(57)【要約】【課題】光磁気記録などにおいて微小マーク記録におけるジッターの発生を抑制できる磁性記録媒体とその記録方法を提供する。【解決手段】少なくとも第１の磁性層２０１及び第２の磁性層２０３が、非磁性層２０２を挟んで積層されている磁性記録媒体において、第２の磁性層２０３は、第１の磁性層２０１よりも高いキュリー温度を有するようにする。記録に際しては、レーザー光の照射などによって、磁性記録媒体上に少なくとも第２の磁性層２０３のキュリー温度以上の温度領域を有する温度分布を形成し、磁性記録媒体をその温度領域に対して相対的に移動させながら、記録外部磁界２１３を印加することにより、第２の磁性層２０３に記録される磁区が第１の磁性層２０１に記録される磁区よりもその温度領域側にずれて形成されるように、第１の磁性層２０１及び第２の磁性層２０３の両方に同じ情報を記録するようにする。【選択図】　　　図１
2004110888.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に、少なくとも第１及び第２の磁性層が、その順序で非磁性層を挟んで積層されている磁性記録媒体において、前記第２の磁性層は、前記第１の磁性層よりもキュリー温度の高い磁性膜であることを特徴とする、磁性記録媒体。
【請求項２】
前記非磁性層は、前記第１及び第２の磁性層の間の交換結合を遮断する層である、請求項１に記載の磁性記録媒体。
【請求項３】
前記第２の磁性層は、既に記録された部分における記録パターンによらずに、記録外部磁界の存在下に前記第１の磁性層において前記第１の磁性層のキュリー温度近傍の温度の領域に形成される記録磁壁に対して作用する浮遊磁界の大きさを低減させる層である、請求項１また２に記載の磁性記録媒体。
【請求項４】
前記第１の磁性層と前記非磁性層との間に、前記第２の磁性層よりもキュリー温度が高い磁性膜からなって前記第１の磁性層と交換結合する補助層が設けられている、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の磁性記録媒体。
【請求項５】
前記第１の磁性層上に、磁壁移動型磁性記録媒体を構成する遮断層、制御層及び移動層が順次積層している、請求項４に記載の磁性記録媒体。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の磁性記録媒体に情報を記録する方法において、前記磁性記録媒体上に少なくとも前記第２の磁性層のキュリー温度以上の温度領域を有する温度分布を形成し、前記磁性記録媒体を該温度領域に対して相対的に移動させながら、記録外部磁界を印加することにより、前記第２の磁性層に記録される磁区が前記第１の磁性層に記録される磁区よりも前記温度領域側にずれて形成されるように、前記第１の磁性層及び前記第２の磁性層の両方に同じ情報を記録することを特徴とする、記録方法。
【請求項７】
レーザー光を前記磁性記録媒体に照射することにより、前記温度領域を形成する、請求項６に記載の記録方法。
【請求項８】
前記磁性記録媒体に対し、前記非磁性層を基準として、前記第１の磁性層側から前記レーザー光を照射する、請求項６に記載の記録方法。
【請求項９】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の磁性記録媒体に情報を記録し記録された情報を再生する方法において、前記磁性記録媒体上に少なくとも前記第２の磁性層のキュリー温度以上の温度領域を有する温度分布を形成し、前記磁性記録媒体を該温度領域に対して相対的に移動させながら、記録外部磁界を印加することにより、前記第２の磁性層に記録される磁区が前記第１の磁性層に記録される磁区よりも前記温度領域側にずれて形成されるように、前記第１の磁性層及び前記第２の磁性層の両方に同じ情報を記録し、そののち、前記第１の磁性層もしくは該第１の磁性層に交換結合している磁性層から、前記情報を読み出すことを特徴とする、記録再生方法。
【請求項１０】
レーザー光を前記磁性記録媒体に照射することにより、前記温度領域を形成する、請求項９に記載の記録再生方法。
【請求項１１】
前記磁性記録媒体に対し、前記非磁性層を基準として、前記第１の磁性層側から前記レーザー光を照射する、請求項９に記載の記録再生方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁性材料の磁化の配列状態により情報の記録を行う磁性記録媒体とその記録方法に関し、特に、レーザー光により情報の記録を行う光磁気記録方式などにおいて、記録密度の向上を可能とする磁性記録媒体とその記録方法とその記録再生方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】
書き換え可能な記録媒体として、各種の磁性記録媒体が実用化されている。特に、半導体レーザーからのレーザー光の照射による熱エネルギーを用いて磁界の存在下で磁性薄膜に磁区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用いてこの情報を読み出す光磁気記録媒体は、高密度記録が可能な大容量可換媒体として期待されている。近年では、パーソナルコンピュータの普及に伴って、静止画像だけではなく動画画像など大容量の情報を扱う機会が増えてきており、それらの情報の記録と再生のために、これらの磁性記録媒体のさらなる高密度化が要求されている。
【０００３】
磁区磁壁移動検出（ＤＷＤＤ；Ｄｏｍａｉｎ　Ｗａｌｌ　Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）（例えば［特許文献１］参照）などの光磁気再生法の開発により、光学系の分解能を超えた記録密度の信号を再生することが可能となったため、光磁気記録媒体における記録再生密度は、再生限界ではなく記録限界によって決定される。しかしながら、光磁気記録媒体への記録過程において最短記録マーク長が０．１μｍを下回る場合、最短記録マーク長が長い場合に比べて考慮しなくてはならない要素が増える。それらの要素の一つとして、記録過程における浮遊磁界環境が挙げられる。
【０００４】
図３５は、従来の磁性記録媒体における記録過程の模式図を表したものである。ここでは、ディスク状の磁性記録媒体１０１に対し、記録外部磁界１０６を印加しつつ、レーザー光１０３によって記録を行うものとしている。磁性記録媒体１０１は、単層の磁性層（記録層）によって構成されている。磁性記録媒体１０１中の矢印１０２は、磁化の方向を表している。
【０００５】
この磁性記録媒体１０１に記録用のレーザー光１０３を照射しながら、磁性記録媒体１０１をレーザー光１０３に対して矢印１０４の方向に移動させると、この媒体上に温度勾配が生じる。このとき、媒体のキュリー温度Ｔｃ以上の領域では磁化が一旦消失する。図３５においてＴｃと書かれた位置は、媒体１０１の温度がそのキュリー温度Ｔｃであることを意味し、このＴｃの位置より図示右側の領域では、レーザー光１０３の作用によって、媒体１０１の温度はキュリー温度Ｔｃを上回っている。
【０００６】
ここで、図示下向きに磁化された媒体１０１に対して上向きの記録外部磁界１０６を印加すると、キュリー温度Ｔｃ付近の領域の磁化が反転して磁壁（以下、記録磁壁と呼ぶ）１０７を形成する。図３５において、（ａ）は、この記録磁壁以外には一つも磁壁が存在しない場合を示しており、（ｂ）は、媒体１０１においてキュリー温度Ｔｃである位置よりも低温側０．３５μｍの位置にもう一つ磁壁（以下、固定磁壁と呼ぶ）１０８が存在する場合を示している。
【０００７】
図３５に示されるグラフは、横軸を媒体１０１におけるキュリー温度Ｔｃである位置からの距離として、媒体１０１の磁化と、記録磁壁に作られる浮遊磁界Ｈｓとをシミュレーションした結果を示したものである。（ａ）の場合では、媒体１０１の温度がキュリー温度Ｔｃより低くなるにつれて磁化Ｍが大きくなるので、記録磁壁１０７を図示左側に動かすように浮遊磁界がかかる。一方、（ｂ）の場合では、記録磁壁１０７を左側に動かすようにかかっていた浮遊磁界が、固定磁壁１０８に近づくにつれて小さくなり、さらに近づくと、逆に記録磁壁１０７を右側に動かすように浮遊磁界がかかる。これは、記録磁壁１０７が固定磁壁１０８から反発力を受けているためと考えられる。この記録磁壁１０７は、浮遊磁界と記録外部磁界の和が媒体１０１の保磁力と等しくなったところで固定されると考えられる。ここで、（ａ）の場合と（ｂ）の場合とでは記録磁壁にかかる浮遊磁界の大きさが異なるため、それぞれの記録磁壁が固定される位置も異なってくる。これがランダムパターン記録におけるジッターの原因の一つとなる。
【０００８】
また、（ｃ）媒体１０１のキュリー温度Ｔｃ位置より低温側０．２５μｍの位置に一つ固定磁壁が存在する場合、及び（ｄ）媒体１０１のキュリー温度Ｔｃ位置より低温側０．１５μｍの位置に一つ固定磁壁が存在する場合、のそれぞれのシミュレーション結果も図３５に示す。これらの結果より、固定磁壁１０８が媒体１０１のキュリー温度Ｔｃである位置に近づくにつれて、（ａ）の場合との浮遊磁界の差が大きくなることがわかる。例えば、（ａ）の場合と（ｄ）の場合について、媒体１０１のキュリー温度Ｔｃである位置より低温側０．０５μｍの位置において見積もると、約７６．１Ｏｅの浮遊磁界の差が生じている。つまり、従来の磁性記録媒体及び記録方法では、最短記録マーク長が短くなるにつれてジッターが大きくなると考えられる。
【０００９】
【特許文献１】
特開平６−２９０４９６
【００１０】
【発明が解決しようとしている課題】
先に述べたように、光磁気記録における記録再生密度を決めるのは再生限界ではなく記録限界であり、また、情報のランダムパターン記録におけるジッターは最短記録マーク長が短いほど増大すると考えられている。
【００１１】
そこで本発明の目的は、光磁気記録などの記録方式における大幅な高記録密度化を達成するために、微小マーク記録におけるジッターの発生を抑制できる磁性記録媒体、その記録方法及びその記録再生方法を提供することになる。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の磁性記録媒体は、透明基板上に、少なくとも第１及び第２の磁性層が、その順序で非磁性層を挟んで積層されている磁性記録媒体において、第２の磁性層は、第１の磁性層よりもキュリー温度の高い磁性膜であることを特徴とする。
【００１３】
本発明の記録方法は、本発明の磁性記録媒体に情報を記録する方法において、磁性記録媒体上に少なくとも第２の磁性層のキュリー温度以上の温度領域を有する温度分布を形成し、磁性記録媒体をその温度領域に対して相対的に移動させながら、記録外部磁界を印加することにより、第２の磁性層に記録される磁区が第１の磁性層に記録される磁区よりもその温度領域側にずれて形成されるように、第１の磁性層及び第２の磁性層の両方に同じ情報を記録することを特徴とする。
【００１４】
本発明の記録再生方法は、本発明の磁性記録媒体に情報を記録し記録された情報を再生する方法において、磁性記録媒体上に少なくとも第２の磁性層のキュリー温度以上の温度領域を有する温度分布を形成し、磁性記録媒体をその温度領域に対して相対的に移動させながら、記録外部磁界を印加することにより、第２の磁性層に記録される磁区が第１の磁性層に記録される磁区よりもその温度領域側にずれて形成されるように、第１の磁性層及び第２の磁性層の両方に同じ情報を記録し、そののち、第１の磁性層もしくは第１の磁性層に交換結合している磁性層から、情報を読み出すことを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の好ましい実施の形態について、図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施の一形態の磁性記録媒体及びその記録方法における作用を説明するための模式図であって、（Ａ）は、磁性記録媒体の構成を示す模式断面図であり、（Ｂ）は、記録過程における磁性記録媒体の温度及び各磁性層の飽和磁化をシミュレーションした結果を示すグラフである。
【００１６】
図１（Ａ）に示すように、この磁性記録媒体は、第１の磁性層２０１、非磁性層２０２、第２の磁性層２０３が不図示の透明基板上にその順序で順次積層されて構成されたものである。第１の磁性層２０１及び第２の磁性層２０３のキュリー温度はそれぞれＴｃ１、Ｔｃ２であり、Ｔｃ２＞Ｔｃ１＞室温の関係が成り立っている。各磁性層中の矢印２０４は磁化の方向を表しており、上向きの磁化の領域と下向きの磁化の領域との間に磁壁２０５が形成されていることが示されている。ここではディスク状に磁性記録媒体が構成されているものとする。
【００１７】
この磁性記録媒体に対して情報の書き込みを行う場合には、媒体に記録外部磁界２１３を印加するとともに第１の磁性層２０１側から記録用のレーザー光２０６を照射し、レーザー光２０６に対して矢印２０７の方向に移動させる。その際、レーザー光２０６の強度を調整して、レーザー光２０６の照射領域において第１の磁性層２０１のキュリー温度ＴＣ１及び第２の磁性層２０３のキュリー温度ＴＣ２以上となるように、この媒体を加熱する。
【００１８】
図１（Ｂ）に示すグラフは、シミュレーションにより、この磁性記録媒体の移動方向に沿ったこの媒体中における温度分布と各磁性層の飽和磁化の分布とを計算した結果を示している。グラフにおいては、媒体において温度Ｔが第１の磁性層２０１のキュリー温度Ｔｃ１である点を距離の原点として、横軸がキュリー温度Ｔｃ１である位置からの距離を示しており、レーザー光照射時の媒体上の温度Ｔ、第１の磁性層２０１の飽和磁化ＭＳ１及び第２の磁性層２０３の飽和磁化ＭＳ２がそれぞれ示されている。このグラフの横軸は、図１（Ａ）に示す媒体の模式断面図に対応している。
【００１９】
例えば、図示下向きに磁化されている第１の磁性層２０１及び第２の磁性層２０３に対して上向きの記録外部磁界２１３を印加すると、レーザー光２０６の照射により、第１の磁性層２０１及び第２の磁性層２０３でのそれぞれのキュリー温度である位置付近の磁化が反転して磁壁（以下、記録磁壁と呼ぶ）２１４が形成される。この時、それぞれの記録磁壁２１４は、第１の磁性層２０１及び第２の磁性層２０３のそれぞれのキュリー温度位置より低温側に０．０５μｍの位置付近に固定されると仮定する。このようにして、記録情報に対応して記録外部磁界２１３を上向き又は下向きに印加すると、第１の磁性層２０１及び第２の磁性層２０３には、それぞれのキュリー温度位置の差の分だけずれて情報が記録されると考えられる。
【００２０】
その結果、以下に実施例としてシミュレーション例を示すように、直前の記録によって形成された磁壁の存在の有無によって記録磁壁の形成される位置での浮遊磁界がばらつくことが抑えられて、ジッターの少ない記録を行うことができるようになる。
【００２１】
特に本発明によれば、第２の磁性層２０３（後述する実施例でのＳＣ層）に比べてキュリー温度が低い第１の磁性層２０１（後述の実施例での記録層）に形成される記録磁壁におけるジッターの発生が抑制される。そのため、本実施形態の磁性記録媒体に対して記録を行った場合、第１の磁性層（記録層）から例えばカー効果によって記録を読み出すようにすることが好ましい。磁性記録媒体の走行性によっては、第１の磁性層に対して交換結合している磁性層が第１の磁性層よりも媒体の外側に配置していることがあるが、その場合には、その交換結合している磁性層から記録を読み出すようにすればよい。
【００２２】
【実施例】
以下、本発明の基づく磁性記録媒体について行ったシミュレーション結果に基づく実施例によって、本発明をさらに詳しく説明する。なお本発明は、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、以下の実施例に限定されるものではない。
【００２３】
図２は、本発明に基づく磁性記録媒体を用いた場合の記録過程における浮遊磁界シミュレーション方法を説明するための模式図である。ここで用いる磁性記録媒体は、不図示の基板上に、第１の磁性層３０１と非磁性層３０２と第２の磁性層３０３とを順次積層した構成を有しており、例えばディスク状の媒体として形成されている。以下の説明では、媒体を図示矢印３０７の方向に移動させつつ、記録すべき情報に応じた記録外部磁界３１０を媒体に印加し、さらに第１の磁性層３０１側から記録用のレーザー光３０６を照射するものとする。
【００２４】
ここでは第１の磁性層３０１及び第２の磁性層３０３は、ともに、希土類（ＲＥ）−遷移金属（ＴＭ）アモルファス合金薄膜からなり、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ等の垂直磁気異方性が比較的大きい材料が用いられている。非磁性層３０２には、第１の磁性層３０１と第２の磁性層３０３との間の交換結合力を切断するため、ＳｉＮ等の材料を用いている。第１の磁性層３０１及び第２の磁性層３０３の磁化の温度依存性は、分子場近似によって計算されており、各磁性層３０１、３０３の磁化Ｍ、キュリー温度ＴＣ及び補償温度ＴＣｏｍｐは、各層における希土類元素と遷移金属元素との組成比やＲＥ−ＴＭ間の交換積分及びＴＭ−ＴＭ間の交換積分を調整することによって制御している。図において、各磁性層中の矢印３０４は磁化の方向を表しており、上向きの磁化の領域と下向きの磁化の領域との間に磁壁３０５が形成されている。
【００２５】
記録を行う際には、媒体のピーク温度が６７３Ｋ（４００℃）となるように記録用のレーザー光３０６を照射しながら、この磁性記録媒体をレーザー光３０６に対して矢印３０７の方向に移動させる。上述したように、第１の磁性層３０１のうちそのキュリー温度ＴＣ１以上の領域、第２の磁性層３０３のうちそのキュリー温度ＴＣ２以上の領域では、各磁性層とも磁化が消失している。図においてＴｃ１、Ｔｃ２と記載された位置は、それぞれ、媒体の温度がキュリー温度Ｔｃ１、Ｔｃ２である位置を示しており、これらの位置より図示右側では、媒体の温度はそれぞれキュリー温度Ｔｃ１、Ｔｃ２を上回っている（以下の各図においても同様）。
【００２６】
ここで、図示下向きに磁化されている第１の磁性層３０１及び第２の磁性層３０３に対して上向きの記録外部磁界３１０を印加すると、第１の磁性層３０１及び第２の磁性層３０３のうち温度がキュリー温度付近である領域の磁化が反転して磁壁（以下、記録磁壁と呼ぶ）３１１が形成される。この時、記録磁壁が各磁性層のキュリー温度より低温側０．０５μｍの位置付近に固定されると仮定する。ここで最短記録マーク長０．１μｍの記録を行った場合、図示上向きに磁化された磁区を記録情報の“１”、下向きに磁化された磁区を記録情報の“０”に対応させるものとすると、図２の場合には“０１００１”に対応する情報が記録されていることになる。
【００２７】
以下に説明する浮遊磁界シミュレーションにおいては、磁性記録媒体に書き込まれる記録パターンとして、（ａ）“００００１”、（ｂ）“１０００１”、（ｃ）“０１００１”、（ｄ）“１１００１”、（ｅ）“００１０１”、（ｆ）“１０１０１”、（ｇ）“０１１０１”、（ｈ）“１１１０１”の８種類のパターンを設定した。そして、それぞれの記録パターンの場合について各磁性層が記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界を計算することによって、浮遊磁界シミュレーションを行った。ここで、浮遊磁界を計算するための位置については、記録層の記録磁壁の中心、つまり記録層のトラック幅及び膜厚の中心を基準としている。
【００２８】
《実施例１》
図３は、本発明に基づく磁性記録媒体の層構成の一例を示す模式的断面図である。この磁性記録媒体においては、第１の磁性層として記録層４０１が膜厚６００Å、非磁性層４０２が膜厚１００Å、第２の磁性層として浮遊磁界キャンセル（Ｓｔｒａｙ　ｆｉｅｌｄ　ｃａｎｃｅｌ）層（以下、ＳＣ層と呼ぶ）４０３が膜厚１５０Åで順次積層されている。また、各層のトラックピッチは０．４μｍとしている。ここで、記録層４０１のキュリー温度が５９８Ｋ（＝３２５℃）、ＳＣ層４０３のキュリー温度が６４５Ｋ（＝３８２℃）となるように、記録層４０１及びＳＣ層４０３のそれぞれの分子場近似パラメータを調整した。表１に、記録層４０１及びＳＣ層４０３の分子場近似パラメータと各層のキュリー温度Ｔｃ及び補償温度ＴＣｏｍｐを示す。記録層４０１、ＳＣ層４０３とも、Ｔｂと遷移金属（ＴＭ）とのアモルファス合金薄膜で構成した。
【００２９】
【表１】
2004110888.tif 000003
【００３０】
まず始めに、各磁性層の飽和磁化の温度依存性についてのシミュレーションを行った。図４に、記録層４０１の飽和磁化ＭＳ１及びＳＣ層４０３の飽和磁化ＭＳ２の温度依存性のシミュレーション結果を示す。
【００３１】
次に、図３に示す構成の媒体を用いた最短記録マーク長０．１μｍの記録過程において、各磁性層（記録層４０１及びＳＣ層４０３）が記録層４０１の記録磁壁に作る浮遊磁界Ｈｓのシミュレーションを行った。図５は、記録層４０１の磁化Ｍ１、ＳＣ層４０３の磁化Ｍ２、及び上述した（ａ）〜（ｈ）の８種類の記録パターンのそれぞれの場合において各磁性層が記録層４０１の記録磁壁に作る浮遊磁界Ｈｓをシミュレーションによって求めた結果を示している。
【００３２】
図５に示すように、各記録パターンについて記録層４０１の記録磁壁にかかる浮遊磁界Ｈｓは、記録層４０１におけるキュリー温度ＴＣ１位置より低温側約０．０５μｍ付近の位置で、ある程度収束する傾向が見られた。ここで、記録層４０１のキュリー温度ＴＣ１位置より低温側０．０５μｍの位置における浮遊磁界の差を見積もると、約２９．３Ｏｅであった。これは、上述の従来の技術の項においてシミュレーション結果を示した、磁性記録媒体に記録層単層膜を用いた場合にける約７６．１Ｏｅに比べて、４０％以下に小さくなっており、記録層単層膜における記録層の膜厚が２００Åである場合の約２６．４Ｏｅとほぼ同等の結果である。従来の技術の項で述べたように、微小マーク記録におけるジッターの原因の１つとして、記録過程における浮遊磁界の影響が挙げられている。このため本発明によれば、従来の記録方法に比較して、記録層の記録磁壁が固定される位置付近における浮遊磁界の差が縮まるため、ランダムパターン記録におけるジッターも減少すると考えられる。
【００３３】
《実施例２》
実施例１の磁性記録媒体において、記録磁壁が固定される位置を変化させたときの浮遊磁界シミュレーションを行った。記録磁壁は、記録層４０１及びＳＣ層４０３のキュリー温度位置より低温側０．１μｍ、０．０８７５μｍ、０．０７５μｍ、０．０６２５μｍ、０．０５μｍの位置に固定すると仮定した。このとき、各層の記録磁壁以外の磁壁は、記録磁壁が固定される位置から最短記録マーク長０．１μｍの間隔で記録情報に対応した位置に固定すると仮定している。
【００３４】
以下に、それぞれの場合について、各磁性層が記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界Ｈｓのシミュレーション結果を示す。図６〜図１０は、それぞれ、記録層４０１及びＳＣ層４０３のキュリー温度位置より低温側にそれぞれ０．１μｍ、０．０８７５μｍ、０．０７５μｍ、０．０６２５μｍ、０．０５μｍの位置に記録磁壁が固定されると仮定したときのシミュレーション結果であり、これらの図において、（Ａ）は単層の記録層のみを有する磁性記録媒体すなわち従来の磁性記録媒体における結果を示しており、（Ｂ）は本発明を適用した上述の実施例１に示した磁性記録媒体における結果を示している。なお、図において、Ｍ（記録層）は記録層４０１の磁化を示し、Ｍ（ＳＣ）はＳＣ層４０３の磁化を示している（以下の各図でも同様）。
【００３５】
図６〜図１０に示す結果から分かるように、本発明に基づく磁性記録媒体では、記録磁壁の固定位置にかかわらず浮遊磁界がほぼ同程度であり、すべての場合において、記録層４０１の記録磁壁が固定される位置における浮遊磁界の差が４０％以下となった。
【００３６】
《実施例３》
実施例１の磁性記録媒体において、ＳＣ層４０３の膜厚を変化させたときの浮遊磁界シミュレーションを行った。条件は、記録層４０１の膜厚を６００Å、非磁性層４０２の膜厚を１００Åと固定して、ＳＣ層４０３の膜厚をそれぞれ５０Å、１００Å、１５０Å、２００Å、２５０Åとした。図１１（Ａ）〜（Ｅ）はそれぞれのＳＣ層の膜厚の場合について、各磁性層が記録層４０１の記録磁壁に作る浮遊磁界Ｈｓのシミュレーション結果を示すものである、また、図１１（Ｇ）は、記録層４０１のキュリー温度位置より低温側０．０５μｍの位置における浮遊磁界の最大値ＨＳｍａｘと最小値ＨＳｍｉｎとの差をＳＣ層４０３の膜厚に対してプロットしたものである。
【００３７】
図１１に示す結果より、ＳＣ層４０３の膜厚に対して浮遊磁界の差が変化していることが分かる。ＳＣ層４０３の膜厚が１５０Åの場合において、浮遊磁界の差が約２９．３Ｏｅと最も良い結果が得られた。ＳＣ層４０３の膜厚が１５０Åよりも薄くなると、ＳＣ層４０３からの浮遊磁界の影響が小さくなるため、記録磁壁に作る浮遊磁界の差が大きくなると考えられる。一方、ＳＣ層４０３の膜厚が１５０Åよりも厚くなると、ＳＣ層からの浮遊磁界の影響が大きくなるため、かえって記録磁壁に作る浮遊磁界の差が大きくなると考えられる。
【００３８】
《実施例４》
実施例１の磁性記録媒体において、非磁性層４０２の膜厚、つまり記録層４０１とＳＣ層４０３との距離を変化させたときの浮遊磁界シミュレーションを行った。条件は、記録層４０１の膜厚を６００Å、ＳＣ層４０３の膜厚を１５０Åと固定して、非磁性層４０２の膜厚をそれぞれ２５Å、５０Å、７５Å、１００Å、１２５Å、１５０Åとした。図１２（Ａ）〜（Ｆ）は、それぞれ、非磁性層４０２の膜厚が２５Å、５０Å、７５Å、１００Å、１２５Å、１５０Åの場合について、各磁性層が記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界Ｈｓのシミュレーション結果を示したものである。また、図１２（Ｇ）は、記録層４０１のキュリー温度位置より低温側０．０５μｍの位置における浮遊磁界の最大値ＨＳｍａｘと最小値ＨＳｍｉｎとの差を非磁性層４０２の膜厚に対してプロットしたものである。
【００３９】
図１２（Ａ）〜（Ｇ）に示す結果において、非磁性層４０２の膜厚に対して浮遊磁界の差が変化しており、非磁性層４０２の膜厚が７５Åの場合において、浮遊磁界の差が約２６．３Ｏｅと最も良い結果が得られた。非磁性層４０２の膜厚が７５Åよりも薄くなると、記録層４０１とＳＣ層４０３との間隔が狭くなり、ＳＣ層４０３からの浮遊磁界の影響が大きくなるため、記録磁壁に作る浮遊磁界の差が大きくなると考えられる。一方、非磁性層４０１の膜厚が７５Åよりも厚くなると、記録層４０１とＳＣ層４０３との間隔が広くなり、ＳＣ層からの浮遊磁界の影響が小さくなるため、記録磁壁に作る浮遊磁界の差が大きくなると考えられる。また、非磁性層４０２の膜厚が厚くなるにつれて、浮遊磁界の収束する位置が高温側の位置に若干ずれる傾向見られた。
【００４０】
《実施例５》
実施例１の磁性記録媒体において、ＳＣ層４０２のキュリー温度を変化させたときの浮遊磁界シミュレーションを行った。記録過程における記録層４０１の磁化とＳＣ層４０３の磁化の大きさをほぼ同等に保ちながら、キュリー温度が６４１Ｋ、６４３Ｋ、６４５Ｋ、６４７ＫとなるようにＳＣ層４０２の分子場近似パラメータを調整した。表２に各場合におけるＳＣ層４０２の分子場近似パラメータとキュリー温度ＴＣ及び補償温度ＴＣｏｍｐを示す。
【００４１】
【表２】
2004110888.tif 000004
【００４２】
図１３（Ａ）〜（Ｄ）は、それぞれ、ＳＣ層４０３のキュリー温度が６４１Ｋ、６４３Ｋ、６４５Ｋ、６４７Ｋである場合について、各磁性層が記録層４０１の記録磁壁に作る浮遊磁界Ｈｓのシミュレーション結果を示すものである。ここでは、各ＳＣ層４０３の記録磁壁は、それぞれのキュリー温度位置より低温側０．０５μｍの位置に固定すると仮定している。
【００４３】
図１３（Ａ）〜（Ｄ）に示す結果において、それぞれのＳＣ層４０３のキュリー温度位置に対応して、ＳＣ層４０３のキュリー温度を低くすると記録磁壁に作る浮遊磁界が収束する位置は低温側の位置に変化し、ＳＣ層４０３のキュリー温度を高くすると記録磁壁に作る浮遊磁界が収束する位置は高温側の位置に変化する傾向が見られた。このような傾向に基づき、記録層４０１の記録磁壁が固定される位置に対応して、その都度、ＳＣ層４０３のキュリー温度を設定する必要があると考えられる。この例では、記録層４０１のキュリー温度位置より低温側０．０５μｍの位置に記録磁壁が固定されると仮定しているため、ＳＣ層４０３のキュリー温度を６４５Ｋに設定すれば良いと考えられる。
【００４４】
《実施例６》
本発明に基づく磁性記録媒体の構成は、実施例１に示したものに限定されるわけではない。例えば、実施例１に示す構成において、記録層に情報を記録するときの補助の役割を担う補助層を追加した構成も、本発明における磁性記録媒体の範疇に含まれる。この補助層は、記録層よりキュリー温度が高く、室温における保磁力が小さい特性を持つ。記録時においては、先ずこの補助層に外部磁界に応じた記録磁区が形成され、この記録磁区が交換結合力により記録層に転写される。これにより、記録層単層より低い記録磁界強度で記録層への情報の記録が可能となる。
【００４５】
図１４は、本発明に基づく磁性記録媒体であって、記録層、補助層、非磁性層、ＳＣ層を有する磁性記録媒体を用いた場合の記録過程を模式的に示した図である。図示される磁性記録媒体は、例えばディスク状に形成されるものであって、記録層１１０１が膜厚６００Å、補助層１１０２が膜厚２００Å、非磁性層１１０３が膜厚１００Å、ＳＣ層１１０４が膜厚２００Åで不図示の透明基板上にその順序で順次積層されている。また、各層のトラックピッチを０．４μｍとしている。図において、各磁性層中の矢印１１０５は磁化の方向を表しており、上向きの磁化の領域と下向きの磁化の領域との間に磁壁１１０６が形成されている。
【００４６】
この磁性記録媒体に対して記録を行う場合には、媒体のピーク温度が６７３Ｋ（４００℃）となるように記録用のレーザー光１１０７を照射しながら、媒体をレーザー光に対して矢印１１０８の方向に移動させる。このとき、記録層１１０１においてそのキュリー温度ＴＣ１以上の温度となっている領域、補助層１１０２においてそのキュリー温度ＴＣ２以上の温度となっている領域、ＳＣ層１１０４においてそのキュリー温度ＴＣ３以上の温度となっている領域では、各磁性層（記録層１１０１、補助層１１０２、ＳＣ層１１０４）とも磁化が消失している。ここで、図示されるように下向きに磁化されている記録層１１０１、補助層１１０２及びＳＣ層１１０４に対して上向きの記録外部磁界１１１２を印加させると、各層におけるそれらのキュリー温度付近の温度の領域の磁化が反転して磁壁（以下、記録磁壁と呼ぶ）１１１３を形成する。ここでは、記録層１１０１及び補助層１１０２については記録層１１０１のキュリー温度位置より低温側０．０５μｍの位置に、またＳＣ層１１０４についてはＳＣ層１１０４のキュリー温度位置より低温側０．０５μｍの位置に記録磁壁が固定されると仮定する。
【００４７】
まず始めに、各磁性層の飽和磁化の温度依存性をシミュレーションによって求めた。ここでは、記録層１１０１のキュリー温度が５９８Ｋ（＝３２５℃）、補助層１１０２のキュリー温度が６４８Ｋ（＝３７５℃）、ＳＣ層１１０４のキュリー温度が６４３Ｋ（＝３８２℃）となるように、記録層１１０１、補助層１１０２及びＳＣ層１１０４それぞれの分子場近似パラメータを調整した。表３に記録層１１０１、補助層１１０２及びＳＣ層１１０４の分子場近似パラメータとキュリー温度ＴＣ及び補償温度ＴＣｏｍｐを示す。表３に示すように、この実施例では、補助層１１０２は、希土類元素（ＲＥ）としてＧｄを用いた磁性層である。Ｇｄ系の磁性層は、記録層１１０１に用いているＴｂ系の磁性層に比べて垂直磁気異方性が１桁小さいため、記録外部磁界に対する感度はＴｂ系の磁性層に比べて比較的よいと考えられる。ここでは、記録層１１０１と補助層１１０２とは交換結合しているため、記録層１１０１は、記録外部磁界の他に補助層１１０２からの交換エネルギーも受けて情報を記録する。
【００４８】
【表３】
2004110888.tif 000005
【００４９】
図１５は、記録層１１０１の飽和磁化ＭＳ１、補助層１１０２の飽和磁化ＭＳ２及びＳＣ層１１０４の飽和磁化ＭＳ３の温度依存性のシミュレーション結果を示したものである。
【００５０】
次に、比較例として、従来の磁性記録媒体、すなわちＳＣ層を有さず、相互に交換結合した記録層と補助層のみを磁性層として有する構造の媒体について、各磁性層が記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界のシミュレーションを行った。図１６は、記録層の磁化Ｍ１、補助層の磁化Ｍ２、及び最短記録マーク長０．１μｍの記録における上述の（ａ）〜（ｈ）のそれぞれの記録パターンの場合について各磁性層が記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界Ｈｓをシミュレーションにより求めた結果を示す。
【００５１】
また同様に、図１４に示した本発明による記録層−補助層−非磁性層−ＳＣ層構造の磁性記録媒体について、各磁性層が記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界のシミュレーションを行った。図１７は、記録層の磁化Ｍ１、補助層の磁化Ｍ２、ＳＣ層の磁化Ｍ３、及び最短記録マーク長０．１μｍの記録における上述の（ａ）〜（ｈ）のそれぞれの記録パターンの場合について各磁性層が記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界Ｈｓをシミュレーションにより求めた結果を示す。
【００５２】
図１６及び図１７に示される結果を比較すると、従来の記録層−補助層構造の磁性記録媒体では、記録層のキュリー温度位置より低温側０．０５μｍの位置における浮遊磁界の差が約８２．６Ｏｅであったのに対して、本発明を適用した記録層−補助層−非磁性層−ＳＣ層構造の磁性記録媒体では、浮遊磁界の差が約２９．５Ｏｅと従来のものの３６％以下に小さくなることが示される。
【００５３】
《実施例７》
実施例２で行ったように、実施例６の磁性記録媒体に対し、記録磁壁が固定される位置を変化させたときの浮遊磁界シミュレーションを行った。記録磁壁は、記録層１１０１及びＳＣ層１１０４のキュリー温度位置より低温側０．１μｍ、０．０８７５μｍ、０．０７５μｍ、０．０６２５μｍ、０．０５μｍの位置に固定すると仮定した。このとき、各層の記録磁壁以外の磁壁は、記録磁壁が固定される位置から最短記録マーク長０．１μｍの間隔で記録情報に対応した位置に固定すると仮定している。
【００５４】
以下に、それぞれの場合について、各磁性層が記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界Ｈｓのシミュレーション結果を示す。図１８〜図２２は、それぞれ、記録層１１０１及びＳＣ層１１０４のキュリー温度位置より低温側にそれぞれ０．１μｍ、０．０８７５μｍ、０．０７５μｍ、０．０６２５μｍ、０．０５μｍの位置に記録磁壁が固定されると仮定したときのシミュレーション結果であり、これらの図において、（Ａ）は従来の記録層−補助層構成の磁性記録媒体における結果を示しており、（Ｂ）は本発明を適用した上述の実施例６に示した磁性記録媒体における結果を示している。なお、図において、Ｍ（補助）は補助層の磁化を示している（以下の各図でも同様）。
【００５５】
図１８〜図２２に示す結果から分かるように、実施例２の場合と同様に、本発明に基づく磁性記録媒体では、記録磁壁の固定位置にかかわらず浮遊磁界がほぼ同程度であり、すべての場合において記録層１１０１の記録磁壁が固定される位置における浮遊磁界の差が３６％以下となった。
【００５６】
《実施例８》
実施例３で行ったように、実施例６の磁性記録媒体においてもＳＣ層１１０４の膜厚を変化させたときの浮遊磁界シミュレーションを行った。条件は、記録層１１０１の膜厚を６００Å、補助層１１０２の膜厚を２００Å、非磁性層１１０３の膜厚を５０Åと固定して、ＳＣ層１１０４の膜厚をそれぞれ１００Å、１５０Å、２００Å、２５０Å、３００Åとした。図２３（Ａ）〜（Ｅ）は、それぞれのＳＣ層の膜厚の場合について、各磁性層が記録層１１０１の記録磁壁に作る浮遊磁界Ｈｓのシミュレーション結果を示すものである。また、図２３（Ｇ）は、記録層１１０１のキュリー温度位置より低温側０．０５μｍの位置における浮遊磁界の最大値ＨＳｍａｘと最小値ＨＳｍｉｎとの差をＳＣ層１１０４の膜厚に対してプロットしたものである。
【００５７】
図２３に示す結果より、ＳＣ層１１０４の膜厚に対して浮遊磁界の差が変化していることが分かる。ＳＣ層１１０４の膜厚が２００Åの場合において、浮遊磁界の差が約２９．５Ｏｅと最も良い結果が得られた。
【００５８】
《実施例９》
実施例４で行ったように、実施例６の磁性記録媒体においても非磁性層１１０３の膜厚、つまり補助層１１０２とＳＣ層１１０４との距離を変化させたときの浮遊磁界シミュレーションを行った。条件は、記録層１１０１の膜厚を６００Å、補助層１１０２の膜厚を２００Å、ＳＣ層１１０４の膜厚を２００Åと固定して、非磁性層１１０３の膜厚をそれぞれ２５Å、５０Å、７５Å、１００Å、１２５Å、１５０Åとした。図２４（Ａ）〜（Ｆ）は、それぞれ、非磁性層１１０３の膜厚がそれぞれ２５Å、５０Å、７５Å、１００Å、１２５Å、１５０Åの場合について、各磁性層が記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界Ｈｓのシミュレーション結果を示したものである。また、図２４（Ｇ）は、記録層１１０１のキュリー温度位置より低温側０．０５μｍの位置における浮遊磁界の最大値ＨＳｍａｘと最小値ＨＳｍｉｎとの差を非磁性層１１０３の膜厚に対してプロットしたものである。
【００５９】
図２４（Ａ）〜（Ｇ）に示す結果において、非磁性層１１０３の膜厚に対して浮遊磁界の差が変化しており、非磁性層１１０３の膜厚が７５Åの場合において、浮遊磁界の差が約２５．７Ｏｅと最も良い結果が得られた。また、非磁性層１１０３の膜厚が厚くなるにつれて、浮遊磁界の収束する位置が高温側の位置に若干ずれる傾向見られた。
【００６０】
《実施例１０》
最短記録マーク長が０．１μｍ未満の記録を行う場合について、本発明を適用したときの浮遊磁界シミュレーションを行った。
【００６１】
まず始めに、記録最短マーク長０．０７５μｍの記録を行う場合について、記録層単層構造の従来の磁性記録媒体及び本発明を適用した記録層−非磁性層−ＳＣ層構造の磁性記録媒体における浮遊磁界シミュレーションを行った。本発明に基づく磁性記録媒体では、記録層が膜厚６００Å、非磁性層が膜厚５０Å、ＳＣ層が膜厚２００Åで順次積層されている。また、各層のトラックピッチは０．４μｍとしている。ここで、記録層のキュリー温度が５９８Ｋ（＝３２５℃）、ＳＣ層のキュリー温度が６３４Ｋ（＝３６１℃）となるように、記録層及びＳＣ層それぞれの分子場近似パラメータを調整した。表４に記録層及びＳＣ層の分子場近似パラメータと各層のキュリー温度ＴＣ及び補償温度ＴＣｏｍｐを示す。
【００６２】
【表４】
2004110888.tif 000006
【００６３】
図２５は、本発明に基づく磁性記録媒体における記録層の飽和磁化ＭＳ１及びＳＣ層の飽和磁化ＭＳ２の温度依存性のシミュレーション結果を示したものである。
【００６４】
次に、従来の記録層単層構造の磁性記録媒体について、記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界のシミュレーションを行った。図２６に、記録層の磁化Ｍ１、及び最短記録マーク長０．０７５μｍの記録における上述の（ａ）〜（ｈ）のそれぞれの記録パターンの場合について記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界Ｈｓをシミュレーションにより求めた結果を示す。
【００６５】
同様に、本発明による記録層−非磁性層−ＳＣ層構造の磁性記録媒体について、各磁性層が記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界のシミュレーションを行った。図２７に、記録層の磁化Ｍ１、ＳＣ層の磁化Ｍ２、及び最短記録マーク長０．０７５μｍの記録における上述の（ａ）〜（ｈ）のそれぞれの記録パターンの場合について各磁性層が記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界Ｈｓをシミュレーションにより求めた結果を示す。
【００６６】
図２６、図２７に示す結果では、従来の記録層単層構造の磁性記録媒体では、記録層のキュリー温度位置より低温側０．０５μｍの位置における浮遊磁界の差が約１０８．２Ｏｅであったのに対して、本発明に基づく記録層−非磁性層−ＳＣ層構造の磁性記録媒体では、浮遊磁界の差が約４９．８Ｏｅと従来のものの４７％以下に小さくなることが示された。このため、最短記録マーク長が０．０７５μｍである記録を行った場合であっても、本発明によれば、記録磁壁におけるジッターが十分に抑制されるものと考えられる。
【００６７】
次に、記録最短マーク長０．０５μｍの記録を行う場合について、記録層単層構造の磁性記録媒体及び本発明に基づく記録層−非磁性層−ＳＣ層構造の磁性記録媒体における浮遊磁界シミュレーションを行った。本発明に基づく磁性記録媒体は、記録層が膜厚６００Å、非磁性層が膜厚５０Å、ＳＣ層が膜厚３００Åであってこれらが順次積層されている。また、各層のトラックピッチは０．４μｍとしている。ここで、記録層のキュリー温度が５９８Ｋ（＝３２５℃）、ＳＣ層のキュリー温度が６２０Ｋ（＝３４７℃）となるように、記録層及びＳＣ層それぞれの分子場近似パラメータを調整した。表５に記録層及びＳＣ層の分子場近似パラメータと各層のキュリー温度ＴＣ及び補償温度ＴＣｏｍｐを示す。
【００６８】
【表５】
2004110888.tif 000007
【００６９】
図２８は、本発明に基づく磁性記録媒体における記録層の飽和磁化ＭＳ１及びＳＣ層の飽和磁化ＭＳ２の温度依存性のシミュレーション結果を示したものである。
【００７０】
次に、従来の記録層単層構造の磁性記録媒体について、記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界のシミュレーションを行った。図２９に、記録層の磁化Ｍ１、及び最短記録マーク長０．０５μｍの記録における上述の（ａ）〜（ｈ）のそれぞれの記録パターンの場合について記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界Ｈｓをシミュレーションにより求めた結果を示す。
【００７１】
同様に、本発明による記録層−非磁性層−ＳＣ層構造の磁性記録媒体について、各磁性層が記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界のシミュレーションを行った。図３０に、記録層の磁化Ｍ１、ＳＣ層の磁化Ｍ２、及び最短記録マーク長０．０５μｍの記録における上述の（ａ）〜（ｈ）のそれぞれの記録パターンの場合について各磁性層が記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界Ｈｓをシミュレーションにより求めた結果を示す。
【００７２】
図２９、図３０に示す結果では、従来の記録層単層構造の磁性記録媒体では、記録層のキュリー温度位置より低温側０．０５μｍの位置における浮遊磁界の差が約１６４．４Ｏｅであったのに対して、本発明に基づく記録層−非磁性層−ＳＣ層構造の磁性記録媒体では、浮遊磁界の差が約８３．８Ｏｅと従来のものの５１％以下に小さくなることが示された。このため、最短記録マーク長が０．０５μｍである記録を行った場合であっても、本発明によれば、従来の記録方法における最短記録マーク長０．１μｍの場合とほぼ同等のジッターとなるものと考えられる。
【００７３】
《実施例１１》
記録情報の再生方法としてＤＷＤＤ（Ｄｏｍａｉｎ　Ｗａｌｌ　Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）を適用した磁性記録媒体に本発明を適用したときの浮遊磁界シミュレーションを行った。図２４は、本発明に基づく磁性記録媒体であって、再生時に磁壁が移動し、他層に比べ磁壁抗磁力が小さな移動層、ゴースト現象を抑制する移動層より磁壁エネルギー密度が大きな制御層、キュリー温度が多層に比べ最も低い遮断層、記録磁区を保持する記録層、上述した実施例でも述べた記録をアシストする補助層、非磁性層、ＳＣ層を不図示の透明基板上にその順序で積層してなる磁性記録媒体を用いた場合の記録過程を模式的に表した図である。ここで後述するように、移動層は磁性層からなり、制御層及び遮断層は浮遊磁界のシミュレーションの計算範囲内では磁化が消失する材料からなる。実施例６に示す磁性記録媒体と同様に、記録層と補助層とは相互に交換結合している。
【００７４】
図示される磁性記録媒体は、例えばディスク状に形成されるものであって、移動層２４０１が膜厚３００Å、制御層２４０２が膜厚１５０Å、遮断層２４０３が膜厚１００Å、記録層２４０４が膜厚６００Å、補助層２４０５が膜厚２００Å、非磁性層２４０６が膜厚７５Å、ＳＣ層２４０７が膜厚２００Åで順次積層されている。また、各層のトラックピッチを０．４μｍとしている。図において各磁性層中の矢印２４０８は磁化の方向を表しており、上向きの磁化の領域と下向きの磁化の領域との間に磁壁２４０９が形成されている。
【００７５】
この磁性記録媒体に対して記録を行う場合には、媒体のピーク温度が６７３Ｋ（４００℃）となるように記録用のレーザー光２４１０を移動層２４０１側に照射しながら、媒体をレーザー光に対して矢印２４１１の方向に移動させる。このとき移動層２４０１においてそのキュリー温度ＴＣ１以上の温度となっている領域、記録層２４０４においてそのキュリー温度ＴＣ２以上の温度となっている領域、補助層２４０５においてそのキュリー温度ＴＣ３以上の温度となっている領域、ＳＣ層２４０７においてそのキュリー温度ＴＣ４以上の温度となっている領域では、各磁性層とも磁化が消失している。また、制御層及び切断層は上述したように磁化が消失している。図示されるように下向きに磁化されている移動層２４０１、記録層２４０４、補助層２４０５及びＳＣ層２４０７に対して上向きの記録外部磁界２４１６を印加させると、各層におけるそれらのキュリー温度付近の温度の領域の磁化が反転して磁壁（以下、記録磁壁と呼ぶ）２４１７を形成する。ここでは、記録層２４０４及び補助層２４０５については記録層２４０４のキュリー温度位置より低温側０．０５μｍの位置に、ＳＣ層２４０７についてはＳＣ層２４０７のキュリー温度位置より低温側０．０５μｍの位置に、また、移動層２４０１については移動層２４０１の補償温度位置の付近に記録磁壁が固定されると仮定する。
【００７６】
まず始めに、各磁性層の飽和磁化の温度依存性をシミュレーションによって求めた。ここでは、記録層２４０４、補助層２４０５、ＳＣ層２４０７については、実施例６で使用したものと同じ磁性膜を用いた。移動層２４０１については、磁壁抗磁力が小さなＧｄ系の磁性層を使用しており、キュリー温度を５６８Ｋ（＝２９５℃）とし、補償温度を４９７Ｋ（＝２２４℃）としている。表６に移動層２４０１、記録層２４０４、補助層２４０５及びＳＣ層２４０７の分子場近似パラメータと各層のキュリー温度ＴＣ及び補償温度ＴＣｏｍｐを示す。
【００７７】
【表６】
2004110888.tif 000008
【００７８】
図３２は、移動層２４０１の飽和磁化ＭＳ１、記録層２４０４の飽和磁化ＭＳ２、補助層２４０５の飽和磁化ＭＳ３及びＳＣ層２４０７の飽和磁化ＭＳ４の温度依存性のシミュレーション結果を示したものである。
【００７９】
次に、図３１に示した磁性記録媒体からＳＣ層（及び非磁性層）を除いた構成の従来のＤＷＤＤ用磁性記録媒体（記録層−補助層構造の媒体）について、各磁性層が記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界のシミュレーションを行った。図３３に、この従来の磁性記録媒体における移動層の磁化Ｍ１、記録層の磁化Ｍ２、補助層の磁化Ｍ３、及び最短記録マーク長０．１μｍの記録における上述した（ａ）〜（ｈ）のそれぞれの記録パターンの場合について各磁性層が記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界Ｈｓをシミュレーションにより求めた結果を示す。
【００８０】
また、図３１に示した本発明によるＤＷＤＤ（記録層−補助層−非磁性層−ＳＣ層）構造の磁性記録媒体について、各磁性層が記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界のシミュレーションを行った。図３４に、この磁性記録媒体における移動層の磁化Ｍ１、記録層の磁化Ｍ２、補助層の磁化Ｍ３、ＳＣ層の磁化Ｍ４、及び最短記録マーク長０．１μｍの記録における上述の（ａ）〜（ｈ）のそれぞれの記録パターンの場合について各磁性層が記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界Ｈｓをシミュレーションにより求めた結果を示す。
【００８１】
図３３及び図３４に示される結果を比較すると、従来のＤＷＤＤ（記録層−補助層）構造の磁性記録媒体では、記録層のキュリー温度位置より低温側０．０５μｍの位置における浮遊磁界の差が約８２．２Ｏｅであったのに対して、本発明を適用したＤＷＤＤ（記録層−補助層−非磁性層−ＳＣ層）構造の磁性記録媒体では、浮遊磁界の差が約２５．５Ｏｅと従来のものの約３１％程度にまで小さくなることが示される。本発明に基づく磁性記録媒体を使用することにより、微少記録マークのジッターを抑えることが可能と考えられるため、ＤＷＤＤによる再生信号がより正確に得られるものと予想される。
【００８２】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、透明基板上に、少なくとも第１及び第２の磁性層が、その順序で非磁性層を挟んで積層されている磁性記録媒体において、第２の磁性層のキュリー温度が第１の磁性層よりもキュリー温度よりも高くなるように構成することにより、ランダムパターンによる浮遊磁界の影響を制御することができて、記録磁壁におけるジッターを低減することができる、という効果がある。特に本発明によれば、最短記録マーク長が０．１μｍを切る記録を行っても、ジッターを抑えることが可能であって、ＤＷＤＤ等の再生方法と組み合わせることにより、記録密度のさらなる向上が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態の磁性記録媒体及びその記録方法における作用を説明するための模式図であって、（Ａ）は、磁性記録媒体の構成を示す模式断面図であり、（Ｂ）は、記録過程における磁性記録媒体の温度及び各磁性層の飽和磁化をシミュレーションした結果を示すグラフである。
【図２】本発明に基づく磁性記録媒体を用いた場合の記録過程におけるシミュレーション方法を説明するための模式図である。
【図３】本発明の実施の一形態の磁性記録媒体の層構成の一例を示す模式的断面図である。
【図４】記録層及びＳＣ層の飽和磁化の温度依存性を示すグラフである。
【図５】記録層及びＳＣ層の磁化、及びこれらの磁性層が記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界を示すグラフである。
【図６】記録磁壁がキュリー温度位置より低温側０．１μｍの位置に固定されるとしたときの浮遊磁界シミュレーションの結果を示すグラフであって、（Ａ）は記録層単層の場合、（Ｂ）は本発明に基づく磁性記録媒体の場合を示している。
【図７】記録磁壁がキュリー温度位置より低温側０．０８７５μｍの位置に固定されるとしたときの浮遊磁界シミュレーションの結果を示すグラフであって、（Ａ）は記録層単層の場合、（Ｂ）は本発明に基づく磁性記録媒体の場合を示している。
【図８】記録磁壁がキュリー温度位置より低温側０．０７５μｍの位置に固定されるとしたときの浮遊磁界シミュレーションの結果を示すグラフであって、（Ａ）は記録層単層の場合、（Ｂ）は本発明に基づく磁性記録媒体の場合を示している。
【図９】記録磁壁がキュリー温度位置より低温側０．０６２５μｍの位置に固定されるとしたときの浮遊磁界シミュレーションの結果を示すグラフであって、（Ａ）は記録層単層の場合、（Ｂ）は本発明に基づく磁性記録媒体の場合を示している。
【図１０】記録磁壁がキュリー温度位置より低温側０．０５μｍの位置に固定されるとしたときの浮遊磁界シミュレーションの結果を示すグラフであって、（Ａ）は記録層単層の場合、（Ｂ）は本発明に基づく磁性記録媒体の場合を示している。
【図１１】ＳＣ層の膜厚を変えたときの浮遊磁界シミュレーションの結果を示すグラフであって、（Ａ）〜（Ｅ）は、それぞれ、ＳＣ層の膜厚が５０Å、１００Å、１５０Å、２００Å、２５０Åの場合の結果を示し、（Ｆ）は、ＳＣ層の膜厚に対する浮遊磁界の差を示している。
【図１２】非磁性層の膜厚を変えたときの浮遊磁界シミュレーションの結果を示すグラフであって、（Ａ）〜（Ｆ）は、それぞれ、非磁性層の膜厚が２５Å、５０Å、７５Å、１００Å、１２５Å、１５０Åの場合の結果を示し、（Ｇ）は、非磁性層の膜厚に対する浮遊磁界の差を示している。
【図１３】ＳＣ層のキュリー温度を変えたときの浮遊磁界シミュレーションの結果を示すグラフであって、（Ａ）〜（Ｄ）は、それぞれ、ＳＣ層のキュリー温度が６４１Ｋ、６４３Ｋ、６４５Ｋ、６４７Ｋの場合の結果を示している。
【図１４】本発明に基づく磁性記録媒体であって、記録層、補助層、非磁性層、ＳＣ層を有する磁性記録媒体を用いた場合の記録過程を模式的に示した図である。
【図１５】各層の飽和磁化の温度依存性を示すグラフである。
【図１６】記録層及び補助層の磁化、及びこれらの磁性層が記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界を示すグラフである。
【図１７】記録層、補助層及びＳＣ層の磁化、及びこれらの磁性層が記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界を示すグラフである。
【図１８】記録磁壁がキュリー温度位置より低温側０．１μｍの位置に固定されるとしたときの浮遊磁界シミュレーションの結果を示すグラフであって、（Ａ）は従来の記録層−補助層構造の磁性記録媒体の場合、（Ｂ）は本発明に基づく磁性記録媒体の場合を示している。
【図１９】記録磁壁がキュリー温度位置より低温側０．０８７５μｍの位置に固定されるとしたときの浮遊磁界シミュレーションの結果を示すグラフであって、（Ａ）は従来の記録層−補助層構造の磁性記録媒体の場合、（Ｂ）は本発明に基づく磁性記録媒体の場合を示している。
【図２０】記録磁壁がキュリー温度位置より低温側０．０７５μｍの位置に固定されるとしたときの浮遊磁界シミュレーションの結果を示すグラフであって、（Ａ）は従来の記録層−補助層構造の磁性記録媒体の場合、（Ｂ）は本発明に基づく磁性記録媒体の場合を示している。
【図２１】記録磁壁がキュリー温度位置より低温側０．０６２５μｍの位置に固定されるとしたときの浮遊磁界シミュレーションの結果を示すグラフであって、（Ａ）は従来の記録層−補助層構造の磁性記録媒体の場合、（Ｂ）は本発明に基づく磁性記録媒体の場合を示している。
【図２２】記録磁壁がキュリー温度位置より低温側０．０５μｍの位置に固定されるとしたときの浮遊磁界シミュレーションの結果を示すグラフであって、（Ａ）は従来の記録層−補助層構造の磁性記録媒体の場合、（Ｂ）は本発明に基づく磁性記録媒体の場合を示している。
【図２３】ＳＣ層の膜厚を変えたときの浮遊磁界シミュレーションの結果を示すグラフであって、（Ａ）〜（Ｅ）は、それぞれ、ＳＣ層の膜厚が１００Å、１５０Å、２００Å、２５０Å、３００Åの場合の結果を示し、（Ｆ）は、ＳＣ層の膜厚に対する浮遊磁界の差を示している。
【図２４】非磁性層の膜厚を変えたときの浮遊磁界シミュレーションの結果を示すグラフであって、（Ａ）〜（Ｆ）は、それぞれ、非磁性層の膜厚が２５Å、５０Å、７５Å、１００Å、１２５Å、１５０Åの場合の結果を示し、（Ｇ）は、非磁性層の膜厚に対する浮遊磁界の差を示している。
【図２５】各層の飽和磁化の温度依存性を示すグラフである。
【図２６】記録層の磁化、及び記録層が記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界を示すグラフである。
【図２７】記録層及びＳＣ層の磁化、及びこれらの磁性層が記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界を示すグラフである。
【図２８】各層の飽和磁化の温度依存性を示すグラフである。
【図２９】記録層の磁化、及び記録層が記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界を示すグラフである。
【図３０】記録層及びＳＣ層の磁化、及びこれらの磁性層が記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界を示すグラフである。
【図３１】記録情報の再生方法としてＤＷＤＤを適用した本発明に基づく磁性記録媒体であって、移動層、制御層、切断層、記録層、補助層、非磁性層、ＳＣ層を有する磁性記録媒体を用いた場合の記録過程を模式的に示した図である。
【図３２】各層の飽和磁化の温度依存性を示すグラフである。
【図３３】移動層、記録層及び補助層の磁化、及びこれらの磁性層が記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界を示すグラフである。
【図３４】移動層、記録層、補助層及びＳＣ層の磁化、及びこれらの磁性層が記録層の記録磁壁に作る浮遊磁界を示すグラフである。
【図３５】従来の磁性記録媒体における記録過程の概念を模式的に示すとともに、記録層における記録磁壁に作られる浮遊磁界のシミュレーションを行った結果を示す図である。
【符号の説明】
２０１、３０１　　第１の磁性層
２０２、３０２、４０２、１１０３、２４０６　　非磁性層
２０３、３０３　　第２の磁性層
２０５、３０５、１１０６、２４０９　　磁壁
２０６、３０６、１１０７、２４１０　　レーザー光
２１３、３１０、１１１２、２４１６　　記録外部磁界
２１４、３１１、１１１３、２４１７　　記録磁壁
４０１、１１０１、２４０４　　記録層
４０３、１１０４、２４０７　　ＳＣ層
１１０２、２４０５　　補助層
２４０１　　移動層
２４０２　　制御層
２４０３　　遮断層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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