(57)【要約】【課題】カーボンナノチューブなどの炭素系針状物質を用いてエミッタを形成する場合に、炭素系針状物質の絡み合いや配向性の不均一によって高い発光効率が得られないことがある。【解決手段】電子放出素子の製造方法として、絶縁基板３の一面上にカソード電極層４、絶縁層５およびゲート電極層６を順に積層する工程と、絶縁基板３上にカソード電極層４を部分的に露出する状態でゲートホール７を形成する工程と、ゲートホール７内のカソード電極層４上に複数の炭素系針状物質４によってエミッタ８を形成する工程と、絶縁基板３の裏面に電極層１３を形成する工程と、高圧電源１４を用いてカソード電極層４と電極層１３の間に電圧を印加するとともに、ゲート電極層６にカソード電極層４と同じ電圧を印加することにより、絶縁基板３に対して複数の炭素系針状物質９をほぼ垂直に配向させる工程とを有する。【選択図】　　　　図６
2004055484.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の一面上にカソード電極層、絶縁層およびゲート電極層を順に積層する第１工程と、
前記絶縁基板上に前記カソード電極層を部分的に露出する状態でゲートホールを形成する第２工程と、
前記ゲートホール内の前記カソード電極層上に複数の炭素系針状物質によってエミッタを形成する第３工程と、
前記カソード電極層に電圧を印加することにより、前記絶縁基板に対して前記複数の炭素系針状物質をほぼ垂直に配向させる第４工程と
を含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法。
【請求項２】
前記第４工程において、前記カソード電極層と前記ゲート電極層にそれぞれ同じ電圧を印加する
ことを特徴とする請求項１記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項３】
前記第４工程において、前記絶縁基板の他面に電極層を形成し、この電極層と前記カソード電極層との間に電圧を印加する
ことを特徴とする請求項１記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項４】
前記第３工程において、前記複数の炭素系針状物質を混合したペースト材料を用いてエミッタを形成するとともに、
前記第４工程において、前記カソード電極層に電圧を印加した状態または電圧を印加した後で、前記ペースト材料の焼成を行う
ことを特徴とする請求項１記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項５】
前記第３工程において、前記複数の炭素系針状物質を混合したペースト材料を用いてエミッタを形成するとともに、
前記第４工程において、前記カソード電極層に電圧を印加した状態で前記ペースト材料の仮焼成を行うとともに、前記電圧を印加した後で前記ペースト材料の本焼成を行う
ことを特徴とする請求項１記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項６】
前記第４工程において、前記カソード電極層に印加する電圧の波形をパルス状波形または交流波形とする
ことを特徴とする請求項１記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項７】
絶縁基板の一面上に順に積層されたカソード電極層、絶縁層およびゲート電極層と、
前記絶縁基板上に前記カソード電極層を部分的に露出する状態で形成されたゲートホールと、
前記ゲートホール内で前記カソード電極層上に複数の炭素系針状物質によって形成されたエミッタと、
表示停止モードにおいて前記カソード電極層に表示実行モード時よりも高い電圧を印加する電圧印加手段と
を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
前記電圧印加手段は、前記表示停止モードにおいて前記カソード電極層と前記ゲート電極層にそれぞれ同じ電圧を印加する
ことを特徴とする請求項７記載の表示装置。
【請求項９】
前記絶縁基板の他面に形成された電極層を有し、
前記電圧印加手段は、前記表示停止モードにおいて前記カソード電極層と前記電極層との間に電圧を印加する
ことを特徴とする請求項７記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電界放出型の電子放出素子の製造方法と、その電子放出素子を備える表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
真空中におかれた金属等の導体あるいは半導体の表面に、ある閾値以上の電界を与えると、トンネル効果によって電子が障壁を通過し、常温時においても真空中に電子が放出される。この現象は電界放出（Ｆｉｅｌｄ　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）と呼ばれ、これによって電子を放出するカソードは電界放出型カソード（Ｆｉｅｌｄ　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ　Ｃａｔｈｏｄｅ）と呼ばれている。近年では、ミクロンサイズの電界放出型カソードを、半導体加工技術を駆使して基板上に多数形成したフラットディスプレイ装置（平面型表示装置）としてＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ）が注目されている。ＦＥＤは、電気的に選択（アドレッシング）されたエミッタから電界の集中によって電子を放出させるとともに、この電子をアノード基板側の蛍光体に衝突させて、蛍光体の励起・発光により画像を表示するものである。
【０００３】
図１０は従来の表示装置（ＦＥＤ）の主要部の構成例を示す概略断面図であり、図１１はその概略斜視図である。図においては、カソード基板５１とアノード基板５２とが微小なギャップを介して対向状態に配置されている。カソード基板５１とアノード基板５２との間は真空状態に維持される。カソード基板５１は、ベース基板５３と、カソード電極層５４と、抵抗層５５と、絶縁層５６と、ゲート電極層５７、エミッタ５８とを備えている。ゲート電極層５７および絶縁層５６にはゲートホール５９が形成されている。また、ゲートホール５９内にはコーン形状（略円錐形）のエミッタ５８が形成されている。このエミッタ５８はスピント型エミッタとも呼ばれる。一方、アノード基板５２は、ベース基板６０と、アノード電極層６１と、蛍光体層６２とを備えている。アノード電極層６１はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）等の透明電極からなるもので、蛍光体層６２は１画素分のエリア内に赤、緑、青の各色に対応する蛍光体を並べて配置したものである。
【０００４】
ここで、上記構成の表示装置（ＦＥＤ）の製造プロセスについて簡単に説明する。先ず、カソード基板５１を得るにあたっては、ベース基板５３上に、カソード電極層５４、抵抗層５５、絶縁層５６およびゲート電極層５７を蒸着法によって順に積層する。次に、フォトプロセス（フォトレジスト塗布、パターニング、エッチング）を施して、ゲート電極層５７および絶縁層５６にゲートホール５９を形成した後、フォトレジストを除去する。
【０００５】
次いで、ベース基板５３を回転させながら、その基板面に対して斜め方向からアルミニウムなどを蒸着させることにより、ゲート電極層５７の表面とその開口縁部にのみアルミニウムからなる剥離層を形成する。続いて、剥離層の上からエミッタ材料となる金属、例えばモリブデンを堆積させる。これにより、ゲートホール５９の開口径がモリブデンの堆積とともに徐々に小さくなり、最終的にゲートホール５９が完全に閉じられる。その結果、ゲートホール５９内にエミッタ材料（モリブデン）の堆積によってコーン形状のエミッタ５８が形成される。その後、ゲート電極層５７上の不要なエミッタ材料を剥離層とともにエッチングによって除去する。
【０００６】
一方、アノード基板５２を得るにあたっては、ベース基板６０上にＩＴＯ等のアノード電極層６１を形成した後、蛍光体材料の塗布によって蛍光体層６２を形成する。また、こうして得られたカソード基板５１とアノード基板５２とを、例えば０．２〜１．０ｍｍのギャップで真空状態に封止する。以上の製造プロセスでは、エミッタ５８とゲート電極層５７との間の距離がサブミクロンレベルに制御されることから、それらの間に数十ボルトの電圧を印加することにより、エミッタ５８の先端部に電界を集中させ、これに伴うトンネル効果によってエミッタ５８から真空中に電子を放出させることができる。その際、抵抗層５５は、例えばエミッタ５８への放電電流が大きくなった場合に、抵抗による電圧降下の増大によってエミッタ５８に作用する実効電圧を減少させ、逆に放電電流が小さくなった場合はエミッタ５８に作用する実効電圧を増加させることにより、放電電流を安定化させる役目を果たす。
【０００７】
ところで近年においては、電界放出型カソードの構成として、非常に鋭利な先端が無数に得られるカーボンナノチューブを用いたエミッタ構造が提案されている。一般にカーボンナノチューブは高いアスペクト比を有し、先端の曲率半径も非常に小さいため、高い発光効率を実現する電子放出源として注目されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
カーボンナノチューブでエミッタを形成する手法の一つとして、カーボンナノチューブを他の材料に混ぜてペースト化し、これによって得られたペースト材料を印刷法等によってカソード電極層上に塗布する方法が知られている。しかしながら、この方法ではカーボンナノチューブが互いに絡まり合って束状になり、カーボンナノチューブの向きも不均一になるそのため、カーボンナノチューブの先端部に電界が集中しにくくなるとともに、電子の飛び出す方向がばらついてフォーカス特性の制御が困難になる。
【０００９】
そこで、例えば特開２０００−２９４１１９号公報には、カソード電極層に対してアノード電極層を正電位とした電圧を印加することにより、アノード電極層とカソード電極層との間に電界を発生させ、この電界の力によってカーボンナノチューブを垂直に配向させる技術が開示されている。しかしながら、この公報に開示された技術では、カーボンナノチューブを垂直に配向させるにあたって、真空中で電界を与えると電界放出が起こり、大気圧中で電界を与えると放電が起こる。そのため、カソード電極層とアノード電極の間に高い電圧を印加することができない。よって、カーボンナノチューブを垂直に配向しようとする力が弱く、十分な効果が得られない。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る電子放出素子の製造方法は、絶縁基板の一面上にカソード電極層、絶縁層およびゲート電極層を順に積層する第１工程と、絶縁基板上にカソード電極層を部分的に露出する状態でゲートホールを形成する第２工程と、ゲートホール内のカソード電極層上に複数の炭素系針状物質によってエミッタを形成する第３工程と、カソード電極層に電圧を印加することにより、絶縁基板に対して複数の炭素系針状物質をほぼ垂直に配向させる第４工程とを含むものである。
【００１１】
上記電子放出素子の製造方法において、ゲートホール内のカソード電極層上に複数の炭素系針状物質によってエミッタを形成した後、カソード電極層に電圧を印加することにより、ゲートホール内のカソード電極層上でエミッタを形成する複数の炭素系針状物質がカソード電極層とともに帯電し、この帯電による反発力によって各々の炭素系針状物質が絶縁基板に対してほぼ垂直に配向される。また、カソード電極層に電圧を印加した際の電気的な絶縁状態が絶縁基板によって確実に保持されるため、大気中で放電したり真空中で電界放出したりすることがない。よって、炭素系針状物質を垂直に配向させるにあたり、カソード電極層に高い電圧を印加することが可能となる。
【００１２】
本発明に係る表示装置は、絶縁基板の一面上に順に積層されたカソード電極層、絶縁層およびゲート電極層と、絶縁基板上にカソード電極層を部分的に露出する状態で形成されたゲートホールと、このゲートホール内でカソード電極層上に複数の炭素系針状物質によって形成されたエミッタと、表示停止モードにおいてカソード電極層に表示実行モード時よりも高い電圧を印加する電圧印加手段とを備えるものである。
【００１３】
上記表示装置においては、表示停止モードにおいてカソード電極層に表示実行モード時よりも高い電圧を印加することにより、ゲートホール内のカソード電極層上でエミッタを形成する複数の炭素系針状物質がカソード電極層とともに帯電し、この帯電による反発力によって各々の炭素系針状物質が絶縁基板に対してほぼ垂直に配向される。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１５】
図１は本発明の実施形態に係る表示装置（ＦＥＤ）の主要部の構成例を示す概略断面図であり、図２はその概略斜視図である。図においては、カソード基板１とアノード基板２とが微小なギャップを介して対向状態で配置されている。カソード基板とアノード基板２との間は真空状態に維持される。カソード基板１は、ガラス基板等の絶縁基板からなるベース基板３と、このベース基板３上に順に積層されたカソード電極層４、絶縁層５およびゲート電極層６と、ベース基板３上にカソード電極層４を部分的に露出する状態で形成されたゲートホール７と、このゲートホール７内のカソード電極層４上に形成されたエミッタ８とを備え、これらの構成要素によって電界放出型の電子放出素子が構成されている。
【００１６】
上述した構成要素のうち、カソード電極層４は、図３に示すように、ベース基板３上で複数のカソードラインを構成するようにストライプ状（帯状）に形成され、ゲート電極層６はベース基板３上で上記カソードラインに交又する複数のゲートラインを構成するようにストライプ状（帯状）に形成されている。カソード電極層４とゲート電極層６の交叉部分は一つの画素を構成するものとなる。絶縁層５はカソード電極層４とゲート電極層６との間で電気的な絶縁作用をなすもので、それらの電極間に層状に形成されている。ゲートホール７は、絶縁層５およびゲート電極層６を貫通する状態で、カソード電極層４とゲート電極層６の交叉部分に複数個形成されている。ゲートホール７の孔形状は円形状となっている。
【００１７】
エミッタ８は、ゲートホール７内でカソード電極層４上に形成されている。このエミッタ８は、カソード電極層４上で複数（多数）の炭素系針状物質９により形成されている。炭素系針状物質９としては、先鋭なエッジ部を有するカーボンナノチューブを用いることが望ましい。カーボンナノチューブは、グラフェンシートを丸めた１層又は多層の円筒状をなすもので、直径が０．７〜５０ｎｍ程度で長さが数μｍの高いアスペクト比をもつ材料である。ただし、エミッタ材料として利用可能な微細な針状構造を有する物質であれば、カーボンナノチューブ以外のものを炭素系針状物質９として用いてもよい。
【００１８】
一方、アノード基板２は、ＦＥＤの前面パネルを構成するもので、透明ガラス基板からなるベース基板１０と、このベース基板１０上に積層されたアノード電極層１１および蛍光体層１２を備えて構成されている。アノード電極層１１はＩＴＯ等の透明電極によって形成され、蛍光体層１２は１画素分のエリア内に赤、緑、青の各色に対応する蛍光体を並べて形成されている。
【００１９】
上記構成からなる電子放出素子を備える表示装置において、アノード電極層１１に高圧のアノード電圧を印加する一方、カソード電極層４にカソード電圧、ゲート電極層６に正のゲート電圧をそれぞれ印加すると、エミッタ８を形成する各々の炭素系針状物質９の先鋭なエッジ部（先端部）に電界が集中し、この電界集中に伴うトンネル効果によってエミッタ８から真空中に電子が放出される。こうして放出された電子は、アノード基板２のアノード電極１１に引き寄せられて蛍光体層１２に衝突する。これにより、電子が衝突した蛍光体層１２の蛍光体が励起されて発光し、画像が表示される。
【００２０】
図４は本発明の実施形態に係る表示装置（ＦＥＤ）の製造方法として、特に電子放出素子を構成するカソード基板１の製造プロセスを示すフローチャートである。
【００２１】
［カソード電極層の形成工程；Ｓ１］
先ず、ベース基板３の表面にカソード電極層４を形成する。カソード電極層４を構成する電極材料としては、例えば、クロム、タンタル、タングステン、モリブデン等の金属のように電気的に抵抗値の低い材料であれば、どのような材料を用いてもよい。カソード電極層４の形成パターンはストライプ状であって、その形成方法としてはペースト状の電極材料を印刷により塗布する印刷法を採用することが簡便である。ただし、他の形成方法として、周知のフォトリソグラフィ工程によってカソード電極層４をストライプ状に形成してもよい。この場合の塗布方法としてはスピンコート法を用いることができる。
【００２２】
［絶縁層の形成工程；Ｓ２］
次に、カソード電極層４を覆う状態でベース基板３上に絶縁層５を形成する。絶縁層５を構成する材料としては、ＳｉＯ２（二酸化シリコン）などのように電気的に高い絶縁性を有する材料であれば、どのような材料を用いてもよい。絶縁層５はベース基板３の上面を全体的に覆うように層状に形成される。絶縁層５の形成方法としては、例えば、スピンコート法、印刷法、スパッタ法、蒸着法などのいわゆる成膜法を用いることができる。
【００２３】
［ゲート電極層の形成工程；Ｓ３］
次いで、上述のように積層したベース基板３の絶縁層５上にゲート電極層６を形成する。ゲート電極層６を構成する電極材料としては、例えば、クロム、タンタル、タングステン、モリブデン等の金属のように電気的に抵抗値の低い材料であれば、どのような材料を用いてもよい。ゲート電極層６の形成パターンは、カソード電極層４にほぼ直交するストライプ状であって、その形成方法としては上記カソード電極層４の形成方法と同様の方法を用いることができる。これにより、図５（Ａ）に示すように、ベース基板３上にカソード電極層４、絶縁層５およびゲート電極層６を順に積層した状態の構造体が得られる。
【００２４】
［ゲートホールの形成工程；Ｓ４］
続いて、ゲート電極層６および絶縁層５の所定部位（カソード電極層４とゲート電極層６の各電極ラインが交叉する部分；１画素部分）を、所望するゲートホール７の配置に合わせて部分的にエッチングすることにより、図５（Ｂ）に示すように、カソード電極層４の一部を露出する状態でベース基板３上にゲートホール７を形成する。このゲートホール７は上記所定部位に複数形成される。エッチング方法としては、ウェット式、ドライ式のどちらを採用してもよい。
【００２５】
［エミッタの形成工程；Ｓ５］
次いで、図５（Ｃ）に示すように、先ほど形成したゲートホール７内のカソード電極層４上に複数の炭素系針状物質９によってエミッタ８を形成する。エミッタ８の形成は、複数の炭素系針状物質９を混合したペースト材料（不図示）を用いて行う。具体的には、例えば、複数（多数）のカーボンナノチューブを感光性の有機バインダと混合し、これによって得られたペースト材料を印刷法等によりベース基板３の表面側の全面に塗布した後、フォトリソグラフィのマスキング技術を用いてゲートホール７内にペースト材料を選択的に残すことにより行う。
【００２６】
［電極層の形成工程；Ｓ６］
次に、図６（Ａ）に示すように、ベース基板３の裏面に電極層１３を形成する。電極層１３はベース基板３の裏面の全域にわたってベタ状に形成する。電極層１３の形成手法としては、導電性ペーストをスピンコート方式で塗布する方法などを用いることができる。また、これ以外にも、導電フィルムやアルミニウム泊などの導電体をベース基板３の裏面に貼り付けたり押し当てたりする方法を用いることができる。
【００２７】
［電圧印加工程；Ｓ７］
続いて、図６（Ｂ）に示すように、ベース基板３の表面のカソード電極層４と同裏面の電極層１３との間に高圧電源１４を用いて電圧（高圧）を印加することにより、図６（Ｃ）に示すように、ベース基板３に対して複数の炭素系針状物質９をほぼ垂直に配向させる。印加電圧は、例えば１０ｋＶ程度の高圧とする。このとき、カソード電極層４とゲート電極層６にそれぞれ同じ電圧を印加することにより、それらの電極層４，６を互いに同電位にする。また、カソード電極層４を構成する全てのカソードラインと、ゲート電極層６を構成する全てのゲートラインに対して、それぞれ同じ電圧を印加する。なお、ベース基板３の表裏面では、カソード電極層４およびゲート電極層６を正極、電極層１３を負極として電圧を印加してもよいし、カソード電極層４およびゲート電極層６を負極、電極層１３を正極として電圧を印加してもよい。
【００２８】
このようにベース基板３の表裏面の電極層４，１３間に電圧を印加することにより、ベース基板３の表面側では、カソード電極層４とその層上のエミッタ８に電荷が誘導される。すなわち、カソード電極層４を正極として高圧を印加すると正の電荷が誘導され、カソード電極層４を負極として高圧を印加すると負の電荷が誘導される。これに対して、カソード電極層４のエミッタ８は導電性の炭素系針状物質９によって形成されているため、カソード電極層４と各々の炭素系針状物質９は同じ極性で帯電した状態となる。
【００２９】
そうすると、カソード電極層４と炭素系針状物質９の間に帯電による反発力が作用し、各々の炭素系針状物質９の間にも帯電による反発力が作用する。これにより、各々の炭素系針状物質９は、カソード電極層４から離間する方向（ベース基板３に対して垂直な方向）に力を受けると同時に、隣り合う炭素系針状物質９から離間する方向に力を受ける。その結果、エミッタ形成時には、図７（Ａ）に示すように、各々の炭素系針状物質９が互いに絡み合ってその向きが不均一になっていたものが、上述のように電圧を印加することにより、図７（Ｂ）に示すように、各々の炭素系針状物質９が互いに分離した状態でベース基板３に対しほぼ垂直に配向された状態となる。そのため、炭素系針状物質９の先端に電界が集中しやすくなるとともに、電子の放出方向が垂直方向に沿って均一になるためフォーカス特性の制御が容易になる。
【００３０】
また、ゲート電極層６にカソード電極層４と同じ電圧を印加しているため、ゲート電極層６も炭素系針状物質９と同じ極性で帯電した状態となる。そのため、ゲートホール７の側壁部の近傍で、ゲート電極層６と炭素系針状物質９との間にも帯電による反発力が作用する。この反発力により、ゲート電極層６と炭素系針状物質９との間に適度な離間距離を確保した状態で、各々の炭素系針状物質９を垂直に配向させることができる。
【００３１】
さらに、高圧電源１４が印加する電圧波形をパルス波形または交流波形とすることにより、その波形周波数に応じた物理的な微振動を炭素系針状物質９に加えることができる。これにより、一定レベルの電圧を印加する場合に比較して、炭素系針状物質９のからみをほぐす効力を高めることができる。ちなみに、印加電圧の波形周波数は１０Ｈｚ〜１ｋＨｚの範囲が適当である。また、電圧を印加している時間は５分程度が適当である。
【００３２】
また、電圧の印加に際しては、ベース基板３によって電気的な絶縁状態が保持されるため、大気中で電圧の印加を行っても放電する恐れはない。また、仮に真空中で電圧の印加を行ったとしても、炭素系針状物質９の先端部から電子が放出される閾値電圧（通常は１〜５Ｖ／μｍ）からすると、電界放出が起こる恐れは皆無である。よって、炭素系針状物質９を垂直に配向させる際に、従来よりも高い電圧（例えば１０ｋＶ／ｍｍ以上の電圧）を印加することができるため、十分な効果が期待できる。
【００３３】
［焼成工程；Ｓ８］
その後、エミッタ形成に用いたペースト材料を焼成することにより、複数の炭素系針状物質９をカソード電極層４上に固着させる。このように電圧の印加を行った後にペースト材料を焼成することにより、炭素系針状物質９の動きの自由度が高い状態で配向性を制御できるため、より好ましいものとなる。ただし、ペースト材料の焼成処理は、上記電圧印加工程；Ｓ７で電圧を印加している状態で行ってもよい。また、電圧の印加を行っている状態で仮焼成（換言すると炭素系針状物質の仮固定）を行い、その後、電圧の印加を終了してから本焼成（換言すると炭素系針状物質の本固定）を行ってもよい。仮焼成と本焼成の違いは、焼成温度や焼成時間などの処理条件の違いによる。すなわち、仮焼成とは、焼成温度を本焼成よりも低い条件としたり焼成時間を本焼成よりも短い条件とした焼成処理をいう。
【００３４】
以上の製造プロセスによってカソード基板１が得られる。なお、電極層１３については電圧の印加を行った後で除去してもよいが、最終的な製品形態（ＦＥＤの完成品）で動作上問題がなければ、そのまま残してもよい。また、電圧の印加によって炭素系針状物質９の向きを垂直に揃えるうえでは、必ずしも電極層１３が必要ではない。この理由は、ベース基板３の表面側でカソード電極層４に電圧を印加するだけでも、上記同様にカソード電極層４と炭素系針状物質９を帯電させて、各々の炭素系針状物質９の向きを垂直に揃えることができるからである。したがって、電圧印加工程；Ｓ７の他の例として、図８に示すように、グランド（ＧＮＤ）に接地した高圧電源１４によってカソード電極層４、好ましくはカソード電極層４とゲート電極層６の両方に電圧を印加するものとしてもよい。ただし、ベース基板３の裏面に広範囲（好ましくは全面ベタ状）に電極層１３を形成し、この電極層１３とカソード電極層４との間に電圧を印加した方が、ベース基板３の表面側に誘起される電荷量（帯電量）が増えて炭素系針状物質９を垂直に配向させるようとする力が強くなるため、より顕著な効果が期待できる。
【００３５】
さらに、本発明の応用例として、上記電圧印加工程；Ｓ７と同様にカソード電極層４やゲート電極層６に電圧を印加する電圧印加機能を、最終製品形態の表示装置（ＦＥＤ）の付加的な機能として組み込むことも可能である。図９は本発明の応用例に係る表示装置の具体的な構成例を示す概略図である。図において、表示パネル１００は、上記図１に示すカソード基板１とアノード基板２を対向状態に配置して真空状態に封止することにより得られるものである。表示パネル１００内のカソード基板１上には、それぞれストライプ状をなすカソード電極層４とゲート電極層６が互いに交叉する状態に形成されている（図３参照）。
【００３６】
表示パネル１００にはカソードドライバ１０１とゲートドライバ１０２が接続されている。カソードドライバ１０１は、表示パネル１００を駆動するにあたって、カソード電極層４の各々のカソードラインにカソード電圧（Ｖｃ）を選択的に印加するものである。このカソードドライバ１０１は、スイッチ回路１０３を介して表示パネル１００内のカソード電極層４に接続されている。ゲートドライバ１０２は、ゲート電極層６の各々のゲートラインにゲート電圧（Ｖｇ）を選択的に印加するものである。このゲートドライバ１０２は、スイッチ回路１０４を介して表示パネル１００内のゲート電極層６に接続されている。
【００３７】
また、表示パネル１００のアノード端子１０５にはオンオフ式のスイッチ１０６を介してアノード電圧（Ｖａ）印加用の高圧電源１０７が接続されている。アノード端子１０５は、アノード基板２のアノード電極層１１（図１参照）に電気的に接続された端子である。高圧電源１０７は、表示パネル１００を駆動するにあたって、アノード基板２のアノード電極層１１に高圧のアノード電圧（Ｖａ）を印加するものである。高圧電源１０７とスイッチ回路１０３との間にはオンオフ式のスイッチ１０８が設けられ、高圧電源１０７とスイッチ回路１０４との間にもオンオフ式のスイッチ１０９が設けられている。スイッチ回路１０３，１０４およびスイッチ１０６，１０８，１０９の各スイッチング動作は、図示しない制御部によって個別に制御される。
【００３８】
上記構成の表示装置において、表示パネル１００で画像の表示を実行しているモード（以下、表示実行モードという）では、図示しない制御部の制御処理にしたがって次のようなスイッチング動作が行われる。すなわち、スイッチ回路１０３は、カソード電極層４とカソードドライバ１０１を電気的に接続するようにスイッチング動作し、スイッチ回路１０４は、ゲート電極層６とゲートドライバ１０２を電気的に接続するようにスイッチング動作する。また、スイッチ１０６は、高圧電源１０７とアノード端子１０５を電気的に接続するようにスイッチング動作（スイッチオン）し、スイッチ１０８は、高圧電源１０７とスイッチ回路１０３の電気的な接続を断つようにスイッチング動作（スイッチオフ）し、スイッチ１０９は、高圧電源１０７とスイッチ回路１０４の電気的な接続を断つようにスイッチング動作（スイッチオフ）する。
【００３９】
これにより、カソード電極層４の各カソードラインにはカソードドライバ１０１によってカソード電圧（Ｖｃ）が選択的に印加される。また、ゲート電極層６の各ゲートラインにはゲートドライバ１０２によってゲート電圧（Ｖｇ）が選択的に印加される。これにより、表示パネル１００上においては、それぞれ電圧が印加されたカソードラインとゲートラインの交叉部分で、エミッタからの電子の放出により蛍光体が発光し、この蛍光体の発光によって画像が表示される。
【００４０】
一方、表示パネル１００で画像の表示を停止しているモード（以下、表示停止モードという）では、図示しない制御部の制御処理にしたがって次のようなスイッチング動作が行われる。すなわち、スイッチ回路１０３は、カソード電極層４とカソードドライバ１０１の電気的な接続を断つようにスイッチング動作し、スイッチ回路１０４は、ゲート電極層６とゲートドライバ１０２の電気的な接続を断つようにスイッチング動作する。また、スイッチ１０６は、高圧電源１０７とアノード端子１０５の電気的な接続を断つようにスイッチング動作（スイッチオフ）し、スイッチ１０８は、高圧電源１０７とスイッチ回路１０３を電気的に接続するようにスイッチング動作（スイッチオン）し、スイッチ１０９は、高圧電源１０７とスイッチ回路１０４を電気的に接続するようにスイッチング動作（スイッチオン）する。
【００４１】
これにより、表示パネル１００内のカソード電極層（全てのカソードライン）４は、スイッチ回路１０３およびスイッチ１０８を介して高圧電源１０７に電気的に接続された状態となり、表示パネル１００内のゲート電極層（全てのゲートライン）６は、スイッチ回路１０４およびスイッチ１０９を介して高圧電源１０７と電気的に接続された状態となる。その結果、カソード電極層４とゲート電極層６の双方に対して、高圧電源１０７からアノード電圧（Ｖａ）を印加することが可能となる。アノード電圧（Ｖａ）は、表示実行モード時（通常動作時）に印加されるカソード電圧（Ｖｃ）やゲート電圧（Ｖｇ）よりも格段に高い電圧（一般的には１０ｋＶ程度の電圧）となる。
【００４２】
ここで、表示停止モードとは、例えば、表示パネル１００に画像を表示している状態（表示実行モードで動作している状態）で表示装置の電源ボタンがユーザによりオフ操作されたときに、表示実行モードから移行するモードである。具体的には、表示装置の主電源が完全に切れていないスタンバイモードなどが表示停止モードの一形態に該当する。
【００４３】
このように表示停止モードでカソード電極層４とゲート電極層６にそれぞれ高圧のアノード電圧（Ｖａ）を印加することにより、上記電圧印加工程；Ｓ７と同様の原理（帯電による反発力）で複数の炭素系針状物質９を垂直に配向させることができる。また、電圧の印加方式として、例えばスイッチ１０８，１０９のオンオフ動作により電圧波形をパルス状波形（または交流波形）とすることにより、炭素系針状物質９に物理的な微振動を与えることができる。さらに、上記図６（Ｂ）に示すように、ベース基板３の裏面に電極層１３を形成し、この電極層１３とカソード電極層４との間にアノード電圧を印加し得る構成を採用することにより、先述した場合と同様に電荷量（帯電量）の増加によって顕著な効果を得ることができる。
【００４４】
ちなみに、表示停止モードで適用されるスイッチング状態（カソード電極層４とゲート電極層６にアノード電圧を印加した状態）は、カソード電極層４とゲート電極層６にアノード電圧を印加してからの経過時間（例えば、タイマーによって計測した経過時間）が予め設定された基準時間に到達した場合、あるいは上記経過時間が上記基準時間に到達する前にユーザによって電源のオン操作が行われた場合に自動的に解除される。
【００４５】
このように最終製品形態の表示装置（ＦＥＤ）の構成として、表示停止モードでカソード電極層４とゲート電極層６にアノード電圧Ｖａを印加する手段を備えた構成を採用することにより、製品出荷後においても、アノード電圧の印加によって炭素系針状物質９を垂直に配向させ、かつこの配向状態を長期間にわたって維持することができる。そのため、炭素系針状物質９の傾きや倒れによる発光状態の経時変化を防止することができる。また、アノード電圧印加用として設けられる高圧電源１７を兼用することにより、実質的にスイッチ機能の追加だけで容易に対応可能である。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明に係る電子放出素子の製造方法によれば、ゲートホール内のカソード電極層上に複数の炭素系針状物質によってエミッタを形成した後、カソード電極層に電圧を印加することにより、絶縁基板上での帯電による反発力を利用して複数の炭素系針状物質を垂直に配向させるため、大気中での放電や真空中での電界放出を招くことなく、炭素系針状物質の配向性を向上させることができる。その結果、低い駆動電圧でより多くの電子を放出可能な電子放出素子が得られる。
【００４７】
また、本発明に係る表示装置によれば、表示停止モードにおいてカソード電極層に表示実行モード時よりも高い電圧を印加することにより、絶縁基板上での帯電による反発力を利用して複数の炭素系針状物質を垂直に配向させることができる。これにより、炭素系針状物質の傾きや倒れを自動的に補正し、長期にわたって高効率でかつ均一な発光状態を維持することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置の主要部の構成例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る表示装置の主要部の構成例を示す概略斜視図である。
【図３】本発明の実施形態に係る表示装置の主要部の構成例を示す概略平面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図５】本発明の実施形態に係る電子放出素子の製造工程を示す図（その１）である。
【図６】本発明の実施形態に係る電子放出素子の製造工程を示す図（その２）である。
【図７】電圧印加前後の炭素系針状物質の状態を示す図である。
【図８】電圧印加工程の他の例を示す図である。
【図９】本発明の応用例に係る表示装置の構成例を示す概略図である。
【図１０】従来の表示装置の主要部の構成例を示す概略断面図である。
【図１１】従来の表示装置の主要部の構成例を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
１…カソード基板、２…アノード基板、３…ベース基板、４…カソード電極層、５…絶縁層、６…ゲート電極層、７…ゲートホール、８…エミッタ、９…炭素系針状物質、１０…ベース基板、１１…アノード電極層、１２…蛍光体層、１３…電極層、１４…高圧電源、１００…表示パネル、１０１…カソードドライバ、１０２…ゲートドライバ、１０３，１０４…スイッチ回路、１０５…アノード端子、１０６，１０８，１０９…スイッチ、１０７…高圧電源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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