(57)【要約】【課題】　繰り返しマークパターンｙに対応する部分の再生信号ｗの部分のレベルと、孤立パターンレベルｘに対応する部分の再生信号ｗの部分のレベルを検出し、上記レベルを比較することにより、正確に熱干渉の違いを知ることができる。このため異なるマークパターンに対応した記録マーク間の熱干渉を同じにすることができる。【解決手段】　本発明の光磁気ディスクは光ビームａにより情報が記録されるものであって、該光磁気ディスクから繰り返しマークパターンｙに対応する再生信号ｗの部分のレベルと孤立マークパターンｘに対応する再生信号ｗの部分のレベルを検出し、上記レベルを比較することにより、記録条件を設定する。【選択図】　図２
2004134087.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　光ビームを照射して記録再生を行う光記録媒体において、
　情報記録領域以外の試し書き記録領域であって、所定期間あるいは所定動作毎に光記録媒体に試し書きを行うための複数の試し書き領域を具備し、前記試し書き記録領域への試し書き回数が記録媒体の書き換え保証回数以下となることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
　光ビームを照射して記録再生を行う光記録媒体において、
　情報を記録する情報記録領域と区別して、所定期間あるいは所定動作毎に試し書きを行う試し書き領域を、試し書き回数が記録媒体の書き換え保証回数以下となるべく複数具備することを特徴とする光記録媒体。
【請求項３】
　光ビームを照射して記録再生を行う光記録媒体において、
　情報を記録する情報記録領域と区別して、所定期間あるいは所定動作毎に試し書きを行う試し書き領域を複数具備し、記録媒体の書き換え保証回数以下の試し書き性能を備えることを特徴とする光記録媒体。
【請求項４】
　光ビームを照射して記録再生を行う光記録媒体において、
　情報を記録する情報記録領域と区別し、記録媒体の書き換え保証回数以下であって、所定期間あるいは所定動作毎に試し書きを行う試し書き領域を具備することを特徴とする光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、光ビームにより情報が記録される光磁気ディスク等の光記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
　第１の従来例として特開平５−２６６４７６（特許文献１）に開示された情報記憶装置があった。この例では半導体レーザーのパワーをＰＨとＰＬの２値で変調する方法を開示しており、ＰＨとＰＬの関係をあらかじめ決めておき（ＰＨ＋αＰＬ＝一定）、半導体レーザの出射パワーをフィードバックすることによって記録パワーの制御を行っていた。ところが、この方法では、半導体レーザーの出射パワーを一定に制御することはできても、記録媒体上での記録状態をフィードバックしていないため、記録媒体まで含めた実際の記録条件の制御ができないという問題点を有していた。
【０００３】
　第２の従来例としてＪ．Ｍａｇｎ．Ｓｏｃ．Ｊａｐ．，Ｖｏｌ．１５，Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ Ｎｏ．Ｓ１（１９９１），ＰＰ３９５−３９８（非特許文献１）に開示された記録制御方法があった。この方法では、記録光パルスのエッジの位置をパルスの種類毎に制御することにより、最適な記録マークを記録していた。ところが、この方法では、記録マークの形状が涙型の形状となり、マークの前方と後方で再生波形が異なるため、正確なデータが再生できないという問題点を有していた。
【０００４】
　この問題点を解決するために第３の従来例である試し書き記録制御方法がある。試し書き記録制御方法とは、光磁気ディスクに所定のデータを仮に記録し、記録されたデータを読み出すことにより最適なレーザーパワーを設定する方法のことである。電子情報通信学会技報ＭＲ９２−６２（１９９１−１１），ｐ，１３〜１８（非特許文献２）あるいは１９９２年電子情報通信学会秋季大会予稿ｃ−３４２，ｐ，５〜２１（非特許文献３）に開示された光磁気ディスクの試し書き記録制御方法を図３１に基づいて説明する。
【０００５】
　この方法では、まず、光磁気ディスクに最短マーク繰り返しパターンＸの記録マーク１６と、最長マーク繰り返しパターンＹの記録マーク１７を記録する。それから、記録マーク１６，１７を読み出し、最短マーク繰り返しパターンＸに対応した再生信号Ｗの平均電圧Ｖ１と、最長マーク繰り返しパターンＹに対応した再生信号Ｗの平均電圧Ｖ２との電圧差ΔＶを求める。
【０００６】
　この電圧差ΔＶがゼロになるように、光ビームのパワーを制御して記録を行うことにより、正確な記録を行うことができる。
【０００７】
　また、レーザーパワーＰｗをＰａｓに比例して変化させており（Ｐｗ＝２×Ｐａｓ）、第１の従来例と同様に２値のパワー値の関係をあらかじめ決めていた。また、記録光パルスをさらに細分化して、一つの記録マークを多数の記録パルスで記録することによって、涙型の形状の記録マークになることを防止していた。
【特許文献１】特開平５−２６６４７６号公報（公開日：平成５年（１９９３）１０月１５日）
【非特許文献１】Ｊ．Ｍａｇｎ．Ｓｏｃ．Ｊａｐ．，Ｖｏｌ．１５，Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ Ｎｏ．Ｓ１（１９９１），ＰＰ３９５−３９８
【非特許文献２】電子情報通信学会技報ＭＲ９２−６２（１９９１−１１），ｐ，１３〜１８
【非特許文献３】１９９２年電子情報通信学会秋季大会予稿ｃ−３４２，ｐ，５〜２１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
　ところが、上記第３の従来例の構成では、正確に熱干渉を一定にすることは困難であるという第１の問題点を有している。
【０００９】
　ここで、熱干渉とは、ある記録マークを記録したときの熱が隣の記録マークを記録するときに影響を与えることである。
【００１０】
　マークの長さやマークとマークとの間の長さが異なると、熱干渉の大きさも異なり、マークの長さがばらつくため所定の大きさのマークが記録できなくなる。
【００１１】
　最短マーク繰り返しパターンＸの記録マーク１６・１６間における熱干渉は、再生信号Ｗの上下変動（レベル変動）を引き起こす。もう一方の最長マーク１７・１７間における熱干渉はマークとマークとの間が長いため生じない。このため、熱干渉によって平均電圧Ｖ１は変動するが、平均電圧Ｖ２は変動しない。すなわち、上述の第３の従来例の構成では最短マーク繰り返しパターンＸのみの熱干渉は最適化できるが、その他のマークについては全く最適化できなかった。これらの電圧差ΔＶからすべての熱干渉を正確に知ることは困難であり、電圧差ΔＶがゼロになっても、すべての熱干渉が一定になるとは限らないという問題点を有している。つまり最短マーク繰り返しパターンＸの熱干渉を最適化することによって再生デューティーは最適になるが、その他の熱干渉は最適にはならないという問題点があった。
【００１２】
　また第２の問題点は、以下のとおりである。あらかじめ２値のレーザーパワーの関係を決めておくと一次元だけのパワー値の調整しかできない。しかし周囲温度が変わったり記録媒体の感度が変化すると、２値のレーザーパワーの関係（ＰＨ＋αＰＬ＝一定またはＰｗ＝２×Ｐａｓ）も変化し、２次元のパワー値の調整が必要である。つまり２値のレーザーパワーを独立に制御していないため、調整範囲が狭く、最適な記録パワーを求めることが困難であった。これは、光パワー値だけに限らず、記録パルスのエッジの位置も固定しており、光パワー値とエッジ（あるいはエッジ間隔およびエッジ周期）を含めた、複数の記録変数に対しても、独立に制御できないという問題点があった。
【００１３】
　また第３の問題点は以下のとおりである。試し書きによって誤って記録再生情報を破壊する恐れがある。これを防ぐためには、試し書き専用の試し書き領域を新たに設け、情報記録再生領域と区別する必要がある。また試し書きは周囲温度の変化や、記録媒体の差し替え等による感度の変化のたび毎に行う必要があるため、前記試し書き領域は書き換え回数が極端に多くなることが予想される。例えば、３分毎に一回の試し書きを行うと仮定すると、約６年間で１０6回の書き換えを行うことになり、記録媒体の書き換えの保証回数を越えることが予想でき、以後試し書きが行えなくなるという問題点が発生する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
　本発明に係る光記録媒体は、上記第３の問題点を解決するために、光ビームを照射して記録再生を行う光記録媒体において、情報記録領域以外の試し書き記録領域であって、所定期間あるいは所定動作毎に光記録媒体に試し書きを行うための複数の試し書き領域を具備し、前記試し書き記録領域への試し書き回数が記録媒体の書き換え保証回数以下となることを特徴としている。
【００１５】
　本発明に係る光記録媒体は、上記第３の問題点を解決するために、光ビームを照射して記録再生を行う光記録媒体において、情報を記録する情報記録領域と区別して、所定期間あるいは所定動作毎に試し書きを行う試し書き領域を、試し書き回数が記録媒体の書き換え保証回数以下となるべく複数具備することを特徴としている。
【００１６】
　本発明に係る光記録媒体は、上記第３の問題点を解決するために、光ビームを照射して記録再生を行う光記録媒体において、情報を記録する情報記録領域と区別して、所定期間あるいは所定動作毎に試し書きを行う試し書き領域を複数具備し、記録媒体の書き換え保証回数以下の試し書き性能を備えることを特徴としている。
【００１７】
　本発明に係る光記録媒体は、上記第３の問題点を解決するために、光ビームを照射して記録再生を行う光記録媒体において、情報を記録する情報記録領域と区別し、記録媒体の書き換え保証回数以下であって、所定期間あるいは所定動作毎に試し書きを行う試し書き領域を具備することを特徴としている。
【００１８】
　上記の構成によれば、所定期間あるいは所定動作毎に光記録媒体に試し書きを行うための試し書き領域を備えている。したがって試し書きによって誤って記録再生情報破壊を防止できる。また、複数の試し書き記録領域を備えているため、一つの試し書き領域あたりの試し書き回数を減らすことができ、記録媒体の書き換え保証回数以下に減じることができるため、試し書きの信頼性を向上させることが可能となる。
【発明の効果】
【００１９】
　以上のように、本発明に係る光記録媒体は、情報記録領域以外の試し書き記録領域であって、所定期間あるいは所定動作毎に光記録媒体に試し書きを行うための複数の試し書き領域を具備し、前記試し書き記録領域への試し書き回数が記録媒体の書き換え保証回数以下となる構成である。
【００２０】
　また、本発明に係る光記録媒体は、情報を記録する情報記録領域と区別して、所定期間あるいは所定動作毎に試し書きを行う試し書き領域を、試し書き回数が記録媒体の書き換え保証回数以下となるべく複数具備する構成である。
【００２１】
　また、本発明に係る光記録媒体は、情報を記録する情報記録領域と区別して、所定期間あるいは所定動作毎に試し書きを行う試し書き領域を複数具備し、記録媒体の書き換え保証回数以下の試し書き性能を備える構成である。
【００２２】
　また、本発明に係る光記録媒体は、情報を記録する情報記録領域と区別し、記録媒体の書き換え保証回数以下であって、所定期間あるいは所定動作毎に試し書きを行う試し書き領域を具備する構成である。
【００２３】
　これによれば、所定期間あるいは所定動作毎に光記録媒体に試し書きを行うための試し書き領域を備えている。したがって試し書きによって誤って記録再生情報破壊を防止できる。また、複数の試し書き記録領域を備えているため、一つの試し書き領域あたりの試し書き回数を減らすことができ、記録媒体の書き換え保証回数以下に減じることができるため、試し書きの信頼性を向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
　本発明の第１の実施例について図１ないし図５に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００２５】
　本実施例の試し書き記録制御装置は、図１に示すように、半導体レーザー２３と、レベル差Δｖ（後述する）が最小になるように、孤立マークパターンｘ（第２記録パターン）及び繰り返しマークパターンｙ（第１記録パターン）に対応した記録信号ｚを半導体レーザー２３に出力する繰り返し・孤立パターン発生手段４とを備えている。
【００２６】
　半導体レーザー２３は、記録信号ｚに応じた強度及びパルス長の光ビームａを光磁気ディスク２４（光記録媒体）に照射し、これより、図２に示すように、孤立マークパターンｘの記録マーク５・・・および繰り返しマークパターンｙの記録マーク６・・・を光磁気ディスクに記録する。ここで、孤立マークパターンｘとは、互いに離れた記録マーク５・・・のように、熱干渉に影響されにくいパターンであり、繰り返しマークパターンｙとは、互いに近接した記録マーク６・・・のように、熱干渉に影響されやすいパターンである。
【００２７】
　試し書き記録制御装置は、さらに、光磁気ディスク２４からの反射光ｂを受光し、光電変換することにより、再生信号ｗを出力するフォトディテクター２２と、繰り返しマークパターンｙに対応する再生信号ｗの部分のピークレベルｖ１を検出する繰り返しパターンレベル検出手段（第１のレベル検出手段）と、孤立マークパターンｘに対応する再生信号ｗの部分のピークレベルｖ２を検出する孤立パターンレベル検出手段２（第２レベル検出手段）と、ピークレベルｖ１とｖ２とのレベル差Δｖを上記の繰り返し・孤立パターン発生手段４に出力する比較手段３とを備えている。
【００２８】
　さて、繰り返しマークパターンｙとは、光磁気ディスクの第１記録状態（例えば紙面上方Ｓ極）である第１微小領域（記録マーク６と６に挟まれた非マーク）と第２記録状態（例えば紙面上方Ｎ極）であって光ビーム径よりも短い第２微小領域（記録マーク６・・・）との組み合わせからなる第１記録パターンである。ここで光ビーム径と第２微小領域の長さの相対関係は、第２微小領域（記録マーク６・・・）からの再生波形ｗのレベルｖ１が飽和しない条件であり、つまり記録マーク６が光ビーム径よりも短い場合である。なお、長くなるとレベルｖ１は飽和してしまう。飽和するまでは、記録条件（例えばレーザパワー）の変化に対して、敏感にレベル変化を生じさせることができるが、飽和してしまうと、記録条件をいくら変化させてもレベルの変動が生じなくなり、記録マーク状態を検出できなくなる。このため、再生波形のレベルが飽和しない条件が必要となる。
【００２９】
　また、孤立マークパターンｘとは、光磁気ディスクの第１記録状態（例えば紙面上方Ｓ極）であって第１微小領域よりも長い第３微小領域（記録マーク５と５に挟まれた非マーク）と第２状態（例えば紙面上方Ｎ極）であって光ビーム径よりも短い第２微小領域（記録マーク５・・・）との組み合わせからなる第２記録パターンである。記録マーク６と６に挟まれた非マークは、記録マーク５と５に挟まれた非マークよりも短いため、記録マーク６・・・は記録マーク５・・・に比べて互いに熱干渉を受けやすい。
【００３０】
　上記の構成において、同一強度および同一パルス長の光ビームａを光磁気ディスク２４に照射することにより、記録マーク５・・・および記録マーク６・・・を記録した場合、熱干渉を受けやすい記録マーク６・・・は、図２に実線で示されているように、熱干渉を受けにくい記録マーク５・・・より大きくなる。このため、繰り返しマークパターンｙに対応する再生信号ｗの部分のピークレベルｖ１は、孤立マークパターンｘに対応する再生信号ｗの部分のピークレベルｖ２よりも大きくなる。したがって、レベル差Δｖが発生する。
【００３１】
　これに対し、記録マーク５・・・および記録マーク６・・・を記録したとき、記録マーク５・５間の熱干渉と、記録マーク６・６間の熱干渉とが同一であったか、あるいは、いずれの熱干渉も発生しなかった場合、記録マーク６・・・は、図２に破線で示されているように、記録マーク５・・・と同じ大きさになる。このため、ピークレベルｖ１とｖ２は等しくなる。したがって、レベル差Δｖはゼロとなる。
【００３２】
　以上より、繰り返し・孤立パターン発生手段４によって、レベル差Δｖが最小となるように、光ビームの強度およびパルス長を設定することにより、同一熱干渉の下で情報を記録するための記録条件を設定できる。これにより、情報を正確に記録することが可能になる。
【００３３】
　ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を用いると、記録条件を変化させながら、上記Δｖの変化を測定し、自動的に試し書き記録制御を行うことが可能である。
【００３４】
　なお、レベル差Δｖは、熱干渉によるだけでなく、光学伝達特性（ＯＴＦ）によっても発生することがある。この場合、トータルのレベル差Δｖは次式で表される。
Δｖ＝Δｖ（ＯＴＦ）＋Δｖ（ｔｈｅｒｍａｌ）
ここで、Δｖ（ＯＴＦ）は光学伝達特性によるレベル差であり、Δｖ（ｔｈｅｒｍａｌ）は熱干渉によるレベル差である。
【００３５】
　Δｖ（ＯＴＦ）がある場合、レベル差Δｖはゼロとはならないが、レベル差Δｖが最小になるとき、上記の場合と同様に、熱干渉が同一になる。つまり、本実施例の試し書き記録制御装置によれば、Δｖ（ＯＴＦ）の有無に関わらず、同一熱干渉の下で情報を記録するための記録条件を設定できる。これにより、情報を正確に記録することが可能になる。
【００３６】
　以上の実施例では、ピークレベルｖ１とｖ２とのレベル差Δｖが最小になる記録条件を設定したが、繰り返しマークパターンｙに対応する再生信号ｗの部分の極小レベルｖ３と、ピークレベルｖ２とのレベル差（＝ｖ２−ｖ３）が最大となるように記録条件を設定することもできる。
【００３７】
　上記の試し書き記録制御装置の繰り返しパターンレベル検出手段１、孤立パターンレベル検出手段２には、具体的には例えば、図３に示すように、エンベロープ検波手段７、エンベロープ検波手段８を用いることができ、比較手段３には、減算器９を用いることができる。
【００３８】
　エンベロープ検波手段７、８は、詳細には例えば、図４に示すように、ピークホールド回路２５とサンプルホールド回路２６とにより構成される。ピークホールド回路２５は、抵抗２７、ダイオード２８、コンデンサー２９およびバッファ３０からなっており、サンプルホールド回路２６は、スイッチ３１、コンデンサー３２およびバッファ３３からなっている。ピークホールド回路２５で得られたピークレベルｖ１，ｖ２は、タイミング信号ｈでスイッチ３１をオン・オフ制御することにより取り出され得る。
【００３９】
　また、上記試し書き記録制御装置の繰り返しパターンレベル検出手段１、孤立パターンレベル検出手段２には、図５に示すように、再生信号ｗのピーク毎にタイミング信号ｔを発生するタイミング発生手段１０と、タイミング信号ｔに基づいて再生信号ｗをＡ／Ｄ（アナログ／ディジタル）変換することにより、再生信号ｗのピークレベルｖ１，ｖ２，を取り出すＡ／Ｄコンバーター１１とを用いることができ、比較手段３には、タイミング信号ｔに基づいてピークレベルｖ１，ｖ２，からレベル差Δｖ（＝ｖ１−ｖ２）を算出して出力するプロセッサー１２を用いることができる。
【００４０】
　タイミング発生手段１０は、例えば再生信号ｗから同期クロックを取り出すためのＰＬＬ回路（フェーズ・ロックト・ループ）と復調器とで容易に構成され得る。
【００４１】
　本発明の第２の実施例について図６に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施例の図面に示した部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。
【００４２】
　本実施例の試し書き記録制御装置は、図６に示すように、繰り返しマークパターンｙに対応する再生信号ｗの部分の平均レベルｖ１’を検出する平均化手段１３（第１のレベル検出手段）と、孤立マークパターンｘに対応する再生信号ｗの部分の平均レベルｖ２’を検出する平均化手段１４（第２のレベル検出手段）と、平均レベルｖ１’，ｖ２’からレベル差Δｖ’（＝ｖ１’−ｖ２’）を求め出力する減算器１５（比較手段）とを備えている。
【００４３】
　平均化手段１３、１４は、詳細には例えば、図７に示すように、ローパスフィルタ３４とサンプルホールド回路３５とにより構成される。ローパスフィルタ３４は、抵抗３６、コンデンサー３７およびバッファ３８からなっており、サンプルホールド回路３５は、スイッチ３９、コンデンサー４０およびバッファ４１からなっている。ローパスフィルタ３４で得られた平均レベルｖ１’，ｖ２’は、タイミング信号ｈでスイッチ３９をオン・オフ制御することにより取り出され得る。
【００４４】
　上記の構成において、レベル差ｖ’が最小となるように、光ビームａの強度およびパルス長を設定することにより、同一熱干渉の下での情報を記録するための記録条件を設定できる。これにより、情報を正確に記録することが可能になる。
【００４５】
　以上の実施例において、光磁気ディスク２４には情報記録領域とは別に試し書き専用の記録領域を設けることが好ましい。この試し書き専用の記録領域を用いて記録条件の設定を行えば、情報記録領域の情報を破壊する恐れがなくなる。また、以上の実施例では、光記録媒体として光磁気ディスク２４を挙げて本発明の試し書き記録制御装置および試し書き記録制御方法を説明したが、これに限定されることなく、相変化型の光ディスクや追記型の光ディスク等、光ビームａを照射したときに発生する熱を利用して情報の記録を行う光記録媒体あるいは情報記録再生装置に対し、本発明を広く応用できる。
【００４６】
　本発明の第３の実施例について図８に基づいて説明すれば、以下の通りである。孤立非マークパターンｘ’の記録マーク５’・・・および繰り返し非マークパターンｙ’の記録マーク６’・・・を光磁気ディスクに記録する。つまり、図２で示した記録パターンに対して、記録マークと非マークを全く入れ替えたパターンである。ここで、孤立非マークパターンｘ’とは、互いに離れた長い記録マーク５’・・・のように、熱干渉に大きく影響されるパターンであり、繰り返し非マークパターンｙ’とは、互いに近接した記録マーク６’・・・のように、熱干渉に少し影響されやすいパターンである。
【００４７】
　言い換えると、繰り返し非マークパターンｙ’とは、光磁気ディスクの第１記録状態（例えば紙面上方Ｎ極）である第１微小領域（記録マーク６’・・・）と第２記録状態（例えば紙面上方Ｓ極）であって光ビーム径よりも短い第２微小領域（記録マーク６’と６’に挟まれた非マーク）との組み合わせからなる第１記録パターンである。ここで光ビーム径と第２微小領域の長さの相対関係は、第２微小領域（記録マーク６’と６’に挟まれた非マーク）からの再生波形ｗの下方レベルｖ１”が飽和しない条件であり、つまりが記録マーク６’と６’に挟まれた非マークが光ビーム径よりも短い場合である。なお、長くなるとレベルｖ１”は飽和する。また、孤立非マークパターンｘ’とは、光磁気ディスクの第１記録状態（例えば紙面上方Ｎ極）であって第１微小領域よりも長い第３微小領域（記録マーク５’・・・）と第２状態（例えば紙面上方Ｓ極）であって光ビーム径よりも短い第２微小領域（記録マーク５’と５’に挟まれた非マーク）との組み合わせからなる第２記録パターンである。記録マーク５’・・・は記録マーク６’・・・に比べて長いため、蓄積した熱量も多く、熱干渉も大きくなる。したがって、記録マーク５’と５’に挟まれた非マークは、記録マーク６’と６’に挟まれた非マークよりもさらに短くなりやすい。
【００４８】
　上記の構成において、の光ビームａを光磁気ディスク２４に照射することにより、記録マーク５’・・・および記録マーク６’・・・を記録した場合、熱干渉を大きく受けやすい記録マーク５’・・・は、実線で示されているように、熱干渉を少し受けやすい記録マーク６’・・・より大きくなる。このため、繰り返し非マークパターンｙ’に対応する再生信号ｗの部分の下方ピークレベルｖ１”は、孤立非マークパターンｘ’に対応する再生信号ｗの部分の下方ピークレベルｖ２”よりも大きくなる。したがって、レベル差Δｖ”が発生する。
【００４９】
　これに対し、記録マーク５’・・・および記録マーク６’・・・を記録したとき、記録マーク５’・５’間の熱干渉と、記録マーク６’・６’間の熱干渉とが同一であったか、あるいは、いずれの熱干渉も発生しなかった場合、記録マーク５’・・・は、破線で示されているように、記録マーク６’・・・と同じ大きさになる。このため、ピークレベルｖ１”とｖ２”は等しくなる。したがって、レベル差Δｖ”はゼロとなる。
【００５０】
　以上より、図１における繰り返し・孤立パターン発生手段４から繰り返し非マークパターンｙ’と・孤立非マークパターンｘ’を発生させることによって、レベル差Δｖ”が最小となるように、光ビームの強度およびパルス長を設定することにより、同一熱干渉の下で情報を記録するための記録条件を設定できる。これにより、情報を正確に記録することが可能になる。
【００５１】
　上記の試し書き記録制御装置の繰り返しパターンレベル検出手段１、孤立パターンレベル検出手段２には、図４に示したエンベロープ検波手段７、エンベロープ検波手段８を図９に示す回路で置き換えるだけでよい。
【００５２】
　エンベロープ検波手段７、８は、ピークホールド回路４２とサンプルホールド回路２６とにより構成される。ピークホールド回路４２は、抵抗４３、ダイオード４４、コンデンサー４５およびバッファ４６からなっており、サンプルホールド回路２６は、スイッチ３１、コンデンサー３２およびバッファ３３からなっている。ピークホールド回路４２で得られたピークレベルｖ１，ｖ２は、タイミング信号ｈでスイッチ３１をオン・オフ制御することにより取り出され得る。ピークホールド回路４２と図４に示したピークホールド回路２５の違いは、ダイオード４４とダイオード２８の向きが逆である点だけである。
【００５３】
　なお、図２において（図３においても）、繰り返して記録するパターンに限定する必要はなく、記録マーク（または非マーク）の長さは同一にしておくが、非マーク（または記録マーク）の長さが異なる２つのパターンを記録すればよい。たとえば、記録マークと非マークを一つあるいは２つづつ組にして記録してもよい。
【００５４】
　本発明の実施例４について図１０ないし図１７に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００５５】
　図１０に示す試し書き制御装置は、説明を簡単にするために複数の記録変数として後述する２つのパワー値ＰｂとＰｐを使用し、これらの和（または差）によって光記録パワーを発生させて光記録媒体に試し書きを行い、ＰｂとＰｐをそれぞれ最適化するための試し書き記録制御装置の例である。２つのパワー値Ｐｂ、Ｐｐの最適化のために、お互いの相対関係を求めることにより最適化することができる。ただし、相対関係がただ一つの場合は、Ｐｂ、Ｐｐの相対値は決定できるが、絶対値を決定できないという問題点がある。したがって、この場合は２つの相対関係を求め、これらを同時に満足させることによってＰｂ、Ｐｐの絶対値を求めることが可能となる。これは、多数の変数を含む連立方程式の解法と同じ意味をもつ。つまり、複数の変数の場合は複数の方程式があれば解が求まるわけである。なお、パワー値が３つ以上の場合でも、解を求めるために必要な数の相対関係を求めれば同様に絶対値を決定できることは言うまでもない。説明の都合上、以下には２つのパワー値の最適化を例に挙げ、記録マークのデューティー条件と熱干渉条件の２つの相対関係によって、絶対値を最適化する例を示す。
【００５６】
　図１０において、熱干渉条件決定手段４９、光学ヘッド４７及び光磁気ディスク４８は図１の試し書き記録制御装置とほぼ同一の構成である。異なる点は再生信号のデューティーが最適となる条件を決定するためのデューティー条件決定手段５０と、最適値決定手段５１を付加した点である。
【００５７】
　すなわち、熱干渉条件決定手段４９は、例えば図１で示した繰り返しパターンレベル検出手段１、孤立パターンレベル検出手段２、比較手段３および繰り返し・孤立パターン発生手段４で構成している。図１０において、記録信号ｚを光学ヘッド４７へ送出し、光学ヘッド４７内には、図１１に示すレーザ駆動回路５２と図１で示した半導体レーザ２３およびフォトディテクタ２２を備えている。
【００５８】
　図１１に示す半導体レーザ駆動回路５２において、記録信号ｚを波形変換回路５３に入力し、後述するバイアス分パワーＰｂを得るための波形と、パルス分パワーＰｐを得るための波形に変換する。これらを電流発生回路５４と５５に信号を送出し、それぞれ２つの電流ＩｂとＩｐを発生させる。電流Ｉｂ、Ｉｐを加算器５６により加算することで、半導体レーザ２３の駆動電流Ｉｗを得る。これによって半導体レーザ２３は、バイアス分パワーＰｂとパルス分パワーＰｐの和である記録パワーＰｗを出射できる。
【００５９】
　図１２は半導体レーザ２３から出射する記録パルス波形の一実施例を示す図である。図に示すように記録パワーＰｗは、バイアス分パワーＰｂとパルス分パワーＰｐの２つの和である。なお、これ以外にＰｗからＰｂを差し引いた２つのパワー値の差としてもよい。変調方式として、一般によく知られている（１，７）ＲＬＬ方式を用い、記録１．３３Ｔ〜５．３３Ｔまでの７種類の記録波形を使用する。
【００６０】
　図に１０において、このようにして得た光ビームａを光学ヘッド４７から出射し、光磁気ディスク４８に試し書きを行い、反射光ｂを光学ヘッド内のフォトディテクター２２により光電変換することにより、再生信号ｗを出力する。その他は図１と同一部分の説明は省略する。
【００６１】
　さて、デューティー条件決定手段５０は再生信号ｗのデューティーが最適化どうかを決定する手段である。最適値決定手段５１は、上記熱干渉条件決定手段４９の出力とデューティー条件決定手段５０の出力とによって、２つの条件を同時に満足するパワー値ＰｂとＰｐを求める。
【００６２】
　デューティー条件決定手段５０と熱干渉条件決定手段４９を、３つの記録パターン発生手段と３つの記録パターンレベル検出手段によって置き換えることにより、お互いに回路を兼用することができる。
【００６３】
　図１３はこの点について、改めて分かりやすく説明するために、要部のみ示した図である。第１記録パターン発生手段５７と第２記録パターン発生手段５８と第３記録パターン発生手段５９から発生させた記録信号ｚ１、ｚ２、ｚ３を光磁気ディスク４８に記録する。図１４を用いて各パターンの記録マーク及び再生波形を示す。第１記録パターンは、図２に示す孤立マークパターンｘであり、１．３３Ｔの記録マークと４Ｔの非マークの組み合わせである。第２記録パターンは、図２の繰り返しマークパターンｙであるが、図８に示した繰り返し非マークパターンｙ’でもよい。１．３３Ｔの記録マークと１．３３Ｔの非マークの組み合わせである。第３記録パターンは図８に示した孤立非マークパターンｘ’であり、４Ｔの記録マークと１．３３Ｔの非マークの組み合わせである。
【００６４】
　各パターンにおける再生波形のピークレベルおよびボトムレベルは図１５に示すレベル検出手段によって検出することができる。再生信号ｗを第１パターンレベル検出手段６０のエンベロープ検波手段６６、６７、第２パターンレベル検出手段６１のエンベロープ検波手段６８、６９、第３パターンレベル検出手段６２のエンベロープ検波手段７０、７１に入力する。これらのエンベロープ検波手段６６ないし７１にはタイミング発生手段６５から検出タイミング信号を送る。エンベロープ検波手段６６、６７によって、図１４の示す第１パターンのピークレベルｖ２とボトムレベルｖ４を検出する。エンベロープ検波手段６８、６９によって第２パターンのピークレベルｖ１とボトムレベルｖ３を検出する。エンベロープ検波手段７０、７１によって第３パターンのピークレベルｖ５とボトムレベルｖ６を検出する。
【００６５】
　ボトムレベルｖ３，ｖ４をデューティー条件決定手段６３における減算手段７２に入力し、Δｖｄ−を得る。ピークレベルｖ５、ｖ１をデューティー条件決定手段６３における減算手段７３に入力し、Δｖｄ＋を得る。図１４においてデューティーが等しい場合はΔｖｄ＋がΔｖｄ−が等しくなるため、図１５においてΔｖｄ＋とΔｖｄ−を減算手段７４に入力し、その出力であるΔｖｄがゼロになる条件をデューティーの最適条件とすることができる。
【００６６】
　ピークレベルｖ１、ｖ２を熱干渉条件決定手段６４における減算手段７５に入力し、Δｖｔ＋を出力する。図１４において熱干渉が最適となる条件を、ｖ１とｖ２が等しい時とおくと、Δｖｔ＋がゼロになる。デューティー条件Δｖｄ＝０と、熱干渉条件Δｖｔ＋＝０を同時に満足するＰｂとＰｐを求めるための動作の流れ図を図１６に示す。Ｐｂを初期値Ｐｂ（ｍｉｎ）に設定する（ｓ１）。Ｐｐを初期値Ｐｐ（ｍｉｎ）に設定する（ｓ２）。第１パターン、第２パターン、第３パターンを光磁気ディスクに記録する（ｓ３）。各パターンの再生波形レベルｖ１ないしｖ６を検出する（ｓ４）。Δｖｄ＝０により、デューティーが最適化どうか判断する（ｓ５）。最適であれば（ｓ６）へ進み、そうでなければ（ｓ８）に進む。さらにΔｖｔ＋＝０により、熱干渉が最適化どうか判断する（ｓ６）。最適であれば（ｓ７）へ進み、そうでなければ（ｓ８）に進む。最適でない場合は、Ｐｐが動作範囲を越えないように最大値Ｐｐ（ｍａｘ）と比較する（ｓ８）。越えていれば（ｓ１０）に進み、そうでなければ（ｓ９）に進む。越えていない場合は、Ｐｐに増加分ΔＰｐを加え（ｓ９）、再び（ｓ３）へ戻る。一方、越えていればＰｂが動作範囲を越えないように最大値Ｐｂ（ｍａｘ）と比較する（ｓ１０）。越えていれば（ｓ１２）に進み、そうでなければ（ｓ１１）に進む。越えていない場合は、Ｐｂに増加分ΔＰｂを加え（ｓ１１）、再び（ｓ３）へ戻る。なお、越えていれば最適値はなく、動作を終了する（ｓ１２）。こうして、Ｐｐ、Ｐｂを少しずつ増加させながら、デューティー条件と熱干渉条件を同時に満足するときのＰｂ、Ｐｐを最適値と決定する（ｓ７）。
【００６７】
　図１７は、このようにしてＰｐとＰｂを最適化した実例である。デューティー条件を満足する（Ｐｂ，Ｐｐ）の組み合わせを５点、熱干渉条件を満足する（Ｐｂ，Ｐｐ）の組み合わせを３点測定した。どちらの条件においても（Ｐｂ，Ｐｐ）は直線上に乗っている。その交点であるＡ１点は（Ｐｂ，Ｐｐ）＝（４ｍＷ，２．６ｍＷ）となり、同時に２つの条件を満足する最適値を決定することができた。
【００６８】
　本発明の実施例５のレベル検出方法について図１８及び、図１４、図１５に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、実施例４と共通で使用できる構成要素については説明を省略する。
【００６９】
　図１５において、同様にΔｖｄがゼロになる条件をデューティーの最適条件とする。
【００７０】
　ボトムレベルｖ６、ｖ３を熱干渉条件決定手段６４における減算手段７６に入力し、Δｖｔ−を出力する。図１４において熱干渉が最適となる条件を、ｖ６とｖ３が等しい時とおくと、Δｖｔ−がゼロになる。
【００７１】
　図１８は、このようにしてＰｐとＰｂを最適化した実例である。デューティー条件を満足する（Ｐｂ，Ｐｐ）の組み合わせを５点、熱干渉条件を満足する（Ｐｂ，Ｐｐ）の組み合わせを３点測定した。どちらの条件においても（Ｐｂ，Ｐｐ）は直線上に乗っている。その交点であるＡ２点は（Ｐｂ，Ｐｐ）＝（１ｍＷ，６．５ｍＷ）となり、同時に２つの条件を満足する最適値を決定することができた。
【００７２】
　本発明の実施例６のレベル検出方法について図１９及び、図１４、図１５に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、実施例４及び５と共通で使用できる構成要素については説明を省略する。
【００７３】
　図１５において、同様にΔｖｄがゼロになる条件をデューティーの最適条件とする。
【００７４】
　実施例４と実施例５において、図１５におけるΔｖｔ＋か、又はΔｖｔ−のどちらか一方のみがゼロになる時を熱干渉の最適条件とした。しかし、図１４においてΔｖｔ＋とΔｖｔ−が等しいときの方が、熱干渉を各パターンに均等に生じさせることができるため、より正確に熱干渉条件を最適化することができる。
【００７５】
　図１５においてΔｖｔ＋とΔｖｔ−を熱干渉条件決定手段６４における減算手段７７に入力し、Δｖｔを出力する。熱干渉の条件をΔｖｔがゼロになる条件とすると、Δｖｔ＋とΔｖｔ−が等しくなり、より正確に熱干渉条件を最適化することができる。
【００７６】
　図１９は、このようにしてＰｐとＰｂを最適化した実例である。デューティー条件を満足する（Ｐｂ，Ｐｐ）の組み合わせを６点、熱干渉条件を満足する（Ｐｂ，Ｐｐ）の組み合わせを５点測定した。どちらの条件においても（Ｐｂ，Ｐｐ）は直線上に乗っている。その交点であるＡ点は（Ｐｂ，Ｐｐ）＝（３．４ｍＷ，３．７ｍＷ）となり、同時に２つの条件を満足する最適値を決定することができた。
【００７７】
　本発明の実施例７のレベル検出方法について図２０に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、実施例４ないし６と共通で使用できる構成要素については説明を省略する。
【００７８】
　再生波形レベルｖ１ないしｖ６をアナログスイッチ７８にそれぞれ入力し、タイミング発生手段６５から送られてくるタイミング信号ｔ’によってｖ１ないしｖ６の中の１つを順次選択しながら、Ａ／Ｄコンバータ７９に入力する。変換したディジタル信号をＣＰＵ８０に入力し、図１５と同様にΔｖｄおよびΔｖｔ＋、Δｖｔ−、Δｖｔを検出することが可能である。
【００７９】
　本発明の実施例８の記録パターンについて図２１に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、実施例４ないし７と共通で使用できる構成要素については説明を省略する。
【００８０】
　第１記録パターンは、孤立マークパターンであり、２Ｔの記録マークと５．３３Ｔの非マークの組み合わせである。第２記録パターンは、繰り返しマークパターンであり、２Ｔの記録マークと２Ｔの非マークの組み合わせである。第３記録パターンは孤立非マークパターンであり、５．３３Ｔの記録マークと２Ｔの非マークの組み合わせである。これらのパターンにより同様に最適化を行うことが可能である本発明の実施例９の記録パターンについて図２２に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、実施例４ないし７と共通で使用できる構成要素については説明を省略する。
【００８１】
　各パターンは、長さのみ異なる繰り返しパターンである。第１記録パターンは、１．３３Ｔの記録マークと非マークの組み合わせである。第２記録パターンは、２Ｔの記録マークと非マークの組み合わせである。第３記録パターンは、５．３３Ｔの記録マークと非マークの組み合わせである。第１パターンからピークレベルｖ７とボトムレベルｖ８を検出し、第２パターンからピークレベルｖ９とボトムレベルｖ１０を検出し、第３パターンからピークレベルｖ１１とボトムレベルｖ１２を検出する。Δｖｄα（＝ｖ１１−ｖ７）とΔｖｄβ（＝ｖ８−ｖ１２）が等しくなる条件をデューティー条件とする。Δｖｔα（＝ｖ９−ｖ７）とΔｖｔβ（＝ｖ８−ｖ１０）が等しくなる条件を熱干渉条件とする。
【００８２】
　図２３は、このようにしてＰｐとＰｂを最適化した実例である。デューティー条件を満足する（Ｐｂ，Ｐｐ）の組み合わせを６点、熱干渉条件を満足する（Ｐｂ，Ｐｐ）の組み合わせを６点測定した。どちらの条件においても（Ｐｂ，Ｐｐ）は直線上に乗っている。その交点であるＡ３点は（Ｐｂ，Ｐｐ）＝（３．４ｍＷ，３．５ｍＷ）となり、同時に２つの条件を満足する最適値を決定することができた。
【００８３】
　本発明の実施例１０について図２４ないし２６に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００８４】
　これまでの方法では、ＰｐとＰｂをそれぞれ少しずつ変化させながら条件を最適化するため、テスト回数が非常に多く、最適化するまでにかなりの時間が必要である。そこで以下に、テスト回数を削減した高速の最適化方法について説明する。
【００８５】
　これまで図１７、図１８、図１９、図２３に示したように、デューティー条件と熱干渉条件は共に直線上に乗っている。したがって、この２つの直線の方程式を求め、次に連立方程式を解いてＰｂとＰｐを最適化することにより、高速に最適化が可能となる。デューティー条件の方程式を算出するために、デューティー条件を満足する２つの測定サンプル点が必要となり、熱干渉条件の方程式を算出するために、熱干渉条件を満足する２つの測定サンプル点が必要である。つまり合計４つのサンプル点を求めるだけで、２つの方程式が算出でき、さらにはどちらの条件も満足する最適条件を決定することが可能となる。
【００８６】
　図２４において、再生信号ｗを、デューティー条件決定手段６３におけるサンプル点検出手段８１と、熱干渉条件決定手段６４におけるサンプル点検出手段８２に入力する。サンプル点検出手段８１からは、図２５におけるデューティー条件を満足する２つのサンプル点（Ｘ１，Ｙ１４）、（Ｘ２，Ｙ２）を検出する。サンプル点検出手段８２からは、図２５における熱干渉条件を満足する２つのサンプル点（Ｘ１，Ｙ６）、（Ｘ２，Ｙ１０）を検出する。図２４において、（Ｘ１，Ｙ１４）、（Ｘ２，Ｙ２）を方程式算出手段８３に入力し、図２５におけるデューティー条件ラインと等価である方程式Ａ・Ｐｂ＋Ｂ・Ｐｐ＋Ｃ＝０を算出する。図２４において、（Ｘ１，Ｙ６）、（Ｘ２，Ｙ１０）を方程式算出手段８４に入力し、図２５における熱干渉条件ラインと等価である方程式Ｄ・Ｐｂ＋Ｅ・Ｐｐ＋Ｆ＝０を算出する。この２つの方程式を最適値決定手段５１における連立方程式計算手段８５に入力し、図２５における交点を求めることによって、最適値を決定することが可能となる。
【００８７】
　動作流れ図について図２６に基づいて説明すれば、以下の通りである。ＰｂをＸ１に設定する（ｓ１０１）。Ｐｐを初期値Ｙ１に設定する（ｓ１０２）。第１パターン、第２パターン、第３パターンを光磁気ディスクに記録する（ｓ１０３）。各パターンの再生波形レベルｖ１ないしｖ６を検出する（ｓ１０４）。デューティーが最適かどうか（Δｖｄ＝０）判断する（ｓ１０５）。最適であれば（ｓ１０７）へ進み、そのときのＰｂとＰｐを記憶する。そうでなければ、（ｓ１０６）へ進み、熱干渉が最適かどうか（Δｖｔ＝０）判断する（ｓ１０６）。最適であれば（ｓ１０７）へ進み、そのときのＰｂとＰｐを記憶する。そうでなければ、４つのサンプル点が検出できたか判断する（ｓ１０８）。サンプル点の検出が終わればデューティー条件の方程式を算出する（ｓ１１０）。そうでなければ、つぎのＰｐをＹ２に設定し（ｓ１０３）へ進むことによって、順にパワーＰｐを変えて動作を繰り返す。Ｐｐが図２５に示すＹ１〜Ｙ１６まで進んだならば、ＰｂをＸ２に変えて、再びＰｐをＹ１〜Ｙ１６まで変化させながら繰り返す。このようにして、例えばＰｂの値をＸ１とＸ２のみに限定できるため、テストの回数を大幅に削減できる。デューティー条件の方程式を算出したら、熱干渉条件の方程式を算出する（ｓ１１１）。連立方程式から交点を求めることにより、最適値を決定する（ｓ１１２）。
【００８８】
　本発明の実施例１１について図２７ないし２９に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００８９】
　実施例１１までは、デューティー条件と熱干渉条件が共に直線上に乗っている場合について説明してきたが、そうでない場合もあったり、また詳細にはわずかな曲線になっている場合もある。本実施例はこのような場合でもＰｂとＰｐを最適化できる方法を説明する。
【００９０】
　図２７において、再生信号ｗをデューティー条件決定手段８６と、熱干渉条件決定手段８７に入力する。デューティー条件決定手段８６では、図２８においてまずＰｂを固定しておきＰｐを変化させて記録しながら、デューティー条件ライン上のＤ１を検出する。熱干渉条件決定手段８７では、図２８における熱干渉条件ライン上のＴ１を検出する。図２７における中点算出手段８８は、デューティー条件最適点Ｄ１と熱干渉条件最適点Ｔ１との中点Ｍ１を算出する。
【００９１】
　今度は、中点Ｍ１におけるＰｐを固定しておき、Ｐｂを変化させて記録しながら、デューティー条件ライン上のＤ２を検出し、熱干渉条件ライン上のＴ２を検出する。同様にＤ２とＴ２との中点Ｍ２を算出する。
【００９２】
　同様にこれを繰り返して行くと、中点Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４・・・は、しだいにデューティー条件ラインと熱干渉条件ラインの交点に近づいて行き、最適値を決定することが可能となる。
【００９３】
　動作流れ図について図２９に基づいて説明すれば、以下の通りである。Ｐｂを固定する（ｓ２０１）。Ｐｐを変化させる（ｓ２０２）。第１パターン、第２パターン、第３パターンを光磁気ディスクに記録する（ｓ２０３）。各パターンの再生波形レベルを検出する（ｓ２０４）。デューティー最適条件を満たすかどうか判断し（ｓ２０５）、（ｓ２０２）に戻ってこれを繰り返しながら、Ｄ１を決定する。同様に熱干渉最適条件を満たすＴ１を決定する（ｓ２０６）。中点Ｍ１を算出する（ｓ２０７）。Ｐｐを固定する（ｓ２０８）。Ｐｂを変化させる（ｓ２０９）。第１パターン、第２パターン、第３パターンを光磁気ディスクに記録する（ｓ２１０）。各パターンの再生波形レベルを検出する（ｓ２１１）。デューティー最適条件を満たすかどうか判断し（ｓ２１２）、（ｓ２０９）に戻ってこれを繰り返しながら、デューティー最適条件を満たすＤ２を決定する。同様に熱干渉最適条件を満たすＴ２を決定する（ｓ２１３）。中点Ｍ２を算出する（ｓ２１４）。再び（２０１）へ戻る。これを繰り返して行くと、中点Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４・・・は、しだいにデューティー条件ラインと熱干渉条件ラインの交点に近づいて行き、最適値を決定することが可能となる。
【００９４】
　尚、上述の従来例では記録変数が２つのパワー値Ｐｂ、Ｐｐからなる例を示したが、これに限らず３つ以上の変数を用いた場合でも同様である。また、記録パワーに限らず記録パルスの長さ、幅（あるいはパルスの間隔及び周期）を記録変数とした場合でも同様である。図２５に示したように、例えば２変数の場合は２つの直線の交点が２つの相対関係をすべて満足する点となるが、３変数の場合は必ずしも３つの直線が１点で交差するとは限らない。そのため、３つの直線からの距離が平均で一番近くなる点を最適点とすれば、３つの相対関係を平均的に満足するすることが可能である。４つ以上の変数の場合も同様となる。
【００９５】
　また、光パワーＰｂ、Ｐｐについて最適化した例を示したが、これに限らず半導体レーザの駆動電流Ｉｂ、Ｉｐを最適化しても同様である。なぜなら、図１１に示すとおり、光パワーＰｂ、Ｐｐは半導体レーザ駆動電流Ｉｂ、Ｉｐと１対１に対応しているからである。
【００９６】
　以上の実施例において、光磁気ディスク２４には情報記録領域とは別に試し書き専用の記録領域を設けることが好ましい。この試し書き専用の記録領域を用いて記録条件の設定を行えば、情報記録領域の情報を破壊する恐れがなくなる。
【００９７】
　本発明の実施例１２の光記録媒体について図３０に基づいて説明すれば、以下の通りである。これまでの実施例で示したように、１回のパワーの最適化を行うための試し書きの回数は１回だけではなく、複数回となる。したがって、年月の経過と共に試し書きの累積回数は増加して行く。特に複数のパワー値の最適化には、さらに多くの試し書きが必要であり、書き換え保証回数への到達が心配される。そこで、図３０に示す光磁気ディスク８９は、例えば内周にトラック単位で第１試し書き領域９０、第２試し書き領域９１、第３試し書き領域９２を配置している。前期トラックはスパイラル状あるいは同心円状に形成されている。この領域は情報記録領域９７とは区別しておき、情報の記録は禁止しておく。このように複数の試し書き領域を配置することによって、書き換え回数を複数の領域へ分散させる事ができ、寿命を確保することが可能となる。なお、トラック単位での複数の試し書き領域に限定する必要はなく、例えばセクタ単位の複数の試し書き領域を配置してもよい。また、外周にも試し書き領域９３、９４、９５を配置してもよい。
【００９８】
　以上の実施例では、光記録媒体として光磁気ディスク２４を挙げて本発明の試し書き記録制御装置および試し書き記録制御方法を説明したが、これに限定されることなく、相変化型の光ディスクや追記型の光ディスク等、光ビームａを照射したときに発生する熱を利用して情報の記録を行う光記録媒体あるいは情報記録再生装置に対し、本発明を広く応用できる。
【００９９】
　また図２、図８、図１４、図２１、図２２における繰り返しマーク、繰り返し非マーク、孤立マーク、孤立非マークの数は図のとおり限定する必要は無く、多くても少なくても熱干渉あるいはデューティーを検出できる数であれば良いことは言うまでもない。
【０１００】
　実施例１では、図２に示すように短い記録マークのみの記録を行うため、半導体レーザの記録パルス照射時間を削減できる。従って頻繁に試し書きを行う場合でも半導体レーザの劣化を抑えることが可能となり、寿命を長くすることができる。また記録マークの大きさの変動は波形のピークレベルの変動に敏感に現れる。従ってエンベロープ検波手段により再生信号波形のピークを検出することによって、感度良く熱干渉を検出可能である。
【０１０１】
　実施例２では図６に示すように平均化手段によってレベルを検出するため、記録媒体上の傷やゴミによるスパイクノイズが多い場合にエンベロープ検波手段に比べて誤検出を抑えることが可能である。
【０１０２】
　実施例３では図８に示すように、長い記録マークを記録するため、レーザービームの照射時間が長く、熱干渉をより大きく発生させることができる。したがって記録マークが短い場合に比べて、感度良く熱干渉を検出することが可能である。
【０１０３】
　実施例４では図１４に示すように、ピークレベルｖ１〜ｖ６の６つのレベルのうち、ｖ１〜ｖ５の５つのレベルを検出すれば良いので、構成を簡略化することが可能である。
【０１０４】
　同様に実施例５では、図１４に示すようにピークレベルｖ１〜ｖ６の６つのレベルのうち、ｖ１、ｖ３〜ｖ５の５つのレベルを検出すれば良いので、構成を簡略化することが可能である。
【０１０５】
　実施例６では図１９に示すように、デューティー最適条件ラインと熱干渉最適条件ラインが図１７および図１８に比べて深く交差するため、精度良く交点を求めることが可能である。
【０１０６】
　実施例７では図２０に示すように、それぞれのピークレベルをすべて一旦Ａ／Ｄ変換した後、ＣＰＵを用いてレベル差を算出するため、構成を簡素化できる。
【０１０７】
　実施例８では図２１に示すように、図１４の１．３３Ｔ記録マークおよび非マークを、２Ｔの記録マーク及び非マークに置き換えるため、ＯＴＦによる波形レベルの減少を抑えることができ、より正確に熱干渉を検出することができる。
【０１０８】
　実施例９では図２２に示すように、波形パターンが、図１４および図２１における波形パターンに比べて直流成分を持たないため、回路のＣ結合によるレベル変動が無く、より正確にピークレベルを検出することができる。
【０１０９】
　実施例１０では、図２４における方程式算出手段８３、８４および連立方程式計算手段８５をＣＰＵによって代用できるため、構成を簡素化することが可能である。
【０１１０】
　実施例１１では、図２８に示すようにＭ１、Ｍ２・・・を順に求めるため、しだいに最適点Ａ点に近づける。したがって中点を求める回数を増やすことにより、精度を向上させることが可能である。
【０１１１】
　実施例１２では、図３０における試し書き領域の数を増やせば増やすほど、記録媒体の感度むらによる検出誤差を平均化できるため、より精度よく最適パワーを決定することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１１２】
　本発明は、光ビームにより情報が記録される光記録媒体であって、光磁気ディスク、相変化型の光ディスクや追記型の光ディスク等、光ビームを照射したときに発生する熱を利用して情報の記録を行う光記録媒体の用途に広く適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】本発明の第１の実施例における試し書き記録制御装置を示す図である。
【図２】図１の試し書き記録制御装置の動作を示すための説明図である。
【図３】図１の試し書き記録制御装置の具体例を示すためのブロック図である。
【図４】図３の試し書き記録制御装置の詳細を示す回路図である。
【図５】図１の試し書き記録制御装置の他の具体例を示すブロック図である。
【図６】本発明の第２の実施例における試し書き記録制御装置を示す図である。
【図７】図６の試し書き記録制御装置の詳細を示す回路図である。
【図８】本発明の第３の実施例における試し書き記録制御装置を示す図である。
【図９】図９の試し書き記録制御装置の詳細を示す回路図である。
【図１０】本発明の第４の実施例における試し書き記録制御装置を示す図である。
【図１１】図１０における半導体レーザ駆動回路を説明する図である
【図１２】図１１における記録波形を説明する図である。
【図１３】図１０における試し書き記録制御装置の詳細なブロックを説明する図である。
【図１４】図１０の試し書き記録制御装置の動作を示すための説明図である。
【図１５】図１３の試し書き記録制御装置の詳細を示す回路図である。
【図１６】図１３の試し書き記録制御装置の動作の流れを示す図である。
【図１７】図１３の試し書き記録制御装置によって最適化したパワーの実測値を示す図である。
【図１８】本発明の第５の実施例における試し書き記録制御装置の動作を説明する図である。
【図１９】本発明の第６の実施例における試し書き記録制御装置の動作を説明する図である。
【図２０】本発明の第７の実施例における試し書き記録制御装置を示す図である。
【図２１】本発明の第８の実施例における試し書き記録制御装置の動作を説明する図である。
【図２２】本発明の第９の実施例における試し書き記録制御装置の動作を説明する図である。
【図２３】図２２の試し書き記録制御装置によって最適化したパワーの実測値を示す図である。
【図２４】第１０の実施例における試し書き記録制御装置の詳細なブロックを説明する図である。
【図２５】図２４における試し書き記録制御装置の動作を説明する図である。
【図２６】図２５の試し書き記録制御装置の動作の流れを示す図である。
【図２７】第１１の実施例における試し書き記録制御装置の詳細なブロックを説明する図である。
【図２８】図２７における試し書き記録制御装置の動作を説明する図である。
【図２９】図２８の試し書き記録制御装置の動作の流れを示す図である。
【図３０】第１２の実施例における光記録媒体を説明する図である。
【図３１】従来の試し書き記録制御装置の動作を示すための説明図である。
【符号の説明】
【０１１４】
　１　　繰り返しパターンレベル検出手段
　２　　孤立パターンレベル検出手段
　３　　比較手段
　４　　繰り返し・孤立パターン発生手段
　５　　記録マーク
　６　　記録マーク
　７　　エンベロープ検波手段
　８　　エンベロープ検波手段
　９　　減算手段
１０　　タイミング発生手段
１１　　Ａ／Ｄコンバータ
１２　　プロセッサ
１３　　平均化手段
１４　　平均化手段
１５　　減算手段
２４　　光磁気ディスク
４９　　熱干渉条件決定手段
５０　　デューティー条件決定手段
５１　　最適値決定手段
５７　　第１パターン発生手段
５８　　第２パターン発生手段
５９　　第３パターン発生手段
６０　　第１パターンレベル検出手段
６１　　第２パターンレベル検出手段
６２　　第３パターンレベル検出手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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