(57)【要約】【課題】磁性フェライトの透磁率の温度変化が小さいフェライトスタックを提供する。【解決手段】フェライトスタック１は、磁性フェライト２と低熱膨張セラミクス３を接着により積層して構成されている。例えば接着を４０℃の環境で行えば、４０℃の状態でフェライトスタックの内部的な熱応力はゼロであり、室温である２０℃で使用すれば、内部的に熱応力が作用していることとなる。よって、フェライトスタック１の温度が上昇すれば、内部的な熱応力は緩和され、磁性フェライト２の透磁率は上昇する。同時に磁性フェライト２自身の透磁率は、温度上昇により減少するため、それらはお互いキャンセルし合う。【選択図】  図１
2004235224.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性フェライトと非磁性体を交互に積み重ねて構成されるフェライトスタックであって、前記磁性フェライトに応力が与えられ、当該応力は前記磁性フェライトの温度の変化に応じて変化し、その変化の方向は、その応力に応じて変化する前記磁性フェライトの透磁率の変化が、前記磁性フェライトの透磁率自身の温度による変化の方向と逆方向になるようにされていることを特徴とするフェライトスタック。
【請求項２】
請求項１に記載のフェライトスタックであって、温度上昇に伴う前記応力の変化率は、当該応力の変化に伴って発生する前記磁性フェライトの透磁率の変化が、温度上昇に伴う前記磁性フェライトの透磁率の変化にほぼ等しくなるように定められていることを特徴とするフェライトスタック。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のフェライトスタックであって、前記非磁性体が前記磁性フェライトより熱膨張率が低い低熱膨張材料からなり、両者が接着剤により接着されていることを特徴とするフェライトスタック。
【請求項４】
請求項３に記載のフェライトスタックであって、前記非磁性体がポーラスな低熱膨張セラミクスからなることを特徴とするフェライトスタック。
【請求項５】
請求項３又は請求項４に記載のフェライトスタックの製造方法であって、前記磁性フェライトと前記非磁性体との接着を、フェライトスタックが使用される最高温度に近い温度下で行うことを特徴とするフェライトスタックの製造方法。
【請求項６】
磁性材料として用いられるフェライトであって、当該フェライトに応力が与えられ、当該応力は前記フェライトの温度の変化に応じて変化し、その変化の方向は、その応力に応じて変化する前記フェライトの透磁率の変化が、前記フェライトの透磁率自身の温度による変化の方向と逆方向になるようにされていることを特徴とする磁性材料用フェライト。
【請求項７】
請求項６に記載の磁性材料用フェライトであって、温度上昇に伴う応力の変化率は、当該応力の変化に伴って発生する前記フェライトの透磁率の変化が、温度上昇に伴う前記フェライトの透磁率の変化にほぼ等しくなるように定められていることを特徴とする磁性材料用フェライト。
【請求項８】
請求項１から請求項４のうちいずれか１項に記載のフェライトスタック又は請求項６若しくは請求項７のうちいずれか１項に記載の磁性材料用フェライトをコアとして用いていることを特徴とする電子光学素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、荷電粒子線露光装置等に使用されるフェライトスタックとその製造方法、磁性材料用フェライト及び偏向器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電子線露光装置においては、レチクルのうち光軸から離れた部分に形成されたパターンの像を、ウエハ上の光軸から離れた位置に結像させる必要がある。ところが、このような光軸から離れた位置では、投影磁気レンズ系の収差が大きく、そのままの状態で投影を行ったのでは、正確なパターンの像が得られない。これを改善する方法として、ＭＯＬ（Ｍｏｖｉｎｇ  ０ｂｊｅｃｔｉｖｅＬｅｎｓ）と称する磁気レンズ系が、Ｅ−Ｇｏｔｏ，ｅｔａ１．ｏｐｔｉｋ  Ｖｏ１．４８，２５５−２７０（１９７７）（非特許文献１）に紹介され、一般にＭＯＬと呼ばれて周知になっている。
【０００３】
この技術は、投影磁気レンズの他に偏向器を設けて、それにより発生する磁場をレンズ場である磁場に重畳させることにより磁気レンズの主点をシフトさせるものである。この方法によれば、投影磁気レンズ系の光軸が見かけ上シフトしたことと等価になり、光軸から離れた位置を通る電子線を見かけ上レンズの主点付近を通るものと見なすことができるので、前述のような収差による像パターンの悪化を防止することができる。
【０００４】
この方式では、磁気レンズと磁気偏向器を近接して配置しなければならない。一般的に磁気レンズは金属の磁性体ヨークにより囲まれている。一方、偏向器は、高速度で偏向を行わなければならないため、高周波の磁場を発生させる。しかるに、この磁場が磁気レンズのヨークに渦電流を発生させ、この渦電流による反作用のために、偏向器の静定時問を長くさせるという問題がある。
【０００５】
この問題を避けるためには、磁気レンズのヨークを金属であるフェライトにより作製する方法や、フェライトスタックにより金属ヨークを偏向器の磁場からシールドするように設計する方法が採用されている。この中で、ＰＲＥＶＡＩＬと呼ばれる技術では、フェライトと非磁性のフェライトを交互に積層したフェライトスタックを、磁気レンズのヨークと偏向器の間に挿入し、偏向器の磁場が磁気レンズの金属ヨークに及ぶのを防いでいる。このようなフェライトスタックは、例えば特開２００１−２３０１９０号公報（特許文献１）、特開２００２−１７５９７１号公報（特許文献１）に記載されている。
【０００６】
この例を図７に示す。図７は１個の磁気レンズと１個の偏向器が組合わさってできたユニットを示すもので光軸を中心とする面で切断した端面図を示す。磁気レンズ１１は、コイル１２と強磁性体のヨーク１３とから構成された中空円筒体状のものであり、偏向器１４は、コイルを有するベーン１５を放射状に中空円筒体に取り付けたようなものである。これら、磁気レンズ１１と偏向器１４は、光軸１６を中心として配置される。１７はビームチューブであり、この中を電子線が通過する。
【０００７】
磁気レンズ１１と偏向器１４の間に中空円筒状のフェライトスタック１８が設けられている。このフェライトスタック１８は、磁性フェライト１９と非磁性フェライト２０を交互に積層して接着したものであり、偏向器１４が発生する高周波磁束が、磁気レンズのヨーク１３に到達するのをシールドしている。なお、図７において２１はカバーである。
【０００８】
また、このような磁性フェライトは、例えば偏向器のコア等の磁性材料として使用される、図８は、このような偏向器の概要を示す図であり、（ａ）はトロイダル型、（ｂ）はサドル型偏向器を示す。トロイダル型偏向器においては、コア２２にコイル２３が図に示すように巻き付けられている。また、サドル型偏向器においては、コイル２３を取り巻くようにコア２２が形成されている。これらの偏向器のコア２２としてフェライトを使用することにより、偏向感度を高くすることができる。
【０００９】
【非特許文献１】Ｅ−Ｇｏｔｏ，ｅｔａ１．ｏｐｔｉｋ  Ｖｏ１．４８，２５５−２７０（１９７７）
【特許文献１】特開２００１−２３０１９０号公報
【特許文献２】特開２００２−１７５９７１号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような磁性フェライトには温度依存性があり、一般に温度が高くなると、透磁率は減少する。磁気レンズ１１の磁場は、フェライトスタック１４の磁性フェライト１９や、偏向器のコアを構成する磁性フェライトの影響を受けるので、これら磁性フェライトの透磁率が変化すると、電子光学系の焦点距離が変化する。また、偏向器１４の発生する磁場もこれらフェライトスタック１４の磁性フェライト１９や、偏向器のコアの影響を受けるので、これら磁性フェライトの透磁率が変化すると、ビームの偏向距離が変化したりして問題となる。
【００１１】
その対策として、従来は、冷媒を還流させ、高い精度で磁性フェライトの温度調整を行い、磁性フェライトの温度が変化しないようにしてきた。しかし、磁性フェライトはコイル１２の近傍に配置され、コイル１２は通電により発熱する。また、磁性フェライトは偏向器の近傍に配置され、偏向器の励磁電流は常に変化するため、発熱が一様ではない。そのため、温度調整にも限界がある。
【００１２】
また、よりシビアな温度管理を行おうとすると、温度調整装置が大型になり、コストも高くなる。
【００１３】
更に、磁性フェライトを偏向器のコアとして使用しようとすると、磁性フェライトの透磁率には更に厳しい温度安定性が要求される。通常の磁性フェライトは、温度安定性がそれほど高くなく、温度依存性が各製造バッチで変動したりして不安定である。よって、フェライトを偏向器のコアとして使用するのは実際には困難であるという問題点があった。
【００１４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、磁性フェライトの透磁率の温度変化が小さいフェライトスタックとその製造方法、及び透磁率の温度変化が小さい磁性材料用フェライトを提供することを課題とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するための第１の手段は、磁性フェライトと非磁性体を交互に積み重ねて構成されるフェライトスタックであって、前記磁性フェライトに応力が与えられ、当該応力は前記磁性フェライトの温度の変化に応じて変化し、その変化の方向は、その応力に応じて変化する前記磁性フェライトの透磁率の変化が、前記磁性フェライトの透磁率自身の温度による変化の方向と逆方向になるようにされていることを特徴とするフェライトスタック（請求項１）である。
【００１６】
前述のように、磁性フェライトの透磁率は、一般的には、温度が上昇するに従って低下する。一方、磁性フェライトの透磁率は、磁性フェライト中の応力が大きくなることによっても低下する。このような場合には、磁性フェライトに与えられる応力が、温度の上昇と共に低下するようにしておく。すると、磁性フェライトの温度が上昇すると、磁性フェライトの透磁率自身は低下するが、それと共に応力が低下してそれにより透磁率が上昇するので、両者が打ち消し合って、磁性フェライトの透磁率の変化が低減される。
【００１７】
ただし、弱い磁場条件の下では、磁性フェライトの透磁率が、逆に温度が上昇するに従って上昇する場合がある。このような場合には、磁性フェライトに与えられる応力が、温度の上昇と共に増加するようにしておく。すると、磁性フェライトの温度が上昇すると、磁性フェライトの透磁率自身は上昇するが、それと共に応力が増加してそれにより透磁率が低下するので、両者が打ち消し合って、磁性フェライトの透磁率の変化が低減される。
【００１８】
前記課題を解決するための第２の手段は、前記第１の手段であって、温度上昇に伴う前記応力の変化率は、当該応力の変化に伴って発生する前記磁性フェライトの透磁率の変化が、温度上昇に伴う前記磁性フェライトの透磁率の変化にほぼ等しくなるように定められていることを特徴とするもの（請求項２）である。
【００１９】
本手段においては、磁性フェライトに加えられる応力の変化率は、当該応力の変化に伴って発生する前記磁性フェライトの透磁率の変化が、温度上昇に伴う前記磁性フェライトの透磁率の変化にほぼ等しく、かつ、増減の方向が逆になるように定められているので、温度上昇に伴う磁性フェライトの透磁率自身の変化と、応力の現象に伴う磁性フェライトの透磁率の変化とがほぼ打ち消し合って、磁性フェライトの透磁率をほぼ一定に保つことができる。なお、「ほぼ」とは、フェライトスタックの使用状態において、その透磁率の変化が問題にならない範囲に収まるような程度を意味する。
【００２０】
前記課題を解決するための第３の手段は、前記第１の手段又は第２の手段であって、前記非磁性体が前記磁性フェライトより熱膨張率が低い低熱膨張材料からなり、両者が接着剤により接着されていることを特徴とするもの（請求項３）である。
【００２１】
本手段においては、後に述べるように、使用状態での最高温度に近い状態で磁性フェライトと非磁性体とを接着すると、常温においては、両者の熱膨張率の違いのために磁性フェライトに熱応力がかかった状態となる。そして、温度の上昇と共に、この熱応力が緩和されるように働く。よって、前記第１の手段又は第２の手段を簡単に構成することができる。
【００２２】
前記課題を解決するための第４の手段は、前記第３の手段であって、前記非磁性体がポーラスな低熱膨張セラミクスからなることを特徴とするもの（請求項４）である。
【００２３】
非磁性体としては、低熱膨張セラミクスを使用するのが手軽である。しかし、場合によっては、低熱膨張セラミクスのヤング率が高すぎ、その結果熱変形により低熱膨張セラミクスが破損したり、温度変化による応力の変化率が大きすぎて、透磁率の補償が過度になってしまうことがある。本手段においては、非磁性体をポーラスな低熱膨張セラミクスで構成することにより、ヤング率を高くし、かつ、温度変化による応力の変化率を小さくしている。空隙率を調整することによりヤング率を調整し、応力の発生程度を調整して、温度変化による磁性フェライトの透磁率変化を補償できるようにすることができる。
【００２４】
前記課題を解決するための第５の手段は、前記第３の手段又は第４の手段であるフェライトスタックの製造方法であって、前記磁性フェライトと前記非磁性体との接着を、フェライトスタックが使用される最高温度に近い温度下で行うことを特徴とするフェライトスタックの製造方法（請求項５）である。
【００２５】
本手段においては、磁性フェライトと非磁性体との接着を、フェライトスタックが使用される最高温度に近い温度下で行う。よって、フェライトスタックが常温になると、磁性フェライトと非磁性体との線膨張率差に起因する熱応力が磁性フェライトに発生する。そして、フェライトスタックの温度が上昇すると主に、磁性フェライトに作用する熱応力が減少する。「最高温度に近い」とは、常温と最高温度の中間の温度より高い温度を言う。また、接着を行う温度は、使用時のフェライトスタックの温度として最も発生しやすい温度かその近傍温度としてもよい。
【００２６】
前記課題を解決するための第６の手段は、磁性材料として用いられるフェライトであって、当該フェライトに応力が与えられ、当該応力は前記フェライトの温度の変化に応じて変化し、その変化の方向は、その応力に応じて変化する前記フェライトの透磁率の変化が、前記フェライトの透磁率自身の温度による変化の方向と逆方向になるようにされていることを特徴とする磁性材料用フェライト（請求項６）である。
【００２７】
前記課題を解決するための第７の手段は、前記第６の手段であって、温度上昇に伴う応力の変化率は、当該応力の変化に伴って発生する前記フェライトの透磁率の変化が、温度上昇に伴う前記フェライトの透磁率の変化にほぼ等しくなるように定められていることを特徴とするもの（請求項７）である。
【００２８】
これら、第６の手段、第７の手段は、それぞれ前記第１の手段、第２の手段と同じ作用効果を奏する。
【００２９】
前記課題を解決するための第８の手段は、前記第１の手段から第４の手段のいずれかであるフェライトスタック、又は前記第６の手段若しくは第７の手段のいずれかである磁性材料用フェライトをコアとして用いていることを特徴とする偏向器電子光学素子（請求項８）である。
【００３０】
本手段によれば、温度変化によるコアの透磁率の変化が小さく抑えられるので、偏向器や非点収差補正器等の電子光学素子の温度特定を安定化させることができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
本発明の骨子は、通常の場合においては、磁性フェライトにある程度の与圧をかけて応力を与え、その与圧が、温度上昇により緩和されるように配慮する点にある。図１（ｂ）には一般的な磁性フェライトの透磁率の磁場依存性（μ−Ｈカーブ）を示す。横軸は磁場Ｈ、縦軸は透磁率μである。これは、（ｃ）、（ｄ）についても同じである。一般的に磁性フェライトの透磁率は、温度上昇に伴い減少する。これは、磁性体がキュリー点（フェライトでは１５０℃〜２５０℃程度）において磁性を失うため、キュリー点に近づくにつれ、磁気的特性が無くなっていくためである。
【００３２】
一方、図１（ｃ）に示すように、磁気フェライト等の磁性体は、応力が作用すると、磁気特性が減少することが知られている。これは、磁気の根元である電子のスピンが、結晶格子に応力が作用すると、自由にその向きを変えにくくなるためである。そのため、フェライトにある程度の与圧をかけて応力を与え、それが温度上昇により緩和されれば、フェライトの温度上昇による透磁率の減少が、応力の緩和による透磁率の増加とキャンセルし合い、結果的にフェライトの温度特性が図１（ｄ）に示すように改善される。
【００３３】
以下、図を用いて本発明の実施の形態の例を説明する。図１（ａ）は本発明の第１の実施の形態であるフェライトスタックを示す概略図である。従来例においては、フェライトスタックは熱膨張係数のほぼ等しい、磁性フェライトと非磁性フェライトを接着により積層して形成する。これにより、フェライトの温度が大きく変わっても、熱膨張係数のミスマッチによる熱応力により、割れやすいフェライトが割れたりすることが無い。
【００３４】
しかし、第１の実施の形態では、非磁性フェライトの代わりに低熱膨張セラミクス３を用いている。即ち、フェライトスタック１は、磁性フェライト２と低熱膨張セラミクス３を接着により積層して構成されている。通常のフェライトの熱膨張係数が１１．５ＰＰＭ／℃程度なのに比べ、低熱膨張セラミクス３の熱膨張係数はＯ．１ＰＰＭ／℃程度と非常に低い。またヤング率が高いため、異種材料と接合し、熱応力を発生させるには都合がよい。
【００３５】
接着には常温硬化性の２液性エポキシを使用する。常温硬化性エポキシは、室温で硬化するものであるが、高温環境下では、硬化時間が若干短くなるだけで、硬化や得られる接着力に変化はない。そのため、例えば接着を４０℃の環境で行えば、４０℃の状態でフェライトスタックの内部的な熱応力はゼロであり、室温である２０℃で使用すれば、内部的に熱応力が作用していることとなる。
【００３６】
当然フェライトスタック１の温度が上昇すれば、内部的な熱応力は緩和され、磁性フェライト２の透磁率は上昇する。同時に磁性フェライト２自身の透磁率は、温度上昇により減少するため、それらはお互いキャンセルし合う。使用時にどの程度の熱応力を与えるかは、磁性フェライトの透磁率の温度依存性と、応力の感受性により決まる。それに応じ、接着温度を設定する。
【００３７】
しかし、磁性フェライトは割れやすく、熱応力に弱いため、接着を行った温度から±２０℃以上温度変化を与えるのは好ましくない。また、熱応力発生のパラメータとして、接着温度の他に、低熱膨張セラミクスの熱膨張係数とヤング率がある。低熱膨張セラミクスの熱膨張係数が磁性フェライトと大きく異なっていれば、それだけ大きな熱応力が少ない温度変化で得られる。
【００３８】
しかし、それほど大きな熱応力が必要無い場合もあり、この場合には、むしろ磁性フェライトと低熱膨張セラミクスの熱膨張係数をある程度マッチングさせた方が、熱による破壊の可能性を小さくできるため、熱膨張係数が４．５ＰＰＭ程度の窒化珪素や、７．５ＰＰＭ程度のアルミナなどの方が好ましい場合もある。
【００３９】
また、セラミクスのヤング率については、ヤング率が高いほど、僅かな温度差で、大きな熱応力を発生させることができる。一方、ヤング率が低ければ、熱応力が大きくなったとき、ある程度セラミクスが変形し、熱応力が低減されるため、熱による破壊を防ぐことができる。
【００４０】
磁性フェライトの透磁率の温度依存性がさほど大きくない場合、セラミクスのヤング率が高いと、熱応力は温度変化により急峻に変化し、磁性フェライトの透磁率を過度に補償してしまって、広い温度領域で効果が得られない場合もある。その場合、ある程度ヤング率の低い材料を使用することにより、熱応力の温度変化による敏感性をコントロールできる。
【００４１】
セラミクスは焼結体であり、粉体のプレスの圧力を低くしたり、バインダの量を増やすことにより、セラミクスがポーラスとなり、ヤング率を低く調整することができる。
【００４２】
磁性フェライトの透磁率は、一般に温度が高くなると低下するが、弱い磁場条件では、その逆のこともよく起きる。このように、磁性フェライトが弱い磁場環境で使用され、その条件で磁性フェライトの透磁率の変化をキャンセルしたい場合、使用温度より低温で接着すればよい。あるいは磁性フェライトよりも大きな熱膨張係数非磁性材料と磁性フェライトを交互に積層すればよい。実際に透磁率の変化がどの程度キャンセルされているかを調べるには、磁性フェライトの温度を変えながら、透磁率を測定すればよい。
【００４３】
透磁率測定法としては良く知られた、インダクタンス測定法がある。図２に示すように、１次コイルをフェライトスタック１に巻き線し、直流電流を流し、磁性フェライト内に磁場を形成する。その状態で２次コイルにインダクタンス測定器をつなぎ、２次コイルのインダクタンスを測定する。測定されたインダクタンスの値と、磁性フェライトの形状、２次コイルの巻き数から、磁性フェライトの透磁率を算出することができる。
【００４４】
フェライトスタックを恒温槽、あるいはサーマルチャンバーに入れ、温度を変化させ、透磁率を測定し、その変化を調べることにより、どの程度変化がキャンセルされているかを調べることができる。
【００４５】
フェライトスタックに作用する磁場は、その場所場所により異なる。特に、磁気レンズのポールピース（ヨーク）の近傍は、磁場強度も強い。そのため、フェライトの場所場所において、透磁率の変化の仕方も異なる。その場合、磁性フェライトの各リングを同時に接着するのではなく、数本ずつ別々の最適化された温度で接着すれば、それぞれの部分に適切な与圧が作用し、都合がよい。また、低熱膨張率セラミクスの材料を部分部分で代え、与圧を最適化することもできる。また、それらを同時に行うこともできる。
【００４６】
図３は、本発明の第２の実施の形態であるフェライトスタックを示す概要図である。なお、この場合も、フェライトスタック１は、磁性フェライト２と低熱膨張率セラミクス３を積層して形成されている。図３では、フェライトスタック１を構成するそれぞれの磁性フェライト２を、グラスファイバー、あるいはカーボンファイバーで補強されたエンジニアリングプラスティック製の帯４で外側から締め付け、応力を与えている様子を示す。帯の終端はやはりグラスファイバーあるいはカーボンファイバーで強化されたエンジニアリングプラスティック製のネジ５でかしめてある。これらの帯４が設けられる側は、磁性フェライト２の外側であり、偏向器とは磁性フェライト２を介してシールドされているため、ネジ５やナットの材料として、電気抵抗値の高いチタン合金を使用しても渦電流が問題にならない場合もある。
【００４７】
帯４の材料であるエンジニアリングプラスティックには実に多様な熱膨張係数、ヤング率のものがあり、熱膨張係数は１〜８０ＰＰＭ／℃にわたり、ヤング率も５〜２００ＧＰａに渡る。そのため、磁性フェライト２より大きな熱膨張係数の材料を使用すると、磁性フェライト２の温度上昇による透磁率の減少を、帯の緩みによる応力緩和による磁性フェライト２の透磁率の上昇がキャンセルし合う。
【００４８】
第１の実施の形態の説明において述べたのと同様に、帯４の張力、熱膨張係数、ヤング率は、それぞれの磁性フェライト２の透磁率の温度依存性に合せて最適化することができる。熱膨張係数が磁性フェライト２より小さい材料を使うと、温度上昇によりより応力が増加するため、温度上昇により磁性フェライト２の透磁率が増加する場合に使用する。
【００４９】
本実施の形態は、第１の実施の形態と比べ、与圧をコントロールできるという利点を有する。第１の実施の形態の説明において説明したように、色々な温度条件で、透磁率を測定し、応力により磁性フェライト２の透磁率の変化がうまくキャンセルされるように、ネジ５により与圧を調整すればよい。フェライトスタック１に作用する磁場は、その場所場所により異なる。特に、磁気レンズのポールピース（ヨーク）近傍は、前述のように磁場強度も強い。そのため、磁性フェライト２の場所場所において、透磁率の変化の仕方も異なる。その場合、各ネジ５により帯４の張力をそれぞれ個別に最適化することもできる。
【００５０】
図４は、本発明の第３の実施の形態であるフェライトスタックを示す概要図である。なお、この場合も、フェライトスタック１は、磁性フェライト２と低熱膨張率セラミクス３を積層して形成されている。第３の実施の形態は、第２の実施例と似ているが、帯４をまず上から下にかけてスパイラル状に巻き、続いて下から上に巻き、巻き始めと巻き終わりをネジ５で連結してある。この方法では、フェライトスタック１全体を帯４により外側から締め付けて圧縮応力を与えているので、それぞれの磁性フェライト２に個別の与圧を与えることはできないが、与圧を１つのネジ５でコントロールできる簡便性があり、また全体に均一な与圧が与えられるというメリットもある。
【００５１】
図５（ａ）、（ｂ）は、本発明の第４の実施であるフェライトスタックを示す概要図である。なお、この場合も、フェライトスタック１は、磁性フェライト２と低熱膨張率セラミクス３を積層して形成されている。図５（ａ）のように帯４を縦に巻いてもよい。この場合は、フェライトスタック１は、帯４により、その周囲を締め付けることによって圧縮応力を与えられている。また図５（ｂ）のように、１本の帯４を多重に巻いても、前記第３の実施の形態と同様な作用効果が得られる。
【００５２】
図６は、本発明の第５の実施の形態である偏向器を示す概要図である。図６（ａ）は、トロイダル型偏向器を示すもので、コアとしてフェライトスタック１を使用し、それにコイル６を放射状に巻回することにより形成されている。フェライトスタック１は、磁性フェライト２と低熱膨張率セラミクス３を積層して形成されており、この場合は、前記第１の実施の形態で示されたような方法で製造され、前記第１の実施の形態で示された構造を有している。
【００５３】
この実施の形態である偏向器の作用は、従来のものと同じであるが、このように構成されたフェライトスタックをコアとして有しているので、温度が変化してもコアの透磁率の変化が少なく、よって、偏向器としての特性の変化を小さくすることができる。
【００５４】
図６（ｂ）、（ｃ）はサドル型偏向器を示すもので、（ｂ）は偏向器のコイル６をフェライトスタック１の中に入れる組み立て前の状態、（ｃ）は組み立て後の状態を示している。フェライトスタック１は、磁性フェライト２と低熱膨張率セラミクス３を積層して形成されており、この場合は、前記第１の実施の形態で示されたような方法で製造され、前記第１の実施の形態で示された構造を有している。
【００５５】
この実施の形態である偏向器の作用は、従来のものと同じであるが、このように構成されたフェライトスタックをコアとして有しているので、温度が変化してもコアの透磁率の変化が少なく、よって、偏向器としての特性の変化を小さくすることができる。
【００５６】
図６に示す実施の形態において、コアとして使用するフェライトスタック１に、前記第２の実施の形態から第４の実施の形態として示したフェライトスタックを初め、本発明に係るフェライトスタックを適宜選択して使用できることは言うまでもない。
【００５７】
なお、図３〜図５に示すように、帯で締め付けることにより磁性フェライトに応力を与え、それにより磁性フェライトの透磁率が温度によって変化する程度を低減することは、特にフェライトスタックのみに限られず、磁性材料として用いられるフェライト自体に行っても良いことは言うまでもない。また、図６に示すように、フェライトスタックを偏向器のコアとして用いるのではなく、上記のようにして透磁率の温度特性が改善された磁性フェライトをコアとして用いるようにしてもよい。
【００５８】
なお、上述の例では、偏向器を例にあげて説明したが、ほぼ同様な構成である非点収差補正器等の電子光学素子にも、本発明を適用することが可能である。
【００５９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明においては、磁性フェライトの透磁率の温度変化が小さいフェライトスタックとその製造方法、及び透磁率の温度変化が小さい磁性材料用フェライトを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態であるフェライトスタックを示す概略図である。
【図２】フェライトスタックの透磁率の温度依存性を測定する方法の例を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態であるフェライトスタックを示す概要図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態であるフェライトスタックを示す概要図である。
【図５】本発明の第４の実施であるフェライトスタックを示す概要図である。
【図６】本発明の第５の実施の形態である偏向器を示す概要図である。
【図７】１個の磁気レンズと１個の偏向器が組合わさってできた電子線光学ユニットを示す概要図である。
【図８】従来のトロイダル型偏向器、サドル型偏向器を示す概要図である。
【符号の説明】
１：フェライトスタック
２：磁性フェライト
３：低熱膨張率セラミクス
４：帯
５：ネジ
６：コイル
【図１】
2004235224.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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