(57)【要約】【課題】生産性の低下を抑制しつつ、パターン形成精度を向上させたパターン形成方法を実現する。【解決手段】保持領域ごとに保持力を変更可能な基板保持部によって保持された基板上に、型を用いてパターンを形成するパターン形成方法であって、第１保持領域に対応する複数のショット領域をパターン形成の対象として、第１保持領域における第１保持力を、第１保持領域とは異なる第２保持領域における第２保持力よりも小さくする第１工程と、第１保持領域に対応する複数のショット領域を含む領域にインプリント材を塗布する第２工程と、第１保持領域に対応する複数のショット領域に塗布されたインプリント材と型とを接触させて基板上にパターンを形成する第３工程を含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
保持領域ごとに保持力を変更可能な基板保持部によって保持された基板上に、型を用いてパターンを形成するパターン形成方法であって、
第１保持領域に対応する複数のショット領域をパターン形成の対象として、前記第１保持領域における第１保持力を、前記第１保持領域とは異なる第２保持領域における第２保持力よりも小さくする第１工程と、
前記第１保持領域に対応する複数のショット領域を含む領域にインプリント材を塗布する第２工程と、
前記第１保持領域に対応する複数のショット領域に塗布されたインプリント材と前記型とを接触させて前記基板上にパターンを形成する第３工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記第１工程において設定された前記第１保持力を第１の値として、
前記第３工程の前に、前記第１保持力を前記第１の値よりも大きい第２の値に設定することを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記第３工程において、前記第１保持力を前記第２の値よりも小さい第３の値に設定した後に、前記型と前記インプリント材を引き離すことを特徴とする請求項２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記第３工程において、前記基板と前記型のそれぞれを反対側の向きに撓ませながら、前記型と前記インプリント材を引き離すことを特徴とする請求項３に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記第１工程において、前記第１保持領域によって前記基板を保持することによって生じた歪みが開放されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記第１保持領域と前記第２保持領域は同心円状に配置されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項７】
前記第２保持領域に対応する複数のショット領域をパターン形成の対象として、前記第２保持力を前記第１保持力よりも小さくする工程と、
前記第２保持領域に対応する複数のショット領域にインプリント材を塗布する工程と、
前記第２保持領域に対応する複数のショット領域に塗布されたインプリント材と前記型とを接触させて前記基板上にパターンを形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項８】
前記第２工程において、前記第２保持領域に対応する複数のショット領域にインプリント材が塗布されており、
前記第２保持領域に対応する複数のショット領域をパターン形成の対象として、前記第２保持力を前記第１保持力よりも小さくする工程と、
前記第２保持領域に対応する複数のショット領域に塗布されたインプリント材と前記型とを接触させて前記基板上にパターンを形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項９】
前記第２工程は、前記基板を移動させる動作を含み、
前記複数のショット領域は、前記第２工程において前記基板を移動させる第１方向に並んでいることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項１０】
前記複数のショット領域は、前記第１方向に加えて前記第１方向と垂直な第２方向に並んでいることを特徴とする請求項９に記載のパターン形成方法。
【請求項１１】
型を用いて基板のショット領域にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
保持領域ごとに前記基板を保持する保持力を変更可能な基板保持部と、
パターンの形成を制御する制御部を有し、
前記制御部は、前記基板保持部の第１保持領域に対応する複数のショット領域をパターン形成の対象として、前記第１保持領域における第１保持力を、前記第１保持領域とは異なる第２保持領域における第２保持力よりも小さくし、前記第１保持領域に対応する複数のショット領域に塗布されたインプリント材と前記型とを接触させて前記基板上にパターンを形成することを特徴とするインプリント装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント方法を用いて基板上にパターンを形成する形成工程と、
前記形成工程でパターンが形成された前記基板を加工する加工工程と、を含み、
前記加工工程で加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成方法、インプリント装置、及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスを製造するための新たなパターン形成技術として、インプリント技術が注目されている。インプリント装置は、シリコンウエハやガラスプレート等の基板の上のインプリント材に型を接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材から型を引き離すことによって基板上にインプリント材のパターンを形成する。
【０００３】
従来のインプリント装置では、基板にインプリント材を塗布する塗布工程、インプリント材と型とを接触させる接触工程、インプリント材を硬化させる硬化工程、インプリント材から型を引き離す離型工程が、基板のショット領域ごとに繰り返される。しかし近年では、スループット向上のために、複数のショット領域にインプリント材を塗布して、これらのショット領域に連続してパターンを形成する方法が検討されている。
【０００４】
特許文献１は、基板上の隣接する複数のショット領域または基板の全ショット領域にインプリント材を塗布し、その後、ショット領域ごとに接触工程、硬化工程、離型工程を実施するマルチフィールドディスペンスと呼ばれるシーケンスを開示している。
【０００５】
また、型とショット領域との位置合わせ精度を向上させるために、基板の保持によって生じた歪みを開放することが知られている。特許文献２は、領域ごとに保持力を変更可能な基板保持部において、パターン形成の対象となるショット領域に対応する位置の保持力を低下させて、基板に生じた歪みを開放させることを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第５０８４８２３号公報
【特許文献２】特開２０１０−９８３１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したマルチフィールドディスペンスにおいて、第１ショット領域に対するパターン形成後であって、当該第１ショット領域の次の第２ショット領域に対するパターン形成前に歪みの開放が行われる場合が生じ得る。歪みの開放のためには、保持力を低下させる必要があり、保持力の低下には時間を要する。それゆえ、マルチフィールドディスペンスにおいて、基板の歪みの開放を行うと生産性の低下を招くおそれがある。
【０００８】
本発明は、例えば、マルチフィールドディスペンスにおいて、生産性の低下を抑制しつつ、パターン形成精度を向上させたパターン形成方法を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決する本発明のパターン形成方法は、保持領域ごとに保持力を変更可能な基板保持部によって保持された基板上に、型を用いてパターンを形成するパターン形成方法であって、第１保持領域に対応する複数のショット領域をパターン形成の対象として、前記第１保持領域における第１保持力を、前記第１保持領域とは異なる第２保持領域における第２保持力よりも小さくする第１工程と、前記第１保持領域に対応する複数のショット領域を含む領域にインプリント材を塗布する第２工程と、前記第１保持領域に対応する複数のショット領域に塗布されたインプリント材と前記型とを接触させて前記基板上にパターンを形成する第３工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、マルチフィールドディスペンスにおいて、生産性の低下を抑制しつつ、パターン形成精度を向上させたパターン形成方法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】インプリント装置の構成を示す図である。
【図２】基板保持部の上面を示す図である。
【図３】基板保持部の詳細な構成を示す図である。
【図４】実施例１における基板上のショット領域の配置を示す図である。
【図５】実施例１に係るパターン形成の流れを示すフローチャートである。
【図６】離型時のパターンの倒れを示す図である。
【図７】実施例２に係るパターン形成の流れを示すフローチャートである。
【図８】実施例３における基板上のショット領域の配置を示す図である。
【図９】物品の製造方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
【００１３】
まず、実施形態に係るインプリント装置の概要について説明する。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材を型と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。
【００１４】
インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などであり得る。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物であり得る。
【００１５】
これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。
【００１６】
基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスである。
【００１７】
図１は、本実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。このインプリント装置は、本実施形態では、紫外線の照射によってインプリント材を硬化させる光硬化法を採用するが、これに限定されるものではなく、例えば入熱によってインプリント材を硬化させる熱硬化法を採用することもできる。
【００１８】
インプリント装置は、パターンが形成された型を用いて基板上のインプリント材を成形する。図１に示すように、基板保持部５は基板ステージ７上に配置されており、基板保持部５の上には基板２が吸着保持される。基板２上に設けられたアライメントマークを、不図示のアライメント光学系によって観察することで基板の位置ずれ情報が取得される。また、高さ測定装置１５によって、高さ測定装置１５から基板２上面までの距離が測定される。
【００１９】
一方、型１は型保持部４によって保持され、また、型１のパターン面と高さ測定装置１５との相対高さは、事前に計測されているため、基板２上面から型１のパターン面までの距離が算出可能となる。ディスペンサ１４は光硬化樹脂としてのインプリント材３を基板２上に供給する。型１を駆動部１２により下降させて基板２上に供給されたインプリント材３と接触させると、インプリント材３はパターンの彫り込まれた溝に流入する。型１は、インプリント材を硬化させる光（紫外線）に対して透明な材料で形成されている。
【００２０】
光源２０から発せられた紫外線は、ハーフミラー１９で反射され、型１を通過して基板２上のインプリント材３に入射する。こうして紫外線を照射されたインプリント材は硬化する。その後、型１を駆動部１２により上昇させることにより、硬化したインプリント材３から型１が引き離され、型１のパターンの反転パターンが基板上に形成される。観察光学系１８は、基板２のショット領域を観察するスコープである。観察光学系１８は、インプリント処理の状態、例えば、型１の押印状態や型１へのインプリント材３の充填状態などの確認に用いられる。制御部５０は、これらインプリント処理に係る各部を統括的に制御する。
【００２１】
上記した駆動部１２は、型１を基板２に対して上下させる機構であるが、型１と基板２との間隔を相対的に変化させる機構であればよい。例えば、基板２を型１に対して上下させる機構であってもよいし、あるいは型１と基板２をそれぞれ上下させる機構を備えていてもよい。
【００２２】
基板保持部５は、例えば、真空吸着により基板２を保持する。図２は、基板保持部５を型１側から見た図である。図２に示されるように、基板保持部５の基板２と接する面には、複数の吸着領域（保持領域）５ａ〜５ｃが同心円状に形成されている。吸着領域５ａ、５ｂ、５ｃに対応する基板の領域をそれぞれ、Ｚоｎｅ１、Ｚоｎｅ２、Ｚоｎｅ３とする。
【００２３】
図３に、図２のＡ−Ａ´線に沿う断面図を示す。複数の吸着領域５ａ〜５ｃはそれぞれ、空気圧調整機構に接続される。なお、図３では吸着領域５ａ、５ｂに対応する接続構成の図示は省略している。ここでは代表的に、吸着領域５ｃについて説明する。吸着領域５ｃには配管３１が接続されている。配管３１は途中で流路切替弁３２によって二股に分かれ、一方はレギュレータ３３を介して不図示の真空ポンプに接続され、他方はレギュレータ３４を介して不図示のコンプレッサに接続される。
【００２４】
基板２を吸着保持する場合、制御部５０は、流路切替弁３２を真空ポンプ側に切り替える。これにより、吸着領域５ｃ内の空気が配管３１、流路切替弁３２、レギュレータ３３を介して真空ポンプへ吸引され、吸着領域５ｃ内は負圧となって基板２が吸着される。このとき、レギュレータ３３は、制御部５０の制御の下、吸着力（基板保持部５が基板を引き付ける力、基板を保持する保持力）を制御することができる。
【００２５】
基板２の吸着保持を解除する場合、制御部５０は、流路切替弁３２をコンプレッサ側に切り替える。これにより、コンプレッサからの空気がレギュレータ３４、流路切替弁３２、配管３１を介して吸着領域５ｃに供給され、吸着領域５ａ内は正圧となって基板２が基板保持部５から離脱する。
【００２６】
他の吸着領域５ａ、５ｂについても同様の構成であるので、説明を省略する。このように本実施形態の基板保持部５は、複数の吸着領域５ａ〜５ｃにおける吸着力をそれぞれ独立に制御可能な構成となっている。
【００２７】
（実施例１）
次に、図４を用いて、実施例１における基板上のショット領域の配置とグループ分けについて説明する。図４では、基板上に複数のショット領域（１ａ〜１ｆ、２ａ〜２ｄ）が１列に並んでおり、ショット領域１ａ〜１ｆをグループ１、ショット領域２ａ〜２ｄをグループ２とする。図４において、グループ１に属するショット領域１ａ〜１ｆは、Ｚоｎｅ２とＺоｎｅ３を含む領域に位置している。ショット領域１ａ、１ｆはＺоｎｅ３に配置され、ショット領域１ｃ、１ｄはＺоｎｅ２に配置され、ショット領域１ｂ、１ｅはＺоｎｅ２とＺоｎｅ３にまたがって配置されている。グループ２に属するショット領域２ａ〜２ｄは、Ｚоｎｅ１とＺоｎｅ２を含む領域に位置している。ショット領域２ｂ、２ｃはＺоｎｅ１に配置され、ショット領域２ａ、２ｄはＺоｎｅ１とＺоｎｅ２にまたがって配置されている。
【００２８】
本実施形態においては、基板上の隣り合う複数のショット領域にインプリント材を塗布し、その後、ショット領域ごとにパターン形成を行う、マルチフィールドディスペンス方式のパターン形成が実行される。グループ１に属するショット領域１ａ〜１ｆ、グループ２に属するショット領域２ａ〜２ｄに対して順にパターン形成を行う流れについて、図５のフローチャートを用いて説明する。制御部５０は、コンピュータプログラムである制御プログラムに従って、図５のフローチャートに示す制御を行う。
【００２９】
図５のステップＳ５０１では、基板上のパターン形成を行うショット領域の列を決定する。ここでは、図４で示した複数のショット領域（１ａ〜１ｆ、２ａ〜２ｄ）から構成されるショット領域の列が決定される。最初にパターン形成を行う対象はグループ１のショット領域であるため、ステップＳ５０２において、グループ１に属するショット領域１ａ〜１ｆが位置する吸着領域５ｂ、５ｃ（第１保持領域）の吸着力（第１保持力）を小さくする。このときの吸着力を第１の値とし、例えば、−５ｋＰａ程度に設定される。そして、吸着領域５ｂ、５ｃ以外の吸着領域である吸着領域５ａ（第２保持領域）の吸着力（第２保持力）を第１保持力よりも大きくする。
【００３０】
吸着領域５ｂ、５ｃの吸着力を小さくすることで、基板のＺоｎｅ２、３に残留した歪みを開放することができる。吸着領域５ｂ、５ｃの圧力をゼロにすることで、歪みを効果的に開放することができる。吸着領域５ｂ、５ｃに弱い負圧をかけることで、基板の位置ずれを防ぎつつ、歪みの開放を実現することができる。
【００３１】
続いて、ステップＳ５０３において、グループ１に属するショット領域１ａ〜１ｆ上にインプリント材が塗布される。インプリント材の塗布に関して、基板とディスペンサ１４を相対的に駆動させる動作が含まれる。例えば、図１におけるＸ方向に基板ステージ７を移動させながら、ディスペンサ１４からショット領域１ａ〜１ｆにインプリント材が塗布される。なお、複数のディスペンサ１４を用いて、ショット領域１ａ〜１ｆに一括してインプリント材を塗布しても良い。また、ステップＳ５０３の動作をステップＳ５０２の動作と並行して行っても良い。
【００３２】
ショット領域１ａ〜１ｆにインプリント材が塗布されると、ステップＳ５０４において、ショット領域１ａ〜１ｆが位置する吸着領域５ｂ、５ｃの吸着力を大きくする。上述したように、ステップＳ５０２における吸着力は第１の値であり、ステップＳ５０４における吸着力は、第１の値よりも大きい第２の値に設定される。その後、ステップＳ５０５において、基板２上に供給されたインプリント材３と型１の接触が行われる。
【００３３】
ステップＳ５０４において、吸着領域５ｂ、５ｃの吸着力を大きくすることにより、インプリント材３と型１が接触する際に生じ得る基板２の位置ずれを低減することができる。その後、ステップＳ５０６において、再び吸着領域５ｂ、５ｃの吸着力を小さくし、紫外線等によりインプリント材を硬化した後に、ステップＳ５０７において、硬化したインプリント材３から型１が引き離される。吸着領域５ｂ、５ｃの吸着力を小さくした状態で型１を引き離すことで、離型時にインプリント材のパターンに不良が生じるリスクを低減することができる。ステップＳ５０４における吸着力は第２の値であり、ステップＳ５０６における吸着力は、第２の値よりも小さい第３の値に設定される。
【００３４】
ここで、離型時に発生し得るパターンの不良について、図６を用いて説明する。図６は、Ｙ軸方向から見た型１と基板２の拡大図であり、型１に形成されたパターン部１ｐと、基板２上に形成されたインプリント材のパターン２ｐを示している。硬化したインプリント材から型１を引き離す際には、硬化したインプリント材に強い力が加わり、インプリント材のパターンに不良が発生することがある。そこで、型１を引き離す際に、図６（ａ）で示したように、型１のパターン部１ｐを撓ませる技術が知られている。しかしながら、パターン部１ｐを撓ませるのみでは、インプリント材のパターン２ｐの水平方向に力が加わり、パターン２ｐに倒れが生じてしまうおそれがある。
【００３５】
そこで、図６（ｂ）に示したように、型１を引き離す際に、型１のパターン部１ｐと反対側に基板２を撓ませることにより、硬化したインプリント材のパターン２ｐの水平方向に加わる力を低減させることができる。これにより、パターン２ｐに倒れ等の不良が発生するリスクを低減できる。
【００３６】
図５の説明に戻る。ステップＳ５０８において、インプリント材を塗布した全てのショット領域に対してパターンが形成されたか否かの判定が行われる。パターンが形成されていないショット領域が存在する場合には、ステップＳ５０４に再度移行し、吸着領域５ｂ、５ｃの吸着力を大きくする。その後、ステップＳ５０５からステップＳ５０７の処理が実行され、対象のショット領域に対してパターン形成が行われる。
【００３７】
ステップＳ５０８において、インプリント材を塗布した全てのショット領域に対してパターンが形成されたと判定された場合には、ステップＳ５０９に移行する。ステップＳ５０９では、ステップＳ５０１で決定された列に属する全てのショット領域に対してパターンが形成されたか否かの判定が行われる。ここでは、グループ２に属するショット領域２ａ〜２ｄに対してパターン形成が行われていないため、ステップＳ５０３に再度移行し、ショット領域２ａ〜２ｄを対象として、マルチフィールドディスペンス方式でのパターン形成が行われる。
【００３８】
ステップＳ５０９において、ステップＳ５０１で決定された列に属する全てのショット領域に対してパターンが形成されたと判定された場合には、ステップＳ５１０に移行する。ステップＳ５１０では、基板上の全てのショット領域に対してパターンが形成されたか否かの判定が行われる。ここでは、ステップＳ５０１で決定された列以外のショット領域に対してパターン形成が行われていないため、ステップＳ５０１に再度移行し、他のショット領域の列が決定され、当該決定された列に対してパターン形成が行われる。ステップＳ５１０において、基板上の全てのショット領域に対してパターンが形成されたと判定された場合には、当該基板に対するパターン形成処理を終了する。
【００３９】
以上説明したように、吸着領域を基準にして複数のショット領域をグループ分けし、グループごとに歪み開放及びパターン形成を行うことで、スループットの低下を抑制しつつ、パターン形成の精度を向上させることができる。例えば、図４において、ショット領域（１ａ〜１ｆ、２ａ〜２ｄ）の左側から順に歪み開放とパターン形成を行うと、吸着力を変化させる回数が増え、スループットの低下を招き得る。
【００４０】
（実施例２）
実施例１では、パターン形成を行うショット領域の列を決定し、その列に含まれるショット領域をグループ分けし、グループごとにインプリント材の塗布、歪み開放、およびパターン形成を行うシーケンスについて説明した。本実施例では、パターン形成を行うショット領域の列を決定した後に、その列に含まれる全てのショット領域に対してインプリント材の塗布を行う。図４において、グループ１に属するショット領域１ａ〜１ｆ、グループ２に属するショット領域２ａ〜２ｄに対してインプリント材の塗布が行われる。
【００４１】
１枚の基板に対してパターン形成を行う流れについて、図７のフローチャートを用いて説明する。制御部５０は、コンピュータプログラムである制御プログラムに従って、図７のフローチャートに示す制御を行う。
【００４２】
図７のステップＳ７０１では、基板上のパターン形成を行うショット領域の列を決定する。ここでは、図４で示した複数のショット領域（１ａ〜１ｆ、２ａ〜２ｄ）から構成されるショット領域の列が決定される。続いてステップＳ７０２において、グループ１に属するショット領域１ａ〜１ｆ、グループ２に属するショット領域２ａ〜２ｄに対してインプリント材の塗布が行われる。
【００４３】
次に、ステップＳ７０３において、パターン形成を行うグループが決定される。ここでは、グループ１に対するパターン形成が先に行われるものとする。グループ１に属するショット領域１ａ〜１ｆが位置する吸着領域５ｂ、５ｃの吸着力（第１保持力）を小さくする。例えば、−５ｋＰａ程度に設定される。そして、吸着領域５ｂ、５ｃ以外の吸着領域である吸着領域５ａの吸着力（第２保持力）を第１保持力よりも大きくする。
【００４４】
ステップＳ７０４からステップＳ７０７の処理は、それぞれ図５におけるステップＳ５０４からステップＳ５０７の処理と同様であるため、説明を省略する。ステップＳ７０８において、ステップＳ７０３で決定されたグループ１の全てのショット領域に対してパターン形成が完了した否かの判定が行われる。パターンが形成されていないショット領域が存在する場合には、ステップＳ７０４に再度移行し、吸着領域５ｂ、５ｃの吸着力を大きくする。その後、ステップＳ７０５からステップＳ７０７の処理が実行され、対象のショット領域に対してパターン形成が行われる。
【００４５】
ステップＳ７０８においてグループ１の全てのショット領域に対してパターンが形成されたと判定された場合には、ステップＳ７０９に移行する。ステップＳ７０９では、ステップＳ７０１で決定された列に属する全てのショット領域に対してパターンが形成されたか否かの判定が行われる。ここでは、グループ２に属するショット領域２ａ〜２ｄに対してパターン形成が行われていないため、ステップＳ７０３に再度移行し、ショット領域２ａ〜２ｄを対象としてパターン形成が行われる。
【００４６】
ステップＳ７０９において、ステップＳ７０１で決定された列に属する全てのショット領域に対してパターンが形成されたと判定された場合には、ステップＳ７１０に移行する。ステップＳ７１０では、基板上の全てのショット領域に対してパターンが形成されたか否かの判定が行われる。ここでは、ステップＳ７０１で決定された列以外のショット領域に対してパターン形成が行われていないため、ステップＳ７０１に再度移行し、他のショット領域の列が決定され、当該決定された列に対してパターン形成が行われる。ステップＳ７１０において、基板上の全てのショット領域に対してパターンが形成されたと判定された場合には、当該基板に対するパターン形成処理を終了する。
【００４７】
以上説明したように、実施例２では、パターン形成を行うショット領域の列を決定した後に、その列に含まれる全てのショット領域に対してインプリント材の塗布を行うため、インプリント材の塗布に要する時間を短縮することができる。図１で説明したように、インプリント材の塗布はパターン形成が行われる位置から離れた位置で行われるため、インプリント材の塗布をまとめて行うことで、スループットの向上を実現できる。
【００４８】
（実施例３）
実施例１及び２では、Ｘ軸方向（第１方向）に配列された複数のショット領域を列として、列ごとにパターン形成を行っている。実施例３では、Ｘ軸方向と垂直なＹ軸方向（第２方向）に並んだ複数の列をまとめてパターン形成の対象とすることにより、スループットの更なる向上を実現している。
【００４９】
図８で示したように、基板上に複数のショット領域（１ａ〜１ｌ、２ａ〜２ｌ）が位置している。実施例１で説明したように、各ショット領域は吸着領域に基づいてグループ分けされ、グループごとに順次パターン形成が行われる。例えば、ショット領域１ａ〜１ｌをグループ１、ショット領域２ａ〜２ｌをグループ２とする。複数のショット領域（１ａ〜１ｌ、２ａ〜２ｌ）に対してまとめてインプリント材の塗布を行った上で、グループごとに順次歪みの開放とパターン形成が行われる。
【００５０】
なお、本実施では２列のショット領域をパターン形成の対象として設定する例について説明したが、３列以上のショット領域をパターン形成の対象とすることも可能である。基板上の全てのショット領域をパターン形成の対象としても良い。
【００５１】
（物品製造方法の実施形態）
本発明の実施形態に係る物品製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品製造方法は、基板上のインプリント材にインプリント装置を用いてパターンを形成する第１工程と、この第１工程でパターンが形成された基板を加工（処理）する第２工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００５２】
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用の型等が挙げられる。
【００５３】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００５４】
次に、物品製造方法について説明する。図９（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコン基板等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。
【００５５】
図９（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図９（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを介して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
【００５６】
図９（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【００５７】
図９（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチング型としてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図９（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【符号の説明】
【００５８】
１  型
２  基板
５  基板保持部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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