(57)【要約】【課題】液晶装置等の電気光学装置において、容量線の時定数の低減を図ることでクロストーク等の画質の不具合を防止する。【解決手段】電気光学装置は、素子基板上に、複数の画素電極（９ａ）と、複数の画素電極に画像信号を供給するための複数の信号線及び電子素子と、複数の画素電極に接続された蓄積容量（７０）を構成する容量線（３００）と、素子基板及び対向基板間に配置された上下導通材（１０６）を介して対向電極に対して所定電位を供給する対向電極電位線（５０３）とを備え、素子基板上には、対向電極電位線と容量線との間に配線間容量（５０１）が構築されている【選択図】  図３
2004361488.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の素子基板及び対向基板間に電気光学物質が挟持されてなり、
前記対向基板上に、所定電位とされる対向電極を備え、
前記素子基板上に、前記対向電極に対向配置される複数の画素電極と、該複数の画素電極に画像信号を供給するための複数の信号線及び電子素子と、前記複数の画素電極に接続された蓄積容量を構成する容量線と、前記素子基板及び前記対向基板間に配置された上下導通材を介して前記対向電極に対して前記所定電位を供給する対向電極電位線とを備え、
前記素子基板上で、前記対向電極電位線と前記容量線との間に配線間容量が構築されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記配線間容量は、前記対向電極電位線の一部からなる又は前記対向電極電位線から延設されてなる若しくは前記対向電極電位線に接続された第１導電層と、前記容量線の一部からなる又は前記容量線から延設されてなる若しくは前記容量線に接続された第２導電層とが、前記素子基板上で誘電体膜を介して対向配置されてなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記対向電極電位線と前記第１導電層とは、一のコンタクトホールを介して接続されており、
前記容量線と前記第２導電層とは、他のコンタクトホールを介して接続されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記蓄積容量を構成する画素電位側容量電極及び固定電位側容量電極のうち少なくとも一方は、前記第１導電層又は前記第２導電層と同一層から構成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記配線間容量と前記蓄積容量とは、その製造時に同一工程で同時形成されてなる同一積層構造を有することを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記対向電極電位線と前記容量線とは、その製造時に同一工程で同時形成されてなる同一導線層からなることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記素子基板上には、前記複数の画素電極が配置された画像表示領域が規定され且つ該画像表示領域の周辺に周辺領域が規定されており、前記配線間容量は少なくとも部分的に、前記周辺領域内に配置されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記配線間容量は、前記周辺領域のうち前記対向基板に対向する領域内に配置されていることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記素子基板及び前記対向基板は、前記周辺領域においてそれらの縁に沿ってシール材により貼り合わされており、
前記配線間容量は少なくとも部分的に、前記周辺領域のうち前記シール材が存在するシール領域内に配置されていることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記素子基板上に、前記素子基板及び前記対向基板間の基板間ギャップを所定値に保つための複数のダミーパターンを更に備え、
前記配線間容量は、前記素子基板上で平面的に見て前記複数のダミーパターンの間隙に対応して複数に分断されている又は櫛歯状に設けられていることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記周辺領域のうち前記素子基板の一辺又は複数辺に沿った領域内に、前記複数の信号線を駆動する周辺駆動回路が配置されており、
前記配線間容量は少なくとも部分的に、前記周辺領域のうち前記一辺又は複数辺とは異なる他の辺に沿った領域内に配置されていることを特徴とする請求項７から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記周辺領域のうち前記素子基板の一辺に沿った領域内に、前記対向電極電位線用の端子を含む複数の外部回路接続端子が配置されており、
前記配線間容量は少なくとも部分的に、前記周辺領域のうち前記一辺に対向する他の辺に沿った領域内に配置されていることを特徴とする請求項７から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
前記複数の信号線は、前記画像信号が供給される複数のデータ線と、該複数のデータ線に交差すると共に走査信号が供給される複数の走査線とを含み、
前記電子素子は、前記走査信号の供給に応じて、前記画像信号を前記データ線から前記画素電極に供給する画素スイッチング用の薄膜トランジスタを含むことを特徴とする請求項７から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１４】
前記配線間容量の容量値は、前記複数のデータ線の合計容量値以上であることを特徴とする請求項１３に記載の電気光学装置。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置及び該電気光学装置を備えてなる例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に属する。
【０００２】
【背景技術】
この種の液晶装置等では、例えば素子基板及び対向基板間に液晶が挟持されてなる。素子基板上に、画素電極及び該画素電極の各々に接続された薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下適宜、「ＴＦＴ」という。）を備え、更に該ＴＦＴの各々に接続された走査線及びデータ線等の信号線を備える。他方、対向電極上に、画素電極に対向配置された対向電極を備える。その動作時には、対向電極に対して対向電極電位が供給される。係る対向電極電位の供給は、素子基板に設けられた対向電極電位線から、両基板間に設けられた上下導通材を介して行われるのが通常である。このような対向電極電位の供給と並行して、各ＴＦＴを介して画素電極に対して画像信号として画像信号電位が供給される。そして、これらの電極間に印加される液晶駆動電圧によって、アクティブマトリクス駆動方式による液晶駆動が行われる。
【０００３】
他方、この種の液晶装置においては、より高品質な画像を表示すべく、各画素電極に対して、電荷保持特性を向上させるために液晶容量と並列に蓄積容量が設けられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
この種の電気光学装置においては、より明るい画像を表示すべく、各種信号線や蓄積容量の基板上に占める面積をより小さくし、各画素において実際に画像表示に寄与する光が透過又は反射により出射する領域たる光透過領域をより大きくして、各画素の開口率を向上させることが一般的に望まれている。加えて、表示画像の精細度を高めるべく駆動周波数を向上させることや、省電力化も一般に望まれている。これらの目的を達成するためには、画素ピッチ或いは配線ピッチを微細化することや、特に各種配線の配線幅を微細化することが必要とされる。
【０００５】
しかしながら、蓄積容量を構成する容量線も微細に形成すると、容量線の配線抵抗が高くなり、配線時定数が大きくなる。これにより、本来所定電位であることが想定されている容量線において電位変動が生じてしまい、最終的に表示画像におけるクロストークやゴースト等を引き起こしかねないという技術的問題点がある。更に、容量線は、限られた基板上領域内に配線されるので、配線抵抗の上昇を抑えたとしても、小型化や微細化に伴って３次元的に、より近接してくる他の各種信号線との間での寄生容量が相対的に大きくなる。このため、クロストーク等の問題はより深刻化する可能性もある。
【０００６】
このことに対処するために、容量線の配線幅を維持しつつ、配線の膜厚を増大させることによって容量線の抵抗の低減、即ち配線時定数の低減を図る手段も考えられなくはないが、上述のような、装置内各構成要素の微細化・狭小化を図りつつ、クロストーク等の画質に関する不具合を防止するという一般的要請に応えることのできる十分な対策であるとは言い難い。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、容量線の時定数の低減を図ることでクロストーク等の画質の不具合を防止することが可能である電気光学装置及び該電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の素子基板及び対向基板間に電気光学物質が挟持されてなり、前記対向基板上に、所定電位とされる対向電極を備え、前記素子基板上に、前記対向電極に対向配置される複数の画素電極と、該複数の画素電極に画像信号を供給するための複数の信号線及び電子素子と、前記複数の画素電極に接続された蓄積容量を構成する容量線と、前記素子基板及び前記対向基板間に配置された上下導通材を介して前記対向電極に対して前記所定電位を供給する対向電極電位線とを備え、前記素子基板上で、前記対向電極電位線と前記容量線との間に配線間容量が構築されている。
【０００９】
本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、画素電極に対して、データ線、走査線等の信号線及び画素スイッチング用のＴＦＴ等の電子素子によって、画像信号が供給される。同時に、対向電極に対して、対向電極電位線及び上下導通材を介して所定電位が供給される。例えば、上下導通材は、素子基板上における四隅に設けられており、対向電極電位線は、四隅を通過するように配線されている。これらの電位供給によって、両電極間に挟持された、例えば液晶等の電気光学物質の駆動が可能とされる。この際、蓄積容量により、各画素電極における電荷保持特性は向上されている。ここで特に、素子基板上には、対向電極電位線と容量線との間に配線間容量が構築されている。これらの配線は、素子基板上において、いずれも電源供給能力が非常に高い。よって、このような配線間容量を構築することによって、容量線における時定数を非常に効率的に下げることができる。
【００１０】
従って、容量線を微細に形成してもその配線時定数が大きくなるのを効果的に抑えることができ、接地電位又は対向電極電位に固定されることが予定されている容量線における電位変動を顕著に低減できる。この結果、最終的に表示画像におけるクロストークやゴースト等を低減でき、高品位の画像表示が可能となる。
【００１１】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記配線間容量は、前記対向電極電位線の一部からなる又は前記対向電極電位線から延設されてなる若しくは前記対向電極電位線に接続された第１導電層と、前記容量線の一部からなる又は前記容量線から延設されてなる若しくは前記容量線に接続された第２導電層とが、前記素子基板上で誘電体膜を介して対向配置されてなる。
【００１２】
この態様によれば、配線間容量は、例えば対向電極電位線に接続された第１導電層と容量線に接続された第２導電層とが誘電体膜を介して対向配置されてなる。或いは、対向電極電位線の一部からなる第１導電層と、容量線の一部からなる第２導電層とが、素子基板上で誘電体膜を介して対向配置されてなる。いずれにせよ、素子基板上において電源供給能力が非常に高い対向電極電位線及び容量線間に、配線間容量を構築することによって、容量線における時定数を非常に効率的に下げることができる。
【００１３】
この態様では、前記対向電極電位線と前記第１導電層とは、一のコンタクトホールを介して接続されており、前記容量線と前記第２導電層とは、他のコンタクトホールを介して接続されてもよい。
【００１４】
このように構成すれば、対向電極電位線を構成する導電層と別層の第１導電層と、容量線を構成する導電層と別層の第２導電層とを対向配置させることで、配線間容量を構築できる。従って例えば、平面的に見て対向電極電位線又は容量線が配線された領域に重ねて、配線間容量を構築することも可能となり、その容量値を増大させられる。また例えば、対向電極電位線と容量線とを同一導電層から構成しても、係る同一導電層とは別の二つの導電層から配線間容量を構築できるので、両配線を導電性に最も優れた同一導電層から形成することも可能となる。
【００１５】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記蓄積容量を構成する画素電位側容量電極及び固定電位側容量電極のうち少なくとも一方は、前記第１導電層又は前記第２導電層と同一層から構成されている。
【００１６】
この態様によれば、蓄積容量と配線間容量とを、少なくとも部分的に同一導電層から構成するので、素子基板上における積層構造及び製造プロセスの単純化を図ることが可能となる。
【００１７】
この態様では、前記配線間容量と前記蓄積容量とは、その製造時に同一工程で同時形成されてなる同一積層構造を有するように構成してもよい。
【００１８】
このように構成すれば、素子基板上における積層構造及び製造プロセスの単純化を顕著に図ることが可能となる。
【００１９】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記対向電極電位線と前記容量線とは、その製造時に同一工程で同時形成されてなる同一導線層からなる。
【００２０】
この態様によれば、素子基板上における積層構造及び製造プロセスの単純化を図ることが可能となり、特に、両配線を導電性に最も優れた同一導電層から形成することも可能となる。
【００２１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記素子基板上には、前記複数の画素電極が配置された画像表示領域が規定され且つ該画像表示領域の周辺に周辺領域が規定されており、前記配線間容量は少なくとも部分的に、前記周辺領域内に配置されている。
【００２２】
この態様によれば、周辺領域を利用して、配線間容量を構築できる。尚、配線間容量を配置する領域としては、周辺領域のうち、蓄積容量用に容量線が機能する領域である画像表示領域に近い程有利である。
【００２３】
この周辺領域に配線間容量を配置する態様では、前記配線間容量は、前記周辺領域のうち前記対向基板に対向する領域内に配置されてもよい。
【００２４】
このように構成すれば、周辺領域のうち画像表示領域に相対的に近い領域内に配線間容量を構築できる。
【００２５】
この場合更に、前記素子基板及び前記対向基板は、前記周辺領域においてそれらの縁に沿ってシール材により貼り合わされており、前記配線間容量は少なくとも部分的に、前記周辺領域のうち前記シール材が存在するシール領域内に配置されているように構成してもよい。
【００２６】
このように構成すれば、シール領域を利用して、周辺領域のうち画像表示領域に非常に近い領域内に配線間容量を構築できる。
【００２７】
この場合更に、前記素子基板上に、前記素子基板及び前記対向基板間の基板間ギャップを所定値に保つための複数のダミーパターンを更に備え、前記配線間容量は、前記素子基板上で平面的に見て前記複数のダミーパターンの間隙に対応して複数に分断されている又は櫛歯状に設けられているように構成してもよい。
【００２８】
このように構成すれば、ダミーパターンを利用して、光硬化性樹脂からなるシール材を光硬化させることを可能としつつ且つ基板間ギャップを所定値に保つことを可能としつつ、当該ダミーパターンの間隙に対応して、複数に分断されている又は櫛歯状の配線間容量を構築できる。
【００２９】
上述した周辺領域に配線間容量を配置する態様では、前記周辺領域のうち前記素子基板の一辺又は複数辺に沿った領域内に、前記複数の信号線を駆動する周辺駆動回路が配置されており、前記配線間容量は少なくとも部分的に、前記周辺領域のうち前記一辺又は複数辺とは異なる他の辺に沿った領域内に配置されているように構成してもよい。
【００３０】
このように構成すれば、周辺領域の四辺に沿った四つの領域のうち、周辺駆動回路が配置されていないが故に配線間容量を作り込む領域を広く確保可能な一つ又は複数の領域に、当該配線間容量を作り込むことができ、比較的容易にしてその容量値を増大させられる。
【００３１】
上述した周辺領域に配線間容量を配置する態様では、前記周辺領域のうち前記素子基板の一辺に沿った領域内に、前記対向電極電位線用の端子を含む複数の外部回路接続端子が配置されており、前記配線間容量は少なくとも部分的に、前記周辺領域のうち前記一辺に対向する他の辺に沿った領域内に配置されているように構成してもよい。
【００３２】
このように構成すれば、周辺領域の四辺に沿った四つの領域のうち、外部回路接続端子が配置されていないが故に配線間容量を作り込む領域を広く確保可能な一つ又は複数の領域に、当該配線間容量を作り込むことができ、比較的容易にしてその容量値を増大させられる。
【００３３】
上述した周辺領域に配線間容量を配置する態様では、前記複数の信号線は、前記画像信号が供給される複数のデータ線と、該複数のデータ線に交差すると共に走査信号が供給される複数の走査線とを含み、前記電子素子は、前記走査信号の供給に応じて、前記画像信号を前記データ線から前記画素電極に供給する画素スイッチング用の薄膜トランジスタを含む。
【００３４】
この態様によれば、その動作時には、薄膜トランジスタには、走査線から走査信号が供給され、これに応じて、データ線から供給される画像信号が、薄膜トランジスタを介して画素電極に供給される。これらの結果、周辺領域に構築された配線間容量によって、高品位の画像を表示できるＴＦＴアクティブマトリクス駆動が可能となる。
【００３５】
この態様では、前記配線間容量の容量値は、前記複数のデータ線の合計容量値以上であるように構成してもよい。
【００３６】
このように構成すれば、液晶等の電気光学物質の劣化防止及びフリッカの低減などのために交流反転駆動を採用した際におけるデータ線の電位反転による容量線の電位変動を、データ線の電位変動の半分以下程度にまで抑えることが可能となる。好ましくは、配線間容量の容量値を、複数のデータ線の合計容量値の、例えば数倍から十数倍程度或いは数十倍程度まで大きくすることで、反転駆動の際におけるデータ線の電位反転による容量線の電位変動を、データ線の電位変動の数分の一から十数分の一或いは数十分の一程度にまで抑えることが可能となる。
【００３７】
本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む。）を具備してなる。
【００３８】
本発明の電子機器によれば、上述の本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像を表示可能な、投射型表示装置（液晶プロジェクタ）、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等の各種電子機器を実現することができる。
【００３９】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００４０】
【発明の実施の形態】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置をＴＦＴアクティブマトリクス駆動形式の液晶装置に適用したものである。
【００４１】
（第１実施形態）
まず、本発明の電気光学装置に係る第１の実施形態の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに、図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００４２】
図１及び図２において、第１実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域５２ａに設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００４３】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。
【００４４】
シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所定のタイミングで供給することにより該データ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線に走査信号を所定のタイミングで供給することにより、走査線を駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する二辺に沿って設けられている。
【００４５】
尚、走査線に供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでもよいことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよい。
【００４６】
ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも一箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられている。
【００４７】
また、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらの４つのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００４８】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００４９】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００５０】
そして、第１実施形態においては特に、画像表示領域１０ａの周辺領域のうち、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４が配置されない画像表示領域１０ａの一辺に沿った領域内に、配線間容量が形成されていることに特徴がある。この点については、後に詳しく説明することとする。
【００５１】
次に、第１実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域１０ａ内の構成について、図３を参照しながら説明する。ここに図３は、電気光学装置の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【００５２】
図３において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないが、本実施形態では特に、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、Ｎ個のパラレルな画像信号にシリアル−パラレル展開され、Ｎ本の画像信号線１１５から相隣接するＮ本のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給可能に構成されている。
【００５３】
画像表示領域外である周辺領域には、データ線６ａの一端（図３中で下端）が、サンプリング回路３０１を構成するスイッチング用回路素子２０２に接続されている。このスイッチング用回路素子としては、図に示すようにｎチャネル型のＴＦＴでも良いし、ｐチャネル型のＴＦＴでもよい。また、相補型等のＴＦＴ等をあてることができる（以下、図３に示す該スイッチング用回路素子２０２を「ＴＦＴ２０２」と呼称する。）。この場合、このＴＦＴ２０２のドレインには、引き出し配線２０６を介して前記データ線６ａの図３中下端が接続され、該ＴＦＴ２０２のソースには、引き出し配線１１６を介して画像信号線１１５が接続されるとともに、該ＴＦＴ２０２のゲートには、データ線駆動回路１０１に接続されたサンプリング回路駆動信号線１１４が接続されている。そして、画像信号線１１５上の画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号線１１４を通じてサンプリング信号が供給されるのに応じ、サンプリング回路３０１によりサンプリングされて、各データ線６ａに供給されるように構成されている。
【００５４】
このようにデータ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給してもかまわないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。本実施形態では、図３に示すように、６本のデータ線６ａを一組として、これに対して一時に画像信号が供給されるようになっている。
【００５５】
また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００５６】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００５７】
また、液晶の透過率は印加電圧の実効値によって定まり、液晶に直流電圧を印加するとその組成が変化していわゆる焼き付き等の問題が発生する。このため、本実施形態に係る電気光学装置においては、液晶に引加する電圧極性を所定周期で反転する交流反転駆動が行われる。即ち、交流反転駆動を行うために、１水平走査期間（１フレーム）あるいは１フィールド（例えば２フレーム）といった所定周期毎に画像信号の電圧極性を反転させる。
【００５８】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、走査線３ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量線３００を含んでいる。この蓄積容量７０によって、各画素電極における電荷保持特性は向上されている。
【００５９】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、上述の上下導通材１０６に接続され、ＴＦＴアレイ基板１０上の４つの０コーナー部を通過するように対向電極電位線５０３が配線されている。ここで、上下導通材１０６及び対向電極電位線５０３を介して、対向電極２１に対して所定電位が供給される。これらの電位供給によって、上述のような、画素電極９ａ及び対向電極２１の両電極間に挟持された液晶の駆動が可能となっている。
【００６０】
本実施形態においては特に、図３に示すように、画像表示領域１０ａの周辺領域であって、画像表示領域１０ａを挟んでデータ線駆動回路１０１に対向する位置、即ち、図３の上端には、配線間容量５０１が付設されている。配線間容量５０１は、容量線３００に接続された導電層（後述する第１導電層５１１）を一方の容量電極とし、所定電位に維持された対向電極電位線５０３に接続された他の導電層（後述する第２導電層５１２）を他方の容量電極とするとともに、これらの間に誘電体膜（後述する誘電体膜７５）を挟持して構成されている。配線間容量５０１には、容量線３００の電位と、対向電極電位線５０３の電位との差に応じた電荷が蓄積されることになる。
【００６１】
ここで、容量線３００及び対向電極電位線５０３は、ＴＦＴアレイ基板１０上において、いずれも電源供給能力が非常に高い。よって、このような配線間容量を構築することによって、容量線３００周りにおける容量は適切に確保されることになり、容量線３００自体の時定数を非常に効率的に下げることができる。
【００６２】
従って、容量線３００を微細に形成してもその配線時定数が大きくなるのを効果的に抑えることができ、定電位源と電気的に接続されて固定電位とされている容量線３００における電位変動を顕著に低減できる。この結果、最終的に表示画像におけるクロストークやゴースト等を低減でき、高品位の画像表示が可能となる。尚、後で図４を参照して説明する本実施形態のより具体的な構成において、配線間容量５０１は、容量線接続用配線５０５（図４参照）を介して容量線３００に接続されているが、このような詳細構成については、後で改めて述べることとする。
【００６３】
（シール領域）
以下では、ＴＦＴアレイ基板１０上の、特には、画像表示領域１０ａの周辺領域における、シール領域５２ａ、各種配線、配線間容量５０１等の配置構成について、図４を参照しながら説明する。ここに図４は、図１のうちＴＦＴアレイ基板１０のコーナー部、即ち図１の領域Ｃを拡大して図示した電気光学装置の平面図である。なお、図４においては、本発明に特に関連のある構成要素のみ図示し、その他の構成は適宜省略している。
【００６４】
図４に示すように、画像表示領域１０ａの周辺領域には、シール材５２が配置されたシール領域５２ａが形成されている。より詳細には、図４において点線で示された対向基板２０の外周は、ＴＦＴアレイ基板１０の外周より内側に配置されており、対向基板２０の内側であって、対向基板２０の外周に沿ったシール領域５２ａにシール材５２が配置されて、上述のようにＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の両者が貼り合わされる構造となっている。そして、シール領域５２ａのコーナー部（図４における右上）には、上下導通材１０６が配置され、更に、上下導通材１０６を通過してシール領域５２ａの外周に沿うように対向電極電位線５０３が配置されている。
【００６５】
一方、画像表示領域１０ａの周辺領域における、シール領域５２ａの内側、即ち、画像表示領域１０ａ側の領域には、シール領域５２ａの内周に沿うように容量線接続用配線５０５が配置されている。ここで、容量線接続用配線５０５は、例えば、アルミニウム等の金属又は合金等の低抵抗材料から構成され、図４に示す平面上において、走査線３ａの形成領域に重なるように形成されている複数の容量線３００の夫々に対して、コンタクトホール５０７を介して接続されている。尚、容量線３００を含む上述の各種配線及び画像表示領域１０ａ内の各種構成要素の詳細構成と積層構造については、後で詳述する。
【００６６】
ここで本実施形態では特に、図４に示すように、画像表示領域１０ａの周辺領域における、対向電極電位線５０３及び容量線接続用配線５０５に挟まれた領域には、配線間容量５０１が配置されている。換言すれば、配線間容量５０１は、平面的に、その面積の大部分がシール領域５２ａに覆われるように配置されている。
【００６７】
ここで、図５の斜視図を参照して、配線間容量５０１の配置構成について説明を加える。尚、図５では配線間容量５０１の各構成要素の配置関係を示すことを主な目的としているため、例えば誘電体膜７５や各層間絶縁膜等の図７を参照して後で詳述するいくつかの構成要素について、その図示を省略している。
【００６８】
図５に示すように、配線間容量５０１は、容量線接続用配線５０５に接続された第１導電層５１１と、対向電極電位線５０３に接続された第２導電層５１２とを備え、第１導電層５１１及び第２導電層５１２が、ＴＦＴアレイ基板１０上で誘電体膜７５（図示省略）を挟んで対向配置されるよう構成されている。このように構成されることによって、共に電源供給能力の高い対向電極電位線５０３及び容量線接続用配線５０５を介した容量線３００の間に容量が形成されることとなり、容量線３００の周りにおける容量は適切に確保される。従って、上述のように容量線３００自体の時定数を非常に効率的に下げることができ、容量線３００における電位変動を顕著に低減することが可能となっている。
【００６９】
また、容量線接続用配線５０５を構成する配線層と別層の第１導電層と、対向電極電位線５０３の配線層と別層の第２導電層とを対向配置させる構成となっているため、第１導電層及び第２導電層を更に延設することにより、平面的に見て容量線接続用配線５０５又は対向電極電位線５０３が配線された領域に重ねて配線間容量５０１を構成することも可能であり、容易にその容量値を増大させることが可能となっている。
【００７０】
更に、このような構成をとる配線間容量３０１は、図４に示したように、画像表示領域１０ａの周辺領域のうち、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４及び外部回路接続端子１０２が配置されない一辺に沿った領域に配置されており、しかも、平面的にその面積の大部分がシール領域５２ａに覆われるように配置されている。即ち、配線間容量５０１は、上述のような周辺駆動回路が配置されていないが故に当該配線間容量５０１を作りこむ領域を広く確保することが可能な領域に、従来であれば「デッドスペース」であった領域を有効に活用して形成されている。従って、比較的大容量の配線間容量５０１を、ＴＦＴアレイ基板１０上に特別な領域を新たに設けることもなく比較的容易に形成することが可能となっている。また、配線間容量５０１は、蓄積容量７０用に容量線３００が機能する領域である画像表示領域１０ａに相対的に近い領域に形成できるという観点からも非常に有利である。
【００７１】
ここで本実施形態では好ましくは、配線間容量５０１の容量値は、複数のデータ線６ａの合計容量値以上であり、複数のデータ線６ａの合計容量値の、例えば数倍から十数倍程度或いは数十倍程度である。ここでより具体的には、配線間容量５０１の上下２つの電極を構成する第１導電層及び第２導電層の膜厚、第１導電層及び第２導電層の間隔、並びに誘電体膜７５の誘電率が一定という条件のもとで、配線間容量５０１の容量値は、図４に示した基板平面上の面積に比例して増大する。一方、複数のデータ線６ａの合計容量値に関しても、その材質及び膜厚、並びに各データ線６ａの本数が一定という条件のもとで、主に各データ線６ａの配線幅によって律則される基板平面上の面積の合計に比例して増大する。従って、本実施形態における配線間容量５０１は、図４中のＹ方向に対向電極電位線５０３と容量線接続用配線５０５の間の配置において可能な限りの幅を確保しつつ、各データ線６ａの配線幅に応じて図４中のＸ方向の長さを調節することによって、データ線６ａの合計容量値に対する十分な容量を設定することが可能である。
【００７２】
このように、配線間容量５０１の容量値が複数のデータ線６ａの合計容量値以上となるよう構成することによって、上述のような液晶に引加する電圧極性を所定周期で反転する交流反転駆動における、データ線６ａの電位反転による容量線３００の電位変動を、データ線６ａの電位変動の半分以下程度にまで抑えることが可能となる。更には、配線間容量５０１の容量値を、複数のデータ線の合計容量値の、例えば数倍から十数倍程度或いは数十倍程度まで大きくすることで、交流反転駆動の際におけるデータ線６ａの電位反転による容量線３００の電位変動を、データ線６ａの電位変動の数分の一から十数分の一或いは数十分の一程度にまで抑えることが可能となる。
【００７３】
尚、本実施形態において、配線間容量５０１は、図４に示すＹ方向に関して、画像表示領域１０ａに対してできるだけ近い位置に配置されるのが好ましいが、図４に示すＸ方向の配置位置に関しては、シール領域５２ａ内において図４に示す配置位置から平行移動させる上で、特に限定されない。
【００７４】
以下では、上記データ線６ａ、走査線３ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の、より具体的な構成について、図６及び図７を参照して説明する。図６は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図７は図４のＡ−Ａ´断面図である。尚、図７においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００７５】
まず、本実施形態に係る電気光学装置は、図６のＡ−Ａ´線断面図たる図７に示すように、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。
【００７６】
ＴＦＴアレイ基板１０には、図７に示すように、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。このうち画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。このうち対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなり、前記の配向膜１６及び２２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。
【００７７】
一方、図６において、前記画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（点線部９ａ´により輪郭が示されている）、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。データ線６ａは、例えばアルミニウム膜等の金属膜あるいは合金膜からなり、走査線３ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線３ａは、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向するように配置されており、該走査線３ａはゲート電極として機能する。すなわち、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に走査線３ａの本線部がゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００７８】
ＴＦＴ３０は、図７に示すように、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造を有しており、その構成要素としては、上述したようにゲート電極として機能する走査線３ａ、例えばポリシリコン膜からなり走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００７９】
なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは図７に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また、本実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。さらに、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａは非単結晶層でも単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層１ａを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化を図ることができる。
【００８０】
一方、図７においては、蓄積容量７０が、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。
【００８１】
中継層７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただし、中継層７１は、後に述べる容量線３００と同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。中継層７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホール８３及び８５を介して、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。
【００８２】
容量線３００は、例えば金属又は合金を含む導電膜からなり、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、比較的低電位の定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされることによって、蓄積容量７０の固定電位側容量電極として機能する。この容量線３００は、平面的に見ると、図６に示すように、走査線３ａの形成領域に重ねて形成されている。より具体的には容量線３００は、走査線３ａに沿って延びる本線部と、図中、データ線６ａと交差する各個所からデータ線６ａに沿って上方に夫々突出した突出部と、コンタクトホール８５に対応する個所が僅かに括れた括れ部とを備えている。このうち突出部は、走査線３ａ上の領域及びデータ線６ａ下の領域を利用して、蓄積容量７０の形成領域の増大に貢献する。
【００８３】
誘電体膜７５は、図７に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（Ｈｉｇｈ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｏｘｉｄｅ）膜、ＬＴＯ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｏｘｉｄｅ）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。
【００８４】
図６及び図７においては、上記のほか、ＴＦＴ３０の下側に、下側遮光膜１１ａが設けられている。下側遮光膜１１ａは、格子状にパターニングされており、これにより各画素の開口領域を規定している。なお、開口領域の規定は、図６中のデータ線６ａと、これに交差するよう形成された容量線３００とによっても、なされている。また、下側遮光膜１１ａについても、前述の容量線３００の場合と同様に、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。
【００８５】
また、ＴＦＴ３０下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００８６】
加えて、走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３がそれぞれ開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００８７】
第１層間絶縁膜４１上には、中継層７１、及び容量線３００が形成されており、これらの上には高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び中継層７１へ通じるコンタクトホール８５がそれぞれ開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。
【００８８】
加えて更に、第２層間絶縁膜４２上には、データ線６ａが形成されており、これらの上には中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。
【００８９】
（配線間容量の構成）
以下では、本実施形態において特徴的な、配線間容量５０１の各構成要素に関して、その積層構造を、図７を参照して上述した画素部の積層構造と対応させて示す図８を参照しながら、より詳細に説明する。ここに図８は、図４におけるＢ−Ｂ´断面図である。尚、図８においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００９０】
図４及び図５を参照して説明したように、配線間容量５０１は、容量線３００に容量線接続用配線５０５を介して接続された第１導電層５１１を一方の容量電極とし、対向電極電位線５０３に接続された第２導電層５１２を他方の容量電極とするとともに、これらの間に誘電体膜７５を挟持して構成されている。
【００９１】
このうち、まず、第２導電層５１２は、図８に示すように、第１層間絶縁膜４１上に形成されている。即ち、図７と図８を対比するとわかるように、第２導電層５１２は、蓄積容量７０を構成する中継層７１と同一膜として形成されている。
【００９２】
また、この第２導電層５１２は、コンタクトホール５８２を介して対向電極電位線５０３と相互に接続されている。ここにコンタクトホール５８２は、第２層間絶縁膜４２を貫通して開孔されたものである。
【００９３】
ここで、対向電極電位線５０３は、上下導通材１０６を通過して対向基板２０の外周に沿うように配線されており、データ線６ａと同一膜として形成されている。即ち、データ線６ａが上述のようにアルミニウムを含んで形成される場合においては、対向電極電位線５０３もまた、アルミニウムを含んで形成されることになる。このように、対向電極電位線５０３が、アルミニウム等の低抵抗な材料を含んで形成されるならば、その配線遅延等が問題にならない。このように構成されることにより、第２導電層５１２は、対向電極電位線５０３と同一の電位を有する。
【００９４】
一方、第１導電層５１１は、図８に示すように、第２導電層５１２上に形成された誘電体膜７５の上に、第２導電層５１２と対向するように形成されている。この第１導電層５１１は、第２層間絶縁膜４２上に形成された容量線接続用配線５０５に、コンタクトホール５８１を介して接続されている。ここにコンタクトホール５８１は、コンタクトホール５８２と同様に、第２層間絶縁膜４２を貫通して開孔されたものである。
【００９５】
ここで容量線接続用配線５０５は、画像表示領域１０ａの外周に沿うように延び、画像表示領域１０ａの周辺領域における、画像表示領域１０ａと走査線駆動回路１０４に挟まれた領域において、コンタクトホール５０７を介して容量線３００に接続されている。そして、図８に示すように、容量線接続用配線５０５は、データ線６ａと同一膜として形成されている。即ち、データ線６ａが上述のようにアルミニウムを含んで形成される場合においては、容量線接続用配線５０５もまた、アルミニウムを含んで形成されることになる。このように、容量線接続用配線５０５が、アルミニウム等の低抵抗な材料を含んで形成されるならば、その配線遅延等が問題にならない。このように構成されることにより、第１導電層５１１は、容量線３００と同一の電位を有する。
【００９６】
本実施形態に係る配線間容量５０１は、以上のように構成されることにより、図７と図８との対比から明らかなように、蓄積容量７０を構成する部材と、製造工程段階において同一機会に形成されるようになっている。具体的には、上述のように、第１導電層５１１は容量線３００と、第２導電層５１２は中継層７１と、それぞれ同一膜として形成されている。そして、誘電体膜７５は、配線間容量５０１と蓄積容量７０とで共用とされている。本実施形態では更に、データ線６ａ、対向電極電位線５０３、及び容量線接続用配線５０５が同一膜として形成されている。
【００９７】
このように本実施形態においては、配線間容量５０１及びこれに関連する構成は、画像表示領域１０ａ内に形成される構成要素（データ線６ａ及び蓄積容量７０等）と同時に形成されるようになっているため、その分、ＴＦＴアレイ基板上における積層構造及び製造プロセスの単純化、或いは製造コストの低廉化等を図ることができる。
【００９８】
尚、この対向電極電位線５０３は、対向電極２１に、固定電位又は交流反転駆動に反転する反転電位などの所定電位を供給するための所定電位源に接続されることにより（図示省略）、所定電位とされており、これにより、第２導電層５１２もまた、所定電位とされている。一方、容量線接続用配線５０５は、容量線３００に接続されており、更に、容量線３００は、蓄積容量７０を構成する当該容量線３００に比較的低電位の固定電位を供給するための固定電位源に接続されているため、第１導電層５１１もまた、固定電位とされている。本実施形態においては、このように第１導電層５１１及び第２導電層５１２を所定電位とするためには、容量線３００用の電源及び対向電極２１用の電源を利用可能であり、第１導電層及び第２導電層５１２のために、特別に電源を設ける必要がないから、その分、装置構成の簡略化を実現することができる。
【００９９】
また、配線間容量５０１の絶縁層たる誘電体膜７５は、その名称及び符号から明らかなように、前述した蓄積容量７０の誘電体膜７５と同一のものである。すなわち、誘電体膜７５は、配線間容量５０１及び蓄積容量７０において共用される形となっている。
【０１００】
（第２実施形態）
本発明の電気光学装置に係る第２実施形態について、図９から図１０を参照して説明する。ここに図９は、図４と同趣旨の図として図１の領域Ｃを拡大して示すものであり、第２実施形態に係る電気光学装置における、画像表示領域の周辺領域に形成される配線間容量の構成を示す平面図である。図１０は、図９のＢ−Ｂ´断面図である。
【０１０１】
第２実施形態は、上述の第１実施形態と比較して、配線間容量の平面上の構成、並びに、ＴＦＴアレイ基板及び対向基板の両基板間の距離、即ち基板間ギャップを調節するためのダミーパターンが設けられることが異なる。従って、画像表示領域内の回路構成及びその動作、並びに液晶装置の全体構成については第１実施形態と同様である。このため以下においては、第１実施形態と異なる構成について説明する。尚、図９から図１０において、図１から図８に示した第１実施形態と同様の構成要素には同様の参照符号を付し、それらの説明は省略する。
【０１０２】
図９に示すように、本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０上のシール領域５２ａ内に、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の両基板間の距離、即ち基板間ギャップを所定値に保つためのダミーパターン６００が設けられている。ここで、このダミーパターン６００による基板間ギャップの調節について説明を加える。
【０１０３】
本実施形態に係る電気光学装置における、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の両者を貼り合わせる構造に関しては、図１及び図４に示したように、シール領域５２ａの全面に塗布された、所定の径を有する複数の球状のギャップ材を含有したシール材５２によって基板間ギャップが所定値に保たれている。ただし、ここでシール領域５２ａを、画像表示領域１０ａの４辺夫々に対応する４つの領域で互いに比較すると、周辺駆動回路からシール領域５２ａを跨って画像表示領域１０ａ内へ配線される各種配線層の存在のために、各々の高さ、即ち上述のギャップ材の土台となるべき部分の高さが異なっている。より具体的には、シール領域５２ａのうち、図１及び図３に示す画像表示領域１０ａの左右及び下側の３辺に対応する領域においては、左右の走査線駆動回路１０４から配線される走査線３ａ、下側に配置されるデータ線駆動回路１０１から配線される引き出し配線１１６等によって、他の領域より高い位置が存在する。従って、シール領域５２ａのうち、図１に示す画像表示領域１０ａの上側の１辺に対応する領域においては、上述の各種配線等が存在しないために、ＴＦＴアレイ基板１０の積層構造における最上層、即ちギャップ材の土台となるべき層が他の３辺と比較して低く形成されることとなる。このような事情によって、上述の上側の１辺に対応する領域においては、他の３辺と高さを一致させるために、ダミーパターン６００が設けられていることになる。
【０１０４】
以上のような目的で形成されるダミーパターン６００は、図９に点線で示すように、複数のデータ線６ａの並びに対応して、基板平面上で並列に複数のパターンとして形成されている。
【０１０５】
ここで本実施形態では特に、図９に示すように、配線間容量５０１は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、複数のダミーパターン６００の間隙に対応して複数に分断されて設けられている。
【０１０６】
より具体的には、図９における対向基板２０の上辺に沿うようにＸ方向に配線される対向電極電位線５０３は、上述の複数のダミーパターン６００に対応してＹ方向に櫛歯状に延設され、複数の配線間容量５０１を構成する複数の第２導電層５１２にコンタクトホール５８２を介して接続されている。
【０１０７】
一方、図９における画像表示領域１０ａの上辺に沿うようにＸ方向に配線される容量線接続用配線５０５は、上述の複数のダミーパターン６００に対応してＹ方向と逆の方向に櫛歯状に延設され、複数の配線間容量５０１を構成する複数の第１導電層５１１にコンタクトホール５８１を介して接続されている。
【０１０８】
このように構成されていることによって、上述の第１実施形態と同様の、容量線３００と対向電極電位線５０３との間の容量としての配線間容量５０１が、複数に分断されて構築されることとなる。
【０１０９】
以上のように構成すれば、光硬化性樹脂からなるシール材５２が、両基板を貼り合わせるために、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、例えば、ＴＦＴアレイ基板１０の裏面側からの紫外光等の照射により硬化させられる際に、照射光は、上述のように櫛歯状に複数形成されたダミーパターン６００及び配線間容量５０１の間隙を縫って、シール材５２に到達する。即ち、本実施形態のように、シール領域５２ａ内に不透明のダミーパターン６００及び配線間容量５０１が形成されても、これらは複数の間隙を有するために照射光は効果的にシール材まで到達し、ダミーパターン６００及び配線間容量５０１に阻害されることなく、光照射によるシール材５２の硬化が可能となっている。
【０１１０】
尚、本実施形態の複数の配線間容量５０１は、図９に示す基板平面上で、図４に示した第１実施形態における配線間容量５０１と同じ領域に形成されている。即ち、同様に周辺駆動回路等が配置されていないが故に当該配線間容量５０１を作りこむ領域を広く確保することが可能な領域に、従来であれば「デッドスペース」であった領域を有効に活用して形成されている。従って、比較的大容量の複数の配線間容量５０１を、ＴＦＴアレイ基板１０上に特別な領域を新たに設けることもなく、比較的容易に形成することが可能となっている。
【０１１１】
また、本実施形態における複数の配線間容量５０１の合計容量値は、複数のデータ線６ａの合計容量値以上であり、好ましくは、複数のデータ線６ａの合計容量値の、例えば数倍から十数倍程度或いは数十倍程度である。第１実施形態において説明したように、配線間容量５０１の合計容量値は、図１０に示した基板平面上における複数の配線間容量５０１の面積の合計値に比例して増大する。従って、配線間容量５０１は、図４中のＹ方向に対向電極電位線５０３と容量線接続用配線５０５の間の配置において可能な限りの幅を確保しつつ、各データ線６ａの配線幅に応じて、各配線間容量５０１の図１０に示すＸ方向の幅及び配置個数を調整することによって、データ線６ａの合計容量値に対する十分な容量を設定することが可能である。
【０１１２】
次に、図１０を参照して、本実施形態における配線間容量５０１及びダミーパターン６００の積層構造について以下に説明する。ここに図１０は、図９のＢ−Ｂ´断面図であり、図８と同趣旨の積層構造を示す図である。
【０１１３】
図１０に示すように、本実施形態において配線間容量５０１は複数形成されるが、その各々の積層構造は図８に示した第１実施形態における積層構造と同じである。
【０１１４】
本実施形態においては特に、下地絶縁膜１２上に、図７に示した走査線３ａと同一層からなるダミーパターン６００が形成されている。
【０１１５】
ここで特に、図１０に示すように、シール領域５２ａにはシール材５２が、ダミーパターン６００が形成される領域及び配線間容量５０１が形成される領域の一部を覆うように配置されるが、シール材５２に含まれるギャップ材の土台となるべき部分の高さは、積層構造中で最上位に位置する対向電極電位線５０３の配線層のうち、ダミーパターン６００が形成される図１０のＤ部の高さによって規定される。即ち、配線間容量５０１は、図９のように平面的に見て、複数のダミーパターン６００に対応するように設けられていても、図１０の積層構造において示すように、配線間容量５０１が形成される領域の最上位の層は、ダミーパターン６００が形成される領域Ｄの最上位の層と同じ、或いはより低く形成されるため、配線間容量５０１によってギャップ材の土台となるべき部分の高さは影響されない。
【０１１６】
従って、ダミーパターン６００を利用して、光硬化性樹脂からなるシール材５２を光硬化させることを可能としつつ且つ基板間ギャップを所定値に保つことを可能としつつ、当該ダミーパターン６００の間隙に対応して、複数に分断されている又は櫛歯状の配線間容量を構築できる。
【０１１７】
尚、ダミーパターン６００の積層構造における形成箇所は、上述の実施例に限定されるものではなく、例えば、ＴＦＴアレイ基板１０上に直接形成されてもよく、他の配線層と同一層にて形成されてもよい。
【０１１８】
最後に、本実施形態において、以上のように構成される配線間容量５０１の作用効果及びこれによって得られる利得は、第１実施形態における配線間容量５０１と同様である。
【０１１９】
（電子機器）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図１１は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１２０】
図１１において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１２１】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路を示す回路図である。
【図４】図１の領域Ｃを拡大して示した電気光学装置の平面図である。
【図５】本発明の第１実施形態の配線間容量の構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図７】図６のＡ−Ａ´断面図である。
【図８】図４のＢ−Ｂ´断面図である。
【図９】第２実施形態に係る電気光学装置における、画像表示領域の周辺領域に形成される配線間容量の構成を示す平面図である。
【図１０】図９のＢ−Ｂ´断面図である。
【図１１】本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【符号の説明】
１・・・液晶装置、１０・・・ＴＦＴアレイ基板、１０ａ・・・画像表示領域、２０・・・対向基板、２１・・・共通電極、５０・・・液晶層、５２・・・シール材、５２ａ・・・シール領域、７０・・・蓄積容量、１００・・・液晶パネル、１０１・・・データ線駆動回路、１０２・・・外部回路接続端子、１０４・・・走査線駆動回路、１０６・・・上下導通材、１１０・・・画像表示領域、５０１・・・配線間容量、５０３・・・対向電極電位線、５０５・・・容量線接続用配線、５１１・・・第１導電層、５１２・・・第２導電層、５８１、５８２・・・コンタクトホール、６００・・・ダミーパターン
【図１】
2004361488.tif 000003
【図２】
2004361488.tif 000004
【図３】
2004361488.tif 000005
【図４】
2004361488.tif 000006
【図５】
2004361488.tif 000007
【図６】
2004361488.tif 000008
【図７】
2004361488.tif 000009
【図８】
2004361488.tif 000010
【図９】
2004361488.tif 000011
【図１０】
2004361488.tif 000012
【図１１】
2004361488.tif 000013