(57)【要約】【目的】蛍光体層の密着不良による剥がれを防止する。【構成】シンチレーターパネル１１０が支持基板１１１と、支持基板上に形成された反射層１１４及び下地層１１５と、下地層上に接して形成された蛍光体層１１２とを備え、下地層の表面エネルギーが３５ｄｙｎ〜４５ｄｙｎである。シンチレーターパネル１１０と、複数の光電変換素子が２次元状に配されたセンサーパネル１００とを貼り合わせて放射線検出装置とする。複数の光電変換素子が２次元状に配されたセンサーパネルと、センサーパネル上に配された下地層、下地層上に接して形成された蛍光体層とを備え、下地層の表面エネルギーが３５ｄｙｎ〜４５ｄｙｎである。【選択図】            図３
2004271344.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２次元に配置された光電変換素子と外周部に電極パッド部を備えたセンサーパネルと、該光電変換素子を被覆して成るよう該センサーパネル上に配された蛍光体下地層と、該下地層上に接して形成された蛍光体層と、該蛍光体層を覆うように設けられた第１の耐湿保護層と、該耐湿保護層上に反射層を備えている放射線検出装置において、該耐湿保護層の蛍光体層外周領域の膜厚が蛍光体上部領域よりも薄ことを特徴とする放射線検出に用いられるシンチレーターパネルにおいて、
支持基板と、該支持基板上に配された下地層と、該下地層上に接して形成された蛍光体層とを備え、前記下地層の表面エネルギーが３５ｄｙｎ〜４５ｄｙｎであることを特徴とするシンチレーターパネル。
【請求項２】
前記支持基板と前記下地層との間に前記蛍光体層からの光を反射する反射層を設けたことを特徴とする請求項１記載のシンチレーターパネル。
【請求項３】
２次元に配置された光電変換素子と外周部に電極パッド部を備えたセンサーパネルと、該光電変換素子を被覆して成るよう該センサーパネル上に配された蛍光体下地層と、該下地層上に接して形成された蛍光体層と、該蛍光体層を覆うように設けられた第１の耐湿保護層と、該耐湿保護層上に反射層を備えている放射線検出装置において、
前記反射層が第１の耐湿保護層よりも広い領域に形成されていることを特徴とする放射線検出装置。
【請求項４】
２次元に配置された光電変換素子と外周部に電極パッド部を備えたセンサーパネルと、該光電変換素子を被覆して成るよう該センサーパネル上に配された蛍光体下地層と、該下地層上に接して形成された蛍光体層と、該蛍光体層を覆うように設けられた第１の耐湿保護層と、該耐湿保護層上に反射層を備え、更に反射層を覆うように設けられた第２の耐湿保護層を備えている放射線検出装置において、
前記第２の保護層が反射層よりも広い領域に形成され、複数の光電変換素子が２次元状に配されたセンサーパネルと、該センサーパネル上に配された下地層と、該下地層上に接して形成された蛍光体層とを備え、前記下地層の表面エネルギーが３５ｄｙｎ〜４５ｄｙｎであることを特徴とする放射線検出装置。
【請求項５】
請求項１記載のシンチレーターパネルと、複数の光電変換素子が２次元状に配されたセンサーパネルとを貼り合わされて成ることを特徴とする放射線検出装置。
【請求項６】
前記シンチレーターパネルの蛍光体層と前記センサーパネルの前記複数の光電変換素子とが内側に位置するように、前記シンチレーターパネルと前記センサーパネルとが貼り合わされていることを特徴とする請求項４記載の放射線検出装置。
【請求項７】
前記第１の耐湿保護層の膜厚が下地層が少なくとも蛍光体外周領域において０．１〜３ミクロン高耐熱樹脂及びその前駆体を含む樹脂層から成ることを特徴とする請求項２〜５の何れかに記載の放射線検出装置。
【請求項８】
前記第２の保護層が該センサーパネル外周部の電極パッド部にタブ端子を接着後に形成され、タブ端子部の封止を兼ねる蛍光体層が蒸着法によって前記下地層上に形成されることを特徴とする請求項２〜６の何れかに記載の放射線検出装置。
【請求項９】
前記下地層がポリイミド樹脂及びその前駆体を含む樹脂層から成ることを特徴とする請求項６記載の放射線検出装置。
【請求項１０】
前記蛍光体層がアルカリハライド：付活剤の蒸着によって前記下地層上に形成されることを特徴とする請求項７記載の放射線検出装置。
【請求項１１】
請求項２〜９の何れかに記載の放射線検出装置と、前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、前記放射線を発生させるための放射線源と、を具備することを特徴とする放射線撮像システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、医療診断機器、非破壊検査機器等に用いられるシンチレーターパネル、放射線検出装置及び放射線撮像システムに関し、特にＸ線撮影等に用いられるシンチレーターパネル、放射線検出装置及び放射線撮像システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、Ｘ線蛍光体層が内部に備えられた蛍光スクリーンと両面塗布剤とを有するＸ線フィルムシステムが一般的にＸ線写真撮影に使用されてきた。しかし、最近、Ｘ線蛍光体層と２次元光検出器とを有するデジタル放射線検出装置の画像特性が良好であること、又、データーがデジタルデーターであるため、ネットワーク化したコンピュータシステムに取り込むことによってデーターの共有化が図られる利点があることから、デジタル放射線検出装置について盛んに研究開発が行われ、種々の特許出願もされている。
【０００３】
これらデジタル放射線検出装置の中でも、高感度で高鮮鋭な装置として、特開平２０００−２８４０５３、特許第３１２６７１５号公報に開示されているように、複数のフォトセンサー及びＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の電気素子が２次元に配置されている光電変換素子部から成る光検出器上に、放射線を透過する支持基板上に反射層と保護層を設け、更に保護層上に放射線を光電変換素子で検出可能な光に変換するための蛍光体層を形成して成る放射線検出用シンチレーターパネルと、複数のフォトセンサー及びＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の電気素子が配置されている光電変換素子部から成る２次元光検出器とを貼り合わせて一体化した放射線検出装置が知られている。
【０００４】
図３は従来のこの放射線検出装置を示す断面図である。
【０００５】
図３は前述の放射線検出用シンチレーターパネルを、複数のフォトセンサー及びＴＦＴ等の電気素子が配置されている光電変換素子部から成る２次元検出器（センサーパネル）と貼り合わされて成る放射線検出装置の断面図である。
【０００６】
図３において、１０１はガラス基板、１０２はアモルファスシリコンを用いたフォトセンサーとＴＦＴから成る光電変換素子部、１０３は配線部、１０４は電極取り出し部、１０５は窒化シリコン等より成る第１の保護層、１１１は樹脂膜等より成る第２の保護層である。
【０００７】
又、１１２はアルカリハライドより成る柱状結晶化した蛍光体層、１１３，１１５は有機樹脂より成る耐湿保護層、１１４は反射層である。更に、１１６は耐湿保護層を形成する前にセンサーパネル上に蛍光体外周に形成される樹脂枠、１１７は、耐湿保護膜端部１１３，１１５を封止し、外界の水分の進入を防止し、耐久性を向上させるものである。これら全体で放射線検出装置を構成するものである。
【０００８】
前記公報で開示されている放射線検出装置のシンチレーターパネルは、支持基板上の反射層に保護層が設けられ、その上に柱状の蛍光体より成る蛍光体層が形成される。更に、その全体を覆うように有機膜による耐湿保護層が形成されて全体としてシンチレーターパネルが構成されているが、これらの保護層は何れも反射層の変質等により反射層の反射機能が減衰するのを防止することを目的とする。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来例においては、蛍光体層の外周に沿って形成された樹脂枠１１６がセンサーパネル上に凸状に形成され、耐湿保護層１１３，１１５及び反射層１１４を形成した後に樹脂枠に沿って保護層をカッティングし、これら保護層の端部を覆うように更に封止樹脂を形成している。樹脂枠１１３は、保護層カッティングの際に、カッティング冶具によってセンサーパネルを傷つけることのないように形成するものであるから、カッティング刃の進入深さ以上の厚みが必要であり、少なくとも１ｍｍ以上厚さが必要である。
【００１０】
又、封止樹脂１１７は樹脂枠１１６上に形成されるものであって、余りに低粘度な材料では、樹脂枠１１６の上から垂れる恐れがあるため、高粘度な樹脂で形成されなければならない。従って、形成される封止樹脂は厚み０．５ｍｍ以上で形成されている放射線検出用シンチレーターパネルに用いられる支持基板、反射層、保護層、絶縁耐熱層に用いられている材料の熱膨張係数は、アモルファスカーボンやガラスでは（１〜１０×１０−６）／℃、Ａｌ等の金属では（１５〜２５×１０−６）／℃、一般的な樹脂ではおよそ（１〜５×１０−５）／℃であり、各層が熱履歴により生じる変位差は大きい。
【００１１】
一方、センサーパネルに形成される蛍光体は、通常およそ数百ミクロンの厚さである。これに耐湿保護層や反射層を積層しても１ｍｍを超えることはない。
【００１２】
しかしながら、支持基板上に柱状より成る蛍光体による蛍光体層を形成する際には例えば２００℃〜２５０℃等の一定範囲の温度で加熱される。従って、上記放射線検出用シンチレーターパネルにおいては製造工程中、又、長期耐久性試験による加速試験において以下のような問題が発生する場合があった。そのため、センサーパネル上に形成された樹脂枠及び封止樹脂はパネル上から突出した状況で形成されることになり、
１．センサーパネルの薄層化の妨げになる。
【００１３】
２．ハンドリング中に樹脂突出部に誤って当たった際に、突出部が剥がれるトラブルがあった。
【００１４】
３．工程が煩雑で低コスト化が図れない。
【００１５】
４．工程の熱履歴により構成層を積層した支持基板に反りが発生した場合に、蛍光体層と下地層間の密着力不足により蛍光体層が下地層との間で破壊したり剥がれたりする場合があった。
【００１６】
５．工程の熱履歴により構成層を積層した支持基板に反りが発生し、蛍光体層が反りのある支持基板上に形成され放射線検出用シンチレーターパネルが形成される等の問題があった。
【００１７】
蛍光体層を２次元光検出器に貼り合わせる場合には、シンチレーターパネルは反りが強制された状態で光検出器と貼り合わされてしまう。このため、シンチレーターパネルと光検出器を貼り合わせた後にシンチレーターパネル内部に応力が加わり、応力の弱い層が内部応力によって破損する。従来は、蛍光体層が下地層との間や下地層と接する保護層との間で、破壊したり剥がれたりすることがあった。
【００１８】
６．加速耐久試験において、各構成層が熱により変位を生じるが、この変位によって各層に応力が加わり、応力の弱い層が内部応力によって破損する。従来は、蛍光体層が下地層との間下地層と接する保護層との間で破壊したり剥がれたりすることがあった。
【００１９】
本発明の目的は、安定した保護層形成方法を提供して、低コスト蛍光体層の密着不良による剥がれを防止し、且つ、蒸着によって均一で精度の高い柱状蛍光体の層を形成し、均一な光変換効率が得られる高感度で高鮮鋭なシンチレーターパネル、放射線検出装置及び放射線撮像システムを提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明の放射線検出装置のシンチレーターパネルは、放射線検出に用いられるシンチレーターパネルにおいては、２次元に配置された光電変換素子を備えたセンサーパネルと、該光電変換素子を被覆して成るよう該センサーパネル上に配された蛍光体下地層と、該下地層上に接して形成された蛍光体層とを該シンチレーターパネルが支持基板と、該支持基板上に配された下地層と、該下地層上に接して形成された蛍光体層とを備え該蛍光体層を覆うように耐湿保護膜及び反射層が形成されている放射線検出装置において、該蛍光体前記下地層を覆う耐湿保護層が、蛍光体層を覆う領域よりその外周部領域の膜厚が薄く、表面エネルギーが３５ｄｙｎ〜４５ｄｙｎであることを特徴とするものである。
【００２１】
２次元に配置された光電変換素子と外周部に電極パッド部を備えたセンサーパネルと、該光電変換素子を被覆して成るよう該センサーパネル上に配された蛍光体下地層と、該下地層上に接して形成された蛍光体層と、該蛍光体層を覆うように設けられた第１の耐湿保護層と、該耐湿保護層上に反射層を備えている放射線検出装置において、該反射層が第１の耐湿保護層よりも広い領域に形成されていることを特徴とするものである。
【００２２】
２次元に配置された光電変換素子と外周部に電極パッド部を備えたセンサーパネルと、該光電変換素子を被覆して成るよう該センサーパネル上に配された蛍光体下地層と、該下地層上に接して形成された蛍光体層と、該蛍光体層を覆うように設けられた第１の耐湿保護層と、該耐湿保護層上に反射層を備え、更に反射層を覆うように設けられた第２の耐湿保護層を備えている放射線検出装置において、該第２の保護層が反射層よりも広い領域に形成されていることを特徴とするものである。
【００２３】
斯かる放射線検出装置においては、前記第１の耐湿保護層の膜厚が少なくとも蛍光体外周領域において０．１〜３ミクロンであることを特徴とするものである。
【００２４】
前記第２の保護層が該センサーパネル外周部の電極パッド部にタブ端子を接着後に形成され、タブ端子部の封止を兼ねることを特徴とするものである。
【００２５】
斯かるシンチレーターパネルにおいては、前記支持基板と前記下地層との間に前記蛍光体層からの光を反射する反射層を設けることが好ましい。
【００２６】
又、本発明に係る放射線検出装置は、複数の光電変換素子が２次元状に配されたセンサーパネルと、該センサーパネル上に配された下地層、該下地層上に接して形成された蛍光体層とを備え、前記下地層の表面エネルギーが３５ｄｙｎ〜４５ｄｙｎであることを特徴とするものである。
【００２７】
更に、本発明に係る放射線検出装置は、上記本発明のシンチレーターパネルと複数の光電変換素子が２次元状に配されたセンサーパネルとを貼り合わされて成るものである。本発明に係る放射線撮像システムは、上記放射線放射線検出装置を用いたものである。
【００２８】
尚、本明細書では、Ｘ線の他、α線、β線、γ線等の電磁波も放射線に含まれるものとする。
【００２９】
本発明者等は、上述した課題を解決すべく鋭意検討を行った。先ず、下地層に表面のヌレ性状を高くして密着力を向上するためにプラズマ処理を行ったところ、以下のような問題が生じた。
【００３０】
シンチレーターに用いられる蛍光体は蒸着法によって形成される柱状蛍光体等が用いられる。蒸着時、蒸着源から気体として発せられた蛍光体は、支持基板表面に接し液体の状態を通り固体として支持基板に定着する。このとき、余りにも定着表面のヌレ性状が高いと定着表面への広がりが大きくなり、形成される柱状径が太く、又は、径が一定せず揃わないものがあった。その結果、放射線検出装置の鮮鋭度が低下するという問題が生じ、単純に密着性向上という観点でのみ下地層の表面ヌレ性状を高くしたのでは、鮮鋭度の高いシンチレーターを形成することができないということが分かった。
【００３１】
そして、本発明者等は、蛍光体層の破壊や剥がれ等は下地層の表面エネルギーが３５ｄｙｎ〜４５ｄｙｎの範囲であれば生じにくく、鮮鋭度も劣化しないことを見出した。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を添付図面を用いて詳細に説明する。
【００３３】
図１は本発明の放射線検出装置を示す断面図である。
【００３４】
図１において、１０１はガラス基板、１０２はアモルファスシリコンを用いたフォトセンサーとＴＦＴから成る光電変換素子部、１０３は配線部、１０４は電極取り出し部、１０５は窒化シリコン等より成る第１の保護層、１１１は樹脂膜等より形成された光電変換素子の剛性保護層を兼ねた蛍光体下地層である。これら１０１〜１１１によってセンサーパネルが構成される。１１４は反射層、１１２は柱状の蛍光体より成る蛍光体層で、１１３，１１５は有機樹脂等より成る耐湿保護層１１７は端部封止樹脂である。
【００３５】
図２（ａ）〜（ｄ）は本発明の放射線検出装置の製造方法を示す図である。
【００３６】
１０１〜１１１によって構成されたセンサーパネル１００（図２（ａ））に、１１２アルカリハライドより成る柱状結晶化した蛍光体（例えば、ＣｓＩ：Ｔｌ、タリウム活性化沃化セシウム）より成る蛍光体層を蒸着によって形成する。形成された蛍光体層１１２上に第１の耐湿保護層を形成する。第１の耐湿保護層は蛍光体外周領域が蛍光体上部領域よりも薄く形成されている。
【００３７】
更に、例えば保護膜剥離フィルム１２１を予め比耐湿保護膜形成領域に貼り合わせておき、保護膜形成後、剥離フィルムごと引き剥がすようにすれば保護膜を容易に切断することができる（図２（ｂ））。保護膜の切断は、保護膜の材質によってその容易さが異なるが、膜強度は膜厚の３乗に比例するので、例えば有機材料膜であれば、膜厚０．１〜３ミクロンの厚さであれば、殆どの材料を上記方法によって剥離することができるので望ましい。
【００３８】
又、第１の耐湿膜は蛍光体層全体の厚さが３ミクロン程度であれば蛍光体上部領域と外周部領域との厚みの差がなくても同様の方法で剥離することができる。反射層１１４及び第２の耐湿保護層を同様の方法にて形成・切断して蛍光体層上に膜を積層する（図２（ｄ））。次に、保護膜端部に封止樹脂のみを形成すれば、蛍光体外周端部を蛍光体層部よりも薄く形成することができる。
【００３９】
図４は本発明の放射線検出装置の他の製造方法を示す図である。
【００４０】
上記説明と同様にしてセンサーパネル１００上に形成された蛍光体及び第１の保護膜上に金属反射層を形成する。このとき、第１の保護層よりも反射層領域を大きく形成し、第１の保護層端部が反射層に覆うようにする。金属一般的な樹脂材料に比べての水分透過率が低く、金属反射膜が蛍光体全体を覆うことによって耐湿性を大きく向上することができる。更に、第２の耐湿保護層を同様にして反射層端部より広い領域に形成する。このように保護層端部を段階的にセンサーパネル上に形成することにより、封止樹脂を設けなくても充分な耐湿性を得ることができる。
【００４１】
又、図５のようにタブ端子１１２を形成した後に第２の耐湿保護層を形成すれば、タブ端子部を被覆することによってタブ端子部封止を兼ねることができる。
【００４２】
図１は本発明の放射線検出装置に用いるシンチレーターパネルの一実施形態を示す断面図である。
【００４３】
１１１は支持基板、１１２はアルカリハライドより成る柱状結晶化した蛍光体（例えば、ＣｓＩ：Ｔｌ、タリウム活性化沃化セシウム）の層（蛍光体層）、１１３は有機膜より成る耐湿保護層、１１４は反射層、１１５は下地層であり、これら全体でシンチレーターパネル１１０を構成するものである。
【００４４】
図２は本発明のシンチレーターパネルの一実施形態を製造する方法を示す図である。
【００４５】
図２（ａ）に示すように、支持基板１１１上に反射層１１４を設ける。更に、図２（ｂ）に示すように、反射層１１４上に下地層１１５を積層する。反射層１１４上に下地層１１５を設ける際には、下地層表面の表面エネルギーが３５ｄｙｎ〜４５ｄｙｎになるように下地層の形成方法をコントロールする。
【００４６】
例えば、高耐熱樹脂で一般的な材料として知られるポリイミド樹脂が下地層を形成する場合は、ポリイミド前駆体と溶剤の混合物を塗布し、これを熱により硬化することによって膜を形成する。この場合、通常の３００℃〜４００℃で硬化され、表面エネルギーが３２ｄｙｎ以下の非常にヌレ性状の低い膜表面が形成されてしまう。極めて高温で硬化することにより、前駆体を完全に反応させ、でき得る限り残存溶剤を飛ばし、ポリイミドを整列・堅牢化するて焼き締めることにより強固な膜を形成している。
【００４７】
本実施の形態においては、使用される樹脂の状態により硬化の際の温度を適切にコントロールして溶剤蒸発、イミド化、堅牢化を１５０℃〜２３０℃で行い、表面エネルギーが３５ｄｙｎ以上４５ｄｙｎ以下の膜を形成する。詳細な温度は各々の樹脂性状により異なるが、表面エネルギーが前述の範囲にコントロールされた膜には、微量ではあるがイミド化反応が十分に進行せず、前駆体及び溶剤が残存しており、これら分子の極性基の影響により表面エネルギーが高くヌレ性状の高い膜表面を形成することができる。
【００４８】
次に、図２（ｃ）に示すように、アルカリハライドより成る柱状結晶化した蛍光体の層を下地層上に蛍光体層１１２として柱状結晶させる。その後、全体を耐湿保護層１１３で被覆して放射線検出用シンチレーターパネル１１０が出来上がる（図１）。
【００４９】
図３は前述の放射線検出用シンチレーターパネルを複数のフォトセンサー及びＴＦＴ等の電気素子が配置されている光電変換素子部から成る２次元検出器（センサーパネル）と貼り合わされて成る放射線検出装置の断面図である。
【００５０】
図３中、１０１はガラス基板、１０２はアモルファスシリコンを用いたフォトセンサーとＴＦＴから成る光電変換素子部、１０３は配線部、１０４は電極取り出し部、１０５は窒化シリコン等より成る第１の保護層、１０６は樹脂膜等よりなる第２の保護層である。
【００５１】
又、１１１は支持基板、１１４は反射層、１１５は下地層、１１２は柱状の蛍光体より成る蛍光体層で、１１３は有機樹脂等より成る耐湿保護層である。１０１〜１０６で２次元光検出器１００が構成され、１１１〜１１５でシンチレーターパネル１１０が構成される。１２１は透明な接着剤より成る接着剤層、１２２は封止部である。このように光検出器（センサーパネル）１００とシンチレーターパネル１１０とを接着剤層１２１を介して貼り合わされて放射線検出装置が得られる。光電変換素子部のフォトセンサーとＴＦＴとは同一の層構成から成り、例えば特許第３０６６９４４号にその構成が開示されている。
【００５２】
図４は本発明の放射線検出装置用シンチレーターパネルの他の実施形態を示す断面図である。
【００５３】
１１１は支持基板、１１２はアルカリハライドより成る柱状結晶化した蛍光体層（例えば、ＣｓＩ：Ｔｌ）、１１３は有機樹脂より成る耐湿保護層、１１４は反射層、１１５は下地層、１１６は反射層を支持及び保護する保護層、これら全体でシンチレーターパネル１１０を構成するものである。
【００５４】
図５は本発明の他の実施形態を製造する方法を示す図である。
【００５５】
本発明においては、支持基板１１１上に反射層を支持及び保護する保護層１１６を設ける。更に、前述の実施形態と同様に、保護層１１６上に反射層１１４を形成し、更に反射層１１４上に下地層１１５を積層する。このとき、下地層は表面エネルギーが３５ｄｙｎ〜４５ｄｙｎになるように形成する。次に、アルカリハライドより成る柱状結晶化した蛍光体の層を下地層１１５上に形成する。その後、全体を耐湿保護層１１３で被覆して放射線検出用シンチレーターパネル１１０が出来上がる（図４）。
【００５６】
支持基板１１１と反射層１１４の間に設けられている反射層を支持する保護層１１６は、反射層の腐蝕を防ぐ目的や支持基板と反射層間の応力を緩和する目的で設けられるものがある。反射層１１４を支持及び保護する保護層１１６を形成することは、下地層の表面エネルギーをコントロールすることに加え、更に、熱履歴によって生じた応力に対する変形耐性が増し、延ては蛍光体剥がれの発生を抑えることができ望ましい。又、反射層の変質による反射率の減衰を防止するためには反射層の両側面に保護層を設けることが望ましく、安価な点から樹脂層による保護層が望ましい。
【００５７】
図６は本発明における他の実施形態の放射線検出装置を示す図である。
【００５８】
本実施形態は、前述のように支持基板に蛍光体層を形成した後、これをセンサーパネルと貼り合わせるのではなく、センサーパネル１００上に、下地層１１５を介して蛍光体層１１２を直接形成するものである。
【００５９】
［実施例］
次に、本発明の放射線検出装置を実施例に基づいて詳細に説明する。
【００６０】
＜実施例１＞
図２（ａ）に示すように、ガラス基板１０１上の非晶質シリコンから成る半導体薄膜上にフォトセンサーとＴＦＴから成る光電変換素子部（光検出素子（画素））１０２及び配線部１０３を形成し、その上にＳｉＮｘ  より成る保護膜（第１の保護層）１０５と、更にポリイミド樹脂を硬化した保護層（第２の保護層）１０６を形成してセンサーパネル１００を作製した。
【００６１】
次に、下地層１０５の表面に、アルカリハライドより成る柱状結晶化した蛍光体の層（蛍光体層１１２）を蒸着法によって形成した。センサーパネルの外周に設けられた電極取り出し部と蛍光体下地層外周端部（端部より１５ｍｍ）を帯電防止機能を備えたテープ（＃５４１９    住友３Ｍ）で被覆し、
次に、蛍光体の支持基板１１１（アモルファスカーボン基板４５０×４５０ｍｍ、厚さ１ｍｍ）上に、スパッタリング法により反射層１１４としてＡｌ層（５０００Å）を設けた。更に、反射層１１４上にポリイミド樹脂（東レ（株）社製ＬＰ−６２）をスピンコートして、下記表１の各条件（実施例１−３でキュアの条件（硬化温度条件）を変えた）にてキュアを行い５μｍ厚の下地層１１５を形成した。
【００６２】
次に、下地層１１５の表面に、アルカリハライドより成る柱状結晶化した蛍光体の層（蛍光体層１１２）を蒸着法によって形成する。全体をパラキシリレン樹脂より成る耐湿保護層１１３（膜厚２ミクロン）をＣＶＤ法によって形成し、シンチレーターパネル１１０を得た。成膜後、テープを剥離したところ、耐湿保護層ごとをテープが剥離され、保護膜はテープ端部で切断された。更に、反射層としてＡｌ膜を蒸着法によって形成した。
【００６３】
Ａｌ膜形成時には、Ａｌ膜が第１の保護層と同サイズになるように基板セッティングに押さえ冶具を使用し、膜厚３０００Åで形成した。反射層上を第１の保護層と同様にしてパラキシリレン樹脂より成る耐湿保護層１１５で被覆し、更に保護層端部を被覆するように封止樹脂（ワールドロックＸＶＬ−１４    共立化学）を高さ０．７ｍｍに形成して、放射線検出装置を得た。
【００６４】
＜実施例２＞
実施例１と同様にしてセンサーパネル１００上にアルカリハライドより成る柱状結晶化した蛍光体の層（蛍光体層１１２）を蒸着法によって形成した。
【００６５】
実施例１と同様にして第１の保護層を蛍光体下地層外周部、端部より１０ｍｍ、Ａｌ膜を蛍光体下地層外周部、端部より５ｍｍ、第２の保護層を蛍光体下地層外周部まで形成して放射線検出装置を得た。
【００６６】
得られたシンチレーターパネル１１０をセンサーパネル１００に積層して貼り合わせて放射線検出装置を構成した。
【００６７】
これらの実施例のような構成においては、センサーパネル上に樹脂枠が形成されていないので蛍光体層１１２が精度良く形成でき、均一性の高い放射線装置が得られた。センサーパネルの薄層化が可能となった。更に、樹脂枠凸部を避ける機構が必要ないので、センサーパネル保持する筐体に簡便な機構を採用することが可能となり、低コストな放射線検出装置が得られた。
【００６８】
更に、以上のように作製した放射線検出装置を、６０℃、９０％の温度湿度試験槽に１０００時間保存した。その結果、蛍光体層の層間剥離等の外観不良は発生せず、更に感度の低下も殆ど認められず、高信頼性の放射線検出装置が得られたことを確認できた。
【００６９】
（比較例１）
上記実施例と同様にしてセンサーパネル１００を作製した。
【００７０】
次に、蛍光体の支持基板１１１（アモルファスカーボン基板４５０×４５０ｍｍ、厚さ１ｍｍ）上に、スパッタリング法により反射層１１４としてＡｌ層（５０００Å）を設けた。次に、下地層１１５としてポリイミド樹脂（東レ（株）社製    ＬＰ−６２）をスピンコートして３００℃、４時間キュアし、膜厚５μｍの層を形成した。上記実施例と同様にして、柱状蛍光体の層（蛍光体層１１２）、耐湿保護層１１３を設け、シンチレーターパネル１１０を得た。更に、上記実施例と同様にして放射線検出装置を得た。
【００７１】
（比較例２）
下地層１１５を３５０℃でキュアする以外は、比較例１と同様にして、放射線検出装置を得た。
【００７２】
（比較例３）
上記実施例と同様にしてセンサーパネル１００を作製した。次に、上記実施例と同様にして、支持基板１１１上に、反射層１１４及び下地層１１５を積層した。下地層１１５の密着性向上のため、Ａｒプラズマ処理６０ｓｅｃを行い、表面エネルギー５０ｄｙｎの表面を持つ層を得た。上記実施例と同様にして、柱状蛍光体の層（蛍光体層１１２）、耐湿保護層１１３を設け、シンチレーターパネル１１０を得た。更に、上記実施例と同様にして放射線検出装置を得た。
【００７３】
（比較例４）
Ａｒプラズマ処理７５ｓｅｃを行い、表面エネルギー５３ｄｙｎの下地層１１５を得た以外は、比較例３と同様にして、放射線検出装置を得た。
【００７４】
各実施例及び各比較例で得られた放射線検出装置について以下の評価を行った。
【００７５】
１．表面エネルギーの測定
下地層表面の界面の臨界表面張力を測定する所謂濡れ試験標準液から得られる指数（ＪＩＳ    Ｋ６７６８）であって、ここでは、得られた指数の濡れ標準液の表面張力の値を下地層の表面エネルギーの値とした。
【００７６】
２．ＣｓＩ及び下地層の密着強度評価
試験片上の膜を貫通して、素地面に達するＸ状の切り傷をつけて素地面との密着性を評価するＸカットテープ法（ＪＩＳ    Ｋ５４００）によって評価を行い、ＪＩＳに定められる評価点数８以上：○、４以上：△、４未満：×とした。
【００７７】
３．鮮鋭度の評価
厚さ１００ｍｍの水ファントムを通して、管電圧１００ｋＶのＸ線で撮影した時の値であり、感度は実施例１の感度を１とし、鮮鋭度は空間周波数２本／ｍｍにおけるＭＴＦ値を求め、実施例１のＭＴＦを１００としたときの変動について、変動±５％：○、変動±５％以上：×とした。
【００７８】
４．耐久性
６０℃、９０％、２０００ｈ耐久の後、蛍光体部に剥離や破損による欠陥が発生するか、しないかを観察した。
【００７９】
以上説明したように、本発明は医療用のＸ線センサに応用することが可能であるが、無破壊検査等のそれ以外の用途に応用した場合にも有効である。
【００８０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば以下の効果がある。
（１）センサーパネルの薄層化が可能となった。
（２）センサーパネル保持する筐体に簡便な機構を採用することが可能となり、低コストな放射線検出装置が得られた。形成された蛍光体層の形状の均一度が高く、感度ムラのないシンチレーターパネル及び放射線検出装置を実現できる。
（３）シンチレーターパネル及び放射線検出装置として構成したときに、蛍光体の剥がれや破損が生じず、特に耐温度耐湿度耐久が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の放射線検出装置におけるシンチレーターパネルの一実施形態の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の放射線検出装置におけるシンチレーターパネルの一実施形態の製造方法を示す図である。
【図３】従来の放射線検出装置における実施形態の示す断面図である。
【図４】本発明の放射線検出装置における他の実施形態の製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の放射線検出装置における他の実施形態の製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明による放射線撮影システムの構成を示す概念図である。
【符号の説明】
１００      センサーパネル
１０１      ガラス基板
１０２      光電変換素子部
１０３      配線部
１０４      電極取り出し部
１０５      第１の保護層
１０６      第２の保護層
１１０      シンチレーターパネル
１１１      支持基板蛍光体下地層
１１２      柱状の蛍光体より成る蛍光体層
１１３      耐湿保護層
１１４      反射層
１１５      耐湿保護下地層
１１６      保護樹脂
１１７      保護層
１２１      接着剤層保護膜剥離フィルム
１２２      タブ端子部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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