(57)【要約】【課題】電子放出源のビームサイズを一定に維持すること。【解決手段】データ記憶媒体のための電子放出源のビームサイズを決定する方法(400)。検出器の導体を横切るよう放出ビームを有する電子放出源を移動させる(402)。該電子放出源が検出器を横切って移動する際にその放出ビームに起因して導体を流れる電流を測定する(404)。電子放出源の位置と測定された電流とに基づいて電子放出源の放出ビームのサイズを決定する(406)。【選択図】図４
2004134076.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　データ記憶媒体の検出器の導体を横切るよう放出ビームを有する電子放出源を移動させ(402)、
　該電子放出源が前記検出器を横切る際に前記放出ビームに起因して前記導体を流れる電流を測定し(404)、
　前記電子放出源の位置と前記測定された電流とに基づいて前記電子放出源の放出ビームのサイズを決定する(406)、
という各ステップを有する方法(400)。
【請求項２】
　前記放出ビームのサイズに基づいて集束レンズの電圧を調節して前記放出ビームの所望のサイズを達成するステップ(408)を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
　前記電子放出源を移動させる前記ステップが、前記電子放出源を前記検出器の第２の導体から該検出器の前記導体へと移動させるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
　前記導体を流れる電流を測定する前記ステップが、前記電子放出源の前記放出ビームにより生成された電流を測定するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
　前記放出ビームにより生成された電流がガウス特性と一致するものである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
　前記放出ビームのサイズを決定する前記ステップが、
　前記検出器に対する前記放出ビームの第１の位置を決定し、
　前記検出器に対する前記放出ビームの第２の位置を決定し、
　前記第１の位置及び前記第２の位置を減算して前記放出ビームのサイズを決定する、
という各ステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
　前記放出ビームの前記第１の位置が最大強度の90％である測定された電流に対応し、前記放出ビームの前記第２の位置が最大強度の10％である測定された電流に対応する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
　前記放出ビームのサイズを決定する前記ステップが、前記電流が所与の値で測定された、前記検出器に対する前記電子放出源の位置として、前記放出ビームのサイズを決定するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
　前記放出ビームのサイズを決定する前記ステップが、前記電流が最大強度の50％で測定された前記電子放出源の位置として前記放出ビームのサイズを決定するステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
　データ記憶媒体の検出器の導体の第１の位置を横切るよう放出ビームを有する電子放出源を移動させ(902)、
　該電子放出源が前記導体の前記第１の位置を横切る際に前記放出ビームに起因して前記導体を流れる電流を測定し(904)、
　前記導体の第２の位置を横切るよう前記電子放出源を移動させ(906)、
　前記電子放出源が前記導体の前記第２の位置を横切る際に前記放出ビームに起因して前記導体を流れる電流を測定し(908)、
　前記導体の前記第１の位置と前記第２の位置とを介して測定された電流に基づいて前記検出器に対する前記電子放出源の前記放出ビームの寸法を決定し(910)、
　該放出ビームの寸法に基づき集束レンズの電圧を較正して前記放出ビームの所望のサイズを達成する(912)、
という各ステップを有する方法(900)。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
【背景技術】
【０００２】
　コンピュータ及びその他のタイプの電子装置用の記憶媒体は、一般に、揮発性メモリと不揮発性メモリという２つのタイプに分けられる。揮発性メモリは、電気がメモリに供給されなくなった際にその内容を失うが、不揮発性メモリは、電気がメモリに供給されなくなったときであってもその内容を維持する。最も一般的なタイプの揮発性メモリは、ランダムアクセスメモリ（RAM）であり、これは、集積回路（ＩＣ）として、最も一般的に利用できかつ製作される。データ記憶媒体という用語は、本書では広い意味で用いられ、ＩＣメモリ並びにその他のタイプのデータ記憶媒体を包含する。
【０００３】
　これに対し、不揮発性メモリは、磁気媒体や光学媒体としておそらく最も一般的に利用できかつ製作されているものであり、とりわけ、ハードディスクドライブ、フロッピーディスク、CD−ROM（compact disc read-only memory）、CD−RW（CD rewritable）ディスク、DVD（digital versatile disc）を含むものである。歴史的に見ると、ＩＣとして製作された不揮発性メモリは、主としてハードワイヤードROMやプログラマブルROM（PROM）といった再記録できないROMとして利用できるものであった。最近では、ＩＣ不揮発性メモリは、様々なタイプのフラッシュメモリとして利用できるようになっており、これは、更に技術的には、電気的に消去可能なPROM（EEPROM）として知られるものである。
【０００４】
　ＩＣベースのデータ記憶媒体は、一般に電気信号を用いて読出しと（可能な場合には）書込みが行われる。これに対し、磁気及び光学式のデータ記憶媒体は、一般に磁気センサ及び光センサ（何らかのタイプの光ビームを含む）を用いて読出しと（可能な場合には）書込みが行われる。しかし、新しいタイプのデータ記憶媒体が検討されており、これは、ＩＣとして製作することができ、放出された電子ビームを用いて読み出しと書込みを行うものである。この放出された電子ビームを当てることにより、２つの異なる相に切り替わることができる相変化可能層（phase-changeable layer）が現れる。この２つの相は、２進数１及び２進数０といった異なる論理値に対応するものである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　相変化可能層に格納された論理値を読み出すために低強度の放出ビームを媒体に当てる。一方、相変化可能層に論理値を書き込むためには、高強度の放出ビームを媒体に当てる。かかる再記録可能なデータ記憶媒体に対する読出し及び書込みを行う場合、放出されるビームのスポットサイズ（単に放出ビームサイズとも呼ばれる）は所定のサイズであることが望ましい。放出ビームサイズが、この所望のサイズから変動した場合には、記憶密度が低下することがあり、また媒体に対する読出し又は書込み時にエラーが発生することがある。ビームサイズの変動は、例えば、電子放出源と媒体との間のギャップの製造公差、電子放出源から発する電子の広がり角、並びに電子放出源の焦点を合わせるためのレンズの有効性に起因して生じ得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
　本発明は、放出ビームを有する電子放出源を、検出器の導体を横切って移動させる方法として実施することができる。この電子放出源が検出器を横切る際の放出ビームによって結果的に生じる、該導体に流れる電流を測定する。電子放出源の放出ビームのサイズは、この電子放出源の位置と測定された電流とに基づいて決定される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
　本発明の例示的な実施形態に関する以下の詳細な説明で参照する図面は、本書の一部をなすものであり、また本発明を実施できる特定の例示的な実施形態を示したものである。これらの実施形態は、当業者が本発明を実施できるよう充分詳しく説明されている。本発明の思想又は範囲から逸脱することなく、他の実施形態を利用することが可能であり、また論理的、機械的、若しくはその他の変更を実施することが可能である。よって、以下の詳細な説明は、限定的な意味で解釈されるべきではなく、特許請求の範囲によってのみ定義されるものである。
（概説）
　図１Ａは、本発明の少なくとも幾つかの実施形態を実施するために使用することができる再記録可能なデータ記憶装置100を示す断面図である。該データ記憶装置100は、相変化可能層104を有する基板102からなるデータ記憶媒体101を含む。該データ記憶装置100はまた、電子放出装置103を含み、該電子放出装置103は、第２の基板152、該基板152上に作製された層154、及び該層154内に作製された少なくとも１つの電子放出源156、及び集束レンズ158からなる。該集束レンズ158は、該レンズに印加された電圧を介して、電子放出源156により放出された放出ビーム110を相変化可能層104上に集束させる働きをする。他のタイプのデータ記憶装置もまた本発明の同一の実施形態又はその他の実施形態を用いた実施に従うことが可能である。
【０００８】
　図１Ｂは、本発明の少なくとも幾つかの実施形態を実施するために使用することができる再記録可能なデータ記憶媒体101の一例を一層詳細に示した断面図である。他のタイプのデータ記憶媒体もまた本発明の同一の実施形態又はその他の実施形態を用いた実施に従うことが可能である。データ記憶媒体101は基板102及び相変化可能層104を含む。当業者には理解されるように、基板102及び相変化可能層104に加えて、その他の層及び材料を媒体101に含めることが可能である。
【０００９】
　媒体101は、２つの論理メモリセル106,108に分けられる。論理値は、該メモリセル106,108のそれぞれの相変化可能層104に格納することができる。相変化可能層104に格納された論理値は該層104の相に対応するものとなる。例えば、層104がセレン化インジウムである場合には、２つの相、すなわち、１つの格納可能な論理値に対応する結晶相と、もう１つの格納可能な論理値に対応する非結晶相とが存在することが可能である。図１Ｂに示すように、メモリセル108の相変化可能層104は非結晶相にあり、これに対しメモリセル106の層104の相は（陰影部分112で示すように）結晶相にある。
【００１０】
　メモリセル106,108に格納された論理値を読み出すために低エネルギーの放出ビーム110（例えば、電子ビーム）を媒体101に当てる。より詳細には、セル106に格納された論理値を読み出すためにメモリセル106にビーム110を当て、またセル108に格納された論理値を読み出すためにメモリセル108にビーム110を当てる。媒体101にビーム110を当てると、該媒体101中に電流が誘導される。該電流は、ビーム110が特定的に当てられたメモリセルの相に応じて変動するものである。次いで該電流を検出してメモリセルに格納された論理値と相関付けする。すなわち、この電流が１つの値に等しい場合には、ビーム110が当てられたメモリセルの相は結晶相であり、これは１つの論理値に対応する。この電流がもう１つの値に等しい場合には、メモリセルの相は非結晶相であり、これはもう１つの論理値に対応する。
【００１１】
　メモリセル106,108に格納された論理値を変更するために、媒体101の選択されたメモリセルに放出ビーム110を特定の持続期間にわたり高エネルギーで当てる。これは、該選択されたメモリセルの相を結晶相から非結晶相に（又はその逆に）変化させる。より詳細には、この選択されたメモリセルの相は、電子放出源の出力と持続期間との組み合わせによって変更される。非結晶相から結晶相へ変化させるために、その材料を加熱し、電子放出源をゆっくりと出力低下させ(ramp down)、ゆっくりと冷却されて結晶構造を形成する機会を該材料に与える。結晶相から非結晶相へと変更させるためには、その材料を加熱し、及び急速に冷却して、結晶構造を形成する時間を該材料に与えない。このようにしてメモリセルに格納された論理値が変更される。２つのメモリセル106,108だけしか図示しないが、これは図示の明瞭化のためであることに留意されたい。実際には、何百、何千、又はそれ以上のメモリセルが、かかる再記録可能なデータ記憶媒体101を占める傾向がある。
【００１２】
　図２は、本発明の一実施形態による検出器200を示す平面図であり、該検出器200は、再記録可能なデータ記憶装置100と共に使用して放出ビーム110のサイズの決定に資することができるものである。放出ビーム110のサイズは、ビーム110のスポットサイズである。すなわち、該ビームサイズは、放出ビーム110が媒体101上に投じるスポットがどのくらいの大きさであるかということである。放出ビーム110は電子放出源156から放出され、該放出ビーム110のサイズは、該電子放出源156から発する電子の広がり角、集束レンズ158に供給される電圧、及び電子放出源156から相変化可能層104までのギャップ160の距離に基づくものとなる。検出器200は、ビームサイズの決定に資するために使用され、このため、集束レンズ158に供給される電圧を調節又は較正して所望のビームサイズを確保することができる。
【００１３】
　検出器200は、第１の導体202と第２の導体204を含む。これらの導体は、望ましくは、垂直方向、水平方向、又はその両方向において、互いに絶縁される。第１の導体202は、電子放出源156の放出ビーム110により放出された電子を収集する電子収集手段であり、好ましくは矩形形状を有するものである。電子放出源156とその放出ビーム110は、図２に方向212で示すように、第１の導体202の上方から第２の導体204の上方へと移動する。放出ビーム110が、第２の導体204上への移動を開始すると、衝突した電子が第２の導体204中に電流を生成する。該電流を測定して放出ビーム110のサイズ決定に使用する。
【００１４】
　第２の導体204は、好ましくは、図２に示すようにＬ字形であり、第１の脚部206と第２の脚部208を含む。該導体がＬ字形であることにより、２つの軸における電子放出源156とその放出ビーム110の位置に関して、放出ビーム110のスポットサイズを決定することができる。放出ビーム110は、電子ビームが該２つの軸に関して対称であるか又は何らかの形の非点収差を被るものとなるかを判定するために、該２つの軸又は方向で測定される。第１の方向は、図２に矢印212で表すように、第１の導体202上から第２の導体204の第２の脚部208上へと向かう方向である。第２の方向は、第１の方向と直交し、及び電子放出源156及びその放出ビーム110が第１の導体202上から第２の導体204の第１の脚部206上へと移動する方向である。
【００１５】
　更に、ウェハ又はダイ上の異なる位置で放出ビーム110のスポットサイズを決定するために、再記録可能なデータ記憶媒体101が上部に作製されることになる半導体ウェハアセンブリ又は個々の半導体ダイ上に２つ以上の検出器200を設けることが可能である。かかる検出器アレイは、電子放出源156と相変化可能媒体との間隔を含めた多数の製造上の変量(manufacturing variables)を検出し補償することを可能にする。例えば、図３は、本発明の一実施形態による３つの検出器200の実例を含む例示的な半導体ウェハ300を示している。かかる実例は検出器200A,200B,200Cとして示されている。該検出器200A,200B,200Cは、ウェハ300上で互いに可能な限り離して配置される。このため、ビームサイズは、半導体ウェハ300上の３つの異なる位置で決定することができ、また、半導体ウェハ300上の他の位置に関して補間することが可能である。半導体ウェハ300上の他の位置302は、再記録可能なデータ記憶媒体101のメモリセルで占められる。
【００１６】
　図４は、本発明の一実施形態による、検出器200を使用した放出ビーム110のスポットサイズの決定方法400を示している。電子放出源156及びその放出ビーム110は、検出器200を横切り、詳細には第１の導体202上から第２の導体204上へと移動される（402）。該電子放出源156が検出器200を横切る際に、その放出ビーム110により第２の導体204中に誘導された電流を測定する（404）。該測定した電流に基づいて放出ビーム110のサイズを決定し（406）、該決定したビームサイズに基づいて集束レンズ158の電圧を調節し又は較正して、放出ビーム110の所望のサイズを達成することができる（408）。
【００１７】
　本発明の様々な実施形態による、方法400のステップ406で測定された電流に基づいてビーム110のサイズをどのように決定するかについての詳細を次のセクションで解説する。本発明の様々な実施形態による、図２の検出器200及び図４の方法400と矛盾しない更に具体的な検出器及び方法についても後続のセクションで解説する。
（測定された電流に基づくビームサイズの決定）
　ビームサイズは、全般的にビーム出力特性に従って測定電流に基づいて決定される。該ビーム出力特性とは放出ビーム110の出力の特性である。放出ビーム110の強度は、放出ビーム110が投じられたスポットの中心で最も強くなり、その中心から外に向かって弱まる。このビーム出力の特性は、放出ビーム110の出力の強度が、該放出ビーム110の中心から遠ざかる方向にどのように弱まっていくかを指示するものとなる。
【００１８】
　図５は、本発明の一実施形態による電子束（electron flux）特性506の一例を示すグラフ500である。ｘ軸502は、特性506の水平位置を画定する。ｙ軸504は、ｘ軸502により示される位置に対するビーム110の電子束の正規化強度を画定する。この例では、図５に示す特性506はガウス分布（Gaussian）であり、鐘形の曲線となる。放出ビーム110の電子束は、特性506の中心位置から離れると急速に減少し、その結果として放出ビームのエッジの検出が困難になる。更に、特性506及び特性508の何れもｙ軸504に関して正規化されている。
【００１９】
　放出ビーム110が図２の導体202から矢印212で示す方向に移動する際に、電流が導体206によって収集される。この電流信号を図５に曲線508で示す。この場合、水平（すなわちｘ）軸502が位置を示し、垂直（すなわちｙ）軸504が電流を示している。電子束特性506は、曲線508で示される電流を積分することにより求められる。このビーム特性は、水平軸502に沿った単位長さ当たりの電子束を示す曲線506によって示される。
【００２０】
　数学的には、特性506で表わされる電子ビーム束の空間的な特性（spatial profile）は、次の形をとるものとなる。
【００２１】
【数１】
2004134076.tif 000003
【００２２】
ここで、ｘ,ｚは、放出ビーム110が投じたスポット内におけるスポット中心から離れた位置を該スポット中心に点（0,0）を有する直交座標軸において示すもの、σx,σzは、ｘ,ｚ軸におけるビーム幅をそれぞれ表すものである。検出器で収集された合計電流を決定するために、まず最初に次式に示す特性をｚ軸に沿ってマイナス無限大からプラス無限大まで積分する。
【００２３】
【数２】
2004134076.tif 000004
【００２４】
該ｘ軸は、図５のｘ軸502に対応し、その方向は図２の矢印212で示すものである。積分を行うｚ軸は、図２の矢印212と直交する方向に対応し、図２の平面内にある。数２は、ｘ軸502の上方に特性506として表したガウスビーム特性を具体的に表したものである。
【００２５】
　次いで、ｘ＝ａから無限大まで積分することにより検出器に当たる合計電流が求められる。ここで、ａは、放出ビーム110が導体208に当たる位置である。かかる積分結果が図５に示す特性508である。該積分は、数値的に、又は適当な誤差関数を用いて求めることが可能であることが、当業者には理解されよう。放出ビーム110が図２の導体208を横切る際に測定された曲線508で表わされるものが上記の積分である。測定された電流は曲線508に対応する。電子束の特性がガウス特性でない場合には、該特性を数値的に決定することができる（当業界で知られているアーベル反転（Abel Inversion）又はその他の数値的な技法を用いて対称であると見なされる場合）。相対的なビームサイズのみが所望される場合には、任意の規約（arbitrary convention）を使用して、積分すなわち測定された特性に関してビームサイズを画定することができる。
【００２６】
　一実施形態では、ビームサイズは、放出ビーム110により投じられるスポットの直径であり、曲線508上の90％の強度の位置と10％の強度の位置とにおける差として決定される。すなわち、点線510は、ｘ軸502上で曲線508が最大強度の90％となる場所を示し、また点線512は、ｘ軸502上で曲線508が最大強度の10％となる場所を示している。したがって、点線510で表される値から点線512で表される値を減算すると、放出ビーム110のビームサイズが得られる。概して言えば、放出ビーム110のサイズは、電流が第１の値で測定された、図２の検出器200に対する電子放出源156（ひいてはビーム110）の位置から、電流が第２の値で測定された、検出器200に対する電子放出源156の位置を減算したものとして、決定される。したがって、第１の値及び第２の値は、それぞれ最大強度の90％及び10％とすることが可能である。
【００２７】
　放出ビーム110のビームサイズはまた、本発明の他の実施形態では、曲線508及び／又は特性506に関して他の方法で決定することが可能である。例えば、半値全幅（FWHM）手法は、ビーム強度がピーク強度の50％となる位置間の距離でビーム幅を決定する。更に、図５は積分プロセスの実行に関して説明したが、当業者には理解されるように微分プロセスに関して実施することも可能である。
（検出器の実施）
　図６は、本発明の特定の実施形態による図２の検出器200の断面図を示している。該検出器200は、基板102上に誘電体層602を含む。該誘電体層602上に、電子収集層である第１の導体202が配設される。もう１つの電子収集層604が、第２の導体204と第１の導体202とを分離させる。既に示したように、第２の導体204は、該導体に流れる電流に基づいて放出ビーム110のサイズを間接的に決定するためのものである。放出ビーム110を放出する電子放出源156が示されている。
【００２８】
　一般に、第２の導体204は、第１の導体202及び第２の導体204が少なくとも部分的に露出するように、第１の導体202に対して配置される。より詳細には、図６の実施形態では、第２の導体204は、第１の導体202が部分的に露出するように該第１の導体202の上方に配置される。第２の誘電体層604は第２の導体204と同様の大きさを有しており、該第２の導体204は第１の導体202よりも小さいものとなる。
【００２９】
　図７及び図８は、本発明の他の特定の実施形態による検出器200の平面図及び断面図をそれぞれ示している。図７及び図８の実施形態の検出器200は図２の検出器200と一貫したものである。この場合も放出ビーム110を放出する電子放出源156が示されている。よって、導体202及び導体702の両者が第１の導体層を表す場合であっても、該第１の導体202は導体702から分離される。導体702が導体204と同様にＬ字形である一方、第１の導体202は矩形形状を有する。しかし、一実施形態では、導体702は配設されず、随意選択となる。導体202,702及び導体204は、一実施形態では、それらの間に放電用抵抗（bleed resistor）又はスパークギャップ802を画定するものとなる。誘電体層602は、基板102を第２の導体204から分離させるだけでなく、基板102を導体202と導体702の両者からも分離させる。図６ないし図８の検出器以外の検出器200の実施形態もまた実施可能である。
（使用方法及び製造方法）
　図９Ａ、図９Ｂ、及び図１０は、図４の実施形態の方法400と一貫した、本発明の実施形態による方法900、950、1000をそれぞれ示している。図４の方法400は、電子放出源156ひいてはその放出ビーム110が図２の検出器200の第２の導体204の脚部208を横切って移動することに基づいてビームサイスが如何に決定されるかを示したものである。図９Ａ及び図９Ｂの方法900,950は、電子放出源156ひいてはその放出ビームが図２の検出器200の第２の導体204の脚部208,206の各々を横切って移動させることに基づき如何にしてビームサイスを決定するかに関する異なる方法を一層詳細に示したものである。図１０の方法1000は、電子放出源及びその放出ビームを、図３の検出器200A,200B,200C等の複数の検出器の導体の脚部を横切って移動させることに基づき、如何にしてビームサイスを決定するかを示している。
【００３０】
　図９Ａでは、検出器の第１の導体脚部を横切るよう電子放出源を移動させ（902）、その際に該第１の脚部を流れる電流を測定する（904）。次いで検出器の第２の導体脚部を横切るよう電子放出源を移動させ（906）、その際に該第２の脚部を流れる電流を測定する（908）。これら測定された電流に基づき、検出器の上方の電子放出源の位置に対する該電子放出源の放出ビームのビームサイズを決定することができる（910）。次いで、該ビームサイズに基づいて集束レンズの電圧を調節し又は較正して（912）、電子放出源の位置に応じた所望のビームサイズを達成することができる。
【００３１】
　図９Ｂの方法950は、説明の明瞭化のため、図２に関して具体的に述べる。図９Ｂでは、検出器200の第１の導体脚部208を横切って電子放出源を移動させる（952）。該電子放出源が該検出器200を横切る際に導体204中に生じた電流を測定する（954）。該測定された電流に基づき、電子放出源の移動軸に沿った放出ビームのサイズを決定する（956）。次いで電子放出源を電子収集手段202の上方の当初の位置に戻す（958）。次いで、電子放出源及びその放出ビームを検出器200の第２の導体脚部206を横切って移動させる（960）。電子放出源が検出器200を横切る際にその放出ビームにより導体204中に誘導された電流を測定する（962）。電子放出源の移動軸に沿った放出ビームのサイズもまた、該測定された電流に基づいて決定する（964）。
【００３２】
　上記２つのビーム測定値を比較して、電子放出源の２つの移動軸に沿ったビームの対称性を判定する（966）。ビームが対称であると判定された場合には、平均ビームサイズに基づいてレンズ電圧を調節する（968）。ビームが非対称であると判定された場合には、一層大きなビームサイズに基づいてレンズ電圧を調節する（970）。これに続いて、ビーム測定及びレンズ調節を行って、ビームが収束するか発散するかを判定して、所望のビームサイズを達成することも可能である。放出ビームのサイズを各移動軸に沿って異ならせることも可能である。
【００３３】
　図１０では、検出器に対応する電子放出源を該検出器の導体脚部を横切るよう移動させ（1002）、該脚部を流れる電流を測定する（1004）。したがって、各電子放出源のビームサイズを各電子放出源の位置に対して決定することができる（1006）。次いで、検出器が配置されているウェハ全体の上方のユニバーサル（universal）集束レンズ電圧を決定して該レンズ電圧を較正し（1008）、これにより、電子放出源がウェハの一部上に放出ビームを放出する必要がある場合にはいつでも、適正な電圧を使用して所望のビームスポットサイズを得ることが可能となる。
【００３４】
　図１１は、本発明の一実施形態による図２及び図６の検出器200を構成する方法1100を示している。最初に、再記録可能なデータ記憶媒体の基板上に誘電体層を堆積させる（1102）。図６では、これは基板102上の誘電体層602である。該誘電体層上に第１の導電層を堆積させる（1104）。該第１の導電層は、矩形形状となるよう随意選択的にパターン化される（1106）。図６では、該第１の導電層は、誘電体層602上の第１の導体202である。該第１の導電層上に第２の誘電体層を堆積させ（1108）、該第２の誘電体層上に第２の導電層を堆積させる（1110）。該第２の誘電体層及び第２の導電層は、最終的にＬ字形になるようパターン化される（1112）。図６では、該第２の誘電体層及び第２の導電層は、誘電体層604及び第２の導体204である。
（大容量記憶装置）
　図１２は、再記録可能なデータ記憶媒体101に対してデータの読出し及び書込みを行うために使用することができる、本発明の一実施形態による基本的な大容量記憶装置1200を示している。媒体101は、図１Ａ及び図１Ｂの実施形態の媒体101とすることが可能なものであり、該媒体101上には、図２の実施形態の検出器の１つ又は２つ以上が含まれる。該媒体101はブロック1202上に配置される。更に一般的に言えば、ブロック1202は、記憶媒体101を受容する機構の一例である。該媒体101の複数のメモリセルに対応する複数の電子放出源のアレイ1204が、該媒体101上に配置される。この場合、好ましくは、各電子放出源が媒体101の１セルに対応する。この電子放出源アレイ1204は、複数の電子放出源のフィールドアレイ又はその他のタイプのアレイとすることが可能であり、放出ビーム110を生成するものとなる。
【００３５】
　コントローラ1208は、媒体101のメモリセルに対して論理値の読出し及び書込みを行うために、電子放出源アレイ1204の個々のビームを様々な所望の強度で選択的にオン・オフさせることができる。該コントローラ1208はまた、媒体101のメモリセルに格納された論理値を読み出すために、該媒体101を流れる電流等の信号を検出することが可能である。コントローラ1208は、更に一般的に言えば、かかる機能を実行する機構の一例である。したがって、コントローラ1208は、媒体101の選択されたメモリセルに対応する電子放出源アレイ1204中の電子放出源を制御して該メモリセルを低エネルギーで照明することにより、該メモリセルに格納された論理値を読み出し、また、媒体101の選択されたメモリセルに対応する電子放出源を制御して該セルを高エネルギーで照明することにより、該メモリセルに所望の論理値を書き込む。
（結論）
　特定の実施形態を本書で図示し説明してきたが、図示した特定の実施形態に代えて同一目的を達成するよう企図されたあらゆる構成を使用可能であることが当業者には理解されよう。本出願は本発明のあらゆる変更又は変形を包含することを意図したものである。よって、本発明が特許請求の範囲及びその等価物によってのみ限定されるものであることが明らかに意図されている。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１Ａ】本発明の少なくとも幾つかの実施形態を実施するために使用することができる再記録可能なデータ記憶装置の一例を示す断面図である。
【図１Ｂ】本発明の少なくとも幾つかの実施形態を実施するために使用することができる再記録可能なデータ記憶媒体の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態による、ビームサイズの決定を支援するために使用される検出器を示す平面図である。
【図３】本発明の一実施形態による、幾つかの検出器を含む半導体ウェハを示す説明図である。
【図４】本発明の一実施形態による、検出器を用いてビームサイズを決定する方法を示すフローチャートである。
【図５】本発明の一実施形態による、例示的な放出ビームのガウスビーム出力特性とその積分を示すグラフである。
【図６】本発明の一実施形態による、図２の検出器の断面図である。
【図７】本発明の一実施形態による、図２の実施形態に対応する検出器の平面図である。
【図８】本発明の一実施形態による、図２の実施形態と合致する検出器の断面図である。
【図９Ａ】本発明の様々な実施形態による使用法を示すフローチャートである。
【図９Ｂ】本発明の様々な実施形態による使用法を示すフローチャートである。
【図１０】本発明の様々な実施形態による使用法を示すフローチャートである。
【図１１】本発明の一実施形態による製造法を示すフローチャートである。
【図１２】本発明の一実施形態による大容量記憶装置を示す説明図である。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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