(57)【要約】【課題】レーザー光線を被加工物に照射することにより発生するデブリの影響を防止することができるレーザー加工方法を提供する。【解決手段】被加工物にレーザー光線を照射して加工を施すレーザー加工方法であって、被加工物の加工面に保護被膜を被覆する保護被膜被覆工程と、該保護被膜を通して被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射工程と、該レーザー光線照射工程終了後に該保護被膜を除去する保護被膜除去工程とを含む。【選択図】        図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物にレーザー光線を照射して加工を施すレーザー加工方法であって、
被加工物の加工面に保護被膜を被覆する保護被膜被覆工程と、
該保護被膜を通して被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射工程と、
該レーザー光線照射工程終了後に該保護被膜を除去する保護被膜除去工程と、
を含む、
ことを特徴とするレーザー加工方法。
【請求項２】
レーザー光線照射手段によって被加工物にレーザー光線を照射しつつ該レーザー光線照射手段に対して被加工物を相対的に移動して被加工物を切断するレーザー加工方法であって、
被加工物の加工面に保護被膜を被覆する保護被膜被覆工程と、
該保護被膜を通して被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射工程と、
該レーザー光線照射工程終了後に該保護被膜を除去する保護被膜除去工程と、
を含む、
ことを特徴とするレーザー加工方法。
【請求項３】
該保護被膜は、液状の樹脂を該加工面に塗布し経時的に固硬せしめて形成する、請求項１又は２記載のレーザー加工方法。
【請求項４】
該保護被膜は、シート部材を該加工面に貼着せしめて形成する、請求項１又は２記載のレーザー加工方法。
【請求項５】
該液状の樹脂又は該シート部材は、水溶性である、請求項３又は４記載のレーザー加工方法。
【請求項６】
被加工物は、半導体ウエーハである、請求項１から５のいずれかに記載のレーザー加工方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被加工物の所定の領域にレーザー光線を照射して所定の加工を施すレーザー加工方法に関する。
【０００２】
当業者には周知の如く、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリート（切断ライン）によって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路が形成されている半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによって回路毎に分割して個々の半導体チップを製造している。半導体ウエーハのストリートに沿った切断は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物である半導体ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された半導体ウエーハを切削するための切断手段と、チャックテーブルと切断手段とを相対的に移動せしめる移動手段とを具備している。切断手段は、高速回転せしめられる回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードを含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって固定し厚さ２０μｍ程度に形成されている。このような切削ブレードによって半導体ウエーハを切削すると、切断された半導体チップの切断面に欠けやクラックが発生するため、この欠けやクラックの影響を見込んでストリートの幅は５０μｍ程度に形成されている。しかるに、半導体チップのサイズが小型化されると、半導体チップに占めるストリートの割合が大きくなり、生産性が低下する原因となる。また、切削ブレードによる切削においては、送り速度に限界があるとともに、切削屑の発生により半導体チップが汚染されるという問題がある。
【０００３】
また、近時においては、ＩＣ、ＬＳＩ等の回路をより微細に形成するために、シリコンウエーハの如き半導体ウエーハ本体の表面にＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体（Ｌｏｗ−ｋ膜）を積層せしめた形態の半導体ウエーハや、テスト  エレメント  グループ（Ｔｅｇ）と称する金属パターンが施された半導体ウエーハが実用化されている。低誘電率絶縁体（Ｌｏｗ−ｋ膜）を積層せしめた形態の半導体ウエーハを切削ブレードによりストリートに沿って切削すると、低誘電率絶縁体が剥離するという問題がある。また、テスト  エレメント  グループ（Ｔｅｇ）と称する金属パターンが施された半導体ウエーハを切削ブレードによりストリートに沿って切削すると、金属パターンが銅等の粘りのある金属によって形成されているためにバリが発生するという問題がある。
【０００４】
一方、半導体ウエーハのストリートに沿ってレーザー光線を照射して切断する加工方法も試みられている。（例えば、特許文献１参照。）
【０００５】
【特許文献１】
特開平６−１２０３３４号公報
【０００６】
このレーザー光線を照射して切断する方法は、半導体ウエーハのストリートをレーザー光線によって分割する形態であるので、低誘電率絶縁体層が剥離する問題を解消することができるとともに、バリが発生するという問題も解消することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
而して、半導体ウエーハのストリートに沿ってレーザー光線を照射すると照射された領域に熱エネルギーが集中してデブリが発生し、このデブリが回路に接続されるボンディングパッド等に付着して半導体チップの品質を低下させるという新たな問題が生じる。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、レーザー光線を被加工物に照射することにより発生するデブリの影響を防止することができるレーザー加工方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物にレーザー光線を照射して加工を施すレーザー加工方法であって、
被加工物の加工面に保護被膜を被覆する保護被膜被覆工程と、
該保護被膜を通して被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射工程と、
該レーザー光線照射工程終了後に該保護被膜を除去する保護被膜除去工程と、
を含む、
ことを特徴とするレーザー加工方法が提供される。
【００１０】
また、本発明においては、レーザー光線照射手段によって被加工物にレーザー光線を照射しつつ該レーザー光線照射手段に対して被加工物を相対的に移動して被加工物を切断するレーザー加工方法であって、
被加工物の加工面に保護被膜を被覆する保護被膜被覆工程と、
該保護被膜を通して被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射工程と、
該レーザー光線照射工程終了後に該保護被膜を除去する保護被膜除去工程と、
を含む、
ことを特徴とするレーザー加工方法が提供される。
【００１１】
上記保護被膜は液状の樹脂該加工面に塗布し経時的に固硬せしめて形成する。また、上記は護被膜はシート部材を加工面に貼着せしめて形成する。これら液状の樹脂又はシート部材は、水溶性であることが望ましい。
本発明の他の特徴については、以下の説明により明らかにされる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明によるレーザー加工方法について添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
【００１３】
図１には、本発明によるレーザー加工方法において半導体ウエーハ等の被加工物にレーザー光線を照射するレーザー加工装置の斜視図が示されている。図１に示されたレーザー加工装置は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示す方向に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、静止基台２に上記矢印Ｘで示す方向と直角な矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構４と、該レーザー光線ユニット支持機構４に矢印Ｚで示す方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット５とを具備している。
【００１４】
上記チャックテーブル機構３は、静止基台２上に矢印Ｘで示す方向に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上に矢印Ｘで示す方向に移動可能に配設された第一の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持された支持テーブル３５と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル３６を具備している。このチャックテーブル３６は多孔性材料から形成された吸着チャック３６１を具備しており、吸着チャック３６１上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。また、チャックテーブル３６は、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。
【００１５】
上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面に矢印Ｙで示す方向に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す方向に移動させるための移動手段３７を具備している。移動手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す方向に移動せしめられる。
【００１６】
上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、矢印Ｙで示す方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す方向に移動させるための移動手段３８を具備している。移動手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、該雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３８２の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３８２によって雄ネジロッド３８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｘで示す方向に移動せしめられる。
【００１７】
上記レーザー光線照射ユニット支持機構４は、静止基台２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール４１、４１と、該案内レール４１、４１上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台４２を具備している。この可動支持基台４２は、案内レール４１、４１上に移動可能に配設された移動支持部４２１と、該移動支持部４２１に取り付けられた装着部４２２とからなっている。装着部４２２は、一側面に矢印Ｚで示す方向に延びる一対の案内レール４２３、４２３が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構４は、可動支持基台４２を一対の案内レール４１、４１に沿って割り出し送り方向である矢印Ｙで示す方向に移動させるための移動手段４３を具備している。移動手段４３は、上記一対の案内レール４１、４１の間に平行に配設された雄ネジロッド４３１と、該雄ねじロッド４３１を回転駆動するためのパルスモータ４３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド４３１は、その一端が上記静止基台２に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ４３２の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド４３１は、可動支持基台４２を構成する移動支持部４２１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ４３２によって雄ネジロッド４３１を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台４２は案内レール４１、４１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。
【００１８】
図示の実施形態のおけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１と、該ユニットホルダ５１に取り付けられたレーザー光線照射手段５２を具備している。ユニットホルダ５１は、上記装着部４２２に設けられた一対の案内レール４２３、４２３に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝５１１、５１１が設けられており、この被案内溝５１１、５１１を上記案内レール４２３、４２３に嵌合することにより、矢印Ｚで示す方向に移動可能に支持される。
【００１９】
図示のレーザー光線照射手段５２は、上記ユニットホルダ５１に固定され実質上水平に延出する円筒形状のケーシング５２１を含んでいる。ケーシング５２１内には図２に示すようにレーザー光線発振手段５２２とレーザー光線変調手段５２３とが配設されている。レーザー光線発振手段５２２としてはＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器を用いることができる。レーザー光線変調手段５２３は繰り返し周波数設定手段５２３ａ、レーザー光線パルス幅設定手段５２３ｂ、およびレーザー光線波長設定手段５２３ｃを含んでいる。レーザー光線変調手段５２３を構成する繰り返し周波数設定手段５２３ａ、レーザー光線パルス幅設定手段５２３ｂおよびレーザー光線波長設定手段５２３ｃは当業者には周知の形態のものでよく、それ故にこれらの構成についての詳細な説明は本明細書においては省略する。上記ケーシング５２１の先端には、それ自体は周知の形態でよい集光器５２４が装着されている。
【００２０】
上記レーザー光線発振手段５２２が発振するレーザー光線はレーザー光線変調手段５２３を介して集光器５２４に到達する。レーザー光線変調手段５２３における繰り返し周波数設定手段５２３ａはレーザー光線を所定繰り返し周波数のパルスレーザー光線にし、レーザー光線パルス幅設定手段５２３ｂはパルスレーザー光線のパルス幅を所定幅に設定し、そしてレーザー光線波長設定手段５２３ｃはパルスレーザー光線の波長を所定値に設定する。
【００２１】
上記レーザー光線照射手段５２を構成するケーシング５２１の前端部には、撮像手段６が配設されている。この撮像手段６は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）および赤外線で撮像できる赤外線ＣＣＤを備え適宜選択できる構成のの外に、被加工物を照射する照明手段と、該照明手段によって証明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像素子（ＣＣＤまたは赤外線ＣＣＤ）に伝達し、電気的な画像信号に変換するように構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００２２】
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１を一対の案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向に移動させるための移動手段５３を具備している。移動手段５３は、上記各移動手段と同様に一対の案内レール４２３、４２３の間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ５３２等の駆動源を含んでおり、パルスモータ５３２によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ５１およびレーザビーム照射手段５２を案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向に移動せしめる。
【００２３】
次に、上述したレーザー加工装置を用いて被加工物としての半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割する加工方法について説明する。
図３には本発明によるレーザー加工方法によって個々の半導体チップに分割される半導体ウエーハが示されている。図３に示す半導体ウエーハ１０は、表面１０ａに格子状に配列された複数のストリート（切断ライン）１０１によって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路１０２が形成されている。この半導体ウエーハ１０を上述したレーザー加工装置を用いて個々の半導体チップに分割するには、先ず上記半導体ウエーハ１０の加工面である表面１０ａに保護被膜を被覆する（保護被膜被覆工程）。具体的には、図４に示すようにスピンコーター７によって半導体ウエーハ１０の表面１０ａに樹脂を被覆する。即ち、スピンコーター７は、吸引保持手段を備えたチャックテーブル７１と、該チャックテーブル７１の中心部上方に配置されたノズル７２を具備している。このスピンコーター７のチャックテーブル７１上に半導体ウエーハ１０を表面１０ａを上側にして載置し、チャックテーブル７１を回転しつつノズル７２から液状の樹脂を半導体ウエーハ１０の表面中心部に滴下することにより、液状の樹脂が遠心力によって外周部まで流動し半導体ウエーハ１０の表面を被覆する。この液状の樹脂は経時的に硬化して、図５に示すように半導体ウエーハ１０の表面１０ａに保護被膜１１を形成する。なお、半導体ウエーハ１０の表面１０ａを被覆する樹脂としては水溶性のレジストが望ましく、例えば東京応化工業株式会社が提供する商品名：ＴＰＦが好都合である。なお、半導体ウエーハ１０の表面１０ａに保護被膜１１を形成する他の実施形態としては、図６に示すように半導体ウエーハ１０の表面１０ａにシート部材１１ａを貼着してもよい。このシート部材１１ａは、水溶性の樹脂によって形成されていることが望ましい。
【００２４】
上述した保護被膜被覆工程によって半導体ウエーハ１０の表面１０ａに保護被膜１１が形成されたならば、半導体ウエーハ１０は、図７に示すように環状のフレーム１２に装着された保護テープ１３に裏面が貼着される。このように環状のフレーム１２に保護テープ１３を介して支持された半導体ウエーハ１０は、図１に示すレーザー加工装置のチャックテーブル機構３を構成するチャックテーブル３６の吸着チャック３６１上に保護被膜１１が形成された表面１０ａを上側にして搬送され、該吸着チャック３６１に吸引保持される。このようにして半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３６は、移動手段３７の作動により案内レール３１、３１に沿って移動せしめられレーザー光線照射ユニット５に配設された撮像手段６の直下に位置付けられる。
【００２５】
チャックテーブル３６が撮像手段６の直下に位置付けられると、撮像手段６および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ１０に所定方向に形成されているストリート１０１と、ストリート１０１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射ユニット５の集光器５２４との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理が実行され、レーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。また、半導体ウエーハ１０に形成されている上記所定方向に対して垂直に延びるストリート１０１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、半導体ウエーハ１０のストリート１０１が形成されている表面１０ａには保護被膜１１が形成されているが、保護膜１１が透明でない場合は赤外線で撮像して表面からアライメントすることができる。
【００２６】
以上のようにしてチャックテーブル３６上に保持されている半導体ウエーハ１０に形成されているストリート１０１を検出し、レーザビーム照射位置のアライメントが行われたならば、チャックテーブル３６をレーザー光線を照射するレーザー光線照射ユニット５の集光器５２４が位置するレーザー光線照射領域に移動し、レーザー光線照射領域において半導体ウエーハ１０のストリート１０１に沿ってレーザー光線照射ユニット５の集光器５２４からレーザー光線を保護被膜１１を通して照射する（レーザー光線照射工程）。
【００２７】
ここで、レーザー光線照射工程について説明する。
レーザー光線照射工程においては、図８に示すようにレーザー光線を照射するレーザー光線照射ユニット５の集光器５２４から半導体ウエーハ１０の加工面である表面側から保護被膜１１を通して所定のストリート１０１に向けてパルスレーザー光線を照射しながら、チャックテーブル３６、従ってこれに保持されている半導体ウエーハ１０を矢印Ｘで示す方向に所定の送り速度（例えば、１００ｍｍ／秒）で移動せしめる。なお、レーザー光線照射工程においては、以下に示す紫外レーザー光線および赤外レーザー光線を用いることができる。
（１）紫外レーザー光線
光源          ；ＹＡＧレーザーまたはＹＶＯ４レーザー
波長          ；３５５ｎｍ
出力          ；３．０Ｗ
繰り返し周波数：２０ｋＨｚ
パルス幅      ；０．１ｎｓ
集光スポット径；φ０．５μｍ
（２）赤外レーザー光線
光源          ；ＹＡＧレーザーまたはＹＶＯ４レーザー
波長          ；１０６４ｎｍ
出力          ；５．１Ｗ
繰り返し周波数：１００ｋＨｚ
パルス幅      ；２０ｎｓ
集光スポット径；φ１μｍ
【００２８】
上述したレーザー光線照射工程を実施することによって、半導体ウエーハ１０はストリート１０１に沿って分割される。このとき、図８に示すようにレーザー光線の照射によりデブリ１００が発生しても、このデブリ１００は保護被膜１１によって遮断され、回路１０２およびボンディングパッド等に付着することはない。
【００２９】
上述したように所定のストリートに沿ってレーザー光線照射工程を実行したら、チャックテーブル３６、従ってこれに保持されている半導体ウエーハ１０を矢印Ｙで示す方向にストリートの間隔だけ割り出し移動し（割り出し工程）、上記レーザー光線照射工程を遂行する。このようにして所定方向に延在する全てのストリートについてレーザー光線照射工程と割り出し工程を遂行したならば、チャックテーブル３６、従ってこれに保持されている半導体ウエーハ１０を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直角に延びる各ストリートに沿って上記レーザー光線照射工程と割り出し工程を実行することにより、半導体ウエーハ１０は個々の半導体チップに分割される。このようにして、半導体ウエーハ１０を個々の半導体チップに分割したら、半導体ウエーハ１０を保持しているチャックテーブル３６は、最初に半導体ウエーハ１０を吸引保持した位置に戻され、ここで半導体ウエーハ１０の吸引保持を解除する。そして、半導体ウエーハ１０は、図示しない搬送手段によって次工程に搬送される。
【００３０】
次に、環状のフレーム１２に装着された保護テープ１３に貼着された半導体ウエーハ１０の表面１０ａに被覆された保護被膜１１を除去する保護被膜除去工程を実施する。この保護被膜除去工程は、上述したように保護被膜１１が水溶性の樹脂によって形成されているので、水によって保護被膜１１を洗い流すことができる。このとき、上述したレーザー光線照射工程において発生したデブリ１００も保護被膜１１とともに流される。この結果、図９に示すように半導体ウエーハ１０はストリート１０１に沿って個々の半導体チップに分割される。このように、図示の実施形態においては保護被膜１１が水溶性の樹脂によって形成されているので、水によって洗い流すことができるため、保護被膜１１の除去が極めて容易となる。
【００３１】
以上、本発明を半導体ウエーハを分割する実施形態に基づいて説明したが、本発明は他の被加工物の種々のレーザー加工に適用することが可能である。
【００３２】
【発明の効果】
本発明によるレーザー加工方法においては、被加工物の加工面に保護被膜を被覆し、この保護被膜を通して被加工物にレーザー光線を照射するので、レーザー光線の照射により発生するデブリが保護被膜によって遮断される。そして、デブリは保護被膜とともに除去されるので、レーザー光線の照射により発生するデブリの影響を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるレーザー加工方法を実施するためのレーザー加工装置の斜視図。
【図２】図１に示すレーザー加工装置に装備されるレーザビーム加工手段の構成を簡略に示すブロック図。
【図３】本発明によるレーザー加工方法によって加工される被加工物としての半導体ウエーハの斜視図。
【図４】本発明によるレーザー加工方法における保護被膜被覆工程の一実施形態を示す説明図。
【図５】図４に示す保護被膜被覆工程によって保護被膜が被覆された被加工物としての半導体ウエーハの要部拡大断面図。
【図６】本発明によるレーザー加工方法における保護被膜被覆工程の他の実施形態を示す説明図。
【図７】保護被膜が被覆された被加工物としての半導体ウエーハが環状のフレームに保護テープを介して支持された状態を示す斜視図。
【図８】発明によるレーザー加工方法におけるレーザー光線照射工程を示す説明図。
【図９】発明によるレーザー加工方法によって加工された被加工物としての半導体ウエーハの要部拡大断面図。
【符号の説明】
２：静止基台
３：チャックテーブル機構
３１：案内レール
３６：チャックテーブル
４：レーザー光線照射ユニット支持機構
４１：案内レール
４２：可動支持基台
５：レーザー光線照射ユニット
５１：ユニットホルダ
５２：レーザー光線加工手段
５２２：レーザー光線発振手段
５２３：レーザー光線変調手段
５２４：集光器
６：撮像手段
７：スピンコーター
１０：半導体ウエーハ
１０１：ストリート
１０２：回路
１１：保護被膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2004188475.tif 000006
【図５】
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【図６】
2004188475.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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