(57)【要約】【課題】パターニングされた電極を有する有機ＥＬ表示パネルにおいて、工程の簡略化を達成して製造コストの低減を図る。【解決手段】第１の基板１０の対向面上に第１電極１１、絶縁膜５０をパターニングして形成した後、有機層の一部の発光機能層１２をその上に成膜する。また、第２の基板２０の対向面上には第２電極２１をパターニングして形成した後、その上に有機層の残りの発光機能層２２を成膜する。そして、第１の基板１０と第２の基板２０との間に封止材４０を介在させて、両基板を貼り合わせた上に加熱接合する。この際、接合される発光機能層における最外層の一方又は両方を有機層中で最もガラス転移温度が低い層とする。【選択図】　　　　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に有機層を形成した有機ＥＬ素子からなる有機ＥＬ表示パネルにおいて、
対面配置された第１の基板と第２の基板における対向面の一方に形成された第１電極と前記対向面の他方に形成された第２電極とによって前記一対の電極が形成され、
前記第１電極上に形成された発光機能層と、前記第２電極上に形成された発光機能層とを接合することによって前記有機層が形成され、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に前記有機層を封止する封止材を介在させたことを特徴とする有機ＥＬ表示パネル。
【請求項２】
前記第１の基板には、前記第１電極と絶縁膜と前記有機層を形成する複数の発光機能層における一部の層が形成され、前記第２の基板には、前記第２電極と前記発光機能層の残りの層が形成されることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項３】
前記第１電極及び前記第２電極上の少なくとも一方に形成される発光機能層の最外層は、前記有機層において最もガラス転移温度が低い層であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項４】
前記第１電極及び前記第２電極上の一方に形成される発光機能層は、正孔注入層と正孔輸送層であり、他方に形成される発光機能層は、電子注入層、電子輸送層、発光層であることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項５】
前記第１電極及び前記第２電極上の一方に形成される発光機能層は、正孔注入層であり、他方に形成される発光機能層は、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層であることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項６】
前記第１電極及び前記第２電極上の一方に形成される発光機能層は、正孔注入層と一部の正孔輸送層であり、他方に形成される発光機能層は、電子注入層、電子輸送層、発光層と残りの正孔輸送層であることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項７】
前記第１の基板及び前記第２の基板の少なくとも一方が透明基板であり、当該透明基板側の電極が透明電極であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項８】
前記第１の基板及び前記第２の基板の少なくとも一方がフレキシブル基板であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項９】
前記第１電極及び前記第２電極は、ストライプ状にパターニングされた複数の平行電極であり、両電極が互いに直交配置されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１０】
前記第１電極又は前記第２電極の一方は、ドットマトリクス状にパターニングされた画素電極であり、該電極毎に薄膜トランジスタが形成されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１１】
一対の電極間に有機層を形成した有機ＥＬ素子からなる有機ＥＬ表示パネルの製造方法において、
第１の基板及び第２の基板の上のそれぞれに形成された第１電極及び第２電極上にそれぞれ発光機能層を形成する工程と、
前記第１の基板又は第２の基板上の周辺に封止材を配置する工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを対面させて、前記第１電極及び前記第２電極によって前記一対の電極を形成し、各電極上に形成された前記発光機能層を接合させることによって前記有機層を形成すると共に、前記封止材によって前記有機層を封止するように、前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせる工程とを有することを特徴とする有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１２】
前記第１の基板には、前記第１電極と絶縁膜と前記有機層を形成する複数の発光機能層における一部の層が形成され、前記第２の基板には、前記第２電極と前記発光機能層の残りの層が形成されることを特徴とする請求項１１記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１３】
前記第１電極及び前記第２電極上の少なくとも一方に形成される発光機能層の最外層を、前記有機層において最もガラス転移温度が低い層に形成することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１４】
前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせた後に、これらの基板を前記ガラス転移温度以上に加熱する工程を有することを特徴とする請求項１３記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１５】
前記第１電極及び前記第２電極上の一方には、正孔注入層と正孔輸送層とが順次積層され、他方には電子注入層、電子輸送層、発光層が順次積層されることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１６】
前記第１電極及び前記第２電極上の一方には、正孔注入層が形成され、他方には、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層が順次積層されることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１７】
前記第１電極及び前記第２電極上の一方には、正孔注入層と一部の正孔輸送層が順次積層され、他方には、電子注入層、電子輸送層、発光層と残りの正孔輸送層が順次積層されることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機ＥＬ表示パネル及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
有機ＥＬ表示パネルは、透明ガラス等から成る基板上にＩＴＯ等の透明電極からなる陽極を形成し、その上に有機化合物からなる発光層を含む有機層を形成し、その上にＡｌ等の金属電極からなる陰極を形成してなる有機ＥＬ素子を基本構成としており、この有機ＥＬ素子を単位面発光要素として平面基板上に配列させることで画像表示を行うものである。
【０００３】
このような有機ＥＬ表示パネルにおいては、基板上に配列された有機ＥＬ素子を独立して駆動させるために、陽極及び陰極をパターニングして、駆動方式に対応した電極構造を形成している。つまり、パッシブマトリクス駆動方式においては、陽極及び陰極は、それぞれストライプ状にパターニングされた複数の平行電極として形成され、これを互いに直交する方向に配置しており、直交配置された平行電極の交点に、独立して駆動される多数の有機ＥＬ素子が形成されている。また、アクティブマトリクス駆動方式においては、一方の電極がドットマトリクス状にパターニングされ、各電極上に形成される有機ＥＬ素子を独立して駆動するために、個々の電極毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されている。
【０００４】
ところで、有機ＥＬ素子は、有機層の耐熱性及び耐薬品性が低いことから、この有機層上に形成される陰極を、フォトレジストの加熱や現像を伴うフォトリソグラフィ法でパターニングすることができないという問題がある。フォトリソグラフィ法以外の方法としては、メタルマスクを用いて陰極を蒸着形成する方法があるが、このような方法では、メタルマスクの剛性や、マスクの位置合わせ精度の問題から、微細なパターンに対応することが難しい。
【０００５】
そこで、有機層上に形成される陰極をパターニングする方法として、下記特許文献１に記載される方法が提案されている。図１によってこの従来技術を説明する。
【０００６】
まず、基板１上にストライプ状にパターニングされた複数の平行電極から成る陽極２を形成する。陽極２は前述したようにＩＴＯ等の透明電極からなるものである。そして、この陽極２及び基板１上に、発光領域を開口させて絶縁膜３を形成する。更にはその絶縁膜３上に逆台形断面の隔壁４を形成する。これらの工程は、有機層形成前の工程であるから、フォトリソグラフィ等の微細加工技術を用いてパターニングを行うことができる（同図（ａ）参照）。
【０００７】
そして、その上から真空蒸着によって各機能を有する有機層５を形成し、更にその上から陰極６を蒸着させる（同図（ｂ）参照）。これによると、逆台形断面形状の隔壁４は、上部が基板１に平行な方向に突出したオーバーハング部分を有しているので、その上から陰極６を成膜すると、このオーバーハング部分の作用によって、陰極６の成形膜は分断されることになり、陰極６を隔壁４に沿ってストライプ状にパターニングすることができる。
【０００８】
その後は、陰極６を覆うように封止キャップ７が被せられ、その周囲が接着剤８で基板上１に接着される（同図（ｃ）参照）。有機ＥＬ素子は、有機層及び電極が外気に曝されると特性が劣化することが知られており、有機ＥＬ素子を外気から遮断する封止手段が不可欠になっている。この封止手段としては、前述のような封止キャップ７を接着剤８を介して基板１に接着する手段が一般に採用されている。
【０００９】
【特許文献１】
特開平８−３１５９８１号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来技術によると、陰極をパターニングするために、わざわざ絶縁膜上に逆台形断面形状の隔壁を形成しなければならないが、この隔壁を形成するためには、成膜工程，フォトリソグラフィによるパターニング工程を行う必要があり、工程が複雑になって、製造コストが高くなる問題がある。
【００１１】
また、隔壁のオーバーハング部分により、有機層上に蒸着される陰極を分断してパターニングするためには、隔壁の高さは、陽極上に形成される有機層及び陰極層の厚さより高く形成する必要があり、また、その上に封止キャップが被せられるので、隔壁の高さ及び隔壁と封止キャップとの空間を形成する厚さ分だけがパネル厚を余分に確保することを余儀なくされ、これが有機ＥＬ表示パネルの薄型化を妨げる要因になるという問題がある。
【００１２】
更には、隔壁を覆って封止キャップを被せているので、封止キャップ内には不用な空間が多く形成されることになり、この空間内に侵入する気体中の湿気を除去するために、封止キャップ内にはかなり大きな乾燥剤が装填されている。そして、このような乾燥剤の存在によって全体的なパネル厚は更に大きくなっており、乾燥剤の少量化或いは排除がパネル薄型化の主要な命題になっている。
【００１３】
本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、パターニングされた電極を有する有機ＥＬ表示パネルにおいて、隔壁を排除することにより、工程の簡略化を達成して製造コストの低減を図ること、或いは有機ＥＬ表示パネルの薄型化を図ること、パネル内の不用空間を極力少なくして乾燥剤の装填量を最小限に抑えるか或いは排除することで、更にパネルの薄型化を図ること等が本発明の目的である。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明による有機ＥＬ表示パネル及びその製造方法は、以下の各独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。
【００１５】
一つには、一対の電極間に有機層を形成した有機ＥＬ素子からなる有機ＥＬ表示パネルにおいて、対面配置された第１の基板と第２の基板における対向面の一方に形成された第１電極と前記対向面の他方に形成された第２電極とによって前記一対の電極が形成され、前記第１電極上に形成された発光機能層と、前記第２電極上に形成された発光機能層とを接合することによって前記有機層が形成され、前記第１の基板と前記第２の基板との間に前記有機層を封止する封止材を介在させたことを特徴とする。
【００１６】
また、一対の電極間に有機層を形成した有機ＥＬ素子からなる有機ＥＬ表示パネルの製造方法において、第１の基板及び第２の基板の上のそれぞれに形成された第１電極及び第２電極上にそれぞれ発光機能層を形成する工程と、前記第１の基板又は第２の基板上の周辺に封止材を配置する工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを対面させて、前記第１電極及び前記第２電極によって前記一対の電極を形成し、各電極上に形成された前記発光機能層を接合させることによって前記有機層を形成すると共に、前記封止材によって前記有機層を封止するように、前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせる工程とを有することを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。まず、本発明の有機ＥＬ表示パネルに係る各実施形態は以下の特徴を有している。これを図２に基づいて説明する。
【００１８】
第１には、一対の電極間に有機層を形成した有機ＥＬ素子からなる有機ＥＬ表示パネルにおいて、対面配置された第１の基板１０と第２の基板２０における対向面の一方に形成された第１電極１１と対向面の他方に形成された第２電極２１とによって一対の電極が形成され、第１電極１１上に形成された発光機能層１２と、第２電極２１上に形成された発光機能層２２とを接合することによって有機層３０が形成され、第１の基板１０と前記第２の基板２０との間に有機層３０を封止する封止材４０を介在させたことを特徴とする。
【００１９】
このような実施形態によると、有機ＥＬ素子を形成する一対の電極を形成するに当たって、第１の基板１０上に第１電極１１を形成し、第２の基板２０上に第２電極２１を形成しているので、各電極とも有機層の形成前に基板上の形成することが可能になる。したがって、前述した従来例のように隔壁を形成すること無しに、フォトリソグラフィ等の微細加工手段を用いて第１電極１１及び第２電極２１をパターニングすることができる。これによって、煩雑な隔壁形成工程を排除できるので、製造工程を簡略化することができ、製造コストを低減させることができる。
【００２０】
また、第１基板１０表面の第１電極１１上には発光機能層１２が形成され、第２基板２０の第２電極２１上には発光機能層２２が形成されて、これらの発光機能層１２，２２が互いに接合されているので、第１の基板１０と第２の基板２０との間には、第１及び第２電極１１，２１の厚みと有機層３０の厚み以外の不用な空間が厚さ方向には形成されない。つまり、パネルの厚さ方向の空間は最大限有効活用されており、これによってパネル厚の薄型化を達成することができる。
【００２１】
更には、有機層３０を封止するように、第１の基板１０と第２の基板２０との間に封止材４０を介在させているので、有機層３０及び第１，第２電極１１，２１の封止空間は、第１の基板１０と第２の基板２０との間に形成されることになるが、これらの基板間には前述したように厚さ方向に不用な空間が形成されないので、封止空間内の不用空間を最小限に抑えることができる。これによって、封止空間内に配備される乾燥剤を極力小さくするか或いは排除することが可能になり、全体的なパネル厚を小さくすることができる。
【００２２】
また、第１電極１１と第２電極２１とはそれぞれ別の基板表面に形成され、これらの基板は封止材４０の存在によって確実に分離されるので、第１電極１１と第２電極２１との短絡が起こり難い。したがって、一対の電極間の短絡による画質劣化を回避することもできる。
【００２３】
第２には、前述の特徴と併せて、第１の基板１０には、第１電極１１と絶縁膜５０と有機層３０を形成する複数の発光機能層における一部の層が形成され、第２の基板２０には、第２電極２１と発光機能層の残りの層が形成されることを特徴とする。これによると、前述との特徴と併せて、第１の基板１０側に絶縁膜５０によって区画された発光領域を形成することができ、また、有機層３０を複数の発光機能層によって形成することで、所望の発光特性を得ることができる。
【００２４】
第３には、前述の特徴と併せて、第１電極１１及び第２電極２１上の少なくとも一方に形成される発光機能層の最外層は、有機層３０において最もガラス転移温度が低い層であることを特徴とする。これによると、前述の特徴と併せて、第１の基板１０側の発光機能層１２と第２の基板２０側の発光機能層２２との接合を加熱接合によって行うことができる。つまり、発光機能層の最外層のみを溶融させるガラス転移温度に接合部を加熱させることで、他の発光機能層に熱劣化を生じさせること無しに発光機能層１２，２２間の接合を行うことができる。
【００２５】
第４には、前述の特徴と併せて、第１電極１１及び第２電極２１上の一方に形成される発光機能層は、正孔注入層と正孔輸送層であり、他方に形成される発光機能層は、電子注入層、電子輸送層、発光層であることを特徴とする。つまり、一般的な有機ＥＬ素子における有機層３０の構造においては、正孔輸送材料をガラス転移温度最低の材料に選択することができる。これによると、陽極側基板の最外層に正孔輸送層を形成し、陰極側の発光層とこの正孔輸送層とを加熱融着接合させることによって前述の有機ＥＬ表示パネルを形成することができる。
【００２６】
第５には、前述の特徴と併せて、第１電極１１及び第２電極２１上の一方に形成される発光機能層は、正孔注入層であり、他方に形成される発光機能層は、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層であることを特徴とする。これによると、陰極側の最外層にガラス転移温度の最も低い正孔輸送層を形成し、陽極側の正孔注入層とこの正孔輸送層とを加熱融着接合させることができる。
【００２７】
第６には、前述の特徴と併せて、第１電極１１及び第２電極２１上の一方に形成される発光機能層は、正孔注入層と一部の正孔輸送層であり、他方に形成される発光機能層は、電子注入層、電子輸送層、発光層と残りの正孔輸送層であることを特徴とする。これによると、陽極側及び陰極側の最外層を共にガラス転移温度が最も低い正孔輸送層にして、両者を加熱融着させることにより有機層３０の接合を行うことができる。
【００２８】
第７には、前述の特徴と併せて、第１の基板１０及び第２の基板２０の少なくとも一方が透明基板であり、当該透明基板側の電極が透明電極であることを特徴とする。これによると、透明基板側を光出射側に設定することができる。
【００２９】
第８には、前述の特徴と併せて、第１の基板１０及び第２の基板２０の少なくとも一方がフレキシブル基板であることを特徴とする。これによると、第１及び第２の基板１０，２０の少なくとも一方をフレキシブル配線基板と一体に形成することができる。
【００３０】
第９には、前述の特徴と併せて、第１電極１１及び第２電極２１は、ストライプ状にパターニングされた複数の平行電極であり、両電極が互いに直交配置されていることを特徴とする。これによると、前述した特徴の有機ＥＬ表示パネルによってパッシブマトリクス駆動のパネルを形成することができる。
【００３１】
第１０には、前述の特徴と併せて、第１電極１１又は第２電極１２の一方は、ドットマトリクス状にパターニングされた画素電極であり、該電極毎に薄膜トランジスタが形成されていることを特徴とする。これによると、前述した特徴の有機ＥＬ表示パネルによってアクティブマトリクス駆動のパネルを形成することができる。
【００３２】
また、本発明の有機ＥＬ表示パネルの製造方法に係る各実施形態は以下の特徴を有している。これを図３に基づいて説明する。
【００３３】
第１１には、一対の電極間に有機層を形成した有機ＥＬ素子からなる有機ＥＬ表示パネルの製造方法において、第１の基板１０及び第２の基板２０の上のそれぞれに形成された第１電極１１及び第２電極２１上にそれぞれ発光機能層１２，２２を形成する工程と、第１の基板１０又は第２の基板２０上の周辺に封止材４０を配置する工程と、第１の基板１０と第２の基板２０とを対面させて、第１電極１１及び第２電極２１によって一対の電極を形成し、各電極上に形成された発光機能層１２，２２を接合させることによって有機層を形成すると共に、封止材４０によって有機層を封止するように、第１の基板１０と第２の基板２０を矢印のように貼り合わせる工程とを有することを特徴とする。これによると、前記第１の特徴を有する有機ＥＬ表示パネルを製造することができる。
【００３４】
第１２には、前述の特徴と併せて、第１の基板１０には、第１電極１１と絶縁膜５０と有機層を形成する複数の発光機能層における一部の層が形成され、第２の基板２０には、第２電極２１と発光機能層の残りの層が形成されることを特徴とする。これによると、前記第２の特徴を有する有機ＥＬ表示パネルを形成することができる。
【００３５】
第１３には、前述の特徴と併せて、第１電極１１及び第２電極２１上の少なくとも一方に形成される発光機能層の最外層を、有機層において最もガラス転移温度が低い層に形成することを特徴とする。これによると、前記第３の特徴を有する有機ＥＬ表示パネルを形成することができる。
【００３６】
第１４には、第１の基板１０と第２の基板２０とを貼り合わせた後に、これらの基板を前記ガラス転移温度以上に加熱する工程を有することを特徴とする。これによると、加熱によって、最外層のみが溶融して、第１及び第２の基板に形成された発光機能層を加熱融着することができる。また、加熱によって封止材を熱硬化させることもできるので、封止材を前記ガラス転移温度で熱硬化する材料に設定ことによって、基板間の封止を同時に行うことができる。
【００３７】
第１５には、前述の特徴と併せて、第１電極１１及び第２電極２１上の一方には、正孔注入層と正孔輸送層とが順次積層され、他方には電子注入層、電子輸送層、発光層が順次積層されることを特徴とする。これによると、前記第４の特徴を有する有機ＥＬ表示パネルを形成することができる。
【００３８】
第１６には、前述の特徴と併せて、第１電極１１及び第２電極２１上の一方には、正孔注入層が形成され、他方には、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層が順次積層されることを特徴とする。これによると、前記第５の特徴を有する有機ＥＬ表示パネルを形成することができる。
【００３９】
第１７には、前述の特徴と併せて、第１電極１１及び第２電極２１上の一方には、正孔注入層と一部の正孔輸送層が順次積層され、他方には、電子注入層、電子輸送層、発光層と残りの正孔輸送層が順次積層されることを特徴とする。これによると、前記第６の特徴を有する有機ＥＬ表示パネルを形成することができる。
【００４０】
【実施例】
以下に、本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。図４は、本発明の実施例に係る有機ＥＬ表示パネルを示す説明図であり、ここでは、パッシブマトリクス駆動タイプの有機ＥＬ表示パネルを例に挙げている。
【００４１】
本実施例においては、第１の基板１０は透明ガラス基板からなり、また、第２の基板２０も同様にガラス基板によって形成されている。これらの第１の基板１０と第２の基板２０は対向配置されており、その対向面には、第１の基板１０側に、透明電極（ＩＴＯ）からなる第１電極１１がストライプ状にパターニングされた複数の平行電極として形成されており、第２の基板２０側には、金属電極（Ａｌ）からなる第２電極２１が、第１電極１１と直交する方向に向けて、ストライプ状にパターニングされた複数の平行電極として形成されている。そして、第１電極１１上及び第１電極１１間の第１の基板１０上には、格子状にパターニングされたポリイミド等の樹脂材料からなる絶縁膜５０が形成されており、この絶縁膜５０が形成されていない開口領域に発光領域Ｈが形成されている。
【００４２】
このような第１の基板１０と第２の基板２０と間には、その周辺部において熱硬化性樹脂から成る封止材４０が介在されており、その内部が外気に対して封止されている。また、この封止材４０の中には、基板間を所定の間隔に保つためのスペーサビーズ４１が配備されている。
【００４３】
このような第１電極１１と第２電極２１上にはそれぞれ発光機能層１２，２２が形成されて、それら発光機能層１２，２２が接合されて有機層３０を形成しており、これによって、第１電極１１と第２電極２１が交差する部分に発光領域Ｈを有する有機ＥＬ素子を形成している。この有機ＥＬ素子における有機層３０の構造を図５によって更に詳細に説明する。
【００４４】
有機層３０は、正孔注入層３０ａ、正孔輸送層３０ｂ、発光層３０ｃ、電子輸送層３０ｄ、電子注入層３０ｅの各発光機能層からなるものである。そして、本実施例においては、正孔注入層３０ａと正孔輸送層３０ｂが第１の基板１０側に積層されて形成され、電子注入層３０ｅと電子輸送層３０ｄと発光層３０ｃとが第２の基板２０側に積層されて形成されており、正孔輸送層３０ｂと発光層３０ｃとの間に接合面が形成されている。
【００４５】
この実施例（実施例１）における第１及び第２電極１１，２１及び各発光機能層の材料及び膜厚例を以下の表１に示す（なお、発光層材料として挙げたＤＰＶＰＡＮは、青色発光を示す発光層のホスト材料であって、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニルである。）。
【００４６】
【表１】
2004134279.tif 000003
【００４７】
ここで正孔輸送材料として挙げたＮＰＢは、有機層３０を形成する各発光機能層の中で最も低いガラス転移温度（Ｔｇ：９６℃）を示すものである。これを第１の基板側における最外層に形成することにより、他の発光機能層が熱劣化しない最低のガラス転移温度以上の加熱によって、第１の基板側の最外層である正孔輸送層３０ｂを溶融させ、第２の基板側の最外層である発光層３０ｃとの間に接合面Ｆを形成することができる。
【００４８】
そして、前記の実施例と有機層構造及び材料を同一にして、正孔輸送層３０ｂを第２の基板側に積層させることによって他の実施例（実施例２）を構成することができる。つまり、図６に示されるように、第１の基板１０側の第１電極１１上には正孔注入層３０ａのみが形成され、第２の基板２０側の第２電極２１上には、電子注入層３０ｃ、電子輸送層３０ｄ、発光層３０ｃ、正孔輸送層３０ｂが順に積層されて形成されている。この実施例の材料例及び膜厚例を以下の表２に示す。この実施例によっても、前述の例と同様に、正孔輸送層３０ｂを第２の基板側における最外層に形成することにより、他の発光機能層が熱劣化しない最低のガラス転移温度以上の加熱によって、この正孔輸送層３０ｂを溶融させ、第１の基板側の最外層である正孔輸送層３０ａとの間に接合面Ｆを形成することができる。
【００４９】
【表２】
2004134279.tif 000004
【００５０】
更に他の実施例（実施例３）としては、有機層３０中の発光機能層の内で最もガラス転移温度が低い正孔輸送層を２層に分けて、一方を第１の基板１０側の最外層とし、他方を第２の基板２０側の最外層とすることもできる。つまり、図７に示されるように、第１の基板１０側の第１電極１１上には正孔注入層３０ａと正孔輸送層の一部の層３０ｂ１が形成され、第２の基板２０側の第２電極２１上には、電子注入層３０ｃ、電子輸送層３０ｄ、発光層３０ｃ、更には正孔輸送層の残りの層３０ｂ２が順に積層されて形成されている。この実施例によると、有機層３０中の発光機能層の内で最もガラス転移温度が低い正孔輸送層を第１の基板１０側及び第２の基板２０側の最外層に形成することにより、他の発光機能層が熱劣化しない最低のガラス転移温度以上の加熱によって、両基板側の正孔輸送層を溶融させ、その正孔輸送層の中に接合面Ｆを形成することができる。これによると、各発光機能層間の境界面、特に発光層３０ｃとの境界面を接合面としないので、発光特性を良好に確保することができる。この実施例の材料及び膜厚例を以下の表３に示す。ここでは、電子輸送層を発光層と共用した例を示している。
【００５１】
【表３】
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【００５２】
このような実施例に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を以下に説明する。図８は製造フローの概要を示す説明図である。第１の基板側成膜工程Ｓ１Ａと第２の基板側成膜工程Ｓ１Ｂとは別ラインで同時進行的に進めることができる。
【００５３】
第１の基板側成膜工程Ｓ１Ａは、洗浄された透明ガラス基板からなる第１の基板１０の表面に、陽極材料となる透明導電膜、例えばＩＴＯ膜を成膜する。成膜方法は、真空蒸着法等を用い、膜厚は例えば１５００Å（１５０ｎｍ）とする。このＩＴＯ膜を一般的なフォトリソグラフィ工程によってパターニングして、ストライプ状の平行電極群よるなる第１電極１１を形成する。次いで、第１電極１１上に発光領域Ｈを開口させるように、格子状の絶縁膜５０を第１電極１１上及び第１電極１１間の第１の基板１０上に形成する。この絶縁膜５０は、絶縁性の感光性材料（ポリイミド等）を第１電極１１が形成された第１の基板１０上に塗布した後、前述した格子状のパターンとなるように、マスクを介して露光，現像することにより得られる。
【００５４】
その後は、前述した実施例に応じて、例えば、真空蒸着法によって各発光機能層を成膜する。つまり、実施例１においては、ＣｕＰｃからなる正孔注入層を５００Å（５０ｎｍ）成膜し、その上に積層して、ＮＰＢからなる正孔輸送層を５００Å（５０ｎｍ）成膜する。実施例２においては、ＣｕＰｃからなる正孔注入層を５００Å（５０ｎｍ）成膜する。実施例３においては、ＣｕＰｃからなる正孔注入層を５００Å（５０ｎｍ）成膜し、その上に積層して、ＮＰＢからなる正孔輸送層を２５０Å（２５ｎｍ）成膜する。
【００５５】
この第１の基板側成膜工程Ｓ１Ａにおいては、第１電極１１又は絶縁膜５０のパターニング工程において、同時に、貼り合わせ用のアライメントマークを形成する。また、第１電極１１の形成時に、同時に電極取り出し用のリード部等を形成することもできる。なお、ここでは、第１の基板１０をガラス基板としているが、その他、透明セラミックス、透明なフレキシブル樹脂基板等を用いることができる。
【００５６】
第２の基板側成膜工程Ｓ１Ｂは、洗浄されたガラス基板からなる第２の基板２０の表面に、陰極材料となる金属導電膜、例えばＡｌ膜を成膜する。成膜方法は、真空蒸着法等を用い、膜厚は例えば６００Å（６０ｎｍ）とする。このＡｌ膜を一般的なフォトリソグラフィ工程によってパターニングして、ストライプ状の平行電極群よるなる第２電極２１を形成する。また、この第２電極２１のパターニング工程において、貼り合わせ用のアライメントマークを同時に形成する。
【００５７】
その後は、前述した実施例に応じて、例えば、真空蒸着法によって各発光機能層を成膜する。つまり、実施例１においては、ＬｉＦからなる電子注入層を５Å（０．５ｎｍ）成膜し、その上に積層して、Ａｌｑからなる電子輸送層を５００Å（５０ｎｍ）成膜し、その上に積層して、ＤＰＶＰＡＮ（＋ドーパント）からなる発光層を６００Å（６０ｎｍ）成膜する。実施例２においては、ＬｉＦからなる電子注入層を５Å（０．５ｎｍ）成膜し、その上に積層して、Ａｌｑからなる電子輸送層を５００Å（５０ｎｍ）成膜し、その上に積層して、ＤＰＶＰＡＮ（＋ドーパント）からなる発光層を６００Å（６０ｎｍ）成膜して、更に、ＮＰＢからなる正孔輸送層を５００Å（５０ｎｍ）成膜する。実施例３においては、ＬｉＦからなる電子注入層を５Å（０．５ｎｍ）成膜し、その上に積層して、Ａｌｑからなる発光層を１１００Å（１１０ｎｍ）成膜し、更に、ＮＰＢからなる正孔輸送層を２５０Å（２５ｎｍ）成膜する。
【００５８】
なお、ここでは、第２の基板２０をガラス基板としているが、その他、透明セラミックス、透明なフレキシブル樹脂基板等を用いることができる。
【００５９】
次の封止材配備工程Ｓ２は、第１の基板１１における対向面上の周辺部に封止材４０及びスペーサビーズ４１を配備する。この工程では、ディスペンサを用い、スペーサビーズ４１が混入した封止材を基板周辺部に塗布する。封止材としては、熱硬化性又は紫外線硬化性の樹脂材を用いることができる。なお、ここでは、第１の基板１１側に封止材を配備しているが、第２の基板側に配備しても良いし、第１の基板及び第２の基板の両方に配備しても良い。
【００６０】
次の貼り合わせ工程Ｓ３は、第１の基板１０の成膜面と第２の基板２０の成膜面を対面させ、両者に形成したアライメントマークを介して第１の基板１０と第２の基板２０とを貼り合わせる。この貼り合わせ状態においては、第１の基板１０における発光機能層の最外層と第２の基板２０における発光機能層の最外層とが接触するように貼り合わせる必要がある。そのためには、両基板に積層される発光機機能層及び第１，第２電極１１，２１の膜厚に応じてスペーサビーズ４１の径を設定する必要がある。
【００６１】
次の加熱・加圧工程Ｓ４は、貼り合わせられた第１の基板１０と第２の基板２０とを所定の加圧状態で保持すると共に、両基板を正孔輸送材料ＮＰＢのガラス転移温度である９６℃を若干超える程度の温度に加熱する。ここでは、正孔輸送層３０ｂ以外の層に対する熱劣化を考慮した温度制御が行われる。また、封止材４０として熱硬化性樹脂を用いた場合には、この加熱・加圧工程Ｓ４によって封止材の硬化を同時に行う。封止材４０として紫外線硬化樹脂が用いられた場合には、別途封止材硬化のための紫外線照射工程が設けられる。
【００６２】
以上の説明においては、パッシブマトリクス駆動の有機ＥＬ表示パネルを例にして説明したが、本発明はこのような駆動方式或いは電極構造に限定されるものではない。したがって、アクティブマトリクス駆動の有機ＥＬ表示パネルにおいても同様の構成を採用することができる。
【００６３】
図９は、アクティブマトリクス駆動の有機ＥＬ表示パネルの電極構造を示す説明図である。ここでは、第１の基板１００の対向面上には、ドットマトリクス状にパターニングされた画素電極１１０が形成されると共に、各画素電極１１０毎にスイッチング素子となる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１２０が形成されている。また、画素電極１１０間には、行方向に走査信号線１３０が、列方向にデータ信号線１４０がそれぞれ形成されている。一方、第２の基板２００の対向面には、一様な共通電極２１０が形成されている。
【００６４】
このような電極パターン構造を有するアクティブマトリクス駆動の有機ＥＬ表示パネルに対しても、前述した実施例をそのまま採用することができる。つまり、第１の基板１００上の画素電極１１０を前述した第１電極又は第２電極の一方とし、第２の基板２００上の共通電極２１０を前述した第１電極又は第２電極の他方として、それ以外の構造及び工程を前述の実施例と同様にすることができる。ここで、第１の基板１００側を光出射側とした場合には、画素電極１１０がＩＴＯ等の透明電極になると共に、共通電極２１０がＡｌ等の金属電極になり、第２の基板２００側を光出射側とした場合には、共通電極２１０がＩＴＯ等の透明電極になると共に、画素電極１１０がＡｌ等の金属電極になる。
【００６５】
本発明の各実施例は、このように構成されるので、従来技術のような隔壁を排除しても、フォトリソグラフィ等の微細加工技術によってパターニングされた電極を有する有機ＥＬ表示パネルを得ることができる。したがって、煩雑な隔壁形成工程を省いて工程の簡略化を達成し、製造コストの低減を図ることができる。また、隔壁を除いて封止空間を薄層化することにより、有機ＥＬ表示パネルの薄型化を図ることができる。また、パネル内の不用空間を極力少なくして乾燥剤の装填量を最小限に抑えるか或いは排除することができるので、更にパネルの薄型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術の説明図である。
【図２】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルを示す説明図である。
【図３】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法を示す説明図である。
【図４】本発明の実施例に係る有機ＥＬ表示パネルを示す説明図である。
【図５】本発明の実施例に係る有機ＥＬ表示パネル（有機層の構造）を示す説明図である。
【図６】本発明の他の実施例に係る有機ＥＬ表示パネル（有機層の構造）を示す説明図である。
【図７】本発明の他の実施例に係る有機ＥＬ表示パネル（有機層の構造）を示す説明図である。
【図８】本発明の実施例に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法を説明する説明図である。
【図９】本発明の他の実施例（アクティブマトリクス駆動の例）を説明する説明図である。
【符号の説明】
１０，１００　第１の基板
１１　第１電極
１２，２２　発光機能層
２０，２００　第２の基板
２１　第２電極
３０　有機層
３０ａ　正孔注入層
３０ｂ　正孔輸送層
３０ｃ　発光層
３０ｄ　電子輸送層
３０ｅ　電子注入層
４０　封止材
４１　スペーサビーズ
５０　絶縁膜
１１０　画素電極
１２０　薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１３０　走査信号線
１４０　データ信号線
２１０　共通電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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