(57)【要約】【課題】ファイバ結合を用いることなく、製品に使用される反射型半導体光増幅器の特性選別を行う。【解決手段】反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎの両端面からの光出力強度をそれぞれ測定し、これらの光出力強度の比に基づいて反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎの利得を推定し、推定された利得が規定範囲内にあるかどうかを判別することにより、反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎの選別を行う。【選択図】      図１
2004349552.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射型半導体光増幅器の低反射端側自然放出光および高反射端側自然放出光を測定するステップと、
前記低反射端側自然放出光と前記高反射端側自然放出光との出力比に基づいて、前記反射型半導体光増幅器の特性評価を行うステップとを備えることを特徴とする反射型半導体光増幅器の特性評価方法。
【請求項２】
反射型半導体光増幅器の低反射端側自然放出光および高反射端側自然放出光を測定するステップと、
前記低反射端側自然放出光と前記高反射端側自然放出光との出力比に基づいて、前記反射型半導体光増幅器の単一透過利得を算出するステップと、
前記反射型半導体光増幅器の高反射端側反射率および単一透過利得に基づいて、前記反射型半導体光増幅器の反射利得を算出するステップと、
前記反射型半導体光増幅器の反射利得に基づいて、前記反射型半導体光増幅器の特性評価を行うステップとを備えることを特徴とする反射型半導体光増幅器の特性評価方法。
【請求項３】
前記単一透過利得または前記反射利得を基準値と比較するステップと、
前記比較結果に基づいて、前記反射型半導体光増幅器の選別を行うステップとを備えることを特徴とする請求項２記載の反射型半導体光増幅器の特性評価方法。
【請求項４】
前記反射型半導体光増幅器と受光器との間で波長フィルタを挿抜しながら、前記反射型半導体光増幅器の低反射端側自然放出光および高反射端側自然放出光を測定するステップをさらに備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の反射型半導体光増幅器の特性評価方法。
【請求項５】
前記反射型半導体光増幅器と受光器との間に挿入される波長フィルタの通過波長域を変化させながら、前記反射型半導体光増幅器の低反射端側自然放出光および高反射端側自然放出光を測定するステップをさらに備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の反射型半導体光増幅器の特性評価方法。
【請求項６】
直交した２つの偏波状態の光を別個に通過させる偏光板を前記反射型半導体光増幅器と受光器との間で挿抜しながら、前記反射型半導体光増幅器の低反射端側自然放出光および高反射端側自然放出光を測定するステップをさらに備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の反射型半導体光増幅器の特性評価方法。
【請求項７】
３個以上の異なる通過波長域を有する光フィルタを介して前記反射型半導体光増幅器の低反射端側自然放出光および高反射端側自然放出光を測定するステップと、
前記測定結果に基づいて利得スペクトルを推定するステップとをさらに備えることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載の反射型半導体光増幅器の特性評価方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は反射型半導体光増幅器の特性評価方法に関し、特に、光通信、光交換、光情報処理等の光伝送システムなどに用いられる反射型半導体光増幅器の特性評価方法に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
光通信、光交換、光情報処理などの光を利用した光伝送処理システムでは、各種の光デバイスが使用されている。このため、このような光伝送処理システムでは、光損失が大きな問題となり、減衰した光信号を光増幅器によって補償することが必要不可欠になる。
光増幅器の中でも、例えば、非特許文献１に開示されているように、半導体光増幅器（ＳＯＡ：Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）は小型で高効率であり、石英系光導波路で構成された光回路（ＰＬＣ：Ｐｌａｎａｒ  Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）とのハイブリッド集積化が可能であるために非常に有望である。
【０００３】
図８は、透過型半導体光増幅器の概略構成を示す平面図である。
図８において、透過型半導体光増幅器６１には、透過型半導体光増幅器６１に電流を注入する電極６２が設けられるとともに、透過型半導体光増幅器６１の両端面には、反射防止膜６３、６４がそれぞれ形成されている。
そして、電極６２を介して透過型半導体光増幅器６１に電流を注入しながら、透過型半導体光増幅器６１の前面に入力光Ｌｉを入射させることにより、増幅された出力光Ｌｏを透過型半導体光増幅器６１の後面から出射させることができる。
ここで、半導体光増幅器を光伝送処理システムに用いるためには、ハイブリッド実装あるいはモジュール実装工程前に、半導体光増幅器のチップ評価を行い、かつ選別する必要がある。
【０００４】
図９は、従来の透過型半導体光増幅器の特性評価方法を示す図である。
図９において、透過型半導体光増幅器７１には、透過型半導体光増幅器７１に電流を注入する電極７２が設けられ、透過型半導体光増幅器７１の両端には、光ファイバ７３ａ、７３ｂがそれぞれ配置されている。そして、透過型半導体光増幅器７１の特性評価を行う場合、透過型半導体光増幅器７１をマウント治具７４上に配置する。そして、電極７２を介して透過型半導体光増幅器６１に電流を注入することにより、透過型半導体光増幅器６１から出射された増幅された自然放出光（ＡＳＥ）ＳＥ１１、ＳＥ１２を光ファイバ７３ａ、７３ｂにそれぞれ入射させ、光ファイバ７３ａ、７３ｂから出射されるＡＳＥ強度が最大になるように、光ファイバ７３ａ、７３ｂの調芯を行う。
【０００５】
そして、ＡＳＥ強度が最大になるように、光ファイバ７３ａ、７３ｂの調芯が行われると、電極７２を介して透過型半導体光増幅器７１に電流を注入しながら、光ファイバ７３ａを介して透過型半導体光増幅器７１の前面に入力光Ｌｉを入射させる。そして、光ファイバ７３ｂを介して透過型半導体光増幅器７１の後面から出射された出力光Ｌｏを測定し、入力光Ｌｉと出力光Ｌｏとの強度比を算出することにより、透過型半導体光増幅器７１の利得を測定する。
【０００６】
ここで、ファイバ結合を用いて透過型半導体光増幅器７１の利得を測定するには、自動制御された微動台を用いて調芯するだけでは十分でなく、自然放出光強度をモニタしながら、サブミクロン精度の調芯を手動で行う必要がある。
このため、従来の透過型半導体光増幅器７１の特性評価方法では、半導体光増幅器７１の両端でのファイバ調芯用に高性能な微動台が必要になるとともに、精密な位置合わせが必要となり、特性評価装置が高価になるとともに、測定に時間がかかっていた。
そこで、先願の先願２００２−２６８７９６の明細書および図面によれば、ファイバ結合を用いることなく、透過型半導体光増幅器７１の特性評価を行う方法が提案されている。
【０００７】
図１０は、先願の透過型半導体光増幅器の特性評価装置の概略構成を示す平面図である。
図１０において、バー状透過型半導体光増幅器８１には、一体的に形成された複数の透過型半導体光増幅器８１ａ〜８１ｎが等間隔で配列されている。そして、バー状透過型半導体光増幅器８１の光入射端側および光出射端側には、受光器８２ａ、８２ｂがそれぞれ設けられ、バー状透過型半導体光増幅器８１上には、バー状透過型半導体光増幅器８１の１つの透過型半導体光増幅器８１ｍに電流を印加するための針状ブローブ８３が設けられている。
【０００８】
また、バー状透過型半導体光増幅器８１の光入射端と受光器８２ａとの間には、波長フィルタ８４ａおよび偏光板８５ａが挿抜可能な状態で設けられるとともに、バー状透過型半導体光増幅器８１の光出射端と受光器８２ｂとの間には、波長フィルタ８４ｂおよび偏光板８５ｂが挿抜可能な状態で設けられている。
そして、透過型半導体光増幅器８１ａ〜８１ｎの特性選別を行う場合、バー状透過型半導体光増幅器８１の１つの素子を受光器８２ａ、８２ｂの間に移動させる。ここで、受光器８２ａ、８２ｂの受光面積は、例えば、５ｍｍ程度とすることができる。このため、バー状透過型半導体光増幅器８１の１つの素子を受光器８２ａ、８２ｂの間に移動させる場合、数十〜数百ミクロン程度の粗い位置合わせでよく、バー状透過型半導体光増幅器８１の位置合わせを容易化することが可能となる。
【０００９】
そして、例えば、受光器８２ａ、８２ｂの間に移動させられた透過型半導体光増幅器８１ｍにブローブ８３を接触させ、その透過型半導体光増幅器８１ｍにブローブ８３を介して電流を印加する。
そして、波長フィルタ８４ａ、８４ｂを挿入した状態で、電流が印加された時の透過型半導体光増幅器８１ｍからの光出力を受光器８２ａ、８２ｂで検出し、透過型半導体光増幅器８１ｍからの光出力強度を測定する。
【００１０】
次に、波長フィルタ８４ａ、８４ｂを挿入したまま、偏光板８５ａ、８５ｂとしてＴＥモード透過板をさらに挿入し、電流が印加された時の透過型半導体光増幅器８１ｍからの光出力を受光器８２ａ、８２ｂで検出し、透過型半導体光増幅器８１ｍからの光出力強度を測定する。
次に、波長フィルタ８４ａ、８４ｂを挿入したまま、ＴＥモード透過板の代わりにＴＭモード透過板を挿入し、電流が印加された時の透過型半導体光増幅器８１ｍからの光出力を受光器８２ａ、８２ｂで検出し、透過型半導体光増幅器８１ｍからの光出力強度を測定する。
【００１１】
そして、波長フィルタ８４ａ、８４ｂのみを挿入した時の受光強度を規定値Ｋ１１と比較するとともに、波長フィルタ８４ａ、８４ｂおよびＴＥモード透過板を挿入した時の受光強度を規定値Ｋ１２と比較し、さらに、波長フィルタ８４ａ、８４ｂおよびＴＭモード透過板を挿入した時の受光強度を規定値Ｋ１３と比較することにより、透過型半導体光増幅器８１ｍの増幅利得だけでなく、偏波依存性も適正であるかを判断することが可能となり、波長フィルタ８４ａ、８４ｂおよび偏光板８５ａ、８５ｂの挿抜工程を追加するだけで、透過型半導体光増幅器８１ｍの特性選別の精度を向上させることができる。
【００１２】
次に、バー状透過型半導体光増幅器８１の１素子分の特性選別が終了すると、ブローブ８３を持ち上げた状態で、バー状透過型半導体光増幅器８１を１素子分だけ移動させ、同様の工程を繰り返すことにより、バー状透過型半導体光増幅器８１に連なった全ての透過型半導体光増幅器８１ａ〜８１ｎの選別を行う。
ここで、透過型半導体光増幅器８１ａ〜８１ｎの間隔は、半導体製造プロセスにおけるフォトリソグラフィーのマスク合わせ精度で規定することができ、サブミクロンオーダの精度を持たせることができる。このため、透過型半導体光増幅器８１ａ〜８１ｎのうちの最初に測定される素子の位置合わせを行うことで、それ以降に測定される透過型半導体光増幅器８１ａ〜８１ｎの位置合わせを省略することができ、特性評価工程の効率化を図ることができる。
【００１３】
図１１は、先願の透過型半導体光増幅器の特性評価方法を示すフローチャートである。
図１１において、透過型半導体光増幅器８１ｍを受光器８２ａ、８２ｂ間にセットし、波長フィルタ８４ａ、８４ｂおよび偏光板８５ａ、８５ｂのない状態で、透過型半導体光増幅器８１ｍのＩ（電流）−Ｌ（ＡＳＥ強度）測定を行う（ステップＳ２１）。そして、一定の電流を印加した時の透過型半導体光増幅器８１ｍの光出力強度を規定値と比較することにより、素子選別Ａを行う（ステップＳ２２）。
【００１４】
次に、透過型半導体光増幅器８１ｍの端面と受光器８２ａ、８２ｂとの間に波長フィルタ８４ａ、８４ｂを挿入し、透過型半導体光増幅器８１ｍの波長別Ｉ−Ｌ測定を行う（ステップＳ２３）。
次に、透過型半導体光増幅器８１ｍの端面と受光器８２ａ、８２ｂとの間に偏光板８５ａ、８５ｂを挿入し、透過型半導体光増幅器８１ｍの偏波別Ｉ−Ｌ測定を行う（ステップＳ２４）。ここで、偏波別Ｉ−Ｌ測定は、偏光板８５ａ、８５ｂとして、ＴＥモード透過板およびＴＭモード透過板をそれぞれ使用した場合について２回だけ行う。
【００１５】
ここで、波長別Ｉ−Ｌ測定および偏波別Ｉ−Ｌ測定は、波長フィルタ８４ａ、８４ｂの入れ換えを行ないながら、通過波長域の異なる波長フィルタ８４ａ、８４ｂの使用枚数分だけ行うことができる（ステップＳ２５）。そして、必要に応じて、通過波長域の異なる３枚以上の波長フィルタ８４ａ、８４ｂを用いて放物線近似を行うことで、各偏波状態での利得スペクトルを推定することができる（ステップＳ２６）。
【００１６】
次に、各通過波長域の波長フィルタ８４ａ、８４ｂを挿入した時の透過型半導体光増幅器８１ｍの光出力強度をそれぞれの規定値と比較することにより、素子選別Ｂを行う（ステップＳ２７）。
次に、偏光板８５ａ、８５ｂを挿入した時の透過型半導体光増幅器８１ｍの光出力強度をそれぞれの規定値と比較することにより、素子選別Ｃを行う（ステップＳ２８）。
【００１７】
次に、バー状透過型半導体光増幅器８１の１素子分の特性選別が終了すると、ブローブ８３を持ち上げた状態で、バー状透過型半導体光増幅器８１を１素子分だけ移動させ（ステップＳ２９）、同様の工程を繰り返すことにより、バー状透過型半導体光増幅器８１に連なった全ての透過型半導体光増幅器８１ａ〜８１ｎの選別を行う（ステップＳ３０）。
一方、透過型半導体光増幅器が、光ファイバを両端面に配置するファイバ２芯構造として用いられるのに対し、光ファイバを片端面のみに配置し、ファイバ１芯構造として用いることが可能な反射型半導体光増幅器を採用することにより、実装コストを削減することが行われている。
【００１８】
【非特許文献１】
Ｉｔｏ  ｅｔ  ａｌ．，“Ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ  Ｉｎｄｅｐｅｎｄｅｎｔ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｏｐｔｉｃａｌ  ＡｍｐｌｉｆｉｅｒＧａｔｅ  ａｎｄ  Ｉｔｓ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｉｎ  ＷＤＳ  Ｓｙｓｔｅｍｓ，”ＩＥＩＣＥ  Ｔｒａｎｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．，ｖｏｌ．Ｅ８１−Ｃ，Ｎｏ．８，１９８８．
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、透過型半導体光増幅器では、両側端面の反射率を十分に抑制して、共振効果を十分に除去することができるのに対し、反射型半導体光増幅器では、光の入出力が行われる透過側端面での残留反射があるため、光の反射が行われる反射側端面との間での共振効果を十分に除去することが困難となる。
このため、ファイバ結合を用いることなく、反射型半導体光増幅器の利得を測定するには、透過型半導体光増幅器のように透過側の自然放出光強度を用いるだけでは十分ではなく、特性選別を行うための十分な精度が得られないという問題があった。
そこで、本発明の目的は、ファイバ結合を用いることなく、製品に使用される素子自体の特性選別を行うことが可能な反射型半導体光増幅器の特性評価方法を提供することである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、請求項１記載の反射型半導体光増幅器の特性評価方法によれば、反射型半導体光増幅器の低反射端側自然放出光および高反射端側自然放出光を測定するステップと、前記低反射端側自然放出光と前記高反射端側自然放出光との出力比に基づいて、前記反射型半導体光増幅器の特性評価を行うステップとを備えることを特徴とする。
【００２１】
これにより、反射型半導体光増幅器の両側からの光出力を受光することで、両端面での反射がない場合の反射型半導体光増幅器の単一透過利得を算出することが可能となり、反射型半導体光増幅器に外部光を入射させることなく、反射型半導体光増幅器の特性評価を行なうことが可能となる。このため、ファイバ結合を用いることなく、反射型半導体光増幅器の特性選別を行うことが可能となり、サブミクロン精度の調芯作業を不要として、評価装置の低価格化を図ることが可能となるとともに、測定時間を短縮することが可能となる。
【００２２】
また、請求項２記載の反射型半導体光増幅器の特性評価方法によれば、反射型半導体光増幅器の低反射端側自然放出光および高反射端側自然放出光を測定するステップと、前記低反射端側自然放出光と前記高反射端側自然放出光との出力比に基づいて、前記反射型半導体光増幅器の単一透過利得を算出するステップと、前記反射型半導体光増幅器の高反射端側反射率および単一透過利得に基づいて、前記反射型半導体光増幅器の反射利得を算出するステップと、前記反射型半導体光増幅器の反射利得に基づいて、前記反射型半導体光増幅器の特性評価を行うステップとを備えることを特徴とする。
【００２３】
これにより、反射型半導体光増幅器の高反射端側反射率、単一透過利得および透過側自然放出光の出力値を用いることで、反射型半導体光増幅器の低反射端側反射率を用いることなく、反射型半導体光増幅器の反射利得を算出することが可能となる。
このため、高反射端側端面との間での共振効果が存在する場合においても、ファイバ結合を用いることなく、反射型半導体光増幅器の特性選別を精度良く行うことが可能となり、サブミクロン精度の調芯作業を不要として、評価装置の低価格化を図ることが可能となるとともに、測定時間を短縮することが可能となる。
【００２４】
また、請求項３記載の反射型半導体光増幅器の特性評価方法によれば、前記単一透過利得または前記反射利得を基準値と比較するステップと、前記比較結果に基づいて、前記反射型半導体光増幅器の選別を行うステップとを備えることを特徴とする。
これにより、単一透過利得または反射利得の基準値を初期設定することで、反射型半導体光増幅器の特性選別を行うことが可能となり、反射型半導体光増幅器の特性選別を効率化することが可能となる。
【００２５】
また、請求項４記載の反射型半導体光増幅器の特性評価方法によれば、前記反射型半導体光増幅器と受光器との間で波長フィルタを挿抜しながら、前記反射型半導体光増幅器の低反射端側自然放出光および高反射端側自然放出光を測定するステップをさらに備えることを特徴とする。
これにより、特定の波長域における反射型半導体光増幅器の利得を推定することが可能となり、高反射端側端面との間での共振効果が存在する場合においても、ファイバ結合を用いることなく、反射型半導体光増幅器の特性評価を行うことが可能となる。このため、反射型半導体光増幅器に外部光を入射させることなく、反射型半導体光増幅器の特性選別を行なうことが可能となり、サブミクロン精度の調芯作業を不要として、評価装置の低価格化を図ることが可能となるとともに、測定時間を短縮することが可能となる。
【００２６】
また、請求項５記載の反射型半導体光増幅器の特性評価方法によれば、前記反射型半導体光増幅器と受光器との間に挿入される波長フィルタの通過波長域を変化させながら、前記反射型半導体光増幅器の低反射端側自然放出光および高反射端側自然放出光を測定するステップをさらに備えることを特徴とする。
これにより、波長フィルタの挿抜を繰り返すことで、複数の波長域における反射型半導体光増幅器の利得を推定することが可能となり、ファイバ結合を用いることなく、反射型半導体光増幅器の特性選別の精度を容易に向上させることが可能となる。
【００２７】
また、請求項６記載の反射型半導体光増幅器の特性評価方法によれば、直交した２つの偏波状態の光を別個に通過させる偏光板を前記反射型半導体光増幅器と受光器との間で挿抜しながら、前記反射型半導体光増幅器の低反射端側自然放出光および高反射端側自然放出光を測定するステップをさらに備えることを特徴とする。
【００２８】
これにより、偏光板を２回挿抜することで、利得の偏波依存性を判別することが可能となるとともに、反射型半導体光増幅器の波長依存性および偏波依存性を組み合わせながら、反射型半導体光増幅器の特性選別を行なうことが可能となり、反射型半導体光増幅器の評価項目が増加した場合においても、特性選別を簡易に行なうことが可能となる。
【００２９】
また、請求項７記載の反射型半導体光増幅器の特性評価方法によれば、３個以上の異なる通過波長域を有する光フィルタを介して前記反射型半導体光増幅器の低反射端側自然放出光および高反射端側自然放出光を測定するステップと、前記測定結果に基づいて利得スペクトルを推定するステップとをさらに備えることを特徴とする。
これにより、放物線近似を行うことが可能となり、各偏波状態での利得スペクトルを推定することが可能となる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る反射型半導体光増幅器の特性評価方法および特性評価装置について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る反射型半導体光増幅器の特性評価装置の概略構成を示す図である。
図１において、バー状反射型半導体光増幅器１１には、一体的に形成された複数の反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎが等間隔で配列されている。ここで、反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎには、その両端にスポットサイズ変換領域が設けられている。なお、バー状の半導体光増幅器１１は、複数の反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎが光入射端面と直交する方向に一列に連なった状態のまま、ウェハから切り出すことにより形成することができる。
【００３１】
そして、バー状反射型半導体光増幅器１１の光入出射端側および光反射端側には、受光器２ａ、２ｂがそれぞれ設けられ、受光器２ａ、２ｂの間には、バー状反射型半導体光増幅器１１をマウントする測定用治具１が設けられている。また、バー状反射型半導体光増幅器１１上には、バー状反射型半導体光増幅器１１の１つの反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎに電流を注入するための針状ブローブ３が設けられている。なお、針状ブローブ３は、バー状反射型半導体光増幅器１１の位置合わせを行う微動台に設けることができる。
また、バー状反射型半導体光増幅器１１の光入出射端と受光器２ａとの間には、波長フィルタ４ａおよび偏光板５ａが挿抜可能な状態で設けられるとともに、バー状反射型半導体光増幅器１１の光反射端と受光器２ｂとの間には、波長フィルタ４ｂおよび偏光板５ｂが挿抜可能な状態で設けられている。
【００３２】
また、受光器２ａ、２ｂおよび針状ブローブ３は、電源／電流計６に接続され、電源／電流計６はコンピュータ７に接続されている。ここで、コンピュータ７は、針状ブローブ３を介して反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎに注入される電流を制御し、電源／電流計６を介して得られる受光器２ａ、２ｂの出力値を読み込み、データ処理およびデータ管理などを行うことができる。また、コンピュータ７は、針状ブローブ３が設けられた微動台の移動を制御することにより、測定用治具１およびバー状反射型半導体光増幅器１１を移動させることなく、バー状反射型半導体光増幅器１１に連ねられた反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎを逐次測定することができる。また、コンピュータ７は、波長フィルタ４ａ、４ｂの入れ替え制御や偏光板５ａ、５ｂの切り替え制御なども行うことができる。
【００３３】
そして、反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎの特性選別を行う場合、バー状反射型半導体光増幅器１１に連ねられた１つの素子を受光器２ａ、２ｂの間に移動させる。ここで、受光器２ａ、２ｂの受光面積は、例えば、５ｍｍ程度とすることができる。このため、バー状反射型半導体光増幅器１１の１つの素子を受光器２ａ、２ｂの間に移動させる場合、数十〜数百ミクロン程度の粗い位置合わせでよく、バー状反射型半導体光増幅器１１の位置合わせを容易化することが可能となる。
そして、例えば、受光器２ａ、２ｂの間に移動させられた反射型半導体光増幅器１１ｍにブローブ３を接触させ、その反射型半導体光増幅器１１ｍにブローブ３を介して電流を印加する。
【００３４】
そして、波長フィルタ４ａ、４ｂおよび偏光板５ａ、５ｂがない状態で、電流が印加された時の反射型半導体光増幅器１１ｍの両端面からの光出力を受光器２ａ、２ｂでそれぞれ検出し、反射型半導体光増幅器１１ｍの両端面からの光出力強度をそれぞれ測定する。そして、反射型半導体光増幅器１１ｍの両端面からの光出力強度がそれぞれ測定されると、前端面からの光出力と後端面からの光出力との出力比を算出し、両端面が無反射である場合の反射型半導体光増幅器１１ｍの単一透過利得を求める。そして、この単一透過利得を初期設定された基準利得値と比較し、この単一透過利得が基準利得値から許容範囲内にあるかどうかを判別することにより、反射型半導体光増幅器１１ｍの選別を行う。
【００３５】
次に、波長フィルタ４ａ、４ｂおよび偏光板５ａ、５ｂの挿抜を行いながら、電流が印加された時の反射型半導体光増幅器１１ｍからの光出力を受光器２ａ、２ｂで検出し、反射型半導体光増幅器１１ｍの光出力強度を測定する。
そして、これらの測定結果および反射型半導体光増幅器１１ｍの後面反射率を用いることにより、反射型半導体光増幅器１１ｍの反射利得を波長別および偏波状態別に求める。
【００３６】
そして、これらの反射利得を初期設定された規定値とそれぞれ比較し、これらの反射利得が規定値から許容範囲内にあるかどうかを判別することにより、反射型半導体光増幅器１１ｍの選別を行う。
ここで、反射型半導体光増幅器１１ｍの両端面からの光出力強度をそれぞれ測定することで、両端面間での共振効果が存在する場合においても、反射型半導体光増幅器１１ｍの反射利得を算出することが可能となる。
【００３７】
このため、ファイバ結合を用いることなく、反射型半導体光増幅器１１ｍの特性選別を精度良く行うことが可能となり、サブミクロン精度の調芯作業を不要として、評価装置の低価格化を図ることが可能となるとともに、測定時間を短縮することが可能となる。
また、反射型半導体光増幅器１１ｍの後端面に形成される反射防止膜の形成条件がずれていた場合、共振効果が強まり、反射型半導体光増幅器１１ｍの前端面からの光出力と後端面からの光出力との出力比が規定値から変動し、その絶対値も規定値からずれる。このため、反射型半導体光増幅器１１ｍの前端面からの光出力と後端面からの光出力との出力比を規定値と比較することにより、リップルの大きな素子を選別することができる。
【００３８】
次に、バー状反射型半導体光増幅器１１の１素子分の特性選別が終了すると、ブローブ３を持ち上げた状態で、バー状反射型半導体光増幅器１１を１素子分だけ移動させ、同様の工程を繰り返すことにより、バー状反射型半導体光増幅器１１に連なった全ての反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎの選別を行う。
ここで、反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎの間隔は、半導体製造プロセスにおけるフォトリソグラフィーのマスク合わせ精度で規定することができ、サブミクロンオーダの精度を持たせることができる。このため、反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎのうちの最初に測定される素子の位置合わせを行うことで、それ以降に測定される反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎの位置合わせを省略することができ、特性評価工程の効率化を図ることができる。
【００３９】
さらに、反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎの両端面からの光出力強度をそれぞれ測定することにより、各反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎへの外部光の注入を不要として、各反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎの端面での高精度ファイバ結合を不要とすることができ、ファイバ結合損失等をなくして、十分な測定感度を得ることが可能となる。このため、各反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎへの電流印加をパルス駆動とすることができ、放熱性のよいマウントへの実装を不要として、抜き取り検査でなく、全数検査を可能として、製品に実装される素子の特性をそのまま評価することが可能となる。
【００４０】
また、反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎをバー状のまま評価することにより、特性選別時における反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎの取り扱いを容易にすることができ、反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎの全数検査を行なった場合においても、測定時間の増大を抑制することができる。
なお、反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎの全数検査を行なう場合、バー状反射型半導体光増幅器１１を１素子分ずつ移動させてもよいが、プローブ３および受光器２ａ、２ｂを１素子分ずつ移動させるようにしてもよい。
【００４１】
図２は、本発明の第１実施形態に係る反射型半導体光増幅器の特性評価方法を示す平面図である。
図２において、バー状反射型半導体光増幅器１１に連ねられた１つの反射型半導体光増幅器１１ｍには、反射型半導体光増幅器１１ｍに電流を注入する電極１２ｍが設けられている。そして、反射型半導体光増幅器１１ｍの前端面には、反射防止膜１３ｍが設けられ、反射型半導体光増幅器１１ｍの後端面には、高反射膜１４ｍが形成されている。なお、反射型半導体光増幅器１１ｍの前端面での反射率は、例えば、０．０１％以下、反射型半導体光増幅器１１ｍの後端面での反射率は、例えば、１０％以上に設定することができる。
【００４２】
そして、電極１２ｍを介して反射型半導体光増幅器１１ｍに電流を注入しながら、反射型半導体光増幅器１１ｍの前面に入力光Ｌｉを入射させることにより、増幅された出力光Ｌｏを反射型半導体光増幅器１１ｍの前面から出射させることができる。
そして、反射型半導体光増幅器１１ｍの特性評価を行う場合、電極１２ｍを介して反射型半導体光増幅器１１ｍに電流を注入することにより、反射型半導体光増幅器１１ｍの両端面から自然放出光（ＡＳＥ）ＳＥ１、ＳＥ２をそれぞれ出射させる。そして、反射型半導体光増幅器７１の両端面からそれぞれ出射された自然放出光ＳＥ１、ＳＥ２をそれぞれ測定し、これら自然放出光ＳＥ１、ＳＥ２の強度比を算出することにより、反射型半導体光増幅器１１ｍの利得を測定することができる。
【００４３】
図３は、本発明の第１実施形態に係る反射型半導体光増幅器のＩ−Ｌ（ＡＳＥ強度）特性を示す図である。
図３において、反射型半導体光増幅器１１ｍの前端面からの光出力強度Ｐｆおよび後端面からの光出力強度Ｐｒは電流Ｉの増加に伴って増大し、電流Ｉ＝Ｉ０の印加時における光出力強度Ｐｆ、Ｐｒはそれぞれ一意に定まる。このため、これら光出力強度Ｐｆ、Ｐｒに基づいて各反射型半導体光増幅器１１ｍの利得を推定することができ、推定された利得が規定範囲内に収まっているかどうかを判別することにより、反射型半導体光増幅器１１ｍの選別を行うことができる。
【００４４】
ここで、反射型半導体光増幅器１１ｍの前端面からの光出力強度Ｐｆおよび後端面からの光出力強度Ｐｒに基づいて、反射型半導体光増幅器１１ｍの利得を推定するための理論的背景について説明する。
反射型半導体光増幅器１１ｍの前面反射率をＲｆ、後面反射率をＲｒとすると、波長λを中心とした狭帯域の周波数領域Δνで測定される前端面からの光出力Ｐｆ（λ）ならびに後端面からの光出力Ｐｒ（λ）は、
【００４５】
【数１】
2004349552.tif 000003
【００４６】
【数２】
2004349552.tif 000004
【００４７】
として表すことができる（オーム社「光増幅器とその応用」第３章）。ただし、ＧＳは、端面反射がない場合の単一透過利得、ｎｓｐは、自然放出光係数、Ｅ＝ｈ・νは、光子のエネルギー（ｈ：プランク定数、ν：周波数）、Δνは考慮される増幅帯域、φは、波長λに関連したパラメータである。
これら（１）式および（２）式は、共振効果の波長依存性が、波長λに比例したパラメータφによって表されることを示す。そして、光出力Ｐｆ（λ）と光出力Ｐｒ（λ）との比は、（１）式および（２）式を用いることにより、
【００４８】
【数３】
2004349552.tif 000005
【００４９】
として表すことができる。ここで、反射型半導体光増幅器１１ｍの条件として、Ｒｆ≪１であることを考慮すると、（３）式は、
【００５０】
【数４】
2004349552.tif 000006
【００５１】
と近似することができる。この（４）式は、反射型半導体光増幅器１１ｍの後端面での反射率を求めることにより、波長λでの単一透過利得ＧＳを求めることができることを示している。ここで、反射型半導体光増幅器１１ｍの後端面の反射率は、劈開面や高反射膜を用いることで設定することができる。そして、劈開面や高反射膜の反射率の制御性は高く、作製トレランスも広いため、反射型半導体光増幅器１１ｍの後端面の反射率Ｒｆを設定値に精度よく合わせることが可能である。
従って、反射型半導体光増幅器１１ｍの前端面からの光出力Ｐｆ（λ）ならびに後端面からの光出力Ｐｒ（λ）を測定し、（４）式を用いることにより、波長λでの単一透過利得ＧＳを求めることができる。
次に、反射型半導体光増幅器１１ｍの反射利得ＧＲ（λ）は、単一透過利得ＧＳを用いて、
【００５２】
【数５】
2004349552.tif 000007
【００５３】
として表すことができる。ここで、反射利得ＧＲ（λ）は、波長λ（すなわち、φ）に依存して変動（λ＝λ（φ））するため、この変動値を利得の最大値と最小値との比で表したリップルで定義することができる。なお、実用上リップルは小さく抑制されている方がよく、制限がつくことになる。例えば、反射型半導体光増幅器１１ｍの素子長を６００μｍとすると、リップルの表れる周期は〜０．６ｎｍとなる。この波長間隔は、２πの位相φの変化量に相当する。
ここで、波長フィルタを用いることなく、広帯域に渡って出力光強度や利得を測定すると、反射利得ＧＲ（λ）は、
【００５４】
【数６】
2004349552.tif 000008
【００５５】
で示される平均的な値になる。
この（６）式の第１項は、入射光が反射型半導体光増幅器１１ｍの前面で反射された光強度を示す。また、（６）式の第２項は、入射光が、反射型半導体光増幅器１１ｍの前面から反射型半導体光増幅器１１ｍの内部で（１−Ｒｆ）の割合だけ透過され、反射型半導体光増幅器１１ｍの後面にてさらに反射率Ｒｆの割合で反射された後、反射型半導体光増幅器１１ｍの前面から反射型半導体光増幅器１１ｍｎの内部でさらに（１−Ｒｆ）の割合だけ透過されて出力されることを示す。
【００５６】
そして、この際に、反射型半導体光増幅器１１ｍに入射された光は、反射型半導体光増幅器１１ｍの後面で反射されることで、反射型半導体光増幅器１１ｍの素子長分を２回進行するので、ＧＳ２の利得が得られ、多重反射の影響により、１／（１−Ｒｆ・Ｒｒ・ＧＳ２）だけ増幅される。なお、ＧＲａｖは、反射利得ＧＲ（λ）の最大値と最小値に対する相加平均にほぼ等しくなっている。
ここで、反射型半導体光増幅器１１ｍの条件として、Ｒｆ≪１であることを再び考慮すると、（６）式は、
【００５７】
【数７】
2004349552.tif 000009
【００５８】
と近似することができる。ここで、Ｒｆ≪１であることを考慮しても、（７）式の１／（１−Ｒｆ・Ｒｒ・ＧＳ２）の項から、反射型半導体光増幅器１１ｍの前面反射率Ｒｆを消すことができない。
そこで、多重反射の影響を示す１／（１−Ｒｆ・Ｒｒ・ＧＳ２）の項を定量化するために、（１）式の光出力Ｐｆ（λ）をリップルの１周期に渡って積分したパワーＰｆａｖを考えると、この光出力Ｐｆ（λ）の積分パワーＰｆａｖは、
【００５９】
【数８】
2004349552.tif 000010
【００６０】
として表すことができる。ここで、反射型半導体光増幅器１１ｍの条件として、Ｒｆ≪１であることを考慮すると、（８）式は、
【００６１】
【数９】
2004349552.tif 000011
【００６２】
となる。そして、
【００６３】
【数１０】
2004349552.tif 000012
【００６４】
で定義される基準光量Ｐｓｏｕｒｃｅを導入すると、光出力Ｐｆ（λ）の積分パワーＰｆａｖは、
【００６５】
【数１１】
2004349552.tif 000013
【００６６】
として表すことができる。ここで、（１０）式の基準光量Ｐｓｏｕｒｃｅは計算により求めることができる。このため、光出力Ｐｆ（λ）の積分パワーＰｆａｖを実測し、（９）式を用いることにより、多重反射の影響を示す１／（１−Ｒｆ・Ｒｒ・ＧＳ２）の項を定量化することができる。そして、１／（１−Ｒｆ・Ｒｒ・ＧＳ２）の項が定量化されると、（７）式を用いることにより、反射型半導体光増幅器１１ｍの平均的な反射利得ＧＲａｖを求めることができる。
【００６７】
これにより、計測可能な裏面反射率Ｒｒおよび単一透過利得ＧＳを用いることで、計測不可能な前面反射率Ｒｒを用いることなく、反射型半導体光増幅器１１ｍの平均的な反射利得ＧＲａｖを算出することが可能となり、反射側端面との間での共振効果が存在する場合においても、ファイバ結合を用いることなく、反射型半導体光増幅器１１ｍの特性選別を精度良く行うことが可能となる。
【００６８】
なお、以上の説明では、想定する波長フィルタ帯域としてリップルの１周期を前提としているが、リップル周期の整数倍としても計算結果は同じものを与える。また、整数倍でない場合においても、Ｒｆ≪１の下では同様である。
図４は、本発明の第１実施形態に係る半導体光増幅器の特性評価方法を示すフローチャートである。
【００６９】
図４において、反射型半導体光増幅器１１ｍを受光器１２ａ、１２ｂ間にセットし、波長フィルタ４ａ、４ｂおよび偏光板５ａ、５ｂのない状態で、反射型半導体光増幅器１１ｍに電流Ｉを注入し、反射型半導体光増幅器１１ｍ１のＩ−Ｌ測定を行う（ステップＳ１）。そして、一定の電流Ｉ＝Ｉ０を印加した時の反射型半導体光増幅器１１ｍの両端面からの光出力強度Ｐｆ、Ｐｒの比を算出する。
【００７０】
ここで、反射型半導体光増幅器１１ｍの後面反射率Ｒｒは既知であるので、（４）式を適用することにより、反射型半導体光増幅器１１ｍの単一透過利得ＧＳを算出することができる（ステップＳ２）。そして、単一透過利得ＧＳが算出されると、この単一透過利得ＧＳを初期設定された基準利得値と比較し、この単一透過利得ＧＳが基準利得値から許容範囲内にあるかどうかを判別することにより、反射型半導体光増幅器１１ｍの素子選別Ａを行う（ステップＳ３）。
【００７１】
次に、反射型半導体光増幅器１１ｍの端面と受光器２ａ、２ｂとの間に波長フィルタ４ａ、４ｂを挿入し、反射型半導体光増幅器１１ｍの波長別Ｉ−Ｌ測定を行う（ステップＳ４）。
そして、一定の電流Ｉ＝Ｉ０を印加した時の反射型半導体光増幅器１１ｍからの光出力強度Ｐｆ、Ｐｒを測定する。ここで、（１１）式の基準光量Ｐｓｏｕｒｃｅは、（１０）式を用いて計算により求めることができるので、（１１）式を適用することにより、多重反射の影響を示す１／（１−Ｒｆ・Ｒｒ・ＧＳ２）の項を算出することができる。そして、この多重反射の影響を示す１／（１−Ｒｆ・Ｒｒ・ＧＳ２）の項を（７）式に代入することにより、反射型半導体光増幅器１１ｍの波長別の反射利得ＧＲａｖを求めることができる（ステップＳ５）。
【００７２】
次に、反射型半導体光増幅器１１ｍの端面と受光器２ａ、２ｂとの間に偏光板５ａ、５ｂを挿入し、反射型半導体光増幅器１１ｍの偏波別Ｉ−Ｌ測定を行う（ステップＳ６）。なお、偏波別Ｉ−Ｌ測定は、偏光板１５ａ、１５ｂとして、ＴＥモード透過板およびＴＭモード透過板をそれぞれ使用した場合について２回だけ行う。
【００７３】
そして、一定の電流Ｉ＝Ｉ０を印加した時の反射型半導体光増幅器１１ｍからの光出力強度Ｐｆ、Ｐｒを測定する。ここで、（１１）式の基準光量Ｐｓｏｕｒｃｅは、（１０）式を用いて計算により求めることができるので、（１１）式を適用することにより、多重反射の影響を示す１／（１−Ｒｆ・Ｒｒ・ＧＳ２）の項を算出することができる。そして、この多重反射の影響を示す１／（１−Ｒｆ・Ｒｒ・ＧＳ２）の項を（７）式に代入することにより、反射型半導体光増幅器１１ｍの偏波状態別の反射利得ＧＲａｖを求めることができる（ステップＳ７）。
【００７４】
ここで、波長別Ｉ−Ｌ測定および偏波別Ｉ−Ｌ測定は、波長フィルタ４ａ、４ｂの入れ換えを行ないながら、通過波長域の異なる波長フィルタ４ａ、４ｂの使用枚数分だけ行うことができる（ステップＳ８）。そして、必要に応じて、通過波長域の異なる３枚以上の波長フィルタ４ａ、４ｂを用いて放物線近似を行うことにより、各偏波状態での利得スペクトルを推定することができる（ステップＳ９）。
【００７５】
次に、反射型半導体光増幅器１１ｍの波長別の反射利得ＧＲａｖをそれぞれの規定値と比較することにより、反射型半導体光増幅器１１ｍの素子選別Ｂを行う（ステップＳ１０）。
次に、反射型半導体光増幅器１１ｍの偏波別の反射利得ＧＲａｖをそれぞれの規定値と比較することにより、反射型半導体光増幅器１１ｍの素子選別Ｃを行う（ステップＳ１１）。
【００７６】
次に、バー状反射型半導体光増幅器１１の１素子分の特性選別が終了すると、ブローブ３を持ち上げた状態で、バー状反射型半導体光増幅器１１を１素子分だけ移動させ（ステップＳ１２）、同様の工程を繰り返すことにより、バー状反射型半導体光増幅器１１に連なった全ての反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎの選別を行う（ステップＳ１３）。
【００７７】
なお、図４の実施形態では、Ｉ−Ｌ両側測定工程（ステップＳ１）、波長別Ｉ−Ｌ測定工程（ステップＳ４）および偏波別Ｉ−Ｌ測定工程（ステップＳ６）の３段階の選別を行う方法について説明したが、必要に応じてこれらの工程を収拾選択しながら、反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎの特性選別を行うようにしてもよい。また、ＦＦＰ（遠視野像）の測定を行う機能を外部に付けるようにしてもよい。また、挿抜する波長フィルタ４ａ、４ｂの枚数および偏光板５ａ、５ｂの種類や枚数には制限はない。
【００７８】
また、波長フィルタ４ａ、４ｂまたは偏光板５ａ、５ｂの挿抜方法としては、これらの光学部品をロボットアームによって出し入れ制御する方法、これらの光学部品を光学部品のない空洞部分を含めて１本の直線レール上に並べて配置し、必要な光学部品を受光器２ａ、２ｂの直前に配置制御する方法、これらの光学部品を光学部品のない空洞部分を含めてリング状のレール上に並べて配置し、必要な光学部品が受光器２ａ、２ｂの直前に配置制御する方法等が考えられる。
【００７９】
また、波長フィルタ４ａ、４ｂまたは偏光板５ａ、５ｂなどの部品配置に使用するレールは、水平面に平行に配してもよく、垂直に配してもよい。
また、特性評価装置としては、反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎの片側だけに受光器２ａのみを配置し、反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎを左右に反転させるようにして、反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎの両端の光出力光強度測定を行うようにしてもよい。
【００８０】
また、スポットサイズ変換部を設けられている反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎに適用する方法について説明したが、スポットサイズ変換部の設けられていない反射型半導体光増幅器に対して適用してもよい。
さらに、反射型半導体光増幅器１１ａ〜１１ｎ以外の入出力端を有した半導体発光素子を含んだ光素子の特性評価に適用してもよい。また、上述した実施形態では、パルス駆動を行なう方法について説明したが、ＣＷ駆動を行なうようにしてもよい。
【００８１】
図５は、本発明の第１実施形態に係る反射型半導体光増幅器の概略構成を透視して示す斜視図である。
図５において、半導体光増幅器には、スポットサイズ変換領域Ｒ１、Ｒ３および活性領域Ｒ２が設けられ、活性領域Ｒ２はスポットサイズ変換領域Ｒ１、Ｒ３の間に挟まれている。
【００８２】
なお、半導体光増幅器の素子長は、例えば、１２００μｍ、活性領域Ｒ２の長さは、例えば、６００μｍ、各スポットサイズ変換領域Ｒ１、Ｒ３の長さは、例えば、３００μｍとすることができる。
そして、スポットサイズ変換領域Ｒ１、Ｒ３および活性領域Ｒ２はｎ型ＩｎＰ基板２１上に設けられ、ｎ型ＩｎＰ基板２１上には、ｎ型ＩｎＰ突起層２２が半導体光増幅器の長さ方向にストライプ状に設けられている。
【００８３】
そして、ｎ型ＩｎＰ突起層２２上には、活性領域Ｒ２に対応してＩｎＧａＡｓＰ活性層２３が積層されるとともに、スポットサイズ変換領域Ｒ１、Ｒ３に対応してＩｎＧａＡｓＰ垂直テーパ層２４ａ、２４ｂがそれぞれ積層されている。
なお、ｎ型ＩｎＰ突起層２２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２３およびＩｎＧａＡｓＰ垂直テーパ層２４ａ、２４ｂの幅は、例えば、０．５μｍとすることができる。
【００８４】
また、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２３の厚さは、例えば、０．４μｍ、バンドギャップ波長は、例えば、１．５５μｍとすることができ、ＩｎＧａＡｓＰ垂直テーパ層２４ａ、２４ｂの厚さは、例えば、出射先端部で０．２μｍ、バンドギャップ波長は、例えば、１．３μｍとすることができる。
そして、ｎ型ＩｎＰ突起層２２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２３およびＩｎＧａＡｓＰ垂直テーパ層２４ａ、２４ｂの両側は、ｐ型ＩｎＰ埋め込み層２５およびｎ型ＩｎＰ埋め込み層２６ａ、２６ｂにより埋め込まれ、ｎ型ＩｎＰ埋め込み層２６ａ、２６ｂ上には、ｐ型ＩｎＰ層２７およびｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層２８が順次積層され、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層２８上には、活性領域Ｒ２に対応して電極２９が形成されている。
【００８５】
また、スポットサイズ変換領域Ｒ１の光入出射端面には、例えば、ＳｉＯ２とＴｉＯ２が交互に積層された多層膜からなる反射防止膜が形成されるとともに、スポットサイズ変換領域Ｒ３の光反射端面には、高反射膜が形成されている。なお、スポットサイズ変換領域Ｒ１の光入出射端面を平面ファイバに結合し、モジュール化するようにしてもよい。
【００８６】
そして、電極２９を介してＩｎＧａＡｓＰ活性層２３に電流を流し、スポットサイズ変換領域Ｒ１に光を入射させると、スポットサイズ変換領域Ｒ１に入射した光のスポットサイズが変換されて、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２３に入力される。
そして、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２３に入力された光は増幅された後、スポットサイズ変換領域Ｒ３に入射され、スポットサイズ変換領域Ｒ３の光反射端面で反射される。そして、スポットサイズ変換領域Ｒ３の光反射端面で反射された光は、活性領域Ｒ２およびスポットサイズ変換領域Ｒ１を再び通過することで、スポットサイズが変換されて出射される。
【００８７】
図６は、本発明の第２実施形態に係る反射型半導体光増幅器の特性評価装置の概略構成を示す図である。
図６において、バー状反射型半導体光増幅器４１には、一体的に形成された複数の反射型半導体光増幅器４１ａ〜４１ｎが等間隔で配列されている。ここで、反射型半導体光増幅器４１ａ〜４１ｎには、スポットサイズ変換領域が光入出射端側にのみ設けられ、光反射側にはスポットサイズ変換領域がない。なお、バー状の半導体光増幅器４１は、複数の反射型半導体光増幅器４１ａ〜４１ｎが光入射端面と直交する方向に一列に連なった状態のまま、ウェハから切り出すことにより形成することができる。
【００８８】
そして、バー状反射型半導体光増幅器４１の光入出射端側および高反射端側には、受光器３２ａ、３２ｂがそれぞれ設けられ、受光器３２ａ、３２ｂの間には、バー状反射型半導体光増幅器４１をマウントする測定用治具３１が設けられている。また、バー状反射型半導体光増幅器４１上には、バー状反射型半導体光増幅器４１の１つの反射型半導体光増幅器４１ａ〜４１ｎに電流を注入するための針状ブローブ３３が設けられている。なお、針状ブローブ３３は、バー状反射型半導体光増幅器４１の位置合わせを行う微動台に設けることができる。
【００８９】
また、バー状反射型半導体光増幅器４１の光入出射端と受光器３２ａとの間には、波長フィルタ３４ａおよび偏光板３５ａが挿抜可能な状態で設けられるとともに、バー状反射型半導体光増幅器４１の光反射端と受光器３２ｂとの間には、波長フィルタ３４ｂおよび偏光板３５ｂが挿抜可能な状態で設けられている。
【００９０】
また、受光器３２ａ、３２ｂおよび針状ブローブ３３は、電源／電流計３６に接続され、電源／電流計３６はコンピュータ７に接続されている。ここで、コンピュータ３７は、針状ブローブ３３を介して反射型半導体光増幅器４１ａ〜４１ｎに注入される電流を制御し、電源／電流計３６を介して得られる受光器３２ａ、３２ｂの出力値を読み込み、データ処理およびデータ管理などを行うことができる。また、コンピュータ３７は、針状ブローブ３３が設けられた微動台の移動を制御することにより、測定用治具３１およびバー状反射型半導体光増幅器４１を移動させることなく、バー状反射型半導体光増幅器４１に連ねられた反射型半導体光増幅器４１ａ〜４１ｎを逐次測定することができる。また、コンピュータ３７は、波長フィルタ３４ａ、３４ｂの入れ替え制御や偏光板３５ａ、３５ｂの切り替え制御なども行うことができる。
【００９１】
そして、反射型半導体光増幅器４１ａ〜４１ｎの特性選別を行う場合、バー状反射型半導体光増幅器４１に連ねられた１つの素子を受光器３２ａ、３２ｂの間に移動させる。ここで、受光器３２ａ、３２ｂの受光面積は、例えば、５ｍｍ程度とすることができる。このため、バー状反射型半導体光増幅器４１の１つの素子を受光器３２ａ、３２ｂの間に移動させる場合、数十〜数百ミクロン程度の粗い位置合わせでよく、バー状反射型半導体光増幅器４１の位置合わせを容易化することが可能となる。
【００９２】
そして、例えば、受光器３２ａ、３２ｂの間に移動させられた反射型半導体光増幅器４１ｍにブローブ３３を接触させ、その反射型半導体光増幅器４１ｍにブローブ３３を介して電流を印加する。
そして、波長フィルタ３４ａ、３４ｂおよび偏光板３５ａ、３５ｂがない状態で、電流が印加された時の反射型半導体光増幅器４１ｍからの光出力を受光器３２ａ、３２ｂで検出し、反射型半導体光増幅器４１ｍの両端面からの光出力強度をそれぞれ測定する。そして、反射型半導体光増幅器４１ｍの両端面からの光出力強度がそれぞれ測定されると、前端面からの光出力と後端面からの光出力との出力比を算出し、両端面が無反射である場合の反射型半導体光増幅器４１ｍの単一透過利得を求める。そして、この単一透過利得を初期設定された基準利得値と比較し、この単一透過利得が基準利得値から許容範囲内にあるかどうかを判別することにより、反射型半導体光増幅器４１ｍの選別を行う。
【００９３】
次に、波長フィルタ３４ａ、３４ｂおよび偏光板３５ａ、３５ｂの挿抜を行いながら、電流が印加された時の反射型半導体光増幅器４１ｍからの光出力を受光器３２ａ、３２ｂで検出し、反射型半導体光増幅器４１ｍの光出力強度を測定する。
そして、これらの測定結果および反射型半導体光増幅器４１ｍの後面反射率を用いることにより、反射型半導体光増幅器４１ｍの反射利得を波長別および偏波状態別に求める。
【００９４】
そして、これらの反射利得を初期設定された規定値とそれぞれ比較し、これらの反射利得が規定値から許容範囲内にあるかどうかを判別することにより、反射型半導体光増幅器４１ｍの選別を行う。
ここで、反射型半導体光増幅器４１ｍの両端面からの光出力強度をそれぞれ測定することで、両端面間での共振効果が存在する場合においても、反射型半導体光増幅器４１ｍの反射利得を算出することが可能となる。
【００９５】
このため、ファイバ結合を用いることなく、反射型半導体光増幅器４１ｍの特性選別を精度良く行うことが可能となり、サブミクロン精度の調芯作業を不要として、評価装置の低価格化を図ることが可能となるとともに、測定時間を短縮することが可能となる。
次に、バー状反射型半導体光増幅器４１の１素子分の特性選別が終了すると、ブローブ３３を持ち上げた状態で、バー状反射型半導体光増幅器４１を１素子分だけ移動させ、同様の工程を繰り返すことにより、バー状反射型半導体光増幅器４１に連なった全ての反射型半導体光増幅器４１ａ〜４１ｎの選別を行う。
【００９６】
ここで、反射型半導体光増幅器４１ａ〜４１ｎの間隔は、半導体製造プロセスにおけるフォトリソグラフィーのマスク合わせ精度で規定することができ、サブミクロンオーダの精度を持たせることができる。このため、反射型半導体光増幅器４１ａ〜４１ｎのうちの最初に測定される素子の位置合わせを行うことで、それ以降に測定される反射型半導体光増幅器４１ａ〜４１ｎの位置合わせを省略することができ、特性評価工程の効率化を図ることができる。
【００９７】
さらに、反射型半導体光増幅器４１ａ〜４１ｎの両端面からの光出力強度をそれぞれ測定することにより、反射型半導体光増幅器４１ａ〜４１ｎへの外部光の注入を不要として、反射型半導体光増幅器４１ａ〜４１ｎの端面での高精度ファイバ結合を不要とすることができ、ファイバ結合損失等をなくして、十分な測定感度を得ることが可能となる。このため、反射型半導体光増幅器４１ａ〜４１ｎへの電流印加をパルス駆動とすることができ、放熱性のよいマウントへの実装を不要として、抜き取り検査でなく、製品に実装される素子の特性をそのまま評価することが可能となる。
【００９８】
図７は、本発明の第２実施形態に係る反射型半導体光増幅器の概略構成を透視して示す斜視図である。
図７において、反射型半導体光増幅器には、スポットサイズ変換領域Ｒ１１および活性領域Ｒ１２が設けられ、活性領域Ｒ１２はスポットサイズ変換領域Ｒ１１に結合されている。
【００９９】
なお、半導体光増幅器の素子長は、例えば、９００μｍ、活性領域Ｒ１２の長さは、例えば、６００μｍ、スポットサイズ変換領域Ｒ１１の長さは、例えば、３００μｍとすることができる。
そして、スポットサイズ変換領域Ｒ１１および活性領域Ｒ１２はｎ型ＩｎＰ基板５１上に設けられ、ｎ型ＩｎＰ基板５１上には、ｎ型ＩｎＰ突起層５２が反射型半導体光増幅器の長さ方向にストライプ状に設けられている。
【０１００】
そして、ｎ型ＩｎＰ突起層５２上には、活性領域Ｒ１２に対応してＩｎＧａＡｓＰ活性層５３が積層されるとともに、スポットサイズ変換領域Ｒ１１に対応してＩｎＧａＡｓＰ垂直テーパ層５４が積層されている。
なお、ｎ型ＩｎＰ突起層５２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層５３およびＩｎＧａＡｓＰ垂直テーパ層５４の幅は、例えば、０．５μｍとすることができる。
【０１０１】
また、ＩｎＧａＡｓＰ活性層５３の厚さは、例えば、０．４μｍ、バンドギャップ波長は、例えば、１．５５μｍとすることができ、ＩｎＧａＡｓＰ垂直テーパ層５４の厚さは、例えば、出射先端部で０．２μｍ、バンドギャップ波長は、例えば、１．３μｍとすることができる。
そして、ｎ型ＩｎＰ突起層５２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層５３およびＩｎＧａＡｓＰ垂直テーパ層５４の両側は、ｐ型ＩｎＰ埋め込み層５５およびｎ型ＩｎＰ埋め込み層５６ａ、５６ｂにより埋め込まれ、ｎ型ＩｎＰ埋め込み層５６ａ、５６ｂ上には、ｐ型ＩｎＰ層５７およびｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層５８が順次積層され、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層５８上には、活性領域Ｒ１２に対応して電極５９が形成されている。
【０１０２】
また、スポットサイズ変換領域Ｒ１１の光入出射端面には、例えば、ＳｉＯ２とＴｉＯ２が交互に積層された多層膜からなる反射防止膜が形成されている。なお、スポットサイズ変換領域Ｒ１１の光入出射端面を平面ファイバに結合し、モジュール化するようにしてもよい。
そして、電極５９を介してＩｎＧａＡｓＰ活性層５３に電流を流し、スポットサイズ変換領域Ｒ１１に光を入射させると、スポットサイズ変換領域Ｒ１１に入射した光のスポットサイズが変換されて、ＩｎＧａＡｓＰ活性層５３に入力される。
【０１０３】
そして、ＩｎＧａＡｓＰ活性層５３に入力された光は増幅された後、活性領域Ｒ１２の端面６０で反射され、スポットサイズ変換領域Ｒ１１を再び通過することで、ポットサイズが変換されて出射される。
なお、本発明は、半導体光増幅器の構造（スポットサイズ変換の有無、導波路構造が直線か、斜めか、曲がりを持っているか等）や材料に依存しないのは言うまでもない。
【０１０４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、反射型半導体光増幅器の両側からの光出力を受光することで、端面間での共振効果が存在する場合においても、反射型半導体光増幅器の利得を算出することが可能となる。このため、ファイバ結合を用いることなく、反射型半導体光増幅器の特性選別を精度良く行うことが可能となり、サブミクロン精度の調芯作業を不要として、評価装置の低価格化を図ることが可能となるとともに、測定時間を短縮することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る反射型半導体光増幅器の特性評価装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る反射型半導体光増幅器の特性評価方法を示す平面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る反射型半導体光増幅器のＩ−Ｌ（ＡＳＥ強度）特性を示す図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る半導体光増幅器の特性評価方法を示すフローチャートである。
【図５】本発明の第１実施形態に係る反射型半導体光増幅器の概略構成を透視して示す斜視図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る反射型半導体光増幅器の特性評価装置の概略構成を示す図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る反射型半導体光増幅器の概略構成を透視して示す斜視図である。
【図８】反射型半導体光増幅器の概略構成を示す平面図である。
【図９】従来の反射型半導体光増幅器の特性評価方法を示す図である。
【図１０】先願の反射型半導体光増幅器の特性評価装置の概略構成を示す平面図である。
【図１１】先願の反射型半導体光増幅器の特性評価方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１  バー状反射型半導体光増幅器
２ａ、２ｂ  受光器
４  ブローバ
４ａ、４ｂ  波長フィルタ
５ａ、５ｂ  偏光板
６  電源／電流計
７  コンピュータ
１１ａ〜１１ｎ  反射型半導体光増幅器
１２ｍ  電極
１３ｍ  反射防止膜
１４ｍ  高反射膜
Ｌｉ  入力光
Ｌｏ  出力光
ＳＥ１  透過側自然放出光
ＳＥ２  反射側自然放出光
Ｒ１、Ｒ３、Ｒ１１  スポットサイズ変換領域
Ｒ２、Ｒ１２  活性領域
２１、５１  ｎ型ＩｎＰ基板
２２、５２  ｎ型ＩｎＰ突起層
２３、５３  ＩｎＧａＡｓＰ活性層
２４ａ、２４ｂ、５４  ＩｎＧａＡｓＰ垂直テーパ層
２５、５５  ｐ型ＩｎＰ埋め込み層
２６ａ、２６ｂ、５６ａ、５６ｂ  ｎ型ＩｎＰ埋め込み層
２７、５７  ｐ型ＩｎＰ層
２８、５８  ｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層
２９、５９  電極
６０  反射端面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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