(57)【要約】【課題】ウェハの表面温度が均一になり，組成分布のばらつきの少ない面内均一性に優れた，半導体結晶成長装置用治具，及び半導体製造方法を提供する。【解決手段】結晶成長室内におけるウェハキャリアのウェハを載置するウェハポケット底面に，熱を拡散してウェハ面内の温度を均一にするための複数の溝が形成されており，その深さはウェハ中心部より周辺部で深く，密度はウェハ中心部より周辺部で高いことを特徴とする。パターンの例として，中心部から外周に向かい広がったくさび状の溝が複数個形成されたもの，中心部から外周に向かい間隔が狭くなっている複数個の円形の溝が形成されたもの，中心部から外周に向かうほど径が小さくなる円形溝で埋められているもの，中心部から外周に向かうほど辺の短い正方形の溝で埋められているものがあり，どれも外周に向かうほど溝が深くなっている溝が適用される。【選択図】　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶成長室内のウェハキャリアにウェハを載置する座ぐり部が形成された半導体結晶成長装置用治具において；
前記座ぐり部底面に，熱を拡散して前記ウェハ面内の温度を均一にするための複数の溝が形成されていることを特徴とする半導体結晶成長装置用治具。
【請求項２】
前記複数の溝の深さは，前記ウェハ中心部より前記ウェハ周辺部で深くなっていることを特徴とする請求項１記載の半導体結晶成長装置用治具。
【請求項３】
前記複数の溝の密度は，前記ウェハ中心部より前記ウェハ周辺部で高くなっていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体結晶成長装置用治具。
【請求項４】
請求項１，２または３のいずれかに記載の半導体結晶成長装置用治具を用いて，結晶成長を行うことを特徴とする半導体製造方法。
【請求項５】
結晶成長室内のウェハキャリアにウェハを載置する座ぐり部が形成された半導体結晶成長装置用治具において；
前記座ぐり部上に，熱を拡散して前記ウェハ面内の温度を均一にするための複数の溝が形成されたスペーサ板を設置したことを特徴とする半導体結晶成長装置用治具。
【請求項６】
前記複数の溝の深さは，前記スペーサ板中心部より前記スペーサ板周辺部で深くなっていることを特徴とする請求項５に記載の半導体結晶成長装置用治具。
【請求項７】
前記複数の溝の密度は，前記スペーサ板中心部より前記スペーサ板周辺部で高くなっていることを特徴とする請求項５または６に記載の半導体結晶成長装置用治具。
【請求項８】
請求項５，６または７のいずれかに記載の半導体結晶成長装置用治具を用いて，結晶成長を行うことを特徴とする半導体製造方法。
【請求項９】
結晶成長室内のウェハキャリアにウェハを載置する座ぐり部が形成された半導体結晶成長装置を用いて結晶成長を行う半導体製造方法において；
前記ウェハ裏面に，熱を拡散して前記ウェハ面内の温度を均一にするための複数の溝を形成する工程を含むことを特徴とする半導体製造方法。
【請求項１０】
結晶成長室内のウェハキャリアにウェハを載置する座ぐり部が形成された半導体結晶成長装置を用いて結晶成長を行う半導体製造方法において；
前記ウェハ裏面に絶縁膜を形成する工程と，
前記絶縁膜に，熱を拡散して前記ウェハ面内の温度を均一にするための複数の溝を形成する工程と，
を含むことを特徴とする半導体製造方法。
【請求項１１】
前記複数の溝の深さは，前記ウェハ中心部より前記ウェハ周辺部で深くなっていることを特徴とする請求項９または１０に記載の半導体製造方法。
【請求項１２】
前記複数の溝の密度は，前記ウェハ中心部より前記ウェハ周辺部で高くなっていることを特徴とする請求項９，１０または１１のいずれかに記載の半導体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，高温に加熱したウェハ上で，原料ガスを熱分解して結晶成長を行う結晶成長装置，特に縦型高速回転型のＭＯＶＰＥ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年，電子デバイスの多くはその材料に，エピタキシャルウェハ（薄膜層を成長したウェハ）を使用しておりデバイスの量産には，この材料の量産具術が不可欠である。現在実用化されているエピタキシャル成長技術には，ＶＰＥ（Ｖａｐｏｒ　Ｐｈａｓｅ　Ｅｐｉｔａｘｙ：気相薄膜成長法），ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｂｅａｍ　Ｅｐｉｔａｘｙ：分子線薄膜成長法），ＭＯＶＰＥ（Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｖａｐｏｒ　Ｐｈａｓｅ　Ｅｐｉｔａｘｙ：有機金属気相薄膜成長法）などがある。
【０００３】
このうち，本発明で述べるＭＯＶＰＥは，ＩＩＩ族の有機金属とＶ族のガスを加熱されたウェハ上で反応させ，化合物半導体の薄膜結晶をウェハ上に成長する方法である。この方式で量産するためには，複数枚を同時に成長するマルチチャージ方式とすることが不可欠である。現在実用化されている方式の１つに縦型高速回転型がある。この方式では，ウェハは表面を上にしてチャージし，反応ガスを垂直に（縦方向に）流し，ウェハ面内で均一に成長させるため，ウェハをささえるサセプタは回転している。
【０００４】
ＭＯＶＰＥ装置を用いた結晶成長において，成長層のウェハ面内均一性を向上させる方法として，文献が開示されている（２００１，Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　ｏｎ　Ｉｎｄｉｕｍ　Ｐｈｏｓｐｈｉｄｅ　ａｎｄ　Ｒｅｌａｔｅｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｐｏｓｔ　Ｄｅａｄｌｉｎｅ　Ｐａｐｅｒｓ　ｐ．１５−１６．１３ｔｈＩＰＲＭ　１４−１８，Ｍａｙ　２００１Ｎａｒａ，Ｊａｐａｎ）。上記文献では，温度により結晶の組成が変化してバンドギャップ波長が変化することを用い，ＭＯＶＰＥ装置を用いた結晶成長における波長制御方法に関して，導入ガスの種類や流量変化による温度変化を直接制御して温度制御性を向上させ，面内での波長を制御して均一性を向上させる方法が示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，結晶成長において，ウェハホルダの熱伝導の仕方により実際に成長されるウェハの表面温度に分布が生じてしまう。そのわずかな温度分布差によって表面での原料ガスの分解効率が変化し，敏感に組成が変化してしまい，面内での組成分布が生じることにより面内均一性が劣化してしまうという問題があった。
【０００６】
ここで，ＭＯＶＰＥ装置によりバンドギャップ波長１．３μｍのインジウムガリウムヒ素リン（ＩｎＧａＡｓＰ）の４元混晶を成長した時の，ＰＬ（フォトルミネッセンス）ピーク波長を実測した。ＰＬは，半導体に照射する光の波長を変えながら，半導体から放出される光を観測して結晶中に含まれる不純物の準位を測定するものであり，この場合，ウェハ面内でのバンドギャップ波長分布を得ることができる。
【０００７】
このバンドギャップ波長分布つまりは組成分布は，中心付近が長波長で同心円もしくは，それに近い形でウェハ外周部に近い程，短波長へシフトしている。バンドギャップ波長の成長温度依存性から波長分布を逆に換算して，ウェハ面内での温度分布が中心付近からウェハ外周部に向かって，約３〜４℃温度が高くなっていることがわかった。
【０００８】
本発明は，従来の結晶成長装置に関する上記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的は，ウェハの表面温度が均一になり，組成分布のばらつきの少ない面内均一性に優れた，新規かつ改良された半導体結晶成長装置用治具，及び半導体製造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため，本発明の第１の観点によれば，結晶成長室内のウェハキャリアにウェハを載置する座ぐり部が形成された半導体結晶成長装置用治具において，座ぐり部底面に，熱を拡散してウェハ面内の温度を均一にするための複数の溝が形成されており，その複数の溝の深さはウェハ中心部よりウェハ周辺部で深く，密度はウェハ中心部よりウェハ周辺部で高いことを特徴とする半導体結晶成長装置用治具，並びに上記治具を用いた半導体製造方法が提供される。そのような溝のパターン例としては，第１の例として，中心部から外周に向かい広がったくさび状の溝が複数個形成され，かつ外周に向かうほど深くなっていることを特徴とするもの，第２の例として，中心部から外周に向かい間隔が狭くなっている複数個の円形の溝で形成され，かつ外周に向かうほど深くなっていることを特徴とするもの，第３の例として，中心部から外周に向かうほど径が小さくなる円形溝で埋められて形成され，かつ外周に向かうほど深くなっていることを特徴とするもの，第４の例として，中心部から外周に向かうほど辺の短い正方形の溝で埋められて形成され，かつ外周に向かうほど深くなっているものが適用される。
【００１０】
こうして，深さがウェハ中心部よりウェハ周辺部で深く，密度はウェハ中心部よりウェハ周辺部で高い，複数の溝を座ぐり部底面に形成することにより，加熱されたウェハキャリアからの熱が，ウェハ中心部より高温の外周部で多く拡散されるので，ウェハへの熱伝導が均一になって温度分布がなくなるので，ウェハ面内の組成分布も均一にできる効果がある。
【００１１】
さらに本発明の第２の観点によれば，結晶成長室内のウェハキャリアにウェハを載置する座ぐり部が形成された半導体結晶成長装置用治具において，座ぐり部上に，熱を拡散してウェハ面内の温度を均一にするための複数の溝が形成されたスペーサ板が設置されたことを特徴とする半導体結晶成長装置用治具，並びに上記治具を用いた半導体製造方法が提供される。ここで複数の溝の深さはスペーサ板中心部よりスペーサ板周辺部で深く，密度はスペーサ板中心部よりスペーサ板周辺部で高くなっていることが好ましい。溝の例としては，第１の観点と同様のパターンを用いることができる。
【００１２】
こうして，第１の観点と同様にウェハの温度分布がなくなって，ウェハ面内の組成分布を均一にできる効果があると同時に，座ぐり部に直接溝を形成した場合には，結晶成長時にウェハ裏面に回り込んだガスにより溝に生成物が堆積することがあるため，ウェハキャリアの交換，もしくは洗浄が必要であるが，スペーサ板に溝を形成したので，スペーサ板の交換，もしくは洗浄で済ますことができ，汎用性を向上する効果がある。
【００１３】
また，本発明の第３の観点によれば，結晶成長室内のウェハキャリアにウェハを載置する座ぐり部が形成された半導体結晶成長装置を用いて結晶成長を行う半導体製造方法において，ウェハ裏面に，熱を拡散してウェハ面内の温度を均一にするための複数の溝を形成する工程を含み，その複数の溝の深さはウェハ中心部よりウェハ周辺部で深く，密度はウェハ中心部よりウェハ周辺部で高くした，半導体製造方法が提供される。溝の例としては，第１の観点と同様のパターンを用いることができる。
【００１４】
第３の観点では，ウェハの温度分布をなくし，面内の組成分布を均一にできる効果があるのと同時に，溝をウェハに直接形成するため，ウェハキャリアを加工する必要がなく，またスペーサ板も必要ない。また，溝に堆積する生成物によって成長ごとに熱分布が変わることもないので，結晶成長の再現性が向上する効果がある。さらに，裏面の溝は，裏面研磨工程で最終的にはなくなってしまうので，その後の組立工程や特性に影響を及ぼすことはない。
【００１５】
またさらに，本発明の第４の観点によれば，結晶成長室内のウェハキャリアにウェハを載置する座ぐり部が形成された半導体結晶成長装置を用いて結晶成長を行う半導体製造方法において，ウェハ裏面に絶縁膜を形成する工程と，絶縁膜に，熱を拡散して前記ウェハ面内の温度を均一にするための複数の溝を形成する工程とを含み，その複数の溝の深さはウェハ中心部よりウェハ周辺部で深く，密度はウェハ中心部よりウェハ周辺部で高くした，半導体製造方法が提供される。溝の例としては，第１の観点と同様のパターンを用いることができる。
【００１６】
第４の観点の場合にも，ウェハの温度分布をなくし，面内の組成分布を均一にできる効果があるのと同時に，ウェハ裏面に形成した絶縁膜にパターン溝を直接形成するため，ウェハキャリアやスペーサ板を加工する必要はなく，結晶成長中に溝に堆積する生成物によって成長ごとに熱分布が変わることはないので結晶成長の再現性が向上する。また，裏面の絶縁膜のパターン溝は，結晶成長後，簡単に除去できるのでその後のウェハ工程でも影響を及ぼすことはない。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照しながら，本発明にかかる結晶成長装置の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１８】
（第１の実施の形態）
第１の実施の形態について，図１に縦型高速回転型ＭＯＶＰＥ結晶装置のチャンバ内斜視図を示した。図２は，図１のＡ−Ａ面を模式的に示した断面図である。ウェハをセットするウェハキャリア１０は，カーボングラファイト，モリブデンなどの加工し易く，熱伝導の良く，材料ガスにより腐食しにくい材料を用いる。ウェハキャリア１０はサセプタ３０上に設置され，サセプタ３０の下にあるヒータ４０によりウェハキャリア１０が加熱される。ウェハキャリア内で均一な成長が行われるように，回転軸５０により支持されたサセプタ３０は回転する。
【００１９】
ウェハキャリア１０にはウェハを水平にセットする座ぐり部分（以降，ウェハポケット２０と呼ぶ）が複数個形成されている。図１では，３枚のウェハを同時に成長できるように記述したが，何枚成長できるものでも考え方は同じである。縦型ＭＯＶＰＥ装置においては，チャンバ内ウェハ上方から原料ガスが流入され，加熱されたウェハ上で反応が起こり，結晶成長する。例えばＩｎＧａＡｓＰの四元混晶を成長する場合，ＩＩＩ族元素のＩｎ，Ｇａの原料としてトリメチルインジウム，トリエチルガリウムといった有機金属，Ｖ族元素のＡｓ，Ｐの原料としてアルシン，ホスフィンを用いて，これらを熱分解させウェハ上に結晶成長させるものである。
【００２０】
従来技術の説明でも述べたように，成長層のバンドギャップ波長分布（組成分布）は，ウェハ中心部分が長波長で同心円状もしくはそれに近い形でウェハ外周部に寄るほど短波長へシフトする分布を示す。波長分布の結果とバンドギャップ波長の成長温度依存性から換算して，温度分布はウェハ中心部から外周部に向かって約３〜４℃温度が高くなっていると判断される。
【００２１】
外周部の温度が高くなるのは，以下のような理由による。ウェハポケット２０の部分は薄くなっているため，熱伝導は良くなるが，ポケットにセットされるウェハは裏面から表面に順に熱が伝わり，表面には熱が伝わりにくくなる。これはウェハの方が，ウェハキャリア１０より熱伝導率が低いためであり，こうしてウェハ中心部ほど温度が低くなる温度分布になる。
【００２２】
そこで，本実施の形態においては，あらかじめウェハ中心部ほど熱伝導が低減することを想定し，ウェハ面内での温度分布が均一になるように，ウェハポケット２０底面に，ウェハ外周部で熱が放射されるように溝を加工して，ウェハ面内の温度が均一になるように熱伝導を変化させるものである。
【００２３】
図２の（ａ）〜（ｄ）にウェハポケットの底面に溝を彫ったパターン図例を示した。各溝のパターンと構造について以下に説明する。どのパターンにおいても，形成された複数の溝は，ウェハ中心部よりウェハ周辺部で深く，密度はウェハ中心部よりウェハ周辺部で高くなっている。さらに，その溝は，各結晶成長装置や成長条件により最適化されていなければならない。もちろんこの条件を備えていれば，ポケット内の加工は，図２の（ａ）〜（ｄ）の溝パターン例に限らない。
【００２４】
溝パターンの１つの例として，図２の（ａ）に示すようなウェハポケット中心部（例えば外周円の約１／２の径の円周部）から外周に向かい広がったくさび状の溝が外周円上に沿って複数個形成され，かつその溝は外周に向かうほど深くなっているものを適用することができる。
【００２５】
また図２の（ｂ）に示すような，ポケット中心部（例えば外周円の約１／２の径の円周部）から外周に向かうほど間隔が狭くなっている複数個の円形の溝が形成され，かつその溝は外周に向かうほど深くなっているものを適用することができる。
【００２６】
また図２の（ｃ）に示すような，ポケット中心部（例えば中心に置かれた外周円の約１／３の径の円）から外周部が，外周に向かうほど径が小さくなる円形の溝で埋められており，かつその溝は外周に向かうほど深くなったものを適用することができる。
【００２７】
さらに図２の（ｄ）に示すような，ポケット中心部（例えば中心に置かれた外周円の径の約１／３の辺の長さを持つ正方形）から外周に向かうほど辺の短い正方形の溝で埋められており，かつその溝は外周に向かうほど深くなったものを適用することができる。
【００２８】
このように加工したＭＯＶＰＥ装置のウェハポケットにウェハをセットし，結晶成長を行う。結晶成長方法や成長膜の種類は，使用装置，目的に応じて使用，設計する。また成長条件もウェハポケットに施した加工に合わせて，設定する必要がある。
【００２９】
こうして，ポケット内の溝加工によりウェハ表面の温度分布が低減し，表面での原料ガスの熱分解の均一性も向上することにより，結晶の組成も均一に成長可能となる。このとき，経験的に温度分布の変化によりＶ族の原料ガスの熱分解が変化するため，取り込み係数が変化して組成分布が変わるが，成長厚を決定するＩＩＩ族の取り込み係数はあまり変化しないことが知られているので，厚みの分布は変わらない。
【００３０】
（第２の実施の形態）
第２の実施の形態は，第１の実施の形態のようにウェハポケットに直接溝加工をせずに，溝加工を施したスペーサ板をウェハポケット上に載せ，そのスペーサ板上にウェハをセットする。スペーサ板の材質については，高純度カーボンやモリブデン，もしくはインジウムリン（ＩｎＰ），ガリウムヒ素（ＧａＡｓ），シリコン（Ｓｉ）などの半導体ウェハを用いるのが好適である。
【００３１】
このときのスペーサ板の溝のパターン図は，図２の（ａ）〜（ｄ）に示したものを適用することができる。ウェハポケットへの溝加工は行わず，スペーサ板にスペーサ板中心部より周辺部で深く，密度はスペーサ板中心部より周辺部で高くなった複数の溝を形成する。溝のパターンについては，第１の実施の形態と同様であるので詳細な説明は省略する。
【００３２】
本実施の形態では，第１の実施の形態と同様にウェハ表面の温度分布が低減し，表面での原料ガスの熱分解の均一性も向上することにより，結晶の組成も均一に成長可能となる効果がある。しかし第１の実施の形態の場合は，結晶成長時にウェハ裏面に回り込んだガスにより，ウェハポケットに形成された溝に生成物が堆積することがあるため，ウェハキャリアの交換，もしくは洗浄が必要であるが，本実施の形態の場合，スペーサ板の交換，もしくはスペーサ板の洗浄ですむことから，汎用性が向上する。
【００３３】
このように通常のウェハポケットに溝加工したスペーサ板を載せ，その上にウェハをセットしてから縦型高速回転型ＭＯＶＰＥ装置にて結晶成長させる。結晶成長方法や成長膜の種類は，使用目的に応じて設計する。また，成長条件についても，スペーサ板上のウェハに結晶成長するので，成長温度等の考慮が必要である。
【００３４】
（第３の実施の形態）
第１，第２の実施の形態においては，ＭＯＶＰＥ装置の治具について加工を施すものであったが，第３の実施の形態では，ウェハの裏面に熱伝導が均一になるように直接，ウェハ裏面に溝を形成する。このときの溝の加工パターンは図２の（ａ）〜（ｄ）に示したものと同様なものが適用される。また通常の結晶成長ウェハを用いて作製される素子の場合，作製段階において，裏面は研磨により薄膜化するため，裏面に溝を形成してもチップとしての影響は無い。
【００３５】
結晶成長前のウェハに，従来のウェハ表面の加工に一般的に用いるフォトリソグラフィ工程とエッチング工程とを用い，裏面に熱伝導が均一になるようなパターンの溝を形成する。パターニング用マスク等を用いフォトレジストで溝のパターニングを行い，ウェット，或いはドライのエッチングを施し，深さはウェハ中心部より周辺部で深く，密度はウェハ中心部より周辺部で高い溝が形成される。パターンについては，第１，第２の実施の形態と同様であり，詳細な説明は省略する。
【００３６】
本実施の形態では，温度分布を均一にするためにウェハキャリアを加工する必要はなく，またスペーサ板も必要ない。パターン溝をウェハに直接形成するため，結晶成長中に溝に堆積する生成物によって成長ごとに熱分布が変わることはなく，結晶成長の再現性が向上する効果がある。また，裏面の溝は，裏面研磨工程で最終的にはなくなってしまうので，その後の組立工程や特性に影響を及ぼすことはない。
【００３７】
上記のようにウェハ裏面に溝を形成した後，通常のウェハキャリアポケットにセットしてから，縦型高速回転型ＭＯＶＰＥ装置にて裏面の溝を考慮した成長条件で結晶成長させる。結晶成長方法や成長膜の種類は，使用目的に応じて設計する。
【００３８】
（第４の実施の形態）
第４の実施の形態は，ウェハの裏面に絶縁膜を形成し，その絶縁膜に第３の実施の形態と同様な溝を形成し，熱伝導が均一になるようにして組成分布のばらつきを向上させるものである。このときのパターンも図２の（ａ）〜（ｄ）に示したものと同様にする。また結晶成長後，裏面の絶縁膜はエッチングする。
【００３９】
まず，結晶成長前のウェハ裏面に，ＣＶＤ法などにより，例えばシリコン酸化膜などの絶縁膜を形成する。その後，フォトリソグラフィ工程とエッチング工程とを用い，絶縁膜に熱伝導が均一になるようなパターンの溝を形成する。パターニング用マスク等を用いフォトレジストで溝のパターニングを行い，ウェット，或いはドライのエッチングを施し，深さはウェハ中心部より周辺部で深く，密度はウェハ中心部より周辺部で高い溝が絶縁膜に形成される。パターンについては，第１，第２，第３の実施の形態と同様の溝をウェハ裏面の絶縁膜に形成するもので，詳細な説明は省略する。
【００４０】
本実施の形態においても，ウェハキャリアやスペーサ板を加工する必要はない。ウェハ裏面に形成した絶縁膜にパターン溝を直接形成するため，結晶成長中に溝に堆積する生成物によって成長ごとに熱分布が変わることはなく，結晶成長の再現性が向上する効果がある。また，裏面の絶縁膜のパターン溝は，結晶成長後，簡単に除去できるのでその後のウェハ工程でも影響を及ぼすことはない。
【００４１】
このように，裏面に絶縁膜を形成し，さらに絶縁膜に熱伝導が均一になるように溝を形成したウェハを通常のウェハキャリアポケットにセットしてから，縦型高速回転型ＭＯＶＰＥ装置にて，裏面の絶縁膜を考慮した成長条件で結晶成長させる。結晶成長方法や成長膜の種類は，使用目的に応じて設計する。
【００４２】
以上，添付図面を参照しながら本発明にかかる半導体結晶成長装置治具，及び半導体結晶成長方法の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００４３】
本実施の形態では，縦型高速回転型ＭＯＶＰＥ装置にて結晶成長する場合について述べたが，本発明は原料ガスがウェハに対して水平方向に流入する，ウェハ自転形の横型ＭＯＶＰＥ装置にて結晶成長する場合においても適用可能である。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば，ＭＯＶＰＥ装置での結晶成長において，ウェハ面内で中心部と外周部に温度差ができるために，組成分布が面内で均一でなくなる不具合に対し，装置のウェハポケットに，中心部の密度が低く，深さも浅くなるような複数の溝を形成することにより，或いはウェハキャリアとウェハとの間に置くスペーサ板を用意し，そのスペーサ板に上記ウェハキャリアと同様なパターンの溝を形成することにより，結晶成長時の熱伝導分布が均一となり，ウェハ面内での組成分布が均一な結晶を成長させることができる。
【００４５】
また，結晶成長前のウェハ裏面に，中心部の密度が低く，深さも浅くなるような複数の溝を形成する工程を設けることにより，或いはウェハ裏面に絶縁膜を形成し，その絶縁膜に上記と同様な溝を形成する工程を設けることにより，結晶成長時の熱伝導分布が均一となり，ウェハ面内での組成分布が均一な結晶を成長することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１〜第４の実施の形態にかかるＭＯＶＰＥ装置の（ａ）はチャンバ内概略斜視図であり，（ｂ）はＡ−Ａ面の断面図である。
【図２】第１〜第４の実施の形態にかかるウェハポケット，スペーサ板，ウェハ裏面，或いは絶縁膜の溝のパターンを表す，説明図である。
【符号の説明】
１０　　ウェハキャリア
２０　　ウェハポケット
３０　　サセプタ
４０　　ヒータ
５０　　回転軸
【図１】
2004055716.tif 000003
【図２】
2004055716.tif 000004