(57)【要約】【課題】ＭＥＭＳが形成された半導体基板のダイシングに際して、ＭＥＭＳの微細構造を確実に保護する。【解決手段】本発明のＭＥＭＳの製造方法では、半導体基板の素子面（ＭＥＭＳが形成されている側の面）に例えば熱剥離型の粘着テープを貼付した後、裏面側から半導体基板を切断する。即ち、素子面は粘着テープにより保護されているので、ダイシングの際に、洗浄水または切断屑が素子面に付着することはない。このため、確実に切断屑が洗い流されるように、充分な量の洗浄水を噴きつけることができる。切断後は、粘着テープの粘着強度を充分に小さくしてから、粘着テープを剥離する。従って、粘着テープの剥離時に、ＭＥＭＳの微細構造が破損することはない。この結果、ダイシング工程において、洗浄水の量や圧力を小さくせずに、ＭＥＭＳの微細構造を確実に保護できる。【選択図】      図１
2004349416.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一方の面（以下、素子面という）側に、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）を形成する素子形成工程と、
前記素子形成工程の後、熱剥離型、電磁波剥離型、及び溶液溶解型のいずれかの粘着テープの粘着面を、前記半導体基板の前記素子面に貼り付ける貼付工程と、
前記貼付工程の後、前記半導体基板の他方の面（以下、裏面という）に切断用ブレードを作用させて、前記半導体基板を切断する切断工程と、
前記切断工程の後、前記粘着テープを剥離する剥離工程と
を有することを特徴とするＭＥＭＳの製造方法。
【請求項２】
半導体基板の素子面側にＭＥＭＳを形成する素子形成工程と、
前記素子形成工程の後、粘着テープの粘着面を、前記半導体基板の前記素子面に貼り付ける貼付工程と、
前記貼付工程の後、前記半導体基板の裏面に切断用ブレードを作用させて、前記半導体基板を切断する切断工程と、
前記切断工程の後、アッシング装置を用いて前記粘着テープを灰化することにより、前記粘着テープを除去する剥離工程と
を有することを特徴とするＭＥＭＳの製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載のＭＥＭＳの製造方法において、
前記素子形成工程では、複数の前記ＭＥＭＳをそれぞれ分離して形成することにより、前記ＭＥＭＳ間の領域を切断用目印にし、
前記切断工程では、前記切断用目印の位置を、撮像装置を用いて前記粘着テープを透過して前記素子面側から検出して、検出した位置に基づいて切断する
ことを特徴とするＭＥＭＳの製造方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２記載のＭＥＭＳの製造方法において、
前記素子形成工程では、複数の前記ＭＥＭＳをそれぞれ分離して形成することにより、前記ＭＥＭＳ間の領域を切断用目印にし、
前記切断工程では、前記切断用目印の位置を、赤外線撮像装置を用いて前記半導体基板を透過して前記裏面側から検出して、検出した位置に基づいて切断する
ことを特徴とするＭＥＭＳの製造方法。
【請求項５】
請求項１または請求項２記載のＭＥＭＳの製造方法において、
前記素子面側に形成されたＭＥＭＳ構造の位置に基づいて、前記裏面に切断用目印を形成する工程を有し、
前記切断工程では、前記裏面の切断用目印の位置に基づいて切断を行う
ことを特徴とするＭＥＭＳの製造方法。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれか１項記載のＭＥＭＳの製造方法において、
前記裏面から、前記ＭＥＭＳまで到達する開口部を形成する工程と、
前記貼付工程の後、前記切断工程の前に、前記開口部を通して、前記ＭＥＭＳ構造に樹脂を塗布する塗布工程と
を有することを特徴とするＭＥＭＳの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板の切断に際して、基板上または基板内部に形成された微細構造を保護する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電気系と機械系の部品や機構を極限まで微細化して統合する技術、及びこの技術を使ったデバイスは、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）と呼ばれている。ここでの極限とは、例えば、露出した凹凸などの形状の最短幅が１００ミクロン以下、少なくとも１０００ミクロン以下であることを意味する。ＭＥＭＳは、例えば、光ピックアップ用のマイクロミラー、デジタルマイクロミラーデバイス、ガスセンサ、赤外線イメージセンサ、エアバッグ用の加速度センサなどに用いられている。
【０００３】
ＭＥＭＳは、従来の半導体プロセスを応用して作製される。半導体プロセスの最終工程では、一般に、多数のチップがストリート（切断ライン）により格子状に区画されて形成されたウェハを、個々のチップに分断するダイシングが行われる。（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
通常のダイシング工程では、ウェハは、その素子形成面側を上にして、ダイシング装置のダイシングステージ（チャックテーブル）上に吸引等の方法により固定される。そして、ダイシングブレードと呼ばれる薄い円盤状の切断刃を素子形成面のストリート上で高速で回転させることによりウェハを切断し、個々のチップに分断する。この切断時には、切断により生じる摩擦熱を抑制し、且つ、ウェハの微細な破片（切断屑）を洗い流すため、切断部及びダイシングブレードに純水が噴きつけられる。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１１−４０５２０号公報  （第２−６項、図１−図６）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したダイシング方法では、切断時に噴きつけられる純水の圧力や水流により、ウェハに形成された微細構造が破損してしまう問題があった。特に、従来の半導体装置が平面的な構造であったのに対して、ＭＥＭＳは、立体的な微細構造体であるため、直接的な外力に対して脆弱で破損しやすい。これを緩和するために、噴きつける純水の量を少なくして切断する方法もある。しかし、この場合、切断屑の一部が洗い流されずにチップ上に残ってしまうため、チップ上の切断屑が素子動作に影響を及ぼすなどの問題が生じる。また、噴きつける純水の量や圧力を小さくしても、微細構造の破損を確実に防止できるとはいえない。
【０００７】
本発明の目的は、ＭＥＭＳが形成された半導体基板のダイシングに際して、洗浄水の量を少なくすることなく、ＭＥＭＳの微細構造を確実に保護する技術を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１のＭＥＭＳの製造方法は、素子形成工程と、貼付工程と、切断工程と、剥離工程とを有する。素子形成工程では、半導体基板の一方の面（以下、素子面という）側に、ＭＥＭＳを形成する。貼付工程は、素子形成工程の後、熱剥離型、電磁波剥離型、及び溶液溶解型のいずれかの粘着テープの粘着面を、半導体基板の素子面に貼り付けるものである。切断工程は、貼付工程の後、半導体基板の他方の面（以下、裏面という）に切断用ブレードを作用させて、半導体基板を切断するものである。剥離工程は、切断工程の後、粘着テープを剥離するものである。
【０００９】
請求項２のＭＥＭＳの製造方法は、素子形成工程と、貼付工程と、切断工程と、剥離工程とを有する。素子形成工程では、半導体基板の素子面側にＭＥＭＳを形成する。貼付工程は、素子形成工程の後、粘着テープの粘着面を、半導体基板の素子面に貼り付けるものである。切断工程は、貼付工程の後、半導体基板の裏面に切断用ブレードを作用させて、半導体基板を切断するものである。剥離工程は、切断工程の後、アッシング装置を用いて粘着テープを灰化することにより、粘着テープを除去するものである。
【００１０】
請求項３のＭＥＭＳの製造方法は、請求項１または請求項２記載の発明において、以下の点を特徴とする。第１に、素子形成工程では、複数のＭＥＭＳをそれぞれ分離して形成することにより、ＭＥＭＳ間の領域を切断用目印にする。第２に、切断工程では、切断用目印の位置を、撮像装置を用いて粘着テープを透過して素子面側から検出して、検出した位置に基づいて切断する。
【００１１】
請求項４のＭＥＭＳの製造方法は、請求項１または請求項２記載の発明において、以下の点を特徴とする。第１に、素子形成工程では、複数のＭＥＭＳをそれぞれ分離して形成することにより、ＭＥＭＳ間の領域を切断用目印にする。第２に、切断工程では、切断用目印の位置を、赤外線撮像装置を用いて半導体基板を透過して裏面側から検出して、検出した位置に基づいて切断する。
【００１２】
請求項５のＭＥＭＳの製造方法は、請求項１または請求項２記載の発明において、以下の点を特徴とする。第１に、素子面側に形成されたＭＥＭＳ構造の位置に基づいて、裏面に切断用目印を形成する工程を有する。第２に、切断工程では、裏面の切断用目印の位置に基づいて切断を行う。
【００１３】
請求項６のＭＥＭＳの製造方法は、請求項１〜請求項５のいずれかの発明において、以下の点を特徴とする。第１に、裏面から、ＭＥＭＳまで到達する開口部を形成する工程を有する。第２に、貼付工程の後、切断工程の前に、開口部を通して、ＭＥＭＳ構造に樹脂を塗布する塗布工程を有する。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態を説明する。
＜第１の実施形態＞
以下、請求項１及び請求項３に対応する第１の実施形態のＭＥＭＳの製造方法を説明する。
【００１５】
まず、図１（ａ）に示すように、半導体基板１２の一方の面（以下、素子面という）上に、従来と同様の方法により、多数のＭＥＭＳ１６を形成する（本実施形態では、一例として１１６チップを形成）。この工程は、請求項記載の素子形成工程に対応する。このとき、例えば、各ＭＥＭＳ１６を所定間隔離して形成し、ＭＥＭＳ１６の領域以外の領域にはパターニングを行わない等の方法により、各ＭＥＭＳ１６間の領域を切断用目印にする。ここでの切断用目印は、図のストリート２０（ダイシングライン）である。
【００１６】
次に、熱剥離型粘着テープ２４の粘着面を、半導体基板１２の素子面に貼り付ける（請求項記載の貼付工程に対応）。図１（ｂ）は、この状態を示す斜視図である。ここで、熱剥離型粘着テープ２４としては、例えば、日東電工株式会社製の『リバアルファＮｏ．３１９３ＭＳ』などを用いればよい。
次に、切断工程を行うため、半導体基板１２を、ダイシング装置のダイシングステージ２８（図２参照）上に吸引等の方法により固定する。このとき、素子面側（熱剥離型粘着テープ２４側）をダイシングステージ２８上に載置する。そして、図２に示すように、アライメント用撮像装置３２を用いて、ダイシングステージ２８に形成された撮像用開口部３６から、ストリート２０の位置を熱剥離型粘着テープ２４を透過して検出する。これにより、半導体基板１２の裏面上の、半導体基板１２の厚さ方向にストリート２０に対向する領域を推定する。なお、図２では、細部を分かり易くするために、熱剥離型粘着テープ２４とダイシングステージ２８とを離して描いているが、実際には両者は密着する。
【００１７】
次に、素子面のストリート２０に対向する裏面の領域上で、不図示のダイシングブレードを高速で回転させることにより半導体基板１２を切断する。この切断時には、従来と同様に切断部及びダイシングブレードに純水を噴きつける。
このとき、確実に切断屑が洗い流されるように、充分な量の純水を噴きつける。なお、素子面には熱剥離型粘着テープ２４が貼付されているため、純水または切断屑が素子面に付着することはない。また、切断はフルカットとハーフカットのどちらでもよい。ハーフカットの場合、チッピングが少ないものの、ダイシング後に半導体基板１２を割ることで個々のチップに分断する工程が必要となる。ここでのチッピングとは、切断後に、切断ラインの片側もしくは両側に生じる半導体基板の細かな欠けのことである。図３は、切断後の状態を示す斜視図である。
【００１８】
次に、約９０℃〜１７０℃程度に熱剥離型粘着テープ２４を加熱することにより、粘着強度を１００分の１程度に小さくする。加熱方法としては、例えば、約９０℃〜１７０℃程度の窒素雰囲気中（空気中でもよい）に半導体基板１２を載置すればよい。或いは、赤外線を照射することにより、熱剥離型粘着テープ２４を加熱してもよい。
この後、熱剥離型粘着テープ２４を半導体基板１２の素子面から剥離して、個々のＭＥＭＳ１６のチップに分断する（請求項記載の剥離工程に対応）。このとき、熱剥離型粘着テープ２４の粘着強度は十分小さいので、ＭＥＭＳ１６の微細構造が破損することはない。
【００１９】
以上、本実施形態では、ＭＥＭＳ１６が形成されている素子面に熱剥離型の粘着テープを貼付した後、裏面側から半導体基板１２の切断を行う。即ち、素子面は粘着テープにより保護されているので、ダイシングの際に、洗浄水または切断屑が素子面に付着することはない。このため、確実に切断屑が洗い流されるように、充分な量及び圧力で純水を噴きつけることができる。従って、微小な切断屑の一部が洗い流されずにチップ周辺に残ってしまうことを防止できる。
そして、切断後、加熱により熱剥離型粘着テープ２４の粘着強度を充分に小さくしてから、熱剥離型粘着テープ２４を半導体基板１２の素子面から剥離する。従って、ＭＥＭＳ１６の露出した微細構造の幅（例えば凹凸形状の最短幅）が１０ミクロン以下であっても、熱剥離型粘着テープ２４の剥離時に微細構造が破損することはない。
【００２０】
この結果、ＭＥＭＳ１６が形成された半導体基板１２のダイシングに際して、洗浄水の量を少なくすることなく、ＭＥＭＳ１６の微細構造を確実に保護できる。
また、アライメント用撮像装置３２を用いて、素子面上の切断用目印の位置を、粘着テープを透過して素子面側から検出する。そして、検出した切断用目印の位置に基づいてダイシングを行う。従って、裏面に切断用目印を形成することなく、素子面上にストリート２０としてパターニングした通りの寸法のチップとして分断できる。
【００２１】
＜第２の実施形態＞
以下、請求項１及び請求項５に対応する第２の実施形態のＭＥＭＳの製造方法を説明する。第１の実施形態と同一要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
まず、両面アライナー、エッチング装置などを用いて、予め半導体基板１２の裏面に形成してあるシリコン酸化膜やシリコン窒化膜上に、パターニングを形成する。このパターニングは、素子面におけるＭＥＭＳ４０（不図示）を形成する予定の領域に、半導体基板１２の法線方向に対向するように形成する。図４は、裏面にパターニングを形成した状態を示している。これにより、裏面におけるパターニング間の領域を、切断用目印（ダイシングライン）とする。なお、裏面にパターニングを形成する際、切断用目印となる『別のパターニング』を形成してもよい。この『別のパターニング』には、後の工程において、実際にダイシングブレードが当接される。
【００２２】
この後、素子面と裏面とを必要に応じて加工することにより、半導体基板１２の素子面から半導体基板１２の内部の領域に、ＭＥＭＳ４０（不図示）を形成する。なお、先に素子面から工程を施してＭＥＭＳ４０を形成し、これをレジストなどにより保護してから、裏面にダイシング用のパターンを形成してもよい。
次に、熱剥離型粘着テープ２４の粘着面を、半導体基板１２の素子面に貼り付ける。
【００２３】
次に、半導体基板１２を、ダイシング装置のダイシングステージ２８上に固定する。このとき、素子面側をダイシングステージ２８上に載置する。そして、裏面の切断用目印の位置に基づいて、裏面上でダイシングブレードを高速で回転させて半導体基板１２を切断する。この切断時には、第１の実施形態と同様に切断部及びダイシングブレードに純水を噴きつける。以下の工程は、第１の実施形態と同様である。
【００２４】
以上、第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、本実施形態では、半導体基板１２の裏面に切断用目印となるパターニングを形成する。このため、ダイシングの際、撮像装置により素子面側に形成されたストリートの位置を検出して、裏面におけるストリートに対向する位置を推定する必要はない。ダイシング工程をより容易に実施できる。
【００２５】
＜第３の実施形態＞
以下、請求項１及び請求項６に対応する第３の実施形態のＭＥＭＳの製造方法を説明する。第１及び第２の実施形態と同一要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００２６】
まず、半導体基板１２の素子面に、多数のＭＥＭＳを形成するための、不純物拡散工程や配線工程などを施す。
次に、例えば両面アライナーを用いて、半導体基板１２の裏面に、素子面のＭＥＭＳの領域に半導体基板１２の法線方向に対向するパターニングを形成する。この後、エッチング等の加工を半導体基板１２の裏面に施して、図５及び図６に示すように、裏面から、ＭＥＭＳの素子面側の領域に到達する開口部４４を形成する。これにより、開口部４４、重錘体４８、及び架橋部５２を有する本実施形態のＭＥＭＳ５６が形成される。なお、図５は、ＭＥＭＳ５６の微細構造を半導体基板の素子面側から見た斜視図であり、図６は、裏面側から見た斜視図である。
【００２７】
次に、熱剥離型粘着テープ２４の粘着面を、半導体基板１２の素子面に貼り付ける。
次に、図７に示すように、半導体基板１２の裏面側から開口部４４に保護用樹脂６０を滴下する。保護用樹脂６０としては、例えば、フォトレジストや半導体用ワックスなどを用いればよい。この後、図８に示すように、窒素雰囲気中などで保護用樹脂６０を硬化させる。この工程は、請求項記載の塗布工程に対応する。
【００２８】
次に、半導体基板１２を、ダイシング装置のダイシングステージ２８上に固定する。このとき、素子面側をダイシングステージ２８上に載置する。そして、裏面における各開口部４４間の領域を切断用目印として、裏面上でダイシングブレードを高速で回転させて半導体基板１２を切断する。この切断時には、第１の実施形態と同様に切断部及びダイシングブレードに純水を噴きつける。このとき、熱剥離型粘着テープ２４及び保護用樹脂６０によりＭＥＭＳ５６は密閉されているので、ＭＥＭＳ５６に洗浄水や切断屑が付着することはない。
【００２９】
次に、保護用樹脂６０を除去するため、アッシング装置を用いて保護用樹脂６０を灰化するドライ工程を行う。アッシング装置とは、オゾンやプラズマによりラジカル酸素を形成して、ラジカル酸素により樹脂などの有機物を灰化して除去する装置である。アッシング装置としては、例えば、株式会社日立ハイテクノロジーズ製の『ＵＡ−７２００』や、東京応化工業株式会社製の『ＴＣＡ−３６００シリーズ等』を用いればよい。この工程は、例えば、真空中で灰化した樹脂を吸引しながら行われるため、半導体基板１２上から灰化した樹脂を除去する洗浄は不要である。但し、熱剥離型粘着テープ２４がその剥離温度以下となるように、このドライ工程は行われる。また、ラジカル酸素は無機物（シリコン酸化膜等）を灰化しないので、この工程でＭＥＭＳ５６の微細構造が損傷することはない。
【００３０】
保護用樹脂６０を除去した後は、第１の実施形態と同様に熱剥離型粘着テープ２４を剥離して、個々のＭＥＭＳ５６のチップに分断する。
以上、第３の実施形態では、素子面に熱剥離型粘着テープ２４を貼り付けた後、裏面側から開口部４４に保護用樹脂６０を塗布する。これにより、ＭＥＭＳ５６は、熱剥離型粘着テープ２４及び保護用樹脂６０により密閉されるので、ダイシング時に洗浄水及び切断屑から保護される。従って、裏面からＭＥＭＳの微細構造構造（この例では重錘体４８及び架橋部５２）まで到達する開口部４４が形成されている際にも、第１及び第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３１】
＜本発明の補足事項＞
［１］  なお、第１〜第３の実施形態では、粘着テープとして、熱剥離型のものを用いる例を述べた。本発明は、かかる実施形態に限定されるものではない。粘着テープとしては、例えば、電磁波剥離型のものを用いてもよい。電磁波剥離型粘着テープとしては、例えば、日東電工株式会社製の『エレップホルダＵＥ−２０９０１Ｊ（紫外線により剥離する）』などがある。紫外線剥離型粘着テープの場合、例えば、単位平方センチ当たり４６０ミリジュール程度の紫外光を粘着テープに照射することにより、粘着強度を１００分の１程度に小さくすることができる。これにより、ＭＥＭＳの微細構造を破損することなく、粘着テープを半導体基板１２の素子面から剥離できる。
【００３２】
或いは、特定の溶液に浸すと溶解する粘着テープを用いてもよい。このような溶液溶解型粘着テープとしては、例えば、日東電工株式会社製の『エレップホルダーの品番ＶＤ−１５（材質  ＰＶＣ）』や、同社製の『エレップホルダーの品番Ｐ−２１６０（材質ＰＥ）』などを用いればよい。また、この溶液溶解型粘着テープを剥離するための溶剤としては、例えば、関東化学株式会社製の『ＲＡストリッパー（成分は、硝酸９８％）』、アセトンなどを用いればよい。
【００３３】
溶液溶解型粘着テープの剥離工程の一例としては、まず、アセトンの入ったシャーレに粘着テープが貼付された半導体基板１２を入れて、粘着テープの接着剤を溶解する。これにより、粘着テープを剥離して半導体基板１２のみを取り出し、取り出した半導体基板１２をアセトン（またはイソプロピルアルコール）の入った別のシャーレに移す。この後、アセトンから半導体基板１２を取り出し、乾燥させればよい。アセトンは揮発性が高いので、空気中でも乾燥するが、必要であれば、１２０℃程度の窒素雰囲気中のクリーンオーブンに入れて乾燥させればよい。
【００３４】
［２］  第１〜第３の実施形態では、加熱することにより、熱剥離型粘着テープ２４を剥離する例を述べた。本発明は、かかる実施形態に限定されるものではない。強力なアッシング装置を用いて熱剥離型粘着テープ２４を灰化することにより、熱剥離型粘着テープ２４を除去してもよい。なお、アッシング装置により除去する場合、粘着テープは、熱剥離型のものに限定されず、アッシング装置により灰化できるものを用いればよい。
このアッシング装置による粘着テープの除去は、第１の実施形態に適用すれば請求項２及び請求項３に対応し、第２の実施形態に適用すれば請求項２及び請求項５に対応し、第３の実施形態に適用すれば請求項２及び請求項６に対応する。
【００３５】
［３］  第１の実施形態では、切断用目印であるストリート２０の位置を、撮像装置を用いて素子面側から検出する例を述べた。本発明は、かかる実施形態に限定されるものではない。例えば、赤外線撮像装置を用いて、素子面上のストリート２０の位置を半導体基板１２を透過して裏面側から検出して、検出した位置に基づいてダイシングを行ってもよい。このような第１の実施形態の変形例は、請求項１及び請求項４に対応する。この第１の実施形態の変形例においても、アッシング装置により粘着テープを除去してもよく、この場合は請求項２及び請求項４に対応する。
【００３６】
［４］  第３の実施形態では、断面が図９（ａ）に示される形状のＭＥＭＳ５６を作製する例を述べた。本発明は、かかる実施形態に限定されるものではない。例えば、断面が図９（ｂ）に示される形状の、即ち、開口部が半導体基板１２を貫通していないＭＥＭＳ６４を作製してもよい。このような構造は、加速度センサ等で周知であり、素子面側にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の薄膜６８を形成した後、裏面側からシリコンを異方性エッチングにより除去することにより作製できる。図９（ｂ）の開口部７２は、この異方性エッチングにより形成された窪みである。
この場合も、ＭＥＭＳ６４の構造を形成後、熱剥離型粘着テープ２４の粘着面を半導体基板１２の素子面（この場合は薄膜６８上）に貼り付けてから、開口部７２に保護用樹脂６０を滴下して、以下第３の実施形態と同様の工程を施せばよい。この場合も、第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３７】
［５］  請求項記載の『素子面側にＭＥＭＳを形成する』は、『第１の実施形態のように素子面上にＭＥＭＳ１６を形成すること』、『第２の実施形態のように、素子面から、半導体基板１２の内部までの領域にＭＥＭＳ４０を形成すること』、及び『第３の実施形態のように、素子面から、半導体基板１２の内部までの領域にＭＥＭＳ５６の一部である微細構造（重錘体４８及び架橋部５２）を形成すること』に対応する。
【００３８】
なお、本発明は、上述のようにＭＥＭＳの微細構造が形成される側の面を素子面とする実施形態に限定されるものではない。具体的には、ＭＥＭＳが形成された半導体基板における、構造的に外力に対して弱い方の面を素子面としてダイシング時に保護することが好ましい。或いは、ＭＥＭＳが形成された半導体基板における、ダイシング時の洗浄水の汚染に対して弱い方の面を素子面としてダイシング時に保護することが好ましい。或いは、ＭＥＭＳが形成された半導体基板における、ダイシング時の洗浄水の水圧に対して弱い面を素子面としてダイシング時に保護することが好ましい。
【００３９】
また、第３の実施形態の開口部４４のように、『裏面を含む、微細構造ではない窪み部分（ダイシング時に保護を必要としない部分）』が、最終的に作製されるＭＥＭＳの一部に含まれていてもよい。即ち、本発明では、ＭＥＭＳは、ダイシング時に保護するべき微細構造以外に、ダイシング時に保護を必要としない構造を含んでいてもよい。
また、請求項記載の開口部は、半導体基板の裏面側から見て窪んだ形状を意味し、半導体基板１２を貫通しているものも、貫通していないものも含む（上記補足事項［４］参照）。
【００４０】
【発明の効果】
本発明のＭＥＭＳの製造方法の一形態では、素子面に熱剥離型の粘着テープを貼付した後、裏面側から半導体基板の切断を行う。即ち、素子面は粘着テープにより保護されているので、ダイシングの際に、洗浄水または切断屑が素子面に付着することはない。このため、確実に切断屑が洗い流されるように、充分な量及び圧力で純水を噴きつけることができる。そして、切断後、粘着テープの粘着強度を充分に小さくしてから、粘着テープを半導体基板の素子面から剥離する。従って、粘着テープの剥離時に、ＭＥＭＳの微細構造が破損することはない。この結果、ＭＥＭＳが形成された半導体基板のダイシングに際して、洗浄水の量を少なくすることなく、ＭＥＭＳの微細構造を確実に保護できる。
【００４１】
また、本発明のＭＥＭＳの製造方法の別の形態では、素子面に粘着テープを貼付した後、裏面側から半導体基板の切断を行う。この後、アッシング装置により、粘着テープを灰化して除去するので、上述と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態のＭＥＭＳの製造方法における、素子形成工程、及び粘着テープを半導体基板の素子面に貼り付けた状態を示す説明図である。
【図２】図１の工程の後、アライメント用撮像装置を用いて、切断用目印の位置を素子面側から検出する工程の説明図である。
【図３】図２の工程の後、半導体基板をダイシング装置を用いて切断した状態を示す斜視図である。
【図４】第２の実施形態のＭＥＭＳの製造方法における、半導体基板の裏面に切断用目印となるパターニングを形成した状態を示す説明図である。
【図５】第３の実施形態において、ＭＥＭＳの微細構造を半導体基板の素子面側から見た斜視図である。
【図６】第３の実施形態において、ＭＥＭＳの微細構造を半導体基板の裏面側から見た斜視図である。
【図７】第３の実施形態において、開口部に保護用樹脂を塗布する工程の説明図である。
【図８】第３の実施形態において、塗布された保護用樹脂が固まった状態を示す斜視図である。
【図９】第３の実施形態で作製されるＭＥＭＳの断面図、及びこれとは別形状のＭＥＭＳの断面図の一例である。
【符号の説明】
１２  半導体基板
１６  ＭＥＭＳ
２０  ストリート
２４  熱剥離型粘着テープ
２８  ダイシングステージ
３２  アライメント用撮像装置
３６  撮像用開口部
４０  ＭＥＭＳ（不図示）
４４  開口部
４８  重錘体
５２  架橋部
５６  ＭＥＭＳ
６０  保護用樹脂
６４  ＭＥＭＳ
６８  薄膜
７２  開口部
【図１】
2004349416.tif 000003
【図２】
2004349416.tif 000004
【図３】
2004349416.tif 000005
【図４】
2004349416.tif 000006
【図５】
2004349416.tif 000007
【図６】
2004349416.tif 000008
【図７】
2004349416.tif 000009
【図８】
2004349416.tif 000010
【図９】
2004349416.tif 000011