(57)【要約】【課題】少ない電子部品および簡単な回路構成で高速なデータ伝送を可能とした双方向光送受信回路を提供する。【解決手段】１つの発光ダイオードＤ１を時分割で発光素子と受光素子とに切替えて送受信を行う半二重双方向光送受信装置１あって、発光ダイオードＤ１に並列に接続される第１トランジスタＱ１と、発光ダイオードＤ１に直列に接続される第２トランジスタＱ２とを有して構成される。そして、送信状態のときには、第２トランジスタＱ２をオンして発光ダイオードＤ１に正バイアス方向の電圧を印加するとともに、第１トランジスタＱ１により送信信号に応じて発光ダイオードＤ１の発光をオン・オフする。また、受信状態のときは、第１トランジスタＱ１をオンするとともに、第２トランジスタＱ２をオフして発光ダイオードＤ１に逆バイアス方向の電圧を印加して、この発光ダイオードＤ１に照射された光を受信信号として出力する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの半導体発光素子を発光素子と受光素子とに切替えて送受信を行う半二重双方向光送受信回路であって、
前記半導体発光素子に並列に接続される第１のスイッチと、
前記半導体発光素子に直列に接続される第２のスイッチとを有し、
送信状態のときには、前記第２のスイッチをオンして前記半導体発光素子に正バイアス方向の電圧を印加するとともに、前記第１のスイッチにより送信信号に応じて前記半導体発光素子の発光をオン・オフして前記半導体発光素子を発光素子として動作させ、
受信状態のときは、前記第１のスイッチをオンするとともに、前記第２のスイッチをオフして前記半導体発光素子に逆バイアス方向の電圧を印加して、前記半導体発光素子に照射された光を受信信号として前記半導体発光素子を受光素子として動作させることを特徴とする双方向光送受信回路。
【請求項２】
前記第１のスイッチおよび前記第２のスイッチは、半導体スイッチ素子で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の双方向光送受信回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、送信状態と受信状態の使用目的に応じて、１つの半導体発光素子を送信状態のときは発光素子として利用し、受信状態のときは受光素子として利用して送受信を行う半二重双方向光送受信回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
発光ダイオード等の半導体発光素子は、ｐ型半導体とｎ型半導体をｐｎ接合して順バイアス方向の電圧を印加することにより、このｐｎ接合面から発光する現象を利用したものである。この半導体発光素子のｐｎ接合面は外界に開いている関係から、ｐｎ接合面を無バイアス若しくは逆バイアス方向の電圧を印加した状態でこのｐｎ接合面に光を当てると、その光の強度に応じた電流が流れる。この現象を特に強く行う様にした半導体素子がフォトダイオードである。半導体発光素子も当然前記の性質を有している。このため、このような半導体発光素子の特性を利用して、一つの半導体発光素子を発光素子と受光素子とに切替えて双方向に送受信を行う半二重双方向光送受信回路が知られている（例えば、特許文献１参照）。このように一つの半導体発光素子を切替えて使うことにより、回路を構成する電子部品の数を少なくすることができ、かつ、伝送路である光ファイバーを１本で構成することができる。
【０００３】
図８に従来の双方向光送受信回路の一例を示す。この双方向光送受信回路５０は、送信時は入力端子５２より送信信号を入力することにより、この送信信号に応じてトランジスタＴｒがオン・オフして発光ダイオードＬＥＤを発光させる。一方、受信時は送信信号を入力せずにトランジスタＴｒをオフすることにより発光ダイオードＬＥＤを無バイアス状態とし、この状態で発光ダイオードＬＥＤに入射する光の強度に応じて発生した電流をオペアンプＵ４および抵抗Ｒｆで構成される増幅器５１で増幅して出力端子５３より受信信号として出力する構成となっている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平６−１２５３１４号公報（第２−３頁，第１図）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図８に示した構成による従来の双方向光送受信回路５０の場合、入力端子５２により送信信号を入力して発光ダイオードＬＥＤを点滅させると、その信号が増幅器５１を通して出力端子５３に出力されてしまい、入出力信号の分離が難しいという課題があった。また、トランジスタＴｒをオフすることにより発光ダイオードＬＥＤを無バイアス状態にしても、ｐｎ接合面での容量が大きく、受信時にこの発光ダイオードＬＥＤを高速動作させることが難しくなり、信号の伝送速度を上げることができないという課題もあった。さらに、このように、増幅器５１の入力側に容量性の半導体（発光ダイオードＬＥＤ）が直接接続されていると、本来の増幅器５１の周波数特性が不安定になり、発振や動作異常を引き起こす原因になるという課題もあった。
【０００６】
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、少ない電子部品および簡単な回路構成で、送受信状態に応じて半導体発光素子に印加される電圧を順バイアス方向と逆バイアス方向に切替え可能とし、高速なデータ伝送を可能とした双方向光送受信回路を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明に係る双方向光送受信回路は、１つの半導体発光素子（例えば、実施形態における発光ダイオードＤ１）を発光素子と受光素子とに切替えて送受信を行うものであって、半導体発光素子に並列に接続される第１のスイッチと、半導体発光素子に直列に接続される第２のスイッチとを有して構成される。そして、送信状態のときには、第２のスイッチをオンして半導体発光素子に正バイアス方向の電圧を印加するとともに、第１のスイッチにより送信信号に応じて半導体発光素子の発光をオン・オフすることによりこの半導体発光素子を発光素子として動作させる。また、受信状態のときは、第１のスイッチをオンするとともに、第２のスイッチをオフして半導体発光素子に逆バイアス方向の電圧を印加して、半導体発光素子に照射された光を受信信号とすることによりこの半導体発光素子を受光素子として動作させる。
【０００８】
このような構成によると、少ない部品点数で、かつ、簡単な回路構成で半二重双方向光送受信回路を構成することができる。また、受信状態のときは半導体発光素子に逆バイアス方向の電圧を印加することができるため、受光素子として高速動作が可能となり、高速なデータ伝送が可能となる。
【０００９】
なお、第１のスイッチおよび第２のスイッチは、半導体スイッチ素子（実施形態における、第１トランジスタＱ１および第２トランジスタＱ２）で構成されることが好ましい。
【００１０】
このような構成によると、この双方向光送受信回路のＩＣ化が容易となるため、量産化が可能となり、安価に提供することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して説明する。本発明に係る双方向光送受信回路は、送信状態と受信状態とを切替えて半導体発光素子を使用することにより、一つの半導体発光素子で送信と受信を行うものであり、基本構成としては、半導体発光素子（以下、「発光ダイオード」として説明する）と、この半導体発光素子に並列に接続される第１の半導体スイッチ素子および直列に接続される第２の半導体スイッチ素子および発光ダイオードで受信した信号をデジタル信号に変換する比較回路とから構成されている。この双方向光送受信回路を用いた送受信装置は、通常は、２台を１対として用いて発光ダイオードを光ファイバー等で繋ぐことにより、光により信号の送受信を行うものである。すなわち、この双方向光送受信回路は、切替信号により送信状態と受信状態が切替えられ、送信状態のときには、入力された送信信号により発光ダイオードを点滅させて光による送信を行い、受信状態のときには、発光ダイオードに照射された光を受信信号に変えて出力するように構成されている。以下に本発明に係る双方向光送受信回路について、２つの実施例に基づいて、回路構成およびその動作を説明する。
【００１２】
なお、本実施例において、送信信号および受信信号については、電圧の高低（Ｈ，Ｌ）で表されるパルス信号とし、このパルス信号で２値（１，０）を表現しているものとして説明する。また、切替信号についても、同様に電圧の高低で送信状態と受信状態とを表すものとする（以降の説明では、送信状態を高い電圧とし、受信状態を低い電圧とする）。
【００１３】
（第１実施例）
まず、図１に基づいて本発明の第１実施例に係る双方向光送受信回路１の基本構成について説明する。本発明に係る双方向光送受信回路１は、送信信号が入力される送信信号入力端子２と、この送信信号によりオン・オフされるＮＰＮ型の第１トランジスタＱ１（第１の半導体スイッチ素子）と、送信状態と受信状態を切替える切替信号が入力される切替信号入力端子３と、この切替信号によりオン・オフされるＮＰＮ型の第２トランジスタＱ２（第２の半導体スイッチ素子）と、発光素子および受光素子として用いられる発光ダイオードＤ１と、電源５と、発光ダイオードＤ１を発光素子として用いるときに発光ダイオードＤ１に流れる電流を設定（制限）する抵抗Ｒｓと、発光ダイオードＤ１を受光素子として用いたときに受光した光の強度に応じて発光ダイオードＤ１で発生する電流を電圧に変換する抵抗Ｒｄと、抵抗Ｒｄで変換された電圧を基準電圧Ｖｒｅｆと比較して電圧の高低、すなわち、デジタル信号に変換する比較回路（コンパレータ）Ｕ１と、このコンパレータＵ１に基準電圧Ｖｒｅｆを供給する電源６および受信信号を出力する受信信号出力端子４とから構成されている。
【００１４】
発光ダイオードＤ１はそのアノードが抵抗Ｒｓを介して電源５に接続されており、カソードは第２トランジスタＱ２のコレクタに接続されている。そして、発光ダイオードＤ１（アノード）と抵抗Ｒｓとの接続点８には第１トランジスタＱ１のコレクタが接続されている。この第１トランジスタＱ１のベースは送信信号入力端子２に接続され、エミッタは接地されている。一方、第２トランジスタＱ２のベースは切替信号入力端子３に接続され、エミッタは接地されている。
【００１５】
さらに、発光ダイオードＤ１（カソード）と第２トランジスタＱ２との接続点７には抵抗Ｒｄを介して電源５が接続されるとともに、コンパレータＵ１の負入力端子に接続されている。このコンパレータＵ１の正入力端子には基準電圧Ｖｒｅｆを印加する電源６が接続されており、また、図示しないが正電源端子には電源５が接続され、負電源端子は接地されている。そして、コンパレータＵ１の出力端子が受信信号出力端子４に接続されている。
【００１６】
ここで、コンパレータＵ１は、その正入力端子より入力される電圧と、負入力端子より入力される電圧を比較し、正入力端子より入力される電圧の方が負入力端子より入力される電圧より大きければ、出力端子から高い電圧（ほぼ正電源端子に入力される電源電圧に等しい値）を出力し、その他の場合は低い電圧（単電源の場合はほぼ０ボルト）を出力するというものである。なお、以降の説明では、基準電圧Ｖｒｅｆは電源５の電源電圧よりも低い電圧であるとする。
【００１７】
このような構成の双方向光送受信回路１において、送信信号入力端子２と切替信号入力端子３により、発光ダイオードＤ１を発光素子および受光素子として切替えて使用することで、双方向光送受信回路１を送信状態および受信状態とする。
【００１８】
まず、送信状態について説明する。切替信号入力端子３より高い電圧が入力されると、第２トランジスタＱ２のベース−エミッタ間に電位差が生じて電流が流れるため、コレクタ−エミッタ間にも電流が流れて第２トランジスタＱ２がオンされる。このとき、第１トランジスタＱ１がオフ状態であると、発光ダイオードＤ１は、抵抗Ｒｓを介して電源５の電圧が順バイアス方向に印加されるため抵抗Ｒｓを介して電流が流れ発光（点灯）する。
【００１９】
そしてこのような状態で、送信信号入力端子２より高い電圧が入力されると、第１トランジスタＱ１のベース−エミッタ間に電位差が生じて電流が流れるため、コレクタ−エミッタ間にも電流が流れて第１トランジスタＱ１がオンされる。すると、接続点８は第１トランジスタＱ１を介して接地された状態となり、電源５からの電流は第１トランジスタＱ１を流れるため発光ダイオードＤ１は消灯する。このような構成とすると、発光ダイオードＤ１のオン・オフによる電圧の変化はこの発光ダイオードＤ１の電圧分だけあるため、高速動作が可能となる。
【００２０】
以上より、切替信号入力端子３より高い電圧を入力しているときに、送信信号入力端子２より入力する送信信号としての電圧の高低を変化させることにより、高い電圧のときは発光ダイオードＤ１が消灯し、低い電圧のときは発光ダイオードＤ１が点灯するため、送信信号に対応して発光ダイオードＤ１を点滅させることが可能となる。よって、電圧の高低で表された送信信号を発光ダイオードＤ１により光の点滅に変調することができる。なお、実際には第２トランジスタＱ２のオン電圧またはオン抵抗が存在するが、抵抗Ｒｓに比べて十分小さな影響であるため、実用上は何等問題にならない。
【００２１】
このとき、第２トランジスタＱ２がオン状態であるため、コンパレータＵ２の負入力端子はこの第２トランジスタＱ２を介して接地されている状態となるため、コンパレータＵ２の正入力端子に印加されている基準電圧Ｖｒｅｆよりも負入力端子の電圧が低く、出力端子からは常に高い電圧が出力される。そのため、送信信号入力端子２から入力される送信信号に受信信号出力端子４からの出力は影響されず、入出力信号を分離することが可能となる。
【００２２】
次に、受信状態について説明する。切替信号入力端子３に低い電圧が印加されると、第２トランジスタＱ２のベース−エミッタ間には電位差が生じないため電流は流れず、よって、コレクタ−エミッタ間にも電流が流れないためトランジスタＱ２はオフ状態となる。そして、同時に、送信信号入力端子２より高い電圧を印加すると、上述のように第１トランジスタＱ１はオン状態となり、ベース−エミッタ間に電流が流れ、この状態では、接続点８は第１トランジスタＱ１を介して接地された状態となる。そのため、発光ダイオードＤ１は抵抗Ｒｄを介して電源５の電圧が逆バイアス方向に印加された状態となる。
【００２３】
このように、発光ダイオードＤ１に逆バイアス方向の電圧が印加された状態でこの発光ダイオードＤ１のｐｎ接合面に光が照射されると、その光の強度に応じて電流が流れる。発光ダイオードＤ１に光が照射されていない状態では、発光ダイオードＤ１は絶縁された状態であるため、コンパレータＵ１の負入力端子には抵抗Ｒｄを介して電源５の電圧が印加されているため、基準電圧Ｖｒｅｆよりも高くなり、コンパレータＵ１の出力端子からは低い電圧が出力される。
【００２４】
一方、発光ダイオードＤ１に光が照射されると、この発光ダイオードＤ１に電流が流れるため、抵抗Ｒｄで電圧降下が起こり、コンパレータＵ１の負入力端子に印加される電圧が下がる。よって、抵抗Ｒｄの抵抗値を適当な値にして発光ダイオードＤ１に電流が流れたときにコンパレータＵ１の負入力端子に印加される電圧が基準電圧Ｖｒｅｆよりも低くなるようにすれば、発光ダイオードＤ１に光が照射されたときに、コンパレータＵ１の出力端子から高い電圧を出力するように構成することができる。
【００２５】
以上より、切替信号入力端子３より低い電圧を入力するとともに、送信信号入力端子２より高い電圧を入力すると、発光ダイオードＤ１に照射される光線の点滅に対応して受信信号出力端子４から出力される電圧の高低を切替えることができる。よって、光の点滅に変調された信号を発光ダイオードＤ１で受けて電圧の高低で表される受信信号に復調することができる。このとき、上述のように発光ダイオードＤ１に逆バイアス方向の電圧が印加されているため、発光ダイオードＤ１を高速に動作する受光素子として利用することが可能となり、本発明に係る双方向光送受信回路１の伝送速度を高速にすることができる。
【００２６】
このように、第１トランジスタＱ１を送信状態における発光ダイオードＤ１の点滅のためだけでなく、受信状態における発光ダイオードＤ１への逆バイアス方向の電圧の印加に利用することにより簡単な回路で高速に動作する双方向光送受信回路１を提供することができる。
【００２７】
ところで、図２に示すように、発光ダイオードＤ１のアノードとカソードに取り付ける抵抗Ｒｓ，Ｒｄを逆にした回路も以上に説明した図１の場合と同等であり、電源５との接続や接地との関係、および、コンパレータＵ１の正負入力端子への入力を逆にすることで対応可能である。また、第１および第２トランジスタＱ１，Ｑ２は電流の流れる方向が逆になるため、図２の場合はＰＮＰ型トランジスタが用いられる。なお、以上の実施例において、コンパレータＵ１の正負入力端子のどちらに基準電圧Ｖｒｅｆを印加するかは、この双方向光送受信装置１を使用する機器の仕様に合わせて、つまり、受信信号出力端子４から出力される電圧の高低を受信信号の論理（０，１）にどう対応させるかで決定することができる。また、抵抗Ｒｄによる電圧降下が少ない場合等、コンパレータＵ１への入力の前に増幅回路を入れても良い。
【００２８】
（第２実施例）
第１実施例においては、受信信号出力端子４から出力される受信信号は送信信号と完全に分離されていたが、本発明に係る双方向光送受信回路１を受信状態にするときに送信信号を常に高い電圧状態にしなければならず、送受信信号が完全に回路から独立してはいない。また、送信状態において、送信信号の高い電圧に対して発光ダイオードＤ１が消灯し、低い電圧に対して点灯する構成となっているため、受信状態の別の回路でこの信号を受信すると、送信回路の点灯に対して高い電圧が出力され、消灯に対して低い電圧が出力されることとなり、送信信号と受信信号における電圧の高低の対応が逆転してしまう。
【００２９】
そこで、この第２実施例においては、送受信信号を完全に回路から独立させ（つまり、送信状態と受信状態の切換は切替信号のみにより行う）、かつ、送信信号と受信信号の電圧の高低を一致させるように構成した場合について図３（ａ）を用いて説明する。なお、図３において図１および図２と同じ機能の電子部品は同じ符号を付している。このとき、第１実施例においてはスイッチ素子としてトランジスタを用いていたが、本第２実施例ではデジタル回路との接続が容易なＭＯＳ−ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）を用いて実現した場合について示している。
【００３０】
図３（ａ）に示す第２実施例において、回路構成は基本的に第１実施例と同じであるが、送信信号入力端子２と第１トランジスタＱ１のゲートとの間にＮＡＮＤゲート回路Ｕ２を追加して、このＮＡＮＤゲート回路Ｕ２に送信信号と切替信号を入力し、その出力により第１トランジスタＱ１をオン・オフしている。このＮＡＮＤゲート回路Ｕ２は、入力された２つの信号の論理積を反転した信号を出力するものである。
【００３１】
そのため、切替信号入力端子３より高い電圧を印加して双方向光送受信回路１′を送信状態にした場合、送信信号入力端子２より入力された高い電圧に対してＮＡＮＤゲート回路Ｕ２からは低い電圧が出力され、第１トランジスタＱ１はオフ状態となり発光ダイオードＤ１は点灯する。また、送信信号入力端子２より低い電圧を入力すると、ＮＡＮＤゲート回路Ｕ２からは高い電圧が出力され、第１トランジスタＱ１はオン状態となり発光ダイオードＤ１は消灯する。
【００３２】
一方、切替信号入力端子３より低い電圧を印加して双方向光送受信回路１′を受信状態にすると、ＮＡＮＤゲート回路Ｕ２の出力は送信信号入力端子２から入力された送信信号の状態に関わりなく常に高い電圧が出力されるため、第１実施例で説明したとおり、第１トランジスタＱ１がオン状態となり、発光ダイオードＤ１に逆バイアス方向の電圧を印加して受光素子とすることができる。この受信状態における、その他の動作については、上述の第１実施例の場合と同様である。
【００３３】
図４に、本第２実施例における送受信の状態におけるタイミングチャートを示す。このタイミングチャートにおてい、ＳＥＬは、切替信号入力端子３より入力される切替信号である。この切替信号においてＯＮ（高い電圧のとき）が本発明に係る双方向光送受信回路１′を送信状態にする信号であり、ＯＦＦ（低い電圧のとき）が受信状態にする信号であることを示している。また、ＩＮは、送信信号入力端子２より入力される送信信号である、Ｈが高い電圧を示し、Ｌが低い電圧を示している。光出力と光入力はそれぞれ、送信状態および受信状態において発光ダイオードＤ１の発光状態および受光状態を示している。つまり送信側の回路が発光（点灯）したときに、受信側の回路が明となり、消灯したときに暗となることを示している。最後に、ＯＵＴは、受信信号出力端子４より出力される受信信号であり、Ｈ，Ｌの意味は送信信号と同様である。
【００３４】
図４は、時刻Ｔ０の時点で送信状態となり、Ｔ１の時点で受信状態となった場合について示している。この図４からも明らかなように、切替信号（ＳＥＬ）に応じて、送信状態と受信状態が切替えられており、送信状態において発光ダイオードＤ１に光が照射されても送信動作（発光ダイオードＤ１の点滅）に影響は無く、また同様に、受信状態において送信信号（ＩＮ）が入力されても、受信信号（ＯＵＴ）に影響は無い。そのため、本第２実施例に係る双方向光送受信回路１′において、送受信信号は完全に分離されている。また、電圧の高低と論理レベル（０，１）の対応も送信信号（ＩＮ）と受信信号（ＯＵＴ）で一致している。
【００３５】
本第２実施例においても、第１実施例で説明したとおり、図３（ｂ）に示すように、発光ダイオードＤ１のアノードとカソードに接続する抵抗Ｒｓ，Ｒｄを逆にした回路も同等である。この場合、ゲート回路の論理も反転している。なお、本第１および第２実施例では、発光ダイオードＤ１を受光素子として利用するときに用いる抵抗Ｒｄを、この発光ダイオードＤ１を発光させるために用いる電源５に接続している（図１および図３（ａ）の場合）が、コンパレータＵ１に対して基準電圧Ｖｒｅｆを供給する電源６や、その他本発明に係る双方向光送受信回路１，１′が用いられる装置が有するノイズを制限された電源等に接続することも可能であり、発光ダイオードＤ１が受光素子として動作するものであれば、目的に合わせて選択することができる。
【００３６】
なお、第２実施例において、図４に示す通り、送信状態のときの受信信号（ＯＵＴ）が、発光ダイオードＤ１に光が照射されているときの状態で固定されている。このため、この図２に示す回路構成とする場合、切替信号入力端子３から高い電圧の信号が入力されているとき（つまり、受信状態のとき）は、受信信号出力端子４から出力されている信号は、受信信号として処理しないように構成する必要がある。
【００３７】
このような問題を解決するためには、図５に示すように、コンパレータＵ１の出力端子と受信信号出力端子４の間に１つのゲート回路Ｕ３を加えることで対応することができる。このゲート回路Ｕ３は、コンパレータＵ１の出力端子から出力される信号と、切替信号との排他的論理和を出力するように構成されたものである。切替信号が高い電圧のとき（つまり、送信状態のとき）は、第１実施例で説明したとおり、コンパレータＵ１からの出力信号は常に低い電圧が出力されており、このためゲート回路Ｕ３からの出力は常に低い電圧が出力される。よって、受信信号出力端子４からは常に低い電圧（つまり、発光ダイオードＤ１に光が照射されていない状態）が出力される。一方、切替信号が低い電圧のとき（つまり、受信状態のとき）は、コンパレータＵ１の出力が受信信号出力端子４へそのまま出力される。この図５に対応するタイミングチャートを図６に示す。ゲート回路Ｕ３により、送信状態において、受信信号（ＯＵＴ）が低い電圧の状態に固定されていることが分かる。
【００３８】
なお、図７に、図５に示す双方向光送受信回路１′に対して、コンパレータＵ１の正負入力端子への入力を逆にして、このコンパレータＵ１からの出力の論理を逆にした場合を示している。この図７の場合、ゲート回路Ｕ３′は、コンパレータＵ１からの出力と切替信号をそれぞれ反転させて論理和を出力するものが使われる。このように、本発明に係る双方向光送受信回路１，１′は、コンパレータＵ１およびゲート回路Ｕ３（Ｕ３′）を自由に選択することが可能であり、回路構成が簡単で自由度が高いことが分かる。
【００３９】
以上、第１および第２実施例で説明した通り、本発明に係る双方向光送受信回路は、簡単な回路構成で光による信号を高速にやり取りすることができる。また、上述の半導体スイッチ素子（第１および第２のトランジスタＱ１，Ｑ２）は、差動増幅回路で構成することができるため、さらに、回路を構成する上での自由度が高いため、本発明に係る双方向光送受信回路はＩＣ化が容易となり、量産化が可能で安価に提供することができる。
【００４０】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明に係る双方向光送受信回路によれば、２つのスイッチ（半導体スイッチ素子）により、半導体発光素子に印加される電圧を順バイアス方向と逆バイアス方向に切替えることができる。そのため、少ない電子部品および簡単な回路構成で、高速なデータ伝送を実現することができる。また、本発明に係る双方向光送受信回路は、半導体スイッチ素子等で構成されているためＩＣ化が容易となり、量産化が可能で安価に提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る双方向光送受信回路の第１実施例を示す回路図である。
【図２】本発明に係る双方向光送受信回路の第１実施例の別の回路構成での回路図である。
【図３】本発明に係る双方向光送受信回路の第２実施例を示す回路図であり、（ａ）は発光ダイオードのアノード側に第１トランジスタを接続し、カソード側に第２トランジスタを接続した場合であり、（ｂ）はカソード側に第１トランジスタを接続し、アノード側に第２トランジスタを接続した場合である。
【図４】第２実施例におけるタイミングチャートである。
【図５】第２実施例において、送信状態での受信信号をオフするように構成した場合の回路図である。
【図６】図５に示す回路構成におけるタイミングチャートである。
【図７】第２実施例において、送信状態での受信信号をオフするように構成した場合の別の回路構成での回路図である。
【図８】従来の双方向光送受信回路を示す回路図である。
【符号の説明】
１  双方向光送受信回路
Ｄ１  発光ダイオード（半導体発光素子）
Ｑ１  第１トランジスタ（第１のスイッチ）
Ｑ２  第２トランジスタ（第２のスイッチ）
【図１】
2004349801.tif 000003
【図２】
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【図３】
2004349801.tif 000005
【図４】
2004349801.tif 000006
【図５】
2004349801.tif 000007
【図６】
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【図７】
2004349801.tif 000009
【図８】
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