(57)【要約】【課題】より均一な堆積膜を基体に形成することが可能なプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】減圧可能な反応容器内に基体を設置し、回転機構によって基体を回転させた状態で、反応容器内に高周波電力を供給して反応容器内にプラズマを形成し、基体に複数のプラズマ処理条件によって処理を施すプラズマ処理方法において、それぞれのプラズマ処理条件を変化させるタイミングにおける基体の回転位置を、各タイミング毎に異なるようにすることを特徴とする。【選択図】　　図１
2004134457.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能な反応容器内に基体を設置し、回転機構によって前記基体を回転させた状態で、前記反応容器内に高周波電力を供給して反応容器内にプラズマを形成し、前記基体に複数のプラズマ処理条件によって処理を施すプラズマ処理方法において、それぞれのプラズマ処理条件を変化させるタイミングにおける前記基体の回転位置を、各タイミング毎に異なるようにすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
前記基体にプラズマ処理を実施する際に、前記基体の回転位置を検出し、その結果を基にして、前記タイミングおける前記基体の回転位置を、各タイミング毎に異なるようにすることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】
プラズマ処理条件を変化させるタイミングの延べ回数ｎに対して、（１）式を満たす角度θ［°］を決定し、前記全てのタイミングの中から任意に選択した二つのタイミングのそれぞれの基体の回転位置間の角度のずれが、前記角度θ［°］の整数倍であることを特徴とする請求項１乃至２に記載のプラズマ処理方法。
θ＝３６０／ｎ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・・・・（１）
【請求項４】
前記基体を取り囲む反応容器内の部材が、前記基体の回転軸を中心とした場合に、非対称に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３に記載のプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、反応容器内に設置された基体にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法に関するもので、とりわけプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成に適した方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
堆積膜形成方法の一つとして放電エネルギーを利用するプラズマＣＶＤ法があり、この方法により形成される非晶質薄膜　（例えば水素又は／及びハロゲンによって補償されたアモルファスシリコン）　は電子写真用感光体、半導体デバイス、ＴＦＴ等の半導体素子への応用が提案され、その中のいくつかは実用に至っている。特に１３．５６ＭＨｚのＲＦ帯の高周波電力を用いたプラズマＣＶＤ法は基板材料、堆積膜材料等が導電体、絶縁体に関わらず処理でき、又、その取り扱いが比較的容易であるため広く用いられている。又、近年においては、ＶＨＦ帯の高周波電力を用いたプラズマＣＶＤ法が注目を浴びており、これを用いた各種堆積膜形成方法の開発も積極的に進められている。これは、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法では膜堆積速度が速く、また高品質な堆積膜が得られるため、製品の低コスト化、高品質化を同時に達成し得るものと期待されるためである。例えば特開平６−２８７７６０号公報にはａ−Ｓｉ系電子写真用光受容部材形成に用いうる装置及び方法が開示されている。又、複数の電子写真用光受容部材を同時に形成でき、生産性の極めて高い図１に示すような堆積膜形成装置の開発も進められている。
【０００３】
図１はＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用感光体の製造装置の代表例を示す模式的な構成図であり、図１Ａは製造装置を横から見た概略断面図であり、図１Ｂは図１Ａの切断線Ｘ−Ｘ’に沿う真上から見た概略断面図である。少なくとも一部を誘電体部材で形成された減圧可能な反応容器（１０１）内には、反応容器（１０１）と同じ中心軸を持つ円周上に、複数の原料ガス導入手段（１０２）、回転機構（１０３）によって回転可能な複数の基体下部支持手段（１０４）が設置され、基体（１０５）は基体下部支持手段（１０４）及び基体キャップ（１０６）によって支持される。
【０００４】
又、反応容器（１０１）外部には、反応容器（１０１）と同じ中心軸を持つ円周上に高周波電極（１０７）が設置され、高周波電極（１０７）を介して反応容器（１０１）内に高周波電力を導入し、反応容器（１０１）内にプラズマを生成することによって原料ガスを分解し、基体（１０５）に堆積膜を形成する。プラズマ処理による堆積膜形成中、回転軸（１１８）を介して基体（１０５）を回転機構（１０３）により所定の速度で回転させることにより、基体（１０５）表面全周に渡って均一な堆積膜を形成することができる。
【０００５】
上記の製造装置及び方法を使用することにより、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法によって、良好な堆積膜形成を実現することができ、良好な製品を生産することが可能となる。しかしながら、製品に対する市場の要求レベルは日々高まっており、例えば、電子写真用感光体の場合においては、近年、デジタル電子写真装置やカラー電子写真装置の普及が目覚しく、文字原稿のみならず、写真、絵、デザイン画等のコピーも頻繁に行なわれるため、従来以上に電子写真感光体の画像濃度むら（色むら）の低減が求められるようになっている。よって、基体に形成される堆積膜の均一性をより高め、より均一性に優れた製品を生産可能なプラズマ処理方法の確立が求められている
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従って本発明の目的は、上述のような従来の問題点を克服し、より均一な堆積膜を基体に形成することが可能なプラズマ処理方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用】
本発明者らは上記目的を達成すべく鋭意検討を行なった結果、プラズマ処理中の基体の回転方法を最適化することによって、基体に形成される堆積膜の均一性を飛躍的に向上できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
即ち、本発明のプラズマ処理方法は、減圧可能な反応容器内に基体を設置し、回転機構によって基体を回転させた状態で、反応容器内に高周波電力を供給して反応容器内にプラズマを形成し、基体に複数のプラズマ処理条件によって処理を施すプラズマ処理方法において、それぞれのプラズマ処理条件を変化させるタイミングにおける基体の回転位置を、各タイミング毎に異なるようにすることを特徴としている。
【０００９】
このような本発明の効果について、以下詳述する。
【００１０】
高周波電力を使用してプラズマ処理を実施する場合、反応容器内で完全に均一なプラズマを実現することは容易ではない場合がある。その理由は定かではないが、反応容器内の部材の配置、反応容器内への高周波電力の導入方法、反応容器の接地方法、反応容器内への原料ガスの導入方法、或いは原料ガスの排気方法等、様々な要素が原因となってるのではないかと考えられる。よって、そのような状況下で堆積膜形成を実施した場合、ある瞬間、瞬間において形成される堆積膜に関しては、装置構成の違いによってはその程度に違いが生じるものの、膜厚及び膜質に関して若干のムラが生じる場合があるのが実状である。
【００１１】
それに対し、従来のプラズマ処理方法においては、基体に形成される堆積膜の均一性を高める手段の一つとして、堆積膜形成時に基体を回転させていた。これにより、一定のプラズマ処理条件において堆積膜を形成する間においては、均一性の高い堆積膜を形成することが可能となる。
【００１２】
しかしながら、たとえプラズマ処理中に基体を回転させていたとしても、形成される堆積膜には僅かながらには不均一性が残る場合がある。そして、複数のプラズマ処理条件によって複数種の堆積膜を積層する場合では、基体の堆積膜の不均一性はより顕著化し、例えば電子写真感光体を作成した場合、画像濃度むら（色むら）として現われる場合があり、従来以上に電子写真感光体の画像濃度むら（色むら）低減が求められる現在では、それらの濃度むら（色むら）が問題となる場合がある。
【００１３】
その理由は定かではないが、プラズマ処理条件が短期的に変化する状況においては、たとえその間に基体を回転させたとしても、形成される堆積膜に僅かながらに不均一性が残るのではないかと考えている。そして、複数のプラズマ処理条件によって、複数種の堆積膜を積層する場合、それぞれのプラズマ処理条件を変化させるタイミングにおける、基体の回転位置が一致するような場合においては、各々プラズマ処理条件の変化時における堆積膜のムラが重なりあう結果となり、堆積膜の不均一性が顕著化するのではないかと考えている。
よって、基体に複数のプラズマ処理条件によって処理を施す場合においては、それぞれのプラズマ処理条件を変化させるタイミングにおける基体の回転位置を、各タイミング毎に異なるようにすることにより、プラズマ処理条件の変化時期に発生しうる、堆積膜の不均一性を分散させることが可能となり、形成される堆積膜の均一性を高めることができるのである。
【００１４】
このような効果が得られる本発明を以下で図を用いて詳述する。
【００１５】
図１は本発明で使用されるプラズマＣＶＤ法による電子写真用感光体の製造装置の模式図の一例であり、図１Ａは製造装置を横から見た概略断面図であり、図１Ｂは図１Ａの切断線Ｘ−Ｘ’に沿う概略断面図である。
【００１６】
図１に示した装置を使用して実施される、本発明による堆積膜形成方法の一例を以下に詳述する。
【００１７】
少なくとも一部が誘電体部材で構成された反応容器（１０１）内に基体（１０５）を設置した後、排気装置（例えば真空ポンプ）を用いて反応容器（１０１）内を真空引きする。反応容器（１０１）内を十分排気した後、ガス供給装置（図示せず）内のＨｅ、Ｎ２、Ａｒ及びＨ２等のガスボンベから供給される内の必要とされる加熱用ガスが、圧力調整器及びマスフローコントローラー等を介することにより適切な流量に調節され、ガス配管（１０８）、原料ガス導入手段（１０２）を介して反応容器（１０１）内に送り込まれる。加熱用ガス導入後の反応容器（１０１）内圧力は圧力測定手段（１０９）によってモニターされ、スロットルバルブ（１１０）の開度を調節すること等によって、所定の値に制御される。所定の基体加熱環境が整ったところで、基体（１０５）は基体加熱ヒーター（１１１）によって間接的に所定の温度にまで加熱される。
【００１８】
所定の加熱終了後、ガス供給装置（図示せず）内のＳｉＨ４、Ｈ２、ＣＨ４、Ｂ２Ｈ６、ＰＨ３等のガスボンベから供給される内の必要とされる堆積膜形成用ガスが、圧力調整器及びマスフローコントローラー等を介することにより適切な流量に調節され、ガス配管（１０８）、原料ガス導入手段（１０２）を介して、反応容器（１０１）内に送り込まれる。堆積膜形成用ガス導入後の反応容器（１０１）内圧力は圧力測定手段（１０９）によってモニターされ、スロットルバルブ（１１０）の開度を調節すること等によって、所定の値に制御される。所定の堆積膜形成環境が整ったところで、高周波電源（１１２）より出力された高周波電力が、整合回路（１１３）を介した後に、所定電位に維持された壁面からなる電力分割容器（１１４）内に導入される。その後高周波電力は電力分割容器（１１４）内の電力分割部（１１５）において複数の導体線路（１１６）へと分割され、電力分割容器（１１４）外へと出力された後、少なくとも一部が誘電体部材で構成された反応容器（１０１）とアースシールド（１１７）の間に設置された複数の高周波電極（１０７）を介して、反応容器（１０１）内に導入されプラズマを生起する。該プラズマにより堆積膜形成用ガスが分解され、基体（１０５）上に堆積膜が形成される。
【００１９】
尚、堆積膜形成中は、適時、堆積膜形成用ガスの種類及び流量、印加電力値、反応容器内圧力値等のプラズマ処理条件を変化させ、基体（１０５）上に阻止層、光導電層、表面層からなる電子写真用感光体を作成した。
【００２０】
又、プラズマによる堆積膜形成中は、基体（１０５）は回転機構（１０３）によって所定の速度で回転させられるが、阻止層、光導電層、表面層といったそれぞれのプラズマ処理条件を変化させるタイミングにおける基体（１０５）の回転位置が、各タイミング毎に異なるように、各層のプラズマ処理時間と基体（１０５）の回転速度の関係は決定されている。
【００２１】
又、本発明においては、一旦各層のプラズマ処理時間と基体（１０５）の回転速度の関係を決定してしまえば、プラズマ処理中においては時間管理を正確にすることによって、プラズマ処理条件を変化させるタイミングにおける基体（１０５）の回転位置が、各タイミング毎に異なるように、プラズマ処理を実施することができる。しかしながら、モーター等の回転速度の精度や安定性の面を考慮すると、時間管理を正確に行い本発明の効果を十分に得るためには、装置毎或いはプラズマ処理条件毎に一旦条件出しをする必要がある。よって、作業性、操作性を考慮した場合、基体（１０５）にプラズマ処理を実施する際に、基体（１０５）の回転位置を検出し、その結果を基にして、前記タイミングにおける基体（１０５）の回転位置が、各タイミング毎に異なるようにすることがより好ましい。
【００２２】
又、本発明においては、前記タイミングにおける基体の回転位置が、各タイミング毎に異なってさえいれば特に制約はないが、より好ましくは、プラズマ処理条件を変化させるタイミングの延べ回数ｎに対して、（１）式を満たす角度θ［°］を決定し、全てのタイミングの中から任意に選択した二つのタイミングのそれぞれの基体の回転位置間の角度のずれを、前記角度θ［°］の整数倍とするとよい。
θ＝３６０／ｎ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・・・・（１）
又、本発明においては、基体を取り囲む反応容器内の空間が、基体の回転軸を中心として、非対称であるようなプラズマ処理装置を使用する場合において、より顕著な効果を発揮することができる。
【００２３】
又、本発明におけるプラズマ処理条件を変化させるタイミングとは、堆積膜形成用ガスの種類及び流量、印加電力値、反応容器内圧力値等のプラズマ処理条件が所望の条件へと変化を開始する段階を示し、プラズマ処理開始時或いはプラズマ処理終了時におけるプラズマ処理条件の変動も該当する。その一例を図２に示す。図２において記号Ａで表記される部分が、本発明におけるプラズマ処理条件を変化させるタイミングに相当する。
【００２４】
【実施例】
以下、本発明のプラズマ処理方法について、実施例及び比較例により更に詳しく説明するが、本発明はこれらにより限定されるものではない。
【００２５】
［実施例１］
図１に示したプラズマ処理装置において、高周波電源（１１２Ａ、１１２Ｂ）として発振周波数１０５ＭＨｚ及び６０ＭＨｚのものを使用し、表１に示す条件で、直径８０［ｍｍ］、長さ３５８［ｍｍ］の円筒状アルミニウムシリンダ（１０５）上に、電荷注入阻止層、光導電層及び表面層を堆積し電子写真用感光体を作製した。尚、本実施例における、堆積膜形成中のプラズマ処理条件の変化パターンを図３に示す。
【００２６】
又、本実施例においては、プラズマ処理条件を変化させるタイミングにおけるアルミニウムシリンダ（１０５）の回転位置が、各タイミング毎に異なるように、予め、アルミニウムシリンダ（１０５）の回転周期とプラズマ処理条件の変化パターンを決定し、さらには、一旦条件出しのための試成膜を実施し、アルミニウムシリンダ（１０５）の正確な回転周期を見極めた上でタイムテーブルを作製し、該タイムテーブルに従って、堆積膜形成を行なった。
【００２７】
尚、本例におけるプラズマ処理条件を変化させるタイミングとは、図３におけるＡ〜Ｈのタイミングであり、Ａ〜Ｈの内容を以下に詳述する。
Ａ：電荷注入阻止層の堆積膜形成を行なうために高周波電力の導入を開始するタイミングである。
Ｂ：電荷注入阻止層のガス種及び流量の条件から光導電層のガス種及び流量の条件への変化を開始するタイミングである。
Ｃ〜Ｅ：電荷注入阻止層の高周波電力値の条件から光導電層の高周波電力値の条件への変化を三段階のステップで行い、それぞれのステップにおける高周波電力値の変化を開始するタイミングである。
Ｆ：光導電層の堆積膜形成を終了するために高周波電力値をゼロにするタイミングである。
Ｇ：表面層の堆積膜形成を行なうために高周波電力の導入を開始するタイミングである。
Ｈ：表面層の堆積膜形成を終了するために高周波電力値をゼロにするタイミングである。
【００２８】
又、図４には、前記タイムテーブルに従って堆積膜形成を行なった場合の、それぞれのタイミングにおける計算上のアルミニウムシリンダ（１０５）の回転位置を示す。又、図４における基体の回転位置とは、図３のＡのタイミングにおいて、基体が図１に示す内部方向に面していた部分が、図３のＢ〜Ｈの各タイミングにおいて面していた方向のことである。
【００２９】
【表１】
2004134457.tif 000003
［比較例１］
本例では、実施例１で使用した図１に示すプラズマ処理装置において、実施例１と同様にして、表１に示す条件及び図３に示したプラズマ処理条件の変化パターンで電子写真用感光体を作製した。
【００３０】
但し、本比較例においては、回転周期を実施例１から変化させることによって、プラズマ処理条件を変化させるタイミングにおける前記基体の回転位置が常に一定になるように、即ち図４のＡに示した位置となるようにして堆積膜形成を行なった。
【００３１】
［実施例２］
本例では、実施例１で使用した図１に示すプラズマ処理装置において、実施例１と同様にして、表１に示す条件及び図３に示したプラズマ処理条件の変化パターンで電子写真用感光体を作製した。
【００３２】
但し、本実施例においては、プラズマ処理条件を変化させるタイミングの延べ回数ｎ＝８に対して、θ＝３６０／ｎより角度θ＝４５°を決定し、全てのタイミングの中から任意に選択した二つのタイミングの各々のアルミニウムシリンダ（１０５）の回転位置間の角度の差が、４５°の整数倍となるように、基体の回転周期とプラズマ処理条件の変化パターンを、実施例１で使用した条件から僅かに微調整している。
【００３３】
又、図５には、本例における、それぞれのタイミングにおけるアルミニウムシリンダ（１０５）の回転位置を示す。
【００３４】
［実施例１、２及び比較例１評価］
実施例１、２及び比較例１において作製した、各６本の電子写真用感光体の電子写真特性ムラ及び画像特性ムラを以下に記載した方法で評価し、実施例１及び２で作製した電子写真用感光体と比較例１で作製した電子写真用感光体との比較を行った。
【００３５】
『電子写真特性ムラ評価方法』
作成した各々の電子写真用感光体を本テスト用に改造されたキヤノン製の複写機ＩＲ−５０００に設置し、評価項目は、『帯電能周ムラ』とし、以下の具体的評価法により各項目の評価を行った。
【００３６】
『帯電能周ムラ』
複写機の主帯電器に一定の電流を流したときの現像器位置での暗部電位を『帯電能』とする。実施例１、２及び比較例１で作製したそれぞれ６本の電子写真用感光体において、軸方向中位置における『帯電能』の周方向の最大値、最小値及び平均値を測定し、平均値（ＡＶＥ）に対する最大値（ＭＡＸ）と最小値（ＭＩＮ）の差、（ＭＡＸ―ＭＩＮ）／ＡＶＥ、を『帯電能周ムラ』として評価する。従って、数値が小さいほど良好である。実施例１、２及び比較例１毎に『帯電能周ムラ』の平均値を割り出し、実施例１、２について比較例１と比較し、比較例１の値を１００％として以下のランクに区分した。
【００３７】
Ａ　比較例１と比較して５０％未満
Ｂ　比較例１と比較して５０％以上７５％未満
Ｃ　比較例１と比較して７５％以上同等未満
Ｄ　比較例１と比較して同等以上
『画像特性ムラ評価方法』
作成した各々の電子写真用感光体をキヤノン製の複写機ＩＲ−５０００に設置し、評価項目は、『画像濃度周ムラ』とし、以下の具体的評価法により各項目の評価を行った。
【００３８】
『画像濃度周ムラ』
現像器位置における暗部電位が所定の値となるように主帯電器電流を調整したあと、原稿に反射濃度０．１以下の所定の白紙を用い、現像器位置での明部電位が所定の値となるように像露光強度を調整する。次いでキヤノン製中間調チャート（部品番号：ＦＹ９−９０４２）を原稿台に置き、コピーしたときに得られたコピー画像上の軸方向中位置における反射濃度を反射濃度計（マクベス社製）を用いて測定する。コピー画像上で電子写真用感光体一周分に対応する範囲を１６等分し、各々の領域の反射濃度を測定し、平均値に対する最高値と最低値の差を求めて『画像濃度周ムラ』として評価する。従って、数値が小さいほど良好である。実施例１、２及び比較例１毎に『画像濃度周ムラ』の平均値を割り出し、実施例１、２について比較例１と比較し、比較例１の値を１００％として以下のランクに区分した。
【００３９】
Ａ　比較例１と比較して５０％未満
Ｂ　比較例１と比較して５０％以上７５％未満
Ｃ　比較例１と比較して７５％以上同等未満
Ｄ　比較例１と比較して同等以上
その結果を表２に示す。
【００４０】
【表２】
2004134457.tif 000004
表２より明らかな様に、それぞれのプラズマ処理条件を変化させるタイミングにおけるアルミニウムシリンダ（１０５）の回転位置が、各タイミング毎に異なるようにして堆積膜形成を行なうことにより、均一性の高い電子写真用感光体を作製することができる。また、プラズマ処理条件を変化させるタイミングの延べ回数ｎに対して、θ＝３６０／ｎを満たす角度θ［°］を決定し、全てのタイミングの中から任意に選択した二つのタイミングのそれぞれの基体の回転位置間の角度のずれが、前記角度θ［°］の整数倍とするとより好ましいことがわかる。
【００４１】
［実施例３］
本例では、実施例１で使用した図１に示すプラズマ処理装置に変えて、図６に示すプラズマ処理装置を使用し、高周波電源（５１２）として、発振周波数１３．５６ＭＨｚのものを使用し、さらには表３に示す条件で電子写真用感光体を作製した。
【００４２】
尚、図６に示す装置は、反応容器（６０１）の中心にアルミニウムシリンダ（６０５）が設置され、アルミニウムシリンダ（６０５）を取り囲む反応容器（６０１）内の部材が、アルミニウムシリンダ（６０５）の回転軸（６１８）を中心として対称に配置されている。又、図６Ａは装置を横から見た概略断面図であり、図６Ｂは図６Ａの切断線Ｘ−Ｘ’に沿う真上から見た概略断面図である。
【００４３】
さらに、本実施例においては、プラズマ処理条件を変化させるタイミングの延べ回数ｎ＝８に対して、θ＝３６０／ｎより角度θ＝４５°を決定し、全てのタイミングの中から任意に選択した二つのタイミングの各々のアルミニウムシリンダ（６０５）の回転位置間の角度の差が、４５°の整数倍となるように、アルミニウムシリンダ（６０５）の回転周期とプラズマ処理条件の変化パターンの関係を決定し、該変化パターンに基づいて作製されたタイムテーブルに従って堆積膜形成を行なった。
【００４４】
【表３】
2004134457.tif 000005
［比較例２］
本例では、実施例３で使用した図６に示すプラズマ処理装置において、実施例３と同様にして、表３に示す条件で電子写真用感光体を作製した。
【００４５】
但し、本比較例においては、実施例３とは回転周期を変化させることによって、プラズマ処理条件を変化させるタイミングにおけるアルミニウムシリンダ（６０５）の回転位置が常に一定になるようにして堆積膜形成を行なった。
【００４６】
［実施例３及び比較例２評価］
実施例３及び比較例２において各６本の電子写真用感光体を作製し、それらの『帯電能周ムラ』及び『画像濃度周ムラ』を前記した方法で評価し、さらに実施例３と比較例２との比較を行うことによって、比較例２の値を１００％として以下のランクに区分した。
【００４７】
Ａ　比較例２と比較して５０％未満
Ｂ　比較例２と比較して５０％以上７５％未満
Ｃ　比較例２と比較して７５％以上同等未満
Ｄ　比較例２と比較して同等以上
【００４８】
【表４】
2004134457.tif 000006
表４より明らかな様に、それぞれのプラズマ処理条件を変化させるタイミングにおけるアルミニウムシリンダ（６０５）の回転位置が、各タイミング毎に異なるようにして堆積膜形成を行なうことにより、均一性の高い電子写真用感光体を作製することができる。また、実施例２と実施例３の結果を比較すると、実施例２、即ち、基体を取り囲む反応容器内の部材の配置が、基体の回転軸を中心とした場合に、非対称となっている場合の方が本発明の効果を顕著に得ることができることがわかる。
【００４９】
［実施例４］
本例では、実施例１で使用した図１に示すプラズマ処理装置と同様の構成ではあるが、直径３０［ｍｍ］、長さ３５８［ｍｍ］の円筒状アルミニウムシリンダ（１０５）にプラズマ処理を実施するために、基体キャップ（１０６）或いは回転軸（１１８）等に若干の変更を加えたプラズマ処理装置を使用し、表５に示す条件で電子写真用感光体を作製した。
【００５０】
又、本実施例においても、実施例１と同様にして、図４に示すようにプラズマ処理条件を変化させるタイミングにおける前記基体の回転位置が、各タイミング毎に異なるように、予め、基体の回転周期とプラズマ処理条件の変化パターンを決定し、さらに、図７に示した回転機構（１０３）を使用することによって、プラズマ処理中に、アルミニウムシリンダ（１０５）の回転位置を検出し、その結果を基にして、プラズマ処理条件を変化させる各々のタイミングにおけるアルミニウムシリンダ（１０５）の回転位置が図４と一致するように堆積膜形成を行なった。その結果、実施例１で行なったような条件出し等の予備実験を実施しなくとも、所望のプラズマ処理を実施することができ、作業性の面で優れていた。
【００５１】
尚、図７における回転機構（１０３）は、ＬＥＤ（７０１）、センサー（７０２）、位置測定用部材（７０３）、ギヤ（７０４）及びモーター（７０５）からなり、図中矢印はレーザー光を表す。又、位置測定用部材（７０３）は図４に示したアルミニウムシリンダ（１０５）の回転位置と同様の配置となるように複数本設置されている。
【００５２】
又、作成した電子写真用感光体を、実施例１と同様にキヤノン製の複写機ＩＲ−５０００に設置し、『画像濃度周ムラ』の評価を行なったところ、リ良好な結果を得ることができた。
【００５３】
【表５】
2004134457.tif 000007
【００５４】
【発明の効果】
本発明によれば、プラズマ処理中の基体の回転方法を最適化することによって、基体により均一な堆積膜を形成することが可能なプラズマ処理方法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明におけるプラズマ処理装置の一例で、プラズマＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置の模式的説明図である。
【図２】本発明における、プラズマ処理条件の変化パターンの一例である。
【図３】本発明における、プラズマ処理条件の変化パターンの一例である。
【図４】本発明における、プラズマ処理条件を変化させるタイミングにおける基体の回転位置の一例である。
【図５】本発明における、プラズマ処理条件を変化させるタイミングにおける基体の回転位置の一例である。
【図６】本発明におけるプラズマ処理装置の一例で、プラズマＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置の模式的説明図である。
【図７】本発明における基体回転位置検出手段の一例である。
【符号の説明】
１０１、６０１　　反応容器
１０２、６０２　　原料ガス導入手段
１０３、６０３　　回転機構
１０４、６０４　　基体下部支持部材
１０５、６０５　　基体
１０６、６０６　　基体キャップ
１０７　　高周波電極
１０８　　ガス配管
１０９　　圧力測定手段
１１０　　スロットルバルブ
１１１、６１１　　基体加熱ヒーター
１１２Ａ、１１２Ｂ、６１２　　高周波電源
１１３、６１３　　整合回路
１１４　　電力分割容器
１１５　　電力分割部
１１６　　導体線路
１１７　　アースシールド
１１８、６１８　　回転軸
７０１　　ＬＥＤ
７０２　　センサー
７０３　　位置測定用部材
７０４　　ギヤ
７０５　　モーター
【図１】
2004134457.tif 000008
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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