(57)【要約】【課題】基板に滴下された液体の量、または基板に塗布された液体の塗布厚を簡単、かつ正確に把握できるようにした液体検出方法及び液体塗布方法、並びに、液体塗布装置を提供する。【解決手段】ウエーハ１の表面上にレジスト液を滴下すると共に、当該ウエーハ１を回転させ該レジスト液を遠心力で拡散させることによって、当該ウエーハ１の表面上に該レジスト液を均一な厚さに塗布するスピンコータ１００において、このウエーハ１の裏面を回転可能に支持する導電性の回転ステージ１０と、この回転ステージ１０と所定の離隔距離を有して向かい合うように設けられた電極板２０と、一端が回転ステージ１０に接続し、他端が電極板２０に接続して、当該回転ステージ１０と該電極板２０との間の静電容量を測定する測定部４０と、を備えたものである。【選択図】  図１
2004361165.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体が表面上に滴下された基板を導電性の支持台上に載置した状態で、前記支持台と、前記基板を挟んで当該支持台とは逆側に設けられた電極板との間の静電容量を測定し、その測定された静電容量に基づいて前記基板の表面上の前記液体の量を求めることを特徴とする液体検出方法。
【請求項２】
液体が表面上に均一な厚さに塗布された基板を導電性の支持台上に載置した状態で、前記支持台と、前記基板を挟んで当該支持台とは逆側に設けられた電極板との間の静電容量を測定し、その測定された静電容量に基づいて前記基板の表面上の前記液体の塗布厚さを求めることを特徴とする液体検出方法。
【請求項３】
基板を導電性の支持台上に載置する工程と、
前記支持台上に載置された前記基板の表面上に所定の液体を滴下する工程と、
前記液体が滴下された前記基板を前記支持台上に載置した状態で、当該支持台と、前記基板を挟んで当該支持台とは逆側に設けられた電極板との間の静電容量を測定する工程と、
前記測定された静電容量に基づいて前記基板の表面上の前記液体の量を求める工程と、
前記液体の量を求めた後で、前記基板の表面上に滴下された前記液体を当該基板の表面上に均一な厚さに塗布する工程と、を含むことを特徴とする液体塗布方法。
【請求項４】
基板を導電性の支持台上に載置する工程と、
前記支持台上に載置された前記基板の表面上に所定の液体を滴下する工程と、
前記液体を当該基板の表面上に均一な厚さに塗布する工程と、
前記液体が均一な厚さに塗布された前記基板を前記支持台上に載置した状態で、当該支持台と、前記基板を挟んで当該支持台とは逆側に設けられた電極板との間の静電容量を測定する工程と、
前記測定された静電容量に基づいて前記基板の表面上の前記液体の塗布厚さを求める工程と、を含むことを特徴とする液体塗布方法。
【請求項５】
基板の表面上に所定の液体を滴下すると共に、当該基板を回転させ該液体を遠心力で拡散させることによって、当該基板の表面上に該液体を均一な厚さに塗布する液体塗布装置において、
前記基板の裏面を回転可能に支持する導電性の回転ステージと、
前記回転ステージと所定の離隔距離を有して向かい合うように設けられた電極板と、
一端が前記回転ステージに接続すると共に、他端が前記電極板に接続して、当該回転ステージと該電極板との間の静電容量を測定する測定部と、を備えたことを特徴とする液体塗布装置。
【請求項６】
前記測定部は、
前記液体が滴下された前記基板を前記回転ステージ上に載置した状態で、当該回転ステージと前記電極板との間の静電容量を測定することを特徴とする請求項５に記載の液体塗布装置。
【請求項７】
前記測定部は、
前記液体が均一な厚さに塗布された前記基板を前記回転ステージ上に載置した状態で、当該回転ステージと前記電極板との間の静電容量を測定することを特徴とする請求項５または請求項６に記載の液体塗布装置。
【請求項８】
前記測定部は、
前記液体が滴下される前の前記基板を前記回転ステージ上に載置した状態で、当該回転ステージと前記電極板との間の静電容量を測定することを特徴とする請求項５〜請求項７の何れか一項に記載の液体塗布装置。
【請求項９】
前記液体が滴下された前記基板を前記回転ステージ上に載置した状態で前記測定部が測定した前記静電容量の測定値を取得すると共に、取得した前記測定値に応じて前記液体の滴下量を変更する滴下量制御部、を備えたことを特徴とする請求項６〜８の何れか一項に記載の液体塗布装置。
【請求項１０】
前記液体が均一な厚さに塗布された前記基板を前記回転ステージ上に載置した状態で前記測定部が測定した前記静電容量の測定値を取得すると共に、取得した前記測定値に応じて前記回転ステージの回転速度及び／または、回転時間を変更する回転制御部、を備えたことを特徴とする請求項７〜９の何れか一項に記載の液体塗布装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液体検出方法及び液体塗布方法、並びに、液体塗布装置に係り、特に、半導体ウエーハ上にレジスト又はＳＯＧ（ｓｐｉｎ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）などを塗布する工程及びその塗布装置等に適用して好適な液体検出方法及び液体塗布方法、並びに、液体塗布装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、半導体装置の製造工程では、回路パターンをウエーハ上に転写するためにフォトリソグラフィ技術が用いられている。このフォトリソグラフィ技術では、まず始めに、レジスト塗布装置にてウエーハ上にレジスト膜を塗布形成する。次に、レジスト膜を熱処理装置にて加熱してプリベーク処理を施した後に冷却し、露光装置にて所定のパターンを露光する。さらに、露光後のウエーハを現像装置にて現像液を塗布し現像する。そして、リンス液により現像液を洗い流し、ウエーハ上に所定形状のレジストパターンが形成される。
【０００３】
このようにして形成されるレジストパターンの加工精度に影響を与える因子の１つとして、レジスト膜の膜厚が挙げられる。このレジスト膜の膜厚は、ウエーハ上に滴下されるレジストの量（以下で、滴下量という）に大きく左右される。
そのため、レジスト膜の形成工程では、レジスト塗布装置におけるレジスト液の１回当りの滴下量を定期的に測定し、その値が規格に対して外れた場合には、レジスト塗布装置を調整していた。
【０００４】
具体的には、まず始めに、オペレータがメスシリンダーを用いてレジスト液の滴下量を定期的に測定する。次に、その測定値が規格から外れている場合には、レジスト塗布装置の吐出ポンプの吐出圧力等を調節して、レジスト液の１回当りの滴下量を調整する。そして、メスシリンダーを用いて、レジスト液の滴下量を再度測定し、その値が規格内であるか確認する。ここで、レジスト液の滴下量が規格に入っていなければ、上記の作業を繰り返していた。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−８４４６８号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来例に係るレジスト膜の形成工程では、レジスト液の滴下量の測定は、オペレータがメスシリンダーを用いて手作業で行っていた。このため、メスシリンダーの読み値等がオペレータ間で異なってしまい、測定誤差が大きいという問題があった。
【０００７】
また、この滴下量の測定は、オペレータの負担が大きく、測定回数が多いと当該工程の処理能力を著しく低減させてしまう作業であった。このため、ウエーハを１枚処理する毎、或いはウエーハを１ロット処理する毎にレジスト液の滴下量を測定することは現実的でなく、例えば１日１回〜３回程度の頻度でしか、滴下量の測定を行うことができなかった。このため、測定と測定の間で滴下量が変化してしまい、ウエーハ表面におけるレジスト液の塗布むらや塗布厚の異常等が大量に発生してしまうおそれがあった。
【０００８】
このような問題を解決する１つの手段として、例えば特許文献１には、チャック重量の経時変化を監視可能なレジスト塗布装置が開示されている。しかしながら、この特許文献１に記載されたレジスト塗布装置では、チャック重量を測定する測定機構の構造が複雑であるという問題があった。また、特許文献１の機構では、軸受け部等に注されている潤滑油の重み変動の影響を受けやすく、レジスト液の重さを正確に測定することが難しいという問題があった。レジスト液の重さを正確に測定することができないと、滴下量の異常や、塗布厚の異常を見逃してしまうおそれがある。
【０００９】
そこで、この発明はこのような問題を解決したものであって、基板に滴下された液体の量、または基板に塗布された液体の塗布厚を簡単、かつ正確に把握できるようにした液体検出方法及び液体塗布方法、並びに、液体塗布装置の提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記した課題を解決するために、本発明に係る第１の液体検出方法によれば、液体が表面上に滴下された基板を導電性の支持台上に載置した状態で、この支持台と、基板を挟んで当該支持台とは逆側に設けられた電極板との間の静電容量を測定し、その測定された静電容量に基づいて基板の表面上の液体の量を求めることを特徴とするものである。
【００１１】
ここで、液体の量を求めるとは、量の値を演算することと、量が規格内に入っているかどうか判断すること、を含む概念である。
基板表面上に滴下された液体の全てが当該基板表面上にある場合には、この液体の滴下量と、この液体が滴下された基板を誘電体の一部とする支持台と電極板とからなるコンデンサの静電容量との間には相関がある。例えば、図３（Ａ）において、横軸は液体の滴下量を示し、縦軸は液体が滴下された基板を誘電体の一部とするコンデンサの静電容量を示す。支持台と電極板との間の離隔距離、及び基板自体の厚み等が液体の滴下量に関係なく一定の場合には、図３（Ａ）に示すように、基板表面上への液体の滴下量が増加するに従って、このコンデンサの静電容量は低減する。
【００１２】
本発明に係る第１の液体検出方法によれば、滴下された液体を表面上に有したままの基板を誘電体の一部とするコンデンサの静電容量を測定することによって、この液体の滴下量を簡単、かつ正確に把握することができる。従って、滴下量の異常を直ちに発見することができる。
本発明に係る第２の液体検出方法は、液体が表面上に均一な厚さに塗布された基板を導電性の支持台上に載置した状態で、この支持台と、基板を挟んで当該支持台とは逆側に設けられた電極板との間の静電容量を測定し、その測定された静電容量に基づいて基板の表面上の液体の塗布厚さを求めることを特徴とするものである。
【００１３】
ここで、塗布厚さを求めるとは、塗布厚さの値を演算することと、塗布厚さが規格内に入っているかどうか判断すること、を含む概念である。
基板表面上における液体の塗布厚と、この液体が塗布された基板を誘電体の一部とする支持台と電極板とからなるコンデンサの静電容量との間には相関がある。例えば、図３（Ｂ）において、横軸は液体の塗布厚を示し、縦軸は液体が塗布された基板を誘電体の一部とするコンデンサの静電容量を示す。支持台と電極板との間の離隔距離、及び基板自体の厚み等が液体の滴下量に関係なく一定の場合には、図３（Ｂ）に示すように、液体の塗布厚が増加するに従って、このコンデンサの静電容量は低減する。
【００１４】
本発明に係る第２の液体検出方法によれば、液体が表面上に塗布された基板を誘電体の一部とするコンデンサの静電容量を測定することによって、この液体の塗布厚を簡単、かつ正確に把握することができる。従って、液体の塗布厚の異常を直ちに発見することができる。
本発明に係る第１の液体塗布方法は、基板を導電性の支持台上に載置する工程と、この支持台上に載置された基板の表面上に所定の液体を滴下する工程と、この液体が滴下された基板を支持台上に載置した状態で、当該支持台と、基板を挟んで当該支持台とは逆側に設けられた電極板との間の静電容量を測定する工程と、この測定された静電容量に基づいて基板の表面上の液体の量を求める工程と、この液体の量を求めた後で、基板の表面上に滴下された液体を当該基板の表面上に均一な厚さに塗布する工程と、を含むことを特徴とするものである。
【００１５】
本発明に係る第１の液体塗布方法によれば、基板の表面上に滴下された液体の量を簡単、かつ正確に把握することができるので、滴下量の異常を直ちに発見することができる。従って、適正量の液体を表面上に有する基板だけを液体を塗布する工程に流すことができる。
本発明に係る第２の液体塗布方法は、基板を導電性の支持台上に載置する工程と、この支持台上に載置された基板の表面上に所定の液体を滴下する工程と、この液体を当該基板の表面上に均一な厚さに塗布する工程と、この液体が均一な厚さに塗布された基板を支持台上に載置した状態で、当該支持台と、基板を挟んで当該支持台とは逆側に設けられた電極板との間の静電容量を測定する工程と、この測定された静電容量に基づいて基板の表面上の液体の塗布厚さを求める工程と、を含むことを特徴とするものである。
【００１６】
本発明に係る第２の液体塗布方法によれば、基板の表面上における液体の塗布厚を簡単、かつ正確に把握することができるので、液体の塗布厚の異常を直ちに発見することができる。従って、塗布厚が異常な基板の流出を防ぐことができる。
本発明に係る第１の液体塗布装置は、基板の表面上に所定の液体を滴下すると共に、当該基板を回転させ該液体を遠心力で拡散させることによって、当該基板の表面上に該液体を均一な厚さに塗布する液体塗布装置において、この基板の裏面を回転可能に支持する導電性の回転ステージと、この回転ステージと所定の離隔距離を有して向かい合うように設けられた電極板と、一端が回転ステージに接続すると共に、他端が電極板に接続して、当該回転ステージと該電極板との間の静電容量を測定する測定部と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１７】
本発明に係る第１の液体塗布装置によれば、液体が滴下された基板を回転ステージ上に載置した状態で、当該回転ステージと電極板との間の静電容量を測定することができるので、基板の表面上に滴下された液体の量を簡単、かつ正確に把握することができる。また、液体が均一な厚さに塗布された基板を回転ステージ上に載置した状態で、当該回転ステージと、電極板との間の静電容量を測定することもできるので、基板の表面上における液体の塗布厚を簡単、かつ正確に把握することができる。
【００１８】
本発明に係る第２の液体塗布装置は、上述した第１の液体塗布装置において、測定部は、液体が滴下された基板を回転ステージ上に載置した状態で、当該回転ステージと電極板との間の静電容量を測定することを特徴とするものである。
本発明に係る第２の液体塗布装置によれば、基板の表面上に滴下された液体の量を簡単、かつ正確に把握することができ、滴下量の異常を直ちに発見することができる。
【００１９】
本発明に係る第３の液体塗布装置は、上述した第１、第２の液体塗布装置において、測定部は、液体が均一な厚さに塗布された基板を回転ステージ上に載置した状態で、当該回転ステージと電極板との間の静電容量を測定することを特徴とするものである。
本発明に係る第３の液体塗布装置によれば、基板の表面上における液体の塗布厚を簡単、かつ正確に把握することができ、液体の塗布厚の異常を直ちに発見することができる。従って、上記の第１、第２の液体塗布装置と比べて、液体の滴下量と、塗布厚の両方をモニタすることができるので、液体塗布工程における異常の発生をより一層検出能高く、検出することができる。これにより、不良品の流出を防ぐことができ、液体塗布処理の品質をより一層向上させることができる。
【００２０】
本発明に係る第４の液体塗布装置は、上述した第１〜第３の液体塗布装置において、測定部は、液体が滴下される前の基板を回転ステージ上に載置した状態で、当該回転ステージと電極板との間の静電容量を測定することを特徴とするものである。
ここで、基板自体の誘電率は、例えば、その基板の種類や、基板上に形成された薄膜の種類等に依存する。また基板自体の厚みも、普通、複数の基板間でそれぞれが僅かに異なる。
【００２１】
本発明に係る第４の液体塗布装置によれば、液体を滴下する前の静電容量の値を初期値として把握できるので、複数の基板間で、基板自体の誘電率や厚みがそれぞれ異なるような場合でも、それぞれの初期値と、液体滴下後（または、塗布後）に測定した静電容量との差から、液体の滴下量（または、塗布厚）を簡単、かつ正確に把握することができる。
【００２２】
本発明に係る第５の液体塗布装置は、上述した第２〜第４の液体塗布装置において、液体が滴下された基板を回転ステージ上に載置した状態で測定部が測定した静電容量の測定値を取得すると共に、取得した測定値に応じて液体の滴下量を変更する滴下量制御部、を備えたことを特徴とするものである。
ここで、液体とは、例えばレジスト液や、ＳＯＧ形成用の液体（ＳｉＯ２をアルコール等の有機溶媒に溶かした液）であり、これらの液体は液体塗布装置のノズルから滴下されることが普通である。このようなレジスト液等はある程度の粘性を有し、また乾きやすい性質を有するため、ノズル先端部を詰まらせ易い。
【００２３】
それゆえ、複数枚の基板を１枚ずつ連続して処理するような、いわゆる枚葉処理を行う場合には、基板の処理枚数が増加するにつれて、ノズル先端部が徐々に詰まり、レジスト液の滴下量が少しずつ減少していく傾向がある。
本発明に係る第５の液体塗布装置によれば、複数の基板（例えば、１ロット）を枚葉処理する場合でも、基板の表面上に滴下される液体の滴下量を一定値に近づけるように当該滴下量を枚葉処理中に制御できる。従って、ロット内での滴下量のばらつきを低減することができる。
【００２４】
本発明に係る第６の液体塗布装置は、上述した第３〜第５の液体塗布装置において、液体が均一な厚さに塗布された基板を回転ステージ上に載置した状態で測定部が測定した静電容量の測定値を取得すると共に、取得した測定値に応じて回転ステージの回転速度及び／または、回転時間を変更する回転制御部、を備えたことを特徴とするものである。
【００２５】
本発明に係る第６の液体塗布装置によれば、複数の基板（例えば、１ロット）を枚葉処理する場合でも、基板の表面上における液体の塗布厚を一定値に近づけるように回転ステージの回転速度と回転時間の両方を、または、そのどちらか一方を枚葉処理中に変更することができ、回転数を変更することができる。従って、ロット内での塗布厚のばらつきを低減することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る液体検出方法及び液体塗布方法、並びに、液体塗布装置について説明する。
図１は、本発明の実施形態に係るスピンコータ１００の構成例を示す概念図である。このスピンコータ１００は、ウエーハ１上にレジスト液を滴下し当該ウエーハ１を高速回転させ、このウエーハ１上に薄いレジスト膜を形成する装置である。このウエーハ１は、例えばシリコンウエーハ、ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエーハ、または、ガラスウエーハ等である。このウエーハ１の厚みは、例えば７００［μｍ］程度である。
【００２７】
図１に示すように、このスピンコータ１００は、回転ステージ１０と、電極板２０と、吐出ノズル３０と、静電容量を測定する測定部４０と、コントロール部６０と、データ格納部６２と、ディスプレイ６４等から構成されている。
これらの中で、回転ステージ１０は、ウエーハ１の裏面を回転可能に支持するものである。この回転ステージ１０のウエーハ１の裏面と接触する面（以下で、接触面という）には、多数の孔が設けられている。これらの孔は、真空ポンプ（図示せず）に接続されている。ウエーハ１を回転ステージ１０上に載置した状態で、これらの孔を通して真空引きすると、ウエーハ１の裏面が回転ステージ１０の接触面に吸着される。この回転ステージ１０は、金属材料によって構成されている。
【００２８】
また、図１に示すように、電極板２０は、この回転ステージ１０の接触面と向かい合うようにして、当該回転ステージ１０の上方に設けられている。図１において、この電極板２０は、回転ステージ１０から例えば数〜数１０［ｍｍ］程度離れている。回転ステージ１０上にウエーハ１を載置すると、このウエーハ１は、電極板２０との間に所定の厚みの空気層をおいて、回転ステージ１０と電極板２０との間で挟まれた形となる。この電極板２０の中央部には、貫通した開口部が設けられている。この電極板２０は、金属材料によって構成されている。
【００２９】
さらに、吐出ノズル３０は、電極板２０の中央部にある開口部に貫設されており、その吐出口が回転ステージ１０と向かい合うようになっている。この吐出ノズル３０は、レジスト液を貯留する加圧容器（図示せず）に接続されている。この加圧容器内のレジスト液は、加圧ポンプ（図示せず）の動作によって、この加圧容器から吐出ノズル３０の吐出口まで圧送される。そして、レジスト液は、この吐出口から回転ステージ１０上に載置されたウエーハ１の表面上に滴下される。
【００３０】
また、図１に示すように、測定部４０は、その一端が回転ステージ１０に接続し、他端が電極板２０に接続されている。この測定部４０は、電圧印加部４２と、容量計４４等で構成されている。この測定部４０によって、回転ステージ１０と、電極板２０との間の静電容量を測定される。
図１に示すように、上記の回転ステージ１０と、電極板２０と、吐出ノズル３０と、測定部４０等によってスピンコータ１００の本体５０が構成されている。
【００３１】
さらに、図１に示すコントロール部６０はＣＰＵ（ｃｅｎｔｒａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｕｎｉｔ）等からなり、スピンコータ１００の本体５０と有線または無線等によって接続されている。このコントロール部６０によって本体５０の動作が制御される。また、データ格納部６２はＲＡＭ（ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｙ）及びＲＯＭ（ｒｅａｄ  ｏｎｌｙ  ｍｅｍｏｒｙ）等からなり、コントロール部６０との間でデータの書き込み、読み出し処理が行われる。このデータ格納部６２には、例えば、スピンコータ１００の処理シーケンスが格納されている。また、測定部４０によって測定された静電容量値等も格納される。
【００３２】
さらに、ディスプレイ６４は例えば液晶表示装置であり、コントロール部６０に接続されている。このディスプレイ６４には、スピンコータ１００の処理状態（選択された処理シーケンスや、ステップ、回転ステージ１０の回転速度、処理枚数等）のほか、測定された静電容量値等が表示可能になっている。
図２は、このスピンコータ１００を用いたレジスト膜の形成方法を示すフローチャートである。次に、図１に示したスピンコータ１００を用い、図２のフローチャートに沿って、ウエーハ１の表面上にレジスト膜を形成する方法について説明する。なお、この説明では、図２のステップ１〜ステップ１０の全ての処理はコントロール部６０で制御するものとする。
【００３３】
まず始めに、図２のステップ（Ｓ）１で、搬送系（図示せず）によって製品またはダミーのウエーハ１を回転ステージ１０上まで搬送する。次に、真空ポンプ（図示せず）を動作させて、ウエーハ１の裏面を回転ステージ１０の接触面に吸着させる。
次に、図２のステップ２で、回転ステージ１０上にウエーハ１を載せた状態で、この回転ステージ１０と電極板２０との間の静電容量（Ｃ０）を測定する。この静電容量の測定は、コントロール部６０からの制御信号を受けて測定部４０が行う。そして、この静電容量の測定によって得られた測定値Ｃ０をデータ格納部６２に格納する。
【００３４】
次に、図２のステップ３で、吐出ノズル３０からウエーハ１０の表面上に向けてレジスト液を所定量だけ滴下させる。そして、図２のステップ４で、レジスト液が滴下されたウエーハ１を回転ステージ１０上に載せた状態で、この回転ステージ１０と電極板２０との間の静電容量（Ｃ１）を測定する。この静電容量の測定は、コントロール部６０からの制御信号を受けて測定部４０が行う。そして、この静電容量の測定値Ｃ１をデータ格納部６２に格納する。
【００３５】
次に、図２のステップ５で、測定値Ｃ０、Ｃ１の両方をデータ格納部６２からコントロール部６０に読み出し、この測定値の差ΔＣ（＝Ｃ０−Ｃ１）をコントロール部６０で計算する。また、この計算の前後で、規格ΔＣｓｐｅｃをデータ格納部６２からコントロール部６０に読み出す。そして、測定値の差ΔＣが規格ΔＣｓｐｅｃ内にあるか否かをコントロール部６０で判定する。
【００３６】
ここで、もし、測定値の差ΔＣが規格ΔＣｓｐｅｃの範囲外にある場合には、図２のステップ９へ進み、スピンコータ１００におけるレジスト膜の形成工程を終了させる。また、このとき、スピンコータ１００のディスプレイ６４に、オペレータに向けて異常通知（アラーム１）を表示させる。
この測定値の差ΔＣが規格外となる原因としては、図２のステップ３で、ウエーハ１０の表面上にレジスト液を過剰に、または過小に滴下した等が考えられる。そこで、アラーム１が表示された場合には、オペレータは、スピンコータ１００を用いたテスト処理、または製品処理を止め、レジスト液の滴下量等を確認し、必要に応じて滴下量等を調整する。そして、滴下量等を調整した後で、スピンコータ１００を用いたテスト処理、または製品処理を再開する。
【００３７】
図２のステップ５でΔＣが規格内にある場合には、図２のステップ６へ進む。図２のステップ６では、回転ステージ１０上に載置されたウエーハ１を所定の回転スピードで、所定の時間だけ回転させ、ウエーハ１の表面上に滴下されたレジスト液を遠心力で当該ウエーハ１の表面上に拡散させる。これにより、ウエーハ１の表面上にレジスト液を均一な厚さに塗布し、レジスト膜を形成する。
【００３８】
次に、図２のステップ７へ進む。このステップ７では、レジスト膜が形成されたウエーハ１を回転ステージ１０上に載せた状態で、この回転ステージ１０と電極板２０との間の静電容量（Ｃ２）を測定する。この静電容量の測定は、コントロール部６０からの制御信号を受けて測定部４０が行う。そして、この静電容量の測定値Ｃ２をデータ格納部６２に格納する。
【００３９】
次に、図２のステップ８で、測定値Ｃ０と、Ｃ２の両方をデータ格納部６２からコントロール部６０に読み出し、この測定値の差ΔＣ´（＝Ｃ０−Ｃ２）をコントロール部６０で計算する。また、この計算の前後で、規格ΔＣ´ｓｐｅｃをデータ格納部６２からコントロール部６０に読み出す。そして、測定値の差ΔＣ´が規格ΔＣ´ｓｐｅｃ内にあるか否かをコントロール部６０で判定する。
【００４０】
ここで、もし、測定値の差ΔＣ´が規格ΔＣ´ｓｐｅｃの範囲外にある場合には、図２のステップ１０へ進み、スピンコータ１００におけるレジスト膜の形成工程を終了させる。また、このとき、スピンコータ１００のディスプレイ６４に、オペレータに向けて異常通知（アラーム２）を表示させる。
この測定値の差ΔＣ´が規格外となる原因としては、図２のステップ６で形成したレジスト膜の膜厚（塗布厚）が厚すぎた、または薄すぎた等が考えられる。そこで、アラーム２が表示された場合には、オペレータは、スピンコータ１００を用いたテスト処理、または製品処理を止め、回転テーブル１０の回転速度や、回転時間等を確認し、必要に応じて回転速度や回転時間等を調整する。そして、これらを調整した後で、スピンコータ１００を用いたテスト処理、または製品処理を再開する。
【００４１】
図２のステップ８でΔＣ´が規格内にある場合には、ウエーハ１の表面上へのレジスト膜の形成工程を終了する。また、複数枚のウエーハ１を１枚ずつ連続して処理するような、いわゆる枚葉処理を行う場合には、図２のステップ１からレジスト膜の形成工程を開始する（図２のステップ１〜ステップ１０を繰り返す。）。
【００４２】
このように、本発明に係るスピンコータ１００を用いたレジスト膜の形成方法によれば、ウエーハ１の表面上に滴下されたレジスト液の量を簡単、かつ正確に把握することができるので、滴下量の異常を直ちに発見することができる。また、ウエーハ１の表面上におけるレジスト膜の厚み（塗布厚）も簡単、かつ正確に把握することができる。
【００４３】
従って、レジスト液の滴下量と、レジスト膜の膜厚を両方ともモニタすることができるので、レジスト膜形成工程における異常の発生を検出能高く、検出することができる。これにより、レジスト膜形成工程の品質を向上させることができる。
この実施形態では、レジスト液が本発明の液体に対応し、ウエーハ１が本発明の基板に対応している。また、金属製の回転ステージ１０が本発明の支持台（回転ステージ）に対応し、金属製の電極板２０が本発明の電極板に対応している。さらに、測定部４０が本発明の測定部に対応し、スピンコータ１００が本発明の液体塗布装置に対応している。
【００４４】
なお、この実施形態では、本発明の液体の一例として、レジスト液の場合について説明したが、本発明の液体はレジスト液に限られることはなく、例えばＳＯＧ形成用の液体でも良い。
また、この実施形態では、図２のステップ２で、ウエーハ１の表面上にレジスト液を滴下する前に、このウエーハ１を回転テーブル１０上に載置した状態で、当該回転テーブル１０と電極板２０との間の静電容量Ｃ０を初期値として測定する場合について説明した。
【００４５】
しかしながら、複数のウエーハ１間で、ウエーハ１自体の誘電率や、その厚みが略一定であり、静電容量の初期値Ｃ０を略一定と見なせる場合には、図２のステップ２を省略することも可能である。
具体的には、初期値Ｃ０の規格値を予め定めておく。そして、液体塗布装置１００のメンテナンス直後、または１日１回〜３回程度の頻度で、数枚のウエーハ１についてのみステップ２で初期値Ｃ０を確認する。ここで、初期値Ｃ０が規格値の範囲内にある場合には、以降のレジスト膜形成工程で、ステップ２を省略して初期値Ｃ０を一定の値とする。このような方法によれば、レジスト膜の成膜効率を高めることができる。
【００４６】
また、レジスト液は水と比べて大きな粘性を有し、また乾きやすい性質を有する。そのため、図１に示したスピンコータ１００では、ウエーハ１の処理枚数が増加するにつれて、吐出ノズル３０の先端部がレジスト液の固着物で徐々に塞がり、レジスト液の滴下量が少しずつ減少してしまう傾向がある。この傾向は、ＳＯＧ形成用の液体を滴下する場合も同様である。
【００４７】
このようなレジスト液の滴下量の減少を解決するためには、図１に示したコントロール部６０に滴下量制御機能を持たせると良い。例えば、図２のステップ４で、コントロール部６０は、レジスト液が滴下されたウエーハ１を回転ステージ１０上に載置した状態で測定部４０が測定した静電容量の測定値Ｃ１を取得する。ここで、取得した測定値Ｃ１が、狙い値よりもある程度少なくなった場合には、コントロール部６０から加圧ポンプ（図示せず）へ制御信号を送って、吐出ノズル３０に接続された加圧容器（図示せず）の圧力を測定値Ｃ１と狙い値との差に応じてある程度高める。
【００４８】
これにより、次のウエーハ１を処理する際に、ウエーハ１の表面上に滴下されるレジスト液の滴下量を狙い値に近づけることができる。従って、複数のウエーハ１（例えば、１ロット）を枚葉処理する場合に、滴下量のばらつきをロット内で低減することができる。ここでは、コントロール部６０が本発明の滴下量制御部に対応している。
【００４９】
さらに、図１に示したコンロトール部６０に回転ステージ１０の速度制御機能を持たせると良い。例えば、図２のステップ７で、コントロール部６０は、レジスト膜が形成されたウエーハ１を回転ステージ１０上に載置した状態で測定部４０が測定した静電容量の測定値Ｃ２を取得する。ここで、取得した測定値Ｃ２が、狙い値からある程度外れた場合には、データ格納部６２に格納された回転ステージ１０の回転速度や回転時間の設定を、測定値Ｃ２と狙い値との差に応じて変更する。回転速度と回転時間の両方の設定を変更しても良いし、そのどちらか一方の設定のみを変更しても良い。
【００５０】
これにより、次のウエーハ１を処理する際に、回転ステージ１０の回転数を変更でき、ウエーハ１の表面上に形成されるレジスト膜の膜厚を狙い値に近づけることができる。従って、複数のウエーハ１（例えば、１ロット）を枚葉処理する場合に、レジスト膜の膜厚のばらつきをロット内で低減することができる。ここでは、コントロール部６０が本発明の回転制御部に対応している。
【図面の簡単な説明】
【図１】スピンコータ１００の構成例を示す概念図。
【図２】レジスト膜の形成工程を示すフローチャート。
【図３】レジストの滴下量または塗布厚と、静電容量との関係を示す図。
【符号の説明】
１  ウエーハ、１０  回転ステージ、２０  電極板、３０  吐出ノズル、４０測定部、４２  電圧印加部、４４  電圧計、５０  本体、６０  コントロール部、６２  データ格納部、６４  ディスプレイ、１００  スピンコータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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