(57)【要約】【課題】信頼性が高く、効率のよい実装が可能なマイクロ構造体およびその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板５０上に設けられ、少なくとも１組の櫛歯状の固定電極２２と櫛歯状の可動電極２４の櫛歯同士を噛み合わせて平面的に振動させるマイクロ構造体において、前記固定電極２２と可動電極間２４に静電引力を発生するように駆動電圧を印加するためのパッド電極部２６、５２および裏パッド電極部５４、５６を前記基板５０の両面に導通状態に設ける。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられ、少なくとも１組の櫛歯状の固定電極と櫛歯状の可動電極の櫛歯同士を噛み合わせて平面的に振動させるマイクロ構造体において、
前記固定電極と可動電極間に静電引力を発生するように駆動電圧を印加するためのパッド電極部を前記基板の両面に導通状態に設けたことを特徴とするマイクロ構造体。
【請求項２】
表パッド電極部と裏パッド電極部との電気的接続が、前記基板に設けられた穴と、その穴の内面に絶縁膜を介して設けられた導電体とからなることを特徴とする請求項１記載のマイクロ構造体。
【請求項３】
前記導電体は、金属膜で形成されていることを特徴とする請求項２記載のマイクロ構造体。
【請求項４】
前記金属膜で形成される穴部分を金属または非金属の充填物で充填したことを特徴とする請求項３記載のマイクロ構造体。
【請求項５】
フレーム状の梁部の両側に前記可動電極を設け、該可動電極のそれぞれに前記固定電極を平面的に噛み合わせてなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のマイクロ構造体。
【請求項６】
前記可動電極を両端支持の梁に設け、該可動電極の櫛歯部と反対側にロッドを突設したことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のマイクロ構造体。
【請求項７】
基板上に設けられ、少なくとも１組の櫛歯状の固定電極と櫛歯状の可動電極の櫛歯同士を噛み合わせて平面的に振動させるマイクロ構造体の製造方法において、
前記基板の表裏面に絶縁膜を介してポリシリコン膜によりパッド電極部を形成する工程と、
前記基板の裏面から表パッド電極部に達する穴を形成する工程と、
前記穴の内面に絶縁膜を介して前記表パッド電極部と裏パッド電極部に導通する金属膜を形成する工程と、
を有することを特徴とするマイクロ構造体の製造方法。
【請求項８】
前記金属膜により形成される穴部分を金属または非金属で充填する工程をさらに有することを特徴とする請求項７記載のマイクロ構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンウエハ等の基板上に形成され、該基板面に平行な方向に振動するマイクロ構造体およびその製造方法に関し、特に駆動電圧を印加するためのパッド電極部の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
かかる平面的な振動をするマイクロ構造体は、例えば時計、携帯電話機等において、マイクロレゾネータ（共振子）やマイクロフィルタなどとして使用される。その構造は、特許文献１、２に開示されているように、シリコン基板上に形成された固定電極と可動電極の櫛歯同士を該基板面に平行に噛み合わせ、櫛歯部を有する可動電極はシリコン基板上に支持されたバネ性を有する梁部に結合されており、このような、互いに噛み合う櫛歯状固定電極と櫛歯状可動電極を１組ずつ中間の梁部の両側に配置する構成となっている。そして、櫛歯状の固定電極、可動電極、および梁部並びにパッド電極部はシリコン基板上に形成したポリシリコン膜を利用して形成されている。また、これらの構造体部分（チップともいう）をＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板の活性層部分を利用して形成する試みもなされている。
【０００３】
【特許文献１】
米国特許第５０２５３４６号明細書（第３欄第３７行−第６欄第２行、第６欄第５５行−第７欄第５２行、図１−図４）
【特許文献２】
米国特許第５５３７０８３号明細書（第４欄第４３行−第１０欄第３３行、図４−図８）
【０００４】
このようなマイクロ構造体は、一方の櫛歯状の固定電極の入力端子電極（パッド電極部）と接地電極（パッド電極部）との間に交流電圧を印加することにより、その櫛歯状の固定電極と可動電極との間に静電引力を発生させ、この静電引力により櫛歯状の可動電極を櫛歯の噛み合い方向（櫛歯の長さ方向）に平面的に引き押しすることによって振動させる。この振動は可動電極と一体化されたバネ性を持つ梁部すなわち共振部に伝達され、他方の同様に噛み合い状態にある櫛歯状の可動電極を平面的に振動させる。
入力側である一方の櫛歯状の固定電極と可動電極間で発生した振動が、両側の可動電極を含む共振部（梁部）に伝わることにより、共振部は共振現象を生じ、この共振周波数が出力側である他方の櫛歯状固定電極のパッド電極部から取り出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のマイクロ構造体は、シリコン基板あるいはＳＯＩ基板を用いる場合でも、基板の表面側に一定のサイズの電極取り出し部分（パッド電極部）を形成する必要があった。その方法は、シリコン基板上のポリシリコン膜あるいはＳＯＩ基板上の活性層の一部を電極取り出し部分（パッド電極部）として形成し、さらにシリコンより電気抵抗の低い金属をパッド電極部に成膜し、ワイヤボンディングなどの実装技術により外部に電気的接続を行っている。また、例えばＳＯＩ基板を用いてマイクロ構造体を形成する場合、構造体部分の占有面積を低減する目的でパッド電極部を構造体部分（チップ）の中央部に形成する場合がある。また、このパッド電極部は構造体部分の支持部を兼ねる場合もあり、その場合は必要最小限の寸法に形成される。
【０００６】
このような場合、ワイヤボンディングなどの方法でパッド電極部に接続することは以下の理由で困難になる問題が発生する。
（１）従来の半導体素子と比較してマイクロ構造体は非常に脆く壊れやすいので、例えば超音波振動を加えてワイヤを効果的に圧着結線する方式のような従来の実装方法では歩留まりが低下する。
（２）仮にワイヤ掛けが可能な状況にあっても、構造体部分を跨いで電気的接続がなされることになり、実装後の外部擾乱によりワイヤと構造体部分が干渉してマイクロ構造体の動作を妨げ、信頼性を保つことができない。
（３）ワイヤ掛けにより、パッケージ上必要となるチップ上方のスペース（ワイヤループ高さをカバーするスペース）が多くなり、特に真空封止が必須となるレゾネータのパッケージではその小型化に限界が出てくる。
（４）素子の寸法を小さくするほど、パッド電極部（数十μｍ〜約１００μｍ□）の占有面積が相対的に大きくなるため、チップシュリンクの妨げになる。
【０００７】
本発明は、上記のような課題に鑑み、信頼性が高く、効率のよい実装が可能なマイクロ構造体およびその製造方法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るマイクロ構造体は、基板上に設けられ、少なくとも１組の櫛歯状の固定電極と櫛歯状の可動電極の櫛歯同士を噛み合わせて平面的に振動させるマイクロ構造体において、前記固定電極と可動電極間に静電引力を発生するように駆動電圧を印加するためのパッド電極部を前記基板の両面に導通状態に設けたことを特徴とする。
【０００９】
このように構成することにより、可動電極を駆動するための電圧を基板の裏面側に設けられた裏パッド電極部からとることができる。したがって、外部基板との実装が容易になり、信頼性が向上する。また、基板表面側にはワイヤ掛けのためのスペースを全く必要としないので、マイクロ構造体の小型化・薄型化が可能になるとともに、パッド電極部の配置・チップシュリンクに対する設計の自由度が格段に向上する。
なお、本発明のマイクロ構造体（ＭｉｃｒｏＥｒｅｃｔｒｏＭｅｃｈａｎｉｃａｌＳｙｓｔｅｍｓ：ＭＥＭＳ）は、平面的な振動を発生する構成であればよく、したがって、少なくとも１組の櫛歯状固定電極と櫛歯状可動電極を有する構成であればよい。
また、本発明において、基板は、例えば、シリコン基板、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いるものである。
【００１０】
本発明のマイクロ構造体は、表パッド電極部と裏パッド電極部との電気的接続が、前記基板に設けられた穴と、その穴の内面に絶縁膜を介して設けられた導電体とからなるものである。
穴は表パッド電極部の下方の基板部分に設けられる。表パッド電極部と裏パッド電極部とは穴内面の導電体により導通させる。この構成により、基板の裏面を有効に利用することができ、上記の効果を実現できる。
【００１１】
また、前記導電体は、金属膜で形成されており、さらに、前記金属膜で形成される穴部分は金属または非金属の充填物で充填されている。
簡単には、金属膜で表パッド電極部と裏パッド電極部とを導通させる。また、金属膜の場合、穴部分が形成されるので、この穴部分を金属または非金属で充填することにより、金属製の充填物の場合は導通と強度向上を図ることができ、非金属（例えば、樹脂等）の場合は強度向上を図ることができる。
【００１２】
また、本発明のマイクロ構造体においては、フレーム状の梁部の両側に前記可動電極を設け、該可動電極のそれぞれに前記固定電極を平面的に噛み合わせてなるものである。
本発明をマイクロレゾネータ（共振子）やマイクロフィルタ（例えば、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）フィルタ）等に適用する場合、２組の固定電極と可動電極を有する構成とされる。この場合、可動電極はフレーム状の梁部の両側に配置され、この２つの可動電極を含む梁部が共振部として構成される。したがって、梁部は共振部を構成するものであればよく、その形状は方形に限らず、円形や長円形、紡錘形等適宜の形状に構成することができる。また、パッド電極部は前述のように基板の両面に導通状態に設けられているので、実装が容易であり信頼性が高い。
【００１３】
また、本発明をマイクロアクチュエータに適用する場合、本発明のマイクロ構造体は、前記可動電極を両端支持の梁に設け、該可動電極の櫛歯部と反対側にロッドを突設した構成とするものである。
このように構成することにより、平面的な振動を駆動源として、ロッドを作動させることができる。したがって、この場合もパッド電極部は基板の両面に導通状態に設けられているので、実装が容易で信頼性の高い様々なマイクロマシンを構成することが可能となる。
【００１４】
本発明のマイクロ構造体の製造方法は、基板上に設けられ、少なくとも１組の櫛歯状の固定電極と櫛歯状の可動電極の櫛歯同士を噛み合わせて平面的に振動させるマイクロ構造体の製造方法において、
前記基板の表裏面に絶縁膜を介してポリシリコン膜によりパッド電極部を形成する工程と、
前記基板の裏面から表パッド電極部に達する穴を形成する工程と、
前記穴の内面に絶縁膜を介して前記表パッド電極部と裏パッド電極部に導通する金属膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする。
この方法により、基板の両面に、導通状態となるパッド電極部が設けられたマイクロ構造体を製造することができる。
また、前記金属膜により形成される穴部分を金属または非金属で充填する工程をさらに有するものとする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態を説明する。
実施の形態１．
図１は本発明の実施の形態１によるマイクロ構造体の平面図、図２は図１のＡ−Ａ線における断面図、図３はこのマイクロ構造体の基板裏面図である。
このマイクロ構造体１０は、トランスバーサル型のＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ：弾性表面波素子）フィルタと同様な働きをするフィルタとして構成されている。
シリコン基板５０の表面に形成された酸化膜からなる絶縁膜５１上において、送信側ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）２０と受信側ＩＤＴ３０を両側に配置し、両者の中間部に共振部４０を配置している。送信側ＩＤＴ２０、受信側ＩＤＴ３０および共振部４０は、シリコン基板５０上に形成されたポリシリコン（ｐ−ＳｉＯ）膜を利用して形成される。
【００１６】
送信側ＩＤＴ２０および受信側ＩＤＴ３０はいずれも、それぞれ櫛歯部を有する固定電極２２、３２と可動電極２４、３４とからなっている。送信側ＩＤＴ２０の固定電極２２および受信側ＩＤＴ３０の固定電極３２は、それぞれ複数の櫛歯からなる櫛歯部２１、３１を有し、リード部２５、３５を介して入力端子電極（パッド電極部）２６、出力端子電極（パッド電極部）３６に接続されている。なお、５２はパッド電極部２６、３６に共通の接地電極（パッド電極部）である。
共振部４０は、方形状のフレームからなる梁部４２と、この梁部４２の両側に櫛歯が外向きになるように一体的に形成され、固定電極２２、３２の櫛歯部２１、３１とそれぞれ噛み合うように設けられた櫛歯部２３、３３を有する可動電極２４、３４とから構成されている。
【００１７】
固定電極の櫛歯部２１、３１と可動電極の櫛歯部２３、３３とは、それぞれ複数の櫛歯が所定の平面上の隙間（櫛歯ギャップ）でもってシリコン基板５０の表面に平行に噛み合っている。
可動電極２４、３４が一体的に形成されたフレーム状の梁部４２は、このフレームに結合された片持ち梁４４を介して、支持部４６がシリコン基板５０上に固定される構造となっている。梁部４２の外形形状は前述のとおり、特に方形状に限定されるものではない。また、可動電極２４、３４同士は連結ビーム４３で連結されている。
【００１８】
そして、図２に示すように、梁部４２はシリコン基板５０の絶縁膜（酸化膜）５１上より基板面に平行に浮き上がった状態で支持されており、したがって、櫛歯状の固定電極２２、３２と可動電極２４、３４も同様に基板面に平行に浮き上がった状態で噛み合っている。櫛歯状電極の浮上高さすなわち、シリコン基板の絶縁膜３１との電極ギャップは２〜３μｍ程度である。
【００１９】
この実施形態ではさらに、図２、図３に示すように、パッド電極部２６、３６、５２のそれぞれに電気的に接続された裏パッド電極部５４、５５、５６をシリコン基板５０の裏面に設けたものである。そして、各パッド電極部２６、３６、５２と各裏パッド電極部５４、５５、５６とを電気的に接続する方法は、詳しくは後述するがその一例として、シリコン基板５０の裏面から各パッド電極部２６、３６、５２に達する穴５３をそれぞれ設け、さらに各々の穴５３内面に絶縁膜５７を介して電気的接続をなす導電体５８を形成する。
このマイクロ構造体１０の外部基板（図示せず）との電気的接続は、裏パッド電極部５４、５５、５６に、直接接合またはワイヤボンディング、あるいはフラットケーブルなどを用いて接続する。コネクタを用いて接続することも可能である。
【００２０】
このマイクロ構造体１０の動作は、外部基板と接続された裏パッド電極部５４、５６を介して、櫛歯状固定電極２２の入力端子電極であるパッド電極部２６と接地電極のパッド電極部５２間に交流電圧を印加することにより、櫛歯状の固定電極２２と可動電極２４の櫛歯相互間に静電引力を発生させ、これによって可動電極２４を櫛歯の噛み合い方向（櫛歯の長さ方向、すなわち図１の左右方向）にバネ性を持つ梁部４２を介して引き押しさせることで振動させる。この振動は可動電極２４と一体化されたバネ性を持つ梁部３４すなわち共振部４０に伝達され、他方の同様に櫛歯状固定電極３２と噛み合い状態にある櫛歯状可動電極３４を平面的に振動させる。
入力側である一方の櫛歯状の固定電極２２と可動電極間２４で発生した振動が、共振部（梁部）４０の固有振動数に達すると、共振部４０は共振現象を生じ、この共振周波数は出力側である他方の櫛歯状固定電極３２のパッド電極部３６を介して裏パッド電極部５５から取り出される。
共振周波数あるいは発振周波数は、可動電極２４、３４を含む共振部４０の質量と梁部４２のバネ定数で定まる変位に対する復元力（梁部４２の弾性力）によって定まる。発振周波数は、例えば、１６ｋＨｚ、３２ｋＨｚ、７２ｋＨｚなどが設計目標値としてあげられる。
【００２１】
以上のように、本実施形態のマイクロ構造体１０は、シリコン基板５０表面側のパッド電極部２６は裏面側に設けられた裏パッド電極部５４と、同じくパッド電極部３６は裏パッド電極部５５と、パッド電極部５２は裏パッド電極部５５と、それぞれ穴５３内面の絶縁膜５７を介して設けられた導電体５８により電気的に接続されているので、外部基板との接続が裏パッド電極部５４、５５、５６を介して行えるためきわめて容易である。しかも、パッド電極部２６、３６、５２と裏パッド電極部５４、５５、５６との接続にはワイヤボンディングなどの実装方法を全く用いていないので、構造体部分（チップ）にダメージを与えることがなく、信頼性が向上し、また製造上の歩留まりが向上する。さらに、このマイクロ構造体１０のパッケージの際に必要な上方のスペースを可能な限り少なくすることができるため、更なる小型化・薄型化が可能となる。
また、パッド電極部２６、３６、５２および裏パッド電極部５４、５５、５６の配置、素子のシュリンクに対する設計の自由度が向上する。
【００２２】
実施の形態２．
図４は本発明の実施の形態２によるマイクロ構造体の平面図、図５はこのマイクロ構造体の裏パッド電極部を示す基板裏面図である。
本実施形態のマイクロ構造体１２は、構造体部分の中央部近傍に一部のパッド電極部６１、６２を配置したものである。すなわち、このパッド電極部６１、６２は、梁部４２の支持部４６の近傍に配置されている。このパッド電極部６１、６２のそれぞれには、図２と同様な構成で裏パッド電極部６３、６４が電気的に接続されている。その他のパッド電極部２６、３６にも同様に裏パッド電極部５４、５５が電気的に接続されている。その他の構成は前記の実施形態と同様である。なお、パッド電極部６１、６２は支持部４６と一体に形成してもよい。
【００２３】
この実施形態のように、マイクロ構造体１２の占有面積を低減するために、パッド電極部の一部を構造体部分の中央部等に配置した場合、図２と同様な構成でパッド電極部６１、６２のそれぞれに電気的接続がなされた裏パッド電極部６３、６４をシリコン基板５０の裏面に設けることにより、外部基板（図示せず）との接続がきわめて容易になる。したがって、マイクロ構造体１２の信頼性、製造上の歩留まり、設計の自由度が向上し、かつ更なる小型化・薄型化が可能となる。
【００２４】
実施の形態３．
図６は本発明の実施の形態３によるマイクロ構造体の平面図で、マイクロアクチュエータとして構成した例を示すものである。
このマイクロ構造体１４は、１組の櫛歯状電極２２、２４を備えた構成となっている。すなわち、櫛歯状の固定電極２２と可動電極２４は、前述のように、シリコン基板５０上より浮き上がった状態で櫛歯部２１、２３同士が平面的に噛み合っている。ここでは、櫛歯状可動電極２４は、両端支持（支持部４９）の梁４７の中央部に一体的に形成されており、さらにロッド４８が櫛歯部２３と反対側に突設されている。
また、パッド電極部２６、２８のそれぞれには、図２と同様な構成で、電気的に接続する裏パッド電極部７１、７２がシリコン基板５０の裏面に設けられている。
【００２５】
このマイクロ構造体１４の動作は基本的に前述したとおりであり、櫛歯状の固定電極２２に駆動電圧を印加することにより固定電極２２と可動電極２４間に静電引力を発生させ、この静電引力によって両持ち式の梁４７に取り付けられた可動電極２４を振動させる。可動電極２４にはロッド４８が取り付けられているので、ロッド４８を往復運動させることができる。
したがって、このロッド４８に直接、または適当なリンク等を介して機能素子あるいは受動素子を連結すれば、例えば反射ミラーやレバーを動かすようなマイクロマシンをつくることができる。
また、可動電極２４の櫛歯の位置、すなわちロッド４８の変位は、駆動電圧の２乗に比例するので、センサやスイッチ等の機能を持たせることも可能となる。
【００２６】
実施の形態４．
次に、前述したマイクロ構造体１０、１２、１４の製造方法、ここでは主に図２に示したパッド電極部２６と裏パッド電極部５４との電気的接続の形成方法について、図７乃至図９を参照しながら説明する。なお、櫛歯状電極２２、２４等構造体部分の製造方法については前記の特許文献１、２に記載されているとおりである。
【００２７】
まず、厚さ約５００μｍ程度の両面研磨されたシリコン基板８０の表裏面に、減圧気相成長（減圧ＣＶＤ）法により、厚さ０．５μｍの酸化膜（ＳｉＯ２）８１、およびその上に厚さ０．２μｍの窒化膜（ＳｉＮ４）８２をこの順に形成し、さらに窒化膜８２上にパッド電極部２６および裏パッド電極部５４のための厚さ０．２μｍのポリシリコン（ｐ−ＳｉＯ）膜８３を形成する（図７（ａ））。なお、シリコン基板８０の代わりに、ＳＯＩ基板を用いてもよい。
【００２８】
次に、上記裏面側の窒化膜８２およびポリシリコン膜８３上に、パッド電極部２６に通じる穴を形成するためのフォトレジスト８４をパターニングし（図７（ｂ））、フレオンガス（ＣＦ４）のドライエッチングにより穴５３をパッド電極部２６の裏面に達するまで開ける（図７（ｃ））。
【００２９】
ついで、そのレジスト８４を除去後、穴５３を含むシリコン基板裏面にプラズマＣＶＤ法により、厚さ０．２μｍの酸化膜（ＳｉＯ２）すなわち絶縁膜８５を形成する（図８（ｄ））。
さらに、その絶縁膜８５の窓開けを行う（図８（ｅ））。すなわち、絶縁膜８５の穴底面（図８では上面）および裏パッド電極部５４に対応する部分に、レジストパターニングおよびドライエッチングにより窓部８６、８７を開ける。
【００３０】
そして、これらの窓部８６、８７を覆うように穴５３およびその周辺部に蒸着またはスパッタリングにより金または銅の金属膜８８を厚さ０．０３〜０．１μｍ程度施す（図８（ｆ））。最後に、穴５３およびその周辺部のみの金属膜８８を残すようにレジストパターニングおよびドライエッチングを施す（図９（ｇ））。
【００３１】
以上のような方法により、図２に示したように、シリコン基板５０の表面側のパッド電極部２６に、穴５３内面の絶縁膜（ＳｉＯ２）８５を介して導電体の金属膜８８で電気的接続をなす裏パッド電極部５４をシリコン基板５０の裏面に形成することができる。
【００３２】
さらに、図９（ｉ）に示すように、金属膜８８で形成される穴５３の部分を銅等の導電性金属の充填物９０で埋めることもできる。この場合には、図９（ｇ）のように金、銅、クロム、またはシリコンにより金属膜８８を形成し、その上に図９（ｈ）のようにレジスト８９をパターニングして、例えばメッキまたはインクジェットにより穴５３部分に導電性金属の充填物９０を充填する。
この方法によれば、穴５３部分が導電性金属の充填物９０で充填されているので、強度と導通の双方を満たすメリットがある。
また、上記導電性金属の代わりに、樹脂等の絶縁物（非金属）をインクジェット等を用いて充填することもでき、この場合は穴部分の強度を向上させることができる。
【００３３】
本発明のマイクロ構造体は、櫛歯状の固定電極と可動電極の平面的な振動を発生させるものであれば、その用途に限定されるものではない。例えば、時計、携帯電話機、パソコン、情報端末機器（ＰＤＡ）、家電製品、音響機器、その他の電子機器等、多方面に利用することができる。
また、ＩＣ等の半導体素子と一体的に結合することによりモノリシック化された電子マイクロデバイス（ＲＦ回路、局部発振回路、フィルタ回路等）としても本発明のマイクロ構造体を利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１によるマイクロ構造体の平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図。
【図３】図１の裏面図。
【図４】本発明の実施の形態２によるマイクロ構造体の平面図。
【図５】図４の裏面図。
【図６】本発明の実施の形態３によるマイクロ構造体の平面図。
【図７】本発明のマイクロ構造体の製造方法を示す工程図。
【図８】図７に続く工程図。
【図９】図８に続く工程図。
【符号の説明】
１０、１２、１４  マイクロ構造体、２０  送信側ＩＤＴ、２１  櫛歯部、２２  櫛歯状固定電極、２３  櫛歯部、２４  櫛歯状可動電極、２５  リード部、２６  パッド電極部、２８  パッド電極部、３０  受信側ＩＤＴ、３１  櫛歯部、３２  櫛歯状固定電極、３３  櫛歯部、３４  櫛歯状可動電極、３５  リード部、３６  パッド電極部、４０  共振部、４２  梁部、４３  連結ビーム、４４片持ち梁、４６  支持部、４７  梁、４８  ロッド、４９  支持部、５０  シリコン基板、５１  絶縁膜、５２  パッド電極部、５３  穴、５４、５５、５６裏パッド電極部、５７  導電体、６０  蓋基板、６１、６２  パッド電極部、６３、６４  裏パッド電極、７１、７２  裏パッド電極部、８０  シリコン基板、８１  酸化膜、８２  窒化膜、８３  ポリシリコン膜、８４  フォトレジスト、８５  絶縁膜、８６、８７  窓部、８８  金属膜、８９  レジスト、９０  充填物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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