(57)【要約】【課題】  半導体チップとの接続信頼性に優れた配線基板を提供することである。【解決手段】  基板１１の表面に被着したソルダーレジスト層１２の開口部１３に、半導体チップ６０のバンプとフリップチップ接合するための複数の電極１４が露出している配線基板１０であって、電極１４は、配線基板１０にフリップチップ接合される半導体チップ６０の投影面積内に配置され、ソルダーレジスト層１２の開口部１３は、該開口部１３の離隔した少なくとも２箇所において半導体チップ６０の投影面積外に延設されている延設開口部１６を有していることを特徴とする配線基板１０である。【選択図】図２
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
基板表面に被着したソルダーレジスト層の開口部に、半導体チップのバンプとフリップチップ接合するための複数の電極が露出している配線基板であって、
前記電極は、前記配線基板にフリップチップ接合される半導体チップ投影面積内に配置され、前記ソルダーレジスト層の開口部は、該開口部の離隔した少なくとも２箇所において前記半導体チップ投影面積外に延設されている延設開口部を有していることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記ソルダーレジスト層の開口部が略ロ字形に形成されている請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
略ロ字形に形成したソルダーレジスト層の開口部における各コーナ部に、前記延設開口部が配置されている請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
前記電極にはんだバンプが形成されている請求項１〜３のいずれかに記載の配線基板。
【請求項５】
前記はんだバンプは、析出型はんだ組成物を加熱して析出させたものである請求項４記載の配線基板。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、半導体チップをフリップチップ接合により搭載する配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、バンプ（金属突起）を有する半導体チップを半導体パッケージ用の配線基板に搭載する方法として、フリップチップ接合がある。フリップチップ接合は、半導体チップのバンプと、配線基板の電極とを対向させて接合する方法であり、一般に、接合強度を補強するうえで、接合後の半導体チップと配線基板との間は、アンダーフィルと呼ばれる樹脂で封止されている。
【０００３】
図４（ａ）〜（ｃ）は、半導体チップと従来の配線基板とのフリップチップ接合を説明するための概略説明図である。図４（ａ）に示すように、配線基板５０は、基板５１の表面にソルダーレジスト層５２が被着しており、該ソルダーレジスト層５２の開口部５３に、半導体チップ６０のバンプ６１とフリップチップ接合するための電極５４が露出している。
【０００４】
電極５４には、はんだバンプ５５が形成されており、該はんだバンプ５５の最大突起部に半導体チップ６０のバンプ６１を当接させた状態で、はんだバンプ５５を加熱溶融し、半導体チップ６０のバンプ６１と配線基板５０の電極５４とがはんだバンプ５５を介して電気的に接合される（フリップチップ接合）。ついで、接合された半導体チップ６０と配線基板５０との間にアンダーフィル７０が充填され、半導体チップ６０が配線基板５０上に実装される。
【０００５】
しかしながら、上記のような配線基板５０は、ソルダーレジスト層５２の開口部５３が該配線基板５０にフリップチップ接合される半導体チップ６０の投影面積内に配置されているので、開口部５３よりソルダーレジスト層５２の方が半導体チップ６０との距離が近い構成となっている。このため、半導体チップ６０と配線基板５０との間にアンダーフィル７０を充填すると、毛細管現象によりソルダーレジスト層５２の方が開口部５３よりもアンダーフィル７０の濡れ広がりが早く、その結果、図４（ｂ）に示すように、アンダーフィル７０は開口部５３の外周から先に充填され、図４（ｃ）に示すように、開口部５３に気泡７１が形成されてしまう。該気泡７１が形成されると、十分な接合強度が得られないので、半導体チップ６０と配線基板５０との接続信頼性が低くなるという問題がある。
【０００６】
一方、ソルダーレジスト層の開口部の一部が、配線基板にフリップチップ接合される半導体チップの投影面積外に延設された配線基板がある。図５は、この配線基板を示す平面図であり、図６は、図５の配線基板に半導体チップを搭載した状態を示す平面図であり、図７は、図６のソルダーレジスト層の開口部周辺を示す概略断面図である。また、図８（ａ）〜（ｃ）は、図５の配線基板の電極に形成されたはんだバンプを示す概略断面図である。
【０００７】
図５〜図７に示すように、この配線基板８０は、基板８１の表面にソルダーレジスト層８２が被着しており、該ソルダーレジスト層８２の開口部８３の一部が、該配線基８０にフリップチップ接合される半導体チップ６０の投影面積外に延設されている。開口部８３をこのような構成にすると、アンダーフィル７０の充填において、上記毛細管現象による影響を受けにくくなるので、気泡７１の形成が抑制される。
【０００８】
ここで、はんだバンプの形成方法は、ソルダーレジスト層に露出する電極にはんだペースト組成物を塗布して加熱し、溶融させたはんだの表面張力で最大突起部を形成する方法が採用されている。このため、電極に半導体チップ６０のバンプ６１に対応した位置で最大突起部を有するはんだバンプを形成するには、該電極の長さは短い方が好ましい。
【０００９】
しかしながら、開口部８３に露出する電極８４の長さは、開口部８３を延設した長さ分、長くなるので、該電極８４に形成されるはんだバンプ８５は、図８（ａ），（ｂ）に示すように、表面張力で引き起こされるはんだバンプ８５の最大突起部の位置が変動したり、図８（ｃ）に示すように、はんだバンプ８５の最大突起部が複数個所に形成され、その結果、配線基板８０と半導体チップ６０との接続信頼性が低下するという問題がある。
【００１０】
特許文献１には、配線となる配線パターンと、該配線パターンと連続的に形成されると共にバンプが接合される接続パッドとを有する接続部導体パターンを、前記接続パッドの幅寸法を配線パターンの幅寸法より大きく構成することで、ソルダーレジスト層から露出する接続部導体パターンが長くなっても、はんだバンプを前記接続パッド上に形成することができるフリップチップ実装基板が記載されている。
【００１１】
しかしながら、この文献に記載されている接続部導体パターンを有するフリップチップ実装基板を用いても、必ずしもはんだバンプの最大突起部を所定位置に形成できないのが原状である。
【特許文献１】特許第３４２００７６号公報
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【００１２】
本考案の課題は、半導体チップとの接続信頼性に優れた配線基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本考案者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、ソルダーレジスト層の開口部に露出した電極を、配線基板にフリップチップ接合される半導体チップ投影面積内に配置する場合には、電極の長さが、半導体チップのバンプに対応した位置で最大突起部を有するはんだバンプを形成することができる長さになるので、該電極の所定位置に最大突起部を有するはんだバンプを形成することができ、ソルダーレジスト層の開口部が、該開口部の離隔した少なくとも２箇所において前記半導体チップ投影面積外に延設されている延設開口部を有している場合には、接合された半導体チップと配線基板との間にアンダーフィルを充填する際には、アンダーフィルを毛細管現象で充填できると共に、前記延設開口部から空気を抜き出すことができるので、ソルダーレジスト層の開口部に気泡が形成されることなくアンダーフィルを充填することができ、その結果、半導体チップとの接続信頼性に優れた配線基板が得られるという新たな知見を見出し、本考案を完成するに至った。
【００１４】
すなわち、本考案の配線基板は、以下の構成からなる。
（１）基板表面に被着したソルダーレジスト層の開口部に、半導体チップのバンプとフリップチップ接合するための複数の電極が露出している配線基板であって、前記電極は、前記配線基板にフリップチップ接合される半導体チップ投影面積内に配置され、前記ソルダーレジスト層の開口部は、該開口部の離隔した少なくとも２箇所において前記半導体チップ投影面積外に延設されている延設開口部を有していることを特徴とする配線基板。
（２）前記ソルダーレジスト層の開口部が略ロ字形に形成されている前記（１）記載の配線基板。
（３）略ロ字形に形成したソルダーレジスト層の開口部における各コーナ部に、前記延設開口部が配置されている前記（２）記載の配線基板。
（４）前記電極にはんだバンプが形成されている前記（１）〜（３）のいずれかに記載の配線基板。
（５）前記はんだバンプは、析出型はんだ組成物を加熱して析出させたものである前記（４）記載の配線基板。
【考案の効果】
【００１５】
上記（１）〜（３）によれば、ソルダーレジスト層の開口部に露出した電極を、配線基板にフリップチップ接合される半導体チップ投影面積内に配置するので、電極の長さが、半導体チップのバンプに対応した位置で最大突起部を有するはんだバンプを形成することができる長さになり、該電極の所定位置に最大突起部を有するはんだバンプを形成することができ、さらに、ソルダーレジスト層の開口部が、該開口部の離隔した少なくとも２箇所において前記半導体チップ投影面積外に延設されている延設開口部を有しているので、接合された半導体チップと配線基板との間にアンダーフィルを充填する際には、アンダーフィルを毛細管現象で充填できると共に、前記延設開口部から空気を抜き出すことができ、ソルダーレジスト層の開口部に気泡が形成されることなくアンダーフィルを充填することができるので、半導体チップとの接続信頼性に優れた配線基板が得られるという効果がある。
【００１６】
上記（４）によれば、電極の所定位置に最大突起部を有するはんだバンプが形成された配線基板を得ることができる。上記（５）によれば、微細なピッチの電極でも正確に電極の所定位置に最大突起部を有するはんだバンプが形成された配線基板を得ることができる。
【考案を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本考案にかかる配線基板の一実施形態について図面を参照して詳細に説明する。図１は、本実施形態にかかる配線基板を示す平面図であり、図２は、図１の配線基板に半導体チップを搭載した状態を示す平面図であり、図３は、図２のソルダーレジスト層の開口部周辺を示す概略断面図である。
【００１８】
図１〜図３に示すように、本実施形態にかかる配線基板１０は、基板１１の表面にソルダーレジスト層１２が被着しており、該ソルダーレジスト層１２の開口部１３に複数の電極１４が露出している。
【００１９】
基板１１は、特に限定されるものではなく、半導体チップをフリップチップ接合により搭載することができる各種の公知の基板が採用可能である。ソルダーレジスト層１２は、各電極１４の電気的絶縁信頼性を高めると共に、基板１１を外部環境の変化等から保護する機能を有し、例えばエポキシ系、アクリル系、ポリイミド系の樹脂等が採用可能である。ソルダーレジスト層１２の厚みは５〜４０μｍ程度であるのが好ましい。
【００２０】
電極１４は、半導体チップ６０のバンプ６１とフリップチップ接合するためのものであり、基板１１の表面に、バンプ６１と対応する位置に所定のピッチで複数設けられている。また、該電極１４には、最大突起部を有するはんだバンプ１５が形成され、該はんだバンプ１５の最大突起部に半導体チップ６０のバンプ６１を当接させた状態で、はんだバンプ１５を加熱溶融させ、半導体チップ６０のバンプ６１と配線基板１０の電極１４とがはんだバンプ１５を介して電気的に接合される（フリップチップ接合）。
【００２１】
ここで、本実施形態にかかる電極１４は、図２および図３に示すように、配線基板１０にフリップチップ接合される半導体チップ６０の投影面積内に配置されている。これにより、電極１４の長さが、該電極１４に半導体チップ６０のバンプ６１に対応した位置で最大突起部を有するはんだバンプ１５を形成することができる長さになる。そして、該電極１４に後述するはんだペースト組成物を塗布し、加熱溶融させた際には、該電極１４の所定位置に最大突起部を有するはんだバンプ１５を形成することができる。
【００２２】
次に、フリップチップ接合された半導体チップ６０と配線基板１０との間にアンダーフィルが充填され、半導体チップ６０が配線基板１０上に実装される。
ここで、本実施形態にかかるソルダーレジスト層１２に形成された電極１４を露出するための開口部１３は、図１に示すように、略ロ字形に形成されていると共に、該開口部１３における各コーナ部には、図２に示すように、半導体チップ６０の投影面積外に延設された延設開口部１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄが配置されている。
【００２３】
これにより、接合された半導体チップ６０と配線基板１０との間にソルダーレジスト層１２の開口部１３に気泡が形成されることなくアンダーフィルを充填することができる。具体的には、例えば延設開口部１６ａからアンダーフィルを充填する場合には、延設開口部１６ａからアンダーフィルが毛細管現象で充填されると共に、延設開口部１６ｂ，１６ｃ，１６ｄから空気を抜き出すことができるので、アンダーフィルがソルダーレジスト層１２から先に濡れ広がっても、開口部１３に気泡が形成されることがなく、半導体チップ６０と配線基板１０との間にアンダーフィルが充填される。
【００２４】
前記アンダーフィルの充填は延設開口部からに限定されるものではなく、例えば各辺、すなわち開口部１３側から充填することもできる。具体的には、例えば１辺、２辺および３辺からそれぞれアンダーフィルを充填する場合には、各辺から供給したアンダーフィルが繋がって、延設開口部１６ａ〜１６ｄをふさがないように充填すればよい。これにより、延設開口部１６ａ〜１６ｄから確実に空気を抜き出すことができるので、上記延設開口部から充填する場合と同様に、開口部１３に気泡が形成されることなく、半導体チップ６０と配線基板１０との間にアンダーフィルが充填される。
なお、前記アンダーフィルは、半導体チップ６０と配線基板１０との接合強度を補強するためのものであり、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂等から構成される。
【００２５】
電極１４に塗布する前記はんだペースト組成物は、はんだ粉末を含有し、該はんだ粉末の組成としては、各種の公知のはんだ粉末が採用可能であり、例えば錫（Ｓｎ）−鉛（Ｐｂ）系、Ｓｎ−Ａｇ（銀）系、Ｓｎ−Ｃｕ（銅）系等のはんだ合金粉末の他、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ（インジウム）系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ（ビスマス）系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系等の無鉛合金粉末が挙げられる。また、これらのはんだ粉末は、それぞれ単独で使用できるほか、２種以上をブレンドして用いてもよく、例えばＳｎ−Ａｇ−Ｉｎ系とＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ系とをブレンドし、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ−Ｂｉ系等としてもよい。
【００２６】
前記Ｓｎ−Ａｇ系のはんだ合金粉末は、その組成中、Ａｇの含有量は０．３〜５．０重量％であり、残部がＳｎであるのが好ましい。また、ＳｎおよびＡｇ以外の成分（Ｉｎ、Ｂｉ、Ｃｕ等）の含有量は０．１〜１５重量％であるのがよい。
【００２７】
はんだ粉末の平均粒子径は２〜５０μｍ、好ましくは３〜３０μｍであるのがよい。前記平均粒子径は、粒度分布測定装置で測定して得られる値である。
【００２８】
本発明にかかるはんだペースト組成物は、微細なピッチでも正確に電極１４上にはんだバンプ１５を形成することができ、かつボイドの発生を抑制することができるうえで、析出型はんだ組成物であるのが好ましい。
【００２９】
析出型はんだ組成物とは、例えばはんだ粉末として錫粉末と、有機酸の鉛塩などとを含むものであり、該組成物を加熱すると、有機酸鉛塩の鉛原子が錫原子と置換して遊離し、過剰の錫金属粉末中に拡散しＳｎ‐Ｐｂ合金を形成するものである。
【００３０】
本発明にかかる析出型はんだ組成物は、（ａ）錫粉末と、鉛、銅、銀等の金属塩とを含有した析出型はんだ組成物、あるいは（ｂ）錫粉末と；銀イオン及び銅イオンから選ばれる少なくとも一種と、アリールホスフィン類、アルキルホスフィン類及びアゾール類から選ばれる少なくも一種との錯体とを含有した析出型はんだ組成物が挙げられる。上記（ａ）の金属塩と（ｂ）の錯体とは混合して使用することもできる。本発明では、特に鉛を含有しない鉛フリーの析出型はんだ組成物を使用するのが好ましい。
なお、本発明において錫粉末というときは、金属錫粉末の他、例えば銀を含有する錫−銀系の錫合金粉末や銅を含有する錫−銅系の錫合金粉末なども含むものとする。
【００３１】
前記金属塩としては、例えば有機カルボン酸塩、有機スルホン酸塩などが挙げられる。有機カルボン酸としては、炭素数１〜４０のモノまたはジカルボン酸を使用することができる。これを例示すると、ギ酸、酢酸、プロピオン酸などの低級脂肪酸、カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸などの動植物油脂から得られる脂肪酸、２，２−ジメチルペンタン酸、２−エチルヘキサン酸、イソノナン酸、２，２−ジメチルオクタン酸、ｎ−ウンデカン酸などの有機合成反応から得られる各種合成酸、ピマル酸、アビエチン酸、デヒドロアビエチン酸、ジヒドロアビエチン酸などの樹脂酸、石油から得られるナフテン酸などのモノカルボン酸とトール油脂肪酸または大豆脂肪酸から合成して得られるダイマー酸、ロジンを二量化させた重合ロジンなどのジカルボン酸などであり、これらを二種以上含むものでもよい。
【００３２】
また有機スルホン酸としては、例えばメタンスルホン酸、２−ヒドロキシエタンスルホン酸、２−ヒドロキシプロパン−１−スルホン酸、トリクロロメタンスルホン酸、トリフロロメタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、フェノールスルホン酸、クレゾールスルホン酸、アニソールスルホン酸、ナフタレンスルホン酸などが挙げられ、これらを二種以上含むものでもよい。
【００３３】
また、前記した銀や銅の錯体としては、銀イオンおよび／または銅イオンと、アリールホスフィン類、アルキルホスフィン類およびアゾール類から選ばれる少なくとも一種との錯体が挙げられる。
【００３４】
前記ホスフィン類としては、例えば５−メルカプト−１−フェニルテトラゾール、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、２−オクチルベンズイミダゾール、２−メルカプトベンズイミダゾール、ベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール等が好適に用いられる。
【００３５】
アリールホスフィン類またはアルキルホスフィン類との錯体は、カチオン性であるので、カウンターアニオンが必要である。このカウンターアニオンとしては、有機スルホン酸イオン、有機カルボン酸イオン、ハロゲンイオン、硝酸イオンまたは硫酸イオンが適当である。これらは、単独であるいは二種以上を併用して使用することができる。
【００３６】
カウンターアニオンとして使用される有機スルホン酸としては、例えばメタンスルホン酸、トルエンスルホン酸、フェノールスルホン酸等が好適である。また、カウンターアニオンとして使用される有機カルボン酸としては、例えばギ酸、酢酸、シュウ酸、乳酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸又はパーフルオロプロピオン酸が好適であり、酢酸、乳酸、トリフルオロ酢酸等が好適に用いられる。
【００３７】
前記アゾール類としては、例えばテトラゾール、トリアゾール、ベンゾトリアゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ピラゾール、インダゾール、チアゾール、ベンゾチアゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ピロール、インドール又はこれらの誘導体の一種又は二種以上の混合物を使用することができる。これらの中でも、５−メルカプト−１−フェニルテトラゾール、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、２−オクチルベンズイミダゾール、２−メルカプトベンズイミダゾール、ベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール等が好適に用いられる。
【００３８】
前記組成物中の前記錫粉末と、前記金属の塩または錯体との比率（錫粉末の重量：金属の塩または錯体の重量）は９９：１〜５０：５０程度、好ましくは９７：３〜６０：４０程度とするのがよい。
【００３９】
前記組成物中には、前記成分以外にフラックスを含有するのが好ましい。該フラックスとしては、ベース樹脂、活性剤およびチキソトロピー剤等を主成分とし、フラックスを液状にして使用する場合には、さらに有機溶剤を加えるようにしてもよい。
【００４０】
前記ベース樹脂としては、例えばロジンまたはアクリル樹脂等を用いることができる。前記ロジンとしては、従来からフラックス用途で用いられているロジンおよびその誘導体を使用することができる。ロジンおよびその誘導体としては、例えば通常のガム、トール、ウッドロジンが用いられ、その誘導体として熱処理した樹脂、重合ロジン、水素添加ロジン、ホルミル化ロジン、ロジンエステル、ロジン変性マレイン酸樹脂、ロジン変性フェノール樹脂、ロジン変性アルキド樹脂等が挙げられる。
【００４１】
前記アクリル樹脂としては、分子量が１０，０００以下、好ましくは３，０００〜８，０００であるのがよい。分子量が１０，０００を超えると、耐亀裂性や耐剥離性が低下するおそれがある。また、活性作用を助長するために、酸価は３０以上のものを使用するのが好ましく、はんだ付け時には軟化している必要があるため、軟化点は２３０℃以下であるのが好ましい。そのため、重合性不飽和基を有するモノマー、例えば（メタ）アクリル酸、その各種エステル、クロトン酸、イタコン酸、（無水）マレイン酸およびそのエステル、（メタ）アクリロニトリル、（メタ）アクリルアミド、塩化ビニル、酢酸ビニル等を使用し、過酸化物等の触媒を用いて、塊状重合法、液状重合法、懸濁重合法、乳化重合法等のラジカル重合により重合されたものを使用するのがよい。
【００４２】
上記したこれらのベース樹脂は併用することができ、例えば前記ロジンと前記アクリル樹脂を混合して使用することもできる。また、ベース樹脂の含有量は、フラックス総量に対して２０〜６０重量％、好ましく３０〜５０重量％であるのがよい。
【００４３】
前記活性剤としては、例えばエチルアミン、プロピルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、アニリン等のハロゲン化水素酸塩、乳酸、クエン酸、ステアリン酸、アジピン酸、ジフェニル酢酸、安息香酸等の有機カルボン酸等が挙げられる。活性剤の含有量は、フラックス総量に対して０．１〜３０重量％であるのがよい。
【００４４】
前記チキソトロピー剤としては、例えば硬化ひまし油、蜜ロウ、カルナバワックス等があげられる。チキソ剤の含有量は、フラックス総量に対して１〜７重量％であるのがよい。
【００４５】
前記有機溶剤としては、例えばエチルアルコール、イソプロピルアルコール、エチルセロソルブ、ブチルカルビトール、ヘキシルカルビトール等のアルコール系溶剤、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤、トルエン、テレピン油等の炭化水素系溶剤等が挙げられ、揮発性、活性剤の溶解性の点でアルコール系溶剤を主溶剤とするのが好ましい。有機溶剤は、フラックス総量に対して２０〜５０重量％の範囲で添加するのが好ましい。
【００４６】
さらに、本発明にかかるフラックスは、従来からフラックスのベース樹脂として公知のポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、テルベン樹脂等の合成樹脂等を併用することや、酸化防止剤、防黴剤、つや消し剤等の添加剤を添加することもできる。また、はんだペースト組成物が前記析出型はんだ組成物である場合には、該フラックス中に、前記金属の塩または錯体を含有させてもよい。
【００４７】
次に、本実施形態にかかる配線基板１０の製造方法について説明する。まず、複数の電極１４が形成された基板１１を準備し、該基板１１上にソルダーレジスト層１２を被着し、該ソルダーレジスト層１２に開口部１３および延設開口部１６を形成する。具体的には、例えば前記ソルダーレジスト層１２で例示した樹脂を含有するフィルム状のフォトレジストまたは液状のフォトレジスト等を用いることができる。前記フィルム状のフォトレジストを使用する場合には、これを基板１１表面に圧着させ、前記液状のフォトレジストを用いる場合には、スピンコーターなどの塗布手段にて液状樹脂を基板１１表面に塗布し、硬化させる。ついで、開口部１３および延設開口部１６を描画した所定のフォトマスクを介して露光処理および現像（エッチング）処理を行い、該ソルダーレジスト層１２に開口部１３および延設開口部１６が形成され、本実施形態にかかる配線基板１０が得られる。
なお、エッチング処理液としては、例えばＣｕ2Ｃｌ2水溶液、ＣｕＣｌ2水溶液、ＦｅＣｌ3水溶液等が使用可能である。
【００４８】
電極１４にはんだバンプ１５を形成するには、上記で説明したはんだペースト組成物をスクリーン印刷等で電極１４上に塗布し、例えば１５０〜２００℃程度でプリヒートを行い、最高温度１７０〜２８０℃程度でリフローを行うことで、電極１４にはんだバンプ１５が形成される。ここで、本実施形態にかかる電極１４は、配線基板１０にフリップチップ接合される半導体チップ６０の投影面積内に配置されているので、はんだバンプ１５は、電極１４の所定位置に最大突起部を有するように形成される。
なお、電極１４への塗布およびリフローは、大気中で行ってもよく、Ｎ2、Ａｒ、Ｈｅ等の不活性雰囲気中で行ってもよい。
【００４９】
上記のようにして形成されたはんだバンプ１５の高さは、通常１０〜３０μｍ程度である。また、はんだペースト組成物として、前記した析出型はんだ組成物を用いれば、はんだバンプ１５を狭ピッチで配列することが可能であり、約４０〜１２０μｍ程度のピッチにも対応することができる。
【００５０】
なお、上記で説明した実施形態では、延設開口部が略ロ字形に形成された開口部１３における各コーナ部において、半導体チップ６０の投影面積外に延設されて配置されている延設開口部１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄについて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明にかかる延設開口部は、ソルダーレジスト層の開口部の離隔した少なくとも２箇所において半導体チップ投影面積外に延設されていればよい。
【００５１】
ここで、前記離隔とは、接合された半導体チップと配線基板との間にアンダーフィルを充填する際において、該延設開口部から空気を抜き出すことができる程度に離れていることを意味する。
【００５２】
また、前記延設開口部は少なくとも２箇所であればよく、通常２〜６、好ましくは２〜４箇所程度から任意に選択すればよい。さらに、延設開口部の形状および延設する方向については、該延設開口部から空気を抜き出すことができる形状および方向であれば、特に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の一実施形態にかかる配線基板を示す平面図である。
【図２】図１の配線基板に半導体チップを搭載した状態を示す平面図である。
【図３】図２のソルダーレジスト層の開口部周辺を示す概略断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、半導体チップと従来の配線基板とのフリップチップ接合を説明するための概略説明図である。
【図５】ソルダーレジスト層の開口部の一部が半導体チップの投影面積外に延設された従来の配線基板を示す平面図である。
【図６】図５の配線基板に半導体チップを搭載した状態を示す平面図である。
【図７】図６のソルダーレジスト層の開口部周辺を示す概略断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、図５の配線基板の電極に形成されたはんだバンプを示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１０  配線基板
１１  基板
１２  ソルダーレジスト層
１３  開口部
１４  電極
１５  はんだバンプ
１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ  延設開口部
６０  半導体チップ
６１  バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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