(57)【要約】【課題】小型高安定で、高周波特性が改善された、製造が容易な電気接点開閉装置を提供すること。【解決手段】電気接点開閉装置はヒータによる加熱で膨張する気体で導電性流体を断続し、前記ヒータを備えた単一の第１の基板と、前記導電性流体と協働して高周波信号を伝送する前記電気パスのための複数の電極が形成される第２の基板と、前記第１、第２の基板により持された中間基板であって、前記導電性流体が前記第２の基板に沿って延在し且つ前記第１の基板から離隔して移動可能となるように前記導電性流体を収容すると共に、前記気体を収容する複数の通路を備えた中間基板とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
気体と導電性流体とが密封された密封空間内で、ヒータによる加熱で前記気体の体積を膨張させ前記導電性流体を移動させることで電気パスを変更することのできる導電性流体を用いた電気接点開閉装置において、
第１の面を備え前記ヒータを備えた単一の第１の基板と、
前記導電性流体と協働して高周波信号を伝送する前記電気パスのための複数の電極が形成される第２の面を備えた第２の基板と、
前記第１、第２の基板により前記第１の面と前記第２の面との間に挟持された中間基板であって、前記導電性流体が前記第２の面に沿って延在し且つ前記第１の面から離隔する位置で前記気体により移動可能となるように前記導電性流体を収容すると共に、前記気体を収容する複数の通路を備えた前記中間基板とを含むことを特徴とする電気接点開閉装置。
【請求項２】
前記第１の基板は、シリコン基板から成ることを特徴とする、請求項１に記載の電気接点開閉装置。
【請求項３】
前記第２の基板は、セラミック基板から成ることを特徴とする、請求項１に記載の電気接点開閉装置。
【請求項４】
前記第１の基板は、前記導電性流体から遠ざかるため前記第１の面の前記導電性流体に対向する部分に凹部を備えることを特徴とする、請求項１に記載の電気接点開閉装置。
【請求項５】
前記第１の基板は、前記第１の面の前記導電性流体に対向する部分に接地導体を備えることを特徴とする、請求項１に記載の電気接点開閉装置。
【請求項６】
前記通路は前記導電性流体が収納されるチャネルと該チャネルに接続されて前記気体が収納されるドライブチャネルとを含み該ドライブチャネルの内径は該チャネルの内径より小さいことを特徴とする、請求項１に記載の電気接点開閉装置。
【請求項７】
前記中間基板は、前記第１の基板側に位置する第４の基板と、前記第２の基板側に位置する第３の基板とを含み、前記通路は前記第４の基板に形成され、前記導電性流体は前記第３の基板に収容されることを特徴とする、請求項１に記載の電気接点開閉装置。
【請求項８】
前記通路は、前記第１の基板の前記ヒータに対向する比較的大きな容積の加熱室と、該加熱室から前記導電性流体にまで延びるドライブチャネルとを含むことを特徴とする、請求項７に記載の電気接点開閉装置。
【請求項９】
前記導電性流体は、前記第３の基板に設けられる前記ドライブチャネルより大口径のチャネル内に収容され、前記ドライブチャネルと前記チャネルとは互いに交差することを特徴とする、請求項８に記載の電気接点開閉装置。
【請求項１０】
前記第４の基板の前記導電性流体に隣接する面上の前記通路から外れた位置に、追加金属膜が形成されることを特徴とする、請求項８に記載の電気接点開閉装置。
【請求項１１】
前記第２の基板は、接地面を含むことを特徴とする、請求項１に記載の電気接点開閉装置。
【請求項１２】
前記中間基板は前記第１の基板より高周波損失が低いことを特徴とする、請求項１に記載の電気接点開閉装置。
【請求項１３】
気体と導電性流体とが密封された密封空間内で、ヒータによる加熱で前記気体の体積を膨張させ前記導電性流体を移動させることで電気パスを変更することのできる導電性流体を用いた電気接点開閉装置を製造する方法において、
第１の基板上に、前記ヒータを形成する工程と、
第２の基板上に、前記導電性流体と協働して高周波信号を伝送する前記電気パスにための複数の電極を形成する工程と、
第３の基板に、前記導電性流体を収容するチャネルを形成する工程と、
第４の基板に、前記チャネルへ前記気体を供給するドライブチャネルを形成する工程と、
前記第３の基板及び前記第４の基板、前記第４の基板と前記第１の基板、及び前記第３の基板と前記第２の基板が重なるようにして、前記第１の基板及び前記第２の基板の間に、前記第３の基板及び前記第４の基板が配置されるよう前記第１乃至第４の基板が組み立てられる工程とを有することを特徴とする電気接点開閉装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の基板は、シリコン基板から成ることを特徴とする、請求項１３に記載の電気接点開閉装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第２の基板は、セラミック基板から成ることを特徴とする、請求項１３に記載の電気接点開閉装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１の基板の前記導電性流体に対向する面に凹部を設ける工程を有することを特徴とする、請求項１３に記載の電気接点開閉装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１の基板の前記導電性流体に対向する面に接地導体を設ける工程を有することを特徴とする、請求項１３に記載の電気接点開閉装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第４の基板の前記導電性流体に隣接する面に前記電極と対向する追加金属膜を形成する工程を含むことを特徴とする、請求項１３に記載の電気接点開閉装置の製造方法。
【請求項１９】
前記チャネルの形成、及び前記ドライブチャネルの形成は、サンドブラストによる加工により実現されることを特徴とする、請求項１３に記載の電気接点開閉装置の製造方法。
【請求項２０】
前記チャネルの形成、及び前記ドライブチャネルの形成は、レーザーによる加工により実現されることを特徴とする、請求項１３に記載の電気接点開閉装置の製造方法。
【請求項２１】
前記第１乃至第４の基板は、複数の電気接点開閉装置を含むように重ね合わされて接着され、その後に切断することにより個々の電気接点開閉装置を形成する工程を含むことを特徴とする、請求項１３に記載の電気接点開閉装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気接点開閉装置の構造及びその製造方法に関し、特に高周波信号の伝送が可能である導電性流体を用いた電気接点開閉装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の代表的な小型の機械接点式リレーとして、リードリレーが挙げられる。リードリレーは、磁性合金からなる２枚のリードを微小なガラス容器内部に、不活性気体と共に封じ込めたリードスイッチを備えている。リードスイッチの周囲には、電磁駆動用のコイルが巻回され、２枚のリードは、ガラス容器内で、接触または非接触となるように配置されている。通常、この種のリードリレーは、非駆動状態では、コイルには電流が流されず、各リードの先端同士は排斥し合って非接触となり、駆動状態では、コイルに電流が流され、各リードの先端同士は吸引し合って接触する。
【０００３】
この種のリードリレーの問題は、寸法が大型であること、及び寿命が比較的短く動作の信頼性が低い点である。前者に関して、それが組み込まれる装置内で大きな体積を必要とすることに加えて、特に高周波信号を伝送する場合に十分な性能を持たせるための設計が困難である。また、後者に関して、リードリレーに使用されるリードが屈曲に伴う機械疲労を生じ、経年の使用により正常に動作しなくなることがあり、またロジウム、金等でめっき処理された銀、タングステン、ロジウム等からなる接点が磨耗を生じるからである。もっともリードリレーのうちで、ウェットリレーと呼ばれる、接点表面が水銀で被覆された型のものは接点の問題については改善されているが、機械疲労の問題は残ったままである。
【０００４】
これらの問題を解決する技術の一例として、後に示す特許文献１及び２に記載される水銀等の液体金属を利用した電気接点開閉装置が知られている。これらの技術によれば、電気接点開閉装置は更に小型化され、高周波信号に対応できる。また、特許文献１に示された構成によれば、各電極表面がチャネル内の気体に含まれる成分等により腐食を受け動作信頼性が低下することが懸念されるものの、特許文献２に示された構成によれば、水銀接点を利用することにより、長寿命化、高信頼性化が可能となる。更に、両者ともに、重力依存（姿勢依存）性が無い状態で液体金属を利用できるという利点を有する。
【０００５】
上述した電気開閉装置は、典型的には２枚の基板を接合して得られる。例えば、特許文献１に記載される如き電気接点開閉装置では、基板としてシリコンなどの半導体やガラスが提案され、また、特許文献２に記載される如き電気接点開閉装置では、基板としてガラス、シリコンなどの半導体、あるいはセラミックなどを利用することが指摘されている。
【０００６】
このような電気接点開閉装置において、基板としてシリコンもしくはガラスが用いられた場合にはエッチングなどの方法を利用してヒータをサスペンド（浮遊）状態にすることが可能である。サスペンドヒータとは、ヒータとなる材料層の下部、もしくはヒータ材料を支える薄い構造体層の下部が空洞状態にある形状を意味し、ヒータの平面的な形状としては特許文献１に記載されたラダー（複数の橋のような）形状、あるいは網目形状、ハニカム形状、また、平面的にはパターンを有しないメンブレン形状も含まれる。このようなサスペンドヒータの利点はガス（気体）を加熱する効率が高く、ヒータで発生した熱のほとんどがガスを加熱することに費やされることである。これは、サスペンド構造のためにヒータ面がガスに接触する表面積が大きく、且つ基板に伝導する経路であるところの構造体が基板に接触する部分が狭く薄いため、ガスに効率良く熱を伝えることができる一方で、基板への熱伝導はある程度抑えることができるからである。
【０００７】
【特許文献１】
特開平９−１６１６４０号公報（第４−７頁、第３図、第１１図）
【特許文献２】
特開２０００−１９５３８９号公報（第９−１１頁、第１−９図）
【０００８】
【発明の解決すべき課題】
サスペンドヒータを工業的に即ち低価格量産方式で実現するもっとも好適な方法は基板にシリコンを用いて、その表面に薄膜ヒータを形成し、異方性エッチングによりヒータ床面部分をエッチング除去してヒータ構造をサスペンド状態にするものである。ガラスを用いても可能であるが、ガラスの場合には等方性エッチングとなるので、床面の空洞部分の形状制御が難しいという欠点がある。その他、工業的に床面エッチングが可能な材料、例えば水晶やＧａＡｓでも同様のことが可能である。しかし、これらの材料については、現在のところ残念ながらフィルドビアやビアホールを含む多層基板技術が工業的に利用可能ではなく、表面配線のみの回路形成となってしまう。従って、これらの基板を用いた電気接点開閉装置によれば高周波特性には限界があり、また、フィルドビアを作成して、低い接続抵抗を実現するのは困難である。
【０００９】
一方で、基板としてセラミックを用いた場合には、工業用に広く用いられているセラミック多層基板の技術を用いることによって、接点電極をフィルドビア構造にすることが可能であり、この結果、低い接続抵抗と好適な高周波特性を実現することができる。しかし、セラミック上にサスペンドヒータを作成することは工業的には困難であり、セラミック上に直接薄膜ヒータなどを形成することになる。この場合にはヒータによる熱は、そのかなりの部分が直接基板に伝導してしまい、ガスを加熱する効率は低くなる。結果として低パワーで速いスイッチング動作が可能な電気接点開閉装置を実現するのは困難である。
【００１０】
そこで本発明は、閉時の接続抵抗が低く、且つ広帯域での減衰が小さく、更に、開閉に必要なパワーが少なくて済み、開閉の速度が速い小型の電気接点開閉装置を提供することを第１の目的とする。
【００１１】
更に、本発明は、製造容易で且つ量産に適した構成にして上述の第１の目的を達成することのできる電気接点開閉装置を提供することを第２の目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明では、気体と導電性流体とが密封された密封空間内で、ヒータによる加熱で前記気体の体積を膨張させ前記導電性流体を移動させることで電気パスを変更することのできる導電性流体を用いた電気接点開閉装置において、第１の面を備え前記ヒータを備えた単一の第１の基板と、前記導電性流体と協働して高周波信号を伝送する前記電気パスのための複数の電極が形成される第２の面を備えた第２の基板と、前記第１、第２の基板により前記第１の面と前記第２の面との間に挟持された中間基板であって、前記導電性流体が前記第２の面に沿って延在し且つ前記第１の面から離隔する位置で前記気体により移動可能となるように前記導電性流体を収容すると共に、前記気体を収容する複数の通路を備えた中間基板とを含む。
【００１３】
請求項２に係る発明では、請求項１に係る発明の前記第１の基板は、シリコン基板から成る。
【００１４】
請求項３に係る発明では、請求項１に係る発明の前記第２の基板は、セラミック基板から成る。
【００１５】
請求項４に係る発明では、請求項１に係る発明の前記第１の基板は、前記導電性流体から遠ざかるため前記第１の面の前記導電性流体に対向する部分に凹部を備える。
【００１６】
請求項５に係る発明では、請求項１に係る発明の前記第１の基板は、前記第１の面の前記導電性流体に対向する部分に接地導体を備える。
【００１７】
請求項６に係る発明では、請求項１に係る発明の前記通路は前記導電性流体が収納されるチャネルと該チャネルに接続されて前記気体が収納されるドライブチャネルとを含む。そして、該ドライブチャネルの内径は該チャネルの内径より小さく選択される。
【００１８】
請求項７に係る発明では、請求項１に係る発明の前記中間基板は、前記第１の基板側に位置する第４の基板と、前記第２の基板側に位置する第３の基板とを含み、前記通路は前記第４の基板に形成され、前記導電性流体は前記第３の基板に収容される。
【００１９】
請求項８に係る発明では、請求項１に係る発明の前記通路は、前記第１の基板の前記ヒータに対向する比較的大きな容積の加熱室と、該加熱室から前記導電性流体にまで延びるドライブチャネルとを含む。
【００２０】
請求項９に係る発明では、請求項１に係る発明の前記導電性流体は、前記第３の基板に設けられる前記ドライブチャネルより大口径のチャネル内に収容される。そして前記ドライブチャネルと前記チャネルとは互いに交差する。
【００２１】
請求項１０に係る発明では、請求項１に係る発明の前記第４の基板では、前記導電性流体に隣接する面上の前記通路から外れた位置に、追加金属膜が形成される。
【００２２】
請求項１１に係る発明では、請求項１に係る発明の前記第２の基板は、接地面を含む。
【００２３】
請求項１２に係る発明では、請求項１に係る発明の前記中間基板は前記第１の基板より高周波損失が低くなるように選択される。
【００２４】
請求項１３に係る発明では、気体と導電性流体とが密封された密封空間内で、ヒータによる加熱で前記気体の体積を膨張させ前記導電性流体を移動させることで電気パスを変更することのできる導電性流体を用いた電気接点開閉装置を製造する方法が、第１の基板上に、前記ヒータを形成する工程と、第２の基板上に、前記導電性流体と協働して高周波信号を伝送する前記電気パスのための複数の電極を形成する工程と、第３の基板に、前記導電性流体を収容するチャネルを形成する工程と、第４の基板に、前記チャネルへ前記気体を供給するドライブチャネルを形成する工程と、前記第３の基板及び前記第４の基板、前記第４の基板と前記第１の基板、及び前記第３の基板と前記第２の基板が重なるようにして、前記第１の基板及び前記第２の基板の間に、前記第３の基板及び前記第４の基板が配置されるよう前記第１乃至第４の基板が組み立てられる工程とを有する。
【００２５】
請求項１４に係る発明では、請求項１３に係る発明の前記第１の基板は、シリコン基板から成る。
【００２６】
請求項１５に係る発明では、請求項１３に係る発明の前記第２の基板は、セラミック基板から成る。
【００２７】
請求項１６に係る発明では、請求項１３に係る発明が前記第１の基板の前記導電性流体に対向する面に凹部を設ける工程を有する。
【００２８】
請求項１７に係る発明では、請求項１３に係る発明が前記第１の基板の前記導電性流体に対向する面に接地導体を設ける工程を有する。
【００２９】
請求項１８に係る発明では、請求項１３に係る発明が前記第４の基板の前記導電性流体に隣接する面に前記電極と対向する追加金属膜を形成する工程を含む。
【００３０】
請求項１９に係る発明では、請求項１３に係る発明において前記チャネルの形成、及び前記ドライブチャネルの形成は、サンドブラストによる加工により実現される。
請求項２０に係る発明では、請求項１３に係る発明において前記チャネルの形成、及び前記ドライブチャネルの形成は、レーザーによる加工により実現される。
【００３１】
請求項２１に係る発明では、請求項１３に係る発明において前記第１乃至第４の基板は、複数の電気接点開閉装置を含むように重ね合わされて接着され、その後に切断することにより個々の電気接点開閉装置を形成する工程を含む。
となる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照して本発明の好適実施形態となる電気接点開閉装置について詳細に説明する。
【００３３】
図１及び図２は、本発明の第１の実施形態となる電気接点開閉装置５０の構成を示す図であり、図２には平面図を示し、図１には図２中の線Ａ−Ａに沿う断面図を示す。電気接点開閉装置５０は、第１の基板１０、第２の基板２０、第３の基板３０、及び第４の基板４０の４種類の基板を含む。
図２は、後述のシリコン基板（第１の基板１０）側から、中間基板を構成する２枚のガラス基板（第３の基板３０と第４の基板４０）を透かして、セラミック多層基板（第２の基板２０）の表面を見たものである。シリコン基板１０上のパターンを細線と二点鎖線で、ガラス基板（第４の基板４０）のパターンを一点鎖線で、もう１つのガラス基板（第３の基板３０）のパターンを鎖線によって示し、（加熱室の一部となる）貫通孔、チャネル６１及びドライブチャネル６２，６３の形状、電極パターン等をそれぞれ示している。
なお、中間基板にセラミックを使用することもできる。
【００３４】
第１の基板１０は、シリコン基板１１を含み、後述の如く密封されたガス即ち気体を加熱するためのヒータであるサスペンドヒータ９１、９２と該サスペンドヒータ９１、９２が設けられる位置に凹部１２、１３を有する。シリコン基板１１は、サスペンドヒータ９１、９２の複数の電極部分がガラス基板３０、４０に形成されたそれぞれ複数の貫通孔４１，４２内に保持された導電性流体４４によって第２の多層基板２０のそれぞれの電極パッド７５に接続されることにより、電気的に第２の基板２０に結合される。このように第１乃至第４の基板１０、２０、３０、４０を利用した密封空間が電気接点開閉装置５０の内部に実現され、サスペンドヒータ９１、９２の加熱によって膨張する密封気体がチャネル６１内の導電性流体６の少なくとも一部を移動させ、スイッチ動作させることが可能となる。また、電極パッド７５は、フィルドビア７７、７８及び内層配線７９を経由して、第２の多層基板２０の裏面に形成される外部接続用電極７６に電気的に接続される。電極パッド７５はサスペンドヒータ９１、９２のそれぞれの四隅の電極に対応して全体で８個設けられ、各２個ずつ短絡接続された４対をなす。そして、各２対ずつがサスペンドヒータ９１、９２のそれぞれにそれぞれの外部接続用電極７６から電流を通じて駆動し発熱させる。
なお、ヒータは一方のみでも電気接点開閉装置５０が動作しえることは明らかであるが、本実施例のようにヒータを２つ用いればより高速なスイッチングが可能となる。
【００３５】
第２の基板２０は、セラミック多層基板から成り、電気的な配線を内層及び外層に含むものである。第３の基板３０は、ガラス基板であり、後述の如く導電性流体６と導電性流体４４を収容するためのチャネルを構成するための貫通溝とビアを構成するための貫通孔を有する。また、第４の基板４０は、ガラス基板であり、後述のごとく導電性流体４４を収容するためのビアを構成するための貫通孔４２、サスペンドヒータ９１，９２の後背部の凹部１２，１３とそれぞれの加熱室を構成する貫通孔７３，７４、加熱室とチャネル６１をつなぐドライブチャネル６２，６３を構成する溝６２‘、６３’（６３‘は図示せず）とを有する。
【００３６】
ガラス基板の貫通溝と貫通孔の形成のためには、ガラス加工のために知られている様々な方法が使用され得るが、例えば、工業的生産にはサンドブラストによる加工が望ましい。ドライブチャネルについてもサンドブラストによるハーフ孔加工で可能である。また、チャネルもドライブチャネルもレーザー加工で形成することができる。レーザー加工は三度ブラスト加工に比べ、より精度が高いが、コストがより嵩む。また、基板にガラスを選択した場合にはレーザーによる加工速度が低いためサンドブラストの方が適しているといえるが、中間の基板にセラミックを選択した場合には、サンドブラストの速度が落ちるため、むしろレーザーの方が適していると言える。尚、本実施形態では、第１の基板１０、第２の基板２０、第３の基板３０、及び第４の基板４０のサイズ（長さｘ幅ｘ厚さ）は、それぞれ、５  ｘ  ５  ｘ  ０．４  ｍｍ、５  ｘ  ５  ｘ  ０．４  ｍｍ、５  ｘ  ５  ｘ  ０．１  ｍｍ、及び５  ｘ  ５  ｘ  ０．１  ｍｍとされ、この４つの基板を接合することによって電気接点開閉装置５０を得ることができるが、別の実施形態として、それぞれの基板のサイズを例えば１００  ｘ  １００  ｍｍ程度とし、電気接点開閉装置５０を３５０から４００まとめて一括製造して、次いで個々の電気接点開閉装置５０に分割することも可能である。これはより生産性の高い方法であり、電気接点開閉装置５０のコストダウンにつながる。
【００３７】
図２の概略平面図から理解されるように、電気接点開閉装置５０は、導電性流体６を移動可能にして収容するチャネル６１、及びチャネル６１に対して長さ方向の中途の２箇所で交わるドライブチャネル６２、６３を有する。チャネル６１の断面積に対して、ドライブチャネル６２、６３の断面積を十分小さく設定し（例えばチャネル断面０．１ｘ０．１  ｍｍに対してドライブチャネル断面は０．０５ｘ０．０５  ｍｍなどとする。好もしくは断面積比が０．５以下とするのがよい。）、これにより、導電性流体６は、ドライブチャネル６２、６３内に入り込むことなく、チャネル６１内に維持される。第２の基板（多層基板）２０に重ねておかれる中間基板である第３、第４の基板３０、４０は、第１、第２の基板１０、２０に挟持され、かつ導電性流体６の収容のためも利用される。即ち、第３の基板３０は第１の貫通孔４１と第２の貫通孔６１’を含む。第１の貫通孔４１は第１の基板１０と第２の基板２０のそれぞれが内部に備えた回路間の電気的な相互接続に利用される。第２の貫通孔６１’は第２、第４の基板２０、４０と協働して導電性流体６を収容するためのチャネル６１を構成する。
【００３８】
第４の基板４０は第１の貫通孔４２、第２の貫通孔７３、７４、および溝６２‘、６３’を含む。
第１の貫通孔４２は基板３０の第１の貫通孔４１と協働して第１、第２の基板１０、２０内部の回路間の電気的な相互接続に利用される。
第２の貫通孔７３、７４は第１の基板１０上のサスペンドヒータ９１、９２に面して設けられ、凹部１２、１３と協働してサスペンドヒータ９１、９２を囲む加熱室を構成する。溝６２、６３は第２の貫通孔７３、７４と凹部１２、１３で構成された過熱室とチャネル６１をつなぐ溝であるドライブチャネル６２，６３を構成する。図１、図２に示すように、ドライブチャネル６２、６３は、貫通孔７３、７４から第４の基板４０上を、チャンネル６１まで延びる。なお、溝６２‘，６３’は第３の基板３０の表面と協働してドライブチャネル６２，６３を構成する。
【００３９】
第２の基板２０上のチャネル６１に沿う表面には、チャネル６１の長さ方向に沿って相互に離隔した３つの電極８１、８２、８３が設けられる。図２に示されるように、電気的接続のスイッチングのために使用するようチャネル６１に沿って形成された電極８１、８２、８３の幅は、チャネル６１の幅よりも広い。このようにして、組み立て時の位置ずれ分を吸収するのであるが、特に大判での組み立てでは重要になります。例示的にはチャネルの両側に０．１ｍｍずつはみ出すように電極幅をとるが、この半分でも電極と導電性流体６との接触を確保しえる。また、電気接点開閉装置５０の組み立て技術が進歩するにつれて、電極幅はチャネル幅に近似させ得る。第４の基板４０のチャネル６１に沿う表面には、電極８１、８２、８３とそれぞれ略同形で対向するようにしてパッド８１’、８２’、８３’が設けられる。パッド８１’、８２’、８３’のサイズはそれぞれ対抗する電極８１、８２、８３と略同じである。これにより、断面が略台形又は矩形とされるチャネル６１の内表面に沿って導電性流体６が十分な濡れ性をもって広がりチャネル６１の断面の略全域を満たす。即ち、導電性流体６とチャネル内壁に間に気体が漏洩する隙間が発生しないようにされる。したがって、サスペンドヒータ９１，９２の一方を動作させて気体を加熱したときに熱によって生じる気体の膨張力を高効率で導電性流体６に伝え得る。このようにして、導電性流体６の変形又は移動の確実性を高め、スイッチング動作の信頼性を向上させることができる。導電性流体６は、チャネル６１の略全体を充填するが、ドライブチャネル６２、６３のいずれか一方との結合部分近傍でのみ分離されるように配置され、これにより、隣接する一対の電極（例えば電極８１，８２）間を電気的に導通しつつ、他の一つの電極（例えば電極８３）を電気的に分離するようにする。
導電性流体の過移動を抑えて信頼性を高めるためにサスペンドヒータ９１，９２間に加熱程度の差をつける場合もあり得る。
【００４０】
図２では、電極８１、８２、８３は、フィルドビア８４、８５、８６によって第２の基板２０の対向する面（裏面）に形成される３つの電極２１のそれぞれに対して電気的に導通される。該３つの電極２１のうち電極８１に接続するものを電極２１（８１）、電極８２に接続するものを電極２１（８２）、電極８３に接続する接続するものを電極２１（８３）と称すれば、通常電極２１（８２）は電極２１（８１）の電極２１（８３）いずれか一方とかつ一方のみと電気的に接続される。
そこで、基本的な電気パスは導電性流体６と電極８１、８２、８３とフィルドビア８４、８５、８６と電極２１（８１）、電極２１（８２）、電極２１（８３）とで構成される。ただし、本発明の理解を損なわない場合は、基本的な電気パスに電気的影響を与える（即ち基本的な電気パスの線路インピーダンスを決定する要素となる）周辺構造体をも含めて「電気パス」と称することとする。基本的な電気パスの近傍に誘電体を配置した場合は、該誘電体は電気パスの一部を構成する場合が多い。また、基本的な電気パスの近傍に導電体や接地面を配置した場合は、該導電体や接地面は電気パスの一部を構成する場合が多い。
【００４１】
以上のように構成された電気接点開閉装置５０において、ドライブチャネル６２に気体接続されたサスペンドヒータ９１を加熱すれば、加熱され膨張した気体がドライブチャネル６２からチャネル６１に入り込む。チャネル６１に入り込んだ気体は、チャネル６１内の連続した導電性流体６を、ドライブチャネル６２近傍で分離し、ドライブチャネル６３近傍でこれを接続する。従って、サスペンドヒータ９１の動作前における電極８１、８２間が相互に接続されて電極８３が分離された状態は、サスペンドヒータ９１の動作後には電極８１が電気的に分離されて電極８２、８３が相互接続される状態となる。その後、同様にしてドライブチャネル６３に対応するサスペンドヒータ９２を加熱すると、逆の動作が生じ、動作後には図２に示すように電極８３が分離された状態が再生される。前述のように、スイッチングに関わる電気的な経路（パス）はフィルドビアとバルクの導電性流体によって形成されているため、閉時の接続抵抗を低くすることができる。
【００４２】
尚、図示していないが、セラミック多層基板である第２の基板２０の表面層、裏面層あるいは内層に適当な接地パターンを形成することによって、信号伝送路（電気パス）の線路インピーダンスをよりよく制御することが可能であり、これによって高周波信号を少ない減衰や歪で伝送させることができる。
【００４３】
また、さらに高周波信号特性を改善するために、本第１の実施例では第１の基板１０上の、信号が伝導するチャネル６１に対向する表面に、チャネル６１に沿った長方形のキャビティ、即ち、凹部６４を形成した。好ましくは、凹部６４はチャンネル６１の外周を内包する外周を備え、後述する凹部１２と同時に形成することが可能であり、深さも凹部１２と同じ０．１ｍｍとした。これによってシリコン基板１１が信号に与える影響を減少させ、高周波信号の減衰をさらに抑えることができる。なお、使用する信号の周波数に応じて、この凹部の深さを設計することができる。また、凹部６４に替えて基板１０を貫く貫通孔としてもよい。
【００４４】
第１の基板１０は、上述のようにシリコン基板１１を基体１１としており、その一面、即ち第２の基板に接着される側の面上には、サスペンドヒータ９１、９２を構成すべく櫛形パターンのポリシリコン層がまず形成される（図示せず）。基体１１としては、シリコン以外の材料でも良いが、特にヒータをサスペンド構造にしない場合等には、ガラスやガラスセラミック等の比較的熱伝導率の小さな材料から形成され得る。ポリシリコン層の下部は、異方性エッチングにより取り除かれ、キャビティ構造（凹部１２，１３）になる。従って、サスペンドヒータ９１、９２の櫛形パターンはサスペンド（浮遊）状態とされる。本実施形態では、サスペンドヒータ９１，９２として、０．１ミクロン厚のポリシリコン膜を用いたが、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｒなどの金属層を用いることもできる。その際には金属層を導電性流体の蒸気と反応しない材料、例えばＳｉＯ２、ＳｉＮ等でコーティングし、導電性流体蒸気と金属層とが直接接触しないようにする必要がある。
【００４５】
ところで、電気接点開閉装置５０の駆動エンジンとしてサスペンドヒータ９１、９２を設計する場合には、このサスペンドヒータ９１、９２周囲の空間の体積を正確に規定する必要がある。本実施形態の構造では、サスペンドヒータ９１、９２の下部については第１の基板（シリコン基板含む）１０のプロセスである異方性エッチングによって、そのキャビティ、即ち、凹部１２、１３の深さを正確に制御することが可能である。本実施形態においては、キャビティの深さを０．１ｍｍとしている。一方、第１の基板１０の表面と、第３の基板３０の表面との間隙については、第４の基板の厚みによって正確に決定することが可能である。本実施形態では第４の基板４０の厚みを０．１  ｍｍとし、ヒータ上部、下部とも、良くコントロールされた正確な寸法の０．１ｍｍの間隙を得ることができた。特に、このようにヒータ９１の上下に間隙を設けたことにより、ヒータからシリコン基板１１への熱伝導が極力抑えられ、効率良く気体に伝えられる点に注意すべきである。この点は、安定したスイッチング動作を保証する上で利点となる。
【００４６】
図１に示されるように、貫通孔４１と４２内には、導電性流体４４が相互接続手段として配置される。相互接続手段は、第１の基板１０に形成される電極パッド（図示せず）と、多層基板２０の一面に設けられる電極パッド７５とを相互接続するものであり、例えば、半田接続手段、金属バンプ手段、又は他の弾性変形可能な導電性材料等も利用可能である。但し、金属バンプの場合には、定形を有しなくても第１の貫通孔４１と４２によって形状が制限されるので、導電性流体の如く常温で固体でない物質も適用可能である。即ち、金属バンプは、一例としてチャネル６１内に位置する導電性流体６と同じ材料から構成し得る導電性流体４４としてある。尚、電極パッド７５は多層基板である第２の基板２０内部のフィルドビア構造７７、７８、内層配線７９を利用して対向する裏面側の外部接続用パッド７６に電気的に接続される。
なお、貫通孔４１と４２の組と同様のものが図２、図４には８組（サスペンドヒータ９１、９２毎に４組ずつ）が（７組は参照番号なしで）示してある。
【００４７】
電極パッド７５は０．２ｍｍ角とし、第１の基板１０に形成されるサスペンドヒータ９１，９２の電極部分を０．１８ｍｍ角とした。また、貫通孔４１、４２の合成貫通孔は略台形断面を持つ底面０．２２ｍｍ、上面０．２０ｍｍのものを用いた。このように、第２の貫通孔４２の外形寸法を電極部分のそれより大きくすることにより、導電性流体の許容量に冗長性を持たせることが好ましい。貫通孔４１、４２はサンドブラスト法を用いているために略台形断面となったが、レーザ加工法を用いれば底面、上面ともほぼ０．２２ｍｍ角とすることもできる。その場合には第２の基板上の電極パッド７５と第１の基板１０に形成される電極部分をともに０．２０ｍｍ角としてもよい。また、貫通孔と電極部分、電極パッドは必ずしも四角形である必要はなく、長方形、円形でもよい。
【００４８】
図３及び図４は、本発明の第２の実施形態となる電気接点開閉装置１５０の全体の構成を示す図であり、図４には平面図を示し、図３には図４中の線Ｂ−Ｂに沿う位置での電気接点開閉装置１５０の断面図を示す。第２の実施形態での電気接点開閉装置１５０と第１の実施形態での電気接点開閉装置５０との違いは、シリコン基板である基体１１１を備えた第１の基板１１０において、第１の基板１０における凹部６４に変えて配線１６４を形成している点、該配線１６４を第２の基板１２０の所定のパッド１８０まで導通させるためガラス基板である第３、第４の基板１３０，１４０に貫通孔を設けた点、セラミック多層基板である第２の基板１２０にパッド１８０に接続される回路を設けた点などである。
したがって、第１の実施形態における電気接点開閉装置５０の構成部分と同等の構成と機能を有する構成部分には図１、図２で用いた参照番号を図３、図４においても流用して、以下の説明を第１の実施形態におけるとは異なる第２の実施形態に特徴的な部分に集中して、本発明の理解を容易にする。
【００４９】
第１の基板１１０における第４の基板１４０側表面には、チャネル６１に対応する位置に配線１６４が形成される。この配線１６４の寸法はチャネル６１の寸法と第４の基板４０の厚みや誘電率等を考慮して、例えば特性インピーダンスが５０オームや７５オームとなるように設計します。本実施形態においては、チャネル６１を幅０．１ｍｍ、第４の基板４０の厚みを０．１ｍｍとし、配線１６４の幅を０．４ｍｍとした。
【００５０】
配線１６４は、サスペンドヒータ９１と第２の基板上のパッド７５を電気的に接続する相互接続手段である流体金属４４と同様の手段によって、第２の基板上のパッド１８０に接続される。パッド１８０は、図示しないフィルドビア１８１を通じて、第２の基板１２０の裏面の外部接続用パッド（図示せず。）に接続される。なお好ましくは、該外部接続用パッドは外部で接地されるが、多層基板の表層面、あるいは内層において、別の接地された配線パターン（図示せず）と複数箇所において電気的に接続している。
【００５１】
第２の実施形態においても、第１の実施形態でと同様に、より大きな基板で多数の電気接点開閉装置を一括製造した後、ダイシング等の手法により各単位に分離することもできるので、量産にも適している。個々の電気接点開閉装置に分割する種種の手段が実施可能であり、より生産性が高く、コストダウンにつながる方法を提供できる。
【００５２】
第１の実施形態に比較すると、第２の実施形態では線路インピーダンスをより容易に制御することが可能であり、より高周波の信号に対応することができる。一方で、インピーダンスを制御するためには、チャネル幅に対応して第４のガラス基板の厚みを決める必要があるが、実用的なガラス基板の厚みには制約があり、自由に選択することは難しい。
たとえば０．１ｍｍより薄いガラスでは取り扱いが非常に難しくなる。したがって、実用的にはまずガラス基板の厚みを決定し、それに合わせてチャネル幅を設計しなくてはならない。さらに、ビアによる接続部分が増えるため、歩留りに影響を与える可能性がある。
すなわち、第１の実施形態は比較的簡単に実施できるが、やや高周波特性に劣り、第２の実施形態は高周波特性に優れるが、生産技術が難しくなる可能性がある。必要な周波数特性とコスト等に応じてそれぞれの実施形態を選択することが望ましい。
【００５３】
さて、第３の基板３０，１３０に接する側の、第２の基板２０、１２０の面には、サスペンドヒータ９１，９２の電極にそれぞれに対応する基板の貫通孔やチャンネル６１から外部接続用パッド通ずる基板の貫通孔が形成される。本発明の第１、第２の実施形態では、これらの貫通孔は、エキシマレーザにより形成されるが、一般的にはグリーンシートによる多層基板技術、もしくはレーザによる加工技術を用いることができる。グリーンシートによる方法は、セラミック多層基板の作製工程の中で同時に行うことが可能であり、一度に大量に作成するのに有利であるが、パターンの微細化に限界がある。これに対し、レーザによる方法は、工程が増えるが、微細化の点では有利である。レーザによる方法としては、ＹＡＧレーザによって直接ビーム描画する方法やエキシマレーザによりマスクを用いてパターンを焼き付ける方法が挙げられる。ＹＡＧレーザはマスクを必要としないが、深さのコントロールが難しく、量産には不利な面がある。一方、エキシマレーザはこれに比較すると、深さのコントロールが容易で、マスクを用いれば量産にも対応可能である。生産量やパターンによってこれらの方法から最適なものを選択して用いることが可能である。
【００５４】
また、第３の基板３０、１３０や第４の基板４０，１４０はガラス基板とされる。これらの基板の貫通孔は基板ごとサンドブラストによって形成され、好ましくは一括して行われる。また、第３の基板１３２は、第１の基板１０を支持することにも使用される。ドライブチャネル６２、６３もサンドブラストあるいはレーザーで加工します。また、前述のように基板にガラスを選択した場合にはブラスト、セラミックならレーザーを選択するのが好ましい場合が多い。
【００５５】
相互接続手段を構成する導電性流体４４はチャネル６１内に位置する導電性流体６と同じ材料するのが製造上好適であるが、ＧａやＧａＩｎ合金などの他の導電性流体も利用可能である。このように、スイッチングに関わる電気的な経路はフィルドビアとバルクの導電性流体によって形成されているため、閉時の接続抵抗を低くすることができる。
【００５６】
第４の基板４０，１４０は、第３の基板３０，１３０は、本実施形態ではガラス基板を使用しているが、誘電体損失が小さく導電性流体６に濡れない他の材料、たとえばセラミック等で構成しても良い。前に説明したようにその場合にはレーザー加工を用いる方が好ましいと言えます。このような代替に応じて適切な加工方法を選ぶことは容易である。
【００５７】
次に、上述のようにして用意された各基板は相互に再接合されて固定される。第１の工程では、第３の基板３０，１３０の第１の貫通孔６１‘と第２の基板２０、１２０の電極８１、８２、８３の位置が合うように、また第３の基板３０、１３０の第２の貫通孔４１と第２の基板１２０の電極パット７５の位置が合うように、第３の基板３０，１３０と第２の基板２０、１２０を接着用樹脂で面接合する。そして、第２の基板２０、１２０と第１の貫通孔６１‘により形成される第１の収容室と、第２の基板２０、１２０と第２の貫通孔４１によって形成される第２の収容室にそれぞれ導電性流体６である水銀を適量注入する。
【００５８】
なお、本発明の電気接点開閉装置では、電気パスの一部を成す導電性流体（液体金属等）６と、ヒータのための電気接続に使用される導電性流体（液体金属等）４４を別の種類に選ぶこともできるが、共通にするのが好ましく製造容易で比較的単純な構成を実現できる。これら導電性流体６，４４は共通の基板内に収容されるので、単一第２の基板のあるいは第２、第３の基板の組あるいは第１、第４の基板の組あるいは第１、第４、第３の基板の組の加工プロセスにより収容空間を同時に形成できることも製造上の利点となる。上記では第２、第３の基板の組において収容空間を形成したが、第２の基板において収容空間の底である電極上に仮想の収容空間を想定して導電性流体を適量載置することができる場合も在る。即ち、電極が導電性流体に濡れ、その周囲が導電性流体に濡れないような場合は該電極上に導電性流体が散逸しないで繋留されるわけである。たとえば、上記第１の工程以前に第２の基板２０、１２０の電極８１、８２、８３やパッド７５上に適量の水銀を載置しておくように変更することもできる。
【００５９】
第２の工程では、第３の基板３０，１３０の第２の貫通孔４１と第４の基板４０，１４０の第１の貫通孔４２の位置が合うように、チャンネル６１と第４の基板４０，１４０の金属膜の位置が合うようにして、第４の基板４０，１４０を第３の基板３０，１３０に接着用樹脂で面接合する。チャンネル６１に水銀が封入される。
【００６０】
第３の工程では、第１の基板１０，１１０のサスペンドヒータ９１，９２と第４の基板４０，１４０の第２の貫通孔７３、７４の位置が合うように、また、サスペンドヒータ９１，９２の電極部分と第４の基板４０，１４０の第１の貫通孔４２の位置が合うようにして、第１の基板１０、１１０を第４の基板４０、１４０に接着用樹脂で面接合する。貫通孔４１，４２に水銀が封止される。また、所定の気体が加熱室とドライブチャネル６２，６３からなりサスペンドヒータ９１，９２を含む空間に封止される。
【００６１】
上記の工程では第２の基板に順次第３の基板、第４の基板、第１の基板を面接合したが第１の基板に順次第４の基板、第３の基板、第２の基板を面接合することもできる。
【００６２】
第１、第２の実施形態によれば、第１の基板１０、１１０は、プレーナ型にして直接的に第４の基板３０、１３０に接着されるため、接着自体で気体加熱室の封止を同時に得ることができ、接着用の樹脂以外の特段の封止樹脂工程は必要とされないことから製造工程が簡便になり、更に加熱室の体積をより正確に設計できる。
【００６３】
また、上述したように第４の基板４０、１４０の表面に電極パッド１８１’、１８２’、１８３’を設けることにより、スイッチング動作の信頼性を向上させることができ、また、スイッチングに関わる電気的な経路はフィルドビアと導電性流体によって形成されているため、閉時の接続抵抗を低くすることができる。
【００６４】
更に、第２の基板２０，１２０に誘電体損の少ないセラミック基板やガラス基板を用い、セラミックやガラスに対して誘電体損の大きなシリコン基板１０、１１０を凹部６４によりチャネル６１直上と異なる位置に退避させたり、接地導体１６４で遮蔽することにより、サスペンドヒータの特徴である高速スイッチング特性を維持しつつ優れた高周波特性を実現している。上記実施形態の電気接点開閉装置は閉時の接続抵抗が低く、且つ広帯域（例えば周波数帯域としてＤＣから２０ＧＨｚ程度）での減衰が小さい。また、他の機械的開閉装置と比較して開閉に必要なパワーが少なくて済み、開閉の速度が速く小型である。製造容易で且つ量産に適した構成である。
【００６５】
以上のように、本発明の好適実施形態となる電気接点開閉装置について詳細に説明したが、これはあくまでも例示的なものであり、当業者によって更に様々な変形・変更が可能である。
たとえば、ドライブチャネル６２，６３のための溝６２‘、６３’は第３の基板上３０，１３０における第４の基板４０，１４０側面上に形成してもよいことは明らかである。
【００６６】
【発明の効果】
請求項１に係る発明によれば、小型で高信頼な導電性流体を用いた電気接点開閉装置において、前記ヒータを備えた単一の第１の基板と前記導電性流体と協働して高周波信号を伝送する前記電気パスのための複数の電極が形成される第２の面を備えた第２の基板との間に挟持された中間基板を用いたので、ヒータや電気パスの構成を最適化しつつ、中間基板の選択により第１の基板が電気パスに及ぼす影響、例えば高周波特性の劣化を軽減することができる。また、この電気接点開閉装置は、小型ながら、スイッチングのためのエネルギーの損失を少なくすることができ、小さなパワーで駆動可能であり、比較的速い開閉速度が実現される。特に、各基板を異なる材料の基体から構成することにより、ヒータでのエネルギー伝達の効率が高く、或いは高周波信号伝送に適した構成も実現できる。更に、導電性流体を利用しているため閉時の接続抵抗は十分小さくすることができるとともに、製造が容易で量産にも適している。
【００６７】
請求項２に係る発明によれば、ヒータの作成とくにサスペンドヒータの作成が容易で電気接点開閉装置も廉価となる。また、ヒータ周りの設計自由度が高いので、開閉に必要なパワーが少なくて済み、開閉の速度が速い小型の電気接点開閉装置を提供することが容易になる。
【００６８】
請求項３に係る発明によれば、第２の基板の高周波特性がよく、また製造容易で、高機能な電気接点開閉装置が得られる。
【００６９】
請求項４に係る発明によれば、第１の基板の電気パスに与える影響がさらに軽減され、第１の基板の材料選択が自由で電気パスの特性の向上が可能である。したがって、例えば、高周波信号についての減衰が小さい小型の電気接点開閉装置の製造が容易である。
【００７０】
請求項５に係る発明によれば、さらに第１の基板の影響を削減するとともに、電気パスのインピーダンス制御が容易となり、たとえば、高周波特性を改善できる。即ち、小型の電気接点開閉装置を高周波線路に近づけ得る。
【００７１】
請求項６に係る発明によれば、チャネル内に導電性流体を維持しつつ電気接点開閉装置を高信頼動作させることが容易となり、またその製造も容易である。電気接点開閉装置の閉時の接続抵抗が低く安定となる。
【００７２】
請求項７に係る発明によれば、第１の基板が電気パスに及ぼす影響をさらに軽減できるとともに、小型高機能電気接点開閉装置の設計自由度を向上でき、それらの製造も容易となる。例えば、第４の基板をあえて他の基板とは別の材料とし、また、加工も別工程で行い、貼りあわせによって一体化していることによって、より高い高周波特性を得ることができる。第４の基板の材料としてガラス等の誘電率の低いものを比較的自由に選択することができるだけでなく、張り合わせ前における第１の基板の自由な加工を可能にしているため、電気パスの相当部分に凹部や接地電極を形成することも容易となり、より高いレベルの高周波特性を実現することが可能である。
【００７３】
請求項８に係る発明によれば、ヒータ特にサスペンドヒータの加熱効率が高くかつ信頼性の高いスイッチングを行える電気接点開閉装置が得られる。したがって、開閉に必要なパワーが少なくて済み、開閉の速度が速い小型の電気接点開閉装置を提供することができる。
【００７４】
請求項９に係る発明によれば、前記導電性流体は常にチャネル内に維持されかつドライブチャネルによりの気体により効率よく駆動される。したがって、閉時の接続抵抗が低く安定な小型の電気接点開閉装置の製造が得られる。
【００７５】
請求項１０に係る発明によれば、導電性流体がチャネルの内壁に沿って広がり電気接点開閉装置の安定性と気体の駆動効率の向上とが得られる。したがって、閉時の接続抵抗が低く、開閉に必要なパワーが少なくて済み、開閉の速度が速い小型の電気接点開閉装置を提供することができる。
【００７６】
請求項１１に係る発明によれば、電気パスの線路インピーダンス制御が容易で高周波特性の改善ができる。それは、電気接点開閉装置がより理想高周波線路に近似するからである。
【００７７】
請求項１２に係る発明によれば、電気パスの高周波損失が低くなり、電気接点開閉装置の高周波特性が改良される。
【００７８】
請求項１３に係る発明によれば、小型で開閉に必要なパワーが少なくて済み、開閉の速度が速い電気接点開閉装置の製造において、中間基板の選択により第１の基板が電気パスに及ぼす影響、例えば高周波特性の劣化を軽減し、電気接点開閉装置をより自由に設計製造できる。例えば、第４の基板をあえて他の基板とは別の材料とし、また、加工も別工程で行い、貼りあわせによって一体化していることによって、より高い高周波特性を得る電気接点開閉装置の製造が可能である。即ち、第４の基板の材料としてガラス等の誘電率の低いものを比較的自由に選択することができるだけでなく、張り合わせ前における第１の基板の自由な加工を可能にしているため、電気パスの相当部分に凹部や接地電極を形成することも容易となり、より高いレベルの高周波特性を有する電気接点開閉装置を廉価に製造することが可能である。
【００７９】
請求項１４に係る発明によれば、ヒータの作成とくにサスペンドヒータの作成が容易である。したがって、開閉に必要なパワーが少なくて済み、開閉の速度が速い小型の電気接点開閉装置が製造できる。
【００８０】
請求項１５に係る発明によれば、第２の基板の高周波特性を高めることができ、周波数特性がすぐれかつ廉価な電気接点開閉装置の製造が容易である。
【００８１】
請求項１６に係る発明によれば、第１の基板の電気パスに与える影響を軽減し、第１の基板の材料選択の自由度の向上や電気パスの特性の向上が可能である。また、ヒータと同時に凹部を製造できるので製造容易でもある。
【００８２】
請求項１７に係る発明によれば、さらに第１の基板の影響を削減するとともに、電気パスの線路インピーダンス制御が容易となり、かつ、高周波特性を改善できる。また、ヒータと同時に接地導体を製造できるので、そのようにすれば製造容易でもある。
【００８３】
請求項１８に係る発明によれば、導電性流体がチャネルの内壁に沿って広がり電気接点開閉装置の安定性と気体の駆動効率の向上とが得られる。したがって、閉時の接続抵抗が低く、開閉に必要なパワーが少なくて済み、開閉の速度が速い小型の電気接点開閉装置を容易に製造することができる。
【００８４】
請求項１９に係る発明によれば、構成基板をひいては電気接点開閉装置を廉価で量産しやすくなる。
【００８５】
請求項２０に係る発明によれば、構成基板をひいては電気接点開閉装置を高精度で生産しやすくなる。
【００８６】
請求項２１に係る発明によれば、電気接点開閉装置をさらに廉価に量産しやすくなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図２に示す電気接点開閉装置の平面図である図２中の線Ａ―Ａに沿う断面図である。
【図２】本発明の第１の好適実施形態となる電気接点開閉装置の平面図である。
【図３】図４に示す電気接点開閉装置の平面図である図２中の線Ｂ―Ｂに沿う断面図である。
【図４】本発明の第２の好適実施形態となる電気接点開閉装置の平面図である。
【符号の説明】
１０；１１０    第１の基板
１２；１３      第１の基板の凹部
２０；１２０    第２の基板
２１            （複数の）電極
３０；１３０    第３の基板
４０；１４０    第４の基板
４１；６１‘    第３の基板の貫通孔
４２            第４の基板の貫通孔
５０；１５０    電気接点開閉装置
６１            チャネル
６２；６３      ドライブチャネル
６４            凹部
７３；７４      第４の基板の菅通孔
７６；７７；７８  フィルドビア
８１；８２；８３  電極
８４；８５；８６  フィルドビア
９１；９２      サスペンドヒータ
１６４          接地導体
【図１】
2004227858.tif 000003
【図２】
2004227858.tif 000004
【図３】
2004227858.tif 000005
【図４】
2004227858.tif 000006