(57)【要約】【課題】レーザ加工時にウェハから発生する残渣が，当該ウェハに再付着することを防止する。【解決手段】レーザ光照射部４とウェハＷとの間に，残渣除去体３を設ける。残渣除去体３は，外周部の下面に流体供給口１３，１４を備え，中心部の下面に吸引口１１を備えている。レーザ光は，残渣除去体３の透明体１２，吸引貫通孔１０及び吸引口１１を通過してウェハＷ上の照射位置Ｃに照射される。流体供給口１３，１４から供給された純水Ｈは，照射位置Ｃを通過し吸引口１１から吸い上げられる。レーザ光の照射位置Ｃは，吸引口１１の中心部よりも流体供給口１３側にずらされており，レーザ光の照射により発生した残渣は，純水Ｈの流れに取り込まれ，上方の吸引口１１の外縁部側から吸引される。吸引口１１の外縁部側は，中心部のようによどみがないので，残渣がウェハＷ付近から直ちに除去される。【選択図】  図５
2004167590.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線の照射により被加工物を加工する加工装置であって，
被加工物に対し放射線を照射する放射線照射部と，
前記被加工物における照射位置の外方側から当該照射位置に対し流体を供給する流体供給口と，
前記照射位置に対向配置され，前記放射線による加工によって生じた残渣を前記流体と共に吸引する吸引口と，を備え，
前記照射位置は，平面から見て，前記吸引口の内側であって前記吸引口の中心からずれていることを特徴とする，加工装置。
【請求項２】
前記放射線の照射位置は，平面から見て前記吸引口の中心から前記流体供給口側にずれていることを特徴とする，請求項１に記載の加工装置。
【請求項３】
前記吸引口に吸引された前記残渣を含む流体は，その後平面から見て吸引口の中心軸に対し所定の径方向に向けて排出され，
前記放射線の照射位置は，平面から見て前記吸引口の中心から前記所定の径方向側にずれていることを特徴とする，請求項１又は２のいずれかに記載の加工装置。
【請求項４】
被加工物に対向配置可能で，被加工物から発生した残渣を吸引除去する残渣除去体を備え，
前記残渣除去体の中央部には，当該残渣除去体の上面から下面に貫通する吸引貫通孔が設けられ，
前記残渣除去体の下面の外周部には，前記流体供給口が開口し，
前記吸引貫通孔の下側の開口部は，前記吸引口を構成し，
前記吸引貫通孔の上端部は，前記放射線が透過する透明体で閉鎖されており，前記紫外線は，当該透明体，吸引貫通孔及び吸引口を通じて前記被加工物に照射され，
さらに，前記吸引貫通孔の内側面には，この吸引貫通孔内に流入した前記残渣を含む流体を前記残渣除去体外に排出するための排出口が開口していることを特徴とする，請求項１に記載の加工装置。
【請求項５】
前記放射線の照射位置は，平面から見て前記吸引口の中心よりも前記流体供給口側にずれていることを特徴とする，請求項４に記載の加工装置。
【請求項６】
前記流体供給口は，複数箇所に開口しており，
前記放射線の照射位置は，前記複数の流体供給口のうちのいずれか一の流体供給口側にずれていることを特徴とする，請求項５に記載の加工装置。
【請求項７】
前記流体供給口は，前記吸引口を挟んだ両側に二箇所に開口していることを特徴とする，請求項６に記載の加工装置。
【請求項８】
前記流体供給口と前記排出口は，平面から見て前記吸引口の中心を通る同一直線上に配置されていることを特徴とする，請求項５，６又は７のいずれかに記載の加工装置。
【請求項９】
前記残渣除去体は，その下面に，前記吸引口のある中央部が前記流体供給口のある外周部よりも下側に突出した略筒状の凸部を備え，
当該凸部の下端部には，前記流体供給口側から前記吸引口の中心軸に向けられた溝が形成されていることを特徴とする，請求項５，６，７又は８のいずれかに記載の加工装置。
【請求項１０】
前記溝は，前記吸引口の中心軸からずれた方向に向けて形成されていることを特徴とする，請求項９に記載の加工装置。
【請求項１１】
前記吸引貫通孔における前記排出口に対向する内側面には，前記吸引貫通孔内に流体を補充するための補充口が開口していることを特徴とする，請求項４，５，６，７，８，９又は１０のいずれかに記載の加工装置。
【請求項１２】
前記残渣除去体は，前記流体供給口から流出する流体を一旦滞留させる滞留部を備えたことを特徴とする，請求項４，５，６，７，８，９，１０又は１１のいずれかに記載の加工装置。
【請求項１３】
前記流体供給口から供給される流体には，静電気を除去するイオンが付加されていることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０，１１又は１２のいずれかに記載の加工装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，放射線を用いた加工装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体基板，金属，有機物，ガラス，セラミックス等の被加工物に対して微細な加工処理を施す際には，必要に応じて加工精度の高い加工用レーザや電子線等の放射線を用いた加工装置が用いられている。
【０００３】
上述の加工装置が用いられる加工処理として，例えば半導体基板（以下「基板」とする。）の製造プロセスにおいて，基板のアライメントマーク上に形成された薄膜に対しレーザ光を照射し，基板のアライメントマーク上の薄膜のみを除去する加工処理が提案されている。（例えば特許文献１参照。）。アライメントマーク上に薄膜がある状態で当該アライメントマークの位置検出を行うと，正確な検出が行われない。それ故前記加工処理は，基板の厳密な位置調整を行うために行われる。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１０―１１３７７９号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，このような基板などの被加工物の加工は，レーザ光によって被加工物の一部を蒸発，分解させるものであり，周囲には，必ず被加工物の残渣が浮遊する。このような残渣は，通常静電気により帯電しており，この状態で放置すると，やがて被加工物に再付着する。このような再付着は，被加工物の汚れとなり，被加工物の後処理に悪影響を与えることが多い。特に基板処理の場合には，その汚れによって，後に行われる露光処理，現像処理，加熱処理等が適切に行われず，最終的に正常な回路パターンが形成されない恐れがある。したがって，レーザ加工によって生じた残渣の被加工物への再付着を防止する手段が必要になる。
【０００６】
かかる残渣の再付着を防止する手段として，特開平１１―１４５１０８号では，液体の貯留された加工槽内に基板を浸けた状態でレーザ光を照射して穴加工を施す微細加工装置が提案されている。しかし，この微細加工装置では，除去された膜の残渣が基板近辺を浮遊するので，膜の残渣が再付着することを十分に防止できない。また，基板全体に液体が付着するので，後処理として基板全体を洗浄する洗浄機構が必要となり，加工工程が複雑化するという欠点がある。
【０００７】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，レーザ光などの放射線の照射により，基板などの被加工物から発生する残渣が被加工物に再付着することを防止できる加工装置を提供することをその目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明によれば，放射線の照射により被加工物を加工する加工装置であって，被加工物に対し放射線を照射する放射線照射部と，前記被加工物における照射位置の外方側から当該照射位置に対し流体を供給する流体供給口と，前記照射位置に対向配置され，前記放射線による加工によって生じた残渣を前記流体と共に吸引する吸引口と，を備え，前記照射位置は，平面から見て，前記吸引口の内側であって前記吸引口の中心からずれていることを特徴とする加工装置が提供される。
【０００９】
この発明によれば，図１に示すように放射線照射部Ｒの照射によって，被加工物Ｘの照射位置Ｃから生じた残渣Ａは，外方側の流体供給口Ｄから供給された流体Ｌに取り込まれ，照射位置Ｃに対向した吸引口Ｅから吸引される。外方から流れた流体Ｌが吸引口Ｅにおいて吸い上げられると，吸引口Ｅの中央部付近には，よどみＦができる。一方，吸引口Ｅの周縁部付近は，滑らかな上昇流が形成される。放射線の照射位置Ｃは，平面から見て吸引口Ｅの内側であって吸引口Ｅの中心からずれているので，残渣Ａは，吸引口Ｅの周縁部の近傍で発生し，よどみＦを避けて吸引口Ｅの周縁部付近を通って吸引される。この結果，残渣Ａは，被加工物Ｘ付近に留まることなく直ちに除去され，残渣Ａの被加工物Ｘへの再付着は防止される。
【００１０】
前記放射線の照射位置は，平面から見て前記吸引口の中心から前記流体供給口側にずれていてもよい。前記吸引口における吸引流体の流速は，流体の供給される流体供給口に近い方が速くなる。したがって，前記放射線の照射位置を流体供給口側にずらすことによって，被加工部分から発生した残渣が直ちに吸引口から吸引され，残渣が被加工物に再付着することなく排出される。
【００１１】
前記吸引口に吸引された前記残渣を含む流体は，その後平面から見て吸引口の中心軸に対し所定の径方向に向けて排出され，前記放射線の照射位置は，平面から見て前記吸引口の中心から前記所定の径方向側にずれていてもよい。このように吸引口の中心軸に対し所定の径方向に向けて流体が排出されたとき，吸引口を通過する吸引流体の流速は，平面から見て前記径方向よりの方が速くなる。したがって，前記放射線の照射位置を前記径方向にずらすことによって，被加工物から発生した残渣を，より速く吸引除去できる。
【００１２】
前記加工装置は，被加工物に対向配置可能で，被加工物から発生した残渣を吸引除去する残渣除去体を備え，前記残渣除去体の中央部には，当該残渣除去体の上面から下面に貫通する吸引貫通孔が設けられ，前記残渣除去体の下面の外周部には，前記流体供給口が開口し，前記吸引貫通孔の下側の開口部は，前記吸引口を構成し，前記吸引貫通孔の上端部は，前記放射線が透過する透明体で閉鎖されており，前記紫外線は，当該透明体，吸引貫通孔及び吸引口を通じて前記被加工物に照射され，さらに，前記吸引貫通孔の内側面には，この吸引貫通孔内に流入した前記残渣を含む流体を前記残渣除去体外に排出するための排出口が開口していてもよい。
【００１３】
かかる場合，残渣除去体を被加工物に対向配置し，流体供給口から流体を供給すると共に，吸引口から吸引貫通孔内に残渣を含む流体を吸引し，当該流体を吸引貫通孔の排出口から排出することができる。一方で，残渣除去体の吸引貫通孔の上端部に透過体が取り付けられており，放射線は，透明体，吸引貫通孔，吸引口を通って被加工物に照射される。したがって，残渣除去体の上方から被加工物に放射線を照射し，被加工物を加工すると共に，当該加工によって発生した残渣を残渣除去体によって吸引し，排出することができる。
【００１４】
前記放射線の照射位置は，平面から見て前記吸引口の中心よりも前記流体供給口側にずれていてもよい。前記流体供給口は，複数箇所に開口しており，前記放射線の照射位置は，前記複数の流体供給口のうちのいずれか一の流体供給口側にずれていてもよい。吸引口を通過する吸引流体の流速は，流体の供給される流体供給口側がより速くなるので，被加工物から発生した残渣をその速い流れに取り込み，直ちに排出できる。なお，前記流体供給口は，前記吸引口を挟んだ両側の二箇所に開口していてもよい。
【００１５】
前記流体供給口と前記排出口は，平面から見て前記吸引口の中心を通る同一直線上に配置されていてもよい。
【００１６】
前記残渣除去体は，その下面に，前記吸引口のある中央部が前記流体供給口のある外周部よりも下側に突出した略筒状の凸部を備え，当該凸部の下端部には，前記流体供給口側から前記吸引口の中心軸に向けられた溝が形成されていてもよい。この場合，液体供給口側から吸引口の中心方向に向かってより多くの流体が供給されるので，吸引口の中心付近に形成されるよどみが反対側に押しやられる。この結果，よどみのない領域が拡大され，被加工部物から発生した残渣がより確実に排出される。
【００１７】
前記溝は，前記吸引口の中心軸からずれた方向に向けて形成されていてもよく，この場合，吸引口におけて旋回流が形成される。この旋回流と本来の上昇流とが合成され，搬送力の強い流れが形成される。この結果，残渣を被加工物付近に留めることなく直ちに除去することができる。
【００１８】
前記吸引貫通孔における前記排出口に対向する内側面には，前記吸引貫通孔内に流体を補充するための補充口が開口していてもよい。この場合，吸引貫通孔内に流体を補充し，例えば吸引貫通孔内を流体で満たすことができる。これにより，例えば吸引貫通孔内の密度が均一になるので，放射線が曲げられたり，減衰することなく，放射線の照射が適正に行われる。また，吸引口から前記流体以外のものが流入しないように，吸引貫通孔内の内圧を調整することもできる。
【００１９】
前記残渣除去体は，当該流体供給口から流出する流体を一旦滞留させる滞留部を備えていてもよい。この場合，流体が一旦滞留されるので，流体が流体供給口から勢いよく流出して残渣除去体周辺に拡散することが防止できる。したがって，供給された流体がより確実に吸引口に吸引され，残渣を除去するための流れを効率的に形成できる。
【００２０】
前記流体供給口から供給される流体には，静電気を除去するイオンが付加されるようにしてもよい。通常，被加工物から発生する残渣は，帯電しており，被加工物に再付着し易い状態になっている。この加工装置のように，静電気を除去するイオンを付加することによって，残渣の静電気が除去され，残渣の被加工物への再付着を抑制できる
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図２は，本実施の形態にかかる加工装置１の構成の概略を示す説明図である。加工装置１は，例えばウェハＷの表面に微細加工を施すための装置である。
【００２２】
加工装置１は，例えばウェハＷを保持する保持部材であるチャック２と，チャック２に保持されたウェハＷ上に配置可能で，加工により発生した残渣を除去する残渣除去体３と，残渣除去体３の上方からウェハＷに対して加工用のレーザ光を照射する放射線照射部としてのレーザ光照射部４を主に備えている。
【００２３】
例えば残渣除去体３とレーザ光照射部４は，加工装置１内に固定されて設けられており，チャック２は，加工装置１内において水平方向のＸ−Ｙ方向に移動自在に設けられている。チャック２には，例えばＸ―Ｙ駆動機構５が取り付けられており，ウェハＷを保持した状態でＸ−Ｙ方向に所定距離ずつ移動して，ウェハＷの被加工部分Ｂをレーザ光照射部４の照射位置Ｃに合わせることができる。
【００２４】
残渣除去体３は，ウェハＷとレーザ光照射部４との間に設けられている。残渣除去体３は，例えば図３及び図４に示すように略円柱状の形状を有し，その上下方向の中心軸Ｐに吸引貫通孔１０が開けられている。この吸引貫通孔１０は，縦断面が逆円錐台形状，つまり上方に行くにつれ径が大きくなるように形成されている。吸引貫通孔１０の下端部は，ウェハＷに対向する吸引口１１になっている。すなわち，残渣除去体３の下面の中央部には，吸引口１１が開口している。残渣除去体３は，この吸引口１１のある下面の中央部に，外周部に比べて下側に突出した略円筒状の凸部３ａを有している。この凸部３ａは，平面から見ると円形状に形成されている。吸引貫通孔１０の上端部は，レーザ光が透過可能な透明体としての透明板１２によって閉鎖されている。こうすることにより，残渣除去体３の上方から発光したレーザ光を，残渣除去体３内を透過させて，下方のウェハＷ表面に照射することができる。
【００２５】
吸引貫通孔１０の外方であって，残渣除去体３の下面の外周部には，この残渣除去体３とウェハＷとの間に所定の流体を供給する，複数，例えば２つの流体供給口１３，１４が開口している。流体供給口１３，１４は，例えば図４に示すように平面から見て吸引口１１と同心の同一円周上で，かつ吸引口１１を挟んだ両側に開口している。残渣除去体３の外周部には，図３に示すように流体供給流路１５が形成され，流体供給流路１５は，残渣除去体３の外側部から中心方向に向かい，その後略直角に曲がって下方向に向かって流体供給口１３，１４に到達するように形成されている。したがって，流体は，残渣除去体３の外周部の下面から鉛直下方向に向けて吐出される。
【００２６】
流体供給流路１５は，例えば残渣除去体３外の流体供給装置１６に供給管１７によって接続されている。流体供給装置１６は，例えばポンプや流量計等を有し，流体供給口１３，１４から供給される流体の流量を自在に設定できる。
【００２７】
吸引貫通孔１０の内側面には，吸引口１１から吸引貫通孔１０内に流入した流体を残渣除去体３外に排出するための排出口１８が開口している。排出口１８は，残渣除去体３の内部を通過する排出流路１９に通じている。排出流路１９は，前記流体供給流路１５より上側の位置に，排出口１８から残渣除去体３の外側面に向けて水平方向に形成されている。排出流路１９は，例えば一の流体供給口１３の直上，つまり図４に示すように平面から見て流体供給口１３と重なるように形成されている。したがって，流体供給口１３，１４から供給され流体は，吸引貫通孔１０に流入した後，平面から見て流体供給口１３，１４と同一直線上にある排出口１８，排出流路１９を通って外方の径方向に向けて排出される。
【００２８】
排出流路１９は，図３に示すように残渣除去体３外の排出装置２０に排出管２１によって接続されている。排出装置２０は，例えばポンプや流量計等を有し，排出口１８から排出される流体の流量，つまり吸引口１１から吸引される流体の流量を自在に設定できる。この排出装置２０による吸引により，レーザ光照射時にウェハＷから発生した残渣は，流体と共に残渣除去体３内に吸引され，排出される。
【００２９】
吸引貫通孔１０の排出口１８に対向する位置には，吸引貫通孔１０内に直接流体を補充する流体補充口２２が開口している。流体補充口２２は，残渣除去体３内を通過する流体補充路２３に通じている。流体補充路２３は，図４に示すように例えば排出流路１９の吸引貫通孔１０を挟んだ反対側の位置に，残渣除去体３の外側面から流体補充口２２に向けて水平方向に形成されている。また，流体補充路２３は，平面から見ると，流体供給口１４と重なるように形成されている。この流体補充路２３により，吸引貫通路１０内に流体を補充し，吸引貫通路１０内を前記流体で隙間無く満たすことができる。吸引貫通孔１０内への流体の補充量を変えて，吸引貫通孔１０内の圧力を調整することができる。
【００３０】
流体補充路２３は，図３に示すように例えば残渣除去体３外の流体供給装置２４に補充管２５によって接続されている。流体供給装置２４は，例えばポンプや流量計等を有し，吸引貫通孔１０内に補充される流体の流量を自在に設定できる。
【００３１】
レーザ光照射部４は，残渣除去体３の上方に設置されている。レーザ光照射部４は，照射位置Ｃが残渣除去体３の吸引口１１の中心軸Ｐからずれるように配置されている。照射位置Ｃは，中心軸Ｐから流体供給口１３側（排出口１８側）にずらされている。例えば吸引口１１の直径が５ｍｍ程度の場合，その１％〜２０％程度の０．０５ｍｍ〜１ｍｍ程度中心軸Ｐからずらされる。したがって，残渣除去体３の中心軸Ｐからずれた位置にレーザ光が照射され，その位置でレーザ加工が施される。
【００３２】
次に，以上のように構成された加工装置１の作用を，ウェハＷのアライメントマークＭ上に塗布された塗布膜Ｔを除去する加工処理を例に採って説明する。図５に示すようにウェハＷがチャック２に保持され，チャック２が移動してウェハＷの被加工部分Ｂである塗布膜Ｔがレーザ光の照射位置Ｃに合わせられる。塗布膜Ｔは，残渣除去体３の吸引口１１に対向配置され，吸引口１１の中心軸Ｐに対し流体供給口１３側にずれている。吸引口１１とウェハＷとの距離は，例えば０．４ｍｍ〜０．７ｍｍ程度に設定される。そして，流体供給口１３及び１４から流体，例えば液体である純水Ｈが供給され始め，残渣除去体３とウェハＷとの間に純水Ｈが満たされる。このとき流体供給口１３及び１４から吐出される純水Ｈの全流量は，Ｑ１に設定される。
【００３３】
純水Ｈが供給され始めると同時に，排出口１８からの排出も開始される。これにより，流体供給口１３，１４から塗布膜Ｔに供給された純水Ｈが，吸引口１１から上方に向かって吸引貫通孔１０内に流入し，その後さらに上方の排出口１８から排出流路１９を通じて残渣除去体３の側面から排出される。排出口１８からの純水Ｈの排出量は，Ｑ２に設定され，この結果，吸引口１１から吸い上げられる純水の流量は，Ｑ３＝Ｑ２―Ｑ１になる。さらに，液体補充口２２からは，純水Ｈが流量Ｑ４で補充される。Ｑ４は，Ｑ４＞Ｑ３の条件を満たすように設定される。この結果，吸引貫通孔１０内が純水Ｈで満たされる。流量Ｑ４の純水Ｈの補充によって吸引貫通孔１０内が十分に満たされるので，吸引口１１から純水Ｈ以外のもの，例えば周辺気体が流入することが抑制される。
【００３４】
残渣除去体３の吸引貫通孔１０内が純水Ｈで満たされると，レーザ光照射部４から塗布膜Ｔに加工用のレーザ光が照射される。図６に示すようにレーザ光の照射により塗布膜Ｔから発生した残渣Ａは，純水Ｈに取り込まれ，純水Ｈの上昇流に乗って吸引口１１から吸引される。このとき，レーザ光の照射位置Ｃは，吸引口１１の中心軸Ｐからずれた位置に照射されているので，残渣Ａは，吸引口１１の中心部を避けた外周付近から吸引口１１内に流れ込む。その後残渣Ａは，純水Ｈと共に吸引貫通孔１１内を上昇し，排出口１８内に流れ込み，排出流路１９を通じて排出される。
【００３５】
塗布膜Ｔの除去が終了すると，例えば流体供給口１３，１４からの純水Ｈの供給，流体補充口２２からの純水Ｈの補充，排出口１８からの排出が停止され，一連の加工処理が終了する。
【００３６】
以上の実施の形態によれば，レーザ光の照射位置Ｃを吸引口１１の中心軸Ｐからずらすようにしたので，吸引口１１の中心付近に形成されるよどみを避けて，流れの速い部分から残渣Ａを吸い込むことができる。この結果，残渣Ａは，ウェハＷ表面付近に留まることがなく，直ちに吸引貫通孔１０内に吸引されるので，残渣ＡがウェハＷに再付着することが防止される。また，吸引口１１内において，平面から見て中心部よりも流体供給口１３及び排出口１８寄りは，流体供給口１３〜排出口１８間の最短流路上にあり，より強い流れが形成される。レーザ光の照射位置Ｃが平面から見て流体供給口１３及び排出口１８側にずらされたので，照射位置Ｃから発生する残渣Ａを直ちに除去できる。
【００３７】
残渣除去体３の吸引貫通孔１０に流体補充口２２を設けたので，吸引貫通孔１０内を隙間無く純水Ｈで満たすことができる。これにより，吸引貫通孔１０内が均一な密度に保たれるので，レーザ光の光路が曲げられたり，レーザ光が減衰したりすることがない。また，吸引貫通孔１０内の内圧を調整して，吸引口１１から純水Ｈ以外の気体が流入することを防止できる。
【００３８】
以上の実施の形態では，流体として液体である純水Ｈが用いられていたが，窒素ガス，酸素ガス等の気体が用いられてもよい。例えば気体の場合，図７に示すように流体供給口３０，３１に，気体が一旦滞留する滞留部３２が設けられてもよい。この滞留部３２は，図８に示すように吸引口１１と同心の環状で，かつ流体供給口３０，３１の径よりも幅の広い溝状に形成される。滞留部３２の下面は，ウェハＷ側に開口しており，流体供給流路１５から勢いよく供給される気体は，滞留部３２で一旦滞留し，流速を落とした状態でウェハＷ側に供給される。こうすることによって，供給気体が残渣除去体３の周辺に拡散することが抑制され，被加工部分Ｂへの気体の供給が効率よく行われる。
【００３９】
図９，図１０に示すように残渣除去体３の凸部３ａの下面に，例えば流体供給口１３側から吸引口１１の中心軸Ｐに向かう溝５０を形成してもよい。こうすることにより，吸引口１１に対し，より照射位置Ｃ側からより多くの流体が供給され，例えば中心軸Ｐ付近に形成されるよどみを反対側に押しやることができる。したがって，レーザ光の照射により発生した残渣Ａを，よどみを避けてより確実に残渣除去体３内に吸引することができる。
【００４０】
また，図１１に示すように凸部３ａの下面に，吸引口１１の中心軸Ｐからずれた方向に向かう溝６０を形成してもよい。この溝６０は，複数箇所，例えば２箇所に形成してもよい。かかる場合，吸引口１１の外周付近に旋回流が形成され，本来の上昇流とこの旋回流が合成されるので，流体の残渣Ａの搬送力が向上する。
【００４１】
以上の実施の形態では，レーザ光の照射位置Ｃを，流体供給口１３側にずらしていたが，反対側の流体供給口１４側にずらしてもよい。かかる場合においても，吸引口１１の中心部のよどみを避けて，流速の速い部分から残渣Ａを吸引できるので，残渣ＡのウェハＷの再付着を防止できる。なお，流体供給口の数は，任意に選択でき，３以上の複数であってもよい。この場合，複数の流体供給口の内のいずれか一の流体供給口よりに，照射位置Ｃがずらされてもよい。
【００４２】
上記残渣除去体３には，流体補充口１８が設けられていたが，流体補充口１８は，必ずしも設けなくてもよい。特に使用される流体が気体の場合には，レーザ光の透過性を向上するために吸引通気孔１０内を液体で満たす必要がないため，流体補充口２３が無くても適正なレーザ加工が行われる。
【００４３】
図１２に示すように，流体供給口１３，１４に通じる供給管１７にイオナイザ７０を取付け，供給する流体に静電気を除去するイオンを付加するようにしてもよい。残渣Ａは，通常発生時に帯電しており，ウェハＷの表面に付着しやすい。イオナイザ７０によって付加されたイオンによって，残渣Ａから静電気を除去し，残渣ＡがウェハＷに再付着することを防止できる。
【００４４】
以上，本発明の実施の形態の一例について説明したが，本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。例えば前記実施の形態では，ウェハＷ側を移動させるＸ―Ｙ移動機構５が設けられていたが，レーザ光照射部４及び残渣除去体３側を移動させる移動機構を設けてもよい。前記実施の形態では，加工用の放射線がレーザ光であったが，電子線，紫外線等の他の放射線であってもよい。前記実施の形態は，ウェハＷ上の塗布膜Ｔを加工するものであったが，他の加工処理，例えばウェハＷ表面に印，記号，番号等を付する加工処理，ウェハＷに形成された金線などを切断する加工処理等にも適用できる。また，ウェハＷに限られず，ＬＣＤ基板のような他の基板，金属，有機物，ガラス，セラミックス等の他の被加工物に対しても本発明を適用できる。
【００４５】
【発明の効果】
本発明によれば，残渣が被加工物に再付着することが防止されるので，被加工物が汚染されることがなく，被加工物の歩留まりの向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】請求項１の発明を説明するための加工装置の模式図である。
【図２】本発明にかかる加工装置の構成の概略を示す説明図である。
【図３】残渣除去体の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図４】残渣除去体の平面図である。
【図５】使用時の残渣除去体の縦断面図である。
【図６】使用時の残渣除去体の下部の拡大図である。
【図７】滞留部を備えた残渣除去体の構成を示す縦断面の説明図である。
【図８】図７の残渣除去体の下面図である。
【図９】溝を備えた残渣除去体の構成を示す縦断面の説明図である。
【図１０】図９の残渣除去体の下面図である。
【図１１】２つの溝を備えた残渣除去体の下面図である。
【図１２】イオナイザを備えた残渣除去体の縦断面図である。
【符号の説明】
１    加工装置
３    残渣除去体
４    レーザ光照射部
１１    吸引口
１２    透明板
１３，１４  流体供給口
１８    排出口
Ｂ    被加工部分
Ｃ    照射位置
Ｈ    純水
Ｗ    ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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