(57)【要約】【課題】高周波の電気信号が配線導体を伝送する際、反射が発生し伝送特性が大きく劣化する。【解決手段】６０乃至９５質量％の無機絶縁物粉末と、５乃至４０質量％の熱硬化性樹脂とから成り、前記無機絶縁物粉末を前記熱硬化性樹脂により結合した少なくとも一枚の絶縁基板に、金属粉末を熱硬化性樹脂により結合した配線導体を被着させて成る配線基板であって、前記配線導体の外表面の凹凸が５０μｍ以下である。【選択図】図１
2004055964.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
６０乃至９５質量％の無機絶縁物粉末と、５乃至４０質量％の熱硬化性樹脂とから成り、前記無機絶縁物粉末を前記熱硬化性樹脂により結合した少なくとも一枚の絶縁基板に、金属粉末を熱硬化性樹脂により結合した配線導体を被着させて成る配線基板であって、前記配線導体の外表面の凹凸が５０μｍ以下であることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子収納用パッケージや混成集積回路基板等に使用される配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、配線基板、例えば半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージに使用される配線基板は、一般に、酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成り、その上面略中央に半導体素子を収容するための凹部を有する絶縁基体と、前記絶縁基体の凹部周辺から下面にかけて導出されたタングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から成る配線導体とから構成されており、絶縁基体の凹部底面に半導体素子をガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して接着固定するとともに半導体素子の各電極を凹部周辺に位置する配線導体にボンディングワイヤを介して電気的に接続し、しかる後、前記絶縁基体の上面に金属やセラミックス等から成る蓋体を絶縁基体の凹部を塞ぐようにガラス、樹脂、ロウ材等から成る封止材を介して接合させ、絶縁基体の凹部内に半導体素子を気密に収容することによって製品としての半導体装置となる。
【０００３】
かかる従来の配線基板は一般に以下に述べるセラミックスの積層技術及びスクリーン印刷法等の厚膜形成技術を採用することによって製作されている。
即ち、
（１）まず、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化カルシウム、酸化マグネシウム等のセラミック原料粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して複数枚のセラミックグリーンシートを得るとともに該複数枚のセラミックグリーンシートの所定位置にスルーホールを形成する。
（２）次に前記各々のセラミックグリーンシートの表面に、タングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得た導電ペーストを従来周知のスクリーン印刷法等の厚膜形成技術を採用することによって所定パターンに印刷塗布し、配線導体パターンを形成するとともに各セラミックグリーンシートに設けたスルーホール内に導電ペーストを充填する。
（３）最後に前記各セラミックグリーンシートを上下の配線パターンがスルーホールに充填した導電ペーストで電気的に接続されるように積層するとともにこれを還元雰囲気中、１６００℃の温度で焼成し、これによって酸化アルミニウム質焼結体から成る絶縁基体の内部及び表面にタングステン、モリブデン、マンガン等から成る配線導体を被着させた配線基板となる。
【０００４】
しかしながら、この従来の配線基板は、絶縁基体を構成する酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックスが硬くて脆い性質を有するため、搬送工程や半導体装置製作の自動ライン等において配線基板同士が、あるいは配線基板と半導体装置製作自動ラインの一部とが激しく衝突すると絶縁基体に欠けや割れ、クラック等が発生し、その結果、半導体素子を気密に収容することができず、半導体素子を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることができなくなるという欠点を有していた。
【０００５】
また、前記配線基板の製造方法によれば、セラミック生成形体を焼成する際、セラミック生成形体に不均一な焼成収縮が発生し、得られる配線基板に反り等の変形や寸法のばらつきが発生し、その結果、半導体素子と配線導体とを電気的に正確、かつ確実に接続することが困難であるという欠点も有していた。
【０００６】
そこで上記欠点を解消するために本出願人は先に６０乃至９５質量％の無機絶縁物粉末と５乃至４０質量％の熱硬化性樹脂とから成り、前記無機絶縁物粉末を前記熱硬化性樹脂により結合した少なくとも一枚の絶縁基板に、金属粉末を熱硬化性樹脂により結合した配線導体を被着させて成る配線基板を提案した。
【０００７】
かかる配線基板によれば、絶縁基体となる無機絶縁物粉末及び配線導体となる金属粉末を靭性に優れる熱硬化性樹脂により結合して成ることから配線基板同士あるいは配線基板と半導体装置製作自動ラインの一部とが激しく衝突しても絶縁基体に欠けや割れ、クラック等が発生することは一切ない。
【０００８】
また上記配線基板は、熱硬化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを混合して成る前駆体シートを準備する工程と、前記前駆体シートに熱硬化性樹脂前駆体と金属粉末とを混合して成る金属ペーストを所定パターンに印刷する工程と、前記前駆体シート及び金属ペーストを熱硬化させる工程とで製作され、焼成工程がないことから焼成に伴う不均一な収縮による変形や寸法のばらつきが発生することもない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記配線基板は配線導体が熱硬化性樹脂前駆体と金属粉末とを混合して成る金属ペーストを、熱硬化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを混合して成る前駆体シートに印刷することによって形成されており、金属ペーストを印刷する際、にじみが発生し、配線導体の側面に深さが１００μｍ以上の凹凸が多数形成されていること、近年、光通信や無線通信等の機器は電気信号の送受が３０ＧＨｚ以上の高周波領域に達しており、配線導体を伝送する電気信号も３０ＧＨｚ以上という高周波のものになってきていること、及び３０ＧＨｚ以上の高周波の電気信号は配線導体の表面領域を伝送すること等から配線導体に、３０ＧＨｚ以上の高周波の電気信号を伝送させた場合、高周波の電気信号は配線導体の表面領域を伝送し、表面に形成されている凹凸で反射を起こして伝送特性が大きく劣化してしまい、その結果、３０ＧＨｚ以上の高周波の電気信号は伝送させることができないという欠点を有していた。
【００１０】
本発明は上記諸欠点に鑑み案出されたもので、その目的は配線導体に３０ＧＨｚ以上の高周波の電気信号を伝送させることが可能な配線基板を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、６０乃至９５質量％の無機絶縁物粉末と、５乃至４０質量％の熱硬化性樹脂とから成り、前記無機絶縁物粉末を前記熱硬化性樹脂により結合した少なくとも一枚の絶縁基板に、金属粉末を熱硬化性樹脂により結合した配線導体を被着させて成る配線基板であって、前記配線導体の外表面の凹凸が５０μｍ以下であることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の配線基板によれば、絶縁基体となる無機絶縁物粉末及び配線導体となる金属粉末を靭性に優れる熱硬化性樹脂により結合したことから搬送工程や半導体装置の自動ライン等において配線基板同士あるいは配線基板と半導体装置製作ラインの一部とが激しく衝突しても絶縁基体に欠けや割れ、クラックが発生することはない。
【００１３】
また本発明の配線基板は、熱硬化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを混合して成る前駆体シートを準備する工程と、前記前駆体シートに熱硬化性樹脂と金属粉末とを混合して成る金属ペーストを所定パターンに印刷する工程と、前記前駆体シート及び金属ペーストを熱硬化させる工程とで製作され、焼成工程がないことから焼成に伴う不均一な収縮による変形や寸法のばらつきが発生することもない。
【００１４】
更に本発明の配線基板によれば、絶縁基体に設けた配線導体の外表面に形成された凹凸を５０μｍ以下としたことから配線導体に３０ＧＨｚという高周波の電気信号を伝送させた場合、高周波の電気信号が配線導体の外表面に形成されている凹凸で反射を起こすことはほとんどなく伝送特性を極めて優れたものとなすことができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
次に、本発明を添付図面に示す実施例に基づき詳細に説明する。
図１は本発明の配線基板を半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージに適用した場合の一実施例を示し、１は絶縁基体、２は配線導体である。
【００１６】
前記絶縁基体１は、例えば酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化珪素、チタン酸バリウム等の無機絶縁物粉末をエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂により結合した材料から成る３枚の絶縁基板１ａ〜１ｃを積層して成り、その上面中央部に半導体素子を収容するための凹部が形成されており、該凹部底面には半導体素子３が樹脂等の接着剤を介して接着固定される。
【００１７】
前記絶縁基板１ａ〜１ｃは、無機絶縁物粉末を靭性に優れる熱硬化性樹脂により結合して成ることから、配線基板同士が衝突した際等に絶縁基体１に欠けや割れ、クラック等が発生することは一切ない。
【００１８】
また、前記絶縁基板１ａ〜１ｃ中に含有される無機絶縁物粉末は、その含有量が６０質量％未満であると絶縁基体１の熱膨張係数が半導体素子３の熱膨張係数と比較して極めて大きなものとなり半導体素子３が作動時に発生する熱が印加されると両者の熱膨張係数の相違に起因して大きな熱応力が発生し、半導体素子３が絶縁基体１から剥離したり、半導体素子３に割れを発生させ易い傾向にあり、また９５質量％を超えると無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で強固に結合することが困難となる傾向にある。従って、前記絶縁基板１ａ〜１ｃに含有される無機絶縁物粉末はその含有量が６０乃至９０質量％の範囲に特定される。
【００１９】
前記絶縁基体１は、またその凹部周辺から下面にかけて例えば銅、銀、金等の金属粉末をエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂により結合した配線導体２が被着形成されている。
【００２０】
前記配線導体２は、内部に収容する半導体素子３を外部電気回路に電気的に接続する作用を為し、その凹部周辺部位には半導体素子３の各電極がボンディングワイヤ４を介して電気的に接続される。
【００２１】
尚、前記配線導体２に含有される金属粉末はその含有量が７０質量％未満では配線導体の導電性が悪くなる傾向にあり、また９５質量％を超えると金属粉末を樹脂で強固に結合することが困難となる傾向にある。従って、前記配線導体２に含有される金属粉末はその含有量が７０乃至９５質量％の範囲が好ましい。
【００２２】
また前記配線導体２は、その露出する表面にニッケル、金等の耐食性に優れ、且つ良導電性の金属をメッキ法により１．０乃至２０．０μｍの厚みに層着させておくと配線導体２の酸化腐食を有効に防止することができるとともに配線導体２とボンディングワイヤ４とを強固に電気的に接続させることができる。従って、通常、前記配線導体２の露出する表面には、必要に応じてニッケルや金等の耐食性に優れ、且つ良導電性の金属がメッキ法により１．０乃至２０．０μｍの厚みに層着される。
【００２３】
前記配線導体２はまた絶縁基体１の下面に導出する部位に、外部電気回路と電気的に接続されるバンプ電極２ａが形成されており、該バンプ電極２ａを外部電気回路基板の配線導体に半田等の導電性接合材を介して接合することにより内部に収容する半導体素子３が外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００２４】
かくして本発明の配線基板によれば、絶縁基体１の凹部底面に半導体素子３を接着固定するとともに半導体素子３の各電極をボンディングワイヤ４を介して配線導体２に電気的に接続し、最後に前記絶縁基体１の上面に蓋体５を封止材を介して接合させることにより製品としての半導体装置となる。
【００２５】
次に前記半導体素子収納用パッケージに適用された配線基板の製造方法について詳細に説明する。
【００２６】
先ず、図２（ａ）に示すように無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂前駆体で結合して成る前駆体シート１１ａ〜１１ｃを準備する。
【００２７】
前記前駆体シート１１ａ〜１１ｃは、例えば絶縁基板１ａ〜１ｃに含有される無機絶縁物粉末が酸化珪素から成り、これを結合する熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂から成る場合、粒径が０．１〜１００μｍ程度の酸化珪素粉末に例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂及びアミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤等を添加混合して得たペーストをシート状となすとともにこれを約２５〜１００℃の温度で１〜６０分間加熱し半硬化させることによって製作される。
【００２８】
次に図２（ｂ）に示すように前記前駆体シート１１ａ〜１１ｃに凹部１ａとなる開口Ａ、Ａ´及び配線導体を絶縁基体１の凹部１ａ周辺から下面に導出させる際の導出路となる貫通孔Ｂ、Ｂ´を従来周知のパンチング法を採用して穿孔する。
【００２９】
次に図２（ｃ）に示すように、前記前駆体シート１１ａ〜１１ｃの上下面及び貫通孔Ｂ、Ｂ´内に配線導体２となる金属ペースト１２を従来周知のスクリーン印刷法及び充填法を採用して所定パターンに印刷塗布するとともにこれを約２５〜１００℃の温度で１〜６０分間加熱し半硬化させる。
【００３０】
尚、前記配線導体２となる金属ペースト１２は、例えば配線導体２に含有される金属粉末が銅から成り、これを結合する熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂から成る場合、粒径が０．１〜２０μｍ程度の銅粉末にビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂及びアミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤等を添加混合することによって製作される。
【００３１】
最後に前記金属ペースト１２が所定パターンに印刷塗布された前駆体シート１１ａ〜１１ｃを上下に積層するとともにこれを約８０〜３００℃の温度で約１０秒〜２４秒間加熱し前記前駆体シート１１ａ〜１１ｃ及び金属ペースト１２を完全に熱硬化させることによって図１に示す配線基板が製作される。この前駆体シート１１ａ〜１１ｃ及び金属ペースト１２を熱硬化させて絶縁基体１を製作する際、前記絶縁基体１となる前駆体シート１１ａ〜１１ｃ及び配線導体２となる金属ペースト１２は、熱硬化時に収縮することは殆どなく、従って、絶縁基体１に変形や寸法のばらつきを発生させることも殆どない。
【００３２】
更に本発明の配線基板においては配線導体２の外表面に形成されている凹凸を５０μｍ以下の大きさとしておくことが重要である。
【００３３】
前記配線導体２の外表面に形成されている凹凸を５０μｍ以下の大きさとすると、配線導体２に３０ＧＨｚ以上の高周波の電気信号を伝送させた場合、高周波の電気信号が配線導体２の外表面に形成されている凹凸で反射を起こすことはほとんどなく、これによって伝送特性を極めて優れたものとなすことができる。
【００３４】
なお、前記配線導体２はその外表面に形成されている凹凸の大きさが５０μｍを超えると、配線導体２に３０ＧＨｚ以上の高周波の電気信号を伝送させた際、高周波の電気信号が配線導体２の外表面に形成されている凹凸で反射を起こして伝送特性が急激に劣化してしまう。従って、前記配線導体２はその外表面に形成されている凹凸の大きさは５０μｍ以下のものに特定される。
【００３５】
また、配線導体２の外表面に形成されている凹凸を５０μｍ以下の大きさとするには配線導体２の外表面に対しブラスト処理や化学エッチング処理を施すことによって行われる。
【００３６】
具体的には、ブラスト処理を施すことによって配線導体２の表面の凹凸を５０μｍ以下とする場合には、配線導体２以外の領域を予めエポキシ樹脂等の有機樹脂でコーティングした後配線導体２表面に、液体と研磨剤粒子を混合した混合物を空気圧で吹き付けて対象物の表面を平滑にする、いわゆる湿式ブラスト法を用いることによって行われる。
【００３７】
なお、前記液体としては水が使用され、前記研磨剤粒子としてはアルミナ、窒化珪素、ガラス等の無機物粒子が使用される。
【００３８】
前記配線導体２が銅の場合、水と平均粒径が５乃至５０μｍのアルミナ粒子を混合したものを０．０５ＭＰａ乃至０．３ＭＰａの圧力で、０．０５秒乃至０．３秒の時間吹き付けることによって好適に行なわれる。
【００３９】
前記研磨剤粒子はその平均粒径が５μｍ乃至５０μｍのものが好適に使用される。研磨粒子の平均粒径が５μｍ未満となると配線導体２の表面を平滑にする効果がなくなり、また５０μｍを超えると配線導体２の表面の凹凸を５０μｍ以下の小さな凹凸とすることができなくなることから、前記研磨粒子の平均粒径は５μｍ乃至５０μｍの範囲とすると良い。
【００４０】
また、液体と研磨剤粒子を混合した混合物を吹き付ける空気圧は０．０５ＭＰａ乃至０．３ＭＰａの範囲が好適に使用され、０．０５ＭＰａ未満となると配線導体２表面を平滑にする研磨効果がなくなり、また０．３ＭＰａを超えると配線導体２の表面を研磨しすぎて平滑にする効果がなくなることから、前記空気圧は０．０５ＭＰａ乃至０．３ＭＰａの範囲とすると良い。
【００４１】
更に液体と研磨剤粒子を混合した混合物を空気圧で吹き付ける吹きつけ時間は０．０５秒乃至０．３秒の範囲が好適に使用され、０，０５秒未満となると配線導体２表面を平滑にする研磨効果がなくなり、また０．３秒を超えると配線導体２の表面を研磨しすぎて平滑にする効果がなくなることから、前記吹きつけ時間は０．０５秒乃至０．３秒の範囲とすると良い。
【００４２】
また化学エッチング処理を施すことによって配線導体２の表面の凹凸を５０μｍ以下とする場合には、配線導体２以外の領域を予めエポキシ樹脂等の有機樹脂でコーティングした後、配線導体２の表面を化学エッチングすることによって行なわれる。
【００４３】
前記配線導体２が銅の場合、１．２ｍｏｌ／ｌ乃至１．８ｍｏｌ／ｌの濃度で、温度３０乃至５０℃の塩化第二鉄溶液を０．０５ＭＰａ乃至０．２ＭＰａの圧力で吹き付けることによって行われる。
【００４４】
前記塩化第二鉄はその濃度が１．２ｍｏｌ／ｌ乃至１．８ｍｏｌ／ｌの範囲のものが好適に使用される。塩化第二鉄の濃度が１．２ｍｏｌ／ｌ未満となると配線導体２の表面を平滑にする効果がなくなり、また１．８ｍｏｌ／ｌを超えるとエッチング速度が大きくなり配線導体２の表面の凹凸を５０μｍ以下の小さな凹凸とすることができなくなることから、前記塩化第二鉄の濃度は１．２ｍｏｌ／ｌ乃至１．８ｍｏｌ／ｌの範囲とすると良い。
【００４５】
また、前記塩化第二鉄の温度は３０乃至５０℃の範囲が好適に使用され、３０℃未満となると配線導体２表面を平滑にするエッチング効果がなくなり、また５０℃を超えるとエッチング速度が大きくなり配線導体２の表面の凹凸を５０μｍ以下の小さな凹凸とすることができなくなることから前記温度は３０乃至５０℃の範囲とすると良い。
【００４６】
更に前記塩化第二鉄の吹き付け圧力は０．０５ＭＰａ乃至０．２ＭＰａの範囲が好適に使用され、０．０５ＭＰａ未満となると配線導体２表面を平滑にするエッチング効果がなくなり、また０．２ＭＰａを超えると配線導体２の表面のエッチングが激しくなりすぎて配線導体２の表面の凹凸を５０μｍ以下の小さな凹凸とすることができなくなることから、前記圧力は０．０５ＭＰａ乃至０．２ＭＰａの範囲とすると良い。
【００４７】
更に前記絶縁基体１はその上面に蓋体５が封止材を介して接合され、これによって絶縁基体１と蓋体５とから成る容器の内部に半導体素子３が気密に収容される。
【００４８】
前記蓋体５は、一般に鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等で形成され、例えば鉄−ニッケル−コバルト合金で形成されている場合、鉄−ニッケル−コバルト合金から成るインゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施すことによって所定形状に形成される。
【００４９】
かくして上述の半導体素子収納用パッケージによれば、配線基板を構成する絶縁基体１の凹部底面に半導体素子３をガラス、樹脂、ロウ材等から成る接着材を介して接着固定するとともに半導体素子３の各電極を配線導体２にボンディングワイヤ４を介して電気的に接続し、しかる後、絶縁基体１の上面に凹部を覆うように蓋体５を封止材を介して接合させ、絶縁基体１と蓋体５とから成る容器の内部に半導体素子３を気密に収容することによって最終製品としての半導体装置が完成する。
〔実験例〕
次に本発明の作用効果の一つである伝送特性（反射）について以下の実験例に基づき説明する。
【００５０】
まず、６０乃至９５質量％の無機絶縁物粉末と、５乃至４０質量％の熱硬化性樹脂とから成り、前記無機絶縁物粉末を前記熱硬化性樹脂により結合した厚さ２ｍｍ、大きさ２５ｍｍ×５０ｍｍの絶縁基板表面に、金属粉末（銅粉末）を熱硬化性樹脂により結合した幅：０．３ｍｍ、厚さ：０．０１ｍｍ、長さ：１．５５ｍｍの配線導体を被着させた配線基板を準備する。
【００５１】
次に、この配線基板の配線導体にブラスト処理を行って、配線導体の外表面の凹凸を４８μｍ（試料Ａ）、３０μｍ（試料Ｂ）、１４μｍ（試料Ｃ）に調整した配線基板試料を得る。
【００５２】
併せて比較試料として外表面の凹凸の大きさが１０３μｍ（試料Ｄ）の配線導体を準備する。
【００５３】
なお、配線基板試料及び比較試料における外表面の凹凸の大きさは小坂研究所製サーフコーダＳＥ−２３００（表面粗さ測定器）を用いＪＩＳ　Ｂ０６０１−１９９４に則り最大高さ（Ｒｙ）を測定して得た値である。
【００５４】
次に前記各試料の配線導体の両端にネットワークアナライザー（アジレントテクノロジー社製ＨＰ８５１０Ｃ）に接続されたプローブ（ＧＧＢ社製ピコプローブ）を接触させ、配線導体での高周波電気信号に対する反射損失Ｓ１１を測定し、この反射損失Ｓ１１から配線導体を伝送することが可能である最大周波数を求めた。
【００５５】
なお、伝送が可能な最大周波数の判定は反射損失Ｓ１１が−１５ｄＢ以下であることとした。
【００５６】
その結果を図３に示す。
図３から明らかなように配線導体の外表面の凹凸の大きさが１０４μｍである試料Ｄは３０ＧＨｚを超える高周波信号は反射損失Ｓ１１が−１５ｄＢを超えて伝送が不可であることが判る。
【００５７】
これに対し、本発明の配線基板、即ち、配線導体の外表面の凹凸の大きさが４８μｍ、３０μｍ、１４μｍである試料Ａ、Ｂ、Ｃはいずれも６０ＧＨｚまで反射損失Ｓ１１が−１５ｄＢ未満であり、３０ＧＨｚ以上、６０ＧＨｚまでの高周波の電気信号を伝送することが可能であることが判る。
【００５８】
尚、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、例えば上述の実施例では、本発明の配線基板を半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージに適用した場合について説明したが、本発明の配線基板は、例えば混成集積回路基板等に用いられる配線基板としても適用できることはいうまでもない。
【００５９】
また、上述の実施例では、３枚の前駆体シートを積層することによって配線基板を製作したが、配線基板は１枚や２枚あるいは４枚以上の前駆体シートを積層することによって製作されても良い。
【００６０】
更に上述の実施例では、配線基板は各絶縁基板が同じ無機絶縁物粉末を含む絶縁基板で形成されていたが、配線基板を構成する各絶縁基板はそれぞれ異なる無機物粉末を含むものであっても良い。
【００６１】
【発明の効果】
本発明の配線基板によれば、絶縁基体となる無機絶縁物粉末及び配線導体となる金属粉末を靭性に優れる熱硬化性樹脂により結合したことから搬送工程や半導体装置の自動ライン等において配線基板同士あるいは配線基板と半導体装置製作ラインの一部とが激しく衝突しても絶縁基体に欠けや割れ、クラックが発生することはない。
【００６２】
また本発明の配線基板は、熱硬化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを混合して成る前駆体シートを準備する工程と、前記前駆体シートに熱硬化性樹脂前駆体と金属粉末とを混合して成る金属ペーストを所定パターンに印刷する工程と、前記前駆体シート及び金属ペーストを熱硬化させる工程とで製作され、焼成工程がないことから焼成に伴う不均一な収縮による変形や寸法のばらつきが発生することもない。
【００６３】
更に本発明の配線基板によれば、絶縁基体に設けた配線導体の外表面に形成された凹凸を５０μｍ以下としたことから配線導体に３０ＧＨｚ以上の高周波の電気信号を伝送させた場合、高周波の電気信号が配線導体の外表面に形成されている凹凸で反射を起こすことはほとんどなく伝送特性を極めて優れたものとなすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板を半導体素子収納用パッケージに適用した場合の一実施例を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は本発明の配線基板の製造方法を説明するための工程毎の断面図である。
【図３】本発明の実験例を示し、信号周波数と反射損失Ｓ１１の関係を示す線図である。
【符号の説明】
１・・・・・・・絶縁基体
１ａ〜１ｃ・・・絶縁基板
２・・・・・・・配線導体
１１・・・・・・前駆体シート
１２・・・・・・金属ペースト
【図１】
2004055964.tif 000003
【図２】
2004055964.tif 000004
【図３】
2004055964.tif 000005