(57)【要約】【課題】適切に高記録密度化を図ることが可能な光磁気記録媒体およびその製造方法を提供すること。【解決手段】光磁気記録媒体Ｘは、ランド領域、グルーブ領域、及びこれらの間で傾斜している境界領域を有する基材と、ランド領域上の磁性材料部１０と、グルーブ領域上の磁性材料部２０と、境界領域上の磁性材料部３０とを備える。磁性材料部１０と磁性材料部２０は、第１磁性材料よりなり基材に接する記録層１１，２１、第２磁性材料よりなり磁壁移動を伴う再生機能を担う再生層１３，２３、及び第３磁性材料よりなり記録層１１，２１と再生層１３，２３の間でこれらの交換結合状態を変化させるための中間層１２，２２を含む。磁性材料部３０は、第３磁性材料よりなり中間層１２，２２に連続する第１境界層３１、及び、第２磁性材料よりなり再生層１３，２３に連続する第２境界層３２を含む。【選択図】  図１
2004227628.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相対的に突出しているランド領域、相対的に退避しているグルーブ領域、および、当該ランド領域およびグルーブ領域の間で傾斜している境界領域、を有する基材と、
第１磁性材料よりなり且つ前記ランド領域に接して記録機能を担うためのランド記録層、第２磁性材料よりなり且つ磁壁移動を伴う再生機能を担うためのランド再生層、並びに、第３磁性材料よりなり且つ前記ランド記録層および前記ランド再生層の間に介在して当該ランド記録層およびランド再生層の交換結合状態を変化させるためのランド中間層、よりなる積層構造を含む、ランド磁性材料部と、
前記第１磁性材料よりなり且つ前記グルーブ領域に接して記録機能を担うためのグルーブ記録層、前記第２磁性材料よりなり且つ磁壁移動を伴う再生機能を担うためのグルーブ再生層、並びに、前記第３磁性材料よりなり且つ前記グルーブ記録層および前記グルーブ再生層の間に介在して当該グルーブ記録層およびグルーブ再生層の交換結合状態を変化させるためのグルーブ中間層、よりなる積層構造を含む、グルーブ磁性材料部と、
前記第３磁性材料よりなり且つ前記境界領域に接して前記ランド中間層および前記グルーブ中間層に連続する第１境界層、並びに、前記第２磁性材料よりなり且つ前記ランド再生層および前記グルーブ再生層に連続する第２境界層、よりなる積層構造を含み、前記ランド磁性材料部および前記グルーブ磁性材料部の間にて傾斜している部位を有する、境界磁性材料部と、を備えることを特徴とする、光磁気記録媒体。
【請求項２】
前記ランド領域に対する前記境界領域の傾斜角度は、４５°以上である、請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】
前記ランド領域に対する前記グルーブ領域の退避長さは、２５〜１５０ｎｍである、請求項１または２に記載の光磁気記録媒体。
【請求項４】
第１磁性材料よりなり且つ記録機能を担うための記録層、第２磁性材料よりなり且つ磁壁移動を伴う再生機能を担うための再生層、並びに、第３磁性材料よりなり且つ前記記録層および前記再生層の間に介在して当該記録層および再生層の交換結合状態を変化させるための中間層、よりなる積層構造を含む磁性材料部を備える、光磁気記録媒体を製造するための方法であって、
相対的に突出しているランド領域、相対的に退避しているグルーブ領域、および、当該ランド領域およびグルーブ領域の間で傾斜している境界領域を有する基材に対し、前記ランド領域、前記グルーブ領域、および前記境界領域にわたって第１磁性材料を成膜することによって、前記ランド領域および前記グルーブ領域の上に前記記録層を形成するための第１成膜工程と、
前記境界領域に成膜された前記第１磁性材料を除去するための除去工程と、
前記第１磁性材料の上方から、前記ランド領域、前記グルーブ領域、および前記境界領域にわたって第３磁性材料を成膜することによって、前記記録層上に前記中間層を形成するための第２成膜工程と、
前記第３磁性材料の上に第２磁性材料を成膜することによって、前記中間層上に前記再生層を形成するための第３成膜工程と、を含むことを特徴とする、光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記第３成膜工程より後に、前記境界領域上に成膜された第２磁性材料および第３磁性材料をアニールするためのアニール工程を更に含む、請求項４に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＤＷＤＤ  （Ｄｏｍａｉｎ  Ｗａｌｌ  Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ  ：  磁壁移動検出）方式の光磁気記録媒体、および、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光磁気記録媒体が注目を集めている。光磁気記録媒体は、磁性材料における種々の磁気特性を利用して構成され、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担う書換え可能な記録媒体である。光磁気記録媒体の技術の分野では、再生信号読取り用の光学系における分解能の限界を超えて高密度に記録された信号を実用的に再生するための、種々の再生方式が開発されている。その一つとして、ＤＷＤＤ方式が知られている。ＤＷＤＤ方式は、磁性体内に温度勾配が存在する所定の条件の下に磁壁が高温側へ移動するという磁壁移動現象を利用した再生方式である。
【０００３】
ＤＷＤＤ方式の光磁気記録媒体においては、記録層と、再生層と、これらの間の中間層とによる積層構造を有する磁性材料部が、所定の基板の上に設けられている。これら３層は、各々、一般に希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる垂直磁化膜であり、非加熱時において隣接２層間に交換相互作用が働くように積層されている。記録層は相対的に大きな磁壁抗磁力を呈し、再生層は相対的に小さな磁壁抗磁力を呈し、中間層は他の２層より低いキュリー温度を有する。
【０００４】
記録層には、媒体の走査方向に沿って所定の信号が記録されている。具体的には、記録層には、媒体走査方向に連続して交互に磁化が反転し且つ記録信号に応じた所定の長さを各々が有する複数の磁区が形成されており、従って、走査方向に沿って記録信号に応じた間隔で起立する複数の磁壁が形成されている。再生層および中間層は、媒体温度が中間層のキュリー温度より低い温度条件の下では中間層を介して記録層と再生層とが交換結合し、且つ、媒体温度が中間層のキュリー温度を越える所定の温度条件の下では再生層内で磁壁移動現象が起こるように構成されている。媒体温度が中間層のキュリー温度より低い温度条件の下では、中間層を介して記録層と交換結合している再生層には、記録層と同方向に磁化された磁区と、磁区間の磁壁とが固定されている。媒体温度が中間層のキュリー温度より高い温度条件の下では、中間層の自発磁化が消失し、当該中間層を介する記録層および再生層の交換結合は切断される。その結果、磁壁抗磁力の小さな再生層において磁壁が移動可能となる。当該磁壁は、再生層内に温度勾配が存在する場合に、より高温な領域へと移動する。
【０００５】
上述のような構成の磁性材料部よりなる情報トラックが形成されているＤＷＤＤ方式光磁気ディスクの再生動作においては、当該ディスクを回転させつつ情報トラックに再生用のレーザビームを照射することによって、当該情報トラックを走査する。このとき、磁性材料部よりなる情報トラックの内部には、ビーム照射領域において当該走査方向に温度勾配が生ずる。ビーム照射領域における、中間層のキュリー温度の等温線を、再生層の磁壁が当該走査に伴って低温領域から高温領域へと通過する瞬間に、当該磁壁は再生層内をより高温側へと移動する。再生層内をこのように磁壁が移動すると、当該磁壁移動領域の磁化は反転する。この磁化反転を、反射光の偏光面の変化として所定の光学系で検出することにより、磁壁移動が検知される。情報トラックに沿って再生用レーザビームを照射して磁壁移動を順次検知することにより、当該媒体の記録信号が読み取られることとなる。
【０００６】
このようなＤＷＤＤ方式に基づく再生においては、再生用レーザビームのスポット全体ではなく、ビームスポット内の等温線（中間層のキュリー温度の等温線）により、情報トラックを構成する再生層ないし記録層の記録パターンが弁別される。したがって、ＤＷＤＤ方式においては、再生信号読取り用の光学系における分解能の限界を超えて記録層に高密度に記録された信号であっても、即ち最小記録マーク長がスポット径よりも小さな記録パターンであっても、再生することが可能なのである。
【０００７】
磁壁移動を安定化して再生特性を向上させるうえでは、走査方向に離隔する各磁壁は分離独立している必要がある。しかしながら、基板上に磁性材料を成膜したのみでは、磁壁は磁区の周囲にて閉じた状態で形成される。すなわち、情報トラックの延び方向に離隔する磁壁は、情報トラックの延び方向に延びる磁壁を介して連続しているのである。この場合、磁壁に対しては、磁区を収縮させて磁壁の総面積を縮小させようとする力が作用している。このような磁区収縮力は、磁壁が再生層内を移動する際に当該移動を阻害する。したがって、ＤＷＤＤ方式の光磁気記録媒体では、磁性材料部トラック延び方向に延びる磁壁を消失させ又は切断することによって、トラック延び方向に離隔する信号検出用の磁壁を分離独立化する必要がある。ＤＷＤＤ方式の光磁気記録媒体において信号検出用の磁壁を分離独立化する技術については、例えば、特許文献１および特許文献２に記載されている。
【０００８】
【特許文献１】
特開平１１−３１２３４２号公報
【特許文献２】
特開２００１−１６７４７９号公報
【０００９】
特許文献１には、ランド部に再生層を有しないＤＷＤＤ方式光磁気記録媒体が開示されている。この媒体は、相対的に突出しているランド領域および相対的に退避しているグルーブ領域を交互に有する基材に対して、記録層、中間層、および再生層を、各々に所定の磁性材料を成膜することにより順次積層形成し、その後に再生層におけるランド領域上の部分（ランド部の再生層）を除去することによって、作製されるものである。ランド部の再生層を除去することにより、情報トラックとして利用されるグルーブ部の縁端部の再生層においてトラック延び方向に延びる磁壁が消失し、その結果、グルーブ部においてトラック延び方向に離隔する信号検出用の磁壁の分離独立化が図られている。しかしながら、特許文献１に記載されているように、この媒体のランド部は、情報トラックとして利用することができない。グルーブ部およびランド部の両方を情報トラックとして利用することができないこのようなＤＷＤＤ方式光磁気記録媒体は、高い記録密度を達成するのには適していない。
【００１０】
特許文献２には、ランド部およびグルーブ部の間の磁性材料が全て除去されたＤＷＤＤ方式光磁気記録媒体が開示されている。この媒体は、ランド領域およびグルーブ領域を交互に有し且つ両領域の間で傾斜している境界領域を有する基材に対して、再生層、中間層、および記録層を、各々に所定の磁性材料を成膜することにより順次積層形成し、その後に境界領域上に堆積した磁性材料を全て除去することによって、作製されるものである。境界領域上の磁性材料を除去することにより、情報トラックとして利用されるランド部およびグルーブ部の縁端部の再生層においてトラック延び方向に延びる磁壁が消失し、その結果、ランド部およびグルーブ部においてトラック延び方向に離隔する信号検出用の磁壁の分離独立化が図られている。しかしながら、ＤＷＤＤ方式に必要な３層構造に相当する磁性膜の全てをエッチング除去するのには、相当な時間を要する。特許文献２には、そのようなエッチング除去には３時間程度を要する旨が記載されている。磁壁の分離独立化のために多大な時間を要するこのようなＤＷＤＤ方式光磁気記録媒体は、高記録密度媒体を工業的に生産するうえでは適していない。
【００１１】
一方、磁性材料部の構成に着目した再生方式の工夫に加えて、再生信号読取り用の光学系について読取り解像度を向上することも、光磁気記録媒体の高記録密度化を図るのに資する。再生信号読取り用の光学系の解像度は、再生用レーザの波長を短くしたり、対物レンズ（媒体に対面するレンズ）の開口数ＮＡを大きくすることにより、向上することができる。レーザについては、例えば、従来の波長６６０ｎｍのものから、青色領域の波長４０５ｎｍを有するブルーレーザが実用可能となってきた。また、開口数ＮＡについては、例えば、ＮＡ０．５５の従来のレンズから、ＮＡ０．８５のレンズが実用可能となってきた。
【００１２】
しかしながら、開口数ＮＡの大きなレンズほど、焦点深度が浅いため、従来のバックイルミネーション方式の光学系に適用するのが困難となる傾向にある。バックイルミネーション方式の光学系においては、機械的強度の観点から所定の厚さが必要とされる比較的分厚い透明基板の側から磁性材料部に対してレーザ照射が行われるために、レンズに対しては比較的深い焦点深度が求められるからである。基板の側からレーザ照射されるので、バックイルミネーション方式で読み取られるＤＷＤＤ方式光磁気記録媒体の磁性材料部では、再生層が最も基板に近接して配され、従って、基板に対する磁性材料の成膜は、再生層、中間層、および記録層の順で行われる。
【００１３】
開口数ＮＡの大きなレンズを読取り用の光学系で活用すべく、光磁気記録媒体の技術の分野においては、バックイルミネーション方式に代えてフロントイルミネーション方式の実用化に対する要求が高い。フロントイルミネーション方式の光学系においては、基板とは反対の側から磁性材料部にレーザ照射が行われ、レンズに対して、バックイルミネーション方式ほどの深い焦点深度は求められない。基板とは反対の側からレーザ照射が行われるので、本方式で読み取られるＤＷＤＤ方式光磁気記録媒体の磁性材料部では、記録層が最も基板に近接して配され、従って、基板に対する磁性材料の成膜は、記録層、中間層、および再生層の順で行われる。このようなフロントイルミネーション方式は、ＤＷＤＤ方式の光磁気記録媒体において高記録密度化を図るうえでも、実用化に対する要求が高い。
【００１４】
本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、適切に高記録密度化を図ることが可能な光磁気記録媒体およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の側面によると光磁気記録媒体が提供される。この光磁気記録媒体は、基材と、ランド磁性材料部と、グルーブ磁性材料部と、境界磁性材料部とを備える。基材は、相対的に突出しているランド領域、相対的に退避しているグルーブ領域、および、当該ランド領域およびグルーブ領域の間で傾斜している境界領域を有する。ランド磁性材料部は、第１磁性材料よりなり且つランド領域に接して記録機能を担うためのランド記録層、第２磁性材料よりなり且つ磁壁移動を伴う再生機能を担うためのランド再生層、並びに、第３磁性材料よりなり且つランド記録層およびランド再生層の間に介在して当該ランド記録層およびランド再生層の交換結合状態を変化させるためのランド中間層よりなる積層構造を含む。グルーブ磁性材料部は、第１磁性材料よりなり且つグルーブ領域に接して記録機能を担うためのグルーブ記録層、第２磁性材料よりなり且つ磁壁移動を伴う再生機能を担うためのグルーブ再生層、並びに、第３磁性材料よりなり且つグルーブ記録層およびグルーブ再生層の間に介在して当該グルーブ記録層およびグルーブ再生層の交換結合状態を変化させるためのグルーブ中間層よりなる積層構造を含む。境界磁性材料部は、第３磁性材料よりなり且つ境界領域に接してランド中間層およびグルーブ中間層に連続する第１境界層、並びに、第２磁性材料よりなり且つランド再生層およびグルーブ再生層に連続する第２境界層よりなる積層構造を含み、ランド磁性材料部およびグルーブ磁性材料部の間にて傾斜している部位を有する。ここで、本発明における基材とは、記録層、中間層、再生層よりなる積層構造を有する各磁性材料部が積層形成されるベースとなる部材であって、基板単体、および、積層面に放熱層や誘電体層が既に積層形成された基板を含む。
【００１６】
このような構成の光磁気記録媒体においては、ランド磁性材料部およびグルーブ磁性材料部の両方を、信号の記録および再生を担う情報トラックとして良好に使用することができる。本発明の第１の側面に係る光磁気記録媒体は、基材において相対的に突出しているランド領域上に設けられたランド磁性材料部と、相対的に退避しているグルーブ領域に設けられたグルーブ磁性材料部と、これらの間で傾斜している境界領域上に設けられた境界磁性材料部とを備える。境界磁性材料部は、基材の境界領域に接する第１境界層（第３磁性材料）およびその上の第２境界層（第２磁性材料）による積層構造を有し、ランド領域上およびグルーブ領域上に成膜されている第１磁性材料よりなる層を含まない。加えて、境界磁性材料部は、ランド領域およびグルーブ領域に対して傾斜している境界領域上に磁性材料を成膜することによって形成された部位である。ランド磁性材料部およびグルーブ磁性材料部よりも積層数が少なく且つ傾斜面に成膜形成されたこのような境界磁性材料部は、ランド磁性材料部およびグルーブ磁性材料部よりも相当程度に薄い。相当程度に薄いため、この境界磁性材料部に対しては、当該材料部の磁性を消失または変質させるためのアニール処理は、相当程度に穏やかな条件であっても適切に行うことが可能である。例えば、ランド磁性材料部およびグルーブ磁性材料部を初期化するための条件でランド磁性材料部またはグルーブ磁性材料部に対してトラックごとにレーザビームを照射することによって、これら両磁性材料部に隣接する境界磁性材料部について、その磁性を消失または変質させることが可能な場合がある。このような穏やかな条件でのアニール処理によっても、ランド磁性材料部およびグルーブ磁性材料部の再生層においてトラック延び方向に延びる磁壁は適切に消失し、その結果、これら磁性材料部においてトラック延び方向に離隔する信号検出用の磁壁の分離独立化を達成することができる。したがって、本発明の第１の側面に係る光磁気記録媒体によると、ランド磁性材料部およびグルーブ磁性材料部の両方を情報トラックとして良好に使用することができるのである。このような、いわゆるランド／グルーブ媒体は、光磁気記録媒体において記録の高密度化を図るのに適している。また、境界磁性材料部のアニールを穏やかな条件で行うことができるので、例えば、所定のエネルギーのレーザ（例えば、ランド磁性材料部およびグルーブ磁性材料部を初期化するためのレーザ）を、複数のトラックにわたって、ランド磁性材料部、境界磁性材料部、およびグルーブ磁性材料部に対して一括的に照射しても、境界磁性材料部のみをアニールすることが可能である。このようなアニール処理は、光磁気記録媒体の製造の効率化を図るうえで好適である。
【００１７】
第１の側面に係る光磁気記録媒体は、フロントイルミネーション方式を採用するものである。記録層、中間層、および再生層よりなる積層構造において、記録層が基材に対して最も近接して配されている。このような、フロントイルミネーション方式は、上述のように、光磁気記録媒体において記録の高密度化を図るのに適している。
【００１８】
このように、本発明の第１の側面の光磁気記録媒体によると、ランド部およびグルーブ部の両方を情報トラックとして機能的に利用することができ、且つ、フロントイルミネーション方式により読出しができるので、適切に高記録密度化を図ることが可能なのである。
【００１９】
本発明の第１の側面において、好ましくは、ランド領域に対する境界領域の傾斜角度は４５°以上である。また、ランド領域に対するグルーブ領域の退避長さは、好ましくは２５ｎｍ以上、より好ましくは２５〜１５０ｎｍである。これらの構成は、ランド記録層およびグルーブ記録層において充分な厚みを確保しつつ、記録層形成用の第１磁性材料が境界領域には積層されていない本発明に係る構造を形成するうえで、好適である。
【００２０】
本発明の第２の側面によると、第１磁性材料よりなり且つ記録機能を担うための記録層、第２磁性材料よりなり且つ磁壁移動を伴う再生機能を担うための再生層、並びに、第３磁性材料よりなり且つ記録層および再生層の間に介在して当該記録層および再生層の交換結合状態を変化させるための中間層、よりなる積層構造を含む磁性材料部を備える、光磁気記録媒体を製造するための方法が提供される。この製造方法は、相対的に突出しているランド領域、相対的に退避しているグルーブ領域、および、当該ランド領域およびグルーブ領域の間で傾斜している境界領域を有する基材に対し、ランド領域、グルーブ領域、および境界領域にわたって第１磁性材料を成膜することによって、ランド領域およびグルーブ領域の上に記録層を形成するための第１成膜工程と、境界領域に成膜された第１磁性材料を除去するための除去工程と、第１磁性材料の上方から、ランド領域、グルーブ領域、および境界領域にわたって第３磁性材料を成膜することによって、記録層上に中間層を形成するための第２成膜工程と、第３磁性材料の上に第２磁性材料を成膜することによって、中間層上に再生層を形成するための第３成膜工程と、を含むことを特徴とする。
【００２１】
このような方法によると、本発明の第１の側面に係る光磁気記録媒体を製造することができる。したがって、本発明の第２の側面によると、製造される光磁気記録媒体において、第１の側面に関して上述したのと同様の効果が奏される。
【００２２】
本発明の第２の側面において、好ましくは、除去工程では、境界領域に成膜された第１磁性材料は、エッチングにより除去される。より好ましくは、エッチングは、スパッタエッチングまたは反応性イオンエッチングである。これらの構成によると、基材上に成膜された第１磁性材料のうち、基材のランド領域およびグルーブ領域に成膜された部分を残して、境界領域に堆積している第１磁性材料を適切に除去することができる。
【００２３】
好ましくは、第３成膜工程より後に、境界領域上に成膜された第２磁性材料および第３磁性材料をアニールするためのアニール工程を更に含む。このようなアニール工程を経ると、ランド部およびグルーブ部における磁性材料部は、磁気的に適切に分断される。また、好ましくは、アニール工程においては、複数の境界領域にわたる単一の加熱領域を生じるレーザ照射により、第２磁性材料および第３磁性材料はアニールされる。本発明の第２の側面においては、このような複数の境界領域にわたるアニール処理であっても、一括で適切に行うことが可能である。
【００２４】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明に係る光磁気記録媒体Ｘの部分断面図である。光磁気記録媒体Ｘは、ＤＷＤＤ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものであって、基板１００と、当該基板上に設けられた磁性材料部１０，２０，３０とを備える。基板１００と磁性材料部１０，２０，３０との間には、放熱層４１および誘電体層４２が介在する。また、磁性材料部１０，２０，３０の上には、保護層４３が積層形成されている。磁性材料部１０，２０は、光磁気記録媒体Ｘにおいて、信号の記録および再生を担う情報トラックを構成し、図１は、光磁気記録媒体Ｘのトラック横断方向の部分断面を表すものである。トラック横断方向においては、光磁気記録媒体Ｘは、ランド部１、境界部３、グルーブ部２、および境界部３を、繰り返し有する。図２は、光磁気記録媒体Ｘのランド部１、グルーブ部２、および境界部３における層構成の概念図である。
【００２５】
基板１００は、その表面において、ランド領域１０１と、グルーブ領域１０２と、境界領域１０３とを有する。ランド領域１０１は相対的に突出しており、グルーブ領域１０２は相対的に退避しており、境界領域１０３は、当該ランド領域１０１およびブルーブ領域１０２の間においてこれらに対して傾斜している。本実施形態では、ランド領域１０１の幅Ｌ１は１８０〜３６０ｎｍであり、グルーブ領域１０２の幅Ｌ２は１８０〜３６０ｎｍであり、ランド領域１０１からのグルーブ領域１０２の退避長さＬ３は２５〜１５０ｎｍである。幅Ｌ１および幅Ｌ２は同一であるのが好ましい。また、本実施形態では、境界領域１０３の傾斜角度αは２０〜７０°である。基板１００は、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、エポキシ樹脂、または、ポリオレフィン樹脂よりなる。
【００２６】
磁性材料部１０は、基板１００におけるランド領域１０１の上方に設けられており、ランド部１における情報トラックを構成する。磁性材料部１０は、記録層１１、中間層１２、および再生層１３よりなる積層構造を有する。各層は、希土類元素と遷移金属とのアモルファス合金よりなる垂直磁化膜である。希土類元素としては、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｎｄなどを用いることができる。遷移金属としては、ＦｅやＣｏなどを用いることができる。
【００２７】
記録層１１は、ランド部１において記録機能を担う部位であり、再生層１３よりも大きな磁壁抗磁力を有する。記録層１１は、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＣо，ＤｙＦｅＣо，またはＴｂＤｙＦｅＣоよりなる。中間層１２は、ランド部１において記録層１１および再生層１３の間に作用する交換結合を選択的に中継および遮断する機能を担う部位であり、記録層１１および再生層１３よりも低いキュリー温度を有する。中間層１２は、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅ，ＧｄＦｅ，またはＧｄＦｅＣоよりなる。再生層１３は、ランド部１において磁壁移動を伴う再生機能を担う部位であり、記録層１１よりも小さな磁壁抗磁力を有する。再生層１３は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅＣо，ＧｄＤｙＦｅＣо，またはＧｄＴｂＤｙＦｅＣоよりなる。本実施形態では、記録層１１の厚さｄ１は５０〜１５０ｎｍであり、中間層１２の厚さｄ２は５〜２０ｎｍであり、再生層１３の厚さｄ３は１５〜５０ｎｍである。
【００２８】
磁性材料部２０は、基板１００におけるグルーブ領域１０２の上方に設けられており、グルーブ部２における情報トラックを構成する。磁性材料部２０は、記録層２１、中間層２２、および再生層２３よりなる積層構造を有する。これら３層の構成は、各々、磁性材料部１０の記録層１１、中間層１２、および再生層１３に関して上述したのと同一である。
【００２９】
磁性材料部３０は、基板１００における境界領域１０３の上方に設けられており、境界部３にて磁性材料部１０および磁性材料部２０の間を磁気的に分断している。磁性材料部３０は、第１境界層３１および第２境界層３２よりなる積層構造を有する。第１境界層３１は、磁性材料部１０の中間層１２と磁性材料部２０の中間層２２とに連続している。また、第１境界層３１は、磁性が消失しているか、或は、磁性が変質して中間層１２，２２とは異なる磁性を有する。同様に、第２境界層３２は、磁性材料部１０の再生層１３と磁性材料部２０の再生層２３とに連続している。また、第２境界層３２は、磁性が消失しているか、或は、磁性が変質して再生層１３，２３とは異なる磁性を有する。第１境界層３１の厚さｄ４、および、第２境界層３２の厚さｄ５は、傾斜角度αに応じて変化する。図２によく表れているように、境界部３の磁性材料部３０（第１境界層３１および第２境界層３２よりなる）は、情報トラックを構成するランド部１の磁性材料部１０およびグルーブ部２０の磁性材料部２０よりも、１層少ない。
【００３０】
放熱層４１は、レーザ照射時などに磁性材料部１０，２０，３０にて発生する熱を効率よく基板１００へ伝導するための部位であり、例えばＡｇやＡｌＴｉなどよりなる。誘電体層４２および保護層４３は、磁性材料部１０，２０，３０に対する外部からの磁気的影響を回避ないし抑制するため部位であり、例えばＳｉＮ，ＳｉＯｘ，ＡｌＮなどよりなる。
【００３１】
図３および図４は、光磁気記録媒体Ｘの製造方法を表す。図３および図４においては、光磁気記録媒体Ｘの形成過程をその部分断面図により表す。
【００３２】
光磁気記録媒体Ｘの製造においては、まず、図３（ａ）に示すような、ランド領域１０１、グルーブ領域１０２、および境界領域１０３を有する基板１００を用意する。基板１００は、例えば、上掲の樹脂を成形材料として用い且つ所定の凹凸形状を有するスタンパを金型内に配設して行う射出成形技術により、作製することができる。次に、図３（ｂ）に示すように、スパッタリングにより各々に所定の材料を成膜することによって、基板１００に対して、ランド領域１０１、グルーブ領域１０２、および境界領域１０３にわたって放熱層４１および誘電体層４２を順次形成する。
【００３３】
次に、図３（ｃ）に示すように、スパッタリングにより、誘電体層４２の上に磁性材料Ｍ１を成膜する。当該スパッタリングは、ＤＣ電源を使用して行うＤＣスパッタリングである。磁性材料Ｍ１は、記録機能を担う上述の記録層１１，２１を形成するための組成を有する。ＤＣスパッタリングによるこの成膜では、基板表面におけるランド領域１０１およびグルーブ領域１０２に対して垂直な方向に、磁性材料Ｍ１の堆積速度は速い。したがって、本工程では、磁性材料Ｍ１は、図中高さ方向において略一様な高さで成膜される。すなわち、磁性材料Ｍ１は、成膜対象面が材料堆積方向に略直交するランド部１およびグルーブ部２においては厚く成膜され、且つ、成膜対象面が材料堆積方向に対して傾斜している境界部３においては薄く成膜される。磁性材料Ｍ１の成膜に際しては、良好な垂直磁化膜を形成するという観点より、スパッタリング装置のチャンバ内は成膜前には高真空とされているのが望まれる。成膜前において、チャンバ内の真空度は１０−６Ｐａから１０−５Ｐａ台の前半であるのが好ましい。後述の磁性材料Ｍ２，Ｍ３の成膜に際しても同様である。
【００３４】
次に、図３（ｄ）に示すように、成膜された磁性材料Ｍ１の一部を除去する。具体的には、逆スパッタリングを利用したエッチング（スパッタエッチング）により、境界部３にて堆積した磁性材料Ｍ１を除去する。当該スパッタリングは、ＲＦ電源を使用して行うＲＦスパッタリングである。このとき、ランド部１およびグルーブ部２にて堆積した磁性材料Ｍ１の一部も除去される。すなわち、ランド部１およびグルーブ部２における磁性材料Ｍ１の膜厚は小さくなる。これにより、ランド部１およびグルーブ部２において、各々、記録層１１および記録層２１が形成される。ＲＦ逆スパッタリングにおける材料のエッチング方向は、比較的に等方的である。したがって、本工程では、磁性材料Ｍ１の膜表面に対して垂直な方向へエッチングが進行し、その結果、ランド部１およびグルーブ部２において厚く堆積している磁性材料Ｍ１から記録層１１，２１を残存形成しつつ、境界部３において薄く堆積している磁性材料Ｍ１を全て除去することができるのである。
【００３５】
次に、図４（ａ）に示すように、ＤＣスパッタリングにより、記録層１１，２１の上方から磁性材料Ｍ２を成膜する。磁性材料Ｍ２は、交換結合作用の中継および遮断を担う上述の中間層１２，２２を形成するための組成を有する。ＤＣスパッタリングによるこの成膜では、基板表面におけるランド領域１０１およびグルーブ領域１０２に対して垂直な方向に、磁性材料Ｍ２の堆積速度は速い。したがって、磁性材料Ｍ１を成膜したときと同様に、磁性材料Ｍ２は、ランド部１およびグルーブ部２においては厚く成膜され、且つ、境界部３においては薄く成膜される。本工程を経ることにより、ランド部１、グルーブ部２、および境界部３において、各々、中間層１２、中間層２２、および第１境界層３１が形成されることとなる。
【００３６】
次に、図４（ｂ）に示すように、ＤＣスパッタリングにより、磁性材料Ｍ２の上に磁性材料Ｍ３を成膜する。磁性材料Ｍ３は、磁壁移動を伴う再生機能を担う上述の再生層１３，２３を形成するための組成を有する。ＤＣスパッタリングによるこの成膜では、基板表面におけるランド領域１０１およびグルーブ領域１０２に対して垂直な方向に、磁性材料Ｍ３の堆積速度は速い。したがって、磁性材料Ｍ１，Ｍ２を成膜したときと同様に、磁性材料Ｍ３は、ランド部１およびグルーブ部２においては厚く成膜され、且つ、境界部３においては薄く成膜される。本工程を経ることにより、ランド部１、グルーブ部２、および境界部３において、各々、再生層１３、再生層２３、および第２境界層３２が形成され、従って、各磁性材料部が形成されることとなる。
【００３７】
次に、図４（ｃ）に示すように、スパッタリングにより、磁性材料Ｍ３の上に所定の材料を成膜することによって保護層４３を形成する。このとき、保護層４３は、磁性材料部１０，２０，３０の保護機能と光透過性とを共に確保するという観点より、情報トラックにおける厚みが３０〜１００ｎｍであるのが好ましい。
【００３８】
次に、磁性材料部３０の磁性が消失または変質するように、当該磁性材料部３０をアニールする。具体的には、複数の情報トラック（ランド部１およびグルーブ部２）にわたる単一の加熱領域を生じるレーザビームを、光磁気記録媒体Ｘに対して基板１００とは反対の側から照射することにより、当該加熱領域に含まれる複数の磁性材料部３０をアニールする。このとき、薄い磁性材料部３０の磁性を消失または変質することが可能な程度であって、且つ、厚い磁性材料部１０，２０の各層の機能に対して不当な影響を与えない程度のエネルギーおよび時間で、レーザビームは照射される。例えば、磁性材料部３０をアニール可能な条件であって、且つ、磁性材料部１０，２０を初期化可能な条件でレーザビームは照射される。本工程では、このように、単一のレーザビーム照射によって、複数の磁性材料部３０を一括してアニールする。このような一括的なアニール処理は、光磁気記録媒体Ｘの製造効率の向上に寄与する。
【００３９】
本発明では、単一レーザビームによる一括的なアニール処理に代えて、磁性材料部１０，２０を初期化するための条件で情報トラックごとにレーザビームを照射することによって、これら磁性材料部１０，２０に隣接する磁性材料部３０についてアニールしてもよい。磁性材料部３０は、磁性材料部１０，２０よりも相当程度に薄いので、穏やかな条件でアニール処理することが可能であり、従って、このようなアニール処理によっても磁性材料部３０の磁性を適切に消失または変質させることが可能な場合がある。
【００４０】
このようにして製造される光磁気記録媒体Ｘにおいては、ランド部１の磁性材料部１０およびグルーブ部２の磁性材料部２０の両方を、情報トラックとして良好に使用することができる。磁性材料部３０は、磁性材料部１０，２０と同様に、磁性材料Ｍ２に由来する層（第１境界層３１）および磁性材料Ｍ３に由来する層（第２境界層３２）を有するが、磁性材料部１０，２０とは異なり、磁性材料Ｍ１に由来する層を含まない。加えて、磁性材料部３０は、ＤＣスパッタリングによる材料堆積方向に対して傾斜している境界領域１０３の上方において、磁性材料を堆積することによって形成される。磁性材料部１０，２０よりも積層数が少なく且つ傾斜面に成膜形成されたこのような磁性材料部３０は、磁性材料部１０，２０よりも相当程度に薄い。磁性材料部１０，２０に対する磁性材料部３０の薄さの程度は、境界領域１０３の傾斜角度α、並びに、ランド領域１０１からのグルーブ領域１０２の退避長さＬ３を調整することによって、調節することが可能である。このように薄く形成される磁性材料部３０に対しては、磁性を消失または変質させるためのアニール処理は、相当程度に穏やかな条件であっても適切に行うことが可能である。アニール処理を経ることにより、磁性材料部１０，２０の再生層１３，２３においてトラック延び方向に延びる磁壁は消失し、これら磁性材料部１０，２０においてトラック延び方向に離隔する信号検出用の磁壁の分離独立化を適切に達成することができる。その結果、光磁気記録媒体Ｘにおいては、磁性材料部１０，２０の両方を情報トラックとして良好に使用することができるのである。このような、いわゆるランド／グルーブ媒体である光磁気記録媒体Ｘは、記録の高密度化を図るのに適している。
【００４１】
光磁気記録媒体Ｘはフロントイルミネーション方式を採用するものであり、情報トラックを構成する磁性材料部１０，２０において、記録層１１，２１は他の層よりも基板１００に対して最も近接して配されている。そのため、光磁気記録媒体Ｘからの記録信号の再生に際しては、再生層１３，２３の側から、即ち分厚い基板１００とは反対の側から、レーザを照射することができ、磁性材料部１０，２０に対して極めて近接して対物レンズを配設することが可能となる。したがって、光磁気記録媒体Ｘによると、焦点深度が浅くとも開口数ＮＡの大きなレンズを、再生信号読取り用の光学系における対物レンズとして採用することが可能となるのである。このようなフロントイルミネーション方式の光磁気記録媒体Ｘは、記録の高密度化を図るのに適している。
【００４２】
このように、光磁気記録媒体Ｘによると、ランド部１における磁性材料部１０およびグルーブ部２における磁性材料部２０の両方を情報トラックとして機能的に利用することができ、且つ、フロントイルミネーション方式により読出しができるので、適切に高記録密度化を図ることが可能である。
【００４３】
【実施例】
次に、本発明の実施例について比較例とともに説明する。
【００４４】
【実施例１】
＜光磁気記録媒体の作製＞
ランド領域、グルーブ領域、および、これらの間で傾斜する境界領域をトラック横断方向にて繰り返し有するポリカーボネート製の基板（ランド領域幅３６０ｎｍ、グルーブ領域幅３６０ｎｍ、グルーブ深さ〔退避長さ〕４０ｎｍ、トラックピッチ４００ｎｍ、境界領域傾斜角度５０°）の上に、図２に示すような層構成の磁性材料部を有する、光磁気記録媒体を作製した。本実施例における光磁気記録媒体は、ＤＷＤＤ方式およびフロントイルミネーション方式を採用するものであり、ランド部およびグルーブ部を情報トラックとして利用するランド／グルーブ媒体である。ランド部およびグルーブ部におけるより詳細な層構成については、図５に掲げる。
【００４５】
具体的には、まず、所定のスパッタリング装置を使用して行うＤＣマグネトロンスパッタリング法により、上述の基板のランド／グルーブ面に対して厚さ１０ｎｍとなるまでＡｇ合金（９９％Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ）を成膜することにより、放熱層を形成した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、スパッタ電力を１．０ｋＷとした。以降の成膜についてもＤＣマグネトロンスパッタリング法により行った。また、成膜時に目的とする膜厚は、ランド部における基板表面に対して垂直な方向の膜厚をいう。以下の成膜においても同様である。
【００４６】
次に、放熱層上に、厚さ３０ｎｍとなるまでＳｉＮを成膜することにより、誘電体層を形成した。具体的には、所定量のＢをドープしたＳｉターゲットを用い、Ａｒガス３０ｓｃｃｍおよびＮ２ガス１２ｓｃｃｍの流量比率で、反応性スパッタリングによりＳｉＮを成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力０．４Ｐａとし、スパッタ電力を１．０ｋＷとした。
【００４７】
次に、誘電体層上に、記録層を形成するためのＴｂＦｅＣоアモルファス合金（Ｔｂ２７Ｆｅ５３Ｃо２０）を、厚さ１２０ｎｍとなるまで成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を２Ｐａとし、スパッタ電力を０．８ｋＷとした。本工程の後、基板表面（ランド領域、グルーブ領域、境界領域）に対して垂直な方向でのＴｂＦｅＣо膜の膜厚を測定したところ、ランド部およびグルーブ部では１２０ｎｍであり、境界部では６０ｎｍであった。
【００４８】
次に、所定のスパッタリング装置を使用して行うＲＦ逆スパッタリング法により、１５分間、ＴｂＦｅＣо膜をエッチングした。本エッチングでは、エッチングガス圧力を０．５Ｐａとし、エッチング電力０．５ｋＷとした。本工程の後、再びＴｂＦｅＣо膜の膜厚を測定したところ、ランド部およびグルーブ部では６０ｎｍであり、境界部では０ｎｍであった。すなわち、本工程では、境界部における誘電体層が露出するまでＴｂＦｅＣо膜をエッチングした。本工程により、ランド部およびグルーブ部において記録層が残存形成された。
【００４９】
次に、ＴｂＦｅＣо膜の上方から、ランド部およびグルーブ部にて中間層を形成するためのＴｂＦｅアモルファス合金（Ｔｂ２０Ｆｅ８０）を、厚さ１０ｎｍとなるまで成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、スパッタ電力を１．０ｋＷとした。続いて、ＴｂＦｅ膜の上方から、ランド部およびグルーブ部にて再生層を形成するためのＧｄＦｅＣоアモルファス合金（Ｇｄ２６Ｆｅ６４Ｃｏ１０）を、厚さ３０ｎｍとなるまで成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、スパッタ電力を１．０ｋＷとした。本工程により、ランド部およびグルーブ部において中間層が形成されるとともに、境界部において第１境界層が形成された。
【００５０】
次に、ＧｄＦｅＣｏ膜上に、厚さ７０ｎｍとなるまでＳｉＮを成膜することにより、保護層を形成した。具体的には、上述のＳｉＮ誘電体層と同様の手法によりＳｉＮを成膜した。本工程により、ランド部およびグルーブ部において再生層が形成されるとともに、境界部において第２境界層が形成された。このようにして、本実施例の光磁気記録媒体である光磁気ディスクの層構造を形成した。
【００５１】
次に、以上のようにして層構造が形成された光磁気ディスクの境界部をアニール処理した。具体的には、レーザ波長４０５ｎｍおよび開口数ＮＡ０．８５の光学系による所定のフロントイルミネーション評価装置を使用し、ランド部およびグルーブ部を初期化可能な条件（レーザパワー６ｍＷ、レーザ走査速度２ｍ／ｓ、印加磁界３００Ｏｅ）で、ランド部およびグルーブ部に対して１トラックごとにＤＣレーザビームを照射することによって、境界部における磁性材料部をアニールした。本工程により、境界部の磁性材料部の磁性が消失または変質するとともに、ランド部およびグルーブ部が初期化された。このようにして、本実施例の光磁気記録媒体である光磁気ディスクを作製した。
【００５２】
＜ＣＮＲ測定＞
上述のようにして作製した光磁気ディスクの情報トラック（ランド部、グルーブ部）に対し、記録マーク長０．１５μｍの信号をスペース（長さ０．１５μｍ）を介して繰り返し記録した後、当該光磁気ディスクのＣＮＲ測定を行った。記録処理は、磁界変調記録方式により行い、レーザパワーを９ｍＷとし、レーザ走査速度を３ｍ／ｓとし、記録磁界を２００Ｏｅとした。ＣＮＲ測定は、信号再生時のレーザパワーを２．５ｍＷとし、レーザ走査速度を３ｍ／ｓとし、外部磁界を０Ｏｅとし、スペクトラムアナライザを使用して行った。ＣＮＲ測定の結果、ランド部およびグルーブ部における両情報トラックにて、ＤＷＤＤ方式に特有の矩形信号が観測され、ランド部およびグルーブ部におけるＣＮＲは４２ｄＢであった。
【００５３】
【比較例１】
スパッタエッチングによるＴｂＦｅＣо膜の部分的な除去を行わず、且つ、境界部のアニール処理（ランド部およびグルーブ部の初期化処理）におけるレーザパワーを６ｍＷに代えて９ｍＷとした以外は、実施例１と同様にして、本比較例の光磁気ディスクを作製した。この光磁気ディスクについて、実施例１と同様に、記録処理を行なった後にＣＮＲ測定を行った。その結果、ＤＷＤＤ方式に特有の矩形信号が観測された。しかしながら、ランド部およびグルーブ部におけるＣＮＲは、各々、３４ｄＢおよび３６ｄＢであり、実施例１の光磁気ディスクと比較して信号品質は著しく低下した。これは、境界部のアニール処理に際して大きなレーザパワーを加えたために、ランド部およびグルーブ部の信号再生領域の磁気特性が劣化したためであると考えられる。
【００５４】
【比較例２】
比較例１と同一の膜構成を有する光磁気ディスクに対して比較例１とは異なるアニール処理を施すことによって、本比較例の光磁気ディスクを作製した。本比較例のアニール処理では、具体的には、レーザパワー１０ｍＷ、レーザ走査速度２ｍ／ｓ、および印加磁界０Ｏｅの条件でランド部に対してのみレーザビーム照射を行うことによって、当該ランド部の磁性材料部のみをアニールした。グルーブ部の初期化は、実施例１におけるアニール処理条件と同一の条件で別途行った。このようにして作製した本比較例の光磁気ディスクについて、実施例１と同様に、記録処理を行なった後にＣＮＲ測定を行ったところ、グルーブ部のみにおいてＤＷＤＤ再生が可能となることが確認された。グルーブ部における記録マーク長０．１５μｍのＣＮＲは４２ｄＢであり、実施例１の光磁気ディスクの信号品質と実質的に同一であった。実施例１および本比較例のＣＮＲ測定結果からは、本発明に係る実施例１の光磁気ディスクにおいては、ランド部にアニール処理を施すことによりグルーブ部における磁壁の分離独立化が図られた従来方式の光磁気記ディスク（比較例２）と同等の信号品質が得られることが理解できよう。
【００５５】
【実施例２〜６】
境界領域傾斜角度を、５０°に代えて、２０°（実施例２）、３０°（実施例３）、４５°（実施例４）、５５°（実施例５）、または７０°（実施例６）とした基板を使用した以外は、実施例１と同様にして、各実施例の光磁気ディスクを作製した。
【００５６】
図６は、記録層を形成するためのＴｂＦｅＣоアモルファス合金（Ｔｂ２７Ｆｅ５３Ｃо２０）をランド部にて１２０ｎｍの厚さとなるまで成膜した後であって且つ当該ＴｂＦｅＣо膜をＲＦ逆スパッタリングによりエッチングする前に測定したランド部、グルーブ部、および境界部におけるＴｂＦｅＣо膜の膜厚と、境界領域傾斜角度との、実施例２〜６に基づいて得られた関係を表す。図６では、ランド部における膜厚については折線５１、グルーブ部における膜厚については折線５２、境界部における膜厚については折線５３により表す。図６のグラフにて示されるように、傾斜角度が大きくなるにつれて、境界部におけるＴｂＦｅＣо膜の膜厚は小さくなる。
【００５７】
図７は、境界領域における誘電体層が露出するまでＴｂＦｅＣо膜をＲＦ逆スパッタリングによりエッチングした後に測定したランド部およびグルーブ部の膜厚と、境界領域傾斜角度との、実施例２〜６に基づいて得られた関係を表す。図７では、ランド部における膜厚については折線６１、グルーブ部における膜厚については折線６２により表す。図７のグラフにて示されるように、傾斜角度が大きくなるにつれて、ランド部およびグルーブ部に残存形成されるＴｂＦｅＣо膜（記録層）の膜厚は小さくなる。傾斜角度が４５°以上の場合に、ＤＷＤＤ方式における記録層の膜厚として好適な、５０ｎｍ以上の膜厚を確保できることが確認された。
【００５８】
【実施例７〜１６】
境界領域傾斜角度を５０°に代えて５５°とし、且つ、グルーブ深さを４０ｎｍに代えて、１５ｎｍ（実施例７）、２５ｎｍ（実施例８）、４０ｎｍ（実施例９）、５０ｎｍ（実施例１０）、７５ｎｍ（実施例１１）、１００ｎｍ（実施例１２）、１２５ｎｍ（実施例１３）、１５０ｎｍ（実施例１４）、１７０ｎｍ（実施例１５）、または２００ｎｍ（実施例１６）とした基板を使用した以外は、実施例１と同様にして、各実施例の光磁気ディスクを作製した。
【００５９】
図８は、記録層を形成するためのＴｂＦｅＣоアモルファス合金（Ｔｂ２７Ｆｅ５３Ｃо２０）をランド部にて１２０ｎｍの厚さとなるまで成膜した後であって且つ当該ＴｂＦｅＣо膜をＲＦ逆スパッタリングによりエッチングする前に測定したランド部、グルーブ部、および境界部の膜厚と、グルーブ深さ（退避長さ）との、実施例７〜１６に基づいて得られた関係を表す。図８では、ランド部における膜厚については折線７１、グルーブ部における膜厚については折線７２、境界部における膜厚については折線７３により表す。図８のグラフにて示されるように、グルーブ深さが大きくなるにつれて、境界部におけるＴｂＦｅＣо膜の膜厚は小さくなる。また、グルーブ深さが大きくなるにつれて、グルーブ部におけるＴｂＦｅＣо膜の膜厚も小さくなる傾向にある。
【００６０】
図９は、境界領域における誘電体層が露出するまでＴｂＦｅＣо膜をＲＦ逆スパッタリングによりエッチングした後に測定したランド部およびグルーブ部の膜厚と、グルーブ深さとの、実施例７〜１６に基づいて得られた関係を表す。図９では、ランド部における膜厚については折線８１、グルーブ部における膜厚については折線８２により表す。図９のグラフにて示されるように、グルーブ深さ１５０ｎｍ程度までは、グルーブ深さが大きくなるにつれて、ランド部およびグルーブ部に残存形成されるＴｂＦｅＣо膜（記録層）の膜厚は大きくなる。また、グルーブ深さが１５０ｎｍ程度を超えると、成膜時におけるグルーブ部の薄膜化傾向に起因して、グルーブ深さが大きくなるにつれてグルーブ部の膜厚は低下する傾向にある。
【００６１】
実施例７〜１６の光磁気ディスクについて、実施例１と同様にして磁界変調記録処理を行った後、実施例１と同様にしてＣＮＲ測定を行った。図１０は、ランド部およびグルーブ部のＣＮＲ測定結果と、グルーブ深さとの、実施例７〜１６に基づいて得られた関係を表す。図１０では、ランド部におけるグルーブ深さ依存性を折線９１により表し、グルーブ部におけるグルーブ深さ依存性を折線９２により表す。図１０および図９からは、ランド部およびグルーブ部における記録層のＣＮＲは、当該記録層の膜厚と相関関係を有することが解る。また、図１０のグラフにて示すように、グルーブ深さが２５〜１５０ｎｍの範囲において、ランド部およびグルーブ部のＣＮＲは共に４０ｄＢ以上の高い値を示した。したがって、ランド部およびグルーブ部にて充分に高いＣＮＲを得るうえでは、グルーブ深さ（退避長さ）は２５〜１５０ｎｍが好ましいことが理解できよう。
【００６２】
【実施例１７】
実施例１と同一の膜構成の光磁気ディスクに対して実施例１とは異なるアニール処理を施すことによって、本実施例の光磁気ディスクを作製した。本実施例のアニール処理では、具体的には、バルクイレーズ装置を使用し、ランド部およびグルーブ部を初期化可能な条件（レーザパワー４．５ｍＷ、レーザ走査速度１．５ｍ／ｓ、印加磁界３００Ｏｅ）で、数十トラックにわたる単一の楕円照射スポットを生じるレーザビームを照射することにより、複数の境界部における磁性材料部をアニールした。このようにして、複数の境界部を一括してアニール処理するとともに、数十トラックにわたるランド部およびグルーブ部を初期化した。
【００６３】
本実施例の光磁気ディスクについて、実施例１と同様にして磁界変調記録処理を行った後、実施例１と同様にしてＣＮＲ測定を行った。その結果、上述のアニール処理においてレーザ照射されたランド部およびグルーブ部のＣＮＲ（記録マーク長０．１５μｍ）は４０ｄＢ以上であった。このようにして、本実施例の光磁気ディスクにおいては、複数の境界部が一括してアニール処理されたとともに、ランド部およびグルーブ部が適切に初期化されたことを確認することができた。
【００６４】
以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
【００６５】
（付記１）相対的に突出しているランド領域、相対的に退避しているグルーブ領域、および、当該ランド領域およびグルーブ領域の間で傾斜している境界領域、を有する基材と、
第１磁性材料よりなり且つ前記ランド領域に接して記録機能を担うためのランド記録層、第２磁性材料よりなり且つ磁壁移動を伴う再生機能を担うためのランド再生層、並びに、第３磁性材料よりなり且つ前記ランド記録層および前記ランド再生層の間に介在して当該ランド記録層およびランド再生層の交換結合状態を変化させるためのランド中間層、よりなる積層構造を含む、ランド磁性材料部と、
前記第１磁性材料よりなり且つ前記グルーブ領域に接して記録機能を担うためのグルーブ記録層、前記第２磁性材料よりなり且つ磁壁移動を伴う再生機能を担うためのグルーブ再生層、並びに、前記第３磁性材料よりなり且つ前記グルーブ記録層および前記グルーブ再生層の間に介在して当該グルーブ記録層およびグルーブ再生層の交換結合状態を変化させるためのグルーブ中間層、よりなる積層構造を含む、グルーブ磁性材料部と、
前記第３磁性材料よりなり且つ前記境界領域に接して前記ランド中間層および前記グルーブ中間層に連続する第１境界層、並びに、前記第２磁性材料よりなり且つ前記ランド再生層および前記グルーブ再生層に連続する第２境界層、よりなる積層構造を含み、前記ランド磁性材料部および前記グルーブ磁性材料部の間にて傾斜している部位を有する、境界磁性材料部と、を備えることを特徴とする、光磁気記録媒体。
（付記２）前記ランド領域に対する前記境界領域の傾斜角度は、４５°以上である、付記１に記載の光磁気記録媒体。
（付記３）前記ランド領域に対する前記グルーブ領域の退避長さは、２５ｎｍ以上である、付記１または２に記載の光磁気記録媒体。
（付記４）前記ランド領域に対する前記グルーブ領域の退避長さは、２５〜１５０ｎｍである、付記１から３のいずれか１つに記載の光磁気記録媒体。
（付記５）第１磁性材料よりなり且つ記録機能を担うための記録層、第２磁性材料よりなり且つ磁壁移動を伴う再生機能を担うための再生層、並びに、第３磁性材料よりなり且つ前記記録層および前記再生層の間に介在して当該記録層および再生層の交換結合状態を変化させるための中間層、よりなる積層構造を含む磁性材料部を備える、光磁気記録媒体を製造するための方法であって、
相対的に突出しているランド領域、相対的に退避しているグルーブ領域、および、当該ランド領域およびグルーブ領域の間で傾斜している境界領域を有する基材に対し、前記ランド領域、前記グルーブ領域、および前記境界領域にわたって第１磁性材料を成膜することによって、前記ランド領域および前記グルーブ領域の上に前記記録層を形成するための第１成膜工程と、
前記境界領域に成膜された前記第１磁性材料を除去するための除去工程と、前記第１磁性材料の上方から、前記ランド領域、前記グルーブ領域、および前記境界領域にわたって第３磁性材料を成膜することによって、前記記録層上に前記中間層を形成するための第２成膜工程と、
前記第３磁性材料の上に第２磁性材料を成膜することによって、前記中間層上に前記再生層を形成するための第３成膜工程と、を含むことを特徴とする、光磁気記録媒体の製造方法。
（付記６）前記除去工程では、前記境界領域に成膜された前記第１磁性材料は、エッチングにより除去される、付記５に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
（付記７）前記エッチングは、スパッタエッチングまたは反応性イオンエッチングである、付記６に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
（付記８）前記第３成膜工程より後に、前記境界領域上に成膜された第２磁性材料および第３磁性材料をアニールするためのアニール工程を更に含む、付記５から７のいずれか１つに記載の光磁気記録媒体の製造方法。
（付記９）前記アニール工程においては、複数の境界領域にわたる単一の加熱領域を生じるレーザ照射により、前記第２磁性材料および前記第３磁性材料はアニールされる、付記８に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【００６６】
【発明の効果】
本発明によると、ＤＷＤＤ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気記録媒体において、ランド部およびグルーブ部における磁性材料部にて適切に磁壁の分離独立化を図ることができる。したがって、本発明によると、ＤＷＤＤ方式かつフロントイルミネーション方式の光磁気記録媒体において、適切に高記録密度化を図ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光磁気記録媒体の部分断面図である。
【図２】図１の光磁気記録媒体のランド部、グルーブ部、および境界部における層構成を表す。
【図３】図１に示す光磁気記録媒体の製造方法における一部の工程を表す。
【図４】図３に続く工程を表す。
【図５】実施例１に係る光磁気記録媒体の情報トラックにおける層構成を表す。
【図６】実施例２〜６について、ランド部、グルーブ部、および境界部におけるスパッタエッチング前のＴｂＦｅＣо膜の膜厚と、境界部傾斜角度との関係を表すグラフである。
【図７】実施例２〜６について、ランド部およびグルーブ部におけるスパッタエッチング後のＴｂＦｅＣо膜の膜厚と、境界部傾斜角度との関係を表すグラフである。
【図８】実施例７〜１６について、ランド部、グルーブ部、および境界部におけるスパッタエッチング前のＴｂＦｅＣо膜の膜厚と、グルーブ深さとの関係を表すグラフである。
【図９】実施例７〜１６について、ランド部およびグルーブ部におけるスパッタエッチング後のＴｂＦｅＣо膜の膜厚と、グルーブ深さとの関係を表すグラフである。
【図１０】実施例７〜１６におけるランド部およびグルーブ部のＣＮＲ測定結果と、グルーブ深さとの関係を表す。
【符号の説明】
Ｘ      光磁気記録媒体
１      ランド部
２      グルーブ部
３      境界部
１０，２０，３０      磁性材料部
１１，２１      記録層
１２，２２      中間層
１３，２３      再生層
３１      第１境界層
３２      第２境界層
【図１】
2004227628.tif 000003
【図２】
2004227628.tif 000004
【図３】
2004227628.tif 000005
【図４】
2004227628.tif 000006
【図５】
2004227628.tif 000007
【図６】
2004227628.tif 000008
【図７】
2004227628.tif 000009
【図８】
2004227628.tif 000010
【図９】
2004227628.tif 000011
【図１０】
2004227628.tif 000012