(57)【要約】　　　（修正有）【課題】含フッ素スチレンの従来の製法である熱分解法では、アセトキシ化の際に原料として高価な酢酸銀の使用と、熱分解反応の低収率および操作の煩雑さの点で問題があり、グリニヤール法では、反応の暴走による反応制御の困難さの点から、上記の二つの方法を工業的に実施するのは適さない。【解決手段】本発明者らは、工業的に実施可能な含フッ素スチレンの新規製造法について検討したところ、原料として一般式（１）を用い、反応経路を選定することにより、上記の問題点を回避し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。2004026691.tif 000059（式中、Ｒ１は、トリフルオロメチル、Ｒ２は、水素原子、Ｒ３は、ハロゲン原子などを示す。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）で表される化合物（式中、Ｒ１はメチル基またはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ２は水素原子またはアルキル基もしくはアリール基を表し、アルキル基またはアリール基は、炭素数１〜２５の直鎖状、分岐状、または環状の基であって、フッ素原子、酸素原子、カルボニル結合を含んでもよい。Ｒ３はハロゲン原子またはアルキルスルホニル基を表す。ｎは１または２を表す。）を原料とする、以下の３工程よりなる一般式（２）で表される化合物（式中、Ｒ１、Ｒ２、ｎは一般式（１）と同じ。）の製造方法。
【化１】
2004026691.tif 000041
【化２】
2004026691.tif 000042
第一工程：一般式（１）に示した化合物を金属触媒存在下、一般式（３）で表される化合物（式中、Ｒ４は、Ｃ（ＯＨ）Ｒ５Ｒ６またはＳｉＲ７Ｒ８Ｒ９のいずれかを表す。Ｒ５〜Ｒ９は、それぞれ独立して、炭素数１〜２５のアルキル基またはアリール基（これらの官能基は、炭素原子の代わりにヘテロ原子を有してもよく、置換基を有していてもよい）を表す。また、Ｒ５、Ｒ６はフッ素化されたアルキル基を含んでも良い。）と反応させ、一般式（４）で表される化合物（式中、Ｒ１、Ｒ２、ｎは一般式（１）、Ｒ４は一般式（３）と同じ。）を製造する工程。
【化３】
2004026691.tif 000043
【化４】
2004026691.tif 000044
第二工程：第一工程で得られた一般式（４）で表される化合物を塩基と反応させ、一般式（５）で表される化合物（式中、Ｒ１、Ｒ２、ｎは一般式（１）と同じ。）を製造する工程。
【化５】
2004026691.tif 000045
第三工程：第二工程で得られた一般式（５）で表される化合物を金属触媒および、ホスフィンまたはアミン存在下、水素と反応させ、一般式（２）で表される化合物を製造する工程。
【請求項２】
請求項１記載の、一般式（１）で表される化合物から一般式（２）で表される化合物を製造する方法において、中間体として得られる一般式（６）〜（１１）のいずれかで表される化合物（一般式（６）および一般式（７）の式中、Ｍｅはメチル基を表す。）。
【化６】
2004026691.tif 000046
【化７】
2004026691.tif 000047
【化８】
2004026691.tif 000048
【化９】
2004026691.tif 000049
【化１０】
2004026691.tif 000050
【化１１】
2004026691.tif 000051
【請求項３】
一般式（１）で表される化合物（式中、Ｒ１はメチル基またはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ２は水素原子またはアルキル基もしくはアリール基を表し、アルキル基またはアリール基は、炭素数１〜２５の直鎖状、分岐状、または環状の基であって、フッ素原子、酸素原子、カルボニル結合を含んでもよい。Ｒ３はハロゲン原子またはアルキルスルホニル基を表す。ｎは１または２を表す。）を、金属触媒存在下、一般式（１２）で表される化合物（式中、Ｒ１０は水素原子、ＭｇＸ、ＳｎＲ１１Ｒ１２Ｒ１３、ＳｉＲ１４Ｒ１５Ｒ１６、またはＢ（ＯＲ１７）（ＯＲ１８）のいずれかを表す。Ｒ１１〜Ｒ１８は、それぞれ独立して、炭素数１〜２５のアルキル基またはアリール基（これらの官能基は、炭素原子の代わりにヘテロ原子を有してもよく、置換基を有していてもよい）を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。）と反応させ、一般式（２）で表される化合物（式中、Ｒ１、Ｒ２、ｎは一般式（１）と同じ。）を製造する方法。
【化１２】
2004026691.tif 000052
【化１３】
2004026691.tif 000053
【化１４】
2004026691.tif 000054
【請求項４】
一般式（１３）で表される化合物（式中、Ｒ１はメチル基またはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ２は水素原子またはアルキル基もしくはアリール基を表し、アルキル基またはアリール基は、炭素数１〜２５の直鎖状、分岐状、または環状の基であって、フッ素原子、酸素原子、カルボニル結合を含んでもよい。ｎは１または２を表す。）を塩基存在下、一般式（１４）または（１５）で表される化合物（式中、Ｒ１９は炭素数１〜２５のアルキル基またはアリール基（これらのアルキル基は、炭素原子の代わりにヘテロ原子を有してもよく、置換基を有していてもよい）を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。）と反応させ、一般式（２）で表される化合物（式中、Ｒ１はメチル基またはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ２は水素原子またはアルキル基もしくはアリール基を表し、アルキル基またはアリール基は、炭素数１〜２５の直鎖状、分岐状、または環状の基であって、フッ素原子、酸素原子、カルボニル結合を含んでもよい。ｎは１または２を表す。）を製造する方法。
【化１５】
2004026691.tif 000055
【化１６】
2004026691.tif 000056
【化１７】
2004026691.tif 000057
【化１８】
2004026691.tif 000058
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は含フッ素スチレン重合性単量体の製造方法及びそれに使用される中間体化合物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
含フッ素スチレン単量体を重合または共重合した高分子化合物は、レジスト材料として重要な化合物として知られており、例えば、Ｆｅｎｄｅｒ．Ｎｉｃｏｌｅｔｔｅ　ｅｔ　ａｌ．，　Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　ＳＰＩＥ−Ｔｈｅ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｆｏｒ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ　（２００１），４３４５，４１７−４２７等に記載されている。
【０００３】
これまでの含フッ素スチレン製造法として、４−（２−ヒドロキシヘキサフルオロ−２−プロピル）スチレンの製造法が知られており、これは、４−エチル−１−（２−ヒドロキシヘキサフルオロ−２−プロピル）ベンゼンに光照射しながら臭素と反応させ、１−（１−ブロモエチル）−４−（２−ヒドロキシヘキサフルオロ−２−プロピル）ベンゼンを製造し、これを酢酸銀と反応させ１−（１−アセトキシエチル）−４−（２−ヒドロキシヘキサフルオロ−２−プロピル）ベンゼンとし、ついで、熱分解により４−（２−ヒドロキシヘキサフルオロ−２−プロピル）スチレンを製造する方法である。
【０００４】
一方、３−ブロモスチレンと金属マグネシウムを反応させてグリニヤール試薬を調製したのちに、ヘキサフルオロアセトンを作用させ、含フッ素スチレンを製造をする方法が独国特許４２０７２６１号明細書に開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、熱分解法では、アセトキシ化の際に原料として高価な酢酸銀の使用と、熱分解反応の低収率および操作の煩雑さの点で問題があり、グリニヤール法では、反応の暴走による反応制御の困難さの点から、上記の二つの方法を工業的に実施するのは適さない。
【０００６】
つまり、上述のように、将来にわたって実施できる工業的な含フッ素スチレンの製造方法が確立されているとはいえない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、工業的に実施可能な含フッ素スチレンの新規製造法について検討したところ、原料として下記の一般式（１）を用い、反応経路を選定することにより、上記の問題点を回避し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
すなわち、本発明は、一般式（１）で表される化合物（式中、Ｒ１はメチル基またはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ２は水素原子またはアルキル基もしくはアリール基を表し、アルキル基またはアリール基は、炭素数１〜２５の直鎖状、分岐状、または環状の基であって、フッ素原子、酸素原子、カルボニル結合を含んでもよい。Ｒ３はハロゲン原子またはアルキルスルホニル基を表す。ｎは１または２を表す。）を原料とする、以下の３工程よりなる一般式（２）で表される化合物（式中、Ｒ１、Ｒ２、ｎは一般式（１）と同じ。）の製造方法である。
【０００９】
【化１９】
2004026691.tif 000002
【００１０】
【化２０】
2004026691.tif 000003
【００１１】
第一工程：一般式（１）に示した化合物を金属触媒存在下、一般式（３）で表される化合物（式中、Ｒ４は、Ｃ（ＯＨ）Ｒ５Ｒ６またはＳｉＲ７Ｒ８Ｒ９のいずれかを表す。Ｒ５〜Ｒ９は、それぞれ独立して、炭素数１〜２５のアルキル基またはアリール基（これらの官能基は、炭素原子の代わりにヘテロ原子を有してもよく、置換基を有していてもよい）を表す。また、Ｒ５、Ｒ６はフッ素化されたアルキル基を含んでも良い。）と反応させ、一般式（４）で表される化合物（式中、Ｒ１、Ｒ２、ｎは一般式（１）、Ｒ４は一般式（３）と同じ。）を製造する工程。
【００１２】
【化２１】
2004026691.tif 000004
【００１３】
【化２２】
2004026691.tif 000005
【００１４】
第二工程：第一工程で得られた一般式（４）で表される化合物を塩基と反応させ、一般式（５）で表される化合物（式中、Ｒ１、Ｒ２、ｎは一般式（１）と同じ。）を製造する工程。
【００１５】
【化２３】
2004026691.tif 000006
【００１６】
第三工程：第二工程で得られた一般式（５）で表される化合物を金属触媒および、ホスフィンまたはアミン存在下、水素と反応させ、一般式（２）で表される化合物を製造する工程。
【００１７】
また、本発明は、一般式（１）で表される化合物から一般式（２）で表される化合物を製造する方法において、中間体として得られる一般式（６）〜（１１）のいずれかで表される化合物（一般式（６）および一般式（７）の式中、Ｍｅはメチル基を表す。）を提供するものである。
【００１８】
【化２４】
2004026691.tif 000007
【００１９】
【化２５】
2004026691.tif 000008
【００２０】
【化２６】
2004026691.tif 000009
【００２１】
【化２７】
2004026691.tif 000010
【００２２】
【化２８】
2004026691.tif 000011
【００２３】
【化２９】
2004026691.tif 000012
【００２４】
一般式（１）で表される化合物（式中、Ｒ１はメチル基またはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ２は水素原子またはアルキル基もしくはアリール基を表し、アルキル基またはアリール基は、炭素数１〜２５の直鎖状、分岐状、または環状の基であって、フッ素原子、酸素原子、カルボニル結合を含んでもよい。Ｒ３はハロゲン原子またはアルキルスルホニル基を表す。ｎは１または２を表す。）を出発物質として、以下の３工程よりなる一般式（２）（式中、Ｒ１、Ｒ２、ｎは一般式（１）と同じ。）の構造を有する含フッ素スチレンの製造方法について説明する。
【００２５】
【化３０】
2004026691.tif 000013
【００２６】
【化３１】
2004026691.tif 000014
【００２７】
第一工程：一般式（１）に示した化合物を金属触媒存在下、一般式（３）で表される化合物（式中、Ｒ４は、Ｃ（ＯＨ）Ｒ５Ｒ６またはＳｉＲ７Ｒ８Ｒ９のいずれかを表す。Ｒ５〜Ｒ９は、それぞれ独立して、炭素数１〜２５のアルキル基またはアリール基（これらの官能基は、炭素原子の代わりにヘテロ原子を有してもよく、置換基を有していてもよい）を表す。また、Ｒ５、Ｒ６はフッ素化されたアルキル基を含んでも良い。）と反応させ、一般式（４）で表される化合物（式中、Ｒ１、Ｒ２、ｎは一般式（１）、Ｒ４は一般式（３）と同じ。）を製造する工程。
【００２８】
【化３２】
2004026691.tif 000015
【００２９】
【化３３】
2004026691.tif 000016
【００３０】
第二工程：第一工程で得られた一般式（４）で表される化合物を塩基と反応させ、一般式（５）で表される化合物（式中、Ｒ１、Ｒ２、ｎは一般式（１）と同じ。）を製造する工程。
【００３１】
【化３４】
2004026691.tif 000017
【００３２】
第三工程：第二工程で得られた一般式（５）で表される化合物を金属触媒および、ホスフィンまたはアミン存在下、水素と反応させ、一般式（２）で表される化合物を製造する工程。
【００３３】
以下、各工程について詳細を説明する。
【００３４】
第一工程は、一般式（１）で表される化合物を金属触媒存在下、一般式（３）で示されるアセチレン誘導体と反応させることにより、一般式（４）で表される化合物を製造する工程である。
【００３５】
Ｒ１はメチル基あるいはトリフルオロメチル基であるが、低屈折率や高透明性、特に紫外線波長領域の透明性を高めるためにＲ１がトリフルオロメチル基であることが好ましい。
【００３６】
Ｒ２は水素原子またはアルキル基もしくはアリール基を表し、アルキル基またはアリール基は、炭素数１〜２５の直鎖状、分岐状、または環状の基であって、フッ素原子、酸素原子、カルボニル結合を含んでも良く、その構造には特に制限されないが、最も簡単で高い透明性を有する水素原子が基本となる。その上で、使用目的により置換基により修飾でき、有機溶媒やアルカリ水溶液への溶解性向上、高ガラス転移点化、ハンダ耐熱性向上を狙いとした架橋反応性、光酸発生剤によるポジ型感光性やエッチング耐性などの特徴を付与させることを目的として、応用分野ごとに使い分けることが可能である。
【００３７】
Ｒ２の炭素数１〜２５の直鎖状、分岐状、または環状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、エチルヘキシル基、ノルボルネル基、アダマンチル基、アリール基としてはフェニル基、４−メトキシベンジル基などが例示できる。上記の一部または全部がフッ素原子で置換された官能基でもよく、例えば、トリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロメチルエチル基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロイソプロピル基などが挙げられる。また、酸素原子を含むものとして、メトキシメチルエーテル、メトキシエトキシメチルエーテル等の鎖状エーテル基、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等の環状エーテル基、またカルボニル基を含むものとして、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、イソバレリル基、プロピルカルボニル基、ピバロイル基、ヘキシルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ベンゾイル基などが例示でき、更に、これらの水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換されたものを使用することもできる。
【００３８】
Ｒ３はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子のハロゲン原子、トリフルオロメチルスルホニル基、メチルスルホニル基、ｐ−トリルスルホニル基、ペンタフルオロエチルスルホニル基、ノナフルオロブチルスルホニル基などのアルキルスルホニル基を表し、好ましくは臭素原子、ヨウ素原子またはトリフルオロメチルスルホニル基である。
【００３９】
Ｒ４は、Ｃ（ＯＨ）Ｒ５Ｒ６またはＳｉＲ７Ｒ８Ｒ９のいずれかを表す。Ｒ５〜Ｒ９は、それぞれ独立して、炭素数１〜２５のアルキル基またはアリール基（これらの官能基は、炭素原子の代わりにヘテロ原子を有してもよく、置換基を有していてもよい）を表す。例えば、アルキル基としてメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、アリール基としてフェニル基、４−メトキシベンジル基などが挙げられる。また、Ｒ５、Ｒ６はフッ素化されたアルキル基でも良く、それは上記アルキル基の一部あるいは全部がフッ素原子で置換されたもので、トリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロメチルエチル基、１，１，１，２，２，２−ヘキサフルオロイソプロピル基等が例示できる。また、アセチレン化合物は一般式（１）で表される化合物１モルに対して１〜１０モル、好ましくは１〜５モル、さらに好ましくは１〜３モル用いられる。
【００４０】
本反応に好適な金属触媒としては、銅錯体、鉄錯体、コバルト錯体、ニッケル錯体、ロジウム錯体、パラジウム錯体、ルテニウム錯体又は白金錯体等を挙げることができ、それらを単独あるいは組み合わせて使用できる。特にパラジウム錯体と銅錯体との組み合わせが好ましく、使用できるパラジウム錯体、銅錯体に特別な制限はないが、パラジウム錯体としては、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（Ｐｄ（ｄｂａ）２）、トリス（ジベンジリデン）（クロロホルム）ジパラジウム（Ｐｄ２（ｄｂａ）３（ＣＨＣｌ３））、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）、Ｐｄ（ＯＣＯＭｅ）２、ＰｄＣｌ２、ＰｄＢｒ２、ＰｄＣｌ２（ＰＰｈ３）２、Ｐｄ（ＯＣＯＭｅ）２（ＰＰｈ３）２、ＰｄＢｒ２（ＰＰｈ３）２、ＰｄＢｒ２（ＰＰｈ３）２、ＰｄＣｌ２（ＰＭｅ３）２、ＰｄＣｌ２［Ｐ（Ｐｈ）２ＣＨ２ＣＨ２Ｐ（Ｐｈ）２］、ＰｄＣｌ２［Ｐ（Ｐｈ）２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｐ（Ｐｈ）２］、ＰｄＣｌ２［Ｐ（Ｐｈ）２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｐ（Ｐｈ）２］、Ｐｄ２Ｂｒ４（ＰＰｈ３）２等が挙げられる。銅錯体としては１価または２価の銅塩を用いることができ、好ましくは１価の銅塩で、ヨウ化銅、臭化銅、塩化銅、シアン化銅等を例示できる。通常、パラジウム錯体と銅錯体の使用量は、一般式（１）で表される化合物１モルに対し、０．００００１モル〜０．５モル、好ましくは０．００００５〜０．１モル、より好ましくは０．０００１〜０．１モルである。０．００００１モルより少ないと反応が遅く工業的に不利となり、一方０．５モルよりも多いことは反応性の上では問題ないが経済的に不利であるので好ましくない。
【００４１】
この反応にホスフィン類を添加すると、パラジウム錯体が安定化し、反応が好ましく進行する場合が多く、ホスフィン類を添加することが好ましい。ホスフィン類としては、トリフェニルホスフィン、トリ−ｏ−トリルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（ｄｐｐｆ）、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタンなど、汎用のホスフィン化合物が例示される。ホスフィン類の添加量は前記のパラジウム錯体１モルに対し、１０モル以内とすることが好ましく、７モル以内であることがより好ましく、５モル以内であることがさらに好ましい。ホスフィン類が１０モルよりも多いと、反応速度が遅くなるだけでなく、経済的にも不利であるから好ましくない。
【００４２】
本反応の金属触媒としてパラジウム錯体と銅錯体を用いる場合、反応で発生する酸を捕捉する塩基を添加する必要があり、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、水素化ナトリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシドなどの無機塩基の他、トリエチルアミン、ジエチルアミン、ピペリジン、ピロリジン、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］−７−ウンデセンなどの有機塩基を用いることができる。好ましくは、有機塩基が用いられ、特にトリエチルアミン、ジエチルアミンが用いられる。塩基は一般式（３）の化合物１モルに対して、１〜１００モル、好ましくは１〜１０モル用いられる。
【００４３】
溶媒としては反応に関与しないものであれば特に制限はなく、例えばヘキサン、ベンゼン等の炭化水素類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類、アセトン等のアルキルケトン類、メタノール、エタノール等のアルコール類、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルリン酸トリアミド等の非プロトン性極性溶媒等が例示でき、これらを単独で又は２種以上混合して使用してもよい。また、ピリジン、トリエチルアミン、ジエチルアミン、ピペリジン、ピロリジンなどの有機塩基を溶媒として用いることもできる。
【００４４】
反応温度は特に限定されないが、通常、０℃から２００℃の範囲で反応が可能であり、好ましくは室温〜１５０℃である。反応後の処理は特に限定されないが、反応溶液を水または氷水に加えた後、有機溶媒による抽出操作で目的物を取り出す方法やフラッシュ蒸留によって目的物を取り出す方法が可能である。
【００４５】
例えば、化学式（１６）、（１７）の化合物を、金属触媒と塩基の存在下、トリメチルシリルアセチレンと反応させると、各々、化学式（６）、（７）の化合物が得られ、２−メチル−２−ヒドロキシ−３−ブチンと作用させると、各々、化学式（８）、（９）の化合物が得られる。
【００４６】
【化３５】
2004026691.tif 000018
【００４７】
【化３６】
2004026691.tif 000019
【００４８】
【化３７】
2004026691.tif 000020
【００４９】
【化３８】
2004026691.tif 000021
【００５０】
【化３９】
2004026691.tif 000022
【００５１】
【化４０】
2004026691.tif 000023
【００５２】
第二工程は、一般式（４）で表される化合物を塩基と作用させ、一般式（５）で示される化合物を製造する工程である。
【００５３】
塩基としては、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、水素化ナトリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシドなど無機塩基の他、トリエチルアミン、ジエチルアミン、ピペリジン、ピロリジン、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］−７−ウンデセンなどの有機塩基を用いることができる。好ましくは、無機塩基が用いられ、特に、炭酸ナトリウムか炭酸カリウムが用いられる。塩基は一般式（４）で表される化合物１モルに対して３〜１０モル、好ましくは３〜５モル用いられる。
【００５４】
溶媒としては反応に関与しないものであれば特に制限はなく、例えばヘキサン、ベンゼン等の炭化水素類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類、アセトン等のアルキルケトン類、メタノール、エタノール等のアルコール類、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルリン酸トリアミド等の非プロトン性極性溶媒等が例示でき、好ましくはアルコール系溶媒が用いられる。
【００５５】
反応温度は特に限定されないが、通常、０℃から１００℃の範囲で反応が可能であり、好ましくは２０〜８０℃、さらに好ましくは２０〜５０℃である。反応後の処理は特に限定されないが、反応溶液を水または氷水に加えた後、有機溶媒による抽出操作で目的物を取り出す方法やフラッシュ蒸留によって目的物を取り出す方法が可能である。
【００５６】
例えば、第一工程より得られる化学式（６）、（８）を塩基と作用させると化学式（１０）の化合物が得られ、第一工程より得られる化学式（７）、（９）の化合物を塩基と作用させると、化学式（１１）の化合物が得られる。
【００５７】
【化４１】
2004026691.tif 000024
【００５８】
【化４２】
2004026691.tif 000025
【００５９】
第三工程は、一般式（５）で表される化合物（式中、Ｒ１、Ｒ２、ｎは一般式（１）と同じ。）を金属触媒および、ホスフィンまたはアミン存在下、水素と反応させ、一般式（２）で表される化合物を製造する工程。
【００６０】
本反応の金属触媒としては、通常この分野で使用されるものであれば特に限定はなく、例えばパラジウム−炭素、パラジウム−アルミナ、パラジウム−アスベスト、パラジウム−炭酸バリウム、パラジウム−硫酸バリウム、パラジウム黒、パラジウム−炭酸カルシウム等のパラジウム系触媒、白金−炭素、白金黒、白金−炭酸等の白金系触媒、ロジウム系触媒、ルテニウム系触媒、およびラネーニッケル等のニッケル系触媒が挙げられ、特にパラジウム系触媒のなかのパラジウム−硫酸バリウムやパラジウム−炭酸カルシウムが好ましく、触媒量は一般式（３）で表される化合物に対して０．１〜１０重量％の範囲が好ましい。
【００６１】
本反応の選択率を向上させる、つまり過還元体の生成比を低下させる目的でホスフィンやアミンを添加する必要がある。ホスフィンとしてはトリフェニルホスフィンやトリブチルホスフィンなどを、アミンとしてキノリンやジエチルアミン等を例示でき、ホスフィンやアミンの添加量は、使用する触媒に対して０〜５０重量％の範囲で使用される。
【００６２】
水素圧は常圧〜１００気圧、好ましくは常圧〜１０気圧であり、反応温度は０℃〜１００　℃、好ましくは室温〜５０℃である。本反応は気液反応であり、気液の接触効率は反応速度に大きな影響を与えるのでこの目的のために工夫された装置を用いるのが好ましく、たとえば十分な攪拌を行うことが好ましい。反応溶媒としては、通常この分野で使用されるものであれば特に限定はなく、例えばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール等のアルコール系溶媒、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒、トルエン、およびベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒が挙げられる。
【００６３】
本発明はまた、一般式（１）で表される化合物を、金属触媒存在下、一般式（１２）で表される化合物（式中、Ｒ１０は水素原子、ＭｇＸ、ＳｎＲ１１Ｒ１２Ｒ１３、ＳｉＲ１４Ｒ１５Ｒ１６、またはＢ（ＯＲ１７）（ＯＲ１８）のいずれかを表す。Ｒ１１〜Ｒ１８は、それぞれ独立して、炭素数１〜２５のアルキル基またはアリール基（これらの官能基は、炭素原子の代わりにヘテロ原子を有してもよく、置換基を有していてもよい）を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。）と反応させ、一般式（２）で表される化合物を得る製造方法も提供するものである。
【００６４】
【化４３】
2004026691.tif 000026
【００６５】
【化４４】
2004026691.tif 000027
【００６６】
【化４５】
2004026691.tif 000028
【００６７】
Ｒ３はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子のハロゲン原子あるいはトリフルロメチルスルホニル基、メチルスルホニル基、ｐ−トリルスルホニル基、ペンタフルオロエチルスルホニル基、ノナフルオロブチルスルホニル基などのアルキルスルホニル基を表し、好ましくは臭素原子、ヨウ素原子またはトリフルロメチルスルホニル基である。
【００６８】
Ｒ１０は水素原子、ＭｇＸ、ＳｎＲ１１Ｒ１２Ｒ１３、ＳｉＲ１４Ｒ１５Ｒ１６、またはＢ（ＯＲ１７）（ＯＲ１８）のいずれかを表す。Ｒ１１〜Ｒ１８は、それぞれ独立して、炭素数１〜２５のアルキル基またはアリール基（これらの官能基は、炭素原子の代わりにヘテロ原子を有してもよく、置換基を有していてもよい）を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。例えば、アルキル基としてメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、アリール基としてフェニル基、４−メトキシベンジル基などが挙げられる。また、一般式（１２）のビニル化合物は一般式（１）の化合物１モルに対して１〜１０モル、好ましくは１〜５モル、さらに好ましくは１〜３モル用いられる。
【００６９】
本反応に好適な金属触媒としては、鉄錯体、コバルト錯体、ニッケル錯体、ロジウム錯体、パラジウム錯体、ルテニウム錯体又は白金錯体を挙げることができ、特にパラジウム錯体やニッケル錯体が好ましい。使用できるパラジウム錯体、ニッケル錯体に特別な制限はないが、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（Ｐｄ（ｄｂａ）２）、トリス（ジベンジリデン）（クロロホルム）ジパラジウム（Ｐｄ２（ｄｂａ）３（ＣＨＣｌ３））、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）、Ｐｄ（ＯＣＯＭｅ）２、ＰｄＣｌ２、ＰｄＢｒ２、ＰｄＣｌ２（ＰＰｈ３）２、Ｐｄ（ＯＣＯＭｅ）２（ＰＰｈ３）２、ＰｄＢｒ２（ＰＰｈ３）２、ＰｄＢｒ２（ＰＰｈ３）２、ＰｄＣｌ２（ＰＭｅ３）２、ＰｄＣｌ２［Ｐ（Ｐｈ）２ＣＨ２ＣＨ２Ｐ（Ｐｈ）２］、ＰｄＣｌ２［Ｐ（Ｐｈ）２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｐ（Ｐｈ）２］、ＰｄＣｌ２［Ｐ（Ｐｈ）２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｐ（Ｐｈ）２］、Ｐｄ２Ｂｒ４（ＰＰｈ３）２や、ＮｉＣｌ２、ＮｉＢｒ２、ＮｉＣｌ２（ＰＰｈ３）２、ＮｉＢｒ２（ＰＰｈ３）２、ＮｉＣｌ２［Ｐ（Ｐｈ）２ＣＨ２ＣＨ２Ｐ（Ｐｈ）２］、ＮｉＣｌ２［Ｐ（Ｐｈ）２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｐ（Ｐｈ）２］などが例示できる。通常、パラジウム、ニッケル錯体の使用量は、一般式（１）の化合物１モルに対し、０．００１モル〜０．１モル、好ましくは０．００５〜０．１モル、より好ましくは０．０１〜０．１モルである。０．０００１モルより少ないと反応が遅く工業的に不利となり、一方０．１モルよりも多いことは反応性の上では問題ないが経済的に不利であるので好ましくない。
【００７０】
この反応にホスフィン類を添加すると、金属錯体が安定化し、反応が好ましく進行する場合が多く、ホスフィン類を添加することが好ましい。ホスフィン類としては、トリフェニルホスフィン、トリ−ｏ−トリルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（ｄｐｐｆ）、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタンなど、汎用のホスフィン化合物が例示される。ホスフィン類の添加量は前記の金属錯体１モルに対し、１０モル以内とすることが好ましく、７モル以内であることがより好ましく、５モル以内であることがさらに好ましい。ホスフィン類が１０モルよりも多いと、反応速度が遅くなるだけでなく、経済的にも不利であるから好ましくない。
【００７１】
溶媒としては反応に関与しないものであれば特に制限はなく、例えばヘキサン、ベンゼン等の炭化水素類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類、アセトン等のアルキルケトン類、メタノール、エタノール等のアルコール類、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルリン酸トリアミド等の非プロトン性極性溶媒等が例示できる。また、グリニヤール試薬を用いる場合、グリニヤール試薬を安定化する目的でエーテル系溶媒の使用が好ましい。
【００７２】
本工程において、Ｒ１０が水素原子やＢ（ＯＲ１７）（ＯＲ１８）である場合には塩基を系内に共存させる必要がある。塩基としては、酢酸カリウム、酢酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどの無機塩基、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリ−ｏ−オクチルアミン、トリアリルアミン、ピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリンなどの有機塩基を挙げることができるが、これらに限られない。塩基の使用量は、式（１２）の化合物１モルに対し、１〜１０モル、好ましくは１〜５モル、さらに好ましくは１〜３モルである。１モルよりも少ない場合には反応が十分に進行せず、収率低下の原因となり、１０モルより多いと、目的物の収量にほとんど変化はなく、未反応の塩基が系内に残るだけで経済的に不利になるから好ましくない。
【００７３】
本工程において、Ｒ１０がＳｉＲ１４Ｒ１５Ｒ１６である場合には求核反応剤を系内に共存させる必要がある。求核反応剤としては、トリス（ジエチルアミノ）スルホニウムジフルオロトリメチルシリカート、トリス（ジメチルアミノ）スルホニウムジフルオロトリメチルシリカート、トリス（ジメチルアミノ）スルホニウムビフルオリド、テトラブチルアンモニウムフルオリド，テトラブチルアンモニウムビフルオリド、ベンジルトリメチルアンモニウムフルオリドなどのフッ化オニウム塩、フッ化セシウム、フッ化カリウム、フッ化ナトリウムなどの金属フッ化物、トリエチルアミン、ジエチルアミン、エチルアミン、トリプロピルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジイソプロピルアミン、エチルジイソプロピルアミン、モルホリン、ピリジン、アニリンなどのアミン類を単独または混合して用いることができる。フッ化物イオン剤およびアミンの使用量は一般式（１２）で表される化合物に対し、触媒量ないし過剰量の範囲で使用することができる。
【００７４】
反応は空気中で行ってもよいが、パラジウム錯体やホスフィン類の劣化を防ぐために、不活性ガス（窒素、ヘリウム、アルゴンなど）の存在下で行った方がよい。反応温度は０℃〜２００℃が好ましく、２５℃〜１５０℃が特に好ましい。反応時間は典型的には１〜５０時間であるが、原料基質や条件によっても異なるので、ガスクロマトグラフィーやＮＭＲなどで反応進行状況を確認しつつ、反応を行うことが好ましい。反応後の処理は特に限定されないが、反応溶液を水または氷水に加えた後、有機溶媒による抽出操作で目的物を取り出す方法やフラッシュ蒸留によって目的物を取り出す方法が可能である。
【００７５】
本発明はまた、一般式（１３）で表される化合物（式中、Ｒ１、Ｒ２、ｎは一般式（１）と同じ。）を塩基存在下、一般式（１４）あるいは（１５）で表される化合物（式中、Ｒ１９は炭素数１〜２５のアルキル基またはアリール基（これらの官能基は、炭素原子の代わりにヘテロ原子を有してもよく、置換基を有していてもよい）で、Ｘはハロゲン原子を表す。）と反応させ、一般式（２）で表される化合物を得る製造方法も提供するものである。
【００７６】
【化４６】
2004026691.tif 000029
【００７７】
【化４７】
2004026691.tif 000030
【００７８】
【化４８】
2004026691.tif 000031
【００７９】
【化４９】
2004026691.tif 000032
【００８０】
この反応はまず、一般式（１４）又は（１５）の化合物を適当な溶媒中で塩基と処理することにより、カルボアニオンを発生させることから始まり、次にこのカルボアニオンを一般式（１３）の化合物と縮合することにより完結する。
【００８１】
Ｒ１９としては、炭素数１〜２５のアルキル基またはアリール基（これらの官能基は、炭素原子の代わりにヘテロ原子を有してもよく、置換基を有していてもよい）を表すが、例えば、アルキル基としてメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、アリール基としてフェニル基、４−メトキシベンジル基などが挙げられる。また、一般式（１４）や（１５）は、一般式（１）で表される化合物１モルに対して１〜１０モル、好ましくは１〜５モル、さらに好ましくは１〜３モル用いられる。
【００８２】
塩基と溶媒の組み合わせとしては、水酸化ナトリウム／水、炭酸ナトリウム／水、炭酸カリウム／水、ナトリウムエトキシド／エタノール又はジメチルホルムアミド、ナトリウムメトキシド／メタノール−ジエチルエーテル混合溶媒又はジメチルホルムアミド、トリエチルアミン／エタノール又はジグライム又はクロロホルム又はニトロメタン、ピリジン／塩化メチレン又はニトロメタン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］　ノン−５−エン／ジメチルスルホキシド、カリウムｔ−ブトキシド／ジメチルスルホキシド又はテトラヒドロフラン又はベンゼン又はジメチルホルムアミド、フェニルリチウム／ジエチルエーテル又はテトラヒドロフラン、ナトリウムアミド／アンモニア、水素化ナトリウム／ジメチルホルムアミド又はテトラヒドロフラン等を例示できる。
【００８３】
反応温度は特に限定されないが、通常、−５０℃から１００℃の範囲で反応が可能であり、好ましくは−３０〜８０℃、さらに好ましくは０〜５０℃である。反応後の処理は特に限定されないが、反応溶液を水または氷水に加えた後、有機溶媒による抽出操作で目的物を取り出す方法やフラッシュ蒸留によって目的物を取り出す方法が可能である。
【００８４】
【実施例】
次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
【００８５】
「実施例１」　下記スキームの方法による化学式（１８）に表される化合物（４−ＨＦＡ−ＳＴ）の製造方法。
【００８６】
【化５０】
2004026691.tif 000033
【００８７】
第一工程：トリメチルシリルアセチレン化
還流冷却管と攪拌子を備えた３口フラスコに、窒素雰囲気下、酢酸パラジウム（０．１５ｇ、０．６７ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（０．７４ｇ、２．８２ｍｍｏｌ）とヨウ化第一銅（０．１５ｇ、０．７９ｍｍｏｌ）を加える。化学式（１６）に示す化合物（２１．７ｇ、６７．２ｍｍｏｌ）のトリエチルアミン（５０ｍＬ）溶液、トリメチルシリルアセチレン（７．２６ｇ、７３．９ｍｏｌ）のトリエチルアミン（１０ｍＬ）溶液を順に加えた後、１００℃のオイルバスで加熱した。反応終了後は減圧濾過にて触媒を除去し、濾液はエバポレーターで濃縮した。濃縮液を分液ロートに移し、塩酸を加えた。水層をヘキサンで数回抽出したのち、あわせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した。有機層に硫酸マグネシウムを添加して乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを取り除き、減圧蒸留して化学式（６）に示す化合物（１７．１ｇ、７５％）を得た。
沸点：　８４〜８７℃／２ｍｍＨｇ
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、ＴＭＳ）：０．０７（９Ｈ、ｓ）、３．２３（１Ｈ、ｂｒｓ）、７．３５（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ）、７．４６（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ）
第二工程：脱トリメチルシリル化
滴下ロート、攪拌子を備えた三口フラスコに、炭酸カリウム（５．６ｇ、４０．５ｍｍｏｌ）とメタノール（１５ｍＬ）を加える。氷冷下、第一工程で得られた化学式（６）で示される化合物（１１．６ｇ、３４．１ｍｏｌ）のメタノール（１５ｍＬ）溶液を滴下した後、室温で攪拌する。反応後、濾過により炭酸カルシウムを除去し、濾液はエバポレーターで濃縮した。残査を分液ロートに移し塩酸を加えた。水層をヘキサンで抽出し、あわせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した。有機層に硫酸マグネシウムを添加して乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを取り除き、減圧蒸留して化学式（１０）に示す化合物（７．４ｇ、８１％）を得た。
沸点：　６８〜６９℃／７ｍｍＨｇ
１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、ＣＤＣｌ３）：３．１６（１Ｈ、ｓ）、３．４８（１Ｈ、ｓ）、７．５７（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ）、７．６８（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ）
第三工程：部分還元反応
窒素下、攪拌子を備えた三口フラスコにＬｉｎｄｌａｒ触媒（０．５ｇ）、トリフェニルホスフィン（２．５ｇ）を入れる。第二工程で得られた化学式（１０）に示す化合物（５０ｇ、０．１９ｍｏｌ）のメタノール（３５０ｍＬ）溶液を加えた後、水素を導入しながら室温で攪拌する。反応後、濾過により触媒を除去し、濾液はエバポレーターで濃縮し、減圧蒸留して化学式（１８）に示す化合物（４３．１ｇ、８６％）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、ＣＤＣｌ３）：３．４４（１Ｈ、ｓ）５．３３（１Ｈ、ｄ、Ｊ＝１０．８Ｈｚ）、５．８１（１Ｈ、ｄ、Ｊ＝１７．６Ｈｚ）、６．７２（１Ｈ、ｄｄ、Ｊ＝１７．６、１０．８Ｈｚ）、７．４６（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ）、７．６８（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ）
「実施例２」　下記スキームの方法による化学式（１９）に示す化合物（３，５−ＨＦＡ−ＳＴ）の製造方法。
【００８８】
【化５１】
2004026691.tif 000034
【００８９】
トリメチルシリルアセチレン化
還流冷却管と攪拌子を備えた３口フラスコに、窒素雰囲気下、酢酸パラジウム（１．１５ｇ、５．１２ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（５．６３ｇ、２１．５ｍｍｏｌ）とヨウ化第一銅（１．１５ｇ、６．０４ｍｏｌ）を加える。化学式（１７）に示す化合物（２５０ｇ、０．５１ｍｏｌ）のトリエチルアミン（２Ｌ）溶液、トリメチルシリルアセチレン（５５．９ｇ、０．５７ｍｏｌ）のトリエチルアミン（５００ｍＬ）溶液を順に加えた後、１００℃のオイルバスで加熱した。反応終了後は減圧濾過にて触媒を除去し、濾液はエバポレーターで濃縮した。濃縮液を分液ロートに移し、塩酸を加えた。水層をエーテルで数回抽出したのち、あわせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した。有機層に硫酸マグネシウムを添加して乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを取り除き、減圧蒸留して化学式（７）に示す化合物（２０４ｇ、７９％）を得た。
沸点：　２００℃／２２０Ｐａ
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、ＴＭＳ）：０．２８（９Ｈ、ｓ）、３．６５（２Ｈ、ｓ）、７．９２（２Ｈ、ｓ）、８．０４（１Ｈ、ｓ）
脱トリメチルシリル化
滴下ロート、攪拌子を備えた三口フラスコに、炭酸カリウム（１２２．６ｇ、ｍｏｌ）とメタノール（１１３ｍｌ）を加える。氷冷下、化学式（７）で示される化合物（２０４ｇ、０．４ｍｏｌ）のメタノール（５００ｍｌ）溶液を滴下した後、室温で攪拌する。反応後、濾過により炭酸カルシウムを除去し、濾液はエバポレーターで濃縮した。残査を分液ロートに移し塩酸を加えた。水層をエーテルで抽出し、あわせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した。有機層に硫酸マグネシウムを添加して乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを取り除き、減圧蒸留して化学式（１０）に示す化合物（１４４ｇ、８２％）を得た。
沸点：　７８〜７９℃／１８５Ｐａ
１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、ＣＤＣｌ３）：３．２０（１Ｈ、ｓ）、３．６２（２Ｈ、ｓ）、７．９６（２Ｈ、ｓ）、８．０９（１Ｈ、ｓ）
メチルヒドロキシブチニル化
還流冷却管と攪拌子を備えた３口フラスコに、窒素雰囲気下、酢酸パラジウム（０．１７ｇ、０．７４ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（０．８２ｇ、３．１ｍｍｏｌ）とヨウ化第一銅（０．１７ｇ、０．８８ｍｍｏｌ）を加える。化学式（１７）に示す化合物（３６．３ｇ、７４．２ｍｍｏｌ）のトリエチルアミン（２００ｍｌ）溶液、メチルヒドロキシブチン（７．４９ｇ、８９．０ｍｍｏｌ）のトリエチルアミン（１６３ｍｌ）溶液を順に加えた後、１００℃のオイルバスで加熱した。反応終了後は減圧濾過にて触媒を除去し、濾液はエバポレーターで濃縮した。濃縮液を分液ロートに移し、塩酸を加えた。水層をエーテルで数回抽出したのち、あわせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した。有機層に硫酸マグネシウムを添加して乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを取り除き、減圧で溶媒を留去して化学式（８）に示す化合物（３１．４ｇ、８６％）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、ＴＭＳ）：１．４３（６Ｈ、ｓ）、２．７８（３Ｈ、ｂｒｓ）、７．８０（２Ｈ、ｓ）、８．０６（１Ｈ、ｓ）
脱離反応
滴下ロート、攪拌子を備えた三口フラスコに、水酸化ナトリウム（１５ｇ、０．３８ｍｏｌ）、化学式（８）で示される化合物（３７．１ｇ、７５．５ｍｍｏｌ）のイソプロパノール（３００ｍＬ）溶液を還流する。反応後、残査を分液ロートに移し塩酸を加えた。水層をエーテルで抽出し、あわせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した。有機層に硫酸マグネシウムを添加して乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを取り除き、減圧蒸留して化学式（１０）に示す化合物（２３．３ｇ、７１％）を得た。
【００９０】
部分還元反応
窒素下、攪拌子を備えた三口フラスコにＬｉｎｄｌａｒ触媒（０．１２ｇ）、キノリン（１．２ｇ）を入れる。化学式（１０）に示す化合物（１２０ｇ、０．２８ｍｏｌ）のメタノール（８４０ｍｌ）溶液を加えた後、水素を導入しながら室温で攪拌する。反応後、濾過により触媒を除去し、濾液はエバポレーターで濃縮した。残査を分液ロートに移し塩酸を加えた。水層をｔｅｒｔ−ブチルエーテルで抽出し、あわせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した。有機層に硫酸マグネシウムを添加して乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを取り除き、減圧蒸留して化学式（１９）に示す化合物（１００ｇ、８３％）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、ＣＤＣｌ３）：３．５６（１Ｈ、ｓ）、５．４０（１Ｈ、ｄ、Ｊ＝１１．２Ｈｚ）、５．８５（１Ｈ、ｄ、Ｊ＝１７．６Ｈｚ）、６．７６（１Ｈ、ｄｄ、Ｊ＝１７．６、１１．２Ｈｚ）、７．８４（２Ｈ、ｓ）、７．９６（１Ｈ、ｓ）
「実施例３」　下記スキームの方法による化学式（１８）に示す化合物（４−ＨＦＡ−ＳＴ）の製造。
【００９１】
【化５２】
2004026691.tif 000035
【００９２】
化学式（１６）で示される化合物（３２．３ｇ、０．１ｍｏｌ）、酢酸パラジウム（０．１１ｇ、０．５ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（１２．２ｇ、０．１２ｍｏｌ）とＴＨＦ（１００ｍｌ）をオートクレーブに入れる。オートクレーブを閉じ、５０ｂａｒまでエチレンを充填した後、１２０℃でオイルバスを加熱する。反応終了後は反応液を分液ロートに移し、塩酸を加えた。水層をヘキサンで数回抽出したのち、あわせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した。有機層に硫酸マグネシウムを添加して乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを取り除き、減圧蒸留すると式（１８）に示す化合物（１１．８ｇ、４３．７％）が得られた。
【００９３】
「実施例４」　下記スキームの方法による化学式（１８）に示す化合物（４−ＨＦＡ−ＳＴ）の製造。
【００９４】
【化５３】
2004026691.tif 000036
【００９５】
アルゴン雰囲気下、ビニルマグネシウムブロミド（１４．４ｇ、０．１１ｍｏｌ）のＴＨＦ（１１０ｍｌ）溶液を、化学式（１６）で示される化合物（３２．３ｇ、０．１ｍｏｌ）とビス（トリフェニルホスフィン）ニッケルクロリド（０．６５ｇ、１ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（２４０ｍｌ）溶液に、０℃で加え、２５℃で攪拌した。反応終了後は反応液を分液ロートに移し、塩酸を加えた。水層をヘキサンで数回抽出したのち、あわせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した。有機層に硫酸マグネシウムを添加して乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを取り除き、減圧蒸留すると化学式（１８）に示す化合物（１７．３ｇ、６５％）が得られた。
【００９６】
「実施例５」　下記スキームの方法による化学式（１８）に示す化合物（４−ＨＦＡ−ＳＴ）の製造。
【００９７】
【化５４】
2004026691.tif 000037
【００９８】
アルゴン雰囲気下、化学式（１６）で示される化合物（６４．６ｇ、０．２ｍｏｌ）とテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（２．３１ｇ、２ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液（２００ｍｌ）にトリメチルビニルシラン（３０．１ｇ、０．３ｍｏｌ）とフッ化テトラブチルアンモニウム（６１．３ｇ、０．３ｍｏｌ）のＴＨＦ（３００ｍｌ）溶液を加え、室温下、３０分攪拌した後、封管中、８０℃で反応させた。反応終了後、室温に冷却し、溶媒を留去し得られた粗生成物を分液ロートに移し、塩酸を加えた。水層をヘキサンで数回抽出したのち、あわせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した。有機層に硫酸マグネシウムを添加して乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを取り除き、減圧蒸留すると化学式（１８）に示す化合物（２６．４ｇ、４９％）が得られた。
【００９９】
「実施例６」　下記スキームの方法による化学式（１８）に示す化合物（４−ＨＦＡ−ＳＴ）の製造。
【０１００】
【化５５】
2004026691.tif 000038
【０１０１】
アルゴン雰囲気下、化学式（１６）で示される化合物（６４．６ｇ、０．２ｍｏｌ）と酢酸パラジウム（２．２４ｇ、１０ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液（２００ｍＬ）に、トリブチルビニルスズ（９５．１ｇ、０．３ｍｏｌ）を加え、室温下、攪拌する。反応終了後、反応液を分液ロートに移し塩酸を加えた。水層をヘキサンで数回抽出したのち、あわせた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した。有機層に硫酸マグネシウムを添加して乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを取り除き、減圧蒸留すると化学式（１８）に示す化合物（３０．２ｇ、５６％）が得られた。
【０１０２】
「実施例７」　下記スキームの方法による化学式（１６）に示す化合物（４−ＨＦＡ−ＳＴ）の製造。
【０１０３】
【化５６】
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【０１０４】
還流冷却器、温度計、滴下ロートおよび攪拌機を備えた４口フラスコを窒素置換し、化学式（１６）で示される化合物（３２．３ｇ、０．１ｍｏｌ）とビニルボロン酸イソプロピルエステル（１８．７ｇ、０．１２ｍｏｌ）のＴＨＦ（２００ｍｌ）溶液を加えた。これに酢酸パラジウム（０．２４ｇ、１ｍｍｏｌ）、水酸化バリウム８水和物（６３．１ｇ、０．２ｍｏｌ）と水（１０ｇ）を順に加えた。これらの混合物を還流温度で攪拌し、反応終了後に反応液を室温に冷却し、ヘキサンおよび水を加えて分液した。有機層を水で２回洗浄し減圧条件で溶媒を留去した。得られた粗生成物にＴＨＦ（２００ｍｌ）と７５％硫酸水（１０．３ｇ）を加え、２０〜３０℃で攪拌した。反応後、水およびヘキサンを加えて分液し、得られた有機層を水、飽和食塩水で洗浄した。有機層に硫酸マグネシウムを添加して乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを取り除き、減圧蒸留すると化学式（１８）に示す化合物（１６．４ｇ、６１％）が得られた。
【０１０５】
「実施例８」　下記スキームの方法による化学式（１８）に示す化合物（４−ＨＦＡ−ＳＴ）の製造。
【０１０６】
【化５７】
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【０１０７】
アルゴン雰囲気下、トリフェニルメチル臭化ホスホニウム（１３２．３ｇ、０．１５ｍｏｌ）をトルエン（２００ｍｌ）に分散させた。懸濁液にｔｅｒｔ−ブチル化カリウム（２０．２ｇ、０．１８ｍｏｌ）のＴＨＦ（１８０ｍｌ）溶液を滴下し、室温で攪拌した。白色懸濁液が黄色を呈したら、反応液を−１０℃まで冷却した。化学式（２０）に示す化合物（３２．６ｇ、０．１２ｍｏｌ）のＴＨＦ（１００ｍｌ）溶液を滴下し、−１０℃で攪拌した後、１Ｎ塩酸を加え、室温で攪拌すると２相に分かれた。水層をヘキサンで２回抽出し、有機相を炭酸水素ナトリウム、水と飽和食塩水で洗浄した。有機層に硫酸マグネシウムを添加して乾燥し、濾過により硫酸マグネシウムを取り除き、減圧蒸留すると化学式（１８）に示す化合物（１０．１ｇ、３１％）が得られた。