(57)【要約】【課題】磁気抵抗効果素子の特性を向上可能な磁気抵抗効果素子基板を提供する。【解決手段】磁気抵抗効果素子の記録媒体対向面となる側が、その反対側の方よりも、基板の中心から遠くに位置するように、複数の磁気抵抗効果素子の過半数が配置されている。これにより、マスクの陰となって層堆積ができない領域が、記録媒体対向面の研磨時において除去されるので、磁気抵抗効果素子の特性を向上させることができる。【選択図】　図１
2004134035.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された磁気抵抗効果膜と、この磁気抵抗効果膜の側方周囲を囲むように物理的堆積法を用いて前記基板上に形成された絶縁層とを備える磁気抵抗効果素子を複数備える磁気抵抗効果素子基板において、
前記磁気抵抗効果素子の記録媒体対向面となる側が、その反対側の方よりも、前記基板の中心から遠くに位置するように、複数の前記磁気抵抗効果素子の過半数が配置されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子基板。
【請求項２】
前記基板の中心を通る直線を設定した場合、全ての前記磁気抵抗効果素子は、その記録媒体対向面となる側が、その反対側よりも前記直線から遠くに位置するように、前記直線に沿って行列状に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気抵抗効果素子基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ハードディスク等の磁気記録媒体の高密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドの性能向上が要求されている。薄膜磁気ヘッドとしては、読み出し用の磁気抵抗効果素子（ＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｏ　Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子という）を有する再生ヘッドが含まれる。複数の磁気抵抗効果素子を有する磁気抵抗効果素子基板の製造においては、まず、基板上に磁気抵抗効果膜を形成した後、次に、物理的堆積（ＰＶＤ）法を用いて、個々の領域に区分された磁気抵抗効果膜の少なくとも記録媒体対向面（エア・ベアリング表面：ＡＢＳ）に垂直な方向の後端（ハイト後端）側には、絶縁層が設けられている。
【０００３】
すなわち、磁気抵抗効果素子基板においては、基板上に形成された磁気抵抗効果膜と、この磁気抵抗効果膜の側方周囲を囲むように物理的堆積法を用いて前記基板上に形成された絶縁層とを備える磁気抵抗効果素子を複数備えている。
【０００４】
磁気抵抗効果素子は基板から切り出される。このときの切断面はラッピング研磨され、記録媒体対向面となる。
【０００５】
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては次のものがある。
【０００６】
【特許文献１】
特許２７１３７５８号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の磁気抵抗効果素子基板においては、スパッタリング法等の、中心部から立体角をもって堆積原子が飛行するタイプのＰＶＤ法を用いて基板上に、上記絶縁層を形成している。
【０００８】
したがって、基板の中心から離れるほど、基板上に形成されたレジストの縁の陰になる領域が増加するため、この領域において絶縁層に窪みができる。この絶縁層上には、磁気抵抗効果素子の特性に影響を与える上部磁気シールドが設けられるので、絶縁層の窪みは磁気抵抗効果素子の特性上好ましくない。
【０００９】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、磁気抵抗効果素子の特性を向上可能な磁気抵抗効果素子基板を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る磁気抵抗効果素子基板は、基板上に形成された磁気抵抗効果膜と、この磁気抵抗効果膜の側方周囲を囲むように物理的堆積法を用いて前記基板上に形成された絶縁層とを備える磁気抵抗効果素子を複数備える磁気抵抗効果素子基板において、前記磁気抵抗効果素子の記録媒体対向面となる側が、その反対側の方よりも、前記基板の中心から遠くに位置するように、複数の前記磁気抵抗効果素子の過半数が配置されていることを特徴とする。
【００１１】
本磁気抵抗効果素子基板においては、ＰＶＤ法による絶縁層形成時に陰となる領域、すなわち基板中心（重心）から遠い側が記録媒体対向面側に位置するため、この領域は記録媒体対向面形成時の研磨工程において除去されるので、この領域とは反対側の領域、すなわち、相対的に窪み量の少ない絶縁層の領域上に上部磁気シールドが形成されることとなる。したがって、磁気抵抗効果素子の特性に影響を与える上部磁気シールドが相対的に窪み量の少ない領域に形成されるため、磁気抵抗効果素子の特性を向上させることができる。
【００１２】
１枚の基板において、過半数である磁気抵抗効果素子が、上述の規定のように配置されると、特性が向上した磁気抵抗効果素子の数が半数を超えることとなる。この割合は７５％以上であることが更に好ましく、この場合には、特性が向上した磁気抵抗効果素子の数が７５％以上となる。
【００１３】
また、前記基板の中心を通る直線を設定した場合、全ての前記磁気抵抗効果素子は、その記録媒体対向面となる側が、その反対側よりも前記直線から遠くに位置するように、前記直線に沿って行列状に配置されていることが好ましい。この場合、前記直線に沿った磁気抵抗効果素子バーを基板から切り出し、磁気抵抗効果素子バーの各記録媒体対向面を研磨部材に接触させた状態で、この磁気抵抗効果素子バーを前記直線に沿った方向に移動させる。これにより、研磨部材に対して磁気抵抗効果素子の記録媒体対向面の研磨が行われ、全ての磁気抵抗効果素子の記録媒体対向面となる側に形成された絶縁層の凹部を除去することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、実施の形態に係る磁気抵抗効果素子基板について説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
【００１５】
図１は実施の形態に係る磁気抵抗効果素子基板中間体の斜視図である。なお、「上」及び「下」なる語は図１の上下に従う。
【００１６】
この基板（ウェハ）Ｗ上の特定領域内に特定材料層を形成する場合、マスクとしてのレジストを基板上に形成し、しかる後、堆積原子源から原子又は分子をＰＶＤ法によって特定領域内に堆積する。この場合、堆積原子源からウェハＷに向かって飛行する原子又は分子線ＡＲは、堆積原子源に対して立体角を有する。すなわち、ウェハＷの主表面に対して原子又は分子線ＡＲは、ウェハ主表面の垂直軸から傾いて照射される（中心付近を除く）。
【００１７】
本例におけるＰＶＤ法はスパッタリング法若しくはイオンビームデポジション（ＩＢＤ）法であり、絶縁体ターゲット（堆積原子源）からウェハＷ上に堆積される堆積物は絶縁層を構成する。なお、ターゲットとして金属を用いた場合においても、当該金属が、その金属原子又は分子の飛行経路に位置する気体分子と化合して絶縁体を構成するものであれば、このような金属ターゲットを採用することもできる。
【００１８】
図２はＰＶＤ法実行後のウェハＷ上の所定部分の縦断面図である。なお、層構造の明確化のため、ハッチングは省略して表記する。ウェハＷは下地基板Ｓ上に形成された磁気抵抗効果膜ＭＲと、磁気抵抗効果膜ＭＲの側方に隣接する絶縁層Ｉとを備えている。なお、紙面に垂直な方向に沿って、磁気抵抗効果素膜ＭＲを挟むように硬磁性層（ハードマグネット）が設けられており、磁気抵抗効果膜ＭＲ内で発生するバルクハウゼン・ノイズを抑制している。
【００１９】
なお、説明において、磁気抵抗効果膜ＭＲの厚み方向をＺ軸とし、記録媒体対向面内に含まれ且つＺ軸方向に垂直な方向をＸ軸とし、Ｚ軸及びＸ軸の双方に垂直な方向をＹ軸とする。なお、記録媒体対向面はＸＺ面である。
【００２０】
ウェハＷの外側、すなわち、ウェハＷの中心Ｇから遠い位置では、絶縁層Ｉの構成原子又は分子が、磁気抵抗効果膜ＭＲ上に形成されるべきマスク（図３参照）の縁の陰となり、この領域Ａ１における絶縁層成長速度が低下する。したがって、領域Ａ１における絶縁層Ｉの表面は窪みを有することとなる。絶縁層ＩにおけるウェハＷの中心Ｇに近い方の領域Ｂ１も窪みを有することとなるが、領域Ａ１に対して相対的に窪み量が小さい。領域Ａ１は、ＸＺ平面に沿ってウェハＷから磁気抵抗効果素子バーの一部分として切り離された後、その切断面に垂直な方向、すなわち、ウェハＷの中心Ｇに向かう方向に向かって研磨され、除去される。
【００２１】
すなわち、ウェハＷにおいては、磁気抵抗効果素子の記録媒体対向面となる側（領域Ａ１）が、その反対側の方（領域Ｂ１）よりも、基板Ｗの中心Ｇから遠くに位置するように、複数の磁気抵抗効果素子の過半数が配置されている。
【００２２】
本磁気抵抗効果素子基板においては、ＰＶＤ法による絶縁層形成時に陰となる領域Ａ１が記録媒体対向面側に位置するため、この領域Ａ１は記録媒体対向面形成時の研磨工程において除去されるので、研磨された磁気抵抗効果素子は、この領域とは反対側の領域、すなわち、相対的に窪み量の少ない絶縁層Ｉの領域Ｂ１側が残ることとなる。したがって、磁気抵抗効果素子の特性に影響を与える上部磁気シールドが相対的に窪み量の少ない領域Ｂ１上に形成されるため、磁気抵抗効果素子の特性を向上させることができる。
【００２３】
領域Ｂ１における窪みの深さが深い場合には、上部磁気シールドがバルクハウゼン・ノイズ抑制用の硬磁性体に近接するため、その磁力線が上部磁気シールド方向に流れ、磁気抵抗効果膜ＭＲの単磁区化が抑制され、バルクハウゼン・ノイズが増加する虞があるが、本実施形態においては、領域Ｂ１における窪みの深さは領域Ａ１のものに比べて相対的に浅いため、ノイズの発生が抑制される。また、窪み量が少ないほど、平坦性が増加するため、この領域上に各種の要素を形成し易い。
【００２４】
１枚の基板において、過半数を占める磁気抵抗効果素子が、上述の規定のように配置されると、特性が向上した磁気抵抗効果素子の数が半数を超えることとなる。この割合は７５％以上であることが更に好ましく、この場合には、特性が向上した磁気抵抗効果素子の数が７５％以上となる。
【００２５】
次に、絶縁層Ｉの形成手順について説明する。
【００２６】
図３（ａ）、図３（ｂ）、図３（ｃ）、図３（ｄ）は、磁気抵抗効果素子基板製造途中におけるウェハＷを、ウェハＷの中心から外周に向かう方向に沿って切ったウェハの部分縦断面構成を示す説明図である。同図中において、２層レジストＲＥ１，ＲＥ２の設けられた側がウェハＷの中心に近いこととする。絶縁層Ｉの形成においては、以下の工程▲１▼〜▲４▼を順次行う。
【００２７】
▲１▼レジスト形成（図３（ａ））
まず、下地層Ｓ１の形成された下地基板Ｓを備えるウェハＷ上に、磁気抵抗効果膜ＭＲを形成する。このとき、磁気抵抗効果膜ＭＲ上には表面酸化膜Ｏｘが形成されている。しかる後、露光に対する反応性の異なるレジストＲＥ１，ＲＥ２を表面酸化膜Ｏｘ上全体に重ねて塗布する。このレジストＲＥ１，ＲＥ２に露光を行うことによってレジストＲＥ１，ＲＥ２内に細長いパターンの潜像濃度分布を形成し、しかる後、このパターンのレジストＲＥ１，ＲＥ２がパターンを残すべき場所の磁気抵抗効果膜ＭＲ上に残るようにレジストＲＥ１，ＲＥ２の現像処理を行う。例えば、上側のレジストＲＥ２の露光光が照射された箇所は現像液に対して溶解するが、下側のレジストＲＥ１は露光の有無とは無関係に溶解するものとする。これを現像する場合、下側レジストＲＥ１の側面が上側レジストＲＥ２の側面の内側位置まで入り込んだところで現像を止める。
【００２８】
▲２▼ドライエッチング（図３（ｂ））
上記レジストパターンをマスクとして、磁気抵抗効果膜ＭＲのドライエッチングを行う。ここでは、ドライエッチングとしてイオンミリングを採用する。アルゴン等のドライエッチング用の原子又は分子が表面酸化膜Ｏｘをスパッタリングし、続いて、磁気抵抗効果膜ＭＲをスパッタリングし、レジスト形成領域以外の部分の表面酸化膜Ｏｘ及び磁気抵抗効果膜ＭＲを除去し、下地層Ｓ１を露出させる。このミリング時において、スパッタリングされた原子又は分子が、レジストＲＥ１とレジストＲＥ２の隙間領域Ｘ上の表面酸化膜Ｏｘ上に堆積し、付着材料部ＡＤを構成する。
【００２９】
▲３▼絶縁層形成（図３（ｃ））
マスクを残した状態で、ＰＶＤ法によって絶縁層Ｉを下地基板上に形成する。ここでは、絶縁層Ｉの形成にはスパッタリング法を用いる。スパッタリングの際のターゲット材料はＡｌ２Ｏ３であるとする。これにより、マスクを除くウェハＷの露出領域上に絶縁層Ｉが形成される。上述のように、スパッタリングの際にマスク縁部の陰になって、隙間領域Ｘに隣接する領域Ａ１においては、絶縁層Ｉの形成が抑制される一方で、隙間領域Ｘに位置する付着材料部ＡＤ上には絶縁層Ｉの構成材料が一部堆積する。
【００３０】
▲４▼リフトオフ（図３（ｄ））
絶縁層Ｉの形成後、レジストＲＥ１，ＲＥ２を有機溶剤等の剥離液を用いて剥離することで、リフトオフを行う。このようにして形成された絶縁層Ｉにおけるウェハ中心とは反対側の窪み（領域Ａ１）は、後の研磨工程によって除去され、記録媒体対向面を構成する。
【００３１】
図４は磁気抵抗効果素子を備えた薄膜ヘッドが複数形成されたウェハＷの平面図である。ウェハＷはオリエンテーションフラット（以下、オリフラとする）ＯＦを側端に有している。ウェハＷの中心Ｇを通り、オリフラＯＦに平行な直線を境界線Ｑとして、オリフラＯＦ側には記録媒体対向面（ＡＢＳとする）がオリフラＯＦ側に位置する磁気抵抗効果素子が境界線Ｑに沿って配列している。また、境界線Ｑに対してオリフラＯＦとは反対側には、オリフラＯＦとは反対側に記録媒体対向面ＡＢＳが位置する磁気抵抗効果素子が境界線Ｑに沿って配列している。これらの各磁気抵抗効果素子は、磁気抵抗効果膜ＭＲを備えている。
【００３２】
すなわち、ウェハＷの中心Ｇを通る直線Ｑを設定した場合、全ての磁気抵抗効果素子は、その記録媒体対向面ＡＢＳとなる側が、その反対側よりも直線Ｑから遠くに位置するように、直線に沿って行列状に配置されている。なお、行例とは、
１行複数列の配列を含むものとする。この場合、直線Ｑに沿った磁気抵抗効果素子バーを基板から切り出し、磁気抵抗効果素子バーの各記録媒体対向面ＡＢＳを研磨部材に接触させた状態で、この磁気抵抗効果素子バーを直線Ｑに沿った方向に移動させる。これにより、研磨部材に対して磁気抵抗効果素子の記録媒体対向面ＡＢＳの研磨が行われ、全ての磁気抵抗効果素子の記録媒体対向面となる側に形成された絶縁層の凹部を除去することができる。この場合、上述の割合が１００％ということになる。
【００３３】
これらの磁気抵抗効果膜ＭＲを含む磁気抵抗効果素子は、各磁気抵抗効果膜ＭＲにセンス電流を供給するための電極パッドＥ１，Ｅ２をそれぞれ備えている。
【００３４】
また、磁気抵抗効果素子の上には、記録用誘導型ヘッド部が複合させてある。すなわち、これらの磁気抵抗効果素子の上には、それぞれ記録用誘導型ヘッド部が形成されている。このヘッド部は薄膜コイルを上下磁極で挟んだものである。各コイルには電極パッドＥ３，Ｅ４が電気的に接続されており、記録用の電流が供給される。
【００３５】
磁気抵抗効果素子バーは、複数の磁気抵抗効果素子を含むように境界線Ｑに平行な直線に沿ってウェハＷを切断することにより切り出され、この切断面の一方（中心から遠い方）が記録媒体対向面ＡＢＳとなる。１つの磁気抵抗効果素子に着目した場合、中心Ｇから遠い方の切断面を記録媒体対向面ＡＢＳとして研磨対象としているので、上述の窪み領域Ａ１が除去される。
【００３６】
次に、磁気抵抗効果素子の製造方法について説明する。なお、以下の説明では磁気抵抗効果素子の構成要素の材料及び厚みが以下のものであるとする。また、多層構造の各構成要素は下側に記載したものほど非磁性基板側に近いこととする。なお、各磁性体の形成には必要に応じて磁場を印加しながら形成するか、形成後に熱処理を行う。
【００３７】
【表１】
2004134035.tif 000003
図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）、図５（ｄ）、図５（ｅ）は、磁気抵抗効果素子の製造方法を説明するための磁気抵抗効果素子の平面図である。図６（ａ）、図６（ｂ）、図６（ｃ）、図６（ｄ）、図６（ｅ）は、図５における矢印Ａ−Ａ、Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃ、Ｄ−Ｄ、Ｅ−Ｅにおける素子の断面図である。この素子はＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ　Ｍａｇｎｅｔｏ　Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子であるとする。
【００３８】
まず、ＡｌＴｉＣなどの非磁性基板Ｓを用意する。次に、この非磁性基板Ｓ上に下部磁気シールド１１、下部絶縁層１２（Ｓ１）、下部強磁性層１３、非磁性層１４、上部強磁性層１５を順次形成する（図５（ａ）、図６（ａ）参照）。１つの層内において複数の層が含まれる場合には下側の層を先に形成する。下部磁気シールド１１は湿式めっき法を用いて形成し、他の各層１２，１３，１４，１５はスパッタリング法を用いて形成した。
【００３９】
なお、湿式めっき法においては、原材料を構成する金属を含む溶液を用いた無電界めっき法の他、電気めっき法も採用することができる。
【００４０】
次に、上記工程によって形成された磁気抵抗効果素子中間体上に、Ｘ方向に距離Ｔｗだけ離隔した２領域Ｒ１、Ｒ２が露出するマスクを形成し、露出した領域を表面側から層１２の表面まで深さ方向に沿ってドライエッチングで除去し、マスクを残した状態で硬磁性層１６を中間体の全表面上に形成し、マスクを剥離することによって、上記除去した領域Ｒ１，Ｒ２内に硬磁性層１６を残留させる（リフトオフ）（図５（ｂ）、図６（ｂ））。これらの領域Ｒ１，Ｒ２間の離隔距離は磁気記録媒体のトラック幅Ｔｗに一致する。
【００４１】
なお、このマスクは、光又は電子線の照射によって重合するレジスト（上述の２層構造を有する）を中間体露出表面上に塗布し、光又は電子線を照射した後、現像処理を行うことによって形成する。上記露出領域の除去にはイオンミリング法を用いる。
【００４２】
次に、中間体の全面にレジストを塗布し、領域Ｒ１，Ｒ２を横断すると共に中央部が当該横断部に位置するコの字型のパターンを当該レジストに露光し、このレジストを現像処理することによって、領域Ｒ１，Ｒ２間に跨るマスクを形成する。このマスクを用いて、コの字型パターン周囲の露出面を下部絶縁層１２の表面までエッチング（イオンミリング）し、しかる後、エッチングされた領域に絶縁層１７（Ｉ）を形成する（図５（ｃ）、図６（ｃ））。このレジストは、上述のレジストＲＥ１，ＲＥ２に対応する。また、絶縁層１７（Ｉ）は、この磁気抵抗効果膜ＭＲの側方周囲を囲むように物理的堆積法を用いて前記基板上に形成される。ここで、側方とは磁気抵抗効果膜ＭＲの厚み方向（Ｚ軸）の回りの面であり、この側面に対して絶縁層１７（Ｉ）を離隔させることも、接触させることもできる。
【００４３】
更に、上記横断部よりも狭い幅で離隔すると共に上部強磁性層１５に接触するリード層１８を硬磁性層１６上に形成する。この形成においては、領域Ｒ３０，Ｒ４０が開口したレジストをマスクとして作製し、しかる後、このマスク内にリード層１８の材料を堆積し、続いてリフトオフを行う。この堆積にはスパッタリング法を用いる（図５（ｄ）、図６（ｄ））。
【００４４】
最後に、リード層１８及び上部強磁性層１５上に絶縁層１９を形成し、しかる後、この上に上部磁気シールド２０を堆積する。この堆積にもスパッタリング法を用いる（図５（ｅ）、図６（ｅ））。以上のようにして、ＧＭＲ構造の磁気抵抗効果素子が完成する。
【００４５】
次に、ＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ　Ｍａｇｎｅｔｏ　Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子の製造方法について説明する。
【００４６】
図７（ａ）、図７（ｂ）、図７（ｃ）、図７（ｄ）は、ＴＭＲ素子としての磁気抵抗効果素子の製造方法を説明するための磁気抵抗効果素子の平面図である。図８（ａ）、図８（ｂ）、図８（ｃ）、図８（ｄ）は、図７における矢印Ａ−Ａ、Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃ、Ｄ−Ｄにおける素子の断面図である。
【００４７】
なお、以下の説明では磁気抵抗効果素子の構成要素の材料及び厚みが以下のものであるとする。
【００４８】
【表２】
2004134035.tif 000004
また、磁気抵抗効果膜の側方に位置する材料と厚みは以下の通りである。
【００４９】
【表３】
2004134035.tif 000005
まず、ＡｌＴｉＣなどの非磁性基板Ｓを用意する。次に、この非磁性基板Ｓ上に下部磁気シールド２１、下部金属層２２（Ｓ１）、下部強磁性層２３、絶縁層（トンネルバリア層）２４、上部強磁性層２５、上部金属層２６を順次形成する（図７（ａ）、図８（ａ）参照）。１つの層内において複数の層が含まれる場合には下側の層を先に形成する。下部磁気シールド２１は湿式めっき法を用いて形成し、他の各層２２，２３，２４，２５，２６はスパッタリング法を用いて形成した。
【００５０】
なお、湿式めっき法においては、原材料を構成する金属を含む溶液を用いた無電界めっき法の他、電気めっき法も採用することができる。
【００５１】
次に、上記工程によって形成された磁気抵抗効果素子中間体上に、Ｘ方向に離隔した２領域Ｒ１、Ｒ２が露出するマスクを形成し、露出した領域を表面側から層２２の表面まで深さ方向に沿ってドライエッチングで除去し、マスクを残した状態で、中間体の全面上に絶縁層２７及び硬磁性層２８を順次堆積し、マスクを剥離することによって、上記除去した領域Ｒ１，Ｒ２内に硬磁性層２８を残留させる（リフトオフ）（図７（ｂ）、図８（ｂ））。これらの領域Ｒ１，Ｒ２間の離隔距離は磁気記録媒体のトラック幅Ｔｗに一致する。
【００５２】
なお、このマスクは、光又は電子線の照射によって重合するレジスト（上述の２層構造を有する）を中間体露出表面上に塗布し、光又は電子線を照射した後、現像処理を行うことによって形成する。上記露出領域の除去にはイオンミリング法を用いる。
【００５３】
次に、中間体の全面にレジストを塗布し、領域Ｒ１，Ｒ２を横断すると共に中央部が当該横断部に位置する矩形パターンを当該レジストに露光し、このレジストを現像処理することによって、領域Ｒ１，Ｒ２間に跨るマスクを形成する。このマスクを用いて、矩形パターン周囲の露出面を下部磁気シールド２１の表面までエッチング（イオンミリング）し、しかる後、エッチングされた領域内に絶縁層２９（Ｉ）を形成し、しかる後、マスクを剥離（リフトオフ）する（図７（ｃ）、図８（ｃ））。このレジストは、上述のレジストＲＥ１，ＲＥ２に対応する。
【００５４】
更に、上部金属層３０及び上部磁気シールド３１を絶縁層２９及びＭＲ素子上に順次堆積する。上部金属層３０はスパッタリング法、上部磁気シールド３１はめっき法を用いて作製する（図７（ｄ）、図８（ｄ））。以上のようにして、ＴＭＲ構造の磁気抵抗効果素子が完成する。
【００５５】
比較例及び実施例に係るＴＭＲ素子を形成し、その特性を評価した。全ての記録媒体対向面が一方向を向いている磁気抵抗効果素子基板（サンプルＮｏ．１：比較例）と、上述の実施形態のように、過半数の記録媒体対向面が基板の中心から遠い位置となるように配置されている磁気抵抗効果素子基板（図４参照）（サンプルＮｏ．２：実施例）とを作製した。それぞれのサンプルは素子形成工程終了後に切断し、ダイヤモンド粒子で素子高さが０．１１μｍになるまで、その記録媒体対向面を直接研磨した。更に、ヘッド保護膜としてダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）３ｎｍを記録媒体対向面上に形成することで、浮上型の磁気ヘッドを作製した。
【００５６】
この磁気ヘッドの再生出力を測定した。本測定では、磁気ヘッドの浮上高さを１０ｎｍ、磁気記録媒体の保護膜の厚みを３ｎｍに設定した。サンプルＮｏ．１、Ｎｏ．２の磁気ヘッドの抵抗値、ＳＮ比は以下の通りである。
【００５７】
【表４】
2004134035.tif 000006
すなわち、ＳＮ比はＮｏ．２の方が高く、すなわち、出力の割合に対し、ノイズが少ない。このように、磁気抵抗効果素子の記録媒体対向面となる側が、その反対側の方よりも、基板の中心から遠くに位置するように、複数の磁気抵抗効果素子の過半数（本実施例では全て）を配置することで、磁気抵抗効果素子の特性を向上させることができる。
【００５８】
上述のように、電子伝達率が外部磁場に応じて変化する構造の磁気抵抗効果素子として、フリー層の厚み方向に垂直な面内において電流が流れるＣＩＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ　Ｉｎ　Ｐｌａｎｅ）構造のＧＭＲ素子と、フリー層の厚み方向に沿って電子が流れるＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ　Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ　　ｔｏ　　Ｐｌａｎｅ）構造のＴＭＲ素子について説明したが、本発明はＣＰＰ構造のＧＭＲ素子にも適用することもできる。
【００５９】
【発明の効果】
本発明の磁気抵抗効果素子基板によれば、磁気抵抗効果素子の特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態に係る磁気抵抗効果素子基板中間体の斜視図である。
【図２】ＰＶＤ法実行後のウェハＷ上の所定部分の縦断面図である。
【図３】ウェハの部分縦断面構成を示す説明図である。
【図４】磁気抵抗効果素子を備えた薄膜ヘッドが複数形成されたウェハＷの平面図である。
【図５】磁気抵抗効果素子の製造方法を説明するための磁気抵抗効果素子の平面図である。
【図６】図５における矢印Ａ−Ａ、Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃ、Ｄ−Ｄ、Ｅ−Ｅにおける素子の断面図である。
【図７】磁気抵抗効果素子の製造方法を説明するための磁気抵抗効果素子の平面図である。
【図８】図７における矢印Ａ−Ａ、Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃ、Ｄ−Ｄにおける素子の断面図である。
【符号の説明】
１１…下部磁気シールド、１２…下部絶縁層、１３…下部強磁性層、１４…非磁性層、１５…上部強磁性層、１６…硬磁性層、１７…絶縁層、１８…リード層、１９…絶縁層、２０…上部磁気シールド、２１…下部磁気シールド、２２…下部絶縁層、２３…下部強磁性層、２４…非磁性層、２５…上部強磁性層、２７…絶縁層、２８…硬磁性層、２９…絶縁層、３０…上部金属層、３１…上部磁気シールド、ＡＤ…付着材料部、ＡＲ…分子線、Ｂ１…領域、Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４…電極パッド、Ｇ…中心、Ｉ…絶縁層、ＭＲ…磁気抵抗効果膜、Ｏｘ…表面酸化膜、Ｑ…境界線、ＲＥ１，ＲＥ２…レジスト、Ｒ１，Ｒ２…領域、Ｒ１０，Ｒ２０…領域、Ｒ３０，Ｒ４０…領域、Ｓ…下地基板、Ｓ１…下地層、Ｔｗ…トラック幅、Ｗ…ウェハ。
【図１】
2004134035.tif 000007
【図２】
2004134035.tif 000008
【図３】
2004134035.tif 000009
【図４】
2004134035.tif 000010
【図５】
2004134035.tif 000011
【図６】
2004134035.tif 000012
【図７】
2004134035.tif 000013
【図８】
2004134035.tif 000014