(57)【要約】【課題】半導体チップをダイシングテープからピックアップする場合において、たとえ半導体チップの厚さが１００μｍ以下、５０μｍ以下というように極めて薄くなっている場合においても、湾曲等させることなく確実にピックアップできるようにする【解決手段】外的刺激を受けて粘着力が低下するテープ３に複数の半導体チップ２が貼着されており、ピックアップしようとする半導体チップ２の直上に吸着コレット７を位置付け、テープ３のうち、ピックアップしようとする半導体チップが貼着されている部分に外的刺激を与えて粘着力を低下させ、その部分の粘着力が低下した後に、その部分に貼着されている半導体チップ２を吸着コレット７によってピックアップする。【選択図】　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
テープに貼着された半導体チップを該テープから個別にピックアップする方法であって、
外的刺激を受けて粘着力が低下するテープに複数の半導体チップが貼着されており、ピックアップしようとする半導体チップの直上に吸着コレットを位置付け、該テープのうち、該ピックアップしようとする半導体チップが貼着されている部分に外的刺激を与えて粘着力を低下させ、
該部分の粘着力が低下した後に、該部分に貼着されている半導体チップを該吸着コレットによってピックアップすることを特徴とする半導体チップのピックアップ方法。
【請求項２】
テープに貼着された半導体チップを該テープから個別にピックアップする方法であって、
外的刺激を受けて粘着力が低下するテープに複数の半導体チップが貼着されており、ピックアップしようとする半導体チップの直上に吸着コレットを位置付けて該ピックアップしようとする半導体チップを吸引保持し、
該テープのうち、該ピックアップしようとする半導体チップが貼着されている部分に外的刺激を与えて粘着力を低下させ、
該吸着コレットによって該ピックアップしようとする半導体チップをピックアップする半導体チップのピックアップ方法。
【請求項３】
テープはシート層と粘着層とから構成されており、
外的刺激は紫外線であり、
該粘着層は紫外線の吸収により粘着力が低下する請求項１または２に記載の半導体チップのピックアップ方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、テープに貼着された半導体チップをテープから剥離してピックアップする方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣ、ＬＳＩ等の集積回路が複数形成された半導体ウェーハは、裏面が研削されて所定の厚さに形成された後に、個々の半導体チップに分割されて各種の機器に利用されている。
【０００３】
一般的に、分割しようとする半導体ウェーハは、裏面側がテープに貼着され、そのテープがダイシングフレームに貼着されて半導体ウェーハがダイシングフレームと一体となり、その状態でダイシングされて個々の半導体チップとなる。
【０００４】
そして、ダイシングの終了後は、テープに貼着された半導体チップは、個々にテープから剥離してピックアップされ、ダイボンディング工程に搬送される。
【０００５】
半導体チップのテープからのピックアップにおいては、針状の突き上げピンでテープの下から半導体チップを突き上げ、吸着コレットによって吸引保持する手法が開示されている（例えば特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−１９６４４２号公報（第１０頁、第１図）
【０００７】
一方、特許文献１のように突き上げピンによる突き上げのみによってテープからの剥離を行うと、半導体チップが損傷することもあるため、テープとして紫外線硬化型のテープを用い、紫外線の照射によりテープの粘着力を低下させてから半導体チップをピックアップする手法も開示されている（例えば特許文献２参照）。
【０００８】
【特許文献２】
特開平１１−１０２９５６号公報（第５頁、第１図）
【０００９】
また、特許文献２のように粘着テープ全体に紫外線を照射して粘着力を低下させると、半導体チップの位置がずれてしまい、吸着コレットを半導体チップの直上に位置付けることができないという問題があるため、ピックアップしようとするペレットに貼着された部分にのみ紫外線を照射する手法も開示されている（例えば特許文献３参照）。
【００１０】
【特許文献３】
特開２００１−１６８０６４号公報（第６頁、第１図）
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年は、各種電子機器の小型化、軽量化等を図るために、半導体チップの厚さを１００μｍ以下、５０μｍ以下というように極めて薄型化することが求められており、このように薄く形成された半導体チップについても上記のようにしてダイシングテープの粘着力を低下させてからピックアップを行うこととすると、粘着力の低下後、吸着コレットによってピックアップをするまでの間に、半導体チップがダイシングテープから剥がれて湾曲してしまい、半導体チップが所定の位置に位置付けられていたとしても、吸着コレットによってピックアップできないという問題がある。
【００１２】
従って、半導体チップをダイシングテープからピックアップする場合においては、たとえ薄くなった半導体チップであっても、確実にピックアップできるようにすることに課題を有している。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための具体的手段として本発明は、テープに貼着された半導体チップをテープから個別にピックアップする方法であって、外的刺激を受けて粘着力が低下するテープに複数の半導体チップが貼着されており、ピックアップしようとする半導体チップの直上に吸着コレットを位置付け、テープのうち、ピックアップしようとする半導体チップが貼着されている部分に外的刺激を与えて粘着力を低下させ、その部分の粘着力が低下した後に、その部分に貼着されている半導体チップを吸着コレットによってピックアップすることを特徴とする半導体チップのピックアップ方法を提供する。
【００１４】
また本発明は、テープに貼着された半導体チップをテープから個別にピックアップする方法であって、外的刺激を受けて粘着力が低下するテープに複数の半導体チップが貼着されており、ピックアップしようとする半導体チップの直上に吸着コレットを位置付けてピックアップしようとする半導体チップを吸引保持し、テープのうち、ピックアップしようとする半導体チップが貼着されている部分に外的刺激を与えて粘着力を低下させ、吸着コレットによってそのピックアップしようとする半導体チップをピックアップする半導体チップのピックアップ方法を提供する。
【００１５】
そして上記両半導体チップのピックアップ方法は、テープがシート層と粘着層とから構成されており、外的刺激が紫外線であり、粘着層が紫外線の吸収により粘着力が低下することを付加的な要件とする。
【００１６】
上記のように構成される半導体チップのピックアップ方法によれば、ピックアップしようとする半導体チップの直上に吸着コレットを位置付け、半導体チップに貼着されたテープのうち、ピックアップしたい半導体チップが貼着された部分のみに外的刺激を与えて粘着力を低下させてから吸着コレットによってピックアップを行うようにしたことにより、半導体チップに位置ずれが生じることがなく、湾曲もおさえることができる。
【００１７】
また、吸着コレットを半導体チップの直上に位置付けた際に半導体チップを吸引保持するようにすれば、後にテープの粘着力が低下してからも半導体チップに位置ずれや湾曲が生じることはなく、ピックアップを確実に行うことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
最初に、本発明の第一の実施の形態について、図１〜図３を参照して説明する。図１に示すように、半導体ウェーハ１をダイシングした後も、個々の半導体チップ２が半導体ウェーハ１の外形を維持したままの状態でテープ３に貼着されている。そして、テープ３の外周部はフレーム４の裏面に貼着されている。なお、半導体チップ２は、半導体ウェーハ１の表面に半導体チップ２の厚さに相当する溝を形成しておき、裏面を研削して溝を表出させることにより分割されたものであってもよい。
【００１９】
テープ３は、図２に示すように、粘着層５とシート層６との２層構造となっており、外的刺激を受けて粘着力が低下するタイプのものである。即ち、粘着層５は、外的刺激を受けることによって粘着力が低下する性質を有している。本実施の形態において、粘着層５としては、紫外線の吸収によりガスを発生して粘着力が低下するタイプの粘着剤、例えば、アクリル系の樹脂にアゾ化合物またはアジド化合物からなるガス発生剤を含有するものを使用する。即ち、この場合の外的刺激は紫外線である。なお、この他にも、熱やレーザにより粘着力が低下するタイプの粘着剤を使用することもできる。
【００２０】
また、上述のように粘着層５が紫外線の吸収により粘着力が低下する粘着剤により構成される場合は、下方から照射される紫外線を透過させるために、シート層６は透明な樹脂で構成する。透明な樹脂としては、例えば、アクリル、オレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ＡＢＳ、ポリエチレンテレフタレート、ナイロン、ウレタン、ポリイミド等を用いることができる。
【００２１】
このように構成されるテープ３に貼着された半導体チップ２は、個別にテープ３から剥離されピックアップされる。図３（Ａ）に示すように、最初に、ピックアップしようとする半導体チップ２の直上に吸着コレット７を位置付ける。このとき、吸着コレット７の下端は半導体チップ２の上面に接触させないでおき、粘着層５の粘着力が低下して半導体チップＣが湾曲しようとしたとしても、その湾曲をおさえることができる程度の距離を保っておく。この距離は、半導体チップＣの材質や厚さに応じて調整することができる。また、吸着コレット７を半導体チップ２に接触させておいてもよい。
【００２２】
次に、図３（Ｂ）に示すように、吸着コレット７を上記の位置に位置付けたままの状態で、紫外線照射部８からシート層６を透過させて粘着層５に紫外線９を照射すると、粘着層５にガスが発生して粘着力が低下する。紫外線９は、粘着層５のうち、ピックアップしようとする半導体チップ２が貼着されている部分にのみ照射する。
【００２３】
この場合、半導体チップ２が極めて薄く形成されている場合には湾曲しようとする力が働くが、吸着コレット７によって湾曲の程度は制限されるため、位置ずれが生じるようなことはない。
【００２４】
上記のようにして粘着層５の粘着力を低下させた後は、図３（Ｃ）に示すように、吸着コレット７が下降して半導体チップ２を吸引保持し、更に吸着コレット７が上昇して半導体チップ２をテープ３から完全に剥離させてピックアップする。このとき、粘着層５の粘着力は低下しているため、ピックアップは円滑に行われる。そして更に、吸着コレット７が水平方向に移動し、所定の場所において吸引力を解除することにより当該所定の場所に収容される。以上の処理をテープ３に貼着されたすべての半導体チップについて行う。
【００２５】
次に、本発明の第二の実施の形態について、図４を参照して説明する。図１に示したように、ピックアップしようとする半導体チップ２は、テープ３に貼着されており、テープ３は図２と同様粘着層５とシート層６との２層構造で構成される。そして、粘着層５も、紫外線を吸収することによりガスを発生して粘着力が低下する粘着剤により構成される。
【００２６】
図４（Ａ）に示すように、最初に、ピックアップしようとする半導体チップ２の直上に吸着コレット７を位置付け、ここで半導体チップ２を吸引保持する。この段階では、吸着コレット７は上昇させない。
【００２７】
次に、図４（Ｂ）に示すように、吸着コレット７によって半導体チップ２を吸引保持して上昇させないままの状態で、紫外線照射部８からシート層６を透過させて粘着層５に紫外線９を照射し、粘着層５の粘着力を低下させる。このとき、半導体チップ２は吸着コレット７によって保持されているため、粘着力が低下しても湾曲することがなく、位置ずれが生じるようなこともない。なお、紫外線は、粘着層５の粘着力が完全になくなるように照射してもよいし、粘着力が若干残るように照射してもよい。
【００２８】
上記のようにして粘着層５の粘着力を低下させた後は、図４（Ｃ）に示すように、吸着コレット７が上昇して半導体チップ２をテープ３から完全に剥離させてピックアップする。そして更に、吸着コレット７が水平方向に移動し、所定の場所において吸引力を解除することにより当該所定の場所に収容される。
【００２９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る半導体チップのピックアップ方法によれば、ピックアップしようとする半導体チップの直上に吸着コレットを位置付け、半導体チップに貼着されたテープのうち、ピックアップしたい半導体チップが貼着された部分のみに外的刺激を与えて粘着力を低下させてから吸着コレットによってピックアップを行うようにしたことにより、半導体チップに位置ずれが生じることがなく、湾曲もおさえることができる。従って、薄く形成された半導体チップであっても、損傷させることなく確実に保持してピックアップすることができる。
【００３０】
また、吸着コレットを半導体チップの直上に位置付けたときに半導体チップを吸引保持するようにすれば、後にテープの粘着力が低下してからも半導体チップに位置ずれや湾曲が生じることはなく、ピックアップを確実に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によりピックアップされる半導体チップがテープに貼着されフレームと一体となった状態を示す斜視図である。
【図２】同テープを示す断面図である。
【図３】本発明の第一の例において、（Ａ）は吸着コレットを半導体チップの直上に位置付けたときの断面図であり、（Ｂ）は同半導体チップに貼着されたテープに紫外線を照射する様子を示す断面図であり、（Ｃ）は吸着コレットにより同半導体チップをピックアップする様子を示す断面図である。
【図４】本発明の第二の例において、（Ａ）は吸着コレットを半導体チップの直上に位置付けたて吸引保持したときの断面図であり、（Ｂ）は同半導体チップに貼着されたテープに紫外線を照射する様子を示す断面図であり、（Ｃ）は吸着コレットにより同半導体チップをピックアップする様子を示す断面図である。
【符号の説明】
１…半導体ウェーハ　２…半導体チップ
３…テープ　４…フレーム　５…粘着層
６…シート層　７…吸着コレット
８…紫外線照射部　９…紫外線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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