(57)【要約】【課題】  バルジ等の不都合の発生を抑えて幅広化を実現できるパターンの形成方法を提供する。【解決手段】  本発明のパターン形成方法は、液体材料の液滴を基板１１上に吐出することにより膜パターンＷを形成するパターンの形成方法であって、液滴により基板１１上に膜パターンＷの中央パターンＷ１を形成する第１工程と、形成された中央パターンＷ１に対して一方の側に第１側部パターンＷ２を形成する第２工程と、中央パターンＷ１に対して他方の側に第２側部パターンＷ３を形成する第３工程とを有する。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体材料の液滴を基板上に配置することにより膜パターンを形成するパターンの形成方法であって、
前記液滴により前記基板上に前記膜パターンの中央部を形成する第１工程と、
前記形成された中央部に対して一方の側部を形成する第２工程と、
前記形成された中央部に対して他方の側部を形成する第３工程とを有することを特徴とするパターンの形成方法。
【請求項２】
前記基板上に形成された前記中央部に対して少なくともその一部が重なるように前記液滴を配置して前記側部を形成することを特徴とする請求項１記載のパターンの形成方法。
【請求項３】
複数の液滴により前記側部を形成する際、
前記基板上で液滴どうしが重ならないように複数の液滴を配置する第１配置工程と、
前記第１配置工程で前記基板上に配置された複数の液滴どうしの間に液滴を配置する第２配置工程とを有することを特徴とする請求項１又は２記載のパターンの形成方法。
【請求項４】
前記第１、第２、及び第３工程における前記液滴の配置条件を互いに異なる条件に設定することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載のパターンの形成方法。
【請求項５】
前記第１、第２、及び第３工程における前記液滴の前記基板上での配置間隔を互いに異なる値に設定することを特徴とする請求項４記載のパターンの形成方法。
【請求項６】
前記第１、第２、及び第３工程における前記液滴の体積を互いに異なる値に設定することを特徴とする請求項４記載のパターンの形成方法。
【請求項７】
前記基板上に前記液滴を配置する前に前記基板表面の撥液性を調整する表面処理工程を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載のパターンの形成方法。
【請求項８】
前記液体材料は導電性微粒子を含む液状体であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項記載のパターンの形成方法。
【請求項９】
液体材料の液滴を基板上に配置する液滴吐出装置を備え、前記液滴により膜パターンを形成するパターン形成装置であって、
前記液滴吐出装置は、前記液滴により前記基板上に前記膜パターンの中央部を形成した後、前記基板上に形成された中央部に対して一方及び他方の側部を形成することを特徴とするパターン形成装置。
【請求項１０】
配線パターンを有するデバイスの製造方法において、
液体材料の液滴を基板上に配置する材料配置工程を有し、
前記材料配置工程は、前記液滴により前記基板上に前記配線パターンの中央部を形成する第１工程と、
前記形成された中央部に対して一方の側部を形成する第２工程と、
前記形成された中央部に対して他方の側部を形成する第３工程とを有することを特徴とするデバイスの形成方法。
【請求項１１】
請求項９記載のパターン形成装置により形成されたことを特徴とする導電膜配線。
【請求項１２】
請求項１１記載の導電膜配線を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体材料の液滴を基板上に配置することにより膜パターンを形成するパターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、導電膜配線、電気光学装置、並びに電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体集積回路など微細な配線パターン（膜パターン）を有するデバイスの製造方法としてフォトリソグラフィ法が多用されているが、液滴吐出法を用いたデバイスの製造方法が注目されている。この液滴吐出法は液体材料の消費に無駄が少なく、基板上に配置する液体材料の量や位置の制御を行いやすいという利点がある。下記特許文献には液滴吐出法に関する技術が開示されている。
【特許文献１】特開平１１−２７４６７１号公報
【特許文献２】特開２０００−２１６３３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところが、液体材料を液滴にして基板上に配置する技術では膜パターンの幅を広くするのが難しいという問題がある。すなわち、膜パターンの幅広化を目的として一つの液滴の体積を大きくしたり基板上に配置する液体材料全体の量を多くしたりすると液だまり（バルジ）が生じてそれが断線や短絡等の不具合の発生原因となるおそれがある。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、バルジ等の不都合の発生を抑えて幅広化を実現できるパターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法を提供することを目的とする。更に本発明は、幅が広く電気伝導に有利な導電膜配線を提供すること、配線部の断線や短絡等の不具合が生じにくい電気光学装置、及びこれを用いた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明のパターン形成方法は、液体材料の液滴を基板上に配置することにより膜パターンを形成するパターンの形成方法であって、前記液滴により前記基板上に前記膜パターンの中央部を形成する第１工程と、前記形成された中央部に対して一方の側部を形成する第２工程と、前記形成された中央部に対して他方の側部を形成する第３工程とを有することを特徴とする。
本発明によれば、膜パターンを形成する際、中央部を形成した後、この中央部に隣接するように一方の側部及び他方の側部を形成するようにしたので、１回の配置動作での液滴の体積が小さくても幅広の膜パターンを容易に形成できる。そして、１回の配置動作での液滴の体積を小さくできるのでバルジ等の不都合の発生を抑えることができる。
【０００６】
本発明のパターンの形成方法において、前記基板上に形成された前記中央部に対して少なくともその一部が重なるように前記液滴を配置して前記側部を形成することを特徴とする。
本発明によれば、側部を形成するために配置された液滴はその一部を中央部に重ね合わせることにより中央部に対して確実に接続される。したがって、膜パターンに不連続部が形成されるといった不都合の発生を抑えることができる。
【０００７】
本発明のパターンの形成方法において、複数の液滴により前記側部を形成する際、前記基板上で液滴どうしが重ならないように複数の液滴を配置する第１配置工程と、前記第１配置工程で前記基板上に配置された複数の液滴どうしの間に液滴を配置する第２配置工程とを有することを特徴とする。
本発明によれば、複数の液滴を配置することで側部を形成する際、第１配置工程で液滴どうしの間隔をあけて基板上に配置した後、この液滴どうしの間を埋めるように第２配置工程で液滴を配置するようにしたので、バルジの発生を抑えつつ側部を複数の液滴で連続させることができる。すなわち、液滴を連続的に吐出して複数の液滴どうしをつなげるように配置するとバルジが発生しやすくなるが、配置動作（吐出動作）を複数回に分け、第１配置動作では液滴を間引いて配置し、第２配置動作で基板上の液滴どうしの間を補間することで、バルジの発生を抑えつつ側部（膜パターン）を複数の液滴で確実に連続させることができる。
【０００８】
本発明のパターンの形成方法において、前記第１、第２、及び第３工程における前記液滴の配置条件を互いに異なる条件に設定することを特徴とする。
本発明によれば、例えば膜パターンの設計値情報や液体材料の材料特性等に応じて各工程の配置条件を変更することで効率良く良好なパターン形成動作を行うことができる。
例えば、前記第１、第２、及び第３工程における前記液滴の前記基板上での配置間隔を互いに異なる値に設定することにより、処理時間を短縮しつつバルジ等の不都合の発生を抑えることができる。
また、前記第１、第２、及び第３工程における前記液滴の体積を互いに異なる値に設定することにより、例えば使用する液体材料の材料特性によりバルジが発生し難い条件である場合には、１回の配置動作（吐出動作）における液滴の体積を多くすることでスループットの向上を図ることができる。
【０００９】
本発明のパターンの形成方法において、前記基板上に前記液滴を配置する前に前記基板表面の撥液性を調整する表面処理工程を有することを特徴とする。
本発明によれば、基板上に液滴を配置する前に基板の撥液性を調整する表面処理を行うことで所望の接触角で液滴を基板上に配置することができ、パターンの厚膜化及びパターン形状安定化が図られ、パターン形成を円滑に行うことができる。
ここで、撥液性を与える撥液化処理とは液体材料に対して非親和性を示す特性を与える処理のことをいう。
【００１０】
本発明のパターン形成方法において、前記液体材料は導電性微粒子を含む液状体であることを特徴とする。これにより、導電性を有する配線パターンを形成できる。
【００１１】
本発明のパターン形成装置は、液体材料の液滴を基板上に配置する液滴吐出装置を備え、前記液滴により膜パターンを形成するパターン形成装置であって、前記液滴吐出装置は、前記液滴により前記基板上に前記膜パターンの中央部を形成した後、前記基板上に形成された中央部に対して一方及び他方の側部を形成することを特徴とする。
本発明によれば、バルジ等の不都合の発生を抑えつつ幅広の膜パターンを容易に形成できる。
【００１２】
本発明のデバイス製造方法は、配線パターンを有するデバイスの製造方法において、液体材料の液滴を基板上に配置する材料配置工程を有し、前記材料配置工程は、前記液滴により前記基板上に前記配線パターンの中央部を形成する第１工程と、前記形成された中央部に対して一方の側部を形成する第２工程と、前記形成された中央部に対して他方の側部を形成する第３工程とを有することを特徴とする。
本発明によれば、バルジ等の不都合の発生を抑えつつ幅広の配線パターンを容易に形成できるため、電気伝導に有利な配線パターンを備えたデバイスを提供できる。
【００１３】
本発明の導電膜配線は、上記記載のパターン形成装置により形成されたことを特徴とする。本発明によれば、幅広化が実現された電気伝導に有利な導電膜配線を提供できる。
本発明の電気光学装置は、上記記載の導電膜配線を備えることを特徴とする。また、本発明の電子機器は、上記記載の電気光学装置を備えることを特徴とする。これらの発明によれば、電気伝導に有利な導電膜配線を備えるので配線部の断線や短絡等の不良が生じにくい。
【００１４】
ここで、電気光学装置としては、例えば、プラズマ型表示装置、液晶表示装置、及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置等が挙げられる。
【００１５】
上記液滴吐出装置（インクジェット装置）の吐出方式としては、圧電体素子の体積変化により液体材料を吐出させるピエゾジェット方式であっても、熱の印加により急激に蒸気が発生することにより液体材料の液滴を吐出させる方式であってもよい。
【００１６】
液体材料とは、液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）の吐出ノズルから吐出可能な粘度を備えた媒体をいう。水性であると油性であるとを問わない。ノズル等から吐出可能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。また、液体材料に含まれる材料は、溶媒中に微粒子として分散されたものの他に、融点以上に加熱されて溶解されたものでもよく、溶媒の他に染料や顔料その他の機能性材料を添加したものであってもよい。また、基板はフラット基板のほか、曲面状の基板であってもよい。さらにパターン形成面の硬度が硬い必要はなく、ガラスやプラスチック、金属以外に、フィルム、紙、ゴム等可撓性を有するものの表面であってもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
＜パターンの形成方法＞
以下、本発明のパターンの形成方法について図面を参照しながら説明する。図１は本発明のパターンの形成方法の一実施形態を示すフローチャート図である。
ここで、本実施形態では基板上に導電膜配線パターンを形成する場合を例にして説明する。
【００１８】
図１において、本実施形態に係るパターンの形成方法は、液体材料の液滴が配置される基板を所定の溶媒等を用いて洗浄する工程（ステップＳ１）と、基板の表面処理工程の一部を構成する撥液化処理工程（ステップＳ２）と、撥液化処理された基板表面の撥液性を調整する表面処理工程の一部を構成する撥液性低下処理工程（ステップＳ３）と、表面処理された基板上に液滴吐出法に基づいて導電膜配線形成用材料を含む液体材料の液滴を配置して膜パターンを描画（形成）する材料配置工程（ステップＳ４）と、基板上に配置された液体材料の溶媒成分の少なくとも一部を除去する熱・光処理を含む中間乾燥処理工程（ステップＳ５）と、所定の膜パターンが描画された基板を焼成する焼成工程（ステップＳ７）とを有している。なお、中間乾燥処理工程の後、所定のパターン描画が終了したかどうかが判断され（ステップＳ６）、パターン描画が終了したら焼成工程が行われ、一方、パターン描画が終了していなかったら材料配置工程が行われる。
【００１９】
次に、図２〜図８を参照しながら本発明の特徴部分である液滴吐出法に基づく材料配置工程（ステップＳ４）について説明する。
本実施形態の材料配置工程は、導電膜配線形成用材料を含む液体材料の液滴を液滴吐出装置の液滴吐出ヘッドより基板上に吐出することにより基板上に線状の膜パターン（配線パターン）Ｗを形成する工程である。液体材料は導電膜配線形成用材料である金属等の導電性微粒子を分散媒に分散した液状体である。
【００２０】
図２において、材料配置工程（ステップＳ４）は、液滴吐出装置の液滴吐出ヘッド１０の吐出ノズル１０Ａより液体材料の液滴を吐出して基板１１に配置することでこの基板１１上に膜パターンＷの線幅方向中央部（中央パターン）Ｗ１を形成する第１工程（図２（ａ）参照）と、基板１１に形成された中央パターンＷ１に対して一方の側部（第１側部パターン）Ｗ２を形成する第２工程（図２（ｂ）参照）と、基板１１に形成された中央パターンＷ１に対して他方の側部（第２側部パターン）Ｗ３を形成する第３工程（図２（ｃ）参照）とを有している。これら第１、第２、及び第３工程により、図２（ｃ）に示すような線状の膜パターンＷが形成される。
【００２１】
第１工程では、図２（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０から液体材料の液滴が吐出され、基板１１上に一定の距離間隔（ピッチ）で配置される。そして、この液滴の配置動作を繰り返すことにより基板１１上における膜パターンＷの形成予定領域Ｗ４の中央部に、この膜パターンＷの一部を構成する線状の中央パターンＷ１が形成される。なお、基板１１の表面はステップＳ２及びＳ３により所望の撥液性に予め加工されているので、基板１１上に配置した液滴の拡がりが抑制される。そのためパターン形状を良好な状態に確実に制御できるとともに厚膜化も容易である。
【００２２】
ここで、基板１１上に中央パターンＷ１を形成するための液滴を配置した後、分散媒の除去を行うために必要に応じて中間乾燥処理（ステップＳ５）が行われる。中間乾燥処理は、例えばホットプレート、電気炉、及び熱風発生機等の加熱装置を用いた一般的な熱処理の他にランプアニールを用いた光処理であってもよい。
【００２３】
次に、第２工程では、図２（ｂ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０から液体材料の液滴が吐出され、これにより中央パターンＷ１の一方の側に隣接する線状の第１側部パターンＷ２が形成される。ここで、液滴吐出ヘッド１０は第１側部パターンＷ２を形成するに際し、吐出した液滴と基板１１上に形成された中央パターンＷ１との少なくとも一部が重なるように、液滴を吐出する。これにより中央パターンＷ１と第１側部パターンＷ２を形成する液滴とは確実に接続され、形成された膜パターンＷに導電膜配線形成用材料の不連続部が生じることがない。そして、第２工程においても液滴は基板１１上に一定のピッチで配置され、この配置動作を繰り返すことにより、膜パターンＷの形成予定領域Ｗ４の一方の側部にこの膜パターンＷの一部を構成する第１側部パターンＷ２が形成され、中央パターンＷ１と第１側部パターンＷ２とが一体化される。
【００２４】
ここでも、基板１１上に第１側部パターンＷ２を形成するための液滴を配置した後、分散媒の除去を行うために必要に応じて中間乾燥処理（ステップＳ５）が行われる。
【００２５】
次に、第３工程では、図２（ｃ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０から液体材料の液滴が吐出され、これにより中央パターンＷ１の他方の側に隣接する線状の第２側部パターンＷ３が形成される。ここでも、液滴吐出ヘッド１０は第２側部パターンＷ３を形成するに際し、吐出した液滴と基板１１上に形成された中央パターンＷ１との少なくとも一部が重なるように、液滴を吐出する。これにより中央パターンＷ１と第２側部パターンＷ３を形成する液滴とは確実に接続され、形成された膜パターンＷに導電膜配線形成用材料の不連続部が生じることがない。こうして、中央パターンＷ１と第２側部パターンＷ３とが一体化され、３つの線状のパターンＷ１、Ｗ２、及びＷ３が一体化されて幅広の膜パターンＷが形成される。そして、第３工程においても液滴は基板上に一定のピッチで配置され、この配置動作を繰り返すことにより、膜パターンＷの形成予定領域Ｗ４の他方の側部にこの膜パターンＷの一部を構成する第２側部パターンＷ３が形成される。
【００２６】
このとき、第２、第３工程で吐出する液滴の吐出位置（中央パターンＷとの距離）を調整することで最終的な線状の膜パターンＷの線幅を制御することができる。また、第１、第２、及び第３の各工程で形成する複数のパターンＷ１、Ｗ２、及びＷ３の基板１１の表面からの高さ（厚み）を変化させることにより、一体化後の膜パターンＷの膜厚を制御できる。
【００２７】
次に、図３（ａ）〜（ｃ）を参照しながら、線状の中央パターンＷ１、及び側部パターンＷ２、Ｗ３を形成する手順について説明する。
まず、図３（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０から吐出した液滴Ｌ１が所定の間隔をあけて基板１１上に順次配置される。すなわち、液滴吐出ヘッド１０は基板１１上で液滴Ｌ１どうしが重ならないように配置する（第１配置工程）。本例では、液滴Ｌ１の配置ピッチＰ１は基板１１上に配置した直後の液滴Ｌ１の直径よりも大きくなるように設定されている。これにより基板１１上に配置された直後の液滴Ｌ１どうしは重ならずに（接触せずに）、液滴Ｌ１どうしが合体して基板１１上で濡れ拡がることが防止される。また、液滴Ｌ１の配置ピッチＰ１は基板１１上に配置した直後の液滴Ｌ１の直径の２倍以下となるように設定されている。
【００２８】
ここで、基板１１上に液滴Ｌ１を配置した後、分散媒の除去を行うために必要に応じて中間乾燥処理（ステップＳ５）を行うことができる。中間乾燥処理は、上述したように、例えばホットプレート、電気炉、及び熱風発生機等の加熱装置を用いた一般的な熱処理の他に、ランプアニールを用いた光処理であってもよい。この場合、分散媒の除去だけでなく、分散液を導電膜に変換するまで、加熱や光照射の度合いを高めても差し支えないが、分散媒をある程度除去できれば十分である。
【００２９】
次に、図３（ｂ）に示すように、上述した液滴の配置動作が繰り返される。すなわち図３（ａ）に示した前回と同様に、液滴吐出ヘッド１０から液体材料が液滴Ｌ２として吐出され、その液滴Ｌ２が一定距離ごとに基板１１に配置される。このとき、液滴Ｌ２の体積（１つの液滴あたりの液体材料の量）、及びその配置ピッチＰ２は前回の液滴Ｌ１と同じである。そして、液滴Ｌ２の配置位置は前回の液滴Ｌ１から１／２ピッチだけシフトされ、基板１１上に配置されている前回の液滴Ｌ１どうしの中間位置に今回の液滴Ｌ２が配置される（第２配置工程）。
【００３０】
前述したように、基板１１上の液滴Ｌ１の配置ピッチＰ１は、基板１１上に配置した直後の液滴Ｌ１の直径よりも大きく且つ、その直径の２倍以下である。そのため、液滴Ｌ１の中間位置に液滴Ｌ２が配置されることにより、液滴Ｌ１に液滴Ｌ２が一部重なり、液滴Ｌ１どうしの間の隙間が埋まる。このとき、今回の液滴Ｌ２と前回の液滴Ｌ１とが接するが、前回の液滴Ｌ１はすでに分散媒が完全に又はある程度除去されているので、両者が合体して基板１１上で拡がることは少ない。
【００３１】
なお、図３（ｂ）では、液滴Ｌ２の配置を開始する位置を前回と同じ側（図３（ａ）に示す左側）としているが逆側（右側）としてもよい。往復動作の各方向への移動時に液滴の吐出を行うことにより、液滴吐出ヘッド１０と基板１１との相対移動の距離を少なくできる。
【００３２】
液滴Ｌ２を基板１１上に配置した後、分散媒の除去を行うために前回と同様に必要に応じて中間乾燥処理を行うことが可能である。
【００３３】
こうした一連の液滴の配置動作を複数回繰り返すことにより、基板１１上に配置される液滴どうしの隙間が埋まり、図３（ｃ）に示すように、線状の連続したパターンである中央パターンＷ１、及び側部パターンＷ２、Ｗ３が基板１１上に形成される。この場合、液滴の配置動作の繰り返し回数を増やすことにより基板１１上に液滴が順次重なり、パターンＷ１、Ｗ２、Ｗ３の膜厚、すなわち基板１１の表面からの高さ（厚み）が増す。線状パターンＷ１、Ｗ２、Ｗ３の高さ（厚み）は最終的な膜パターンに必要とされる所望の膜厚に応じて設定され、この設定した膜厚に応じて上記液滴の配置動作の繰り返し回数が設定される。
【００３４】
なお、線状パターンの形成方法は図３（ａ）〜（ｃ）に示したものに限定されない。例えば、液滴の配置ピッチや繰り返しの際のシフト量等を任意に設定可能であり、パターンＷ１、Ｗ２、Ｗ３を形成する際の液滴の基板Ｐ上での配置ピッチをそれぞれ異なる値に設定してもよい。例えば、中央パターンＷ１を形成する際の液滴ピッチがＰ１である場合、側部パターンＷ２、Ｗ３を形成する際の液滴ピッチをＰ１より広いピッチ（例えばＰ１×２）としてもよい。もちろん、Ｐ１より狭いピッチ（例えばＰ１×０．５）としてもよい。また、パターンＷ１、Ｗ２、Ｗ３を形成する際の液滴の体積をそれぞれ異なる値に設定してもよい。あるいは、第１、第２、及び第３の各工程において基板１１や液滴吐出ヘッド１０が配置される雰囲気である液滴配置雰囲気（温度や湿度等）、すなわち材料配置環境条件を互いに異なる条件に設定してもよい。
【００３５】
なお、本実施形態では複数の側部パターンＷ２、Ｗ３は１本ずつ形成されるが２本同時に形成されてもよい。ここで、１本ずつ複数のパターンＷ２、Ｗ３を形成する場合と２本同時に形成する場合とでは、乾燥処理の回数の合計が異なる可能性があるため、基板１１の撥液性が損なわれないように乾燥条件を定めるとよい。
【００３６】
なお、本実施形態では、第１工程で１本の中央パターンＷ１を形成したが、中央パターンＷ１を２本以上の複数形成してもよい。そして、この複数本の中央パターンＷ１の両側部に対して液滴を吐出し、これらを連続させることにより、より広い線幅の膜パターンを容易に形成できる。
【００３７】
次に、図４〜図７を参照しながら基板上に液滴を吐出する順序の一例について説明する。これらの図に示すように、基板１１上には液体材料の液滴が吐出される格子状の複数の単位領域であるピクセルを有するビットマップが設定されている。液滴吐出ヘッド１０は液滴をビットマップで設定されたピクセル位置に対して吐出する。ここで、１つのピクセルは正方形に設定されている。また、液滴吐出ヘッド１０は基板１１に対してＹ軸方向に走査しながら吐出ノズル１０Ａより液滴を吐出するものとする。そして、図４〜図７を用いた説明において、１回目の走査時に吐出された液滴には「１」を付し、２回目、３回目、…、ｎ回目の走査時に吐出された液滴には「２」、「３」…、「ｎ」を付す。また、以下の説明では、図４のグレーで示す領域（パターン形成予定領域）のそれぞれに液滴を吐出して膜パターンＷを形成するものとする。
【００３８】
図４（ａ）に示すように、１回目の走査時において、中央パターンＷ１を形成するために中央パターン形成予定領域に１つ分のピクセルをあけつつ液滴が吐出される。ここで、基板１１に対して吐出された液滴は基板１１に着弾することにより基板１１上で濡れ拡がる。つまり、図４（ａ）に円で示すように、基板１１に着弾した液滴は１つのピクセルの大きさより大きい直径ｃを有するように濡れ拡がる。ここで、液滴はＹ軸方向において所定間隔（１つ分のピクセル）をあけて吐出されているので、基板１１上に配置された液滴どうしは重ならないように設定されている。こうすることによりＹ軸方向において基板１１上に液体材料が過剰に設けられることを防ぎ、バルジの発生を防止することができる。
【００３９】
なお、図４（ａ）では基板１１に配置された際の液滴どうしは重ならないように配置されているが、僅かに重なるように液滴が配置されてもよい。また、ここでは１つ分のピクセルをあけて液滴が吐出されているが、２つ以上の任意の数のピクセル分だけ間隔をあけて液滴を吐出してもよい。この場合、基板１１に対する液滴吐出ヘッド１０の走査動作及び吐出動作を増やして基板上の液滴どうしの間を補間すればよい。
【００４０】
図４（ｂ）は２回目の走査により液滴吐出ヘッド１０の吐出ノズル１０Ａから基板１１に液滴を吐出した際の模式図である。なお、図４（ｂ）において、２回目の走査時で吐出された液滴には「２」を付している。２回目の走査時では、１回目の走査時で吐出された液滴「１」の間を補間するように液滴が吐出される。そして、１回目及び２回目の走査及び吐出動作で液滴どうしが連続し、中央パターンＷ１が形成される。
【００４１】
次に、液滴吐出ヘッド１０と基板１１とが１つのピクセルの大きさ分だけＸ軸方向に相対移動する。ここでは液滴吐出ヘッド１０が基板１１に対して−Ｘ方向に１つのピクセル分だけステップ移動する。そして、液滴吐出ヘッド１０は３回目の走査を行う。これにより、図５（ａ）に示すように、中央パターンＷ１の−Ｘ側に隣接するように、第１側部パターンＷ２を形成するための液滴「３」が基板１１上に配置される。ここでも、液滴「３」はＹ軸方向に１つ分のピクセルをあけて配置される。ここで、液滴吐出ヘッド１０のＸ軸方向へのステップ移動後における１回目の走査時（すなわち全体における３回目の走査時）における液滴「３」は、ステップ移動前の１回目の走査時における液滴「１」に対してＸ軸について隣接する位置に配置される。
【００４２】
図５（ｂ）は４回目の走査により液滴吐出ヘッド１０から基板１１に液滴を吐出した際の模式図である。なお、図５（ｂ）において、４回目の走査時で吐出された液滴には「４」を付している。４回目の走査時では、３回目の走査時で吐出された液滴「３」の間を補間するように液滴が吐出される。そして、３回目及び４回目の走査及び吐出動作で液滴どうしが連続し、第１側部パターンＷ２が形成される。ここで、ステップ移動後の２回目の走査時（すなわち全体における４回目の走査時）における液滴「４」は、ステップ移動前の２回目の走査時における液滴「２」に対してＸ軸について隣接する位置に配置される。
【００４３】
次に、液滴吐出ヘッド１０と基板１１とが２つのピクセル分だけＸ軸方向に相対移動する。ここでは液滴吐出ヘッド１０が基板に対して＋Ｘ方向に２つのピクセル分だけステップ移動する。そして、液滴吐出ヘッド１０は５回目の走査を行う。これにより、図６（ａ）に示すように、中央パターンＷ１の＋Ｘ側に隣接するように、第２側部パターンＷ３を形成するための液滴「５」が基板上に配置される。ここでも、液滴「５」はＹ軸方向に１つ分のピクセルをあけて配置される。ここで、液滴吐出ヘッド１０のＸ軸方向へのステップ移動後である５回目の走査時における液滴「５」は、液滴「１」に対してＸ軸について隣接する位置に配置される。
【００４４】
図６（ｂ）は６回目の走査により液滴吐出ヘッド１０から基板１１に液滴を吐出した際の模式図である。なお、図６（ｂ）において、６回目の走査時で吐出された液滴には「６」を付している。６回目の走査時では、５回目の走査時で吐出された液滴「５」の間を補間するように液滴が吐出される。そして、５回目及び６回目の走査及び吐出動作で液滴どうしが連続し、第２側部パターンＷ３が形成される。ここで、６回目の走査時における液滴「６」は、液滴「２」に対してＸ軸について隣接する位置に配置される。
【００４５】
図７は液滴の吐出位置の配置順序を変えた例を示す図である。図７において、中央パターンＷ１を形成する液滴「１」のＸ軸について−Ｘ側に隣接する位置には、液滴吐出ヘッド１０のＸ軸方向へのステップ移動後において２回目の走査時（全体で４回目の走査時）で吐出された液滴「４」が配置され、一方、中央パターンＷ１を形成する液滴「２」のＸ軸について−Ｘ側に隣接する位置には、液滴吐出ヘッド１０のＸ軸方向へのステップ移動後において１回目の走査時（全体で３回目の走査時）で吐出された液滴「３」が配置されている。同様に、液滴「１」のＸ軸について＋Ｘ側に隣接する位置には、全体で６回目の走査時において吐出された液滴「６」が配置され、一方、中央パターンＷ１を形成する液滴「２」の＋Ｘ側に隣接する位置には、全体で５回目の走査時において吐出された液滴「５」が配置されている。このように、各ラインＷ１、Ｗ２、Ｗ３を形成するに際し、液滴の吐出位置の順序のそれぞれを各ライン毎に異なるように設定してもよい。
【００４６】
更に、図８に示す例のように、中央パターンＷ１を形成するための液滴「１」を配置した後、液滴吐出ヘッド１０をステップ移動し、第１側部パターンＷ２を形成するための液滴「２」を配置し、次いで、液滴吐出ヘッド１０をステップ移動して第２側部パターンＷ２を形成するための液滴「３」を配置するといった順序も可能である。そして、これらを補間するように液滴「４」、「５」、「６」が順次吐出される。このように、中央パターンＷ１を形成した後に側部パターンＷ２、Ｗ３を形成するに際し、例えば中央パターンＷ１を完全に形成してから側部パターンＷ２、Ｗ３を形成せずに、中央パターンＷ１が未完成の状態で側部パターンＷ２、Ｗ３の形成動作を開始してもよい。
【００４７】
図９（ａ）、（ｂ）は、上記第２、第３工程において、中央パターンＷ１の両側部に第１、第２側部パターンＷ２、Ｗ３を形成するための液滴の配置例を示す図である。図９（ａ）の例では、図３を参照して説明した吐出条件（配置条件）と同じ条件で中央パターンＷ１が形成される。一方、第２、第３工程の吐出条件（配置条件）は中央パターンＷ１を形成するための吐出条件と異なっている。具体的には、第１工程に比べて液滴Ｌｎの体積が大きく設定されている。すなわち、一度に吐出される液体材料の量が増加されている。なお、本例では、液滴Ｌｎの配置ピッチは第１工程と同じである。液滴Ｌｎの体積を大きくすることにより膜パターンＷ全体の形成時間を短縮でき、スループット向上を図ることができる。なお、液滴の体積が大きくなるとバルジが発生しやすくなるため、液体材料の材料特性に応じてバルジが生じない液滴体積条件を予め求めておき、この求めた条件に基づいて吐出液滴の最大可能体積を設定すればよい。
【００４８】
図９（ｂ）の例では、第２、第３工程の吐出条件は第１工程に比べて液滴Ｌｎの配置ピッチを狭くしている。なお、液滴Ｌｎの体積は第１工程と同じでもよく、図９（ａ）に示したように第１工程に比べて大きくしてもよい。液滴の配置ピッチを狭くすることにより単位面積あたりの液滴の配置量が増え、短時間でパターン形成が可能となる。
【００４９】
なお、上記実施形態において、導電膜配線用の基板としては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
【００５０】
導電膜配線用の液体材料として、本例では導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液（液状体）が用いられ、これは水性であると油性であるとを問わない。ここで用いられる導電性微粒子は、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の表面にコーティングするコーティング材としては、例えばキシレン、トルエン等の有機溶剤やクエン酸等が挙げられる。
【００５１】
導電性微粒子の粒径は５ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、上記液滴吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、５ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーテイング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００５２】
導電性微粒子を含有する液体の分散媒としては、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇ以上２００ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上２６６００Ｐａ以下）であるものが好ましい。蒸気圧が２００ｍｍＨｇより高い場合には、吐出後に分散媒が急激に蒸発し、良好な膜を形成することが困難となる。また、分散媒の蒸気圧は０．００１ｍｍＨｇ以上５０ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上６６５０Ｐａ以下）であることがより好ましい。蒸気圧が５０ｍｍＨｇより高い場合には、インクジェット法で液滴を吐出する際に乾燥によるノズル詰まりが起こりやすい。一方、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇより低い分散媒の場合、乾燥が遅くて膜中に分散媒が残留しやすくなり、後工程の熱・光処理後に良質の導電膜が得られにくい。
【００５３】
上記分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるものであって凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、またインクジェット法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。これらの分散媒は、単独で使用してもよく、２種以上の混合物として使用してもよい。
【００５４】
上記導電性微粒子を分散媒に分散する場合の分散質濃度は１質量％以上８０質量％以下であり、所望の導電膜の膜厚に応じて調整するとよい。なお、８０質量％を超えると凝集をおこしやすく、均一な膜が得にくい。
【００５５】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。
【００５６】
表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記分散液は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００５７】
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００５８】
＜表面処理工程＞
次に、図１で示した表面処理工程Ｓ２、Ｓ３について説明する。表面処理工程では、導電膜配線を形成する基板の表面を液体材料に対して撥液性に加工する（ステップＳ２）。
具体的には、導電性微粒子を含有した液体材料に対する所定の接触角が、６０［ｄｅｇ］以上、好ましくは９０［ｄｅｇ］以上１１０［ｄｅｇ］以下となるように基板に対して表面処理を施す。表面の撥液性（濡れ性）を制御する方法としては、例えば、基板の表面に自己組織化膜を形成する方法、プラズマ処理法等を採用できる。
【００５９】
自己組織膜形成法では、導電膜配線を形成すべき基板の表面に、有機分子膜などからなる自己組織化膜を形成する。基板表面を処理するための有機分子膜は、基板に結合可能な官能基と、その反対側に親液基あるいは撥液基といった基板の表面性を改質する（表面エネルギーを制御する）官能基と、これらの官能基を結ぶ炭素の直鎖あるいは一部分岐した炭素鎖とを備えており、基板に結合して自己組織化して分子膜、例えば単分子膜を形成する。
【００６０】
ここで、自己組織化膜とは、基板の下地層等の構成原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とからなり、直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を、配向させて形成された膜である。この自己組織化膜は、単分子を配向させて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子レベルで均一な膜となる。すなわち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性や親液性を付与することができる。
【００６１】
上記の高い配向性を有する化合物として、例えばフルオロアルキルシランを用いることにより、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向されて自己組織化膜が形成され、膜の表面に均一な撥液性が付与される。
【００６２】
自己組織化膜を形成する化合物としては、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等のフルオロアルキルシラン（以下「ＦＡＳ」という）を例示できる。これらの化合物は、単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。なお、ＦＡＳを用いることにより、基板との密着性と良好な撥液性とを得ることができる。
【００６３】
ＦＡＳは、一般的に構造式ＲｎＳｉＸ（４−ｎ）で表される。ここでｎは１以上３以下の整数を表し、Ｘはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子などの加水分解基である。またＲはフルオロアルキル基であり、（ＣＦ３）（ＣＦ２）ｘ（ＣＨ２）ｙの（ここでｘは０以上１０以下の整数を、ｙは０以上４以下の整数を表す）構造を持ち、複数個のＲ又はＸがＳｉに結合している場合には、Ｒ又はＸはそれぞれすべて同じでもよく、異なっていてもよい。Ｘで表される加水分解基は加水分解によりシラノールを形成して、基板（ガラス、シリコン）の下地のヒドロキシル基と反応してシロキサン結合で基板と結合する。一方、Ｒは表面に（ＣＦ３）等のフルオロ基を有するため、基板の下地表面を濡れない（表面エネルギーが低い）表面に改質する。
【００６４】
有機分子膜などからなる自己組織化膜は、上記の原料化合物と基板とを同一の密閉容器中に入れておき、室温で２〜３日程度の間放置することにより基板上に形成される。また、密閉容器全体を１００℃に保持することにより、３時間程度で基板上に形成される。これらは気相からの形成法であるが、液相からも自己組織化膜を形成できる。例えば、原料化合物を含む溶液中に基板を浸積し、洗浄、乾燥することで基板上に自己組織化膜が形成される。なお、自己組織化膜を形成する前に、基板表面に紫外光を照射したり、溶媒により洗浄したりして、基板表面の前処理を施すことが望ましい。
【００６５】
ＦＡＳ処理を施した後、所望の撥液性に処理する撥液性低下処理が必要に応じて行われる（ステップＳ３）。すなわち、撥液化処理としてＦＡＳ処理を施した際に、撥液性の作用が強すぎて基板とこの基板上に形成した膜パターンＷとが剥離しやすくなる場合がある。そこで、撥液性を低下（調整）する処理が行われる。撥液性を低下する処理としては波長１７０〜４００ｎｍ程度の紫外線（ＵＶ）照射処理が挙げられる。所定のパワーの紫外線を所定時間だけ基板に照射することで、ＦＡＳ処理された基板の撥液性が低下され、基板は所望の撥液性を有するようになる。あるいは、基板をオゾン雰囲気に曝すことにより基板の撥液性を制御することもできる。
【００６６】
一方、プラズマ処理法では、常圧又は真空中で基板に対してプラズマ照射を行う。プラズマ処理に用いるガス種は、導電膜配線を形成すべき基板の表面材質等を考慮して種々選択できる。処理ガスとしては、例えば、４フッ化メタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロデカン等が例示できる。
【００６７】
なお、基板表面を撥液性に加工する処理は、所望の撥液性を有するフィルム、例えば４フッ化エチレン加工されたポリイミドフィルム等を基板表面に貼着することによっても行ってもよい。また、撥液性の高いポリイミドフィルムをそのまま基板として用いてもよい。
【００６８】
＜中間乾燥工程＞
次に、図１で示した中間乾燥工程Ｓ５について説明する。中間乾燥工程（熱・光処理工程）では、基板上に配置された液滴に含まれる分散媒あるいはコーティング材を除去する。すなわち、基板上に配置された導電膜形成用の液体材料は、微粒子間の電気的接触をよくするために分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。
【００６９】
熱・光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。熱／光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。例えば有機物からなるコーティング材を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行なうことが好ましい。
【００７０】
熱処理には、例えばホットプレート、電気炉等の加熱装置を用いることができる。光処理にはランプアニールを用いることができる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態例では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。上記熱・光処理により微粒子間の電気的接触が確保され、導電膜に変換される。
【００７１】
なお、この際、分散媒の除去だけでなく、分散液を導電膜に変換するまで、加熱や光照射の度合いを高めても差し支えない。ただし、導電膜の変換は、すべての液体材料の配置が終了してから、熱処理・光処理工程においてまとめて行えばよいので、ここでは、分散媒をある程度除去できれば十分である。例えば、熱処理の場合は、通常１００℃程度の加熱を数分行えばよい。また、乾燥処理は液体材料の吐出と並行して同時に進行させることも可能である。例えば、基板を予め加熱しておいたり、液滴吐出ヘッドの冷却とともに沸点の低い分散媒を使用したりすることにより、基板に液滴を配置した直後から、その液滴の乾燥を進行させることができる。
【００７２】
以上説明した一連の工程により、基板上に線状の導電膜パターンが形成される。本例の配線形成方法では、一度に形成可能な線状パターンの線幅に制限がある場合にも、複数の線状パターンを形成しそれを一体化することにより、線状パターンの幅広化を達成できる。そのため、電気伝導に有利で、しかも配線部の断線や短絡等の不具合が生じにくい導電膜パターンを形成できる。
【００７３】
＜パターン形成装置＞
次に、本発明のパターン形成装置の一例について図１０を参照しながら説明する。図１０は本実施形態に係るパターン形成装置の概略斜視図である。図１０に示すように、パターン形成装置１００は、液滴吐出ヘッド１０、液滴吐出ヘッド１０をＸ方向に駆動するためのＸ方向ガイド軸２、Ｘ方向ガイド軸２を回転させるＸ方向駆動モータ３、基板１１を載置するための載置台４、載置台４をＹ方向に駆動するためのＹ方向ガイド軸５、Ｙ方向ガイド軸５を回転させるＹ方向駆動モータ６、クリーニング機構部１４、ヒータ１５、及びこれらを統括的に制御する制御装置８等を備えている。Ｘ方向ガイド軸２及びＹ方向ガイド軸５はそれぞれ、基台７上に固定されている。なお、図１０では、液滴吐出ヘッド１０は、基板１１の進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド１０の角度を調整し、基板１１の進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド１０の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板１１とノズル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。
【００７４】
液滴吐出ヘッド１０は導電性微粒子を含有する分散液からなる液体材料を吐出ノズル（吐出口）から吐出するものであり、Ｘ方向ガイド軸２に固定されている。Ｘ方向駆動モータ３はステッピングモータ等であり、制御装置８からＸ軸方向の駆動パルス信号が供給されると、Ｘ方向ガイド軸２を回転させる。Ｘ方向ガイド軸２の回転により、液滴吐出ヘッド１０が基台７に対してＸ軸方向に移動する。
【００７５】
液滴吐出方式としては、圧電体素子であるピエゾ素子を用いてインクを吐出させるピエゾ方式、液体材料を加熱し発生した泡（バブル）により液体材料を吐出させるバブル方式など、公知の様々な技術を適用できる。このうち、ピエゾ方式は、液体材料に熱を加えないため、材料の組成等に影響を与えないという利点を有する。なお、本例では、液体材料選択の自由度の高さ、及び液滴の制御性の良さの点から上記ピエゾ方式を用いる。
【００７６】
載置台４はＹ方向ガイド軸５に固定され、Ｙ方向ガイド軸５には、Ｙ方向駆動モータ６、１６が接続されている。Ｙ方向駆動モータ６、１６は、ステッピングモータ等であり、制御装置８からＹ軸方向の駆動パルス信号が供給されると、Ｙ方向ガイド軸５を回転させる。Ｙ方向ガイド軸５の回転により、載置台４が基台７に対してＹ軸方向に移動する。クリーニング機構部１４は、液滴吐出ヘッド１０をクリーニングし、ノズルの目詰まりなどを防ぐものである。クリーニング機構部１４は、上記クリーニング時において、Ｙ方向の駆動モータ１６によってＹ方向ガイド軸５に沿って移動する。ヒータ１５は、ランプアニール等の加熱手段を用いて基板１１を熱処理するものであり、基板１１上に吐出された液体の蒸発・乾燥を行うとともに導電膜に変換するための熱処理を行う。
【００７７】
本実施形態のパターン形成装置１００では、液滴吐出ヘッド１０から液体材料を吐出しながら、Ｘ方向駆動モータ３及びＹ方向駆動モータ６を介して基板１１と液滴吐出ヘッド１０とを相対移動することにより基板１１上に液体材料を配置する。液滴吐出ヘッド１０の各ノズルからの液滴の吐出量は制御装置８から前記ピエゾ素子に供給される電圧により制御される。また、基板１１上に配置される液滴のピッチは、上記相対移動の速度、及び液滴吐出ヘッド１０からの吐出周波数（ピエゾ素子への駆動電圧の周波数）によって制御される。また、基板１１上に液滴を開始する位置は、上記相対移動の方向、及び上記相対移動時における液滴吐出ヘッド１０からの液滴の吐出開始のタイミング制御等によって制御される。これにより、基板１１上に上述した配線用の導電膜パターンが形成される。
【００７８】
＜電気光学装置＞
次に、本発明の電気光学装置の一例としてプラズマ型表示装置について説明する。図１１は本実施形態のプラズマ型表示装置５００の分解斜視図を示している。プラズマ型表示装置５００は、互いに対向して配置された基板５０１、５０２、及びこれらの間に形成される放電表示部５１０を含んで構成される。放電表示部５１０は、複数の放電室５１６が集合されたものである。複数の放電室５１６のうち、赤色放電室５１６（Ｒ）、緑色放電室５１６（Ｇ）、青色放電室５１６（Ｂ）の３つの放電室５１６が対になって１画素を構成するように配置されている。
【００７９】
基板５０１の上面には所定の間隔でストライプ状にアドレス電極５１１が形成され、アドレス電極５１１と基板５０１の上面とを覆うように誘電体層５１９が形成されている。誘電体層５１９上には、アドレス電極５１１、５１１間に位置しかつ各アドレス電極５１１に沿うように隔壁５１５が形成されている。隔壁５１５は、アドレス電極５１１の幅方向左右両側に隣接する隔壁と、アドレス電極５１１と直交する方向に延設された隔壁とを含む。また、隔壁５１５によって仕切られた長方形状の領域に対応して放電室５１６が形成されている。また、隔壁５１５によって区画される長方形状の領域の内側には蛍光体５１７が配置されている。蛍光体５１７は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するもので、赤色放電室５１６（Ｒ）の底部には赤色蛍光体５１７（Ｒ）が、緑色放電室５１６（Ｇ）の底部には緑色蛍光体５１７（Ｇ）が、青色放電室５１６（Ｂ）の底部には青色蛍光体５１７（Ｂ）が各々配置されている。
【００８０】
一方、基板５０２には、先のアドレス電極５１１と直交する方向に複数の表示電極５１２がストライプ状に所定の間隔で形成されている。さらに、これらを覆うように誘電体層５１３、及びＭｇＯなどからなる保護膜５１４が形成されている。基板５０１と基板５０２とは、前記アドレス電極５１１…と表示電極５１２…を互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされている。上記アドレス電極５１１と表示電極５１２は図示略の交流電源に接続されている。各電極に通電することにより、放電表示部５１０において蛍光体５１７が励起発光し、カラー表示が可能となる。
【００８１】
本実施形態では、上記アドレス電極５１１、及び表示電極５１２がそれぞれ、先の図１０に示したパターン形成装置を用いて、先の図１〜図９に示したパターンの形成方法に基づいて形成されている。そのため、上記各配線類の断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも、小型化、薄型化を実現しやすい。
【００８２】
次に、本発明の電気光学装置の他の例として液晶装置について説明する。図１２は本実施形態に係る液晶装置の第１基板上の信号電極等の平面レイアウトを示すものである。本実施形態に係る液晶装置は、この第１基板と、走査電極等が設けられた第２基板（図示せず）と、第１基板と第２基板との間に封入された液晶（図示せず）とから概略構成されている。
【００８３】
図１２に示すように、第１基板３００上の画素領域３０３には、複数の信号電極３１０…が多重マトリクス状に設けられている。特に各信号電極３１０…は、各画素に対応して設けられた複数の画素電極部分３１０ａ…とこれらを多重マトリクス状に接続する信号配線部分３１０ｂ…とから構成されており、Ｙ方向に伸延している。また、符号３５０は１チップ構造の液晶駆動回路で、この液晶駆動回路３５０と信号配線部分３１０ｂ…の一端側（図中下側）とが第１引き回し配線３３１…を介して接続されている。また、符号３４０…は上下導通端子で、この上下導通端子３４０…と、図示しない第２基板上に設けられた端子とが上下導通材３４１…によって接続されている。また、上下導通端子３４０…と液晶駆動回路３５０とが第２引き回し配線３３２…を介して接続されている。
【００８４】
本実施形態例では、上記第１基板３００上に設けられた信号配線部分３１０ｂ…、第１引き回し配線３３１…、及び第２引き回し配線３３２…がそれぞれ、先の図１０に示したパターン形成装置を用いて、先の図１〜図９を用いて説明したパターンの形成方法に基づいて形成されている。そのため、上記各配線類の断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも、小型化、薄型化を実現しやすい。また、大型化した液晶用基板の製造に適用した場合においても、配線用材料を効率的に使用することができ、低コスト化が図れる。なお、本発明が適用できるデバイスは、これらの電気光学装置に限られず、例えば導電膜配線が形成される回路基板や、半導体の実装配線等、他のデバイス製造にも適用が可能である。
【００８５】
次いで、本発明の電気光学装置である液晶表示装置の別形態について説明する。
図１３に示す液晶表示装置（電気光学装置）９０１は、大別するとカラーの液晶パネル（電気光学パネル）９０２と、液晶パネル９０２に接続される回路基板９０３とを備えている。また、必要に応じて、バックライト等の照明装置、その他の付帯機器が液晶パネル９０２に付設されている。
【００８６】
液晶パネル９０２は、シール材９０４によって接着された一対の基板９０５ａ及び基板９０５ｂを有し、これらの基板９０５ｂと基板９０５ｂとの間に形成される間隙、いわゆるセルギャップには液晶が封入されている。これらの基板９０５ａ及び基板９０５ｂは、一般には透光性材料、例えばガラス、合成樹脂等によって形成されている。基板９０５ａ及び基板９０５ｂの外側表面には偏光板９０６ａ及び偏光板９０６ｂが貼り付けられている。なお、図１３においては、偏光板９０６ｂの図示を省略している。
【００８７】
また、基板９０５ａの内側表面には電極９０７ａが形成され、基板９０５ｂの内側表面には電極９０７ｂが形成されている。これらの電極９０７ａ、９０７ｂはストライプ状または文字、数字、その他の適宜のパターン状に形成されている。また、これらの電極９０７ａ、９０７ｂは、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物）等の透光性材料によって形成されている。基板９０５ａは、基板９０５ｂに対して張り出した張り出し部を有し、この張り出し部に複数の端子９０８が形成されている。これらの端子９０８は、基板９０５ａ上に電極９０７ａを形成するときに電極９０７ａと同時に形成される。従って、これらの端子９０８は、例えばＩＴＯによって形成されている。これらの端子９０８には、電極９０７ａから一体に延びるもの、及び導電材（不図示）を介して電極９０７ｂに接続されるものが含まれる。
【００８８】
回路基板９０３には、配線基板９０９上の所定位置に液晶駆動用ＩＣとしての半導体素子９００が実装されている。なお、図示は省略しているが、半導体素子９００が実装される部位以外の部位の所定位置には抵抗、コンデンサ、その他のチップ部品が実装されていてもよい。配線基板９０９は、例えばポリイミド等の可撓性を有するベース基板９１１の上に形成されたＣｕ等の金属膜をパターニングして配線パターン９１２を形成することによって製造されている。
【００８９】
本実施形態では、液晶パネル９０２における電極９０７ａ、９０７ｂ及び回路基板９０３における配線パターン９１２が上記デバイス製造方法によって形成されている。
本実施形態の液晶表示装置によれば、電気特性の不均一が解消された高品質の液晶表示装置を得ることができる。
【００９０】
なお、前述した例はパッシブ型の液晶パネルであるが、アクティブマトリクス型の液晶パネルとしてもよい。すなわち、一方の基板に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、各ＴＦＴに対し画素電極を形成する。また、各ＴＦＴに電気的に接続する配線（ゲート配線、ソース配線）を上記のようにインクジェット技術を用いて形成することができる。一方、対向する基板には対向電極等が形成されている。このようなアクティブマトリクス型の液晶パネルにも本発明を適用することができる。
【００９１】
次に、電気光学装置の他の実施形態として、電界放出素子（電気放出素子）を備えた電界放出ディスプレイ（Field Emission Display、以下ＦＥＤと称す。）について説明する。
図１４は、ＦＥＤを説明するための図であって、図１４（ａ）はＦＥＤを構成するカソード基板とアノード基板の配置を示した概略構成図、図１４（ｂ）はＦＥＤのうちカソード基板が具備する駆動回路の模式図、図１４（ｃ）はカソード基板の要部を示した斜視図である。
【００９２】
図１４（ａ）に示すようにＦＥＤ（電気光学装置）２００は、カソード基板２００ａとアノード基板２００ｂとを対向配置された構成となっている。カソード基板２００ａは、図１４（ｂ）に示すようにゲート線２０１と、エミッタ線２０２と、これらゲート線２０１とエミッタ線２０２とに接続された電界放出素子２０３とを具備しており、すなわち、所謂単純マトリクス駆動回路となっている。ゲート線２０１においては、ゲート信号Ｖ１、Ｖ２、…、Ｖｍが供給されるようになっており、エミッタ線２０２においては、エミッタ信号Ｗ１、Ｗ２、…、Ｗｎが供給されるようになっている。また、アノード基板２００ｂは、ＲＧＢからなる蛍光体を備えており、当該蛍光体は電子が当ることにより発光する性質を有する。
【００９３】
図１４（ｃ）に示すように、電界放出素子２０３はエミッタ線２０２に接続されたエミッタ電極２０３ａと、ゲート線２０１に接続されたゲート電極２０３ｂとを備えた構成となっている。さらに、エミッタ電極２０３ａは、エミッタ電極２０３ａ側からゲート電極２０３ｂに向かって小径化するエミッタティップ２０５と呼ばれる突起部を備えており、このエミッタティップ２０５と対応した位置にゲート電極２０３ｂに孔部２０４が形成され、孔部２０４内にエミッタティップ２０５の先端が配置されている。
【００９４】
このようなＦＥＤ２００においては、ゲート線２０１のゲート信号Ｖ１、Ｖ２、…、Ｖｍ、及びエミッタ線２０２のエミッタ信号Ｗ１、Ｗ２、…、Ｗｎを制御することにより、エミッタ電極２０３ａとゲート電極２０３ｂとの間に電圧が供給され、電解の作用によってエミッタティップ２０５から孔部２０４に向かって電子２１０が移動し、エミッタティップ２０５の先端から電子２１０が放出される。ここで、当該電子２１０とアノード基板２００ｂの蛍光体とが当ることにより発光するので、所望にＦＥＤ２００を駆動することが可能になる。
【００９５】
このように構成されたＦＥＤにおいては、例えばエミッタ電極２０３ａやエミッタ線２０２、さらにはゲート電極２０３ｂやゲート線２０１が上記デバイス製造方法によって形成されている。
本実施形態のＦＥＤによれば、電気特性の不均一が解消された高品質のＦＥＤを得ることができる。
【００９６】
＜電子機器＞
次に、本発明の電子機器の例について説明する。図１５は上述した実施形態に係る表示装置を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータ（情報処理装置）の構成を示す斜視図である。同図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、上述した電気光学装置１１０６を備えた表示装置ユニットとから構成されている。このため、発光効率が高く明るい表示部を備えた電子機器を提供することができる。
【００９７】
なお、上述した例に加えて、他の例として、携帯電話、腕時計型電子機器、液晶テレビ、ビューファインダ型やモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、電子ペーパー、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。本発明の電気光学装置は、こうした電子機器の表示部としても適用できる。なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるもの、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【００９８】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明のパターンの形成方法の一実施形態を示すフローチャート図である。
【図２】本発明のパターンの形成方法の一実施形態を示す模式図である。
【図３】本発明のパターンの形成方法の一実施形態を示す模式図である。
【図４】基板上に設定されたビットマップデータに基づいて液滴が配置される様子を示す模式図である。
【図５】基板上に設定されたビットマップデータに基づいて液滴が配置される様子を示す模式図である。
【図６】基板上に設定されたビットマップデータに基づいて液滴が配置される様子を示す模式図である。
【図７】基板上に設定されたビットマップデータに基づいて液滴が配置される様子の他の実施例を示す模式図である。
【図８】基板上に設定されたビットマップデータに基づいて液滴が配置される様子の他の実施例を示す模式図である。
【図９】本発明のパターンの形成方法の他の実施形態を示す模式図である。
【図１０】本発明のパターン形成装置の一実施形態を示す概略斜視図である。
【図１１】本発明の電気光学装置の一実施形態を示す図であってプラズマ型表示装置に適用した例を示す分解斜視図である。
【図１２】本発明の電気光学装置の一実施形態を示す図であって液晶装置に適用した例を示す平面図である。
【図１３】液晶表示装置の別形態を示す図である。
【図１４】ＦＥＤを説明するための図である。
【図１５】本発明の電子機器の一実施形態を示す図である。
【符号の説明】
【０１００】
１０…液滴吐出ヘッド（液滴吐出装置）、１１…基板、
１００…パターン形成装置（液滴吐出装置）、
Ｗ…膜パターン（配線パターン、導電膜配線）、
Ｗ１…中央パターン（中央部）、Ｗ２…第１側部パターン（一方の側部）、
Ｗ３…第２側部パターン（他方の側部）  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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