(57)【要約】【課題】光ディスク用ピックアップ等でのレーザ戻り光によって生ずるトラッキングやノイズなどを効果的に抑制することができる半導体レーザ素子、及びこの半導体レーザ素子を容易に製造することができる製造方法を提供すること。【解決手段】半導体基板２と、この半導体基板２の表面に積層された発光層３とを少なくとも備え、半導体基板２は、発光層３のレーザ光出射端面３ａ側の端面に曲面部１０を有する。曲面部１０は、レーザ光出射端面３ａ寄りに配置された第１面１１と、基板２の裏面から延びて発光層３の厚み中心から基板２側の５０μｍ以下の位置で第１面１１に接続する第２面１２を有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、この半導体基板の表面に積層された発光層とを少なくとも備え、
前記半導体基板は、前記発光層のレーザ光出射端面側の端面に曲面部を有し、
前記曲面部は、レーザ光出射端面寄りに配置された第１面と、基板の裏面から延びて前記発光層の厚み中心から基板側の５０μｍ以下の位置で前記第１面に接続する第２面を有することを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
第２面は、基板に対して垂直方向の断面形状が凹曲面状である請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
第２面は、基板に対して平行方向の断面形状が凹凸状である請求項１又は２に記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
第２面は、レーザ光出射端面から出射されたレーザ出射光の一部のレーザ戻り光を乱反射させる程度の凹凸状である請求項３に記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
半導体基板に少なくとも発光層が積層された半導体レーザウエハの前記基板側の裏面における半導体レーザ素子のレーザ光出射端面相当位置に、２段階のドライエッチングによって溝を形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項６】
第２段階目のドライエッチングに際して、発光層の厚み中心から基板側の５０μｍ以下の位置まで溝を形成する請求項５に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項７】
２段階目のドライエッチングによる溝の溝幅を、１段階目のドライエッチングによる溝の溝幅よりも大きくする請求項５又は６に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項８】
１段階目のドライエッチングによる溝の溝幅は、１０  μｍ以下である請求項５〜７の何れか１つに記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項９】
２段階目のドライエッチングの前に半導体レーザウエハの裏面に形成されるレジストパターンのレジスト開口部は、２段階目のドライエッチングにて形成される溝の側面に凹凸が形成されるための凹凸波形である請求項５〜８の何れか１つに記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１０】
１段階目のドライエッチングは、半導体基板に対して高い垂直性が得られるように、ガス圧を１〜２ｍＴｏｒｒ、バイアス電圧を２５０  〜３００Ｖとするエッチング条件を選定する請求項５〜９の何れか１つに記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１１】
２段階目のドライエッチングは、半導体基板に対して異方性が出にくくなるよう、ガス圧を１０〜２０ｍＴｏｒｒ、バイアス電圧を１５０Ｖ以下とするエッチング条件を選定する請求項５〜１０の何れか１つに記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１２】
ドライエッチングに際して、バイアスパワーを制御可能なＩＣＰもしくはＥＣＲプラズマエッチング装置を使用する請求項５〜１１の何れか１つに記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザ素子及びその製造方法に関し、さらに詳しくは、レーザ戻り光対策に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、レーザ光によって光ディスクの記録又は再生を行う光ピックアップ等の光学系に、その光源として半導体レーザ素子を組み込む場合、光学系からの半導体レーザ素子へのレーザ戻り光が、一般にへき開面によって形成された鏡面を有する半導体レーザ素子の前方端面で反射して再び光学系に入り込むことによって発生するノイズにより種々の問題が生じることが知られている。例えば３スポット方式の光ディスク用ピックアップでこの現象が起きると、トラッキングに悪影響を与える。なお、光学系からのレーザ戻り光が半導体レーザ素子へ再入射される位置は、一般的にレーザ光出射位置より約５０μｍ離れた位置といわれている。
【０００３】
このような不都合を回避するために従来は、レーザ戻り光が問題とならないようなピックアップの設計としている。ただ、この場合、ピックアップの部品点数が多くなりコスト高となることが問題である。
他方、レーザ素子での対応策としては、素子の厚さを薄くして光学系からのレーザ戻り光をできるだけ多く後方へ逃がすことが考えられている。しかしこの場合、半導体レーザ素子を得る以前の半導体レーザウエハが肉薄となって、ウエハ強度が弱くなって製造工程中の破損が生じやすくなり、製造歩留り低下を招く。
【０００４】
また、その他の手法として、前述のウエハを肉薄にする場合の不具合を解消するため、レーザ光出射端面の直下の光学系への再入射が問題となる部分のみをダイシング加工によって切削し、その部分に光学的に粗な面を形成することにより、光学系からのレーザ戻り光をその部分で光散乱（乱反射）させ、光学系への再入射を防止する技術（特許文献１参照）が公知である。この場合、半導体レーザウエハ全体を肉薄にするのではなく、一部分のみを薄くするので全体の機械的強度は十分保持される。
なお、半導体レーザのレーザ光出射端面をその発光部を少なくともマスクした状態で粗面化してレーザ戻り光を乱反射させる方法（特許文献２）や、半導体レーザのレーザ光出射端面側のレーザ戻り光が当たる部分に低光反射材料からなる膜を設ける方法（特許文献３）も公知である。
【０００５】
【特許文献１】
特開昭６１−１２８５８７号公報
【特許文献２】
特開昭６１−１２１４８６号公報
【特許文献３】
特開昭６２−１８０８０号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
前記特許文献１による手法は、上述のように、ダイシング加工により半導体レーザウエハの一部分を切削して光学的に粗な面を形成するものである。一般的にダイシングによる切削は、図５に示すように、切削対象の半導体レーザウエハ５０を支持シート５１に貼り付け、それをダイシング装置のステージ５２上にセットして切削を行う。この際、切り込み深さの制御は、ステージ５２上を基準点（０点）とし、その基準点から上方何μｍまでダイシングブレードを下降させるかによって制御している。したがって、ダイシングブレードの下降位置が一定であっても、半導体レーザウエハ５０の厚みのばらつき及び支持シート５１の厚みのばらつきによって、実際の切り込み深さがばらついてしまう。また、ダイシグブレードの磨耗の進行によっても、徐々に切り込み深さがばらついてゆく。このようにダイシング加工による切込み深さの厳密な制御は困難であるため、レーザ戻り光の入射部となる部分のみをカットすることは非常に難しく、やや深めに切り込んでおく必要があるが、このことは、切削時のウエハ破損を生じ易くさせることにつながる。また、ダイシング加工は切削時の機械的ストレスが大きいため、素子信頼性に悪影響を及ぼす懸念もある。
また、上記特許文献２の方法では製造工程が複雑化し、上記特許文献３の方法では半導体レーザウエハを分割して得た複数の半導体バーのへき開面に、レーザ光出射端面を除いて低光反射材料からなる膜を高精度に形成することが難しい。
【０００７】
本発明の主要な目的の一つは、光ディスク用ピックアップ等でのレーザ戻り光によって生ずるトラッキングやノイズなどを効果的に抑制することができる半導体レーザ素子、及びその半導体レーザ素子を容易に製造することができる製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
かくして、本発明によれば、半導体基板と、この半導体基板の表面に積層された発光層とを少なくとも備え、
前記半導体基板は、前記発光層のレーザ光出射端面側の端面に曲面部を有し、
前記曲面部は、レーザ光出射端面寄りに配置された第１面と、基板の裏面から延びて前記発光層の厚み中心から基板側の５０μｍ以下の位置で前記第１面に接続する第２面を有する半導体レーザ素子が提供される。
【０００９】
ここで、本発明において、対象とする半導体レーザ素子としては、特に限定されるものではなく、各種発振波長の半導体レーザ素子に適用することができるが、レーザ光によって光ディスクの記録、消去あるいは再生を行う光ディスク用ピックアップの光源として用いられるものが好適である。
【００１０】
本発明の半導体レーザ素子によれば、光ディスク用ピックアップの光源として用いた場合に、半導体基板の端面のレーザ戻り光が当たる部分、つまり基板の裏面から延びて発光層（活性層）の厚み中心から基板側の５０μｍ以下の位置まで曲面部の第２面を有するため、この第２面にレーザ戻り光を確実に当てることができ、第２面に当たったレーザ戻り光を十分に散乱（乱反射）させて光学系への再入射を大幅に軽減することができ、トラッキングやノイズなどの悪影響の発生を効果的に抑制することができる。
【００１１】
本発明において、第２面は、（１）基板に対して垂直方向の断面形状が凹曲面状であったり、（２）基板に対して平行方向の断面形状が凹凸状であったり、（３）基板に対して、垂直方向の断面形状が凹曲面状で、かつ平行方向の断面形状が凹凸状であるように構成することができる。上記構成（２）（３）の場合、第２面は、レーザ戻り光を乱反射させる程度の凹凸状とされ、例えば曲線の波形、直線の三角波形あるいはこれらの組み合わせ等とすることができる。その凹凸の位置や数や大きさは、レーザ戻り光の当たる位置や径を考慮して効果的に乱反射させるよう設定することが好ましい。
上記構成（１）の場合、半導体レーザ素子に再入射したレーザ戻り光を、基板に平行な方向から見て基板の裏面側に主として散乱させることができる。上記構成（２）の場合、半導体レーザ素子に再入射したレーザ戻り光を、基板と垂直な方向から見て半導体レーザ素子の側面側に主として散乱させることができる。上記構成（３）の場合、半導体レーザ素子に再入射したレーザ戻り光を、基板に平行な方向から見て基板の裏面側に、かつ基板と垂直な方向から見て半導体レーザ素子の側面側に散乱させることができる。
【００１２】
本発明は、別の観点によれば、半導体基板に少なくとも発光層が積層された半導体レーザウエハの前記基板側の裏面における半導体レーザ素子のレーザ光出射端面相当位置に、２段階のドライエッチングによって溝を形成する半導体レーザ素子の製造方法を提供することができる。
【００１３】
この半導体レーザ素子の製造方法によれば、レーザ光出射端面相当位置に、第１段階目のドライエッチングによって半導体レーザウエハを各バーに分割する際に用いられる深い溝を容易に形成することができると共に、第２段階目のドライエッチングによって各バーをチップサイズに分割して得られる半導体レーザ素子のレーザ戻り光が当たる基板端面に相当する側面が曲面状の溝を、容易かつ高精度に形成することが可能となる。なお、第２段階目のドライエッチングに際しては、発光層の厚み中心から基板側の５０μｍ以下の位置まで溝が形成される。したがって、半導体レーザウエハを各バーに分割する際に、前記深い溝からへき開することができ、共振器長の揃った半導体レーザ素子を形成することができる。また、得られた半導体レーザ素子には、そのレーザ光出射端面側の基板の端面に曲面部が形成されているので、この半導体レーザ素子を光ディスクのピックアップ用光源として用いれば、レーザ戻り光を光学系に再入射しない方向に光散乱させることができ、トラッキングやノイズ等の悪影響を効果的に抑制することができる。また、本発明では、従来ダイシング加工により半導体レーザウエハの一部分を切削して光学的に粗な面を形成する場合に問題となっていた深さ制御及びダイシングによる機械的ストレスでのウエハ破損を解消することが可能となる。
なお、レーザ戻り光対策として、レーザ光出射端面のレーザ戻り光が当たる部分をウエットエッチングして溝の側面を曲面状にすることも可能ではあるが、ウエットエッチングでは溝の深さ方向のエッチング精度が低いため、レーザ戻り光を乱反射させる位置まで溝幅を広げることなく深くエッチングすることは困難であり、仮にレーザ戻り光を乱反射させる位置まで深くエッチングしたとすれば溝幅が広くなり過ぎるため、後工程で行うバー分割時に、レーザの共振器長を精度よく揃えることが難しくなる。
【００１４】
本発明において、１段階目と２段階目のそれぞれのドライエッチングを行う前には、公知技術のフォトリソグラフィー法により、予め半導体レーザウエハの裏面における溝形成領域にレジスト開口部を有するレジストパターンが形成される。そして、１段階目と２段階目のそれぞれのドライエッチングに際しては、例えばバイアスパワーを制御可能なＩＣＰ（誘導結合プラズマエッチング装置）もしくはＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマエッチング装置を使用してエッチングを行うことができる。
【００１５】
本発明の半導体レーザ素子の製造方法によれば、２段階目のドライエッチングによる溝の溝幅を、１段階目のドライエッチングによる溝の溝幅よりも大きくすることが好ましい。このようにすれば、２段階目のドライエッチングにより、レーザ戻り光を乱反射させるのに十分な面積の曲面部を有する半導体レーザ素子を形成することができる。具体的には、１段階目のドライエッチングによる溝の溝幅は、１０μｍ以下が好ましく、３〜５μｍがさらに好ましい。これに対して２段階目のドライエッチングによる溝の溝幅は２０〜６０μｍが好ましく、      ３０〜４０μｍがさらに好ましい。
【００１６】
本発明において、２段階目のドライエッチングの前に半導体レーザウエハの裏面に形成されるレジストパターンのレジスト開口部は、２段階目のドライエッチングにて形成される溝の側面に凹凸が形成されるための凹凸波形であるようにしてもよい。このようにすれば、半導体レーザ素子のレーザ光出射端面側の基板の端面に設けられる曲面部を、レーザ戻り光が乱反射する程度の形状、大きさ、数等の凹凸状に容易に形成することができる。
【００１７】
また、本発明において、１段階目のドライエッチングは、半導体基板に対して高い垂直性が得られるように、ガス圧を１〜２ｍＴｏｒｒ、バイアス電圧を２５０  〜３００Ｖとするエッチング条件を選定するようにしてもよい。好ましくは、ガス圧：１．４〜１．７ｍＴｏｒｒ、バイアス電圧：２７５  〜２８５Ｖである。このようにすれば、半導体レーザウエハを複数の半導体バーに分割する際に寄与する深く垂直性の高い溝を容易に形成することができ、この溝により上述したように共振器長の揃ったチップ（半導体レーザ素子）を形成することができる。
一方、２段階目のドライエッチングは、半導体基板に対して異方性が出にくくなるよう、ガス圧を１０〜２０ｍＴｏｒｒ、バイアス電圧を１５０Ｖ以下とするエッチング条件を選定するようにしてもよい。このようにすれば、２段階目のドライエッチングにて形成される溝の側面を、垂直性を低く抑えた凹曲面状に容易に形成することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、本発明は実施の形態に限定されるものではない。
【００１９】
［実施の形態１］
図１は本発明の実施の形態１の半導体レーザ素子を示す断面図であり、図２は同実施の形態１の半導体レーザ素子を示す平面図であり、図３は同実施の形態１の半導体レーザ素子の製造方法を説明する工程説明図であり、図４は同実施の形態１の半導体レーザ素子の製造における２段階目のドライエッチングの前のレジスト開口部を示す要部平面図である。なお、図１と図２において、矢印Ａはレーザ出射光、矢印Ｂは光学系からのレーザ戻り光、矢印Ｃはレーザ戻り光が乱反射した散乱光、矢印Ｄは共振器長方向、矢印Ｅはチップ幅方向である。
【００２０】
この実施の形態１の半導体レーザ素子１は、半導体基板２と、半導体基板２に積層された発光層３と、アロイ層４、５を介して半導体基板１及び発光層３にそれぞれ積層された電極６、７とを備える。本実施の形態では、赤色（ＧａＩｎＡｌＰ系）半導体レーザ素子の場合を例示しており、具体的には、例えば半導体基板２としてはｎ−ＧａＡｓ基板であり、発光層３としてはｎ−ＧａＡｓ基板上に、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、ＧａＩｎＰ活性層、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、ｐ−ＧａＩｎＰエッチングストッパ層、及びリッジ状のｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層を形成すると共に、このｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層の上面にはｐ−ＧａＩｎＰコンタクト層、その両側にはｎ−ＧａＡｓ電流阻止層を形成し、さらにこれらの層をｐ−ＧａＡｓキャップ層で覆った、所謂埋め込みリッジ構造とすることができる。この半導体レーザ素子１は、全体の厚みは１１０μｍ、共振器長方向の長さは９００μｍ、チップ幅は２３０μｍであり、半導体基板２の厚みは１００μｍ、発光層３の厚みは１０μｍである。
【００２１】
この半導体レーザ素子１は、その共振器長方向（矢印Ｄ）の一方側（図１、２の右側）に、発光層３からレーザ出射光Ａを出射するレーザ光出射端面３ａを有すると共に、半導体基板２の端面におけるレーザ戻り光Ｂが当たる部分に曲面部１０を有している。
【００２２】
曲面部１０は、レーザ戻り光Ｂを（散乱光Ｃのように）乱反射させるためのものであり、レーザ光出射端面３ａ寄りに配置された第１面１１と、基板２の裏面から延びて発光層３の厚み中心から基板２側の所定寸法Ｔ以下の位置で第１面１１に接続し、かつレーザ光出射端面３ａから基板２の平行方向（矢印Ｄ方向）の寸法Ｆ２が第１面１１の寸法Ｆ１よりも大きい第２面１２とからなり、矢印Ｅ方向のチップ幅全長に渡って設けられている。具体的に、前記所定寸法Ｔは、光学系からのレーザ戻り光Ｂが再入射される位置が、一般的にレーザ光出射位置より約５０μｍ離れた位置といわれていることから、約５０μｍに設定されている。また、前記寸法Ｆ１は約２．５μｍ、寸法Ｆ２は約１２．５μｍである。なお、半導体レーザ素子１の出射端面１０とは反対の端面にも、半導体レーザ素子１の製造時に対称的に形成された同様の曲面部が設けられている。
【００２３】
曲面部１０の第２面１２は、基板２に対して垂直方向の断面形状が凹曲面状であり、かつ基板２に対して平行方向の断面形状が凹凸状である。つまり、基板２の裏面から端面側に湾曲する凹曲面部に、丸みの帯びた凸部が矢印Ｅ方向に等ピッチで形成された形状である。この第２面１２の凹凸は、レーザ戻り光Ｂを乱反射させる程度の大きさ、位置、数等に設定されている。本実施の形態では、チップ幅２３０μｍの第２面１２に３０個以上の凹凸が設けられている。
【００２４】
次に、主として図３を参照しながら、本発明の半導体レーザ素子１の製造方法について説明する。
半導体ウエハ２２の表面に発光層２３をエピタキシャル成長させ、厚み加工が完了したウエハ２２の表裏両面に、オーミックコンタクトが得られるように、スパッタ法あるいは蒸着法を用いて電極２６、２７を形成する（図３（ａ）参照）。
【００２５】
続いて、前記工程にて得られた半導体レーザウエハＷ１を、４００〜４５０℃で熱処理して、アロイ層（オーミックコンタクト）２４、２５を形成し、引き続き、バリアメタル及びボンディングパットメタルをスパッタ法もしくは蒸着法にて成膜し、一般的なフォトリソグラフィー工程にてレジスト膜２８による電極パターンを形成する（図３（ｂ）参照）。
【００２６】
そして、前記工程にて得られた半導体レーザウエハＷ２の表面が露出するまで電極パターンをエッチングする。この際、アロイ層２４は完全にエッチングされないが、そのままで良い。引き続き、レジスト膜２８をレジスト剥離液にて除去した後、Ｐ−ＣＶＤ法等により、ＳｉＯ２等の誘電体膜２９を形成する（図３（ｃ）参照）。
【００２７】
次に、一般的なフォトリソグラフィー工程にて、前記工程にて得られた半導体レーザウエハＷ３において、半導体レーザ素子に分割したときにレーザ光出射端面に相当する位置の直上にあたる部分に溝幅Ｌ１が５μｍのレジスト開口部が配置されるレジスト膜（レジストパターン）３０を形成し、その後、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）にてレジスト開口部から露出する誘電体膜２９を除去し（図３（ｄ）参照）、その後レジスト膜３０を除去する。
【００２８】
続いて、前記工程で得られた半導体レーザウエハ（図３（ｄ）のウエハＷ４からレジスト膜３０を除去したもの）を用い、下記の条件で深さＨ１：１０〜２０μｍまで１段階目のドライエッチングを行って溝３１を形成し、図３（ｅ）に示す半導体レーザウエハＷ５を得る。このとき、溝３１の最深部の位置は、発光層２３の厚み中心からウエハ２２側へ上記寸法Ｔ（約５０μｍ）離れた位置よりも発光層２３側まで達している。
この１段階目のドライエッチングに際しては、ＩＣＰドライエッチング装置が用いられる。ドライエッチングに使用するガスとしては、塩素系のガス、例えばＳｉＣｌ４／Ａｒ混合ガスが用いられる。その他のエッチング条件としては、パワー（Ｗ）とガス圧（ｍＴｏｒｒ）がある。パワーに関しては、プラズマ放電用のＩＣＰパワーとエッチング時のバイアス調整用のプラテンパワーがある。ここで、エッチングの垂直性や実用レベルのエッチングレート、エッチングダメージの低減等を考慮した条件出しの結果、ＩＣＰパワーは、６００〜８００Ｗ、プラテンパワーは１００〜２００Ｗのパワーでエッチングするのが好ましい。また、ガス圧に関しては、垂直性を高くするため１．０〜５．０ｍＴｏｒｒの範囲でエッチングするのが望ましい。
【００２９】
次に、前記工程で得られた半導体レーザウエハＷ５上に、再度Ｐ−ＣＶＤ等により、ＳｉＯ２等の誘電体膜３２を形成する。そして、一般的なフォトリソグラフィー工程にて、先に形成した溝３１が中心となる溝幅Ｌ２：３０μｍのレジスト開口部を有するレジスト膜３３を再度形成する（図３（ｆ）参照）。ここで、マスクとなるレジスト膜３３のレジスト開口端縁の断面形状は傾斜をつけたものとする。また、レジスト開口部は、図４に示すように、レーザ戻り光が乱反射する程度の凹凸を有する凹凸波状のパターン形状とする。
【００３０】
パターン形成後、前記工程で得られた半導体レーザウエハＷ６を用い、ウェットエッチングもしくはＲＩＥにてレジスト開口部に対応する位置の誘電体膜３２、２９を除去し、その後レジスト膜３３を除去する（図３（ｇ）参照）。
【００３１】
前記工程で得られた半導体レーザウエハＷ７を用い、少なくともレーザ戻り光が当る深さ、つまり発光層２３からウエハ２２側へ所定寸法Ｔ（約５０μｍ）以下の位置まで、２段階目のドライエッチングを行って、先の溝３１よりも幅広くかつ浅い溝３４を形成する（図３（ｈ）参照）。ただし、この場合、溝３４の底部を曲面形状にする必要があることから、プラテンパワーを５０ｍＷ程度に落し、ガス圧を５〜２０ｍＴｏｒｒに高めて行う。使用するガスは、１段階目と同じく塩素系ガス（例えばＳｉＣｌ４／Ａｒ混合ガス）でよい。
【００３２】
ドライエッチング完了後、前記工程で得られた半導体レーザウエハＷ７の誘電体膜３１、２９をＲＩＥにて除去して半導体レーザウエハＷ８が得られ、これにより半導体レーザウエハ形成工程が完了する。
その後、得られた半導体レーザウエハＷ８の溝３１に沿って分割して複数の半導体バーを形成し、得られた半導体バーの両側のへき開面を非対称にコーティングして一方のへき開面側の発光層の端面をレーザ光出射端面とし、続いて各半導体バーを所定のチップ幅サイズに分割して、図１と図２で説明した半導体レーザ素子１が得られる。なお、バーへの分割及びチップへの分割は、公知技術により行うことができる。
【００３３】
［他の実施の形態］
１．上記実施の形態１では、２段階目のドライエッチングで凹凸を有する凹曲面状の溝３４を形成した場合を例示したが、凹凸を省略した凹曲面のみの溝を形成してもよい。この場合、図３（ｇ）及び図４で説明したレジスト膜３２のレジスト開口部をストレート状にすればよい。あるいは、凹曲面を略垂直面としてそこに凹凸を有する溝を形成してもよい。この場合、プラテンパワー及びガス圧を調整してドライエッチングの垂直性を高めればよい。
２．上記実施の形態１の半導体レーザ素子では、その出射端面に丸みを帯びた凹凸部の場合を例示したが、三角形状の凹凸部であってもよい。
３．上記実施の形態１では、赤色半導体レーザ素子の場合を例示したが、本発明は青色、赤外等の各色の半導体レーザ素子に適用することができる。
【００３４】
【発明の効果】
本発明の半導体レーザ素子によれば、光ディスク用ピックアップの光源として用いた場合に、半導体基板の端面のレーザ戻り光が当たる部分、つまり基板の裏面から延びて発光層の厚み中心から基板側の５０μｍ以下の位置まで曲面部の第２面を有するため、この第２面にレーザ戻り光を確実に当てることができ、第２面に当たったレーザ戻り光を十分に散乱（乱反射）させて光学系への再入射を大幅に軽減することができ、トラッキングやノイズなどの悪影響の発生を効果的に抑制することができる。
また、本発明の半導体レーザ素子の製造方法によれば、レーザ光出射端面相当位置に、第１段階目のドライエッチングによって半導体レーザウエハを各バーに分割する際に用いられる深い溝を容易に形成することができると共に、第２段階目のドライエッチングによって各バーをチップサイズに分割して得られる半導体レーザ素子のレーザ戻り光が当たる基板端面に相当する側面が曲面状の溝を、容易かつ高精度に形成することが可能となる。したがって、半導体レーザウエハを各バーに分割する際に、前記深い溝からへき開することができ、共振器長の揃った半導体レーザ素子を形成することができる。また、得られた半導体レーザ素子には、そのレーザ光出射端面側の基板の端面に曲面部が形成されているので、この半導体レーザ素子を光ディスクのピックアップ用光源として用いれば、レーザ戻り光を光学系に再入射しない方向に光散乱させることができ、トラッキングやノイズ等の悪影響を大幅に軽減できる。また、本発明では、従来ダイシング加工により半導体レーザウエハの一部分を切削して光学的に粗な面を形成する場合に問題となっていた深さ制御及びダイシングによる機械的ストレスでのウエハ破損を解消することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体レーザ素子を示す断面図である。
【図２】同実施の形態１の半導体レーザ素子を示す平面図である。
【図３】同実施の形態１の半導体レーザ素子の製造方法を説明する工程説明図である。
【図４】同実施の形態１の半導体レーザ素子の製造における２段階目のドライエッチングの前のレジスト開口部を示す要部平面図である。
【図５】従来の半導体レーザ素子の製造におけるダイシング加工工程を説明する概略図である。
【符号の説明】
３ａ  出射端面
１１  第１面
１２  第２面
３、２３  発光層
Ａ  レーザ出射光
Ｂ  レーザ戻り光
【図１】
2004349328.tif 000003
【図２】
2004349328.tif 000004
【図３】
2004349328.tif 000005
【図４】
2004349328.tif 000006
【図５】
2004349328.tif 000007