(57)【要約】【解決手段】透光性を有するガラス基板１と、このガラス基板１の内面に陽極として設けられた陽極ＩＴＯ電極３を設ける。該陽極ＩＴＯ電極３の内側に設けられ陽極ＩＴＯ電極３に対向する冷陰極から発生した電子の衝撃により発光し前記ガラス基板１の外部に光を透過せしめる発光層４とを有するＦＥＤデバイスを設ける。多数の空洞に二次電子発生材料９を塗布した電子増倍部６を、前記冷陰極と発光層４との間に配設する。冷陰極から発生した一次電子７が電子増倍部６の空洞を通過する際に二次電子発生材料９を衝撃して前記発光層４に放射する二次電子８量を増加させる。【効果】ＦＥＤの発光輝度を向上させると共に、発光初期性能を長時間維持する。耐久性に優れ安価なコストで提供することが可能である。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有するガラス基板と、このガラス基板の内面に陽極として設けられた陽極ＩＴＯ電極と、該陽極ＩＴＯ電極の内側に設けられ陽極ＩＴＯ電極に対向する冷陰極から発生した電子の衝撃により発光し前記ガラス基板の外部に光を透過せしめる発光層とを有するＦＥＤデバイスにおいて、多数の空洞に二次電子発生材料を塗布した電子増倍部を、前記冷陰極と発光層との間に絶縁層を介して配設し、冷陰極から発生した一次電子が電子増倍部の空洞を通過する際に二次電子発生材料に衝撃を与えて前記発光層に放射する二次電子量を増加せしめることを特徴とする電子増倍部を装着したＦＥＤデバイス。
【請求項２】
前記冷陰極の電子発生源として、カーボン・ナノチューブを使用する請求項１記載の電子増倍部を装着したＦＥＤデバイス。
【請求項３】
前記電子増倍部は、メタルチャンネル型電子増倍部が使用される請求項１記載の電子増倍部を装着したＦＥＤデバイス。
【請求項４】
前記二次電子発生材料は、Ｃｕ−Ｂｅ又はＡｇ−Ｍｇが使用される請求項１記載の電子増倍部を装着したＦＥＤデバイス。
【請求項５】
前記発光層は、粉末蛍光体又は真空蒸着された薄膜の発光層が使用される請求項１記載の電子増倍部を装着したＦＥＤデバイス。
【請求項６】
透光性を有するガラス基板と、このガラス基板の内面に陽極として設けられた陽極ＩＴＯ電極と、該陽極ＩＴＯ電極の内側に設けられ陽極ＩＴＯ電極に対向する冷陰極から発生した電子の衝撃により発光し前記ガラス基板の外部に光を透過せしめる発光層とを有し、二次電子発生材料を塗布した電子増倍部を前記冷陰極と発光層との間に配したＦＥＤデバイスの製造方法において、長さを１０ｕｍ以下に成形したＣＮＴを陰極ＩＴＯ電極上にスクリーン印刷する冷陰極製造工程と、陰極ＩＴＯ電極上に絶縁層とゲート電極とを順次スクリーン印刷にて形成し、該ゲート電極の上に、絶縁層を介して電子増倍部を配設する電子増倍部装着工程と、陽極ＩＴＯ電極がわのガラス基板と陰極ＩＴＯ電極がわのガラス基板との周囲をガラス・フリトで封止後、デバイス内部を真空ポンプで１０−６ｔｏｒｒの真空に設定する真空工程とからなることを特徴とする電子増倍部を装着したＦＥＤデバイスの製造方法。
【請求項７】
前記電子増倍部として、前記メタルチャンネル型電子増倍部の他、ボックス型電子増倍部、ラインフォーカス型電子増倍部、メッシュ型電子増倍部、ＭＰＣ型電子増倍部のいずれか又はこれらの組み合わせを使用する請求項１記載の電子増倍部を装着したＦＥＤデバイス。
【請求項８】
前記冷陰極の電子発生源として、スピンドタイプ（ｓｐｉｎｄｔ  ｔｙｐｅ）、ＰＮタイプ、ＭＩＭタイプ、サーフェース・エミッションタイプ（ｓｕｒｆａｃｅ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｔｙｐｅ）のいずれかを選択使用する請求項１記載の電子増倍部を装着したＦＥＤデバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＦＥＤ（フィールド・エミッション・ディスプレイ／Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）の改良に係り、高輝度特性を有する電子増倍部（ダイノード／ｄｙｎｏｄｅ）を装着したＦＥＤデバイス及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＦＥＤとして、特許文献１に記載されたスピンドタイプ（ｓｐｉｎｄｔ  ｔｙｐｅ）のＦＥＤが知られている（図２参照）。このタイプのＦＥＤは、Ｓｉの基板上に尖鋭な円錐状に形成された電子放出源となる冷陰極を有し、カソード電極とゲートとの間で電圧を印加して冷陰極から電子を放出させるＦＥＤである。このタイプの冷陰極は、陰極基板の先端に、仕事函数の低いＭＯ、Ｃｒ、Ｐｔなどの材料を真空蒸着することによって形成している。
【０００３】
特許文献２に記載されたＦＥＤは、一般にカーボン・ナノチューブ（ｃａｒｂｏｎ  ｎａｎｏｔｕｂｅｓ／ＣＮＴ）ＦＥＤと称されるタイプである（図３参照）。このタイプでは、冷陰極にカーボン・ナノチューブを採用している。
【０００４】
特許文献３は、前述したスピンドタイプを採用したもので、冷陰極から放出された電子を陽極がわで増倍せしめる電子増倍層を蛍光体に装着したＦＥＤが記載されている（図１１参照）。このＦＥＤによると、電子３３は、空間５１を利用して電子の自然拡散で電子増倍層５０に衝撃を与えて二次電子を発生させ、蛍光体を励起してガラス基板外部に発光表示させる仕組みである。
【特許文献１】
米国特許第３，６６５，２４１号公報
【特許文献２】
特開２００２−３４３２８１号公報
【特許文献３】
米国特許第５，９８２，０８２号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、これら従来のＦＥＤは、いずれも発光輝度と発光均一性に限界が生じ、製造コストが高くなるなど多くの課題が残されていた。
【０００６】
特許文献１及び特許文献２にあっては、いずれも冷陰極から放出される電子を発光層に直接衝撃せしめて発光させ、画像あるいは文字に変換してガラス基板外部に表示する手段を採用している。この為、冷陰極から放出される電子の量がそのまま輝度やコントラストに反映することになる。しかしながら、これら従来の冷陰極から発生する電子の量に限界が生じ、高輝度の発光が得られるまでの電子は得られていない。また、発光が均一に得られないので、例えば、ハイビジョンが要求される平面ディスプレイなどに用いることは問題があった。
【０００７】
尤も、特許文献１のタイプでは、電子放出源となる冷陰極をより尖鋭な円錐状に形成することで、特許文献２のタイプよりも高い解析度が得られるが、この冷陰極の製造に極めて多くのコストを要するものになっていた。一方、特許文献２のタイプでは、特許文献１のタイプに比べて低コスト化が可能になるが、輝度が低く、寿命も短いという欠点がある。
【０００８】
特許文献３のＦＥＤは、電子を増倍せしめる電子増倍層を使用している。ところが、ただ一層のみの電子増倍層では電子の倍増効果が限られている。しかも、空間５１を利用して電子の自然拡散で電子増倍層５０を衝撃し二次電子を発生させるので、それぞれ一つの画素に対する単一陰極電子発生源（エミッター）３６は、他の個々のエミッターと一定の間隔を持って隔離する必要が生じる。その為、空間５１は、たちまち複雑になるばかりか、製造コストも高くなる不都合が生じる。
【０００９】
この他、電子発生源として、図４に示すｐ−ｎ  ジャンクションタイプ（ｐ−ｎ  ｊｕｎｃｔｉｏｎ  ｔｙｐｅ）において、同図（イ）に示されるＰＮタイプの冷陰極や、同図（ロ）に示されるＭＩＭタイプの冷陰極、あるいは図５に示されるサーフェース・エミッション（Ｓｕｒｆａｃｅ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ／ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  ｅｍｉｔｔｅｒ）と称する冷陰極が提案されているが、いずれも冷陰極から発生する電子の量に限界が生じ、高輝度の発光が得られるまでの電子は得られていない。
【００１０】
そこで、本発明は上述の課題を解消すべく創出されたもので、ＦＥＤの発光輝度を向上させると共に、発光初期性能を長時間維持し、しかも耐久性に優れ安価なコストで提供することが可能な電子増倍部を装着したＦＥＤデバイス及びその製造方法を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成すべく本発明は、透光性を有するガラス基板１と、このガラス基板１の内面に陽極として設けられた陽極ＩＴＯ電極３と、該陽極ＩＴＯ電極３の内側に設けられ陽極ＩＴＯ電極３に対向する冷陰極から発生した電子の衝撃により発光し前記ガラス基板１の外部に光を透過せしめる発光層４とを有するＦＥＤデバイスにおいて、多数の空洞に二次電子発生材料９を塗布した電子増倍部６を、前記冷陰極と発光層４との間に絶縁層５、１０を介して配設し、冷陰極から発生した一次電子７が電子増倍部６の空洞を通過する際に、二次電子発生材料９に衝撃を与えて、前記発光層４に放射する二次電子８量を増加せしめることにある。
【００１２】
本発明における冷陰極の電子発生源１７として、カーボン・ナノチューブの使用が最適である。
【００１３】
本発明における電子増倍部６は、メタルチャンネル型電子増倍部６Ａの使用が好適である。
【００１４】
本発明における二次電子発生材料９は、Ｃｕ−Ｂｅ又はＡｇ−Ｍｇの使用が好適である。
【００１５】
本発明における発光層４は、粉末蛍光体又は真空蒸着された薄膜の発光層が選択的に使用される。
【００１６】
本発明の製造方法は、透光性を有するガラス基板１と、このガラス基板１の内面に陽極として設けられた陽極ＩＴＯ電極３と、該陽極ＩＴＯ電極３の内側に設けられ陽極ＩＴＯ電極３に対向する冷陰極から発生した電子の衝撃により発光し前記ガラス基板１の外部に光を透過せしめる発光層４とを有するＦＥＤデバイスにおいて、長さを１０ｕｍ以下に成形したＣＮＴ１３を陰極ＩＴＯ電極１５上にスクリーン印刷する冷陰極製造工程と、陰極ＩＴＯ電極１５上に絶縁層１６とゲート電極１２とを順次スクリーン印刷にて形成し、該ゲート電極１２の上に、絶縁層１６を介してメタルチャンネル型電子増倍部６Ａを配設する電子増倍部装着工程と、陽極ＩＴＯ電極３がわのガラス基板１と陰極ＩＴＯ電極１５がわのガラス基板１４との周囲をガラス・フリトで封止後、デバイス内部を真空ポンプで１０−６ｔｏｒｒの真空に設定する真空工程とからなる。
【００１７】
本発明における電子増倍部６は、メタルチャンネル型電子増倍部６Ａ、ボックス型電子増倍部、ラインフォーカス型電子増倍部、メッシュ型電子増倍部、ＭＰＣ型電子増倍部のいずれか一つ又は複数を組み合わせた中から選択使用することができる。
【００１８】
本発明における冷陰極の電子発生源１７（エミッター）として、前記のカーボン・ナノチューブタイプの他、スピンドタイプ、ＰＮタイプ又はＭＩＭタイプ、サーフェースエミッションタイプのいずれかを陰極に選択使用することが可能である。
【００１９】
本発明によると、冷陰極から発せられた一次電子が電子増倍部６を通過する際に、電子量が増加した二次電子となって発光層４に放射され、高輝度の発光を促すものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。本発明の基本構成は、ＦＥＤデバイスに、電子量を増加させる電子増倍部６を装着したものである。
【００２１】
ＦＥＤデバイスは、透光性を有するガラス基板１と、このガラス基板１の内面に陽極として設けられた陽極ＩＴＯ電極３と、該陽極ＩＴＯ電極３の内側に設けられＩＴＯ電極３に対向する冷陰極から発生した電子の衝撃により発光し前記ガラス基板１の外部に光を透過せしめる発光層４とを有している。
【００２２】
このＦＥＤデバイスの冷陰極と陽極との間に電子増倍部６を装着する。該電子増倍部６から発生した一次電子７が電子増倍部６の空洞を通過する際に、二次電子発生材料９に衝撃を与え、前記発光層４に放射する二次電子８量を増加せしめる。
【００２３】
本発明に最適な電子増倍部６としてメタルチャンネル型電子増倍部６Ａがある（図１０参照）。また、この他にも、ボックス型電子増倍部（図６参照）、ラインフォーカス型電子増倍部（図７参照）、メッシュ型電子増倍部（図８参照）、ＭＰＣ型電子増倍部（図９参照）のいずれか一つ又は複数を組み合わせた中から選択使用することができる。
【００２４】
特に、メタルチャンネル型電子増倍部６Ａとしては、図１３（イ）乃至（ハ）のいずれのタイプを選択してもよい。すなわち、同図（イ）は、二次電子発生材料９を塗布した孔６Ａａの内周面が湾曲した状態を成す。また、同図（ロ）は、この孔６Ａａの内周面が筒状を成し、且つ対向する側面が平行になっている。さらに、同図（ハ）は、孔６Ａａの内周面が筒状を成し、且つ対向する側面が平行になっていない状態を成している。図示例のように、一層のメタルチャンネル型電子増倍部６Ａは、高さ（厚み）が約０．２ｍｍ、孔６Ａａの口径は約０．１ｍｍ〜０．３ｍｍで、４２％のＮｉと５８％のＦｅとの合金を用いる。更に、冷陰極がわの孔６Ａａの口径を、陽極がわの孔６Ａａの口径よりも小さく形成した場合（同図ハ）は、発光層４の発光材料や二次電子発生材料９などが冷陰極に堆積し難くすることができる。また、孔６Ａａの内周面に塗布する二次電子発生材料９は、Ｃｕ−Ｂｅ（銅−ベリリュウム）又はＡｇ−Ｍｇ（銀−マグネシウム）の使用が好適である。
【００２５】
図１２に示す電子増倍部６は、４枚の電子増倍部６を重ねた状態を示している。この場合、二次電子８の発生を更に増加せしめることができる。例えば、１枚のゲインをＵ（＝二次電子発生数／一次電子発生数）とすると、ｎ枚の電子増倍部６を重ねた全体のゲインは、Ｕｔ＝ｋ・Ｕｎ  （ｋ＝定数、ｎ＝電子増倍部６の枚数）となる。一方、各電子増倍部６は、それぞれ絶縁層５、１０を介して積層されており、この電子増倍部６自体がスペーサーの役割も兼ねているので、ＦＥＤデバイスの空間をサポートし、各絶縁層５、１０の厚みを薄くすることができる。しかも、電子増倍部６が絶縁層５、１０と共に、ＦＥＤデバイスの冷陰極と陽極との間の支持強度を強化することができるので、薄型大画面用のＦＥＤデバイスとして使用することができる。
【００２６】
次に、本発明ＦＥＤデバイスの製造方法として、冷陰極にマルチウォールタイプのＣＮＴ１３を使用し、電子増倍部６にメタルチャンネル型電子増倍部６Ａを配設した実施例に基づいて説明する（図１参照）。製造工程は便宜上、冷陰極製造工程、電子増倍部装着工程、真空工程に分けて説明する。
【００２７】
冷陰極製造工程は、アーク・リスチャージ方法で、長さを１０ｕｍ以下に成形したマルチウォールタイプのＣＮＴ１３を用いる。次に、ＣＮＴ１３をシルバーペストの中に混練してパタン化したメタル・マスクで、ガラス基板１４上の陰極ＩＴＯ電極１５上にスクリーン印刷する。このＣＮＴ１３をベーキングした後に、ＣＮＴ１３の表面処理を施して冷陰極を製造するものである。
【００２８】
電子増倍部装着工程は、まず、陰極ＩＴＯ電極１５上に絶縁層１６とゲート電極１２とをスクリーン印刷にて形成する。更に、絶縁層１６からゲート電極１２の上方に向けてスクリーン印刷にて形成された絶縁層１０を介してメタルチャンネル型電子増倍部６Ａを配設する。図示例のメタルチャンネル型電子増倍部６Ａは一層であるが、これを二層、あるいは図１２に示す四層など、複数層に積層することが可能である。更に、メタルチャンネル型電子増倍部６Ａの上面に絶縁層５をスクリーン印刷し、この絶縁層５の上端にブラックマトリクス２をスピン・コーティングで施す。そして、該ブラックマトリクス２の上に、ガラス基板１を装着してメタルチャンネル型電子増倍部６Ａを固定する。このガラス基板１の内側には、予め陽極ＩＴＯ電極３と粉末蛍光体を印刷して発光層４とを設けてある。
【００２９】
真空工程では、陽極ＩＴＯ電極３がわのガラス基板１と陰極ＩＴＯ電極１５がわのガラス基板１４との周囲をガラス・フリト（図示せず）で封止し、その後、デバイス内部を真空ポンプで１０−６ｔｏｒｒの真空に設定する。
【００３０】
次に、上述の如く製造した本発明ＦＥＤデバイスと、従来型のＦＥＤデバイスとの実験結果を説明する（図１４、図１５参照）。
【００３１】
図１４（イ）は、従来型のＦＥＤデバイスで電子増倍部６を装着していない。このとき、陽極電圧（Ｖａ）＝５００Ｖ、ゲート電圧（Ｖｇ）＝０、陰極電圧（Ｖｃ）＝−２７０Ｖに設定している。一方、同図（ロ）は、本発明ＦＥＤデバイスであり、二層のメタルチャンネル型電子増倍部を装着している。こちらは、陽極電圧（Ｖａ）＝６５０Ｖ、ゲート電圧（Ｖｇ）＝０、陰極電圧（Ｖｃ）＝−２７０Ｖ、第２のメタルチャンネル型電子増倍部と接地間の電圧（Ｖ２）＝１５０Ｖ、第１のメタルチャンネル型電子増倍部の電極（Ｖ１）＝０としている。
【００３２】
この結果、本発明ＦＥＤデバイスは、図１５に示すように、従来型のＦＥＤデバイスに比べて、発光輝度（Ｂ）対動作時間（ｔ）と、陰極電流（Ｉｃ）対動作時間（ｔ）とにおいて優れた特性を示している。同図中に示す実線は、本発明ＦＥＤデバイスの発光輝度（Ｂ）と陰極電流（Ｉｃ）を表す。また、点線は従来型ＦＥＤデバイスの発光輝度（Ｂ）と陰極電流（Ｉｃ）を表している。すなわち、従来型ＦＥＤデバイスでは、動作時間（ｔ）＝１５００時間経過後、発光輝度（Ｂ）及び陰極電流（Ｉｃ）が共に経時変化を示しているが、本発明ＦＥＤデバイスでは、いずれも経時変化は認められない。
【００３３】
図１６は、図１５における各ＦＥＤ素子の発光パターンを示している。図１６（イ）は、本発明と従来例の発光パターンであるが、いずれも電子増倍部６を装着しない初期発光パターンを示している（▲１▼、▲２▼参照）。また、同図（ロ）は、動作時間（ｔ）＝１５００時間経過後の発光パターンであり、電子増倍部６を装着した本発明と、装着しない従来例とを比較している（▲３▼、▲４▼参照）。同図（イ）における初期発光時の発光輝度（Ｂ）は、いずれも１５０ｎｉｔｓ（Ｉｃ＝０．５ｍＡ）であった（▲１▼、▲２▼参照）。一方、動作時間（ｔ）＝１５００時間経過後を示す同図（ロ）において、従来型ＦＥＤデバイスでは、ＦＥＤ素子の発光は見られなかった（▲４▼参照）。このとき、本発明ＦＥＤデバイスのＦＥＤ素子は、発光輝度（Ｂ）＝１００ｎｉｔｓも発光していることがわかった（▲３▼参照）。この際、陰極電流（Ｉｃ）は、両者とも０．００４ｍＡまで減少している。この原因は、ＣＮＴの材質が経時変化によって劣化したものと考えられる。従って、耐久性能に優れたＣＮＴを使用することにより、ＦＥＤデバイスの寿命を延ばすことができる。
【００３４】
これらの結果から、ＦＥＤデバイスに電子増倍部を装着することで次の特徴が実証された。第１に発光輝度が向上すること。第２に陰極の応答性能が向上すること。第３に陰極の電流を減少し、陰極の寿命を延ばすこと。第４に高輝度と応答特性がよいので、ＴＦＴ等のアクティブ・ディバイス（ａｃｔｉｖｅ  ｄｅｖｉｃｅ）で回路を駆動しなくてもよいことなどである。特に第４の特性は、ＦＥＤデバイスの製造コストを安価にする重要な特性になっている。
【００３５】
尚、図１４（ロ）の実験で、電子増倍部６（メタルチャンネル型電子増倍部）を一層用いたときの電子増倍のゲイン（Ｕ）＝５であったが、電子増倍部６を二層用いた場合、全体のゲイン（Ｕｔ）＝５２が得られた。従って、電子増倍部６をｎ層にした場合の全体のゲインは、Ｕｔ＝ｋ・Ｕｎ（ｋ＝常数）で示される。
【００３６】
【発明の効果】
本発明は、上述の如く構成したことにより、当初の目的を達成した。
【００３７】
すなわち、多数の空洞に二次電子発生材料９を塗布した電子増倍部６を、冷陰極と発光層４との間に絶縁層５、１０を介して配設し、冷陰極から発生した一次電子７が電子増倍部６の空洞を通過する際に、二次電子発生材料９を衝撃して前記発光層４に放射する二次電子８量を増加させることにより、ＦＥＤの発光輝度を向上させることが可能になった。また、冷陰極と陽極との間に電子増倍部６を介することで、電子増倍部６自体がスぺーサーの役割を果し、ＦＥＤデバイスの強度を高め、従来よりも薄く、且つ、広いＦＥＤデバイスの提供を可能にする。
【００３８】
しかも、冷陰極の電子発生源１７として、カーボン・ナノチューブを使用することにより、低電圧による使用が可能になり、耐久性に優れ安価なコストで提供することができる。
【００３９】
電子増倍部６にメタルチャンネル型電子増倍部６Ａを使用したことにより、発光初期性能を長時間維持することが可能になった。
【００４０】
更に、本発明の製造方法によると、スクリーン印刷を基本とした製造が可能になり、極めて安価に提供することができる。
【００４１】
このように本発明によると、ＦＥＤの発光輝度を向上させると共に、発光初期性能を長時間維持し、しかも耐久性に優れ安価なコストで提供することが可能になるなどといった有益な種々の効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す概略断面図。
【図２】他のタイプの電子発生源を示し、（イ）は斜視図、（ロ）は断面図。
【図３】他のタイプの電子発生源を示し、（イ）は斜視図、（ロ）は断面図。
【図４】他のタイプの電子発生源を示し、（イ）はＰＮタイプの断面図、（ロ）はＭＩＭタイプの断面図。
【図５】他のタイプの電子発生源を示す概略図。
【図６】他の電子増倍部を示し、（イ）は斜視図、（ロ）は要部断面図。
【図７】他の電子増倍部を示す要部断面図。
【図８】他の電子増倍部を示す概略図。
【図９】他の電子増倍部を示し、（イ）は一部切欠き斜視図、（ロ）は要部断面図。
【図１０】他の電子増倍部を示し、（イ）は断面図、（ロ）は要部拡大断面図。
【図１１】従来のＦＥＤデバイスを示す概略断面図である。
【図１２】本発明の他の実施例を示す概略断面図。
【図１３】（イ）乃至（ハ）は、本発明のメタルチャンネル型電子増倍部における孔の実施例を示す要部斜視図。
【図１４】ＦＥＤデバイスによる試験方法で、（イ）は本発明を示し、（ロ）は従来例を示す概略図。
【図１５】本発明と従来のＦＥＤデバイスによる試験の特性結果を示す図。
【図１６】本発明と従来のＦＥＤデバイスによる試験の発光パターンを示し、（イ）は初期発光パターン、（ロ）は経時後の発光パターン。
【符号の説明】
１  ガラス基板
２  ブラックマトリクス
３  陽極ＩＴＯ電極
４  発光層
５  絶縁層
６  電子増倍部
７  一次電子
８  二次電子
９  二次電子発生材料
１０  絶縁層
１１  真空
１２  ゲート電極
１３  ＣＮＴ
１４  ガラス基板
１５  陰極ＩＴＯ電極
１６  絶縁層
１７  電子発生源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2004227801.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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