(57)【要約】【課題】接続対象電極が突起状のものでも、接続対象電極の圧接による永久的な変形や、磨耗による変形が生じることが抑制され、繰り返して押圧されても、長期間にわたって安定した導電性が得られる異方導電性コネクターおよびその製造方法並びにこの異方導電性コネクターを具えた回路装置の検査装置の提供。【解決手段】本発明の異方導電性コネクターは、厚み方向に伸びる複数の導電路形成部が絶縁部によって絶縁された状態で配設された異方導電膜を有し、異方導電膜は、絶縁性の弾性高分子物質により形成された、少なくとも２つの弾性層が積層されてなり、弾性層の導電路形成部を形成する部分には、磁性を示す導電性粒子が含有され、異方導電膜の表面を形成する弾性層のうち一方における弾性高分子物質のデュロメータ硬さをＨ１　、他方における弾性高分子物質のデュロメータ硬さをＨ２　としたとき、Ｈ１　≧３０およびＨ１　／Ｈ２　≧１．１を満足する。【選択図】　　図２
2004055514.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々厚み方向に伸びる複数の導電路形成部が絶縁部によって相互に絶縁された状態で配設されてなる異方導電膜を有する異方導電性コネクターであって、
前記異方導電膜は、それぞれ絶縁性の弾性高分子物質により形成された、少なくとも２つの弾性層が一体的に積層されてなり、これらの弾性層の各々における導電路形成部を形成する部分には、磁性を示す導電性粒子が含有されており、当該異方導電膜の表面を形成する弾性層のうち一方の弾性層を構成する弾性高分子物質のデュロメータ硬さをＨ１　とし、他方の弾性層を構成する弾性高分子物質のデュロメータ硬さをＨ２　としたとき、下記の条件（１）および条件（２）を満足することを特徴とする異方導電性コネクター。
条件（１）：Ｈ１　≧３０
条件（２）：Ｈ１　／Ｈ２　≧１．１
【請求項２】
下記条件（３）を満足することを特徴とする請求項１に記載の異方導電性コネクター。
条件（３）：１５≦Ｈ２　≦５５
【請求項３】
異方導電膜の周縁部を支持する支持体が設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の異方導電性コネクター。
【請求項４】
検査対象である回路装置と、検査用回路基板との間に介在されて当該回路装置の被検査電極と当該回路基板の検査電極との電気的接続を行なうための異方導電性コネクターであって、
異方導電膜における回路装置に接触する弾性層を形成する弾性高分子物質は、そのデュロメータ硬さが条件（１）および条件（２）におけるＨ１　を満足するものであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の異方導電性コネクター。
【請求項５】
異方導電膜における被検査電極に接触する弾性層には、導電性および磁性を示さない粒子が含有されていることを特徴とする請求項４に記載の異方導電性コネクター。
【請求項６】
導電性および磁性を示さない粒子が、ダイヤモンドパウダーであることを特徴とする請求項５に記載の異方導電性コネクター。
【請求項７】
異方導電膜には、検査対象である回路装置の被検査電極に電気的に接続される導電路形成部の他に、被検査電極に電気的に接続されない導電路形成部が形成されていることを特徴とする請求項３乃至請求項６のいずれかに記載の異方導電性コネクター。
【請求項８】
検査対象である回路装置の被検査電極に電気的に接続されない導電路形成部が，少なくとも支持体によって支持された異方導電膜の周縁部に形成されていることを特徴とする請求項７に記載の異方導電性コネクター。
【請求項９】
導電路形成部が、一定のピッチで配置されていることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の異方導電性コネクター。
【請求項１０】
各々厚み方向に伸びる複数の導電路形成部が絶縁部によって相互に絶縁された状態で配設されてなる異方導電膜を有する異方導電性コネクターを製造する方法であって、
一対の型によって成形空間が形成される異方導電膜成形用の金型を用意し、
一方の型の成形面上に、高分子物質形成材料中に磁性を示す導電性粒子が含有されてなるペースト状の成形材料層を形成すると共に、他方の型の成形面上に、高分子物質形成材料中に導電性粒子が含有されてなる、少なくとも一層以上のペースト状の成形材料層を形成し、
前記一方の型の成形面に形成された成形材料層と、前記他方の型の成形面に形成された成形材料層とを積重し、その後、各成形材料層の厚み方向に、強度分布を有する磁場を作用させると共に、各成形材料層を硬化処理することにより、異方導電膜を形成する工程を有し、
前記一方の型の成形面に形成された成形材料層における高分子物質形成材料を硬化して得られる弾性高分子物質のデュロメータ硬さをＨ１　とし、前記他方の型の成形面上に形成された成形材料層における高分子物質形成材料を硬化して得られる弾性高分子物質のデュロメータ硬さをＨ２　としたとき、下記の条件（１）および条件（２）を満足することを特徴とする異方導電性コネクターの製造方法。
条件（１）：Ｈ１　≧３０
条件（２）：Ｈ１　／Ｈ２　≧１．１
【請求項１１】
検査対象である回路装置の被検査電極に対応して配置された検査用電極を有する検査用回路基板と、
この検査用回路基板上に配置された請求項３乃至請求項９のいずれかに記載の異方導電性コネクターと
を具えてなることを特徴とする回路装置の検査装置。
【請求項１２】
異方導電性コネクターの異方導電膜に対する被検査電極の加圧力を緩和する加圧力緩和フレームが、検査対象である回路装置と異方導電性コネクターとの間に配置されていることを特徴とする請求項１１に記載の回路装置の検査装置。
【請求項１３】
加圧力緩和フレームが、バネ弾性またはゴム弾性を有するものであることを特徴とする請求項１２に記載の回路装置の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体集積回路などの回路装置の検査に用いられる異方導電性コネクターおよびその製造方法並びにこの異方導電性コネクターを具えた回路装置の検査装置に関し、更に詳しくは突起状電極を有する半導体集積回路などの回路装置の検査に好適に用いることができる異方導電性コネクターおよびその製造方法並びに回路装置の検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
異方導電性シートは、厚み方向にのみ導電性を示すもの、または厚み方向に押圧されたときに厚み方向にのみ導電性を示す加圧導電性導電部を有するものであり、ハンダ付けあるいは機械的嵌合などの手段を用いずにコンパクトな電気的接続を達成することが可能であること、機械的な衝撃やひずみを吸収してソフトな接続が可能であるなどの特長を有するため、このような特長を利用して、例えば電子計算機、電子式デジタル時計、電子カメラ、コンピューターキーボードなどの分野において、回路装置相互間の電気的接続、例えばプリント回路基板と、リードレスチップキャリアー、液晶パネルなどとの電気的接続を達成するための異方導電性コネクターとして広く用いられている。
【０００３】
また、プリント回路基板や半導体集積回路などの回路装置の電気的検査においては、例えば検査対象である回路装置の一面に形成された被検査電極と、検査用回路基板の表面に形成された検査用電極との電気的な接続を達成するために、回路装置の電極領域と、検査用回路基板の検査用電極領域との間にコネクターとして異方導電性シートを介在させることが行われている。
【０００４】
従来、このような異方導電性シートとしては、金属粒子をエラストマー中に均一に分散して得られるもの（例えば特許文献１参照）、導電性磁性金属をエラストマー中に不均一に分散させることにより、厚み方向に伸びる多数の導電路形成部と、これらを相互に絶縁する絶縁部とが形成されてなるもの（例えば特許文献２参照）、導電路形成部の表面と絶縁部との間に段差が形成されたもの（例えば特許文献３参照）など、種々の構造のものが知られている。
【０００５】
これらの異方導電性シートにおいては、絶縁性の弾性高分子物質中に導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されており、多数の導電性粒子の連鎖によって導電路が形成されている。
このような異方導電性シートは、例えば硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料中に磁性を有する導電性粒子が含有されてなる成形材料を、金型の成形空間内に注入して成形材料層を形成し、これに磁場を作用させて硬化処理することにより製造することができる。
【０００６】
しかしながら、例えば半田合金よりなる突起状電極を有する回路装置の電気的検査において、従来の異方導電性シートをコネクターとして用いる場合には、以下のような問題がある。
すなわち、検査対象である回路装置の被検査電極である突起状電極を異方導電性シートにおける導電路形成部の表面に圧接する動作が繰り返されることにより、当該異方導電性シートにおける導電路形成部の表面には、突起状電極の圧接による永久的な変形や、磨耗による変形が生じるため、当該異方導電性シートにおける導電路形成部の電気抵抗値が増加し、各々の導電路形成部の電気抵抗値がばらつくことにより、後続の回路装置の検査が困難となる、という問題がある。
また、導電路形成部を構成するための導電性粒子としては、良好な導電性を得るために、通常、金よりなる被覆層が形成されてなるものが用いられているが、多数の回路装置の電気的検査を連続して行うことにより、回路装置における被検査電極を構成する電極物質（半田合金）が、異方導電性シートにおける導電性粒子の被覆層に移行し、これにより、当該被覆層が変質する結果、導電路形成部の導電性が低下する、という問題がある。
【０００７】
上記の問題を解決するため、回路装置の検査においては、異方導電性シートと、樹脂材料よりなる柔軟な絶縁性シートにその厚み方向に貫通して伸びる複数の金属電極体が配列されてなるシート状コネクターとにより回路装置検査用治具を構成し、この回路装置検査用治具におけるシート状コネクターの金属電極体に被検査電極を接触させて押圧することにより、検査対象である回路装置との電気的接続を達成することが行われている（例えば特許文献４参照）。
【０００８】
しかしながら、上記の回路装置検査用治具においては、検査対象である回路装置の被検査電極のピッチが小さい場合すなわちシート状コネクターにおける金属電極体のピッチが小さい場合には、当該回路装置に対する所要の電気的接続を達成することが困難である。具体的に説明すると、金属電極体のピッチが小さいシート状コネクターにおいては、隣接する金属電極体同士が相互に干渉することにより、隣接する金属電極体間のフレキシブル性が低下する。そのため、検査対象である回路装置が、その基体の面精度が低いもの、基体の厚みの均一性が低いもの、或いは被検査電極の高さのバラツキが大きいものである場合には、当該回路装置における全ての被検査電極に対してシート状コネクターにおける金属電極体を確実に接触させることができず、その結果、当該回路装置に対する良好な電気的接続が得られない。
また、全ての被検査電極に対して良好な電気的接続状態を達成することが可能であっても、相当に大きい押圧力が必要となり、従って、検査装置全体が大型のものとなり、また、検査装置全体の製造コストが高くなる。
【０００９】
また、回路装置の検査を高温環境下において行う場合には、異方導電性シートを形成する弾性高分子物質の熱膨張率とシート状コネクターにおける絶縁性シートを形成する樹脂材料の熱膨張率との差に起因して、異方導電性シートの導電路形成部とシート状コネクターの金属電極体との間に位置ずれが生じる結果、良好な電気的接続状態を安定に維持することが困難である。
また、回路装置検査用治具を構成する場合には、異方導電性シートを製造することの他にシート状コネクターを製造することが必要であり、更に、これらを位置合わせした状態で固定することが必要であるため、検査用治具の製造コストが高くなる。
【００１０】
更に、従来の異方導電性シートにおいては、以下のような問題がある。
すなわち、異方導電性シートを形成する弾性高分子物質例えばシリコーンゴムは高い温度で接着性を帯びるため、当該異方導電性シートは、高温環境下において回路装置によって加圧された状態で長時間放置されると、当該回路装置に接着し、これにより、検査が終了した回路装置を未検査の回路装置に交換する作業を円滑に行なうことができず、その結果、回路装置の検査効率が低下する。特に、異方導電性シートが大きい強度で回路装置に接着した場合には、当該異方導電性シートを損傷させることなしに回路装置から剥離することが困難となるため、当該異方導電性シートをその後の検査に供することができない。
【００１１】
【特許文献１】
特開昭５１−９３３９３号公報
【特許文献２】
特開昭５３−１４７７７２号公報
【特許文献３】
特開昭６１−２５０９０６号公報
【特許文献４】
特開平７−２３１０１９号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その第１の目的は、接続対象電極が突起状のものであっても、当該接続対象電極の圧接による永久的な変形や、磨耗による変形が生じることが抑制され、繰り返して押圧されても、長期間にわたって安定した導電性が得られる異方導電性コネクターを提供することにある。
本発明の第２の目的は、回路装置の電気的検査に好適に用いられる異方導電性コネクターであって、回路装置における被検査電極が突起状のものであっても、当該被検査電極の圧接による永久的な変形や、磨耗による変形が生じることが抑制され、繰り返して押圧されても、長期間にわたって安定した導電性が得られる異方導電性コネクターを提供することにある。
本発明の第３の目的は、上記の第２の目的に加えて、被検査電極の電極物質が導電性粒子に移行することが防止または抑制され、長期間にわたって安定した導電性が得られ、しかも、高温環境下において回路装置に圧接された状態で使用した場合にも、当該回路装置に接着することを防止または抑制することができる異方導電性コネクターを提供することにある。
本発明の第４の目的は、上記の異方導電性コネクターを有利に製造することができる方法を提供することにある。
本発明の第５の目的は、上記の異方導電性コネクターを具えた回路装置の検査装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の異方導電性コネクターは、各々厚み方向に伸びる複数の導電路形成部が絶縁部によって相互に絶縁された状態で配設されてなる異方導電膜を有する異方導電性コネクターであって、
前記異方導電膜は、それぞれ絶縁性の弾性高分子物質により形成された、少なくとも２つの弾性層が一体的に積層されてなり、これらの弾性層の各々における導電路形成部を形成する部分には、磁性を示す導電性粒子が含有されており、当該異方導電膜の表面を形成する弾性層のうち一方の弾性層を構成する弾性高分子物質のデュロメータ硬さをＨ１　とし、他方の弾性層を構成する弾性高分子物質のデュロメータ硬さをＨ２　としたとき、下記の条件（１）および条件（２）を満足することを特徴とする。
条件（１）：Ｈ１　≧３０
条件（２）：Ｈ１　／Ｈ２　≧１．１
【００１４】
本発明の異方導電性コネクターにおいては、下記条件（３）を満足することが好ましい。
条件（３）：１５≦Ｈ２　≦５５
また、本発明の異方導電性コネクターにおいては、異方導電膜の周縁部を支持する支持体が設けられていることが好ましい。
【００１５】
本発明の異方導電性コネクターは、検査対象である回路装置と、検査用回路基板との間に介在されて当該回路装置の被検査電極と当該回路基板の検査電極との電気的接続を行なうための異方導電性コネクターとして好適であり、このような異方導電性コネクターにおいては、異方導電膜における回路装置に接触する弾性層を形成する弾性高分子物質は、そのデュロメータ硬さが上記の条件（１）および条件（２）におけるＨ１　を満足するものであることが好ましい。
【００１６】
また、上記の異方導電性コネクターにおいては、異方導電膜における被検査電極に接触する弾性層には、導電性および磁性を示さない粒子が含有されていることが好ましく、この導電性および磁性を示さない粒子が、ダイヤモンドパウダーであることがより好ましい。
また、上記の異方導電性コネクターにおいては、異方導電膜には、検査対象である回路装置の被検査電極に電気的に接続される導電路形成部の他に、被検査電極に電気的に接続されない導電路形成部が形成されていてもよく、検査対象である回路装置の被検査電極に電気的に接続されない導電路形成部が，少なくとも支持体によって支持された異方導電膜の周縁部に形成されていてもよい。
また、上記の異方導電性コネクターにおいては、導電路形成部が、一定のピッチで配置されていてもよい。
【００１７】
本発明の異方導電性コネクターの製造方法は、各々厚み方向に伸びる複数の導電路形成部が絶縁部によって相互に絶縁された状態で配設されてなる異方導電膜を有する異方導電性コネクターを製造する方法であって、
一対の型によって成形空間が形成される異方導電膜成形用の金型を用意し、
一方の型の成形面上に、高分子物質形成材料中に磁性を示す導電性粒子が含有されてなるペースト状の成形材料層を形成すると共に、他方の型の成形面上に、高分子物質形成材料中に導電性粒子が含有されてなる、少なくとも一層以上のペースト状の成形材料層を形成し、
前記一方の型の成形面に形成された成形材料層と、前記他方の型の成形面に形成された成形材料層とを積重し、その後、各成形材料層の厚み方向に、強度分布を有する磁場を作用させると共に、各成形材料層を硬化処理することにより、異方導電膜を形成する工程を有し、
前記一方の型の成形面に形成された成形材料層における高分子物質形成材料を硬化して得られる弾性高分子物質のデュロメータ硬さをＨ１　とし、前記他方の型の成形面上に形成された成形材料層における高分子物質形成材料を硬化して得られる弾性高分子物質のデュロメータ硬さをＨ２　としたとき、下記の条件（１）および条件（２）を満足することを特徴とする。
条件（１）：Ｈ１　≧３０
条件（２）：Ｈ１　／Ｈ２　≧１．１
【００１８】
本発明の回路装置の検査装置は、検査対象である回路装置の被検査電極に対応して配置された検査用電極を有する検査用回路基板と、
この検査用回路基板上に配置された上記の異方導電性コネクターと
を具えてなることを特徴とする。
【００１９】
本発明の回路装置の検査装置においては、異方導電性コネクターの異方導電膜に対する被検査電極の加圧力を緩和する加圧力緩和フレームが、検査対象である回路装置と異方導電性コネクターとの間に配置されていることが好ましく、この加圧力緩和フレームが、バネ弾性またはゴム弾性を有するものであることが好ましい。
【００２０】
【作用】
上記の構成の異方導電性コネクターによれば、異方導電膜の表面を形成する弾性層のうち一方の弾性層を構成する弾性高分子物質のデュロメータ硬さが３０以上であるため、接続対象電極が突起状のものであっても、当該接続対象電極の圧接による永久的な変形や、磨耗による変形が生じることが抑制される。しかも、他方の弾性層を構成する弾性高分子物質のデュロメータ硬さが、前記一方の弾性層を構成する弾性高分子物質よりも十分に低いものであるため、導電路形成部が加圧されることにより、所要の導電性が確実に得られる。従って、接続対象電極によって繰り返して押圧されても、長期間にわたって安定した導電性が得られる。
また、前記一方の弾性層に導電性および磁性を示さない粒子が含有された構成によれば、当該一方の弾性層の硬度が増加することにより、接続対象電極の圧接による永久的な変形や、磨耗による変形が生じることが一層抑制されると共に、電極物質が異方導電膜における導電性粒子に移行することが防止または抑制されるため、長期間にわたって一層安定した導電性が得られ、しかも、高温環境下において回路装置に圧接された状態で使用した場合にも、当該回路装置に接着することが防止または抑制される。
【００２１】
上記の異方導電性コネクターの製造方法によれば，一方の型の成形面に形成された成形材料層と、他方の型の成形面に形成された成形材料層とを積重し、この状態で各成形材料層を硬化処理するため、それぞれ硬度が異なる２つ以上の弾性層が一体的に積層されてなる異方導電膜を有する異方導電性コネクターを有利にかつ確実に製造することができる。
【００２２】
上記の回路装置の検査装置によれば、上記の異方導電性コネクターを具えてなるため、被検査電極が突起状のものであっても、当該被検査電極の圧接による永久的な変形や、磨耗による変形が生じることが抑制されるので、多数の回路装置について連続して検査を行なった場合でも、長期間にわたって安定した導電性が得られる。
また、本発明の検査装置においては、上記の異方導電性コネクターの他に、シート状コネクターを用いることが不要となるので、異方導電性コネクターとシート状コネクターとの位置合わせが不要であり、温度変化によるシート状コネクターと異方導電性コネクターとの位置ずれの問題を回避することができ、しかも、検査装置の構成が容易である。
また、検査対象である回路装置と異方導電性コネクターとの間に加圧力緩和フレームを設けることにより、異方導電性コネクターの異方導電膜に対する被検査電極の加圧力が緩和されるので、より長期間にわたって安定した導電性が得られる。
また、加圧力緩和フレームとして、バネ弾性またはゴム弾性を有するものを用いることにより、被検査電極によって異方導電膜に加わる衝撃の大きさを低下させることができるので、異方導電膜の破損またはその他の故障を防止または抑制することができると共に、異方導電膜に対する加圧力が解除されたときには、当該加圧力緩和フレームのバネ弾性によって、回路装置が異方導電性膜から容易に離脱するので、検査が終了した回路装置を未検査の回路装置に交換する作業を円滑に行なうことができ、その結果、回路装置の検査効率の向上を図ることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１、図２および図３は、本発明の異方導電性コネクターの一例における構成を示す説明図であり、図１は平面図、図２は図１のＡ−Ａ断面図、図３は部分拡大断面図である。この異方導電性コネクター１０は、矩形の異方導電膜１０Ａと、この異方導電膜１０Ａを支持する矩形の板状の支持体７１とにより構成され、全体としてシート状に形成されている。
図４および図５にも示すように、支持体７１の中央位置には、異方導電膜１０Ａより小さい寸法の矩形の開口部７３が形成され、四隅の位置の各々には、位置決め穴７２が形成されている。そして、異方導電膜１０Ａは、支持体７１の開口部７３に配置され、当該異方導電膜１０Ａの周縁部が支持体７１に固定されることにより、当該支持体７１に支持されている。
【００２４】
この異方導電性コネクター１０における異方導電膜１０Ａは、それぞれ厚み方向に伸びる複数の円柱状の導電路形成部１１と、これらの導電路形成部１１を相互に絶縁する、絶縁性の弾性高分子物質よりなる絶縁部１５とにより構成されている。
また、異方導電膜１０Ａは、それぞれ絶縁性の弾性高分子物質により形成された２つの弾性層１０Ｂ，１０Ｃが一体的に積層されて構成されており、弾性層１０Ｂ，１０Ｃの各々における導電路形成部１１を形成する部分には、磁性を示す導電性粒子（図示省略）が含有されている。
【００２５】
図示の例では、複数の導電路形成部１１のうち当該異方導電膜１０Ａにおける周縁部以外の領域に形成されたものが、接続対象電極、例えば検査対象である回路装置１における被検査電極に電気的に接続される有効導電路形成部１２とされ、当該異方導電部１０Ａにおける周縁部に形成されたものが、接続対象電極に電気的に接続されない無効導電路形成部１３とされており、有効導電路形成部１２は、接続対象電極のパターンに対応するパターンに従って配置されている。
一方、絶縁部１５は、個々の導電路形成部１１の周囲を取り囲むよう一体的に形成されており、これにより、全ての導電路形成部１１は、絶縁部１５によって相互に絶縁された状態とされている。
【００２６】
また、異方導電膜１０Ａの表面を形成する弾性層１０Ｂ，１０Ｃのうち一方の弾性層１０Ｂの表面は平面とされており、他方の弾性層１０Ｃには、その導電路形成部１１を形成する部分の表面が絶縁部１５を形成する部分の表面から突出する突出部分１１ａが形成されている。
また、異方導電膜１０Ａの表面を形成する弾性層１０Ｂ，１０Ｃのうち一方の弾性層１０Ｂには、磁性および導電性を示さない粒子（以下、「非磁性絶縁性粒子」という。）が含有されている。
【００２７】
そして、異方導電膜１０Ａの表面を形成する弾性層１０Ｂ，１０Ｃのうち一方の弾性層１０Ｂを構成する弾性高分子物質のデュロメータ硬さＨ１　（以下、「硬度Ｈ１　」という。）が３０以上、好ましくは４０以上とされ、他方の弾性層（図示の例では弾性層１０Ｃ）を構成する弾性高分子物質のデュロメータ硬さＨ２　（以下、「硬度Ｈ２　」という。）に対する硬度Ｈ１　の比Ｈ１　／Ｈ２　（以下、単に「比Ｈ１　／Ｈ２　」という。）が１．１以上、好ましくは１．２以上、より好ましくは１．３以上とされる。
硬度Ｈ１　が過小である場合には、繰り返して使用すると、導電路形成部の電気抵抗値が早期に増加するため、高い繰り返し耐久性が得られない。
また、比Ｈ１　／Ｈ２　が過小である場合には、電気抵抗値の低い導電路形成部を形成することが困難となる。
【００２８】
また、硬度Ｈ１　は、７０以下であることが好ましく、より好ましくは６５以下である。硬度Ｈ１　が過大である場合には、高い導電性を有する導電路形成部か得られないことがある。
また、比Ｈ１　／Ｈ２　は、３．５以下であることが好ましく、より好ましくは３以下である。比Ｈ１　／Ｈ２　が過大である場合には、硬度Ｈ１　および硬度Ｈ２　の両方を最適な値に設定することが困難となることがある。
更に、硬度Ｈ２　は、１５〜５５であることが好ましく、より好ましくは２０〜５０である。硬度Ｈ２　が過小である場合には、高い繰り返し耐久性が得られないことがある。一方、硬度Ｈ２　が過大である場合には、高い導電性を有する導電路形成部か得られないことがある。
【００２９】
また、一方の弾性層１０Ｂの厚みをαとし、他方の弾性層１０Ｃの厚みをβとしたとき、比α／βの値は０．０５〜１であることが好ましく、より好ましくは０．１〜０．７である。一方の弾性層１０Ｂの厚みが過大である場合には、高い導電性を有する導電路形成部か得られないことがある。また、一方の弾性層１０Ｂの厚みが過小である場合には、高い繰り返し耐久性が得られないことがある。
【００３０】
異方導電膜１０Ａにおける弾性層１０Ｂ，１０Ｃの各々を形成する弾性高分子物質としては、架橋構造を有する高分子物質が好ましい。このような弾性高分子物質を得るために用いることのできる硬化性の高分子物質形成材料としては、種々のものを用いることができ、その具体例としては、ポリブタジエンゴム、天然ゴム、ポリイソプレンゴム、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体ゴムなどの共役ジエン系ゴムおよびこれらの水素添加物、スチレン−ブタジエン−ジエンブロック共重合体ゴム、スチレン−イソプレンブロック共重合体などのブロック共重合体ゴムおよびこれらの水素添加物、クロロプレン、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、エピクロルヒドリンゴム、シリコーンゴム、エチレン−プロピレン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体ゴムなどが挙げられる。
以上において、得られる異方導電性コネクター１０に耐候性が要求される場合には、共役ジエン系ゴム以外のものを用いることが好ましく、特に、成形加工性および電気特性の観点から、シリコーンゴムを用いることが好ましい。
【００３１】
シリコーンゴムとしては、液状シリコーンゴムを架橋または縮合したものが好ましい。液状シリコーンゴムは、その粘度が歪速度１０−１ｓｅｃで１０５　ポアズ以下のものが好ましく、縮合型のもの、付加型のもの、ビニル基やヒドロキシル基を含有するものなどのいずれであってもよい。具体的には、ジメチルシリコーン生ゴム、メチルビニルシリコーン生ゴム、メチルフェニルビニルシリコーン生ゴムなどを挙げることができる。
また、シリコンゴムは、その分子量Ｍｗ（標準ポリスチレン換算重量平均分子量をいう。以下同じ。）が１０，０００〜４０，０００のものであることが好ましい。また、得られる導電路形成部１１に良好な耐熱性が得られることから、分子量分布指数（標準ポリスチレン換算重量平均分子量Ｍｗと標準ポリスチレン換算数平均分子量Ｍｎとの比Ｍｗ／Ｍｎの値をいう。以下同じ。）が２以下のものが好ましい。
【００３２】
異方導電膜１０Ａにおける導電路形成部１１に含有される導電性粒子としては、後述する方法により当該粒子を容易に配向させることができることから、磁性を示す導電性粒子が用いられる。このような導電性粒子の具体例としては、鉄、コバルト、ニッケルなどの磁性を有する金属の粒子若しくはこれらの合金の粒子またはこれらの金属を含有する粒子、またはこれらの粒子を芯粒子とし、当該芯粒子の表面に金、銀、パラジウム、ロジウムなどの導電性の良好な金属のメッキを施したもの、あるいは非磁性金属粒子若しくはガラスビーズなどの無機物質粒子またはポリマー粒子を芯粒子とし、当該芯粒子の表面に、ニッケル、コバルトなどの導電性磁性金属のメッキを施したものなどが挙げられる。
これらの中では、ニッケル粒子を芯粒子とし、その表面に導電性の良好な金のメッキを施したものを用いることが好ましい。
芯粒子の表面に導電性金属を被覆する手段としては、特に限定されるものではないが、例えば化学メッキまたは電解メッキ法、スパッタリング法、蒸着法などが用いられている。
【００３３】
導電性粒子として、芯粒子の表面に導電性金属が被覆されてなるものを用いる場合には、良好な導電性が得られることから、粒子表面における導電性金属の被覆率（芯粒子の表面積に対する導電性金属の被覆面積の割合）が４０％以上であることが好ましく、さらに好ましくは４５％以上、特に好ましくは４７〜９５％である。
また、導電性金属の被覆量は、芯粒子の０．５〜５０質量％であることが好ましく、より好ましくは２〜３０質量％、さらに好ましくは３〜２５質量％、特に好ましくは４〜２０質量％である。被覆される導電性金属が金である場合には、その被覆量は、芯粒子の０．５〜３０質量％であることが好ましく、より好ましくは２〜２０質量％、さらに好ましくは３〜１５質量％である。
【００３４】
また、導電性粒子の粒子径は、１〜１００μｍであることが好ましく、より好ましくは２〜５０μｍ、さらに好ましくは３〜３０μｍ、特に好ましくは４〜２０μｍである。
また、導電性粒子の粒子径分布（Ｄｗ／Ｄｎ）は、１〜１０であることが好ましく、より好ましくは１．０１〜７、さらに好ましくは１．０５〜５、特に好ましくは１．１〜４である。
このような条件を満足する導電性粒子を用いることにより、得られる導電路形成部１１は、加圧変形が容易なものとなり、また、当該導電路形成部１１において導電性粒子間に十分な電気的接触が得られる。
また、導電性粒子の形状は、特に限定されるものではないが、高分子物質形成材料中に容易に分散させることができる点で、球状のもの、星形状のものあるいはこれらが凝集した２次粒子であることが好ましい。
また、導電性粒子の表面がシランカップリング剤などのカップリング剤、潤滑剤で処理されたものを適宜用いることができる。カップリング剤や潤滑剤で粒子表面を処理することにより、異方導電性性コネクターの耐久性が向上する。
【００３５】
このような導電性粒子は、高分子物質形成材料に対して体積分率で５〜６０％、好ましくは７〜５０％となる割合で用いられることが好ましい。この割合が５％未満の場合には、十分に電気抵抗値の小さい導電路形成部１１が得られないことがある。一方、この割合が６０％を超える場合には、得られる導電路形成部１１は脆弱なものとなりやすく、導電路形成部１１として必要な弾性が得られないことがある。
【００３６】
導電路形成部１１に用いられる導電性粒子としては、金によって被覆された表面を有するものが好ましいが、接続対象電極、例えば検査対象である回路装置の被検査電極が、鉛を含むハンダ合金よりなるものである場合には、当該ハンダ合金よりなる被検査電極に接触する一方の弾性層１０Ｂに含有される導電性粒子は、ロジウム、パラジウム、ルテニウム、タングステン、モリブデン、白金、イリジウム、銀およびこれらを含む合金から選ばれる耐拡散性金属によって被覆されていることが好ましく、これにより、導電性粒子における被覆層に対して鉛成分が拡散することを防止することができる。
【００３７】
耐拡散性金属が被覆された表面を有する導電性粒子は、例えばニッケル、鉄、コバルト若しくはこれらの合金などよりなる芯粒子の表面に対して、例えば化学メッキまたは電解メッキ法、スパッタリング法、蒸着法などにより耐拡散性金属を被覆させることにより形成することができる。
また、耐拡散性金属の被覆量は、導電性粒子に対して質量分率で５〜４０％、好ましくは１０〜３０％となる割合であることが好ましい。
【００３８】
一方の弾性層１０Ｂに含有される非磁性絶縁性粒子としては、ダイヤモンドパウダー、ガラス粉末、セラミック粉末、通常のシリカ粉、コロイダルシリカ、エアロゲルシリカ、アルミナなどを用いることができ、これらの中では、ダイヤモンドパウダーが好ましい。
このような非磁性絶縁性粒子を一方の弾性層１０Ｂに含有させることにより、当該一方の弾性層１０Ｂの硬度が一層高くなり、高い繰り返し耐久性が得られると共に、被検査電極を構成する鉛成分が導電性粒子における被覆層に対して拡散することを抑制することができ、更に、検査対象である回路装置に対する異方導電膜１０Ａの張り付きを抑制することができる。
【００３９】
非磁性絶縁性粒子の粒子径は、０．１〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは０．５〜４０μｍ、さらに好ましくは１〜３０μｍである。この粒子径が過小である場合には、得られる一方の弾性層１０Ｂに対して、永久的な変形や磨耗による変形を抑制する効果を十分に付与することが困難となる。また、粒子径が過小である非磁性絶縁性粒子を多量に用いると、当該一方の弾性層１０Ｂを得るための成形材料の流動性が低下するため、当該成形材料中の導電性粒子を磁場によって配向させることが困難となることがある。
一方、この粒子径が過大である場合には、当該非磁性絶縁性粒子が導電路形成部１１に存在することにより、電気抵抗値が低い導電路形成部１１を得ることが困難となることがある。
【００４０】
非磁性絶縁性粒子の使用量は、特に限定されるものではないが、当該非磁性絶縁性粒子の使用量が少ないと、得られる一方の弾性層１０Ｂの硬度の増加がないため、好ましくなく、当該非磁性絶縁性粒子の使用量が多いと、後述する製造方法において、磁場による導電性粒子の配向を十分に達成することができなくなるため、好ましくない。非磁性絶縁性粒子の実用的な使用量は、一方の弾性層１０Ｂを構成する弾性高分子物質１００重量部に対して５〜９０重量部である。
【００４１】
支持体７１を構成する材料としては、線熱膨張係数が３×１０−５／Ｋ以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは２×１０−５〜１×１０−６／Ｋ、特に好ましくは６×１０−６〜１×１０−６／Ｋである。
具体的な材料としては、金属材料や非金属材料が用いられる。
金属材料としては、金、銀、銅、鉄、ニッケル、コバルト若しくはこれらの合金などを用いることができる。
非金属材料としては、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアラミド樹脂、ポリアミド樹脂等の機械的強度の高い樹脂材料、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型ポリエステル樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂等の複合樹脂材料、エポキシ樹脂等にシリカ、アルミナ、ボロンナイトライド等の無機材料をフィラーとして混入した複合樹脂材料などを用いることができるが、熱膨張係数が小さい点で、ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂等の複合樹脂材料、ボロンナイトライドをフィラーとして混入したエポキシ樹脂等の複合樹脂材料が好ましい。
【００４２】
上記の異方導電性コネクター１０によれば、異方導電膜１０Ａの表面を形成する弾性層のうち一方の弾性層１０Ｂを構成する弾性高分子物質のデュロメータ硬さが３０以上であるため、接続対象電極が突起状のものであっても、当該接続対象電極の圧接による永久的な変形や、磨耗による変形が生じることを抑制することができる。しかも、他方の弾性層１０Ｃを構成する弾性高分子物質のデュロメータ硬さが、一方の弾性層１０Ｂを構成する弾性高分子物質よりも十分に低いものであるため、導電路形成部１１が加圧されることにより、所要の導電性が確実に得られる。従って、接続対象電極によって繰り返して押圧されても、長期間にわたって安定した導電性が得られる。
また、一方の弾性層１０Ｂには、非磁性絶縁性粒子が含有されているため、当該一方の弾性層１０Ｂの硬度が増加することにより、接続対象電極の圧接による永久的な変形や、磨耗による変形が生じることを一層抑制することができ、更に、電極物質が導電性粒子に移行することが防止または抑制されるため、長期間にわたって一層安定した導電性が得られ、しかも、高温環境下において回路装置に圧接された状態で使用した場合にも、当該回路装置に接着することを防止または抑制することができる。
【００４３】
このような異方導電性コネクター１０は、例えば次のようにして製造することができる。
図６は、本発明の異方導電性コネクターを製造するために用いられる金型の一例における構成を示す説明用断面図である。この金型は、上型５０およびこれと対となる下型５５が、互いに対向するよう配置されて構成され、上型５０の成形面（図６において下面）と下型５５の成形面（図６において上面）との間に成形空間５９が形成されている。
上型５０においては、強磁性体基板５１の表面（図６において下面）に、目的とする異方導電性コネクター１０における導電路形成部１１のパターンに対応する配置パターンに従って強磁性体層５２が形成され、この強磁性体層５２以外の個所には、当該強磁性体層５２の厚みと実質的に同一の厚みを有する部分５３ｂ（以下、単に「部分５３ｂ」という。）と当該強磁性体層５２の厚みより大きい厚みを有する部分５３ａ（以下、単に「部分５３ａ」という。）とよりなる非磁性体層５３が形成されており、非磁性体層５３における部分５３ａと部分５３ｂとの間に段差が形成されることにより、当該上型５０の表面には凹部６０が形成されている。
【００４４】
一方、下型５５においては、強磁性体基板５６の表面（図６において上面）に、目的とする異方導電性コネクター１０における導電路形成部１１のパターンに対応するパターンに従って強磁性体層５７が形成され、この強磁性体層５７以外の個所には、当該強磁性体層５７の厚みより大きい厚みを有する非磁性体層５８が形成されており、非磁性体層５８と強磁性体層５７との間に段差が形成されることにより、当該下型５５の成形面には、突出部分１１ａを形成するための凹部空間５７ａが形成されている。
【００４５】
上型５０および下型５５の各々における強磁性体基板５１、５６を構成する材料としては、鉄、鉄−ニッケル合金、鉄−コバルト合金、ニッケル、コバルトなどの強磁性金属を用いることができる。この強磁性体基板５１、５６は、その厚みが０．１〜５０ｍｍであることが好ましく、表面が平滑で、化学的に脱脂処理され、また、機械的に研磨処理されたものであることが好ましい。
【００４６】
また、上型５０および下型５５の各々における強磁性体層５２，５７を構成する材料としては、鉄、鉄−ニッケル合金、鉄−コバルト合金、ニッケル、コバルトなどの強磁性金属を用いることができる。この強磁性体層５２、５７は、その厚みが１０μｍ以上であることが好ましい。この厚みが１０μｍ未満である場合には、金型内に形成される成形材料層に対して、十分な強度分布を有する磁場を作用させることが困難となり、この結果、当該成形材料層における導電路形成部１１となるべき部分に導電性粒子を高い密度で集合させることが困難となるため、良好な異方導電性コネクターが得られないことがある。
【００４７】
また、上型５０および下型５５の各々における非磁性体層５３，５８を構成する材料としては、銅などの非磁性金属、耐熱性を有する高分子物質などを用いることができるが、フォトリソグラフィーの手法により容易に非磁性体層５３，５８を形成することができる点で、放射線によって硬化された高分子物質を用いることが好ましく、その材料としては、例えばアクリル系のドライフィルムレジスト、エポキシ系の液状レジスト、ポリイミド系の液状レジストなどのフォトレジストを用いることができる。
また、下型５５における非磁性体層５８の厚みは、形成すべき突出部分１１ａの突出高さおよび強磁性体層５７の厚みに応じて設定される。
【００４８】
上記の金型を用い、例えば、次のようにして異方導電性コネクター１０が製造される。
先ず、図７に示すように、枠状のスペーサー５４ａ，５４ｂと、図４およひ図５に示すような開口部７３および位置決め穴７２を有する支持体７１とを用意し、この支持体７１を、枠状のスペーサー５４ｂを介して下型５５の所定の位置に固定して配置し、更に支持体７１上に枠状のスペーサー５４ａを配置する。
一方、硬化性の高分子物質形成材料中に、磁性を示す導電性粒子および非磁性絶縁性粒子を分散させることにより、弾性層１０Ｂを形成するためのペースト状の第１の成形材料を調製すると共に、硬化性の高分子物質形成材料中に、磁性を示す導電性粒子を分散させることにより、弾性層１０Ｃを形成するためのペースト状の第２の成形材料を調製する。ここで、第１の成形材料に用いられる高分子物質形成材料は、硬化して得られる弾性高分子物質が前述の硬度Ｈ１　の条件を満足するものであり、第２の成形材料に用いられる高分子物質形成材料は、硬化して得られる弾性高分子物質が前述の硬度Ｈ２　の条件を満足するものである。
次いで、図８に示すように、第１の成形材料を上型５０の成形面上の凹部６０（図６参照）内に充填することにより、第１の成形材料層６１ａを形成し、一方、第２の成形材料を、下型５５、スペーサー５４ａ，５４ｂおよび支持体７１によって形成される空間内に充填することにより、第２の成形材料層６１ｂを形成する。
そして、図９に示すように、上型５０をスペーサー５４ａ上に位置合わせて配置することにより、第２の成形材料層６１ｂ上に第１の成形材料層６１ａを積層する。
【００４９】
次いで、上型５０における強磁性体基板５１の上面および下型５５における強磁性体基板５６の下面に配置された電磁石（図示せず）を作動させることにより、強度分布を有する平行磁場、すなわち上型５０の強磁性体層５２とこれに対応する下型５５の強磁性体層５７との間において大きい強度を有する平行磁場を第１の成形材料層６１ａおよび第２の成形材料層６１ｂの厚み方向に作用させる。その結果、第１の成形材料層６１ａおよび第２の成形材料層６１ｂにおいては、各成形材料層中に分散されていた導電性粒子が、上型５０の各々の強磁性体層５２とこれに対応する下型５５の強磁性体層５７との間に位置する導電路形成部１１となるべき部分に集合すると共に、各成形材料層の厚み方向に並ぶよう配向する。
【００５０】
そして、この状態において、各成形材料層を硬化処理することにより、図１０に示すように、弾性高分子物質中に導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に充填された導電路形成部１１と、これらの導電路形成部１１の周囲を包囲するよう形成された、導電性粒子が全くあるいは殆ど存在しない絶縁性の弾性高分子物質よりなる絶縁部１５とを有し、それぞれ絶縁性の弾性高分子物質により形成された２つの弾性層１０Ｂ，１０Ｃが一体的に積層されてなる異方導電膜１０Ａが形成され、以て、図１乃至図３に示す構成の異方導電性コネクター１０が製造される。
【００５１】
以上において、各成形材料層の硬化処理は、平行磁場を作用させたままの状態で行うこともできるが、平行磁場の作用を停止させた後に行うこともできる。
各成形材料層に作用される平行磁場の強度は、平均で２０，０００〜１，０００，０００μＴとなる大きさが好ましい。
また、各成形材料層に平行磁場を作用させる手段としては、電磁石の代わりに永久磁石を用いることもできる。永久磁石としては、上記の範囲の平行磁場の強度が得られる点で、アルニコ（Ｆｅ−Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金）、フェライトなどよりなるものが好ましい。
各成形材料層の硬化処理は、使用される材料によって適宜選定されるが、通常、加熱処理によって行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、成形材料層を構成する高分子物質形成材料などの種類、導電性粒子の移動に要する時間などを考慮して適宜選定される。
【００５２】
このような製造方法によれば、上型５０の成形面に形成された第１の成形材料層６１ａと、下型５５の成形面に形成された第２の成形材料層６１ｂとを積重し、この状態で各成形材料層を硬化処理するため、それぞれ硬度が異なる２つ以上の弾性層が一体的に積層されてなる異方導電膜１０Ａを有する異方導電性コネクター１０を有利にかつ確実に製造することができる。
【００５３】
図１１は、本発明に係る回路装置の検査装置の一例における構成の概略を示す説明図である。
この回路装置の検査装置は、ガイドピン９を有する検査用回路基板５が設けられている。この検査用回路基板９の表面（図１において上面）には、検査対象である回路装置１の半球形状のハンダボール電極２のパターンに対応するパターンに従って検査用電極６が形成されている。
検査用回路基板５の表面上には、図１乃至図３に示す構成の異方導電性コネクター１０が配置されている。具体的には、異方導電性コネクター１０における支持体７１に形成された位置決め穴７２（図１乃至図３参照）にガイドピン９が挿入されることにより、異方導電膜１０Ａにおける導電路形成部１１が検査用電極６上に位置するよう位置決めされた状態で、当該異方導電性コネクター１０が検査用回路基板５の表面上に固定されている。
【００５４】
このような回路装置の検査装置においては、異方導電性コネクター１０上に、ハンダボール電極２が導電路形成部１１上に位置されるよう回路装置１が配置され、この状態で、例えば回路装置１を検査用回路基板５に接近する方向に押圧することにより、異方導電性コネクター１０における導電路形成部１１の各々が、ハンダボール電極２と検査用電極６とにより挟圧された状態となり、その結果、回路装置１の各ハンダボール電極２と検査用回路基板５の各検査用電極６との間の電気的接続が達成され、この検査状態で回路装置１の検査が行われる。
【００５５】
上記の回路装置の検査装置によれば、上記の異方導電性コネクター１０を具えてなるため、被検査電極が突起状のハンダボール電極２であっても、当該被検査電極の圧接によって、異方導電膜１０Ａに、永久的な変形や、磨耗による変形が生じることが抑制されるので、多数の回路装置１について連続して検査を行なった場合でも、長期間にわたって安定した導電性が得られる。
また、異方導電性コネクター１０における異方導電膜１０Ａの一方の弾性層１０Ｂに、非磁性絶縁性粒子が含有されていることにより、ハンダボール電極２の電極物質が導電性粒子に移行することが防止または抑制されるため、長期間にわたって一層安定した導電性が得られ、しかも、高温環境下において回路装置１に圧接された状態で使用した場合にも、当該回路装置１に接着することを防止または抑制することができる。
また、異方導電性コネクター１０は、被検査電極との圧接による永久的な変形や、摩耗による変形が生じることが抑制されるものであるため、当該異方導電性コネクター１０の他に、シート状コネクターを用いることなしに、回路装置の電気的検査を行うことができる。
そして、シート状コネクターを用いない場合には、異方導電性コネクター１０とシート状コネクターとの位置合わせが不要であり、温度変化によるシート状コネクターと異方導電性コネクター１０との位置ずれの問題を回避することができ、しかも、検査装置の構成が容易である。
【００５６】
本発明においては、上記の実施の形態に限定されずに種々の変更を加えることが可能である。
（１）本発明の異方導電性コネクター１０を回路装置の電気的検査に用いる場合において、検査対象である回路装置の被検査電極は、半球形状のハンダボール電極に限られず、例えばリード電極や平板状の電極であってもよい。
（２）支持体を設けることは必須ではなく、異方導電膜のみよりなるものであってもよい。
（３）本発明の異方導電性コネクター１０を回路装置の電気的検査に用いる場合において、異方導電膜は、検査用回路基板に一体的に接着されていてもよい。このような構成によれば、異方導電膜と検査用回路基板との間の位置ずれを確実に防止することができる。
このような異方導電性コネクターは、異方導電性コネクターを製造するための金型として、成形空間内に検査用回路基板５を配置し得る基板配置用空間領域を有するものを用い、当該金型の成形空間内における基板配置用空間領域に検査用回路基板を配置し、この状態で、例えば成形空間内に成形材料を注入して硬化処理することにより、製造することができる。
（４）本発明の異方導電性コネクターの製造方法においては、導電路形成部を、互いに異なる特性を有する層部分の積層体により形成することができるため、用いられる実際の状態に対応した特性を有する異方導電性コネクターを得ることができる。具体的には、既述のように導電性粒子の種類が異なる層部分を積層させる構成のほか、例えば導電性粒子の粒子径あるいは導電性粒子の含有割合が異なる層部分を積層させた構成により、導電性の程度が制御された導電路形成部を形成することができ、また、弾性高分子物質の種類が異なる層部分を積層させた構成により、突出部における弾性特性が制御された導電路形成部を形成すること可能である。
また、特願２００１−２６２５５０明細書および特願２００１−３１３３２４明細書に記載されている異方導電性コネクターの製造方法によっても、本発明の異方導電性コネクターを製造することができる。
【００５７】
（５）本発明の異方導電性コネクターは、導電路形成部が一定のピッチで配置され、一部の導電路形成部が被検査電極に電気的に接続される有効導電路形成部とされ、その他の導電路形成部が被検査電極に電気的に接続されない無効導電路形成部とされていてもよい。
具体的に説明すると、図１２に示すように、検査対象である回路装置１としては、例えばＣＳＰ（Ｃｈｉｐ　Ｓｃａｌｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）やＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ　Ｓｍａｌｌ　Ｏｕｔｌｉｎｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）などのように、一定のピッチの格子点位置のうち一部の位置にのみ被検査電極であるハンダボール電極２が配置された構成のものがあり、このような回路装置１を検査するための異方導電性コネクター１０においては、導電路形成部１１が被検査電極と実質的に同一のピッチの格子点位置に従って配置され、被検査電極に対応する位置にある導電路形成部１１が有効導電路形成部とされ、それら以外の導電路形成部１１が無効導電路形成部とされていてもよい。
このような構成の異方導電性コネクター１０によれば、当該異方導電性コネクター１０の製造において、金型の強磁性体層が一定のピッチで配置されることにより、成形材料層に磁場を作用させたときに、導電性粒子を所定の位置に効率よく集合させて配向させることができ、これにより、得られる導電路形成部の各々において、導電性粒子の密度が均一なものとなるので、各導電路形成部の抵抗値の差が小さい異方導電性コネクターを得ることができる。
【００５８】
（６）異方導電膜の具体的な形状および構造は、種々の変更が可能である。
例えば図１３に示すように、異方導電膜１０Ａは、その中心部において、検査対象である回路装置の被検査電極と接する面に凹部１６を有するものであってもよい。
また、図１４に示すように、異方導電膜１０Ａは、その中心部において、貫通孔１７を有するものであってもよい。
また、図１５に示すように、異方導電膜１０Ａは、支持体７１によって支持される周縁部に導電路形成部１１が形成されておらず、当該周縁部以外の領域にのみ導電路形成部１１が形成されたものであってもよく、これらの全ての導電路形成形成部１１が有効導電路形成部とされていていもよい。
また、図１６に示すように、異方導電性膜１０Ａは、有効導電路形成部１２と周縁部との間に無効導電路形成部１３が形成されたものであってもよい。
また、図１７に示すように、異方導電膜１０Ａは、それぞれ表面を形成する一方の弾性層１０Ｂと他方の弾性層１０Ｃとの間に、中間弾性層１０Ｄを有する三層構成のものであってもよく、或いは四層以上の構成のものであってもよい。
また、図１８に示すように、異方導電膜１０Ａは、その両面が平面とされたものであってもよい。
また、図１９に示すように、異方導電膜１０Ａは、それぞれ表面を形成する一方の弾性層１０Ｂおよび他方の弾性層１０Ｃの両方に、その導電路形成部１１を形成する部分の表面が絶縁部１５を形成する部分の表面から突出する突出部分１１ａが形成されたものであってもよい。
【００５９】
（７）本発明の異方導電性コネクターにおいては、異方導電膜を形成する各弾性層のうち少なくとも１層に補強材を含有させることができる。かかる補強材としては、メッシュ若しくは不織布よりなるものを好適に用いることができる。
このような補強材を異方導電膜を形成する各弾性層のうち少なくとも１層に含有させることにより、接続対象電極によって繰り返して押圧されても、導電路形成部の変形が一層抑制されるので、長期間にわたって一層安定した導電性が得られる。
ここで、補強材を構成するメッシュ若しくは不織布としては、有機繊維によって形成されたものを好適に用いることができる。かかる有機繊維としては、ポリテトラフルオロエチレン繊維などのフッ素樹脂繊維、アラミド繊維、ポリエチレン繊維、ポリアリレート繊維、ナイロン繊維、ポリエステル繊維などを挙げることができる。
また、有機繊維として、その線熱膨張係数が接続対象体を形成する材料の線熱膨張係数と同等若しくは近似したもの、具体的には、線熱膨張係数が３０×１０−６〜−５×１０−６／Ｋ、特に１０×１０−６〜−３×１０−６／Ｋであるものを用いることにより、当該異方導電膜の熱膨張が抑制されるため、温度変化による熱履歴を受けた場合にも、接続対象体に対する良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。
また、有機繊維としては、その径が１０〜２００μｍのものを用いることが好ましい。
このような異方導電性コネクターの具体例を、図３４、図３５および図３６に示す。
具体的に説明すると、図３４に示す異方導電性コネクターは、それぞれ表面を形成する一方の弾性層１０Ｂと他方の弾性層１０Ｃとの間に中間弾性層１０Ｄが形成されてなる三層構成の異方導電膜１０Ａを有し、当該異方導電膜１０Ａにおける一方の弾性層１０Ｂに、メッシュ若しくは不織布よりなる補強材８０Ｂが含有されてなるものである。
また、図３５に示す異方導電性コネクターは、それぞれ表面を形成する一方の弾性層１０Ｂと他方の弾性層１０Ｃとの間に中間弾性層１０Ｄが形成されてなる三層構成の異方導電膜１０Ａを有し、当該異方導電膜１０Ａにおける中間弾性層１０Ｄに、メッシュ若しくは不織布よりなる補強材８０Ｄが含有されてなるものである。
また、図３６に示す異方導電性コネクターは、それぞれ表面を形成する一方の弾性層１０Ｂと他方の弾性層１０Ｃとの間に中間弾性層１０Ｄが形成されてなる三層構成の異方導電膜１０Ａを有し、当該異方導電膜１０Ａにおける他方の弾性層１０Ｃに、メッシュ若しくは不織布よりなる補強材８０Ｃが含有されてなるものである。
【００６０】
（８）本発明の回路装置の検査装置においては、図２０に示すように、異方導電性コネクター１０の異方導電膜１０Ａに対する被検査電極であるハンダボール電極２の加圧力を緩和する加圧力緩和フレーム６５が、検査対象である回路装置１と異方導電性コネクター１０との間に配置されていてもよい。
この加圧力緩和フレーム６５は、図２１にも示すように、全体が矩形の板状であって、その中央部に、検査対象である回路装置１の被検査電極と異方導電性コネクター１０の導電路形成部１１とを接触するための略矩形の開口部６６が形成され、開口部６６の４つの周縁の各々には、板バネ部６７が当該開口部６６の周縁から内方に斜め上方に突出するよう一体に形成されている。図示の例では、加圧力緩和フレーム６５は、開口部６６の寸法が異方導電性コネクター１０における異方導電膜１０Ａの寸法より大きいものとされ、板バネ部６７の先端部分のみが異方導電膜１０Ａの周縁部の上方位置に位置するよう配置されている。また、板バネ部６７の先端の高さは、当該板バネ部６７の先端が回路装置１に接触したときに、当該回路装置１の被検査電極が異方導電膜１０Ａに接触しないよう設定されている。また、加圧力緩和フレーム６５の四隅の位置の各々には、検査用回路基板５のガイドピンが挿通される位置決め穴６８が形成されている。
【００６１】
このような構成の回路装置の検査装置によれば、例えば回路装置１を検査用回路基板５に接近する方向に押圧することにより、加圧力緩和フレーム６５の板バネ部６７に回路装置１が圧接されると、当該板バネ部６７のバネ弾性によって、異方導電性コネクター１０の異方導電膜１０Ａに対する被検査電極であるハンダボール電極２の加圧力が緩和される。更に、図２２に示すように、加圧力緩和フレーム６５の板バネ部６７が異方導電性コネクター１０の異方導電膜１０Ａの周縁部に圧接された状態においては、当該異方導電膜１０Ａのゴム弾性によって、異方導電膜１０Ａに対する被検査電極の加圧力が一層緩和される。従って、異方導電膜１０Ａの導電路形成部１１には、より長期間にわたって安定した導電性が得られる。
また、加圧力緩和フレーム６５の板バネ部６７によるバネ弾性によって、被検査電極によって異方導電膜１０Ａに加わる衝撃の大きさを低下させることができるので、異方導電膜１０Ａの破損またはその他の故障を防止または抑制することができると共に、異方導電膜１０Ａに対する加圧力が解除されたときには、当該加圧力緩和フレーム６５の板バネ部６７によるバネ弾性によって、回路装置１が異方導電性膜１０Ａから容易に離脱するので、検査が終了した回路装置１を未検査の回路装置に交換する作業を円滑に行なうことができ、その結果、回路装置の検査効率の向上を図ることができる。
【００６２】
（９）加圧力緩和フレームとしては、図２０に示すものに限定されない。
例えば、図２３に示すように、加圧力緩和フレーム６５は、開口部６６の寸法が異方導電性コネクター１０における異方導電膜１０Ａの寸法より大きいものであってもよい。
また、図２４に示すように、加圧力緩和フレーム６５は、開口部６６の寸法が異方導電性コネクター１０における異方導電膜１０Ａの寸法より大きく、かつ、板バネ部６７の先端が支持体７１における露出した部分の上方位置に位置するよう配置されるものであってもよく、板バネ部６７のバネ弾性のみによって、異方導電性コネクター１０の異方導電膜１０Ａに対する被検査電極であるハンダボール電極２の加圧力が緩和される。
また、図２５に示すように、加圧力緩和フレーム６５は、ゴムシートよりなるものであってもよく、このような構成によれば、加圧力緩和フレーム６５のゴム弾性によって、異方導電性コネクター１０の異方導電膜１０Ａに対する被検査電極であるハンダボール電極２の加圧力が緩和される。
また、図２６に示すように、加圧力緩和フレーム６５は、バネ弾性およびゴム弾性のいずれも有しない板状のものであってもよく、このような構成によれば、加圧力緩和フレーム６５として適宜の厚みのものを選択することにより、異方導電性コネクター１０の異方導電膜１０Ａに対する被検査電極であるハンダボール電極２の加圧力を調整することができる。
（１０）本発明の回路装置の検査装置においては、異方導電性コネクター１０と検査対象である回路装置１との間に、樹脂材料よりなる柔軟な絶縁性シートにその厚み方向に貫通して伸びる複数の金属電極体が配列されてなるシート状コネクターが配置されていてもよい。
このような構成によれば、シート状コネクターの金属電極体を介して異方導電膜１０Ａの導電路形成部１１と回路装置の被検査電極との電気的接続が達成され、当該被検査電極が導電路形成部１１に接触することがないため、被検査電極の電極物質が導電路形成部の導電性粒子に移行することを確実に防止することができる。
また、シート状コネクターを有する構成においては、当該シート状コネクターを異方導電性コネクター１０における異方導電膜１０Ａに一体的に設けることができる。
シート状コネクターを異方導電膜１０Ａに一体的に設ける方法としては、異方導電膜１０Ａを形成する際に、金型内にシート状コネクターを配置して成形材料層を硬化処理する方法、異方導電膜１０Ａとシート状コネクターとを接着剤などにより接着する方法などが挙げられる。
【００６３】
【実施例】
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００６４】
〔付加型液状シリコーンゴム〕
以下の実施例および比較例において、付加型液状シリコーンゴムとしては、下記表１に示す特性を有する二液型のものを使用した。
【００６５】
【表１】
2004055514.tif 000003
【００６６】
上記表１に示す付加型液状シリコーンゴムの特性は、次のようにして測定したものである。
（１）付加型液状シリコーンゴムの粘度：
Ｂ型粘度計により、２３±２℃における粘度を測定した。
（２）シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪み：
二液型の付加型液状シリコーンゴムにおけるＡ液とＢ液とを等量となる割合で攪拌混合した。次いで、この混合物を金型に流し込み、当該混合物に対して減圧による脱泡処理を行った後、１２０℃、３０分間の条件で硬化処理を行うことにより、厚みが１２．７ｍｍ、直径が２９ｍｍのシリコーンゴム硬化物よりなる円柱体を作製し、この円柱体に対して、２００℃、４時間の条件でポストキュアを行った。このようにして得られた円柱体を試験片として用い、ＪＩＳ　Ｋ　６２４９に準拠して１５０±２℃における圧縮永久歪みを測定した。
（３）シリコーンゴム硬化物の引裂強度：
上記（２）と同様の条件で付加型液状シリコーンゴムの硬化処理およびポストキュアを行うことにより、厚みが２．５ｍｍのシートを作製した。このシートから打ち抜きによってクレセント形の試験片を作製し、ＪＩＳ　Ｋ　６２４９に準拠して２３±２℃における引裂強度を測定した。
（４）シリコーンゴム硬化物のデュロメータ硬さ：
上記（３）と同様にして作製されたシートを５枚重ね合わせ、得られた積重体を試験片として用い、ＪＩＳ　Ｋ　６２４９に準拠して２３±２℃におけるデュロメータＡ硬さを測定した。
【００６７】
〈実施例１〉
（ａ）支持体および金型の作製：
下記の条件に従って、図４に示す構成の支持体および図６に示す構成の異方導電膜成形用の金型を作製した。
〔支持体〕
支持体（７１）は、材質がＳＵＳ３０４、厚みが０．１ｍｍ、開口部（７３）の寸法が１７ｍｍ×１０ｍｍで、四隅に位置決め穴（７２）を有する。
〔金型〕
強磁性体基板（５１，５６）は、材質が鉄で、厚みが６ｍｍである。
強磁性体層（５２，５７）は、材質がニッケルで、直径が０．４５ｍｍ（円形），厚みが０．１ｍｍ，配置ピッチ（中心間距離）が０．８ｍｍ、強磁性体層の数は２８８個（１２個×２４個）である。
非磁性体層（５３，５８）は、材質がドライフィルムレジストを硬化処理したものであり、上型（５０）の非磁性体層（５３）において、部分（５３ａ）の厚みが０．２ｍｍ、部分（５３ｂ）の厚みが０．１ｍｍ、下型（５５）の非磁性体層（５８）の厚みが０．１５ｍｍである。
金型によって形成される成形空間（５９）の縦横の寸法は２０ｍｍ×１３ｍｍである。
【００６８】
（ｂ）成形材料の調製：
付加型液状シリコーンゴム（５）１００重量部に、平均粒子径が３０μｍの導電性粒子６０重量部を添加して混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すことにより、第１の成形材料を調製した。以上において、導電性粒子としては、ニッケルよりなる芯粒子に金メッキが施されてなるもの（平均被覆量：芯粒子の重量の２０重量％）を用いた。
また、付加型液状シリコーンゴム（２）１００重量部に、平均粒子径が３０μｍの導電性粒子６０重量部を添加して混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すことにより、第２の成形材料を調製した。以上において、導電性粒子としては、ニッケルよりなる芯粒子に金メッキが施されてなるもの（平均被覆量：芯粒子の重量の２０重量％）を用いた。
【００６９】
（ｃ）異方導電膜の形成：
上記の金型の上型（５０）の成形面に、調製した第１の成形材料をスクリーン印刷によって塗布することにより、厚みが０．１ｍｍの第１の成形材料層（６１ａ）を形成した。
また、上記の金型の下型（５５）の成形面上に、厚みが０．１ｍｍのスペーサー（５４ｂ）を位置合わせして配置し、このスペーサー（５４ｂ）上に、上記の支持体（７１）を位置合わせして配置し、更にこの支持体（７１）上に厚みが０．１ｍｍのスペーサー（５４ａ）を位置合わせして配置し、調製した第３の成形材料をスクリーン印刷によって塗布することにより、下型（５５）、スペーサー（５４ａ，５４ｂ）および支持体（７１）によって形成される空間内に、厚みが０．４ｍｍの第２の成形材料層（６１ｂ）を形成した。
そして、上型（５０）に形成された第１の成形材料層（６１ａ）と下型（５５）に形成された第２の成形材料層（６１ｂ）を位置合わせして重ね合わせた。
そして、上型（５０）と下型（５５）の間に形成された各成形材料層に対し、強磁性体層（５２，５７）の間に位置する部分に、電磁石によって厚み方向に２Ｔの磁場を作用させながら、１００℃、１時間の条件で硬化処理を施すことにより、異方導電膜（１０Ａ）を形成した。
以上のようにして、本発明に係る異方導電性コネクター（１０）を製造した。
以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターＢ１」という。
【００７０】
〈実施例２〉
第１の成形材料の調製において、付加型液状シリコーンゴム（５）の代わりに付加型液状シリコーンゴム（４）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして異方導電性コネクターを製造した。
以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターＢ２」という。
【００７１】
〈実施例３〉
第２の成形材料の調製において、付加型液状シリコーンゴム（２）の代わりに付加型液状シリコーンゴム（１）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして異方導電性コネクターを製造した。
以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターＢ３」という。
【００７２】
〈実施例４〉
第１の成形材料の調製において、付加型液状シリコーンゴム（５）の代わりに付加型液状シリコーンゴム（３）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして異方導電性コネクターを製造した。
以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターＢ４」という。
【００７３】
〈実施例５〉
第２の成形材料の調製において、付加型液状シリコーンゴム（２）の代わりに付加型液状シリコーンゴム（３）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして異方導電性コネクターを製造した。
以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターＢ５」という。
【００７４】
〈比較例１〉
第２の成形材料の調製において、付加型液状シリコーンゴム（２）の代わりに付加型液状シリコーンゴム（５）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして異方導電性コネクターを製造した。
以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターＢ６」という。
【００７５】
〈比較例２〉
第１の成形材料の調製において、付加型液状シリコーンゴム（５）の代わりに付加型液状シリコーンゴム（４）を用い、第２の成形材料の調製において、付加型液状シリコーンゴム（２）の代わりに付加型液状シリコーンゴム（４）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして異方導電性コネクターを製造した。
以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターＢ７」という。
【００７６】
〈比較例３〉
第１の成形材料の調製において、付加型液状シリコーンゴム（５）の代わりに付加型液状シリコーンゴム（１）を用い、第２の成形材料の調製において、付加型液状シリコーンゴム（２）の代わりに付加型液状シリコーンゴム（６）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして異方導電性コネクターを製造した。
以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターＢ８」という。
【００７７】
〈実施例６〉
付加型液状シリコーンゴム（５）１００重量部に、平均粒子径が３０μｍの導電性粒子６０重量部を添加して混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すことにより、第１の成形材料を調製した。以上において、導電性粒子としては、ニッケルよりなる芯粒子に金メッキが施されてなるもの（平均被覆量：芯粒子の重量の２０重量％）を用いた。
付加型液状シリコーンゴム（２）の１００重量部に、平均粒子径が３０μｍの導電性粒子６０重量部を添加して混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すことにより、第２の成形材料を調製した。以上において、導電性粒子としては、ニッケルよりなる芯粒子に金メッキが施されてなるもの（平均被覆量：芯粒子の重量の２０重量％）を用いた。
【００７８】
実施例１で作製した金型を用い、図２７に示すように、上型（５０）の凹所（６０）内に、寸法が１３ｍｍ×１３ｍｍ×０．１ｍｍで、中央に９．５ｍｍ×９．５ｍｍの開口部を有するスペーサー（５４ｃ）を配置し、上型（５０）の表面に、調製した第１の成形材料をスクリーン印刷によって塗布することにより、厚みが０．１ｍｍの第１の成形材料層（６１ａ）を形成した。
また、上記の金型の下型（５５）の成形面上に、厚みが０．１ｍｍのスペーサー（５４ｂ）を位置合わせして配置し、このスペーサー（５４ｂ）上に、上記の支持体（７１）を位置合わせして配置し、更にこの支持体（７１）上に厚みが０．１ｍｍのスペーサー（５４ａ）を位置合わせして配置し、調製した第２の成形材料をスクリーン印刷によって塗布することにより、下型（５５）、スペーサー（５４ａ，５４ｂ）および支持体（７１）によって形成される空間内に第２の成形材料を充填し、更に、図２８に示すように、スペーサー（５４ａ）上に、寸法が１８ｍｍ×１８ｍｍ×５ｍｍで、中央に９．５ｍｍ×９．５ｍｍの開口部を有するスペーサー（５４ｄ）を配置し、第２の成形材料を、スクリーン印刷によってスペーサー（５４ｄ）の開口部内に第２の成形材料を充填することにより、最大の厚みが０．８５ｍｍの第２の成形材料層（６１ｂ）を形成した。
そして、上型（５０）に形成された第１の成形材料層（６１ａ）と下型（５５）に形成された第２の成形材料層（６１ｂ）を位置合わせして重ね合わせ、上型（５０）と下型（５５）の間に形成された各成形材料層に対し、強磁性体層（５２，５７）の間に位置する部分に、電磁石によって厚み方向に２Ｔの磁場を作用させながら、１００℃、１時間の条件で硬化処理を施すことにより、異方導電膜（１０Ａ）を形成した。
以上のようにして、本発明に係る異方導電性コネクター（１０）を製造した。
以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターＣ１」という。
【００７９】
〈実施例７〉
第１の成形材料の調製において、付加型液状シリコーンゴム（５）に、導電性粒子と共に平均粒子径が１６．２μｍのダイヤモンドパウダー３０重量部を添加したこと以外は、実施例６と同様にして異方導電性コネクターを製造した。
以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターＣ２」という。
【００８０】
〈実施例８〉
第１の成形材料の調製において、付加型液状シリコーンゴム（５）の代わりに付加型液状シリコーンゴム（３）を用いたこと以外は、実施例６と同様にして異方導電性コネクターを製造した。
以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターＣ３」という。
【００８１】
〈実施例９〉
第１の成形材料の調製において、付加型液状シリコーンゴム（５）の代わりに付加型液状シリコーンゴム（３）を用い、この付加型液状シリコーンゴム（３）に、導電性粒子と共に平均粒子径が１６．２μｍのダイヤモンドパウダー３０重量部を添加したこと以外は、実施例６と同様にして異方導電性コネクターを製造した。
以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターＣ４」という。
【００８２】
〈比較例４〉
第１の成形材料の調製において、付加型液状シリコーンゴム（５）の代わりに付加型液状シリコーンゴム（１）を用い、第２の成形材料の調製において、付加型液状シリコーンゴム（２）の代わりに付加型液状シリコーンゴム（６）を用いたこと以外は、実施例６と同様にして異方導電性コネクターを製造した。
以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターＣ５」という。
【００８３】
〈比較例５〉
第１の成形材料の調製において、付加型液状シリコーンゴム（５）の代わりに付加型液状シリコーンゴム（１）を用い、更に、この付加型液状シリコーンゴム（３）に、導電性粒子と共に平均粒子径が１６．２μｍのダイヤモンドパウダー３０重量部を添加し、第２の成形材料の調製において、付加型液状シリコーンゴム（２）の代わりに付加型液状シリコーンゴム（６）を用いたこと以外は、実施例６と同様にして異方導電性コネクターを製造した。
以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターＣ６」という。
【００８４】
〔異方導電性コネクターの評価〕
実施例１〜９および比較例１〜５に係る異方導電性コネクターについて、その性能評価を以下のようにして行った。
実施例１〜５および比較例１〜３に係る異方導電性コネクターＢ１〜Ｂ８を評価するために、図２９および図３０に示すようなテスト用の回路装置３を用意した。
このテスト用の回路装置３は、直径が０．４ｍｍで、高さが０．３ｍｍのハンダボール電極２（材質：６４半田）を合計で７２個有するものであり、それぞれ３６個のハンダボール電極２が配置されてなる２つの電極群が形成され、各電極群においては、１８個のハンダボール電極２が０．８ｍｍのピッチで直線状に並ぶ列が合計で２列形成されており、これらのハンダボール電極のうち２個ずつが、回路装置３内の配線８によって互いに電気的接続されている。回路装置３内の配線数は合計で３６である。
【００８５】
また、実施例６〜９および比較例４〜５に係る異方導電性コネクターＣ１〜Ｃ６を評価するために、図３１および図３２に示すようなテスト用の回路装置３を用意した。
このテスト用の回路装置３は、直径が０．４ｍｍで、高さが０．３ｍｍのハンダボール電極２（材質：６４半田）を合計で３２個有するものであり、それぞれ１６個のハンダボール電極２が配置されてなる２つの電極群が形成され、各電極群においては、８個のハンダボール電極２が０．８ｍｍのピッチで直線状に並ぶ列が合計で２列形成されており、これらのハンダボール電極のうち２個ずつが、回路装置３内の配線８によって互いに電気的接続されている。回路装置３内の配線数は合計で１６である。
【００８６】
そして、テスト用の回路装置の各々を用いて、実施例１〜９および比較例１〜５に係る異方導電性コネクターの評価を、以下のようにして行った。
【００８７】
《繰り返し耐久性》
図３３に示すように、異方導電性コネクター１０における支持体７１の位置決め穴に、検査用回路基板５のガイドピン９を挿通させることにより、当該異方導電性コネクター１０を検査用回路基板５上に位置決めして配置し、この異方導電性コネクター１０上に、テスト用の回路装置３を配置し、これらを加圧治具（図示せず）によって固定し、この状態で、恒温槽７内に配置した。
次いで、恒温槽７内の温度を１００℃に設定し、加圧治具によって、異方導電性コネクター１０における異方導電膜１０Ａの導電路形成部１１の歪み率が３０％（加圧時における導電路形成部の厚みが０．３５ｍｍ）となるように、５秒／ストロークの加圧サイクルで加圧を繰り返しながら、異方導電性コネクター１０、テスト用の回路装置３並びに検査用回路基板５の検査用電極６およびその配線（図示省略）を介して互いに電気的に接続された、検査用回路基板５の外部端子（図示省略）間に、直流電源１１５および定電流制御装置１１６によって、１０ｍＡの直流電流を常時印加し、電圧計１１０によって、加圧時における検査用回路基板５の外部端子間の電圧を測定した。
【００８８】
このようにして測定された電圧の値（Ｖ）をＶ１　とし、印加した直流電流をＩ１　（＝１０ｍＡ）として、下記の数式により、電気抵抗値Ｒ１　を求めた。
ここで、電気抵抗値Ｒ１　には、２つの導電路形成部の電気抵抗値の他に、テスト用の回路装置３の電極間の電気抵抗値および検査用回路基板の外部端子間の電気抵抗値が含まれている。
そして、電気抵抗値Ｒ１　が２Ωより大きくなると、実際上、回路装置の電気的検査が困難となることから、電気抵抗値Ｒ１　が２Ωより大きくなるまで、電圧の測定を継続した。但し、加圧動作は、合計で１０万回行なった。その結果を表２に示す。
【００８９】
【数１】
Ｒ１　＝Ｖ１　／Ｉ１　
【００９０】
更に、実施例６〜９および比較例４〜５に係る異方導電性コネクターに関しては、異方導電性コネクターとテスト用の回路基板との間に、下記の条件に従って作製された図２０に示す構成の加圧力緩和フレームを配置したこと以外は、上記と同様にして電気抵抗値Ｒ１　を求めた。その結果を表２に示す。
加圧力緩和フレームは、寸法が２４ｍｍ×３０ｍｍ×１ｍｍの矩形の板状のものであって、開口部（７３）の寸法が２０ｍｍ×２０ｍｍで、板バネ部（６７）の寸法が５ｍｍ×９ｍｍ×１ｍｍで、板バネ部（６７）の先端の突出高さが３ｍｍであり、四隅に位置決め穴（７２）を有する。
【００９１】
これらの試験が終了した後、各異方導電性コネクターについて、導電路形成部の変形状態および導電性粒子への電極物質の移行状態を、下記の基準により評価した。その結果を表３に示す。
導電路形成部の変形状態：
導電路形成部の表面を目視により観察し、ほとんど変形が生じていない場合を○、微細な変形が認められる場合を△、大きな変形が認められる場合を×として評価した。
導電性粒子への電極物質の移行状態：
導電路形成部中の導電性粒子の色を目視により観察し、変色がほとんどない場合を○、僅かに灰色に変色した場合を△、ほとんど灰色または黒色に変色した場合を×として評価した。
【００９２】
《回路基板への接着性》
実施例１〜９および比較例１〜５に係る異方導電性コネクターをそれぞれ１００個用意し、これらの異方導電性コネクターについて、上記の繰り返し耐久性試験と同様にして加圧試験を行い、その後、テスト用の回路装置に対する異方導電膜の接着状態を調べ、接着したものの数が、３０％未満である場合を○、３０〜７０％の場合を△、７０％を超える場合を×として評価した。その結果を表３に示す。
【００９３】
【表２】
2004055514.tif 000004
【００９４】
【表３】
2004055514.tif 000005
【００９５】
【発明の効果】
本発明の異方導電性コネクターによれば、異方導電膜の表面を形成する弾性層のうち一方の弾性層を構成する弾性高分子物質のデュロメータ硬さが３０以上であるため、接続対象電極が突起状のものであっても、当該接続対象電極の圧接による永久的な変形や、磨耗による変形が生じることを抑制することができる。しかも、他方の弾性層を構成する弾性高分子物質のデュロメータ硬さが、前記一方の弾性層を構成する弾性高分子物質よりも十分に低いものであるため、導電路形成部が加圧されることにより、所要の導電性を確実に得ることができる。従って、接続対象電極によって繰り返して押圧されても、長期間にわたって安定した導電性を得ることができる。
【００９６】
また、前記一方の弾性層に導電性および磁性を示さない粒子が含有されることにより、当該一方の弾性層の硬度が増加するため、接続対象電極の圧接による永久的な変形や、磨耗による変形が生じることを一層抑制することができ、電極物質が異方導電膜における導電性粒子に移行することが防止または抑制されるため、長期間にわたって一層安定した導電性を得ることができ、しかも、高温環境下において回路装置に圧接された状態で使用した場合にも、当該回路装置に接着することを防止または抑制することができる。
【００９７】
本発明の異方導電性コネクターの製造方法によれば、一方の型の成形面に形成された成形材料層と、他方の型の成形面に形成された成形材料層とを積重し、この状態で各成形材料層を硬化処理するため、それぞれ硬度が異なる２つ以上の弾性層が一体的に積層されてなる異方導電膜を有する異方導電性コネクターを有利にかつ確実に製造することができる。
【００９８】
本発明の回路装置の検査装置によれば、上記の異方導電性コネクターを具えてなるため、被検査電極が突起状のものであっても、当該被検査電極の圧接による永久的な変形や、磨耗による変形が生じることが抑制されるので、多数の回路装置について連続して検査を行なった場合でも、長期間にわたって安定した導電性を得ることができる。
また、本発明の回路装置の検査装置によれば、上記の異方導電性コネクターの他に、シート状コネクターを用いることなしに、回路装置の電気的検査を行うことができ、シート状コネクターを用いない場合には、異方導電性コネクターとシート状コネクターとの位置合わせが不要となるため、温度変化によるシート状コネクターと異方導電性コネクターとの位置ずれの問題を回避することができ、しかも、検査装置の構成が容易である。
また、検査対象である回路装置と異方導電性コネクターとの間に加圧力緩和フレームを設けることにより、異方導電性コネクターの異方導電膜に対する被検査電極の加圧力が緩和されるので、より長期間にわたって安定した導電性を得ることができる。
また、加圧力緩和フレームとして、バネ弾性またはゴム弾性を有するものを用いることにより、被検査電極によって異方導電膜に加わる衝撃の大きさを低下させることができるので、異方導電膜の破損またはその他の故障を防止または抑制することができると共に、異方導電膜に対する加圧力が解除されたときには、当該加圧力緩和フレームのバネ弾性によって、回路装置が異方導電性膜から容易に離脱するので、検査が終了した回路装置を未検査の回路装置に交換する作業を円滑に行なうことができ、その結果、回路装置の検査効率の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の異方導電性コネクターの一例を示す平面図である。
【図２】図１に示す異方導電性コネクターのＡ−Ａ断面図である。
【図３】図１に示す異方導電性コネクターの一部を拡大して示す説明用断面図である。
【図４】図１に示す異方導電性コネクターにおける支持体の平面図である。
【図５】図４に示す支持体のＢ−Ｂ断面図である。
【図６】異方導電膜成形用の金型の一例における構成を示す説明用断面図である。
【図７】下型の成形面上に、スペーサーおよび支持体が配置された状態を示す説明用断面図である。
【図８】上型の成形面に第１の成形材料層が形成され、下型の成形面上に第２の成形材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図９】第１の成形材料層め第２の成形材料層とが積層された状態を示す説明用断面図である。
【図１０】異方導電膜が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１１】本発明の回路装置の検査装置の一例における構成を回路装置と共に示す説明図である。
【図１２】本発明の回路装置の検査装置の一例における構成を他の回路装置と共に示す説明図である。
【図１３】異方導電膜の第１の変形例を示す説明用断面図である。
【図１４】異方導電膜の第２の変形例を示す説明用断面図である。
【図１５】異方導電膜の第３の変形例を示す説明用断面図である。
【図１６】異方導電膜の第４の変形例を示す説明用断面図である。
【図１７】異方導電膜の第５の変形例を示す説明用断面図である。
【図１８】異方導電膜の第６の変形例を示す説明用断面図である。
【図１９】異方導電膜の第７の変形例を示す説明用断面図である。
【図２０】加圧力緩和フレームを具えた検査装置の第１の例における構成を示す説明図である。
【図２１】加圧力緩和フレームを示す説明図であり，（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図２２】図２０に示す検査装置において、回路装置が加圧された状態を示す説明図である。
【図２３】加圧力緩和フレームを具えた検査装置の第２の例における構成を示す説明図である。
【図２４】加圧力緩和フレームを具えた検査装置の第３の例における要部の構成を示す説明図である。
【図２５】加圧力緩和フレームを具えた検査装置の第４の例における要部の構成を示す説明図である。
【図２６】加圧力緩和フレームを具えた検査装置の第５の例における要部の構成を示す説明図である。
【図２７】実施例６において、上型の成形面に第１の成形材料層が形成され、下型の成形面上に第２の成形材料が塗布された状態を示す説明用断面図である。
【図２８】実施例６において、下型の成形面上に第２の成形材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図２９】実施例で使用したテスト用の回路装置の平面図である。
【図３０】実施例で使用したテスト用の回路装置の側面図である。
【図３１】実施例で使用した他のテスト用の回路装置の平面図である。
【図３２】実施例で使用した他のテスト用の回路装置の側面図である。
【図３３】実施例で使用した繰り返し耐久性の試験装置の概略の構成を示す説明図である。
【図３４】異方導電膜の第８の変形例を示す説明用断面図である。
【図３５】異方導電膜の第９の変形例を示す説明用断面図である。
【図３６】異方導電膜の第１０の変形例を示す説明用断面図である。
【符号の説明】
１　回路装置
２　ハンダボール電極
３　テスト用の回路装置
５　検査用回路基板
６　検査用電極
７　恒温槽
８　配線
９　ガイドピン
１０　　異方導電性コネクター
１０Ａ　異方導電膜
１０Ｂ　一方の弾性層
１０Ｃ　他方の弾性層
１０Ｄ　中間弾性層
１１　　導電路形成部
１１ａ　突出部分
１２　　有効導電路形成部
１３　　無効導電路形成部
１５　　絶縁部
１６　　凹部
１７　　貫通孔
５０　　上型
５１　　強磁性体基板
５２　　強磁性体層
５３　　非磁性体層
５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５４ｄ　スペーサー
５５　　下型
５６　　強磁性体基板
５７　　強磁性体層
５７ａ　凹部空間
５８　　非磁性体層
５９　　成形空間
６０　　凹部
６１ａ　第１の成形材料層
６１ｂ　第２の成形材料層
６５　　加圧力緩和フレーム
６６　　開口部
６７　　板バネ部
６８　　位置決め穴
７１　　支持体
７２　　位置決め穴
７３　　開口部
８０Ｂ，８０Ｃ，８０Ｄ　補強材
１１０　電圧計
１１５　直流電源
１１６　定電流制御装置
【図１】
2004055514.tif 000006
【図２】
2004055514.tif 000007
【図３】
2004055514.tif 000008
【図４】
2004055514.tif 000009
【図５】
2004055514.tif 000010
【図６】
2004055514.tif 000011
【図７】
2004055514.tif 000012
【図８】
2004055514.tif 000013
【図９】
2004055514.tif 000014
【図１０】
2004055514.tif 000015
【図１１】
2004055514.tif 000016
【図１２】
2004055514.tif 000017
【図１３】
2004055514.tif 000018
【図１４】
2004055514.tif 000019
【図１５】
2004055514.tif 000020
【図１６】
2004055514.tif 000021
【図１７】
2004055514.tif 000022
【図１８】
2004055514.tif 000023
【図１９】
2004055514.tif 000024
【図２０】
2004055514.tif 000025
【図２１】
2004055514.tif 000026
【図２２】
2004055514.tif 000027
【図２３】
2004055514.tif 000028
【図２４】
2004055514.tif 000029
【図２５】
2004055514.tif 000030
【図２６】
2004055514.tif 000031
【図２７】
2004055514.tif 000032
【図２８】
2004055514.tif 000033
【図２９】
2004055514.tif 000034
【図３０】
2004055514.tif 000035
【図３１】
2004055514.tif 000036
【図３２】
2004055514.tif 000037
【図３３】
2004055514.tif 000038
【図３４】
2004055514.tif 000039
【図３５】
2004055514.tif 000040
【図３６】
2004055514.tif 000041