(57)【要約】【課題】ＡＣ型ＰＤＰ中の誘電体層と保護層の積層構造において、有機誘電体層と、Ｍｇの有機化合物由来の保護層とを組み合わせる際に；（１）Ｍｇの有機化合物をペースト化するための溶剤により、ポリマーからなる誘電体層が変質する、（２）Ｍｇの有機化合物をペースト化するための溶剤や、有機化合物中の有機成分の焼成脱離の際に保護層に生じる応力で、表面摩擦力の大きいポリマーからなる誘電体層が破壊される等の要因におる誘電体層の剥離を防ぐことを課題とする。【解決手段】電極を備えた基板上に誘電体層とＭｇＯからなる保護層をこの順で備え、誘電体層が基板側から有機誘電体層と無機誘電体層の積層体からなることを特徴とするＡＣ型ガス放電パネルの基板構体により上記課題を解決する。【選択図】　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を備えた基板上に誘電体層とＭｇＯからなる保護層をこの順で備え、誘電体層が基板側から有機誘電体層と無機誘電体層の積層体からなることを特徴とするガス放電パネルの基板構体。
【請求項２】
有機誘電体層が、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリシロキサン、ポリシラザンから選択される材料からなる層である請求項１に記載のガス放電パネルの基板構体。
【請求項３】
有機誘電体層が、アルキル基、アルコキシ基、アリール基から選択される側鎖を有するポリシロキサン又はポリシラザンから選択される材料からなる層である請求項２に記載のガス放電パネルの基板構体。
【請求項４】
無機誘電体層が、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣ及びこれらの混合物から選択される材料からなる層である請求項１に記載のガス放電パネルの基板構体。
【請求項５】
無機誘電体層が、金属酸化物からなり、金属酸化物が、原子真空紫外線の波長より短い酸素原子と金属原子の結合距離を有する請求項１に記載のガス放電パネルの基板構体。
【請求項６】
有機誘電体層が、無機誘電体層より低い比誘電率を有する請求項１に記載のガス放電パネルの基板構体。
【請求項７】
基板側の有機誘電体層上に、ゾルゲル法、スパッタ法又は蒸着法で無機誘電体層を形成し、無機誘電体層上にＭｇの有機化合物層を形成し、有機化合物層を焼成することでＭｇＯからなる保護層を形成することを特徴とするガス放電パネルの基板構体の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載の基板構体を前面側に配置し、該前面側の基板構体と対向する背面側の基板構体との間に放電空間を形成し、該背面側の基板構体が、電極を備えた基板上に形成された放電空間を区画する隔壁と、隔壁の側壁及び隔壁で区画された基板上に形成された蛍光体とを備えることを特徴とするガス放電パネル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガス放電パネルの基板構体、その製造方法及びガス放電パネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ガス放電パネルとして、種々の様式のパネルが報告されているが、その内３電極面放電構造のＡＣ型プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）が商品化されている。ＰＤＰは、広視野角をもった薄型表示デバイスとして注目されており、ハイビジョン分野などへの用途拡大に向けて高精細化および大画面化が進められている。
図１に商品化されているＰＤＰの概略構造斜視図を示す。ＰＤＰは前面側の基板構体と背面側の基板構体を貼り合わせた構造をしている。前面側の基板構体は、基板構体の基材となるガラス基板１上に、透明電極３とバス電極４からなる表示電極が配置され、表示電極は誘電体層５で覆われ、誘電体層５の上にさらに２次電子放出係数の高いＭｇＯ層からなる保護層９が形成された構成を有している。背面側の基板構体は、基板構体の基材となるガラス基板２上に、表示電極と直交するようにアドレス電極６が配置され、アドレス電極６間に、放電空間を仕切るための隔壁７が設けられ、アドレス電極６上の隔壁７で区分けされた領域には、赤、緑、青の蛍光体８が塗り分けられている。貼り合わせた前面側の基板構体と背面側の基板構体の間の放電空間には、Ｎｅ−Ｘｅガスが封入されている。
【０００３】
ここで、誘電体層は、主にガラス材料の層からなり、ガラスペーストのスクリーン印刷やシートガラスのラミネートにより形成される。ガラス材料以外に、ガラス材料よりも比誘電率の低いポリマーを用いることも提案されている（例えば特開平６−２３４９１７号公報）。比誘電率の低いポリマーを使用することで、ガス放電パネルの駆動電圧を下げることができる。
また、誘電体層上に保護層として形成されるＭｇＯ層は、蒸着法やＭｇのＯ２雰囲気中でのスパッタ法により主に形成されている。これらの方法以外に、Ｍｇのカルボン酸塩のようなＭｇの有機化合物をペーストにしてスクリーン印刷等の手法で成膜・焼成することで、有機成分を除去して形成するウェットプロセスが提案されている（例えば特願平７−１６８５１５号公報）。ウェットプロセスでは、蒸着法やスパッタ法等のドライプロセスに比べて、製造装置が安価で、製造条件も調整しやすいため製造コストを低減することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、比誘電率の低いポリマーからなる誘電体層と、Ｍｇの有機化合物由来の保護層とを単純に組み合わせることは困難であった。すなわち、単純に組み合わせると；
（１）Ｍｇの有機化合物をペースト化するための溶剤により、ポリマーからなる誘電体層が変質する、
（２）Ｍｇの有機化合物をペースト化するための溶剤や、有機化合物中の有機成分の焼成脱離の際に保護層に生じる応力で、表面摩擦力の大きいポリマーからなる誘電体層が破壊される
等の要因で誘電体層が剥がれやすくなるという問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
かくして本発明によれば、電極を備えた基板上に誘電体層とＭｇＯからなる保護層をこの順で備え、誘電体層が基板側から有機誘電体層と無機誘電体層の積層体からなることを特徴とするガス放電パネルの基板構体が提供される。
更に、本発明によれば、基板側の有機誘電体層上に、ゾルゲル法、スパッタ法又は蒸着法で無機誘電体層を形成し、無機誘電体層上にＭｇの有機化合物層を形成し、有機化合物層を焼成することでＭｇＯからなる保護層を形成することを特徴とするガス放電パネルの基板構体の製造方法が提供される。
また、本発明によれば、上記基板構体を前面側に配置し、該前面側の基板構体と対向する背面側の基板構体との間に放電空間を形成し、該背面側の基板構体が、電極を備えた基板上に形成された放電空間を区画する隔壁と、隔壁の側壁及び隔壁で区画された基板上に形成された蛍光体とを備えることを特徴とするガス放電パネルが提供される。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明のガス放電パネルの例えば前面側に配置される基板構体は、基板側から有機誘電体層、無機誘電体層及びＭｇＯからなる保護層をこの順で備えている。本発明では、有機誘電体層と保護層の間に無機誘電体層を挟み、有機誘電体層と保護層とが直接接しない構造とすることで上記課題を解決する。つまり、無機誘電体層が、保護層形成時に発生する応力を緩和するため、応力により生じる有機誘電体層への悪影響を防ぐことができる。
【０００７】
有機誘電体層を構成する有機材料としては、誘電体層用の材料として公知のものをいずれも使用することができる。但し、後述する無機誘電体層及び保護層の形成時の熱処理温度に耐える材料を選択することが好ましい。特に、従来の低融点ガラスからなる誘電体層より有機誘電体層の比誘電率を低くすることができる有機材料を使用することが好ましい。ここで、低融点ガラスからなる層の比誘電率は、９〜１３程度であり、この比誘電率より有機誘電体層の比誘電率が２以上低くなるような有機材料を使用することが好ましい。なお、有機誘電体層の比誘電率は２〜９程度であることが好ましい。なお、比誘電率は、ＬＣＲメータ（測定周波数１００ｋＨｚ）により測定した値である。
また、有機誘電体層は、以下で説明する無機誘電体層より低い比誘電率を有することが好ましい。
【０００８】
具体的な有機材料としては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリシロキサン、ポリシラザンが挙げられる。更に、ポリシロキサン及びポリシラザンは、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等）、アリール基（メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、フッ素原子、塩素原子又は臭素原子等で置換されていてもよいフェニル基、ナフチル基等）から選択される側鎖を有していてもよい。
有機誘電体層の厚さは、有機材料の種類に応じて異なるが、５〜２０μｍの範囲であることが好ましい。
【０００９】
有機誘電体層の形成方法は、特に限定されず、公知の方法を使用することができる。例えば、上記有機材料を、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の溶媒に溶解又は分散させてペースト化し、得られたペーストを基板上に例えばスクリーン印刷法により塗布し、塗膜を加熱して硬化させることにより有機誘電体層を形成することができる。なお、必要に応じて、硬化前に塗膜中の溶剤を除去するための乾燥処理を行ってもよい。
【００１０】
無機誘電体層を構成する無機材料としては、有機誘電体層を構成する有機材料と以下で説明する保護層形成用の材料の双方に対して反応性がなく、また耐応力性の高い無機材料を使用することが好ましい。具体的には、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣ及びこれらの混合物から選択される材料からなる層が挙げられる。また、有機誘電体層は、ガス放電パネルにおいて放電により発生する真空紫外線の照射により、それを構成する有機材料が分解され、有機ガスが放電空間に排出されることで放電特性が悪化するおそれがある。この有機材料の分解を防ぐために、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２等の原子真空紫外線の波長より短い酸素原子と金属原子の結合距離を有する材料からなる無機誘電体層を使用することが好ましい。
【００１１】
無機誘電体層の厚さは、構成する材料の種類に応じて異なるが、０．５〜２μｍの範囲であることが好ましい。また、比誘電率は３〜１０の範囲であることが好ましい。
無機誘電体層の形成方法は、特に限定されず、公知の方法を使用することができる。例えば、ゾルゲル法のようなウェットプロセス、スパッタ法や蒸着法等のドライプロセスが挙げられる。
ゾルゲル法では、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ等のアルコキシド又は脂肪酸塩、環状ポリシラザンと溶剤とからなるペーストを用いてスクリーン印刷法のような塗布法で塗膜を形成し、塗膜を酸素や窒素雰囲気下で焼成（例えば４００〜８００℃で）することにより無機誘電体層を形成することができる。
【００１２】
スパッタ法では、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＳｉＣ等のターゲットを酸素、窒素又は不活性雰囲気下でスパッタすることにより無機誘電体層を形成することができる。また、蒸着法では、無機誘電体層を構成する材料を、必要に応じて減圧下で蒸発させて有機誘電体層上に堆積させることにより無機誘電体層を形成することができる。
【００１３】
ＭｇＯからなる保護層の形成法は、特に限定されないが、Ｍｇの有機化合物層を形成し、有機化合物層を焼成することでＭｇＯからなる保護層を形成すれば、真空装置を使用しないので、比較的簡単に成膜できたり、多孔体等の形状選択性があったりといったメリットがある。本発明では、有機誘電体層と保護層の間に無機誘電体層を備えているため、焼成により保護層に生じる応力が、有機誘電体層に悪影響を及ぼすことを防ぐことができる。
【００１４】
保護層の厚さは、０．５〜１．５μｍの範囲であることが好ましい。
Ｍｇの有機化合物層としては、焼成によりＭｇＯとなりさえすれば特に限定されない。例えば、Ｍｇのアルコキシドや脂肪酸塩等の層が挙げられる。より具体的には、特開平９−１２９７６号公報に記載された式Ｍｇ（ＯＣＯＲ１ＣＯＯＲ２）２（式中、Ｒ１はアルキレン基又はアルキリデン基、Ｒ２はアルキル基である）で表されるモノエステル２塩基酸塩、特開平６−１６２９２０号公報に記載された式Ｍｇ（ＯＲ）２（式中、Ｒは、互いに同一又は異なって、１価の炭化水素基、ヒドロキシル基で置換されていてもよい１価のアシル基であり、アシル基の場合、２個のＲが連結して２価のアシル基を形成してもよい）で表されるアルコキシド、特開平９−１２９４０号公報に記載された炭素数１０までの脂肪族モノカルボン酸塩等の層が挙げられる。
【００１５】
有機化合物層の形成方法は、特に限定されず、公知の方法をいずれも使用することができる。例えば、上記有機材料を、エタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の溶媒に溶解又は分散させてペースト化し、得られたペーストを基板上に例えばスクリーン印刷法により塗布し、塗膜を焼成することにより保護層を形成することができる。なお、必要に応じて、硬化前に塗膜中の溶剤を除去するための乾燥処理を行ってもよい。
【００１６】
ここで、上記有機誘電体層、無機誘電体層及び保護層を加熱（焼成）により形成する場合は、有機誘電体層及び無機誘電体層の加熱を同時に行ってもよく、有機誘電体層、無機誘電体層及び保護層の加熱を同時に行ってもよい。加熱を同時に行うことで、工程数を減らすことができる。但し、加熱を同時に行う場合、各層の形成用材料が混じり合わないように、加熱温度を下げたり、加熱前に形成用材料に含まれる溶媒を除去して層を形成するために乾燥処理に付したりすることが好ましい。
【００１７】
本発明のガス放電パネルの基板構体は、上記有機誘電体層、無機誘電体層及び保護層を備えている限り、他の構成は特に限定されず、所望するガス放電パネルの構成に応じて適宜選択される。なお、基板構体の基材を構成する基板としては、特に限定されず、当該分野で公知の基板をいずれも使用することができる。具体的には、ガラス基板、プラスチック基板等の透明基板が挙げられる。基板上に形成される電極としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｕ等の金属電極、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造電極、ＩＴＯ、ＮＥＳＡ等の透明電極が挙げられる。
【００１８】
更に、本発明では、上記基板構体を前面側に配置し、背面側の基板構体との間で放電空間を形成し、当該背面側の基板構体が、電極を備えた基板上に形成された放電空間を区画する隔壁と、隔壁の側壁及び隔壁で区画された基板上に形成された蛍光体とを備えることを特徴とするガス放電パネルも提供される。
背面側の基板構体を構成する基板、電極、隔壁及び蛍光体は、特に限定されず、ガス放電パネルの種類に応じて適宜選択することができる。
具体的には、本発明のガス放電パネルとしては、ＰＤＰ、プラズマアドレス液晶パネル（ＰＡＬＣ）等が挙げられる。この内、ＰＤＰが好ましい。以下、ＰＤＰの構成を図２を用いて説明する。
【００１９】
図２のＰＤＰは、３電極ＡＣ型面放電ＰＤＰである。このＰＤＰは、サブピクセルがストライプ状の隔壁によって形成された場合を例示している。なお、本発明は、この形式のＰＤＰに限らず、どのような構成にも適用することができる。例えば、２電極対向放電型でもよく、また蛍光体を設けた基板構体を前面側に配置する透過型にも適用することができる。
図２のＰＤＰは、前面側の基板構体と背面側の基板構体とから構成される。
前面側の基板構体は、ガラス基板１上に形成された複数本のストライプ状の表示電極、表示電極を覆うように形成された有機誘電体層５ａ、有機誘電体層５ａ上に形成された無機誘電体層５ｂ、無機誘電体層５ｂ上に形成され放電空間に露出する保護層５ｃとからなる。
【００２０】
表示電極は、図１と同様に、ＩＴＯ、ＮＥＳＡ等からなる透明電極３とバス電極（例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ等の金属層や、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造）４からなり、隣接する２本の電極間で表示用の面放電を発生する。
背面側の基板構体は、ガラス基板２上に形成された複数本のストライプ状のアドレス電極（例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ等の金属層や、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造）６、アドレス電極６間のガラス基板２上に形成された複数本のストライプ状の隔壁７、隔壁７間に壁面を含めて形成された蛍光体８とからなる。図２では、蛍光体８は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の蛍光体からなる。
【００２１】
隔壁７は、低融点ガラスとバインダとからなるペーストをガラス基板２上に塗布し、焼成した後、サンドブラスト法で切削することにより形成することができる。また、バインダに感光性の樹脂を使用した場合、所定形状のマスクを使用して露光及び現像した後、焼成することにより形成することも可能である。
蛍光体８は、溶媒中にバインダが溶解された溶液に粒子状の蛍光体を分散させたペーストを、隔壁７間に塗布し、不活性雰囲気下で焼成することにより形成することができる。
また、ガラス基板２上に、アドレス電極６を被覆するように誘電体層を形成し、誘電体層上に隔壁７を公知の方法により形成してもよい。
【００２２】
【実施例】
以下、本発明を３電極面放電型ＰＤＰの前面側の基板構体に適用した実施例により説明するが、本発明はこれら実施例により限定されるものではない。
実施例１
表示電極が形成されたガラス基板１１（図３（ａ））上に、有機成分を含むポリシロキサンＳＯＧ（東京応化工業社製ＯＣＤＦ９）をスクリーン印刷法で塗布し、１５０℃で３０分間基板乾燥して塗膜１２を形成した（図３（ｂ））。得られた塗膜１２を５００℃で３０分間加熱することで硬化させて厚さ１０μｍの有機誘電体層１３を形成した（図３（ｃ））。
有機誘電体層上にテトラエトキシシラン（（ＣＨ３ＣＨ２Ｏ）４Ｓｉ）のキシレン溶液（テトラエトキシシランの濃度約１０重量％）をスクリーン印刷法で塗布して塗膜１４を得（図３（ｄ））、塗膜１４を５００℃で３０分間焼成することにより厚さ０．５μｍの無機誘電体層１５を形成した（図３（ｅ））。
【００２３】
次に、無機誘電体層上にＭｇのカルボン酸塩（日本油脂社製ＬＣ６−Ｍｇ；カルボン酸はカプロン酸である）のエタノール溶液（Ｍｇのカルボン酸塩濃度約　重量％）をスクリーン印刷法で塗布し、１００℃で３０分間基板を加熱してエタノールを除去して塗膜１６を形成した（図３（ｆ））。得られた塗膜１６を５００℃で３０分間焼成することにより厚さ０．５μｍのＭｇＯからなる保護層１７を備えた前面側の基板構体を形成した（図３（ｇ））。
この後、公知の方法で別個に形成された背面側の基板構体と上記前面側の基板構体とを対向させ、基板間を封止し、封止された空間に放電ガスを充填することで、ガス放電パネルを得た。
【００２４】
実施例２
表示電極が形成されたガラス基板１１（図４（ａ））上に、有機成分を含むポリシロキサンＳＯＧ（東京応化工業社製ＯＣＤＦ９）のキシレン溶液（ポリシラザンの濃度約１０重量％）をスクリーン印刷法で塗布し、１５０℃で３０分間基板を加熱してキシレンを除去して有機誘電体層形成用の塗膜１２を形成した（図４（ｂ））。
塗膜１２上にテトラエトキシシラン（（ＣＨ３ＣＨ２Ｏ）４Ｓｉ）のキシレン溶液（テトラエトキシシランの濃度約１０重量％）をスクリーン印刷法で塗布して塗膜１４を得た（図４（ｃ））。塗膜１２及び１４を５００℃で３０分間加熱することにより、塗膜１２を硬化させて厚さ１０μｍの有機誘電体層１３を、塗膜１４を焼成して厚さ０．５μｍの無機誘電体層１５を同時に形成した（図４（ｄ））。
【００２５】
次に、無機誘電体層上にＭｇのカルボン酸塩（日本油脂社製ＬＣ６−Ｍｇ；カルボン酸はカプロン酸である）のエタノール溶液（Ｍｇのカルボン酸塩濃度約１０重量％）をスクリーン印刷法で塗布し、１００℃で３０分間基板を加熱してエタノールを除去して塗膜１６を形成した（図４（ｅ））。得られた塗膜１６を５００℃で３０分間焼成することにより厚さ０．５μｍのＭｇＯからなる保護層１７を備えた前面側の基板構体を形成した（図４（ｆ））。
この後、公知の方法で別個に形成された背面側の基板構体と上記前面側の基板構体とを対向させ、基板間を封止し、封止された空間に放電ガスを充填することで、ガス放電パネルを得た。
【００２６】
実施例３
表示電極が形成されたガラス基板１１（図５（ａ））上に、有機成分を含むポリシロキサンＳＯＧ（東京応化工業社製ＯＣＤＦ９）のキシレン溶液（ポリシラザンの濃度約１０重量％）をスクリーン印刷法で塗布し、１５０℃で３０分間基板を加熱してキシレンを除去して有機誘電体層形成用の塗膜１２を形成した（図５（ｂ））。
塗膜１２上にテトラエトキシシラン（（ＣＨ３ＣＨ２Ｏ）４Ｓｉ）のキシレン溶液（テトラエトキシシランの濃度約１０重量％）をスクリーン印刷法で塗布して無機誘電体層形成用の塗膜１４を得た（図５（ｃ））。
【００２７】
次に、塗膜１４上にＭｇのカルボン酸塩（日本油脂社製ＬＣ６−Ｍｇ；カルボン酸はカプロン酸である）のエタノール溶液（Ｍｇのカルボン酸塩濃度約１０重量％）をスクリーン印刷法で塗布し、１００℃で３０分間基板を加熱してキシレンを除去して塗膜１６を形成した（図５（ｄ））。
得られた塗膜１２、１４及び１６を５００℃で３０分間加熱することにより、塗膜１２を硬化させて厚さ１０μｍの有機誘電体層１３を、塗膜１４及び１６を焼成して厚さ０．５μｍの無機誘電体層１５及び厚さ０．５μｍのＭｇＯからなる保護層１７を同時に形成した（図５（ｅ））。
この後、公知の方法で別個に形成された背面側の基板構体と上記前面側の基板構体とを対向させ、基板間を封止し、封止された空間に放電ガスを充填することで、ガス放電パネルを得た。
【００２８】
実施例４
表示電極が形成されたガラス基板１１（図６（ａ））上に、有機成分を含むポリシロキサンＳＯＧ（東京応化工業社製ＯＣＤＦ９）のキシレン溶液（ポリシラザンの濃度約１０重量％）をスクリーン印刷法で塗布し、１５０℃で３０分間基板を加熱してキシレンを除去して塗膜１２を形成した（図６（ｂ））。得られた塗膜１２を５００℃で３０分間加熱することで硬化させて厚さ１０μｍの有機誘電体層１３を形成した（図６（ｃ））。
有機誘電体層上にスパッタ法でＳｉＯ２からなる厚さ０．５μｍの無機誘電体層１５を形成した（図６（ｄ））。
【００２９】
次に、無機誘電体層上にＭｇのカルボン酸塩（日本油脂社製ＬＣ６−Ｍｇ；カルボン酸はカプロン酸である）のエタノール溶液（Ｍｇのカルボン酸塩濃度約１０重量％）をスクリーン印刷法で塗布し、１００℃で３０分間基板を加熱してエタノールを除去して塗膜１６を形成した（図６（ｅ））。得られた塗膜１６を５００℃で３０分間焼成することにより厚さ０．５μｍのＭｇＯからなる保護層１７を備えた前面側の基板構体を形成した（図６（ｆ））。
この後、公知の方法で別個に形成された背面側の基板構体と上記前面側の基板構体とを対向させ、基板間を封止し、封止された空間に放電ガスを充填することで、ガス放電パネルを得た。
【００３０】
【発明の効果】
本発明によれば、有機誘電体層と保護層との間に無機誘電体層を備えているので、ＭｇＯからなる保護層の形成時に、有機誘電体層が基板から剥離することを防ぐことができる。
また、有機誘電体層及び保護層をウェットプロセスにより形成することができるので、従来のドライプロセスよりも製造装置が安価で、製造条件も調整しやすいため製造コストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のガス放電パネル（ＰＤＰ）の概略斜視図である。
【図２】本発明のガス放電パネル（ＰＤＰ）の概略斜視図である。
【図３】本発明のガス放電パネルの製造方法の概略工程断面図である。
【図４】本発明のガス放電パネルの製造方法の概略工程断面図である。
【図５】本発明のガス放電パネルの製造方法の概略工程断面図である。
【図６】本発明のガス放電パネルの製造方法の概略工程断面図である。
【符号の説明】
１、２、１１　ガラス基板
３　透明電極
４　バス電極
５　誘電体層
５ｃ、９、１７　保護層
６　アドレス電極
７　隔壁
８　蛍光体
１２、１４、１６　塗膜
５ａ、１３　有機誘電体層
５ｂ、１５　無機誘電体層
【図１】
2004055457.tif 000003
【図２】
2004055457.tif 000004
【図３】
2004055457.tif 000005
【図４】
2004055457.tif 000006
【図５】
2004055457.tif 000007
【図６】
2004055457.tif 000008