(57)【要約】【課題】最適電流で駆動することができ、遮断弁の摺動抵抗が大きくなって始動が遅くなっても遮断動作を確実に行うことができる遮断弁駆動回路、及び遮断弁を提供する。【解決手段】マグネット４の磁力により生じるプランジャー６とヨーク８間の吸引力と、プランジャー６に連結されるスプリング２によるプランジャー６をヨーク８から引き離す方向への復元力と、が均衡してプランジャー６とヨーク８とが吸着している状態で、マグネット４の磁束を打ち消す磁束を発生させるソレノイド５への通電によりプランジャー６を移動させてプランジャー６に連結される弁１を遮断する自己保持型の遮断弁のソレノイド５に、定電流回路２０が、マグネット４の磁束を打ち消し、スプリング２による復元力によりプランジャー６を移動させ弁１を遮断するに足る磁束を発生させる定電流を供給して弁１を遮断する。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マグネットの磁力により生じるプランジャーとヨーク間の吸引力と、前記プランジャーに連結されるスプリングによる前記プランジャーを前記ヨークから引き離す方向への復元力と、が均衡して前記プランジャーが前記ヨークに吸着している状態で、前記マグネットの磁束を打ち消す磁束を発生させるソレノイドへの通電により前記プランジャーを移動させて該プランジャーに連結される弁を遮断する自己保持型の遮断弁を駆動する遮断弁駆動回路であって、
前記弁の遮断をする際、前記マグネットの磁束を打ち消し、前記スプリングによる復元力により前記プランジャーを移動させ前記弁を遮断するに足る磁束を発生させる定電流を前記ソレノイドに供給する定電流回路と、
前記弁の遮断を指示する遮断信号を受信すると、前記定電流回路に給電するスイッチング素子と、
を有することを特徴とする遮断弁駆動回路。
【請求項２】
前記定電流回路は、
前記スイッチング素子がＯＮすることにより給電される電流がベース電流として入力され、該ベース電流を所定の増幅率で増幅したコレクタ電流を出力するトランジスタと、
前記トランジスタから出力され、前記ソレノイドに供給されるコレクタ電流の電圧を検出する検出抵抗と、
前記検出抵抗により検出された電圧を基準電圧と等しくするように、前記トランジスタのベース電流を制御するシャントレギュレータＩＣと、
を有することを特徴とする請求項１記載の遮断弁駆動回路。
【請求項３】
前記トランジスタは、
前記所定の増幅率をダーリントン接続により得ていることを特徴とする請求項２記載の遮断弁駆動回路。
【請求項４】
前記定電流回路は、
前記検出抵抗と並列に接続される一つ以上のスイッチ付き検出抵抗
をさらに有することを特徴とする請求項２または３記載の遮断弁駆動回路。
【請求項５】
マグネットの磁力により生じるプランジャーとヨーク間の吸引力と、前記プランジャーに連結されるスプリングによる前記プランジャーを前記ヨークから引き離す方向への復元力と、が均衡して前記プランジャーが前記ヨークに吸着している状態で、前記マグネットの磁束を打ち消す磁束を発生させるソレノイドへの通電により前記プランジャーを移動させて該プランジャーに連結される弁を遮断する自己保持型の遮断弁であって、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の遮断弁駆動回路
を有することを特徴とする遮断弁。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ソレノイドへの通電により弁が開閉する自己保持型遮断弁を駆動するための遮断弁駆動回路、及びそれを備える遮断弁に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図３は、遮断弁の断面図である。当該遮断弁は、弁１、スプリング２、フランジ３、マグネット（永久磁石）４、ソレノイド５、プランジャー６、ロッド７、及びヨーク８を備える。当該遮断弁は、自己保持型であり、開閉動作の瞬間のみ通電し、常時は無通電である。自己保持型の遮断弁は、電池の消耗や電力の浪費を抑えることができる。図３は、当該遮断弁の開（復帰）状態を示している。
【０００３】
弁１には、磁性材料からなるプランジャー６が繋止されている。スプリング２は、弁１とフランジ３との間に圧縮された状態で配設される。スプリング２は、その復元力により、プランジャー６をヨーク８より引離す方向（弁１を図示しない弁座に圧接する方向）に付勢する。フランジ３は、プランジャー６を貫通可能な孔を持つ。マグネット４は、フランジ３とソレノイド５との間に設けられ、プランジャー６を励磁させ、プランジャー６をヨーク８方向へ付勢する。ソレノイド５は、＋または−の電流が流れることによりプランジャー６を励磁させ、フランジ３方向またはヨーク８方向へ付勢する。ロッド７は、プランジャー６の先端と嵌合可能な先端を持つ。ヨーク８は、プランジャー６と同軸上にプランジャー６を遊挿させるための中心孔を持つ着磁ヨークである。
【０００４】
マグネット４の起磁力によりプランジャー６が励磁して生じるプランジャー６とヨーク８との間の吸引力と、スプリング２の復元力は、ソレノイド５無通電時には均衡しており、プランジャー６は静止している。
【０００５】
次に、当該遮断弁の動作について説明する。
弁１が図示しない弁座との間に間隙がある状態を保持している開状態においては、プランジャー６の先端がロッド７と嵌合することにより、マグネット４の起磁力が、図３のソレノイド５の外側に示した磁気回路を形成している。そして、その起磁力により、プランジャー６とヨーク８との接触面にプランジャー６をヨーク８に吸引する吸引力が発生している。その吸引力は、スプリング２の復元力に抗してプランジャー６をヨーク８に保持している。
【０００６】
次に、この開状態を遮断する瞬間の動作について説明する。ソレノイド５にマグネット４による磁束を打ち消すための磁束を発生させるために、ソレノイド５に電流を流すと図３のソレノイド５の内側に示した磁気回路が形成される。すると、マグネット４による磁束とソレノイド５による磁束とが打ち消し合い、プランジャー６とヨーク８との吸引力が減少し、ついにはスプリング２の復元力より小さくなる。そうなると、プランジャー６をヨーク８に吸着保持していた力のバランスが崩れ、プランジャー６がスプリング２の復元力により移動し、弁１が弁座に当接して閉状態となる。
【０００７】
次に、弁１が弁座と当接している閉状態においては、プランジャー６の先端とヨーク８が離れた状態であり、マグネット４の起磁力では、プランジャー６がヨーク８に吸引されない。弁１と弁座との接触が保持されている。
【０００８】
次に、この閉状態から復帰する瞬間の動作について説明する。ソレノイド５に弁１を遮断する時と逆方向の電流を流すと、図３のソレノイド５の内側に示した磁気回路と逆周りの磁気回路が形成される。すると、マグネット４による磁束とソレノイド５による磁束とが合わさり、プランジャー６をヨーク８に吸引する力が増大し、ついにはプランジャー６の摺動抵抗、及びスプリング２の復元力より大きくなる。そうなると、弁１を弁座に吸着保持していた力のバランスが崩れ、プランジャー６がヨーク８方向へ付勢されて移動し、弁１と弁座とに間隙ができ開状態となる。
【０００９】
次に、上記自己保持型遮断弁の駆動回路について図４に示す。図４において、弁を遮断する場合、マイコン（ＣＰＵ）でフォトカプラＰＨ１を駆動して、トランジスタＴｒ１にベース電流を流すと、トランジスタＴｒ１がＯＮする。すると、コンデンサＣ１の放電電流がソレノイド５に流れ、ソレノイド５の磁束により弁が遮断する。一方、弁を復帰する場合、マイコンでフォトカプラＰＨ２を駆動して、トランジスタＴｒ２にベース電流を流すと、トランジスタＴｒ２がＯＮする。すると、コンデンサＣ２の放電電流がソレノイド５に流れ、ソレノイド５の遮断の場合と逆の磁束により弁が復帰する。
【００１０】
図５は、上記駆動回路を適用した遮断弁の駆動電流と磁束密度との関係を示す図である。磁束密度は、図３に示すプランジャー６に働く磁束密度である。図５の下の波形が駆動電流を示し、上の波形が磁束密度を示す。プランジャー６とヨーク８間に働く力（吸引力）は、磁束密度に比例する。
【００１１】
特許文献１には、その請求項７にラッチング型のソレノイドを用いた電磁弁の電磁弁駆動回路に定電流回路を設けることについての記載がある。しかしながら、当該定電流回路は、電源端子への入力電流の上限を明確に設定し、蓄電手段への充電を短時間で終了させるためのものであり、遮断時にプランジャー６に働く磁束密度を略ゼロにするためのものではない。
【００１２】
【特許文献１】
特開２０００−０６５２３４号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
図４に示した駆動回路に遮断信号を印加すると、図５に示すように遮断電流の増加と共に、プランジャー６に働くマグネット４による磁束がソレノイド５の磁束により打ち消され、徐々に小さくなる。そして、ソレノイド５の磁束がマグネット４の磁束に勝ると向きが逆になる。プランジャー６とヨーク８との間の吸引力は、磁束の向きに関係なくその絶対値に比例する。したがって、プランジャー６に摺動抵抗などが働き、動きが鈍くなると、離れようとしたプランジャー６が再びヨーク８に吸引され遮断しないという現象が生じる。即ち、遮断信号に対する遅延が生じると遮断しない可能性がある。
【００１４】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、駆動回路から遮断弁までの距離に関係なく最適電流で駆動することができ、遮断弁の摺動抵抗が大きくなって始動が遅くなっても遮断動作を確実に行うことができる遮断弁駆動回路、及び遮断弁を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するために、請求項１記載の発明は、マグネット４の磁力により生じるプランジャー６とヨーク８間の吸引力と、前記プランジャー６に連結されるスプリング２による前記プランジャー６を前記ヨーク８から引き離す方向への復元力と、が均衡して前記プランジャー６が前記ヨーク８に吸着している状態で、前記マグネット４の磁束を打ち消す磁束を発生させるソレノイド５への通電により前記プランジャー６を移動させて該プランジャー６に連結される弁１を遮断する自己保持型の遮断弁を駆動する遮断弁駆動回路であって、前記弁１の遮断をする際、前記マグネット４の磁束を打ち消し、前記スプリング２による復元力により前記プランジャー６を移動させ前記弁１を遮断するに足る磁束を発生させる定電流を前記ソレノイド５に供給する定電流回路２０と、前記弁１の遮断を指示する遮断信号を受信すると、前記定電流回路２０に給電するスイッチング素子ＰＨ１、を有することを特徴としている。
【００１６】
したがって、請求項１記載の発明によれば、マグネット４の磁力により生じるプランジャー６とヨーク８間の吸引力と、プランジャー６に接続されるスプリング２によるプランジャー６をヨーク８から引き離す方向への復元力と、が均衡してプランジャー６がヨーク８に吸着しているいる状態で、マグネット４の磁束を打ち消す磁束を発生させるソレノイド５への通電によりプランジャー６を移動させてプランジャー６に接続される弁１を遮断復帰する自己保持型の遮断弁のソレノイド５に、定電流回路２０が、マグネット４の磁束を打ち消し、スプリング２による復元力によりプランジャー６を移動させ弁１を遮断するに足る磁束を発生させる定電流を供給して弁１を遮断することにより、マグネット４の磁束を打ち消す以上の逆向きの磁束が発生して、離れようとしたプランジャー６が再びヨーク８に吸引され遮断しないという事態を防止し、遮断動作を確実にすることができる。
【００１７】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記定電流回路２０は、前記スイッチング素子ＰＨ１がＯＮすることにより給電される電流がベース電流として入力され、該ベース電流を所定の増幅率で増幅したコレクタ電流を出力するトランジスタＴｒ１と、前記トランジスタＴｒ１から出力され、前記ソレノイド５に供給されるコレクタ電流の電圧を検出する検出抵抗Ｒａと、前記検出抵抗Ｒａにより検出された電圧を基準電圧Ｖｒｅｆと等しくするように、前記トランジスタＴｒ１のベース電流を制御するシャントレギュレータＩＣと、を有することを特徴としている。
【００１８】
したがって、請求項２記載の発明によれば、シャントレギュレータＩＣが、トランジスタＴｒ１のコレクタ電流の電圧を基に、トランジスタＴｒ１のベース電流を制御することにより、マグネット４の磁束を打ち消すに最適な電流を生成することができる。
【００１９】
請求項３記載の発明は、請求項２記載の発明において、前記トランジスタＴｒ１は、前記所定の増幅率をダーリントン接続により得ていることを特徴としている。
【００２０】
したがって、請求項３記載の発明によれば、ハイスペックなトランジスタを使用しなくとも、所望の増幅率を確保することができる。
【００２１】
請求項４記載の発明は、請求項２または３記載の発明において、前記定電流回路２０は、前記検出抵抗Ｒａと並列に接続される一つ以上のスイッチ付き検出抵抗Ｒｂ、Ｒｃをさらに有することを特徴としている。
【００２２】
したがって、請求項４記載の発明によれば、スイッチのＯＮ／ＯＦＦで検出抵抗Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ全体の抵抗値を変更することができることから、コレクタ電流（ソレノイド５の駆動電流）を任意に変更することができる。
【００２３】
請求項５記載の発明は、マグネット４の磁力により生じるプランジャー６とヨーク８間の吸引力と、前記プランジャー６に連結されるスプリング２による前記プランジャー６を前記ヨーク８から引き離す方向への復元力と、が均衡して前記プランジャー６が前記ヨーク８に吸着している状態で、前記マグネット４の磁束を打ち消す磁束を発生させるソレノイド５への通電により前記プランジャー６を移動させて該プランジャー６に連結される弁１を遮断する自己保持型の遮断弁であって、請求項１〜４のいずれか１項に記載の遮断弁駆動回路を有することを特徴としている。
【００２４】
したがって、請求項５記載の発明によれば、遮断弁駆動回路の定電流回路２０が、マグネット４の磁束を打ち消し、スプリング２による復元力によりプランジャー６を移動させ弁１を遮断するに足る磁束を発生させる定電流を供給して弁１を遮断することにより、マグネット４の磁束を打ち消す以上の逆向きの磁束が発生して、離れようとしたプランジャー６が再びヨーク８に吸引され遮断しないという事態を防止し、遮断動作を確実にすることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を添付図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、本発明の実施形態における遮断弁駆動回路を示す回路図である。当該駆動回路は、コンデンサＣ１、コンデンサＣ２、フォトカプラＰＨ１（受光側フォトトランジスタ）、フォトカプラＰＨ２（受光側フォトトランジスタ）、ダイオードＤ１、ダイオードＤ２、ソレノイド５、トランジスタＴｒ１、トランジスタＴｒ１−２、トランジスタＴｒ２、シャントレギュレータ（Ｓｈｕｎｔ  Ｒｅｇｕｌａｔｏｒ）ＩＣ、抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ２、抵抗Ｒａ、抵抗Ｒｂ、抵抗Ｒｃ、スイッチＳＷ１、及びスイッチＳＷ２を備える。
【００２６】
さらに、これらと電気的に絶縁されたＣＰＵ３０、フォトカプラＰＨ１（発光側ＬＥＤ）、及びフォトカプラＰＨ２（発光側ＬＥＤ）を備える。これらは、フォトカプラＰＨ１（受光側フォトトランジスタ）、フォトカプラＰＨ２（受光側フォトトランジスタ）のトリガ信号を発光するトリガ回路を構成する。
【００２７】
フォトカプラＰＨ１は、ソレノイド５から時計回りの磁気回路を発生させ、弁１を遮断させるための素子である。フォトカプラＰＨ２は、ソレノイド５から反時計回りの磁気回路を発生させ、弁１を復帰させるための素子である。ＣＰＵ３０は、図示しないセンサやスイッチからの入力信号を基に、弁１を遮断または復帰させるために、フォトカプラＰＨ１（発光側ＬＥＤ）、またはフォトカプラＰＨ２（発光側ＬＥＤ）への通電を制御する。
【００２８】
図１に示したトランジスタＴｒ１−２、シャントレギュレータＩＣ、抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ２、抵抗Ｒａ、抵抗Ｒｂ、及び抵抗Ｒｃにより定電流回路２０を構成している。抵抗Ｒｂ、抵抗Ｒｃは、夫々スイッチＳＷ１、スイッチＳＷ２と並列接続されており、スイッチＳＷ１及び／またはスイッチＳＷ２をＯＮ／ＯＦＦすることにより、電圧降下量を可変することができ、駆動電流を変更することができる。抵抗Ｒｂ、抵抗Ｒｃ、スイッチＳＷ１、及びスイッチＳＷ２は、任意の構成要素であり設けなくてもよい。また、その数も二つに限られるものではなく、一つまたは三つ以上でもよい。
【００２９】
コンデンサＣ１、コンデンサＣ２は、直流電源により充電される。直流電源は、交流電源からトランス、整流回路、平滑回路を介して得てもよいし、バッテリーから得てもよい。コンデンサＣ１の放電電流が遮断用電流であり、コンデンサＣ２の放電電流が復帰用電流である。
【００３０】
ダイオードＤ１及びＤ２は、それぞれトランジスタＴｒ１及びＴｒ２を保護するためのダイオードである。
【００３１】
トランジスタＴｒ２は、復帰時にコンデンサＣ２の放電電流をソレノイド５に供給する。ＣＰＵ３０が復帰を指示すると、フォトカプラＰＨ２がＯＮし、トランジスタＴｒ２にベース電流ＩＢ２が供給される。
【００３２】
コレクタ電流ＩＣ＝電流増幅率ｈＦＥ・ベース電流ＩＢ            ・・・・式１
【００３３】
そして、トランジスタＴｒ２には上記式１の関係が成り立つことから、上記ベース電流ＩＢ２のトランジスタＴｒ２の電流増幅率ｈＦＥ２倍の電流がコレクタ電流ＩＣ２、即ち復帰用ソレノイド駆動電流となる。
【００３４】
トランジスタＴｒ１は、遮断時にコンデンサＣ１の放電電流をソレノイド５に供給する。ＣＰＵ３０が遮断を指示すると、フォトカプラＰＨ１がＯＮし、抵抗Ｒ１を介してトランジスタＴｒ１−２にベース電流ＩＢ１−２が流れる。トランジスタＴｒ１−２にベース電流ＩＢ１−２が流れると、上記式１から当該ベース電流ＩＢ１−２のトランジスタＴｒ１−２の電流増幅率ｈＦＥ１−２倍の電流がトランジスタＴｒ１−２のコレクタ電流ＩＣ１−２となる。
【００３５】
トランジスタＴｒ１−２のコレクタ電流ＩＣ１−２は、トランジスタＴｒ１のベース電流ＩＢ１となる。トランジスタＴｒ１にベース電流ＩＢ１が流れると、上記式１から当該ベース電流ＩＢ１のトランジスタＴｒ１の電流増幅率ｈＦＥ１倍の電流がトランジスタＴｒ１のコレクタ電流ＩＣ１、即ち遮断用ソレノイド駆動電流となる。
【００３６】
遮断用ソレノイド駆動電流は、抵抗Ｒａを流れ、電圧に変換される。その電圧は、シャントレギュレータＩＣに入力され、シャントレギュレータＩＣは、抵抗Ｒａ両端の電圧が基準電圧Ｖｒｅｆに等しくなるように、カソードＫに引き込む電流を制御する。シャントレギュレータＩＣは、アノードＡ、カソードＫ、及びリファレンスＲの３端子を持つＩＣである。抵抗Ｒ２は、シャントレギュレータＩＣの保護抵抗である。
【００３７】
これにより、トランジスタＴｒ１−２のベース電流ＩＢ１−２が制御され、一定電流がソレノイド５に流れることになる。したがって、遮断弁駆動回路から遮断弁までの距離に関係なく、一定電流で駆動することができる。この関係を式に表すと、下記式２、式３のように表すことができる。
【００３８】
ＩＢ１−２×ｈＦＥ１−２×ｈＦＥ１×Ｒａ＝Ｖｒｅｆ                    ・・・・式２
遮断用ソレノイド駆動電流＝Ｖｒｅｆ／Ｒａ                    ・・・・式３
【００３９】
ここで、上述した抵抗Ｒｂ及び／または抵抗Ｒｃを設ければ、上記式２、３のＲａを変化させることができ、遮断用ソレノイド駆動電流を変更することができる。
【００４０】
図２は、本発明の実施形態における遮断弁駆動回路を適用した遮断弁の駆動電流と磁束密度との関係を示す図である。図２の下の波形が駆動電流を示し、上の波形が磁束密度を示す。プランジャー６に働く磁束密度は、プランジャー６とヨーク８間に働く力（吸引力）に比例する。図２に示す駆動電流において、遮断信号が印加された後に一定に保たれるところの一定電流は、上記磁束密度を略ゼロに保つに最適な値が設定される。したがって、従来のようにソレノイド５で発生する磁束によって、プランジャー６がヨーク８方向に逆に吸引されることがなくなる。
【００４１】
なお、上述した実施形態は、本発明の好適な実施形態の一例を示したものであり、本発明はそれに限定されることなく、その要旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。例えば上述の説明では、トランジスタＴｒ１とトランジスタＴｒ１−２とをダーリントン接続して、増幅率を増大している。この点、所望の増幅率が得られ、かつベース電流の制御がシャントレギュレータＩＣにより可能な範囲内において、トランジスタＴｒ１は、一つでもよく、または三以上のダーリントン接続でもよい。
【００４２】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項１記載の発明によれば、マグネットの起磁力により生じるプランジャーとヨーク間の吸引力と、プランジャーに連結されるスプリングによるプランジャーをヨークから引き離す方向への復元力と、が均衡してプランジャーとヨークとが吸着している状態で、マグネットの磁束を打ち消す磁束を発生させるソレノイドへの通電によりプランジャーを移動させてプランジャーに連結される弁を遮断する自己保持型の遮断弁のソレノイドに、定電流回路が、マグネットの磁束を打ち消し、スプリングによる復元力によりプランジャーを移動させ弁を遮断するに足る磁束を発生させる定電流を供給して弁を遮断することにより、マグネットの磁束を打ち消す以上の逆向きの磁束が発生して、離れようとしたプランジャーが再びヨークに吸引され遮断しないという事態を防止し、遮断動作を確実にすることができる。
【００４３】
請求項２記載の発明によれば、請求項１記載の発明の効果に加えて、シャントレギュレータＩＣが、トランジスタのコレクタ電流の電圧を基に、トランジスタのベース電流を制御することにより、マグネットの磁束を打ち消すに最適な電流を生成することができる。
【００４４】
請求項３記載の発明によれば、請求項２記載の発明の効果に加えて、ハイスペックなトランジスタを使用しなくとも、所望の増幅率を確保することができる。
【００４５】
請求項４記載の発明によれば、請求項２または３記載の発明の効果に加えて、スイッチのＯＮ／ＯＦＦで検出抵抗全体の抵抗値を変更することができることから、コレクタ電流（ソレノイドの駆動電流）を任意に変更することができる。
【００４６】
請求項５記載の発明によれば、遮断弁駆動回路の定電流回路が、マグネットの磁束を打ち消し、スプリングによる復元力によりプランジャーを移動させ弁を遮断するに足る磁束を発生させる定電流を供給して弁を遮断することにより、マグネットの磁束を打ち消す以上の逆向きの磁束が発生して、離れようとしたプランジャーが再びヨークに吸引され遮断しないという事態を防止し、遮断動作を確実にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態における遮断弁駆動回路を示す回路図である。
【図２】本発明の実施形態における遮断弁駆動回路を適用した遮断弁の駆動電流と磁束密度との関係を示す図である。
【図３】自己保持型遮断弁の断面図である。
【図４】従来技術における遮断弁駆動回路を示す回路図である。
【図５】従来技術における遮断弁駆動回路を適用した遮断弁の駆動電流と磁束密度との関係を示す図である。
【符号の説明】
１  弁
２  スプリング
３  フランジ
４  マグネット（永久磁石）
５  ソレノイド
６  プランジャー
７  ロッド
８  ヨーク
２０  定電流回路
３０  ＣＰＵ
【図１】
2004286100.tif 000003
【図２】
2004286100.tif 000004
【図３】
2004286100.tif 000005
【図４】
2004286100.tif 000006
【図５】
2004286100.tif 000007