(57)【要約】【課題】専用の電流源を用いることなくドライバ素子の閾値電圧変動分を含んだ電圧書き込みが可能な画像表示装置を提供すること。【解決手段】有機ＥＬ素子１と、薄膜トランジスタ２と、電圧書き込み工程時に所定の電圧が書き込まれるコンデンサ３とを備える。また、薄膜トランジスタ２のゲート・ドレイン間の導通状態を制御するスイッチング素子４と、薄膜トランジスタ２を流れる電流経路を電圧書き込み時と発光時とで変化させるスイッチング素子５と、電圧書き込み時に薄膜トランジスタ２に流す電流の値を印加電圧に基づいて決定する電流決定部６と、スイッチング素子４、５および電流決定部６を制御する制御部７とを備える。電流決定部６が印加電圧に基づいて動作することで、電圧書き込み時にドライバ素子に対して迅速に所望の電流を供給することが可能となる。【選択図】      図１
2004361753.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧書き込み時に書き込まれた電圧に基づいて発光時に電流発光素子に流す電流値が決定される画像表示装置であって、
ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極とを備え、発光時にゲート・ソース間電圧に基づいて前記電流発光素子に流れる電流値を制御するドライバ素子として機能するトランジスタ素子と、
前記ゲート電極と前記ソース電極との間に配置され、電圧書き込みの際に前記トランジスタ素子のソース・ドレイン間に流れる電流値によって定まる前記トランジスタ素子のゲート・ソース間電圧が書き込まれる静電容量と、
印加電圧に基づいて動作し、電圧書き込み時にソース・ドレイン間に流れる電流値を制御する電流決定手段と、
を備えたことを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記トランジスタ素子のゲート・ドレイン間の導通状態を制御し、前フレーム表示の際に前記静電容量に書き込まれた電圧を放出する第１スイッチング手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記トランジスタ素子と前記電流決定手段とを接続する第１配線と、
前記トランジスタ素子と接続され、前記静電容量に電圧を書き込む際にオフ状態となり、発光時にオン状態となる第２スイッチング手段を備えた第２配線と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記電流決定手段は、薄膜トランジスタを含んで形成され、電圧書き込み時に前記薄膜トランジスタに印加されたゲート・ソース間電圧に基づいて前記トランジスタ素子のソース・ドレイン間に流す電流値を決定することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記薄膜トランジスタは、電圧書き込み時に飽和領域で動作することを特徴とする請求項４に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記薄膜トランジスタのゲート電極に対して、オン状態となる電圧と逆極性の電圧を印加する逆電圧印加手段をさらに備えたことを特徴とする請求項４または５に記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記電流発光素子は、有機ＥＬ素子を含んで形成されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記電流発光素子は、前記第２配線上に配置され、発光時と逆方向の電圧を供給されることによって第２スイッチング手段として機能することを特徴とする請求項７に記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、電流発光素子および電流発光素子に流入する電流値を制限するドライバ素子を備えた画像表示装置に関し、特に専用の電流源を用いることなくドライバ素子の閾値電圧変動分を含んだ電圧書き込みが可能な画像表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
自ら発光する有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を用いた有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置で必要なバックライトが不要で装置の薄型化に最適であるとともに、視野角にも制限がない。このため、液晶表示装置に替わる次世代の表示装置として実用化が期待されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子を用いた画像表示装置として、単純（パッシブ）マトリックス型とアクティブマトリックス型とが知られている。前者は構造が単純であるものの大型かつ高精細のディスプレイの実現が困難であるとの問題がある。このため、近年、画素内部の発光素子に流れる電流を、同時に画素内に設けた能動素子、たとえば、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  ：  薄膜トランジスタ）からなるドライバ素子によって制御する、アクティブマトリックス型の表示装置の開発が盛んに行われている。
【０００４】
かかるドライバ素子は有機ＥＬ素子に対して直列に接続されており、画像表示を行う際には、ドライバ素子に有機ＥＬ素子に流れる電流と等しい電流が流れ続けることとなる。従って、画像表示装置を長期に渡って使用した場合には、ドライバ素子の電気的特性は著しく劣化し、例えば閾値電圧の変動等が問題となる。ドライバ素子の電気的特性が劣化した場合、意図した値と異なる値の電流が有機ＥＬ素子を流れることとなるため、有機ＥＬ素子から発せられる光の輝度が変動し、表示画像の品位が低下する。
【０００５】
このため、ドライバ素子の電気的特性の変動を補償する補償回路を備えた画像表示装置が提案されている。図１０は、補償回路を備えた画像表示装置の構造の一例について示す回路図である。図１０に示すように、従来の画像表示装置では、セレクト線２１０と、電流源２３０と接続された信号線２２０とを備え、セレクト線２１０、信号線２２０および互いに接続されたｐ型トランジスタ２４０、２５０、２６０、ｎ型トランジスタ２７０、コンデンサ２８０および有機ＥＬ素子２９０を備える。ここで、ｐ型トランジスタ２６０は、ドライバ素子として機能するためのものであり、コンデンサ２８０は、ドライバ素子のゲート・ソース間に接続されている。従って、コンデンサ２８０に印加される電圧がドライバ素子たるｐ型トランジスタ２６０のゲート・ソース間電圧となり、かかるゲート・ソース間電圧に基づいてｐ型トランジスタ２６０を流れる電流の値が決定される。
【０００６】
コンデンサ２８０に対して電位を供給するプロセスについて説明する。まず、セレクト線２１０が低電位になることでｐ型トランジスタ２４０、２５０がオンし、ｐ型トランジスタ２６０のゲート・ドレイン間が導通すると共に信号線２２０とｐ型トランジスタのソース電極とが導通した状態となる。データ線２２０に接続された電流源２３０は、表示輝度に対応した値の電流を供給することとし、かかる電流がデータ線およびｐ型トランジスタ２５０を介してｐ型トランジスタ２６０に供給される。
【０００７】
ここで、ｐ型トランジスタ２６０のゲート電極とドレイン電極とは、ｐ型トランジスタ２４０がオン状態になっているために同電位となり、ｐ型トランジスタ２６０には電流源２３０から供給される電流の値に対応したゲート・ソース間電圧が発生する。コンデンサ２８０は、ｐ型トランジスタ２６０のゲート電極とソース電極との間に配置されていることから、この時与えられたゲート・ソース間電圧に対応した電圧がコンデンサ２８０に蓄積され、コンデンサ２８０に対する電圧書き込みが終了する。そして、コンデンサ２８０に書き込まれた電圧がドライバ素子たるｐ型トランジスタ２６０のゲート・ソース間電圧となり、発光時にはかかる電圧に対応した電流が有機ＥＬ素子２９０に流れ、発光が行われる。
【０００８】
このように、ｐ型トランジスタ２６０のゲート・ソース間電圧は、実際にソース／ドレイン間に流れる電流に基づいて決定される。従って、閾値電圧変動等が生じていた場合であってもかかる変動分を含んだ形でゲート・ソース間電圧が決定されることとなり、ｐ型トランジスタ２６０の劣化に関わらず所望の値の電流を有機ＥＬ素子２９０に流すことが可能となる（例えば、特許文献１）。
【０００９】
【特許文献１】
米国特許第６，２２９，５０６号明細書（第１０頁、第２図）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図１０に示す回路では、コンデンサ２８０に対する電圧書き込みに長時間を要するという問題を有する。すなわち、図１０に示す構造では、電圧書き込み工程の際に電流源２３０からの電流は信号線２２０その他の配線構造を通過してｐ型トランジスタ２６０に供給される。従って、信号線２２０等が有する寄生容量に起因してｐ型トランジスタ２６０に流れる電流が所望の値に達するまで所定の時間が必要となり、その結果、電圧書き込みに要する時間が増加することとなる。
【００１１】
この発明は、上記従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、専用の電流源を用いることなくドライバ素子の閾値電圧変動分を含んだ電圧書き込みが可能な画像表示装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１にかかる画像表示装置は、電圧書き込み時に書き込まれた電圧に基づいて発光時に電流発光素子に流す電流値が決定される画像表示装置であって、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極とを備え、発光時にゲート・ソース間電圧に基づいて前記電流発光素子に流れる電流値を制御するドライバ素子として機能するトランジスタ素子と、前記ゲート電極と前記ソース電極との間に配置され、電圧書き込みの際に前記トランジスタ素子のソース・ドレイン間に流れる電流値によって定まる前記トランジスタ素子のゲート・ソース間電圧が書き込まれる静電容量と、印加電圧に基づいて動作し、電圧書き込み時にソース・ドレイン間に流れる電流値を制御する電流決定手段とを備えたことを特徴とする。
【００１３】
この請求項１の発明によれば、ドライバ素子の閾値電圧変動分を加味した電圧書き込みを可能とする電流決定手段を有し、電流決定手段が外部から印加される電圧に基づいて動作することとしたため、電圧書き込み時にドライバ素子に流す電流値を実現するまでに要する時間を短縮化することができる。
【００１４】
また、請求項２にかかる画像表示装置は、上記の発明において、前記トランジスタ素子のゲート・ドレイン間の導通状態を制御し、前フレーム表示の際に前記静電容量に書き込まれた電圧を放出する第１スイッチング手段をさらに備えたことを特徴とする。
【００１５】
この請求項２の発明によれば、前フレーム表示の際に静電容量に書き込まれた電圧を放出する第１スイッチング手段を備えることとしたため、ドライバ素子のゲート・ソース間電圧を閾値電圧程度まで低減することが可能であり、電圧書き込みに要する時間をさらに短縮化することができる。
【００１６】
また、請求項３にかかる画像表示装置は、上記の発明において、前記トランジスタ素子と前記電流決定手段とを接続する第１配線と、前記トランジスタ素子と接続され、前記静電容量に電圧を書き込む際にオフ状態となり、発光時にオン状態となる第２スイッチング手段を備えた第２配線とをさらに備えたことを特徴とする。
【００１７】
また、請求項４にかかる画像表示装置は、上記の発明において、前記電流決定手段は、薄膜トランジスタを含んで形成され、電圧書き込み時に前記薄膜トランジスタに印加されたゲート・ソース間電圧に基づいて前記トランジスタ素子のソース・ドレイン間に流す電流値を決定することを特徴とする。
【００１８】
また、請求項５にかかる画像表示装置は、上記の発明において、前記薄膜トランジスタは、電圧書き込み時に飽和領域で動作することを特徴とする。
【００１９】
この請求項５の発明によれば、電流決定手段として機能する薄膜トランジスタが飽和領域で動作することとしたため、薄膜トランジスタの閾値電圧の変動を抑制し、ＩＶ特性が安定した電流決定手段を実現することができる。
【００２０】
また、請求項６にかかる画像表示装置は、上記の発明において、前記薄膜トランジスタのゲート電極に対して、オン状態となる電圧と逆極性の電圧を印加する逆電圧印加手段をさらに備えたことを特徴とする。
【００２１】
この請求項７の発明によれば、電流決定手段として機能する薄膜トランジスタのゲート電極に対して逆電圧を印加する逆電圧印加手段を備えることとしたため、薄膜トランジスタの閾値電圧が変動した場合に逆電圧を印加することで閾値電圧の変動幅を低減することができる。
【００２２】
また、請求項７にかかる画像表示装置は、上記の発明において、前記電流発光素子は、有機ＥＬ素子を含んで形成されることを特徴とする。
【００２３】
また、請求項８にかかる画像表示装置は、上記の発明において、前記電流発光素子は、前記第２配線上に配置され、発光時と逆方向の電圧を供給されることによって第２スイッチング手段として機能することを特徴とする。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態である画像表示素子および画像表示装置について説明する。なお、図面は模式的なものであり、現実のものとは異なることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【００２５】
まず、この発明の実施の形態にかかる画像表示装置について説明する。本実施の形態にかかる画像表示装置は個々の表示画素において、ドライバ素子の閾値電圧変動分を考慮した電圧書き込みを行う際に、外部から供給される電圧に基づいてドライバ素子に所望の電流を流す電流決定部を備えた構造を有する。
【００２６】
図１は、実施の形態にかかる画像表示装置の構造のうち、単一の表示画素の構造に対応した部分の回路構造について示す等価回路図である。実際の画像表示装置では、図１に示す回路構造がマトリックス状に配置された構成を有する。
【００２７】
図１に示すように、本実施の形態にかかる画像表示装置は、電流発光素子たる有機ＥＬ素子１と、ドライバ素子として機能する薄膜トランジスタ２と、薄膜トランジスタ２のゲート電極とソース電極との間に配置され、電圧書き込み工程時に所定の電圧が書き込まれるコンデンサ３とを備える。そして、発光工程時にはコンデンサ３に蓄積された電圧と等しい電圧が薄膜トランジスタ２のゲート・ソース間に印加され、かかる電圧に基づいて所定の電流が有機ＥＬ素子１を流れて画像表示が行われる構造を有する。
【００２８】
また、本実施の形態にかかる画像表示装置は、薄膜トランジスタ２のゲート・ドレイン間の導通状態を制御するスイッチング素子４と、薄膜トランジスタ２を流れる電流経路を電圧書き込み時と発光時とで変化させるスイッチング素子５と、電圧書き込み時に薄膜トランジスタ２に流す電流の値を印加電圧に基づいて決定する電流決定部６と、スイッチング素子４、５および電流決定部６を制御する制御部７とを備える。
【００２９】
有機ＥＬ素子１は、注入された電流値に応じた輝度で発光する電流発光素子として機能するためのものである。具体的には、アノード層、発光層およびカソード層が順次積層された構造を有する。発光層は、カソード層側から注入された電子と、アノード層側から注入された正孔とが発光再結合するためのものであり、具体的にはフタルシアニン、トリスアルミニウム錯体、ベンゾキノリノラト、ベリリウム錯体等の有機系の材料によって形成され、必要に応じて所定の不純物合点化された構造を有する。なお、有機ＥＬ素子１は、発光層に対してアノード側に正孔輸送層を設け、発光層に対してカソード側に電子輸送層を設けた構造としても良い。
【００３０】
薄膜トランジスタ２は、有機ＥＬ素子１に流入する電流値を制御するドライバ素子として機能するためのものである。具体的には、薄膜トランジスタ２は、有機ＥＬ素子１と一方のソース／ドレイン電極を介して直列に接続され、ゲート・ソース間電圧に対応した値の電流を有機ＥＬ素子１に流す機能を有する。なお、薄膜トランジスタ２は、電流通過層として機能するチャネル形成領域が非晶質シリコンによって形成された構造を有することが好ましい。非晶質シリコンを用いることでチャネル形成領域の物理的構造上の差異に起因して表示画素等ごとの電圧−電流特性の変動を抑制できるという利点を有する。
【００３１】
スイッチング素子４、５は、制御部７の制御に基づいて、オン・オフを繰り返す機能を有する。具体的には、スイッチング素子４は、後述するリセット工程および電圧書き込み工程時にオン状態となり、発光工程時にオフ状態となるよう制御部７によって制御される。また、スイッチング素子５は、リセット工程時および電圧書き込み工程時にオフ状態となり、発光工程時にオン状態となるよう制御部７によって制御される。
【００３２】
電流決定部６は、電圧書き込み工程時に制御部７によって所定の電圧が供給され、供給された電圧に基づいて決定される電流値を薄膜トランジスタ２に対して流すためのものである。かかる機能を果たす限り電流決定部６には任意の構造のものを用いることが可能であるが、本実施の形態では、電流決定部６を薄膜トランジスタ９によって形成した例について説明する。すなわち、本実施の形態において電流決定部６は、制御部７から薄膜トランジスタ９のゲート・ソース間に所定の電位が印加されることによって、ドレイン・ソース間に所定の電流が流れる構造を有する。
【００３３】
なお電流決定部６として使用される薄膜トランジスタ９は、後述する理由により、飽和領域で駆動されることが好ましい。飽和領域とは、薄膜トランジスタのドレイン電圧を所定の値以上とすることで、ソース／ドレイン間に流れる電流のドレイン電圧依存性が解消される状態のことである。また、薄膜トランジスタ９は、任意の材料を用い、任意の構造とすることが可能であるが、通常は薄膜トランジスタ２と同様に、チャネル形成領域を非晶質シリコンによって形成した構造を有する。
【００３４】
制御部７は、スイッチング素子４、５および電流決定部６の動作を制御するためのものである。具体的には、制御部７は、スイッチング素子４、５のオン・オフと、電流決定部６のオン・オフおよび電流決定部６で流す電流の値について制御を行う。また、制御部７は、少なくとも電流決定部６に対しては電圧を供給することによって制御を行う構造を有する。なお、制御部７の実際の構造としては、例えば、スイッチング素子４、５および電流決定部６に対して電気的に接続された信号線、走査線等と、かかる信号線等に接続された１以上の駆動回路とからなることが好ましいが、図１ではこれらを簡略化して単一のブロックで表現している。また、図１において、制御部７は、電流決定部６を形成する薄膜トランジスタ９の複数の電極に接続した構成とするが、かかる構成に限定されるものではない。
【００３５】
次に、本実施の形態にかかる画像表示装置の動作について説明する。本実施の形態にかかる画像表示装置は、１枚の画像を表示する１フレームの間に、動作としてリセット工程と、電圧書き込み工程と、発光工程とを行う構成を有する。図２（ａ）〜（ｃ）は、電圧書き込み工程時の画像表示装置の状態を示す模式図である。具体的には、図２（ａ）は、リセット工程に対応し、図２（ｂ）は、電圧書き込み工程に対応し、図２（ｃ）は、発光工程に対応する模式図である。
【００３６】
まず、図２（ａ）を参照してリセット工程について説明する。リセット工程では、前フレーム時にコンデンサに蓄積された電荷を放出し、薄膜トランジスタ２のゲート・ソース間電圧を閾値電圧と等しい値にまで低下させている。
【００３７】
図２（ａ）に示すように、リセット工程の際に制御部７は、スイッチング素子４をオン状態とし、スイッチング素子５、電流決定部６をオフ状態となるよう制御している。スイッチング素子４がオン状態となることで、薄膜トランジスタ２のゲート電極とドレイン電極とが導通した状態となり、これらの電極の電位が等しくなるよう電荷の移動が行われる。また、薄膜トランジスタ２は、前フレーム時にコンデンサ３に蓄積された電荷によってオン状態となっている。従って、前フレーム時にコンデンサ３に蓄積された電荷は、スイッチング素子４および薄膜トランジスタ２のソース・ドレイン間を通過することによってコンデンサ３から放出される。
【００３８】
一方、コンデンサ３と薄膜トランジスタ２のゲート電極とは直接接続されていることから、コンデンサ３から電荷が放出されることに伴って薄膜トランジスタ２のゲート・ソース間電位も徐々に低下する。そして、最終的にはゲート・ソース間電圧が閾値電圧に等しい値となる値まで低下し、薄膜トランジスタ２はオフ状態となる。薄膜トランジスタ２がオフ状態となることでコンデンサ３からの電荷の放出は停止されるため、薄膜トランジスタ２のゲート・ソース間電圧は、閾値電圧の値に維持される。以上でリセット工程は終了する。
【００３９】
次に、電圧書き込み工程について説明する。電圧書き込み工程では、電流決定部６を用いて所定の電流を流すことによって、コンデンサ３に対して有機ＥＬ素子１の発光輝度に対応した電圧を書き込んでいる。
【００４０】
図２（ｂ）に示すように、電圧書き込み工程の際には、制御部７は、スイッチング素子４はオン状態、スイッチング素子５はオフ状態になるよう制御を行っている。一方、制御部７は、電流決定部６に対しては有機ＥＬ素子１の発光輝度に対応した電流Ｉ１を流させるため、電流決定部６のＩＶ特性に基づいて電流Ｉ１と対応づけられる電圧Ｖ１を電流決定部６に対して供給する。
【００４１】
リセット工程において薄膜トランジスタ２のゲート・ソース間電圧は閾値電圧にほぼ等しいことから電圧書き込み工程で薄膜トランジスタ２はオン状態となる。このため、電流決定部６で決定された電流Ｉ１は、互いに直列に接続された有機ＥＬ素子１、薄膜トランジスタ２および電流決定部６を流れることとなる。従って、薄膜トランジスタ２のソース・ドレイン間に電流Ｉ１が流れることによって、薄膜トランジスタ２のゲート・ソース間には、かかる電流Ｉ１の値に対応したゲート・ソース間電圧Ｖ２が発生することとなる。そして、図２（ｂ）に示すように、コンデンサ３は、薄膜トランジスタ２のゲート電極とソース電極との間に配置されていることから、コンデンサ３には、薄膜トランジスタ２のゲート・ソース間電圧と等しい電圧Ｖ２が書き込まれる。以上で電圧書き込み工程は終了する。なお、上記の説明および図２（ｂ）ではスイッチング素子４はオン状態を維持することとなっているが、スイッチング素子４は、電圧書き込み工程の途中でオフ状態となることが好ましい。スイッチング素子４を途中でオフ状態とするのは、コンデンサ３に書き込まれた電圧がスイッチング素子４を経由して外部に放出されることを抑制するためである。
【００４２】
次に、発光工程について説明する。発光工程では、電圧書き込み工程においてコンデンサ３に書き込まれた電圧に基づいて所定の電流が有機ＥＬ素子１に流れ、有機ＥＬ素子１が所望の輝度で発光する。
【００４３】
図２（ｃ）に示すように、制御部７は、スイッチング素子４および電流決定部６をオフ状態とする一方、スイッチング素子５をオン状態になるよう制御している。一方、コンデンサ３には電圧書き込み工程において電圧Ｖ２が書き込まれていることから、薄膜トランジスタ２のゲート・ソース間電圧は、コンデンサ３に書き込まれた電圧Ｖ２と等しい値となる。そして、電圧Ｖ２は、電圧書き込み工程の際に電流Ｉ１が流れた際の薄膜トランジスタ２におけるゲート・ソース間電圧である。従って、発光工程の際にも薄膜トランジスタ２のソース・ドレイン間には電流Ｉ１が流れ、直列接続された有機ＥＬ素子１に対しても電流Ｉ１が流れる。電流Ｉ１は、そもそも実現しようとする輝度に対応して定められた値であることから、発光工程において有機ＥＬ素子１は、所望の輝度で発光する。以上で発光工程が終了し、次フレームの画像表示を行う際にはリセット工程に戻って再び同様の処理を行うこととなる。
【００４４】
以上説明したように、本実施の形態にかかる画像表示装置では、制御部７から供給された電圧に基づいて電流決定部６は、有機ＥＬ素子１の発光輝度に対応した電流値を決定することとしている。ここで、本実施の形態にかかる画像表示装置が、従来のように電流源によって直接薄膜トランジスタ２に流れる電流値を決定するのではなく、制御部７から所定の電圧を電流決定部６に供給し、かかる電圧に基づいて電流決定部６が電流値を決定することとした理由を説明する。
【００４５】
図１に示す構造では制御部７は模式的に示されているが、実際の画像表示装置は、制御部７は、すべての表示画素に対して制御を行う構造を有し、通常は表示画素が集積された画像表示パネルの外部に配置されている。そして、制御部７は、表示画素から遠隔の領域から信号線、走査線等の配線構造を介して表示画素を形成する回路素子に対して制御する構造を有する。従って、制御部７が電流源として機能し、薄膜トランジスタ２に電流を直接供給する構成とした場合には、電流が制御部７から薄膜トランジスタ２まで到達するまでに存在する寄生容量が問題となる。具体的には、寄生容量の存在により、薄膜トランジスタ２を流れる電流の値が電流源で供給する値と等しくなるまではある程度の時間を必要とすることとなり、電圧書き込み工程を短時間で行うことが困難となる。
【００４６】
一方、制御部７と表示画素とが遠隔に配置されていても、電圧を供給する場合には寄生容量等の存在は問題にならない。従って、制御部７から電流決定部６に対して電圧が与えられる構成とした場合、制御部７と電流決定部６との間の距離とは無関係に迅速に電流決定部６に対して電圧を供給することが可能であって、電圧書き込み工程を短時間で行うことが可能である。
【００４７】
ところで、図２（ａ）〜（ｃ）を用いた動作の説明の際には特に触れなかったが、前述したように電流決定部６を構成する薄膜トランジスタ９は、飽和領域で動作している。以下では、薄膜トランジスタ９を飽和領域で動作させることによって、電流決定部６のＩＶ特性の変動を抑制できることについて説明する。
【００４８】
上記のように、本実施の形態では、電流源によって直接電流値を決定するのではなく、制御部７から供給される電圧に基づいて、電流決定部６が薄膜トランジスタ２に流す電流を決定する構造を有する。実際には、流そうとする電流値は有機ＥＬ素子１の輝度に対応してあらかじめ決定されており、制御部７は、電流決定部６のＩＶ特性に基づいて、電流決定部６に供給する電圧Ｖを決定している。従って、制御部７は、電流決定部６のＩＶ特性を把握しておく必要があると共に、電流決定部６のＩＶ特性は安定している必要がある。すなわち、電流Ｉ１を流そうとして電流決定部６に対して電圧Ｖ１を供給したにもかかわらず、ＩＶ特性が変動したことにより、電圧Ｖ１に基づいて電流Ｉ２（Ｉ２≠Ｉ１）が電流決定部６で決定されてしまった場合、電圧書き込み工程で誤った電圧が書き込まれることとなる。この場合、発光工程における有機ＥＬ素子１の輝度も所望のものと異なることとなるため、電流決定部６のＩＶ特性が安定していることは非常に重要である。
【００４９】
このため、本実施の形態では、電流決定部６が薄膜トランジスタによって形成された場合において、駆動状態について工夫を施すことによって、ＩＶ特性の中でも主要な値である閾値電圧の変動を抑制している。具体的には、薄膜トランジスタ９を駆動させる際には、ドレイン電極の電位を所定の値以上に維持し、薄膜トランジスタを飽和領域で動作させることとしている。
【００５０】
図３は、同一構造の薄膜トランジスタについて、飽和領域で動作させた場合と、線形領域で動作させた場合とにおける、時間経過に対する閾値変動値を比較するグラフである。なお、図３において、曲線ｌ１は、線形領域で薄膜トランジスタを動作させた場合を示し、曲線ｌ２は、飽和領域で薄膜トランジスタを動作させた場合について示している。
【００５１】
図３に示すように、薄膜トランジスタを飽和領域で動作させた場合（曲線ｌ２）、線形領域で動作させた場合（曲線ｌ１）と比較して明らかに閾値電圧の変動値が小さくなる。例えば、１０００００秒経過した時点で比較すると、飽和領域で動作させた場合の閾値電圧変動値は、閾値電圧変動値の１／１０以下に抑制されている。従って、薄膜トランジスタ９を飽和領域で動作させることによって、閾値電圧の変動を抑制することが可能である。
【００５２】
従って、本実施の形態にかかる画像表示装置では、薄膜トランジスタ９を飽和領域で駆動させることにより、薄膜トランジスタの閾値電圧の変動を抑制することが可能となり、電流決定部６のＩＶ特性の変動を抑制することが可能である。
【００５３】
また、本実施の形態では、電圧書き込み工程の間のみ電流決定部６中を電流が流れることとし、リセット工程および発光工程の際には、電流決定部６として使用される薄膜トランジスタはオフ状態を維持し、電流が流れることはない。電圧書き込み工程はコンデンサ３に対して所定の電位を書き込むことによって終了することから、通常は１フレームあたり数μｓ〜２０μｓ程度の時間で十分である。
【００５４】
一方、発光工程は、有機ＥＬ素子１を所望の輝度で発光させることによって画像表示を行う工程である。従って、例えば６０Ｈｚのリフレッシュレート、すなわち、１秒間に６０枚の画像を表示する場合には、通常は、１フレームに許容される約１６ｍｓの半分程度が発光工程に費やされることとなる。
【００５５】
ここで、１フレームに許容される時間を１６ｍｓとし、電流決定部６に電流が流れる時間を１フレームあたり１６μｓとし、発光工程に費やされる時間を１フレームの半分、すなわち８ｍｓと仮定する。かかる仮定の下、一般的な画像表示装置に対して製品寿命として要請される２００００時間に渡って画像表示を行った場合における閾値電圧の変動を考える。かかる環境下において、薄膜トランジスタ９に電流が流れる時間と、薄膜トランジスタ２に対して電流が流れる時間とを導出すると、薄膜トランジスタ９に電流が流れる時間ｔ１は、
ｔ１＝２００００［ｈ］×６０［ｍ／ｈ］×６０［ｓ／ｍ］／（１６×１０−３［ｍｓ］／１６［ｍｓ］）＝７．２×１０４［ｓ］
となる。一方、薄膜トランジスタ２に対して電流が流れる時間ｔ２は、
ｔ２＝２００００［ｈ］×６０［ｍ／ｈ］×６０［ｓ／ｍ］／（８［ｍｓ］／１６［ｍｓ］）＝３．６×１０７［ｓ］
となる。従って、時間ｔ２は、時間ｔ１の約５００倍の値となり、仮に薄膜トランジスタ２、９に等しい電流が流れると仮定した場合、電流決定部６を通過する電荷の総量と、薄膜トランジスタ２を通過する電荷量の比は１：５００程度となる。薄膜トランジスタ９は飽和領域で動作することから、閾値電圧変動は、薄膜トランジスタ２の変動幅の１／１０以下にまで抑制され、薄膜トランジスタ９を用いることで電流決定部６のＩＶ特性を安定化することが可能である。
【００５６】
なお、本願発明者等は、本実施の形態にかかる画像表示装置について実際に回路を設計し、設計した回路について数値計算を行うことによって電圧書き込みの精度を調べている。図４（ａ）、（ｂ）は、電圧書き込み工程および発光工程における薄膜トランジスタ９に流れる電流および有機ＥＬ素子１に流れる電流に関する計算結果を示すグラフである。具体的には、図４（ａ）は、使用開始直後、すなわち薄膜トランジスタ２、９双方について閾値電圧変動が生じていない状態について示し、図４（ｂ）は、製品寿命として要請される２００００時間だけ経過し、薄膜トランジスタ９の閾値電圧が１００％程度増加した状態について示している。なお、図４（ａ）、（ｂ）において、曲線ｌ３、ｌ５は、薄膜トランジスタ９に流れる電流の時間変化を示す曲線であり、曲線ｌ４、ｌ６は、有機ＥＬ素子１に流れる電流の時間変化を示す曲線である。また、図４（ａ）、（ｂ）の双方のグラフにおいて、０．２ｍｓ近傍の時刻において電圧書き込み工程が行われており、０．２５ｍｓ以降の時刻において発光工程が行われている。
【００５７】
図２（ｂ）でも示したように、電圧書き込み工程では、有機ＥＬ素子１と薄膜トランジスタ９には等しい電流が流れる。従って、曲線ｌ３と曲線ｌ５、曲線ｌ４と曲線ｌ６がそれぞれ０．２ｍｓ近傍の時刻において精度良く一致している。また、図４（ａ）と図４（ｂ）とを比較すると、２００００時間動作させた後にもかかわらず、電圧書き込み工程の際に流れる電流の絶対値の変動幅は０．５μＡ程度、割合にして６％程度にまで抑制されている。
【００５８】
また、発光工程に関して図４（ａ）と図４（ｂ）とを比較した場合、２００００時間動作させた後にもかかわらず、発光工程における有機ＥＬ素子１に流れる電流値は、７．５μＡ程度から６．０μＡ程度に変化するのみである。すなわち、本実施の形態にかかる画像表示装置は、２００００時間使用した後に有機ＥＬ素子１に流れる電流について、割合にして２０％〜２５％程度の減少幅に抑制することが可能である。
【００５９】
一般的な画像表示装置では、表示輝度が製造直後の値の５０％程度にまで低下するまでの時間が製品寿命としても意味のあることである。本実施の形態にかかる画像表示装置の場合、表示輝度は、有機ＥＬ素子１に対して供給される電流値と、有機ＥＬ素子１自体の発光効率によって決定されるため、製品寿命はこれらの値の変動幅によって決定されることとなる。ここで、本実施の形態にかかる画像表示装置は、上記のように有機ＥＬ素子１に対して供給される電流値の変動幅を２０％程度に抑制できることから、有機ＥＬ素子１自体の発光効率変動に対して２５％程度の余裕を持たせることが可能となる。従って、本実施の形態にかかる画像表示装置では、有機ＥＬ素子１を構成する材料について、ある程度発光効率の変動を生じるものについても選択する事が可能となり、材料選択の幅が拡大するという利点を有する。
【００６０】
なお、本実施の形態において、リセット工程、電圧書き込み工程および発光工程のみならず、逆電圧印加工程を加えることも好ましい。逆電圧印加工程とは、薄膜トランジスタ９がオフ状態となっている間にゲート電極にオン電圧と異なる極性の電圧（以下、「逆電圧」と称する）を印加する工程のことである。具体的には、ｎチャネルトランジスタの場合にはオン電圧は正であることから、逆電圧印加工程ではゲート電極に対して負電位を印加することとなる。逆電圧印加工程を加えることによって薄膜トランジスタ９の閾値電圧変動をさらに抑制することが可能となり、電流決定部６のＩＶ特性がさらに安定化することとなる。
【００６１】
薄膜トランジスタの閾値電圧変動は様々な要因によって引き起こされるが、一因として、ゲート電極にオン電圧を印加し続けることによって、オン電圧と異なる極性のキャリア（ｎチャネルトランジスタの場合、電子）がゲート電極の近傍、例えばゲート絶縁層内部に引き寄せられることが挙げられる。ゲート電極近傍に引き寄せられたキャリアは、オン電圧と異なる極性を有することから、薄膜トランジスタのチャネル形成領域に印加される電圧の実効値は低減され、閾値電圧の値に変動が生じるものと推測されている。
【００６２】
従って、オン電圧と異なる極性のキャリアをゲート電極近傍から排除することによって閾値電圧変動幅が低減されることが予想される。具体的には、ゲート電極に対してオン電圧と異なる極性を一定時間印加することによって、ゲート電極近傍に引き寄せられたキャリアは斥力を受けることとなり、本来の位置に戻る。従って、閾値電圧の変動原因の少なくとも一部が除去されることとなり、閾値電圧の変動幅を低減されることとなる。
【００６３】
図５は、長時間に渡って動作させたことにより閾値電圧変動が生じ、閾値電圧が増加した薄膜トランジスタについて、逆電圧を一定時間印加することによって閾値電圧変動幅の低減が可能であることを示すグラフである。なお、図５のグラフの測定に用いた薄膜トランジスタはｎチャネルのものとし、逆電圧としてゲート電極に対して−４Ｖの電圧を印加し、逆電圧を印加する時間を変化させて効果の違いを調べている。具体的には、逆電圧を０秒、１００秒、２００秒、・・・、４００００秒だけ印加した薄膜トランジスタのＩＶ特性を調べている。なお、逆電圧印加時におけるドレイン電極の電位は１６．５Ｖとしている。
【００６４】
図５に示すように、薄膜トランジスタが示すＩＶ曲線は、逆電圧の印加時間が長くなるにつれて横軸の負方向にシフトしている。上記のように、測定に用いた薄膜トランジスタは長時間に渡って使用したことによって閾値電圧が増加したものである。従って、横軸に関して負方向にＩＶ曲線がシフトすることは、長期の使用によって生じた閾値電圧変動幅を低減していることを意味しており、図５の測定結果から、逆電圧印加工程が閾値電圧の変動幅を低減できることが明らかとなる。
【００６５】
このように、逆電圧印加工程を新たに加えることによって、電流決定部６を構成する薄膜トランジスタ９のＩＶ特性の変動が抑制されることとなり、制御部７から印加される電圧Ｖに基づいて決定される電流Ｉの変動をさらに抑制することが可能となる。従って、本実施の形態にかかる画像表示装置は、逆電圧印加工程を行うことによって、電圧書き込み工程をより正確に行えるという利点を有する。
【００６６】
ところで、逆電圧印加工程は、リセット工程、電圧書き込み工程および発光工程と別個独立に行うこととしても良いが、本実施の形態においては、リセット工程または発光工程と同時に行うことが好ましい。図２（ａ）〜（ｃ）にも示すように、本実施の形態にかかる画像表示装置の動作において薄膜トランジスタ９がオン状態となるのは電圧書き込み工程の際のみであって、リセット工程および発光工程の際には、薄膜トランジスタ９はオフ状態に維持されている。従って、リセット工程と発光工程のいずれかの際に逆電圧印加工程を行うこととしても、リセット工程および発光工程の動作に悪影響を与えることはない。従って、本実施の形態にかかる画像表示装置では、逆電圧印加工程をリセット工程または発光工程と同時に行うことが可能であり、例えば、発光工程に費やす時間を短縮する等の問題を生じることもないという利点を有する。
【００６７】
（実施例１）
次に、本実施の形態にかかる画像表示装置について、回路素子を用いて具体的に構成した実施例１について説明する。図６（ａ）は、実施例１にかかる画像表示装置の構造について示す等価回路図であり、図６（ｂ）は実施例１にかかる画像表示装置における駆動波形の時間変化を示すタイミングチャートである。なお、図６（ａ）において、図１との整合性を確保するため、各回路素子と図１に示した構成要素との対応関係を明らかにしている。
【００６８】
図６（ａ）に示すように、実施例１にかかる画像表示装置は、有機ＥＬ素子１と、薄膜トランジスタ２と、コンデンサ３とが、図１と同様の位置関係となるよう配置されており、スイッチング素子４として薄膜トランジスタ１１が配置され、スイッチング素子５として薄膜トランジスタ１０が配置されている。また、電流決定部６は、飽和領域で動作する薄膜トランジスタ９によって形成されており、閾値電圧の変動が抑制され、安定したＩＶ特性を備えた電流決定部６を実現している。
【００６９】
そして、スイッチング素子４たる薄膜トランジスタ１１はゲート電極がリセット線１２と接続され、スイッチング素子５たる薄膜トランジスタ１０は、マージ線１５に接続され、電流決定部６たる薄膜トランジスタ９は、ゲート電極が走査線１３に接続され、ドレイン電極が信号線１４と接続されている。リセット線１２、走査線１３、信号線１４およびマージ線１５は、いずれも制御部７の一部であって、実際には図示を省略した駆動回路からの制御に基づいて所定の電圧を薄膜トランジスタ１１等に供給することで、これらの回路素子の動作を制御している。また、有機ＥＬ素子１のカソード側には電源線１６が配置され、電圧書き込み工程時および発光工程の際に、電流を供給している。
【００７０】
次に、本実施例１における画像表示装置の動作について、図６（ａ）、（ｂ）を参照して簡単に説明する。まず、前フレーム時にコンデンサ３に書き込まれた電圧をリセットするリセット工程を行う。具体的には、リセット線１２の電位を高電位としてスイッチング素子４たる薄膜トランジスタ１１をオン状態とする一方、マージ線１５および走査線１３を低電位とすることでスイッチング素子５たる薄膜トランジスタ１０と、電流決定部６たる薄膜トランジスタ９はオフ状態を維持する。従って、薄膜トランジスタ２のゲート電極とドレイン電極とが導通し、薄膜トランジスタ２のゲート・ソース間電圧が閾値電圧に等しくなるまでコンデンサ３に蓄積されていた電荷が放出される。
【００７１】
そして、電圧書き込み工程が行われる。電圧書き込み工程の際には、図６（ｂ）に示すように、走査線１３の電位が高電位となり、薄膜トランジスタ９がオン状態となると共に、マージ線１５は低電位を維持し、スイッチング素子５を構成する薄膜トランジスタ１０はオフ状態を維持する。また、スイッチング素子４を構成する薄膜トランジスタ１１は、前工程に引き続きオン状態を維持している。さらに、電圧書き込み工程において、信号線１４の電位は、書き込む電圧の値に対応した値に変化している。
【００７２】
電圧書き込み工程では、走査線１３によって与えられる電圧と信号線１４によって与えられる電圧とに基づいて薄膜トランジスタ９を流れる電流の値が決定される。そして、決定された電流が有機ＥＬ素子１、薄膜トランジスタ２および薄膜トランジスタ９を流れ、薄膜トランジスタ２では、流れる電流に対応したゲート・ソース間電圧が発生し、ゲート・ソース間電圧と等しい電圧がコンデンサ３に書き込まれる。
【００７３】
なお、電圧書き込み工程は、走査線１３の電位が低電位に変化して薄膜トランジスタ９がオフ状態となることによって終了するが、薄膜トランジスタ９がオフ状態になる前に、スイッチング素子４を構成する薄膜トランジスタ１１がオフする事が好ましい。薄膜トランジスタ９がオフ状態となった後まで薄膜トランジスタ１１がオン状態を維持した場合、コンデンサ３に蓄積した電荷が薄膜トランジスタ１１および薄膜トランジスタ２のソース・ドレイン間を介して放出される可能性があるためである。従って、図６（ｂ）に示すように、本実施例１では、リセット線１２の電位は、走査線１３の電位よりも早いタイミングで低電位に変化している。
【００７４】
最後に、発光工程が行われる。図６（ｂ）に示すように、発光工程では、リセット線１２および走査線１３は低電位の状態に維持され、薄膜トランジスタ１１、９はいずれもオフ状態となる。一方、マージ線１５の電位は高電位となり、スイッチング素子５はオン状態となる。従って、発光工程においては、コンデンサ３に書き込まれた電圧と等しい値のゲート・ソース間電圧が薄膜トランジスタ２に印加され、かかる電圧に応じた電流が、有機ＥＬ素子１、薄膜トランジスタ２およびスイッチング素子５を通過し、有機ＥＬ素子１が発光する。
【００７５】
本実施例では、スイッチング素子４、５を薄膜トランジスタ１１、１０によって形成し、薄膜トランジスタ１１、１０のゲート電極に対してリセット線１２、マージ線１５を介して電圧を供給することによってスイッチング素子として機能させている。薄膜トランジスタ１０、１１は、薄膜トランジスタ２、９と同様の構造とすることが可能であることから、同一の製造工程によって作成することとすれば、製造上の負担が増加することなくスイッチング素子４、５を形成することが可能である。
【００７６】
（実施例２）
次に、実施例２について説明する。実施例２にかかる画像表示装置は、図７（ａ）に示すように、基本的に実施例１と同様の等価回路を備えた構成からなるが、スイッチング素子５に対応する部分が実施例１と相違する。すなわち、実施例１では、スイッチング素子５に対応して薄膜トランジスタ１０が配置されていたが、実施例２では、有機ＥＬ素子１にスイッチング素子５としての機能を果たさせている。
【００７７】
有機ＥＬ素子１は、回路素子として考えた場合発光ダイオードと等価なものととらえることが可能であり、順方向に電圧が印加された場合には電流が流れて発光する一方、逆方向に電圧が印加された場合には、コンデンサとして機能するため電流が流れなくなる。従って、図７（ｂ）に示すように、実施例２にかかる画像表示装置では、リセット工程および電圧書き込み工程において、スイッチング素子５をオフ状態とするために共通線１７の電位を正電位としている。共通線１７を正電位とすることによって、スイッチング素子５を構成する有機ＥＬ素子１に逆電圧が印加され、薄膜トランジスタ２と共通線１７の間の導通状態を遮断している。
【００７８】
スイッチング素子５を有機ＥＬ素子１によって構成することとしたため、本実施例２にかかる画像表示装置は、実施例１と比較して薄膜トランジスタの個数を減らすことが可能となり、製造歩留まりを向上させることができる。また、発光工程の際に有機ＥＬ素子１に対して複数の薄膜トランジスタが直列に接続されることがなくなるため、有機ＥＬ素子１に供給する電流値が直列接続された薄膜トランジスタの移動度に制限されることを回避することが可能となる。
【００７９】
なお、実施の形態にかかる画像表示装置の具体例として、実施例１および実施例２について説明したが、実施の形態の具体例としてはこれらの構造に限定されることはない。例えば、図８に示すように、電流決定部６を構成する薄膜トランジスタ９に対して、信号線１４がゲート電極に接続すると共に共通線２２がドレイン電極に接続し、スイッチング素子４を構成する薄膜トランジスタ１１のゲート電極に走査線２１が接続する構成としても良い。
【００８０】
また、図９に示すように、導電型の異なる薄膜トランジスタを使用することによって、制御部７を構成する配線の本数を低減することも可能である。具体的には、図９の例では、スイッチング素子５を形成する構成要素としてｐ型の薄膜トランジスタ２３を使用している。
【００８１】
さらに、薄膜トランジスタ２３のゲート電極と、スイッチング素子４を構成する薄膜トランジスタ１１のゲート電極とを共通の走査線２１に接続する構成とすることによって、制御部７を構成する配線の本数を低減している。スイッチング素子４は、少なくとも発光工程の際にオフ状態となれば機能を果たせる一方、スイッチング素子５は、発光工程の際にのみオン状態となればよい。従って、薄膜トランジスタ１１と薄膜トランジスタ２３の導電型を異なるものとすることによって、それぞれのゲート電極に対して同一電位を供給することによって駆動状態を制御することが可能である。
【００８２】
また、本実施の形態および実施例等では電流発光素子として有機ＥＬ素子を用いたが、無機ＥＬ素子その他のものを用いることとしてもよい。さらに、薄膜トランジスタ２、９、１０、１１はｎチャネルであることを前提として動作等を説明したが、ｐチャネルとしても良いし、ｎチャネルの薄膜トランジスタとｐチャネルの薄膜トランジスタの双方を用いた構造としても良い。
【００８３】
さらに、電流決定部６の構成として、単に薄膜トランジスタ９を配置するのみならず、薄膜トランジスタ９の閾値変動を補償する補償回路を設けることとしても良い。すなわち、本発明にかかる画像表示装置を長期間にわたって使用した場合には、上記したように薄膜トランジスタ９の閾値電圧もわずかながらも変動する。従って、薄膜トランジスタ９の閾値電圧変動を補償する回路を設けることによって、かかる閾値変動の影響を排除し、安定した電流決定を行うことが好ましい。補償回路の具体的構成としては、例えば、特願２００３−０４６５４１号明細書、特願２００３−０４１８２４号明細書等においてドライバ素子に関して設けられた補償回路を用いることが好ましい。
【００８４】
また、電流決定部６をスイッチング素子５の位置に配置することとしても良い。かかる位置に配置した場合であっても、有機ＥＬ素子１および薄膜トランジスタ２に流れる電流値を決定することができることから、有機ＥＬ素子１および薄膜トランジスタ２にＩＶ特性を補償した電圧書き込みを行うことが可能となる。特に、電流決定部６に上記の補償回路を組み込んだ場合には、閾値電圧の変動を補償することが可能となるため、電流決定部６をスイッチング素子５の位置に配置することによって正確な電流決定を行うことが可能となる。
【００８５】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、ドライバ素子の閾値電圧変動分を加味した電圧書き込みを可能とする電流決定手段を有し、電流決定手段が外部から印加される電圧に基づいて動作する構成としたため、電圧書き込み時にドライバ素子に流す電流値を実現するまでに要する時間を短縮化できるという効果を奏する。
【００８６】
また、この発明によれば、前フレーム表示の際に静電容量に書き込まれた電圧を放出する第１スイッチング手段を備える構成としたため、ドライバ素子のゲート・ソース間電圧を閾値電圧程度まで低減することが可能であり、電圧書き込みに要する時間をさらに短縮化することができるという効果を奏する。
【００８７】
また、この発明によれば、電流決定手段として機能する薄膜トランジスタが飽和領域で動作する構成としたため、薄膜トランジスタの閾値電圧の変動を抑制し、ＩＶ特性が安定した電流決定手段を実現できるという効果を奏する。
【００８８】
また、この発明によれば、電流決定手段として機能する薄膜トランジスタのゲート電極に対して逆電圧を印加する逆電圧印加手段を備える構成としたため、薄膜トランジスタの閾値電圧が変動した場合に逆電圧を印加することで閾値電圧の変動幅を低減することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態にかかる画像表示装置の構成を示す図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、実施の形態にかかる画像表示装置の動作を説明するための模式図である。
【図３】薄膜トランジスタを飽和領域で動作させた場合と、線形領域で動作させた場合とで閾値電圧変動幅を比較するためのグラフである。
【図４】（ａ）は、閾値電圧変動の無い状態で動作させた場合のドライバ素子および有機ＥＬ素子に流れる電流の時間変化を示すグラフであり、（ｂ）は、２００００時間動作させた後のドライバ素子および有機ＥＬ素子に流れる電流の時間変化を示すグラフである。
【図５】ゲート電極に逆電圧を印加した場合に薄膜トランジスタの閾値電圧の変動幅が低減することを示すグラフである。
【図６】（ａ）は、実施例１の回路構造を示す図であり、（ｂ）は、実施例１にかかる画像表示装置のタイミングチャートである。
【図７】（ａ）は、実施例２の回路構造を示す図であり、（ｂ）は、実施例２にかかる画像表示装置のタイミングチャートである。
【図８】実施の形態にかかる画像表示装置を実現する回路構造の他の例を示す回路図である。
【図９】実施の形態にかかる画像表示装置を実現する回路構造の他の例を示す回路図である。
【図１０】従来技術にかかる画像表示装置の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
１          有機ＥＬ素子
２          薄膜トランジスタ
３          コンデンサ
４、５  スイッチング素子
６          電流決定部
７          制御部
９〜１１    薄膜トランジスタ
１２      リセット線
１３      走査線
１４      信号線
１５      マージ線
１６      電源線
１７      共通線
２１      走査線
２２      共通線
２３      薄膜トランジスタ
２１０  セレクト線
２２０  データ線
２２０  信号線
２３０  電流源
２４０〜２６０    ｐ型トランジスタ
２７０  ｎ型トランジスタ
２８０  コンデンサ
２９０  有機ＥＬ素子
【図１】
2004361753.tif 000003
【図２】
2004361753.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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