(57)【要約】【課題】拡大転写方式の光磁気ディスクの再生において、異なる記録マーク長を有する光磁気ディスクを高い信号品質で再生させることが可能な光磁気ディスクの再生方法及び再生装置を提供することができる。【解決手段】本発明にかかるＭＯディスクの再生方法は磁区拡大転写方式のＭＯディスクの再生方法である。まず、低パワーのレーザー１００及び高パワーのレーザー１５０からの光をＭＯディスク１にそれぞれ照射する。そして、それぞれの光に基づくＭＯ信号をそれぞれ検出する。少なくとも一方のＭＯ信号を用いて選択信号を発生させる。この選択信号は情報が記録されている記録マークの長さに応じた信号である。この選択信号に基づいて、いずれか一方のＭＯ信号を選択する。そして選ばれたＭＯ信号に基づいて情報を再生するものである。【選択図】　図１
2004134004.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁化方向によって情報が記録される記録磁区を有する記録層と、前記記録磁区が拡大して転写される再生層を備える光磁気記録媒体の再生方法であって、
第１の再生光を前記光磁気媒体に照射するステップと、
前記第１の再生光の反射光を検出し、前記記録層の磁化方向に基づく第１の光磁気信号を出力するステップと、
前記第１の再生光とは異なる光強度を有する第２の再生光を前記光磁気媒体に照射するステップと、
前記第２の再生光の反射光を検出し、前記記録層の磁化方向に基づく第２の光磁気信号を出力するステップと、
前記第１の光磁気信号及び前記第２の光磁気信号の少なくともどちらか一方の光磁気信号に基づいて第１の光磁気信号又は第２の光磁気信号のいずれか一方を選択する選択信号を発生するステップと、
前記選択信号に基づいて第１の光磁気信号又は第２の光磁気信号のいずれか一方を選択するステップを備え、
前記選択された光磁気信号に基づいて記録磁区に記録された情報を再生する光磁気記録媒体の再生方法。
【請求項２】
前記第１の光磁気信号及び前記第２の光磁気信号を記憶するステップをさらに有する請求項１記載の光磁気記録媒体の再生方法。
【請求項３】
前記第１の再生光を照射するステップと前記第２の再生光を照射するステップをほぼ同時に実行し、前記第１の再生光と前記第２の再生光を異なるスポットに照射することを特徴とする請求項１又は２記載の光磁気記録媒体の再生方法。
【請求項４】
前記第２の再生光は前記第１の再生光よりも弱い光強度を有し、
前記第２の再生光に対応する第２の光磁気信号の強度を予め定めた値と比較し、その比較結果に基づいて前記選択信号を発生することを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載の光磁気記録媒体の再生方法。
【請求項５】
前記第１の光磁気信号又は前記第２の光磁気信号のいずれか一方の光磁気信号に基づき検出された前記記録磁区の長さに応じて前記選択信号を発生することを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載の光磁気記録媒体の再生方法。
【請求項６】
磁化方向によって情報が記録される記録磁区を有する記録層と、前記記録磁区の磁化方向が拡大して転写される再生層を備える光磁気記録媒体の再生装置であって、
第１の再生光を前記光磁気媒体に照射する第１の光学手段と、
前記第１の再生光の反射光を検出する第１の検出手段と
前記検出した結果に基づいて第１の光磁気信号を出力する第１の光磁気信号出力手段と、
前記第１の再生光とは異なる光強度を有する第２の再生光を前記光磁気媒体に照射する第２の光学手段と、
前記第２の再生光の反射光を検出する第２の検出手段と、
前記記録層の磁化方向に基づく第２の光磁気信号を出力する第２の光磁気信号出力手段と、
前記第１の光磁気信号及び前記第２の光磁気信号の少なくともいずれか一方に基づいて、前記第１の光磁気信号又は前記第２の光磁気信号のいずれか一方を選択する選択信号を発生する選択信号発生手段と、
前記選択信号に基づいて第１の光磁気信号又は第２の光磁気信号のいずれか一方を選択する信号選択手段を備え、
前記選択された光磁気信号に基づいて記録磁区に記録された情報を再生する光磁気記録媒体の再生装置。
【請求項７】
前記第２の再生光は前記第１の再生光よりも弱い光強度を有し、
前記第２の再生光に対応する第２の光磁気信号の強度を予め定めた値と比較し、その比較結果に基づいて前記選択信号を発生することを特徴とする請求項６記載の光磁気記録媒体の再生装置。
【請求項８】
前記第１の光磁気信号又は前記第２の光磁気信号の少なくともいずれか一方の光磁気信号に基づき検出された前記記録磁区の長さに応じて前記選択信号を発生することを特徴とする請求項６記載の光磁気記録媒体の再生装置。
【請求項９】
磁化方向によって情報が記録される記録磁区を有する記録層と、前記記録磁区の磁化方向が拡大して転写される再生層を備える光磁気記録媒体の再生装置であって、
第１の再生光を前記光磁気媒体に照射する第１の光学手段と、
前記第１の再生光の反射光を検出する第１の検出手段と
前記検出した結果に基づいて第１の光磁気信号を出力する第１の光磁気信号出力手段と、
前記第１の再生光とは異なる光強度を有する第２の再生光を前記光磁気媒体に照射する第２の光学手段と、
前記第２の再生光の反射光を検出する第２の検出手段と、
前記記録層の磁化方向に基づく第２の光磁気信号を出力する第２の光磁気信号出力手段と、
前記記録磁区の長さに基づいて、前記第１の光磁気信号又は前記第２の光磁気信号のいずれか一方を選択する選択信号を発生する選択信号発生手段と、
前記選択信号に基づいて第１の光磁気信号又は第２の光磁気信号のいずれか一方を選択する信号選択手段を備え、
前記選択された光磁気信号に基づいて記録磁区に記録された情報を再生する光磁気記録媒体の再生装置。
【請求項１０】
前記第１の光磁気信号及び前記第２の光磁気信号を記憶する記憶手段をさらに有する請求項６乃至９記載の光磁気記録媒体の再生装置。
【請求項１１】
前記第１の光学手段は前記第１の再生光を発生させる第１の光源を備え、
前記第２の光学手段は前記第２の再生光を発生させる前記第１の光源とは異なる第２の光源を備え、
第１の再生光と前記第２の再生光が異なるスポットに照射されることを特徴とする請求項６乃至１０いずれかに記載の光磁気記録媒体の再生装置。
【請求項１２】
前記第１の光学手段又は前記第２の光学手段のいずれか一方は光源と、
前記光源からの光を分岐する分岐手段を備え、
前記分岐手段によって分岐された光の一方を前記第１の再生光とし、もう一方を前記第２の再生光として、前記第１の再生光と前記第２の再生光を異なるスポットに照射することを特徴とする請求項６乃至１０いずれかに記載の光磁気記録媒体の再生装置。
【請求項１３】
前記第１の再生光及び第２の再生光が同一の光源から発生した光の光強度を変えることにより得られることを特徴とする請求項１０記載の光磁気記録媒体の再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光磁気媒体の再生方法及び再生装置に関し、さらに詳しくは記録層の磁区を再生層に拡大転写する磁区拡大転写方式の光磁気記録媒体の再生方法及び再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、書き換え可能な記録媒体として、光磁気記録媒体（光磁気ディスク、ＭＯディスク）が注目されている。この光磁気ディスクの基板上には、あらかじめスパイラル状に溝（トラック）が切られている。このトラック上には磁性薄膜から形成される記録層が設けられ、この記録層に記録マークが形成される。この溝をレーザー光で走査し、光磁気効果を用いることにより情報の記録、再生を行っている。
【０００３】
記録マークに光が入射すると、カー効果によって反射光の偏光状態が磁化に応じて変わる。従って、レーザー光を集光して照射し、その反射光の偏光状態を検出することによりデータを読み取ることができる。即ち、記録マークは磁化の向きが異なる磁区に対応し、この磁化方向により、光磁気的に性質が違う２種類のマークとして機能させることができる。よって、レーザー光を記録面に照射し、反射した光の振動方向の違いによって、データが０か１を読み取ることができる。
【０００４】
記録時にはレーザー光の出力パワーを上げて照射する。するとレーザー光が照射されているスポットはレーザー光の熱エネルギーによって、磁性薄膜がキュリー温度に達する。そして磁石を近づけることで磁化の向きを反転させ、情報の記録を行う。
【０００５】
また、最近では動画像や音声等の大容量データを取り扱うために、この光磁気ディスクの記憶容量を高め、大容量の記録媒体とする要求が高まっている。記憶容量を高めるためには、トラック間隔を狭めたり、記録マークの間隔を狭くして高密度化を図る必要がある。
【０００６】
一般に、光磁気ディスクで再生することができる線記録密度の上限は、レーザ光の波長及び対物レンズの開口数ＮＡに大きく依存する。すなわち、レーザ波長λと対物レンズの開口数ＮＡが決まるとビームの径が決まる。そして、トラック間隔や記録マークの間隔をレーザー光のスポットの径（λ／ＮＡ、　λ：レーザーの波長、ＮＡ：絞り込みレンズの開口数）の半分より狭くすると、光スポット内に複数の記録マークが入るようになるため、記録マークの分別ができなくなる。従って記録密度の上限が定まってしまうという問題点があった。また記録密度を上げていくと、再生信号のＳ／Ｎ比が劣化し、正確な情報再生が困難になるという問題があった。
【０００７】
この問題を解決する方法として本件の出願人は磁区を拡大転写して再生する磁区拡大転写方式（ＭＡＭＭＯＳ：Ｍａｇｎｅｔｉｃ　Ａｍｐｌｉｆｙｉｎｇ　Ｍａｇｎｅｔｏ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｓｙｓｔｅｍｓ）を提案している（例えば特許文献１、特許文献２）。この磁気拡大転写方式では記録層に記録されている記録マークの磁区を再生層に拡大して転写させている。すなわち、１つの磁区の磁化方向のみが再生層に拡大されるため、記録層に微小な記録マークを形成しても分別ができ、再生信号を高いＳ／Ｎ比で再生することが可能になる。これにより、光磁気ディスクの高密度化を図ることができる。
【０００８】
しかし、磁気拡大転写方式には以下のような問題点があった。１枚の光磁気ディスクにおいては記録されている場所によって、磁区が記録されている記録マーク長が異なる。この記録マーク長によって磁区拡大力が異なるため、異なる記録マーク長を含む光磁気ディスクを再生させた場合に全ての記録マークを高いＳ／Ｎ比即ち高い信号品質で再生することが困難であった。そのため、再生エラーが発生してしまうという問題点があった。
【０００９】
【特許文献１】
特開平８−７３５０号公報
【特許文献２】
特開２００２−２２２５５１号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来の拡大転写方式の光磁気ディスクの再生方法及び再生装置では、異なる記録マーク長を有する光磁気ディスクを高い信号品質で再生させることが困難であるという問題点があった。
【００１１】
本発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、拡大転写方式の光磁気ディスクの再生において、異なる記録マーク長を有する光磁気ディスクを高い信号品質で再生させることが可能な光磁気ディスク再生方法及び光磁気ディスク再生装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる光磁気記録媒体の再生方法は、磁化方向によって情報が記録される記録磁区を有する記録層と、前記記録磁区が拡大して転写される再生層を備える光磁気記録媒体の再生方法であって、第１の再生光を前記光磁気媒体に照射するステップと、前記第１の再生光の反射光を検出し、前記記録層の磁化方向に基づく第１の光磁気信号を出力するステップと、前記第１の再生光とは異なる光強度を有する第２の再生光を前記光磁気媒体に照射するステップと、前記第２の再生光の反射光を検出し、前記記録層の磁化方向に基づく第２の光磁気信号を出力するステップと、前記第１の光磁気信号及び前記第２の光磁気信号の少なくともどちらか一方の光磁気信号に基づいて第１の光磁気信号又は第２の光磁気信号のいずれか一方を選択する選択信号を発生するステップと、前記選択信号に基づいて第１の光磁気信号又は第２の光磁気信号のいずれか一方を選択するステップを備え、前記選択された光磁気信号に基づいて記録磁区に記録された情報を再生するものである。これにより、光スポット半径より小さい記録マークから光スポット半径より大きな記録マークまで同程度に高いＳ／Ｎ比で再生できる。
【００１３】
上述の再生方法は前記第１の光磁気信号及び前記第２の光磁気信号を記憶するステップをさらに有することが望ましい。これにより、情報の読み出しと再生をほぼ同時に行うことができる。
【００１４】
上述の再生方法の好適な実施例は前記第１の再生光を照射するステップと前記第２の再生光を照射するステップがほぼ同時に行われ、前記第１の再生光と前記第２の再生光が異なるスポットに照射されるものである。これにより、再生を短時間で行うことができる。
【００１５】
上記の再生方法においては前記第２の再生光は前記第１の再生光よりも弱い光強度を有し、前記第２の再生光に対応する第２の光磁気信号の強度を予め定めた値と比較し、その比較結果に基づいて前記選択信号を発生することが望ましい。
【００１６】
あるいは前記第１の光磁気信号又は前記第２の光磁気信号のいずれか一方の光磁気信号に基づき検出された前記記録磁区の長さに応じて前記選択信号を発生させてもよい。
【００１７】
本発明にかかる光磁気記録媒体の再生装置は、磁化方向によって情報が記録される記録磁区を有する記録層と、前記記録磁区が拡大して転写される再生層を備える光磁気記録媒体の再生装置であって、第１の再生光を前記光磁気媒体に照射する第１の光学手段（例えば、本発明の実施の形態におけるレーザー１００、コリメーターレンズ１０１、成形ビームプリズム１０２、成形ビームプリズム１０３、ビームスプリッター１０４、１０５、立ち上げミラー１０８、対物レンズ１０９）と、前記第１の再生光の反射光を検出する第１の検出手段（例えば、本発明の実施の形態にかかるディテクター１１１、１１２、１／２波長板１０７、ビームスプリッタ１０５、１０６）と前記検出した結果に基づいて第１の光磁気信号を出力する第１の光磁気信号出力手段（例えば、本発明の実施の形態にかかる差動増幅回路２０２）と、前記第１の再生光とは異なる光強度を有する第２の再生光を前記光磁気媒体に照射する第２の光学手段（例えば、本発明の実施の形態におけるレーザー１５０、コリメーターレンズ１５１、成形ビームプリズム１５２、１５３、ビームスプリッター１５４、１５５、立ち上げミラー１５８、対物レンズ１５９）と、前記第２の再生光の反射光を検出する第２の検出手段（例えば、本発明の実施の形態にかかるディテクター１６１、１６２、１／２波長板１５７、ビームスプリッタ１５５、１５６）と、前記記録層の磁化方向に基づく第２の光磁気信号を出力する第２の光磁気信号出力手段（例えば、本発明の実施の形態にかかる差動増幅回路２５２）と、前記第１の光磁気信号及び前記第２の光磁気信号に基づいて、前記第１の光磁気信号又は前記第２の光磁気信号のいずれか一方を選択する選択信号を発生する選択信号発生手段（例えば、本発明の実施の形態にかかる選択信号発生回路３０９）と、前記選択信号に基づいて第１の光磁気信号又は第２の光磁気信号のいずれか一方を選択する信号選択手段（例えば、本発明の実施の形態にかかる信号選択回路３１３）を備え、前記選択された光磁気信号に基づいて記録磁区に記録された情報を再生するものである。これにより、記録マーク長によらず、高いＳ／Ｎ比で再生することができる。
【００１８】
上記の再生装置においては前記第２の再生光は前記第１の再生光よりも弱い光強度を有し、前記第２の再生光に対応する第２の光磁気信号の強度を予め定めた値と比較し、その比較結果に基づいて前記選択信号を発生することが望ましい。
【００１９】
あるいは前記第１の光磁気信号又は前記第２の光磁気信号のいずれか一方の光磁気信号に基づき検出された前記記録磁区の長さに応じて前記選択信号を発生させてもよい。
【００２０】
本発明にかかる光磁気記録媒体の再生装置は、磁化方向によって情報が記録される記録磁区を有する記録層と、前記記録磁区が拡大して転写される再生層を備える光磁気記録媒体の再生装置であって、第１の再生光を前記光磁気媒体に照射する第１の光学手段（例えば、本発明の実施の形態におけるレーザー１００、コリメーターレンズ１０１、成形ビームプリズム１０２、成形ビームプリズム１０３、ビームスプリッター１０４、１０５、立ち上げミラー１０８、対物レンズ１０９）と、前記第１の再生光の反射光を検出する第１の検出手段（例えば、本発明の実施の形態にかかるディテクター１１１、１１２、１／２波長板１０７、ビームスプリッタ１０５、１０６）と前記検出した結果に基づいて第１の光磁気信号を出力する第１の光磁気信号出力手段（例えば、本発明の実施の形態にかかる差動増幅回路２０２）と、前記第１の再生光とは異なる光強度を有する第２の再生光を前記光磁気媒体に照射する第２の光学手段（例えば、本発明の実施の形態におけるレーザー１５０、コリメーターレンズ１５１、成形ビームプリズム１５２、１５３、ビームスプリッター１５４、１５５、立ち上げミラー１５８、対物レンズ１５９）と、前記第２の再生光の反射光を検出する第２の検出手段（例えば、本発明の実施の形態にかかるディテクター１６１、１６２、１／２波長板１５７、ビームスプリッタ１５５、１５６）と、前記記録層の磁化方向に基づく第２の光磁気信号を出力する第２の光磁気信号出力手段（例えば、本発明の実施の形態にかかる差動増幅回路２５２）と、前記記録磁区の長さに基づいて、前記第１の光磁気信号又は前記第２の光磁気信号のいずれか一方を選択する選択信号を発生する選択信号発生手段（例えば、本発明の実施の形態にかかる選択信号発生回路３０９）と、前記選択信号に基づいて第１の光磁気信号又は第２の光磁気信号のいずれか一方を選択する信号選択手段（例えば、本発明の実施の形態にかかる信号選択回路３１３）を備え、前記選択された光磁気信号に基づいて記録磁区に記録された情報を再生するものである。これにより、記録マーク長によらず、高いＳ／Ｎ比で再生することができる。
【００２１】
上述の再生装置において前記第１の光磁気信号及び前記第２の光磁気信号を記憶する記憶手段（例えば、本発明の実施の形態にかかるメモリ３１２）をさらに有することが望ましい。これにより、情報の読み出しと再生を同時に行うことができる。
【００２２】
上述の再生装置の好適な実施の形態は前記第１の光学手段は前記第１の再生光を発生させる第１の光源（例えば、本発明の実施の形態にかかるレーザー１００）を備え、前記第２の光学手段は前記第２の再生光を発生させる前記第１の光源とは異なる第２の光源（例えば、本発明の実施の形態にかかるレーザー１５０）を備え、第１の再生光と前記第２の再生光が異なるスポットに照射されるものである。これにより、より高いＳ／Ｎ比の信号を短時間で再生することが出来る。
【００２３】
上述の再生装置の別の好適な実施の形態は前記第１の光学手段又は前記第２の光学手段のいずれか一方は光（例えば、本発明の実施の形態にかかるレーザー１００）と、前記光源からの光を分岐する分岐手段（例えば、本発明の実施の形態にかかる分岐手段１１３）を備え、前記分岐手段によって分岐された光の一方を前記第１の再生光とし、もう一方を前記第２の再生光として、前記第１の再生光と前記第２の再生光を異なるスポットに照射するものである。これにより、再生装置の部品点数を削減することが出来る。
【００２４】
上述の再生装置の別の好適な実施の形態は前記第１の再生光及び第２の再生光が同一の光源（例えば、本発明の実施の形態にかかるレーザー１００）から発生した光の光強度を変えることにより得られるものである。これにより、再生装置の部品点数をさらに削減することが出来る。
【００２５】
【発明の実施の形態】
発明の実施の形態１．
本実施の形態にかかる光磁気ディスク（ＭＯディスク）の再生装置の構成について図１を用いて説明する。図１は本発明にかかる光磁気ディスク再生装置の構成を示す構成図である。本実施の形態では光磁気ディスク上の異なるスポットに異なるパワーのレーザー光を照射して、再生を行うために２つのレーザーとその２つのレーザー光を光磁気ディスクに導くための光学系がそれぞれ２系統設けられている。また光磁気ディスクで反射した光を測定するための測定系もそれぞれ２系統設けられている。
【００２６】
１は光磁気ディスク（ＭＯディスク）、２はスピンドル、３は磁気ヘッドである。モーター（図示しない）によってスピンドル２を回転させることによりＭＯディスク１を回転し、記録再生を行う。また、磁気ヘッド３は情報記録磁区を形成するための外部磁界を発生させている。
【００２７】
１００はレーザー、１０１はコリメーターレンズ、１０２は成形ビームプリズム、１０３は成形ビームプリズム、１０４はビームスプリッター、１０５はビームスプリッター、１０６はビームスプリッター、１０７は１／２波長板、１０８は立ち上げミラー、１０９は対物レンズ、１１０はディテクター、１１１はディテクター、１１２はディテクターであり、これの光学部品がレーザー１００からのレーザー光を光磁気ディスク１に導くための第１の光学系及び測定系を構成している。このレーザー１００から発生し、光磁気ディスク１に照射された光を第１の再生光とする。
【００２８】
１５０はレーザー、１５１はコリメーターレンズ、１５２は成形ビームプリズム、１５３は成形ビームプリズム、１５４はビームスプリッター、１５５はビームスプリッター、１５６はビームスプリッター、１５７は１／２波長板、１５８は立ち上げミラー、１５９は対物レンズ、１６０はディテクター、１６１はディテクター、１６２はディテクターであり、これらの光学部品がレーザー１５０からのレーザー光を光磁気ディスク１に導くための第２の光学系及びその測定系を構成している。このレーザー１５０から発生し、光磁気ディスク１に照射された光を第２の再生光とする。
【００２９】
なお、レーザー１５０からのレーザー光はレーザー１００からのレーザー光と光磁気ディスク１上の同一のトラックで異なるスポットに集光されるように光学系が配置、調整されている。さらにレーザー１００はレーザー１５０よりも高いパワーのレーザー光を光磁気ディスク１に照射している。
【００３０】
２００はレーザー駆動系、２０１はサーボ回路、２０２は差動増幅器、２０３はＭＯ信号判定回路、２０４はアクチュエーター駆動回路、２０５は磁気ヘッド駆動回路、２０６は制御回路、２００はレーザー駆動系、２５１はサーボ回路、２５２は差動増幅回路である。なお、レーザー駆動系２００はレーザー１００を、レーザー駆動系２５０はレーザー１５０を駆動させている。ここではレーザー１００のレーザー光はレーザー１５０のレーザー光よりも高いパワー（強度）で出力されている。よって、第１の再生光の強度は第２の再生光の強度より高い強度で光磁気ディスク１に照射されている。
【００３１】
サーボ回路２０１、差動増幅回路２０２はレーザー１００のレーザー光に基づく信号を検出している。同様にサーボ回路２５１、差動増幅回路２５２はレーザー１５０のレーザー光に基づく信号を検出している。これらの電気回路により、ＭＯディスクの再生処理が行われる。なお、レーザー光を目的のトラック上に移動させるためのサーボ系は省略した。
【００３２】
レーザー１００からのレーザー光はコリメーターレンズ１０１、成形ビームプリズム１０２、成形ビームプリズム１０３、ビームスプリッター１０４、ビームスプリッター１０５を透過して立ち上げミラー１０８に入射される。立ち上げミラー１０８はレーザー光を光磁気ディスク１の方向に反射する。反射されたレーザー光は対物レンズ１０９によって、光磁気ディスク１の再生トラック上に集光される。
【００３３】
なお、本実施の形態ではレーザー波長６５０ｎｍ、　対物レンズの開口率を０．６とした。また、媒体上に集光されるレーザースポット径を１．０μｍとし、最短マークの記録マーク長を０．１３μｍ（以下１Ｔと呼ぶ）とした。なお、光パルス磁界変調により媒体に記録磁区を記録している。
【００３４】
光磁気ディスク１の照射されたレーザー光は再生面で反射する際にその偏光面が光磁気ディスク１に記録されている磁区方向に応じて回転する。光磁気ディスク１で反射された反射光は立ち上げミラー１０８によって反射され、光学系の方向に向かう。この反射光はビームスプリッター１０５によって２つに分岐される。その内、一方は１／２波長板１０７に入射し、もう一方はビームスプリッター１０４に入射する。
【００３５】
１／２波長板１０７に入射した光は偏光面が４５度回転し、ビームスプリッター１０６に入射する。ビームスプリッター１０６は偏光ビームスプリッター（ＰＢＳ）であり入射光を互いに直交する偏光面を持つ偏光成分に分離する。すなわち、第１の偏光成分（Ｐ波）の光はビームスプリッター１０６を透過してディテクター１１１に入射する。第２の偏光成分（Ｓ波）の光はビームスプリッター１０６で反射されディテクター１１２に入射する。
【００３６】
それぞれのディテクターは入射した光を検出し、検出結果に基づく光検出信号を差動増幅回路２０２に出力する。この出力信号は差動増幅回路２０２に入力される。差動増幅回路２０２はディテクター１１１とディテクター１１２の出力信号を差動増幅し、光磁気ディスク１の磁化方向に基づく光磁気信号（以下、ＭＯ信号）を読み取り、出力する。このようにしてレーザー１００の光に基づいたＭＯ信号が検出され、ＭＯ信号判定回路２０３に入力される。
【００３７】
一方、ビームスプリッター１０５を透過した光はビームスプリッター１０４に入射される。ビームスプリッター１０４に入射した光の一部はディテクター１１０に入射される。このディテクター１１０は入射した光を検出し、検出結果に基づく光検出信号をサーボ回路２０１に出力する。サーボ回路２０１は入力した信号に基づいて、サーボ信号を出力する。このサーボ信号は制御回路２０６に入力される。制御回路２０６はサーボ信号に基づいて、レーザー光がトラックの中央に集光されるように調整する。
【００３８】
また、レーザー１５０からのレーザー光についても同様の処理がされる。すなわち、第２の光学系及び測定系によって同様にＭＯ信号及びサーボ信号が検出される。そして、ＭＯ信号はＭＯ信号判定回路２０３に、サーボ信号は制御回路２０６に入力される。なお、レーザー光１００に基づくＭＯ信号を第１のＭＯ信号、レーザー光１５０に基づくＭＯ信号を第２のＭＯ信号とする。
【００３９】
本実施の形態では２つのレーザーを用いてそれぞれ駆動させているために第１の再生光のパワーと第２の再生光のパワーを別々に調節することができ、そのパワー比も任意の値にすることが出来る。なお、２つのレーザーにはレーザーアレイを用いることで代用することもできる。
【００４０】
なお、本実施の形態では異なる記録マーク長を有する光磁気ディスク１の信号を高いＳ／Ｎ比で読み込むために、レーザー１００とレーザー１５０の出力パワーを異なるものとしている。これは本件の出願人が、磁区拡大転写方式の再生において異なる記録マーク長に対してレーザー光のリードパワーを変えてＣ／Ｎ比（Ｃａｒｒｅｒ　ｔｏ　Ｎｏｉｓｅ　Ｒａｔｉｏ）を測定し、図５に示すように記録マーク長に応じて、リードパワーに対するＣ／Ｎ比の特性が異なることを発見したことに起因して、本発明にかかる再生装置及び再生方法を創作するに至った。このＣ／Ｎ比の特性の測定結果について説明する。
【００４１】
まず、この測定で用いられた光磁気ディスクの構成について図４を用いて説明する。図４は光磁気ディスクの構成を示す断面図である。４０１は基板、４０２はエンハンス層、４０３は再生層、４０４はゲート層、４０５は記録層、４０６は記録補助層、４０７は第２ヒートシンク層、４０８は第１ヒートシンク層、４０９は紫外線硬化樹脂である。
【００４２】
基板４０１はトラックピッチ０．６μｍ、板厚０．６ｍｍのランドグルーブ基板であり、その上にＳｉＮからなるエンハンス層４０２を形成する。このエンハンス層４０２によって、磁化方向の違いによる反射光の偏光面の差が強調される。
【００４３】
その上にＧｄＦｅからなる再生層４０３、ＴｂＧｄＦｅからなるゲート層４０４、ＴｂＦｅＣｏからなる記録層４０５をスパッタ成膜した。記録層４０５に記録されている磁区はゲート層４０４によって再生層４０３への転写拡大を制御される。再生時には再生層４０３で反射されるレーザー光の偏光面の差によって情報を検出する。
【００４４】
記録層４０５の上には記録に要する磁界を低減するために面内磁化膜である補助記録層４０６をＧｄＦｅＣｏにより形成した。さらに媒体の熱構造制御のためにＳｉＮからなる第１ヒートシンク層４０８とＡｌ合金からなる第２ヒートシンク層４０７を形成した。そして第１ヒートシンク層４０８の上に保護層として紫外線硬化樹脂４０９を形成した。
【００４５】
図５はこの光磁気ディスクのＣ／Ｎ比の特性を示す図である。横軸は記録マーク長、縦軸はリードパワーであり、Ｃ／Ｎ比の値が同じ領域を等高線で示している。なお、このＣ／Ｎ比の測定はレーザー波長６５０ｎｍ、　対物レンズの開口率を０．６とした。また、媒体上に集光されるレーザースポット径を１．０μｍとし、線速２．５ｍ／ｓにおき分解能帯域幅３０ｋＨｚで測定した結果である。
【００４６】
約０．６μｍ以上の光スポット半径より長い記録マークでかつ再生パワーが１．０ｍＷ以下ではＣ／Ｎ比が４５ｄＢ以上と高かった。また再生パワーが高くなるにつれＣ／Ｎ比が劣化した。これは再生パワーがある程度大きくなると、磁区拡大再生が始まり再生信号のジッターが大きくなることを示している。すなわち、０．６μｍ以上の長いマークでは再生パワーが１．５ｍＷを超えると、磁区拡大再生が始まる。しかし、光スポット半径より大きい記録マークでは拡大再生動作が不安定になり、再生信号のジッターが大きくなるからである。
【００４７】
一方、０．３５−０．１５μｍの光スポット半径より短い記録マークで再生パワーが２．３−２．７ｍＷのときは、Ｃ／Ｎ比が４３ｄＢ以上で磁区拡大再生が十分に機能していた。これは、光スポット半径より記録マーク長が短い時は、高い再生パワーにおいて磁区拡大再生が充分機能しているからである。一方、再生パワーが例えば１．５ｍＷと低い時には、Ｃ／Ｎ比が３９ｄＢ以下になってしまう。低い再生パワーにおいては磁区拡大再生が機能せずに再生信号のレベルが低くなってしまうからである。
【００４８】
これにより、光スポット半径より長い記録マーク長では低い再生パワーで再生した方が信号品質が高く情報再生に適しており、光スポット半径より短い記録マークでは高い再生パワーで再生した方が信号品質が高く情報再生に適していることが分かった。すなわち、磁区拡大媒体では光スポット径より長い記録マークでは低い再生パワーが、光スポット径より短い記録マークでは高い再生パワーが、情報再生に有利であることが分かった。
【００４９】
上述のように記録マーク長に応じた再生パワーで再生することにより、高い信号品質で再生することが出来る。従って、本実施の形態では図１に示すように２つのレーザー及び光学系により再生を行っている。
【００５０】
しかし、２つの再生パワーのレーザー光に基づくＭＯ信号から情報を再生しただけでは、記録マーク長を判断することが出来ず、どちらの再生パワーが情報再生に有利であるか判別することができない。以下に２つのレーザーによってそれぞれＭＯ信号を検出し、そのＭＯ信号からどちらの再生パワーが適しているかを判定するＭＯ信号判定回路について図２を用いて説明する。図２は図１のＭＯ信号判定回路２０３内部の信号処理を示すブロック図である。
【００５１】
３０１はフィルター（Ｉ）、３０２はフィルター（ＩＩ）、３０３はフィルター（ＩＩＩ）、３０４は微分回路（Ｉ）、３０５は微分回路（ＩＩ）、３０６はコンパレータ（Ｉ）、３０７はコンパレータ（ＩＩ）、３０８は同期回路、３０９は選択信号発生回路、３１０は位相調整回路（Ｉ）、３１１は位相調整回路（ＩＩ）、３１２メモリ、３１３は信号合成回路、３１４は復調回路、３１５はフィルター（ＩＩＩ）Ｈ、３１６はフィルター（ＩＩＩ）Ｌを示している。
【００５２】
高パワーで再生されたレーザー１００に基づくＭＯ信号をｓｉｇ．１とし、低パワーで再生されたレーザー１５０に基づくＭＯ信号をｓｉｇ．２とした。なお、（Ｉ）を付したブロックはｓｉｇ．１の処理を行うブロックを示し、（ＩＩ）を付したブロックはｓｉｇ．２の処理を行うブロックを示している。また、（ＩＩＩ）を付したブロックは（ＩＩ）を付したブロックとは異なる系統でｓｉｇ．２の処理を行うブロックを示している。
【００５３】
ｓｉｇ．１、ｓｉｇ．２はその後の信号処理と再生特性に適合したフィルター（Ｉ）３０１、フィルター（ＩＩ）３０２にそれぞれ入力される。本実施の形態では、フィルター（Ｉ）３０１のカットオフ周波数（以下、ｆｃと称す）を２０ＭＨｚ、フィルター（ＩＩ）３０２のｆｃを１０ＭＨｚとした。またｓｉｇ．２はフィルター（ＩＩ）３０２と同じ特性を持つフィルター（ＩＩＩ）３０３にも入力される。
【００５４】
このフィルターに入力されたＭＯ信号の一例とその信号処理の様子を図３に示す。横軸は時間を示しており、媒体のトラック上の位置を示していることになる。縦軸は信号の強度（電圧）を示している。ここで再生した媒体（光磁気ディスク）は記録層に異なる長さの記録磁区（記録マーク）が形成されている。図３（ａ）はあるトラックにおける記録磁区の長さの一例を示したもので、白色又は黒色のマークが１つの記録磁区を示している。マークの長さは記録磁区の長さを示しており、また白色と黒色のマークでは磁化方向が反対になっているものとする。
【００５５】
このトラックで検出されたＭＯ信号は図３（ｂ）と図３（ｃ）に示すようになる。図３（ｂ）はｓｉｇ．１の、図３（ｃ）はｓｉｇ．２の信号波形である。ｓｉｇ．１の再生信号はマーク長に関わらずレベルが高いが、長マークでは磁区拡大再生の不安定さからジッター大きくなりエラーが起こりやすくなっている。ｓｉｇ．１の再生信号は短マークにおいては磁区拡大再生に達するパワーでないため再生レベルが低く、分解することができない。
【００５６】
ＭＯ信号の判定を行うために、フィルター（ＩＩＩ）から出力された信号をコンパレータ（ＩＩＩ）Ｈ３１５及びコンパレータ（ＩＩＩ）Ｌ３１６に入力する。それぞれのコンパレータは図３（ｃ）に示すコンパレートレベルＨ及びコンパレートレベルＬでＡＤ変換する。すなわち、コンパレータ（ＩＩＩ）Ｈ３１５はコンパレートレベルＨより、信号レベルが高いとあるレベルの信号を出力し、反対に信号レベルが低いと出力値が０の信号を出力する。同様にコンパレータ（ＩＩＩ）Ｌ３１６はコンパレートレベルＬより、信号レベルが低いと同じレベル信号を出力し、反対に信号レベルが高いと出力値が０の信号を出力する。従って、コンパレータ（ＩＩＩ）Ｈ３１５の出力信号は図３（ｄ）、コンパレータ（ＩＩＩ）Ｌ３１６の出力信号は図３（ｅ）に示すようになる。もちろん、この信号の出力値は０以外の値でもよい。
【００５７】
磁気拡大転写方式の再生信号レベルは光スポット半径と記録マーク長が同程度以下になると急激に下がるので、この時の信号レベルに基づいて上記コンパレートレベルを設定することができる。本実施の形態では、０．４〜０．５μｍ（４Ｔ）のマーク長において低パワーのレーザー光で再生した再生信号振幅の１１０％を上記コンパレートレベルＨ、Ｌと設定した。
【００５８】
これらの信号は選択信号発生回路３０９に入力される。選択信号発生回路３０９ではこの２つの出力信号を足し合わせた選択信号を出力する。従って、この選択信号は図５（ｆ）に示すようになっている。この選択信号の出力に基づいて、ｓｉｇ．１かｓｉｇ．２のうち適している方のＭＯ信号を選択する。これにより、選択信号のレベルに応じてｓｉｇ．１、ｓｉｇ．２に基づく信号のどちらか一方を選択することができる。
【００５９】
この選択信号は信号選択回路３１３に入力される。信号選択回路では微分回路（Ｉ）３０４、微分回路（ＩＩ）３０５の出力信号のどちらか一方を選択して復調回路３１４に出力する。なお、微分回路（Ｉ）３０４、微分回路（ＩＩ）３０５の出力信号間の同期を取るために位相調整回路（Ｉ）３１０、位相調整回路（ＩＩ）３１１を用いた。そして復調回路３１４に入力されたＭＯ信号に基づいて磁区に記録された情報が再生される。
【００６０】
なお、上記の説明ではｓｉｇ．２を直接コンパレータ（ＩＩＩ）Ｈ３１５、コンパレータ（ＩＩＩ）Ｌ３１６に入力しているが、さらに微分回路を通してからコンパレータ（ＩＩＩ）Ｈ３１５、コンパレータ（ＩＩＩ）Ｌ３１６に入力しても良い。微分回路を通して信号を用いることにより、信号のエッジ部を検出することができ、コンパレートレベル分の信号のずれを補正できる。よって、エッジ記録で記録されている情報を正確に再生することができる。なお、微分回路では２回微分を行っても良い。これにより、より正確なエッジ検出をすることができる。
【００６１】
また、本実施の形態では位相調整回路（Ｉ）３１０及び位相調整回路（ＩＩ）３１１と信号選択回路３１３の間にメモリ３１２が設けられている。このメモリ３１２は位相調整回路（Ｉ）３１０及び位相調整回路（ＩＩ）３１１の出力信号を随時記憶している。そして一旦記憶した信号を信号選択回路３１３に出力することによって、情報を蓄えながら再生することができる。これにより、データの読み出しと再生を同時に行うことができる。
【００６２】
上述のようにｓｉｇ．２の信号レベルをコンパレートレベルと比較することによって選択信号を発生させて、ｓｉｇ．１、ｓｉｇ．２に基づく信号のいずれか一方を選択することで記録マーク長が異なる媒体であっても高いＳ／Ｎ比で再生することが可能になる。なお、この選択信号を発生させる上述の信号処理は一例であり、上述の信号処理とは異なる処理方法もある。
【００６３】
本実施の形態ではこの異なる信号処理をさらに行い、これらの結果に基づいて選択信号を求めた。これはＭＯディスク表面に異物や傷がある場合等を考慮して、より高いＳ／Ｎ比で再生を行うためである。この選択信号を発生させる別の方法について図２を用いて説明する。
【００６４】
フィルター（Ｉ）を通ったｓｉｇ．１を微分回路（Ｉ）３０４に入力している。同様にフィルター（ＩＩ）を通ったｓｉｇ．２を微分回路（ＩＩ）３０５に入力している。これにより、信号のエッジ部を判定することができる。
【００６５】
次にそれぞれコンパレータ（Ｉ）３０６、コンパレータ（ＩＩ）３０７に入力し、実際の記録マーク長を判断した。すなわちエッジ部の時間間隔によって記録マークの長さを判断することが出来る。この記録マーク長に応じた信号を選択信号発生回路３０９に入力する。
【００６６】
一方、再生信号に含まれる同期信号はｓｉｇ．１からフィルター（Ｉ）３０１、微分回路（１）３０４、コンパレータ（Ｉ）を通した信号から、同期回路によって求め、記録長の判定基準クロックとして用いた。同期信号は光スポット径より長いパターンが入らないように、２Ｔ及び４Ｔからなるパターンを用いた。この同期信号も選択信号発生回路３０９に入力する。
【００６７】
選択信号発生回路では、上記４つの信号、即ちコンパレータ（Ｉ）３０６、コンパレータ（ＩＩ）３０７、同期回路３０８及びコンパレータ（ＩＩＩ）からの信号をもとに、選択信号を発生させる。ここで上記選択信号の発生に際しては、特に信頼度が高いコンパレータ（ＩＩＩ）からの信号に重みを付加した。信号選択回路３１３では、選択信号を元に微分回路（Ｉ）（ＩＩ）の出力信号のいずれか一方を選択して、復調回路３１４に出力した。
【００６８】
このようにコンパレータ（ＩＩＩ）からの情報以外の情報を選択信号発生回路３０９に入力して、複数の情報に基づいて選択信号を発生させてもよい。もちろん、コンパレータ（ＩＩＩ）からの情報のみによって選択信号を発生させても良い。
【００６９】
上述のような信号処理で選択信号を発生させて、ｓｉｇ．１、ｓｉｇ．２に基づく信号のいずれか一方を選択することで記録マーク長が異なる媒体であっても高いＳ／Ｎ比で再生することが可能になる。これは図５で示したように、記録マーク長に応じて再生に適する再生光のパワーが異なることを利用したものである。即ち光スポットの半径より短い記録マークを再生する際には高い再生パワーのレーザー光を用い、光スポットの半径より短い記録マークを再生する際には高い再生パワーのレーザー光を用いることにより高いＳ／Ｎ比で再生することができる。なお、予め決められた記録マーク長でもよい。
発明の実施の形態２．
【００７０】
実施の形態１では２つのレーザー光源を用いて、異なるパワーの再生光を発生させ、ＭＯディスクに照射させたが本実施の形態では、１つのレーザー光源からの光を分岐して照射させるものである。図６は本実施の形態にかかる光磁気記録媒体の再生装置の構成を示す構成図である。図１で付した符号と同一の符号は同一の構成を示すので説明を省略する。１１３は分岐手段である。
【００７１】
本実施の形態ではレーザー１００からのレーザー光を分岐手段１１３によって分岐して２つの再生光を発生させている。この分岐手段１１３には回折格子が用いられ０次回折光（直進光）を高いパワーの再生光とし、１次回折光を低いパワーの再生光とし、ＭＯディスクに照射している。光学系、測定系はそれぞれに２系統設けられており、その信号処理回路は実施の形態１と同様なので説明を省略する。
【００７２】
実施の形態１と同様の処理により、適した再生パワーに基づくＭＯ信号を選択して再生した結果を図７に示す。図中のＡは一つの再生光源で測定したビットエラーレート（以下ＢＥＲとする）の結果、即ち従来の再生装置での測定結果である。Ｂは回折格子によって光を分岐して０次回折光を高パワーの第１の再生光とし、一次回折光を低パワーの第２の再生光とし情報再生したときのＢＥＲの結果である。なおグラフの横軸は記録時のパワーで縦軸はＢＥＲである。
【００７３】
測定値の再生パワーはＡでは２．５ｍＷ、後者では２．５ｍＷ（０次回折光）と０．２５ｍＷ（一次回折光）とした。ここで、０次回折光と１次回折光の強度比を１０：１にしたのは情報記録時において１次回折光によって記録マークに記録されている情報の消去がないようにするためである。すなわち、情報記録時には０次回折光のスポット光によって記録磁区の温度がキュリー温度以上になるようにレーザー出力を上げるが、この際に１次回折光のスポット光によって記録磁区の温度がキュリー温度以上に上がらないように回折光の強度比を設定する必要がある。
【００７４】
ＢＥＲが１Ｅ―４以下である記録パワーの範囲（以後記録パワーマージンと呼ぶ）は前者が１ｍＷ（７．２５ｍＷ〜８．２８ｍＷ）であったのに対して、後者では１．４ｍＷ（７．１ｍＷ〜８．５ｍＷ）と広がった。また、ＢＥＲの底値も前者が１Ｅ−５であったのに対して、後者では２Ｅ−６とより低下した。さらに、いずれの記録パワーにおいてもＢのＢＥＲ方がＡのＢＥＲよりも優れていることが測定された。即ち複数再生光により光スポット径より長い記録マークを低い再生パワーで情報再生し、光スポット径より短い記録マークを高い再生パワーで情報再生するとした場合の効果が示された。
【００７５】
本実施の形態では分岐手段を用いることによって、１つの光源からの光を二つに分岐して２つの再生光を発生させている。従って、パワー比は固定されてしまうが、レーザー光源とその駆動系を１つとすることができ、部品点数の削減につながる。特に駆動系を一つにすることで電気系を簡素化することができる。また、分岐手段１１３が設けられる位置は図示した位置に限られず光路上に設けられていればよい。さらに、分岐手段１１３は回折格子に限られずビームスプリッターでもよい。この場合、透過率と反射率のスプリット比を適当に選択すれば、再生光のパワー比を適したものにすることができる。また、既に設けられているビームスプリッター１０４、１０５等を用いて分岐すれば、さらなる部品点数の削減が図れる。もちろんハーフミラーを用いて分岐しても良い。この場合、光路上にフィルターを挿入すれば、再生光の強度比を希望の値することができる。また分岐したレーザー光を光磁気ディスク１に照射するためにレンズやミラー等の光学部品を設けても良い。
【００７６】
発明の実施の形態３．
実施の形態１、２では２つ再生光を用いて、異なるパワーの再生光を発生させ、ＭＯディスクに照射させたが本実施の形態では、１つのレーザー光源からの光を２度照射して再生を行うものである。
【００７７】
本実施の形態にかかる再生装置について図８を用いて説明する。図８は再生装置の内部構成を示す構成図である。図１で付した符号と同一の符号は同一の構成を示すため説明を省略する。２０７はデータ蓄積部である。
【００７８】
本実施の形態ではレーザー１００、光学系及び測定系が１系統のみ設けられている。本実施の形態ではまずレーザー駆動系が低パワーのレーザー光を出力し、そのレーザー光を光磁気ディスク１に照射する。この低パワーの再生光を実施の形態１で説明した第２の再生光とする。実施の形態１と同様にその反射光をディテクターにより検出する。その検出結果に基づいて差動増幅回路２０２は第２のＭＯ信号（ｓｉｇ．２）を出力する。第２のＭＯ信号はデータ蓄積部２０７によって、一度蓄積される。
【００７９】
次にレーザー駆動系２００は高パワーのレーザー光を出力し、そのレーザー光を光磁気ディスク１に照射する。この高パワーの再生光を実施の形態１で説明した第１の再生光とする。第１の再生光の反射光を検出して、第１のＭＯ信号（ｓｉｇ．１）を求める。そしてこれらのＭＯ信号を実施の形態１で示したように図２のフィルターに入力する。
【００８０】
データ蓄積部２０７に蓄積されているｓｉｇ．２は図２のフィルター（ＩＩＩ）３０３に入力され、コンパレータ（ＩＩＩ）Ｈ３１５、コンパレータ（ＩＩＩ）Ｌ３１６にそれぞれ入力される。そして、実施の形態で説明した処理がなされ、選択信号発生回路３０９に入力される。さらに、選択信号発生回路３０９は選択信号を出力する。この選択信号に基づいて信号選択回路３１３はｓｉｇ．１又はｓｉｇ．２のいずれかに基づく信号を選択し、再生を行う。
【００８１】
本実施の形態では２つの再生光を同時に照射できないが、レーザー光源、レーザー駆動系、光学系及び測定系が１系統のみで良いため、さらなる部品点数の削減につながる。特に検出器などの検出系とビームスプリッター等の光学系が１系統のみでよいため、部品点数を削減できコストダウンにつながる。また、レーザー駆動系２００で適当なパワーを調整すればよいため、任意のパワーの再生光を照射することができる。さらに、再生光のパワーを２種類のみとせずに３種類以上の再生光を照射して、それらのうちの１つの再生光を選択することも可能である。例えば、記録マーク長に応じて３種類の再生光でＭＯ信号を検出することも可能である。これにより、より高い信号品質で光磁気信号の再生を行うことができる。
【００８２】
なお、再生する領域全てを低パワーのレーザー光を照射しＭＯ信号を検出した後、高パワーのレーザー光を照射してＭＯ信号を検出するように、レーザー光のパワーを切り替えるタイミングを設定してもよい。また、１周分又は数周分の記録磁区に低パワーのレーザー光を照射した後に高パワーのレーザー光を照射してＭＯ信号を検出するようにレーザー光のパワーを切り替えるタイミングを設定しても良い。
【００８３】
図９の本実施の形態にかかる再生装置で再生された結果を示す。図中Ａは通常の一回の再生でのＢＥＲの結果、Ｃ１及びＣ２は２回、３回の再生を繰り返したときのＢＥＲの結果である。一回目の再生パワーは２．５ｍＷ、２回目の再生パワーは０．２５ｍＷ、３回目の再生パワーは２．４ｍＷとした。記録パワーマージンは再生回数を増やすごとに１ｍＷ、１．４ｍＷ、１．６ｍＷと広がった。またＢＥＲの底値も１Ｅ−５、２Ｅ−６、１Ｅ−６と低下した。即ち複数回の情報再生を行い、かつ再生毎に再生パワーを変えることにより、情報再生がより正確に行えることが示された。
【００８４】
また、レーザー駆動系によって再生光の出力を変える以外にも、光路上にフィルター等を出し入れすることによっても再生光の強度を変えることができる。
【００８５】
その他の実施の形態
実施の形態１で示した磁区拡大転写方式の光磁気記録媒体（ＭＯディスク）は図４で示した構造に限定されるものでなく、磁区拡大転写が行われるＭＯディスクならばよい。もちろん、各層の材料も記述したものに限られるものではない。
【００８６】
なお、上述の実施の形態１、２で図示した再生装置の光学系は一例であり、図示したものに限られるものではない。ＭＯディスクに２つの再生光（レーザー光）を照射できれば、図示した光学部品以外にもミラー、レンズ、スプリッター等の他の光学部品が設けられていてもよい。もちろん、検出系も図示したものに限られるものではない。さらに、上記の実施の形態では光強度の異なる２種類以上の再生光を照射したが、光強度の異なる３種類以上の再生光を照射して、いずれかのレーザー光に対応する光磁気信号を選択するようにしてもよい。
【００８７】
なお、再生光の強度を変える方法をしてはレーザー駆動系によって光源の出力を変える以外にも、フィルターを光路上から出し入れすることによっても再生光の強度を変えることができる。また、光路上に偏光子等を設けて回転させても良い。また、実施の形態では光磁気記録媒体をＭＯディスクとしたがＭＤ（Ｍｉｎｉ　Ｄｉｓｋ）でもよい。
【００８８】
本発明のいずれの実施の形態でも光スポットより短い記録マークを再生する際には高い再生パワーを用い、光スポットより長い記録マークを再生する際には低い再生パワーを用いている。そのためには、本再生の前に少なくともどちらかの記録マークがどの位置に存在するかを暫定的に判断する必要がある。本発明ではこの目的のために、常時低い再生パワーで情報再生し、その再生信号の振幅レベルを適切なコンパレートレベルでデジタル信号に変換する電気回路を別に用意する。再生信号レベルは光スポット径と記録マーク長が同程度以下になると急激に下がるので、この信号レベルを上記コンパレートレベルに設定しておく。そして上記コンパレートレベル以上の振幅をもつ再生信号があり、かつその再生信号の微分が極値を持つ点の間、或いは再生信号の２回微分がゼロクロスする点の間を記録マーク長と判断するようにする。以上の手段をとることにより、光スポット径より長い記録マークがある位置を暫定的に判断することができる
【００８９】
なお、上述の実施の形態において選択信号の発生は複数の信号に基づいて発生させているが、いずれか１つの信号に基づいて発生させてもよい。また、上述の実施の形態では、光強度の異なる２種類のレーザー光に対応する光磁気信号のいずれか一方のみを選択しているが、これに限らずにいずれか一方の重み付けを大きくした上で両者を合成して信号を判断してよい。
【００９０】
【発明の効果】
本発明によれば、拡大転写方式の光磁気ディスクの再生において、異なる記録マーク長を有する光磁気ディスクを高い信号品質で再生させることが可能な光磁気ディスクの再生方法及び再生装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる光磁気記録媒体の再生装置の構造を示す構造図である。
【図２】本発明の光磁気記録媒体の再生装置における信号処理回路を示すブロック図である。
【図３】本発明にかかる光磁気記録媒体の再生装置で処理された信号を示すグラフ図である。
【図４】本発明にかかる光磁気記録媒体の再生装置で再生される磁気拡大転写方式の光磁気記録媒体の構成を示す断面図である。
【図５】磁気拡大転写方式の光磁気記録媒体の再生特性を示すグラフ図である。
【図６】本発明の実施の形態２にかかる光磁気記録媒体の再生装置の構造を示す構造図である。
【図７】本発明の実施の形態２にかかる光磁気記録媒体の再生装置のエラーレートを示すグラフ図である。
【図８】本発明の実施の形態３にかかる光磁気記録媒体の再生装置の構造を示す構造図である。
【図９】本発明の実施の形態３にかかる光磁気記録媒体の再生装置のエラーレートを示すグラフ図である。
【符号の説明】
１　光磁気ディスク（ＭＯディスク）、２　スピンドル、３　磁気ヘッド、
１００　レーザー、１０１　コリメーターレンズ、１０２　成形ビームプリズム、
１０３　成形ビームプリズム、１０４　ビームスプリッター
１０５　ビームスプリッター、１０６　ビームスプリッター
１０７　１／２波長板、１０８　立ち上げミラー、１０９　対物レンズ
１１０　ディテクター、１１１　ディテクター、１１２　ディテクター
１１３　分岐手段
１５０　レーザー、１５１　コリメーターレンズ、１５２　成形ビームプリズム
１５３　成形ビームプリズム、１５４　ビームスプリッター、
１５５　ビームスプリッター、１５６　ビームスプリッター、
１５７　１／２波長板、１５８　立ち上げミラー、１５９　対物レンズ
１６０　ディテクター、１６１　ディテクター、１６２　ディテクター
２００　レーザー駆動回路、２０１　サーボ回路、２０２　差動増幅回路
２０３　ＭＯ信号判定回路、２０４　アクチュエーター回路
２０５　磁気ヘッド駆動回路、２０６　制御回路、２０７　データ蓄積部
２５０　レーザー駆動回路、２５１　サーボ回路、２５２　差動増幅回路、
３０１　フィルター（Ｉ）、３０２　フィルター（ＩＩ）、フィルター（ＩＩＩ）
３０４　微分回路（Ｉ）、３０５　微分回路（ＩＩ）
３０６　コンパレータ（Ｉ）、３０６　コンパレータ（ＩＩ）
３０８　同期回路、３０９　選択信号発生回路、３１０　位相調整回路（Ｉ）
３１１　位相調整回路（ＩＩ）、３１２　メモリ、３１３　信号選択回路
３１４　復調回路、３１５　コンパレータ（ＩＩＩ）Ｈ
３１６　コンパレータ（ＩＩＩ）Ｌ
４０１　基板、４０２　エンハンス層、４０３　再生層、４０４　ゲート層
４０５　記録層、４０６　記録補助層、４０７　第２ヒートシンク層
４０８　第１ヒートシンク層、４０９　紫外線硬化樹脂
【図１】
2004134004.tif 000003
【図２】
2004134004.tif 000004
【図３】
2004134004.tif 000005
【図４】
2004134004.tif 000006
【図５】
2004134004.tif 000007
【図６】
2004134004.tif 000008
【図７】
2004134004.tif 000009
【図８】
2004134004.tif 000010
【図９】
2004134004.tif 000011