(57)【要約】【課題】  熱的に不安定な／物理変化を起こしやすい物質の、パターン化したデポジションを可能にする。【解決手段】  本方法は、被圧縮流体から基板１４上にパターン化されたデポジションを製作する。送り出しシステム１２は、流体送り出し経路１３に沿って送り出しシステム１２から析出した機能物質４４を受けるため、基板１４を保有する制御された環境３０、１００、２００と協働する。マスク２２は、パターン化されたデポジションを基板１４上に形成するよう、基板１４に近接して配列される。【選択図】  図１
2004188417.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法であって、以下のステップを含む：
機能物質を圧縮状態で制御可能に送り出す手段を設けること；
前記機能物質を析出機能物質に変換すること；
前記基板を保有するための、少なくとも部分的に制御された環境を設けること、前記少なくとも部分的に制御された環境は、前記析出機能物質を受けるために、前記制御可能な送り出し手段と流体連通状態にある；
前記少なくとも部分的に制御された環境内に保有された前記基板に近接するシャドウマスクを設けること；および、
前記析出機能物質を、前記少なくとも部分的に制御された環境内に帯電可能な形で放出すること、それにより、前記析出機能物質が前記シャドウマスクを伴う前記基板上へ付着し、前記基板上に、パターン化されたデポジションを形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して被圧縮流体からのデポジション、特に、被圧縮流体から適当な基板上への、マスクを用いるパターン化されたデポジションに関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上へのパターン化された物質のデポジションを可能にする処理は、特に電子マイクロ回路産業で、多くの出願件数を有している。電子回路のマイクロファブリケーションは、異なる電気特性を有する多数の機能物質の、多層パターンを作成する能力に依存している。これらの多層パターンを作成するために用いられる技術は、アディティブ、サブトラクティブ、または、これら２つの組み合わせであってもよい。アディティブ技術は、機能物質を所望のパターンで基板上に付着させる。すなわち、パターンは、デポジション／成層処理中に基板上に直接生成される。他方、サブトラクティブ処理は、最初に、基板上に機能物質の連続層を作成する。その後、付着層から機能物質を選択的に除去することにより、所望のパターンを作成する。すなわち、パターンは、デポジション／成層処理に続いて生成される。マイクロファブリケーション産業で用いられる、様々なパターン化されたデポジション／成層処理の詳述は、非特許文献１に見られる。
【０００３】
慣習的なマイクロファブリケーション処理では、特定アプリケーションに応じて、アディティブ処理およびサブトラクティブ処理のいずれか、または双方を利用しており、さらに、一般に、高真空（低圧）環境で実行される。高真空処理は、一般に、加熱またはイオン衝撃による機能物質の蒸発、およびそれに続く凝縮または化学反応による基板上へのデポジションを伴っている。これらのデポジション処理では、機能物質は、熱に対して安定しているか、または化学反応により基板上に機能物質を生成可能な、熱的に安定な先駆物質を有している必要がある。当業者が認めるように、これらの処理は、熱的に不安定な物質のパターン化層を生成する場合には役立たない。
【０００４】
さらに、当業者は、パターン化されたデポジションに、マスク技術を用いるのが一般的であることを認めるだろう。平面基板表面上にパターンを形成するために採用されるマスクは、通常、フォトレジスト物質である。しかし、表面が非平面状である場合は、フォトレジスト物質を付着させ、洗い落とす際に、シャドウマスクまたはステンシルの使用が必要となるため、困難が惹起されることになる。例えば、１９８０年８月１９日にダンクルバーガー（Ｄｕｎｋｌｅｂｅｒｇｅｒ）に発行された、「薄膜付着用フォトリソグラフ技術（Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃ  Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ  Ｆｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｎｇ  Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍｓ）」と題された特許文献１では、所定のパターンを有するマスクの開口部を通って基板への真空蒸着による、鉛合金などの金属薄膜のパターン化されたデポジションのための方法が開示されている。この開発の短所は、真空蒸着に適さないので、熱的に不安定な物質のパターン化されたデポジションに使用出来ないという点である。
【０００５】
１９７７年３月２２日にステープルズ（Ｓｔａｐｌｅｓ）に発行され、「高解像度パターンレプリカのためのステンシル処理（Ｓｔｅｎｃｉｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｆｏｒ  Ｈｉｇｈ  Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ  Ｐａｔｔｅｒｎ  Ｒｅｐｌｉｃａｔｉｏｎ）」と題された特許文献２では、ステンシルを用いて高解像度パターンレプリカを得る処理が開示されている。ステープルズ（Ｓｔａｐｌｅｓ）のステンシルは、ステンシル内の開口部を通して、基板上へ薄膜の分子ビームデポジションを生じさせるマスクである。このデポジション処理では、分子ビーム源は、電子ビーム蒸発器である。ダンクルバーガー（Ｄｕｎｋｌｅｂｅｒｇｅｒ）の開発によく似ているが、ステープルズ（Ｓｔａｐｌｅｓ）の技術の短所は、電子ビーム蒸発器を用いる蒸発に適さない、熱的に不安定な物質のパターン化されたデポジションに使用できないという点である。
【０００６】
さらに、基板上への、熱的に不安定な物質のパターン化されたデポジションは、電気デポジション、電気泳動、堆積、またはスピンコーティングなどの液相処理により達成されてもよいことがよく知られているが、これらの処理はシステムに特化している。例えば、電気デポジションの場合は、機能物質先駆物質の電気化学的活性溶液が利用可能でなければならない。堆積およびスピンコーティングの場合は、安定なコロイド性分散が必要である。また、電気泳動の場合は、安定したコロイド性分散が帯電していることも必要である。通常、多層構造のマイクロ製造には複数のステージが必要であり、各ステージの終わりで残余の液／溶剤の完全排除を要し、これが、非常にエネルギー集中的、時間集中的、およびコスト集中的であり得る。さらに、これら液体ベースの処理の多くは、非水容性液体／溶剤の使用が必要であり、健康上有害であり、その廃棄は法外に高価となる場合がある。例えば、１９９６年８月１３日にドス（Ｄｏｓｓ）他に発行された、「パターン化された電気デポジションのための処理（Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｆｏｒ  Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｅｌｅｃｔｒｏｐｌａｔｉｎｇ）」と題された特許文献３では、マスクを通した、基板１４上への金属のパターン化された電気デポジションのための処理が開示されている。しかし、ドス（Ｄｏｓｓ）他の処理には、少なくとも２つの主要な短所がある。第１に、それは、電気化学的に活性な先駆物質を有する物質にのみ適用可能である。第２に、それは、被コーティング基板を、コーティング処理の終わりに洗浄し、その後、乾燥させる必要がある処理のために水性電気デポジション槽を使用する。
【０００７】
さらには、乾燥させる必要がある潜在的に有害な溶剤の必要性を排除するために、溶剤としての二酸化炭素など、環境および健康に対して良性の超臨界流体を用いることが可能であることは、周知の通りである。例えば、１９８８年４月１２日にムルティー（Ｍｕｒｔｈｙ）他に発行された、「超臨界流体を用いる薄膜のデポジション（Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  Ｏｆ  Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍｓ  Ｕｓｉｎｇ  Ｓｕｐｅｒｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｆｌｕｉｄｓ）」と題された特許文献４では、基板上へ、超臨界流体内に可溶性の物質の薄膜を付着させる処理が開示されている。ムルティー（Ｍｕｒｔｈｙ）他は、水または無極性有機溶媒内で溶かされる金属またはポリマーを含む溶液に、超臨界温度および超臨界圧力で、基板を晒すステップを含んでいる。金属またはポリマーは、臨界未満状態の溶剤には実質的に不溶性であり、超臨界状態の溶剤には実質的に可溶性である。圧力のみ、または、温度および圧力を一緒に、臨界未満値まで低下させることにより、基板上への金属またはポリマーの薄膜コーティングのデポジションが実現する。それにもかかわらず、ムルティー（Ｍｕｒｔｈｙ）他の処理の短所は、その適用性が、被圧縮流体内で可溶な物質に限られるという点であり、これにより、この技術を用いて基板上に付着可能な物質の選択が厳しく制限されることになる。ムルティー（Ｍｕｒｔｈｙ）他の処理の他の短所は、機能物質のパターン化されたデポジションのための処理を教示していないということである。
【０００８】
１９８６年４月１５日にスミス（Ｓｍｉｔｈ）に発行された、「超臨界流体分子スプレーフィルムデポジションおよび粉末形成（Ｓｕｐｅｒｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｆｌｕｉｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｓｐｒａｙ  Ｆｉｌｍ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ａｎｄ  Ｐｏｗｄｅｒ  Ｆｏｒｍａｔｉｏｎ）」と題された特許文献６、および１９８８年３月２９日にスミス（Ｓｍｉｔｈ）に発行された、「超臨界流体分子スプレーフィルム、粉末、およびファイバーの作成方法（Ｍｅｔｈｏｄ  Ｏｆ  Ｍａｋｉｎｇ  Ｓｕｐｅｒｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｆｌｕｉｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｓｐｒａｙ  Ｆｉｌｍｓ，  Ｐｏｗｄｅｒ  Ａｎｄ  Ｆｉｂｅｒｓ）」と題された、特許文献５では、固体物質を超臨界流体溶液に高圧で溶かすことにより、基板上に固体フィルムを形成する独立処理を開示している。いずれの場合も、超臨界流体溶液は、その後、比較的短いオリフィスを有する被加熱ノズルを通して、比較的低圧力領域で急速に広げられる。前述のスミス（Ｓｍｉｔｈ）の処理の、双方とも、上に示されたのと同様の短所、すなわち、被圧縮流体に可溶な物質にのみ適用可能であり、さらにパターン化されたデポジションのための処理を教示しないという短所を有している。
【特許文献１】米国特許第４，２１８，５３２号明細書
【特許文献２】米国特許第４，０１３，５０２号明細書
【特許文献３】米国特許第５，５４５，３０７号明細書
【特許文献４】米国特許第４，７３７，３８４号明細書
【特許文献５】米国特許第４，７３４，２２７号明細書
【特許文献６】米国特許第４，５８２，７３１号明細書
【非特許文献１】アイボルブロディー（Ｉｖｏｒ  Ｂｒｏｄｉｅ）およびジュリアスジェイムレイ（Ｊｕｌｉｕｓ  Ｊ．  Ｍｕｒｒａｙ）著「マイクロ／ナノ製造の物理学（Ｔｈｅ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｍｉｃｒｏ／Ｎａｎｏ−Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ）」、プレナムプレス（Ｐｌｅｎｕｍ  Ｐｒｅｓｓ）、ニューヨーク、１９９２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従って、当該技術では、熱に対して不安定な／物理変化を起こしやすい物質のパターン化されたデポジションを可能にし、高価で、環境および人間の健康面双方に有害な溶剤の使用を排除する、パターン化されたデポジションシステムの必要性が存続している。パターン化されたデポジションシステムのためのさらなる必要性は、デポジション後に、溶剤を除去するために乾燥させる必要性を排除することである。さらには、パターン化されたデポジション技術に対する追加的な必要性として、広範囲の機能物質に適用可能で、さらに、機能物質の特定性質により制限されないことがある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
従って、本発明の目的は、熱的に不安定な／物理変化を起こしやすい物質の、パターン化されたデポジションを可能にする、コーティングデポジションシステムを設けることである。
【００１１】
本発明の他の目的は、溶剤除去のための、デポジション後の乾燥の必要性を排除する、コーティングデポジションシステムを設けることである。
【００１２】
本発明のさらに他の目的は、広範囲の機能物質に適用可能な、コーティングデポジションシステムを設けることである。
【００１３】
本発明のこれら、および他の目的および利点を達成するために、本発明の１つの態様では、被圧縮流体からパターン化されたデポジションを製作するシステムが提供される。このシステムは、被圧縮流体内に溶解され、および／または分散される機能物質を供給し、その後、機能物質が被圧縮流体内にもはや溶解され、および／または分散しておられない状態にまで減圧することにより、機能物質を析出させる手段を含んでいる。シャドウマスクを備えた基板は、制御された環境に置かれる。析出した機能物質をパターン化されたデポジションとして基板上に受けるよう、シャドウマスクを備えた基板を、制御された環境にさらさせる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、従来の開発を越える多くの有利な効果を設ける。さらに、とりわけ、本システムは、熱に対して不安定な／物理変化を起こしやすい物質を付着させる能力を有しており、従来の技術開発と異なり、より広範囲な物質に役立つ。さらに、本システムは、既存のシステムよりもかなり効率的かつ制御可能である。さらに、本発明は、乾燥に用いられる、有害で高価な物質の必要性を排除する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
ここで図、特に図１に戻れば、広く定義され、被圧縮流体からパターン化されたデポジションを生成するためのシステム１０は、送り出しシステム１２、デポジションチャンバーまたは交互に制御される環境３０、および、デポジションチャンバーまたは交互に制御される環境３０内に置かれた基板１４を含んでいる。制御される環境３０とは、以下に詳細に説明されるように、より一般的にはデポジションチャンバーである。本発明により企図される代表的な送り出しシステム１２は、例えば、２００２年８月２９日に公開された、ラメッシュ  ジャガナサン（Ｒａｍｅｓｈ  Ｊａｇａｎｎａｔｈａｎ）による、「高濃度流体内の機能物質の熱力学的に安定／準安定な混合物の集束ビームを受器に送り出す装置および方法（Ａｐｐａｒａｔｕｓ  Ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄ  Ｏｆ  Ｄｅｌｉｖｅｒｉｎｇ  Ａ  Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｂｅａｍ  Ｏｆ  Ａ  Ｔｈｅｒｍｏｄｙｎａｍｉｃａｌｌｙ  Ｓｔａｂｌｅ／Ｍｅｔａｓｔａｂｌｅ  Ｍｉｘｔｕｒｅ  Ｏｆ  Ａ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎ  Ｍａｔｅｒｉａｌ  Ｉｎ  Ａ  Ｄｅｎｓｅ  Ｆｌｕｉｄ  Ｏｎｔｏ  Ａ  Ｒｅｃｅｉｖｅｒ）」と題された、共通に譲渡された米国特許出願公開第２００２／０１１８２４５Ａ１号に開示されたものである。開示された各送り出しシステムは、（以下で説明されるように）析出機能物質を送り出し可能であり、本発明で使用可能である。
【００１６】
図１を参照すると、被圧縮状態の流体送り出し経路１３に沿い、流体を送り出し可能な送り出しシステム１２は、一般に、上の米国特許文献にそれぞれが詳細に説明されている、被圧縮流体源１６、配合物質収容用の配合貯留槽１８、放出アセンブリ２０を含んでいる。送り出しシステム１２は、本発明において、いくつかの重要な機能を果す。それは、選択物質の被圧縮流体への溶解および／または分散を、密度０．１ｇ／ｃｃ３以上で可能にする。さらに、適切な機能物質の溶液および／または分散、または選択された被圧縮流体内の機能物質の組合せが、送り出しシステム１２内で生成される。さらに、送り出しシステム１２は、機能物質をビームまたはスプレーとして、制御された方法でデポジションチャンバー３０に送り出す。このコンテキストで、密度０．１ｇ／ｃｃ３以上で被圧縮流体状態に取り込まれた選択物質は、周囲圧力および温度においてガスである。周囲条件は、このアプリケーションに対して、−１００〜＋１００℃の範囲の温度、および、１ｘ１０−８〜１００気圧の範囲の圧力として定められるのが好ましい。
【００１７】
図１に示されるように、デポジションチャンバーなどの制御された環境３０は、送り出しシステム１２に最も近くに配置される。制御された環境３０は、流体供給経路１３の一方の終端で、送り出しシステム１２の放出アセンブリ２０に隣接して位置決めされる。図２に示されるように、デポジション物質でパターンが作られる基板１４は、デポジションチャンバー３０内に適切に配置される。基板１４の近傍では、マスク２２が、基板１４上での付着機能物質の位置制御に用いられるのが好ましい（しかし、必須ではない）。
【００１８】
図３を参照すると、多くのアプリケーションでは、機能物質は、制御された閉鎖容器３１内で正確な濃度に維持されていることが望ましい。バルブ開放時間に依存するオープンループシステムが使用可能である一方で、より高精度および信頼性のために、図３に示されたようなシステムを用いることが望ましい。図３に従って、閉鎖容器３１（図２、図５、および図６の閉鎖容器に適用される）は、少なくとも１つの覗き窓またはポート３３が取り付けられる。覗き窓３３は、閉鎖容器３１内部の状態の視覚的表示を設けるために、単独で使用可能である。他方、覗き窓３３はまた、閉鎖容器３１内の機能物質濃度の、より正確な査定を目的として、光エミッタ３５および光検出器３７の使用を容易にするために必要である。光エミッタ３５は、閉鎖容器３１の内部を横切って進み、光検出器３７により検出される光線を放射する。この光検出器３７は、受け取った光量に比例する電気的信号（制御される閉鎖容器３１内側の機能物質の量の関数）を、マイクロプロセッサ３９に送る。この情報は、最も単純には処理のチェックとして、多くの方法で使用されるのみならず、入力バルブ２４の閉ループ制御への入力としても使用可能である。例えば、制御される閉鎖容器３１内の濃度が低い場合、機能物質がより多く制御される閉鎖容器３１に入ることが出来るよう、バルブ２４が開けられる。この方法が有効になるには、覗き窓３３の透明度が高くなければならず、そのため、通常の保守、較正、または、覗き窓３３への粒子として同様のチャージのアプリケーションのいずれかにより、覗き窓３３自体がデブリを除去した状態に保たれるべきである。当業者は、上述した閉ループ濃度モニタおよび制御方法に適用可能な、多くの変更、および他の検出方法の存在を認めるだろう。例えば、光検出技法では、光エミッタ３５、および光検出器３７は、反対側の反射面で光線を反射させることにより、制御される閉鎖容器３１の同じ側に配置することも出来る。この範囲は光検出に制限されるものではなく、電気的特性、物理的特性、または化学的特性など、機能物質の量の表示を設けるいかなる方法でも使用可能であった。
【００１９】
再び図１を参照すると、被圧縮流体源１６内に含まれる被圧縮流体キャリヤは、機能物質を溶解し／可溶化し／分散させるいかなる物質でもよい。被圧縮流体を含む被圧縮流体源１６は、被圧縮流体キャリヤを、被圧縮流体としての圧力、温度、および流速の所定のコンディションで送り出す。被圧縮流体は、この出願のコンテキストにおいて定められた範囲の配合貯留槽の温度および圧力では、１立方センチメートルあたり０．１グラム以上の密度を有するそれらの流体として定義され、さらに、周囲温度および圧力ではガスである。周囲条件ではガスとして存在する、被圧縮流体状態の物質は、被圧縮流体状態では対象の機能物質を可溶化し、および／または分散させ、周囲条件下では機能物質を析出させるその特異な能力ゆえに、本願に適用されている。
【００２０】
機能物質を搬送するのに用いられる対象の流体には、二酸化炭素、亜酸化窒素、アンモニア、キセノン、エタン、エチレン、プロパン、プロピレン、ブタン、イソブタン、クロロトリフルオロメタン、モノフルオロメタン、六フッ化硫黄、およびこれらの混合物を含むが、これに限られるものではない。一般に、二酸化炭素は、その環境互換性、低毒性、低コスト、広い可用性、および不燃性ゆえに好ましい。
【００２１】
再び図１を参照すると、配合貯留槽１８は、機能物質を、温度、圧力、体積、および濃度の所望の配合状態で、共存溶媒および／または分散剤および／または表面活性剤の有無にかかわらず、被圧縮液内、または被圧縮流体内に、溶解し、および／または分散させるのに利用される。この配合は、流動変性剤および／または増粘剤、安定剤、バインダー、およびドーパントを用いて、供給および湿潤粘性のための、表面張力を変更する添加物を含んでいてもよい。機能物質は、例えば、エレクトロルミネッセント分子、作像染料、ナノ粒子、ポリマーなど、基板１４に送り出される必要のあるいかなる物質であってもよい。
【００２２】
加えて、配合貯留槽１８は、物質が放出アセンブリ２０から放出される前に、物質粒子を電気的に供給するソースを含むことが出来る。好ましい実施例の多くでは、粒子の供給は重要なステップである。代替的に、マーキング物質は、マーキング物質の流れが、放出アセンブリ２０から放出されるときに供給され、追加供給を必要としないように選択することも出来る。さらに、マーキング物質の供給を促進出来る添加物もまた、それが放出アセンブリ２０から放出される際に、マーキング物質の流れが供給されるような形で選択可能である。こうした添加物は、２００１年１２月２７日に出願されたグレンシーアーバインジュニア（Ｇｌｅｎ  Ｃ．Ｉｒｖｉｎ，Ｊｒ．）他による「被圧縮流体配合」と題された米国特許出願シリアル番号第１０／０３３，４５８号で開示される添加物のように、表面活性剤を含んでいてもよい。
【００２３】
さらに、配合貯留槽１８は、配合条件に耐性があるいかなる適切な物質からも製造可能である。動作範囲は、好ましくは０．００１気圧（１．０１３ｘ１０２Ｐａ）から１０００気圧（１．０１３ｘ１０８Ｐａ）の圧力、および−２５℃から１０００℃までである。通常、構造の好ましい物質は、様々なグレードの高圧ステンレススチールを含む。しかし、選択物質は、動作の温度および圧力の範囲により決定される。
【００２４】
配合貯留槽１８は、動作条件、すなわち、圧力、温度、および体積に関し、正確に制御されなければならない。機能物質の溶解度／分散性は、配合貯留槽１８内の状態に依存し、配合貯留槽１８内の動作条件の小さな変化であっても、機能物質の溶解度／分散性に所望されない影響を与えることがある。
【００２５】
必要なアプリケーションのための、被圧縮液内に機能物質を溶解／分散させる、いかなる適切な表面活性剤および分散剤物質も、この方法で使用可能である。こうした物質には、パーフルオロポリエーテル、およびシラン、およびシロキサン化合物などの、フッ化ポリマーを含んでいるが、それに限られるものではない。
【００２６】
図１および図４を参照すると、送り出しシステム１２は、基板１４とマスク２２を含む密閉され、制御された環境３０を伴うオリフィス／ノズル２８を通した流体連通内に示されている。図１に従って、バルブ２４は、オリフィス／ノズル２８を経由して、配合貯留槽１８から密閉環境３０内へ、配合物を被制御放出可能とするよう、特定頻度または一定時間作動するよう設計してもよい。図４に従って、機能物質４０を密閉環境３０へと被制御放出した結果、被圧縮流体４１が蒸発し、さらに、溶解し、および／または分散した機能物質４０の析出および／または凝集が起こることになる。析出し、または凝集した機能物質は、重力沈降、または電気、静電気、電磁気または磁気の補助を用いて沈降可能となる。マスク２２が基板１４へ近接しているので、その結果、基板１４上には機能物質４０のパターン化されたデポジションが施される。
【００２７】
基板１４は、有機的、無機的、半無機的、金属的、合金、セラミック、合成および／または自然ポリマー、ゲル、ガラス、および合成物質を含む、いかなる固体でもよい。基板１４は、多孔性、または非多孔性であってもよい。さらに、基板１４は、１つより多い層を有していてもよい。さらに、基板１４は、軟質、または硬質であってもよい。
【００２８】
図２および図４に最も良く示されているように、マスク２２は、物理的（個別）または一体型であってもよい。マスク２２の目的は機能溶解物質のデポジションのためのパターンを設けることである。当業者は、マスク設計および製造法が充分確立されていることを認めるだろう。物理的マスクでは、マスク２２および基板１４が直接接触している必要がある。物理的マスクの利点は、それらが比較的安価であり、複数の基板１４に再使用可能だということである。しかし、基板１４がデリケートである場合は、物理的接触によって基板１４が破損することもある。また、正確な整列も難しい。一体型マスク２２は、コーティング／デポジション前に基板１４上に形成された構造である。マスク２２が基板１４の一部であるため、整列および間隔をあけることはより簡単である。しかし、デポジション後にマスク２２を排除する潜在的必要性により、その後、エッチングステップが必要となるだろうし、これがより高価で手間のかかるものになりかねない。
【００２９】
図４を参照すると、ノズル２８は、機能物質４０の流れを、送り出しシステム１２を経由して配合貯留槽１８から密閉環境３０へ方向付ける。また、ノズル２８は、機能物質４０が密閉環境３０に入る最終速度を減衰させるために用いられる。本発明の好ましいアプリケーションでは、末広ノズル形状を用いて、析出した機能物質４０の流れを急速に拡散させることが望ましい。しかし、当業者は、引用により本願明細書に組み込む米国特許出願公開第２００２／０１１８２４５Ａ１号において説明されているように、特定アプリケーションに依存してノズル形状を変更可能であることを認めるだろう。
【００３０】
（動作について）
ここからは、システム１０の動作を説明する。図４は、送り出しシステム１０の動作を概略的に示しているが、いかなる方法であれ、本発明の範囲を制限するものと考えられるべきではない。本発明が企図しているのは複数のノズル、および／または複数のノズル形状、および／または複数の送り出し装置および形状であるが、以下での記述では単一のノズル２８が用いられている（例えば、米国特許出願公開第２００２／０１１８２４５Ａ１号において開示されている他のノズル例を参照）。
【００３１】
図４を参照すると、被圧縮液４１内の機能物質４０の配合４２は、本発明で用いられる配合貯留槽１８内に準備される。機能物質４０は、固相または液相でのいかなる対象の物質であってもよいが、混合物または配合４２を生成する超臨界液および／または被圧縮液４１内に、（図４に示されるように）分散および／または溶解可能である。機能物質４０は、配合で用いられる機能物質４０のタイプに応じて、様々な形や大きさを有していてもよい。
【００３２】
図４に従って、超臨界液および／または被圧縮液４１は連続相を形成し、機能物質４０は分散し、および／または溶解した単一相を形成する。配合４２（すなわち、機能物質４０、および超臨界液および／または被圧縮液４１）は、特定アプリケーションで使用される機能物質４０、および超臨界液および／または被圧縮液４１に対する適切な圧力および適切な温度に維持される。シャッター３２は、配合４２の制御される量の放出が実現されるよう作動される。
【００３３】
図１および図４を参照すると、機能物質４０は、配合貯留槽１８内へ制御可能な形で導入される。被圧縮流体４１もまた、配合貯留槽１８内へ制御可能な形で導入される。配合貯留槽１８の内容物は、機能物質４０と被圧縮流体４１との間の密接な接触を確実にするよう、混合装置（図示せず）を用いて適切に混合される。混合処理が進むにつれ、機能物質４０は、被圧縮流体４１内に溶解し、および／または分散される。機能物質４０の量および混合が進む速度を含む溶解／分散処理は、配合貯留槽１８内の機能物質４０自体、（機能物質４０が固体であるなら）機能物質４０の粒径および粒径分布、使用する被圧縮流体４１、温度、および圧力に依存する。混合処理が完了すると、機能物質と被圧縮流体の混合物または配合４２は、機能物質および被圧縮流体が、配合貯留槽１８内部の温度および圧力が一定に維持される限り、または、（準安定）処理の効率的動作の間、同じ状態に維持される限り、無期限に同じ状態で含まれるような形で、機能物質が被圧縮流体内に溶解し、または分散されるように、熱力学的に安定／準安定している。この熱力学的安定状態は、配合貯留槽１８内の温度および圧力の熱力学的状態が変更されない限り、配合貯留槽１８内の機能物質粒子の、沈降、析出および／または凝集が起こることはない点において、他の物理的混合物と区別される。このように、本発明の機能物質４０と被圧縮流体４１との混合物、または配合４２は、熱力学的に安定していると言われる。
【００３４】
機能物質４０は、固体または液体であってもよい。加えて、機能物質４０は、有機分子、ポリマー分子、半有機分子、無機分子、有機ナノ粒子、ポリマーナノ粒子、反無機ナノ粒子、無機ナノ粒子、有機マイクロ粒子、ポリマーマイクロ粒子、半有機マイクロ粒子、無機マイクロ粒子、および／または、これらの物質の合成物などであってもよい。配合貯留槽１８内の被圧縮流体４１との適切な混合の後、機能物質４０は、溶液または分散の場合があり得るが、被圧縮流体４１との熱力学的に安定／準安定した混合物内に一様に分布している。この熱力学的に安定／準安定した混合物または配合４２は、配合貯留槽１８から放出アセンブリ２０を通って、制御可能な形で放出される。
【００３５】
再び図４を参照すると、放出処理の間、機能物質４０は、温度および／または圧力状態が変更されると、被圧縮流体４１から析出する。析出した機能物質４４は、放出アセンブリ２０により、デポジションチャンバーまたは制御された環境３０に放出される。チャンバー３０に放出され、続いて基板１４上に付着する機能物質４０の粒径は、通常、１ナノメートルから１０００ナノメートルまでの範囲である。粒径分布は、放出アセンブリ２０内の温度および／または圧力の変更の配合（機能溶解物質およびそれらの濃度）率、および制御された環境３０内の環境条件を制御することにより、さらに均一に制御可能であろう。
【００３６】
具体的には示されていないが、本発明により企図される送り出しシステム１２（図４）はまた、機能物質４０の制御された析出および／または凝集を可能にするために、配合４２の温度および圧力を適切に変えるよう設計されている（例えば、米国特許出願公開第２００２／０１１８２４５Ａ１号参照）。圧力が通常段階的に下げられるにつれ、配合４２流体流動は自己励起される。配合４２の条件に対するその後の変化、例えば、圧力変化、温度変化などは、結果的に、被圧縮流体４１の蒸発と結合した機能物質４０の析出および／または凝集を引き起こす。結果として析出し、および／または凝集した機能物質４４は、基板１４に均等に付着する。図４に従って、被圧縮流体４１の蒸発は、デポジションチャンバー３０内の、放出アセンブリ２０の外部領域で発生可能である。代替的に、被圧縮流体４１の蒸発は、放出アセンブリ２０内で始まり、デポジションチャンバー３０内ではあるが放出アセンブリ２０の外部領域へ続くことが出来る。代替的に、蒸発は放出アセンブリ２０内で発生可能である。
【００３７】
図４に従って、機能物質４０および被圧縮流体４１の流れ４３は、放出アセンブリ２０を通って配合４２が移動する際に形成される。析出し、および／または凝集した機能物質４４の流れ４３の大きさが、実質的に放出アセンブリ２０のノズル２８の出口直径と等しい場合、析出し、および／または凝集した機能物質４４の流れ４３は、ノズル２８により平行化されている。析出し、および／または凝集した機能物質４４の流れ４３の大きさが、放出アセンブリ２０のノズル２８の出口直径より小さい場合、析出および／または凝集した機能物質４４の流れ４３は、ノズル２８により集束されている。デポジションチャンバー入力は、析出し、および／または凝集した機能物質４４を急速に広げ、その運動エネルギーを消散するよう、発散ビームとなることが望ましいだろう。こうした入力は、ノズル２８なしで可能である。
【００３８】
再び図２、図４、および図５を参照すると、基板１４は、析出し、および／または凝集した機能物質流れ４４の流れ４３が基板１４に付着するような形で、デポジションチャンバー３０内に位置している。放出アセンブリ２０から基板１４までの距離は、被圧縮流体４１が基板１４に達する前に蒸発してしまうような距離に選定される。従って、後に基板１４を乾燥処理する必要は全くない。さらに、ノズル２８からの配合４２の放出、および機能物質４４の析出に続いて、電磁界、機械シールド、磁気レンズ、静電レンズなどの外部装置を用いることにより、追加的集束および／または照準が達成可能である。代替的に、基板１４は、機能物質４０の位置を制御可能とするような形で、電気的、または静電気的に帯電させることが可能である。
【００３９】
再び図４を参照すると、機能物質４０の個々の粒子４６がノズル２８から放出される速度を制御することも望ましい。送り出しシステム１０内から動作環境まで、かなり大きな圧力低減があるかもしれないので、圧力差により、送り出しシステム１０の位置エネルギーが、基板１４上に機能物質粒子４６を送り出す運動エネルギーに変換される。これらの粒子４６の速度は、適切なノズル設計（上述の議論を参照）により、さらにシステム内の動作圧力および温度の変化率を制御することにより、制御可能である。さらに、ノズル２８からの配合４２の放出、および機能物質４４の析出に続いて、電磁界、機械シールド、磁気レンズ、静電レンズなどの外部装置を用いることにより、機能物質４０の追加の速度調整を実現することが出来るだろう。ノズル設計は、処理される特定のアプリケーションに依存する（例えば米国特許出願公開第２００２／０１１８２４５Ａ１号参照）。
【００４０】
さらに、ノズル２８の温度もまた制御されてもよい。図４を参照すると、ノズル２８の温度は、ノズル開口部４７が所望の流体流れ特性を確実に維持するよう、必要に応じて特定のアプリケーションによって制御されるのがよいだろう。ノズル温度は、ウオータジャケット、電気加熱技術などを用いて、ノズル加熱モジュール（図示せず）を通して制御可能である（例えば、米国特許出願公開第２００２／０１１８２４５Ａ１号参照）。適切なノズル設計を用いて、流出温度は、暖かいまたは冷たい不活性ガスの並流環状流によって流出を包むことにより、所望値に制御可能である。
【実施例】
【００４１】
（実施例１）
図２を参照すると、制御された環境３０は極限圧力で用いられるよう設計される。制御された環境３０には、圧力調整器１０５が組み込まれる。圧力調整器１０５は、図示のようにピストンに類似している。これは単に図示のためのものである。また、当業者は、圧力調整器１０５が、追加の圧力源と合同して用いられる、ポンプまたはベントであってもよいことも認識するだろう。追加の圧力源の例としては被圧縮流体発生源１０９がある。この発生源１０９は、流量調整装置またはバルブ１０８により調節され、機能物質が流体送り出し経路１３経由でデポジションチャンバー３０に入ることを可能にする。デポジションチャンバー３０内の圧力は、圧力センサ１０３によって慎重にモニタされ、析出／凝集を容易にするよう、送り出しシステム１２の圧力（真空レベルを含む）より小さい、いかなる圧力に設定されてもよい。さらに、デポジションチャンバー３０には、温度センサ１０４および温度調整器１０６が設けられる。温度調整器１０６は、電気ヒーターとして示されているが、（図示しない）以下のいずれかから構成可能であった：ヒーター、ウオータジャケット、冷却コイル、および温度制御装置の組み合わせ。
【００４２】
図１、図２、および図４を参照すると、デポジションチャンバー３０は、概して、基板１４およびマスク２２の保持に役立ち、析出した機能物質４４のデポジションを容易にする。機能物質４０の、より完全で均等な分布を実現するよう、基板１４および／またはマスク２２に対して、電気または静電気帯電を適用可能である。放出アセンブリ２０における放出処理を通して、粒子が帯電することが知られている。所望される場合は、粒子帯電装置１０７（図２）を用いて、粒子に追加帯電を適用することが出来る。こうして帯電された機能物質４０は、デポジション処理を補助するよう、様々な表面に引き付けられたり、または退けられたりする。図２では、帯電装置１０２ａ、１０２ｂが、基板１４およびマスク２２の双方に設けられている。図示するだけのために、基板１４上には正帯電（＋）が示され、マスク２２上には負帯電（−）が示されている。極性は、アプリケーションに適合するよう変更可能である。マスク２２が機能物質４０の帯電と等しくなるよう帯電される一方で、基板１４は、機能物質を引き付けるよう、機能物質４０の帯電とは反対に帯電される。帯電差を維持するよう、二者間に電気伝導があってはならないことは明白である。これは、一方または双方の物質選定を制限するか、または追加絶縁層（図示せず）に対する要件を加えることになろう。同じ方法で、デポジションチャンバー３０上、またはデポジションチャンバー３０内の他のいかなる機械的要素上に、他の電気または静電気帯電を生成させることも有用であろう。図６に示すように、機能物質４０をデポジションチャンバー２００内により均等に分散させるよう、内部バッフル１２２を使用してもよい。バッフル帯電装置１２３により、内部バッフルに帯電させてもよい。
【００４３】
再び図２を参照すると、デポジションチャンバー３０はまた、アクセスポート１０１を通しての、基板１４の挿入および除去のための簡易アクセスを設ける。この処理は、図示されていない機械装置により自動化可能であろう。また、デポジションチャンバー３０のアクセスポート１０１は、マスク２２の適切な配置のみならず、マスク２２の挿入および除去のためのアクセスを設ける。基板１４に対するマスクの配列はこのアプリケーションでの重要部分であり、手動でもよいが、自動化されているのが望ましい。基板１４は上向きに図示されているが、これは本発明の要件ではない。粒子を静電気的に引き付ける場合には、基板１４は下向きに方向づける方が有利なこともあろう。この様にすると、いかなるデブリも、デポジションチャンバー３０から基板１４上に、偶然に落ちてしまうことはなかった。
【００４４】
制御された環境は、基板上の付着物質のデポジション後の処理に使用可能である。デポジション後の処理は、湿度、温度、圧力および大気の化学組成を含む大気条件の制御を含む場合があろう。例えば、高い温度で所望の機能性を得るために、多くの処理において、物質の硬化が必要となる。この目的には、閉鎖容器に既に組み込まれている熱制御を利用することが出来る。代替的に、必要な後処理を、閉鎖容器外部で実行可能である。
【００４５】
デポジションチャンバー３０は、析出した機能物質４４の蓄積をもたらし得る空き容積が全くなく、容易に洗浄出来るように設計されていることは理解されるはずである。そこで、上のことを容易にするよう、さらに１つより多いサブチャンバーに仕切られていてもよい（図示せず）。また、機能物質４０の折出およびデポジションを補助する、適切な機械装置を備えていてもよい。こうした装置の例としては、機械的攪拌機があろう。
【００４６】
（実施例２）
ここで図５を見ると、ここには、本発明により企図されるデポジションチャンバー１００の他の実施例が示されている。これには、すでに図２の議論で説明したものと同一の特徴の多くを含んでいるが、デポジションチャンバー１００を準備サブチャンバー１００ａおよびデポジションサブチャンバー１００ｂに分割する、基材１１１が追加されている。これらのサブチャンバー１００ａ、１００ｂ内の物質は、制御可能な二重チャンバーインターフェースバルブ１１０を通って流動可能である。各サブチャンバー１００ａ、１００ｂは圧力センサ１０３、温度センサ１０４、圧力調整器１０５、および温度調整器１０６の使用を通しての圧力、温度の独立制御で構成される。準備サブチャンバー１００ａは、機能物質４０が析出可能な（しかし必ずそうなるとは限らない）配合貯留槽１８（図１）とは異なっている。準備サブチャンバー１００ａをシステムへ追加することにより、用意されたデポジション物質を潜在的に大きな体積で準備可能となり、アクセスポート１０１を通して基板１４およびデポジション物質を変更可能でありながら、周囲の圧力より高い圧力に維持可能となる。
【００４７】
（実施例３）
図６では、簡単化されたデポジションチャンバー２００が示されている。この実施例では、周囲の圧力より高い圧力を維持する設備を設けていない。図２および図５で説明された他の特徴の多くはなお可能であるが、デポジションチャンバー２００を高圧に維持することをもはや必要としないことにより、特定の追加的有用性が実現可能である。例えば、基板１４は、もはやデポジションチャンバー２００内に含まれる必要がない。これは、図６において、コンベア１２１により移送されるウェブ１２０の形で移動する基板を示すことで例示されている。こうしたシステムでは、連続コーティング動作が実行可能である。この場合、１ステップおよび反復処理の場合を除いて、分離マスクの使用は稀であろう。パターン化されたデポジションの達成には、むしろ、以前に説明したような、基板との一体型マスクが好ましい方法である。代替的に、アクセスポート１０１を必要とすることなく、図２および図５に示されたのと同様のアプローチが使用可能であった。
【００４８】
本発明の追加的態様では、図２、図５、および図６に示されるように、基板１４に複数の層をコーティングする複数のデポジションチャンバー３０、１００、または２００を含んでもよい。代替的に、開口部パターンの特定の階層的構造を有するマスクが用いられ、続いて同じ基板１４上に、開口部パターンの異なる階層的構造を有する他のシャドウマスクに置換されるような形で、複数のマスク２２が用いられてもよい。複数のマスク、マスクの位置合わせ、複数の層、および複数の物質処理は、ディスプレイの製造で一般的に用いられており、従って、光学基準の使用を通すなどの適切な位置決めを設ける詳細および方法は周知である。ディスプレイ製品アプリケーションに対する被着色物質のデポジションに用いられる連続処理は、所望の製品を作成するために、必要に応じて他の物質のデポジション、および／または付着物質の後処理を含む、他の処理で散在されてもよい。
【００４９】
基板を静電気的に帯電させる手段を設けるステップを含む、少なくとも部分的に制御された環境を設ける、被圧縮流体から前記基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００５０】
少なくとも部分的に制御された環境を設けるステップが、前記シャドウマスクを静電気的に帯電させる手段を設けるステップをさらに含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００５１】
少なくとも部分的に制御された環境を設ける前記ステップが、独自に制御される第１のチャンバーおよび隣接し、独自に制御される第２のチャンバーを設けることを含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。前記独自に制御される第１のチャンバーは、前記制御可能な送り出し手段と流体連通した入口ポートを有し、前記基板は、前記独自に制御される第１のチャンバーから析出機能物質を受けるよう、前記独自に制御される第２のチャンバー内に保有されている。
【００５２】
独自に制御される第１のチャンバーおよび隣接し、独自に制御される第２のチャンバーを設ける前記ステップが、前記独自に制御される第１のチャンバーおよび隣接し、独自に制御される第２のチャンバーそれぞれの内部の、圧力および温度を維持する手段を設けるステップを含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００５３】
圧力および温度を維持する手段を設けるステップが、それぞれ、圧力調整器および温度調整器を設けるステップを含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００５４】
独自に制御される第１のチャンバーおよび隣接し、独自に制御される第２のチャンバーを設ける前記ステップが、前記独自に制御される第１のチャンバーおよび隣接し、独自に制御される第２のチャンバーそれぞれの内部の、温度および圧力をモニタする手段を設けるステップを含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００５５】
少なくとも部分的に制御された環境を設ける前記ステップが、その間で可動基板を動かすための入口末端および出口末端を有する部分閉鎖容器を設けるステップを含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００５６】
前記基板を析出機能物質の流れに対して方向付ける手段を設けるステップをさらに含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００５７】
前記基板を方向付ける手段を設けるステップが、前記基板を機能物質の直接流から実質的に離れるよう方向付けるステップを含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００５８】
前記基板上へのデポジションに先立ち、前記析出機能物質の圧力レベルおよび温度レベルの測定手段を設けることをさらに含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００５９】
圧力レベルおよび温度レベルの測定手段を設ける前記ステップが、前記析出機能物質の配合率制御のステップを含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００６０】
前記基板上に、前記シャドウマスクに適用された静電気帯電と反対の極性を有する静電気帯電を与えるステップをさらに含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００６１】
静電気帯電を与える前記ステップが、前記析出機能物質の静電気帯電と反対の極性を有する帯電を与えることをさらに含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００６２】
前記基板上に前記パターン化されたデポジションを形成する前記ステップの後、前記基板上の前記パターン化されたデポジションの付着性を改良する、パターン化されたデポジションの後処理を実行する、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００６３】
パターン化されたデポジションの後処理を実行する前記ステップが、前記基板上への前記パターン化されたデポジション処理の周囲の湿度、温度、および大気条件を制御するステップを含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００６４】
前記基板上に複数のパターン化されたデポジション層を形成するために、前記機能物質の析出を帯電可能な形で放出するステップを、制御可能に繰り返すことをさらに含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００６５】
以下からなるグループから選択された物質を含む基板を設けることをさらに含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法：有機固体物質、無機固体物質、半有機物質、セラミック物質、合金物質、合成物資、自然高分子物質、ゲル物質、ガラス質物質、および複合物質。
【００６６】
前記基板の挿入および除去用アクセスポートを設けることをさらに含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００６７】
機能物質を制御可能に送り出す手段を設ける前記ステップが、前記機能物質を以下からなるグループから提供することをさらに含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法：エレクトロルミネッセント分子、作像染料、セラミック・ナノ粒子、および高分子物質。
【００６８】
少なくとも部分的に制御された環境を設ける前記ステップが、前記少なくとも部分的に制御された環境内に形成された覗きポートを設けるステップを含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００６９】
静電気帯電を与える前記ステップが、前記静電気帯電を所定の持続時間与えるステップを含み、前記所定の持続時間は、前記基板上に付着する析出機能物質の量で決定される、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００７０】
有害な粒子がそこに付着することを防ぐよう、前記少なくとも部分的に制御された環境への静電気的な帯電を与えることをさらに含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００７１】
光エミッタを、前記少なくとも部分的に制御された環境内部の前記機能物質濃度を測定する光検出器と協働して配置するステップをさらに含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００７２】
少なくとも部分的に制御された環境に、少なくとも部分的に制御された環境内部での活動を観測する、少なくとも１つの覗きポートを設けるステップを含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００７３】
前記少なくとも部分的に制御された環境内の前記光エミッタの反対側に配置された、前記光検出器によって検出される前記光エミッタからのエネルギーを反射する反射面を設けるステップをさらに含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００７４】
前記光検出器から、マイクロプロセッサへ電気信号を送り、それにより以後の処理のためのデータを生成することをさらに含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００７５】
前記制御可能な送り出しステップが、前記少なくとも部分的に制御された環境内へ析出機能物質の流れを放出するノズルを有する放出アセンブリを設けるステップをさらに含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００７６】
末広ノズルを設けることをさらに含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００７７】
前記少なくとも部分的に制御された環境内に電磁界が存在する場合、前記析出機能物質を噴出するステップをさらに含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００７８】
前記少なくとも部分的に制御された環境内に配置された、少なくとも１つの機械シールドが存在する場合、前記析出機能物質を噴出するステップをさらに含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００７９】
前記少なくとも部分的に制御された環境内に配置された、少なくとも１つの磁気レンズが存在する場合、前記析出機能物質を噴出するステップをさらに含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００８０】
前記少なくとも部分的に制御された環境内に配置された、少なくとも１つの静電レンズが存在する場合、前記析出機能物質を噴出するステップをさらに含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００８１】
所定の流体流速を促進する加熱手段を伴う前記ノズルを設けることをさらに含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【００８２】
前記基板上に付着する前に、液体または被圧縮相から気体相への気化を可能にするよう、前記基板および前記制御可能な送り出し手段を、所定の距離だけ離すことをさらに含む、被圧縮流体から基板上にパターン化されたデポジションを形成する方法。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明に従う、好ましい実施例の概略図である。
【図２】本発明の１つの実施例における、制御された環境の拡大概略図である。
【図３】本発明で用いられる閉鎖容器の代替的実施例の概略図である。
【図４】本発明の動作を概略的に示す図である。
【図５】本発明で役立つ、制御された環境、またはデポジションチャンバーの代替的実施例の概略図である。
【図６】本発明で役立つ、他の制御された環境、またはデポジションチャンバーの代替的実施例の概略図である。
【符号の説明】
【００８４】
１０      システム
１２      送り出しシステム
１３      流体送り出し経路
１４      基板
１６      被圧縮流体発生源
１８      配合貯留槽
２０      放出アセンブリ
２２      マスク
２４      入力バルブの閉ループ制御
２８      オリフィス／ノズル
３０      デポジションチャンバーまたは制御された環境
３１      閉鎖容器
３２      シャッター
３３      覗き窓
３５      光エミッタ
３７      光検出器
３９      マイクロプロセッサ
４０      機能物質
４１      被圧縮流体
４２      機能物質４０の配合
４３      機能物質４０の流れ
４４      析出し、および／または凝集した機能物質
４６      機能物質粒子
４７      ノズル開口部
１００    デポジションチャンバーまたは制御された環境の代替実施例
１００ａ  準備サブチャンバー
１００ｂ  デポジションサブチャンバー
１０１    アクセスポート
１０３    圧力センサ
１０２ａ  帯電装置
１０２ｂ  帯電装置
１０４    温度センサ
１０５    圧力調整器
１０６    温度調整器
１０７    粒子帯電装置
１０８    流量調節弁
１０９    被圧縮流体発生源
１１０    インタフェースバルブ
１１１    基材
１２０    ウェブ
１２１    コンベア
１２２    内部バッフル
１２３    バッフル帯電装置
２００    デポジションチャンバーまたは制御された環境の他の代替実施例
【図１】
2004188417.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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