(57)【要約】      （修正有）【課題】気温や気圧などの動作環境や動作中の発熱による、基板や封止接着剤へのダメージと表示のゆがみを防止し、外部からの酸素や水分を遮断しダークスポットの発生を防止することができる有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】発光積層体を、酸素及び水の透過性のない発光積層体形成基板１上に配置し、この基板と同等の物性値を持つ封止基板２を設け、前記発光積層体形成基板と封止基板のうち少なくとも一方は光透過性を有し、前記発光積層体形成基板の発光積層体群を囲うように環状に塗付した封止接着剤で前記発光積層体形成基板と前記封止基板を接着し、画素分離用バンク９に突起１０を設けて前記発光積層体よりも高く形成し、前記発光積層体形成基板、前記封止基板及び前記封止接着剤で構成する空間１４を真空若しくは大気圧以下に減圧した不活性ガスで満たし、前記画素分離用バンクに設けた突起と前記封止基板の内面を接触させる。【選択図】  図１
2004227792.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各画素を分離して配置するための画素分離バンク、前記画素分離バンクによって区切られた各空間にアノード電極、カソード電極、前記アノード電極及び前記カソード電極に挟み込まれた発光積層体が配置された発光積層体郡を備えた第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板の発光積層体郡の外側を囲うように配置され、前記第１の基板と前記第２の基板とを接着するための接着剤とを備え、前記第１の基板、前記第２の基板及び前記接着剤で形成される空間を減圧し、前記画素分離バンクの先端又は前記画素分離バンクに設けられた突起の先端を前記第２の基板の内面に接触させて前記発光積層体を外圧による破壊から保護することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記空間は真空であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記空間に大気圧以下に減圧された不活性ガスを充填することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第２の基板の前記接着剤が配置される場所より内側で、且つ前記第１の基板に設けられた前記発光積層体郡に対応する場所より外側の位置に乾燥剤を設置することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５】
請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第２の基板の前記接着剤が配置される場所より内側で、且つ前記第１の基板に設けられた前記発光積層体郡に対応する場所より外側の位置に溝を設け、前記溝又は前記第１の基板の前記溝に対応する部分に乾燥剤を設置することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６】
請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記発光積層体郡の周囲に環状に設置された前記接着剤を複数列設けることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項７】
請求項６記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記環状に設置された前記複数列の接着剤の間に相当する第２の基板の位置に溝を設け、前記溝又は前記第１の基板の前記溝に対応する部分に乾燥剤を設置することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、第１の基板及び第２の基板は酸素及び水を透過させない材質で構成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第１の基板は光透過性の材料で構成されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至８の何れかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第２の基板は光透過性の材料で構成されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は有機エレクトロルミネッセンス表示装置に係り、特に、その封止構造を改善した有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図２は従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。従来の有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬ）表示装置では、複数の発光積層体５により構成されている。発光積層体５は、絶縁体の枠である画素分離バンク９の中に形成される。この積層体５はアノード電極７とカソード電極８の間に有機発光層６を挟んで構成される。これらの電極７、８に電流を流すことにより、有機発光層６で発光現象が生じる。この発光積層体５は雰囲気中に酸素や水分があると変質してダークスポットと呼ばれる非発光点が発生、成長し、発光しなくなってしまうという欠点を持つ。
【０００３】
従来の有機ＥＬ装置では、発光積層体形成基板１と封止基板２との２枚の基板をスペーサ４を介して、封止接着剤３で接着して密閉空間１７を形成し、弗素化炭素のような不活性の液体を密閉空間１７に封入する構造（特許文献１参照）や、窒素ガス等の不活性ガスを密閉空間１７に封入する構造（特許文献２参照）を採用してきた。
不活性の液体を封入する方式では、環状に設置した封止接着剤３に切れ目を入れておき、発光積層体形成基板１と封止基板２とを重ね合わせて接着した後、発光積層体形成基板１、封止基板２、封止接着剤３で構成される空間１７をその切れ目から減圧し、不活性の液体を注入し、最後に切れ目を封止する工程を経て完成する。これに対して、不活性ガスを封入する場合は、不活性ガスのチャンバ内で、封止接着剤３を配置した後に発光積層体形成基板１、封止基板２を重ね合わせ、接着すればよい。このため、後者の方が生産性に優れているという長所があった。
不活性ガスを封入する方式では、従来は窒素ガス雰囲気で発光積層体形成基板１と封止基板２とを貼り合わせる場合、封止接着剤３を加圧接着するため、発光積層体形成基板１、封止基板２、封止接着剤３で構成される空間１７の圧力は正圧なりやすかった。
【０００４】
発光積層体形成基板１、封止基板２、封止接着剤３で構成される空間１７が正圧であると、外部からの酸素や水分が透過し難くなるため、封止接着剤３のバリア性の不足および乾燥剤１３の性能不足を補える長所があった。しかし、前述の空間１７の圧力を正圧にすると、有機ＥＬ表示装置を構成する基板が外側に膨れてしまう。この症状は基板が大形化する程顕著に表れる。基板１、２に膨れが発生すると、基板１、２自体あるいは封止接着剤３に応力が発生し、有機ＥＬ表示装置にダメージを与えるという不具合と光学的なひずみが生じ、透明な基板が変形することによるレンズ効果による画像のゆがみを生じてしまう不具合が生じていた。
これを防ぐために、フレキシブルな材質で封止基板３を形成し封止基板３を積極的に変形させることにより、表示装置内部の圧力変動を抑え、耐熱衝撃性を高める方式が提案された（特許文献３参照）。この場合、発光積層体形成基板１の応力は緩和される。しかし、封止基板５の変形はより顕著になり、封止基板５の側から画像を見るような方式では、光学的なひずみがより拡大してしまった。
【０００５】
前述の空間１７の圧力を外部と同じにすると、基板の膨れは解消されるが、外部の気圧や気温が変化した場合や長時間の駆動により表示装置が発熱した場合は、やはり基板の膨れは発生してしまう。
なお、図２において、１５は溝であり、この溝１５に乾燥剤１３が塗布されている。また、１１は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。
【０００６】
【特許文献１】
特開平５−４１２８１号公報
【特許文献２】
特開２０００−３０８５７号公報
【特許文献３】
特開２００１−２１７０６９号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従来の不活性ガス封入式の有機ＥＬ表示装置では、気温や気圧などの動作環境や動作中の発熱に影響を受けずに、表示装置を構成する基板の形状を常に一定にして、基板や封止接着剤へのダメージと表示のゆがみを防止すること、発光積層体を外力から保護すること、外部からの酸素や水分を遮断しダークスポットの発生を防止することの３点の解決が課題であった。
【０００８】
本発明は上記の課題を解決した有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記目的を達成するために、少なくとも発光層を有する有機層をアノード電極上の画素分離用バンク内部に形成してカソード電極とで挟み込んだ発光積層体を酸素及び水の透過性のない基板上に配置し、前記基板と同等の物性値を持つ封止基板を設け、前記発光積層体を有する基板と前記期封止基板のうち少なくとも一方は光透過性を有し、前記発光積層体を有する基板の発光積層体群を囲うように環状に塗付した封止接着剤で前記発光積層体を有する基板と前記封止基板を接着してなる有機ＥＬ表示装置であって、前記画素分離用バンクの少なくとも一部分をその内部にある発光積層体よりも高く形成し、前記発光積層体を有する基板と前記封止基板の間及び封止接着剤で構成する空間を真空若しくは大気圧以下に減圧した不活性ガスで満たし、前記画素分離用バンクの先端又は前記画素分離バンクに設けた突起部と前記封止基板を接触させる。
また、前記の有機ＥＬ表示装置であって、前記封止基板において発光積層体に面する部分が平坦であり、発光積層体に面している部分の外側で、且つ前記の環状に塗付した封止接着剤よりも内側の部分に溝を掘り、前記封止基板の溝内部、又はその溝に対向した発光積層体を設けた基板の表面に乾燥剤を設置する。
【００１０】
前記の有機ＥＬ表示装置において、発光積層体の周囲に環状に設置された封止接着剤が複数列の接着剤である。
また、前記の環状封止接着剤が複数列設けられた有機ＥＬ表示装置であって、環状に設置された封止接着剤間についても封止基板側に溝を掘り、前記封止基板の封止接着材間の溝内部、又はその溝に対向した発光積層体を設けた基板の表面に乾燥剤を設置する。
【００１１】
以上で述べたように本発明では、発光積層体を形成した基板と封止基板と封止接着剤で構成される密閉空間に窒素ガス等の不活性ガスを大気圧よりも低い圧力になるように充填するあるいは真空状態にして、発光積層体を形成した基板の画素分離バンクの少なくとも一部を突出させて封止基板に密着させるものである。
【００１２】
例えば、航空機の機内で使用する場合、飛行中には０．７〜０．８気圧に降下するため、有機ＥＬ表示装置内部の密閉空間に０．７気圧よりも低い圧力で不活性ガスを充填しておけば、基板の形状は外側に向かって膨れることはない。また、連続通電磁に、有機ＥＬ表示装置が室温ｔ℃に対してΔｔ℃温度上昇するならば、室温での表示装置内部の圧力がＰの時、温度上昇後の圧力は
Ｐ（２７３＋Δｔ＋ｔ）／（２７３＋ｔ）
になる。この圧力が大気圧である１気圧以下になるように表示装置内部の圧力Ｐを調整しておけば、常に基板は外側に向かって膨れることはない。
本発明により、気温や気圧などの動作環境や動作中の発熱に影響を受けずに表示装置を構成する基板を常に平坦に保たせることができ、基板や封止接着剤へのダメージと表示のゆがみを防止することができた。
また、発光積層体が封止基板や乾燥剤と接触することがないため、発光積層体を外力から保護することが可能となった。
さらに、封止接着剤と乾燥剤の性能が不足する場合には、封止接着剤を複数列配置し、封止接着剤間にも乾燥剤を配置することで外部からの酸素や水分の浸入の防止を補い、ダークスポットの発生を防止できた。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、実施例を用い、図を参照して説明する。
図１は本発明による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の第１の実施例を示す断面図及び斜視図であり、図１（ａ）は断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ部分を切り取った場合の斜視図である。図１において、１は発光積層体形成基板、２は封止基板、３は封止接着剤、４は封止接着剤３の高さを規定するスペーサ、５は発光積層体である。発光積層体５は、有機発光層６、アノード電極７、カソード電極８で構成される。９は画素分離バンク、１０は画素分離バンクに設けた突起、１１は薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）、１２は配線、１３は乾燥剤、１４は負圧空間、１５は乾燥剤１３を格納のために設けた封止基板の溝を示す。
【００１４】
本実施例では、発光積層体形成基板１若しくは封止基板２のうち少なくともどちらか一方はガラス等の透明な材料を使用した。発光積層体形成基板１にはＴＦＴ１１とＴＦＴ１１を駆動するための配線１２をまず形成する。次に、画素を分離する画素分離バンク９を形成する。本実施例では、画素分離バンク９に突起１０を設けることによって、発光積層体５が封止基板２と直接接触しないようにしている。突起１０を設ける代わりに、画素分離バンク９を発光積層体５より高く形成して、発光積層体５が封止基板２と直接接触しないようにしてもよい。
その後、発光積層体５のアノード電極７を画素分離バンク９の間のＴＦＴ１１上に形成した。アノード電極７は発光積層体形成基板１の面から画像を表示させる場合、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）やＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）等で透明なカソード電極８を形成し、そうでない場合は不透明な金属電極でも構わない。アノード電極７を形成後、有機発光層６を画素分離バンク９の間に形成した。最後にカソード電極８を形成した。封止基板２の側から画像を見る場合は、ＩＴＯやＩＺＯ等で透明なカソード電極８を形成すればよく、そうでない場合は不透明な金属電極でも構わない。
【００１５】
図３は本発明による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の第２の実施例を示す断面図及び斜視図であり、図３（ａ）は断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ部分を切り取った場合の斜視図である。図３では、カソード電極８は画素分離バンク９に設けられた突起１０の上を跨るように形成されている。以上の処理により、図１、図３に示す発光積層体形成基板１を製作した。
図１又は図３において、封止基板２は、封止基板２の側から画像を見る場合には、ガラスなどの透明な材質とすればよい。封止基板２には平板を用い、発光積層体５と対向する部分の外側に溝１５を設けた。その溝１５の中に乾燥剤１３を設置して、有機ＥＬ表示装置外部より進入してくる酸素や水分を吸収するようにした。この溝１５は封止基板２の全周囲に設けてもよいし、両側だけに設けてもよい。
【００１６】
図４は本発明による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の第３の実施例を示す断面図である。図４に示すように、封止基板２に溝１５を設けるが、シート状の乾燥剤１３を溝１５に対応する発光積層体形成基板１側に接着しても同様な結果を得ることができる。この場合、溝１５を設ける理由は、乾燥剤１３の高さがスペーサ４の高さより高くなり、封止基板２の内面と接触するようになることを防ぐためである。
図１、図３、図４に示す実施例において、封止接着剤３として、紫外線硬化形接着剤を用い、予め封止接着剤３の中に球状若しくは円筒状のスペーサを混合した。この封止接着剤３を発光積層体形成基板１又は封止基板２に環状に塗布し、発光積層体５を囲った。そして、窒素ガスのような不活性ガスを充填したチャンバにおいて減圧雰囲気を作り、その環境下で、発光積層体形成基板１と封止基板２の間に封止接着剤３を配置して、両基板１、２を重ね合わせた。その後、前記の発光積層体形成基板１と封止基板２の外部の雰囲気圧力を高くし、気圧差により、塗布した封止接着剤３に混入されているスペーサ４が発光積層体形成基板１と封止基板２に接触するように、発光積層体形成基板１と封止基板２によって封止接着剤３を押しつぶした。封止接着剤３を押しつぶすに当たり、前述の気圧差を用いて行う以外に、機械式プレスで加圧する方法あるいは気圧差と機械式プレスの両者を併用する方法を用いても同等の結果を得ることが可能である。この時、発光積層体形成基板１と封止基板２と封止接着剤３で構成された空間１４には不活性ガスが充填される。
今、前記の空間１４の体積をＶ０、発光積層体形成基板１と封止基板２を重ね合わせた時の雰囲気圧力をＰ０とし、封止接着剤３を押しつぶした後の前記空間１４の体積をＶ１、空間１４の圧力をＰ１とすると、
Ｐ１＝Ｐ０×Ｖ０／Ｖ１………（数１）
の関係が成り立つ。圧力Ｐ１が大気圧以下になるように重ね合わせた時の雰囲気圧力Ｐ０と前記空間１４の体積を規定する封止接着剤３の初期の高さを調整し、封止接着剤３を押しつぶした後の空間１４の圧力を外気圧よりも下げることにより、封止基板２と画素分離バンク９若しくは画素分離バンク９に設けた突起１０が常に接触するようにした。この状態で、封止接着剤３に紫外線を照射して、封止接着剤３を硬化させた。
【００１７】
上記有機ＥＬ表示装置を大気圧よりも低い気圧Ｐ、室温よりも高い動作時の温度ｔ℃で駆動する場合には、次のような条件で製造を行えばよい。室温をｔ０℃とすると、表示装置内部の圧力Ｐ１は、
Ｐ１＝Ｐ０（２７３＋ｔ）Ｖ０／（（２７３＋ｔ０）×Ｖ１）……（数２）
で表せる。このＰ１が使用時の圧力Ｐよりも小さくなるように、重ね合わせ時の雰囲気圧力Ｐ０と重ね合わせ時の空間１４の体積を規定する封止接着剤３の初期高さを調整することにより、発光積層体形成基板１と封止基板２が外側に膨らむこと防止することができた。
【００１８】
パネル外部の気圧Ｐが有機ＥＬ表示装置の内部の圧力よりも高い場合には、画素分離バンク９上の突起１０で封止基板２を支えるため、発光積層体形成基板１と封止基板２同士が内側に変形することが妨げられる。よって、有機ＥＬ表示装置の形状変化を防止することができる。また、この場合、画素バンク９に突起１０を設けたので、発光積層体５は封止基板２と直接接触することはなく、発光積層体５を外力から保護することができる。
【００１９】
乾燥剤の能力や封止接着剤の能力が不足している場合は、図５に示すように構成すればよい。
図５は本発明による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の第４の実施例を示す断面図である。図に示すように、第１のスペーサ４ａを混入した第１の封止接着剤３ａと第２のスペーサ４ｂを混入した封止接着剤３ｂを発光積層体形成基板１の外周に２重に設置し、第１の接着剤３ａと第２の接着剤３ｂが設置された場所に対応する封止基板２に第１の溝１５ａを設けると共に、第２の封止接着剤の内側に第２の溝１５ｂを設け、第１の溝１５ａと第２の溝１５ｂに乾燥剤１３ａ、１３ｂを設置すればよい。
【００２０】
次に、本発明による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の一実施例について、図６を用いて説明する。
図６は本発明による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の一実施例を示すフローチャートである。まず、ステップ６０１はＴＦＴ成膜工程であり、基板１を投入し、基板１上に格子状にＴＦＴ１１を形成する。基板１の成膜面の反対側から画像を見るようにする場合は、基板１をガラスのような透明でガスバリア性のある材質を用いる。このＴＦＴ１１の製造方法は、従来の液晶パネルと同様な方法を用いてもよい。このＴＦＴ１１のゲートにはＯＮ−ＯＦＦ駆動させるための信号線１２をゲートに取付け、ドレインには液晶駆動用の電源線を取り付けておく。続いて、ステップ６０２のアノード電極成膜工程では、ホールを画素に供給するためのアノード電極７をＴＦＴ１１のソースに取り付ける。基板１の成膜面でない面から画像を見る場合は、アノード電極７は透明なＩＴＯやＩＺＯなどの薄膜をスパッタにより形成する。そうでない場合は、アルミニウム等の金属膜を蒸着またはスパッタで形成しても構わない。
【００２１】
アノード電極７を形成した後のステップ６０３は画素分離バンク成膜工程であり、画素分離バンク９を形成する。画素分離バンク９は画素の周囲を取り囲むように設置する絶縁体である。感光性の樹脂などのレジスト剤を基板１の表面にコーティングして、露光・現像・エッチング工程により上記の絶縁体を形成する。画素の条件によっては上記の工程を用いずに、印刷により画素分離バンク９を形成してもよい。また、二酸化シリコンや窒化シリコンなどの絶縁体をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置で成膜し、露光、現像、エッチング工程により画素分離バンク９を形成しても構わない。この画素分離バンク９の高さは、この後の工程で形成する発光積層体５、よりも少なくとも一部分を高く形成する。
【００２２】
以後の工程は封止工程が完了するまで、窒素ガス等の不活性ガスの雰囲気で処理される。ステップ６０４の有機発光層成膜工程で、有機発光層６を成膜する。有機発光層６は低分子系材料を用いる場合は蒸着で、高分子系の材料を用いる場合は印刷により形成する。低分子系の材料を用いる場合は、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、及び電子注入層の順で４層を蒸着により形成する。高分子系の材料を用いる場合には、ホール注入層及び発光層の順で２層を印刷により形成する。赤、緑、又は青の３色の蛍光色素を独立して混入した発光層を用意し、個々の画素を塗り分けることでカラー化を実現することができる。
上記の各層を形成後、ステップ６０５のカソード電極成膜工程で、有機発光層６の上部にカソード電極８を形成する。成膜面側から画像を見る場合には、カソード電極８はＩＴＯやＩＺＯ等の透明電極を形成し、そうでない場合はアルミニウム等の金属膜を蒸着によって形成する。以上により、発光積層体形成基板１は完成する。
【００２３】
封止基板２については次のように処理を行う。まず、基板２に対し、ステップ６０６の溝加工工程で溝加工を行う。平板の基板から処理する場合、画素の周囲に乾燥剤１３が配置できるように、基板２に溝１５を掘り込む。この溝１５の掘り込みは、ガラス基板表面にレジスト膜を印刷、焼成して形成し、エッチングまたはサンドブラスト等で加工する。加工が終わったら、レジスト膜を除去し、封止基板２を洗浄する。この他にプレス成型で封止基板２に溝１５を形成してもよい。これは、封止基板２を構成する材料を一旦溶融し、所定の形状になるようにプレスして形成するものである。
【００２４】
以下の処理は封止工程が完了するまで窒素ガスなどの不活性ガスの雰囲気で行う。ステップ６０７の乾燥剤搭載工程では、加工した溝１５に乾燥剤１３を搭載する。乾燥剤１３はシート状のものやパック状のものを接着して形成する、あるいは粉末状の乾燥剤を溝１５に入れて加圧し、固形化して形成するのいずれかを用いる。この工程で乾燥剤１３を封止基板２側に設置したが、図４の実施例に示すように、封止基板２に設けられた溝１５に対向する光積層体形成基板１側の面に乾燥剤１３を設置してもよい。
以上の処理が終了後、ステップ６０８の封止接着剤塗布工程において、封止基板２に紫外線硬化形の封止接着剤３をディスペンサまたはスクリーン印刷で環状に塗布する。封止接着剤３に予め球形若しくは円筒状のスペーサ４を混入しておく。発光積層体形成基板１と封止基板２を重ね合わせた時に、封止接着剤３は乾燥剤１３及び発光積層体５を取り囲むように塗布される。この例では封止基板２側に封止接着剤３を塗布しているが、発光積層体形成基板１側に塗布しても構わない。
【００２５】
乾燥剤１３の能力や封止接着剤３の能力が不足している場合は、図５を用いて説明したように、環状に設置する封止接着剤３ａ、３ｂを多重にし、各封止接着剤３ａ、３ｂの間、封止接着剤３ｂの内側の両方に乾燥剤１３ａ、１３ｂを設置すればよい。その後、ステップ６０９の発光積層体形成基板１と封止基板２を基板重ね合わせる工程において、発光積層体形成基板１と封止基板２を重ね合わせる。そして、ステップ６１０の封止接着剤加圧工程で、封止接着剤３を押しつぶす。
【００２６】
この場合、重ね合わせ時の処理室の圧力Ｐ０を次のように設定する。処理室の温度をｔ０℃、重ね合わせた直後の表示装置内部の体積をＶ０、封止接着剤を押しつぶした時の表示装置内部の体積をＶ１、動作保障する最高温度をｔ℃、動作保障する最低気圧をＰ１と表す。重ね合わせた直後の表示装置内部の体積をＶ０、封止接着剤を押しつぶした時の表示装置内部の体積Ｖ１は、封止基板２の掘り込み体積Ｖ３、封止剤で囲われた部分の面積をＡ、初期の封止接着剤高さをＨ０、押しつぶした後の封止接着剤高さをＨ１で表すと、
Ｖ０＝Ａ×Ｈ０＋Ｖ３………（数３）
Ｖ１＝Ａ×Ｈ１＋Ｖ３………（数４）
と表せる。この時、画素分離バンクと封止基板が密着するようにするには、次のような関係を満たせばよい。
Ｐ１＞Ｐ０（２７３＋ｔ）Ｖ０／（（２７３＋ｔ０）×Ｖ１）……（数５）
上記式の関係を満足するように、処理室内の圧力Ｐ０を調整し、基板を重ね合わせる。そして、重ね合わせた基板をプレスする。または、表示装置外部の圧力を高め、表示装置内外の圧力差を利用し、基板封止接着剤３を押しつぶす。
【００２７】
封止接着剤３を押しつぶした状態で、ステップ６１１の封止接着剤硬化工程で、封止接着剤３に紫外線を照射して、封止接着剤３を硬化させる。紫外線はＴＦＴ１１などの薄膜の特性を変化させてしまうため、封止接着剤３以外の部分に紫外線が当たらないようにマスク等で覆い、選択的に紫外線を照射して封止接着剤３を硬化させる。
上記のステップ６０９の基板重ね合わせ工程〜ステップ６１１の封止接着剤硬化工程においては、上記の手順で処理できるのであれば、同一の処理装置内で処理しても構わない。
上記により製造した表示装置に対して、ステップ６１２の駆動回路取付け工程において、駆動回路を取り付けることにより、有機ＥＬ表示装置が完成する。
以上のようにして、本発明を適用した有機ＥＬ表示装置を製造することができる。
【００２８】
以上述べたように、本発明では、発光積層体形成基板と封止基板と封止接着剤で構成される密閉空間に窒素ガスなどの不活性ガスを外部の気圧よりも低い圧力になるように充填するあるいは真空状態にして、発光積層体形成基板の画素分離バンクの少なくとも一部を発光積層体よりも突出させて封止基板を密着させるものである。これにより、外力に弱い発光積層体にダメージを与えることなく、使用時の気圧変化や温度変化が生じても基板形状が変化せず、基板変形による基板や封止接着剤にストレスが発生せず、レンズ効果や映り込みの変化といった光学的特性の変化が生じない有機ＥＬ表示装置の提供が可能となる。また、多重の環状封止接着剤及び封止接着剤の線と線の間に設けた乾燥剤により、酸素や水分の透過を抑えることができ、ダークスポットを抑制可能である。
【００２９】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明では、外力に弱い発光積層体にダメージを与えることなく、使用時の気圧変化や温度変化が生じても基板形状が変化せず、基板変形による基板や封止接着剤にストレスが発生せず、レンズ効果や映り込みの変化といった光学的特性の変化が生じない有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
また、多重の環状封止接着剤の間、及び封止接着剤の内側に設けた乾燥剤により、酸素や水分の透過を抑えることができるので、ダークスポットを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の第１の実施例を示す断面図及び斜視図である。
【図２】従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。
【図３】本発明による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の第２の実施例を示す断面図及び斜視図である。
【図４】本発明による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の第３の実施例を示す断面図である。
【図５】本発明による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の第４の実施例を示す断面図である。
【図６】本発明による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の一実施例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１…発光積層体形成基板、２…封止基板、３…封止接着剤、４…スペーサ、５…発光積層体、６…有機発光層、７…アノード電極、８…カソード電極、９…画素分離バンク、１０…突起、１１…薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、１２…配線、１３…乾燥剤、１４…負圧空間、１５…溝、１６…電極、１７…正圧空間、６０１…ＴＦＴ成膜工程、６０２…アノード電極成膜工程、６０３…画素分離バンク成膜工程、６０４…有機発光層成膜工程、６０５…カソード電極成膜工程、６０６…溝加工工程、６０７…乾燥剤搭載工程、６０８…封止接着剤塗布工程、６０９…基板重ね合わせ工程、６１０…封止接着剤加圧工程、６１１…封止接着剤硬化工程、６１２…駆動回路取付け工程。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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