(57)【要約】【課題】配線を形成する際に微細化された接続孔内で脱ガスの発生を抑制して配線層のカバレージを向上させた配線の製造方法、半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、下地膜１上に絶縁膜２を形成する工程と、前記絶縁膜２に、前記下地膜１上に位置する接続孔２ａを形成する工程と、少なくとも前記接続孔２ａ内の絶縁膜２の表面に重い原子５をイオン注入することにより、該接続孔２ａ内の絶縁膜２の表面にアモルファス化されたバリア層７を形成する工程と、前記バリア層７上及び前記接続孔２ａ内に導電層としてのＡｌ合金層８を形成する工程と、を具備する。バリア層７により、配線を形成する際に微細化された接続孔内で脱ガスの発生を抑制することができ、その結果、配線層のカバレージを向上させることができる。【選択図】　　　　図１
2004134617.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に、前記下地膜上に位置する接続孔を形成する工程と、
少なくとも前記接続孔内の絶縁膜の表面に重い原子をイオン注入することにより、該接続孔内の絶縁膜の表面にアモルファス化されたバリア層を形成する工程と、
前記バリア層上及び前記接続孔内に導電層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
下地膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に、前記下地膜上に位置する接続孔を形成する工程と、
少なくとも前記接続孔内の絶縁膜の表面に重い原子をイオン注入することにより、該接続孔内の絶縁膜の表面にアモルファス化されたバリア層を形成する工程と、
前記バリア層上及び前記接続孔内にＴｉ層を形成する工程と、
前記Ｔｉ層に酸素を導入する工程と、
前記Ｔｉ層に熱処理を行うことにより、該Ｔｉ層上にＴｉＯ２層を形成する工程と、
前記ＴｉＯ２層上及び前記接続孔内に導電層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
下地膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に、前記下地膜上に位置する接続孔を形成する工程と、
少なくとも前記接続孔内の絶縁膜の表面にＳｉをイオン注入する工程と、
前記接続孔内及び前記絶縁膜上にＴｉ層を形成する工程と、
前記絶縁膜に熱処理を行うことにより、該接続孔内の絶縁膜の表面にＴｉシリサイド層を形成する工程と、
前記Ｔｉシリサイド層上及び前記接続孔内に導電層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
下地膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に、前記下地膜上に位置する接続孔を形成する工程と、
少なくとも前記接続孔内の絶縁膜の表面にＳｉを第１の加速度エネルギーにてイオン注入する工程と、
少なくとも前記接続孔内の絶縁膜の表面にＳｉを第１の加速度エネルギーより高い第２の加速度エネルギーにてイオン注入することにより、該接続孔内の絶縁膜の表面にアモルファス化されたバリア層を形成する工程と、
前記接続孔内及び前記絶縁膜上にＴｉ層を形成する工程と、
前記絶縁膜に熱処理を行うことにより、該接続孔内の絶縁膜の表面にＴｉシリサイド層を形成する工程と、
前記Ｔｉシリサイド層上及び前記接続孔内に導電層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記導電層を形成する工程の後に、前記導電層をパターニングすることにより、前記絶縁膜上に配線を形成する工程をさらに具備することを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記導電層がＡｌ合金層又はＡｌ層であることを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
下地膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成され、前記下地膜上に位置する接続孔と、
少なくとも前記接続孔内の絶縁膜の表面に形成されたアモルファス化されたバリア層と、
前記バリア層上及び前記接続孔内に形成された導電層と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
下地膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成され、前記下地膜上に位置する接続孔と、
少なくとも前記接続孔内の絶縁膜の表面に形成されたアモルファス化されたバリア層と、
前記バリア層上及び前記接続孔内に形成されたＴｉ層と、
前記Ｔｉ層上に形成されたＴｉＯ２層と、
前記ＴｉＯ２層上及び前記接続孔内に形成された導電層と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
下地膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成され、前記下地膜上に位置する接続孔と、
前記接続孔内の絶縁膜の表面に形成されたＴｉシリサイド層と、
前記Ｔｉシリサイド層上及び前記接続孔内に形成された導電層と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
下地膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成され、前記下地膜上に位置する接続孔と、
前記接続孔内の絶縁膜の表面に形成されたアモルファス化されたバリア層と、
前記接続孔内の絶縁膜の表面に形成されたＴｉシリサイド層と、
前記Ｔｉシリサイド層上及び前記接続孔内に形成された導電層と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
絶縁膜の表面に重い原子をイオン注入することにより、該絶縁膜の表面にアモルファス化されたバリア層を形成する工程と、
前記バリア層上に導電層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする配線の製造方法。
【請求項１２】
絶縁膜の表面に重い原子をイオン注入することにより、該絶縁膜の表面にアモルファス化されたバリア層を形成する工程と、
前記バリア層上にＴｉ層を形成する工程と、
前記Ｔｉ層に酸素を導入する工程と、
前記Ｔｉ層に熱処理を行うことにより、該Ｔｉ層上にＴｉＯ２層を形成する工程と、
前記ＴｉＯ２層上に導電層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする配線の製造方法。
【請求項１３】
絶縁膜の表面にＳｉをイオン注入する工程と、
前記絶縁膜上にＴｉ層を形成する工程と、
前記絶縁膜に熱処理を行うことにより、該絶縁膜の表面にＴｉシリサイド層を形成する工程と、
前記Ｔｉシリサイド層上に導電層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする配線の製造方法。
【請求項１４】
絶縁膜の表面にＳｉを第１の加速度エネルギーにてイオン注入する工程と、
前記絶縁膜の表面にＳｉを第１の加速度エネルギーより高い第２の加速度エネルギーにてイオン注入することにより、該絶縁膜の表面にアモルファス化されたバリア層を形成する工程と、
前記絶縁膜上にＴｉ層を形成する工程と、
前記絶縁膜に熱処理を行うことにより、該絶縁膜の表面にＴｉシリサイド層を形成する工程と、
前記Ｔｉシリサイド層上に導電層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする配線の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線の製造方法、半導体装置及びその製造方法に関するものである。特には、配線を形成する際に微細化された接続孔内で脱ガスの発生を抑制して配線層のカバレージを向上させた配線の製造方法、半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図９は、従来の半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
まず、配線などの下地１０１の上にシリコン酸化膜などの絶縁膜１０２を形成する。次いで、この絶縁膜１０２の上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することにより、絶縁膜１０２の上にはレジストパターンが形成される。
【０００３】
次いで、このレジストパターンをマスクとして絶縁膜１０２をエッチングすることにより、絶縁膜１０２には下地１０１上に位置するコンタクトホール１０２ａが形成される。次いで、このコンタクトホール１０２ａ内及び絶縁膜１０２上にＴｉ層１０３をスパッタリングにより形成する。次いで、このＴｉ層１０３の上にＴｉＮ層１０４をスパッタリングにより形成する。前記ＴｉＮ層１０４及びＴｉ層１０３はバリアとして作用する。
【０００４】
次いで、コンタクトホール１０２ａ内及びＴｉＮ層１０４上にＡｌ合金層１０５をスパッタリングにより堆積する。次いで、このＡｌ合金層１０５をパターニングすることにより、絶縁膜１０２上には下地１０１に電気的に接続されたＡｌ合金配線が形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記従来の半導体装置の製造方法では、Ａｌ合金配線を形成する際にＡｌ合金層１０５を１５０℃〜３５０℃程度の比較的に高い温度でスパッタリングにより形成している。この際、絶縁膜１０２に吸蔵されていたガス或いはそのガスを吸蔵したＴｉ層１０３から脱ガスが起こり、コンタクトホール１０２ａの内壁面ではＡｌ合金層１０５の濡れ性が悪くなり、Ａｌの流動性のため、矢印で示す表面張力側にＡｌ原子が引っ張られ、Ａｌ合金層のカバレージが悪くなることがある。その結果、コンタクトホール内でＡｌ合金配線に断線（図７に示す部分Ａ）が生じてしまい、配線不良が発生することがある。このような断線はコンタクトホールが微細化されるほど顕著に発生する問題である。
【０００６】
図１０は、他の従来の半導体装置を示す断面図である。この半導体装置は図９に示す半導体装置と同様の製造方法で製造されたものである。この他の従来の半導体装置の製造方法においては、コンタクトホール１０２ａ内でＡｌ合金配線にボイド１０６が生じてしまい、Ａｌ合金層のカバレージが悪くなる。その結果、コンタクト不良が発生することがある。ボイドの発生理由は、Ａｌ合金層１０５をスパッタリングにより形成する際、絶縁膜１０２に吸蔵されていたガス或いはそのガスを吸蔵したＴｉ層１０３から脱ガスが起こり、コンタクトホール１０２ａの内壁面ではＡｌ合金層１０５の濡れ性が悪くなるためである。
【０００７】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、配線を形成する際に微細化された接続孔内で脱ガスの発生を抑制して配線層のカバレージを向上させた配線の製造方法、半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、下地膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に、前記下地膜上に位置する接続孔を形成する工程と、
少なくとも前記接続孔内の絶縁膜の表面に重い原子をイオン注入することにより、該接続孔内の絶縁膜の表面にアモルファス化されたバリア層を形成する工程と、
前記バリア層上及び前記接続孔内に導電層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする。
【０００９】
上記半導体装置の製造方法によれば、絶縁膜の表面にアモルファス化されたバリア層を形成しているため、導電層をスパッタリングにより形成する際、該バリア層によって絶縁膜からの脱ガスを抑制することができる。これにより、接続孔の内壁面での導電層の濡れ性を向上させることができ、その結果、接続孔を微細化しても接続孔内で配線に断線やボイドが発生するのを抑制することができる。したがって、接続孔内での導電層のカバレージを向上させることができる。
【００１０】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、下地膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に、前記下地膜上に位置する接続孔を形成する工程と、
少なくとも前記接続孔内の絶縁膜の表面に重い原子をイオン注入することにより、該接続孔内の絶縁膜の表面にアモルファス化されたバリア層を形成する工程と、
前記バリア層上及び前記接続孔内にＴｉ層を形成する工程と、
前記Ｔｉ層に酸素を導入する工程と、
前記Ｔｉ層に熱処理を行うことにより、該Ｔｉ層上にＴｉＯ２層を形成する工程と、
前記ＴｉＯ２層上及び前記接続孔内に導電層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする。
【００１１】
上記半導体装置の製造方法によれば、バリア層によって絶縁膜からの脱ガスを抑制することができる。また、導電層と絶縁膜との間にＴｉＯ２層を形成し、このＴｉＯ２層は絶縁膜からの脱ガスに対して高いバリア性を有している。このため、導電層を成膜する際、脱ガスが導電層に侵入することを抑制できる。これにより、Ａｌの流動性を阻害することがなく、Ａｌ合金層の良好なカバレージを得ることができる。
【００１２】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、下地膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に、前記下地膜上に位置する接続孔を形成する工程と、
少なくとも前記接続孔内の絶縁膜の表面にＳｉをイオン注入する工程と、
前記接続孔内及び前記絶縁膜上にＴｉ層を形成する工程と、
前記絶縁膜に熱処理を行うことにより、該接続孔内の絶縁膜の表面にＴｉシリサイド層を形成する工程と、
前記Ｔｉシリサイド層上及び前記接続孔内に導電層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする。
【００１３】
上記半導体装置の製造方法によれば、絶縁膜の表面にＴｉシリサイド層を形成している。このため、導電層をスパッタリングにより形成する際、絶縁膜からＴｉ層への脱ガスを抑制することができる。これにより、接続孔の内壁面での導電層の濡れ性を向上させることができ、その結果、接続孔を微細化しても接続孔内で導電層に断線やボイドが発生するのを抑制することができる。したがって、接続孔内での導電層のカバレージを向上させることができる。
【００１４】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、下地膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に、前記下地膜上に位置する接続孔を形成する工程と、
少なくとも前記接続孔内の絶縁膜の表面にＳｉを第１の加速度エネルギーにてイオン注入する工程と、
少なくとも前記接続孔内の絶縁膜の表面にＳｉを第１の加速度エネルギーより高い第２の加速度エネルギーにてイオン注入することにより、該接続孔内の絶縁膜の表面にアモルファス化されたバリア層を形成する工程と、
前記接続孔内及び前記絶縁膜上にＴｉ層を形成する工程と、
前記絶縁膜に熱処理を行うことにより、該接続孔内の絶縁膜の表面にＴｉシリサイド層を形成する工程と、
前記Ｔｉシリサイド層上及び前記接続孔内に導電層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする。
【００１５】
上記半導体装置の製造方法によれば、絶縁膜の表面に脱ガスに対するバリア層を形成し、絶縁膜の表面にＴｉシリサイド層を形成している。このため、導電層をスパッタリングにより形成する際、絶縁膜からＴｉ層への脱ガスを抑制することができる。これにより、接続孔の内壁面での導電層の濡れ性を向上させることができ、その結果、接続孔を微細化しても接続孔内で導電層に断線やボイドが発生するのを抑制することができる。したがって、接続孔内での導電層のカバレージを向上させることができる。
【００１６】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法においては、前記導電層を形成する工程の後に、前記導電層をパターニングすることにより、前記絶縁膜上に配線を形成する工程をさらに具備することも可能である。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法においては、前記導電層がＡｌ合金層又はＡｌ層であることが好ましい。
【００１７】
本発明に係る半導体装置は、下地膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成され、前記下地膜上に位置する接続孔と、
少なくとも前記接続孔内の絶縁膜の表面に形成されたアモルファス化されたバリア層と、
前記バリア層上及び前記接続孔内に形成された導電層と、
を具備することを特徴とする。
【００１８】
本発明に係る半導体装置は、下地膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成され、前記下地膜上に位置する接続孔と、
少なくとも前記接続孔内の絶縁膜の表面に形成されたアモルファス化されたバリア層と、
前記バリア層上及び前記接続孔内に形成されたＴｉ層と、
前記Ｔｉ層上に形成されたＴｉＯ２層と、
前記ＴｉＯ２層上及び前記接続孔内に形成された導電層と、
を具備することを特徴とする。
【００１９】
本発明に係る半導体装置は、下地膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成され、前記下地膜上に位置する接続孔と、
前記接続孔内の絶縁膜の表面に形成されたＴｉシリサイド層と、
前記Ｔｉシリサイド層上及び前記接続孔内に形成された導電層と、
を具備することを特徴とする。
【００２０】
本発明に係る半導体装置は、下地膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成され、前記下地膜上に位置する接続孔と、
前記接続孔内の絶縁膜の表面に形成されたアモルファス化されたバリア層と、
前記接続孔内の絶縁膜の表面に形成されたＴｉシリサイド層と、
前記Ｔｉシリサイド層上及び前記接続孔内に形成された導電層と、
を具備することを特徴とする。
【００２１】
本発明に係る配線の製造方法は、絶縁膜の表面に重い原子をイオン注入することにより、該絶縁膜の表面にアモルファス化されたバリア層を形成する工程と、前記バリア層上に導電層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする。
【００２２】
本発明に係る配線の製造方法は、絶縁膜の表面に重い原子をイオン注入することにより、該絶縁膜の表面にアモルファス化されたバリア層を形成する工程と、
前記バリア層上にＴｉ層を形成する工程と、
前記Ｔｉ層に酸素を導入する工程と、
前記Ｔｉ層に熱処理を行うことにより、該Ｔｉ層上にＴｉＯ２層を形成する工程と、
前記ＴｉＯ２層上に導電層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする。
【００２３】
本発明に係る配線の製造方法は、絶縁膜の表面にＳｉをイオン注入する工程と、
前記絶縁膜上にＴｉ層を形成する工程と、
前記絶縁膜に熱処理を行うことにより、該絶縁膜の表面にＴｉシリサイド層を形成する工程と、
前記Ｔｉシリサイド層上に導電層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする。
【００２４】
本発明に係る配線の製造方法は、絶縁膜の表面にＳｉを第１の加速度エネルギーにてイオン注入する工程と、
前記絶縁膜の表面にＳｉを第１の加速度エネルギーより高い第２の加速度エネルギーにてイオン注入することにより、該絶縁膜の表面にアモルファス化されたバリア層を形成する工程と、
前記絶縁膜上にＴｉ層を形成する工程と、
前記絶縁膜に熱処理を行うことにより、該絶縁膜の表面にＴｉシリサイド層を形成する工程と、
前記Ｔｉシリサイド層上に導電層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明に係る第１の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図である。この半導体装置の製造方法は、配線の製造する工程を有するものである。
【００２６】
まず、図１（Ａ）に示すように、配線やシリコン基板などの下地膜１の上にシリコン酸化膜、ＢＰＳＧ（ｂｏｒｏ−ｐｈｏｓｐｈｏ　ｓｉｌｉｃａｔｅ　ｇｌａｓｓ　）膜などの絶縁膜２をＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成する。次いで、この絶縁膜２の上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することにより、絶縁膜２の上にはレジストパターンが形成される。
【００２７】
次いで、このレジストパターンをマスクとして絶縁膜２をエッチングすることにより、絶縁膜２には下地膜１上に位置する接続孔（コンタクトホール又はビアホール）２ａが形成される。この際のエッチングはウエットエッチングでもドライエッチングでも良い。次いで、例えばＸｅ＋のような重い原子（質量数の大きい原子）５を絶縁膜２の表面に高加速度エネルギーにてイオン注入することによって、絶縁膜２の表面をアモルファス化する。これにより、絶縁膜２の表面には脱ガスに対するバリア層７が形成される。シリコン酸化膜、ＢＰＳＧなどの絶縁膜２にはＨ２Ｏ、Ｈ２、Ｏ２等のガスが含まれており、バリア層７は絶縁膜２からの脱ガスを抑制するための層として作用する。
【００２８】
なお、バリア層７は、絶縁膜２の表面全面に形成することも可能であるが、少なくとも接続孔２ａ内の絶縁膜の表面に形成すれば良い。また、重い原子５は、Ｘｅ＋に限定されるものではなく、プラズマ化することができ、不活性で安定化できるガスであれば、他の重い原子を用いることも可能である。
【００２９】
この後、図１（Ｂ）に示すように、接続孔２ａ内及び絶縁膜２上にＴｉ層３をスパッタリングにより形成する。次いで、このＴｉ層３に酸素６を導入する。この際の導入方法は、例えばＴｉ層３の表面にＯ２プラズマを供給することにより酸素を導入しても良いし、Ｔｉ層３を大気に開放することにより酸素を導入しても良い。
【００３０】
次に、図１（Ｃ）に示すように、Ｔｉ層３の表面を減圧下、例えば４００℃程度の温度でシンター（熱処理）を行うことにより、Ｔｉ層の表面にはバリア性の高いＴｉＯ２層４が形成される。次いで、接続孔２ａ内及びＴｉＯ２層４上に導電層としてのＡｌ合金層８をスパッタリングにより堆積する。次いで、このＡｌ合金層８、ＴｉＯ２層４及びＴｉ層３をパターニングすることにより、絶縁膜２上には下地膜１に電気的に接続されたＡｌ合金配線が形成される。このＡｌ合金配線はＡｌ合金層８、ＴｉＯ２層４及びＴｉ層３を有するものである。
【００３１】
上記第１の実施の形態によれば、絶縁膜２の表面にＨ２Ｏ、Ｈ２、Ｏ２等の脱ガスに対するバリア層７を形成しているため、Ａｌ合金層８をスパッタリングにより形成する際、絶縁膜２からＴｉ層３への脱ガスを抑制することができる。これにより、接続孔２ａの内壁面でのＡｌ合金層８の濡れ性を向上させることができ、その結果、接続孔を微細化しても接続孔内でＡｌ合金配線に断線やボイドが発生するのを抑制することができる。したがって、接続孔内でのＡｌ合金層のカバレージを向上させることができる。
【００３２】
また、本実施の形態では、Ａｌ合金層８と絶縁膜２との間にＴｉＯ２層４を形成し、このＴｉＯ２層４は絶縁膜からのＨ２Ｏ等の脱ガスに対して高いバリア性を有している。このため、Ａｌ合金層８を成膜する際、脱ガスがＡｌ合金層に侵入することを抑制できる。これにより、Ａｌの流動性を阻害することがなく、Ａｌ合金層の良好なカバレージを得ることができる。したがって、信頼性の高いＡｌ合金配線を形成することが可能となる。
【００３３】
また、本実施の形態による半導体装置の製造方法では、従来技術のようにＴｉターゲットを用いて窒素ガスを導入しながらＴｉとＮ２を反応させる反応性スパッタによりＴｉＮ層を形成する工程を有しない。このため、この工程でのパーティクルが発生しないので、配線を形成する際にパーティクルの発生を抑制して歩留まりを向上させることができる。
【００３４】
図２（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明に係る第２の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図である。この半導体装置の製造方法は、配線の製造する工程を有するものである。
【００３５】
まず、図２（Ａ）に示すように、配線やシリコン基板などの下地膜１の上にシリコン酸化膜、ＢＰＳＧ膜などの絶縁膜２をＣＶＤ法により形成する。次いで、この絶縁膜２に下地膜１上に位置する接続孔（コンタクトホール又はビアホール）２ａを形成する。次いで、Ｓｉ＋を絶縁膜２の表面に低加速度エネルギー（例えば数ＫｅＶの加速電圧）にてイオン注入する。次いで、Ｓｉ＋を絶縁膜２の表面に高加速度エネルギー（例えば１００ＫｅＶ）にてイオン注入することによって、絶縁膜２の表面をアモルファス化する。これにより、絶縁膜２の表面には脱ガスに対するバリア層７が形成される。シリコン酸化膜、ＢＰＳＧなどの絶縁膜２にはＨ２Ｏ、Ｈ２、Ｏ２等のガスが含まれており、バリア層７は絶縁膜２からの脱ガスを抑制するための層として作用する。
【００３６】
なお、Ｓｉ＋を絶縁膜２の表面にイオン注入する工程を低加速度エネルギーにてイオン注入する工程と高加速度エネルギーにてイオン注入する工程の２ステップで行うことにより、導入されたＳｉ＋濃度を２分布形成することができる。また、バリア層７は、絶縁膜２の表面全面に形成することも可能であるが、少なくとも接続孔２ａ内の絶縁膜の表面に形成すれば良い。また、バリア層７を形成するためにイオン注入する原子はＳｉ＋に限定されるものではなく、プラズマ化することができ、不活性で安定化できるガスであれば、他の重い原子を用いることも可能である。
【００３７】
次に、図２（Ｂ）に示すように、接続孔２ａ内及び絶縁膜２上にＴｉ層３をスパッタリングにより形成する。
【００３８】
この後、図２（Ｃ）に示すように、Ｔｉ層３を７００〜８５０℃の温度、Ｎ２雰囲気でシンターなどの熱処理（例えばランプアニール又は電気炉アニール）を行う。これにより、絶縁膜２の表面の低加速度エネルギーにて導入されたＳｉ＋とＴｉ層が反応してＴｉシリサイド（ＴｉＳｉ２）３ａが形成されると共に、このＴｉシリサイド３ａ上にＴｉＮ層３ｂが形成される。この際、絶縁膜２には前記アモルファス化されたバリア層７が残される。なお、図２（Ｃ）には示していないが、未反応のＴｉ層３が残されていても良い。また、Ｔｉシリサイド層３ａは、絶縁膜２の表面全面に形成することも可能であるが、少なくとも接続孔２ａ内の絶縁膜の表面に形成すれば良い。
【００３９】
次いで、ＴｉＮ層３ｂの上に導電層としてのＡｌ合金層８を３５０℃〜４５０℃程度の高温でスパッタリングにより堆積する。これにより、ＴｉとＡｌ合金層が反応して、ＴｉＮ層３ｂ上には薄いＡｌ３Ｔｉなどの反応層８ａが形成されると共に反応層８ａ上には未反応のＡｌ合金層８が形成される。次いで、このＡｌ合金層８、反応層８ａ、ＴｉＮ層３ｂ及びＴｉシリサイド３ａをパターニングすることにより、絶縁膜２上には下地膜１に電気的に接続されたＡｌ合金配線が形成される。このＡｌ合金配線はＡｌ合金層８、反応層８ａ、ＴｉＮ層３ｂ及びＴｉシリサイド３ａを有するものである。
【００４０】
上記第２の実施の形態によれば、絶縁膜２の表面にＨ２Ｏ、Ｈ２、Ｏ２等の脱ガスに対するバリア層７を形成し、絶縁膜２の表面にＴｉシリサイド（ＴｉＳｉ２）層３ａを形成している。このため、Ａｌ合金層８をスパッタリングにより形成する際、絶縁膜２からＴｉ層、ＴｉＮ層への脱ガスを抑制することができる。これにより、接続孔２ａの内壁面でのＡｌ合金層８の濡れ性を向上させることができ、その結果、接続孔を微細化しても接続孔内でＡｌ合金配線に断線やボイドが発生するのを抑制することができる。したがって、接続孔内でのＡｌ合金層のカバレージを向上させることができる。
【００４１】
また、本実施の形態では、接続孔内のコンタクト部にＴｉシリサイド３ａを形成しているため、コンタクト抵抗を低くすることができる。また、Ｔｉシリサイド層３ａが配線層の一部を形成しているため、エレクトロマイグレーション等のＡｌ合金配線の信頼性の向上を図ることができる。
【００４２】
また、本実施の形態による半導体装置の製造方法では、従来技術のようにＴｉターゲットを用いて窒素ガスを導入しながらＴｉとＮ２を反応させる反応性スパッタによりＴｉＮ層を形成する工程を有しない。このため、この工程でのパーティクルが発生しないので、配線を形成する際にパーティクルの発生を抑制して歩留まりを向上させることができる。
【００４３】
尚、上記第１及び第２の実施の形態では、下地膜１としてシリコン基板、配線を用いているが、これに限定されるものではなく、他の下地膜として例えばポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜を用いることも可能である。
【００４４】
また、上記第１及び第２の実施の形態では、Ａｌ合金層５を用いているが、Ａｌ合金層に代えてＡｌ層を用いることも可能である。
【００４５】
また、本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
【００４６】
【実施例】
図３乃至図５は、本発明に係る第１の実施例による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
まず、図３（Ａ）に示すように、シリコン基板（図示せず）の上方にシリコン酸化膜などからなる絶縁膜１２をＣＶＤ法により形成する。次いで、例えばＸｅ＋のような重い原子（質量数の大きい原子）１５を絶縁膜１２の表面に高加速度エネルギーにてイオン注入することによって、絶縁膜１２の表面をアモルファス化する。これにより、絶縁膜１２の表面には脱ガスに対するバリア層１７が形成される。シリコン酸化膜、ＢＰＳＧなどの絶縁膜１２にはＨ２Ｏ、Ｈ２、Ｏ２等のガスが含まれており、バリア層１７は絶縁膜１２からの脱ガスを抑制するための層として作用する。
【００４７】
この後、図３（Ｂ）に示すように、絶縁膜１２上にＴｉ層１３をスパッタリングにより形成する。次いで、このＴｉ層１３の表面にＯ２プラズマを供給することにより酸素１６を導入する。
【００４８】
次に、図３（Ｃ）に示すように、Ｔｉ層１３の表面を減圧下、例えば４００℃程度の温度でシンター（熱処理）を行うことにより、Ｔｉ層の表面にはバリア性の高いＴｉＯ２層１４が形成される。次いで、ＴｉＯ２層１４上に導電層としてのＡｌ合金層１８をスパッタリングにより堆積する。次いで、このＡｌ合金層８上に反射防止膜１９をスパッタリングにより形成する。この反射防止膜１９としてはＴｉＮ膜、Ｔｉ膜の上にＴｉＮ膜を形成した積層構造膜、ＴｉＷ膜等を用いることが好ましい。
【００４９】
この後、図３（Ｄ）に示すように、反射防止膜１９、Ａｌ合金層１８、ＴｉＯ２層１４及びＴｉ層１３をパターニングすることにより、絶縁膜１２上には第１のＡｌ合金配線２０が形成される。
【００５０】
次に、図４（Ｅ）に示すように、第１のＡｌ合金配線２０を含む全面上にシリコン酸化膜などからなる層間絶縁膜２１をＣＶＤ法により堆積する。次いで、この層間絶縁膜２１の上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することにより、層間絶縁膜２１の上には第１のＡｌ合金配線２０の上方に開口部を有するレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとして層間絶縁膜２１をエッチングする。これにより、層間絶縁膜２１には第１のＡｌ合金配線２０上に位置するビアホール２１ａが形成される。なお、ここではビアホールの底部に反射防止膜１９を残しているが、ビアホールの底部の反射防止膜１９もエッチングにより除去しても良い。
【００５１】
次いで、例えばＸｅ＋のような重い原子（質量数の大きい原子）２５を層間絶縁膜２１の表面に高加速度エネルギーにてイオン注入することによって、層間絶縁膜２１の表面をアモルファス化する。これにより、層間絶縁膜２１の表面には脱ガスに対するバリア層２７が形成される。シリコン酸化膜、ＢＰＳＧなどの層間絶縁膜２１にはＨ２Ｏ、Ｈ２、Ｏ２等のガスが含まれており、バリア層２７は層間絶縁膜２１からの脱ガスを抑制するための層として作用する。
【００５２】
この後、図４（Ｆ）に示すように、ビアホール２１ａ内及び層間絶縁膜２１上にＴｉ層２３をスパッタリングにより形成する。次いで、このＴｉ層２３の表面にＯ２プラズマを供給することにより酸素を導入する。次いで、Ｔｉ層２３の表面を減圧下、例えば４００℃程度の温度でシンター（熱処理）を行うことにより、Ｔｉ層の表面にはバリア性の高いＴｉＯ２層２４が形成される。次いで、ビアホール２１ａ内及びＴｉＯ２層２４上に導電層としてのＡｌ合金層２８をスパッタリングにより堆積する。次いで、このＡｌ合金層２８上に反射防止膜２９をスパッタリングにより形成する。この反射防止膜２９としてはＴｉＮ膜、Ｔｉ膜の上にＴｉＮ膜を形成した積層構造膜、ＴｉＷ膜等を用いることが好ましい。
【００５３】
次に、図４（Ｇ）に示すように、反射防止膜２９、Ａｌ合金層２８、ＴｉＯ２層２４及びＴｉ層２３をパターニングすることにより、ビアホール２１ａ内及び層間絶縁膜２１上には第２のＡｌ合金配線３０が形成され、第２のＡｌ合金配線３０はビアホール内で第１のＡｌ合金配線２０に電気的に接続される。
【００５４】
次に、図５（Ｈ）に示すように、第２のＡｌ合金配線３０を含む全面上にシリコン酸化膜などからなる層間絶縁膜３１をＣＶＤ法により堆積する。次いで、この層間絶縁膜３１の上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像することにより、層間絶縁膜３１の上には第２のＡｌ合金配線３０の上方に開口部を有するレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとして層間絶縁膜３１をエッチングする。これにより、層間絶縁膜３１には第２のＡｌ合金配線３０上に位置するビアホール３１ａが形成される。なお、ここではビアホールの底部に反射防止膜２９を残しているが、ビアホールの底部の反射防止膜２９もエッチングにより除去しても良い。
【００５５】
次いで、例えばＸｅ＋のような重い原子（質量数の大きい原子）３５を層間絶縁膜３１の表面に高加速度エネルギーにてイオン注入することによって、層間絶縁膜３１の表面をアモルファス化する。これにより、層間絶縁膜３１の表面には脱ガスに対するバリア層３７が形成される。このバリア層３７は層間絶縁膜３１からの脱ガスを抑制するための層として作用する。
【００５６】
この後、図５（Ｉ）に示すように、ビアホール３１ａ内及び層間絶縁膜３１上にＴｉ層３３をスパッタリングにより形成する。次いで、このＴｉ層３３の表面にＯ２プラズマを供給することにより酸素を導入する。次いで、Ｔｉ層３３の表面を減圧下、例えば４００℃程度の温度でシンター（熱処理）を行うことにより、Ｔｉ層の表面にはバリア性の高いＴｉＯ２層３４が形成される。次いで、ビアホール３１ａ内及びＴｉＯ２層３４上に導電層としてのＡｌ合金層３８をスパッタリングにより堆積する。次いで、このＡｌ合金層３８上に反射防止膜（図示せず）をスパッタリングにより形成する。次いで、反射防止膜、Ａｌ合金層３８、ＴｉＯ２層３４及びＴｉ層３３をパターニングすることにより、ビアホール３１ａ内及び層間絶縁膜３１上には第３のＡｌ合金配線が形成され、第３のＡｌ合金配線はビアホール内で第２のＡｌ合金配線３０に電気的に接続される。
【００５７】
上記第１の実施例によれば、絶縁膜の表面にＨ２Ｏ、Ｈ２、Ｏ２等の脱ガスに対するバリア層１７，２７，３７を形成しているため、Ａｌ合金層をスパッタリングにより形成する際、絶縁膜からＴｉ層への脱ガスを抑制することができる。これにより、ビアホールの内壁面でのＡｌ合金層の濡れ性を向上させることができ、その結果、接続孔を微細化しても接続孔内でＡｌ合金配線に断線やボイドが発生するのを抑制することができる。したがって、ビアホール内でのＡｌ合金層のカバレージを向上させることができる。
【００５８】
また、本実施例では、Ａｌ合金層と絶縁膜との間にＴｉＯ２層１４，２４，３４を形成し、このＴｉＯ２層は絶縁膜からのＨ２Ｏ等の脱ガスに対して高いバリア性を有している。このため、Ａｌ合金層を成膜する際、脱ガスがＡｌ合金層に侵入することを抑制できる。これにより、Ａｌの流動性を阻害することがなく、Ａｌ合金層の良好なカバレージを得ることができる。したがって、信頼性の高いＡｌ合金配線を形成することが可能となる。
【００５９】
また、本実施例による半導体装置の製造方法では、従来技術のようにＴｉターゲットを用いて窒素ガスを導入しながらＴｉとＮ２を反応させる反応性スパッタによりＴｉＮ層を形成する工程を有しない。このため、この工程でのパーティクルが発生しないので、配線を形成する際にパーティクルの発生を抑制して歩留まりを向上させることができる。
【００６０】
図６乃至図８は、本発明に係る第２の実施例による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
まず、図６（Ａ）に示すように、シリコン基板（図示せず）の上方にシリコン酸化膜などからなる絶縁膜１２をＣＶＤ法により形成する。次いで、Ｓｉ＋を絶縁膜１２の表面に低加速度エネルギー（例えば数ＫｅＶの加速電圧）にてイオン注入する。次いで、Ｓｉ＋を絶縁膜１２の表面に高加速度エネルギー（例えば１００ＫｅＶ）にてイオン注入することによって、絶縁膜１２の表面をアモルファス化する。これにより、絶縁膜１２の表面には脱ガスに対するバリア層１７が形成される。このバリア層１７は絶縁膜１２からの脱ガスを抑制するための層として作用する。
【００６１】
なお、Ｓｉ＋を絶縁膜２の表面にイオン注入する工程を低加速度エネルギーにてイオン注入する工程と高加速度エネルギーにてイオン注入する工程の２ステップで行うことにより、導入されたＳｉ＋濃度を２分布形成することができる。
【００６２】
次に、図６（Ｂ）に示すように、絶縁膜１２上にＴｉ層１３をスパッタリングにより形成する。
この後、図６（Ｃ）に示すように、Ｔｉ層１３を７００〜８５０℃の温度、Ｎ２雰囲気でシンターなどの熱処理（例えばランプアニール又は電気炉アニール）を行う。これにより、絶縁膜１２の表面の低加速度エネルギーにて導入されたＳｉ＋とＴｉ層が反応してＴｉシリサイド（ＴｉＳｉ２）１３ａが形成されると共に、このＴｉシリサイド１３ａ上にＴｉＮ層１３ｂが形成される。この際、絶縁膜１２には前記アモルファス化されたバリア層１７が残される。
【００６３】
次いで、ＴｉＮ層１３ｂの上に導電層としてのＡｌ合金層１８を３５０℃〜４５０℃程度の高温でスパッタリングにより堆積する。これにより、ＴｉとＡｌ合金層が反応して、ＴｉＮ層１３ｂ上には薄いＡｌ３Ｔｉなどの反応層１８ａが形成されると共に反応層１８ａ上には未反応のＡｌ合金層１８が形成される。次いで、このＡｌ合金層１８上に反射防止膜１９をスパッタリングにより形成する。この反射防止膜１９としてはＴｉＮ膜、Ｔｉ膜の上にＴｉＮ膜を形成した積層構造膜、ＴｉＷ膜等を用いることが好ましい。
【００６４】
この後、図６（Ｄ）に示すように、反射防止膜１９、Ａｌ合金層１８、反応層１８ａ、ＴｉＮ層１３ｂ及びＴｉシリサイド１３ａをパターニングすることにより、絶縁膜１２上には第１のＡｌ合金配線２０が形成される。このＡｌ合金配線は反射防止膜１９、Ａｌ合金層１８、反応層１８ａ、ＴｉＮ層１３ｂ及びＴｉシリサイド１３ａを有するものである。
【００６５】
次に、図７（Ｅ）に示すように、第１のＡｌ合金配線２０を含む全面上にシリコン酸化膜などからなる層間絶縁膜２１をＣＶＤ法により堆積する。次いで、この層間絶縁膜２１に第１のＡｌ合金配線２０上に位置するビアホール２１ａを形成する。次いで、Ｓｉ＋を絶縁膜２１の表面に低加速度エネルギー（例えば数ＫｅＶの加速電圧）にてイオン注入する。次いで、Ｓｉ＋を絶縁膜２１の表面に高加速度エネルギー（例えば１００ＫｅＶ）にてイオン注入することによって、絶縁膜２１の表面をアモルファス化する。これにより、絶縁膜２１の表面には脱ガスに対するバリア層２７が形成される。このバリア層２７は絶縁膜２１からの脱ガスを抑制するための層として作用する。
【００６６】
この後、図７（Ｆ）に示すように、ビアホール２１ａ内及び層間絶縁膜２１上にＴｉ層をスパッタリングにより形成する。次いで、このＴｉ層を７００〜８５０℃の温度、Ｎ２雰囲気でシンターなどの熱処理（例えばランプアニール又は電気炉アニール）を行う。これにより、絶縁膜２１の表面の低加速度エネルギーにて導入されたＳｉ＋とＴｉ層が反応してＴｉシリサイド（ＴｉＳｉ２）２３ａが形成されると共に、このＴｉシリサイド２３ａ上にＴｉＮ層２３ｂが形成される。この際、絶縁膜２１には前記アモルファス化されたバリア層２７が残される。
【００６７】
次いで、ＴｉＮ層２３ｂの上に導電層としてのＡｌ合金層２８を３５０℃〜４５０℃程度の高温でスパッタリングにより堆積する。これにより、ＴｉとＡｌ合金層が反応して、ＴｉＮ層２３ｂ上には薄いＡｌ３Ｔｉなどの反応層２８ａが形成されると共に反応層２８ａ上には未反応のＡｌ合金層２８が形成される。次いで、このＡｌ合金層２８上に反射防止膜２９をスパッタリングにより形成する。この反射防止膜２９としてはＴｉＮ膜、Ｔｉ膜の上にＴｉＮ膜を形成した積層構造膜、ＴｉＷ膜等を用いることが好ましい。
【００６８】
この後、図７（Ｇ）に示すように、反射防止膜２９、Ａｌ合金層２８、反応層２８ａ、ＴｉＮ層２３ｂ及びＴｉシリサイド２３ａをパターニングすることにより、ビアホール２１ａ内及び絶縁膜２１上には第２のＡｌ合金配線３０が形成され、第２のＡｌ合金配線３０はビアホール内で第１のＡｌ合金配線２０に電気的に接続される。
【００６９】
次に、図８（Ｈ）に示すように、第２のＡｌ合金配線３０を含む全面上にシリコン酸化膜などからなる層間絶縁膜３１をＣＶＤ法により堆積する。次いで、この層間絶縁膜３１に第２のＡｌ合金配線３０上に位置するビアホール３１ａを形成する。次いで、Ｓｉ＋を絶縁膜３１の表面に低加速度エネルギー（例えば数ＫｅＶの加速電圧）にてイオン注入する。次いで、Ｓｉ＋を絶縁膜３１の表面に高加速度エネルギー（例えば１００ＫｅＶ）にてイオン注入することによって、絶縁膜３１の表面をアモルファス化する。これにより、絶縁膜３１の表面には脱ガスに対するバリア層３７が形成される。このバリア層３７は絶縁膜３１からの脱ガスを抑制するための層として作用する。
【００７０】
この後、図８（Ｉ）に示すように、ビアホール３１ａ内及び層間絶縁膜３１上にＴｉ層をスパッタリングにより形成する。次いで、このＴｉ層を７００〜８５０℃の温度、Ｎ２雰囲気でシンターなどの熱処理（例えばランプアニール又は電気炉アニール）を行う。これにより、絶縁膜３１の表面の低加速度エネルギーにて導入されたＳｉ＋とＴｉ層が反応してＴｉシリサイド（ＴｉＳｉ２）３３ａが形成されると共に、このＴｉシリサイド３３ａ上にＴｉＮ層３３ｂが形成される。この際、絶縁膜３１には前記アモルファス化されたバリア層３７が残される。
【００７１】
次いで、ＴｉＮ層３３ｂの上に導電層としてのＡｌ合金層３８を３５０℃〜４５０℃程度の高温でスパッタリングにより堆積する。これにより、ＴｉとＡｌ合金層が反応して、ＴｉＮ層３３ｂ上には薄いＡｌ３Ｔｉなどの反応層３８ａが形成されると共に反応層３８ａ上には未反応のＡｌ合金層３８が形成される。次いで、このＡｌ合金層３８上に反射防止膜（図示せず）をスパッタリングにより形成する。次いで、この反射防止膜、Ａｌ合金層３８、反応層３８ａ、ＴｉＮ層３３ｂ及びＴｉシリサイド３３ａをパターニングすることにより、ビアホール３１ａ内及び絶縁膜３１上には第３のＡｌ合金配線が形成され、第３のＡｌ合金配線はビアホール内で第２のＡｌ合金配線３０に電気的に接続される。
【００７２】
上記第２の実施例によれば、絶縁膜の表面にＨ２Ｏ、Ｈ２、Ｏ２等の脱ガスに対するバリア層１７，２７，３７を形成し、絶縁膜の表面にＴｉシリサイド（ＴｉＳｉ２）層１３ａ，２３ａ，３３ａを形成している。このため、Ａｌ合金層をスパッタリングにより形成する際、絶縁膜からＴｉ層、ＴｉＮ層への脱ガスを抑制することができる。これにより、ビアホールの内壁面でのＡｌ合金層の濡れ性を向上させることができ、その結果、ビアホールを微細化しても接続孔内でＡｌ合金配線に断線やボイドが発生するのを抑制することができる。したがって、ビアホール内でのＡｌ合金層のカバレージを向上させることができる。
【００７３】
また、本実施例では、ビアホール内のコンタクト部にＴｉシリサイドを形成しているため、コンタクト抵抗を低くすることができる。また、Ｔｉシリサイド層が配線層の一部を形成しているため、エレクトロマイグレーション等のＡｌ合金配線の信頼性の向上を図ることができる。
【００７４】
また、本実施例による半導体装置の製造方法では、従来技術のようにＴｉターゲットを用いて窒素ガスを導入しながらＴｉとＮ２を反応させる反応性スパッタによりＴｉＮ層を形成する工程を有しない。このため、この工程でのパーティクルが発生しないので、配線を形成する際にパーティクルの発生を抑制して歩留まりを向上させることができる。
【００７５】
尚、本発明は上記実施例に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図２】第２の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図３】第１の実施例による半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図４】第１の実施例による半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図５】第１の実施例による半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図６】第２の実施例による半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図７】第２の実施例による半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図８】第２の実施例による半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図９】従来の半導体装置の製造方法を説明するための断面図。
【図１０】従来の半導体装置を示す断面図。
【符号の説明】
１，１０１…下地膜、２，１２，１０２…絶縁膜、２ａ…接続孔、３，１３，２３，３３，１０３…Ｔｉ層、３ａ，１３ａ，２３ａ，３３ａ…Ｔｉシリサイド（ＴｉＳｉ２）、３ｂ，１３ｂ，２３ｂ，３３ｂ，１０４…ＴｉＮ層、４，１４，２４，３４…ＴｉＯ２層、５，１５，２５，３５…重い原子、６，１６…酸素、７，１７，２７，３７…バリア層、８，１８，２８，３８，１０５…Ａｌ合金層、８ａ，１８ａ，２８ａ，３８ａ…反応層、１９，２９…反射防止膜、２０…第１のＡｌ合金配線、２１，３１…層間絶縁膜、２１ａ，３１ａ…ビアホール、３０…第２のＡｌ合金配線、１０２ａ…コンタクトホール、１０６…ボイド
【図１】
2004134617.tif 000003
【図２】
2004134617.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2004134617.tif 000008
【図７】
2004134617.tif 000009
【図８】
2004134617.tif 000010
【図９】
2004134617.tif 000011
【図１０】
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