(57)【要約】【課題】パーティクル汚染の増加を回避しつつ化学汚染を防止する。【解決手段】ダクト３３の取込口３４にはケミカルフィルタユニット３６がケミカルフィルタ３７がファン３８群の下流側になるように設置され、ダクト３３の吹出口３５には第一クリーンユニット４０がＰＴＦＥ繊維からなるパーティクルフィルタ４２がファン４１群の下流側に、光触媒ユニット４３がパーティクルフィルタ４２の下流側になるように設置されている。ダクト３３から分岐されたサブダクト４４の吹出口４５には第二クリーンユニット４６が同様に設置され、ダクト３３の下端部から分岐された第二のサブダクト５０の吹出口には第三クリーンユニット５１が同様に設置されている。【効果】ケミカルフィルタのパーティクルは下流のパーティクルフィルタで捕集できる。ＰＴＦＥ繊維から発生する有機物は光触媒ユニットで除去できる。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体内にエアを取り込むエア取込路にはケミカルフィルタが設置され、その下流にはパーティクルフィルタが設置され、その下流には光触媒ユニットが設置されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記ケミカルフィルタの上流にはファンが設置されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
ケミカルフィルタを通過したエアを一つまたは複数のエア供給対象部に送るダクトを備えており、このダクトの出口にはファンが設置され、その下流にはパーティクルフィルタが設置され、その下流には光触媒ユニットが設置されていることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理装置に関し、特に、有機物や酸およびアルカリ等の化学物質による汚染防止技術に係り、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法において半導体素子を含む半導体集積回路が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に絶縁膜や金属膜等のＣＶＤ膜を形成したり不純物を拡散したりするバッチ式縦形拡散・ＣＶＤ装置に利用して有効なものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣの製造方法においてウエハに絶縁膜や金属膜等のＣＶＤ膜を形成したり不純物を拡散したりする工程には、バッチ式縦形拡散・ＣＶＤ装置（以下、単にＣＶＤ装置という。）が広く使用されている。従来のこの種のＣＶＤ装置においては、ウエハの表面を汚染しＩＣの製造方法の歩留りに悪影響を及ぼすパーティクル（塵埃）を抑えるために、筐体の内部にクリーンエアを吹き出すクリーンユニットが設置されている。
【０００３】
近年、反応性の高いガス状化学物質である酸性ガスやアルカリ性ガスおよび有機ガスもウエハを汚染することが解明されている。例えば、ＲＥＡＬＩＺＥ社発行の「ＵＬＳＩ製造における汚染の実態・製造現場の実態と今後の課題」においては、ＤＯＰ（ジオクチルフタル酸）、ＤＢＰ（ジブチルフタル酸）、多価アルコールといった有機物のウエハへの付着を低減することにより、ＩＣの電気的不良数が低減することが明らかにされている。そこで、これらの汚染の原因となる物質（以下、化学汚染物質という。）を吸着して除去するためのフィルタ（以下、ケミカルフィルタという。）のＣＶＤ装置への設置が要求されて来ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ケミカルフィルタは濾過材に化学添着剤を担持させた活性炭や活性繊維を使用して物理的吸着と化学反応とによって酸やアルカリ、有機物といった化学汚染物質を除去するものであり、ケミカルフィルタの活性炭の剥離等に起因したパーティクル汚染の増加が懸念されるので、ケミカルフィルタをＣＶＤ装置に単純に設置することはできない。
【０００５】
本発明の目的は、パーティクル汚染の増加を回避しつつ化学汚染を防止することができる基板処理装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る基板処理装置は、筐体内にエアを取り込むエア取込路にはケミカルフィルタが設置され、その下流にはパーティクルフィルタが設置され、その下流には光触媒ユニットが設置されていることを特徴とする。
【０００７】
前記した手段によれば、ケミカルフィルタはエアの流れの最上流に設置されているので、ケミカルフィルタにおいて活性炭や活性繊維の剥離等に起因したパーティクルが万一にも発生した場合であっても、そのパーティクルは下流側に配置されたパーティクルフィルタによって捕集されるので、パーティクル汚染が増加することは未然に防止されることになる。また、パーティクルフィルタにおいて発生する微量の有機物は光触媒フィルタによって除去することができるので、化学汚染を確実に防止することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００９】
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、図１に示されているように、ＣＶＤ装置（バッチ式縦形拡散・ＣＶＤ装置）として構成されており、ＣＶＤ装置１０は気密室構造に構築された筐体１１を備えている。一般に、ウエハを収容して搬送するためのキャリア（搬送治具）としては、互いに対向する一対の面が開口された略立方体の箱形状に形成されているオープンカセット（以下、カセットという。）と、一つの面が開口された略立方体の箱形状に形成され開口面にキャップが着脱自在に装着されているＦＯＵＰ（ｆｒｏｎｔ　ｏｐｅｎｉｎｇ　ｕｎｉｆｉｅｄ　ｐｏｄ　。）とがある。本実施の形態に係るＣＶＤ装置１０においては、ウエハ１のキャリアとしてはカセット２が使用されている。
【００１０】
筐体１１の正面の下部にはカセット２を筐体１１の内部に対して搬入搬出するためのカセット搬入搬出ポート（以下、カセットポートという。）１２が構築されており、カセットポート１２に対応する筐体１１の正面壁には、フロントシャッタ１３によって開閉されるカセット搬入搬出口１４が開設されている。カセットポート１２に対してはカセット２が工程内搬送装置（図示せず）によって搬入搬出されるようになっている。筐体１１の内部のカセットポート１２の後方には、複数個のカセット２を保管する複数段の保管棚１５が水平に敷設されている。筐体１１のカセットポート１２と保管棚１５との間にはカセット移載装置１７の設置室１６が設定されており、この設置室１６にはスカラ形ロボット（ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ　ｃｏｍｐｌｉａｎｃｅ　ａｓｓｅｍｂｌｙ　ｒｏｂｏｔ　ａｒｍ　。ＳＣＡＲＡ）によって構成されたカセット移載装置１７が設置されている。カセット移載装置１７はカセットポート１２と、保管棚１５と、ウエハ１をローディングおよびアンローディングするためのポート（以下、ウエハポートという。）１８との間でカセット２を搬送するように構成されている。
【００１１】
ウエハポート１８の後方の空間には後記するボート２３がプロセスチューブ２６への搬入搬出に対して待機する待機室１９が設定されており、待機室１９の前側の空間にはウエハ移載装置（ｗａｔｅｒ　ｔｒａｎｓｆｅｒ　ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ）２０が設置されている。ウエハ移載装置２０はウエハポート１８とボート２３との間でウエハ１を搬送してカセット２およびボート２３に受け渡すように構成されている。待機室１９の後側の空間にはボートエレベータ２１が垂直に設置されており、ボートエレベータ２１はボート２３を支持したシールキャップ２２を垂直方向に昇降させるように構成されている。すなわち、シールキャップ２２はマニホールド２７を介してプロセスチューブ２６を気密封止することができる円盤形状に形成されており、シールキャップ２２の上にはボート２３が垂直に立脚されている。ボート２３は多数枚のウエハ１を中心を揃えて水平に配置した状態で保持するように構成されており、シールキャップ２２のボートエレベータ２１による昇降によってプロセスチューブ２６の処理室２５に対して搬入搬出されるようになっている。
【００１２】
筐体１１の後端部の上部にはプロセスチューブ設置室２４が設定されており、プロセスチューブ設置室２４には処理室２５を形成するプロセスチューブ２６がマニホールド２７を介して垂直に立脚され待機室１９の上に設置されている。マニホールド２７には処理室２５に原料ガスやパージガス等を導入するためのガス導入管２８と、処理室２５を真空排気するための排気管２９が接続されている。プロセスチューブ２６の外側にはヒータユニット３０が同心円に配されて筐体１１に支持されており、ヒータユニット３０は処理室２５を全体にわたって均一または所定の温度分布に加熱するように構成されている。
【００１３】
なお、筐体１１の内部におけるカセットポート１２の下部および上部には電気機器や電気配線および制御機器等を設置するための下側配電盤部３１および上側配電盤部３２がそれぞれ形成されている。
【００１４】
上側配電盤部３２とプロセスチューブ設置室２４との間には、エア取込路としてのダクト３３が垂直方向に延在するように敷設されており、このダクト３３の取込口３４は筐体１１の上面において開口され、ダクト３３の吹出口３５は保管棚１５の後側において開口されている。ダクト３３の取込口３４にはケミカルフィルタユニット３６が設置されている。ケミカルフィルタユニット３６はケミカルフィルタ３７と複数のファン３８とを備えており、ケミカルフィルタ３７がファン３８群の下流側になるように構成されている。
【００１５】
ダクト３３の吹出口３５にはカセット移載装置室用クリーンユニット（以下、第一クリーンユニットという。）４０が、垂直に配置されて全面をカバーするように建て込まれている。第一クリーンユニット４０は複数のファン４１と、パーティクルを捕集するフィルタ（以下、パーティクルフィルタという。）４２と、光触媒ユニット４３とを備えており、パーティクルフィルタ４２がファン４１群の下流側に、光触媒ユニット４３がパーティクルフィルタ４２の下流側になるように構成されている。パーティクルフィルタ４２は濾過材に使用されたＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン。ポリ四弗化エチレン。）繊維によってクリーンエア中のパーティクルを捕集して除去するように構成されている。また、図３に示されているように、光触媒ユニット４３は複数枚の光触媒シート４３ａおよび複数本の紫外線ランプ４３ｂを備えており、後述する原理により有機物を除去する。光触媒シート４３ａは酸化チタンを主成分にした長方形のシート形状に形成されており、互いに両端を揃えられて等間隔の平行に整列されている。複数本の紫外線ランプ４３ｂは光触媒シート４３ａの下流側端において適当な間隔を置かれて直角方向に延在するように整列されている。
【００１６】
ダクト３３の中間部からはサブダクト４４が水平に分岐されており、サブダクト４４の吹出口４５はカセットポート１２の真上において下向きに開口されている。サブダクト４４の吹出口４５にはカセットポート用クリーンユニット（以下、第二クリーンユニットという。）４６が、水平に配置されて全面をカバーするように建て込まれている。第二クリーンユニット４６は複数のファン４７とパーティクルフィルタ４８と光触媒ユニット４９とを備えており、パーティクルフィルタ４８がファン４７群の下流側に、光触媒ユニット４９がパーティクルフィルタ４８の下流側になるように構成されている。ダクト３３の下端部からは第二のサブダクト５０が斜め下方向に分岐されており、第二のサブダクト５０の吹出口は待機室用クリーンユニット（以下、第三クリーンユニットという。）５１に接続されている。第三クリーンユニット５１は待機室１９の略全面をカバーするように垂直に設置されている。詳細な図示は省略するが、第三クリーンユニット５１も複数のファンとパーティクルフィルタと光触媒ユニットとを備えており、パーティクルフィルタがファン群の下流側に、光触媒ユニットがパーティクルフィルタの下流側になるように構成されている。
【００１７】
図２に示されているように、カセット移載装置設置室１６の床面にはフロント排気ファン６０が左右方向に延在するように水平に敷設されており、待機室１９の床面には一対の排気ダクト６１、６１が左右に並べられて敷設されている。フロント排気ファン６０の吹出口は左右の排気ダクト６１、６１の取込口にそれぞれ接続されており、左右の排気ダクト６１、６１の吹出口は筐体１１の外部において開口されている。待機室１９の後端部の第三クリーンユニット５１と反対側の片隅には、三台のリア排気ファン６２、６２、６２が垂直線上において上中下段に並べられて設置されており、リア排気ファン６２は待機室１９の雰囲気を吸い込んで待機室１９の外部に吹き出すように構成されている。
【００１８】
次に、前記構成に係るＣＶＤ装置によるＩＣの製造方法におけるＣＶＤ膜の形成工程を説明する。
【００１９】
図１に示されているように、カセット搬入搬出口１４からカセットポート１２に供給されたカセット２は、保管棚１５へカセット移載装置設置室１６のカセット移載装置１７によって搬送されて一時的に保管される。保管棚１５に保管されたカセット２はカセット移載装置１７によって適宜にピックアップされて、ウエハポート１８に搬送され移載される。ウエハポート１８のカセット２に収納された複数枚のウエハ１は、ウエハ移載装置２０によってボート２３に移載されて装填（チャージング）される。
【００２０】
指定された枚数のウエハ１がボート２３に装填されると、ボート２３はボートエレベータ２１によって上昇されてプロセスチューブ２６の処理室２５に搬入される。ボート２３が上限に達すると、ボート２３を保持したシールキャップ２２の上面の周辺部がプロセスチューブ２６をシール状態に閉塞するため、処理室２５は気密に閉じられた状態になる。
【００２１】
次いで、プロセスチューブ２６の処理室２５が気密に閉じられた状態で、所定の真空度に排気管２９によって真空排気され、ヒータユニット３０によって所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管２８によって所定の流量だけ供給される。これにより、所定のＣＶＤ膜がウエハ１に形成される。
【００２２】
そして、予め設定された処理時間が経過すると、ボート２３がボートエレベータ２１によって下降されることにより、処理済みウエハ１を保持したボート２３が待機室１９における元の待機位置に搬出（ボートアンローディング）される。
【００２３】
待機室１９に搬出されたボート２３の処理済みウエハ１は、ボート２３からウエハ移載装置２０によってピックアップされてウエハポート１８に搬送され、ウエハポート１８に移載された空のカセット２に収納される。処理済みのウエハ１が収納されたカセット２は、保管棚１５の指定された位置にカセット移載装置１７によって搬送されて一時的に保管される。処理済みウエハ１を収納したカセット２は、保管棚１５からカセットポート１２へカセット移載装置１７によって搬送される。カセットポート１２に移載されたカセット２は次工程へ搬送される。
【００２４】
以降、前述した作用が繰り返されて、ウエハ１への成膜工程がＣＶＤ装置１０によってバッチ処理されて行く。
【００２５】
以上のバッチ処理が実施されている際には、図２に矢印で示されているように、カセット移載装置設置室１６、カセットポート１２および待機室１９にはクリーンエア６３が第一クリーンユニット４０、第二クリーンユニット４６および第三クリーンユニット５１から吹き出され、フロント排気ファン６０およびリア排気ファン６２によって吸い込まれて排気ダクト６１、６１から筐体１１の外部に排気される。このクリーンエア６３の流れにより、カセット２やウエハ１の表面に付着したパーティクル、カセット移載装置１７やウエハ移載装置２０およびボートエレベータ２１の稼働によって発生したパーティクル等が吹き落とされる。
【００２６】
この際、第一クリーンユニット４０、第二クリーンユニット４６および第三クリーンユニット５１に接続されたダクト３３の取込口３４にはケミカルフィルタユニット３６が設置されているため、第一クリーンユニット４０、第二クリーンユニット４６および第三クリーンユニット５１から吹き出されるクリーンエア６３は酸性ガスやアルカリ性ガスおよび有機ガス等の化学汚染物質を予め除去された状態になっている。
【００２７】
ところで、ケミカルフィルタの濾過材に使用された活性炭や活性繊維の剥離等に起因するパーティクル汚染の増加が懸念される。しかし、本実施の形態においては、ケミカルフィルタユニット３６はクリーンエア６３の流れの最上流であるダクト３３の取込口３４に設置されているので、ケミカルフィルタユニット３６のケミカルフィルタ３７において活性炭や活性繊維の剥離等に起因したパーティクルが万一にも発生した場合であっても、パーティクル汚染の増加は防止することができる。すなわち、ケミカルフィルタユニット３６のケミカルフィルタ３７において活性炭や活性繊維の剥離等に起因したパーティクルが万一にも発生した場合であっても、そのパーティクルは下流側に配置された第一クリーンユニット４０、第二クリーンユニット４６および第三クリーンユニット５１の各パーティクルフィルタによって捕集されるので、パーティクル汚染が増加することは未然に防止されることになる。
【００２８】
ところで、パーティクルフィルタは濾過材にガラス繊維またはＰＴＦＥ繊維を使用することによってクリーンエア中のパーティクルを捕集し除去するものである。パーティクルフィルタの濾過材に使用されるガラス繊維内には、微量のボロン（Ｂ）が含有しており、このボロンはガラス繊維が弗酸（ＨＦ）等の酸性雰囲気によってエッチングされた際にはクリーンエア中に飛散する懸念がある。ボロンは半導体のキャリア（電子および正孔）の濃度を制御する重要な物質であり、ＩＣの品質や信頼性に意図しない影響を与えるので、ＩＣの製造方法の歩留り低下の原因になる。そのため、最近ではガラス繊維はパーティクルフィルタの濾過材として使用されない傾向にある。
【００２９】
他方のＰＴＦＥ繊維はボロンの影響がないので、パーティクルフィルタの濾過材の主流になって来ている。しかし、ＰＴＦＥ繊維の濾過材は若干の有機物を発生する。そして、筐体内の有機物の汚染濃度を主としたケミカル汚染濃度は、ＰＴＦＥ繊維を使用したパーティクルフィルタからの有機物の発生によって決定される傾向が本発明者によって究明された。
【００３０】
そこで、本実施の形態においては、光触媒ユニット４３、４９等を第一クリーンユニット４０、第二クリーンユニット４６および第三クリーンユニット５１のパーティクルフィルタ４２、４８等の下流側に設置することにより、これらパーティクルフィルタから発生した有機物（パーティクルではない）を光触媒ユニットによってそれぞれ除去するように構成している。光触媒ユニットによる有機物の除去原理は次の通りである。
【００３１】
例えば、第一クリーンユニット４０のパーティクルフィルタ４２のＰＴＦＥ繊維から発生した有機物は、光触媒ユニット４３の光触媒シート４０ａに付着する。ここで、酸化チタンを主成分にする光触媒シート４０ａに紫外線が紫外線ランプ４０ｂによって照射されると、光触媒シート４０ａの酸化チタンの内部に電子（ｅ−　）および正孔（ｈ＋　）が生じる。この電子および正孔は空気中の酸素（Ｏ２　）および水（Ｈ２　Ｏ）と接触して、次式（１）および（２）の反応を起こす。
Ｏ２　＋ｅ−　→Ｏ２　−　・・・（１）
Ｈ２　Ｏ＋ｈ＋　→・ＯＨ＋Ｈ・・・（２）
このＯ２　−　および・ＯＨはそれぞれ、スーパーオキサイドイオン（スーパーオキサイドアニオン）および水酸ラジカル（ヒドロキシラジカル）と呼ばれる活性酸素であり、光触媒シート４０ａの表面に付着した有機物を分解する。つまり、第一クリーンユニット４０のパーティクルフィルタ４２のＰＴＦＥ繊維から発生した有機物は光触媒ユニット４３によって除去されることになる。なお、酸化チタンを主成分とする光触媒シート４０ａの表面は比較的に硬いために、剥離して新たなパーティクル汚染を発生させることはない。
【００３２】
図４は有機汚染低減効果を示すグラフであり、図５はパーティクル汚染低減効果を示すグラフである。図４および図５において、実線の折れ線は光触媒ユニットが設置された本実施の形態に係る場合を示しており、破線の折れ線は光触媒ユニットが設置されていない比較例の場合を示している。なお、図４および図５において、符号Ａ〜Ｄは測定位置をそれぞれ示しており、第一測定位置Ａはケミカルフィルタユニット３６の上流側の位置、第二測定位置Ｂはダクト３３の分岐点、第三測定位置Ｃは光触媒ユニット４３や４９の下流側の位置、第四測定位置Ｄはパーティクルフィルタ４２や４８と光触媒ユニット４３や４９との間の位置である。
【００３３】
図５の破線の折れ線で示されているように、比較例の場合には、パーティクル汚染レベルは第三測定位置Ｃにおいて最小になる。しかし、図４の破線の折れ線で示されているように、有機汚染レベルはケミカルフィルタの直下である第二測定位置Ｂよりも第三測定位置Ｃにおいて悪化している。これはパーティクルフィルタのＰＴＦＥ繊維から有機物が発生しているためと、考察される。
【００３４】
これに対して、図４に実線の折れ線で示されているように、本実施の形態に係る場合には、有機汚染レベルは第四測定位置Ｄにおいて増加するが、光触媒ユニットの下流側の位置である第三測定位置Ｃにおいて低減されている。これは、パーティクルフィルタのＰＴＦＥ繊維から発生した有機物が光触媒ユニットによって除去されているためである。なお、図５に実線の折れ線で示されているように、本実施の形態に係る場合にはパーティクル汚染レベルは第四測定位置Ｄ、第三測定位置Ｃにおいて最小となる。
【００３５】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００３６】
１）　ケミカルフィルタをエアの流れの最上流に設置することにより、ケミカルフィルタから発生したパーティクルを下流側に配置されたパーティクルフィルタによって捕集することができるので、パーティクル汚染が増加するのを防止することができる。
【００３７】
２）　パーティクルフィルタの下流側に光触媒ユニットを設置することにより、パーティクルフィルタのＰＴＦＥ繊維から発生する有機物を光触媒ユニットによって除去することができるので、化学汚染を確実に防止することができる。
【００３８】
３）　化学汚染を確実に防止することにより、ＩＣの製造方法における成膜工程の製造歩留りを向上させることができるので、成膜工程ひいてはＩＣ製造方法のスループットを向上させることができる。
【００３９】
図６は本発明の他の実施の形態である枚葉式ＣＶＤ装置を示す側面断面図である。
【００４０】
図６に示された枚葉式ＣＶＤ装置８０は筐体８１を備えており、筐体８１の正面の下部にはカセット２を筐体８１内に搬入搬出するためのカセットポート８２が構築されている。カセットポート８２に対応する筐体８１の正面壁にはフロントシャッタ８３によって開閉されるカセット搬入搬出口８４が開設されている。カセットポート８２に対してはカセット２が工程内搬送装置（図示せず）によって搬入搬出されるようになっている。筐体８１の内部のカセットポート８２の後方には予備室８５が設置されており、予備室８５にはゲートバルブ８７によって開閉されるカセット搬入搬出口８６が開設されている。予備室８５の後方にはウエハ移載装置設置室８８が設置されており、ウエハ移載装置設置室８８にはゲートバルブ９０によって開閉されるウエハ搬入搬出口８９が開設されている。ウエハ移載装置設置室８８にはウエハ移載装置９１が設置されている。ウエハ移載装置設置室８８の後方にはプロセスチューブ９２が設置されており、プロセスチューブ９２とウエハ移載装置設置室８８との間にはゲートバルブ９３が介設されている。
【００４１】
カセットポート８２の上側にはエア取込路としてのダクト９４が垂直方向に延在するように敷設されており、このダクト９４には上流側から順に、ファン９５、ケミカルフィルタ９６、パーティクルフィルタ９７および光触媒ユニット９８が設置されている。本実施の形態によれば、ケミカルフィルタ９６において発生したパーティクルはパーティクルフィルタ９７によって除去することができ、パーティクルフィルタ９７において発生した有機物は光触媒ユニット９８によって除去することができるので、枚葉式ＣＶＤ装置８０における化学汚染を確実に防止することができる。
【００４２】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００４３】
例えば、光触媒ユニットは酸化チタンからなるシートおよび紫外線ランプによって構成するに限らず、他の材料や構造によって構成してもよい。
【００４４】
パーティクルフィルタの濾過材としてはＰＴＦＥ繊維を使用するに限らず、光触媒ユニットをボロンを除去可能に構成した場合にはガラス繊維を使用してもよい。
【００４５】
前記実施の形態ではバッチ式縦形ＣＶＤ装置および枚葉式ＣＶＤ装置の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、バッチ式縦形拡散装置や枚葉式拡散装置やアニール装置等の熱処理装置（ｆｕｒｎａｃｅ　）や枚葉式プラズマＣＶＤ装置等の基板処理装置全般に適用することができる。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、パーティクル汚染の増加を回避しつつ化学汚染を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態であるＣＶＤ装置を示す側面断面図である。
【図２】そのクリーンエアの流れを示す一部省略斜視図である。
【図３】それに使用された光触媒ユニットを示す模式図である。
【図４】有機汚染の低減効果を示すグラフである。
【図５】パーティクル汚染の低減効果を示すグラフである。
【図６】本発明の他の実施の形態である枚葉式ＣＶＤ装置を示す側面断面図である。
【符号の説明】
１…ウエハ（基板）、２…カセット（ウエハキャリア）、１０…ＣＶＤ装置（基板処理装置）、１１…筐体、１２…カセットポート（カセット搬入搬出ポート）、１３…フロントシャッタ、１４…カセット搬入搬出口、１５…保管棚、１６…カセット移載装置設置室、１７…カセット移載装置、１８…ウエハポート、１９…待機室、１９ａ…メンテナンス口、２０…ウエハ移載装置、２１…ボートエレベータ、２２…シールキャップ、２３…ボート、２４…プロセスチューブ設置室、２５…処理室、２６…プロセスチューブ、２７…マニホールド、２８…ガス導入管、２９…排気管、３０…ヒータユニット、３１…下側配電盤部、３２…上側配電盤部、３３…ダクト（エア取込路）、３４…取込口、３５…吹出口、３６…ケミカルフィルタユニット、３７…ケミカルフィルタ、３８…ファン、４０…第一クリーンユニット（カセット移載装置室用クリーンユニット）、４０ａ…光触媒シート、４０ｂ…紫外線ランプ、４１…ファン、４２…パーティクルフィルタ、４３…光触媒ユニット、４３ａ…光触媒シート、４３ｂ…紫外線ランプ、４４…サブダクト、４５…吹出口、４６…第二クリーンユニット（カセットポート用クリーンユニット）、４７…ファン、４８…パーティクルフィルタ、４９…光触媒ユニット、５０…サブダクト、５１…第三クリーンユニット（待機室用クリーンユニット）、６０…フロント排気ファン、６１…排気ダクト、６２…リア排気ファン、６３…クリーンエア、８０…枚葉式ＣＶＤ装置（基板処理装置）、８１…筐体、８２…カセットポート、８３…フロントシャッタ、８４…カセット搬入搬出口、８５…予備室、８６…カセット搬入搬出口、８７…ゲートバルブ、８８…ウエハ移載装置設置室、８９…ウエハ搬入搬出口、９０…ゲートバルブ、９１…ウエハ移載装置、９２…プロセスチューブ、９３…ゲートバルブ、９４…ダクト（エア取込路）、９５…ファン、９６…ケミカルフィルタ、９７…パーティクルフィルタ、９８…光触媒ユニット。
【図１】
2004127975.tif 000003
【図２】
2004127975.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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