(57)【要約】【課題】高さの揃った突起電極を得ることができる簡便な方法を提供する。【解決手段】治具１の研磨面１１と半導体チップ２の電極形成面２２を、所定間隔ｈで対向させて、間隔保持部材４によりこの間隔ｈを保持する。この状態で、所定のメッキ液に所定時間浸漬することにより無電解ニッケルを行い、各電極２１上にニッケルを研磨面１１に至るまで析出させる。治具１と半導体チップ２との間隔ｈと同じ高さで、半導体チップ２の各電極２１上に突起電極３が形成される。【選択図】      図１
2004349555.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップまたは半導体チップに切り出される前の半導体ウエハの電極上に、無電解メッキ法により突起電極を形成する方法において、
前記半導体チップまたは半導体ウエハの電極形成面と対向させる対向面を有する治具を用い、この治具の前記対向面と前記半導体チップまたは半導体ウエハの電極形成面とを所定間隔で対向させ、その間隔を保持した状態で無電解メッキを行うことにより、前記電極上に金属を前記対向面に至るまで析出させることを特徴とする突起電極の形成方法。
【請求項２】
前記治具として、高さの異なる複数の突起電極に対応させた複数の面が前記対向面に形成されているものを使用し、前記金属の析出を前記複数の面に至るまで行う請求項１記載の突起電極の形成方法。
【請求項３】
前記治具として、突起電極の端面形状に対応させた形状の凹面が前記対向面に形成されているものを使用し、前記金属の析出を前記凹面に至るまで行う請求項１記載の突起電極の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップまたは半導体チップに切り出される前の半導体ウエハの電極上に、無電解メッキ法により突起電極を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体チップを基板上に取り付けて電気的に接続する方法として、従来より「バンプ」と称される突起状電極を用いた方法が行われている。この方法では、半導体チップ上に複数の電極（ボンディングパッド）を形成するとともに、これに対応する複数の電極を基板側（基板またはリード等）に形成する。そして、いずれかの電極上にバンプを形成した後、両電極間の位置を合わせてバンプを熱圧着する。これにより、両電極間がバンプにより接着固定されて、電気的に接続される。
【０００３】
この突起電極の形成方法としては、例えば、半導体チップのボンディングパッド形成面に、バンプ形成用の孔を有する絶縁層を形成し、前記孔のボンディングパッド露出面上にメッキにより金属を析出させる方法が挙げられる。しかしながら、この方法で突起電極を形成すると、半導体チップの面内で突起電極の高さにバラツキが生じるという問題点がある。
【０００４】
この問題点を解決する方法として、下記の特許文献１には、半田金属でバンプを形成した後、半田リフロー処理をし、さらに上方から機械的圧力を加えてバンプの上面を平坦にして高さを揃えることが記載されている。
なお、下記の特許文献２には、半導体チップの電極上に、無電解メッキ法により突起電極を形成する方法が記載されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開平２−１７４２３２号公報
【特許文献２】
特開平２−６６９５３号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献１に記載された方法は、半田バンプを形成した後に、半田リフロー処理工程および機械的圧力を加える工程を行うため、手間がかかるという問題点がある。
本発明は、上記特許文献１に記載された方法よりも簡便な方法で、高さの揃った突起電極を得ることができる方法を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、半導体チップまたは半導体チップに切り出される前の半導体ウエハの電極上に、無電解メッキ法により突起電極を形成する方法において、前記半導体チップまたは半導体ウエハの電極形成面と対向させる対向面を有する治具を用い、この治具の前記対向面と前記半導体チップまたは半導体ウエハの電極形成面とを所定間隔で対向させ、その間隔を保持した状態で無電解メッキを行うことにより、前記電極上に金属を前記対向面に至るまで析出させることを特徴とする突起電極の形成方法を提供する。
【０００８】
本発明の方法によれば、前記間隔を突起電極の高さに合わせることにより、高さの揃った突起電極を得ることができる。また、この方法は、上記特許文献１に記載された方法よりも簡便な方法である。
本発明の方法においては、前記治具として、高さの異なる複数の突起電極に対応させた複数の面が前記対向面に形成されているものを使用し、前記金属の析出を前記複数の面に至るまで行うことにより、高さの異なる複数の突起電極を容易に形成することができる。
【０００９】
本発明の方法においては、前記治具として、突起電極の端面形状に対応させた形状の凹面が前記対向面に形成されているものを使用し、前記金属の析出を前記凹面に至るまで行うことにより、平面以外の形状の端面を有する突起電極を容易に形成することができる。前記「突起電極の端面」とは、半導体チップまたは半導体ウエハの電極上に形成された突起電極の上面、すなわち、半導体チップまたは半導体ウエハの電極側とは反対側の面を指す。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
図１は、本発明の突起電極の形成方法の一例（一実施形態）を説明するための断面図である。
この実施形態では、ガラス製の治具１を使用して、半導体チップ２の電極２１上に、無電解メッキ法により突起電極３を形成している。この治具１は、所定厚さで平滑な研磨面１１を有するガラス板を、半導体チップ２と同じ長方形に切り出すことにより得た。治具１として使用するガラス板としては、例えば、石英ガラスからなる厚さが１．６〜５．５ｍｍの板状体が挙げられる。
【００１１】
先ず、図１（ａ）に示すように、この治具１の研磨面１１と半導体チップ２の電極形成面２２を所定間隔ｈで対向させて、間隔保持部材４によりこの間隔ｈを保持した。
次に、この状態で、所定のメッキ液に所定時間浸漬することにより無電解ニッケルを行い、各電極２１上にニッケルを研磨面（治具１の半導体チップ２に対する対向面）１１に至るまで析出させた。図１（ｂ）はこの状態を示す。
【００１２】
次に、間隔保持部材４を外してから、治具１を外した。その結果、図１（ｃ）に示すように、治具１と半導体チップ２との間隔ｈと同じ高さで、半導体チップ２の各電極２１上に突起電極３が形成された。すなわち、この実施形態の方法では、高さの揃った突起電極３を容易に得ることができる。
図２は、本発明の突起電極の形成方法の別の例（一実施形態）を説明するための断面図である。
【００１３】
この実施形態では、ガラス製の治具１Ａを使用して、半導体チップ２の電極２１上に、無電解メッキ法により突起電極３を形成している。
この治具１Ａは、所定厚さで平滑な研磨面１１を有するガラス板を半導体チップ２と同じ長方形に切り出した後、研磨面１１の所定位置に凹部１１１，１１２を形成することにより得た。凹部１１１は、研磨面１１より全体が同じ深さだけ凹んでいて、研磨面１１と平行な面１１１ａを有する。凹部１１２は研磨面１１から所定深さで鋸歯状に凹んでいる。これらの凹部１１１，１１２は、フッ酸（フッ化水素酸）を用いたエッチング処理により形成できる。
【００１４】
すなわち、この治具１Ａの半導体チップ２に対する対向面には、高さの異なる突起電極３１，３２に対応させた複数の面（研磨面１１と凹部１１１の面１１１ａ）と、突起電極３３の端面形状に対応させた形状の凹面（凹部１１２）が形成されている。
先ず、図２（ａ）に示すように、この治具１の研磨面１１と半導体チップ２の電極形成面２２を所定間隔ｈ１で対向させて、間隔保持部材４によりこの間隔ｈ１を保持した。この状態で、凹部１１１の面１１１ａと半導体チップ２の電極形成面２２との間隔ｈ２は、前記間隔ｈ１より大きくなっている。また、凹部１１２の最も深い位置と半導体チップ２の電極形成面２２との間隔ｈ３は、前記間隔ｈ１より大きくなっている。
【００１５】
次に、この状態で、所定のメッキ液に所定時間浸漬することにより無電解ニッケルを行い、各電極２１（２１ａ〜２１ｃ）上にニッケルを凹部１１２の最も深い位置に至るまで析出させた。図２（ｂ）はこの状態を示す。
次に、間隔保持部材４を外してから、治具１Ａを外した。その結果、図２（ｃ）に示すように、半導体チップ２の電極２１ａ上には、治具１Ａの研磨面１１と半導体チップ２の電極形成面２２との間隔ｈ１と同じ高さで、突起電極３１が形成された。
【００１６】
また、半導体チップ２の電極２１ｂ上には、治具１Ａの面１１１ａと半導体チップ２の電極形成面２２との間隔ｈ２と同じ高さで、突起電極３２が形成された。さらに、半導体チップ２の電極２１ｃ上には、断面が鋸歯状で端面が凹凸形状である突起電極３３が形成された。この突起電極の最も高い部分の高さは間隔ｈ３と同じ高さであった。
【００１７】
すなわち、この実施形態の方法では、高さの異なる突起電極３１，３２が容易に形成できるとともに、平面以外の形状の端面を有する突起電極３３が容易に形成できる。
なお、上記各実施形態では、突起電極３の形成を、半導体ウエハから切り出された半導体チップ２の電極２１に対して行っているが、切り出す前に半導体ウエハの状態で全半導体チップの電極に対してまとめて行ってもよい。
【００１８】
また、上記各実施形態では、治具としてガラス板（ガラス製の板状体）を使用しているが、ガラス製の治具に限定されず、例えばプラスチック製の治具であってもよい。例えば、端面が複雑な形状の突起電極を形成するための治具は、プラスチックの射出成形法等により容易に作製することが作製できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】突起電極の形成方法の一例（一実施形態）を説明する断面図。
【図２】突起電極の形成方法の別の例（一実施形態）を説明する断面図。
【符号の説明】
１，１Ａ…治具、１１…研磨面（対向面）、１１１…凹部、１１１ａ…高い突起電極用の面、１１２…凹部（突起電極の端面形状に対応させた凹面）、２…半導体チップ、２１…電極、２２…電極形成面、３，３１，３２，３３…突起状電極、４…間隔保持部材。
【図１】
2004349555.tif 000003
【図２】
2004349555.tif 000004