(57)【要約】【課題】本発明は、保管安定性に優れ、長距離輸送にも耐えうる輸送耐性を保持するＥＬ素子形成用基板を提供することを主目的とするものである。【解決手段】上記目的を達成するために、本発明は、基板と、前記基板上にパターン状に形成された第１電極層と、前記第１電極層上に形成された発光部と、前記発光部の表面を覆うように形成された保護層とを有することを特徴とするＥＬ素子形成用基板を提供する。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上にパターン状に形成された第１電極層と、前記第１電極層上に形成された発光部と、前記発光部の表面を覆うように形成された保護層とを有することを特徴とするエレクトロルミネッセント素子形成用基板。
【請求項２】
前記保護層は、前記発光部の側面および表面を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセント素子形成用基板。
【請求項３】
前記保護層はフォトレジスト層または剥離層の少なくとも一方からなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のエレクトロルミネッセント素子形成用基板。
【請求項４】
前記保護層の水蒸気透過率が、０．１ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、酸素透過率が、０．１ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ以下であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のエレクトロルミネッセント素子形成用基板。
【請求項５】
前記保護層の厚みは、０．１μｍ〜１０μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載のエレクトロルミネッセント素子形成用基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、保管安定性に優れ、輸送に適したエレクトロルミネッセント（以下、エレクトロルミネッセントをＥＬと略す場合がある。）素子形成用基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＥＬ素子は、対向する電極から注入された正孔および電子が発光部内で結合し、そのエネルギーで発光部中の蛍光物質を励起し、蛍光物質に応じた色の発光を行うものであり、自発光の面状表示素子として注目されている。その中でも、有機物質を発光材料として用いた有機薄膜ＥＬディスプレイは、印加電圧が１０Ｖ弱であっても高輝度な発光が実現するなど発光効率が高く、単純な素子構造で発光が可能で、特定のパターンを発光表示させる広告その他低価格の簡易表示ディスプレイへの応用が期待されている。
【０００３】
このようなＥＬ素子を用いたディスプレイの製造にあっては、第１電極層や有機ＥＬ層のパターニングが通常なされている。このＥＬ素子のパターニング方法としては、発光材料をシャドウマスクを介して蒸着する方法、インクジェットによる塗りわけ方法、紫外線照射により特定の発光色素を破壊する方法、スクリーン印刷法等がある。しかしながら、これらの方法では、発光効率や光の取り出し効率の高さ、製造工程の簡便さや高精細なパターン形成の全てを実現するＥＬ素子を提供することはできなかった。
【０００４】
このような問題点を解決する手段として、発光部をフォトリソグラフィー法によりパターニングすることにより形成するＥＬ素子の製造方法が提案されている。この方法によれば、従来行われてきた蒸着によるパターニング法と比較すると、高精度のアライメント機構を備えた真空設備等が不要であることから、比較的容易にかつ安価に製造することができる。一方、インクジェット方式を用いたパターニング法と比較すると、パターニングを補助する構造物や基板に対する前処理等を行うことがない点で好ましく、さらにインクジェットヘッドの吐出精度との関係から、フォトリソグラフィー法による製造方法の方がより高精細なパターンの形成に対しては好ましい方法であるといった利点を有するものであった。
【０００５】
このようなＥＬ素子の製造方法に際しては、製造工程の簡略化のため、例えば、発光層までが既に形成されているＥＬ素子形成用基板等の中間製品が求められる場合がある。
【０００６】
しかしながら、このような中間製品を製品化するにあたっては保管安定性等の面からいくつかの問題点が存在する。というのも、ＥＬ素子の製造途中で製造される中間製品では、水および酸素等に曝されると劣化する発光層等の有機ＥＬ層の保護が充分でない場合が多いからである。従って、ＥＬ素子製造工程の簡略化を実現する中間製品を得るためには、発光層等の保護が課題となっていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、保管安定性に優れ、長距離輸送にも耐えうる輸送耐性を保持するＥＬ素子形成用基板を提供することを主目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、請求項１に記載するように、基板と、上記基板上にパターン状に形成された第１電極層と、上記第１電極層上に形成された発光部と、上記発光部の表面を覆うように形成された保護層とを有することを特徴とするＥＬ素子形成用基板を提供する。
【０００９】
本発明のＥＬ素子形成用基板とは、最終的にＥＬ素子として製造される前の段階で、基板上に例えば発光部までが形成されている基板等を示すものである。以下、このＥＬ素子形成用基板を中間製品という場合がある。このようなＥＬ素子の中間製品は、発光部が、水、酸素および光等の影響に敏感であることから、発光部の保護が不十分な中間製品では、保管安定性に欠け、市場に流通させることは困難であった。そこで、本発明においては、発光部上に保護層が成膜されている状態の中間製品とすることにより、中間製品に保管安定性および輸送耐性を保持させることを可能とした。さらに、保護層を簡易な方法で剥離できるように形成することにより、その後のＥＬ素子の製造に支障をきたすことがなく、良好なＥＬ素子を大幅に簡略された製造方法により製造することが可能となる。
【００１０】
上記請求項１に記載された発明においては、請求項２に記載するように、上記保護層は、上記発光部の側面および表面を覆うように形成されていてもよい。
【００１１】
本発明においては、発光部の表面および側面を保護層によって被覆することにより、発光部をより水および酸素等の影響から防護し、保管安全性および輸送に適したＥＬ素子形成用基板とすることができるからである。
【００１２】
上記請求項１または請求項２に記載された発明においては、請求項３に記載するように、上記保護層はフォトレジスト層または剥離層の少なくとも一方からなることが好ましい。
【００１３】
フォトレジスト層は、発光部をフォトリソグラフィー法により形成する際に、パターンを形成するために用いるものであり、これをそのまま保護層として利用することにより、保護層を設けるための特別な工程等を必要とせずに、保管安定性および輸送耐性に優れた中間製品を得ることができるからである。一方、剥離層は、フォトレジスト層等の不要な層を最終的に除去する際、これらの層の剥離を容易にするために設けられる層である。この剥離層をその目的と共に保護層としても利用することにより、中間製品からＥＬ素子を完成させる際の保護層を剥離する工程が容易となり、良好なＥＬ素子を製造することができるからである。
【００１４】
上記請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載された発明においては、請求項４に記載するように、上記保護層の水蒸気透過率が、０．１ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、酸素透過率が、０．１ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好ましい。
【００１５】
上記範囲内の水蒸気透過率および酸素透過率を保持する保護層であれば、発光部を水および酸素等の影響から充分に保護することが可能であるからである。
【００１６】
上記請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載された発明においては、請求項５に記載するように、上記保護層の厚みは、０．１μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００１７】
上記範囲内の膜厚を有している保護層であれば、耐水性および耐酸素性に加え強度の面からも発光部を充分に保護することが可能であり、輸送等に際して問題のないＥＬ素子の中間製品とすることができるからである。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明のＥＬ素子形成用基板、すなわちＥＬ素子の中間製品は、基板と、前記基板上にパターン状に形成された第１電極層と、前記第１電極層上に形成された発光部と、前記発光部の表面を覆うように形成された保護層とを有することを特徴とするものである。
【００１９】
通常ＥＬ素子の製造においては、ＥＬ素子を構成する複数の層を煩雑な工程を経て製造する必要がある。これらの工程は、精密で高度な技術を必要とするものであり、このような複雑な手間を有する工程を簡略化する方法として、例えば、発光層等が既に形成されている中間製品を利用してＥＬ素子を製造する方法が考えられる。
【００２０】
本発明においては、このように製造工程の大幅な簡略化を実現する中間製品を提供するに際して、外気に曝されることを嫌う発光層を保護層により保護した形状を有する中間製品とすることにより、保管安定性および輸送耐性を満足するようにした点に特徴を有するものである。
【００２１】
このような利点を有する本発明のＥＬ素子の中間製品の一例を図示したものが図１である。以下、図１について説明する。
【００２２】
まず、基板１上には、第１電極層２がパターン状に形成され、さらに、前記第１電極層２上にパターン状に第１発光部３、第２発光部４および第３発光部５が形成されている。さらに、各々の発光部上には、各発光部が水、酸素等に曝されることから保護する保護層６が成膜されている。
【００２３】
以下、このような構成を有する本発明のＥＬ素子の中間製品に関して、各構成毎に詳細に説明する。
【００２４】
１．保護層
本発明における保護層とは、その下に形成されている発光部等を水および酸素等の影響から保護する役割を担う層である。このような保護層としては、耐水性および耐酸素性に優れた層であれば特に限定されない。具体的に保護層の水蒸気透過率は、０．１ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好ましく、その中でも、０．０１ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下の範囲内であることが好ましい。また、酸素透過率は、０．１ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好ましく、その中でも、０．０１ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ以下の範囲内であることが好ましい。
【００２５】
これは、上記範囲よりも水蒸気透過率及び酸素透過率が高いものを保護層とすると、耐水性および耐酸素性が充分でなく、その下に形成されている発光部に水および酸素等の影響が及ぶ可能性が高くなるからである。
【００２６】
さらに保護層の厚みは、０．１μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００２７】
保護層の膜厚を上記範囲内とすることにより、耐水性および耐酸素性が十分に発現され、かつ強度も保持されることから、輸送耐性にも優れた中間製品とすることができるからである。
【００２８】
このような保護層は、発光部の表面を覆うように形成されていることが好ましく、さらに、発光部の側面をも覆うように形成されていてもよい。発光部の側面をも保護層により被覆することより、より一層水および酸素等の影響から発光部を保護することが可能となり、保管安定性を向上させることができるからである。
【００２９】
本発明の保護層としては、耐水性および耐酸素性が充分なものであれば特に限定はされない。また、その設け方としては、本発明の保護層を得るために特に煩雑な手間等を要しない製造方法であれば、特に限定はされない。例えば、発光部のパターニングが終了した段階で、各発光部上に積層されている不要な層を除去した後、保護層を新たに成膜する方法や、ＥＬ素子の製造工程途中の形状が中間製品としてそのまま活用できるような製造方法等が挙げられる。前者の方法であれば保護層を所望の形状に形成することができるが、後者の方法のほうが、手間を要しないため製造効率上有利である。このような後者の方法においては、フォトレジスト層および剥離層を保護層として用いることが好ましい。両者を保護層として用いることにより、製造工程途中の段階で、そのまま本発明の中間製品とすることができるからである。
【００３０】
なお、保護層がフォトレジスト層または剥離層からなる場合は、フォトレジスト層または剥離層のいずれか一層からなるものとしてもよいし、両層が積層した２層からなる保護層であってもよい。
【００３１】
以下、本発明の保護層に好ましい態様であるフォトレジスト層および剥離層について詳細に説明する。
【００３２】
（１）フォトレジスト層
フォトレジスト層は、発光部等をフォトリソグラフィー法によりパターニングする際に、所望のパターンを形成するために用いられる層である。また、パターニングが終了した後は、フォトレジスト層自身は不要となりフォトレジスト剥離液等を用いて除去される。
【００３３】
本発明においては、発光部のパターニングが終了した段階で、フォトレジスト層を剥離することなく、保護層として利用することにより、保管安定性および輸送耐性に優れたＥＬ素子の中間製品とすることができるのである。
【００３４】
このようなフォトレジスト層を形成する材料としては、耐水性および耐酸素性に優れており、フォトリソグラフィー法においてフォトレジストとして用いることが可能であるものならば特に限定はされない。また、本発明に用いることができるフォトレジストは、ポジ型であってもネガ型であっても特に限定されるものではないが、発光部などの有機ＥＬ層の形成に用いる溶媒に不溶であるものが好ましい。具体的には、ノボラック樹脂と感光材としてジアゾナフトキノン（ＤＮＱ）化合物とから成るポジ型フォトレジスト、ポリイミド、ウレタン樹脂、アクリル樹脂等のネガ型フォトレジスト等が挙げられる。その中でも特に、ノボラック樹脂と感光材としてジアゾナフトキノン（ＤＮＱ）化合物とから成るポジ型フォトレジストであることが好ましい。
【００３５】
このフォトレジストの塗布方法は、一般的に塗工液を全面に塗布する方法であれば特に限定されるものではなく、具体的には、スピンコーティング法、キャスティング法、ディッピング法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、グラビアコート法、フレキソ印刷法、スプレーコート法等の塗布方法が用いられる。
【００３６】
上記塗布方法により発光層上に塗布されたフォトレジストは、ポジ型を用いた場合、発光部が形成される位置は、紫外線が露光されないようにパターン露光し、現像、洗浄を経て、発光部形成のパターンに沿ったフォトレジスト層を得ることができる。
【００３７】
（２）剥離層
本発明において剥離層とは、発光部のパターニングが終了し、次いで、発光部上に形成されているフォトレジスト層等の不要な層を除去する際、不要な層の除去を助け、良好な状態でフォトレジスト層等が剥離されることを可能とする層である。このような役割を担う剥離層をフォトレジスト層の下に設けることにより、フォトレジスト層等を剥離する際、剥離層上に形成されているフォトレジスト層等もろとも速やかに剥離することができるのである。従って、基板等の損傷の少ないＥＬ素子を製造することが可能であるといった利点を有する。
【００３８】
本発明においては、上記剥離層は剥離層形成用塗工液を塗布して、乾燥させることにより得られる。以下、このような剥離層形成用塗工液を構成する各材料および、剥離層を剥離する際に用いる剥離層剥離液について説明する。
【００３９】
▲１▼　剥離材料
本発明に用いられる剥離層を構成する剥離材料としては、剥離層を剥離する際に用いる剥離層剥離液に対する溶解性が高いものであれば特に限定されない。また、剥離層はフォトレジスト層の下に位置するため、フォトレジスト溶媒、フォトレジスト現像液に不溶である材料が好ましい。
【００４０】
このような材料としては、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、尿素樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂等を適当な溶媒に溶解させ塗工液としたものを剥離層形成用塗工液として用いることができる。
【００４１】
▲２▼　溶媒
剥離層形成用塗工液は、一般的に発光層上に塗布され剥離層を形成する場合が多い。従って、この剥離層形成用塗工液に用いられる溶媒としては、発光層に対する溶解度が２５℃、１気圧で、０．００１（ｇ／ｇ溶媒）以下の溶媒を選択することが好ましく、さらに好ましくは、０．０００１（ｇ／ｇ溶媒）以下の溶媒を選択することが好ましい。
【００４２】
このような溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類等が挙げられる。
【００４３】
▲３▼　添加剤
その他、添加剤としてフッ素系離型剤、シリコーン系の離型剤等を用いることができる。その中でも、フッ素系離型剤であることが好ましい。このような添加剤は、界面張力が小さいことから、剥離層の剥離性を高め、より一層良好な状態での剥離層の剥離を容易に可能とするからである。
【００４４】
▲４▼　剥離層剥離液
次いで、剥離層を剥離する際に用いる剥離層剥離液について説明する。この剥離層剥離液としては、パターン状に形成された発光部を溶解させずに、充分に剥離層を溶解させることができるものであれば特に限定されないが、上述した剥離層形成用塗工液の溶媒をそのまま使用することが可能である。
【００４５】
２．基板
本発明に用いられる基板は、透明性が高いものであれば特に限定されるものではなく、ガラス等の無機材料や、透明樹脂等を用いることができる。
【００４６】
上記透明樹脂としては、フィルム状に成形が可能であれば特に限定されるものではないが、透明性が高く、耐溶媒性、耐熱性の比較的高い高分子材料が好ましい。具体的には、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリフッ化ビニル（ＰＦＶ）、ポリアクリレート（ＰＡ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、非晶質ポリオレフィン、またはフッ素系樹脂等が挙げられる。
【００４７】
３．第１電極層
上記基板上には、上述したように第１電極層が形成されている。このような第１電極層としては、透明電極層であることが好ましく、例えば、酸化錫膜、ＩＴＯ膜、酸化インジウムと酸化亜鉛との複合酸化物膜等が挙げられる。本発明においては、その中でもＩＴＯ膜が好適に用いられる。
【００４８】
４．発光部
本発明における発光部としては、高精細なパターニングが可能である形成方法により形成されたものであれば特に限定はされない。このような発光部としては、蒸着法、吐出法、印刷法、フォトリソグラフィー法等の方法により形成することができる。しかしながら、本発明においては、保護層をフォトレジスト層または剥離層の少なくとも一方から形成することが好ましいため、これら両層を用いる形成方法であるフォトリソグラフィー法を用いて形成された発光部であることが好ましい。従って、フォトリソグラフィー法により発光部を形成する際に用いる塗工液を発光層形成用塗工液とし、以下、この発光層形成用塗工液の組成等について説明する。
【００４９】
なお、本発明においては、種類の異なる発光部を複数回にわたりフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより、基板上に複数種類の発光部を形成することから、複数色の発光部が形成されるものである。したがって、複数種類の発光層形成用塗工液が用いられる。以下、これら発光層形成用塗工液を構成する各材料について説明する。
【００５０】
（１）発光材料
本発明に用いられる発光材料としては、蛍光を発する材料を含み発光するものであれば特に限定されず、発光機能と正孔輸送機能や電子輸送機能をかねていることができる。本発明においては、発光部はフォトリソグラフィー法によりパターニングされることが好ましいため、発光部を形成する材料が、フォリソグラフィー法に用いられるフォトレジスト溶媒、フォトレジスト現像液、およびフォトレジスト剥離液に不溶である材料が好ましい。また、発光部をフォトリソグラフィー法によりパターニングする際に用いるフォトレジストが、発光部の形成に用いる溶媒に不溶の材料を用いることが好ましい。
【００５１】
このような発光材料としては、色素系材料、金属錯体系材料、および高分子系材料を挙げることができる。
【００５２】
▲１▼色素系材料
色素系材料としては、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾ−ル誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー等を挙げることができる。
【００５３】
▲２▼金属錯体系材料
金属錯体系材料としては、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体等、中心金属に、Ａｌ、Ｚｎ、Ｂｅ等または、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体等を挙げることができる。
【００５４】
▲３▼高分子系材料
高分子系の材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体等、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素体、金属錯体系発光材料を高分子化したもの等を挙げることができる。
【００５５】
本発明においては、発光層形成用塗工液を用いてフォトリソグラフィー法により発光部を精度よく形成することができるという利点を活かすという観点から、発光材料として上記高分子系材料を用いたものがより好ましい。
【００５６】
（２）溶媒
発光層形成用塗工液は、製造段階ではフォトレジスト層上に塗布される場合がある。したがって、この発光層形成用塗工液に用いられる溶媒としては、フォトレジストに対する溶解度が２５℃、１気圧で０．００１（ｇ／ｇ溶媒）以下の溶媒を選択することが好ましく、さらに好ましくは０．０００１（ｇ／ｇ溶媒）以下の溶媒を選択することが好ましい。例えば、フォトレジストが一般的なノボラック系ポジレジストの場合、ベンゼン、トルエン、キシレンの各異性体およびそれらの混合物、メシチレン、テトラリン、ｐ−シメン、クメン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ブチルベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンの各異性体およびそれらの混合物等をはじめとする芳香族系溶媒、アニソール、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、テトラヒドロフラン、２−ブタノン、１，４−ジオキサン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、ジグライム等をはじめとするエーテル系溶媒、ジクロロメタン、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、クロロホルム、四塩化炭素、１−クロロナフタレン等のクロル系溶媒、シクロヘキサノン等が挙げられるが、この他でも条件を満たす溶媒であれば使用可能であり、２種以上の混合溶媒であっても良い。
【００５７】
（３）添加剤
本発明に用いられる発光層形成用塗工液には、上述したような発光材料および溶媒に加えて種々の添加剤を添加することが可能である。例えば、発光部中の発光効率の向上、発光波長を変化させる等の目的でドーピング材料が添加される場合がある。このドーピング材料としては例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィレン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン等を挙げることができる。
【００５８】
４．ＥＬ素子の中間製品の製造方法
次に、本発明のＥＬ素子の中間製品の製造方法について簡単に説明する。
【００５９】
本発明のＥＬ素子の中間製品の製造方法としては、本発明の中間製品を得るために特に煩雑な手間等を要しない製造方法であれば特に限定はされない。例えば、発光層のパターニングが終了した段階で、各発光部上に積層されている不要な層を除去した後、保護層を成膜する方法や、ＥＬ素子の製造工程途中の形状が中間製品としてそのまま活用できるような製造方法等が挙げられる。前記の方法であれば、所望の形状に保護層を形成しやすく、発光層の表面のみならず側面をも保護層により被覆することが可能であるという利点を有するが、後者の製造方法とすると、保護層を設けるための工程を特別に必要としないため製造効率等を考慮すると、後者の方法を用いることが好ましい。
【００６０】
以下、ＥＬ素子の製造工程途中の形状が中間製品としてそのまま活用できるような製造方法について説明するが、保護層がフォトレジスト層からなる態様を第１実施態様とし、保護層に剥離層が含まれている態様を第２実施態様として、各実施態様に分けて説明する。
【００６１】
なお、以下の説明において、「発光層」とは発光層形成用塗工液を塗布し、乾燥させることにより形成された層を意味し、「発光部」とは所定の位置に形成された発光層を意味するものとする。さらに、フォトレジスト層を第１、第２および第３フォトレジスト層の３種類を用いているが、便宜上使い分けているだけであり、全て同様のフォトレジスト層であってもよい。
【００６２】
（１）第１実施態様
第１実施態様は、保護層にフォトレジスト層を利用する場合の中間製品の製造方法である。以下、本実施態様の説明として、本実施態様の一例を図示した図２を用いて具体的に説明する。
【００６３】
まず、図２（ａ）に示すように、第１電極層２２を有する基板２１上に、表面に第１フォトレジスト層２４を有し、パターン状に形成された第１発光部２３を準備する。この第１発光部２３のパターニング方法に関しては、通常行われているフォトリソグラフィー法により形成することができる。
【００６４】
次いで、図２（ｂ）に示すように、第２発光層形成用塗工液を塗布し第２発光層２５を形成し、さらに第２発光層２５上にポジ型フォトレジストを全面塗布し第２フォトレジスト層２４′を成膜する。このような基板に対し、図２（ｃ）に示すように、第２発光部が形成される位置のみ未露光部となるようにマスク２６を介して、紫外線をパターン露光する。その後、第２フォトレジスト層２４′の露光部分をフォトレジスト現像液により現像し、洗浄することにより、図２（ｄ）に示すように、第２発光部が形成される領域上のみ残存する第２フォトレジスト層２４′が形成される。
【００６５】
次いで、図２（ｄ）に示すように、第２フォトレジスト層２４′が除去され露出している部分の第２発光層２５をドライエッチングを用いて除去し、図２（ｅ）に示すように、表面に第２フォトレジスト層２４′を有する第２発光部２５′を得る。
【００６６】
この例に示すＥＬ素子の中間製品の製造方法においては、３色の発光部を形成するため、さらに引き続き製造工程が必要となるが、例えば、２色の発光部で構成されるＥＬ素子の中間製品を提供するならば、このフォトレジスト層を保護層として利用することにより、保護層を設けるために特別な処理等を施すことなく、２色の発光部で構成される中間製品を製造することが可能である。
【００６７】
次いで、３色目の発光部のパターニングを行う。第１電極層２２と、第１フォトレジスト層２４を表面に有する第１発光部２３と、第２フォトレジスト層２４′表面に有する第２発光部２５′とを有する基板２１上に、図２（ｆ）に示すように、第３発光層形成用塗工液を塗布し、第３発光層２７を形成し、さらに、その上にポジ型フォトレジストを全面塗布し、第３フォトレジスト層２４″形成する。
【００６８】
次いで、図２（ｇ）に示すように、第３発光部が形成される位置のみ未露光部となるように、フォトマスク２６を介して紫外線をパターン露光する。その後、フォトレジスト現像液により現像し、洗浄することにより、図２（ｈ）に示すように、第３発光部が形成される領域上のみ第３フォトレジスト層２４″が残る。
【００６９】
次いで、第３フォトレジスト層２４″が除去され露出している部分の第３発光層２７をドライエッチングを用いて除去し、図２（ｉ）に示すような表面に第３フォトレジスト層２４″を有する第３発光部２７′を形成する。
【００７０】
本実施態様によれば、各発光部のパターニングが終了した段階で、図２（ｉ）に示すように、各発光部上には一層のフォトレジスト層が積層されている状態に形成することができる。従って、このフォトレジスト層を保護層として活用することにより、本発明のＥＬ素子の中間製品を製造することができる。
【００７１】
また、各発光部のパターニングが終了した後、新たにフォトレジストを全面塗布することにより、発光部の側面をも被覆する保護層を形成することが可能である。この場合、既に各発光部上に積層されているフォトレジスト層を剥離した後に、新たにフォトレジストを塗布する方法であってもよいし、残存させたまま新たにフォトレジストを塗布する方法であってもよい。
【００７２】
２．第２実施態様
次いで、保護層に剥離層を含む場合の態様である第２実施態様について説明する。
【００７３】
本実施態様の一例を図示したものが図３である。以下図３を用いて本実施態様について簡単に説明する。
【００７４】
なお、以下の説明において、剥離層を第１、第２および第３剥離層として使い分けているが、便宜上使い分けているだけであり、全て同様の構成を有する剥離層であってもよい。
【００７５】
本実施態様においては、まず図３（ａ）に示すように、パターン状に形成された第１電極層３２を有する基板３１上に第１発光層形成用塗工液を塗布し、第１発光層３３を形成する。さらに第１発光層３３上に剥離層形成用塗工液を塗布し、乾燥させることにより第１剥離層３４を形成する。この場合、剥離層形成用塗工液の塗布方法としては、スピンコーティング等の公知な塗布方法により塗布することが可能である。
【００７６】
次いで、第１剥離層３４上にポジ型フォトレジストを全面塗布し、第１フォトレジスト層３５を形成する。これにより、第１発光層３３、第１剥離層３４および第１フォトレジスト層３５がこの順に積層されている基板３１を得る。
【００７７】
次いで、図３（ｂ）に示すように第１発光部が形成される領域が未露光部となるように、マスク３６を介して紫外線をパターン照射する。その後、第１フォトレジスト層の露光部分をフォトレジスト現像液により現像し、洗浄することにより、図３（ｃ）に示すように、第１発光部上のみに残存する第１フォトレジスト層３５を得る。
【００７８】
次いで、第１フォトレジスト層３５が除去され露出している部分の第１剥離層３４を、その第１剥離層３４の下に位置する第１発光層３３と共にドライエッチングを用いて除去することにより、図３（ｄ）に示すように、表面に第１フォトレジスト層３５および第１剥離層３４を有する第１発光部３３′が形成される。
【００７９】
次いで、図３（ｅ）に示すように、第２発光層形成用塗工液を塗布し、第２発光層３７を形成し、さらにその上に剥離層形成用塗工液を塗布し、第２剥離層３４′を設ける。この場合の第２剥離層３４′の形成方法に関しても上記第１剥離層３４の形成方法と同様の方法で形成することができる。さらに、この第２剥離層３４′上にポジ型フォトレジストを全面塗布し、第２フォトレジスト層３５′を形成する。
【００８０】
次いで、図３（ｆ）に示すように、第２発光部が形成される位置にのみ未露光部となるように、フォトマスク３６を介して紫外線をパターン露光した後、第２フォトレジスト層３５′をフォトレジスト現像液により現像し、洗浄することにより、図３（ｇ）に示すように第２発光部が形成される領域上のみに残存する第２フォトレジスト層３５′を得る。
【００８１】
さらに、第２フォトレジスト層３５′が除去され露出している第２剥離層３４′およびその下に位置する第２発光層３７を、ドライエッチングを用いて共に除去し、図３（ｈ）に示すように第２フォトレジスト層３５′および第２剥離層３４′を表面に有する第２発光部３７′を形成する。
【００８２】
この例に示すＥＬ素子の中間製品の製造方法においては、３色の発光部を形成するため、さらに引き続き製造工程が必要となるが、例えば２色の発光部で構成されるＥＬ素子の中間製品を提供するならば、第２発光部のパターニングが終了した段階で、フォトレジスト層および剥離層の両層を保護層として活用することにより、本発明のＥＬ素子の中間製品とすることが可能である。なお、フォトレジスト層をフォトレジスト剥離層により剥離し、剥離層のみを保護層として活用することも可能である。
【００８３】
次いで、３色目の発光部のパターニングを行う。図３（ｉ）に示すように、第３発光層形成用塗工液を塗布し、第３発光層３８を形成し、さらに、その上に剥離層形成用塗工液を塗布し、第３剥離層３４″を設ける。そして、第３剥離層３４″上にポジ型フォトレジストを塗布し、第３フォトレジスト層３５″を形成する。
【００８４】
次いで、図３（ｊ）に示すように、第３発光部が形成される位置のみ未露光部となるように、フォトマスク３６を介して紫外線をパターン露光した後、フォトレジスト現像液を用いて現像し、洗浄することにより、図３（ｋ）に示すように、第３発光部が形成される領域上のみ第３フォトレジスト層を残存させる。
【００８５】
次いで、第３フォトレジスト層３５″が除去され露出している第３剥離層３４″およびその下に位置する第３発光層３８を、ドライエッチングを用いて共に除去することにより、図３（ｌ）に示すように、表面に第３フォトレジスト層３５″および第３剥離層３４″を有する第３発光部３８′が形成される。
【００８６】
本実施態様によれば、各発光部のパターニングが終了した段階で、各発光部上には、剥離層およびフォトレジスト層が一層ずつ積層されている状態に製造されるため、この両層を保護層として利用することにより、本発明のＥＬ素子の中間製品を得ることができる。
【００８７】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００８８】
【実施例】
以下に実施例を示し、本発明をさらに説明する。
【００８９】
［実施例］
６インチ□、板厚１．１ｍｍのパターニングされたＩＴＯ基板を洗浄した。バッファー層塗布液（バイエル製ＢａｙｔｒｏｎＰ）を０．５ｍｌとり、基板の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２５００ｒｐｍで２０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は８００Åとなった。
【００９０】
第１発光層として、バッファー層上にポリパラフェニレンビニレン誘導体発光高分子ＭＥＨ−ＰＰＶの１ｗｔ％キシレン溶液を１ｍｌとり、基板の中心部に滴下してスピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで１０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は８００Åとなった。
【００９１】
剥離層として尿素系樹脂（ＢＡＳＦ製Ｌａｒｏｐａｌ）の３％酢酸エチル溶液を１ｍｌとり、基板中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで２０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は１０００Åとなった。
【００９２】
ポジ型フォトレジスト液（東京応化製ＯＦＰＲ−８００）を１ｍｌとり、基板中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで２０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は約１μｍとなった。８０℃で３０秒間プリベークを行った。その後、アライメント露光機に露光マスクと共にセットし、第１色目の発光部以外の発光層を除去したい部分に紫外線露光した。レジスト現像液（東京応化製ＮＭＤ−３）で２０秒間現像後、水洗し、露光部のフォトレジストを除去した。
【００９３】
ドライエッチングにてフォトレジストのない部分の発光層、バッファー層および剥離層を除去し、第１発光部を得た。
【００９４】
第２バッファー層として前記バッファー層と同様に、バッファー層塗布液（バイエル製ＢａｙｔｒｏｎＰ）を０．５ｍｌとり、基板の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２５００ｒｐｍで２０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は８００Åとなった。
【００９５】
第２発光層としてポリパラフェニレンビニレン誘導体発光高分子ＭＥＨ−ＰＰＶの１ｗｔ％キシレン溶液を１ｍｌとり、基板の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで１０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は８００Åとなった。
【００９６】
第２剥離層として尿素系樹脂（ＢＡＳＦ製Ｌａｒｏｐａｌ）の３％酢酸エチル溶液を１ｍｌとり、基板中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで２０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は１０００Åとなった。
【００９７】
ポジ型フォトレジスト液（東京応化製ＯＦＰＲ−８００）を１ｍｌとり、基板中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで２０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は約１μｍとなった。８０℃で３０秒間プリベークを行った。その後、アライメント露光機に露光マスクと共にセットし、第１色目の発光部以外の発光層を除去したい部分に紫外線露光した。レジスト現像液（東京応化製ＮＭＤ−３）で２０秒間現像後、水洗し、露光部のフォトレジストを除去した。
【００９８】
ドライエッチングにて第１および第２発光部以外の部分の発光層、バッファー層および剥離層を除去し、第２発光部を得た。
【００９９】
第３バッファー層として前記バッファー層と同様に、バッファー層塗布液（バイエル製ＢａｙｔｒｏｎＰ）を０．５ｍｌとり、基板の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２５００ｒｐｍで２０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は８００Åとなった。
【０１００】
第３剥離層として尿素系樹脂（ＢＡＳＦ製Ｌａｒｏｐａｌ）の３％酢酸エチル溶液を１ｍｌとり、基板中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで２０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は１０００Åとなった。
【０１０１】
第３発光層としてポリパラフェニレンビニレン誘導体発光高分子ＭＥＨ−ＰＰＶの１ｗｔ％キシレン溶液を１ｍｌとり、基板の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで１０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は８００Åとなった。
【０１０２】
ポジ型フォトレジスト液（東京応化製ＯＦＰＲ−８００）を１ｍｌとり、基板中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで２０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は約１μｍとなった。８０℃で３０秒間プリベークを行った。その後、アライメント露光機に露光マスクと共にセットし、第１色目の発光部以外の発光層を除去したい部分に紫外線露光した。レジスト現像液（東京応化製ＮＭＤ−３）で２０秒間現像後、水洗し、露光部のフォトレジストを除去した。
【０１０３】
ドライエッチングにて発光部以外の部分の発光層、バッファー層および剥離層を除去し、所望の基板を得た。
【０１０４】
さらに、得られた基板を酢酸エチル浴中に浸漬して、発光層上のフォトレジストを全て除去し、パターニングされた発光層を露出させた。
【０１０５】
１００℃で１時間乾燥した後、得られた基板上に第２電極層としてＣａを５００Å、さらに保護層としてＡｇを２５００Åの厚みで蒸着し、ＥＬ素子を作製した。
【０１０６】
ＩＴＯ電極側を正極、Ａｇ電極側を負極に接続し、ソースメータにより、直流電流を印加した。１０Ｖ印加時に第１、２および３の発光部それぞれより発光が認められた。
【０１０７】
【発明の効果】
本発明によれば、発光部上に保護層が成膜されている状態の中間製品とすることにより、保管安定性および輸送耐性に優れた中間製品とすることを可能とし、本発明の中間製品を用いることにより、ＥＬ素子の製造にかかる手間を大幅に簡略化することができるといった効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＥＬ素子の中間製品の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明のＥＬ素子の中間製品の製造方法の一例を示す工程図である。
【図３】本発明のＥＬ素子の中間製品の製造方法の他の例を示す工程図である。
【符号の説明】
１　…　基板
２　…　第１電極層
３　…　第１発光部
４　…　第２発光部
５　…　第３発光部
６　…　保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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