(57)【要約】【課題】低温焼結性をもち単独での内部導体との焼成が可能であり、かつ、高い線膨張係数をもち他の磁器組成物との同時焼成も可能な低誘電率の磁器組成物を用いた電子デバイスを提供する。【解決手段】電子デバイスを、低誘電率材料と高誘電率材料との同時焼成で得られ、ＡｇもしくはＣｕ、または、ＡｇやＣｕを主成分とする合金を内部導体として備えたものとし、上記の低誘電率材料を、Ｂａ系ガラスとα石英とを主成分とする低誘電率磁器組成物であって、Ｂａ系ガラスの含有量が５５．０〜６９．４重量％、前記α石英の含有量が１２．１〜４０．２重量％の範囲内にあり、Ａｌ2Ｏ3を２４．５重量％以下の範囲で含有し、前記Ｂａ系ガラスの成分は、酸化物換算で、ＢａＯを１９〜２９ｍｏｌ％、ＳｉＯ2を６２〜７２ｍｏｌ％、Ａｌ2Ｏ3を６〜１１ｍｏｌ％の範囲で含有し、さらに、ＢａＯ、ＳｉＯ2およびＡｌ2Ｏ3の合計１００ｍｏｌ当たりＢ2Ｏ3を３〜７ｍｏｌの範囲で含有する磁器組成物とする。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｂａ系ガラスとα石英とを主成分とする低誘電率磁器組成物である低誘電率材料と高誘電率材料との同時焼成で得られ、ＡｇもしくはＣｕ、または、ＡｇやＣｕを主成分とする合金を内部導体として備え、前記低誘電率磁器組成物は、前記Ｂａ系ガラスの含有量が５５．０〜６９．４重量％、前記α石英の含有量が１２．１〜４０．２重量％の範囲内にあり、Ａｌ2Ｏ3を２４．５重量％以下の範囲で含有し、前記Ｂａ系ガラスの成分は、酸化物換算で、ＢａＯを１９〜２９ｍｏｌ％、ＳｉＯ2を６２〜７２ｍｏｌ％、Ａｌ2Ｏ3を６〜１１ｍｏｌ％の範囲で含有し、さらに、ＢａＯ、ＳｉＯ2およびＡｌ2Ｏ3の合計１００ｍｏｌ当たりＢ2Ｏ3を３〜７ｍｏｌの範囲で含有することを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記高誘電率材料は、主成分がバリウム−レアアース−チタン酸化物である高誘電率磁器組成物であることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記高誘電率材料は、主成分が酸化チタンである高誘電率磁器組成物であることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記高誘電率材料は、主成分がチタン酸バリウムおよびチタン酸カルシウムのいずれかからなるペロブスカイト構造をもつ高誘電率磁器組成物であることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記低誘電率磁器組成物は、線膨張係数が８０×１０-7／℃〜１５０×１０-7／℃の範囲内にあることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記低誘電率磁器組成物は、α石英と、４種の結晶相［ＢａＡｌ2ＳｉＯ8＋ＢａＳｉ2Ｏ5］、［ＢａＡｌ2ＳｉＯ8＋ＢａＳｉ2Ｏ5＋Ａｌ2Ｏ3］、［ＢａＡｌ2ＳｉＯ8＋Ａｌ2Ｏ3］、［ＢａＳｉ2Ｏ5＋Ａｌ2Ｏ3］の中の１種とを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記低誘電率磁器組成物は、比誘電率が７．０以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の電子デバイス。
【請求項８】
焼成温度が８５０〜９６０℃の範囲内であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子デバイスに係り、特にＡｇもしくはＣｕ、または、ＡｇやＣｕを主成分とする合金を内部導体として使用し、低誘電率材料と高誘電率材料とを同時に焼成して得られる電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、印刷法やシート工法といった厚膜形成法を用いてチップコンデンサーやチップインダクター、チップフィルター等のチップ部品が製造されている。また、材料特性の異なる複数種の磁器組成物を同時に焼成して形成された電子デバイスとしては、磁性体と誘電体との組み合わせからなるＬＣフィルター、高誘電率材料と低誘電率材料との組み合わせからなるコンデンサーを内蔵した回路基板（素子）等が挙げられる。
【０００３】
例えば、上記の高誘電率材料と低誘電率材料とを同時焼成して形成されたコンデンサーは、高誘電率材料のみからなるコンデンサーに比べて分布容量の低減等が可能である。また、低誘電率材料のみからなるコンデンサーに比べて大容量化が可能である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の電子デバイスでは、損失特性を向上させるために、導体電極として低抵抗であるＡｇあるいはＣｕ、または、ＡｇやＣｕを主成分とする合金を用いることが望ましい。しかし、これらの導体金属は融点が低いため、電子デバイスに使用する磁器組成物は、上記導体金属の融点以下の温度で焼成可能である（低温燒結性を有する）ことが要求される。
【０００５】
また、複数種の磁器組成物を同時焼成するためには、各磁器組成物の線膨張係数がある程度一致しなければならず、この線膨張係数の差が大きいと、焼成後の製品にクラックが生じてしまう。例えば、酸化チタン、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウムといったペロブスカイト構造、バリウム−レアアース−チタンの酸化物といったタングステンブロンズ構造、ＮｉＣｕＺｎ系フェライトといったスピネル構造等をもつ一般的な磁器組成物は、その線膨張係数が約８０〜１３０×１０-7／℃程度である。これらにガラス等を添加して上記の低温燒結性を付与した磁器組成物であっても、その線膨張係数は元の線膨張係数（約８０〜１３０×１０-7／℃程度）ほとんど変わらない。しかし、従来のガラスを主体とする低誘電率の磁器組成物は、その線膨張係数が約４０〜８０×１０-7／℃程度のものが多く、上記のガラス添加等により低温燒結性を付与した誘電材料や磁性材料に比べて線膨張率が低く、これらを同時焼成した場合、製品にクラックが生じるという問題があった。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、低温焼結性をもち単独での内部導体との焼成が可能であり、かつ、高い線膨張係数をもち他の磁器組成物との同時焼成も可能な低誘電率の磁器組成物を用いた電子デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的を達成するために、本発明は、Ｂａ系ガラスとα石英とを主成分とする低誘電率磁器組成物である低誘電率材料と高誘電率材料との同時焼成で得られ、ＡｇもしくはＣｕ、または、ＡｇやＣｕを主成分とする合金を内部導体として備え、前記低誘電率磁器組成物は、前記Ｂａ系ガラスの含有量が５５．０〜６９．４重量％、前記α石英の含有量が１２．１〜４０．２重量％の範囲内にあり、Ａｌ2Ｏ3を２４．５重量％以下の範囲で含有し、前記Ｂａ系ガラスの成分は、酸化物換算で、ＢａＯを１９〜２９ｍｏｌ％、ＳｉＯ2を６２〜７２ｍｏｌ％、Ａｌ2Ｏ3を６〜１１ｍｏｌ％の範囲で含有し、さらに、ＢａＯ、ＳｉＯ2およびＡｌ2Ｏ3の合計１００ｍｏｌ当たりＢ2Ｏ3を３〜７ｍｏｌの範囲で含有するような構成とした。
【０００８】
また、本発明の好ましい態様として、前記高誘電率材料は、主成分がバリウム−レアアース−チタン酸化物である高誘電率磁器組成物であるような構成とした。
また、本発明の好ましい態様として、前記高誘電率材料は、主成分が酸化チタンである高誘電率磁器組成物であるような構成とした。
また、本発明の好ましい態様として、前記高誘電率材料は、主成分がチタン酸バリウムおよびチタン酸カルシウムのいずれかからなるペロブスカイト構造をもつ高誘電率磁器組成物であるような構成とした。
【０００９】
また、本発明の好ましい態様として、前記低誘電率磁器組成物は、線膨張係数が８０×１０-7／℃〜１５０×１０-7／℃の範囲内にあるような構成とした。
また、本発明の好ましい態様として、前記低誘電率磁器組成物は、α石英と、４種の結晶相［ＢａＡｌ2ＳｉＯ8＋ＢａＳｉ2Ｏ5］、［ＢａＡｌ2ＳｉＯ8＋ＢａＳｉ2Ｏ5＋Ａｌ2Ｏ3］、［ＢａＡｌ2ＳｉＯ8＋Ａｌ2Ｏ3］、［ＢａＳｉ2Ｏ5＋Ａｌ2Ｏ3］の中の１種とを含むような構成とした。
また、本発明の好ましい態様として、前記低誘電率磁器組成物は、比誘電率が７．０以下であるような構成とした。
また、本発明の好ましい態様として、焼成温度が８５０〜９６０℃の範囲内であるような構成とした。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ＡｇもしくはＣｕ、または、ＡｇやＣｕを主成分とする合金の融点以下での焼成が可能であり、低誘電率でありながら線膨張係数が高く、低温焼成可能な高誘電率材料や磁性材料等の異種の磁器組成物との同時焼成が可能な低誘電率磁器組成物を用いて、高誘電率材料と同時に焼成して得られる電子デバイスであるため、ＡｇもしくはＣｕ、または、ＡｇやＣｕを主成分とする合金を内部導体として備え、クラックの発生がない小型のフィルターや共振器、回路基板等の電子デバイスが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
次に、本発明の実施形態について説明する。
【００１２】
本発明の電子デバイスに用いる低誘電率磁器組成物は、Ｂａ系ガラスとα石英とを主成分とするものである。このような低誘電率磁器組成物において、Ｂａ系ガラスの含有量は５５．０〜６９．４重量％、好ましくは５７．３〜６６．５重量％、更に好ましくは６１．１〜６６．５重量％、α石英の含有量は１２．１〜４０．２重量％、好ましくは２０．７〜３０．３重量％、更に好ましくは２１．０〜２６．０重量％の範囲内であり、また、Ａｌ2Ｏ3を２４．５重量％以下、好ましくは６．４〜１８．６重量％、更に好ましくは９．０〜１２．９重量％の範囲で含有してもよい。
【００１３】
Ｂａ系ガラスの含有量が５５．０重量％未満であると、低誘電率磁器組成物の低温焼結性が低下し、緻密な焼結体（９００℃での焼成後において相対密度が９２％以上）が得られない。また、６９．４重量％ を超える場合も、緻密な焼結体が得られない。一方、Ｂａ系ガラスの含有量が、その最も好ましい範囲である６１．１〜６６．５重量％の範囲であると、低誘電率磁器組成物は低温焼結性をもち緻密な焼結体が得られることに加えて、９００℃以下での低温焼結可能なバリウム−レアアース−チタン酸化物の高誘電率材料と一体化焼成したときの境界の接合面に連続的な空間またはポアが発生することなく境界反応性がより良好となる。
【００１４】
また、α石英の含有量が１２．１重量％未満であると、低誘電率磁器組成物の低温焼結性が低下し、緻密な焼結体が得られず、４０．２重量％を超える場合も、緻密な焼結体が得られない。これに対して、α石英の含有量が、その最も好ましい範囲である２１．０〜２６．０重量％の範囲であると、低誘電率磁器組成物は低温焼結性をもち緻密な焼結体が得られることに加えて、低温焼結可能なバリウム−レアアース−チタン酸化物の高誘電率材料と一体化焼成したときの境界の接合面に連続的な空間またはポアが発生することなく境界反応性がより良好となる。
【００１５】
Ｂａ系ガラスとα石英とからなる主成分に添加するＡｌ2Ｏ3は、低誘電率磁器組成物の保形性を向上させる効果をもつが、添加量が２４．５重量％を超えると低温焼結性が低下し、緻密な焼結体が得られない。一方、Ａｌ2Ｏ3の添加量が、その最も好ましい範囲である９．０〜１２．９重量％の範囲であると、低誘電率磁器組成物は低温焼結性をもち緻密な焼結体が得られることに加えて、低温焼結可能なバリウム−レアアース−チタン酸化物等の高誘電率材料と一体化焼成したときの境界の接合面に連続的な空間またはポアが発生することなく境界反応性がより良好となる。
【００１６】
本発明の電子デバイスを構成する低誘電率磁器組成物におけるＢａ系ガラスは、その成分が、酸化物換算で以下の範囲となるものである。
・ＢａＯ    ：  １９〜２９ｍｏｌ％、好ましくは２１〜２５ｍｏｌ％
・ＳｉＯ2   ：  ６２〜７２ｍｏｌ％、好ましくは６４〜７０ｍｏｌ％
・Ａｌ2Ｏ3   ：  ６〜１１ｍｏｌ％、好ましくは７〜１１ｍｏｌ％
・ＢａＯ、ＳｉＯ2およびＡｌ2Ｏ3の    ：  ３〜７ｍｏｌ、好ましくは
合計１００ｍｏｌ当たりのＢ2Ｏ3量        ４〜６ｍｏｌ
【００１７】
Ｂａ系ガラスにおいて、ＢａＯ成分が１９ｍｏｌ％未満であると、ガラス化が困難であり、２９ｍｏｌ％を超えると緻密な焼結体が得られない。
【００１８】
また、ＳｉＯ2成分が６２ｍｏｌ％未満であると、緻密な焼結体が得られず、７２ｍｏｌ％を超えるとガラス化が困難であり好ましくない。
【００１９】
さらに、Ａｌ2Ｏ3成分が６ｍｏｌ％未満、あるいは、１１ｍｏｌ％を超えると、いずれも緻密な焼結体が得られない。
【００２０】
また、ＢａＯ、ＳｉＯ2およびＡｌ2Ｏ3の合計１００ｍｏｌに対するＢ2Ｏ3成分が３ｍｏｌ未満であると、ガラス化が困難であり、７ｍｏｌを超えると、緻密な焼結体が得られない。
【００２１】
本発明の電子デバイスに用いる低誘電率磁器組成物は、各構成成分を上記の範囲内で適宜設定することにより、低温燒結性を有し、かつ、線膨張係数が８０×１０-7／℃〜１５０×１０-7／℃の範囲内にあるものとすることができる。したがって、低抵抗であるＡｇあるいはＣｕ、または、ＡｇやＣｕを主成分とする合金の融点以下での焼成が可能な従来の高誘電率材料や磁性材料等の異種の磁器組成物の線膨張係数に合わせることが容易である。このため、異種の材料との同時焼成を行なっても、得られた焼成物にクラックを生じることはない。尚、本発明の電子デバイスに用いる低誘電率磁器組成物では、線膨張係数が１５０×１０-7／℃を超えるものを得ることは困難である。
【００２２】
さらに、本発明の電子デバイスに用いる低誘電率磁器組成物は、上記のような組成による線膨張係数の制御に加え、焼成温度、焼成時間によっても線膨張係数を８０×１０-7／℃〜１５０×１０-7／℃の範囲内で制御することができる。Ｂａ系ガラスとα石英との焼成、あるいは、これらにＡｌ2Ｏ3を添加したものの焼成において、ガラスの結晶化が起こり、新たな結晶相［ＢａＡｌ2ＳｉＯ8］や［ＢａＳｉ2Ｏ5］が生成する。これらの結晶相はそれぞれ固有の線膨張係数をもつので、焼成条件により結晶相の種類と量を変化させることにより、線膨張係数を制御することができる。
【００２３】
このような本発明の電子デバイスに用いる低誘電率磁器組成物は、α石英と、４種の結晶相［ＢａＡｌ2ＳｉＯ8＋ＢａＳｉ2Ｏ5］、［ＢａＡｌ2ＳｉＯ8＋ＢａＳｉ2Ｏ5＋Ａｌ2Ｏ3］、［ＢａＡｌ2ＳｉＯ8＋Ａｌ2Ｏ3］、［ＢａＳｉ2Ｏ5＋Ａｌ2Ｏ3］の中の１種とを含み、誘電率が低いにもかかわらず、高い線膨張係数をもち、かつ、低温焼結性を有するものである。
【００２４】
次に、本発明の電子デバイスに用いる低誘電率磁器組成物の製造方法について説明する。
まず、Ｂａ系ガラス成分であるＢａＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3を用意し、所定量を秤量して混合し、るつぼで溶融した後、溶融物を急冷し、これを粉砕することによりガラス粉末とする。尚、ガラス原料としては、酸化物である必要はなく、例えば、炭酸塩、水酸化物、硫酸塩等のように熱処理により酸化物となるものを使用しても、酸化物を使用した場合と同等のガラス粉末を得ることができる。
【００２５】
上記のガラス原料の混合は、例えば、乾式混合により行うことができ、溶融は１５００〜１６００℃で０．５〜５時間程度とすることができる。溶融物の粉砕は、ボールミル等を用いた湿式粉砕が望ましい。
次に、主成分であるα石英粉末と、上記のＢａ系ガラス粉末、さらに、必要に応じてＡｌ2Ｏ3粉末を準備し、これらの所定量を秤量して混合する。得られた粉末に対してポリビニルアルコール系、アクリル系、エチルセルロース系のような有機バインダーと、必要に応じて溶剤、可塑剤等を混合してスラリーを調製する。
【００２６】
次いで、このスラリーを所望の形状に成型し、この成型物を焼成する。成型はシート法や印刷法等の湿式成型の他、プレス成型等の乾式成型でもよく、所望の形状に応じて成型方法を適宜選択することが可能である。焼成温度は８５０〜９６０℃の範囲で設定することができ、焼成時間は０．１〜２４時間程度が好ましい。したがって、ＡｇもしくはＣｕ、または、ＡｇやＣｕを主成分とする合金の融点以下での低温焼成が可能となる。このため、低抵抗であるＡｇやＣｕのような融点の低い金属を内部導体として電子部品を構成することが可能となる。尚、同時焼成を行う内部導体に合わせて焼成雰囲気を選択することが望ましく、例えば、Ａｇとの同時焼成の場合は空気中のような酸素雰囲気とし、Ｃｕとの同時焼成の場合は還元雰囲気とする。
【実施例】
【００２７】
次に、実施例を示して本発明を更に詳細に説明する。
【００２８】
（実施例１）
まず、Ｂａ系ガラス成分として、ＢａＣＯ3、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3を下記表１乃至表３のガラス組成の欄に示す組成となるように秤量し、シェイカーで乾式混合した後、この混合物をるつぼに入れて１５５０℃で１時間溶融した。その後、溶融物を純水で急冷し、これをらいかい機で粗粉砕した後、ボールミルで湿式粉砕してＢａ系ガラス粉末を得た。
【００２９】
次に、上記のようにして得たＢａ系ガラス粉末と、α石英粉末、Ａｌ2Ｏ3粉末をそれぞれ下記の表１乃至表３中の材料組成の欄に示す割合となるように秤量して混合し、この混合粉末１００重量部に対して、有機バインダーとしてアクリル系樹脂を１５重量部、溶剤としてトルエンを６０重量部、可塑剤としてｎ−ブチルフタリルｎ−ブチルグリコラート（ＢＰＢＧ）を５重量部加え、ボールミルで分散し、５７種の有機スラリーを作製した。
【００３０】
次いで、上記の有機スラリーを用いてドクターブレード法により５７種のグリーンシート（試料２〜１０、１２〜５９）を作製した。その後、このグリーンシートを下記の各測定条件に合わせた所定の大きさに形成し、９００℃、２時間の焼成を行った。
【００３１】
次に、上記の各試料について、低温焼結性（９００℃での焼成後において相対密度が９２％以上）を評価し、比誘電率と線膨張係数を下記の測定方法により測定し、含有する結晶相を下記方法にて測定して、結果を下記の表１〜表３に示した。
【００３２】
また、上記の試料８、２３、４１について、低温焼結可能なバリウム−レアアース−チタン酸化物の高誘電率材料と一体化焼成し、その破断した境界面を走査電子顕微鏡装置（日本電子データム（株）製  ＪＥＤ−２００１）により観察し、一体化焼成後の境界面のｃｏｍｐｏ像（２０００倍）を撮影して図１に示した。
【００３３】
比誘電率の測定方法
約１ｍｍ角の棒状試料を作成し、比誘電率（２ＧＨｚ）を空洞共振器摂動法によ
り測定（ヒューレットパッカード（株）製  ８３６２０Ａ，８７５７Ｃを使用）
した。
【００３４】
線膨張係数の測定方法
約４×４×２８ｍｍの試料を作成し、線膨張係数（１００〜７００℃）を横型線
膨張装置（真空理工（株）製  ＤＬ−７０００Ｙ−ＲＨ）により測定した。
【００３５】
結晶相の測定方法
燒結体を乳鉢にて粉砕し、粉末Ｘ線回折法により測定（マック・サイエンス（株）
製  ＭＸＰ3システムを使用をした。測定条件はターゲットをＣｕとし、４５ｋＶ、
４０ｍＡ、１ｄｅｇ／分、２θ＝１０〜６０とした。
ただし、下記の表１〜表３において、α、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの表示は、それぞれ以
下の結晶相を表す。
α  ：  α石英
Ａ  ：  ＢａＡｌ2ＳｉＯ8＋ＢａＳｉ2Ｏ5
Ｂ  ：  ＢａＡｌ2ＳｉＯ8＋ＢａＳｉ2Ｏ5＋Ａｌ2Ｏ3
Ｃ  ：  ＢａＡｌ2ＳｉＯ8＋Ａｌ2Ｏ3
Ｄ  ：  ＢａＳｉ2Ｏ5＋Ａｌ2Ｏ3
【００３６】
【表１】
2004345950.tif 000002
【００３７】
【表２】
2004345950.tif 000003
【００３８】
【表３】
2004345950.tif 000004
【００３９】
表１〜表３に示されるように、Ｂａ系ガラスとα石英とを主成分とし、各構成成分が本発明の範囲内にある試料（２〜９、１２、１３、１７〜２１、２３〜３４、３９〜４７、５０〜５４）は、いずれも低温焼結性に優れ、ＡｇもしくはＣｕ、または、ＡｇやＣｕを主成分とする合金の融点以下での焼成が可能であるとともに、誘電率が低く（７以下（２ＧＨｚ））、かつ、線膨張係数が８０×１０-7／℃〜１３０×１０-7／℃の範囲内となるものであった。
【００４０】
さらに、上記の試料８、２３、４１のうち、Ｂａ系ガラスの含有量が６１．１〜６６．５重量％、α石英の含有量が２１．０〜２６．０重量％の範囲内であり、Ａｌ2Ｏ3を９．０〜１２．９重量％の範囲で含有している試料８と試料２３（図１および図２参照）は、低温焼結可能なバリウム−レアアース−チタン酸化物の高誘電率材料との一体化焼成時の境界反応性が、試料４１（図３参照）に比べて特に良好であった。
【００４１】
これに対して、ガラス組成においてＢａＯ成分が１９ｍｏｌ％未満である試料１、ＢａＯ、ＳｉＯ2およびＡｌ2Ｏ3の合計１００ｍｏｌ当たりのＢ2Ｏ3成分が３ｍｏｌ未満である試料１１、ＳｉＯ2成分が７２ｍｏｌ％を超える試料１４では、ガラス化が困難であり、磁器組成物が得られなかった。
また、構成成分の含有量が本発明の範囲から外れる他の試料は、いずれも９００℃における焼成で緻密化せず、相対密度は９２％未満であった。
【００４２】
（実施例２）
まず、実施例１における試料３９〜４３と同じ組成の有機スラリーを実施例１と同様にして作製した。
【００４３】
次いで、上記の有機スラリーを用いて実施例１と同様にして５種のグリーンシート（試料Ａ〜Ｅ）を作製し、その後、このグリーンシートを実施例１と同じ所定の大きさに形成し、８８０℃、２時間と、９２０℃、２時間の２種の条件で焼成した。
【００４４】
次に、上記の各試料について、線膨張係数を実施例１と同様に測定して、結果を下記の表４に示した。尚、表４には実施例１における試料３９〜４３（９００℃、２時間の焼成）の測定結果も示した。
【００４５】
【表４】
2004345950.tif 000005
【００４６】
表４に示される測定結果では、本発明の電子デバイスに用いる低誘電率磁器組成物は、同一組成において焼成条件を変えることにより線膨張係数を８０×１０-7／℃〜１３０×１０-7／℃の範囲内で制御可能であることが明らかとなった。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
低誘電率材料と高誘電率材料との同時焼成で製造され、内部導体を備える電子デバイスに利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】図１は実施例１において、試料８を高誘電率材料と一体化焼成し、その破断した境界面を示す図面代用の走査電子顕微鏡写真である。
【図２】図２は実施例１において、試料２３を高誘電率材料と一体化焼成し、その破断した境界面を示す図面代用の走査電子顕微鏡写真である。
【図３】図３は実施例１において、試料４１を高誘電率材料と一体化焼成し、その破断した境界面を示す図面代用の走査電子顕微鏡写真である。
【図１】
2004345950.tif 000006
【図２】
2004345950.tif 000007
【図３】
2004345950.tif 000008