(57)【要約】　　　（修正有）【課題】荷電粒子のビームを操作するための櫛形電極等粒子光学装置に高い自由度を持たせる。【解決手段】荷電粒子のビームを物体面に方向づける、またはビームを用いて物体面を画像面もしくは中間画像面に撮像する粒子光学装置が提供される。装置は、互いに一定の距離を置いてビーム方向に積層配置され、積層体を横切るビームに対して調整可能な偏向フィールドを順次提供するように制御可能なレンズアセンブリの積層体を有する。各レンズアセンブリは、磁界または電界に対して少なくとも１つのフィールド源部材を提供する。特に、２列の複数のフィールド源部材は、レンズアセンブリ毎に設けられ得る。【選択図】　図３
2004134388.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子の少なくとも１つのビーム（２３）を操作するための粒子光学装置であって、
　積層体を横切る前記ビーム（２３）の方向に互いに間隔を置いて配置された複数のレンズアセンブリ（１５３）の積層体（１５１）であって、前記各レンズアセンブリは、前記ビームを操作するための電界および磁界の少なくとも１つを生成するための少なくとも１列のフィールド源部材を有し、前記列は、第１の方向に対して横切るように配向された第２の方向に伸びている積層体（１５１）と、
　前記各アセンブリの前記少なくとも１列のフィールド源部材（１３）に選択可能な励起パターンを与えるように適合されたコントローラ（１０３）であって、第１のレンズアセンブリの前記少なくとも１列のフィールド源部材に与えられる第１の励起パターンが、前記第１のレンズアセンブリとは異なる第２のレンズアセンブリの前記少なくとも１列のフィールド源部材に与えられる第２の励起パターンと異なるコントローラ（１０３）とを備えた粒子光学装置。
【請求項２】
前記レンズアセンブリは、前記第１および第２の方向に直交する第３の方向に互いに間隔を置いた２列のフィールド源部材を有する請求項１に記載の粒子光学装置。
【請求項３】
前記コントローラは、各列の前記フィールド源部材に電圧を与えるための複数のドライバ（１５９）を有し、複数のフィールド源部材は、各ドライバに接続され、各フィールド源部材は、所定の時間に、１つの信号ドライバに接続される請求項１または２に記載の粒子光学装置。
【請求項４】
１列の前記フィールド源部材（１３）は、共通のプレート（１５５）から突出する請求項１から３の１項に記載の粒子光学装置。
【請求項５】
前記積層体に向けられ、それによって操作される電子の複数のビームの源をさらに備えた請求項１から４の１項に記載の粒子光学装置。
【請求項６】
前記複数の源のそれぞれは、前記ビームが前記積層体に方向づけられる第１の状態と、前記ビームが前記積層体に方向づけられない第２の状態との間で選択的に切り替え可能である請求項５に記載の粒子光学装置。
【請求項７】
少なくとも１つの二次電子検出器をさらに備えた請求項１から６の１つに記載の粒子光学装置。
【請求項８】
粒子光学装置を動作させる方法であって、前記粒子光学装置は、少なくとも１つの集束レンズ（１４１、１３７）を通り、ビーム路の方向に間隔を置いて配置された少なくとも４つのレンズアセンブリ（１５５）の少なくとも１つの積層体（１５１）を通る荷電粒子の少なくとも１つのビームに対してビーム路を提供し、前記レンズアセンブリ（１５５）のそれぞれは、前記ビーム方向を横切って配向され、少なくとも１つのアパーチャが形成され、ビーム操作フィールドを提供するための少なくとも１つのフィールド源部材を有するプレートを備え、
　前記方法は、
　第１の光学面が、前記ビームによって、前記第１の光学面と光学的に接合された第２の光学面に撮像されるように、前記少なくとも１つの集束レンズを励起し、および前記少なくとも１つの積層体の前記レンズアセンブリの前記少なくとも４つのフィールド源部材を励起すること、
　前記少なくとも１つの集束レンズの励起を変化させること、および
　前記ビーム路に沿った前記第１および第２の光学面の位置が、前記少なくとも１つの集束レンズの励起を変更するとき実質的に一定に維持されるように、前記少なくとも４つのレンズアセンブリの励起を変更することを含む方法。
【請求項９】
前記積層体は、前記少なくとも１つの集束レンズの励起を変化させる前に前記積層体のすべてのレンズアセンブリの間で最も高い励起を有する第１のレンズアセンブリを備え、前記第１のレンズアセンブリとは異なる第２のレンズアセンブリは、前記少なくとも１つの集束レンズの励起を変化させた後、前記積層体のすべてのレンズアセンブリの間で最も高い励起を有する請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも２つの光学的に接合された面（２５、１４３）を有する、荷電粒子の少なくとも１つのビームのためのビーム路を提供する粒子光学装置であって、
　少なくとも１つの集束レンズ（１４１、１３７）と、
　前記ビーム路の方向に間隔を置いて配置された少なくとも４つのレンズアセンブリ（１５５）の少なくとも１つの積層体（１５１）であって、前記レンズアセンブリのそれぞれは、ビーム方向を横切って配向され、少なくとも１つのアパーチャが形成され、ビーム操作フィールドを提供するための少なくとも１つのフィールド源部材を有するプレートを備えた積層体（１５１）と、
　前記少なくとも１つの集束レンズを励起し、前記積層体の前記レンズアセンブリの前記フィールド源部材を励起するためのコントローラ（１０３）であって、前記コントローラは、前記少なくとも１つの集束レンズの励起を変化させ、前記ビーム路に沿った前記２つの光学的に接合された面（２５、１４３）の位置が、前記少なくとも１つの集束レンズの励起を変化させるとき実質的に一定に維持されるように、前記積層体の前記レンズアセンブリの前記フィールド源部材の励起を変化させるように適合されたコントローラ（１０３）とを備えた粒子光学装置。
【請求項１１】
前記コントローラは、前記少なくとも１つの集束レンズの複数の励起値を格納するためのメモリを備え、前記少なくとも１つの集束レンズの各励起値は、前記レンズアセンブリの前記フィールド源部材の励起値に対応する請求項１０に記載の粒子光学装置。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの集束レンズは、対物レンズを有し、前記システムは、表面を前記対物レンズに向けて物体を搬送するための搭載部を備え、前記物体の面は、前記少なくとも２つの光学的に接合された面の１つと実質的に一致する請求項１０または１１に記載の粒子光学装置。
【請求項１３】
前記対物レンズは、前記ビームに対して集束磁界を生成し、前記レンズアセンブリの積層体は、集束電界を生成する請求項１２に記載の粒子光学装置。
【請求項１４】
前記対物レンズは、前記ビームに対して集束磁界を生成し、前記レンズアセンブリの積層体は、前記物体の表面と前記積層体との間に抽出電界を生成する請求項１２または１３に記載の粒子光学装置。
【請求項１５】
実質的に前記少なくとも２つの接合面の１つに位置する一次電子源をさらに有する請求項１２から１４の１つに記載の粒子光学装置。
【請求項１６】
実質的に前記少なくとも２つの接合面の１つに位置する電子検出器をさらに有する請求項１２から１５の１つに記載の粒子光学装置。
【請求項１７】
少なくとも１つの書込みビームを生成するための書込み電子ビーム源をさらに備えた請求項１２から１６の１つに記載の粒子光学装置。
【請求項１８】
ビーム偏光子をさらに備えた請求項１２から１７の１つに記載の粒子光学装置。
【請求項１９】
前記積層体の前記アセンブリは、ビーム方向に、５ｍｍ未満、特に２ｍｍ未満、０．７５ｍｍ未満、０．４ｍｍ未満だけ間隔を置いて配置されている請求項１から１８の１項に記載の粒子光学装置。
【請求項２０】
前記積層体の前記アセンブリは、実質的に同じ構成である請求項１から１９の１項に記載の粒子光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、粒子光学装置、電子顕微鏡システムおよび電子リソグラフィーシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
　荷電粒子のビームを用いて動作する粒子光学装置は、とりわけ、半導体などの小型デバイスの製造において、その製造自体および製造される構造体の検査に対して用いられる。このような例として、電子顕微鏡システムおよび電子リソグラフィーシステムが挙げられる。しかし、本発明は、これらのシステムには限定されず、一般に、電子およびイオンなどのすべての種類の荷電粒子のビームを操作する粒子光学装置に関連する。
【０００３】
　従来技術より、例えば、物体面に対して電子ビームを集束させるためのレンズを用いる走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）が公知である。これらのレンズは、集束電界、集束磁界、または集束電界と集束磁界との重ね合わせを提供する。荷電粒子ビームに対してフィールドを提供するために、レンズは、ビームを取り巻き、電極または／および磁極片などの対応するフィールド源部材を提供する物理的アセンブリを有さなければならない。このため、ビームを操作するフィールドの構成は制限される。このような制限は、フィールド源部材の機械的に実現可能な外形に関してだけでなく、源部材の製造における機械精度に関する限定に起因する。
【０００４】
　さらに、粒子光学装置は、以下「櫛型レンズ」と呼ばれ、図１および図２を参照しながらさらに詳細に記載される技術から公知である。
【０００５】
　粒子光学装置１は、ｚ方向に重ねられた３つの電極配置を有する。即ち、ｘ方向に延びたアパーチャ５を有する低部におけるスリット電極３、同様にｘ方向に延びたアパーチャ９を有する頂部におけるスリット電極７、および２つのスリット電極３および７の間に配置された櫛型電極配置１１である。櫛型電極１１は、櫛型電極１１の中心の長軸１５の両側に配置された電界用の２列の源部材（即ち、指電極１３）を有する。中心軸は、ｘ方向に延びる。２列の指電極１３の間のｘｙ面における空間は、櫛型電極１１のアパーチャと見なされ得る。
【０００６】
　電位は、図１には図示されないコントローラによって、指電極１３だけでなく、２つのスリット電極３および７に与えられるため、調整可能な電界は、電極３、７と電極１３との間に生成される。これらのフィールドは、ｘｙ面を横切って配向された荷電粒子のビームに対して作用し、電極７、１１および５のアパーチャを横切る。各スリット電極３、７の面における荷電粒子のビームの電位とは異なる電位がスリット電極３または７に与えられると、ビームにそれぞれ与えられるスリット電極３および７の効果は、シリンダレンズの効果に匹敵する。このようなスリット電極３、７によって生成される電界線の構造は、図２ａに概略的に示される。
【０００７】
　電界パターンは、四重極のような電界がスリット電極１１のアパーチャ内に生成されるように、櫛型電極１１の指電極１３に与えられ得る。このような四重極場のフィールド線の構成は図２ｂに概略的に示される。四重極場は、ｚ方向に延び、櫛型電極１１の長軸１５と交差する対称軸１７を有する。
【０００８】
　このような四重極場に入る負の荷電粒子のビームは、ｘ方向において集束し、ｙ方向において集束しない。
【０００９】
　このように、ビームが四重極場の対称軸１７に沿って装置１に入ると、ビームは、図２ａに従ってスリット電極３および７によって提供されるシリンダレンズ場の効果、および図２ｂに従って櫛型電極１１によって提供される四重極場の効果を受ける。このようにして、ビームは、図２ａおよび図２ｂに示される電界構成に重ね合わせられる。シリンダレンズ場および四重極場の強度が互いに適切に調整されると、ビームに与えられる効果は、円形レンズ場によって生成されるものと同じになる。その電界線は図２ｃに概略的に示される。
【００１０】
　このように、適切な電圧が電極３、７および１３に与えられると、装置１によって荷電粒子のビームを集束させることが可能である。さらに、ビームは、櫛型レンズの長軸１５に沿った任意の位置に走査され、四重極場の対称軸がビームと一致するように櫛型電極に電圧を印加することが可能である。次に、ビームは、長軸に沿った位置に関係なく、櫛型レンズの集束効果を受ける。
【００１１】
　円形レンズ効果を生成するために形成される四重極場が、限定された数の個別の指電極によってこの装置内で生成されると、生成されたフィールドは、離散化エラーの結果、理想的な四重極場から逸脱する。これにより、櫛型レンズの実用的な使用は制限される。さらに、このような櫛型レンズは、機械的な手順が多くかかり、十分な精度でのみ製造され得る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
　従って、本発明の目的は、荷電粒子のビームを操作するための粒子光学装置であって、対応するビーム操作フィールドの構成において高い自由度を提供する装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
　この目的のため、本発明は、装置を横切るビームの方向において互いに固定された距離で配置されたレンズアセンブリの積層体を含み、このレンズアセンブリは、その積層体を横切るビームに対して調整可能なビーム操作フィールドを順次提供するように制御可能な粒子光学装置を提供する。レンズアセンブリのそれぞれは、ビームの方向を横断して配向され、ビームが通過するアパーチャを含むプレート、およびビームに作用するビーム操作フィールドを提供するための少なくとも１つのフィールド源を有する。
【００１４】
　特に３個より多く、好ましくは４個より多く、さらに好ましくは５個より多く、これよりも好ましくは６または７個よりも多く、特に１０個より多くのレンズアセンブリを含む複数のレンズアセンブリのために、ビーム軸に沿ってビームを操作するための高い自由度を提供し、いわゆるビーム整形トータルフィールドを「合成する」することができる。このようなレンズ積層体では、特に、装置の光学特性を時間に依存して変更し、特に、装置の２つまたはそれ以上の動作モード間で切り替えることも可能である。さらに、高い自由度のために、各アセンブリにおいて発生し得る製造エラーを補償することも可能である。また、製造工学に関する１つまたは複数の形状制限のために、これに応じて他のアセンブリを制御することによって１つのアセンブリにおける不完全なフィールド構成を補償することも可能である。
【００１５】
　好ましい実施形態によると、粒子光学装置は、複数のレンズアセンブリの積層体を有し、レンズアセンブリは、積層体を横切るビームの方向において互いに間隔を置いて配置され、各レンズアセンブリは、ビームを操作するための電界および磁界の少なくとも１つを生成する少なくとも一列のフィールド源部材を有し、列は、第１の方向に対して横切るように配向された第２の方向に延び、装置はさらに、選択可能な励起パターンを各レンズアセンブリの少なくとも一列のフィールド源部材に与えるように形成され、異なる励起パターンは、異なるレンズアセンブリに与えられ得る。
【００１６】
　好ましくは、レンズアセンブリは、２列のフィールド源部材を有し、ビームは、２列のフィールド源部材の間に設けられたアパーチャまたは空間を通ってレンズアセンブリを横切る。
【００１７】
　好ましい実施形態によると、１列のフィールド源部材は、共通のプレートから突出し、他の好ましい実施形態によると、レンズアセンブリは、リソグラフィープロセスによって製造される。
【００１８】
　好ましい実施形態によると、積層体のレンズアセンブリは、５ｍｍ未満、特に、２ｍｍ未満、特に０．７５ｍｍまたは０．４ｍｍ未満だけビーム方向に間隔を置いている。
【００１９】
　他の態様によると、本発明は、ビーム路の方向に間隔を置いた少なくとも４つのレンズアセンブリの積層体を有し、少なくとも１つの集束レンズをさらに有する粒子光学装置を動作させるための方法を提供する。この方法は、少なくとも１つの集束レンズを励起すること、および第１の光学面が、第１の光学面に光学的接合された第２の光学面にビームによって撮像されるように積層体の少なくとも４つのフィールド源部材を励起することを含む方法を提供する。例えば、第１の光学面は、粒子光学装置の物体面であり、第２の光学面は、物体面が画像面にビームによって撮像されるように物体面に接合された画像面であり得る。
【００２０】
　方法はさらに、少なくとも１つの集束レンズの励起を変更することを含む。このような少なくとも１つの集束レンズの励起の変更は、大きさの変更、動作距離の変更、または物体と装置の対物レンズとの間の空間において粒子を加速または減速するための電界の変更などの装置の光学特性を変更するために有用であり得る。
【００２１】
　少なくとも１つの集束レンズの励起の変更に伴われる光学特性の変更を補償するために、方法はさらに、ビーム路に沿った第１および第２の光学面の位置が、少なくとも１つの集束レンズの励起を変更しているとき実質的に一定するように、少なくとも４つのレンズアセンブリの励起を変更することを含む。
【００２２】
　レンズアセンブリの積層体は、少なくとも１つの集束レンズの励起を変更することによって、装置の光学特性に誘導される変更を補償するための十分な自由度を提供する。
【００２３】
　少なくとも４つのレンズアセンブリの励起の変更は、特に、ビーム方向に沿って、レンズアセンブリの積層体に与えられる励起パターンの変位を含み得る。このような変位は、レンズ機能の位置をビームの方向に変位させ、従来のレンズのこの方向における対応する機械的変位に対応する。
【００２４】
　このような変位の結果、このような変位の後にすべてのアセンブリの中で最も高い励起を有する積層体のレンズアセンブリは、変位の前に最も高い励起を有していたレンズアセンブリとは異なる。
【００２５】
　レンズアセンブリに与えられる励起パターンは、複雑なパターンであり得る。実施形態によると、レンズアセンブリを励起するためのコントローラは、少なくとも１つの集束レンズの励起に基づいて積層体のアセンブリに与えられる所定の励起パターンを格納するためのメモリを有する。
【００２６】
　好ましくは、粒子光学装置は、電子顕微鏡システムまたは／および電子リソグラフィーシステムにおいて用いられる。
【００２７】
　本発明の上記および他の有利な特徴は、添付の図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態の以下の詳細な説明を読むことによってさらに明白になる。
【発明の効果】
【００２８】
　本発明によると、荷電粒子のビームを操作するための粒子光学装置であって、対応するビーム操作フィールドの構成において高い自由度を提供する装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
　図３は、本発明による粒子光学装置１を切開部分斜視図で示す。装置１は、ｚ方向に互いに間隔を置いて配置された複数のレンズアセンブリ１５３の積層体１５１を有する。各レンズアセンブリは、ｘ方向に延びたアパーチャ１５７を規定するプレート１５５を含む。指電極１３は、ｙ方向にアパーチャへと突出している。指電極１３は、互いに間隔を置いて絶縁されてｘ方向に１列に配置されている。１列の指電極１３は、アパーチャ１５７の各側に設けられている。１列の各指電極は、他の列の対応する指電極とはｙ方向において反対に配置されている。
【００３０】
　さらに、プレート１５５は、複数の駆動回路１５９を担持する。複数の駆動回路は、安定化電流源として、図３に概略的に示されている。駆動回路１５９は、指電極１３に与えられる電圧を提供する。このため、それぞれが回路１５９に電気接続されているｘ方向に延びる複数の集電線１６１が設けられている。指電極１３のそれぞれは、集電ライン１６１の１つに単一の集電線１６３を介して接続され、行方向に互いに隣接して配置されている指電極１３は、集電線１６１のそれぞれ他の１つに連続かつ規則的に接続されている。
【００３１】
　以下、レンズアセンブリ１５３に対して可能な製造プロセスについて、図４を参照しながら説明する。製造プロセスは、レンズアセンブリ１５３の支持構造、即ち、プレート１５５を形成する（１１０）面を有する半導体基板１６５で開始する（図４ａ）。酸化シリコン層１６７、１６８は、基板１６５の各側に配置されている（図４ｂ）。次に、クロム／金層１６９が、酸化シリコン層１６７に与えられる（図４ｃ）。感光性レジスト１７１は、クロム／金層１６９に与えられ、感光性レジスト１７２は、酸化シリコン層１６８に与えられる（図４ｄ）。リソグラフィーステップでは、レジスト１７１は、単一の集電線１６３、集電線１６１、および駆動回路１５９のパターンに対応するパターンで露光される。これは、図４には別個に示されていない、他のエッチング工程と共に適用され得る、図４には別個に示されていない他のリソグラフィー工程、ならびに集電線１６１および駆動回路１５９のさらに複雑な構造を製造するためのリソグラフィー工程を含み得る。
【００３２】
　感光性レジスト１７２は、アパーチャ１５７に対応するパターン（図４ｄ）で露光される。
【００３３】
　図４ｅは、例として、単一集電線１６３の堆積を示す。感光性レジスト層１７１および１７２は除去され（図４ｆ）、酸化シリコン層１６９を有する側は、指電極に対応するパターンで露光される他の感光性レジスト層１７５がコーティングされる（図４ｇ）。感光性レジスト１７５は、露光領域から除去され、直立したくぼみは、指電極１３を形成するために満たされる。次に、感光性レジスト層１７５は除去される（図４ｉ）。次いで、アパーチャ１５７は、層１６８の側からプレート１５５内にエッチングによって形成される（図４ｊ）。
【００３４】
　図４を参照しながら例示した工程は、図５から明らかなように、複数のレンズアセンブリ１５３を形成するために、単一の基板またはシリコンウェハ１５５上で同時に行われる。この図は、次いで線１７２に沿って鋸引きで互いに分離される、ウェハ１５５上の複数のレンズアセンブリを示している。次に、分離されたアセンブリ１５３は、互いに積層されて積層体１５１を形成する。目的のために、適切なスペーサがプレート１５５間に挿入される。
【００３５】
　図６は、レンズアセンブリ１５３の積層体を横切る荷電粒子のビームの操作を空間図で概略的に示す。１つの代表的なレンズアセンブリのみが図６に示されている。
【００３６】
　長方形断面２３を有する荷電粒子のビーム２１は、対称軸１７に沿ってｚ方向に粒子光学装置１に入る。粒子光学装置は、２列の指電極１３を有する櫛型電極アセンブリ１５３、およびその下方に配置されたスリット電極１５を含む。スリット電極１５の下方には、ビーム２１が集束する物体面２５が配置されている。
【００３７】
　コントローラ１０３は、電気四重極場が指電極１３の行間のアパーチャ内に生成されるように、電位パターンを指電極１３に与える。四重極場の構成は、電位線３１によって図６において暗示されている。四重極場は、ビーム２１をｘ方向に集束させ、ビーム２１をｙ方向には集束させない。従って、櫛型アパーチャ１１を通過した後、ビームは、スリット電極３の面内において、ｙ方向に延びた菱形２７の断面形状を有する。しかし、スリット電極１５は、ビーム２１が物体面２５内の小さなスポット２９に集束するように、ｙ方向にビーム２１を集束させるシリンダレンズの効果をビーム２１に対して有する。
【００３８】
　図１において、２つのスリット電極３および７は、それぞれ、シリンダレンズ場を生成するために設けられているのに対して、図６におけるシリンダレンズ場を生成するためには、１つのスリット電極３のみが設けられている。また、櫛型電極アセンブリの平均電位をこの電極アセンブリの面においてビーム２１の電位とは異なる値に設定することによって、図３に示されるように、櫛型電極アセンブリ１５３の１つによって、積層体内にシリンダレンズ場を生成することも可能である。従って、平均すると、他のレンズアセンブリの指電極１３は、シリンダレンズ場を提供し、各四重極場は、同じレンズアセンブリ１５３またはそのレンズアセンブリの上方もしくは下方に設けられた他のレンズアセンブリの指電極１３の電位の位置に依存する変化によって生成される。
【００３９】
　図７は、荷電粒子のビームを集束させるための図６に示される動作モードとは異なるレンズアセンブリ１５３の動作モードを示す。図７において、電位は、図７に示されないコントローラによって指電極１３に与えられ、ｘ方向に配向された実質的に均一な電界が２列の指電極１３の間のアパーチャ内に生成される。このような電界の電位線３１は、図７に概略的に示される。ｚ方向に配向されたビーム軸１７に沿って櫛型電極アセンブリ１１に入る長方形断面２３の荷電粒子のビーム２１は、２列の指電極１３間のアパーチャ内に形成される実質的に均一な電界によって角度αだけｘ方向に偏向される。ビームの断面２３は、実質的には変わらない。
【００４０】
　この結果、ビーム偏向子として櫛型電極アセンブリ１１を用いることが可能である。特に、ビーム２１を偏向させるフィールドは、ビーム２１が横切る領域においてのみ局所的に設けられ得る。電極１３、即ち、電界は、ｘ方向に櫛型電極アセンブリ１１の全長にわたって延びる必要はない。
【００４１】
　さらに、図６に示される四重極場および図７に示される均一なフィールドの重ね合わせが、電極列間のアパーチャ内に生成されるように電位が指電極１３に与えられる図６および図７の動作モードを組み合わせることが可能である。これにより、適切に制御された櫛型レンズアセンブリは、集束ビーム偏向子の効果を有する。
【００４２】
　図８は、アセンブリ１５３の指電極１３を制御するための駆動配置１８１を概略的に示す。アセンブリ１５３の電極は、四重極のような電界がビーム軸１７の周りの領域に生成されるように駆動配置１８１によって制御される。上述したように、ビーム軸１７は、ｘ方向に変位可能であるため、電極１３に与えられる電圧パターンは、同様に、ｘ方向に変位可能でなければならない。
【００４３】
　駆動配置８１は、「−４」、「−３」、「−２」、「−１」、「０」、「＋１」、「＋２」、「＋３」、「＋４」で示される９個のみのドライバ１５９または電圧源を有する。電圧源は、別個に制御され得る。各電圧源は、複数の電極１３に接続される。しかし、各電極１３は、１つの単一な電圧源のみに接続される。このため、９個の集電線１６１は、列方向、即ち、ｘ方向に延びる。各集電線１６１は、１つの単一な電圧源のみに接続される。電極１３は、集電線１６１のそれぞれ他の１つに連続かつ規則的に接続される。
【００４４】
　図８は、１列の指電極１３のみに対する各駆動配置１８１を示す。しかし、集電線を有する対応の駆動配置はまた、他の列の指電極にも設けられる。
【００４５】
　駆動回路１５９の数は、異なるレンズアセンブリによって異なるフィールドパターンを提供できるように、レンズアセンブリによって変えることが可能である。特に、レンズアセンブリ１５３の各指電極１３には別個のドライバ１５９が割り付けられていてもよく、または互いにほぼ対向して配置された電極を互いに電気接続してもよい。
【００４６】
　上記の図面では、指電極１３は、レンズアセンブリ１５３によって提供される粒子ビームを操作するための電界用の源部材の機能を有する。
【００４７】
　あるいは、レンズアセンブリのアパーチャ内に粒子ビームを操作するための磁界を提供することも可能である。このようなレンズアセンブリの実施形態は、図９に概略的に示される。図９に示されるレンズアセンブリ１５３はプレート３５を有し、このプレート３５からは２列の指３７が中心軸１５に向かってアパーチャに突出している。指３７は、互いに間隔を置いて配置され、各指は、中心軸１５に向かって配向された前面３９を有する。隣接した２つの指の間には、導電性ワイヤの巻線またはコイル４１が設けられている。各巻線に電流を供給するために、電流源４３が各巻線に対して設けられている。電流源は、調整可能な電流を各巻線に供給するために、コントローラ１０３によって制御可能である。次に、巻線４１は、磁界を生成する。磁界は、とりわけ、プレート３５および指３７によって搬送される。図９では、電流パターンは、隣接した巻線４１がそれぞれ反対の配向の磁界を生成するように巻線４１に与えられる。この結果、磁界構成は、フィールド線４５によって図９に概略的に示されるように、レンズアセンブリ１５３のアパーチャ内に生成される。フィールド構成は、対称軸１７が互いに間隔を置いて、中心軸１５に沿って互いに隣接して配置された複数の四重極場の構成とほぼ同じである。
【００４８】
　１つのアセンブリ内で磁気および電気レンズアセンブリを組み合わせることも可能である。この場合、例えば、指３７は、金属めっきされ、調整可能な電位を印加することが可能な電極を提供する。２列の指の間で電界および磁界を重ね合わせて、荷電粒子のビームを操作するが可能である。
【００４９】
　図１０は、レンズアセンブリ１５３の積層体１５１を有する電子リソグラフィーシステム１０５を概略的に示す。リソグラフィーシステム１０５は、３つの電子ビーム１０７で動作する。電子ビーム１０７は、カソード１０９から放射される。カソード１０９は、互いに独立して電子ビーム１０７をオン／オフするように個別に制御され得るる。放射電子は、カソード１０９に対して付勢されるアノード１１１によって加速される。次に、電極は、積層体１５１に入り、そこでビーム１０７は、互いに距離を置いて移動する。
【００５０】
　図１０は、レンズアセンブリ１５３の指電極を破線で概略的に示す。電子ビーム１０７を操作するための有意な電界が提供される指電極のこれらの領域は、ドットパターンで示される。図１０において、上部領域１１３では、ビーム１０７に対して集束効果が提供される。その下流側の領域１１５では、左側に偏向される左ビームおよび右側に偏向される右ビームに対して実質的に偏向効果が与えられ、中心ビームは偏向されない。さらに下流側の領域１１７では、ビームは、領域１１５とは反対方向に偏向される。左ビーム１０７は、右側に偏向され、右ビーム１０７は左側に偏向される。ここでも、中心ビーム１０７は、偏向されない。この結果、ビーム１０７は、カソード１０９の距離よりも互いに近くに案内される。３つのビーム１０７は、積層体１５１から底部に現れ、粒子に対して敏感な層またはレジストでコーティングされた半導体ウェハ１１９の表面２５に衝突する。ビームは、表面に微細に集束され、ウェハおよびレジスト上にそれぞれパターンを書き込むために必要な解像度を可能にする。
【００５１】
　このような偏向場および集束場を提供するために必要な電圧パターンは、図１０には図示されないコントローラによって個々のアセンブリ１５３の指電極に与えられる。コントローラは、矢印１２１によって図１０で暗示されているように、ビーム１０７がウェハ表面２５で集束される位置がｘ方向に変位可能になるようにパターンを変更する。コントローラはさらに、ビーム１０７をオン／オフするために、カソード１０９を制御する。ビームをオン／オフすることにより、およびビーム１０７をｘ方向の物体にわたって同時に走査し、レンズアセンブリに対してｙ方向に物体を連続して移動させることにより、コントローラ内に格納されたパターンを物体面１１９に書き込むかまたは物体面１１９に転送することが可能になる。
【００５２】
　図１０から明らかなように、ビーム１０７の偏向は、比較的小さな「湾曲」のみが各レンズアセンブリ１５３によってビーム路に引き起こされるように広い曲線で行われる。この結果、比較的少ない収差のみで物体面１１９内でビームを集束することができる。従来の粒子光学では、集束は、比較的に少ない数のレンズによって行われなければならず、レンズ毎により大きな「湾曲」が生じていた。より大きな湾曲が生じると、レンズエラーが増加することになる。
【００５３】
　さらに、積層体としてのレンズアセンブリの配置により、ビームは、積層体の頂部に入るときにはまず長い距離から、積層体から出るときには短い距離に近づくことが可能である。
【００５４】
　リソグラフィー技術を用いて個々のレンズアセンブリを製造することにより、一方では必要な精度を有し、他方では限定された作業で、指電極の列を製造することが可能になる。しかし、エッチング工程を含むリソグラフィー技術の使用は、比較的薄い基板に限定されるため、ｚ方向における個々の指電極の延長に関しては制限がある。しかし、ｚ方向に十分に延びた偏向場をビームに提供するためには、ｚ方向における指電極のある程度の延長が必要である。指電極を極めて薄いプレートに限定するだけでは、大抵の場合、十分ではない。しかし、ｚ方向における個々の指電極の制限によって深刻な問題は起こらない。なぜなら、リソグラフィープロセスにおいて容易に製造されるより多くの数の薄いレンズアセンブリ１５３が互いに積層され、ｚ方向に指電極が占有する領域の十分な延長を提供する点において補償されるからである。
【００５５】
　図１１は、走査電子顕微鏡装置１３１を概略的に示す。この装置は、電子を放射するための複数のグローカソード５７、カソード５７から電子を抽出するためのアノード５９、および複数のビーム５５を整形するための複数のアパーチャ６３が形成されたアパーチャストップ６１を含む、複数の一次電子ビーム５５を生成するための放射源配置５３を含む。図１１では、３つの電子ビーム５５を提供するための配置５１が示されている。しかし、同様に、２つのみまたは３つより多くのビームを提供することが可能である。
【００５６】
　顕微鏡装置１３１はさらに、半導体ウェハ６７などの検査される物体６７が配置される物体面２５に一次電子ビーム５５を集束させるための対物レンズ６５の機能を有するレンズアセンブリ１５３の積層体１５１を含む。物体６７に集束する一次電子ビーム５５（プローブビーム）は、二次電子を放出する。二次電子の経路は、例示的な線６９で図１１に示される。二次電子は、対物レンズ６５と物体６７との間に与えられる適切な電界によって加速され、対物レンズ１５１を横切って、アパーチャストップ６１の下方に配置された検出器７３に衝突する二次電子ビーム７０に整形される。
【００５７】
　検出器７３と対物レンズ６５との間には、第１の偏向配置７５および第２の偏向配置７７が、一次電子ビーム５５内に連続して設けられている。偏向配置７５および７７は、各一次電子ビーム５５に対して、一対の偏向電極７９および８０を有し、これらの電極には、電極対７９、８０間に電界を生成させるコントローラ１０３によって通過する一次電子ビーム５５を偏向させるための電位が与えられる。図１１の左側に示されるビーム５５の場合、２つの偏向配置７５および７７の電極７９、８０には電圧が印加されないため、偏向配置７５および７７では、左側の一次電極ビーム５５が直線的に横切る。
【００５８】
　図１１の中央に示される一次電子ビーム５５の場合、電圧は、上部偏向配置７５の電極７９、８０に与えられるため、一次電子ビーム５５はまず、右側に角度を有して偏向される。下部偏向配置７７の電極７９、８０には反対の電圧が印加されるため、一次電子ビーム５５は、対応する角度を有して左側に偏向され、偏向配置７７を横切った後、ビームは、再び、対物レンズ６５の方向でｚ軸に対して平行に延びる。このように、２つの偏向配置７５、７７によって、物体６７がプローブビームで走査され得るように、物体面２５に集束した一次電子ビーム５５の物体面において平行な変位が起こる。
【００５９】
　ここで、コントローラ１０３は、偏向配置７５、７７の偏向電極７９、８０を制御すると共に、ｘ方向における対物レンズ６５の指電極に与えられる電圧パターンを変位させ、偏向配置７５、７７によって形成されるビーム変位Ｍの大きさとは関係なく、割り当てられた櫛型電極１１の四重極場においてそれぞれの一次電子ビーム５５が実質的に中央に衝突するようにする。これにより、図３を参照しながら説明する物体面２５における集束が実質的に確保される。
【００６０】
　このように、図１１に示される顕微鏡装置１３１によって、複数の一次電子ビーム５５を用いて同時に物体を走査し、それぞれのビームに対して設けられた検出器７３によって、一次電子ビーム５５のそれぞれに対して、割り当てられた二次電子信号を検出することができる。この結果、物体の電子顕微鏡画像を得ることができる。
【００６１】
　図１２は、レンズアセンブリ１５３の積層体１５１を有する粒子光学装置１の斜視図である。各レンズアセンブリ１５３は、中央の円形アパーチャ１５７を有する円形の金属ディスクまたはプレート１５５を有する。サファイア材料の３つの球状キャップ１５２は、各ディスクに設けられ、ディスク１５５およびアセンブリ１５３を互いに所定の距離に維持し、これらを互いに電気的に絶縁する。
【００６２】
　ディスク１５５のそれぞれは、コントローラ１０３に別個に電気接続されている。コントローラ１０３は、調整可能な可変電圧をディスク１５５に与える。
【００６３】
　図１３の上部における例示では、積層体１５１は、ビーム路が図１４に概略的に示される電子顕微鏡１３１の対物レンズを形成する。
【００６４】
　電圧パターンは、コントローラ１０３によって、レンズアセンブリ１５３に与えられる。レンズアセンブリ１５３のそれぞれは、電子ビームに対して円形レンズを規定する。そのため、電位構成は、図１３の下部に示されるように、積層体１５１の中心軸１３１上に形成される。物体面２５に位置する物体と、物体面から距離Δｚだけ間隔を置いて位置する、隣接のアパーチャプレート１５５との間には、電位差ΔＵ1がある。このため、抽出電界Ｅ1は、物体と、物体面２５から出射される二次電子を積層体１５１によって形成される顕微鏡１３１の対物レンズに向かって加速する隣接のアパーチャプレート１５５との間に生成される。この抽出電界Ｅ1は、破線で図１３の底部に示される。
【００６５】
　図１４は、積層体１５１を詳細には示していない。しかし、図１４は、その代わりに、第１の動作モードで動作されるとレンズ積層体１５１と同じ効果を電子に与えるハッチングブロックの形態のレンズの形状を示している。積層体は、第１の動作モードでは、このような交換レンズと交換しても同じ集束効果を電子に与えることができる。
【００６６】
　さらに、図１４は、軸１３１上の物体面２５から角度を有して開始する２つの角ビームを実線で示している。軸１３１から距離を置いて軸１３１に平行に、物体面２５から開始するフィールドビームは、図１４に破線で示される。
【００６７】
　対物レンズ１５１の集束効果は、クロスオーバが、面１３５内の対物レンズ１５１の下流側に形成されるものである。他のフィールドレンズ１３７は、物体面２５の中間画像が中間画像面１３９に生成されるようにビームを集束させる。投射レンズ１４１は、最終的には、位置に敏感な検出器１４５が配置される画像面１４３に中間画像面１３９を撮像する。この結果、物体面２５の画像は、検出器１４５上に生成される。
【００６８】
　図１５および後者に対応する図１６は、図１３および図１４に示される動作モードとは異なる電子顕微鏡１３１の他の動作モードを例示する。第２の動作モードでは、物体面２５に隣接するアパーチャストップ１５５と物体との間の電圧ΔＵ2は、物体面２５から出力される電子に作用する抽出電界Ｅ2が同様に図１３における抽出電界Ｅ1よりも弱くなるように、低くなっている。図１３と比較して弱い抽出電界Ｅ2は、図１５におけるまっすぐな破線の傾きが低いことから明らかである。
【００６９】
　この第２の動作モードにおいて、レンズ積層体１５１が第１の動作モードと同じ電圧パターンで励起されるとすると、対応するクロスオーバおよび中間画像は、図１４の面１３５および１３９においてそれぞれ生成されないであろう。物体面２５の画像は、検出器１４５の面でぼやけ、フィールドレンズ１３７および１４４は、検出器上の画像を再び鮮明に設定するように制御されなければならなくなるであろう。しかし、フィールドレンズ１３７および投射レンズ１４１を制御するための自由度は、この目的では完全には十分でない。しかし、第２の動作モードでは、対物レンズ１５１には、コントローラによって、第１の動作モードにおける電圧パターンとは異なる電圧パターンが与えられる。
【００７０】
　図１６では、再び、ハッチングブロックは、交換レンズが、第２の動作モードで動作するレンズ積層体１５１と同じ効果を電子に対して有するような寸法に形成され、配置される３つの電極の交換レンズの形状を例示する。
【００７１】
　さらに、軸１３１上で得られる電位構成は、図１５の下部に示される。個々のアパーチャ電極１５５の制御は、対物レンズ１５１の下流側のクロスオーバが、第１の動作モードにおける場合と同じ面１３５において発生するように、第２の動作モードにおいて行われる。フィールドレンズ１３７の励起は、実質的に同じであり、中間画像は、第１の動作モードと同じ面１３９にも形成される。この結果、第２の動作モードでも、物体面２５の実質的に鮮明な画像が、投射レンズ１４１の励起を実質的に変更する必要なく検出器１４５上に形成される。
【００７２】
　図１４および図１６の比較から以下のことが理解される。３つの電極の２つの基本的に異なるレンズの形状は、両動作モードで最適な画像を得るために必要である。
【００７３】
　しかし、積層体１５１または対物レンズの複数のアパーチャ電極１５５は、撮像品質に関して、両動作モードに対して対物レンズを最適化するのに十分な自由度を提供する。これにより以下のことも考慮される。
【００７４】
　両動作モードでは、物体面２５とそれに隣接するアパーチャストップ１５５との間の距離Δｚは等しい。電子は、第１の動作モードにおいて積層体に入るとき、より高い運動エネルギーを有するため、レンズ効果の重みは、第２の動作モードと比較して、物体面により近くなるようにシフトされる。これは、図１４および図１６に示される励起パターンならびに図１３および図１５の下部におけるグラフの比較から明らかである。この結果、アパーチャプレート１５５によって積層体の内部に形成される電界もまた、物体面２５に隣接したアパーチャプレート１５５のアパーチャ１５７を透過し、物体面２５に到達する。透過フィールドは、物体面では十分に均一ではないため、そこから出力される二次電子に対しても同様に集束効果を有する。これは、図１４における破線の湾曲から明らかである。湾曲は、物体面２５のすぐ下流側に設けられている。
【００７５】
　第２の動作モードでは、この効果は、それほど重要ではない。なぜなら、物体面２５に隣接する第１の電圧を印加されたアパーチャプレート１５５は、第１の動作モードよりも物体面２５からさらに距離を置いて配置されているからである。従って、第１のアパーチャプレート１５５によって生成される電界は、物体面および物体面２５に隣接するアパーチャプレートにはかなり低い度合いで透過する。このような透過フィールドは、物体面に近接した領域では、二次電子に対して実質的に無視できる程度の集束効果を有する。これは、ディスク積層体５１の内部への破線の実質的にまっすぐな経路から明らかである。
【００７６】
　このことは、検出器１４５上で物体面２５の最適画像を生成するためには、積層体１５１のアパーチャプレート１５５は、２つの動作モードで異なるように励起されなければならないことを示している。しかし、レンズ積層体５１としての対物レンズの構造は、このために、十分な自由度を提供する。
【００７７】
　主要レンズの効果を物体面２５に近づくようにおよび離れるようにシフトすることもまた、対物レンズまたは積層体１５１と物体面２５との距離を機械的に変更する必要のない、物体からのレンズの動作距離の変化として見なすことができる。
【００７８】
　レンズ積層体の動作を簡略化するため、コントローラは、試料における所定数の電圧に応じて所定の電圧パターンが格納されたメモリを有し、所望の電圧が試料に印加されなければならないとき、対応する電圧パターンをメモリから容易に得ることができる。メモリに格納されている電圧パターンは、予め計算してもよいし、および／または実験から得てもよい。
【００７９】
　図１７は、図１２によるレンズアセンブリ積層体の変形を示す。図１２において、個々のレンズアセンブリはそれぞれ、静電レンズを提供する。しかし、図１７に示される粒子光学装置１は、それぞれが円筒形ヨーク１５４によって放射状に外側で磁気的に閉じられた１対の円形の平面ポール片１５２を含む複数のレンズアセンブリ１５３の積層体１５１を有する。ポール片１５２の各対の間には、電流導電体巻線１５６が設けられ、図１７には示されない調整可能な電流源によって電流が供給され、隣接するポール片１５２の間に調整可能な磁界を生成する。これらのフィールドの集束効果は、ポール片１５２のアパーチャ開口部１５８を通って対称軸ｚに沿って積層体１５１を通過するとき、荷電粒子のビームに順次与えられる。
【００８０】
　この磁気作用レンズアセンブリの積層体は、静電レンズ積層体の代替として、図１４および図１６に示される電子顕微鏡において用いられ得る。
【００８１】
　ビーム路が図１４および図１６に示される電子顕微鏡システム１３１は、位置を保持するように２次元的に物体面２５を検出器１４５上に撮像する。従って、システムは、例えば、物体面２５に対して積層体１５１とは反対側から物体を照射する透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）において用いられ得る。しかし、対物レンズ１５１による物体面２５への一次電子の照射が、ＬＥＥＭ型またはＳＥＥＭ型の顕微鏡におけるように対物レンズ１５１を通して行われるように、ビームスプリッタによって図１４および図１６に示されるビーム路に一次電子ビームを与えることも可能である。光子ビームで物体面２５を照射し、物体から光電子を放出することも可能である。光ビームは、例えば、ミラーによって対物レンズ１５１に与えられ得る。
【００８２】
　図１８は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）の対物レンズ２５１を概略的に示す。図１８において、一次電子ビーム２５３は、対物レンズ２５１の光軸２３１に沿って対物レンズ２５１に対して上方から方向づけられる。ビーム２５３は、一方では、磁気集束レンズ２５５の効果によって、他方では、静電集束レンズ２５７の効果によって集束される。静電集束レンズ２５７は、図１２を参照しながらすでに例示したような構造を有する。同様に、静電レンズ２５７の複数のアパーチャストップ１５５は、図１８に示されないコントローラによって集束効果を最適にするように別個に制御可能である。
【００８３】
　磁気集束レンズ２５５の異なる励起での磁界の軸変位が、飽和効果等により発生しないとしても、電子集束レンズ２５７のレンズ積層体はまた、異なる動作モード（例えば、異なる集束設定、動作距離、または抽出電界が選択される）を考慮して対物レンズ２５１を適応させる自由度を提供する。
【００８４】
　磁気集束レンズ２５５は、磁気ヨーク２６３によって放射状に外側で閉じられた円錐形の外部ポール片２５９および同様の円錐形内部ポール片２６１を有する。軸ギャップ２６５は、内部および外部ポール片２６１および２５９の間で放射状に内側で形成されている。内部および外部ポール片２６１および２５９の間には、磁気コイル２６７が、ポール片ギャップ２６５から出て、一次電子ビーム２５３に集束効果を有する磁束をポール片において励起するために設けられている。
【００８５】
　対物レンズ２５１は、磁気レンズ２５５の励起の強度が異なる、異なる動作モードで動作され得る。この結果、磁気レンズ効果は、とりわけ、ポール片における飽和効果のために、光軸２３１に沿って変位される。これは、とりわけ、ポール片２５９、２６１の特定の領域がより強い励起において磁気的に飽和するという事実に起因する。
【００８６】
　磁界の強度とは別に、その位置は光軸に沿って変化するため、磁気レンズ２５５の集束効果は変化する。
【００８７】
　磁気レンズ２５５および静電レンズ２５７は、協働して電子を集束させるため、静電レンズ２５７は、磁気集束効果における変化を補償するように制御され、静電集束レンズ２５７および磁気集束レンズ２５５は、協働して磁気レンズ２５５の励起とは関係なく、一定のレンズ効果を提供する。従って、対物レンズ２５１は、実質的に一定の高解像度で両動作モードにおいて動作し得る。
【００８８】
　図１８は、一次電子ビーム２５３が中央を横切る磁気集束レンズ２５５の上方に二次電子検出器２６６をさらに示す。図１８は、一次電子ビームで物体面２５を走査することにより、物体面２５の電子顕微鏡画像を生成するための、物体面２５における一次電子ビームを変更するためのビーム偏向子２６７をさらに示す。
【００８９】
　図１９は、図１２による積層体１５１において用いられ得るレンズアセンブリ１５３の変形を示す。図１９のレンズアセンブリ１５３は、中央アパーチャ５７を有する絶縁性の円形支持プレート５５を有する。４つのセクター電極２７１は、互いに絶縁され、互いに独立してコントローラによって電圧が印加され得る絶縁プレート上に設けられている。この結果、図１９に示されるレンズアセンブリ１５３は、図１２に示される積層体に挿入されると、四重極レンズとして動作し、積層体を通過する電子ビームにおいて補正を行うことができる。
【００９０】
　２つの電極２７１に共通の電圧が与えられると、この配置は、同様に、ビーム偏向子として作用し、必要に応じて、図１８のビーム偏向子２６７にとって代わる。
【００９１】
　４つのセクター電極２７１の代わりに、ヘクサポール対称またそれ以上を有するフィールドを生成するためにさらに多くのセクター電極を提供することも可能である。
【００９２】
　要約すると、荷電粒子のビームを物体面に方向づける、またはビームを用いて物体面を画像面もしくは中間画像面に撮像する粒子光学装置が提供される。装置は、互いに一定の距離を置いてビーム方向に配置され、積層体を横切るビームに対して調整可能な偏向フィールドを順次提供するように制御可能なレンズアセンブリの積層体を有する。
【００９３】
　各レンズアセンブリは、磁界または電界に対して少なくとも１つのフィールド源部材を提供する。
【００９４】
　特に、２列の複数のフィールド源部材は、レンズアセンブリ毎に設けられ得る。
【００９５】
　従って、本発明は、最も実用的かつ好ましい実施形態であると考えられるものに関して示し記載したが、本発明の範囲内でこれらの記載から逸脱してもよく、本明細書に開示される詳細に限定されず、任意のすべての同等な方法および装置を含むように請求の範囲の全範囲に一致していなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】従来の粒子光学装置を示す図。
【図２ａ】図１に示される装置の機能を例示するためのフィールド構成図。
【図２ｂ】図１に示される装置の機能を例示するためのフィールド構成図。
【図２ｃ】図１に示される装置の機能を例示するためのフィールド構成図。
【図３】本発明の実施形態による櫛型電極アセンブリの積層体を有する粒子光学装置の部分斜視図。
【図４】図３に示される装置の製造プロセスを例示する図。
【図５】図４を参照して例示される製造プロセス中の複数の櫛型電極アセンブリを示す図。
【図６】荷電粒子ビームに対する図３に示される装置の機能を示す図。
【図７】荷電粒子ビームに対する図３に示される装置の機能を示す他の図。
【図８】図３に示される装置の櫛型電極アセンブリを制御するための駆動回路を示す図。
【図９】櫛型磁石アセンブリを例示する図。
【図１０】本発明の実施形態による電子リソグラフィーシステムを例示する図。
【図１１】本発明の実施形態による電子顕微鏡システムを例示する図。
【図１２】本発明の他の実施形態によるアパーチャ電極アセンブリの積層体を有する粒子光学装置の斜視図。
【図１３】図１２に示される装置の第１モードの動作を例示する図。
【図１４】図１３に示される第１モードの動作における粒子光学装置を有する電子顕微鏡システムを対物レンズとして例示する図。
【図１５】図１２に示される装置の第２モードの動作を例示する図。
【図１６】図１５に示される装置の第２モードの動作における図１４の電子顕微鏡システムを例示する図。
【図１７】櫛型磁石アセンブリの積層体を有する粒子光学装置を例示する図。
【図１８】レンズアセンブリの積層体を有する対物レンズの断面図。
【図１９】図１２から図１６および図１８に示される装置の１つにおいて用いられ得るアパーチャ電極アセンブリの平面図。
【図１】
2004134388.tif 000003
【図２ａ】
2004134388.tif 000004
【図２ｂ】
2004134388.tif 000005
【図２ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2004134388.tif 000019
【図１６】
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【図１７】
2004134388.tif 000021
【図１８】
2004134388.tif 000022
【図１９】
2004134388.tif 000023
【外国語明細書】
2004134388000001.pdf