(57)【要約】【課題】耐パルス性に優れたチップ型ヒューズを提供することを目的とする。【解決手段】絶縁基板１１と、この絶縁基板１１の上面の両端部に設けられた電極１２と、この電極１２間に接続されたヒューズ素子１３と、このヒューズ素子１３の上面側に設けられた絶縁被覆層１４とを備え、前記ヒューズ素子１３の長さを前記電極１２間の寸法Ｌより長くしたものである。【選択図】　図１
2004134091.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、この絶縁基板の上面の両端部に設けられた電極と、この電極間に接続されたヒューズ素子と、このヒューズ素子の上面側に設けられた絶縁被覆層とを備え、前記ヒューズ素子の長さを前記電極間の寸法より長くしたチップ型ヒューズ。
【請求項２】
電極に絶縁基板の中央方向に突出する凸部を設け、この凸部にヒューズ素子を接続した請求項１記載のチップ型ヒューズ。
【請求項３】
ヒューズ素子の上面側と下面側のいずれか一方、もしくは両方に、絶縁基板および絶縁被覆層より熱伝導が低い低熱伝導部を設けた請求項１記載のチップ型ヒューズ。
【請求項４】
低熱伝導部を、絶縁基板に設けた凹部および絶縁被覆層に設けた凹部のいずれか一方、もしくは両方で構成した請求項３記載のチップ型ヒューズ。
【請求項５】
凹部を複数設けた請求項４記載のチップ型ヒューズ。
【請求項６】
低熱伝導部をシート状のもので構成した請求項３記載のチップ型ヒューズ。
【請求項７】
絶縁基板および絶縁被覆層を、複数の絶縁シートを積層することにより構成した請求項１記載のチップ型ヒューズ。
【請求項８】
ヒューズ素子を複数設け、これらのヒューズ素子を異なる絶縁シートに備えた請求項７記載のチップ型ヒューズ。
【請求項９】
ヒューズ素子の上面側と下面側のいずれか一方、もしくは両方に、絶縁基板および絶縁被覆層を構成する絶縁シートより熱伝導が低い低熱伝導部を設けた請求項７記載のチップ型ヒューズ。
【請求項１０】
低熱伝導部を、絶縁基板を構成する絶縁シートに設けた凹部および絶縁被覆層を構成する絶縁シートに設けた凹部のいずれか一方、もしくは両方で構成した請求項９記載のチップ型ヒューズ。
【請求項１１】
凹部を複数設けた請求項１０記載のチップ型ヒューズ。
【請求項１２】
低熱伝導部を、絶縁基板および絶縁被覆層を構成する絶縁シートより熱伝導の低い材料で構成された他のシート状の絶縁シートで構成した請求項９記載のチップ型ヒューズ。
【請求項１３】
ヒューズ素子をめっきによって形成した請求項１または７記載のチップ型ヒューズ。
【請求項１４】
絶縁基板の上面の両端部に電極を形成する工程と、前記電極間に接続されるヒューズ素子を、このヒューズ素子の長さが前記電極間の寸法より長くなるように形成する工程と、このヒューズ素子の上面側に絶縁被覆層を形成する工程とを備えたチップ型ヒューズの製造方法。
【請求項１５】
複数の絶縁シートを積層して絶縁基板を形成する工程と、前記絶縁基板を構成する絶縁シートの上面の両端部に電極を形成する工程と、前記電極間に接続されるヒューズ素子を、このヒューズ素子の長さが前記電極間の寸法より長くなるように形成する工程と、このヒューズ素子の上面側に複数の絶縁シートを積層して絶縁被覆層を形成する工程と、前記絶縁基板および絶縁被覆層を構成する絶縁シート、電極、ヒューズ素子を一体的に焼成する工程とを備えたチップ型ヒューズの製造方法。
【請求項１６】
ヒューズ素子の上面側と下面側のいずれか一方、もしくは両方に、セラミック粉と有機材料との混合物を形成した後、焼成することにより得られる低熱伝導部を設けた請求項１５記載のチップ型ヒューズの製造方法。
【請求項１７】
ヒューズ素子の上面側と下面側のいずれか一方、もしくは両方に、前記ヒューズ素子より熱収縮率の大きい熱収縮部を形成した後、焼成することにより得られる低熱伝導部を設けた請求項１５記載のチップ型ヒューズの製造方法。
【請求項１８】
ヒューズ素子の上面側と下面側のいずれか一方、もしくは両方に、穴あけ加工をした絶縁シートを積層した後、焼成することにより得られる低熱伝導部を設けた請求項１５記載のチップ型ヒューズの製造方法。
【請求項１９】
絶縁基板および絶縁被覆層を構成する絶縁シート、電極、ヒューズ素子を一体的に焼成した後、電極が絶縁シートの端部から外方へ突出するように構成した請求項１５記載のチップ型ヒューズの製造方法。
【請求項２０】
ヒューズ素子を形成する工程として、ベース板にヒューズ素子のパターンをめっきで形成し、このパターンを絶縁基板または絶縁基板を構成する絶縁シートに転写することにより、ヒューズ素子を形成する方法を用いた請求項１４または１５記載のチップ型ヒューズの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、各種電子機器に使用されるチップ型ヒューズおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図４は従来のチップ型ヒューズの主要部を示す上面図である。
【０００３】
図４に示すように、従来のチップ型ヒューズは、セラミック基板１の両側に設けられた電極２と、この電極２間に接続され、かつ銅箔からなる直線状のヒューズ素子３と、このヒューズ素子３を被覆する保護膜４とを備え、そして前記ヒューズ素子３の中央部に、過負荷印加時に溶断する直線状の幅狭部３ａを設けた構成としていた。
【０００４】
また、この従来のチップ型ヒューズの製造方法は、セラミック基板１の上面に銅箔を形成した後、エッチングによりパターンニングを行って電極２と、中央部に直線状の幅狭部３ａを有するヒューズ素子３を形成し、その後、このヒューズ素子３を保護膜４で被覆するようにしていた。
【０００５】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−７６６０９号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来のチップ型ヒューズの構成では、耐パルス性に優れたものを得ることは困難であるという課題を有していた。
【０００８】
すなわち、従来のチップ型ヒューズの構成において、耐パルス性を向上させるためには、幅狭部３ａの断面積を大きくすればよいが、このようにした場合、本来溶断すべき電流が印加されても溶断されないという不具合があるもので、したがって、従来のチップ型ヒューズの構成では、耐パルス性が優れたものを得ることは困難であるという課題を有していた。
【０００９】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、耐パルス性に優れたチップ型ヒューズおよびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
【００１１】
本発明の請求項１に記載の発明は、絶縁基板と、この絶縁基板の上面の両端部に設けられた電極と、この電極間に接続されたヒューズ素子と、このヒューズ素子の上面側に設けられた絶縁被覆層とを備え、前記ヒューズ素子の長さを前記電極間の寸法より長くしたもので、この構成によれば、ヒューズ素子の形成位置を絶縁基板の中央部へ集中させることができるため、ヒューズ素子は狭い面積のところに設けられることになり、これにより、ヒューズ素子の中央部の温度を上昇させることができるため、耐パルス性を向上させるためにヒューズ素子の断面積を大きくしても、本来溶断すべき電流が印加されればヒューズ素子を確実に溶断させることができ、その結果、耐パルス性に優れたチップ型ヒューズが得られるという作用効果を有するものである。
【００１２】
本発明の請求項２に記載の発明は、特に、電極に絶縁基板の中央方向に突出する凸部を設け、この凸部にヒューズ素子を接続したもので、この構成によれば、ヒューズ素子の形成位置を絶縁基板の中央部へより集中させることができるため、ヒューズ素子は狭い面積のところに設けられることになり、これにより、ヒューズ素子の中央部の温度を上昇させることができるため、耐パルス性を向上させるためにヒューズ素子の断面積を大きくしても、本来溶断すべき電流が印加されればヒューズ素子を確実に溶断させることができ、その結果、耐パルス性に優れたチップ型ヒューズが得られるという作用効果を有するものである。
【００１３】
本発明の請求項３に記載の発明は、特に、ヒューズ素子の上面側と下面側のいずれか一方、もしくは両方に、絶縁基板および絶縁被覆層より熱伝導が低い低熱伝導部を設けたもので、この構成によれば、絶縁基板および絶縁被覆層より熱伝導が低い低熱伝導部を設けたことにより、ヒューズ素子で発生した熱の絶縁基板や絶縁被覆層への伝達は絶縁基板および絶縁被覆層より熱伝導が低い低熱伝導部を介しての伝達となるため、伝わりにくくなり、その結果、ヒューズ素子の中央部の温度を上昇させることができるため、耐パルス性を向上させるためにヒューズ素子の断面積を大きくしても、本来溶断すべき電流が印加されればヒューズ素子を確実に溶断させることができ、これにより、耐パルス性に優れたチップ型ヒューズが得られるという作用効果を有するものである。
【００１４】
本発明の請求項４に記載の発明は、特に、低熱伝導部を、絶縁基板に設けた凹部および絶縁被覆層に設けた凹部のいずれか一方、もしくは両方で構成したもので、この構成によれば、低熱伝導部が空気になるため、低熱伝導部の熱伝導率を最も低い状態に近づけることができ、これにより、ヒューズ素子で発生した熱の絶縁基板や絶縁被覆層への伝達は熱伝導率が最も低い低熱伝導部を介しての伝達となるため、伝わりにくくなり、その結果、ヒューズ素子の中央部の温度をさらに上昇させることができるため、耐パルス性を向上させるためにヒューズ素子の断面積を大きくしても、本来溶断すべき電流が印加されればヒューズ素子を確実に溶断させることができ、これにより、耐パルス性に優れたチップ型ヒューズが得られるという作用効果を有するものである。
【００１５】
本発明の請求項５に記載の発明は、特に、請求項４に記載の凹部を複数設けたもので、この構成によれば、絶縁基板や絶縁被覆層に、ヒューズ素子で発生した熱がほとんど伝わらない箇所を複数設けることができるため、ヒューズ素子の温度が最も上昇する部分は複数箇所となり、その結果、本来溶断すべき電流が印加されたときはヒューズ素子を安定して溶断させることができるという作用効果を有するものである。
【００１６】
本発明の請求項６に記載の発明は、特に、低熱伝導部をシート状のもので構成したもので、この構成によれば、シートを設けるだけで容易に低熱伝導部を備えることができるという作用効果を有するものである。
【００１７】
本発明の請求項７に記載の発明は、特に、請求項１に記載の絶縁基板および絶縁被覆層を、複数の絶縁シートを積層することにより構成したもので、この構成によれば、工程中で絶縁シートの積層数を変えることによって、容易に、かつ素早く製品の厚みを要望される厚みに対応させることができるという作用効果を有するものである。
【００１８】
本発明の請求項８に記載の発明は、特に、ヒューズ素子を複数設け、これらのヒューズ素子を異なる絶縁シートに備えたもので、この構成によれば、同一抵抗値を得ようとしたとき各ヒューズ素子の厚みを薄くできるため、ヒューズ素子と絶縁シートとの間の隙間ができにくくなり、これにより、この隙間から水分やめっき液等が侵入するのを防止できるため、ヒューズ素子の長期信頼性を保持できる。また、大電流に対応した製品を得ようとした場合でも、ヒューズ素子を複数設けているため、各ヒューズ素子の厚みを厚くしたり、ヒューズ素子の形状を変えたりする必要はなくなり、これにより、大電流に対応したチップ型ヒューズも容易に得られるという作用効果を有するものである。
【００１９】
本発明の請求項９に記載の発明は、特に、ヒューズ素子の上面側と下面側のいずれか一方、もしくは両方に、絶縁基板および絶縁被覆層を構成する絶縁シートより熱伝導が低い低熱伝導部を設けたもので、この構成によれば、絶縁基板および絶縁被覆層を構成する絶縁シートより熱伝導が低い低熱伝導部を設けたことにより、ヒューズ素子で発生した熱の絶縁基板や絶縁被覆層を構成する絶縁シートへの伝達は絶縁基板および絶縁被覆層を構成する絶縁シートより熱伝導が低い低熱伝導部を介しての伝達となるため、伝わりにくくなり、その結果、ヒューズ素子の中央部の温度を上昇させることができるため、耐パルス性を向上させるためにヒューズ素子の断面積を大きくしても、本来溶断すべき電流が印加されればヒューズ素子を確実に溶断させることができ、これにより、耐パルス性に優れたチップ型ヒューズが得られるという作用効果を有するものである。
【００２０】
本発明の請求項１０に記載の発明は、特に、低熱伝導部を、絶縁基板を構成する絶縁シートに設けた凹部および絶縁被覆層を構成する絶縁シートに設けた凹部のいずれか一方、もしくは両方で構成したもので、この構成によれば、低熱伝導部が空気になるため、低熱伝導部の熱伝導率を最も低い状態に近づけることができ、これにより、ヒューズ素子で発生した熱の絶縁基板や絶縁被覆層を構成する絶縁シートへの伝達は熱伝導率が最も低い低熱伝導部を介しての伝達となるため、伝わりにくくなり、その結果、ヒューズ素子の中央部の温度をさらに上昇させることができるため、耐パルス性を向上させるためにヒューズ素子の断面積を大きくしても、本来溶断すべき電流が印加されればヒューズ素子を確実に溶断させることができ、これにより、耐パルス性に優れたチップ型ヒューズが得られるという作用効果を有するものである。
【００２１】
本発明の請求項１１に記載の発明は、特に、請求項１０に記載の凹部を複数設けたもので、この構成によれば、絶縁基板や絶縁被覆層を構成する絶縁シートに、ヒューズ素子で発生した熱がほとんど伝わらない箇所を複数設けることができるため、ヒューズ素子の温度が最も上昇する部分は複数箇所となり、その結果、本来溶断すべき電流が印加されたときはヒューズ素子を安定して溶断させることができるという作用効果を有するものである。
【００２２】
本発明の請求項１２に記載の発明は、特に、低熱伝導部を、絶縁基板および絶縁被覆層を構成する絶縁シートより熱伝導の低い材料で構成された他のシート状の絶縁シートで構成したもので、この構成によれば、絶縁基板および絶縁被覆層を構成する絶縁シートより熱伝導の低い材料で構成された他のシート状の絶縁シートを設けるだけで容易に低熱伝導部を備えることができるという作用効果を有するものである。
【００２３】
本発明の請求項１３に記載の発明は、特に、ヒューズ素子をめっきによって形成したもので、この構成によれば、ヒューズ素子をめっきによって形成するようにしているため、ヒューズ素子を形成する場合、別に用意したベース板にヒューズ素子のパターンをめっきで形成し、このパターンを絶縁基板または絶縁基板を構成する絶縁シート上に転写すれば、絶縁基板または絶縁基板を構成する絶縁シートに例えば低熱伝導部を構成する凹部が設けられていても、ヒューズ素子を容易に形成できるとともに、耐パルス性を向上させるための複雑なパターンも容易に形成することができるという作用効果を有するものである。
【００２４】
本発明の請求項１４に記載の発明は、絶縁基板の上面の両端部に電極を形成する工程と、前記電極間に接続されるヒューズ素子を、このヒューズ素子の長さが前記電極間の寸法より長くなるように形成する工程と、このヒューズ素子の上面側に絶縁被覆層を形成する工程とを備えたもので、この製造方法によれば、電極間に接続されるヒューズ素子を、このヒューズ素子の長さが前記電極間の寸法より長くなるように形成する工程を備えているため、ヒューズ素子の形成位置を絶縁基板の中央部へ集中させることができ、これにより、ヒューズ素子は狭い面積のところに設けられることになるため、ヒューズ素子の中央部の温度を上昇させることができ、その結果、耐パルス性を向上させるためにヒューズ素子の断面積を大きくしても、本来溶断すべき電流が印加されればヒューズ素子を確実に溶断させることができ、これにより、耐パルス性に優れたチップ型ヒューズが得られるという作用効果を有するものである。
【００２５】
本発明の請求項１５に記載の発明は、複数の絶縁シートを積層して絶縁基板を形成する工程と、前記絶縁基板を構成する絶縁シートの上面の両端部に電極を形成する工程と、前記電極間に接続されるヒューズ素子を、このヒューズ素子の長さが前記電極間の寸法より長くなるように形成する工程と、このヒューズ素子の上面側に複数の絶縁シートを積層して絶縁被覆層を形成する工程と、前記絶縁基板および絶縁被覆層を構成する絶縁シート、電極、ヒューズ素子を一体的に焼成する工程とを備えたもので、この製造方法によれば、電極間に接続されるヒューズ素子を、このヒューズ素子の長さが前記電極間の寸法より長くなるように形成する工程を備えているため、ヒューズ素子の形成位置を絶縁基板の中央部へ集中させることができ、これにより、ヒューズ素子は狭い面積のところに設けられることになるため、ヒューズ素子の中央部の温度を上昇させることができ、その結果、耐パルス性を向上させるためにヒューズ素子の断面積を大きくしても、本来溶断すべき電流が印加されればヒューズ素子を確実に溶断させることができ、これにより、耐パルス性に優れたチップ型ヒューズが得られるという作用効果を有するものである。
【００２６】
本発明の請求項１６に記載の発明は、特に、ヒューズ素子の上面側と下面側のいずれか一方、もしくは両方に、セラミック粉と有機材料との混合物を形成した後、焼成することにより得られる低熱伝導部を設けたもので、この製造方法によれば、焼成するとき有機材料が気化するため、密度が低い低熱伝導部を設けることができ、これにより、ヒューズ素子で発生した熱の絶縁基板や絶縁被覆層を構成する絶縁シートへの伝達は密度が低い低熱伝導部を介しての伝達となるため、伝わりにくくなり、その結果、ヒューズ素子の中央部の温度を上昇させることができるため、耐パルス性を向上させるためにヒューズ素子の断面積を大きくしても、本来溶断すべき電流が印加されればヒューズ素子を確実に溶断させることができ、これにより、耐パルス性に優れたチップ型ヒューズが得られるという作用効果を有するものである。
【００２７】
本発明の請求項１７に記載の発明は、特に、ヒューズ素子の上面側と下面側のいずれか一方、もしくは両方に、前記ヒューズ素子より熱収縮率の大きい熱収縮部を形成した後、焼成することにより得られる低熱伝導部を設けたもので、この製造方法によれば、焼成するときヒューズ素子と熱収縮部との間に隙間ができるため、この隙間が低熱伝導部となり、これにより、ヒューズ素子で発生した熱の絶縁基板や絶縁被覆層を構成する絶縁シートへの伝達は隙間からなる低熱伝導部を介しての伝達となるため、伝わりにくくなり、その結果、ヒューズ素子の中央部の温度を上昇させることができるため、耐パルス性を向上させるためにヒューズ素子の断面積を大きくしても、本来溶断すべき電流が印加されればヒューズ素子を確実に溶断させることができ、これにより、耐パルス性に優れたチップ型ヒューズが得られるという作用効果を有するものである。
【００２８】
本発明の請求項１８に記載の発明は、特に、ヒューズ素子の上面側と下面側のいずれか一方、もしくは両方に、穴あけ加工をした絶縁シートを積層した後、焼成することにより得られる低熱伝導部を設けたもので、この製造方法によれば、所定の場所に容易に低熱伝導部としての凹部を形成することができるという作用効果を有するものである。
【００２９】
本発明の請求項１９に記載の発明は、特に、絶縁基板および絶縁被覆層を構成する絶縁シート、電極、ヒューズ素子を一体的に焼成した後、電極が絶縁シートの端部から外方へ突出するように構成したもので、この製造方法によれば、外部電極と電極との接続性を向上させることができるという作用効果を有するものである。
【００３０】
本発明の請求項２０に記載の発明は、特に、ヒューズ素子を形成する工程として、ベース板にヒューズ素子のパターンをめっきで形成し、このパターンを絶縁シートに転写することにより、ヒューズ素子を形成する方法を用いたもので、この製造方法によれば、ヒューズ素子をめっきによって形成するようにしているため、ヒューズ素子を形成する場合、別に用意したベース板にヒューズ素子のパターンをめっきで形成し、このパターンを絶縁基板または絶縁基板を構成する絶縁シート上に転写すれば、絶縁基板または絶縁基板を構成する絶縁シートに例えば低熱伝導部を構成する凹部が設けられていても、ヒューズ素子を容易に形成できるとともに、耐パルス性を向上させるための複雑なパターンも容易に形成することができるという作用効果を有するものである。
【００３１】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
以下、実施の形態１を用いて、本発明の特に請求項１〜６、１３、１４、２０に記載の発明について説明する。
【００３２】
図１（ａ）は本発明の実施の形態１におけるチップ型ヒューズの主要部を示す上面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【００３３】
本発明の実施の形態１におけるチップ型ヒューズは、図１（ａ）（ｂ）に示すように、板状で一体となったセラミック等からなる絶縁基板１１と、この絶縁基板１１の上面の両端部に設けられ、かつ銀等からなる電極１２と、前記絶縁基板１１の上面において電極１２間に接続され、かつ銀、銅等からなるヒューズ素子１３と、このヒューズ素子１３の上面側に位置して少なくともヒューズ素子１３および後述する低熱伝導部を覆うように前記電極１２の上面に設けられ、かつ樹脂または板状で一体となったセラミック等からなる絶縁被覆層１４と、前記絶縁基板１１の両端面に設けられ、かつ前記電極１２と電気的に接続される銀等からなる外部電極１５とを備えている。そして前記外部電極１５は、さらにその表面にニッケルめっき、スズめっきを順に形成してもよいものである。また、前記電極１２は絶縁基板１１の中央方向に突出する凸部１６を有し、この凸部１６に前記ヒューズ素子１３が接続されている。そしてまた、前記ヒューズ素子１３はその長さが電極１２間の寸法Ｌより長くなるように構成している。さらに、前記ヒューズ素子１３の上面側には低熱伝導部１７が設けられているもので、この低熱伝導部１７は前記ヒューズ素子１３を覆うように前記絶縁基板１１の上面および前記電極１２における凸部１６の上面に設けられている。
【００３４】
上記本発明の実施の形態１においては、電極１２に絶縁基板１１の中央方向に突出する凸部１６を設け、この凸部１６にヒューズ素子１３を接続しているため、ヒューズ素子１３の形成位置を絶縁基板１１の中央部へより集中させることができ、これにより、ヒューズ素子１３は狭い面積のところに設けられることになり、その結果、ヒューズ素子１３の中央部の温度を上昇させることができるため、耐パルス性を向上させるためにヒューズ素子１３の断面積を大きくしても、本来溶断すべき電流が印加されればヒューズ素子１３を確実に溶断させることができ、これにより、耐パルス性を優れたものにすることができるものである。
【００３５】
なお、電極１２に凸部１６を設けたのは、ヒューズ素子１３の形成位置を絶縁基板１１の中央部へより集中させることができるようにするためであり、このような構成を実現できるのであれば、必ずしも凸部１６を設ける必要はないものである。
【００３６】
また、前記ヒューズ素子１３の形状は蛇行状にすることにより、ヒューズ素子１３の長さが電極１２間の寸法Ｌより長くなるようにしている。このようにヒューズ素子１３の長さを電極１２間の寸法より長くすると、ヒューズ素子１３の形成位置を絶縁基板１１の中央部へ集中させることができるため、ヒューズ素子１３は狭い面積のところに設けられることになり、これにより、ヒューズ素子１３の中央部の温度を上昇させることができるものである。なお、ヒューズ素子１３の形状は蛇行状に限定されるものではなく、渦巻き状等の他の形状でもよい。そしてまた、ヒューズ素子１３は少なくとも１回以上折り返すようにして設けてもよいもので、この場合は、中央部に限らず折り返した部分の温度を上昇させることができるものである。
【００３７】
前記低熱伝導部１７は、絶縁被覆層１４より熱伝導が低くなっているもので、この低熱伝導部１７の材料としては、絶縁被覆層１４より熱伝導の低い材料や構造であればどんなものでもよい。例えば、絶縁被覆層１４がセラミックであれば、それより熱伝導の低い材料、例えばシリコンゴムやポリイミドなどの樹脂等で低熱伝導部１７を構成すればよい。また、低熱伝導部１７の材料としては、負荷印加時におけるヒューズ素子１３の自己発熱により蒸発して空間が生じたり、または疎になるような材料を用いてもよく、この場合は、この材料をヒューズ素子１３の上面側または下面側に予め設けておけばよい。なお、この低熱伝導部１７はヒューズ素子１３の上面側と下面側のうち、少なくとも一方に設ける必要があるが、ヒューズ素子１３の上面側、すなわち絶縁被覆層１４の下面側と、ヒューズ素子１３の下面側、すなわち絶縁基板１１の上面側の両方に設けてもよい。ヒューズ素子１３の下面側と前記絶縁基板１１との間に低熱伝導部１７を設けた場合は、低熱伝導部１７の熱伝導が絶縁基板１１よりより低くなるようにしている。
【００３８】
上記したように本発明の実施の形態１においては、ヒューズ素子１３の上面側と下面側のいずれか一方、もしくは両方に、絶縁基板１１および絶縁被覆層１４より熱伝導が低い低熱伝導部１７を設けているため、ヒューズ素子１３で発生した熱の絶縁基板１１や絶縁被覆層１４への伝達は絶縁基板１１および絶縁被覆層１４より熱伝導が低い低熱伝導部１７を介しての伝達となるため、伝わりにくくなり、その結果、ヒューズ素子１３の中央部の温度を上昇させることができるため、耐パルス性を向上させるためにヒューズ素子１３の断面積を大きくしても、本来溶断すべき電流が印加されればヒューズ素子１３を確実に溶断させることができ、これにより、耐パルス性を優れたものにすることができるものである。
【００３９】
また、低熱伝導部１７を、ヒューズ素子１３と絶縁基板１１または絶縁被覆層１４との間に設けられるシート状のもので構成すれば、シートを設けるだけで容易に低熱伝導部１７を備えることができるという効果が得られるものである。
【００４０】
そしてまた、前記ヒューズ素子１３の上面側と対向する絶縁被覆層１４の下面側に凹部（図示せず）を設けるとともに、ヒューズ素子１３の下面側と対向する絶縁基板１１の上面側に凹部（図示せず）を設け、これらの凹部（図示せず）のいずれか一方、もしくは両方で低熱伝導部１７を構成すれば、低熱伝導部１７が空気になるため、低熱伝導部１７の熱伝導率を最も低い状態に近づけることができ、これにより、ヒューズ素子１３で発生した熱の絶縁基板１１や絶縁被覆層１４への伝達は熱伝導率が最も低い低熱伝導部１７を介しての伝達となるため、伝わりにくくなり、その結果、ヒューズ素子１３の中央部の温度をさらに上昇させることができるため、耐パルス性を向上させるためにヒューズ素子１３の断面積を大きくしても、本来溶断すべき電流が印加されればヒューズ素子１３を確実に溶断させることができ、これにより、耐パルス性を優れたものにすることができるものである。
【００４１】
このとき、上記した低熱伝導部１７となる凹部（図示せず）を複数設ければ、絶縁基板１１や絶縁被覆層１４に、ヒューズ素子１３で発生した熱がほとんど伝わらない箇所を複数設けることができるため、ヒューズ素子１３の温度が最も上昇する部分は複数箇所となり、その結果、本来溶断すべき電流が印加されたときはヒューズ素子１３を安定して溶断させることができるという効果を有するものである。また、ヒューズ素子１３が直線状または直線状に近い形状に形成された場合でも、上記した低熱伝導部１７となる凹部（図示せず）が設けられた部分は温度上昇するため、この凹部（図示せず）を複数設けることによって、本来溶断すべき電流が印加されたときはヒューズ素子１３を安定して溶断させることができるものである。
【００４２】
また、前記ヒューズ素子１３はめっきによって形成するようにしているもので、このようにヒューズ素子１３をめっきによって形成した場合、別に用意したベース板にヒューズ素子１３のパターンをめっきで形成し、このパターンを絶縁基板１１上に転写すれば、絶縁基板１１に例えば低熱伝導部１７を構成する凹部（図示せず）が設けられていても、ヒューズ素子１３を容易に形成できるとともに、耐パルス性を向上させるための複雑なパターンも容易に形成することができるものである。
【００４３】
次に、本発明の実施の形態１におけるチップ型ヒューズの製造方法について説明する。
【００４４】
図１（ａ）（ｂ）において、まず、板状で一体となったセラミックからなる絶縁基板１１を準備する。
【００４５】
次に、絶縁基板１１の上面の両端部に、絶縁基板１１の中央方向に突出する凸部１６を有し、かつ銀等の導電材料からなる電極１２を、印刷またはめっき、蒸着によって形成する。
【００４６】
次に、絶縁基板１１の上面において凸部１６間に、銀、銅等からなる蛇行状のヒューズ素子１３を、印刷またはめっきによって形成する。なお、電極１２およびヒューズ素子１３は、同時に形成してもよい。また、ヒューズ素子１３の長さは電極１２間の寸法Ｌより長くなるようにしている。
【００４７】
ヒューズ素子１３をめっきで形成する場合のヒューズ素子１３の形成工程は、別途用意したベース板にヒューズ素子１３のパターンをめっきで形成し、このパターンを絶縁基板１１に転写することにより、ヒューズ素子１３を形成するものである。これによれば、絶縁基板１１に例えば低熱伝導部１７を構成する凹部（図示せず）が設けられていても、ヒューズ素子１３を容易に形成することができる。またヒューズ素子１３をめっきで形成した場合は、耐パルス性を向上させるための複雑なパターンも容易に形成することができるものである。
【００４８】
次に、ヒューズ素子１３を覆うように低熱伝導部１７を形成する。
【００４９】
次に、低熱伝導部１７とヒューズ素子１３を少なくとも覆うように、樹脂や板状で一体となったセラミック等からなる絶縁被覆層１４を焼成することによって形成する。
【００５０】
最後に、絶縁基板１１の両端面に、電極１２と接続されるように外部電極１５を形成する。なお、この外部電極１５は銀を印刷することによって形成する。また、この外部電極１５の形成は絶縁被覆層１４を形成する前でもよい。
【００５１】
上述したように本発明の実施の形態１におけるチップ型ヒューズは、絶縁基板１１の上面の両端部に位置する電極１２間に接続されたヒューズ素子１３の長さを前記電極１２間の寸法より長くしているため、ヒューズ素子１３の形成位置を絶縁基板１１の中央部へ集中させることができ、これにより、ヒューズ素子１３は狭い面積のところに設けられることになるため、ヒューズ素子１３の中央部の温度を上昇させることができ、その結果、耐パルス性を向上させるためにヒューズ素子１３の断面積を大きくしても、本来溶断すべき電流が印加されればヒューズ素子１３を確実に溶断させることができるため、耐パルス性に優れたチップ型ヒューズを提供することができるものである。
【００５２】
（実施の形態２）
以下、実施の形態２を用いて、本発明の特に請求項７〜１２、１３、１５〜１９、２０に記載の発明について説明する。
【００５３】
図２（ａ）は本発明の実施の形態２におけるチップ型ヒューズの主要部を示す上面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【００５４】
なお、本発明の実施の形態２において、上記した本発明の実施の形態１におけるチップ型ヒューズと同様の構成を有するものについては、同一符号を付してその説明は省略する。
【００５５】
図２（ａ）（ｂ）において、本発明の実施の形態１におけるチップ型ヒューズと相違する点は、絶縁基板および絶縁被覆層を、複数の絶縁シートを積層して一体化することにより構成した点と、低熱伝導部をヒューズ素子の上面側と下面側に設けた凹部により構成した点である。
【００５６】
すなわち、本発明の実施の形態２においては、図２（ａ）（ｂ）に示すように、絶縁基板１１を、セラミック、ガラス等の絶縁体からなる３枚の絶縁シート１１ａ，１１ｂ，１１ｃを積層して一体化することにより構成し、そしてこの絶縁基板１１における上側の絶縁シート１１ｃに、低熱伝導部１７ａを構成する凹部を設けたもので、この凹部はパンチング、レーザー照射等によって上側の絶縁シート２１を貫通させることにより形成している。この場合、凹部は空気であるため、絶縁基板１１を構成する３枚の絶縁シート１１ａ，１１ｂ，１１ｃより熱伝導は低いものである。なお、この凹部は上側の絶縁シート１１ｃに窪みを設けて構成してもよく、また、この凹部を有する絶縁シート１１ｃは１枚のみでなく、複数枚あってもよいもので、耐圧や長期信頼性等を考慮して決めればよいものである。
【００５７】
また、前記上側の絶縁シート１１ｃの上面の両端部には、銀等からなる電極１２が設けられ、かつこの電極１２は絶縁基板１１の中央方向に突出する凸部１６を有し、この凸部１６にヒューズ素子１３が接続されている。
【００５８】
そしてまた、前記ヒューズ素子１３の上面側に位置して前記電極１２の上面には、前記絶縁基板１１と同様に、セラミック、ガラス等の絶縁体からなる３枚の絶縁シート１４ａ，１４ｂ，１４ｃを積層して一体化することにより構成した絶縁被覆層１４を配設している。そしてこの絶縁被覆層１４における下側の絶縁シート１４ａには低熱伝導部１７ｂを構成する凹部をヒューズ素子１３の上面側と対向する位置に設けている。この凹部はパンチング、レーザー照射等によって下側の絶縁シート１４ａを貫通させることにより形成している。
【００５９】
さらに、前記３枚の絶縁シート１１ａ，１１ｂ，１１ｃからなる絶縁基板１１、電極１２および３枚の絶縁シート１４ａ，１４ｂ，１４ｃからなる絶縁被覆層１４を積層することにより構成された積層体の両端面には、前記電極１２と電気的に接続される銀等からなる外部電極１５を設けている。そしてこの外部電極１５は、さらにその表面にニッケルめっき、スズめっきを順に形成してもよいものである。
【００６０】
上記した絶縁被覆層１４における下側の絶縁シート１４ａに設けた低熱伝導部１７ｂを構成する凹部は、空気であるため、絶縁被覆層１４を構成する３枚の絶縁シート１４ａ，１４ｂ，１４ｃより熱伝導は低いものである。なお、この凹部は下側の絶縁シート１４ａに窪みを設けて構成してもよく、また、この凹部を有する絶縁シート１４ａは１枚のみでなく、複数枚あってもよいもので、耐圧や長期信頼性等を考慮して決めればよいものである。
【００６１】
また、前記絶縁基板１１における上側の絶縁シート１１ｃに設けた低熱伝導部１７ａを構成する凹部は、ヒューズ素子１３の下面側と対向する位置に設けられているものである。
【００６２】
なお、上記本発明の実施の形態２においては、ヒューズ素子１３の下面側に位置する絶縁基板１１の絶縁シート１１ｃに低熱伝導部１７ａを構成する凹部を設けるとともに、ヒューズ素子１３の上面側に位置する絶縁被覆層１４の絶縁シート１４ａに低熱伝導部１７ｂを構成する凹部を設けたものについて説明したが、この凹部は絶縁基板１１の絶縁シート１１ｃと、絶縁被覆層１４の絶縁シート１４ａのうち、どちらか一方だけに設けてもよいものである。
【００６３】
また、上記本発明の実施の形態２においては、セラミック、ガラス等の絶縁体からなる絶縁シート１１ｃと、１４ａに凹部を設けることにより低熱伝導部１７ａ，１７ｂを構成していたが、この凹部ではなく、前記絶縁シート１１ｃ，１４ａを他の材料で構成することにより、この絶縁シート１１ｃ，１４ａを低熱伝導部としてもよいものである。すなわち、４枚の絶縁シート１１ａ，１１ｂ，１４ｂ，１４ｃが例えばセラミックで構成されておれば、それより熱伝導の低い材料、例えばシリコンゴムやポリイミドなどの樹脂等で絶縁シート１１ｃ，１４ａを構成すればよく、このようにした場合、絶縁シート１１ｃ，１４ａが低熱伝導部としての働きをするものである。
【００６４】
上記のように絶縁シート１１ｃ，１４ａに凹部を設けずに、この絶縁シート１１ｃ，１４ａを熱伝導の低い材料、例えばシリコンゴムやポリイミドなどの樹脂等で構成して低熱伝導部とした場合は、ヒューズ素子１３の下面側と絶縁基板１１における絶縁シート１１ｂとの間およびヒューズ素子１３の上面側と絶縁被覆層１４における絶縁シート１４ｂとの間に、低熱伝導部を構成するシート状の絶縁シート１１ｃ，１４ａが介在されることになり、これにより、シート状の絶縁シート１１ｃ，１４ａを設けるだけで容易に低熱伝導部を備えることができるという効果が得られるものである。
【００６５】
また、図３に示すように、ヒューズ素子１３を複数設け、これらのヒューズ素子１３を異なる絶縁シート２１，２２に設けてもよいものである。このとき、各ヒューズ素子１３は外部電極（図３では図示せず）を介して並列に接続されるものである。なお、この図３において、１１は絶縁基板、１４は絶縁被覆層であり、低熱伝導部は省略している。
【００６６】
上記図３に示すように、ヒューズ素子１３を複数設け、これらのヒューズ素子１３を異なる絶縁シート２１，２２に備えた場合は、同一抵抗値を得ようとしたとき各ヒューズ素子１３の厚みを薄くできるため、ヒューズ素子１３と絶縁シートとの間の隙間ができにくくなり、これにより、この隙間から水分やめっき液等が侵入するのを防止できるため、ヒューズ素子１３の長期信頼性を保持できる。また、大電流に対応した製品を得ようとした場合でも、ヒューズ素子１３を複数設けているため、各ヒューズ素子１３の厚みを厚くしたり、ヒューズ素子１３の形状を変えたりする必要はなくなり、これにより、大電流に対応したチップ型ヒューズが容易に得られるものである。
【００６７】
次に、本発明の実施の形態２におけるチップ型ヒューズの製造方法について、図２を用いて説明する。
【００６８】
まず、樹脂とガラスセラミック粉体等との混合物により、方形の絶縁シート１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１４ａ，１４ｂ，１４ｃを複数作製する。
【００６９】
次に、２枚の絶縁シート１１ｃ，１４ａの中央部に、それぞれパンチング、レーザー照射等によって孔あけ加工を施すことにより、低熱伝導部１７ａ，１７ｂを構成する凹部を形成する。
【００７０】
次に、３枚の絶縁シート１１ａ，１１ｂ，１１ｃを積層して絶縁基板１１を構成する。この場合、上側の絶縁シート１１ｃに設けた低熱伝導部１７ａを構成する凹部の上部は開口している。
【００７１】
次に、低熱伝導部１７ａを構成する凹部が設けられた上側の絶縁シート１１ｃの上面の両端部に、絶縁シート１１ｃの中央方向に突出する凸部１６を有し、かつ銀等の導電材料からなる電極１２を、印刷またはめっき、蒸着によって形成する。なお、電極１２は絶縁シート１１ｃの凹部が設けられていない部分に設ける。
【００７２】
次に、前記絶縁シート１１ｃの上面において凸部１６間に、銀、銅等からなる蛇行状のヒューズ素子１３を、印刷またはめっきによって形成する。なお、電極１２およびヒューズ素子１３は、同時に形成してもよい。また、ヒューズ素子１３の長さは電極１２間の寸法Ｌより長くなるようにしている。
【００７３】
ヒューズ素子１３をめっきで形成する場合のヒューズ素子１３の形成工程は、別途用意したベース板にヒューズ素子１３のパターンをめっきで形成し、このパターンを絶縁基板１１側に転写することにより、ヒューズ素子１３を形成するものである。これによれば、絶縁基板１１側に低熱伝導部１７ａを構成する凹部が設けられていても、ヒューズ素子１３を容易に形成することができる。またヒューズ素子１３をめっきで形成した場合は、耐パルス性を向上させるための複雑なパターンも容易に形成することができるものである。
【００７４】
次に、ヒューズ素子１３の上面側に位置して電極１２の上面に、３枚の絶縁シート１４ａ，１４ｂ，１４ｃを積層して構成された絶縁被覆層１４を積層する。この場合、下側の絶縁シート１４ａに設けられた低熱伝導部１７ｂを構成する凹部はヒューズ素子１３の上面側と対向することになり、これにより、ヒューズ素子１３の下面側と上面側には、低熱伝導部１７ａ，１７ｂを構成する凹部が位置することになる。
【００７５】
次に、上記のようにして積層された絶縁シート１１ａ，１１ｂ，１１ｃ、ヒューズ素子１３、電極１２、絶縁シート１４ａ，１４ｂ，１４ｃを焼成することにより、絶縁体の一体物として一体化させる。このとき、電極１２は絶縁シートの端部から外方へ突出するようにする。これにより、外部電極１５と電極１２との接続性を向上させることができる。
【００７６】
最後に、絶縁基板１１を構成する３枚の絶縁シート１１ａ，１１ｂ，１１ｃ、電極１２および絶縁被覆層１４を構成する３枚の絶縁シート１４ａ，１４ｂ，１４ｃを積層することにより構成された積層体の両端面に、前記電極１２と電気的に接続されるように銀等を印刷することによって外部電極１５を形成する。
【００７７】
上記したように本発明の実施の形態２においては、絶縁基板１１および絶縁被覆層１４を、複数の絶縁シート１１ａ，１１ｂ，１１ｃおよび１４ａ，１４ｂ，１４ｃをそれぞれ積層することにより構成しているため、工程中で絶縁シートの積層数を変えることによって、容易に、かつ素早く製品の厚みを要望される厚みに対応させることができるものである。
【００７８】
また、本発明の実施の形態２においては、絶縁基板１１および絶縁被覆層１４を構成する絶縁シート１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１４ａ，１４ｂ，１４ｃ、電極１２、ヒューズ素子１３を一体的に焼成した後、電極１２が絶縁シート１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１４ａ，１４ｂ，１４ｃの端部から外方へ突出するように構成しているため、外部電極１５と電極１２との接続性を向上させることができるという効果が得られるものである。
【００７９】
そしてまた、本発明の実施の形態２においては、低熱伝導部１７ａ，１７ｂを、絶縁基板１１を構成する絶縁シート１１ｃに設けた凹部および絶縁被覆層１４を構成する絶縁シート１４ａに設けた凹部のいずれか一方、もしくは両方で構成しているため、この凹部で構成された低熱伝導部１７ａ，１７ｂは空気となり、これにより、低熱伝導部１７ａ，１７ｂの熱伝導率を最も低い状態に近づけることができるため、ヒューズ素子１３で発生した熱の絶縁基板１１や絶縁被覆層１４を構成する絶縁シート１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１４ａ，１４ｂ，１４ｃへの伝達は熱伝導率が最も低い低熱伝導部１７ａ，１７ｂを介しての伝達となって、伝わりにくくなるため、ヒューズ素子１３の中央部の温度をさらに上昇させることができ、その結果、耐パルス性を向上させるためにヒューズ素子１３の断面積を大きくしても、本来溶断すべき電流が印加されればヒューズ素子１３を確実に溶断させることができるため、耐パルス性は優れたものが得られるものである。
【００８０】
このとき、上記した低熱伝導部１７ａ，１７ｂとなる凹部を複数設ければ、絶縁基板１１や絶縁被覆層１４を構成する絶縁シートに、ヒューズ素子１３で発生した熱がほとんど伝わらない箇所を複数設けることができるため、ヒューズ素子１３の温度が最も上昇する部分は複数箇所となり、その結果、本来溶断すべき電流が印加されたときはヒューズ素子１３を安定して溶断させることができるという効果を有するものである。また、ヒューズ素子１３が直線状または直線状に近い形状に形成された場合でも、上記した低熱伝導部１７ａ，１７ｂとなる凹部が設けられた部分は温度上昇するため、この凹部を複数設けることによって、本来溶断すべき電流が印加されたときはヒューズ素子１３を安定して溶断させることができるものである。そしてまた、低熱伝導部１７ａ，１７ｂとなる凹部は空間となっているため、溶断したヒューズ素子１３の逃げ場所となり、その結果、溶断したヒューズ素子１３の塊によって絶縁シートが割れるのを防止できるものである。
【００８１】
なお、上記本発明の実施の形態２においては、低熱伝導部１７ａ，１７ｂを、絶縁基板１１を構成する絶縁シート１１ｃに設けた凹部および絶縁被覆層１４を構成する絶縁シート１４ａに設けた凹部のいずれか一方、もしくは両方で構成したものについて説明したが、ヒューズ素子１３の上面側と下面側のいずれか一方、もしくは両方に、セラミック粉と有機材料との混合物を形成した後、焼成することにより得られる低熱伝導部を設けた場合でも、上記本発明の実施の形態２と同様の効果を有するものである。すなわち、この場合は、焼成するとき有機材料が気化するため、密度が低い低熱伝導部を設けることができ、これにより、ヒューズ素子１３で発生した熱の絶縁基板１１や絶縁被覆層１４を構成する絶縁シートへの伝達は密度が低い低熱伝導部を介しての伝達となるため、伝わりにくくなり、その結果、ヒューズ素子１３の中央部の温度を上昇させることができるため、耐パルス性を向上させるためにヒューズ素子１３の断面積を大きくしても、本来溶断すべき電流が印加されればヒューズ素子１３を確実に溶断させることができ、これにより、耐パルス性を優れたものにすることができるものである。なお、あらかじめ凹部に有機材料を埋めこんだ後焼成することによって、有機材料を気化させて凹部を低熱伝導部としての空間としてもよい。このようにすれば、ヒューズ素子１３を凹部上に形成せずに済むため、ヒューズ素子１３を安定して設けることができる。
【００８２】
また、上記以外に、ヒューズ素子１３の上面側と下面側のいずれか一方、もしくは両方に、前記ヒューズ素子１３より熱収縮率の大きい熱収縮部を形成した後、焼成することにより得られる低熱伝導部を設けた場合でも、上記本発明の実施の形態２と同様の効果を有するものである。すなわち、この場合は、焼成するときヒューズ素子１３と熱収縮部との間に隙間ができるため、この隙間が低熱伝導部となり、これにより、ヒューズ素子１３で発生した熱の絶縁基板１１や絶縁被覆層１４を構成する絶縁シートへの伝達は隙間からなる低熱伝導部を介しての伝達となるため、伝わりにくくなり、その結果、ヒューズ素子１３の中央部の温度を上昇させることができるため、耐パルス性を向上させるためにヒューズ素子１３の断面積を大きくしても、本来溶断すべき電流が印加されればヒューズ素子１３を確実に溶断させることができ、これにより、耐パルス性を優れたものにすることができるものである。
【００８３】
そしてまた、上記以外に、ヒューズ素子１３の上面側と下面側のいずれか一方、もしくは両方に、穴あけ加工をした絶縁シートを積層した後、焼成することにより得られる低熱伝導部を設けた場合でも、上記本発明の実施の形態２と同様の効果を有するものである。すなわち、この場合は、所定の場所に容易に低熱伝導部としての凹部を形成することができるものである。さらに、この凹部に上記したセラミック粉と有機材料との混合物または熱収縮部をあらかじめ埋めこむようにすれば、これらを容易にかつ安定して設けることができるものである。
【００８４】
さらに、上記本発明の実施の形態２で示した低熱伝導部１７ａ，１７ｂを構成する凹部はヒューズ素子１３の中央部付近のみを覆うようにしてもよいもので、このような構成にした場合は、電流印加時にこの凹部内により多く蓄熱されるため、この熱によってヒューズ素子１３の凹部で覆われた箇所が溶断するが、溶断したヒューズ素子１３の逃げ場所が空間である凹部によって確保できるため、溶断したヒューズ素子１３の塊によって絶縁シートが割れるのを確実に防止できるものである。
【００８５】
さらにまた、絶縁シート１４ａのみに凹部を設けるのではなく、ヒューズ素子１３の上方に設けられた絶縁シート１４ａ〜１４ｃ全てにシートを貫通する凹部を設けてもよい。このとき、焼成前はヒューズ素子１３を露出させ、焼成後、最上層の絶縁シート１４ｃの上面に樹脂フィルムを貼ってヒューズ素子１３を保護する。このようにすれば、ヒューズ素子１３を覆う空間を大きくできるため、溶断したヒューズ素子１３の逃げ場所をさらに大きくでき、これにより、絶縁シートが割れるのをより確実に防止できる。また、樹脂フィルムを貼らずにヒューズ素子１３を露出させた状態で最上層の絶縁シート１４ｃを下にして実装基板に実装すれば、溶断したヒューズ素子１３が外部に飛散することを防止できる。さらに、この空間に軟化点が低い低融点ガラスを注入してもよい。この場合、ヒューズ素子１３が溶断するとき、ヒューズ素子１３が高温になるため、低融点ガラスは溶融してペースト状になり、これにより、溶断したヒューズ素子１３が低融点ガラス内に留まるため、溶断後の絶縁抵抗を高くできるとともに、溶断したヒューズ素子１３の塊によって絶縁シートが割れるのを確実に防止できる。
【００８６】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、絶縁基板と、この絶縁基板の上面の両端部に設けられた電極と、この電極間に接続されたヒューズ素子と、このヒューズ素子の上面側に設けられた絶縁被覆層とを備え、前記ヒューズ素子の長さを前記電極間の寸法より長くしているため、ヒューズ素子の形成位置を絶縁基板の中央部へ集中させることができ、これにより、ヒューズ素子は狭い面積のところに設けられることになるため、ヒューズ素子の中央部の温度を上昇させることができ、その結果、耐パルス性を向上させるためにヒューズ素子の断面積を大きくしても、本来溶断すべき電流が印加されればヒューズ素子を確実に溶断させることができ、これにより、耐パルス性に優れたチップ型ヒューズを得ることができるという効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１におけるチップ型ヒューズの主要部を示す上面図
（ｂ）図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図
【図２】（ａ）本発明の実施の形態２におけるチップ型ヒューズの主要部を示す上面図
（ｂ）図２（ａ）のＡ−Ａ線断面図
【図３】同チップ型ヒューズの他の例を示す分解斜視図
【図４】従来のチップ型ヒューズの主要部を示す上面図
【符号の説明】
１１　絶縁基板
１１ａ，１１ｂ，１１ｃ　絶縁シート
１２　電極
１３　ヒューズ素子
１４　絶縁被覆層
１４ａ，１４ｂ，１４ｃ　絶縁シート
１６　凸部
１７，１７ａ，１７ｂ　低熱伝導部
２１，２２　絶縁シート
【図１】
2004134091.tif 000003
【図２】
2004134091.tif 000004
【図３】
2004134091.tif 000005
【図４】
2004134091.tif 000006