(57)【要約】【課題】記録層の構成元素として主にＳｂとＴｅから成る相変化光ディスクについて、従来技術では見い出せなかった記録特性が向上する結晶状態を規定し、かつ、その結晶状態を実現する初期化方法を提供すること。【解決手段】基板上に相変化材料からなる記録層を設けた光記録媒体の結晶化状態が、薄膜Ｘ線回折法で測定したＸ線回折パターンで、２θ＝２７〜３１ｄｅｇ付近に見られるピーク強度Ｐ１と２θ＝３９〜４４ｄｅｇ付近に見られるピーク強度Ｐ２の強度比Ｐ１／Ｐ２が１０以上になるような条件で初期化する方法。【選択図】　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に相変化材料からなる記録層を設けた光記録媒体の結晶化状態が、薄膜Ｘ線回折法で測定したＸ線回折パターンで、２θ＝２７〜３１ｄｅｇ付近に見られるピーク強度Ｐ１と２θ＝３９〜４４ｄｅｇ付近に見られるピーク強度Ｐ２の強度比Ｐ１／Ｐ２が１０以上になるような条件で初期化する方法。
【請求項２】
記録層がＳｂとＴｅから少なくともなり、ＳｂとＴｅが含有される量が全体の８５％以上であることを特徴とする請求項１に記載の初期化方法。
【請求項３】
前記ＳｂとＴｅの比Ｓｂ／Ｔｅが２．４〜５．０の範囲であることを特徴とする請求項２に記載の初期化方法。
【請求項４】
前記相変化材料にＧｅが含まれていることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の初期化方法。
【請求項５】
前記相変化材料のＧｅの含有量が２〜５％の範囲であることを特徴とする請求項４に記載の初期化方法。
【請求項６】
前記光記録媒体が、少なくとも、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反射層を積層してなる光記録媒体であることを特徴とする請求項１に記載の初期化方法。
【請求項７】
前記記録層の膜厚が１０〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の初期化方法。
【請求項８】
前記第２誘電体層の膜厚が１０〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項６に記載の初期化方法。
【請求項９】
前記反射層の膜厚が１００〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項６に記載の初期化方法。
【請求項１０】
一定の線速で回転する光記録媒体に半導体レーザを照射し、一定の送り速度でレーザ光を移動させ、媒体を回転させる線速として前記相変化材料がアモルファス化する線速より０〜２ｍ／ｓ遅いことを特徴とする初期化方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、相変化材料を用いた光記録媒体の初期化（結晶化）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、相変化材料を記録層とした光記録媒体の開発が盛んに行なわれている。記録媒体における相変化材料の記録膜は、スパッタリング成膜の直後は通常非晶質である。光情報記録媒体では、未記録部を結晶質、記録部を非晶質（アモルファスマーク）として記録再生を行なうため、情報記録する前にあらかじめ記録層を結晶状態にしておくことが必要である。これを初期化と呼び、大出力のレーザービームを記録層に逐次照射する（アニール）ことで非晶質膜を結晶化することが一般的に行なわれている。
【０００３】
記録層に用いられる相変化材料の結晶状態は光記録媒体の記録特性に大きく影響することが知られている。そのため、光記録媒体に求められる特性、例えば記録容量や記録速度、信頼性（特に繰り返し特性）等の向上を目的とした様々な提案がなされている。
例えば、特開２０００−１９５１１１号公報では結晶粒径の大きさを規定し、特開２０００−３４３８３０号公報では格子面間隔を規定し、特開２００１−９６９１９号公報及び特開平１１−３２１１０２号公報等では特定の結晶相を規定し、さらに特開２００２−２１０６号公報では結晶構造を規定した提案が各々なされている。一方、特開２００１−２８３４７７号公報等では結晶状態については特に規定していないが、初期化方法を規定することで記録特性の向上を図ったりしている。
【０００４】
しかし、これらの従来技術には以下のような問題点がある。
記録層に用いられる相変化材料の結晶状態を規定するための初期化方法の具体的な方法が不明で、現実性に乏しい。
記録層に用いられる相変化材料としては通常ＳｂとＴｅを主体とし、それに様々な元素を添加して特性改善を行なっている（例えば、特開２０００−３１３１７０号公報や特開２０００−３４３８３０号公報等）。しかし、これらの添加元素により記録層の結晶状態が変化し、任意の結晶状態を実現することが困難である。
初期化方法を規定しても、記録層に用いられる相変化材料が異なった場合、求められる記録特性が実現するとは限らない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、記録層の構成元素として主にＳｂとＴｅから成る相変化光ディスクについて、従来技術では見い出せなかった記録特性が向上する結晶状態を規定し、かつ、その結晶状態を実現する初期化方法を提供することにある．
【０００６】
【課題を解決するための手段】
すなわち、上記課題は、本発明の（１）「基板上に相変化材料からなる記録層を設けた光記録媒体の結晶化状態が、薄膜Ｘ線回折法で測定したＸ線回折パターンで、２θ＝２７〜３１ｄｅｇ付近に見られるピーク強度Ｐ１と２θ＝３９〜４４ｄｅｇ付近に見られるピーク強度Ｐ２の強度比Ｐ１／Ｐ２が１０以上になるような条件で初期化する方法」、（２）「記録層がＳｂとＴｅから少なくともなり、ＳｂとＴｅが含有される量が全体の８５％以上であることを特徴とする前記第（１）項に記載の初期化方法」、（３）「前記ＳｂとＴｅの比Ｓｂ／Ｔｅが２．４〜５．０の範囲であることを特徴とする前記第（２）項に記載の初期化方法」、（４）「前記相変化材料にＧｅが含まれていることを特徴とする前記第（１）項乃至第（３）項の何れかに記載の初期化方法」、（５）「前記相変化材料のＧｅの含有量が２〜５％の範囲であることを特徴とする前記第（４）項に記載の初期化方法」、（６）「前記光記録媒体が、少なくとも、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反射層を積層してなる光記録媒体であることを特徴とする前記第（１）項に記載の初期化方法」、（７）「前記記録層の膜厚が１０〜２０ｎｍであることを特徴とする前記第（１）項乃至第（６）項の何れかに記載の初期化方法」、（８）「前記第２誘電体層の膜厚が１０〜２０ｎｍであることを特徴とする前記第（６）項に記載の初期化方法」、（９）「前記反射層の膜厚が１００〜２００ｎｍであることを特徴とする前記第（６）項に記載の初期化方法」、（１０）「一定の線速で回転する光記録媒体に半導体レーザを照射し、一定の送り速度でレーザ光を移動させ、媒体を回転させる線速として前記相変化材料がアモルファス化する線速より０〜２ｍ／ｓ遅いことを特徴とする初期化方法」によって解決される。
【０００７】
以上のように構成される本発明は、従来技術では見い出せなかった記録特性の向上と結晶化状態の関係を明らかにし、かつ、その結晶化状態を実現する初期化方法を提供することができる。
一般に、初期化条件は記録層の結晶化状態を左右し、メディア特性にも大きく影響するものであり、本発明者等は、同様な初期化条件を用いて記録層に用いられている相変化材料を直接結晶化し、その結晶状態との関係を検証し、その結果、良好なメディア特性（特に信号品質を表わすジッター）を示す初期化条件と相変化材料の結晶化状態との間には、薄膜Ｘ線回折法で測定したＸ線回折パターンで、２θ＝２７〜３１ｄｅｇ付近に見られるピーク強度Ｐ１と２θ＝３９〜４４ｄｅｇ付近に見られるピーク強度Ｐ２の強度比Ｐ１／Ｐ２が１０以上になることを確認した。特に、この条件は比較的記録線速の速い（約１０ｍ／ｓ以上）ディスクの特性の改善に有効であることが判った。
【０００８】
初期化条件を用いた相変化材料の結晶化に用いる試料については、ガラス基板上に相変化膜を成膜したものを用いるのが最適である。膜厚については、あまり薄いと初期化で膜が蒸発する恐れがある。一方、あまり厚いと充分な結晶化を実現できないため、大体８０〜２００ｎｍが最適である。
【０００９】
次に、結晶状態の評価方法としては、薄膜Ｘ線回折法を用いるのが最適である。薄膜Ｘ線回折法とは、Ｘ線の入射角を微小角で固定し、その検出感度を上げて測定するものであって、この方法を用いると結晶状態を詳細に評価することができる。
【００１０】
ＳｂとＴｅが主成分である相変化材料の場合、他の元素を添加していても概ね２７〜３１ｄｅｇ付近と３９〜４４ｄｅｇ付近にピークを示すことが判った。特にＳｂとＴｅの総量が全体の８５％以上の組成範囲においては添加元素の影響はほとんど受けず、同じ角度に主なピークを示すことが判った。また、この組成範囲以外の場合は添加元素の含有量が多くなり過ぎ、相変化自体を起こさなかったり、満足な特性が得られなくなる。
【００１１】
次に、記録速度と繰り返し特性及び保存信頼性の関係からＳｂ／Ｔｅが２．４〜５．０であることが望ましい。我々のこれまでの知見から、Ｓｂ量が多いほど高速で記録することが可能になることが判っているが、Ｓｂ量が多すぎると繰り返し特性や保存信頼性に影響が出てくる。
【００１２】
次に、更なる保存特性の向上の点からＧｅが添加されることが望ましい。また、Ｇｅの含有量は２〜５％であることが望ましい。Ｇｅの働きとしては、記録されたアモルファスマークの形状を保持する役割があると考えられ、Ｇｅを添加することで保存特性が向上する。ただし、添加量が少なすぎると保存の効果が小さく、多すぎると他の特性、特に記録速度に大きく影響するため好ましくない。
【００１３】
次に、光記録媒体の構造としては、少なくとも第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反射層を積層してなる構造が望ましい。第１誘電体層を設けることで、光記録媒体の反射率や変調度を調整することができる。用いる材料としては、酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、そしてこれらを混合したもので、更にその中でも記録再生に用いる光に対して透光性を有する材料を用いることができる。　また、第２誘電体層を設けることで、記録層で発生する熱の調整を行なうことができる。特に、第２誘電体層を複数の材料と層とで構成することで、より熱の調整を細やかに行なうことができる。この構成を用いることで、非常に短時間での熱の調整が必要な高線速記録に向いた光記録媒体が実現できる。第２誘電体層に用いる材料としては第１誘電体層で用いる材料と同様なものを用いることができる。
最後に、反射層を設けることで、反射率の向上と放熱効果がより顕著になる。用いる材料としては、一般的に金属と言われているもので、一例としてはＡｌとその合金、Ｐｔを除いた貴金属類とその合金などが挙げられる。中でも、Ａｇは最も熱伝導率が低い材料で放熱効果が最も高く、繰り返し特性の向上や高い記録パワーが必要な高速記録に向いている。ただし、Ａｇは反応性が高い、特に硫化物との反応性は非常に高いため、第２誘電体層材料が硫化物の場合、Ａｇと第２誘電体層の間に硫化防止の層を設ける必要がある。あるいは、合金化により耐食性を向上させたＡｇ合金を用いる必要がある。
【００１４】
次に各層の膜厚については、特に限定的でないが、記録層が１０〜２０ｎｍ、第２誘電体層が１０〜２０ｎｍ及び反射層が１００〜２００ｎｍの範囲であることが望ましい。第１誘電体層の膜厚を用いて比較的他の特性に影響を与えずに反射率や変調度を調整することが可能なため、第１誘電体層の膜厚は他の層の材料や膜厚との関係に強く依存する。
記録層の膜厚については、１０〜２０ｎｍの範囲以外では充分な記録特性、特に繰り返し特性を得ることができない。また、第２誘電体層の膜厚が２０ｎｍ以上では充分な放熱効果が得られず、５ｎｍ以下では充分な蓄熱効果が得られないため、１０〜２０ｎｍの範囲が望ましい。
また、反射層の膜厚が１００ｎｍ以下では充分な放熱効果及び反射特性が満足できず、２００ｎｍ以上では放熱効果及び反射特性も飽和してしまい、むしろ膜厚が厚くすることで大きくなる膜のストレス等で特性が悪くなり意味がない。そのため、１００〜２００ｎｍの範囲が望ましい。
【００１５】
次に、薄膜Ｘ線回折法で測定したＸ線回折パターンで、２θ＝２７〜３１ｄｅｇ付近に見られるピーク強度Ｐ１と２θ＝３９〜４４ｄｅｇ付近に見られるピーク強度Ｐ２の強度比Ｐ１／Ｐ２が１０以上になるような結晶化状態を実現する初期化方法としては、一定の線速で回転する光記録媒体に半導体レーザを照射し、一定の送り速度でレーザ光を移動させ、媒体を回転させる線速として前記相変化材料がアモルファス化する線速より０〜２ｍ／ｓ遅い条件で行なうことが望ましい。
初期化方法には様々な方法が提案されているが、最も信頼性が高く、実用性が高いのは、一定の線速で回転する光記録媒体に半導体レーザを照射し、一定の送り速度でレーザ光を移動させる方法である。更に望ましいのは、照射する半導体レーザがフォーカシング機能を有していることである。フォーカシング機能を有することで、よりレーザ光の入射効率が高くなり、比較的低いパワーでの初期化が実現できる。
【００１６】
次に、ここで記載している「相変化材料がアモルファス化する線速」について説明する。
作製した光記録媒体の回転線速を任意に変化させ、一定レーザーパワーのＤＣ光を照射し、その際の反射率変化を評価する。一例としてその結果を図１に示す。この例では回転線速５ｍ／ｓ付近で反射率が急激に減少していることが判る。この例で用いた光記録媒体は結晶状態の反射率がアモルファス状態よりも高くなるように設計されているため、５ｍ／ｓ以上の回転線速ではアモルファス化状態と考えられる。この境界の回転線速を「相変化材料がアモルファス化する線速」（以下、結晶化限界速度と呼ぶ）と定義する。
【００１７】
結晶化限界速度を越える速度での初期化は、この現象から判るように満足な結晶化が実現できない。そのため、結晶化限界速度以下の領域であれば初期化可能と従来は考えられてきたが、本発明では初期化線速と結晶化限界速度の関係を前記のように、一定の線速で回転する光記録媒体に半導体レーザを照射し、一定の送り速度でレーザ光を移動させ、媒体を回転させる線速として前記相変化材料がアモルファス化する線速より０〜２ｍ／ｓ遅くする旨の条件を満足させることで、記録層の結晶化状態を薄膜Ｘ線回折法で測定したＸ線回折パターンで、２θ＝２７〜３１ｄｅｇ付近に見られるピーク強度Ｐ１と２θ＝３９〜４４ｄｅｇ付近に見られるピーク強度Ｐ２の強度比Ｐ１／Ｐ２が１０以上になるようにすることができ、この結晶化状態が記録媒体の記録特性を向上させることを見い出した。線速以外の初期化条件については、用いる初期化装置の内容や記録媒体の層構成などによって最適化する必要がある。
【００１８】
【実施例】
以下に本発明による実施例を示す。但しこれらの実施例は本発明をなんら制限するものではない。
（実施例１〜６及び比較例１〜６）
図２に本実施例で用いた光情報記録媒体の概略構造を示す。基板は１２０ｍｍφ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板で、トラックピッチ０・７４μｍでグルーブ（凹部）幅０．３μｍ、深さ３０ｎｍの溝形状を有したものを用いた。
第１誘電体層にはＺｎＳ・ＳｉＯ２を成膜レート９ｎｍ／ｓｅｃで７０ｎｍ、記録層にはＡｇ３．０Ｉｎ２．０Ｓｂ６９．０Ｔｅ２６．０を成膜レート５ｎｍ／ｓｅｃで１５ｎｍ、第２誘電体層にＺｎＳ・ＳｉＯ２を成膜レート９ｎｍ／ｓｅｃで１５ｎｍ、反射層にＡｌ合金を成膜レート１５ｎｍ／ｓｅｃで１２０ｎｍそれぞれ成膜した。ＺｎＳ・ＳｉＯ２の成膜にはＲＦマグネトロンスパッタ法を、記録層、Ａｌ合金はそれぞれＤＣマグネトロンスパッタ法を用いた。そして、最後に保護層としてＵＶ硬化樹脂を塗布した。最後に同様な基板を貼り合わせて、厚さが約１．２ｍｍの光記録媒体とした（この部分の図は省略する）。
【００１９】
次に記録媒体の初期化として、出力波長８３０ｎｍ、幅１μｍ、長さ７５μｍ、最大出力２Ｗのレーザー光にフォーカシング機能を付加したレーザーヘッドを有する初期化装置を用いて行なった。初期化条件としては表１に示すような条件を用いて行なった。なお、レーザパワーについては、媒体のグルーブ面での反射率のパワー依存を評価し、反射率が飽和する最小のパワーとした。反射率の評価には波長６５０ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップを有する光ディスク評価装置（パルステック社製ＤＤＵ−１０００）を用いた。
【００２０】
【表１】
＜実施例１〜３と比較例１〜３の初期化条件＞
2004127485.tif 000003
【００２１】
また、作製した媒体の結晶化限界速度を評価したところ、約７ｍ／ｓであった。
このようにして作製したメディアについて繰り返し記録特性、いわゆるダイレクトオーバーライト特性について評価した。記録・再生はディスク回転線速３．５ｍ／ｓｅｃ一定で、上記の評価装置を用いて行なった。記録方式はパルス変調法を用い、変調方式はＥＦＭ＋（８／１６（２，１０）ＲＬＬ）変調方式で行なった。記録線密度は０．２６７μｍ／ｂｉｔとし、グルーブに記録した。記録パワーについては最適な条件を用いた。記録された信号のＤａｔａ　ｔｏ　Ｃｌｋジッターを測定し、ジッターσ／Ｔｗ（Ｔｗ：ウィンドウ幅）を評価項目とした。評価結果を図３に示す。なお、＜比較例３＞については記録前の周内反射率分布が他の媒体に比べて乱れていた。これは結晶化限界速度以上の線速で初期化をしたためと考えられる。
【００２２】
図から判るように、本発明による初期化方法を用いたディスクの方が従来のものよりも若干ではあるが全体的にジッタ−が良く、繰り返し特性が優れていることが判る。
【００２３】
次に、同様な成膜条件でガラス基板上に記録層単膜を２００ｎｍ成膜し、実施例１〜３及び比較例１〜３の初期化条件を用いて結晶化させたサンプルそれぞれのＸ線回折パターンを評価した。Ｘ線回折パターンの評価方法には入射角を０．５ｄｅｇに固定した薄膜Ｘ線法を用いた。得られたＸ線回折パターンの代表的な例を図４に示す。この図にあるように、初期化条件に依らず、２θ＝３０ｄｅｇ付近と２θ＝４０ｄｅｇ付近の２ヵ所に大きなピークが見られた。これらのピーク強度をバックグランドのノイズ成分を除去して評価し、２θ＝３０ｄｅｇ付近のピーク強度をＰ１、２θ＝４０ｄｅｇ付近のピーク強度をＰ２とし、その比Ｐ１／Ｐ２を評価した。その結果を表２に示す。比較例３については、何れのピークもバックグランドノイズに埋もれてしまい、見分けることができなかった。
【００２４】
【表２】
＜実施例１〜３と比較例１〜４のＸ線回折ピークの強度比＞
2004127485.tif 000004
【００２５】
この結果から判るように、初期化条件とＸ線回折のピーク強度比の結果とは相関があり、本発明の構成を用いることで従来よりも優れたメディア特性が得られることが判る。
【００２６】
次に、実施例１で用いた基板上に同様な作製方法で、第１誘電体層としてＺｎＳ・ＳｉＯ２を６０ｎｍ、記録層にはＡｇ２．０Ｉｎ７．０Ｓｂ７２．０Ｔｅ１９．０を１５ｎｍ、第２誘電体層にＺｎＳ・ＳｉＯ２を１５ｎｍ、第３誘電体層にいＳｉを成膜レート１ｎｍ／ｓｅｃで４ｎｍ、反射層にＡｇを成膜レート３５ｎｍ／ｓｅｃで１４０ｎｍそれぞれ成膜した。ここで第３誘電体層としてＳｉを用いたのは、反射層であるとＺｎＳ・ＳｉＯ２の反応を防ぐためと光記録媒体の熱設計を細やかに行なえるようにするためである。Ｓｉの成膜にはＲＦマグネトロンスパッタ法を用いた。
このようにして作製した媒体の結晶化限界速度を評価したところ、何れも約１３ｍ／ｓであった。
【００２７】
次に、媒体の初期化として実施例１で用いた装置を用いて、表３に示すような条件で行なった。レーザパワーについては実施例１と同様な方法で決定した。
【００２８】
【表３】
＜実施例４〜６と比較例４〜６の初期化条件＞
2004127485.tif 000005
【００２９】
次に、これらのダイレクトオーバーライト特性の評価を線速１０．５ｍ／ｓにおいて実施例１と同様な方法で評価した。その結果を図５に示す。なお、比較例６については記録前の周内反射率分布が他の媒体に比べて乱れていた。これは結晶化限界速度以上の線速で初期化をしたためと考えられる。
【００３０】
図から判るように、本発明による初期化方法を用いたディスクの方が従来のものよりも全体的にジッタ−が良く、繰り返し特性が優れていることが判る。特に繰り返し回数２回目の改善効果は、実施例１〜３と比較例１〜４での結果に比べて大きく、本発明の効果は特に高速記録で発揮されると考えられる。
【００３１】
次に、実施例１〜３と比較例１〜３と同様な方法で膜剥離を行ない、それぞれのＸ線回折パターンを評価した。その結果を表２に示す。比較例６については、何れのピークもバックグランドノイズに埋もれてしまい見分けることができなかった。
【００３２】
【表４】
＜実施例４〜６と比較例４〜６のＸ線回折ピークの強度比＞
2004127485.tif 000006
【００３３】
この結果から判るように、初期化条件とＸ線回折のピーク強度比の結果とは相関があり、本発明の構成を用いることで従来よりも優れたメディア特性が得られることが判る。
なお、本発明の効果は本実施例及び比較例で用いた保護層材料や反射層材料、作製装置、作製方法や層構成、評価装置など、また、記録層の組成、構成元素などに制限されるものではない。
【００３４】
（実施例７〜９及び比較例７〜１０）
ここでは実施例１〜３及び比較例１〜３で作製した光情報記録媒体で、記録層については表５に示すような材料を用いた。結晶化限界速度については何れの媒体も実施例１とほぼ同様に約７ｍ／ｓであった。
【００３５】
【表５】
＜実施例１、７〜９と比較例７〜１０の記録層組成＞
2004127485.tif 000007
【００３６】
これらの光記録媒体を実施例１と同様な方法で初期化及び特性評価を行なった。評価結果を図６に示す。図から判るように、本発明による記録層組成を用いたディスクの方が従来のものよりも全体的にジッタ−が良く、しかも繰り返し特性が優れていることが判る。
【００３７】
次に、実施例１と同様な方法で記録層表面を露出させ、それぞれのＸ線回折パターンを評価した。評価方法は実施例１と同様である。この結果、比較例８と比較例９以外は、ピーク強度比Ｐ１／Ｐ２が１０以上であった。比較例８と比較例９については、他の回折パターンでは観察されないピークが見られたことから、ピーク強度比Ｐ１／Ｐ２の関係が他の記録層と異なっていると考えられる。
【００３８】
この結果から判るように、ＳｂとＴｅの含有量及びその比について本発明の構成を用いることで従来よりも優れたメディア特性が得られることが判る。
なお、本発明の効果は本実施例及び比較例で用いた保護層材料や反射層材料、作製装置、作製方法や層構成、評価装置など、また、記録層の組成、構成元素などに制限されるものではない。
【００３９】
（実施例１０〜１１と比較例１１〜１３）
ここでは実施例４〜６及び比較例４〜６で作製した光情報記録媒体で、記録層については表６に示すような材料を用いた。結晶化限界速度については何れの媒体も実施例４とほぼ同様に約１３ｍ／ｓであった。
【００４０】
【表６】
＜実施例４、１０、１１と比較例１１〜１３の記録層組成＞
2004127485.tif 000008
【００４１】
これらの光記録媒体を実施例４と同様な方法で初期化及び特性評価を行なった。その結果を図７に示す。図から判るように、本発明による記録層組成を用いたディスクの方が従来のものよりも全体的にジッタ−が良く、しかも繰り返し特性が優れていることが判る。
【００４２】
次に、実施例４と同様な方法で記録層表面を露出させ、それぞれのＸ線回折パターンを評価した。評価方法は実施例４と同様である。この結果、比較例１３以外は、ピーク強度比Ｐ１／Ｐ２が１０以上であった。比較例１３については、他の回折パターンでは観察されないピークが見られたことから、ピーク強度比Ｐ１／Ｐ２の関係が他の記録層と異なっていると考えられる。
【００４３】
この結果から判るように、ＳｂとＴｅの含有量及びその比について本発明の構成を用いることで従来よりも優れたメディア特性が得られることが判る。
なお、本発明の効果は本実施例及び比較例で用いた保護層材料や反射層材料、作製装置、作製方法や層構成、評価装置など、また、記録層の組成、構成元素などに制限されるものではない。
【００４４】
（実施例１２、１３及び比較例１４、１５）
ここでは表５に示すような記録層組成を用いて媒体を作製した。作製方法及び層構成は実施例１と同様な方法を用いた。結晶化限界速度については、何れの媒体も実施例１と同様に約７ｍ／ｓであった。
【００４５】
【表７】
＜実施例１、１２、１３と比較例１４〜１５の記録層組成＞
2004127485.tif 000009
【００４６】
このようにして作製した媒体を実施例１と同様な方法で初期化し、ダイレクトオーバーライト特性を評価した。その結果を図８に示す。この図から判るように比較例１５以外の特性はほぼ同程度である。
【００４７】
次に、これらの媒体の保存信頼性特性を調べるために、実施例１と同様な方法で１回記録をし、８０℃８５％の環境下でのジッタ−の経時変化を評価した。その結果を図９に示す。この図から判るように実施例１と比較例１４以外の特性はほぼ劣化がなく一定であることが判る。
【００４８】
これらの結果から、Ｇｅの添加及びその添加量について本発明の構成を用いることで従来のものよりも優れたメディア特性が得られることが判る。
なお、本発明の効果は本実施例及び比較例で用いた保護層材料や反射層材料、作製装置、作製方法や層構成、評価装置など、また、記録層の組成、構成元素などに制限されるものではない。
【００４９】
（実施例１４〜２０及び比較例１６〜２１）
ここでは実施例１と同様な材料及び作製方法を用いて、第１誘電体層以外の膜厚を表８に示すような組み合わせで光記録媒体を作製した。
【００５０】
【表８】
＜実施例１、１４〜２０と比較例１６〜２１の各膜厚＞
2004127485.tif 000010
【００５１】
このようにして作製した媒体を実施例１と同様な方法で初期化し、ダイレクトオーバーライト特性を評価した。記録層膜厚についての結果を図１０に、第２誘電体層膜厚についての結果を図１１に、反射層膜厚についての結果を図１２にそれぞれ示す。
【００５２】
これらの結果からも判るように、本発明の構成を用いることで優れたメディア特性が得られることが判る。
なお、本発明の効果は本実施例及び比較例で用いた保護層材料や反射層材料、作製装置、作製方法や層構成、評価装置など、また、記録層の組成、構成元素などに制限されるものではない。
【００５３】
【発明の効果】
以上、詳細且つ具体的な説明により明らかなように、本発明の初期化条件によって、優れた記録特性及び保存特性を示す相変化材料及びその構造を規定するができた。また、優れた記録特性を示す相変化材料の構造を作る初期化方法を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】作製した光記録媒体の回転線速を任意に変化させ、一定レーザーパワーのＤＣ光を照射し、その際の反射率変化を評価した一例を示す図である。
【図２】本発明実施例で用いた光情報記録媒体の概略構造を示す図である。
【図３】作製した光記録媒体のダイレクトオーバーライト特性について評価した結果を示す図である。
【図４】Ｘ線回折パターンの代表的な例を示す図である。
【図５】ダイレクトオーバーライト特性について、線速１０．５ｍ／ｓにおいて実施例１と同様な方法で評価した結果を示す図である。
【図６】光記録媒体について、実施例１と同様な方法で初期化及び特性評価を行なった結果を示す図である。
【図７】光記録媒体について、実施例４と同様な方法で初期化及び特性評価を行なった結果を示す図である。
【図８】表５に示す記録層組成を用いて作製された光記録媒体を実施例１と同様な方法で初期化し、ダイレクトオーバーライト特性を評価した結果を示す図である。
【図９】光記録媒体で実施例１と同様な方法で１回記録し、８０℃８５％の環境下でのジッターの経時変化を評価した結果を示す図である。
【図１０】光記録媒体を実施例１と同様な方法で初期化し、ダイレクトオーバーライト特性を記録層膜厚について評価した結果を示す図である。
【図１１】光記録媒体を実施例１と同様な方法で初期化し、ダイレクトオーバーライト特性を第２誘電体層膜厚について評価した結果を示す図である。
【図１２】光記録媒体を実施例１と同様な方法で初期化し、ダイレクトオーバーライト特性を反射層膜厚について評価した結果を示す図である。
【符号の説明】
１　基板
２　第１誘電体層
３　記録層
４　第２誘電体層
５　反射層
６　保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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