたりの数により表面形状を評価し、このような方法で仕切り幅Ｘを２０μｍとし単位長Ｌを１ｃｍとしたときのピーク４の数を１００以下とした基体が提案されている（例えば、特許文献１５参照。）。
その他、アルミニウム合金を押し出し加工して円筒シリンダー状の導電性基体とし、該円筒シリンダー状導電性基体の表面をセンタレス研磨することにより、シリンダー表面の周方向の最大高さ（Ｒｙ（ａ））を母線方向の最大高さ（Ｒｙ（ｂ））の１／２以下とし、周方向の十点平均粗さの値（Ｒｚ（ａ））を母線方向の十点平均粗さの値（Ｒｚ（ｂ））の１／２以下とする電子写真感光体用基体および該基体の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１６参照。）。
【００１６】
しかしながら、いずれも表面粗さの評価法として充分ではなく、上記の評価法では十分な値であっても、実際に感光体を作成すると、干渉縞が発生する場合が有った。
【００１７】
表面粗さの評価は、「ＪＩＳ　Ｂ０６０１　表面粗さの定義と表示」に従って行われるのが一般的である。しかし、ＪＩＳに定める方法では、電子写真感光体として必要な干渉縞の生じない為に必要な表面粗さを表現しきれない問題がある。例えば、従来の表面粗さ（Ｒａ、Ｒｙ、Ｒｚ）評価法では先に述べたように干渉縞対策として必要な条件を完全に示せていない。
そして、電子写真感光体を可能干渉光を書き込み光源に使用した電子写真装置に使用しても、干渉縞を生ずることが無いような電子写真感光体の基体表面粗さを測定する方法が示されていなかった。特に、電子写真装置に使用する感光体の基体を作成するに当たって、従来は表面粗さとして使用していたＲａ、Ｒｙ、Ｒｚでは干渉縞防止の基準として不十分であった問題に対し、適切な基体表面の基準が明らかではなかった。
【００１８】
例えば、従来表面粗さとして使用しているＲａの定義では、測定長内に飛び外れた山と谷が有った場合、計算上Ｒａは大きく出る。また、飛び外れた山や谷が無い場合でも、Ｒａが同じに出る場合が有る。
このような基体表面形状は、研削輪が目詰まりした場合に起き易く、表面粗さ計で測定すると、表面粗さＲａの値は目標の値が出るものの、干渉縞抑止能力は劣った基体ができる。
【００１９】
このような問題が有る為、従来は、表面粗さＲａ以外に、表面粗さ計の測定チャートを保存しておき、チャートに記録された切削波形から判定していたが、チャートの傾向を読み取らねばならず、熟練を要する問題が有った。
従って、表面粗さＲａのみでは完全とは言えず、Ｒａ以外に干渉抑止機能を予測できる測定方法が望まれていた。
【００２０】
またさらに、電子写真感光体の基体上に形成された下引き層表面の粗さは感光層に直接影響を及ぼす重要な要素であるが、電子写真感光体に可能干渉光を書き込み光源に使用した電子写真装置に使用しても、干渉縞を生ずることが無いような電子写真感光体の基体に下引き層を形成した表面の表面粗さを評価する粗さ評価方法は知られていなかった。また、その評価方法を用いた電子写真感光体の製造方法も知られていなかった。
【００２１】
【特許文献１】
特開平５−２２４４３７号公報
【特許文献２】
特開平５−２０４１７７号公報
【特許文献３】
特開平５−３１３３９７号公報
【特許文献４】
特開平７−７７８１７号公報
【特許文献５】
特開平５−１９５９８号公報
【特許文献６】
特開平８−１５８８１号公報
【特許文献７】
特開平６−２８２０８９号公報
【特許文献８】
特開平１０−３０１３１１号公報
【特許文献９】
特開平５−７２７８５号公報
【特許文献１０】
特開平８−７６３９５号公報
【特許文献１１】
特開平６−１３８６８５号公報
【特許文献１２】
特開平６−３５２１６号公報
【特許文献１３】
特開２０００−６６４２８号公報
【特許文献１４】
特開平７−２８２６３号公報
【特許文献１５】
特開平７−１０４４９７号公報
【特許文献１６】
特開平７−３３３８７８号公報
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、以上のような問題点に対してなされたものであり、その目的は、書き込み光源に可干渉光を使用した電子写真装置に使用しても、画像に干渉縞が発生することのない電子写真感光体基体の新規で簡易な表面粗さ評価方法、およびその評価方法を用いた電子写真感光体用基体の製造方法を提供することである。
また、他の目的は、電子写真感光体に可能干渉光を書き込み光源に使用した電子写真装置に使用しても、干渉縞を生ずることが無いような電子写真感光体の基体に下引き層を形成した表面の表面粗さを評価する新規で簡易な電子写真感光体の粗さ評価方法、およびその評価方法を用いた電子写真感光体の製造方法を提供することである。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、電子写真感光体用基体の表面粗さ評価方法であって、基体表面の任意の位置からＪＩＳ　Ｂ０６０１に定める断面曲線を横軸方向に１００μｍの長さで求め、前記横軸方向上の等間隔の位置における前記断面曲線の縦軸方向の位置を測定し、その位置のＪＩＳ　Ｚ８１０１に定める分散を求め、かつ、ＪＩＳ　Ｂ０６０１に定める表面粗さＲａ、Ｒｚ、およびＲｙから選択される１以上の測定値を求め、前記分散と前記１以上の測定値とを用いて前記基体の表面粗さを評価することを特徴とする電子写真感光体用基体の表面粗さ評価方法である。
このような構成によって、表面粗さをＪＩＳ　Ｂ０６０１に定める表面粗さＲａ、あるいは、Ｒｚ、あるいはＲｙ以外に、ＪＩＳ　Ｂ０６０１に定める断面曲線を求め、その断面曲線上の等間隔位置における縦軸方向の位置を測定し、その位置のＪＩＳ　Ｚ８１０１に定める分散とで評価しているので、書き込み光源として可干渉光をした電子写真装置においても画像に干渉縞が発生することがない基体を自動的に判断できる。　あるいは人間が判断する場合は熟練を要しないで判定できる。
【００２４】
請求項２の発明は、請求項１に記載の電子写真感光体用基体の表面粗さ評価方法において、上記横軸方向上の等しい間隔が、０．１μｍ以上、５μｍ以下であることを特徴とする。
【００２５】
請求項３の発明は、研削あるいは研磨加工によって作製された電子写真感光体用基体の製造方法であって、基体表面の任意の位置からＪＩＳ　Ｂ０６０１に定める断面曲線を横軸方向に１００μｍの長さで求め、前記横軸方向上の等間隔の位置における前記断面曲線の縦軸方向の位置を測定し、その位置のＪＩＳ　Ｚ８１０１に定める分散を求め、かつ、ＪＩＳ　Ｂ０６０１に定める表面粗さＲａ、Ｒｚ、およびＲｙから選択される１以上の測定値を求め、前記分散と前記１以上の測定値とを用いて前記基体の表面粗さを評価して製造することを特徴とする電子感光体用基体の製造方法である。
このような構成によって、研削あるいは研磨加工で作製した電子写真感光体用基体は、ＪＩＳ　Ｂ０６０１に定める表面粗さＲｚが０．７以上、３．０以下であり、かつ、そのその基体の任意の位置から１００μｍの長さでＪＩＳ　Ｂ０６０１に定める断面曲線を求め、その断面曲線上の等間隔における縦軸方向の位置を測定し、その位置のＪＩＳ　Ｚ８１０１に定める分散が０．１０以上であるので、書き込み光源として可干渉光をした電子写真装置においても画像に干渉縞が発生することがない。
【００２６】
請求項４の発明は、請求項３に記載の電子写真感光体用基体の製造方法において、前記Ｒｚが０．７以上、３．０以下であり、かつ、前記分散が０．０２以上であるように調整することを特徴とする。
このような構成によって、切削加工で作製した電子写真感光体用基体は、ＪＩＳ　Ｂ０６０１に定める表面粗さＲｚが０．７以上、３．０以下であり、かつ、そのその基体の任意の位置から１００μｍの長さでＪＩＳ　Ｂ０６０１に定める断面曲線を求め、その断面曲線上の等間隔における縦軸方向の位置を測定し、その位置のＪＩＳ　Ｚ８１０１に定める分散が０．０２以上であるので、書き込み光源として可干渉光をした電子写真装置においても画像に干渉縞が発生することがない。
【００２７】
請求項５の発明は、請求項３に記載の電子写真感光体用基体の製造方法において、前記Ｒｚが０．７以上、３．０以下であり、かつ、前記分散が０．１０以上であるように調整することを特徴とする。
【００２８】
請求項６の発明は、請求項３乃至５のいずれかに記載の電子写真感光体用基体の製造方法において、上記横軸方向上の等しい間隔が、０．１μｍ以上、５μｍ以下であることを特徴とする。
【００２９】
請求項７の発明は、基体上に中間層および下引き層から選択される１以上の層および単層または多層からなる感光層が順次形成された電子写真感光体における前記感光層の隣接下層面の粗さ評価方法であって、前記下層面表面の任意の位置からＪＩＳ　Ｂ０６０１に定める断面曲線を横軸方向に１００μｍの長さで求め、前記横軸方向上の等間隔の位置における前記断面曲線の縦軸方向の位置を測定し、その位置のＪＩＳ　Ｚ８１０１に定める分散を求め、かつ、ＪＩＳ　Ｂ０６０１に定める表面粗さＲａ、Ｒｚ、およびＲｙから選択される１以上の測定値を求め、前記分散と前記１以上の測定値とを用いて前記下層面の表面粗さを評価することを特徴とする電子写真感光体における感光層隣接下層面の表面粗さ評価方法である。
このような構成によって、下引き層の表面粗さをＲｚのみではなく、表面粗さを求めた時の断面曲線上の等間隔における縦軸方向の位置を測定し、その位置のＪＩＳ　Ｚ８１０１に定める分散を求め、その両方を使って粗さを評価するので、非熟練者にも判断可能であり、また、表面粗さ測定以外の測定や評価を行わなくて良いので、簡易な表面粗さ測定方法が提供できる。
【００３０】
請求項８の発明は、基体上に中間層および下引き層から選択される１以上の層および単層または多層からなる感光層が順次形成された電子写真感光体の製造方法であって、前記感光層の隣接下層面の任意の位置からＪＩＳ　Ｂ０６０１に定める断面曲線を横軸方向に１００μｍの長さで求め、前記横軸方向上の等間隔の位置における前記断面曲線の縦軸方向の位置を測定し、その位置のＪＩＳ　Ｚ８１０１に定める分散が、０．００３以上であり、かつ、ＪＩＳ　Ｂ０６０１に定める表面粗さＲｚが０．５以上、２．０以下であるように調整して製造することを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。
このような構成によって、下引き層の表面粗さをＲｚのみではなく、表面粗さを求めた時の断面曲線上の等間隔における縦軸方向の位置を測定し、その位置のＪＩＳ　Ｚ８１０１に定める分散を求め、その両方を使って粗さを評価して調整して作製するので、非熟練者にも判断可能であり、また、表面粗さ測定以外の測定や評価を行わなくて良いので、簡易な表面粗さ評価方法を用いた簡易な製造方法が提供できる。
【００３１】
請求項９の発明は、請求項８に記載の電子写真感光体の製造方法において、さらに、前記感光層の表面上に保護層を設けることを特徴とする。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、図を参照しながら本実施の形態を説明する。
（第１の実施の形態）
初めに、本発明を実施するのに好適な表面粗さ測定装置を図３に示す。図３において、１１は測定対象である電子写真感光体用基体、１２は表面粗さ測定センサー、１３は表面粗さ測定センサーを保持し、基体の軸方向に移動する機構、１４は表面粗さ測定結果を演算する表面粗さ計、１５は本発明においてＪＩＳ　Ｂ０６０１に定める断面曲線からＪＩＳ　Ｚ８１０１に定める分散を求める計算をするパーソナルコンピュータである。
この図の例では、ＪＩＳＺ８１０１に定める分散はパーソナルコンピュータ１５で求めているが、表面粗さ計１４で求めても良い。
【００３３】
発明者らの測定では、表面粗さ計は東京精密製サーフコム５７０Ａを使用し、パーソナルコンピュータはＩＢＭ製ＴｈｉｎｋＰａｄ３４０を使用した。また、サーフコム５７０ＡとＩＢＭ製ＴｈｉｎｋＰａｄの間はＲＳ−２３２−ｃケーブルで接続した。サーフコムから送られてきた表面粗さデーターの処理は、ＶｉｓｕａｌＢＡＳＩＣで作成したソフトウェアで行った。
また、表面粗さ測定における基準長さは、２．５ｍｍで行った。
【００３４】
図６に基体の表面粗さ測定時の表面粗さ計（東京精密製サーフコム５７０Ａ）のプリントアウトの例を示す。また、この測定を行ったときの測定結果をＲＳ−２３２−ｃでパーソナルコンピュータが受け、その結果をグラフにしたものを図７に示す。図６と図７は同じ測定結果を示しておりパーソナルコンピュータの処理が正確に行われたことがわかる。
ここで、基体表面の任意の位置から１００μｍの長さでＪＩＳＢ０６０１に定める断面曲線を求めているが、この長さは必ずしも１００μｍでなくとも良く、その基体で作成した電子写真感光体を搭載する電子写真装置の露光光の光スポット径の直径より大きければ良く、この長さは５０μｍ以上、３００μｍ以下が適当である。
【００３５】
また、ここで、表面粗さの評価法として、ＪＩＳＢ０６０１に定める表面粗さＲａ、あるいは、Ｒｚ、あるいはＲｍａｘのいずれかを使用する。好ましくは、ＲｚかＲｙを使用する。また、表面粗さを求めるときの基準長はＪＩＳＢ０６０１によって決めれば良い。
【００３６】
ここで、感光体の基体表面を研削または研磨加工する場合には、ＪＩＳＢ０６０１に定める表面粗さＲｚが０．７以上、３．０以下が好ましく、より好ましくは２．０以上、３．０以下が良い。また、分散は０．１０以上としているが、より好ましくは０．２０以上が良い。Ｒｚがこれより小さいと画像に干渉縞状のムラが発生する。また、Ｒｚがこれより大きいと、電子写真感光体製造時に塗工ムラが発生する。分散がこれより小さいと、画像に干渉縞状のムラが発生する。
【００３７】
ここで、感光体の基体表面を切削加工する場合には、ＪＩＳＢ０６０１に定める表面粗さＲｚが０．７以上、３．０以下としているが、好ましくは１．０以上、２．０以下が良い。また、分散は０．０２以上としているが、好ましくは０．０４以上が良い。Ｒｚがこれより小さいと画像に干渉縞状のムラが発生する。また、Ｒｚがこれより大きいと、電子写真感光体製造時に塗工ムラが発生する。分散がこれより小さいと、画像に干渉縞状のムラが発生する。
【００３８】
本発明において、分散はＪＩＳＺ８１０１に定める分散であり、すなわち、測定値の試料（ｘ１、ｘ２、・・・、ｘｎ）については
【００３９】
【数１】
2004117454.tif 000003
【００４０】
で求められる値である。
ここで、
【００４１】
【数２】
2004117454.tif 000004
【００４２】
は試料平均を示す。
【００４３】
ここで、断面曲線上の等間隔における縦軸方向の位置を測定するとき、その測定間隔を０．１μｍ以上、５μｍ以下であることが好ましいが、これは、その基体で作成した電子写真感光体を搭載する電子写真装置の露光光の光スポット径の１／１０以下であれば良い。測定間隔を０．１μｍ以下の場合、それより大きな場合と結果は大きく変わらず、計算が煩雑になるのみでメリットはない。また、測定間隔が５μｍ以上であると、その測定結果で計算した分散では本発明の目的とする評価を行うことはできない。
【００４４】
［電子写真感光体］
以下、本発明における電子写真感光体を図面によって説明する。
【００４５】
図１は、本発明に用いられる電子写真感光体を表わす断面図であり、導電性支持体１上に電荷発生材料を主成分とする電荷発生層２と、電荷輸送材料を主成分とする電荷輸送層３とが、積層された構成をとっている。
更に、図２は電荷輸送層３の上に保護層４を設けた構成になっている。
導電性支持体１としては、体積抵抗１０１０Ωｃｍ以下の導電性を示すもの、例えば、アルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、金、銀、白金などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を、蒸着またはスパッタリングにより、フィルム状もしくは円筒状のプラスチック、紙に被覆したもの、或いは、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス等の板およびそれらを押し出し、引き抜き等の工法で素管化後、切削、超仕上げ、研磨等で表面処理した管等を使用することができる。また、特開昭５２−３６０１６号公報に開示されたエンドレスニッケルベルト、エンドレスステンレスベルトも導電性支持体１として用いることができる。
【００４６】
この他、上記支持体上に導電性粉体を適当な結着樹脂に分散して塗工したものも、本発明の導電性支持体１として用いることができる。この導電性粉体としては、カーボンブラック、アセチレンブラック、また、アルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀等の金属粉或いは導電性酸化スズ、ＩＴＯ等の金属酸化物粉体等が挙げられる。また、同時に用いられる結着樹脂には、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂が挙げられる。このような導電性層は、これらの導電性粉体と結着樹脂を適当な溶剤、例えば例えばＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、ＭＤＣ（ジクロロメタン）、ＭＥＫ（メチルエチルケトン）、トルエン等に分散して塗布することにより設けることができる。更に、適当な円筒基体上にポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、塩化ゴム、テフロン（登録商標）などの素材に前記導電性粉体を含有させた熱収縮チューブによって導電性層を設けてなるものも、本発明の導電性支持体（１）として良好に用いることができる。
導電性支持体の加工方法としては、各種の切削加工、研削加工、研磨加工が可能であり、それらの加工法の組み合わせも有効である。
【００４７】
次に感光層について説明する。感光層は単層でも積層でもよいが、説明の都合上、まず電荷発生層２と電荷輸送層３から構成される場合から述べる。
電荷発生層２は、電荷発生材料を主成分とする層である。　電荷発生材料には、顔料、染料などの有機材料が用いられ、その代表例として、モノアゾ顔料、ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン系顔料、ペリノン系顔料、キナクリドン系顔料、キノン系縮合多環化合物、スクアリック酸系染料、フタロシアニン系顔料、ナフタロシアニン系顔料、アズレニウム塩系染料、等が挙げられ用いられる。電荷発生材料は、単独であるいは、２種以上混合して用いられる。
【００４８】
電荷発生層２に用いられる結着樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミド、ポリビニルベンザール、ポリエステル、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリフェニレンオキシド、ポリアミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等が挙げられる。結着樹脂の量は、電荷発生物質１００重量部に対し２０〜２００重量部、好ましくは５０〜１５０重量部が適当である。
ここで用いられる溶剤としては、例えばイソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルセルソルブ、酢酸エチル、酢酸メチル、ジクロロメタン、ジクロロエタン、モノクロロベンゼン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、リグロイン等が挙げられる。塗布液の塗工法としては、浸漬塗工法、スプレーコート、ビートコート、ノズルコート、スピナーコート、リングコート等の方法を用いることができる。電荷発生層３の膜厚は０．０１〜５μｍ程度が適当であり、好ましくは０．１〜２μｍである。
【００４９】
電荷輸送層３は、電荷輸送物質及び結着樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを電荷発生層上に塗布、乾燥することにより形成できる。また、必要により可塑剤、レベリング剤、酸化防止剤等を添加することもできる。　レベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどのシリコーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマーあるいはオリゴマーが使用され、その使用量は結着樹脂に対して０〜１重量％程度が適当である。
【００５０】
電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがある。電子輸送物質としては、例えば、クロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−４Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］チオフェン−４−オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−５，５−ジオキサイド、ベンゾキノン誘導体等の電子受容性物質が挙げられる。
【００５１】
正孔輸送物質としては、ポリ−Ｎ−カルバゾール及びその誘導体、ポリ−γ−カルバゾリルエチルグルタメート及びその誘導体、ピレン−ホルムアルデヒド縮合物及びその誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニルフェナントレン、ポリシラン、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、モノアリールアミン誘導体、ジアリールアミン誘導体、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、α−フェニルスチルベン誘導体、ベンジジン誘導体、ジアリールメタン誘導体、トリアリールメタン誘導体、９−スチリルアントラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、ジビニルベンゼン誘導体、ヒドラゾン誘導体、インデン誘導体、ブタジエン誘導体、ピレン誘導体等、ビススチルベン誘導体、エナミン誘導体等その他公知の材料が挙げられる。これらの電荷輸送物質は、単独または２種以上混合して用いられる。
【００５２】
結着樹脂としては、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性、または熱硬化性樹脂が挙げられる。
電荷輸送物質の量は、結着樹脂１００重量部に対し、２０〜３００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部が適当である。また、電荷輸送層の膜厚は、５〜５０μｍ程度とすることが好ましい。　ここで用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン、ジクロロエタン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトンなどが用いられる。
【００５３】
また、電荷輸送層には電荷輸送物質としての機能と、バインダー樹脂の機能をもった高分子電荷輸送物質も良好に使用される。これら高分子電荷輸送物質から構成される電荷輸送層は、耐摩耗性に優れたものである。高分子電荷輸送物質としては、公知の材料が使用できるが、トリアリールアミン構造を主鎖及び／又は側鎖に含むポリカーボネートが良好に用いられる。　例えば、特開２０００−１０３９８４の（１）〜（１０）式で表わされる高分子電荷輸送物質が良好に用いられる。
【００５４】
また、本発明において、電荷輸送層３に可塑剤やレベリング剤を添加してもよい。可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレートなど一般の樹脂の可塑剤として使用されているものがそのまま使用でき、その使用量としては結着樹脂に対して０〜３０重量％程度が適当である。レベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどのシリコーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマーあるいはオリゴマーが使用され、その使用量は結着樹脂に対して０〜１重量％程度が適当である。
【００５５】
本発明における電子写真感光体には、導電性支持体１と感光層との間に下引き層を設けることができる。下引き層は一般には樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤で塗布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶剤性の高い樹脂であることが望ましい。
このような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂などが挙げられる。
また、下引き層にはモアレ防止、残留電位の低減等のために、酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示できる金属酸化物の微粉末を加えてもよい。　これらの下引き層は、前述の感光層の場合と同様、適当な溶媒、塗工法を用いて形成することができる。
【００５６】
さらに、本発明における下引き層として、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を使用することもできる。この他、本発明の下引き層にはＡｌ２Ｏ３を陽極酸化にて設けたものや、ポリパラキシリレン（パリレン）等の有機物や、ＳｉＯ２、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、ＩＴＯ、ＣｅＯ２等の無機物を真空薄膜作製法にて設けたものも良好に使用できる。この他にも公知のものを用いることができる。下引き層の膜厚は０〜５μｍが適当である。
【００５７】
図２に示すように、本発明の電子写真感光体には、感光層保護の目的で、保護層４を感光層の上に設けることもある。
保護層４に使用する材料としては、ＡＢＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、オレフィン−ビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエーテル、アリル樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアクリレート、ポリアリルスルホン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、アクリル樹脂、ポリメチルペンテン、ポリプロピレン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリスチレン、ＡＳ樹脂、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エポキシ樹脂等の樹脂が挙げられる。保護層５にはその他、耐摩耗性を向上する目的で、ポリテトラフルオロエチレンのような弗素樹脂、シリコン樹脂及びこれら樹脂に酸化チタン、酸化スズ、チタン酸カリウム等の無機材料を分散したもの等を添加することができる。
【００５８】
保護層４の形成法としては、通常の塗布法が採用される。
なお、保護層４の厚さは、０．１〜７μｍ程度が適当である。また、以上の他に真空薄膜作製法にて形成したα−Ｃ、α−ＳｉＣなど公知の材料も保護層５として用いることができる。
本発明においては、感光層と保護層５との間に中間層を設けることも可能である。
中間層には、一般にバインダー樹脂を主成分として用いる。　これら樹脂としては、ポリアミド、アルコール可溶性ナイロン、水酸化ポリビニルブチラール、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコールなどが挙げられる。
中間層の形成法としては、前述のごとく通常の塗布法が採用される。なお、中間層の厚さは０．０５〜２μｍ程度が適当である。
【００５９】
［電子写真装置］
以下に、図面を用いて本発明を実施するのに好適な電子写真装置を詳しく説明する。
図４は、本発明の電子写真プロセス及び電子写真装置の１例を説明するための概略図であり、下記するような変形例も本発明の範疇に属するものである。図４において、この電子写真装置は、ドラム状の電子写真感光体３１のまわりに、帯電機構３２、露光光源３３、現像機構３４、転写機構３５、クリーニング機構３７が配置されている。転写機構３５において、転写材３８にはトナーが転写され、これは定着機構３６で定着される。
上記の電子写真装置を使用した電子写真方法においては、電子写真感光体３１は、反時計方向に回転して、帯電機構３２で正または負に帯電され、露光光源３３からの露光によって、静電潜像を電子写真感光体３１上に形成する。
帯電機構３２には、コロトロン、スコロトロン、固体帯電器（ソリッドステートチャージャ）、帯電ローラなどをはじめとする公知の帯電手段を用いることができる。
転写機構３５には、一般の帯電器が使用できるが、転写チャージャと分離チャージャを併用したものが効果的である。
【００６０】
また露光光源３３、および図示されていないが、除電光源等で使用する光源としては、蛍光灯、タングステンランプ、ハロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザ（ＬＤ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）等の発光物を使用することができる。そして、所望の波長域の光のみを照射するために、シャープカットフィルター、バンドパスフィルター、近赤外カットフィルター、ダイクロイックフィルター、干渉フィルター、色温度変換フィルターなどの各種フィルターを用いることもできる。
かかる光源等は、図４に図示した構成の他に、光照射を併用した転写工程、除電工程、クリーニング工程、或いは前露光等の工程を設けることにより、感光体に光が照射される際にも用いることができる。
【００６１】
感光体に正または負の帯電を施して画像露光を行った場合、感光体上には正または負の静電潜像が形成される。これを、負または正に帯電した極性のトナー（検電微粒子）で現像すれば、ポジ画像が得られるし、逆に正または負に帯電した極性のトナーで現像すれば、ネガ画像が得られる。かかる現像には、公知の方法を適用することができ、また、除電手段にも公知の方法が用いられる。
この例においては導電性支持体はドラム状のものとして示されているが、シート状、エンドレスベルト状のものを使用することができる。
クリーニング前チャージャとしては、コロトロン、スコロトロン、固体帯電器（ソリッドステートチャージャ）、帯電ローラなどをはじめとする公知の帯電手段を用いることができる。また転写チャージャおよび分離チャージャには、通常上記の帯電手段を、使用することができる。クリーニング機構には、ファーブラシ、マグファーブラシなどをはじめとする公知のブラシやポリウレタン製ブレードを使用することができる。
【００６２】
以上に示すような本発明の画像形成手段は、複写装置、ファクシミリ、プリンタなどの装置内に固定して組み込まれていてもよいが、プロセスカートリッジの形でそれら装置内に組み込まれてもよい。プロセスカートリッジとは、感光体を内蔵し、他に帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、クリーニング手段、除電手段などを含んだ一つの装置（部品）である。プロセスカートリッジの形状等は多く挙げられるが、一般的な例として図５に示すものが挙げられる。図５に示されるプロセスカートリッジは、電子写真感光体３１の周囲に配置された帯電機構３２、現像機構３４、クリーニング機構３７からなる。　露光光源３３や転写機構３５はプロセスカートリッジに含んでも良く、図５のように含まなくても良い。
【００６３】
図５に本発明を実施するのに好適な電子写真用プロセスカートリッジを示す。図において、３１は電子写真感光体、３２は帯電手段、３３は画像露光光源、３４は現像手段、３５は転写手段、３８は紙等の転写材、３６は定着機構、３７はクリーニング機構、３９はプロセスカートリジの容器を示す。
この図は構造の例を示した物であり、各手段は図に示した以外の方法でも良い。
例えば、帯電手段３２はコロトロン、スコロトロン、帯電ロール等の公知の帯電手段が使用可能である。
【００６４】
画像露光、及び図示されていない前露光光の光源には、蛍光燈、タングステンランプ、ハロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザ（ＬＤ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）などの発光手段を使用することができる。　また、所定の波長域の光のみを照射する為に、シャープカットフィルター、バンドパスフィルター、近赤外カットフィルター、ダイクロックフィルター、干渉フィルター、色温度変換フィルターなどの各種フィルターが使用可能である。　クリーニング機構３７は、クリーニングブレードだけで行われることも有り、クリーニングブラシ、もしくはブレードと併用されることも有る。　図に示すプロセスカートリッジにおいて、クリーニング手段等がプロセスカートリッジに含まれなくとも良い。　また、図では内蔵していない発光手段や転写手段をプロセスカートリッジに内蔵しても良い。
【００６５】
以下、本発明を実施例、及び、比較例で説明するが、本発明は以下の実施例で限定されるものではない。
（実施例１）
（１）基体の作成
アルミニウム合金ＪＩＳ規格Ａ６０６３材をポートホール押出し法により外径φ３０．２ｍｍ、内径φ２８．５ｍｍのパイプ状に連続押出しし、それを長さ２５４ｍｍにカットして円筒シリンダーとした。この管を粗素管と呼ぶ。
（２）切削加工
この粗素管を昌運製旋盤でフラットバイトを使用して外形３０．０ｍｍに切削加工した。このようにして作製した電子写真感光体用基体を実施例１の基体とする。切削加工を終えた基体は図３に示した表面粗さ計で表面粗さの測定と、分散の計算を行った。測定結果は表１に示す。
（３）洗浄
この基体をジェット水流を用いた水洗浄装置にて洗浄し、表面に付着しているオイル分を除去した。その際、界面活性剤として、常盤化学（株）のケミコールＣ（商品名）および超音波発振機を併用し、ジェット洗浄後に純水にて再洗浄して界面活性剤を完全に除去してから乾燥を行った。
（４）下引き層の形成
次いで、この基体面に下記の組成からなる樹脂塗料を浸漬法で塗布し、次いで１５０℃で１５分間加熱し、熱硬化させて、基体面に厚さ５μｍの下引き層を形成させた。
酸化チタン　　　　　　　　　２０重量部
アルキッド樹脂　　　　　　　　　　　１０重量部
メラミン樹脂　　　　　　　　１０重量部
メチルエチルケトン　　　　　６０重量部
（５）電荷発生層の形成
次いで、この下引き層上に、電荷発生層を積層形成するために下記の組成からなる樹脂塗料（塗工樹脂液）を調製し、上記基体に同じく浸漬法でこの樹脂塗料を塗布し、１００℃で１０分間乾燥し、下引き層上に電荷発生層を積層形成させた。
ブチラール樹脂（ＵＣＣ社製ＸＹＨＬ）　　　１重量部
ジスアゾ顔料［下記式１］　　　　　　９重量部
シクロヘキサノン　　　　　　　　　　３０重量部
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）　　　　３０重量部
【００６６】
【化１】
2004117454.tif 000005
【００６７】
（６）電荷輸送層の形成
さらに、この電荷発生層上に電荷輸送層を積層形成するために下記の組成からなる樹脂塗料（塗工樹脂液）を調製し、上記基体に同じく浸漬法でこの樹脂塗料を塗布し、塗布後１２０℃で１５分間乾燥し、電荷発生層上に電荷輸送層を積層形成させた。
ポリカーボネート樹脂　　　　　　　　１０重量部
電荷移動剤［下記式２］　　　　　　　１０重量部
ジクロロメタン　　　　　　　　　　　８０重量部
なお、ポリカーボネート樹脂は帝人社製のパンライトＫ−１３００を使用した。
【００６８】
【化２】
2004117454.tif 000006
【００６９】
このようにして作製した電子写真感光体を実施例１の電子写真感光体とする。
【００７０】
（実施例２）
［粗センタレス加工］
実施例１で使用したのと同じ粗素管をセンタレス研削によって外径３０．０５ｍｍに加工を行った。
研削輪の粒度　　　　８００メッシュ炭化珪素質（ＳｉＣ）
研削輪の回転数　　　１２５０ｒｐｍ
粗研削送り速度　　　０．００７６ｍｍ／秒
【００７１】
［仕上げセンタレス加工］
次に下記条件でセンタレス研削を行い、外径φ３０．００ｍｍに加工を行った。このようにして作製したアルミニウム合金製管を実施例２の基体と呼ぶ。
研削輪の粒度　１０００メッシュ炭化珪素質（ＳｉＣ）
研削輪の回転数　１２５０ｒｐｍ
仕上げ研削送り速度　０．００２２ｍｍ／秒
以降は実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。このようにして作製した電子写真感光体を実施例２の電子写真感光体と呼ぶ。
【００７２】
（実施例３）
［粗センタレス加工］
実施例１で使用したのと同じ粗素管をセンタレス研削によって外径３０．０５ｍｍに加工を行った。
研削輪の粒度　８００メッシュ炭化珪素質（ＳｉＣ）
粗研削送り速度　０．００５ｍｍ／秒
［仕上げセンタレス加工］
次に下記条件でセンタレス研削を行い、外径φ３０．００ｍｍに加工を行った。このようにして作製したアルミニウム合金製管を実施例３の基体と呼ぶ。
研削輪の粒度　１０００メッシュ炭化珪素質（ＳｉＣ）
仕上げ研削送り速度　０．００１０ｍｍ／秒
以降は実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。このようにして作製した電子写真感光体を実施例３の電子写真感光体と呼ぶ。
【００７３】
（実施例４）
［粗センタレス加工］
実施例１で使用したのと同じ粗素管をセンタレス研削によって外径３０．０５ｍｍに加工を行った。
研削輪の粒度　８００メッシュ炭化珪素質（ＳｉＣ）
粗研削送り速度　０．００３ｍｍ／秒
［仕上げセンタレス加工］
次に下記条件でセンタレス研削を行い、外径φ３０．００ｍｍに加工を行った。このようにして作製したアルミニウム合金製管を実施例４の基体と呼ぶ。
研削輪の粒度　１０００メッシュ炭化珪素質（ＳｉＣ）
仕上げ研削送り速度　０．０００７ｍｍ／秒
以降は実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。このようにして作製した電子写真感光体を実施例４の電子写真感光体と呼ぶ。
【００７４】
（比較例１）
切削加工に使用するバイトを別に再研磨したバイトに替えた以外は実施例１と同様にして電子写真感光体用基体を作製した。これを比較例１の基体とする。
それ以降は実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。このようにして作製した電子写真感光体を比較例１の電子写真感光体と呼ぶ。
【００７５】
（比較例２）
［粗センタレス加工］
実施例１で使用したのと同じ粗素管をセンタレス研削によって外径３０．０５ｍｍに加工を行った。このとき使用した研削輪は故意にドレッシングを行わず、目詰まりした状態であった
研削輪の粒度　８００メッシュ炭化珪素質（ＳｉＣ）
粗研削送り速度　０．００５ｍｍ／秒
［仕上げセンタレス加工］
次に下記条件でセンタレス研削を行い、外径φ３０．００ｍｍに加工を行った。このとき使用した研削輪は故意にドレッシングを行わず、目詰まりした状態であった。このようにして作製したアルミニウム合金製管を比較例２の基体と呼ぶ。
研削輪の粒度　１０００メッシュ炭化珪素質（ＳｉＣ）
仕上げ研削送り速度　０．００１ｍｍ／秒
以降は実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。このようにして作製した電子写真感光体を実施例４の電子写真感光体と呼ぶ。
【００７６】
（比較例３）
［粗センタレス加工］
実施例１で使用したのと同じ粗素管をセンタレス研削によって外径３０．０５ｍｍに加工を行った。
研削輪の粒度　１０００メッシュ炭化珪素質（ＳｉＣ）
粗研削送り速度　０．０１６ｍｍ／秒
［仕上げセンタレス加工］
次に下記条件でセンタレス研削を行い、外径φ３０．００ｍｍに加工を行った。このようにして作製したアルミニウム合金製管を比較例３の基体と呼ぶ。
研削輪の粒度　１４００メッシュ炭化珪素質（ＳｉＣ）
仕上げ研削送り速度　０．００２ｍｍ／秒
以降は実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。このようにして作製した電子写真感光体を比較例３の電子写真感光体と呼ぶ。
【００７７】
（実施例と比較例の評価結果）
［表面粗さ測定］
作製した実施例１〜４の基体、および、比較例１〜３の基体の表面粗さを図３に示す表面粗さ計で測定し、表面粗さと、請求項に示す分散を求めた。この測定において、ＪＩＳＢ０６０１に定める断面曲線を求め、その断面曲線上の等間隔位置における縦軸方向の位置を測定するとき、その間隔は０．３１μｍで行った。
［画像評価］
作製した実施例１〜４の電子写真感光体、および、比較例１〜３の電子写真感光体を図４に示す構造を持つリコー製電子写真装置に取り付け、ハーフトーン画像を出力して、画像干渉縞の発生の有無を調べた。
表面粗さ測定、及び、画像評価結果を表１に示す。
【００７８】
【表１】
2004117454.tif 000007
【００７９】
表１の結果より、本発明の請求項を満足する実施例１、２、３、４では画像干渉縞が発生しないが、請求項を満足しない比較例１、２、３は画像干渉縞が発生した。これにより、本発明の効果を確認できた。
【００８０】
（第２の実施の形態）
初めに、本発明を実施するのに好適な表面粗さ測定装置を図１１に示す。図１１において、６１は測定対象である下引き層形成後の電子写真感光体用基体、６２は表面粗さ測定センサー、６３は表面粗さ測定センサーを保持し、基体６１の軸方向に移動する機構、６４は表面粗さ測定結果を演算する表面粗さ計、６５は本発明においてＪＩＳ　Ｂ０６０１に定める断面曲線からＪＩＳ　Ｚ８１０１に定める分散を求める計算をするパーソナルコンピュータである。
この図の例では、ＪＩＳＺ８１０１に定める分散はパーソナルコンピュータ６５で求めているが、表面粗さ計６４で求めても良い。
発明者らの測定では、表面粗さ計は東京精密製サーフコム５７０Ａを使用し、パーソナルコンピュータはＩＢＭ製ＴｈｉｎｋＰａｄ３４０を使用した。また、サーフコム５７０ＡとＩＢＭ製ＴｈｉｎｋＰａｄの間はＲＳ−２３２−ｃケーブルで接続した。サーフコムから送られてきた表面粗さデーターの処理は、ＶｉｓｕａｌＢＡＳＩＣで作成したソフトウェアで行った。
また、表面粗さ測定における基準長さは、２．５ｍｍで行った。
図１２に下引き層形成後の基体の表面粗さ測定時の表面粗さ計（東京精密製サーフコム５７０Ａ）のプリントアウトの例を示す。また、この測定を行ったときの測定結果をＲＳ−２３２−ｃでパーソナルコンピュータが受け、その結果をグラフにしたものを図１３に示す。図１２と図１３は同じ測定結果を示しておりパーソナルコンピュータの処理が正確に行われたことがわかる。
【００８１】
ここで、下引き層形成後の基体表面の任意の位置から１００μｍの長さでＪＩＳＢ０６０１に定める断面曲線を求めているが、この長さは必ずしも１００μｍでなくとも良く、その基体で作成した電子写真感光体を搭載する電子写真装置の露光光の光スポット径の直径より大きければ良い。
また、表面粗さの評価法として、ＪＩＳＢ０６０１に定める表面粗さＲａ、あるいは、Ｒｚ、あるいはＲｙのいずれかを使用するとしているが、これはＲｚかＲｙが好ましい。また、表面粗さを求めるときの基準長はＪＩＳＢ０６０１によって決めれば良い。
また、ＪＩＳＢ０６０１に定める表面粗さＲｚが０．５以上、２．０以下としているが、好ましくは０．８以上、１．５以下が良い。また、分散は０．００３以上としているが、好ましくは０．００５以上が良い。Ｒｚがこれより小さいと画像に干渉縞状のムラが発生する。また、Ｒｚがこれより大きいと、電子写真感光体製造時に塗工ムラが発生する。分散がこれより小さいと、画像に干渉縞状のムラが発生する。
本発明において、分散はＪＩＳＺ８１０１に定める分散であり、すなわち、測定値の試料（ｘ１、ｘ２、・・・、ｘｎ）については
【００８２】
【数３】
2004117454.tif 000008
【００８３】
で求められる値である。
ここで、
【００８４】
【数４】
2004117454.tif 000009
【００８５】
は試料平均を示す。
【００８６】
以下、本発明を実施例、及び、比較例で説明するが、本発明は以下の実施例で限定されるものではない。
［電子写真感光体］
以下、本発明における電子写真感光体を図面によって説明する。
図８は、本発明に用いられる電子写真感光体を表わす断面図であり、導電性支持体１上に下引き層５２と、電荷発生層５３、及び電荷輸送層５４が積層された構成をとっている。更に、図９は電荷輸送層５４の上に保護層５５を設けた構成になっている。図１０は中間層５６を有する構成の図である。
ここで、導電性支持体１、下引き層５２、電荷発生層５３、電荷輸送層５４、保護層５５、中間層５６それぞれの構成は第１の実施の形態で示したものと同じである。また、この感光体を使用した電子写真装置の構成も先の実施の形態で示したものと同じであるので詳細は省略する。
以下に、第２の実施の形態に従って実施した例を示す。
【００８７】
（実施例５）
［基体の作成］
アルミニウム合金ＪＩＳ規格Ａ６０６３材をポートホール押出し法により外径φ３０．２ｍｍ、内径φ２８．５ｍｍのパイプ状に連続押出しし、それを長さ２５４ｍｍにカットして円筒シリンダーとした。この管を粗素管と呼ぶ。
［切削加工］
この粗素管を昌運製旋盤でフラットバイトを使用して外形３０．０ｍｍに切削加工した。このようにして作製した電子写真感光体用基体を実施例１の基体とする。
［基体洗浄］
この基体をジェット水流を用いた水洗浄装置にて洗浄し、表面に付着しているオイル分を除去した。その際、界面活性剤として、常盤化学（株）のケミコールＣ（商品名）および超音波発振機を併用し、ジェット洗浄後に純水にて再洗浄して界面活性剤を完全に除去してから乾燥を行った。
［下引き層の形成］
以下の材料を直径１５ｃｍのガラス製ボールミルに入れ、直径１ｃｍのジルコニアボールで１２時間分散を行い下引き層塗工液を作成した。
酸化チタン　　　　　　　　　２０重量部
アルキッド樹脂　　　　　　　１０重量部
メラミン樹脂　　　　　　　　１０重量部
メチルエチルケトン　　　　　６０重量部
この下引き層塗工液を浸漬塗工装置の塗工槽に入れ、先に作成して洗浄を終えた基体を浸漬塗工法で塗布し、次いで１５０℃で１５分間加熱し、熱硬化させて、基体面に厚さ５μｍの下引き層を形成した。
［電荷発生層の形成］
次いで、この下引き層上に、電荷発生層を積層形成するために下記の組成からなる樹脂塗料（塗工樹脂液）を調製し、上記基体に同じく浸漬法でこの樹脂塗料を塗布し、１００℃で１０分間乾燥し、下引き層上に電荷発生層を積層形成させた。
ブチラール樹脂（ＵＣＣ社製ＸＹＨＬ）　　　　１重量部
ジスアゾ顔料［下記式１］　　　　　　　９重量部
シクロヘキサノン　　　　　　　　　　３０重量部
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）　　　　３０重量部
【００８８】
【化３】
2004117454.tif 000010
【００８９】
［電荷輸送層の形成］
さらに、この電荷発生層上に電荷輸送層を積層形成するために下記の組成からなる樹脂塗料（塗工樹脂液）を調製し、上記基体に同じく浸漬法でこの樹脂塗料を塗布し、塗布後１２０℃で１５分間乾燥し、電荷発生層上に電荷輸送層を積層形成させた。
ポリカーボネート樹脂　　　　１０重量部
電荷移動剤［下記式２］　　　１０重量部
ジクロロメタン　　　　　　　８０重量部
なお、ポリカーボネート樹脂は帝人社製のパンライトＫ−１３００を使用した。
【００９０】
【化４】
2004117454.tif 000011
【００９１】
このようにして作製した電子写真感光体を実施例５の電子写真感光体とする。
【００９２】
（実施例６）
［粗センタレス加工］
実施例５で使用したのと同じ粗素管をセンタレス研削によって外径３０．０５ｍｍに加工を行った。
研削輪の粒度　８００メッシュ炭化珪素質（ＳｉＣ）
研削輪の回転数　１２５０ｒｐｍ
粗研削送り速度　０．００７６ｍｍ／秒
［仕上げセンタレス加工］
次に下記条件でセンタレス研削を行い、外径φ３０．００ｍｍに加工を行った。
研削輪の粒度　１０００メッシュ炭化珪素質（ＳｉＣ）
研削輪の回転数　１２５０ｒｐｍ
仕上げ研削送り速度　０．００２２ｍｍ／秒
このようにして作製したアルミニウム合金製管を実施例６の基体と呼ぶ。
【００９３】
［下引き層の形成］
次いで、実施例５と同様にして基体面に厚さ５μｍの下引き層を形成させた。以降は実施例５と同様にして電子写真感光体を作成した。このようにして作製した電子写真感光体を実施例６の電子写真感光体と呼ぶ。
【００９４】
（実施例７）
［粗センタレス加工］
実施例５で使用したのと同じ粗素管をセンタレス研削によって外径３０．０５ｍｍに加工を行った。
研削輪の粒度　８００メッシュ炭化珪素質（ＳｉＣ）
粗研削送り速度　０．００５ｍｍ／秒
［仕上げセンタレス加工］
次に下記条件でセンタレス研削を行い、外径φ３０．００ｍｍに加工を行った。
研削輪の粒度　１０００メッシュ炭化珪素質（ＳｉＣ）
仕上げ研削送り速度　０．００１０ｍｍ／秒
このようにして作製したアルミニウム合金製管を実施例７の基体と呼ぶ。
［下引き層の形成］
次いで、実施例５と同様にして基体面に厚さ５μｍの下引き層を形成させた。
以降は実施例５と同様にして電子写真感光体を作成した。このようにして作製した電子写真感光体を実施例７の電子写真感光体と呼ぶ。
【００９５】
（実施例８）
［粗センタレス加工］
実施例５で使用したのと同じ粗素管をセンタレス研削によって外径３０．０５ｍｍに加工を行った。
研削輪の粒度　８００メッシュ炭化珪素質（ＳｉＣ）
粗研削送り速度　０．００３ｍｍ／秒
［仕上げセンタレス加工］
次に下記条件でセンタレス研削を行い、外径φ３０．００ｍｍに加工を行った。
研削輪の粒度　１０００メッシュ炭化珪素質（ＳｉＣ）
仕上げ研削送り速度　０．０００７ｍｍ／秒
このようにして作製したアルミニウム合金製管を実施例８の基体と呼ぶ。
［下引き層の形成］
次いで、実施例５と同様にして基体面に厚さ５μｍの下引き層を形成させた。
以降は実施例５と同様にして電子写真感光体を作成した。このようにして作製した電子写真感光体を実施例８の電子写真感光体と呼ぶ。
【００９６】
（比較例４）
［基体の作成］
実施例５と同様にして基体を作成した。この基体を比較例４の基体と呼ぶ。
［下引き層の形成］
以下の材料を直径１５ｃｍのガラス製ボールミルに入れ、直径１ｃｍのジルコニアボールで７２時間分散を行い下引き層塗工液を作成した。
酸化チタン　　　　　　　　　２０重量部
アルキッド樹脂　　　　　　　１０重量部
メラミン樹脂　　　　　　　　１０重量部
メチルエチルケトン　　　　　６０重量部
この下引き層塗工液を浸漬塗工装置の塗工槽に入れ、先に作成して洗浄を終えた基体を浸漬塗工法で塗布し、次いで１５０℃で１５分間加熱し、熱硬化させて、基体面に厚さ５μｍの下引き層を形成した。
【００９７】
（比較例５）
［基体の作成］
実施例６と同様にして基体を作成した。
この基体を比較例５の基体と呼ぶ。
［下引き層の形成］
次いで、比較例４と同様にして基体面に厚さ５μｍの下引き層を形成させた。以降は実施例５と同様にして電子写真感光体を作成した。このようにして作製した電子写真感光体を比較例５の電子写真感光体と呼ぶ。
【００９８】
（比較例６）
［基体の作成］
実施例７と同様にして基体を作成した。
この基体を比較例６の基体と呼ぶ。
［下引き層の形成］
次いで、比較例４と同様にして基体面に厚さ５μｍの下引き層を形成させた。以降は実施例５と同様にして電子写真感光体を作成した。このようにして作製した電子写真感光体を比較例６の電子写真感光体と呼ぶ。
以降は実施例５と同様にして電子写真感光体を作成した。このようにして作製した電子写真感光体を比較例６の電子写真感光体と呼ぶ。
【００９９】
（比較例７）
［基体の作成］
実施例８と同様にして基体を作成した。この基体を比較例７の基体と呼ぶ。
［下引き層の形成］
次いで、比較例４と同様にして基体面に厚さ５μｍの下引き層を形成させた。以降は実施例８と同様にして電子写真感光体を作成した。このようにして作製した電子写真感光体を比較例７の電子写真感光体と呼ぶ。
【０１００】
（実施例と比較例の評価結果）
［表面粗さ測定］
作製した実施例５〜８、および、比較例４〜７の基体、及び、下引き層表面の表面粗さを図１１に示す表面粗さ計で測定し、表面粗さと、請求項に示す分散を求めた。この測定において、ＪＩＳＢ０６０１に定める断面曲線を求め、その断面曲線上の等間隔位置における縦軸方向の位置を測定するとき、その間隔は０．３１μｍで行った。
［画像評価］
作製した実施例５〜８の電子写真感光体、および、比較例４〜８の電子写真感光体を図４に示す構造を持つリコー製電子写真装置に取り付け、ハーフトーン画像を出力して、画像干渉縞の発生の有無を調べた。
表面粗さ測定、及び、画像評価結果を表２に示す。
【０１０１】
【表２】
2004117454.tif 000012
【０１０２】
表２の結果より、本発明の請求項を満足する実施例５〜８では画像干渉縞が発生しないが、請求項を満足しない比較例４〜７は画像干渉縞が発生した。これにより、本発明の効果を確認できた。
【０１０３】
【発明の効果】
請求項１の発明によると、書き込み光源として可干渉光をした電子写真装置においても画像に干渉縞が発生することがない基体を自動的に、あるいは熟練を要さずに判定できる簡易な方法による電子写真感光体用基体の粗さ評価方法を提供できる。
請求項３の発明によると、研削あるいは研磨加工で作製した電子写真感光体用基体に対して、書き込み光源として可干渉光を用いた電子写真装置においても、画像に干渉縞が発生することがない電子写真感光体用基体の製造方法を提供できる。
請求項７の発明によると、切削加工で作製した電子写真感光体に対して簡易な方式によって粗さを評価し、非熟練者にも判断可能な表面粗さ測定方法を用いる電子写真感光体における感光層隣接下層面の表面粗さ評価方法が提供できる。
請求項８の発明によると、下引き層の表面粗さを、非熟練者にも判断可能となる、簡易な表面粗さ評価方法を用いた簡易な電子写真感光体の製造方法が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による電子写真感光体の模式的断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による他の電子写真感光体の模式的断面図である。
【図３】本発明の実施の形態による表面粗さ計の一例の構成図である。
【図４】電子写真装置の模式的構成図である。
【図５】電子写真装置用プロセスカートリッジの模式的構成図である。
【図６】本発明の実施例２の表面粗さ測定時の表面粗さ計サーフコムの印字出力例である。
【図７】本発明の実施例２の表面粗さ測定時にパーソナルコンピュータに取り込んだ測定結果のグラフである。
【図８】本発明の第２の実施の形態による電子写真感光体の模式的断面図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態による他の電子写真感光体の模式的断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態による電子写真感光体の模式的断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態による表面粗さ計のその他の例の構成図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態による電子写真感光体の表面粗さ測定時の表面粗さ計サーフコムの印字出力例である。
【図１３】本発明の第２の実施形態による電子写真感光体の表面粗さ測定時にパーソナルコンピュータに取り込んだ測定結果のグラフである。
【符号の説明】
１　　支持体
２、５３　　電荷発生層
３、５４　　電荷輸送層
４、５５　　保護層
１１　　電子写真感光体用基体
１２、６２　　表面粗さ測定針取り付け治具
１３、６３　　表面粗さ取り付け治具を移動させる機構
１４、６４　　表面粗さ計　演算出力部
１５、６５　　パーソナルコンピュータ
３１　　電子写真感光体
３２　　帯電機構
３３　　露光光源
３４　　現像機構
３５　　転写機構
３６　　定着機構
３７　　クリーニング機構
３８　　転写材
３９　　プロセスカートリッジのケース
５２　　下引き層
５６　　中間層
６１　　下引き層形成後の電子写真感光体用基体
【図１】
2004117454.tif 000013
【図２】
2004117454.tif 000014
【図３】
2004117454.tif 000015
【図４】
2004117454.tif 000016
【図５】
2004117454.tif 000017
【図６】
2004117454.tif 000018
【図７】
2004117454.tif 000019
【図８】
2004117454.tif 000020
【図９】
2004117454.tif 000021
【図１０】
2004117454.tif 000022
【図１１】
2004117454.tif 000023
【図１２】
2004117454.tif 000024
【図１３】
2004117454.tif 000025