(57)【要約】【課題】出力電力の大小に関係なく増幅器の線形性を劣化させることなく、かつ低出力時の動作電流を十分に低減することができる高周波増幅器を提供する。【解決手段】エミッタサイズの大きいバイポーラトランジスタ１とエミッタサイズの小さいバイポーラトランジスタ２の各ベースを、コンデンサ３、４によりＲＦ的に接続し、電圧源１６によりλ／４波長線路等のコレクタ電源供給回路１５を通してバイポーラトランジスタ１とバイポーラトランジスタ２のコレクタにバイアス供給し、バイアス電源供給回路５、６がそれぞれ異なるバイポーラトランジスタにベース電位が等しくなるようバイアス供給し、入力整合回路７は５０Ωに対しバイポーラトランジスタのインピーダンスを変換し、出力整合回路８は５０Ω負荷に対し所望のパワーを取り出すようバイポーラトランジスタ出力側からみたインピーダンス設定し、外部制御回路９は高周波増幅器に要求される出力パワーの大小により、バイアス電源５、６をオンオフする。【選択図】　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイポーラトランジスタを用いて構成し、入力された高周波の電力を前記バイポーラトランジスタにより増幅し、前記バイポーラトランジスタの出力側に接続した負荷回路を通じて出力する高周波増幅器において、前記バイポーラトランジスタとして、エミッタサイズの異なる複数のバイポーラトランジスタを用い、前記複数のバイポーラトランジスタの各コレクタを一つに接続し、各エミッタを接地し、各ベースを互いに直流的に分離した状態で接続し、前記各ベースごとに、当該バイポーラトランジスタと同一半導体チップまたは異なる半導体チップ上に形成され、当該ベースへのバイアス供給を個別にオンオフ制御するバイアス供給制御手段を備え、前記バイアス供給制御手段を、出力電力の大小に応じて前記バイアス供給をオンオフ制御するよう構成したことを特徴とする高周波増幅器。
【請求項２】
負荷回路を、外部電圧による負荷インピーダンス切替機能を有するよう構成したことを特徴とする請求項１記載の高周波増幅器。
【請求項３】
バイポーラトランジスタを用いて構成し、入力された高周波の電力を前記バイポーラトランジスタにより増幅し、前記バイポーラトランジスタの出力側に接続した負荷回路を通じて出力する高周波増幅器において、前記バイポーラトランジスタとして、エミッタサイズの異なる複数のバイポーラトランジスタを用い、前記複数のバイポーラトランジスタの各コレクタを互いに直流的に分離した状態で前記負荷回路を通じて接続し、各エミッタを接地し、各ベースを互いに直流的に分離した状態で接続し、前記各ベースごとに、当該バイポーラトランジスタと同一半導体チップまたは異なる半導体チップ上に形成され、当該ベースへのバイアス供給を個別にオンオフ制御するバイアス供給制御手段を備え、前記バイアス供給制御手段を、出力電力の大小に応じて前記バイアス供給をオンオフ制御するよう構成し、前記負荷回路を、その少なくとも一つ以上に外部電圧による負荷インピーダンス切替機能を有するよう構成したことを特徴とする高周波増幅器。
【請求項４】
請求項１または請求項２または請求項３記載の高周波増幅器を一電力増幅器として複数多段接続したことを特徴とする高周波増幅器。
【請求項５】
請求項１または請求項２または請求項３記載の高周波増幅器を一電力増幅器として１つ以上多段接続し、それらの前段部分に、外部電圧により利得が可変制御可能な利得可変高周波増幅部を接続したことを特徴とする高周波増幅器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波トランジスタ、特にバイポーラトランジスタを用いた高周波増幅器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、無線通信用として、例えばバイポーラトランジスタを用いて構成される高周波増幅器においては、所望の出力パワーで増幅器全体の消費電流が最小となるよう設計される。
【０００３】
特に、デジタル方式の携帯電話の送信用に用いられる高周波増幅器においては、隣接するチャンネルへの漏洩を避けるため、不要輻射の要因となる増幅の際の増幅歪を抑えるように、高周波増幅器の線形性を確保した状態で、消費電流が最小となるよう設計されている。
【０００４】
以上のような従来の高周波増幅器について、図面を参照しながら以下に説明する。
図５は従来の高周波増幅器の構成および動作の説明図であり、図５（ｂ）は高周波増幅器の出力電力と消費電流の関係を示している。図５（ｂ）に示すように、出力電力が例えば１０ｄＢｍより低い低パワー領域の動作電流は、高周波増幅器のトランジスタのバイアス電流にほぼ等しくなり、これ以上高周波増幅器の入力側への入力パワーを下げても、この電流値以下にすることはできない。
【０００５】
一般的に、高周波増幅器においては、出力電力が例えば１０ｄＢｍより高い高パワー領域で線形性を確保して歪特性をよくするためには、トランジスタをバイアスポイントによる動作状態としてＡ級動作させる必要があり、バイアス電流を高周波電流振幅の１／２になるように大きく設定する必要がある。この場合に、低パワー動作時の消費電流が大きくなってしまう。
【０００６】
そこで、携帯電話の送信用に用いられる高周波電力増幅器の場合には、最大出力での効率と線形性の兼ね合いで、トランジスタは、Ａ級動作よりバイアスポイントが浅くバイアス電流値が低いＡＢ級動作となるようにバイアスされるが、この場合でも、低パワー時の消費電流は問題となる。
【０００７】
以上のような特性をもつ高周波増幅器を、無線通信用システム、特にＣＤＭＡ方式のように、基地局間の距離や利用者により端末の出力が頻繁に切り替えられるシステムに用いる場合には、高周波増幅器が設計最大パワーで利用されることは殆どなく、電力負荷効率の悪い低パワーでの利用頻度が高くなる。このため、このようなシステムにおいては、その高周波増幅器は、出力パワーに応じてトランジスタのバイアス電流を調整することにより、低パワー時の電流が低減できるように構成されている。
【０００８】
図５（ａ）に従来の高周波増幅器の一構成例を示す。電圧源１６により、λ／４波長線路等のコレクタ電流供給回路１５を通して、バイポーラトランジスタ１のコレクタにバイアス供給している。バイポーラトランジスタ１のベースに、可変電圧源１７により電圧供給されたバイアス供給回路５が接続され、バイアス供給している。可変電圧源１７の電圧を出力パワーに応じて変化させることにより、ベース電流を変化させ、バイアス電流を調整する。
【０００９】
入力整合回路７は、入力側のインピーダンスが例えば５０Ωである場合には、その５０Ωに対しバイポーラトランジスタ１の入力インピーダンスを変換し、出力整合回路８は、出力側の負荷インピーダンスが例えば５０Ωである場合には、その５０Ω負荷に対し所望のパワーを取り出すように、バイポーラトランジスタ１の出力側からみたインピーダンスを設定する。なお１３は高周波電力入力端子、１４は高周波電力出力端子である。
【００１０】
また、図５（ｃ）に、図５（ａ）に示す高周波増幅器のバイアス電圧を変化させることにより、そのバイアス電流を変化させた場合の出力電力−消費電流特性を示している。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記のような従来の高周波増幅器において、その出力パワーに応じてトランジスタのバイアス電流を変化させる方法を用いた場合には、例えばバイアス電流を小さくすることにより、図５（ｃ）に示すように、低パワー時の動作電流は低減されるが、それと同時に、図５（ｄ）に示すように、利得における線形性の劣化および歪特性の劣化が見られる。これに対し、十分な線形性を確保するためには、バイアス電流を大きくする必要があり、低パワー時の動作電流低減が制限されるという問題点を有していた。
【００１２】
特に、電流駆動型であるバイポーラトランジスタを用いた高周波増幅器においては、トランジスタ出力負荷回路の影響により、入力パワーの上昇に伴うバイアスポイントの変動が大きく、バイアス電流を低くしたときの低パワーでの線形性劣化が顕著に見られる。
【００１３】
図５（ｄ）は、図５（ａ）に示す高周波増幅器のバイポーラトランジスタ１に対して、可変電圧源１７によりバイアス供給回路５を通じてバイアス電圧を変化させ、ベースへのバイアス電流を変化させた場合の出力電力−利得特性を示しているが、低バイアス電流時ほど線形性劣化が大きいことがわかる。
【００１４】
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、出力電力の大小に関係なく増幅器の線形性を劣化させることなく、かつ低出力時の動作電流を十分に低減することができる高周波増幅器を提供する。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために本発明の高周波増幅器は、バイポーラトランジスタを用いて構成し、入力された高周波の電力を前記バイポーラトランジスタにより増幅し、前記バイポーラトランジスタの出力側に接続した負荷回路を通じて出力する高周波増幅器において、前記バイポーラトランジスタとして、エミッタサイズの異なる複数のバイポーラトランジスタを用い、前記複数のバイポーラトランジスタの各コレクタを一つに接続し、各エミッタを接地し、各ベースを互いに直流的に分離した状態で接続し、前記各ベースごとに、当該バイポーラトランジスタと同一半導体チップまたは異なる半導体チップ上に形成され、当該ベースへのバイアス供給を個別にオンオフ制御するバイアス供給制御手段を備え、前記バイアス供給制御手段を、出力電力の大小に応じて前記バイアス供給をオンオフ制御するよう構成したことを特徴とする。
【００１６】
以上により、出力電力の大小に応じて、ベースへのバイアス供給を個別にオンオフし、エミッタサイズの異なるバイポーラトランジスタを切り換えて動作させ、動作中のバイポーラトランジスタに対して、そのエミッタの単位サイズ当たりのバイアス電流値に基づいて、エミッタサイズに対応する固定バイアス電流を供給することにより、低電力領域において、バイアスポイントを変えることなく、バイアス電流を低減することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の高周波増幅器は、バイポーラトランジスタを用いて構成し、入力された高周波の電力を前記バイポーラトランジスタにより増幅し、前記バイポーラトランジスタの出力側に接続した負荷回路を通じて出力する高周波増幅器において、前記バイポーラトランジスタとして、エミッタサイズの異なる複数のバイポーラトランジスタを用い、前記複数のバイポーラトランジスタの各コレクタを一つに接続し、各エミッタを接地し、各ベースを互いに直流的に分離した状態で接続し、前記各ベースごとに、当該バイポーラトランジスタと同一半導体チップまたは異なる半導体チップ上に形成され、当該ベースへのバイアス供給を個別にオンオフ制御するバイアス供給制御手段を備え、前記バイアス供給制御手段を、出力電力の大小に応じて前記バイアス供給をオンオフ制御するよう構成する。
【００１８】
請求項２に記載の高周波増幅器は、請求項１記載の負荷回路を、外部電圧による負荷インピーダンス切替機能を有するよう構成する。
請求項３に記載の高周波増幅器は、バイポーラトランジスタを用いて構成し、入力された高周波の電力を前記バイポーラトランジスタにより増幅し、前記バイポーラトランジスタの出力側に接続した負荷回路を通じて出力する高周波増幅器において、前記バイポーラトランジスタとして、エミッタサイズの異なる複数のバイポーラトランジスタを用い、前記複数のバイポーラトランジスタの各コレクタを互いに直流的に分離した状態で前記負荷回路を通じて接続し、各エミッタを接地し、各ベースを互いに直流的に分離した状態で接続し、前記各ベースごとに、当該バイポーラトランジスタと同一半導体チップまたは異なる半導体チップ上に形成され、当該ベースへのバイアス供給を個別にオンオフ制御するバイアス供給制御手段を備え、前記バイアス供給制御手段を、出力電力の大小に応じて前記バイアス供給をオンオフ制御するよう構成し、前記負荷回路を、その少なくとも一つ以上に外部電圧による負荷インピーダンス切替機能を有するよう構成する。
【００１９】
請求項４に記載の高周波増幅器は、請求項１または請求項２または請求項３記載の高周波増幅器を一電力増幅器として複数多段接続した構成とする。
請求項５に記載の高周波増幅器は、請求項１または請求項２または請求項３記載の高周波増幅器を一電力増幅器として１つ以上多段接続し、それらの前段部分に、外部電圧により利得が可変制御可能な利得可変高周波増幅部を接続した構成とする。
【００２０】
以上のように、この高周波増幅器は、各ベースがお互いに直流的に分離された状態で接続された２つ以上のバイポーラトランジスタを用い、それぞれのベースに対するバイアス供給を個別にオンオフ制御するバイアス供給制御手段を有することを特徴とする。
【００２１】
以下、説明を平易にするため、２つのベースを持つ場合について述べる。
高電力出力時においては、２つのバイポーラトランジスタをオン、またはベース領域の大きいバイポーラトランジスタをオンとし、他方をオフとする。低電力出力時においては、ベース領域の小さいバイポーラトランジスタをオンとし、他方をオフとする。例えば、バイアス供給制御手段を通じてバイポーラトランジスタのベースに与える電位を同じにしておけば、バイアス電流はオンしているバイポーラトランジスタのエミッタサイズによって決まる。
【００２２】
従って、従来のバイポーラトランジスタのサイズを変えずにバイアス電流を低減する場合と比べ、出力電力の大小に応じて、ベースへのバイアス供給を個別にオンオフし、エミッタサイズの異なるバイポーラトランジスタを切り換えて動作させ、動作中のバイポーラトランジスタに対して、そのエミッタの単位サイズ当たりのバイアス電流値に基づいて、エミッタサイズに対応する固定バイアス電流を供給することにより、低電力領域において、バイアスポイントを変えることなく、バイアス電流の低減を可能とする。
【００２３】
以下、本発明の実施の形態を示す高周波増幅器について、図面を参照しながら具体的に説明する。
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１の高周波増幅器を、図１を用いて詳しく説明する。
【００２４】
図１は本実施の形態１の高周波増幅器の構成および動作の説明図であり、図１（ａ）は高周波増幅器の一構成例である。図１（ａ）に示すように、エミッタサイズの大きいバイポーラトランジスタ１とエミッタサイズの小さいバイポーラトランジスタ２のそれぞれのベースが、コンデンサ３、４により、ＲＦ的に短絡（直流的には分離）した状態で接続されている。電圧源１６により、λ／４波長線路等のコレクタ電流供給回路１５を通して、バイポーラトランジスタ１とバイポーラトランジスタ２の各コレクタに、電源バイアスを供給している。バイアス供給回路５、６が、それぞれ異なるバイポーラトランジスタに対して、各ベース電位が等しくなるように、バイアス用の電源を供給している。
【００２５】
入力整合回路７は、入力側のインピーダンスである例えば５０Ωに対し、バイポーラトランジスタのインピーダンスを変換し、出力整合回路８は、負荷側のインピーダンスである例えば５０Ωに対し、所望のパワーを取り出すように、バイポーラトランジスタの出力側からみたインピーダンスの整合を設定する。
【００２６】
外部制御回路９は、高周波増幅器に要求される出力パワーの大小により、バイアス供給回路５、６をオンオフ制御するため、例えばマイクロプロセッサで構成されており、パワーレベル大（例えば、出力電力１０ｄＢｍ以上）のときは両方のバイポーラトランジスタ１、２をオンし、パワーレベル小（例えば、出力電力１０ｄＢｍ未満）のときはエミッタサイズの小さい方のバイポーラトランジスタ２のみをオンとし、エミッタサイズの大きいバイポーラトランジスタ１はオフとする。
【００２７】
２つのエミッタサイズの比により低パワー時の動作電流が決まり、例えばエミッタサイズ比を４：１にすれば、低パワー時の動作電流として、従来例の場合に１００ｍＡであったものが、２０ｍＡに大幅に低減できる。この場合の出力電力−電流特性を図１（ｂ）に示す。図１（ｃ）の出力電力−利得特性に示すように、切替時に利得の不連続が見られるが、各パワー領域での線形性は保持されていることがわかる。
【００２８】
なお、本実施の形態では、２つのバイポーラトランジスタについて切替を行ったが、３つ以上のバイポーラトランジスタを用いれば、より多くのパワー領域を設定することができ、３以上の多段階での制御ができるのはいうまでもない。
【００２９】
また、エミッタサイズの異なるバイポーラトランジスタは、高周波特性を良くするため、サイズの小さい単位バイポーラトランジスタの並列接続により構成される場合があることはいうまでもない。
（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２の高周波増幅器を、図２を用いて詳しく説明する。
【００３０】
図２は本実施の形態２の高周波増幅器の構成および動作の説明図であり、図２（ａ）は高周波増幅器の一構成例である。図２（ａ）に示すように、エミッタサイズの大きいバイポーラトランジスタ１とエミッタサイズの小さいバイポーラトランジスタ２の各ベースが、コンデンサ３、４によりＲＦ的に接続されている。電圧源１６によりλ／４波長線路等のコレクタ電流供給回路１５を通してバイポーラトランジスタ１のコレクタに電源バイアスを供給している。バイアス供給回路５、６がそれぞれ異なるバイポーラトランジスタにベース電位が等しくなるようにバイアス供給している。
【００３１】
入力整合回路７は５０Ωに対しバイポーラトランジスタのインピーダンスを変換する。出力整合回路８に、ＰＩＮダイオードを用いた外部電圧により制御できるインピーダンス切替回路１０が接続されている。
【００３２】
実施の形態１と同様に、外部制御回路９は、高周波増幅器に要求される出力パワーの大小により、バイアス供給回路５、６を通じて、各ベースへのバイアス供給オンオフ制御する例えばマイクロプロセッサであり、パワーレベル大（出力電力１０ｄＢｍ以上）のときは両方のバイポーラトランジスタをオンし、パワーレベル小（出力電力１０ｄＢｍ未満）のときはエミッタサイズの小さい方のバイポーラトランジスタ２のみをオンとし、エミッタサイズの大きいバイポーラトランジスタ１はオフとする。
【００３３】
一方、インピーダンス切替回路１０は、外部制御回路９により制御され、パワーレベル大時はオフとなり、二つのデバイス側からみたインピーダンスはほぼ出力整合回路８のみのインピーダンス特性を示すが、パワーレベル小時はオンとなり、デバイス側からみたインピーダンスは、出力整合回路８とインピーダンス切替回路１０により、パワーレベル大時に比べてハイインピーダンスとなるようなインピーダンス変換特性を示す。
【００３４】
実施の形態１では、バイポーラトランジスタの負荷回路がパワーレベル大時に最適化されており、パワーレベル小としたときバイポーラトランジスタ２の負荷回路が最適化されていない。
【００３５】
このような実施の形態１に対し実施の形態２では、パワーレベル小時にバイポーラトランジスタ２の負荷インピーダンスを高くして、インピーダンス整合を改善することにより、利得低下の抑制、さらなるパワーレベル小時の低消費電流化を実現することができる。この場合の出力電力−電流特性を図２（ｂ）に示す。
【００３６】
デバイス側からみた負荷回路のインピーダンスを高パワー時５Ωから低パワー時２０Ωに変換することにより、実施の形態１の場合と比べ、パワーレベル小時１０ｄＢｍ近辺での動作電流を約１５ｍＡも低減することができる。
【００３７】
パワーレベルに応じて、本実施の形態のようにバイアス供給回路によるトランジスタ切替をしないで負荷回路のみのインピーダンス切替する手法も考えられるが、一般的にバイポーラトランジスタのエミッタサイズにより、最大効率が得られる出力パワーが決定されるため、広いパワーレベルにおいて低電流化を実現するためには、本実施の形態のように、バイアス供給回路によるトランジスタ切替のほうが有利である。
【００３８】
なお、本実施の形態でも、２つのバイポーラトランジスタについて切替を行ったが、３つ以上のバイポーラトランジスタを用いれば、より多くのパワー領域を設定することができ、３以上の多段階での制御ができるのはいうまでもない。
【００３９】
また、エミッタサイズの異なるバイポーラトランジスタは、高周波特性を良くするため、サイズの小さい単位バイポーラトランジスタの並列接続により構成される場合があることはいうまでもない。
（実施の形態３）
次に、本発明の実施の形態３の高周波増幅器を、図３を用いて詳しく説明する。
【００４０】
図３は本実施の形態３の高周波増幅器の構成を示す回路ブロック図である。図３に示すように、エミッタサイズの大きいバイポーラトランジスタ１とエミッタサイズの小さいバイポーラトランジスタ２の各ベースが、コンデンサ３、４によりＲＦ的に接続されている。電圧源１６により、λ／４波長線路等のコレクタ電源供給回路１５を通して、バイポーラトランジスタ１およびバイポーラトランジスタ２の各コレクタに、個別に電源バイアスを供給している。バイアス供給回路５、６が、それぞれ異なるバイポーラトランジスタに、ベース電位が等しくなるようにバイアス供給している。
【００４１】
入力整合回路７は５０Ωに対しバイポーラトランジスタのインピーダンスを変換する。バイポーラトランジスタ１およびバイポーラトランジスタ２からの２出力電力を入力として合成する出力整合回路１１において、そのサイズの小さいバイポーラトランジスタの出力側に、ＰＩＮダイオードを用いて、外部電圧によりインピーダンス切替を制御することができるインピーダンス切替回路１０が接続されている。
【００４２】
実施の形態２と同様の切替方法で同様の効果が得られるが、実施の形態２との違いは、インピーダンス切替回路１０が低パワー出力のバイポーラトランジスタ２の負荷回路に接続されていることであり、これにより、低パワー時は実施の形態２と同様の効果を得ながら、高パワー時の消費電流が低減できることである。ＰＩＮダイオードを用いたインピーダンス切替回路では、ＰＩＮダイオードの容量および抵抗成分により、インピーダンス切替回路による損失が問題となる。
【００４３】
本実施の形態で用いたインピーダンス切替回路の損失は約０．５ｄＢであるので、バイポーラトランジスタ出力が３０ｄＢｍ（コレクタ電圧３．５Ｖ、コレクタ効率５０％）の場合、実施の形態２では出力回路の損失により増幅器出力が２９．５ｄＢｍとなるが、本実施の形態ではエミッタサイズ比が４：１であるので２９．９ｄＢｍとなる。この場合の効率差を比較すると約４％と非常に大きい改善効果が得られる。
【００４４】
なお、本実施の形態でも、２つのバイポーラトランジスタについて切替を行ったが、３つ以上のバイポーラトランジスタを用いれば、より多くのパワー領域を設定することができ、３以上の多段階での制御ができるのはいうまでもない。
【００４５】
また、エミッタサイズの異なるバイポーラトランジスタは、高周波特性を良くするため、サイズの小さい単位バイポーラトランジスタの並列接続により構成される場合があることはいうまでもない。
（実施の形態４）
次に、本発明の実施の形態４の高周波増幅器を、図４を用いて詳しく説明する。
【００４６】
図４は本実施の形態４の高周波増幅器の構成および動作の説明図であり、図４（ａ）は高周波増幅器の一構成例である。本実施の形態４の高周波増幅器では、図４（ａ）に示すように、実施の形態１の高周波増幅器の前段に、外部電圧により利得が可変制御可能な利得可変高周波増幅部１２が接続されている。
【００４７】
なお、利得可変高周波増幅部１２以外の動作は実施の形態１で述べた通りである。先にのべたように、低パワー時に動作するバイポーラトランジスタ２に対してはインピーダンス整合が不十分なため利得の低下が生じる。よって外部制御回路９により、低パワー時の利得低下を補償するように、バイポーラトランジスタの切替と同時に、利得可変高周波増幅部１２を制御し、低パワー時の利得を増加させる。逆に高パワー時には利得可変高周波増幅部１２の利得を低下させる。この場合の利得―出力電力特性を図４（ｂ）に示す。
【００４８】
このように、低パワー時の消費電流を抑えるとともに、利得の変動がない高周波増幅器を、容易に実現することができる。
【００４９】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、出力電力の大小に応じて、ベースへのバイアス供給を個別にオンオフし、エミッタサイズの異なるバイポーラトランジスタを切り換えて動作させ、動作中のバイポーラトランジスタに対して、そのエミッタの単位サイズ当たりのバイアス電流値に基づいて、エミッタサイズに対応する固定バイアス電流を供給することにより、低電力領域において、バイアスポイントを変えることなく、バイアス電流を低減することができる。
【００５０】
そのため、出力電力の大小に関係なく増幅器の線形性を劣化させることなく、かつ低電力出力時の動作電流を十分に低減することができ、増幅の際の歪による不要輻射を抑えて隣接チャンネルへの漏洩を低減することができるとともに、出力電力に応じて、効率良く低消費電力化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１の高周波増幅器の構成および動作の説明図
【図２】本発明の実施の形態２の高周波増幅器の構成および動作の説明図
【図３】本発明の実施の形態３の高周波増幅器の構成を示す回路ブロック図
【図４】本発明の実施の形態４の高周波増幅器の構成および動作の説明図
【図５】従来の高周波増幅器の構成および動作の説明図
【符号の説明】
１　　バイポーラトランジスタ（エミッタサイズ大）
２　　バイポーラトランジスタ（エミッタサイズ小）
３、４　　コンデンサ
５、６　　バイアス供給回路
７　　入力整合回路
８　　出力整合回路
９　　外部制御回路
１０　　インピーダンス切替回路
１１　　出力整合回路
１２　　利得可変高周波増幅部
１３　　高周波電力入力端子
１４　　高周波電力出力端子
１５　　コレクタ電流供給回路
１６　　電圧源
１７　　可変電圧源
【図１】
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【図２】
2004134823.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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