(57)【要約】【課題】固体撮像素子チップ構成上・製造上の種々の制約にとらわれず、固体撮像装置の製造に当たり工程数を多くしないで簡単に転送速度、転送効率を向上する。【解決手段】入射光信号を信号電荷に変換する複数のフォトセンサから成る光電変換部と、信号電荷を取り込み転送するＣＣＤ転送部と、ＣＣＤ転送部から転送された電荷を画像信号に変換して出力する出力アンプ部とを少なくとも備えた固体撮像素子チップをパッケージ内に収容した固体撮像装置において、ＣＣＤ転送部の電荷転送方向に平行な直流電界を発生する電極をパッケージに設け、ＣＣＤ転送部の電荷転送方向に平行な直流電界を固体撮像素子チップ外部から印加して、この電界によりキャリアを加速し、転送速度を改善する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光信号を信号電荷に変換する複数のフォトセンサから成る光電変換部と、信号電荷を取り込み転送するＣＣＤ転送部と、ＣＣＤ転送部から転送された電荷を画像信号に変換して出力する出力アンプ部とを少なくとも備えた固体撮像素子チップをパッケージ内に収容した固体撮像装置において、ＣＣＤ転送部の電荷転送方向に平行な直流電界を前記固体撮像素子チップ外部から前記ＣＣＤ転送部に印加する手段を備えたことを特徴とした固体撮像装置。
【請求項２】
パッケージ内に収容した固体撮像素子チップのＣＣＤ転送部の転送方向に平行な直流電界を発生する電極をパッケージに設けたことを特徴とした請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
固体撮像素子チップを収容したパッケージ収容室の内壁に互いに対向した一対の電極を設けたことを特徴とした請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
入射光信号を信号電荷に変換する複数のフォトセンサから成る光電変換部と、信号電荷を取り込み転送するＣＣＤ転送部と、ＣＣＤ転送部から転送された電荷を画像信号に変換して出力する出力アンプ部とを少なくとも備えた固体撮像素子チップをパッケージ内に収容した固体撮像装置において、ＣＣＤ転送部の転送電極間に電位差ΔＶを発生せしめ、転送電極の電位が転送方向に単調に増加する手段を前記固体撮像素子チップに備えたことを特徴とした固体撮像装置。
【請求項５】
抵抗性の配線で転送電極を接続し、この抵抗成分による電圧降下により隣接転送電極間に電位差ΔＶを発生せしめることを特徴とした請求項４記載の固体撮像装置。
【請求項６】
入射光信号を信号電荷に変換する複数のフォトセンサから成る光電変換部と、信号電荷を取り込み転送するＣＣＤ転送部と、ＣＣＤ転送部から転送された電荷を画像信号に変換して出力する出力アンプ部とを少なくとも備えた固体撮像素子チップをパッケージ内に収容した固体撮像装置において、ＣＣＤ転送部の転送電極間に電位差ΔＶを発生せしめ、転送電極の電位が転送方向に単調に増加する手段を前記固体撮像素子チップに備え、且つ、前記ＣＣＤ転送部の電荷転送方向に平行な直流電界を前記固体撮像素子チップ外部から前記ＣＣＤ転送部に印加する手段を備えたことを特徴とした固体撮像装置。
【請求項７】
固体撮像素子チップを収容する収容室を有するパッケージ筐体と、パッケージ筐体上部開放部を密閉する透明な蓋と、固体撮像素子チップに電気的に接続される複数のリードとを有し、前記収容室の互いに対向した壁面にそれぞれ電極を備え、且つ、前記電極が、前記電極間に収容される固体撮像素子チップのＣＣＤ転送部の電荷転送方向に平行に電界を発生するように配置されたことを特徴とする固体撮像装置用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光情報入力を画像信号として取り出す固体撮像装置及び固体撮像装置に用いるパッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般的な固体撮像装置の模式断面図（断面に施すハッチングは図示省略）を図６に、一般的な固体撮像素子チップの平面図の一例を図７に示す（但し、周辺回路部は図示省略）。図から分かるように、固体撮像装置は、パッケージ筐体１１とパッケージ筐体上部開放部を密閉したガラス蓋１２とを有するパッケージの収容室１４内に固体撮像素子チップ２０を固着・収容し、パッケージ筐体側壁から突出しているリード１３と固体撮像素子チップ２０を電気的に接続した構成である。
【０００３】
固体撮像素子チップは、図７に示すように、マトリックス状に配置された複数のフォトセンサ２１から成る光電変換部と、フォトセンサ２１の各列に対応してそれぞれ配置された複数の垂直ＣＣＤ転送部２４と、垂直ＣＣＤ転送部２４の出力端に配置された水平ＣＣＤ転送部２５と、水平ＣＣＤ転送部２５の出力端に配置された出力アンプ部２３とを備えている。各フォトセンサ２１は入力光をその光量に応じた電荷量の信号電荷に変換する。フォトセンサ２１によって得られた信号電荷は対応する垂直ＣＣＤ転送部２４によって読み出され、さらに、水平ＣＣＤ転送部２５を経て出力アンプ部２３に転送されて、出力アンプ部２３で画像信号に変換され、出力信号として取り出される。
【０００４】
水平ＣＣＤ転送部２５は、図８に示す断面図（図７のＡＡ断面を示す。なお、断面に施すハッチングは図示省略）のように、転送電極１がオーバーラップ電極構造、所謂、２層電極構造になっていて、隣接する電極の一部が重なり合い、上層電極、所謂、バリアゲート電極１ａと下層電極、所謂、蓄積ゲート電極１ｂが交互に転送方向に沿って配置されている。転送電極下の半導体層（例えば、図８ではｎ型半導体層）は転送チャネル２を形成しており、上層電極直下の転送チャネル領域に、転送チャネルを構成する半導体層よりも不純物濃度の低い領域（ｎ−型領域２ａ）が形成され、転送チャネル内にポテンシャル勾配を与えて電荷転送に方向性を持たせる構造になっている。
【０００５】
この、図８の水平ＣＣＤ転送部２５においては、バリアゲート電極１ａと蓄積ゲート電極１ｂを一組として、隣接する組毎に逆相となる２相の転送信号（クロックφ１、φ２）を印加することにより、垂直ＣＣＤ転送部２４から取り込んだ電荷を出力アンプ部２３に転送する。この時、効率よく高速で電荷を転送することが要求されている。このため、例えば特許文献１においては、図９の断面図に示すように、バリアゲート電極直下の転送チャネル領域に互いに異なる不純物濃度の低濃度領域（転送チャネルを構成する半導体層よりも不純物濃度の低い領域）、ｎ−型領域２ａと、ｎ−−型領域２ｂを形成し、実効的な電極長を短縮して電荷転送速度を向上している。
【０００６】
また、クロック周波数を高くすることで転送速度を大きくすることも出来る。しかし、図１０（ｂ）（平面図）のように転送チャネル幅が一定の従来の一般的な固体撮像素子チップの場合（分かりやすくするため、転送チャネルにはハッチングを施している）、クロック周波数を高くすると転送効率が劣化するので、特許文献２においては、図１０（ａ）（平面図）に示すように、転送チャネル２（図中、ハッチングを施した部分）の幅を転送電極毎に電荷転送方向に沿って末広がりにして、転送効率の低下を招くことなく、高いクロック周波数で駆動できる構造とし、転送速度の向上を図っている。
【０００７】
【特許文献１】
特公平７−９９８２（図１）
【特許文献２】
特開平５−２６６６８８（図１）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、ＣＣＤ転送部は、転送電極に高い電圧を印加すると転送電極間で発生するフリンジング電界が大きくなり、転送速度が速くなる。しかし、固体撮像素子チップの構造上転送電極へ印加できる電圧が制限され、印加電圧の増大で転送速度を大きくすることは現状では限界に達している。
【０００９】
転送部において転送に要する時間は、転送電極長に依存する。このため、画素ピッチの長い固体撮像素子チップは転送電極がピッチに依存して長くなり、転送速度が劣る欠点がある。特許文献１は、実効的に電極長を短縮してこの欠点を解消している。しかし、電極長短縮には製造技術上限界があり、極端に短い電極長の転送電極を形成するのは困難である。このため電極長を短縮して転送速度を向上するには限度がある。また、特許文献１の構造では不純物導入工程が増加するなど製造工程数が多く製造コストがかさむ欠点もある。
【００１０】
転送速度向上のために高いクロック周波数を用いる場合は、転送効率とのかねあいや、周辺回路上の制約等でむやみに高いクロック周波数を使用できず、転送速度向上に限界がある。特許文献２の如く、転送チャネルの形状を工夫して、高いクロック周波数で駆動しても転送効率を落とさない構造にするには製造工程が複雑になり、製造コストがかさむ欠点がある。
【００１１】
本発明は、上記の点に鑑み、種々の制約にとらわれず、固体撮像装置の製造に当たり工程数を多くしないで簡単に転送速度を向上することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の固体撮像装置は、入射光信号を信号電荷に変換する複数のフォトセンサから成る光電変換部と、信号電荷を取り込み転送するＣＣＤ転送部と、ＣＣＤ転送部から転送された電荷を画像信号に変換して出力する出力アンプ部とを少なくとも備えた固体撮像素子チップをパッケージ内に収容した固体撮像装置において、ＣＣＤ転送部の電荷転送方向に平行な直流電界を前記固体撮像素子チップ外部から前記ＣＣＤ転送部に印加する手段を備えたことを特徴とした構成である。
【００１３】
前記固体撮像素子チップ外部から前記ＣＣＤ転送部に印加する手段は、具体的には、パッケージ内に収容した固体撮像素子チップのＣＣＤ転送部の転送方向に平行な直流電界を発生する電極をパッケージに設けたことを特徴とした構成になっている。この電極は、パッケージ収容室の内壁面に互いに対向して設けるのが効果的である。
【００１４】
さらに、本発明の固体撮像素子チップは、入射光信号を信号電荷に変換する複数のフォトセンサから成る光電変換部と、信号電荷を取り込み転送するＣＣＤ転送部と、ＣＣＤ転送部から転送された電荷を画像信号に変換して出力する出力アンプ部とを少なくとも備えた固体撮像素子チップをパッケージ内に収容した固体撮像装置において、ＣＣＤ転送部の転送電極間に電位差ΔＶを発生せしめ、転送電極の電位が転送方向に単調に増加する手段を前記固体撮像素子チップに備えたことを特徴とした構成である。
【００１５】
ＣＣＤ転送部の転送電極間に電位差ΔＶを発生せしめる具体的手段は、抵抗性の配線で転送電極を接続し、この抵抗成分による電圧降下により隣接転送電極間に電位差ΔＶを発生せしめるのが実用的である。また、ＣＣＤ転送部の転送電極間に電位差ΔＶを発生せしめ、転送電極の電位が転送方向に単調に増加する手段を備えた前記固体撮像素子チップを、ＣＣＤ転送部の転送方向に平行な直流電界を発生する電極を設けたパッケージに収容した構成としてもよい。この場合、転送電極間の電位差による効果と、外部印加電界による効果が相乗されてさらに高速に転送することが可能になる。
【００１６】
尚、本発明の固体撮像装置に用いる固体撮像素子チップは、例えば、入射光信号を信号電荷に変換するフォトセンサが一列または二列にライン状に配列された光電変換部と、フォトセンサ列の片側或いは両側に配置されてフォトセンサによって得られた信号電荷を読み出すＣＣＤ転送部と、ＣＣＤ転送部から転送された電荷を画像信号に変換して出力する出力アンプ部とを少なくとも備えた構成（リニアセンサ）、或いは、フォトセンサが一列または二列にライン状に配列された光電変換部と、フォトセンサ列の片側或いは両側に配置されてフォトセンサによって得られた信号電荷を読み出すＣＣＤ転送部の組み合わせたものを複数列配列した構成のリニアセンサ、さらには、マトリックス状に配置され、入射光信号を信号電荷に変換する複数のフォトセンサを有する光電変換部と、前記フォトセンサの各列に対応してそれぞれ配置され、前記フォトセンサによって得られた信号電荷を読み出す複数の垂直ＣＣＤ転送部と、前記垂直ＣＣＤ転送部の出力端に配置され、前記垂直ＣＣＤ転送部からの電荷を取り込む水平ＣＣＤ転送部と、前記水平ＣＣＤ転送部の出力端に配置され、前記水平ＣＣＤ転送部から転送された電荷を画像信号に変換して出力する出力アンプ部とを少なくとも備えた構成等のものが利用できる。
【００１７】
本発明の固体撮像装置に用いるパッケージは、固体撮像素子チップを収容する収容室を有するパッケージ筐体と、パッケージ筐体上部開放部を密閉する透明な蓋と、固体撮像素子チップに電気的に接続される複数のリードとを有し、前記収容室の互いに対向した壁面にそれぞれ電極を備え、且つ、前記電極が、前記電極間に収容される固体撮像素子チップのＣＣＤ転送部の電荷転送方向に平行に電界を発生するように配置されたことを特徴とする構成である。
【００１８】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
図１に本発明の固体撮像装置の模式断面図（断面を示すハッチングは図示省略。尚、分かりやすくするため固体撮像素子チップと電極にハッチングを施した。）を示す。図に示すように、本発明の固体撮像装置は、パッケージの収容室１４内に固体撮像素子チップ２０を固着・収容し、パッケージ筐体側壁から突出しているリード１３と固体撮像素子チップ２０を電気的に接続した構成になっている。
【００２０】
固体撮像素子チップ２０は、図２（ａ）に示すように、入力光をその光量に応じた電荷量の信号電荷に変換するフォトセンサ２１が一列に配置されたリニア型の固体撮像素子チップ（別名リニアセンサとも云う）を用いた。則ち、この実施形態の固体撮像素子チップ２０は、一列に配置された複数のフォトセンサ２１と、フォトセンサ２１に隣接して配置されたＣＣＤ転送部２２と、ＣＣＤ転送部２２の出力端に配置された出力アンプ部２３とを備えたている。なお、フォトセンサ、ＣＣＤ転送部、出力アンプ部等を駆動するための周辺回路部は図示省略。
【００２１】
固体撮像素子チップは、図２（ａ）に示すものに限らず、図２（ｂ）に示すように、フォトセンサ２１の両側にＣＣＤ転送部２２ａ、２２ｂを備え、一方のＣＣＤ転送部２２ａは奇数番目のフォトセンサからの信号電荷を転送し、他方のＣＣＤ転送部２２ｂは偶数番目のフォトセンサからの信号電荷を転送する構造の固体撮像素子チップ、或いは、図２（ｃ）に示すように、フォトセンサ２１を２列に配置し、各フォトセンサ列２１ａ、２１ｂに対応してＣＣＤ転送部２２ａ、２２ｂを設けた構造を有する固体撮像素子チップでもよい。さらに、図２（ａ）を複数列備えたもの、或いは、図２（ｂ）や図２（ｃ）をそれぞれ複数列備えたものを用いてもよい。図中、２３ａ、２３ｂは各ＣＣＤ転送部２２ａ、２２ｂからの転送電荷を画像信号に変換して出力する出力アンプ部である。なお、図２（ｃ）のように、フォトセンサを２列に配置する場合、フォトセンサを１／２画素ずらして擬似的に解像度を上げる配置としてもよい。
【００２２】
ＣＣＤ転送部２２は、先に説明した従来例と同様の構造で、図８（図７のＡＡ断面を示す。なお、断面を示すハッチングは図示省略）に示す構造になっている。則ち、転送電極１は、隣接する電極の一部が重なり合い、上層のバリアゲート電極１ａと下層の蓄積ゲート電極１ｂが交互に転送方向に沿って配置されているオーバーラップ電極構造になっていて、１次元に６０００個程度〜数万個並び、電極対一つ置きに位相が１８０度異なる転送信号φ１、φ２が交互にされる構造である。転送電極下の半導体層（例えば、図８ではｎ型半導体層）は転送チャネル２を形成しており、バリアゲート電極１ａ直下の転送チャネル領域に、転送チャネルを構成する半導体層よりも不純物濃度の低い領域（ｎ−型領域２ａ）が形成され、転送チャネル内にポテンシャル勾配を与えて電荷転送に方向性を持たせる構造になっている。
【００２３】
パッケージは、図１に示すように、固体撮像素子チップ２０を収容する収容室１４を有するパッケージ筐体１１とパッケージ筐体上部開放部を密閉したガラス蓋１２と複数のリード１３とを有している。さらに、収容室１４の互いに対向した内壁面にはリード１３に接続した電極１５ａ、１５ｂを備え、電極１５ａと電極１５ｂとの間に固体撮像素子チップ２０が収容される構造になっている。
【００２４】
パッケージ筐体１１は、電極１５ａ、１５ｂで形成される電界がＣＣＤ転送部の転送方向に平行になるように、電極１５ａ、１５ｂの位置・極性、固体撮像素子チップ設置の向きや位置が分かるように目印（通常用いられている目印でよい）が設けてある。
【００２５】
電極１５ａ、１５ｂは、収容室１４に収容された固体撮像素子チップのＣＣＤ転送部の電荷転送方向（図中、矢印Ａ方向）に平行に電界を発生するように配置され、この電極１５ａ、１５ｂの間に発生する直流電界が、固体撮像素子チップのＣＣＤ転送部の電荷転送方向に平行なアシスト電界Ｅを形成する。このアシスト電界により転送チャネル内のキャリアは転送方向に加速される。なお、電極１５ａ、１５ｂに電圧を印加する回路は、固体撮像素子チップの駆動回路とは独立に固体撮像素子チップ外部、例えば、固体撮像装置を実装する回路基板上、に設ける。または、例えば、電極１５ａ、１５ｂに印加する回路を設けた回路チップを固体撮像素子チップと一緒にパッケージ内に収容してもよい。
【００２６】
本実施形態の固体撮像装置は、バリアゲート電極１ａと蓄積ゲート電極１ｂを一組として、隣接する組毎に逆相となる２相の転送信号φ１、φ２を交互に印加すると共に、パッケージに設けた電極１５ａ、１５ｂに直流電圧を印加する。このため、図３（ａ）に示すように、キャリアに対する転送チャネル内の電位ポテンシャルＰは、パッケージに設けた電極１５ａ、１５ｂにより発生した直流アシスト電界Ｅによりポテンシャル勾配が発生する。このポテンシャル勾配によりキャリアは加速され、従来よりも高速で転送される。この結果、本実施形態の固体撮像装置は、固体撮像素子チップの構造上転送電極へ印加できる電圧が制限されていても、従来よりも高速で転送することができる。なお、図３は、ＣＣＤ転送部の転送チャネル内におけるキャリアに対する電位ポテンシャルＰを転送電極（バリアゲート電極１ａ、蓄積ゲート電極１ｂ）と共に示した図で、（ａ）は、本実施形態のポテンシャルの様子、（ｂ）は、固体撮像素子チップ外部からのアシスト電界Ｅが無い場合の従来のポテンシャルの様子を示している。
【００２７】
上記実施形態では収容室内壁面に電極１５ａ、１５ｂを設けたが、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、パッケージ筐体壁内（図４（ａ））、或いは、パッケージ筐体外壁（図４（ｂ））、さらには、パッケージから離してパッケージの外部（例えば、固体撮像装置実装基板上）にパッケージを挾んで設けてもよい。しかし、電極間隔が狭い方が効率がよいので、収容室内壁面に設けるのが好ましい。
【００２８】
（実施形態２）
本実施の形態は、固体撮像素子チップの外部からアシスト電界を印加するのではなく、固体撮像素子チップにキャリアの転送速度を改善する手段を設けた例である。
【００２９】
本実施形態の固体撮像装置は、パッケージの収容室１４内に固体撮像素子チップ２０を固着・収容し、パッケージ筐体側壁から突出しているリード１３と固体撮像素子チップ２０を電気的に接続してリニア型固体撮像素子チップをパッケージに収容した構成になっているのは実施形態１と同じである。但し、パッケージは固体撮像素子チップ外部から固体撮像素子チップにアシスト電界を印加する電極１５ａ、１５ｂが無い従来構造のパッケージ（例えば、図６に示したパッケージ）である。
【００３０】
本実施形態の固体撮像装置に用いた固体撮像素子チップは、そのＣＣＤ転送部を図５に示すように、ＣＣＤ転送部のバリアゲート電極間に電位差ΔＶが発生し、転送電極の電位が転送方向に単調に増加する構造になっている。具体的には、ＣＣＤ転送部の配線３０を抵抗性の多結晶Ｓｉで構成し、転送電極間を抵抗を介して接続した構成と実効的に同様の構成とした。なお、図５中、転送電極間を抵抗で接続したように描いているが、実際に抵抗で接続したのではなく、配線に抵抗があることを象徴的に示すために抵抗を描いている。また、ＣＣＤ転送部は転送電極部分のみで、その下の転送チャネル部分は図示省略した。
【００３１】
上記の構成の本実施形態の固体撮像装置は、バリアゲート電極１ａと蓄積ゲート電極１ｂを一組として、隣接する組毎に逆相となる２相のクロック信号φ１、φ２（交流成分）に直流成分を重畳した転送信号を抵抗成分を有する配線３０に印加する。このとき、抵抗成分により電圧降下が生じ、隣接転送電極間に電位差ΔＶが発生する。この電位差により形成される電界によりキャリアが加速され転送速度が向上する。
【００３２】
本実施形態で用いた固体撮像素子チップを実施形態１で用いたパッケージに収容した構成にしてもよい。この場合、本実施形態の効果に加えて実施形態１の効果も加わり、さらに高速に転送することが可能となる。
【００３３】
上記、何れの実施形態においても固体撮像素子チップは、フォトセンサが一列または二列に配置されたリニア型のものを用いたが、図７に示す構造のもの、則ち、フォトセンサがマトリクス状に配置されたものを用いてもよい。フォトセンサがマトリクス状に配置された固体撮像素子チップを用いた場合、垂直ＣＣＤ転送部と水平ＣＣＤ転送部の各々の転送方向に直流アシスト電界が発生するように転送タイミングに合わせてアシスト電界の方向をＸ方向（水平方向）とＹ方向（垂直方向）にスイッチングするようにスイッチング回路を固体撮像素子チップの駆動回路とは独立に設ける必要がある。また、水平、垂直ＣＣＤ転送部の何れかの転送方向にアシスト電界を発生するようにしてもよい。さらに、ＣＣＤ転送部の構造を従来例で示した図９、図１０のように構成してもよい。この場合、図９、図１０で得られる効果に加えて、固体撮像素子チップ外部から印加されるアシスト電界の効果が重畳されるので、さらに高速に転送することが可能となる。
【００３４】
【発明の効果】
本発明は、固体撮像素子チップの外部から固体撮像素子チップのＣＣＤ転送部に電界を印加する構成、或いは、固体撮像素子チップのＣＣＤ転送部のバリアゲート電極間に電位差が発生する構造とし、この電位差によりキャリアを加速する構成としたので、固体撮像装置の構造上の種々の制約（例えば、転送電極に印加できる電圧、クロック周波数、固体撮像素子チップを構成する個々の半導体素子の形状や大きさ、配置等）にとらわれず、且つ、固体撮像装置の製造に当たり工程数を多くしないで簡単に転送速度を向上することが可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の固体撮像装置の断面図。
【図２】実施形態で用いた固体撮像素子チップの一例を示す平面図。
【図３】転送チャネルにおけるポテンシャルの様子を示す図で、（ａ）は実施形態１におけるポテンシャルを示す図、（ｂ）は従来のポテンシャルを示す図。
【図４】本発明の一実施形態の固体撮像装置の断面図。
【図５】本発明の第２の実施形態を示す図。
【図６】従来の固体撮像装置を示す断面図。
【図７】フォトセンサをマトリクス状に配置した固体撮像素子チップの一例を示す平面図。
【図８】固体撮像素子チップのＣＣＤ転送部の断面図。
【図９】特許文献１における固体撮像素子チップのＣＣＤ転送部の断面図。
【図１０】特許文献２における固体撮像素子チップのＣＣＤ転送部の平面図。
【符号の説明】
１    転送電極
１ａ    バリアゲート電極
１ｂ    蓄積ゲ−ト電極
２    転送チャネル
２ａ    ｎ−型領域
２ｂ    ｎ−−型領域
１１    パッケージ筐体
１２    ガラス蓋
１３    リード
１４    収容室
１５ａ    電極
１５ｂ    電極
２０    固体撮像素子チップ
２１    フォトセンサ
２１ａ    フォトセンサ列
２１ｂ    フォトセンサ列
２２    ＣＣＤ転送部
２２ａ    ＣＣＤ転送部
２２ｂ    ＣＣＤ転送部
２３    出力アンプ部
２３ａ    出力アンプ部
２３ｂ    出力アンプ部
２４    垂直ＣＣＤ転送部
２５    水平ＣＣＤ転送部
３０    配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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