(57)【要約】【課題】本発明の課題は、高周波通信に対応する優れた誘電特性を有し、耐吸湿性、機械物性や耐熱性等に優れた性質を有する絶縁膜を、フォトプロセスにより安定して効率的に形成することであり、こうして形成された絶縁膜を有する回路付サスペンション基板を提供することである。【解決手段】一般式（Ｉ）（化１）で表される繰り返し単位を有するポリエーテル系樹脂を絶縁層として有する回路付サスペンション基板。【化１】2004286786.tif 000006（式中、Ａは炭素数１〜１０の２価のアルキレン基、−ＳＯ２−、−ＳＯ−、−Ｓ−、−Ｏ−、または−ＣＯ−を示す。ａおよびｂは各々独立して０〜４の整数を示し、ｍは０または１の整数、ｎは１〜３の整数を示す。Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、ハロゲン原子のいずれかを示し、Ｒ１〜Ｒ４の少なくとも１つは、水素原子以外の基である。）【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）（化１）で表される繰り返し単位を有するポリエーテル系樹脂を絶縁層として有する回路付サスペンション基板。
【化１】
2004286786.tif 000005
（式中、Ａは炭素数１〜１０の２価のアルキレン基、−ＳＯ２−、−ＳＯ−、−Ｓ−、−Ｏ−、または−ＣＯ−を示す。ａおよびｂは各々独立して０〜４の整数を示し、ｍは０または１の整数、ｎは１〜３の整数を示す。Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、ハロゲン原子のいずれかを示し、Ｒ１〜Ｒ４の少なくとも１つは、水素原子以外の基である。）
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路付サスペンション基板に関し、回路付サスペンション基板の絶縁層として用いられる感光性樹脂に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器分野では、大容量の情報を、高速に処理する需要が増加している。これに対応して、高周波信号の使用が増加しており、回路基板、なかでもハードディスクドライブの磁気ヘッドを実装する回路付サスペンション基板においても高周波信号を高速、低損失で伝送することが望まれている。
【０００３】
高周波信号を高速に、少ない損失で伝送するために、低誘電率で低誘電正接の性質を有する絶縁材料の開発が不可欠である。従来、低誘電率、低誘電正接の有機絶縁膜材料としては、フッ素化ポリイミド系樹脂、ビスマレイミドトリアジン系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂等が用いられている。このような低誘電率、低誘電正接の有機絶縁膜材料の中で、回路基板絶縁層のビア形成方法の一つであるフォトプロセスに対応できる樹脂、即ち感光性を有する樹脂は種類が限られており、実際使用されているものとしては感光性ポリイミド樹脂が代表的に挙げられる。しかしながら、この材料は、前駆体の状態で取り扱われるために、高温のイミド化処理を必要とすることや、保存中の物性変化による加工上の不都合が生じることがあった。また、最終的なポリイミドの膜は吸湿性が高いために信頼性に不都合が生じることがあった。
【０００４】
このように、回路付サスペンション基板において、特にその絶縁層をフォトプロセスにより形成する該回路基板において、安定して効率的な加工を実現し、誘電特性や耐吸湿性などの最終的な膜物性にも優れた感光性絶縁膜材料で構成されるものは得られておらず、その開発が望まれていた。
【０００５】
一方、耐熱性樹脂としてポリエーテル系樹脂は、ポリイミド同等の高耐熱性に加え、力学的強度、寸法安定性が優れ、難燃性、電気絶縁性などを併せ持つことが知られている（特許文献１参照）。また、ポリエーテル系樹脂は、ポリイミドに比べ、可視・紫外光領域で高い光線透過率を有することから、感光性を付与した場合、感度の向上につながり好ましいことも知られており、感光性を有するポリエーテル系樹脂も報告されている（非特許文献２参照）。しかしながら、この報告は、特定のポリエーテル系樹脂が感光性を有することについてのみのものであった。
【０００６】
【特許文献１】
特開昭５８−１６７６２２号公報
【０００７】
【非特許文献１】
Ｍｏｈａｎｔｙ、Ｄ．Ｋ．ｅｔ    ａｌ．，Ｐｏｌｙｍ．  Ｐｒｅｐｒ．，  ２５（２），１９〜頁（１９８４年）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、高周波通信に対応する優れた誘電特性を有し、耐吸湿性、機械物性や耐熱性等に優れた性質を有する絶縁層を、フォトプロセスにより安定して効率的に形成することであり、こうして形成された絶縁層を有する回路付サスペンション基板を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、鋭意検討を進めた結果、特定の構造を有する芳香族ポリエーテル系樹脂が、耐熱性・感光性に加え、誘電特性に優れ、耐吸湿性、機械特性や耐熱性等に優れること、およびこの芳香族ポリエーテル系樹脂が感光性を有し、溶液としての保存安定性も良好で、フォトプロセスによる絶縁膜の効率的な形成を可能とすることを見いだした。そして、該絶縁層を有する回路付サスペンション基板を可能とし、本発明を完成するに至った。
【００１０】
即ち、本発明は一般式（Ｉ）（化２）で表される繰り返し単位を有するポリエーテル系樹脂を絶縁層として有する回路付サスペンション基板である。
【００１１】
【化２】
2004286786.tif 000002
（式中、Ａは炭素数１〜１０の２価のアルキレン基、−ＳＯ２−、−ＳＯ−、−Ｓ−、−Ｏ−、または−ＣＯ−を示す。ａおよびｂは各々独立して０〜４の整数を示し、ｍは０または１の整数、ｎは１〜３の整数を示す。Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、ハロゲン原子のいずれかを示し、Ｒ１〜Ｒ４の少なくとも１つは、水素原子以外の基である。）
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の回路付サスペンション基板は、一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する芳香族ポリエーテル系樹脂を絶縁層として有することを特徴とする。
【００１３】
【化３】
2004286786.tif 000003
（式中、Ａは炭素数１〜１０の２価のアルキレン基、−ＳＯ２−、−ＳＯ−、−Ｓ−、−Ｏ−、または−ＣＯ−を示す。ａおよびｂは各々独立して０〜４の整数を示し、ｍは０または１の整数、ｎは１〜３の整数を示す。Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、ハロゲン原子のいずれかを示し、Ｒ１〜Ｒ４の少なくとも１つは、水素原子以外の基である。）
【００１４】
一般式（Ｉ）において、Ａは炭素数１〜１０の２価のアルキレン基、−ＳＯ２−、−ＳＯ−、−Ｓ−、−Ｏ−、または−ＣＯ−であれば特に限定されない。炭素数１〜１０の２価のアルキレン基としては、例として、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。
【００１５】
一般式（Ｉ）において、Ｒ１〜Ｒ６は、各々独立して、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、ハロゲン原子のいずれかを示し、Ｒ１〜Ｒ４の少なくとも１つは、水素以外の基であれば特に限定されない。
【００１６】
一般式（Ｉ）において、Ｒ１〜Ｒ６のより好ましい態様としては、例えば、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ―プロピル基、イソプロピル基、炭素数４〜８のアルキル基等が挙げられる。
【００１７】
一般式（Ｉ）において、ａおよびｂは各々独立して０〜４の整数、ｍは０または１の整数、ｎは１〜３の整数であれば特に限定されない。
【００１８】
本発明で使用するポリエーテル系樹脂は、いかなる方法で製造されたものであっても構わない。例えば、特開昭５８−１６７６２２号公報記載の方法を挙げることができるが、これに限定されるものではない。本発明で使用する、ポリエーテル系樹脂の好ましい製造方法は、ジオール化合物とジハライド化合物を原料として反応させる方法である。
【００１９】
本発明で使用するポリエーテル系樹脂の製造に用いるジオール化合物としては例えば、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３，５−ジフェニル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（３’，５’−ジメチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−ビス（３’，５’−ジメチル−４’−ヒドロキシフェニル）−２−（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）ケトン、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジヒドロキシビフェニル、１，１−ビス（３’，５’−ジメチル−４’−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン等を挙げることができる。これらは単独で用いても構わないし、２種以上を用いて共重合体としても構わない。
【００２０】
本発明で使用するポリエーテル系樹脂の製造に用いるジハライド化合物としては、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、４，４’−ジフルオロベンゾフェノン等を挙げることができる。これらは単独で用いても構わないし、２種以上を用いて共重合体としても構わない。
【００２１】
本発明の絶縁層としての芳香族ポリエーテル系樹脂は、上記一般式（Ｉ）で表される構造の繰返し単位成分以外に、各種ジオールおよびジハライド化合物を、各種物性、例えば耐熱性、耐吸湿性、熱膨張係数、誘電率、誘電正接等を制御することを目的に、必要に応じて共重合させても良いが、一般式（Ｉ）で表わされる構造の芳香族ポリエーテル系樹脂が組成物中に１０〜１００重量％含有するのが好ましい態様である。
【００２２】
本発明の回路付サスペンション基板は、特に限定されないが、銅、アルミニウム、ステンレス、銅−ベリリウム、リン青銅、鉄−ニッケルなどの金属または合金の箔または板、シリコンウエハー、ガラスなどのセラミックの箔または板、ポリイミド、ポリエステルなどのプラスチックのフィルムなどで形成される支持基材と、銅、金、銀、クロム、ニッケル、チタン、はんだ、および／またはこれらの合金等で形成される導体配線層、そして、本発明の特徴となる芳香族ポリエーテル系樹脂で形成される絶縁層から構成されるものが好ましい。
【００２３】
このような構成を有する回路付サスペンション基板を製造する方法としては、特に限定されないが、例えば、基材を洗浄する工程、基材上に導体膜を所定のパターンをもって形成する工程、導体パターンが形成された基材上に絶縁膜を形成する工程、絶縁膜をパターニングする工程を経て製造する方法が好ましい。また、所望により、導体層の形成と絶縁層の形成を繰り返し、多層にすることもできる。
【００２４】
本発明の回路付サスペンション基板を製造するにあたり、支持基材および／または導体配線上に上記芳香族ポリエーテル系樹脂の絶縁膜を形成する際、芳香族ポリエーテル系樹脂を適当な有機溶媒に溶解させて塗布する方法が好ましい方法である。ここで用いられる溶媒は限定されるわけではないが、例えば、
（ａ）  フェノール系溶媒である、
フェノール、ｏ−クロロフェノール、ｍ−クロロフェノール、ｐ−クロロフェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノール、
【００２５】
（ｂ）  非プロトン性アミド系溶媒である、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−メチルカプロラクタム、ヘキサメチルホスホロトリアミド、
（ｃ）  エーテル系溶媒である、
１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、１，２−ビス（２−メトキシエトキシ）エタン、テトラヒドロフラン、ビス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］エーテル、１，４−ジオキサン、
（ｄ）  アミン系溶媒である、
ピリジン、キノリン、イソキノリン、α−ピコリン、β−ピコリン、γ−ピコリン、イソホロン、ピペリジン、２，４−ルチジン、２，６−ルチジン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、
【００２６】
（ｅ）  その他の溶媒である、
ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ジフェニルエーテル、スルホラン、ジフェニルスルホン、テトラメチル尿素、アニソール、水、ベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、ｍ−ジクロロベンゼン、ｐ−ジクロロベンゼン、ブロモベンゼン、ｏ−ジブロモベンゼン、ｍ−ジブロモベンゼン、ｐ−ジブロモベンゼン、ｏ−クロロトルエン、ｍ−クロロトルエン、ｐ−クロロトルエン、ｏ−ブロモトルエン、ｍ−ブロモトルエン、ｐ−ブロモトルエン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノール、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、フルオロベンゼン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、蟻酸メチル、蟻酸エチル等が挙げられる。これらの溶媒は、単独または２種以上混合して用いても差し支えない。
【００２７】
これらの溶剤は、用いられる芳香族ポリエーテル系樹脂１００重量部に対し、１００〜１００００重量部、更に好ましくは２００〜５０００重量部使用することが好ましい。
【００２８】
本発明の回路付サスペンション基板を製造するにあたり、芳香族ポリエーテル系樹脂の支持基材および／または導体配線上への塗布方法は特に限定されないが、例えば、スピンコーターを用いた塗布、スプレーコーターを用いた塗布、バーコーターを用いた塗布、噴霧、浸漬、印刷等を挙げることができる。塗布する量は特に限定されないが例えば、硬化後の最終膜厚が好ましくは１μｍ〜５００μｍ、より好ましくは５〜１００μｍとなるよう塗布する。
【００２９】
支持基材および／または導体配線上に芳香族ポリエーテル系樹脂を塗布した後、乾燥する工程において、乾燥時間及び乾燥温度は特に限定されないが、一般に２５℃〜２５０℃、１０分〜２４時間で充分である。乾燥は、空気雰囲気下で行っても構わないが、窒素雰囲気下または減圧下で行っても構わない。
【００３０】
本発明の回路付サスペンション基板を構成する絶縁層は、その成分として、芳香族ポリエーテル系樹脂以外に目的に応じていかなる成分、例えば、増感剤、光重合開始剤、レベリング剤、カップリング剤、モノマー、オリゴマー、安定剤、湿潤剤、顔料、染料等を含有しても構わないが、芳香族ポリエーテル系樹脂が絶縁層中に１０〜１００重量％含有するのが好ましい態様である。
【００３１】
本発明の回路付サスペンション基板を構成する絶縁層は、支持基材および／または導体配線上に被膜として形成された後、該被膜を露光、現像によりパターニングする工程、および最終的な乾燥のための熱処理工程を経て形成される。これら各工程においては公知の技術を用いることができる。
【００３２】
露光工程においては１５０〜５００ｎｍの紫外線及び／または近紫外―可視光線を照射するが、特に３６５ｎｍの波長を中心とする波長領域が、高い効果が得られ望ましい。露光工程において、所望の形状のフォトマスクパターンを用いることができる。現像工程において、未照射部を現像液で溶解除去することでレリーフパターン状の絶縁膜を得る。現像液としては、例えばシクロペンタノン、シクロヘキサノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の有機溶剤を用いることができる。また、例えば上記有機溶剤２種以上を混合して用いても良い。現像によって形成した絶縁膜は、例えばメタノールやエタノール、水等を用いてリンスしても構わない。最後に加熱処理を行い、溶剤を除去する。加熱処理時の温度は、特に限定されないが、２５℃〜３００℃、より好ましくは４０℃〜３００℃で処理することが好ましい。
【００３３】
【実施例】
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれにより何等制限されるものではない。
【００３４】
〔評価方法〕
実施例中の試験の試験方法は次に示すとおりである。
（イ）芳香族ポリエーテル系樹脂の対数粘度
芳香族エーテル系樹脂０．５０ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン（以下、ＮＭＰと略記することがある）１００ｍｌに溶解した後、３５℃において粘度計により測定した。
（ロ）吸水率評価
５０×５０ｍｍ、５０μｍ厚の膜の両面をメタノールで２回ずつ拭き取り、これを濾紙に包んで５０℃設定のオーブンにて２４時間乾燥させた。乾燥後、この膜を直ちにデシケータ内に移し２３℃−相対湿度５０％の恒温恒湿室にて秤量した（Ｗ１ｇ）。秤量後の膜をイオン交換水に浸積し、２４時間静置した。膜を水から引き上げ、直ちに表面の水を濾紙で拭き取り秤量した（Ｗ２）。吸水率は（Ｗ２−Ｗ１）／Ｗ１×１００［％］を算出することで求まった。なお、評価に際しては、各々３点ずつ測定を行い、これらの吸水率の平均値を示した。
【００３５】
合成例１
〔芳香族ポリエーテル系樹脂の製造〕
式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を有する芳香族ポリエーテル系樹脂を特開昭５８−１６７６２２号公報記載の方法、すなわち、２，２’−ビス（３，５―ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパンのクロロベンゼン／ＤＭＳＯ混合溶液を加熱し、窒素雰囲気下４４．８％水酸化カリウム水溶液を滴下した後、４，４’−ジフルオロベンゾフェノンの粉末を加える方法にて合成した（ηｉｎｈ    ０．７５ｄｌ／ｇ）。この芳香族ポリエーテル系樹脂２０ｇにＮＭＰ８０ｇを加えることで、２０ｗｔ％ＮＭＰ溶液１００ｇを得た。
【００３６】
【化４】
2004286786.tif 000004
〔芳香族ポリエーテル系樹脂膜の吸水率評価〕
合成例１で得られた、芳香族ポリエーテル系樹脂の２０ｗｔ％ＮＭＰ溶液を、スピンコート法によりガラス基板上に塗布し、窒素雰囲気下２００℃−３０分間乾燥し、５０μｍ厚の膜を得た。５０×５０ｍｍサイズに切り出し、吸水率評価を行ったところ、０．１％であった。
【００３７】
実施例１
〔回路付サスペンション基板の製造〕
厚さ２５μｍのステンレス箔の上に、合成例１で得られた芳香族ポリエーテル系樹脂の２０ｗｔ％ＮＭＰ溶液を塗工した後、８０℃で加熱することによりプリベーク膜を形成した。次いで、このプリベーク膜にフォトマスクを介して密着露光機により露光（ｉ線、５００ｍＪ／ｃｍ２）を行い、シクロペンタノンを用いて現像し、メタノールリンス後、１３０℃で３０分間乾燥させ、厚さ１０μｍのパターン化した絶縁層を形成した。
次いで、ステンレス箔および絶縁層の全面に、厚さ４００Åのクロム薄膜と厚さ１０００Åの銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって順次形成した後、所定の回路パターンと逆パターンのめっきレジストを、ドライフィルムレジストを用いて形成し、そして、電解銅めっきにより、絶縁層におけるめっきレジストが形成されていない部分に、所定の回路パターンの導体層を形成した。その後、めっきレジストを、化学エッチングによって除去した後、めっきレジストが形成されていたクロム薄膜および銅薄膜を、化学エッチングにより除去した。なお、この回路パターンは、厚さ２０μｍで、そのパターンが、各配線の幅２０μｍ、各配線間の間隔が３０μｍの、互いに所定の間隔を隔てて平行状に配置される、４本の配線パターンとした。
次いで、各配線の表面、および、ステンレス箔の表面に、無電解ニッケルめっきによって、厚さ０．１μｍの硬質のニッケル薄膜を形成した後、ニッケル薄膜および絶縁層の上に、合成例１で得られた芳香族ポリエーテル系樹脂の２０ｗｔ％ＮＭＰ溶液を塗工した後、８０℃で加熱することにより、プリベーク膜を形成した。次いで、このプリベーク膜にフォトマスクを介して密着露光機により露光（ｉ線、５００ｍＪ／ｃｍ２）を行い、シクロペンタノンを用いて現像し、メタノールリンス後、１３０℃で３０分間乾燥させ、厚さ３μｍのパターン化したカバー層を、各配線の上面に形成した。なお、このカバー層の形成においては、導体層における磁気ヘッド側接続端子および外部側接続端子とされる部分には、カバー層を被覆しないようにした。
その後、ステンレス箔の表面と、磁気ヘッド側接続端子および外部側接続端子とされる部分とに形成されているニッケル薄膜を剥離し、磁気ヘッド側接続端子および外部側接続端子とされる部分に、電解ニッケルめっきと電解金めっきとを順次行なうことにより、厚さ１μｍのニッケルめっき層および厚さ１μｍの金めっき層を形成した後、電解ニッケルめっきおよび電解金めっきに用いためっきリードを、化学エッチングにより除去し、ステンレス箔を、化学エッチングによって、所定の形状に切り抜き、洗浄および乾燥することにより、回路付サスペンション基板を作製した。
作製された回路付サスペンション基板では、絶縁層、導体層、ステンレス基材のいずれにもクラックや割れ、剥がれは見られず、全ての配線にわたって良好な電気的導通が得られた。
【００３８】
比較例１
〔感光性ポリイミド前駆体組成物の製造〕
乾燥空気気流下、２リットルの４つ口フラスコに無水ピロメリット酸５２．３ｇ（０．２６１モル）、３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物４９．６ｇ（０．１６モル）、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル６２．４ｇ（０．４８モル）、エタノール１４．７ｇ（０．３２モル）、γ−ブチロラクトン３２０ｇを入れ、氷冷下、かきまぜながらピリジン６４．２ｇを加えた。発熱終了後室温まで放冷し１６時間放置した後、ジシクロヘキシルカルボジイミド１６６ｇをγ−ブチロラクトン１２０ｇに溶かした溶液を氷冷下、かきまぜながら４０分間で加え、続いて４，４’−ジアミノジフェニルエーテル７４．５ｇ（０．３７２モル）をγ−ブチロラクトン１５０ｇに懸濁したものを、氷冷下、かきまぜながら６０分間で加えた。室温で２時間かきまぜた後、エタノール３０ｇを加えて１時間かきまぜ、ジメチルアセトアミド２５０ｇとテトラヒドロフラン４００ｇを加えた後、沈殿を濾過により除いて得られた反応液を１５リットルのエタノールに加え、生成した沈殿を濾別した後、真空乾燥してポリマー粉末を得た。これを、ＮＭＰに溶解させて、ポリマー濃度が３０重量％になるように調製し、ポリマー重量に対して、ＮＰＧ、ＢＯＸ、ＮＮＰＧ、プロノン２０４（日本油脂株式会社製）をそれぞれ２、０．５、０．０５、０．００８重量％添加し、さらにワニス粘度が１０ポイズ程度になるようＮＭＰで希釈することで、公知のポリイミド前駆体組成物を得た。
【００３９】
〔感光性ポリイミド膜の吸水率評価〕
上記方法で得られた感光性ポリイミド前駆体組成物ワニスを、スピンコート法によりガラス基板上に塗布し、窒素雰囲気下４時間かけて室温から３５０℃まで定率で昇温し、さらに３０分間加熱処理することで、５０μｍ厚のポリイミド膜を得た。５０×５０ｍｍサイズに切り出し、吸水率評価を行ったところ、２．９％であった。
【００４０】
〔回路基板の製造〕
厚さ２５μｍのステンレス箔の上に、上記方法で得られた感光性ポリイミド前駆体組成物ワニスを塗工した後、８０℃で加熱することにより、感光性ポリイミド前駆体組成物のプリベーク膜を形成した。次いで、このプリベーク膜にフォトマスクを介して露光（ｉ線、５００ｍＪ／ｃｍ２）を行い、露光部分を１８０℃に加熱した後、ＮＭＰを用いて現像することにより、この被膜をパターン化した。次いで、パターン化された感光性ポリイミド前駆体組成物の被膜を、３６０℃で加熱して、イミド化させ、これによって、厚さ１０μｍの感光性ポリイミドからなる絶縁層を所定のパターンで形成した。
次の導体層の形成は、実施例１と同様の方法で行った。
次いで、各配線の表面、および、ステンレス箔の表面に、無電解ニッケルめっきによって、厚さ０．１μｍの硬質のニッケル薄膜を形成した後、ニッケル薄膜および絶縁層の上に、比較例１で得られた感光性ポリイミド前駆体組成物ワニスを塗工した後、８０℃で加熱することにより、感光性ポリイミド前駆体組成物のプリベーク膜を形成した。次いで、このプリベーク膜にフォトマスクを介して露光（ｉ線、５００ｍＪ／ｃｍ２）を行い、露光部分を１８０℃に加熱した後、ＮＭＰを用いて現像し、この被膜によって、各配線の上面が被覆されるようにパターン化した。次いで、パターン化された感光性ポリイミド前駆体組成物の被膜を、３６０℃で加熱して、イミド化させ、これによって、厚さ３μｍのポリイミドからなるカバー層を、各配線の上面に形成した。なお、このカバー層の形成においては、導体層における磁気ヘッド側接続端子および外部側接続端子とされる部分には、カバー層を被覆しないようにした。
その後の工程は実施例１と同様にして行い、回路付サスペンション基板を作製した。
作製された回路付サスペンション基板は、反りが有り、導体層のクラックによる導通不良が認められた。
【００４１】
【発明の効果】
本発明は、高周波通信に対応する優れた誘電特性を有し、耐吸湿性、機械物性や耐熱性等に優れた性質を有する絶縁膜を、フォトプロセスにより安定して効率的に形成することを可能とし、こうして形成された絶縁層を有する回路付サスペンション基板を提供することを可能とした。