(57)【要約】【課題】少ない工程数で、エッチング性能を確保でき、且つ、球状半導体の表面回路の転写信頼性を向上させることができる球状半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】配線基板１２上に配設されて電気的に接続される球形状の球状半導体１３と、球状半導体１３の周囲を囲む外殻部１４とを有する球状半導体装置１１において、外殻部１４は、構造膜２０を有し、構造膜２０は、合成樹脂製の球状粒子２０ａが熱圧縮されることにより成形され、球状半導体１３の周囲の一部に構造膜２０の表面から球状半導体１３側まで至るガス通路を有する多孔質部２０ｃが形成され、球状半導体１３の周囲の他の部分は球状粒子２０ａが固化されることにより固化部２０ｂが形成された。【選択図】　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板上に配設されて電気的に接続される球形状の球状半導体と、該球状半導体の周囲を囲む外殻部とを有する球状半導体装置において、前記外殻部は、構造膜を有し、該構造膜は、合成樹脂製の球状粒子が熱圧縮されることにより成形され、前記球状半導体の周囲の一部に前記構造膜の表面から前記球状半導体側まで至るガス通路を有する多孔質部が形成され、前記球状半導体の周囲の他の部分は固化されることにより固化部が形成されたことを特徴とする球状半導体装置。
【請求項２】
前記構造膜は、前記配線基板の両面に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の球状半導体装置。
【請求項３】
前記配線基板の、前記球状半導体が配設された位置に開口部が形成され、該開口部の下側の前記構造膜に前記多孔質部が形成され、前記配線基板の表面側の前記構造膜に前記固化部が形成されたことを特徴とする請求項２に記載の球状半導体装置。
【請求項４】
前記配線基板の表面側の前記構造膜には、前記球状半導体の周囲の一部に前記ガス通路を有する多孔質部が形成され、前記球状半導体の周囲の他の部位に前記固化部が形成されたことを特徴とする請求項１又は２に記載の球状半導体装置。
【請求項５】
前記配線基板は、柔軟性及び絶縁性を有する樹脂フィルムを備え、該樹脂フィルムの表面に前記球状半導体と電気的に接続される配線回路が設けられたことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一つに記載の球状半導体装置。
【請求項６】
前記配線基板は、導電性を有する金属板が打ち抜かれて配線回路が形成されたことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一つに記載の球状半導体装置。
【請求項７】
請求項１又は２に記載の球状半導体装置の製造方法において、
前記球状半導体の周囲に犠牲膜を設け、該犠牲膜の周囲に前記外殻部の電極，絶縁膜，電極パターンを設けると共に、該球状半導体を前記配線基板上に電気的に接続して配設し、
その後、該配線基板上に前記球状半導体が配設されたものを、成型用型枠内にセットし、該成形用型枠内で前記電極パターンの周囲に、合成樹脂製の球状粒子を充填し、
しかる後、該球状粒子を熱圧縮し、前記多孔質部を形成する部位を、前記固化部を形成する部位より低温又は低圧で熱圧縮することにより、前記球状半導体の周囲を覆い、前記多孔質部と前記固化部とを有する構造膜を形成し、
該多孔質部の前記ガス通路を介してガスを導入して前記犠牲膜をエッチングにより除去したことを特徴とする球状半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項３に記載の球状半導体装置の製造方法において、
前記球状半導体の周囲に犠牲膜を設け、該犠牲膜の周囲に前記外殻部の電極，絶縁膜，電極パターンを設けると共に、該球状半導体を前記配線基板上に電気的に接続して配設し、
その後、該配線基板上に前記球状半導体が配設されたものを、成型用型枠の上型と下型との間にセットし、該成形用型枠内の前記電極パターンの周囲で、前記配線基板の上側と下側とに合成樹脂製の球状粒子を充填し、
しかる後、前記下型を前記上型より低温又は低圧にした状態で、該球状粒子を熱圧縮することにより、前記球状半導体の周囲を覆い、前記配線基板の下側に前記多孔質部を、前記配線基板の上側に前記固化部を有する構造膜を形成し、
該多孔質部の前記ガス通路を介してエッチングガスを導入して前記犠牲膜をエッチングにより除去したことを特徴とする球状半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項４に記載の球状半導体装置の製造方法において、
前記球状半導体の周囲に犠牲膜を設け、該犠牲膜の周囲に前記外殻部の電極，絶縁膜，電極パターンを設けると共に、該球状半導体を前記配線基板上に電気的に接続して配設し、
その後、該配線基板上に前記球状半導体が配設されたものを、成型用型枠の上型と下型との間にセットし、該成形用型枠内の前記電極パターンの周囲で、前記配線基板の上側に合成樹脂製の球状粒子を充填し、
前記上型に、前記多孔質部の形成用の押圧駒を配設し、該押圧駒の温度又は圧力を他の部位より低くして、該上型にて該球状粒子を熱圧縮することにより、前記球状半導体の周囲を覆い、前記多孔質部と前記固化部とを有する構造膜を形成し、
該多孔質部の前記ガス通路を介してエッチングガスを導入して前記犠牲膜をエッチングにより除去したことを特徴とする球状半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、球形状の球状半導体と、この球状半導体の周囲を囲む外殻部とを有する球状半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種のものとしては、球状半導体である球体の外側に所定の間隙を持って球殻部が設けられることにより球体センサ型計測装置が構成されている。
【０００３】
その球殻部には、外周部に熱硬化性樹脂により形成された構造膜が設けられ、この球殻部を球体の周囲に犠牲膜を介して設けた後に、その球殻部に多数の微細な孔を形成して、これらの孔を介してガスを導入して犠牲膜をエッチングするようにしている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−３４３４６３号公報。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来のものにあっては、熱硬化性樹脂を塗布して硬化させて球殻部の構造膜を形成した後に、別行程で犠牲膜のエッチング用の微小孔を形成するようにしていることから、微小孔を形成するための行程が増加する。しかも、球状半導体の表面回路が構造膜の内面に確実に接着（転写）されるようにする必要もある。
【０００６】
そこで、この発明は、少ない工程数で、エッチング性能を確保でき、且つ、球状半導体の表面回路の転写信頼性を向上させることができる球状半導体装置及びその製造方法を提供する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を達成するために、請求項１に記載の発明は、配線基板上に配設されて電気的に接続される球形状の球状半導体と、該球状半導体の周囲を囲む外殻部とを有する球状半導体装置において、前記外殻部は、構造膜を有し、該構造膜は、合成樹脂製の球状粒子が熱圧縮されることにより成形され、前記球状半導体の周囲の一部に前記構造膜の表面から前記球状半導体側まで至るガス通路を有する多孔質部が形成され、前記球状半導体の周囲の他の部分は固化されることにより固化部が形成された球状半導体装置としたことを特徴とする。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１の構成に加え、前記構造膜は、前記配線基板の両面に設けられたことを特徴とする。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、請求項２の構成に加え、前記配線基板の、前記球状半導体が配設された位置に開口部が形成され、該開口部の下側の前記構造膜に前記多孔質部が形成され、前記配線基板の表面側の前記構造膜に前記固化部が形成されたことを特徴とする請求項２に記載の球状半導体装置。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、請求項１又は２の構成に加え、前記配線基板の表面側の前記構造膜には、前記球状半導体の周囲の一部に前記ガス通路を有する多孔質部が形成され、前記球状半導体の周囲の他の部位に前記固化部が形成されたことを特徴とする。
【００１１】
請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４の何れか一つに記載の構成に加え、前記配線基板は、柔軟性及び絶縁性を有する樹脂フィルムを備え、該樹脂フィルムの表面に前記球状半導体と電気的に接続される配線回路が設けられたことを特徴とする。
【００１２】
請求項６に記載の発明は、請求項１乃至４の何れか一つに記載の構成に加え、前記配線基板は、導電性を有する金属板が打ち抜かれて配線回路が形成されたことを特徴とする。
【００１３】
請求項７に記載の発明は、請求項１又は２に記載の球状半導体装置の製造方法において、前記球状半導体の周囲に犠牲膜を設け、該犠牲膜の周囲に前記外殻部の電極，絶縁膜，電極パターンを設けると共に、該球状半導体を前記配線基板上に電気的に接続して配設し、その後、該配線基板上に前記球状半導体が配設されたものを、成型用型枠内にセットし、該成形用型枠内で前記電極パターンの周囲に、合成樹脂製の球状粒子を充填し、しかる後、該球状粒子を熱圧縮し、前記多孔質部を形成する部位を、前記固化部を形成する部位より低温又は低圧で熱圧縮することにより、前記球状半導体の周囲を覆い、前記多孔質部と前記固化部とを有する構造膜を形成し、該多孔質部の前記ガス通路を介してガスを導入して前記犠牲膜をエッチングにより除去した球状半導体装置の製造方法としたことを特徴とする。
【００１４】
請求項８に記載の発明は、請求項３に記載の球状半導体装置の製造方法において、前記球状半導体の周囲に犠牲膜を設け、該犠牲膜の周囲に前記外殻部の電極，絶縁膜，電極パターンを設けると共に、該球状半導体を前記配線基板上に電気的に接続して配設し、その後、該配線基板上に前記球状半導体が配設されたものを、成型用型枠の上型と下型との間にセットし、該成形用型枠内の前記電極パターンの周囲で、前記配線基板の上側と下側とに合成樹脂製の球状粒子を充填し、しかる後、前記下型を前記上型より低温又は低圧にした状態で、該球状粒子を熱圧縮することにより、前記球状半導体の周囲を覆い、前記配線基板の下側に前記多孔質部を、前記配線基板の上側に前記固化部を有する構造膜を形成し、該多孔質部の前記ガス通路を介してエッチングガスを導入して前記犠牲膜をエッチングにより除去した球状半導体装置の製造方法としたことを特徴とする。
【００１５】
請求項９に記載の発明は、請求項４に記載の球状半導体装置の製造方法において、前記球状半導体の周囲に犠牲膜を設け、該犠牲膜の周囲に前記外殻部の電極，絶縁膜，電極パターンを設けると共に、該球状半導体を前記配線基板上に電気的に接続して配設し、その後、該配線基板上に前記球状半導体が配設されたものを、成型用型枠の上型と下型との間にセットし、該成形用型枠内の前記電極パターンの周囲で、前記配線基板の上側に合成樹脂製の球状粒子を充填し、前記上型に、前記多孔質部の形成用の押圧駒を配設し、該押圧駒の温度又は圧力を他の部位より低くして、該上型にて該球状粒子を熱圧縮することにより、前記球状半導体の周囲を覆い、前記多孔質部と前記固化部とを有する構造膜を形成し、該多孔質部の前記ガス通路を介してエッチングガスを導入して前記犠牲膜をエッチングにより除去した球状半導体装置の製造方法としたことを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について説明する。
【００１７】
［発明の実施の形態１］
図１乃至図１５には、この発明の実施の形態１を示す。
【００１８】
まず構成を説明すると、図１中符号１１は球状半導体装置で、図示省略の回路が形成された「配線基板」としての配線基板１２と、この配線基板１２上に電気的に接続されて配設された球状半導体１３と、この球状半導体１３の周囲を囲む外殻部１４とを有しており、この球状半導体装置１１は様々な用途及び分野に適用することができる。
【００１９】
例えば、球状半導体１３を浮上させた浮上球体型計測装置の例として、加速度計、ジャイロ等があり、球状半導体１３を浮上させない非浮上球体型計測装置の例として、傾斜計等がある。
【００２０】
その球状半導体１３の外径は直径数ミリメートル以下（例えば１ｍｍ）であり、外殻部１４の球状内面の内径より僅かに小さく、球状半導体１３と外殻部１４の球状内面との間には、数μｍ程度の間隙１５が形成されている（図１参照）。
【００２１】
この間隙１５は、密閉空間又は開放空間であり、真空であっても良いが、適当な不活性ガス又は液体が充填されていても良い。
【００２２】
その外殻部１４は、最も内側に複数の電極１７が設けられ、この外側に絶縁膜１８が設けられ、この絶縁膜１８の外側にそれら電極１７に所定の位置関係で接続された電路パターン１９が設けられ、さらにこの電路パターン１９の外側に構造膜２０が設けられている。
【００２３】
そして、この外殻部１４の下部には、複数のバンプ２１が設けられ、これらバンプ２１が電路パターン１９に接続されていると共に、これらバンプ２１が配線基板１２に熱融着されることにより実装されている。
【００２４】
それら電極１７及び電路パターン１９は、導電体、例えば金属膜によって形成され、絶縁膜１８は、絶縁体、例えば、二酸化ケイ素ＳｉＯ２によって形成されている。
【００２５】
また、その配線基板１２は、図１３乃至図１５に示すように、柔軟性及び絶縁性を有する樹脂フィルム１２ａを備え、この樹脂フィルム１２ａの表面に球状半導体１３と電気的に接続される配線回路１２ｂが設けられている。そして、この配線基板１２の中心部には、球状半導体１３が配設されるようになっており、この位置に中央開口部１２ｃが形成され、その配線回路１２ｂは、その中央開口部１２ｃから放射状に延長されている。また、この中央開口部１２ｃの周りには、連通口１２ｄが４個所形成されている。
【００２６】
さらに、構造膜２０は、絶縁体、例えば熱可塑性樹脂により形成され、配線基板１２より下側に微細な多数の孔を有している。そして、この構造膜２０は、所定の強度を有し、外殻部１４の形状を保持すると共に、内側の構成部材（球状半導体１２等）を保護する保護膜として機能している。
【００２７】
その構造膜２０は、図１に示すように、球体又は粉体の多数の球状粒子２０ａが熱圧縮されることにより形成され、配線基板１２の上側に設けられた固化部２０ｂと、配線基板１２の下側に設けられた多孔質部２０ｃとを有している。
【００２８】
その固化部２０ｂは、球状半導体１３の周囲を覆う山形埋設部２０ｄと、この山形埋設部２０ｄの麓から周囲に延長されて配線基板１２上に接着される周囲接着部２０ｅとを有し、全体が各球状粒子２０ａ同士が隙間無く溶着されて固化されている。このように球状粒子２０ａが固化されることにより、球状半導体１３の表面側の電路パターン１９に全面的に接着されている。なお、その球状粒子２０ａは直径４μｍ程度のアクリル樹脂製である。
【００２９】
その山形埋設部２０ｄは、頂上がＲ形状の略円錐形状を呈し、又、周囲接着部２０ｅは、山形埋設部２０ｄの麓から周囲に延長されて配線基板１２上に略同じ厚みで設けられている（図１参照）。
【００３０】
また、多孔質部２０ｃは、均一な厚さで設けられ、球状粒子２０ａが熱圧縮されることにより、球状粒子２０ａ同士は互いに溶着されると共に、各球状粒子２０ａの間に微細な隙間が形成されている。
【００３１】
そして、その配線基板１２の中央開口部１２ｃを介して構造膜２０ａの多孔質部２０ｃが球状半導体１３の下部を覆い、多孔質部２０ｃの微細な隙間により、多孔質部２０ｃの下面（構造膜２０の表面）から球状半導体１３側まで至るガス通路が形成されている。また、その配線基板１２の連通口１２ｄを介して、構造膜２０の固化部２０ｂと多孔質部２０ｃとが接着されている。
【００３２】
次に、かかる球状半導体装置１１の製造工程について説明する。
【００３３】
まず、図２に示すように、多結晶又は単結晶のケイ素Ｓｉ、好ましくは単結晶ケイ素Ｓｉからなる球体１３ａを用意し、その表面に導電体膜１３ｂ、例えば金属膜を形成する。この導電体膜１３ｂは例えば化学蒸着法（ＣＶＤ）により形成される。
【００３４】
次いで、このように形成された球状半導体１３の表面にケイ素Ｓｉからなる犠牲膜１６を例えば化学蒸着法（ＣＶＤ）により形成する。この犠牲膜１６は後工程で除去されることにより、間隙１５が形成される。
【００３５】
その後、この犠牲膜１６の周囲に金属膜である導電体膜を全面的に形成した後、エッチングにより、この導電体膜に電極パターン溝を形成することにより、所定の位置に電極１７を形成する。
【００３６】
次に、この周囲の全面に渡って絶縁膜１８を形成する。この絶縁膜１８は、例えば二酸化ケイ素ＳｉＯ２の膜を全面に化学蒸着法（ＣＶＤ）により形成し、エッチングにより、所定位置に溝を形成する。この溝の位置では、電極１７が外部に露出することとなる。
【００３７】
そして、この絶縁膜１８の周囲に電路パターン１９を形成することにより、この電路パターン１９と電極１７とが絶縁膜１８の溝を介して接続されることとなる。
【００３８】
さらに、この電路パターン１９に半田等からなるバンプ２１を設けた後、このバンプ２１を配線基板１２上に熱融着する。
【００３９】
この状態で、電路パターン１９，絶縁膜１８及び電極１７には、外部から犠牲膜１６まで貫通する多数の微細な孔を形成しておく。
【００４０】
次に、この周囲に構造膜２０を成形する場合について説明する。
【００４１】
まず、球体１３ａの周囲に電路パターン１９まで形成されたものを、配線基板１２上に配置する（図２及び図３参照）。
【００４２】
そして、この中間品を、図４に示すように、上型２４と下型２５との間に挿入し、図５に示すように、下型２５上に球状粒子２０ａを充填する。そして、この上に、図６に示すように、その中間品を載せ、図７に示すように、上型２４を下降させて配線基板１２の周囲を押さえる。
【００４３】
その下型２５には、下型本体２５ａに開口部が形成され、この開口部に下型押圧駒２５ｂが上下動自在に設けられ、この下型押圧駒２５ｂの上面が、下型本体２５ａの上面より多少下方に位置している。この下型押圧駒２５ｂ上に球状粒子２０ａが充填されている。
【００４４】
また、その上型２４には、上型本体２４ａに開口部が形成され、この開口部に上型押圧駒２４ｂが上下動自在に設けられ、この上型本体２４ａの開口部内の配線基板１２の上側で、球状半導体１３の周囲に球状粒子２０ａが所定量充填されている。
【００４５】
その後、上型押圧駒２４ｂが図８の状態から下降されて、図９に示すように、上型押圧駒２４ｂの下面が球状粒子２０ａに接触される。この上型押圧駒２４ｂの下面は、構造膜２０の山形埋設部２０ｄ及び周囲接着部２０ｅに適合した形状に形成されている。
【００４６】
この状態から、図１０に示すように、上型押圧駒２４ｂを下降させて押圧すると同時に、下型押圧駒２５ｂを上昇させて押圧する。そして、その上型押圧駒２４ｂの温度を、下型押圧駒２５ｂの温度より高くして熱圧縮する。
【００４７】
これにより、構造膜２０の固化部２０ｂが完全に固化されると共に、多孔質部２０ｃは、完全に固化されることなく、球状粒子２０ａ同士が微細な隙間が形成された状態で互いに溶着され、これら微小隙間により多孔質部２０ｃの下面から球状半導体１３側まで至るガス通路が形成されている。
【００４８】
そして、図１１に示すように、固化部２０ｂが固化し、多孔質部２０ｃが多孔化した時点で、図１２に示すように、上型２４を上昇させ、構造膜２０が形成された中間品を下型２４から取り出す。
【００４９】
この状態で、配線基板１２の中央開口部１２ｃを介して、多孔質部２０ｃが球状半導体１３の下面部に接触し、多孔質部２０ｃの下面から球状半導体１３の下面部まで至るガス通路が形成されている。また、配線基板１２の連通口１２ｄを介して固化部２０ｂと多孔質部２０ｃとが連続するため、両者の結合強度を確保することができる。
【００５０】
次いで、上型２４，下型２５を外した後、外部からエッチング気体（例えば二フッ化キセノンＸｅＦ２）を多孔質部２０ｃのガス通路を介して導入することにより、犠牲膜１６を除去する。
【００５１】
この気相エッチングでは、除去する犠牲膜１６の材料とそれに最適なエッチング気体の選択が重要である。ここでは、犠牲膜１６にケイ素が使用され、エッチング気体として二フッ化キセノンＸｅＦ２が使用される。この他にエッチング気体の二フッ化キセノンで除去できる犠牲膜１６の材料として、タングステン、チタン等も使用できる。
【００５２】
このようなものにあっては、合成樹脂の球状粒子２０ａを投入した後、熱圧縮するだけで、所定の強度を有し、微細な孔が一部に形成された構造膜２０を容易に形成できるため、従来のように別途、微細孔を形成する作業が必要なく、外殻部１４を容易に成形できると共に、多孔質部２０ｃのガス通路からエッチングガスを導入できるため犠牲膜１６のエッチング性能が向上することとなる。
【００５３】
また、固化部２０ｂが固化されており、球状半導体１３の周囲の電路パターン１９等の殆どがその固化された樹脂で密着されて覆われていることから、電路パターン１９の固化部２０ｂ側への転写信頼性が高まることとなる。
【００５４】
さらに、配線基板１２の上側に固化部２０ｂを、又、下側に多孔質部２０ｃを形成することにより、上型２４と下型２５との温度を変えるだけで、容易に固化部２０ｂと多孔質部２０ｃを形成することができる。
【００５５】
［発明の実施の形態２］
図１６には、この発明の実施の形態２を示す。
【００５６】
この実施の形態２は、実施の形態１と比較すると、配線基板１２の中央開口部１２ｃと対応した位置で、下側の一部に多孔質部２０ｃが形成され、下側の他の部分は固化されている。
【００５７】
この球状半導体装置１１の成形は、下型２５の温度管理、つまり、球状粒子２０ａが固化する部分の型温度を、多孔質部２０ｃに対応した部分の型温度より高くすることにより熱圧縮して成形する。
【００５８】
他の構成及び作用は実施の形態１と同様であるので説明を省略する。
【００５９】
［発明の実施の形態３］
図１７には、この発明の実施の形態３を示す。
【００６０】
この実施の形態３は、実施の形態１と比較すると、配線基板１２の中央開口部１２ｃと対応した位置で、下側の一部に多孔質部２０ｃが形成され、下側の他の部分は固化されている。
【００６１】
この球状半導体装置１１の成形は、下型２５の球状粒子２０ａに対する圧力負荷の調整により行う。つまり、固化する部分の押圧力を、多孔質部２０ｃに対応した部分の押圧力より大きくすることにより熱圧縮して成形する。
【００６２】
他の構成及び作用は実施の形態１と同様であるので説明を省略する。
【００６３】
［発明の実施の形態４］
図１８及び図１９には、この発明の実施の形態４を示す。
【００６４】
この実施の形態４は、実施の形態１と比較すると、実施の形態１では配線基板１２の下側に多孔質部２０ｃが形成されているが、この実施の形態４では、上側の一部に多孔質部２０ｃが形成されている。
【００６５】
詳しくは、構造膜２０の下側全体が固化されて固化部２０ｂが形成される一方、上側の山形埋設部２０ｄの一部に多孔質部２０ｃが形成され、上側の他の部分が固化されている。
【００６６】
かかる球状半導体装置１１の成形は、図１８に示すような上型２４及び下型２５を用いて行う。
【００６７】
すなわち、上型２４には、上型本体２４ａの開口部に、上型第１押圧駒２４ｃ及び上型第２押圧駒２４ｄが上下動自在に配設されている。この場合には、上型第１押圧駒２４ｃの押圧力より、上型第２押圧駒２４ｄの押圧力を小さくし、この上型第２押圧駒２４ｄの押圧部分の固化を遅らせて、結果的に通気性を有する多孔質部２０ｃを形成し、上型第１押圧駒２４ｃにより押圧される部位に固化部２０ｂを形成する。
【００６８】
また、下型２５の下型押圧駒２５ｂにより、下側の固化が行われて、固化部２０ｂが形成されることとなる。
【００６９】
このようにすれば、上側の一部の多孔質部２０ｃのガス通路を介して、エッチング気体（例えば二フッ化キセノンＸｅＦ２）を導入することにより、犠牲膜１６を除去することができる。
【００７０】
他の構成及び作用は実施の形態１と同様であるので説明を省略する。
【００７１】
［発明の実施の形態５］
図２０及び図２１には、この発明の実施の形態５を示す。
【００７２】
この実施の形態５は、実施の形態４と比較すると、固化部２０ｂの一部に多孔質部を成型する方法が異なる。
【００７３】
すなわち、上型第１押圧駒２４ｃの温度より、上型第２押圧駒２４ｄの温度を低くし、この上型第２押圧駒２４ｄの押圧部分の固化を遅らせて、結果的に通気性を有する多孔質部２０ｃを形成し、上型第１押圧駒２４ｃにより押圧される部位を固化する。
【００７４】
他の構成及び作用は実施の形態１と同様であるので説明を省略する。
【００７５】
［発明の実施の形態６］
図２２乃至図２５には、この発明の実施の形態６を示す。
【００７６】
この実施の形態６は、配線基板１２が実施の形態１のものと相違している。
【００７７】
すなわち、この配線基板１２は、図２２に示すように、導電性を有する金属板が打ち抜かれて配線回路１２ｂが形成されると共に、中央部に中央開口部１２ｃが形成されている。そして、球状半導体装置１１の成形途中では、図２２乃至図２４に示すように、各配線回路１２ｂが連結部１２ｄにより連結されている。
【００７８】
図２４に示すように、配線基板１２の中央部に球状半導体１３を接続した後、上型２４及び下型２５を使用して、構造膜１８を形成し、しかる後、図２５に示すように、各連結部１２ｄを切断するようにしている。
【００７９】
他の構成及び作用は実施の形態１と同様であるので説明を省略する。
【００８０】
なお、上記各実施の形態では、構造膜２０が山形埋設部２０ｄ及び周囲接着部２０ｅを有しているが、これに限らず、球状半導体を覆うものであれば、構造膜は如何なる形状でも良い。
【００８１】
【発明の効果】
以上説明してきたように、請求項１に記載された発明によれば、球状半導体の周囲の一部に構造膜の表面から球状半導体側まで至るガス通路を有する多孔質部が形成され、球状半導体の周囲の他の部分は固化されることにより固化部が形成されたため、その多孔質部のガス通路を通して球状半導体をエッチングすることができると共に、他の部分を固化部で覆うことにより、回路パターンの構造膜への転写信頼性を向上させることができる。
【００８２】
請求項２に記載された発明によれば、構造膜を配線基板の両面に設けることにより、球状半導体の固化部又は多孔質部で覆う範囲を広げることができるため、球状半導体のエッチング性や回路パターンの転写信頼性をより向上させることができる。
【００８３】
請求項３に記載された発明によれば、配線基板の下側に多孔質部を形成し、上側に固化部を設けることにより、球状半導体の回路パターンの転写信頼性をより向上させることができると共に、固化部を成形する場合には球状粒子間に間隙を形成する必要がないため、膨張係数の低い球状粒子の多量添加が可能となり、膨張の抑制が容易になる。
【００８４】
請求項７に記載された発明によれば、球状粒子を熱圧縮し、多孔質部を形成する部位を、固化部を形成する部位より低温又は低圧で熱圧縮することにより、容易に構造膜を形成できる。
【００８５】
請求項８に記載された発明によれば、金型の上型の温度と下型の温度とを変えることにより、配線基板の下側に多孔質部を形成し、配線基板の上側に固化部をそれぞれ簡単に成形できる。
【００８６】
請求項９に記載された発明によれば、押圧駒を用いることにより、球状半導体の一部に多孔質部を簡単に成形できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１に係る球状半導体装置の断面図である。
【図２】同実施の形態１に係る配線基板に球状半導体を取り付けた状態を示す断面図である。
【図３】同実施の形態１に係る配線基板に球状半導体を取り付けた状態を示す概略図である。
【図４】同実施の形態１に係る図３のものを上型と下型との間にセットする前の状態を示す断面図である。
【図５】同実施の形態１に係る図４の状態から下型上に球状粒子を充填した状態を示す断面図である。
【図６】同実施の形態１に係る図５の状態から下型上に配線基板と球状半導体を載置した状態を示す断面図である。
【図７】同実施の形態１に係る図６の状態から上型本体を下降させて下型上に載置した状態を示す断面図である。
【図８】同実施の形態１に係る図７の状態から配線基板上に球状粒子を充填した状態を示す断面図である。
【図９】同実施の形態１に係る図８の状態から上型押圧駒を下降させて、球状粒子に当接させた状態を示す断面図である。
【図１０】同実施の形態１に係る図９の状態から上型押圧駒及び下型押圧駒にそれぞれ圧力を加えて、上型押圧駒を下降させ、下型押圧駒を上昇させて、球状粒子を所定の押圧力で押圧している状態を示す断面図である。
【図１１】同実施の形態１に係る図１０の状態から配線基板に充填した球状粒子が固化した状態を示す断面図である。
【図１２】同実施の形態１に係る図１１の状態から上型と下型とを離型した状態を示す断面図である。
【図１３】同実施の形態１に係る球状半導体装置の配線基板を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
【図１４】同実施の形態１に係る球状半導体装置の配線基板を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は球状半導体の取付前の正面図である。
【図１５】同実施の形態１に係る球状半導体装置の配線基板及び球状半導体を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
【図１６】この発明の実施の形態２を示す球状半導体装置の概略図である。
【図１７】この発明の実施の形態３を示す球状半導体装置の概略図である。
【図１８】この発明の実施の形態４を示す球状半導体装置の成形状態を示す概略断面図である。
【図１９】同実施の形態４に係る球状半導体装置の概略断面図である。
【図２０】この発明の実施の形態５を示す球状半導体装置の成形状態を示す概略断面図である。
【図２１】同実施の形態５に係る球状半導体装置の概略断面図である。
【図２２】この発明の実施の形態６に係る球状半導体装置の配線基板を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
【図２３】同実施の形態６に係る球状半導体装置の配線基板を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は球状半導体の取付前の正面図である。
【図２４】同実施の形態６に係る球状半導体装置の配線基板及び球状半導体を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
【図２５】同実施の形態６に係る球状半導体装置の概略図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
【符号の説明】
１１　球状半導体装置
１２　配線基板
１２ａ　樹脂フィルム
１２ｂ　配線回路
１２ｃ　中央開口部
１３　球状半導体
１４　外殻部
１５　間隙
１６　犠牲膜
１７　電極
１８　絶縁膜
１９　電路パターン
２０　構造膜
２０ａ　球状粒子
２０ｂ　固化部
２０ｃ　多孔質部
２１　バンプ
２４　上型
２４ａ　上型本体
２４ｂ　上型押圧駒
２４ｃ　上型第１押圧駒
２４ｄ　上型第２押圧駒
２５　下型
２５ａ　下型本体
２５ｂ　下型押圧駒
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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