(57)【要約】【課題】保護膜上に真空蒸着法により潤滑層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、保護膜表面を一度大気に曝した場合にも、保護膜と潤滑層を真空一貫プロセスで形成したときと同等の膜厚の結合潤滑層を形成し、さらには、結合潤滑層の膜厚分布を向上できる製造方法を提供することである。【解決手段】非磁性基板２上に少なくとも磁性膜５、保護膜６および潤滑層７を順次積層する磁気記録媒体１の製造方法において、潤滑剤を保護膜６上に蒸着し潤滑層７を形成する前に、保護膜６の表面をプラズマエッチングなどのドライエッチングを用いて処理する。【選択図】　　　　図２
2004055060.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に少なくとも磁性膜、保護膜および潤滑層を順次積層する磁気記録媒体の製造方法において、
前記潤滑層を積層する工程が、前記保護膜のドライエッチング処理とドライエッチング処理した保護膜上への蒸着法による潤滑層の形成とを含む磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
非磁性基板上に少なくとも磁性膜、保護膜および潤滑層を順次積層する磁気記録媒体の製造方法において、
前記保護膜を積層した後、製造装置の第一の真空槽内で前記保護膜をドライエッチング処理し、次いで前記装置の第二の真空槽内で蒸着法により前記潤滑層を形成する磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記第一の真空槽内で前記保護膜をドライエッチング処理し、次いで、この保護膜を大気に曝すことなく前記第二の真空槽内へ搬送し、この第二の真空槽内で蒸着法により前記潤滑層を形成する請求項２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記保護膜がカーボン保護膜である請求項１乃至３のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記保護膜をスパッタリング法またはプラズマＣＶＤ法で形成する請求項１乃至４のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記ドライエッチング処理が、プラズマエッチング処理である請求項１乃至５のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記潤滑層がパーフルオロポリエーテルを含む請求項１乃至６のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
非磁性基板上に少なくとも磁性膜、保護膜および潤滑層を順次積層してなる磁気記録媒体の製造装置において、
前記保護膜をドライエッチング処理する第一の真空槽と、ドライエッチング処理後の非磁性体基板を第二の真空槽に搬送する手段と、ドライエッチング処理された保護膜上に蒸着法により前記潤滑層を形成する第二の真空槽とを備える磁気記録媒体の製造装置。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれかに記載の製造方法により製造される磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハードディスク装置を構成するハードディスク磁気記録媒体の製造方法に関し、より詳細には、真空蒸着法により潤滑層を形成する磁気記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ハードディスク装置は、コンピューターの主要な外部記録装置であり、マルチメディアの普及とともに急速に高記録密度化・高転送速度化・小型化が進んでいる。これにともなって、ハードディスク装置主要部品である磁気記録媒体に対しても、記録密度の向上とともにトライボロジー的な機械強度の維持が要求されている。
【０００３】
磁気記録媒体は情報を磁気的に記録する部品であり、基板上に下地膜、磁性膜と保護膜が積層され、さらに潤滑剤が塗布されている。通常、基板はＡｌ合金よりなり、ＮｉＰめっき層を施すことにより基板表面は保護されている。また、対衝撃性を向上させるために、ガラス基板が用いられることもある。
情報を記録する磁性膜は、Ｃｏ系の強磁性体からなり、その磁気的な特性を向上させるためにＣｒ下地膜が挿入される。また、磁性膜を保護するために、潤滑性に優れ、摩耗し難いダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）といわれる硬いカーボン系保護膜がコートされる。通常、カーボン保護膜はＣｒ下地膜や磁性膜と同様にスパッタリング法で作製される。
【０００４】
カーボン保護膜の上に形成される潤滑層の材料としては、パーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）が主に用いられる。通常はこれを溶媒で希釈し、保護膜上に塗布して潤滑層を形成する。その潤滑層の厚さは１ｎｍから数ｎｍ程度となっている。潤滑層を形成する方法として、例えば、特開昭６２−１５０５２６号公報、特開平５−２８４７８号公報、特開平１０−１４９５４０号公報や特開２００２−５６５２６号公報の各公報にはディップコート法、スピンコート法やスプレーコート法等の塗布法の記載が、特開平３−２０７０２１号公報にはパーフロロアルキルポリエーテルの蒸着法の記載がある。
【０００５】
保護膜上の潤滑層は、２種の層に分けられる。一方は保護膜と結合した層（以下「結合潤滑層」という）であり、他方は結合していない層（以下「自由潤滑層」という）である。自由潤滑層が厚いとヘッドへ付着してヘッド浮上量に影響を与えたり、ディスク媒体とヘッドが吸着してディスクが回転しなくなったりする。また、ディスク媒体は高速で回転するため、自由潤滑層が遠心力で外周側へ移動し、外周部以外では潤滑層膜厚の低下をもたらす。このような観点からは、潤滑層としては自由潤滑層が薄く、結合潤滑層が厚いものが適していると考えられる。
【０００６】
結合潤滑層を厚くする方法として、保護膜と潤滑層を真空一貫プロセスで形成する方法が報告されている。本プロセスは、カーボン系の保護膜の作製にスパッタリング法やプラズマＣＶＤ法を用い、この保護膜を形成した基板を大気に曝すことなく搬送し、液体潤滑剤からの潤滑層の形成に真空蒸着法を用いるものである。この方法によれば、カーボン保護膜の表面を大気に曝すことなく、潤滑層を形成することにより、塗布法に比べ、保護膜と結合する潤滑剤分子の量を増やし、結合潤滑層の膜厚を厚くすることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記の方法は保護膜表面を大気に曝さないプロセスであるため、潤滑層をディップコート法等で形成する場合に比べ、保護膜と結合する潤滑剤分子の量を増やすことができる。
しかし、蒸着法により潤滑層を形成する場合であっても、プロセス、製造装置の制約により保護膜表面を一度大気に曝さざるを得ない場合には保護膜と結合する潤滑剤分子の量を増加させることはできない。図１はこの例を示すものである。同図には、上記の真空一貫プロセスの場合と、カーボン保護膜を形成後２時間基板を大気に曝し、その後真空蒸着法により潤滑層を形成した場合の潤滑層の総膜厚に対する結合潤滑層の厚さを示す。保護膜形成後２時間大気に曝露した場合（図１に△点で示す）は、その後蒸着法により潤滑層を形成しても真空一貫プロセス（図１に◇点で示す）のような厚さで結合潤滑層を形成することはできない。このように潤滑剤蒸着法を、表面を一度大気に曝した保護膜にも適用するためには、潤滑剤の蒸着前に保護膜表面を大気曝露する前と同じような状態に近づけることが必要となる。
【０００８】
保護膜の表面処理に関し、上記の公報、特開昭６２−１５０５２６号公報、特開平５−２８４７８号公報、特開平１０−１４９５４０号公報や特開２００２−５６５２６号公報には、潤滑層を塗布法で形成する前の処理についての記載が見られるが、表面処理後、大気中で塗布法により潤滑層を形成するものであり、上記の観点を示唆するものではなかった。
【０００９】
加えて、真空一貫プロセスにおいても、スパッタリング法等で作製されたカーボン保護膜の表面は、微細なレベルでは均一にならない場合もあり、厚さがｎｍ程度の潤滑層を均一に形成するためには、さらにその表面均一性を向上することが望まれる。
そこで、本発明の課題は、保護膜上に真空蒸着法により潤滑層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、保護膜表面を一度大気に曝した場合にも、保護膜と潤滑層を真空一貫プロセスで形成したときと同等の膜厚の結合潤滑層を形成し、さらには、結合潤滑層の膜厚分布を向上できる製造方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、発明者らは、潤滑剤を保護膜上に蒸着し潤滑層を形成する前に、保護膜の表面をプラズマエッチングなどのドライエッチングを用いて処理することが有効であることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、非磁性基板上に少なくとも磁性膜、保護膜および潤滑層を順次積層する磁気記録媒体の製造方法において、前記潤滑層を積層する工程が、前記保護膜のドライエッチング処理とドライエッチング処理した保護膜上への蒸着法による潤滑層の形成とを含む製造方法である。
【００１１】
より具体的には、本発明は、非磁性基板上に少なくとも磁性膜、保護膜および潤滑層を順次積層する磁気記録媒体の製造方法において、前記保護膜を積層した後、製造装置の第一の真空槽内で前記保護膜をドライエッチング処理し、次いで、この保護膜を大気に曝すことなく前記第二の真空槽内へ搬送し、この第二の真空槽内で蒸着法により前記潤滑層を形成する磁気記録媒体の製造方法である。
【００１２】
加えて、本発明によれば、非磁性基板上に少なくとも磁性膜、保護膜および潤滑層を順次積層してなる磁気記録媒体の製造装置において、前記保護膜をドライエッチング処理する第一の真空槽と、ドライエッチング処理後の非磁性体基板を第二の真空槽に搬送する手段と、ドライエッチング処理された保護膜上に蒸着法により前記潤滑層を形成する第二の真空槽とを備える製造装置により、上記製造方法を行い、本発明の磁気記録媒体を製造することができる。
【００１３】
【作用】
潤滑層を形成する前に保護膜表面をドライエッチング処理することにより、表面に吸着していた大気中成分などの表面汚染物質等を取り除くことができる。これにより、詳細なメカニズムは不明であるが、保護膜表面を一旦大気曝露した場合であっても、その表面は大気曝露前と同じような活性状態に近づき、保護膜と潤滑層を真空一貫プロセスで形成したときと同じように、保護膜と結合する潤滑剤分子の量が増加するものと考えられる。さらには、ドライエッチング処理により保護膜表面の活性状態が均一になるため、結合潤滑層の膜厚分布が向上するものと考えられる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図２は、本発明の磁気記録媒体の製造方法によって作製された磁気記録媒体の断面図であり、図中符号１で示される磁気記録媒体は、めっき層３を設けた非磁性基板２上に順次積層された下地膜４、磁性膜５、カーボン保護膜６および潤滑層７を有する。
【００１５】
本発明で使用される非磁性基板２は、アルミ合金、ガラス、プラスチック基板など、慣用のいかなる非磁性基板でもよい。具体的なプラスチック基板としては、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミドなどから成る基板を挙げることができる。
また、非磁性基板２は、２．５インチ、３インチ、３．３インチ、３．５インチ、５インチのいずれの大きさのディスク基板であってもよく、またその形態も、ディスク状に限らず、カード状、帯状などいかなる形態でもよい。なお、ここで示した大きさは公称値であり、当該技術において汎用されているものであると理解されるべきである。
【００１６】
磁性膜５は、記録層として使用できる強磁性金属を含み、具体的には、ＣｏＣｒＴａＰｔ、ＣｏＣｒＴａＰｔ−Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＣｒＴａＰｔ−ＳｉＯ２、ＣｏＣｒＴａＰｔ−ＺｒＯ２、ＣｏＣｒＴａＰｔ−ＴｉＯ２、ＣｏＣｒＴａＰｔ−Ａｌ２Ｏ３などを成分とする磁性膜である。
磁性膜５の厚さは、２０ｎｍ以下であり、好ましくは１０〜２０ｎｍである。磁性膜を複数用いて多層構造の記録層としてもよい。
【００１７】
また、本発明に係る磁気記録媒体は、少なくとも磁性膜、保護膜および潤滑層を有するものであるが、必要な場合は磁性膜５と基板２の間に下地膜４を形成してもよい。下地膜４は、下地膜を形成する慣用のいかなる成分から形成されてもよく、特に限定されない。具体的には、Ｃｒ、Ｃｒ−Ｗ、Ｃｒ−Ｖ、Ｃｒ−Ｍｏ、Ｃｒ−Ｓｉ、Ｎｉ−Ａｌ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔなどから成る。下地膜の厚さは、２０ｎｍ以下であり、好ましくは１０〜２０ｎｍである。
【００１８】
これらの下地膜、磁性膜は公知の方法により形成すればよい。
カーボン保護膜６は、記録層を形成する磁性膜をヘッドの衝撃、外界の腐食性物質などの腐食から保護する機能を有する。保護膜の厚さは８ｎｍ以下であり、好ましくは２〜８ｎｍである。成膜方法はスパッタリング法やプラズマＣＶＤ法などいかなる方法でもよく、その方式もコンベンショナル、マグネトロン、イオンビームやＥＣＲスパッタリング法、フィラメント式、ホローカソード式や高周波プラズマＣＶＤなどいかなる方式でもよい。特にマグネトロンスパッタ法による場合には、成膜時のターゲットへの投入電力密度を２〜１０Ｗ／ｃｍ２、ガス圧力を０．５〜６．７Ｐａとすると好適である。またカーボン膜質は、水素添加アモルファスカーボンや窒素添加アモルファスカーボンなど慣用のいかなる成分から形成してもよいが、窒素添加アモルファスカーボンから形成すると好適である。
【００１９】
潤滑剤は、パーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォスファーゼン系オイルやフッ素カルボン酸の他、真空蒸着可能な種々の液体潤滑剤を用いることができる。特にはパーフルオロポリエーテルを主鎖とするものが好適であり、具体的にはＺ−ｄｏｌ，Ｚ−ｔｅｔｒａｏｌ，Ｚ−ｄｏｌＴＸ，ＡＭのＦＯＭＢＬＩＮ（登録商標）潤滑剤（商品名、Ａｕｓｉｍｏｎｔ社製）などを用いることができる。
【００２０】
図３は、本発明に係る製造方法を実施する製造装置の一例を示す概略図である。この装置は、保護膜の表面処理をする第一の真空槽（表面処理室）８、潤滑層を形成する第二の真空槽（潤滑層蒸着室）９と搬送室１０の真空槽とから構成される。表面処理室８においては、ガス導入部１８より所定のガスを導入し、高周波電源１３に接続された電極１２間にプラズマを発生させ、これにより保護膜表面を処理する。潤滑層蒸着室９においては、潤滑剤１４を加熱するための容器（ルツボ）１５内に入れた潤滑剤の原液をヒータ１６で加熱することにより蒸発させ、シャッター１７の開閉により保護膜上に潤滑層を形成する。
【００２１】
表面処理を終えた保護膜付き基板１１は、搬送室１０を介して、大気に触れることなく、または、真空状態で潤滑層蒸着室９まで移動することができる。このため、保護膜表面を大気に曝すことなく、潤滑層を蒸着できる。また、潤滑層蒸着室９と搬送室１０の間を、図示しないバルブによって遮断できるようにしてもよい。これにより、保護膜表面を処理した基板を潤滑層蒸着室９へ搬送する前に、潤滑剤に含まれる不純物を潤滑層蒸着室９中で遮断された状態で除去することができる。
【００２２】
また、上記製造装置においては表面処理室８と潤滑層蒸着室９は、搬送室１０により繋がっている。しかし、搬送室は必ずしも設ける必要はなく、表面処理室と潤滑層蒸着室とを直接接合してもよい。搬送室を備えない場合は、処理室と蒸着室をバルブによって遮断することができる。要するに上記の製造装置を、表面処理された保護膜を表面処理室から潤滑層蒸着室へ大気に曝すことなく搬送する手段を有する装置とすることが肝要である。さらに、上記製造装置に、下地膜、磁性膜と保護膜を連続して成膜できる成膜装置を搬送室または搬送する手段を介して連結し、下地膜から潤滑層までを大気に曝すことなく積層できる装置としてもよい。
【００２３】
なお、表面のドライエッチング処理の方式としては、ラジカルとイオンとを用いた種々のエッチング方式、すなわちプラズマ等を用いる公知の方式を用いることができるが、好適には反応種としてイオンを含むエッチング方式であるプラズマエッチングを用いるとよい。表面処理をする際に使用するガスは、プラズマエッチングの場合は窒素や酸素、アルゴンやクリプトン等がよい。また、処理時間は、処理ガスの種類、処理時のパワー（投入電力）や処理される基板の履歴、例えば大気に曝されていた場合はその時間等によって異なるが、適宜選択すればよく、通常数秒であれば十分である。一例としてＲＦ（高周波：ｒａｄｉｏ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）プラズマ処理の場合、処理時のパワーを７０〜１５０Ｗとすると処理時間は１〜５秒である。
【００２４】
潤滑層を蒸着する方法としては、潤滑剤を入れたルツボを抵抗（ヒータ）加熱し、潤滑剤を蒸発させ基板に潤滑層を形成する。加熱温度は潤滑剤の種類や分子量によって異なるが、高温にするほど基板に形成される潤滑層の分子量が原液（ルツボに入れる潤滑剤）に近くなることから、できるだけ高温の方が望ましい。但し、潤滑剤分子の分解温度よりは低くなければならず、好適には２００〜２５０℃であることが望まれる。なお、潤滑層の総膜厚は、ルツボの潤滑剤蒸気出口の開口部径による成膜レート制御およびシャッターの開口時間により調整することができる。
【００２５】
保護膜表面に形成した潤滑層の膜厚は赤外線分光法により測定し、−ＣＦ振動に伴う１２７０ｃｍ−１付近の吸収から求めた。結合潤滑層の膜厚は、潤滑層を形成した媒体をフルオロカーボン溶剤中で超音波洗浄し、自由潤滑層を除去して、赤外線分光法による同様な測定により求めることができる。
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明は本実施例にのみ限定されるものではない。
（実施例）
３．５インチ径のアルミ合金基板上に、Ｎｉ−Ｐめっき層を設け、その上にスパッタリング法で厚さ２０ｎｍのＣｒ下地膜、２０ｎｍのＣｏ磁性膜および８ｎｍの窒素添加アモルファスカーボン保護膜をそれぞれ成膜した。保護膜の成膜はマグネトロンスパッタ法により行った。直径１００ｍｍ、厚さ５ｍｍ、純度４Ｎのカーボンターゲットを用い、導入ガスはアルゴンと窒素であった。ガスの流量はそれぞれ４．７ｓｃｃｍ（標準状態（０℃、１ａｔｍ）におけるｃｃ／分）、０．３ｓｃｃｍとした。ガス圧力を７×１０−１Ｐａとし、投入電力を２００Ｗとしスパッタを行った。基板温度は室温とした。ＸＰＳ分析により、窒素添加アモルファスカーボン保護膜の窒素濃度は１３原子％であった。
【００２６】
この保護膜を形成したアルミ合金基板を、図３に示す製造装置の表面処理室８に入れて保護膜表面をプラズマエッチングにより処理した。プラズマ処理は、窒素ガスを用い、ガス圧力０．５Ｐａ、投入ＲＦ電力１００Ｗ、ＲＦ周波数１３．５６ＭＨｚ、処理時間を２ｓｅｃとした。なお、カーボン保護膜成膜後、保護膜を大気に曝した時間は２時間であった。
【００２７】
次に、プラズマ処理後の基板を潤滑層蒸着室９へ搬送して潤滑剤（商品名Ｚ−ｄｏｌ：Ａｕｓｉｍｏｎｔ社製）を保護膜上に蒸着した。ルツボ１５と基板１１の間の距離を２００ｍｍ、基板の温度を室温とし、潤滑剤１４を所定のルツボ１５に入れ、ルツボの温度（蒸着温度）を２４０℃とし、圧力３×１０−４Ｐａ以下で、７５秒間加熱蒸着して潤滑層を形成し磁気記録媒体を作製した。
【００２８】
このようにして得られた磁気記録媒体のｒ＝３０ｍｍ（中心から３０ｍｍの周上）における潤滑層の総膜厚と結合潤滑層の膜厚を赤外線分光法により測定したところ、総膜厚は１．５２ｎｍ、結合潤滑層の膜厚は１．００ｎｍであった。結合潤滑層の膜厚は、その分子がカーボン保護膜を覆っている量を表している。
同様にして、ルツボの潤滑剤蒸気出口の開口部径およびシャッターの開口時間の調整により潤滑層の総膜厚を変えたときの結合潤滑層の膜厚を測定し、得られた両者の関係を図４の○点により示す。この関係は、次の近似式により近似することができ（Ｌ０＝１．４７ｎｍとした）、この近似式で表される曲線を図４中の実線で示す。
【００２９】
【数１】
ＢＬ＝α×Ｌ０×｛１−ｅｘｐ（−Ｌ／Ｌ０）｝
（式中、Ｌは潤滑層の総膜厚、ＢＬは結合潤滑層の膜厚、Ｌ０は飽和結合潤滑層膜厚である（単位はｎｍである）。また、αはカーボン保護膜表面上の第１層の潤滑剤分子のうち、カーボン保護膜と結合しているものの割合を表し、真空一貫プロセスで形成したときを１としている。）
この近似曲線から、総膜厚が２ｎｍのとき、結合潤滑層は約１．０５ｎｍであり、潤滑層の総膜厚に対する結合潤滑層の割合は約５３％となった。
【００３０】
一方、図４の◇点で示すデータと点線で示す近似曲線は、真空一貫プロセス、すなわち保護膜形成までを上記実施例と同様に行った後、この表面を大気に曝さず、表面処理も行わないで、真空蒸着法により潤滑層を形成した場合の結果を示す。この近似曲線（Ｌ０＝１．４７ｎｍとした）から、総膜厚が２ｎｍのとき結合潤滑層は約１．１０ｎｍであり、潤滑層の総膜厚に対する結合潤滑層の割合は約５５％であった。また、図４の△点は、表面処理を行わない他は上記実施例と同様に磁気記録媒体を作製したときの測定結果を示す。
【００３１】
図４に示すように、保護膜表面を一度大気に曝した媒体においても、保護膜表面をプラズマエッチング処理することにより、保護膜表面を大気に曝さず潤滑剤を蒸着したときと同じような総膜厚と結合潤滑層膜厚の関係を得ることができた。すなわち、結合潤滑層を厚くする方法として報告されている保護膜と潤滑層の真空一貫プロセス形成と同様に、潤滑層をディップコート法等で形成する場合と比較して、保護膜と結合する潤滑剤分子の量を増加させることができることが分かった。
【００３２】
図５には、本実施例の条件で得られた磁気記録媒体と、保護膜の表面処理をせず真空一貫プロセスで形成した以外は本実施例と同様に作製した媒体の結合潤滑層の膜厚を基板の半径方向で測定した結果を示す。図中、○と◇の各点は、それぞれ本実施例と真空一貫プロセスによるデータを示し、実線と破線は、それぞれの線形近似曲線である。いずれの方法によっても、膜厚は基板の半径外側へ向かって減少する傾向を有する。しかし、測定結果を詳細に検討した結果、本実施例による膜厚の分布は、３．５インチ基板全体で±４．８％であったのに対し、保護膜と潤滑層を真空一貫プロセスで形成したときの結合潤滑層の膜厚分布は±９．３％であった。したがって、本発明の製造方法により、保護膜と結合する潤滑剤分子の量を増加させることができるだけでなく膜厚分布も向上できることが分かった。
【００３３】
【発明の効果】
本発明によれば、非磁性基板上に少なくとも磁性膜、保護膜および潤滑層を順次積層する磁気記録媒体の製造方法において、前記潤滑層を積層する工程が、前記保護膜のドライエッチング処理とドライエッチング処理した保護膜上への蒸着法による潤滑層の形成とを含む磁気記録媒体の製造方法により、保護膜表面を一旦大気曝露した場合であっても、その表面を大気曝露前と同じような活性状態に近づけることができ、保護膜と潤滑層を真空一貫プロセスで形成したときと同じように、保護膜と結合する潤滑剤分子の量（結合潤滑層の膜厚）を増加させることが可能となり、さらには、この処理により保護膜表面の活性状態が均一になるため、結合潤滑層の膜厚分布を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】蒸着法を用いた従来の製造方法による潤滑層の総膜厚と結合潤滑層の関係を示す図である。
【図２】本発明の磁気記録媒体の製造方法によって作製された磁気記録媒体の一例を示す断面図である。
【図３】本発明で用いた製造装置の概略図である。
【図４】本発明と蒸着法を用いた従来の製造方法における潤滑層の総膜厚と結合潤滑層の関係を示す図である。
【図５】本発明と蒸着法を用いた従来の製造方法における結合潤滑層膜厚の分布を示す図である。
【符号の説明】
１　　磁気記録媒体
２　　非磁性基板
３　　めっき層
４　　下地膜
５　　磁性膜
６　　カーボン保護膜
７　　液体潤滑層
８　　第一の真空槽（表面処理室）
９　　第二の真空槽（潤滑層蒸着室）
１０　　搬送室
１１　　基板
１２　　電極
１３　　高周波電源
１４　　潤滑剤
１５　　ルツボ
１６　　ヒータ
１７　　シャッター
１８　　ガス導入部
【図１】
2004055060.tif 000003
【図２】
2004055060.tif 000004
【図３】
2004055060.tif 000005
【図４】
2004055060.tif 000006
【図５】
2004055060.tif 000007