(57)【要約】      （修正有）【課題】充填性に優れ、高温高湿下に長時間置かれた後でも高い密着性が得られる硬化物を得ることができる封止用樹脂組成物などの提供。【解決手段】めっき密着性に優れる硬化物を得ることができるスルーホール充填用ペースト等の提供。（Ａ）磁性粉体、（Ｂ）エポキシ樹脂、及び（Ｃ）硬化剤、を含むスルーホール充填用ペーストであって、（Ａ）磁性粉体が、Ｓｉ、Ａｌ、及びＴｉから選ばれる少なくとも１種の元素を含む表面処理剤によって表面処理されている、スルーホール充填用ペースト。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）磁性粉体、
（Ｂ）エポキシ樹脂、及び
（Ｃ）硬化剤、を含むスルーホール充填用ペーストであって、
（Ａ）磁性粉体が、Ｓｉ、Ａｌ、及びＴｉから選ばれる少なくとも１種の元素を含む表面処理剤によって表面処理されている、スルーホール充填用ペースト、但し、重量平均分子量が２０万以上の樹脂を含有する場合は除く。
【請求項２】
表面処理剤が、アルコキシシラン、シラン系カップリング剤、アルミネート系カップリング剤、及びチタネート系カップリング剤から選ばれる少なくとも１種である、請求項１に記載のスルーホール充填用ペースト。
【請求項３】
（Ａ）磁性粉体が、酸化鉄粉及び鉄合金系金属粉から選ばれる少なくとも１種である、請求項１又は２に記載のスルーホール充填用ペースト。
【請求項４】
（Ａ）磁性粉体の平均粒径が、０．０１μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のスルーホール充填用ペースト。
【請求項５】
（Ａ）磁性粉体のアスペクト比が、２以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のスルーホール充填用ペースト。
【請求項６】
（Ａ）磁性粉体の含有量が、スルーホール充填用ペースト中の不揮発成分を１００質量％とした場合、７０質量％以上９８質量％以下である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のスルーホール充填用ペースト。
【請求項７】
（Ａ）磁性粉体が、酸化鉄粉であり、当該酸化鉄粉がＮｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、及びＺｎから選ばれる少なくとも１種を含むフェライトである、請求項１〜６のいずれか１項に記載のスルーホール充填用ペースト。
【請求項８】
（Ａ）磁性粉体が、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ、及びＣｏから選ばれる少なくとも１種を含む鉄合金系金属粉である、請求項１〜６のいずれか１項に記載のスルーホール充填用ペースト。
【請求項９】
（Ｂ）エポキシ樹脂が、２５℃で液状のエポキシ樹脂を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載のスルーホール充填用ペースト。
【請求項１０】
（Ｃ）硬化剤が、酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤、アミン系硬化促進剤、及びイミダゾール系硬化促進剤から選ばれる少なくとも１種である、請求項１〜９のいずれか１項に記載のスルーホール充填用ペースト。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載のスルーホール充填用ペーストの硬化物によりスルーホールが充填されている基板を含む、回路基板。
【請求項１２】
請求項１１に記載の回路基板を含むインダクタ部品。
【請求項１３】
（１）スルーホールにスルーホール充填用ペーストを充填し、該スルーホール充填用ペーストを熱硬化させ、硬化物を得る工程、
（２）硬化物の表面を研磨する工程、及び
（３）硬化物を研磨した面に導体層を形成する工程、をこの順で含み、
スルーホール充填用ペーストが、（Ａ）磁性粉体、（Ｂ）エポキシ樹脂、及び（Ｃ）硬化剤を含み、（Ａ）磁性粉体がＳｉ、Ａｌ、及びＴｉから選ばれる少なくとも１種の元素を含む表面処理剤により表面処理されている、回路基板の製造方法。
【請求項１４】
表面処理剤が、アルコキシシラン、シラン系カップリング剤、アルミネート系カップリング剤、及びチタネート系カップリング剤から選ばれる少なくとも１種である、請求項１３に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１５】
（２）工程後（３）工程前に、硬化物を研磨した面を粗化処理する工程を含まない、請求項１３又は１４に記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スルーホール充填用ペースト、及び当該スルーホール充填用ペーストを使用した回路基板、インダクタ部品、及び回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の小型化、薄型化の要求に伴い、電子機器に使用される回路基板にも小型化、配線の高密度化が求められている。このような回路基板にはスルーホールが設けられるが、配線の高密度化のためには、スルーホール上にもめっきにより導体層が形成可能であることが求められる。
【０００３】
例えば、特許文献１には、熱膨張の抑制、及びめっき密着強度を上げるために、銅粉、ニッケル粉等の金属粉、及びシリカ、アルミナ、酸化鉄、電解鉄粉等の非導電性フィラーを含むペーストが記載されており、このペーストをスルーホールに充填させ、充填させた箇所にめっきを形成することが開示されている。
【０００４】
また、例えば、特許文献２には、スルーホールをペーストで穴埋めし、スルーホールからはみ出したペーストの硬化物を研磨後、過マンガン酸カリウム等の酸化剤で表面の粗化処理を行うことにより、めっき密着強度を上げる方法が記載されている。
【０００５】
また、例えば、特許文献３には、インダクタ部品用の回路基板におけるスルーホールを充填するための樹脂として、酸化鉄（ＩＩＩ）やコバルト酸化鉄等の磁性体粒子を含む充填樹脂が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１６−１００５４６号公報
【特許文献２】特開２０１２−６９８７８号公報
【特許文献３】特開２０１６−１９７６２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明者らは、スルーホールからはみ出した磁性粉体を含有するペーストの硬化物を研磨後、過マンガン酸カリウム等の酸化剤で研磨した硬化物表面の粗化処理を行った後にめっき処理を行うと、硬化物とめっき層との間のめっき密着性が低いことを見出した。特に、特許文献３に記載の樹脂のように、磁性粉体を大量に含有するペーストを用いた場合、めっき密着性がより劣ってしまう。
【０００８】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、めっき密着性に優れる硬化物を得ることができる磁性粉体を含有するスルーホール充填用ペースト、及び当該スルーホール充填用ペーストを使用した回路基板、インダクタ部品、及び回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意研究をした結果、特定の表面処理剤で処理した磁性粉体を含有させたスルーホール充填用ペーストを用いることにより、スルーホールからはみ出したペーストの硬化物を研磨後、酸化剤等の粗化工程を行うことなく、研磨した表面にめっき層を形成すると、高いめっき密着性が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］  （Ａ）磁性粉体、
（Ｂ）エポキシ樹脂、及び
（Ｃ）硬化剤、を含むスルーホール充填用ペーストであって、
（Ａ）磁性粉体が、Ｓｉ、Ａｌ、及びＴｉから選ばれる少なくとも１種の元素を含む表面処理剤によって表面処理されている、スルーホール充填用ペースト。
［２］  表面処理剤が、アルコキシシラン、シラン系カップリング剤、アルミネート系カップリング剤、及びチタネート系カップリング剤から選ばれる少なくとも１種である、［１］に記載のスルーホール充填用ペースト。
［３］  （Ａ）磁性粉体が、酸化鉄粉及び鉄合金系金属粉から選ばれる少なくとも１種である、［１］又は［２］に記載のスルーホール充填用ペースト。
［４］  （Ａ）磁性粉体の平均粒径が、０．０１μｍ以上１０μｍ以下である、［１］〜［３］のいずれかに記載のスルーホール充填用ペースト。
［５］  （Ａ）磁性粉体のアスペクト比が、２以下である、［１］〜［４］のいずれかに記載のスルーホール充填用ペースト。
［６］  （Ａ）磁性粉体の含有量が、スルーホール充填用ペースト中の不揮発成分を１００質量％とした場合、７０質量％以上９８質量％以下である、［１］〜［５］のいずれかに記載のスルーホール充填用ペースト。
［７］  （Ａ）磁性粉体が、酸化鉄粉であり、当該酸化鉄粉がＮｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、及びＺｎから選ばれる少なくとも１種を含むフェライトである、［１］〜［６］のいずれかに記載のスルーホール充填用ペースト。
［８］  （Ａ）磁性粉体が、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ、及びＣｏから選ばれる少なくとも１種を含む鉄合金系金属粉である、［１］〜［７］のいずれかに記載のスルーホール充填用ペースト。
［９］  （Ｂ）エポキシ樹脂が、２５℃で液状のエポキシ樹脂を含む、［１］〜［８］のいずれかに記載のスルーホール充填用ペースト。
［１０］  （Ｃ）硬化剤が、酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤、アミン系硬化促進剤、及びイミダゾール系硬化促進剤から選ばれる少なくとも１種である、［１］〜［９］のいずれかに記載のスルーホール充填用ペースト。
［１１］  ［１］〜［１０］のいずれかに記載のスルーホール充填用ペーストの硬化物によりスルーホールが充填されている基板を含む、回路基板。
［１２］  ［１１］に記載の回路基板を含むインダクタ部品。
［１３］  （１）スルーホールにスルーホール充填用ペーストを充填し、該スルーホール充填用ペーストを熱硬化させ、硬化物を得る工程、
（２）硬化物の表面を研磨する工程、及び
（３）硬化物を研磨した面に導体層を形成する工程、をこの順で含み、
スルーホール充填用ペーストが、（Ａ）磁性粉体、（Ｂ）エポキシ樹脂、及び（Ｃ）硬化剤を含み、（Ａ）磁性粉体がＳｉ、Ａｌ、及びＴｉから選ばれる少なくとも１種の元素を含む表面処理剤により表面処理されている、回路基板の製造方法。
［１４］  表面処理剤が、アルコキシシラン、シラン系カップリング剤、アルミネート系カップリング剤、及びチタネート系カップリング剤から選ばれる少なくとも１種である、［１３］に記載の回路基板の製造方法。
［１５］  （２）工程後（３）工程前に、硬化物を研磨した面を粗化処理する工程を含まない、［１３］又は［１４］に記載の回路基板の製造方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、めっき密着性に優れる硬化物を得ることができるスルーホール充填用ペースト、及び当該スルーホール充填用ペーストを使用した回路基板、インダクタ部品、及び回路基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、一例としてのコア基板の模式的な断面図である。
【図２】図２は、一例としてのスルーホールを形成したコア基板の模式的な断面図である。
【図３】図３は、一例としてのスルーホール内にめっき層を形成した様子を示す模式的な断面図である。
【図４】図４は、一例としてのスルーホール内にスルーホール充填用ペーストを充填させた様子を示す模式的な断面図である。
【図５】図５は、一例としての充填させたスルーホール充填用ペーストを熱硬化させた硬化物の様子を示す模式的な断面図である。
【図６】図６は、一例としての硬化物を研磨した後の様子を示す模式的な断面図である。
【図７】図７は、一例としての研磨した面上に導体層を形成した様子を示す模式的な断面図である。
【図８】図８は、一例としてのパターン導体層を形成した様子を示す模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、各図面は、発明が理解できる程度に、構成要素の形状、大きさ及び配置が概略的に示されているに過ぎない。本発明は以下の記述によって限定されるものではなく、各構成要素は適宜変更可能である。以下の説明に用いる図面において、同様の構成要素については同一の符号を付して示し、重複する説明については省略する場合がある。また、本発明の実施形態にかかる構成は、必ずしも図示例の配置により、製造されたり、使用されたりするとは限らない。
【００１４】
［スルーホール充填用ペースト］
本発明のスルーホール充填用ペーストは、（Ａ）磁性粉体、（Ｂ）エポキシ樹脂、及び（Ｃ）硬化剤、を含むスルーホール充填用ペーストであって、磁性粉体が、Ｓｉ、Ａｌ、及びＴｉから選ばれる少なくとも１種の元素を含む表面処理剤によって表面処理されている。
【００１５】
本発明では、特定の表面処理剤で処理した磁性粉体を含有させることにより、めっき密着性に優れる硬化物を得ることができる。さらには、得られた硬化物は、通常、周波数が１０〜２００ＭＨｚの範囲で比透磁率の向上、及び磁性損失を低減可能である。
【００１６】
スルーホール充填用ペーストは、必要に応じて、さらに（Ｄ）その他の添加剤を含み得る。以下、本発明のスルーホール充填用ペーストに含まれる各成分について詳細に説明する。
【００１７】
＜（Ａ）磁性粉体＞
スルーホール充填用ペーストは、（Ａ）磁性粉体を含有する。（Ａ）磁性粉体の材料としては、例えば、純鉄粉末；Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｇ−Ｍｎ−Ｓｒ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｂａ−Ｚｎ系フェライト、Ｂａ−Ｍｇ系フェライト、Ｂａ−Ｎｉ系フェライト、Ｂａ−Ｃｏ系フェライト、Ｂａ−Ｎｉ−Ｃｏ系フェライト、Ｙ系フェライト、酸化鉄粉（ＩＩＩ）、四酸化三鉄などの酸化鉄粉；Ｆｅ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｃｕ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｏ系合金粉末、あるいはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金粉末などの鉄合金系金属粉；Ｃｏ基アモルファスなどのアモルファス合金類、が挙げられる。
【００１８】
中でも、（Ａ）磁性粉体としては、酸化鉄粉及び鉄合金系金属粉から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。酸化鉄粉としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、及びＺｎから選ばれる少なくとも１種を含むフェライトであることが好ましい。また、鉄合金系金属粉としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ、及びＣｏから選ばれる少なくとも１種を含む鉄合金系金属粉であることが好ましい。
【００１９】
（Ａ）磁性粉体としては、市販の磁性粉体を用いることができる。用いられ得る市販の磁性粉体の具体例としては、山陽特殊製鋼社製「ＰＳＴ−Ｓ」；エプソンアトミックス社製「ＡＷ２−０８」、「ＡＷ２−０８ＰＦ２０Ｆ」、「ＡＷ２−０８ＰＦ１０Ｆ」、「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、「Ｆｅ−３．５Ｓｉ−４．５ＣｒＰＦ２０Ｆ」、「Ｆｅ−５０ＮｉＰＦ２０Ｆ」、「Ｆｅ−８０Ｎｉ−４ＭｏＰＦ２０Ｆ」；ＪＦＥケミカル社製「ＬＤ−Ｍ」、「ＬＤ−ＭＨ」、「ＫＮＩ−１０６」、「ＫＮＩ−１０６ＧＳＭ」、「ＫＮＩ−１０６ＧＳ」、「ＫＮＩ−１０９」、「ＫＮＩ−１０９ＧＳＭ」、「ＫＮＩ−１０９ＧＳ」；戸田工業社製「ＫＮＳ−４１５」、「ＢＳＦ−５４７」、「ＢＳＦ−０２９」、「ＢＳＮ−１２５」、「ＢＳＮ−１２５」、「ＢＳＮ−７１４」、「ＢＳＮ−８２８」、「Ｓ−１２８１」、「Ｓ−１６４１」、「Ｓ−１６５１」、「Ｓ−１４７０」、「Ｓ−１５１１」、「Ｓ−２４３０」；日本重化学工業社製「ＪＲ０９Ｐ２」；ＣＩＫナノテック社製「Ｎａｎｏｔｅｋ」；キンセイマテック社製「ＪＥＭＫ−Ｓ」、「ＪＥＭＫ−Ｈ」：ＡＬＤＲＩＣＨ社製「Ｙｔｔｒｉｕｍ  ｉｒｏｎ  ｏｘｉｄｅ」等が挙げられる。磁性粉体は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【００２０】
（Ａ）磁性粉体は、球状であることが好ましい。磁性粉体の長軸の長さを短軸の長さで除した値（アスペクト比）としては、好ましくは２以下、より好ましくは２未満、さらに好ましくは１．５以下、さらにより好ましくは１．２以下である。一般に、磁性粉体は球状ではない扁平な形状であるほうが、比透磁率を向上させやすい。しかし、（Ｂ）エポキシ樹脂及び（Ｃ）硬化剤を組みあわせて本発明の効果を実現するには、特に球状の磁性粉体を用いる方が、通常、磁気損失を低くでき、また好ましい粘度を有するペーストを得る観点から好ましい。
【００２１】
（Ａ）磁性粉体の平均粒径は、めっき密着性を向上させる観点から、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、さらに好ましくは１μｍ以上である。また、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは９μｍ以下、さらに好ましくは８μｍ以下である。
【００２２】
（Ａ）磁性粉体の平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、磁性粉体の粒径分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、磁性粉体を超音波によりメチルエチルケトン中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒径分布測定装置としては、堀場製作所社製「ＬＡ−５００」、島津製作所社製「ＳＡＬＤ−２２００」等を使用することができる。
【００２３】
（Ａ）磁性粉体の比表面積は、めっき密着性を向上させる観点から、好ましくは０．０５ｍ２／ｇ以上、より好ましくは０．１ｍ２／ｇ以上、さらに好ましくは０．３ｍ２／ｇ以上である。また、好ましくは１０ｍ２／ｇ以下、より好ましくは８ｍ２／ｇ以下、さらに好ましくは５ｍ２／ｇ以下である。（Ａ）磁性粉体の比表面積は、ＢＥＴ法によって測定できる。
【００２４】
（Ａ）磁性粉体は、めっき密着性を向上させる観点から、Ｓｉ、Ａｌ、及びＴｉから選ばれる少なくとも１種の元素を含む表面処理剤によって表面処理されている。このような表面処理剤としては、例えば、フッ素含有シラン系カップリング剤、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、イソシアネートシラン系カップリング剤等のシラン系カップリング剤；アルコキシシラン；オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤、アルミネート系カップリング剤等が挙げられ、めっき密着性をより向上させる観点から、アルコキシシラン、シラン系カップリング剤、アルミネート系カップリング剤、及びチタネート系カップリング剤から選ばれる少なくとも１種であることが好ましく、アルコキシシラン、アルミネート系カップリング剤、及びチタネート系カップリング剤から選ばれる少なくとも１種であることがより好ましい。
【００２５】
表面処理剤は市販品を用いてもよい。表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業社製の「ＫＢＭ４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、「ＫＢＭ８０３」（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、「ＫＢＥ９０３」（３−アミノプロピルトリエトキシシラン）、「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、「ＳＺ−３１」（ヘキサメチルジシラザン）、「ＫＢＭ１０３」（フェニルトリメトキシシラン）、「ＫＢＭ−４８０３」（長鎖エポキシ型シランカップリング剤）、「ＫＢＭ−７１０３」（３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン）；味の素ファインテクノ社製の「ＡＬＭ」、「ＴＴＭ」等が挙げられる。
【００２６】
表面処理剤による表面処理の程度は、めっき密着性を向上させるとともに、（Ａ）磁性粉体の分散性向上の観点から、磁性粉体１００質量部に対して、０．０１質量部以上で表面処理されていることが好ましく、より好ましくは０．０３質量部以上、さらに好ましくは０．０５質量部以上である。上限は、３質量部以下で表面処理されていることが好ましく、より好ましくは２質量部以下、さらに好ましくは１質量部以下である。
【００２７】
表面処理剤による表面処理の程度は、（Ａ）磁性粉体の単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。（Ａ）磁性粉体の単位表面積当たりのカーボン量は、磁性粉体の分散性向上の観点から、０．０２ｍｇ／ｍ２以上が好ましく、０．１ｍｇ／ｍ２以上がより好ましく、０．２ｍｇ／ｍ２以上が更に好ましい。一方、スルーホール充填用ペーストの粘度の上昇を抑制する観点から、１ｍｇ／ｍ２以下が好ましく、０．８ｍｇ／ｍ２以下がより好ましく、０．５ｍｇ／ｍ２以下が更に好ましい。
【００２８】
磁性粉体の単位表面積当たりのカーボン量は、表面処理剤による表面処理後の磁性粉体を溶剤（例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ））により洗浄処理した後に測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のＭＥＫを表面処理剤で表面処理された磁性粉体に加えて、２５℃で５分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて磁性粉体の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、堀場製作所社製「ＥＭＩＡ−３２０Ｖ」等を使用することができる。
【００２９】
（Ａ）磁性粉体の含有量（体積％）は、比透磁率を向上させ及び磁性損失を低減させる観点から、スルーホール充填用ペースト中の不揮発成分を１００体積％とした場合、好ましくは１０体積％以上、より好ましくは２０体積％以上、さらに好ましくは３０体積％以上である。また、好ましくは８５体積％以下、より好ましくは７５体積％以下、さらに好ましくは６５体積％以下である。
【００３０】
（Ａ）磁性粉体の含有量（質量％）は、比透磁率を向上させ及び磁性損失を低減させる観点から、スルーホール充填用ペースト中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは７０質量％以上、より好ましくは７３質量％以上、さらに好ましくは７５質量％以上である。また、好ましくは９８質量％以下、より好ましくは９５質量％以下、さらに好ましくは９０質量％以下である。
【００３１】
＜（Ｂ）エポキシ樹脂＞
スルーホール充填用ペーストは、（Ｂ）エポキシ樹脂を含有する。（Ｂ）エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；トリスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂；ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂；ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂等の縮合環構造を有するエポキシ樹脂；グリシジルアミン型エポキシ樹脂；グリシジルエステル型エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；線状脂肪族エポキシ樹脂；ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂；脂環式エポキシ樹脂；複素環式エポキシ樹脂；スピロ環含有エポキシ樹脂；シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂；トリメチロール型エポキシ樹脂；テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。（Ｂ）エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂から選ばれる１種以上であることが好ましい。
【００３２】
（Ｂ）エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。また、（Ｂ）エポキシ樹脂は、芳香族構造を有することが好ましく、２種以上のエポキシ樹脂を用いる場合は少なくとも１種が芳香族構造を有することがより好ましい。芳香族構造とは、一般に芳香族と定義される化学構造であり、多環芳香族及び芳香族複素環をも含む。エポキシ樹脂の不揮発成分１００質量％に対して、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の割合は、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上である。
【００３３】
エポキシ樹脂には、温度２５℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」ということがある。）と、温度２５℃で固体状のエポキシ樹脂（以下「固体状エポキシ樹脂」ということがある。）とがある。スルーホール充填用ペーストは、（Ｂ）エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、固体状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよいが、スルーホール充填用ペーストの粘度を低下させ、スルーホールの充填性を向上させる観点から、液状エポキシ樹脂を含むことが好ましい。
【００３４】
液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「６３０」、「６３０ＬＳＤ」、ＡＤＥＫＡ社製の「ＥＰ−３９８０Ｓ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）；ナガセケムテックス社製の「ＥＸ−７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、「ＰＢ−３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）；新日鉄化学社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４−グリシジルシクロヘキサン）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３５】
固体状エポキシ樹脂としては、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００」「ＨＰ−７２００Ｈ」、「ＨＰ−７２００ＨＨ」、（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＥＸＡ−７３１１」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ３」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）；大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」、三菱ケミカル社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）、「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３６】
（Ｂ）エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．１〜１：４の範囲が好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比を斯かる範囲とすることにより、十分な破断強度を有する硬化物を得ることができる等の効果が得られる。上記の効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂の量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．３〜１：３．５の範囲であることがより好ましく、１：０．６〜１：３の範囲であることがさらに好ましく、１：０．８〜１：２．５の範囲であることが特に好ましい。
【００３７】
（Ｂ）エポキシ樹脂の含有量は、良好な機械強度、絶縁信頼性を示す磁性層を得る観点から、スルーホール充填用ペースト中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは１質量％以上、より好ましくは３質量％以上、さらに好ましくは５質量％以上である。エポキシ樹脂の含有量の上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２５質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下である。
【００３８】
（Ｂ）エポキシ樹脂の含有量（体積％）は、スルーホール充填用ペースト中の不揮発成分を１００体積％とした場合、好ましくは１質量％以上、より好ましくは３質量％以上、さらに好ましくは５質量％以上である。上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは２５質量％以下、より好ましくは２０質量％以下、さらに好ましくは１５質量％以下である。
【００３９】
（Ｂ）エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０〜５０００、より好ましくは５０〜３０００、さらに好ましくは８０〜２０００、さらにより好ましくは１１０〜１０００である。この範囲となることで、硬化物の架橋密度が十分となり表面粗さの小さい磁性層をもたらすことができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ  Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。
【００４０】
（Ｂ）エポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは１００〜５０００、より好ましくは２５０〜３０００、さらに好ましくは４００〜１５００である。ここで、エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。
【００４１】
＜（Ｃ）硬化剤＞
スルーホール充填用ペーストは、（Ｃ）硬化剤を含有する。（Ｃ）硬化剤には、エポキシ樹脂を硬化する機能を有するエポキシ樹脂硬化剤と、エポキシ樹脂の硬化速度を促進させる機能を有する硬化促進剤とがある。スルーホール充填用ペーストは、（Ｃ）硬化剤として、エポキシ樹脂硬化剤及び硬化促進剤のいずれかを含むことが好ましく、硬化促進剤を含むことがより好ましい。
【００４２】
−エポキシ樹脂硬化剤−
エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤、フェノール系エポキシ樹脂硬化剤、ナフトール系エポキシ樹脂硬化剤、活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤、ベンゾオキサジン系エポキシ樹脂硬化剤、及びシアネートエステル系エポキシ樹脂硬化剤が挙げられる。エポキシ樹脂硬化剤としては、スルーホール充填用ペーストの粘度を低下させる観点から、酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤が好ましい。エポキシ樹脂硬化剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【００４３】
酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤としては、１分子内中に１個以上の酸無水物基を有するエポキシ樹脂硬化剤が挙げられる。酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤の具体例としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロ−３−フラニル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、３，３’−４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−５−（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−Ｃ］フラン−１，３−ジオン、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、スチレンとマレイン酸とが共重合したスチレン・マレイン酸樹脂などのポリマー型の酸無水物などが挙げられる。
【００４４】
酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤の市販品としては、新日本理化社製の「ＨＮＡ−１００」、「ＭＨ−７００」等が挙げられる。
【００４５】
フェノール系エポキシ樹脂硬化剤及びナフトール系エポキシ樹脂硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するフェノール系エポキシ樹脂硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系エポキシ樹脂硬化剤が好ましい。フェノール系エポキシ樹脂硬化剤としては、含窒素フェノール系エポキシ樹脂硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系エポキシ樹脂硬化剤がより好ましく、トリアジン骨格含有フェノールノボラックエポキシ樹脂硬化剤がさらに好ましい。
【００４６】
フェノール系エポキシ樹脂硬化剤及びナフトール系エポキシ樹脂硬化剤の具体例としては、明和化成社製の「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、新日鉄住金化学社製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５Ｖ」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ社製の「ＴＤ−２０９０」、「ＬＡ−７０５２」、「ＬＡ−７０５４」、「ＬＡ−１３５６」、「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」、「ＥＸＢ−９５００」、「ＨＰＣ−９５００」、「ＫＡ−１１６０」、「ＫＡ−１１６３」、「ＫＡ−１１６５」、群栄化学社製の「ＧＤＰ−６１１５Ｌ」、「ＧＤＰ−６１１５Ｈ」等が挙げられる。
【００４７】
活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。
【００４８】
具体的には、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤、ナフタレン構造を含む活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤が好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンチレン−フェニレンからなる２価の構造を表す。
【００４９】
活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤として、ＤＩＣ社製の「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、「ＨＰＣ−８０００Ｈ−６５ＴＭ」、「ＥＸＢ−８０００Ｌ−６５ＴＭ」；ナフタレン構造を含む活性エステル化合物としてＤＩＣ社製の「ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ」；フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤として三菱ケミカル社製の「ＤＣ８０８」；フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤として三菱ケミカル社製の「ＹＬＨ１０２６」、「ＹＬＨ１０３０」、「ＹＬＨ１０４８」；フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤として三菱ケミカル社製の「ＤＣ８０８」、等が挙げられる。
【００５０】
ベンゾオキサジン系エポキシ樹脂硬化剤の具体例としては、昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業社製の「Ｐ−ｄ」、「Ｆ−ａ」が挙げられる。
【００５１】
シアネートエステル系エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系エポキシ樹脂硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。
【００５２】
エポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［エポキシ樹脂硬化剤の反応基の合計数］の比率で、１：０．２〜１：２の範囲であることが好ましく、１：０．３〜１：１．５の範囲であることがより好ましく、１：０．４〜１：１の範囲であることがさらに好ましい。ここで、エポキシ樹脂硬化剤の反応基とは、活性水酸基、活性エステル基等であり、エポキシ樹脂硬化剤の種類によって異なる。また、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数とは、各エポキシ樹脂の不揮発成分の質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、エポキシ樹脂硬化剤の反応基の合計数とは、各エポキシ樹脂硬化剤の不揮発成分の質量を反応基当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂硬化剤について合計した値である。エポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤との量比をかかる範囲内とすることにより、硬化物としたときの耐熱性がより向上する。
【００５３】
−硬化促進剤−
硬化促進剤としては、例えば、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられる。硬化促進剤は、スルーホール充填用ペーストの粘度を低下させる観点から、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。硬化促進剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５４】
アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン等が挙げられ、４−ジメチルアミノピリジン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセンが好ましい。
【００５５】
アミン系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、味の素ファインテクノ社製の「ＰＮ−５０」、「ＰＮ−２３」、「ＭＹ−２５」等が挙げられる。
【００５６】
イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールが好ましい。
【００５７】
イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、四国化成工業社製の「２ＰＨＺ−ＰＷ」、三菱ケミカル社製の「Ｐ２００−Ｈ５０」等が挙げられる。
【００５８】
リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４−メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。
【００５９】
グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１−メチルグアニジン、１−エチルグアニジン、１−シクロヘキシルグアニジン、１−フェニルグアニジン、１−（ｏ−トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、１−メチルビグアニド、１−エチルビグアニド、１−ｎ−ブチルビグアニド、１−ｎ−オクタデシルビグアニド、１，１−ジメチルビグアニド、１，１−ジエチルビグアニド、１−シクロヘキシルビグアニド、１−アリルビグアニド、１−フェニルビグアニド、１−（ｏ−トリル）ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エンが好ましい。
【００６０】
金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。
【００６１】
（Ｃ）硬化剤としては、本発明の所望の効果を得る観点から、酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤、アミン系硬化促進剤、及びイミダゾール系硬化促進剤から選ばれる少なくとも１種であることが好ましく、アミン系硬化促進剤、及びイミダゾール系硬化促進剤から選ばれる少なくとも１種であることがより好ましい。
【００６２】
硬化促進剤の含有量は、スルーホール充填用ペーストの粘度を下げる観点から、スルーホール充填用ペースト中の樹脂成分を１００質量％とした場合、好ましくは１質量％以上、より好ましくは３質量％以上、さらに好ましくは５質量％以上であり、上限は、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下である。「樹脂成分」とは、スルーホール充填用ペーストに含まれる不揮発成分のうち、磁性粉体及び後述する無機充填材を除いた成分をいう。
【００６３】
（Ｃ）硬化剤の含有量は、スルーホール充填用ペースト中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．３質量％以上、さらに好ましくは０．５質量％以上である。上限は、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下である。
【００６４】
＜（Ｄ）その他の添加剤＞
スルーホール充填用ペーストは、さらに必要に応じて、（Ｄ）その他の添加剤を含んでいてもよく、斯かる他の添加剤としては、例えば、ポットライフ向上のためのホウ酸トリエチル等の硬化遅延剤、無機充填材（但し、磁性粉体に該当するものは除く）、熱可塑性樹脂、難燃剤、有機充填材、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。
【００６５】
上述したスルーホール充填用ペースト中に含まれる有機溶剤の含有量は、スルーホール充填用ペーストの全質量に対して、好ましくは１．０質量％未満、より好ましくは０．８質量％以下、さらに好ましくは０．５質量％以下、特に好ましくは０．１質量％以下である。下限は、特に制限はないが０．００１質量％以上、又は含有しないことである。スルーホール充填用ペーストは、有機溶剤を含まなくてもその粘度を低くすることができる。スルーホール充填用ペースト中の有機溶剤の量が少ないことにより、有機溶剤の揮発によるボイドの発生を抑制することができる。
【００６６】
＜スルーホール充填用ペーストの製造方法＞
スルーホール充填用ペーストは、例えば、配合成分を、３本ロール、回転ミキサーなどの撹拌装置を用いて撹拌する方法によって製造できる。
【００６７】
＜スルーホール充填用ペーストの物性等＞
スルーホール充填用ペーストは、通常、溶剤を含まなくても適切な温度においてペースト状であり、その粘度は、具体的には、２５℃で通常２０Ｐａ・ｓ以上、好ましくは４０Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは６０Ｐａ・ｓ以上であり、通常２００Ｐａ・ｓ以下、好ましくは１８０Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは１６０Ｐａ・ｓ以下である。粘度は、例えば、Ｅ型粘度計（東機産業社製  ＲＥ−８０）を用いて、２５℃に調整した装置内に、シリンジを用いて該ペーストを約０．２ｍｌ計りとり、０．５ｒｐｍ〜５ｒｐｍに設定した回転数にて測定することができる。
【００６８】
スルーホール充填用ペーストを熱硬化させた硬化物（例えば１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物）は、周波数１００ＭＨｚにおける比透磁率が高いという特性を示す。例えば、シート状のスルーホール充填用ペーストを１８０℃で９０分間熱硬化し、シート状の硬化物を得る。この硬化物の周波数１００ＭＨｚにおける比透磁率は、好ましくは３以上、より好ましくは４以上、さらに好ましくは５以上である。また、上限は特に限定されないが２０以下等とし得る。
【００６９】
スルーホール充填用ペーストを熱硬化させた硬化物（例えば１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物）は、周波数１００ＭＨｚにおける磁性損失が低いという特性を示す。例えば、シート状のスルーホール充填用ペーストを１８０℃で９０分間熱硬化し、シート状の硬化物を得る。この硬化物の周波数１００ＭＨｚにおける磁性損失は、好ましくは０．０５以下、より好ましくは０．０４以下、さらに好ましくは０．０３以下である。下限は特に限定されないが０．０００１以上等とし得る。
【００７０】
スルーホール充填用ペーストを、１３０℃で３０分間加熱し、さらに１５０℃で３０分加熱することにより得られた硬化物は、めっき層との間のめっき密着性に優れるという特性を示す。めっき密着性の表す密着強度としては、好ましくは０．１５ｋｇｆ／ｃｍ以上、より好ましくは０．２ｋｇｆ／ｃｍ以上、さらに好ましくは０．３ｋｇｆ／ｃｍ以上である。上限は特に限定されないが、１０ｋｇｆ／ｃｍ以下等とし得る。密着強度は、後述する実施例に記載の方法で測定できる。
【００７１】
［回路基板及びその製造方法］
回路基板は、本発明のスルーホール充填用ペーストの硬化物によりスルーホールが充填されている基板を含む。
【００７２】
従来の回路基板は、通常、下記の工程（ａ）〜（ｄ）を含む製造方法によって製造される。
（ａ）スルーホールにスルーホール充填用ペーストを充填し、該スルーホール充填用ペーストを熱硬化させ、硬化物を得る工程、
（ｂ）硬化物の表面を研磨する工程、
（ｃ）研磨した面を粗化処理する工程、及び
（ｄ）粗化処理した面に導体層を形成する工程、をこの順で含む。
【００７３】
通常、工程（ｃ）は、硬化物とめっきとの間のめっき密着性を向上させる観点から行われる。しかし、表面処理された磁性粉体を含むスルーホール充填用ペーストの硬化物は、粗化する際に用いる粗化液に対する耐薬液性が劣っており、粗化処理を行うとめっき密着性が劣る。
【００７４】
これに対し、本発明の回路基板は、下記の工程（１）〜（３）を含む製造方法によって製造する。
（１）スルーホールにスルーホール充填用ペーストを充填し、該スルーホール充填用ペーストを熱硬化させ、硬化物を得る工程、
（２）硬化物の表面を研磨する工程、及び
（３）硬化物を研磨した面に導体層を形成する工程、をこの順で含む。
【００７５】
本発明者らは、（１）工程において、上記した表面処理剤にて表面処理された磁性粉体を含むスルーホール充填用ペーストを用い、さらに、（２）工程後（３）工程前に、硬化物を研磨した面を粗化処理する工程を行わないことで、硬化物とめっきとの間のめっき密着性が向上することを知見し、本発明を完成するに至ったものである。上記したように、通常、粗化処理は、めっき密着性を向上させる観点から行っていたが、本発明では粗化処理を行わなくても、めっき密着性を向上させることが可能である。
【００７６】
以下、回路基板を製造するにあたっての上記の工程（１）〜（３）について詳細に説明する。
【００７７】
＜工程（１）＞
工程（１）を行うにあたって、スルーホール充填用ペーストを準備する工程を含んでいてもよい。スルーホール充填用ペーストは、上記において説明したとおりである。
【００７８】
また、工程（１）を行うにあたって、図１に一例を示すように、支持基板１１、並びに該支持基板１１の両表面に設けられた銅箔等の金属からなる第１金属層１２、及び第２金属層１３を備えるコア基板１０を準備する工程を含んでいてもよい。支持基板１１の材料の例としては、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の絶縁性基材が挙げられる。第１及び第２金属層の材料の例としては、キャリア付銅箔、後述する導体層の材料等が挙げられる。
【００７９】
また、図２に一例を示すように、コア基板１０にスルーホール１４を形成する工程を含んでいてもよい。スルーホール１４は、例えば、ドリル、レーザー照射、プラズマ照射等により形成することができる。具体的には、ドリル等を用いてコア基板１０に貫通穴を形成することにより、スルーホール１４を形成することができる。
【００８０】
スルーホール１４の形成は、市販されているドリル装置を用いて実施することができる。市販されているドリル装置としては、例えば、日立ビアメカニクス社製「ＮＤ−１Ｓ２１１」等が挙げられる。
【００８１】
コア基板１０にスルーホール１４を形成した後、図３に一例を示すように、コア基板１０の粗化処理を行い、スルーホール１４内、第１金属層１２の表面上、及び第２金属層１３の表面上にめっき層２０を形成する工程を含んでいてもよい。
【００８２】
前記の粗化処理としては、乾式及び湿式のいずれの粗化処理を行ってもよい。乾式の粗化処理の例としては、プラズマ処理等が挙げられる。また、湿式の粗化処理の例としては、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、及び、中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。
【００８３】
めっき層２０は、めっき法により形成され、めっき法によりめっき層２０が形成される手順は、後述する工程（３）における導体層の形成と同様である。
【００８４】
スルーホール１４内にめっき層２０を形成されたコア基板１０を用意した後で、図４に一例を示すように、スルーホール充填用ペースト３０ａをスルーホール１４へ充填する。充填方法としては、例えば、スキージを介してスルーホール１４へスルーホール充填用ペースト３０ａを充填する方法、カートリッジを介してスルーホール充填用ペースト３０ａを充填する方法、マスク印刷してスルーホール充填用ペースト３０ａを充填する方法、ロールコート法、インクジェット法等が挙げられる。
【００８５】
スルーホール１４内にスルーホール充填用ペースト３０ａを充填後、スルーホール充填用ペースト３０ａを熱硬化して、図５に一例を示すように、スルーホール１４内に硬化物層３０を形成する。スルーホール充填用ペースト３０ａの熱硬化条件は、スルーホール充填用ペースト３０ａの組成や種類によっても異なるが、硬化温度は好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１３０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上であり、好ましくは２４０℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。スルーホール充填用ペースト３０ａの硬化時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは１２０分以下、より好ましくは１００分以下、さらに好ましくは９０分以下である。
【００８６】
工程（１）における硬化物層３０の硬化度としては、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上、さらに好ましくは９０％以上である。硬化度は、例えば示差走査熱量測定装置を用いて測定することができる。
【００８７】
スルーホール充填用ペースト３０ａを熱硬化させる前に、スルーホール充填用ペースト３０ａに対して、硬化温度よりも低い温度で加熱する予備加熱処理を施してもよい。例えば、スルーホール充填用ペースト３０ａを熱硬化させるのに先立ち、通常５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１０℃以下、より好ましくは７０℃以上１００℃以下）の温度にて、スルーホール充填用ペースト３０ａを、通常５分間以上（好ましくは５分間〜１５０分間、より好ましくは１５分間〜１２０分間）、予備加熱してもよい。
【００８８】
＜工程（２）＞
工程（２）では、図６に一例を示すように、コア基板１０から突出又は付着している余剰の硬化物層３０を研磨することにより除去し、平坦化する。研磨方法としては、コア基板１０から突出又は付着している余剰の硬化物層３０を研磨することができる方法を用いることができる。このような研磨方法としては、例えば、バフ研磨、ベルト研磨等が挙げられる。市販されているバフ研磨装置としては石井表記社製「ＮＴ−７００ＩＭ」等が挙げられる。
【００８９】
硬化物層の研磨面の算術平均粗さ（Ｒａ）としては、めっき密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは９００ｎｍ以下、さらに好ましくは８００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。
【００９０】
工程（２）後工程（３）前に、硬化物層の硬化度をさらに高める等の目的で、必要により熱処理工程を行ってもよい。熱処理工程における温度は上記した硬化温度に準じて行えばよく、好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１３０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上であり、好ましくは２４０℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。熱処理時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは９０分以下、より好ましくは７０分以下、さらに好ましくは６０分以下である。
【００９１】
＜工程（３）＞
工程（３）では、図７に一例を示すように、硬化物層３０の研磨面、及びめっき層２０上に導体層４０を形成する。さらに、導体層４０を形成後、図８に一例を示すように、エッチング等の処理により導体層４０、第１金属層１２、第２金属層１３、及びめっき層２０の一部を除去してパターン導体層４１を形成してもよい。上述したが、本発明では、工程（２）後工程（３）前に、硬化物を研磨した面を粗化処理する工程を含まない。図７では、導体層４０はコア基板１０の両面に形成されているが、導体層４０は、コア基板１０の一方の面のみに形成してもよい。
【００９２】
導体層の形成方法は、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法などが挙げられ、中でもめっき法が好ましい。好適な実施形態では、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の適切な方法によって硬化物の表面にめっきして、所望の配線パターンを有するパターン導体層を形成する。導体層の材料としては、例えば、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ、インジウム等の単金属；金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムの群から選択される２種以上の金属の合金が挙げられる。中でも、汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金、銅ニッケル合金、銅チタン合金を用いることが好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金を用いることがより好ましく、銅を用いることがさらに好ましい。
【００９３】
ここで、硬化物を研磨した面上にパターン導体層を形成する実施形態の例を、詳細に説明する。硬化物を研磨した面に、無電解めっきにより、めっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、電解めっきにより電解めっき層を形成し、必要に応じて、不要なめっきシード層をエッチング等の処理により除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成できる。導体層形成後、導体層のピール強度を向上させる等の目的で、必要によりアニール処理を行ってもよい。アニール処理は、例えば、回路基板を１５０〜２００℃で２０〜９０分間加熱することにより行うことができる。
【００９４】
導体層を形成後、形成されためっきシード層上に、所望の配線パターンに対応して、めっきシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。この場合、露出しためっきシード層上に、電解めっきにより電解めっき層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なめっきシード層をエッチング等の処理により除去して、所望の配線パターンを有するパターン導体層を形成する。
【００９５】
パターン導体層の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは７０μｍ以下であり、より好ましくは６０μｍ以下であり、さらに好ましくは５０μｍ以下、さらにより好ましくは４０μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下、２０μｍ以下、１５μｍ以下又は１０μｍ以下である。下限は好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上である。
【００９６】
［インダクタ部品］
インダクタ部品は、本発明の回路基板を含む。このようなインダクタ部品は、前記のスルーホール充填用ペーストの硬化物の周囲の少なくとも一部に導体によって形成されたインダクタパターンを有する。このようなインダクタ部品は、例えば特開２０１６−１９７６２４号公報に記載のものを適用できる。
【００９７】
インダクタ部品は、半導体チップ等の電子部品を搭載するための配線板として用いることができ、かかる配線板を内層基板として使用した（多層）プリント配線板として用いることもできる。また、かかる配線板を個片化したチップインダクタ部品として用いることもでき、該チップインダクタ部品を表面実装したプリント配線板として用いることもできる。
【００９８】
またかかる配線板を用いて、種々の態様の半導体装置を製造することができる。かかる配線板を含む半導体装置は、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラおよびテレビ等）および乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶および航空機等）等に好適に用いることができる。
【実施例】
【００９９】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、量を表す「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。
【０１００】
＜実施例１：スルーホール充填用ペースト１の調製＞
エポキシ樹脂（「ＺＸ−１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品、新日鉄住金化学社製）３．７５質量部、硬化剤（「ＨＮＡ−１００」、酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤、新日本理化社製）３．２８質量部、硬化剤（「ＰＮ−５０」、アミン系硬化促進剤、味の素ファインテクノ社製）０．１１質量部、硬化剤（「２ＰＨＺ−ＰＷ」、イミダゾール系硬化促進剤、四国化成工業社製）０．５８質量部、磁性粉体（「ＡＷ２−０８  ＰＦ３Ｆ」、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金（アモルファス、平均粒径３．０μｍ、エプソンアトミックス社製）６０質量部を「ＫＢＭ−１０３」（アルコキシシラン、信越化学工業社製）０．０６質量部で処理したもの）を混合し、３本ロールで均一に分散して、スルーホール充填用ペースト１を調製した。
【０１０１】
＜実施例２：スルーホール充填用ペースト２の調製＞
実施例１において、さらに、ホウ酸トリエチル（純正化学社製）０．０１質量部を加えた。以上の事項以外は実施例１と同様にしてスルーホール充填用ペースト２を調製した。
【０１０２】
＜実施例３：スルーホール充填用ペースト３の調製＞
エポキシ樹脂（「ＺＸ−１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品、新日鉄住金化学社製）８．３質量部、硬化剤（「２ＰＨＺ−ＰＷ」、イミダゾール系硬化促進剤、四国化成工業社製）０．５８質量部、磁性粉体（「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金（アモルファス、平均粒径３．０μｍ、エプソンアトミックス社製）６５質量部を「ＫＢＭ−１０３」（アルコキシシラン、信越化学工業社製）０．０６５質量部で処理したもの）を混合し、３本ロールで均一に分散して、スルーホール充填用ペースト３を調製した。
【０１０３】
＜実施例４：スルーホール充填用ペースト４の調製＞
実施例３において、「ＫＢＭ−１０３」（アルコキシシラン、信越化学工業社製）０．０６５質量部を、「ＡＬＭ」（アルミネート系カップリング剤、味の素ファンテクノ社製）０．０６５質量部に変えた。以上の事項以外は実施例３と同様にしてスルーホール充填用ペースト４を調製した。
【０１０４】
＜実施例５：スルーホール充填用ペースト５の調製＞
実施例３において、「ＫＢＭ−１０３」（アルコキシシラン、信越化学工業社製）０．０６５質量部を、「ＴＴＳ」（チタネート系カップリング剤、味の素ファンテクノ社製）０．０６５質量部に変えた。以上の事項以外は実施例３と同様にしてスルーホール充填用ペースト５を調製した。
【０１０５】
＜実施例６：スルーホール充填用ペースト６の調製＞
実施例３において、さらに、ホウ酸トリエチル（純正化学社製）０．００８質量部を加えた。以上の事項以外は実施例３と同様にしてスルーホール充填用ペースト６を調製した。
【０１０６】
＜実施例７：スルーホール充填用ペースト７の調製＞
エポキシ樹脂（「ＺＸ−１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品、新日鉄住金化学社製）８．３質量部、硬化剤（「２ＰＨＺ−ＰＷ」、イミダゾール系硬化促進剤、四国化成工業社製）０．５８質量部、磁性粉体（「ＢＳＮ−１２５」（フェライト系磁性粉体、平均粒径７．６μｍ、戸田工業社製）３３質量部を「ＫＢＭ−１０３」（シラン系カップリング剤、信越化学工業社製）０．０３３質量部で処理したもの）を混合し、３本ロールで均一に分散して、スルーホール充填用ペースト７を調製した。
【０１０７】
＜実施例８：スルーホール充填用ペースト８の調製＞
実施例７において、さらに、ホウ酸トリエチル（純正化学社製）０．００８質量部を加えた。以上の事項以外は実施例７と同様にしてスルーホール充填用ペースト８を調製した。
【０１０８】
＜比較例１：スルーホール充填用ペースト９の調製＞
実施例１において、磁性粉体を、「ＫＢＭ−１０３」（アルコキシシラン、信越化学工業社製）０．０６質量部で処理しなかった。以上の事項以外は実施例１と同様にしてスルーホール充填用ペースト９を調製した。
【０１０９】
＜比較例２：スルーホール充填用ペースト１０の調製＞
実施例３において、磁性粉体を、「ＫＢＭ−１０３」（アルコキシシラン、信越化学工業社製）０．０６５質量部で処理しなかった。以上の事項以外は実施例３と同様にしてスルーホール充填用ペースト１０を調製した。
【０１１０】
＜比透磁率、磁性損失の測定＞
支持体として、シリコン系離型剤処理を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（リンテック社製「ＰＥＴ５０１０１０」、厚さ５０μｍ）を用意した。各実施例及び各比較例で作製したスルーホール充填用ペースト１〜１０を上記ＰＥＴフィルムの離型面上に、乾燥後のペースト層の厚みが５０μｍとなるよう、ドクターブレードにて均一に塗布し、樹脂シートを得た。得られた樹脂シートを１８０℃で９０分間加熱することによりペースト層を熱硬化し、支持体を剥離することによりシート状の硬化物を得た。得られた硬化物を、幅５ｍｍ、長さ１８ｍｍの試験片に切断し、評価サンプルとした。この評価サンプルを、アジレントテクノロジーズ（Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）社製「ＨＰ８３６２Ｂ」（商品名）を用いて、３ターンコイル法にて測定周波数を１０ＭＨｚとし、室温２３℃にて比透磁率（μ’）及び磁性損失（μ’’）を測定した。
【０１１１】
＜めっき銅との密着強度の評価＞
内層基板として、ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（銅箔の厚さ１８μｍ、基板厚み０．３ｍｍ、松下電工社製Ｒ５７１５ＥＳ）の両面をマイクロエッチング剤（メック社製ＣＺ８１００）にて１μｍエッチングして銅表面の粗化処理を行ったものを用意した。
【０１１２】
各実施例及び各比較例で作製したスルーホール充填用ペースト１〜１０を上記内層基板上に、乾燥後のペースト層の厚みが５０μｍとなるよう、ドクターブレードにて均一に塗布し、ペースト層を形成した。ペースト層を１３０℃で３０分間加熱し、さらに１５０℃で３０分加熱することにより熱硬化し、硬化物層を形成した。形成した硬化物層の表面のバフ研磨を実施した後、１８０℃で３０分加熱することにより熱処理を行った。
【０１１３】
硬化物層の表面をバフ研磨した内層基板を、ＰｄＣｌ２を含む無電解めっき用溶液に４０℃で５分間浸漬し、次に無電解銅めっき液に２５℃で２０分間浸漬した。１５０℃にて３０分間加熱してアニール処理を行った後に、硫酸銅電解めっきを行い、硬化物層上に３０μｍの厚さで導体層を形成した。次に、アニール処理を１８０℃にて６０分間行った。この基板を評価基板とした。
【０１１４】
この評価基板の導体層に、幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍの部分の切込みをいれ、この一端を剥がしてつかみ具（ティー・エス・イー社製、オートコム型試験機「ＡＣ−５０Ｃ−ＳＬ」）で掴み、室温中にて、５０ｍｍ／分の速度で垂直方向に３５ｍｍを引き剥がした時の荷重（ｋｇｆ／ｃｍ）を測定した。また、荷重の数値が適切に得られない場合は、下記の評価基準に従って分類した。
剥離：密着強度が低すぎて、測定時に適切な荷重がかからず、測定困難。
膨れ：電解めっき処理後に、導体層に膨れが発生し、測定不可。
【０１１５】
【表１】
2022000511.tif 000002
【０１１６】
＜回路基板の製造＞
内層基板として、ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（銅箔の厚さ１８μｍ、基板厚み０．３ｍｍ、松下電工社製Ｒ５７１５ＥＳ）を用意した。
【０１１７】
上記内層基板に直径０．３５ｍｍのスルーホールを１ｍｍピッチで形成した後に、粗化工程を実施した。粗化工程としては、膨潤液であるアトテックジャパン社製のジエチレングリコールモノブチルエーテル含有のスエリングディップ・セキュリガンドＰに６０℃で５分間浸漬した。次に粗化液として、アトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトＰ（ＫＭｎＯ４：６０ｇ／Ｌ、ＮａＯＨ：４０ｇ／Ｌの水溶液）に８０℃で１０分間浸漬した。水洗処理後、最後に中和液として、アトテックジャパン社製のリダクションソリューシン・セキュリガントＰに４０℃で５分間浸漬した。その後、１３０℃で１５分乾燥した。これによりスルーホール壁面の粗化処理とスミア除去とを行った。
【０１１８】
次にＰｄＣｌ２を含む無電解めっき用溶液に４０℃で５分間浸漬した後に、無電解銅めっき液に２５℃で２０分間浸漬した。１５０℃にて３０分間加熱してアニール処理を行った後に、硫酸銅電解めっきを行った。次に、アニール処理を１９０℃にて６０分間行うことで、スルーホール内にめっき層を形成し、スルーホール基板を得た。
【０１１９】
実施例１で作製したスルーホール充填用ペースト１を上記スルーホール基板上に印刷し、スルーホール内にスルーホール充填用ペースト１を充填し、ペースト層を形成した。ペースト層を形成した後、１３０℃で３０分間加熱し、さらに１５０℃で３０分加熱した。
【０１２０】
次に、ペースト層及びスルーホール基板の表面をバフ研磨した。さらに１８０℃で３０分加熱することによりペースト層を熱硬化し、硬化物層を得た。
【０１２１】
スルーホール基板を、ＰｄＣｌ２を含む無電解めっき用溶液に４０℃で５分間浸漬し、次に無電解銅めっき液に２５℃で２０分間浸漬した。１５０℃にて３０分間加熱してアニール処理を行った後に、硫酸銅電解めっきを行い、硬化物層上に３０μｍの厚さで導体層を形成した。次に、アニール処理を１８０℃にて６０分間行った。次にエッチングレジストを形成し、エッチングによるパターン形成し、回路基板を得た。
【０１２２】
この回路基板は。硬化物層の表面と導体層との間の界面で剥離や膨れは無く、めっき密着性は良好であった。
【符号の説明】
【０１２３】
１０    コア基板
１１    支持基板
１２    第１金属層
１３    第２金属層
１４    スルーホール
２０    めっき層
３０ａ  スルーホール充填用ペースト
３０    硬化物層
４０    導体層
４１    パターン導体層 
【図１】
2022000511.tif 000003
【図２】
2022000511.tif 000004
【図３】
2022000511.tif 000005
【図４】
2022000511.tif 000006
【図５】
2022000511.tif 000007
【図６】
2022000511.tif 000008
【図７】
2022000511.tif 000009
【図８】
2022000511.tif 000010