(57)【要約】【課題】部品点数が少なく実装が容易である超伝導量子干渉素子の実装方法及びこれを用いた磁束センサを実現する。【解決手段】超伝導量子干渉素子の実装方法であって、基板上に形成されている銅箔の一部を取り除きニオブ箔を基板上に接着剤で固定する工程と、基板上の銅箔及びニオブ箔を同時にミリング加工して銅箔に配線パターンを、ニオブ箔には中継端子をそれぞれ形成すると共に中継端子にネジの下穴をそれぞれ形成する工程と、下穴にセルフタッピングネジをそれぞれ締め付けることにより下穴にネジ山を刻むと共にセルフタッピングネジと中継端子との間に検出コイルの両端をそれぞれ挟み込んで圧着する工程と、超伝導量子干渉素子チップを基板上であって、銅箔とニオブ箔とに挟まれる部分に接着し、超伝導ボンディングにより中継端子と超伝導量子干渉素子チップ上に形成された入力コイルの両端とをそれぞれ接続する工程とから成る。【選択図】                    図１
2004235197.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超伝導量子干渉素子の実装方法であって、
基板上に形成されている銅箔の一部を取り除きニオブ箔を前記基板上に接着剤で固定する工程と、
前記基板上の銅箔及びニオブ箔を同時にミリング加工して前記銅箔に配線パターンを、前記ニオブ箔には１対の中継端子をそれぞれ形成すると共に１対の前記中継端子にネジの下穴をそれぞれ形成する工程と、
１対の前記下穴にセルフタッピングネジをそれぞれ締め付けることにより１対の前記下穴にネジ山を刻むと共に１対の前記セルフタッピングネジと前記中継端子との間に検出コイルの両端をそれぞれ挟み込んで圧着する工程と、
超伝導量子干渉素子チップを前記基板上であって、前記銅箔と前記ニオブ箔とに挟まれる部分に接着し、超伝導ボンディングにより１対の前記中継端子と超伝導量子干渉素子チップ上に形成された入力コイルの両端とをそれぞれ接続する工程と
から成ることを特徴とする超伝導量子干渉素子の実装方法。
【請求項２】
超伝導量子干渉素子の実装方法であって、
基板上に形成されている銅箔の一部を取り除きニオブ箔を前記基板上に接着剤で固定する工程と、
前記基板上の銅箔及びニオブ箔を同時にミリング加工して前記銅箔に配線パターンを、前記ニオブ箔には平面型の検出コイルをそれぞれ形成する工程と、
超伝導量子干渉素子チップを前記基板上であって、前記銅箔と前記ニオブ箔とに挟まれる部分に接着し、超伝導ボンディングにより前記検出コイルの両端と超伝導量子干渉素子チップ上に形成された入力コイルの両端とをそれぞれ接続する工程と
から成ることを特徴とする超伝導量子干渉素子の実装方法。
【請求項３】
超伝導量子干渉素子の実装方法を用いた磁束センサにおいて、
基板と、
この基板上に形成され配線パターンが形成される銅箔と、
前記基板上に接着され１対の中継端子が形成されると共にこれら１対の中継端子に各々セルフタッピングネジにより検出コイルの両端が圧着されるニオブ箔と、
前記基板上であって、前記銅箔と前記ニオブ箔とに挟まれる部分に接着され、１対の前記中継端子と入力コイルの両端とが超伝導ボンディングによってそれぞれ接続される超伝導量子干渉素子チップと
を備えたことを特徴とする磁束センサ。
【請求項４】
前記銅箔の配線パターン、前記ニオブ箔の１対の前記中継端子をミリング加工によって同時に形成したことを特徴とする
請求項３記載の磁束センサ。
【請求項５】
超伝導量子干渉素子の実装方法を用いた磁束センサにおいて、
基板と、
この基板上に形成され配線パターンが形成される銅箔と、
前記基板上に接着され平面型の検出コイルが形成されるニオブ箔と、
前記基板上であって、前記銅箔と前記ニオブ箔とに挟まれる部分に接着され、前記検出コイルの両端と入力コイルの両端とが超伝導ボンディングによってそれぞれ接続される超伝導量子干渉素子チップと
を備えたことを特徴とする磁束センサ。
【請求項６】
前記銅箔の配線パターン、前記ニオブ箔の前記検出コイルをミリング加工によって同時に形成したことを特徴とする
請求項５記載の磁束センサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、超伝導量子干渉素子（ＳＱＵＩＤ：Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ  Ｄｅｖｉｃｅ：以下、単にＳＱＵＩＤと呼ぶ。）の実装方法に関し、特に部品点数が少なく実装が容易である超伝導量子干渉素子の実装方法及びこれを用いた磁束センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＳＱＵＩＤの実装方法や当該実装方法を用いたＳＱＵＩＤによる磁束センサに関連する先行技術文献としては次のようなものがある。
【０００３】
【特許文献１】
特開平４−２６８４７１号公報
【特許文献２】
特開平８−２７３７１７号公報
【０００４】
図６はこのような従来の実装方法を用いたＳＱＵＩＤによる磁束センサで構成される従来の磁束計の一例を示す構成ブロック図であり、脳神経細胞の活動に伴って発生する極微弱な脳磁場を無侵襲、非接触で計測する脳磁計測システム等に用いられるものである。
【０００５】
図６において１は２つのジョセフソン接合を持つ超伝導ループから構成されるＳＱＵＩＤ、２は入力コイル、３は帰還コイル、４は増幅器、５は積分器、６は検出コイルである。また、１，２及び３はＳＱＵＩＤチップ５０を、６と５０は磁束センサ５１をそれぞれ構成している。
【０００６】
検出コイル６の両端は入力コイル２の両端にそれぞれ接続され、当該入力コイル２はＳＱＵＩＤ１の近傍であってＳＱＵＩＤ１と磁気的に結合する位置に配置される。ＳＱＵＩＤ１の一端は接地され他端は増幅器４の入力端子に接続され、増幅器４の出力は積分器５の入力端子に接続される。
【０００７】
積分器５の出力端子は出力電圧を出力すると共に抵抗を介して帰還コイル３の一端に接続され、帰還コイル３の他端は接地される。また、帰還コイル３はＳＱＵＩＤ１の近傍であってＳＱＵＩＤ１と磁気的に結合する位置に配置される。
【０００８】
ここで、図６に示す従来例の動作を説明する。ＳＱＵＩＤ１は液体ヘリウム等により極低温環境下におかれて超伝導状態を保持されると共に図６中”ＩＢ０１”に示すようなバイアス電流が印加される。
【０００９】
このような状態でＳＱＵＩＤ１の両端に発生する電圧を観測すると外部磁束の変化に伴って磁束量子を周期とした磁束−電圧曲線が得られる。
【００１０】
但し、この磁束−電圧特性は非線形であるので、積分器５の出力電圧を帰還コイル３によってＳＱＵＩＤ１に負帰還させることによって、積分器５の出力電圧はＳＱＵＩＤ１に入力される磁束に対して線形動作することになる。
【００１１】
一方、計測対象である図６中”ＤＭ０１”に示すような磁束は、検出コイル６で検出され入力コイル２によってＳＱＵＩＤ１に導かれる。
【００１２】
このため、ＳＱＵＩＤ１に入力された図６中”ＤＭ０１”に示すような磁束が前述のように計測され、当該磁束に線形に対応する出力電圧が積分器５から出力されることになる。
【００１３】
従来、このような磁束計（或いは、磁束センサ５１）を構成する場合には、図６中”ＤＭ０１”に示すような磁束を効率良くＳＱＵＩＤ１に導くために、入力コイル２や検出コイル６は超伝導部材で形成する場合がある。
【００１４】
このような場合には入力コイル２と検出コイル６との間、言い換えれば、検出コイル６とＳＱＵＩＤチップ５０との間を信頼性の高い超伝導接続を行う必要性が生じる。
【００１５】
図７、図８、図９、図１０及び図１１はこのような超伝導接続を行うための実装方法を説明する説明図である。
【００１６】
先ず、図７に示す第１の工程では、ガラスエポキシ等の基板７の裏面に電極等の配線パターンである銅パターン８を形成する。そして、図８に示す第２の工程では、基板７の裏面であって銅パターン８が形成された側と逆側にナット９を埋め込んで接着すると共に図８中”ＨＬ０１”に示すように後述のニオブ（Ｎｂ）板を通すための穴を形成する。
【００１７】
図９に示す第３の工程では、先に形成した図８中”ＨＬ０１”の穴に図９中”ＨＬ１１”に示すような穴が加工されたニオブ（Ｎｂ）板１０を図９中”ＨＬ１１”に示す穴が加工された側を基板７の表面側にして差し込む。ちなみに、ニオブ（Ｎｂ）板１０の板厚は”０．３ｍｍ〜０．５ｍｍ”程度である。
【００１８】
さらに、図９に示す第３の工程では、ニオブ（Ｎｂ）板１０を図９中”ＢＮ１１”に示すように図９中”ＨＬ１１”に示す穴部分を基板７の表面側であってナット９側に折り曲げ、図９中”ＢＮ１２”に示すように他方を基板７の裏面側であって銅パターン８側に折り曲げると共に基板７に接着する。
【００１９】
そして、図１０に示す第４の工程では、ネジ１１とニオブ（Ｎｂ）板１０との間に検出コイル１２の一端を挟み込んでネジ１１を締め付けることにより検出コイル１２の一端を圧着する。
【００２０】
最後に、図１１に示す第５の工程では、ＳＱＵＩＤチップ１３を基板７の裏面であって、銅パターン８とニオブ（Ｎｂ）板１０とに挟まれる部分に接着し、超伝導ボンディング１４によりニオブ（Ｎｂ）板１０とＳＱＵＩＤチップ１３上に形成された入力コイル（図示せず。）の一端と接続する
【００２１】
また、検出コイル１２の他端とＳＱＵＩＤチップ１３上に形成された入力コイル（図示せず。）の他端も上述と同様に接続する。
【００２２】
この結果、検出コイル１２とＳＱＵＩＤチップ１３との間は超電導部材であるニオブ（Ｎｂ）板１０を介して接続されるので信頼性の高い超伝導接続を行うことが可能になる。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、図１１等に示すような従来の実装方法では中継端子の機能を果たすニオブ（Ｎｂ）板は材質としては非常に硬いため、図９中”ＨＬ１１”の穴の形成作業や図９中”ＢＮ１１”及び”ＢＮ１２”に示す折り曲げ作業に多くの手間とコストがかかってしまうと言った問題点があった。
【００２４】
また、基板７にナット９を埋め込んで接着しているため加工工数が必要になり、基板７に実装される部品点数もナット９、ニオブ（Ｎｂ）板１０、ネジ１１及びＳＱＵＩＤチップ１３と４点であり部品点数が多いと言った問題点があった。
【００２５】
このように、部品点数が多い場合には極低温環境下では故障の発生率が増加してしてしまうことになる。
【００２６】
さらに、ＳＱＵＩＤチップ１３の接続位置と検出コイル１２の接続位置とが基板７の表裏に分かれているので組み立てがし難いと言った問題点もあった。
従って本発明が解決しようとする課題は、部品点数が少なく実装が容易である超伝導量子干渉素子の実装方法及びこれを用いた磁束センサを実現することにある。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
このような課題を達成するために、本発明のうち請求項１記載の発明は、
超伝導量子干渉素子の実装方法であって、
基板上に形成されている銅箔の一部を取り除きニオブ箔を前記基板上に接着剤で固定する工程と、前記基板上の銅箔及びニオブ箔を同時にミリング加工して前記銅箔に配線パターンを、前記ニオブ箔には１対の中継端子をそれぞれ形成すると共に１対の前記中継端子にネジの下穴をそれぞれ形成する工程と、１対の前記下穴にセルフタッピングネジをそれぞれ締め付けることにより１対の前記下穴にネジ山を刻むと共に１対の前記セルフタッピングネジと前記中継端子との間に検出コイルの両端をそれぞれ挟み込んで圧着する工程と、超伝導量子干渉素子チップを前記基板上であって、前記銅箔と前記ニオブ箔とに挟まれる部分に接着し、超伝導ボンディングにより１対の前記中継端子と超伝導量子干渉素子チップ上に形成された入力コイルの両端とをそれぞれ接続する工程とから成ることにより、部品点数が少なく実装が容易である超伝導量子干渉素子の実装方法が実現できる。
【００２８】
請求項２記載の発明は、
超伝導量子干渉素子の実装方法であって、
基板上に形成されている銅箔の一部を取り除きニオブ箔を前記基板上に接着剤で固定する工程と、前記基板上の銅箔及びニオブ箔を同時にミリング加工して前記銅箔に配線パターンを、前記ニオブ箔には平面型の検出コイルをそれぞれ形成する工程と、超伝導量子干渉素子チップを前記基板上であって、前記銅箔と前記ニオブ箔とに挟まれる部分に接着し、超伝導ボンディングにより前記検出コイルの両端と超伝導量子干渉素子チップ上に形成された入力コイルの両端とをそれぞれ接続する工程とから成ることにより、検出コイルを接続するための中継端子やセルフタッピングネジ等が不要になるので部品点数をさらに削減でき、実装もより容易にすることが可能になる。
【００２９】
請求項３記載の発明は、
超伝導量子干渉素子の実装方法を用いた磁束センサにおいて、
基板と、この基板上に形成され配線パターンが形成される銅箔と、前記基板上に接着され１対の中継端子が形成されると共にこれら１対の中継端子に各々セルフタッピングネジにより検出コイルの両端が圧着されるニオブ箔と、前記基板上であって、前記銅箔と前記ニオブ箔とに挟まれる部分に接着され、１対の前記中継端子と入力コイルの両端とが超伝導ボンディングによってそれぞれ接続される超伝導量子干渉素子チップとを備えたことにより、部品点数が少なく実装が容易である超伝導量子干渉素子の実装方法を用いた磁束センサが実現できる。
【００３０】
請求項４記載の発明は、
請求項３記載の発明である磁束センサにおいて、
前記銅箔の配線パターン、前記ニオブ箔の１対の前記中継端子をミリング加工によって同時に形成したことにより、部品点数が少なく実装が容易である超伝導量子干渉素子の実装方法を用いた磁束センサが実現できる。
【００３１】
請求項５記載の発明は、
超伝導量子干渉素子の実装方法を用いた磁束センサにおいて、
基板と、この基板上に形成され配線パターンが形成される銅箔と、前記基板上に接着され平面型の検出コイルが形成されるニオブ箔と、前記基板上であって、前記銅箔と前記ニオブ箔とに挟まれる部分に接着され、前記検出コイルの両端と入力コイルの両端とが超伝導ボンディングによってそれぞれ接続される超伝導量子干渉素子チップとを備えたことにより、検出コイルを接続するための中継端子やセルフタッピングネジ等が不要になるので部品点数をさらに削減でき、実装もより容易にすることが可能になる。
【００３２】
請求項６記載の発明は、
請求項５記載の発明である磁束センサにおいて、
前記銅箔の配線パターン、前記ニオブ箔の前記検出コイルをミリング加工によって同時に形成したことにより、検出コイルを接続するための中継端子やセルフタッピングネジ等が不要になるので部品点数をさらに削減でき、実装もより容易にすることが可能になる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。図１は本発明に係る超伝導量子干渉素子の実装方法を用いた磁束センサの一実施例を示す構成断面図である。
【００３４】
図１において１５はガラスエポキシ等の基板、１６はＳＱＵＩＤに前述のバイアス電流を印加したり電圧検出を行うための電極等の配線パターンが形成された銅箔、１７は中継端子が形成された”０．０５ｍｍ”程度以下のニオブ（Ｎｂ）箔、１８はセルフタッピングネジ、１９は検出コイル、２０はＳＱＵＩＤと当該ＳＱＵＩＤに磁気的に結合する位置に入力コイル及び帰還コイルがそれぞれ形成されたＳＱＵＩＤチップ、２１は超伝導ボンディングである。
【００３５】
配線パターンが形成された銅箔１６、中継端子が形成されたニオブ（Ｎｂ）箔１７及びＳＱＵＩＤチップ２０は基板１５上にそれぞれ形成若しくは接着され、ニオブ（Ｎｂ）箔１７に形成された中堅端子には検出コイル１９が接続され、検出コイル１９はセルフタッピングネジ１８によって圧着される。
【００３６】
また、ＳＱＵＩＤチップ２０上に形成された入力コイル（図示せず。）の一端がニオブ（Ｎｂ）箔１７に形成された中堅端子と超伝導ボンディング２１により接続される。
【００３７】
さらに、検出コイル１９の他端とＳＱＵＩＤチップ２０上に形成された入力コイル（図示せず。）の他端も上述と同様に接続される。
【００３８】
ここで、図１に示す実施例の動作を説明する。但し、基本動作に関しては図６に示す従来例の動作と同様であるので説明は省略する。
【００３９】
入力コイル（図示せず。）と検出コイル１９との間、言い換えれば、検出コイル１９とＳＱＵＩＤチップ２０との間を信頼性の高い超伝導接続を行うための実装方法を説明する。また、図２、図３、図４及び図５はこのような超伝導接続を行うための実装方法を説明する説明図である。
【００４０】
先ず、図２に示す第１の工程では、基板１５上に形成されている銅箔１６の一部を取り除き、”０．０５ｍｍ”程度以下の膜厚のニオブ（Ｎｂ）箔１７を基板１５上に接着剤で固定する。
【００４１】
そして、図３に示す第２の工程では、基板１５上の銅箔１６及びニオブ（Ｎｂ）箔１７を同時にミリング加工して、銅箔１６にはＳＱＵＩＤにバイアス電流を印加したり電圧検出を行うための電極等の配線パターンを、ニオブ（Ｎｂ）箔１７には１対の中継端子をそれぞれ形成する。
【００４２】
また、図３に示す第２の工程において、１対の中堅端子には同時に図３中”ＨＬ２１”に示すような圧着用のネジの下穴をそれぞれ形成する。
【００４３】
ここで、ミリング加工とはエンドミル等のミリングツールによって形成する配線パターン等の外周に沿って溝を形成して、銅箔１６（或いは、ニオブ（Ｎｂ）箔１７）から配線等の部分を電気的に絶縁状態するものである。
【００４４】
図４に示す第３の工程では、先に形成した２つの下穴にセルフタッピングネジ１８をそれぞれ締め付けることにより、２つの下穴にネジ山を刻むと共に１対のセルフタッピングネジ１８と中継端子との間に検出コイル１９の両端をそれぞれ挟み込んで各々のセルフタッピングネジ１８を締め付けることにより検出コイル１９の両端を圧着する。
【００４５】
最後に、図５に示す第４の工程では、ＳＱＵＩＤチップ２０を基板１５上であって、銅箔１６とニオブ（Ｎｂ）箔１７とに挟まれる部分に接着し、超伝導ボンディング２１により１対の中継端子とＳＱＵＩＤチップ２０上に形成された入力コイル（図示せず。）の両端とそれぞれ接続する
【００４６】
すなわち、検出コイル１９とＳＱＵＩＤチップ２０との間は超電導部材であるニオブ（Ｎｂ）箔１７（正解にはニオブ（Ｎｂ）箔１７に形成された中継端子）を介して接続されるので信頼性の高い超伝導接続を行うことが可能になる。
【００４７】
この結果、ニオブ（Ｎｂ）箔１７にミリング加工により中継端子を形成し、当該中継端子にセルフタッピングネジ１８で検出コイル１９を圧着することにより、部品点数が少なく実装が容易である超伝導量子干渉素子の実装方法及びこれを用いた磁束センサが実現できる。
【００４８】
また、ニオブ（Ｎｂ）箔１７は”０．０５ｍｍ”程度以下の薄い膜厚であるので加工が容易であり、基板１５上の銅箔１６及びニオブ（Ｎｂ）箔１７を同時にミリング加工して配線パターンや電極等及び中継端子をそれぞれ形成し、従来例のようにナットを基板に埋め込む作業がなくなるので従来例と比較してＳＱＵＩＤの実装が容易で実装時間を短縮することが可能になる。
【００４９】
また、基板１５に実装される部品点数もセルフタッピングネジ１８及びＳＱＵＩＤチップ２０と２点であり、従来例と比較して部品点数が１／２になり、極低温環境下では故障の発生率を減少させることが可能になる。
【００５０】
さらに、ＳＱＵＩＤチップ２０の接続位置と検出コイル１９の接続位置とが基板７の同一面になるのでＳＱＵＩＤの実装を容易にすることが可能になる。
【００５１】
なお、図２等に示すＳＱＵＩＤの実装方法では基板１５に接着したニオブ（Ｎｂ）箔１７をミリング加工によって削って中継端子等のパターンを形成しているので、ニオブ（Ｎｂ）箔１７に形成されるパターンが互いに異なるパターンであっても同時に製作することが可能である。
【００５２】
また、図１等に示す実施例では検出コイル１９をニオブ（Ｎｂ）箔１７に形成された中継端子を介してＳＱＵＩＤチップ２０に接続しているが、平面型の検出コイルを基板１５上のニオブ（Ｎｂ）箔１７にミリング加工することによって形成しても構わない。
【００５３】
この場合には、検出コイルを接続するための中継端子やセルフタッピングネジ等が不要になるので部品点数をさらに削減でき、実装もより容易にすることが可能になる。
【００５４】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかなように、本発明によれば次のような効果がある。
請求項１，３及び請求項４の発明によれば、ニオブ箔にミリング加工により中継端子を形成し、当該中継端子にセルフタッピングネジで検出コイルを圧着することにより、部品点数が少なく実装が容易である超伝導量子干渉素子の実装方法及びこれを用いた磁束センサが実現できる。
【００５５】
また、ニオブ箔は”０．０５ｍｍ”程度以下の薄い膜厚であるので加工が容易であり、基板上の銅箔及びニオブ箔を同時にミリング加工して配線パターンや電極等及び中継端子をそれぞれ形成し、従来例のようにナットを基板に埋め込む作業がなくなるので従来例と比較してＳＱＵＩＤの実装が容易で実装時間を短縮することが可能になる。
【００５６】
また、基板に実装される部品点数もセルフタッピングネジ及びＳＱＵＩＤチップと２点であり、従来例と比較して部品点数が１／２になり、極低温環境下では故障の発生率を減少させることが可能になる。
【００５７】
さらに、ＳＱＵＩＤチップの接続位置と検出コイルの接続位置とが基板７の同一面になるのでＳＱＵＩＤの実装を容易にすることが可能になる。
【００５８】
また、請求項２，５及び請求項６の発明によれば、平面型の検出コイルを基板上のニオブ箔にミリング加工することにより、検出コイルを接続するための中継端子やセルフタッピングネジ等が不要になるので部品点数をさらに削減でき、実装もより容易にすることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る超伝導量子干渉素子の実装方法を用いた磁束センサの一実施例を示す構成断面図である。
【図２】超伝導接続を行うための実装方法を説明する説明図である。
【図３】超伝導接続を行うための実装方法を説明する説明図である。
【図４】超伝導接続を行うための実装方法を説明する説明図である。
【図５】超伝導接続を行うための実装方法を説明する説明図である。
【図６】従来の実装方法を用いたＳＱＵＩＤによる磁束センサで構成される従来の磁束計の一例を示す構成ブロック図である。
【図７】超伝導接続を行うための実装方法を説明する説明図である。
【図８】超伝導接続を行うための実装方法を説明する説明図である。
【図９】超伝導接続を行うための実装方法を説明する説明図である。
【図１０】超伝導接続を行うための実装方法を説明する説明図である。
【図１１】超伝導接続を行うための実装方法を説明する説明図である。
【符号の説明】
１  超伝導量子干渉素子（ＳＱＵＩＤ）
２  入力コイル
３  帰還コイル
４  増幅器
５  積分器
６，１２，１９  検出コイル
７，１５  基板
８  銅パターン
９  ナット
１０  ニオブ板
１１  ネジ
１４，２１  超伝導ボンディング
１６  銅箔
１７  ニオブ箔
１８  セルフタッピングネジ
１３，２０，５０  超伝導量子干渉素子チップ（ＳＱＵＩＤチップ）
５１  磁束センサ
【図１】
2004235197.tif 000003
【図２】
2004235197.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2004235197.tif 000011
【図１０】
2004235197.tif 000012
【図１１】
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