(57)【要約】【課題】レジストパターン間隔の寸法を変動させることなく、レジスト側壁間に発生した残さを解消するレジストパターン成形方法およびその方法を用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】本発明にかかるレジストパターン成形方法は、ウエハ上にレジストパターンを形成した後に、該レジストパターンを形成するレジスト側壁間に発生した残さに、減圧下において電子線を照射することを特徴とする。パターン欠陥装置を用いて残さを検出し、電子顕微鏡装置を用いて検出された残さ部位に減圧下において電子線を照射することも好ましい。減圧度は５．０×１０２Ｐａ以下、加速電圧は１２００Ｖ以下であることが好ましい。また、本発明にかかる半導体デバイスの製造方法は、レジストパターン形成において上記レジストパターン形成方法を用いる。【選択図】　　　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハ上にレジストパターンを形成した後に、該レジストパターンを形成するレジスト側壁間に発生した残さを、減圧下において電子線を照射することにより、レジストパターン間隔の寸法を変動させることなく該残さを除去することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項２】
ウエハ上にレジストパターンを形成した後に、該レジストパターンを形成するレジスト側壁間に発生した残さをパターン欠陥検査装置を用いて検出し、検出された残さ部位に減圧下において電子線を照射することにより、レジストパターン間隔の寸法を変動させることなく該残さを除去することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項３】
レジストパターン間隔の寸法を変動させることなく残さを除去することを特徴とする、請求項１または請求項２に記載したレジストパターン形成方法を用いた半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造工程におけるリソグラフィ技術の一つであるレジストパターン成形方法およびその方法を用いた半導体デバイスの製造方法に関するものである。詳しくは、レジストパターンを形成するレジスト側壁間に生じた残さをレジストパターン間隔を変えることなく除去することができるレジストパターン成形方法およびその方法を用いた半導体デバイスの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの高集積化を促進するため、回路パターンをレジスト像としてウエハ上に形成するリソグラフィ技術によるレジストパターンの微細化技術が急速に進歩した。これに伴い、レジストパターン間隔が狭くなり、レジスト塗布、露光、現像、洗浄、乾燥という一連のレジストパターン形成工程において現像工程の際に膨潤した残存レジストが接触し、洗浄、乾燥した後にレジスト側壁間を繋ぐ糸状、帯状または網状等の形状の残さ（以下、単に残さという）が発生する場合がある。
【０００３】
特に、使用されるレジスト材料がその現像液に膨潤しやすい場合、形成されるレジストパターン間隔が狭い場合（たとえば、０．２０μｍ以下）などに残さが発生しやすい。
【０００４】
残さが残ると、開口不良、配線ショートおよび断線などの原因となり、半導体デバイスの歩留まりが極度に低下するという問題があった。
【０００５】
残さを発生させないようなレジスト材料および現像液の組み合わせを選ぼうとすると、材料が限定されたり、或いは所望の半導体デバイスを製造できないなどの不都合がある。また、レジストパターン間隔が狭くなるほど、レジスト材料および現像液の組み合わせだけでは、残さの発生を回避することが出来なくなる。一方、発生した残さを除去するために、熱キュアプロセスまたは深紫外光（ＤＵＶ）キュアプロセスを用いると、レジストパターン寸法の変動を生じ、レジストパターンの微細化の要請に反することになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記課題を解決するため、レジストパターン間隔の寸法を変動させることなく該残さを除去するレジストパターン成形方法およびその方法を用いた半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかるレジストパターン成形方法は、ウエハ上にレジストパターンを形成した後に、該レジストパターンを形成するレジスト側壁間に発生した残さを、減圧下において電子線を照射することにより、レジストパターン間隔の寸法を変動させることなく該残さを除去することを特徴とする。
【０００８】
また、本発明にかかるレジストパターン形成方法は、ウエハ上にレジストパターンを形成した後に、該レジストパターンを形成するレジスト側壁間に発生した残さをパターン欠陥検査装置を用いて検出し、検出された残さ部位に減圧下において電子線を照射することにより、レジストパターン間隔の寸法を変動させることなく該残さを除去することを特徴とする。
【０００９】
本発明にかかるレジストパターン形成方法を用いた半導体デバイスの製造方法は、上記方法により、残さを除去することを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明にかかるレジストパターン成形方法は、ウエハ上にレジストパターンを形成した後に、該レジストパターンを形成するレジスト側壁間に発生した残さを、減圧下において電子線を照射することにより、レジストパターン間隔の寸法を変動させることなく該残さを除去するものである。
【００１１】
本発明において、レジストパターン間隔の寸法を変動させることなくとは、電子線照射による寸法変動が５ｎｍ以下であることを意味する。これより大きな寸法変動が生じると、レジストパターンの微細化を図ることが困難となるからである。
【００１２】
電子線を照射させる方法ならびに装置については、特に制限はないが、１２００Ｖ以下の加速電圧を得られる電子照射管を備えるものが好ましい。１２００Ｖを超えると、レジストパターン間隔の変動を５ｎｍ以下にするのが困難になるからである。より好ましくは１０００Ｖ以下、さらに好ましくは８００Ｖ以下である。電子線を照射する装置としては、具体的には、低加速電圧広範囲電子線照射ユニット、電子顕微鏡などが挙げられる。低加速電圧広範囲電子線照射ユニットは、広い範囲に一度に電子線を照射できる点に利点があるのに対し、電子顕微鏡では１回の電子線の照射範囲が狭いため残さ部分を観察しながら当該部分のみに電子線を照射したい場合に利点がある。
【００１３】
電子線の照射時間は、３０秒以下であれば寸法変動を起こすことなく残さを除去することができる。また、残さを残すことなく照射時間を短縮するために、加速電圧が３００Ｖ以上５００Ｖ未満の場合については８秒以上、加速電圧が５００Ｖ以上８００Ｖ未満の場合については５秒以上、加速電圧が８００Ｖ以上１２００Ｖ以下の場合については２秒以上の範囲で照射時間の設定ができる。
【００１４】
また、減圧下とは、上記加速電圧未満で電子線を照射できる減圧状態であれば特に制限はないが、５．０×１０２Ｐａ以下であることが好ましい。かかる観点から、電子線を照射する装置には、５．０×１０２Ｐａ以下の減圧を達成できるチャンバーが設けられていることが望ましい。
【００１５】
本発明にかかるレジストパターン形成方法は、ウエハ上にレジストパターンを形成した後に、該レジストパターンを形成するレジスト側壁間に発生した残さをパターン欠陥検査装置を用いて検出し、検出された残さ部位に減圧下において電子線を照射することにより、レジストパターン間隔の寸法を変動させることなく該残さを除去することが好ましい。
【００１６】
パターン欠陥装置は、パターン欠陥部位を認識、検出できる装置であれば特に制限はないが、一般的には、対象物の欠陥部位を完全部位と対比して光学的または電子的に認識・検出し、数値化して表示できる装置が好ましく用いられる。電子線照射装置として電子顕微鏡を用いる場合には、上述のように１回の電子線の照射範囲が狭いため、残さ発生部位の迅速な検出のためにパターン欠陥検査装置を併用することが望ましい。
【００１７】
また、残さを検出するためのパターン欠陥検査装置と、検出した残さに電子線を照射するための電子顕微鏡を組み合わせて使用することは、残さ発生部位を迅速に検出するだけでなく、検出された残さ部位のみに電子線を照射するために好ましい。
【００１８】
本発明にかかるレジストパターン形成方法は、レジストパターンを形成する場合に広く適用することが可能であるが、レジストパターン間隔が狭いものほど有用である。特に、当社において開発した化学反応を利用したレジストパターン間隔の縮小プロセスへの適用が極めて有用である。以下、該レジストパターン間隔の縮小プロセスへの適用形態を中心に説明する。
【００１９】
上記当社開発プロセスとは、通常の露光プロセスで第１レジストパターンを形成した後、第２レジストパターン形成用の水溶性上層剤を塗布して上層膜を形成し、次に加熱して第１レジスト中の酸を上層膜に拡散させ第１レジスト側壁の内壁に新たな硬化層を形成することにより、上記第１レジストパターン間隔を縮小するプロセスを意味する（特開平１０−７３９２７号公報など）。
【００２０】
ここで、上記レジストパターン間隔縮小プロセスの一般的な工程について説明する。図６に、該プロセスの一般的な工程を示す。まず、図６（ａ）に示す工程でシリコンウエハ１上に第１レジスト２である化学増感型エキシマレジストを塗布した後、図６（ｂ）に示す工程でプリベークによりレジスト中の溶媒を乾燥させる。所定のマスクを用いて、図６（ｃ）に示す工程の露光、図６（ｄ）に示す工程の現像前ベーク（ＰＥＢ）、図６（ｅ）に示す工程のアルカリ現像を行ない、第１レジストパターンを得る。次に、図６（ｆ）に示す工程で第１レジストパターンが形成されたシリコンウエハ上にパターン間隔縮小プロセス用の第２レジスト５である上記水溶性上層剤を塗布した後、図６（ｇ）に示す工程でプリベークを行ない第２のレジスト膜を形成する。続いて、図６（ｈ）に示す工程でミキシングベークを行ない、第２レジスト膜が第１レジストから供給される酸により第２レジスト架橋層６を形成させる。次に、図６（ｉ）に示す工程で純水現像（ｉ）を行ない、未架橋の第２レジスト５を現像剥離し、図６（ｊ）に示す工程でポストベークを行なうことにより、第１レジストパターン上に第２レジスト架橋層６を形成し、レジストパターン間隔を縮小する。
【００２１】
上記レジストパターン間隔縮小プロセス中、図６の（ｈ）工程、（ｉ）工程および（ｊ）工程において、残さは次のようにして発生すると考えられる。図７に、残さ発生原因の考察図を示す。図７（ａ）に示す工程で純水現像の際現像液８が盛られると未架橋の第２レジスト５が現像液８へ溶解し、図７（ｂ）工程で示すように第２レジスト架橋層６も膨潤して側壁同士が接触する。続いて、図７（ｃ）工程に示すように、現像液を洗浄後スピン乾燥させるときに、膨潤が解け残さ７が発生するものと考えられる。
【００２２】
このようにして発生した残さを、上述のように所定の減圧下において所定加速電圧未満で電子線を照射することにより、レジストパターン間隔の寸法を変動させることなく除去する。
【００２３】
本発明にかかる半導体デバイスの製造方法は、上記レジストパターン形成方法を用いて、レジスト側壁間に発生した残さを除去することを特徴とするものである。上記レジストパターン形成方法は、レジストパターン形成を行なうプロセスを有する半導体デバイスの製造方法であれば特に制限なく適用することができる。たとえば、上記レジストパターンをマスクにしてエッチングを行ない、その後該レジストパターンをアッシングにより除去することによりパターンの転写を行なったり、上記レジストパターンをマスクにしてドーピングを行ない、その後該レジストパターンをアッシングにより除去することにより、レジストパターンに覆われていなかった部分に特定物を添加したりすることができる。
【００２４】
【実施例】
以下、本発明の実施の形態を具体的に説明する。まず、本発明にかかるレジストパターン形成方法の実施例を説明する。図１および図４にレジストパターン形成に使用したマスク、図２にホール短径断面方向から見たレジストパターンの形成主要工程、特に残さの発生および除去の概略図を、図５にトレンチ幅断面方向から見たレジストパターンの形成主要工程、特に残さの発生および除去の概略図を示す。
【００２５】
（実施例１）
化学増幅型エキシマレジスト（東京応化社製）２２をシリコンウエハ２１上に滴下し回転塗布により膜厚約０．８μｍに成膜した。次に、９０℃で９０秒間プリベークを行ない、レジスト中の溶媒を乾燥させた。続いて、ＫｒＦエキシマ縮小投影露光装置を用いて、図１に示すような楕円状の光透過部分１１とそれ以外の光不透過部分１０を有するホールパターンマスク１２をして露光を行なった。次に、１００℃で９０秒間現像前ベーク（ＰＥＢ）を行ない、続いて、アルカリ現像液（東京応化社製ＮＭＤ−Ｗ）を用いて現像を行ない、図２（ａ）工程に示すような第１のレジストパターンを得た。
【００２６】
該第１のレジストパターンが形成されたシリコンウエハ上に、レジストパターン間隔縮小プロセス用の第２レジストである水溶性上層剤（Ｃｌａｒｉａｎｔ　Ｊａｐａｎ社製ＡＺ　Ｒ２００）を滴下しスピンコートした後、８５℃で７０秒間プリベークを行ない、第２のレジスト膜を形成した。次に、１２０℃で９０秒間ミキシングベークを行ない、第２レジストの架橋反応を進行させた。次に、純水を用いた現像により非架橋の第２レジストを現像剥離し、続いて、９０℃で９０秒間ポストベークを行なうことにより、第１のレジストパターン上に第２レジスト架橋層２６を形成し、第２のレジストパターンを形成した。
【００２７】
第２のレジストパターンのホール径（短径、以下同じ）を測定すると０．０９μｍであった。第２のレジストパターンが形成されたウエハをパターン欠陥装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用いて欠陥検査を行なうと、ウエハ上２５０００ｍｍ２の面積内で１００個の欠陥が検出された。電子顕微鏡（日立製作所製）で欠陥箇所を観察すると、図２（ｂ）に示すようにレジストの側壁同士が糸でつながったような形状の残さ２７が認められた。欠陥箇所を観察した上記電子顕微鏡と同じ装置を用いて、加速電圧８００Ｖ、管電流５μＡの電子線を２０秒間照射すると、図２（ｃ）に示すように残さは除去され、パターンのホール径を測定すると０．０９μｍであり、レジストパターン間隔の寸法変動はなかった。
【００２８】
図３に、電子線照射前後のホール近傍の顕微鏡写真を示す。図３（ａ）は電子線照射前の状態、図３（ｂ）は電子線照射後の状態を示す。図３（ａ）および図３（ｂ）から、本実施例による電子線の照射により、レジストパターン間隔の寸法を変動させずに残さが除去されていることがわかる。
【００２９】
（実施例２）
化学増幅型エキシマレジスト（東京応化社製）５２をシリコンウエハ５１上に滴下し回転塗布により膜厚約０．８μｍに成膜した。次に、９０℃で９０秒間プリベークを行なった。続いて、ＫｒＦエキシマ縮小投影露光装置を用いて、図４に示すようなスリット状の光透過部分４１とそれ以外の光不透過部分４０を有するトレンチパターンマスク４２をして露光を行なった。次に、１００℃で９０秒間現像前ベーク（ＰＥＢ）を行ない、続いて、アルカリ現像液（東京応化社製ＮＭＤ−Ｗ）を用いて現像を行ない、図５（ａ）工程に示すような第１のレジストパターンを得た。
【００３０】
該第１のレジストパターンが形成されたシリコンウエハ上に、レジストパターン間隔縮小プロセス用の水溶性上層剤（Ｃｌａｒｉａｎｔ　Ｊａｐａｎ社製ＡＺ　Ｒ２００）を滴下しスピンコートした後、８５℃で７０秒間プリベークを行ない、第２のレジスト膜を形成した。次に、１２０℃で９０秒間ミキシングベークを行ない、第２レジストの架橋反応を進行させた。次に、純水を用いた現像により非架橋の第２レジストを現像剥離し、続いて、９０℃で９０秒間ポストベークを行なうことにより、第１のレジストパターン上に第２レジスト架橋層５６を形成し、第２のレジストパターンを形成した。
【００３１】
第２のレジストパターンのトレンチ幅を測定すると０．０９μｍであった。第２のレジストパターンが形成されたウエハをパターン欠陥装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用いて欠陥検査を行なうと、ウエハ上２５０００ｍｍ２の面積内で１００個の欠陥が検出された。電子顕微鏡（日立製作所製）で欠陥箇所を観察すると、図５（ｂ）に示すようにレジストの側壁同士が糸でつながったような形状の残さ５７が認められた。欠陥箇所を観察した上記電子顕微鏡と同じ装置を用いて、加速電圧８００Ｖ、管電流５μＡの電子線を２０秒間照射すると、図５（ｃ）に示すように残さは除去され、パターンのトレンチ幅を測定すると０．０９μｍであり、レジストパターン間隔の寸法変動はなかった。
【００３２】
（実施例３）
実施例１と同様にして、第１のレジストパターンおよび第２のレジストパターンを形成した。第２のレジストパターンのホール径を測定すると０．０９μｍであった。第２のレジストパターンが形成されたウエハをパターン欠陥装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用いて欠陥検査を行なうと、ウエハ上２５０００ｍｍ２の面積内で１００個の欠陥が検出された。電子顕微鏡（日立製作所製）で欠陥箇所を観察すると、図２（ｂ）に示すようにレジストの側壁同士が糸でつながったような形状の残さ２７が認められた。欠陥箇所を観察した上記電子顕微鏡と同じ装置を用いて、加速電圧３００Ｖ、管電流５μＡの電子線を２０秒間照射すると、図２（ｃ）に示すように残さは除去され、パターンのホール径を測定すると０．０９μｍであり、レジストパターン間隔の寸法変動はなかった。
【００３３】
（実施例４）
実施例２と同様にして、第１のレジストパターンおよび第２のレジストパターンを形成した。第２のレジストパターンのトレンチ幅を測定すると０．０９μｍであった。第２のレジストパターンが形成されたウエハをパターン欠陥装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用いて欠陥検査を行なうと、ウエハ上２５０００ｍｍ２の面積内で１００個の欠陥が検出された。電子顕微鏡（日立製作所製）で欠陥箇所を観察すると、図５（ｂ）に示すようにレジストの側壁同士が糸でつながったような形状の残さ５７が認められた。欠陥箇所を観察した上記電子顕微鏡と同じ装置を用いて、加速電圧３００Ｖ、管電流５μＡの電子線を２０秒間照射すると、図５（ｃ）に示すように残さは除去され、パターンのトレンチ幅を測定すると０．０９μｍであり、レジストパターン間隔の寸法変動はなかった。
【００３４】
（比較例１）
実施例１と同様にして、第１のレジストパターンおよび第２のレジストパターンを形成した。第２のレジストパターンのホール径を測定すると０．０９μｍであった。第２のレジストパターンが形成されたウエハをパターン欠陥装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用いて欠陥検査を行なうと、ウエハ上２５０００ｍｍ２の面積内で１００個の欠陥が検出された。電子顕微鏡（日立製作所製）で欠陥箇所を観察すると、図２（ｂ）に示すようにレジストの側壁同士が糸でつながったような形状の残さ２７が認められた。欠陥箇所を観察した上記電子顕微鏡と同じ装置を用いて、加速電圧１５００Ｖ、管電流５μＡの電子線を２０秒間照射すると、図２（ｃ）に示すように残さは除去されたが、パターンのホール径を測定すると０．１０μｍであり、レジストパターン間隔の寸法変動が生じた。
【００３５】
（比較例２）
実施例２と同様にして、第１のレジストパターンおよび第２のレジストパターンを形成した。第２のレジストパターンのトレンチ幅を測定すると０．０９μｍであった。第２のレジストパターンが形成されたウエハをパターン欠陥装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用いて欠陥検査を行なうと、ウエハ上２５０００ｍｍ２の面積内で１００個の欠陥が検出された。電子顕微鏡（日立製作所製）で欠陥箇所を観察すると、図５（ｂ）に示すようにレジストの側壁同士が糸でつながったような形状の残さ５７が認められた。欠陥箇所を観察した上記電子顕微鏡と同じ装置を用いて、加速電圧１５００Ｖ、管電流５μＡの電子線を２０秒間照射すると、図５（ｃ）に示すように残さは除去されたが、パターンのトレンチ幅を測定すると０．１０μｍであり、レジストパターン間隔の寸法変動が生じた。
【００３６】
次に、本発明にかかる、レジストパターン間隔の寸法を変動糸させることなく状残さを除去とすることを特徴とするレジストパターン形成方法を用いた、半導体デバイス製造法の実施例を説明する。
【００３７】
（実施例５）
シリコン酸化膜が最上層であるシリコンウエハを用いて、実施例１と同様にして、第１のレジストパターンおよび第２のレジストパターンを形成した。加速電圧３００Ｖ、管電流５μＡの電子線を２０秒間照射することにより、第２のレジストパターンのホール径を０．０９μｍに維持したまま、残さを除去できた。前記残さ除去後の第２レジストパターンをマスクとして、シリコン酸化膜をドライエッチングし、その後にすべてのレジストパターンをアッシングすることにより、シリコン酸化膜に０．０９μｍ径のホールパターンを転写した。
【００３８】
（実施例６）
ポリシリコン膜が最上層であるシリコンウエハを用いて、実施例２と同様にして、第１のレジストパターンおよび第２のレジストパターンを形成した。加速電圧３００Ｖ、管電流５μＡの電子線を２０秒間照射することにより、第２のレジストパターンのトレンチ幅を０．０９μｍに維持したまま、残さを除去できた。前記残さ除去後の第２レジストパターンをマスクとして、ポリシリコン膜をドライエッチングし、その後にすべてのレジストパターンをアッシングすることにより、ポリシリコン膜に０．０９μｍ幅のトレンチパターンを転写した。
【００３９】
（実施例７）
シリコン酸化膜が最上層であるシリコンウエハを用いて、実施例１と同様にして、第１のレジストパターンおよび第２のレジストパターンを形成した。加速電圧３００Ｖ、管電流５μＡの電子線を２０秒間照射することにより、第２のレジストパターンのホール径を０．０９μｍに維持したまま、残さを除去できた。前記残さ除去後の第２レジストパターンをマスクとして、ホウ素をドーピングした後、すべてのレジストパターンをアッシングすることにより、ホール部にのみホウ素をドーピングすることができた。
【００４０】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明でなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内のすべての変更が含まれることが意図される。
【００４１】
【発明の効果】
上述のように、所定条件下の電子線を照射することにより残さを除去する本発明によると、レジストパターン間隔の寸法を変動させることなく該残さを除去することができるため、生産性よく半導体デバイスの微細化を可能とするレジストパターン成形方法およびその方法を用いた半導体デバイスの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態におけるレジストパターン形成に使用したマスクの概略図である。
【図２】本発明の一実施形態のホール短径断面方向から見たレジストパターンの形成主要工程、特に残さの発生および除去の概略図である。
【図３】本発明の一実施形態における電子線照射前後のレジストパターンの一部の顕微鏡写真である。
【図４】本発明の別の一実施形態におけるレジストパターン形成に使用したマスクの概略図である。
【図５】本発明の別の一実施形態におけるトレンチ幅断面方向から見たレジストパターンの形成主要工程、特に残さの発生および除去の概略図である。
【図６】本発明が適用されるレジストパターン形成方法の一形態であるレジストパターン間隔縮小プロセスの一般的な工程図である。
【図７】残さ発生原因の考察図である。
【符号の説明】
１　シリコンウエハ、２　第１レジスト、３　露光により変質した部分、４　ＰＥＢ処理により変質した部分、５　第２レジスト、６　第２レジスト架橋層、７　残さ、８　現像液、１０　光不透過部分、１１　楕円状の光透過部分、１２ホールパターンマスク、２１　シリコンウエハ、２２　化学増幅型エキシマレジスト、２６　第２レジスト架橋層、２７　残さ、４０　光不透過部分、４１　スリット状の光透過部分、４２　トレンチパターンマスク、５１　シリコンウエハ、５２　化学増幅型エキシマレジスト、５６　第２レジスト架橋層、５７　残さ。
【図１】
2004056000.tif 000002
【図２】
2004056000.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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