(57)【要約】【課題】入出力端子を枠状部の取付部に嵌着しロウ付けする際に入出力端子にクラックが発生するのを防ぐとともに、入出力端子の線路導体に接合されるリード端子が剥がれるのを防ぐことができるものとすること。【解決手段】半導体素子収納用パッケージは、上側主面に半導体素子の載置部１ａを有する金属基体１と、基体１の上側主面に載置部１ａを囲むように金属基体１と一体に形成され、入出力端子３の取付部２ａを有する枠状部２と、上面に線路導体３ｃを有するセラミックスから成る平板部３ａおよびその上面に線路導体３ｃの一部を間に挟んで接合されたセラミックスから成る立壁部３ｂから構成され、取付部２ａに嵌着された枠状部２と同じ高さの入出力端子３とを具備し、取付部２ａは、内側面が入出力端子３の側面３ｄに沿った形状とされているとともに、内側面が側面３ｄよりも所定の幅で大きく形成されている。【選択図】  図２
2004235363.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上側主面に半導体素子が載置される載置部を有する金属基体と、該金属基体の前記上側主面に前記載置部を囲繞するように形成され、側部に切欠きからなる入出力端子の取付部を有する枠状部と、上面の一辺側から対向する他辺側にかけて形成された線路導体を有するセラミックスから成る平板部および該平板部の上面に前記線路導体の一部を間に挟んで接合されたセラミックスから成る立壁部から構成され、前記取付部に嵌着されロウ付けされた前記枠状部と同じ高さの入出力端子とを具備しており、前記取付部は、その内側面が前記入出力端子の側面に沿った形状とされているとともに、前記内側面が前記側面よりも所定の幅で大きく形成されていることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
前記所定の幅が１０乃至５０μｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体素子収納用パッケージ。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置固定されるとともに前記線路導体に電気的に接続された半導体素子と、前記枠状部の上面に取着された蓋体とを具備していることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ波通信，ミリ波通信等用の基地局などに用いられ、高周波数、高出力の半導体素子を収納するための半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、コンピュータ装置や携帯電話等の情報処理装置および通信装置の高速化および大容量化に伴なって、情報処理装置および通信装置に使用される半導体装置に関しても、ＭＨｚ帯やＧＨｚ帯でより高周波の帯域において、高周波信号を扱い得るように改良の努力が為されてきている。例えば、半導体能動素子として、従来のシリコンを素材とした半導体素子に代わり、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）化合物半導体を用いたＭＥＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：金属半導体電界効果トランジスタ）などの化合物半導体を素材としたショットキバリア型電界効果トランジスタが開発され、ＧＨｚ帯の電気信号に対応できるように改良が進みつつある。
【０００３】
特に携帯電話の基地局に用いられるような情報機器では、限られた電力で高出力が得られ、長時間の信号変換ができるように、高効率、高周波数で作動する高出力の半導体素子と、これを収納するとともにその性能を最大限引き出すことができる半導体素子収納用パッケージ（以下、パッケージという）が望まれている。このような目的を達成するために、ＧａＡｓ化合物半導体を用いたＭＥＳＦＥＴの開発が進められてきた。また、高周波および大電力を扱う半導体素子を収納するパッケージとして、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金などの高い熱伝導性を有する材料からなる金属基体と、その金属基体の上側主面の外周部に形成された枠状部と、枠状部の切欠きから成る取付部にロウ材を介して嵌着されたアルミナセラミックスなどの絶縁材料からなる入出力端子とを備えたパッケージが提案されている。
【０００４】
このようなパッケージの一例を図５の平面図に示す。同図のパッケージＡは、金属基体１０１とその上側主面の外周部に形成された枠状部１０２とを有しており、枠状部１０２の側部に形成された切欠きからなる取付部１０２ａに、平板部３ａと立壁部３ｂと線路導体３ｃとを備えた入出力端子３が嵌着されロウ付けされる。
【０００５】
この入出力端子３は、図６の要部拡大断面図に示すように、線路導体３ｃが上面の一辺側から対向する他辺側にかけて形成された平板部３ａと、平板部３ａの上面において線路導体３ｃの一部を平板部３ａとで挟むとともに線路導体３ｃの線路方向と直交するようにして取着された直方体状の立壁部３ｂとを有している。そして、線路導体３ｃの立壁部３ｂに覆われない露出部分には金（Ａｕ）メッキ層などの金属メッキ層が施され、線路導体３ｃの導通抵抗を小さくしているとともに、線路導体３ｃの露出部分の表面の電気抵抗を小さくして、線路導体３ｃを伝送する高周波信号の伝送損失を小さくしている。
【０００６】
また、入出力端子３の線路導体３ｃの方向に平行な側面３ｄ、立壁部３ｂの上面、平板部３ａの下面にはＷ等のメタライズ層から成る接地導体層が予め形成されており、その接地導体層の表面には、線路導体３ｃと同様にＮｉメッキ層などの金属メッキ層が表面に施され、枠体１０２の取付部１０２ａの内面にロウ付けされる際の接合を容易なものとしている。また、パッケージＡの信頼性を向上させるため、またワイヤボンディングの接合性を向上させるために、最後にニッケルメッキ層および金（Ａｕ）メッキ層が金属基体１および入出力端子３の各導電層の部位およびロウ材の表面に形成される。
【０００７】
図５，図６の枠状部１０２は上面の外周端に全周にわたって段差１０２ｂが形成されており、また枠状部１０２を貫通して切り欠いて成る入出力端子３の取付部１０２ａが形成されている。また、段差１０２ｂの底面から下方に向けてさらに切り欠きが形成されており、その切り欠きの底面が取付部１０２ａの底面となっている。そして、入出力端子３の平板部３ａがこの取付部１０２ａに、段差１０２ｂの底面に半ば埋め込まれるようにして取着されている。これにより、段差１０２ｂの高さと金属基体１０１の枠状部１０２で囲まれた部位の底面との高さ関係を適正化しているため、ロウ付け時に入出力端子３に発生するクラックを回避することができる。また、段差１０２ｂの底面は半導体素子を金属基体１０１を介して接地する際に、接地用ワイヤをボンディングするためのボンディング面として用いられることがある。
【０００８】
そして、半導体素子が金属基体１０１の上側主面の中央部の載置部にＡｕ−錫（Ｓｎ）合金半田などの接合材を介して接合され、さらにワイヤを介して半導体素子上の電極と入出力端子３の線路導体３ｃとが電気的に接続され、最後に枠状部１０２の上面に蓋体が取着されてパッケージ内部が気密に封止されることにより、半導体装置となる。
【０００９】
【特許文献１】
特開平６−２８３６１８号公報（第２−３頁、図１）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図５，図６に示すような従来のパッケージＡにおいて、入出力端子３を取付部１０２ａにロウ付けするに際して、段差１０２ｂの底面と入出力端子３の平板部３ａの上面との間には高低差があり、入出力端子３の側面３ｄと段差１０２ｂの底面とが交わる部位においてはロウ材の表面張力が大きく作用するために、入出力端子３の側面３ｄから段差１０２ｂの底面にかけてロウ材が多く溜まり易くなり、このとき、ロウ材の熱膨張係数（１７×１０−６〜２０×１０−６／℃）とアルミナセラミックス等から成る入出力端子３の熱膨張係数（７×１０−６〜９×１０−６／℃）の差に起因して、側面３ｄと段差１０２ｂの底面とが交差する部位を起点として入出力端子３にクラックが発生することがあった。その結果、平板部３ａの上面の線路導体３ｃに接合されるリード端子が小さな引張り応力によって容易に平板部３ａの一部とともに剥れて電気的導通が取れなくなるという不具合が発生することがあった。
【００１１】
従って、本発明は上記問題に鑑みて完成されたものであり、その目的は、入出力端子を枠体の取付部に嵌着しロウ付けする際に入出力端子にクラックが発生するのを防ぐとともに、入出力端子の線路導体に接合されるリード端子が剥がれるのを防ぐことができるパッケージおよび半導体装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上側主面に半導体素子が載置される載置部を有する金属基体と、該金属基体の前記上側主面に前記載置部を囲繞するように形成され、側部に切欠きからなる入出力端子の取付部を有する枠状部と、上面の一辺側から対向する他辺側にかけて形成された線路導体を有するセラミックスから成る平板部および該平板部の上面に前記線路導体の一部を間に挟んで接合されたセラミックスから成る立壁部から構成され、前記取付部に嵌着されロウ付けされた前記枠状部と同じ高さの入出力端子とを具備しており、前記取付部は、その内側面が前記入出力端子の側面に沿った形状とされているとともに、前記内側面が前記側面よりも所定の幅で大きく形成されていることを特徴とする。
【００１３】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、枠状部に形成された入出力端子の取付部は、その内側面が入出力端子の側面に沿った形状とされているとともに、内側面が側面よりも所定の幅で大きく形成されていることにより、取付部において入出力端子の側面が取付部の内側面から外側にはみ出すことがないため、すなわち、入出力端子のメタライズされた側面が枠状部からはみ出すことがないため、ロウ材は入出力端子の側面と取付部の内側面との接合部付近に多く溜まらない状態となる。その結果、ロウ材と入出力端子との熱膨張係数差に起因する入出力端子のクラック発生を有効に防ぐことができるとともに、リード端子の剥れを防止することができ、信頼性の高いものとすることができる。
【００１４】
本発明の半導体素子収納用パッケージにおいて、好ましくは、前記所定の幅が１０乃至５０μｍであることを特徴とする。
【００１５】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、好ましくは所定の幅が１０乃至５０μｍであることから、入出力端子のクラックの発生をより有効に防ぐことができるとともに、リード端子の剥れを防止することができ、より信頼性の高いものとなる。
【００１６】
本発明の半導体装置は、本発明の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置固定されるとともに前記線路導体に電気的に接続された半導体素子と、前記枠状部の上面に取着された蓋体とを具備していることを特徴とする。
【００１７】
本発明の半導体装置は、上記の構成により、入出力端子およびリード端子の信頼性が高まることから、例えば大きな直流電力を高周波信号に変換して出力する半導体素子が長期に亘って安定的に作動する信頼性の高い半導体装置となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置を以下に詳細に説明する。図１は本発明のパッケージＡ１の平面図であり、図２，図３はそれぞれ図１のＸ−Ｘ’線における断面図、Ｙ−Ｙ’線における断面図である。また図４は本発明のパッケージＡ１の要部拡大斜視図である。
【００１９】
これらの図において、１は金属基体、１ａは半導体素子の載置部、２は金属基体１の上側主面に形成された枠状部、２ａは入出力端子３の取付部、２ｂは枠状部２の段差、３は入出力端子、３ａは入出力端子３の平板部、３ｂは入出力端子３の立壁部、３ｃは線路導体、３ｄは入出力端子３の線路方向に平行な側面、３ｅは入出力端子３の上面と側面３ｄと下面とに連続して形成された接地導体層であり、入出力端子３の側面３ｄは凸型の形状を有している。
【００２０】
本発明のパッケージは、上側主面に半導体素子が載置される載置部１ａを有する金属基体１と、金属基体１の上側主面に載置部１ａを囲繞するように形成され、側部に切欠きからなる入出力端子３の取付部２ａを有する枠状部２と、上面の一辺側から対向する他辺側にかけて形成された線路導体３ｃを有するセラミックスから成る平板部３ａおよび平板部３ａの上面に線路導体３ｃの一部を間に挟んで接合されたセラミックスから成る立壁部３ｂから構成され、取付部２ａに嵌着されロウ付けされた枠状部３と同じ高さの入出力端子３とを具備しており、取付部２ａは、その内側面が入出力端子３の側面３ｄに沿った形状とされているとともに、その内側面が側面３ｄよりも所定の幅で大きく形成されている。
【００２１】
本発明における金属基体１は、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金，Ｆｅ−Ｎｉ合金等からなり、例えばＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金のインゴットを切削等することにより作製され、半導体素子の熱を外部に放散させる放熱板としても用いられる。
【００２２】
本発明において、上記の所定の幅が１０乃至５０μｍであることが好ましい。また、図１，図４に示すように、枠状部２の取付部２ａおよびその付近の縦断面形状は入出力端子３の側面に沿った形状（凸型形状）とされており、凸型形状となるように取付部２ａおよびその付近で枠状部２の内外面に段差２ｂが形成されている。
【００２３】
上記の所定の幅が１０μｍ未満であれば、入出力端子３の平板部３ａの上面と段差２ｂの底面との高低差が小さくなり過ぎ、入出力端子３を製造する際にセラミックグリーンシートの収縮率がバラついた場合に入出力端子３の上面が段差２ｂの底面よりも上方に突出することがある。その場合、ロウ材Ｅ（図４）が段差２ｂの底面および側面から入出力端子３の接地導体層３ｅが形成された側面３ｄにかけて溜まることになり、側面３ｄと段差２ｂの底面との境界付近を起点としてクラックが発生することがある。すなわち、入出力端子３の側面３ｄにはメタライズ層から成る接地導体層３ｅが形成されているため、接地導体層３ｅにロウ材Ｅが濡れ広がってロウ材Ｅが溜まり易くなるからである。また、このクラックが立壁部３ｂで発生する場合もある。クラックが平板部３ａで発生すると、リード端子の剥れや気密性の劣化を招来し易くなる。また、クラックが立壁部３ｂで発生すると、気密性の劣化を招来し易くなる。
【００２４】
上記の所定の幅が５０μｍを超えると、平板部３ａの上面の高さと段差２ｂの底面の高さとの間に５０μｍを超える高低差が生じるため、半導体素子から線路導体３ｃにかけてワイヤボンディングするのと、半導体素子から段差２ｂの底面に接地用のボンディングワイヤをボンディングするのとで、ボンディング後の接合強度が異なることとなり易く、これを解消するためにワイヤボンディングをボンディング条件を変えたりワイヤボンダーを複数台準備して２回に分けて実施することとなり、ボンディング条件を微妙に調整するのに多大の時間を要したりするために製造コストが増大することとなる。
【００２５】
入出力端子３は、従来公知の多数個取りによる製造法によって作製される。平板部３ａおよび立壁部３ｂは、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）セラミックス、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）セラミックス、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）セラミックス等からなる。例えばアルミナセラミックスからなる場合、以下のようにして作製される。
【００２６】
まず、Ａｌ２Ｏ３の粉末と、焼結助材としての酸化カルシウム（ＳｉＯ２），酸化カルシウム（ＣａＯ），酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などの粉末と、適当なバインダーおよび溶剤とを混合してこれをスラリーとなし、次に従来周知のドクターブレード法などのテープ成形法によって所定厚さのセラミックグリーンシート（以下、グリーンシートともいう）に成形する。
【００２７】
次に、焼成後に立壁部３ｂとなる所定厚さのグリーンシートを準備する。このグリーンシートにおいて、平面視形状で所定の大きさを有する矩形部が等間隔で打ち抜かれることにより、立壁部３ｂとなる部位が多数形成された、網目状のグリーンシートが得られる。次に、数十ｍｍの長さの網目状部を複数有する帯状のグリーンシートの所定部位に、接地導体３ｅとなるタングステン（Ｗ）などからなる導体ペーストを、焼成後に５〜２０μｍの厚さとなるように印刷塗布する。
【００２８】
焼成後の立壁部３ｂの厚さ（線路導体３ｃの線路方向に平行な方向の厚さ）は０．２５〜０．５ｍｍである。立壁部３ｂの焼成後の幅が０．２５ｍｍ未満の場合、グリーンシートの打抜きが困難となるうえ、焼成後に入出力端子３とされた際に平板部３ａとの接合強度が不十分となり、その結果パッケージＡ１の気密封止を確保できなくなるという不具合が発生する。また、焼成後の立壁部３ｂの幅が０．５ｍｍを超える場合、線路導体３ｃの金メッキ層Ｂ（図３）が被着されていない部位（立壁部３ｂ直下の部位）の面積が増えて導通抵抗が大きくなる。その結果、線路導体３ｃに大きな電流が流れると大きなジュール熱が発生したり、また線路導体３ｃで高周波信号を伝送させた場合には伝送損失が増大したり、また立壁部２ｂ直下の線路導体３ｃの端で多重反射が発生し共振点が低くなるといった不具合が発生し易くなる。より好ましくは、立壁部３ｂの線路方向の幅は０．３〜０．４ｍｍが良い。
【００２９】
次に、別途準備した平板部４となるグリーンシートの上面に、例えば焼成後の幅が０．２〜１ｍｍ、厚さが５〜２０μｍの線路導体６となるように導体ペーストを印刷塗布するとともに、取付部３への接合用の接地導体層３ｅとなる導体ペーストをグリーンシートの下面に、焼成後に厚さが５〜２０μｍ程度になるように印刷塗布する。
【００３０】
次に、平板部３ａ用のグリーンシート上に、網目状部を有する立壁部３ｂ用のグリーンシートを積層圧着し、網目状部を所定の切断線に沿って切断することにより、断面形状が凸型の入出力端子３となる個々のグリーンシート積層体を得る。個片のグリーンシート積層体の側面に接地導体層３ｅとなるＷなどからなる導体ペーストを、例えば転写法などの印刷法により形成する。
【００３１】
そして、還元雰囲気下、１５００〜１６００℃程度の高温で焼成することにより入出力端子３が作製される。得られた入出力端子３は、Ｎｉメッキ層を被着して成る金属メッキ層が、線路導体３ｃの露出部および接地導体層３ｅ上に形成された後、図１に示すように、枠状部２の取付部２ａにロウ材を介して嵌着接合され、パッケージＡ１に収納される半導体素子の入出力端子３として機能する。パッケージＡ１は、入出力端子３が嵌着接合された後、全体にＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層がこの順で被着されることによりその信頼性が確保される。
【００３２】
なお、上記実施の形態では、入出力端子３における線路導体３ｃを１本として説明したが、線路導体３ｃが複数本形成されていても良い。
【００３３】
かくして、本発明のパッケージＡ１は、入出力端子３を取付部２ａにロウ付けするに際して、入出力端子３の周囲にロウ材Ｅが大きく溜まることがなく、その結果、入出力端子３にクラックが発生することがなくなるとともに、リード端子が入出力端子３から剥れるといった不具合が解消され、パッケージＡ１の内部の気密性が良好に保持される。
【００３４】
そして、本発明のパッケージＡ１は、入出力端子３を枠状部２の取付部２ａにＡｇロウ（Ａｇ−Ｃｕ合金ロウ）などのロウ材で嵌着接合し、半導体素子を基体１の載置部１ａに半田や導電性接着剤で載置固定し、半導体素子の上面の電極と入出力端子３の線路導体３ｃの露出部とをボンディングワイヤを介して電気的に接続し、枠状部２の上面に金属やセラミックスから成る蓋体をロウ付けやシーム溶接によって取着することによって半導体装置となる。この場合、半導体素子の上面の接地電極と段差２ｂの底面とをボンディングワイヤを介して接続してもよい。
【００３５】
【実施例】
本発明の半導体素子収納用パッケージの実施例を以下に説明する。
【００３６】
まず、外形寸法が縦２ｍｍ×横３ｍｍ×厚さ１ｍｍでアルミナセラミックスから成る平板部３ａと、外形寸法が縦１ｍｍ×横３ｍｍ×厚さ１ｍｍでアルミナセラミックスから成る立壁部３ｂとを有し、厚さ１５μｍで幅が１ｍｍのＷから成る線路導体３ｃ、線路導体３ｃと同じ厚さのＷから成る接地導体層３ｅを上面，側面，下面に形成して成る入出力端子３を計８０個作製した。
【００３７】
次に、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍ×厚さ２７ｍｍのＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金からなる四角平板状のインゴットを用意し、上面視で外形の縦が２０ｍｍ，横が２０ｍｍ，厚さ２ｍｍで高さ５ｍｍの長方形状の枠状部２を切削加工により形成するとともに、取付部３を切削加工により形成することにより、上側主面の外周部に取付部３ａを有する枠状部３を設けた厚さが２ｍｍの金属基体１を作製した。このとき、枠状部２の取付部２ａは、その高さが入出力端子３と同じとされ、その側面が入出力端子３の側面３ｄに沿った形状とされているとともに、側面が入出力端子３の側面３ｄよりも所定の幅Ｆ（図４）で大きく形成されているようにし、幅Ｆを７種の値（表１参照）とした７種のサンプルを各１０個計７０個作製した。また、幅Ｆがない（Ｆ＝０μｍ）の従来構成のサンプル１０個を作製し、合計８０個作製した。
【００３８】
次に、作製した各種入出力端子３を取付部２ａにＡｇ−Ｃｕ合金ロウ（ＪＩＳＺ  ３２６１：ＢＡｇ−８）を介して７８０℃に加熱することにより嵌着しロウ付けして、各種パッケージＡ１のサンプルを作製した。
【００３９】
これらのサンプルについて、平板部３ａにおけるクラック発生の有無、パッケージの気密性、およびボンディングワイヤの接合性を評価した。クラック発生の有無は、浸透探傷用の浸透液（マークテック株式会社製「スーパーチェック」）にサンプルを漬浸した場合に、この浸透液の浸透によりクラックの部分が赤く着色されることによって判定した。また、気密性の評価は、一般に使用されているヘリウム（Ｈｅ）リークディテクターで評価し、１×１０−９Ｐａ以上の値を示した場合を不良とした。さらに、ボンディングワイヤの接合性は、Ａｕ製のボンディングワイヤをワイヤボンダーで半導体素子から線路導体３ｃに接合し、引張試験機でループ状になったボンディングワイヤを上方に引張って評価した。接合強度は、３×１０−７Ｎ（ニュートン）の力で引張ってボンディングワイヤがはずれた場合を不良とした。表１にその結果を示す。
【００４０】
【表１】
2004235363.tif 000003
【００４１】
表１より、従来構成のサンプルでは、クラックおよび気密性不良のいずれもが見られるサンプルが２０％あった。これに対して、本発明の幅Ｆが１０乃至５０μｍのサンプルでは、いずれも不良が皆無であった。また、幅Ｆが１０μｍ未満のサンプルでは、クラックが見られるものの気密性不良はなかった。また、ボンディングワイヤの接合性については、幅Ｆ、すなわち平板部３ａ上面と段差２ｂの底面との高低差が５０μｍを超えると、劣化することが明らかになった。
【００４２】
なお、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更は可能である。例えば、上記実施の形態では、本発明を半導体素子収納用パッケージに適用した場合について説明したが、半導体素子および各種電子部品を搭載した混成集積回路基板のパッケージに本発明のパッケージＡ１を適用してもよい。
【００４３】
【発明の効果】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、枠状部に形成された入出力端子の取付部は、その内側面が入出力端子の側面に沿った形状とされているとともに、内側面が側面よりも所定の幅で大きく形成されていることにより、取付部において入出力端子の側面が取付部の内側面から外側にはみ出すことがないため、すなわち、入出力端子のメタライズされた側面が枠状部からはみ出すことがないため、ロウ材は入出力端子の側面と取付部の内側面との接合部付近に多く溜まらない状態となる。その結果、ロウ材と入出力端子との熱膨張係数差に起因する入出力端子のクラック発生を有効に防ぐことができるとともに、リード端子の剥れを防止することができ、信頼性の高いものとすることができる。
【００４４】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、好ましくは所定の幅が１０乃至５０μｍであることから、入出力端子のクラックの発生をより有効に防ぐことができるとともに、リード端子の剥れを防止することができ、より信頼性の高いものとなる。
【００４５】
本発明の半導体装置は、本発明の半導体素子収納用パッケージと、載置部に載置固定されるとともに線路導体に電気的に接続された半導体素子と、枠状部の上面に取着された蓋体とを具備していることにより、入出力端子およびリード端子の信頼性が高まることから、例えば大きな直流電力を高周波信号に変換して出力する半導体素子が長期に亘って安定的に作動する信頼性の高い半導体装置となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージの平面図である。
【図２】図１の半導体素子収納用パッケージのＸ−Ｘ’線における拡大断面図である。
【図３】図１の半導体素子収納用パッケージのＹ−Ｙ’線における拡大断面図である。
【図４】本発明の半導体素子収納用パッケージの要部拡大斜視図である。
【図５】従来の半導体素子収納用パッケージの平面図である。
【図６】従来の半導体素子収納用パッケージの要部拡大断面図である。
【符号の説明】
１：基体
１ａ：載置部
２：枠状部
２ａ：取付部
２ｂ：段差
３：入出力端子
３ａ：平板部
３ｂ：立壁部
３ｃ：線路導体
３ｄ：側面
【図１】
2004235363.tif 000004
【図２】
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【図３】
2004235363.tif 000006
【図４】
2004235363.tif 000007
【図５】
2004235363.tif 000008
【図６】
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