(57)【要約】    【課題】薄膜磁気ヘッド集合体において、シールド膜と電極膜との間に存在する絶縁膜の絶縁特性を、両者を接続する抵抗膜を切断することなく測定し得る装置を提供する。    【解決手段】直流電源８１と、電圧計８２とを含み、薄膜磁気ヘッド集合体に含まれる薄膜磁気ヘッド要素の絶縁特性を測定する。直流電源８１は、ケーブルを備え、ケーブルの一端が直流電源８１の陽極及び陰極に接続され、他端がプローブ８３、８４に接続されている。電圧計８２は、ケーブルを備え、ケーブルの一端が電圧計８２の陽極及び陰極に接続され、他端がプローブ８５、８６に接続されている。【選択図】    図５
2004152483.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電源と、電圧計とを含み、薄膜磁気ヘッド集合体に含まれる薄膜磁気ヘッド要素の絶縁特性を測定する装置であって、
前記直流電源は、直流電源と、ケーブルとを含み、前記ケーブルは一端が前記直流電源の陽極及び陰極に接続され、他端がプローブに接続されており、
前記電圧計は、電圧計と、ケーブルとを含み、前記ケーブルは一端が前記電圧計の陽極及び陰極に接続され、他端がプローブに接続されている
絶縁特性測定装置。
【請求項２】
請求項１に記載された装置であって、前記ケーブルは、シールドを備える平衡伝送ケーブル、ガード線付ツイストペア線、または、３芯ＢＮＣ線の何れかを含み、
前記プローブは、前記シールドに接続される接触子と、陽極に接続される接触子と、陰極に接続される接触子とを含む
装置。
【請求項３】
請求項２に記載された装置であって、
更に切替部を含み、
前記直流電源及び前記電圧計のそれぞれは、複数の前記ケーブルを含み、
前記切替部は、前記電圧計に含まれる１個の前記電圧計に対して、前記複数のケーブルを、選択的に切替接続する
装置。
【請求項４】
請求項３に記載された装置であって、
前記切替部は、機械的接点を有する切替リレーを含み、前記接点は熱起電力の小さな材質からなる
装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜磁気ヘッド集合体、その電気絶縁特性測定方法及び電気絶縁特性測定装置に関する。本発明において、薄膜磁気ヘッド集合体は、ウエハ状及びバー状の両タイプを含む。ウエハ状薄膜磁気ヘッド集合体において、基体はウエハであり、薄膜磁気ヘッド要素はこの基体上に行列状に配列されている。バー状薄膜磁気ヘッド集合体において、基体はバー状であり、薄膜磁気ヘッド要素は、基体の長手方向に沿って配列されている。バー状薄膜磁気ヘッド集合体は、ウエハ状薄膜磁気ヘッド集合体から切断によって切り出されたものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気異方性抵抗効果膜、スピンバルブ膜、または、強磁性トンネル接合効果素子等の磁気抵抗効果素子を、読み取り素子として用いた薄膜磁気ヘッドでは、磁気抵抗効果素子及びその電極膜を、アルミナ等でなる絶縁膜に埋設した構造になっている。絶縁膜の両側には第１のシールド膜及び第２のシールド膜が備えられている。
【０００３】
上記構造において、電極膜と、第１のシールド膜または第２のシールド膜との間に存在する絶縁膜に、絶縁劣化または絶縁破壊等が発生すると、電気雑音が大きくなったり、あるいは電磁変換特性が悪化する等の問題を生じる。
【０００４】
絶縁膜の絶縁劣化または絶縁破壊等を防止する手段として、特開平８ー２９３０１８号公報は、ウエハ工程の間は電極膜とシールド膜との間の電気的接続を維持し、ウエハ工程終了後に両者間の電気的接続を切断する技術を開示している。  しかし、ウエハ工程において、電極膜とシールド膜との間に存在する絶縁膜の絶縁特性を測定することができない。薄膜磁気ヘッドとして取り出された後に、絶縁特性測定作業を行わなければならない。従って、ウエハ工程において、電極膜とシールド膜との間に存在する絶縁膜に、絶縁劣化または絶縁破壊を生じても、それを知ることができない。このため、歩留の低下を招くとともに、薄膜磁気ヘッド毎の個別的な絶縁特性測定作業が必要になるために、その作業が著しく面倒になる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、工程中に、シールド膜と電極膜との間の絶縁膜の絶縁劣化または絶縁破壊を防止し得る薄膜磁気ヘッド集合体、及び、その絶縁特性測定方法を提供することである。
【０００６】
本発明のもう一つの課題は、シールド膜と電極膜との間の絶縁特性を、両者を接続する導電膜を切断することなく測定し得る薄膜磁気ヘッド集合体、及び、その絶縁特性測定方法を提供することである。
【０００７】
本発明の更にもう一つの課題は、絶縁特性測定方法の実施に好適な絶縁特性測定装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題解決のため、本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体は、基体上に複数の薄膜磁気ヘッド要素を有する。前記薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれは、第１のシールド膜と、第１の絶縁膜と、磁気抵抗効果素子と、第１の電極膜と、第２の電極膜と、第２の絶縁膜と、第２のシールド膜と、第１及び第２の抵抗膜と、第１乃至第４の測定用端子とを含んでいる。
【０００９】
前記第１の絶縁膜は、前記第１のシールド膜の上に備えられており、前記磁気抵抗効果素子は、前記第１の絶縁膜によって支持されており、前記第１及び第２の電極膜は、前記第１の絶縁膜によって支持され、前記磁気抵抗効果素子に接続されている。前記第２の絶縁膜は、前記第１の電極膜、前記第２の電極膜及び前記磁気抵抗効果素子を覆っている。前記第２のシールド膜は、前記第２の絶縁膜の上に備えられている。
【００１０】
前記第１の測定用端子は、前記第１の抵抗膜を介して、前記第１の電極または前記第２の電極膜に電気的に導通され、前記第２の抵抗膜を介して、前記第１のシールド膜に電気的に接続され、端面が外部に露出されている。
【００１１】
前記第２の測定用端子は、前記第１の測定用端子の側において、前記第１の抵抗膜に電気的に導通し、端面が外部に露出されている。
【００１２】
前記第３の測定用端子は、前記第１のシールド膜の側において、前記第１の抵抗膜に接続され、端面が外部に露出されている。
【００１３】
前記第４の測定用端子は、前記第１のシールド膜に電気的に導通し、端面が外部に露出されている。
【００１４】
上述したように、薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれにおいて、第１の絶縁膜は、第１のシールド膜の上に備えられており、第１の絶縁膜の上に磁気抵抗効果素子、第１の電極膜及び第２の電極膜が備えられているから、磁気抵抗効果素子は、磁気ヘッドに加工した時に第１のシールド膜によってシールドされる。
【００１５】
第２の絶縁膜は、第１の電極膜、第２の電極膜及び磁気抵抗効果素子を覆っており、第２のシールド膜は第２の絶縁膜の上に備えられているから、磁気抵抗効果素子並びに第１及び第２の電極膜が、第２のシールド膜によってシールドされる。
【００１６】
本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体において、複数の薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれは、更に、第１及び第２の抵抗膜と、第１乃至第４の測定用端子とを含んでいる。
【００１７】
第１の測定用端子は、第１の抵抗膜を介して、第１または第２の電極膜に電気的に導通され、第２の抵抗膜を介して、第１のシールド膜に電気的に接続されている。従って、第１または第２の電極膜と、第１のシールド膜とは、第１の測定用端子、第１及び第２の抵抗膜を介して、電気的に接続され、電気的に等電位になる。このため、工程において、第１及び第２の電極膜と、第１のシールド膜との間に存在する第１の絶縁膜に電圧が加わることがないから、第１の絶縁膜に絶縁劣化または絶縁破壊を生じるのを防止できる。
【００１８】
更に、第２の測定用端子は、第１の測定用端子の側において、第１の抵抗膜に電気的に導通する。第３の測定用端子は、第１のシールド膜の側において、第１の抵抗膜に接続されている。第４の測定用端子は第１のシールド膜に電気的に導通し、端面が外部に露出されている。
【００１９】
上記構成によれば、第１の測定用端子と第４の測定用端子との間に、電圧を印加し、第２の測定用端子と第３の測定用端子との間に現れる電位差を測定することより、第１の絶縁層の電気絶縁抵抗を測定することができる。第２の測定用端子は、第１の測定用端子の側において、第１の抵抗膜に電気的に導通し、第３の測定用端子は第１のシールド膜の側において第１の抵抗膜に接続されているので、第２の測定用端子と第３の測定用端子との間に現れる電位差は、第１の抵抗膜の抵抗値による電圧降下分である。
【００２０】
第１乃至第４の測定用端子は外部に露出しているから、電気絶縁抵抗測定に当って、第１乃至第４の測定用端子に、給電用プローブまたは測定プローブを当てることができる。
【００２１】
この電気絶縁抵抗測定法によれば、第１のシールド膜と第１または第２の電極膜とを接続する第１の抵抗膜及び第２の抵抗膜を切断する必要がない。このため、製造工程が短縮され、量産性が向上するとともに、加工ミスの確率を低下させ、歩留を向上させることができる。
【００２２】
上記態様は、第１の絶縁膜の絶縁抵抗を測定するのに適した構成である。第２の絶縁膜の絶縁抵抗を測定する場合は、第１の測定用端子は、第１の抵抗膜を介して、第１の電極または第２の電極膜に電気的に導通され、第２の抵抗膜を介して、第２のシールド膜に電気的に接続される。第２の測定用端子は、第１の測定用端子の側において、第１の抵抗膜に電気的に導通する。第３の測定用端子は、第２のシールド膜の側において、前記第１の抵抗膜に接続される。第４の測定用端子は、第２のシールド膜に電気的に導通する。
【００２３】
この場合、第１の測定用端子は、第１の抵抗膜によって、第１または第２の電極膜に電気的に導通され、第２の抵抗膜を介して、第２のシールド膜に電気的に接続されている。従って、第１または第２の電極膜と、第２のシールド膜とは、第１の測定用端子、第１及び第２の抵抗膜を介して、電気的に接続され、電気的に等電位になる。このため、工程において、第１及び第２の電極膜と、第２のシールド膜との間に存在する第２の絶縁膜に電圧が加わることがないから、第２の絶縁膜に絶縁劣化または絶縁破壊を生じるのを防止できる。
【００２４】
更に、第２の測定用端子は、第１の測定用端子の側において、第１の抵抗膜に電気的に導通する。第３の測定用端子は、第２のシールド膜の側において、第１の抵抗膜に接続されている。第４の測定用端子は第２のシールド膜に電気的に導通される。この構成によれば、第１の測定用端子と第４の測定用端子との間に、電圧を印加し、第２の測定用端子と第３の測定用端子との間に現れる電位差を測定することより、第２の絶縁層の電気絶縁抵抗を測定することができる。
【００２５】
第１乃至第４の測定用端子は外部に露出しているから、電気絶縁抵抗測定に当って、第１乃至第４の測定用端子に、給電用プローブまたは測定プローブを当てることができる。
【００２６】
電気絶縁抵抗の測定に当っては、第２のシールド膜と電極膜とを接続する導電膜を切断する必要がない。このため、製造工程が短縮され、量産性が向上するとともに、加工ミスの確率を低下させ、歩留を向上させることができる。
【００２７】
更に、第１及び第２の絶縁膜の絶縁抵抗を同時に測定する場合は、上述の２つの態様の何れにおいても、第１のシールド膜及び第２のシールド膜を電気的に導通させる。具体的には、第４の測定用端子の部分で、第１及び第２のシールド膜を電気的に導通させる構造が考えられる。これにより、第１及び第２のシールド膜が電気的に等電位になるから、等電位となる第１及び第２のシールド膜と、第１または第２の電極との間に介在する第１及び第２の絶縁膜の絶縁抵抗を、並列に接続した合成抵抗を測定することができる。その値は、第１及び第２の絶縁膜のうち、絶縁破壊等を起こし、絶縁抵抗値の低下した絶縁膜の抵抗値によって支配されるから、第１及び第２の絶縁膜の何れかに絶縁破壊等が起こっていることを検知することができる。
【００２８】
一般には、第１のシールド膜及び第２のシールド膜に電気的に導通させる。これとは異なって、第１のシールド膜と第２のシールド膜との間に第３の抵抗膜を配置してもよい。この場合は、第１の測定用端子と第４の測定用端子との間に電圧を印加し、第２の測定用端子と第３の測定用端子との間に現れる電位差、及び、第３の抵抗膜の端子間電位差より、絶縁特性を測定することができる。
【００２９】
更に、第２または第３の測定用端子の少なくとも一方を包囲するガード導体膜を設け、基板表面のリーク電流防止する。ガード導体膜は接地して用いる。
【００３０】
本発明は、更に、上述した絶縁特性測定方法の実施に直接用いられる絶縁特性測定装置についても開示する。
【発明の効果】
【００３１】
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果が得られる。
（ａ）工程中に、シールド膜と電極膜との間の絶縁膜の絶縁劣化または絶縁破壊を防止し得る薄膜磁気ヘッド集合体、及び、その絶縁特性測定方法を提供することができる。
（ｂ）シールド膜と電極膜との間の絶縁特性を、両者を接続する導電膜を切断することなく測定し得る薄膜磁気ヘッド集合体、及び、その絶縁特性測定方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体に、ウエハ状及びバー状の両タイプが含まれることは既に述べた通りである。ウエハ状薄膜磁気ヘッド集合体において、基体はウエハであり、薄膜磁気ヘッド要素はこの基体上に行列状に配列されている。
【００３３】
バー状薄膜磁気ヘッド集合体では、基体はバー状であり、薄膜磁気ヘッド要素は、基体の長手方向に沿って配列（一般には１列）されている。バー状薄膜磁気ヘッド集合体は、ウエハ状薄膜磁気ヘッド集合体から切断によって切り出されたものである。この明細書では、主に、ウエハ状薄膜磁気ヘッド集合体について説明する。ウエハ状薄膜磁気ヘッド集合体についての説明の大部分は、バー状薄膜磁気ヘッド集合体にも適用可能である。
【００３４】
図１は本発明に係るウエハ状薄膜磁気ヘッド集合体の斜視図である。図示された薄膜磁気ヘッド集合体は、略円形状のウエハ基体１上に多数の薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍを有する。ウエハ基体１は、周知のセラミック材料によって構成される。代表的にはAlTiC系セラミック材料が用いられる。薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍはｎ行ｍ列の格子状に配列されている。
【００３５】
図２は薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍのいくつかを拡大して示す図、図３は図２に示された薄膜磁気ヘッド要素の一つの拡大断面図である。これらの図を参照すると、薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍのそれぞれは、第１のシールド膜３と、第１の絶縁膜７１と、磁気抵抗効果素子９と、第２の電極膜１３と、第１の電極膜１１と、第２のシールド膜５と、第２の絶縁膜７２と、第１乃至第４の測定用端子５１〜５４と、第１の抵抗膜６１と、第２の抵抗膜６２とを含む。  図２には、第３の導体６３、第４の導体６４が図示されている。更に、図３には、全体を覆う第３の絶縁膜２１が図示されている。第３の絶縁膜２１は、例えばアルミナ膜等でなる。
【００３６】
第１のシールド膜３は、ウエハ基体１の上に積層され、第１の絶縁膜７１は第１のシールド膜３の上に積層されている。第１のシールド膜３は例えばパーマロイ膜として構成される。実施例において、第１のシールド膜３及び第２のシールド膜５は、導電膜１８により、電気的に等電位となるように接続されている。これとは異なって、導電膜１８を省略し、第１のシールド膜３及び第２のシールド膜５を、電気的に互いに独立させることもできる。
【００３７】
磁気抵抗効果素子９は、第１の絶縁膜７１の上に備えられている。磁気抵抗効果素子９は、磁気異方性磁気抵抗効果膜、または、スピンバルブ膜、ペロブスカイト型磁性体もしくは強磁性トンネル接合を用いた巨大磁気抵抗効果膜（ＧＭＲ）によって構成することができる。
【００３８】
第１及び第２の電極膜１１、１３は、第１の絶縁膜７１の上に備えられ、磁気抵抗効果素子９の端部に接続され、一端側が磁気抵抗効果素子９から取出方向に導かれている。この場合の取出方向は、薄膜磁気ヘッドとして用いられた場合、空気ベアリング面とは反対側に向かう方向に一致する。第１及び第２の電極膜１１、１３は、リード電極膜６５、６６を介して、一般にバンプと称される取出電極２５、２７に導かれる。取出電極２５、２７は薄膜磁気ヘッドの完成品で見たとき、空気流出側の側端面に露出される。
【００３９】
第２のシールド膜５は、第２の絶縁膜７２の上に備えられている。第２のシールド膜５は、例えば、パーマロイ膜を含む単層または複数層の磁性膜として構成される。
【００４０】
第１の測定用端子５１は、第１の抵抗膜６１を介して、第１の電極膜１１または第２の電極膜１３に電気的に導通され、第２の抵抗膜６２を介して、第１のシールド膜３に電気的に接続され、端面が外部に露出されている。第１及び第２の抵抗膜６１、６２は第１の絶縁膜７１または第２の絶縁膜７２の上に設けられてもよいし、第３の絶縁膜２１（図３参照）の上に設けられていてもよい。第１及び第２の抵抗膜６１、６２を第３の絶縁膜２１に設ける場合は、第１の測定用端子５１は、第２の絶縁膜７２及び第３の絶縁膜２１を貫通して、第３の絶縁膜２１の表面に露出する構造を有することができる。第１及び第２の抵抗膜６１、６２は、好ましくは電気抵抗の高い導電材料を用いることが好ましい。またその線幅を小さくし、抵抗値を上げることが好ましい。第１の抵抗膜６１及び第２の抵抗膜６２の抵抗値は、１００Ω〜１００ｋΩの範囲に選定することが好ましい。  第３及び第４の導電膜６３、６４は、第１及び第２の電極膜１１、１３と同様に、第１の絶縁膜７１の上に設けることができる。第３及び第４の導電膜６３、６４は、第１及び第２の抵抗膜６１、６２よりも電気抵抗が小さくなるような材料で構成することが望ましい。
【００４１】
第２の測定用端子５２は、第１の測定用端子５１の側において、第１の抵抗膜６１に電気的に導通し、端面が外部に露出されている。実施例において、第２の測定用端子５２は、第３の導電膜６３を介して、第１の抵抗膜６１に電気的に接続されている。第３の導電膜６３が第１の絶縁膜７１上に形成された場合は、第２の測定用端子５２は、第２の絶縁膜７２及び第３の絶縁膜２１を貫通して、第３の絶縁膜２１の表面に露出する構造となる。
【００４２】
第３の測定用端子５３は、第１のシールド膜３の側において、第１の抵抗膜６１に接続され、端面が外部に露出されている。実施例において、第３の測定用端子５３は、第４の導電膜６４を介して、第１の抵抗膜６１に電気的に接続されている。第４の導電膜６４が第１の絶縁膜７１上に形成された場合は、第３の測定用端子５３は、第２の絶縁膜７２及び第３の絶縁膜２１を貫通して、第３の絶縁膜２１の表面に露出する構造となる。
【００４３】
第４の測定用端子５４は、第１のシールド膜３に電気的に導通し、端面が外部に露出されている。実施例において、第４の測定用端子５４は第２のシールド膜５の上に形成されており、第２のシールド膜５は、導電膜１８により、第１のシールド膜３に電気的に接続されている。従って、第４の測定用端子５４は、第１及び第２のシールド膜３、５と等電位になる。
【００４４】
実施例では、更に、薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍのそれぞれは、書き込み素子となる誘導型磁気変換素子３３を有する。誘導型磁気変換素子３３の構造は周知である。典型的には、第２のシールド膜５によって構成される第１の磁性膜、この第１の磁性膜とともに薄膜磁気回路を構成する第２の磁性膜３５、コイル膜３７、ギャップ膜３９及び絶縁膜４１などを有している（図３参照）。第１の磁性膜５及び第２の磁性膜３５の先端部は微小厚みのギャップ膜３９を隔てて対向するポール部を構成する。第２のシールド膜５から分離された第１の磁性膜を有することもある。
【００４５】
第１の磁性膜５及び第２の磁性膜３５は、そのヨーク部がポール部とは反対側にあるバックギャップ部において、磁気回路を完成するように互いに結合されている。絶縁膜４１の上に、ヨーク部の結合部のまわりを渦巻状にまわるように、コイル膜を形成してある。
【００４６】
上述したように、ウエハ基体１上に備えられた薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍのそれぞれにおいて、第１の絶縁膜７１は、第１のシールド膜３の上に備えられており、第１の絶縁膜７１の上に磁気抵抗効果素子９、第１の電極膜１１及び第２の電極膜１３が備えられているから、磁気抵抗効果素子９並びに第１及び第２の電極膜１１、１３が、第１のシールド膜３によってシールドされる。
【００４７】
第２の絶縁膜７２は、第１の電極膜１１、第２の電極膜１３及び磁気抵抗効果素子９を覆っており、第２のシールド膜５は第２の絶縁膜７２の上に備えられているから、磁気抵抗効果素子９並びに第１及び第２の電極膜１１、１３は、第２のシールド膜５によってシールドされる。
【００４８】
本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体において、複数の薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれは、更に、第１及び第２の抵抗膜６１、６２と、第１乃至第４の測定用端子５１〜５４とを含んでいる。第１及び第２の抵抗膜６１、６２は、第１の絶縁膜７１によって支持されている。
【００４９】
第１の測定用端子５１は、第１の抵抗膜６１によって、第１の電極膜１１に電気的に導通され、第２の抵抗膜６２によって、第１のシールド膜３に電気的に接続されている。従って、第１の電極膜１１と、第１のシールド膜３とは、第１の測定用端子５１、第１及び第２の抵抗膜６１、６２を介して、電気的に接続され、電気的に等電位になる。このため、工程において、第１及び第２の電極膜１１、１３と、第１のシールド膜３との間に存在する第１の絶縁膜７１に電圧が加わることがないから、第１の絶縁膜７１に絶縁劣化または絶縁破壊を生じるのを防止できる。
【００５０】
実施例の場合、第１のシールド膜３及び第２のシールド膜５が、導電膜１８によって電気的に接続されているので、第１及び第２の電極膜１１、１３と、第２のシールド膜５との間に存在する第２の絶縁膜７２にも電圧が加わることがないから、第２の絶縁膜７２に絶縁劣化または絶縁破壊を生じるのを防止できる。
【００５１】
次に、図４〜図６を参照して、第１の絶縁膜７１及び第２の絶縁膜７２の電気絶縁抵抗Ｒｘの測定原理について説明する。図４は本発明に係る絶縁特性測定方法を示す図、図５は図４に示した配置を等価的に変形した図、図６は図５に示した配置の電気的等価回路図である。
【００５２】
既に述べたように、第１乃至第４の測定用端子５１〜５４は端面が外部に露出されている。よって、図４に図示するように、第１の絶縁膜７１及び第２の絶縁膜７２の電気絶縁抵抗測定に当って、第１及び第４の測定用端子５１、５４に、直流電源８１から導かれた給電用プローブ８３、８４を当て、第２乃至第３の測定用端子５２、５３に、電圧計８２から導かれた測定プローブ８５、８６を当てることができる。
【００５３】
図５、図６において、電流ｉ１は直流電源８１から供給される電流である。電流ｉ２は第１のシールド膜３から、第１の絶縁膜７１を通り、第１または第２の電極膜１１、１３に流れる電流である。実施例の場合、第４の測定用端子５４は、第１のシールド膜３に導電膜１８を介して電気的に接続され、更に、第２のシールド膜５にも接続されているので、電流ｉ２は第２の絶縁膜７２を通り、第１または第２の電極膜１１、１３に流れる電流も含む。
【００５４】
電流ｉ３は電圧計８２に流れる電流である。電流ｉ４は第１の抵抗膜６１に流れる電流である。電流ｉ５は電流ｉ３と電流ｉ４との和の電流である。電流ｉ６は第１のシールド膜３から第２の抵抗膜６２に流れ込む電流である。
【００５５】
抵抗Ｒ１は第１の抵抗膜６１の抵抗値、抵抗Ｒ２は第２の抵抗膜６２の抵抗値である。抵抗Ｒｘは第１または第２の絶縁膜７１、７２の絶縁抵抗値である。実施例の場合、第４の測定用端子５４は、第１のシールド膜３に導電膜１８を介して電気的に接続され、更に、第２のシールド膜５にも接続されているので、絶縁抵抗値Ｒｘは第１の絶縁膜７１及び第２の絶縁膜７２の絶縁抵抗の並列抵抗値となる。抵抗Ｒｖは電圧計８２の内部抵抗値である。電圧計８２の内部抵抗値Ｒｖは、例えば１０ＧΩの高抵抗値となる。電圧計８２は、アナログまたはデジタルの何れでもよい。また、コンピュータなど演算処理装置を含んでいてもよい。
【００５６】
第３の導電膜６３及び第４の導電膜６４は、電気抵抗値が第１及び第２の抵抗膜６１、６２のそれより十分に小さいものとし、電気抵抗Ｒ１、Ｒ２は、第１及び第２の抵抗膜６１、６２の電気抵抗によって定まるとみなす。
【００５７】
図５、図６において、
V=i4・R1                                                （１）
E=i6・R2                                                （２）
E=i2・Rx+i4・R1                                         （３）
E=i2・Rx+i3・Rv                                         （４）
i1=i2+i6                                                （５）
i2=i3+i4                                                （６）
i3+i4=i5                                                （７）
i5+i6=i1                                                （８）
が成立する。上記／式（３）を変形して、
i4=(E-i2・RX)/R1                                        （９）
が得られ、式（４）を変形して、
i3=(E-i2・RX)/Rv                                        （１０）
が得られる。
【００５８】
次に、式（１）と式（３）とから、
E=i2・Rx+V                                              （１１）
i2=(E-V)/Rx                                             （１２）
が得られる。式（９）及び式（１０）を式（６）に代入すると、
i2=(E-i2・Rx)/Rv+(E-i2・Rx)/R1
={(R1+Rv)E-(R1+Rv)i2・Rx}/R1・Rx                      （１３）
が得られる。式（１３）を式（１２）に代入すると、
(E-V)/Rx
={(R1+Rv)E-(R1+Rv)i2・Rx}/R1・Rx
=V{(1/Rv)+(1/R1)}                                          （１４）
式（１４）より、Ｒｘを求めると、
Rx=(E-V)/V{(1/Rv)+(1/R1)}                                  （１５）
となる。
【００５９】
式（１５）において、直流電圧Ｅは直流電源８１から出力される印加電圧、電位差Ｖは電圧計８２によって検出された電位差、抵抗値Ｒｖは電圧計８２の内部抵抗値、抵抗Ｒ１は第１の抵抗膜６１の抵抗値であり、何れも既知である。よって、第１及び第２の絶縁膜７１、７２の絶縁抵抗値Ｒｘを測定し、その値から、第１及び第２の絶縁膜７１、７２の絶縁劣化を判定することができる。
【００６０】
上述した電気絶縁抵抗測定法によれば、第１の絶縁膜７１と、第１または第２の電極膜１１、１３とを接続する第１、第２の抵抗膜６１、６２、及び、第３、第４の導電膜６３、６４を切断する必要がない。このため、製造工程が短縮され、量産性が向上するとともに、加工ミスの確率を低下させ、歩留を向上させることができる。
【００６１】
図７は本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体の別の実施例を示す一部拡大図である。この実施例では、第１の測定用端子５１は、第１の抵抗膜６１によって、第１の電極膜１１または第２の電極膜１３に電気的に導通され、第２の抵抗膜６２によって第２のシールド膜５に電気的に接続される。第２の測定用端子５２は、第１の測定用端子５１の側において、第１の抵抗膜６１に電気的に導通する。第３の測定用端子５３は、第２のシールド膜５の側において、第１の抵抗膜６１に接続される。第４の測定用端子５４は、第２のシールド膜５に電気的に導通する。
【００６２】
第１の測定用端子５１は、第１の抵抗膜６１によって、第１または第２の電極膜１１、１３に電気的に導通され、第２の抵抗膜６２によって、第２のシールド膜５に電気的に接続されている。従って、第１または第２の電極膜１１、１３と、第２のシールド膜５とは、第１の測定用端子５１、第１及び第２の抵抗膜６１、６２を介して、電気的に接続され、電気的に等電位になる。このため、工程において、第１及び第２の電極膜１１、１３と、第２のシールド膜５との間に存在する第２の絶縁膜７２に電圧が加わることがないから、第２の絶縁膜７２に絶縁劣化または絶縁破壊を生じるのを防止できる。
【００６３】
更に、第２の測定用端子５２は、第１の測定用端子５１の側において、第１の抵抗膜６１に電気的に導通する。第３の測定用端子５３は、第２のシールド膜５の側において、第１の抵抗膜６１に接続されている。第４の測定用端子５４は第２のシールド膜５に電気的に導通される。この構成によれば、第１の測定用端子５１と第４の測定用端子５４との間に、電圧を印加し、第２の測定用端子５２と第３の測定用端子５３との間に現れる電位差を測定することより、第２の絶縁膜７２の電気絶縁抵抗を測定することができる。第１乃至第４の測定用端子５１〜５４は外部に露出しているから、図４で説明したように、電気絶縁抵抗測定に当って、第１乃至第４の測定用端子５１〜５４に、直流電源８１の給電用プローブ８３、８４、及び、電圧計８２の測定プローブ８５、８６を当てることができる。
【００６４】
この実施例の場合も、第２のシールド膜５と、第１または第２の電極膜１１、１３とを接続する第１または第２の抵抗膜６１、６２を切断する必要がない。このため、製造工程が短縮され、量産性が向上するとともに、加工ミスの確率を低下させ、歩留を向上させることができる。
【００６５】
第１のシールド膜３及び第２のシールド膜５を、導電膜１８（図３参照）と電気的に導通させた場合は、第１及び第２の絶縁膜７１、７２の絶縁抵抗を並列に接続した合成抵抗を測定することができる。その値は、第１及び第２の絶縁膜７１、７２のうち、絶縁破壊等を起こし、絶縁抵抗値の低下した絶縁膜の絶縁抵抗値によって支配されるから、第１及び第２の絶縁膜７１、７２の何れかに絶縁破壊等が起こっていることを検知することができる。
【００６６】
本発明では、微小電圧を測定することになるため、磁気ヘッドに使用される異なる材料間の接合面、及び、第２及び第３の測定用端子５２、５３と、測定用プローブ８５、８６との間の異種金属接触箇所、並びに、測定装置の配線中に存在する異種材料接触箇所において、接触材間の温度差に起因する熱起電力を無視できないことがある。熱起電力の影響をキャンセルする手段としては、電圧を印加するステップを、印加電圧の値を変えて、少なくとも２回実行し、得られた電位差の差分、及び、印加電圧の差分から、絶縁特性を算出する方法が有効である。  また、上述した実施例では、第１及び第４の測定用端子５１、５４に、直流電源８１から導かれた給電用プローブ８３、８４を当て、第２乃至第３の測定用端子５２、５３に、電圧計８２から導かれた測定プローブ８５、８６を当てる標準タイプを示したが、ウエハ中の大半の素子が、絶縁抵抗値の規格値を満たす場合には、次の方法を採用することもできる。
（ａ）第２の測定用端子５２と第４の測定用端子５４との間に電圧を印加し、第２の測定用端子５２と第３の測定用端子５３との間に現れる電位差より、絶縁特性を測定する方法。
（ｂ）第１の測定用端子５１と第４の測定用端子５４との間に電圧を印加し、第１の測定用端子５１と第３の測定用端子５３との間に現れる電位差より、絶縁特性を測定する方法。
（ｃ）第２の測定用端子５２と第４の測定用端子５４との間に電圧を印加し、第１の測定用端子５１と第３の測定用端子５３との間に現れる電位差より、絶縁特性を測定する方法。
【００６７】
更に、要求される精度が許容するならば、第１及び第２の測定用端子５１、５２の何れか一方を省略することもできる。
【００６８】
図８は、その一例として、第１の測定用端子５１を省略し、第２の測定用端子５２を残した薄膜磁気ヘッド集合体の例を示す。図において、先に示した図面に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付し、重複説明は省略する。
【００６９】
図９は図８に示した磁気ヘッド集合体の絶縁特性測定方法を示す図である。図９に示すように、第２の測定用端子５２と第４の測定用端子５４との間に電圧を印加し、第２の測定用端子５２と第３の測定用端子５３との間に現れる電位差より、絶縁特性を測定する。
【００７０】
図１０は本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体の別の実施例を示す一部拡大図、図１１は図１０に示された薄膜磁気ヘッド要素の一つの拡大断面図である。図において、先に示した図面に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付し、重複説明は省略する。図示された実施例の特徴は、第１のシールド膜３の上に形成された第５及び第６の測定用端子５５、５６を、保護膜２１の表面に露出させたこと、及び、第１のシールド膜３と第２のシールド膜５とを、第３の抵抗膜１９によって接続したことである。第３の抵抗膜１９は、例えば、１０ｋΩの高抵抗である。
【００７１】
図１２は図１０、１１に示した薄膜磁気ヘッド集合体の絶縁特性測定方法を示す図である。図１２において、参照符号Ｒｘ１は、第１のシールド膜３と、第１及び第２の電極膜１１、１３との間に介在する第１の絶縁膜７１の絶縁抵抗値、参照符号Ｒｘ２は、第２のシールド膜５と第１及び第２の電極膜１１、１３との間に介在する第２の絶縁膜７２の絶縁抵抗値（図１０、１１参照）である。
【００７２】
絶縁特性の測定に当っては、第１及び第５の測定用端子５１、５５の間に直流電圧Ｅを印加し、第２の測定用端子５２と第３の測定用端子５３との間に現れる電位差Ｖ１、及び、第４の測定用端子５４と第６の測定用端子５６との間に現れる電位差Ｖ３を、電圧計８２及び８０１でそれぞれ測定する。
【００７３】
ここで、電圧計８２、８０１の内部抵抗及び熱起電力の影響を無視すると、第１の絶縁膜７１の絶縁抵抗Ｒｘ１、及び、第２の絶縁膜７２の絶縁抵抗Ｒｘ２の値は、次の式によって求められる。
Rx1=(E-V1)・R1・R3/(R3・V1-R1・V3)                           （１６）
Rx2=(E-V1-V3)・R3/V3                                         （１７）
上記の（１６）式及び（１７）式により、第１の絶縁膜７１の絶縁抵抗Ｒｘ１、及び、第２の絶縁膜７２の絶縁抵抗Ｒｘ２の値を算出することができる。
【００７４】
次に、電圧計８２、８０１の内部抵抗及び熱起電力の影響を考慮した場合の算出式について説明する。直流電源８１から、第１の測定用端子５１及び第５の測定用端子５５に印加される印加電圧をＥとし、回路中に、ｎ個の熱起電力源が含まれており、それぞれが熱起電力（電圧）をｅ１、ｅ２，．．ｅｎを有するものとし、電圧計８２、８０１の内部抵抗を、それぞれ、Ｒｖ１、Ｒｖ３とする。
【００７５】
測定手法としては、まず、電圧計８２、８０１の内部抵抗Ｒｖ１、Ｒｖ３を考慮に入れた算出式を導き出す。そのためには、電圧計８２、８０１によって現実に得られた電圧値をＶ１、Ｖ３とし、電圧計８２、８０１を、内部抵抗Ｒｖ１、Ｒｖ３を持つ電圧計と、内部抵抗Ｒｖ１、Ｒｖ３が無限大の理想的な電圧計とに分離して、それぞれの場合の等価回路を考える。
【００７６】
測定回路中で、電圧計８２、８０１の内部抵抗Ｒｖ１、Ｒｖ３を考慮に入れることは、内部抵抗Ｒｖ１、Ｒｖ３を考慮に入れない上掲式（１６）、（１７）において、Ｒ１を
1/(1/R1+1/Rv1)
で置き換え、Ｒ３を
1/(1/R3+1/Rv3)
で置き換えてから、内部抵抗Ｒｖ１、Ｒｖ３が無限大の理想的な電圧計を接続し、測定することと等価である。
従って、内部抵抗Ｒｖ１、Ｒｖ３を考慮した場合、式（１６）、（１７）は、            Rx1=(E-V1)・R1・R3/(R3・V1-R1・V3)                          （１８）
Rx2=(E-V1-V3)・R3/V3                                        （１９）
となる。
【００７７】
次に、熱起電力を考慮に入れた場合について考察する。まず、各熱起電力を電圧源とみなし、各電圧源毎に、その電圧源のみが存在し、他の電圧源が短絡されていると考えたときに、端子５２ー５３、５１ー５５間に現れる電圧値を算出し、その後、重ね合わせの理に従って重ね合わせることにより、電圧値Ｖ１、Ｖ３を算出することができる。具体的には、Ａ、ｂ１、ｂ２、．．．ｂｎ、Ｃ、ｄ１、ｄ２、．．．ｄｎを、電源直流電圧Ｅ、熱起電力ｅ１、ｅ２、．．．ｅｎを含まない抵抗値Ｒ１、Ｒ２、Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｖ１、Ｒｖ３の有理式として、
V1=A・E+b1・e1+b2・e2+．．．+bn・en                         （２０）
V2=C・E+d1・e1+d2・e2+．．．+dn・en                         （２１）
と表現できる。
【００７８】
次に、２回目の測定を、印加電圧を電圧値Ｅから、電圧値Ｅ´に変えて同様の測定を行ったとすると、
V1'=A・E'+b1・e1+b2・e2+...+bn・en                           （２２）
V2'=C・E'+d1・e1+d2・e2+．．．+dn・en                        （２３）
式（２０）−式（２２）、式（２１）−式（２３）より、
V1-V1'=A・(E-E')                                              （２４）
V3-V3'=C・(E-E')                                              （２５）
となり、熱起電力による電圧を消去した式（２４）、（２５）が導かれる。式（２４）、（２５）は、絶縁抵抗Ｒｘ１、Ｒｘ２を含んだ独立な式である。これらの式（２４）、（２５）によれば、直流電源８１の印加電圧を、直流電圧Ｅ、Ｅ´のように変化させ、そのときの電圧値Ｖ１、Ｖ１´及びＶ３、Ｖ３´を測定することにより、熱起電力の影響を除去して、絶縁抵抗Ｒｘ１、Ｒｘ２を測定することができる。このときの絶縁抵抗Ｒｘ１、Ｒｘ２は、
Rx1=(E-E'-V1+V1')/{(1/R1+1/Rv1)・(V1-V1')-(1/R3+1/Rv3)・(V3-V3')}（２６）
Rx2=(E-E'-V1+V1'-V3+V3')/{(1/R3+1/Rv3)・(V3-V3')}                （２７）
となる。式（２６）、（２７）は、式（１８）、（１９）のＥを（Ｅ−Ｅ´）で置き換え、Ｖ１を（Ｖ１−Ｖ１´）で置き換え、Ｖ３を（Ｖ３−Ｖ３´）で置き換えた式にほかならない。
【００７９】
ところで、熱起電力の発生原因となる熱的な不均一性に対して、電圧を印加することにより発生する電流自身による発熱が大きく寄与する場合がある。この場合は、電流の大きさが２回の測定で異なれば、電流による発熱が変化する結果として、熱起電力の値が変化してしまうため、前述した熱起電力の消去法は成り立たなくなる。
【００８０】
この問題に対しては、２回の測定において、印加する電圧を、符号が異なり絶対値が等しい値とすることにより、電流による発熱をほぼ一定とすることができる。こうすることにより、この場合でも熱起電力の消去法を有効に用いることができるようになる。
【００８１】
また、第２の抵抗膜６２の抵抗値Ｒ２が小さすぎると、そこで発生する熱が大きくなる結果、熱起電力が大きくなり、測定精度が低下し易い。この問題を回避する手段として、第２の抵抗膜６２の抵抗値Ｒ２は、１００Ω以上の範囲に設定することが望ましい。
【００８２】
一方、抵抗値Ｒ２が大きすぎると、ウエハプロセスでの電気的保護が不充分になると共に、抵抗体がウエハ上で示す面積が大きくなってしまう。従って、抵抗値Ｒ２は１００ｋΩ以下であることが好ましい。第１の抵抗膜６１の抵抗値Ｒ１も同様である。
【００８３】
図１３は本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体の別の実施例を示す図である。  図において、先に示された図面に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付し、重複説明は省略する。この実施例の特徴は、ガード導体膜５０を含むことである。ガード導体膜５０は、第２または第３の測定用端子５２、５３の少なくとも一方を包囲する。実施例では、ガード導体膜５０は、前記第２の測定用端子５２に導通し、第３の測定用端子５３を包囲する。この構成によれば、第３の測定用端子５３から、それと異なる電位にある導体、例えば、第２の測定用端子５２または第４の測定用端子５４へ、基板表面を通って漏洩する漏れ電流を抑制できる。従って、測定精度が向上する。
【００８４】
測定に当っては、ガード導体膜５０に、ケーブル線８８のシールド線に接続されたプローブ８７を当てると共に、第１の測定用端子５１と第４の測定用端子５４との間に直流電圧Ｅを印加し、第２の測定用端子５２と第３の測定用端子５３との間に現れる電位差より、絶縁特性を測定する。
【００８５】
図１４は本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体の別の実施例を示す図である。  図において、先に示された図面に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付し、重複説明は省略する。この実施例では、ガード導体膜５０は、第３の測定用端子５３に導通し、前記第２の測定用端子５２を包囲する。この構成によれば、第２の測定用端子５２から、それと異なる電位にある導体、例えば、第３の測定用端子５３または第４の測定用端子５４へ、基板表面を通って漏洩する漏れ電流を抑制できる。従って、測定精度が向上する。
【００８６】
測定に当っては、ガード導体膜５０に、ケーブル線８８のシールド線に接続されたプローブ８７を当てると共に、第１の測定用端子５１と第４の測定用端子５４との間に直流電圧Ｅを印加し、第２の測定用端子５２と第３の測定用端子５３との間に現れる電位差より、絶縁特性を測定する。
【００８７】
図１５は本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体の別の実施例を示す図である。  図において、先に示された図面に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付し、重複説明は省略する。この実施例では、ガード導体膜５０は、第２及び第３の測定用端子５２、５３の両者を包囲する。この構成によれば、第２及び第３の測定用端子５２、５３から、それと異なる電位にある導体、例えば、第４の測定用端子５４へ、基板表面を通って漏洩する漏れ電流を抑制できる。従って、測定精度が向上する。
【００８８】
測定に当っては、ガード導体膜５０に、ケーブル線８８０のシールド線に接続されたプローブ８７を当てると共に、第１の測定用端子５１と第４の測定用端子５４との間に直流電圧Ｅを印加し、第２の測定用端子５２と第３の測定用端子５３との間に現れる電位差より、絶縁特性を測定する。
【００８９】
図１３〜図１５は、図２〜図６に示した実施例において、ガード導体膜５０を付設した例であるが、図７〜図１２に示した実施例においても、適用が可能である。
【００９０】
図１６は本発明に係る絶縁特性測定方法の実施に適した絶縁特性測定装置の構成を示すブロック図である。図示された絶縁特性測定装置１００は、図１３〜図１５に示した薄膜磁気ヘッド集合体の絶縁特性測定に適した例であって、多チャンネル（実施例は３チャンネル）化された例であり、直流電源８１と、電圧計８２とを含む。直流電源８１及び電圧計８２は絶縁測定装置１００の筐体の内部に収納されている。更に、実施例では、切替部Ｓ１、Ｓ２を有する。
【００９１】
直流電源８１は、ケーブル８９０、デュプレクサ等で構成される切替部Ｓ１及びケーブル８９１〜８９３を介して、第１の測定用端子５１及び第４の測定用端子５４（図１３〜図１５参照）に直流電圧Ｅを供給する。ケーブル８９０は、直流電源８１から供給される直流電圧Ｅを、切替部Ｓ１に供給する。切替部Ｓ１は、スイッチＳ１１〜Ｓ１３を含み、スイッチＳ１１〜Ｓ１３の切替動作により、ケーブル８９０を介して供給される直流電圧Ｅをケーブル８９１〜８９３に選択的に供給する。切替部Ｓ１を、有接点スイッチによって構成する場合、接点Ｓ１１〜Ｓ３１は熱起電力の小さな材質によって構成する。
【００９２】
図示実施例において、ケーブル８９１〜８９３は３つの測定チャンネル（Ｃ１１〜ＣＨ１３）を構成しているが、測定チャンネル数は任意でよい。測定チャンネル（Ｃ１１〜ＣＨ１３）のそれぞれは、プローブ８３、８４を有しており、これらは、図１３〜図１５において、第１の測定用端子５１、及び、第４の測定用端子５４に直流電圧Ｅを印加するために用いられる。
【００９３】
ケーブル８９０〜８９３は、浮遊容量等に起因するノイズの影響を除くため、シールドを備えるケーブル、またはガード線付ケーブルが適している。実施例では、ケーブル８９０〜８９３として、シールドを備えるケーブルを用いており、シールドはケーブル８９０〜８９３の相互間で互いに接続され、更に、直流電源８１の正極に接続されている。
【００９４】
電圧計８２は、高入力インピーダンスのオペアンプ８２１、マイクロコンピュータ等の演算処理装置８２２を含み、絶縁測定信号Ｚを生成する。オペアンプ８２１は、正電源８２３及び負電源８２４を受けて動作する。
【００９５】
電圧計８２１には、ケーブル８８０、デュプレクサ等の切替部Ｓ２、及びケーブル８８１〜８８３を介して、電圧検出信号が供給される。
【００９６】
ケーブル８８１〜８８３は３つのチャンネル（ＣＨ２１〜ＣＨ２３）を構成している。但し、測定チャンネル数は任意でよい。ケーブル８８１〜８８３は、シールドを備える平衡伝送ケーブル、またはガード線付ツイストペア線、または、３芯ＢＮＣ線が適している。
【００９７】
図示実施例のケーブルケーブル８８１〜８８３は、シールドを備えるケーブルである。シールドはケーブル８８０〜８８３の相互間で互いに接続されると共に、更に、直流電源８１の陽極、直流電源８２４の陽極、及び、直流電源８２３の負極に接続されている。シールドラインと、絶縁測定装置１００の筐体１０１との間にはキャパシタ８２５が接続され、筐体１０１は接地されている。
【００９８】
チャンネル（Ｃ２１〜ＣＨ２３）のそれぞれは、プローブ８５〜８７を有している。プローブ８５、８６は第２の測定用端子５２、及び、第３の測定用端子５３（図１３〜図１５参照）に接触して用いられ、プローブ８７はガード導体膜５０に接触して用いられる。
【００９９】
切替部Ｓ２は、スイッチ（Ｓ２１、Ｓ２２）〜（Ｓ４１、Ｓ４２）を含み、スイッチ（Ｓ２１、Ｓ２２）〜（Ｓ４１、Ｓ４２）の切替動作により、ケーブル８８１〜８８３を介して供給される電圧信号をケーブル８８０に選択的に供給する。切替部Ｓ２を、有接点スイッチによって構成する場合、接点（Ｓ２１、Ｓ２２）〜（Ｓ４１、Ｓ４２）は熱起電力の小さな材質によって構成する。
【０１００】
図１６は、図１３〜図１５に示した薄膜磁気ヘッド集合体の絶縁特性測定に適した絶縁測定装置の例であるが、若干の変更を加えて、他の実施例にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体の斜視図である。
【図２】薄膜磁気ヘッド要素のいくつかを拡大して示す図である。
【図３】図２に示された薄膜磁気ヘッド要素の一つの拡大断面図である。
【図４】本発明に係る絶縁特性測定方法を示す図である。
【図５】図４に示した配置を等価的に変形した図である。
【図６】図５に示した配置の電気的等価回路図である。
【図７】本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体の別の実施例を示す図である。
【図８】本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体の別の実施例を示す一部拡大図である。
【図９】図８に示した磁気ヘッド集合体の絶縁特性測定方法を示す図である。
【図１０】本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体の別の実施例を示す一部拡大図である。
【図１１】図１０に示された薄膜磁気ヘッド集合体似含まれる薄膜磁気ヘッド要素の一つの拡大断面図である。
【図１２】図１０、１１に示した薄膜磁気ヘッド集合体の絶縁特性測定方法を示す図である。
【図１３】本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体の更に別の実施例を示す図である。
【図１４】本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体の更に別の実施例を示す図である。
【図１５】本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体の更に別の実施例を示す図である。
【図１６】本発明に係る絶縁特性測定方法の実施に適した絶縁特性測定装置の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【０１０２】
１                        ウエハ基体
３                        第１のシールド膜
５                        第２のシールド膜
５１〜５４                第１乃至第４の測定用端子
７１                      第１の絶縁膜
７２                      第２の絶縁膜
６１、６２                第１及び第２の抵抗膜
９                        磁気抵抗効果素子
１１                      第１の電極膜
１３                      第２の電極膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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