(57)【要約】【課題】キャパシタ下部電極の尖状部に起因する漏れ電流や電極間の電気的ショートの発生、及び、残渣に起因するキャパシタ誘電体膜の結晶性の低下を回避し得る、キャパシタを有する半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】低温プラズマ酸化法によってルテニウム膜７の表面を酸化することにより、ルテニウム酸化膜９を形成する。残渣５１の一部がルテニウム膜７の表面上に残留している場合であっても、蒸気圧の高いＲｕＯ４を多く含むルテニウム酸化膜９を形成することによって、残留している残渣５１がリフトオフされて消失する。また、低温プラズマ酸化法は、横方向に関する酸化速度よりも縦方向に関する酸化速度の方が大きい異方性を有する。従って、ルテニウム膜７の側壁部分の上端が縦方向に大きく酸化されて丸みを帯び、その結果、尖状部５０が消失する。【選択図】        図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板上に形成された絶縁膜の主面内に凹部を形成する工程と、
（ｂ）前記凹部の側面及び底面上に、キャパシタ下部電極を形成する工程と、
（ｃ）前記凹部の開口面の面内方向に関する酸化速度よりも前記凹部の深さ方向に関する酸化速度の方が大きい酸化法によって、前記キャパシタ下部電極の表面を酸化することにより、酸化膜を形成する工程と、
（ｄ）前記工程（ｃ）よりも後に実行され、キャパシタ誘電体膜を挟んで前記キャパシタ下部電極に対向するキャパシタ上部電極を形成する工程と
を備える、キャパシタを有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記工程（ｂ）は、
（ｂ−１）前記凹部の前記側面及び底面上並びに前記絶縁膜の前記主面上に、金属膜を形成する工程と、
（ｂ−２）前記金属膜が形成された前記凹部内を、有機系材料によって充填する工程と、
（ｂ−３）前記工程（ｂ−２）よりも後に実行され、前記絶縁膜の前記主面上に形成されている部分の前記金属膜を除去する工程と
を有し、
前記キャパシタを有する半導体装置の製造方法は、
（ｅ）前記工程（ｄ）よりも前に実行され、前記酸化膜を還元する工程と、
（ｆ）前記工程（ｅ）よりも後に実行され、前記キャパシタ下部電極上に残留している残渣を除去する工程と
をさらに備える、請求項１に記載のキャパシタを有する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記工程（ｂ）は、
（ｂ−１）前記凹部の前記側面及び底面上並びに前記絶縁膜の前記主面上に、金属膜を形成する工程と、
（ｂ−２）前記金属膜が形成された前記凹部内を、有機系材料によって充填する工程と、
（ｂ−３）前記工程（ｂ−２）よりも後に実行され、前記絶縁膜の前記主面上に形成されている部分の前記金属膜を除去する工程と
を有し、
前記工程（ｃ）において、前記酸化膜は、低温プラズマ酸化法によって形成される、請求項１に記載のキャパシタを有する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記工程（ｂ）は、
（ｂ−１）前記凹部の前記側面及び底面上並びに前記絶縁膜の前記主面上に、金属膜を形成する工程と、
（ｂ−２）前記金属膜が形成された前記凹部内を、無機系材料によって充填する工程と、
（ｂ−３）前記工程（ｂ−２）よりも後に実行され、前記絶縁膜の前記主面上に形成されている部分の前記金属膜を除去する工程と
を有する、請求項１に記載のキャパシタを有する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
（ａ）基板上に形成された絶縁膜の主面内に凹部を形成する工程と、
（ｂ）前記凹部の側面及び底面上並びに前記絶縁膜の前記主面上に、金属膜を形成する工程と、
（ｃ）前記金属膜が形成された前記凹部内を、有機系材料によって充填する工程と、
（ｄ）前記工程（ｃ）よりも後に実行され、前記絶縁膜の前記主面上に形成されている部分の前記金属膜を除去することにより、キャパシタ下部電極を形成する工程と、
（ｅ）低温プラズマ酸化法によって、前記キャパシタ下部電極の表面を酸化することにより、酸化膜を形成する工程と、
（ｆ）キャパシタ誘電体膜を挟んで前記キャパシタ下部電極に対向するキャパシタ上部電極を形成する工程と
を備える、キャパシタを有する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
（ａ）基板上に形成された絶縁膜の主面内に凹部を形成する工程と、
（ｂ）前記凹部の側面及び底面上並びに前記絶縁膜の前記主面上に、白金族に属する金属膜を形成する工程と、
（ｃ）前記金属膜が形成された前記凹部内を、無機系材料によって充填する工程と、
（ｄ）前記工程（ｃ）よりも後に実行され、前記絶縁膜の前記主面上に形成されている部分の前記金属膜を除去することにより、キャパシタ下部電極を形成する工程と、
（ｅ）キャパシタ誘電体膜を挟んで前記キャパシタ下部電極に対向するキャパシタ上部電極を形成する工程と
を備える、キャパシタを有する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、キャパシタを有するＤＲＡＭ等の半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のキャパシタの製造方法では、（ａ）層間絶縁膜の上面内に凹部を形成する工程と、（ｂ）ルテニウム膜を、工程（ａ）によって得られる構造上に全面的に形成する工程と、（ｃ）ルテニウム膜が形成されている凹部内を、フォトレジスト等の有機系材料によって充填する工程と、（ｄ）層間絶縁膜の上面上に形成されている部分のルテニウム膜をエッチバック法によって除去することにより、キャパシタ下部電極を形成する工程と、（ｅ）ルテニウムの触媒作用により有機系材料が分解されることによって生じた残渣を除去する工程と、（ｆ）キャパシタ誘電体膜として機能するタンタル酸化膜を、工程（ｅ）によって得られる構造上に全面的に形成する工程と、（ｇ）キャパシタ上部電極として機能するルテニウム膜を、工程（ｆ）によって得られる構造上に全面的に形成する工程とが、この順に実行されていた。
【０００３】
なお、キャパシタの製造方法に関する技術は、例えば下記の特許文献１〜４に開示されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−１９８４９８号公報
【特許文献２】
特開２００２−２１７３７５号公報
【特許文献３】
特開２０００−１９６０４２号公報
【特許文献４】
特開２００２−９０４６号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来のキャパシタの製造方法によると、工程（ｄ）においてルテニウム膜をエッチバックすることによって、キャパシタ下部電極の側壁の上端に尖状部が生じる。そして、この尖状部で発生する電界集中に起因して、キャパシタ上部電極とキャパシタ下部電極との間に、キャパシタ誘電体膜を介して漏れ電流が発生するという問題がある。また、製造工程の途中で尖状部が折れ、その折れた尖状部が原因となって、互いに隣接する二つのメモリセル間でキャパシタ下部電極同士が電気的にショートしたり、一つのメモリセル内でキャパシタ上部電極とキャパシタ下部電極とが電気的にショートするという問題もある。
【０００６】
また、従来のキャパシタの製造方法によると、工程（ｅ）における残渣の除去が不完全で、残渣の一部がキャパシタ下部電極の表面上に残留した場合には、その残留した残渣が原因となって、キャパシタ下部電極上に形成されるキャパシタ誘電体膜の結晶性が低下するという問題もある。
【０００７】
本発明は、これらの問題を解決するために成されたものであり、キャパシタ下部電極の尖状部に起因する漏れ電流や電極間の電気的ショートの発生、及び、残渣に起因するキャパシタ誘電体膜の結晶性の低下を回避し得る、キャパシタを有する半導体装置の製造方法を得ることを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
第１の発明によれば、キャパシタを有する半導体装置の製造方法は、（ａ）基板上に形成された絶縁膜の主面内に凹部を形成する工程と、（ｂ）凹部の側面及び底面上に、キャパシタ下部電極を形成する工程と、（ｃ）凹部の開口面の面内方向に関する酸化速度よりも凹部の深さ方向に関する酸化速度の方が大きいプラズマ酸化法によって、キャパシタ下部電極の表面を酸化することにより、酸化膜を形成する工程と、（ｄ）工程（ｃ）よりも後に実行され、キャパシタ誘電体膜を挟んでキャパシタ下部電極に対向するキャパシタ上部電極を形成する工程とを備える。
【０００９】
第２の発明によれば、キャパシタを有する半導体装置の製造方法は、（ａ）基板上に形成された絶縁膜の主面内に凹部を形成する工程と、（ｂ）凹部の側面及び底面上並びに絶縁膜の主面上に、金属膜を形成する工程と、（ｃ）金属膜が形成された凹部内を、有機系材料によって充填する工程と、（ｄ）工程（ｃ）よりも後に実行され、絶縁膜の主面上に形成されている部分の金属膜を除去することにより、キャパシタ下部電極を形成する工程と、（ｅ）低温プラズマ酸化法によって、キャパシタ下部電極の表面を酸化することにより、酸化膜を形成する工程と、（ｆ）キャパシタ誘電体膜を挟んでキャパシタ下部電極に対向するキャパシタ上部電極を形成する工程とを備える。
【００１０】
第３の発明によれば、キャパシタを有する半導体装置の製造方法は、（ａ）基板上に形成された絶縁膜の主面内に凹部を形成する工程と、（ｂ）凹部の側面及び底面上並びに絶縁膜の主面上に、白金族に属する金属膜を形成する工程と、（ｃ）金属膜が形成された凹部内を、無機系材料によって充填する工程と、（ｄ）工程（ｃ）よりも後に実行され、絶縁膜の主面上に形成されている部分の金属膜を除去することにより、キャパシタ下部電極を形成する工程と、（ｅ）キャパシタ誘電体膜を挟んでキャパシタ下部電極に対向するキャパシタ上部電極を形成する工程とを備える。
【００１１】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１〜１２は、本発明の実施の形態１に係るキャパシタの製造方法を工程順に示す断面図である。図１を参照して、まず、シリコン酸化膜１内にコンタクトプラグ２を形成する。シリコン酸化膜１は、層間絶縁膜として機能し、図示しないメモリセルトランジスタ及びビット線を覆って、図示しないシリコン基板上に形成されている。コンタクトプラグ２は、例えばタングステンから成り、メモリセルトランジスタのソース・ドレイン領域に接続されている。
【００１２】
図２を参照して、次に、ＣＶＤ法によって、シリコン窒化膜３を、図１に示した構造上に全面的に形成する。次に、ＣＶＤ法によって、シリコン酸化膜４を、シリコン窒化膜３上に全面的に形成する。シリコン酸化膜４は、層間絶縁膜として機能する。
【００１３】
図３を参照して、次に、写真製版法及び異方性ドライエッチング法によって、シリコン酸化膜４を部分的に除去することにより、凹部５を形成する。シリコン酸化膜４のエッチング工程において、シリコン窒化膜３は、エッチングストッパとして機能する。凹部５は、シリコン酸化膜４によって規定される側面と、シリコン窒化膜３によって規定される底面とを有している。
【００１４】
図４を参照して、次に、凹部５の底面を規定している部分のシリコン窒化膜３を除去することにより、凹部６を形成する。凹部６は、シリコン酸化膜４及びシリコン窒化膜３によって規定される側面と、コンタクトプラグ２及びシリコン酸化膜１によって規定される底面とを有している。
【００１５】
図５を参照して、次に、ＣＶＤ法又はＰＶＤ法によって、４０ｎｍ程度の膜厚を有するルテニウム膜を、図４に示した構造上に全面的に形成する。次に、そのルテニウム膜を熱処理によって結晶化させることにより、ルテニウム膜７を形成する。ルテニウム膜７は、シリコン酸化膜４の上面上と、凹部６の側面及び底面上とに形成されている。
【００１６】
図６を参照して、次に、フォトレジスト又は有機ＳＯＧ等の有機系材料８を、図５に示した構造上に全面的に塗布する。有機系材料８は、ルテニウム膜７が形成された凹部６内を完全に充填して形成されている。また、有機系材料８は、シリコン酸化膜４の上面上に形成されている部分のルテニウム膜７上にも形成されている。
【００１７】
図７を参照して、次に、写真製版法によって、あるいはウェハを高速で回転させることによって、有機系材料８を部分的に除去し、凹部６内のみに有機系材料８を残す。凹部６内に充填された有機系材料８は、後の工程でルテニウム膜７をエッチバックする際に、ルテニウム膜７を保護する役割を果たす。
【００１８】
図８を参照して、次に、ドライエッチバック法によって、シリコン酸化膜４の上面よりも上方に存在している部分のルテニウム膜７を除去する。また、有機系材料８を除去する。これにより、互いに隣接する二つのメモリセル間で、ルテニウム膜７が分離される。図８に示すように、ルテニウム膜７は、凹部６の側面に形成されている部分（以下「側壁部分」と称する）と、凹部６の底面上に形成されている部分（以下「底部」と称する）とを有している。ルテニウム膜７の側壁部分の上端には、尖状部５０が生じている。また、ルテニウムの触媒作用によって有機系材料８が分解されることにより、ルテニウム膜７の表面上には、残渣５１が生じている。
【００１９】
図９を参照して、次に、残渣５１を除去する。有機系材料８がフォトレジストである場合は、シンナー等の有機溶剤、又はＨ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２との混合液を用いて、残渣５１を除去することができる。有機系材料８が有機ＳＯＧである場合は、希フッ酸溶液によって、又はフッ酸の気相反応によって、残渣５１を除去することができる。
【００２０】
図１０を参照して、次に、ウェハの表面温度が２０〜２５０℃（望ましくは４０〜１８０℃）程度の低温プラズマ酸化法により、ルテニウム膜７の表面を酸化することによって、導電性のルテニウム酸化膜９を形成する。
【００２１】
低温での酸化プロセスであるため、蒸気圧の低いＲｕＯ２よりも蒸気圧の高いＲｕＯ４の方が多く生成される。従って、図９に示した工程における残渣５１の除去が不完全で、残渣５１の一部がルテニウム膜７の表面上に残留している場合であっても、蒸気圧の高いＲｕＯ４によって、残留している残渣５１がリフトオフされて消失する。
【００２２】
また、低温プラズマ酸化法は、横方向に関する酸化速度よりも縦方向に関する酸化速度の方が大きい異方性を有する。ここで、「横方向」とは凹部６の開口面の面内方向を意味し、「縦方向」とは凹部６の深さ方向を意味する。従って、図１０に示すように、ルテニウム膜７の側壁部分の上端が縦方向に大きく酸化されて丸みを帯び、その結果、尖状部５０が消失する。また、ルテニウム膜７の側壁部分における横方向の酸化量に比べて、ルテニウム膜７の底部における縦方向の酸化量が十分に大きいため、ルテニウム膜７の底部は、周辺部分から中央部分に向かって徐々に膜厚が薄くなるように、全体的に丸みを帯びる。この形状に起因して、ルテニウム膜７の底部において電界集中が発生することを回避できる。
【００２３】
図１１を参照して、次に、水素が含有されて、１ｍＴｏｒｒ〜７５０Ｔｏｒｒ程度に減圧された雰囲気中で熱処理を行うことにより、ルテニウム酸化膜９を還元する。ルテニウム酸化膜９を還元することによりルテニウムが得られるが、還元の際の体積収縮によって、ルテニウム膜７の底部の形状（即ち、全体的に丸みを帯びた形状）は維持される。図１１では、還元によって得られたルテニウムを、ルテニウム膜７中に含めて表している。ルテニウム酸化膜９が還元された後のルテニウム膜７は、キャパシタ下部電極として機能する。但し、後に形成されるキャパシタ誘電体膜の種類によっては、ルテニウム酸化膜９の還元は不要であり、この場合は、ルテニウム膜７及びルテニウム酸化膜９がキャパシタ下部電極として機能する。
【００２４】
図９に示した工程における残渣５１の除去が不完全で、かつ、残留している残渣５１がルテニウム酸化膜９の形成によっても完全には消失されていない場合には、図９に示した工程で行われた処理と同様の処理を、ルテニウム酸化膜９を除去した後に再び行う。ルテニウム酸化膜９の形成に起因して、残渣５１とルテニウム膜７の表面との結合力は弱くなっており、しかも、ルテニウム膜７の底部は全体的に丸みを帯びているため、残留している残渣５１を容易に完全に除去することができる。
【００２５】
図１２を参照して、次に、ＣＶＤ法によって、タンタル酸化膜１０を、図１１に示した構造上に全面的に形成する。タンタル酸化膜１０は、キャパシタ誘電体膜として機能する。次に、タンタル酸化膜１０の結晶化及び膜質の改善のために、所定の熱処理を行う。次に、ＣＶＤ法によって、ルテニウム膜１１を、タンタル酸化膜１０上に全面的に形成する。ルテニウム膜１１は、キャパシタ上部電極として機能し、タンタル酸化膜１０を挟んでルテニウム膜７に対向している。以上の工程により、キャパシタが完成する。
【００２６】
このように本実施の形態１に係るキャパシタの製造方法によれば、図１０に示した工程で、異方性を有する酸化法によってルテニウム膜７の表面を酸化することにより、ルテニウム膜７の側壁部分の上端に生じていた尖状部５０が消失する。従って、尖状部５０に起因して漏れ電流や電極間の電気的ショートが発生することを回避できる。
【００２７】
また、ルテニウム膜７の表面上に残留している残渣５１を完全に除去することができるため、残渣５１に起因してキャパシタ誘電体膜の結晶性が低下することを回避できる。
【００２８】
実施の形態２．
図１３〜１７は、本発明の実施の形態２に係るキャパシタの製造方法を工程順に示す断面図である。まず、上記実施の形態１と同様の工程を経て、図６に示した構造を得る。本実施の形態２において、図６に示した有機系材料８は、後の工程でＣＭＰ法によってルテニウム膜７の一部を除去する際に、ＣＭＰで使用されるスラリーが凹部６内に残留することを防止する役割を果たす。
【００２９】
図１３を参照して、次に、ＣＭＰ法によって、シリコン酸化膜４の上面よりも上方に存在している部分の有機系材料８及びルテニウム膜７を除去する。これにより、互いに隣接する二つのメモリセル間で、ルテニウム膜７が分離される。
【００３０】
図１４を参照して、次に、有機系材料８を除去する。次に、ルテニウム膜７の表面上に生じている残渣５１を、上記実施の形態１と同様の方法によって除去する。
【００３１】
図１５を参照して、次に、上記実施の形態１と同様に、低温プラズマ酸化法によってルテニウム膜７の表面を酸化することにより、ルテニウム酸化膜９を形成する。これにより、図１４に示した工程における残渣５１の除去が不完全で、残渣５１の一部がルテニウム膜７の表面上に残留している場合であっても、残留している残渣５１がリフトオフされて消失する。また、ルテニウム膜７の底部は、周辺部分から中央部分に向かって徐々に膜厚が薄くなるように、全体的に丸みを帯びる。
【００３２】
図１６を参照して、次に、上記実施の形態１と同様に、所定の雰囲気中で熱処理を行うことにより、ルテニウム酸化膜９を還元する。図１４に示した工程における残渣５１の除去が不完全で、かつ、残留している残渣５１がルテニウム酸化膜９の形成によっても完全には消失されていない場合には、上記実施の形態１と同様に、有機溶剤等を用いた残渣５１の除去処理を再び行う。
【００３３】
図１７を参照して、次に、ＣＶＤ法によって、タンタル酸化膜１０を、図１６に示した構造上に全面的に形成する。次に、タンタル酸化膜１０の結晶化及び膜質の改善のために、所定の熱処理を行う。次に、ＣＶＤ法によって、ルテニウム膜１１を、タンタル酸化膜１０上に全面的に形成する。以上の工程により、キャパシタが完成する。
【００３４】
ドライエッチバック法ではなくＣＭＰ法によってルテニウム膜７の一部を除去する本実施の形態２に係るキャパシタの製造方法によっても、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００３５】
実施の形態３．
図１８〜２１は、本発明の実施の形態３に係るキャパシタの製造方法を工程順に示す断面図である。まず、上記実施の形態１と同様の工程を経て、図５に示した構造を得る。
【００３６】
図１８を参照して、次に、水酸化シルセスキオキサン又は無機ＳＯＧ等の無機系材料１２を、図５に示した構造上に全面的に塗布する。無機系材料１２は、ルテニウム膜７が形成された凹部６内を完全に充填して形成されている。また、無機系材料１２は、シリコン酸化膜４の上面上に形成されている部分のルテニウム膜７上にも形成されている。無機系材料１２は、後の工程でＣＭＰ法によってルテニウム膜７の一部を除去する際に、ＣＭＰで使用されるスラリーが凹部６内に残留することを防止する役割を果たす。
【００３７】
図１９を参照して、次に、ＣＭＰ法によって、シリコン酸化膜４の上面よりも上方に存在している部分の無機系材料１２及びルテニウム膜７を除去する。これにより、互いに隣接する二つのメモリセル間で、ルテニウム膜７が分離される。
【００３８】
図２０を参照して、次に、希フッ酸溶液によって、又はフッ酸の気相反応によって、無機系材料１２を除去する。無機系材料１２は、ルテニウムの触媒作用によっては分解されないため、ルテニウム膜７の表面上に残渣５１が生じることはない。
【００３９】
図２１を参照して、次に、ＣＶＤ法によって、タンタル酸化膜１０を、図２０に示した構造上に全面的に形成する。次に、タンタル酸化膜１０の結晶化及び膜質の改善のために、所定の熱処理を行う。次に、ＣＶＤ法によって、ルテニウム膜１１を、タンタル酸化膜１０上に全面的に形成する。以上の工程により、キャパシタが完成する。
【００４０】
なお、上記実施の形態１，２と同様に、低温プラズマ酸化法によってルテニウム膜７の表面を酸化することにより、ルテニウム酸化膜９を形成してもよい。加えて、所定の雰囲気中で熱処理を行うことにより、ルテニウム酸化膜９を還元してもよい。
【００４１】
このように本実施の形態３に係るキャパシタの製造方法によれば、図１８に示した工程において、ルテニウム膜７が形成された凹部６内を、有機系材料８ではなく無機系材料１２によって充填する。その結果、キャパシタ下部電極の材質としてルテニウムが使用されている場合であっても残渣５１が生じないため、残渣５１に起因してキャパシタ誘電体膜の結晶性が低下することを回避できる。
【００４２】
なお、上記実施の形態１〜３では、キャパシタ上部電極及びキャパシタ下部電極の材質がルテニウムである場合について述べたが、これらの電極の材質は、プラチナ（Ｐｔ）又はイリジウム（Ｉｒ）等の、他の白金族元素であってもよい。また、キャパシタ誘電体膜の材質が酸化タンタルである場合について述べたが、キャパシタ誘電体膜の材質は、チタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ）又はチタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）等の、他の高誘電体又は強誘電体であってもよい。
【００４３】
【発明の効果】
第１の発明によれば、漏れ電流や電極間の電気的ショートが発生することを回避できる。
【００４４】
第２及び第３の発明によれば、キャパシタ誘電体膜の結晶性が低下することを回避できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係るキャパシタの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係るキャパシタの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係るキャパシタの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係るキャパシタの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係るキャパシタの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係るキャパシタの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係るキャパシタの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態１に係るキャパシタの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態１に係るキャパシタの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態１に係るキャパシタの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態１に係るキャパシタの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態１に係るキャパシタの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態２に係るキャパシタの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態２に係るキャパシタの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態２に係るキャパシタの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態２に係るキャパシタの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態２に係るキャパシタの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態３に係るキャパシタの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１９】本発明の実施の形態３に係るキャパシタの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図２０】本発明の実施の形態３に係るキャパシタの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図２１】本発明の実施の形態３に係るキャパシタの製造方法を工程順に示す断面図である。
【符号の説明】
４  シリコン酸化膜、６  凹部、７，１１  ルテニウム膜、８  有機系材料、９  ルテニウム酸化膜、１０  タンタル酸化膜、１２  無機系材料。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2004349459.tif 000013
【図１２】
2004349459.tif 000014
【図１３】
2004349459.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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