(57)【要約】【課題】電荷検出用電極と補助電極との間に絶縁層を設けた検出器において、さらにＳ／Ｎを向上させる。【解決手段】第１の導電層２１と、記録用光導電層２２と、電荷輸送層２３と、読取用光導電層２４と、多数の線状のエレメント２６ａからなる電荷検出用電極２６、多数の線状のエレメント２７ａからなる補助電極２７、および、電荷検出用電極２６と補助電極２７との間に設けられた絶縁層２８からなる第２導電層２５とから構成される放射線固体検出器２０において、電荷検出用電極２６の両端間の抵抗を１００ｋΩ以下とすべく、電荷検出用電極２６に１５０ｎｍ厚のアルミニウムを用いる。【選択図】　　　　　図２
2004134543.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録光に対して透過性を有する第１の導電層と、
前記記録光の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層と、
前記記録光の光量に応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部と、
読取光の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層と、
多数の線状電極からなる電荷検出用電極、多数の線状電極からなる補助電極、および、前記電荷検出用電極と前記補助電極との間に設けられた絶縁層を備え、前記電荷検出用電極の線状電極と前記補助電極の線状電極とが交互に配置された第２の導電層とをこの順に積層してなる画像検出器において、
前記電荷検出用電極の両端間の抵抗が１００ｋΩ以下であることを特徴とする画像検出器。
【請求項２】
前記電荷検出用電極の任意の線状電極と、それに隣接する前記補助電極の線状電極との間の静電容量が３００ｐＦ以下であることを特徴とする請求項１記載の画像検出器。
【請求項３】
前記電荷検出用電極が、１００ｎｍ以上の厚さのアルミニウムもしくはモリブデンからなるものであることを特徴とする請求項１または２記載の画像検出器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、照射された放射線の線量あるいは該放射線の励起により発せられる光の光量等に応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部を有する画像検出器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、画像検出器を用いた装置、例えばファクシミリ、複写機あるいは放射線撮像装置等が知られている。
【０００３】
例えば、医療診断等を目的とする放射線撮影において、放射線を検出して得た電荷を潜像電荷として蓄電部に一旦蓄積し、該蓄積した潜像電荷を放射線画像情報を表す電気信号に変換して出力する放射線固体検出器（静電記録体）を画像検出器として使用する方法や装置が各種提案、実用化されている。この方法や装置において使用される放射線固体検出器としては、種々のタイプのものが提案されているが、蓄積された潜像電荷の量に応じた大きさの信号を検出する電荷読出プロセスの面からは、検出器に読取光（読取用の電磁波）を照射する光読出方式のものがある。
【０００４】
本願出願人は、読出しの高速応答性と効率的な信号電荷の取り出しの両立を図ることができる光読出方式の放射線固体検出器として、特許文献１および特許文献２等において、画像情報を担持する記録用の放射線あるいは放射線の励起により発せられる光（以下纏めて記録光という）に対して透過性を有する第１の導電層、記録光の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層、第１の導電層に帯電される電荷と同極性の電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該同極性の電荷と逆極性の電荷に対しては略導電体として作用する電荷輸送層、読取光（読取用の電磁波）の照射を受けることにより光電荷対を発生して導電性を呈する読取用光導電層、読取光に対して透過性を有する第２の導電層を、この順に積層してなり、記録用光導電層と電荷輸送層との界面に形成される蓄電部に、画像情報を担持する信号電荷（潜像電荷）を蓄積する検出器を提案している。
【０００５】
そして、上記特許文献２等においては、特に、第２の導電層の電極（電荷検出用電極）を読取光に対して透過性を有する多数の線状電極がストライプ状に配列されてなるストライプ電極とするとともに、蓄電部に蓄積された潜像電荷の量に応じたレベルの電気信号を出力させるための多数のサブ線状電極を、前記ストライプ電極をなす線状電極（ストライプ線状電極）と互いに平行且つ交互に第２の導電層内に配列した検出器を提案している。
【０００６】
このように、サブ線状電極からなるサブ電極（補助電極）を第２の導電層内に設けることにより、蓄電部と各サブ線状電極との間に新たなコンデンサが形成され、記録によって蓄電部に蓄積された潜像電荷と逆極性の輸送電荷を、読取りの際の電荷再配列によってこのサブ線状電極にも帯電させることが可能となる。これにより、読取用光導電層を介してストライプ線状電極と蓄電部との間で形成されるコンデンサに配分される前記輸送電荷の量を、このサブ線状電極を設けない場合よりも相対的に少なくすることができ、結果として検出器から外部に取り出し得る信号電荷の量を多くして読取効率を向上させるとともに、読出しの高速応答性と効率的な信号電荷の取り出しの両立をも図ることができる。
【０００７】
【特許文献１】
特開２０００−１６２７２６号公報
【０００８】
【特許文献２】
特開２０００−２８４０５６号公報
【０００９】
【特許文献３】
特開２００１−１６０９２２号公報
【００１０】
【特許文献４】
特願２００２−２６４２４０号
【００１１】
【非特許文献１】
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｎｏｉｓｅ　ａｎａｌｙｓｉｓ　ｏｆ
１２７−ｍｉｃｒｏｎ　ｐｉｘｅｌ　ＴＦＴ／ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ　ａｒｒａｙ，
Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ　ｏｆ　ＳＰＩＥ　Ｖｏｌ．４３２０（２００１）　ｐｐ．２０９−２１８
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、第２の導電層内において、各ストライプ線状電極と各サブ線状電極とを交互に配設すると、ストライプ線状電極とサブ線状電極とのスペースが非常に狭くなり、製造欠陥等によって両線状電極がショートする虞が生じる。両線状電極がショートすると、サブ線状電極は読取効率を向上させる電極として機能しなくなる。そして、一部の両線状電極のみがショートしたときには、全体としてはサブ線状電極が設けられているので読取効率が向上するが、ショートした部分の読取効率がその周囲よりも劣るので、画像上においては、該ショート部分が筋状のノイズとなって現れる。
【００１３】
そのため、本願出願人はこのようなショートの問題を解決するために、特許文献３において、ストライプ電極とサブ電極との間に絶縁層を設けた検出器を提案している。
【００１４】
このように、ストライプ電極とサブ電極との間に絶縁層を設けることによって、両線状電極のショートの虞を無くすことができ、さらに、サブ線状電極からの電荷注入に起因する静電潜像の消去等といった問題をなくすこともできるため、Ｓ／Ｎの向上を図ることができる。
【００１５】
本発明は、上記特許文献３に記載されたような、電荷検出用電極（ストライプ電極）と補助電極（サブ電極）との間に絶縁層を設けた検出器において、さらにＳ／Ｎを向上させることを目的とするものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記特許文献３等に記載の電荷検出用電極を備えた検出器においては、潜像電荷の記録時に第１の導電層と第２の導電層（電荷検出用電極および補助電極）との間に高電圧を印加するが、その際、電界が電荷検出用電極を構成する各線状電極および補助電極を構成する各線状電極のエッジ付近、すなわち電荷検出用線状電極と補助線状電極との間の間隙付近に集中するため、この部分に潜像電荷が集中して蓄積される。
【００１７】
従来、電荷検出用電極は、潜像電荷の読取時に読取用光導電層内に光電荷対を発生させるために、読取光に対して透過性を有する必要があると考えられていたが、本願出願人は上記の現象から、電荷検出用線状電極と補助線状電極との間の間隙から入射した読取光によっても潜像電荷の読取りに必要十分な光電荷対を発生可能であることを発見し、これにより、電荷検出用電極は必ずしも読取光に対して透過性を有する必要が無いことを見出した。
【００１８】
また、第２の導電層の抵抗および静電容量とノイズとの関係について、非特許文献１に記載されている方法によりシュミレーションを行った。なお、ノイズσｔｏｔａｌは、電荷検出用電極の抵抗Ｒｄａｔａおよび電荷検出用電極と補助電極との間の静電容量Ｃｄａｔａから導出される熱ノイズσｊと、アンプノイズσａｍｐとで決まり、それ以外は無視できると仮定し、ノイズσｔｏｔａｌは、（１）式により導出されるものとしてシュミレーションを行った。
【００１９】
（１）　σｔｏｔａｌ＝√（σｊ２＋σａｍｐ２）
このシュミレーションの結果、これらの間には図３に示すような関係があることを見出した。図３は、縦軸をノイズ、横軸を抵抗として、これらの関係を示したグラフである。このグラフに示すように、抵抗値は小さくするほどノイズは小さくなり、抵抗が３０ｋΩ以下ではノイズは略一定の最小値となるが、１００ｋΩ以下でも最小値との差を数％以内に抑えることができ、このことから抵抗は１００ｋΩ以下とすることが好ましい。また、静電容量も小さくするほどノイズは小さくなるが、診断ではノイズは３０００電子以下であることが望ましく、このことから静電容量は３００ｐＦ以下とすることが好ましい。
【００２０】
本発明は、上記新たな知見に基づいて成されたものである。すなわち、本発明による画像検出器は、記録光に対して透過性を有する第１の導電層と、記録光の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層と、記録光の光量に応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部と、読取光の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層と、多数の線状電極からなる電荷検出用電極、多数の線状電極からなる補助電極、および、電荷検出用電極と補助電極との間に設けられた絶縁層を備え、電荷検出用電極の線状電極と補助電極の線状電極とが交互に配置された第２の導電層とをこの順に積層してなる画像検出器において、電荷検出用電極の両端間の抵抗が１００ｋΩ以下であることを特徴とするものである。
【００２１】
本発明による画像検出器において「記録光」とは、光、放射線または放射線の励起により発せられる光等を意味する。
【００２２】
本発明による画像検出器においては、電荷検出用電極の任意の線状電極と、それに隣接する補助電極の線状電極との間の静電容量は３００ｐＦ以下とすることが好ましい。
【００２３】
電荷検出用電極の両端間の抵抗を１００ｋΩ以下となるようにするには、電荷検出用電極に１００ｎｍ以上の厚さのアルミニウムもしくはモリブデン等を用いるとよい。
【００２４】
なお、本発明による検出器を使用して放射線画像の記録や読取りを行うに際しては、例えば、上記特許文献２、特許文献３および特許文献４等に記載されたような、本発明を適用しない従来の検出器を用いた記録方法および読取方法並びにその装置を変更することなく、そのまま利用することができる。
【００２５】
【発明の効果】
本発明による画像検出器によれば、上記新たな知見に基づいて、電荷検出用電極の両端間の抵抗を１００ｋΩ以下としたため、画像検出器内で発生するノイズを抑えることができ、Ｓ／Ｎを向上させることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図１は本発明による画像検出器の一実施の形態の概略構成を示す図であり、図１（Ａ）は画像検出器としての放射線固体検出器の斜視図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＱ矢指部のＸＺ断面図、図１（Ｃ）は図１（Ａ）のＰ矢指部のＸＹ断面図である。
【００２７】
この放射線固体検出器２０は、画像情報を担持する可視光やＸ線等の記録光に対して透過性を有する第１の導電層２１、この第１の導電層２１を透過した記録光の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層２２、潜像電荷（例えば負電荷）に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該潜像電荷と逆極性の輸送電荷（上述の例においては正電荷）に対しては略導電体として作用する電荷輸送層２３、読取光（読取用の電磁波）の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層２４、読取光に対して透過性を有する第２の導電層２５をこの順に配列してなるものである。記録用光導電層２２と電荷輸送層２３との界面に、記録用光導電層２２内で発生した潜像極性電荷を蓄積する蓄電部２９が形成される。なお、上記放射線固体検出器２０のサイズは４３０ｍｍ×４３０ｍｍとした。
【００２８】
記録用光導電層２２の物質としては、ａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）、ＰｂＯ，ＰｂＩ２　等の酸化鉛（ＩＩ）やヨウ化鉛（ＩＩ）、Ｂｉ１２（Ｇｅ，Ｓｉ）Ｏ２０，Ｂｉ２Ｉ３／有機ポリマーナノコンポジット等のうち少なくとも１つを主成分とする光導電性物質が適当である。
【００２９】
電荷輸送層２３の物質としては、例えば第１の導電層２１に帯電される負電荷の移動度と、その逆極性となる正電荷の移動度の差が大きい程良く（例えば１０２　以上、望ましくは１０３　以上）ポリＮ−ビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）やディスコティック液晶等の有機系化合物、あるいはＴＰＤのポリマー（ポリカーボネート、ポリスチレン、ＰＵＫ）分散物，Ｃｌを１０〜２００ｐｐｍドープしたａ−Ｓｅ等の半導体物質が適当である。特に、有機系化合物（ＰＶＫ，ＴＰＤ、ディスコティック液晶等）は光不感性を有するため好ましく、また、誘電率が一般に小さいため電荷輸送層２３と読取用光導電層２４の容量が小さくなり読取時の信号取り出し効率を大きくすることができる。なお、「光不感性を有する」とは、記録光や読取光の照射を受けても殆ど導電性を呈しないことを意味する。
【００３０】
読取用光導電層２４の物質としては、ａ−Ｓｅ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓｅ−Ａｓ−Ｔｅ，無金属フタロシアニン，金属フタロシアニン，ＭｇＰｃ（Ｍａｇｎｅｓｉｕｍ　ｐｈｔａｌｏｃｙａｎｉｎｅ），ＶｏＰｃ（ｐｈａｓｅＩＩ　ｏｆ　Ｖａｎａｄｙｌ　ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ），ＣｕＰｃ（Ｃｕｐｐｅｒ　ｐｈｔａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）等のうち少なくとも１つを主成分とする光導電性物質が適当である。
【００３１】
記録用光導電層２２の厚さは、記録光を十分に吸収できるようにするには、５０μｍ以上１０００μｍ以下であるのが好ましく、本実施の形態において記録用光導電層２２としては１０００μｍ厚のａ−Ｓｅを用いる。また電荷輸送層２３と光導電層２４との厚さの合計は記録用光導電層２２の厚さの１／２以下であることが望ましく、また薄ければ薄いほど読取時の応答性が向上するので、例えば１／１０以下、さらには１／２０以下等にするのが好ましい。本実施の形態において読取用光導電層２４としては１０μｍ厚のａ−Ｓｅを用いた。
【００３２】
第１の導電層２１としては、例えば、記録光が可視光のときにはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜が、Ｘ線等の放射線のときには金やアルミニウム等といった金属膜が適当である。本実施の形態において第１の導電層２１としては金を用いた。
【００３３】
第２の導電層２５は、多数のエレメント（電荷検出用線状電極）２６ａがストライプ状に配列されてなる電荷検出用電極２６、絶縁層２８、多数のエレメント（補助線状電極）２７ａがストライプ状に配列されてなる補助電極２７をこの順に配列してなるものである。各エレメント２６ａと各エレメント２７ａは絶縁層２８を挟んで配されているので、電気的に絶縁される。
【００３４】
ここで、電荷検出用電極２６の各エレメント２６ａを形成する電極材の材質と厚みとしては、１００ｎｍ以上の厚さのアルミニウムもしくはモリブデンが適当である。本実施の形態において電荷検出用電極２６としては１５０ｎｍ厚のアルミニウムを用いた。また、補助電極２７の各エレメント２７ａを形成する電極材の材質と厚みとしては、電荷検出用電極２６の場合と同様に、１００ｎｍ以上の厚さのアルミニウムもしくはモリブデンが適当である。本実施の形態において補助電極２７としては１５０ｎｍ厚のモリブデンを用いた。
【００３５】
上記の様な材質を用いることにより、アンダーエッチング製法で放射線固体検出器２０を生産する場合に、各エレメント２６ａと各エレメント２７ａとの間隙を大きくすることが可能となるため、電荷検出用電極２６と補助電極２７との間の静電容量の減少に寄与することができる。
【００３６】
絶縁層２８は、読取光に対して透過性を有する物質を用いる。例えば、ＳｉＯ２　、ＳｉＣ、ＳｉＮ等を用いるとよい。また、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やポリカーボネート等の樹脂を用いることもできる。本実施の形態において絶縁層２８としてはＰＥＴを用いた。絶縁層２８の厚さは、電荷検出用電極２６の任意のエレメント２６ａと、それに隣接する補助電極２７の線状電極エレメント２７ａとの間の静電容量が３００ｐＦ以下となる範囲で、できるだけ薄くするのが好ましい。
【００３７】
図２は両エレメント２６ａ、２７ａの配置関係および電流検出手段を示した図である。ここで、両エレメント２６ａ、２７ａが互いに間に位置するように配列するに際しては、図２に示すように、両エレメント２６ａ、２７ａの配列方向において、両エレメント２６ａ、２７ａの間にスペースｄ１、ｄ２を設けて、両エレメント２６ａ、２７ａが積層方向において重なる部分を有しないように配列し、このスペースｄ１、ｄ２から読取光を読取用光導電層２４へ入射させるようにする。
【００３８】
従来、電荷検出用電極２６の各エレメント２６ａを形成する電極材の材質としては、読取光に対して透過性を有する必要があると考えられていたため、例えばＩＴＯもしくはＩＤＩＸＯ等を用いていた。このため、各エレメント２６ａの両端間の線抵抗が３００ｋΩ程度となっていたため、Ｓ／Ｎが良好ではなかった。
【００３９】
しかしながら、本願出願人による新たな知見に基づいて、必ずしも透過性を有する必要が無いことが見出されたため、１００ｎｍ以上の厚さのアルミニウムもしくはモリブデン等の金属材料を使用することが可能となった。このため、各エレメント２６ａの両端間の線抵抗が数１０ｋΩ程度となり、従来用いていたＩＴＯやＩＤＩＸＯ等と比較して著しく線抵抗が低くなるため、Ｓ／Ｎを向上させることができる。
【００４０】
この検出器２０を使用するに際しては、静電潜像の記録時に、電荷検出用電極２６と補助電極２７とを接続し、補助電極２７を電界分布の形成に積極的に利用するようにする。
【００４１】
このように電荷検出用電極２６と補助電極２７とを接続して記録を行うと、潜像電荷は、エレメント２６ａに対応する位置だけでなく、エレメント２７ａに対応する位置にも蓄積され、読取時に両エレメント２６ａ、２７ａの間のスペースｄ１、ｄ２より読取用光導電層２４に読取光が照射されると、スペースｄ１、ｄ２に隣接するエレメント２６ａおよびエレメント２７ａの上空部分の潜像電荷が、エレメント２６ａおよびエレメント２７ａを介して電流検出手段３０により読み出される。
【００４２】
電流検出手段３０は、電荷検出用電極２６の各エレメント２６ａ毎に、反転入力端子に接続された多数の電流検出アンプ３１と、この電流検出アンプ３１から出力される信号を電流検出アンプ３１毎に切り換えて出力するアナログマルチプレクサ３２と、アナログマルチプレクサ３２の出力をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器３３とから構成されている。電流検出アンプ３１は、チャージアンプ３１ａと２チャネルのサンプルホールド回路３１ｂとからなり、相関２重サンプリングを行うように構成されている。
【００４３】
相関２重サンプリング処理とは、チャージアンプ３１ａが蓄積モードに切り替わった直後に出力される電気信号とリセットモードに切り替わる直前に出力される電気信号とを２チャネルのサンプルホールド回路３１ｂにより検出して、アナログマルチプレクサ３２により２チャネルのサンプルホールド回路３１ｂの出力の差を信号成分とすることにより、チャージアンプ３１ａで生じるチャージフィールドスルーと呼ばれるオフセットの影響を回避することができる処理である。
【００４４】
なお、電流検出手段は、上記電流検出手段３０のような相関２重サンプリング処理を行うものを用いることが好ましいが、相関２重サンプリング処理を行わないものを用いてもよい。
【００４５】
この検出器２０においては、記録用光導電層２２を挟んで第１の導電層２１と蓄電部２９との間にコンデンサＣ＊ａが形成され、電荷輸送層２３および読取用光導電層２４を挟んで蓄電部２９と電荷検出用電極２６（エレメント２６ａ）との間にコンデンサＣ＊ｂが形成され、読取用光導電層２４および電荷輸送層２３を介して蓄電部２９と補助電極２７（エレメント２７ａ）との間にコンデンサＣ＊ｃが形成される。読取時における電荷再配列の際に、各コンデンサＣ＊ａ、Ｃ＊ｂ、Ｃ＊ｃに配分される正電荷の量Ｑ＋ａ、Ｑ＋ｂ、Ｑ＋ｃは、総計Ｑ＋　が潜像電荷の量Ｑ−　と同じで、各コンデンサの容量Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃに比例した量となる。これを式で示すと下記のように表すことができる。
【００４６】
Ｑ−　＝Ｑ＋　＝Ｑ＋ａ＋Ｑ＋ｂ＋Ｑ＋ｃ
Ｑ＋ａ＝Ｑ＋　×Ｃａ　／（Ｃａ　＋Ｃｂ　＋Ｃｃ　）
Ｑ＋ｂ＝Ｑ＋　×Ｃｂ　／（Ｃａ　＋Ｃｂ　＋Ｃｃ　）
Ｑ＋ｃ＝Ｑ＋　×Ｃｃ　／（Ｃａ　＋Ｃｂ　＋Ｃｃ　）
そして、検出器２０から取り出し得る信号電荷量は、コンデンサＣ＊ａ、Ｃ＊ｃに配分された正電荷の量Ｑ＋ａ、Ｑ＋ｃの合計（Ｑ＋ａ＋Ｑ＋ｃ）と同じくなり、コンデンサＣ＊ｂに配分された正電荷は信号電荷として取り出せない（詳細は特許文献２参照）。
【００４７】
ここで、電荷検出用電極２６および補助電極２７によるコンデンサＣ＊ｂ、Ｃ＊ｃの容量について考えてみると、容量比Ｃｂ　：Ｃｃ　は、各エレメント２６ａ、２７ａの幅の比Ｗｂ　：Ｗｃ　となる。一方、コンデンサＣ＊ａの容量ＣａとコンデンサＣ＊ｂの容量Ｃｂ　は、補助電極２７を設けても実質的に大きな影響は現れない。
【００４８】
この結果、読取時における電荷再配列の際に、コンデンサＣ＊ｂに配分される正電荷の量Ｑ＋ｂを補助電極２７を設けない場合よりも相対的に少なくすることができ、その分だけ、電荷検出用電極２６を介して検出器２０から取り出し得る信号電荷量を、補助電極２７を設けない場合よりも相対的に大きくすることができ、読取効率や画像のＳ／Ｎを向上させることが可能となる。
【００４９】
また、電荷検出用電極２６と補助電極２７との間には、適当な厚さの絶縁層２８が設けられているので、両エレメント２６ａ、２７ａがショートする虞が少なくなり、検出器２０の全面に亘って、読取効率を確実に向上させることができ、ショートによって画像に筋状のノイズが現れるという問題も生じない。
【００５０】
以上、本発明による画像検出器の好ましい実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない限りにおいて、種々変更することが可能である。
【００５１】
例えば、上記実施の形態による画像検出器は、記録用光導電層が、記録用の放射線の照射によって導電性を呈するものであるが、本発明による画像検出器の記録用光導電層は必ずしもこれに限定されるものではなく、記録用光導電層は、記録用の放射線の励起により発せられる光の照射によって導電性を呈するものとしてもよい（特許文献１参照）。この場合、第１の導電層の表面に記録用の放射線を、例えば青色光等、他の波長領域の光に波長変換するいわゆるＸ線シンチレータといわれる波長変換層を積層したものとするとよい。この波長変換層としては、例えばヨウ化セシウム（ＣｓＩ）等を用いるのが好適である。また、第１の導電層は、記録用の放射線の励起により波長変換層で発せられた光に対して透過性を有するものとする。
【００５２】
また、波長変換層を積層することなく、画像情報を担持する可視光の照射によって導電性を呈する記録用光導電層が設けられたものとしてもよい。
【００５３】
また、上記実施の形態による放射線固体検出器２０は、記録用光導電層と読取用光導電層との間に電荷輸送層を設け、記録用光導電層と電荷輸送層との界面に蓄電部を形成するようにしたものであるが、電荷輸送層をトラップ層に置き換えたものとしてもよい。トラップ層とした場合には、潜像電荷は、該トラップ層に捕捉され、該トラップ層内またはトラップ層と記録用光導電層の界面に潜像電荷が蓄積される。また、このトラップ層と記録用光導電層の界面に、画素毎に、格別に、マイクロプレートを設けるようにしてもよい。さらに、電荷輸送層やトラップ層を設けることなく、記録用光導電層と読取用光導電層との界面に、マイクロプレートを設けるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態による放射線固体検出器の斜視図（Ａ）、Ｑ矢指部のＸＺ断面図（Ｂ）、Ｐ矢指部のＸＹ断面図（Ｃ）
【図２】エレメントの配置関係および電流検出手段を説明する図
【図３】抵抗および静電容量とノイズとの関係について示したグラフ
【符号の説明】
２０　　放射線固体検出器（画像検出器）
２１　　第１の導電層
２２　　記録用光導電層
２３　　電荷輸送層
２４　　読取用光導電層
２５　　第２の導電層
２６　　電荷検出用電極
２６ａ　エレメント（線状電極）
２７　　補助電極
２７ａ　エレメント（線状電極）
２８　　絶縁層
２９　　蓄電部
３０　　電流検出手段
【図１】
2004134543.tif 000003
【図２】
2004134543.tif 000004
【図３】
2004134543.tif 000005