(57)【要約】【課題】ポットライフの長い新規な置換型ガーネット磁性体薄膜形成用の液体原料を提供することと、その原料を用いて平坦で良質な酸化物磁性体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】有機イットリウム化合物、有機鉄化合物、有機ガリウム化合物、有機ネオジム化合物、有機ガドリニウム化合物等とロジンを反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液を有意に組み合わせて混合した液体原料とそれを用いたＭＯＤ法による酸化物磁性体薄膜の製造方法である。【選択図】        図１６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機イットリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液と、有機鉄化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液と、有機ビスマス化合物とを混合したことを特徴とするＹ３−ｘＢｉｘＦｅ５Ｏ１２の置換型ガーネット磁性体薄膜形成用液体組成物。
【請求項２】
有機イットリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液と、有機鉄化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液と、有機ガリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液と、有機ビスマス化合物とを混合したことを特徴とするＹ３−ｘＢｉｘＦｅ５−ｙＧａｙＯ１２の置換型ガーネット磁性体薄膜形成用液体組成物。
【請求項３】
有機イットリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液と、有機鉄化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液と、有機ガリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液とを混合したことを特徴とするＹ３Ｆｅ５−ｘＧａｘＯ１２の置換型ガーネット磁性体薄膜形成用液体組成物。
【請求項４】
有機ネオジム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液と、有機鉄化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液と、有機ガリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液と、有機ビスマス化合物とを混合したことを特徴とするＮｄ３−ｘＢｉｘＦｅ５−ｙＧａｙＯ１２の置換型ガーネット磁性体薄膜形成用液体組成物。
【請求項５】
有機ガドリニウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液と、有機鉄化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液と、有機ガリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液と、有機ビスマス化合物とを混合したことを特徴とするＧｄ３−ｘＢｉｘＦｅ５−ｙＧａｙＯ１２の置換型ガーネット磁性体薄膜形成用液体組成物。
【請求項６】
有機イットリウム化合物がオクチル酸イットリウム、カプリル酸イットリウム、デカン酸イットリウム、ナフテン酸イットリウムの中から選ばれた一種あるいは二種以上、有機鉄化合物がオクチル酸鉄、カプリル酸鉄、デカン酸鉄、ナフテン酸鉄の中から選ばれた一種あるいは二種以上、有機ガリウム化合物がオクチル酸ガリウム、カプリル酸ガリウム、デカン酸ガリウム、ナフテン酸ガリウムの中から選ばれた一種あるいは二種以上、有機ビスマス化合物がオクチル酸ビスマス、カプリル酸ビスマス、デカン酸ビスマス、ナフテン酸ビスマスの中から選ばれた一種あるいは二種以上、有機ネオジム化合物がオクチル酸ネオジム、カプリル酸ネオジム、デカン酸ネオジム、ナフテン酸ネオジムの中から選ばれた一種あるいは二種以上、有機ガドリニウム化合物がオクチル酸ガドリニウム、カプリル酸ガドリニウム、デカン酸ガドリニウム、ナフテン酸ガドリニウムの中から選ばれた一種あるいは二種以上であることを特徴とする請求項１〜５に記載の置換型ガーネット磁性体薄膜形成用液体組成物。
【請求項７】
有機溶媒がプロピオン酸、オクチル酸、カプリル酸、デカン酸、ナフテン酸、テレピン油、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソアミル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、キシレン、オクタン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンの中から選ばれた一種あるいは二種以上であることを特徴とする請求項１〜５に記載の置換型ガーネット磁性体薄膜形成用液体組成物。
【請求項８】
請求項１、６、７に記載の置換型ガーネット磁性体薄膜形成用液体組成物を用いることを特徴とするＭＯＤ法によるＹ３−ｘＢｉｘＦｅ５Ｏ１２の置換型ガーネット磁性体薄膜。
【請求項９】
請求項２、６、７に記載の置換型ガーネット磁性体薄膜形成用液体組成物を用いることを特徴とするＭＯＤ法によるＹ３−ｘＢｉｘＦｅ５−ｙＧａｙＯ１２の置換型ガーネット磁性体薄膜。
【請求項１０】
請求項３、６、７に記載の置換型ガーネット磁性体薄膜形成用液体組成物を用いることを特徴とするＭＯＤ法によるＹ３Ｆｅ５−ｘＧａｘＯ１２の置換型ガーネット磁性体薄膜。
【請求項１１】
請求項４、６、７に記載の置換型ガーネット磁性体薄膜形成用液体組成物を用いることを特徴とするＭＯＤ法によるＮｄ３−ｘＢｉｘＦｅ５−ｙＧａｙＯ１２の置換型ガーネット磁性体薄膜。
【請求項１２】
請求項５、６、７に記載の置換型ガーネット磁性体薄膜形成用液体組成物を用いることを特徴とするＭＯＤ法によるＧｄ３−ｘＢｉｘＦｅ５−ｙＧａｙＯ１２の置換型ガーネット磁性体薄膜。
【請求項１３】
ＭＯＤ法が、請求項１〜７に記載の置換型ガーネット磁性体薄膜形成用液体組成物を基板上に滴下してスピンコートにより塗布あるいは該溶液中に該基板を浸漬した後引き上げることにより塗布した後、乾燥する工程を任意の回数繰り返し、次いで大気中または酸素雰囲気中で５００〜８００℃の温度で結晶化させる方法であることを特徴とする置換型ガーネット磁性体薄膜の製造方法。
【請求項１４】
基板が、シリコン、ガリウムヒ素などの半導体、ガラス、ガドリニウムガリウムガーネット（Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２）であることを特徴とする請求項１３に記載の置換型ガーネット磁性体薄膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、置換型ガーネット磁性体薄膜形成用の液体組成物原料とそれを用いたＭＯＤ法による磁性体薄膜およびその薄膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
Ｙ３Ｆｅ５Ｏ１２はＹＩＧ（Ｙｔｔｒｉｕｍ  Ｉｒｏｎ  Ｇａｒｎｅｔ）といい、代表的な酸化物磁性体である。この組成の中で、ＹをＢｉ、Ｇｄなどで置換し、ＦｅをＧａ、Ｉｎ、Ａｌなどで置換することができる。このように置換したＹＩＧを置換型ＹＩＧといい、キュリー温度、磁気異方性、磁気ひずみ係数等を変化させることができる。
また、ＹＩＧの組成の中でＹｔｔｒｉｕｍを希土類元素で置換したものを希土類鉄ガーネットＲＩＧ（Ｒａｒｅ−Ｅａｒｔｈ  Ｉｒｏｎ  Ｇａｒｎｅｔ  Ｒ３Ｆｅ５Ｏ１２）といい、ＲとしてＮｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕなどで置換することができる。
以上のように、種々な元素で置換された酸化物磁性体を総称して置換型ガーネット磁性体という。
【０００３】
このような置換型ガーネットの酸化物磁性体の薄膜は、一般にスパッタリング法やレーザーアブレーション法などで作製されている。しかし、これらの方法は高価で大がかりな真空装置を用いなければならないという欠点がある。また、この場合、作製された薄膜は、真空中で作製するので酸化が不十分となり、良い結晶性の薄膜を得るためには成膜後のアニール処理が必要となる問題点がある。
一方、高価な製造装置を用いずに簡単に酸化物磁性体を作製する方法として、ゾル−ゲル法がある。この方法は、硝酸塩などからなる原材料の溶液をエチレングリコールなどに溶解し、得られたコロイド溶液を基板上に塗布し、熱処理することによって結晶化させるものである。しかし、この方法では、原料溶液のポットライフが短いこと、作製した薄膜の平坦性が悪く良質な薄膜が得難い等の欠点がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、ポットライフの長い新規な置換型ガーネット磁性体薄膜形成用の液体原料を提供することと、その原料を用い平坦で良質な酸化物磁性体薄膜とその製造方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、有機イットリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液と、有機鉄化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液と、有機ビスマス化合物とを混合したことを特徴とするＹ３−ｘＢｉｘＦｅ５Ｏ１２の置換型ガーネット磁性体薄膜形成用液体組成物である。
【０００６】
本発明は、有機イットリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液と、有機鉄化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液と、有機ガリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液と、有機ビスマス化合物とを混合したことを特徴とするＹ３−ｘＢｉｘＦｅ５−ｙＧａｙＯ１２の置換型ガーネット磁性体薄膜形成用液体組成物である。
【０００７】
本発明は、有機イットリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液と、有機鉄化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液と、有機ガリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液とを混合したことを特徴とするＹ３Ｆｅ５−ｘＧａｘＯ１２の置換型ガーネット磁性体薄膜形成用液体組成物である。
【０００８】
本発明は、有機ネオジム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液と、有機鉄化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液と、有機ガリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液と、有機ビスマス化合物とを混合したことを特徴とするＮｄ３−ｘＢｉｘＦｅ５−ｙＧａｙＯ１２の置換型ガーネット磁性体薄膜形成用液体組成物である。
【０００９】
本発明は、有機ガドリニウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液と、有機鉄化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液と、有機ガリウム化合物とロジンを混合し反応させた後の溶液分を留去し残った固形成分を有機溶媒に溶解した溶液と、有機ビスマス化合物とを混合したことを特徴とするＧｄ３−ｘＢｉｘＦｅ５−ｙＧａｙＯ１２の置換型ガーネット磁性体薄膜形成用液体組成物である。
【０００１０】
本発明は、有機イットリウム化合物がオクチル酸イットリウム、カプリル酸イットリウム、デカン酸イットリウム、ナフテン酸イットリウムの中から選ばれた一種あるいは二種以上、有機鉄化合物がオクチル酸鉄、カプリル酸鉄、デカン酸鉄、ナフテン酸鉄の中から選ばれた一種あるいは二種以上、有機ガリウム化合物がオクチル酸ガリウム、カプリル酸ガリウム、デカン酸ガリウム、ナフテン酸ガリウムの中から選ばれた一種あるいは二種以上、有機ビスマス化合物がオクチル酸ビスマス、カプリル酸ビスマス、デカン酸ビスマス、ナフテン酸ビスマスの中から選ばれた一種あるいは二種以上、有機ネオジム化合物がオクチル酸ネオジム、カプリル酸ネオジム、デカン酸ネオジム、ナフテン酸ネオジムの中から選ばれた一種あるいは二種以上、有機ガドリニウム化合物がオクチル酸ガドリニウム、カプリル酸ガドリニウム、デカン酸ガドリニウム、ナフテン酸ガドリニウムの中から選ばれた一種あるいは二種以上であることを特徴とする上記記載の置換型ガーネット磁性体薄膜形成用液体組成物である。
【０００１１】
本発明は、有機溶媒がプロピオン酸、オクチル酸、カプリル酸、デカン酸、ナフテン酸、テレピン油、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソアミル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、キシレン、オクタン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンの中から選ばれた一種あるいは二種以上であることを特徴とする上記記載の置換型ガーネット磁性体薄膜形成用液体組成物である。
【００１２】
本発明は、上記記載のＹ３−ｘＢｉｘＦｅ５Ｏ１２の置換型ガーネット磁性体薄膜形成用液体組成物を用いることを特徴とするＭＯＤ法による置換型ガーネット磁性体薄膜である。
【００１３】
本発明は、上記記載のＹ３−ｘＢｉｘＦｅ５−ｙＧａｙＯ１２の置換型ガーネット磁性体薄膜形成用液体組成物を用いることを特徴とするＭＯＤ法による置換型ガーネット磁性体薄膜である。
【００１４】
本発明は、上記記載のＹ３Ｆｅ５−ｘＧａｘＯ１２の置換型ガーネット磁性体薄膜形成用液体組成物を用いることを特徴とするＭＯＤ法による置換型ガーネット磁性体薄膜である。
【００１５】
本発明は、上記記載のＮｄ３−ｘＢｉｘＦｅ５−ｙＧａｙＯ１２の置換型ガーネット磁性体薄膜形成用液体組成物を用いることを特徴とするＭＯＤ法による置換型ガーネット磁性体薄膜である。
【００１６】
本発明は、上記記載のＧｄ３−ｘＢｉｘＦｅ５−ｙＧａｙＯ１２の置換型ガーネット磁性体薄膜形成用液体組成物を用いることを特徴とするＭＯＤ法による置換型ガーネット磁性体薄膜である。
【００１７】
本発明は、ＭＯＤ法が、上記記載の置換型ガーネット磁性体薄膜形成用液体組成物を基板上に滴下してスピンコートにより塗布あるいは該溶液中に該基板を浸漬した後引き上げることにより塗布した後、乾燥する工程を任意の回数繰り返し、次いで大気中または酸素雰囲気中で５００〜８００℃の温度で結晶化させる方法であることを特徴とする置換型ガーネット磁性体薄膜の製造方法である。
【００１８】
本発明は、基板が、シリコン、ガリウムヒ素などの半導体、ガラス、ガドリニウムガリウムガーネット（Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２）であることを特徴とする上記記載の置換型ガーネット磁性体薄膜の製造方法である。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明で用いるＭＯＤ法（有機金属堆積法  Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）は、基板上に有機金属溶液を塗布し、熱処理を加えるだけの極めて簡便な成膜法である。この方法は、有機金属化合物を熱分解することにより酸化物薄膜を形成させるものである。
【００２０】
この方法は、基板上に有機金属溶液を塗布する工程１、塗布した有機金属溶液を乾燥させる工程２、有機金属を分解・蒸発させるための仮焼成工程３、結晶化させるための本焼成工程４からなる。１の工程と２の工程は、薄膜の目的とする膜厚によって任意の回数繰り返される。また、１の工程、２の工程、３の工程までを任意の回数繰り返すこともある。
【００２１】
これらの工程はすべて大気中で行われ、高価な真空装置やグローブボックス等を必要としない利点がある。したがって、簡単に安価で均質性の高い酸化物磁性体薄膜が製作可能である。さらに、この方法は、大面積の薄膜の作製にも適している。
【００２２】
基板上に有機金属溶液を塗布する方法は、基板を有機金属溶液中に浸漬したのち引き上げる方法、基板上に有機金属溶液を滴下しスピンコートする方法等が用いられる。
酸化物磁性体薄膜形成が可能な基板は、シリコン、ガリウムヒ素などの半導体、ガラス、ガドリニウムガリウムガーネット（ＧＧＧ）等である。
【００２３】
【実施例１】
有機金属化合物としてオクチル酸金属化合物を用いた一例を以下に述べる。
オクチル酸イットリウム３５０ｇにロジン７６．１ｇを添加し、オイルバス１２０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、プロピオン酸２３．２ｇとテレピン油５２５．４ｇと酢酸ｎ−ブチル２６２．７ｇと酢酸エチル８７．６ｇを添加し溶液（Ｉ）とした。
オクチル酸鉄１５０．５ｇにロジン４７．９ｇを添加し、オイルバス１２０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、テレピン油１６５．２ｇと酢酸ｎ−ブチル８２．６ｇと酢酸エチル２７．５ｇを添加し溶液（ＩＩ）とした。
溶液（Ｉ）を４４．７２ｇ（Ｙ１１．９ミリモル）と溶液（ＩＩ）を８０．０１ｇ（Ｆｅ２９．７ミリモル）とオクチル酸ビスマス溶液５．０１ｇ（Ｂｉ５．９９ミリモル）とを混合した。
この混合溶液に濃度調整のためテレピン油２４．６８ｇと酢酸ｎ−ブチル１２．３４ｇと酢酸エチル４．１１ｇとナフテン酸１．２０ｇを添加し、均一な金属比率Ｂｉ：Ｙ：Ｆｅ＝１：２：５となる溶液を作製した。したがって、この溶液はＢｉ１Ｙ２Ｆｅ５Ｏ１２磁性体薄膜形成用の原料溶液である。この溶液は透明であった。
この溶液を５０ｍｌのメスフラスコにとり、目視で沈殿の有無を確認することによってポットライフを調べた結果、６ケ月後も沈殿や分離等の異常は認められなかった。したがって、本発明になる磁性体薄膜形成用の液体原料は６ケ月以上のポットライフを有する。
【００２４】
【実施例２】
薄膜形成法
基板にはコーニング７０５９ガラス基板、シリコン基板（１００）、ガドリニウムガリウムガーネット（ＧＧＧ）基板を用いた。これらの基板を洗浄後、実施例１で作製した原料溶液をスピンコートにより塗布した。スピンコートは回転数２０００〜４０００ｒｐｍ、時間２０〜６０ｓとした。塗布後、ホットプレートによって１５０〜２５０℃で乾燥させた。これらのプロセスを数回繰り返した。
薄膜の厚さは、スピンコートの条件および塗布回数により調節した。乾燥後、試料を５００〜８００℃で１〜３時間焼成を行い、大気中で熱処理することにより結晶化させ、Ｂｉ１Ｙ２Ｆｅ５Ｏ１２（以下、Ｂｉ：ＹＩＧという）の薄膜を得た。
【００２５】
薄膜の評価
１．Ｘ線回折法による評価
ガラス基板、シリコン基板およびＧＧＧ基板上に作製したＢｉ：ＹＩＧ薄膜のＸＲＤパターンを図１、図２、図３に示す。図１はガラス基板、図２はシリコン基板、図３はＧＧＧ基板である。
ガラス基板およびシリコン基板の場合には、Ｂｉ：ＹＩＧの（４２０）回折線が見られ、結晶化したＢｉ：ＹＩＧ薄膜が得られていることがわかる。薄膜の方位については、この測定で（４２０）以外は見られていないが、多結晶の可能性がある。
一方、ＧＧＧ基板の場合には、基板のピーク以外に回折線は観察されなかった。これは、Ｂｉ：ＹＩＧとＧＧＧの結晶構造が同じで、格子定数もほぼ同じであることから、Ｂｉ：ＹＩＧはＧＧＧ上にエピタキシャルに成長していると考えられる。このことは、後で述べる磁化率およびファラデースペクトルの結果からも、良質の結晶が得られているということが確認された。
【００２６】
２．振動試料型磁力計（ＶＳＭ）による評価
作製した薄膜が磁化をもつかどうかをＶＳＭにより評価を行った。ガラス基板、シリコン基板およびＧＧＧ基板上に作製したＢｉ：ＹＩＧ薄膜の磁化率曲線を図４、図５、図６に示す。図４はガラス基板、図５はシリコン基板、図６はＧＧＧ基板である。
磁場の印加方向は、面内方向である。いずれの場合も、磁化率曲線にヒステリシスをもち強磁性体であることがわかった。また、磁化の容易軸は面内方向であることもこれらの図からわかる。
【００２７】
３．ファラデースペクトルの測定
可視光の領域で透明なガラス基板とＧＧＧ基板上に作製したＢｉ：ＹＩＧ薄膜について透過の場合の磁気光学効果であるファラデー効果の測定を行った。測定波長は４００〜７００ｎｍとした。その結果を図７に示す。
また、比較のために理論計算値および液相エピタキシャル法により作製されたＹＩＧとＢｉ：ＹＩＧ薄膜のファラデースペクトルを図８に示す（品川公成：日本応用磁気学会第３８回研究会資料（１９８５．１）Ｐ．７から引用）。
本発明で作製された薄膜は、３７０ｎｍ、４３０ｎｍ付近にピークを持つことがわかる。これは引用した文献の図８のＢｉ：ＹＩＧのファラデースペクトルと同じ形をしている。この結果から、本発明の薄膜はＢｉ：ＹＩＧ薄膜であることが明らかになった。
【００２８】
【実施例３】
有機金属化合物としてオクチル酸金属化合物とカプリル酸金属化合物を用いた一例を以下に述べる。
オクチル酸イットリウム３５０ｇにロジン７６．１ｇを添加し、オイルバス１２０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、プロピオン酸２３．２ｇとテレピン油５２５．４ｇと酢酸ｎ−ブチル２６２．７ｇと酢酸エチル８７．６ｇを添加し溶液（Ｉ）とした。
オクチル酸鉄１５０．５ｇにロジン４７．９ｇを添加し、オイルバス１２０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、テレピン油１６５．２ｇと酢酸ｎ−ブチル８２．６ｇと酢酸エチル２７．５ｇを添加し溶液（ＩＩ）とした。
カプリル酸ガリウム１４０ｇにロジン３６．３ｇを添加し、オイルバス１１０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、テレピン油１６９．１ｇと酢酸ｎ−ブチル８４．５ｇと酢酸エチル２８．２ｇを添加し溶液（ＩＩＩ）とした。
溶液（Ｉ）を３３．６８ｇ（Ｙ８．９５ミリモル）と溶液（ＩＩ）を４７．６２ｇ（Ｆｅ１７．８ミリモル）と溶液（ＩＩＩ）を１３．９７ｇ（Ｇａ４．４７ミリモル）とオクチル酸ビスマス溶液３．７４ｇ（Ｂｉ４．４７ミリモル）とを混合した。
この混合溶液に濃度調整のためテレピン油１８．６ｇと酢酸ｎ−ブチル９．３ｇと酢酸エチル３．１ｇを添加し、均一な金属比率Ｙ：Ｂｉ：Ｆｅ：Ｇａ＝２：１：４：１となる溶液を作製した。したがって、この溶液はＹ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２磁性体薄膜形成用原料溶液である。この溶液は透明であった。
この溶液を５０ｍｌのメスフラスコにとり、目視で沈殿の有無を確認することによってポットライフを調べた結果、６ケ月後も沈殿や分離等の異常は認められなかった。したがって、本発明になる磁性体薄膜形成用の液体原料は６ケ月以上のポットライフを有する。
【００２９】
【実施例４】
薄膜形成法
基板にはコーニング７０５９ガラス基板、シリコン基板、ガドリニウムガリウムガーネット（ＧＧＧ）基板を用いた。これらの基板を洗浄後、実施例３で作製した原料溶液をスピンコートにより塗布した。スピンコートは回転数２０００〜４０００ｒｐｍ、時間２０〜６０ｓとした。塗布後、ホットプレートによって１５０〜２５０℃で乾燥させた。これらのプロセスを数回繰り返した。薄膜の厚さは、スピンコートの条件および塗布回数により調節した。乾燥後、試料を５００〜８００℃で１〜３時間焼成を行い、大気中で熱処理することにより結晶化させ、Ｙ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２の薄膜を得た。
【００３０】
薄膜の評価
１．エネルギー分散型Ｘ線分析法（ＥＤＸ）による評価
シリコン基板上のＹ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜のＥＤＸパターンを図９に示す。
図から明らかなように、ＳｉとＹのピークが重なってしまって正確な値が得られないので、Ｆｅを基準にしＢｉとＧａの比を求めた。
測定結果    Ｂｉ：Ｆｅ：Ｇａ＝１．１３：４：０．９３
理論値      Ｂｉ：Ｆｅ：Ｇａ＝１：４：１
測定装置の測定誤差を勘案すると、目指した組成比が得られたと思われる。
【００３１】
２．振動試料型磁力計（ＶＳＭ）による評価
作製した薄膜が磁化をもつかどうかをＶＳＭにより評価を行った。ガラス基板、シリコン基板およびＧＧＧ基板上に作製したＹ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜の磁化率曲線を図１０、図１１、図１２に示す。図１０はガラス基板、図１１はシリコン基板、図１２はＧＧＧ基板である。
いずれの場合も、磁化率曲線にヒステリシスをもち強磁性体であることがわかった。
【００３２】
３．Ｘ線回折法（ＸＲＤ）による評価
ガラス基板、シリコン基板およびＧＧＧ基板上に作製したＹ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜のＸＲＤパターンを図１３、図１４、図１５に示す。図１３はガラス基板、図１４はシリコン基板、図１５はＧＧＧ基板である。
Ｙ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２の回折線は（４００）、（４２０）、（４２２）に現れる。図１３にはこれらの回折線が見られる。図１４にはこれらの回折線とシリコン基板の回折線が見られる。このことから結晶化した薄膜が得られていることがわかる。
一方、図１５の場合は、ＧＧＧ基板の回折線のみ現れ、Ｙ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２の回折線は観察されなかった。これはＹ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２とＧＧＧの結晶構造が同じで、格子定数もほぼ同じであることから、Ｙ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２はＧＧＧ上にエピタキシャルに成長していると考えられる。
【００３３】
４．ファラデー回転ヒステリシスの測定
ガラス基板とＧＧＧ基板上に作製したＹ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜のファラデー回転ヒステリシスを図１６に示す。図から明らかなように、角型性の良いファラデー回転ヒステリシスが得られた。
【００３４】
【実施例５】
有機金属化合物としてオクチル酸金属化合物とカプリル酸金属化合物を用いた一例を以下に述べる。
オクチル酸イットリウム３５０ｇにロジン７６．１ｇを添加し、オイルバス１２０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、プロピオン酸２３．２ｇとテレピン油５２５．４ｇと酢酸ｎ−ブチル２６２．７ｇと酢酸エチル８７．６ｇを添加し溶液（Ｉ）とした。
オクチル酸鉄１５０．５ｇにロジン４７．９ｇを添加し、オイルバス１２０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、テレピン油１６５．２ｇと酢酸ｎ−ブチル８２．６ｇと酢酸エチル２７．５ｇを添加し溶液（ＩＩ）とした。
カプリル酸ガリウム１４０ｇにロジン３６．３ｇを添加し、オイルバス１１０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、テレピン油１６９．１ｇと酢酸ｎ−ブチル８４．５ｇと酢酸エチル２８．２ｇを添加し溶液（ＩＩＩ）とした。
溶液（Ｉ）を５８．５９ｇ（Ｙ１５．６ミリモル）と溶液（ＩＩ）を５５．２２ｇ（Ｆｅ２０．７ミリモル）と溶液（ＩＩＩ）を１６．２０ｇ（Ｇａ５．１９ミリモル）とを混合し、均一な金属比率Ｙ：Ｆｅ：Ｇａ＝３：４：１となる溶液を作製した。したがって、この溶液はＹ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２磁性体薄膜形成用原料溶液である。この溶液は透明であった。
この溶液を５０ｍｌのメスフラスコにとり、目視で沈殿の有無を確認することによってポットライフを調べた結果、６ケ月後も沈殿や分離等の異常は認められなかった。したがって、本発明になる磁性体薄膜形成用の液体原料は６ケ月以上のポットライフを有する。
【００３５】
【実施例６】
薄膜形成法
実施例５で作製した原料溶液を用いたほかは、実施例４の薄膜形成法と同じ方法でＹ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２の薄膜を得た。
【００３６】
薄膜の評価
１．エネルギー分散型Ｘ線分析法（ＥＤＸ）による評価
シリコン基板上のＹ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜のＥＤＸパターンを図１７に示す。
図から明らかなように、ＳｉとＹのピークが重なってしまって正確な値が得られないので、ＦｅとＧａの比を求めた。
測定結果    Ｆｅ：Ｇａ＝４：０．９６
理論値      Ｆｅ：Ｇａ＝４：１
測定装置の測定誤差を勘案すると、目指した組成比が得られたと思われる。
【００３７】
２．振動試料型磁力計（ＶＳＭ）による評価
作製した薄膜が磁化をもつかどうかをＶＳＭにより評価を行った。ガラス基板、シリコン基板およびＧＧＧ基板上に作製したＹ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜の磁化率曲線を図１８、図１９、図２０に示す。図１８はガラス基板、図１９はシリコン基板、図２０はＧＧＧ基板である。
いずれの場合も、磁化率曲線にヒステリシスをもち強磁性体であることがわかった。
【００３８】
３．Ｘ線回折法（ＸＲＤ）による評価
ガラス基板、シリコン基板およびＧＧＧ基板上に作製したＹ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜のＸＲＤパターンを図２１、図２２、図２３に示す。図２１はガラス基板、図２２はシリコン基板、図２３はＧＧＧ基板である。
Ｙ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２の回折線は（４００）、（４２０）、（４２２）に現れる。図２１にはこれらの回折線が見られる。図２２にはこれらの回折線のほか（４４４）、（６４０）、（８００）の回折線とシリコン基板の回折線が見られる。このことから結晶化した薄膜が得られていることがわかる。
一方、図２３の場合は、ＧＧＧ基板の回折線のみ現れ、Ｙ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２の回折線は観察されなかった。これはＹ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２とＧＧＧの結晶構造が同じで、格子定数もほぼ同じであることから、Ｙ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２はＧＧＧ上にエピタキシャルに成長していると考えられる。
【００３９】
４．ファラデー回転ヒステリシスの測定
ガラス基板とＧＧＧ基板上に作製したＹ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜のファラデー回転ヒステリシスを図２４に示す。回転角はＹ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２膜と比べると半分位であり、符号が逆であった。
【００４０】
【実施例７】
有機金属化合物としてオクチル酸金属化合物とカプリル酸金属化合物を用いた一例を以下に述べる。
カプリル酸ネオジム３３．８ｇにロジン３５．６ｇを添加し、オイルバス１５０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、プロピオン酸６．５７ｇとテレピン油１５７．９ｇと酢酸ｎ−ブチル７９．０ｇと酢酸エチル２６．３ｇを添加し溶液（Ｉ）とした。
オクチル酸鉄１５０．１ｇにロジン５３．９ｇを添加し、オイルバス１２０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、テレピン油２０１．１ｇと酢酸ｎ−ブチル１００．５ｇと酢酸エチル３３．５ｇを添加し溶液（ＩＩ）とした。
カプリル酸ガリウム１４０ｇにロジン３６．３ｇを添加し、オイルバス１１０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、テレピン油１６９．１ｇと酢酸ｎ−ブチル８４．５ｇと酢酸エチル２８．２ｇを添加し溶液（ＩＩＩ）とした。
溶液（Ｉ）を４４．５３ｇ（Ｎｄ７．９４ミリモル）と溶液（ＩＩ）を４２．２６ｇ（Ｆｅ１５．９ミリモル）と溶液（ＩＩＩ）を１２．４０ｇ（Ｇａ３．９７ミリモル）とオクチル酸ビスマス溶液３．３２ｇ（Ｂｉ３．９７ミリモル）とを混合した。
この混合溶液に濃度調整のためテレピン油１６．５ｇと酢酸ｎ−ブチル８．３ｇと酢酸エチル２．８ｇを添加し、均一な金属比率Ｎｄ：Ｂｉ：Ｆｅ：Ｇａ＝２：１：４：１となる溶液を作製した。したがって、この溶液はＮｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２磁性体薄膜形成用原料溶液である。この溶液は透明であった。
この溶液５０ｍｌをメスフラスコにとり、目視で沈殿の有無を確認することによってポットライフを調べた結果、６ケ月後も沈殿や分離等の異常は認められなかった。したがって、本発明になる磁性体薄膜形成用の液体原料は６ケ月以上のポットライフを有する。
【００４１】
【実施例８】
薄膜形成法
基板にはコーニング７０５９ガラス基板、シリコン基板を用い、実施例７で作製した原料溶液を用いたほかは、実施例４の薄膜形成法と同じ方法でＮｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２の薄膜を得た。
【００４２】
薄膜の評価
１．振動試料型磁力計（ＶＳＭ）による評価
作製した薄膜が磁化をもつかどうかをＶＳＭにより評価を行った。ガラス基板およびシリコン基板上に作製したＮｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜の磁化率曲線を図２５、図２６に示す。図２５はガラス基板、図２６はシリコン基板である。
いずれの場合も、磁化率曲線にヒステリシスをもち強磁性体であることがわかった。
【００４３】
２．Ｘ線回折法（ＸＲＤ）による評価
ガラス基板およびシリコン基板上に作製したＮｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜のＸＲＤパターンを図２７、図２８に示す。図２７はガラス基板、図２８はシリコン基板である。
Ｎｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２の回折線は（３２１）、（４００）、（４２０）、（４２２）に現れる。図２７にはこれらの回折線が見られる。図２８には（４２０）の回折線とシリコン基板の回折線が見られる。このことから結晶化した薄膜が得られていることがわかる。
【００４４】
３．ファラデー回転スペクトルの測定
ガラス基板上に作製したＮｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜のファラデー回転スペクトルを測定した結果を図２９に示す。
この図２９のスペクトルは図７のスペクトルと同じ形をしている。希土類元素を含む磁性ガーネットは、希土類を変えてもスペクトルにはほとんど変化が見られないことが知られているので、本発明の薄膜はＮｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２のガーネット構造の結晶である。
【００４５】
【実施例９】
有機金属化合物としてオクチル酸金属化合物とカプリル酸金属化合物を用いた一例を以下に述べる。
オクチル酸ガドリニウム４７．４５ｇにロジン１７．１ｇを添加し、オイルバス１２０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、ナフテン酸１３．７ｇとテレピン油１５８．３ｇと酢酸ｎ−ブチル７９．１ｇと酢酸エチル２６．４ｇを添加し溶液（Ｉ）とした。
オクチル酸鉄１５０．１ｇにロジン５３．９ｇを添加し、オイルバス１２０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、テレピン油２０１．１ｇと酢酸ｎ−ブチル１００．５ｇと酢酸エチル３３．５ｇを添加し溶液（ＩＩ）とした。
カプリル酸ガリウム１４０ｇにロジン３６．３ｇを添加し、オイルバス１１０℃で３時間反応させた後、溶液分を留去した。釜内の残分に、テレピン油１６９．１ｇと酢酸ｎ−ブチル８４．５ｇと酢酸エチル２８．２ｇを添加し溶液（ＩＩＩ）とした。
溶液（Ｉ）を４６．７２ｇ（Ｇｄ７．７８ミリモル）と溶液（ＩＩ）を４１．１７ｇ（Ｆｅ１５．５ミリモル）と溶液（ＩＩＩ）を１２．０８ｇ（Ｇａ３．８６ミリモル）とオクチル酸ビスマス溶液３．２３ｇ（Ｂｉ３．８６ミリモル）とを混合した。
この混合溶液に濃度調整のためテレピン油１６．５ｇと酢酸ｎ−ブチル８．３ｇと酢酸エチル２．８ｇを添加し、均一な金属比率Ｇｄ：Ｂｉ：Ｆｅ：Ｇａ＝２：１：４：１となる溶液を作製した。したがって、この溶液はＧｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２磁性体薄膜形成用原料溶液である。この溶液は透明であった。
この溶液５０ｍｌをメスフラスコにとり、目視で沈殿の有無を確認することによってポットライフを調べた結果、６ケ月後も沈殿や分離等の異常は認められなかった。したがって、本発明になる磁性体薄膜形成用の液体原料は６ケ月以上のポットライフを有する。
【００４６】
【実施例１０】
薄膜形成法
基板にはコーニング７０５９ガラス基板、シリコン基板を用い、実施例９で作製した原料溶液を用いたほかは、実施例４の薄膜形成法と同じ方法でＧｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２の薄膜を得た。
【００４７】
薄膜の評価
１．振動試料型磁力計（ＶＳＭ）による評価
作製した薄膜が磁化をもつかどうかをＶＳＭにより評価を行った。ガラス基板およびシリコン基板上に作製したＧｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜の磁化率曲線を図３０、図３１に示す。図３０はガラス基板、図３１はシリコン基板である。
いずれの場合も、磁化率曲線にヒステリシスをもち強磁性体であることがわかった。
【００４８】
２．Ｘ線回折法（ＸＲＤ）による評価
ガラス基板およびシリコン基板上に作製したＧｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜のＸＲＤパターンを図３２、図３３に示す。図３２はガラス基板、図３３はシリコン基板である。
Ｇｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２の回折線は（３２１）、（４００）、（４２０）、（４２２）に現れる。図３２にはこれらの回折線が見られる。図３３には（４２０）の回折線とシリコン基板の回折線が見られる。このことから結晶化した薄膜が得られていることがわかる。
【００４９】
３．ファラデー回転スペクトルの測定
ガラス基板上に作製したＧｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜のファラデー回転スペクトルを測定した結果を図３４に示す。
図３４は図２９に比較し、スペクトルが反転した同形である。Ｇｄを含む場合は、２８６Ｋ以上で磁気光学効果の符号が反転することが知られているので、図７のスペクトルと同じ形のスペクトルが得られたことは、本発明の薄膜はＧｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２のガーネット構造の結晶である。
【００５０】
Ｙ２Ｂｉ１Ｆｅ５Ｏ１２薄膜とＹ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜とＹ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜とＮｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜とＧｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜をシリコン基板上に形成し、ＳＥＭによる表面観察を行った結果、その平坦性は極めて良好であることがわかった。
【００５１】
【発明の効果】
本発明になる置換型ガーネット磁性体薄膜形成用液体原料は、ポットライフが長く安定な原料溶液である。この原料溶液を用いてＭＯＤ法で作製したＹ２Ｂｉ１Ｆｅ５Ｏ１２磁性体薄膜とＹ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２磁性体薄膜とＹ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２磁性体薄膜とＮｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２磁性体薄膜とＧｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２磁性体薄膜は平坦性にすぐれ、磁性特性等極めて良質の酸化物磁性体薄膜である。
【図面の簡単な説明】
【図１】ガラス基板上のＹ２Ｂｉ１Ｆｅ５Ｏ１２薄膜のＸＲＤパターンを示す図である。
【図２】シリコン基板上のＹ２Ｂｉ１Ｆｅ５Ｏ１２薄膜のＸＲＤパターンを示す図である。
【図３】ＧＧＧ基板上のＹ２Ｂｉ１Ｆｅ５Ｏ１２薄膜のＸＲＤパターンを示す図である。
【図４】ガラス基板上のＹ２Ｂｉ１Ｆｅ５Ｏ１２薄膜の磁化率曲線を示す図である。
【図５】シリコン基板上のＹ２Ｂｉ１Ｆｅ５Ｏ１２薄膜の磁化率曲線を示す図である。
【図６】ＧＧＧ基板上のＹ２Ｂｉ１Ｆｅ５Ｏ１２薄膜の磁化率曲線を示す図である。
【図７】Ｙ２Ｂｉ１Ｆｅ５Ｏ１２薄膜のファラデースペクトルの図である。
【図８】文献から引用したファラデースペクトルの図である。
【図９】シリコン基板上のＹ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜のＥＤＸパターンを示す図である。
【図１０】ガラス基板上のＹ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜の磁化率曲線を示す図である。
【図１１】シリコン基板上のＹ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜の磁化率曲線を示す図である。
【図１２】ＧＧＧ基板上のＹ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜の磁化率曲線を示す図である。
【図１３】ガラス基板上のＹ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜のＸＲＤパターンを示す図である。
【図１４】シリコン基板上のＹ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜のＸＲＤパターンを示す図である。
【図１５】ＧＧＧ基板上のＹ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜のＸＲＤパターンを示す図である。
【図１６】ガラス基板とＧＧＧ基板上のＹ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜のファラデー回転ヒステリシスを示す図である。
【図１７】シリコン基板上のＹ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜のＥＤＸパターンを示す図である。
【図１８】ガラス基板上のＹ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜の磁化率曲線を示す図である。
【図１９】シリコン基板上のＹ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜の磁化率曲線を示す図である。
【図２０】ＧＧＧ基板上のＹ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜の磁化率曲線を示す図である。
【図２１】ガラス基板上のＹ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜のＸＲＤパターンを示す図である。
【図２２】シリコン基板上のＹ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜のＸＲＤパターンを示す図である。
【図２３】ＧＧＧ基板上のＹ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜のＸＲＤパターンを示す図である。
【図２４】ガラス基板とＧＧＧ基板上のＹ３Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜のファラデー回転ヒステリシスを示す図である。
【図２５】ガラス基板上のＮｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜の磁化率曲線を示す図である。
【図２６】シリコン基板上のＮｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜の磁化率曲線を示す図である。
【図２７】ガラス基板上のＮｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜のＸＲＤパターンを示す図である。
【図２８】シリコン基板上のＮｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜のＸＲＤパターンを示す図である。
【図２９】ガラス基板上のＮｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜のファラデー回転スペクトルの図である。
【図３０】ガラス基板上のＧｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜の磁化率曲線を示す図である。
【図３１】シリコン基板上のＧｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜の磁化率曲線を示す図である。
【図３２】ガラス基板上のＧｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜のＸＲＤパターンを示す図である。
【図３３】シリコン基板上のＧｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜のＸＲＤパターンを示す図である。
【図３４】ガラス基板上のＧｄ２Ｂｉ１Ｆｅ４Ｇａ１Ｏ１２薄膜のファラデー回転スペクトルの図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2004349670.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2004349670.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2004349670.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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