(57)【要約】【課題】塩分を含んだ良質な氷を製造する。【解決手段】製氷システム１は、製氷機２０と、冷凍機３０と、塩分濃度センサ５２と、サクション温度計５４と、制御装置１０とを備える。製氷機２０は、製氷シリンダ２１の内壁で凍結した氷をブレード２２で掻き取るブレード式の製氷機である。冷凍機３０の蒸発器３４は、製氷シリンダ２１に設けられている。塩分濃度センサ５２は、製氷機２０に供給される塩水の塩分濃度を測定する。サクション温度計５４は、製氷機２０による製氷状態を表す値としてサクション温度を取得する、状態センサとして機能する。制御装置１０は、塩分濃度と製氷状態を表す値とに基づいて、氷の厚さが第１の値未満となるように、製氷機２０のブレード２２の回転速度を制御する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
製氷シリンダの内壁で凍結した氷をブレードで掻き取るブレード式の製氷機と、
前記製氷シリンダに蒸発器が設けられた冷凍機と、
前記製氷機に供給される塩水の塩分濃度を測定する塩分濃度センサと、
前記製氷機による製氷状態を表す値を取得する状態センサと、
前記塩分濃度と前記製氷状態を表す値とに基づいて、前記氷の厚さが第１の値未満となるように、前記製氷機の前記ブレードの回転速度を制御する制御装置と
を備える製氷システム。
【請求項２】
前記状態センサは、前記蒸発器を出たところにおける冷媒の温度であるサクション温度を、前記製氷状態を表す値として測定する、サクション温度計を含み、
前記制御装置は、前記サクション温度に基づいて前記製氷状態を判定し、前記回転速度を制御する、
請求項１に記載の製氷システム。
【請求項３】
前記制御装置は、
前記塩分濃度に基づいて、前記サクション温度の目標値を決定し、
前記サクション温度が前記目標値となるように、前記回転速度を制御する、
請求項２に記載の製氷システム。
【請求項４】
前記制御装置は、前記塩分濃度又は前記製氷状態を表す値に基づいて、前記冷凍機の出力を制御する、請求項１〜３の何れかに記載の製氷システム。
【請求項５】
前記製氷機に前記塩水を供給するポンプをさらに備え、
前記制御装置は、前記塩分濃度又は前記製氷状態を表す値に基づいて、前記製氷機への前記塩水の供給量を調製するように前記ポンプを制御する、
請求項１〜４の何れかに記載の製氷システム。
【請求項６】
前記第１の値は、０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下である、請求項１〜５の何れかに記載の製氷システム。
【請求項７】
製氷シリンダの内壁で凍結した氷をブレードで掻き取るブレード式の製氷機に供給される塩水の塩分濃度を、塩分濃度センサから取得することと、
前記製氷機による製氷状態を表す値を、状態センサから取得することと、
前記塩分濃度と前記製氷状態を表す値とに基づいて、前記製氷機の前記ブレードの回転速度を制御することと
を制御装置に実行させるための製氷システムの制御プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、製氷システム及びその制御プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば海水といった塩水を原料水として、フレーク状又はシャーベット状の氷を製造する製氷機が知られている。例えば特許文献１には、冷媒で冷却した円筒の内壁に原料水を供給し、内壁にできた氷を回転するブレードで掻き取る製氷機に関する技術が開示されている。この製氷機では、原料水の塩分濃度及び温度に基づいて、最適な原料水の流量及び冷媒の流量が決定されることが開示されている。また、この製氷機では、原料水の塩分濃度に応じてブレードの回転速度の設定値が決定されてもよいことが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−７６５５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
製氷機の制御パラメータは種々あり、これらパラメータの組み合わせに応じて製氷状態は様々に変化する。特に塩分を含んだ氷を製造する場合、塩分濃度に応じても、適切な制御パラメータの組み合わせが変わり得る。
本発明は、塩分濃度が変化しても塩分を含んだ良質な氷を製造することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、製氷システムは、製氷シリンダの内壁で凍結した氷をブレードで掻き取るブレード式の製氷機と、前記製氷シリンダに蒸発器が設けられた冷凍機と、前記製氷機に供給される塩水の塩分濃度を測定する塩分濃度センサと、前記製氷機による製氷状態を表す値を取得する状態センサと、前記塩分濃度と前記製氷状態を表す値とに基づいて、前記氷の厚さが第１の値未満となるように、前記製氷機の前記ブレードの回転速度を制御する制御装置とを備える。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、塩分を含んだ良質な氷を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、一実施形態に係る製氷システムの構成例の概略を示すブロック図である。
【図２】図２は、一実施形態に係る制御装置による製氷システムの動作の制御例の概略を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
［システムの構成］
一実施形態について図面を参照して説明する。本実施形態は、製氷システムに関する。特に、塩分を含んだ微細な氷を作ることができる製氷システムに関する。この製氷システムで製造する氷は、塩分濃度が氷の場所によって異なることなく均一となっている。図１は、本実施形態に係る製氷システム１の構成例の概略を示すブロック図である。
【０００９】
図１に示すように、製氷システム１は、氷を製造する製氷機２０を備える。製氷機２０は、貯氷庫４８の上に設けられている。製氷機２０は、ブレード式のフレーク製氷機である。製氷機２０は、製氷シリンダ２１と、ブレード２２と、モーター２３とを有する。
【００１０】
製氷シリンダ２１は、底面が開口した円筒形状を有している。製氷シリンダ２１の周壁の内壁は、後述する冷凍機３０によって冷却される。この内壁は、例えば、−２５℃といった温度に冷やされる。この内壁には、後述する送水管４６から供給された原料水である塩水が吹き付けられる。吹き付けられた塩水は短時間で凍る。
【００１１】
ブレード２２は、製氷シリンダ２１の内部に、製氷シリンダ２１の周壁の内壁とブレード２２の刃とが対向するように、設けられている。ブレード２２は、製氷シリンダ２１の中心軸と一致する回転軸を有する。ブレード２２の刃先と製氷シリンダ２１の内壁との間隔は小さい。この間隔は、これに限らないが、例えば０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である。ブレード２２の回転軸は、モーター２３に接続されている。モーター２３は、ブレード２２を回転軸周りに回転させる。回転軸周りに回転するブレード２２は、製氷シリンダ２１の内壁に凍結した塩分を含む氷を掻き取る。掻き取られた氷は、製氷シリンダ２１の底面の開口から落下する。落下した氷は、貯氷庫４８の天井に設けられた穴を介して、貯氷庫４８内に落下し、貯められる。
【００１２】
製氷システム１は、上述のように、製氷シリンダ２１を冷却する冷凍機３０を備える。冷凍機３０は、例えば、蒸気圧縮冷凍機である。冷凍機３０は、圧縮機３１と、凝縮器３２と、膨張弁３３と、蒸発器３４とを備える。蒸発器３４は、製氷機２０の製氷シリンダ２１に設けられている。圧縮機３１は、気体の冷媒を圧縮する。凝縮器３２は、圧縮された冷媒を冷却し、高圧の液体冷媒を作る。膨張弁３３は、冷媒の圧力を下げる。蒸発器３４は、冷媒を気化させ、気化熱で製氷シリンダ２１の熱を奪い、製氷シリンダ２１を冷却する。冷媒は、再び圧縮機３１に送られる。
【００１３】
製氷システム１は、タンク４２と、ポンプ４４と、送水管４６とを備える。タンク４２は、原料水としての塩水を溜める。原料水の塩分濃度は、これに限らないが、例えば１％である。ポンプ４４は、タンク４２に溜められた原料水を、送水管４６を介して、製氷機２０の製氷シリンダ２１に供給する。
【００１４】
製氷システム１は、製氷機２０、冷凍機３０、ポンプ４４などの動作を制御する制御装置１０を備える。制御装置１０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１１と、ストレージ１２と、メモリ１３、インターフェース（Ｉ／Ｆ）１４とを備える。ＣＰＵ１１は、各種信号処理等を行う。ストレージ１２には、ＣＰＵ１１で用いられる制御プログラム、パラメータなど各種情報が記録されている。また、ストレージ１２には、製氷システム１の動作の履歴が記録されてもよい。メモリ１３は、起動プログラム等を記録しているＲＯＭ（Read Only Memory）、ＣＰＵ１１の主記憶装置として機能するＲＡＭ（Random Access Memory）などを含む。Ｉ／Ｆ１４は、制御装置１０と製氷システム１の各部とのインターフェースである。また、制御装置１０は、ユーザーが設定値などを入力するためのキーボードなどの図示しない入力装置や、各種値を表示するための図示しない表示装置などを備えていてもよい。制御装置１０は、制御プログラムが組み込まれたＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）又はＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）などの集積回路を用いて構成されていてもよい。
【００１５】
製氷システム１は、制御装置１０による制御のために、製氷システム１の状態に関する各種値を取得する。製氷システム１は、特に、製氷に関連する値を取得する。このため、製氷システム１は、塩分濃度センサ５２と、サクション温度計５４と、庫内温度計５６と、外気温度計５８とを備える。
【００１６】
塩分濃度センサ５２は、製氷機２０に供給される原料水としての塩水に含まれる塩分の濃度を測定する。塩分濃度センサ５２は、例えば、タンク４２の内部に設けられている。塩分濃度センサ５２は、タンク４２内でなく、送水管４６の途中に設けられてもよい。例えば、調製された塩水がタンク４２内に入れられるとき、タンク４２内の塩水の濃度が変化することがある。例えば、製氷システム１の設置場所の外気温度、日射量、日射状態などの環境によっては、タンク４２内の水分が蒸発して、塩水の塩分濃度が変化することがある。また、外気温度、日射量、日射状態などの環境が変化すると、タンク４２内の水分の蒸発量が変化することがある。あるいは、入れられる塩水の調製誤差により、タンク４２内の塩水の塩分濃度が変化することがある。塩分濃度センサ５２は、このような塩分濃度の変化を検出することができる。塩分濃度センサ５２は、測定した塩分濃度に関する情報を制御装置１０へと送信する。制御装置１０は、塩分濃度センサ５２から、原料水の塩分濃度の情報を取得する。
【００１７】
サクション温度計５４は、冷凍機３０の蒸発器３４を出たところにおける冷媒の温度を測定する。この温度をサクション温度と称することにする。サクション温度は、冷凍機３０の出力や、製氷機２０の製氷シリンダ２１の温度によって変化する。したがって、サクション温度は、製氷機２０における製氷状態を表す。例えば、サクション温度が所定の想定値よりも高ければ、製氷シリンダ２１内の冷却が想定に比べて不十分である可能性がある。例えば、サクション温度が所定の想定値よりも低ければ、製氷機２０の製氷能力に余力がある可能性がある。このように、サクション温度計５４は、製氷機２０による製氷状態を表す値を取得する状態センサとして機能する。サクション温度計５４は、測定したサクション温度に関する情報を制御装置１０へと送信する。制御装置１０は、サクション温度計５４から、サクション温度の情報を取得する。制御装置１０は、サクション温度に基づいて製氷状態を判定する。
【００１８】
庫内温度計５６は、貯氷庫４８の内部に設けられ、貯氷庫４８の内部の温度を測定する。庫内温度計５６は、測定した庫内温度に関する情報を制御装置１０へと送信する。制御装置１０は、庫内温度計５６から、庫内温度の情報を取得する。外気温度計５８は、外気の温度を測定する。外気温度計５８は、測定した外気温度に関する情報を制御装置１０へと送信する。制御装置１０は、外気温度計５８から、外気温度の情報を取得する。
【００１９】
本実施形態の製氷システム１のように、製氷シリンダ２１の内壁で凍結した氷をブレード２２で掻き取るブレード式の製氷機２０を用いる場合、掻き取る氷の厚さは薄い方がよい。製氷シリンダ２１の内壁は、例えば−２５℃といった低温になっているため、吹き付けられた塩水は直ちに凍る。このため、製氷シリンダ２１の内壁近くでは、吹き付けた原料水の塩分濃度を有する、塩分濃度が均一な氷ができる。これに対して、氷が厚くなると、内壁から離れたところで、内壁との間に厚い氷を介して、吹き付けられた塩水が凍る。このため、塩水は比較的時間をかけて不均一に凍る。すなわち、まず、内壁に近い側の先にできていた氷に近いところで、塩分濃度が低い状態で水分が先に凍り、その後、先にできていた氷から遠いところで、塩分濃度が高い状態で塩水が凍る。このため、場所によって塩分濃度に差異がある氷ができる。そこで、本実施形態の製氷システム１は、製氷シリンダ２１の内壁にできた氷を薄い状態で掻き取るように構成されている。
【００２０】
制御装置１０は、取得した情報に基づいて、製氷機２０のブレード２２の回転速度、冷凍機３０の出力、ポンプ４４による原料水の送液量、すなわち、製氷機２０への原料水の供給量などを制御する。制御装置１０は、例えば、製氷シリンダ２１の内壁にできる氷の厚さが所定値未満となるように、各種制御パラメータを決定し、各装置の動作を制御する。例えば、制御装置１０は、塩分濃度に基づいてサクション温度の目標値を決定し、サクション温度が目標値となるようにブレード２２の回転速度を制御する。氷の厚さは、これに限らないが、例えば０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下に調整される。
【００２１】
［システムの動作］
図２は、制御装置１０による製氷システム１の動作制御例の概略を示すフローチャートである。製氷システム１の動作について、図２を参照して説明する。
【００２２】
ステップＳ１において、制御装置１０は、塩分濃度センサ５２から原料水の塩分濃度の情報を取得する。また、制御装置１０は、外気温度計５８から外気温度の情報を取得し、庫内温度計５６から庫内温度の情報を取得する。また、制御装置１０は、予め設定された値である基準ブレード回転数の情報を取得する。基準ブレード回転数は、製氷機２０の個体差などを調整するための、製氷機２０の個体ごとに設定された値である。基準ブレード回転数の情報は、制御装置１０のストレージ１２に予め記録されていたり、製氷機２０の図示しないメモリに記録されていたりする。基準ブレード回転数の情報は、各種制御パラメータなどの補正に用いられる。
【００２３】
ステップＳ２において、制御装置１０は、塩分濃度、外気温度、庫内温度、基準ブレード回転数といった取得した値に基づいて、モニタリングするサクション温度の目標値、ポンプ４４の送液量、圧縮機３１の回転数や電子膨張弁である膨張弁３３の開度などといった冷凍機３０の出力、ブレード２２の回転速度の初期値を決定する。これら制御パラメータは、取得した値に基づいて、ストレージ１２に記録されたテーブルを参照して決定されてもよいし、ストレージに記録された所定の関数を用いて算出して決定されてもよいし、その他の方法によって決定されてもよい。以下、制御パラメータの決定は、同様にテーブルの参照に基づいても、その都度算出することに基づいても、その他の方法によってもよい。制御装置１０は、決定した送液量をポンプ４４に設定し、ポンプ４４の動作を制御する。制御装置１０は、決定した出力を冷凍機３０に設定し、冷凍機３０の動作を制御する。制御装置１０は、決定した回転速度を製氷機２０に設定し、モーター２３の動作を制御する。
【００２４】
例えば、原料水の塩分濃度が比較的高いとき、この原料水は比較的凍りにくいので、製氷機２０の製氷シリンダ２１の温度は比較的低く設定する必要がある。そこで、サクション温度の目標値は、比較的低く設定される。原料水の塩分濃度が比較的低いとき、この原料水は比較的凍りやすい。このとき、製氷シリンダ２１の温度が低すぎると、氷が厚くなりすぎて好ましくない。製氷シリンダ２１の温度が低くてもできた氷を早く掻き取るという方法もあるが、省エネルギー性などを考慮すると、製氷シリンダ２１の温度は比較的高くてもよい。そこで、サクション温度の目標値は、比較的高く設定される。同様に、外気温度や庫内温度が比較的高いときには、サクション温度の目標値は比較的低く設定される。
【００２５】
ステップＳ３において、制御装置１０は、サクション温度計５４からサクション温度を取得する。
【００２６】
ステップＳ４において、制御装置１０は、ステップＳ３で取得したサクション温度と、ステップＳ２で設定したサクション温度の目標値とを比較して、サクション温度が目標値となるようにブレード２２の回転速度を制御する。
【００２７】
例えば、サクション温度の測定値と目標値との差が所定値よりも小さいとき、制御装置１０は、ブレード２２の回転速度は適切であると判断し、ブレード２２の回転速度を変更しない。例えば、サクション温度の測定値が目標値よりも高いとき、製氷シリンダ２１の内壁の温度が目標温度よりも高く、内壁において原料水が十分に凍っていないことが考えられる。そこで、制御装置１０は、ブレード２２の回転速度を低下させる。これにより、製氷シリンダ２１の内壁で原料水が十分に凍る時間を確保し、十分に凍っていない氷が掻き取られることを防止する。例えば、サクション温度の測定値が目標値よりも低いとき、製氷シリンダ２１の内壁で原料水の凍結が進行しすぎて、氷が厚くなっていることが考えられる。氷が厚くなると、内壁から遠い側で氷に含まれる塩分の濃度が不均一になるおそれがある。そこで、制御装置１０は、ブレード２２の回転速度を上昇させる。これにより、ブレード２２は、製氷シリンダ２１の内壁にできた氷を早く掻き取るようになる。その結果、氷の厚さが厚くなりすぎることなく、厚さの薄い塩分濃度が均一な氷が得られる。ブレード２２の回転速度の変更量は、一定値として、繰り返し制御によって徐々に変更されてもよいし、測定値と目標値との差に基づいて算出される値として、繰り返し制御によってより早く変更されてもよい。
【００２８】
ステップＳ５において、制御装置１０は、ステップＳ４のブレード２２の回転速度の制御は、制御可能な範囲内であったか否かを判定する。制御可能な範囲内であったとき、処理はステップＳ６に進む。
【００２９】
ステップＳ６において、制御装置１０は、塩分濃度センサ５２から原料水の塩分濃度の情報を取得し、外気温度計５８から外気温度の情報を取得し、庫内温度計５６から庫内温度の情報を取得する。
【００３０】
ステップＳ７において、制御装置１０は、取得した塩分濃度、外気温度及び庫内温度のうち何れかが、ステップＳ２の各種設定を行ったときに用いた値と比較して、所定の範囲を超えて変化したか否かを判定する。変化していないとき、処理はステップＳ３に戻る。すなわち、ステップＳ３乃至ステップＳ７の処理によって、サクション温度に基づくブレード２２の回転速度制御が継続される。外気温度及び庫内温度の変化については、比較的広い範囲で、ブレード２２の回転速度の変更によって適切な氷の品質制御が可能なので、外気温度及び庫内温度については、この所定範囲が比較的広い。
【００３１】
ステップＳ７において、変化したと判定されたとき、処理はステップＳ２に戻る。特に、塩分濃度が変化したとき、処理はステップＳ２に戻ることになる。このとき、凍結する氷の状態をよい状態に保つためには、製氷シリンダ２１の内壁温度など製氷機２０の状態を変更する必要がある。例えば、塩分濃度が上昇したとき、濃度上昇前の氷と同様に良質の氷を得るためには、製氷シリンダ２１の内壁の温度を低くする必要がある。そこで、制御装置１０は、取得した変化後の塩分濃度、外気温度及び庫内温度に基づいて、サクション温度の目標値、ポンプ４４による送液量、圧縮機３１の回転数や膨張弁３３の開度などといった冷凍機３０の出力、ブレード２２の回転速度を決定し直し、それらを再設定する。例えば、塩分濃度が上昇したときには、サクション温度の目標値を低下させる。そして、これを実現できるように、ポンプ４４による送液量、冷凍機３０の出力、ブレード２２の回転速度などが調整される。なお、これらの値の全てが変更される必要はない。例えば、サクション温度の目標値が変化し、これに応じて、ブレード２２の回転速度のみが変更されてもよい。そして、ステップＳ３乃至ステップＳ７の処理によって、前述のサクション温度に基づくブレード２２の回転速度制御が行われる。
【００３２】
ステップＳ５において、ブレード２２の回転速度の制御が制御可能な範囲内でなかったと判定されたとき、処理はステップＳ８に進む。例えば、ブレード２２の回転速度を限界値よりも低くしても製氷シリンダ２１の内壁を十分に冷やせないとき、ブレード２２の回転速度をそれよりも低くできないので、処理はステップＳ８に進む。例えば、ブレード２２の回転速度が１０ｒｐｍ未満になるような場合、処理はステップＳ８に進む。あるいは、ブレード２２の回転速度を限界値よりも高くしても製氷シリンダ２１の内壁が冷えすぎるとき、処理はステップＳ８に進む。
【００３３】
ステップＳ８において、制御装置１０は、冷凍機３０の出力変更で対応可能か否かを判定する。冷凍機３０出力変更で対応可能と判定されたとき、処理はステップＳ９に進む。ステップＳ９において、制御装置１０は、冷凍機３０の出力を変更する。例えば、製氷シリンダ２１の内壁を十分に冷やせなくなっているとき、冷凍機３０の出力は上げられ、製氷シリンダ２１がより冷却される。一方、製氷シリンダ２１の内壁が冷やされ過ぎているとき、冷凍機３０の出力は下げられる。その後、処理はステップＳ６に進む。すなわち、再びサクション温度に基づくブレード２２の回転速度制御が行われる。
【００３４】
ステップＳ８において、冷凍機３０の出力変更で対応できないと判定されてとき、処理はステップＳ１０に進む。ステップＳ１０において、制御装置１０は、ポンプ４４の送液量を変更する。例えば、冷凍機３０の出力を最大にしてもなお製氷シリンダ２１の温度が高すぎるとき、制御装置１０は、ポンプ４４による原料水の供給量を低下させる。あるいは、冷凍機３０の出力を最小にしてもなお製氷シリンダ２１の温度が低すぎるとき、制御装置１０は、ポンプ４４による原料水の供給量を増加させる。その後、処理はステップＳ９に進む。すなわち、制御装置１０は、冷凍機３０の出力を調整し、サクション温度によるブレード２２の回転速度の制御を行う。
【００３５】
以上のような本実施形態に係る製氷システム１よれば、例えば外気温度などが多少変化しても、ブレード２２の回転速度を変更することで、一定の厚さの最適な状態の氷が製造される。また、原料水の塩分濃度などが変化しても、各装置の動作が再設定され、引き続き最適な状態の氷が製造される。このように、本実施形態では、特に、原料水の塩分濃度に応じた制御がなされ、また、ブレード２２の回転速度が制御され、凍結する氷の厚さが所定値未満に維持されて、塩分濃度が均一な良質な氷が製造される。
【００３６】
なお、例えば、原料水の塩分濃度などが変化して、ステップＳ７においてその変化が所定の範囲を超えていると判定されてステップＳ２で冷凍機３０の出力が再設定されるとき、あるいは、ステップＳ９で冷凍機３０の出力が変更されるとき、冷凍機３０の出力が変更されても、製氷シリンダ２１の内壁の温度は、直ちには変化しない。本実施形態では、冷凍機３０の出力が変更され、製氷シリンダ２１の内壁の温度が目標とする値に到達するまで、ステップＳ４において、ブレード２２の回転速度の制御によって、製氷状態が適切な状態に調整される。
【００３７】
例えば、塩分濃度が上昇したとき、製氷シリンダ２１の内壁の目標温度は低く設定されるが、当該内壁の実際の温度はすぐには下がらず、目標温度よりも高い状態となる。このとき、ブレード２２の回転速度は抑制され、原料水の凍結が十分に進行してからブレード２２で掻き取られるように調整される。すなわち、このとき、ブレード２２の回転速度は、当該塩分濃度と冷凍機３０の出力との組み合わせとして想定される回転速度よりも当初は低い。やがて製氷シリンダ２１の内壁の温度が目標温度まで下がるのに伴って、ブレード２２の回転速度は上げられていき、当該内壁の温度が目標温度に達すると、当該塩分濃度と冷凍機３０の出力との組み合わせとして想定されるブレード２２の回転速度に達する。
【００３８】
仮に、ある塩分濃度に対して、冷凍機３０の出力とブレード２２の回転速度とが、テーブルを参照するなどして固定した値として決定されるとする。この場合、冷凍機３０の出力が変更されてから製氷シリンダ２１の内壁の温度が目標温度に到達するまでの間は、当該内壁において十分に凍結しないうちにブレード２２で氷が掻き取られることになり、良好な氷が得られないことになる。これに対して本実施形態によれば、ブレード２２の回転速度が調整されることで、例えば塩分濃度などが変化しても、常に良好な氷が得られる。
【００３９】
以上、本発明について、好ましい実施形態を示して説明したが、本発明は、前述した実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の範囲で種々の変更実施が可能であることはいうまでもない。
【００４０】
例えば、上述のパラメータのうち、一部は用いられなくてもよいし、他のパラメータが用いられてもよい。例えば、ポンプ４４による送液量は変更されなくてもよい。この場合、ブレード２２の回転速度、及び冷凍機３０の出力によって製氷機２０の製氷シリンダ２１の温度が調整される。また、外気温度又は庫内温度が計測されず、制御にこれらの値が用いられなくてもよい。あるいは、送水管４６内の原料水の温度が計測され、この温度を用いて制御が行われてもよい。
【００４１】
また、製氷機２０による製氷状態を表す値としてサクション温度の代わりに他の値が用いられてもよい。例えば、製氷シリンダ２１の内部又は内壁の温度を計測できる温度計が設けられ、製氷シリンダ２１の内部又は内壁の温度が製氷状態を表す値として用いられてもよい。あるいは、製氷シリンダ２１の内壁の氷の厚さを測定するセンサが設けられ、氷の厚さが製氷状態を表す値として用いられてもよい。
【符号の説明】
【００４２】
１      製氷システム
１０    制御装置
１１    ＣＰＵ
１２    ストレージ
１３    メモリ
１４    Ｉ／Ｆ
２０    製氷機
２１    製氷シリンダ
２２    ブレード
２３    モーター
３０    冷凍機
３１    圧縮機
３２    凝縮器
３３    膨張弁
３４    蒸発器
４２    タンク
４４    ポンプ
４６    送水管
４８    貯氷庫
５２    塩分濃度センサ
５４    サクション温度計
５６    庫内温度計
５８    外気温度計
【図１】
2022003289.tif 000003
【図２】
2022003289.tif 000004