(57)【要約】【課題】絶縁膜への金属の付着、ボンディングパッドやＳＡＷ電極の変形が起きにくいＳＡＷデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】圧電基板上に、少なくとも２層からなる電極メタル層を形成し、その上層をＣｒまたはＴｉの層にしておく。その上にパッドメタル層を形成して、パッドメタル層を選択的に除去してボンディングパッドを形成する。【選択図】　　　図１
2004135163.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの層からなり、前記２つの層のうち、上層がＣｒまたはＴｉからなる電極メタル層を、圧電基板上に形成する工程と、
前記電極メタル層上に、パッドメタル層を形成する工程と、
前記パッドメタル層を選択的に除去する工程と、
前記パッドメタル層を選択的に除去した後、前記電極メタル層を選択的に除去する工程と、
前記電極メタル層を選択的に除去した後、残存した前記パッドメタル層及び残存した前記電極メタル層を覆うように、絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を選択的に除去して、前記パッドメタル層の一部を露出させる工程とを有することを特徴とするＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記パッドメタル層の材質に、Ａｕを選択することを特徴とする請求項１記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記電極メタル層の前記２つの層のうち、下層の材質に、Ａｌの合金またはＡｌを選択することを特徴とする請求項１記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記電極メタル層は、３つの層からなり、前記３つの層のうち、最下層がＣｒ層である構造のものを選択することを特徴とする請求項１記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項５】
前記絶縁膜に、酸化膜を選択することを特徴とする請求項１記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項６】
前記電極メタル層と、前記パッドメタル層を同一チャンバ内にて連続形成することを特徴とする請求項１記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、表面弾性波デバイス（以下ＳＡＷデバイス）の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＳＡＷデバイスの製造方法について説明する。まず、圧電基板上に、ＳＡＷ電極と、ＳＡＷ電極の一部を露出させるようにＳＡＷ電極を覆う絶縁膜を形成する。そして、ＳＡＷ電極の露出している部分に、ボンディングパッドを形成する。このボンディングパッドの形成は、次のように行う。まず、ＳＡＷ電極の露出部周辺を開口したレジストを塗布し、さらにその上から金属膜を形成する。その後、リフトオフを行う。つまり、レジストを、その上に形成された金属膜と共に溶剤で洗い流す。すると、レジストの開口部に残存した金属膜が、ボンディングパッドになる。
【０００３】
また、従来のＳＡＷデバイスの製造方法として、リフトオフ法を使わない別の方法もある。これは、特開２００１−１６８６６７に記載されている方法である。この方法では、まず、圧電基板上に、ＳＡＷ電極と、ＳＡＷ電極の一部を露出させるようにＳＡＷ電極を覆う絶縁膜を形成する。ここまでは、リフトオフ法を使用する方法と同じである。
【０００４】
次に、ＳＡＷ電極の露出部も含めて、絶縁膜上に金属膜を形成する。そして、この金属膜をＳＡＷ電極の露出部を残して選択的にエッチング除去することによって、金属膜をボンディングパッドとする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来技術のうち前者の方法では、リフトオフ法を用いてボンディングパッドを形成しているため、ボンディングパッドの形状が安定しないという問題があった。また、金属膜は、レジスト層を洗い流すための溶剤に溶解しないので、リフトオフ時に金属膜の一部がボンディングパッドや絶縁膜に付着してしまう問題もあった。
【０００６】
一方、ＳＡＷ電極上の絶縁膜は、ＳＡＷフィルタの特性を維持するために、極めて薄く形成されている。そのため、従来技術のうち後者の方法では、金属膜をエッチング除去するとき、エッチング液がボンディングパッドと絶縁膜の境界から侵入して、絶縁膜下のＳＡＷ電極をエッチングしてしまう可能性がある。ＳＡＷ電極をエッチングされてしまうと、当然、ＳＡＷ電極の形状が変化するので、ＳＡＷ電極に設計どおりの特性を持たせることができない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するために本発明では、２つの層のうち、上層がＣｒまたはＴｉからなる電極メタル層を、圧電基板上に形成し、その電極メタル層上に、パッドメタル層を形成し、そのパッドメタル層を選択的に除去し、さらに電極メタル層を選択的に除去し、残存したパッドメタル層及び残存した電極メタル層を覆うように絶縁膜を形成し、絶縁膜を選択的に除去して、パッドメタル層の一部を露出させる工程とを有する。
【０００８】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の実施例であるＳＡＷデバイスの製造方法を示す平面図及び断面図である。図１（Ａ）、（Ｃ）、（Ｅ）、（Ｇ）、（Ｉ）、（Ｋ）は平面図である。また、図１（Ｂ）、（Ｄ）、（Ｆ）、（Ｈ）、（Ｊ）、（Ｌ）は、それぞれ平面図である図１（Ａ）、（Ｃ）、（Ｅ）、（Ｇ）、（Ｉ）、（Ｋ）を点線ＸＹにて切断した場合の断面を示している。以下、図１を用いて、本発明の実施例を説明する。
【０００９】
まず、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、タンタル酸リチウム（以下ＬｉＴａＯ３）からなる圧電基板１１上に、厚さ４００ｎｍの電極メタル層１３Ａを、蒸着装置またはスパッタ装置を用いて形成する。この電極メタル層１３Ａは、図２に示すように３層からなり、上層１３ＡＡはＣｒまたはＴｉ　、中層１３ＡＢはアルミニウムと銅の合金（以下Ａｌ−Ｃｕ）、下層１３ＡＣはＣｒの層である。なお、上層１３ＡＡ及び下層１３ＡＣの厚さはそれぞれ１０ｎｍ　ほどであるため、電極メタル層１３Ａは、そのほとんどがＡｌ−Ｃｕから形成されることになる。
【００１０】
次に、図１（Ｃ）及び図１（Ｄ）に示すように、電極メタル層１３Ａ上に、Ａｕからなる厚さ９００ｎｍのパッドメタル層１２Ａを、蒸着装置またはスパッタ装置を用いて形成する。このとき、圧電基板１１を大気中に開放せず、電極メタル層１３Ａを形成した蒸着装置内またはスパッタ装置内において、パッドメタル層１２Ａを連続形成する。
【００１１】
続いて、図１（Ｅ）及び図１（Ｆ）に示すように、パッドメタル層１２Ａを、体積比がＫＩ：ＫＣｌ：Ｉ：Ｈ２Ｏ＝１０：５：１：４４となるエッチング液にてエッチングすることによって、パッドメタル層１２Ａを選択的にエッチング除去し、パッドメタル層１２Ａをボンディングパッド１２とする。この時、ＣｒまたはＴｉからなる電極メタル層１３Ａの上層１３ＡＡが、電極メタル層１３Ａをウエットエッチングから保護する。
【００１２】
さらに、図１（Ｇ）図１（Ｈ）に示すように、ホトリソ及びエッチング技術を用いて、電極メタル層１３Ａを選択的にエッチングすることによって、電極メタル層１３Ａを櫛型のＳＡＷ電極１３とする。このときのエッチングにはドライエッチング法を用い、そのエッチングガスとしてはＢＣｌ３とＣｌ２の混合ガスを用いる。この工程は、電極メタル層１３Ａの上層１３ＡＡ、中層１３ＡＢ、下層１３ＡＣを一度にエッチングできる。
【００１３】
なお、電極メタル層１３Ａのエッチングは、電極メタル層１３Ａ上に形成した図示しないレジストパターンをマスクとして行うが、このレジストパターンを形成するときに、現像液を用いる。レジストパターンは、電極メタル層１３Ａの表面に形成するため、レジストパターン形成時に、現像液が電極メタル層１３Ａに触れる。ＣｒまたはＴｉの層である電極メタル層１３Ａの上層１３ＡＡは、この現像液から電極メタル層１３Ａの特に中層１３ＡＢを保護する。また、電極メタル層１３Ａの上層１３ＡＡは、ＳＡＷデバイスの耐電力性を向上させる効果もある。
【００１４】
また、Ｃｒ層である電極メタル層１３Ａの下層１３ＡＣは、電極メタル層１３Ａのエッチングストッパとして働く。即ち、Ａｌ−Ｃｕ層である中層１３ＡＢよりも、Ｃｒ層である下層１３ＡＣはエッチングされにくいので、電極メタル層１３Ａのエッチングを進めていき、下層１３ＡＣが露出したら、エッチングのスピードを緩める。このようにすることで、電極メタル層１３Ａの下の圧電基板１１へのダメージを最小限にすることができる。
【００１５】
そして、図１（Ｉ）図１（Ｊ）に示すように、ＳＡＷ電極１３を保護するために酸化膜１４を、スパッタ装置を用いて全面に形成する。
【００１６】
最後に、図１（Ｋ）図１（Ｌ）に示すように、ホトリソ及びエッチング技術を用いて、ボンディングパッド１２の一部が露出されるように、酸化膜１４を開口する。
【００１７】
以上のように本発明の上記の実施例は、ＳＡＷ電極１３となる電極メタル層１３Ａの上層１３ＡＡが、ＣｒまたはＴｉの層となっている。したがって、パッドメタル層１２Ａをエッチングしてボンディングパッド１２とする時に、電極メタル層１３Ａを保護することができるので、ＳＡＷ電極１３をエッチングしてしまうことがない。そのため、ＳＡＷ電極１３の形状が変化してしまうこともない。ゆえに、より特性に優れたＳＡＷデバイスの提供が可能になる。また、ＳＡＷ電極１３となる電極メタル層１３Ａとボンディングパッド１２となるパッドメタル層１２Ａが連続形成されているため、ＳＡＷ電極１３とボンディングパッド１２の密着性が向上するという効果も期待できる。
【００１８】
【発明の効果】
以上説明したように本発明では、ボンディングパッドの形成にリフトオフ法を用いていないので、ボンディングパッドの形状が安定する。また、同様の理由により、パッドメタル層の一部がボンディングパッドや酸化膜に付着してしまうこともない。したがって、精密なボンディングパッドを形成することができる。さらに、ＳＡＷ電極を複数の層とし、特にＳＡＷ電極の上層をウェットエッチングに強いＣｒまたはＴｉの層にしたため、パッドメタル層をエッチングしてボンディングパッドを形成する時に、ＳＡＷ電極の形状が変化してしまうこともない。ゆえに、より特性に優れたＳＡＷデバイスの提供が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施例におけるＳＡＷデバイスの製造方法を示す断面図及び平面図である。
【図２】第１の実施例における、電極メタル層の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
１１　基板
１２　パッドメタル層
１２Ａ　ボンディングパッド
１３　電極メタル層
１３Ａ　ＳＡＷ電極
１４　酸化膜
【図１】
2004135163.tif 000003
【図２】
2004135163.tif 000004