(57)【要約】【課題】リモートプラズマを用いる処理工程において、該プラズマを生成するときに生じる剥離物などに起因する歩留まりの低下を防止する。【解決手段】基板Ｗを処理室１に搬入する基板搬入工程と、搬入した基板Ｗを処理するために、処理室１に通じる供給管２を介して当該処理室１内へガスを供給するガス供給工程と、を有し、ガス供給工程では、供給管２に設けられたガス活性化部３でプラズマにより活性化したガスを処理室１内へ供給する半導体装置の製造方法において、供給管２内の圧力を、基板を処理するときと処理しないときとで異ならせるよう制御する。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理室に搬入する基板搬入工程と、
搬入した基板を処理するために、前記処理室に通じる供給管を経由して当該処理室内へガスを供給するガス供給工程と、を有し、
前記ガス供給工程では、前記供給管に設けられたガス活性化部でプラズマにより活性化したガスを前記処理室内へ供給する半導体装置の製造方法において、
前記供給管内の圧力を、前記基板を処理するときと、処理しないときとで異ならせるよう制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマを用いて酸化膜の除去その他の処理を行う半導体装置の製造方法と、その方法の実施に使用する基板処理装置とに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路その他の半導体装置の製造においては、ウエハに対して成膜及びパターンエッチング等の処理を繰り返し行って、これに所望の素子を多数形成する訳であるが、このように各種の処理を行う過程でウエハを処理装置間で移送する必要がある。そのため、移送のときにウエハが大気に曝されることは不可避であり、ウエハ面の大気に曝された部分には、大気中の酸素や水分等に起因して自然酸化膜が発生するのが実情である。
自然酸化膜は、半導体装置の電気的特性を劣化させる等の原因となる。即ち、例えばシリコンの酸化膜は絶縁体であり、シリコンウエハ内の導電領域に電極を接続しようとする場合、その表面にシリコン酸化膜が残存していると接触抵抗を増大させてしまう。また、シリコンの自然酸化膜は、不完全な結晶を有しており、熱酸化によって意図的に形成したシリコン酸化膜と比べると膜質が劣るため、これがゲート絶縁部に形成されてしまうとリーク電流が大きくなる。
【０００３】
そこで、例えば成膜工程の前処理として、自然酸化膜をウエハの被処理面から除去する表面処理を行う場合がある。従来、酸化膜の除去に当っては、酸化膜の形成されたウエハをフッ酸等の薬液中に浸漬して、該薬液により酸化膜を除去する所謂ウエット洗浄が一般的に行われていた。
【０００４】
ところが、半導体集積回路の高集積化及び高微細化が推進されるに伴ってパターンの線幅やコンタクトホール径等も小さくなり、例えばコンタクトホールの径は０．２〜０．３μｍ程度或いはそれ以下になっている。そのため、ウエット洗浄では微細なトレンチの洗浄が困難となっている。具体的には、薬液がホール内に充分染み込まなかったり、或いは逆に染み込んだ薬液が表面張力のためにホール内から排出できない場合等が生じ、ホール底部の酸化膜を充分に除去できない問題が生じていた。また、基板上に複数層の積層構造を形成する場合には、当該各層毎にエッチングレートが異なるので、ホール壁面に凸凹が発生する場合がある。さらに、各層の境界面部分には薬液が浸透し易いために、浸透した薬液によって境界面が過度に削られてしまう問題があった。
【０００５】
そこで、上記の問題を解決するものとして、プラズマ処理技術を用いて酸化膜の除去その他の前処理を行うドライエッチング法が知られている。これは、ウエハの処理室とは別の領域であるガス活性化部でプラズマにより所定の処理ガスを活性化し、その活性化したガスを処理室内のウエハに供給して該ウエハの前処理を行うものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、発明者は酸化膜の除去等にプラズマ処理技術を用いる場合、次のような課題が生じることを見出した。即ち、ドライエッチング法では、処理ガスを活性化させるためにプラズマを使用するが、このプラズマを発生させるときには、ガス活性化部に非常に大きなパワーが印加される。そのため、ガス活性化部の内壁が激しい衝撃にさらされる。特に、処理ガスとして、Ｎ２，ＮＨ３，及びＮＦ３を用いる場合には、この問題が深刻化する。従って、その衝撃に起因してガス活性化部等の内壁が剥離することがある。内壁が剥離した場合には、その剥離物がパーティクルとして処理ガスと共に処理室内へ至り、該処理室の内壁やウエハ等に付着する。その結果、半導体装置の歩留まりを悪化させることになる。
なおこの問題は、上記ドライエッチング法のみならず、リモートプラズマを用いる処理工程の全てにおいて発生し得る。
【０００７】
本発明の目的は、リモートプラズマを用いる処理工程において、該プラズマを生成するときに生じる剥離物などに起因する歩留まりの低下を防止する技術を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
発明者は、鋭意研究の結果、剥離物等の異物がウエハに付着するのは、プラズマによる壁の剥離が主な原因であるが、ガス活性化部側と処理室側との圧力差による当該異物の処理室への流下も一因となっていることを見出した。本発明は、この知見に基づいてなされたものである。
【０００９】
本発明の第１の態様によれば、基板を処理室に搬入する基板搬入工程と、搬入した基板を処理するために、前記処理室に通じる供給管を経由して当該処理室内へガスを供給するガス供給工程と、を有し、前記ガス供給工程では、前記供給管に設けられたガス活性化部でプラズマにより活性化したガスを前記処理室内へ供給する半導体装置の製造方法において、前記供給管内の圧力を、基板を処理するときと処理しないときとで異ならせるよう制御することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１０】
第１の態様において、前記基板を処理しないときには、前記供給管内に非反応性ガスを供給するのが好ましい。この場合、前記供給管における前記ガス活性化部よりも上流側と下流側の双方向から、当該供給管内へ非反応性ガスを噴出するのが好ましい。非反応性ガスとしては、例えばＮ２ガス等が挙げられる。
【００１１】
第１の態様においては、前記ガス供給工程で前記処理室内へ供給するガスは、非反応性ガスを含むものであり、前記基板を処理するときと、処理しないときとで前記非反応性ガスの圧力を切り替えるのが好ましい。
【００１２】
第１の態様において、前記基板を処理しないときに、前記供給管内を前記処理室を介さずに排気するのが好ましい。また第１の態様において、前記基板を処理しないときの前記供給管内の圧力を、前記基板を処理するときの前記供給管内の圧力の２倍以上とするのが好ましい。
【００１３】
本発明の第２の態様によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室内にガスを供給する供給管とを備え、前記供給管がプラズマによりガスを活性化させるガス活性化部を有する基板処理装置において、前記供給管内の圧力を、前記基板を処理するときと、処理しないときとで異ならせるよう制御する圧力制御手段を備えたことを特徴とする基板処理装置も提供される。
【００１４】
第２の態様においては、前記供給管に非反応性ガスラインを有するガス導入部を設け、前記基板を処理しないときに、前記供給管内に非反応性ガスを供給するのが好ましい。この場合において、前記ガス活性化部の上流及び下流に非反応性ガスラインを有するガス導入部をそれぞれ設け、これらガス導入部の双方から非反応性がスを噴出できるようにするのが好ましい。さらに、前記非反応性ガスラインは、２系統の圧力制御手段を有するのが好ましい。
【００１５】
また第２の態様においては、前記供給管に、該供給管内を前記処理室を介さずに排気するバイパス排気ラインを設け、前記基板を処理しないときに、このバイパス排気ラインより前記供給管内を排気するのが好ましい。また第２の態様においては、前記基板を処理しないときの前記供給管内の圧力を、前記基板を処理するときの前記供給管内の圧力の２倍以上とするのが好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
〔第１の実施の形態〕
図１は、第１の実施の形態によるドライクリーニング装置（基板処理装置）を示す。これは、ウエハ（基板）Ｗを処理する処理室１と、処理室１内に処理ガスを供給する供給管２とを備え、供給管２がプラズマにより処理ガスを活性化させるガス活性化部３を有するドライクリーニング装置である。本ドライクリーニング装置は、供給管２内の圧力を、ウエハＷを処理するときと処理しないときとで異ならせるよう制御するガスボックス（圧力制御手段）４を備えたことを最大の特徴としている。
【００１７】
処理室１は、例えばアルミニウムで多角形に形成されており、その内壁にはウエＷの汚染等を防止するためにアルマイト処理が施されている。この処理室１には、活性化された処理ガスを導入するためのガス供給口５と、この処理室１内の処理済みガス等を排気するためのガス排気口６とが形成されている。ガス排気口６は、図示せぬ真空ポンプ等に通じている。
【００１８】
処理室１内には、石英等からなるウエハ載置７が配置されている。ウエハ載置７は、複数枚（例えば２枚）のウエハを多段に積層した状態で保持するように構成されている。従って、このドライクリーニング装置では、一度に複数枚のウエハを処理できる。このウエハ載置台７は、図示せぬ磁気シール構造を介して処理室１の外に配置された回転機構８に繋がれている。
【００１９】
処理室１を構成する壁面のうち、ウエハ載置台７の上方は、赤外線を透過する素材を用いて円形又は多角形に形成された窓９となっている。窓９は、Ｏリング等を用いて処理室１に気密に設置されている。
【００２０】
処理室１の外における窓９の上方には、ハロゲンランプ等のランプ１０が配置されている。ランプ１０は、窓９を通してウエハ載置７に保持されたウエハＷの処理面に赤外線を照射し、これを例えば１００℃以上の所定温度に加熱する。ランプ１０のサイズは、窓９のサイズに略一致させるのが好ましい。ランプ１０の周りには、該ランプ１０から放出された赤外線を効率よくウエハＷ側に照射させる鏡面を有するランプカバー１１が設けられている。
【００２１】
供給管２は、ガス活性化部３と、該ガス活性化部３よりも上流側（処理室１とは反対側）のガス流路を構成する上流部１２と、該ガス活性化部３よりも下流側（処理室１側）のガス流路を構成する下流部１３とを有してなる。
【００２２】
ガス活性化部３は、サファイアガラス等を用いてプラズマ発生用の空間を構成してなる。このガス活性化部３には、導波管１４を介してμ波電源１５が接続されている。μ波電源１５は、プラズマ発生用のエネルギ源としてのμ波（例えば２．４５ＧＨｚ）を発生する。導波管１４は、μ波電源１５で発生したμ波をガス活性化部３へ効率よく伝える。これらガス活性化部３、導波管１４、及びμ波電源１５によってリモートプラズマユニットが構成されている。
【００２３】
供給管２の上流部１２は、その下流側がガス活性下部３に通じている。一方、その上流側にはＮ２とＮＨ３の混合ガス（水素窒素系ガス）を供給する混合ガス配管１６に通じる第１のガス導入部１２ａが形成されている。なおＮ２ガスは非反応性ガスである。
混合ガス配管１６はＮ２ガス源１７及びＮＨ３ガス源１８に通じている。詳細には、混合ガス配管１６は各ガス源１７，１８に向かって途中で二股に分岐しており、分岐した一方の配管（Ｎ２配管）１９がガスボックス４を介してＮ２ガス源１７に接続され、他方の配管（ＮＨ３配管）２０が同じくガスボックス４を介してＮＨ３ガス源１８に接続されている。
【００２４】
供給管２の下流部１３は、その下流側の端が処理室１のガス供給口５に接続され、その上流側の端がガス活性化部３に接続されている。
またこの下流部１３の途中には、ＮＦ３配管２１が接続されていて、その接続部分が第２のガス導入部１３ａとなっている。ＮＦ３配管２１は、前述したガスボックス４を介してＮＦ３ガス源２２に通じている。
【００２５】
図２は、ガスボックス４内の構成を概略的に例示した模式図である。同様の要素には便宜的に同じ符号を付している。図示のように、ガスボックス４には、Ｎ２ガス源１７から第１のガス導入部１２ａにわたるＮ２ガスライン（第１の非反応性ガスライン）Ａ、ＮＨ３ガス源１８から第１のガス導入部１２ａにわたるＮＨ３ガスラインＢ、及びＮＦ３ガス源から第２のガス導入部１３ａにわたるＮＦ３ガスラインＣの要部がそれぞれ集約されている。
【００２６】
Ｎ２ガスラインＡ及びＮＨ３ガスラインＢの要部は、それぞれのガス源１７，１８から第１のガス導入部１２ａに向かって、レギュレータ２６、バルブ２７、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２８、バルブ２９がこの順に直列に配置されてなる。
ＮＦ３ガスラインＣの要部も同様に、ＮＦ３ガス源２２から第２のガス導入部１３ａに向かって、レギュレータ２６、バルブ２７、ＭＦＣ２８、バルブ２９がこの順に直列に配置されてなる。
【００２７】
レギュレータ２６は、そのガスラインにおけるガス圧を所望の一定の値に設定するためのものである。バルブ２７，２９は、その配置箇所においてガスの流れをＯＮ／ＯＦＦするものである。ＭＦＣ２８は、ガスの流量を制御するものである。なお各ガスラインにおいて、レギュレータ２６とバルブ２７との間には圧力ゲージ３０が介設されていて、当該箇所におけるガス圧を観察できるようになっている。
【００２８】
レギュレータ２６…の各々には、予め定めた一定の圧力が設定されているが、Ｎ２ガスライン（第１の非反応性ガスライン）Ａは、レギュレータ２６とバルブ２７の直列接続を並列に２系統有し、各系統３１，３２におけるバルブ２７がこれら２つの系統３１，３２の切り替え手段となっている。従って、この第１の非反応性ガスラインＡにおいては、第１系統３１と第２系統３２とで、そのガス圧を二段階に切り替えることができる。
なお、第２系統３２におけるレギュレータ２６には、第１系統３１におけるレギュレータよりも高い圧力が設定されている。
【００２９】
本ドライクリーニング装置の作用は次の通りである。
まず、ウエハＷを処理室内１に搬入し、搬入したウエハＷをウエハ載置台７に載置する（基板搬入工程）。
【００３０】
〔ウエハＷを処理するとき〕
次いで、搬入したウエハＷを処理するために、Ｎ２ガスラインＡにおける第２系統３２のバルブ２７を閉じ、それ以外のバルブ２７，２９を開く。
【００３１】
これにより、Ｎ２ガスラインＡの第１系統３１を通ってＮ２配管１９に供給されたＮ２ガスと、ＮＨ３ガスラインＢを通ってＮＨ３配管２０に供給されたＮＨ３ガスとが混合ガス配管１６で合流し、それらの混合ガスが第１のガス導入部１２ａから供給管２の上流部１２内へ供給される。
このときのＮ２ガスの圧力は、第１系統３１のレギュレータ２６に設定されていた圧力値となる。その圧力値とは、供給管２と処理室１との圧力差を可能な限り小さくできるような値である。
【００３２】
そして、該混合ガスがガス活性化部３で活性化されることにより、その活性種が生成される。生成された活性種は処理室１に向かって供給管２の下流部１３内を流れる。その過程で、ＮＦ３ガスラインＣから供給されたＮＦ３が当該活性種に添加される。これにより、ＮＦ３ガスも活性化され、該活性化されたガスが処理室１内に供給される（ガス供給工程）。
【００３３】
なお、活性ガスが供給されるとき、回転機構８がウエハ載置台７を回転させる。これにより、活性ガスが処理室１内に配置されたウエハＷ表面の酸化膜と反応して保護膜（副生成物）が形成される（副生成物生成工程）。
【００３４】
このようにして、ウエハＷ上に副生成物を形成したならば、上記各処理ガスの供給を絶つと共にプラズマの形成を停止する。そして、処理室１内の残留ガスをガス排気口６から排気しながら、ランプ１０から窓９を通してウエハＷに赤外線を照射する。これにより、ウエハＷ表面に形成された副生成物が昇華し、昇華物が排気口６から排出される。結果として、ウエハＷの表面に形成されていた自然酸化膜が除去されることとなる（副生成物除去工程）。
その後、処理済みウエハＷを処理室１から搬出する（基板搬出工程）。
【００３５】
〔ウエハを処理しないとき〕
例えば、処理済みウエハの搬出後、次の未処理ウエハを搬入するまでの間などのように、ウエハＷを処理しないとき、即ち処理室１内にウエハＷが配置されていないときには、供給管内２内の圧力をウエハＷを処理するときとは異ならせる。
詳細には、ウエハＷを処理しないときにおける供給管２内の圧力を、ウエハＷを処理するときにおける供給管２内の圧力の２倍以上とする。一実施例においては、ウエハＷを処理するときにおける供給管２内の圧力を略０．１ＭＰａとし、ウエハＷを処理しないときにおける供給管２内の圧力を略０．２５ＭＰａとする。
【００３６】
これは、Ｎ２ガスラインＡにおけるバルブ２７，２７の切り替えを行うこと等により実現される。具体的には、Ｎ２ガスラインＡのバルブ２９及びその第２系統３２のバルブ２７のみを開き、それ以外のバルブ２７，２９を閉じる。これにより、Ｎ２ガスラインＡの第２系統３２を通って供給されたＮ２ガスが、第１のガス導入部１２ａより供給管２内へ噴出する。
このときのＮ２ガスの圧力は、第２系統３２のレギュレータ２６に設定されていた圧力値となる。その圧力値とは、供給管２内の圧力を処理室１内の圧力よりもできるだけ大きくする値である。
【００３７】
第１のガス導入部１２ａより供給管２内に噴出したＮ２ガスは、ガス活性化部３、供給管２の下流部１３、及び処理室１を通ってガス排気口６から排気される。このとき、ガス活性化部３の内壁の剥離物その他の異物も当該Ｎ２ガスに運ばれて、ガス排気口６から排出される（パージ工程）。
【００３８】
このように、本ドライクリーニング装置を用いれば、ウエハＷを処理室１に搬入する基板搬入工程と、その後、搬入したウエハＷを処理するために、処理室１に通じる供給管２を介して当該処理室１内へガスを供給するガス供給工程と、その後、処理したウエハＷを処理室１から搬出する基板搬出工程とを有し、ガス供給工程では、供給管２に設けられたガス活性化部３でプラズマにより活性化したガスを処理室１内へ供給する半導体装置の製造方法において、供給管２と処理室１との差圧が、ガス供給工程のときよりも大きくなるように供給管２内の圧力を制御して、該供給管２内をパージするパージ工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が実現される。この場合において、パージ工程は、基板搬出工程で処理済みウエハを搬出した後、次の未処理ウエハを前記基板搬入工程で搬入するまでの間に行うのが好ましい。
【００３９】
本ドライクリーニング装置によれば、次のような効果が得られる。
（１）本ドライクリーニング装置では、ウエハＷを処理しないときにおける供給管２と処理室１との差圧が、ウエハＷを処理するときにおける当該差圧よりも大きくなるように、ウエハＷを処理するときと処理しないときとで供給管２内の圧力を異ならせる制御を行う。これにより、ウエハＷを処理しないときにも供給管２へ積極的に非反応性ガス（Ｎ２ガス）が噴出されると共に、該ガスの流速はウエハＷを処理するときよりも増大するから、ガス活性化部３、供給管２の下流部１３、及び処理室１内に付着した異物を効率的に吹飛ばせる。吹飛ばされた異物は、ガス排気口６から排出されるから、結果として該異物は除去されることになる。従って、本ドライクリーニング装置に存在する異物の量を低減できるから、ウエハＷを処理するときに該処理中のウエハＷに異物が付着するのを抑制でき、歩留まりを向上できる。
【００４０】
（２）ウエハＷを処理するときには、ウエハＷを処理しないときよりも供給管２と処理室１との差圧が小さくなるのであるから、仮に供給管２内においてプラズマに起因して剥離物その他の異物が発生したとしても、該異物の処理室１への流下を最低限に抑制できる。
【００４１】
（３）供給管２内の圧力の制御は、非活性化ガスとしてのＮ２ガスの圧力を制御することにより行うが、該Ｎ２ガスは異物除去用のパージガスであると同時に、ウエハＷの処理に用いる処理ガスでもあるので、パージガスと処理ガスとのガス源を共有することにより、本ドライクリーニング装置の構成を簡素にできる。
【００４２】
なお、供給管２内の圧力の制御は、圧力を固定的に設定するレギュレータ２６を用い、Ｎ２ガスラインＡにおける第１系統３１のバルブ２７と第２系統３２のバルブ２７の切り替え等で実現したが、圧力制御手段としては、Ｎ２ガスラインＡにおける複数のレギュレータ２６，２６に代えて、単一の圧力可変設定手段を用いることもできる。圧力可変設定手段としては、圧力設定信号に基づいて弁（ピエゾバルブ）の開度が連続的に調整できるように構成されてなる電空レギュレータ等がある。これによれば、Ｎ２ガスラインＡを２系統にしなくて済む。
また、バルブ２７，２９の開閉は、人手により行ってもよいし、図示せぬ制御手段により自動的に行ってもよい。
【００４３】
〔第２の実施の形態〕
図３，４は、第２の実施の形態によるドライクリーニング装置を示す。図１と同様の構成に対しては同じ符号を付している。本ドライクリーニング装置は、ガス活性化部３の上流及び下流に非反応性ガスラインＡ，Ｄを有するガス導入部１２ａ，１３ａをそれぞれ設け、これらガス導入部１２ａ，１３ａの双方から非反応性ガスを噴出できるようにしたことを最大の特徴としている。
【００４４】
即ち、図４に示すように、本ドライクリーニング装置は、第２のガス導入部１３ａに通じる第２の非反応性ガスラインＤをさらに有していて、この第２の非反応性ガスラインＤの要部もガスボックス４に集約されている。第２の非反応性ガスラインＤは、Ｎ２ガス源１７から第２のガス導入部１３ａに向かって、レギュレータ２６、バルブ２７、ＭＦＣ２８、バルブ２９がこの順に直列に配置されてなる。
従って、第２のガス導入部１３ａからも供給管２内へＮ２ガスが噴出しうる。なお、この第２の非反応性ガスラインＤのガス源は、第１の非反応性ガスラインＡのＮ２ガス源１７と兼用しているが、個別の非反応性ガス源を用いてもよい。
【００４５】
本ドライクリーニング装置の作用は、第１の実施の形態と同様であるが、ウエハＷを処理するときには、第２の非反応性ガスラインＤのバルブ２９を閉じる。
ウエハＷを処理しないときには、第１の非反応性ガスラインＡにおけるバルブ２９及び第２系統３２のバルブ２７、並びに第２の非反応性ガスラインＤにおけるバルブ２９及びバルブ２７のみを開き、それ以外のバルブ２７，２９を閉じる。
【００４６】
これにより、ガス活性部３の上流側においては、第１の非反応性ガスラインＡから供給されたＮ２ガスが、第１のガス導入部１２ａより供給管２内へ噴出する。
一方、ガス活性部３の下流側においては、第２の非反応性ガスラインＤから供給されたＮ２ガスが、第２のガス導入部１３ａよりガス活性下部３側に向けて噴出する。
【００４７】
このように、ガス活性化部３の上流及び下流の双方から、該ガス活性化部３に向けて非活性化ガス（Ｎ２ガス）を噴出させることにより、一方向からのみ非活性化ガスを噴出させる場合に比べると、ガス活性下部３内の異物をより効率的に除去できる。
【００４８】
なお、ウエハＷを処理しないときには、第１の非反応性ガスラインＡにおけるバルブ２９と、第２の非反応性ガスラインＤにおけるバルブ２９とを交互に開閉すれば、ガス活性化部３内に上流側及び下流側から交互にＮ２ガスが噴出することになるが、このことによっても該ガス活性下部３内の異物を効率的に除去できる。
【００４９】
なお図４中、２点鎖線で示すように、第２の非反応性ガスラインＤに、レギュレータ２６とバルブ２７の直列接続を並列に２系統設けてもよい。この場合は、各系統におけるバルブ２７がこれら２つの系統の切り替え手段として機能する。
このようにすれば、第２の非反応性ガスラインＤにおいてもガス圧を二段階に切り替えることができるようになるから、ウエハＷを処理しないときにおける供給管２内の圧力制御をよりきめ細かに行える。但し、この第２の非反応性ガスラインＤは必ずしも２系統にしなくてもよい。
【００５０】
なお、図５に示すように、第２の非反応性ガスラインＤと、ＮＦ３ガスラインＣとでＭＦＣ２８及びバルブ２９を共有してもよい。この場合は、第２の非反応性ガスラインＤの構成を簡素にできる。
【００５１】
〔第３の実施の形態〕
図６は、第３の実施の形態によるドライクリーニング装置を示す。図１と同様の構成に対しては同じ符号を付している。本ドライクリーニング装置は、ウエハＷを処理する処理室１と、処理室１内にガスを供給する供給管２とを備え、供給管２がプラズマによりガスを活性化させるガス活性化部３を有するドライクリーニング装置において、供給管２に接続され、該供給管２内のガスを、処理室１を介さずに排気するバイパス排気ライン２３と、供給管２と処理室１とを連通させる一方、供給管１とバイパス排気ライン２３とを非連通とした第１の状態と、供給管２と処理室１とを非連通とする一方、供給管２とバイパス排気ライン２３とを連通させた第２の状態とに相互に切り替える切り替え手段とを備えたことを最大の特徴とする。
【００５２】
具体的には、本ドライクリーニング装置は、第１又は第２の実施の形態において、供給管２に、該供給管２内を処理室１を介さずに直接的に排気するバイパス排気ライン２３を接続すると共に、供給管２とガス供給口５との間、及び供給管２とバイパス排気ライン２３との間に、それぞれ切り替え手段としての切り替えバルブ２４，２５を設けたものである。バイパス排気ライン２３の接続位置は、ガス活性化部３よりも下流側である。
【００５３】
本ドライクリーニング装置の作用は、第１又は第２の実施の形態と同様であるが、ウエハＷを処理するときには、処理ガスを処理室１へ供給するために、ガス供給口５側の切り替えバルブ２４を開く一方、バイパス排気ライン２３側の切り替えバルブ２５を閉じておく。なお、バルブ２４，２５の開閉は、人手により行ってもよいし、図示せぬ制御手段によって自動的に行ってもよい。
【００５４】
一方、ウエハＷを処理しないときには、逆に、ガス供給口５側のバルブ２４を閉じる一方、バイパス排気ライン２３側のバルブ２５を開く。そして、この状態で、第１のガス導入部１２ａ（及び第２のガス導入部１３ａ）からＮ２ガスを噴出させる。すると、供給管２内の異物は、処理室１を介さずに、直接的にバイパス排気ライン２３から排出される。
【００５５】
本ドライクリーニング装置によれば、ウエハＷを処理しないときに除去した異物を、処理室１を介さずに排出できるから、歩留まりを一層確実に向上できる。
また、Ｎ２ガスを噴出させて異物を除去するときに、処理室１内にウエハＷが在っても何ら差し支えない。従って、例えば副生成物除去工程でウエハＷ上に副生成物を生成した後、ただちに切り替えバルブ２４を閉じて、供給管２側では異物のパージを行い、処理室１側では該処理室１を真空排気しながらランプ１０の加熱による副生成物除去工程を行うこともできる。これにより、本ドライクリーニング装置の実質的な稼働率を低下させずに、歩留まりの向上が実現できる。
【００５６】
【発明の効果】
本発明によれば、リモートプラズマを用いる処理工程において、該プラズマを生成するときに生じる剥離物などに起因する歩留まりの低下を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の方法の実施に使用するドライクリーニング装置の構成を示す図。
【図２】ドライクリーニング装置におけるガスボックス周りの構成を模式的に示した図。
【図３】別のドライクリーニング装置の構成を示す図。
【図４】別のドライクリーニング装置におけるガスボックス周りの構成の一態様を模式的に示した図。
【図５】別のドライクリーニング装置におけるガスボックス周りの構成の別態様を模式的に示した図。
【図６】さらに別のドライクリーニング装置の構成を示す図。
【符号の説明】
１…処理室、２…供給管、３…ガス活性化部、４…ガスボックス（圧力制御手段）、１２ａ…第１のガス導入部（ガス導入部）、１３ａ…第２のガス導入部（ガス導入部）、２３…バイパス排気ライン、Ｗ…ウエハ（基板）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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