(57)【要約】【課題】乾燥槽に送入されて，乾燥槽内を搬送される各セラミック成形体にマイクロ波を均一に照射して，歪みの少ない良好な品質を維持しながらセラミック成形体を乾燥する乾燥方法及び乾燥装置を提供すること。【解決手段】セラミック成形体８を収容する乾燥槽１０と，マイクロ波を乾燥槽内に供給するマイクロ波発生器２０と，セラミック成形体８を連続的に乾燥槽１０に送入し，乾燥槽１０内を搬送して送出する搬送コンベア３０とを有する乾燥装置１である。そして，乾燥槽１０には，搬送コンベア３０の搬送方向に複数のマイクロ波発生器２０と，乾燥槽１０内におけるセラミック成形体８の分布を検知する検知センサ４０とを配設してある。各マイクロ波発生器２０は，検知センサ４０によって検知されたセラミック成形体８の分布に応じて，各マイクロ波発生器２０の出力を変更するよう構成してある。【選択図】  図２
2004167809.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック成形体を収容する乾燥槽と，周波数３００ＭＨｚ〜３００ＧＨｚ領域のマイクロ波を上記乾燥槽内に供給するマイクロ波発生器と，上記セラミック成形体を連続的に上記乾燥槽に送入し，該乾燥槽内を搬送して該乾燥槽から送出する搬送コンベアとを有するセラミック成形体の乾燥装置において，
上記乾燥槽には，上記搬送コンベアの搬送方向に複数のマイクロ波発生器と，上記乾燥槽内における上記セラミック成形体の分布を検知する検知装置とを配設してあり，
上記各マイクロ波発生器は，上記乾燥槽内の上記セラミック成形体の分布に応じて，出力を変更するよう構成してあることを特徴とするセラミック成形体の乾燥装置。
【請求項２】
請求項１において，上記乾燥槽の内部には，上記搬送コンベアによって搬送される上記セラミック成形体を通過させる開口部を有する隔壁によって，搬送方向において分割された複数の乾燥ブロックを形成してあり，
上記各乾燥ブロックに，１台又は２台以上配設してある上記各マイクロ波発生器は，上記各乾燥ブロック内に存在するセラミック成形体の数量に応じて，出力を変更するよう構成してあることを特徴とするセラミック成形体の乾燥装置。
【請求項３】
請求項１において，上記乾燥槽の内周壁には，電波吸収体を形成してあり，
上記各マイクロ波発生器は，該各マイクロ波発生器から所定の範囲に存在するセラミック成形体の数量に応じて，出力を変更するよう構成してあることを特徴とするセラミック成形体の乾燥装置。
【請求項４】
請求項１において，上記セラミック成形体は，該セラミック成形体を載置する受け台に載置されて上記乾燥槽内を搬送されるように構成してあり，
少なくとも一部の上記受け台における，搬送方向側の端部又は搬送方向反対側の端部のいずれか一方には，搬送方向に略直交する略平板形状を呈し，マイクロ波を反射する反射板を取り付けてあり，
上記各マイクロ波発生器は，上記乾燥槽内において隣接する上記反射板の間に形成された乾燥エリアに存在する上記セラミック成形体の数量に応じて，出力を変更するよう構成してあることを特徴とするセラミック成形体の乾燥装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項において，上記マイクロ波発振器から上記乾燥槽内へマイクロ波を照射する照射口は，乾燥槽の内部における天井面及び底面に開口していることを特徴とするセラミック成形体の乾燥装置。
【請求項６】
請求項５において，上記照射口は，上記天井面及び上記底面における搬送方向に略直交する両端部に開口していることを特徴とするセラミック成形体の乾燥装置。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか１項において，上記マイクロ波発振器から上記乾燥槽内へマイクロ波を照射する照射口は，乾燥槽の内部における搬送方向の両側面に開口してあることを特徴とするセラミック成形体の乾燥装置。
【請求項８】
請求項７において，上記照射口は，上記両側面における上端部及び下端部に開口していることを特徴とするセラミック成形体の乾燥装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項において，上記セラミック成形体は，セル壁をハニカム状に配して多数のセルを設けたハニカム構造を有する成形体であることを特徴とするセラミック成形体の乾燥装置。
【請求項１０】
セラミック成形体を収容する乾燥槽と，該乾燥槽内において，搬送方向に複数配設された周波数３００ＭＨｚ〜３００ＧＨｚ領域のマイクロ波を照射するマイクロ波発生器と，上記セラミック成形体を連続的に上記乾燥槽に送入し，該乾燥槽内を搬送して該乾燥槽から送出する搬送コンベアとを有する乾燥装置を用いて，該乾燥槽内を搬送される粘土質のハニカム成形体に，マイクロ波を照射して乾燥するに当たり，
上記乾燥槽内における上記セラミック成形体の分布に応じて，各マイクロ波発生器の出力を変更することを特徴とするセラミック成形体の乾燥方法。
【請求項１１】
請求項１０において，上記乾燥槽は，上記乾燥槽内を搬送される上記セラミック成形体を通過させる開口部を有する隔壁によって，搬送方向において分割された複数の乾燥ブロックを有しており，
上記各乾燥ブロックには，１台又は２台以上のマイクロ波発生器を配設してあり，
上記各乾燥ブロック内に存在するセラミック成形体の数量に応じて，上記各マイクロ波発生器の出力を変更することを特徴とするセラミック成形体の乾燥方法。
【請求項１２】
請求項１０において，上記乾燥槽の内周壁には，電波吸収体を形成してあり，
上記各マイクロ波発生器から所定の範囲に存在するセラミック成形体の数量に応じて，上記各マイクロ波発生器の出力を変更することを特徴とするセラミック成形体の乾燥方法。
【請求項１３】
請求項１０において，上記セラミック成形体を載置するための受け台に載置した状態で，上記セラミック成形体を上記乾燥槽に送入して，乾燥するに当たっては，
少なくとも一部の上記受け台における，搬送方向側の端部又は搬送方向反対側の端部のいずれか一方には，搬送方向に略直交する略平板形状を呈し，マイクロ波を反射する反射板を取り付けてあり，
上記乾燥槽内において，隣接する上記反射板の間に形成された乾燥エリアに存在する上記セラミック成形体の数量と，上記乾燥エリアにマイクロ波を供給する上記マイクロ波発生器の台数とに応じて，上記各マイクロ波発生器の出力を変更することを特徴とするセラミック成形体の乾燥方法。
【請求項１４】
請求項１３において，上記乾燥槽に上記セラミック成形体を送入するに当たっては，
上記乾燥槽内において，隣接する上記反射板の間隔は，上記乾燥槽における搬送方向に略等間隔に配設した上記マイクロ波発生器の間隔に対して，３０％〜２００％の範囲となるよう上記セラミック成形体を送入することを特徴とするセラミック成形体の乾燥方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
本発明は，押出成形したセラミック成形体の乾燥方法，および乾燥装置に関する。
【０００２】
【従来技術】
セラミックよりなるセラミック成形体を製造するに当たっては，粘土質のセラミック成形体を押出成形し，これを乾燥した後，焼成する。
セラミック成形体の乾燥装置としては，押出成形したセラミック成形体の搬送通路の一部を乾燥槽で被い，該乾燥槽内を搬送中のセラミック成形体にマイクロ波を照射して乾燥する装置がある（例えば，特許文献１参照。）。
【０００３】
この乾燥装置では，上記セラミック成形体の各部における歪みを生じさせることなく均一に乾燥するため，マイクロ波を均一かつ徐々に照射する必要がある。そのため，エネルギー密度を抑えたマイクロ波を長時間に渡って照射できるよう，搬送方向に長い乾燥槽内に，複数のセラミック成形体を連続的に送入して，乾燥槽内を搬送しながら乾燥処理を実施するのが一般的である。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００―４４３２６号公報（「０００９」，第２図）
【０００５】
【解決しようとする課題】
しかしながら，上記従来の乾燥装置においては，次のような問題がある。すなわち，上記乾燥装置では，乾燥槽内におけるセラミック成形体の配置に粗密があると，各セラミック成形体に吸収されるマイクロ波の量が不均一になる。
特に，乾燥槽内のセラミック成形体の列に歯抜けがあると，その周辺のセラミック成形体が吸収するマイクロ波の量が増加して，過乾燥を生じるおそれがある。そこで，従来の乾燥装置では，セラミック成形体を隙間なく連続的に乾燥槽に送入する必要があった。
【０００６】
特に，セルを仕切るセル壁をハニカム状に配置してなるハニカム構造を有するセラミック成形体の場合には，各セル壁の乾燥度合いの不均一による歪みを生じやすい。
したがって，押出成形を連続的に実施できない場合には，押出成形された粘土質のセラミック成形体を一時保管して一定数量を確保した後，上記乾燥装置に連続投入する必要があった。
【０００７】
本発明はかかる従来の問題点に鑑みてなされたもので，乾燥槽に送入されて，乾燥槽内を搬送される各セラミック成形体にマイクロ波を略均一に照射して，歪みの少ない良好な品質を維持しながらセラミック成形体を乾燥するための乾燥方法及び乾燥装置を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題の解決手段】
第１の発明は，セラミック成形体を収容する乾燥槽と，周波数３００ＭＨｚ〜３００ＧＨｚ領域のマイクロ波を上記乾燥槽内に供給するマイクロ波発生器と，上記セラミック成形体を連続的に上記乾燥槽に送入し，該乾燥槽内を搬送して該乾燥槽から送出する搬送コンベアとを有するセラミック成形体の乾燥装置において，
上記乾燥槽には，上記搬送コンベアの搬送方向に複数のマイクロ波発生器と，上記乾燥槽内における上記セラミック成形体の分布を検知する検知装置とを配設してあり，
上記各マイクロ波発生器は，上記乾燥槽内の上記セラミック成形体の分布に応じて，出力を変更するよう構成してあることを特徴とするセラミック成形体の乾燥装置にある（請求項１）。
【０００９】
上記第１の発明の乾燥装置においては，上記乾燥槽内における上記セラミック成形体の分布に応じて，上記乾燥槽に複数配設した各マイクロ波発生器の出力を制御するよう構成してある。
そのため，上記乾燥装置によれば，乾燥槽内のセラミック成形体に粗密を生じても，各セラミック成形体に対して略均一にマイクロ波が照射されるように上記マイクロ波発生器の出力を制御することができ，各セラミック成形体を均一に近く乾燥することができる。したがって，押出成形直後のセラミッック成形体の精度を良好に維持しながら乾燥して，その後の焼成により品質の高いセラミック成形体を作製できる。
【００１０】
このように上記第１の発明によれば，乾燥槽に送入されて，乾燥槽内を搬送される各セラミック成形体にマイクロ波を均一に照射して，歪みの少ない良好な品質を有するセラミック成形体を作製するための乾燥装置を提供できる。
なお，マイクロ波発生器の出力の変更方法としては，マイクロ波照射密度を変更する方法や，例えば，デューティー制御により単位時間当たりのマイクロ波照射時間を変更する方法等が考えられる。
【００１１】
また，上記検知装置としては，乾燥槽に送入されたセラミック成形体を検知する検知センサを乾燥槽の各所に設置しておくことができる。この場合には，乾燥槽内の各所に設置した検知センサにより，乾燥槽内におけるセラミック成形体の分布を直接的に検知できる。
【００１２】
さらにまた，乾燥槽の入口に設置した検知センサにより上記検知装置を構成することもできる。この場合には，各セラミック成形体が乾燥槽内に送入されてからの経過時間と，搬送コンベアによる搬送速度とから乾燥槽内におけるセラミック成形体の分布を間接的に把握できる。
【００１３】
第２の発明は，セラミック成形体を収容する乾燥槽と，該乾燥槽内において，搬送方向に複数配設された周波数３００ＭＨｚ〜３００ＧＨｚ領域のマイクロ波を照射するマイクロ波発生器と，上記セラミック成形体を連続的に上記乾燥槽に送入し，該乾燥槽内を搬送して該乾燥槽から送出する搬送コンベアとを有する乾燥装置を用いて，該乾燥槽内を搬送される粘土質のハニカム成形体に，マイクロ波を照射して乾燥するに当たり，
上記乾燥槽内における上記セラミック成形体の分布に応じて，各マイクロ波発生器の出力を変更することを特徴とするセラミック成形体の乾燥方法にある（請求項１０）。
【００１４】
上記第２の発明においては，上記乾燥槽内における上記セラミック成形体の分布に応じて，上記乾燥槽における，搬送方向に複数配設した各マイクロ波発生器の出力を設定する。
そのため，上記乾燥方法によれば，乾燥槽内を搬送されるセラミック成形体の列に粗密があっても，各セラミック成形体を均一性高く乾燥することができる。したがって，押出成形直後のセラミッック成形体の精度を良好に維持しながら，乾燥することができる。
【００１５】
このように上記第２の発明によれば，乾燥槽に送入されて，乾燥槽内を搬送される各セラミック成形体にマイクロ波を均一に照射して，歪みの少ない良好な品質を維持しながらセラミック成形体を乾燥する乾燥方法を提供できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
上記第１の発明においては，上記乾燥槽の内部には，上記搬送コンベアによって搬送される上記セラミック成形体を通過させる開口部を有する隔壁によって，搬送方向において分割された複数の乾燥ブロックを形成してあり，
上記各乾燥ブロックに，１台又は２台以上配設してある上記各マイクロ波発生器は，上記各乾燥ブロック内に存在するセラミック成形体の数量に応じて，出力を変更するよう構成してあることが好ましい（請求項２）。
【００１７】
この場合には，固定配置された上記各乾燥ブロックにより，上記乾燥槽内を複数のゾーンに分割することができる。
そして，各乾燥ブロック内に存在する上記セラミック成形体の数量に応じて，上記各乾燥ブロックに配設した上記各マイクロ波発生器の出力を適切に設定することにより，全てのセラミック成形体に略均一にマイクロ波を照射することができる。
【００１８】
また，セラミック成形体を搬送するにつれて変化する上記乾燥ブロック内のセラミック成形体の数量に応じて，上記各乾燥ブロックに配設した各マイクロ波発生器の出力を適切に変更することにより，搬送中の各セラミック成形体に対して略一定の割合でマイクロ波を照射し続けることができる。
【００１９】
したがって，搬送中のセラミッック成形体の列に粗密があっても，過乾燥や未乾燥のセラミック成形体を生じることがない。
さらに，各セラミック成形体は，乾燥槽内を搬送される間，略一定にマイクロ波を照射される。そのため，セラミック成形体の乾燥を，略一定のスピードで進行させることができ，セラミック成形体における歪みが発生するおそれが少ない。
【００２０】
さらに，マイクロ波を吸収する電波吸収体を，適宜，乾燥槽の内周面に配設すれば，隣接する乾燥ブロック間におけるマイクロ波の漏洩を低減して，上記第１の発明による効果をさらに高めることができる。
なお，あるセラミック成形体が，隣接する上記乾燥ブロックの一方から他方へ移り変わる遷移時において，このセラミック成形体の属する乾燥ブロックを判断するに当たっては，様々な判断手法が考えられる。
この判断手法としては，例えば，搬送方向の前方にある乾燥ブロックに，このセラミック成形体の全体が属したときに，該乾燥ブロックに存在するものとしてカウントすることができる。また，搬送方向の前方にある乾燥ブロックに，このセラミック成形体の一部が入ったときに，該乾燥ブロックに存在するものとしてカウントすることもできる。さらにまた，セラミックブロックにおける，隣接する乾燥ブロックに属する割合に応じて，双方の乾燥ブロックに属する数量としてカウントすることもできる。
【００２１】
また，上記乾燥槽の内周壁には，電波吸収体を形成してあり，
上記各マイクロ波発生器は，該各マイクロ波発生器から所定の範囲に存在するセラミック成形体の数量に応じて，出力を変更するよう構成してあることが好ましい（請求項３）。
【００２２】
この場合には，上記乾燥槽内の空間に物理的な隔壁等を設置することなく，上記各マイクロ波発生器によるマイクロ波の照射範囲を限定することができる。
そのため，乾燥槽や搬送コンベアに，隔壁や仕切り等の新たな部材を追加することなく，乾燥槽の内周壁に電波吸収体を配設するのみという簡単な構成により，上記第１の発明の乾燥装置を実現できる。
【００２３】
そして，上記各マイクロ波発生器を基準にして所定の範囲に存在するセラミック成形体の数量に応じて各マイクロ波発生器の出力を設定することにより，各セラミック成形体を均一性高く乾燥することができる。乾燥槽内のセラミック成形体の列に粗密があっても，過乾燥や未乾燥を生じるおそれが少ない。
【００２４】
マイクロ波発生器からの所定の範囲としては，マイクロ波の照射口の配置と，その発射角との関係から定められるマイクロ波の直接波が到達する範囲を，上記所定の範囲として設定することができる。
ここで，この所定の範囲の見積もり精度が高く，実際のマイクロ波発生器によるマイクロ波照射範囲に近似しているほど，各セラミック成形体を均一に近く乾燥することができる。
【００２５】
また，上記セラミック成形体は，該セラミック成形体を載置する受け台に載置されて上記乾燥槽内を搬送されるように構成してあり，
少なくとも一部の上記受け台における，搬送方向側の端部又は搬送方向反対側の端部のいずれか一方には，搬送方向に略直交する略平板形状を呈し，マイクロ波を反射する反射板を取り付けてあり，
上記各マイクロ波発生器は，上記乾燥槽内において隣接する上記反射板の間に形成された乾燥エリアに存在する上記セラミック成形体の数量に応じて，出力を変更するよう構成してあることが好ましい（請求項４）。
【００２６】
この場合には，乾燥槽内において，隣接する上記反射板により，乾燥槽内を１又は２以上の乾燥エリアに分割することができる。この乾燥エリアは，請求項２における乾燥槽内を固定的に分割する上記乾燥ブロックとは相違して，搬送コンベアによる搬送動作に伴って乾燥槽内を移動するエリアである。
【００２７】
そして，この乾燥エリアに存在するセラミック成形体の数量に応じて，該感応エリアにマイクロ波を照射するマイクロ波発生器の出力を設定することにより，乾燥槽内を搬送される各セラミック成形体を均一に近く乾燥できる。
また，乾燥エリアが乾燥槽内を移動するに応じて，各マイクロ波発生器の出力を設定変更することにより，各セラミック成形体に略一定の割合でマイクロ波を照射することができる。
【００２８】
さらに，マイクロ波を吸収する電波吸収体を，適宜，乾燥槽の内周面に配設すれば，隣接する乾燥ブロック間におけるマイクロ波の漏洩を低減して，上記第１の発明による効果をさらに高めることができる。
なお，搬送コンベアによる搬送動作に伴って，あるマイクロ波発生器に対応する乾燥エリアが切り替わる時，このマイクロ波発生器がどちらの乾燥エリアにマイクロ波を供給しているかを判断するに当たっては，様々な判断手法が考えられる。
【００２９】
この判断手法としては，例えば，搬送方向の前方にある反射板が，このマイクロ波発生器による照射範囲に到達したとき，この反射板の後方にある乾燥エリアにマイクロ波を供給していると判断することができる。また，搬送方向の前方にある反射板が，このマイクロ波発生器の照射範囲を通り過ぎたとき，この反射板の後方にある乾燥エリアにマイクロ波を供給すると判断することもできる。さらにまた，搬送方向の前方にある反射板が，このマイクロ波発生器の照射範囲を通過中には，反射板が照射範囲を分割する割合に応じて，この反射板の前後にある乾燥エリア双方にマイクロ波を供給すると判断することもできる。
【００３０】
また，上記マイクロ波発振器から上記乾燥槽内へマイクロ波を照射する照射口は，乾燥槽の内部における天井面及び底面に開口していることが好ましい（請求項５）。
この場合には，各セラミック成形体に対して，マイクロ波を上方及び下方から照射して，各セラミック成形体における上部及び下部の照射むらを少なく，乾燥することができる。
【００３１】
また，上記照射口は，上記天井面及び上記底面における搬送方向に略直交する両端部に開口していることが好ましい（請求項６）。
この場合には，各セラミック成形体に対して，その搬送方向両側の上方及び下方からマイクロ波を照射して，各セラミック成形体における全体を均等に近く乾燥できる。
【００３２】
また，上記マイクロ波発振器から上記乾燥槽内へマイクロ波を照射する照射口は，乾燥槽の内部における搬送方向の両側面に開口してあることが好ましい（請求項７）。
この場合には，各セラミック成形体に対して，その搬送方向両側からマイクロ波を照射して，各セラミック成形体における両側部をむらなく乾燥できる。
【００３３】
また，上記照射口は，上記両側面における上端部及び下端部に開口していることが好ましい（請求項８）。
この場合には，各セラミック成形体に対して，搬送方向両側の上方及び下方からマイクロ波を照射して，各セラミック成形体の全体を，均等に近く乾燥することができる。
【００３４】
また，上記セラミック成形体は，セル壁をハニカム状に配して多数のセルを設けたハニカム構造を有する成形体であることが好ましい（請求項９）。
この場合には，乾燥する際，セラミック成形体に歪み等を生じやすく，上記第１の発明による作用効果が特に有効である。
【００３５】
上記第２の発明においては，上記乾燥槽は，上記乾燥槽内を搬送される上記セラミック成形体を通過させる開口部を有する隔壁によって，搬送方向において分割された複数の乾燥ブロックを有しており，
上記各乾燥ブロックには，１台又は２台以上のマイクロ波発生器を配設してあり，
上記各乾燥ブロック内に存在するセラミック成形体の数量に応じて，上記各マイクロ波発生器の出力を変更することが好ましい（請求項１１）。
【００３６】
この場合には，上記乾燥槽内において，固定配置された各乾燥ブロック内に存在する上記セラミック成形体の数量に応じて，上記各乾燥ブロックに配設した上記各マイクロ波発生器の出力を適切に設定することにより，全てのセラミック成形体に略均一にマイクロ波を照射することができる。
したがって，押出成形されたセラミック成形体の精度を高く維持しながら乾燥して，高品質のセラミック成形体を製造することができる。
【００３７】
また，上記乾燥槽の内周壁には，電波吸収体を形成してあり，
上記各マイクロ波発生器から所定の範囲に存在するセラミック成形体の数量に応じて，上記各マイクロ波発生器の出力を変更することが好ましい（請求項１２）。
【００３８】
この場合には，上記乾燥槽内の空間に物理的な隔壁等を設置することなく，上記各マイクロ波発生器によるマイクロ波の照射範囲を限定することができる。
そして，上記各マイクロ波発生器から所定の範囲に存在するセラミック成形体の数量に応じて各マイクロ波発生器の出力を設定することにより，各セラミック成形体を均一性高く乾燥することができる。乾燥槽内のセラミック成形体の列に粗密があっても，過乾燥や未乾燥を生じるおそれが少ない。
【００３９】
マイクロ波発生器から所定の範囲としては，マイクロ波の発射口の配置と，その発射角との関係から定められる直接波であるマイクロ波が到達する範囲を，上記所定の範囲として設定することができる。
ここで，この所定の範囲の見積もり精度が高く，実際のマイクロ波発生器によるマイクロ波照射範囲に近いほど，各セラミック成形体を均一に近く乾燥することができる。
【００４０】
また，上記セラミック成形体を載置するための受け台に載置した状態で，上記セラミック成形体を上記乾燥槽に送入して，乾燥するに当たっては，
少なくとも一部の上記受け台における，搬送方向側の端部又は搬送方向反対側の端部のいずれか一方には，搬送方向に略直交する略平板形状を呈し，マイクロ波を反射する反射板を取り付けてあり，
上記乾燥槽内において，隣接する上記反射板の間に形成された乾燥エリアに存在する上記セラミック成形体の数量と，上記乾燥エリアにマイクロ波を供給する上記マイクロ波発生器の台数とに応じて，上記各マイクロ波発生器の出力を変更することが好ましい（請求項１３）。
【００４１】
この場合には，乾燥槽内において，隣接する上記反射板間に形成された乾燥エリアに存在するセラミック成形体の数量に応じて，該乾燥エリアにマイクロ波を照射するマイクロ波発生器の出力を設定することにより，乾燥槽内の各セラミック成形体を略均一に乾燥できる。
また，乾燥エリアが乾燥槽内を移動するに応じて，各マイクロ波発生器の出力を設定変更することにより，各セラミック成形体に略一定の割合でマイクロ波を照射し続けることができる。
【００４２】
なお，搬送方向における，あるマイクロ波発生器の配設位置に上記反射板が位置し，このマイクロ波発生器がマイクロ波を供給する乾燥エリアが移り変わる時，このマイクロ波発生器がどちらの乾燥エリアにマイクロ波を供給するものかを判断するに当たっては，様々な判断手法が考えられる。
【００４３】
この判断手法としては，例えば，搬送方向の前方にある反射板が，このマイクロ波発生器に差しかかったとき，この反射板の後方にある乾燥エリアにマイクロ波を供給すると判断することができる。また，搬送方向の前方にある反射板が，このマイクロ波発生器の位置を通り過ぎたとき，この反射板の後方にある乾燥エリアにマイクロ波を供給すると判断することもできる。さらにまた，搬送方向の前方にある反射板が，このマイクロ波発生器の位置を通過中には，この反射板の前後にある乾燥エリア双方にマイクロ波を供給すると判断することもできる。
【００４４】
また，上記乾燥槽に上記セラミック成形体を送入するに当たっては，
上記乾燥槽内において，隣接する上記反射板の間隔は，上記乾燥槽における搬送方向に略等間隔に配設した上記マイクロ波発生器の間隔に対して，３０％〜２００％の範囲となるよう上記セラミック成形体を送入することが好ましい（請求項１４）。
この場合には，各乾燥エリアに，適切にマイクロ波を照射して，各乾燥エリア内の各セラミック成形体を均一性高く乾燥することができる。
【００４５】
一方，乾燥槽内において，隣接する上記反射板の間隔が，マイクロ波発生器の間隔に対して２００％を超えて乾燥エリアの搬送方向の長さが長大になると，該乾燥エリア内でのセラミック成形体の粗密に起因して，同一乾燥エリアにある各セラミック成形体に照射されるマイクロ波の照射量が不均一となるおそれがある。
【００４６】
乾燥槽内において，隣接する上記反射板の間隔が，マイクロ波発生器の間隔に対して３０％未満であると，この乾燥エリアが，隣接するマイクロ波発生器の間に位置して，いずれのマイクロ波発生器からもマイクロ波を供給されない時間が長くなるおそれがある。
【００４７】
【実施例】
（実施例１）
本発明の実施例であるセラミック成形体の乾燥装置について，図１〜図５を用いて説明する。
本例の乾燥装置１は，図２に示すごとく，セラミック成形体８（図４参照）を収容する乾燥槽１０と，周波数３００ＭＨｚ〜３００ＧＨｚ領域のマイクロ波を乾燥槽１０内に供給するマイクロ波発生器２０と，セラミック成形体８を連続的に乾燥槽１０に送入し，該乾燥槽１０内を搬送して送出する搬送コンベア３０とを有している。
【００４８】
そして，上記乾燥槽１０には，搬送コンベア３０の搬送方向に複数のマイクロ波発生器２０と，乾燥槽１０内におけるセラミック成形体８の分布を検知する検知センサ４０とを配設してある。
各マイクロ波発生器２０は，検知センサ４０によって検知されたセラミック成形体８の分布に応じて，各マイクロ波発生器２０の出力を変更するよう構成してある。
以下，この内容について詳しく説明する。
【００４９】
本例において押出成形するセラミック成形体８は，図４に示すごとく，自動車の排ガス浄化装置の触媒担体として用いるハニカム構造を有するセラミック製のハニカム成形体である。
このハニカム構造のセラミック成形体８は，セラミックよりなる隔壁８１により仕切られた多数のセル８８を有すると共に，略円筒形状の外形を有している。
【００５０】
特に，本例のセラミック成形体８は，図４に示すごとく，その浄化性能を高く維持しながら，ハニカム成形体としての排ガス流通抵抗を抑制するため，１５０μｍ以下の薄い隔壁８１よりなる直径３００ｍｍ以下の成形体としてある。また，セラミック成形体８の軸方向の長さは，１０００ｍｍ以下である。
【００５１】
本例のセラミック成形体８を作製する製造装置７は，図１に示すごとく，上記乾燥装置１のほか，棒状に伸びるハニカム成形体である棒状セラミック成形体８２を押出成形する押出成形機７５と，押出成形された棒状セラミック成形体８２からセラミック成形体８を切り出す切断装置７１と，乾燥したセラミック成形体８を焼成する焼成装置（図示略）とを含む。
【００５２】
上記押出成形機７５は，図３に示すごとく，２段のスクリュー押出機７５１，７５２を有している。この押出成形機７５は，上段部のスクリュー押出機７５１に供給したセラミック材料８０を，混練して前進させ，濾過部７５３を介してさらに下段部のスクリュー押出機７５２に供給できるよう構成してある。
なお，押出成形機７５におけるスクリュー押出機は，３段以上に増やすこともできるし，１段のみで構成する場合もある。
【００５３】
押出成形機７５における下段部には，図３に示すごとく，セラミック材料８０を押出成形する成形型７５４と，該成形型７５４にセラミック材料８０を供給するスクリュー押出機７５２と，該スクリュー押出機７５２の出口においてセラミック材料８０を濾過する濾過装置７５５とを配設してある。
【００５４】
成形型７５４は，図３に示すごとく，供給されたセラミック材料８０を，棒状セラミック成形体８２として成形するための型である。この成形型７５４とスクリュー押出機７５２との間には，断面略円形状を呈する貫通中空部を有し，スクリュー押出機７５２側から成形型７５４側へ向けて内径が徐々に縮径する抵抗管７５６を配設してある。
【００５５】
濾過装置７５５は，図３に示すごとく，濾過網７５７と，これを支持する支持体７５８とよりなる。支持体７５８は，金属よりなる部材であって，セラミック材料８０を通過させるための貫通穴を多数設けてある。濾過網７５７は，ステンレス製の細線を編み込み，細かい編み目を形成してメッシュ状としてある。
【００５６】
スクリュー押出機７５２としては，図３に示すごとく，貫通中空部を有するスクリューハウジング７５９に，押出スクリュー７５０を内蔵してある。
この押出スクリュー７５０としては，回転するスクリュー軸の外周面に，１条の加圧リードをらせん状に形成してある。この加圧リードは，セラミック材料８０を加圧し，混練しながら成形型７５４に向けて前進させるように構成してある。
【００５７】
上記切断装置７１は，図１に示すごとく，棒状セラミック成形体８２の軸方向に対して略直交し，かつ，水平方向に張られた図示しない切断用ワイヤを有している。そして，切断用ワイヤは，そのワイヤ方向の進退動作を繰り返すと共に，鉛直方向下方に並進して棒状セラミック成形体８２を切断するように構成してある。
本例では，押出成形機７５から押し出される棒状セラミック成形体８２から軸方向長さ１０００ｍｍ以下のセラミック成形体を切り出せるよう，切断装置７１を構成した。
【００５８】
上記乾燥装置１は，図２に示すごとく，粘土質のセラミック成形体８を最大５０個収容する乾燥槽１０に，搬送方向に１０基のマイクロ波発生器２０を配置したものである。この乾燥装置１では，セラミック成形体８を搬送する搬送コンベア３０を取り囲むように，乾燥槽１０を形成してある。
【００５９】
搬送コンベア３０としては，図２に示すごとく，搬送方向の両端に配置された２機の回転ローラ３２５と，ベルトの水平を保持する複数のレベルローラ３２７とに，無端ループ状のベルト３２０を渡してある。
上記回転ローラ３２５及びレベルローラ３２７は，棒状セラミック成形体８２の押出成形方向に略直交し，かつ，図示しない床面に水平な回転軸を有している。図示しない回転モータに接続された回転ローラ３２５は，その回転トルクをベルト３２０に伝達して，ベルト３２０の搬送面３２３に載置した受け台３２０を，棒状セラミック成形体８２の押出方向に前進するように構成してある。
【００６０】
上記受け台３１０は，図２に示すごとく，粘土質のセラミック成形体８の外周面に沿うように，その断面形状は凹形状を呈している。本例では，ポリウレタン樹脂によるスポンジ状多孔質の低反発性素材より受け台３１０を作製した。また，受け台１１０の軸方向の長さは８０〜９８０ｍｍとしてある。
【００６１】
ここで，スポンジ状多孔質の素材を用いるのは，乾燥装置１におけるセラミック成形体８に含有される水分の飛散が阻害されないためである。また，受け台３１０の断面形状を，セラミック成形体８の外周面に沿うように形成したのは，両者間の接触面積を広くして接触面圧を低下させ，セラミック成形体８の変形を低減するためである。
【００６２】
なお，参考までに，受け台３１０の材質としては，マイクロ波加熱による温度上昇が，セラミック成形体８自体の温度上昇よりも低いものであれば，他の材質を適用することができる。具体的には，受け台３１０の材料としては，マイクロ波に対する損失係数（比誘電率とタンデルタとの積）が，セラミック材料８０の損失係数よりも小さいものが適切である。損失係数が小さいほど，マイクロ波加熱時の温度上昇が抑制されるため，セラミック成形体８の温度よりも受け台３１０の温度を低く保つことができるからである。
本例で適用したポリウレタン樹脂の他，メラミン樹脂，テフロン（登録商標）樹脂，マイカ樹脂，アルミナ樹脂，ポリエチレン樹脂，シリコン樹脂等を利用できる。
【００６３】
上記乾燥槽１０は，断面略矩形の筒形状を呈しており，その筒形状の内部には搬送コンベア３０が貫通している。そして，その両端面には，送入側の壁面１０１及び送出側の壁面１０９を形成してある。これらの壁面１０１，１０９には，搬送コンベア３０を貫通させると共に，該搬送コンベア３０に載置したセラミック成形体８を通過させるための開口穴として，略同形状の入口開口穴１０２と出口開口穴１０８とを形成してある。
【００６４】
また，入口開口穴１０２及び出口開口穴１０８には，それぞれ入口開口穴１０２及び出口開口穴１０８の形状と略同一の断面形状を呈する筒状のダクト１０５を延設してある。そして，このダクト１０５の内壁面に配設された電波吸収材は，乾燥槽１０内部から外部へ向かうマイクロ波の漏洩を低減できるように構成してある。
【００６５】
乾燥槽１０の内部には，搬送コンベア３０の搬送方向に略直交する隔壁１１０を配設してある。この隔壁１１０には，上記入口開口穴１０２及び出口開口穴１０８と略同形状の開口部１１１を形成してあると共に，その外周縁が乾燥槽１０の内壁面に隙間なく沿うように形成してある。
【００６６】
本例では，乾燥槽１０内に，搬送方向における等間隔に４枚の隔壁１１０を配設してある。この隔壁１１０により，乾燥槽１０内部には，入口側の第１乾燥ブロックからから出口側の第５乾燥ブロックまで，５カ所の乾燥ブロック１３０が形成されている。本例では，各乾燥ブロック１３０の搬送方向の長さを，それぞれＬｂとしてある。
なお，各乾燥ブロック１３０の搬送方向の長さは，互いに異なっていても良い。各乾燥ブロック１３０の乾燥槽内における位置が把握されていれば，後述する本例の制御方法（図５参照）により各マイクロ波発生器２０を適切に制御できる。
【００６７】
また，各乾燥ブロック１３０には，図２に示すごとく，それぞれ２基のマイクロ波発生器２０を配設してある。後述する制御装置と接続された各マイクロ波発生器２０は，該制御装置からの制御信号に基づいてマイクロ波を照射するように構成されている。
本例では，各乾燥ブロック１３０には，搬送方向に並ぶ２基のマイクロ波発生器２０を配置してある。そして，各マイクロ波発生器２０は，乾燥槽１０の上側の内壁面に配設した照射口２１０からマイクロ波を照射するように構成してある。
【００６８】
乾燥槽１０の入口における，搬送方向に略直交する方向の両側には，光電管式の検知センサ４０を構成する発光部と受光部とを配置してある。そして，この検知センサ４０は，発光部から受光部に向けて発光した赤外線の遮蔽により，セラミック成形体８が乾燥槽１０へ送入されたことを検知できるように構成してある。
【００６９】
制御装置（図示略）は，検知センサ４０やマイクロ波発生器２０等の外部装置との信号のやりとりを行うＩ／Ｏと，検知センサ４０の検知信号等を格納するＲＡＭと，計算プログラム等を格納したＲＯＭと，計算プログラムを実行するＣＰＵとからなる。
【００７０】
Ｉ／Ｏは，検知センサ４０の検知信号と，搬送コンベア３０の搬送速度データとを入力すると共に，各マイクロ波発生器２０への制御信号を出力するように構成してある。
そして，ＣＰＵは，検知センサ４０の検知信号を基にして作製する後述の送入データと，搬送コンベア３０の搬送速度とに基づいて，各乾燥ブロック１３０に属するセラミック成形体８の数量を算出するよう構成してある。さらに，ＣＰＵは，各乾燥ブロック１３０のセラミック成形体８の数量に応じて各マイクロ波発生器２０の適切な出力値を算出し，各マイクロ波発生器２０に制御信号を出力するよう構成してある。
【００７１】
なお，本例の制御装置は，検知センサ４０の検知信号を入力して，乾燥槽１０内のセラミック成形体８の分布を算出するという検知装置としての役割と，各マイクロ波発生器２０の出力を適切に制御するという制御装置としての役割とを兼用する装置である。
【００７２】
さらに，図示しない上記焼成装置は，所定の焼成温度により，上記乾燥されたセラミック成形体８を焼成できるように構成してある。
また，図示しない上記端面加工装置は，焼成したセラミッック成形体８を固定するためのチャックと，チャックされたセラミック成形体８の軸方向に対して実質的に直交する方向に走行する切断用ワイヤとを有している。そして，切断用ワイヤは，セラミック成形体８の端面を切り落として，最終製品としてのセラミック成形体８を作製できるように構成してある。
【００７３】
次に，以上のごとく構成された製造装置７によるセラミック成形体８の作製方法について説明する。
本例の押出成形機７５により，棒状セラミック成形体８２を押出成形するには，図１に示すごとく，まず，上段にあるスクリュー押出機７５１により混練したセラミック材料８０を，下段のスクリュー押出機７５２の上流側に投入する。そして，押出スクリュー７５０によって加圧したセラミック材料８０を，成形型７５４に向けて前進させる。そして，成形型７５４にセラミック材料８０を供給して，粘土質の棒状セラミック成形体８２を押出成形する。
【００７４】
次に，図１に示すごとく，切断装置７１により，この棒状セラミック成形体８２を切断して，軸方向の長さ１０００ｍｍ以下のセラミック成形体８を切り出す。そしてその後，受け台３１０に載置した粘土質のセラミック成形体８を，乾燥装置１の搬送コンベア３０上に載置して順次，搬送する。
【００７５】
搬送コンベア３０に載置されたセラミック成形体８は，図２に示すごとく，順次，乾燥槽１０内へ送入され，乾燥槽１０内を搬送される。このとき，乾燥槽１０の入口に設置された検知センサ４０は，セラミック成形体８の有無を検知して「有り」か「無し」かいずれかの検知信号を出力する。
【００７６】
一方，制御装置は，検知センサから「有り」の検知信号を入力すると同時に，そのときの時刻を，順次，ＲＡＭに格納する。このようにして，乾燥槽１０内へ，セラミック成形体８が送入されてきた時刻の履歴データである送入データをＲＡＭ内に作製する。
【００７７】
また，制御装置のＣＰＵは，搬送コンベア３０による搬送速度（ｍ／秒）を基にして送入データを処理し，現在時刻における乾燥槽１０内のセラミック成形体８の分布を計算する。そして，各乾燥ブロック１３０に含まれるセラミック成形体８の数量を算出する。
【００７８】
さらに，制御装置は，Ｉ／Ｏを介して，各乾燥ブロック１３０に配置した各マイクロ波発生器２０に，それぞれセラミック成形体８の数量に比例した出力値を送信する。そして，各マイクロ波発生器２０を，その出力値に設定して，各乾燥ブロック１３０に所定量のマイクロ波を供給する。
【００７９】
本例では，図５に示すフローチャートに基づいて，送入データに基づいて各乾燥ブロック１３０のセラミック成形体８の数量を算出し，その数量に応じて各マイクロ波発生器２０を運転する一連の動作を実施した。
このフローチャートによる処理手順では，まず，Ｓ１１０ステップにおいて，搬送コンベア３０の搬送速度ｖ（ｍ／秒）を判定する。搬送コンベア３０が停止していれば，Ｓ１１５ステップにおいて，各乾燥ブロック１３０に設置されたマイクロ波発生器２０の出力であるＢ１＿ＯＵＴ〜Ｂ５＿ＯＵＴをゼロに設定してプログラムを終了する。
【００８０】
ここで，Ｂ１＿ＯＵＴは，第１乾燥ブロックに設置した各マイクロ波発生器２０の設定出力を示しており，同様にＢ２＿ＯＵＴ〜Ｂ５＿ＯＵＴはそれぞれ，第２乾燥ブロック〜第５乾燥ブロックに設置した各マイクロ波発生器２０の設定出力を示している。
【００８１】
一方，搬送コンベア３０が動作している場合には，Ｓ１１０ステップにおいて，乾燥槽１０における，成形型７５４側から搬送方向に並ぶ第１乾燥ブロック〜乾燥５乾燥ブロック内のセラミック成形体８の数量を示す変数Ｂ１〜Ｂ５と，乾燥槽１０内のセラミック成形体８の計数カウンターである変数ｉとを初期値にリセットする。本例では，変数Ｂ１〜Ｂ５及び，変数ｉの初期値をゼロとしてある。
【００８２】
そして，Ｓ１３０ステップでは，変数ｉをカウントアップすると共に，カウントアップした変数ｉと，乾燥槽内のセラミック成形体の最大収容数を表す定数ＳＵＭとの関係を判断する。ここでは，変数ｉが定数ＳＵＭを超えるまで，Ｓ１４０から始まる一連の計算処理を繰り返し実施する。この一連の計算処理では，現時点から遡って第ｉ番目に送入されたセラミック成形体８の属する乾燥ブロック１３０を特定し，その乾燥ブロック１３０内のセラミック成形体８の数量である変数Ｂ１〜Ｂ５のいずれかを積算する。
【００８３】
一方，変数ｉが定数ＳＵＭを超えた場合には，Ｓ１３５ステップに移行して，各乾燥ブロック１３０内のセラミック成形体８の数量Ｂ１〜Ｂ５に応じて，各マイクロ波発生器２０の出力値を，Ｂ１＿ＯＵＴ〜Ｂ５＿ＯＵＴに設定する。本例では，マイクロ波発生器２０の出力値は，セラミック成形体８の数量に定数Ｋを乗じて算出した。
なお，ここで，定数Ｋは，各乾燥ブロック１３０内に１個のセラミック成形体８があるときの，この乾燥ブロック１３０に設置された各マイクロ波発生器２０の適正な出力値を実験的に求めた値である。
【００８４】
一方，上記Ｓ１４０ステップでは，制御装置のＲＡＭ内の送入データを参照して，現時点の時刻Ｔｎｏｗ（秒）から遡ること，第ｉ番目のセラミック成形体８が乾燥槽に送入された時刻Ｔｉ（秒）を読みとる。そして，時間ＴｎｏｗとＴｉとの差分に，搬送コンベア３０の搬送速度ｖ（ｍ／秒）を乗じて，第ｉ番目のセラミック成形体８について，乾燥槽１０内における位置，すなわち，検知センサ４０の位置からの搬送方向の距離を表すＬｉ（ｍ）を計算する。
【００８５】
さらに，Ｓ１５０ステップにおいては，セラミック成形体８の位置Ｌｉ（ｍ）と，各乾燥ブロック１３０の境界位置（０，Ｌｂ，２Ｌｂ，３Ｌｂ，４Ｌｂ，５Ｌｂ）との関係を比較して，第ｉ番目のセラミック成形体８が属する乾燥ブロック１３０を特定する。
【００８６】
そして，このセラミック成形体８の属する乾燥ブロック１３０を特定できた場合には，Ｓ１６１ステップ〜Ｓ１６５ステップのいずれかの処理ステップにおいて，各乾燥ブロック１３０に存在するセラミック成形体８の数量を表す変数Ｂ１〜Ｂ５のいずれかを積算する。一方，このセラミック成形体８がいずれの乾燥ブロック１３０にも属していない場合には，Ｂ１〜Ｂ５を積算せずにＳ１３０ステップに戻る。
【００８７】
本例の制御装置では，上記送入データをＲＡＭ内に作製するのと並行して，図５に示すフローチャートに沿って実行する演算を０．２秒毎の制御周期により実施する。そして，乾燥槽１０内をセラミック成形体８が搬送されていくにつれて時々刻々と変化する各乾燥ブロック１３０内のセラミック成形体８の数量を把握し，この数量に応じて，各マイクロ波発生器２０の出力Ｂ１＿ＯＵＴ〜Ｂ５＿ＯＵＴを適切に設定変更する。
【００８８】
このようにして，乾燥槽１０内に送入されて送出されるまでの間，各セラミック成形体８は，第１乾燥ブロックから第５乾燥ブロックまでの５カ所の乾燥ブロック１３０を移り変わりながら，常に，適切な量のマイクロ波を照射される。そして，マイクロ波を照射されたセラミック成形体８は，内部の水分を放出して乾燥し，硬化する。
【００８９】
乾燥したセラミック成形体８は，受け台３１０から取り外されて，上記焼成装置に投入される。そして，焼成されたセラミック成形体８は，さらに，上記端面加工装置により両端面を切り落として，最終製品としてのセラミック成形体８となる。
【００９０】
このように，本例のセラミック成形体８の乾燥装置１によれば，乾燥槽１０内のセラミック成形体８の列に粗密があっても，各マイクロ波発生器２０の出力値を適切に調整することにより，各セラミック成形体８に照射するマイクロ波を略均一にできる。そのため，この乾燥装置１により乾燥されたセラミック成形体８にあっては，過乾燥や未乾燥を生じるおそれが少ない。
【００９１】
したがって，本例の乾燥装置１によれば，押出成形されたセラミック成形体８の高い精度を維持しながら，乾燥，硬化することができる。そのため，乾燥した後の焼成や端面加工する際においても，その良好な精度をさらに維持して，品質の高いセラミック成形体８を製造することができる。
【００９２】
なお，本例のマイクロ波の照射出力を変更できるマイクロ波発生器２０に替えて，固定出力のマイクロ波発生器を適用することもできる。
この場合には，一定周期のＯＮ−ＯＦＦサイクルを繰り返すと共に，１サイクルにおけるＯＮ時間とＯＦＦ時間との比率を変更するデューティー制御を，このマイクロ波発生器に適用するのが良い。デューティー制御によれば，固定出力のマイクロ波発生器であっても，単位時間当たりのマイクロ波照射量を変更することができる。
【００９３】
なお，本例では，各マイクロ波発生器２０によるマイクロ波の照射口２１０を，乾燥槽１０の上面に配置してある。これに代えて，マイクロ波発生器２０を，図６に示すごとく，乾燥槽１０の上下に設置すると共に，それぞれのマイクロ波発生器２０の照射口２１０を，乾燥槽１０の上面及び底面に配置することも良い。
この場合には，各セラミック成形体８に，上方向及び下方向からマイクロ波を照射して，セラミック成形体８における各部をさらに均一性高く乾燥することができる。
【００９４】
また，図７に示すごとく，マイクロ波発生器１０を，乾燥槽１０の上下に設置すると共に，それぞれのマイクロ波発生器２０に接続された２本の導波管２２０における，他方の端部である照射口２１０を，乾燥槽１０の上面及び底面の両端部近くに配置することも良い。
この場合には，乾燥槽１０の搬送方向に略直交する略矩形形状を呈する断面形状における，４カ所の隅部近くからマイクロ波を照射して，セラミック成形体８における各部を一層，均一性高く乾燥することができる。
【００９５】
また，マイクロ波発生器２０を，図８に示すごとく，乾燥槽１０の水平方向両側に設置すると共に，それぞれのマイクロ波発生器２０の照射口２１０を，乾燥槽１０の両側面に配置することも良い。
この場合には，各セラミック成形体８に，水平方向の両側からマイクロ波を照射して，セラミック成形体８における各部をさらに均一性高く乾燥することができる。
【００９６】
さらにまた，マイクロ波発生器２０を，図９に示すごとく，乾燥槽１０の水平方向両側に設置すると共に，それぞれのマイクロ波発生器２０の照射口２１０を，乾燥槽１０の両側面における上下端部近くに配置することも良い。
この場合には，乾燥槽１０の搬送方向に略直交する略矩形形状を呈する断面形状における，４カ所の隅部近くからマイクロ波を照射して，セラミック成形体８における各部を一層，均一性高く乾燥することができる。
【００９７】
（実施例２）
本例は，実施例１の乾燥槽における，固定配置した乾燥ブロックに代えて，搬送コンベアの搬送に伴って移動する乾燥エリアを設定した例である。
本例では，図１０に示すごとく，実施例１の上記乾燥槽の隔壁に代えて，一部の受け台にマイクロ波を反射する反射板３４５を取り付けた。そして，この反射板３４５により，乾燥槽１０内に乾燥エリア３４０を形成した。また，受け台に載置するセラミック成形体８を，横置きから縦置きに変更してある。
以下，この内容について説明する。
【００９８】
本例の乾燥装置１においては，少なくとも一部の上記受け台における，搬送方向側の端部に，搬送方向に略直交する略平板形状を呈し，マイクロ波を反射する反射板３４５を取り付けてある。
そして，各マイクロ波発生器２０は，乾燥槽１０内において隣接する反射板３４５の間に形成された乾燥エリア３４０に存在するセラミック成形体８の数量に応じて，出力を変更するよう構成してある。
【００９９】
なお，本例の説明においては，受け台のうち，上記反射板３４５を備えた受け台を，第１受け台３４１とし，反射板３４５を有してない受け台を，第２受け台３４２とした。
また，本例では，図１１に示すごとく，受け台に載置したセラミック成形体８における，搬送方向の断面形状の大きさを含み，かつ，入口開口穴１０２及び出口開口穴１０８とから出し入れできるような大きさで上記反射板３４５を形成してある。
【０１００】
実施例１における乾燥槽内に固定配置された上記乾燥ブロックとは相違して，本例の乾燥エリア３４０は，搬送コンベア３０による搬送に伴って移動していく。
そのため，本例では，乾燥エリア３４０と，該乾燥エリア３４０にマイクロ波を供給するマイクロ波発生器２０との対応関係が，時々刻々変動していく。一方，乾燥エリア３４０内に含まれるセラミック成形体８の数量は変動しない。
【０１０１】
さらに，本例の乾燥槽１０は，図１０に示すごとく，セラミック成形体８を検知する検知センサ４２と，反射板３４５を検知する検知センサ４１とを入口開口穴１０２付近に有している。本例では，セラミック成形体８と反射板３４５との高さの違いを利用して，設置高さの異なる２組の検知センサ４１，４２を設置した。そして，設置高さが低い検知センサ４２によりセラミック成形体８を検知し，設置高さが高い検知センサ４１により反射板３４５を検知できるように構成した。
【０１０２】
また，本例の乾燥槽１０には，搬送方向における等間隔に５基のマイクロ波発生器２０を配設してあり，入口側から第１マイクロ波発生器〜第５マイクロ波発生器としてある。本例では，乾燥槽１０の搬送方向長さＬｅに対して，乾燥槽１０の入口から，それぞれＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５の位置に第１マイクロ波発生器から第５マイクロ波発生器の５基のマイクロ波発生器２０を配置してある。
【０１０３】
なお，各マイクロ波発生器２０の配置は，必ずしも等間隔である必要はなく，不等間隔であっても良い。乾燥槽１０における各マイクロ波発生器２０の位置が把握できていれば，後述する制御方法（図１２参照）により各マイクロ波発生器２０を適切に制御することができる。
本例の乾燥装置１では，隣接する各マイクロ波発生器２０の間隔をそれぞれ，Ｐに設定した。
【０１０４】
次に，上記のように構成された乾燥装置１０により，セラミック成形体８を乾燥する方法について説明する。
未乾燥のセラミック成形体８を，第１受け台３４１又は第２受け台３４２に載置して，順次，乾燥槽１０内へ送入していく。ここで，上記反射板３４５を取り付けた第１受け台３４１は，所定の間隔を空けて送入し，その合間に第２受け台３４２を随時，送入する。
【０１０５】
なお，本例では，隣接して搬送される各第１受け台３４１の反射板３４５の間隔が，隣接するマイクロ波発生器２０の間隔Ｐに対して，３０％〜２００％の範囲となるようにセラミック成形体８を載置した第１受け台３４１を送入し，その合間にセラミック成形体８を載置した第２受け台３４２を随時，送入した。
【０１０６】
ここで，乾燥槽１０の入口側に配置された検知センサ４１は，反射板３４５の有無を検知して「有り」か「無し」かいずれかの検知信号を出力する。
また，設置高さが低い検知センサ４２は，セラミック成形体８の有無を検知して「有り」か「無し」かの検知信号を出力する。
【０１０７】
一方，図示しない制御装置は，反射板３４５を検知する検知センサ４１から「有り」の検知信号を入力すると同時に，そのときの時刻を，乾燥エリア３４０の先頭を表すエリア開始時刻としてＲＡＭに格納する。
また，制御装置は，検知センサ４２がセラミック成形体８を検出した回数，すなわち，検知センサ４２を通過したセラミック成形体８の個数を積算して，この個数をエリア内個数Ｓｉとする。
【０１０８】
そして，検知センサ４１が，新たに反射板３４５を検知したとき，そのときの時刻を，乾燥エリア３４０の最後尾を表すエリア終了時刻として，上記エリア内個数Ｓｉと共に上記エリア開始時刻と関連づけてＲＡＭに格納する。
なお，ここで，このエリア終了時刻は，次の乾燥エリア３４０の先頭を表すエリア開始時刻でもある。
【０１０９】
このようにして，制御装置は，セラミック成形体８が搬送されてくるのに対応して，各乾燥エリア３４０に関する個別情報をＲＡＭに順次，記憶させていき，一連のエリアデータを作製する。
エリアデータにおける上記個別情報としては，この乾燥エリア３４０の先頭が乾燥槽１０内に送入された時刻であるエリア開始時刻と，この乾燥エリア３４０内のセラミック成形体８の数量を表すエリア内個数Ｓｉと，この乾燥エリア３４０の最後尾が乾燥槽１０内に送入された時刻であるエリア終了時刻とが，相互に関連づけられている。
【０１１０】
さらに，制御装置は，エリアデータに基づいて各マイクロ波発生器２０の出力値を算出し，その出力値に基づいて各マイクロ波発生器２０を運転する。
ここで，制御装置は，搬送コンベア３０による搬送速度（ｍ／秒）を基にして上記エリアデータのエリア開始時刻とエリア終了時刻とを処理する。そして，現在時刻における，乾燥槽１０内の乾燥エリア３４０の先頭及び最後尾の位置を計算すると共に，各乾燥エリア３４０にマイクロ波を供給するマイクロ波発生器２０を特定する。
【０１１１】
さらに，制御装置は，Ｉ／Ｏを介して，各乾燥エリア３４０にマイクロ波を供給するマイクロ波発生器２０に，その乾燥エリア３４０内のセラミック成形体８の数量を表すエリア数量に比例した出力値を送信する。そして，各マイクロ波発生器２０は，その出力値に設定されて，各乾燥エリア３４０に所定量のマイクロ波を供給する。
【０１１２】
本例では，図１２に示すフローチャートに基づいて，上記のごとく，エリアデータに基づいて各マイクロ波発生器２０を制御する。ここで，この処理内容について説明する。
まず，Ｓ２１０ステップでは，搬送コンベア３０の搬送速度ｖ（ｍ／秒）がゼロであるか否かを判断し，搬送コンベア３０が停止状態にあれば，Ｓ２１５ステップにおいて，各マイクロ波発生器２０の出力であるＭ１＿ＯＵＴ〜Ｍ５＿ＯＵＴをゼロに設定してプログラムを終了する。
【０１１３】
一方，搬送コンベア３０が動作している場合には，Ｓ２２０ステップに移行する。ここでは，第１マイクロ波発生器〜第５マイクロ波発生器がマイクロ波を供給する各乾燥エリア３４０内における，各マイクロ波発生器２０当たりのセラミック成形体８の数量を表す変数であるＭ１〜Ｍ５をゼロクリアする。また，乾燥エリア１０の計数カウンターである変数ｉをゼロにリセットする。
【０１１４】
Ｓ２３０ステップでは，カウントアップした変数ｉと，乾燥槽１０の第１受け台３４１の最大収容数である定数ＳＵＭとを比較する。そして，変数ｉが定数ＳＵＭを超えるまで，Ｓ２４０ステップから始まる一連の計算処理を繰り返し実行して，Ｍ１〜Ｍ５を計算する。
【０１１５】
一方，変数ｉが定数ＳＵＭを超えた場合には，Ｓ２３５ステップに移行する。Ｓ２３５ステップでは，各マイクロ波発生器２０当たりのセラミック成形体の数量を表す変数Ｍ１〜Ｍ５に応じて，第１マイクロ波発生器〜第５マイクロ波発生器の出力値をＭ１＿ＯＵＴ〜Ｍ５＿ＯＵＴに設定する。
本例では，実施例１と同様に，変数Ｍ１〜Ｍ５に定数Ｋを乗じて各マイクロ波発生器２０の出力値Ｍ１＿ＯＵＴ〜Ｍ５＿ＯＵＴを算出する。
【０１１６】
Ｓ２４０ステップでは，上記のエリアデータについて，現時点の時刻Ｔｎｏｗ（秒）から遡ること第ｉ番目に送入された乾燥エリア３４０の上記個別情報を参照する。まず，この個別情報のうち，乾燥エリア３４０の先頭が乾燥槽に送入された時刻Ｔｉ＿ｓ（秒）と，乾燥エリア３４０の最後尾が乾燥槽に送入された時刻Ｔｉ＿ｅ（秒）を読みとる。
【０１１７】
そして，時刻ＴｎｏｗとＴｉ＿ｓとの差分に，搬送コンベア３０の搬送速度ｖ（ｍ／秒）を乗じて，第ｉ番目の乾燥エリア３４０について，乾燥槽１０における先頭の位置Ｒｉ（ｍ）を計算する。また，時刻ＴｎｏｗとＴｉ＿ｅとの差分に，搬送コンベア３０の搬送速度ｖ（ｍ／秒）を乗じて，第ｉ番目の乾燥エリア３４０について，乾燥槽１０における最後尾の位置Ｋｉ（ｍ）を計算する。
【０１１８】
さらに，Ｓ２５０ステップでは，計算されたＲｉ，Ｋｉに基づいて，第ｉ番目の乾燥エリア３４０が，表１に示すマトリクスチャートのいずれの状態に属しているか，あるいは，いずれにも属さないかを判断する。なお，同表における，各列としては，乾燥エリア３４０の先頭位置Ｒｉを示し，各行としては，乾燥エリア３４０の最後尾位置Ｋｉを示してある。
【０１１９】
【表１】
2004167809.tif 000003
【０１２０】
ここで，同表のマトリックスチャートにおける斜線は，乾燥エリア３４０の先頭の位置Ｒｉに対して，最後尾の位置Ｋｉが先行しているという「有り得ない」状態を示している。また，マトリクスチャートにおける横線は，第ｉ番目の乾燥エリア３４０が，隣接するマイクロ波発生器２０の中間に位置し，いずれのマイクロ波発生器２０からもマイクロ波を供給されない状態を表している。
【０１２１】
そして，Ｓ２６０ステップでは，このマトリクスチャートにしたがって，第１マイクロ波発生器から第５マイクロ波発生器，それぞれ１基当たりのセラミック成形体８の数量であるＭ１〜Ｍ５の算出を試みる。ここでは，第ｉ番目の乾燥エリア３４０が，マトリクスチャートにおける，いずれかの状態に属する場合には，その状態における計算式にしたがってＭ１〜Ｍ５を計算する。また，第ｉ番目の乾燥エリア３４０が，マトリクスチャートにおける，いずれの状態にも属さない場合には，Ｍ１〜Ｍ５のいずれの計算も実施しない。
【０１２２】
例えば，上記のＳ２５０ステップにおいて，第ｉ番目の乾燥エリア３４０が，マトリクスチャートにおける点線で囲った状態に属すると判断されたとする。この状態は，すなわち，乾燥エリア３４０の先頭Ｒｉが第１マイクロ波発生器と第２マイクロ波発生器との間に位置し，最後尾Ｋｉが第３マイクロ波発生器と第４マイクロ波発生器との間に位置した状態である。
【０１２３】
そして，この状態では，第２マイクロ波発生器と第３マイクロ波発生器とが同時に，第ｉ番目の乾燥エリア３４０に対してマイクロ波を供給する。ここで，この乾燥エリア３４０に存在するセラミック成形体８の数量Ｓｉを，例えば４個とすると，上記のＳ２６０ステップにおいては，第２マイクロ波発生器当たりの数量Ｍ２及び第３マイクロ波発生器当たりの数量Ｍ３は，次のように計算できる。
すなわち，この乾燥エリア３４０内のセラミック成形体８の数量である４個を，この乾燥エリア３４０に対応するマイクロ波発生器２０の台数である２台により除して，２個／台として計算する。
【０１２４】
本例の制御装置では，上記エリアデータを作製するのと並行して，そのエリアデータを参照して各マイクロ波発生器２０を所定の出力値で運転するまでの一連の動作を０．２秒毎の制御周期により実行する。
そして，搬送コンベア３０にようる搬送動作に伴って時々刻々と変化する，マイクロ波発生器２０と乾燥エリア３４０との対応関係を特定したうえ，各マイクロ波発生器２０の出力を随時，設定変更する。
【０１２５】
このように，本例のセラミック成形体８の乾燥装置１によれば，乾燥槽１０内において，各セラミック成形体８に対して，マイクロ波を略均一に照射することができる。乾燥槽１０内のセラミック成形体８の列に粗密があっても，各マイクロ波発生器２０の出力値を適切に調整することにより，各セラミック成形体８にマイクロ波を均一に近く照射できる。そのため，過乾燥や未乾燥のセラミック成形体８を生じるおそれが少ない。
【０１２６】
なお，その他の構成及び作用効果については実施例１と同様である。
また，本例では，セラミック成形体８を載置した第１受け台３４１を所定の間隔を空けて乾燥槽１０に送入したが，ランダムに送入することもできる。本例のフローチャート（図１２参照）及びマトリックスチャート（表）に基づく制御仕様によれば，セラミック成形体８の多様な送入パターンに幅広く対応できる。
【０１２７】
（実施例３）
本例は，実施例１の乾燥装置におけるマイクロ波の照射範囲を制限する隔壁に代えて，乾燥槽の内壁に電波吸収体を配設した例である。
本例の乾燥装置１では，図１３に示すごとく，乾燥槽１０の内壁に電波吸収体４４０を貼付してある。そして，この電波吸収体４４０により，１基のマイクロ波発生器２０によるマイクロ波の照射範囲を制限してある。
【０１２８】
すなわち，内壁に電波吸収体４４０を貼付した乾燥槽１０によれば，乾燥槽１０内に供給されたマイクロ波が，反射を繰り返して遠方に到達するおそれが少ない。この乾燥槽１０によれば，図１２に示すごとく，マイクロ波発生器から発射された直接波であるマイクロ波により，各セラミック成形体８を乾燥することができる。
【０１２９】
本例では，各マイクロ波発生器２０による照射範囲が，マイクロ波発生器２０の位置を中心として，−Ｌａ（ｍ）〜Ｌａ（ｍ）までの範囲となるように，各マイクロ波発生器２０の設置高さと，マイクロ波の照射角度とを設定してある。
そして，この設定は，各マイクロ波発生器２０を中心とした−Ｌａ（ｍ）〜Ｌａ（ｍ）までの範囲に，実施例１における上記乾燥ブロックを固定配置してあるのとほぼ等価である。
【０１３０】
そこで，本例では，実施例１とほぼ同様の方法により，各マイクロ波発生器２０を制御した。すなわち，各マイクロ波発生器２０を中心として，−Ｌａ（ｍ）〜Ｌａ（ｍ）までの範囲に存在するセラミック成形体８の数量に応じて，各マイクロ波発生器２０によるマイクロ波の照射出力を制御した。
【０１３１】
このように，本例の乾燥装置１によれば，実施例１の上記乾燥装置と同様，乾燥槽１０内を搬送される各セラミック成形体８に，マイクロ波を均一に近く照射して，均一性高く乾燥することができる。
なお，その他の構成及び作用効果については実施例１と同様である。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１における，セラミック成形体の製造装置を示す説明図。
【図２】実施例１における，セラミック成形体の乾燥装置を示す断面図。
【図３】実施例１における，セラミック成形体の押出成形機を示す断面図。
【図４】実施例１における，セラミック成形体を示す斜視図。
【図５】実施例１における，各マイクロ波発生器の出力値を計算する手順を示すフロー図。
【図６】実施例１における，その他の乾燥槽におけるマイクロ波の照射口の配置を示す，搬送方向に略直交する方向の断面図。
【図７】実施例１における，その他の乾燥槽におけるマイクロ波の照射口の配置を示す，搬送方向に略直交する方向の断面図。
【図８】実施例１における，その他の乾燥槽におけるマイクロ波の照射口の配置を示す，搬送方向に略直交する方向の断面図。
【図９】実施例１における，その他の乾燥槽におけるマイクロ波の照射口の配置を示す，搬送方向に略直交する方向の断面図。
【図１０】実施例２における，セラミック成形体の乾燥装置を示す断面図。
【図１１】実施例２における，セラミック成形体の乾燥装置を示す，図１０におけるＡ−Ａ線矢視断面図。
【図１２】実施例２における，各マイクロ波発生器の出力値を計算する手順を示すフロー図。
【図１３】実施例３における，セラミック成形体の乾燥装置を示す断面図。
【符号の説明】
１．．．乾燥装置，
１０．．．乾燥槽，
１０２．．．入口開口穴，
１０８．．．出口開口穴，
１１０．．．隔壁，
１３０．．．乾燥ブロック，
２０．．．マイクロ波発生器，
２１０．．．照射口，
３０．．．搬送コンベア，
３１０．．．受け台，
３４０．．．乾燥エリア，
３４１．．．第１受け台，
３４２．．．第２受け台，
４０，４１，４２．．．検知センサ，
４４０．．．電波吸収体，
７５．．．押出成形機，
８．．．セラミック成形体，
８０．．．セラミック材料，
８２．．．棒状セラミック成形体，
【図１】
2004167809.tif 000004
【図２】
2004167809.tif 000005
【図３】
2004167809.tif 000006
【図４】
2004167809.tif 000007
【図５】
2004167809.tif 000008
【図６】
2004167809.tif 000009
【図７】
2004167809.tif 000010
【図８】
2004167809.tif 000011
【図９】
2004167809.tif 000012
【図１０】
2004167809.tif 000013
【図１１】
2004167809.tif 000014
【図１２】
2004167809.tif 000015
【図１３】
2004167809.tif 000016