(57)【要約】【課題】他の基板とハンダを用いて電気的に接続する場合、ランド周囲にハンダが溢れることがなく、ハンダによるランド間の短絡を防止できる配線基板、及び、このような配線基板と中継基板との接続体を提供する。【解決手段】本発明の配線基板１００は、基板本体１１０と、その裏面１１０ｃに形成された複数のランド１２０とを備える。ランド１２０は裏面１１０ｃ側に露出した露出部１２５であって、この露出部１２５は、それぞれ、円環状の低位部１２１と、この低位部１２１の表面１２１ｂより突出する円柱状の高位部１２２とを有する。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面と裏面とを有する基板本体と、
上記裏面に形成された複数のランドと、
を備える配線基板であって、
上記ランドは、それぞれ、上記裏面側に露出した露出部を有し、
上記露出部は、それぞれ、
低位部と、
この低位部よりも上記主面から上記裏面に向かう方向に突出する高位部と、を含む
配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板であって、
前記露出部は、前記高位部と前記低位部とによって段差形状をなし、
上記露出部を平面視したとき、上記低位部は上記露出部の面積の５０％以上を占める
配線基板。
【請求項３】
請求項２に記載の配線基板であって、
前記露出部は平面視円形状であり、
前記高位部は上記露出部の中心軸と同軸の平面視円形状であり、
上記露出部の外径をＤ１（ｍｍ）、上記高位部の外径をＤ２（ｍｍ）としたとき、
Ｄ１≧０．６０、Ｄ２≦０．７Ｄ１の関係を満たす
配線基板。
【請求項４】
請求項２に記載の配線基板であって、
前記露出部は平面視円形状であり、
前記高位部は上記露出部の中心軸と同軸の平面視円形状であり、
上記露出部の外径をＤ１（ｍｍ）、上記高位部の外径をＤ２（ｍｍ）としたとき、
Ｄ１＜０．６０、Ｄ２≦０．５Ｄ１の関係を満たす
配線基板。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の配線基板であって、
前記高位部が前記低位部の表面より突出する高さをＴ２（μｍ）としたとき、
５≦Ｔ２≦３０の関係を満たす
配線基板。
【請求項６】
請求項３〜請求項５のいずれか一項に記載の配線基板であって、
前記複数のランドのうち、最も中心軸間隔の短い隣り合うランド同士の中心軸間隔をＰ（ｍｍ）としたとき、
Ｐ＜１．２７の関係を満たす
配線基板。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の配線基板と、
第１面と第２面とを有する中継基板本体、及び
上記第１面側のうち上記配線基板の裏面と上記中継基板本体の上記第１面とを対向して配置したとき、前記ランドと対向する位置に形成された第１端子
を含む中継基板と、を備え、
上記配線基板と上記中継基板とが、上記ランドと上記第１端子とがハンダで接合することによって接続してなる
配線基板と中継基板との接続体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板、及び配線基板と中継基板との接続体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、図５に示すような、セラミック製の基板本体５１０を有し、この裏面５１０ｃにランド５２０が形成され、図示しない主面にＩＣチップ等の電子部品が搭載されたセラミック製の配線基板５００が知られている。このようなセラミック製の配線基板５００は、樹脂を含んだ絶縁層を有するプリント基板（有機プリント基板ともいう）と電気的に接続して用いられることがある。ところが、セラミック製の配線基板５００と有機プリント基板とは、基板本体の熱膨張率が大きく異なるため、両者を直接接続した場合には、両者の熱膨張率の差によって生じる応力によって、接続部にクラックが発生する虞があった。そこで、このような問題を解決するために、図６に示すような、セラミック製の中継基板１０をセラミック製の配線基板５００と図示しない有機プリント基板との間に介在させ、熱膨張率の差によって接続部に生じる応力を緩和することによって、クラックの発生を防止することが提案されている。
【０００３】
このセラミック製の中継基板１０は、図６に示すように、セラミック製の中継基板本体１１を有し、このセラミック製の中継基板本体１１には、セラミック製の配線基板５００のランド５２０に対応した位置に、厚さ方向に貫通する貫通孔１４が形成されている。さらに、高融点ハンダ（Ｐｂ９０％、Ｓｎ１０％）からなるコラム１６が、この貫通孔１４から突出するように形成されており、第１面１１ｂ側の小さな凸部を第１端子１２、第２面１１ｃ側の大きな突起を第２端子１３としている。さらに、第１端子１２上には、共晶ハンダ（Ｐｂ３７％、Ｓｎ６３％）１５が設けられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、配線基板５００と中継基板１０とは、ランド５２０と第１端子１２及び共晶ハンダ１５との位置を合わせ、共晶ハンダ１５を融解して接続される。しかし、図６に示すように、融解した共晶ハンダ１５がランド５２０の表面５２０ｂから溢れて、基板本体５１０の裏面５１０ｃ上に拡がることがあった。さらに、隣り合うランド５２０の中心軸間隔Ｐが短い場合には、このハンダによってランド５２０間が短絡する虞があった。
【０００５】
この現象は、次のような理由によって発生すると考えられる。一般に、中継基板本体は薄く、また多数の貫通孔を有しているために、変形（反り）が生じてしまうことがある（図６参照）。特に、セラミック製の中継基板１０では、未焼成のセラミック中継基板本体を焼成してセラミック中継基板本体１１を形成するため、変形（反り）が生じやすい（図６参照）。また、配線基板５００の層間には、図示しない配線層等が形成されており、この配線層等によって段差が生じるため、図６に示すように、配線基板５００の裏面５１０ｃは凹凸を有している。特に、セラミック製の配線基板５００では、焼成時に変形（反り）が生じやすいために、凹凸を有する裏面５１０ｃに、さらに反りが加わることがある。
【０００６】
このため、配線基板５００と中継基板１０とを接続する場合、図６に示すように、ランド５２０と第１端子１２との距離が一定にならない。このため、特に、両者の距離が極めて短くなっている接近部Ｃ１，Ｃ２では、多量の融解した共晶ハンダ１５がランド５２０の表面５２０ｂから溢れ、配線基板５００の裏面５１０ｃ上に融解した共晶ハンダ１５が拡がってしまう。さらに、接近部Ｃ１，Ｃ２のランド５２０中心軸間隔Ｐが短い場合には、図６に示すように、この拡がった共晶ハンダ１５によって接近部Ｃ１，Ｃ２のランド５２０間が短絡してしまう。
【０００７】
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであって、他の基板とハンダを用いて電気的に接続する場合、ランド周囲にハンダが溢れることがなく、ハンダによるランド間の短絡を防止できる配線基板、及び、このような配線基板と中継基板との接続体を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決しようとする課題、作用及び効果】
その解決手段は、主面と裏面とを有する基板本体と、上記裏面に形成された複数のランドと、を備える配線基板であって、上記ランドは、それぞれ、上記裏面側に露出した露出部を有し、上記露出部は、それぞれ、低位部と、この低位部よりも上記主面から上記裏面に向かう方向に突出する高位部と、を含む配線基板である。
【０００９】
本発明の配線基板では、基板本体の裏面に複数のランドを有し、このランドは裏面側に露出した露出部を有する。この露出部は、それぞれ、低位部と、この低位部よりも基板本体の主面から裏面に向かう方向に突出する高位部とを有する形状となっている。このような配線基板としては、例えば、セラミック製の基板本体を有し、この裏面に外径の異なる大小の円盤が重なったような形状のランドが形成され、このランドを補強するために、ランドのうち裏面上に形成された大きい円盤の周縁がオーバーコート層によって被覆されたものが挙げられる。この場合、ランドのうちオーバーコート層より露出している部分が露出部となり、この露出部のうち、小さい円盤及びこれを基板本体の裏面まで延長した領域に含まれる大きい円盤の一部が高位部、この高位部の裏面側を取り囲む円環状の部分（大きい円盤の一部）が低位部となる。
【００１０】
また、同様なランドを有するが、オーバーコート層を有しないセラミック製の配線基板も挙げられる。この場合、ランドと露出部とは同じものになり、高位部はオーバーコート層を有するときと同様であるが、低位部はオーバーコート層が無くなった分だけ大きくなる。また、オーバーコート層を有するが、オーバーコート層がランドの周縁を被覆しないセラミック製の配線基板も挙げられる。この場合も、ランドと露出部とは同じものになり、高位部はオーバーコート層を有するときと同様であるが、低位部はオーバーコート層に被覆されない分だけ大きくなる。なお、基板本体の材質はセラミックに限らず、樹脂等としても良い。セラミックとしては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライト等が挙げられる。さらに、本発明では、比較的低温で焼成できるガラスセラミック、結晶化ガラス等の低温焼成材料も含む。また、樹脂としては、エポキシ、ＢＴ、ポリイミド等が挙げられ、さらに、これらの樹脂とガラス繊維を複合化したもの等が挙げられる。
【００１１】
このような本発明の配線基板は、例えば、他の基板とハンダを用いて電気的に接続する際、本発明の配線基板のランドと他の基板の端子（ランド）とが当接してしまうことがある。特に、裏面に反りが生じやすいセラミック製の配線基板では両者が当接し易い。しかし、このような場合でも、本発明の配線基板では、高位部が他の基板の端子（ランド）と当接するので、低位部と他の基板の端子（ランド）との間に一定の間隙を確保することができる。従って、本発明の配線基板では、低位部と他の基板の端子（ランド）との間にハンダ溜まりスペースを確保することができるので、ランドの周囲にハンダが溢れることを防止できる。特に、隣り合うランド同士の間隙が短い場合には、ハンダによる両ランド間の短絡の防止に有効となる。なお、他の基板としては、例えば、図６に示したような、中継基板１０が挙げられる。
【００１２】
さらに、上記配線基板であって、前記露出部は、前記高位部と前記低位部とによって段差形状をなし、上記露出部を平面視したとき、上記低位部は上記露出部の面積の５０％以上を占める配線基板とすると良い。
【００１３】
本発明の配線基板では、ランドの露出部が高位部と低位部とによって段差形状をなし、露出部を平面視したとき、低位部が露出部の面積の５０％以上を占めるようにしている。つまり、本発明では、低位部の露出面積をできるだけ大きくし、ハンダ溜まりスペースをできるだけ大きく確保するようにしている。このため、本発明の配線基板では、より一層、ランドの周囲にハンダが溢れることを防止できる。
このようなランドの露出部としては、例えば、円柱状の高位部、及びこの高位部の裏面側部分を取り囲む円環状の低位部を有する露出部が挙げられる。このとき、円環状の低位部の表面の面積が、平面視した露出部の面積、つまり露出部の外径を直径とする円の面積の５０％以上を占めるようにしている。
【００１４】
さらに、上記配線基板であって、前記露出部は平面視円形状であり、前記高位部は上記露出部の中心軸と同軸の平面視円形状であり、上記露出部の外径をＤ１（ｍｍ）、上記高位部の外径をＤ２（ｍｍ）としたとき、Ｄ１≧０．６０、Ｄ２≦０．７Ｄ１の関係を満たす配線基板とすると良い。
【００１５】
本発明の配線基板では、露出部及び高位部が共に平面視円形状であって、露出部の外径Ｄ１を０．６０ｍｍ以上とし、さらに、高位部の外径Ｄ２をＤ１の７０％以下としている。従って、露出部の外径Ｄ１を０．６０ｍｍ以上と比較的大きくしたときに、低位部の表面の面積が、平面視した露出部の面積、つまり露出部の外径を直径とする円の面積の５０％以上を占めるようになっている。このため、前述したように、ランドの周囲にハンダが溢れることを防止できる。さらに、本発明では、高位部を露出部の中心軸と同軸に形成している。このため、本発明の配線基板では、ハンダ溜まりスペースの形状が円環状となるので、ランドの中心から径方向外側に拡がるハンダが、ランドの周囲に最も溢れにくくなる。
【００１６】
さらに、前記配線基板であって、前記露出部は平面視円形状であり、前記高位部は上記露出部の中心軸と同軸の平面視円形状であり、上記露出部の外径をＤ１（ｍｍ）、上記高位部の外径をＤ２（ｍｍ）としたとき、Ｄ１＜０．６０、Ｄ２≦０．５Ｄ１の関係を満たす配線基板とすると良い。
【００１７】
低位部の表面の面積が、平面視した露出部の面積の５０％以上を占めるようにしても、平面視した露出部の面積が小さくなれば、ハンダ溜まりスペースが十分に確保できなくなり、ハンダをハンダ溜まりスペースに溜めきれなくなる虞がある。そこで、本発明の配線基板では、露出部の外径Ｄ１を０．６０ｍｍ未満としたとき、高位部の外径Ｄ２をＤ１の５０％以下としている。従って、露出部の外径Ｄ１を０．６０ｍｍ未満と小さくしたときに、低位部の表面の面積が、平面視した露出部の面積、つまり露出部の外径を直径とする円の面積の７５％以上を占めるようになっている。このため、露出部の外径の小さい本発明の配線基板でも、十分な大きさのハンダ溜まりスペースを確保できる。
なお、配線基板の品質、設計上の問題等を考慮すると、ランドの外径の最小値には限りがあるため、露出部の外径Ｄ１（ｍｍ）は、０．４≦Ｄ１＜０．６０の関係を満たすのが好ましい。
【００１８】
さらに、本発明では、高位部を露出部の中心軸と同軸に形成している。このため、本発明の配線基板では、ハンダ溜まりスペースの形状が円環状となるので、ランドの中心から径方向外側に拡がるハンダが、ランドの周囲に最も溢れにくくなる。
本発明は、近年の配線基板の小型化の要求に伴い、隣り合うランド同士の中心軸間隔を短くしなければならない関係上、ランドの直径を小さくしなければならない場合に有効となる。
【００１９】
さらに、上記いずれかの配線基板であって、前記高位部が前記低位部の表面より突出する高さをＴ２（μｍ）としたとき、５≦Ｔ２≦３０の関係を満たす配線基板とすると良い。
【００２０】
本発明の配線基板では、高位部が低位部の表面より突出する高さＴ２を５μｍ以上３０μｍ以下としている。高位部が低位部の表面より突出する高さＴ２を５μｍ以上とすることで、十分なハンダ溜まりスペースを確保することができる。さらに、Ｔ２を３０μｍ以下とすることで、本発明の配線基板と他の基板とを接続したとき、本発明の配線基板と他の基板との間隙が大きくなりすぎないようにしている。
【００２１】
さらに、上記いずれかの配線基板であって、前記複数のランドのうち、最も中心軸間隔の短い隣り合うランド同士の中心軸間隔をＰ（ｍｍ）としたとき、Ｐ＜１．２７の関係を満たす配線基板とすると良い。
【００２２】
本発明の配線基板では、最も中心軸間隔の短い隣り合うランド同士の中心軸間隔を１．２７ｍｍ未満としている。このため、ランドの周囲にハンダが溢れ、この最も接近したランド間にハンダが拡がった場合には、極めて両ランド間で短絡する危険性が高い。これに対し、本発明の配線基板では、前述したように、十分なハンダ溜まりスペースを確保しているためにランドの周囲にハンダが溢れることがない。従って、隣り合うランド同士の中心軸間隔が１．２７ｍｍ未満となっている部分でも、ハンダによる両ランド間の短絡を防止できる。このため、本発明は、配線基板の小型化にも対応できる。
なお、ランドの外径の最小値には限りがあり、またランドの製造誤差等を考慮すると、隣り合うランド同士の中心軸間隔Ｐ（ｍｍ）は、０．５０≦Ｐ＜１．２７の関係を満たすのが好ましい。
【００２３】
他の解決手段は、上記いずれかの配線基板と、第１面と第２面とを有する中継基板本体、及び上記第１面側のうち上記配線基板の裏面と上記中継基板本体の上記第１面とを対向して配置したとき、前記ランドと対向する位置に形成された第１端子を含む中継基板と、を備え、上記配線基板と上記中継基板とが、上記ランドと上記第１端子とがハンダで接合することによって接続してなる配線基板と中継基板との接続体である。
【００２４】
中継基板本体は薄く、また多数の貫通孔を有しているために、変形（反り）が生じることがある。特に、セラミック製の中継基板では、未焼成のセラミック中継基板本体を焼成してセラミック中継基板本体を形成するため、変形（反り）が生じやすい。また、配線基板の層間には配線層等が形成されており、この配線層等によって段差が生じるため、配線基板の裏面は凹凸を有している。特に、セラミック製の配線基板では、焼成時に変形（反り）が生じるために、凹凸を有する裏面に、さらに反りが加わることがある。このため、配線基板と中継基板とを接続する場合、ランドと第１端子との距離が一定にならず、特に、両者の距離が極めて短くなっている部分では、多量ハンダがランドの周囲に溢れ、配線基板の裏面上にハンダが拡がってしまう虞がある。特に、隣り合うランド同士の間隙が短い場合には、溢れたハンダによってランド間が短絡する虞がある。
【００２５】
これに対し、本発明の接続体では、前述したように、配線基板のランドに十分なハンダ溜まりスペースを確保しているために、ランドと第１端子とが当接する部分でもランドの周囲にハンダが溢れることがない。従って、本発明の配線基板と中継基板との接続体は、配線基板と中継基板とを接続するハンダによって、ランド間が短絡する虞がなく、信頼性が高い。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。
本実施形態の配線基板１００は、図１に示すように、厚さ３．００ｍｍのセラミック製の基板本体１１０を有し、この裏面１１０ｃには複数のランド１２０が形成され、図示しない主面にはＩＣチップ等の電子部品が搭載されている。なお、本実施形態では、ランド１２０全体が裏面１１０ｃ側に露出しているため、ランド１２０が露出部１２５となっている。このうち、露出部１２５は、平面視円環状の低位部１２１と、この低位部１２１と同軸に形成された平面視円形状の高位部１２２とによって段差形状に形成されている。さらに、露出部１２５の外径をＤ１（ｍｍ）、高位部１２２の外径をＤ２（ｍｍ）、低位部１２１の表面１２１ｂからの高位部１２２の高さ（厚さ）をＴ２（μｍ）としている。このようなランド１２０は、それぞれ、隣り合うランド１２０との中心軸間隔をＰ（ｍｍ）として、裏面１１０ｃ上に格子状に配置されている。
【００２７】
本実施形態では、図３の表に示すように、ランド１２０についてＰ＝１．００（ｍｍ）とし、露出部１２５についてＤ１＝０．７０，０．６３，０．５６（ｍｍ）の３種類に設定し、高位部１２２について３種類の露出部１２５の外径Ｄ１それぞれに対し、Ｄ２をＤ１の２５，４０，５０，７０（％）の４種類の大きさに設定した計１２種類の配線基板１００を用意した。さらに、Ｐ＝１．２７（ｍｍ）、Ｄ１＝０．８９（ｍｍ）、Ｄ２をＤ１の２５，４０，５０，７０（％）の大きさに設定した計４種類の配線基板１００を用意した。なお、高位部１２２の高さ（厚さ）Ｔ２は、全ての配線基板１００について１２（μｍ）としている。
【００２８】
さらに、本実施形態で用いる中継基板１０は、図２に示すように、厚さ０．３０ｍｍのセラミック製の中継基板本体１１を有し、この中継基板本体１１には、配線基板１００のランド１２０に対応する位置に、厚さ方向に貫通する貫通孔１４が形成されている。さらに、高融点ハンダ（Ｐｂ９０％、Ｓｎ１０％）からなるコラム１６が、この貫通孔１４から突出するように形成されており、第１面１１ｂ側の小さな凸部を第１端子１２、第２面１１ｃ側の大きな突起（第２面１１ｃからの突出高さは１．６８ｍｍ）を第２端子１３としている。第１端子１２及び第２端子１３は共に平面視円形状であり、その外径はそれぞれ、０．６０ｍｍ、０．７２ｍｍとなっている。さらに、第１端子１２上には、共晶ハンダ（Ｐｂ３７％、Ｓｎ６３％）１５が設けられている。この共晶ハンダも平面視円形状であり、その外径は０．６０ｍｍで、第１面１１ｂからの突出高さは０．１５ｍｍとなっている。
【００２９】
上記のような、中継基板１０と合計１６種類の配線基板１００とを接続し、図２に示すような、接続体２００を形成した。具体的には、配線基板１００のランド１２０と中継基板１０の第１端子１２及び共晶ハンダ１５との位置を合わせ、共晶ハンダ１５を融解してランド１２０と第１端子１２とを接続した。
【００３０】
このような、配線基板１００と中継基板１０との接続体２００について、ランド１２０間での短絡を調査した。さらに、本実施形態の調査結果と比較するために、図５に示すような、従来のセラミック製の配線基板５００について、Ｐ＝１．００（ｍｍ）で、ランド５２０の外径Ｄ３を０．７０，０．６３，０．５６（ｍｍ）に設定した３種類の配線基板５００と、Ｐ＝１．２７（ｍｍ）、Ｄ３＝０．８９（ｍｍ）に設定した線基板５００との計４種類の配線基板５００を用意した。この計４種類の配線基板５００と中継基板１０との接続体６００についても、同様にランド５２０間での短絡を調査した。全体のランド数に対する短絡したランド数の比率を短絡発生率として、この調査結果を図３の表に示す。
【００３１】
図３の結果より、従来の配線基板５００と中継基板１０との接続体６００では、ランド５２０の中心軸間隔Ｐが１．２７ｍｍ，１．００ｍｍのいずれの場合でもランド５２０間で短絡が発生した。特に、ランド５２０の中心軸間隔Ｐを１．００ｍｍとした場合に顕著に発生することがわかる。さらに、ランド５２０の中心軸間隔Ｐを１．００ｍｍとした場合でも、ランドの外径Ｄ３が小さくなるほど、短絡の発生が顕著になることがわかる。これは、ランド５２０の外径Ｄ３が小さくなるほど、ランド５２０の周囲に溢れる共晶ハンダ１５の量が多くなり、多量の溢れた共晶ハンダ１５が基板本体５１０の裏面５１０ｃに拡がるからであると考えられる。
【００３２】
これに対し、図２に示すような、本実施形態の配線基板１００と中継基板１０との接続体２００では、ランド１２０の中心軸間隔Ｐを１．２７ｍｍとした場合は、いずれの接続体２００についてもランド１２０間での短絡の発生はなかった。さらに、Ｐ＝１．００ｍｍとした場合でも、ほとんどの接続体２００についてランド１２０間での短絡の発生はなかった。唯一、露出部１２５の外径Ｄ１＝０．５６ｍｍ、高位部１２２の外径Ｄ２がＤ１の７０％、つまり、Ｄ２＝０．３９ｍｍに設定したときにのみ、ランド１２０間での短絡が発生した。しかし、このときの短絡発生率は１０％であり、従来の接続体６００での発生率８５％に比して極めて低い発生率となっている。
【００３３】
さらに詳細に検討すると、露出部１２５の外径Ｄ１を０．６０ｍｍ以上、具体的には０．８９，０．７０，０，６３（ｍｍ）とし、さらに、高位部１２２の外径Ｄ２をＤ１の７０％以下、具体的には７０，５０，４０，２５（％）に設定したときには、ランド１２０間での短絡の発生はなかった。つまり、露出部１２５の外径Ｄ１を０．６０ｍｍ以上に設定したときには、高位部１２２の外径Ｄ２をＤ１の７０％以下、従って、円環状の低位部１２１の表面１２１ｂの面積が、平面視した露出部１２５の面積、つまり露出部１２５の外径Ｄ１を直径とする円の面積の５０％以上となるようにすれば、ランド１２０間で短絡は発生しないといえる。従って、低位部１２１の表面１２１ｂの面積を上記のように大きくすることで、十分な大きさのハンダ溜まりスペースＳを確保できたといえる。
【００３４】
さらに、露出部１２５の外径Ｄ１を０．４０ｍｍ以上０．６０ｍｍ未満、具体的には０．５６ｍｍとし、さらに、高位部１２２の外径Ｄ２をＤ１の５０％以下、具体的には５０，４０，２５（％）に設定したときには、ランド１２０間での短絡の発生はなかった。つまり、露出部１２５の外径Ｄ１を０．４０ｍｍ以上０．６０ｍｍ未満に設定したときには、高位部１２２の外径Ｄ２をＤ１の５０％以下、従って、円環状の低位部１２１の表面１２１ｂの面積が、平面視した露出部１２５の面積、つまり露出部１２５の外径Ｄ１を直径とする円の面積の７５％以上となるようにすれば、ランド１２０間で短絡は発生しないといえる。ゆえに、露出部１２５の外径が小さい配線基板でも、低位部１２１の表面１２１ｂの面積を上記のように大きくすることで、十分な大きさのハンダ溜まりスペースＳを確保できたといえる。このようなランドの形状は、近年の配線基板の小型化の要求に伴い、隣り合うランド同士の中心軸間隔を短くしなければならない関係上、ランドの直径を小さくしなければならない場合に有効となる。
【００３５】
このときの接続体２００の様子について、図２を参照しつつ説明する。前述したように、セラミック製の中継基板１０は、焼成時に生じた変形（反り）によってセラミック製の中継基板本体１１の第１面１１ｂに凹凸を有している。また、配線基板１００は、層間に形成された図示しない配線層等によって段差が生じるため、基板本体１１０の裏面１１０ｃに凹凸を有している。このため、配線基板１００と中継基板１０とを接続する場合、図２に示すように、ランド１２０と第１端子１２との距離が一定にならない。このため、特に、両者の距離が極めて短くなっている接近部Ｃ１，Ｃ２では、多量の融解した共晶ハンダ１５が高位部１２２の表面１２２ｂ上から溢れてしまう。
【００３６】
ところが、低位部１２１及び高位部１２２の寸法関係を上記のように設定したことで、十分な大きさのハンダ溜まりスペースＳを確保できたので、接近部Ｃ１，Ｃ２においても共晶ハンダ１５が低位部１２１の表面１２１ｂから周囲に溢れることがなく、配線基板１００の裏面１１０ｃ上に融解した共晶ハンダ１５が拡がることはなかった。従って、ランド１２０間での短絡の発生を防止することができたといえる。
【００３７】
このような本実施形態の配線基板１００、及び配線基板１００と中継基板１０との接続体２００は、次のようにして製造する。
配線基板１００については、次のようにして製造する。まず、所定寸法のアルミナセラミックグリーンシートを複数用意し、これらの所定の位置に貫通孔を穿孔し、タングステンを主成分とするメタライズインクを充填する。さらに、スクリーン印刷により、タングステンを主成分とするメタライズインクを所定パターンで塗布し、乾燥する。このとき、裏面１１０ｃを構成するセラミックグリーンシートには、中心軸間隔Ｐで格子状に低位部１２１と外径Ｄ２の高位部１２２とからなる外径Ｄ１の露出部１２５（ランド１２０）を形成する。その後、これらを所定順序で積層し、圧着後、焼成してセラミック製の配線基板１００を完成させる。
【００３８】
中継基板１０については、所定寸法のアルミナセラミックグリーンシートを用意し、配線基板１００のランド１２０と対応する位置に貫通孔を穿孔する。その後、これを焼成し、貫通孔１４を有するセラミック製の中継基板本体１１を形成する。次いで、専用治具を用いて、複数の高融点ハンダボール（Ｐｂ９０％、Ｓｎ１０％）を第２面１１ｃ上に載置・溶融し、貫通孔１４から突出したコラム１６を形成する。さらに、コラム１６の第１面１１ｂ側の第１端子１２上に、共晶ハンダ（Ｐｂ３７％、Ｓｎ６３％）１５を形成し、セラミック製の中継基板１０を完成させる。
しかる後、配線基板１００のランド１２０と中継基板１０の第１端子１２及び共晶ハンダ１５との位置を合わせ、共晶ハンダ１５を融解してランド１２０と第１端子１２とを接続し、接続体２００を完成させる。
【００３９】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、実施形態では、配線基板１００について、図１に示すように、裏面１１０ｃ上に形成したランド１２０がそのまま露出しているが、図４に示すセラミック製の配線基板３００のように、ランド１２０を補強するために、ランド１２０の周縁をアルミナからなるオーバーコート層３３０によって被覆しても良い。但し、この場合、ランド１２０のうちオーバーコート層３３０より露出している外径Ｄ１の部分を露出部３２０とし（図中点線で示した部分）、この露出部３２０のうち、外径Ｄ２の円柱状の部分を高位部３２２、この高位部３２２を取り囲む円環状の部分を低位部３２１とする。従って、この配線基板３００においても、実施形態と同等のハンダ溜まりスペースＳを確保できる。
【００４０】
また、実施形態では、露出部１２５と高位部１２２とを同軸に形成しているが、同軸に形成する必要はない。非同軸に形成した場合でも、露出部１２５の外径Ｄ１と高位部１２２の外径Ｄ２とを実施形態と同様な寸法関係で形成すれば、同等の効果を得ることができる。また、露出部１２５及び高位部１２２の形状を共に平面視円形状としているが、この形状に限定する必要はない。例えば、平面視四角形状と円形状等、様々な形状の組合わせとしても良い。
また、実施形態では、低位部１２１の表面１２１ｂからの高位部１２２の高さＴ２を１２μｍとしているが、５≦Ｔ２≦３０の関係を満たすようにすれば良い。
【００４１】
また、実施形態では、隣り合うランド１２０の中心軸間隔Ｐを１．００ｍｍ、または１．２７ｍｍとしたが、これらの数値に限定されず、任意に設定することができる。なお、本発明は、０．５０≦Ｐ＜１．２７の範囲で設定した場合に特に有効となる。
また、実施形態では、基板本体及び中継基板本体の材質をセラミックとしたが、樹脂等としても良い。なお、セラミックとしては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライト等が挙げられる。さらに、本発明では、比較的低温で焼成できるガラスセラミック、結晶化ガラス等の低温焼成材料も含む。また、樹脂としては、エポキシ、ＢＴ、ポリイミド等が挙げられ、さらに、これらの樹脂とガラス繊維を複合化したもの等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態にかかる配線基板１００の側面拡大図である。
【図２】実施形態にかかる配線基板１００と中継基板１０との接続体２００の部分断面拡大図である。
【図３】実施形態にかかる配線基板１００のショート不良発生結果を示す表である。
【図４】他の配線基板３００の部分断面拡大図である。
【図５】従来の配線基板５００の側面拡大図である。
【図６】従来の配線基板５００と中継基板１０との接続体６００の部分断面拡大図である。
【符号の説明】
１００，３００，５００　配線基板
１１０，５１０　基板本体
１１０ｃ，５１０ｃ　裏面
１２０，５２０　ランド
１２１，３２１　低位部
１２１ｂ　低位部の表面
１２２，３２２　高位部
１２５，３２０　露出部
２００，６００　接続体
Ｄ１　露出部の外径
Ｄ２　高位部の外径
Ｐ　隣り合うランドの中心軸間隔
Ｓ　ハンダ溜まりスペース
Ｔ２　低位部の表面より突出する高位部の高さ
１０　中継基板
１１ｂ　第１面
１５　共晶ハンダ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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