(57)【要約】【課題】電気的な性能を低下することなく小型化を図る。【解決手段】一方の面に三角形状のマイクロストリップ導体３、５を形成すると共に、他方の面に接地導体４、６を形成した第一及び第二の基板１、２と、一方の面に第一の導体線路８と第二の導体線路９とを形成すると共に、他方の面に接地導体１０を形成した第三の基板７とを備え、第一の基板１と第二の基板２とを互いの接地導体４、６を対向した状態で重ね合わせると共に各マイクロストリップ導体３、５の各一辺を第三の基板７の面と平行にした状態で第三の基板７の一方の面上に立設し、一方のマイクロストリップ導体３の一辺に対向する頂点を第一の導体線路８に接続すると共に、他方のマイクロストリップ導体５の一辺に対向する頂点を第二の導体線路９に接続し、二つの接地導体４、６を第三の基板７の接地導体１０に接続した。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に三角形状の第一のマイクロストリップ導体を形成すると共に、他方の面に接地導体を形成した第一の基板と、一方の面に三角形状の第二のマイクロストリップ導体を形成すると共に、他方の面に接地導体を形成した第二の基板と、一方の面に第一の導体線路と第二の導体線路とを形成すると共に、他方の面に接地導体を形成した第三の基板とを備え、前記第一の基板と前記第二の基板とを互いの接地導体を対向した状態で重ね合わせると共に前記各マイクロストリップ導体の各一辺を前記第三の基板の面と平行にした状態で前記第三の基板の一方の面上に立設し、前記第一のマイクロストリップ導体の一辺に対向する頂点を前記第一の導体線路に接続すると共に、前記第二のマイクロストリップ導体の一辺に対向する頂点を前記第二の導体線路に接続し、前記第一及び第二の接地導体を前記第三の基板の接地導体に接続したことを特徴とするバンドパスフィルタ。
【請求項２】
前記第一及び第二の基板は各マイクロストリップ導体の一辺に沿った端面を有し、前記二つの端面上に第四の基板を載置し、前記第四の基板上に前記各マイクロストリップ導体を互いに結合するための結合導体を形成したことを特徴とする請求項１に記載のバンドパスフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロストリップ導体によって構成したバンドパスフィルタに関し、さらに詳しくは三角形状のマイクロストリップ導体を用いたバンドパスフィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、三角形状のマイクロストリップ導体を用いたバンドパスフィルタ（シンバル型バンドパスフィルタと呼ばれる場合もある）が研究されている。
図６はこのようなシンバル型のバンドパスフィルタの従来の構成を示し、基板３１の上面に二つの三角形状のマイクロストリップ導体３２、３３が形成される。第一のマイクロストリップ導体３２と第二のマイクロストリップ導体３３とは同じ大きさの二等辺三角形状をなし、各一辺（底辺とする）が平行に対向して配置される。その間隔や大きさによって通過中心周波数や帯域幅及び損失やスカート特性等が決定される。例えば、通過中心周波数が２５ＧＨｚとする場合は底辺の長さＷが約４．７７ｍｍ、第一のマイクロストリップ導体３２と第二のマイクロストリップ導体３３との間隔Ｇが０．１５ｍｍ、底辺に対する頂点の高さＫが０．６ｍｍとなる。また、基板３１の厚さＨは０．２５ｍｍである。
【０００３】
また、基板３１上には第一のマイクロストリップ導体３２の頂点に接続された第一の導体線路３４と第二のマイクロストリップ導体３３の頂点に接続された第二の導体線路３５とが形成される。また、基板３２の裏面には接地導体（図示せず）が形成される。各導体線路３４、３５は例えば５０オームの特性インピーダンスを有する。これらの導体線路３４、３５は一方が信号入力用となり、他方が信号出力用となる（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００４】
【非特許文献１】
ＩＥＥＥ　ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ　ＯＮ　ＭＩＣＲＯＷＡＶＥ　ＴＨＥＯＲＹ　ＡＮＤ　ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳ、ＶＯＬ．５０．ＮＯ．５　ＭＡＹ　２００２　Ｐ．１４３１−１４３２
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記構成では、底辺に対向する各頂点がバンドパスフィルタの実質的な入力端及び出力端となるが、入力端と出力端との間隔は約１．３５ｍｍ程になる。近年の高周波機器の小型化に対応する為にはこの間隔といえども大きすぎて障害となる。また、各マイクロストリップ導体の形状そのものを小さくすることは新たな性能上の問題を誘起する。
【０００６】
本発明は、電気的な性能を低下することなく小型化を図ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する手段として、一方の面に三角形状の第一のマイクロストリップ導体を形成すると共に、他方の面に接地導体を形成した第一の基板と、一方の面に三角形状の第二のマイクロストリップ導体を形成すると共に、他方の面に接地導体を形成した第二の基板と、一方の面に第一の導体線路と第二の導体線路とを形成すると共に、他方の面に接地導体を形成した第三の基板とを備え、前記第一の基板と前記第二の基板とを互いの接地導体を対向した状態で重ね合わせると共に前記各マイクロストリップ導体の各一辺を前記第三の基板の面と平行にした状態で前記第三の基板の一方の面上に立設し、前記第一のマイクロストリップ導体の一辺に対向する頂点を前記第一の導体線路に接続すると共に、前記第二のマイクロストリップ導体の一辺に対向する頂点を前記第二の導体線路に接続し、前記第一及び第二の接地導体を前記第三の基板の接地導体に接続した。
【０００８】
また、前記第一及び第二の基板は各マイクロストリップ導体の一辺に沿った端面を有し、前記二つの端面上に第四の基板を載置し、前記第四の基板上に前記各マイクロストリップ導体を互いに結合するための結合導体を形成した。
【０００９】
【発明の実施の形態】
図１乃至図５に従って本発明のバンドパスフィルタを説明する。図１は第一の実施形態の斜視図、図２はその正面図、図３は側面図である。また、図４は第二の実施形態の斜視図、図５はその側面図である。
【００１０】
図１乃至図３において、第一の基板１と第二の基板２とは同じ大きさで方形をなし、その板厚Ｈは０．２５ｍｍである、第一の基板１にはその一方の面に三角形状の第一のマイクロストリップ導体３が形成され、他方の面全体に接地導体４が形成される。また、第二の基板２にもその一方の面に三角形状の第二のマイクロストリップ導体５が形成され、他方の面全体に接地導体６が形成される。第一のマイクロストリップ導体３と第二のマイクロストリップ導体５とは同じ大きさである。
【００１１】
第一の基板１と第二の基板２とは、各接地導体４、６が内側で対向すると共に互いに接触した状態で重ね合わされる。第一及び第二の基板１、２の一辺の長さは各マイクロストリップ導体３、５の一辺（底辺とする）の長さＷとほぼ等しく、通過中心周波数を２５ＧＨｚとする場合は約４．７７ｍｍであり、他の一辺の長さは各マイクロストリップ導体３、５の底辺からそれに対向する頂点までの高さＫとほぼ等しく約０．６ｍｍである。
【００１２】
そして、重ね合わされた二つの基板１、２はマイクロストリップ導体３、５の底辺が上側、頂点が下側となる状態でしかも各マイクロストリップ導体３、５の底辺が第三の基板７の面と平行となるように第三の基板７上に立設され、第一及び第二の基板１、２は接着剤（図示せず）等の手段によって第三の基板７に固定される。この結果、各マイクロストリップ導体３、５の頂点が第三の基板７の上面に接する状態となる。二つの頂点はバンドパスフィルタの実質的な入力端、出力端となる。
なお、第一及び第二の基板１、２には第三の基板７に接する両側の角部に切り欠き部１ａ、２ａが設けられている。
【００１３】
第三の基板７の上面には第一の導体線路８と第二の導体線路９とが形成されており、また、下面全体には接地導体１０が形成されている。此によって第一及び第二の導体線路８、９は例えば５０オームの特性インピーダンスを持つ。二つの導体線路８、９は一方が信号入力用となり、他方が信号出力用となる。そして、第一のマイクロストリップ導体３の頂点が半田等の手段によって第一の導体線路８に接続され、同様に、第二のマイクロストリップ導体５の頂点が半田等の手段によって第二の導体線路９に接続される。
【００１４】
さらに、第三の基板７には切り欠き部１ａ２ａに近接して貫通孔１１が設けられる。貫通孔１１の内壁には接地導体１０に接続された内導体１１ａが設けられている。そして、切り欠き部１ａ２ａに露出した第一及び第二の基板１、２の接地導体４、６が貫通孔１１内の内導体１１ａに接続される。この結果、各基板１、２の接地導体４、６は第三の基板７の接地導体１０に接続される。
【００１５】
以上の構成によれば、第一のマイクロストリップ導体３と第二のマイクロストリップ導体５とは各底辺側で結合して所定の特性を呈する。
そして、実質的な入力端及び出力端となる各マイクロストリップ導体の頂点間の間隔は、約０．５１ｍｍとなり、従来のそれと比較して約１／３以下となる。よって小型化に大きく寄与する。
なお、図示はしないが二つの基板１、２はシールドケースによって覆われる。
【００１６】
第一のマイクロストリップ導体３と第二のマイクロストリップ導体５との結合が不足する場合は、図４、図５に示すように第一の基板１と第二の基板２との上端面に各ストリップ導体３、５の底辺に沿って第四の基板２１を載置し、その上面に結合導体２を形成する。こうすることによって、二つのマイクロストリップ導体３、５は結合導体２２との距離が近接して結合がより密となる。この場合、結合の強さは第四の基板２１の板圧と結合導体２２の幅に依存するので、これらを勘案して板厚と導体幅を設定する。
【００１７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、第一の基板と第二の基板とを互いの接地導体を対向した状態で積層すると共に各マイクロストリップ導体の各一辺を第三の基板の面と平行にした状態で第三の基板の一方の面上に立設し、第一のマイクロストリップ導体の一辺に対向する頂点を第一の導体線路に接続すると共に、第二のマイクロストリップ導体の一辺に対向する頂点を第二の導体線路に接続し、第一及び第二の接地導体を第三の基板の接地導体に接続したので、入力端及び出力端となる各マイクロストリップ導体の頂点間の間隔は大幅に狭くすることができ、小型化に大きく寄与する。
【００１８】
また、第一及び第二の基板は各マイクロストリップ導体の一辺に沿った端面を有し、二つの端面上に第四の基板を載置し、第四の基板上に各マイクロストリップ導体を互いに結合するための結合導体を形成したので、二つのマイクロストリップ導体はその底辺によって結合導体を介して相互に結合し、その場合、底辺と結合導体との距離が近接するので結合をより密とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のバンドパスフィルタの第一の実施形態の斜視図である。
【図２】本発明のバンドパスフィルタの第一の実施形態の正面図である。
【図３】本発明のバンドパスフィルタの第一の実施形態の側面図である。
【図４】本発明のバンドパスフィルタの第二の実施形態の斜視図である。
【図５】本発明のバンドパスフィルタの第二の実施形態の側面図である。
【図６】従来のバンドパスフィルタの斜視図である。
【符号の説明】
１　第一の基板
２　第二の基板
３　第一のマイクロストリップ導体
４　接地導体
５　第二のマイクロストリップ導体
６　接地導体
７　第三の基板
８　第一の導体線路
９　第二の導体線路
１０　接地導体
１１　貫通孔
１１ａ　内導体
２１　第四の基板
２２　結合導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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