(57)【要約】【課題】オプション設定パッドに与えた電圧により機能および状態（以下オプションと称する）を設定する半導体装置のオプション設定時に起こる層間膜のクラックやパッド剥離を防ぐ。【解決手段】半導体装置のオプションを設定するための外周縁部が表面保護膜１１ａで覆われたオプション設定パッド５Ｃと、外周縁部が表面保護膜１１ａで覆われた固定電位を供給するための固定電位パッド５Ｄを表面保護膜１１ｂをはさんで隣接させたオプション設定部１０を半導体基板の主面に設ける。半導体装置のオプション設定は、オプション設定パッド５Ｃと固定電位パッド５Ｄと表面保護膜１１ａ、１１ｂを覆うよう形成したスタッドバンプ１５の有無により行う。【選択図】　　　　　図２
2004134459.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、この半導体基板上に設けられた層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に設けられ、かつ外周縁部が表面保護膜で覆われた固定電位パッドと、前記層間絶縁膜上に設けられ、かつ前記固定電位パッドと表面保護膜をはさんで対向する外周縁部が表面保護膜で覆われたオプション設定パッドと、前記表面保護膜全てと前記固定電位パッドと前記オプション設定パッドとの上に連続して設けられた導電体とを備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
固定電位パッドとオプション設定パッドの少なくとも一方の面積が、半導体基板主面上の他のパッドの面積より小さいことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
導電体の接する表面保護膜が半導体基板主面上の他の表面保護膜と分離されたことを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
導電体が、２つ以上のオプション設定パッドと固定電位パッド上に連続して設けられたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
固定電位パッドとオプション設定パッドが２辺以上で対向することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
固定電位パッドとオプション設定パッドの両方に表面保護膜をはさんで対向する外周縁部が表面保護膜で覆われたダミーパッドを備え、導電体が前記表面保護膜全てと前記固定電位パッドと前記ダミーパッドとおよび前記オプション設定パッドとに連続して接することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
導電体と固定電位パッド主面との接触する面積と、前記導電体とオプション設定パッド主面との接触する面積とが異なることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
導電体が、固定電位パッドとオプション設定パッドとのいずれか一方とこれに隣接する表面保護膜との上に形成された第１の導電体と、前記第１の導電体上と前記他方との上に形成された第２の導電体からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
導電体が、固定電位パッド主面上に形成された第３の導電体と、オプション設定パッド主面上に形成された第４の導電体と、前記第３の導電体と前記第４の導電体の両方に接触するよう形成された第５の導電体からなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項１０】
半導体基板と、この半導体基板上に設けられた層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に設けられるとともに、その一方が他方の主面内部に表面保護膜をはさんで位置され、かつ他方の外周縁部は表面保護膜で覆われた固定電位パッドとオプション設定パッドと、このオプション設定パッドと前記固定電位パッドの両方にまたがって設けられた導電体とを備えたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、複数の機能および状態（以下オプションと称する）を持ち、そのオプションを外部から供給する電圧で設定可能な半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体装置は、表面保護膜に形成された開口から電気的に非接触状態で近接配置された複数のパッドを露出させオプション設定部を構成し、オプション設定部のパッド間をスタッドバンプにより短絡するか否かによりオプション設定を行なっていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−１３５７９４号公報（第１−４頁、第１−３図）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体装置は、パッド間の表面保護膜が無い層間絶縁膜上にスタッドバンプを形成するため、層間絶縁膜にクラックが発生し、製品の信頼性が低下するという問題があった。また、パッドが対向する辺にはパッド表面上に表面保護膜が無いため、スタッドバンプ形成時、スタッドバンプからワイヤーを切断する際に生じる引っ張り力によりパッド剥離が起こるという問題もあった。
【０００５】
この発明は上記のような問題を解決するためになされたもので、オプション設定による層間絶縁膜のクラックやパッド剥離等が起こりにくい半導体装置を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
第１の発明に係る半導体装置は、半導体基板と、この半導体基板上に設けられた層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に設けられ、かつ外周縁部が表面保護膜で覆われた固定電位パッドと、前記層間絶縁膜上に設けられ、かつ前記固定電位パッドと表面保護膜をはさんで対向する外周縁部が表面保護膜で覆われたオプション設定パッドと、前記表面保護膜全てと前記固定電位パッドと前記オプション設定パッドとの上に連続して設けられた導電体とを備えたものである。
【０００７】
また、第２の発明に係る半導体装置は、固定電位パッドとオプション設定パッドの少なくとも一方の面積が、半導体基板主面上の他のパッドの面積より小さいものである。
【０００８】
さらに、第３の発明に係る半導体装置は、導電体の接する表面保護膜が半導体基板主面上の他の表面保護膜と分離されたものである。
【０００９】
また、第４の発明に係る半導体装置は、導電体が２つ以上のオプション設定パッドと固定電位パッド上に連続して設けられたものである。
【００１０】
さらに、第５の発明に係る半導体装置は、固定電位パッドとオプション設定パッドが２辺以上で対向するものである。
【００１１】
また、第６の発明に係る半導体装置は、固定電位パッドとオプション設定パッドの両方に表面保護膜をはさんで対向する外周縁部が表面保護膜で覆われたダミーパッドを備え、導電体が前記表面保護膜全てと前記固定電位パッドと前記ダミーパッドとおよび前記オプション設定パッドとに連続して接するものである。
【００１２】
さらに、第７の発明に係る半導体装置は、導電体と固定電位パッド主面との接触する面積と、前記導電体とオプション設定パッド主面との接触する面積とが異なるものである。
【００１３】
また、第８の発明に係る半導体装置は、導電体が、固定電位パッドとオプション設定パッドとのいずれか一方とこれに隣接する表面保護膜との上に形成された第１の導電体と、前記第１の導電体上と前記他方との上に形成された第２の導電体からなるものである。
【００１４】
さらに、第９の発明に係る半導体装置は、導電体が、固定電位パッド主面上に形成された第３の導電体と、オプション設定パッド主面上に形成された第４の導電体と、前記第３の導電体と前記第４の導電体の両方に接触するよう形成された第５の導電体からなるものである。
【００１５】
また、第１０の発明に係る半導体装置は、半導体基板と、この半導体基板上に設けられた層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に設けられるとともに、その一方が他方の主面内部に表面保護膜をはさんで位置され、かつ他方の外周縁部は表面保護膜で覆われた固定電位パッドとオプション設定パッドと、このオプション設定パッドと前記固定電位パッドの両方にまたがって設けられた導電体とを備えたものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施形態１による半導体装置の封止樹脂上半分を破断して示す平面図である。図において、１は半導体装置、２は半導体基板、３は半導体基板２を載置するダイパッド、４は半導体装置１を外部装置（図示せず）と電気的に接続するリード端子、５は半導体基板２の電源供給や信号入出力を行うパッド、６はリード端子４とパッド５を電気的に接続する金属細線、７は半導体基板２や金属細線６などを保護するための封止樹脂、８は半導体装置１の機能を実現する内部回路、９はパッド５と内部回路８を電気的に接続する内部配線、１０は半導体装置１のオプション設定を行うためのオプション設定部、１５は複数のパッド５を電気的に接続する導電体であるスタッドバンプである。なお、図１中の内部回路８、内部配線９およびパッド５の一部は他の構成要素より下層に存在するため破線で記載した。
【００１７】
図２はオプション設定部１０を詳細に記載したもので、（ａ）は平面図、（ｂ）はそのＩ−Ｉ断面図である。オプション設定部１０は、オプション設定のための電圧を入力するオプション設定パッド５Ｃと、任意の一定電圧に維持された固定電位パッド５Ｄ（以下の図において固定電位パッドが電源電圧の場合は５Ｄａ、ＧＮＤの場合は５Ｄｂと記載する）を備え、それらは表面保護膜１１ｂ（以下の図においてパッド間に位置する表面保護膜を１１ｂと記載する）をはさんで配置されている。１３は半導体基板２に層状に形成された内部回路８を構成する素子（図示せず）や配線（図示せず）を分離するための層間絶縁膜である。なお、この図では特に記載していないが、半導体基板２と層間絶縁膜１３の間にはさらに内部配線９、層間絶縁膜１３が複数層状に形成されていることもある。パッド５はその表面外周縁部が表面保護膜１１ａ（以下の図においてパッド外周上部を覆う表面保護膜を１１ａと記載する）で覆われ、表面保護膜１１ａに覆われない部分はその表面が外部に露出したパッド開口部１４となっている。なお、１１ｃはオプション設定部１０以外の半導体基板表面を覆う表面保護膜である。
【００１８】
図１の半導体装置１において、半導体装置１の左辺に設けたオプション設定部１０は内部回路の動作周波数を決定するためのもので、オプション設定パッド５Ｃに電源電圧が供給されると１００ＭＨｚ、オプション設定パッド５Ｃがオープン状態になると１２０ＭＨｚで動作するように内部回路８が設計されている。また、半導体装置１の下辺に設けたオプション設定部１０は処理規格を選択するためのもので、オプション設定パッド５ＣにＧＮＤが供給されると規格Ａ、オプション設定パッド５Ｃがオープン状態になると規格Ｂに従い入力データの演算を行うように内部回路８が設計されている。
【００１９】
図３は図１に示した２ヶ所のオプション設定部１０のオプション設定パッド５Ｃと内部回路８の接続部の概略説明図で、図１における半導体装置１左辺のオプション設定部１０のオプション設定パッド５Ｃは図３（ａ）に示すように抵抗２１を介してＧＮＤにプルダウンしてあり、スイッチオフ（スタッドバンプ１５無し）の場合は内部回路８にＧＮＤが供給され、スイッチオン（スタッドバンプ１５有り）の場合は内部回路８に電源電圧が供給される。
【００２０】
一方、図１における半導体装置１下辺のオプション設定部１０のオプション設定パッド５Ｃは図３（ｂ）に示すように抵抗２１を介して電源電圧にプルアップしてあり、スイッチオフ（スタッドバンプ１５無し）の場合は内部回路８に電源電圧が供給され、スイッチオン（スタッドバンプ１５有り）の場合は内部回路８にＧＮＤが供給される。
【００２１】
半導体装置１を１００ＭＨｚの動作速度で、規格Ａに従った演算を行わせるためには、既存のワイヤボンド技術を使い半導体装置１左辺のオプション設定部１０の電源電圧に設定した固定電位パッド５Ｄａ、固定電位パッド５Ｄａの外周縁部を覆う表面保護膜１１ａ、固定電位パッド５Ｄａとオプション設定パッド５Ｃ間の表面保護膜１１ｂ、オプション設定パッド５Ｃの外周縁部を覆う表面保護膜１１ａおよびオプション設定パッド５Ｃを覆うようにスタッドバンプ１５を形成し、半導体装置１下辺のオプション設定部１０のＧＮＤに設定した固定電位パッド５Ｄｂ、固定電位パッド５Ｄｂの外周縁部を覆う表面保護膜１１ａ、固定電位パッド５Ｄｂとオプション設定パッド５Ｃ間の表面保護膜１１ｂ、オプション設定パッド５Ｃの外周縁部を覆う表面保護膜１１ａおよびオプション設定パッド５Ｃを覆うようにスタッドバンプ１５を形成すれば良い。なお、固定電位パッド５Ｄａへは金属細線６で接続した電源リード端子４Ｄａ（外部電源と接続するリード端子）から、固定電位パッド５Ｄｂへは内部配線９で接続した内部回路８のＧＮＤ配線（図示せず）から所定の電圧を供給する。ここでは、固定電位パッド５Ｄの電圧供給方法として金属細線６を使っているが、固定電位パッド５Ｄへの電圧供給を全て内部配線９で行い、固定電位パッド用のリード端子４Ｄやそれと接続するための金属細線６を無くすことも可能である。
【００２２】
この実施の形態１の半導体は、スタッドバンプ１５をパッド５間の表面保護膜１１ｂ上に形成するため、表面保護膜１１ｂ下層の層間絶縁膜１３へのダメージが発生しにくい。また、実施の形態１の半導体装置１は、パッド外周全辺が表面保護膜１１ａにより覆われているため、スタッドバンプ１５からワイヤー（図示せず）を切断する際の引っ張り力によってもパッド５が剥離しにくい。
【００２３】
なお、実施の形態１の半導体装置で使用したスタッドバンプ１５は、金やその他金属を材料として通常のワイヤーボンダーを使い一般的な方法で形成することができる。また、スタッドバンプ１５のかわりに、メッキ形成による金属バンプ、蒸着形成による金属被膜、ビームリード、導電性樹脂等を導電体として使用しても良い。さらに、実施の形態１の半導体装置１はリード端子タイプのパッケージであるが、ボールグリッドアレイやテープキャリアタイプのパッケージであっても構わない。
【００２４】
実施の形態２．
図４はこの発明の実施の形態２による半導体装置のオプション設定部１０の平面図及びそのＩＩ−ＩＩ断面図、図５はこの発明の実施の形態２による半導体装置のオプション設定パッド５Ｃと内部回路８の接続部の概略説明図である。なお、図１ないし図３に示した実施の形態１と同一または相当の部分には同一符号を付してその説明を省略する。オプション設定部１０は、オプション設定パッド５Ｃと、電源電圧に設定した固定電位パッド５Ｄａと、ＧＮＤに設定した固定電位パッド５Ｄｂと、パッド５間に位置する表面保護膜１１ｂを備える。なお、これらのオプション設定パッド５Ｃ、固定電位パッド５Ｄａ，５Ｄｂはそのパッド表面外周縁部を表面保護膜１１ａで覆われている。
【００２５】
オプション設定パッド５Ｃとこれとつながる内部回路８は図５に示す構成になっており、オプション設定パッド５Ｃがスタッドバンプ１５により電源電圧に設定した固定電位パッド５Ｄａと接続されると、内部回路８へは電源電圧が供給され、内部回路８は電源電圧入力に対応した動作を行う。一方、オプション設定パッド５Ｃがスタッドバンプ１５によりＧＮＤに設定した固定電位パッド５Ｄｂと接続されると、内部回路８へはＧＮＤが供給され、内部回路８はＧＮＤ入力に対応した動作を行う。
【００２６】
実施の形態１の半導体装置１の場合、図１に示すようにオプション設定部１０をオプション設定パッド５Ｃと１つの固定電位パッド５Ｄで構成できる利点があるが、例えば図３（ａ）に示すように、オプション設定パッド５Ｃと電源電圧に設定した固定電位パッド５Ｄａをスタッドバンプ１５で接続した場合、抵抗２１に常時電流が流れ消費電力が大きくなるという問題があった。しかし、実施の形態２の半導体装置の場合、図５に示すようにオプション設定パッド５Ｃを電源電圧に設定した固定電位パッド５Ｄａ，ＧＮＤに設定した固定電位パッド５Ｄｂのどちらに接続しても定常的な電流が流れることは無く、消費電力増加は起こらない。
【００２７】
実施の形態３．
図６はこの発明の実施の形態３による半導体装置のオプション設定部を示す平面図である。実施の形態３のオプション設定部１０は、表面保護膜１１ｂをはさんで配置した３つのオプション設定パッド５Ｃと、これら３つのオプション設定パッド５Ｃと表面保護膜１１ｂをはさんで対向するよう配置した電源電圧に設定した固定電位パッド５Ｄａと、これら３つのオプション設定パッド５Ｃと表面保護膜１１ｂをはさんで対向するよう配置したＧＮＤに設定した固定電位パッド５Ｄｂを備える。なお、オプション設定パッド５Ｃ、固定電位パッド５Ｄａ，５Ｄｂはそのパッド表面外周縁部を表面保護膜１１ａで覆われている。
【００２８】
このオプション設定部１０は、図中左端のオプション設定パッド５Ｃを電源電圧に設定するため、スタッドバンプ１５が、図中左端のオプション設定パッド５Ｃと電源電圧に設定した固定電位パッド５Ｄａに接するように形成されており、さらに、図中真中、および図中右端のオプション設定パッド５ＣをＧＮＤに設定するため、別のスタッドバンプ１５が、図中真中のオプション設定パッド５Ｃ、図中右端のオプション設定パッド５Ｃ，ＧＮＤに設定した固定電位パッド５Ｄｂに接するよう形成されている。
【００２９】
この実施の形態３の半導体装置１は、オプション設定部１０に複数のオプション設定パッド５Ｃを有するので多様なオプション設定が可能である。さらに、実施の形態３の半導体装置１は、複数のオプション設定パッド５Ｃが同じ固定電位パッド５Ｄと接続できる構造になっているため、固定電位パッド数が削減でき、半導体基板２の小型化が可能である。また、実施の形態３の半導体装置１は、１つのスタッドバンプ１５で複数のオプション設定パッド５Ｃの電圧設定が可能なため、少ない工数でオプション設定した半導体装置１の製造が可能である。
【００３０】
実施の形態４．
図７はこの発明の実施の形態４による半導体装置のオプション設定部１０の平面図及びそのＩＩＩ−ＩＩＩ断面図である。実施の形態４の半導体装置１は、固定電位パッド５Ｄの面積を他のパッドの面積より小さくしたものである。実施の形態１で記載したように、固定電位パッド５Ｄへの固定電圧供給は内部配線９により行うことができるので固定電位パッド５Ｄ主面には単独でワイヤボンドできる面積は必要無く、オプション設定パッド５Ｃと接続するためのスタッドバンプ約半分が形成できる大きさがあれば良い。このため、固定電位パッド５Ｄのパッド面積は小さくすることが可能で、これにより半導体基板２を小型化できる。
【００３１】
この実施の形態４の半導体装置１では固定電位パッド５Ｄの面積を他のパッドの面積より小さくしたが、同じ理由でオプション設定パッド５Ｃの面積を他のパッドの面積より小さくすることも可能である。さらには、図８に示すようにオプション設定パッド５Ｃ、固定電位パッド５Ｄ両方の面積をオプション設定部１０以外のパッド面積より小さくすることも可能である。
【００３２】
実施の形態５．
図９はこの発明の実施の形態５による半導体装置のオプション設定部１０の平面図で、（ａ）がスタッドバンプ１５形成前、（ｂ）がスタッドバンプ１５形成後ある。実施の形態５の半導体装置１では、オプション設定パッド５Ｃと固定電位パッド５Ｄが互いに２辺以上で対向するようオプション設定パッド５Ｃには凸部、固定電位パッド５Ｄには凹部を持たせ、それらが嵌合するよう配置してある。なお、オプション設定パッド５Ｃ、固定電位パッド５Ｄはそのパッド表面外周縁部を表面保護膜１１ａで覆われている。また、オプション設定パッド５Ｃと固定電位パッド５Ｄの間には表面保護膜１１ｂが存在する。
【００３３】
この実施の形態５の半導体装置１は、オプション設定パッド５Ｃと、固定電位パッド５Ｄが複数の対向辺を持つ構造のため、スタッドバンプ１５形成時の位置ずれに対するマージンが広がり、安定してオプション設定パッド５Ｃと固定電位パッド５Ｄを接続することができる。すなわち、図２に示す実施の形態１の半導体装置１の場合、スタッドバンプ１５が図中左に少しずれるとスタッドバンプ１５が固定電位パッド５Ｄと接触しなくなるが、実施の形態５の半導体装置１の場合、図９（ｂ）に示すようにスタッドバンプ１５の図中上下部分も固定電位バンプ５Ｄと接触しているので、スタッドバンプ１５が少々左右にずれてもオプション設定パッド５Ｃ，固定電位パッド５Ｄ両方に接触できる。また、図中上下にずれてもスタッドバンプ１５は固定電位パッド５Ｄの図中上下どちらかの部分と接触できる。
【００３４】
実施の形態６．
図１０はこの発明の実施の形態６による半導体装置のオプション設定部１０の平面図及びそのＶ−Ｖ断面図である。図において、２２はオプション設定パッド５Ｃと固定電位パッド５Ｄに表面保護膜１１ｂはさんで隣接するアルミニウム等他のパッド５と同じ材質からなるダミーパッドである。なお、ダミーパッド２２は表面外周縁部が表面保護膜１１ａで覆われている。
【００３５】
この半導体装置１のオプション設定は、オプション設定パッド５Ｃ、オプション設定パッド５Ｃとダミーパッド２２間の表面保護膜１１ｂ、ダミーパッド２２、ダミーパッド２２と固定電位パッド５Ｄ間の表面保護膜１１ｂ、固定電位パッド５Ｄ、および各パッド表面外周縁部を覆う表面保護膜１１ａに接するように形成したスタッドバンプ１５による。
【００３６】
オプション設定部１０を実施の形態６に示す構造にすることで、スタッドバンプ１５はオプション設定パッド５Ｃの開口部１４、固定電位パッド５Ｄの開口部１４に加えダミーパッド２２の開口部１４とも接合することができるのでパッド５とスタッドバンプ１５の接合強度が増し、スタッドバンプ１５の剥離が起こりにくくなる。。
【００３７】
実施の形態７．
図１１はこの発明の実施の形態７による半導体装置のオプション設定部１０の平面図で、２３は上部にスタッドバンプ１５を形成した表面保護膜（図中１１ｂと、１１ａのパッド５が対向する部分）を表面保護膜の他の部分（図中１１ｃと、１１ａのパッド５が対向しない部分）と分離するため、パッド５Ｃ、５Ｄを覆う表面保護膜１１ａの一部およびオプション設定部以外の表面保護膜１１ｃの一部をエッチングにより除去した、オプション設定パッド５Ｃのパッド開口部１４からの固定電位バッド５Ｄのパッド開口部１４に至る表面保護膜の溝である。なお、この溝２３の底面はパッド５および層間絶縁膜１３が露出している。
【００３８】
スタッドバンプ１５形成時、スタッドバンプ１５下の表面保護膜１１は応力によるダメージを受ける恐れがあるが、溝２３を備えることによりそのダメージが表面保護膜１１全体に広がることを防げる。
【００３９】
なお、この実施の形態７では、この溝２３をパッド５を覆う表面保護膜１１ａとオプション設定部１０以外の表面保護膜１１ｃに形成したが、図１２に示すようにパッド５を覆う表面保護膜１１ａとパッド５間の表面保護膜１１ｂに形成しても構わない。また、実施の形態７ではエッチングにより溝２３を形成したが、最初から溝２３部分の表面保護膜１１を形成しないという方法でも構わない。
【００４０】
実施の形態８．
図１３はこの発明の実施の形態８による半導体装置のオプション設定部１０の平面図及びそのＶＩ−ＶＩ断面図である。実施の形態８の半導体装置では、スタッドバンプ１５とパッド５および表面保護膜１１との接触面の中心がオプション設定パッド５Ｃ側にずれるようにスタッドバンプ１５を形成してある。本構造にすることにより、スタッドバンプ１５の図１３（ａ）上下方向の幅のより広い部分がオプション設定パッド５Ｃと接合することになり、スタッドバンプ１５とパッド５との接合強度を増すことができる。なお、スタッドバンプ１５とパッド５および表面保護膜１１との接触面の中心を固定電位パッド５Ｄ側にずらしても同じ効果が得られる。
【００４１】
実施の形態９．
図１４はこの発明の実施の形態９による半導体装置のオプション設定部１０の平面図及びそのＶＩＩ−ＶＩＩ断面図である。実施の形態９の半導体装置では、オプション設定パッド５Ｃと固定電位パッド５Ｄとの接続を、オプション設定パッド５Ｃと、オプション設定パッド５Ｃと固定電位パッド５Ｄの間の表面保護膜１１ｂを覆うように形成したスタッドバンプ１５ａと、固定電位パッド５Ｄとスタッドバンプ１５ａを覆うように形成したスタッドバンプ１５ｂにより行っている。
【００４２】
スタッドバンプ１５をこの構造にすることにより、スタッドバンプ１５とパッド５との接触面積を増やすことができるので両者の接合を確実に行うことができる。また、お互いのスタッドバンプ１５がパッド５の導電部の面積を広げる役割をするのでスタッドバンプ形成時の位置ずれに対するマージンも増大する。なお、実施の形態９では、先にオプション設定パッド５Ｃ側のスタッドバンプ１５ａを設けた後、固定電位パッド５Ｄ側のスタッドバンプ１５ｂを設けたが、その逆でも構わない。
【００４３】
実施の形態１０．
図１５はこの発明の実施の形態１０による半導体装置のオプション設定部１０の平面図及びそのＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ断面図である。実施の形態１０の半導体装置１では、オプション設定パッド５Ｃと固定電位パッド５Ｄとの接続を、オプション設定パッド５Ｃ上に形成したスタッドバンプ１５ｃ、固定電位パッド５Ｄ上に形成したスタッドバンプ１５ｄ、スタッドバンプ１５ｃとスタッドバンプ１５ｄに接触するように形成したスタッドバンプ１５ｅにより行っている。スタッドバンプ１５を本構造にすることにより、スタッドバンプ１５形成時にパッド５間の表面保護膜１１ｂが受けるダメージを小さくすることができる。
【００４４】
実施の形態１１．
図１６（ａ）はこの発明の実施の形態１１による半導体装置のオプション設定部１０の平面図、（ｂ）はスタッドバンプ１５形成前のＩＸ−ＩＸ断面図、（ｃ）はスタッドバンプ１５形成後のＩＸ−ＩＸ断面図である。実施の形態１１の半導体装置１では、オプション設定パッド５Ｃの主面内部に表面保護膜１１ｂで分離した固定電位パッド５Ｄを形成している。なお、内部の固定電位パッドには内部配線９、層間接続プラグ２４により内部回路（図示せず）より所定の電圧が供給されている。また、この実施の形態１１の半導体装置１では、オプション設定パッド５Ｃと固定電位パッド５Ｄとの接続を、固定電位パッド５Ｄ全面と、固定電位パッド５Ｄとオプション設定パッド５Ｃの間の表面保護膜１１ｂ全面と、オプション設定パッド５Ｃを覆うように形成したスタッドバンプ１５で行う。
【００４５】
オプション設定部１０を本構造にすることにより、スタッドバンプ１５形成時の表面保護膜１１ｂが受けるダメージをオプション設定部１０以外の表面保護膜（図示せず）に波及させずに済む。また、表面保護膜１１ｂ全面がスタッドバンプ１５に覆われるので、表面保護膜１１ｂがダメージを受けてもその表面はスタッドバンプ１５によって保護されるので信頼性が低下しにくい。
【００４６】
この実施の形態１１ではオプション設定パッド５Ｃの主面内部に固定電位パッド５Ｄとパッド５分離用の表面保護膜１１ｂを形成したが、固定電位パッド５Ｄの主面内部にオプション設定パッド５Ｃとパッド５分離用の表面保護膜１１ｂを設けても良い。また図１７に示すようにオプション設定パッド５Ｃ内部に複数の固定電位パッド５Ｄを設けても構わない。この半導体装置１のオプション設定パッド５Ｃを電源電圧に設定する場合は、図１７の（ｃ）に示すように電源電圧に設定した固定電位パッド５Ｄａ全面と、固定電位パッド５Ｄａとオプション設定パッド５Ｃを分離する表面保護膜１１ｂ全面と、オプション設定パッド５Ｃを覆うようにスタッドバンプ１５を形成し、オプション設定パッド５ＣをＧＮＤに設定する場合は、ＧＮＤに設定した固定電位パッド５Ｄｂ全面と、固定電位パッド５Ｄｂとオプション設定パッド５Ｃを分離する表面保護膜１１ｂ全面と、オプション設定パッド５Ｃを覆うようにスタッドバンプ１５を形成する。オプション設定部１０を本構造にすることによりオプション設定パッド５Ｃを電源電圧にもＧＮＤにも設定することができる。
【００４７】
【発明の効果】
以上のように、第１の発明に係る半導体装置は、半導体基板と、この半導体基板上に設けられた層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に設けられ、かつ外周縁部が表面保護膜で覆われた固定電位パッドと、前記層間絶縁膜上に設けられ、かつ前記固定電位パッドと表面保護膜をはさんで対向する外周縁部が表面保護膜で覆われたオプション設定パッドと、前記表面保護膜全てと前記固定電位パッドと前記オプション設定パッドとの上に連続して設けられた導電体とを備えたものであるため、オプション設定工程における層間絶縁膜クラックや、パッド剥離が起こりにくい。
【００４８】
また、第２の発明に係る半導体装置は、固定電位パッドとオプション設定パッドの少なくとも一方の面積が、半導体基板主面上の他のパッドの面積より小さいものあるため、半導体装置を小型化できる。
【００４９】
さらに、第３の発明に係る半導体装置は、導電体の接する表面保護膜が半導体基板主面上の他の表面保護膜と分離されたものであるため、表面保護膜のダメージ拡散を防止できる。
【００５０】
また、第４の発明に係る半導体装置は導電体が、２つ以上のオプション設定パッドと固定電位パッド上に連続して設けられたものであるため、製造工数が削減できる。
【００５１】
さらに、第５の発明に係る半導体装置は、固定電位パッドとオプション設定パッドが２辺以上で対向するものであるため、安定して固定電位パッドとオプション設定パッドを接続できる。
【００５２】
また、第６の発明に係る半導体装置は、固定電位パッドとオプション設定パッドの両方に表面保護膜をはさんで対向する外周縁部が表面保護膜で覆われたダミーパッドを備え、導電体が前記表面保護膜全てと前記固定電位パッドと前記ダミーパッドとおよび前記オプション設定パッドとに連続して接するものであるため、安定して固定電位パッドとオプション設定パッドを接続できる。
【００５３】
さらに、第７の発明に係る半導体装置は、導電体と固定電位パッド主面との接触する面積と、前記導電体とオプション設定パッド主面との接触する面積とが異なるものであるため、スタッドバンプの幅のより広い部分が一方のパッドと接合することになり、スタッドバンプとパッドとの接合強度を増すことができる。
【００５４】
また、第８の発明に係る半導体装置は、導電体が、固定電位パッドとオプション設定パッドとのいずれか一方とこれに隣接する表面保護膜との上に形成された第１の導電体と、前記第１の導電体上と前記他方との上に形成された第２の導電体からなるものであるため、安定して固定電位パッドとオプション設定パッドを接続できる。
【００５５】
さらに、第９の発明に係る半導体装置は、導電体が、固定電位パッド主面上に形成された第３の導電体と、オプション設定パッド主面上に形成された第４の導電体と、前記第３の導電体と前記第４の導電体の両方に接触するよう形成された第５の導電体からなるものであるため、表面保護膜のダメージを軽減できる。
【００５６】
また、第１０の発明に係る半導体装置は、半導体基板と、この半導体基板上に設けられた層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に設けられるとともに、その一方が他方の主面内部に表面保護膜をはさんで位置され、かつ他方の外周縁部は表面保護膜で覆われた固定電位パッドとオプション設定パッドと、このオプション設定パッドと前記固定電位パッドの両方にまたがって設けられた導電体とを備えたものであるため、表面保護膜のダメージが他の表面保護膜に広がらない。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１による半導体装置の封止樹脂上半分を破断して示す平面図である。
【図２】この発明の実施の形態１による半導体装置のオプション設定部を示す平面図及びそのＩ−Ｉ断面図である。
【図３】この発明の実施の形態１による半導体装置のオプション設定パッドと内部回路の接続部の概略説明図である。
【図４】この発明の実施の形態２による半導体装置のオプション設定部を示す平面図及びそのＩＩ−ＩＩ断面図である。
【図５】この発明の実施の形態２による半導体装置のオプション設定パッドと内部回路の接続部の概略説明図である。
【図６】この発明の実施の形態３による半導体装置のオプション設定部を示す平面図である。
【図７】この発明の実施の形態４による半導体装置のオプション設定部を示す平面図及びそのＩＩＩ−ＩＩＩ断面図である。
【図８】この発明の実施の形態４による別の半導体装置のオプション設定部を示す平面図及びそのＩＶ−ＩＶ断面図である。
【図９】この発明の実施の形態５による半導体装置のオプション設定部を示す平面図である
【図１０】この発明の実施の形態６による半導体装置のオプション設定部を示す平面図及びそのＶ−Ｖ断面図である。
【図１１】この発明の実施の形態７による半導体装置のオプション設定部を示す平面図である。
【図１２】この発明の実施の形態７による別の半導体装置のオプション設定部を示す平面図である。
【図１３】この発明の実施の形態８による半導体装置のオプション設定部を示す平面図及びそのＶＩ−ＶＩ断面図である。
【図１４】この発明の実施の形態９による半導体装置のオプション設定部を示す平面図及びそのＶＩＩ−ＶＩＩ断面図断面図である。
【図１５】この発明の実施の形態１０による半導体装置のオプション設定部を示す平面図及びそのＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ断面図断面図である。
【図１６】この発明の実施の形態１１による半導体装置のオプション設定部を示す平面図及びそのＩＸ−ＩＸ断面図である。
【図１７】この発明の実施の形態１１による別の半導体装置のオプション設定部を示す平面図及びそのＸ−Ｘ断面図である。
【符号の説明】
１　　半導体装置
２　　半導体基板
５　　パッド
５Ｃ　オプション設定パッド
５Ｄ　固定電位パッド
８　　内部回路
１０　　オプション設定部
１１　　表面保護膜
１１ａ　表面保護膜（パッド外周縁部）
１１ｂ　表面保護膜（バッド間）
１１ｃ　表面保護膜（オプション設定部以外）
１４　　パッド開口部
１５　　導電体
１５ａ　第１の導電体
１５ｂ　第２の導電体
１５ｃ　第３の導電体
１５ｄ　第４の導電体
１５ｅ　第５の導電体
２２　　ダミーパッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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