(57)【要約】【課題】ゴースト現象の発生を防止し、高画質の画像を提供することのできる画像形成装置および画像形成装置を提供する。【選択手段】ケイ素を母体とし、少なくとも水素原子またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料からなる光導電層を有する感光体を用いた画像形成方法であって、潜像形成工程における露光方式が、非画像部（背景部）を露光するバックグラウンド露光法であり、該転写部材の周長が、該感光体の周長の整数倍であり、光導電層は、少なくとも水素原子またはハロゲン原子の含有量が異なる、少なくとも第１の層領域と第２の層領域とが該導電性基体上にこの順で積層されたものであり、第１の層領域における水素原子またはハロゲン原子の含有量が、１５〜３０原子％の範囲であり、第２の層領域における水素原子またはハロゲン原子の含有量が、１０〜２５原子％の範囲であり、且つ、第１の層領域に比べて少ないことを特徴とする画像形成方法。【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケイ素を母体とし、少なくとも水素原子またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料からなる光導電層を有する感光体と、該感光体と表面同士が当接するように配置されている転写部材とを有し、
該感光体と該転写部材とを定常状態において実質的に一定の相対速度で駆動する画像形成装置を用い、
少なくとも、該感光体の表面を帯電させる帯電工程と、該帯電工程で帯電された表面に画像パターンにしたがって複数行、複数列の画素マトリクスの各画素ごとにレーザーまたはＬＥＤを光源とする光ビームを照射して静電潜像を形成する潜像形成工程と、該潜像形成工程で静電潜像が形成された表面上にトナーを付着させることによりトナー像を形成する現像工程と、該現像工程で形成された該トナー像を該転写部材に転写する転写工程とを有し、
該帯電工程と該潜像形成工程と該現像工程と該転写工程とを複数回繰り返して該転写部材上に複数の該トナー像を重ねて形成する、電子写真方式の画像形成方法であって、
該潜像形成工程における露光方式が、非画像部（背景部）を露光するバックグラウンド露光法であり、
該転写部材の周長が、該感光体の周長の整数倍であり、
該光導電層は、少なくとも水素原子またはハロゲン原子の含有量が異なる、少なくとも第１の層領域と第２の層領域とが該導電性基体上にこの順で積層されたものであり、
第１の層領域における水素原子またはハロゲン原子の含有量が、１５〜３０原子％の範囲であり、
第２の層領域における水素原子またはハロゲン原子の含有量が、１０〜２５原子％の範囲であり、且つ、第１の層領域に比べて少ないこと
を特徴とする画像形成方法。
【請求項２】
該光導電層の第１の層領域または第２の層領域に、伝導型制御元素をさらに含有し、該伝導型制御元素が、周期律表第１３族または第１５族元素であること
を特徴とする、請求項１に記載の画像形成方法。
【請求項３】
該光導電層の第１の層領域における伝導型制御元素の含有量が、シリコン原子に対して０．２〜３０ｐｐｍの範囲であり、
該光導電層の第２の層領域における伝導型制御元素の含有量が、シリコン原子に対して０．０１〜１０ｐｐｍの範囲であり、且つ、第１の層領域に比べて同じか、より少ないこと
を特徴とする、請求項１または２に記載の画像形成方法。
【請求項４】
該第１における層領域の伝導型制御元素の含有量が、導電性基体側から表面側に向かって減少していくこと
を特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の画像形成方法。
【請求項５】
該光導電層の第１の層領域における光学的バンドギャップが、１．７５〜１．８５ｅＶの範囲であり、光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネルギーが、５５〜６５ｍｅＶの範囲であること
を特徴とする、請求項１ないし４のいずれかに記載の画像形成方法。
【請求項６】
該光導電層の第２の層領域における光学的バンドギャップが、１．７０〜１．８０ｅＶの範囲であり、光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネルギーが、５０〜６０ｍｅＶの範囲であり、且つ、伝導型制御元素の含有量が第１の層領域に比べて同じか、より少ないこと
を特徴とする、請求項１ないし５のいずれかに記載の画像形成方法。
【請求項７】
該潜像形成工程における画像の書き出し位置が、該感光体の外周面上において実質的に同じ位置になること
を特徴とする、請求項１ないし６のいずれかに記載の画像形成方法。
【請求項８】
該感光体の回転方向におけるホームポジションを検出すること
を特徴とする、請求項１ないし７のいずれかに記載の画像形成方法。
【請求項９】
ケイ素を母体とし、少なくとも水素原子またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料からなる光導電層を有する感光体と、該感光体と表面同士が当接するように配置されている転写部材とを有し、
該感光体と該転写部材とを定常状態において実質的に一定の相対速度で駆動する画像形成装置であって、
少なくとも、該感光体の表面を帯電させる帯電手段と、帯電された表面に画像パターンにしたがって複数行、複数列の画素マトリクスの各画素ごとにレーザーまたはＬＥＤを光源とする光ビームを照射して静電潜像を形成する潜像形成手段と、静電潜像が形成された表面上にトナーを付着させることによりトナー像を形成する現像手段と、現像された該トナー像を該転写体上に転写する転写手段とを有し、
帯電、潜像形成、現像、転写とを複数回繰り返して該転写部材上に複数の該トナー像を重ねて形成する、電子写真方式の画像形成装置であって、
該潜像形成手段における露光方式が、非画像部（背景部）を露光するバックグラウンド露光法であり、
該転写部材の周長が、該感光体の周長の整数倍であり、
該光導電層は、少なくとも水素原子またはハロゲン原子の含有量が異なる、少なくとも第１の層領域と第２の層領域とが該導電性基体上にこの順で積層したものとし、
第１の層領域における水素原子またはハロゲン原子の含有量が、１５〜３０原子％の範囲であり、
第２の層領域における水素原子またはハロゲン原子の含有量が、１０〜２５原子％の範囲であり、且つ、第１の層領域に比べて少ないこと
を特徴とする画像形成装置。
【請求項１０】
該光導電層の第１の層領域または第２の層領域に、伝導型制御元素をさらに含有し、該伝導型制御元素が、周期律表第１３族または第１５族元素であること
を特徴とする、請求項９に記載の画像形成装置。
【請求項１１】
該光導電層の第１の層領域における伝導型制御元素の含有量が、シリコン原子に対して０．２〜３０ｐｐｍの範囲であり、
該光導電層の第２の層領域における伝導型制御元素の含有量が、シリコン原子に対して０．０１〜１０ｐｐｍの範囲であり、且つ、第１の層領域に比べて同じか、より少ないこと
を特徴とする、請求項９または１０に記載の画像形成装置。
【請求項１２】
該第１の層領域における伝導型制御元素の含有量が、導電性基体側から表面側に向かって減少していくこと
を特徴とする、請求項９ないし１１のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１３】
該光導電層の第１の層領域における光学的バンドギャップが、１．７５〜１．８５ｅＶの範囲であり、光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネルギーが、５５〜６５ｍｅＶの範囲であること
を特徴とする、請求項９ないし１２のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１４】
該光導電層の第２の層領域における光学的バンドギャップが、１．７０〜１．８０ｅＶの範囲であり、光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネルギーが、５０〜６０ｍｅＶの範囲であり、且つ、伝導型制御元素の含有量が第１の層領域に比べて同じか、より少ないこと
を特徴とする、請求項９ないし１３のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１５】
該潜像形成工程における画像の書き出し位置が、該感光体の外周面上において実質的に同じ位置になること
を特徴とする、請求項９ないし１４のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１６】
該感光体の回転方向におけるホームポジションを検出する手段を有すること
を特徴とする、請求項９ないし１５のいずれかに記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ケイ素を母体とする非単結晶材料からなる光導電層を有する感光体（ａ−Ｓｉ感光体と表すことがある）を用い、少なくとも、該感光体の表面を帯電させる帯電工程と、該帯電工程で帯電された表面に画像パターンにしたがって複数行、複数列の画素マトリクスの各画素ごとにレーザーまたはＬＥＤ等を光源とする光ビームを照射して静電潜像を形成する潜像形成工程と、該潜像形成工程で静電潜像が形成された表面上にトナーを付着させることによりトナー像を形成する現像工程と、該現像工程で形成された該トナー像を転写部材上に転写する転写工程とを有し、該帯電工程と該潜像形成工程と該現像工程と該転写工程とを複数回繰り返して該転写体上に複数の該トナー像を重ねて形成する、電子写真方式の画像形成方法および画像形成装置に関する。
【０００２】
【従来技術の説明】
電子写真プロセスを利用した画像形成装置としては、カラー画像情報や多色画像情報を複数の色成分に分解し、各色成分の画像に対応して感光体表面に形成した静電潜像上にその色成分のトナー像を形成し、この色成分のトナー像を一旦中間転写体に転写し、この中間転写体に転写したこの色成分のトナー像の上に、さらに他の色成分のトナー像を重畳転写して合成カラー画像を形成する画像形成装置が知られている。
【０００３】
このような中間転写体を用いた画像形成装置は、カラー画像形成装置や多色画像形成装置、またはカラー画像形成機能や多色画像形成機能を具備した画像形成装置として有効であり、各成分色画像の重ね合わせのズレ（色ズレ）が非常に小さい画像を得ることが可能である。そこで、このような画像形成装置を用いたカラー複写機、カラープリンターなどが、すでに市場に供給され始めている。
【０００４】
また、転写ベルトに保持され搬送される記録材上に、カラー画像情報や多色画像情報の複数の成分色画像を順次直接積層転写することにより、カラー画像や多色画像が合成再現された画像形成物を出力する画像形成装置が知られている。このような転写ベルトを使用した画像形成装置は、カラー画像形成装置や多色画像形成装置として有効である。また、転写ベルトを使用した画像形成装置は、画像を高速で形成する画像形成装置として有効である。
【０００５】
中間転写体または転写ベルトを用いた画像形成装置は、例えば特許文献１、特許文献２、特許文献３などに開示されている。
【０００６】
また、感光体としてａ−Ｓｉ感光体を用いる場合は、前周の露光履歴が翌周に現れる現象（ゴーストと表すことがある）が発生する場合があることが知られている。そこで、例えば、特許文献４や特許文献５に開示されているような前露光の照射条件を最適化する等のさまざまな技術を盛り込む事が提案されている。
【０００７】
一方、上記の画像形成装置には、複写原稿から反射した光の強度をそのまま感光体の表面電位に変換して現像するアナログ方式と、原稿をスキャナで読み取り、適切な画像処理を施した画像パターンに変換し感光体上に光ビーム照射するデジタル方式という、大きく分けて２つの方式がある。近年では、複写画像に対する要求の高まりから、デジタル方式が、高画質、高安定性という点で注目されている。
【０００８】
デジタル方式の画像形成方式には、画像情報と露光部との関係で、大きく分けて２つの方式がある。１つは画像部を露光するイメージ露光法（ＩＡＥと表すことがある）、もう１つは非画像部（背景部）を露光するバックグラウンド露光法（ＢＡＥと表すことがある）である。
【０００９】
ＢＡＥは、非露光部の電荷が残っている部分に現像を行うため、通常、感光体の帯電極性と逆極性の現像剤が用いられる。この関係はアナログ方式の画像形成装置と同じであることから、ＢＡＥは、現像機構、クリーニング機構、現像剤等をアナログ方式の画像形成装置と共通化できるというメリットが有る。
ＩＡＥは、露光により電荷量が減少した部分に現像を行うため、感光体の帯電極性とは同極性の現像剤を用い、反転現像を行わなければならない。
【００１０】
両方式とも実用化されているが、それぞれ使用する感光体・現像剤等の制約で決定されることが多い。
【００１１】
【特許文献１】
特開平８−３２０５９１号公報（第１図、第５図）
【特許文献２】
特開平８−２１１７５７号公報（第１図、第５図）
【特許文献３】
特開平８−１６０７５９号公報（第１図、第５図）
【特許文献４】
特開２０００−２３１２４６号公報（請求項１）
【特許文献５】
特開２００２−１０８０３２号公報（請求項１）
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
上述の中間転写体や転写ベルトに保持されて搬送される記録材上に色成分のトナー像を重畳して合成カラー画像を形成する画像形成装置では、通常、それら転写部材の回転方向のホームポジション検知機構を有している。そして、その検出結果により転写部材の回転周期に合わせて画像情報の書込みタイミングが制御される。
【００１３】
また、感光体の回転周期に関しては、必ずしも転写部材の周期に同期させる必要はないが、感光体周期でムラが存在し、且つ、記録材上で各色毎にムラの位相が異なるとそのムラがより強調されて目立ちやすくなる場合がある。ここで言う感光体周期でのムラには、感光体自身の持つ静電気的特性ムラだけでなく、真円度、フランジ等の組付け精度、モーターやギア等のメカ的な精度によって発生するムラまでも含んだものであり、完全にゼロにすることはきわめて難しい。このため、転写部材の周期を感光体の回転周期の整数倍とし、感光体の周期と転写部材の周期とを同期させる構成が好ましい。従って、実質的に感光体の回転周期と、潜像形成シーケンスが同期することになる。
【００１４】
このような構成の画像形成装置では、ページ間やページの先端・後端の余白部分など（以下、紙間と表すことがある。）の非画像部が感光体の常に同じ部分にくることになる。このため、露光方式にＢＡＥを用いる場合、感光体のうち、紙間部分に相当する部分は、常に露光を受けることになり、その影響が蓄積されていく。
【００１５】
特に、ａ−Ｓｉ感光体を用いる場合は、上述したように、ゴーストが発生する場合があることが知られており、前露光の照射条件を最適化する等のさまざまな技術を盛り込む事によって、実用化されてきた。しかしながら、上述したような構成のカラー機にａ−Ｓｉ感光体を搭載する為にはなお改善の余地が残されている。
【００１６】
また、一本の感光体の外周に、複数の現像器を配備してカラー画像を得る構成の場合、すべての現像器の位置においてゴーストが現れないようにしなければならない。そこで、潜像工程からの経過時間とゴースト現象の良し悪しとの相関について、鋭意検討を重ねた結果、ａ−Ｓｉ感光体の場合はおおよそ潜像工程からの時間経過とともにゴースト現象も悪くなる傾向にあることがわかった。複数の現像器を配備したカラー機は、最下流に配備される現像器と帯電器や露光装置とのプロセス角度が、モノクロ機に比べて大きくなりやすいために、ゴーストに対してはより厳しい構成であり、ａ−Ｓｉ感光体をそのようなカラー機に搭載する為にさらに改善することが要望されている。
【００１７】
さらに、カラー機の場合は、ゴーストに対する要求そのものがモノクロ機に比べて厳しくなる場合が多い。その背景としては、先ず、カラー機の場合は、写真画像のような原稿をプリントアウトする機会が多い点が挙げられる。その他にも、電子写真方式のカラー機では、各色成分のトナーを重ね合わせる事でさまざまな色を再現しているため、ゴーストが現れると、その部分に関しては各色成分の割合が画像情報から得られるものと変わってしまい、よりゴーストが目立ちやすくなる傾向がみられることがわかった。従って、このような観点からも、ａ−Ｓｉ感光体をそのようなカラー機に搭載する為にさらに改善することが望まれている。
【００１８】
上記従来技術の状況に鑑み、本発明は、上記先行技術にみられる問題点を解決し、高画質の画像を提供することのできるゴースト現象等の発生することのない画像形成方法および画像形成装置を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する為に、本発明の画像形成装置および方法は、次のような構成から成る。
【００２０】
すなわち、本発明の画像形成方法は、
第１に、ケイ素を母体とし、少なくとも水素原子またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料からなる光導電層を有する感光体と、該感光体と表面同士が当接するように配置されている転写部材とを有し、
該感光体と該転写部材とを定常状態において実質的に一定の相対速度で駆動する画像形成装置を用い、
少なくとも、該感光体の表面を帯電させる帯電工程と、該帯電工程で帯電された表面に画像パターンにしたがって複数行、複数列の画素マトリクスの各画素ごとにレーザーまたはＬＥＤを光源とする光ビームを照射して静電潜像を形成する潜像形成工程と、該潜像形成工程で静電潜像が形成された表面上にトナーを付着させることによりトナー像を形成する現像工程と、該現像工程で形成された該トナー像を該転写部材に転写する転写工程とを有し、
該帯電工程と該潜像形成工程と該現像工程と該転写工程とを複数回繰り返して該転写部材上に複数の該トナー像を重ねて形成する、電子写真方式の画像形成方法であって、
該潜像形成工程における露光方式が、非画像部（背景部）を露光するバックグラウンド露光法であり、
該転写部材の周長が、該感光体の周長の整数倍であり、
該光導電層は、少なくとも水素原子またはハロゲン原子の含有量が異なる、少なくとも第１の層領域と第２の層領域とが該導電性基体上にこの順で積層されたものであり、
第１の層領域における水素原子またはハロゲン原子の含有量が、１５〜３０原子％の範囲であり、
第２の層領域における水素原子またはハロゲン原子の含有量が、１０〜２５原子％の範囲であり、且つ、第１の層領域に比べて少ないこと
を特徴とする。
【００２１】
さらに、本発明の画像形成方法は、
第２に、該光導電層の第１の層領域または第２の層領域に、伝導型制御元素をさらに含有し、該伝導型制御元素が、周期律表第１３族または第１５族元素であること、
第３に、該光導電層の第１の層領域における伝導型制御元素の含有量が、シリコン原子に対して０．２〜３０ｐｐｍの範囲であり、該光導電層の第２の層領域における伝導型制御元素の含有量が、シリコン原子に対して０．０１〜１０ｐｐｍの範囲であり、且つ、第１の層領域に比べて同じか、より少ないこと、
第４に、該第１における層領域の伝導型制御元素の含有量が、導電性基体側から表面側に向かって減少していくこと、
第５に、該光導電層の第１の層領域における光学的バンドギャップが、１．７５〜１．８５ｅＶの範囲であり、光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネルギーが、５５〜６５ｍｅＶの範囲であること、
第６に、該光導電層の第２の層領域における光学的バンドギャップが、１．７０〜１．８０ｅＶの範囲であり、光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネルギーが、５０〜６０ｍｅＶの範囲であり、且つ、伝導型制御元素の含有量が第１の層領域に比べて同じか、より少ないこと、
第７に、該潜像形成工程における画像の書き出し位置が、該感光体の外周面上において実質的に同じ位置になること、
第８に、該感光体の回転方向におけるホームポジションを検出すること、
を特徴とする。
【００２２】
また、本発明の画像形成装置は、
第１に、ケイ素を母体とし、少なくとも水素原子またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料からなる光導電層を有する感光体と、該感光体と表面同士が当接するように配置されている転写部材とを有し、
該感光体と該転写部材とを定常状態において実質的に一定の相対速度で駆動する画像形成装置であって、
少なくとも、該感光体の表面を帯電させる帯電手段と、帯電された表面に画像パターンにしたがって複数行、複数列の画素マトリクスの各画素ごとにレーザーまたはＬＥＤを光源とする光ビームを照射して静電潜像を形成する潜像形成手段と、静電潜像が形成された表面上にトナーを付着させることによりトナー像を形成する現像手段と、現像された該トナー像を該転写体上に転写する転写手段とを有し、
帯電、潜像形成、現像、転写とを複数回繰り返して該転写部材上に複数の該トナー像を重ねて形成する、電子写真方式の画像形成装置であって、
該潜像形成手段における露光方式が、非画像部（背景部）を露光するバックグラウンド露光法であり、
該転写部材の周長が、該感光体の周長の整数倍であり、
該光導電層は、少なくとも水素原子またはハロゲン原子の含有量が異なる、少なくとも第１の層領域と第２の層領域とが該導電性基体上にこの順で積層したものとし、
第１の層領域における水素原子またはハロゲン原子の含有量が、１５〜３０原子％の範囲であり、
第２の層領域における水素原子またはハロゲン原子の含有量が、１０〜２５原子％の範囲であり、且つ、第１の層領域に比べて少ないこと
を特徴とする。
【００２３】
さらに、本発明の画像形成装置は、
第２に、該光導電層の第１の層領域または第２の層領域に、伝導型制御元素をさらに含有し、該伝導型制御元素が、周期律表第１３族または第１５族元素であること、
第３に、該光導電層の第１の層領域における伝導型制御元素の含有量が、シリコン原子に対して０．２〜３０ｐｐｍの範囲であり、
該光導電層の第２の層領域における伝導型制御元素の含有量が、シリコン原子に対して０．０１〜１０ｐｐｍの範囲であり、且つ、第１の層領域に比べて同じか、より少ないこと、
第４に、該第１の層領域における伝導型制御元素の含有量が、導電性基体側から表面側に向かって減少していくこと、
第５に、該光導電層の第１の層領域における光学的バンドギャップが、１．７５〜１．８５ｅＶの範囲であり、光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネルギーが、５５〜６５ｍｅＶの範囲であること、
第６に、該光導電層の第２の層領域における光学的バンドギャップが、１．７０〜１．８０ｅＶの範囲であり、光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネルギーが、５０〜６０ｍｅＶの範囲であり、且つ、伝導型制御元素の含有量が第１の層領域に比べて同じか、より少ないこと、
第７に、該潜像形成工程における画像の書き出し位置が、該感光体の外周面上において実質的に同じ位置になること、
第８に、該感光体の回転方向におけるホームポジションを検出する手段を有すること、
を特徴とする。
【００２４】
ここで、本発明における転写部材とは、合成カラー画像を得るために色成分毎のトナー像を重畳する際の媒体部材のことを表しており、より具体的には、その表面に直接トナー像を重畳する、例えば、中間転写体や中間転写ベルトなどの部材や、記録材を保持して搬送し、記録材上にトナー像を重畳する、例えば、転写ドラムや転写ベルトなどの部材などのことを表している。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下に、図に従って本発明についてより詳しく説明する。
（転写ドラムを用いた画像形成装置）
円筒状に張設された誘電体の記録材担持シートからなる転写ドラム１０５を有する電子写真プロセスを使用したカラー画像形成装置（複写機またはレーザービームプリンター）の一例の模式図を図１に示す。
【００２６】
この画像形成装置は、表面に静電潜像が形成され、この静電潜像上にトナーが付着されてトナー像が形成される第１の画像担持体である、繰り返し使用される電子写真感光体からなる、回転ドラム型の感光体ドラム１０１を有している。感光体ドラム１０１の周りには、感光体ドラム１０１の表面を所定の極性・電位に一様に帯電させる１次帯電器１０２と、帯電された感光体ドラム１０１の表面に画像露光１０３を行って静電潜像を形成する、不図示の画像露光装置とが配置されている。また、形成された静電潜像上にトナーを付着させて現像する現像器として、ブラックトナーＢを付着させる現像器とイエロートナーＹを付着させる現像器とマゼンタトナーＭを付着させる現像器とシアントナーＣを付着させる現像器とを内蔵した回転型の現像器１０４が配置されている。さらに、転写ドラム１０５にトナー像を転写した後、感光体ドラム１０１上をクリーニングする感光体クリーナ１０６および感光体ドラム１０１の除電を行う除電露光１０７が設けられている。
【００２７】
転写ドラム１０５は、感光体ドラム１０１に当接して回転可能なように配置されており、内側には、感光体ドラム１０１上に形成されたトナー像を転写ドラム１０５に静電吸着された記録材１１３に転写するための転写帯電器１０８が配備されている。転写帯電器１０８には感光体ドラム１０１上のトナー像を転写するための転写バイアスを印加するバイアス電源（不図示）が接続されている。また、記録材１１３を転写ドラム１０５に静電吸着させるための吸着帯電器１１１ａ、吸着ローラ１１１ｂが、転写ドラム１０５の内側および外側にそれぞれ配置される。また、所望のトナー像を転写ドラム１０５に静電吸着された記録材１１３に転写が終了した後、記録材１１３を転写ドラム１０５から分離するための分離帯電器１１２ａ、分離爪１１２ｂが配置されている。
【００２８】
また、この画像形成装置は、画像が形成される複数の記録材１１３を保持する給紙カセット１１４と、記録材１１３を給紙カセット１１４から転写ドラム１０５を介して搬送する搬送機構とが設けられている。記録材１１３の搬送経路上には、記録材１１３上に転写されたトナー像を記録材１１３上に定着させる定着器１１５が配置されている。
一次帯電器１０２としてはコロナ放電器などが用いられる。
【００２９】
画像露光装置としては、カラー原稿画像の色分解・結像露光光学系や、画像情報の時系列電気デジタル画素信号に対応して変調されたレーザービームを出力するレーザースキャナによる走査露光系などが用いられる。このような露光系により、画像パターンに従って、複数行、複数列の画素マトリックスの各画素ごとに、レーザーまたはＬＥＤ等を光源とする光ビームを照射して静電潜像を感光体の表面に形成することができる。
【００３０】
次に、この画像形成装置の動作について説明する。
まず、図１に矢印で示すように、感光体ドラム１０１が、時計方向に所定の周速度（プロセススピード）で回転駆動され、転写ドラム１０５が、反時計方向に、感光体ドラム１０１と同じ周速度で回転駆動される。
【００３１】
感光体ドラム１０１は、回転過程で、一次帯電器１０２により所定の極性・電位に一様に帯電処理され、次いで、画像露光１０３を受け、これにより感光体ドラム１０１の表面上には、目的のカラー画像の第１の色成分像（例えばマゼンタ成分像）に対応した静電潜像が形成される。次いで、現像器が回転し、マゼンタトナーＭを付着させる現像器が所定の位置にセットされ、その静電潜像が第１色であるマゼンタトナーＭにより現像される。
【００３２】
一方、所定のタイミングで給紙カセット１１４から記録材１１３が給送され、吸着帯電器１１１ａ、吸着ローラ１１１ｂによって転写ドラム１０５の外周に記録材１１３が静電吸着される。
【００３３】
そして、感光体ドラム１０１上に形成担持された第１色のマゼンタトナー像は、感光体ドラム１０１と転写ドラム１０５の外周に静電吸着された記録材１１３との当接ニップ部を通過する過程で、転写帯電器１０８に印加された電界により記録材１１３に順次転写される。
【００３４】
記録材１１３に第１色のマゼンタトナー像を転写し終えた感光体ドラム１０１の表面は、感光体クリーナ１０６によりクリーニングされる。次に、感光体ドラム１０１の清掃された表面上に、第１色のトナー像の形成と同様に、第２色のトナー像（例えばシアントナー像）が形成され、この第２色のトナー像が、第１色のトナー像が転写された記録材１１３の表面上に重畳転写される。以下同様に、第３色のトナー像（例えばイエロートナー像）、第４色のトナー像（例えばブラックトナー像）が記録材１１３上に順次重畳転写され、目的のカラー画像に対応した合成カラートナー像が形成される。
【００３５】
次に、合成カラートナー像が転写された記録材１１３は、分離帯電器１１２ａおよび分離爪１１２ｂによって、転写ドラム１０５から分離され、定着器１１５へと搬送されて、ここで記録材１１３上にトナー像が加熱定着される。
【００３６】
本画像形成装置の動作において、感光体ドラム１０１から転写ドラム１０５上に静電吸着された記録材１１３への第１〜第４色のトナー像の順次転写実行時には、吸着ローラ１１１ｂおよび分離爪１１２ｂは転写ドラム１０５から離間させるようにしてもよい。
【００３７】
（中間転写体を用いた画像形成装置）
中程度の抵抗の弾性ローラである中間転写体２０５を有する電子写真プロセスを使用したカラー画像形成装置（複写機またはレーザービームプリンター）の一例の模式図を図２に示す。
【００３８】
この画像形成装置は、表面に静電潜像が形成され、この静電潜像上にトナーが付着されてトナー像が形成される第１の画像担持体である、繰り返し使用される電子写真感光体からなる、回転ドラム型の感光体ドラム２０１を有している。感光体ドラム２０１の周りには、感光体ドラム２０１の表面を所定の極性・電位に一様に帯電させる一次帯電器２０２と、帯電された感光体ドラム２０１の表面に画像露光２０３を行って静電潜像を形成する、不図示の画像露光装置とが配置されている。また、形成された静電潜像上にトナーを付着させて現像する現像器として、マゼンタトナーＭを付着させる第１現像器２０４ａと、シアントナーＣを付着させる第２現像器２０４ｂと、イエロートナーＹを付着させる第３現像器２０４ｃと、ブラックトナーＢを付着させる第４現像器２０４ｄとが配置されている。さらに、中間転写体２０５にトナー像を転写した後、感光体ドラム２０１上をクリーニングする感光体クリーナ２０６および感光体ドラム２０１の除電を行う除電露光２０７が設けられている。
【００３９】
中間転写体２０５は、感光体ドラム２０１に当接して回転可能なように配置されており、パイプ状の芯金２０５ａと、芯金２０５ａの外周面に形成された弾性層２０５ｂとを有している。芯金２０５ａには、感光体ドラム２０１上に形成されたトナー像を中間転写体に転写するための一次転写バイアスを印加するバイアス電源が接続されている。中間転写体２０５の周りには、中間転写体２０５に転写されたトナー像を記録材２１３にさらに二次転写するための二次転写ローラ２０９が、中間転写体２０５の回転軸に平行に軸支されて中間転写体２０５の下面部に接触するように設けられている。二次転写ローラ２０９には、中間転写体２０５上のトナー像を記録材２１３に転写するための二次転写バイアスを印加するバイアス電源が接続されている。また、中間転写体２０５上のトナー像を記録材２１３に転写した後、中間転写体２０５の表面上に残留した転写残トナーをクリーニングするための中間転写体クリーナ２１０が設けられている。
【００４０】
また、この画像形成装置は、画像が形成される複数の記録材２１３を保持する給紙カセット２１４と、記録材２１３を給紙カセット２１４から中間転写体２０５と二次転写ローラ２０９との当接ニップ部を介して搬送する搬送機構とが設けられている。記録材２１３の搬送経路上には、記録材２１３上に転写されたトナー像を記録材２１３上に定着させる定着器２１５が配置されている。
一次帯電器２０２としてはコロナ放電器などが用いられる。
【００４１】
画像露光装置としては、カラー原稿画像の色分解・結像露光光学系や、画像情報の時系列電気デジタル画素信号に対応して変調されたレーザービームを出力するレーザースキャナによる走査露光系などが用いられる。このような露光系により、画像パターンに従って、複数行、複数列の画素マトリックスの各画素ごとに、レーザーまたはＬＥＤ等を光源とする光ビームを照射して静電潜像を感光体の表面に形成することができる。
バイアス電源からは、トナーとは逆極性（＋）の、例えば＋２ｋＶ〜＋５ｋＶの範囲の電圧が印加される。
【００４２】
次に、この画像形成装置の動作について説明する。
まず、図２に矢印で示すように、感光体ドラム２０１が、時計方向に所定の周速度（プロセススピード）で回転駆動され、中間転写体２０５が、反時計方向に、感光体ドラム２０１と同じ周速度で回転駆動される。
【００４３】
感光体ドラム２０１は、回転過程で、一次帯電器２０２により所定の極性・電位に一様に帯電処理され、次いで、画像露光２０３を受け、これにより感光体ドラム２０１の表面上には、目的のカラー画像の第１の色成分像（例えばマゼンタ成分像）に対応した静電潜像が形成される。次いで、その静電潜像が第１現像器２０４ａにより第１色であるマゼンタトナーＭにより現像される。この時、第２現像器２０４ｂ、第３現像器２０４ｃ、第４現像器２０４ｄは、作動オフになっていて感光体ドラム２０１には作用せず、第１色のマゼンタトナー像に影響を与えることはない。
【００４４】
このようにして、感光体ドラム２０１上に形成担持された第１色のマゼンタトナー像は、感光体ドラム２０１と中間転写体２０５とのニップ部を通過する過程で、バイアス電源から印加される一次転写バイアスにより形成される電界により、中間転写体２０５外周面に順次中間転写される。
【００４５】
中間転写体２０５に第１色のマゼンタトナー像を転写し終えた感光体ドラム２０１の表面は、感光体クリーナ２０６によりクリーニングされる。次に、感光体ドラム２０１の清掃された表面上に、第１色のトナー像の形成と同様に、第２色のトナー像（例えばシアントナー像）が形成され、この第２色のトナー像が、第１色のトナー像が転写された中間転写体２０５の表面上に重畳転写される。以下同様に、第３色のトナー像（例えばイエロートナー像）、第４色のトナー像（例えばブラックトナー像）が中間転写体２０５上に順次重畳転写され、目的のカラー画像に対応した合成カラートナー像が形成される。
【００４６】
次に、給紙カセット２１４から中間転写体２０５と二次転写ローラ２０９との当接ニップ部に所定のタイミングで記録材２１３が給送され、二次転写ローラ２０９が中間転写体２０５に当接されると共に、二次転写バイアスがバイアス電源から二次転写ローラ２０９に印加されることにより、中間転写体２０５上に重畳転写された合成カラートナー像が、第２の画像担持体である記録材２１３に転写される。記録材２１３へのトナー像の転写終了後、中間転写体２０５上の転写残トナーは中間転写体クリーナ２１０によりクリーニングされる。トナー像が転写された記録材２１３は定着器２１５に導かれ、ここで記録材２１３上にトナー像が加熱定着される。
【００４７】
本画像形成装置の動作において、感光体ドラム２０１から中間転写体２０５への第１〜第４色のトナー像の順次転写実行時には、二次転写ローラ２０９および中間転写体クリーナ２１０は中間転写体２０５から離間させるようにしてもよい。
【００４８】
このような中間転写体を用いた電子写真によるカラー画像形成装置は、以下に示す特徴を有している。
【００４９】
第一に、重ね合わせ時に各色のトナー像の形成位置がずれる色ズレが少ない。また、図２に示すように、記録材２１３をなんら加工、制御（例えばグリッパーに把持する、吸着する、曲率を持たせるなど）する必要なしに、中間転写体２０５からトナー像を転写させることができ、記録材２１３として多種多様なものを用いることができる。例えば、薄い紙（４０ｇ／ｍ２紙）から厚い紙（２００ｇ／ｍ２紙）までの種々の厚みのものを選択して記録材２１３として使用可能である。また、幅の広狭または長さの長短によらず種々の大きさのものを記録材２１３として使用可能である。さらには、封筒、ハガキ、ラベル紙などを記録材２１３として使用可能である。
【００５０】
また、中間転写体２０５に剛性が優れたものを用いることができ、こうすることにより、繰り返し使用によるへこみ、ひずみ、変形などを抑えて、寸法精度の狂いの発生を抑制でき、さらに、中間転写体２０５の交換頻度を少なくすることができる。
このように、中間転写体２０５を用いた画像形成装置には種々の利点がある。
【００５１】
（中間転写ベルトを用いた画像形成装置）
フィルム状の誘電体ベルトからなる中間転写ベルト３０５を有する電子写真プロセスを使用したカラー画像形成装置（複写機またはレーザービームプリンター）の一例の模式図を図３に示す。
【００５２】
この画像形成装置は、表面に静電潜像が形成され、この静電潜像上にトナーが付着されてトナー像が形成される第１の画像担持体である、繰り返し使用される電子写真感光体からなる、回転ドラム型の感光体ドラム３０１を有している。感光体ドラム３０１の周りには、感光体ドラム３０１の表面を所定の極性・電位に一様に帯電させる１次帯電器３０２と、帯電された感光体ドラム３０１の表面に画像露光３０３を行って静電潜像を形成する、不図示の画像露光装置とが配置されている。また、形成された静電潜像上にトナーを付着させて現像する現像器として、ブラックトナーＢを付着させる第１現像器３０４ａと、イエロートナーＹを付着させる現像器とマゼンタトナーＭを付着させる現像器とシアントナーＣを付着させる現像器とを内蔵した回転型の第２の現像器３０４ｂとが配置されている。さらに、中間転写ベルト３０５にトナー像を転写した後、感光体ドラム３０１上をクリーニングする感光体クリーナ３０６および感光体ドラム３０１の除電を行う除電露光３０７が設けられている。
【００５３】
中間転写ベルト３０５は、感光体ドラム３０１に当接ニップ部を介して駆動するように配置されており、内側には感光体ドラム３０１上に形成されたトナー像を中間転写ベルト３０５に転写するための一次転写ローラ３０８が配備されている。一次転写ローラ３０８には、感光体ドラム３０１上のトナー像を中間転写ベルト３０５に転写するための一次転写バイアスを印加するバイアス電源（不図示）が接続されている。中間転写ベルト３０５の周りには、中間転写ベルト３０５に転写されたトナー像を記録材３１３にさらに転写するための二次転写ローラ３０９が、中間転写ベルト３０５の下面部に接触するように設けられている。二次転写ローラ３０９には、中間転写ベルト３０５上のトナー像を記録材３１３に転写するための二次転写バイアスを印加するバイアス電源が接続されている。また、中間転写ベルト３０５上のトナー像を記録材３１３に転写した後、中間転写ベルト３０５の表面上に残留した転写残トナーをクリーニングするための中間転写ベルトクリーナ３１０が設けられている。
【００５４】
また、この画像形成装置は、画像が形成される複数の記録材３１３を保持する給紙カセット３１４と、記録材３１３を給紙カセット３１４から中間転写ベルト３０５と二次転写ローラ３０９との当接ニップ部を介して搬送する搬送機構とが設けられている。記録材３１３の搬送経路上には、記録材３１３上に転写されたトナー像を記録材３１３上に定着させる定着器３１５が配置されている。
一次帯電器３０２としてはコロナ放電器などが用いられる。
【００５５】
画像露光装置としては、カラー原稿画像の色分解・結像露光光学系や、画像情報の時系列電気デジタル画素信号に対応して変調されたレーザービームを出力するレーザースキャナによる走査露光系などが用いられる。このような露光系により、画像パターンに従って、複数行、複数列の画素マトリックスの各画素ごとに、レーザーまたはＬＥＤ等を光源とする光ビームを照射して静電潜像を感光体の表面に形成することができる。
【００５６】
次に、この画像形成装置の動作について説明する。
まず、図３に矢印で示すように、感光体ドラム３０１が、時計方向に所定の周速度（プロセススピード）で回転駆動され、中間転写ベルト３０５が、反時計方向に、感光体ドラム３０１と同じ周速度で回転駆動される。
【００５７】
感光体ドラム３０１は、回転過程で、一次帯電器３０２により所定の極性・電位に一様に帯電処理され、次いで、画像露光３０３を受け、これにより感光体ドラム３０１の表面上には、目的のカラー画像の第１の色成分像（例えばマゼンタ成分像）に対応した静電潜像が形成される。次いで、第２現像器が回転し、マゼンタトナーＭを付着させる現像器が所定の位置にセットされ、その静電潜像が第１色であるマゼンタトナーＭにより現像される。この時、第１現像器３０４ａは、作動オフになっていて感光体ドラム３０１には作用せず、第１色のマゼンタトナー像に影響を与えることはない。
【００５８】
このようにして、感光体ドラム３０１上に形成担持された第１色のマゼンタトナー像は、感光体ドラム３０１と中間転写ベルト３０５とのニップ部を通過する過程で、一次転写バイアスがバイアス電源（不図示）から一次転写ローラ３０８に印加されることによって形成される電界により、中間転写ベルト３０５外周面に順次中間転写される。
【００５９】
中間転写ベルト３０５に第１色のマゼンタトナー像を転写し終えた感光体ドラム３０１の表面は、感光体クリーナ３０６によりクリーニングされる。次に、感光体ドラム３０１の清掃された表面上に、第１色のトナー像の形成と同様に、第２色のトナー像（例えばシアントナー像）が形成され、この第２色のトナー像が、第１色のトナー像が転写された中間転写ベルト３０５の表面上に重畳転写される。以下同様に、第３色のトナー像（例えばイエロートナー像）、第４色のトナー像（例えばブラックトナー像）が中間転写ベルト３０５上に順次重畳転写され、目的のカラー画像に対応した合成カラートナー像が形成される。
【００６０】
次に、給紙カセット３１４から中間転写ベルト３０５と二次転写ローラ３０９との当接ニップ部に所定のタイミングで記録材３１３が給送され、二次転写ローラ３０９が中間転写ベルト３０５に当接されると共に、二次転写バイアスがバイアス電源から二次転写ローラ３０９に印加されることにより、中間転写ベルト３０５上に重畳転写された合成カラートナー像が、第２の画像担持体である記録材３１３に転写される。記録材３１３へのトナー像の転写終了後、中間転写ベルト３０５上の転写残トナーは中間転写ベルトクリーナ３１０によりクリーニングされる。トナー像が転写された記録材３１３は定着器３１５に導かれ、ここで記録材３１３上にトナー像が加熱定着される。
【００６１】
本画像形成装置の動作において、感光体ドラム３０１から中間転写ベルト３０５への第１〜第４色のトナー像の順次転写実行時には、二次転写ローラ３０９および中間転写ベルトクリーナ３１０は中間転写ベルト３０５から離間させるようにしてもよい。
【００６２】
このような中間転写ベルトを用いた電子写真によるカラー画像形成装置は、以下に示す特徴を有している。
【００６３】
第一に、重ね合わせ時に各色のトナー像の形成位置がずれる色ズレが少ない。また、図３に示すように、記録材３１３をなんら加工、制御（例えばグリッパーに把持する、吸着する、曲率を持たせるなど）する必要なしに、中間転写ベルト３０５からトナー像を転写させることができ、記録材３１３として多種多様なものを用いることができる。例えば、薄い紙（４０ｇ／ｍ２紙）から厚い紙（２００ｇ／ｍ２紙）までの種々の厚みのものを選択して記録材３１３として使用可能である。また、幅の広狭または長さの長短によらず種々の大きさのものを記録材３１３として使用可能である。さらには、封筒、ハガキ、ラベル紙などを記録材３１３として使用可能である。
【００６４】
また、中間転写ベルト３０５は、柔軟性に優れており、感光体ドラム３０１や記録材３１３とのニップを自由に設定することができるため、設計の自由度が高く、転写効率などを最適化しやすいといった特徴がある。
このように、中間転写ベルト３０５を用いた画像形成装置には種々の利点がある。
【００６５】
（ａ−Ｓｉ感光体）
次に、図面に基づいて本発明の電子写真感光体（感光体と表すことがある）の詳細を説明する。図４は、本発明の電子写真感光体の層構成を説明するための模式的構成図である。
【００６６】
図４（ａ）に示す感光体４００は、感光体用の導電性の支持体（基体と表すことがある）４０１の上に、光受容層４０２が設けられたものである。光受容層４０２は、水素原子（Ｈ）またはハロゲン原子（Ｘ）を含む非単結晶材料、たとえば、アモルファスシリコン（「ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘ」と表すことがある）等からなり光導電性を有する光導電層４０３で構成され、光導電層４０３は支持体４０１側から順に第一の層領域４１１と第二の層領域４１２とからなっている。
【００６７】
図４（ｂ）に示す感光体４００は、感光体用の支持体４０１の上に、光受容層４０２が設けられたものである。光受容層４０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなる光導電性を有する光導電層４０３と、表面層（アモルファスシリコン系）４０４とから構成されている。また、光導電層４０３は支持体４０１側から順に第一の層領域４１１と第二の層領域４１２とからなっている。
【００６８】
図４（ｃ）に示す感光体４００は、感光体用の支持体４０１の上に、光受容層４０２が設けられたものである。光受容層４０２は、支持体４０１側から順に、電荷注入阻止層（アモルファスシリコン系）４０５と、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘとからなる光導電性を有する光導電層４０３と、表面層（アモルファスシリコン系）４０４とから構成されている。また、光導電層４０３は電荷注入阻止層４０５側から順に第一の層領域４１１と第二の層領域４１２とからなっている。
【００６９】
（支持体）
本発明において使用される支持体としては、導電性でも電気絶縁性であってもよい。導電性支持体としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、およびこれらの合金、例えばステンレス等が挙げられる。また、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシードガラス、セラミック等の電気絶縁性支持体の少なくとも感光層を形成する側の表面を導電処理した支持体も用いることができる。
【００７０】
本発明において使用される支持体４０１の形状は平滑表面あるいは凹凸表面の円筒状または無端ベルト状であることができ、その厚さは、所望通りの感光体４００を形成し得るように適宜決定するが、感光体４００としての可撓性が要求される場合には、支持体４０１としての機能が充分発揮できる範囲内で可能な限り薄くすることができる。しかしながら、支持体４０１は製造上および取り扱い上、機械的強度等の点から通常は１０μｍ以上とされる。
【００７１】
（光導電層）
本発明において、その目的を効果的に達成するために支持体４０１上に形成され、光受容層４０２の一部を構成する光導電層４０３は真空堆積膜形成方法によって、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの数値条件が設定されて作成される。具体的には、例えば、グロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成することができる。
【００７２】
これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程度、製造規模、作製される感光体に所望される特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望の特性を有する感光体を製造するに当たっての条件の制御が比較的容易であることからグロー放電法、特にＲＦ帯の電源周波数を用いた高周波グロー放電法が好適である。
【００７３】
グロー放電法によって光導電層４０３を形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガスまたは／およびハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部が減圧にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置されてある所定の支持体４０１上にａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなる層を形成すればよい。
【００７４】
また、本発明において光導電層４０３中に水素原子または／およびハロゲン原子が含有されることが必要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性および電荷保持特性を向上させるために必須不可欠であるからである。よって水素原子またはハロゲン原子の含有量、または水素原子とハロゲン原子の和の量は、第１の層領域は１５〜３０原子％、第２の層領域は１０〜２５原子％とされるのが望ましい。
【００７５】
本発明において、使用されるＳｉ供給用ガスとなり得る物質としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、Ｓｉ４Ｈ１０等のガス状態の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、さらに層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして挙げられる。
【００７６】
そして、形成される光導電層４０３中に水素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御をいっそう容易になるように図り、本発明の目的を達成する膜特性を得るために、これらのガスにさらにＨ２および／またはＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成することが必要である。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合しても差し支えないものである。
【００７７】
また本発明において使用されるハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効なのは、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲンをふくむハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げることができる。
【００７８】
本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ２），ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ３、ＢｒＦ３、ＢｒＦ５、ＩＦ３、ＩＦ７等のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、例えばＳｉＦ４、Ｓｉ２Ｆ６等の弗化珪素が好ましいものとして挙げることができる。
【００７９】
光導電層４０３中に含有される水素原子または／およびハロゲン原子の量を制御するには、例えば支持体４０１の温度、水素原子または／およびハロゲン原子を含有させるために使用される原料物質の反応容器内へ導入する量、放電電力等を制御すればよい。
【００８０】
本発明において、光導電層４０３には必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが好ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層中のそれぞれの層４１１、４１２中に万偏なく均一に分布した状態で含有されてもよいし、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している部分があってもよい。しかし、４１２の濃度は４１１の濃度よりも低いことが必要である。
【００８１】
前記伝導性を制御する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表第１３族に属する原子（以降、「第１３族原子」と表すことがある）またはｎ型伝導特性を与える周期律表第１５族に属する原子（以降、「第１５族原子」と表すことがある）を用いることができる。
【００８２】
第１３族原子としては、具体的には硼素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第１５族原子としては、具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適である。
【００８３】
第一の層領域４１１に含有される伝導性を制御する原子の含有量としては、好ましくは０．２〜１００原子ｐｐｍ、より好ましくは０．２〜５０原子ｐｐｍ、最適には０．２〜３０原子ｐｐｍとするのが望ましい。また、第二の層領域に含有される伝導性を制御する原子の含有量としては、好ましくは０．０１〜３０原子ｐｐｍ、より好ましくは０．０１〜２０原子ｐｐｍ、最適には０．０１〜１０原子ｐｐｍとするのが望ましい。
【００８４】
本発明において伝導型制御元素を第二の層領域４１２において第一の層領域４１１よりも少なくなるように含有させると、より光メモリーの改善が顕著になるが、これは光導電層のＥｇやＥｕといった物性から得られるキャリアの走行性を調整して走行性を高次でバランスさせることによると考えられる。
【００８５】
そして、より光メモリーの改善を行う場合、正孔電子対が主に生成する部分である第二の層領域４１２は露光波長のピーク波長光を８０〜９５％吸収する領域とし、周期律表第１３族に属する元素の含有量は、第一の層領域４１１にはシリコン原子に対して０．２〜３０ｐｐｍに制御するのが望ましく、そして第二の層領域４１２には０．０１〜１０ｐｐｍに制御するのが望ましい。
【００８６】
伝導性を制御する原子、例えば、第１３族原子あるいは第１５族原子を構造的に導入するには、層形成の際に、第１３族原子導入用の原料物質あるいは第１５族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中に、光導電層４０３を形成するための他のガスとともに導入してやればよい。第１３族原子導入用の原料物質あるいは第１５族原子導入用の原料物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状の、または、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。
【００８７】
そのような第１３族原子導入用の原料物質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ１０、Ｂ５Ｈ９、Ｂ５Ｈ１１、Ｂ６Ｈ１０、Ｂ６Ｈ１２、Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ３、ＢＣｌ３、ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ３、ＧａＣｌ３、Ｇａ（ＣＨ３）３、ＩｎＣｌ３、ＴｌＣｌ３等も挙げることができる。
【００８８】
第１５族原子導入用の原料物質として有効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３、Ｐ２Ｈ４等の水素化燐、ＰＨ４Ｉ、ＰＦ３、ＰＦ５、ＰＣｌ３、ＰＣｌ５、ＰＢｒ３、ＰＢｒ５、ＰＩ３等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３、ＡｓＣｌ３、ＡｓＢｒ３、ＡｓＦ５、ＳｂＨ３、ＳｂＦ３、ＳｂＦ５、ＳｂＣｌ３、ＳｂＣｌ５、ＢｉＨ３、ＢｉＣｌ３、ＢｉＢｒ３等も第１３族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げることができる。
【００８９】
また、これらの伝導性を制御する原子導入用の原料物質を必要に応じてＨ２および／またはＨｅにより希釈して使用してもよい。
【００９０】
さらに本発明においては、光導電層４０３に炭素原子および／または酸素原子および／または窒素原子を含有させることも有効である。炭素原子および／または酸素原子／およびまたは窒素原子の含有量はシリコン原子、炭素原子、酸素原子および窒素原子の和に対して好ましくは１×１０−５〜１０原子％、より好ましくは１×１０−４〜８原子％、最適には１×１０−３〜５原子％が望ましい。炭素原子および／または酸素原子および／または窒素原子は、光導電層中に万遍なく均一に含有されてもよいし、光導電層の層厚方向に含有量が変化するような不均一な分布をもたせた部分があってもよい。
【００９１】
本発明において、光導電層４０３の層厚は所望の電子写真特性が得られることおよび経済的効果等の点から適宜所望にしたがって決定され、好ましくは２０〜５０μｍ、より好ましくは２３〜４５μｍ、最適には２５〜４０μｍとされるのが望ましい。層厚を２０μｍ以上とすると、帯電能や感度等の電子写真特性が向上し、５０μｍ以下とすると、光導電層の作製時間が短縮され製造コストを低減することができる。
【００９２】
また、本発明において、光導電層における表面側に配設された第２の層領域４１２は、露光波長のピーク波長光を８０〜９５％を吸収する領域とすることが好ましい。上記範囲とすると、除電露光や像露光の吸収領域と生成するキャリアの走光性のバランスから、帯電能、帯電能の温度特性、感度の温度特性、感度の直線性、感度ムラ、光メモリーの改善の効果を充分に発揮することができる。
【００９３】
本発明の目的を達成し、所望の膜特性を有する光導電層４０３を形成するには、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体温度を適宜設定することが必要である。
【００９４】
希釈ガスとして使用するＨ２および／またはＨｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、第１の層領域の場合、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ２および／またはＨｅの流量を、通常の場合３〜２０倍、好ましくは４〜１５倍、最適には５〜１０倍の範囲に制御することが望ましく、第２の層領域の場合、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ２および／主たはＨｅの流量を、通常の場合２〜１２倍、好ましくは３〜１０倍、最適には４〜８倍の範囲に制御することが望ましい。
【００９５】
反応容器内のガス圧も、同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１０−２〜１×１０３Ｐａ、好ましくは５×１０−２〜５×１０２Ｐａ、より好ましくは１×１０−１〜２×１０２Ｐａである。
【００９６】
放電電力もまた同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量に対する放電電力の比を、第１の層領域においては２〜８、好ましくは１〜６の範囲に設定することが望ましい。また、第２の層領域においては第１の層領域に比べて小さく、０．５〜４の範囲に設定することが望ましい。
【００９７】
さらに、支持体４０１の温度は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２１０〜３４０℃、最適には２２０〜３３０℃とするのが望ましい。
【００９８】
本発明においては、光導電層を形成するための支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する感光体を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望ましい。
【００９９】
（表面層）
本発明においては、上述のようにして支持体４０１上に形成された光導電層４０３の上に、さらに表面層４０４を形成することが好ましい。この表面層４０４は自由表面を有し、主に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性において本発明の目的を達成するために設けられる。
【０１００】
また、本発明においては、光受容層４０２を構成する光導電層４０３と表面層４０４とを形成する非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成要素を有しているので、積層界面において化学的な安定性の確保が十分成されている。
【０１０１】
表面層４０４は、アモルファスシリコン系の材料であればいずれの材質でも可能であるが、例えば、水素原子（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに炭素原子を含有するアモルファスシリコン（以下、ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘと表すことがある）、水素原子（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに酸素原子を含有するアモルファスシリコン（以下、ａ−ＳｉＯ：Ｈ，Ｘと表すことがある）、水素原子（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに窒素原子を含有するアモルファスシリコン（以下、ａ−ＳｉＮ：Ｈ，Ｘと表すことがある）、水素原子（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに炭素原子、酸素原子、窒素原子の少なくとも一つを含有するアモルファスシリコン（以下、ａ−ＳｉＣＯＮ：Ｈ，Ｘと表すことがある）等の材料が好適に用いられる。
【０１０２】
本発明において、その目的を効果的に達成するために、表面層４０４は真空堆積膜形成方法によって、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの数値条件が設定されて作成される。具体的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成することができる。
【０１０３】
これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程度、製造規模、作成される感光体に所望される特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、感光体の生産性から光導電層と同等の堆積法によることが好ましい。
【０１０４】
例えば、グロー放電法によってａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘよりなる表面層４０４を形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガスまたは／およびハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部を減圧にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置された光導電層４０３を形成した支持体４０１上にａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘからなる層を形成すればよい。
【０１０５】
本発明において用いる表面層の材質としてはシリコンを含有するアモルファス材料ならば何れでもよいが、炭素、窒素、酸素より選ばれた元素を少なくとも１つ含むシリコン原子との化合物が好ましく、特にａ−ＳｉＣを主成分としたものが好ましい。
【０１０６】
表面層をａ−ＳｉＣを主成分として構成する場合の炭素量は、シリコン原子と炭素原子の和に対して３０〜９０％の範囲が好ましい。
【０１０７】
また、本発明において表面層４０４中に水素原子または／およびハロゲン原子が含有されることが必要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性特性および電荷保持特性を向上させるために必須不可欠である。
【０１０８】
水素含有量は、構成原子の総量に対して通常の場合３０〜７０原子％、好適には３５〜６５原子％、最適には４０〜６０原子％とするのが望ましい。また、ハロゲン原子の含有量として、通常の場合は０．０１〜１５原子％、好適には０．１〜１０原子％、最適には０．６〜４原子％とされるのが望ましい。
【０１０９】
これらの水素および／またはハロゲン原子含有量の範囲内で形成される感光体は、実際面において従来にない格段に優れたものとして充分適用させ得るものである。すなわち、表面層内に存在する欠陥（主にシリコン原子や炭素原子のダングリングボンド）は電子写真感光体としての特性に悪影響を及ぼすことが知られている。例えば自由表面から電荷の注入による帯電特性の劣化、使用環境、例えば高い湿度のもとで表面構造が変化することによる帯電特性の変動、さらにコロナ帯電時や光照射時に光導電層より表面層に電荷が注入され、前記表面層内の欠陥に電荷がトラップされることにより繰り返し使用時の残像現象の発生等がこの悪影響として挙げられる。
【０１１０】
しかしながら表面層内の水素含有量を３０原子％以上に制御することで表面層内の欠陥が大幅に減少し、その結果、従来に比べて電気的特性面および高速連続使用性において飛躍的な向上を図ることができる。
【０１１１】
一方、前記表面層中の水素含有量を７０原子％以下とすると表面層の硬度が高く、繰り返し使用に対する耐久性が向上する。従って、表面層中の水素含有量を前記の範囲内に制御することが格段に優れた所望の電子写真特性を得る上で非常に好ましい。表面層中の水素含有量は、原料ガスの流量（比）、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御し得る。
【０１１２】
また、表面層中のハロゲン原子含有量を０．０１原子％以上の範囲に制御することで表面層内のシリコン原子と炭素原子の結合の発生をより効果的に達成することが可能となる。さらに、表面層中のハロゲン原子の働きとして、コロナ等のダメージによるシリコン原子と炭素原子の結合の切断を効果的に防止することができる。
【０１１３】
一方、表面層中のハロゲン原子含有量を１５原子％以下とすると表面層内のシリコン原子と炭素原子の結合の発生の効果およびコロナ等のダメージによるシリコン原子と炭素原子の結合の切断を防止する効果大きくなり好ましい。さらに、ハロゲン原子が表面層中のキャリアの走行性を阻害することもなく、残留電位や画像メモリーも認みられない。従って、表面層中のハロゲン原子含有量を前記範囲内に制御することは所望の電子写真特性を得る上で非常に好ましい。表面層中のハロゲン原子含有量は、水素含有量と同様に原料ガスの流量（比）、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御し得る。
【０１１４】
本発明の表面層の形成において使用されるシリコン（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、Ｓｉ４Ｈ１０等のガス状態の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、さらに層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして挙げられる。また、これらのＳｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ２かＨｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
【０１１５】
炭素供給用ガスとなり得る物質としては、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ６、Ｃ３Ｈ８、Ｃ４Ｈ１０等のガス状態の、またはガス化し得る炭化水素が有効に使用されるものとして挙げられ、さらに層作成時の取り扱い易さ、Ｃ供給効率の良さ等の点でＣＨ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ６が好ましいものとして挙げられる。また、これらのＣ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ２、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
【０１１６】
窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質としては、ＮＨ３、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２、Ｎ２等のガス状態の、またはガス化し得る化合物が有効に使用されるものとして挙げられる。また、これらの窒素、酸素供給用の原料ガスを必要に応じてＨ２かＨｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
【０１１７】
また、形成される表面層４０４中に導入される水素原子の導入割合の制御をいっそう容易になるように図るために、これらのガスにさらに水素ガスまたは水素原子を含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成することが好ましい。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合しても差し支えないものである。
【０１１８】
ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効なのは、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲンをふくむハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げることができる。本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ２）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ３、ＢｒＦ３、ＢｒＦ５、ＩＦ３、ＩＦ７等のハロゲン間化合物を挙げることができる。
【０１１９】
ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、例えばＳｉＦ４、Ｓｉ２Ｆ６等の弗化珪素が好ましいものとして挙げることができる。
【０１２０】
表面層４０４中に含有される水素原子または／およびハロゲン原子の量を制御するには、例えば支持体４０１の温度、水素原子または／およびハロゲン原子を含有させるために使用される原料物質の反応容器内へ導入する量、放電電力等を制御すればよい。
【０１２１】
炭素原子および／または酸素原子および／または窒素原子は、表面層中に万遍なく均一に含有されてもよいし、表面層の層厚方向に含有量が変化するような不均一な分布をもたせた部分があってもよい。
【０１２２】
さらに本発明においては、表面層４０４には必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが好ましい。伝導性を制御する原子は、表面層４０４中に万偏なく均一に分布した状態で含有されてもよいし、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している部分があってもよい。
【０１２３】
前記の伝導性を制御する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える第１３族原子、または、ｎ型伝導特性を与える第１５族原子を用いることができる。
【０１２４】
第１３族原子としては、具体的には、硼素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第１５族原子としては、具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適である。
【０１２５】
表面層４０４に含有される伝導性を制御する原子の含有量としては、好ましくは１×１０−３〜１×１０３原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０−２〜５×１０２原子、ｐｐｍ最適には１×１０−１〜１×１０２原子ｐｐｍとされるのが望ましい。伝導性を制御する原子、例えば、第１３族原子あるいは第１５族原子を構造的に導入するには、層形成の際に、第１３族原子導入用の原料物質あるいは第１５族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中に、表面層４０４を形成するための他のガスとともに導入してやればよい。
【０１２６】
第１３族原子導入用の原料物質あるいは第１５族原子導入用の原料物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。そのような第１３族原子導入用の原料物質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ１０、Ｂ５Ｈ９、Ｂ５Ｈ１１、Ｂ６Ｈ１０、Ｂ６Ｈ１２、Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ、ＢＣｌ３、ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ３、ＧａＣｌ３、Ｇａ（ＣＨ３）３、ＩｎＣｌ３、ＴｌＣｌ３等も挙げることができる。
【０１２７】
第１５族原子導入用の原料物質として、有効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３、Ｐ２Ｈ４等の水素化燐、ＰＨ４Ｉ、ＰＦ３、ＰＦ５、ＰＣｌ３、ＰＣｌ５、ＰＢｒ３、ＰＢｒ５、ＰＩ３等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３、ＡｓＣｌ３、ＡｓＢｒ３、ＡｓＦ５、ＳｂＨ３、ＳｂＦ３、ＳｂＦ５、ＳｂＣｌ３、ＳｂＣｌ５、ＢｉＨ３、ＢｉＣｌ３、ＢｉＢｒ３等も第１５族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げることができる。
【０１２８】
また、これらの伝導性を制御する原子導入用の原料物質を必要に応じてＨ２かＨｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
【０１２９】
本発明における表面層４０４の層厚としては、通常０．０１〜３μｍ、好適には０．０５〜２μｍ、最適には０．１〜１μｍとされるのが望ましいものである。層厚を０．０１μｍ以上とすると耐磨耗性が向上し感光体の使用中に表面層が失われることがない。また３μｍ以下とすると残留電位の増加等の電子写真特性の低下が起こらず好ましい。
【０１３０】
本発明による表面層４０４は、その要求される特性が所望通りに与えられるように注意深く形成される。すなわち、Ｓｉ，Ｃおよび／またはＮおよび／またはＯ，Ｈおよび／またはＸを構成要素とする物質はその形成条件によって構造的には結晶からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、また、光導電的性質から非光導電的性質までの間の性質を各々示すので、本発明においては、目的に応じた所望の特性を有する化合物が形成されるように、所望に従ってその形成条件の選択が厳密になされる。例えば、表面層４０４を耐圧性の向上を主な日的として設けるには、使用環境において電気絶縁性的挙動の顕著な非単結晶材料として作成される。
【０１３１】
また、連続繰り返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる目的として表面層４０４が設けられる場合には、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光に対して有る程度の感度を有する非単結晶材料として形成される。
【０１３２】
本発明の目的を達成し得る特性を有する表面層４０４を形成するには、ガスの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体温度を適宜設定することが必要であるが、これらの層作成ファクターは通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する電荷注入阻止層を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望ましい。
【０１３３】
さらに本発明においては、光導電層と表面層の間に、炭素原子、酸素原子、窒素原子の含有量を表面層より減らしたブロッキング層（下部表面層）を設けることも帯電能等の特性をさらに向上させるためには有効である。
【０１３４】
また表面層４０４と光導電層４０３との間に炭素原子および／または酸素原子および／または窒素原子の含有量が光導電層４０３に向かって減少するように変化する領域を設けてもよい。これにより表面層と光導電層の密着性を向上させ、光キャリアの表面ヘの移動がスムーズになるとともに光導電層と表面層の界面での光の反射による千渉の影響をより少なくすることができる。
【０１３５】
（電荷注入阻止層）
本発明の感光体においては、導電性支持体と光導電層との間に、導電性支持体側からの電荷の注入を阻止する働きのある電荷注入阻止層を設けるのがいつそう効果的である。
【０１３６】
すなわち、電荷注入阻止層は感光層が一定極性の帯電処理をその自由表面に受けた際、支持体側より光導電層側に電荷が注入されるのを阻止する機能を有し、逆の極性の帯電処理を受けた際にはそのような機能は発揮されない、いわゆる極性依存性を有している。そのような機能を付与するために、電荷注入阻止層には伝導性を制御する原子を光導電層に比ベ比較的多く含有させる。
【０１３７】
該層に含有される伝導性を制御する原子は、該層中に万偏なく均一に分布されてもよいし、あるいは層厚方向には万偏なく含有されてはいるが、不均一に分布する状態で含有している部分があってもよい。分布濃度が不均一な場合には、支持体側に多く分布するように含有させるのが好適である。しかしながら、いずれの場合にも支持体の表面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく含有されることが面内方向における特性の均一化をはかる点からも好ましい。
【０１３８】
電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える第１３族原子、または、ｎ型伝導特性を与える第１５族原子を用いることができる。
【０１３９】
第１３族原子としては、具体的には、Ｂ（ほう素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔａ（タリウム）等があり、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第１５族原子としては、具体的にはＰ（リン）、Ａｓ（批素）、Ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ、Ａｓが好適である。
【０１４０】
本発明において電荷注入阻止層中に含有される伝導性を制御する原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成できるように所望にしたがって適宜決定されるが、好ましくは１０〜１ｘ１０４原子ｐｐｍ、より好適には５０〜５ｘ１０３原子ｐｐｍ、最適には１ｘ１０２〜３×１０３原子ｐｐｍとされるのが望ましい。
【０１４１】
さらに、電荷注入阻止層には、炭素原子、窒素原子および酸素原子の少なくとも一種を含有させることによって、該電荷注入阻止層に直接接触して設けられる他の層との間の密着性の向上をよりいっそう図ることができる。該層に含有される炭素原子または窒素原子または酸素原子は該層中に万偏なく均一に分布されてもよいし、あるいは層厚方向には万偏なく含有されてはいるが、不均一に分布する状態で含有している部分があってもよい。
【０１４２】
しかしながら、いずれの場合にも支持体の表面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく含有されることが面内方向における特性の均一化をはかる点からも好ましい。
【０１４３】
本発明における電荷注入阻止層の全層領域に含有される炭素原子および／または窒素原子および／または酸素原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達成されるように適宜決定されるが、一種の場合はその量として、二種以上の場合はその総和として、好ましくは１×１０−３〜３０原子％、より好適には５×１０−３〜２０原子％、最適には１×１０−２〜１０原子％とされるのが望ましい。
【０１４４】
また、本発明における電荷注入阻止層に含有される水素原子および／またはハロゲン原子は層内に存在する未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏する。電荷注入阻止層中の水素原子またはハロゲン原子あるいは水素原子とハロゲン原子の和の含有量は、好適には１〜５０原子％、より好適には５〜４０原子％、最適には１０〜３０原子％とするのが望ましい。
【０１４５】
本発明において、電荷注入阻止層の層厚は、所望の電子写真特性が得られること、および経済的効果等の点から好ましくは０．１〜５μｍ、より好ましくは０．３〜４μｍ、最適には０．５〜３μｍとされるのが望ましい。層厚を０．１μｍ以上とすると、支持体からの電荷の注入阻止能が高く充分な帯電能を得ることができる。５μｍ以下とすると、作製時間が短縮され製造コストを低減することができ好ましい。
【０１４６】
本発明において電荷注入阻止層を形成するには、前述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆積法が採用される。本発明の目的を達成し得る特性を有する電荷注入阻止層４０５を形成するには、ガスの混合比、反応容器内のガス圧放電電力ならびに支持体温度を適宜設定することが必要であるが、これらの層作成ファクターは通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する電荷注入阻止層を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望ましい。
【０１４７】
このほかに、本発明の感光体においては、光受容層４０２の前記支持体４０１側に、少なくともアルミニウム原子、シリコン原子、水素原子または／およびハロゲン原子が層厚方向に不均一な分布状態で含有する層領域を有することが望ましい。
【０１４８】
また、本発明の感光体においては、支持体４０１と光導電層４０３あるいは電荷注入阻止層４０５との間の密着性の一層の向上を図る目的で、例えばＳｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、あるいはシリコン原子を母体とし、水素原子および／またはハロゲン原子と、炭素原子および／または酸素原子および／または窒素原子とを含む非晶質材料等で構成される密着層を設けてもよい。さらに、支持体からの反射光による干渉模様の発生を防止するための光吸収層を設けてもよい。
【０１４９】
（本発明に用いた感光体の製造方法）
本発明では、感光体ドラムに、ａ−Ｓｉ感光層を高周波プラズマＣＶＤ（ＰＣＶＤ）法により成膜したａ−Ｓｉ感光体を用いた。図５に、本発明に用いた電子写真感光体の製造に使用することが可能なプラズマＣＶＤ法による堆積装置の好適な構成の一例を模式的に示した図を示す。
【０１５０】
この装置は大別すると、堆積装置５１００、原料ガス供給装置５２００、反応容器５１１０内を減圧するための排気装置（図示せず）から構成されている。堆積装置５１００中の反応容器５１１０内には円筒状支持体５１１２、支持体加熱用ヒーター５１１３、原料ガス導入管５１１４が設置され、更に高周波マッチングボックス（マッチングボックスと表すことがある）５１１５を介して高周波電源５１２０が反応容器を兼ねるカソード電極５１１１に接続されている。
【０１５１】
原料ガス供給装置５２００は、ＳｉＨ４、ＧｅＨ４、Ｈ２、ＣＨ４、Ｂ２Ｈ６、ＰＨ３等の原料ガスのボンベ５２２１〜５２２６と原料ガスボンベバルブ５２３１〜５２３６、ガス流入バルブ５２４１〜５２４６、ガス流出バルブ５２５１〜５２５６およびマスフローコントローラー５２１１〜５２１６から構成され、各原料ガスのボンベはバルブ５２６０を介して反応容器５１１０内の原料ガス導入管５１１４に接続されている。
【０１５２】
図５に示した装置を用いた堆積膜の形成は、概略以下のような手順によって行われる。
【０１５３】
まず、反応容器５１１０内に円筒状支持体５１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）により反応容器５１１０内を排気する。続いて、支持体加熱用ヒーター５１１３により円筒状支持体５１１２の温度を２００℃〜３５０℃の所定の温度に制御する。
【０１５４】
次に、堆積膜形成用の原料ガスを、原料ガス供給装置５２００により流量制御し、反応容器５１１０内に導入する。そして、排気速度を調整することにより所定の圧力に設定する。
以上のようにして堆積の準備が完了した後、以下に示す手順で各層の形成を行う。
内圧が安定したところで、高周波電源５１２０を所望の電力に設定して、高周波マッチングボックス５１１５を通じてカソード電極５１１１に供給し高周波グロー放電を生起させる。放電に用いる周波数は１〜３０ＭＨｚのＲＦ帯が好適に使用出来る。また、装置形態が異なるが、光導電層の形成には２．４５ＧＨｚに代表されるマイクロ波を用いても構わない。
【０１５５】
この放電エネルギーによって反応容器５１１０内に導入された各原料ガスが分解され、円筒状支持体５１１２上に所定のシリコン原子を主成分とする堆積膜が形成される。所望の膜厚の形成が行われた後、高周波電力の供給を止め、ガス供給装置の各バルブを閉じて反応容器５１１０への各原料ガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
【０１５６】
同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【０１５７】
また、膜形成の均一化を図るために、層形成を行っている間は、円筒状支持体５１１２を駆動装置（不図示）によって所定の速度で回転させることも有効である。
【０１５８】
さらに、上述のガス種およびバルブ操作は各々の層の作製条件にしたがって変更が加えられることは言うまでもない。
【０１５９】
図６に、本発明に用いた電子写真感光体の製造に使用することが可能なプラズマＣＶＤ法による堆積装置の好適な構成の他の一例を模式的に示した図を示す。
【０１６０】
反応容器６０１は円筒状のものであり、図６（ａ）は、反応容器６０１の中心軸に沿って反応容器６０１を断面にした図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。
【０１６１】
この装置は大別すると、ガス供給装置（図示せず）、円筒状基体６０９が設置される反応容器６０１および反応容器６０１内を減圧するための排気装置（図示せず）から構成されている。
【０１６２】
反応容器６０１には、その容器内の気体を反応容器６０１の外部に排出するための排気管６０２が一体的に形成されている。排気管６０２はガス排気バルブ６１９およびガス排気接続部６２０を介してガス排気部（図示せず）に接続されている。反応容器６０１の上部には開口部が形成されており、その開口部が蓋６１４によって密閉されている。反応容器６０１内は、その容器と同心の円筒状の隔壁６０７によって区分けされている。隔壁６０７の少なくとも一部は誘電体部材で構成されており、円筒状の隔壁６０７の内側の空間がプラズマ処理空間６０６となっている。反応容器６０１内における隔壁６０７の外側の空間には、反応容器６０１内に高周波電力を導入するための電極６０３が複数設置されている。複数の電極６０３は、反応容器６０１と同心の円周上に所定の間隔をおいて並んでいる。高周波電源６０４より高周波電力が出力され、出力された高周波電力がマッチングボックス６０５およびコンデンサ６１６を経てそれぞれの電極６０３よりプラズマ処理空間６０６内に供給される。放電に用いる周波数は５０〜４５０ＭＨｚのＶＨＦ帯が好適に使用出来る。
【０１６３】
プラズマ処理空間６０６内には、円筒状基体６０９が複数配置されている。それらの円筒状基体６０９は反応容器６０１と同心の円周上に所定のピッチで等間隔に並べられており、それぞれの円筒状基体６０９上に堆積膜が形成される。各々の円筒状基体６０９は、その基体の中心軸と平行な方向に延びる軸６１０によって保持されている。また、各々の円筒状基体６０９の内側には、必要に応じて発熱体６１１が配置され、発熱体６１１によって円筒状基体６０９が加熱されるようになっている。
【０１６４】
さらに、それぞれの円筒状基体６０９を回転させる機構を必要に応じて設けても良い。図６に示される装置では、円筒状基体６０９を支持する軸６１０の下端部は反応容器６０１の底面６０８より反応容器６０１の外部に突出しており、その軸６１０の下端部が、反応容器６０１の外部にある減速ギア６１３を介してモーター６１２の回転軸に繋がっている。モーター６１２を駆動することにより、減速ギア６１３を介して軸６１０が回転し、軸６１０の回転に伴って円筒状基体６０９がその中心軸のまわりで回転する。
【０１６５】
反応容器６０１のほぼ中央部にはガス供給管６１５の一端部が配置され、ガス供給管６１５の他端部は反応容器６０１の外部でガス供給バルブ６１７およびガス供給接続部６１８を介してガス供給部（図示せず）に接続されている。そのガス供給部より、ガス供給管６１５を通してプラズマ処理空間６０６内に所望のプラズマ処理用ガスが供給される。
【０１６６】
図６に示した装置を用いた堆積膜の形成は、概略以下のような手順によって行われる。
【０１６７】
まず、反応容器６０１内に円筒状基体６０９を設置し、不図示の排気装置により排気管６０２を通して反応容器６０１内を排気する。続いて、発熱体６１１により円筒状基体６０９を２００〜３００℃程度の所定の温度に加熱・制御する。
【０１６８】
円筒状基体６０９が所定の温度となったところで、不図示のガス供給装置から供給される原料ガスを、ガス供給管６１５を介して反応容器６０１内に導入する。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器６０１内の圧力が安定したのを確認した後、高周波電源６０４からマッチングボックス６０５を介して電極６０３へ所定のＶＨＦ電力を供給する。これにより、ＶＨＦ電力が反応容器６０１に導入され、プラズマ処理空間６０６にグロー放電が生起し、原料ガスは励起・解離して円筒状基体６０９上に堆積膜が形成される。
【０１６９】
所望の膜厚の形成が行なわれた後、ＶＨＦ電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆積膜の形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【０１７０】
本発明は、上述のように、転写部材に色成分のトナー像を重畳して合成カラー画像を形成する画像形成装置に関するものであり、感光体上に形成される静電潜像の形成プロセス条件と、感光体の膜特性との関係を適切にする事を主要な特徴とする。そこで、以下の実験例により、潜像形成プロセス条件と感光体の膜特性との相関に関する検討結果について説明する。
【０１７１】
［実験例１］
図７に、潜像形成シーケンスと感光体および転写部材の周期との関係を模式的に表した図を示す。
【０１７２】
図７（ａ）は、転写部材を有し、それらの上で各色成分のトナー像が順次重畳転写され、目的のカラー画像に対応した合成カラートナー像が形成される図１〜３に示したような構成の画像形成装置における、潜像形成シーケンスを表している。各色成分のトナー像を重ね合せるために、色ズレが起こらないよう転写部材のタイミングに同期した潜像形成シーケンスとなる。また、感光体の回転周期に関しては、必ずしも転写部材の周期に同期させる必要はないが、感光体周期でムラが存在し、且つ、記録材上で各色毎にムラの位相が異なると、そのムラがより強調されて目立ちやすくなる場合がある。ここで言う感光体周期でのムラには、感光体自身の持つ静電気的特性ムラだけでなく、真円度、フランジ等の組付け精度、モーターやギア等のメカ的な精度によって発生するムラまでも含んだものであり、完全にゼロにすることはきわめて難しい。このため、図７（ａ）に示したように転写部材の周期を感光体の回転周期の整数倍とし、感光体の周期と転写部材の周期とを同期させる構成が好ましい。従って、実質的に感光体の回転周期と、潜像形成シーケンスが同期することになる。
【０１７３】
一方、図７（ｂ）は、転写部材を有さないモノクロ機や、各色毎に感光体を有するタンデム型のカラー機などにおける、潜像形成シーケンスを表している。基本的に、記録材が搬送されるタイミングに同期した潜像形成シーケンスとなり、記録材の長さと紙間部の長さによって、潜像形成シーケンスの周期が決定される。このため、感光体の回転周期と潜像形成シーケンスとは非同期となる。
【０１７４】
次に、本実験例に用いた感光体の製造条件について説明する。
図５に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上に、表１に示す条件により電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる堆積膜を順次積層し、感光体を作製した。この際、光導電層は、電荷注入阻止層側から第一の層領域、第二の層領域を構成した。
【０１７５】
【表１】
2004117886.tif 000002
【０１７６】
このようにして作製した感光体を用い、画像形成装置（電子写真装置　ｉＲ−６０００（キヤノン（株）製；商品名）を実験用に改造した機械）を使って以下のような実験を行った。
【０１７７】
先ず、図７（ｂ）に示した潜像形成シーケンスの場合におけるゴーストについて調べた。実験に用いた画像形成装置（ｉＲ−６０００）の画像露光方式はＢＡＥ方式であり、また、モノクロの画像形成装置であるため、改造なしの状態における潜像形成シーケンスは、図７（ｂ）に示したようになる。この装置に表１に示した条件で作製した感光体をセットし、通常の電子写真プロセスを行った場合の感光体の表面電位プロファイルを、装置の現像器の位置にセットした表面電位計　Ｍｏｄｅｌ　３４４（Ｔｒｅｋ社製；商品名）にて測定し、その電位プロファイルからゴースト電位を計算した。表面電位プロファイルからゴースト電位を計算する方法は、図８に模式的に示したとおりであり、前周が紙間であった部分と非紙間であった部分との電位差を紙間ゴースト電位と定義した。それらの結果を図９に示す。図９のグラフでは、１枚目のゴースト電位を１としたときの相対値で示している。
【０１７８】
次に、図７（ａ）に示した潜像形成シーケンスになるよう、感光体の周期に合わせて潜像形成を行うように改造した機械を使って、上記と同じ実験を行った。その結果も、図９に合わせて示す。
【０１７９】
図９に示す結果から明らかなように、図７（ａ）に示す潜像形成シーケンスでは、プリント枚数が進むとともにに少しずつ、ゴースト電位が大きくなることがわかる。これは、潜像形成シーケンスが感光体の回転周期と同期しているため、紙間の露光部は必ず感光体の周方向の同じ位置にくるためであると考えられる。即ち、プリント枚数が進むとともに紙間露光による光メモリーが蓄積されてゆき、紙間部と非紙間部での電位特性に差が生じやすくなるためであると考えられる。
【０１８０】
これに対し、図７（ｂ）に示した潜像形成シーケンスの場合は、感光体のある特定部分にのみ紙間露光が集中することは無く、紙間部は感光体の周方向において徐々にずれてゆくため、プリント枚数が進んでも、ゴースト電位が大きくなる傾向は観測されない。
【０１８１】
以上の結果より、画像露光方式にＢＡＥ方式を用いた場合、図７（ａ）に示した潜像形成シーケンスの構成は、図７（ｂ）に示した潜像形成シーケンスの構成の場合と比較して、ゴーストに対しては厳しい構成であることがわかった。
【０１８２】
［実験例２］
潜像形成からの時間とゴースト電位との相関について以下に示すような実験を行った。
【０１８３】
実験例１で示したものと同様の条件において作製した感光体を、実験例１で用いた画像形成装置（電子写真装置　ｉＲ−６０００（キヤノン（株）製；商品名）を実験用に改造した機械）にセットし、通常の電子写真プロセスを行った場合の感光体の表面電位プロファイルを測定した。潜像形成シーケンスに関しては、改造前のｉＲ−６０００の状態、即ち、図７（ｂ）に示すシーケンスパターンとした。これは、光メモリーが蓄積する影響を排除して考察を行うためである。また、本実験では、現像器位置の表面電位に加えて、その上流側や下流側などにも表面電位計　Ｍｏｄｅｌ　３４４（Ｔｒｅｋ社製；商品名）を取付けできるように改造を行い、さまざまな位置において、表面電位プロファイルの測定を行った。測定した電位プロファイルは、実験例１と同様の方法でゴースト電位を計算した。それらの結果を図１０に示す。図１０のグラフでは、現像から５５ｍｓｅｃ後におけるゴースト電位を１としたときの相対値で示している。
【０１８４】
図１０に示す結果から明らかなように、潜像形成からの経過時間とともにゴースト電位は大きくなっていくことが確認される。この結果より、１本の感光体の外周に複数の現像器を配備してカラー画像を得る構成においては、下流側の現像器位置の方が上流側の現像器位置よりも、ゴーストに対しては厳しい条件であることがわかった。
【０１８５】
［実験例３］
図５に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、膜特性を調べるために、アルミニウムシリンダーに代えて、サンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形のサンプルホルダーを用い、Ｓｉウエハーならびにガラス基板　７０５９（コーニング社製；商品名）上に、光導電層の各層領域の作成条件にて、膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上の堆積膜は、まず、光学的バンドギャップ（Ｅｇ）を測定した。測定には紫外可視分光光度計Ｖ−５７０（日本分光（株）製；商品名）を用い、波長範囲を２５０〜２５００ｎｍとした。得られた各波長における吸収係数αを元に、通常のＴａｕｃプロット（ｈνと（αｈν）１／２との関係を求め、ｈν軸の切片の値をＥｇと定義する）を用いてＥｇを得た。その後、櫛型にＣｒ電極を蒸着し、ＣＰＭ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ　Ｐｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔ　Ｍｅｔｈｏｄ、一定電流法）により、ａ−Ｓｉ：Ｈの局在準位に基づくサブギャップ光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）を測定した。また、Ｓｉウエハー上の堆積膜はフーリエ変換赤外分光法（ＦＴ−ＩＲ）により水素含有量（Ｃｈ）を測定した。このような実験を、ＳｉＨ４ガス流量、ＳｉＨ４ガスとＨ２ガスとの混合比、ＳｉＨ４ガス流量と放電電力との比率ならびに支持体温度を様々に変え、Ｃｈ、Ｅｕ、Ｅｇの異なるサンプルに対して行った。そして、上述の実験から得たデータを元に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる層構成の感光体を製作した。光導電層は、電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域から構成した。
【０１８６】
続いて、作製した感光体を画像形成装置（電子写真装置　ｉＲ−６０００（キヤノン（株）製；商品名）を実験用に改造した機械）にセットして、実験例１に示した方法と同様の方法で、通常の電子写真プロセスを行った場合の現像器位置における表面電位プロファイルを測定し、ゴースト電位を測定した。
【０１８７】
それらの結果を、光導電層の第１の領域におけるＣｈをパラメータとし、第１の層領域のＣｈが２０％、２５％、３０％となった場合におけるゴースト電位を、第２の領域のＣｈに対してプロットしたグラフを図１１に示す。また、図１１のグラフは、光導電層を全て第１の層領域の成膜条件で成膜した場合を１としたときの相対値で示している。
【０１８８】
図１１に示した結果から明らかなように、第２の層領域における水素含有量（Ｃｈ）を１０〜２５原子％の範囲内とし、且つ、第１の層領域に比べて少なくする場合において、良好なゴースト特性が得られることがわかった。また、Ｃｈが前述の範囲になるときのＥｇ、Ｅｕの値は、Ｅｇがｌ．７０〜１．８０ｅＶ、Ｅｕが５０〜６０ｍｅＶであった。
【０１８９】
［実験例４］
次に、第１の層領域の特性を変化させるために、実験例３と同様に、ＳｉＨ４ガス流量、ＳｉＨ４ガスとＨ２ガスとの混合比、ＳｉＨ４ガス流量と放電電力との比率ならびに支持体温度を種々変え、Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕの異なるサンプルを作成して特性を求め、それを元に種々の感光体を作製した。
【０１９０】
そして、作製した感光体を画像形成装置（電子写真装置　ｉＲ−６０００（キヤノン（株）製；商品名）を実験用に改造した機械）にセットして、電位特性の評価を行った。その結果、帯電特性に関して明らかな差が観測された。その結果を図１２に示す。図１２は、帯電能と第１の層領域におけるＣｈとの関係を表しており、第２の層領域のＣｈをパラメータとして、Ｃｈが１５％、２０％、２５％となった場合における帯電能を、第１の層領域のＣｈに対してプロットしたグラフである。また、ここで言う帯電能とは、前露光の照射条件および一次帯電の条件を一定とした場合における暗部表面電位を帯電能とした。また、図１２のグラフでは、光導電層を全て第２の層領域の成膜条件で成膜した場合を１としたときの相対値で示している。
【０１９１】
図１２に示した結果から明らかなように、第１の層領域における水素含有量（Ｃｈ）には、好適な範囲があり、１５〜３０原子％の範囲内とすることで、十分な帯電特性が得られることがわかった。この結果は、ＥｇやＥｕに加え、膜の誘電率などが、様々に絡み合って引き起こされた結果であると推測される。即ち、Ｃｈが多くなりすぎると、膜中の欠陥密度が多くなりやすく、電荷保持能力が低下しやすくなるためと考えられる。逆に、Ｃｈが少なすぎると、膜の誘電率が大きくなりやすく、従って、感光体の静電容量が大きくなり、帯電能は低下しやすくなるためと考えられる。また、Ｃｈが前述の範囲になるときのＥｇ、Ｅｕの値は、Ｅｇがｌ．７５〜１．８５ｅＶ、Ｅｕが５５〜６５ｍｅＶであった。
【０１９２】
【実施例】
以上の実験例から導き出された前述のような好適な条件を満たす画像形成装置について、さらに具体的な実施例を示して説明する。
【０１９３】
（第１の実施例）
図５に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上に、表２および表３に示す条件により電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる堆積膜を順次積層し、Ａ、Ｂの２種類の層設計に基づく感光体を作製した。表２には共通条件として電荷注入阻止層と表面層の成膜条件を、表３にはそれぞれ異なる光導電層の成膜条件を示した。表３において、光導電層を第１の層領域と第２の層領域に分割しているものに関しては、電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の順に積層した。
【０１９４】
それらの各光導電層における伝導型制御元素の含有量は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）により測定した。また、Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕの値は、実験例３および実験例４と同様の方法で測定した。これらの結果を表４にまとめて示す。
【０１９５】
一方、画像形成装置としては、図２に示した中間転写体を有し、ＹＭＣＢ４色のトナー毎に４つの現像器を有し、画像露光方式にＢＡＥ方式を用いた構成の画像形成装置（電子写真装置ＧＰ−６０５（キヤノン（株）製；商品名）をベースに、実験用として上述の構成のカラー機に改造した機械）を用意した。また、この画像形成装置に用いた中間転写体の周長は、感光体の周長である３３９．５ｍｍの２倍となる６７９ｍｍとした。即ち、この画像形成装置における潜像形成シーケンスは図７（ａ）に示したように、実質的に感光体の回転周期に同期した潜像形成シーケンスとなる。
【０１９６】
この画像形成装置に、上述したＡ、Ｂの２種類の層設計に基づいて作製した感光体を順次セットし、電位特性、画像特性、耐久特性などの評価を行った。
【０１９７】
電位特性に関しては、２種類の感光体に対して、帯電特性、感光特性とも十分に良好な特性が得られた。画像特性における画質に関しては、２種類の感光体に対して、文字に中抜けが生じることもなく、細線も良好に出力することができ、塗りつぶし画像についても均一な画質の画像が得られ、また、１０万枚を通紙しての耐久試験を行った後においても、初期と同様の良好な画質が得られた。また、ゴースト特性の結果に関しては、表４に示す。
【０１９８】
（第１の比較例）
第１の実施例に示した方法と同様の方法において、表２および表３に示す条件により電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる堆積膜を順次積層し、Ｃ、Ｄの２種類の層設計に基づく感光体を作製した。表２には共通条件として電荷注入阻止層と表面層の成膜条件を、表３にはそれぞれ異なる光導電層の成膜条件を示した。表３において、光導電層を第１の層領域と第２の層領域に分割しているものに関しては、電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の順に積層した。
【０１９９】
それらの各光導電層における伝導型制御元素の含有量は実施例１と同様の方法で、Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕの値は、実験例３および実験例４と同様の方法で測定した。これらの結果を表４にまとめて示す。
【０２００】
そして、第１の実施例で使用した画像形成装置に、上述したＣ、Ｄの２種類の層設計に基づいて作製した感光体を順次セットし、第１の実施例と同様の方法において、電位特性、画像特性、耐久特性などの評価を行った。
【０２０１】
電位特性に関しては、２種類の感光体に対して、帯電特性、感光特性とも十分に良好な特性が得られた。画像特性における画質に関しては、２種類の感光体に対して、文字に中抜けが生じることもなく、細線も良好に出力することができ、塗りつぶし画像についても均一な画質の画像が得られ、また、１０万枚を通紙しての耐久試験を行った後においても、初期と同様の良好な画質が得られた。また、ゴースト特性の結果に関しては、表４に示す。
【０２０２】
【表２】
2004117886.tif 000003
【０２０３】
【表３】
2004117886.tif 000004
【０２０４】
【表４】
2004117886.tif 000005
【０２０５】
画像特性（ゴースト）の判定基準
☆・・・ゴースト現象がまったく現れず、極めて良好
◎・・・ゴースト現象がほとんど現れず、非常に良好
○・・・ゴースト現象がかすかに現れるレベルであり、良好
△・・・ゴースト現象が現れるが、実用上は問題なし
×・・・ゴースト現象が現れて、実用上問題となる場合あり
【０２０６】
第１の実施例と第１の比較例の結果をあわせて示した表４から明らかなように、感光体の光導電層を電荷注入阻止層から第１の層領域と第２の層領域の順で積層した２層構成とし、光導電層の第１の層領域におけるＣｈを１５〜３０原子％とし、光導電層の第２の層領域におけるＣｈを１０〜２５原子％、且つ、第１の層領域より少なくすることによって、ゴーストにとって非常に厳しい条件が重なった構成の図２に示した装置構成の画像形成装置においても、画像上でゴーストがほとんど見えない非常に良好な画像が得られることがわかる。
【０２０７】
（第２の実施例）
図５に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、直径８４ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上に、表５および表６に示す条件により電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる堆積膜を順次積層し、Ｅ、Ｆの２種類の層設計に基づく感光体を作製した。表５には共通条件として電荷注入阻止層と表面層の成膜条件を、表６にはそれぞれ異なる光導電層の成膜条件を示した。表６において、光導電層を第１の層領域と第２の層領域に分割しているものに関しては、電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の順に積層した。本実施例においては、光導電層の第１の層領域における伝導型制御元素の含有量を電荷注入阻止層側から表面層側に向かって、おおよそ直線的に減少させた。
【０２０８】
それらの各光導電層における伝導型制御元素の含有量は実施例１と同様にして、Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕの値は、実験例３および実験例４と同様の方法で測定した。本実施例においては、光導電層の第１の層領域における伝導型制御元素の含有量を電荷注入阻止層側から表面層側に向かって減少させたため、その中央値になる成膜条件においてサンプルを作成して、Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕの値を測定した。これらの結果を表７にまとめて示す。
【０２０９】
一方、画像形成装置としては、図３に示した中間転写ベルトを有し、ブラックトナーを付着させる現像器とＹＭＣ３色のトナーを付着させる現像器を内蔵したローターリー式の現像器からなる２つの現像器を有し、画像露光方式にＢＡＥ方式を用いた構成の画像形成装置（電子写真装置ｉＲ−５０００（キヤノン（株）製；商品名）をベースに、実験用として上述の構成のカラー機に改造した機械）を用意した。また、この画像形成装置に用いた中間転写体の周長は、感光体の周長である２６４ｍｍの２倍となる５２８ｍｍとした。即ち、この画像形成装置における潜像形成シーケンスは図７（ａ）に示したように、実質的に感光体の回転周期に同期した潜像形成シーケンスとなる。
【０２１０】
この画像形成装置に、上述したＥ、Ｆの２種類の層設計に基づいて作製した感光体を順次セットし、電位特性、画像特性、耐久特性などの評価を行った。
【０２１１】
電位特性に関しては、２種類の感光体に対して、帯電特性、感光特性とも十分に良好な特性が得られた。画像特性における画質に関しては、２種類の感光体に対して、文字に中抜けが生じることもなく、細線も良好に出力することができ、塗りつぶし画像についても均一な画質の画像が得られ、また、１０万枚を通紙しての耐久試験を行った後においても、初期と同様の良好な画質が得られた。また、ゴースト特性の評価結果に関しては、表７に示す。
【０２１２】
（第２の比較例）
第２の実施例に示した方法と同様の方法において、表５および表６に示す条件により電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる堆積膜を順次積層し、Ｇ、Ｈの２種類の層設計に基づく感光体を作製した。表５には共通条件として電荷注入阻止層と表面層の成膜条件を、表６にはそれぞれ異なる４種類の光導電層の成膜条件を示した。表６において、光導電層を第１の層領域と第２の層領域に分割しているものに関しては、電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の順に積層した。本比較例においては、光導電層の第１の層領域における伝導型制御元素の含有量を電荷注入阻止層側から表面層側に向かって、おおよそ直線的に減少させた。
【０２１３】
それらの各光導電層における伝導型制御元素の含有量は実施例１と同様にして、Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕの値は、実験例３および実験例４と同様の方法で測定した。本実施例においては、光導電層の第１の層領域における伝導型制御元素の含有量を電荷注入阻止層側から表面層側に向かって減少させたため、その中央値になる成膜条件においてサンプルを作成して、Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕの値を測定した。これらの結果を表７にまとめて示す。
【０２１４】
そして、第２の実施例で使用した画像形成装置に、上述したＧ、Ｈの２種類の層設計に基づいて作製した感光体を順次セットし、第２の実施例と同様の方法において、電位特性、画像特性、耐久特性などの評価を行った。
【０２１５】
電位特性に関しては、２種類の感光体に対して、帯電特性、感光特性とも十分に良好な特性が得られた。画像特性における画質に関しては、２種類の感光体に対して、文字に中抜けが生じることもなく、細線も良好に出力することができ、塗りつぶし画像についても均一な画質の画像が得られ、また、１０万枚を通紙しての耐久試験を行った後においても、初期と同様の良好な画質が得られた。また、ゴースト特性の評価結果に関しては、表７に示す。
【０２１６】
【表５】
2004117886.tif 000006
【０２１７】
【表６】
2004117886.tif 000007
【０２１８】
【表７】
2004117886.tif 000008
【０２１９】
画像特性（ゴースト）の判定基準
☆・・・ゴースト現象がまったく現れず、極めて良好
◎・・・ゴースト現象がほとんど現れず、非常に良好
○・・・ゴースト現象がかすかに現れるレベルであり、良好
△・・・ゴースト現象が現れるが、実用上は問題なし
×・・・ゴースト現象が現れて、実用上問題となる場合あり
【０２２０】
第２の実施例と第２の比較例の結果をあわせて示した表７から明らかなように、感光体の光導電層を電荷注入阻止層から第１の層領域と第２の層領域の順で積層した２層構成とし、光導電層の第１の層領域におけるＣｈを１５〜３０原子％とし、光導電層の第１における層領域の伝導型制御元素の含有量を導電性基体側から表面側に向かって減少するような分布とし、光導電層の第２の層領域におけるＣｈを１０〜２５原子％、且つ、第１の層領域より少なくすることによって、ゴーストにとって非常に厳しい条件が重なった構成の図３に示した装置構成の画像形成装置においても、画像上でゴーストがほとんど見えない非常に良好な画像が得られることがわかる。
【０２２１】
（第３の実施例）
図６に示したＶＨＦ帯の高周波によるプラズマＣＶＤ装置を用い、直径６０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上に、表８および表９に示す条件により電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる堆積膜を順次積層し、Ｉ、Ｊの２種類の層設計に基づく感光体を作製した。表８には共通条件として電荷注入阻止層と表面層の成膜条件を、表９にはそれぞれ異なる光導電層の成膜条件を示した。表９において、光導電層を第１の層領域と第２の層領域に分割しているものに関しては、電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の順に積層した。
【０２２２】
それらの各光導電層における伝導型制御元素の含有量は実施例１と同様にして、Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕの値は、実験例３および実験例４と同様の方法で測定した。これらの結果を表１０にまとめて示す。
【０２２３】
一方、画像形成装置としては、図１に示した記録材を静電吸着させて保持する転写ドラムを有し、ＹＭＣＢ４色のトナーを付着させる現像器を内蔵したローターリー式の現像器を有し、画像露光方式にＢＡＥ方式を用いた構成の画像形成装置（電子写真装置ＧＰ−６０５（キヤノン（株）製；商品名）をベースに、実験用として上述の構成のカラー機に改造した機械）を用意した。また、この画像形成装置に用いた中間転写体の周長は、感光体の周長である１８８．５ｍｍの２倍となる３７７ｍｍとした。即ち、この画像形成装置における潜像形成シーケンスは図７（ａ）に示したように、実質的に感光体の回転周期に同期した潜像形成シーケンスとなる。
【０２２４】
この画像形成装置に、上述したＩ、Ｊの２種類の層設計に基づいて作製した感光体を順次セットし、電位特性、画像特性、耐久特性などの評価を行った。
【０２２５】
電位特性に関しては、２種類の感光体に対して、帯電特性、感光特性とも十分に良好な特性が得られた。画像特性における画質に関しては、２種類の感光体に対して、文字に中抜けが生じることもなく、細線も良好に出力することができ、塗りつぶし画像についても均一な画質の画像が得られ、また、１０万枚を通紙しての耐久試験を行った後においても、初期と同様の良好な画質が得られた。また、ゴースト特性の評価結果に関しては、表１０に示す。
【０２２６】
（第３の比較例）
第３の実施例に示した方法と同様の方法において、表８および表９に示す条件により電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる堆積膜を順次積層し、Ｋ、Ｌの２種類の層設計に基づく感光体を作製した。表８には共通条件として電荷注入阻止層と表面層の成膜条件を、表９にはそれぞれ異なる光導電層の成膜条件を示した。表９において、光導電層を第１の層領域と第２の層領域に分割しているものに関しては、電荷注入阻止層側から第１の層領域、第２の層領域の順に積層した。
【０２２７】
それらの各光導電層における伝導型制御元素の含有量は実施例１と同様にして、Ｃｈ、Ｅｇ、Ｅｕの値は、実験例３および実験例４と同様の方法で測定した。これらの結果を表１０にまとめて示す。
【０２２８】
そして、第３の実施例で使用した画像形成装置に、上述したＫ、Ｌの２種類の層設計に基づいて作製した感光体を順次セットし、第３の実施例と同様の方法において、電位特性、画像特性、耐久特性などの評価を行った。
【０２２９】
電位特性に関しては、２種類の感光体に対して、帯電特性、感光特性とも十分に良好な特性が得られた。画像特性における画質に関しては、２種類の感光体に対して、文字に中抜けが生じることもなく、細線も良好に出力することができ、塗りつぶし画像についても均一な画質の画像が得られ、また、１０万枚を通紙しての耐久試験を行った後においても、初期と同様の良好な画質が得られた。また、ゴースト特性の評価結果に関しては、表１０に示す。
【０２３０】
【表８】
2004117886.tif 000009
【０２３１】
【表９】
2004117886.tif 000010
【０２３２】
【表１０】
2004117886.tif 000011
【０２３３】
画像特性（ゴースト）の判定基準
☆・・・ゴースト現象がまったく現れず、極めて良好
◎・・・ゴースト現象がほとんど現れず、非常に良好
○・・・ゴースト現象がかすかに現れるレベルであり、良好
△・・・ゴースト現象が現れるが、実用上は問題なし
×・・・ゴースト現象が現れて、実用上問題となる場合あり
【０２３４】
第３の実施例と第３の比較例の結果をあわせて示した表１０から明らかなように、感光体の光導電層を電荷注入阻止層から第１の層領域と第２の層領域の順で積層した２層構成とし、光導電層の第１の層領域におけるＣｈを１５〜３０原子％とし、光導電層の第２の層領域におけるＣｈを１０〜２５原子％、且つ、第１の層領域より少なくすることによって、ゴーストにとって非常に厳しい条件が重なった構成の図１に示した装置構成の画像形成装置においても、画像上でゴーストがほとんど見えない非常に良好な画像が得られることがわかる。
【０２３５】
（第４の実施例）
直径８４ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）を用いた以外は、第１の実施例で示した条件と同じ成膜条件において、Ｍ、Ｎの２種類の層設計に基づいた感光体を製作した。
【０２３６】
また、画像形成装置としては、図３に示した中間転写ベルトを有し、ブラックトナーを付着させる現像器とＹＭＣ３色のトナーを付着させる現像器を内蔵したローターリー式の現像器からなる２つの現像器を有し、画像露光方式にＢＡＥ方式を用いた構成とし、更に、感光体の回転方向におけるホームポジションを検出するセンサーを追加した構成の画像形成装置（電子写真装置ｉＲ−５０００（キヤノン（株）製；商品名）をベースに、実験用として上述の構成のカラー機に改造した機械）を用意した。この画像形成装置に用いた中間転写体の周長は、感光体の周長である２６４ｍｍの２倍となる５２８ｍｍとし、潜像形成シーケンスは、感光体の回転方向におけるホームポジションセンサーによるタイミングに同期させ、感光体の回転周期と完全に同期した潜像形成シーケンスとした。
【０２３７】
感光体の回転方向にホームポジションを検出することで、感光体周期の電位ムラの傾向を正しく把握できるようになる。このため、画像処理によるデータ補正や画像露光条件（露光量や露光時間など）の補正といったムラ補正手段と組み合わせると更に有効である。
【０２３８】
この画像形成装置に、上述したＭ、Ｎの２種類の層設計に基づいて作製した感光体を順次セットし、電位特性、画像特性、耐久特性などの評価を行った。
【０２３９】
電位特性に関しては、２種類の感光体に対して、帯電特性、感光特性とも十分に良好な特性が得られた。画像特性における画質に関しては、２種類の感光体に対して、文字に中抜けが生じることもなく、細線も良好に出力することができ、また、１０万枚を通紙しての耐久試験を行った後においても、初期と同様の良好な画質が得られた。また、ゴースト特性の評価結果に関しては、表１１に示す。また、塗りつぶし画像については、ムラ補正の有効性を確認するために、感光体の電位ムラに合わせて画像露光時間を補正するムラ補正手段を入れた場合と入れない場合において画像評価を行った。その結果も表１１にあわせて示す。
【０２４０】
（第４の比較例）
第４の実施例に示した方法と同様に、直径８４ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）を用いた以外は、第１の比較例で示した条件と同じ成膜条件において、Ｏ、Ｐの２種類の層設計に基づいた感光体を製作した。
【０２４１】
そして、第４の実施例で使用した画像形成装置に、上述したＯ、Ｐの２種類の層設計に基づいて製作した感光体を順次セットし、第４の実施例と同様の方法において、電位特性、画像特性、耐久特性などの評価を行った。
【０２４２】
電位特性に関しては、２種類の感光体に対して、帯電特性、感光特性とも十分に良好な特性が得られた。画像特性における画質に関しては、２種類の感光体に対して、文字に中抜けが生じることもなく、細線も良好に出力することができ、また、１０万枚を通紙しての耐久試験を行った後においても、初期と同様の良好な画質が得られた。また、ゴースト特性の評価結果に関しては、表１１に示す。また、塗りつぶし画像については、第４の実施例と同様に、感光体の電位ムラに合わせて画像露光時間を補正するムラ補正手段を入れた場合と入れない場合において画像評価を行った。その結果も表１１にあわせて示す。
【０２４３】
【表１１】
2004117886.tif 000012
【０２４４】
画像特性（ゴースト）の判定基準
☆・・・ゴースト現象がまったく現れず、極めて良好
◎・・・ゴースト現象がほとんど現れず、非常に良好
○・・・ゴースト現象がかすかに現れるレベルであり、良好
△・・・ゴースト現象が現れるが、実用上は問題なし
×・・・ゴースト現象が現れて、実用上問題となる場合あり
【０２４５】
画像特性（塗りつぶし画像の均一性）の判定基準
☆・・・濃度ムラがまったく現れず、極めて良好
◎・・・濃度ムラがほとんど現れず、非常に良好
○・・・濃度ムラがかすかに現れるレベルであり、良好
△・・・濃度ムラが現れるが、実用上は問題なし
×・・・濃度ムラが現れて、実用上問題となる場合あり
【０２４６】
第４の実施例と第４の比較例の結果をあわせて示した表１１から明らかなように、感光体の光導電層を電荷注入阻止層から第１の層領域と第２の層領域の順で積層した２層構成とし、光導電層の第１の層領域におけるＣｈを１５〜３０原子％とし、光導電層の第２の層領域におけるＣｈを１０〜２５原子％、且つ、第１の層領域より少なくすることによって、ゴーストにとって非常に厳しい条件が重なった構成の図３に示した装置構成の画像形成装置においても、画像上でゴーストがほとんど見えない非常に良好な画像が得られることがわかる。
【０２４７】
更に、ムラ補正手段を組み合わせることにより、塗りつぶし画像の均一性に対しても濃度ムラがまったく現れず、極めて良好な画像が得られることがわかる。
【０２４８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、紙間部の露光が感光体上のある特定部分に集中し、ゴーストが蓄積されやすい構成のカラー機においても、画像上では、ゴーストがほとんど見えない非常に良好な画像が得られる画像形成装置を提供できるといった効果を有する。
【０２４９】
さらに、本発明によれば、ａ−Ｓｉ感光体を上述の構成のカラー機に搭載することが可能となるため、ａ−Ｓｉ感光体の持つ、高画質、高耐久、高安定性といった特徴をカラー機の分野に展開させることが可能となり、高速で、高寿命で、且つ、高画質が得られるカラー画像形性装置を提供できるというすばらしい効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の、転写ドラムを有する電子写真プロセスを使用したカラー画像形成装置の一例の構成を表す模式図である。
【図２】本発明の実施形態の、中間転写体を有する電子写真プロセスを使用したカラー画像形成装置の一例の構成を表す模式図である。
【図３】本発明の実施形態の、中間転写ベルトを有する電子写真プロセスを使用したカラー画像形成装置の一例の構成を表す模式図である。
【図４】本発明に用いる電子写真感光体の層構成を表す模式図である。
【図５】本発明に用いる電子写真感光体の製造に使用することが可能なＲＦ帯の高周波電源を用いたプラズマＣＶＤ法による堆積装置の模式図である。
【図６】本発明に用いる電子写真感光体の製造に使用することが可能なＶＨＦ帯の高周波電源を用いたプラズマＣＶＤ法による堆積装置の模式図である。
【図７】電子写真プロセスにおける潜像形成シーケンスと感光体および中間転写体等の周期との関係を模式的に表した図である。
【図８】表面電位プロファイルからゴースト電位を計算する方法を説明するための模式図である。
【図９】プリント枚数と紙間ゴースト電位との関係を測定した結果を示す図である。
【図１０】潜像形成からの経過時間と紙間ゴースト電位との関係を測定した結果を示す図である。
【図１１】ａ−Ｓｉ感光体における光導電層の第２の層領域の水素含有量（Ｃｈ）と紙間ゴースト電位との関係を示す図である。
【図１２】ａ−Ｓｉ感光体における光導電層の第１の層領域の水素含有量（Ｃｈ）と帯電能との関係を示す図である。
【符号の説明】
１０１、２０１、３０１　感光体ドラム
１０２、２０２、３０２　一次帯電器
１０３、２０３、３０３　画像露光
１０４　　　　　　　　　現像器
２０４ａ〜２０４ｄ　　　第１〜第４現像器
３０４ａ、３０４ｂ　　　第１、および、第２現像器
１０５　　　　　　　　　転写ドラム
２０５　　　　　　　　　中間転写体
２０５ａ　　　　　　　　　　　　　　　　芯金
２０５ｂ　　　　　　　　弾性層
３０５　　　　　　　　　中間転写ベルト
１０６、２０６、３０６　感光体クリーナ
１０７、２０７、３０７　除電露光
１０８　　　　　　　　　転写帯電器
３０８　　　　　　　　　一次転写ローラ
２０９、３０９　　　　　二次転写ローラ
２１０　　　　　　　　　中間転写体クリーナ
３１０　　　　　　　　　中間転写ベルトクリーナ
１１１ａ　　　　　　　　吸着帯電器
１１１ｂ　　　　　　　　吸着ローラ
１１２ａ　　　　　　　　分離帯電器
１１２ｂ　　　　　　　　分離爪
１１３、２１３、３１３　記録材
１１４、２１４、３１４　給紙カセット
１１５、２１５、３１５　定着器
４００　　　　　　　　　電子写真感光体
４０１　　　　　　　　　支持体
４０２　　　　　　　　　光受容層
４０３　　　　　　　　　光導電層
４０４　　　　　　　　　表面層
４０５　　　　　　　　　電荷注入阻止層
４１１　　　　　　　　　第１の層領域
４１２　　　　　　　　　第２の層領域
５１００　　　　　　　　堆積装置
５１１０　　　　　　　　反応容器
５１１１　　　　　　　　カソード電極
５１１２　　　　　　　　円筒状支持体
５１１３　　　　　　　　支持体加熱用ヒーター
５１１４　　　　　　　　原料ガス導入管
５１１５　　　　　　　　マッチングボックス
５１１６　　　　　　　　原料ガス配管
５１１７　　　　　　　　反応容器リークバルブ
５１１８　　　　　　　　メイン排気バルブ
５１１９　　　　　　　　真空計
５１２０　　　　　　　　高周波電源
５２００　　　　　　　　原料ガス供給装置
５２１１〜５２１６　　　マスフローコントローラー
５２２１〜５２２６　　　原料ガスボンベ
５２３１〜５２３６　　　原料ガスボンベバルブ
５２４１〜５２４６　　　ガス流入バルブ
５２５１〜５２５６　　　ガス流出バルブ
５２６１〜５２６６　　　圧力調整器
６０１　　　　　　　　　反応容器
６０２　　　　　　　　　排気管
６０３　　　　　　　　　電極
６０４　　　　　　　　　高周波電源
６０５　　　　　　　　　マッチングボックス
６０６　　　　　　　　　プラズマ処理空間
６０７　　　　　　　　　隔壁
６０８　　　　　　　　　底面
６０９　　　　　　　　　円筒状基体
６１０　　　　　　　　　軸
６１１　　　　　　　　　発熱体
６１２　　　　　　　　　モーター
６１３　　　　　　　　　減速ギア
６１４　　　　　　　　　蓋
６１５　　　　　　　　　ガス供給管
６１６　　　　　　　　　コンデンサ
６１７　　　　　　　　　ガス供給バルブ
６１８　　　　　　　　　ガス供給接続部
６１９　　　　　　　　　ガス排気バルブ
６２０　　　　　　　　　ガス排気接続部
【図１】
2004117886.tif 000013
【図２】
2004117886.tif 000014
【図３】
2004117886.tif 000015
【図４】
2004117886.tif 000016
【図５】
2004117886.tif 000017
【図６】
2004117886.tif 000018
【図７】
2004117886.tif 000019
【図８】
2004117886.tif 000020
【図９】
2004117886.tif 000021
【図１０】
2004117886.tif 000022
【図１１】
2004117886.tif 000023
【図１２】
2004117886.tif 000024