(57)【要約】【課題】両面成膜用スピンコート装置に関し、簡易的な構造でかつ雰囲気濃度を変えないようにしながら、基板裏面への塗布液の回り込みを防止する。【解決手段】非極性の溶媒中に磁性体を分散したコート液４をスピンコート法によって被塗布基板２上に成膜する際に、被塗布基板２の裏面にコート液４が回り込むことを防止するために被塗布基板２の裏面に雰囲気を吹き付ける機構を備える。【選択図】　　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非極性の溶媒中に磁性体を分散したコート液をスピンコート法によって被塗布基板上に成膜する両面成膜用スピンコート装置において、前記被塗布基板の裏面に前記コート液が回り込むことを防止するために前記被塗布基板の裏面に雰囲気を吹き付ける機構を備えたことを特徴とする両面成膜用スピンコート装置。
【請求項２】
上記被塗布基板の裏面に雰囲気を吹き付ける機構が、被塗布基板回転機構の回転軸に取り付けられたファンからなることを特徴とする請求項１記載の両面成膜用スピンコート装置。
【請求項３】
上記ファンを上記被塗布基板回転機構と独立に回転できる機構を備えていることを特徴とする請求項２記載の両面成膜用スピンコート装置。
【請求項４】
上記被塗布基板の裏面に雰囲気を吹き付ける機構が、下側から上側に向かって雰囲気を対流させるために前記被塗布基板の下側の領域を加圧雰囲気にする加圧機構からなることを特徴とする請求項１記載の両面成膜用スピンコート装置。
【請求項５】
上記被塗布基板の内径をチャックし、上記被塗布基板回転機構の回転軸に固定するチャック機能を備えたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の両面成膜用スピンコート装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は両面成膜用スピンコート装置に関するものであり、例えば、磁気ディスク基板の両面に磁性金属粒子を塗布コートする際にコート液が基板の裏面に回り込むことを防止するための機構に特徴のある両面成膜用スピンコート装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、Ｓｉデバイスや化合物半導体デバイス等の半導体デバイスの製造工程において、フォトリソグラフィー工程或いは層間絶縁膜の形成工程にスピンコート法による成膜が日常的に採用されている。
【０００３】
この工程に用いるスピンコート装置は非常に汎用的な装置であるため、磁気ヘッド等の半導体装置以外の分野でも用いられているが、近年、磁気記録媒体、即ち、磁気ディスクの製造工程においても、磁性層を形成するために、スパッタリング法に代わってスピンコート法の採用が検討されている。
【０００４】
例えば、ヘキサンやオクタンなどの非極性の炭化水素溶媒中にＦｅＰｔ粒子を分散させたコート液を用いてガラス基板上にスピンコートし、溶媒を蒸発させたのち熱処理を加えてＦｅＰｔを磁性化することが行われている。
【０００５】
また、一般に、磁気記録媒体は、通常、プラッタあたりの記録密度を高めるために、両面に記録再生が可能とするように両面に磁性薄膜が成膜されているが、スピンコート法を用いて、両面に成膜するためには、裏面への塗布液の回り込みを防止する必要がある。
【０００６】
この様な塗布液の裏面への回り込みを防止する方法としては、スピンドルの回転軸に空気を流すための配管を行い、裏面の内側から外側へ空気を流しながら成膜することで塗布液の裏面への回り込みを防止することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
【特許文献１】
実願平６−２８６４号のマイクロフィルム
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ＦｅＰｔ粒子を規則正しく配列させるためには、溶媒の蒸発をゆっくり行う必要があるが、沸点の低いヘキサン（沸点：６８．７４℃）やオクタンなどの非極性の炭化水素溶媒中に成膜したいＦｅＰｔ粒子等の磁性金属物質が分散している場合、汎用的なスピンコータを用いると、滴下直後から溶媒の揮発が始まり、スピンコートしても、均一に成膜できない問題がある。
特に、スピンコータは、その成膜方法が、外径、内径を有する基板への成膜は、基板中心に所望の物質を滴下することができないという問題がある。
【０００９】
そこで、本発明者等はこれらの２つの問題を解決するため、溶媒を密閉成膜室に別途供給して密閉成膜室を溶媒雰囲気とし、コート液中の溶媒の蒸発をゆっくり行うことを提案している（必要ならば、特願２００２−１１７００７号参照）。
【００１０】
しかし、この様なスピンコート方法においては溶媒雰囲気にて行うため、裏面への塗布液の回り込みを防止するために、上述の提案の様に裏面の内側から外側へ空気を流しながら成膜した場合には、空気を流すことで溶媒雰囲気の溶媒濃度が薄まってしまうという問題が発生する。
【００１１】
また、提案されている裏面の内側から外側へ空気を流しながら成膜する方法は、装置構造が複雑になるという問題もある。
【００１２】
したがって、本発明は、簡易的な構造でかつ雰囲気濃度を変えないようにしながら、基板裏面への塗布液の回り込みを防止することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理的構成の説明図であり、この図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照
上記目的を達成するため、本発明は、非極性の溶媒中に磁性体を分散したコート液４をスピンコート法によって被塗布基板２上に成膜する両面成膜用スピンコート装置において、被塗布基板２の裏面にコート液４が回り込むことを防止するために被塗布基板２の裏面に雰囲気を吹き付ける機構を備えたことを特徴とする。
【００１４】
この様に、被塗布基板２の裏面に雰囲気を吹き付ける機構を設けることにより、溶媒雰囲気の溶媒濃度を薄めることなく、コート液４の裏面への回り込みを防ぐことができるため、スピンコート法により被塗布基板２の両面への成膜が可能となる。
【００１５】
この被塗布基板２の裏面に雰囲気を吹き付ける機構としてはファン６を用い、このファン６を被塗布基板２回転機構の回転軸に取り付ければ良く、回転軸の回転と同時にファン６が回り、被塗布基板２の裏面に向かって対流が起こるため、裏面への回り込みを防止できる。
この様な構成は、特に、溶媒供給機構５から溶媒を供給し、密閉成膜室１を溶媒雰囲気にした状態でコート液供給機構３からコート液４を滴下してコートを行う場合に有効となる。
【００１６】
この場合、ファン６を被塗布基板２の回転機構と独立に回転できる機構を設けても良く、それによって、対流量を被塗布基板２の回転とは独立に任意に制御することができる。
【００１７】
或いは、被塗布基板２の裏面に雰囲気を吹き付ける機構としては、下側から上側に向かって雰囲気を対流させるために前記被塗布基板２の下側の領域を加圧雰囲気にする加圧機構を用いても良い。
【００１８】
この場合の被塗布基板２の下側の領域を加圧雰囲気にする加圧機構としては、被塗布基板２の周囲に被塗布基板２の一定の間隙を介して配置した遮蔽板と、被塗布基板２の下側の領域に溶媒気化ガスを導入する気化ガス導入機構とを用いれば良い。
【００１９】
また、被塗布基板２の内径をチャックし、被塗布基板２の回転機構の回転軸に固定するチャック機能を設けることが望ましく、それによって、被塗布基板２の内径ぎりぎりまで磁性膜を形成することが可能になり、記録容量を増大させることができる。
【００２０】
このチャック機構７は、被塗布基板２の内径の内径側に拡げる拡張治具及び前記拡張治具を上から押さえる押さえ治具から構成することが望ましい。
【００２１】
【発明の実施の形態】
ここで、図２乃至図６を参照して、本発明の第１の実施の形態の両面成膜用スピンコート装置を説明する。
図２参照
図２は、本発明の第１の実施の形態の両面成膜用スピンコート装置の密閉状態における概略的構成図であり、ガラス基板からなるディスク基板１４をディスクチャック機構２０により保持して回転させるディスク基板回転機構１２を挿通した密閉用カップ１１と、コート液用シリンジ３４及びヘキサン用シリンジ３６を挿通したガス導入密閉用プレート３１によって基本構造が構成される。
【００２２】
このディスク基板回転機構１２には、コート液が裏面に回り込むのを防止するために、ディスク基板１４の裏面に雰囲気を吹きつけるためのファン１９が設けられている。
【００２３】
また、密閉用カップ１１の底部には、密閉用カップ１１を上下動させてガス導入密閉用プレート３１に接触させて密閉空間を形成するカップ上下動機構１３が設けられており、図において矢印で示す上下方向に移動させることによって、開放−密閉の操作を行う。
なお、密閉用カップ１１とガス導入密閉用プレート３１との接触部の一方には、Ｏリング等の気密封止手段が設けられている。
【００２４】
また、密閉用カップ１１には配管を介して密閉空間を真空に排気するオイルフリーポンプ１５が接続されており、また、密閉用カップ１１内には密閉空間の真空度を測定するピラニゲージ１７と、導入した溶媒であるヘキサンの蒸気圧を測定するヘキサン蒸気圧センサ１６が配置されている。
【００２５】
一方、コート液用シリンジ３４には、ヘキサン中にＦｅＰｔ粒子を分散させたコート液の滴下量を制御するためのマスフローコントローラ３５が設けられており、また、このコート液用シリンジ３４には気密構造を保ったままでラジアル方向に直線的に移動させる機構が設けられている。
なお、この場合のＦｅＰｔ粒子は、化学合成後に分散液を加熱することによって事前に磁気を帯びさせている。
【００２６】
また、ヘキサン用シリンジ３６には、ヘキサンの導入量を制御するマスフローコントローラ３７が設けられているとともに、滴下先にホットプレート３８が配置されており、滴下されたヘキサンはホットプレート３８によって加熱されるこによって気化し、密閉成膜室１８をヘキサン雰囲気で満たすことになる。
【００２７】
また、ガス導入密閉用プレート３１は、ガス導入空間３３が設けられ、１本のガス導入管４０と１個のコンダクタンスバルブ３９を介してＮ２　ガスをガス導入空間３３に導入し、ガス導入密閉用プレート３１に均一に配置した複数のガス導入口３２を介して密閉成膜室１８に乾燥用のＮ２　ガスを導入するようにしたものである。
なお、ガス導入管４０にはマスフローコントローラ４１が設けられている。
【００２８】
図３参照
図３は、本発明の第１の実施の形態の両面成膜用スピンコート装置のディスク基板回転機構近傍の概略的斜視図であり、ディスク基板１４はディスク押さえ部材２１と押さえ部材駆動部材２２からなるディスクチャック機構２０によりディスク基板回転機構１２に固定されている。
【００２９】
また、このディスク基板回転機構１２の回転軸には、中空回転軸２３とハネ２４からなるファン１９が回転軸に挿通されるようにして回転自在に取り付けられ、ディスク基板回転機構１２の回転軸の回転とともに回転する。
【００３０】
図４（ａ）及び（ｂ）参照
図４（ａ）は、非チャック時のディスクチャック機構２０の概略的断面図であり、図４（ｂ）は、チャック時のディスクチャック機構２０の概略的断面図である。
図に示すようにディスクチャック機構２０は、ラジアル方向に移動してディスク基板１４をディスク基板回転機構１２に装着・固定するディスク押さえ部材２１、このディスク押さえ部材２１を上方向から押さえつけてラジアル方向に移動させる押さえ部材駆動部材２２からなる。
【００３１】
なお、図示を省略しているが、ディスク押さえ部材２１はバネ部材により中央側に付勢されているので、押さえ部材駆動部材２２を上昇させると、バネの付勢力によってディスク押さえ部材２１は中央よりに移動してチャック状態が解除される。
【００３２】
この様なディスクチャック機構２０を用いることによって、ドーナツ状のディスク基板１４の内側の一部だけに接触して保持・固定することが可能になり、それによって、有効記録領域を広くすることができる。
【００３３】
図５参照
図５は、本発明の第１の実施の形態の両面成膜用スピンコート装置のファンの概略的構成図であり、ファン１９は通常の換気扇と同様の形状のハネ２４と、ハネ２４を固定する中空回転軸２３からなり、この中空回転軸２３は、ディスク基板回転機構１２の回転軸に挿通され固定され、ディスク基板回転機構１２の回転軸の回転とともにハネ２４が回転して雰囲気ガス、即ち、溶媒ガスをディスク基板１４の裏面に吹きつける。
【００３４】
次に、本発明の第１の実施の形態の両面成膜用スピンコート装置を用いたスピンコート法を説明するが、説明に当たっては図２に付した符号を引用する。
まず、
▲１▼ディスク基板１４の前処理工程として、例えば、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍのドーナツ状のガラス基板からなるディスク基板１４を上述のディスクチャック機構２０によりディスク基板回転機構１２に固定したのち、ディスク基板１４を例えば、３００ｒｐｍで回転させる。
【００３５】
次いで、
▲２▼密閉成膜室１８をヘキサン雰囲気にする工程とし、図２に示すように、カップ上下動機構１３を駆動して密閉用カップ１１を上方に移動させて、ガス導入密閉用プレート３１に当接させることにより密閉成膜室１８を構成したのち、密閉成膜室１８内にヘキサン用シリンジ３６からヘキサンを例えば、１００ｍＬ導入し、ホットプレート３８で例えば、８０℃に加熱することによりヘキサンを気化させて、密閉成膜室１８内を予めヘキサン雰囲気とする。
【００３６】
次いで、
▲３▼コート液滴下工程において、溶媒のヘキサンにＦｅＰｔ粒子を分散させたコート液を、コート液用シリンジ３４から例えば、２００μＬを５秒間で滴下する。
本発明においては、このコート液を渦巻状態で滴下するので、この様子を図６を参照して説明する。
【００３７】
図６参照
図６は、本発明の第１の実施の形態のスピンコート法の説明図であり、ディスク基板１４を例えば、６０ｒｐｍのゆっくりした回転数で回転させた状態で、コート液用シリンジ３４を図において矢印で示すラジアル方向に０．５ｃｍ／秒の速度で移動させながらコート液４２を滴下するものであり、この相対運動によってコート液４２はディスク基板１４に対し渦巻状態で滴下されることになる。
この時、ファン１９はディスク基板１４の回転とともに回転するので、雰囲気ガス、即ち、溶媒ガスをディスク基板１４の裏面に吹き付けた状態となる。
【００３８】
次いで、
▲４▼スピンコート工程において、ディスク基板１４を例えば、１０００ｒｐｍで１０秒間回転させることにより、コート液４２を、したがって、ＦｅＰｔ粒子をディスク基板１４の表面全面に拡げる。
【００３９】
このスピンコート工程においては、密閉成膜室１８内は、ヘキサン蒸気で満たされているので、コート液４２中のヘキサンが揮発することはない。
また、ディスク基板１４の回転と同時にファン１９も回転し、ヘキサン雰囲気をディスク基板１４の裏面に吹きつけているので、回転によってディスク基板１４の周辺端部の押しやられたコート液４２が裏面に回り込むことがない。
【００４０】
次いで、
▲５▼残存溶媒の乾燥工程において、ディスク基板１４を例えば、３００ｒｐｍで回転させた状態で、密閉成膜室１８内に、ガス導入管４０及びコンダクタンスバルブ３９を介してＮ２　ガスを例えば、１０ｓｃｃｍの流量で１２０秒間導入して、コート液４２中のヘキサンを蒸発させる。
【００４１】
この時、複数のガス導入口３２を略均一に面内分布させているので、ディスク基板１４の表面全面にＮ２　ガスが均一に当たり、基板全面においてゆっくりと均一に蒸発が生じるので、ＦｅＰｔ粒子が整然と均一な厚さで整列した状態で乾燥膜が得られる。
【００４２】
次いで、ディスク基板１４を裏返しにしてチャックし、上記と同様の工程で再び成膜を行うことによって、ディスク基板１４の両面にＦｅＰｔ粒子からなる磁性層を形成する。
【００４３】
この様に、本発明の第１の実施の形態においては、コート液滴下工程、スピンコート工程及び乾燥工程においてファン１９を回転させて、ディスク基板の裏面に雰囲気ガスを吹きつけているので、内径、外径を有する基板の表面と裏面に、ＦｅＰｔ粒子からなる磁性膜を安定して成膜することができ、それによって、プラッタあたりの記録密度を高めることができる。
【００４４】
また、本発明の第１の実施の形態においては、上述の図４に示したディスクチャック機構を用いているので、内径、外径を有する基板を固定する際に、内径の内側ぎりぎりまでコート液を滴下することができ、それによって、有効磁気記録領域を広くすることができる。
【００４５】
次に、図７を参照して、本発明の第２の実施の形態の両面成膜用スピンコート装置を説明する。
図７参照
図７は、本発明の第２の実施の形態の両面成膜用スピンコート装置の密閉状態における概略的構成図であり、基本的構成は上記の第１の実施の形態と同様であるが、この第２の実施の形態においてはファンの代わりに、隔壁２５を設けるとともにヘキサンガス導入管２６を設けたものである。
【００４６】
この隔壁２５は、ディスク基板１４と一定の間隙を介して対向する様に設けられており、また、密閉用カップ１１の底面を挿通するように気化させたヘキサンを導入するヘキサンガス導入管２６を設ける。
【００４７】
この本発明の第２の実施の形態の両面成膜用スピンコート装置のスピンコート工程は、上記の第１の実施の形態と基本的に同様であるが、上述の▲３▼のコート液滴下工程〜▲５▼の乾燥工程の間、このヘキサンガス導入管２６から気化したヘキサンガスを密閉用カップ１１内に導入することによって、隔壁２５の存在によりディスク基板１４より下側の部分の圧力を上側の圧力より高くする。
なお、ここでは、０．０５Ｐａ高くなるように設定する。
【００４８】
ディスク基板１４より下側の部分の圧力が上側の圧力より高くなると、ディスク基板１４より下側の部分の雰囲気ガスが圧力差によって隔壁２５とディスク基板１４との間隙から流れ出す気流が発生し、この気流によって雰囲気ガスがディスク基板１４の裏面に吹き付けられることになるので、ディスク基板１４の裏面にコート液が回り込むことがなくなる。
【００４９】
次に、図８を参照して、本発明の第１の実施の形態に用いるファンの変形例を説明する。
図８（ａ）参照
図８（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に用いるファンの変形例の平面図であり、上記の図５に示した第１の実施の形態におけるファンのハネを４枚に変更したものであり、その他の構成は図５に示したファンと同様である。
即ち、ファン１９は通常の換気扇と同様の形状の４枚のハネ２４と、ハネ２４を固定する中空回転軸２３からなり、この中空回転軸２３は、ディスク基板回転機構１２の回転軸に挿通され固定され、ディスク基板回転機構１２の回転軸の回転とともにハネ２４が回転して雰囲気ガス、即ち、溶媒ガスをディスク基板１４の裏面に吹きつける。
【００５０】
図８（ｂ）及び（ｃ）参照
図８（ｂ）は本発明の第１の実施の形態に用いるファンの他の変形例の平面図であり、また、図８（ｃ）はその側面図である。
図に示すように、このファン２７は、エッジ状のハネ２９と、このハネ２９を固定する中空回転軸２８からなり、中空回転軸２８はディスク基板回転機構１２の回転軸に挿通・固定する。
この様な簡単な構成のハネ２９を用いることによって、ファン構成を簡素化することができる。
【００５１】
以上、本発明の各実施の形態を説明したが、本発明は各実施の形態に記載した構成及び条件に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記の第１の実施の形態においてはファン１９をディスク基板回転機構１２の回転軸に挿通・固定し、ディスク基板回転機構１２と同じ回転数で回転させているが、ファン１９をディスク基板回転機構１２の回転軸にベアリングを介して取付け、他の回転手段により独立に回転するようにしても良い。
それによって、常に同じ回転数で回転させることにより、ディスク基板の裏面に吹きつける雰囲気ガスの吹きつけ量を常に一定にすることができる。
【００５２】
また、上記の各実施の形態においては、磁場印加については言及していないが、必要に応じて磁場印加機構を設けても良いものであり、それによって、磁場の方向にＦｅＰｔ粒子の磁化容易軸が揃い垂直異方性を有する磁性膜を構成することができる。
【００５３】
また、上記の各実施の形態においては、ヘキサン用シリンジからヘキサンを液状で導入して、密閉成膜室内で気化させているが、気体の状態で供給しても良いものである。
その場合には、密閉成膜室外に気化装置を設けても良いし、或いは、密閉成膜室外において、ヘキサン用シリンジにコイルヒータを巻き付けて加熱しても良いものである。
【００５４】
また、上記の各実施の形態においては、ヘキサンを滴下する際に、ディスク基板を回転させているが、ホットプレート等の気化装置を用いる場合には必ずしも必要はないものである。
【００５５】
また、上記の各実施の形態においては、有機溶媒としてヘキサンを用いているが、ヘキサンに限られるものではなく、オクタン等のヘキサンと同様の他の非極性の炭化水素を用いても良いものである。
【００５６】
また、コート液に含まれる溶質は、ＦｅＰｔ粒子に限られるものではなく、成膜対象となる磁気を帯びた磁性金属粒子であれば良い。
【００５７】
また、溶質及び溶媒に組み合わせは、上記の組合せに限られるものではなく、溶質は必ずしも金属粒子である必要はなく磁気を帯びた磁性粒子であれば良く、また、溶媒は必ずしも非極性の炭化水素である必要はない。
【００５８】
また、上記各実施の形態においては、コート液を滴下するためにシリンジを用いているが、シリンジに限られるものではなく、ノズル等の他の液体導入機構を用いても良いものである。
【００５９】
また、上記の各実施の形態においては、乾燥ガスとしてＮ２　ガスを用いているが、Ｎ２　ガスに限られるものではなく、Ａｒガス等の他の不活性ガスを用いても良いことは言うまでもない。
【００６０】
また、上記の各実施の形態においては、真空排気手段としてオイルフリーポンプを用いているが、必ずしもオイルフリーポンプである必要はなく、通常のロータリーポンプを用いても良いものである。
但し、ロータリーポンプを用いた場合には、有機溶媒によってオイルが劣化してロータリーポンプの寿命が短くなる虞がある。
【００６１】
また、上記の各実施の形態においては、密閉成膜室内にヘキサン蒸気圧センサを設けているが、必ずしも必要のないものであり、密閉成膜室の容積とヘキサンの滴下量によって制御しても良いものである。
【００６２】
また、上記の各実施の形態においては、真空計としてピラニゲージを用いているが、ピラニゲージに限られるものではなく、低真空度の計測が可能であればどの様な真空計を用いても良いものである。
【００６３】
また、上記の各実施の形態においては、ディスク基板としてガラス基板を用いているが、Ａｌ基板等の他の基板を用いても良いものである。
【００６４】
ここで、再び図１を参照して、改めて本発明の詳細な特徴を説明する。
再び、図１参照
（付記１）　非極性の溶媒中に磁性体を分散したコート液４をスピンコート法によって被塗布基板２上に成膜する両面成膜用スピンコート装置において、前記被塗布基板２の裏面に前記コート液４が回り込むことを防止するために前記被塗布基板２の裏面に雰囲気を吹き付ける機構を備えたことを特徴とする両面成膜用スピンコート装置。
（付記２）　上記被塗布基板２の裏面に雰囲気を吹き付ける機構が、被塗布基板回転機構の回転軸に取り付けられたファン６からなることを特徴とする付記１記載の両面成膜用スピンコート装置。
（付記３）　上記ファン６を上記被塗布基板回転機構と独立に回転できる機構を備えていることを特徴とする付記２記載の両面成膜用スピンコート装置。
（付記４）　上記被塗布基板２の裏面に雰囲気を吹き付ける機構が、下側から上側に向かって雰囲気を対流させるために前記被塗布基板２の下側の領域を加圧雰囲気にする加圧機構からなることを特徴とする付記１記載の両面成膜用スピンコート装置。
（付記５）　上記被塗布基板２の下側の領域を加圧雰囲気にする加圧機構が、前記被塗布基板２の周囲に前記被塗布基板２の一定の間隙を介して配置した隔壁、及び、前記被塗布基板２の下側の領域に上記溶媒気化ガスを導入する気化ガス導入機構からなることを特徴とする付記１記載の両面成膜用スピンコート装置。
（付記６）　上記被塗布基板２の内径をチャックし、上記被塗布基板回転機構の回転軸に固定するチャック機能を備えたことを特徴とする付記１乃至５のいずれか１に記載の両面成膜用スピンコート装置。
（付記７）　上記チャック機構７が、上記被塗布基板２の内径の内径側に拡げる拡張治具及び前記拡張治具を上から押さえる押さえ治具から構成されることを特徴とする付記６記載の両面成膜用スピンコート装置。
【００６５】
【発明の効果】
本発明によれば、スピンコート工程及び乾燥工程において基板裏面に雰囲気ガスを吹き付けて、コート液の基板裏面への回り込みを防止しているので、両面記録磁気記録媒体を精度良く形成することができ、ひいては、磁気ディスクの高密度記録化・低コスト化に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の両面成膜用スピンコート装置の密閉状態における概略的構成図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の両面成膜用スピンコート装置のディスク基板回転機構近傍の概略的斜視図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態の両面成膜用スピンコート装置のディスクチャック機構の概略的構成図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態の両面成膜用スピンコート装置のファンの概略的構成図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態のスピンコート法の説明図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態の両面成膜用スピンコート装置の密閉状態における概略的構成図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に用いるファンの変形例の説明図である。
【符号の説明】
１　密閉成膜室
２　被塗布基板
３　コート液供給機構
４　コート液
５　溶媒供給機構
６　ファン
７　チャック機構
１１　密閉用カップ
１２　ディスク基板回転機構
１３　カップ上下機構
１４　ディスク基板
１５　オイルフリーポンプ
１６　ヘキサン蒸気圧センサ
１７　ピラニゲージ
１８　密閉成膜室
１９　ファン
２０　ディスクチャック機構
２１　ディスク押さえ部材
２２　押さえ部材駆動部材
２３　中空回転軸
２４　ハネ
２５　隔壁
２６　ヘキサンガス導入管
２７　ファン
２８　中空回転軸
２９　ハネ
３１　ガス導入密着用プレート
３２　ガス導入口
３３　ガス導入空間
３４　コート液用シリンジ
３５　マスフローコントローラ
３６　ヘキサン用シリンジ
３７　マスフローコントローラ
３８　ホットプレート
３９　コンダクタンスバルブ
４０　ガス導入管
４１　マスフローコントローラ
４２　コート液
【図１】
2004127445.tif 000003
【図２】
2004127445.tif 000004
【図３】
2004127445.tif 000005
【図４】
2004127445.tif 000006
【図５】
2004127445.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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