(57)【要約】【課題】リード端子の寸法バラツキに影響されることなく、２つの測定用接触子をリード端子に確実に接触させる。【解決手段】パッケージ側面から水平方向に引き出され、垂直に折り曲げられたリード端子３を備えた半導体装置１の１つのリード端子３に対して、リード端子３の下面に接触される第１測定用接触子５と、リード端子３の垂直部の外側側面に接触される第２測定用接触子７を備えている。これにより、リード端子３の寸法バラツキに影響されることなく、２つの測定用接触子５，７をリード端子３に確実に接触させることができる。【選択図】      図１
2004150981.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置のパッケージ側面から水平方向に引き出され、垂直に折り曲げられたリード端子を備えた半導体装置の電気的特性を測定するための半導体装置の電気的特性測定装置において、
１つのリード端子に対して、リード端子の下面に接触される第１測定用接触子と、リード端子の垂直部の外側側面に接触される第２測定用接触子を備えていることを特徴とする半導体装置の電気的特性測定装置。
【請求項２】
前記第１測定用接触子は、測定時に少なくとも測定位置に配置された半導体装置の外周側面に対応する位置からリード端子の先端に対応する位置にわたって配置される請求項１に記載の半導体装置の電気的特性測定装置。
【請求項３】
前記第１測定用接触子及び前記第２測定用接触子は、一方はケルビンコンタクトのセンスラインに接続され、他方はフォースラインに接続される請求項１又は２に記載の半導体装置の電気的特性測定装置。
【請求項４】
パッケージ側面から水平方向に引き出され、垂直に折り曲げられたリード端子を備えた半導体装置の電気的特性を測定する半導体装置の電気的特性測定方法において、
１つのリード端子に対して、第１測定用接触子をリード端子の下面に接触させ、第２測定用接触子をリード端子の垂直部の外側側面に接触させて半導体装置の電気的特性を測定することを特徴とする半導体装置の電気的特性測定方法。
【請求項５】
測定時に、前記第１測定用接触子を少なくとも測定位置に配置された半導体装置の外周側面に対応する位置からリード端子の先端に対応する位置にわたって配置する請求項４に記載の半導体装置の電気的特性測定方法。
【請求項６】
前記第１測定用接触子及び前記第２測定用接触子をケルビンコンタクトとして用いて半導体装置の電気的特性を測定する請求項４又は５に記載の半導体装置の電気的特性測定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の電気的特性を測定するための半導体装置の電気的特性測定装置及び電気的特性測定方法に関し、特に、パッケージ側面から水平方向に引き出され、垂直に折り曲げられたリード端子を備えた半導体装置の電気的特性を測定するための電気的特性測定装置及び電気的特性試験に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の電気的特性の測定において、半導体装置の１つのリード端子に複数の測定用接触子を接触させて測定することは接触の信頼性を著しく向上させる効果がある。
また、１つのリード端子に対して２つの測定用接触子を用いることにで、ケルビンコンタクト（ケルビンクリップも呼ばれる）による測定方法を行なうことができる。ケルビンコンタクトによる測定では、電流を流す経路（フォースライン）と電圧を測定する経路（センスライン）を分離してリード端子に接触させることにより、電流による電圧降下の影響を受けずに測定することができ、測定結果の精度が向上することが知られている。
【０００３】
従来、パッケージ側面から水平方向に引き出され、垂直に折り曲げられ、先端部が水平方向に折り曲げられたリード端子を備えた半導体装置に対してケルビンコンタクトを用いて電気的特性を測定する場合、図４に示すように、半導体装置１のリード端子３の先端部を２つの測定用接触子３１，３３で上下方向から挟み込むように接触していた。図４では、測定用接触子３１をリード端子３の先端部の下面に接触させ、測定用接触子３３をリード端子３の先端部の上面に接触させた例を示している。
【０００４】
パッケージ側面から水平方向に引き出され、垂直に折り曲げられ、先端部が水平方向に折り曲げられたリード端子を備えた半導体装置としては、例えばＱＦＰ（ｑｕａｄ  ｆｌａｔ  ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＰ（ｓｍａｌｌ  ｏｕｔ−ｌｉｎｅ  ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＴ（ｓｍａｌｌ  ｏｕｔ−ｌｉｎｅ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などを挙げることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、近年、半導体装置の小型化が進み、リード端子先端部の水平部分の寸法が短くなり、電気的特性の測定時においてリード端子の先端部の上面に接触させる測定用接触子の先端配置位置に高精度が要求されるようになった。
【０００６】
さらに、半導体装置のリード端子の寸法精度バラツキ、特にリード端子先端部の水平部分の寸法バラツキによって、図５に示すように、先端部の水平部分の寸法が短いリード端子３ａが往々にして発生する。このため測定用接触子３３がリード端子３ａに接触せず、測定用接触子３１に直接接触してしまうことがあり、リード端子３ａとの接触の信頼性を低下させると共に、測定精度を低下させることがあった。
【０００７】
そこで本発明は、半導体装置のリード端子の寸法バラツキに影響されることなく、２つの測定用接触子をリード端子に確実に接触させることができる半導体装置の電気的特性測定装置及び測定方法を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる半導体装置の電気的特性測定装置は、パッケージ側面から水平方向に引き出され、垂直に折り曲げられたリード端子を備えた半導体装置の電気的特性を測定するための電気的特性測定装置であって、１つのリード端子に対して、リード端子の下面に接触される第１測定用接触子と、リード端子の垂直部の外側側面に接触される第２測定用接触子を備えているものである。
【０００９】
本発明にかかる半導体装置の電気的特性測定方法は、パッケージ側面から水平方向に引き出され、垂直に折り曲げられたリード端子を備えた半導体装置の電気的特性を測定する電気的特性測定方法であって、１つのリード端子に対して、第１測定用接触子をリード端子の下面に接触させ、第２測定用接触子をリード端子の垂直部の外側側面に接触させて半導体装置の電気的特性を測定する。
【００１０】
本発明の半導体装置の電気的特性測定装置及び電気的特性測定方法では、パッケージ側面から水平方向に引き出され、垂直に折り曲げられたリード端子を備えた半導体装置の１つのリード端子に対して、第１測定用接触子をリード端子の下面に接触させ、第２測定用接触子をリード端子の垂直部の外側側面に接触させるようにしたので、リード端子の寸法バラツキに影響されることなく、２つの測定用接触子をリード端子に確実に接触させることができる。これにより、信頼性の高い接触が可能になる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体装置の電気的特性測定装置において、上記第１測定用接触子は、測定時に少なくとも測定位置に配置された半導体装置の外周側面に対応する位置からリード端子の先端に対応する位置にわたって配置される例を挙げることができる。本発明の半導体装置の電気的特性測定方法において、測定時に、上記第１測定用接触子を少なくとも測定位置に配置された半導体装置の外周側面に対応する位置からリード端子の先端に対応する位置にわたって配置する例を挙げることができる。これにより、パッケージ側面から水平方向に引き出され、垂直に折り曲げられ、先端部が水平方向に折り曲げられたリード端子であって先端部の水平部分が非常に短いものや、ＤＩＰ（ｄｕａｌ  ｉｎ−ｌｉｎｅ  ｐａｃｋａｇｅ）タイプのように先端部に水平部分がないリード端子にも、確実な接触を行なうことができる。
【００１２】
本発明の半導体装置の電気的特性測定装置において、上記第１測定用接触子及び上記第２測定用接触子は、一方はケルビンコンタクトのセンスラインに接続され、他方はフォースラインに接続されるようにすることが好ましい。本発明の半導体装置の電気的特性測定方法において、上記第１測定用接触子及び上記第２測定用接触子をケルビンコンタクトとして用いて半導体装置の電気的特性を測定することが好ましい。その結果、測定電流の影響を受けない高精度の測定を行なうことができる。
【００１３】
【実施例】
図１は電気的特性測定装置の一実施例を示す概略構成図であり、（Ａ）は全体を示し、（Ｂ）は（Ａ）の円で囲まれた部分を拡大して示す。
半導体装置１を支持するための半導体測定台９が設けられている。半導体測定台９の上方に、半導体測定台９の上面（測定位置）に配置された半導体装置１を固定するための押さえピン１１が設けられている。押さえピン１１は図示しない駆動機構により上下方向に移動される。半導体測定台９の上面には貫通孔（図示は省略）が設けられており、その貫通孔は図示しない吸引機構に接続され、半導体測定台９の上面に配置された半導体装置１を吸着するようになっている。
【００１４】
半導体装置１の１つのリード端子３に対応して、２つの測定用接触子５，７が設けられている。半導体装置１には紙面垂直方向に複数のリード端子３が配列されており、電気的特性測定装置にはリード端子３ごとに測定用接触子５，７が設けられている。
【００１５】
第１測定用接触子５は、シリンダ機構１３の駆動により回転軸１５を中心にして回転される接触子受け台１７に支持されており、実線位置と一点鎖線位置の間で移動するように配置されている（矢印Ａ参照）。第１測定用接触子５の先端部は、半導体装置１の電気的特性の測定時にリード端子３の先端部の水平部分の下面（リード端子の下面）に接触するように移動される（（Ａ）の実線位置及び（Ｂ）参照）。測定時における測定用接触子５の先端部の位置は半導体装置１の外周側面に対応する位置に配置される（（Ｂ）の破線参照）。
【００１６】
第２測定用接触子７は、シリンダ機構１９の駆動により回転軸２１を中心にして回転される接触子受け台２３に支持されており、実線位置と一点鎖線位置の間で移動するように配置されている（矢印Ｂ参照）。測定用接触子７の先端部は、半導体装置１の電気的特性の測定時にリード端子３の垂直部の外側側面に接触するように移動される（（Ａ）の実線位置及び（Ｂ）参照）。
【００１７】
第１測定用接触子５は配線２５を介して測定部２９に電気的に接続され、第２測定用接触子７は配線２７を介して測定部２９に電気的に接続されている。測定部２９は半導体装置１の電気的特性測定時にリード端子３に電源及び信号の供給を行ない、半導体装置１の電気的特性を測定する。
【００１８】
図１を参照して半導体装置の電気的特性測定方法の一実施例を説明する。
半導体装置１を半導体測定台９に搭載する場合、又は測定後に取り外す場合は、シリンダ機構１３，１９の駆動により第１測定用接触子５及び第２測定用接触子７をリード端子３から離れる方向に移動させ（一点鎖線位置参照）、押さえピン１１を上方向に移動した状態で、半導体装置１の搭載又は取外しを行なう。
【００１９】
半導体装置１の電気的特性の測定時は、半導体測定台９に半導体装置１が搭載された状態で押さえピン１１を下げて半導体装置１を半導体測定台９とで挟んで測定位置に固定し、シリンダ機構１３，１９の駆動により第１測定用接触子５及び第２測定用接触子７をリード端子３に接触する方向に移動させ、第１測定用接触子５及び第２測定用接触子７をリード端子３に接触させた状態で行なう（実線参照）。
【００２０】
電気的特性の測定時において、第１測定用接触子５の先端部は、半導体装置１の外周側面に対応する位置からリード端子３の先端位置に対応する位置にわたって配置されているので、リード端子３の寸法バラツキに影響されることなく、第１測定用接触子５をリード端子３の下面に接触することができる。例えば図２に示すように、先端部の水平部分が非常の短いリード端子３ａであっても、第１測定用接触子５を確実に接触させることができる。
【００２１】
さらに、図３に示すように、例えばＤＩＰタイプのように先端部に水平部分がないリード端子３ｂにも、第１測定用接触子５を確実に接触させることができる。図３において、ＤＩＰのリード端子３ｂの下面は第１測定用接触子５と接触している面である。
【００２２】
また、第２測定用接触子７の先端部は、リード端子３の垂直部の外側側面と接触するように配置されているので、リード端子３の寸法バラツキに影響されることなく、第２測定用接触子７を確実にリード端子３と接触させることができる。
【００２３】
このような接触状態で、測定部２９によって配線２５，２９、測定用接触子５，７及びリード端子３を介して半導体装置１に電源及び信号を供給することにより、リード端子３と測定用接触子５，７の間に確実な接触状態をもって電気的特性の測定を行なうことができる。
【００２４】
このように、第１測定用接触子５と第２測定用接触子７がリード端子３に接触する位置をリード端子３の垂直部の外側側面と先端部の下面に分けるようにしたので、リード端子３の寸法バラツキに影響されることなく、確実な接触が可能になる。これにより、第１測定用接触子５及び第２測定用接触子７の位置精度は従来に比べ粗雑でよく、測定用接触子の部品コストや、組み立てコストを下げることができる。
【００２５】
さらに、ケルビンコンタクトを用いて測定を行なう場合は、例えば配線２５をフォースラインとして用いて第１測定用接触子５に電流を流し、配線２７をセンスラインとして用いて第２測定用接触子７には電流を流さないようにして電圧のみを測定することで、電流による電圧降下の影響を除くことができ、高精度な測定が可能になる。なお、配線２５をセンスラインとして用い、配線２７をフォースラインとして用いてもよい。
【００２６】
ケルビンコンタクトによる測定の際、第１測定用接触子５をリード端子３の下面に接触させ、第２測定用接触子７をリード端子３の垂直部の外側側面に接触させるようにしたので、リード端子３の寸法バラツキに影響されることなく、第１測定用接触子５と第２測定用接触子７をそれぞれリード端子３に接触することができ、第１測定用接触子５と第２測定用接触子７が直接接触されることによる測定精度の低下を防止することができる。
【００２７】
例えば図２に示すように、先端部の水平部分が非常の短いリード端子３ａであっても、第１測定用接触子５と第２測定用接触子７が直接接触されることなく、第１測定用接触子５と第２測定用接触子７をそれぞれリード端子３に接触することができる。
【００２８】
さらに、図３に示すように、例えばＤＩＰタイプのように先端部に水平部分がないリード端子３ｂであっても、第１測定用接触子５と第２測定用接触子７が直接接触されることなく、第１測定用接触子５と第２測定用接触子７をそれぞれリード端子３に接触することができる。
【００２９】
上記の実施例では、第１測定用接触子５の一部分が半導体装置１の外周側面に対応する位置からリード端子３の先端位置に対応する位置にわたって配置されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、測定時に第１測定用接触子がリード端子の下面と接触できる位置に配置されていればよい。
【００３０】
また、第１測定用接触子５及び第２測定用接触子７をリード端子３に接触させるための機構はシリンダ機構１３，１９などを用いた上記の実施例に限定されるものではなく、測定時に第１測定用接触子をリード端子の下面に接触させ、第２測定用接触子をリード端子の垂直部の外側側面に接触させることができる機構であればどのようなものであってもよい。
【００３１】
以上、本発明の実施例を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。
【００３２】
【発明の効果】
請求項１に記載された半導体装置の電気的特性測定装置では、１つのリード端子に対して、リード端子の下面に接触される第１測定用接触子と、リード端子の垂直部の外側側面に接触される第２測定用接触子を備えているようにしたので、リード端子の寸法バラツキに影響されることなく、２つの測定用接触子をリード端子に確実に接触させることができ、信頼性の高い接触が可能になる。
【００３３】
請求項２に記載された半導体装置の電気的特性測定装置では、第１測定用接触子は、測定時に少なくとも測定位置に配置された半導体装置の外周側面に対応する位置からリード端子の先端に対応する位置にわたって配置されるようにしたので、パッケージ側面から水平方向に引き出され、垂直に折り曲げられ、先端部が水平方向に折り曲げられたリード端子であって先端部の水平部分が非常に短いものや、先端部に水平部分がないリード端子にも、確実な接触を行なうことができる。
【００３４】
請求項３に記載された半導体装置の電気的特性測定装置では、第１測定用接触子及び第２測定用接触子は、一方はケルビンコンタクトのセンスラインに接続され、他方はフォースラインに接続されるようにしたので、ケルビンコンタクトにより、測定電流の影響を受けない高精度の測定を行なうことができる。
【００３５】
請求項４に記載された半導体装置の電気的特性測定方法では、１つのリード端子に対して、第１測定用接触子をリード端子の下面に接触させ、第２測定用接触子をリード端子の垂直部の外側側面に接触させて半導体装置の電気的特性を測定するようにしたので、リード端子の寸法バラツキに影響されることなく、２つの測定用接触子をリード端子に確実に接触させることができ、信頼性の高い接触が可能になる。
【００３６】
請求項５に記載された半導体装置の電気的特性測定方法では、測定時に、第１測定用接触子を少なくとも測定位置に配置された半導体装置の外周側面に対応する位置からリード端子の先端に対応する位置にわたって配置するようにしたので、パッケージ側面から水平方向に引き出され、垂直に折り曲げられ、先端部が水平方向に折り曲げられたリード端子であって先端部の水平部分が非常に短いものや、先端部に水平部分がないリード端子にも、確実な接触を行なうことができる。
【００３７】
請求項６に記載された半導体装置の電気的特性測定方法では、第１測定用接触子及び第２測定用接触子をケルビンコンタクトとして用いて半導体装置の電気的特性を測定するようにしたので、測定電流の影響を受けない高精度の測定を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】電気的特性測定装置の一実施例を示す概略構成図であり、（Ａ）は全体を示し、（Ｂ）は（Ａ）の円で囲まれた部分を拡大して示す。
【図２】同実施例における、先端部の水平部分が短いリード端子に対する測定用接触子の接触状態を示す概略構成図である。
【図３】同実施例における、先端部の水平部分がないリード端子に対する測定用接触子の接触状態を示す概略構成図である。
【図４】従来の電気的特性測定装置における測定用接触子とリード端子の接触状態を示す概略構成図である。
【図５】従来の電気的特性測定装置における測定用接触子とリード端子の接触状態の不具合を示す概略構成図である。
【符号の説明】
１      半導体装置
３，３ａ，３ｂ    リード端子
５      第１測定用接触子
７      第２測定用接触子
９      半導体測定台
１１      押さえピン
１３，１９    シリンダ機構
１５，２１    回転軸
１７，２３    接触子受け台
２５，２７    配線
２９      測定部
【図１】
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【図２】
2004150981.tif 000004
【図３】
2004150981.tif 000005
【図４】
2004150981.tif 000006
【図５】
2004150981.tif 000007