(57)【要約】【課題】大出力、単一横モードの面発光半導体レーザーの製造の簡易化を図る。【解決手段】同一基体上に、ゲインを有する電流注入型の発光部１と、ゲインを有することのない２次元フォトニック結晶によるＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）部２とを有して成り、ＤＢＲ部３は、発光部２を取り囲んでリング状に、発光部２からの光波に対して導波結合する位置に配置され構成とし、発光部に対する電流注入のための、一方の電極を、２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部上の少なくとも外周部を除き、発光部上の少なくとも一部に限定的に被着形成された構成とするものである。  このように、発光部とＤＢＲ部とが平面的に異なる位置に配置した構成とすることによってこれら発光部１とＤＢＲ部２とを同一基体上に形成することができるようにして、これらをそれぞれ異なる基体上に形成することによる製造の取り扱いの不都合を回避する。【選択図】          図１
2004349573.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一基体上に、
ゲインを有する電流注入型の発光部と、
ゲインを有することのない２次元フォトニック結晶によるＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）部とを有して成り、
該ＤＢＲ部は、上記発光部を取り囲んでリング状に、上記発光部からの光波に対して導波結合する位置に配置され、
上記発光部に対する電流注入のための、一方の電極が、上記２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部上の少なくとも外周部を除く、上記発光部上の少なくとも一部に限定的に被着形成されて成ることを特徴とする面発光半導体レーザー。
【請求項２】
上記２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部は、多数の空孔部が隣り合う空孔部の間隔が規定されて形成されて成り、該空孔部によって上記発光部からの光波を面内で反射させて共振器を形成するとともに、その一部を面鉛直方向に回折させて面発光出力光として取り出すようになされたことを特徴とする請求項１に記載の面発光半導体レーザー。
【請求項３】
上記２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部は、多数の空孔部が隣り合う空孔部の間隔が規定されて形成されて成り、該空孔部によって上記発光部からの光波を面内で反射させて共振器を形成するとともに、その一部を面鉛直方向に回折させて面発光出力光として取り出すようになされ、これら回折光による複数の横モードが相互に結合されて、全体としてコヒーレントな発振が得られるようになされたことを特徴とする請求項１に記載の面発光半導体レーザー。
【請求項４】
上記発光部は、少なくとも活性層と、該活性層を挟んで積層された第１導電型の第１の半導体層と、第２導電型の第２の半導体層とを有して成ることを特徴とする請求項１に記載の面発光半導体レーザー。
【請求項５】
上記２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部が、コア層を挟んで上下に配置された第１および第２のクラッド層を有し、上記コア層が、上記発光部の活性層に比しバンドギャップの広い材料層より成ることを特徴とする請求項４に記載の面発光半導体レーザー。
【請求項６】
上記２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部のコア層が、上記活性層に隣接して配置形成されたことを特徴とする請求項４に記載の面発光半導体レーザー。
【請求項７】
上記２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部の構成層が、上記発光部下に延在して形成され、該延在部は、非フォトニック結晶構造とされたことを特徴とする請求項４に記載の面発光半導体レーザー。
【請求項８】
基体上に、ゲインを有する電流注入型の発光部を構成する半導体層を成膜する工程と、
該半導体層を、一部残してその周囲を除去する工程と、
上記基体上の上記半導体層の除去部に、ゲインを有することのない２次元フォトニック結晶によるＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）部を形成する積層膜の成膜工程と、
該２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部を形成する積層膜に、空孔を穿設する工程と、
上記発光部に対する電流注入のための、一方の電極を、上記２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部上の少なくとも外周部を除く、上記発光部上の少なくとも一部に限定的に被着形成する工程とを有し、
上記ＤＢＲが、上記発光部を取り囲んでリング状に、上記発光部からの光波に対して導波結合する位置に配置されて成る面発光半導体レーザーを得ることを特徴とする面発光半導体レーザーの製造方法。
【請求項９】
基体上に、ゲインを有することのない２次元フォトニック結晶によるＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）部を形成する積層膜の成膜工程と、
該積層膜上の一部に、限定的にゲインを有する電流注入型の発光部を形成す
る工程と、
該発光部の形成工程の前もしくは後に、２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部を形成する積層膜に空孔を穿設する工程と、
上記発光部に対する電流注入のための、一方の電極を、上記２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部上の少なくとも外周部を除く、上記発光部上の少なくとも一部に限定的に被着形成工程とを有し、
上記ＤＢＲが、上記発光部を取り囲んでリング状に、上記発光部からの光波に対して導波結合する位置に配置されて成る面発光半導体レーザーを得ることを特徴とする面発光半導体レーザーの製造方法。
【請求項１０】
上記２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部の隣り合う空孔部の間隔を所定の間隔に設定して形成し、該空孔部によって上記発光部からの光波を面内で反射させて共振器を形成するとともに、その一部を面鉛直方向に回折させて面発光出力光として取り出す構成とすることを特徴とする請求項８または９に記載の面発光半導体レーザーの製造方法。
【請求項１１】
上記２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部の隣り合う空孔部の間隔を所定の間隔に設定して形成し、該空孔部によって上記発光部からの光波を面内で反射させて共振器を形成するとともに、その一部を面鉛直方向に回折させて面発光出力光として取り出し、これら回折光による複数の横モードが相互に結合されて、全体としてコヒーレントな発振が得られる構成とすることを特徴とする請求項８または９に記載の面発光半導体レーザーの製造方法。
【請求項１２】
上記発光部の半導体層は、少なくとも活性層と、該活性層を挟んで積層された第１導電型の第１の半導体層と、第２導電型の第２の半導体層との積層膜によって構成することを特徴とする請求項８または９に記載の面発光半導体レーザーの製造方法。
【請求項１３】
上記２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部が、コア層を挟んで上下に配置された第１および第２のクラッド層を有し、上記コア層が、上記発光部の活性層に比しバンドギャップの広い材料層より成ることを特徴とする請求項８または９に記載の面発光半導体レーザーの製造方法。
【請求項１４】
上記２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部のコア層が、上記活性層に隣接して配置形成することを特徴とする請求項８または９に記載の面発光半導体レーザーの製造方法。
【請求項１５】
上記２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部の構成層が、上記発光部下に延在して形成され、該延在部は、非フォトニック結晶構造とすることを特徴とする請求項８または９に記載の面発光半導体レーザーの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、面発光半導体レーザー、特に大出力、かつ単一横モード発振を可能とする面発光半導体レーザーとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えばデータ通信における光通信用の光源として、大出力面発光半導体レーザーが用いられる。
このような大出力化は、通常発光面積を大とすることによってなされる。しかしながら、このように発光面積を大とすると、一般に、横モードが多モード化する。
【０００３】
一方、例えば長距離伝送等おいては、単一横モードの光ファイバが用いられ、これに対する入力レーザー光は、単一横モードであることが、高い結合効率、伝送効率を得る上で有利である。これらのことなどから、大出力で、かつ単一横モードの大出力レーザーが要求される。
【０００４】
このような大出力、単一横モードの面発光半導体レーザーとして、フォトニックバンド層が設けられた構造による半導体発光デバイスの提案がなされている（特許文献１参照）。
この半導体レーザーは、活性層において発生されるべき波長を規定する２次元回折格子としてのフォトニックバンド構造を有するフォトニックバンド層が、基板の主面に沿って配置され、この上に、第１および第２導電型の半導体層によって挟まれた活性層が配置された構造を有する。
しかしながら、このように、フォトニックバンド層上に、活性層が配置された構成を有する場合、このフォトニックバンド層によって面鉛直方向に回折された光が、活性層、すなわち発光部を横切って鉛直方向に向かうことから、電極の配置、光の取り出し法に制約がある。
また、フォトニックバンド層、すなわち空孔を有するフォトニック結晶層上に、活性層等の発光部を成膜することができないことから、フォトニックバンド層が形成された基板とは、別体の基板を用意し、この基板上に、活性層とその上下のクラッド層とをエピタキシャル成長させて、両基板を貼り合わせるという方法をとる。したがって、この場合、２枚の基板を取り扱い、しかも、これらを接合することから、生産性および歩留まりに問題が生じ勝ちである。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−３３２３５１号公報、図８〜図１０と、その説明の段落番号［００５７］〜［００６５］。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述した大出力、単一横モードの面発光半導体レーザーにおける問題点の解決を図った面発光レーザーとその製造方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明による面発光半導体レーザーは、同一基体上に、ゲインを有する電流注入型の発光部と、ゲインを有することのない２次元フォトニック結晶によるＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）部とを有して成り、ＤＢＲは、発光部を取り囲んでリング状に、発光部からの光波に対して導波結合する位置に配置され構成、すなわちこの実質的に２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部として動作する領域が、発光部の周囲にのみ限定的に形成された構成とする。
そして、発光部に対する電流注入のための、一方の電極が、２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部上の少なくとも外周部を除き、発光部上の少なくとも一部に限定的に被着形成された構成とするものである。
【０００８】
また、本発明による面発光半導体レーザーの製造方法は、基体上に、ゲインを有する電流注入型の発光部を構成する半導体層を成膜する工程と、この半導体層を、一部残してその周囲を除去する工程と、基体上の半導体層の除去部に、ゲインを有することのない２次元フォトニック結晶によるＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）部を形成する積層膜の成膜工程と、２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部を形成する積層膜に、空孔を穿設する工程と、発光部に対する電流注入のための、一方の電極を、２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部上の少なくとも外周部を除く、発光部上の少なくとも一部に限定的に被着形成する工程とを経て、面発光半導体レーザーを得る。
このようにして、上述した本発明による面発光半導体レーザーを製造するものである。すなわち、そのＤＢＲ部が、発光部を取り囲んでリング状に、発光部からの光波に対して導波結合する位置に配置されて成る面発光半導体レーザーを得る。
【０００９】
更に、本発明による製造方法は、基体上に、ゲインを有することのない２次元フォトニック結晶によるＤＢＲ部を形成する積層膜の成膜工程と、積層膜上の一部に、限定的にゲインを有する電流注入型の発光部を形成する工程と、この発光部の形成工程の前もしくは後に、２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部を形成する積層膜に空孔を穿設する工程と、発光部に対する電流注入のための、一方の電極を、２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部上の少なくとも外周部を除く、発光部上の少なくとも一部に限定的に被着形成工程とを有し、ＤＢＲ部が、発光部を取り囲んでリング状に、発光部からの光波に対して導波結合する位置に配置されて成る面発光半導体レーザーを得る。
【００１０】
上述した本発明による面発光半導体レーザーによれば、２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部が、発光部を取り囲んでリング状に、すなわち発光部からの光波に対して導波結合するものの、発光部と重なることのない位置に配置された構成を有することから、平面的には、発光部とＤＢＲ部とが分離された位置にあることからＤＢＲ部によって、鉛直方向に取り出される光によって発光部が影響されることがない。
【００１１】
また、上述した本発明による、いずれの製造方法も、上述した本発明構成による面発光半導体レーザーを作製する方法であり、共通の基体上に発光部とＤＢＲ部とを形成する方法をとることから、製造の簡易化が図られる。
なお、本明細書において、リング状とは、円形状を指称するものではなく各種形状例えば角形形状をも含む。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明による面発光半導体レーザーは、例えば図１に、一実施形態例の平面的配置図を示し、図２に一実施形態例の概略断面図を示すように、同一基体１１上に、平面的にみて、ゲインを有する電流注入型の発光部１の周囲の、発光部１からの光波に対して導波結合する位置にリング状に、ゲインを有することのない２次元フォトニック結晶によるＤＢＲ部２が配置された構成を有する。
【００１３】
そして、発光部１に対する電流注入のための、一方の電極すなわち第１の電極３１が、２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部２上の少なくとも外周部を除く、発光部１上の少なくとも一部に限定的に被着形成される。
【００１４】
２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部２は、多数の空孔部３が、隣り合う空孔部３の間隔が規定されて形成されて成り、この空孔部３によって発光部からの光波を面内で反射させて共振器を形成するとともに、その一部を面鉛直方向に回折させて面発光出力光として取り出すように空孔部３の配置関係の選定がなされる。
つまり、この２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部２は、多数の空孔部３が隣り合う空孔部３の間隔が規定されて形成されて成り、この空孔部３によって発光部１からの光波を面内で反射させて共振器を形成するとともに、その一部を面鉛直方向に回折させて面発光出力光として取り出すようになされる。
そして、これら回折光による複数の横モードが相互に結合されて、全体としてコヒーレントな発振を得る。
【００１５】
具体的には、例えば図１に示すように、隣り合う空孔部３、すなわち格子点が、正３角形をなす、３角格子とする場合には、まず、共振器を形成するために、任意の格子点Ａからその第２隣接格子点Ｂに向かう方向の格子周期ｄと媒質内での光の波長λとを一致させて、２次のブラッグ回折条件を満足させる。
【００１６】
また、この２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部２は、例えばコア層４３を挟んで上下に配置された第１および第２のクラッド層４１および４２による積層膜によって構成される。
そして、ＤＢＲ部のコア層４３は、そのバンドギャップが、後述する発光部１の活性層２３のバンドギャップより広い材料層より構成される。
また、クラッド層４１および４２は、その屈折率が、コア層４３より大に選定される。
【００１７】
発光部１は、少なくとも活性層２３と、この活性層２３を挟んで積層されたそれぞれ下層および上層のクラッド層ないしはガイド層を構成する第１導電型の第１の半導体層２１と、第２導電型の第２の半導体層２２とを有する。
【００１８】
次に、本発明による面発光半導体レーザーとこれら製造方法の実施の形態を例示し、詳細に説明するが、本発明は、これらの例に限定されるものではないことは言うまでもない。
【００１９】
［第１の実施の形態］
この実施の形態例は、図２で概略断面図を示したように、その２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部２のコア層４３が、活性層２３に隣接して光学的に結合するように配置形成した場合である。
図３〜図５の各工程の概略断面図を参照して、製造方法の一実施形態例とともに説明する。
【００２０】
まず、図３Ａに示すように、基体１１、例えば第１導電型例えばｎ型の半導体基板、例えばＧａＡｓ基板を用意し、この基板１１上に、最終的に発光部１を構成する第１導電型すなわち基板１１と同導電型のｎ型の例えばＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓよりなる厚さ０．１μｍの第１の半導体層２１、ＧａＡｓもしくはＧａＡｓとＡｌＧａＡｓとの多重量子井戸構造による厚さ０．１μｍの活性層２３、第２導電型この例ではｐ型の第２の半導体層２２とを、順次積層された積層膜２５と、さらにこの上に、第２導電型この例ではｐ型の高不純物濃度を有する例えばＧａＡｓによる厚さ０．２μｍの第２キャップ層２４とを順次連続的に成膜する。
【００２１】
次に、図３Ｂに示すように、この積層膜２５上に、次に行う選択エピタキシーのマスクとなる例えばＳｉＯ２によるマスク層２６を例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スパッタリング等によって形成する。
図３Ｃに示すように、マスク層２６とその下の積層膜２５とにわたって、フォトリソグラフィによるパターンエッチング、例えば塩素ガスによるＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）を行って、例えば平面パターンが円形状をなす部分を島状に残してその周囲をエッチング除去する。
このようにして、マスク層２６によって上面が覆われた半導体レーザーの発光部１が形成され、その周囲が排除され、基板１１の表面が外部に露呈される。
【００２２】
次に、図４Ａに示すように、外部に露呈された基板１１上に、マスク層２６と選択性を有する選択再成長例えばＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって下層の第１のクラッド層４１、コア層４３、上層の第２のクラッド層４２と、更に、この上にキャップ層４４とによるＤＢＲの構成膜４５を順次連続的に成膜する。このとき、コア層４３は、第１のクラッド層４１およびコア層４３の厚さの選定によって、コア層４３の端面が、発光部１の活性層２３の端面と光学的に連接させる。
第１および第２のクラッド層４１および４２は、例えばＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓより構成し、コア層４３は、Ａｌ０．１Ｇａ０・９Ａｓによって構成し、キャップ層４４は、ＧａＡｓによって構成することができる。
【００２３】
図４Ｂに示すように、マスク層２６を例えばフロン系ガスによるＲＩＥによって、あるいはフッ酸によるウェットエッチングによって除去する。
その後、図４Ｃに示すように、フォトニック結晶ＤＢＲの形成を行う。すなわち、発光部１の周囲にリング状に形成されたキャップ層４４、第２のクラッド層４２、コア層４３、第１のクラッド層４１に至る深さに、前述した配置によって空孔部３の穿設を行う。
この空孔部の穿設は、例えば電子描画によるリソグラフィと塩素系ガスによるＲＩＥ等によって行うことができる。
【００２４】
次に、図５Ａに示すように、発光部１のキャップ層２４上に、発光部１に対する電流注入を行う対向電極３１をオーミックに被着形成する。
この電極３１の形成は、例えばＡｕＧｅ／Ａｕ構造の金属膜を蒸着、スパッタリング等によって形成し、リフトオフ法によって形成することができる。
そして、基板１１をその裏面から研磨して所要の厚さ例えば１００μｍとして最終的に形成する面発光半導体レーザーの基板とする。
この基板１１の裏面には対向電極１２を、同様の例えばＡｕＧｅ／Ａｕ構造によって形成する。
このようにして、本発明による面発光半導体レーザーが形成される。
【００２５】
この実施の形態においては、発光部の周囲のみに２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部の構成膜が形成され、そのコア層４３が、発光部１の活性層２３と接するようにして光学的に結合する構成とした場合であるが、２次元フォトニック結晶ＤＢＲの構成層４５を、発光部１下に非フォトニック結晶構造をもって導波路として延在させて、発光部１からの光波をこの導波路に、いわゆる並行導波結合させて、発光部１からの発生した光波を、ＤＢＲ部２伝播させて、上述した共振器機能と回折効果によって面発光出力として取り出す構成とする形態をとることもできる。
次に、この場合の実施の形態例をその製造方法の実施形態とともに図６および図７の各工程の概略断面図を参照して説明する。
【００２６】
［第２の実施形態］
この実施形態においても、図６Ａに示すように、例えば上述した例と同様に、基体１１、例えば第１導電型例えばｎ型の半導体基板、例えばＧａＡｓ基板を用意する。
しかしながら、この実施の形態においては、基板１１上に、２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部２の構成層４５と、発光部１を構成する積層膜２５とを成膜する。
この場合、２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部における第２のクラッド層４２と、発光部１における第１の半導体層２１とを共通の層として、積層成膜する。
すなわち、基板１１上に、第１のクラッド層４１、コア層４３、第２のクラッド層４２兼第１の半導体層２１、活性層２３、第２の半導体層２２、キャップ層２４を、ＭＯＣＶＤ等によって形成する。これらの各層の構成材料、成膜方法等は、第１の実施形態におけると同様の構成材料および成膜方法によることができる。
【００２７】
この成膜層に対して、図６Ｂに示すように、キャップ層２４、第１の半導体層２２、活性層２３を横切る深さで、クラッド層２１（４２）を横切ることのない、深さに、図３Ｃで説明したと同様の方法よってエッチングを行って、発光部１を形成する。
その後、図６Ｃに示すように、たとえば、図４Ｃで示したと同様の方法によって、空孔部３を形成し、発光部１の周囲にのみ２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部２を構成する。
【００２８】
その後は、図７Ａ〜図７Ｃに示すように、たとえば図５Ａ〜Ｃで説明したと同様に、第１の電極３１の形成、基板１１の裏面からの研磨、基板１１の裏面への第２の電極３２の形成を行う。
【００２９】
このようにして、２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部２を構成する構成層４５が、発光部１の下に延在する延在部４６が形成される。しかしながら、この延在部においては、空孔部３が形成されていないことから、２次元フォトニック結晶構造を有するものではなく、この延在部４６においては、発光部１からの発光光波が、並行導波結合によって延在部４６のコア層に伝達され、２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部２へと伝送されて、共振器効果と、回折によって図において、上方へとすなわち面発光出力として取り出される。
【００３０】
上述した第１および第２の実施形態のいずれの例においても、その出力光は、各空孔部３からの回折光が全体としてコヒーレントな出力光が得られるようになされる。
【００３１】
上述した各例における面発光半導体レーザーは、例えば１枚の基板に多数個同時に形成することができ、各面発光半導体レーザーについて、破断分離することによって、複数の面発光半導体レーザー素子ごとにチップ化することもできるし、マルチレーザーのチップを構成することもできる。
【００３２】
このチップは、例えばＳｉウェハー等のサブマウントとなるべき板状の材料上に、チップの第２の電極側を下にして整列配置し、サブマウントとチップとを半田により接着・固定する。このようにして、チップと一体となったサブマウントをダイサーにより個別に分離する。
個別分離されたサブマウントをヒートシンクシステム上に、銀ペーストや半田等で加熱・接着する。
チップ上の電極パッド（この場合デバイス中央の円形電極）およびと、ヒートシンクシステムの端子ピンとを細いワイヤで接続する。そして、ヒートシンクシステムに光を取り出すためのガラス窓を持ったウインドキャップを溶接し、チップを外気と遮断する。
なお、サブマウントを省略し、ヒートシンクに直接ダイボンドすることもあり得る。
【００３３】
上述したように、本発明によれば、発光部１と、２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部２とが、いわば平面的に配列された面発光半導体レーザーを構成するので、２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部を有することによって発光効率が高く、単一横モードの面発光半導体レーザーを構成し、しかも２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部を設けたことによる冒頭に述べた不都合を回避できる。
【００３４】
なお、本発明は、上述した例による構造半導体に限られるものではなく、例えば発光部１の半導体レーザー本体において、上述した例では、ＧａＡｓ系の構成とした場合であるが、ＩｎＰ系とするなど、材料系および構造においても、本発明にあって、種々の変形変更を行うことができる。
また、各層の成膜方法も、例えばＭＯＶＰＥ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）等によって形成するなど、上述した例に限られるものではない。
【００３５】
【発明の効果】
上述したように、本発明による面発光半導体レーザーによれば、２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部、すなわち空孔部が形成されて構成された実質的ＤＢＲの領域が、発光部を取り囲んでリング状に、すなわち発光部からの光波に対して導波結合するものの、発光部と重なることのない位置に配置された構成を有することから、ＤＢＲ部から鉛直方向に取り出される出力光が、発光部に影響を与えたり、電極のレイアウトと光取り出しなどにおいて、設計上の制約が緩和される。
そして、このような構成としたことによって、同一基体（基板）上に、２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部と発光部とを形成することができるものである。
【００３６】
したがって、この本発明による面発光半導体レーザーの製造方法においては、上述したように、共通の基体（基板）に、発光部を形成して後に、２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部を構成する成膜を発光部の周囲に選択的に成膜して穿孔を行う方法をとって容易に、したがって、高い生産性をもって、歩留まりよく製造を行うことができる。
あるいは、上述した本発明製造方法におけるように２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部を形成する成膜を行なって後に、この上に、発光部の形成を行い、この発光部の形成部以外において、穿孔を行うことによって２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部を形成するという方法をとることによって容易に、したがって、高い生産性をもって、歩留まりよく製造を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による面発光半導体レーザーの２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部と発光部との平面的位置関係を示す図である。
【図２】本発明による面発光半導体レーザーの一例の概略断面図である。
【図３】Ａ〜Ｃは、本発明製造方法の一例の工程図（その１）の各工程における断面図である。
【図４】Ａ〜Ｃは、本発明製造方法の一例の工程図（その２）の各工程における断面図である。
【図５】Ａ〜Ｃは、本発明製造方法の一例の工程図（その３）の各工程における断面図である。
【図６】Ａ〜Ｃは、本発明製造方法の他の例の工程図（その１）の各工程における断面図である。
【図７】Ａ〜Ｃは、本発明製造方法の他の例の工程図（その２）の各工程における断面図である。
【符号の説明】
１・・・発光部、２・・・２次元フォトニック結晶ＤＢＲ部、３・・・空孔部、１１・・・基体（基板）、２１・・・第１の半導体層、２２・・・第２の半導体層、２３・・・活性層、２４・・・キャップ層、２５・・・発光部を構成する積層膜、２６マスク層、３１・・・第１の電極、３２・・・第２の電極、４１・・・第１のクラッド層、４２・・・第２のクラッド層、４３・・・コア層、４４キャップ層、４５・・・ＤＢＲの構成膜、４６・・・延在部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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