(57)【要約】【課題】ヘーズの無い、鉛に富むＰＺＴフィルムの製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の実施形態は、ヘーズの無い、純粋相のＰＺＴ層３の製造方法であり、鉛に富むＰＺＴフィルム１０２が、純粋相の化学量論的なＰＺＴフィルム１０１の上に形成される。【選択図】図２
2004235645.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上にフロントエンド構造を形成すること、
前記フロントエンド構造の上に底部電極を形成すること、
前記底部電極の上に純粋相の化学量論的なＰＺＴフィルムを形成すること、
前記純粋相の化学量論的なＰＺＴフィルムの上に鉛に富むＰＺＴフィルムを形成することとを含む、半導体ウェーハ上にＰＺＴの層を製造する方法。
【請求項２】
半導体基板の上にフロントエンド構造を形成すること、
前記フロントエンド構造の上に底部電極を形成すること、
前記底部電極の上に純粋相の化学量論的なＰＺＴフィルムを形成すること、
前記純粋相の化学量論的なＰＺＴフィルムの上に鉛に富むＰＺＴフィルムを形成することとを含む、半導体基板上に配置されたＰＺＴの層を含む電子デバイスを製造する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、「ヘーズの無いＰＺＴフィルムの製造方法（Ｍｅｔｈｏｄ  ｏｆ  Ｍａｋｉｎｇ  ａ  Ｈａｚｅ  Ｆｒｅｅ  ＰＺＴ  Ｆｉｌｍ）」の名称で、本出願と同じ日に出願された、出願シリアル番号ｘｘ／ｘｘｘ，ｘｘｘ（弁理士事件整理番号ＴＩ−３４７８４）に関する。この項の記載によって、この発明出願は本発明に関する先行技術とは認められない。
【背景技術】
【０００２】
強誘電体キャパシタのＰＺＴキャパシタ誘電体層の堆積中に、ＰｂＯが堆積チャンバーの壁に堆積する。その後、ＰｂＯ堆積物は堆積チャンバー壁から剥離し、チャンバーに収容されている半導体ウェーハに固着する。このウェーハ上へのＰｂＯの堆積によってＰＺＴ層にヘーズ（粗さ）が生じる。ヘーズは望ましくなく、強誘電体キャパシタの特性を悪化させる。本発明はヘーズの無い、鉛に富むＰＺＴ半導体ウェーハ層の製造に関する。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本発明を添付の図面を参照して説明するが、同じ参照番号は全図面を通じて同じ要素又は同等の要素を指すために用いられている。図面は尺度をもって描かれておらず、当該発明を説明するためだけに提供される。本発明のいくつかの態様は説明のための実施例を参照して以下に説明される。多くの具体的な詳細、関係、方法は、本発明の完全な理解を提供するために記載することを理解されたい。しかし、関連分野の当業者であれば、本発明が１つ又は複数の具体的な詳細によらず他の方法によって実施できることを容易に理解するであろう。その外、よく知られた構造もしくは操作は、本発明が曖昧になることを避けるために詳細には示していない。
【発明を実施するための形態】
【０００４】
図面を参照すれば、図１は本発明によるヘーズの無い純粋相のＰＺＴ層３を有する半導体ウェーハ２の一部の断面図を示している。より詳細には、図１は部分的に製造されたＦｅＲＡＭ（強誘電体メモリー）アレー及び周辺部（ロジックチップの残りの大部分を含む）を示す。最適な実施態様では、ＦｅＲＡＭモジュールは、標準ロジックのフロントエンドと終端の間に位置する。トランジスタロジックはウェーハ（基板に最も近い）のフロントエンド部の中に含まれる。メモリーモジュールは不揮発性メモリーを含む。電気信号と電力をデバイス全体に動かすために使用されるデバイスの相互接続及び金属線は、ウェーハのバックエンド部に含まれる。（本明細書に記載された）ＦｅＲＡＭモジュールの中に位置するＰＺＴフィルムを形成するプロセスの最適の態様以外に、強誘電体メモリーデバイスを作る加工ステップは、特許出願シリアル番号第０９／７０２，９８５（００年１０月３１日出願のＴＩ事件整理番号第ＴＩ−２９９７０）の、一般に譲渡された特許／特許出願に記載されており、これは本明細書に参照として組み込まれており、この項の記載により本発明に関する先行技術であるとは認められない。
【０００５】
単一のキャパシタメモリーセル（“１Ｔ／１Ｃ”もしくは“１Ｃ”メモリーセルと呼ばれる）は１個のトランジスタと１個の記憶キャパシタを有する。記憶キャパシタの底部電極はトランジスタのドレンに接続されている。図１に示したこの実施例では、ＦｅＲＡＭメモリーモジュールはフロントエンドモジュールとバックエンドモジュールの間に位置する。しかし、ＦｅＲＡＭメモリーモジュールの他の配置は本発明の範囲内である。例えば、ＦｅＲＡＭモジュールは第１レベルのメタライゼーション６の上、又はバックエンドモジュール７の終端の近くに配置することができる。さらに、単一キャパシタメモリーセルの代わりに、二重キャパシタメモリーセル（２個のトランジスタと２個の強誘電体キャパシタを含む）を含むＦｅＲＡＭを有することは本発明の範囲内である。
【０００６】
ＦｅＲＡＭメモリーモジュールは多数のＦｅＲＡＭメモリーセルを含む。強誘電体メモリーセルに含まれる強誘電体キャパシタは、チタン酸ジルコン酸鉛（その化学式（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3）に基づいて“ＰＺＴ”と呼ばれる）など、底部電極４と頂部電極５の間に位置してキャパシタ誘電体３として機能する強誘電体材料からなる。最適な実施態様では、底部電極４はイリジウム、酸化イリジウム、又はそのスタックからなる。同様に、頂部電極５はイリジウム、酸化イリジウム、又はそのスタックからなる。
【０００７】
図２と３を参照すれば、フロントエンドモジュールの形成（ステップ２０２）後、コンタクト９（フロントエンドモジュールに含まれる基板とゲートに接続される）の上に形成された（ステップ２０４）バリア層８がある。導電性バリア８は、ＴｉＡｌＮの反応性スパッタ堆積によって形成することができるが、しかし、他の堆積技術もしくはバリア材料を使用することができる。例えばバリア材料としてＴｉＡｌＮを使用する代わりに、ＴｉＡｌＯＮ、ＴｉＯ、又はこれら３種の材料を任意に組み合わせたスタックを使用することができる。
【０００８】
次に、底部電極４がバリア層８の上に形成される（ステップ２０６）。底部電極４は、Ｉｒのスパッタ堆積（不活性ガスとしてＡｒを使用するが、他の不活性ガスを使用することができる）によって形成される。逆に、底部電極４はＩｒＯxの反応性スパッタ堆積によって形成することができる（混合ガスとして（Ａｒ＋Ｏ2）を使用するが、Ａｒ以外の不活性ガスを混合ガスに使用することができる）。しかし、底部電極４を形成するのに、化学気相成長などの他の堆積技術を用いることができる。さらに、底部電極にＰｔ、Ｐｄ、ＰｄＯx、Ａｕ、Ｒｕ、ＲｕＯx、ＲｈもしくはＲｈＯxなどの他の材料を使用することができる。
【０００９】
製造プロセス中の次のステップは、キャパシタ誘電体ＰＺＴ層３を底部電極４の上に堆積することである。最適な実施態様では、この堆積プロセスの間に形成されたＰＺＴ層３は、２層のＰＺＴフィルム、いわゆる化学量論的なフィルム１０１及び鉛に富むフィルム１０２を有する。本発明によれば、ここで化学量論的なＰＺＴフィルム１０１が底部電極４の上に形成される（ステップ２０８）。最適な実施態様では、化学量論的なフィルム１０１は金属有機化学気相成長（“ＭＯＣＶＤ”）と呼ばれる堆積技術によって形成される。ＭＯＣＶＤ堆積プロセスは、Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3フィルムを作るために半導体ウェーハを収容する堆積チャンバー内にＰｂＯ＋ＺｒＯ2＋ＴｉＯ2を送達することを含む。一例として、ＭＯＣＶＤは、ＡＭＡＴ（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）によって製造されているＣｅｎｔｕｒａなどの装置を用いて実施することができる。しかし、化学溶液堆積（ゾル−ゲルもしくは金属有機分解）などの他の技術を用いることができる。さらに、実施例では、Ｔｉに対するＺｒの比は２０／８０であるが、別法として、電子デバイスによっては、純粋のＰｂＴｉＯ3を使用することができ（切り替えられた分極を最大化するために）、あるいはＰｂＺｒＯ3を使用することができる。
【００１０】
最適な実施態様では、ＰＺＴフィルム１０１のＭＯＣＶＤ堆積プロセスは、ウェーハ温度約６００℃、堆積圧力８トル、前躯体流量２００ｍｇ／ｍｉｎ、堆積速度１４０Å／ｍｉｎで行われる。しかし、これらのパラメータの変化は本発明の範囲内である。例えば、ウェーハ温度は７００℃以下の任意の温度、圧力は２トル以上の任意の圧力、前躯体流量は１００ｍｇ／ｍｉｎ以上の任意の流量、堆積速度は８０Å／ｍｉｎ以上の任意の速度であることができる。この最適の実施態様では、ＡｒもしくはＨｅキャリアガスが、それらをＯ2などの酸化剤と混合するシャワーヘッドを経由して、反応チャンバーに前躯体を送達するのに使用される。しかし、Ｎ2Ｏ又はＯ3を酸化剤として使用することができる。
【００１１】
本発明によれば、このプロセスで作られたＰＺＴフィルム１０１は、化学量論的である（すなわち、ヘーズが無く、純粋な相）。フィルムのＰｂ含有量は、Ｐｂ0.98（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3からＰｂ1.0（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3であることができる。フィルム１０１は一般に５０〜１００Åである。しかし、５０〜１４００Åの間で任意の厚さの化学量論的フィルム１０１を有することは本発明の範囲内である。さらに、ＰＺＴフィルム１０１は５％までのドナードープ剤でドープすることができる。ドナードープ剤は点欠陥集中を抑制し、ＰＺＴの信頼性を向上させる。
【００１２】
さらに本発明により、ここで、鉛に富むＰＺＴのフィルム１０２が、ヘーズの無い純粋相のＰＺＴフィルム１０１の上に形成される（ステップ２１０）。また、最適な実施態様では、鉛に富むフィルム１０２もＭＯＣＶＤによって形成することができる。しかし、化学溶液堆積（ゾル−ゲルもしくは金属有機分解）などの他の技術も用いることができる。
【００１３】
鉛に富むフィルム１０２のＭＯＣＶＤ堆積プロセスは、半導体ウェーハ２を収容する堆積チャンバー内にＰｂＯ＋ＺｒＯ2＋ＴｉＯ2を送達することを含む。実施例では、Ｔｉに対するＺｒの比は２０／８０であるが、別法として、電子デバイスによっては、純粋なＰｂＴｉＯ3を使用することができ（切り替えられた分極を最大化するために）、又はＰｂＺｒＯ3を使用することができる。Ｐｂの含有量はＰｂ1.02（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3であるが、しかしＰｂの量は１〜１．０２の範囲であることができる。さらに、鉛に富むＰＺＴフィルム１０２は５％までのドナードープ剤でドープすることができる。ドナードープ剤は点欠陥集中を抑制し、ＰＺＴの信頼性を向上させる。
【００１４】
最適な実施態様では、ＰＺＴフィルム１０２のＭＯＣＶＤ堆積プロセスは、ウェーハ温度約６００℃、堆積圧力８トル、前躯体流量２００ｍｇ／ｍｉｎ、堆積速度１４０Å／ｍｉｎで行われる。しかし、これらのパラメータの変化は本発明の範囲内である。例えば、ウェーハ温度は７００℃以下の任意の温度、圧力は２トル以上の任意の圧力、前躯体流量は１００ｍｇ／ｍｉｎ以上の任意の流量、堆積速度は８０Å／ｍｉｎ以上の任意の速度であることができる。この最適の実施態様では、ＡｒもしくはＨｅキャリアガスが、それらをＯ2などの酸化剤と混合するシャワーヘッドを経由して、反応チャンバーに前躯体を送達するのに使用される。しかし、Ｎ2Ｏ又はＯ3を酸化剤として使用することができる。
【００１５】
このプロセスによって作られたＰＺＴ層１０２は鉛に富む。しかし、それがペロブスカイト（ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ）フィルム１０１の頂部に堆積されたので、それもまたヘーズが無く純粋な相である。フィルム１０２は一般に厚さ６００〜６５０Åである（一例として、ＰＺＴ層３が７００Åであり、化学量論的なフィルム１０１が５０Åであれば、鉛に富むフィルム１０２は６５０Åである）。しかし、０〜１４００Åの間の任意の厚さの鉛に富むＰＺＴフィルム１０２を有することは本発明の範囲内である。
【００１６】
化学量論的なフィルム１０１及び鉛に富むＰＺＴフィルム１０２は共に、鉛に富む強誘電体キャパシタ誘電体層３を含む。鉛含有率の高いキャパシタ誘電体層３を作るために、上記の発明技術の任意の組み合わせを用いることは本発明の範囲内である。例えば、鉛に富む誘電体層３は、２層フィルム構造のみを使用して作ることができ、堆積圧力を高めて（すなわち、２トルから４トルに変える）製造した２層フィルム構造を使用して作ることができ、前躯体の流量を増加させて（すなわち、１００ｍｇ／ｍｉｎから２００ｍｇ／ｍｉｎに変える）製造した２層フィルム構造を使用して作ることができる。高鉛含有のＰＺＴ誘電体層３は、強誘電体キャパシタに望ましい耐久性と丈夫さ、及び信頼性をもたらす。さらに、本発明によって形成されたヘーズの無い純粋相のＰＺＴフィルム３は、より低い動作電圧で動作し、したがって電子デバイスの電力消費が低減する。
【００１７】
次に、頂部電極５がキャパシタ誘電体層３の上に形成される（ステップ２１２）。実施例では、頂部電極５はＩｒのスパッタ堆積（不活性ガスとしてＡｒを使用するが、他の不活性ガスを使用することができる）によって形成される。逆に、頂部電極５はＩｒＯxの反応性スパッタ堆積（混合ガスとして（Ａｒ＋Ｏ2）を用いるが、Ａｒ以外のガスを混合ガスに使用することができる）によって形成することができる。しかし、化学気相成長などの他の堆積技術を頂部電極５の形成に用いることができる。さらに、頂部電極５には、Ｐｔ、Ｐｄ、ＰｄＯx、Ａｕ、Ｒｕ、ＲｕＯx、ＲｈもしくはＲｈＯxなどの他の材料を使用することができる。
【００１８】
次に、キャパシタスタック全体（バリア８、底部電極４、キャパシタ誘電体３、頂部電極５からなる）をパターン形成し、エッチングし、洗浄して最終強誘電体キャパシタ構造が形成される（ステップ２１４）。最後に、ＦｅＲＡＭモジュール及びバックエンドモジュールの完成を含んで、最終電子デバイス構造の形成（ステップ２１６）が続く。
【００１９】
上記の発明へ種々の修正を加えることは特許請求する発明の範囲内である。一例として、当該発明は、孤立型ＦｅＲＡＭデバイス、又は本明細書に記載したものよりも多くの他のデバイス機能を有する、半導体チップに集積されたＦｅＲＡＭデバイスの製造に用いることができる。さらに、底部電極４をバリア層８の上に形成する代わりに、底部電極４はフロントエンドモジュールの上に直接形成することができる。この発明の説明は平面キャパシタの形成に焦点を合わせているが、同じ発明のプロセスで、ポストもしくはカップ構造を用いる三次元キャパシタを製造することができる。さらに、本発明は、異なる井戸及び基板技術、トランジスタ構成、及び金属コネクタ材料もしくは構成を有する半導体ウェーハに使用可能である。さらに、本発明は、ＢｉＣＭＯＳ、バイポーラ、ＳＯＩ、ひずみシリコン、ピロ電気センサー、光電気デバイス、マイクロ電子機械システム（“ＭＥＭＳ”）、ＳｉＧｅなどの他の半導体技術に使用可能である。
【００２０】
本発明の種々の実施形態を上記で説明したが、それらは例示するだけであり、制限するものではない。本発明の精神又は範囲を逸脱することなく、開示した実施形態への多くの変更を、本明細書の開示によって加えることができる。したがって、本発明の幅及び範囲は、上記のいかなる実施形態にも制限されない。本発明の範囲は以下の請求項及び同等事項によって明確にされるべきである。
以上の説明に関して更に以下の項を開示する。
（１）半導体基板の上にフロントエンド構造を形成すること、
前記フロントエンド構造の上に底部電極を形成すること、
前記底部電極の上に純粋相の化学量論的なＰＺＴフィルムを形成すること、
前記純粋相の化学量論的なＰＺＴフィルムの上に鉛に富むＰＺＴフィルムを形成することとを含む、半導体ウェーハ上にＰＺＴの層を製造する方法。
（２）前記純粋相の化学量論的ＰＺＴフィルムの厚さが、前記鉛に富むＰＺＴフィルムの厚さよりも薄い第１項記載の方法。
（３）前記純粋相の化学量論的ＰＺＴフィルムが、前記ＰＺＴ層の総厚さよりも薄い厚さを有する第１項記載の方法。
（４）前記鉛に富むＰＺＴフィルムが、前記ＰＺＴ層の総厚さよりも薄い厚さを有する第１項記載の方法。
（５）前記純粋相の化学量論的ＰＺＴフィルムが、ＭＯＣＶＤによって堆積される第１項記載の方法。
（６）前記鉛に富むＰＺＴフィルムが、ＭＯＣＶＤによって堆積される第１項記載の方法。
（７）前記鉛に富むＰＺＴフィルムが、前記純粋相の化学量論的ＰＺＴフィルムのＰｂ濃度よりも高いＰｂ濃度を有する第１項記載の方法。
（８）前記純粋相の化学量論的ＰＺＴフィルムが、２トル又はそれ以上の堆積圧力で形成される第１項記載の方法。
（９）前記鉛に富むＰＺＴフィルムが、２トル又はそれ以上の堆積圧力の下で形成される第１項記載の方法。
（１０）前記純粋相の化学量論的ＰＺＴフィルムが、少なくとも８０Å／分の堆積速度で形成される第１項記載の方法。
（１１）前記鉛に富むＰＺＴフィルムが、少なくとも８０Å／分の堆積速度で形成される第１項記載の方法。
（１２）前記純粋相の化学量論的ＰＺＴフィルムが、１００ｍｇ／分又はそれ以上の前躯体流量を用いて形成される第１項記載の方法。
（１３）前記鉛に富むＰＺＴフィルムが、１００ｍｇ／分又はそれ以上の前躯体流量を用いて形成される第１項記載の方法。
（１４）強誘電体キャパシタが、前記ＰＺＴ層の上に頂部電極をさらに形成することによって製造される第１項記載の方法。
（１５）前記底部電極が、Ｉｒ、ＩｒＯx、又はそのスタックからなる群から選択される材料から構成される第１項記載の方法。
（１６）前記頂部電極が、Ｉｒ、ＩｒＯx、又はそのスタックからなる群から選択される材料から構成される第１４項記載の方法。
（１７）前記化学量論的ＰＺＴフィルムがＰｂＺｒＯ3であることのできる第１項記載の方法。
（１８）前記化学量論的ＰＺＴフィルムがＰｂＴｉＯ3であることのできる第１項記載の方法。
（１９）前記化学量論的ＰＺＴフィルムが、成分末端分子ＰｂＺｒＯ3及びＰｂＴｉＯ3の固溶体である第１項記載の方法。
（２０）前記化学量論的ＰＺＴフィルムが、Ｌａ又はＮｂのいずれかで５％までドープされる第１項記載の方法。
（２１）前記鉛に富むＰＺＴフィルムが、ＰｂＺｒＯ3であることのできる第１項記載の方法。
（２２）前記鉛に富むＰＺＴフィルムが、ＰｂＴｉＯ3であることのできる第１項記載の方法。
（２３）前記鉛に富むＰＺＴフィルムが、成分末端分子ＰｂＺｒＯ3及びＰｂＴｉＯ3の固溶体である第１項記載の方法。
（２４）前記鉛に富むＰＺＴフィルムが、Ｌａ又はＮｂのいずれかで５％までドープされる第１項記載の方法。
（２５）半導体基板の上にフロントエンド構造を形成すること、
前記フロントエンド構造の上に底部電極を形成すること、
前記底部電極の上に純粋相の化学量論的なＰＺＴフィルムを形成すること、
前記純粋相の化学量論的なＰＺＴフィルムの上に鉛に富むＰＺＴフィルムを形成することとを含む、半導体基板上に配置されたＰＺＴの層を含む電子デバイスを製造する方法。
（２６）前記純粋相の化学量論的ＰＺＴフィルムの厚さが、前記鉛に富むＰＺＴフィルムの厚さよりも薄い第２５項記載の方法。
（２７）前記純粋相の化学量論的ＰＺＴフィルムが、前記ＰＺＴ層の総厚さよりも薄い厚さを有する第２５項記載の方法。
（２８）前記鉛に富むＰＺＴフィルムが、前記ＰＺＴ層の総厚さよりも薄い厚さを有する第２５項記載の方法。
（２９）前記純粋相の化学量論的ＰＺＴフィルムが、ＭＯＣＶＤによって堆積される第２５項記載の方法。
（３０）前記鉛に富むＰＺＴフィルムが、ＭＯＣＶＤによって堆積される第２５項記載の方法。
（３１）前記鉛に富むＰＺＴフィルムが、前記純粋相の化学量論的ＰＺＴフィルムのＰｂ濃度よりも高いＰｂ濃度を有する第２５項記載の方法。
（３２）前記純粋相の化学量論的ＰＺＴフィルムが、２トル又はそれ以上の堆積圧力で形成される第２５項記載の方法。
（３３）前記鉛に富むＰＺＴフィルムが、２トル又はそれ以上の堆積圧力の下で形成される第２５項記載の方法。
（３４）前記純粋相の化学量論的ＰＺＴフィルムが、少なくとも８０Å／分の堆積速度で形成される第２５項記載の方法。
（３５）前記鉛に富むＰＺＴフィルムが、少なくとも８０Å／分の堆積速度で形成される第２５項記載の方法。
（３６）前記純粋相の化学量論的ＰＺＴフィルムが、１００ｍｇ／分又はそれ以上の前躯体流量を用いて形成される第２５項記載の方法。
（３７）前記鉛に富むＰＺＴフィルムが、１００ｍｇ／分又はそれ以上の前躯体流量を用いて形成される第２５項記載の方法。
（３８）強誘電体キャパシタが、前記ＰＺＴ層の上に頂部電極をさらに形成することによって製造される第２５項記載の方法。
（３９）前記底部電極が、Ｉｒ、ＩｒＯx、又はそのスタックからなる群から選択される材料から構成される第２５項記載の方法。
（４０）前記頂部電極が、Ｉｒ、ＩｒＯx、又はそのスタックからなる群から選択される材料から構成される第３８項記載の方法。
（４１）前記化学量論的ＰＺＴフィルムがＰｂＺｒＯ3であることのできる第２５項記載の方法。
（４２）前記化学量論的ＰＺＴフィルムがＰｂＴｉＯ3であることのできる第２５項記載の方法。
（４３）前記化学量論的ＰＺＴフィルムが、成分末端分子ＰｂＺｒＯ3及びＰｂＴｉＯ3の固溶体である第２５項記載の方法。
（４４）前記化学量論的ＰＺＴフィルムが、Ｌａ又はＮｂのいずれかで５％までドープされる第２５項記載の方法。
（４５）前記鉛に富むＰＺＴフィルムが、ＰｂＺｒＯ3であることのできる第２５項記載の方法。
（４６）前記鉛に富むＰＺＴフィルムが、ＰｂＴｉＯ3であることのできる第２５項記載の方法。
（４７）前記鉛に富むＰＺＴフィルムが、成分末端分子ＰｂＺｒＯ3及びＰｂＴｉＯ3の固溶体である第２５項記載の方法。
（４８）前記鉛に富むＰＺＴフィルムが、Ｌａ又はＮｂのいずれかで５％までドープされる第２５項記載の方法。
（４９）第１項によって調製されたヘーズの無いＰＺＴ層。
（５０）第２５項によって調製されたヘーズの無いＰＺＴ層。
（５１）本発明の実施形態は、ヘーズの無い、純粋相のＰＺＴ層３の製造方法であり、鉛に富むＰＺＴフィルム１０２が、純粋相の化学量論的なＰＺＴフィルム１０１の上に形成される。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】ＰＺＴフィルムを有する半導体ウェーハの断面図である。
【図２】本発明のプロセスフローを示すフロー図である。
【図３】本発明によって製造される強誘電体メモリーデバイスの部分的に製造された断面図である。
【符号の説明】
【００２２】
２  半導体ウェーハ
３  ＰＺＴ層
４  底部電極
５  頂部電極
６  メタライゼーション
７  バックエンドモジュール
８  バリア層
９  コンタクト
１０１  化学量論的なフィルム
１０２  鉛に富むフィルム
【図１】
2004235645.tif 000003
【図２】
2004235645.tif 000004
【図３】
2004235645.tif 000005