(57)【要約】【課題】モールド樹脂、半導体チップ等のリードフレームに対する密着性が高く信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】リードフレームと、該リードフレームにおけるアイランド部の表面に設けられた半導体チップとを備え、該半導体チップがリードフレームの端子とワイヤでボンディングされているとともに樹脂により封止されている半導体装置において、上記アイランド部の表面には、アイランド部の裏面に達していない溝が少なくとも１つ設ける。そして、該溝におけるアイランド部の厚さ方向の断面形状を、アイランド部の表面の幅よりもアイランド部の内部側の幅の方が広いオーバーハングした形状にする。【選択図】  図１
2004349397.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームと、該リードフレームにおけるアイランド部の表面に設けられた半導体チップとを備え、該半導体チップがリードフレームの端子とワイヤでボンディングされているとともに樹脂により封止されている半導体装置において、
上記アイランド部の表面には、アイランド部の裏面に達していない溝が少なくとも１つ設けられており、
該溝におけるアイランド部の厚さ方向の断面形状は、アイランド部の表面の幅よりもアイランド部の内部側の幅の方が広いオーバーハングした形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記アイランド部の表面の幅は、リードフレームの厚みの１／２以上であることを特徴とする請求項１の半導体装置。
【請求項３】
上記溝の底面に、半導体チップが備えられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
複数の半導体チップを備えることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
アイランド部と、端子とを有するリードフレームであって、
上記アイランド部の表面には、アイランド部の裏面に達していない溝が少なくとも１つ設けられており、
該溝におけるアイランド部の厚さ方向の断面形状は、アイランド部の表面の幅よりもアイランド部の内部側の幅の方が広いオーバーハングした形状であることを特徴とするリードフレーム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂封止型の半導体装置およびそれに用いられるリードフレームに関し、より詳細には、アイランドおよび各リードの裏面を露出させて、プリント基板に直接その裏面をハンダ付けなどにより実装することができる、いわゆるＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ  Ｌｅａｄ）タイプの樹脂封止型の半導体装置およびそれに用いられるリードフレームに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、リードフレームにおけるアイランドおよび各リードの裏面が樹脂パッケージから露出し、各リードの裏面にて、ハンダ付けなどにより直接プリント基板などに実装するＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ  Ｌｅａｄ）タイプの樹脂封止型の半導体装置が知られている。
【０００３】
従来技術では、特に樹脂との密着の良くないメッキ金属がアイランド表面に広く必要な場合、アイランドと樹脂の間に十分な密着強度は得られず、搭載されたチップが樹脂とアイランドを繋ぐアンカーの役目をしている場合が多く、これらダイボンド接着剤にも高い強度が必要とされているのが現状である。特に複数のチップを実装する必要のあるデュアルバンドパワーアンプなどの場合や、アイランド兼ヒートシンクであるダイボンドエリア面積に対して搭載チップ面積が小さい場合、大きな面積の熱収縮応力を小さなチップと小さな接着面積が背負う事になり、接着接合面の破断によるパッケージクラックや、チップ裏面とフレームのダイボンドエリアとの電気的接合の破断、ひどい場合はアイランドそのものの欠落などが発生するという問題がある。
【０００４】
そこで、この樹脂封止型の半導体装置では、以前からアイランドと樹脂の密着性を向上させるための方法が検討されている。
【０００５】
例えば、特許文献１では、半導体装置において、アイランドの外周辺にフレームを薄肉化した領域を設け、この薄肉化した領域にモールド樹脂を充填することにより、アイランドとモールド樹脂との密着性を向上させている。
【０００６】
また、例えば、特許文献２の樹脂封止型の半導体装置では、図３（ａ）（ｂ）に示すように、リードフレーム４０において、アイランド３２・３３の周囲に複数のリード３１が配列されている。リードフレーム４０のアイランド３３の表面側には、半導体チップ３６が銀ペーストなどの接着剤によりボンディングされている。この半導体チップ３６の各電極端子と複数のリード３１との間は、金線などのワイヤ４１によりワイヤボンディングされて電気的に接続されている。また、半導体チップ３６のアース端子がワイヤ３５により、アイランド３２と電気的に接続されている。そして、リードフレーム４０において、アイランド３２とアイランド３３との間には、スリット３８が形成されている。そして、リードフレーム４０におけるアイランド３２・３３およびリード３１の裏面側を露出させるように、それらの表面側がモールド樹脂３７により被覆されている。これにより、アイランドとモールド樹脂との密着性を向上させている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１１−１０３００３号公報（公開日：平成１１年４月１３日）
【０００８】
【特許文献２】
特開２００１−３１３３６３号公報（公開日：平成１３年１１月９日）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１または特許文献２に記載の構造の半導体装置は、ハンダリフローなどにより直接ハンダ付けすることにより、配線パターンが形成されたプリント基板などに実装される。その実装の際の熱応力によりリードフレームとモールド樹脂、さらにはリードフレームと半導体チップの接着面に破断を生じやすいという問題がある。
【００１０】
さらに、特許文献２に記載のように、安易にダイボンドされたチップ近傍にスリットを設けることは、外部からの水分進入経路を短縮することとなり信頼性上でも大きな問題がある。
【００１１】
また、例えば、封止樹脂とフレームの密着力を上げるためにアイランドの銀メッキ面積を少なくする手法もあるが、アイランド面積が小さく、かつ整合回路などの制約から接地ワイヤ長を厳しくコントロールをする必要のある高周波半導体装置では、公差の大きいメッキエリアへのパターニングは技術的に難しいという問題もある。
【００１２】
また、例えば、デュアルバンドパワーアンプなどの樹脂封止型の半導体装置においてはサイズの異なった複数のチップを実装する必要があり、この場合レイアウト及び作業性の制約からどうしても封止樹脂との密着力の悪い銀メッキ面積アイランドの露出部分が増えてしまい、更に応力が増加するという問題もある。
【００１３】
本発明は、上記従来の問題に鑑みなされたものであり、その目的は、モールド樹脂、半導体チップ等のリードフレームに対する密着性が高く信頼性の高い半導体装置およびそれに用いられるリードフレームを提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、上記課題を解決するために、リードフレームと、該リードフレームにおけるアイランド部の表面に設けられた半導体チップとを備え、該半導体チップがリードフレームの端子とワイヤでボンディングされているとともに樹脂により封止されている半導体装置において、上記アイランド部の表面には、アイランド部の裏面に達していない溝が少なくとも１つ設けられており、該溝におけるアイランド部の厚さ方向の断面形状は、アイランド部の表面の幅よりもアイランド部の内部側の幅の方が広いオーバーハングした形状であることを特徴としている。
【００１５】
上記の構成によれば、樹脂が溝に入り込んでいるため、溝に入り込んだ樹脂が該溝におけるアイランド部の表面側がオーバーハングした形状により、リードフレーム（アイランド部）と封止した樹脂全体とを繋ぐアンカーの役目を果たす。これにより、樹脂が、リードフレーム（アイランド部）から容易に剥離することを防止することができ、樹脂とリードフレームとの密着性を向上させることができる。
【００１６】
また、半導体チップは、密着性が向上したリードフレームと封止した樹脂とに挟まれているため、熱応力などによってリードフレームから剥離されることが防止される。これにより、半導体チップとリードフレームの端子とを接続するワイヤが半導体チップおよびリードフレームの端子から脱離することが防止することができる。したがって、半導体チップとリードフレームの端子との電気的導通が損なわれることを防止することができる。
【００１７】
さらに、アイランド部には、表面から裏面に達する孔、スリットなどが形成されていないので、接着されている半導体チップの近傍に外部からの水分進入経路を短縮するような経路がない。つまり、半導体チップへの水分進入経路が長く確保されるため、半導体装置自体の信頼性向上につながる。また、アイランド部には、表面から裏面に達する孔、スリットなどが形成されていないので、半導体チップの動作による熱を放出するための放熱面積（アイランド部の面積）を十分確保することができる。したがって、信頼性およびと品質の高い半導体装置を提供することができる。また、上記のように、溝をアイランド部に設けているだけであるので、コスト的にも安価である。
【００１８】
また、上記アイランド部の表面の幅は、リードフレームの厚みの１／２以上であることが好ましい。
【００１９】
本発明の半導体装置は、上記溝の底面に、半導体チップが備えられていることが好ましい。
【００２０】
上記の構成によれば、上記溝は、半導体チップを備えるようにアイランド部の表面に広く形成されている。つまり、リードフレームと封止した樹脂全体とを繋ぐアンカーの役目を果たす封止した樹脂の部位が大きくなる。したがって、樹脂がリードフレームから容易に剥離することをより一層防止することができる。また、上記のように溝が広く形成されているため、樹脂がこの溝に入り込みやすくなっている。したがって、上記半導体装置では、その製造が容易となっている。
【００２１】
また、本発明の半導体装置は、上記の構成に加えて、複数の半導体チップを備えていることが好ましい。
【００２２】
複数の半導体チップを備えている場合には、レイアウト及び作業性の制約からどうしても樹脂との密着力の悪い銀メッキ等が施されたアイランド部の露出部分が増えてしまうため、応力が増加してしまう。そのため、樹脂とリードフレームとの密着性が低下してしまう。しかしながら、上記の構成によれば、溝を設けているため、リードフレームに銀メッキ等が施されていたとしても、樹脂が、リードフレームから容易に剥離することを防止することができる。
【００２３】
本発明のリードフレームは、上記の課題を解決するために、アイランド部と、端子とを有するリードフレームであって、上記アイランド部の表面には、アイランド部の裏面に達していない溝が少なくとも１つ設けられており、該溝におけるアイランド部の厚さ方向の断面形状は、アイランド部の表面の幅よりもアイランド部の内部側の幅の方が広いオーバーハングした形状であることを特徴としている。
【００２４】
上記の構成によれば、上記リードフレームに半導体チップが搭載され、半導体チップが樹脂で封止されて半導体装置となった場合、樹脂が溝に入り込む。そして、この溝に入り込んだ樹脂が該溝の形状により、リードフレーム（アイランド部）と封止した樹脂全体とを繋ぐアンカーの役目を果たす。これにより、リードフレーム（アイランド部）から樹脂が容易に剥離することを防止することができる。つまり、樹脂との密着性の高いリードフレームを提供することができる。
【００２５】
また、半導体チップは、リードフレームとリードフレームと密着性の高い封止した樹脂とに挟まれているため、熱応力などによってリードフレームから剥離されることが防止される。これにより、半導体チップとリードフレームの端子とを接続するワイヤが半導体チップおよびリードフレームの端子から脱離することが防止することができる。したがって、半導体チップとリードフレームの端子との電気的導通が損なわれることを防止することができる。
【００２６】
さらに、アイランド部には、表面から裏面に達する孔、スリットなどが形成されていないので、後に接着される半導体チップの近傍に外部からの水分進入経路を短縮するような経路がない。つまり、半導体チップへの水分進入経路が長く確保されるため、このリードフレームを用いた半導体装置自体の信頼性向上につながる。また、アイランド部には、表面から裏面に達する孔、スリットなどが形成されていないので、半導体チップの動作による熱を放出するための放熱面積（アイランド部の面積）を十分確保されている。したがって、このリードフレームを用いることにより信頼性およびと品質の高い半導体装置を提供することができる。また、上記のように、溝をアイランド部に設けているだけであるので、コスト的にも安価である。
【００２７】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態１〕
本発明の実施の一形態にかかる半導体装置ついて、図１に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００２８】
図１（ａ）は、本発明にかかるＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ）タイプの樹脂封止型半導体装置の平面図であり、図１（ｂ）はその平面図である。上記半導体装置は、図１（ａ）（ｂ）に示すように、リードフレーム１０の表面にパワーアンプＭＭＩＣなどの半導体チップ６ａ・６ｂを備え、この半導体チップ６ａ・６ｂがモールド樹脂パッケージ（樹脂）７により封止されている構成である。
【００２９】
上記リードフレーム１０は、アイランド部２およびそのアイランド部２の周囲に配列された複数のリード部（端子）１を有している。そして、上記半導体装置では、アイランド部２および各リード部１の裏面が露出されている。上記半導体装置は、例えば、配線パターンが形成されたプリント基板に対して、このアイランド部２および各リード部１の裏面に直接ハンダ付けなどを行うことにより実装される。
【００３０】
上記半導体装置についてより詳細に説明する。
【００３１】
上記アイランド部２は、表面側にダイボンド部（図示せず）を有しており、このダイボンド部にて半導体チップ６ａ・６ｂが接着されている。この半導体チップ６ａ・６ｂは、例えばボンディング用の導電性エポキシ接着剤などでダイボンド部に接着すればよい。
【００３２】
また、上記半導体チップ６ａ・６ｂは、それぞれワイヤ５ａによりアイランド部２に、ワイヤ５ｂによりリード部１に電気的に接続されている。上記ワイヤ５ａ・５ｂは、導電性の線であればよく、例えば金線からなっている。上記半導体チップ６ａ・６ｂは、ワイヤ５ａを介して接地されている。また、半導体チップ６ａ・６ｂは、ワイヤ５ｂを介してリード部１から信号が取り出されるようになっている。
【００３３】
さらに、上記アイランド部２の表面には、エッチングすることにより、少なくとも１つのエッチング部３が形成されている。このエッチング部（溝）３は、上記ワイヤ５ａ・５ｂのレイアウト上の障害とならないアイランド部２の表面の領域に形成されている。このエッチング部３は、アイランド部２の裏面まで貫通していない。また、このエッチング部３におけるアイランド部２の厚さ方向における断面形状は、アイランド部２の表面側がオーバーハングした形状となっている。言い換えれば、上記エッチング部３の断面形状は、アイランド部２の表面側の幅よりもアイランド部２の厚み方向側（アイランド部２の内部）の幅が広くなっている。上記のエッチング部３は、例えば、エッチングを行う際に、形成されるエッチング部３における壁面形状をコントロールして逆テーパーをつけることにより、容易に形成することができる。また、上記エッチング部３は、アイランド部２の表面において、帯状に形成されている。
【００３４】
モールド樹脂パッケージ７は、リードフレーム１０上に半導体チップ６ａ・６ｂが接着され、ワイヤ５ａ・５ｂが接続された後（アセンブリ作業が施された後）、リードフレーム全体をトランスファーモールド金型に挿入し、モールド樹脂のトランスファー形成を行うことにより形成することができる。モールド樹脂パッケージ７の形成後、余分なリードの切断と樹脂バリなどが除去される。
【００３５】
このモールド樹脂パッケージ７を形成する時、エッチング部３にモールド樹脂が入り込む。そして、完成した半導体装置では、エッチング部３に入り込んだモールド樹脂が、そのエッチング部３の形状によりリードフレーム１０とモールド樹脂パッケージ７とを繋ぐアンカーの役目を果たす。これにより、例えばリードフレーム１０が銀メッキされていたとしても、モールド樹脂パッケージ７が、リードフレーム１０から容易に剥離することが無くなる。
【００３６】
つまり、アイランド部２にエッチング部３を形成する事により、モールド樹脂パッケージ７のトランスファー形成後、例えば、半導体装置を配線パターンが形成されたプリント基板に対してハンダ付けする場合等、に生じる熱応力などによってアイランド部２とモールド樹脂パッケージ７とが剥離することを防止することができる。言い換えれば、アイランド部２とモールド樹脂パッケージ７との密着性を向上させることができる。
【００３７】
また、半導体チップ６ａ・６ｂは、剥離が防止されている（密着性が向上した）アイランド部２とモールド樹脂パッケージ７とに挟まれているため、熱応力などによってアイランド部２から剥離されることが防止される。これにより、半導体チップ６ａ・６ｂとリードフレーム１０（アイランド部２・リード部１）とを接続するワイヤ５ａ・５ｂが半導体チップ６ａ・６ｂおよびリードフレーム１０（アイランド部２・リード部１）から脱離することが防止することができる。したがって、半導体チップ６ａ・６ｂとリードフレーム１０（アイランド部２・リード部１）とのの電気的導通が損なわれることを防止することができる。
【００３８】
さらに、アイランド部２には、表面から裏面に達する孔、スリットなどが形成されていないので、接着されている半導体チップ６ａ・６ｂの近傍に外部からの水分進入経路を短縮するような経路がない。つまり、半導体チップ６ａ・６ｂへの水分進入経路が長く確保されるため、半導体装置自体の信頼性向上につながる。また、アイランド部２には、表面から裏面に達する孔、スリットなどが形成されていないので、半導体チップ６ａ・６ｂの動作による熱を放出するための放熱面積（アイランド部２の面積）を十分確保することができる。
【００３９】
したがって、半導体装置の安定した信頼性と品質とを確保することができる。また、上記のように、エッチング部３を設けているだけであるので、コスト的にも安価である。
【００４０】
また、半導体チップ６ａ・６ｂは、略矩形の形状である。そして、上記エッチング部３は、この半導体チップ６ａ・６ｂの相対する２辺に対して、略平行に帯状に形成されていることが好ましい。これにより、熱応力により半導体チップ６ａ・６ｂがアイランド部から剥離することをより一層防止することができる。また、半導体チップ６ａ・６ｂが接着されているダイボンド部を囲むようにエッチング部を形成してもよい。これにより、半導体チップ６ａ・６ｂがアイランド部から剥離することをより一層防止することができる。
【００４１】
また、上記エッチング部３の断面形状におけるアイランド部２の表面側の幅（上記幅とは、帯状のエッチング部３における帯の方向に対して垂直方向の幅でとする）は、アイランド部２（リードフレーム１０）の厚さの１／２以上の幅であることが好ましい。
【００４２】
また、上記エッチング部３は、アイランド部２の端部に達していないことが好ましい。
【００４３】
〔実施の形態２〕
本発明の他の実施の形態にかかる半導体装置について、図２に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記実施の形態１にて示した各部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。
【００４４】
本実施の形態の半導体装置は、図２（ａ）（ｂ）に示すように、実施の形態１の半導体装置におけるアイランド部２に形成されているエッチング部３に代えて、アイランド部２のエッチング部（溝）４を備える構成である。
【００４５】
上記エッチング部４は、アイランド部２の表面側に形成されている。また、このエッチング部４は、アイランド部２の裏面まで貫通していない。
【００４６】
また、このエッチング部４におけるアイランド部２の厚さ方向における断面形状は、アイランド部２の表面側がオーバーハングした形状となっている。言い換えれば、上記エッチング部４の断面形状は、アイランド部２の表面側の幅よりもアイランド部２の厚み方向側（アイランド部２の内部）の幅が広くなっている。上記のエッチング部４は、実施の形態１と同様に、例えば、エッチングを行う際に、形成されるエッチング部４における壁面形状をコントロールして逆テーパーをつけることにより、容易に形成することができる。
【００４７】
また、上記エッチング部４における底部には、ダイボンド部（図示せず）を設け、このダイボンド部にて半導体チップ６ａ・６ｂが接着されている。この半導体チップ６ａ・６ｂは、例えばボンディング用の導電性エポキシ接着剤などでダイボンド部に接着すればよい。
【００４８】
また、上記半導体チップ６ａ・６ｂは、それぞれワイヤ５ａによりアイランド部２に、ワイヤ５ｂによりリード部１に電気的に接続されている。
【００４９】
以降、実施の形態１と同様に、アセンブリ作業を施されたリードフレーム１０全体を、トランスファーモールド金型に挿入し、モールド樹脂パッケージ７のトランスファー形成を行う。モールド樹脂パッケージ７の形成後、余分なリードの切断と樹脂バリなどが除去される。
【００５０】
このモールド樹脂パッケージ７を形成する時、エッチング部４にモールド樹脂が入り込む。このモールド樹脂は、エッチング部４が半導体チップ６ａ・６ｂが備えられるようにアイランド部２における広い領域を占めているので、このエッチング部４に入り込みやすくなっている。つまり、上記トランスファー形成が容易となっている。そして、完成した半導体装置では、エッチング部４に入り込んだモールド樹脂が、そのエッチング部４の形状により、リードフレーム１０とモールド樹脂パッケージ７とを繋ぐアンカーの役目を果たす。このとき、半導体チップ６ａ・６ｂの周囲の部分のモールド樹脂全体がアンカーの役目を果たしており、アンカーの役目を果たす部分が多くなるため、モールド樹脂パッケージ７とアイランド部２（リードフレーム１０）との密着性を向上させることができる。これにより、例えばリードフレーム１０が銀メッキされていたとしても、モールド樹脂パッケージ７が、リードフレーム１０から容易に剥離することが無くなる。
【００５１】
つまり、アイランド部２にエッチング部４を形成する事により、モールド樹脂パッケージ７のトランスファー形成後、例えば、半導体装置を配線パターンが形成されたプリント基板に対してハンダ付けする場合等、に生じる熱応力などによってアイランド部２とモールド樹脂パッケージ７とが剥離することを防止することができる。言い換えれば、アイランド部２とモールド樹脂パッケージ７との密着性を向上させることができる。
【００５２】
また、半導体チップ６ａ・６ｂは、剥離が防止されている（密着性が向上した）アイランド部２とモールド樹脂パッケージ７とに挟まれているため、熱応力などによってアイランド部２から剥離されることが防止される。これにより、半導体チップ６ａ・６ｂとリードフレーム１０（アイランド部２・リード部１）とを接続するワイヤ５ａ・５ｂが半導体チップ６ａ・６ｂおよびリードフレーム１０（アイランド部２・リード部１）から脱離することが防止することができる。したがって、半導体チップ６ａ・６ｂとリードフレーム１０（アイランド部２・リード部１）との電気的導通が損なわれることを防止することができる。
【００５３】
さらに、アイランド部２には、表面から裏面に達する孔、スリットなどが形成されていないので、接着されている半導体チップ６ａ・６ｂの近傍に外部からの水分進入経路を短縮するような経路がない。つまり、半導体チップ６ａ・６ｂへの水分進入経路が長く確保されるため、半導体装置自体の信頼性向上につながる。また、アイランド部２には、表面から裏面に達する孔、スリットなどが形成されていないので、半導体チップ６ａ・６ｂの動作による熱を放出するための放熱面積（アイランド部２の面積）を十分確保することができる。
【００５４】
したがって、半導体装置の安定した信頼性と品質とを確保することができる。また、上記のように、エッチング部４を設けているだけであるので、コスト的にも安価である。
【００５５】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【００５６】
【発明の効果】
本発明の半導体装置は、以上のように、アイランド部の表面には、アイランド部の裏面に達していない溝が少なくとも１つ設けられており、該溝におけるアイランド部の厚さ方向の断面形状は、アイランド部の表面の幅よりもアイランド部の内部側の幅の方が広いオーバーハングした形状である構成である。
【００５７】
上記の構成によれば、上記溝に入り込んだ樹脂が、リードフレーム（アイランド部）と封止した樹脂全体とを繋ぐアンカーの役目を果たす。これにより、樹脂が、リードフレーム（アイランド部）から容易に剥離することを防止することができ、樹脂とリードフレームとの密着性を向上させることができるという効果を奏する。また、これにより、半導体チップが熱応力などによってリードフレームから剥離されることが防止され、半導体チップとリードフレームの端子とを接続するワイヤが半導体チップおよびリードフレームの端子から脱離することが防止することができるため、半導体チップとリードフレームの端子との電気的導通が損なわれることを防止することができるという効果を併せて奏する。
【００５８】
さらに、アイランド部では、半導体チップへの水分進入経路が長く確保されるため、半導体装置自体の信頼性向上につながる。
【００５９】
したがって、信頼性およびと品質の高い半導体装置を提供することができる。
【００６０】
また、上記アイランド部の表面の幅は、リードフレームの厚みの１／２以上であることが好ましい。
【００６１】
本発明の半導体装置は、上記溝の底面に、半導体チップが備えられていることが好ましい。
【００６２】
上記の構成によれば、上記溝は、半導体チップを備えるようにアイランド部の表面に広く形成されているため、リードフレームと封止した樹脂全体とを繋ぐアンカーの役目を果たす封止した樹脂の部位が大きくなる。したがって、樹脂がリードフレームから容易に剥離することをより一層防止することができるという効果を奏する。
【００６３】
また、本発明の半導体装置は、上記の構成に加えて、複数の半導体チップを備えていることが好ましい。
【００６４】
複数の半導体チップを備えている場合には、レイアウト及び作業性の制約からどうしても樹脂との密着力の悪い銀メッキ等が施されたアイランド部の露出部分が増え、応力が増加してしまう。しかしながら、上記の構成によれば、溝を設けているため、リードフレームに銀メッキ等が施されていたとしても、樹脂が、リードフレームから容易に剥離することを防止することができるという効果を奏する。
【００６５】
本発明のリードフレームは、上記のように、アイランド部の表面には、アイランド部の裏面に達していない溝が少なくとも１つ設けられており、該溝におけるアイランド部の厚さ方向の断面形状は、アイランド部の表面の幅よりもアイランド部の内部側の幅の方が広いオーバーハングした形状である構成である。
【００６６】
上記の構成によれば、上記リードフレームに半導体チップが搭載され、半導体チップが樹脂で封止されて半導体装置となった場合、樹脂が溝に入り込む。そして、この溝に入り込んだ樹脂が該溝の形状により、リードフレーム（アイランド部）と封止した樹脂全体とを繋ぐアンカーの役目を果たす。これにより、樹脂がリードフレーム（アイランド部）から容易に剥離することを防止することができる。つまり、樹脂との密着性の高いリードフレームを提供することができるという効果を奏する。したがって、このリードフレームを用いることにより信頼性およびと品質の高い半導体装置を提供することができる。また、上記のように、溝をアイランド部に設けているだけであるので、コスト的にも安価である。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の実施の一形態にかかる半導体装置の平面図であり、（ｂ）はその断面図である。
【図２】（ａ）は本発明の実施の他の形態にかかる半導体装置の平面図であり、（ｂ）はその断面図である。
【図３】（ａ）は従来の半導体装置の一例を示す平面図であり、（ｂ）はその断面図である。
【符号の説明】
１  リード部（端子）
２  アイランド部
３  エッチング部（溝）
４  エッチング部（溝）
５ａ、５ｂ  ワイヤ
６ａ、６ｂ  半導体チップ
７  モールド樹脂パッケージ（モールド樹脂）
【図１】
2004349397.tif 000003
【図２】
2004349397.tif 000004
【図３】
2004349397.tif 000005