(57)【要約】【課題】ＴＥＭ観察用試料を簡便に作製できるペデスタル基板を提供する。【解決手段】試料保持部３、梁部８及び治具作製用ボディ４とを備える。試料保持部３は、頂部に電子顕微鏡観察用の試料を搭載する観察対象領域１を有する。梁部８は、観察対象領域１に垂直方向に測った試料保持部３の厚さよりも薄い厚さを有し、この試料保持部３の観察対象領域１を定義する立体形状を構成する複数の側壁の少なくとも１の側壁に接続されている。治具作製用ボディ４は、この梁部８に接続され、試料保持部３の底面の面積よりも大きく、且つ試料保持部３の底面と同一平面レベルの底面を有する治具作製用ボディ４とを備える。梁部８は、試料保持部３と治具作製用ボディ４とを分離する分離溝２１の底部に形成された残存部により狭窄構造として形成されている。【選択図】      図１
2004271393.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
頂部に電子顕微鏡観察用の試料を搭載する観察対象領域を有する試料保持部と、
前記観察対象領域に垂直方向に測った前記試料保持部の厚さよりも薄い厚さを有し、該試料保持部の前記観察対象領域を定義する立体形状を構成する複数の側壁の少なくとも１の側壁に接続された梁部と、
該梁部に接続され、前記試料保持部の底面の面積よりも大きく、且つ前記試料保持部の底面と同一平面レベルの底面を有する治具作製用ボディ
とを備えることを特徴とするペデスタル基板。
【請求項２】
互いに対向する側面間で固定部厚さを定義された裾部、及び該裾部の上部において電子線透過厚みで前記側面に平行方向に走行するリッジ部を有する試料保持部と、該リッジ部に搭載され、前記電子線透過厚みで前記側面に平行方向に走行する試料とを含む積層体を搭載するための測定治具であって、
前記固定部厚さと同等以下の深さで、前記積層体の厚さよりも大きな幅を有した試料載置溝を有し、且つ該試料載置溝に前記積層体を前記側面と該試料載置溝の底面が平行になるように載置した状態における前記試料の中心位置において、前記積層体の厚さ方向に測った前記試料の厚みよりも大きな奥行きと、前記リッジ部の長さ方向に測った前記積層体の長さよりも小さな幅を有する電子線通過窓を有する試料ホルダと、
前記試料載置溝に前記積層体を載置した状態において、前記リッジ部の長さ方向の端部において前記裾部に接触し、前記試料載置溝に前記積層体を固定する試料押さえ
とを備えることを特徴とする電子顕微鏡用測定治具。
【請求項３】
互いに対向する側面間で固定部厚さを定義された裾部、及び該裾部の上部において電子線透過厚みで前記側面に平行方向に走行するリッジ部を有する試料保持部と、該リッジ部に搭載され、前記電子線透過厚みで前記側面に平行方向に走行する試料とを含む積層体と、
前記固定部厚さと同等以下の深さで、前記積層体の厚さよりも大きな幅を有した試料載置溝を有し、且つ該試料載置溝に前記積層体を前記側面と該試料載置溝の底面が平行になるように載置した状態における前記試料の中心位置において、前記積層体の厚さ方向に測った前記試料の厚みよりも大きな奥行きと、前記リッジ部の長さ方向に測った前記積層体の長さよりも小さな幅を有する電子線通過窓を有する試料ホルダと、
前記試料載置溝に前記積層体を載置した状態において、前記リッジ部の長さ方向の端部において前記裾部に接触し、前記試料載置溝に前記積層体を固定する試料押さえ
とを備えることを特徴とする測定試料組み立て体。
【請求項４】
観察対象領域を有する試料保持部、該試料保持部の厚さよりも薄い厚さで該試料保持部の側壁に接続された梁部、該梁部に接続され、前記試料保持部の底面の面積よりも大きく、且つ前記試料保持部の底面と同一平面レベルの底面を有する治具作製用ボディとを備えたペデスタル基板を用意する工程と、
前記観察対象領域に被測定薄膜を堆積する工程と、
前記被測定薄膜の表面に、電子線が透過可能な電子線透過厚みで定義される線幅のマスクを形成する工程と、
該マスクを用いて、前記被測定薄膜と前記被測定薄膜の下部の前記試料保持部の一部を選択的にエッチングし、前記被測定薄膜と前記試料保持部からなるリッジ構造を形成する工程と、
前記梁部において、前記治具作製用ボディから前記試料保持部を分離し、互いに対向する側面間で前記電子線透過厚みより厚い固定部厚さを定義された裾部、及び該裾部の上部に前記リッジ構造を有する積層体を得る工程
とを含むことを特徴とする測定試料の作製方法。
【請求項５】
基板の表面に被測定薄膜を堆積する工程と、
前記被測定薄膜の表面に、電子線が透過可能な電子線透過厚みで定義される線幅のマスクを形成する工程と、
該マスクを用いて、前記被測定薄膜と前記被測定薄膜の下部の前記基板の一部を選択的にエッチングし、前記被測定薄膜と前記基板からなるリッジ構造を形成する工程と、
前記基板の一部に分離溝を形成し、該分離溝により、試料保持部、該試料保持部の厚さよりも薄い厚さで該試料保持部の側壁に接続された梁部、該梁部に接続され、前記試料保持部の底面の面積よりも大きく、且つ前記試料保持部の底面と同一平面レベルの底面を有する治具作製用ボディとを備えたペデスタル基板構造を形成する工程と、
前記梁部において、前記治具作製用ボディから前記試料保持部を分離し、互いに対向する側面間で前記電子線透過厚みより厚い固定部厚さを定義された裾部、及び該裾部の上部に前記リッジ構造を有する積層体を得る工程
とを含むことを特徴とする測定試料の作製方法。
【請求項６】
観察対象領域を有する試料保持部、該試料保持部の厚さよりも薄い厚さで該試料保持部の側壁に接続された梁部、該梁部に接続され、前記試料保持部の底面の面積よりも大きく、且つ前記試料保持部の底面と同一平面レベルの底面を有する治具作製用ボディとを備えたペデスタル基板を用意する工程と、
前記観察対象領域に被測定薄膜を堆積する工程と、
前記被測定薄膜の表面に、電子線が透過可能な電子線透過厚みで定義される線幅のマスクを形成する工程と、
該マスクを用いて、前記被測定薄膜と前記被測定薄膜の下部の前記試料保持部の一部を選択的にエッチングし、前記被測定薄膜と前記試料保持部からなるリッジ構造を形成する工程と、
前記梁部において、前記治具作製用ボディから前記試料保持部を分離し、互いに対向する側面間で前記電子線透過厚みより厚い固定部厚さを定義された裾部、及び該裾部の上部に前記リッジ構造を有する積層体を得る工程と、
前記固定部厚さと同等以下の深さで、前記積層体の厚さよりも大きな幅を有した試料載置溝を有し、且つ該試料載置溝に前記積層体を前記側面と該試料載置溝の底面が平行になるように載置した状態における前記試料の中心位置において、前記積層体の厚さ方向に測った前記試料の厚みよりも大きな奥行きと、前記リッジ部の長さ方向に測った前記積層体の長さよりも小さな幅を有する電子線通過窓を有する試料ホルダを用意する工程と、
前記試料載置溝に前記積層体を前記側面と該試料載置溝の底面が平行になるように載置する工程と、
試料押さえの一部を前記リッジ部の長さ方向の端部において前記裾部に接触させ、前記試料載置溝に前記積層体を固定する工程と、
前記電子線通過窓に電子線が通過するように電子線を照射し、前記試料の透過電子線像を得る工程
とを含むことを特徴とする測定方法。
【請求項７】
基板の表面に被測定薄膜を堆積する工程と、
前記被測定薄膜の表面に、電子線が透過可能な電子線透過厚みで定義される線幅のマスクを形成する工程と、
該マスクを用いて、前記被測定薄膜と前記被測定薄膜の下部の前記基板の一部を選択的にエッチングし、前記被測定薄膜と前記基板からなるリッジ構造を形成する工程と、
前記基板の一部に分離溝を形成し、該分離溝により、試料保持部、該試料保持部の厚さよりも薄い厚さで該試料保持部の側壁に接続された梁部、該梁部に接続され、前記試料保持部の底面の面積よりも大きく、且つ前記試料保持部の底面と同一平面レベルの底面を有する治具作製用ボディとを備えたペデスタル基板構造を形成する工程と、
前記梁部において、前記治具作製用ボディから前記試料保持部を分離し、互いに対向する側面間で前記電子線透過厚みより厚い固定部厚さを定義された裾部、及び該裾部の上部に前記リッジ構造を有する積層体を得る工程と、
前記固定部厚さと同等以下の深さで、前記積層体の厚さよりも大きな幅を有した試料載置溝を有し、且つ該試料載置溝に前記積層体を前記側面と該試料載置溝の底面が平行になるように載置した状態における前記試料の中心位置において、前記積層体の厚さ方向に測った前記試料の厚みよりも大きな奥行きと、前記リッジ部の長さ方向に測った前記積層体の長さよりも小さな幅を有する電子線通過窓を有する試料ホルダを用意する工程と、
前記試料載置溝に前記積層体を前記側面と該試料載置溝の底面が平行になるように載置する工程と、
試料押さえの一部を前記リッジ部の長さ方向の端部において前記裾部に接触させ、前記試料載置溝に前記積層体を固定する工程と、
前記電子線通過窓に電子線が通過するように電子線を照射し、前記試料の透過電子線像を得る工程
とを含むことを特徴とする測定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）用の試料を搭載するペデスタル基板、電子顕微鏡用測定治具、ＴＥＭ用の測定試料組み立て体、ＴＥＭ用の測定試料の作製方法及びＴＥＭの測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体装置の特定箇所の断面ＴＥＭ観察用試料作製には収束イオンビーム（ＦＩＢ）法とリソグラフィー法が知られている。
【０００３】
ＦＩＢ法では、先ず、ダイシングソーで観察対象とする薄膜や半導体集積回路パターンを有する観察対象領域を約０．２ｍｍ×１．５ｍｍ角の大きさに切り出し、切り出した試料を、冶具に接着剤で固定する。その後、５〜３０ｋｅＶの集束したＧａイオンビームで切り出した試料の一部をスパッタリングすることにより観察対象薄膜若しくは半導体集積回路パターンを１００ｎｍ程度に薄片化することでＴＥＭ試料を作製する（非特許文献１参照。）。
【０００４】
一方、リソグラフィー法は、リソグラフィーと反応性エッチング（ＲＩＥ）法を用いてＴＥＭ試料を作製する方法である。リソグラフィー法では、先ず、半導体基板に電子線が透過する３００ｎｍ以下の幅のマスクを形成する。このマスクを用いて、ＲＩＥ法によりマスクの周囲の領域を除去しマスク直下を残する。この結果、マスクと同等の幅の厚さをもつ薄片化部を形成され、ＴＥＭ試料が作製される（非特許文献２参照。）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平９−１４５５６７号公報
【０００６】
【非特許文献１】
平坂雅男・朝倉健太郎共偏、「ＦＩＢ・イオンミリング技法Ｑ＆Ａ」、ｐ．４２〜４７（２００２年）
【０００７】
【非特許文献２】
ヒュン・ジン・チョウ（Ｈｙｕｎ−Ｊｉｎ  Ｃｈｏ），ピータＢグリフィン（Ｐｅｔｅｒ  Ｂ，  Ｇｒｉｆｆｉｎ），  及びジェームスＤプラマー（Ｊａｍｅｓ  Ｄ．  Ｐｌｕｍｍｅｒ），材料研究学会・シンポジウム予稿集（Ｍａｔ．  Ｒｅｓ．  Ｓｏｃ．  Ｓｙｍｐ．  Ｐｒｏｃ．），第４８０巻，ｐ．２１７（１９９７年）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、ＦＩＢ法では前処理として半導体基板の観察対象領域をダイシングソーで０．２ｍｍ×１．５ｍｍ程度に切り出す。しかし、ＦＩＢ加工するためには切り出した試料を固定する保持冶具に接着剤で固定する必要がある。また、観察対象領域を薄片化する際には観察対象領域の表面とＧａイオンビームの入射方向とが互いに垂直になるように方位を合わせる必要がある。しかしながら、接着剤の厚みにより観察対象領域の表面と冶具の接着面とを垂直にすることが困難である。更には、Ｇａイオンビームの方向と観察対象領域表面との垂直合わせをしなければならない。また、ＴＥＭ観察する場合に接着剤から発生するガスにより、電子線を照射した箇所がカーボン汚染する欠点があった。
【０００９】
一方、リソグラフィー法は、イオンエッチングの後工程としてダイシングソーによる観察対象領域の切り出し加工がある。しかしながら、薄片化された観察対象薄膜やパターンは脆く、切り出し加工時の切削屑による試料損傷を防止するためにイオンエッチング後の観察対象領域を有機溶剤に溶解可能なレジストやワックスを保護膜として塗布してから切り出さなければならない。しかしながら、レジストやワックスを塗布する工程及びレジストやワックスを溶剤で除去する工程で薄片化領域を損傷する可能性がある。更には、溶剤やレジストの残渣がＴＥＭ観察する場合にガスを放出し、電子線を照射した箇所がカーボン汚染する欠点があった。
【００１０】
上記のような問題点を鑑み、本発明は、ＴＥＭ観察用試料を簡便に作製できるペデスタル基板、ＴＥＭ観察する際に溶剤やレジストの残渣に起因したガス放出のない電子顕微鏡用測定治具及びＴＥＭ用の測定試料組み立て体、更にはこの様なＴＥＭ用の測定試料の作製方法、更には、これらの治具や組み立て体を用いたＴＥＭの測定方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の第１の特徴は（イ）頂部に電子顕微鏡観察用の試料を搭載する観察対象領域を有する試料保持部と、（ロ）観察対象領域に垂直方向に測った試料保持部の厚さよりも薄い厚さを有し、この試料保持部の観察対象領域を定義する立体形状を構成する複数の側壁の少なくとも１の側壁に接続された梁部と、（ハ）この梁部に接続され、試料保持部の底面の面積よりも大きく、且つ試料保持部の底面と同一平面レベルの底面を有する治具作製用ボディとを備えるペデスタル基板であることを要旨とする。
本発明の第２の特徴は、互いに対向する側面間で固定部厚さを定義された裾部、及びこの裾部の上部において電子線透過厚みで側面に平行方向に走行するリッジ部を有する試料保持部と、このリッジ部に搭載され、電子線透過厚みで側面に平行方向に走行する試料とを含む積層体を搭載するための電子顕微鏡用測定治具に関する。即ち、本発明の第２の特徴に係る電子顕微鏡用測定治具は、（イ）固定部厚さと同等以下の深さで、積層体の厚さよりも大きな幅を有した試料載置溝を有し、且つこの試料載置溝に積層体の側面とこの試料載置溝の底面が平行になるように載置した状態における試料の中心位置において、積層体の厚さ方向に測った試料の厚みよりも大きな奥行きと、リッジ部の長さ方向に測った積層体の長さよりも小さな幅を有する電子線通過窓を有する試料ホルダと、（ロ）試料載置溝に積層体を載置した状態において、リッジ部の長さ方向の端部において裾部に接触し、試料載置溝に積層体を固定する試料押さえとを備えることを要旨とする。
【００１２】
本発明の第３の特徴は、（イ）互いに対向する側面間で固定部厚さを定義された裾部、及びこの裾部の上部において電子線透過厚みで側面に平行方向に走行するリッジ部を有する試料保持部と、このリッジ部に搭載され、電子線透過厚みで側面に平行方向に走行する試料とを含む積層体と、（ロ）固定部厚さと同等以下の深さで、積層体の厚さよりも大きな幅を有した試料載置溝を有し、且つこの試料載置溝に積層体の側面とこの試料載置溝の底面が平行になるように載置した状態における試料の中心位置において、積層体の厚さ方向に測った試料の厚みよりも大きな奥行きと、リッジ部の長さ方向に測った積層体の長さよりも小さな幅を有する電子線通過窓を有する試料ホルダと、（ハ）試料載置溝に積層体を載置した状態において、リッジ部の長さ方向の端部において裾部に接触し、試料載置溝に積層体を固定する試料押さえとを備える測定試料組み立て体であることを要旨とする。
本発明の第４の特徴は、（イ）観察対象領域を有する試料保持部、この試料保持部の厚さよりも薄い厚さでこの試料保持部の側壁に接続された梁部、この梁部に接続され、試料保持部の底面の面積よりも大きく、且つ試料保持部の底面と同一平面レベルの底面を有する治具作製用ボディとを備えたペデスタル基板を用意する工程と、（ロ）観察対象領域に被測定薄膜を堆積する工程と、（ハ）被測定薄膜の表面に、電子線が透過可能な電子線透過厚みで定義される線幅のマスクを形成する工程と、（ニ）このマスクを用いて、被測定薄膜と被測定薄膜の下部の試料保持部の一部を選択的にエッチングし、被測定薄膜と試料保持部からなるリッジ構造を形成する工程と、（ホ）梁部において、治具作製用ボディから試料保持部を分離し、互いに対向する側面間で電子線透過厚みより厚い固定部厚さを定義された裾部、及びこの裾部の上部にリッジ構造を有する積層体を得る工程とを含む測定試料の作製方法であることを要旨とする。
【００１３】
本発明の第５の特徴は、（イ）基板の表面に被測定薄膜を堆積する工程と、（ロ）被測定薄膜の表面に、電子線が透過可能な電子線透過厚みで定義される線幅のマスクを形成する工程と、（ハ）このマスクを用いて、被測定薄膜と被測定薄膜の下部の基板の一部を選択的にエッチングし、被測定薄膜と基板からなるリッジ構造を形成する工程と、（ニ）基板の一部に分離溝を形成し、この分離溝により、試料保持部、この試料保持部の厚さよりも薄い厚さでこの試料保持部の側壁に接続された梁部、この梁部に接続され、試料保持部の底面の面積よりも大きく、且つ試料保持部の底面と同一平面レベルの底面を有する治具作製用ボディとを備えたペデスタル基板構造を形成する工程と、（ホ）梁部において、治具作製用ボディから試料保持部を分離し、互いに対向する側面間で電子線透過厚みより厚い固定部厚さを定義された裾部、及びこの裾部の上部にリッジ構造を有する積層体を得る工程とを含む測定試料の作製方法であることを要旨とする。
【００１４】
本発明の第６の特徴は、（イ）観察対象領域を有する試料保持部、この試料保持部の厚さよりも薄い厚さでこの試料保持部の側壁に接続された梁部、この梁部に接続され、試料保持部の底面の面積よりも大きく、且つ試料保持部の底面と同一平面レベルの底面を有する治具作製用ボディとを備えたペデスタル基板を用意する工程と、（ロ）観察対象領域に被測定薄膜を堆積する工程と、（ハ）被測定薄膜の表面に、電子線が透過可能な電子線透過厚みで定義される線幅のマスクを形成する工程と、（ニ）このマスクを用いて、被測定薄膜と被測定薄膜の下部の試料保持部の一部を選択的にエッチングし、被測定薄膜と試料保持部からなるリッジ構造を形成する工程と、（ホ）梁部において、治具作製用ボディから試料保持部を分離し、互いに対向する側面間で電子線透過厚みより厚い固定部厚さを定義された裾部、及びこの裾部の上部にリッジ構造を有する積層体を得る工程と、（へ）固定部厚さと同等以下の深さで、積層体の厚さよりも大きな幅を有した試料載置溝を有し、且つこの試料載置溝に積層体の側面とこの試料載置溝の底面が平行になるように載置した状態における試料の中心位置において、積層体の厚さ方向に測った試料の厚みよりも大きな奥行きと、リッジ部の長さ方向に測った積層体の長さよりも小さな幅を有する電子線通過窓を有する試料ホルダを用意する工程と、（ト）試料載置溝に積層体の側面とこの試料載置溝の底面が平行になるように載置する工程と、（チ）試料押さえの一部をリッジ部の長さ方向の端部において裾部に接触させ、試料載置溝に積層体を固定する工程と、（リ）電子線通過窓に電子線が通過するように電子線を照射し、試料の透過電子線像を得る工程とを含む測定方法であることを要旨とする。
【００１５】
本発明の第７の特徴は、（イ）基板の表面に被測定薄膜を堆積する工程と、（ロ）被測定薄膜の表面に、電子線が透過可能な電子線透過厚みで定義される線幅のマスクを形成する工程と、（ハ）このマスクを用いて、被測定薄膜と被測定薄膜の下部の基板の一部を選択的にエッチングし、被測定薄膜と基板からなるリッジ構造を形成する工程と、（ニ）基板の一部に分離溝を形成し、この分離溝により、試料保持部、この試料保持部の厚さよりも薄い厚さでこの試料保持部の側壁に接続された梁部、この梁部に接続され、試料保持部の底面の面積よりも大きく、且つ試料保持部の底面と同一平面レベルの底面を有する治具作製用ボディとを備えたペデスタル基板構造を形成する工程と、（ホ）梁部において、治具作製用ボディから試料保持部を分離し、互いに対向する側面間で電子線透過厚みより厚い固定部厚さを定義された裾部、及びこの裾部の上部にリッジ構造を有する積層体を得る工程と、（ヘ）固定部厚さと同等以下の深さで、積層体の厚さよりも大きな幅を有した試料載置溝を有し、且つこの試料載置溝に積層体の側面とこの試料載置溝の底面が平行になるように載置した状態における試料の中心位置において、積層体の厚さ方向に測った試料の厚みよりも大きな奥行きと、リッジ部の長さ方向に測った積層体の長さよりも小さな幅を有する電子線通過窓を有する試料ホルダを用意する工程と、（ト）試料載置溝に積層体の側面とこの試料載置溝の底面が平行になるように載置する工程と、（チ）試料押さえの一部をリッジ部の長さ方向の端部において裾部に接触させ、試料載置溝に積層体を固定する工程と、（リ）電子線通過窓に電子線が通過するように電子線を照射し、試料の透過電子線像を得る工程とを含む測定方法であることを要旨とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
次に、図面を参照して、本発明の第１及び第２の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１７】
また、以下に示す第１及び第２の実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００１８】
（第１の実施の形態）
＜ペデスタル基板＞
本発明の第１の実施の形態に係るペデスタル基板は図１に示すように、試料保持部３、梁部８及び治具作製用ボディ４とを備える。試料保持部３は、頂部に電子顕微鏡観察用の試料を搭載する観察対象領域１を有する。梁部８は、観察対象領域１に垂直方向に測った試料保持部３の厚さよりも薄い厚さを有し、この試料保持部３の観察対象領域１を定義する立体形状を構成する複数の側壁の少なくとも１の側壁に接続されている。治具作製用ボディ４は、この梁部８に接続され、試料保持部３の底面の面積よりも大きく、且つ試料保持部３の底面と同一平面レベルの底面を有する治具作製用ボディ４とを備える。梁部８は、試料保持部３と治具作製用ボディ４とを分離する分離溝２１の底部に形成された残存部により狭窄構造として形成されている。ペデスタル基板の材料としては、金属、半導体、絶縁体のいずれもが使用可能である。後述するように梁部８において劈開する場合は、単結晶基板が望ましいことは勿論である。半導体としてはシリコン（Ｓｉ）等の単元素半導体でも、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等の化合物半導体でも構わない。
【００１９】
治具作製用ボディ４の長さＬはピンセットではなく手で扱える長さ、例えばＬ＝３ｍｍ〜３０ｍｍ程度に選ぶことが可能である。より好ましくは、Ｌ＝５ｍｍ〜２０ｍｍ程度に選べばよい。即ち、代表的な、治具作製用ボディ４の大きさは、Ｌ＝１０ｍｍとして、１．５ｍｍ×１０ｍｍ程度あると扱い易くなる。しかし、治具作製用ボディ４の大きさは、エッチング装置に導入できる程度の大きさならばどんな大きさでもよいとする。
【００２０】
観察対象領域１を頂部に有する試料保持部３は、後述するように、治具作製用ボディ４と分離することでＴＥＭ装置の測定チャンバに導入できる程度の大きさとする。観察対象領域１はＦＩＢ法の際に切り出すペデスタルの大きさと同等の０．２ｍｍ×１．５ｍｍ程度とするが、ＴＥＭ装置の測定チャンバに導入することが可能ならばどのような大きさでもよい。
【００２１】
図１は試料保持部３と治具作製用ボディ４とを接続する梁部８の上部に分離溝２１を有するが、図８に示すように、試料保持部３の周囲に４本の分離溝２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄを、分離溝２１と同等の深さで形成してもよい。梁部８の厚さ、即ち、分離溝２１の底部からペデスタル基板の裏面までの厚さは、劈開又は裏面から研磨することで、試料保持部３と治具作製用ボディ４とが分離可能な厚さとする。具体的には梁部８の厚さは、５０μｍ程度であれば容易に劈開することが可能である。しかし、劈開若しくは研磨することで、試料保持部３と治具作製用ボディ４とが分離できる厚さならば、梁部８はどのような厚さでも構わない。
【００２２】
本発明の第１の実施の形態に係るペデスタル基板によれば、予め、分離溝２１で区分されたペデスタル基板の観察対象領域１に半導体装置（半導体集積回路）のパターン形成や被測定薄膜５等を成膜することができるので、ダイシングソーによる切り出し加工が不要となり、測定試料（ＴＥＭ観察用の試料）の作製がより簡便になる。
【００２３】
＜ペデスタル基板を用いた測定試料の作製方法＞
図１のペデスタル基板を用いた場合の本発明の第１の実施の形態に係る測定試料（ＴＥＭ観察用の試料）の作製方法を、図２及び図３を用いて説明する。
【００２４】
（イ）先ず、図１に示すような、観察対象領域１を有する試料保持部３、この試料保持部３の厚さよりも薄い厚さでこの試料保持部３の側壁に接続された梁部８、この梁部８に接続され、試料保持部３の底面の面積よりも大きく、且つ試料保持部３の底面と同一平面レベルの底面を有する治具作製用ボディ４とを備えたペデスタル基板を用意する；
（ロ）次に、図２（ａ）に示すように観察対象領域１に被測定薄膜５を堆積する。図２（ａ）においては、治具作製用ボディ４の表面にも、被測定薄膜５が堆積された状態を示している。また、分離溝２１の内部にも被測定薄膜５が堆積されうるが、図２（ａ）では図示を省略している。但し、図２（ａ）では被測定薄膜５が観察対象領域１及び治具作製用ボディ４の表面の全面を覆っているが、観察対象領域１の一部だけ成膜するような選択的堆積（選択成長）等をしてもよい。選択的堆積には例えば、リフトオフ法を採用可能である。以下では説明を簡略化するために観察対象を被測定薄膜５で説明するが、観察対象が半導体装置（半導体集積回路）のパターンの場合、観察対象領域１にリソグラフィー技術やＲＩＥ技術を用いて、半導体装置（半導体集積回路）のパターンを作製すればよい；
（ハ）そして、図２（ｂ）に示すように、被測定薄膜５の表面に、電子線が透過可能な電子線透過厚みｄで定義される線幅のマスク６を形成する。図２（ｂ）は被測定薄膜５の表面に、柱状（リッジ形状）のマスク６を形成した場合の斜視図である。マスク６の幅は、電子線透過厚みｄを考慮して３００ｎｍ以下程度とする。ＦＩＢ法では、Ｗ（ＣＯ６）等のタングステンを含む有機ガスをＧａイオンで分解、堆積させることでマスク６を作製することができる。リソグラフィー法を用いる場合は、レジストを成膜後に感光させて現像し、マスク６を形成することができる。マスク６の材料は無機材料若しくは有機材料どちらでもよい。例えば電子線（ＥＢ）リソグラフィーの場合、レジストとしてＰＭＭＡ（ポリメチルメタアクリレート）を用いて、ＥＢ描画装置で幅３００ｎｍ以下の半導体装置（半導体集積回路）のパターンを描画すればよい。この場合、マスク６の形成予定部分を開口部（窓部）とするパターンをＥＢ描画し、更に現像液で、下地が開口部（窓部）の内部に露出するように、レジストを取り除いた後に、ニッケル（Ｎｉ）やクロム（Ｃｒ）等の金属を蒸着する。そして、有機溶剤でレジストを取り除く、いわゆるリフトオフ法により、図２（ｂ）に示すような、ＮｉやＣｒ等の金属からなる所望のマスク６を形成できる；
（ニ）このマスク６を用いて、被測定薄膜５と被測定薄膜５の下部の試料保持部３の一部を図２（ｃ）に示すように選択的にエッチングし、被測定薄膜５と試料保持部３からなるリッジ構造を形成する。従来のＦＩＢ法の場合、イオンエッチング加工前に観察対象領域１の表面に対して垂直な断面を形成するために垂直合わせが必要となる。本発明の第１の実施の形態に係るＴＥＭ観察用の試料作製方法では、観察対象領域１を含む試料保持部３と治具作製用ボディ４を加えたペデスタル基板の裏面部分の面積が広く、エッチング装置の試料ホルダと観察対象領域１の表面を簡単に平行に設定できる。更に、ＦＩＢ法のように、エッチング装置の試料ホルダに対してイオンビームを予め垂直に合わせておく垂直合わせの手順が不要となる。つまり、エッチング装置の試料ホルダに載せるだけでイオンビームを垂直に照射することが可能となる。イオンエッチングはＦＩＢ法の場合Ｇａイオンであり、リソグラフィー法の場合はフッ素や塩素系のガス、例えばＣｌ２やＳＦ６等を用いてＲＩＥ法を行うか、ＡｒやＸｅといった希ガスイオンを用いてもよい。マスク６の材料及び高さは、薄片化された試料保持部３からなる試料保持台（ペデスタル）を形成可能できれば、つまりイオンエッチングでマスク６が消失しなければ材料や高さを問わない；
（ホ）更に、図３に示すように梁部８において、図３（ａ）に示す治具作製用ボディ４から図３（ｂ）に示すように試料保持部３を分離する。図３では、劈開によって被測定薄膜５の薄片部分を頂部に有する試料保持部３と治具作製用ボディ４とを分離している。この結果、図３（ｂ）に示すようにし、互いに対向する側面間で電子線透過厚みｄより厚い固定部厚さＴを定義された裾部３ｓ、及びこの裾部３ｓの上部にリッジ構造を有する積層体（３，７，６）を得る。この様に、試料保持部３と治具作製用ボディ４とを分離することで、ＴＥＭ装置の測定チャンバに導入することが可能になる。
【００２５】
なお、図３（ｃ）に示すように、裾部３ｓが段差構造を有していても良い。この場合は段差構造の内で、最も広い幅Ｔ１（Ｔ１＞Ｔ２）が固定部厚さＴを定義する。
【００２６】
本発明の第１の実施の形態に係る測定試料の作製方法によれば、観察対象領域１を有する試料保持部３と治具作製用ボディ４が一体であることで測定試料の作製時の試料の扱いが容易になる。更に、底面の面積が大きな治具作製用ボディ４を備えているので、自動的にイオンビームの照射方向を予めエッチング装置のホルダに垂直に照射するようになり、観察対象領域１の垂直合わせが不要になる。加えて、第１の実施の形態に係る測定試料の作製方法によれば予め区分されたペデスタル基板に半導体装置（半導体集積回路）のパターン形成や被測定薄膜５等を成膜することでダイシングソーによる切り出し加工が不要となり試料作製がより簡便になる。
【００２７】
本発明の第１の実施の形態に係る測定試料の作製方法によれば、切り出し加工時の切削屑による試料損傷を防止するためにイオンエッチング後の観察対象領域を有機溶剤に溶解可能なレジストやワックスを保護膜として塗布してから切り出す必要もない。このため、レジストやワックスを塗布する工程及びレジストやワックスを溶剤で除去する工程で薄片化領域を損傷することもない。更には、溶剤やレジストの残渣がＴＥＭ観察する場合にガスを放出し、電子線を照射した箇所がカーボン汚染する問題も生じない。
【００２８】
＜ペデスタル基板を用いない測定試料の作製方法＞
次に、図１のペデスタル基板を用いない場合の本発明の第１の実施の形態に係る測定試料の作製方法を説明する。ペデスタル基板を用いない場合
も、図２及び図３を用いて説明可能である。
【００２９】
（イ）先ず、半導体ウェハ等の基板の表面に被測定薄膜５を堆積する。半導体ウェハ等の種々の基板上に観察対象とする被測定薄膜５や半導体装置（半導体集積回路）のパターンを形成可能である；
（ロ）基板の一部に、基板の表面側から分離溝２１を形成する。例えば、被測定薄膜５の一部や半導体装置（半導体集積回路）のパターンの周囲に、ダイシングソーを用いて分離溝２１を形成すればよい。この分離溝２１により、図２（ａ）に示すように、試料保持部３、この試料保持部３の厚さよりも薄い厚さでこの試料保持部３の側壁に接続された梁部８、この梁部８に接続され、試料保持部３の底面の面積よりも大きく、且つ試料保持部３の底面と同一平面レベルの底面を有する治具作製用ボディ４とを備えたペデスタル基板と同様な構造が形成される。ダイシングソーを用いた分離溝２１も、図１のＴＥＭ観察用ペデスタル基板と同様に、観察対象領域１の周囲を複数の分離溝２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄで囲む構造でもよい（図８参照。）。いずれせよ、これらの分離溝は、研磨若しくは劈開で分離可能な厚さの梁部８を溝の底部に備える；
（ハ）次に、図２（ｂ）に示すように、被測定薄膜５の表面に、電子線が透過可能な電子線透過厚みｄで定義される線幅のマスク６を形成する；
（ニ）このマスク６を用いて、図２（ｃ）に示すように、被測定薄膜５と被測定薄膜５の下部の基板の一部を選択的にエッチングし、被測定薄膜５と基板からなるリッジ構造を形成する；
（ホ）更に、図３に示すように、梁部８において、治具作製用ボディ４から試料保持部３を分離し、互いに対向する側面間で電子線透過厚みｄより厚い固定部厚さＴを定義された裾部３ｓ、及びこの裾部３ｓの上部にリッジ構造を有する積層体（３，７，６）を得ることができる。
【００３０】
なお、図１のペデスタル基板を用いない場合でも、ＦＩＢ法及びリソグラフィー法のいずれによっても、マスク６を形成する工程と分離溝２１を加工する工程とは前後しても構わず、図２（ｂ）と同等の形状を得ることができる。例えば、以下のような工程でも構わない。
【００３１】
（イ）基板の表面に被測定薄膜５を堆積する；
（ロ）被測定薄膜５の表面に、電子線が透過可能な電子線透過厚みｄで定義される線幅のマスク６を形成し、図２（ｂ）と同等の形状を得ることができる。但し、この段階では、分離溝２１は形成されていない；
（ハ）このマスク６を用いて、被測定薄膜５と被測定薄膜５の下部の基板の一部を選択的にエッチングし、図２（ｃ）に示すとほぼ同様なように被測定薄膜５と基板からなるリッジ構造を形成する。但し、この段階でも、未だ、分離溝２１は形成されていない；
（ニ）基板の一部に分離溝２１を形成し、この分離溝２１により、試料保持部３、この試料保持部３の厚さよりも薄い厚さでこの試料保持部３の側壁に接続された梁部８、この梁部８に接続され、試料保持部３の底面の面積よりも大きく、且つ試料保持部３の底面と同一平面レベルの底面を有する治具作製用ボディ４とを備えたペデスタル基板構造を形成する；
（ホ）この後、図３に示すように、梁部８において、治具作製用ボディ４から試料保持部３を分離し、互いに対向する側面間で電子線透過厚みｄより厚い固定部厚さＴを定義された裾部３ｓ、及びこの裾部３ｓの上部にリッジ構造を有する積層体（３，７，６）を得ることができる。
【００３２】
リソグラフィー法の場合はレジストを成膜したペデスタル基板をダイシングソーで分離溝２１を形成する工程を施し、その後でリソグラフィー工程の感光及び現像してもよい。
【００３３】
ペデスタル基板を用いない場合の測定試料の作製方法においても、イオンエッチング後の観察対象領域を有機溶剤に溶解可能なレジストやワックスを保護膜として塗布してから切り出す必要もない。このため、レジストやワックスを塗布する工程及びレジストやワックスを溶剤で除去する工程で薄片化領域を損傷することもない。更には、溶剤やレジストの残渣がＴＥＭ観察する場合にガスを放出し、電子線を照射した箇所がカーボン汚染する問題も生じない。
【００３４】
＜測定試料組み立て体＞
本発明の第１の実施の形態に係る測定試料組み立て体は、図４に示す試料ホルダ９に対し、図３（ｂ）に示す積層体（３，７，６）を図６に示すように搭載し、図５に示す試料押さえ１０を用い、図７に示すように積層体（３，７，６）を固定した構造である。
【００３５】
図４に示すように、試料ホルダ９は、積層体（３，７，６）の固定部厚さＴと同等以下の深さで、積層体（３，７，６）の厚さよりも大きな幅を有した試料載置溝１１を有する。即ち、試料載置溝１１の幅は、試料保持部３と試料７及びマスク６の合計の厚さ以上とする。試料載置溝１１の深さは、試料保持部３の幅より極僅か浅いのが好ましい。具体的には観察対象領域１が０．２ｍｍ×１．５ｍｍであった場合、試料載置溝１１の深さは０．２ｍｍ以下、例えば０．１９ｍｍ〜０．１５ｍｍ程度に選定可能である。
【００３６】
更に、試料ホルダ９は、この試料載置溝１１に積層体（３，７，６）の側面とこの試料載置溝１１の底面が平行になるように載置した状態（図６参照。）における試料７の中心位置において、積層体（３，７，６）の厚さ方向に測った試料７の厚みよりも大きな奥行きと、リッジ部３ｒの長さ方向に測った積層体（３，７，６）の長さよりも小さな幅を有する電子線通過窓１２を有する。図４及び図６では、電子線通過窓１２の形状は矩形で示しているが、被測定薄膜５に電子線が通過するように、電子線通過窓１２が配置されていればよく、電子線通過窓１２の形状はどのようなものでもよいことは勿論である。更に、試料ホルダ９には、図５に示す試料押さえ１０を固定するためのネジ穴３２ａ，３２ｂが設けられている。
【００３７】
図５はリング状の試料押さえ１０を示している。この試料押さえ１０には、この試料押さえ１０を試料ホルダ９に対して固定するための、ネジが貫通するネジ穴（貫通孔）３１ａ，３１ｂが設けられている。図５ではリング状で示したが、積層体（３，７，６）の端部を押さえられ、且つ電子線の障害にならないトポロジーを有するならば、形状は問わない。試料押さえ１０は、図７に示すように、試料載置溝１１に積層体（３，７，６）を載置した状態において、リッジ部３ｒの長さ方向の端部において裾部３ｓに接触し、試料載置溝１１に積層体（３，７，６）を固定している。試料ホルダ９のネジ穴（貫通孔）３１ａ，３１ｂをそれぞれ貫通する押えネジ（雄ネジ）３３ａ，３３ｂが、試料ホルダ９に設けられたネジ穴（雌ネジ）３２ａ，３２ｂに挿入され、試料載置溝１１に積層体（３，７，６）が固定されている。
【００３８】
本発明の第１の実施の形態に係る測定試料組み立て体においては、専用の試料ホルダ９及び試料押さえ１０を用いているので、接着剤を用いて接着する工程が不要である。このため、接着剤若しくはこの溶剤からのガス放出によるカーボン汚染を防止できる。
【００３９】
＜ＴＥＭ測定方法＞
図７に示す本発明の第１の実施の形態に係る測定試料組み立て体を、ＴＥＭ装置の測定チャンバに導入し、所定の到達真空度に到達したら、電子線通過窓１２に電子線が通過するように電子線を照射し、試料７のＴＥＭ像を得ることができる。
【００４０】
本発明の第１の実施の形態に係る測定試料組み立て体では、試料ホルダ９と試料押さえ１０で積層体（３，７，６）を固定することができるため、ＦＩＢ法のように試料冶具（ペデスタル）に接着剤で固定する工程が不要である。また、接着剤若しくはこの溶剤から真空中に放出されるガスもない。したがって、ＴＥＭ測定（観察）時に接着剤、溶剤やレジストの残渣に起因したカーボン汚染を防止することができる。
【００４１】
（第２の実施の形態）
＜ペデスタル基板＞
本発明の第２の実施の形態に係るペデスタル基板は図９に示すように、試料保持部３、梁部８及び治具作製用ボディ４とを備える。試料保持部３は、頂部に電子顕微鏡観察用の試料を搭載する観察対象領域１を有する。梁部８は、観察対象領域１に垂直方向に測った試料保持部３の厚さよりも薄い厚さを有し、この試料保持部３の観察対象領域１を定義する立体形状を構成する複数の側壁の少なくとも１の側壁に接続されている。治具作製用ボディ４は、この梁部８に接続され、試料保持部３の底面の面積よりも大きく、且つ試料保持部３の底面と同一平面レベルの底面を有する治具作製用ボディ４とを備える。但し、第１の実施の形態に係るペデスタル基板と異なり、梁部８は、試料保持部３と治具作製用ボディ４とを分離する上向きの分離溝２３の天井部に形成された残存部により狭窄構造として形成されている。
【００４２】
治具作製用ボディ４の長さＬは、第１の実施の形態に係るペデスタル基板と同様に、ピンセットではなく手で扱える長さ、例えばＬ＝３ｍｍ〜３０ｍｍ程度、好ましくは、Ｌ＝５ｍｍ〜２０ｍｍ程度に選べばよい。第１の実施の形態に係るペデスタル基板で説明したように、観察対象領域１を頂部に有する試料保持部３は、後述するように、治具作製用ボディ４と分離することでＴＥＭ装置の測定チャンバに導入できる程度の大きさとする。
【００４３】
図９は試料保持部３と治具作製用ボディ４とを接続する梁部８の上部に上向きの分離溝２３を有するが、図８と同様な、試料保持部３の周囲に４本の上向き分離溝を、分離溝２３と同等の深さで形成してもよい。
【００４４】
本発明の第２の実施の形態に係るペデスタル基板によれば、予め、上向きの分離溝２３で区分されたペデスタル基板の観察対象領域１に半導体装置（半導体集積回路）のパターン形成や被測定薄膜５等を成膜することができるので、ダイシングソーによる切り出し加工が不要となり、測定試料（ＴＥＭ観察用の試料）の作製がより簡便になる。
【００４５】
＜ペデスタル基板を用いた測定試料の作製方法＞
図９のペデスタル基板を用いた場合の本発明の第２の実施の形態に係る測定試料（ＴＥＭ観察用の試料）の作製方法を、図１０及び図１１を用いて説明する。
【００４６】
（イ）先ず、図９に示すような、観察対象領域１を有する試料保持部３、この試料保持部３の厚さよりも薄い厚さでこの試料保持部３の側壁に接続された梁部８、この梁部８に接続され、試料保持部３の底面の面積よりも大きく、且つ試料保持部３の底面と同一平面レベルの底面を有する治具作製用ボディ４とを備えたペデスタル基板を用意する；
（ロ）次に、図１０（ａ）に示すように観察対象領域１に被測定薄膜５を堆積する。図１０（ａ）においては、治具作製用ボディ４の表面にも、被測定薄膜５が連続的に（一様に）堆積された状態を示している。観察対象が半導体装置（半導体集積回路）のパターンの場合、観察対象領域１にリソグラフィー技術やＲＩＥ技術を用いて、半導体装置（半導体集積回路）のパターンを作製すればよい；
（ハ）そして、図１０（ｂ）に示すように、被測定薄膜５の表面に、電子線が透過可能な電子線透過厚みｄで定義される線幅のマスク６を形成する。マスク６の幅は、電子線透過厚みｄを考慮して３００ｎｍ以下程度とする。第１の実施の形態に係る測定試料の作製方法と同様に、マスク６の形成予定部分を開口部（窓部）とするパターンをＥＢ描画し、いわゆるリフトオフ法により、図１０（ｂ）に示すような、ＮｉやＣｒ等の金属からなる所望のマスク６を形成できる；
（ニ）このマスク６を用いて、被測定薄膜５と被測定薄膜５の下部の試料保持部３の一部を図１０（ｃ）に示すように選択的にエッチングし、被測定薄膜５と試料保持部３からなるリッジ構造を形成する。第２の実施の形態に係るＴＥＭ観察用の試料作製方法では、観察対象領域１を含む試料保持部３と治具作製用ボディ４を加えたペデスタル基板の裏面部分の面積が広く、エッチング装置の試料ホルダと観察対象領域１の表面を簡単に平行に設定できる。更に、ＦＩＢ法のように、エッチング装置の試料ホルダに対してイオンビームを予め垂直に合わせておく垂直合わせの手順が不要となる。マスク６の材料及び高さは、薄片化された試料保持部３からなる試料保持台（ペデスタル）を形成可能できれば、つまりイオンエッチングでマスク６が消失しなければ材料や高さを問わない；
（ホ）更に、図１１に示すように梁部８において、図１１（ａ）に示す治具作製用ボディ４から図１１（ｂ）に示すように試料保持部３を分離する。図１１では、劈開によって被測定薄膜５の薄片部分を頂部に有する試料保持部３と治具作製用ボディ４とを分離している。この結果、図１１（ｂ）に示すようにし、互いに対向する側面間で電子線透過厚みｄより厚い固定部厚さＴを定義された裾部３ｓ、及びこの裾部３ｓの上部にリッジ構造を有する積層体（３，７，６）を得る。この様に、試料保持部３と治具作製用ボディ４とを分離することで、ＴＥＭ装置の測定チャンバに導入することが可能になる。
【００４７】
なお、図１１（ｃ）に示すように、裾部３ｓが段差構造を有していても良い。この場合は段差構造の内で、最も広い幅Ｔ１（Ｔ１＞Ｔ２）が固定部厚さＴを定義する。
【００４８】
第２の実施の形態に係る測定試料の作製方法によれば、観察対象領域１を有する試料保持部３と治具作製用ボディ４が一体であることで測定試料の作製時の試料の扱いが容易になる。更に、底面の面積が大きな治具作製用ボディ４を備えているので、自動的にイオンビームの照射方向を予めエッチング装置のホルダに垂直に照射するようになり、観察対象領域１の垂直合わせが不要になる。加えて、第２の実施の形態に係る測定試料の作製方法によれば予め区分されたペデスタル基板に半導体装置（半導体集積回路）のパターン形成や被測定薄膜５等を成膜することでダイシングソーによる切り出し加工が不要となり試料作製がより簡便になる。
【００４９】
第２の実施の形態に係る測定試料の作製方法によれば、切り出し加工時の切削屑による試料損傷を防止するためにイオンエッチング後の観察対象領域を有機溶剤に溶解可能なレジストやワックスを保護膜として塗布してから切り出す必要もない。このため、レジストやワックスを塗布する工程及びレジストやワックスを溶剤で除去する工程で薄片化領域を損傷することもない。更には、溶剤やレジストの残渣がＴＥＭ観察する場合にガスを放出し、電子線を照射した箇所がカーボン汚染する問題も生じない。
【００５０】
＜ペデスタル基板を用いない測定試料の作製方法＞
次に、図９のペデスタル基板を用いない場合の第２の実施の形態に係る測定試料の作製方法を説明する。ペデスタル基板を用いない場合
も、図１０及び図１１を用いて説明可能である。
【００５１】
（イ）先ず、半導体ウェハ等の基板の表面に被測定薄膜５を堆積する。半導体ウェハ等の種々の基板上に観察対象とする被測定薄膜５や半導体装置（半導体集積回路）のパターンを形成可能である；
（ロ）基板の一部に基板の裏面側から、上向きの分離溝２３を形成する。例えば、被測定薄膜５の一部や半導体装置（半導体集積回路）のパターンの周囲に、ダイシングソーを用いて上向きの分離溝２３を形成すればよい。この上向きの分離溝２３により、図１０（ａ）に示すように、試料保持部３、この試料保持部３の厚さよりも薄い厚さでこの試料保持部３の側壁に接続された梁部８、この梁部８に接続され、試料保持部３の底面の面積よりも大きく、且つ試料保持部３の底面と同一平面レベルの底面を有する治具作製用ボディ４とを備えたペデスタル基板と同様な構造が形成される；
（ハ）次に、図１０（ｂ）に示すように、被測定薄膜５の表面に、電子線が透過可能な電子線透過厚みｄで定義される線幅のマスク６を形成する；
（ニ）このマスク６を用いて、図１０（ｃ）に示すように、被測定薄膜５と被測定薄膜５の下部の基板の一部を選択的にエッチングし、被測定薄膜５と基板からなるリッジ構造を形成する；
（ホ）更に、図１１に示すように、梁部８において、治具作製用ボディ４から試料保持部３を分離し、互いに対向する側面間で電子線透過厚みｄより厚い固定部厚さＴを定義された裾部３ｓ、及びこの裾部３ｓの上部にリッジ構造を有する積層体（３，７，６）を得ることができる。
【００５２】
なお、図９のペデスタル基板を用いない場合でも、ＦＩＢ法及びリソグラフィー法のいずれによっても、マスク６を形成する工程と上向きの分離溝２３を加工する工程とは前後しても構わず、図１０（ｂ）と同等の形状を得ることができる。
【００５３】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は第１及び第２の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。したがって、本発明の実施の形態に係る技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【００５４】
【発明の効果】
本発明によれば、ＴＥＭ観察用試料を簡便に作製できるペデスタル基板を提供できる。
【００５５】
更に、本発明によれば、ＴＥＭ観察する際に溶剤やレジストの残渣に起因したガス放出のない電子顕微鏡用測定治具及びＴＥＭ用の測定試料組み立て体、更にはこの様なＴＥＭ用の測定試料の作製方法、更には、これらの治具や組み立て体を用いたＴＥＭの測定方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るペデスタル基板の基本構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る測定試料の作製方法の手順を示す工程図である（その１：分離前）。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る測定試料の作製方法の手順を示す工程図である（その２：分離後）。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る試料ホルダの平面図及び対応する断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る試料押さえの平面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る試料ホルダにＴＥＭ試料を載置した場合の平面図及び対応する断面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る試料ホルダにＴＥＭ試料を載置し、更に試料押さえで固定した測定試料組み立て体の平面図及び対応する断面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態の変形例に係るペデスタル基板の基本構成を示す斜視図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係るペデスタル基板の基本構成を示す斜視図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る測定試料の作製方法の手順を示す工程図である（その１：分離前）。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る測定試料の作製方法の手順を示す工程図である（その２：分離後）。
【符号の説明】
１…観察対象領域
３…試料保持部
３ｒ…リッジ部
３ｓ…裾部
４…治具作製用ボディ
５…被測定薄膜
６…マスク
７…試料
８…梁部
９…試料ホルダ
１１…試料載置溝
１２…電子線透過窓
１２…電子線通過窓
２１，２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ、２３…分離溝
３１ａ，３１ｂ…ネジ穴（貫通孔）
３２ａ，３２ｂ…ネジ穴
３３ａ，３３ｂ…押えネジ（雄ネジ）
【図１】
2004271393.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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