(57)【要約】【課題】光信号検出を良好に行うことができ、しかも低コストで製造することができるレーザカプラなどの複合光学素子を提供する。【解決手段】フォトダイオードＩＣ１のフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２上にマイクロプリズム２を接着層１２により接着し、それに隣接して半導体レーザ４をマウントし、マイクロプリズム２の光入射面２ａから内部に入った光を分岐させてフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２にそれぞれ入射させるレーザカプラにおいて、接着層１２の厚さを６μｍ×（ｎ／１．４３）より大きく、９μｍ×（ｎ／１．４３）以下（ただし、ｎは接着層１２の屈折率）にする。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の受光素子および第２の受光素子を少なくとも有する基体と、
上記基体上に設けられた発光素子と、
上記第１の受光素子および上記第２の受光素子を覆うように上記基体上に接着層により接着されたプリズムとを有し、
上記プリズムの所定の光入射面から上記プリズムの内部に入った光を分岐させて上記第１の受光素子および上記第２の受光素子にそれぞれ入射させるようにした複合光学装置において、
上記接着層の厚さが６μｍ×（ｎ／１．４３）より大きく、９μｍ×（ｎ／１．４３）以下（ただし、ｎは接着層の屈折率）である
ことを特徴とする複合光学装置。
【請求項２】
上記接着層の厚さが７μｍ×（ｎ／１．４３）以上９μｍ×（ｎ／１．４３）以下である
ことを特徴とする請求項１記載の複合光学装置。
【請求項３】
上記接着層は紫外線硬化型樹脂からなる
ことを特徴とする請求項１記載の複合光学装置。
【請求項４】
上記基体はシリコン基板である
ことを特徴とする請求項１記載の複合光学装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、複合光学装置に関し、例えば、いわゆるレーザカプラに適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、複合光学装置として、レーザカプラと呼ばれるものがある。図７、図８および図９に、例えば超小型コンパクトディスク（ＣＤ）プレーヤの光ピックアップとして用いられている従来のレーザカプラを示す。ここで、図７はこのレーザカプラの斜視図、図８はこのレーザカプラの長手方向に沿っての断面図、図９はこのレーザカプラにおけるマイクロプリズムの接着部の拡大断面図である。
【０００３】
図７および図８に示すように、このレーザカプラにおいては、フォトダイオードＩＣ１０１上に、マイクロプリズム１０２と、フォトダイオード１０３上に半導体レーザ１０４を載せた、いわゆるＬＯＰ（Ｌａｓｅｒ　ｏｎ　Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ）チップとが互いに隣接してマウントされている。ここで、フォトダイオードＩＣ１０１は、光信号検出用の一対のフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２のほか、これらのフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２の出力電流信号の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）変換アンプおよび演算処理部（いずれも図示せず）がＩＣ化されたものであり、シリコン（Ｓｉ）ＩＣである。また、フォトダイオード１０３は、半導体レーザ１０４のリア側の端面からの光出力をモニターし、それによってフロント側の端面からの光出力をモニターするためのものである。
【０００４】
図８に示すように、マイクロプリズム１０２は光入射面となる斜面１０２ａ、上面１０２ｂ、底面１０２ｃ、端面１０２ｄおよび端面１０２ｅを有する。そして、斜面１０２ａにはハーフミラー１０５が形成され、上面１０２ｂには全反射膜１０６が形成され、ＬＯＰチップ側の端面１０２ｄは鏡面に構成され、ＬＯＰチップと反対側の端面１０２ｅには光吸収膜１０７が形成されている。
【０００５】
図９に示すように、マイクロプリズム１０２の底面１０２ｃの全面に反射防止膜１０８が形成され、さらにこの反射防止膜１０８上に、二酸化シリコン（ＳｉＯ２　）膜１０９が形成されている。一方、フォトダイオードＩＣ１０１のフォトダイオードＰＤ１上には窒化シリコン（ＳｉＮ）膜１１０が形成され、さらにこのＳｉＮ膜１１０およびフォトダイオードＰＤ２の表面を覆うようにパッシベーション膜としてのＳｉＯ２　膜１１１が形成されている。そして、マイクロプリズム１０２の底面１０２ｃに形成されたＳｉＯ２　膜１０９が接着層１１２によりフォトダイオードＩＣ１０１上のＳｉＯ２　膜１１１に接着されて、マイクロプリズム１０２がフォトダイオードＩＣ１０１上にマウントされている。接着層１１２としては通常、紫外線硬化型樹脂からなるものが用いられる。この接着層１１２の厚さについては、１０μｍ程度であることが知られている（例えば、特許文献１参照）。この場合、フォトダイオードＰＤ１上のＳｉＮ膜１１０およびその上の部分のＳｉＯ２　膜１１１により、ハーフミラーが形成されている。なお、ＳｉＯ２　膜１０９は、接着層１１２によるマイクロプリズム１０２の接着力を強化するためのものである。また、ＳｉＯ２　膜１１１は、フォトダイオードＩＣ１０１の表面のパッシベーションのほか、接着層１１２によるマイクロプリズム１０２の接着力を強化するためのものである。なお、図８においては、ＳｉＯ２　膜１０９およびＳｉＮ膜１１０の図示は省略されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開平８−２４１５２８号公報（段落００３０）
【０００７】
この場合、フォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２としては、図１０に示すように、四分割型のものが用いられている。図１０において、Ａ１〜Ａ４はフォトダイオードＰＤ１の四分割された各フォトダイオードを示し、Ｂ１〜Ｂ４はフォトダイオードＰＤ２の四分割された各フォトダイオードを示す。
【０００８】
上述のように構成されたレーザカプラは、図１１に示すように、例えばセラミックス製のフラットパッケージ１１３に収められ、ウィンドウキャップ（図示せず）により封止される。
【０００９】
次に、上述のレーザカプラの動作について図１２を参照しながら説明する。
図１２に示すように、半導体レーザ１０４のフロント側の端面から出射されたレーザ光Ｌは、マイクロプリズム１０２の斜面１０２ａ上のハーフミラー（図示せず）で反射された後、対物レンズＯＬにより集光され、信号の読み取りを行うディスクＤに入射する。このディスクＤで反射されたレーザ光Ｌは、マイクロプリズム１０２の斜面１０２ａ上のハーフミラー（図示せず）を通ってこのマイクロプリズム１０２の内部に入る。このマイクロプリズム１０２の内部に入った光のうち半分（５０％）の光はフォトダイオードＰＤ１に入射し、残りの半分（５０％）の光はこのフォトダイオードＰＤ１上に形成されたハーフミラー（図示せず）とマイクロプリズム１０２の上面１０２ｂとで順次反射されてフォトダイオードＰＤ２に入射する。
【００１０】
この場合、レーザ光ＬがディスクＤの記録面上に焦点を結んでいるときに、前後のフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２上のスポットサイズが同じになるように設計されているが、焦点位置が記録面からずれると、これらのフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２上のスポットサイズは互いに異なってくる。そこで、フォトダイオードＰＤ１からの出力信号とフォトダイオードＰＤ２からの出力信号との差を焦点位置のずれに対応させると、フォーカスエラー信号を検出することができる。そして、このフォーカスエラー信号のゼロ点が、焦点位置がディスクＤの記録面に一致した点、つまりジャストフォーカス点に対応し、このフォーカスエラー信号がゼロとなるようにフォーカスサーボ系にフィードバックを与える。このようにして、ジャストフォーカス状態が維持され、ディスクＤの再生が支障なく行われる。なお、図１０において、フォーカスエラー信号は（Ａ１＋Ａ２＋Ｂ３＋Ｂ４）−（Ａ３＋Ａ４＋Ｂ１＋Ｂ２）により形成される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本発明者らの知見によれば、上述の従来のレーザカプラにおいては、前後のフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２への入射光量比がレーザカプラ毎にばらつき、これが原因で光信号検出に悪影響が生じてしまうという問題があった。
【００１２】
したがって、この発明が解決しようとする課題は、フォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２のような第１の受光素子および第２の受光素子を覆うように基体上にプリズムが接着層により接着され、プリズムの所定の光入射面からこのプリズムの内部に入った光を分岐させて第１の受光素子および第２の受光素子にそれぞれ入射させるようにした複合光学装置において、第１の受光素子および第２の受光素子への入射光量比が複合光学装置毎にばらつくのを防止し、光信号検出に悪影響が生じるのを防止することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、従来のレーザカプラにおいて、前後のフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２への入射光量比がレーザカプラ毎にばらつく原因を解明するに至った。その概要について説明すると次のとおりである。
【００１４】
すなわち、すでに述べたように、レーザカプラにおいては、フォトダイオードＩＣ１０１のフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２上に接着層１１２によりマイクロプリズム１０２が接着される。この接着を行う際には、紫外線硬化型樹脂をエアー式のディスペンサーによりフォトダイオードＩＣ１０１上の接着部位に微量（例えば、約１／２００００ｃｃ）塗布して接着層１１２を形成し、その上にマイクロプリズム１０２をマウントして仮止めした後、接着層１１２に紫外線を照射することにより紫外線硬化型樹脂を硬化させて接着を行っていた。この接着工程においては、マイクロプリズム１０２の十分な接着力を確保する観点より、塗布する紫外線硬化型樹脂の体積の管理が行われていたものの、接着層１１２の厚さの管理は特に行われていなかった。
【００１５】
本発明者らは、種々検討を行った結果、フォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２への入射光量比がレーザカプラ毎にばらつく原因は、接着層１１２の厚さの管理が行われていないことにあるのではないかと考えた。すなわち、図１３に示すように、レーザカプラにおいては、マイクロプリズム１０２の内部に入った光のうち半分の光はフォトダイオードＰＤ１に入射し、残りの半分の光はフォトダイオードＰＤ１上に形成されたハーフミラー（図示せず）とマイクロプリズム１０２の上面１０２ｂとで順次反射されてフォトダイオードＰＤ２に入射する。なお、接着層１１２に使用される紫外線硬化型樹脂の屈折率ｎ１　は約１．５、マイクロプリズム１０２の屈折率ｎ２　およびフォトダイオードＰＤ１の表面屈折率ｎ３　はともに約１．７である。マイクロプリズム１０２の内部に反射される光は、マイクロプリズム１０２と接着層１１２との界面で直接反射されてきた光と、接着層１１２中で多重反射された後にマイクロプリズム１０２に入射してきた光とを重ね合わせたものとなるが、接着層１１２とフォトダイオードＰＤ１との界面でｍ回反射された光は、マイクロプリズム１０２と接着層１１２との界面で直接反射されてきた光に対しδ＝４πｍｎ１　ｄ／λｃｏｓθだけ位相が遅れる。ただし、ｄは接着層１１２の厚さ、λはレーザ光Ｌの波長、θはマイクロプリズム１０２の内部に入ったレーザ光ＬのフォトダイオードＰＤ１への入射角を示す。この位相差の大きさによって、反射光は強められたり弱められたりして、光の多重干渉現象が起こる。この多重干渉の効果はλとｄとによるが、λは半導体レーザ１０４によって決まるので、ｄのばらつきによりこの多重干渉効果もばらつき、結果としてフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２への入射光量比がレーザカプラ毎にばらつくことになると考えられる。したがって、この接着層１１２に起因する多重干渉現象を抑制することが重要である。
【００１６】
そこで、この多重干渉現象を防止すべく、接着層１１２の厚さを種々変えてレーザカプラの光学特性の測定を行った結果、接着層１１２の厚さｄが６μｍ以下であると、多重干渉現象が発生しやすく、６μｍより大きくすれば多重干渉現象を抑制することができることを見出した。
一方、接着層１１２の厚さｄが大き過ぎると、フォトダイオードＩＣ１０１上へのマイクロプリズム１１２のマウント位置精度が損なわれるおそれがあるばかりでなく、紫外線硬化型樹脂などの接着剤の使用量が増えて組み立てコストの増加を招くことから、これらの観点より、９μｍ以下に選ばれる。
【００１７】
以上は接着層１１２の紫外線硬化型樹脂として屈折率ｎ１　＝１．４３のシリコーン樹脂系のものを用いた場合であるが、接着層１１２の材料としてはシリコーン樹脂系以外のものを用いることもできるので、一般的に接着層１１２の屈折率をｎとしたときには、６μｍの代わりに６μｍ×（ｎ／１．４３）、９μｍの代わりに９μｍ×（ｎ／１．４３）とすればよい。
【００１８】
この発明は本発明者らによる以上の検討に基づいて案出されたものである。
すなわち、上記課題を解決するために、この発明による複合光学素子は、
第１の受光素子および第２の受光素子を少なくとも有する基体と、
基体上に設けられた発光素子と、
第１の受光素子および第２の受光素子を覆うように基体上に接着層により接着されたプリズムとを有し、
プリズムの所定の光入射面からプリズムの内部に入った光を分岐させて第１の受光素子および第２の受光素子にそれぞれ入射させるようにした複合光学装置において、
接着層の厚さが６μｍ×（ｎ／１．４３）より大きく、９μｍ×（ｎ／１．４３）以下（ただし、ｎは接着層の屈折率）である
ことを特徴とするものである。
【００１９】
この発明において、接着層に起因する多重干渉現象をより確実に防止する観点より、好適には接着層の厚さは７μｍ×（ｎ／１．４３）以上９μｍ×（ｎ／１．４３）以下に選ばれる。基体は典型的には半導体基板、具体的には例えばシリコン基板であり、プリズムは典型的には透明ガラスまたは透明樹脂からなる。第１の受光素子および第２の受光素子は典型的には複数分割型であり、具体的には例えば四分割型である。
【００２０】
上述のように構成されたこの発明によれば、プリズムを基体に接着する接着層の厚さが６μｍ×（ｎ／１．４３）より大きく、９μｍ×（ｎ／１．４３）以下（ただし、ｎは接着層の屈折率）であることにより、接着層に起因する多重干渉現象を効果的に抑制することができるとともに、基体上へのプリズムのマウント位置精度を高くすることができる。さらに、この接着層の厚さは、プリズムを基体に十分な接着力で接着するに足りるものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図において、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
図１はこの発明の一実施形態によるレーザカプラを示す断面図、図２はこのレーザカプラにおけるマイクロプリズムの接着部の拡大断面図である。この一実施形態によるレーザカプラの斜視図は図７に示すと同様である。
【００２２】
図１に示すように、このレーザカプラにおいては、フォトダイオードＩＣ１上に、例えば光学ガラス（屈折率は例えば１．７６６）からなるマイクロプリズム２と、フォトダイオード３上に半導体レーザ４を載せたＬＯＰチップとが互いに隣接してマウントされている。ここで、フォトダイオードＩＣ１は、光信号検出用の一対のフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２のほか、これらのフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２の出力電流信号のＩ−Ｖ変換アンプおよび演算処理部（いずれも図示せず）がＩＣ化されたものであり、具体的にはＳｉＩＣ（例えば、バイポーラＩＣ）である。また、フォトダイオード３は、半導体レーザ４のリア側の端面からの光出力をモニターし、それによってフロント側の端面からの光出力をモニターするためのものである。なお、フォトダイオード３は例えばＳｉチップからなる。また、半導体レーザ４としては、レーザカプラがＣＤ用の場合は例えばＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ半導体レーザが用いられ、レーザカプラがＣＤおよびディジタルビデオディスク（ＤＶＤ）の両者兼用の場合は例えばＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ半導体レーザおよびＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザが搭載された２波長レーザが用いられる。
【００２３】
図１に示すように、マイクロプリズム２は光入射面となる斜面２ａ、上面２ｂ、底面２ｃ、端面２ｄおよび端面２ｅを有する。そして、斜面２ａにはハーフミラー５が形成され、上面２ｂには全反射膜６が形成され、ＬＯＰチップ側の端面２ｄは鏡面に構成され、ＬＯＰチップと反対側の端面２ｅには光吸収膜７が形成されている。ここで、ハーフミラー５としては、例えば誘電体多層膜が用いられ、その反射率は例えば２０％である。全反射膜６としては、例えば誘電体多層膜が用いられる。これらの誘電体多層膜は、例えばＺｒＯ、ＴｉＯ、ＳｉＯ２　などにより形成される。なお、マイクロプリズム２の大きさの一例を挙げると、高さ０．６ｍｍ、全長１．５２ｍｍ、幅１．８ｍｍ、上面２ｂの長さ１．１ｍｍである。
【００２４】
図２に示すように、マイクロプリズム２の底面２ｃの全面に反射防止膜８が形成され、さらにこの反射防止膜８上に、ＳｉＯ２　膜９が形成されている。一方、フォトダイオードＩＣ１のフォトダイオードＰＤ１上にはＳｉＮ膜１０が形成され、さらにこのＳｉＮ膜１０およびフォトダイオードＰＤ２の表面を覆うようにパッシベーション膜としてのＳｉＯ２　膜１１が形成されている。そして、マイクロプリズム２の底面２ｃに形成されたＳｉＯ２　膜９が接着層１２によりフォトダイオードＩＣ１上のＳｉＯ２　膜１１に接着されて、マイクロプリズム２がフォトダイオードＩＣ１上にマウントされている。ここで、反射防止膜８としては例えばＣｅＦ３　膜やＡｌ２　Ｏ３　膜が用いられ、その厚さは例えば１５０ｎｍ程度、屈折率は例えば１．６１である。この場合、フォトダイオードＰＤ１上のＳｉＮ膜１０およびその上の部分のＳｉＯ２　膜１１により、ハーフミラーが形成されている。なお、ＳｉＯ２　膜９は、接着層１２によるマイクロプリズム２の接着力を強化するためのものであり、その厚さは例えば１５０ｎｍ程度である。また、ＳｉＯ２　膜１１は、フォトダイオードＩＣ１の表面のパッシベーションのほか、接着層２によるマイクロプリズム２の接着力を強化するためのものであり、その厚さは例えば５００ｎｍ程度である。なお、図１においては、ＳｉＮ膜１０の図示は省略されている。
【００２５】
ここで、接着層２としては、紫外線硬化型樹脂であるシリコーン樹脂系の接着剤（屈折率は１．４３）が用いられるが、この接着層２の厚さが６μｍより大きく、９μｍ以下、好適には７μｍ以上９μｍ以下に設定されていることが特徴である。
【００２６】
この場合、フォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２としては、図１０に示すと同様な四分割型のものが用いられている。
上述のように構成されたレーザカプラは、図１１に示すと同様に、例えばセラミックス製のフラットパッケージに収められ、ウィンドウキャップ（図示せず）により封止される。
【００２７】
以上のように、この一実施形態によれば、マイクロプリズム２をフォトダイオードＩＣ１上に接着する接着層２の厚さが６μｍより大きく、９μｍ以下であることにより、接着層２に起因する多重干渉現象を抑制することができ、それによってフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２への入射光量比がレーザカプラ毎にばらつく問題を解消して光信号検出への悪影響を防止することができるとともに、接着層２の厚さが必要以上に厚いことによるマイクロプリズム２のマウント位置精度の低下やレーザカプラの組み立てコストの増加を抑制することができ、レーザカプラの組み立て歩留まりの向上および組み立てコストの低減を図ることができる。
【００２８】
ところで、レーザカプラの組み立て工程においては、マイクロプリズム２の底面とその搭載面、すなわちフォトダイオードＩＣ１の上面とが平行になるように管理されていた。しかしながら、この場合、光の干渉などの影響により、突発的にある製造ロット（製造する際の単位）の出力特性標準偏差が大きくなる（分布が広がる）ことがしばしば発生し、製造規格から外れるレーザカプラが出てしまい、検査工程での歩留まりを低下させる要因となっていた。そこで、次にこの問題の解消に有効な対策について説明する。
【００２９】
いま、図３に示すように、フォトダイオードＩＣ１の上面から測ったマイクロプリズム２の両端下部の高さをそれぞれｈ１　，ｈ２　と表す。ｈ１　＝ｈ２　の場合がマイクロプリズム２の底面２ｃとフォトダイオードＩＣ１の上面とが平行な場合、ｈ１　≠ｈ２　の場合がマイクロプリズム２の底面がフォトダイオードＩＣ１の上面に対して傾斜している場合である。そして、ｈ２　−ｈ１　＞０の場合がマイクロプリズム２の端面２ｅ側が端面２ｄ側に比べてフォトダイオードＩＣ１から持ち上がるように傾斜している場合、ｈ２　−ｈ１　＜０の場合がマイクロプリズム２の端面２ｄ側が端面２ｅ側に比べてフォトダイオードＩＣ１から持ち上がるように傾斜している場合である。
【００３０】
図４Ａ〜Ｄにｈ２　−ｈ１　がそれぞれ−８．４６μｍ、−２．５９μｍ、−１．１９μｍ、２．６８μｍである場合のレーザカプラの模式図を示す。また、図５Ａ〜Ｄにｈ２　−ｈ１　がそれぞれ−８．４６μｍ、−２．５９μｍ、−１．１９μｍ、２．６８μｍである場合のレーザカプラの出力特性（ここではＳ字バランス（Ｓｂｌａ））の分布を測定した結果を示す。ここで、ＳｂｌａはＤＶＤ側Ｓ字カーブのプラス側振幅とマイナス側振幅との比率である。また、図６Ａに、ｈ２　−ｈ１　に対するレーザカプラの各種出力特性の標準偏差を測定した結果を示す。図６Ｂは、図６Ａの破線で囲まれた部分を拡大して示したものである。ただし、ＡｌｐｈａはフォトダイオードＰＤ１の出力信号、ＳｐｐａはＤＶＤ側Ｓ字カーブの振幅の幅（最大値−最小値）、ＤｅｌＡｌｐｈａは図１２のディスクＤを上下動させた時のフォトダイオードＰＤ１の出力信号変化量、ＳｐｐｂはＣＤ側Ｓ字カーブの振幅の幅（最大値−最小値）、ＳｂｌｂはＣＤ側Ｓ字カーブのプラス側振幅とマイナス側振幅との比率である。
【００３１】
図５Ａ〜Ｄおよび図６より、ｈ２　−ｈ１　＞０の場合、すなわちマイクロプリズム２の端面２ｅ側が端面２ｄ側に比べてフォトダイオードＩＣ１から持ち上がるように傾斜している場合、特に＋０μｍ＜ｈ２　−ｈ１　≦＋１０μｍの場合が最も出力特性分布の標準偏差を改善することができることが分かる。
【００３２】
以上、この発明の一実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【００３３】
例えば、上述の一実施形態において挙げた数値、構造、形状、材料などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数値、構造、形状、材料などを用いてもよい。
【００３４】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、プリズムを基体上に接着する接着層の厚さが６μｍ×（ｎ／１．４３）より大きく、９μｍ×（ｎ／１．４３）以下（ただし、ｎは接着層の屈折率）であることにより、第１の受光素子および第２の受光素子への入射光量比が複合光学装置毎にばらつくのを防止し、光信号検出に悪影響が生じるのを防止することができるとともに、プリズムのマウント位置精度の向上および複合光学素子の製造コストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態によるレーザカプラを示す断面図である。
【図２】この発明の一実施形態によるレーザカプラの要部の拡大断面図である。
【図３】レーザカプラを模式的に示す略線図である。
【図４】レーザカプラを模式的に示す略線図である。
【図５】レーザカプラの出力特性分布の測定結果を示す略線図である。
【図６】レーザカプラの出力特性分布の標準偏差の測定結果を示す略線図である。
【図７】従来のレーザカプラを示す斜視図である。
【図８】従来のレーザカプラを示す断面図である。
【図９】従来のレーザカプラの要部を示す拡大断面図である。
【図１０】従来のレーザカプラのフォトダイオードＩＣにおけるフォトダイオードのパターンを示す平面図である。
【図１１】フラットパッケージによりパッケージングされた従来のレーザカプラを示す斜視図である。
【図１２】ＣＤプレーヤの光ピックアップにレーザカプラを応用した場合の動作を説明するための略線図である。
【図１３】従来のレーザカプラの課題を解決するための検討に用いた略線図である。
【符号の説明】
１・・・フォトダイオードＩＣ、２・・・マイクロプリズム、２ｃ・・・底面、３・・・フォトダイオード、４・・・半導体レーザ、５・・・ハーフミラー、６・・・全反射膜、７・・・光吸収膜、８・・・反射防止膜、９、１０・・・ＳｉＯ２　膜、１２・・・接着層、ＰＤ１，ＰＤ２・・・フォトダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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