(57)【要約】【課題】加工時間が長くなる真空処理を必要とせず、簡便に薄膜パターンを形成できる方法を得るにある。【解決手段】表面１ａを滑面化された基板１などの表面に保護層５をパターニングし、同保護層５の不存在部にサンドブラスト処理を行ってブラスト粗面２を形成し、前記保護層５を除去した後、基板表面全体を薄膜層３で覆い、この薄膜層３の表面に機械的な力を加えて前記ブラスト粗面２に対応した薄膜層部分以外の薄膜を除去する薄膜パターンの形成方法。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を滑面化された基板などの表面に保護層をパターニングし、同保護層の不存在部にサンドブラスト処理を行ってブラスト粗面を形成し、前記保護層を除去した後、基板表面全体を薄膜層で覆い、この薄膜層の表面に機械的な力を加えて前記ブラスト粗面に対応した薄膜層部分以外の薄膜を除去することを特徴とする薄膜パターンの形成方法。
【請求項２】
前記保護層はフォトレジスト層であり、前記薄膜層はメッキ層であることを特徴とする請求項１記載の薄膜パターンの形成方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の薄膜パターン形成方法により作られたことを特徴とする薄膜パターンデバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプリント配線基板やセラミック基板などの表面に薄膜パターンを形成する方法に関する。
【０００２】
【背景技術】
周知のように、例えばガラス基板やセラミック基板の表面に金属層などの薄膜を形成するには、不必要部をフォトレジスト層などの保護層で覆っておき、基板を真空槽に入れて蒸着法やスパッタリング法を用いて薄膜パターンを形成する。または、薄膜を前面に形成した後、フォトレジスト等でマスク層を形成し、エッチングによりパターンを形成する。
【０００３】
つまり、従来の導電金属などの薄膜は、蒸着法やスパッタリング法を用いて基板などの表面に形成するので、大がかりな真空槽を必要とし、槽内を真空に保って処理を行うため、処理に要する時間も長かった。
【０００４】
また、従来では、例えば特公平７−２２８９３号公報または特開平１１−４２５６２号公報に示すように、サンドブラスト法を用いて厚膜ガラスパターンを形成する方法が提案されているけれども、これらの方法は厚みのあるガラス層をサンドブラストにより除去する技術であるので、金属層などの薄膜パターンを形成するのには不向きであった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
即ち、金属層などの薄膜の場合、金属層の不必要な部分をサンドブラストにより除去しようとしても、不用な部分の一部が残留してしまったり、サンドブラスト処理が過剰になると、下層の表面が損傷されてしまうため、サンドブラスト処理の制御自体が困難であった。
【０００６】
本発明の目的は、前述したような従来の薄膜パターンの形成方法に鑑み、加工時間が長くなる真空処理を必要とせず、簡便に薄膜パターンを形成できる方法を得るにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため、本発明は、表面を滑面化された基板などの表面に保護層をパターニングし、同保護層の不存在部にサンドブラスト処理を行ってブラスト粗面を形成し、前記保護層を除去した後、基板表面全体を薄膜層で覆い、この薄膜層の表面に機械的な力を加えて前記ブラスト粗面に対応した薄膜層部分以外の薄膜を除去する薄膜パターンの形成方法を提案するものである。
【０００８】
後述する本発明の好ましい実施例の説明においては、
１）前記保護層はフォトレジスト層であり、前記薄膜層はメッキ層である薄膜パターンの形成方法、
２）請求項１または請求項２に記載の薄膜パターン形成方法により作られた薄膜パターンデバイス
が説明される。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、図面について本発明の実施例の詳細を説明する。
図１は本発明により得られた薄膜パターンデバイスの要部拡大図である。
【００１０】
即ち、この薄膜パターンデバイスは表面を滑面１ａとされたガラスなどの基板１の表面の一部をブラスト粗面２とし、付着力を増した同ブラスト粗面２の対応表面に薄膜メッキ層３を形成し、滑面１ａ上に積層された薄膜メッキ層３を機械的に剥離除去してある。
【００１１】
図２から図６は本発明による薄膜パターンの形成方法の加工工程を示し、本発明においては、図２に示すように、ガラスなどの剛性基板１が用意される。
用いる基板１としては、ガラスばかりでなく、プリント基板に用いられる樹脂基板、金属板、セラミック板であってもよいが、その表面は後から処理される薄膜メッキ層３を機械的に剥離除去できる滑面１ａをもっている。
【００１２】
図３に示すように、この基板１の表面全体には、パターニングに先だって感光膜４が形成され、この感光膜４をマスキングすることにより、部分的に感光されてフォトレジスト層５（図４）が基板１の表面の一部を覆った状態で形成される。
図示実施例では、フォトマスク法を用いて保護層であるフォトレジスト層５を形成する場合を示してあるけれども、本発明においては、形成する線幅が比較的大きく、しかも耐久性のある保護膜を必要とする場合にあっては、スクリーン印刷法、ブレードコート法、ロールコート法を用いて滑面１ａの表面に印刷インク層からなる保護膜を形成してもよい。
【００１３】
次ぎに、保護膜であるフォトレジスト層５を積層された基板１に対しては、図５に示すように、ブラスト粗面２がフォトレジスト層５の不存在部に形成される。即ち、基板１の表面には、例えば研磨剤として例えば＃８００の褐色溶解アルミナを用いて、噴射圧力を平方センチメートル当たり１Ｋｇ・ｆで吹き付けることによりブラスト粗面２を形成できる。また、パターン寸法に応じて研磨剤のサイズを変えることが望ましい。
【００１４】
この後、適当な溶剤を用いてフォトレジスト層５で構成された保護膜が基板１の表面から除去され、基板１の滑面１ａが露呈され、基板１を無電解または電解メッキ槽中に浸漬することによって、ブラスト粗面２及び滑面１ａに亘って純銅などの薄膜メッキ層３が、図６示のように、積層される。つまり、この工程での薄膜メッキ層３は、真空蒸着やスパッタリング処理のように基板１を真空槽中に位置するのではなく、基板１を無電解または電解メッキ液中に浸漬するだけでよいので、比較的短時間で少量ロットでも加工できる。
【００１５】
表面全体に薄膜メッキ層３を形成された基板１は、砥石などを用いた研磨工程に移され、滑面１ａに対応した部分の薄膜メッキ層３が基板１の表面から剥離され、図１の薄膜パターンデバイスが完成される。
詳しくは、滑面１ａに対応した部分の薄膜メッキ層３は、滑面１ａに対する付着力が弱いため、外力の作用により容易に剥離できる。一方、ブラスト粗面２に対応した部分の薄膜メッキ層３は、ブラスト粗面２に対する付着力が極めて高いので、外力の作用により剥離しないから、研磨工程でブラスト粗面２に残置する。
【００１６】
なお、図示実施例では、理解し易いように、基板１の表面の一部に直接にブラスト粗面２を形成する場合を述べたが、このブラスト粗面２は、例えば厚膜保護層の一部表面に形成した後、厚膜保護層全体表面に薄膜メッキ層３を積層してもよい。
【００１７】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明においては、真空槽を用いずに、基板を無電解または電解メッキ液中に浸漬して表面に薄膜メッキ層を形成するから、短時間で少量の製品を加工できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明により完成された薄膜パターンデバイスの拡大断面図である。
【図２】本発明で用意される基板の拡大断面図である。
【図３】本発明における感光膜形成工程の説明図である。
【図４】本発明におけるフォトレジスト層形成工程の説明図である。
【図５】本発明におけるブラスト粗面形成工程の説明図である。
【図６】本発明における薄膜メッキ層形成工程の説明図である。
【符号の説明】
１　　　基板
１ａ　　滑面
２　　　ブラスト粗面
３　　　薄膜メッキ層
４　　　感光膜
５　　　フォトレジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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