(57)【要約】【課題】識別情報の認識率を向上させることのできる焼結体へのマーキング方法を提供し、焼結体基板を用いた磁気ヘッドの生産性を向上させる。【解決手段】本発明の焼結体へのマーキング方法は、第１の材料からなる第１の粉末粒子、およびエッチング特性が前記第１の材料とは異なる第２の材料からなる第２の粉末粒子を含む混合粉末から形成された焼結体６０を用意する工程と、焼結体６０の表面において第１の粉末粒子および第２の粉末粒子の両方がエッチングされた深さ１０ｎｍ以上の第１凹部領域と、第１凹部領域の下方において第１の粉末粒子が選択的にエッチングされた第２凹部領域とを形成し、それによって焼結体６０の表面に識別情報を書き込む工程とを包含する。【選択図】　図４
2004110991.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の材料からなる第１の粉末粒子、およびエッチング特性が前記第１の材料とは異なる第２の材料からなる第２の粉末粒子を含む混合粉末から形成された焼結体を用意する工程と、
前記焼結体の表面において前記第１の粉末粒子および前記第２の粉末粒子の両方がエッチングされた深さ１０ｎｍ以上の第１凹部領域と、前記第１凹部領域の下方において前記第１の粉末粒子が選択的にエッチングされた第２凹部領域とを形成し、それによって前記焼結体の表面に識別情報を書き込む工程と、
を包含する焼結体へのマーキング方法。
【請求項２】
前記識別情報を書き込む工程は、前記第１凹部領域の底部に対する前記第２凹部領域の深さを５０ｎｍ以上にする請求項１に記載の焼結体へのマーキング方法。
【請求項３】
前記識別情報を書き込む工程は、
前記第２の粉末粒子よりも前記第１の粉末粒子を優先的にエッチングする選択的エッチング処理を行う工程と、
前記第１の粉末粒子および前記第２の粉末粒子を略同様にエッチングする非選択的エッチング処理を行う工程と、
を順次実行する請求項１または２に記載の焼結体へのマーキング方法。
【請求項４】
前記識別情報を書き込む工程において、前記選択的エッチング処理を行う工程および／または非選択的エッチング処理を行う工程を複数回行う請求項３に記載の焼結体へのマーキング方法。
【請求項５】
前記非選択的エッチング処理は、前記識別情報を書き込む工程における少なくとも最後のエッチング処理として実行される請求項３または４に記載の焼結体へのマーキング方法。
【請求項６】
前記選択的エッチング処理および前記非選択的エッチング処理は、同一エッチング装置内においてエッチング条件を変更することによって行われる請求項３から５のいずれかに記載の焼結体へのマーキング方法。
【請求項７】
前記第１の粉末粒子および前記第２の粉末粒子の平均粒径は、何れも、０．３μｍ以上５．０μｍ以下である請求項１から６のいずれかに記載の焼結体へのマーキング方法。
【請求項８】
前記第１凹部領域の線幅は、１μｍ以上２０μｍ以下である請求項１から７のいずれかに記載の焼結体へのマーキング方法。
【請求項９】
前記焼結体の表面において、前記選択的エッチング処理を受けなかった部分の反射率をＲ１、前記選択的エッチング処理を受けた部分の反射率をＲ２とした場合、エッチング処理による反射率変化量ΔＲ＝（Ｒ２−Ｒ１）／Ｒ２は、特定波長の光に対して２５％以上となる請求項３から８のいずれかに記載の焼結体へのマーキング方法。
【請求項１０】
前記特定波長は、前記識別情報を光学的に読み取るために前記焼結体に照射される光の波長範囲に含まれている請求項９に記載の焼結体へのマーキング方法。
【請求項１１】
前記焼結体の表面において、前記選択的エッチング処理を受けなかった部分の平面粗度は５ｎｍ以下である請求項１に記載の焼結体へのマーキング方法。
【請求項１２】
前記第１凹部領域の底部に対する前記第２凹部領域の深さは、５０ｎｍ以上５μｍ以下である請求項１に記載の焼結体へのマーキング方法。
【請求項１３】
前記第１の材料および前記第２の材料は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化珪素、窒化珪素、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン、および酸化鉄からなる群から選択された化合物である請求項１に記載の焼結体へのマーキング方法。
【請求項１４】
第１の材料からなる第１の粉末粒子、およびエッチング特性が前記第１の材料とは異なる第２の材料からなる第２の粉末粒子を含む混合粉末から形成された焼結体を用意する工程と、
前記焼結体の表面において前記第１の粉末粒子および前記第２の粉末粒子の両方がエッチングされた深さ１０ｎｍ以上の第１凹部領域と、前記第１凹部領域の下方において前記第１の粉末粒子が選択的にエッチングされた第２凹部領域とを形成し、それによって、前記焼結体の表面に識別情報を書き込む工程と、
を包含する磁気ヘッド用基板の製造方法。
【請求項１５】
第１の材料からなる第１の粉末粒子、およびエッチング特性が前記第１の材料とは異なる第２の材料からなる第２の粉末粒子を含む混合粉末から形成された焼結体であって、
前記焼結体の表面において前記第１の粉末粒子および前記第２の粉末粒子の両方がエッチングされた深さ１０ｎｍ以上の第１凹部領域と、前記第１凹部領域の下方において前記第１の粉末粒子が選択的にエッチングされた第２凹部領域とが形成されており、それによって前記焼結体の表面に識別情報が書き込まれている焼結体。
【請求項１６】
前記第１凹部領域の底部に対する前記第２凹部領域の深さが５０ｎｍ以上である請求項１５に記載の焼結体。
【請求項１７】
前記第１凹部領域の底部に対する前記第２凹部領域の深さは５μｍ以下である請求項１６に記載の焼結体。
【請求項１８】
前記第１の粉末粒子および前記第２の粉末粒子の平均粒径は、何れも、０．３μｍ以上５．０μｍ以下である請求項１５に記載の焼結体。
【請求項１９】
前記焼結体の表面において、エッチングされた部分の反射率をＲ１、エッチングされなかった部分の反射率をＲ２とした場合、エッチングによる反射率変化量ΔＲ＝（Ｒ２−Ｒ１）／Ｒ２は、特定波長の光に対して２５％以上となる請求項１５に記載の焼結体。
【請求項２０】
前記波長は、前記識別情報を光学的に読み取るために前記焼結体に照射される光の波長範囲に含まれている請求項１９に記載の焼結体。
【請求項２１】
前記焼結体の表面において、前記エッチングされなかった部分の平面粗度は５ｎｍ以下である請求項１５に記載の焼結体。
【請求項２２】
前記第１の材料および前記第２の材料は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化珪素、窒化珪素、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン、および酸化鉄からなる群から選択された化合物である請求項１５に記載の焼結体。
【請求項２３】
第１の材料からなる第１の粉末粒子、およびエッチング特性が前記第１の材料とは異なる第２の材料からなる第２の粉末粒子を含む混合粉末から形成された磁気ヘッド用基板であって、前記焼結体の表面において前記第１の粉末粒子および前記第２の粉末粒子の両方がエッチングされた第１凹部領域と、前記第１凹部領域の下方において前記第１の粉末粒子が選択的にエッチングされた第２凹部領域とが形成されており、それによって前記焼結体の表面に識別情報が書き込まれている焼結体と、
前記焼結体上に形成された絶縁膜と、
を備えた磁気ヘッド用基板。
【請求項２４】
第１の材料からなる第１の粉末粒子、およびエッチング特性が前記第１の材料とは異なる第２の材料からなる第２の粉末粒子を含む混合粉末から形成された磁気ヘッド用基板であって、前記焼結体の表面において前記第１の粉末粒子および前記第２の粉末粒子の両方がエッチングされた深さ１０ｎｍ以上の第１凹部領域と、前記第１凹部領域の下方において前記第１の粉末粒子が選択的にエッチングされた第２凹部領域とが形成されており、それによって前記焼結体の表面に識別情報が書き込まれている磁気ヘッド用基板と、
前記磁気ヘッド用基板上に形成された電気／磁気トランスデューサ素子と
を備えた磁気ヘッド。
【請求項２５】
第１の材料からなる第１の粉末粒子、およびエッチング特性が前記第１の材料とは異なる第２の材料からなる第２の粉末粒子を含む混合粉末から形成された磁気ヘッド用基板であって、前記焼結体の表面において前記第１の粉末粒子および前記第２の粉末粒子の両方がエッチングされた深さ１０ｎｍ以上の第１凹部領域と、前記第１凹部領域の下方において前記第１の粉末粒子が選択的にエッチングされた第２凹部領域とが形成されており、それによって前記焼結体の表面に識別情報が書き込まれている磁気ヘッド用基板と、
前記磁気ヘッド用基板上に形成された電気／磁気トランスデューサ素子と
を備えた磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドによって情報の記録／再生が行われる磁気記録膜を有する記録媒体と、
前記記録媒体を駆動するモータと、
を備えた記録媒体駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、焼結体へのマーキング方法に関し、特に、コンタミネーションの発生を抑制しながらもコントラストの高い状態で識別情報を刻印することができるマーキングに関する。また、本発明は、上記マーキングの工程を包含する磁気ヘッド用基板の製造、ならびに、識別情報がマーキングされた焼結体、磁気ヘッド、および記録媒体駆動装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）装置、テープストレージ装置、およびフレキシブルディスクドライブ（ＦＤＤ）装置などに使用される磁気ヘッドスライダーには、種々の構成からなる薄膜磁気ヘッドが使用されている。このような薄膜磁気ヘッドに用いられる基板として、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系、ＳｉＣ系、ＺｒＯ２系等の組成からなる焼結体基板が用いられている。
【０００３】
図１（ａ）は、典型的な薄膜磁気ヘッドスライダ１０を示している。この磁気ヘッドスライダ１０のトラック側は、磁気ディスクの表面に対向する２本のサイドレール１１を有しており、これらのサイドレール１１が形成されている面はエア・ベアリング面（ＡＢＳ）と称されることがある。ヘッドサスペンションによって磁気ヘッドスライダ１０のサイドレール１１が磁気ディスク表面を軽く押す状態で、磁気ディスクをモータなどによって高速回転させると、磁気ディスク表面にできる空気の層がスライダ１０のエア・ベアリング面直下に入り込み、磁気ヘッドスライダ１０を僅かに持ち上げることになる。こうして、磁気ヘッドスライダ１０は磁気ディスクの表面近くを「飛行」するようにして記録／再生動作を行うことができる。
【０００４】
磁気ヘッドスライダ１０の一端面には、磁気ディスクなどの記録媒体との間で磁気的相互作用を行うための薄膜１２が堆積されている。薄膜１２は電気／磁気トランスデューサ素子を構成するために用いられる。一方、磁気ヘッドスライダ１０の他の端面には、製品種を確認するために、認識番号などの識別情報１３が刻印されている。識別情報１３を焼結体基板に刻印する方法は、例えば、特許文献１〜３などに開示されている。
【０００５】
磁気ヘッドスライダ１０は、図１（ｃ）に示されるような焼結体基板１から図１（ｂ）に示されるようなバー２０を切り出した後、そのバー２０を多数のチップに分離することによって作製される。図１（ｃ）に示される焼結体基板１の端面４は、図１（ａ）に示される磁気ヘッドスライダ１０のエア・ベアリング面に平行な位置関係にある。
【０００６】
電子機器の小型軽量化のために薄膜ヘッドの寸法が小さくなるに従い、焼結体基板１の厚さ（磁気ヘッドスライダ１０の長さＬに相当）が薄くなるとともに、各バー２０の厚さＴ（磁気ヘッドスライダ１０の高さに相当）も薄くなってきている。例えば、ピコスライダと呼ばれる磁気ヘッドスライダの場合、Ｌは１．２ｍｍ程度であり、Ｔは０．３ｍｍ程度である。このように小型化された磁気ヘッドスライダに刻印されるべき文字のサイズも当然に小さくする必要がある。
【０００７】
識別情報１３の刻印（以下、「印字」または「ＩＤマーク」と称する場合がある。）にはレーザマーキング法が広く用いられている。レーザマーキング法による場合、図１（ｂ）や図１（ｃ）に示される識別情報１３は、各バー２０に分割される前のウエハ状態にある基板１の裏面３に対して印字される。印字工程の後、基板１の表面２には、種々の薄膜１２が積層されることになる。
【０００８】
次に、図２を参照しながら、従来のレーザマーキング法を簡単に説明する。
【０００９】
レーザマーキング法では、焼結体基板１の裏面３に対して、レンズ５で収束されたレーザビーム６を照射し、それによって、基板１の照射部分を急速に加熱し、蒸発させる。このとき、基板１の裏面３には小さな凹部が形成されるとともに、基板１を構成していた焼結体材料が周囲に飛散し、その一部は再びに基板１に付着する。レーザビーム６で基板１の裏面３を走査することによって、凹部の平面パターンを任意に描くことができる。英文字、数字、またはバーコードなどの凹部パターンを形成すれば、種々の識別情報１３を基板１の任意の位置に書きこむことができる。
【００１０】
しかしながら、従来のレーザマーキング方法によれば、（１）　後工程でダスト化し、コンタミネーションとなるおそれの高い飛散物がレーザ照射によって発生し、印字溝内などに吸着・集積する、（２）　レーザ光の照射によって、印字溝のエッジ部分にバリが発生するため、バリ除去のための工程が必要となる、などの問題点があった。
【００１１】
図３は、従来のレーザマーキング法によって焼結体基板１に印字を行った後の基板断面を模式的に示している。この断面図は、実際に撮影した走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真に基づいて作成したものである。この図に示されるように、レーザ光の照射によって基板１の表面には深い凹部３０が形成される。基板裏面から矢印ａの方向に沿って計測した凹部の深さは、３０〜５０μｍである。凹部のエッジには凸部（バリ）３１が形成されている。矢印ｂの方向に沿って計測したバリ３１の高さは数μｍである。凹部の幅は、例えば２０μｍ程度である。
【００１２】
レーザ光照射によって形成された深い凹部３０には多数のパーティクル３２が付着している。パーティクル３２は必ずしも「粒子」の形状を有しているとは限らないが、本願明細書では、簡単化のため「パーティクル」と表現することにする。このようなパーティクル３２を基板１から取り除くためには、マーキング工程後に超音波洗浄などの洗浄工程を長時間実行する必要がある。しかしながら、深い凹部３０の深い位置に入り込んだパーティクル３２を充分に取り除くことは困難であった。
【００１３】
印字工程で大量のパーティクル３２が発生すると、そのパーティクル３２のうち洗浄液中に分散したものの一部が、基板１のレーザ光照射を行っていない側の面（表面２）にも再付着する可能性がある。そのような再付着が生じた場合において、基板１の表面２に非晶質酸化アルミニウム膜などの絶縁薄膜を堆積すると、その絶縁膜中にパーティクル３２が取り込まれてしまうおそれがある。また、絶縁薄膜上に磁性薄膜を堆積する前に絶縁薄膜の表面は平滑化されるため、もしも絶縁薄膜中にパーティクル３２が取り込まれていると、パーティクル３２とともに絶縁薄膜の局所的な剥離が生じ、絶縁薄膜中にピンホールが形成されるおそれもある。たとえピンホールが形成されない場合でも、パーティクル３２の存在によって絶縁薄膜の厚さが実質的に薄くなった部分ができると、その部分における絶縁薄膜の絶縁性が低下してしまう可能性がある。さらに、このような絶縁膜中へのパーティクルの取り込みが生じなくても、基板裏面の印字部分がダスト源として機能すれば、その後の種々のプロセスで歩留まりが低下し、また、最終製品自体の信頼性も悪くなると考えられる。
【００１４】
したがって、薄膜磁気ヘッドの製造歩留まりを向上させるには、焼結体基板１上に堆積する絶縁膜の膜質をできるかぎり良くすることが好ましく、そのためには、ダストまたはコンタミネーションの発生原因となり得るマーキング工程を改善し、ダストを発生しにくいものにすることが望まれる。さらに加えて、部品として完成した後の磁気ヘッドもクリーンな環境で使用されるため、そのときにダストを発生させることがあっても問題が生じる。
【００１５】
一方、このようなレーザマーキング法に代え、化学的エッチングによって焼結体基板に識別情報を書き込む方法も提案されている。本出願人は、化学的エッチングを用いて浅い凹部を形成しながら、コントラストを向上させる技術を特許文献４に開示している。この技術によれば、エッチング特性の異なる少なくとも２種類の粉末粒子から形成された複合焼結体に対し、一方の粉末粒子を優先的にエッチングする選択エッチング処理が行われる。このような選択エッチング処理の結果、複合焼結体基板の表面には粉末粒子のサイズに相当する微細な凹凸が形成される。このような微細な凹凸は、基板表面の反射率を低下させるため、エッチング領域と非エッチング領域との間で反射率差に起因するコントラストが生じることになる。
【００１６】
【特許文献１】
特開平９−８１９２２号公報
【特許文献２】
特開平１０−１３４３１７号公報
【特許文献３】
特開平１１−１２６３１１号公報
【特許文献４】
特開２００１−３３４７５３号公報
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献４に記載している選択エッチング処理によれば、ダストまたはコンタミネーションの問題は解決できるが、反射光のコントラストが十分でなく、識別情報の認識率を高めることが難しいという問題がある。
【００１８】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、化学的エッチング法を用いながら識別情報の認識率を向上させることのできる焼結体へのマーキング方法を提供することにある。
【００１９】
本発明の他の目的は、上記マーキング方法による印字工程を実行することによって、高品質の焼結体、磁気ヘッド用基板、磁気ヘッド、および記録媒体駆動装置を歩留まり良く製造する方法を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明による焼結体へのマーキング方法は、第１の材料からなる第１の粉末粒子、およびエッチング特性が前記第１の材料とは異なる第２の材料からなる第２の粉末粒子を含む混合粉末から形成された焼結体を用意する工程と、前記焼結体の表面において前記第１の粉末粒子および前記第２の粉末粒子の両方がエッチングされた深さ１０ｎｍ以上の第１凹部領域と、前記第１凹部領域の下方において前記第１の粉末粒子が選択的にエッチングされた第２凹部領域とを形成し、それによって前記焼結体の表面に識別情報を書き込む工程とを包含する。
【００２１】
好ましい実施形態において、前記識別情報を書き込む工程は、前記第１凹部領域の底部に対する前記第２凹部領域の深さを５０ｎｍ以上にする。
【００２２】
好ましい実施形態において、前記識別情報を書き込む工程は、前記第２の粉末粒子よりも前記第１の粉末粒子を優先的にエッチングする選択的エッチング処理を行う工程を含む。
【００２３】
好ましい実施形態において、前記識別情報を書き込む工程は、前記第２の粉末粒子よりも前記第１の粉末粒子を優先的にエッチングする選択的エッチング処理を行う工程と、前記第１の粉末粒子および前記第２の粉末粒子を略同様にエッチングする非選択的エッチング処理を行う工程とを順次実行する。
【００２４】
好ましい実施形態において、前記識別情報を書き込む工程において、前記選択的エッチング処理を行う工程および／または非選択的エッチング処理を行う工程を複数回行う。
【００２５】
好ましい実施形態において、前記非選択的エッチング処理は、前記識別情報を書き込む工程における少なくとも最後のエッチング処理として実行される。
【００２６】
好ましい実施形態において、前記選択的エッチング処理および前記非選択的エッチング処理は、同一エッチング装置内においてエッチング条件を変更することによって行される。
【００２７】
好ましい実施形態において、前記第１の粉末粒子および前記第２の粉末粒子の平均粒径は、何れも、０．３μｍ以上５．０μｍ以下である。
【００２８】
好ましい実施形態において、前記第１凹部領域の線幅は、１μｍ以上２０μｍ以下である。
【００２９】
好ましい実施形態において、前記焼結体の表面のエッチングされなかった部分の反射率をＲ１、エッチングされた部分の反射率をＲ２とした場合、エッチング処理による反射率変化量ΔＲ＝（Ｒ２−Ｒ１）／Ｒ２は、特定波長の光に対して２５％以上にする。
【００３０】
好ましい実施形態において、前記特定波長は、前記識別情報を光学的に読み取るために前記焼結体に照射される光の波長範囲に含まれている。
【００３１】
好ましい実施形態において、前記焼結体の表面において、前記選択的エッチング処理を受けなかった部分の平面粗度は５ｎｍ以下である。
【００３２】
好ましい実施形態において、前記第１凹部領域の底部に対する前記第２凹部領域の深さは、５０ｎｍ以上５μｍ以下である。
【００３３】
好ましい実施形態において、前記第１の材料および前記第２の材料は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化珪素、窒化珪素、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン、および酸化鉄からなる群から選択された化合物である。
【００３４】
本発明による磁気ヘッド用基板の製造方法は、第１の材料からなる第１の粉末粒子、およびエッチング特性が前記第１の材料とは異なる第２の材料からなる第２の粉末粒子を含む混合粉末から形成された焼結体を用意する工程と、前記焼結体の表面において前記第１の粉末粒子および前記第２の粉末粒子の両方がエッチングされた深さ１０ｎｍ以上の第１凹部領域と、前記第１凹部領域の下方において前記第１の粉末粒子が選択的にエッチングされた第２凹部領域とを形成し、それによって、前記焼結体の表面に識別情報を書き込む工程とを包含する。
【００３５】
本発明の焼結体は、第１の材料からなる第１の粉末粒子、およびエッチング特性が前記第１の材料とは異なる第２の材料からなる第２の粉末粒子を含む混合粉末から形成された焼結体であって、前記焼結体の表面において前記第１の粉末粒子および前記第２の粉末粒子の両方がエッチングされた深さ１０ｎｍ以上の第１凹部領域と、前記第１凹部領域の下方において前記第１の粉末粒子が選択的にエッチングされた第２凹部領域とが形成されており、それによって前記焼結体の表面に識別情報が書き込まれている焼結体。
【００３６】
好ましい実施形態において、前記第１凹部領域の底部に対する前記第２凹部領域の深さが５０ｎｍ以上である。
【００３７】
好ましい実施形態において、前記第１凹部領域の底部に対する前記第２凹部領域の深さは５μｍ以下である。
【００３８】
好ましい実施形態において、前記第１の粉末粒子および前記第２の粉末粒子の平均粒径は、何れも、０．３μｍ以上５．０μｍ以下である。
【００３９】
好ましい実施形態において、前記焼結体の表面の前記選択的エッチング処理を受けなかった部分の反射率をＲ１、前記選択的エッチング処理を受けた部分の反射率Ｒ２とした場合、エッチング処理による反射率変化量ΔＲ＝（Ｒ２−Ｒ１）／Ｒ２は、特定波長の光に対して２５％以上となる。
【００４０】
好ましい実施形態において、前記特定波長は、前記識別情報を光学的に読み取るために前記焼結体に照射される光の波長範囲に含まれている。
【００４１】
好ましい実施形態において、前記焼結体の表面において、前記エッチングされなかった部分の平面粗度は５ｎｍ以下である。
【００４２】
好ましい実施形態において、前記第１の材料および前記第２の材料は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化珪素、窒化珪素、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン、および酸化鉄からなる群から選択された化合物である。
【００４３】
本発明による磁気ヘッド用基板は、第１の材料からなる第１の粉末粒子、およびエッチング特性が前記第１の材料とは異なる第２の材料からなる第２の粉末粒子を含む混合粉末から形成された磁気ヘッド用基板であって、前記焼結体の表面において前記第１の粉末粒子および前記第２の粉末粒子の両方がエッチングされた第１凹部領域と、前記第１凹部領域の下方において前記第１の粉末粒子が選択的にエッチングされた第２凹部領域とが形成されており、それによって前記焼結体の表面に識別情報が書き込まれている焼結体と、前記焼結体上に形成された絶縁膜とを備えている。
【００４４】
本発明による磁気ヘッドは、第１の材料からなる第１の粉末粒子、およびエッチング特性が前記第１の材料とは異なる第２の材料からなる第２の粉末粒子を含む混合粉末から形成された磁気ヘッド用基板であって、前記焼結体の表面において前記第１の粉末粒子および前記第２の粉末粒子の両方がエッチングされた深さ１０ｎｍ以上の第１凹部領域と、前記第１凹部領域の下方において前記第１の粉末粒子が選択的にエッチングされた第２凹部領域とが形成されており、それによって前記焼結体の表面に識別情報が書き込まれている磁気ヘッド用基板と、前記磁気ヘッド用基板上に形成された電気／磁気トランスデューサ素子とを備えている。
【００４５】
本発明による記録媒体駆動装置は、第１の材料からなる第１の粉末粒子、およびエッチング特性が前記第１の材料とは異なる第２の材料からなる第２の粉末粒子を含む混合粉末から形成された磁気ヘッド用基板であって、前記焼結体の表面において前記第１の粉末粒子および前記第２の粉末粒子の両方がエッチングされた深さ１０ｎｍ以上の第１凹部領域と、前記第１凹部領域の下方において前記第１の粉末粒子が選択的にエッチングされた第２凹部領域とが形成されており、それによって前記焼結体の表面に識別情報が書き込まれている磁気ヘッド用基板と、前記磁気ヘッド用基板上に形成された電気／磁気トランスデューサ素子とを備えた磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドによって情報の記録／再生が行われる磁気記録膜を有する記録媒体と、前記記録媒体を駆動するモータとを備えている。
【００４６】
【発明の実施の形態】
まず、図４（ａ）から（ｃ）を参照しながら、エッチングによって形成した凹部の断面形状がエッチング方法によってどのように変化するかを説明する。
【００４７】
図４（ａ）は、従来の非選択的なエッチング方法によって形成した凹部の断面を示している。図４（ａ）では、異なるエッチング特性を持った２種類の粉末粒子から形成された焼結体基板４０の断面が示されている。焼結体基板４０の表面において、エッチングされた部分（被エッチング面）４２の幅（刻印溝の幅）は、図４では「Ｃ」で示されている。被エッチング面４２は、エッチングされていない部分（未エッチング面）４１よりも下方に位置し、未エッチング面４１と被エッチング４２との間には急峻な段差が形成されている。
【００４８】
従来の非選択的なエッチング（物理的エッチング）によれば、焼結体基板４０が異なるエッチング特性を持った２種類の粉末粒子から形成されている場合でも、エッチングが均等に進行するため、焼結体基板４０体には、ほぼ平坦な底面を持った凹部が形成されることになる。このように非選択的なエッチングの結果、焼結体基板４０の表面における平坦部（未エッチング面４１）の反射率と、凹部の底面（被エッチング面４２）の反射率との間に実質的な差異は生じない。このような場合、例えば１０μｍを超えるような深い凹部を形成しても、高い読み取り率で識別情報を認識するのに必要なコントラストを得ることは困難である。
【００４９】
従来、このような非選択的エッチングが行われてきた理由は、速いエッチングレートで効率良く深い凹部を形成する必要があったためである。エッチングレートを高めて深い凹部を形成するには、必然的に、選択性の無いエッチングを行うことになる。
【００５０】
図４（ｂ）は、本出願人が特許文献４に開示した方法で形成した凹部の断面を示している。図４（ｂ）の例では、焼結体基板５０を構成する２種類の粒子が異なるエッチング特性を示す条件で選択エッチング処理を行う。その結果、エッチングレートの相対的に大きな粒子（図中、斜線を付加した粒子）は、エッチングレートの相対的に小さな粒子（図中、斜線を付加していない粒子）よりも優先的にエッチングされる。その結果、被エッチング面４２に小さな凹凸が形成される。この凹凸は、粒子のサイズ程度の広さを持つ微細な凹凸であり、その凹部の深さはエッチング時間に依存して変化する。
【００５１】
磁気ヘッド用のセラミックス基板として広く用いられている焼結体基板を構成する粒子の平均粒径は、典型的には、０．３μｍ以上５．０μｍ以下であり、そのサイズは、マーキングで形成される凹部の幅Ｃ（１〜２０μｍ）に比較して小さい。故に、エッチングによって形成する凹部の底面（被エッチング面４２）は、識別情報読み取り装置からの照射光を乱反射し、その面の反射率は平坦部（未エッチング面４１）の反射率よりも低下することになる。その結果、焼結体基板５０の表面に反射率差が生じ、凹部の深さ（エッチング深さ）が比較的小さくとも、コントラストを持った反射光を得ることがてぎる。焼結体基板表面の反射率は、照射する光の波長またはスペクトルにも依存するので、識別情報を光学的に読み取る装置が実際に使用する照射光について、充分な大きさの反射率差が生じることが必要である。この反射率差は２５％以上あることが好ましい。
【００５２】
しかしながら、図４（ｂ）のように凹部が浅い場合、凹部の境界（文字や数字などの識別情報を示すキャラクターの境界線）がぼけやすく、読み取りエラー（認識誤り）が発生する場合がある。特に、識別情報のマーキング後に行う基板表面の研磨などで被エッチング面４２の凸部が研磨されたりすることにより、反射率差が低下して読み取りエラーが増えることになる。また、刻印溝の幅Ｃが小さいと、溝底部に存在する凹凸の数が少なくなるため、反射率差自体が低下するため、読み取りエラーが更に増加する可能性がある。
【００５３】
そこで、本発明では、異なるエッチング特性を有する２種類粉末粒子のうち、一方を優先的なエッチングする「選択的エッチング」と、両方の粒子をほぼ同様のレートでエッチングする「非選択的エッチング」とを順次行うことにより、焼結体の表面において両方の粉末粒子がエッチングされた第１凹部領域と、この第１凹部領域の下方において一方の粉末粒子が選択的にエッチングされた第２凹部領域とを形成する。
【００５４】
図４（ｃ）は、このようなエッチングによって形成した刻印溝の断面を示している。この刻印溝は、図４（ａ）の刻印溝と図４（ｂ）の刻印溝が複合したような断面形状を有している。図５を参照しながら、この断面構造の詳細を説明する。図５は、図４（ｃ）の刻印溝の構成を模式的に示す断面図である。図５の参照符号「６０ａ」は、２種類の粉末粒子の両方が同様にエッチングされた第１凹部領域を示しており、参照符号「６０ｂ」は、一方の粉末粒子が選択的にエッチングされた第２凹部領域を示している。
【００５５】
Ａｌ２Ｏ３粒子とＴｉＣ粒子が混在するアルチック基板の場合、ＴｉＣを選択的にエッチングする工程と、Ａｌ２Ｏ３およびＴｉＣの両方を同様のレートでエッチングする工程を続けて行うことにより、図５の構造が形成される。この場合、
第１凹部領域６０ａの深さｔ１は、非選択的エッチング工程におけるエッチング量（＝非選択的エッチングのレート×時間）に相当する。また、第２凹部領域６０ｂの深さｔ２は、選択的エッチング工程におけるエッチング量（＝選択的エッチングのレート×時間）に相当している。この場合、ＴｉＣは、選択的エッチングおよび非選択的エッチングの両方の工程でエッチングされるため、エッチング工程全体におけるＴｉＣのエッチングレートは、刻印溝の深さ（ｔ１＋ｔ２）を全エッチング時間で割った値で規定される。なお、図５に示す形状は、選択エッチングおよび非選択的エッチングの順序によらずに得られる。
【００５６】
第１凹部領域６０ａの深さｔ１は、基板表面の未エッチング領域を基準に測定され、第２凹部領域６０ｂの深さｔ２は、第１凹部領域６０ａの底面を基準に測定される。このような深さの測定は、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）によって行うことができる。
【００５７】
本発明者の検討によると、被エッチング面における光の反射率は、第２凹部領域６０ｂの深さｔ２に依存して変化するが、第１凹部領域６０ａの深さｔ１には依存しない。これに対し、光学認識の被写界深度は、第１凹部領域６０ａの深さｔ１に依存して変化する。本発明の好ましい実施形態では、第１凹部領域６０ａの深さｔ１を１０ｎｍ以上に設定することにより、認識率を高める。認識率を更に高めるには、第１凹部領域６０ａの深さｔ１を２０ｎｍ以上に設定することが好ましく、２５ｎｍ以上に設定することが更に好ましい。なお、後工程で基板裏面を加工しても消失しないように第１凹部領域６０ａの深さｔ１の値を充分に大きく設定することがあり、深さｔ１の上限を特に限定する必要はない。ただし、第１凹部領域６０ａの深さｔ１の値が大きくなるほど、エッチングに必要な時間が長くなるため、第１凹部領域６０ａの深さｔ１は、例えば５μｍ以下に設定される。
【００５８】
本発明者の実験によれば、上記のようなアルチック基板を用いる場合、第２凹部領域６０ｂの深さｔ２が５０ｎｍ以上になると２５％以上の反射率差が得られる。そして、この深さｔ２が大きくなるにつれ、反射率差が向上する。実験によれば、第２凹部領域６０ｂの深さｔ２は、１００ｎｍ以上であることが好ましく、１５０ｎｍ以上であることが更に好ましい。第２凹部領域６０ｂの深さｔ２の上限も特に限定されないが、エッチングに要する時間を考慮して、例えば５μｍ以下に設定される。
【００５９】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
【００６０】
［焼結体へのマーキング方法］
まず、公知の方法によって作製された焼結体基板を用意する。
【００６１】
本発明では、識別情報がマーキングされる焼結体基板として、特定のエッチング条件のもとでエッチングレートが異なる少なくとも２種類の粒子から構成された粉末を用いて製造されたものを用いる。このような焼結体基板の材料としては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化珪素、窒化珪素、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン、および酸化鉄からなる群から選択された２種以上の化合物から形成されたセラミックスが好適である。
【００６２】
本発明で重要な点は、焼結体基板の製造に用いられた粉末粒子が２種類以上の異なるエッチング特性を示すことにある。例えば、Ａｌ２Ｏ３という化学式で共通に表現される同一組成の化合物であっても、希土類酸化物やアルカリ土類酸化物などの不純物添加の有無や不純物濃度の高低によって、その化合物のエッチング特性が大きく変化する場合がある。したがって、基本組成がＡｌ２Ｏ３で示される第１の粉末および第２の粉末に対して、それぞれ異なるエッチング特性を付与することも可能である。異なるエッチング特性を持つ２種類以上のＡｌ２Ｏ３粉末から製造した焼結体基板を用いても、本発明のマーキング方法を実施することは可能である。
【００６３】
以下、図６（ａ）〜（ｄ）を参照しながら、Ａｌ２Ｏ３およびＴｉＣの２種類の材料から構成されたＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系セラミックスからなるコンポジット型焼結体基板６０を例にとり、本発明の好ましい実施形態を説明することとする。
【００６４】
まず、図６（ａ）に示すように、マーキングのためのエッチング処理前に、焼結体基板６０の表面のうちエッチングすべき領域以外の領域をマスキングする。マスキングは、耐エッチング性のある材料からなるマスク層５１を用いて行う。例えばポジ型フォトレジストからマスク層５１を形成する場合、まず、スピナーなどによって焼結体基板６０の表面にポジ型フォトレジスト（膜厚：１〜２μｍ）を塗布し、ベークする。このようなフォトレジスト材料としては、例えば、東京応化（株）製の商品名「ＯＦＰＲ−８００」を用いることができる。
【００６５】
ベーク後、識別情報のパターンを規定するフォトマスクやタイトラーを介して、２００ｍＪ／ｃｍ２程度のｇ線光をフォトレジストに照射する（露光工程）。
【００６６】
露光工程の後、現像工程を経て、識別情報のパターンに対応するパターンを規定する開口部（幅Ｃ）を備えたレジストマスク５１が焼結体基板６０上に形成される。
【００６７】
次に、レジストマスク５１で表面が覆われた焼結体基板６０を反応性イオンエッチング装置（ＲＩＥ装置）のエッチング処理チャンバー（不図示）に挿入し、所定のエッチング処理を実行する。このエッチング処理に用いるエッチングガスの種類は、エッチング対象となる材料に応じて適宜選択され得るが、本実施形態では、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系セラミックス基板を用いているため、例えばＣＦ４ガスやＳＦ６を好適に用いることができる。ＣＦ４ガスを用いる場合、ＣＦ４ガスの放電によってラジカル種およびイオンが生成する。ＲＩＥ装置の反応チャンバー内では、次に示す反応が生じている。
（基本反応過程）
ＣＦ４→ＣＦ３＋Ｆ
（逆反応過程）
ＣＦ３＋Ｆ→ＣＦ４
２Ｆ→Ｆ２
２ＣＦ３→Ｃ２Ｆ６
ＣＦ３＋Ｆ２→ＣＦ４＋Ｆ
【００６８】
上記の各種反応の結果、ラジカル種であるＣＦ３およびＦが生成される。このうち、Ｆが寄与する化学的エッチングは、選択性を有しており、Ａｌ２Ｏ３よりもＴｉＣを優先的にエッチングする。本実施形態では、Ａｌ２Ｏ３のエッチングレートに対してＴｉＣのエッチングレートが数倍となる条件で選択的エッチングを行うことが好ましい。
【００６９】
一方、放電によって生成されるイオンが寄与する物理的エッチングは、選択性を有さず、Ａｌ２Ｏ３およびＴｉＣを同様のレートでエッチングする（条件によってはＡｌ２Ｏ３のエッチングレートがＴｉＣのエッチングレートよりも僅かに大きくなる）。
【００７０】
このように、ＲＩＥ装置によれば、イオンによる物理的エッチングとラジカル種による化学的エッチングとが競合する結果、ガス圧力や電極印加電圧を制御することにより、選択的なエッチングと非選択的なエッチングとをスイッチングすることが可能である。一般に、ガス圧を高く、電圧を低く設定することにより、イオン密度よりもラジカル種の密度が高くなる結果、選択的なエッチングを行うことができる。逆に、ガス圧を低く、電圧を高く設定することにより、ラジカル種の密度よりもイオン密度が高くなる結果、非選択的なエッチングを行うことができる。
【００７１】
なお、本願明細書では、優先的に化学エッチングされる材料（粒子）に対するエッチングレートＡが、相対的にエッチングされにくい材料（粒子）に対するエッチングレートＢの３倍以上になるようなエッチングを「選択的エッチング」と称することとする。すなわち、選択的エッチングでは、３≦Ａ／Ｂが成立する。一方、０．７≦Ａ／Ｂ≦１．３となるような条件でのエッチングを「非選択的エッチング」と称することとする。従って、１．３＜Ａ／Ｂ＜３となるような中間的なエッチングは、選択的エッチングでも非選択的エッチングでもない。
【００７２】
ＲＩＥ装置内のガス圧や圧力を中間的な範囲に設定すると、選択的エッチング（化学的エッチング）と非選択的エッチング（物理的エッチング）の中間的なエッチングが生じる。このようなエッチングによっても、図５に示すような断面構造を実現することはできるが、そのようなエッチングのための放電状態は不安定であり、エッチングレートの制御が困難である。また、後述するエッチング残渣の問題も生じやすくなる。このため、１．３＜Ａ／Ｂ＜３となるような中間的な条件でのエッチングを行うことは好ましくない。
【００７３】
本発明の実施形態では、選択的エッチング工程と非選択的エッチング工程を切り替えることにより、これらのエッチング工程を順次実行し、それによって、図５に示すような断面形状を安定的に形成する。
【００７４】
なお、選択的エッチング工程および非選択的エッチング工程の繰り返し回数は、それぞれ１回に限定されない。また、選択的エッチング工程および非選択的エッチング工程の順序も任意である。ただし、非選択的なエッチング工程は、一番最後に行うことが好ましい。これは、選択的なエッチング工程がエッチング残渣を基板上に残しやすく、イオンによるエッチングの支配的な非選択的エッチングによって、そのようなエッチング残渣を分解し、基板を清浄化することが好ましいからである。
【００７５】
上記のエッチング処理が終了したとき、焼結体基板６０の表面のうち、レジストマスク５１に覆われていない部分（被エッチング面４２）には、図６（ｂ）に示されるように未エッチング面から一段深くなった凹部の底面に微細な凹凸が形成される。
【００７６】
次に、図６（ｃ）に示すようにレジストマスク５１を焼結体基板６０から除去する。微細な凹凸が形成された被エッチング面４２の反射率Ｒ１は、相対的に平滑な未エッチング面４１の反射率Ｒ２よりも低くなる（Ｒ１＜Ｒ２）。図６（ｄ）は、被エッチング面４２の凹凸を模式的に示す平面図である。
【００７７】
エッチングされるべき面のレイアウトは、レジストマスク５１の平面パターンによって規定される。レジストマスク５１の平面パターンは、露光工程で使用するフォトマスクやタイトラーによって任意の形状を与えられる。これ故、文字、記号、バーコードなどの任意の識別情報が焼結体基板６０に書き込まれ得る。
【００７８】
被エッチング面４２の反射率Ｒ１を小さくするためには、焼結体基板６０を構成する粒子の平均粒径よりも刻印される文字、記号、またはバーコードなどの線幅を十分に大きくすることが好ましい。
【００７９】
また、未エッチング面４１の反射率Ｒ２を高くするには、その面４１の平面粗度を小さくし、平滑化することが好ましい。そのためには、上記エッチングを行う前に焼結体基板６０の表面を研磨することが有効である。
【００８０】
エッチングによる反射率変化量ΔＲ＝（Ｒ２−Ｒ１）／Ｒ２が大きいほど、焼結体基板６０の表面に照射した光の反射光にコントラストが強く現れる。図６（ｄ）を例にとると、被エッチング面４２が他の部分よりも暗く見え、それによって刻印文字などの識別情報が正確に読み取られやすくなる。
【００８１】
このように本発明では、図５に示すような構造を形成して、適当な深さの溝底部に形成した微細な凹凸を利用してコントラストを向上させるとともに、刻印溝の輪郭を明瞭化できるため、識別情報の認識率を向上させことができる。
【００８２】
［磁気ヘッドの製造方法］
次に、本発明による磁気ヘッド用基板の製造方法の実施形態を説明する。
【００８３】
まず、例えば、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系セラミックス基板を用意する。このような複合材料（コンポジット）基板において、磁性薄膜が積層される側の面の反対面、すならち基板裏面側に対して、前述のマーキング法によって識別情報を印字する。
【００８４】
その後、スパッタ法を用いて、基板の表面側に非晶質酸化アルミニウム膜（厚さ：　例えば０．５〜２０μｍ）を堆積する。次に、非晶質酸化アルミニウム膜の表面を平坦化し、薄膜磁気ヘッド用基板作製プロセスの基本段階が完了する。
【００８５】
その後、この薄膜磁気ヘッド用基板には、種々の磁性薄膜が積層される。こうして形成された基板を図１（ｃ）に示されるように複数のバー２０に分割すると、図１（ｂ）に示されるように、各バー２０には複数の識別情報１３が印字されていることになる。最終的に各バー２０から分離された磁気ヘッドの各々は、図１（ａ）に示されるように固有の識別情報１３が記述された状態になる。こうして、各磁気ヘッドのシリアル番号を簡単に識別することができるようになるため、ヘッド生産時の工程管理を従来と同様に実行することができる。
【００８６】
本実施形態によれば、レーザマーキングに起因するコンタミネーションの問題を解決でき、また、ダスト混入を極力さけるべき記録媒体駆動装置の中にあっても長期間好適に使用できる磁気ヘッドを製造できる。その結果、磁気ヘッドの製造歩留まりが向上するとともに、そのような磁気ヘッドを備えた磁気記録再生装置の信頼性も向上する。
【００８７】
なお、磁気ヘッドのどの部分に対してマーキングを行うかは任意である。本発明は、本実施形態においてマーキングした位置に限定されない。
【００８８】
［記録媒体駆動装置］
図７は、上述した本発明のマーキング方法によって識別情報を刻印した磁気ヘッドを備える記録媒体駆動装置（ハードディスク駆動装置）７０の断面構成を示している。図示されている装置７０は、磁気記録層（不図示）を有する３枚の磁気ディスク７２と、磁気ディスク７２の間に挿入されたメディアスペーサ７４と、磁気ディスク７２を回転させる電動モータ７６と、磁気ディスク７２に近接して情報の記録再生を行う磁気ヘッド７８等を備えている。磁気ヘッド７８は前述の方法で作製されたものであり、表面に識別情報が刻印されている。この磁気ヘッド７８は支持部材７９の先端に固定され、回転する磁気ディスク７２上の任意のトラックにアクセスすることができる。磁気ディスク７２の磁気記録層（不図示）に対する情報の書き込みや磁気記録層からの情報の読み出しは、磁気ヘッド７８に設けた電気／磁気トランスデューサ素子（付図示）によって実行される。電動モータ７６はハードディスク駆動装置７０のシャーシ８０に固定され、電動モータ７６の回転シャフト８２には回転柱体８４が取り付けられている。磁気ディスク７２は回転柱体７４とともに回転する。
【００８９】
【実施例】
本実施例では、６６ｗｔ％のＡｌ２Ｏ３および３４ｗｔ％のＴｉＣからなる複合焼結体のＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系セラミックス基板を用いた。この基板は、厚さ１．２ｍｍの矩形薄板（５０ｍｍ×５０ｍｍ）に機械加工されたものであり、その表面は、ダイヤモンドスラリー（平均粒径１μｍ）を用いた鏡面加工によって平面粗度Ｒａが０．５〜１．５ｎｍとなるように仕上げ加工を施されている。
【００９０】
本実施例では、基板の裏面側となる面に、種々の条件でエッチングを行い、識別情報を印字した。印字は、基板の各ヘッド部に７桁の記号（文字や数字）をマークするように行った。識別情報は記号に限定されず、二次元バーコードであってもよい。マーキングに際して行ったエッチングの詳細条件を下記の表１に示す。
【００９１】
１枚の基板裏面には合計３０００個所（文字数にして２１０００個）のマークキングを行った。刻印した各記号の大きさは、約１００μｍ×約１５０μｍであった。
【００９２】
【表１】
2004110991.tif 000003
【００９３】
ここで、表１の「装置」の欄に記載されている「ＩＣＰ−ＲＩＥ」は、「ＩｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ−Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ」の略記であり、磁界発生用コイルを備えた並行平板型プラズマエッチング装置を意味している。「Ｃｎｖ．　ＲＩＥ」は「Ｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌ　Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ」の略記であり、磁界印加を行わないタイプの並行平板型のプラズマエッチング装置を意味している。これらのエッチング装置では、基板ホルダ側の電極に高周波電源が接続され、上下の電極間でエッチングガスのプラズマが形成される。一般に、「ＩＣＰ−ＲＩＥ」は、「Ｃｎｖ．　ＲＩＥ」に比較して高いエッチングレートを達成することができる。これは、「ＩＣＰ−ＲＩＥ」によればプラズマ中の電子密度をより高くすることができるためである。しかし、選択的なエッチングを行う場合、Ａｌ２Ｏ３のエッチングが相対的に大きく低下する。
【００９４】
表１の「エッチング条件」の欄に記載しているＡ〜Ｄは、次の表２に示すエッチング条件を表しており、例えば、「Ａ×２分＋Ｂ×４分」は、条件Ａでのエッチングを２分、条件Ｂでのエッチングを４分行うことを意味している。
【００９５】
なお、試料１、４、７は、選択的エッチング工程のみを行っており、本発明の比較例である。）
【００９６】
【表２】
2004110991.tif 000004
【００９７】
表２における「パワー密度」は、エッチング装置に投入した電力（単位電極面積あたり）である。エッチングガスとしては、ＣＦ４を用いた。表２の「Ａｌ２Ｏ３−Ｒａｔｅ」は、Ａｌ２Ｏ３のエッチングレートを、「ＴｉＣ−Ｒａｔｅ」は、ＴｉＣのエッチングレートを表している。
【００９８】
表１からわかるように、条件Ａおよび条件Ｃでは、Ａｌ２Ｏ３およびＴｉＣのエッチングレートは等しく、非選択的なエッチング条件が実現している。この条件のもとでは、イオンによる物理的なエッチングが支配的である。これに対し、条件Ｂおよび条件Ｄでは、ＴｉＣのエッチングレートがＡｌ２Ｏ３のエッチングレートよりも高く、ＴｉＣが優先的にエッチングされる選択的エッチングが行われる。この条件では、ラジカルによる化学的なエッチングが支配的である。
【００９９】
表１に示すように、試料１〜３では、選択的なエッチングが行われる条件Ｂのエッチング時間が４分であるが、非選択的なエッチングが行われる条件Ａのエッチング時間は０分、２分、５分と変化させている。これに対して、試料４〜６では、選択的なエッチングが行われる条件Ｂのエッチング時間は２分であるが、非選択的なエッチングが行われる条件Ａのエッチング時間が０分、２分、５分と変化させている。試料１〜３のグループと試料４〜６のグループとの間では、選択的なエッチングが行われる条件Ｂのエッチング時間が異なっている。
【０１００】
上記の表２に示す条件で識別情報をマーキングされた試料１〜９について、形成された第１凹部領域の深さｔ１、第２凹部領域の深さｔ２、反射率変化量ΔＲ、および、読み取り率を評価した。評価結果を下記の表３に示す。
【０１０１】
【表３】
2004110991.tif 000005
【０１０２】
表３における「反射率差」は、波長５４６ｎｍの光に対する反射率変化量ΔＲ＝（Ｒ２−Ｒ１）／Ｒ２を示している。この反射率変化量ΔＲが大きくなるほど、未エッチングの反射率Ｒ２と被エッチング面の反射率Ｒ１の差が大きいといえる。読み取り率は、波長５４６ｎｍの光を照射光とする読み取り装置を用いて計測した。照射光としては、これ以外に白色光や他の他の可視光を用いることができる。このような読み取り装置として、例えば株式会社小松製作所製の商品名「ａｃｕＲｅａｄｅｒ」を用いることができる。
【０１０３】
表３からわかるように、試料１、４、７の比較例では、非選択的なエッチング工程を行っていないため、第１凹部領域の深さｔ１が２０ｎｍ以下と浅く、実質的には第１凹部領域が形成されていない状態に等しい。なお、第１凹部領域の深さｔ１が２０ｎｍ以下の場合でも、選択的エッチングを充分に行えば、試料１のように６０％を超える高い反射率差が得られる。しかし、反射率差が６０％を超える場合でも、第１凹部領域の深さｔ１が２０ｎｍと浅い場合は、読み取り率が９５．５％しかない（試料１）。
【０１０４】
本発明者の実験によれば、９７％以上の高い読み取り率を実験するには、深さｔ１が１０ｎｍ以上の第１凹部領域を形成する必要がある。また、深さｔ１が８０ｎｍ以上となるような第１凹部領域を形成しても、選択的エッチングが不充分であれば、試料４〜６のように反射率差が３５％を下回る低い値となり、読み取りができなかった。
【０１０５】
以上のことから、正しい読み取りを行うには、第２凹部領域の形成によって２５％以上の反射率変化量ΔＲを達成するとともに、第１凹部領域の深さが１０ｎｍ以上となるように非選択的なエッチングを行う必要がある。
【０１０６】
図８は、選択エッチングによる反射率変化量ΔＲと第２凹部領域の深さｔ２との関係を示すグラフである。縦軸が反射率変化量ΔＲ、横軸が第２凹部領域の深さｔ２を示している。図８では、横軸の左側に進むほど、深さｔ２が大きくなるようにグラフが記載されている。反射率変化量ΔＲは、２５％以上であれば読み取り可能となる。
【０１０７】
図９は、基板の未エッチング面を示すＡＦＭ像であり、図１０は、基板の被エッチング面を示すＡＦＭ像である。
【０１０８】
【発明の効果】
本発明マーキング方法によれば、識別情報の認識に充分な反射光コントラストを達成できるため、かつ、識別情報を規定する凹部の輪郭がはっきりするため、識別情報の読み取り率（認識率）が向上する。特に、研磨工程などを行った後も、読み取り率の低下を避けることができる。
【０１０９】
また、本発明によれば、部品として完成した状態の磁気ヘッドが発生するダストも低減されるため、記録媒体の駆動装置の信頼性が向上することにもなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は磁気ヘッド用スライダの斜視図であり、（ｂ）は磁気ヘッド用スライダが分離される前のバーを示す斜視図であり、（ｃ）は矩形の焼結体基板を示す斜視図である。
【図２】レーザマーキング工程を模式的に示す図である。
【図３】従来のレーザマーキング法で深く形成した印字部分の断面図である。
【図４】（ａ）は、選択性の無い物理的エッチングを用いた従来のマーキング法で形成した印字部分の断面図であり、（ｂ）は、選択性のある化学的エッチングを用いてマーキング法によって形成した印字部分の断面図であり、（ｃ）は、選択性のある化学的エッチングと選択性の無い物理的エッチングとを順次行うマーキング法によって形成した印字部分の断面図である。
【図５】本発明における刻印部の断面形状を模式的に示す図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、マーキングのための選択エッチングを示す工程断面図であり、（ｄ）は、セラミックス基板の被エッチング面および未エッチングを示す上面図である。
【図７】本発明による記録媒体駆動装置の断面図である。
【図８】選択エッチングによる反射率差ΔＲと第２凹部領域の深さｔ２との関係を示すグラフである。
【図９】本発明の実施例における焼結体の未エッチング面を示すＡＦＭ像である。
【図１０】本発明の実施例における焼結体の被エッチング面を示すＡＦＭ像である。
【符号の説明】
１　　焼結体基板
２　　基板表面
３　　基板裏面
４　　基板端面
５　　レンズ
６　　レーザビーム
１０　　磁気ヘッドスライダ
１１　　エア・ベアリング面（ＡＢＳ）のサイドレール
１２　　基板表面がらの積層薄膜
１３　　識別情報
２０　　バー
３０　　印字溝（凹部）
３１　　エッジバリ
３２　　パーティクル（コンタミネーション）
４０　　焼結体基板
４１　　未エッチング面
４２　　被エッチング面
５０　　焼結体基板
５１　　マスク層
６０　　焼結体基板
６０ａ　第１凹部領域
６０ｂ　第２凹部領域
【図１】
2004110991.tif 000006
【図２】
2004110991.tif 000007
【図３】
2004110991.tif 000008
【図４】
2004110991.tif 000009
【図５】
2004110991.tif 000010
【図６】
2004110991.tif 000011
【図７】
2004110991.tif 000012
【図８】
2004110991.tif 000013
【図９】
2004110991.tif 000014
【図１０】
2004110991.tif 000015