(57)【要約】【課題】１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ２以上の超高密度で磁気記録を行うためのパターンドメディア及びその製造方法並びに該製造方法を適用可能な磁気記録用磁性材料の提供。【解決手段】酸化により磁気特性の変化する磁性材料からなる表面に対して、湿潤雰囲気下で原子間力顕微鏡を用いて酸化処理を施すことにより、酸化領域に囲まれた未酸化領域又は未酸化領域に囲まれた酸化領域をアレイ状に配し、前記各領域に１ｂｉｔの情報を記録可能とした、極微細な磁気記録媒体およびその製造方法。【選択図】　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭｎＡｓ、ＭｎＳｂ、ＭｎＢｉの何れか１種又は２種以上からなる強磁性のＭｎ化合物を含み、酸化により強磁性を示さなくなることを特徴とする磁気記録用磁性材料。
【請求項２】
少なくとも一部が請求項１記載の材料からなる表面を備え、かつ該表面には、酸化領域によって囲まれた未酸化領域を少なくとも一領域以上備えていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】
酸化領域に囲まれた未酸化領域の最大径が、２０ｎｍ未満であることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
基板上の少なくとも一部に、請求項１記載の材料からなる強磁性層を成膜し、この強磁性層に対し、湿潤雰囲気下又は大気中で負のバイアス電圧の印加された走査型探針を用いて、酸化領域を形成し、少なくとも１つ以上の酸化領域に囲まれた強磁性の未酸化領域を設けることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記走査型探針が、原子間力顕微鏡の探針であることを特徴とする請求項４記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
酸化領域に囲まれた強磁性の未酸化領域の最大径が、２０ｎｍ未満であることを特徴とする請求項４又は請求項５の何れか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
基板上の少なくとも一部に、Ｃｒ又はＦｅの酸化物の何れか一方又は両方を含む材料であって、酸化により強磁性化する磁性材料からなる材料層を成膜し、この材料層に対し、湿潤雰囲気下又は大気中で負のバイアス電圧の印加された走査型探針を用いて酸化領域を形成し、少なくとも１つ以上の未酸化領域に囲まれた強磁性の酸化領域を設けることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
前記材料層を成膜した後、さらにＡｌ薄膜をさらに成膜することを特徴とする請求項７記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
前記走査型探針が、原子間力顕微鏡の探針であることを特徴とする請求項７又は請求項８の何れか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
未酸化領域に囲まれた強磁性の酸化領域の最大径が、２０ｎｍ未満であることを特徴とする請求項７〜請求項９の何れか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
少なくとも一部が、Ｃｒ又はＦｅの酸化物の何れか一方又は両方を含む材料であって、酸化により強磁性化する磁性材料からなる表面を備え、かつ該表面には、未酸化領域によって囲まれた酸化領域を少なくとも一領域以上備えていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１２】
未酸化領域に囲まれた酸化領域の最大径が、２０ｎｍ未満であることを特徴とする請求項１１記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、磁性材料に関するものであり、特に、超高密度で磁気記録を行う記録媒体に適した磁気記録用の磁性材料に関する。さらに、磁性領域をアレイ状に配し、各領域に１ｂｉｔの情報を記録する、いわゆるパターンドメディアを、前記磁性材料からなる表面に構築する方法およびその方法により製造された磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来技術】
現在、主に用いられている磁気記録媒体としては、ベースフィルムに磁性体を塗布する方法や基板上に、メッキ、蒸着、スパッタ法で磁性体の薄膜を形成する方法などが採用されている。これらの技術は、磁気ヘッドの機能向上とともに発展してきており、１０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２以上の記録密度も一部実用化されるに至っている。
【０００３】
しかし、現在用いられている薄膜デバイスでは、高密度化が進むと熱揺らぎによってデータが消失してしまうという問題があり、このタイプのデバイスの記録密度としては、１００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２が限界であるといわれている。
【０００４】
そこで、さらなる高記録密度を達成するための手法として有望視されているもののひとつに、単磁区強磁性微粒子のナノ構造体がある。（例えば、非特許文献１参照。）
【０００５】
もし、この技術が確立すれば、例えば、１微粒子に１ｂｉｔの情報を記録できる２０ｎｍの周期構造であれば、１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ２の記録容量が可能となる。この記録容量は、まさに次世代の磁気記録媒体の水準を満たすものということができよう。
【０００６】
また、スパッタリング法により室温で作製された連続磁性膜（膜構成はＳｉ／Ｔｉ９０Ｃｒ１０　３０ｎｍ／Ｃｏ６５Ｃｒ３５　２０ｎｍ／Ｃｏ７１Ｃｒ１９Ｐｔ１０　５０ｎｍ）に、集束イオンビーム（ＦＩＢ）リソグラフィーによって格子状の溝を形成し、矩形の磁性微粒子として、アレイ構造を作製する手法がある。（例えば、非特許文献２参照。）
【０００７】
一方、磁気記録とは関連しないが、ナノオーダーのプロセッシング技術として、走査型の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）の探針を利用して、シリコン基板上に、微細な酸化膜及び窒化膜を形成したり、又はシリコン基板上の金属不純物を検出除去したりする技術がある。（例えば、特許文献１参照。）
【０００８】
同様に、走査型近視野光学顕微鏡の陽極酸化プローブを用いて、金属クラッド中に金属酸化物コアを埋設した構造を作成し、極微細の光導波路とする技術がある。（例えば、非特許文献３参照。）
【０００９】
また、パターニングとは関連しないが、α−Ａｌ２Ｏ３の（０００１）基板上のＦｅ３Ｏ４薄膜を酸化して、結晶方位関係を保ったままＦｅ２Ｏ３とする技術（例えば、非特許文献４参照。）や、磁性体（ＭｎＳｂ）表面を一様に酸化してＭｎＯ２誘電体による磁気光学的保護膜とする技術（例えば、特許文献２参照。）がある。
【００１０】
【特許文献１】
特開平６−２６７９４０号公報
【特許文献２】
特許第３１１８５５４号公報
【非特許文献１】
「サイエンス（ＳＣＩＥＮＣＥ）」，Ｖｏｌ．２８７，ｐ．１９８９−１９９２，（２０００年３月１７日）
【非特許文献２】
「アプライド　フィジックス　レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ）」，Ｖｏｌ．７８，Ｎｏ．６，ｐｐ．７８４−７８６（２００１）
【非特許文献３】
「アプライド　フィジックス　レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ）」，Ｖｏｌ．８０，Ｎｏ．２４，ｐｐ．４６２９−４６３１（２００２）
【非特許文献４】
「ジャーナル　オブ　ソリッド　ステート　ケミストリー（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）」，Ｖｏｌ．１６３，Ｎｏ１，ｐｐ．２３９−２４７（２００２）
【００１１】
【解決すべき課題】
上述の非特許文献１に記載された例では、３〜１０ｎｍの粒径のＦｅＰｔ微粒子をナノ構造体に採用し超格子としたものであるが、Ｐｔの含有に伴い原料が高価となり、廉価性に乏しく、大規模情報記録用の記録媒体としては不向きである。
【００１２】
さらに、均一配置が難しいと予想される上、該微粒子を基板に塗布した際、剥離が起き易く、媒体とした場合、取り扱いが難しくなることも懸念される。また、この手法は、Ｆｅ−Ｐｔ材料以外の材料に適用できないことから、磁気特性も自ずと制限され、記録媒体としての利用に限界がある。
【００１３】
一方、上述の非特許文献２に記載された例の格子間隔は、約７０ｎｍであり、平均密度は１３０Ｇｂｌｏｃｋ／ｉｎｃｈ２に留まり、要求される密度に未だ１桁近い隔たりがあり、十分な記録密度水準のものとはいい難い。
【００１４】
さらに、ＦＩＢによるプロセッシングでは、加工歩留まりが極端に悪く、実用の記録媒体としてのアレイ構造を描画するのは、現実には不可能に近いと考えられる。
【００１５】
なお、上述の特許文献１、非特許文献３、４には、磁気記録はもちろんのこと、磁性特性を利用することについては、何ら示唆もされておらず、単なる背景技術としての一般的技術水準を開示しているに過ぎない。
【００１６】
このように、従来のパターンドメディアは、何れも、次世代磁気記録媒体としては、十分なものとはいえず、廉価性を維持しつつ高密度記録を実現できる材料並びにそのためのデバイス構造は、現在まで提案されていない。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上述の従来技術の課題を解決するにあたって、非特許文献２記載の発明のようなパターニングを、より精細に行うために、解像度並びに操作性に優れる走査型プローブ顕微鏡の利用を模索した。
【００１８】
しかしながら、一口により精細にパターニングするといっても、１〜２ｎｍ程度の精細なトレンチを掘ることは、従来のリソグラフィー手法では至難である。一方、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）や走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）等の走査型プローブ顕微鏡は、ナノオーダーの解像度を有しているものの、原理的にエッチング機能を備えておらず、１〜２ｎｍ程度の精細なトレンチを掘ることはできない。
【００１９】
そこで、本発明者は、トレンチを掘る以外の方法で、各磁気記録領域の磁区構造が安定する離隔を実現可能なパターニング方法を模索し、走査型の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を利用するに思い至った。
【００２０】
すなわち、走査型の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）であっても、材料表面の酸化状態を変化させる程度のプロセッシングは可能であることから、酸化状態を変えることにより磁性特性を変化させることができる材料を選択すれば、走査型の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）によっても、超微細パターニングを実現できる。
【００２１】
そして、このパターニングされた磁気記録領域は、相互に磁性特性の異なる領域を介して離隔されていることから、アレイ状に配置されたとしても、領域内の磁区構造が安定し、極精細なパターンドメディアとして機能するものである。なお、磁気記録領域内が安定した単磁区構造をとることが望ましいが、それに準じた安定した磁区構造であれば、十分に磁気記録媒体として機能する。
【００２２】
なお、上述の非特許文献２に記載された描画効率の問題は、原子間力顕微鏡を用いる場合にも該当することであるが、酸化プロセスに用いる場合には、真空引き等の必要がなく、取り扱いが容易な上、場合によっては、探針を多数設けてパラレル処理することも可能であるので、描画効率の問題は、大幅に緩和される。
【００２３】
以上の技術思想に基づく本発明は、上述の技術的課題を解決するものであって、次の技術的事項からなる。
本発明（１）は、ＭｎＡｓ、ＭｎＳｂ、ＭｎＢｉの何れか１種又は２種以上からなる強磁性のＭｎ化合物を含み、酸化により強磁性を示さなくなることを特徴とする磁気記録用磁性材料である。
本発明（２）は、少なくとも一部が請求項１記載の材料からなる表面を備え、かつ該表面には、酸化領域によって囲まれた未酸化領域を少なくとも一領域以上備えていることを特徴とする磁気記録媒体である。
本発明（３）は、酸化領域に囲まれた未酸化領域の最大径が、２０ｎｍ未満であることを特徴とする本発明（２）の磁気記録媒体である。
本発明（４）は、基板上の少なくとも一部に、本発明（１）の材料からなる強磁性層を成膜し、この強磁性層に対し、湿潤雰囲気下又は大気中で負のバイアス電圧の印加された走査型探針を用いて、酸化領域を形成し、少なくとも１つ以上の酸化領域に囲まれた強磁性の未酸化領域を設けることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
本発明（５）は、前記走査型探針が、原子間力顕微鏡の探針であることを特徴とする本発明（４）記載の磁気記録媒体の製造方法。
本発明（６）は、酸化領域に囲まれた強磁性の未酸化領域の最大径が、２０ｎｍ未満であることを特徴とする本発明（４）又は本発明（５）の何れか１発明の磁気記録媒体の製造方法。
本発明（７）は、基板上の少なくとも一部に、Ｃｒ又はＦｅの酸化物の何れか一方又は両方を含む材料であって、酸化により強磁性化する磁性材料からなる材料層を成膜し、この材料層に対し、湿潤雰囲気下又は大気中で負のバイアス電圧の印加された走査型探針を用いて酸化領域を形成し、少なくとも１つ以上の未酸化領域に囲まれた強磁性の酸化領域を設けることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
本発明（８）は、前記材料層を成膜した後、さらにＡｌ薄膜をさらに成膜することを特徴とする本発明（７）の磁気記録媒体の製造方法である。
本発明（９）は、前記走査型探針が、原子間力顕微鏡の探針であることを特徴とする本発明（７）又は本発明（８）の何れか１発明の磁気記録媒体の製造方法である。
本発明（１０）は、未酸化領域に囲まれた強磁性の酸化領域の最大径が、２０ｎｍ未満であることを特徴とする本発明（７）〜本発明（９）の何れか１発明の磁気記録媒体の製造方法である。
本発明（１１）は、少なくとも一部が、Ｃｒ又はＦｅの酸化物の何れか一方又は両方を含む材料であって、酸化により強磁性化する磁性材料からなる表面を備え、かつ該表面には、未酸化領域によって囲まれた酸化領域を少なくとも一領域以上備えていることを特徴とする磁気記録媒体である。
本発明（１２）は、未酸化領域に囲まれた酸化領域の最大径が、２０ｎｍ未満であることを特徴とする本発明（１１）の磁気記録媒体である。
【００２４】
【実施の形態】
まず、局所的な陽極酸化の原理を、模式的に図１に示す。試料に対し負のバイアス電圧が印加されたプローブチップ１と、該先端に対向する試料２とを十分に近接させた場合、雰囲気中に存在する水分を集めて、両者の間に吸着水層４と呼ばれる水の層が形成される。
【００２５】
そして、バイアス電源Ｖから供給された電子ｅ−は、吸着水層４中にＯＨ−イオンを生成することになるが、このＯＨ−イオンは試料２と反応して、酸化物３を形成する。この酸化物３が試料３表面から盛り上がって観察される。
【００２６】
次に、この局所陽極酸化の原理を実際のプロセッシングに適用した、本発明にかかる材料表面の微細加工装置の模式図を図２に示す。これらの図を用いて、本発明によるパターニング手法の概要を説明する。
【００２７】
図２は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）内部を模式的に示しており、図中１は、その導電性探針（以下、「導電性プローブチップ１」という。）を示す。
【００２８】
図中２は、微細加工の対象となる試料であって、ＧａＡｓ等の半導体基板やプラスティック基板等である。少なくともその表面の一部には、本発明の材料によって構成される薄膜５を有する。該薄膜５は、導電性を有していることが望ましい。
【００２９】
前記導電性プローブチップ１と前記試料２は、コンピュータ等の制御系８により、原子間力検出器６とピエゾアクチュエータからなる駆動系７を介して、ナノオーダーで相対的に位置決めされる。
【００３０】
一方、前記導電性プローブチップ１には、バイアス電源Ｖにより前記試料２の表面薄膜５に対して負のバイアス電圧が印加されており、前記導電性プローブチップ１の先端と試料２の表面薄膜５との間には、雰囲気中の水分が吸着した吸着水層４が形成される。
【００３１】
そして、この吸着水層４に対し前記導電性プローブチップ１から電子ｅ−が供給され、ＯＨ−の生成を介して、薄膜４の対向する表面領域は局所的に陽極酸化される。
【００３２】
前記導電性プローブチップ１と試料の表面薄膜５とを相対的に移動させることにより、その移動経路、すなわち掃引履歴に応じた任意の形状の陽極酸化領域３を作製できる。なお、陽極酸化領域３は、元の薄膜４の素地表面より盛り上がった部分となり、前記導電性プローブチップ１によって掃引を受けていない表面と区別される。
【００３３】
ここで、図３は、ＧａＡｓ（１１１）Ｂ基板に厚さ３０ｎｍのＭｎＳｂ薄膜を堆積した表面に対して、上述の導電性プローブチップへのバイアス電圧を種々に変化させて、局所陽極酸化させた場合の酸化領域の盛り上がり高さを測定した結果をプロットしたものである。なお、雰囲気温度２４℃、雰囲気湿度３５〜４１％である。
【００３４】
図３のとおり、酸化領域の盛り上がり量は、バイアス電圧に対し高い相関性（盛り上がり高さ（ｎｍ）＝３．４×（バイアス電圧（Ｖ）−７．０））を有していることから、バイアス電圧で制御可能である。同様に、酸化後の酸化領域の幅についても比例関係がある。したがって、所用のアレイサイズに応じて、バイアス電圧を選択すれば、確実に各磁気記録領域を描画することができる。
【００３５】
なお、パターンドメディアにおける各記憶領域は、略同一パターンからなり、それらの反復繰り返し配置によってアレイ構造とされることから、複数の導電性プローブチップを並列配置することで、パターニング効率を飛躍的に向上させることができる。
【００３６】
【実施例１】
図４は、温度２４℃、湿度５５％の雰囲気中、バイアス電圧９Ｖ、掃引速度１０ｎｍ／ｓｅｃの条件にて原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により、ＧａＡｓ基板の（１１１）表面にＭｎＡｓ膜を被覆した材料に対して、三角形状の微細加工を施した際の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による表面写真である。
【００３７】
図中、素地に比べ白っぽい三角形の領域が、導電性プローブチップの掃引を受けた、ＭｎＡｓが陽極酸化されて生じたＭｎＯ２領域である。この領域は、陽極酸化されたことにより素地に対して１０ｎｍ程度の盛り上がっていることが読みとれる。
【００３８】
この陽極酸化されたことにより、非磁性となったＭｎＯ２領域に囲まれたＭｎＡｓの素地表面領域は、安定した磁区構造領域となり、磁気記録領域として利用できる。こうした酸化領域と未酸化領域によって構成されるパターンを繰り返し設けることにより、アレイ状に磁性領域を配置することで、いわゆるパターンドメディアとすることができる。
【００３９】
【実施例２】
図５は、前述の実施例１の基板における結晶方位を（００１）面とした場合の原子間力顕微鏡写真である。掃引条件は、バイアス電圧１０Ｖ、掃引速度２５ｎｍ／ｓｅｃ、雰囲気温度２４℃、雰囲気湿度６０％であり、掃引パターンは、四角形である。
【００４０】
掃引速度が速いにもかかわらず、元々の基板方位の影響に加えややバイアス電圧が高いことから、実施例１に比べ、やや盛り上がりが大きく、おおよそ１９ｎｍであった。
【００４１】
【実施例３】
一方に、図６は、ＧａＡｓ（００１）基板上に、強磁性でないＣｒ２Ｏ３とＡｌを堆積して構成した表面とした場合のもので、該基板表面に対して、原子間力顕微鏡の導電性プローブチップによりパターニングしたときの原子間力顕微鏡写真である。この場合の掃引条件は、バイアス電圧６Ｖ、掃引速度５０ｎｍ／ｓｅｃで、雰囲気は、温度２４℃、湿度６０％であり、掃引パターンとしては、三角形を三つ組み合わせた形に掃引した場合のものである。
【００４２】
この場合、実施例１や実施例２とは反対に、導電性プローブチップの掃引を受けた領域がＣｒＯ２に酸化され、強磁性に変化するものである。この掃引を受けて酸化された領域が、図中、白っぽく表示されており、最小幅６０ｎｍ程度で、素地表面に対し１０ｎｍ程度盛り上がっている。
【００４３】
なお、Ｃｒ２Ｏ３とともに表面に堆積したＡｌは、陽極酸化処理を施し易くするためのもので、低いバイアス電界でかつ太い線を描画できるという効果を奏するものである。
【００４４】
【実施例４】
また、図７は、表面堆積材に、Ｃｒ２Ｏ３を用いたものであるが、実施例３の場合と異なり、Ａｌを含まない場合の原子間力顕微鏡写真である。掃引条件は、バイアス電圧７Ｖ、掃引速度５０ｎｍ／ｓｅｃで、雰囲気温度２４℃、雰囲気湿度６０％であり、掃引パターンは、６角形とした。
【００４５】
Ａｌを含まない、すなわち導電性に乏しい表面に対しても、掃引速度５０ｎｍ／ｓｅｃという高速で、十分精細な描画が可能であることが判明した。実施例３と同様に表面にＡｌを堆積しておけば、さらに、低いバイアス電界でかつ太い線を描画することもできる。
【００４６】
【実施例５】
一方、図８には、表面にＭｎＳｂ薄膜を用いた場合の原子間力顕微鏡写真である。この場合の掃引条件は、バイアス電圧２０Ｖ、掃引速度４ｎｍ／ｓｅｃ、雰囲気温度２４℃、雰囲気湿度３８％であり、掃引パターンは、直線状である。
【００４７】
直線上に掃引しても、バイアス電圧を高く掃引速度を小さく取れば、帯状に酸化することが可能となることが判明した。因みに、この例では、幅２００ｎｍの帯状の酸化領域を作製できた。これにより、幅の広い酸化領域を、繰り返しに依らず描画できることから、パターンドメディア構築に当たっての描画効率が高まると予想される。
【００４８】
図９は、実施例５と同様のＭｎＳｂ表面基板に対して、バイアス電圧２２Ｖ、掃引速度４ｎｍ／ｓｅｃ、雰囲気温度２４℃、雰囲気湿度３８％で、四角形に掃引した場合の原子間力顕微鏡写真である。
【００４９】
【実施例６】
ここで、酸化領域の高さとバイアス電圧の間には、図２に例示される比例関係があると同様に、酸化領域の幅とバイアス電圧の間にも比例関係が存在する。しかも、酸化が進行する境界バイアス電圧も、高さ方向と幅方向で略一致した。
【００５０】
例えば、ＭｎＳｂ表面については、酸化領域の幅とバイアス電圧との間には、比例関係（酸化領域の幅＝１５×（バイアス電圧Ｖ−７．０））が見いだされた。
因みに、この相関性は、前述の実施例５において、バイアス電圧２０Ｖで幅２００ｎｍである事実とよく整合している。
【００５１】
この関係から予見されるとおり、印加バイアス電圧を８Ｖ程度以下に設定することにより、２０ｎｍより幅の狭い酸化領域を描画することができた。
【００５２】
【参考例】
一方、図１０は、本発明方法による、硫黄元素により表面を安定化したＧａＡｓ（００１）基板そのものに対する描画性を評価するためにした参考例について、原子間力顕微鏡写真である。この結果からみて、ＧａＡｓ（００１）基板自体にも描画ができることが判明した。
【００５３】
【発明の効果】
本発明は、走査型の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）のプローブチップによる酸化プロセスを利用して、酸化状態により磁性特性が変化する材料から構成される基板表面に極微細プロセッシングを行ったことから、ナノオーダーの任意形状の微細構造を構築可能になるとともに、単磁区構造乃至はそれに準じる磁区構造を安定して構築することが可能となった。これにより、高密度記録時の熱揺らぎによるデータ消失の問題も実質的に回避可能となった。
【００５４】
本発明を用いれば、２０ｎｍより幅の狭い酸化領域を、再現性をもって描画できることから、例えば、２０ｎｍ周期の安定した磁区構造をアレイ状に製作することも十分可能であり、次世代磁気記録媒体として要求される、１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ２を超える記録容量を有する磁気記録媒体を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】局所陽極酸化の原理についての説明図
【図２】本発明にかかる微細加工装置について模式図
【図３】本発明にかかるバイアス電圧と酸化領域の盛り上がり高さの関係を示す図
【図４】ＭｎＡｓ／ＧａＡｓ（１１１）基板に対し本発明にかかる処理を施した場合の表面の一例を示す原子間力顕微鏡写真
【図５】ＭｎＡｓ／ＧａＡｓ（００１）基板に対し本発明にかかる処理を施した場合の表面の一例を示す原子間力顕微鏡写真
【図６】Ｃｒ２Ｏ３＋Ａｌ／ＧａＡｓ（００１）基板に対し本発明にかかる処理を施した場合の表面の一例を示す原子間力顕微鏡写真
【図７】Ｃｒ２Ｏ３／ＧａＡｓ（００１）基板に対し本発明にかかる処理を施した場合の表面の一例を示す原子間力顕微鏡写真
【図８】ＭｎＳｂ／ＧａＡｓ（１１１）Ｂ基板に対し本発明にかかる処理を施した場合の表面の一例を示す原子間力顕微鏡写真
【図９】ＭｎＳｂ／ＧａＡｓ（１１１）Ｂ基板に対し本発明にかかる処理を施した場合の表面の一例を示す原子間力顕微鏡写真
【図１０】硫黄原子により表面を安定化したＧａＡｓ（００１）基板に対し本発明にかかる処理を施した場合の表面の一例を示す原子間力顕微鏡写真
【符号の説明】
１　探針（プローブチップ）
２　試料（基板）
３　酸化領域（酸化物）
４　吸着水層
５　表面薄膜
６　原子間力検出器
７　駆動系（ピエゾアクチュエータ）
８　制御系（コンピュータ）
Ｖ　　　バイアス電源
ｅ−　　電子
ＯＨ−　水酸基イオン
【図１】
2004110926.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2004110926.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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