(57)【要約】【課題】高速動作を阻む要因となっていたマイクロ波損失を効果的に取り除くことができる吸収型半導体光変調器を提供する。【解決手段】吸収端波長が光信号の波長より短い半導体コア２３と、電圧印加時にその半導体コアの吸収端波長を長波長側に動かすことにより、光信号を半導体コア２３に吸収させるための電圧印加用の電極３Ａ，３Ｂを具備する。半導体コア２３の上部にあるｐ型の導電性を持つ半導体ｐクラッド層２５において、ｐクラッド層がドーピング濃度の異なる複数の層２５１、２５２、２５３を積層した多層構造からなり、多層構造におけるドーピング濃度分布において中央部のｐクラッド層２５２として、そのドーピング濃度が外側のｐクラッド層２５１、２５３のドーピング濃度よりも小さく、かつドーピング濃度１×１０１７ｃｍ−３以下の層を含んでいる。【選択図】        図１
2004271744.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸収端波長が光信号の波長よりも短い半導体コアと、電圧印加時に前記半導体コアの前記吸収端波長を長波長側に動かすことにより前記光信号を前記半導体コアに吸収させるための電圧印加用の電極とを具備する吸収型半導体光変調器において、
前記半導体コアの上部にあるｐ型の導電性を持つ半導体ｐクラッド層がドーピング濃度の異なる３層以上の層を積層した多層構造からなり、かつ前記多層構造におけるドーピング濃度分布において中央部または略中央部の層のドーピング濃度がその外側の層のドーピング濃度よりも低濃度であることを特徴とする吸収型半導体光変調器。
【請求項２】
吸収端波長が光信号の波長よりも短い半導体コアと、電圧印加時に前記半導体コアの前記吸収端波長を長波長側に動かすことにより前記光信号を前記半導体コアに吸収させるための電圧印加用の電極とを具備する吸収型半導体光変調器において、
前記半導体コアの下部にあるｎ型の導電性を持つ半導体ｎクラッド層がドーピング濃度の異なる３層以上の層を積層した多層構造からなり、かつ前記多層構造におけるドーピング濃度分布において中央部または略中央部の層のドーピング濃度がその外側の層のドーピング濃度よりも低濃度であることを特徴とする吸収型半導体光変調器。
【請求項３】
前記半導体コアの下部にあるｎ型の導電性を持つ半導体ｎクラッド層がドーピング濃度の異なる３層以上の層を積層した多層構造からなり、かつ前記多層構造におけるドーピング濃度分布において中央部または略中央部の層のドーピング濃度がその外側の層のドーピング濃度よりも低濃度であることを特徴とする請求項１に記載の吸収型半導体光変調器。
【請求項４】
前記中央部または略中央部の層のドーピング濃度が１×１０１７ｃｍ−３以下であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の吸収型半導体光変調器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体光変調器に関し、特に高速で動作する吸収型半導体光変調器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図７に従来の吸収型半導体光変調器の一例を示す（非特許文献１）。従来の吸収型半導体光変調器は、ｎ−ＩｎＰ基板１と、その上面に積層した半導体積層体２と、この基板１の下面と半導体積層体２の上面に積層された一対の電極３Ａ、３Ｂ（総括番号を３とする）とから構成されている。
【０００３】
この半導体積層体２は、ｎ−ＩｎＰ基板１の上面に順次積層されたｎ−ＩｎＰクラッド層２１、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ  ＳＣＨ（Ｓｅｐａｒａｔｅ  Ｃｏｎｆｉｎｅｄ  Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ：キャリヤ閉込め領域と光閉込め領域を別々に有するヘテロ構造）層２２、多重量子井戸コア層２３、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ  ＳＣＨ層２４、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５、ｐ＋−ＩｎＧａＡｓキャップ層２６からなる。この半導体積層体２の存在しないｎ−ＩｎＰ基板１の上面の両側には、ポリイミド層４が形成され、半導体積層体２を埋め込んでいる。
【０００４】
電極３は、ｎ−ＩｎＰ基板１の下面にｎ電極３Ａを、ｐ＋−ＩｎＧａＡｓキャップ層２６の上面にｐ電極３Ｂを形成している。このｐ電極３Ｂの上面に、駆動電源（図示しない）から、半導体積層体２の積層方向（図７における上下方向）への電圧の印加を可能にしている。
【０００５】
この吸収型半導体光変調器は、ｎ−ＩｎＰ基板１の上面に積層した半導体積層体２のうち、多重量子井戸コア層２３の側面から光信号を入射し、多重量子井戸コア層２３内を伝送途中の光信号に上記電圧を印加することで、光の強度を変更して出力することができる。
【０００６】
ｐ電極３Ｂは進行波電極となっている。光信号の入射側のポリイミド層４の上部電極が電気信号の入力部Ｉとなり、この入力部Ｉに駆動信号源（図示しない）から電気信号（逆バイアス電圧）が入力される。一方、光信号の出射側のポリイミド層４の上部電極に出力部ＩＩが設けられ、この出力部ＩＩには終端抵抗（図示しない）が接続される。つまり、光が入射した多重量子井戸コア層２３を伝搬する間に、電気信号も光変調器の全長にわたって光と同方向に伝搬する。両者が併走する間に、電気信号により多重量子井戸コア層２３の吸収端波長は長波長側にシフトされるため、光は吸収されてＯＦＦ状態となる。
【０００７】
上記構成の従来の吸収型半導体光変調器の動作原理を図８を用いて説明する。上記構成において、光信号の波長（動作波長）を１．５５μｍとした場合、多重量子井戸コア層２３の構成を調節して、吸収ピークを１．４８μｍ程度となるよう設計しておく。ここで、この光変調器に電圧を印加していない場合、動作波長は、図８の実線Ａのグラフに示すように、吸収端波長よりも長波長側に離れており、入射光は半導体多重量子井戸コア層２３に吸収されずに出射され、光はＯＮ状態になる。一方、光変調器に逆バイアス電圧を印加した場合の吸収スペクトルは、図８の破線Ｂのグラフに示すように、長波長側に移動するため、光信号は半導体多重量子井戸コア層２３に吸収され、光はＯＦＦ状態となる。
【０００８】
ｎ電極３Ａ、ｐ電極３Ｂは金を含む金属合金であり、有限の電気伝導率をもつ。また、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５、ｎ−ＩｎＰクラッド層２１は高濃度のキャリアドーピングを施された半導体であり、電極同様に有限の電気導電率を持つ。特に、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５及びｎ−ＩｎＰクラッド層２１については、誘電率の虚数部を有し、誘電率の虚数部はマイクロ波の周波数に比例し、導電率に反比例する。すなわち、誘電率の虚数部は、電気信号がマイクロ波としてｐ電極３Ｂを伝搬する際にマイクロ波の損失要因として作用する。ドーピングされたＩｎＰの伝導率は、金属に比べて桁違いに小さいため、マイクロ波として供給された電気信号が半導体多重量子井戸コア層２３に印加される場合に、マイクロ波エネルギーの多くがｐ−ＩｎＰクラッド層２５またはｎ−ＩｎＰクラッド層２１で熱として消費されてしまい、半導体多重量子井戸コア層２３の光吸収を変化させるために有効に使われない。さらに、上述のようにマイクロ波の損失要因となる誘電率虚数部はマイクロ波周波数の増大とともに増加してしまう。以上の状況を説明するのが図９に図示する従来の光変調器に対する光応答特性である。
【０００９】
図９は、横軸が光変調器にマイクロ波として供給された電気信号のマイクロ波変調周波数（ＧＨｚ）であり、縦軸はｐ電極３Ｂ上を伝わるマイクロ波電気信号が光吸収変調に如何に効率よく寄与したかをデシベル（ｄＢ）単位で表示したものである。電気信号のマイクロ波変調周波数の増大とともに、変調器は０ｄＢ（すなわち効率１００）から急速に劣化し、１５ＧＨｚあたりで最低基準値の−３ｄＢを下回ってしまう。これは、上述したマイクロ波の損失が主たる原因である。
【００１０】
【非特許文献１】
Ｋ．  Ｗａｋｉｔａ，  Ｉ．  Ｋｏｔａｋａ，  Ｈ．  Ａｓａｉ，  Ｍ．  Ｏｋａｍｏｔｏ，  Ｙ．  Ｋｏｎｄｏ．  ａｎｄ  Ｍ．  Ｎａｇａｎｕｍａ  “Ｈｉｇｈ−ｓｐｅｅｄ  ａｎｄ  ｌｏｗ−ｄｒｉｖｅ−ｖｏｌｔａｇｅ  ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ  ｍｕｌｔｉｐｌｅ  ｑｕａｎｔｕｍ−ｗｅｌｌ  ｍｏｄｕｌａｔｏｒ  ／  ＤＦＢ  ｌａｓｅｒ  ｌｉｇｈｔ  ｓｏｕｒｃｅ”ＩＥＥＥ  Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｌｅｔｔｅｒｓ、ｐｐ．  １６−１８，  Ｖｏｌ．  ４，  Ｎｏ．  １，  Ｊａｎｕａｒｙ  １９９２、  ＩＥＥＥ  （ｔｈｅ  Ｉｎｓｕｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ａｎｄ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｓ，  Ｉｎｃ．）
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来のクラッド層構造では、周波数が高くなるにつれて、マイクロ波が感じる損失が大きくなるため、超高速光変調を実現するのが困難であった。
【００１２】
本発明は、従来技術の上記のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、高速動作を阻む要因となっていたマイクロ波損失を効果的に取り除くことができる吸収型半導体光変調器を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、吸収端波長が光信号の波長よりも短い半導体コアと、電圧印加時に前記半導体コアの前記吸収端波長を長波長側に動かすことにより前記光信号を前記半導体コアに吸収させるための電圧印加用の電極とを具備する吸収型半導体光変調器において、前記半導体コアの上部にあるｐ型の導電性を持つ半導体ｐクラッド層がドーピング濃度の異なる３層以上の層を積層した多層構造からなり、かつ前記多層構造におけるドーピング濃度分布において中央部または略中央部の層のドーピング濃度がその外側の層のドーピング濃度よりも低濃度であるようにしている。
【００１４】
吸収型変調器において、一般にクラッド層は、金属電極に接し、変調器動作中に発生した光電流を電極を通して、変調器が接続された外部回路へ流す重要な役割を担うため、ドーピング濃度を変化させることは行われないが、クラッド層の中央部にドーピング濃度の低い領域を設けるという発想によって、ドーピング濃度を下げたことによるマイクロ波損失の低減が可能となる。
【００１５】
請求項２に記載の発明は、吸収端波長が光信号の波長よりも短い半導体コアと、電圧印加時に前記半導体コアの前記吸収端波長を長波長側に動かすことにより前記光信号を前記半導体コアに吸収させるための電圧印加用の電極とを具備する吸収型半導体光変調器において、前記半導体コアの下部にあるｎ型の導電性を持つ半導体ｎクラッド層がドーピング濃度の異なる３層以上の層を積層した多層構造からなり、かつ前記多層構造におけるドーピング濃度分布において中央部または略中央部の層のドーピング濃度がその外側の層のドーピング濃度よりも低濃度であるようにしている。
【００１６】
請求項２に係わるｎ型クラッド層は、請求項１に係わるｐ型クラッドに比べてマイクロ波損失増大への寄与が比較的小さいが、クラッド層の中央部にドーピング濃度の低い領域を設けるという発想によって、ｐ型クラッド層同様にドーピング濃度を下げたことによるマイクロ波損失の低減が期待できる。
【００１７】
請求項３に係わる発明では、請求項１の発明において、前記半導体コアの下部にあるｎ型の導電性を持つ半導体ｎクラッド層がドーピング濃度の異なる３層以上の層を積層した多層構造からなり、かつ前記多層構造におけるドーピング濃度分布において中央部または略中央部の層のドーピング濃度がその外側の層のドーピング濃度よりも低濃度であるようにすることで、請求項１に係わる発明の効果と請求項２に係わる発明の効果の相乗効果によりさらなるマイクロ波損失の低減が可能となる。
【００１８】
請求項３に係わる発明では、前記中央部または略中央部の層のドーピング濃度が１×１０１７ｃｍ−３以下であるとすることで、実用的に最適な数値を限定している。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００２０】
本発明の一実施形態の吸収型半導体光変調器の構造を図１に示す。なお、図７に示した従来の吸収型半導体光変調器と同じ構成には同じ符号を付し、その重複する説明は省略する。
【００２１】
図１に示す本実施形態における吸収型半導体光変調器は、図７に示した従来の吸収型半導体光変調器と同様に、ｎ−ＩｎＰ基板１と、その上面に積層した半導体積層体２と、この半導体積層体２の積層方向（図１における上下方向）に電圧を印加するように、ｎ−ＩｎＰ基板１の下面と半導体積層体２の上面に積層された一対の電極３Ａ，３Ｂとから構成されている。この半導体積層体２の存在しないｎ−ＩｎＰ基板１の上面の両側には、ポリイミド層４が形成され、半導体積層体２を埋め込んでいる。
【００２２】
この半導体積層体２は、ｎ−ＩｎＰ基板１の上面に順次積層された、ｎクラッド層であるｎ−ＩｎＰクラッド層２１、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ  ＳＣＨ層２２、多重量子井戸コア層２３、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ  ＳＣＨ層２４、ｐ型クラッド層であるｐ−ＩｎＰクラッド層２５、ｐ＋−ＩｎＧａＡｓキャップ層２６からなる。
【００２３】
ここで、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５は、異なる濃度のｐ型ドーパントをドーピングされた３つの層を交互に積層した構成になっており、それらは下から（基板１側から）ｐ−ＩｎＰクラッド層２５１、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５２、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５３である。下部のｐ−ＩｎＰクラッド層２５１及び上部のｐ−ＩｎＰクラッド層２５３のドーピング濃度は、ともに１×１０１８ｃｍ−３であり、間に挟まれた中間のｐ−ＩｎＰクラッド層２５２のドーピング濃度は、上記クラッド層２５１及び２５３よりも低濃度の５×１０１６ｃｍ−３に設定されている。
【００２４】
上記構成の吸収型半導体光変調器を、従来の吸収型半導体光変調器と同様に動作させたときの結果を図２及び図３に示す。
【００２５】
図２は、横軸が光変調器にマイクロ波として供給された電気信号のマイクロ波変調周波数（ＧＨｚ）であり、縦軸はｐ電極３Ｂ上を伝わるマイクロ波電気信号が光吸収変調に如何に効率よく寄与したかをデシベル（ｄＢ）単位で表示したものである。図２のＡのグラフは図１の本発明の光変調器を動作させたときの光応答の周波数特性を表す。図２のＢのグラフは、比較のために従来の光変調器を動作させたときの光応答の周波数特性を併せて表示したものである。図２から分かるように、Ａのグラフで示す本発明の光変調器は、Ｂのグラフで示す従来の光変調器と異なり、電気信号のマイクロ波変調周波数の増大とともに、変調器は０ｄＢ（すなわち効率１００）から急速に劣化することはなく、４０ＧＨｚあたりまで最低基準値の−３ｄＢを下回ることがない。これは、後述のように、本発明の光変調器は、マイクロ波の損失が少ないことによる。
【００２６】
図３は、横軸が光変調器のｐ電極３Ｂの上面に、駆動電源（図示しない）から、半導体積層体２の積層方向（図７における上下方向）へ電圧を印加したときの印加電圧（Ｖ）であり、縦軸は入射光に対する消光（ｄＢ）を表わす。図３の実線Ａのグラフが図１の本発明の吸収型半導体光変調器を動作させたときの印加電圧に対する消光特性を表わす。図３には、比較のために従来の吸収型半導体光変調器を動作させた時の消光量の印加電圧依存性も、破線Ｂのグラフにより併せて表示した。ここで、図３においては、動作波長１．５５μｍに対する吸収ピークとして、半導体コア層（多重量子井戸コア層）２３の光吸収ピークを１．４８μｍにして動作を行っている。
【００２７】
図２に示すように、本発明の一実施形態における光変調器では、従来の光変調器の特性に比べて光応答特性に優れ、応答劣化の目安となる−３ｄＢ劣化の周波数が２．５倍に延びていることがわかる。マイクロ波は、自身の周波数が高くなるに従い、減衰しやすい性質を持っている。物理的には、光応答特性は、マイクロ波の形で光変調器に供給される電気信号がコア層２３に効率良く伝えられ光信号の変調に寄与する程度を表す示量変数であり、光応答劣化の程度が−３ｄＢ以内に収まる周波数が高いということは、本発明の実施形態における光変調器の方が、そこを伝搬するマイクロ波にとって損失を感じにくい構造になっていることを物語っている。
【００２８】
また、図３に示す消光特性において、十分な消光を得るために必要な印加電圧は、本発明の一実施形態における光変調器の方が従来の光変調器に比べてより高い電圧を必要としているが、図２で示す−３ｄＢ周波数帯域の大幅な延伸効果に比べると非常に小さな増加量に留まっており、本発明の効果が大きいことを示している。
【００２９】
本発明の一実施形態における光変調器では、前述のように、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５２のドーピング濃度を、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５１及びｐ−ＩｎＰクラッド層２５３よりも低濃度の５×１０１６ｃｍ−３に設定している。ここで、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５２のドーピング濃度とマイクロ波損失低減効果との関係はどのようなものであるか？との疑問が生じる。その関係を図示したのが図４である。
【００３０】
図４は、本発明の一実施形態における吸収型半導体光変調器において、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５２のドーピング濃度を変化させた場合のマイクロ波損失及び、光応答特性の−３ｄＢ劣化帯域のマイクロ波周波数依存性をプロットしたものである。図４の黒丸のプロットをつなげたグラフＡから分かるように、マイクロ波損失は、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５２のドーピング濃度が１×１０１７ｃｍ−３程度（１Ｅ１７で図示）を境にして、ドーピング濃度の減少に対して急速に低減されることがわかる。
【００３１】
１×１０１７ｃｍ−３という濃度は、半導体積層体２を構成する半導体ｐ−ｉ−ｎダイオード構造において、多重量子井戸コア層２３の厚さで決まるダイオード構造の容量値とのバランスから決まるものである。多重量子井戸コア層２３の厚さは典型的に０．２〜０．３μｍ程度であり、これ以上薄くすることは、ｐ−ｉ−ｎダイオード構造の容量値が増加するため利点がなく、逆に厚くすると印加電圧の増大を招く。本発明の一実施形態の光変調器の動作周波数は４０ＧＨｚ以上と超高速であり、そのような超高速光変調器の動作に、マイクロ波電気信号を供給する電子回路の制限から、低駆動印加電圧化は必須である。従って、多重量子井戸コア層２３の厚さは典型的に０．２〜０．３μｍ程度から大きく変更する可能性は小さい。よって、多重量子井戸コア層２３の厚さで決まるダイオード構造の容量値とのバランスから決まる１×１０１７ｃｍ−３というｐ−ＩｎＰクラッド層２５２のドーピング濃度は、本発明を特徴づける量である。
【００３２】
図５は、本発明の一実施形態における吸収型半導体光変調器の動作時のポテンシャルエネルギー分布を、半導体積層体２の中央部の上下方向に沿って図示したものである。ｐ−ＩｎＰクラッド層２５２のドーピング濃度は、５×１０１６ｃｍ−３である。図５の（Ａ）のポテンシャル図は印加電圧０Ｖ時のときのものであり、図５の（Ｂ）のポテンシャル図は印加電圧−２Ｖ時のものである。
【００３３】
図６は、従来の光変調器における動作時のポテンシャルエネルギー分布を半導体積層体２の中央部の上下方向に沿って図示したものである。ｐ−ＩｎＰクラッド層全体のドーピング濃度は、１×１０１８ｃｍ−３である。図６の（Ａ）のポテンシャル図は印加電圧０Ｖ時のときのものであり、図６の（Ｂ）のポテンシャル図は印加電圧−２Ｖ時のものである。
【００３４】
図５及び図６の比較からわかるように、本発明の一実施形態の吸収型半導体光変調器は、従来の吸収型半導体光変調器と同様のポテンシャル分布を形成し、光変調器として問題なく動作することを示している。
【００３５】
（他の実施形態）
以上、本発明の好適な実施形態を例示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、請求項に記載の範囲であれば、その数値や材質等の変更、形状等の変形、代替物との置換等は、全て本発明の実施形態に含まれる。
【００３６】
例えば、前述の本発明の一実施形態では、半導体コア２３の上部にあるｐ型の導電性を持つ半導体ｐクラッド層２５をドーピング濃度の異なる３層２５１、２５２、２５３としたが、本発明はこれに限定されず、半導体ｐクラッド層２５を例えば５層等の３層以上を積載した多層構造としても同様な効果が期待できる。
【００３７】
また、半導体コア２３の下部にあるｎ型の導電性を持つ半導体ｎクラッド層２３をドーピング濃度の異なる３層以上の層を積層した多層構造にし、かつその多層構造におけるドーピング濃度分布において中央部または略中央部の層のドーピング濃度がその外側の層のドーピング濃度よりも低濃度であるように設定しても好ましい。ｎ型クラッド層２３は、ｐ型クラッド２５に比べてマイクロ波損失増大への寄与が比較的小さいが、クラッド層の中央部にドーピング濃度の低い領域を設けるという本発明の新規な発想によって、ｐ型クラッド層同様にドーピング濃度を下げたことによるマイクロ波損失の低減が期待できる。
【００３８】
また、前述の本発明の一実施形態では、ｐ型クラッド２５の中央部の層２５２のドーピング濃度を１×１０１７ｃｍ−３以下であるとしたが、この値は前述したように、多重量子井戸コア層２３の厚さで決まるダイオード構造の容量値とのバランスから決まるものであるので、他の値も有り得る。
【００３９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、高速動作を阻む要因となっていたマイクロ波損失を効果的に取り除くことができ、それによって優れた吸収型半導体光変調器を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態における吸収型半導体光変調器の構造を示す模式図である。
【図２】本発明の一実施形態における吸収型半導体光変調器の光応答特性を示す特性図である。
【図３】本発明の一実施形態における吸収型半導体光変調器の消光特性を示す特性図である。
【図４】本発明の一実施形態における吸収型半導体光変調器でのマイクロ波損失と−３ｄＢ周波数帯域のドーピング濃度依存性を示す特性図である。
【図５】本発明の一実施形態の吸収型半導体光変調器におけるポテンシャルエネルギー分布を示す図である。
【図６】従来の吸収型半導体光変調器におけるポテンシャルエネルギー分布を示す図である。
【図７】従来の吸収型半導体光変調器の構造を示す模式図である。
【図８】従来の吸収型半導体光変調器の動作原理を説明する概念図である。
【図９】従来の吸収型半導体光変調器の光応答特性を示す特性図である。
【符号の説明】
１  ｎ−ＩｎＰ基板
２  半導体積層体
３Ａ  ｎ電極
３Ｂ  ｐ電極
２１  ｎ−ＩｎＰクラッド層
２２  ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ  ＳＣＨ層
２３  多重量子井戸コア層
２４  ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ  ＳＣＨ層
２５  ｐ−ＩｎＰクラッド層
２５１  ｐ−ＩｎＰクラッド層
２５２  ｐ−ＩｎＰクラッド層
２５３  ｐ−ＩｎＰクラッド層
２６  ｐ＋−ＩｎＧａＡｓキャップ層
４  ポリイミド層
【図１】
2004271744.tif 000003
【図２】
2004271744.tif 000004
【図３】
2004271744.tif 000005
【図４】
2004271744.tif 000006
【図５】
2004271744.tif 000007
【図６】
2004271744.tif 000008
【図７】
2004271744.tif 000009
【図８】
2004271744.tif 000010
【図９】
2004271744.tif 000011