(57)【要約】【課題】動作環境温度が変化した場合でもデフォーカス量が変動しにくい半導体レーザ装置を提供し、ひいては、高性能で信頼性の高い光ピックアップを提供する。【解決手段】レーザダイオード１と、光ディスク８にて反射された光が、回折格子６ａにて信号検出用受光素子４に集光される。信号検出用受光素子４とレーザダイオード１とは、共通のステム２上に設けられている。ここで、信号検出用受光素子４のフォーカスエラー信号検出用の受光部であるセグメントＤ２・Ｄ３は、レーザダイオード１に近い側に配置されている。【選択図】  図１
2004227742.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザから照射され、光ディスクにて反射された光が、回折格子にて信号検出用受光素子上の対応する受光部に集光され、かつ、上記半導体レーザと上記信号検出用受光素子とが、共通のステム上に設けられている半導体レーザ装置において、
上記信号検出用受光素子におけるフォーカスエラー信号検出用の受光部が、半導体レーザに近い側に配置されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
上記フォーカスエラー信号検出用の受光部は、２分割された２つのセグメントよりなり、ナイフエッジ法にてフォーカスエラー信号が検出されることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
上記２つのセグメントに分割する分割線の幅が３μｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
上記信号検出用受光素子は、受光面が３分割されており、フォーカスエラー信号検出用の受光部を構成する２つのセグメントの面積の和が、もう一つの受光部の面積よりも小さいことを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
上記光ディスクと信号検出用受光素子との間に、半導体レーザから照射された光を１つの情報信号読出用の主ビームと２つのトラッキング用の副ビームとに分割する３ビーム分割手段が設けられ、
上記信号検出用受光素子は、受光面が５分割されており、主ビームの反射光が集光される、フォーカスエラー信号検出用の受光部を含む３つのセグメントと、副ビームの反射光が集光される２つのセグメントよりなることを特徴とする請求項２又は３に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
上記請求項１に記載の半導体レーザ装置を備えたことを特徴とする光ピックアップ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光ディスク装置において、媒体から情報を読み出すために用いる信号検出用の半導体レーザ装置、およびそれを備えた光ピックアップに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体レーザ装置は、光ピックアップの部品として光ディスク装置に組み込まれる。図８および図９に、フォーカスエラー信号の検出にナイフエッジ法を採用し、トラッキングエラー信号の検出に３ビーム法を採用した、従来の半導体レーザを示す。
【０００３】
半導体レーザ装置では、参照符号５２にて示すステムと呼ばれる金属部品上に、半導体レーザであるレーザダイオード５１、信号検出用受光素子５４、および出力モニター用フォトダイオード（図示せず）が、それぞれ適当な接着剤により固定されている。これらの電極は、金線（図示せず）によりリードピン５７上部にそれぞれ接続されている。そして、その後、保護用キャップ５３がステム５２にかぶせられ、電着等により一体化され、さらにレーザダイオード５１のレーザ光出射部上部に、ホログラム素子５６が載せられている。
【０００４】
このような構成において、レーザダイオード５１から出射した光は、ホログラム素子５６（図８では外形は省略）の下面にある３ビーム用の回折格子５６ｂにより、情報信号読出用の主ビームである０次光と、トラッキング用の副ビームである±１次光、およびより高次の光に分割される。そして、これら３つの光（ビーム）は、ホログラム素子５６上面の受光素子用の回折格子５６ａを０次光として通過し、対物レンズ５５にて光ディスク５８に集光される。
【０００５】
光ディスク５８から反射された光は、上記とは逆の経路をとり、ホログラム素子５６上面の回折格子５６ａにて回折され、各々の１次光、詳細には各々の±１次光のうちの一方が信号検出用受光素子５４の上に集光される。回折格子５６ａは、格子周期の異なる２つの領域５６ａ−１・５６ａ−２を有しており、回折角の小さいピッチの大きい方の領域５６ａ−１が、信号検出用受光素子５４におけるレーザダイオード５１に近い側にスポットを集光させ、回折角が大きいピッチの小さい方の領域５６ａ−２は、信号検出用受光素子５４におけるレーザダイオード５１に遠い側にスポットを集光させる。
【０００６】
信号検出用受光素子５４からは、集光されたスポットの状態に応じた電気信号が出力され、この出力を基に、光ディスク５８に記録された情報信号の読み取りや書き込みをすることができ、かつトラックエラー信号およびフォーカスエラー信号を作り出して、レーザ光が正確に信号トラックを検出することができる。これらの信号は、電気的に接続されたリードピン５７により、装置外部に取り出される。
【０００７】
上記信号検出用受光素子５４としては、図８およびその拡大図である図１０に示すとおり、通常、５分割されたセグメントＤ１〜Ｄ５を有している。このうち、中央に位置する３つのセグメントＤ２〜Ｄ４に主ビームの反射光が集光され、セグメントＤ２・Ｄ３がフォーカスエラー信号検出用の受光部を構成し、セグメントＤ２〜Ｄ４が再生信号であるＲＦ信号検出用の受光部を構成する。また、外側に位置する２つのセグメントＤ１・Ｄ５に副ビームの反射光が集光され、これらセグメントＤ１・Ｄ５がトラックエラー信号検出用の受光部を構成する。
【０００８】
そして、従来、これら図８および図１０に示すとおり、信号検出用受光素子５４においてフォーカスエラー信号検出用の受光部、つまりセグメントＤ２・Ｄ３は、レーザダイオード５１から遠い側に配置されている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００９】
【非特許文献１】
シャープ技法（シャープ株式会社発行），１９８９年第４２号、Ｐ．４        ５−５２
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、半導体レーザ装置に用いられるレーザダイオード５１には、一般的な特性として、レーザ光（以下、単に光と称する）の波長が動作温度にて変動するといった特性がある。光ディスク５８からの反射光は、ホログラム素子５６の表面の受光素子用の回折格子５６ａにて信号検出用受光素子５４上に集光されるが、ここで、波長が変動すると、回折光の回折角が変化して、スポット位置が変化する。したがって、たとえ部品組立て時には焦点が絞れた状態で組みつけられたとしても、例えば夏場の車内での使用時等、８０℃程度に動作温度が上昇した場合、波長はより長くなるため、スポットはレーザダイオード５１から離れた側に移動する。逆に周囲環境温度低い真冬時には波長が短くなり、よりレーザダイオード５１に近い側にスポットが移動する。
【００１１】
スポット位置が移動すると、デフォーカス量が変動する。デフォーカス量の変動が大きく、値としてデフォーカス量が大きくなると、検出した信号の品質が劣化し、光ディスク５８に記録された信号（３Ｔ〜１１Ｔ）の読み取りエラーが発生し、再生不能に陥る可能性がある。これを防ぐためには、デフォーカス量の変動を小さく抑えることが必要となる。
【００１２】
ところが、上記した従来の半導体レーザ装置では、信号検出用受光素子５４におけるフォーカスエラー信号検出用の受光部、つまりセグメントＤ２・Ｄ３は、レーザダイオード５１から遠い側に配置されている。そのため、回折格子５６ａから受光面までの光路長が、レーザダイオード５１に近い側に配置されているセグメントＤ４と比べて長くなる。光路長の長さと受光面上のスポットの移動量との間には比例関係があり、光路長が長いほど移動量が大きくなるため、上記した従来の構成では、受光面上のスポットの移動量が大きく、デフォーカス量の変動が大きくなる。
【００１３】
本発明は、このような課題に鑑みなされたもので、動作環境温度が変化した場合でもデフォーカス量が変動しにくい半導体レーザ装置を提供し、ひいては、高性能で信頼性の高い光ピックアップを提供することを目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体レーザ装置は、上記課題を解決するために、半導体レーザから照射され、光ディスクにて反射された光が、回折格子にて信号検出用受光素子上の対応する受光部に集光され、かつ、上記半導体レーザと上記信号検出用受光素子とが、共通のステム上に設けられている半導体レーザ装置において、上記信号検出用受光素子におけるフォーカスエラー信号検出用の受光部が、半導体レーザに近い側に配置されていることを特徴としている。
【００１５】
これによれば、信号検出用受光素子におけるフォーカスエラー信号検出用の受光部が、半導体レーザに近い側に配置されているので、従来の遠い側にあった構成よりも、回折格子からの光路長が短くなる。
【００１６】
したがって、上述したような温度変動に応じて半導体レーザの光の波長が変動し、信号検出用受光素子上に集光されるスポットに移動があった場合でも、受光面上のスポットの移動量が少なくなり、デフォーカス量の変動が少なくて済み、ひいては、高性能で信頼性の高い光ピックアップを提供できる。
【００１７】
また、本発明の半導体レーザ装置においては、さらに、上記フォーカスエラー信号検出用の受光部は、２分割された２つのセグメントよりなり、ナイフエッジ法にてフォーカスエラー信号が検出されることを特徴とすることもできる。
【００１８】
これによれば、外乱に強いナイフエッジ法にてフォーカスエラー信号を検出することができる。もちろん、非点収差法にてフォーカスエラー信号を検出する構成においても、信号検出用受光素子における受光面上のスポットの移動量が小さい方が望ましいのは言うまでもなく、本発明の半導体レーザ装置において、非点収差法にてフォーカスエラー信号を検出する構成とすることも可能である。
【００１９】
また、本発明の半導体レーザ装置においては、さらに、フォーカスエラー信号検出用の受光部を構成する２つのセグメントの分割線の幅が３μｍ以下であることを特徴とすることもできる。
【００２０】
ナイフエッジ法でフォーカスエラー信号を検出するにおいて、２分割された２つのセグメントにおける分割線の幅が広いと、フォーカスエラー信号のＳ字曲線におけるゼロクロス点において非線形領域が生じてしまい、フォーカス制御が難しくなる。このような非線形領域は、フォーカスエラー信号検出用の受光部が半導体レーザに近くなるほど、狭い幅でも生じるようになる。
【００２１】
本願出願人が鋭意検討したところ、分割線の幅を３μｍ以下とすることで、フォーカスエラー信号検出用の受光部を半導体レーザに近い側としても、このような非線形領域がほぼ問題となる程度には生じないことを確認しており、これにより、フォーカス制御が容易になる。
【００２２】
そしてこの場合、より好ましくは、分割線の幅を１．５μｍ以下とすることである。１．５μｍ以下とすることで、フォーカスエラー信号検出用の受光部を半導体レーザに近い側としても、非線形領域の発生を確実になくすることができる。
【００２３】
また、本発明の半導体レーザ装置においては、さらに、上記信号検出用受光素子は、受光面が３分割されており、フォーカスエラー信号検出用の受光部を構成する２つのセグメントの面積の和が、もう一つの受光部の面積よりも小さいことを特徴とすることもできる。
【００２４】
半導体レーザに近い側に集光されたスポットほど、遠い側に集光されたスポットよりも波長変動による移動量が少ない。そこで、上記構成では、スポットの移動量の小さい半導体レーザに近い側に配されるフォーカスエラー信号検出用の受光部の面積を小さくしている。光ディスクがＣＤ−ＲＯＭである場合、高速読取（たとえば４８倍速）に対応した高応答周波数（７０ＭＨｚ程度）を達成するためには、再生信号検出用の受光部面積を小さくすることが必要となるが、上記構成を採用することで、高速読取に対応可能となる。また、フォーカスエラー信号検出用の受光部の面積を小さくしたので、ピット信号以外の迷光成分を低減でき、フォーカスエラー信号、および再生信号の検出精度向上も可能となる。
【００２５】
また、本発明の半導体レーザ装置においては、さらに、上記光ディスクと信号検出用受光素子との間に、半導体レーザから照射された光を１つの情報信号読出用の主ビームと２つのトラッキング用の副ビームとに分割する３ビーム分割手段が設けられ、上記信号検出用受光素子は、受光面が５分割されており、主ビームの反射光が集光される、フォーカスエラー信号検出用の受光部を含む３つのセグメントと、副ビームの反射光が集光される２つのセグメントよりなることを特徴とすることもできる。
【００２６】
これによれば、動作の確実な３ビーム法にてトラッキングエラー信号を検出することができる。また、信号検出用受光素子を５分割構成としているので、フォーカスエラー信号をナイフエッジ法で検出し、かつトラッキングエラー信号を３ビーム法で検出する構成において、セグメント数を必要最小限に抑え、コスト削減を図ることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態１〕
本発明の実施の一形態について、図１〜図６に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００２８】
半導体レーザ装置は、光ディスク装置に組み込まれる光ピックアップに搭載される。本実施の形態の半導体レーザ装置を、図１および図２に示す。
【００２９】
半導体レーザ装置では、参照符号２にて示すステムと呼ばれる金属部品の上に、半導体レーザであるレーザダイオード１、信号検出用受光素子４、および出力モニター用フォトダイオード（図示せず）が、それぞれ適当な接着剤により固定されている。これらの電極は、金線（図示せず）により、ステム２の底面に設けられたリードピン７の上部にそれぞれ接続されている。そして、その後、保護用キャップ３がステム２にかぶせられ、電着等により一体化され、さらにレーザダイオード１のレーザ光出射部上部に、ホログラム素子６（図１では外形は省略）が載せられている。
【００３０】
このような構成において、レーザダイオード１から出射した光は、ホログラム素子６の下面にある３ビーム用の回折格子（３ビーム分割手段）６ｂにより、情報信号読出用の主ビームである０次光と、トラッキング用の副ビームである±１次光、およびより高次の光に分割される。そして、これら３つの光は、ホログラム素子６上面の受光素子用の回折格子６ａを０次光として通過し、対物レンズ５にて光ディスク８に集光される。
【００３１】
光ディスク８から反射された光は、上記とは逆の経路をとり、ホログラム素子６上面の回折格子６ａにて回折され、各々の１次光、詳細には各々の±１次光のうちの一方が信号検出用受光素子４の上に集光される。
【００３２】
回折格子６ａは、格子周期の異なる２つの領域６ａ−１・６ａ−２を有している。回折角の小さいピッチの大きい方の領域６ａ−１が、信号検出用受光素子４におけるレーザダイオード１に近い側にスポットを集光させ、回折角が大きいピッチの小さい方の領域６ａ−２が、信号検出用受光素子４におけるレーザダイオード１に遠い側にスポットを集光させる。
【００３３】
上記信号検出用受光素子４は、図１およびその拡大図である図３に示すとおり、受光部が５分割されており、５つのセグメントＤ１〜Ｄ５を有している。このうち、中央に位置する３つのセグメントＤ２〜Ｄ４に主ビームの反射光が集光され、これら３つが、再生信号であるＲＦ信号検出用の受光部を構成する。また、その中のセグメントＤ２・Ｄ３がフォーカスエラー信号検出用の受光部を構成する。また、外側に位置する２つのセグメントＤ１・Ｄ５に副ビームの反射光が集光され、これらセグメントＤ１・Ｄ５がトラックエラー信号検出用の受光部を構成する。
【００３４】
図４（ａ）〜（ｃ）に、回折格子６ａにて回折され、信号検出用受光素子４上に集光した、主ビームおよび２つの副ビームの各反射光のスポットの状態を示す。同図（ｂ）は、光ディスク８にレーザ光のピントが合った状態（ジャストフォーカス点）でのスポットを示し、大きさは最小となる。同図（ａ）は、光ディスク８がジャストフォーカス点よりも遠い位置にある状態でのスポットを示し、形状は、略半月形でサイズも大きい。同図（ｃ）は、光ディスク８がジャストフォーカス点よりも近い位置にある状態でのスポットを示し、遠い場合とは逆の略半月形でサイズも大きい。光ディスク８上の光ビームの収束状態に応じて、信号検出用受光素子４上のスポットは、このように変化する。
【００３５】
信号検出用受光素子４におけるセグメントＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５からは、受光量に応じて電気信号がそれぞれ出力され、これら各出力を順にｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４、ｄ５とすると、フォーカスエラー信号はｄ２−ｄ３で与えられ、ＲＦ出力信号はｄ２＋ｄ３＋ｄ４、トラックエラー信号はｄ１−ｄ５で与えられる。
【００３６】
このように得られた各信号を用いて、光ディスク８に記録された情報信号の読み取りや書き込みをすることができ、レーザ光が正確に信号トラックを検出することができる。つまり、フォーカス制御においては、フォーカスエラー信号ｄ２−ｄ３が０となるようにフォーカシングアクチュエータに信号が送られ、対物レンズ５が上下動される。また、トラッキング制御においては、トラッキングエラー信号ｄ１−ｄ５が０となるように、トラッキングアクチュエータに信号が送られ、対物レンズ５が光ディスク８上のトラックを横切る方向に動かされる。
【００３７】
そして、ここで、注目すべきは、信号検出用受光素子４におけるフォーカスエラー信号検出用の受光部の配置であり、図１、図３に示すとおり、レーザダイオード１に対し、信号検出用受光素子４における主ビームに対応したセグメントＤ２〜Ｄ４は、レーザダイオード１に近い側にフォーカスエラー信号検出用の受光部を構成するセグメントＤ２・Ｄ３が配置され、遠い側に再生信号検出用の受光部を構成するセグメントＤ４が配置されている。したがって、本実施の形態の半導体レーザ装置では、レーザダイオード１から遠い側にセグメントＤ２・Ｄ３が配置されていた従来構成よりも、回折格子６ａからの光路長が短くなっている。
【００３８】
既に説明したように、レーザダイオード１はその特性として、動作温度により波長変動を起こすが、この変動によるスポット移動量は回折格子６ａからセグメントＤ２・Ｄ３までの光路長に比例するため、このように、光路長が短くなったことで、デフォーカス量の温度変動によるオフセット発生が少なくなる。その結果、このような半導体レーザ装置を搭載することで、より高性能な信頼性の高い光ピックアップを作ることができる。
【００３９】
ところで、主ビームに対応したセグメントＤ２〜Ｄ４の配置を、単に従来の配置を逆にしただけでは、フォーカスエラー信号のＳ字曲線におけるゼロクロス点において非線形領域が生じてしまい、フォーカス制御が難しくなる。このような非線形領域は、２分割された２つのセグメントＤ２・Ｄ３における分割線に起因し、セグメントＤ２・Ｄ３がレーザダイオード１に近くなるほど、狭い幅でも生じるようになる。
【００４０】
本願出願人は、鋭意検討の結果、分割線の幅を３μｍ以下とすることで、フォーカスエラー信号検出用の受光部をレーザダイオード１に近い側としても、このような非線形領域がほぼ問題となる程度には生じないことを確認している。そして、この場合、より好ましくは分割線の幅を１．５μｍ以下とすることであり、非線形領域の発生を確実になくすることができる。ここでは、セグメントＤ２・Ｄ３の分割線の幅を１．５μｍとしている。
【００４１】
これにより、図５に示すように、Ｓ字曲線のゼロクロス点においては、非線形領域が全く形成されず、フォーカス制御を容易に実施できることがわかる。一方、図６に示すように、セグメントＤ２・Ｄ３の分割線の幅が、従来のレーザダイオード１から遠い側に位置していた場合と同じ４μｍであるとき、Ｓ字曲線のゼロクロス点には非線形領域が形成されている。そのため、この非線形領域を線形とする何らかの信号補正が必要となる。
【００４２】
なお、ここでは、フォーカスエラー信号の検出に、外乱に強いナイフエッジ法を用いた場合を例示したが、他の非点収差法等にてフォーカスエラー信号を検出する構成においても、信号検出用受光素子における受光面上のスポットの移動量が小さい方が望ましいのは言うまでもなく、他のフォーカスエラー信号の検出方法と組み合わせてもよい。同様に、トラッキングエラー信号の検出も、ここで用いた３ビーム法に何ら限定されず、例えばプッシュプル法と組み合わせてもよい。
【００４３】
また、ここでは、ホログラム素子６における回折格子６ａにて生成された、光ディスク８からの反射光のうちの±１次光のうちの一方を使用する構成としているので、信号検出用受光素子４は１つだけ設ければよく、±１次光の両方を用いて２組の信号検出用受光素子を必要とする構成に比べて、レーザダイオード１、信号検出用受光素子４、および回折格子６ａの位置の調整が容易で、歩留り低下を招く懸念がない。
【００４４】
（実施の形態２）
本発明の他の実施の形態について、図７に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態として述べる以外の構成は、前記実施の形態１と同じである。したがって、説明の便宜上、前記の実施の形態１の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００４５】
本実施の形態の半導体レーザ装置と、実施の形態１の半導体レーザ装置との違いは、信号検出用受光素子４にあり、詳細には、フォーカスエラー信号検出用の受光部を構成するセグメントＤ２・Ｄ３のサイズのみが異なる。
【００４６】
上述したように、フォーカスエラー信号検出用の受光部を構成するセグメントＤ２・Ｄ３をレーザダイオード１に近い側とすることで、温度変動によるスポットの移動量を小さくできたので、移動量が小さくなった分、セグメントＤ２・Ｄ３のサイズも、スポットがはみ出さない範囲で小さくすることができる。
【００４７】
そこで、本実施の形態では、図７に示すように、セグメントＤ２・Ｄ３のサイズを、セグメントＤ２・Ｄ３の面積の和が、もう一つのセグメントＤ４の面積よりも小さくなるように設定している。
【００４８】
光ディスク８が例えばＣＤ−ＲＯＭである場合、高速読取（たとえば４８倍速）に対応した高応答周波数（７０ＭＨｚ程度）を達成するには、再生信号検出用の受光部面積、つまりセグメントＤ２〜Ｄ４を小さくすることが必要となる。したがって、このような構成とすることで、高速読取に対応可能となる。
【００４９】
また、セグメントＤ２・Ｄ３のサイズを小さくしたので、ピット信号以外の迷光成分を低減でき、フォーカスエラー信号、および再生信号の検出精度向上が図れる。
【００５０】
なお、本発明は上述した各実施の形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【００５１】
【発明の効果】
本発明の半導体レーザ装置は、以上のように、半導体レーザから照射され、光ディスクにて反射された光が、回折格子にて信号検出用受光素子上の対応する受光部に集光され、かつ、上記半導体レーザと上記信号検出用受光素子とが、共通のステム上に設けられている半導体レーザ装置において、上記信号検出用受光素子におけるフォーカスエラー信号検出用の受光部が、半導体レーザに近い側に配置されていることを特徴としている。
【００５２】
これによれば、回折格子から信号検出用受光素子におけるフォーカスエラー信号検出用の受光部までの光路長が短くなるので、温度変動に応じて半導体レーザの光の波長が変動し、信号検出用受光素子上に集光されるスポットに移動があった場合でも、受光面上のスポットの移動量が少なくなり、デフォーカス量の変動が少なくて済む。
【００５３】
それゆえ、このような半導体レーザ装置を搭載することで、ひいては、高性能で信頼性の高い光ピックアップを提供することができるという効果を奏する。
【００５４】
また、本発明の半導体レーザ装置においては、さらに、上記フォーカスエラー信号検出用の受光部は、２分割された２つのセグメントよりなり、ナイフエッジ法にてフォーカスエラー信号が検出されることを特徴とすることもできる。
【００５５】
これによれば、外乱に強いナイフエッジ法にてフォーカスエラー信号を検出することができる。
【００５６】
それゆえ、このような半導体レーザ装置を搭載することで、ひいては、より高性能でより信頼性の高い光ピックアップを提供することができるという効果を奏する。
【００５７】
また、本発明の半導体レーザ装置においては、さらに、フォーカスエラー信号検出用の受光部を構成する２つのセグメントの分割線の幅が３μｍ以下であることを特徴とすることもできる。
【００５８】
ナイフエッジ法でフォーカスエラー信号を検出するにおいて、２分割された２つのセグメントにおける分割線の幅が広いと、フォーカスエラー信号のＳ字曲線におけるゼロクロス点において非線形領域が生じてしまい、フォーカス制御が難しくなるが、これにより、フォーカス制御が容易になる。
【００５９】
それゆえ、このような半導体レーザ装置を搭載することで、ひいては、より高性能でより信頼性の高い光ピックアップを提供することができるという効果を奏する。
【００６０】
また、本発明の半導体レーザ装置においては、さらに、上記信号検出用受光素子は、受光面が３分割されており、フォーカスエラー信号検出用の受光部を構成する２つのセグメントの面積の和が、もう一つの受光部の面積よりも小さいことを特徴とすることもできる。
【００６１】
これによれば、フォーカスエラー信号検出用の受光部を構成する２つのセグメントのサイズを小さくなるので、ＣＤ−ＲＯＭ等の光ディスクに対応した高速読取が可能となり、また、ピット信号以外の迷光成分を低減して、フォーカスエラー信号、および再生信号の検出精度向上も可能となる。
【００６２】
それゆえ、このような半導体レーザ装置を搭載することで、ひいては、より高性能でより信頼性の高い光ピックアップを提供することができるという効果を奏する。
【００６３】
また、本発明の半導体レーザ装置においては、さらに、上記光ディスクと信号検出用受光素子との間に、半導体レーザから照射された光を１つの情報信号読出用の主ビームと２つのトラッキング用の副ビームとに分割する３ビーム分割手段が設けられ、上記信号検出用受光素子は、受光面が５分割されており、主ビームの反射光が集光される、フォーカスエラー信号検出用の受光部を含む３つのセグメントと、副ビームの反射光が集光される２つのセグメントよりなることを特徴とすることもできる。
【００６４】
これによれば、動作の確実な３ビーム法にてトラッキングエラー信号を検出することができ、また、信号検出用受光素子を５分割構成としているので、フォーカスエラー信号をナイフエッジ法で検出し、かつトラッキングエラー信号を３ビーム法で検出する構成において、セグメント数を必要最小限に抑え、コスト削減を図ることができる。
【００６５】
それゆえ、このような半導体レーザ装置を搭載することで、ひいては、より高性能でより信頼性の高い光ピックアップを、より安価にて提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る実施の一形態を示すもので、半導体レーザ装置が搭載された光ピックアップの光学系の構成図である。
【図２】上記半導体レーザ装置の部分破断斜視図である。
【図３】上記半導体レーザ装置に搭載された信号検出用受光素子の受光部要部を示す説明図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）共に、光ディスクの変位による信号検出用受光素子上のスポット形状の変化を示す説明図である。
【図５】フォーカスエラー信号検出用の受光部の分割線幅とフォーカスエラー信号のＳ字曲線との関係を示す説明図である。
【図６】フォーカスエラー信号検出用の受光部の分割線幅とフォーカスエラー信号のＳ字曲線との関係を示す説明図である。
【図７】本発明に係るその他の実施の形態を示すもので、半導体レーザ装置に搭載された信号検出用受光素子の受光部要部を示す説明図である。
【図８】従来の半導体レーザ装置が搭載された光ピックアップの光学系の構成図である。
【図９】従来の半導体レーザ装置の部分破断斜視図である。
【図１０】従来の半導体レーザ装置に搭載された信号検出用受光素子の受光部要部を示す説明図である。
【符号の説明】
１    レーザダイオード（半導体レーザ）
２    ステム
３    キャップ
４    信号検出用受光素子
５    対物レンズ
６    ホログラム素子
６ａ  受光素子用の回折格子（回折格子）
６ｂ  ３ビーム用の回折格子（３ビーム分割手段）
８    光ディスク
Ｄ１  セグメント（トラッキングエラー信号検出用の受光部）
Ｄ２  セグメント（フォーカスエラー信号検出用の受光部、再生信号検出用の受光部）
Ｄ３  セグメント（フォーカスエラー信号検出用の受光部、再生信号検出用の受光部）
Ｄ４  セグメント（再生信号検出用の受光部）
Ｄ５  セグメント（トラッキングエラー信号検出用の受光部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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