(57)【要約】【課題】　凹溝ピッチが位置に応じて変化する位相マスクの電子線描画を簡単に行うことができる光ファイバー加工用位相マスクの製造方法。【解決手段】　透明基板の１面に格子状の凹溝２６と凸条２７の繰り返しパターンが設けられ、その繰り返しパターンによる回折光を光ファイバーに照射して異なる次数の回折光相互の干渉縞により光ファイバー中に回折格子を作製する光ファイバー加工用位相マスクの製造方法であり、凹溝２６と凸条２７のピッチが増加あるいは減少し、その幅の比が一定の複数のパターンＡ1 〜Ａ3 を相互に並列して描画する。そのために、１つの凹溝２６と凸条２７からなる基本パターンの描画データを基本とし、その基本パターンの描画データの縮尺を変えてピッチが異なる凹溝２６と凸条２７からなるパターンを連続的に描画する。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板の１面に格子状の凹溝と凸条の繰り返しパターンが設けられ、その繰り返しパターンによる回折光を光ファイバーに照射して異なる次数の回折光相互の干渉縞により光ファイバー中に回折格子を作製する光ファイバー加工用位相マスクの製造方法において、ピッチが異なる凹溝と凸条からなる複数のパターンを並列させて描画することにより前記の格子状の凹溝と凸条の繰り返しパターンを作製するに際して、１つの凹溝と凸条からなる基本パターンの描画データを基本とし、その基本パターンの描画データの縮尺を変えて前記のピッチが異なる凹溝と凸条からなるパターンを連続的に描画することにより、前記の格子状の凹溝と凸条の繰り返しパターンを作製することを特徴とする光ファイバー加工用位相マスクの製造方法。
【請求項２】
前記の複数のパターンを相互に溝に直交する方向へ並列させて描画することを特徴とする請求項１記載の光ファイバー加工用位相マスクの製造方法。
【請求項３】
前記の複数のパターンを相互に溝の方向へ並列させて描画することを特徴とする請求項１記載の光ファイバー加工用位相マスクの製造方法。
【請求項４】
１つの前記パターンの凹溝と隣接する前記パターンの凹溝との溝に直交する方向のずれ幅が、左右の最外端においても１つの凹溝の幅以内にあることを特徴とする請求項３記載の光ファイバー加工用位相マスクの製造方法。
【請求項５】
前記の格子状の凹溝と凸条の繰り返しパターンのピッチの位置に応じた変化は、光ファイバー中に作製される回折格子のピッチの変化に応じて定められ、前記基本パターンの描画データの縮尺の位置に応じた変化により与えられることを特徴とする請求項１記載の光ファイバー加工用位相マスクの製造方法。
【請求項６】
前記のピッチが異なる凹溝と凸条からなる複数のパターン各々の凹溝あるいは凸条の一方を描画する走査線数及び他方をブランキングする走査線数が、何れのパターンにおいても同じ本数であることを特徴とする請求項１から５の何れか１項記載の光ファイバー加工用位相マスクの製造方法。
【請求項７】
前記の格子状の凹溝と凸条の繰り返しパターンは、電子線描画により形成されることを特徴とする請求項１から６の何れか１項記載の光ファイバー加工用位相マスクの製造方法。
【請求項８】
前記の格子状の凹溝と凸条の繰り返しパターンのピッチが０．８５μｍ〜１．２５μｍの間で変化することを特徴とする請求項１から７の何れか１項記載の光ファイバー加工用位相マスクの製造方法。
【請求項９】
前記の格子状の凹溝と凸条の繰り返しパターンの凹溝と凸条の高さの差は、光ファイバー加工用の紫外線が透過する際に位相が略πだけずれる大きさであることを特徴とする請求項１から８の何れか１項記載の光ファイバー加工用位相マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、光ファイバー加工用位相マスクの製造方法に関し、特に、光通信等に用いられる光ファイバー内に紫外線レーザ光を用いて回折格子を作製するための位相マスクの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
　光ファイバーは地球規模の通信に大革新をもたらし、高品質、大容量の大洋横断電話通信を可能にしたが、従来より、この光ファイバーに沿ってコア内に周期的に屈折率分布を作り出し、光ファイバー内にブラック回折格子を作り、その回折格子の周期と長さ、屈折率変調の大きさによって回折格子の反射率の高低と波長特性の幅を決めることにより、その回折格子を光通信用の波長多重分割器、レーザやセンサーに使用される狭帯域の高反射ミラー、ファイバーアンプにおける余分なレーザ波長を取り除く波長選択フィルター等として利用できることが知られている。
【０００３】
　しかし、石英光ファイバーの減衰が最小となり、長距離通信システムに適している波長は１．５５μｍであることにより、この波長で光ファイバー回折格子を使用するためには、格子間隔を約５００ｎｍとする必要があり、このような細かい構造をコアの中に作ること自体が当初は難しいとされており、光ファイバーのコア内にブラック回折格子を作るのに、側面研磨、フォトレジストプロセス、ホログラフィー露光、反応性イオンビームエッチング等からなる何段階もの複雑な工程がとられていた。このため、作製時間が長く、歩留まりも低かった。
【０００４】
　しかし、最近、紫外線を光ファイバーに照射し、直接コア内に屈折率の変化をもたらし回折格子を作る方法が知られるようになり、この紫外線を照射する方法は複雑なプロセスを必要としないため、周辺技術の進歩と共に次第に実施されるようになってきた。
【０００５】
　この紫外光を用いる方法の場合、上記のように格子間隔が約５００ｎｍと細かいため、２本の光束を干渉させる干渉方法、（エキシマレーザからのシングルパルスを集光して回折格子面を１枚ずつ作る）１点毎の書き込みによる方法、グレーティングを持つ位相マスクを使って照射する方法等がとられている。
【０００６】
　上記の２光束を干渉させる干渉方法には、横方向のビームの品質、すなわち空間コヒーレンスに問題があり、１点毎の書き込みによる方法には、サブミクロンの大きさの緻密なステップ制御が必要で、かつ光を小さく取り込み多くの面を書き込むことが要求され、作業性にも問題があった。
【０００７】
　このため、上記問題に対応できる方法として、位相マスクを用いる照射方法が注目されるようになってきたが、この方法は図７（ａ）に示すように、石英基板の１面に凹溝を所定のピッチで所定の深さに設けた位相シフトマスク２１を用いて、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長：２４８ｎｍ）２３をそのマスク２１照射し、光ファイバー２２のコア２２Ａに直接屈折率の変化をもたらし、グレーティング（格子）を作製するものである（符号２２Ｂは光ファイバー２２のクラッドを示す。）。なお、図７（ａ）には、コア２２Ａにおける干渉縞パターン２４を分かりやすく拡大して示してある。図７（ｂ）、図７（ｃ）はそれぞれ位相マスク２１の断面図、それに対応する上面図の一部を示したものである。位相マスク２１は、その１面に繰り返しピッチＰで深さＤの凹溝２６を設け、凹溝２６間に略同じ幅の凸条２７を設けてなるバイナリー位相型回折格子状の構造を有するものである。
【０００８】
　位相マスク２１の凹溝２６の深さ（凸条２７と凹溝２６との高さの差）Ｄは、露光光であるエキシマレーザ光（ビーム）２３の位相をπラジアンだけ変調するように選択されており、０次光（ビーム）２５Ａは位相シフトマスク２１により５％以下に抑えられ、マスク２１から出る主な光（ビーム）は、回折光の３５％以上を含むプラス１次の回折光２５Ｂとマイナス１次の回折光２５Ｃに分割される。このため、このプラス１次の回折光２５Ｂとマイナス１次の回折光２５Ｃによる所定ピッチの干渉縞の照射を行い、このピッチでの屈折率変化を光ファイバー２２内にもたらすものである。
【０００９】
　上記のような位相マスク２１を用いて作製する光ファイバー中のグレーティングはピッチが一定のものであり、そのためその作製に用いられる位相マスク２１の凹溝２６のピッチも一定のものであった。
【００１０】
　このような位相マスクを作製するには、格子状の溝ピッチに対応したパターンデータを作製し、電子線描画装置により描画し、凹溝状の格子を作製していた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
　ところで、最近、光ファイバー中に形成するブラック回折格子として、格子のピッチが格子溝に直交する方向（格子の繰り返し方向）の位置に応じて線形あるいは非線形に増加あるいは減少しているチャープトグレーティングが要求されるようになってきた。このようなグレーティングは、例えば反射帯域を広げた高反射ミラー、遅延時間を調整する手段等として用いられる。
【００１２】
　このように格子のピッチが光ファイバーの長さ方向の位置に応じて線形あるいは非線形に変化するグレーティングを、位相マスクを用いてプラス１次の回折光とマイナス１次の回折光の干渉により作製しようとする場合、位相マスクの凹溝のピッチも、図７（ａ）の原理より明らかなように、同様に位置に応じて線形あるいは非線形に増加あるいは減少する必要がある（位相マスクの凹溝のピッチがより小さければ、プラス１次回折光とマイナス１次回折光のなす角度がより大きくなり、干渉縞のピッチはより小さくなる。）。このような位相マスクを電子線描画装置により描画して作製するには、従来、凹溝あるいはその間の凸条をマスクの全範囲にわたって描くための多くの描画データを必要とし、製造が困難になる場合がある。
【００１３】
　本発明は従来技術のこのような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、凹溝ピッチが溝に直交する方向の位置に応じて変化する位相マスクの電子線描画を簡単に行うことができる光ファイバー加工用位相マスクの製造方法を提供することである。
【００１４】
　本発明のもう１つの目的は、凹溝ピッチが溝方向の位置に応じて変化する光ファイバー加工用位相マスクの電子線描画による製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
　上記目的を達成する本発明の光ファイバー加工用位相マスクの製造方法は、透明基板の１面に格子状の凹溝と凸条の繰り返しパターンが設けられ、その繰り返しパターンによる回折光を光ファイバーに照射して異なる次数の回折光相互の干渉縞により光ファイバー中に回折格子を作製する光ファイバー加工用位相マスクの製造方法において、ピッチが異なる凹溝と凸条からなる複数のパターンを並列させて描画することにより前記の格子状の凹溝と凸条の繰り返しパターンを作製するに際して、１つの凹溝と凸条からなる基本パターンの描画データを基本とし、その基本パターンの描画データの縮尺を変えて前記のピッチが異なる凹溝と凸条からなるパターンを連続的に描画することにより、前記の格子状の凹溝と凸条の繰り返しパターンを作製することを特徴とする方法である。
【００１６】
　この場合、複数のパターンを相互に溝に直交する方向へ並列させて描画することも、溝の方向へ並列させて描画することもできる。
【００１７】
　後者の場合、１つのパターンの凹溝と隣接するパターンの凹溝との溝に直交する方向のずれ幅が、左右の最外端においても１つの凹溝の幅以内にあるようにすることが望ましい。
【００１８】
　また、格子状の凹溝と凸条の繰り返しパターンのピッチの位置に応じた変化は、光ファイバー中に作製される回折格子のピッチの変化に応じて定められ、基本パターンの描画データの縮尺の位置に応じた変化により与えられることが望ましい。
【００１９】
　また、ピッチが異なる凹溝と凸条からなる複数のパターン各々の凹溝あるいは凸条の一方を描画する走査線数及び他方をブランキングする走査線数が、何れのパターンにおいても同じ本数であるであることが望ましい。
【００２０】
　このような格子状の凹溝と凸条の繰り返しパターンは、電子線描画により形成することができる。
【００２１】
　また、格子状の凹溝と凸条の繰り返しパターンのピッチは、例えば０．８５μｍ〜１．２５μｍの間で変化するものとすることができる。
【００２２】
　なお、格子状の凹溝と凸条の繰り返しパターンの凹溝と凸条の高さの差は、光ファイバー加工用の紫外線が透過する際に位相が略πだけずれる大きさであることが望ましい。
【発明の効果】
【００２３】
　本発明においては、１つの凹溝と凸条からなる基本パターンの描画データを基本とし、その基本パターンの描画データの縮尺を変えてピッチが異なる凹溝と凸条からなるパターンを連続的に描画することにより、ピッチが異なる凹溝と凸条からなる複数のパターンが並列されてなる光ファイバー加工用位相マスクを作製するので、描画データ量を大幅に低減することができ、パターン作製が容易になる。また、この手法により、任意のピッチ配列の位相マスクが作製可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
　以下に、本発明の光ファイバー加工用位相マスク及びその製造方法を実施例に基づいて説明する。
【００２５】
　図２（ｂ）に、図７（ａ）のような配置で光ファイバー中にブラック回折格子を作製するための交互に凹溝２６と凸条２７の繰り返しパターンからなる位相マスク２１の断面図を示す。このようなマスク２１の凹溝２６と凸条２７は、図２（ａ）の上面図に示すように、電子ビームの走査線２８が凹溝２６に沿う方向へ向くようにラスタースキャンして描画することにより凹溝２６を露光し、図に破線で示すように、電子ビームのスキャンをブランクにすることにより凸条２７を作製する場合を考える。マスク２１全体の露光は、図２（ａ）中、二重矢印で示す方向へラスタースキャンを行い、上記のように、凹溝２６を描画すべき位置においては所定の走査線数（図の場合は５本）だけ実際のスキャンを行い、次の凸条２７を描画すべき位置においては同じ走査線数だけスキャンをブランクにし、これを繰り返すことにより所定長さの位相マスク２１が電子線露光される。
【００２６】
　本発明においては、上記のように電子ビームの走査線２８によるラスタースキャンを行うことによりマスク２１全体の露光を行う場合に、凹溝２６又は凸条２７のピッチを溝２６に直交する方向あるいは溝２６の方向の位置に応じて線形あるいは非線形に増加あるいは減少させるものである。この場合に、凹溝２６の幅をその変化に従って増加あるいは減少させるが、１本の凹溝２６を描画するラスタースキャンの走査線数を何れの位置においても同じにし、その走査線２８の中心間の距離をその変化に応じて増加あるいは減少させるようにするものである。
【００２７】
　図１は溝２６に直交する方向の位置に応じて線形あるいは非線形に凹溝２６又は凸条２７のピッチを増加あるいは減少させる場合の描画方法を説明するための上面図であり、位相マスク２１のサンプルされた左端の領域Ａ1 は凹溝２６又は凸条２７のピッチＰ1 、サンプルされた中央の領域Ａ2 は凹溝２６又は凸条２７のピッチＰ2 、サンプルされた右端の領域Ａ3 は凹溝２６又は凸条２７のピッチＰ3 を有する。ここで、Ｐ1 ＜Ｐ2 ＜Ｐ3 とする。電子ビームの走査線２８を上から下へ描きながら左端から右端へラスタースキャンにより各凹溝２６部を描画する。その際、領域Ａ1 においても、領域Ａ2 においても、また、領域Ａ3 においても、１本の凹溝２６を描画する走査線数を同じにする（図の場合は５本）。そして、凸条２７を描画すべき位置においては同じ走査線数だけスキャンをブランクにする。そのため、その走査線２８の中心間の距離は、ピッチＰ1 、Ｐ2 、Ｐ3 に応じて領域Ａ1 、Ａ2 、Ａ3 で変化する。
【００２８】
　このような描画方法を採用した場合に、凹溝２６部での走査線２８間の電子ビームにより露光されなかった部分の面積が領域Ａ1 、Ａ2 、Ａ3 によって変化し、電子線レジスト（図６参照）現像後にその未露光部が残ることが考えられるが、実際には走査線２８に相当する部分の現像に伴ってその未露光レジストは除去されるので何ら問題にはならない。
【００２９】
　以上のように、位相マスク２１の凹溝２６又は凸条２７のピッチを溝２６に直交する方向の位置に応じて線形あるいは非線形に増加あるいは減少させ、凹溝２６と凸条２７の幅をその変化に従って増加あるいは減少させるが、１本の凹溝２６を描画するラスタースキャンの走査線数を何れの位置においても同じにする描画方法を採用すると、描画データとしてマスク２１の１ピッチ分の基本パターンデータと、溝２６に直交する方向の位置に応じたピッチの変化関数に対応するその基本パターンデータに対する縮尺変化関数とを用意するだけで、全体の位相マスク２１のパターンを電子ビーム描画できる。
【００３０】
　図３は溝２６の方向の位置に応じて線形あるいは非線形に凹溝２６又は凸条２７のピッチを増加あるいは減少させる場合の描画方法を説明するための上面図であり、位相マスク２１の溝２６に沿う方向の下端の領域Ｂ1 は凹溝２６又は凸条２７のピッチＰ1 、溝２６に沿う方向のその上の領域Ｂ2 は凹溝２６又は凸条２７のピッチＰ2 、溝２６に沿う方向のその上の領域Ｂ3 は凹溝２６又は凸条２７のピッチＰ3 、・・・、溝２６に沿う方向の上端の下の領域Ｂ7 は凹溝２６又は凸条２７のピッチＰ7 、溝２６に沿う方向の上端の領域Ｂ8 は凹溝２６又は凸条２７のピッチＰ8 を有する。ここで、Ｐ1 ＞Ｐ2 ＞Ｐ3 ＞・・・＞Ｐ7 ＞Ｐ8 とする。１つの領域Ｂn （ｎ＝１〜７）の各凹溝２６部を電子ビームのラスタースキャンで上から下へ描き、その次の領域Ｂn+1 の描画を同様に描画して全ての領域Ｂ1 〜Ｂ8 の凹溝２６部の描画を行う。その際、何れの領域Ｂ1 〜Ｂ8 においても、１本の凹溝２６を描画する走査線数を同じにする（図の場合は５本）。そして、凸条２７を描画すべき位置においては同じ走査線数だけスキャンをブランクにする。そのため、その走査線２８の中心間の距離は、ピッチＰ1 〜Ｐ8 に応じて領域Ｂ1 〜Ｂ8 で変化する。
【００３１】
　このような描画方法を採用した場合に、凹溝２６部での走査線２８間の電子ビームにより露光されなかった部分の面積が領域Ｂ1 〜Ｂ8 によって変化し、電子線レジスト（図６参照）現像後にその未露光部が残ることが考えられるが、実際には走査線２８に相当する部分の現像に伴ってその未露光レジストは除去されるので何ら問題にはならない。
【００３２】
以上のように、位相マスク２１の凹溝２６又は凸条２７のピッチを溝２６の方向の位置に応じて線形あるいは非線形に増加あるいは減少させ、凹溝２６と凸条２７の幅をその変化に従って増加あるいは減少させるが、１本の凹溝２６を描画するラスタースキャンの走査線数を何れの位置においても同じにする描画方法を採用すると、描画データとしてマスク２１の１ピッチ分の基本パターンデータと、溝２６の方向の位置に応じたピッチの変化関数に対応するその基本パターンデータに対する縮尺変化関数とを用意するだけで、全体の位相マスク２１のパターンを電子ビーム描画できる。
【００３３】
　なお、図３のように、溝２６の方向の位置に応じて線形あるいは非線形に凹溝２６又は凸条２７のピッチを増加あるいは減少させた位相マスク２１は、光ファイバー中に形成するブラック回折格子のピッチが格子溝の方向の位置に応じて線形あるいは非線形に増加あるいは減少しているグレーティングを製造するのに適している。このようなグレーティングは、例えば光ファイバー中の位置に応じて反射波長が異なるようにするのに適している。また、このような位相マスク２１の凹溝２６及び凸条２７は図７（ａ）の紙面に垂直な方向に伸びているので、位相マスク２１の紙面に垂直な方向の位置を調節することにより、光ファイバー２２中に作製するグレーティングのピッチを選択調節するために用いることもできる。
【００３４】
　なお、図３の描画方法の場合、１つの領域Ｂn の凹溝２６とその次の領域Ｂn+1 の凹溝２６との溝２６に直交する方向のずれ幅は、図４に示すように、それらの左右の最外端においても、１つの凹溝２６の幅以内にあるように、上記の縮尺変化関数を設定する必要がある。また、相互に隣接する領域Ｂn とＢn+1 間の描画は相互に接触すればよいが、相互に一部重なるようにする方が凹溝２６及び凸条２７がスムーズに繋がるようになるので望ましい。
【００３５】
　図５は従来技術による場合と比較して本発明の描画方法を模式的に示す図である。この図は、図１の描画方法に対応する図であるが、図３の描画方法の場合も略同様である。位相マスク２１の凹溝２６又は凸条２７のピッチを位置に応じて線形あるいは非線形に増加あるいは減少させる場合、従来の描画方法に従えば、図５（ｂ）に示すように、位相マスク２１の位置に応じて多数の描画パターンデータＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，・・・・・Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚを用意しておかなければならず、描画データ量が膨大になる。これに対して、本発明の描画方法においては、基本パターンデータＡと位置ｘ（図１の場合は、溝２６に直交する方向の位置、図３の場合は、溝２６の方向の位置）に応じた縮尺変化関数β（ｘ）とを用意しておき、描画の際に、図５（ａ）に示すよう、Ａ×β（ｘ）＝Ａn と基本パターンデータＡをその位置に応じて縮尺して用いればよく、描画データ量が少なくてすみ、描画が簡単になる。なお、図１、図５（ａ）において、上下方向の描画範囲が位置によって異なるのは、左右方向だけでなる上下方向の縮尺も同時に変えているからであり、縮尺を位置に応じて左右方向だけ変化するようにする場合（図３の場合は特に必要）は、上下方向の描画範囲は全ての位置で揃えることができる。
【００３６】
　具体例として、基本パターンデータとして、０．１２５μｍのアドレスユニットからなり、１０本の走査線からなる１ピッチ分の描画データを用意し、縮尺は（所望の格子ピッチ）／（０．１２５×１０）で与えられる。この縮尺と基本パターンデータとを用いて、電子線描画装置により透明基板上に塗布された電子線レジスト上を描画する。以下、このような描画方法を用いた本発明の位相マスクの製造方法の１実施例を説明する。
【００３７】
　図６はこの実施例の工程を示した断面図である。図６中、１０は位相マスクのブランク、１１は石英基板、１２はクロム薄膜、１２Ａはクロム薄膜パターン、１２Ｂはクロム薄膜開口部、１３は電子線レジスト、１３Ａはレジストパターン、１３Ｂはレジスト開口部、１４は電子線（ビーム）、２１は位相マスク、２６は凹溝、２７は凸条である。
【００３８】
　まず、図６（ａ）に示すように、石英基板１１上に１５０Å厚のクロム薄膜１２をスパッタにて成膜したブランクス１０を用意した。クロム薄膜１２は、後工程の電子線レジスト１３に電子線１４を照射する際のチャージアップ防止に役立ち、石英基板に凹溝２６を作製する際のマスクとなるものであるが、クロム薄膜エッチングにおける解像性の点でもその厚さの制御は重要で、１００〜２００Å厚が適当である。
【００３９】
　次いで、図６（ｂ）に示すように、電子線レジスト１３としては、電子線レジストＲＥ５１００Ｐ（日立化成（株）製）を用い、厚さ４００ｎｍに塗布し、乾燥した。
【００４０】
　この後、図６（ｃ）に示すように、電子線レジスト１３を電子線描画装置ＭＥＢＥＳIII （ＥＴＥＣ社製）にて露光量１．２μＣ／ｃｍ2 で、図１、図３を用いて説明したように、凹溝２６のピッチが溝２６に直交する方向の位置あるいは溝２６の方向の位置に応じて図の左から右あるいは手前から奥にかけて線形に増加するように、かつ、凹溝２６と凸条２７の幅がその変化に従って増加するようにしながら、１本の凹溝２６を描画するラスタースキャンの走査線数を何れの位置においても５本にするように、電子ビーム１４の走査線間の幅を順次制御しながら露光した。
【００４１】
　露光後、９０℃で５分間ベーク（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ　Ｂａｋｉｎｇ）した後、２．３８％濃度のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）で電子線レジスト１３を現像し、図６（ｄ）に示すような所望のレジストパターン１３Ａを形成した。なお、露光後のベーク（ＰＥＢ）は電子ビーム１４が照射された部分を選択的に感度アップするためのものである。
【００４２】
　次いで、レジストパターン１３Ａをマスクとして、ＣＨ2 Ｃｌ2 ガスを用いてドライエッチングして、図６（ｅ）に示すようなクロム薄膜パターン１２Ａを形成した。
【００４３】
　次いで、図６（ｆ）に示すように、クロム薄膜パターン１２ＡをマスクとしてＣＦ4 ガスを用いて石英基板１１を深さ２４０ｎｍだけエッチングした。深さの制御はエッチング時間を制御することにより行われ、深さ２００〜４００ｎｍの範囲で制御してエッチングが可能である。
【００４４】
　この後、図６（ｇ）に示すように、７０℃の硫酸にてレジストパターン１３Ａを剥離し、次いで、図６（ｈ）に示すように、硝酸第二セリウムアンモニウム溶液によりクロム薄膜パターン１２Ａをエッチングして除去し、洗浄処理を経て、深さ２４０ｎｍ、ピッチが溝２６に直交する方向又は溝２６の方向に０．８５μｍから１．２５μｍへ線形に変化するライン（凸条２７）＆スペース（凹溝２６）の位相マスク２１を完成した。
【００４５】
　以上、本発明の光ファイバー加工用位相マスク及びその製造方法を実施例に基づいて説明してきたが、本発明はこれら実施例に限定されず種々の変形が可能である。なお、以上の本発明の説明においては、電子線描画装置としてラスタースキャン型のものを用いるものとしたが、ベクタースキャン型のもの、あるいはその他の方式を用いる場合にも、本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の製造方法において用いる第１の描画方法を説明するための上面図である。
【図２】位相マスクの製造方法において用いられる電子線描画方法と位相マスクの断面を示す図である。
【図３】本発明の製造方法において用いる第２の描画方法を説明するための上面図である。
【図４】第２の描画方法における隣接する領域の凹溝間のずれ幅を説明するための図である。
【図５】従来技術による場合と比較して本発明による描画方法を模式的に示す図である。
【図６】本発明の位相マスクの製造方法の１実施例の工程を示した断面図である。
【図７】光ファイバー加工とそれに用いられる位相マスクを説明するための図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０…位相マスクのブランク
１１…石英基板
１２…クロム薄膜
１２Ａ…クロム薄膜パターン
１２Ｂ…クロム薄膜開口部
１３…電子線レジスト
１３Ａ…レジストパターン
１３Ｂ…レジスト開口部
１４…電子線（ビーム）
２１…位相シフトマスク
２２…光ファイバー
２２Ａ…光ファイバーのコア
２２Ｂ…光ファイバーのクラッド
２３…ＫｒＦエキシマレーザ光
２４…干渉縞パターン
２５Ａ…０次光（ビーム）
２５Ｂ…プラス１次回折光
２５Ｃ…マイナス１次回折光
２６…凹溝
２７…凸条
２８…電子ビームの走査線
Ａ1 〜Ａ3 …領域
Ｂ1 〜Ｂ8 …領域
Ｐ1 〜Ｐ8 …ピッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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