(57)【要約】【課題】より微細なパターンを所望の位置に精度よく転写可能な転写用原盤の製造方法を提供する。【解決手段】鉄（Ｆｅ）などの金属触媒よりなる素材基板１０に対して熱分布を与え、表面を溶融させたのち、素材基板１０の表面を放熱させることにより、熱分布に応じた位置に突起１４のパターンを有する原盤１５を形成する。原盤１５と被転写基板２０とを対向させて密接させ、突起１４のパターンを被転写基板２０に転写し、転写パターン２２を有する基板２３を形成する。原盤１５と被転写基板２０との相対的位置をずらして、突起１４のパターンを複数回転写するようにしてもよい。また、突起１４の表面に鉄などの金属触媒よりなる被膜を形成してもよい。【選択図】        図３
2004261875.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素材基板の表面に対して所望のパターンに応じて変調された熱分布を与え、前記素材基板の表面を溶融させる溶融工程と、
前記素材基板の表面を放熱させることにより、前記熱分布に応じた位置に突起のパターンを形成する突起形成工程と
を含むことを特徴とする転写用原盤の製造方法。
【請求項２】
前記熱分布を、エネルギービームの照射により与える
ことを特徴とする請求項１記載の転写用原盤の製造方法。
【請求項３】
前記熱分布を、前記エネルギービームを所望のパターンに応じて一次元方向または二次元方向に回折させることにより与える
ことを特徴とする請求項２記載の転写用原盤の製造方法。
【請求項４】
前記素材基板は、少なくとも表面が転写物質により構成されている
ことを特徴とする請求項１記載の転写用原盤の製造方法。
【請求項５】
前記転写物質は、触媒機能を有する金属である
ことを特徴とする請求項４記載の転写用原盤の製造方法。
【請求項６】
前記転写物質は、誘電体材料または磁性体材料である
ことを特徴とする請求項４記載の転写用原盤の製造方法。
【請求項７】
前記転写物質は、バナジウム（Ｖ），マンガン（Ｍｎ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），モリブデン（Ｍｏ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），白金（Ｐｔ），イットリウム（Ｙ），ルテチウム（Ｌｕ），ホウ素（Ｂ），銅（Ｃｕ），リチウム（Ｌｉ），シリコン（Ｓｉ），クロム（Ｃｒ），亜鉛（Ｚｎ），パラジウム（Ｐｄ），銀（Ａｇ），ルテニウム（Ｒｕ），チタン（Ｔｉ），ランタン（Ｌａ），セリウム（Ｃｅ），プラセオジム（Ｐｒ），ネオジム（Ｎｄ），テルビウム（Ｔｂ），ジスプロシウム（Ｄｙ），ホルミウム（Ｈｏ）およびエルビウム（Ｅｒ）からなる群のうちの少なくとも１種、またはその化合物である
ことを特徴とする請求項４記載の転写用原盤の製造方法。
【請求項８】
前記突起の表面に転写物質からなる被膜を形成する被膜形成工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項１記載の転写用原盤の製造方法。
【請求項９】
前記転写物質が、触媒機能を有する金属である
ことを特徴とする請求項８記載の転写用原盤の製造方法。
【請求項１０】
前記転写物質が、誘電体材料または磁性体材料である
ことを特徴とする請求項８記載の転写用原盤の製造方法。
【請求項１１】
前記転写物質が、バナジウム（Ｖ），マンガン（Ｍｎ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），モリブデン（Ｍｏ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ），白金（Ｐｔ），イットリウム（Ｙ），ルテチウム（Ｌｕ），ホウ素（Ｂ），銅（Ｃｕ），リチウム（Ｌｉ），シリコン（Ｓｉ），クロム（Ｃｒ），亜鉛（Ｚｎ），パラジウム（Ｐｄ），銀（Ａｇ），ルテニウム（Ｒｕ），チタン（Ｔｉ），ランタン（Ｌａ），セリウム（Ｃｅ），プラセオジム（Ｐｒ），ネオジム（Ｎｄ），テルビウム（Ｔｂ），ジスプロシウム（Ｄｙ），ホルミウム（Ｈｏ）およびエルビウム（Ｅｒ）からなる群のうちの少なくとも１種、またはその化合物である
ことを特徴とする請求項８記載の転写用原盤の製造方法。
【請求項１２】
素材基板の表面に対して所望のパターンに応じて変調された熱分布を与え、前記素材基板の表面を溶融させた後、前記素材基板の表面を放熱させることにより、前記熱分布に応じた位置に突起のパターンが形成されている
ことを特徴とする転写用原盤。
【請求項１３】
前記素材基板は、少なくとも表面が転写物質により構成されている
ことを特徴とする請求項１２記載の転写用原盤。
【請求項１４】
複数の突起を有し、前記突起の間隔が１００ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項１２記載の転写用原盤。
【請求項１５】
複数の突起を有し、前記突起の間隔が５０ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項１２記載の転写用原盤。
【請求項１６】
前記突起は、転写物質からなる被膜で覆われている
ことを特徴とする請求項１２記載の転写用原盤。
【請求項１７】
素材基板の表面に対して所望のパターンに応じて変調された熱分布を与え、前記素材基板の表面を溶融させる溶融工程と、
前記素材基板の表面を放熱させることにより、前記素材基板の前記熱分布に応じた位置に少なくとも先端部が転写物質からなる突起を形成して、表面に突起のパターンを有する転写用原盤を作製する原盤作製工程と、
前記転写用原盤のパターンを被転写基板に転写させて基板を作製する転写工程と
を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１８】
前記転写工程において加熱処理を行う
ことを特徴とする請求項１７記載の基板の製造方法。
【請求項１９】
前記転写工程において、前記転写用原盤と前記被転写基板との相対的位置をずらして、前記転写用原盤のパターンを前記被転写基板に複数回転写させる
ことを特徴とする請求項１７記載の基板の製造方法。
【請求項２０】
前記原盤作製工程において、前記素材基板の表面に突起を形成したのち、前記突起の表面に転写物質からなる被膜を形成する
ことを特徴とする請求項１７記載の基板の製造方法。
【請求項２１】
前記転写工程において前記突起の先端の被膜を構成する転写物質を前記被転写基板に転写する
ことを特徴とする請求項２０記載の基板の製造方法。
【請求項２２】
素材基板の表面に対して所望のパターンに応じて変調された熱分布を与え、前記素材基板の表面を溶融させた後、前記素材基板の表面を放熱させることにより、前記熱分布に応じた位置に少なくとも先端部が転写物質からなる突起を形成して、表面に突起のパターンを有する転写用原盤を作製し、前記転写用原盤からパターンを被転写基板に転写することにより形成された
ことを特徴とする基板。
【請求項２３】
前記転写用原盤のパターンは、複数の突起からなり、前記突起の間隔が１００ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項２２記載の基板。
【請求項２４】
前記転写用原盤のパターンは、複数の突起からなり、前記突起の間隔が５０ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項２３記載の基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面に金属触媒等のパターンを有し、カーボンナノチューブ等の筒状炭素分子の製造に好適な基板を作製するための転写用原盤の製造方法、およびその方法により得られる転写用原盤、ならびにこの転写用原盤を用いた基板の製造方法およびその方法により得られる基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年のナノテクノロジーの進歩は著しく，なかでもカーボンナノチューブ等の分子構造体は、熱伝導性，電気伝導性，機械的強度などで優れた特性を持つ安定した材料であることから、トランジスタ，メモリ，電界電子放出素子（エミッタ）等の幅広い用途への応用が期待されている。このカーボンナノチューブの大量合成の手法の１つとして、例えば、鉄（Ｆｅ）などの遷移金属のパターンを形成し、その遷移金属パターンを触媒としてカーボンナノチューブを成長させる技術がある（例えば、非特許文献１参照。）。また、触媒から核を形成してアモルファス膜を結晶化させることによって、結晶粒径の位置を制御する技術が知られている（例えば、非特許文献２参照。）。
【０００３】
更に、シリコン（Ｓｉ）基板にニッケル（Ｎｉ）をコーティングすることによってニッケルの突起を有する原盤を作製し、この原盤を非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）基板に押し当ててニッケルを非晶質シリコン基板に転写する技術が知られている（例えば、非特許文献２参照。）。
【０００４】
ところで、基板上に、遷移金属を中心とする金属触媒を所定のパターンで形成する方法としては、半導体の大量生産の技術として用いられるフォトリソグラフィの手法を応用することが考えられる。半導体技術とともに成長してきたフォトリソグラフィは、現在では最小０．０５μｍ（５０ｎｍ）のサイズで構造体を二次元に構成することが可能である。その原理は、一枚のマスクパターンを作製し、このパターンをエネルギービームの助けにより転写することで大量の半導体デバイスの製造を可能とするものである。フォトリソグラフィにより触媒のパターンを形成するには、例えば、基板上にフォトレジストを塗布し、マスクパターンを通過するエネルギービームにより感光させた後、所定の領域のみレジストを除去して、レジストを除去した領域にのみ触媒などのパターンを形成するようにすることができる。
【０００５】
また、本発明に関連する他の技術として、半導体材料から不純物を除去するのに用いられる帯域溶融法（ゾーンメルティング）がある。これは、半導体に高周波加熱などによって幅の狭い溶融帯を作り、この溶融帯をゆっくり移動させることにより、溶融部分に不純物を集めるものである。
【０００６】
【非特許文献１】
日刊工業新聞，平成１４年４月１１日付記事，「ＣＮＴのフィールドエミッター４ボルト低電圧で電子放出」
【非特許文献２】
Ｋ．Ｍａｋｉｈａｒａ  ｅｔ  ａｌ，ＡＭ−ＬＣＤ，‘０２，ｐｐ２５
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のフォトリソグラフィの手法では、微細な加工をするためには、エネルギービームの波長を短くしなければならず、現在の技術ではこれ以上の短波長化は困難である。そのため、フォトリソグラフィにより遷移金属等のパターンを形成する場合には、遷移金属パターンの寸法は、エネルギービームの波長で定まり、現在の技術では０．０５μｍ（５０ｎｍ）以下にすることができず、また、パターンの間隔（ピッチ）は１００ｎｍ以下にすることができない。すなわち、従来の手法では、金属触媒等のより微細なパターンを、大量に形成するには限界があるという問題があった。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、第１の目的は、転写により、より微細なパターンを被転写基板の所望の位置に精度よく形成することが可能な転写用原盤の製造方法を提供することにある。
【０００９】
本発明の第２の目的は、より微細なパターンを所定の位置に有し、カーボンナノチューブ等の分子構造体の製造に好適な基板を大量に製造可能な転写用原盤を提供することにある。
【００１０】
本発明の第３の目的は、上記転写用原盤を用いた基板の製造方法およびそれにより得られる基板を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明による転写用原盤の製造方法は、素材基板の表面に対して所望のパターンに応じて変調された熱分布を与え、素材基板の表面を溶融させる溶融工程と、素材基板の表面を放熱させることにより、熱分布に応じた位置に突起のパターンを形成する突起形成工程とを含むものである。
【００１２】
本発明による転写用原盤は、素材基板の表面に対して所望のパターンに応じて変調された熱分布を与え、素材基板の表面を溶融させた後、素材基板の表面を放熱させることにより、熱分布に応じた位置に突起のパターンが形成された構成を有するものである。
【００１３】
ここで、「素材基板」は少なくとも表面が触媒金属等の転写物質により構成されていればよい。したがって、素材基板全体が転写物質により構成されていてもよいが、表面部分のみが転写物質により層状に形成されたもの、あるいは表面に転写物質からなる被膜が形成されたものでもよい。また、「転写物質」は、転写用原盤に形成された突起パターンの最先端部分から少なくとも一部が他の基板（被転写基板）へ写しとることができるものであればよく、例えば触媒機能を有する金属を用いることができ、更に、用途によっては誘電体材料または磁性体材料を用いることができる。
【００１４】
また、「突起」とは、基板の表面から隆起し、その高さが１ｎｍ以上の場合をいい、点在する突起だけでなく、突条形状のものも含む。
【００１５】
本発明による基板の製造方法は、素材基板の表面に対して所望のパターンに応じて変調された熱分布を与え、素材基板の表面を溶融させる溶融工程と、素材基板の表面を放熱させることにより、素材基板の熱分布に応じた位置に少なくとも先端部が転写物質からなる突起を形成して、表面に突起のパターンを有する転写用原盤を作製する原盤作製工程と、転写用原盤のパターンを被転写基板に転写させて基板を作製する転写工程とを含むものである。
【００１６】
なお、ここでの「素材基板」は、全体が転写物質により構成されているもの、表面部分のみが転写物質により層状に形成されたもの、あるいは表面に転写物質からなる被膜が形成されるものでもよいことは上記と同様であるが、更に、例えばシリコン（Ｓｉ）などの第１の物質中に鉄（Ｆｅ）などの転写物質からなる第２の物質を添加材として含む素材基板であってもよい。要は、熱分布に応じた位置に少なくとも突起の先端部が転写物質からなるパターンを形成できるものであればよい。
【００１７】
本発明による基板は、素材基板の表面に対して所望のパターンに応じて変調された熱分布を与え、素材基板の表面を溶融させた後、素材基板の表面を放熱させることにより、熱分布に応じた位置に少なくとも先端部が転写物質からなる突起を形成して、表面に突起のパターンを有する転写用原盤を作製し、この転写用原盤からパターンを被転写基板に転写して形成された構成を有するものである。
【００１８】
本発明による転写用原盤の製造方法および転写用原盤では、素材基板の表面に対して所望のパターンに応じて変調された熱分布が与えられ、素材基板の表面が溶融される。そののち、素材基板の表面を放熱させることにより、熱分布に応じた位置に触媒金属等からなる微細な突起のパターンが形成される。
【００１９】
本発明による基板の製造方法および本発明による基板では、上記方法により作製された転写用原盤から、そのパターンが被転写基板に転写される。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２１】
〔第１の実施の形態〕
まず、図１ないし図３を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る転写用原盤の製造方法および基板の製造方法について説明する。本実施の形態は、転写物質（ここでは、触媒金属）からなる素材基板１０の表面に、転写物質の突起のパターンを形成し、これを転写用原盤とするものである。具体的には、素材基板１０の表面に所望のパターンに応じて変調された熱分布１１を与え、素材基板１０の表面を溶融させる「溶融工程」と、素材基板１０の表面を放熱させることにより、熱分布１１に応じた位置に、すなわち、所望のパターンで突起を形成する「突起形成工程」とを含むものである。
【００２２】
このような工程により作製された転写用原盤から、そのパターンを被転写基板に転写させる「転写工程」を経て、本実施の形態に係る基板が得られるもので、この基板は例えばカーボンナノチューブの成長基板として利用される。
【００２３】
（溶融工程）
まず、図１を参照して溶融工程を説明する。素材基板１０は、本実施の形態では金属触媒としての鉄（Ｆｅ）により構成されている。素材基板１０は、厚さが例えば４０ｎｍであり、例えばシリコン（Ｓｉ）により構成された支持体１０Ａにより保持されている。なお、素材基板１０が十分な厚さを有している場合には、支持体１０Ａは不要である。
【００２４】
素材基板１０の材料は、例えばカーボンナノチューブを形成するための金属触媒としては、上述の鉄（Ｆｅ）の他、バナジウム（Ｖ），マンガン（Ｍｎ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），モリブデン（Ｍｏ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ）または白金（Ｐｔ）が挙げられる。また、イットリウム（Ｙ），ルテチウム（Ｌｕ），ホウ素（Ｂ），銅（Ｃｕ），リチウム（Ｌｉ），シリコン（Ｓｉ），クロム（Ｃｒ），亜鉛（Ｚｎ），パラジウム（Ｐｄ），銀（Ａｇ），ルテニウム（Ｒｕ），チタン（Ｔｉ），ランタン（Ｌａ），セリウム（Ｃｅ），プラセオジム（Ｐｒ），ネオジム（Ｎｄ），テルビウム（Ｔｂ），ジスプロシウム（Ｄｙ），ホルミウム（Ｈｏ）またはエルビウム（Ｅｒ）を用いてもよい。なお、以上の物質は２種以上同時に使用してもよく、また、これら物質の２種以上からなる化合物を用いてもよい。また、金属フタロシアン化合物，メタセロン、金属塩を用いることも可能である。更に、酸化物あるいはシリサイドであってもよい。
【００２５】
加えて、用途によっては、素材基板１０の材料は、アルミニウム（Ａｌ），シリコン（Ｓｉ），タンタル（Ｔａ），チタン（Ｔｉ），ジルコニウム（Ｚｒ），ニオブ（Ｎｂ），マグネシウム（Ｍｇ），ホウ素（Ｂ），亜鉛（Ｚｎ），鉛（Ｐｂ），カルシウム（Ｃａ），ランタン（Ｌａ），ゲルマニウム（Ｇｅ）などの金属および半金属などの元素の、窒化物，酸化物，炭化物，フッ化物，硫化物，窒酸化物，窒炭化物，または酸炭化物などからなる誘電体材料を用いることが可能である。具体的には、ＡｌＮ，Ａｌ２  Ｏ３  ，Ｓｉ３  Ｎ４  ，ＳｉＯ２  ，ＭｇＯ，Ｙ２  Ｏ３  ，ＭｇＡｌ２  Ｏ４  ，ＴｉＯ２  ，ＢａＴｉＯ３  ，ＳｒＴｉＯ３  ，Ｔａ２  Ｏ５  ，ＳｉＣ，ＺｎＳ，ＰｂＳ，Ｇｅ−Ｎ，Ｇｅ−Ｎ−Ｏ，Ｓｉ−Ｎ−Ｏ，ＣａＦ２  ，ＬａＦ，ＭｇＦ２  ，ＮａＦ，ＴｉＦ４  などである。更にまた、これらの材料を主成分とする材料や、これらの材料の混合物、例えばＡｌＮ−ＳｉＯ２  を用いることも可能である。加えてまた、鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），ガドリニウム（Ｇｄ）等の磁性体材料を用いることもできる。
【００２６】
熱分布１１は、素材基板１０の表面温度がエネルギービーム１２の照射により空間的に変調されて、高温領域１１Ｈと低温領域１１Ｌとが周期的に形成されたものである。エネルギービーム１２は、波長および位相の揃った平行光であり、本実施の形態では、高出力を得るため、例えばＸｅＣｌエキシマレーザを用いる。
【００２７】
本実施の形態では、熱分布１１は、エネルギービーム１２を回折格子１３で回折させることにより与えられる。回折格子１３は、エネルギービーム１２を回折させてエネルギー量を空間的に変調するものであり、例えば、光学ガラス板に、直線状の平行な溝１３Ａが一定の周期間隔Ｐで一次元方向に配列されたものである。本実施の形態では、例えば、石英材料よりなる板に直線状の平行な溝１３Ａが例えば１μｍの周期間隔Ｐで一次元方向に配列され、エネルギービーム１２のエネルギー量を、溝１３Ａが配列されている方向に沿って一次元方向に変調するようになっている。なお、回折格子１３は必ずしも溝などの凹凸を形成したものに限られず、例えば、エネルギービーム１２の透過部分と非透過部分とが印刷により形成されたものであってもよい。
【００２８】
このような回折格子１３を用いることにより、高温領域１１Ｈは、溝１３Ａの延長方向に沿った直線状に形成されると共に、溝１３Ａの配列されている方向に沿って一次元方向に配列される。熱分布１１の空間的周期Ｔ、すなわち高温領域１１Ｈの間隔（ピッチ）は、回折格子１３の周期間隔Ｐおよびエネルギービーム１２の波長λに応じて定まる。波長λを小さくするほど、または、周期間隔Ｐを微細にするほど熱分布１１の空間的周期Ｔを微細化することができる。
【００２９】
エネルギービーム１２のエネルギー量は、低温領域１１Ｌにおいて素材基板１０の表面が溶融する温度となるように設定される。これにより、素材基板１０の表面の全体を溶融させることができる。このとき、エネルギービーム１２としてエキシマレーザを用いる場合には、パルス発光の照射回数によりエネルギー量の制御を行うことができる。本実施の形態では、例えば、エネルギービーム１２のエネルギー量を３５０ｍＪ／ｃｍ２  、パルス照射回数を１００回とする。
【００３０】
（突起形成工程，原盤作製工程）
次に、図２を参照して突起形成工程を説明する。すなわち、溶融工程において素材基板１０の表面を溶融させたのち、エネルギービーム１２の照射を止めると、素材基板１０の表面の温度は徐々に低下して凝固するが、このとき、溶融工程において照射されたエネルギービーム１２のエネルギー量が一定値を超えている場合には、高温領域１１Ｈに対応する位置に、素材基板１０の表面から隆起した突起１４が形成され、素材基板１０の表面に突起１４を有する転写用原盤（以下，原盤という）１５が形成される。
【００３１】
突起１４は、高温領域１１Ｈが溝１３Ａに対応して一次元方向に配列された直線状であるので、これに対応して、一次元方向に配列された直線状のリブ（突条）のパターンとして形成される。突起１４の幅（線幅）Ｗ、すなわち熱分布１１の変調方向における突起１４の下端部の寸法は、溶融温度および冷却速度により定まる。溶融温度は、エネルギービーム１２のエネルギー量、すなわちエキシマレーザの場合にはパルス照射回数によって制御することができ、溶融温度が高いほど、突起１４の幅Ｗは大きくなる。冷却速度は、素材基板１０または素材基板１０のホルダーを真空中またはガス雰囲気中に配置する方法、ガスフローによる方法、水または液体窒素中で冷却する方法、あるいは加熱しながらゆっくり冷却する方法などによって制御することができ、冷却速度が速いほど突起１４の幅Ｗは大きくなる。突起１４の幅Ｗは、原理的には素材基板１０の構成物質の原子の大きさより大きい任意の値をとり得るものであり、溶融温度および冷却速度を制御することにより従来のフォトリソグラフィ技術では不可能であった５０ｎｍ未満を実現することができる。
【００３２】
突起１４の幅Ｗの具体的な値は、後述する基板の用途によって定められるが、例えばカーボンナノチューブを形成する場合には、突起１４の幅Ｗは、０．４ｎｍ以上５０ｎｍ未満であることが好ましい。カーボンナノチューブの直径が、最小で０．４ｎｍであるからである。
【００３３】
突起１４の幅Ｗは、０．４ｎｍ以上３０ｎｍ以下であればより好ましい。カーボンナノチューブは、直径が０．４ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲にあるものが多いからである。
【００３４】
更に、突起１４の幅Ｗは、０．４ｎｍ以上１０ｎｍ以下であれば更に好ましい。突起１４を転写して得られた転写パターンの幅方向に多数のカーボンナノチューブが接近して屹立する可能性が小さくなるので、これらのカーボンナノチューブを例えば電界電子放出素子（エミッタ）として使用する場合に、カーボンナノチューブの各々の表面における電界強度の低下を防止し、電界放出に必要な印加電圧を小さくすることができるからである。また、例えばカーボンナノチューブを記録装置（メモリ）として利用する場合には、一本の転写パターンには幅方向に１本のみのカーボンナノチューブを形成することが必要となる場合があるので、カーボンナノチューブの直径と転写パターンの幅すなわち突起１４の幅Ｗとを一致させることが好ましいからである。
【００３５】
また、突起１４の間隔Ｌ、すなわち熱分布１１の変調方向における突起１４の間隔（ピッチ）は、熱分布１１の空間的周期Ｔに応じて、すなわち回折格子１３の周期間隔Ｐおよびエネルギービーム１２の波長λに応じて定まる。波長λを小さくするほど、または、周期間隔Ｐを微細にするほど突起１４の間隔Ｌを微細化することができ、従来のフォトリソグラフィでは不可能な微細な間隔Ｌで突起１４を形成することが可能である。
【００３６】
突起１４の間隔Ｌは、例えば１００ｎｍ以下であることが好ましい。従来のフォトリソグラフィでは解像限界が５０ｎｍであるため、従来のフォトリソグラフィで形成可能な最小のパターンは、例えば山５０ｎｍ、谷５０ｎｍ、および山５０ｎｍで、その間隔は解像限界の２倍すなわち１００ｎｍとなるからである。更に、突起１４の間隔Ｌは、５０ｎｍ以下とすればより好ましい。従来の電子ビームリソグラフィの解像限界が２５ｎｍ程度であるため、従来の電子ビームリソグラフィで形成可能な最小のパターンの間隔は、同様に解像限界の２倍すなわち５０ｎｍとなるからである。
【００３７】
（転写工程）
次に、図３を参照して転写工程を説明する。まず、図３（Ａ）に示したように、例えば、導電性膜２１の配線パターンが予め形成された被転写基板２０を用意する。
【００３８】
続いて、図３（Ｂ）に示したように、原盤１５の突起１４と被転写基板２０の導電性膜２１とを対向させて密接させる。このとき、転写特性向上のため、必要に応じて加圧することが好ましい。更に、加熱処理を行うようにすれば、転写特性をいっそう良好にすることができるので、より好ましい。
【００３９】
そののち、原盤１５を被転写基板２０から引き離すと、図３（Ｃ）に示したように、突起１４の先端部が、被転写基板２０に転写される。こうして、被転写基板２０の上に、触媒金属（鉄）よりなる転写パターン２２が形成された基板２３が形成される。よって、一枚の原盤１５から多数の被転写基板２０に突起１４のパターンを転写して基板２３を大量に製造することができる。なお、転写を繰り返すことにより突起１４が磨耗した場合には、再び溶融工程および突起形成工程を繰り返して突起１４の形状を回復させることなどが可能である。
【００４０】
ここで、「突起１４の先端部」とは、突起１４を素材基板１０の表面に平行な水平面Ｈ（図４および図５参照）で切断した場合に、突起１４の先端を含む部分をいう。したがって、例えば、図３（Ｃ）に示したように突起１４の先端のみを被転写基板２０に転写してもよいし、図４に示したように突起１４全体を被転写基板２０に転写するようにしてもよい。あるいは図５に示したように突起１４の先端および中腹にかけての部分を被転写基板２０に転写するようにしてもよい。
【００４１】
被転写基板２０に転写パターン２２を形成して基板２３を作製したのち、例えば、図６に示したように、この転写パターン２２を触媒として基板２３上にカーボンナノチューブ２４を成長させ、複数のカーボンナノチューブ２４が直線状に配列されたカーボンナノチューブ構造体２５を形成することができる。このように導電性膜２１上に形成されたカーボンナノチューブ構造体２５は電界電子放出素子として利用することができる。
【００４２】
このように本実施の形態では、触媒金属からなる素材基板１０の表面に対して熱分布１１を与え、素材基板１０の表面を溶融させたのち、素材基板１０の表面を放熱させるようにしたので、所望の位置に触媒金属からなる微細な突起１４のパターンを有する原盤１５を作製することができる。突起１４の幅Ｗは、溶融温度および冷却速度を制御することによって従来のフォトリソグラフィ技術では不可能であった５０ｎｍ未満とすることが可能である。また、熱分布１１の空間的周期Ｔを制御することにより突起１４を従来のフォトリソグラフィ技術では不可能であった微細な間隔Ｌで形成することが可能になる。
【００４３】
また、突起１４のパターンを有する原盤１５をドライプロセスにより形成することができるので、従来のフォトリソグラフィを利用したプロセスに比べて生産が容易であり、再現性が良く、低コスト化が可能である等の利点を得ることができる。
【００４４】
また、エネルギービーム１２を回折させることにより熱分布１１を与えるようにしたので、回折格子１３の周期間隔Ｐを微細化することにより熱分布１１の空間的周期Ｔを容易に制御し、突起１４の間隔Ｌを微細化することができる。
【００４５】
更に、本実施の形態では、突起１４の少なくとも先端部を被転写基板２０に転写することにより、一枚の原盤１５から多数の被転写基板２０に突起１４を転写して基板２３を大量に作製することが可能になる。
【００４６】
〔第２の実施の形態〕
次に、図７ないし図１１を参照して、第２の実施の形態に係る転写用原盤の製造方法および基板の製造方法について説明する。本実施の形態は、溶融工程において、エネルギービームのエネルギー量を二次元方向すなわちＸ方向およびＹ方向に変調させ、素材基板１０の表面に対してＸ方向熱分布３１ＸおよびＹ方向熱分布３１Ｙを与えるようにしたものである。
【００４７】
（溶融工程）
まず、図７を参照して溶融工程を説明する。Ｘ方向熱分布３１Ｘは、素材基板１０の表面温度がＸ方向に変調されて、Ｘ方向高温領域３１ＸＨとＸ方向低温領域３１ＸＬとが周期的に形成されたものである。また、Ｙ方向温度分布３１Ｙは、素材基板１０の表面温度がＹ方向に変調されて、Ｙ方向高温領域３１ＹＨとＹ方向低温領域３１ＹＬとが周期的に形成されたものである。
【００４８】
Ｘ方向熱分布３１ＸおよびＹ方向熱分布３１Ｙは、例えば、エネルギービーム１２を、非透過部分３２Ａおよび透過部分３２Ｂが二次元方向に配列された回折格子３２で回折させることにより与えられる。回折格子３２としては、例えば、非透過部分３２Ａにエネルギービーム１２を透過させないマスクが印刷されたものなどを用いることができる。
【００４９】
図８は、素材基板１０の表面においてＸ方向温度分布３１ＸとＹ方向温度分布３１Ｙとが重畳されることにより、熱分布３３が形成された状態を表している。図８に示したように、素材基板１０の表面には、Ｘ方向高温領域３１ＸＨとＹ方向高温領域３１ＹＨとの重複する位置に高温領域３３Ｈを有し、Ｘ方向低温領域３１ＸＬとＹ方向低温領域３１ＹＬとの重複する位置に低温領域３３Ｌを有するような熱分布３３が形成される。これにより、高温領域３３Ｈは、非透過部分３２Ａおよび透過部分３２Ｂの配列されている方向に沿って二次元方向に配列される。
【００５０】
熱分布３３のＸ方向における空間的周期ＴＸ、すなわち高温領域３３ＨのＸ方向における間隔（ピッチ）は、回折格子３２のＸ方向における周期間隔ＰＸおよびエネルギービーム１２の波長λに応じて定まる。また、熱分布３３のＹ方向における空間的周期ＴＹ、すなわち高温領域３３ＨのＹ方向における間隔（ピッチ）は、回折格子３２のＹ方向における周期間隔ＰＹおよびエネルギービーム１２の波長λに応じて定まる。波長λを小さくするほど、または周期間隔ＰＸ，ＰＹを微細にするほど熱分布３３の空間的周期ＴＸ，ＴＹを微細化することができる。ここで、本実施の形態では、回折格子３２のＸ方向における周期間隔ＰＸとは、一つの非透過部分３２ＡのＸ方向における寸法と一つの透過部分３２ＢのＸ方向における寸法との和をいい、回折格子３２のＹ方向における周期間隔ＰＹとは、一つの非透過部分３２ＡのＹ方向における寸法と一つの透過部分３２ＢのＹ方向における寸法との和をいう。
【００５１】
回折格子３２のＸ方向における周期間隔ＰＸとＹ方向における周期間隔ＰＹとは、互いに独立に設定することができる。したがって、図９に示したように、熱分布３３のＸ方向における空間的周期ＴＸとＹ方向における空間的周期ＴＹとを、互いに独立に設定することも可能である。
【００５２】
なお、回折格子３２としては、マスク印刷により非透過部分３２Ａおよび透過部分３２Ｂが形成されたものではなく、凹部または凸部が形成されたものを用いることも可能である。凹凸が形成された回折格子３２の場合には、回折格子３２のＸ方向における周期間隔ＰＸとは、凹部（または凸部）のＸ方向における間隔（ピッチ）をいい、回折格子３１のＹ方向における周期間隔ＰＹとは、凹部（または凸部）のＹ方向における間隔（ピッチ）をいう。
【００５３】
エネルギービーム１２のエネルギー量は、低温領域３３Ｌにおいて素材基板１０の表面が溶融する温度となるように設定される。これにより、素材基板１０の表面の全体を溶融させることができる。このとき、エネルギービーム１２としてエキシマレーザを用いる場合には、パルス発光の照射回数によりエネルギー量の制御を行うことができる。
【００５４】
（突起形成工程，原盤作製工程）
次に、図１０および図１１を参照して、突起形成工程を説明する。溶融工程において素材基板１０の表面の全体を溶融させたのち、エネルギービーム１２の照射を止めて素材基板１０の表面を放熱させ、熱分布３３に応じた位置すなわち高温領域３３Ｈに対応する位置に突起３４を形成する。これにより、突起３４のパターンを有する原盤３５が得られる。
【００５５】
突起３４は、高温領域３３Ｈが素材基板１０の表面に二次元方向に配列されているので、これに対応して、素材基板１０の表面に二次元方向に配列された錘体のパターンとして形成される。突起３４の下端部のＸ方向における寸法（直径）ＤＸおよびＹ方向における寸法（直径）ＤＹは、溶融温度および冷却速度により定まる。溶融温度は、第１の実施の形態と同様に制御することができ、溶融温度が高いほど突起３４の寸法ＤＸ，ＤＹは大きくなる。また、冷却速度は、第１の実施の形態と同様に制御することができ、冷却速度が速いほど突起３４の寸法ＤＸ，ＤＹは大きくなる。突起３４の寸法ＤＸ，ＤＹは、原理的には素材基板１０の構成物質の原子の大きさより大きい任意の値をとり得るものであり、溶融温度および冷却速度を制御することにより従来のフォトリソグラフィ技術では不可能であった５０ｎｍ未満を実現することができる。
【００５６】
突起３４の寸法ＤＸ，ＤＹの具体的な値は、後述する基板の用途によって定められるが、例えばカーボンナノチューブを形成する場合には、突起３４の寸法ＤＸ，ＤＹはそれぞれ、０．４ｎｍ以上５０ｎｍ未満であることが好ましい。カーボンナノチューブの直径が、最小で０．４ｎｍであるからである。
【００５７】
突起３４の寸法ＤＸ，ＤＹはそれぞれ、０．４ｎｍ以上３０ｎｍ以下であればより好ましい。なぜなら、カーボンナノチューブは、直径が３ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲にあるものが多いからである。
【００５８】
更に、突起３４の寸法ＤＸ，ＤＹは、０．４ｎｍ以上１０ｎｍ以下であれば更に好ましい。なぜなら、突起３４のＸ方向またはＹ方向に多数のカーボンナノチューブが接近して屹立する可能性が小さくなるので、これらのカーボンナノチューブを例えば電界電子放出素子として使用する場合に、カーボンナノチューブの各々の表面における電界強度の低下を防止し、電界放出に必要な印加電圧を小さくすることができるからである。また、例えばカーボンナノチューブを記録装置（メモリ）として利用する場合には、一つの突起３４から転写された転写パターンには１本のみのカーボンナノチューブを形成することが必要となる場合があるので、カーボンナノチューブの直径と転写パターンの寸法すなわち突起３４の寸法ＤＸ，ＤＹとを一致させることが好ましいからである。
【００５９】
また、突起３４のＸ方向における間隔ＬＸ、およびＹ方向における間隔ＬＹは、熱分布３３の空間的周期ＴＸ，ＴＹに応じて、すなわち回折格子３２の周期間隔ＰＸ，ＰＹおよびエネルギービーム１２の波長λに応じて定まる。波長λを小さくするほど、または、回折格子３２の周期間隔ＰＸ，ＰＹを微細にするほど突起３４の間隔ＬＸ，ＬＹを微細化することができ、従来のフォトリソグラフィでは不可能な微細な間隔ＬＸ，ＬＹで突起３４を形成することも可能である。
【００６０】
突起３４の間隔ＬＸ，ＬＹは、例えば１００ｎｍ以下であることが好ましい。前述のように、従来のフォトリソグラフィでは解像限界が５０ｎｍであるため、従来のフォトリソグラフィで形成可能な最小のパターンは、例えば山５０ｎｍ、谷５０ｎｍ、および山５０ｎｍで、その間隔は解像限界の２倍すなわち１００ｎｍとなるからである。更に、突起３４の間隔ＬＸ，ＬＹは、５０ｎｍ以下とすればより好ましい。従来の電子ビームリソグラフィの解像限界が２５ｎｍ程度であるため、従来の電子ビームリソグラフィで形成可能な最小のパターンの間隔は、同様に解像限界の２倍すなわち５０ｎｍとなるからである。
【００６１】
なお、図９に示したように熱分布３３のＸ方向における空間的周期ＴＸとＹ方向における空間的周期ＴＹとを、互いに独立に設定した場合には、これに対応して、図１２に示したように突起３４が楕円形に形成される。
【００６２】
（転写工程）
次に、図１３を参照して転写工程を説明する。まず、図１３（Ａ）に示したように、原盤３５の突起３４と被転写基板２０の導電性膜２１とを対向させて密接させる。このとき、転写特性向上のため、加圧あるいは加熱処理を行うことが好ましいことは前述の実施の形態と同様である。
【００６３】
そののち、原盤３５を被転写基板２０から引き離すと、図１３（Ｂ）に示したように、突起３４の先端部が、被転写基板２０に転写される。こうして、被転写基板２０の上に、触媒金属（鉄）よりなる転写パターン３６が二次元方向に配列された基板３７が形成される。よって、一枚の原盤３５から多数の被転写基板２０に突起３４を転写して基板３７を大量に製造することができる。また、転写を繰り返すことにより突起３４が磨耗した場合には、再び溶融工程および突起形成工程を繰り返して突起３４の形状を回復させることなどが可能である。
【００６４】
ここで、「突起３４の先端部」の意味およびその具体例については、第１の実施の形態において図４および図５を参照して説明したのと同様である。
【００６５】
被転写基板２０に転写パターン３６を形成して基板３７を作製したのち、例えば、図１４に示したように、この転写パターン３６を触媒として、基板３７上にカーボンナノチューブ３８を成長させ、複数のカーボンナノチューブ３８が二次元方向に配列されたカーボンナノチューブ構造体３９を形成することができる。このように導電性膜２１上に形成されたカーボンナノチューブ構造体３９は第１の実施の形態と同様に電界電子放出素子として利用することができる。
【００６６】
図１５は、このようにして基板３７上に形成されたカーボンナノチューブ構造体３９を表す顕微鏡写真（３７．５倍）であり、二次元方向に配列された点状の白い部分は、原盤３５の突起３４から転写された転写パターン３６を触媒として、基板３７上に成長したカーボンナノチューブ３８に対応している。
【００６７】
図１６は、図１５の白い部分の中央付近を拡大して表すＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；走査型電子顕微鏡）写真（５万倍）である。図１６から分かるように、白い部分にはカーボンナノチューブが成長していることが確認できる。また、図１７は、図１５において白く見える部分と周囲の黒く見える部分との境界付近を拡大して表すＳＥＭ写真（５万倍）である。図１７から分かるように、白い部分にはカーボンナノチューブが成長していることが確認できるが、黒い部分にはカーボンナノチューブの存在は認められない。
【００６８】
このように本実施の形態では、エネルギービーム１２のエネルギー量を二次元方向に変調させることにより熱分布３３を形成するようにしたので、二次元方向に配列された突起３４のパターンを有する原盤３５を作製することができる。
【００６９】
また、回折格子３２を用いてエネルギービーム１２を回折させることにより熱分布３３を形成するようにしたので、回折格子３２の周期間隔ＰＸ，ＰＹを微細化することにより熱分布３３の空間的周期ＴＸ，ＴＹを容易に制御し、突起３４の間隔ＬＸ，ＬＹを微細化することができる。
【００７０】
更に、本実施の形態においても、突起３４の先端部を被転写基板２０に転写するようにすれば、一枚の原盤３５から多数の被転写基板２０に突起３４を転写して基板３７を大量に作製することが可能になる。
【００７１】
〔第３の実施の形態〕
次に、図１８および図１９を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る転写用原盤の製造方法および基板の製造方法を説明する。本実施の形態は、任意の材質により構成された素材基板に対して第１の実施の形態と同様の方法で形成した突起の表面に、触媒金属等の転写物質からなる被膜を形成する被膜形成工程を更に含むようにしたものである。
【００７２】
（溶融工程および突起形成工程）
まず、例えばシリコンよりなる素材基板４０を用意し、上記第１の実施の形態における図１に示した溶融工程および図２に示した突起形成工程を行い、図１８（Ａ）に示したように、素材基板４０の表面に突起４１のパターンを有する原盤４２を作製する。
【００７３】
（被膜形成工程）
続いて、図１８（Ｂ）に示したように、突起４１の表面に転写物質からなる被膜４３を形成する。被膜４３は、本実施の形態では金属触媒としての鉄（Ｆｅ）により形成されている。被膜４３は、突起４１を含む基板４０の表面全体に亘ってほぼ均一な厚さで形成されるが、必ずしも均一な厚さである必要はない。被膜４３の厚さは、突起４４の高さおよび寸法に応じて定めることができる。
【００７４】
被膜４３の材料である転写物質は、カーボンナノチューブを形成するための金属触媒としては、上述の鉄（Ｆｅ）の他、バナジウム（Ｖ），マンガン（Ｍｎ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），モリブデン（Ｍｏ），タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ）または白金（Ｐｔ）が挙げられる。また、イットリウム（Ｙ），ルテチウム（Ｌｕ），ホウ素（Ｂ），銅（Ｃｕ），リチウム（Ｌｉ），シリコン（Ｓｉ），クロム（Ｃｒ），亜鉛（Ｚｎ），パラジウム（Ｐｄ），銀（Ａｇ），ルテニウム（Ｒｕ），チタン（Ｔｉ），ランタン（Ｌａ），セリウム（Ｃｅ），プラセオジム（Ｐｒ），ネオジム（Ｎｄ），テルビウム（Ｔｂ），ジスプロシウム（Ｄｙ），ホルミウム（Ｈｏ）またはエルビウム（Ｅｒ）を用いてもよい。なお、以上の物質は２種以上同時に使用してもよく、また、これら物質の２種以上からなる化合物を用いてもよい。また、金属フタロシアン化合物，メタセロン、金属塩を用いることも可能である。更に、酸化物あるいはシリサイドであってもよい。
【００７５】
加えて、用途によっては、被膜４３は、アルミニウム（Ａｌ），シリコン（Ｓｉ），タンタル（Ｔａ），チタン（Ｔｉ），ジルコニウム（Ｚｒ），ニオブ（Ｎｂ），マグネシウム（Ｍｇ），ホウ素（Ｂ），亜鉛（Ｚｎ），鉛（Ｐｂ），カルシウム（Ｃａ），ランタン（Ｌａ），ゲルマニウム（Ｇｅ）などの金属および半金属などの元素の、窒化物，酸化物，炭化物，フッ化物，硫化物，窒酸化物，窒炭化物，または酸炭化物などからなる誘電体材料を用いることが可能である。具体的には、ＡｌＮ，Ａｌ２  Ｏ３  ，Ｓｉ３  Ｎ４  ，ＳｉＯ２  ，ＭｇＯ，Ｙ２  Ｏ３  ，ＭｇＡｌ２  Ｏ４  ，ＴｉＯ２  ，ＢａＴｉＯ３  ，ＳｒＴｉＯ３  ，Ｔａ２  Ｏ５  ，ＳｉＣ，ＺｎＳ，ＰｂＳ，Ｇｅ−Ｎ，Ｇｅ−Ｎ−Ｏ，Ｓｉ−Ｎ−Ｏ，ＣａＦ２  ，ＬａＦ，ＭｇＦ２  ，ＮａＦ，ＴｉＦ４  などである。さらに、これらの材料を主成分とする材料や、これらの材料の混合物、例えばＡｌＮ−ＳｉＯ２  を用いることも可能である。さらに、鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），ガドリニウム（Ｇｄ）等の磁性体材料を用いることもできる。
【００７６】
（転写工程）
次に、図１９（Ａ）に示したように、原盤４２の突起４１と被転写基板２０の導電性膜２１とを対向させて密接させる。このとき、転写特性向上のため、加圧あるいは加熱処理を行うことが好ましいことは、前述の実施の形態と同様である。
【００７７】
そののち、原盤４２を被転写基板２０から引き離すと、図１９（Ｂ）に示したように、突起４１の先端を覆う被膜４３を構成する金属触媒としての鉄（Ｆｅ）が、被転写基板２０に転写される。こうして、被膜４３と同一の材料よりなる転写パターン４４を有する基板４５が形成される。よって、一枚の原盤４２から多数の被転写基板２０に被膜４３を転写して基板４５を大量に製造することができる。また、また、転写を繰り返すことにより被膜４３が磨耗した場合には、再び被膜形成工程を繰り返して突起４１の表面に新たな被膜を形成することなどが可能である。その際、残存する被膜４３は、除去してから新たな被膜を形成してもよいし、残存する被膜４３の上に新たな被膜を重ねて形成してもよい。
【００７８】
被転写基板２０に転写パターン４４を形成したのち、例えば、図２０に示したように、この転写パターン４４を触媒として基板４５上にカーボンナノチューブ４６を成長させ、複数のカーボンナノチューブ４６が直線状に配置されたカーボンナノチューブ構造体４７を形成することができる。
【００７９】
このように本実施の形態では、突起４１の表面に被膜４３を形成するようにしたので、被膜４３のみを金属触媒等の転写物質により構成すればよい。よって、素材基板４０の材料は任意であり、用途に応じて選択の範囲を広げることができる。
【００８０】
更に、本実施の形態でも、被膜４３で覆われた突起４１の高さ方向における一部を被転写基板２０に転写すれば、一枚の原盤４２から多数の被転写基板２０に被膜４３を転写して基板４５を大量に製造することができる。
【００８１】
〔第４の実施の形態〕
続いて、本発明の第４の実施の形態に係る基板の製造方法を説明する。本実施の形態は、「転写工程」において、第１の実施の形態の方法により得られた原盤１５と被転写基板２０との相対的位置をずらして原盤１５のパターンを被転写基板２０に複数回転写させるようにしたものである。
【００８２】
まず、図２１（Ａ）に示したように、第１の実施の形態において図３を参照して説明したようにして１回目の転写を行い、被転写基板２０に第１の転写パターン２６Ａを形成する。
【００８３】
次に、図２１（Ｂ）に示したように、原盤１５と被転写基板２０との相対的位置を、例えば突起１４の間隔Ｌの２分の１だけずらして、２回目の転写を行う。そののち、原盤１５を被転写基板２０から引き離すと、図２１（Ｃ）に示したように、第１の転写パターン２６Ａの中間の位置に第２の転写パターン２６Ｂが形成される。このようにして、第１の転写パターン２６Ａと第２の転写パターン２６Ｂとからなる転写パターン２６を有する基板２７が得られる。
【００８４】
本実施の形態では、原盤１５と被転写基板２０との相対的位置をずらして原盤１５のパターンを被転写基板２０に複数回転写させるようにしたので、第１の実施の形態よりも更に微細な転写パターン２７を有する基板２７を大量に製造することができる。
【００８５】
なお、本実施の形態では、転写を２回行うようにしたが、転写回数は更に増やしてもよい。また、その場合には、原盤１５と被転写基板２０との相対的位置を、転写回数に応じて調整することが好ましい。
【００８６】
また、本実施の形態では、原盤１５と被転写基板２０との相対的位置を、例えば突起１４の間隔Ｌの２分の１だけずらして、２回目の転写を行い、第１の転写パターン２６Ａと第２の転写パターン２６Ｂとが全体として等間隔に形成されるようにしたが、第１の転写パターン２６Ａと第２の転写パターン２６Ｂとの間隔は必ずしも均等である必要はない。
【００８７】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態では、パルスの照射回数によりエネルギービーム１２のエネルギー量を調整するようにしたが、パルスの照射回数、照射強度およびパルス幅のそれぞれを調整することが可能である。
【００８８】
また、第３の実施の形態では、溶融工程および突起形成工程を第１の実施の形態と同様に行い、リブ状の突起４１を形成するようにしたが、第２の実施の形態と同様に行い、突起４１を２次元に分布するように形成することも可能である。
【００８９】
更に、第３の実施の形態では、素材基板４０をシリコンにより構成し、被膜４３を金属触媒等の転写物質により構成するようにしたが、素材基板４０および被膜４３の両方を金属触媒等の転写物質により構成してもよい。
【００９０】
加えて、上記実施の形態では、ＸｅＣｌエキシマレーザを用いてエネルギービーム１２を照射するようにしたが、ＸｅＣｌエキシマレーザ以外のレーザを用いるようにしてもよく、更に、加熱手段として、変調により熱分布を形成できるものであれば、一般的な汎用の電気加熱炉（拡散炉）もしくはランプなどの他の方法により加熱するようにしてもよい。
【００９１】
更にまた、上記各実施の形態では、突起形成工程での放熱を溶融工程を終了したのちの常温による自然冷却としたが、常温未満の温度により強制的に冷却して突起形成工程を短縮することも可能である。
【００９２】
なお、触媒金属からなる突起のパターンを形成する方法としては、その他、例えばシリコン（Ｓｉ）などの第１の物質中に、鉄（Ｆｅ）などの触媒金属からなる第２の物質を添加材として含む素材基板を用意し、その素材基板の表面に、上記実施の形態と同様の工程（溶融工程，突起形成工程）を施す方法が挙げられる。このような方法により熱分布に応じた位置に触媒金属（第２の物質）を析出させて突起パターンを形成することができる。すなわち、突起の部分のみが触媒金属からなるパターンを形成することができ、このようなパターンを有する基板を転写用原盤として用いることにより転写パターンを有する基板を更に大量に作製することも可能である。
【００９３】
加えてまた、上記実施の形態では、原盤１５，３５または原盤４２の被膜４３を鉄により構成し、この鉄を触媒としてカーボンナノチューブを形成し、電界電子放出素子として用いる場合について説明したが、本発明は原盤１５，３５または原盤４２の被膜４３を構成する物質を適宜選択することによって他の素子、あるいはその製造にも適用可能である。
【００９４】
更にまた、原盤１５，３５または原盤４２の被膜４３として鉄などの磁性体材料を用いることにより、カーボンナノチューブに磁性体を内包したメモリ素子として用いることなども可能である。カーボンナノチューブに磁性体を内包させるには、カーボンナノチューブの先端を開放端としたのちに鉄を含む雰囲気中に配置し、開放端からカーボンナノチューブ内部に磁性体材料を取り込ませる方法などが可能である。
【００９５】
メモリ素子は、上述の鉄の他、スズ（Ｓｎ），チタン（Ｔｉ），ビスマス（Ｂｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ），アンチモン（Ｓｂ），鉛（Ｐｂ），アルミニウム（Ａｌ），インジウム（Ｉｎ），硫黄（Ｓ），セレン（Ｓｅ），カドミウム（Ｃｄ），ガドリニウム（Ｇｄ），ハフニウム（Ｈｆ）などを用いることにより形成可能である。
【００９６】
加えてまた、上記各実施の形態では、筒状炭素分子としてカーボンナノチューブを形成する場合について説明したが、本発明は、カーボンナノチューブに限らず、カーボンナノホーンあるいはカーボンナノファイバー等を形成する場合にも適用可能である。
【００９７】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の転写用原盤の製造方法、または請求項１２ないし請求項１６のいずれか１項に記載の転写用原盤によれば、素材基板の表面に変調された熱分布を与えて溶融させたのち、放熱させるようにしたので、所望の位置に規則的かつ微細な線幅あるいは直径の転写パターン（突起パターン）を形成することができ、これを用いてカーボンナノチューブ等の分子構造体の製造に好適な基板を大量に製造することが可能になる。
【００９８】
また、請求項１７ないし請求項２１のいずれか１項に記載の基板の製造方法、または請求項２２ないし請求項２４のいずれか１項に記載の基板によれば、本発明の転写用原盤を用いて被転写基板に突起パターンを転写させるようにしたので、カーボンナノチューブ等の製造に好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る原盤の製造方法および基板の製造方法における溶融工程を模式的に表す斜視図である。
【図２】図１に続く工程（突起形成工程）を模式的に表す斜視図である。
【図３】図２に続く工程（転写工程）を模式的に表す断面図である。
【図４】図３に示した転写パターンの変形例を表す断面図である。
【図５】図３に示した転写パターンの他の変形例を表す断面図である。
【図６】図３に示した転写パターンにカーボンナノチューブ構造体を形成した状態を模式的に表す断面図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る原盤の製造方法および基板の製造方法における溶融工程を模式的に表す斜視図である。
【図８】図７に示した素材基板の表面に形成されている熱分布の一例を模式的に表す平面図である。
【図９】図７に示した熱分布の他の例を表す平面図である。
【図１０】図７に続く工程（突起形成工程）を模式的に表す斜視図である。
【図１１】図１０に示した原盤の表面の一部を拡大して表す平面図である。
【図１２】図９に示した熱分布を形成したのちに突起形成工程を行った場合における原盤の表面の一部を拡大して表す平面図である。
【図１３】図１０に続く工程（転写工程）を模式的に表す断面図および斜視図である。
【図１４】図１３に示した転写パターンにカーボンナノチューブ構造体を形成した状態を模式的に表す斜視図である。
【図１５】図１４に示したカーボンナノチューブ構造体の顕微鏡写真である。
【図１６】図１４に示した白い部分の中央付近を拡大して表すＳＥＭ写真である。
【図１７】図１４に示した白い部分と黒い部分との境界付近を拡大して表すＳＥＭ写真である。
【図１８】本発明の第３の実施の形態に係る原盤の製造方法および基板の製造方法における被膜形成工程を模式的に表す断面図である。
【図１９】図１８に続く工程（転写工程）を模式的に表す断面図である。
【図２０】図１９に示した転写パターンにカーボンナノチューブ構造体を形成した状態を模式的に表す断面図である。
【図２１】本発明の第４の実施の形態に係る基板の製造方法における転写工程を模式的に表す断面図である。
【符号の説明】
１０，４０…素材基板、１１，３３…熱分布、１１Ｈ，３３Ｈ…高温領域、１１Ｌ，３３Ｌ…低温領域、１２…エネルギービーム、１３，３２…回折格子、１３Ａ…溝、１４，３４，４１…突起、１５，３５，４２…原盤、２０…被転写基板、２１…導電性膜、２２，２６，３６，４４…転写パターン、２３，２７，３７，４５…基板、２４，３８，４６…カーボンナノチューブ、２５，３９，４７…カーボンナノチューブ構造体、２６Ａ…第１の転写パターン、２６Ｂ…第２の転写パターン、３１Ｘ…Ｘ方向熱分布、３１ＸＨ…Ｘ方向高温領域、３１ＸＬ…Ｘ方向低温領域、３１Ｙ…Ｙ方向熱分布、３１ＹＨ…Ｙ方向高温領域、３１ＹＬ…Ｙ方向低温領域、３２Ａ…非透過部分、３２Ｂ…透過部分、４３…被膜、Ｈ…水平面、Ｌ…間隔（ピッチ）、Ｐ，ＰＸ，ＰＹ…周期間隔、Ｔ…空間的周期、Ｗ…幅
【図１】
2004261875.tif 000003
【図２】
2004261875.tif 000004
【図３】
2004261875.tif 000005
【図４】
2004261875.tif 000006
【図５】
2004261875.tif 000007
【図６】
2004261875.tif 000008
【図７】
2004261875.tif 000009
【図８】
2004261875.tif 000010
【図９】
2004261875.tif 000011
【図１０】
2004261875.tif 000012
【図１１】
2004261875.tif 000013
【図１２】
2004261875.tif 000014
【図１３】
2004261875.tif 000015
【図１４】
2004261875.tif 000016
【図１５】
2004261875.tif 000017
【図１６】
2004261875.tif 000018
【図１７】
2004261875.tif 000019
【図１８】
2004261875.tif 000020
【図１９】
2004261875.tif 000021
【図２０】
2004261875.tif 000022
【図２１】
2004261875.tif 000023