(57)【要約】【課題】磁気記録媒体と摺接するＧＭＲヘッドの媒体摺接面に腐食が発生することを防止する。【解決手段】磁気テープ３と摺接しながら磁気信号の検出を行うＧＭＲヘッド２０の媒体摺接面２０ａに、トリアゾール又はトリアゾール誘電体を含有する防錆剤膜５０を形成する。また、磁気テープ３の表面に、ＧＭＲヘッド２０の媒体摺接面２０ａに形成された防錆剤膜５０と同一材料からなる防錆剤膜５０ａを形成し、この磁気テープ３と摺接されるＧＭＲヘッド２０の媒体摺接面２０ａに防錆剤膜５０ａを転写する。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として磁気抵抗効果素子を備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、
上記磁気抵抗効果素子の媒体摺接面に、トリアゾール又はトリアゾール誘電体を含有する防錆剤膜が形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項２】
回転ドラムに搭載されてヘリカルスキャン方式によりテープ状の磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行うことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項３】
磁気テープと、
上記磁気テープを走行させるテープ走行手段と、
上記テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として磁気抵抗効果素子を有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、
上記磁気テープの上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドが摺接される側の主面及び／又は当該主面とは反対側の主面に、トリアゾール又はトリアゾール誘電体を含有する防錆剤膜が形成されており、上記磁気テープに上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドが摺接されることによって、上記防錆剤膜が上記磁気抵抗効果素子の媒体摺接面に転写されることを特徴とする磁気テープシステム。
【請求項４】
上記磁気テープは、少なくとも非磁性支持体上に金属磁性薄膜が形成されてなり、当該金属磁性薄膜の表面電気抵抗が１×１０３Ω／ｓｑ．〜１×１０７Ω／ｓｑ．の範囲にあり、当該金属磁性薄膜の残留磁化量Ｍｒと膜厚ｔとの積Ｍｒ・ｔが、４ｍＡ〜１３ｍＡの範囲にあり、当該金属磁性薄膜の残留磁化量Ｍｒが、１６０ｋＡ／ｍ〜３６０ｋＡ／ｍの範囲にあることを特徴とする請求項３記載の磁気テープシステム。
【請求項５】
上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、回転ドラムに搭載されてヘリカルスキャン方式により上記磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行うことを特徴とする請求項３記載の磁気テープシステム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として磁気抵抗効果素子を備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッド、並びにそのような磁気抵抗効果型磁気ヘッドと磁気録媒体である磁気テープとを組み合わせた磁気テープシステムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子という。）は、外部磁界の大きさや向きにより抵抗値が変化する、いわゆる磁気抵抗効果を利用したものであり、例えば、磁気記録媒体からの信号磁界を検出するための感磁素子として磁気ヘッド等に用いられている。そして、このようなＭＲ素子を備える磁気ヘッドは、一般に磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドという。）と呼ばれている。
【０００３】
また、ＭＲ素子としては、異方性磁気抵抗効果を利用したＭＲ素子が従来より使用されているが、磁気抵抗変化率（ＭＲ比）が小さいために、より大きなＭＲ比を示すものが望まれている。そこで、より大きなＭＲ比を示すＭＲ素子として、スピンバルブ膜を利用した巨大磁気抵抗効果素子（以下、ＧＭＲ素子という。）が提案されている。
【０００４】
このＧＭＲ素子は、一対の磁性層で非磁性層を挟持してなるスピンバルブ膜を有し、このスピンバルブ膜に対して面内方向に流れる、いわゆるセンス電流のコンダクタンスが、一対の磁性層の磁化の相対角度に依存して変化する、いわゆる巨大磁気抵抗効果を利用したものである。具体的に、スピンバルブ膜は、反強磁性層と、反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有している。
【０００５】
このスピンバルブ膜を利用したＧＭＲ素子では、外部磁界が印加されると、外部磁界の大きさや向きに応じて、磁化自由層の磁化方向が変化する。そして、磁化自由層の磁化方向が磁化固定層の磁化方向に対して、逆方向（反平行）となるとき、このスピンバルブ膜に流れるセンス電流の抵抗値が最大となる。一方、磁化自由層の磁化方向が磁化固定層の磁化方向に対して、同一方向（平行）となるときに、このスピンバルブ膜に流れるセンス電流の抵抗値が最小となる。
【０００６】
したがって、このようなＧＭＲ素子を備える磁気ヘッド（以下、ＧＭＲヘッドという。）では、ＧＭＲ素子に対して一定のセンス電流を供給すると、磁気記録媒体からの信号磁界に応じて、このＧＭＲ素子を流れるセンス電流の電圧値が変化することになり、このセンス電流の電圧値の変化を検出することによって、磁気記録媒体からの磁気信号を読み取ることが可能となっている。
【０００７】
一方、磁気記録媒体としては、非磁性支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機結合剤中に分散せしめた磁性塗料を塗布、乾燥することにより作製される、いわゆる塗布型の磁気記録媒体が従来より広く使用されている。
【０００８】
また、高密度記録への要求の高まりと共に、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ等の金属磁性材料をメッキや真空薄膜形成手段（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等）によって非磁性支持体上に直接被着した、いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案され、注目を集めている。
【０００９】
この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、保磁力、残留磁化、角形比等に優れ、短波長での電磁変換特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚みをきわめて薄くできるため、記録減磁や再生時の厚み損失が小さいこと、磁性層中に非磁性材である結合剤を混入する必要がないため、磁性材料の充填密度を高め、大きな磁化を得ることができる等、数々の利点を有している。
【００１０】
さらに、この種の磁気記録媒体の電磁変換特性を向上させ、より大きな出力を得るため、非磁性支持体上に金属磁性材料を斜方に蒸着させた、いわゆる蒸着テープが提案されており、例えば高画質ＶＴＲ用、デジタルＶＴＲ用の磁気テープとして実用化されている。
【００１１】
ところで、上述したＧＭＲヘッドは、ハードディスクドライブ等の磁気ディスク装置において利用されている。例えばハードディスクドライブは、サスペンションの先端部に取り付けられたヘッドスライダにＧＭＲヘッドが搭載された構造を有している。そして、このハードディスクドライブでは、磁気ディスクの回転により生じる空気流を受けて、ヘッドスライダが磁気ディスクの信号記録面上を浮上しながら、このヘッドスライダに搭載されたＧＭＲヘッドが磁気ディスクに記録された磁気信号を読み取ることによって、磁気ディスクに対する再生動作が行われる。
【００１２】
また、近年では、このような磁気ディスク装置に限らず、テープストリーマ等の磁気テープ装置にも、更なる高記録密度化を達成するためにＧＭＲヘッドを利用することが提案されている。例えばヘリカルスキャン方式を採用するテープストリーマは、回転ドラムの外周部にＧＭＲヘッドが磁気テープの走行方向と略直交する方向に対してアジマス角に応じて斜めとなるように配置された構造を有している。そして、このテープストリーマでは、磁気テープが回転ドラムに対して斜めに走行しながら、回転ドラムが回転駆動し、この回転ドラムに搭載されたＧＭＲヘッドが磁気テープと摺接しながら、磁気テープに記録された磁気信号を読み取ることによって、磁気テープに対する再生動作が行われる。
【００１３】
そして、このようなＧＭＲヘッドと蒸着テープとを組み合わせた磁気テープ装置では、従来と比較して飛躍的に記録密度を高めることが期待されている。
【００１４】
【特許文献１】
特開平１１−１４９６１２号公報（第４−５頁、第１図）
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述したテープストリーマでは、ＧＭＲヘッドと磁気テープとの間の距離、いわゆるスペーシングを小さくすることが好ましく、磁気テープの表面は、その表面性を上げることで、より鏡面となっている。
【００１６】
しかしながら、磁気テープの表面が鏡面となるに従って、逆に磁気テープと回転ドラムの外周面との接触面積が増加する。すると、走行時において磁気テープと回転ドラムとの間に働く摩擦力が大きくなり、場合によっては、磁気テープと回転ドラムとの貼り付きが生じて、磁気テープのスムーズな走行が不可能となってしまう。
【００１７】
そこで、磁気テープの表面には、ＳｉＯ２フィラーや有機フィラー等からなる無数の微小突起が設けられており、このような微小突起によって回転ドラムの外周面との接触面積を小さくし、磁気テープと回転ドラムとの間に働く摩擦力を小さくすることが行われている。なお、これらの微小突起は、磁気テープとなるベースフィルムの表面に、上述したフィラーを付着させ、その上に磁性膜を被覆させることで形成される。また、磁気テープの表面には、大気中や海水雰囲気中、高温高湿下における酸化や腐食等の発生を防止するためのＤＬＣ膜等の保護膜が形成されている。
【００１８】
ところで、上述したハードディスクドライブでは、ＧＭＲヘッドが磁気ディスクの信号記録面に対して非接触な状態で再生動作を行っている。また、上述したスピンバルブ膜を構成する非磁性層には、Ｃｕが用いられており、磁気ディスクと対向するＧＭＲヘッドの媒体対向面には、このＣｕ等が腐食されることを防止するためのＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ　Ｌｉｋｅ　Ｃａｒｂｏｎ）膜等の保護膜が形成されている。
【００１９】
一方、上述したテープストリーマでは、ＧＭＲヘッドが磁気テープに対して接触した状態で再生動作を行うことから、磁気テープと摺接されるＧＭＲヘッドの媒体摺接面に、上述した腐食等の発生を防止するための保護膜が形成された場合には、再生動作時に磁気テープの表面に形成された微小突起や保護膜との接触によって、このＧＭＲヘッドの媒体摺接面に形成された保護膜が摩耗することになる。さらに、ＧＭＲヘッドの媒体摺接面に形成された保護膜は、磁気テープとのスペーシングとなることから、このＧＭＲヘッドの短波長記録再生特性を劣化させることになる。
【００２０】
したがって、上述したテープストリーマ等の磁気テープ装置では、ＧＭＲヘッドの媒体摺接面に保護膜を形成することができない。このため、従来の磁気テープ装置では、ＧＭＲヘッドの媒体摺接面が直接大気と触れることになり、高温高湿下や海水雰囲気中において腐食等が発生しやすくなるといった問題があった。また、ＧＭＲヘッドの感度は、スピンバルブ膜に流れるセンス電流により決定される。また、このスピンバルブ膜の各層は、ｎｍオーダで形成されており、各層に僅かな腐食が発生しただけでも、各層の電気抵抗が変化してしまう。したがって、上述したＧＭＲヘッドの媒体摺接面における腐食の発生は、このＧＭＲヘッドのヘッド特性を大幅に劣化させてしまう。
【００２１】
さらに、ＧＭＲヘッドは、高感度であることから、磁気記録媒体から受ける信号磁界が大きいと、ノイズの原因となるヘッド飽和を起こしてまう。このため、ＧＭＲヘッドを上述した磁気テープ装置の再生ヘッドとして用いる場合には、磁気記録媒体の残留磁化量Ｍｒと磁性層の厚みｔとの積Ｍｒ・ｔの値を調整しなければならなず、従来より磁性層の厚みｔを小さくすることが行われている。
【００２２】
しかしながら、磁気記録媒体では、ＧＭＲヘッドとの摺接によって、上述した保護膜の一部が削られることもあり、磁性層の厚みを薄くすると、逆に酸化や腐食等が発生しやすくなってしまう。この場合、上述したＧＭＲヘッドを用いた磁気テープ装置において再生出力を著しく低下させてしまう。
【００２３】
なお、磁気ヘッドの腐食を防ぐ方法としては、例えば磁気コア半体の基端側と先端側とを分断する溝条部を設け、この溝条部に防錆剤を貯留させたものがある（特許文献１参照。）。しかしながら、この場合、磁気ヘッドに対して溝条部を形成するための新たな加工工程が必要となり、製造コストが嵩むといった問題が発生してしまう。
【００２４】
そこで、本発明は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果素子の媒体摺接面に腐食等が発生することを防止し、磁気録媒体に対する適切な再生動作を行うことを可能とした磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【００２５】
また、本発明は、そのような磁気抵抗効果型磁気ヘッドと磁気録媒体である磁気テープとを組み合わせることで、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの腐食等の発生を防ぎつつ、磁気テープの更なる高記録密度化を可能とした磁気テープシステムを提供することを目的とする。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として磁気抵抗効果素子を備えており、この磁気抵抗効果素子の媒体摺接面に、トリアゾール又はトリアゾール誘電体を含有する防錆剤膜が形成されていることを特徴としている。
【００２７】
以上のように、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドでは、磁気抵抗効果素子の媒体摺接面にトリアゾール又はトリアゾール誘電体を含有する防錆剤膜が形成されていることから、磁気記録媒体と摺接される面に保護膜を形成しない場合でも、優れた耐食性を得ることができる。
【００２８】
また、本発明に係る磁気テープシステムは、磁気テープと、磁気テープを走行させるテープ走行手段と、テープ走行手段により走行される磁気テープと摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子として磁気抵抗効果素子を有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドとを備え、磁気テープの磁気抵抗効果型磁気ヘッドが摺接される側の主面及び／又は当該主面とは反対側の主面に、トリアゾール又はトリアゾール誘電体を含有する防錆剤膜が形成されており、磁気テープに磁気抵抗効果型磁気ヘッドが摺接されることによって、防錆剤膜が磁気抵抗効果素子の媒体摺接面に転写されることを特徴としている。
【００２９】
以上のように、本発明に係る磁気テープシステムでは、磁気テープに磁気抵抗効果型磁気ヘッドが摺接することによって、トリアゾール又はトリアゾール誘電体を含有する防錆剤膜が磁気抵抗効果素子の媒体摺接面に転写されることから、この磁気テープから転写された防錆剤膜によって媒体摺接面を被覆し、磁気抵抗効果素子に腐食等が発生するのを防ぐことができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び磁気テープシステムについて、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００３１】
先ず、図１に示すように、本発明を適用した磁気テープシステムを構成する磁気テープ装置１について説明する。
【００３２】
この磁気テープ装置１は、ヘリカルスキャン方式によってテープカセット２に収納された磁気テープ３に対して情報信号の記録又は再生を行うものであり、テープカセット２には、磁気テープ３を供給するための供給リール４と、この供給リール４から供給された磁気テープ３を巻き取るための巻取リール５とが回転可能に設けられている。
【００３３】
磁気テープ装置１は、テープカセット２を着脱可能とする装置本体６を備え、この装置本体６には、テープカセット２のローディング時に供給リール４と巻取リール５との間で磁気テープ３の引き回しを行う複数のガイドローラ７ａ〜７ｆが設けられている。
【００３４】
また、ガイドローラ７ｅとガイドローラ７ｆとの間には、テープ走行手段として、磁気テープ３が掛け合わされるピンチローラ８と、このピンチローラ８と共に磁気テープ３を挟み込むキャップスタン９と、このキャップスタン９を回転駆動するキャップスタンモータ１０とが設けられている。そして、磁気テープ３は、ピンチローラ８とキャップスタン９との間に挟み込まれた状態で、キャップスタンモータ１０によりキャップスタン９が図１中矢印Ａ方向に回転駆動されることによって、図１中矢印Ｂ方向に一定の速度及び張力で走行するようになされている。
【００３５】
また、ガイドローラ７ｃとガイドローラ７ｄとの間には、記録再生手段として、一対の記録ヘッド１１ａ，１１ｂ及び一対の再生ヘッド１２ａ，１２ｂが搭載されたヘッドドラム１３が設けられている。磁気テープ３は、上述した複数のガイドローラ７ａ〜７ｆによってテープカセット２から引き出され、このヘッドドラム１３に略１８０゜の角度範囲でヘリカル状に巻き付けられた状態で、図１中矢印Ｂ方向に走行される。
【００３６】
このヘッドドラム１１は、図１及び図２に示すように、上下方向に組み合わされた一組の回転ドラム１４及び固定ドラム１５と、回転ドラム１４を回転駆動する駆動モータ１６とを備え、互いの中心軸を一致させた状態で装置本体６のベースに対してやや斜めに傾斜した状態で配置されている。
【００３７】
このうち、下ドラムを構成する固定ドラム１５は、装置本体６のベースに固定支持されており、その円筒状の外周面１５ａには、磁気テープ３を案内するリードガイド１７が形成されている。磁気テープ３は、このリードガイド１７に沿って回転ドラム１４の回転方向に対して斜めに走行される。
【００３８】
一方、上ドラムを構成する回転ドラム１４は、中心軸を一致させた略同径の固定ドラム１５に対して回転可能に支持されると共に、固定ドラム１５の下方に配置された駆動モータ１６によって、図１及び図２中矢印Ｃ方向に回転駆動される。また、回転ドラム１４の固定ドラム１５と対向する側の外周部には、磁気テープ３に対して信号の記録動作を行う一対の記録ヘッド１１ａ，１１ｂと、磁気テープ３に対して信号の再生動作を行う一対の再生ヘッド１２ａ，１２ｂとが取り付けられている。
【００３９】
一対の記録ヘッド１１ａ，１１ｂは、一対の磁気コアが磁気ギャップを介して接合されると共に、磁気コアにコイルが巻装されてなるインダクティブ型磁気ヘッドである。これら一対の記録ヘッド１１ａ，１１ｂは、回転ドラム１４の回転中心に対して互いになす中心角が１８０°となる位置において互いに対向配置されている。また、これら一対の記録ヘッド１１ａ，１１ｂは、それぞれの記録ギャップが回転ドラム１４の外周面から外部に臨むように、回転ドラム１４の外周面から僅かに突出して設けられている。なお、これら一対の記録ヘッド１１ａ，１１ｂは、磁気テープ３に対してアジマス記録を行えるように、互いの記録ギャップが磁気テープ３の走行方向と略直交する方向に対してアジマス角に応じて斜めとなるように配置されている。また、一対の記録ヘッド１１ａ，１１ｂは、互いのアジマス角が逆位相となるように設定されている。
【００４０】
一方、一対の再生ヘッド１２ａ，１２ｂは、磁気テープ３からの信号を検出する感磁素子として磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子という。）を備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドという。）である。これら一対の再生ヘッド１２ａ，１２ｂは、回転ドラム１４の回転中心に対して互いになす中心角が１８０°となる位置において互いに対向配置されている。また、これら一対の再生ヘッド１２ａ，１２ｂは、それぞれの再生ギャップが回転ドラム１４の外周面から外部に臨むように、回転ドラム１４の外周面から僅かに突出して設けられている。なお、これら一対の再生ヘッド１２ａ，１２ｂは、磁気テープ３に対してアジマス記録された信号を再生できるように、互いの再生ギャップが磁気テープ３の走行方向と略直交する方向に対してアジマス角に応じて斜めとなるように配置されている。また、一対の再生ヘッド１２ａ，１２ｂは、互いのアジマス角が逆位相となるように設定されている。
【００４１】
そして、このヘッドドラム１３では、回転ドラム１４及び固定ドラム１５の外周面１４ａ，１５ａに巻き付けられた磁気テープ３が、図２中矢印Ｂ方向に走行されながら、駆動モータ１６により回転ドラム１４が、図２中矢印Ｃ方向に回転駆動されることによって、この回転ドラム１４に搭載された一対の記録ヘッド１１ａ，１１ｂ及び一対の再生ヘッド１２ａ，１２ｂが磁気テープ３と摺接しながら、信号の記録動作又は再生動作を行う。
【００４２】
具体的に、記録時には、磁気テープ３に対して、一方の記録ヘッド１１ａが、記録信号に応じた磁界を印加しながら所定のトラック幅で記録トラックを形成し、他方の記録ヘッド１１ｂが、この記録トラックに隣接して記録信号に応じた磁界を印加しながら所定のトラック幅で記録トラックを形成する。そして、これら記録ヘッド１１ａ，１１ｂが磁気テープ３に対して繰り返し記録トラックを形成することによって、磁気テープ３に対して連続的に信号を記録することになる。
【００４３】
一方、再生時には、磁気テープ３に対して、一方の再生ヘッド１２ａが、一方の記録ヘッド１１ａにより記録された記録トラックから信号磁界を検出し、他方の再生ヘッド１２ｂが、他方の記録ヘッド１１ｂにより記録された記録トラックから信号磁界を検出する。そして、これら再生ヘッド１２ａ，１２ｂが記録トラックから繰り返し信号磁界を検出することによって、磁気テープ３に記録された信号を連続的に再生することになる。
【００４４】
次に、図３及び図４に示すように、本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド２０について説明する。
【００４５】
この磁気抵抗効果型磁気ヘッド２０は、磁気記録媒体からの磁気信号の検出を行う感磁素子として、スピンバルブ膜を利用した巨大磁気抵抗効果素子（以下、ＧＭＲ素子という。）を備える、いわゆる巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＧＭＲヘッドという。）である。
【００４６】
このＧＭＲヘッド２０は、電磁誘導を利用して記録再生を行うインダクティブ型磁気ヘッドや異方性磁気抵抗効果型磁気ヘッドよりも感度が高く再生出力が大きいので、高密度記録に適している。したがって、上述した磁気テープ装置１では、このようなＧＭＲヘッド２０を一対の再生ヘッド１２ａ，１２ｂに用いることで、より高密度記録化を図ることが可能となっている。
【００４７】
具体的に、一対の再生ヘッド１２ａ，１２ｂは、第１のコア部材２１上に、例えばメッキ法やスパッタ法、蒸着法等の薄膜形成技術によりＧＭＲヘッド２０が形成され、このＧＭＲヘッド２０上に保護膜２２を介して第２のコア部材２３が貼り付けられた構造を有している。また、一対の再生ヘッド１２ａ，１２ｂは、その磁気テープ３と摺接する媒体摺接面２０ａが、図３中矢印Ｂに示す磁気テープ３の走行方向に沿って略円弧状に湾曲した曲面となっている。そして、ＧＭＲヘッド２０は、この媒体摺接面２０ａから外部に臨む再生ギャップが磁気テープ３の走行方向と略直交する方向に対してアジマス角θに応じて斜めとなるように配置されている。
【００４８】
なお、一対の再生ヘッド１２ａ，１２ｂは、互いのアジマス角が逆位相となる以外は、同一の構成を有している。したがって、以下の説明では、これら一対の再生ヘッド１２ａ，１２ｂをまとめてＧＭＲヘッド２０として説明するものとする。
【００４９】
このＭＲヘッド２０は、上下一対の磁気シールド層２４，２５の間にギャップ層２６を介してＧＭＲ素子２７が挟み込まれた構造を有している。
【００５０】
一対の磁気シールド層２４，２５は、ＧＭＲ素子２７を磁気的にシールドするのに十分な幅を有する軟磁性膜からなり、ギャップ層２６を介してＧＭＲ素子２７を挟み込むことにより、磁気テープ３からの信号磁界のうち、再生対象外の磁界がＭＲ素子２７に引き込まれないように機能する。すなわち、このＭＲヘッド２０では、ＧＭＲ素子２７に対して再生対象外の信号磁界が一対の磁気シールド層２４，２５に導かれ、再生対象の信号磁界だけがＧＭＲ素子２７へと導かれる。これにより、ＧＭＲ素子２７の周波数特性及び読み取り分解能の向上が図られている。
【００５１】
ギャップ層２６は、ＧＭＲ素子２７と一対の磁気シールド層２４，２５との間を磁気的に隔離する非磁性非導電性膜からなり、一対の磁気シールド層２４，２５とＧＭＲ素子２７との間隔がギャップ長となる。
【００５２】
ＧＭＲ素子２７は、スピンバルブ膜４０からなり、このスピンバルブ膜４０に対して面内方向に流れるセンス電流のコンダクタンスが、一対の磁性層の磁化の相対角度に依存して変化する、いわゆる巨大磁気抵抗効果を利用したものである。スピンバルブ膜４０としては、例えば、図５（ａ）に示すように、下地層４１と、反強磁性層４２と、磁化固定層４３と、非磁性層４４と、磁化自由層４５と、保護層４６とが、この順に積層された構造を有するボトム型のスピンバルブ膜４０ａや、図５（ｂ）に示すように、下地層４１と、磁化自由層４５と、非磁性層４４と、磁化固定層４３と、反強磁性層４２と、保護層４６とが、この順に積層された構造を有するトップ型のスピンバルブ膜４０ｂ、図５（ｃ）に示すように、下地層４１と、反強磁性層４２と、磁化固定層４３と、非磁性層４４と、磁化自由層４５と、非磁性層４４と、磁化固定層４３と、反強磁性層４２と、保護層４６とが、この順に積層された構造を有するデュアル型のスピンバルブ膜４０ｃ等を挙げることができる。
【００５３】
このうち、下地層４１及び保護層４６は、このスピンバルブ膜４０の比抵抗の増加を抑制するためのものであり、例えばＴａ等からなる。
【００５４】
反強磁性層４２には、優れた耐食性を示すＰｔＭｎが用いることが好ましい。また、反強磁性層４２としては、ＰｔＭｎの他にも、耐食性に優れたＮｉＯや、ＩｒＭｎ、ＣｒＭｎＰｔ、α−Ｆｅ２０３、ＲｈＭｎ、ＮｉＭｎ、ＰｄＰｔＭｎ等を用いることができる。
【００５５】
また、磁化固定層４３及び磁化自由層４５には、優れた耐食性を示し且つ良好な軟磁気特性を示すＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅが用いることが好ましく、更に好ましくは、磁化固定層４３と磁化自由層４５のうち、一方をＮｉＦｅとし、他方をＣｏＮｉＦｅとすることが好ましい。また、磁化固定層４３及び磁化自由層４５は、これらの合金を積層した積層構造、若しくはこれらの合金と、例えばＲｕ等からなる非磁性膜とを交互に積層した積層フェリ構造としてもよい。
【００５６】
また、非磁性層４４には、優れた耐食性を示し且つ高導電性を示すＣｕ、ＣｕＡｕ又はＡｕが用いることが好ましく、更に好ましくは、ＧＭＲ素子２７のＭＲ比を高くし，出力を上げることができるＣｕ又はＣｕＡｕを用いることが好ましい。
【００５７】
ここでは、ＧＭＲ素子２７として、例えば下層層４１となるＴａと、磁化自由層４５となるＮｉ８０Ｆｅ２０及びＣｏ５０Ｎｉ３０Ｆｅ２０と、非磁性層となるＡｕ７０Ｃｕ３０と、磁化固定層４３となるＣｏ５０Ｎｉ３０Ｆｅ２０と、反強磁性層４２となるＰｔＭｎと、保護層４６となるＴａとが順次積層されてなるスピンバルブ膜４０を備える構成とした。
【００５８】
このスピンバルブ膜４０において、磁化固定層４３は、反強磁性層４２に隣接して配置されることによって、この反強磁性層４２との間で働く交換結合磁界により、所定の方向に磁化が固定された状態となっている。一方、磁化自由層４５は、非磁性層４４を介して磁化固定層４３と磁気的に隔離されることによって、微弱な外部磁界に対して磁化方向が容易に変化することが可能となっている。
【００５９】
したがって、このスピンバルブ膜４０では、外部磁界が印加されると、この外部磁界の大きさや向きに応じて、磁化自由層４５の磁化方向が変化する。そして、この磁化自由層４５の磁化方向が磁化固定層４３の磁化方向に対して、逆方向（反平行）となるとき、このスピンバルブ膜４０に流れる電流の抵抗値が最大となる。一方、磁化自由層４５の磁化方向が磁化固定層４３の磁化方向に対して、同一方向（平行）となるときに、このスピンバルブ膜４０に流れる電流の抵抗値が最小となる。
【００６０】
このように、スピンバルブ膜４０は、印加される外部磁界に応じて電気抵抗が変化することから、この抵抗変化を読み取ることによって磁気テープ３からの磁気信号を検出する感磁素子として機能している。
【００６１】
また、このＧＭＲ素子２７の動作の安定化を図るため、スピンバルブ膜４０の長手方向の両端部には、図３及び図４に示すように、このＧＭＲ素子２７にバイアス磁界を印加するための一対の永久磁石膜２８ａ，２８ｂが設けられている。そして、これら一対の永久磁石膜２８ａ，２８ｂに挟み込まれた部分の幅が、ＧＭＲ素子２７の再生トラック幅Ｔｗとなっている。さらに、一対の永久磁石膜２８ａ，２８ｂ上には、このＧＭＲ素子２７の抵抗値を減少させるための一対の低抵抗化膜２９ａ，２９ｂが設けられている。
【００６２】
また、ＧＭＲ素子２７には、スピンバルブ膜２８にセンス電流を供給するための一対の導体部３０ａ，３０ｂが、その一端部側をそれぞれ一対の永久磁石膜２８ａ，２８ｂ及び低抵抗化膜２９ａ，２９ｂに接続するように設けられている。また、この導体部３０ａ，３０ｂの他端部側には、外部回路と接続される一対の外部接続用端子３１ａ，３１ｂが設けられている。
【００６３】
保護膜２２は、ＧＭＲヘッド２０が形成された第１のコア部材２１の主面を外部接続用端子３１ａ，３１ｂが外部に臨む部分を除いて被覆すると共に、このＧＭＲヘッド２０が形成された第１のコア部材２１と第２のコア部材２３とを接合する。
【００６４】
なお、図３及び図４に示すＭＲヘッド２０は、特徴をわかりやすくするために、ＧＭＲ素子２７の周辺を拡大して図示されているが、実際には、第１のコア部材２１及び第２のコア部材２３と比べてＭＲ素子２７は非常に微細であり、媒体摺接面２０ａにおいて、ＭＲヘッド２０が外部に臨むのはほとんど第１のコア部材２１と第２のコア部材２３とが突き合わされた上部端面だけである。
【００６５】
以上のように構成されるＧＭＲヘッド２０は、図示しないチップベースに貼り付けると共に、一対の外部接続用端子３１ａ，３１ｂがチップベースに設けられた接続端子と電気的に接続される。そして、このチップベースに設けられたＧＭＲヘッド２０は、一対の再生ヘッド１２ａ，１２ｂとして、図２に示す回転ドラム１４に取り付けられている。
【００６６】
ところで、上述した磁気テープ装置１では、ＧＭＲヘッド２０が磁気テープ３に対して接触した状態で再生動作を行うことから、磁気テープ３と摺接されるＧＭＲヘッド２０の媒体摺接面２０ａに、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ　Ｌｉｋｅ　Ｃａｒｂｏｎ）膜等の保護膜を形成することができない。このため、従来の磁気テープ装置では、ＧＭＲヘッドの媒体摺接面が直接大気と触れることになり、高温高湿下や海水雰囲気中においてＧＭＲ素子の腐食等が発生しやすくなるといった問題があった。
【００６７】
そこで、本発明を適用したＧＭＲヘッド２０では、図３に示すように、磁気テープ３と摺接される媒体摺接面２０ａに、トリアゾール又はトリアゾール誘電体を含有する防錆剤膜５０が形成されている。
【００６８】
この防錆剤膜５０は、トリアゾール又はトリアゾール誘導体を含有する防錆剤をＧＭＲヘッド２０の媒体摺接面２０ａに塗布することで形成される。トリアゾール及びトリアゾール誘導体としては、例えば１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、１，２，３−ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−５’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’−ｔｅｒｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジｔｅｒｔ−アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−４−オクトキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２−｛２’−ヒドロキシ−３’−（３’’，４’’，５’’，６’’−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５’−メチルフェニル｝ベンゾトリアゾール、３−アミノ−１Ｈ−１，２，４トリアゾール等が挙げられる。これらトリアゾール又はトリアゾール誘導体は、上述したスピンバルブ膜４０の磁気抵抗変化率（ＭＲ比）に影響を与える非磁性層４４のＣｕやＣｕＡｕとの反応性が良く、海水雰囲気下での塩素イオンに対する耐食性に優れている。特に、１，２，３−ベンゾトリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾールは、非磁性層４４のＣｕやＣｕＡｕとの反応性が良く，優れた耐食性を示すことから、防錆剤膜５０として好適である。
【００６９】
また、この防錆剤膜５０の膜厚は、１〜５００Åの範囲とすることが好ましい。この防錆剤膜５０の膜厚が１Åよりも薄くなると、耐食性を維持することが困難となってしまう。一方、この防錆剤膜５０の膜厚が５００Åよりも厚くなると、ＧＭＲヘッド２０と磁気テープ３との間のスペーシングとなり、このＧＭＲヘッド２０の出力感度が低下してしまう。したがって、この防錆剤膜５０の膜厚を１〜５００Åの範囲に規定することで、優れた耐食性を示し且つ高い磁気抵抗変化率を維持することができる。また、この防錆剤膜５０の膜厚は、２〜２００Åの範囲であることがより好ましく、さらに、この防錆剤膜５０の膜厚を５〜１００Åの範囲に規定すれば、ＧＭＲ素子２７の腐食等の発生を防止すると共に、このＧＭＲ素子２７の良好な短波長記録再生特性を得ること可能である。
【００７０】
なお、ここでは、上述したスピンバルブ膜４０を構成する非磁性層４４のＣｕＡｕとの反応性が良く、海水雰囲気下での塩素イオンに対する耐食性に優れた防錆剤膜５０として、例えば下記化１に示す１，２，３−ベンゾトリアゾールを塗布により形成した。
【００７１】
【化１】
2004110893.tif 000003
【００７２】
以上のように、本発明を適用したＧＭＲヘッド２０では、磁気テープ３と摺接される媒体摺接面２０ａに保護膜を形成できない場合でも、この媒体摺接面２０に形成された防錆剤膜５０ａによって、大気中や海水雰囲気中、高温高湿下における優れた耐食性を得ることが可能である。したがって、このＧＭＲヘッド２０では、ＧＭＲ素子２７に腐食等が発生するのを防ぐことが可能であり、磁気テープ３に対する適切な再生動作を行うことが可能である。
【００７３】
次に、図６に示すように、本発明を適用した磁気記録媒体６０について説明する。
【００７４】
この磁気記録媒体６０は、非磁性支持体上に金属磁性材膜を斜方に蒸着させてなる、いわゆる蒸着テープである。この蒸着テープは、保磁力、残留磁化、角形比等に優れ、短波長での電磁変換特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄くできるため、記録減磁や再生時の厚み損失が小さいこと、磁性層中に非磁性材である結合剤を混入する必要がないため、磁性材料の充填密度を高め、大きな磁化を得ることができる等、数々の利点を有している。したがって、上述した磁気テープ装置１では、このような磁気記録媒体６０をテープカセット２の磁気テープ３に用いることで、電磁変換特性を向上させ、より大きな出力を得ることが可能となっている。
【００７５】
具体的に、この磁気記録媒体６０は、テープ状の非磁性支持体６１上に、金属磁性薄膜からなる磁性層６２と、この磁性層６２を保護する保護層６３とが順に積層された構造を有している。
【００７６】
非磁性支持体６１としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレート等のポリエステル類、ポリプロピレン等のポリオレフイン類、セルローストリアセテート、セルロースダイアセテート等のセルロース誘導体、ポリアミド、アラミド樹脂、ポリカーボネート等のプラスチック等が挙げられる。非磁性支持体は、単層構造であっても多層構造であってもよい。また、例えば、非磁性支持体の表面には、コロナ放電処理等の表面処理が施されていてもよいし、易接着層等の有機物層が下塗層として形成されていてもよい。
【００７７】
磁性層６２は、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、イオンプレーティング法等、従来公知の手法を用いて金属磁性薄膜を被着させて形成される。中でも、金属磁性薄膜としては、真空蒸着法により成膜されたものが好ましい。金属磁性薄膜の厚さはラインスピードを変化されることにより制御することが可能であり、残留磁化量は蒸着中の酸素導入量を変化させることにより制御することが可能である。例えば、１５〜４０ｎｍといった膜厚の金属磁性薄膜を確実に成膜することができる。また、磁性層６２の金属磁性薄膜は、例えば、Ｃｒ下地層上に成膜されてもよい。下地層としては、Ｃｒの他に、ＣｒＴｉ、ＣｒＭｏ、ＣｒＶ等が使用される。また、磁性層６２は、単層構造であっても多層構造であってもよい。
【００７８】
ここで、磁気記録媒体６０では、残留磁化量Ｍｒと膜厚ｔとの積Ｍｒ・ｔが、４ｍＡ〜１３ｍＡの範囲とされている。磁気記録媒体６０のＭｒ・ｔが１３ｍＡよりも大きすぎると、ＧＭＲヘッド２０が飽和して、ＭＲ抵抗変化が線形な領域を外れ、再生波形が歪んでしまう。また、Ｍｒ・ｔが４ｍＡよりも小さすぎると、再生出力が小さくなり良好なＳＮ比（信号／ノイズ比）を得ることが出来なくなってしまう。従って、Ｍｒ・ｔを、４ｍＡ〜１３ｍＡの範囲に規定することで、再生波形の歪みがなく、再生出力が大きく良好なＳＮ比を有するものとなる。
【００７９】
これらＭｒとｔについては、蒸着時の酸素導入量と非磁性支持体の送りスピードなどの条件によって制御することが可能である。すなわち、蒸着時の酸素導入量を少なくすれば、Ｍｒは大きくなり、酸素導入量を多くすれば、Ｍｒは小さくなる。また、蒸着時の非磁性支持体６１の送りスピードを遅くすればｔは厚くなり、送りスピードを遅くすればｔは薄くなる。また、磁性層６２の形成後の表面酸化処理によってもＭｒを調整することができる。
【００８０】
そして、このときの残留磁化量Ｍｒは、１６０ｋＡ／ｍ〜３６０ｋＡ／ｍの範囲であることが好ましい。Ｍｒが３６０ｋＡ／ｍよりも大きすぎると、磁性粒子の分離が出来ず、磁気的相互作用によりノイズが増大してしまう。また、Ｍｒが１６０ｋＡ／ｍよりも小さすぎると、Ｃｏ粒子の酸化が進行し、充分な再生出力を得ることが出来ない。従って、Ｍｒを１６０ｋＡ／ｍ〜３６０ｋＡ／ｍの範囲に規定することで、ノイズを減少させ、充分な再生出力を付与することができる。そして、Ｍｒは２００ｋＡ／ｍ〜３４０ｋＡ／ｍの範囲であることがより好ましい。
【００８１】
また、この磁気記録媒体６０において、表面電気抵抗は、１×１０３Ω／ｓｑ．〜１×１０７Ω／ｓｑ．の範囲であることが好ましい。表面電気抵抗が１×１０７Ω／ｓｑ．よりも大きすぎると、磁気テープ３の走行中などにテープ表面に大きな電荷が帯電し、上述したＧＭＲヘッド２０と接触した際にＥＳＤ破壊（静電破壊）の原因となってしまう。また、表面電気抵抗が１×１０３Ω／ｓｑ．よりも小さすぎると、媒体表面に電荷が流れやすくなり、上述したＧＭＲヘッド２０と接触したときにヘッドに電流が急激に流れ、ＥＳＤ破壊の原因となってしまう。従って、表面電気抵抗を１×１０３Ω／ｓｑ．〜１×１０７Ω／ｓｑ．の範囲に規定することで、金属磁性薄膜表面の帯電又は電流の流れを抑えて、上述したＧＭＲヘッド２０の静電破壊を防止することができる。
【００８２】
そして、金属磁性薄膜の厚みｔは、１５ｎｍ〜４０ｎｍの範囲であることが好ましい。ｔを上記のように規定することで、磁気記録媒体１のＭｒ・ｔ、Ｍｒ、表面電気抵抗を上記範囲に調整することが可能となる。
【００８３】
さらに、磁気記録媒体６０において、面内方向での保磁力Ｈｃは、１００ｋＡ／ｍ〜１６０ｋＡ／ｍの範囲であることが好ましい。保磁力が１００ｋＡ／ｍよりも小さいと、低ノイズ化、高ＳＮ比を実現することができない。また、保磁力が１６０ｋＡ／ｍを超えると、充分な記録が出来なくなり、再生出力が低下してしまう。従って、面内方向での保磁力を１００ｋＡ／ｍ〜１６０ｋＡ／ｍの範囲に規定することで、低ノイズ化、高ＳＮ比を実現し、高い再生出力を有するものとなる。
【００８４】
以上のように、この磁気記録媒体６０では、残留磁化量Ｍｒと膜厚ｔとの積Ｍｒ・ｔが、４ｍＡ〜１３ｍＡの範囲に規定されているので、再生波形の歪みがなく、再生出力が大きく良好なＳＮ比を有するものとなる。また、この磁気記録媒体６０では、Ｍｒが１６０ｋＡ／ｍ〜３６０ｋＡ／ｍの範囲に規定されているので、ノイズを減少させ、充分な再生出力を有するものとなる。また、この磁気記録媒体６０では、金属磁性薄膜の表面電気抵抗が１×１０３Ω／ｓｑ．〜１×１０７Ω／ｓｑ．の範囲に規定されていることで、金属磁性薄膜表面の帯電又は電流の流れを抑えて、上述したＧＭＲヘッド２０の静電破壊を防止することができる。したがって、この磁気記録媒体６０では、ノイズが抑えられ、高い再生出力及び良好なＳＮ比を有すると共に、上述したＧＭＲヘッド２０で再生した場合のヘッドの飽和及び静電気破壊を防止することが可能である。
【００８５】
保護層６３は、通常の金属磁性薄膜用の保護膜として使用されるものであれば、如何なる材料であってもよく、例えばダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）や、ＣｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＢＮ、Ｃｏ酸化物、ＭｇＯ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｏ４、ＳｉＮｘ、ＳｉＣ、ＳｉＮｘ−ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＴｉＣ等が挙げられる。また、これらの単層膜であってもよいし、多層膜あるいは複合膜であってもよい。なお、上述した表面電気抵抗は、例えば、この金属磁性薄膜上に形成されるダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）保護膜の厚みなどを制御することによって調整することも可能である。
【００８６】
ところで、この磁気記録媒体６０には、磁性層６２が形成された側の主面を被覆するトップコート層６４として、上述したＧＭＲヘッド２０の媒体摺接面２０ａに形成された防錆剤膜５０と同一材料からなる防錆剤膜５０ａが形成されている。
【００８７】
このトップコート層６４を形成する防錆剤膜５０ａは、上述したＧＭＲヘッド２０の媒体摺接面２０ａに防錆剤膜５０を転写するために、磁気記録媒体６０のＧＭＲヘッド２０が摺接される側の主面に所定の膜厚で形成されている。
【００８８】
したがって、この磁気記録媒体６０では、上述したＧＭＲヘッド２０が摺接されることによって、このＧＭＲヘッド２０の媒体摺接面２０ａに防錆剤膜５０ａを転写し、転写された防錆剤膜５０ａによってＧＭＲ素子２７に腐食等が発生するのを防ぐことが可能である。
【００８９】
また、この磁気記録媒体６０には、磁性層６２が形成された主面とは反対側の主面を被覆するバックコート層６５として、上述したＧＭＲヘッド２０の媒体摺接面２０ａに形成された防錆剤膜５０と同一材料からなる防錆剤膜５０ｂが所定の膜厚で形成されている。
【００９０】
このバックコート層６５は、上述した供給リール４の巻回されることによって、このバックコート層６５と対向するトップコート層６５に防錆剤膜５０ｂを転写する。したがって、このバックコート層６５を形成する防錆剤膜５０ｂは、磁気記録媒体６０にＧＭＲヘッド２０が摺接されることによって、最終的にＧＭＲヘッド２０の媒体摺接面２０ａに転写される。
【００９１】
なお、これら防錆剤膜５０ａ，５０ｂの膜厚は、上述したＧＭＲヘッド２０の媒体摺接面２０ａに形成された防錆剤膜５０と同様に、１〜５００Åの範囲とすることが好ましく、より好ましくは、２〜２００Åの範囲であり、さらに好ましくは、５〜１００Åの範囲である。
【００９２】
以上のように、本発明を適用した磁気記録媒体６０では、ＧＭＲヘッド２０が摺接された際に、このＧＭＲヘッド２０の媒体摺接面２０ａに防錆剤膜５０ａ，５０ｂを直接又は間接的に転写することから、上述したＧＭＲヘッド２０の媒体摺接面２０ａに防錆剤膜５０を形成していない場合でも、転写された防錆剤膜５０ａ，５０ｂによってＧＭＲ素子２７に腐食等が発生するのを防ぐことが可能である。また、ＧＭＲヘッド２０の媒体摺接面２０ａに形成された防錆剤膜５０が摩耗により減少した場合でも、防錆剤膜５０ａ，５０ｂを直接又は間接的に転写することによって、防錆剤膜５０の膜厚を所定の厚みに維持することが可能である。したがって、上述した磁気テープ装置１に装填されるテープカセット２の磁気テープ３として特に好適なものとなっている。
【００９３】
なお、本発明を適用した磁気記録媒体６０は、上述した構成に限定されるものではなく、必要に応じて磁性層６２上に保護層６３が形成しない構成としてもよい。この場合、磁性層６２上に防錆剤膜５０ａが直接被覆されることになり、この防錆剤膜５０ａによって磁性層６２の酸化や腐食等の発生を防ぐことも可能である。また、本発明を適用した磁気記録媒体６０は、その両面に防錆剤膜５０ａ，５０ｂが形成された構成に限らず、磁性層６２が形成された側の主面のみに防錆剤膜５０ａを形成したものや、磁性層６２が形成された側の主面とは反対側の主面のみに防錆剤膜５０ｂを形成したものであってもよい。
【００９４】
以上のように、上述した磁気テープ装置１では、本発明を適用したＧＭＲヘッド２０と磁気記録媒体６０とを組み合わせることで、これまでにない高密度記録再生システムを構築することが可能である。そして、この磁気テープ装置１では、ヘリカルスキャン方式により磁気記録媒体６０に対してＧＭＲヘッド２０を摺接しながら磁気信号の検出を行った際でも、このＧＭＲヘッド２０の媒体摺接面２０ａに腐食等が発生することを防止することが可能である。
【００９５】
次に、本発明の効果を実証すべく行った評価結果について説明する。
【００９６】
先ず、本発明のように、上記防錆剤膜を媒体摺接面に形成したＧＭＲヘッドと、従来のように、上記防錆剤膜を媒体摺接面に形成しなかったＧＭＲヘッドとを作製し、磁気テープ装置において磁気テープを走行させずに、これらＧＭＲヘッドを放置した場合のヘッドの耐食性について調べた。
【００９７】
ここでは、ヘッド１として、下層層となるＴａ膜と、磁化自由層となるＮｉＦｅ膜及びＣｏＮｉＦｅ膜と、非磁性層となるＣｕ膜と、磁化固定層となるＮｉＦｅ膜と、反強磁性層となるＰｔＭｎ膜と、保護層となるＴａ膜とが順次積層されてなるスピンバルブ膜を備えるＧＭＲヘッドを作製すると共に、ヘッド２として、下層層となるＴａ膜と、磁化自由層となるＮｉＦｅ膜及びＣｏＮｉＦｅ膜と、非磁性層となるＣｕＡｕ膜と、磁化固定層となるＮｉＦｅ膜と、反強磁性層となるＰｔＭｎ膜と、保護層となるＴａ膜とが順次積層されてなるスピンバルブ膜を備えるＧＭＲヘッドと作製した。
【００９８】
そして、それぞれのヘッド１，２について、媒体摺接面に防錆剤膜を形成しなかった場合、媒体摺接面に１，２，３−ベンゾトリアゾールからなる防錆剤膜を形成した場合、３−アミノー１，２，４−トリアゾールからなる防錆剤膜を形成した場合の腐食発生の有無についての評価を行った。
【００９９】
以下、これらをまとめた評価結果を表１に示す。なお、表１において、二重マルは、本腐食試験において腐食の発生がなく優れた耐食性が確認された場合を示し、マルは、本腐食試験において腐食の発生が確認されなかった場合を示し、バツは、本腐食試験において腐食が発生が確認された場合を示す。
【０１００】
【表１】
2004110893.tif 000004
【０１０１】
表１の評価結果から、ヘッド１及びヘッド２では、共に防錆剤膜を形成しなかった場合に腐食が発生することがわかる。これに対して、ヘッド１及びヘッド２の媒体摺接面に防錆剤膜を形成した場合には、腐食の発生がなく、特に１，２，３−ベンゾトリアゾール又は３−アミノー１，２，４−トリアゾールからなる防錆剤膜を形成した場合に、優れた耐食性を示すことがわかる。
【０１０２】
次に、本発明のように、防錆剤膜を媒体摺接面に形成したＧＭＲヘッドと、従来のように、防錆剤膜を媒体摺接面に形成しなかったＧＭＲヘッドとを作製すると共に、本発明のように、防錆剤膜を表面に形成した磁気テープと、従来のように、防錆剤膜を表面に形成しなかった磁気テープとを作製し、磁気テープ装置においてＧＭＲヘッドを磁気テープに摺接させた際に、これらＧＭＲヘッドと磁気テープとの組合せによる腐食発生の有無についての評価を行った。
【０１０３】
なお、ここでは、ヘッドとして、上述したヘッド１を用い、防錆剤膜として、１，２，３−ベンゾトリアゾールを用い、磁気テープには、磁性層が形成された側の主面のみ防錆剤膜を塗布により形成した。
【０１０４】
以下、これらをまとめた評価結果を表２に示す。なお、表２において、二重マルは、本腐食試験において腐食の発生がなく優れた耐食性が確認された場合を示し、マルは、本腐食試験において腐食の発生が確認されなかった場合を示し、バツは、本腐食試験において腐食が発生が確認された場合を示す。
【０１０５】
【表２】
2004110893.tif 000005
【０１０６】
表２の評価結果から、従来のように防錆剤膜を媒体摺接面に形成しなかったＧＭＲヘッドを、従来のように防錆剤膜を表面に形成しなかった磁気テープに摺接させた場合には、腐食が発生することがわかる。これに対して、本発明のように防錆剤膜を媒体摺接面に形成したＧＭＲヘッドを、従来のように防錆剤膜を表面に形成しなかった磁気テープに摺接させた場合、並びに、従来のように防錆剤膜を媒体摺接面に形成しなかったＧＭＲヘッドを、本発明のように防錆剤膜を表面に形成した磁気テープに摺接させた場合には、腐食の発生がなく、特に、本発明のように防錆剤膜を媒体摺接面に形成したＧＭＲヘッドを、本発明のように防錆剤膜を表面に形成した磁気テープに摺接させた場合には、優れた耐食性を示すことがわかる。
【０１０７】
次に、従来のように、防錆剤膜を表面に形成しなかった磁気テープと、本発明のように、磁性層が形成された側の主面のみ防錆剤膜を形成した磁気テープと、磁性層が形成された側の主面とは反対側の主面のみ防錆剤膜を形成した磁気テープと、両面に防錆剤膜を形成した磁気テープとを作製し、これら磁気テープに防錆剤膜が媒体摺接面に形成されていないＧＭＲヘッドを摺接させた際の腐食発生の有無についての評価を行った。
【０１０８】
なお、ここでは、ヘッドとして、上述したヘッド１を用い、防錆剤膜として、１，２，３−ベンゾトリアゾールを用いた。
【０１０９】
以下、これらをまとめた評価結果を表３に示す。なお、表３において、二重マルは、本腐食試験において腐食の発生がなく優れた耐食性が確認された場合を示し、マルは、本腐食試験において腐食の発生が確認されなかった場合を示し、バツは、本腐食試験において腐食が発生が確認された場合を示す。
【０１１０】
【表３】
2004110893.tif 000006
【０１１１】
表３の評価結果から、従来のように、防錆剤膜を表面に形成しなかった磁気テープにＧＭＲヘッドを摺接させた場合には、腐食が発生することがわかる。これに対して、本発明のように、磁性層が形成された側の主面のみ防錆剤膜を形成した磁気テープにＧＭＲヘッドを摺接させた場合、並びに磁性層が形成された側の主面とは反対側の主面のみ防錆剤膜を形成した磁気テープにＧＭＲヘッドを摺接させた場合には、腐食の発生がなく、特に、両面に防錆剤膜を形成した磁気テープにＧＭＲヘッドを摺接させた場合には、優れた耐食性を示すことがわかる。
【０１１２】
次に、従来のように、磁性層が形成された側の主面に防錆剤膜を形成しなかった磁気テープと、本発明のように、磁性層が形成された側の主面に防錆剤膜を形成した磁気テープとを作製し、これら磁気テープの腐食発生の有無についての評価を行った。
【０１１３】
なお、ここでは、作製された磁気テープの残留磁化量Ｍｒは２８５ｍＡ／ｍであり、金属磁性薄膜の膜厚ｔは３５ｎｍであり、それらの積Ｍｒ・ｔは、１０ｍＡであり、保持力Ｈｃは、１２０ｋＡ／ｍであった。また、防錆剤膜として、１，２，３−ベンゾトリアゾールを用いた。
【０１１４】
以下、これらをまとめた評価結果を表４に示す。なお、表４において、マルは、本腐食試験において腐食の発生が確認されなかった場合を示し、バツは、本腐食試験において腐食が発生が確認された場合を示す。
【０１１５】
【表４】
2004110893.tif 000007
【０１１６】
表４の評価結果から、従来のように、磁性層が形成された側の主面に防錆剤膜を形成しなかった磁気テープでは、腐食が発生することがわかる。これに対して、本発明のように、磁性層が形成された側の主面に防錆剤膜を形成した磁気テープでは、腐食の発生がなく、優れた耐食性を示すことがわかる。
【０１１７】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドによれば、磁気抵抗効果素子の媒体摺接面にトリアゾール又はトリアゾール誘電体を含有する防錆剤膜が形成されていることから、この磁気抵抗効果素子の媒体摺接面に腐食等が発生することを防止し、磁気録媒体に対する適切な再生動作を行うことが可能である。
【０１１８】
また、本発明に係る磁気テープシステムによれば、磁気テープに磁気抵抗効果型磁気ヘッドが摺接することによって、トリアゾール又はトリアゾール誘電体を含有する防錆剤膜が磁気抵抗効果素子の媒体摺接面に転写されることから、この磁気記録媒体から転写された防錆剤膜によって媒体摺接面を被覆し、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子に腐食等が発生することを防ぐことが可能である。したがって、そのような磁気抵抗効果型磁気ヘッドと磁気テープとを組み合わせることで、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの腐食等の発生を防ぎつつ、磁気テープの更なる高記録密度化が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した磁気テープ装置の概略を示す平面図である。
【図２】ドラムヘッドの構成を示す斜視図である。
【図３】本発明を適用したＧＭＲヘッドの構成を示す斜視図である。
【図４】上記ＧＭＲヘッドを媒体摺接面から見た端面図である。
【図５】上記ＧＭＲヘッドを構成するスピンバルブ膜として、（ａ）は、ボトム型のスピンバルブ膜の構成を示す断面図であり、（ｂ）は、トップ型のスピンバルブ膜の構成を示す断面図であり、（ｃ）は、デュアル型のスピンバルブ膜の構成を示す断面図である。
【図６】本発明を適用した磁気記録媒体の概略を示す断面図である。
【符号の説明】
１　磁気テープ装置、２　テープカセット、３　磁気テープ、４　供給リール、５　巻取リール、６　装置本体、７ａ〜７ｆ　ガイドローラ、８　ピンチローラ、９　キャップスタン、１０　キャップスタンモータ、１１ａ，１１ｂ　記録ヘッド、１２ａ，１２ｂ　再生ヘッド、１３　ヘッドドラム、１４　回転ドラム、１５　固定ドラム、１６　駆動モータ、２０　ＧＭＲヘッド、２０ａ　媒体摺接面、２１　第１のコア部材、２２　保護膜、２３　第２のコア部材、２４，２５　磁気シールド層、２６　ギャップ層、２７　ＧＭＲ素子、２８　永久磁石膜、２９　低抵抗化膜、３０　導体部、３１　外部接続用端子、４０　スピンバルブ膜、４２　反強磁性層、４３　磁化固定層、４４　非磁性層、４５　磁化自由層、５０，５０ａ，５０ｂ　防錆剤膜、６０　磁気記録媒体、６１　非磁性支持体、６２　磁性層、６３　保護層、６４　トップコート層、６５　バックコート層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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