(57)【要約】【課題】導体層として使用できるめっき下地層形成材または導体層形成材料と、この導体層形成材料を用いた配線回路を得ること。【解決手段】下地層形成材または導体層形成材料として、ポリオレフィンの主鎖中に、側鎖としてアルキル基が結合した窒素原子、すなわち第３級アミン構造を有するポリマ材料と、金属の、塩化物、硝酸化物、酢酸化物および硫酸化物からなる群より選ばれた金属化合物と、還元剤とからなる組成物を用い、この組成物をスクリーン印刷法またはスタンピング法により塗布して導体パタ−ン層とする。【選択図】　　　図１
2004055439.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表せるポリマ材料と、金属の、塩化物、硝酸化物、酢酸化物および硫酸化物からなる群より選ばれた金属化合物と、還元剤とからなる導体層形成用組成物。
【化１】
2004055439.tif 000007
（式中、Ｒ１とＲ２とはアルキル基、Ｒ３はアルキレン基、Ｒ４はアルキル基、または、アルキル基の水素が、カルボキシル基、水酸基、メルカプト基、フェニル基、ラウリル基およびステアリル基のうちの少なくとも一つの官能基で置換された基、ｎは１〜３０００の整数である。）
【請求項２】
一般式（１）で表せるポリマ材料の、Ｒ１とＲ２とが炭素数１〜２０のアルキル基であり、Ｒ３が炭素数１〜２０のアルキレン基であり、Ｒ４が炭素数２〜５０のアルキル基、または、炭素数２〜５０のアルキル基の水素が、カルボキシル基、水酸基、メルカプト基、フェニル基、ラウリル基およびステアリル基のうちの少なくとも一つの官能基で置換された基であることを特徴とする請求項１に記載の導体層形成用組成物。
【請求項３】
一般式（１）で表せるポリマ材料の数平均分子量が、１０００〜１００００００であることを特徴とする請求項１または２に記載の導体層形成用組成物。
【請求項４】
金属化合物が、還元されたときに、銀、金、白金、銅およびパラジウムからなる群より選ばれた金属を析出するものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の導体層形成用組成物。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の導体層形成用組成物を用いて、スクリーン印刷法またはスタンピング法により、表面に絶縁層と前記絶縁層から露出されるチップパッドとを備えた半導体チップの前記チップパッドと前記絶縁層との表面に、導体パターン層を形成することを特徴とする配線回路の形成方法。
【請求項６】
請求項１ないし４のいずれかに記載の導体層形成用組成物を用いて、スクリーン印刷法またはスタンピング法により、表面に絶縁層と前記絶縁層から露出される導通部とを備えた回路基板の前記導通部と前記絶縁層との表面に、導体パターン層を形成することを特徴とする配線回路の形成方法。
【請求項７】
導体パターン層形成後に、この導体パターン層表面にめっきによる金属層を形成することを特徴とする請求項５または６に記載の配線回路の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置または回路基板の配線回路形成に用いられる導体層形成用組成物およびこの導体層形成用組成物を用いた配線回路の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子産業分野では、電子機器の小形化が進行しており、半導体装置の小形化の要求が強く、半導体装置のパッケージング技術に多くの影響を与えている。この要求に対応するため、パッケージとチップ間とのサイズ差異を縮小したチップスケールパッケージ（またはチップサイズパッケージ）（ＣＳＰ）やＳｏＣ（システムオンパッケージ）、ＳｉＰ（システムインパッケージ）と呼ばれる新たなタイプのパッケージが用いられた半導体装置が開発されている。
このうちでも、ウエハレベルのＣＳＰでは、通常フリップチップボンディングが用いられ、フリップチップボンディングでは、チップ上のアルミニウムパッドを、他の位置のより大きいパッドに接続するため、チップ上あるいは回路基板上に再配線層が形成されている。
【０００３】
図６は、特開２００１−１４４２２３号公報に開示された半導体チップに再配線構造を形成する工程を説明する断面模式図である。
図６において、３１は半導体チップ、３２はチップパッド、３３はパッシベーション膜、３４は第１の樹脂層、３５は第１のＵＭＢ（Ｕｎｄｅｒ　Ｂａｒｒｉｅｒ　Ｍｅｔａｌ）層、３６は再配線層、３７は第２の樹脂層、３８は第２のＵＭＢ層、３９は外部接続端子、４０は再配線構造部である。
【０００４】
図６に示すように、上面にチップパッド３２およびパッシベーション膜３３が形成されている半導体チップ３１を用意する（ａ）。次に、この半導体チップ３１のパッシベーション膜３３上に、ストレス吸収および絶縁機能を有する第１の樹脂層３４を形成し、フォトリソグラフィ法によりチップパッド３２を露出する（ｂ）。次に、第１の樹脂層３４とチップパッド３２との上に、スパッタリングにより第１のＵＢＭ層３５を形成する（ｃ）。次に、第１のＵＭＢ層３５上にフォトレジストを塗布して、フォトリソグラフィ法により所定のパターンを形成し、第１のＵＢＭ層３５の露出部にめっきにより再配線層３６を形成する（ｄ）。次に、フォトレジストパターンを除去し、再配線層３６をマスクとして第１のＵＢＭ層３５をエッチングする（ｅ）。次に、再配線層３６を外部環境から保護する第２の樹脂層３７を形成し、この第２の樹脂層３７にフォトリソグラフィ法により外部接続端子３９を接続する孔を設ける（ｆ）。最後に、露出した再配線層の表面に第２のＵＭＢ層３８を設け、外部接続端子３９を形成し、再配線構造部４０が得られる（ｇ）。
【０００５】
すなわち、前記再配線層の形成方法では、めっき核となる第１のＵＢＭ層３５の形成がスパッタリングで行われるので、スパッタ装置が必要であり、再配線層の形成コストが高くなるとの問題と、第１のＵＢＭ層３５の形成がバッチ法となるので生産性が低下するという問題があった。それと前記再配線層の形成方法では、回路形成用のフォトレジストマスク形成と再配線層３６形成後に不要な第１のＵＢＭ層３５の除去とが必要であり、製造工程が複雑になるという問題があった。
【０００６】
スパッタリングを用いることなくめっき核となる第１のＵＢＭ層が形成でき、また、フォトレジストマスクの形成と第１のＵＢＭ層の除去とが不要である再配線層の形成方法として、例えば、スクリーン印刷法またはスタンピング法を用い、再配線パターンを有するめっき下地層または導体層を直接形成する方法がある。
スクリーン印刷法では、再配線パターンの印刷マスクを介して、めっき下地層形成材または導電性樹脂を、第１の樹脂層とチップパッドとの上に塗工し、再配線層を形成する。スタンピング法では、スタンプの再配線パターンを有する転写面に、めっき下地層形成材または導電性樹脂を塗布し、このスタンプ面を、第１の樹脂層とチップパッドとの上に押印し、再配線層を形成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
米国特許６０６０１２１号公報には、スタンピング法で用いられるめっき下地層形成材として、有機ポリマまたは無機ポリマに金属粉末を充填したもの、および金属粉末のコロイドが開示されている。
それと、スクリーン印刷法に用いられるめっき下地層形成材としても、有機ポリマまたは無機ポリマに金属粉末を充填したものがある。
また、前記スクリーン印刷法または前記スタンピング法に用いられる導電性樹脂としても、やはり、有機ポリマまたは無機ポリマに導電性材料の粉末を充填したものがある。
しかし、金属粉末を有機ポリマまたは無機ポリマに充填しためっき下地層形成材では、めっき核となる金属粉末を絶縁性のポリマが覆ってしまい、均一なめっき層の形成ができにくく、導電性に優れた導体層が形成できないという問題があった。また、金属粉末のコロイドのめっき下地層形成材では、塗布後に、コロイドを分散せている溶媒を揮散させると、金属粉末が空気にふれてめっき核としての活性が低下し、安定してめっきができず、導電性に優れた導体層が形成できないという問題があった。
金属粉末などの導電性材料を有機ポリマまたは無機ポリマに充填した導電性樹脂では、やはり、金属粉末を絶縁性のポリマが覆ってしまい、導電性が低下して、再配線の導体層として使用できないとの問題があった。
すなわち、前記めっき下地層形成材では、導電性に優れためっき導体層が形成できなく、前記導電性樹脂では導体として使用できないので、信頼性の高い再配線層を形成することができないとの問題があった。
【０００８】
本発明は、前記のような課題を解決するためになされたものであり、導電性に優れた導体回路が得られる導体層形成用組成物、およびこの導体層形成用組成物を用いた、少ない工程で、信頼性の高い再配線層が得られる配線回路形成方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明に係わる第１の導体層形成用組成物は、下記一般式（１）で表せるポリマ材料と、金属の、塩化物、硝酸化物、酢酸化物および硫酸化物からなる群より選ばれた金属化合物と、還元剤とからなるものである。
【００１０】
【化２】
2004055439.tif 000003
【００１１】
（式中、Ｒ１とＲ２とはアルキル基、Ｒ３はアルキレン基、Ｒ４はアルキル基、または、アルキル基の水素が、カルボキシル基、水酸基、メルカプト基、フェニル基、ラウリル基およびステアリル基のうちの少なくとも一つの官能基で置換された基、ｎは１〜３０００の整数である。）
【００１２】
この発明に係わる第２の導体層形成用組成物は、第１の導体層形成用組成物において、一般式（１）で表せるポリマ材料の、Ｒ１とＲ２とが炭素数１〜２０のアルキル基であり、Ｒ３が炭素数１〜２０のアルキレン基であり、Ｒ４が炭素数２〜５０のアルキル基、または、炭素数２〜５０のアルキル基の水素が、カルボキシル基、水酸基、メルカプト基、フェニル基、ラウリル基およびステアリル基のうちの少なくとも一つの官能基で置換された基のものである。
【００１３】
この発明に係わる第３の導体層形成用組成物は、第１または２の導体層形成用組成物において、一般式（１）で表せるポリマ材料の数平均分子量が、１０００〜１００００００のものである。
【００１４】
この発明に係わる第４の導体層形成用組成物は、第１ないし３のいずれかの導体層形成用組成物において、金属化合物が、還元されたときに、銀、金、白金、銅およびパラジウムからなる群より選ばれた金属を析出するものである。
【００１５】
この発明に係わる第１の配線回路の形成方法は、第１ないし４のいずれかの導体層形成用組成物を用いて、スクリーン印刷法またはスタンピング法により、表面に絶縁層と前記絶縁層から露出されるチップパッドとを備えた半導体チップの前記チップパッドと前記絶縁層との表面に、導体パターン層を形成することである。
【００１６】
この発明に係わる第２の配線回路の形成方法は、第１ないし４のいずれかの導体層形成用組成物を用いて、スクリーン印刷法またはスタンピング法により、表面に絶縁層と前記絶縁層から露出される導通部とを備えた回路基板の前記導通部と前記絶縁層との表面に、導体パターン層を形成することである。
【００１７】
この発明に係わる第３の配線回路の形成方法は、第１または２の配線回路の形成方法において、導体パターン層形成後に、この導体パターン層表面にめっきによる金属層を形成することである。
【００１８】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
導体層形成用組成物は、以下のようにして調製する。
金属化合物の水溶液に、下記一般式（１）で表されるポリマ材料を溶解する溶媒を加えて希釈し、この溶液に下記一般式（１）で表されるポリマ材料を溶解する。次に、金属化合物を還元する還元剤を加え、金属化合物を還元し、金属の微粒子を析出させる。さらに、溶媒の一部を揮発させ、金属微粒子が分散した導体層形成用組成物を調製する。
【００１９】
【化３】
2004055439.tif 000004
【００２０】
（式中、Ｒ１とＲ２とはアルキル基、Ｒ３はアルキレン基、Ｒ４はアルキル基、または、アルキル基の水素が、カルボキシル基、水酸基、メルカプト基、フェニル基、ラウリル基およびステアリル基のうちの少なくとも一つの官能基で置換された基、ｎは１〜３０００の整数である。）
【００２１】
本実施の形態における導体層形成用組成物に用いられるポリマ材料は、一般式（１）で表されるように、ポリオレフィンの主鎖中に、側鎖としてアルキル基が結合した窒素原子、すなわち第３級アミン構造を有するポリマ材料である。
導体層形成用組成物に用いられるポリマ材料は、一般式（１）で表される構造であるので、金属粒子を分散させてなる導電性樹脂組成物のマトリックス樹脂として用いた場合、金属粒子を完全に覆うことがなく、金属粒子表面の一部が露出した状態で導体層を形成することができる。
すなわち、このポリマ材料を用いた導体層形成用組成物から得られる導体層はめっき層形成の下地層として好ましいとともに、導体層そのものとして用いても、優れた導電性を有するので好ましい。
【００２２】
また、一般式（１）で表されるポリマ材料は、窒素原子に結合する側鎖であるアルキル基の水素が、カルボキシル基、水酸基、メルカプト基、フェニル基、ラウリル基およびステアリル基のうちの少なくとも１種類の官能基で置換されていても良い。前記ポリマ材料に、このような置換基があると、金属化合物の水溶液を希釈する溶媒に対する溶解度が向上するので好ましい。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の各基の炭素数は２０以下が好ましく、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の各基の炭素数が２０より大きいと、金属化合物の水溶液を希釈する溶媒に溶けなくなくなり、安定した導体層形成用組成物を得ることができない。
Ｒ４の基の炭素数は５０以下が好ましく、Ｒ４の基の炭素数が５０より大きいと、金属化合物の水溶液を希釈する溶媒に溶けなくなくなり、安定した導体層形成用組成物を得ることができない。
【００２３】
一般式（１）で表されるポリマ材料の繰り返し単位数ｎは１から３０００であり、ｎが３０００より大きいと導体層形成用組成物の粘度が大きくなり、微細な導体パターン層が得られない。前記繰り返し単位数ｎは１００〜５００の範囲が、特に好ましく、還元して得られる金属粒子を安定して分散させることができる。
一般式（１）で表されるポリマ材料の数平均分子量は１０００〜１００００００であり、数平均分子量が１００００００より大きいと導体層形成用組成物の粘度が大きくなり、微細な導体パターン層が得にくく、数平均分子量が１０００未満であると還元して得られる金属粒子が沈降する。
導体層形成用組成物の数平均分子量は、塗布性の点から１００００〜１０００００が特に好ましい。
【００２４】
導体層形成用組成物に用いられる溶媒としては、水、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メタノール、エタノール、ブタノール、イソプロピルアルコール、ブチルカルビトール、酢酸ブチルカルビトール、テプピネオール、エチレングリコールが挙げられる。
導体層形成用組成物を調製する時に用いられる、金属化合物としては、金属の、塩化物、硝酸化物、酢酸化物および硫酸化物からなる群より選ばれた金属化合物が挙げられ、具体的には、塩化金、塩化白金、塩化パラジウム、硝酸銀、酢酸パラジウム、硫酸銅が挙げられる。
導体層形成用組成物における、前記金属化合物１００重量部に対する前記ポリマ材料の配合割合は０．１〜２０重量部である。ポリマ材料の配合割合が２０重量部より多くなると、形成した導体層中の金属粒子が少なくなり、導体層の導電性が低下する。前記ポリマ材料の配合割合が０．１重量部より少ないと、導体層形成用組成物中で、析出した金属粒子が凝集して、沈降し、良好な導体層を形成することができない。
【００２５】
導体層形成用組成物の調製時に用いられる、前記金属化合物を還元して金属微粒子を析出させる還元剤としては、アミン系化合物、水素化ホウ素ナトリウム、クエン酸ナトリウム、チタニアなどが挙げられる。
アミン系化合物としては、トリエチルアミン、ジメチルエチルアミン、ジエチルメチルアミン、ブチルアミンなどの脂肪族アミン、および、ジエタノールアミン、２−メチルアミノエタノール、メチルジエタノールアミン、２−ジメチルアミノエタノール、トリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、ヘキサノールアミンなどのアルカノールアミンが挙げられる。
特に、アミン系化合物は、導体パターン層の乾燥工程で容易に除去できるので好ましい。
前記還元剤の使用量は、前記金属化合物のモル数の１〜５０倍のモル数が用いられる。前記還元剤の使用モル数が前記金属化合物のモル数より少ないと、金属粒子の析出が不十分となり、また、前記還元剤の使用モル数が前記金属化合物のモル数の５０倍より大きいと、析出した金属粒子が凝集し沈降する。すなわち、前記還元剤の使用モル数が前記金属化合物のモル数の１〜５０倍でないと、導電性に優れた導体層あるいは均一なめっき層が形成できるめっき下地層を得ることができない。
【００２６】
前記金属化合物の金属としては、銀、金、白金、銅およびパラジウムからなる群より選ばれた金属が、導体層形成用組成物より得られる導体層の導電性が優れているので好ましい。
【００２７】
本実施の形態の導体層形成用組成物には、ポリアクリル酸アンモニウム塩やポリアクリル酸アンモニウム塩とアクリル酸メチルとの共重合体などの界面活性剤、または、メチルセルロースやヒドロキシセルロースなどのセルロース系化合物、ゼラチン、コラーゲン、シクロデキストリン、トラガントガム、デンプン、キプロガム、ビーガム、ペクチン、トレハロース、グルコサミン、グルコサン、デンプン、アラビアガム、寒天などの粘度調整剤を、少量添加してもよい。
【００２８】
実施の形態２．
図１は、実施の形態２における半導体チップに再配線構造を形成する工程を説明する断面模式図である。
図１において、１は半導体チップ、２はチップパッド、３はパッシベーション膜、４は第１の樹脂層、５は再配線回路となる導体パターン層、６は第２の樹脂層、７は外部接続端子、８は再配線構造部である。
【００２９】
図１に示すように、上面にチップパッド２および絶縁性のパッシベーション膜３が形成されている半導体チップ１を用意する（ａ）。次に、この半導体チップ１のチップパッド２とパッシベーション膜３との上に、ストレス吸収および絶縁機能を有する第１の樹脂層４を形成し、フォトリソグラフィ法によりチップパッド２を露出する（ｂ）。次に、第１の樹脂層４とチップパッド２との上に、実施の形態１に示した導体層形成用組成物を用い、スクリーン印刷法により再配線回路となる導体パターン層５を形成する（ｃ）。次に、導体パターン層５を外部環境から保護するため、絶縁性の第２の樹脂層６を形成し、この第２の樹脂層６にフォトリソグラフィ法により外部接続端子７を接続する孔を設ける（ｄ）。最後に、露出した再配線回路となる導体パターン層５の表面に、外部接続端子７を形成し、再配線構造部８が得られる（ｅ）。また、外部接続端子７を設ける時に、外部接続端子７の接合力を向上させるため、露出した導体パターン層５の表面処理をしても良い。
【００３０】
図２は、実施の形態２におけるスクリーン印刷法により再配線回路となる導体パターン層５を形成する工程を説明する断面模式図である。
図２において、１１はスクリーン、１２はマスク、１３はスキージ、１４は導体形層成用組成物、１５はマスクの開口部である。
【００３１】
図２に示すように、スクリーン印刷では、スクリーン１１とマスク１２とを半導体チップ１の第１の樹脂層４面に載置する（ａ）。次に、スクリーン１１上にある導体層形成用組成物１４を、スキージによりマスクの開口部１５より押し出し（ｂ）、押し出された導体層形成用組成物１４を乾燥し、導体パターン層５を形成する（ｃ）。
【００３２】
本実施の形態では、前記工程を複数回、繰り返して、厚膜の導体パターン層を形成し、これを再配線回路とすることができる。
また、前記方法で形成された１層の導体パターン層５をめっきの下地層として、所定の方法により、無電界めっきと電解めっきとを行い、前記導体パターン層５上に金属層を形成して、これを再配線回路とすることができる。
【００３３】
実施の形態３．
実施の形態３では、第１の樹脂層４とチップパッド２との上に、スクリーン印刷法により再配線回路となる導体パターン層５を形成するのに替えて、スタンピング法により再配線回路となる導体パターン層５を形成する以外、実施の形態２と同様にして、再配線構造部８を得る。
本実施の形態で用いられる導体層形成用組成物１４は、実施の形態２で用いられるものと同じである。
【００３４】
図３は、実施の形態３におけるスタンピング法により再配線回路となる導体パターン層５を形成する工程を説明する断面模式図である。
図３において、１６はスタンプ、１７はスタンプ転写面の凹部、１８はスタンプ転写面の凸部である。
【００３５】
図３に示すように、スタンピング法では、まず、転写面に凹部１７と凸部１８とを有するスタンプ１６を用意する（ａ）。次に、スタンプ１６のスタンプ面に導体層形成用組成物１４を塗布する（ｂ）。次に、半導体チップ１の第１の樹脂層４面にスタンプ１６を押し付けて（ｃ）、導体層形成用組成物１４を転写し、乾燥して、導体パタ−ン層５を形成する（ｄ）。
【００３６】
実施の形態４．
図４は、実施の形態４における回路基板に再配線構造を形成する工程を説明する断面模式図である。
図４において、２５は回路基板、２６はプリント配線回路、２７は配線回路保護膜、２８は導体パターン層、２９は再配線回路保護膜、３０は半導体チップ接続部である。
【００３７】
図４に示すように、プリント配線回路２６と配線回路保護膜２７とが形成されている回路基板２５を用意する（ａ）。次に、配線回路保護膜２７とこの配線回路保護膜２７から露出したプリント配線回路２６との上に、実施の形態１に示した導体層形成用組成物を用い、実施の形態２と同様のスクリーン印刷法により再配線回路となる導体パターン層２８を形成する（ｂ）。次に、導体パターン層２８を外部環境から保護するため、絶縁性の再配線回路保護膜２９を形成し、この再配線回路保護膜２９にフォトリソグラフィ法により半導体チップ接続部３０を設ける（ｃ）。
【００３８】
【実施例】
次に、実施例と比較例をもって、本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれら態様に限定されるものではない。
【００３９】
実施例１．
１００ｃｃの水に１モルの硝酸銀を溶解し、さらに、エタノールで１０倍に希釈する。次に、この溶液に、Ｒ１とＲ２とが炭素数５のアルキル基で、Ｒ３が炭素数１０のアルキレン基で、Ｒ４が炭素数５のアルキル基で、ｎが２００で、数平均分子量が４７０００である一般式（１）で表されるポリマ材料の１７ｇを溶解する。次に、この溶液に２モルのメチルエタノールアミンを溶解し、銀の微粒子を析出さす。さらに、溶媒の一部を揮発させて、銀の微粒子が分散した３００ｇの導体層形成用組成物を調製する。
【００４０】
次に、図５に示すテスト半導体装置を以下のようにして作製し、前記導体層形成用組成物から形成される導体パターン層の導電特性を評価する。
図５において、７ａ，７ｂは外部接続端子、２１はアルミ配線、２２はテスト半導体装置である。
まず、半導体チップ１に、表面に酸化珪素のパッシベーション膜が設けられたアルミ配線２１を形成する。次にアルミ配線２１が形成された半導体チップ１の面にポリイミドの第１の樹脂層４を形成する。次に、パッシベーション膜の開口部上にある第１の樹脂層４に、開口を設け、この開口部に露出したアルミ配線２１と第１の樹脂層４との表面に、前記調製した導体層形成用組成物をスクリーン印刷法により塗布し、加熱乾燥する。スクリーン印刷法による導体層形成用組成物の塗布と乾燥を、さらに４回行い、幅が約５０μｍで厚さが約５μｍの導体パターン層５を形成する。次に、前記第１の樹脂層４と前記導体パターン層５との表面に、ポリイミドの第２の樹脂層６を設ける。次に、第２の樹脂層６に開口を設け、この開口部に外部接続端子７ａと７ｂとを設け、再配線回路を有するテスト半導体装置２２とする。
形成された導体パターン層５の外観を目視観察するとともに、得られたテスト半導体装置２２の外部接続端子７ａと７ｂとの間の導通抵抗を測定し、その結果を表１に示す
【００４１】
実施例２．
スクリーン印刷法により導体層形成用組成物の塗布と乾燥を行い、そのあとに、定法に従い、無電解めっきと電解めっきとで金属層を形成し、幅が約５０μｍで厚さが約５μｍの導体パターン層５を形成すること以外、実施例１と同様にして、再配線回路を有するテスト半導体装置２２を作製する。
形成された導体パターン層５の外観を目視観察するとともに、得られたテスト半導体装置２２の外部接続端子７ａと７ｂとの間の導通抵抗を測定し、その結果を表１に示す
【００４２】
実施例３．
スタンピング法により、幅が約５０μｍで厚さが約５μｍの導体パターン層５を形成すること以外、実施例１と同様にして、再配線回路を有するテスト半導体装置２２を作製する。
形成された導体パターン層５の外観を目視観察するとともに、得られたテスト半導体装置２２の外部接続端子７ａと７ｂとの間の導通抵抗を測定し、その結果を表１に示す
【００４３】
実施例４．
回路基板２５にガラスクロス強化エポキシ基板、プリント配線回路２６に銅箔、配線回路保護膜２７と再配線回路保護膜２９とにポリイミド樹脂、導体パターン層２８の形成材料に実施例１の導体層形成用組成物を用いて、実施の形態４に示す方法により、幅が約５０μｍで厚さが約５μｍの導体パターン層５からなる再配線回路を有するテスト回路基板を作製する。
形成された導体パターン層５の外観を目視観察するとともに、得られたテスト回路基板のプリント配線回路２６と半導体チップ接続部３０との間の導通抵抗を測定し、その結果を表１に示す
【００４４】
実施例５〜１０．
ポリマ材料のＲ４が、炭素数５のアルキル基の末端にある水素を、カルボキシル基、水酸基、メルカプト基、フェニル基、ラウリル基またはステアリル基のいずれかで置換したアルキル基である以外、実施例１と同様にして、再配線回路を有するテスト半導体装置２２を作製する。
形成された導体パターン層５の外観を目視観察するとともに、得られたテスト半導体装置２２の外部接続端子７ａと７ｂとの間の導通抵抗を測定し、その結果を表１に示す
【００４５】
実施例１１〜１４．
金属化合物として、硝酸銀に替えて、塩化金、塩化白金、酢酸パラジウムまたは硫酸銅のいづれかを用いて導体層形成用組成物を調製した以外、実施例１と同様にしてテスト半導体装置２２を作製する。
形成された導体パターン層５の外観を目視観察するとともに、得られたテスト半導体装置２２の外部接続端子７ａと７ｂとの間の導通抵抗を測定し、その結果を表１に示す
【００４６】
比較例１．
実施例１の導体層形成用組成物に替えて、エポキシ樹脂に銀の粒子を充填した導電性樹脂を用いた以外、実施例１と同様にしてテスト半導体装置２２を作製する。
形成された導体パターン層５の外観を目視観察するとともに、得られたテスト半導体装置２２の外部接続端子７ａと７ｂとの間の導通抵抗を測定し、その結果を表１に示す
【００４７】
比較例２．
実施例２の導体層形成用組成物に替えて、エポキシ樹脂に銀の粒子を充填した導電性樹脂を用いた以外、実施例２と同様にしてテスト半導体装置２２を作製する。
形成された導体パターン層５の外観を目視観察するとともに、得られたテスト半導体装置２２の外部接続端子７ａと７ｂとの間の導通抵抗を測定し、その結果を表１に示す
【００４８】
実施例１〜１４では、良好な導体パターン層が形成され、テスト半導体装置およびテスト回路基板の導通抵抗は１０−１Ωのオーダーであり導電性が優れている。
それに対して、比較例１では、良好な導体パターン層が形成されているが、導通抵抗は１００Ωと大きく、導電性が劣っている。比較例２では、安定しためっきが形成できず、良好な導体パターン層形成できず、導通抵抗も１ｋΩと大きく、導電性が劣っている。
【００４９】
【表１】
2004055439.tif 000005
【００５０】
【発明の効果】
この発明に係わる第１の導体層形成用組成物は、下記一般式（１）で表せるポリマ材料と、金属の、塩化物、硝酸化物、酢酸化物および硫酸化物からなる群より選ばれた金属化合物と、還元剤とからなるものであり、少ない工程で、導電性に優れた再配線回路の導体が形成できる。
【００５１】
【化４】
2004055439.tif 000006
【００５２】
（式中、Ｒ１とＲ２とはアルキル基、Ｒ３はアルキレン基、Ｒ４はアルキル基、または、アルキル基の水素が、カルボキシル基、水酸基、メルカプト基、フェニル基、ラウリル基およびステアリル基のうちの少なくとも一つの官能基で置換された基、ｎは１〜３０００の整数である。）
【００５３】
この発明に係わる第２の導体層形成用組成物は、第１の導体層形成用組成物において、一般式（１）で表せるポリマ材料の、Ｒ１とＲ２とが炭素数１〜２０のアルキル基であり、Ｒ３が炭素数１〜２０のアルキレン基であり、Ｒ４が炭素数２〜５０のアルキル基、または、炭素数２〜５０のアルキル基の水素が、カルボキシル基、水酸基、メルカプト基、フェニル基、ラウリル基およびステアリル基のうちの少なくとも一つの官能基で置換された基のものであり、少ない工程で、導電性に優れた再配線回路の導体が形成できる。
【００５４】
この発明に係わる第３の導体層形成用組成物は、第１または２の導体層形成用組成物において、一般式（１）で表せるポリマ材料の数平均分子量が、１０００〜１００００００のものであり、少ない工程で、導電性に優れた再配線回路の導体が形成できる。
【００５５】
この発明に係わる第４の導体層形成用組成物は、第１ないし３のいずれかの導体層形成用組成物において、金属化合物が、還元されたときに、銀、金、白金、銅およびパラジウムからなる群より選ばれた金属を析出するものであり、特に、導電性に優れた再配線回路の導体が形成できる。
【００５６】
この発明に係わる第１の配線回路の形成方法は、第１ないし４のいずれかの導体層形成用組成物を用いて、スクリーン印刷法またはスタンピング法により、表面に絶縁層と前記絶縁層から露出されるチップパッドとを備えた半導体チップの前記チップパッドと前記絶縁層との表面に、導体パターン層を形成することであり、再配線回路の導体が容易に形成でき、信頼性の高い再配線構造を備えた半導体装置を得ることができる。
【００５７】
この発明に係わる第２の配線回路の形成方法は、第１ないし４のいずれかの導体層形成用組成物を用いて、スクリーン印刷法またはスタンピング法により、表面に絶縁層と前記絶縁層から露出される導通部とを備えた回路基板の前記導通部と前記絶縁層との表面に、導体パターン層を形成することであり、再配線回路の導体が容易に形成でき、信頼性の高い再配線構造を備えた回路基板を得ることができる。
【００５８】
この発明に係わる第３の配線回路の形成方法は、第１または２の配線回路の形成方法において、導体パターン層形成後に、この導体パターン層表面にめっきによる金属層を形成することであり、特に、導電性に優れた、信頼性の高い再配線構造を備えた半導体装置や回路基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態２における半導体チップに再配線構造を形成する工程を説明する断面模式図である。
【図２】実施の形態２におけるスクリーン印刷法により再配線回路となる導体パターン層を形成する工程を説明する断面模式図である。
【図３】実施の形態３におけるスタンピング法により再配線回路となる導体パターン層を形成する工程を説明する断面模式図である。
【図４】実施の形態４における回路基板に再配線構造を形成する工程を説明する断面模式図である。
【図５】テスト半導体装置の構造を示す断面模式図である。
【図６】特開２００１−１４４２２３号公報に開示された半導体装置の再配線構造を形成する工程を説明する断面模式図である。
【符号の説明】
１　半導体チップ、２　チップパッド、３　パッシベーション膜、４　第１の樹脂層、５　再配線回路となる導体パターン層、６　第２の樹脂層、７，７ａ，７ｂ　外部接続端子、８　再配線構造部、１１　スクリーン、１２　マスク、１３　スキージ、１４　導体層形成用組成物、１５　マスクの開口部、１６　スタンプ、１７　スタンプ転写面の凹部、１８　スタンプ転写面の凸部、２１　アルミ配線、２２　テスト半導体装置、２５　回路基板、２６　プリント配線回路、２７　配線回路保護膜、２８　導体パターン層、２９　再配線回路保護膜、３０半導体チップ接続部。
【図１】
2004055439.tif 000008
【図２】
2004055439.tif 000009
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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