(57)【要約】【課題】プローバフレーム電極とＴＦＴアレイ基板の電極との接触の良否判定を行うこと。【解決手段】プローバフレーム電極３をＴＦＴアレイ基板の電極に接触させてＴＦＴアレイ基板の検査を行うＴＦＴアレイ検査装置１において、ＴＦＴアレイ基板を光照射する発光手段（ＬＥＤ４）と、この光照射によりＴＦＴアレイ基板から発生する漏れ電流を検出する漏れ電流検出手段とを備える。漏れ電流検出手段は、発光手段（ＬＥＤ４）によりＴＦＴ基板を光照射した際の漏れ電流を検出し、この漏れ電流の検出によりプローバフレーム電極とＴＦＴアレイ基板の電極との接触検査を行う。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プローバフレーム電極をＴＦＴアレイ基板の電極に接触させてＴＦＴアレイ基板の検査を行うＴＦＴアレイ検査装置において、
ＴＦＴアレイ基板を光照射する発光手段と、
前記光照射によりＴＦＴアレイ基板から発生する漏れ電流を検出する漏れ電流検出手段とを備え、
当該漏れ電流によりプローバフレーム電極とＴＦＴアレイ基板の電極との接触検査を行うことを特徴とする、ＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項２】
前記発光手段は、複数の発光素子と、当該複数の発光素子の中から点灯する発光素子を選択する発光素子点灯切り換え手段を備え、
当該発光素子点灯切り換え手段と前記漏れ電流検出手段とを関連させて制御し、光照射領域から発生する漏れ電流を検出することを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項３】
前記発光素子はＴＦＴアレイ基板の各ＴＦＴ領域に設け、
前記発光素子点灯切り換え手段は各ＴＦＴアレイ領域に設けた発光素子を発光させてＴＦＴアレイ領域毎に光照射することを特徴とする請求項２に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＴＦＴアレイ検査に関し、特に、基板検査に用いるプローバにおいて、プローバフレーム電極とＴＦＴアレイ基板の電極との接触状態の検査に関する。
【従来の技術】
薄膜トランジスタアレイ基板（ＴＦＴアレイ基板）は、マトリックス状に配置された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、この薄膜トランジスタに駆動信号を供給する信号電極とを備える。
【０００２】
ＴＦＴ基板は、ガラス基板等で形成される基板上に複数のＴＦＴアレイを備え、各ＴＦＴアレイはマトリックス状に配列された複数の薄膜トランジスタを備え、この薄膜トランジスタは、走査信号電極端子，映像信号電極端子からの信号により駆動される。
【０００３】
基板に形成されるＴＦＴアレイを検査する装置としてＴＦＴアレイ検査装置が知られている。ＴＦＴアレイ検査装置は、ＴＦＴ基板のＴＦＴアレイの電極端子と電気的に接続するプローバと、このプローバにより入力した測定信号に基づいてＴＦＴアレイを駆動し、この駆動状態を電子線照射で得られる二次電子をＳＥ検出器で検出して基板検査を行う検査回路を備える。検査回路は、所定の電圧をプローバに印加し、ゲート−ソース間の短絡、点欠陥、断線等を調べる。
【０００４】
プローバは、ＴＦＴ基板の電極と接触するプローバフレーム電極をプローバフレームに設けることで構成される。ＴＦＴ基板を検査する際には、プローバフレームをＴＦＴ基板の上方から被せ、ＴＦＴ基板上に形成した電極に、プローバフレームのプローバフレーム電極を接触させることにより、ＴＦＴ基板の電極とプローバフレーム電極との間を電気的に接続させることで行っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ＴＦＴアレイ基板の電極とプローバフレーム電極との間では種々の要因により接触不良を起こす場合がある。
【０００６】
そこで、ＴＦＴアレイ検査の信頼性を高めるには、このＴＦＴアレイ基板の電極とプローバフレーム電極との間の接触の良否を確認することが必要である。ＴＦＴアレイ基板の不具合を表す検査結果が検出されたとき、接触の良否が未確認である場合には、その不具合の原因がＴＦＴアレイ基板の欠陥に基づくものであるのか、あるいは接触不良によるものであるのかの判断が困難であるため、再度検査を実施したりするなど不具合の原因を追及するために多大の時間を要することになる。
【０００７】
また、電極間は点接触で接続されるが、接触不良の不具合を起こし易い。接触不良個所を同定するためには、制御装置とＴＦＴアレイ基板側の電極との接続は１対１で実施することが理想であるが、配線本数が増加すると信頼性が低下するため、異なるＴＦＴアレイ間において同一種の信号（例えば、ソース信号やゲート信号）は、１本の配線でされている。
【０００８】
このように、異なるＴＦＴアレイ間おいて同一種の信号を１本の配線で接続すると、接触不良個所を同定することは不可能であるため、不具合発生時の処置に膨大な時間を要することになる。
【０００９】
そこで、本発明は前記した従来の問題点を解決し、プローバフレーム電極とＴＦＴアレイ基板の電極との接触の良否判定を行うことを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明のＴＦＴアレイ検査装置は、ＴＦＴに光を照射するとオフ状態でのドレイン−ソース間の漏れ電流が１〜２桁程度増加するという性質を用い、ＴＦＴアレイ基板に光を照射しこの光照射時の漏れ電流を測定することにより、ＴＦＴアレイ基板の電極の接触の良否判定を行うものである。また、光の照射位置を変更して漏れ電流を測定することにより、接触不良の場所を特定する。
【００１１】
本発明のＴＦＴアレイ検査装置は、プローバフレーム電極をＴＦＴアレイ基板の電極に接触させてＴＦＴアレイ基板の検査を行うＴＦＴアレイ検査装置において、ＴＦＴアレイ基板を光照射する発光手段と、この光照射によりＴＦＴアレイ基板から発生する漏れ電流を検出する漏れ電流検出手段とを備える。
【００１２】
漏れ電流検出手段は、発光手段によりＴＦＴ基板を光照射した際の漏れ電流を検出し、この漏れ電流の検出によりプローバフレーム電極とＴＦＴアレイ基板の電極との接触検査を行う。
【００１３】
ＴＦＴがオフ状態においてＴＦＴ基板に光を照射する。このとき、ドレイン−ソース間において漏れ電流が通常よりも多く流れる。この漏れ電流をＴＦＴ基板の電極からプローバフレーム電極を介して検出する。電流が検出された場合には、ＴＦＴ基板の電極とプローバフレーム電極との接触が良好であると判定することができ、電流が検出されない場合には、ＴＦＴ基板の電極とプローバフレーム電極との接触が不良であると判定することができる。
【００１４】
発光手段は、複数の発光素子と、複数の発光素子の中から点灯する発光素子を選択する発光素子点灯切り換え手段を備える。発光素子点灯切り換え手段と漏れ電流検出手段とを関連させて制御し、発光素子点灯切り換え手段により切り換えられた光照射領域と、この光照射領域から発生する漏れ電流検出とを関連付けて制御し、光の照射位置を変更して漏れ電流を測定することにより、接触不良の場所を特定する。
【００１５】
また、発光素子をＴＦＴ基板の各ＴＦＴ領域に設け、発光素子点灯切り換え手段は各ＴＦＴ領域に設けた発光素子を発光させてＴＦＴ領域毎に光照射する。ＴＦＴ領域毎に光を照射することにより、各ＴＦＴ領域を単位としてプローバフレーム電極との接触の良否判定の場所を特定することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図を参照しながら詳細に説明する。
【００１７】
図１０は、ＴＦＴアレイ基板を説明するための概略図である。ＴＦＴアレイ基板１０は、ガラス基板等の基板上に複数のＴＦＴアレイ１１Ａ〜１１Ｄが形成される。各ＴＦＴアレイ１１は、マトリックス状に配置された薄膜トランジスタと、各薄膜トランジスタを駆動する複数のゲートライン、ソースライン、コモンラインが形成され、これらのラインに所定電圧を印加することにより所定の薄膜トランジスタを駆動する。
【００１８】
各ＴＦＴアレイ１１の外側には、ＴＦＴアレイの外部と電気的に接続するために、ゲートラインの端子電極（Ｇｅ電極，Ｇｏ電極）を備え、ソースラインの端子電極（Ｓｅ電極，Ｓｏ電極）を備え、コモンラインの端子電極（Ｃｓ電極）を備える。なお、Ｇｅ，Ｇｏ及びＳｅ，Ｓｏは、各配列の偶数次配列と奇数次配列を表している。各ＴＦＴアレイ１１Ａ〜１１Ｄは、ＴＦＴアレイ基板１０上に配置された状態でアレイの形成が行われ、アレイの形成工程が完了した後に分離される。
【００１９】
なお、図１０では、４個のＴＦＴアレイ１１Ａ〜１１Ｄを配置する構成を示しているが、配置するアレイの個数は４個に限らない。
【００２０】
図１は本発明のＴＦＴアレイ検査装置の概略を説明するために概略図である。図１（ａ）は平面図であり、図１（ｂ）は断面図である。
【００２１】
ＴＦＴアレイ検査装置１は、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成した複数のＴＦＴアレイ１１を検査する装置であり、ＴＦＴ基板１０（図１には示していない）上に重ねて、プローバフレーム電極３をＴＦＴ基板側の電極（図１０に示したＧｅ，Ｇｏ，Ｓｅ，Ｓｏ，Ｃｓ）に接触させてＴＦＴ基板側と外部とを電気的に接続し、ＴＦＴ基板側に測定用の信号を入力し、ＴＦＴ基板検査を行う。
【００２２】
ＴＦＴアレイ検査装置１は、ＴＦＴ基板１０側の電極と接触するプローバフレーム電極３を持つプローバフレーム２を備える。プローバフレーム２は、ＴＦＴ基板上に設けられるＴＦＴ領域に対応する部分に開口部７を備える枠体であり、ＴＦＴ基板１０の電極と接触するプローバフレーム電極３の電極数及び配列は、ＴＦＴ基板１０の電極に対応して設けられる。
【００２３】
各ＴＦＴアレイに対応するプローバフレーム電極３は、フレキシブル基板で形成される信号配列回路６を介して導入電極５と接続され、この導入電極５を介してプローバフレーム２の外部と接続する。
【００２４】
また、本発明のプローバフレーム電極３は、ＴＦＴアレイを光照射するＬＥＤ４等の発光部を備え、プローバフレーム電極３とＴＦＴ基板の電極との接触検査を行う際に、この発光部によりＴＦＴアレイを光照射することにより、通常より大きな漏れ電流を発生させ、この漏れ電流を検出することで接触の良否を判定する。
【００２５】
なお、ＴＦＴ基板１０はパレット（図示していない）上に配置され、プローバフレーム２はＴＦＴ基板１０上に配置される。ＴＦＴ基板１０とプローバフレーム２との間は、ＴＦＴ基板側の電極とプローバフレーム電極３との電気的接触で行われ、プローバフレーム２とパレットとの間は、プローバフレーム２上に設けた導入電極５とパレットに設けた電極（図示していない）により行われる。
【００２６】
さらに、パレットはステージ（図示していない）上に載置され、移動自在とすることができる。パレットとステージとの間は、パレット側に設けたパレット側コネクタ（図示していない）とステージ側に設けたステージ側コネクタ（図示していない）とにより行われる。なお、図１において、プローバフレーム２には、ＴＦＴ基板上に形成されるＴＦＴアレイに対応する部分に開口部７が形成されている。ＴＦＴアレイには、開口部７を通して電子線の走査が行われる。
【００２７】
図２は本発明のプローバフレームの断面図、及びＴＦＴ基板の断面図であり、図２（ａ）はプローバフレーム電極とＴＦＴ基板の電極との接触前後の状態を示し、図２（ｂ）はプローバフレーム電極とＴＦＴ基板の電極との接触状態を示している。
【００２８】
図２において、プローバフレーム２には、ＴＦＴ基板１０側の電極１２と接触するためのプローバフレーム電極３が配置され、パレット２０等の外部部材側の電極２１と接続するための導入電極５が配置される。プローバフレーム電極３は、電極１２と接触する電極３１とＴＦＴアレイ１１を光照射するＬＥＤ４とを備える。ＴＦＴ検査を行う際には、図２（ｂ）に示すように、プローバフレーム２をＴＦＴ基板１０に接近させ、プローバフレーム電極３の電極１２をＴＦＴ基板１０の電極１２に接触させ、また、プローバフレーム電極３の導入電極５をパレット２０側の電極２１に接触させる。この電極間の接触によりＴＦＴアレイ１１と外部装置との間の接続が行われ、外部装置側から測定信号を入力することによりＴＦＴアレイ検査を行う。
【００２９】
このＴＦＴアレイ検査に先立って、ＬＥＤ４を点灯してＴＦＴアレイ１１を光照射し、この光照射による漏れ電流を測定することにより、電極間の接触の良否を判定する。図３は、プローバフレーム電極の一構成例を説明するための断面図及び平面図であり、図４はプローバフレーム電極の電極部分を説明するための図である。
【００３０】
図３（ａ）の断面図において、プローバフレーム電極３は複数の電極３１を備え、その先端のＴＦＴ電極接触部３２はＴＦＴ基板１０側の電極１２と接触する。ＴＦＴ電極接触部３２は、図４に示すように、本体部分３３に対してバネ材等により付勢された状態でスライド自在とし、ＴＦＴ基板１０側の電極１２と当接した後、所定のストロークを有してスライドすることができる。ＴＦＴ電極接触部３２の配置数及び配置間隔は、ＴＦＴ基板１０側の電極１２と対応して設定される。
【００３１】
また、図３（ｂ）に示すように、プローバフレーム電極３の側面にはＬＥＤ４が設けられる。ＬＥＤ４は、プローバフレーム電極３の側部においてＴＦＴアレイ１１を光照射する側に設けられる。ＬＥＤ４をプローバフレーム電極３に設けることにより、ＴＦＴ基板１０上に形成した各ＴＦＴアレイの内、各プローバフレーム電極３が接触するＴＦＴアレイ１１に対して光を照射することができ、これにより、ＴＦＴアレイ毎の電極接触の良否判定を行うことができる。
【００３２】
なお、ここでは、ＬＥＤ４をプローバフレーム電極３に設ける構成例を示しているが、ＴＦＴアレイ１１に光を照射する位置であれば、プローバフレーム電極３に限らずプローバフレーム２側の任意の位置に設けることもできる。なお、この場合には、各ＬＥＤがＴＦＴ基板上の各ＴＦＴアレイを個別に光照射することできる位置であることが望まく、この配置とすることでＴＦＴアレイ毎の電極接触の良否判定を行うことができる。
【００３３】
また、ＴＦＴアレイ内において異なる箇所を光照射するように、複数のＬＥＤを設置位置や光照射方向を異ならせることもでき、これらのＬＥＤを選択的に光らせることで、特定位置の電極の接触検査を行うこともできる。
【００３４】
図５は、本発明のＴＦＴアレイ検査装置の一回路構成例である。図５中のＡの部分はＴＦＴ基板側を示し、Ｂの部分はプローバフレーム側を示し、Ｃの部分は外部装置側をそれぞれ示している。プローバフレーム側Ｂは、プローバフレーム電極３によりＴＦＴ基板側Ａと接続し、導入電極５により外部装置と接続している。
【００３５】
ＴＦＴ基板側Ａは、複数のＴＦＴアレイ１１（ＴＦＴアレイ（Ａ）〜ＴＦＴアレイ（Ｄ））を備える。プローバフレーム側Ｂは、フレキシブル基板に信号分配回路５を有し、外部装置と各ＴＦＴアレイ１１との間で信号分配を行う。また、プローバフレーム側Ｂに設けたＬＥＤ等の発光手段は、ＴＦＴ基板側Ａに形成されたＴＦＴアレイ１１を選択的に光照射する。
【００３６】
外部装置側Ｃは、ＴＦＴアレイを駆動するＴＦＴ駆動信号発生部１０１と、ＬＥＤを選択的に駆動するＬＥＤ信号発生部１０２と、これら信号発生部を制御するＣＰＵ１０３を備える。
【００３７】
ＴＦＴ駆動信号発生部１０１は、ゲート信号（Ｇｅ，Ｇｏ）用のライン、ソースライン信号（Ｓｅ，Ｓｏ）、及びコモン信号（Ｃｓ）用のラインを通してＴＦＴ駆動信号をＴＦＴアレイに供給する。また、ソースライン信号ライン（Ｓｅ，Ｓｏ）は、電極の接触検査を行うためのスイッチＳＷ１，ＳＷ２を備える。このスイッチＳＷ１，ＳＷ２は、通常のＴＦＴ駆動と電極の接触検査との切り換えを行う。通常のＴＦＴ駆動を行う場合には、ＣＰＵ１０３はＯＮ信号によりスイッチＳＷ１，ＳＷ２をオン状態に切り換えると共に書き込み信号を送ってＴＦＴを駆動する。一方、電極の接触検査を行う場合には、ＣＰＵ１０３はＯＦＦ信号によりスイッチＳＷ１，ＳＷ２をオフ状態に切り換えると共に、スイッチ部分に発生する電圧を測定することにより漏れ電流を検出して電極の接触状態を検査する。このとき、スイッチＳＷ１，ＳＷ２を選択することにより、偶数列のソース信号ラインに基づく接触検査と、奇数列のソース信号ラインに基づく接触検査を選択することができる。
【００３８】
ＬＥＤ駆動信号発生部１０２は、電極の接触検査において、ＬＥＤ４を駆動する信号（ＬＥＤ（Ａ）〜ＬＥＤ（Ｄ））を発生し、導入電極５を介して各ＬＥＤ４を駆動し、各ＴＦＴアレイ１１（ＴＦＴアレイ（Ａ）〜ＴＦＴアレイ（Ｄ））を選択的に光照射する。
【００３９】
ＣＰＵ１０３は、電極の接触検査において、スイッチＳＷ１，２のオフ動作とＬＥＤの駆動とを連動させて制御する。
【００４０】
以下、本発明のＴＦＴアレイ検査装置の動作について説明する。本発明のＴＦＴアレイ検査装置において、電極の接触検査は、光照射によりＴＦＴのオフ状態でドレイン−ソース間の漏れ電流が１〜２桁程度増加するという性質を利用し、ＬＥＤの発光と同時にソースに流れる電流を測定することにより、電極の接触検査を行う。このＬＥＤを駆動するＬＥＤ駆動電流も導入電極５を介してプローバに供給されため、ＬＥＤ点灯系においても電極の接触不良が発生する可能性がある。
【００４１】
そこで、このＬＥＤ点灯系における電極の接触状態を判定するために、ＴＦＴアレイ検査装置が備えるＳＥ検出器（ホトマルチプライヤー）を使用する。なお、ＳＥ検出器は、ＴＦＴ基板に照射した電子線により発生する二次電子を検出する検出器であり、この検出信号に基づいてＴＦＴ基板の検査を行う。
【００４２】
ＴＦＴ基板の電極の接触検査を行う前に、ＬＥＤを個別に順次点灯させ、ＳＥ検出器の信号出力の増加を確認する。ＬＥＤの駆動信号の出力により、ＳＥ検出器の信号出力が増加した場合には、そのＬＥＤ点灯系における電極の接触状態は良好であると判定される。一方、ＬＥＤの駆動信号を出力しても、ＳＥ検出器の信号出力が増加しない場合には、そのＬＥＤ点灯系における電極の接触状態は不良であると判定される。
【００４３】
ＬＥＤ点灯系における電極の接触状態が良であることを確認した後、ＬＥＤの発光と同時にソースに流れる電流を測定して電極接触の良否を判定する。この判定では、ＴＦＴアレイを全てオフ状態とし、各ＴＦＴアレイのエリア毎に順次ＬＥＤを光照射し、そのときのドレイン−ソース間の漏れ電流を測定して、各電極での接触不良の有無を確認する。
【００４４】
図６は各ＴＦＴアレイの回路を説明するため図であり、図７はＴＦＴアレイの電極の接触検査の手順を説明するためのフローチャートであり、図８は信号図である。なお、図６はマトリックス状に配列されるＴＦＴアレイの一つを示している。なお、図６では、ＴＦＴアレイの偶数列について示している。
【００４５】
図６において、ＴＦＴのソースはソースラインに接続され、ＴＦＴのドレインはＩＴＯと接続されると共に、コンデンサを介してコモンラインと接続される。また、ＴＦＴのゲートはゲートラインに接続される。
【００４６】
ソースラインには漏れ電流検出用のスイッチＳＷが設けられる。スイッチＳＷには、漏れ電流検出用の検出抵抗Ｒが設けられる。
【００４７】
はじめに、Ｓｏに＋ＶＳｏ（Ｖ）の信号をＳｏ駆動回路から印加し（図８（ｂ））（ステップＳ１）、次に、Ｇｏに＋ＶＳｏ（Ｖ）の信号を数１００μｓｅｃの間印加する（図８（ａ））。これによりＴＦＴがオン状態となり、コンデンサＣに電荷が蓄積される（図８（ｃ））（ステップＳ２）。
【００４８】
この後、Ｇｏを−ＶＧｏ（Ｖ）に設定すると（図８（ａ））、ＴＦＴはオフ状態となり、コンデンサＣの電荷は保持状態となる（ステップＳ３）。
【００４９】
ＬＥＤを駆動してＴＦＴに光照射し（ステップＳ４）、ＳＷを開く。ＴＦＴへの光照射により、コンデンサＣに蓄積されていた電荷はソース−ドレイン間の漏れ電流となる（図８（ｃ））。このとき、電極の接触状態が良好であれば、漏れ電流Ｓｏ（ｉ）はＴＦＴアレイ電極、プローバフレーム電極を介してＳｏ駆動回路に流れる。このとき、スイッチＳＷが開いていれば、漏れ電流は検出抵抗Ｒを通って電極に流れる。漏れ電流は、この検出抵抗Ｒの電圧降下（Ｒ×Ｓｏ（ｉ））を検出することで測定することができる（ステップＳ５）。
【００５０】
電圧降下（Ｒ×Ｓｏ（ｉ））が所定電圧よりも大きい場合には（ステップＳ６）、電極の接触は良好であると判定される（ステップＳ７）。一方、電圧降下（Ｒ×Ｓｏ（ｉ））が所定電圧よりも小さい場合には（ステップＳ６）、電極の接触は不良であると判定される（ステップＳ８）。
【００５１】
電極の接触検査により接触が良好である場合には、次に、通常のＴＦＴアレイ検査を行う。図９は、ＴＦＴアレイ検査を行う手順を説明するためのフローチャートである。
【００５２】
スイッチＳＷをオンとして検出抵抗Ｒをバイパスし（ステップＳ１１）、ＴＦＴ駆動と電子ビーム走査と連動させ（ステップＳ１２）、通常の電子ビーム走査によるＴＦＴ検査を行う（ステップＳ１３）。
【００５３】
本発明の実施形態によれば、プローバフレーム電極とＴＦＴアレイ基板の電極との接触の良否判定を行うことができ、ＬＥＤが光照射するＴＦＴアレイの箇所を選択することにより、接触不良の発生場所を特定することができる。
【００５４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、プローバフレーム電極とＴＦＴアレイ基板の電極との接触の良否判定を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＴＦＴアレイ検査装置の概略を説明するための概略図である。
【図２】本発明のプローバフレームの断面図、及びＴＦＴ基板の断面図である。
【図３】プローバフレーム電極の一構成例を説明するための断面図及び平面図である。
【図４】プローバフレーム電極の電極部分を説明するための図である。
【図５】本発明のＴＦＴアレイ検査装置の一回路構成例である。
【図６】ＴＦＴアレイの回路を説明するための図である。
【図７】ＴＦＴアレイの電極の接触検査の手順を説明するためのフローチャートである。
【図８】ＴＦＴアレイの電極の接触検査の手順を説明するための信号図である。
【図９】ＴＦＴアレイ検査を行う手順を説明するためのフローチャートである。
【図１０】
【符号の説明】
１…ＴＦＴアレイ検査装置、２…プローバフレーム、３…プローバフレーム電極、４…ＬＥＤ、５…導入電極、６…信号分配回路、７…開口部、１０…ＴＦＴ基板、１１…ＴＦＴアレイ、１２…ＴＦＴアレイ電極、２０…パレット、２１…電極、３１…電極、３２…ＴＦＴ電極接触部、３３…本体、１０１…ＴＦＴ駆動信号発生部、１０２…ＬＥＤ駆動信号発生部、１０３…ＣＰＵ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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