(57)【要約】【課題】形状安定性の悪い基板に微細構造体や薄膜回路層を転写形成した場合であっても作製される薄膜装置の寸法精度を低下させない転写技術を提供する。【解決手段】第１の基板（１１）にフォトリソグラフィ法によるパターニングプロセスを使用して微細構造体又は薄膜回路層（３０）を形成する過程（図１（ａ））と、微細構造体又は薄膜回路層を第１の基板から第２の基板（４２）に移動し、又は第３の基板（３３）を介して第１の基板から第２の基板に移動する過程（図１（ｂ）〜図２（ｂ））と、第２の基板に移動した上記微細構造体又は上記薄膜回路層に非フォトリソグラフィ法を使用して薄膜パターン（５１〜５２）を形成する過程（図３（ａ）〜同（ｄ））と、を含む。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板にフォトリソグラフィ法によるパターニングプロセスを使用して微細構造体又は薄膜回路層を形成する過程と、
前記微細構造体又は前記薄膜回路層を前記第１の基板から第２の基板に転写し、又は第３の基板を介して前記第１の基板から前記第２の基板に転写する過程と、
前記第２の基板に転写した前記微細構造体又は前記薄膜回路層に非フォトリソグラフィ法を使用して前記薄膜回路層に追加工を施す過程と、
を含む薄膜装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の基板は硬質基板であり、前記第２の基板は軟質又は可撓性の基板である、請求項１に記載の薄膜装置の製造方法。
【請求項３】
前記非フォトリソグラフィ法は、液滴吐出法、印刷法、マスク蒸着法、位置合わせ工程を伴う貼り合わせ法のうち、少なくとも１つを含む、請求項１又は２に記載の薄膜装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の基板から前記第２の基板への前記微細構造体又は前記薄膜回路層の転写は、前記第１の基板及び前記第２の基板を貼り合わせた後に前記第１の基板と前記微細構造体又は前記薄膜回路層との間に配置された剥離層にエネルギーを付与することにより剥離を生じせしめ、あるいは貼り合わされた前記第１の基板及び前記第２の基板から前記第１の基板をエッチング又は研磨によって除去することによって行われる、請求項１乃至３のいずれかに記載の薄膜装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の製造方法を使用して製造された薄膜装置を含む電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれかに記載の製造方法を使用して製造された薄膜装置を含む電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、素子形成基板上に形成した薄膜回路層あるいは微細構造体等を他の基板に転写する転写技術を使用して薄膜装置を製作する転写法を使用した薄膜装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置（ＬＣＤ）や有機ＥＬ表示装置のような装置では、変形や落下による壊れ防止、コスト引き下げ等の理由によって下地基板にプラスチック基板を使用することが望ましい場合がある。
【０００３】
しかし、パネル型表示装置等に使用される薄膜トランジスタの製造過程では、比較的高温のプロセスを経るため、プラスチック基板や、有機ＥＬ素子などの回路素子を上記プロセス中においては使用できないといった課題を有している。
【０００４】
そこで、出願人は高温半導体プロセスを含む半導体製造技術によって半導体装置を耐熱の基板上に製造した後、該基板から半導体装置が形成されている素子形成層を剥離し、これをプラスチック基板に貼り付けることによって薄膜装置を製造する転写技術を提案している。例えば、特開平１０−１２５２９号公報、特開平１０−１２５３０号公報、特開平１０−１２５３１号公報に剥離転写技術が紹介されている。このような剥離転写技術を使用して高温プロセスで製造した薄膜トランジスタ等の薄膜回路層をプラスチック基板に転写することによって薄膜装置を作成することが可能となった。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１０−１２５２９号公報
【特許文献１】
特開平１０−１２５３０号公報
【特許文献１】
特開平１０−１２５３１号公報
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、プラスチック基板に薄膜回路層を転写した後にも、薄膜装置の完成までには、配線の形成、配線接続、外部回路の追加、保護膜の形成等、プラスチック基板上での成膜が必要となる。ところが、プラスチック基板は形状の安定性が悪いという欠点がある。すなわち、プラスチック基板は熱膨張／熱収縮や水分の吸収／放出によってプロセス中に伸縮を生ずる。また、プラスチック基板は機械的強度に乏しいため、プロセス中に撓みが生じ易い。このため、プラスチック基板に転写された薄膜回路層のパターンに対して、厳密な寸法精度を確保して追加工を施すのは困難である。
【０００６】
本発明は、プラスチック基板に転写形成された薄膜回路層に適切な追加工を施し、正しい機能を備えた薄膜装置の製造方法等を転写形成した場合であっても作成される薄膜装置の寸法精度を低下させない転写技術を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため本発明の薄膜装置の製造方法は、第１の基板にフォトリソグラフィ法によるパターニングプロセスを使用して微細構造体又は薄膜回路層を形成する過程と、上記微細構造体又は上記薄膜回路層を上記第１の基板から第２の基板に転写し、又は第３の基板を介して上記第１の基板から上記第２の基板に転写する過程と、上記第２の基板に移動した上記微細構造体又は上記薄膜回路層に非フォトリソグラフィ法を使用して前記薄膜回路層に追加工を施す過程と、を含む。
【０００８】
かかる構成によれば、微細構造体や薄膜回路層の転写工程を全てのフォトリソグラフィ工程が終了した後に行い、転写後の前記薄膜回路層に対する追加工は液滴吐出（インクジェット）法、印刷法、マスク蒸着法、位置合わせ工程を伴う貼り合わせ法、等によって行うので、最終転写基板（第２の基板）がプラスチックの場合のように熱膨張性や可撓性によって形状の安定性が悪い場合であっても、パターニング精度や位置合せ精度の低下を回避することが可能となる。
【０００９】
ここで、微細構造体から成る薄膜回路層を作製するために用いるフォトリソグラフィ法では、大きくとも１μｍ以下の寸法精度および位置合わせ精度が要求される。一方、一辺の長さが例えば５０ｃｍのプラスチック基板がわずか１０ｐｐｍ（０．０１％）の膨張をしたと仮定すると、基板全体では５μｍの寸法変化が生じることとなる。この変化量は、フォトリソグラフィ法で要求される寸法精度を超えてしまうので、プラスチック基板上で本法を実施するのは困難なのである。
【００１０】
このため、薄膜回路層の微細構造を形成する工程は、例えばガラス基板や石英基板のような硬質基板上で完了し、当該薄膜回路層をプラスチック基板上に転写形成した後に、厳密な寸法精度を必要としない手段（液滴吐出（インクジェット）法、印刷法、マスク蒸着法、位置合わせ工程を伴う貼り合わせ法、等）を用いて当該薄膜回路層に追加工を施すという構成により、正しい機能を備えた薄膜装置の製造が可能となる。
【００１１】
例えば、有機ＥＬ表示装置に上記製造プロセスを適用する場合には、第１の基板（ガラス基板）において、下地層の形成から、隣接する有機ＥＬ発光素子相互を分離するバンク層形成に至るまでの、フォトリソグラフィを用いる工程を実施し、転写対象となる薄膜回路層を形成する工程を終える。この薄膜回路層を第２の基板（プラスチック基板）に転写した後に有機ＥＬ発光層の成膜を液滴吐出法によって行う。それにより、必要十分な精度で薄膜回路層上に有機ＥＬ発光層を形成することができる。
【００１２】
好ましくは、上記第１の基板は石英ガラスやアルカリガラス等の硬質基板であり、上記第２の基板はプラスチックなどの軟質又は可撓性の基板である。それにより、薄膜回路形成等のパターニングに精度を要求する工程は硬質基板で精度良く行われる。
【００１３】
好ましくは、上記非フォトリソグラフィ法は液滴吐出法、印刷法、マスク蒸着法、位置合わせ工程を伴う貼り合わせ法のうち、少なくとも１つを含む。液滴吐出法によればマスクを用いず、マスク合せを必要としないのでプラスチック基板の膨張によって基板パターンとマスクパターンが合わなくなった場合であってもパターン形成可能である。なお、印刷法、マスク蒸着法、位置合わせ工程を伴う貼り合わせ法、等では、マスク合わせを必要とするが、パターン形成に要求される寸法精度および位置合わせ精度が、プラスチック基板の変形量よりも大きければ、寸法および位置合わせの誤差による薄膜装置の製品不良を回避することができる。
【００１４】
好ましくは、上記第１の基板から第２の基板への上記微細構造体又は上記薄膜回路層の転写は、上記第１の基板及び上記第２の基板を貼り合わせた後に上記第１の基板と上記微細構造体又は上記薄膜回路層との間に配置された剥離層にエネルギを付与することによって剥離を生ぜしめ、あるいは張り合わされた上記第１の基板及び上記第２の基板から上記第１の基板をエッチング又は研磨によって除去することによって行われる。第１の基板を剥離した場合には、第１の基板を再使用することができ、石英ガラスのような高価な基板を繰り返し使用できるので好ましい。尤もこれに限定されるものではなく、研磨、エッチングなどによって第１の基板を消滅させても良い。
【００１５】
また、本発明の電気光学装置及び電子機器は上述した製造方法によって製造された薄膜装置を含むことを特徴とする。本発明の製造法を使用して作成した薄膜装置等は最終基板がプラスチック基板であった場合にも、比較的精度の良い微細構造体や薄膜回路層などを備える装置を得ることができる。
【００１６】
薄膜装置は半導体製造技術を使用して薄膜材料を成膜することによって機能が実現されるものであり、典型的には薄膜電気回路である。また、薄膜装置は半導体製造技術などを使用した微細加工がなされた振動体、アクチュエータ、光学素子等の微細構造体を含む。電気光学装置は電気的作用によって発光あるいは外部からの光の状態を変化させる電気光学素子を備えた装置一般をいい、自ら光を発するものと外部からの光の通過を制御するもの双方を含む。例えば、電気光学素子としては、液晶素子、電気泳動粒子が分散した分散媒体を有する電気泳動素子、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、電界の印加により発生した電子を発光板に当てて発光させる電子放出素子が挙げられ、これを備えた表示装置等は電気光学装置である。
【００１７】
電子機器は、薄膜装置や電気光学装置を表示部等として用いる機器であり、ビデオカメラ、テレビ、大型スクリーン、携帯電話、パーソナルコンピュータ、携帯型情報機器（いわゆるＰＤＡ）、その他各種のものが含まれる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
（第１の実施例）
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。本発明の実施の形態では、石英ガラスやアルカリガラス等の第１の基板に、微細構造体や薄膜回路などの機能素子を形成する。この機能素子を、上述の転写法を用いて第２の基板に移動する。第１の基板上における機能素子の形成では、フォトリソグラフィによって成膜のパターニングを行うが、第２の基板ではフォトリソグラフィによる成膜のパターニングは行わない。転写後の所要のパターニングは、液滴吐出法などのマスク合せを必要としない手法を使用する。このため、できるだけ、成膜のパターニングは第１の基板上で行うようにする。
【００１９】
例えば、薄膜装置が有機ＥＬ表示装置の場合には、各画素間を仕切る隔壁（バンク）形成工程までを第１の基板で行ってから第２の基板（プラスチック基板）に転写するようにする。なお、有機ＥＬ表示装置に用いられるバンクの構造およびその役割については、本出願人の特開２００１−３４１２９６号公報や特開２００２−２２２６９５号公報などに詳細が記載されている。
【００２０】
図１乃至図３は、電気光学装置である有機ＥＬ表示装置を薄膜構造の転写法によって製造する製造工程を説明する工程図である。
【００２１】
まず、図１（ａ）に示すように、第１の基板である透明なガラス基板１１上に剥離層としてアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）１２をＣＶＤ（化学蒸着）法によって成膜する。
【００２２】
剥離層は、後述のレーザ光等の照射光により当該層内や界面において剥離（「層内剥離」または「界面剥離」ともいう）を生ずるものである。すなわち、一定の強度の光を照射することにより、構成物質を構成する原子または分子における原子間または分子間の結合力が消失しまたは減少し、アブレーション（ａｂｌａｔｉｏｎ）等を生じ、剥離を起こすものである。また、照射光の照射により、剥離層から気体が放出され、分離に至る場合もある。剥離層に含有されていた成分が気体となって放出され分離に至る場合と、剥離層が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。このような剥離層の組成としては、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）が好適であるが、これに限られない。
【００２３】
このアモルファスシリコン中には、水素が含有されていてもよい。水素の含有量は、２ａｔ％程度以上であることが好ましく、２〜２０ａｔ％であることがさらに好ましい。水素が含有されていると、光の照射により水素が放出されることにより剥離層に内圧が発生し、これが剥離を促進するからである。水素の含有量は、成膜条件、例えば、ＣＶＤ法を用いる場合には、そのガス組成、ガス圧力、ガス雰囲気、ガス流量、ガス温度、基板温度、投入する光のパワー等の条件を適宜設定することによって調整する。
【００２４】
このアモルファスシリコン１２上に、絶縁層として二酸化シリコン層（ＳｉＯ２）１３を成膜する。次に、二酸化シリコン層１３を下地層とし、この上にＣＶＤ法によって半導体層としてシリコン層１４を成膜する。このシリコン層１４にエキシマレーザ等によって熱処理を施し、多結晶化させる。なお、プラズマＣＶＤ法によってポリシリコン層を成膜しても良い。このシリコン層１４をフォトエッチング法によってパターニングして薄膜トランジスタを形成する活性化領域を形成する。
【００２５】
このシリコン層１４上にゲート絶縁膜としての二酸化シリコン層１５をＣＶＤ法によって形成する。この上に高濃度で不純物を含むシリコン層をＣＶＤ法で成膜し、フォトエッチング法によってパターニングしてゲート電極及び配線１６を形成する。ゲート電極１６をマスクとしてイオン注入法によって薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域に不純物を注入する。熱処理を行って不純物を活性化する。ゲート絶縁膜１５及びゲート電極及び配線１６上に層間絶縁膜としてシリコン酸化膜１７をＣＶＤ法によって成膜する。
【００２６】
薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域上のシリコン酸化膜１７にフォトエッチング法によってコンタクトホールを開口する。ソース・ドレイン電極及び配線としてアルミニウムなどの金属層あるいはポリシリコン層を成膜し、フォトエッチング法によってパターニングを施してソース・ドレイン電極及び配線１８を形成する。
【００２７】
更に、ソース・ドレイン電極及び配線１８等の上に保護層として二酸化シリコン１９をＣＶＤ法によって成膜する。次に、フォトエッチング法によってドレイン電極上の二酸化シリコン１９を開口する。この上にＩＴＯなどの透明電極層を成膜し、フォトエッチング法によってパターニングすることによって有機ＥＬ発光素子の下部電極層２０を形成する。この上に二酸化シリコン２１を成膜し、フォトエッチング法によって下部電極（ＩＴＯ）２０部分を開口する。更に、画素領域を分離するバンク層として感光性樹脂２２を塗布し、下部電極２０のパターン露光を行って現像し、下部電極２０上を開口する。下地の絶縁層１３乃至バンク層２２は薄膜回路層３０を形成する。
【００２８】
なお、本実施例においては薄膜回路層３０が転写対象となるが、他の薄膜装置ではこの部分に転写対象となる微細構造体を単独で、あるいは薄膜回路層と共に形成することができる。上述したように、微細構造体には、圧電振動体、静電振動体、アクチュエータ、回折格子、マイクロミラー、マイクロレンズ、光学素子、生体試料やＤＮＡ試料のプルーブ構造等を含む。
次に、図１（ｂ）に示すように基板表面に対して親液処理を施す。例えば、薄膜回路層３０を形成した基板１１をプラズマエッチング装置内にセットし、対向電極６１と基板１１の上面との間に酸素プラズマ（Ｏ２＋）あるいはアルゴンプラズマ（Ａｒ＋）を生ぜしめ、基板上面を当該プラズマ６２に晒して表面を荒らす。それによって、バンク層２２及び下部電極２０の表面を親液性とする。
【００２９】
次に、第１の基板のバンク層２２の上に仮接着層として水溶性接着剤３１を平坦に塗布し、第３の基板である仮転写基板３３を貼り合わせる。バンク層２２及び下部電極２０の表面に親液性処理が施されているので基板１１上面の薄膜回路層３０と接着層３１との結合は十分に強くなる（図１（ｃ））。
【００３０】
下方から透明なガラス基板１１を介してエキシマレーザを剥離層であるアモルファスシリコン層１２に照射してアブレーションを生じさせ、剥離を生ぜしめる（図１（ｄ））。ガラス基板１１を引き剥がして分離する。それによって、薄膜回路層３０がガラス基板１１側から仮転写基板３３側に転写（移動）される。薄膜回路層３０下部に残った剥離層１２の残留分をエッチングによって除去する。なお、基板に上述した親液処理を施したことによって基板１１を引き剥がす際の力よりも接着層３１と薄膜回路層３０との界面の結合力を大きくすることができ、基板剥離の際に接着層３１に剥離が生ずることを回避することができる（図２（ａ））。
【００３１】
薄膜回路層３０の下部に非水溶性の永久接着剤４１を塗布し、第２の基板である最終転写基板４２を貼り付ける。最終転写基板４２は、例えば、プラスチック基板である（図２（ｂ））。更に、水溶性接着剤３１を水洗して除去し、仮転写基板３３を分離する。薄膜回路層３０は最終転写基板４２側に再転写（移動）される（図２（ｃ））。
【００３２】
次に、発光層の形成の精度を向上するために基板に撥液処理を施す。例えば、有機ＥＬ素子形成部のバンク層２２を露出した基板をプラズマエッチング装置内にセットし、その表面にフッ素プラズマ（Ｆ＋）を生ぜしめ、バンク層２２の斜面をプラズマ６３に晒して斜面を滑らかにする。次に、図３に示すように発光層を形成する。液滴吐出ヘッド（図示せず）のノズル６５から画素となる下部電極２０上に有機ＥＬ材料６６を吐出し、塗布パターンを形成して発光層を形成する。上述したように、下部電極面は親液処理され、バンク層２２の斜面（壁面）は撥液処理されているので、当該斜面を含む発光素子エリアに吐出された有機ＥＬ材料は下部電極２０上に導かれて成膜がなされるので具合がよい（図３（ａ））。
【００３３】
液滴吐出ヘッドによって発光層となる正孔輸送層５１、ＥＬ発光層５２の膜材料を下部電極２０上に順次塗布し、成膜する（図３（ｂ））。電子輸送層として例えばカルシウム層５３を形成し、スパッタ法、真空蒸着法等によって陰極としてアルミニウム層５４を成膜する（図３（ｃ））。
【００３４】
最上部に保護膜としての封止剤５５を塗布し、有機ＥＬ表示装置（薄膜装置）を完成する。図示の場合には、下方に向かって発光する有機ＥＬ発光素子が形成される（図３（ｄ））。
【００３５】
なお、上述した親液処理（図１（ａ））、撥液処理（図２（ｄ））は必須の工程ではないが、剥離工程において接着層３１が剥がれ難くなること、発光素子の形成精度が向上することなどの利点がある。
【００３６】
上述した薄膜回路（有機ＥＬ表示装置）の製造プロセスにおいては、薄膜回路層３０が最終転写基板４２に仮転された後（図２（ｃ）参照）には、パターニング精度を要するようなフォトエッチングプロセスを行っていないので、プラスチック基板のような形状性の安定の悪い基板を用いてもパターンの寸法精度は特に問題とはならない。
【００３７】
（第２の実施例）
第２の実施例について図４及び図５を参照して説明する。両図において図１及び図２と対応する部分には、同一符号を付してかかる部分の説明は省略する。
【００３８】
この実施例では、上述したバンク層２２への撥液処理（図２（ｄ））を行うのではなく、バンク層２２自体を撥液性材料によって成膜している。このため、接着層３１との結合が不十分となる虞があるため、バンク層２２と接着層３１との間に中間層２３を形成し、中間層２３を介してバンク層２２と接着層３１との間の所要の結合力を確保している。そして、薄膜回路層３０の最終基板への転写後に中間層２３を除去し、必要により、発光素子領域に親液処理を行う。その後は、図３に示すと同様に液滴吐出法によって有機ＥＬ材料を成膜する。
【００３９】
まず、図４に示すように、第１の基板である透明なガラス基板１１上に剥離層１２を介して薄膜回路層３０を形成する。前述したように、バンク層２２は撥液性材料で成膜されている（図４（ａ））。次に、基板表面に対して中間層２３を成膜する。中間層２３は、例えば、無機材料の酸化シリコン（ＳｉＯ２）、ポリシラザン（ＳｉＨ２ＮＨ）を単位とする無機ポリマ等を使用することが可能であり、例えば酸化シリコンはＣＶＤ法などによって成膜される（図４（ｂ））。
【００４０】
次に、中間層２３の上に仮接着層として水溶性接着剤３１を平坦に塗布し、第３の基板である仮転写基板３３を貼り合わせる。中間層２３を介しているのでバンク層２２が撥液性でも接着剤３１が必要な結合力（接着力）を発生する（図４（ｃ））。
【００４１】
下方から透明なガラス基板１１を介してエキシマレーザを剥離層であるアモルファスシリコン層１２に照射してアブレーションを生じさせ、剥離を生ぜしめる（図４（ｄ））。ガラス基板１１を引き剥がして分離する。それによって、薄膜回路層３０がガラス基板１１側から仮転写基板３３側に転写（移動）される。薄膜回路層３０下部に残った剥離層１２の残留分をエッチングによって除去する。なお、基板に上述した親液処理を施したことによって基板１１を引き剥がす際の力よりも接着層３１と薄膜回路層３０との界面の結合力を大きくすることができ、基板剥離の際に接着層３１に剥離が生ずることを回避することができる（図５（ａ））。
【００４２】
薄膜回路層３０の下部に非水溶性の永久接着剤４１を塗布し、第２の基板である最終転写基板４２を貼り付ける。最終転写基板４２は、例えば、プラスチック基板である（図５（ｂ））。更に、水溶性接着剤３１を水洗して除去し、仮転写基板３３を分離する。薄膜回路層３０は最終転写基板４２側に再転写（移動）される（図５（ｃ））。
【００４３】
次に、中間層２３をエッチングによって除去する（図５（ｄ））。必要により、発光素子領域に親液処理を施す（図１（ｂ）参照）。以下、図３に示す手順と同様にして発光層を成膜して有機ＥＬ表示装置を形成する。なお、この実施例ではバンク層２２自体が撥液の特性を持つ。
【００４４】
（第３の実施例）
第３の実施例について図６を参照して説明する。図６において図２（ｃ）と対応する部分には同一符号を付し、かかる部分の説明は省略する。
【００４５】
第３の実施例では、第１の実施例で用いた液滴吐出法の代わりに、マスク蒸着法を用いて有機ＥＬ表示装置を製造している。第１の実施例と同様に、フォトリソグラフィを用いて微細構造体から成る薄膜回路層３０を第１の基板上に形成し、これを第２の基板上に転写する。
【００４６】
マスク蒸着法を用いて有機ＥＬ表示装置を製造する場合には、第１の実施例で述べたバンク２２を必要としないので、画素領域の開口工程までを実施した薄膜回路層３０が転写対象とされている（図６（ａ））。
【００４７】
次に、下部電極２０上にマスク７１を介して有機ＥＬ材料を蒸着し、パターンを形成して発光層を形成する（図６（ｂ））。成膜を繰り返し、発光層となる正孔輸送層５１、ＥＬ発光層５２の膜材料を下部電極２０上に成膜する（図６（ｃ））。
【００４８】
更に、電子輸送層として例えばカルシウム層５３を形成し、スパッタ法、真空蒸着法等によって陰極としてアルミニウム層５４を成膜する（図６（ｄ））。最上部に保護膜としての封止剤５５を塗布し、有機ＥＬ表示装置（薄膜装置）を完成する（図６（ｅ））。
【００４９】
上述した薄膜回路（有機ＥＬ表示装置）の製造プロセスにおいては、薄膜回路層３０が最終転写基板４２に転写された後には、たかだか５μｍ以上の位置合わせ精度が要求されるマスク蒸着法のみを行っているので、プラスチック基板のような形状性の安定の悪い基板を用いてもパターンの寸法精度は特に問題とはならない。
【００５０】
（第４の実施例）
第４の実施例について図７を参照して説明する。第４の実施例では、本発明で提案する電子機器に、外部より電気信号や電源を供給する配線を施す工程において、印刷法を適用している。第１の実施例と同様に、フォトリソグラフィを用いて微細構造体から成る薄膜回路層３０を第１の基板上に形成し、これを第２の基板上に移動する（図２（ｃ）参照）。
【００５１】
図７（ａ）は、第２基板上に転写された薄膜回路層３０の、信号／電源導入端子部７１の断面構造である。ここで、第２基板１１には予め、薄膜回路層３０の信号／電源導入端子部７１に接続するための端子、および配線７２が施されたものとする。このような第２基板１１の好適な例としては、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）を挙げることができる。
【００５２】
図７（ｂ）に示すように、第２基板４２および薄膜回路層３０に配置された端子部７１のうち、接続すべき端子どうしを繋ぐような形状に、導電性材料７３を印刷する。導電性材料７３の好適な例としては、銀ペースト等が挙げられる。また、印刷方式としては、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、液滴吐出法（インクジェット法）、等が挙げられる。
【００５３】
図７（ｃ）は、本実施例を用いて製造した電子デバイスの鳥瞰図を示している。
【００５４】
（第５の実施例）
第５の実施例について図８を参照して説明する。同図において図７と対応する部分には同一部号を付し、かかる部分の説明は省略する。第５の実施例では、本発明で提案する電子機器に、外部より電気信号や電源を供給する配線を施す工程において、位置合わせ工程に貼り合わせ法を適用している。
【００５５】
第１の実施例と同様に、フォトリソグラフィを用いて微細構造体から成る薄膜回路層３０を第１の基板上に形成し、これを第２の基板上に転写する。
【００５６】
図８（ａ）は、第２基板４２上に移動された薄膜回路層３０の、信号／電源導入端子部７１の断面構造である。
【００５７】
図８（ｂ）に示すように、例えば異方導電性フィルム（ＡＣＦ）８２を介して、フレキシブルプリント基板８１の接続端子部８３を薄膜回路層３０の信号／電源導入端子部７１に位置合わせし、接着を行う。ＡＣＦ８２は、直径数μｍ〜数十μｍの導電性粒子８３が絶縁性樹脂８２ｂに分散された構造を有し、上下から熱および圧力を印加することによって導電性粒子８２ａが端子部７１に接触して導通を確保すると同時に、絶縁性樹脂８２ｂが硬化して機械的強度を確保する。
【００５８】
なお、図８（ｃ）に、本実施例を用いて製造した電子デバイスの鳥瞰図を示す。
【００５９】
本実施例において、フレキシブルプリント基板の位置合わせ精度は数１０μｍ以上で十分であるので、プラスチック基板のような形状性の安定の悪い基板を用いてもパターンの寸法精度は特に問題とはならない。
【００６０】
なお、上述した第１から第５の実施例においては、仮転写基板（第３の基板を）を使用して薄膜回路層３０が最終基板（第２の基板）４２上に正立した状態で転写あるいは移動するようにしたが、薄膜回路層３０が最終基板４２上に倒立する状態で使用できる場合には、仮転写基板（第３の基板を）３３を使用する仮転写工程は不要となる。この場合には、第１の基板から第２の基板に直接転写あるいは移動することができる。
【００６１】
また、上述した第１から第５の実施例では、薄膜回路層の基板間の転写あるいは移動に際しては、転写元の基板を剥離層を剥離することによって剥離しているが、転写元の基板を研磨によってあるいはエッチングによって除去しても同様の結果を得ることができる。
【００６２】
本発明の製造方法により得られた薄膜装置は、例えば、電気光学装置である液晶表示装置の表示パネルとして、或いは有機ＥＬ表示装置の表示パネルとして利用することができる。
【００６３】
図９は、アクティブマトリクス方式で駆動する有機ＥＬ表示装置１００の画素領域の回路構成図であり、当該表示パネルは本発明の製造方法で製造される。各画素は、電界発光効果により発光可能な発光層ＯＬＥＤ、それを駆動するための電流を記憶する保持容量Ｃ、薄膜トランジスタＴ１及びＴ２を備えて構成されている。走査線ドライバ１０２からは、選択信号線Ｖｓｅｌが各画素に供給されている。データ線ドライバ１０３からは、信号線Ｖｓｉｇ及び電源線Ｖｄｄが各画素に供給されている。選択信号線Ｖｓｅｌと信号線Ｖｓｉｇを制御することにより、各画素に対する電流プログラムが行われ、発光部ＯＬＥＤによる発光が制御される。
【００６４】
本発明の製造方法により得られた薄膜装置（例えば、薄膜トランジスタ回路装置）は電気光学装置を備える各種の電子機器に適用可能である。
【００６５】
図１０に電気光学装置を備える電子機器の例を挙げる。
【００６６】
同図（ａ）は、携帯電話への適用例であり、携帯電話２３０は、アンテナ部２３１、音声出力部２３２、音声入力部２３３、操作部２３４、及び本発明の薄膜装置（有機ＥＬ表示装置）１００を備えている。このように本発明の薄膜装置１００を携帯電話２３０の表示部として利用可能である。
【００６７】
同図（ｂ）は、ビデオカメラへの適用例であり、ビデオカメラ２４０は、受像部２４１、操作部２４２、音声入力部２４３、及び本発明の薄膜装置１００を備えている。このように本発明の薄膜装置１００は、ファインダや表示部として利用可能である。
【００６８】
同図（ｃ）は、携帯型パーソナルコンピュータへの適用例であり、コンピュータ２５０は、カメラ部２５１、操作部２５２、及び本発明の薄膜装置１００を備えている。このように本発明の電気光学装置は、表示部として利用可能である。
【００６９】
同図（ｄ）は、ヘッドマウントディスプレイへの適用例であり、ヘッドマウントディスプレイ２６０は、バンド２６１、光学系収納部２６２及び本発明の薄膜装置１００を備えている。このように本発明の電気光学装置は画像表示源として利用可能である。
【００７０】
同図（ｅ）は、リア型プロジェクタへの適用例であり、プロジェクタ２７０は、筐体２７１に、光源２７２、合成光学系２７３、ミラー２７４、ミラー２７５、スクリーン２７６、及び本発明の薄膜装置１００を備えている。このように本発明の薄膜装置は画像表示源として利用可能である。
【００７１】
同図（ｆ）は、フロント型プロジェクタへの適用例であり、プロジェクタ２８０は、筐体２８２に光学系２８１及び本発明の薄膜装置１００を備え、画像をスクリーン２８３に表示可能になっている。このように本発明の薄膜装置は画像表示源として利用可能である。
【００７２】
上記例に限らず本発明の薄膜装置１００は、薄膜回路や微細構造体を備える電子機器、例えば、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイなどにも活用することができる。
【００７３】
以上説明したように、本発明は第１の基板に所要のフォトリソグラフィ工程を経て微細構造体や薄膜回路を形成した後に第２の基板（最終転写基板）に転写工程を実行し、その後は精度を要するパターニングは回避する。それにより、第２の基板の形状不安定性（寸法不安定性）による製作精度への影響が少ない。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）乃至同（ｄ）は、本発明の実施例に係る有機ＥＬ表示器を製造する過程を説明する工程図である。
【図２】図２（ａ）及び同（ｄ）は、本発明の実施例に係る有機ＥＬ表示器を製造する過程を説明する工程図である。
【図３】図３（ａ）乃至同（ｄ）は、本発明の実施例に係る有機ＥＬ表示器を製造する過程を説明する工程図である。
【図４】図４（ａ）乃至同（ｄ）は、本発明の第２の実施例に係る有機ＥＬ表示器を製造する過程を説明する工程図である。
【図５】図５（ａ）及び同（ｄ）は、本発明の第２の実施例に係る有機ＥＬ表示器を製造する過程を説明する工程図である。
【図６】図６（ａ）乃至同（ｅ）は、第３の実施例を説明する工程図である。
【図７】図７（ａ）乃至同（ｃ）は、第４の実施例を説明する工程図である。
【図８】図８（ａ）乃至同（ｃ）は第５の実施例を説明する工程図である。
【図９】有機ＥＬ表示装置（電気光学装置）の例を説明する説明図である。
【図１０】薄膜装置、電気光学装置を備える電子機器の例を説明する説明図である。
【符号の説明】
１１…ガラス基板（第１の基板）、１２…剥離層（アモルファスシリコン層）、３０…微細構造体・薄膜回路層、３１…仮接着剤、３３…仮転写基板（第３の基板）、４１…永久接着剤、４２…プラスチック基板（第２の基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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