(57)【要約】【課題】小型で高感度であり、外部の圧力を正確に検出可能な圧力検出装置を提供すること。【解決手段】一方の主面に半導体素子３が搭載される絶縁基体１の他方の主面に静電容量形成用の第一電極７を設けるとともに、内側主面に第一電極７と対向する第二電極９を有する絶縁板２を絶縁基体１の他方の主面との間に密閉空間を形成するように可撓な状態で絶縁基体１と接合させた圧力検出装置用パッケージであって、第一電極７は他方の主面が密閉空間内に露出する領域の中心部に、領域の直径に対して５０〜８０％の直径を有する略円形の形状に被着形成されており、第二電極９は絶縁板２の内側主面が密閉空間内に露出する領域の全面に被着形成されている。【選択図】　図２
2004117021.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の主面に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基体と、該絶縁基体の表面および内部に配設され、前記半導体素子の各電極が電気的に接続される複数の配線導体と、前記絶縁基体の他方の主面との間に略円板形状の密閉空間を形成するように可撓な状態で前記絶縁基体に接合された絶縁板と、前記密閉空間内の前記絶縁基体の前記他方の主面に被着され、前記配線導体の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第一電極と、前記絶縁板の内側主面に前記第一電極と対向するように被着され、前記配線導体の他の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第二電極とを具備する圧力検出装置用パッケージであって、前記第一電極は、前記他方の主面が前記密閉空間内に露出する領域の中心部に該領域の直径に対して５０〜８０％の直径を有する略円形の形状に被着形成されており、前記第二電極は、前記内側主面が前記密閉空間内に露出する領域の全面に被着形成されていることを特徴とする圧力検出装置用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧力を検出するための圧力検出装置に使用される圧力検出装置用パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、圧力を検出するための圧力検出装置として静電容量型の圧力検出装置が知られている。この静電容量型の圧力検出装置は、図４に断面図で示すように、セラミックス材料や樹脂材料から成る配線基板２１上に、静電容量型の感圧素子２２と、パッケージ２８に収容された演算用の半導体素子２９とを備えている（特許文献１参照）。
【０００３】
そして、感圧素子２２は、例えばセラミックス材料等の電気絶縁材料から成り、上面中央部に静電容量形成用の一方の電極２３が被着された凹部を有する絶縁基体２４と、この絶縁基体２４の上面に絶縁基体２４との間に密閉空間を形成するようにして可撓な状態で接合され、下面に静電容量形成用の他方の電極２５が被着された絶縁板２６と、各静電容量形成用の電極２３・２５をそれぞれ外部に電気的に接続するための外部リード端子２７とから構成されており、外部の圧力に応じて絶縁板２６が撓むことにより各静電容量形成用の電極２３・２５間に形成される静電容量が変化する。そして、この静電容量の変化を演算用の半導体素子２９により演算処理することにより外部の圧力を検出することができる。
【０００４】
しかしながら、この従来の圧力検出装置によると、感圧素子２２と半導体素子２９とを配線基板２１上に個別に実装していることから、圧力検出装置が大型化してしまうとともに圧力検出用の電極２３・２５と半導体素子２９との間の配線が長いものとなり、この長い配線間に不要な静電容量が形成されるため感度が低いという問題点を有していた。
【０００５】
そこで、上記特許文献１の図３に示すように、一方の主面に半導体素子１３が搭載される搭載部１１ｂを有する絶縁基体１１と、この絶縁基体１１の表面および内部に配設され、半導体素子１３の各電極が電気的に接続される複数の配線導体１５と、絶縁基体１１の他方の主面の中央部に被着され、配線導体１５の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第一電極１７と、絶縁基体１１の他方の主面に、この主面の中央部との間に密閉空間を形成するように可撓な状態で接合された絶縁板１２と、この絶縁板１２の内側主面に第一電極１７と対向して被着され、配線導体１５の他の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第二電極１９とを具備する圧力検出装置用パッケージを提案した。この圧力検出用パッケージによると、一方の主面に半導体素子１３が搭載される搭載部１１ｂを有する絶縁基体１１の他方の主面に静電容量形成用の第一電極１７を設けるとともに、この第一電極１７に対向する静電容量形成用の第二電極１９を内側面に有する絶縁板１２を、絶縁基体１５の他方の主面との間に密閉空間を形成するようにして可撓な状態で接合させたことから、半導体素子１３を収容するパッケージに感圧素子が一体に形成され、その結果、圧力検出装置を小型とすることができるとともに圧力検出用の電極と半導体素子１３とを接続する配線を短いものとして、これらの配線間に発生する不要な静電容量を小さなものとすることができる。
【０００６】
なお、上記特許文献１の圧力検出装置用パッケージによると、第一電極１７、第二電極１９が、それぞれ絶縁基体１１の他方の主面および絶縁板１２の内側主面が密閉空間内に露出する領域の略全面にわたって被着形成されていた。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００１−３５６０６４号公報（第２頁、図３、図４）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献１の圧力検出装置用パッケージによると、第一電極１７、第二電極１９が、それぞれ絶縁基体１１の他方の主面および絶縁板１２の内側主面が密閉空間内に露出する領域の略全面にわたって被着形成されていることから、第一電極１７と第二電極１９との間に形成される静電容量は大きくなり、このパッケージに圧力が印加された場合に絶縁板１２の密閉空間に対応する領域の中央部は大きく変位するものの外周部の変位は極めて小さいので、第一電極１７および第二電極１９の外周部は静電容量の変化にはあまり寄与することが無く、むしろ第一電極１７と第二電極１９との間の静電容量の変化率が小さいものとなり、圧力の検出感度が低下してしまうという問題点を有していた。
【０００９】
本発明はかかる上述の問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、小型でかつ感度が高く、外部の圧力を正確に検出することが可能な圧力検出装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の圧力検出装置用パッケージは、一方の主面に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基体と、該絶縁基体の表面および内部に配設され、前記半導体素子の各電極が電気的に接続される複数の配線導体と、前記絶縁基体の他方の主面との間に略円板形状の密閉空間を形成するように可撓な状態で前記絶縁基体に接合された絶縁板と、前記密閉空間内の前記絶縁基体の前記他方の主面に被着され、前記配線導体の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第一電極と、前記絶縁板の内側主面に前記第一電極と対向するように被着され、前記配線導体の他の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第二電極とを具備する圧力検出装置用パッケージであって、前記第一電極は、前記他方の主面が前記密閉空間内に露出する領域の中心部に、該領域の直径に対して５０〜８０％の直径を有する略円形の形状に被着形成されており、前記第二電極は、前記内側主面が前記密閉空間内に露出する前記領域の全面に被着形成されていることを特徴とするものである。
【００１１】
本発明の圧力検出装置用パッケージによれば、第一電極は絶縁基体の他方の主面が密閉空間内に露出する領域の中心部に、その領域の直径に対して５０〜８０％の直径を有する略円形の形状に被着形成されており、第二電極は絶縁板の内側主面が密閉空間内に露出する領域の全面に被着形成されていることから、第一電極と第二電極の外周部に第一電極と第二電極の重なりから成る圧力検出部はなく、そのため第一電極と第二電極の外周部に静電容量の変化にあまり寄与することのない余計な静電容量が形成されることはない。
【００１２】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の圧力検出装置用パッケージを添付の図面に基づき詳細に説明する。図１は、本発明の圧力検出装置用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図であり、図中、１は絶縁基体、２は絶縁板、３は半導体素子である。
【００１３】
絶縁基体１は、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・炭化珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・ガラス−セラミックス等の電気絶縁材料から成る積層体であり、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム・酸化珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクタブレード法を採用してシート状に成形することにより複数枚のセラミックグリーンシートを得、しかる後、これらのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工・積層加工・切断加工を施すことにより絶縁基体１用の生セラミック成形体を得るとともにこの生セラミック成形体を約１６００℃の温度で焼成することにより製作される。
【００１４】
絶縁基体１は、その下面中央部に半導体素子３を収容するための凹部１ａが形成されており、これにより半導体素子３を収容する容器として機能する。そして、この凹部１ａの底面中央部が半導体素子３が搭載される搭載部１ｂとなっており、この搭載部１ｂに半導体素子３を搭載するとともに凹部１ａ内に例えばエポキシ樹脂等の樹脂製封止材４を充填することにより半導体素子３が封止される。なお、この例では半導体素子３は樹脂製封止材４を凹部１ａ内に充填することにより封止されるが、半導体素子３は絶縁基体１の下面に金属やセラミックスから成る蓋体を凹部１ａを塞ぐように接合させることにより封止されてもよい。
【００１５】
また、搭載部１ｂには半導体素子３の各電極と接続される複数の配線導体５が導出しており、この配線導体５と半導体素子３の各電極を半田バンプ６等の導電性材料から成る導電性接合部材を介して接合することにより半導体素子３の各電極と各配線導体５とが電気的に接続されるとともに半導体素子３が搭載部１ｂに固定される。なお、この例では、半導体素子３の電極と配線導体５とは半田バンプ６を介して接続されるが、半導体素子３の電極と配線導体５とはボンディングワイヤ等の他の種類の電気的接続手段により接続されてもよい。
【００１６】
配線導体５は、半導体素子３の各電極を外部電気回路および後述する第一電極７・第二電極９に電気的に接続するための導電路として機能し、その一部は絶縁基体１の外周下面に導出し、別の一部は第一電極７・第二電極９に電気的に接続されている。そして、半導体素子３の各電極をこれらの配線導体５に導電性接合材６を介して電気的に接続するとともに半導体素子３を樹脂製封止材４で封止した後、配線導体５の絶縁基体１外周下面に導出した部位を外部電気回路基板の配線導体に半田等の導電性接合材を介して接合することにより、内部に収容する半導体素子３が外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００１７】
このような配線導体５は、タングステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズから成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤等を添加混合して得たメタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用して絶縁基体１用のセラミックグリーンシートに所定のパターンに印刷塗布し、これを絶縁基体１用の生セラミック成形体とともに焼成することによって絶縁基体１の内部および表面に所定のパターンに形成される。なお、配線導体５の露出表面には、配線導体５が酸化腐食するのを防止するとともに配線導体５と半田等の導電性接合材との接合を良好なものとするために、通常であれば、厚みが１〜１０μｍ程度のニッケルめっき層と厚みが０．１〜３μｍ程度の金めっき層とが順次被着されている。
【００１８】
また、絶縁基体１の上面外周部には高さが０．０１〜５ｍｍ程度の枠状の突起部１ｃが設けられており、それにより上面中央部に底面が略平坦な凹部１ｄが形成されている。この凹部１ｄは、後述するように、絶縁板２との間に密閉空間を形成するためのものであり、この凹部１ｄの底面には静電容量形成用の第一電極７が被着されている。
【００１９】
この第一電極７は、後述する第二電極９とともに感圧素子用の静電容量を形成するためのものであり、例えば略円形のパターンに形成されている。そして、この第一電極７には配線導体５の一つ５ａが接続されており、それによりこの配線導体５ａに半導体素子３の電極を半田バンプ６等の導電性接合材を介して接続すると半導体素子３の電極と第一電極７とが電気的に接続されるようになっている。
【００２０】
このような第一電極７は、タングステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズから成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して得たメタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用して絶縁基体１用のセラミックグリーンシートに印刷塗布し、これを絶縁基体１用の生セラミック成形体とともに焼成することによって絶縁基体１の凹部１ｄ底面に所定のパターンに形成される。なお、第一電極７の露出表面には、第一電極７が酸化腐食するのを防止するために、通常であれば、厚みが１〜１０μｍ程度のニッケルめっき層が被着されている。
【００２１】
また、絶縁基体１の突起部１ｃの上面にはその全周にわたり枠状の接合用メタライズ層８が被着されており、この接合用メタライズ層８には、下面に第二電極９を有する絶縁板２がこの第二電極９と接合用メタライズ層８とを銀−銅ろう材等の導電性接合材を介して接合することにより取着されている。
【００２２】
この接合用メタライズ層８には配線導体５の一つ５ｂが接続されており、それによりこの配線導体５ｂに半導体素子３の電極を半田バンプ６等の導電性接合材を介して電気的に接続すると接合用メタライズ層８に接続された第二電極９と半導体素子３の電極とが電気的に接続されるようになっている。
【００２３】
接合用メタライズ層８は、タングステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズから成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して得たメタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用して絶縁基体１用のセラミックグリーンシートに印刷塗布し、これを絶縁基体１用の生セラミック成形体とともに焼成することによって絶縁基体１の突起部１ｃ上面に枠状の所定のパターンに形成される。なお、接合用メタライズ層８の露出表面には、接合用メタライズ層８が酸化腐食するのを防止するとともに接合用メタライズ層８と導電性接合材との接合を強固なものとするために、通常であれば、厚みが１〜１０μｍ程度のニッケルめっき層が被着されている。
【００２４】
また、絶縁基体１の上面に取着された絶縁板２は、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・窒化珪素質焼結体・炭化珪素質焼結体・ガラス−セラミックス等の電気絶縁材料から成る厚みが０．０１〜５ｍｍの略平板であり、外部の圧力に応じて絶縁基体１側に撓むいわゆる圧力検出用のダイアフラムとして機能する。
【００２５】
なお、絶縁板２は、その厚みが０．０１ｍｍ未満では、その機械的強度が小さいものとなってしまうため、これに大きな外部圧力が印加された場合に破壊されてしまう危険性が大きなものとなり、他方、５ｍｍを超えると、小さな圧力では撓みにくくなり、圧力検出用のダイアフラムとしては不適となってしまう。したがって、絶縁板２の厚みは０．０１〜５ｍｍの範囲が好ましい。
【００２６】
このような絶縁板２は、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム・酸化珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクタブレード法を採用してシート状に成形することによりセラミックグリーンシートを得、しかる後、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工や切断加工を施すことにより絶縁板２用の生セラミック成形体を得るとともにこの生セラミック成形体を約１６００℃の温度で焼成することにより製作される。
【００２７】
また、絶縁板２の下面の略全面には静電容量形成用の第二電極９が被着されている。この第二電極９は、前述の第一電極７とともに感圧素子用の静電容量を形成するための電極として機能するとともに絶縁板２を絶縁基体１に接合するための接合用下地金属層として機能する。
【００２８】
このような第二電極９は、タングステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズから成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して得たメタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用して絶縁板２用のセラミックグリーンシートに印刷塗布し、これを絶縁板２用の生セラミック成形体とともに焼成することによって絶縁板２の下面の略全面に所定のパターンに形成される。なお、第二電極９の露出表面には、第二電極９が酸化腐食するのを防止するとともに第二電極９と導電性接合材との接合を良好とするために、通常であれば、厚みが１〜１０μｍ程度のニッケルめっき層が被着されている。
【００２９】
この第二電極９と接合用メタライズ層８とは銀−銅ろう材等の導電性接合材を介して接合されており、それにより、絶縁基体１上面と絶縁板２下面との間に密閉空間が形成されるとともに接合用メタライズ層８と第二電極９とが電気的に接続される。
【００３０】
このとき、第一電極７と第二電極９とは、絶縁基体１と絶縁板２との間に形成された空間を挟んで対向しており、これらの間には、第一電極７や第二電極９の面積および第一電極７と第二電極９との間隔に応じて所定の静電容量が形成される。そして、絶縁板２の上面に外部の圧力が印加されると、その圧力に応じて絶縁板２が絶縁基体１側に撓んで第一電極７と第二電極９との間隔が変わり、それにより第一電極７と第二電極９との間の静電容量が変化するので、外部の圧力の変化を静電容量の変化として感知する感圧素子として機能する。そして、この静電容量の変化を凹部１ａ内に収容した半導体素子３に配線導体５ａ・５ｂを介して伝達し、これを半導体素子３で演算処理することによって外部の圧力の大きさを知ることができる。
【００３１】
そして、本発明においては、第一電極７は図２（ａ）に平面図で示すように、絶縁基体１の他方の主面が密閉空間内に露出する領域の中心部に、その領域の直径に対して５０〜８０％の直径を有する略円形の形状に被着形成されており、また第二電極９は図２（ｂ）に平面図で示すように、絶縁板２の内側主面が密閉空間内に露出する領域の全面に被着形成されており、そのことが重要である。このように第一電極７は絶縁基体１の他方の主面が密閉空間内に露出する領域の中心部に、その領域の直径に対して５０〜８０％の直径を有する略円形の形状に被着形成され、第二電極９は絶縁板２の内側主面が密閉空間内に露出する領域の全面に被着形成されていることから、第一電極７はパッケージに圧力が印加された場合に、絶縁板２の変位が大きな中心部領域にのみ配設されることとなり、第一電極７と第二電極９の外周部に第一電極７と第二電極９の重なりから成る圧力検出部はなく、そのため第一電極７と第二電極９の外周部に静電容量の変化にあまり寄与しない余計な静電容量が形成されることはない。また、第二電極９が絶縁板２の内側主面が密閉空間内に露出する領域の全面に被着形成されており、それにより絶縁板２の機械的強度が大きくなるため絶縁板２へ外部からの大きな圧力が印加されたとしてもその絶縁板２に欠けや割れが発生することもなくなる。したがって、本発明の圧力検出装置用パッケージによれば、第一電極７と第二電極９との間に形成される静電容量の変化率が高い、小型・高感度で外部の圧力を正確に検出することができる圧力検出装置とすることができる。
【００３２】
なお、第一電極７の直径が絶縁基体１の他方の主面が密閉空間内に露出する領域の直径の５０％未満であると、第一電極７と第二電極９との間に形成される静電容量が小さいものとなってしまい圧力を良好に検出することが困難となり、他方、８０％を超えると、第一電極７と第二電極９との間に静電容量の変化に寄与しない余計な静電容量が形成されてしまい静電容量の変化率が低下するので圧力検出感度が低くなってしまう。したがって、第一電極７の直径は絶縁基体１の他方の主面が密閉空間内に露出する領域の直径の５０〜８０％の範囲に特定される。
【００３３】
このように、本発明の圧力検出装置用パッケージによれば、一方の主面に半導体素子３が搭載される絶縁基体１の他方の主面に静電容量形成用の第一電極７を設けるとともに、この第一電極７に対向する静電容量形成用の第二電極９を内側面に有する絶縁板２を絶縁基体１との間に密閉空間を形成するように可撓な状態で絶縁基体１に接合させたことから、半導体素子３を収容する容器と感圧素子とが一体となり、その結果、圧力検出装置を小型化することができる。また、静電容量形成用の第一電極７および第二電極９を、絶縁基体１に設けた配線導体５ａ・５ｂを介して半導体素子３に接続することから、第一電極７および第二電極９を短い距離で半導体素子３に接続することができ、その結果、これらの配線導体５ａ・５ｂ間に発生する不要な静電容量を小さなものとして感度の高い圧力検出装置を提供することができる。
【００３４】
かくして、上述の圧力検出装置用パッケージによれば、搭載部１ｂに半導体素子３を搭載するとともに半導体素子３の各電極と配線導体５とを電気的に接続し、しかる後、半導体素子３を封止することによって小型でかつ感度の高く、外部の圧力を正確に検出することが可能な圧力検出装置となる。
【００３５】
【実施例】
本発明の圧力検出装置用パッケージの実施例を以下に説明する。図２（ａ）の平面図で示すような、密閉空間内に露出する領域の直径に対して３０〜１００％の範囲内で異なる直径の第一電極７が形成された絶縁基体１を作成し、図２（ｂ）に平面図で示すような、密閉空間内に露出する領域の全面に第二電極９が形成された絶縁板２を前述の絶縁基体１毎に作成しそれぞれ接合した８種類の評価用試料を作成した。
【００３６】
また、絶縁基体１および絶縁板２の密閉空間内に露出する領域の直径は７．０ｍｍとし、絶縁基体１および絶縁板２を第一電極７と第二電極９との距離が５０μｍとなるように銀−銅ろう材にて接合させた。
【００３７】
そして、各８種類の試料において、絶縁板１の上面に１気圧（１０１ＫＰａ）および１８００ＫＰａの圧力を印加して、その圧力毎に各試料における第一電極７と第二電極９との間の静電容量を測定し、その測定値より各試料の１８００ＫＰａ印加された時の静電容量の変化量を求めた。結果を表１に示す。
【００３８】
【表１】
2004117021.tif 000003
【００３９】
表１より、静電容量の変化量は８０％を超えると変化量が減少することが判った。また、５０％未満では変化量の値が３．０ｐＦより小さくなっており、圧力変化に対する静電容量の検出が困難となることが判った。この評価結果より、密閉空間の領域の直径に対して第一電極７の直径を５０〜８０％とするのが好ましいことがわかった。
【００４０】
なお、本発明は、上述の実施の形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば上述の実施の形態の一例では、絶縁基体１と絶縁板２とをろう付けにより接合したが、絶縁基体１と絶縁板２とは焼結一体化させることにより接合してもよい。
【００４１】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明の圧力検出装置用パッケージによれば、一方の主面に半導体素子が搭載される絶縁基体の他方の主面に静電容量形成用の第一電極を設けるとともに、この第一電極と対向する静電容量形成用の第二電極を有する絶縁板を絶縁基体の他方の主面との間に密閉空間を形成するように可撓な状態で接合したことから、半導体素子を収容する容器と感圧素子とが一体となり、その結果、圧力検出装置を小型化することができるとともに圧力検出用の電極と半導体素子とを接続する配線の短いものとして、これらの配線間に発生する不要な静電容量を小さいものとすることができる。さらに、第一電極が絶縁基体の他方の主面が密閉空間内に露出する領域の中心部に、その領域の直径に対して５０〜８０％の直径を有する略円形の形状に被着形成され、第二電極が絶縁板の内側主面が密閉空間内に露出する領域の全面に被着形成されていることから、第一電極と第二電極の外周部に第一電極と第二電極の重なりから成る圧力検出部はなく、そのため第一電極と第二電極の外周部に静電容量の変化にあまり寄与しない余計な静電容量が形成されることはない。したがって第一電極と第二電極との間に形成される静電容量の変化率が高いものとなり、その結果、外部の圧力を正確かつ感度よく検出することが可能な圧力検出装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の圧力検出装置用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】（ａ）・（ｂ）はそれぞれ図１に示す圧力検出装置用パッケージの第一電極７および第二電極９を示す平面図である。
【図３】従来の圧力検出装置用パッケージの断面図である。
【図４】従来の圧力検出装置用パッケージの断面図である。
【符号の説明】
１・・・・・・・・・・・絶縁基体
２・・・・・・・・・・・絶縁板
３・・・・・・・・・・・半導体素子
５、５ａ、５ｂ・・・・・配線導体
７・・・・・・・・・・・第一電極
９・・・・・・・・・・・第二電極
【図１】
2004117021.tif 000004
【図２】
2004117021.tif 000005
【図３】
2004117021.tif 000006
【図４】
2004117021.tif 000007