(57)【要約】【課題】発光特性が良好な多色有機電界発光素子を提供する。【解決手段】発光層中に下記一般式（１）で表される化合物を少なくとも１つ含ませることにより、発光特性が良好な有機電界発光素子が得られる。【化１】2004127598.tif 000020式中、Ｒ１１、Ｒ１２はそれぞれ水素原子または置換基を表し、Ｙ１１、Ｙ１２、Ｙ１３はそれぞれ置換又は無置換の炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表し、Ｍ１１は遷移金属イオンを表し、Ｌ１１は配位子を表し、Ｘ１１は対イオンを表す。ｎ１１は１〜３を表し、ｎ１２は０〜４を表し、ｎ１３は０〜４を表す。【選択図】　　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有する有機電界発光素子において、発光層中に下記一般式（１）で表される化合物を少なくとも１つ含むことを特徴とする有機電界発光素子。
【化１】
2004127598.tif 000014
式中、Ｒ１１、Ｒ１２はそれぞれ水素原子または置換基を表し、Ｙ１１、Ｙ１２、Ｙ１３はそれぞれ置換又は無置換の炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表し、Ｍ１１は遷移金属イオンを表し、Ｌ１１は配位子を表し、Ｘ１１は対イオンを表す。ｎ１１は１〜３を表し、ｎ１２は０〜４を表し、ｎ１３は０〜４を表す。但し、Ｒ１１、Ｒ１２が結合してポルフィリン環を形成した化合物を除く。
【請求項２】
一般式（１）で表される化合物が一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【化２】
2004127598.tif 000015
式中、Ｑ２１、Ｑ２２はそれぞれ含窒素へテロ環を形成する基を表し、Ｙ２２は窒素原子、置換又は無置換の炭素原子を表し、Ｍ２１は遷移金属イオンを表し、Ｌ２１は配位子を表す。ｎ２１は１〜３の整数を表し、ｎ２２は０〜４を表す。
【請求項３】
一般式（１）で表される化合物が一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【化３】
2004127598.tif 000016
式中、Ｑ３１、Ｑ３２はそれぞれ含窒素へテロ環を形成する基を表し、Ｙ３２、Ｙ３４、Ｙ３５はそれぞれ窒素原子、置換又は無置換の炭素原子を表し、Ｍ３１は遷移金属イオンを表し、Ｌ３１は配位子を表す。ｎ３１は１〜３の整数を表し、ｎ３２は０〜４を表す。
【請求項４】
一般式（２）で表される化合物が一般式（４）で表される化合物であることを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光素子。
【化４】
2004127598.tif 000017
式中、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５はそれぞれ水素原子または置換基を表す。Ｙ４７、Ｙ４８はそれぞれ酸素原子、硫黄原子、４級の炭素原子、置換又は無置換の窒素原子を表す。Ｑ４１は芳香環を形成する基を表し、Ｑ４２は含窒素ヘテロ環を形成する基を表す。ｎ４１、ｎ４２はそれぞれ１または２を表す。Ｍ４１は遷移金属イオンを表す。
【請求項５】
一般式（３）で表される化合物が一般式（５）で表される化合物であることを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光素子。
【化５】
2004127598.tif 000018
式中、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５３、Ｒ５４、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５７はそれぞれ水素原子または置換基を表す。Ｑ５１は芳香環を形成する基を表し、Ｑ５２は含窒素ヘテロ環を形成する基を表す。ｎ５１、ｎ５２はそれぞれ１または２を表す。Ｍ５１は遷移金属イオンを表す。
【請求項６】
一般式（６）で表される化合物。
【化６】
2004127598.tif 000019
式中、Ｙ６７、Ｙ６８はそれぞれ酸素原子、硫黄原子、４級の炭素原子、置換又は無置換の窒素原子を表す。Ｒ６１、Ｒ６２、Ｒ６３、Ｒ６４、Ｒ６５はそれぞれ置換基を表す。ｎ６２、ｎ６３、ｎ６４、ｎ６５はそれぞれ０〜４を表す。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光できる発光素子、特に、有機電界発光素子に関し、表示素子、ディスプレイ、バックライト、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等の分野に好適に使用できる発光素子に関する。また、優れた発光特性を有する新規な発光材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】
今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発であり、中でも有機電界発光（ＥＬ）素子（以下、発光素子ということがある）は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。例えば、有機化合物の蒸着により有機薄膜を形成する発光素子が知られている（例えば、非特許文献１参照。）。この文献に記載された発光素子はトリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ）を電子輸送材料として用い、正孔輸送材料（アミン化合物）と積層させることにより、従来の単層型素子に比べて発光特性を大幅に向上させている。
【０００３】
近年、有機ＥＬ素子をカラーディスプレイ、白色光源へと適用することが活発に検討されているが、高性能カラーディスプレイ、及び、白色光源を開発する為には　青・緑・赤、それぞれの発光素子の特性を向上する必要が有る。
【０００４】
発光素子特性向上の手段として、オルトメタル化イリジウム錯体（Ｉｒ（ｐｐｙ）３：Ｔｒｉｓ−Ｏｒｔｈｏ−Ｍｅｔａｌａｔｅｄ　Ｃｏｍｐｌｅｘ　ｏｆ　Ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ）　ｗｉｔｈ　２−Ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）からの発光を利用した緑色発光素子が報告されている（例えば、非特許文献２参照。）。本素子は外部量子収率が８％に達しており、従来素子の限界と言われていた外部量子収率５％を凌駕している。しかしながら、この素子は、緑色発光に限定されている為、ディスプレイとしての適用範囲が狭い欠点を有する。このため、高効率で多色な発光素子の開発が求められていた。
【０００５】
また、赤色発光するりん光発光素子としては、白金ポルフィリン錯体を含有する素子が知られているが（例えば、非特許文献３、特許文献１参照。）、最高輝度が低い為、これも改良が求められていた。
【０００６】
【非特許文献１】
アプライド　フィジックス　レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ）、米国、５１巻、９１３頁、１９８７年
【非特許文献２】
アプライド　フィジックス　レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ）、米国、７５巻、４頁、１９９９年
【非特許文献３】
ネイチャー（Ｎａｔｕｒｅ）、英国、３９５巻、１５１頁、１９９８年
【特許文献１】
米国特許第６，３０３，２３１Ｂ１号明細書
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、発光特性が良好な多色発光素子の提供にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この課題は下記（１）から（６）に列挙する本発明によって達成された。
（１）一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有する有機電界発光素子において、発光層中に下記一般式（１）で表される化合物を少なくとも１つ含むことを特徴とする有機電界発光素子。
【０００９】
【化７】
2004127598.tif 000002
【００１０】
式中、Ｒ１１、Ｒ１２はそれぞれ水素原子または置換基を表し、Ｙ１１、Ｙ１２、Ｙ１３はそれぞれ置換又は無置換の炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表し、Ｍ１１は遷移金属イオンを表し、Ｌ１１は配位子を表し、Ｘ１１は対イオンを表す。ｎ１１は１〜３を表し、ｎ１２は０〜４を表し、ｎ１３は０〜４を表す。但し、Ｒ１１、Ｒ１２が結合してポルフィリン環を形成した化合物を除く。
（２）一般式（１）で表される化合物が一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする（１）に記載の有機電界発光素子。
【００１１】
【化８】
2004127598.tif 000003
【００１２】
式中、Ｑ２１、Ｑ２２はそれぞれ含窒素へテロ環を形成する基を表し、Ｙ２２は窒素原子、置換又は無置換の炭素原子を表し、Ｍ２１は遷移金属イオンを表し、Ｌ２１は配位子を表す。ｎ２１は１〜３の整数を表し、ｎ２２は０〜４を表す。
（３）一般式（１）で表される化合物が一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする（１）に記載の有機電界発光素子。
【００１３】
【化９】
2004127598.tif 000004
【００１４】
式中、Ｑ３１、Ｑ３２はそれぞれ含窒素へテロ環を形成する基を表し、Ｙ３２、Ｙ３４、Ｙ３５はそれぞれ窒素原子、置換又は無置換の炭素原子を表し、Ｍ３１は遷移金属イオンを表し、Ｌ３１は配位子を表す。ｎ３１は１〜３の整数を表し、ｎ３２は０〜４を表す。
（４）一般式（２）で表される化合物が一般式（４）で表される化合物であることを特徴とする（２）に記載の有機電界発光素子。
【００１５】
【化１０】
2004127598.tif 000005
【００１６】
式中、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５はそれぞれ水素原子または置換基を表す。Ｙ４７、Ｙ４８はそれぞれ酸素原子、硫黄原子、４級の炭素原子、置換又は無置換の窒素原子を表す。Ｑ４１は芳香環を形成する基を表し、Ｑ４２は含窒素ヘテロ環を形成する基を表す。ｎ４１、ｎ４２はそれぞれ１または２を表す。Ｍ４１は遷移金属イオンを表す。
（５）一般式（３）で表される化合物が一般式（５）で表される化合物であることを特徴とする（３）に記載の有機電界発光素子。
【００１７】
【化１１】
2004127598.tif 000006
【００１８】
式中、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５３、Ｒ５４、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５７はそれぞれ水素原子または置換基を表す。Ｑ５１は芳香環を形成する基を表し、Ｑ５２は含窒素ヘテロ環を形成する基を表す。ｎ５１、ｎ５２はそれぞれ１または２を表す。Ｍ５１は遷移金属イオンを表す。
（６）一般式（６）で表される化合物。
【００１９】
【化１２】
2004127598.tif 000007
【００２０】
式中、Ｙ６７、Ｙ６８はそれぞれ酸素原子、硫黄原子、４級の炭素原子、置換又は無置換の窒素原子を表す。Ｒ６１、Ｒ６２、Ｒ６３、Ｒ６４、Ｒ６５はそれぞれ置換基を表す。ｎ６２、ｎ６３、ｎ６４、ｎ６５はそれぞれ０〜４を表す。
【００２１】
【発明の実施の形態】
まず、一般式（１）について説明する。一般式（１）においてＲ１１−Ｎ間、Ｎ−Ｙ１１間、Ｙ１１−Ｙ１２間、Ｙ１２−Ｙ１３間、Ｙ１３−Ｎ間、Ｎ−Ｒ１２間の実線と点線で表した結合は、単結合であっても二重結合であっても良いことを示している。
【００２２】
Ｒ１１、Ｒ１２はそれぞれ水素原子または置換基を表す。Ｒ１１はＹ１１と結合して含窒素へテロ環を形成しても良く、Ｒ１２はＹ１３と結合して含窒素ヘテロ環を形成しても良い。Ｒ１１、Ｒ１２で表される置換基としては、例えば、Ｙ１１またはＹ１３と連結基を介して結合し含窒素ヘテロ環を形成する基（形成される含窒素ヘテロ環としては、ピロール環、ベンゾオキサゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環などが挙げられる。）、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノ、イミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル、アゼピニルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）、隣接する窒素原子と炭素窒素二重結合を形成する基などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
【００２３】
Ｒ１１、Ｒ１２はそれぞれ置換基が好ましく、Ｙ１１またはＹ１２と連結基を介して結合し含窒素ヘテロ環を形成する基がより好ましい。
【００２４】
Ｙ１１、Ｙ１２、Ｙ１３は置換又は無置換の炭素原子、窒素原子、硫黄原子、酸素原子を表す。炭素原子上の置換基としては例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル、アゼピニルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
【００２５】
窒素上の置換基としては、前記Ｒ１１で説明した置換基が挙げられる。
【００２６】
Ｙ１１、Ｙ１３は置換炭素原子、窒素原子が好ましく、置換炭素原子がより好ましく、置換炭素原子でかつＲ１１またはＲ１２と結合して含窒素ヘテロ環を形成する基（形成される含窒素ヘテロ環としては、例えばピロール環、ベンゾオキサゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環などが挙げられる）がさらに好ましい。Ｙ１２は置換又は無置換の炭素原子が好ましく、無置換炭素原子がより好ましい。
【００２７】
Ｍ１１は遷移金属イオンを表す。遷移金属イオンとしては特に限定されないが、イリジウムイオン、白金イオン、レニウムイオン、ルテニウムイオンが好ましく、イリジウムイオン、白金イオンがより好ましく、イリジウムイオンが特に好ましい。
【００２８】
Ｌ１１は配位子を表す。配位子としては、例えば、「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ａｎｄ　Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ　ｏｆ　Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ　Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」　Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社　Ｈ．　Ｙｅｒｓｉｎ著　１９８７年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」　裳華房社　山本明夫著　１９８２年発行　等に記載の配位子が挙げられ、好ましくは、ハロゲン配位子（塩素配位子、フッ素配位子など）、含窒素ヘテロ環配位子（例えばビピリジル配位子、フェナントロリン配位子、フェニルピリジン配位子、ピラゾリルピリジン配位子、ベンズイミダゾリルピリジン配位子、ピコリン酸配位子、チエニルピリジン配位子、ピラゾリルピリジン配位子、イミダゾリルピリジン配位子、トリアゾリルピリジン配位子、ピラゾリルベンゾオキサゾール配位子、及び、それらの縮環体（例えばフェニルキノリン配位子、ベンゾチエニルピリジン配位子、ビキノリン配位子、など）など）、ジケトン配位子（例えばアセチルアセトン配位子）、ニトリル配位子（例えばアセトニトリル配位子など）、ＣＯ配位子、イソニトリル配位子（例えばｔ−ブチルイソニトリル配位子など）、りん配位子（例えば、ホスフィン誘導体、亜りん酸エステル誘導体、ホスフィニン誘導体など）、カルボン酸配位子（例えば酢酸配位子など）であり、より好ましくはジケトン配位子、２座の含窒素ヘテロ環配位子であり、さらに好ましくはアセチルアセトン配位子、フェニルピリジン配位子、チエニルピリジン配位子、ピコリン酸配位子、及び、それらの縮環体であり、特に好ましくは、フェニルピリジン配位子、チエニルピリジン配位子、及び、それらの縮環体である。
【００２９】
Ｘ１１は対イオンを表す。対イオンとしては、特に限定されないが、好ましくはアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲンイオン、パークロレートイオン、ＰＦ６イオン、アンモニウムイオン（例えばテトラメチルアンモニウムイオンなど）、ボレートイオン、ホスホニウムイオンであり、より好ましくはパークロレートイオン、ＰＦ６イオンである。
【００３０】
ｎ１１は１〜３を表し、１、２が好ましい。ｎ１２は０〜４を表し、０〜２が好ましい。ｎ１３は０〜４を表し、０、１が好ましく、０がより好ましい。
【００３１】
なお、一般式（１）で表される化合物のうち、Ｒ１１、Ｒ１２が結合してポルフィリン環を形成した化合物を除く。
【００３２】
一般式（１）で表される化合物は一般式（２）、一般式（３）で表される化合物またはその互変異性体が好ましく（一般式（２）で表される化合物またはその互変異性体がより好ましい）、一般式（４）、一般式（５）で表される化合物またはその互変異性体がより好ましく（一般式（４）で表される化合物またはその互変異性体がより好ましい）、一般式（６）で表される化合物がさらに好ましい。
【００３３】
一般式（２）について説明する。Ｑ２１、Ｑ２２はそれぞれ含窒素へテロ環を形成する基を表す。Ｑ２１、Ｑ２２で形成される含窒素ヘテロ環としては特に限定されないが、例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、ベンゾアゾール環、ベンゾイミダゾール環、インドレニン環など）及び、これらの互変異性体（例えば、後述の一般式（５）において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５６が置換している含窒素５員環はピロールの互変異性体と定義する）が挙げられる。
【００３４】
Ｑ２１、Ｑ２２で形成される含窒素ヘテロ環は好ましくは、ピリジン環、キノリン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、ベンゾアゾール環、及び、これらの互変異性体であり、より好ましくはピリジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、ピロール環、ベンゾアゾール環、及び、これらの互変異性体であり、より好ましくはピロール環、ベンゾアゾール環、及び、これらの互変異性体であり、さらに好ましくは、ベンゾアゾール環、及び、これらの互変異性体である。
【００３５】
Ｙ２２は窒素原子、置換又は無置換の炭素原子を表し、置換又は無置換の炭素原子が好ましく、無置換炭素原子がより好ましい。
【００３６】
Ｍ２１、Ｌ２１はそれぞれ前記Ｍ１１、Ｌ１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００３７】
ｎ２１は１〜３の整数を表し、１、２が好ましい。ｎ２２は０〜４を表し、０〜２が好ましい。
【００３８】
一般式（３）について説明する。
【００３９】
Ｑ３１、Ｑ３２はそれぞれ含窒素へテロ環を形成する基を表す。　Ｑ３１、Ｑ３２で形成される含窒素ヘテロ環としては特に限定されないが、例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、ベンゾアゾール環、ベンゾイミダゾール環、インドレニン環など）及び、これらの互変異性体（例えば、後述の一般式（５）において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５６が置換している含窒素５員環はピロールの互変異性体と定義する）が挙げられる。
【００４０】
Ｑ３１、Ｑ３２で形成される含窒素ヘテロ環は好ましくは、ピリジン環、キノリン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、ベンゾアゾール環、及び、これらの互変異性体　であり、より好ましくはピリジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、ピロール環、ベンゾアゾール環、及び、これらの互変異性体であり、より好ましくはピロール環、ベンゾアゾール環、及び、これらの互変異性体であり、さらに好ましくは、ベンゾアゾール環、及び、これらの互変異性体である。
【００４１】
Ｙ３２は前記Ｙ２２と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｙ３４、Ｙ３５はそれぞれ窒素原子、置換又は無置換の炭素原子を表し、置換または無置換の炭素原子が好ましい。
【００４２】
Ｍ３１、Ｌ３１、ｎ３１、ｎ３２はそれぞれ前記Ｍ２１、Ｌ２１、ｎ２１、ｎ２２と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００４３】
一般式（４）について説明する。Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５はそれぞれ水素原子または置換基を表す。置換基として前記炭素原子上の置換基で説明した基が挙げられる。
【００４４】
Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４は水素原子、アルキル基、アリール基、　Ｒ４１とＲ４２またはＲ４３とＲ４４が結合して環構造（例えばベンゾ縮環）を形成する基が好ましく、アルキル基、アリール基、　Ｒ４１とＲ４２またはＲ４３とＲ４４が結合して環構造（例えばベンゾ縮環）を形成する基がより好ましく、　Ｒ４１とＲ４２またはＲ４３とＲ４４が結合して環構造（例えばベンゾ縮環）を形成する基がさらに好ましい。
【００４５】
Ｒ４５は水素原子、アルキル基が好ましく、水素原子がより好ましい。
【００４６】
Ｙ４７、Ｙ４８はそれぞれ酸素原子、硫黄原子、４級の炭素原子、置換又は無置換の窒素原子を表し（窒素原子上の置換基としてはアルキル基、アリール基が好ましい）、酸素原子、置換窒素原子が好ましく、酸素原子がより好ましい。
【００４７】
Ｑ４１は芳香環を形成する基を表す。Ｑ４１で形成される芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナンスレン環、アントラセン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、フラン環、チオフェン環、及び、これらの縮環体（ベンゾチオフェンなど）が挙げられ、ベンゼン環、チオフェン環が好ましく、ベンゼン環がより好ましい。
【００４８】
Ｑ４２は含窒素ヘテロ環を形成する基を表す。Ｑ４２で形成される含窒素ヘテロ環としては、例えば、前記Ｑ２１で説明した基が挙げられ、好ましくは、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ベンゾアゾール環、及び、これらの縮環体（例えばキノリン環、イソキノリン環など）であり、より好ましくは、ピリジン環、ベンゾアゾール環、キノリン環、イソキノリン環であり、さらに好ましくは、ピリジン環、キノリン環である。
【００４９】
ｎ４１、ｎ４２は１または２を表す。　ｎ４１は１が好ましく、ｎ４２は２が好ましい。Ｍ４１は前記Ｍ１１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００５０】
一般式（５）について説明する。Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５３、Ｒ５４、Ｒ５６、Ｒ５７はそれぞれ前記Ｒ４１と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｒ５５は前記Ｒ４５と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｑ５１、Ｑ５２、Ｍ５１、ｎ５１、ｎ５２はそれぞれ前記Ｑ４１、Ｑ４２、　Ｍ４１、ｎ４１、ｎ４２と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００５１】
一般式（６）について説明する。Ｙ６７、Ｙ６８はそれぞれ前記Ｙ４７と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００５２】
Ｒ６１は前記Ｒ４５と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｒ６２、Ｒ６３、Ｒ６４、Ｒ６５はそれぞれ置換基を表す。置換基としては例えば、前記Ｒ４１で説明した基が挙げられ、アルキル基、アリール基、アルケニル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、隣接した置換基どうしが結合して縮環構造を形成する基が好ましく、アルキル基、フッ素原子がより好ましい。ｎ６２、ｎ６３、ｎ６４、ｎ６５が複数の場合は複数のＲ６２、Ｒ６３、Ｒ６４、Ｒ６５は同じであっても異なってもよく、また、隣接する基どうしが結合して、縮環構造（ベンゾ縮環など）を形成しても良い。
【００５３】
ｎ６２、ｎ６３、ｎ６４、ｎ６５はそれぞれ０〜４を表し、０〜２が好ましく、０、１がより好ましく、０がさらに好ましい。
【００５４】
本発明の化合物は低分子化合物であっても良く、また、オリゴマー化合物、ポリマー化合物（重量平均分子量（ポリスチレン換算）は好ましくは１０００〜５００００００、より好ましくは２０００〜１００００００、さらに好ましくは３０００〜１０００００である。）であっても良い。ポリマー化合物の場合、一般式（１）で表される構造がポリマー主鎖中に含まれても良く、また、ポリマー側鎖に含まれていても良い。また、ポリマー化合物の場合、ホモポリマー化合物であっても良く、共重合体であっても良い。本発明の化合物は低分子化合物が好ましい。
【００５５】
次に本発明の化合物の化合物例を示すが、本発明はこれに限定されない。
【００５６】
【化１３】
2004127598.tif 000008
【００５７】
【化１４】
2004127598.tif 000009
【００５８】
【化１５】
2004127598.tif 000010
【００５９】
【化１６】
2004127598.tif 000011
【００６０】
本発明の化合物は種々の手法で合成することができる。例えば、配位子、またはその解離体と遷移金属化合物を溶媒（例えば、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒、スルホン系溶媒、スルホキサイド系溶媒、水などが挙げられる）の存在下、もしくは、溶媒非存在下、塩基の存在下（無機、有機の種々の塩基、例えば、ナトリウムメトキサイド、ｔ−ブトキシカリウム、トリエチルアミン、炭酸カリウムなどが挙げられる）、もしくは、塩基非存在下、室温以下、もしくは加熱により合成することができる。加熱の際には、通常の加熱以外にマイクロウェーブで加熱する手法も有効である。
【００６１】
本発明の化合物を合成する際の反応時間は反応の活性により異なり、特に限定されないが、１分以上５日以下が好ましく、５分以上３日以下がより好ましく、１０分以上１日以下がさらに好ましい。
【００６２】
本発明の化合物を合成する際の反応温度は反応の活性により異なり特に限定されないが、０℃以上３００℃以下が好ましく、５℃以上２００℃以下がより好ましく、１０℃以上１５０℃以下がさらに好ましく、１５℃以上１２０℃以下が特に好ましい。
【００６３】
本発明の化合物は、目的とする錯体の部分構造を形成している配位子（例えば、ビスベンズオキサゾリルメチレン構造を有する錯体を合成する際は、ビスベンズオキサゾリルメチレン配位子、アセチルアセトン構造を有する錯体を合成する際は、アセチルアセトン配位子、フェニルピリジン構造を有する錯体を合成する際は、フェニルピリジン配位子など）を遷移金属化合物に対し、好ましくは０．５当量〜１０当量、より好ましくは０．８当量〜６当量、さらに好ましくは１当量〜４当量加えて合成することができる。
【００６４】
次に、本発明の化合物を含有する発光素子に関して説明する。本発明の発光素子は、本発明の化合物を利用する素子であればシステム、駆動方法、利用形態などは特に問わないが、一般式（１）で表される化合物を発光材料として利用する物が好ましい。代表的な発光素子として有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を挙げることができる。
【００６５】
本発明の化合物を含有する発光素子は、該化合物を発光層もしくは発光層を含む有機化合物層に、０．１質量％〜１００質量％含有するのが好ましく、１質量％〜５０質量％含有するのがより好ましく、１質量％〜２０質量％含有するのが特に好ましい。
【００６６】
本発明の発光素子は陰極と発光層の間に、イオン化ポテンシャル５．９ｅＶ以上（より好ましくは６．０ｅＶ以上）の化合物を含有する層を介在させるのが好ましく、イオン化ポテンシャル５．９ｅＶ以上の電子輸送層を用いるのがより好ましい。
【００６７】
本発明の化合物を含有する発光素子の有機層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法（スプレーコート法、ディップコート法、含浸法、ロールコート法、グラビアコート法、リバースコート法、ロールブラッシュ法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、スピンコート法、フローコート法、バーコート法、マイクログラビアコート法、エアードクターコート法、ブレードコート法、スクイズコート法、トランスファーロールコート法、キスコート法、キャストコート法、エクストルージョンコート法、ワイヤーバーコート法、スクリーンコート法等）、インクジェット法、印刷法、転写法などの方法が用いられ、特性面、製造面で抵抗加熱蒸着、コーティング法、転写法が好ましい。
【００６８】
本発明の発光素子は陽極、陰極の一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層（「有機層」と同義である）を有する素子であり、発光層のほか正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有してもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることができる。
【００６９】
陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができ、仕事関数が４ｅＶ以上の材料で構成されていることが好ましい。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００７０】
陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。
陽極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾル−ゲル法など）、酸化インジウムスズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。
陽極は洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。
【００７１】
陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体例としてはアルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ等）及びそのフッ化物または酸化物、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）及びそのフッ化物または酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属等である。陰極は、上記化合物及び混合物の単層構造だけでなく、上記化合物及び混合物を含む積層構造を取ることもできる。例えば、アルミニウム／フッ化リチウム、アルミニウム／酸化リチウム　の積層構造が好ましい。陰極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。
陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法、転写法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。
陽極及び陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω／□以下が好ましい。
【００７２】
発光層の材料は、電界印加時に陽極または正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を注入することができる機能や、注入された電荷を移動させる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層を形成することができるものであれば何でもよく、本発明の化合物のほか、例えばベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ペリレン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノールの金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン、イリジウムトリスフェニルピリジン錯体、及び、白金ポルフィリン錯体に代表される遷移金属錯体、及び、それらの誘導体等が挙げられる。発光層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
発光層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法、インクジェット法、印刷法、ＬＢ法、転写法などの方法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着、コーティング法である。
【００７３】
発光層は単一化合物で形成されても良いし、複数の化合物で形成されても良い。また、発光層は一つであっても複数であっても良く、それぞれの層が異なる発光色で発光して、例えば、白色を発光しても良い。単一の発光層から白色を発光しても良い。発光層が複数の場合は、それぞれの発光層は単一材料で形成されていても良いし、複数の化合物で形成されていても良い。
【００７４】
正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有しているものであればよい。その具体例としては、カルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、本発明の化合物、及び、それらの誘導体等が挙げられる。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記正孔注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法が用いられる。コーティング法の場合、正孔注入輸送材料を樹脂成分と共に溶解または分散してコーティングすることが可能である。樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。
【００７５】
電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれかを有しているものであればよい。その具体例としては、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノールの金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン、本発明の化合物、及び、それらの誘導体等が挙げられる。電子注入層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記電子注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法などが用いられる。コーティング法の場合、電子注入輸送材料を樹脂成分と共に溶解または分散してコーティングすることが可能である。樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。
【００７６】
保護層の材料としては水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の金属酸化物、ＭｇＦ２、ＬｉＦ、ＡｌＦ３、ＣａＦ２等の金属フッ化物、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙ　などの窒化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
【００７７】
【実施例】
以下に本発明の具体的実施例を述べるが、本発明の実施の態様はこれらに限定されない。
［化合物（１−７）の合成］
化合物ａ（特開２００１−３４５１８３号公報に記載の方法で合成）　０．２ｇ、化合物ｂ（マロン酸誘導体とｏ−アミノフェノールから合成）　０．１ｇにクロロホルム５ｍｌを加え、この溶液に、ナトリウムメトキシドのメタノール溶液（２８質量％）　０．０９ｍｌを加え、還流下２時間撹拌した。反応液を室温に冷却し、クロロホルム２０ｍｌ、水２０ｍｌを加え分液し、有機層を濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒クロロホルム）で精製し、化合物（１−７）を　０．０５ｇ得た。化合物（１−７）をクロロホルムに溶解し、ＵＶ光を照射したところ、λｍａｘ＝５９５ｎｍの赤橙色の発光が得られた。
【００７８】
【化１７】
2004127598.tif 000012
【００７９】
（比較例１）
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ´−ジフェニル−Ｎ，Ｎ´−ジ（ｍ−トリル）−ベンジジン）を３０ｎｍ蒸着し、この上に、化合物　Ａ　とＡｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体）　を　１対１７　の比率（質量比）で４５ｎｍ共蒸着した。有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が４ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、蒸着装置内でマグネシウムと銀を７対１の比率（質量）で５０ｎｍ蒸着し、この上に、銀を１００ｎｍ蒸着した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社の輝度計ＢＭ−８を用いて測定した。その結果、最高輝度２８０ｃｄ／ｍ２の赤色発光が得られた。
（比較例２）
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ´−ジフェニル−Ｎ，Ｎ´−ジ（ｍ−トリル）−ベンジジン）を５０ｎｍ蒸着し、この上に、化合物　Ａ　と　化合物　Ｃ　を　１対１７　の比率（質量比）で３６ｎｍ共蒸着し、この上にアゾール化合物　Ｂ　を３６ｎｍ蒸着した。有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が４ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、蒸着装置内でフッ化リチウムを３ｎｍ蒸着した後、アルミニウム６０ｎｍを蒸着し、素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社の輝度計ＢＭ−８を用いて測定した。その結果、最高輝度３００ｃｄ／ｍ２の赤色発光が得られた。
【００８０】
【化１８】
2004127598.tif 000013
【００８１】
（実施例１）
化合物　Ａ　の代わりに本発明の化合物（１−７）を用い、比較例２と同様に素子作製評価した。その結果、最高輝度３２００ｃｄ／ｍ２の赤橙色発光が得られた。
（実施例２）
ポリビニルカルバゾール４０ｍｇ、２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−５−（ｐ−ビフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール１２ｍｇ、本発明の化合物（１−７）１ｍｇ　をジクロロエタン２．５ｍｌに溶解し、洗浄したＩＴＯ基板上にスピンコートした（２０００ｒｐｍ、２０秒）。有機層の膜厚は約１００ｎｍであった。この有機層の上に、比較例１と同様に、マグネシウムと銀を７対１の比率（質量）で５０ｎｍ蒸着し、この上にさらに銀を１００ｎｍ蒸着して陰極を形成した。こうして作製した素子を評価した結果、最高輝度１５００ｃｄ／ｍ２の赤橙色発光が得られた。
【００８２】
同様に、他の本発明の化合物を用いても、多色発光する高輝度発光素子を作製することができる。
【００８３】
【発明の効果】
本発明の発光素子は高輝度発光可能であり、また、本発明の化合物を用いると多色（特に橙〜赤色）に発光する素子を作製することが可能である。本発明の発光素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等の分野に好適に使用できる。また、本発明の化合物は、医療用途、蛍光増白剤、写真用材料、ＵＶ吸収材料、レーザー色素、カラーフィルター用染料、色変換フィルター等にも適用可能である。