(57)【要約】【課題】調整時間が短くて済み、かつ可変抵抗素子の抵抗値を簡単に目標値近傍に設定することができる調整方法を提供すること。【解決手段】これから調整しょうとする可変抵抗素子と同タイプの可変抵抗素子を用いて事前に標準的な調整データを測定するとともに、標準的な単位変化量を求める。まず標準的な調整データを可変抵抗素子に設定し、その調整データに応じた可変抵抗素子が示す抵抗値を測定する。その抵抗値を第１の抵抗値として記憶する。さらに標準的な単位変化量分、可変抵抗素子の抵抗値を増減させて２回目の抵抗値の測定を行なう。この抵抗値を第２の抵抗値として記憶する。第１の抵抗素子と第２の抵抗素子を用いて、被調整可変抵抗素子の単位変化量を求めて、その単位変化量に基づいて新たな調整データを設定して調整を終了する。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
設定されたデータに応じた抵抗値を示す可変抵抗素子の抵抗値を所定の設定抵抗値に調整する抵抗値調整方法において、
前記可変抵抗素子に設定される標準的なデータと、該可変抵抗素子に設定されるデータを単位量変化させたときの該可変抵抗素子の抵抗値の標準的な単位変化量を把握しておき、
抵抗値を調整しようとしている被調整可変抵抗素子に前記標準的なデータを設定して該調整可変抵抗素子の第１の抵抗値を求め、
前記第１の抵抗値と前記設定抵抗値との差分と前記標準的な単位変化量とに基づいて該被調整可変抵抗素子が前記標準的な単位変化量と同一の単位変化量を有すると仮定したときに該被調整可変抵抗素子が前記設定抵抗値と同一の抵抗値を示すはずの仮調整データを求め、
前記被調整可変抵抗素子に前記仮調整データを設定して該被調整可変抵抗素子の第２の抵抗値を求め、
前記第１の抵抗値と前記第２の抵抗値とに基づいて前記被調整可変抵抗素子の単位変化量を求めるとともに、該単位変化量と、前記標準的なデータあるいは前記仮調整データとに基づいて該被調整可変抵抗素子が前記設定抵抗値と同一の抵抗値を示す調整データを求め、
前記調整データを前記被調整可変抵抗素子に設定することを特徴とする抵抗値調整方法。
【請求項２】
前記標準的なデータと前記標準的な単位変化量として該可変抵抗素子の設計値を用いることを特徴とする請求項１記載の抵抗値調整方法。
【請求項３】
前記標準的なデータと前記標準的な単位変化量として直前に調整した可変抵抗素子の設定データと単位変化量を用いることを特徴とする請求項１記載の抵抗値調整方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、設定されたデータに応じた抵抗値を示す可変抵抗素子の抵抗値を所定の設定抵抗値に調整する抵抗値調整方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
各部品、部材が組み立てられて製品を組みあげる前に、各部品の検査が事前に行なわれる。このように部品の検査が行なわれる場合には、その部品が設計値どおりの値を示すかどうかが検査される。このような部品の中には可変抵抗素子のように、ドライバなどの工具によって接触子を回転させると抵抗値が変化するものもある。このように抵抗値が変化するものにおいては、その可変抵抗素子が使用される状況に応じて、たとえばその可変抵抗素子を１００Ωで使用するものであれば、抵抗値を１００Ωにするような調整が行なわれる。
【０００３】
いままでこのような調整を行なう場合に、ドライバによって接触子を所定の角度づつ回転させるたびに抵抗値を表わすデータを得ることが行なわれている。しかし、このような調整を行なうと、部品ごとにドライバなどによって接触子を回転させて角度ごとに抵抗値を表わすデータを記録するであるとか、その可変抵抗素子の接触子を所定の角度ごとに回転させたときに得られる抵抗値を表わすデータをグラフにして、その可変抵抗素子が示す抵抗値がどのような特性を示すものであるかを把握する作業が必要になる。しかしこのような作業を多数の被調整可変抵抗素子すべてに行なうと、その作業時間は膨大になる。
【０００４】
そこで、このような部品の調整を、自動的に行なう調整方法が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００５】
この特許文献１では、ドライバを回転させる駆動部を設けてコントトローラによりその駆動部を制御してドライバを回転させることにより接触子を回転させ、回転角度に応じた抵抗値を計測モジュールにより測定しながら調整を行なう調整方法が紹介されている。ここでは接触子をドライバにより回転させるたびに計測モジュールにより接触子の回転角度ごとの抵抗値が得られて、それら得られた抵抗値に基づいて部品の特性が把握される。その可変抵抗素子を所望の値に調整するときには、その把握された特性に基づいて接触子を所定の角度に設定することによって所望の設定抵抗値にいち早く収束させることができるというものである。
【０００６】
またそのような部品が実装された電子回路パッケージを調整するときに、接触子を回転させるたびに出力値を得て接触子の回転角度と出力値との関係を表現するモデルを作成して、そのモデルから設定抵抗値に近い値が設定される角度を求めて、いち早くその設定抵抗値に近づける自動調整方法も提案されている（例えば特許文献２参照）。
【０００７】
しかし、上記特許文献１、特許文献２においては、可変抵抗素子の抵抗値の接触子を回転させるため、その接触子を所定の角度に設定するための駆動部や調整ロボットなどが必要になり、装置自体が非常に大掛かりになり、高価になるという問題がある。
【０００８】
そこで、ドライバなどの工具によって接触子を回転させて所望の抵抗値を得る可変抵抗素子に代えてデータを入力することによって抵抗値を変更することができるものを使用して調整をもっと効率的に行なおうとする試みが発案されている。
【０００９】
このような可変抵抗素子として挙げられるものの１つにエレクトロボリューム（以下、略称としてＥＶＲという）と呼ばれるものがある。
【００１０】
このＥＶＲはＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｓｅｒｉａｌ  Ｂｕｓ）に対応可能なものもあり、このＵＳＢを介してシリアルデータが入力されるとＥＶＲはそのシリアルデータに応じた抵抗値を呈する。しかし、ＥＶＲがデータに応じた抵抗値を呈するはずものものであっても、多数ある中の個々のＥＶＲがそのデータに応じて呈する抵抗値にはばらつきがある。したがってＥＶＲを設定抵抗値に調整しようとする場合には個々のＥＶＲごとにデータを変えて設定する必要がある。そこでシリアルデータを順次変更してＥＶＲに入力することにより所望の設定抵抗値に調整することが行なわれる。その調整が終了したらＥＶＲの内部にデータが保持されたままになり、その所定の設定抵抗値になったＥＶＲが電子回路基板などに実装される。
【００１１】
このようなＥＶＲの中にはパーソナルコンピュータ（以下ＰＣという）と接続可能なＵＳＢに対応可能なものもあるため、これを利用してＥＶＲを設定抵抗値にする調整がＰＣによって行なわれる。この調整を行なうにあたり、ＰＣを接続してデータを入力するとともに、ＰＣに測定結果を取り込むことが行なわれる。この場合にはＰＣに接続可能な測定器が用いられて調整が行なわれる。
【００１２】
つまり、ＰＣからＵＳＢによりデータを入力して、そのＥＶＲが呈する抵抗値を示すデータを測定装置により測定してその測定装置により得られたデータをＰＣにより取り込むことが行なわれる。その取り込まれた抵抗値を示すデータをＰＣの表示画面に表示して許容範囲内にあるかどうかを判定すると調整作業が効率的になる。
【００１３】
このようにＰＣを利用して行なわれる調整はたとえば１００Ωを設定抵抗値としたとき、測定装置により測定された抵抗値が９２Ωという抵抗値を呈した場合に、もう少し抵抗値を大きくするようにデータを変更してＥＶＲに設定していくことが行なわれる。ここでＥＶＲに設定されるデータをＥＶＲ値と呼び、そのＥＶＲ値１００で１００Ωが得られるはずであったが９１Ωが得られてしまったとすると、そのＥＶＲ値をデータ１００から１０１，１０２…のように変更して１００Ωに近づけていく調整が行なわれる。このときにはたとえばＥＶＲ値を１０１，１０２…といったように順次変更していくと、それらＥＶＲ値に応じてたとえば９１Ω、９２Ω、９３Ω…といった抵抗値が表示画面に表示されるので、その抵抗値が許容範囲内であるかどうかが表示画面に表示される抵抗値によって判定される。ここでいう許容範囲内とはたとえば設定抵抗値１００Ωを中央値として±５％以内に入っていれば、その抵抗値をほぼ設定抵抗値であるとみなすという範囲である。
【００１４】
ＥＶＲに入力されているデータが１０１，１０２…と増えていってたとえば１０５が設定されたときに表示画面に９５．１Ωが表示されて上記許容範囲５％以内ここでは９５Ω〜１０５Ωに入ったら調整を終了して、ＥＶＲ値１０５をＥＶＲに書き込む。この抵抗値調整方法は追い込み調整方法と呼ばれている。
【００１５】
また、特許文献１や特許文献２で示したような部品の調整時間やその部品が実装された電子回路パッケージの調整の時間の短縮を図るといったものではないが、プラントなどの設備に導入される制御システムの中に数多く配備される制御装置の１つに、制御用のパラメータを短時間に設定して調整時間の時間の短縮を図るといったものもある（例えば特許文献３参照）。これはプラントなどを制御する制御システムの中に数多く配備される制御装置の中の１つに、そのプラントの運用にあった制御パラメータを設定しようとする場合に、シミュレーションなどを用いて予め最適と思われるパラメータを求めておき、その求めておいた制御パラメータを用いてプラントのシステムを実際に稼動させてみてその制御装置内の動作状況を示すデータを取得し、そのデータに基づいてさらにその制御パラメータの補正を行なうといったものである。また同様のものとしてプロマグラブルコントローラで制御されるシステムの稼動中にそのシステムの稼動状況を示すパラメータ情報を取得して、その取得されたパラメータ情報に基づいてリアルタイムに制御パラメータを調整して最適な制御を行なう例も紹介されている（例えば特許文献４参照）。
【００１６】
【特許文献１】
特開平７−２１２０８１号公報
【特許文献２】
特開平７−１９１７０４号公報
【特許文献３】
特開平１１−６５６１１号公報
【特許文献４】
特開平１１−８５２０７号公報
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、いままでの可変抵抗素子に代えてＥＶＲを使用したとしても、上記追い込み調整方法を用いると調整に時間がかかるばかりでなく、その調整結果が抵抗値の許容範囲たとえば１００Ω±５Ωが設計値であるとすると、どうしても９５Ω付近や、１０５Ω付近に偏るといった傾向が現れてしまう。本当は調整結果がその許容範囲である９５Ωから１０５Ωの中央値１００Ω付近になることが望ましい。しかし上記追い込み調整方法によって中央値になるように調整を行なうと、時間がかかるという問題もある。
【００１８】
本発明は、上記事情に鑑み、可変抵抗素子の設定抵抗値をその設定抵抗値の許容範囲内の中央値付近に短時間で調整することができる調整方法を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明の抵抗値調整方法は、設定されたデータに応じた抵抗値を示す可変抵抗素子の抵抗値を所定の設定抵抗値に調整する抵抗値調整方法において、
上記可変抵抗素子に設定される標準的なデータと、その可変抵抗素子に設定されるデータを単位量変化させたときのその可変抵抗素子の抵抗値の標準的な単位変化量を把握しておき、
抵抗値を調整しようとしている被調整可変抵抗素子に上記標準的なデータを設定してその調整可変抵抗素子の第１の抵抗値を求め、
上記第１の抵抗値と上記設定抵抗値との差分と上記標準的な単位変化量とに基づいてその被調整可変抵抗素子が上記標準的な単位変化量と同一の単位変化量を有すると仮定したときにその被調整可変抵抗素子が上記設定抵抗値と同一の抵抗値を示すはずの仮調整データを求め、
上記被調整可変抵抗素子に上記仮調整データを設定してその被調整可変抵抗素子の第２の抵抗値を求め、
上記第１の抵抗値と上記第２の抵抗値とに基づいて上記被調整可変抵抗素子の単位変化量を求めるとともに、その単位変化量と、上記標準的なデータと、上記仮調整データとに基づいてその被調整可変抵抗素子が上記設定抵抗値と同一の抵抗値を示す調整データを求め、
上記調整データを上記被調整可変抵抗素子に設定することを特徴とする。
【００２０】
上記本発明の抵抗値調整方法によれば、まず設定抵抗値が得られる上記標準的なデータが可変抵抗素子に設定される。ここでこの標準的なデータは可変抵抗素子の特性を示す設計値であっても、直前に調整した可変抵抗素子の設定データであっても良い。この標準的なデータとは可変抵抗素子にその標準的なデータが設定されれば、そのデータに基づいて所定の設定抵抗値付近の抵抗値が示されるはずであるという値を意味する。この標準的なデータが設定されたときには所定の設定抵抗値を示すはずであるが、ここで可変抵抗素子にばらつきがあるため、その標準的なデータでは所定の設定抵抗値に調整されない場合が多い。そこでその標準的なデータが設定されたときに被調整可変抵抗素子が示す抵抗値を第１の抵抗値として求め、その第１の抵抗値とその設定抵抗値との差分と上記標準的な単位変化量とに基づいてその被調整可変抵抗素子が標準的な単位変化量と同一の単位変化量を有すると仮定したときに所定の設定抵抗値になるはずの仮調整データが被調整可変抵抗素子にもう一度設定される。なお、標準的な単位変化量は、設計値であっても、直前に調整した可変抵抗素子の単位変化量であっても良い。
【００２１】
そして上記仮調整データがその被調整可変抵抗素子に設定されたときの抵抗値を第２の抵抗値として再度求める。そして第１の抵抗値と第２の抵抗値とが求まれば、標準的な単位変化量ではなく、現在調整をしている被調整可変抵抗素子の実質の単位変化量を把握することが行なわれる。そこで、その実質の単位変化量を求め、求めた実質の単位変化量と、上記標準的なデータあるいは上記仮調整データとに基づいてその被調整可変抵抗素子が上記設定抵抗値と同一の抵抗値を示すはずの調整データを求めてその調整データを上記被調整可変抵抗素子に設定することが行なわれる。つまり、被調整可変抵抗素子の実質の単位変化量と上記標準的なデータあるいは上記仮調整データとに基づいてその可変抵抗素子が所定の設定抵抗値を示すはずの調整データが被調整可変抵抗素子に設定されて調整が終了する。このようにすることで３回の調整回数で調整データを被調整可変抵抗素子に効率よく設定して調整を行なうことができる。その結果、いままでに比べて調整時間の多大なる短縮効果が得られる。
【００２２】
また、たとえばこれから調整しようとする多数の被調整可変抵抗素子がすべて同一の製造ロット内のものであったとすると、その製造ロット内の被調整可変抵抗素子それぞれが同様の傾向を示すという前提にたち、調整を終えた被調整可変抵抗素子各々の調整データおよび実質の単位変化量から求まる調整データの平均値および実質の単位変化量の平均値を上記標準的なデータおよび上記標準的な単位変化量として用いて被調整可変抵抗素子の調整を行なっても良い。そうすると、調整時間をさらに短縮させることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００２４】
図１は本発明の実施形態である抵抗値調整方法を実現する測定系を示す図である。
【００２５】
図１に示すように基板３０のコネクタ部３０ａとＰＣ１０とがＵＳＢ規格に準拠したコネクタ付きのケーブル２０によって接続されてＥＶＲ３２の抵抗値の調整が行なわれる。基板３０上にはＥＶＲ３２が装着されるＩＣソケット３１が設けられており、そのＩＣソケット３１に本発明にいう被調整可変抵抗素子であるＥＶＲ３２が装着される。このＥＶＲ３２にはＰＣ１０からケーブル２０を介してデータとしてＥＶＲ値が入力されるようになっている。このＥＶＲ値が入力されたときにＥＶＲが呈する抵抗値が測定装置４０によって測定されてＰＣ１０に転送される。なお、ここでは測定装置によって抵抗値をダイレクトに測定する訳ではなく、測定値によって抵抗値に対応する電圧値をデータとして得て、この電圧値を抵抗値に変換することが行なわれている。
【００２６】
図２は調整方法の手順を示した図である。
【００２７】
図２（ａ）にはこれから調整しようとするＥＶＲの標準的な値を示すものとしてそのこれから調整しようとするＥＶＲとは別の基準となるＥＶＲによって標準的なデータと標準的な単位変化量とを予め求める例が示されている。なお図２（ａ）にはこの標準的なデータと標準的な単位変化量とを求めることを条件設定と示してある。図２（ｂ）にはその条件設定により得られた標準的なデータと標準的な単位変化量とを用いて行なわれる調整の手順を示したフローチャートが示されている。
【００２８】
図２（ａ）には、これから調整しようとするＥＶＲと同タイプであって基準となるＥＶＲを、標準的な値を示すものとして測定してその測定した値から標準的なデータと標準的な単位変化量とが求められているが、この標準的なデータと標準的な単位変化量とは設計値であっても良く、その場合にはこの例でいうところの条件設定の部分が省かれる。そうするとさらに効率よく調整を行なえる。ここでは直前のデータを次の可変抵抗素子の調整に反映させることを行っている例が示されている。
【００２９】
また、ここでは単位変化量を求めるために、＋１ごとに抵抗値を測定する訳ではなく、たとえばＥＶＲの抵抗値として２００Ωが得られるはずのＥＶＲ値２００を入力して、そのときの抵抗値を測定装置により測定して、その測定した抵抗値たとえば１８２ΩをＥＶＲ値つまり２００で割って平均的な単位変化量を求めている。こうすると、ＥＶＲ値５０付近で±１した場合の単位変化量と、ＥＶＲ値１００付近で±１した場合の単位変化量のばらつきが平均化されて、平均的な単位変化量が求まる。
【００３０】
上記平均的な単位変化量は下式で求まる。
【００３１】
平均的な単位変化量＝測定された抵抗値÷ＥＶＲ値
前述したようにＥＶＲ値が２００で測定された抵抗値が１８２Ωならば平均的な単位変化量は「０．９１」になる。この平均的な単位変化量が本発明でいう標準的な単位変化量として使用される。また、標準的なデータもここで測定装置により測定される。ここでは標準的なデータがたとえばＥＶＲ値‘１０５’が設定されたときにその基準用のＥＶＲが設定抵抗値１００Ωに最も近い値を呈するものとして以降の説明を行なう。
【００３２】
ここまででこれから調整しようとする被調整ＥＶＲの条件設定が終了して、標準的な単位変化量と標準的なデータが把握される。
【００３３】
そして次に今回調整を行なう被調整ＥＶＲがＩＣソケットに嵌挿されたらその被調整ＥＶＲの調整が上記標準的なデータと上記標準的な単位変化量とに基づいて図２（ｂ）に示すフローチャートに基づいて調整が開始される。
【００３４】
なお、この抵抗値調整方法においてはたとえば設定抵抗値の許容範囲を±５％以内として調整が行なわれる。たとえば設定抵抗値が１００Ωであれば９５Ωから１０５Ωまでの抵抗値が示されれば良い。ただしこの調整方法においては、課題にも掲げたとおり、中心値つまり１００Ω近傍に調整することが行なわれる。
【００３５】
図２（ａ）に示す条件設定が終了して標準的なデータと標準的な単位変化量が把握されたので、ステップＳ２０１で調整が開始される。ステップＳ２０２では、標準的なデータとして事前に把握されたたとえばＥＶＲ値‘１０５’が設定される。次のステップＳ２０３へ進み、そのＥＶＲ値に応じた被調整ＥＶＲが呈する抵抗値が測定される。この測定された抵抗値が本発明にいう第１の抵抗値に当たる。そしてこの第１の抵抗値をＰＣ内に記憶しておく。ここではこの第１の抵抗値として９２Ωが得られたとする。
【００３６】
ステップ２０４に移行して、標準的な単位変化量ここでは「０．９１」に基づいて被調整ＥＶＲがその標準的な単位変化量を有すると仮定したときにその被調整ＥＶＲが設定抵抗値ここでは１００Ωと同一の抵抗値を示すはずの仮調整データが次式に基づいて算出される。
【００３７】
設定抵抗値≒第１の測定値＋標準的な単位変化量×（仮調整データ−標準的なデータ）
ここでは第１の測定値が９２Ω、標準的な単位変化量が「０．９１」、設定抵抗値が１００Ωであるので、その設定抵抗値１００Ωに最も近くづく（仮調整データ−標準的なデータ）として９が求められる。この被調整ＥＶＲではＥＶＲ値が‘１０５’と設定されたときに第１の抵抗値として９２Ωが示された訳であるから、仮調整データとして設定されるＥＶＲ値は１０５＋９で‘１１４’と求まる。
【００３８】
そして次のステップＳ２０５でこの仮調整データに応じた第２の抵抗値が測定される。仮調整データを‘１１４’とすると、抵抗値として１００．１９Ωが示されるはずである。しかし、この仮調整データは標準的な単位変化量「０．９１」に基づいて設定されたものであるので、被調整ＥＶＲに設定抵抗値付近の値を示すとは限らない。ここで仮調整データ‘１１４’が設定されたときの被調整ＥＶＲの抵抗値がたとえば１１０Ωの抵抗値を呈したとする。この抵抗値が本発明にいう第２の抵抗値に当たる。
【００３９】
次のステップＳ２０６で今度は次式を使用して被調整ＥＶＲの実質の単位変化量が求められる。
【００４０】
2004235453.tif 000003
ここでは第１の測定値が９２Ωであり、第２の抵抗値が１１０Ωであり、仮調整データとして設定されたＥＶＲ値が１１４、標準データとして設定されたＥＶＲ値が１０５であるので
（１１０−９２）／（１１４−１０５）＝２
で求まる値「２」が被調整ＥＶＲの実質の単位変化量になる。この被調整ＥＶＲの単位変化量が求まったら次のステップＳ２０７へ進み、調整データが次式に基づいて算出される。
【００４１】
設定抵抗値≒第１の抵抗値＋２×（調整データ−標準データ）…    式１
あるいは
設定抵抗値≒第２の抵抗値−２×（仮調整データ−調整データ）…  式２
ここでは第１の抵抗値が９２Ω、実質の単位変化量が２、標準データとして設定されたＥＶＲ値が‘１０５’、仮調整データとして設定されたＥＶＲ値が‘１１４’であるので、式１に基づいて設定抵抗値に最も近づくはずの調整データが算出される。式１を用いて
９２＋２×（調整データ−標準データ）＝１００
ということで調整データ−標準データとして‘４’が得られる。標準データが‘１０５’であるから調整データは‘１０９’になる。
【００４２】
また式２を用いても同様の結果が得られる。この場合には
１１０−２×（仮調整データ−標準データ）＝１００
ということで（仮調整データ−調整データ）として‘５’が求まる。仮調整データとして設定されたＥＶＲ値が‘１１４’であるから調整データとしてのＥＶＲ値は‘１０９’となり、式１を用いたものと同等の結果が得られる。つまり、標準的な単位変化量と標準的なデータあるいは仮調整データとに基づいて調整データが求められ設定される。
【００４３】
ここではステップＳ２０７で調整データとして‘１０９’が設定されて、ステップＳ２０８で設定抵抗値に近づいたかどうかの測定が行なわれる。なお、ステップＳ２０９では測定された抵抗値および被調整ＥＶＲの単位変化量がＰＣ内に管理用のデータとして記録される。
【００４４】
このようにすると、調整中の被調整ＥＶＲの単位変化量が求められて、その単位変化量と標準的なデータあるいは仮調整データとに基づいて調整データが効率よくＥＶＲに設定される。
【００４５】
ここで終了しても良いが、本実施形態の抵抗値調整方法においては前述したように抵抗値の許容範囲内の中央値に限りなく近づいたときに調整が終了したと判断されるようにしたため、さらに設定抵抗値に精度良く調整されるようにステップＳ２１０からステップＳ２１２の再調整ルーチンを設けてある。これは単位変化量がＥＶＲ値‘１０５’とＥＶＲ値‘１１４’という２点から求められた平均的なものであるので、ここでも実質の単位変化量にばらつきが生じることが考えられるからである。
【００４６】
そこで次のステップＳ２１０で調整データとして‘１０９’が設定されて測定された被調整ＥＶＲの抵抗値と設定抵抗値との差分が算出されて、その差分が単位変化量以内であるかどうかが判定される。調整データ‘１０９’が設定されたときの測定値がたとえば９９Ωであったとしたら、設定抵抗値との差分が
９９−１００＝−１
であるのでこの場合には算出された差分が実質の単位変化量よりも小さくなる。つまり１（差分）＜２（実質の単位変化量）ということでこれ以上調整しても設定抵抗値１００Ωに近づかないと判断されてＹｅｓ側に進められてステップＳ２１１で調整が終了する。この調整が終了した後で調整された抵抗値がステップＳ２１３でＰＣ内に記録される。
【００４７】
また、被調整ＥＶＲの測定値がたとえば１０２Ωであった場合には
１０２−１００＝２
であるのでこの場合には算出された差分が実質の単位変化量と同等になり、ＥＶＲ値を−１すれば１００Ωに近づくと判断される。その場合にはステップＳ２１０でＮｏと判定されてステップＳ２１２へ進められる。ステップＳ２１２で調整データが−１されて‘１０８’が新たな調整データとしてＥＶＲに設定されて再調整が終了する。その後ステップＳ２１３でこの再調整された抵抗値がＰＣ内に記録される。
【００４８】
このようにすることで、設定抵抗値の中央値にできうる限り近づけて調整を終了することができる。つまり、標準的なデータによる調整、仮調整データによる調整、調整データによる調整といった３回の調整で終了しても良いところを、調整回数が今までに比べて減ったということを考えて、さらに被調整ＥＶＲの実質の単位変化量に基づく再調整を行なって被調整ＥＶＲの設定抵抗値に近づける調整を行なっている訳である。このようにしても多くても４回の調整で被調整ＥＶＲを設定抵抗値付近に調整することができる。
【００４９】
なお、この一連の処理が多数のＥＶＲに対してそれぞれ行なわれるので、それぞれのＥＶＲの調整内容をＰＣ内の記録装置に記録しておくと後々都合が良い。そこで、ステップＳ２０７で調整データが設定されたら、その調整データと単位変化量を調整内容として、ステップＳ２０９でＰＣ内に記録することが行なわれている。また、ステップＳ２１１で調整を終了した後のステップＳ２１３で調整データと再調整データとに基づく抵抗値もＰＣ内に記録することが行なわれている。
【００５０】
このように調整データおよび実質の単位変化量を、被調整ＥＶＲそれぞれの調整が行なわれるたびに記録しておくと、たとえば図２（ｂ）のフローチャートに示したように、それら調整データや実質の単位変化量に基づいてそれらの平均値を算出してその平均値を標準的なデータ、標準的な平均変化量としてステップＳ２０４で調整を行なうこともできる。そうすると各被調整ＥＶＲごとに設定された実質の単位変化量のばらつきが平均化されてその単位変化量を用いて調整が行なわれるので調整の効率が良くなることもある。特に同一の製造ロットという集合の中においては被調整ＥＶＲが同じ傾向を示すものという前提にたち、過去に調整された被調整ＥＶＲの調整データの平均値、実質の単位変化量の平均値を標準的なデータ、標準的な単位変化量として調整を行なった方がより効率よく調整を行なえる場合もある。さらに、ステップＳ２１３で調整された抵抗値がＰＣ内に記録されているので、それら抵抗値から平均値と分散などを求めておくと、被調整ＥＶＲの抵抗値のばらつきが把握されるようになる。これを管理することにより被調整ＥＶＲのばらつきがどの程度であるかがＥＶＲを使用する側に把握されるようになる。このことは部品の信頼性評価を行なう上で貴重な手がかりとなり、製造ロットの良否判定を行なうために役立つという効果もある。
【００５１】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明の抵抗値調整方法によれば、可変抵抗素子の設定抵抗値をその設定抵抗値の許容範囲内の中央値付近に短時間で調整することができる調整方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る抵抗値調整方法を実現する測定ブロック図である。
【図２】図１の測定ブロック図に示した測定系で行なわれる調整の手順を示したフローチャートである。
【符号の説明】
１０    ＰＣ
２０    検査用基板
２１    ソケット
２２    ＥＶＲ
３０    基板
３１    ＩＣソケット
３２    被調整ＥＶＲ
４０    測定装置
【図１】
2004235453.tif 000004
【図２】
2004235453.tif 000005