(57)【要約】【課題】第１に、室数を大幅に削減することができ、多室化傾向が回避され、第２に、もって構造が簡略化され、コスト面やスペース面に優れると共に、第３に、精密な温度制御が実現される、リフロー装置を提案する。【解決手段】このリフロー装置９では、プリコートされたハンダＢを介して電子部品Ｃがマウントされた配線基板Ａを、搬送しつつ熱風を吹き付けて加熱し、もって、電子部品Ｃを配線基板Ａにハンダ付け実装する。そしてハニカムヒーター１３を備えており、ハニカムヒーター１３は、送風用のファン５による空気の流れを整流可能であると共に、通電されて発熱可能、そして通過する空気の流れを熱風化可能となっている。そしてハニカムヒーター１３は、配線基板Ａに熱風を吹き付けると共に、搬送方向Ｅにわたり並列的に分割配設された各単位Ｇの集合体よりなり、各単位Ｇ間で、配線基板Ａを温度勾配をつけつつ加熱する。【選択図】        図１
2004235181.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリコートされたハンダを介して電子部品が外表面にマウントされた配線基板を、搬送しつつ熱風を吹き付けて加熱し、もって溶融された該ハンダにて、該電子部品を該配線基板にハンダ付け実装するリフロー装置であって、ファンとハニカムヒーターとを、有しており、
該ハニカムヒーターは、電気抵抗体である金属箔製のセル壁にて区画形成された、中空柱状の多数のセルの集合体よりなり、ハニカム構造をなしており、送風用の該ファンによる空気の流れを、各該セルを通過させることにより整流可能であると共に、同時に、該セル壁が通電されて発熱可能、そして通過する空気の流れを熱風化可能となっており、
該ハニカムヒーターは、該配線基板に対し熱風を吹き付けると共に、搬送方向にわたり並列的に分割配設された各単位の集合体よりなり、各該単位間で、該配線基板を温度勾配をつけつつ加熱可能となっていること、を特徴とするリフロー装置。
【請求項２】
請求項１に記載したリフロー装置において、該リフロー装置は、少なくとも予備加熱室とリフロー加熱室とを、順に備えており、
該予備加熱室とリフロー加熱室は、それぞれ、該ファンと、コンベヤにて搬送される該配線基板に対向配設された該ハニカムヒーターの各単位とを、備えていること、を特徴とするリフロー装置。
【請求項３】
請求項２に記載したリフロー装置において、該ハニカムヒーターは、該単位間で、電圧値そして発熱量が異なっており、
もって同一室内で、該配線基板を温度勾配をつけつつ加熱することが、可能となっていること、を特徴とするリフロー装置。
【請求項４】
請求項２に記載したリフロー装置において、該ハニカムヒーターは、該単位間で、該セル壁の箔厚，箔幅，箔枚数，箔長さ等の組合せが異なることにより、電気抵抗値そして発熱量が異なっており、
もって同一室内で、該配線基板を温度勾配をつけつつ加熱することが、可能となっていること、を特徴とするリフロー装置。
【請求項５】
請求項２に記載したリフロー装置において、該ハニカムヒーターは、該単位間で、該セルのセル密度が異なることにより、通過する空気の流れの整流度が異なっており、
もって同一室内で、該配線基板を温度勾配をつけつつ加熱することが、可能となっていること、を特徴とするリフロー装置。
【請求項６】
請求項２に記載したリフロー装置において、該ハニカムヒーターは、該単位間で、該配線基板に対する距離が異なっており、
もって同一室内で、該配線基板を温度勾配をつけつつ加熱することが、可能となっていること、を特徴とするリフロー装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リフロー装置に関する。すなわち、配線基板にチップ等の電子部品をハンダ付け実装する、リフロー装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
《技術的背景》
パソコン，その他各種の電子機器に使用される配線基板の製造工程では、配線基板に配線回路パターンが形成され、→所定箇所にハンダがプリコートされて、→電子部品がマウントされた後、→リフロー装置による加熱が実施され、→もって、溶融したハンダにて、電子部品が配線基板にハンダ付け実装される。
そして、用いられるハンダは、以前は、鉛Ｐｂを主成分としたものが主流であったが、最近は、環境への悪影響に鑑み、脱鉛化・鉛フリー化が進み、スズＳｎを主成分とし銀Ａｇや銅Ｃｕを添加したものへと、移行しつつある。
【０００３】
そして、このような最近のハンダは、環境対策面には優れているものの、→高融点ハンダとなり、ハンダ付け温度が高温であり、→マウントされ・実装される電子部品の耐熱温度に近い高温となるため、→精密な温度制御が重要なテーマとなりつつある。
つまり、最近のリフロー装置では、電子部品の耐熱温度ギリギリでハンダ付けが行われており、例えばプラスマイナス０．２度程度の許容範囲で、配線基板の加熱が実施されている。
又、このように高温加熱が実施されるので、最近のリフロー装置は、多室式が主流となっており、予め複数室の予備加熱室で、徐々に加熱して温度を上昇させてから、リフロー加熱室で、ハンダ付け温度で高温加熱することにより、ハンダ付け実装が行われている。
【０００４】
《従来技術》
このように、この種従来例のリフロー装置は、多室化傾向が顕著となっていた。特に予備加熱室の室数を多くすることによって、→配線基板を徐々に加熱して行き、→もって、ハンダ付け温度の上昇に対応して、電子部品が熱的ダメージを受けないようにしていた。→つまり、このような精密な温度制御により、電子部品の急激な加熱、急激な温度上昇を避け、→もって電子部品の変形，破損，溶損等を防止していた。
例えば、図７はこの種従来例のリフロー装置１の側断面説明図であり、このリフロー装置１は、４室の予備加熱室２と、１室のリフロー加熱室３と、１室の冷却室４と、からなっている。
そして、常温で供給された配線基板Ａは、→プリコートされたハンダＢを介し電子部品Ｃがマウントされており、→各予備加熱室２を通過して行くことにより、ハンダ付け温度に向け徐々に温度が上昇される。→そして、リフロー加熱室３において、ハンダ付け温度で加熱されることにより、→溶融したハンダＢにて、電子部品Ｃが配線基板Ａに、ハンダ付け実装されていた。
そして、このようなリフロー装置１の各予備加熱室２，リフロー加熱室３，冷却室４では、それぞれ、ファン５による空気の流れを、→シーズヒーター等のヒーター６を通過させることによって、熱風化してから、→ハニカムコア７を通過させることにより、整流化してから、→搬送される配線基板Ａに、吹き付けていた。
なお、このような熱風加熱方式によらず、遠赤外線加熱方式のリフロー装置１も開発されていたが、熱風加熱方式のものと同様に、複数室の予備加熱室２，リフロー加熱室３，冷却室４を、備えていた。
【０００５】
《先行技術文献情報》
このようなリフロー装置１としては、例えば、次の特許文献１や特許文献２に示されたものが、挙げられる。
【０００６】
【特許文献１】
特公昭６１−３８９８５号公報
【０００７】
【特許文献２】
特開２００２−１９８６７１号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このようなこの種従来例のリフロー装置１にあっては、次の問題が指摘されていた。
第１に、この種従来例のリフロー装置１は、多室化傾向が著しく、室数が一段と増加する傾向にある。すなわち、この種従来例のリフロー装置１では、多数の予備加熱室２，リフロー加熱室３，冷却室４を設けることが、前述した精密な温度制御実現のため、必須的とされていた。
そして、多室化された各室では、それぞれ、温度設定が個別に行われていた。つまり、各室の熱風温度は、それぞれの１室内では均一に設定されると共に、各室相互間では異なるように温度差が設定されており、もって、各室間で配線基板Ａを、温度勾配をつけつつ徐々に加熱していた。
このように、この種従来例のリフロー装置１は、多室化傾向が著しく、例えば、予備加熱室２が、図示の３〜４室程度から６〜７室程度設けられることもあり、室数が多いという問題が指摘されていた。
【０００９】
第２に、もってその分、構造が複雑であり、設備コストや運転コストもかさみ、スペースも取る、という問題が指摘されていた。
すなわち、この種従来例のリフロー装置１は、多数の予備加熱室２，リフロー加熱室３，冷却室４毎に、それぞれ、炉壁８で囲まれた炉室を形成すると共に、内部区画壁，ファン５，ヒーター６，ハニカムコア７等を配設することを要しており、構造が複雑であった。
そしてその分、設備コストがかさむと共に、ファン５やヒーター６の消費電力も大きく、運転コストもかさむ、という問題が指摘されていた。更に、各予備加熱室２が長大化してスペースを取る等、レイアウト上の問題も指摘されていた。
【００１０】
《本発明について》
本発明のリフロー装置は、このような実情に鑑み、上記従来例の課題を解決すべく、なされたものである。
そして本発明は、ハニカムヒーターを採用すると共に、１室毎に各単位に分割配設して、各単位間で、電圧値，電気抵抗値，セル密度，距離等を異なるように設定して、もって配線基板を１室内で、温度勾配をつけつつ加熱するようにしたこと、を特徴とする。
そして本発明は、第１に、室数を削減することができ、第２に、もって構造が簡略化され、コスト面やスペース面に優れると共に、第３に、精密な温度制御が実現される、リフロー装置を提案すること、を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
《請求項について》
このような課題を解決する本発明の技術的手段は、次のとおりである。まず、請求項１については次のとおり。
請求項１のリフロー装置は、プリコートされたハンダを介して電子部品が外表面にマウントされた配線基板を、搬送しつつ熱風を吹き付けて加熱し、もって溶融された該ハンダにて、該電子部品を該配線基板にハンダ付け実装する。そして、ファンとハニカムヒーターとを、有している。
該ハニカムヒーターは、電気抵抗体である金属箔製のセル壁にて区画形成された、中空柱状の多数のセルの集合体よりなり、ハニカム構造をなしており、送風用の該ファンによる空気の流れを、各該セルを通過させることにより整流可能であると共に、同時に、該セル壁が通電されて発熱可能、そして通過する空気の流れを、熱風化可能となっている。
そして該ハニカムヒーターは、該配線基板に対し熱風を吹き付けると共に、搬送方向にわたり並列的に分割配設された各単位の集合体よりなり、各該単位間で、該配線基板を温度勾配をつけつつ加熱可能となっていること、を特徴とする。
【００１２】
請求項２については次のとおり。請求項２のリフロー装置は、請求項１において、少なくとも予備加熱室とリフロー加熱室とを、順に備えている。
そして、該予備加熱室とリフロー加熱室は、それぞれ、該ファンと、コンベヤにて搬送される該配線基板に対向配設された該ハニカムヒーターの各単位とを、備えていること、を特徴とする。。
請求項３については次のとおり。請求項３のリフロー装置は、請求項２において、該ハニカムヒーターは、該単位間で、電圧値そして発熱量が異なっている。もって同一室内で、該配線基板を温度勾配をつけつつ加熱することが、可能となっていること、を特徴とする。
【００１３】
請求項４については次のとおり。請求項４のリフロー装置は、請求項２において、該ハニカムヒーターは、該単位間で、該セル壁の箔厚，箔幅，箔枚数，箔長さ等の組合せが異なることにより、電気抵抗値そして発熱量が異なっている。もって同一室内で、該配線基板を温度勾配をつけつつ加熱することが、可能となっていること、を特徴とする。
請求項５については次のとおり。請求項５のリフロー装置は、請求項２において、該ハニカムヒーターは、該単位間で、該セルのセル密度が異なることにより、通過する空気の流れの整流度が異なっている。もって同一室内で、該配線基板を温度勾配をつけつつ加熱することが、可能となっていること、を特徴とする。
請求項６については次のとおり。請求項６のリフロー装置は、請求項２において、該ハニカムヒーターは、該単位間で、該配線基板に対する距離が異なっている。もって同一室内で、該配線基板を温度勾配をつけつつ加熱することが、可能となっていること、を特徴とする。
【００１４】
《作用について》
本発明は、このようになっているので、次のようになる。
▲１▼配線基板の製造工程では、配線基板に、配線回路パターンが形成された後、→ハンダがプリコートされ、→電子部品がマウントされた後、→リフロー装置に供給される。
▲２▼リフロー装置の予備加熱室やリフロー加熱室では、→ファンにて送風されたもって空気の流れが、ハニカムヒーターを通過することにより、整流されつつ熱風化されて、→搬送される配線基板に吹き付けられる。
▲３▼そこで配線基板は、→まず予備加熱室で、熱風が吹き付けられて加熱され、もって温度が上昇せしめられた後、→リフロー加熱室で、熱風が吹き付けられて加熱されて、電子部品がハンダ付け実装される。
【００１５】
▲４▼さて、このリフロー装置の予備加熱室やリフロー加熱室では、ハニカムヒーターが、それぞれ、搬送方向にわたり各単位に分割配設されており、各単位間で、配線基板を温度勾配をつけつつ加熱する。
▲５▼すなわち、各室のハニカムヒーターは、単位間において、請求項３では、電圧値，発熱量が異なっており、請求項４では、セル壁の箔厚，箔幅，箔枚数，箔長さ等の組合せ、そして電気抵抗値，発熱量が異なっており、請求項５では、セル密度そして整流度が異なり、請求項６では、配線基板への距離が異なっている。これらにより、それぞれ１室内で、配線基板が温度勾配をつけられつつ加熱される。
【００１６】
▲６▼さてそこで、このリフロー装置では、第１に、予備加熱室やリフロー加熱室等の１室内において、ハニカムヒーターの各単位により、配線基板が、温度勾配をつけつつ徐々に加熱される。各室間で温度勾配をつけるのではなく、１室内で温度勾配をつけるので、予備加熱室等の室数が大幅に削減可能となる。
第２に、このように室数が削減されると共に、ハニカムヒーターにて、整流と熱風化が一体化されて実施される。これらにより、構造が簡略化され、消費電力も低減され、スペースも削減される。
第３に、配線基板は、急激に加熱されることなく、温度勾配をつけつつ徐々に加熱される。しかも、ハニカムヒーターにより整流と熱風化が同時に実施され、分割配設された各単位から均一な熱風が吹き付けられるので、配線基板は、温度ムラなく均一に加熱される。これらにより、精密な温度制御が実現される。
【００１７】
【発明の実施の形態】
《図面について》
以下本発明を、図面に示す発明の実施の形態に基づいて、詳細に説明する。図１，図２，図３，図４、図５等は、本発明のリフロー装置の実施の形態の説明に供する。
そして図１は、第１例，第２例の説明に供し、（１）図は、側断面説明図、（２）図は、配線基板の温度勾配のグラフである。図２は、第３例の説明に供し、（１）図は、側断面説明図、（２）図は、平面説明図である。図３は、第４例の説明に供し、側断面説明図である。
図４の（１）図は、室内の正断面説明図、（２）図は、ハニカムヒーターの１例の平面説明図である。図５の（１）図は、平板の平面図、（２）図は、波板の斜視図、（３）図は、ハニカムヒーター他の例の成形途中の斜視図、（４）図は、同成形後の斜視図である。
なお図６は、配線基板の製造工程の説明に供する正面（側面）拡大図であり、（１）図は、プリコートステップを、（２）図は、マウントステップを、（３）図は、リフローステップを示す。
【００１８】
《リフロー装置９について》
まず、図６の正面（側面）拡大図を参照しつつ、配線基板Ａの製造工程について説明する。
プリント配線基板，その他の配線基板Ａの製造工程では、まず、現像，エッチング，剥膜等の各工程を辿ることにより、絶縁材（グリーンシート）よりなる配線基板Ａの外表面（表面・上面や裏面・下面）（図示例では表面・上面のみ）に、配線回路パターンＤ（ランドパターン）が形成される。
それから、配線回路パターンＤが形成された配線基板Ａは、→図６の（１）図に示したように、配線回路パターンＤの所定箇所に、通常はペースト状をなすハンダＢが、塗布等によりプリコートされる。→そして、図６の（２）図に示したように、チップ等の電子部品Ｃが、マウターを使用し、ハンダＢを介して搭載，マウントされる。
しかる後、→図６の（３）図に示したように、配線基板Ａに電子部品Ｃがハンダ付け実装される。すなわち、プリコートされたハンダＢを介して電子部品Ｃが外表面にマウントされた配線基板Ａを、リフロー装置９において搬送しつつ熱風を吹き付けて加熱し、もって溶融されたハンダＢにて、電子部品Ｃを配線基板Ａにハンダ付け実装する。
【００１９】
次に、図１の（１）図，図２の（１）図，図３の側断面説明図を参照しつつ、リフロー装置９について説明する。
リフロー装置９は、少なくとも予備加熱室１０とリフロー加熱室１１とを、順に備えている。図示例では、１室の予備加熱室１０と、１室のリフロー加熱室１１と、１室の冷却室１２とを、順に備えている。
まず予備加熱室１０では、常温で供給された配線基板Ａが、リフロー加熱室１１での加熱に向け下準備のため、徐々に温度が上昇せしめられる。なお前述したように、ハンダＢの脱鉛化・鉛フリー化が進み、スズＳｎを主成分とした高融点ハンダが多用されつつあることに鑑み、予備加熱室１０も、図示例の１室によらず複数室設けるようにしてもよい。
これに対しリフロー加熱室１１は、図示例のように、通常は１室からなる。冷却室１２は、図示例では１室よりなっているが、これによらず、複数室設けるようにしてもよい。
なお図示例によらず、予備加熱室１０や冷却室１２を設けず、リフロー加熱室１１のみからなる、最も単純な構成のリフロー装置９も考えられる。この場合は、リフロー加熱室１１の長さが長くなるので、複数室のリフロー加熱室１１とすることも考えられる。
【００２０】
そして、このようなリフロー装置９の予備加熱室１０，リフロー加熱室１１，冷却室１２は、それぞれ、炉壁８にて囲まれた炉室内に、空気を室内で対流，循環させるファン５と、空気の整流用兼熱風化用のハニカムヒーター１３とを、備えている。なお室内の空気を、窒素等の不活性雰囲気としておく場合もある。
ハニカムヒーター１３は、ファン５と，ベルトコンベヤ等のコンベヤ１４にて搬送される配線基板Ａとの間に、それぞれ若干の上下間隔を存しつつ介装され、もって配線基板Ａに対向配設されている。
なお、冷却室１２については、ハニカムヒーター１３が配設されないこともあるが、急激な冷却による熱的ダメージ発生が懸念される電子部品Ｃが実装される場合には、図示例のようにハニカムヒーター１３が必須的に配設され、配線基板Ａを加熱しつつ徐々に冷却する。図中１５は、ファン５のモータであり、Ｅは、コンベヤ１４による配線基板Ａの搬送方向を示す。
【００２１】
リフロー装置９は、このように、ファン５やハニカムヒーター１３を備えた、予備加熱室１０，リフロー加熱室１１，冷却室１２を備えている。
更に、図４の（１）図の室内の正断面説明図により説明すると、このリフロー装置９、つまり図示例の予備加熱室１０，リフロー加熱室１１，冷却室１２では、ファン５としてプロペラファンが用いられ、炉壁８の頂面下に、上下間隔を存しつつ配設されている。
内部区画壁１６と炉壁８間には、上下で開口した循環路１７が形成されており、下位の配線基板Ａ付近から上位のファン５付近へと、空気が循環供給される。→そしてファン５は、上側からの空気を、内部区画壁１６にてガイドされつつ、下位のハニカムヒーター１３へと送り込む。→ハニカムヒーター１３は、送り込まれた空気の流れを、整流すると共に熱風化して、配線基板Ａ上に吹き付ける。→もって配線基板Ａは、熱風にて加熱されて、表面・上面にマウントされた電子部品Ｃが、ハンダ付け実装される。
【００２２】
更に、リフロー装置９の予備加熱室１０，リフロー加熱室１１，冷却室１２は、このような図示例によらず、その他各種構成のものが考えられる。
例えば、表面・上面に電子部品Ｃがマウントされた配線基板Ａの上下両側に、それぞれファン５とハニカムヒーター１３が配設されることもあり（両側加熱方式）、配線基板Ａの裏面・下面（電子部品Ｃの実装例ではなく非実装例）側のみに、ファン５とハニカムヒーター１３が配設されることもある（非実装側加熱方式）。ファン５として、シロッコファンが使用されることもある。
リフロー装置９は、概略このようになっている。
【００２３】
《ハニカムヒーター１３について》
次に、図４の（２）図の平面説明図，図５の（１）図の平面図，図５の（２）図，（３）図，（４）図の斜視図等を参照しつつ、ハニカムヒーター１３について説明する。
このリフロー装置９、その予備加熱室１０，リフロー加熱室１１，冷却室１２では、ハニカムヒーター１３が採用されている。そしてハニカムヒーター１３は、電気抵抗体である金属箔製のセル壁１８にて区画形成された、軸方向Ｆの多数の中空柱状のセル１９の集合体よりなり、ハニカム構造をなす。
そしてハニカムヒーター１３は、送風用のファン５による空気の流れを、各セル１９を通過させることにより整流可能であると共に、同時に、セル壁１８が通電されて発熱可能、そして通過する空気の流れを熱風化可能となっている。
【００２４】
このようなハニカムヒーター１３について、更に詳述する。図示例のリフロー装置９用のハニカムヒーター１３は、中心電極２０と、中心電極２０の周りに巻き付けられた電気抵抗体製の平板２１や波板２２と、全体の外周を覆う外筒電極２３と、平板２１や波板２２の層間を電気的に絶縁するセラミックス製の絶縁皮膜２４と、を有している。通常は、中心電極２０が陽極、外筒電極２３が陰極とされるが、その逆も可能である。
そして、平板２１と波板２２は、ステンレスその他の金属箔製よりなり、中心電極２０を巻芯として、その周りに交互に位置するように多層・多重に重ね合わせつつ巻き付けられ、もってセル壁１８となって、中空柱状の多数の空間たるセル１９を、軸方向Ｆに区画形成している。図示例のセル１９は、三角波状の波板２２が用いられるので、断面略三角形状をなす。
このようにして、中心電極２０に巻き付けられた平板２１と波板２２をセル壁１８として、ハニカム構造のハニカムヒーター１３が形成され、その外周が外筒電極２３にて覆われている。もって、このハニカムヒーター１３は、巻かれた平板２１や波板２２の全長を電気抵抗体とする、発熱体を形成し、巻き付け方向に通電されることにより、発熱可能となっている。
【００２５】
なお、図５の例のハニカムヒーター１３は、丸棒状の中心電極２０が用いられ、もって全体が円柱状のハニカム構造をなす。又、図４の（２）図の例のハニカムヒーター１３は、板状の中心電極２０を用いられ、もって全体が断面長方形状の柱状をなす、ハニカム構造よりなる。
更に、断面正方形の角棒状の中心電極２０が用いられ、もって全体が断面正方形の角柱状をなすハニカムヒーター１３や、板状の中心電極２０が用いられ、全体が断面ラウンドトラック形の柱状をなすハニカムヒーター１３等々も、考えられる。
更に、このようなハニカムヒーター１３は、平板２１や波板２２を巻き付けることにより、ハニカム構造に成形されていたが、このようなコルゲート方式によらず、いわゆる展張方式のものも使用可能である。すなわち、金属箔に条線状に接着剤を塗布した後、半ピッチずつずれた位置関係で重積，接着してから、重積方向に展張することにより、ハニカム構造として成形されたものも、ハニカムヒーター１３として使用可能である。
さて、このようなハニカムヒーター１３が、リフロー装置９において、その軸方向Ｆを配線基板Ａに対し直角に向けて、配設されている（図１の（１）図，図２の（１）図，図３，図４の（１）図等を参照）。
ハニカムヒーター１３は、概略このようになっている。
【００２６】
《温度勾配をつけた加熱について》
次に、図１，図２，図３，図４の（２）図を参照しつつ、ハニカムヒーター１３の単位Ｇによる、温度勾配をつけた加熱について説明する。
このリフロー装置９においてハニカムヒーター１３は、配線基板Ａに対し熱風を吹き付けると共に、前後の搬送方向Ｅにわたり並列的に分割配設された各単位Ｇの集合体よりなり、各単位Ｇ間で、配線基板Ａを温度勾配をつけつつ加熱可能となっている。
これらについて、更に詳述する。まずこのハニカムヒーター１３は、小型のものを１単位Ｇとし、予備加熱室１０，リフロー加熱室１１，冷却室１２等の１室について、複数個の各単位Ｇの集合体を分割配設してなる。
そして、このような各単位Ｇのハニカムヒーター１３が、配線基板Ａの搬送方向Ｅにわたり並列的に、相互間に大きな隙間が生じないように、隣接して並べられている。更に、図示例では（図４の（２）図を参照）、搬送方向Ｅと直角の左右の幅方向Ｈには、分割・区画されることなく配設されている。
なお、このように配設されるハニカムヒーター１３の各単位Ｇとしては、前述した図４の（２）図等に示したもの、つまり、全体が断面長方形状や断面ラウンドトラック形の柱状をなすものが最適である。
【００２７】
次に、このハニカムヒーター１３は、各単位Ｇ間で、温度勾配・温度傾斜をつけつつ、配線基板Ａを加熱可能となっている。
すなわち、リフロー装置９つまり予備加熱室１０，リフロー加熱室１１，冷却室１２等において、各室毎に各室内で、ハニカムヒーター１３の各単位Ｇは、配線基板Ａを温度勾配をつけて加熱する。そして、このように温度勾配をつける方式としては、次に述べるように、各種の例が考えられる。
このハニカムヒーター１３では、このように、温度勾配をつけた加熱が行われる。
【００２８】
《その第１例について》
まず、図１の第１例について述べる。この第１例のハニカムヒーター１３は、単位Ｇ間で、電圧値そして発熱量が異なっており、もって同一室内で、配線基板Ａを温度勾配をつけつつ加熱することが、可能となっている。
すなわち、この第１例のハニカムヒーター１３は、各単位Ｇへの電圧値を、すべて同一とせず適宜変更設定することにより、つまり各単位Ｇを形成する電気抵抗体製のセル壁１８への印加電圧を、変更設定することにより、各単位Ｇにおけるジュール熱による抵抗発熱の発熱量が、異なっている。
【００２９】
例えば、配線基板Ａの昇温域（図１の（２）図の上昇傾斜域を参照）では、配線基板Ａの温度を所定の速度で昇温させるため、対応する単位Ｇに対し、より高電圧が印加されるように設定されており、その単位Ｇの発熱量がより大となっている。これに対し、安定域（図１の（２）図の水平域を参照）では、対応する単位Ｇに対し、より低電圧が印加されるように設定されており、その発熱量がより小となっている。
このように、第１例のハニカムヒーター１３では、各単位Ｇへの通電配線に適宜、変圧器が介装されており、もって各単位Ｇは、上述した発熱量に対応した熱風を、配線基板Ａに吹き付ける。もって配線基板Ａは、温度勾配をつけられつつ加熱される。
なお、この第１例において、ハニカムヒーター１３の各単位Ｇに関し、電気抵抗値，セル密度，配線基板Ａへの距離等は、すべて同一に設定されている。
第１例は、このようになっている。
【００３０】
《その第２例について》
次に、第２例について、上述した第１例と同じ図１を参照して述べる。この第２例のハニカムヒーター１３は、単位Ｇ間で、セル壁１８の箔厚，箔幅，箔枚数，箔長さ等の組合せが異なることにより、電気抵抗値そして発熱量が異なっており、もって同一室内で、配線基板Ａを温度勾配をつけけつつ加熱することが、可能となっている。
すなわち、この第２例のハニカムヒーター１３は、各単位Ｇのセル壁１８の電気抵抗値を、すべて同一とせず適宜変えることにより、つまり各単位Ｇを形成する電気抵抗体製のセル壁１８の電気抵抗値を、変更設定することにより、各単位Ｇにおけるジュール熱の発熱量が、異なっている。
【００３１】
例えば、配線基板Ａの昇温域（図１の（２）図の上昇傾斜域を参照）では、配線基板Ａの温度を所定の速度で上昇させるため、対応する単位Ｇは、電気抵抗値がより小に設定されており、その単位Ｇの電流値がより大で、発熱量がより大となる。
これに対し、安定域（図１の（２）図の水平域を参照）では、対応する単位Ｇは、電気抵抗値がより大に設定されており、その単位Ｇの電流値がより小で、発熱量がより小となる。
このように、第２例のハニカムヒーター１３では、各単位Ｇの電気抵抗値がすべて同一ではなく、もって各単位Ｇは、上述した発熱量に対応した熱風を、配線基板Ａに対し吹き付ける。もって配線基板Ａは、温度勾配をつけられつつ加熱される。
【００３２】
なお、このような各単位Ｇの異なる電気抵抗値は、電気抵抗体たるそのセル壁１８の箔厚，箔幅，箔枚数，箔長さ等について、そのいずれか、又はそのいくつか、又はそのすべてを変えることによって、変更設定される。
すなわち電気抵抗値は、電気抵抗体たるセル壁１８の長さに比例し、断面積に反比例する。そこで、セル壁１８の箔厚，箔幅，箔枚数（層として束ねられる場合）等により、例えば図４の（２）図や図５の例では、平板２１や波板２２の箔厚，箔幅，箔枚数（層として束ねられる場合）等により、電気抵抗体としての断面積が調整される。これに対し、セル壁１８の箔長さにより、例えば図４の（２）図や図５の例では、平板２１や波板２２の全長、つまり巻き始めから巻き終わりまでの長さにより、電気抵抗体としての長さが調整される。
そこで、このようなセル壁１８の断面積や長さの調整，選択により、電気抵抗体として、具体的に必要な電気抵抗値が設定される。
なお、この第２例において、ハニカムヒーター１３の各単位Ｇに関し、電圧値，セル密度，配線基板Ａへの距離等は、すべて同一に設定されている。
第２例は、このようになっている。
【００３３】
《第３例について》
次に、図２の第３例について述べる。この第３例のハニカムヒーター１３は、単位Ｇ間で、セル１９のセル密度が異なることにより、通過する空気の流れの整流度が異なっており、もって同一室内で、配線基板Ａを温度勾配をつけつつ加熱することが、可能となっている。
すなわち、この第３例のハニカムヒーター１３は、各単位Ｇを形成するセル１９のセル密度を、すべて同一とせず、適宜粗密に変更設定することにより、通過する空気の整流度が異なっている。
【００３４】
例えば、配線基板Ａの昇温域（図１の（２）図の上昇傾斜域を参照）では、配線基板Ａの温度を所定の速度で上昇させるため、対応する単位Ｇは、そのセル１９のセル密度が比較的荒く・粗に設定されており、（図４の（２）図や図５の例では、波のピッチと高さが大きい波板２２が用いられており）、もって、通過する空気の流速が早くなり、加熱効率が高められており、配線基板Ａへの加熱効率も向上する。
これに対し、安定域（図１の（２）図の水平域を参照）では、対応する単位Ｇは、そのセル１９のセル密度が比較的細かく・密に設定されており、（図４の（２）図や図５の例では、波のピッチと高さが小さい波板２２が用いられており）、もって、通過する空気の流速や加熱効率が低下する反面、整流効果が高められており、配線基板Ａが均一に加熱されるようになる。
つまり各単位Ｇは、セル密度の粗密により、加熱効率（温度）か均一加熱かのいずれか一方に、より優れるようになる。
このように、第３例のハニカムヒーター１３では、各単位Ｇのセル壁１８にて形成されたセル１９のセル密度が、すべて同一ではなく、もって各単位Ｇは、配線基板Ａを温度勾配をつけつつ加熱する。
なお、この第３例において、ハニカムヒーター１３の各単位Ｇに関し、電圧値，電気抵抗値，配線基板Ａへの距離等は、すべて同一に設定されている。
第３例は、このようになっている。
【００３５】
《第４例について》
次に、図３の第４例について述べる。この第４例のハニカムヒーター１３は、単位Ｇ間で、配線基板Ａに対する距離が異なっており、もって同一室内で、配線基板Ａを温度勾配をつけつつ加熱することが、可能となっている。
すなわち、この第４例のハニカムヒーター１３は、各単位Ｇの配線基板Ａに対する距離を、すべて同一とはせず遠近に変更設定することにより、配線基板Ａを、温度勾配をつけつつ加熱するようになっている。
【００３６】
例えば、配線基板Ａの昇温域（図１の（２）図の上昇傾斜域を参照）では、配線基板Ａの温度を所定の速度で上昇させるため、対応する単位Ｇは、配線基板Ａに接近して配設されている。もって、配線基板Ａの加熱効率が高められている。これに対し、安定域（図１の（２）図の水平域を参照）では、対応する単位Ｇは、配線基板Ａから離隔して配設されている。これにより、配線基板Ａの加熱効率よりも、熱的ダメージを受けやすい電子部品Ｃの保護、つまりその急激な加熱を回避するための緩衝域としての機能発揮が、期待されている。
つまり各単位Ｇは、距離の遠近により、配線基板Ａの加熱効率（温度）か電子部品Ｃ保護かのいずれか一方に、より優れるようになる。
このように、第４例のハニカムヒーター１３では、各単位Ｇの配線基板Ａの遠近により、配線基板Ａが、温度勾配をつけつつ加熱される。
なお、この第４例において、ハニカムヒーター１３の各単位Ｇに関し、電圧値，電気抵抗値，セル密度等は、すべて同一に設定されている。
第４例は、このようになっている。
【００３７】
《その他》
なお、このような第１例，第２例，第３例，第４例について、そのいくつか又はすべてをミックスした例も、可能である。
すなわち、１室のハニカムヒーター１３の各単位Ｇについて、電圧値，電気抵抗値，セル密度，配線基板Ａとの距離等について、例えば、そのいくつかを異なるように組み合わせて設定することにより、１室内で、配線基板Ａを温度勾配をつけつつ加熱することも、可能である。
このような例も、可能である。
【００３８】
《作用等について》
本発明のリフロー装置９は、以上説明したように構成されている。そこで、以下のようになる。
▲１▼配線基板Ａの製造工程では、配線基板Ａについて、外表面に配線回路パターンＤが形成された後、→その所定箇所に、ハンダＢが塗布等によりプリコートされ、→チップ等の電子部品Ｃが、その上に載せられマウントされた後、→このような配線基板Ａが、リフロー装置９に供給される（図６の（１）図，（２）図を参照）。
▲２▼リフロー装置９は、予備加熱室１０，リフロー加熱室１１，冷却室１２を、順に備えており、→予備加熱室１０，リフロー加熱室１１，冷却室１２は、それぞれ、コンベヤ１４とファン５とハニカムヒーター１３とを、有している。→そして、予備加熱室１０，リフロー加熱室１１，冷却室１２では、ファン５にて送風された空気の流れが、→まずハニカムヒーター１３を通過する。
【００３９】
▲３▼→ハニカムヒーター１３は、電気抵抗体である金属箔製のセル壁１８にて、多数のセル１９が軸方向Ｆに区画形成された、ハニカム構造をなしている（図４の（２）図や図５の（４）図を参照）。→そこでハニカムヒーター１３は、各セル１９を通過する空気の流れを、まず、乱流等が無く全体的に均一に整流する共に、同時に、通電により発熱して熱風化する（図４の（１）図を参照）。
→そしてハニカムヒーター１３は、コンベヤ１４にて搬送される配線基板Ａに対して、対向配設されており、このような熱風を、配線基板Ａに直接吹き付ける（図４の（１）図を参照）。
▲４▼そこで、→供給された配線基板Ａは、まず予備加熱室１０において、熱風が吹き付けられて加熱されることにより、→常温から徐々に温度が上昇せしめられた後、→リフロー加熱室１１において、熱風が吹き付けられて加熱されることより、→ハンダＢが溶融され、もって電子部品Ｃが、配線基板Ａにハンダ付け実装される（図６の（３）図を参照）。→そして、電子部品Ｃが実装された配線基板Ａは、事後、冷却室１２にて冷却される。
【００４０】
▲５▼さて、本発明のリフロー装置９、つまりその予備加熱室１０やリフロー加熱室１１において、ハニカムヒーター１３は、それぞれ、前後の搬送方向Ｅにわたり並列的に分割配設された、各単位Ｇの集合体よりなる（図１の（１）図，図２の（１）図，（２）図，図３，図４の（２）図等を参照）。
そしてハニカムヒーター１３は、このように各室において、各単位Ｇに分割配設されると共に、各単位Ｇ間で配線基板Ａを、温度勾配をつけつつ加熱可能となっている。
▲６▼すなわち、各室のハニカムヒーター１３は、図１の第１例では、単位Ｇ間で、セル壁１８への電圧値そして発熱量が異なっている。図１の第２例では、単位Ｇ間で、セル壁１８の箔厚，箔幅，箔枚数，箔長さ等の組合せが異なることにより、電気抵抗値そして発熱量が異なっている。図２の第３例では、単位Ｇ間で、セル１９のセル密度が異なることにより、通過する空気の流れの整流度が異なっている。図２の第４例では、単位Ｇ間で、配線基板Ａに対する距離が異なっている。
これらにより、各室のハニカムヒーター１３は、それぞれ、１室の同一室内において、配線基板Ａを温度勾配をつけつつ加熱する。
【００４１】
▲７▼さてそこで、このリフロー装置９にあっては、次の第１、第２、第３のようになる。
第１に、このリフロー装置９では、予備加熱室１０やリフロー加熱室１１等の１室内において、それぞれ、分割配設されたハニカムヒーター１３の各単位Ｇにより、配線基板Ａを、温度勾配・温度傾斜をつけつつ徐々に加熱する。
すなわち、各室間で、個別に温度設定することにより、各室間で、配線基板Ａを温度勾配をつけつつ徐々に加熱するのではなく（図７のこの種従来例を参照）、１室内で、各単位Ｇの電圧値，電気抵抗値，セル密度，配線基板Ａとの距離等を、異なるように設定することにより、１室内で、配線基板Ａを温度勾配をつけつつ徐々に加熱する。
そこで、このリフロー装置９は、室数を大幅に削減可能となる。例えば予備加熱室１０を、図示例のように、３室以下の１室程度に削減することが可能となり、更に、予備加熱室１０やリフロー加熱室１１更には冷却室１２をも、一体化して１室とすることさえ可能となる。
【００４２】
第２に、このリフロー装置９では、このように、室数を大幅に削減可能となる。これと共に、ハニカムヒーター１３を採用したことにより、整流と熱風化とが、（図７のこの種従来例のように、ハニカムコア７とヒーター６に分けることなく）一体化され、同時に実施される。
これらにより、このリフロー装置９は、その分、構造が簡略化され、消費電力も低減され、スペースも削減されコンパクト化される。
【００４３】
第３に、このリフロー装置９では、配線基板Ａが、温度勾配をつけつつ徐々に加熱されるので、マウントされた電子部品Ｃが、急激に加熱されることはなく、急激に温度変化せしめられることは確実に防止される。
しかも、このリフロー装置９では、ハニカムヒーター１３を採用したことにより、整流と熱風化が同時に実施され、空気の流れが熱風化されつつ整流されるので、温度が全体的に均一な熱風が、搬送方向Ｅに隙間なく並列的に分割配設されたハニカムヒーター１３の各単位Ｇから、配線基板Ａに吹き付けられる。そこで配線基板Ａは、温度分布が不均一となることなく、温度ムラなく、全体的に均一に加熱される。
これらにより、このリフロー装置９では、精密な温度制御が実現される。そこで、脱鉛化が進み高融点ハンダが使用されて、電子部品Ｃの耐熱温度近くでハンダＢ付けがなされても、電子部品Ｃが熱的ダメージを受けることはなく、電子部品Ｃの変形，破損，溶損等の発生は防止される。
【００４４】
【発明の効果】
《本発明の特徴》
本発明に係るリフロー装置は、以上説明したように、ハニカムヒーターを採用すると共に、１室毎に各単位に分割配設して、各単位間で、電圧値，電気抵抗値，セル密度，距離等を異なるように設定し、もって１室内で配線基板を、温度勾配をつけつつ加熱するようにしたこと、を特徴とする。
そこで、本発明のリフロー装置は、次の効果を発揮する。
【００４５】
《第１の効果》
第１に、室数を削減することができる。すなわち、本発明のリフロー装置では、１室内で、ハニカムヒーターの各単位により、配線基板を温度勾配をつけつつ、徐々に加熱して行く。前述したこの種従来例のリフロー装置のように、各室間で温度勾配をつけつつ加熱して行くのではなく、１室内で、温度勾配を設けて加熱する。
そこでその分、室数を削減することができ、この種従来例のリフロー装置で指摘されていた予備加熱室等の多室化傾向を回避し、予備加熱室等の室数を大幅に削減可能となる。
【００４６】
《第２の効果》
第２に、もって構造が簡略化されると共に、コスト面やスペース面にも優れている。
すなわち本発明のリフロー装置は、上述したように室数を削減することができるので、ハニカムヒーターの採用により整流と温風化が一体化実施されることも合いまって、前述したこの種従来例のリフロー装置に比べ、構造が大幅に簡略化される。
もって、本発明のリフロー装置は、その分、設備コストが軽減されると共に、消費電力も低減される等、運転コスト面にも優れている。更に、コンパクト化によりスペース面にも優れており、長大化も回避され、レイアウトの自由度が向上する。
【００４７】
《第３の効果》
第３に、そして精密な温度制御が実現される。すなわち上述したように、本発明のリフロー装置は、１室内で温度勾配をつけつつ、配線基板を徐々に加熱して行く。又、ハニカムヒーターの採用により、整流化と温風化が一体化して同時に実現されるので、温度ムラがなく均一な加熱が行われることも合いまって、精密な温度制御が実現される。
もって、電子部品の変形，破損，溶損等の発生は、確実に防止されるようになる。
このように、この種従来例に存した課題がすべて解決される等、本発明の発揮する効果は、顕著にして大なるものがある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るリフロー装置について、発明の実施の形態の第１例，第２例の説明に供し、（１）図は、側断面説明図、（２）図は、配線基板の温度勾配のグラフである。
【図２】同発明の実施の形態の第３例の説明に供し、（１）図は、側断面説明図、（２）図は、平面説明図である。
【図３】同発明の実施の形態の第４例の説明に供し、側断面説明図である。
【図４】同発明の実施の形態の説明に供し、（１）図は、室内の正断面説明図、（２）図は、ハニカムヒーター等の１例の平面説明図である。
【図５】同発明の実施の形態の説明に供し、（１）図は、平板の平面図、（２）図は、波板の斜視図、（３）図は、ハニカムヒーター他の例の成形途中の斜視図、（４）図は、同成形後の斜視図である。
【図６】配線基板の製造工程の説明に供する正面（側面）拡大図であり、（１）図は、プリコートステップを、（２）図は、マウントステップを、（３）図は、リフローステップを示す。
【図７】この種従来例のリフロー装置の説明に供し、側断面説明図である。
【符号の説明】
５  ファン
９  リフロー装置
１０  予備加熱室
１１  リフロー加熱室
１３  ハニカムヒーター
１４  コンベヤ
１８  セル壁
１９  セル
Ａ  配線基板
Ｂ  ハンダ
Ｃ  電子部品
Ｅ  搬送方向
Ｇ  単位
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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