(57)【要約】【課題】レーザ光をパターン欠陥の検査装置の光源として採用した場合の問題点を解決し、より高い分解能でパターンの欠陥を検査し、これにより高精細なマスクパターンの欠陥修復を行なえるパターン欠陥修復装置を提供する。【解決手段】レーザ光の位相を変化させ、このレーザ光の明るさ分布を均一化した状態で、このレーザ光をフォトマスク２に照射する照明光学系５と、前記レーザ光とこのフォトマスク２とを相対的に移動させながらこのフォトマスクの像を蓄積型センサ１７で検知すると共に、この蓄積型センサ１７から出力信号を前記移動に連動させて取り出し、前記マスクの画像を形成すると共に、このマスクの画像に基づいてマスクパターンの欠陥を検出する欠陥検出装置（中央演算装置２）とを有する。【選択図】　　　図１
2004110072.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　レーザ光の位相を連続的に変化させ、このレーザ光の明るさ分布を均一化した状態で、このレーザ光をフォトマスクに照射する照明工程と、
　前記レーザ光とこのフォトマスクとを相対的に移動させながらこのフォトマスクの像を蓄積型センサで検知すると共に、この蓄積型センサから出力信号を前記移動に連動させて取り出し、前記マスクの画像を形成する画像取得工程と、
　このマスクの画像に基づいてマスクパターンの欠陥を検出する欠陥検出工程と、
　このパターン欠陥検出結果に基づいてパターンの欠陥位置を特定し、マスクパターンの欠陥を修復する欠陥修復工程と
　を有することを特徴とするフォトマスク修復方法。
【請求項２】
　請求項１記載のフォトマスク修復方法において、
　前記蓄積型センサの信号蓄積時間は、前記照明工程でレーザ光の明るさ分布を均一化できる最小時間に応じて決定されている
　ことを特徴とするフォトマスク修復方法。
【請求項３】
　請求項１記載のフォトマスク修復方法において、
　前記照明工程に用いるレーザ光のレーザー光源は連続発振のレーザーであることを特徴とするフォトマスク修復方法。
【請求項４】
　請求項１記載のフォトマスク修復方法において、
　前記照明工程は、
　レーザ光の光軸をフォトマスクに対して連続的もしくは断続的に変化させることでレーザ光の干渉縞を変化させ、このレーザ光の明るさ分布を均一化する工程を含む
　ことを特徴とするフォトマスク修復方法。
【請求項５】
　請求項４記載のフォトマスク修復方法において、
　前記レーザ光の光軸をフォトマスクに対して変化させる周期は、前記蓄積型センサの信号蓄積時間に応じて決定されている
　ことを特徴とするフォトマスク修復方法。
【請求項６】
　請求項１記載のフォトマスク修復方法において、
　前記照明工程は、
　レーザ光を、場所により厚さの異なる透光性板を回転させがら透過させることで、レーザー光の位相を変化させ、このレーザ光の明るさ分布を均一化する工程を含む
　ことを特徴とするフォトマスク修復方法。
【請求項７】
　請求項６記載のフォトマスク修復方法において、
　前記透光性の回転数は、前記蓄積型センサの信号蓄積時間に応じて決定されている
　ことを特徴とするフォトマスク修復方法。
【請求項８】
　請求項６記載のフォトマスク修復方法にいて、
　前記照明工程は、
　前記レーザ光を、回転する複数の透光性板に順次透過させる工程を含む
　ことを特徴とするフォトマスク修復方法
【請求項９】
　請求項６記載のフォトマスク修復方法において、
　前記複数の透光性板の合計回転数は、前記蓄積型センサの信号蓄積時間に応じて決定されている
　ことを特徴とするフォトマスク修復方法。
【請求項１０】
　請求項１記載のフォトマスク修復方法において、
　前記照明工程は、
　このレ−ザ光束の一部の光束のみを迂回する第１の迂回工程と、
　上記第１の迂回工程の迂回方向とは異なる方向に、前記第１の迂回工程を経たレ−ザ光の一部の光束を迂回する第２の迂回工程とを有し、
上記レ−ザ光源の光束を分割することで、
　レーザー光の干渉縞を変化させ、このレーザ光の明るさ分布を均一化する
　ことを特徴とするフォトマスク修復方法。
【請求項１１】
　請求項１記載のフォトマスク修復方法において、
　前記照明工程は、
　前記第１の迂回工程は、レ−ザ光束の半分の光束のみを迂回させ、
　前記第２の迂回工程は、上記第１の迂回工程の迂回方向とは９０度異なる方向に、前記第１の迂回工程を経たレ−ザ光の半分の光束を迂回させ、上記レ−ザ光源の光束を互いに干渉性のない４つの光束に分割することで、レーザー光の干渉縞を変化させ、このレーザ光の明るさ分布を均一化する
　ことを特徴とするフォトマスク修復方法。
【請求項１２】
　請求項１０記載のフォトマスク修復方法において、
　上記第１の迂回工程及び第２の迂回工程の各迂回路と迂回しない光路との光路差を上記レ−ザ光源の可干渉距離以上とすることで、上記レ−ザ光源の光束を互いに干渉性のない４つの光束に分割する
　ことを特徴とするフォトマスクの修復方法。
【請求項１３】
　請求項１０記載のフォトマスク修復方法において、
　さらに、前記第２の迂回工程を経たレーザ光束のうち光束の中心を含んだ一部分の光束の偏向方向を９０度回転させる１／２λ板を有する
　ことを特徴とするフォトマスクの修復方法。
【請求項１４】
　請求項１２記載のフォトマスク修復方法において、
　前記１／２λ板の前方あるいは後方にくさび型プリズムを設けた
　ことを特徴とするフォトマスクの修復方法。
【請求項１５】
　レーザ光の位相を変化させ、このレーザ光の明るさ分布を均一化した状態で、このレーザ光をフォトマスクに照射する照明工程と、
　前記レーザ光とこのフォトマスクとを相対的に移動させながらこのフォトマスクの像を蓄積型センサで検知すると共に、この蓄積型センサから出力信号を前記移動に連動させて取り出し、前記マスクの画像を形成する画像取得工程と、
　このマスクの画像に基づいてマスクパターンの欠陥を検出する欠陥検出工程と
　を有することを特徴とするフォトマスク検査方法。
【請求項１６】
　請求項１５記載のフォトマスク検査方法において、
　前記蓄積型センサの信号蓄積時間は、前記照明工程でレーザ光の明るさ分布を均一化できる最小時間に応じて決定されている
　ことを特徴とするフォトマスク検査方法。
【請求項１７】
　請求項１５記載のフォトマスク検査方法において、
　前記照明工程に用いるレーザ光のレーザー光源は連続発振のレーザーであることを特徴とするフォトマスク検査方法。
【請求項１８】
　請求項１５記載のフォトマスク検査方法において、
　前記照明工程は、
　レーザ光の光軸をフォトマスクに対して連続的もしくは断続的に変化させることでレーザ光の干渉縞を変化させ、このレーザ光の明るさ分布を均一化する工程を含む
　ことを特徴とするフォトマスク検査方法。
【請求項１９】
　請求項１８記載のフォトマスク検査方法において、
　前記レーザ光の光軸をフォトマスクに対して変化させる周期は、前記蓄積型センサの信号蓄積時間に応じて決定されている
　ことを特徴とするフォトマスク検査方法。
【請求項２０】
　請求項１５記載のフォトマスク検査方法において、
　前記照明工程は、
　レーザ光を、場所により厚さの異なる透光性板を回転させがら透過させることで、レーザー光の位相を変化させ、このレーザ光の明るさ分布を均一化する工程を含む
　ことを特徴とするフォトマスク検査方法。
【請求項２１】
　請求項２０記載のフォトマスク検査方法において、
　前記透光性の回転数は、前記蓄積型センサの信号蓄積時間に応じて決定されている
　ことを特徴とするフォトマスク検査方法。
【請求項２２】
　請求項２０記載のフォトマスク検査方法にいて、
　前記照明工程は、
　前記レーザ光を、回転する複数の透光性板に順次透過させる工程を含む
　ことを特徴とするフォトマスク検査方法
【請求項２３】
　請求項２０記載のフォトマスク検査方法において、
　前記複数の透光性板の合計回転数は、前記蓄積型センサの信号蓄積時間に応じて決定されている
　ことを特徴とするフォトマスク検査方法。
【請求項２４】
　請求項１５記載のフォトマスク検査方法において、
　前記照明工程は、
　このレ−ザ光束の一部の光束のみを迂回する第１の迂回工程と、
　上記第１の迂回工程の迂回方向とは異なる方向に、前記第１の迂回工程を経たレ−ザ光の一部の光束を迂回する第２の迂回工程とを有し、
上記レ−ザ光源の光束を分割することで、
　レーザー光の干渉縞を変化させ、このレーザ光の明るさ分布を均一化する
　ことを特徴とするフォトマスク検査方法。
【請求項２５】
　請求項１５記載のフォトマスク検査方法において、
　前記照明工程は、
　前記第１の迂回工程は、レ−ザ光束の半分の光束のみを迂回させ、
　前記第２の迂回工程は、上記第１の迂回工程の迂回方向とは９０度異なる方向に、前記第１の迂回工程を経たレ−ザ光の半分の光束を迂回させ、上記レ−ザ光源の光束を互いに干渉性のない４つの光束に分割することで、レーザー光の干渉縞を変化させ、このレーザ光の明るさ分布を均一化する
　ことを特徴とするフォトマスク検査方法。
【請求項２６】
　請求項２４記載のフォトマスク検査方法において、
　上記第１の迂回工程及び第２の迂回工程の各迂回路と迂回しない光路との光路差を上記レ−ザ光源の可干渉距離以上とすることで、上記レ−ザ光源の光束を互いに干渉性のない４つの光束に分割する
　ことを特徴とするフォトマスクの修復方法。
【請求項２７】
　請求項２４記載のフォトマスク検査方法において、
　さらに、前記第２の迂回工程を経たレーザ光束のうち光束の中心を含んだ一部分の光束の偏向方向を９０度回転させる１／２λ板を有する
　ことを特徴とするフォトマスクの修復方法。
【請求項２８】
　請求項２６記載のフォトマスク検査方法において、
　前記１／２λ板の前方あるいは後方にくさび型プリズムを設けた
　ことを特徴とするフォトマスクの修復方法。
【請求項２９】
　請求項１５の検査方法を含む工程を経て製造されたフォトマスク。
【請求項３０】
　レーザ光の位相を変化させ、このレーザ光の明るさ分布を均一化した状態で、このレーザ光をフォトマスクに照射する照明光学系と、
　前記レーザ光とこのフォトマスクとを相対的に移動させながらこのフォトマスクの像をセンサで検知すると共に、この蓄積型センサから出力信号を前記移動に連動させて取り出し、前記マスクの画像を形成する画像取得部と、
　このマスクの画像に基づいてマスクパターンの欠陥を検出する欠陥検出装置と
　を有することを特徴とするフォトマスク検査装置。
【請求項３１】
　請求項３０記載のフォトマスク検査装置において、前記センサは、蓄積型（ＴＤＩ）センサであることを特徴とするフォトマスク検査方法。
【請求項３２】
　請求項３０記載のフォトマスク検査装置において、前記照明光学系は、回転位相変化板を有することを特徴とするフォトマスク検査装置。
【請求項３３】
　請求項３０記載のフォトマスク検査装置において、前記照明光学系は、フライアレイレンズを有することを特徴とするフォトマスク検査装置。
【請求項３４】
　請求項３０記載のフォトマスク検査装置において、前記照明光学系は、振動ミラーを有することを特徴とするフォトマスク検査装置。
【請求項３５】
　請求項３０記載のフォトマスク検査装置において、
前記照明光学系は、第１の光路と第２の光路とを有し、これら第１の光路と第２の光路は異なる長さを有する。
【請求項３６】
　フォトマスクにパターンを形成する工程と、
　レーザ光の位相を変化させ、このレーザ光の明るさ分布を均一化した状態で、このレーザ光をフォトマスクに照射する照明工程と、
　前記レーザ光とこのフォトマスクとを相対的に移動させながらこのフォトマスクの像を蓄積型センサで検知すると共に、この蓄積型センサから出力信号を前記移動に連動させて取り出し、前記マスクの画像を形成する画像取得工程と、
　このマスクの画像に基づいてマスクパターンの欠陥を検出する欠陥検出工程と、
　マスクパターンの欠陥が検出された場合、このパターン欠陥検出結果に基づいてパターンの欠陥位置を特定し、マスクパターンの欠陥を修復する欠陥修復工程と
　を有することを特徴とするフォトマスク検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、半導体装置の製造に用いるフォトマスクのマスクパターンを検査し、これに基づいてマスクパターンの欠陥を修復するフォトマスクの修復方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
　半導体製造工程に適用される検査装置として、フォトマスクのマスクパターン欠陥を検査する装置がある（例えば、特許文献１参照）。この装置は、フォトマスクを照明する照明光学系と、フォトマスクの像を検出して画像信号を出力するためのセンサと、出力された画像信号に基づいてマスクパターンを検査する検査装置を有している。
【０００３】
　前記照明光学系に用いられる光源としては、一般的に水銀ランプが使用されている。この水銀ランプによれば、可視光領域から紫外領域（３６５ｎｍ近辺）までの波長を有する光を用いてフォトマスクを照明することができる（例えば、非特許文献１参照）。
【特許文献１】米国特許第４５５９６０３号明細書
【非特許文献１】M. Tabata, et al.、“A new die-to-database mask inspection system with i-line optics for 256Mbit and 1Gbit DRAMs”、SPIE Vol.3096 、１９９７、p.415-422
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　ところで、近年、半導体装置の高性能化に伴い、フォトマスクのマスクパターンはますます微細化・高集積化している。これに伴い検査装置には高い分解能を発揮することが求められている。高分解能を実現するためには照明光の波長を短波長化する必要があるが、従来の水銀ランプでは短波長領域においては検査装置に使用できる照度が得られない。したがって、水銀ランプに代えて紫外線レーザ等のレーザ光源を用いる必要がある。
【０００５】
　しかしながら、レーザ光を欠陥検査装置の光源として用いると、レーザの可干渉性から一定の干渉縞（スペックル）が発生してしまうということがある。この干渉縞が生じると、センサから出力された検出画像に明るさの「むら」が現れるため、欠陥検査の際、この「むら」がパターン欠陥によるものなのかレーザの干渉縞によるものなのか判別できなくなってしまうという問題が発生する。
【０００６】
　したがって、この発明は、レーザ光をパターン欠陥の検査装置の光源として採用した場合の問題点を解決し、より高い分解能でパターンの欠陥を検査し、これにより高精細なマスクパターンの欠陥修復を行なえるパターン欠陥修復装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
　この発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、レーザ光の位相を変化させ、このレーザ光の明るさ分布を均一化した状態で、このレーザ光をフォトマスクに照射する照明工程と、前記レーザ光とこのフォトマスクとを相対的に移動させながらこのフォトマスクの像を積層型（ＴＤＩ）センサで検知すると共に、この積層型センサから出力信号を前記移動に連動させて取り出し、前記マスクの画像を形成する画像取得工程と、このマスクの画像に基づいてマスクパターンの欠陥を検出する欠陥検出工程とを含むフォトマスク修復方法、検査方法及びフォトマスク製造方法、若しくは、それらを実行する検査装置を提供する。
【０００８】
　このような構成によれば、レーザ光の可干渉性に影響されないフォトマスク像を得ることができ、これに基づいて高精度の検査を行なえる。そして、高精度な欠陥情報に基づいてフォトマスクの欠陥修復を行なうことができる。
【発明の効果】
【０００９】
　以上説明した構成によれば、レーザ光をパターン欠陥の検査装置の光源として採用した場合の問題点を解決し、より高い分解能でパターンの欠陥を検査し、これにより高精細なマスクパターンの欠陥修復を行なえる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
　以下、この発明の一実施形態を図面を参照して説明する
（第１の実施形態）
　図１はマスクパターン検査装置及びこのマスクパターン検査装置の検査結果に基づいてマスクを修復するマスク修復装置２０を示したものである。
【００１１】
　図１中符号１で示すのはＸＹテーブルである。このＸＹテーブル１は、検査・修復対象であるフォトマスク２を保持し、これを任意のＸＹ方向に駆動するもので、ＸＹテーブル駆動ドライバ３を介して中央制御部４に接続されている。
【００１２】
　また、この検査装置はこのＸＹテーブル１に保持されたフォトマスク２を照明する照明光学系５を有する。この照明光学系５は、レーザー光を発振するレーザ光源としてのＡｒレーザ６と、レーザ光の干渉縞を変化させレーザ光の明るさ分布を均一化するレーザ光均一化光学系７と、この均一化光学系７を通過したレーザー光を前記フォトマスク２上にスポット状に照射する対物レンズ８とからなる。
【００１３】
　前記均一化光学系７は、蝿の目レンズ１０（フライアレイレンズ）と、回転位相板１１と、振動ミラー１２とからなる。
【００１４】
　まず、蝿の目レンズ１０は、複数のレンズ１０ａがアレイ状に並べられて集積化されてなる構造を有するものである。この蝿の目レンズ１０によれば、複数の２次光源像を形成することができ、これらの瞳像がフォトマスク２上で重なり合うため、レーザ６の強度分布を均一化することができる。
【００１５】
　また、図２（ａ）は前記回転位相板１１を示す正面図である。この回転位相板１１は、任意の一部分を図２（ｂ）、（ｃ）に拡大して示すように、表面に深さの異なる多数の段差１１ａ〜１１ｄがランダムに設けられてなる透光性の円盤である。このような回転位相板１１によれば、場所により厚さが異なることから、この回転位相板１１を回転させつつレーザ光を透過させることでこのレーザ光の位相を各段差１１ａ〜１１ｄの深さに応じて変化させることができる。各段差１１ａ〜１１ｄは、レーザ光の位相をそれぞれ０、１／４λ、１／２λ及び３／４λ…だけずらすことのできる厚さに形成されている。
【００１６】
　この回転位相板１１は、図１に示す回転駆動モータ１３によって回転駆動されるようになっており、このモータ１３は図示しないモータドライバを介して前記中央制御部４に接続されている。この中央制御部４は、前記回転位相板１１を例えば１０，０００ｒｐｍで回転させるように前記モータ１３を制御する。
【００１７】
　このようにレーザ光の位相をランダムに変化させることにより、レーザ光の干渉縞を変化させることができ、さらにこれを高速で行なうことで、レーザ光の明るさを均一化することができる。
【００１８】
　一方、前記振動ミラー１２はピエゾ素子等の機械的駆動部１５により例えば１００ＨＺの振動数で揺動振動されるように構成されており、このミラー１２で反射するレーザ光の光軸を周期的にずらす機能を有する。
【００１９】
　このようにレーザ光の光軸をずらすことで、次に図３（ａ）、（ｂ）及び図４（ａ）〜（ｄ）を参照して説明するようにレーザ光の干渉縞を変化させることができる。すなわち、図３（ａ）は前記レーザ光源６から発振されたレーザ光の明るさ分布（干渉縞）を示す平面図であり、図３（ｂ）は断面III−IIIでの明るさ分布を示す波形である。
【００２０】
　前記振動ミラー１２を振動させることで、図３（ｂ）に示した明るさ分布波形を図４（ａ）〜（ｄ）に示すように横方向にずらすことができ、このずれ幅が１波長（図に示すλ）以上となる振幅で前記振動ミラー１２を高速で振動させることで図４（ｅ）に示すようにレーザ光の明るさを均一化することができる。なお、この振動ミラー１２の振幅及び振動数は前記中央制御部４によって決定され、制御されるようになっている。
【００２１】
　以上より、この振動ミラー１２を通過したレーザ光は明るさが均一化された状態で対物レンズ８を通してフォトマスク２上に照射されることになる。
【００２２】
　また、この装置は、フォトマスク２の像を検出するためのセンサとして、図１に示す蓄積型（ＴＤＩ）センサ１７を用いる。この蓄積型センサ１７は、１ライン１０４８画素、計６４ラインの光電変換素子からなるものである。そして、この蓄積型センサ１７は、図に１８で示すセンサ回路により制御されるようになっている。すなわち、この蓄積型センサ１７は前記フォトマスク２（ＸＹテーブル１）の移動スピードに同期させて、１ラインからの光強度出力信号を隣のラインからの光強度出力信号に順次足しあわせながら蓄積し、６４ライン分の強度信号が蓄積されたならばこれを出力する特殊な機能を有するものである。
【００２３】
　ここで、蓄積型センサ１７の信号蓄積にかかる時間（信号蓄積時間）は、フォトマスク２の同一箇所を第１ライン〜第６４ラインの全てで検出するのにかかる時間に等しい。そして、この信号蓄積時間は、前記均一化光学系７によりレーザ光の明るさを均一化できる最小の時間に設定することが好ましい。
【００２４】
　この実施形態では、例えば図４（ａ）〜（ｄ）で示す工程で前記干渉縞に対応する光の波形を波長λだけずらすことのできる時間と前記信号蓄積時間とを一致させればレーザ光の可干渉性に影響されない均一な検出信号を得ることができる。
【００２５】
　なお、これとは逆に、蓄積型センサ１７の信号蓄積時間に合わせて、前記回転位相板１１の回転数、振動ミラー１２の振動数を決定するようにしても良い。
【００２６】
　すなわち、蓄積型センサ１７の信号蓄積時間が短い場合には、この短い時間内でレーザ光の明るさを均一化する必要がある。したがって、前記回転位相板１１の回転数や振動ミラー１２の振動数を大きくすることが必要となる。
【００２７】
　この実施形態では、前述したように、回転位相板１１の回転数を１０，０００ｒｐｍ、振動ミラー１２の振動数を１００Ｈｚとし、蓄積型センサの１ラインのスキャン時間を３０μｓｅｃとして信号蓄積時間を３０μｓｅｃ＊６４＝１．９２ｍｓｅｃとすることで、均一な検出信号を得ることができた。
【００２８】
　このように、均一化光学系７と蓄積型センサ１７とを用いて、フォトマスク２を照明しその像を検出するようにすることで、レーザ光の可干渉性に影響されないフォトマスク像を検出することができる。したがって、このフォトマスク２のマスクパターンを高分解能で検出すること可能になる。
【００２９】
　このようにして検出されたマスクパターン像は、前記中央制御部４によりマスクパターンの検査に用いられ、その検査結果はマスク修復装置２０に送られてマスクパターンの修復に利用される。
【００３０】
　以下、この検査及び修復工程を図５に示すフローチャートを用いて説明する。
【００３１】
　まず、欠陥検査では、パターンが設計した位置に形成されているか、形成されたパターンに欠陥がないか検査する必要がある。ここで、パターンの欠陥には、パターンの一部が欠落している場合（欠落欠陥）、不要な部分が除去されずに残っている場合（残り欠陥）の他、異物が付着している場合（異物付着）も含まれる。
【００３２】
　ステップＳ１でマスクパターン像の検出が終了したならば、前記中央制御部４は、この検出結果に基づいて欠陥が生じている位置及び欠陥の種類を特定する（ステップＳ２）。
【００３３】
　ここで、パターン欠陥検査方式としては、実パターン比較方式と設計パターン比較方式を適宜選択して採用することができる。実パターン比較方式は、隣り合った同一パターンを比較して検査する方法である。設計パターン比較方式は、パターンの設計データと測定データとを比べて検査する方法である。
【００３４】
　この実施形態では、設計パターン比較方式によるものとして、図１に設計データ展開装置２１を示した。すなわち、この方式では、前記蓄積型センサ１７から得られたマスクパターン像と前記設計データ展開装置２１により展開された設計パターン像（ＣＡＤデータ）との位置合わせを行い、それらの比較を行うことで欠陥位置及び欠陥種類の特定を行なうようにする。
【００３５】
　なお、ステップＳ２において欠陥が生じていないと判断された場合には、検査処理は終了する（ＥＮＤ）。また、欠陥が隣接する複数のパターンに跨っている場合等、修正不可能な欠陥である場合（ステップＳ３）には、そのマスクパターン膜を除去して再度パターンニングを実行するようにする（ステップＳ４）。
【００３６】
　前記ステップＳ２で欠陥位置及び欠陥種類が特定されたならば、前記中央制御部４は、その欠陥情報を当該フォトマスク２と共にフォトマスク修復装置２０に受け渡す。
【００３７】
　フォトマスク修復装置２０では、欠陥の種類に応じて適宜の修復方法を実行する。すなわち、欠陥が欠落欠陥であると判断された場合（ステップＳ５）には、検出された欠落位置の情報に基づいてパターンを付加して正常なパターン形状に修正する（ステップＳ６）。欠陥が残り欠陥の場合（ステップＳ７）には、検出された残り位置の情報に基づいて電子ビーム等で不要なパターンを除去して正常なパターン形状に修復する（ステップＳ８）。
【００３８】
　また、欠陥が異物付着の場合（ステップＳ９）には、フォトマスク２を洗浄工程に移送することで異物を除去する（ステップＳ１０）。
【００３９】
　以上の工程が実行されたならば、このフォトマスク修復装置２０は当該フォトマスク２を欠陥位置情報と共に前記フォトマスク検査装置（図１）に受け渡す。
【００４０】
　前記中央制御部４は、前記欠陥位置情報に基づいてフォトマスク２の欠陥修復部の像のみを検出し、この像に基づいてステップＳ２の検査を再度行う。そして、必要な場合には当該フォトマスク２を再度修復装置２０に受け渡してステップＳ４〜Ｓ１０の修復工程を実行させる。
【００４１】
　このような構成によれば、レーザ光の可干渉性に影響されないフォトマスク像を得ることができ、これに基づいて高精度の検査を行なえる。そして、高精度な欠陥情報に基づいてフォトマスク２の欠陥修復を行なうことができる。
【００４２】
　なお、この第１の実施形態では、均一化光学系７として振動ミラー１２を有するものを挙げたが、この振動ミラー１２を設けなくても一定の効果を得ることができる。
【００４３】
　図６は、この例による実施形態を示したものである。この例でも、前記蓄積型センサ１７の蓄積時間は、前記回転位相板の回転により前記レーザ光の明るさを均一化できる時間に応じて決定するようにすれば良い。
【００４４】
　また、これとは逆に蓄積型センサの蓄積時間に応じて回転位相板の回転数を定めるようにしても良い。
【００４５】
（第２の実施形態）
　次に、この発明の第２の実施形態を図７を参照して説明する。この実施形態は、図１に示した装置の均一化光学系７の他の実施形態を示すものである。したがって、その他の部分は図示を省略すると共に、第１の実施例形態と同様の構成要件については同一符号を付してその説明は省略する。
【００４６】
　この実施形態の均一化光学系７’は、蝿の目レンズ１０と、この蝿の目レンズ１０の２次光源面に配設した第１の回転位相板１１’と、リレー光学系２２と、このリレー光学系２２を挟んで前記第１の回転位相板１１’と共役な位置に配設された第２の回転位相板１１”とを有する。
【００４７】
　なお、第１、第２の回転位相板１１’、１１”としては、第１の実施形態と同様のものを用いるようにすれば良い。また、前記リレー光学系２２により光源像が反転するので、第１、第２の回転位相板１１’、１１”の回転方向を逆にする。
【００４８】
　このような構成によっても、レーザ光を前記蝿の目レンズ１０を通し光源の強度分布を均一化した後、第１、第２の回転位相板１１’、１１”を通すので、前記第１の実施形態と同様に干渉縞を変化させレーザ光の明るさを均一化することができる。
【００４９】
　そして、この場合、第１、第２の回転位相板１１’、１１”の回転数の合計を第１の実施形態の回転位相板１１の回転数とすれば良いので、個々の回転位相板１１’、１１”の回転数を小さくすることができ、装置の負担が軽くなる。
【００５０】
　なお、この実施形態で重要なことは、第１、第２の回転位相板１１’、１１”の回転数の差が装置の固有振動数に一致しないようにすることである。回転数の差が固有振動数に一致する場合には、共振が発生してしまい均一化効果が不十分になる可能性があるばかりでなく最悪の場合装置が破損する恐れがあるからである。
【００５１】
（第３の実施形態）
　次に、この発明の第３の実施形態を図８以下を参照して説明する。
【００５２】
　この実施形態は、第１の実施形態の均一化光学系の更なる別の例に関するものである。従って、その他の構成要素についてはその図示を省略する。
【００５３】
　まず、前記レ−ザ光源６から光束の直径が２Ｌの直線偏向のレ−ザ光が出力されているとする。
【００５４】
　このレ−ザ光は第１の光束分割ユニット３１に入射される。この光束分割ユニット３１は図９に示すようにレ−ザ光を上下２つに分割し、レ−ザ光の上半分の光束をそのまま通過させ、下半分の光束に対して４５度傾けて設置されている下半分の光束をミラ−３１ａ、３１ｂ，３１ｃ，３１ｄで反射して迂回させるようにしている。そして、この迂回した光路は迂回しない光路に対してレ−ザの可干渉距離以上に光路長が長くなるように設定されている。そして、ミラ−３１ｄ以降において、光束の上半分と下半分とが合流する。
【００５５】
　このような光束分割ユニット３１によれば、ミラ−３１ｄの下流位置Ａ（図８）において、レ−ザ光の光束が図１１に示すように上下ａ１，ａ２の２つに分割される。
【００５６】
　そして、光束分割ユニット３１の下流には、第２の光束分割ユニット３２が設けられている。この光束分割ユニット３２は、図１０に示すように、入射される光束を左右２つに分割し、レ−ザ光の左半分をそのまま通過させ、右半分の光束に対して、右半分の光束に対して４５度傾けて設置されているミラ−３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄで反射させて迂回させるようにしている。そして、この迂回した光路は迂回しない光路に対してレ−ザの可干渉距離以上に光路長が長くなるように設定されている。
【００５７】
　このように第１、第２の光束分割ユニット３０、３１と通過したレーザ光束は、図１に示すミラ−３２ｄの下流位置Ｂにおいて、図１２に示すように上下左右に互いに干渉しない４つの領域ｂ１〜ｂ４に分割される。
【００５８】
　そして、光束分割ユニット３２の下流には、反射ミラ−３３が設置されている。この反射ミラ−３３によりレ−ザ光の光束が９０度曲げられる。
【００５９】
　そして、反射ミラ−３３で反射されたレ−ザ光は、そのレ−ザ光の一部分の偏向方向を９０度回転させる１／２λ板３４に入射される。
【００６０】
　つまり、この１／２λ板３４を通過したレ−ザ光の偏向方向は図１３に示すようになる。
【００６１】
　１／２λ板３４の下流側には、レ−ザ光の干渉をなくすための蠅の目レンズ３５が設けられている。
【００６２】
　この蠅の目レンズ３５の下流には、回転位相板３６が設けられている。この回転位相板３６は図示しないモ−タにより回転制御される。この回転位相板３６は、第１の実施形態と同様の構成を有するものであり、レ−ザ光の干渉縞を変化させる機能を有する。
【００６３】
　さらに、この回転位相板３６を通過したレ−ザ光は、反射ミラ−３７により９０度だけその光路が曲げられる。
【００６４】
　そして、この反射ミラ−３７で反射されたレーザ光は、コンデンサレンズ３８で凝縮されて対物レンズ３９に集光される。そして、この対物レンズ１９によりマスクパタ−ン４０上にスポット４１が集光される。
【００６５】
　このような構成によれば、レーザ光束の一部を迂回させて光路長を異ならせたり回転させたりすることでレーザ光の可干渉性を低減させることができ、また、これを回転位相板に通すことで、明るさを均一化することができる。従って、第１の実施形態と略同様の効果をえることが可能となる。
【００６６】
　また、このような構成によれば、わずか８つのミラ−でレ−ザ光を４つの互いに干渉しない光束に分割することができるため、構成及び光伝送効率も向上する。
【００６７】
　なお、図８に示した１／２λ板３４の前方に図１４に示すようなくさび型プリズム４２を設けることにより、一層スペックルを低減させることができる。
【００６８】
　なお、このくさび型プリズム４２は１／２λ板３４の前方ではなく後方に設けても良い。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】この発明の第１の実施形態を示す概略構成図。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、この発明の第１の実施形態を説明するための図で、回転位相板を示す概略構成図。
【図３】（ａ）、（ｂ）は、この発明の第１の実施形態を説明するための図で、レーザ光の可干渉性により生じる試料上での干渉縞を示した平面図及び明るさ分布を示す波形図。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、この発明の第１の実施形態を説明するための図で、光軸をずらすことにより明るさを均一化する工程を示す波形図。
【図５】この発明の第１の実施形態を説明するための図で、マスク検査及びマスク修復工程を説明するためのフローチャート。
【図６】この発明の第１の実施形態の変形例を示す概略構成図。
【図７】この発明の第２の実施形態を示す概略構成図。
【図８】この発明の第３の実施形態を示す概略構成図。
【図９】この発明の第３の実施形態を説明するための図で、第１の光束分割ユニットを示す概略構成図。
【図１０】この発明の第３の実施形態を説明するための図で、第２の光束分割ユニットを示す概略構成図。
【図１１】この発明の第３の実施形態を説明するための図で、第１の光束分割ユニットを通過した後のレーザ光の偏向方向を説明するための説明図。
【図１２】この発明の第３の実施形態を説明するための図で、第２の光束分割ユニットを通過した後のレーザ光の偏向方向を説明するための説明図。
【図１３】この発明の第３の実施形態を説明するための図で、光束の一部が回転させれた状態のレーザ光の偏向方向を説明するための説明図。
【図１４】第３の実施形態の変形例を示す概略構成図。
【符号の説明】
【００７０】
　１…ＸＹテーブル、２…フォトマスク、３…ＸＹテーブル駆動ドライバ、４…中央制御部、５…照明光学系、６…レーザ光源、７…均一化光学系、８…対物レンズ、１０…蝿の目レンズ、１１…回転位相板、１２…振動ミラー、１３…回転駆動モータ、１５…機械的駆動部、１７…蓄積型センサ、１９…対物レンズ、２０…マスク修復装置、２１…設計データ展開装置、２２…リレー光学系。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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