(57)【要約】【課題】線膨張係数が大きく相違する２つの半導体ウエハを貼り合せると、ダメージが発生した。【解決手段】Ｓｉ半導体ウエハ１と３−５族化合物半導体ウエハ２との間に拡散可能な金属から成る金属膜４を配置した積層体５を作り、加圧及び加熱してＳｉ半導体ウエハ１と化合物半導体ウエハ２とを貼り合せる。加熱温度をＳｉ半導体ウエハ１及び化合物半導体ウエハの塑性温度よりも広く且つ金属の拡散可能な温度として固相拡散接合によってＳｉ半導体ウエハ１と化合物半導体ウエハ２とを貼り合せる。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の線膨張係数を有する半導体ウエハと、前記第１の線膨張係数と相違する第２の線膨張係数を有する板状体とを金属膜を介して積層する工程と、
前記金属膜に対して、前記金属膜を構成する金属の拡散温度よりも高く且つ前記半導体ウエハ及び前記板状体を構成する材料の塑性温度よりも低い温度の熱処理を施して、前記金属を前記半導体ウエハと板状体とのいずれか一方又は両方に拡散させて半導体ウエハ貼り合せ体を得る工程と
を有する半導体ウエハ貼り合せ体の製造方法。
【請求項２】
第１の線膨張係数を有する半導体ウエハと、前記第１の線膨張係数と相違する第２の線膨張係数を有する板状体とを用意する工程と、
前記半導体ウエハ又は前記板状体の一方の主面に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜に前記板状体又は前記半導体ウエハの他方の主面を接触させて前記半導体ウエハと前記金属膜と前記板状体との積層体を得る工程と、
前記積層体の前記金属膜に対して、前記金属膜を構成する金属の拡散温度よりも高く且つ前記半導体ウエハ及び前記板状体を構成する材料の塑性温度よりも低い温度の熱処理を施して、前記金属を少なくとも前記半導体ウエハに拡散させて半導体ウエハ貼り合せ体を得る工程と
を有する半導体ウエハ貼り合せ体の製造方法。
【請求項３】
第１の線膨張係数を有する半導体ウエハと、前記第１の線膨張係数と相違する第２の線膨張係数を有する板状体とを用意する工程と、
前記半導体ウエハの一方の主面に拡散阻止膜を形成する工程と、
前記拡散阻止膜の表面に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜に前記板状体の一方の主面を接触させて前記半導体ウエハと前記拡散阻止膜と前記金属膜と前記板状体との積層体を得る工程と、
前記金属膜に対して、前記金属膜を構成する金属の前記板状体への拡散温度よりも高く且つ前記半導体ウエハ及び前記板状体を構成するそれぞれの材料のそれぞれの塑性温度よりも低い温度の熱処理を施して、前記金属を少なくとも前記板状体に拡散させて半導体ウエハ貼り合せ体を得る工程と
を有する半導体ウエハ貼り合せ体の製造方法。
【請求項４】
更に、前記板状体の一方の主面に前記金属膜を形成する工程を有し、前記半導体ウエハの金属膜と前記板状体の金属膜を密着させて前記熱処理を施すことを特徴とする請求項１又は２又は３記載の半導体ウエハ貼り合せ体の製造方法。
【請求項５】
第１の線膨張係数を有する半導体ウエハと、前記第１の線膨張係数と相違する第２の線膨張係数を有する金属板とを積層する工程と、
前記金属板に対して、前記金属板を構成する金属の拡散温度よりも高く且つ前記半導体ウエハ及び前記金属板を構成する材料の塑性温度よりも低い温度の熱処理を施して、前記金属を前記半導体ウエハに拡散させて半導体ウエハ貼り合せ体を得る工程と
を有する半導体ウエハ貼り合せ体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハを線膨張係数の異なる板状体に貼り合せる方法、即ち半導体ウエハ貼り合せ体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
複数枚の半導体ウエハの貼り合せ体、又は半導体ウエハとサファイア等の絶縁基板等との貼り合せ体は、例えば半導体等の基板上に半導体をエピタキシャル成長させた構造のエピタキシャルウエハの代替等として用いられている。
【０００３】
従来の半導体ウエハ貼り合せ体は、周知の水素結合方法等を利用して製作されていた。即ち、複数枚の半導体ウエハを貼り合せる場合には、２枚の半導体ウエハを用意し、そのウエハ貼着面となる主面に鏡面仕上げを施す。ＧａＰ等の化合物半導体やシリコンは比較的親水性に優れるため、清浄な雰囲気中で２枚の半導体ウエハの鏡面を対向させて貼り合せて熱処理（例えば３００〜７００℃）を施すと、半導体ウエハ表面のＨ２Ｏ分子を介してウエハが水素結合する。更にこの貼り合せたウエハに対して、結晶塑性温度（例えば７００〜８００℃）を超える温度（例えば８００〜１０００℃）の加熱を施すと、２つのウエハ間で互いの原子が移動する。その後ウエハを冷却すると、２つのウエハが強固に貼り合された半導体ウエハが得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の半導体ウエハ体の製造方法では、２つの半導体ウエハを相互に密着させた状態で結晶塑性温度以上に加熱し、その後にこれらを冷却する必要がある。このため、半導体ウエハには線膨張係数差に起因する歪み、反り等が発生する。
【０００５】
貼り合せる半導体ウエハ等が同じ材料系から成る場合や、ＧａＰ（燐化ガリウム）とＡｌＧａＩｎＰ（アルミニウムガリウムインジウム燐）のようにお互いの線膨張係数差がかなり小さい半導体ウエハを貼り合せる場合は、線膨張係数差に起因する歪みや反りが発生し難い。
しかし、Ｓｉ（シリコン）とＧａＡｓ（ガリウム砒素）やＡｌＧａＩｎＰ（アルミニウムガリウムインジウム燐）のようにお互いの線膨張係数差が大きい半導体ウエハ等を貼り合せる場合には、ウエハ接合の時、特にウエハの冷却工程の時に線膨張係数差に起因する歪みや反りが発生し、ウエハにダメージを与えやすい。このため、従来の半導体ウエハ貼り合せ方法は、線膨張係数差が比較的大きいウエハについては実用化できなかった。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、線膨張係数が異なる半導体ウエハと板状体とを、ダメージを抑制して貼り合せることできる半導体ウエハ貼り合せ体の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決し、上記目的を達成するための本発明は、第１の線膨張係数を有する半導体ウエハと、前記第１の線膨張係数と相違する第２の線膨張係数を有する板状体とを金属膜を介して積層する工程と、前記金属膜に対して、前記金属膜を構成する金属の拡散温度よりも高く且つ前記半導体ウエハ及び前記板状体を構成する材料の塑性温度よりも低い温度の熱処理を施して、前記金属を前記半導体ウエハと板状体とのいずれか一方又は両方に拡散させて半導体ウエハ貼り合せ体を得る工程とを有する半導体ウエハ貼り合せ体の製造方法に係わるものである。
【０００８】
なお、請求項２に示すように金属膜を半導体ウエハの一方の表面に予め被着させておくことが望ましい。
また、請求項３に示すように半導体ウエハに予め拡散阻止膜を形成することが望ましい。
また、請求項４に示すように、半導体ウエハと板状体との両方に予め金属膜をそれぞれ形成することができる。
又、請求項５に示すように、半導体ウエハを金属板に直接に貼り合せる時にも本発明を適用することができる。
【０００９】
上記板状体は、上記半導体ウエハと異なる材料の半導体ウエハ、ガラス、サフアイャ等の絶縁基板、又はＡｌ等の金属基板、又は導電基板等の板状体である。上記板状体がＳｉ、上記半導体ウエハが３−５族化合物半導体の場合には、金属膜の金属として拡散温度が４００℃以下のＡｕ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｉｎから選択されたものの少なくとも１種を使用することが望ましい。この内、特にＡｕは金属膜を構成する金属の板状体への拡散を阻止する酸化膜が生成され難く且つ拡散接合温度即ち貼り合せ開始温度が約２４７℃であって比較的低いため、上記金属膜に適する。
上記熱処理の温度はできるだけ低いことが望ましい。金属膜がＡｕの場合には、固相拡散接合温度即ち貼り合せ開始温度が２４７℃であり、熱処理温度を２６０℃程度にすることができる。しかし、半導体ウエハと板状体との線膨張係数差が１．１〜２倍程度の時には、貼り合せ時の熱処理温度が４００℃以下であれば、特性上問題になるダメージが発生し難い。
【００１０】
【発明の効果】
本発明では、半導体ウエハ及び板状体の塑性温度よりも低い温度の熱処理によって半導体ウエハと板状体を貼り合せる。このため、半導体ウエハと板状体の線膨張係数差が比較的大きい場合であっても、線膨張係数差に起因した歪みや反りの発生を抑えることができ、半導体ウエハと板状体の一方又は両方のダメージを抑制することができる。
なお、本発明によれば、半導体ウエハと板状体の線膨張係数差が例えば１．２倍以上のように比較的大きい場合の貼り合せに大きな効果が得られる。しかし、降伏応力（結晶破壊応力）が小さい半導体ウエハ等を貼り合せる場合には、線膨張係数差が比較的小さい時でもダメージが発生しやすい。従って、このような場合には、線膨張係数差が比較的小さな半導体ウエハ等を貼り合せる時でも効果が得られる。
また、請求項３の発明によれば、金属膜の金属と板状体の材料とのいずれか一方又は両方の半導体ウエハへの拡散を阻止膜で抑制することができ、半導体ウエハの特性劣化を防ぐことができる。
【００１１】
【第１の実施形態】
次に、図１〜図３を参照して本発明の第１の実施形態の貼り合せ半導体ウエハの製造方法を説明する。
【００１２】
まず、図１（Ａ）に示す板状体としてのＳｉ半導体ウエハ１と、図１（Ｂ）に示す半導体ウエハとしての化合物半導体ウエハ２を用意する。Ｓｉ半導体ウエハ１と化合物半導体ウエハ２とは、線膨張係数即ち熱膨張係数が大きく相違する。
【００１３】
Ｓｉ半導体ウエハ１はその上面に貼着される化合物半導体ウエハ２の支持板として機能する部分であり、厚さ約１００μｍ〜３００μｍのシリコン単結晶基板から成り、その線膨張係数は約３×１０−６／℃である。この実施形態ではＳｉ半導体ウエハ１に不純物が導入されており、Ｓｉ半導体ウエハ１は抵抗値が比較的低いＳｉ基板である。
【００１４】
化合物半導体ウエハ２は、例えば発光層等を構成する部分であり、複数の３−５族化合物半導体層（ＡｌＧａＩｎＰ化合物半導体層やＡｌＧａＡｓ化合物半導体層等）が積層された厚さ約１０μｍの半導体基板である。即ち、図１及び図２において概略的に示されている化合物半導体ウエハ２は、図３に示すようにｎ型バッファ層２ａ、ｎ型クラッド層２ｂ、活性層２ｃ、ｐ型クラッド層２ｄ、コンタクト層２ｅを有し、発光領域として機能する。
この化合物半導体ウエハの線膨張係数は４×１０−６／℃〜６×１０−６℃である。
【００１５】
次に、Ｓｉ半導体ウエハ１と化合物半導体ウエハ２を、Ｈ２ＳＯ４　とＨ２Ｏ２の混合水溶液の洗浄液に浸漬させて、表面の有機物を除去し、更にＨＦ水溶液を用いて半導体ウエハの表面に形成された自然酸化膜を除去し、ウエハ表面を清浄化する。
【００１６】
次に、化合物半導体ウエハ２の一方の主面（下面）に、周知の真空蒸着等によって図１（Ｃ）に示すように例えばＴｉ膜又はＴｉ層から成るバリア金属膜又は拡散阻止層とも呼ぶことができる拡散阻止膜３を形成し、更にこの拡散阻止膜３の表面に例えばＡｕ（金）の膜又は層から成る金属膜４を形成する。金属膜４はこの金属（Ａｕ）をＳｉ半導体ウエハ１にこの塑性温度よりも低い温度で拡散させてＳｉ半導体ウエハ１と化合物半導体ウエハ２とを拡散接合するためのものである。従って、金属膜４を拡散金属膜又は拡散金属層と呼ぶこともできる。本実施形態では、拡散接合が良好に行えるように拡散阻止膜３の厚みを約０．０１μｍ、また拡散用金属膜４の厚みを約０．２μｍにした。
【００１７】
次に、図１（Ｄ）に示すように、化合物半導体ウエハ２の一方の主面側の金属膜４にＳｉ半導体ウエハ１の一方の主面を密着させて、Ｓｉ半導体ウエハ１上に化合物半導体ウエハ２が積層配置して成るウエハ積層体５を形成する。
【００１８】
次に、図１（Ｅ）に示すようにウエハ積層体５を加圧してＳｉ半導体ウエハ１と化合物半導体ウエハ２との密着を維持した状態で、金属膜４に対してＳｉ半導体ウエハ１及び化合物半導体ウエハ２の塑性温度よりも低い約２６０℃の熱処理を約１時間施す。
【００１９】
図２はＳｉ半導体ウエハ１と化合物半導体ウエハ２とを密着させるための加圧治具の１例を示す。加圧治具６は、ウエハ積層体５を支持する支持部材７と、支持部材７の外周に離間して配置されたリング状のホルダ８と、リング状ホルダ８に設けられた吸引路９と、可撓性を有する上下のフィルム部材１０、１１とを備えている。
支持部材７は、多数の孔が形成された通気性を有する多孔質材料から成り、ウエハ積層体５よりも大きな外径を有する。リング状ホルダ８は支持部材７よりも大きな径を有する円形状の貫通孔８ａを有し、この孔８ａ内には支持部材７が配置されている。上述のようにリング状ホルダ８に形成された孔８ａの内径は支持部材７の外径よりも大きいので、リング状ホルダ８と支持部材７との間には隙間が形成される。下側のフィルム部材１０は、リング状ホルダ８の孔８ａの下側を塞ぐように孔８ａの縁部に沿ってリング状ホルダ８の下面に貼着されている。上側のフィルム部材１１は、支持部材７の上に載置された平面形状円形のウエハ積層体５を覆い且つリング状ホルダ８の孔８ａの上側を塞ぐように配置され且つ支持部材７及びリング状ホルダ８の上面に貼着されている。この結果、リング状ホルダ８の孔８ａ内にはリング状ホルダ８の内壁部とフィルム部材１０、１１とによって包囲された空間１２が形成され、この空間１２内にウエハ積層体５が載置された支持部材７が配置される。また、空間１２には吸引路９を介して図示しない吸引ポンプが連結されている。
【００２０】
図２の状態で真空吸引ポンプを用いて空間１２内を真空に吸引すると、ウエハ積層体５は支持部材７の上面に吸着される。また空間１２内が真空に引かれることで下側フィルム部材１０が支持部材７に密着し、上側フィルム１１がウエハ積層体５及び支持部材７に密着し、ウエハ積層体５は上側フィルム部材１１と下側フィルム部材１０との間に支持部材７を介して強く挟持される。この結果、ウエハ積層体５は図１（Ｅ）で対の矢印で示すように厚み方向に加圧され、Ｓｉ半導体ウエハ１と化合物半導体ウエハ２とが金属膜４を介して密着する。真空吸引ポンプによる吸引を続ける間、Ｓｉ半導体ウエハ１と化合物半導体ウエハ２との密着が維持される。
【００２１】
上述のようにＳｉ半導体ウエハ１と化合物半導体ウエハ２とを金属膜４を介して加圧密着させた状態で、金属膜４に対して約２６０℃の熱処理を約１時間施すと、周知の固相拡散接合法によって金属膜４を介してＳｉ半導体ウエハ１と化合物半導体ウエハ２とが接合する。ここで、固相拡散接合法とは、被接合部材を溶融させずに固相状態のままで接合する固相接合方法であり、被接合部材同士を加圧して接合面間に生じる原子の拡散を利用して接合する方法である。
本実施形態では、金属膜４を構成するＡｕ原子がＳｉ半導体ウエハ１に拡散し、またＳｉ半導体ウエハ１を構成するＳｉ原子が金属膜４に拡散する。この結果、金属膜４とＳｉ半導体ウエハ１との界面にＡｕとＳｉの相互拡散領域から成るＡｕ−Ｓｉ混在層即ちＡｕ−Ｓｉ合金層が形成される。なお、金属膜４と化合物半導体ウエハ２との間には拡散阻止膜３が形成されているため、金属膜４を構成するＡｕ原子とＳｉ半導体ウエハ１を構成するＳｉ原子は化合物半導体ウエハ２側には実質的に拡散しない。これは、本実施形態では化合物半導体ウエハ２を例えば半導体発光素子の発光機能層として利用するため、発光機能層への不純物即ちＳｉ、Ａｕの拡散を防止する必要があるからである。従って、このような拡散を防止する必要がない場合には、図４に示すように拡散阻止膜３を省略し、金属膜４を構成する金属原子を化合物半導体ウエハ２にも拡散させても良い。
【００２２】
Ａｕ−Ｓｉ合金層即ちＡｕ−Ｓｉ混在層の形成によって、化合物半導体ウエハ２とＳｉ半導体ウエハ１は図３に示すように拡散阻止膜３及びＡｕ−Ｓｉ混在層４ａを介して強固に接合される。なお、金属膜４に施す熱処理の温度と時間によっては、Ａｕ−Ｓｉ混在層４ａと拡散阻止膜３との間に薄い金属膜４が残存することがある。
【００２３】
発光素子を作る時には、図３の貼り合せ半導体ウエハ５ａ又はこれを所定寸法に切断したものにアノード電極１３とカソード電極１４を設ける。即ち、化合物半導体ウエハ２の上面に一方の電極即ちアノード１３を接続し、ＳＩ半導体ウエハ１の他方の電極即ちカソード１４を接続する。なお、化合物半導体ウエハ２側に電流通路を制限するための周知の電流ブロック層を設けること、及び透明電極を設けることができる。また、カソード１４を化合物半導体ウエハ２の下側部分に接続することもできる。
【００２４】
上述の半導体ウエハ貼り合せ体の製造方法によれば、Ｓｉ半導体ウエハ１と化合物半導体ウエハ２の線膨張係数差が大きいにも拘わらず、２つの半導体ウエハ１、２に特性上問題となるようなダメージを発生させずにウエハを貼着することができる。即ち、本実施形態では、固相拡散接合法を利用しているので、金属膜４を構成する金属原子が拡散する温度の熱処理でウエハ接合が可能であり、その熱処理温度は従来の結晶塑性を伴なうウエハ接合の熱処理温度（結晶塑性温度）よりも十分に低い温度である。このため、線膨張係数差が比較的大きいウエハを接合する場合でも、ウエハ接合工程における加熱及び冷却による半導体ウエハ１、２の伸縮が比較的小さく、これに伴なう半導体ウエハ１、２の歪みや反りを抑制できる。この結果、Ｓｉ半導体ウエハ１及び化合物半導体ウエハ２に特性上問題となるようなダメージを発生させずに、Ｓｉ半導体ウエハ１に対する化合物半導体ウエハ２の貼り合せが可能であり、電気的特性が良好な貼り合せ半導体ウエハ５ａが得られる。
【００２５】
【第２の実施形態】
図５は第２の実施形態のＳｉ半導体ウエハ１と化合物半導体ウエハ２との貼り合せ前の状態を示す。この第２の実施形態の化合物半導体ウエハ２には図１（Ｃ）と同様に拡散阻止膜３を介してＡｕから成る金属膜４が設けられている。また、Ｓｉ半導体ウエハ１の一方の主面にもＡｕから成る金属膜４′が設けられている。貼り合せ半導体ウエハを形成する時には、２つの金属膜４、４′を密着し、第１の実施形態と同様に加圧且つ熱処理を施す。これにより、金属膜４、４´の原子が相互に拡散し、また、Ｓｉ半導体ウエハ１のＳｉが金属膜４、４´に拡散すると共にＡｕがＳｉ半導体ウエハ１に拡散し、両者の貼り合せ体が得られる。
【００２６】
第２の実施形態によっても熱処理の温度をＳｉ半導体ウエハ１の塑性温度よりも低くすることによって第１の実施形態と同様な効果を得ることができる。
【００２７】
【第３の実施形態】
図６に示す第３の実施形態では、化合物半導体ウエハ２に図５と同様に例えばＴｉから成る第１の拡散阻止膜と例えばＡｕから成る第１の金属膜４が設けられ、且つ板状体としてのＳｉ半導体ウエハ１の一方の主面上に例えばＴｉからなる第２の拡散阻止膜３´と例えばＡｕから成る第２の金属膜４´とが設けられている。これ等を貼り合わせる時には、第１及び第２の金属膜４、４´を密着させ、第１の実施形態と同一の方法で加圧及び加熱する。これにより、第１及び第２の金属膜４、４´の原子が相互に拡散して貼り合せ体が得られる。
従って、第３の実施形態によっても第１及び第２の実施形態と同様な効果が得られる。
【００２８】
【第４の実施形態】
図７に示す第４の実施形態では、図１（Ｄ）に示す第１の実施形態の積層体の化合物半導体ウエハ２と拡散阻止層３との間に例えばＡｌから成る光反射膜２０が追加されている。この光反射膜２０は図３に示すように発光素子を形成した時に活性層２ｃからＳｉ半導体ウエハ１側に放射された光をアノ−ド１３側に反射させる働きを有する。
なお、光反射膜２０は、図４、図５及び図６の貼り合せ構造のものにも設けることができる。
【００２９】
【第５の実施形態】
図８に示す第５の実施形態では、図５の実施形態におけるＳｉ半導体ウエハ１の代りに例えばサフアイャ等の絶縁基板１ａが使用されている。この場合には、化合物半導体ウエハ２側の例えばＡｕから成る第１の金属膜４と絶縁基板１ａ側の例えばＡｕから成る第２の金属膜４´とを密着させ、第１の実施形態と同様な加圧及び加熱処理を施し、第１及び第２の金属膜４、４´の原子の拡散によって両者を接合する。なお、図１、図４、図７の実施形態においてＳｉ半導体ウエハ１を図８と同様に絶縁基板とすることができる。
【００３０】
【第６の実施形態】
図９に示す第６の実施形態では、図５の実施形態におけるＳｉ半導体ウエハ１の代りに例えば金（Ａｕ）等の金属基板１ｂが使用されている。この場合には、化合物半導体ウエハ２側の例えばＡｕから成る金属膜４と金属基板１ｂとを密着させ、第１の実施形態と同様な加圧及び加熱処理を施し、金属膜４と金属基板１ａの原子の拡散によって両者を接合する。なお、図１、図４、図７の実施形態においてＳｉ半導体ウエハ１を図９と同様に金属基板とすることができる。
【００３１】
【第７の実施形態】
図１０に示す第７の実施形態では、第１の実施形態におけるＳｉ半導体ウエハ１の代りに、例えばＡｕ等の金属絶縁基板１ｂが使用されている。この場合には、化合物半導体ウエハ２を金属基板１ｂに直接に密着させ、第１の実施形態と同様な加圧及び加熱処理を施し、両者間の原子の拡散によって両者を接合する。
【００３２】
【変形例】
本発明は上述の実施形態に限定されるものでなく、例えば次の変形が可能なものである。
（１）　化合物半導体ウエハ２の中の発光機能層等の構成を種々変形することができる。
（２）　２枚の半導体ウエハ１、２を貼り合せた後に、２枚の半導体ウエハ１、２のいずれか一方又は両方に所定の半導体素子を形成することができる。
（３）　積層体５に対する加圧を、積層体５に耐熱性弾性体を介して荷重を加える方法とすることができる。
（４）　板状体がＳｉ半導体ウエハ１であり、半導体ウエハが３−５族化合物半導体ウエハ２であることが望ましいが、化合物半導体ウエハ２の代りにＳｉ等の半導体ウエハを使用し、Ｓｉ半導体ウエハ１の代りに別の半導体の基板、絶縁基板、金属基板を使用することができる。
（５）　３枚以上の半導体ウエハの貼り合せにも本発明を適用することができる。
（６）　拡散阻止膜３、３´は、Ｔｉ以外にＴａ、Ｎｉ、Ｐｔ、ＭｏＣｒ等で形成しても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の貼り合せ半導体ウエハの構成を製造工程順に示す断面図である。
【図２】ウエハ積層体の加圧装置を示す断面図である。
【図３】第１の実施形態に従って形成した発光素子を示す断面図である。
【図４】第１の実施形態の変形例のウエハ積層体を示す断面図である。
【図５】第２の実施形態のウエハ積層体の積層前の状態を示す断面図である。
【図６】第３の実施形態の積層体の積層前の構成を示す断面図である。
【図７】第４の実施形態の積層体を示す断面図である。
【図８】第５の実施形態の積層体を示す断面図である。
【図９】第６の実施形態の積層体を示す断面図である。
【図１０】第７の実施形態の積層体を示す断面図である。
【符号の説明】
１　Ｓｉ半導体ウエハ
２　化合物半導体ウエハ
３　拡散阻止膜
４　金属膜
５　積層体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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