(57)【要約】【課題】ＳＥＭ式外観検査装置で検出した欠陥をレビュー装置で高分解能観察する作業を容易、且つ確実に行えるようにし、半導体試料の欠陥に対する原因究明等が容易に行える検査システムを提供する。【解決手段】半導体デバイスの製造工程における半導体試料の欠陥を検出するＳＥＭ式外観検査装置と、ＳＥＭ式外観検査装置で検出された半導体試料の欠陥部を高分解能で観察するレビュー装置とを備えた検査システムにおいて、ＳＥＭ式外観検査装置が検査レシピで設定するアライメントパラメータの１つであるアライメント辞書画像をレビュー装置に送信する機能を備える。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体試料に電子線を照射して半導体試料から発生する信号から検出された欠陥の位置情報と、欠陥検出前に設定される検査レシピにより設定されたアライメント辞書画像とを、前記欠陥を観察するレビュー装置に送信する送信部を備えたことを特徴とするＳＥＭ式外観検査装置。
【請求項２】
請求項１の記載において、前記レビュー装置に送信するアライメント辞書画像にアライメント位置の中心を指し示すマークを付加することを特徴とするＳＥＭ式外観検査装置。
【請求項３】
請求項１の記載において、第一アライメントポイントと第二アライメントポイントにおけるＳＥＭ式外観検査装置に備えられた光学式顕微鏡像のアライメント座標、および該光学式顕微鏡像のアライメント座標から電子線像のアライメント座標までのオフセット情報を前記レビュー装置に送信することを特徴とするＳＥＭ式外観検査装置。
【請求項４】
半導体試料の欠陥を抽出したＳＥＭ式外観検査装置から送信されたアライメント辞書画像を表示するディスプレイと、該アライメント辞書画像の情報とＳＥＭ式外観検査装置から送信されたアライメント座標情報とを参照してアライメント座標近傍に前記欠陥が位置するように前記半導体試料を載置したステージを自動的に移動させる制御部とを備えたことを特徴とするレビュー装置。
【請求項５】
半導体試料の欠陥を抽出したＳＥＭ式外観検査装置から送信されたアライメント辞書画像をディスプレイ上に表示し、該アライメント辞書画像の情報とＳＥＭ式外観検査装置から送信されたアライメント座標情報とを参照してアライメント座標近傍に前記半導体試料を載置したステージを自動的に移動させることを特徴とするアライメント座標設定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイスの製造工程に適用され、ＳＥＭ式外観検査装置で検出した半導体試料の欠陥部を、レビュー装置で高分解能観察する際の欠陥座標合わせに関するＳＥＭ式外観検査装置，レビュー装置，アライメント座標設定方法に係る。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスは、半導体試料に対してパターンの酸化，成膜，露光，エッチング等の複数工程を経ることにより形成される。半導体試料は、その複数工程の途中で必要に応じて異物検査装置，外観検査装置などの検査装置により検査され、半導体試料の異物や外観不良部の座標情報がネットワークなどを介してレビュー装置に送信され、高分解能観察が行われる。
【０００３】
ＳＥＭ式外観検査装置は、電子線で半導体試料上を走査する走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を検査装置に応用したもので、光学式検査装置では検出できないホール工程のコンタクト不良や配線工程の断線，ショートなどの電気的欠陥を検出できる事を特徴とする。このＳＥＭ式外観検査装置は、検査対象となる半導体試料のパターンに電子ビームを照射し、試料上のパターンを構成している様々な材質に応じて発生する２次電子を検出し、検出した２次電子量を明るさの階調に変換する事で画像を形成し、形成した画像を装置内画像処理メモリに記憶し、記憶した画像をチップ内の数ミクロン間隔の繰り返しパターン、あるいは隣接チップ同士で各チップの同一場所における同一パターン同士を比較し、パターンの差が確認された場所を欠陥部として抽出する。ＳＥＭ式外観検査装置は光学式顕微鏡を備えており、半導体試料の粗いアライメントは光学式顕微鏡像で、詳細なアライメントはＳＥＭ像で行われる。
【０００４】
検査終了後、検出した欠陥部の座標情報を、半導体試料に配置されたチップ配列番号とチップ内座標で表し、検査レシピで作成した半導体試料のチップレイアウト情報および半導体試料のアライメント情報と共に検査結果としてネットワークなどを介してレビュー装置に送信する。
【０００５】
レビュー装置は、ＳＥＭ式外観検査装置から送信された検査結果から、観察対象となる半導体試料のチップレイアウトとＳＥＭ式外観検査装置が検出した欠陥の座標マップを表示し、欠陥座標リストを作成する。欠陥座標は、半導体試料の欠陥が存在するチップの配列番号と、そのチップ内における座標である。レビュー装置が、ＳＥＭ式外観検査装置から送信された検査結果を読み込んだ時点で、レビュー装置にはＳＥＭ式外観検査装置が検出した半導体試料に存在する欠陥の相対座標が設定される。しかし、半導体試料に存在する欠陥の相対座標を設定しただけでは半導体試料に存在する欠陥を観察できない。つまり、ある場所で検出された欠陥と別の場所で検出された欠陥との間の距離は設定された事になるが、ＳＥＭ式外観検査装置とレビュー装置間で半導体試料の座標合わせを実施していない場合には、レビュー装置がＳＥＭ式外観検査装置で検出した半導体試料の欠陥の座標に移動する事ができない。そこで、ＳＥＭ式外観検査装置からレビュー装置へ半導体試料の座標合わせ情報を送り、レビュー装置はこの座標合わせ情報に基づいて欠陥の目標座標へステージを移動させる。
【０００６】
レビュー装置のアライメントにおける最初の処理ステップでは、ＳＥＭ式外観検査装置から送信された検査結果を参照し、ＳＥＭ式外観検査装置がＳＥＭ像で指定したアライメント座標に自動制御でステージを移動させる。しかし、試料ホルダに半導体試料が固定される際の回転量の違いや、装置に設定された半導体試料の中心座標の違いなどから、ＳＥＭ式外観検査装置で指定したＳＥＭ像でのアライメントポイントに移動できる可能性は低い。また、レビュー装置では最初のアライメントポイントの探索は光学式顕微鏡像で行う為、ＳＥＭ像で指定したアライメントポイントを特定するのは困難である。このような理由から、レビュー装置でアライメントを行う際には、ＳＥＭ式外観検査装置のオペレータの指示、あるいはＳＥＭ式外観検査装置で指定したアライメントポイントを指し示す資料等がないと作業効率は低下する。
【０００７】
そこで、半導体試料に目視可能なマークをインクジェット，レーザ加工，スパッタ加工で形成するものや（例えば、特許文献１参照）、半導体試料の欠陥の近傍にマークを電子ビームで形成するものが知られている（例えば、特許文献２参照）。
【０００８】
また、仮にＳＥＭ式外観検査装置のオペレータとレビュー装置のオペレータが同一人物であったとしても、オペレータの記憶違いなどから誤ったアライメントポイントを指定する可能性もあり、ＳＥＭ式外観検査装置が検出した欠陥の座標に移動できず、再度ＳＥＭ式外観検査装置で試料をロードしてアライメントポイントを確認する等の作業を必要とする場合がある。
【０００９】
【特許文献１】
特開２０００−２３２１３８号公報
【特許文献２】
特開２００１−１２７１２５号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来技術において、ＳＥＭ式外観検査装置で検出した半導体試料の欠陥をレビュー装置で高分解能観察する場合、検出した欠陥の座標合わせ、いわゆるアライメントポイントを指定する際の情報伝達は人手に依存する割合が多かった為、半導体製造工程における検査システムの作業効率および信頼性が低かった。
【００１１】
本発明は、ＳＥＭ式外観検査装置で検出した欠陥をレビュー装置で高分解能観察する作業を容易、且つ確実に行えるようにし、半導体試料の欠陥に対する原因究明等が容易に行える検査システムを提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本実施態様は、ＳＥＭ式外観検査装置がアライメント辞書画像をレビュー装置に送信できる機能を有し、レビュー装置がＳＥＭ式外観検査装置から送信されたアライメント辞書画像を装置ディスプレイに表示する機能を有するものである。
【００１３】
また、前記のＳＥＭ式外観検査装置は、レビュー装置に送信するアライメント辞書画像に対し、アライメントの中心位置を探索し、且つアライメント中心位置を指し示すマークを付加する機能を有するものである。
【００１４】
また、前記のＳＥＭ式外観検査装置は、第一のアライメントポイントにおける光学式顕微鏡像でのアライメント座標と第二のアライメントポイントにおける光学式顕微鏡像でのアライメント座標、および光学式顕微鏡像でのアライメント座標からＳＥＭ像でのアライメント座標までのオフセット情報をレビュー装置に送信できる機能を有し、レビュー装置は、アライメントポイントの探索を、前記のＳＥＭ式外観検査装置から送信された光学式顕微鏡像でのアライメント座標から表示倍率の低い光学式顕微鏡像で開始でき、なおかつ前記のＳＥＭ式外観検査装置から送信された光学式顕微鏡像でのアライメント座標からＳＥＭ像でのアライメント座標までのオフセット情報をもとに、ＳＥＭ像でのアライメントポイントまでステージを自動制御で移動できる機能を有するものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
前述したように、レビュー装置で欠陥を観察する場合、その欠陥を抽出したＳＥＭ式外観検査装置で設定した半導体試料の欠陥の座標に基づいて座標合わせを行う必要がある。この時、レビュー装置で実施する座標合わせは、ＳＥＭ式外観検査装置がＳＥＭ像でアライメントを実施したパターンと同じパターンでアライメントを行う事で実施される。レビュー装置が、ＳＥＭ式外観検査装置のＳＥＭ像でアライメントを実施したパターンと同じパターンでアライメントを行う理由は次の通りである。通常、半導体デバイスの製造ラインでは、半導体試料が同一品種の場合、アライメントで使用するパターンや座標原点は統一されており、光学式検査装置の検査結果をレビューする場合などは、アライメントパターンや座標原点は予め決められたポイントを指定する。しかし、ＳＥＭ式外観検査装置におけるアライメントでは、最終的にＳＥＭ像で行う必要があり、同一品種の試料であっても工程が異なる場合にはＳＥＭ像で確認できないパターンも存在する為、アライメントパターンを統一する事ができない。また、ＳＥＭ式外観検査装置で検出された欠陥の座標原点、いわゆるチップ原点は、ＳＥＭ像のアライメント座標からのオフセット距離で設定され、このオフセット情報はレビュー装置でも適用される。そのため、レビュー装置における座標アライメントパターンの指定も最終的にＳＥＭ像で実施する必要がある。
【００１６】
図１は、本発明の実施形態に係る検査システムの構成図である。検査システムは、ＳＥＭ式外観検査装置１０１とレビュー装置１０２で構成される。ＳＥＭ式外観検査装置１０１は、検査により半導体試料の欠陥を検出し、ネットワークや記録媒体などの記録媒体を介して検査結果１０３をレビュー装置１０２に送信する。レビュー装置１０２は、ＳＥＭ式外観検査装置１０１から送信された検査結果１０３を参照し、半導体試料における欠陥の高分解能観察を行う。
【００１７】
次に、前記の検査システムで半導体試料の欠陥検出から欠陥部の高分解能観察を行うまでの処理ステップについて説明する。図２は、前記の検査システムで半導体試料の欠陥検出から欠陥部の高分解能観察を行うまでの処理フローを示すフローチャートである。図２に示す処理フローにおいて、処理ステップ２０１〜２０５はＳＥＭ式外観検査装置における処理を示す。処理ステップ２０１では、半導体試料のチップレイアウト情報やアライメントパラメータ、および検査条件などを設定した検査レシピを作成する。処理ステップ２０２では、検査レシピで設定したアライメントパラメータからレビュー装置に送信する為のアライメント情報を抽出する。処理ステップ２０３では、処理ステップ２０２で抽出したアライメント情報の１つである光学式顕微鏡像とＳＥＭ像のアライメント辞書画像に、アライメント中心位置を指し示すマークを付加するマーキング処理を行う。処理ステップ２０４では、処理ステップ２０１で作成した検査レシピをもとに検査を実施する。処理ステップ２０５では、処理ステップ２０２（と２０３）で作成したアライメント情報と処理ステップ２０４で得られた検査結果をレビュー装置に送信する。以上が、ＳＥＭ式外観検査装置での処理となる。図２において、処理ステップ２０６〜２０７はレビュー装置における処理を示す。処理ステップ２０６では、処理ステップ２０５でＳＥＭ式外観検査装置から送信されたアライメント情報を参照して、ＳＥＭ式外観検査装置で設定したアライメントポイントと同じポイントでアライメントを行い、半導体試料における座標合わせを行う。処理ステップ２０７では、処理ステップ２０５でＳＥＭ式外観検査装置より送信された検査結果を参照して半導体試料の欠陥座標に移動し、高分解能観察を行う。
【００１８】
図２に示す処理フローの中では、ＳＥＭ式外観検査装置とレビュー装置で行う欠陥座標合わせに関する処理、つまりアライメント設定方法に関する処理ステップ２０２，２０３，２０５，２０６が本発明に係る処理である。以下、本発明におけるアライメント設定方法について詳しく説明する。
【００１９】
まず、処理ステップ２０２に示すＳＥＭ式外観検査装置のアライメント情報の抽出処理と処理ステップ２０３に示すアライメント中心位置マーキング処理について説明する。
【００２０】
図３は、処理ステップ２０２（ＳＥＭ式外観検査装置のアライメント情報抽出処理）の処理を詳しく示したフローチャートである。また、図４は半導体試料の平面図である。ここでは、ＳＥＭ式外観検査装置の検査レシピに使用するアライメントパラメータから、レビュー装置に送信するためのアライメント情報を抽出する。抽出するアライメント情報は、アライメント画像情報および図４に示す第一アライメントポイント４０１と第二アライメントポイント４０２におけるアライメント座標情報である。なお、アライメント画像情報とは光学式顕微鏡像（光学顕微鏡画像）とＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：走査型電子顕微鏡）像である。ここで、第一のアライメントポイント４０１，第二のアライメントポイント４０２とは、例えば、図４に示すように、一方向に十分距離をおいた２つのチップにおいて、それぞれのチップ内における同じ座標のポイントである。
【００２１】
図３において、処理ステップ３０１〜３０５は第一アライメントポイント４０１における処理を示す。処理ステップ３０１では光学式顕微鏡像のアライメント辞書画像を記憶し、処理ステップ３０２では、光学式顕微鏡像のアライメント座標を記憶する。具体的には、第一アライメントポイント４０１に移動した後、ＳＥＭ式外観検査装置のディスプレイ５０１上の光学式顕微鏡像表示画面５０２で例えば光学式顕微鏡像のアライメントパターン５０３を選択し、光学式顕微鏡像のアライメント辞書画像６０１を登録する。この時、登録した光学式顕微鏡像のアライメント辞書画像６０１の中心位置が光学式顕微鏡像のアライメント座標６０２として記憶される。
【００２２】
次に、処理ステップ３０３では、ＳＥＭ像のアライメント辞書画像を記憶する。この時、処理ステップ３０１で記憶した光学式顕微鏡像のアライメント辞書画像６０１のパターンがＳＥＭ像でも観察できれば同じパターンを使用する。しかし、ＳＥＭ像でパターンが確認できない場合や画像コントラストが低い場合には、場所を移動してＳＥＭ像のパターンが確認可能で画像コントラストが高いパターンを探索し、ＳＥＭ像のアライメント辞書画像を記憶する。例えば、光学式顕微鏡像５０２の中に存在するＳＥＭ像のアライメントパターン５０４が、ＳＥＭ像表示画面７０１でも観察可能であれば、パターン７０２をＳＥＭ像のアライメントパターンとして使用する。この時、ＳＥＭ像では画像表示倍率が大きい為、パターン７０２がアライメント辞書画像に使用するエリア７０３より大きい場合が多い。このような場合は、例えばパターンマッチングに失敗しないようなパターンの角の画像をＳＥＭ像のアライメント辞書画像８０１として使用する事が望ましい。ＳＥＭ像のアライメント辞書画像を登録すると、辞書画像の中心位置がＳＥＭ像のアライメント座標８０２として登録される。
【００２３】
この時点で、処理ステップ３０４に示す光学式顕微鏡像のアライメント座標
６０２とＳＥＭ像のアライメント座標８０２のオフセットが記憶される。図５はＳＥＭ式外観検査装置のディスプレイへの表示例を示す図であり、このオフセットは図５中のＸ１，Ｙ１で示される。この後、チップ原点５０５を指定する事でＳＥＭ像のアライメント座標８０２からチップ原点５０５（座標原点）までのオフセット距離、すなわち図５中のＸ２，Ｙ２が記憶される。
【００２４】
処理ステップ３０５では、処理ステップ３０１と３０３で記憶した光学式顕微鏡像とＳＥＭ像のアライメント辞書画像にアライメント中心位置を指し示すマークを付加するマーキング処理を行う。なお、マーキング処理の対象となるアライメント辞書画像は、光学式顕微鏡像とＳＥＭ像である。
【００２５】
図９は、アライメント中心位置マーキング処理を行う際のアライメント辞書画像データの流れを示す機能ブロック図である。ＳＥＭ式外観検査装置では、検査レシピ作成時にアライメントに使用するアライメント辞書画像をアライメント辞書画像記憶部（Ａ）９０１に記憶する。その後、マーキングルーチン９０２でアライメント辞書画像の中心位置を探索し、アライメント中心位置にマーク、例えばクロスマークを付加する。その後、アライメント中心位置にマークを付加されたアライメント辞書画像は、アライメント辞書画像記憶部（Ｂ）９０３に記憶される。
【００２６】
次に、マーキングルーチン９０２の処理内容について説明する。図１０はディスプレイへの表示の一部分を拡大した図であり、マーキングルーチンの処理概念図を示す。マーキングルーチンに送信されたアライメント辞書画像（例えば光学像のアライメント辞書画像６０１）は、Ｘ方向の画素数Ｗｘの中心画素Ｗｘ／２とＹ方向の画素数Ｗｙの中心画素Ｗｙ／２を測定し、Ｗｘ／２とＷｙ／２のラインが直行する画素にマーク１００１を付加する。
【００２７】
次に、処理ステップ３０６では、第二アライメントポイントにおいて、第一アライメントポイントで指定した光学式顕微鏡像のアライメントパターン５０３と同じパターンを探索し、同じ手順で光学式顕微鏡像のアライメント座標のみを記憶する。以上で、ＳＥＭ式外観検査装置がレビュー装置に送信するアライメント情報である第一アライメントポイントと第二アライメントポイントの光学式顕微鏡像のアライメント座標，光学式顕微鏡像のアライメント座標からＳＥＭ像アライメント座標までのオフセット情報、及び光学式顕微鏡像とＳＥＭ像のアライメント辞書画像の抽出処理は完了である。
【００２８】
次に、処理ステップ２０５に示すＳＥＭ式外観検査装置がアライメント情報と検査結果をレビュー装置に送信する処理について説明する。図１１はＳＥＭ式外観検査装置の記憶装置（図示せず）に記憶されるアライメント情報の構成図である。ＳＥＭ式外観検査装置は、検査終了後、このアライメント情報を検査結果に付加してレビュー装置に送信する。
【００２９】
ＳＥＭ式外観検査装置がレビュー装置に送信するアライメント情報を付加した検査結果の内容は、従来の検査結果にも含まれていた半導体試料のチップレイアウト情報１１０１と欠陥座標情報１１０２に加え、本発明では新たにアライメント座標情報１１０３および光学式顕微鏡像のアライメント辞書画像１１０４とＳＥＭ像のアライメント辞書画像１１０５が含まれる。アライメント座標情報１１０３は従来の検査結果にも含まれていたが、従来の検査結果に含まれていたアライメント座標情報が第一アライメントポイントと第二アライメントポイントにおけるＳＥＭ像のアライメント座標情報、およびＳＥＭ像のアライメント座標からチップ原点（欠陥座標原点）までのオフセットであったのに対し、本発明におけるアライメント座標情報は次に説明する２つの情報になっている。１つは第一アライメントポイントと第二アライメントポイントにおける光学式顕微鏡像のアライメント座標であり、もう１つはＳＥＭ像のアライメント座標から光学式顕微鏡像のアライメント座標までのオフセット情報である。なお、従来から付加されているＳＥＭ像のアライメント座標からチップ原点（欠陥座標原点）までのオフセットも含まれる。
【００３０】
次に、処理ステップ２０６に示すレビュー装置のアライメント処理について説明する。図１２は、処理ステップ２０６に示すレビュー装置のアライメント処理の内容を詳しく示したフローチャートである。また、図１３，図１４はレビュー装置のディスプレイへの表示例を示す図である。
【００３１】
処理ステップ１２０１〜１２０５は第一アライメントポイントにおける処理を示す。処理ステップ１２０１では、ＳＥＭ式外観検査装置から送信された第一アライメントポイント４０１における光学式顕微鏡像のアライメント座標６０２へ自動制御でステージが移動する。この時、移動先である第一アライメントポイント４０１の光学式顕微鏡像１３０２がレビュー装置のディスプレイ１３０１に表示される。処理ステップ１２０２では、ＳＥＭ式外観検査装置から送信された光学式顕微鏡像のアライメント辞書画像６０１とＳＥＭ像のアライメント辞書画像８０１を装置ディスプレイ１３０１に表示される。処理ステップ１２０３では、装置ディスプレイ１３０１に表示された光学式顕微鏡像のアライメント辞書画像６０１を参照し、同じ光学式顕微鏡像のアライメントパターン５０３を光学式顕微鏡像画面１３０２から探索し、光学式顕微鏡像のアライメント辞書画像６０１にマーキングされたアライメント中心を指し示すマーク１００１に対応するポイントを光学式顕微鏡像のアライメント座標６０２として設定する。
【００３２】
処理ステップ１２０４では、ＳＥＭ式外観検査装置から送信された光学式顕微鏡像のアライメント座標とＳＥＭ像のアライメント座標のオフセット情報（図５中のＸ１，Ｙ１）から、自動制御でステージがＳＥＭ像のアライメント座標８０２まで移動し、ＳＥＭ像画面１４０１に切り換わる。なお、最初のＳＥＭ像の表示倍率を低倍率にしておけば、半導体試料の回転量が大きい場合でもＳＥＭ像画面１４０１で所望のパターンを確認可能である。
【００３３】
処理ステップ１２０５では、装置ディスプレイ１３０１に表示されたＳＥＭ像のアライメント辞書画像８０１を参照し、対応するＳＥＭ像のアライメントパターンをＳＥＭ像画面１４０１から探索する。ＳＥＭ像のアライメントパターン確認後、ＳＥＭ像のアライメント辞書画像８０１に表示されたアライメント中心位置を指し示すマーク１００１に対応するポイントをＳＥＭ像のアライメント座標８０２として設定する。なお、設定するＳＥＭ像のアライメントパターンが確認できた場合は、表示倍率を上げて設定した方がよい。
【００３４】
処理ステップ１２０６では、第二アライメントポイントにおける処理を示す。ここでは、第二のアライメントポイント４０２に自動制御でステージが移動するので、第一のアライメントポイントでの処理ステップ１２０１〜１２０５と同様の処理で、ＳＥＭ像のアライメント座標を指定する。このようにして、レビュー装置でのアライメントを、アライメント辞書画像を参照し、且つ低倍率の光学式顕微鏡像のアライメントポイントから開始する事で、確実かつ効率的に実施できる。
【００３５】
以上のように本発明の実施例によれば、レビュー装置のオペレータが、ＳＥＭ式外観検査装置との半導体試料における欠陥座標合わせを単独で実施する事が可能で、ＳＥＭ式外観検査装置で検出した半導体試料の欠陥部の高分解能観察を容易かつ確実に行うことができる。
【００３６】
【発明の効果】
本発明によれば、ＳＥＭ式外観検査装置で検出した欠陥をレビュー装置で高分解能観察する作業を容易、且つ確実に行うことができ、半導体試料の欠陥に対する原因究明等が容易に行える検査システムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】検査システムの構成図。
【図２】検査システムの処理を示すフローチャート。
【図３】ＳＥＭ式外観検査装置のアライメント処理を示すフローチャート。
【図４】半導体試料の平面図。
【図５】ＳＥＭ式外観検査装置のディスプレイへの表示例を示す図。
【図６】図５の一部分を拡大した図。
【図７】ＳＥＭ式外観検査装置のディスプレイへの表示例を示す図。
【図８】図７の一部分を拡大した図。
【図９】アライメント辞書画像の処理を示す機能ブロック図。
【図１０】ディスプレイへの表示の一部分を拡大した図。
【図１１】記憶装置に記憶されるアライメント情報の構成図。
【図１２】アライメント処理に関するフローチャート。
【図１３】レビュー装置のディスプレイへの表示例を示す図。
【図１４】レビュー装置のディスプレイへの表示例を示す図。
【符号の説明】
１０１…ＳＥＭ式外観検査装置、１０２…レビュー装置、１０３…検査結果、４０１…第一アライメントポイント、４０２…第二アライメントポイント、５０３…光学式顕微鏡像のアライメントパターン、５０４…ＳＥＭ像のアライメントパターン、５０５…チップ原点、６０１…光学式顕微鏡像のアライメント辞書画像、６０２…光学式顕微鏡像のアライメント座標、７０３…アライメント辞書画像に使用するエリア、８０１…ＳＥＭ像のアライメント辞書画像、８０２…ＳＥＭ像のアライメント座標、９０１…アライメント辞書画像記憶部（Ａ）、９０２…マーキングルーチン、９０３…アライメント辞書画像記憶部（Ｂ）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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