(57)【要約】【課題】半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関して、信頼性の低下を防ぐことにある。【解決手段】集積回路から配線が形成されてなる半導体ウエハ１０に、配線の一部であるパッド１８から再配線層２２を形成し、再配線層２２に外部端子３８を形成する。半導体ウエハ１０の第１の領域３２上に、樹脂以外の材料からなる非樹脂層３０を形成する。非樹脂層３０の存在によって、半導体ウエハ１０の第１の領域３２を除く第２の領域４２上に樹脂層４０を形成する。半導体ウエハ１０を第１の領域３２で切断する。【選択図】　　　　図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路から配線が形成されてなる半導体ウエハに、前記配線の一部であるパッドから再配線層を形成し、前記再配線層に外部端子を形成すること、
前記半導体ウエハの第１の領域上に、樹脂以外の材料からなる非樹脂層を形成すること、
前記非樹脂層の存在によって、前記半導体ウエハの前記第１の領域を除く第２の領域上に、樹脂層を形成すること、及び、
前記半導体ウエハを、前記第１の領域で切断すること、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記非樹脂層の形成において、前記非樹脂層は、前記樹脂層の材料とエッチングレートが異なる材料から形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
さらに、前記樹脂層の形成後であって、前記半導体ウエハの切断前に、前記非樹脂層をエッチングすることを含み、
前記非樹脂層の形成において、前記非樹脂層は、前記樹脂層の材料よりも前記非樹脂層のエッチングにおけるエッチングレートが高い材料から形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記非樹脂層の形成において、前記非樹脂層は、前記樹脂層よりも延展性の低い材料から形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記非樹脂層を除去した後に、前記半導体ウエハを切断する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記非樹脂層を除去せずに、前記非樹脂層を切断しながら、前記半導体ウエハを切断する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記非樹脂層を、金属で形成する半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、
前記非樹脂層を、メッキによって形成する半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂層を、前記非樹脂層を覆うように形成し、
前記半導体ウエハを切断する前に、前記樹脂層の前記非樹脂層上の部分の少なくとも一部を除去することをさらに有する半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂層を、前記外部端子を覆うように形成し、
前記樹脂層の前記外部端子上の部分の少なくとも一部を除去することをさらに含む半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９を引用する請求項１０記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂層の前記非樹脂層上の部分の少なくとも一部の除去と、前記樹脂層の前記外部端子上の部分の少なくとも一部の除去と、を同時に行う半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体ウエハに絶縁層を形成し、前記絶縁層上を通るように前記再配線層を形成する半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法において、
前記非樹脂層を、前記絶縁層よりも高く形成する半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２又は請求項１３記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁層を、前記第１の領域を避けて形成する半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１から請求項１４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂層を形成する前に、前記外部端子を形成する領域を除いて前記再配線層を覆うようにソルダレジスト層を形成することをさらに含む半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、
前記ソルダレジスト層を、前記第１の領域を避けて形成する半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１から請求項１６のいずれかに記載の方法によって製造されてなる半導体装置。
【請求項１８】
請求項１７記載の半導体装置が実装された回路基板。
【請求項１９】
請求項１７記載の半導体装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】
半導体装置の高密度実装を追及すると、ベアチップ実装が理想的である。しかしながら、ベアチップは、品質の保証及び取り扱いが難しい。そこで、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ　Ｓｃａｌｅ／　Ｓｉｚｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）が適用された半導体装置が開発されている。特に近年、ウエハレベルで製造する、いわゆるウエハレベルＣＳＰが注目されている。ウエハレベルＣＳＰでは、半導体ウエハに再配線及び外部端子（例えばハンダボール）を形成し、その後、半導体ウエハをダイシングして複数の半導体装置を形成する。また、外部端子の根本補強などのために、樹脂層を設ける場合があった。その場合、半導体ウエハをダイシングするときに、樹脂層も同時にダイシングするので、ダイシングブレードに目詰まりが生じる。そのため、半導体チップの端部が欠けないようにダイシングすることが難しかった。半導体チップの端部が欠けると信頼性が低下する。
【０００３】
本発明の目的は、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関して、信頼性の低下を防ぐことにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、集積回路から配線が形成されてなる半導体ウエハに、前記配線の一部であるパッドから再配線層を形成し、前記再配線層に外部端子を形成すること、
前記半導体ウエハの第１の領域上に、樹脂以外の材料からなる非樹脂層を形成すること、
前記非樹脂層の存在によって、前記半導体ウエハの前記第１の領域を除く第２の領域上に樹脂層を形成すること、及び、
前記半導体ウエハを、前記第１の領域で切断すること、
を含む。
【０００５】
本発明によれば、切断される第１の領域には樹脂層が形成されないので、半導体ウエハの切断を良好に行うことができる。これにより、信頼性の低下を防止することができる。
【０００６】
（２）この半導体装置の製造方法において、
前記非樹脂層の形成において、前記非樹脂層は、前記樹脂層の材料とエッチングレートが異なる材料から形成してもよい。
【０００７】
（３）この半導体装置の製造方法において、
さらに、前記樹脂層の形成後であって、前記半導体ウエハの切断前に、前記非樹脂層をエッチングすることを含み、
前記非樹脂層の形成において、前記非樹脂層は、前記樹脂層の材料よりも前記非樹脂層のエッチングにおけるエッチングレートが高い材料から形成してもよい。
【０００８】
（４）この半導体装置の製造方法において、
前記非樹脂層の形成において、前記非樹脂層は、前記樹脂層よりも延展性の低い材料から形成してもよい。
【０００９】
（５）この半導体装置の製造方法において、
前記非樹脂層を除去した後に、前記半導体ウエハを切断してもよい。
【００１０】
（６）この半導体装置の製造方法において、
前記非樹脂層を除去せずに、前記非樹脂層を切断しながら、前記半導体ウエハを切断してもよい。
【００１１】
（７）この半導体装置の製造方法において、
前記非樹脂層を、金属で形成してもよい。
【００１２】
（８）この半導体装置の製造方法において、
前記非樹脂層を、メッキによって形成してもよい。
【００１３】
（９）この半導体装置の製造方法において、
前記樹脂層を、前記非樹脂層を覆うように形成し、
前記半導体ウエハを切断する前に、前記樹脂層の前記非樹脂層上の部分の少なくとも一部を除去することをさらに有してもよい。
【００１４】
これによれば、樹脂層が、第１の領域に一旦は設けられるが、それを除去してから半導体ウエハの切断を行う。
【００１５】
（１０）この半導体装置の製造方法において、
前記樹脂層を、前記外部端子を覆うように形成し、
前記樹脂層の前記外部端子上の部分の少なくとも一部を除去することをさらに含んでもよい。
【００１６】
（１１）この半導体装置の製造方法において、
前記樹脂層の前記非樹脂層上の部分の少なくとも一部の除去と、前記樹脂層の前記外部端子上の部分の少なくとも一部の除去と、を同時に行ってもよい。
【００１７】
（１２）この半導体装置の製造方法において、
前記半導体ウエハに絶縁層を形成し、前記絶縁層上を通るように前記再配線層を形成してもよい。
【００１８】
（１３）この半導体装置の製造方法において、
前記非樹脂層を、前記絶縁層よりも高く形成してもよい。
【００１９】
（１４）この半導体装置の製造方法において、
前記絶縁層を、前記第１の領域を避けて形成してもよい。
【００２０】
（１５）この半導体装置の製造方法において、
前記樹脂層を形成する前に、前記外部端子を形成する領域を除いて前記再配線層を覆うようにソルダレジスト層を形成することをさらに含んでもよい。
【００２１】
（１６）この半導体装置の製造方法において、
前記ソルダレジスト層を、前記第１の領域を避けて形成してもよい。
【００２２】
（１７）本発明に係る半導体装置は、上記方法によって製造されてなる。
【００２３】
（１８）本発明に係る回路基板には、上記半導体装置が実装されてなる。
【００２４】
（１９）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。
【００２６】
（第１の実施の形態）
図１（Ａ）〜図６は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。本実施の形態では、半導体ウエハ１０（図６参照）を使用する。半導体ウエハ１０には、図１（Ａ）に示すように、集積回路１２が形成されている。半導体ウエハ１０を複数の半導体チップに切り出す場合、半導体ウエハ１０には、複数の集積回路１２が形成され、個々の半導体チップが個々の集積回路１２を有することになる。
【００２７】
半導体ウエハ１０の表面には、１層又はそれ以上の層のパッシベーション膜１４，１６が形成されていてもよい。例えば、ＳｉＯ２又はＳｉＮ等からなるパッシベーション膜１４上に、ポリイミド樹脂等からなるパッシベーション膜１６を形成してもよい。
【００２８】
半導体ウエハ１０には、パッド１８が形成されている。パッド１８は、集積回路（例えば半導体集積回路）１２に電気的に接続された配線の一部（端部）である。パッシベーション膜１６は、パッド１８の少なくとも中央部を避けて形成されている。
【００２９】
半導体ウエハ１０には、パッシベーション膜１４，１６上に、絶縁層２０が形成されていてもよい。絶縁層２０は、複数層で形成されてもよいが、１層で形成されていてもよい。絶縁層２０は、応力緩和機能を有してもよい。絶縁層２０は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）等の樹脂で形成することができる。絶縁層２０は、第１の領域（切断領域）３２を避けて形成してもよい。
【００３０】
本実施の形態では、図１（Ａ）に示すように、半導体ウエハ１０に再配線層２２を形成する。再配線層２２は、パッド１８から形成し、絶縁層２０上を通るように形成してもよい。再配線層２２の形成は例えば次のようにして行う。半導体ウエハ１０に、一層又は複数層の導電膜２４を形成する。例えば、ＴｉＷ膜とその上のＣｕ膜によって導電膜２４を形成してもよい。導電膜２４は、スパッタリングによって形成してもよい。導電膜２４は、少なくとも再配線層２２を形成する領域に形成し、半導体ウエハ１０のパッド１８が形成された面全体に形成してもよい。続いて、導電膜２４上に、再配線層２２を形成する領域を除くように、図示しないメッキレジスト層を形成する。導電膜２４上に設けたメッキレジスト層を、フォトリソグラフィなどの工程を経てパターニングしてもよい。そして、導電膜２４を電極として電解メッキによって、導電膜２４上であってメッキレジスト層の開口領域に再配線層２２を形成することができる。あるいは、無電解メッキによって、再配線層２２を形成してもよい。
【００３１】
図１（Ｂ）に示すように、半導体ウエハ１０に非樹脂層３０を形成する。非樹脂層３０は、樹脂以外の材料（例えば、銅等の金属、ハンダ、ＳｉＯ２など）で形成する。非樹脂層３０の材料は、樹脂層２０の材料よりも延展性が低いものであってよい。これにより、半導体ウエハ１０を切断するブレード５０（図６参照）の目詰まりが生じにくくなる。また、非樹脂層３０は、樹脂層２０の材料とエッチングレートが異なる材料からなるものであってもよい。例えば、後の非樹脂層３０の除去において、非樹脂層３０をエッチングする場合には、このエッチングにおいて、非樹脂層３０は、樹脂層２０の材料よりもエッチングレートが高い材料から形成されてもよい。この場合も、後の非樹脂層３０の除去において、非樹脂層３０が半導体ウエハ１０上から除去しやすくなるため、半導体ウエハ１０を切断するブレード５０の目詰まりが生じにくくなる。非樹脂層３０は、第１の領域３２上に形成する。第１の領域３２は、半導体ウエハ１０の切断（例えばダイシング）領域であり、例えば格子状をなす領域である。絶縁層（応力緩和層）２０を形成する場合、非樹脂層３０は、絶縁層２０よりも高く形成してもよい。非樹脂層３０は、再配線層２２と接触しないように形成してもよく、再配線層２２との間に間隔をあけて形成してもよい。
【００３２】
非樹脂層３０の形成には、電解メッキを適用してもよい。例えば、半導体ウエハ１０に、第１の領域３２を避けてメッキレジスト層３４を形成し、導電膜２４を電極として電解メッキによって、メッキレジスト層３４の開口領域、すなわち第１の領域３２に非樹脂層３０を形成してもよい。あるいは、無電解メッキによって、非樹脂層３０を形成してもよい。あるいは、導電性材料（例えば金、銀、銅などの金属）の微粒子を含む溶媒の液滴を吐出して非樹脂層３０を形成してもよい。例えば、インクジェット法やバブルジェット（登録商標）法を使用してもよい。金の微粒子を含む溶媒として、真空冶金株式会社の「パーフェクトゴールド」、銀の微粒子を含む溶媒として、同社の「パーフェクトシルバー」を使用してもよい。なお、微粒子とは、特に大きさを限定したものではなく、溶媒とともに吐出できる粒子である。
【００３３】
メッキレジスト層３４を形成した場合、図１（Ｃ）に示すように、これを除去する。導電膜２４によって、再配線層２２及び非樹脂層３０が電気的に接続されている場合、図２（Ａ）に示すように、導電膜２４をパターニングする。例えば、導電膜２４を、再配線層２２及び非樹脂層３０をマスクとしてエッチングしてもよい。
【００３４】
図２（Ｂ）に示すように、ソルダレジスト層３８を形成してもよい。ソルダレジスト層３８の形成は、後述する樹脂層４０の形成前に行う。例えば、外部端子３８を形成する領域（例えばランドの少なくとも一部）を除いて、再配線層２２を覆うようにソルダレジスト層３８を形成してもよい。ソルダレジスト層３８は、第１の領域３２を避けて形成してもよい。ソルダレジスト層３８は、第１の領域３２から間隔をあけて形成してもよい。
【００３５】
図３（Ａ）に示すように、再配線層２２に外部端子３８を形成してもよい。外部端子３８は、ろう材（軟ろう又は硬ろう）によって形成してもよい。例えば、外部端子３８は、ハンダボールであってもよい。
【００３６】
図３（Ｂ）に示すように、樹脂層４０を形成する。樹脂層４０は、第１の領域（切断領域）３２を除いた第２の領域４２に形成する。本実施の形態では、樹脂層４０は、非樹脂層３０を覆うように形成する。すなわち、樹脂層４０は、一旦は、第１の領域３２にも形成する。ただし、非樹脂層３０の存在によって、第１の領域３２では、樹脂層４０は非樹脂層３０上に設けられる。樹脂層４０は、外部端子３８を覆うように形成する。外部端子３８が突出しているので、外部端子３８の上端部の上では、樹脂層４０が薄くなっている。
【００３７】
図４（Ａ）に示すように、樹脂層４０の非樹脂層３０上の部分（少なくともその一部）を除去する。その除去には、プラズマ等を用いたドライエッチングを適用してもよい。こうすることで、樹脂層４０は、第１の領域３２を除くように第２の領域４２に形成される。
【００３８】
また、樹脂層４０の外部端子３８上の部分（少なくともその一部）を除去して、外部端子３８の一部（例えば先端部）を露出させる。樹脂層４０の非樹脂層３０上の部分の除去と、樹脂層４０の外部端子３８上の部分の除去とは同時に行ってもよい。
【００３９】
こうして、外部端子３８の少なくとも根本の部分を囲むように樹脂層４０をパターニングする。これによって、熱ストレスによって外部端子３８に加えられる応力等を緩和することができる。なお、樹脂層４０は、例えばポリイミド樹脂等で形成し、その熱膨張係数（線膨張係数）は、絶縁層２０のそれよりも大きくてもよい。
【００４０】
本実施の形態では、図４（Ｂ）に示すように、非樹脂層３０を除去する。その除去には、ウエットエッチングを適用してもよい。ウエットエッチングには、過硫酸アンモニウム又は塩化第二鉄を含む溶液を使用してもよい。非樹脂層３０の下に形成されている導電膜２４も除去してもよいし残してもよい。こうすることで、切断（ダイシング）領域から非樹脂層３０が除去される。また、非樹脂層３０上からは、上述したように、すでに樹脂層４０が除去されている。なお、除去とは、完全な除去でなくてもよい。切断（ダイシング）に与える影響が小さければ、非樹脂層３０の一部が残っていてもよく、その残渣があってもよい。
【００４１】
そして、図５及び図６に示すように、半導体ウエハ１０を第１の領域３２で切断（例えばダイシング）する。切断には、ブレード５０を使用してもよい。この場合に、半導体ウエハ１０をテープ（図示しない）等に貼り付けて切断してもよい。
【００４２】
これによれば、切断領域である第１の領域３２に樹脂層４０がないので、ブレード５０に目詰まり等が生じることが少なく、半導体チップの端部の欠けを抑えることができる。したがって、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００４３】
図７は、上述した工程によって製造された半導体装置を示す図であり、図８は、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿って切った一部断面図である。半導体装置は、半導体チップ６０を有する。半導体チップ６０は、上述した半導体ウエハ１０をダイシングして得られたものである。半導体チップ６０上には、上述した工程で形成された要素が形成されている。樹脂層４０の端部は、半導体チップ６０の端部よりも内側に位置している。その他の詳細は、上述した内容から導くことができる内容なので省略する。
【００４４】
本実施の形態によれば、切断される第１の領域３２には、切断時に樹脂層４０が形成されていないので、半導体ウエハ１０の切断を良好に行うことができる。これにより、信頼性の低下を防止することができる。
【００４５】
（第２の実施の形態）
図９は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。本実施の形態では、図５に示す工程とは異なり、非樹脂層３０を除去せずに、非樹脂層３０を切断しながら、半導体ウエハ１０を切断する。非樹脂層３０は、樹脂層２０の材料よりも延展性が低いものであってよい。この場合、樹脂よりもブレード５０の目詰まり等が生じにくいので、この場合であっても、半導体ウエハ１０の切断を良好に行うことができる。その他の詳細は、第１の実施の形態で説明した通りである。
【００４６】
本実施の形態によって製造された半導体装置は、図１０に示すように、半導体チップ６０の端部に非樹脂層３０が設けられている。また、非樹脂層３０に隣接して樹脂層４０が形成されている。非樹脂層３０が導電体であれば、これを電気的に外部と接続してもよい。また、非樹脂層３０が金属等の放熱性の高い材料から形成されていれば、これによって半導体装置の放熱性を高めることができる。その他の詳細は、第１の実施の形態で説明した通りである。
【００４７】
図１１には、本実施の形態に係る半導体装置１を実装した回路基板１０００が示されている。回路基板１０００には例えばガラスエポキシ基板等の有機系基板を用いることが一般的である。回路基板１０００には例えば銅からなる配線パターンが所望の回路となるように形成されていて、それらの配線パターンと半導体装置１の外部端子３８とを機械的に接続することでそれらの電気的導通を図る。
【００４８】
そして、本発明を適用した半導体装置１を有する電子機器として、図１２にはノート型パーソナルコンピュータ２０００、図１３には携帯電話３０００が示されている。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図２】図２（Ａ）〜図２（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図３】図３（Ａ）〜図３（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図４】図４（Ａ）〜図４（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図５】図５は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図６】図６は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図７】図７は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を説明する図である。
【図８】図８は、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線で切った一部断面図である。
【図９】図９は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１０】図１０は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図１１】図１１は、本実施の形態に係る半導体装置が実装された回路基板を示す図である。
【図１２】図１２は、本実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図１３】図１３は、本実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１０　半導体ウエハ、　１２　集積回路、　１８　パッド、　２０　絶縁層
２２　再配線層、　３０　非樹脂層、　３２　第１の領域、
３６　ソルダレジスト層、　４０　樹脂層、　４２　第２の領域
６０　半導体チップ
【図１】
2004134708.tif 000003
【図２】
2004134708.tif 000004
【図３】
2004134708.tif 000005
【図４】
2004134708.tif 000006
【図５】
2004134708.tif 000007
【図６】
2004134708.tif 000008
【図７】
2004134708.tif 000009
【図８】
2004134708.tif 000010
【図９】
2004134708.tif 000011
【図１０】
2004134708.tif 000012
【図１１】
2004134708.tif 000013
【図１２】
2004134708.tif 000014
【図１３】
2004134708.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月16日(2003.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図１（Ｂ）に示すように、半導体ウエハ１０に非樹脂層３０を形成する。非樹脂層３０は、樹脂以外の材料（例えば、銅等の金属、ハンダ、ＳｉＯ２など）で形成する。非樹脂層３０の材料は、絶縁層２０の材料よりも延展性が低いものであってよい。これにより、半導体ウエハ１０を切断するブレード５０（図６参照）の目詰まりが生じにくくなる。また、非樹脂層３０は、絶縁層２０の材料とエッチングレートが異なる材料からなるものであってもよい。例えば、後の非樹脂層３０の除去において、非樹脂層３０をエッチングする場合には、このエッチングにおいて、非樹脂層３０は、絶縁層２０の材料よりもエッチングレートが高い材料から形成されてもよい。この場合も、後の非樹脂層３０の除去において、非樹脂層３０が半導体ウエハ１０上から除去しやすくなるため、半導体ウエハ１０を切断するブレード５０の目詰まりが生じにくくなる。非樹脂層３０は、第１の領域３２上に形成する。第１の領域３２は、半導体ウエハ１０の切断（例えばダイシング）領域であり、例えば格子状をなす領域である。絶縁層（応力緩和層）２０を形成する場合、非樹脂層３０は、絶縁層２０よりも高く形成してもよい。非樹脂層３０は、再配線層２２と接触しないように形成してもよく、再配線層２２との間に間隔をあけて形成してもよい。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図２（Ｂ）に示すように、ソルダレジスト層３６を形成してもよい。ソルダレジスト層３６の形成は、後述する樹脂層４０の形成前に行う。例えば、外部端子３８を形成する領域（例えばランドの少なくとも一部）を除いて、再配線層２２を覆うようにソルダレジスト層３６を形成してもよい。ソルダレジスト層３６は、第１の領域３２を避けて形成してもよい。ソルダレジスト層３６は、第１の領域３２から間隔をあけて形成してもよい。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
（第２の実施の形態）
図９は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。本実施の形態では、図５に示す工程とは異なり、非樹脂層３０を除去せずに、非樹脂層３０を切断しながら、半導体ウエハ１０を切断する。非樹脂層３０は、絶縁層２０の材料よりも延展性が低いものであってよい。この場合、樹脂よりもブレード５０の目詰まり等が生じにくいので、この場合であっても、半導体ウエハ１０の切断を良好に行うことができる。その他の詳細は、第１の実施の形態で説明した通りである。