(57)【要約】【課題】従来、半導体装置のマーキングにおいて、半導体基板上の半導体素子を被覆する樹脂の収縮による反りの影響で、前記半導体装置の樹脂表面の所望の位置に印字できないという問題があった。【解決手段】半導体基板の反りを認識する画像認識手段１８を備え、制御装置１７が、反りの程度に基づき複数の半導体素子をブロックに分け、個々の半導体素子の座標を算出し、前記ブロック毎に印字することによりマーキングの位置の精度を上げることが可能となり、半導体基板の反りに対応し、ズレのない印字をすることができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体素子が固着され、樹脂で覆われた半導体基板上の前記樹脂の表面に印字する半導体装置のマーキング装置において、前記半導体基板の反りを画像認識する画像認識手段を備えたことを特徴とする半導体装置のマーキング装置。
【請求項２】
前記画像認識手段の結果に基づき、複数の前記半導体素子をブロックに分け、個々の半導体素子の座標を算出し、前記ブロック毎に印字することを特徴とする半導体装置のマーキング方法。
【請求項３】
前記画像認識手段の判断の結果、反りが大きいと判断された場合は、前記ブロック内の前記半導体素子の個数を少なくし、反りが小さいと判断された場合は、前記ブロック内の前記半導体素子の個数を多くすることを特徴とする請求項２記載の半導体装置のマーキング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体装置の樹脂パッケージにレーザー光を用いて、品名、ロット番号等を印字するマーキング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、小型の半導体装置は、複数の半導体素子が固着された半導体基板の状態で、樹脂パッケージ表面に品名、ロット番号等が印字される。
【０００３】
図７（ａ）は、例えば、ダイオードなどの２端子の半導体装置のマーキングする前の半導体基板を示す図である。
【０００４】
図７（ａ）に示されるように、印字する前の半導体基板１は、複数の外部電極３が形成された半導体基板１上に、複数の半導体素子２が固着され、半導体素子２が固着された面が、半導体素子２及び金属ワイヤ１１を含め樹脂４により覆われた構成をとる。
【０００５】
また、図７（ｂ）は、図７（ａ）における半導体基板１の矢印１０の方向から見た図であり、外部電極３ａ、３ｂが規則正しく整列した構成をとる。
【０００６】
次に、従来の品名、ロット番号等を印字するレーザーマーキング装置の構成について図８を基に説明する。
【０００７】
図８に示されるように、従来のマーキング装置は、印字するためのレーザー光７を発生するレーザー装置６と、個々の半導体素子の位置を算出するため基準位置のデータを測定する画像認識装置５と、画像認識装置５で測定した値から個々の半導体素子の位置座標を算出し、レーザー装置６を制御し、所望の位置にマーキングを行う制御装置１５からなる。
【０００８】
なお、画像認識装置５は、図７（ｂ）における外部電極３ａ、３ｂの位置を測定し、個々の半導体素子２の位置を算出する（例えば、特許文献１参照。）
【０００９】
【特許文献１】
特開２００２−５０７２０号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の方法では、半導体素子２が固着された側に、樹脂４を塗布した後、樹脂４が硬化と共に収縮するため、図９に示すように、半導体基板１に反りが発生し、所望の位置に印字できないという問題がある。
【００１１】
また、対策としては、個々の半導体素子２毎に位置座標を算出しマーキングを行うことが考えられるが、生産効率が悪くなるという問題がある。
【００１２】
本発明は、前記問題に鑑み、樹脂の収縮による半導体基板の反りが発生していても、位置ズレすることがなく、効率良くマーキングすることができる半導体装置のレーザーマーキング装置及びマーキング方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置のマーキング装置は、請求項１記載のように、半導体基板の反りを画像認識する画像認識手段を備えたことを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の半導体装置のマーキング方法は、請求項２記載のように、前記画像認識手段の結果に基づき、複数の前記半導体素子をブロックに分け、個々の半導体素子の座標を算出し、前記ブロック毎に印字することを特徴とする。
【００１５】
かかる構成によれば、個々の半導体素子の位置座標の精度を上げることができる。
【００１６】
また、本発明の半導体装置のマーキング方法は、請求項３記載のように、前記画像認識手段の判断の結果、反りが大きいと判断された場合は、前記ブロック内の前記半導体素子の個数を少なくし、反りが小さいと判断された場合は、前記ブロック内の前記半導体素子の個数を多くすることを特徴とする。
【００１７】
かかる構成によれば、効率良くマーキングすることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１９】
なお、図面を説明するにあたり、従来と同一構成のものには、同一符号を付し、説明を省略する。
【００２０】
図１は、本発明のマーキング装置に半導体基板１を設定した場合を示す構成図である。
【００２１】
図１に示されるように、本発明のマーキング装置は、レーザー装置６と、第１の画像認識装置１６と、半導体基板１の反りを認識するための第２の画像認識装置１８とを備えたことを特徴とする。
【００２２】
次に、本発明のマーキング装置によるマーキング方法について、図２のフローチャートを基に説明する。
【００２３】
まず、第２の画像認識装置１８により、半導体基板１の反りを測定する。（ステップＳ１）。
【００２４】
ここで反りの測定値は、図３に示される高さｈ１であり、高さｈ１が大きい程、反りが大きいということになる。
【００２５】
次に、高さｈ１の値を基に、制御装置１７が、複数の半導体素子の外部電極をいくつかのブロックに分ける。（ステップＳ２）。
【００２６】
次に、図４に示すものは、例えば、個々のブロック２２が、４個分の半導体素子を包含するものであり、全部で、９つのブロック２２に分けられたものである。
【００２７】
次に、制御装置１７が、個々のブロック２２における外部電極２２ａ、２２ｂからブロック２２内にある個々の半導体素子２の位置座標を算出する。（ステップＳ３）。
【００２８】
次に、制御装置１７が、ステップＳ３の結果得られた位置座標を基に、個々のブロック２２毎に、図１に示す樹脂４の表面にレーザー光７により、マーキングを行う（ステップＳ４）。
【００２９】
以上述べたマーキング方法によれば、半導体基板１の反りの程度により、個々の半導体素子の位置座標を算出するための基準となるブロックの寸法を決定するため精度を上げることができる。
【００３０】
つまり、上記説明では、４個の半導体素子を包含するブロックで説明したが、反りの度合を示す高さｈ１が、小さい場合においては、図５に示されるように９個の半導体素子を包含するブロック２３で、制御装置１７が、個々のブロック２３における外部電極２３ａ、２３ｂからブロック２３内にある個々の半導体素子２の位置座標を算出する。
【００３１】
なお、本実施形態においては、２個の電極を有するダイオードの例で説明したが、これに限られるものではなく、３個の電極を有するトランジスタを応用することも可能である。
【００３２】
また、本実施形態においては、外部電極を個々の半導体素子の座標を算出するための基準座標としたが、図６に示されるように、個々の半導体素子の間に基準マーク５０を設け、個々の半導体素子の位置座標を算出しても良い。
【００３３】
【発明の効果】
以上詳述しましたように、本発明のマーキング装置を用いたマーキング方法によれば、複数の外部電極をブロック化してブロック内の個々の半導体素子の位置座標を算出し、マーキングするため、半導体基板の反りに対応することが可能である。
【００３４】
また、反りの度合により、ブロック内の半導体素子の個数を変えることができるため、効率良くマーキングすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のマーキング装置の構成図
【図２】本発明のマーキング方法のフローチャート
【図３】半導体基板の反りの高さを表す図
【図４】本発明の半導体基板上の半導体素子をブロック化した例を表す図
【図５】本発明の半導体基板上の半導体素子をブロック化した例を表す図
【図６】本発明の半導体基板上に基準マークを設けた例を表す図
【図７】（ａ）従来の半導体基板の構成図
（ｂ）従来の半導体基板を外部電極側から見た図
【図８】従来のマーキング装置の構成図
【図９】半導体基板の反りを表す図
【符号の説明】
１  半導体基板
２  半導体素子
３  外部電極
４  樹脂
５、１６、１８  画像認識装置
６  レーザー装置
７  レーザー光
１１  金属ワイヤ
１５、１７  制御装置
２２、２３  ブロック
５０  基準マーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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