(57)【要約】【課題】  従来技術の欠点を解消するＵＶ照射検知器装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  ＵＶ照射を検知する装置（５０）が、Ｎドーピングを有するＳｉＣ基板（５３）と、該基板（５３）上を延在しているＮドーピングを有するＳｉＣドリフト層（５２）と、カソード端子と、アノード端子とを有している。該アノード端子は、該ドリフト層（５２）内を延在しておりＰドーピングを有しているドープしたアノード領域（５９）、及び該ドープしたアノード領域（５９）内を延在しており一つ又はそれ以上のカーボンリッチ層、特にグラフェン及び／又はグラファイト層、を包含しているオーミックコンタクト領域（６０）を包含している。該オーミックコンタクト領域（６０）は検知すべきＵＶ照射に対して透明である。【選択図】  図２
2022003685.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＵＶ照射を検知するための検知器装置（５０，１５０）を製造する方法において、
互いに反対側の前部側（５３ａ）と背部側（５３ｂ）とが設けられており第１導電型（Ｎ）及び第１濃度のドーパント種を有しているＳｉＣ基板（５３）を用意するステップ、
該基板（５３）の該前部側（５３ａ）上に、第１導電型（Ｎ）及び該第１濃度よりも一層低い第２濃度のドーパント種を有しているＳｉＣからなるドリフト層（５２）を形成するステップ、
該基板（５３）の該背部側上に、前記検知器装置（５０）のカソード端子を形成するステップ、且つ
該ドリフト層（５２）内に前記検知器装置（５０，１５０）のアノード端子を形成するステップ、
の上記各ステップを有しており、該アノード端子を形成する該ステップが、
該ドリフト層（５２）内に第１導電型（Ｎ）と反対の第２導電型（Ｐ）を有するドーパント種を注入してドープしたアノード領域（５９）を形成し、且つ
前記ドープしたアノード領域（５９）に向けて第１レーザビーム（８２）を発生させて該ドープしたアノード領域（５９）を１５００℃と２６００℃との間の温度へ加熱させて一つ又はそれ以上のカーボンリッチ層、特にグラフェン及び／又はグラファイトの層、を含む第１オーミックコンタクト領域（６０）を前記ドープしたアノード領域（５９）内に形成する、
ことを包含していることを特徴とする方法。
【請求項２】
該ドープしたアノード領域（５９）が該ドリフト層（５２）の上部表面（５２ａ）から開始して該ドリフト層（５２）内の深さへ延在しており、且つ前記第１オーミックコンタクト領域（６０）が該ドリフト層（５２）の前記上部表面（５２ａ）と一致するその上部表面を有している請求項１記載の方法。
【請求項３】
該第１レーザビーム（８２）による該ドープしたアノード領域（５９）の加熱が該ドープしたアノード領域（５９）の第２導電型（Ｐ）を有するドーパント種の活性化を発生させる請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記第１レーザビーム（８２）が以下のパラメータ；
波長：２９０ｎｍと３７０ｎｍとの間、
パルス期間：１００と３００ｎｓの間、
エネルギ密度：１．５と４．５Ｊ／ｃｍ２の間、
に基づいて発生される請求項１乃至３の内のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
該第１オーミックコンタクト領域（６０）を形成することが、専ら該ドープしたアノード領域（５９）内に前記一つ又はそれ以上のカーボンリッチ層を形成することを包含している請求項１乃至４の内のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記第１オーミックコンタクト領域（６０）が１ｎｍと２０ｎｍとの間の深さ該ドープしたアノード領域（５９）内に延在している請求項１乃至５の内のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
該カソード端子を形成する該ステップが、一つ又はそれ以上のカーボンリッチ層、特にグラフェン及び／又はグラファイトの層、を含む第２オーミックコンタクト領域（１５６）を該基板（５３）の前記背部側（５３ｂ）上に形成するために該基板（５３）の１５００℃と２６００℃との間の温度へ加熱させるために該基板（５３）の該背部側（５３ｂ）へ向けて第２レーザビームを発生させることを包含している請求項１乃至６の内のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記第２レーザビームが以下のパラメータ；
波長：２９０ｎｍと３７０ｎｍとの間、
パルス期間：１００と３００ｎｓとの間、
エネルギ密度：３と４．５Ｊ／ｃｍ２の間、
に基づいて発生される請求項７記載の方法。
【請求項９】
ＵＶ照射を検知する検知器装置（５０，１５０）において、
互いに反対側の前部側（５３ａ）と背部側（５３ｂ）とが設けられており、第１導電型（Ｎ）と第１濃度のドーパント種とを有しているＳｉＣ基板（５３）、
該基板（５２）の該前部側（５３ａ）上を延在しており、該第１導電型（Ｎ）及び該第１濃度よりも一層低い第２濃度のドーパント種を有しているＳｉＣドリフト層（５２）、
該基板（５３）の該背部側上のカソード端子、及び
該ドリフト層（５２）内のアノード端子、
を有しており、該アノード端子が、
該第１導電型（Ｎ）と反対の第２導電型（Ｐ）を有するドーパント種を包含しており、該ドリフト層（５２）内のドープしたアノード領域（５９）、
前記ドープしたアノード領域（５９）内を延在しており一つ又はそれ以上のカーボンリッチ層、特にグラフェン及び／又はグラファイト層、を包含している第１オーミックコンタクト領域（６０）、
を有している装置。
【請求項１０】
該ドープしたアノード領域（５９）が該ドリフト層（５２）の上部表面（５２ａ）から開始して該ドリフト層（５２）内の深さへ延在しており、且つ
前記第１オーミックコンタクト領域（６０）が該ドリフト層（５２）の前記上部表面（５２ａ）と一致するその上部表面を有している、請求項９記載の装置。
【請求項１１】
該第１オーミックコンタクト領域（６０）が専ら該ドープしたアノード領域（５９）内に前記一つ又はそれ以上のカーボンリッチ層を有している請求項９又は１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記第１オーミックコンタクト領域（６０）が１ｎｍと２０ｎｍとの間の深さ該ドープしたアノード領域（５９）内に延在している請求項９乃至１１の内のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
前記基板（５３）が４Ｈ−ＳｉＣからなる請求項９乃至１１の内のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１４】
該カソード端子が前記ドープしたアノード領域（５９）内を延在している一つ又はそれ以上のカーボンリッチ層、特にグラフェン及び／又はグラファイト層、を含む第２オーミックコンタクト領域（１５６）を有している請求項９乃至１１の内のいずれか１個に記載の装置。
【請求項１５】
該第２オーミックコンタクト領域（１５６）が該基板（５３）の該背部側（５３ｂ）と一致するその表面を有している請求項１４記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＵＶ照射検知器装置の製造方法及びＵＶ照射検知器装置に関するものである。特に、本発明は、検知すべきＵＶ照射に対して透明であるアノード端子及び／又はカソード端子を有する光検知器ダイオードに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
知られているように、ワイドバンドギャップ、特に、１．１ｅＶよりも一層高いバンドギャップのエネルギ値Ｅｇ、低オン状態抵抗（ＲＯＮ）、熱伝導度の高い値、高い動作周波数、及び電荷キャリアの高い飽和速度、を有している半導体物質は、特に、パワー適用例用のダイオード又はトランジスタ等の電子装置を製造するために理想的である。これらの特性を有しており且つ電子部品を製造するために使用されることが意図されている物質は、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）である。特に、シリコンカーバイドは、その異なるポリタイプ（例えば、３Ｃ−ＳｉＣ、４Ｈ−ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣ）において、前記した特性に関する限り、シリコンよりも好適である。
【０００３】
シリコンカーバイド上に設けられる電子装置は、シリコン基板上に設けられる同様の装置と比較して、低出力オン状態抵抗、低リーク電流、高動作温度、及び高動作周波数等の多数の利点を提供する。特に、例えば、太陽、宇宙物体、又は人工的供給源（医学的、軍事的、環境、及び宇宙分野において）からくる紫外線（ＵＶ）照射の検知は過去数年においてかなりの注目を集めている。従って、高感度ダイオードのアレイの製造が特に興味をわかしている。この文脈において、ワイドバンドギャップ物質は、ＵＶ照射の検知に対する優れた候補であり、その結果、シリコンカーバイドがその目的のために特に適したものである。ＳｉＣポリタイプの中で、４Ｈ−ＳｉＣは、そのワイドバンドギャップ（約３．３ｅＶ）のために、ＵＶ照射を検知するために好適なものである。
【０００４】
ＵＶ照射検知用の既知のタイプのショットキー又はＰＮフォトダイオードは、高度にドープした基板上に成長させた４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層上に製造される。ショットキーコンタクトを提供する金属領域の形成により該フォトダイオードの前部上にショットキーコンタクトが設けられ、一方、例えば、ニッケル層の形成とそれに続く高速熱アニール（約９５０−１０００℃において）によって該フォトダイオードの背部上にオーミックコンタクトが設けられる。該前部上のショットキーコンタクトは、典型的に櫛歯状であるチタン又はニッケルシリサイドの構造をリソグラフィプロセスによって画定することにより得られる。該前部上のショットキーコンタクト（前部電極）の幾何学的形状は、検知すべき照射に対する直接的な露出及びそのようにして製造されたショットキーフォトダイオードの垂直導通電気的動作を可能とするために選択される。
【０００５】
ＵＶ照射に直接露出され且つ電気光学的に活性である単一のダイオードの面積は、ＵＶ照射を反射及び／又は吸収し従って効果的に露出される有用なエリアを減少させる該前部ショットキーコンタクトの存在によって制限される。
【０００６】
図１は、軸Ｘ，Ｙ，Ｚからなる（３軸）カーテシアン参照系においての既知のタイプの垂直導通ショットキーダイオード１の側部断面図を示している。
【０００７】
ショットキーダイオード１は、表面３ｂの反対側に表面３ａが設けられておりＮ型で高度にドープ（例えば、１×１０２０原子数／ｃｍ３）されているＳｉＣの基板３と、基板３のドーパント濃度よりも一層低いＮ型のドーパント濃度を有しており基板３の表面３ａ上にエピタキシャル成長させたＳｉＣのドリフト層２と、基板３の表面３ｂ上を延在するオーミックコンタクト領域６（例えば、ニッケルシリサイドからなる）と、オーミックコンタクト領域６上を延在するカソードメタリゼーション１６と、ドリフト層２の上部表面２ａ上を延在するアノードメタリゼーション８と、を有している。
【０００８】
結果的に、ドリフト層２とアノードメタリゼーション８との間の界面には、ショットキーコンタクト又は接合（半導体−金属タイプのもの）が形成される。特に、アノードメタリゼーション８の夫々の部分と直接的に電気的コンタクトをしているドリフト層２の夫々の部分によってショットキー接合が形成される。
【０００９】
前述したように、この装置の欠点は、検知すべきＵＶ照射との相互作用に続く電荷キャリアの発生に寄与する面積である活性エリアの減少である。実際に、アノードメタリゼーション８によって被覆されている表面２ａの部分は、ＵＶ照射の検知及びアノードメタリゼーション８による検知すべきＵＶ照射自身の吸収及び／又は反射に起因してのその後の電荷キャリアの発生に寄与するものではない。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】Ｍａｘｉｍｅ  Ｇ．  Ｌｅｍａｉｔｒｅ著、「イオン注入及びパルス型レーザアニーリングを介してのＳｉＣの低温場所選択的グラファイト化（Ｌｏｗ−ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ，  ｓｉｔｅ  ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  ｇｒａｐｈｉｔｉｚａｔｉｏｎ  ｏｆ  ＳｉＣ  ｖｉａ  ｉｏｎ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ａｎｄ  ｐｕｌｓｅｄ  ｌａｓｅｒ  ａｎｎｅａｌｉｎｇ）」、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ１００、１９３１０５（２０１２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的とするところは、従来技術の欠点を解消することが可能なＵＶ照射検知器装置を製造する方法及びＵＶ照射検知器装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明によれば、特許請求の範囲に定義されるような、ＵＶ照射検知器装置を製造する方法及びＵＶ照射検知器装置が提供される。
【００１３】
本発明をより良く理解するために、添付の図面を参照して純粋に非制限的な例としての本発明の好適実施例について以下に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】既知の実施例に基づくショットキーフォトダイオードの断面図。
【図２】本発明の１実施例に基づくＵＶ照射検知器装置の概略断面図。
【図３】本発明の１実施例に基づく図２の装置を製造する過程における或るステップにおける概略断面図。
【図４】本発明の１実施例に基づく図２の装置を製造する過程における或るステップにおける概略断面図。
【図５】本発明の１実施例に基づく図２の装置を製造する過程における或るステップにおける概略断面図。
【図６】本発明に基づいて製造した装置の透過率の測定値を示したグラフ図。
【図７】本発明の更なる実施例に基づくＵＶ照射検知器装置の概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図２は、本発明の一つの側面に基づく特にＰＮダイオードである紫外線（ＵＶ）照射を検知するための装置である装置５０の軸Ｘ，Ｙ，Ｚからなる（３軸）カーテシアン座標系においての側部断面図を示している。この文脈において、装置５０は、２００ｎｍ乃至３８０ｎｍの範囲における波長を有する照射を検知すべく構成されている。
【００１６】
装置５０は、５０μｍと３５０μｍとの間で例えば１８０μｍに等しい厚さを有しており表面５３ｂの反対側に表面５３ａが設けられており第１ドーパント濃度を有しているＮ型のＳｉＣからなる基板５３と、例えば５μｍと１００μｍとの間の厚さを有しており基板５３の表面５３ａ上を延在しており該第１ドーパント濃度よりも一層低い第２ドーパント濃度を有しているＮ型のＳｉＣからなる（例えば、エピタキシャル成長された）ドリフト層５２と、基板５３の表面５３ｂ上を延在している（例えばニッケルシリサイドからなる）オーミックコンタクト領域又は層５６と、オーミックコンタクト領域５６上を延在している例えばＴｉ／ＮｉＶ／Ａｇ又はＴｉ／ＮｉＶ／Ａｕからなるカソードメタリゼーション５７と、ドリフト層５２の上部表面５２ａに面しておりドリフト層５２内を延在しているＰ型の注入アノード領域５９と、注入アノード領域５９内を延在しており且つドリフト層５２の上部表面５２ａに面しているオーミックコンタクト層６０と、を有している。
【００１７】
基板５３のドーピングレベルは、例えば、１×１０１９と１×１０２２原子数／ｃｍ３との間であり、ドリフト層５２のドーピングレベルは、例えば、１×１０１３と５×１０１６原子数／ｃｍ３との間であり、注入アノード領域５９のドーピングレベルは、例えば、１×１０１８原子数／ｃｍ３以上である。
【００１８】
本発明の一つの側面によれば、オーミックコンタクト層６０は、例えばグラファイト層又はグラフェン複数層を有する一つ又はそれ以上のカーボンリッチ層を包含している。より詳細には、オーミックコンタクト層６０は。表面５２ａ上に、Ｓｉ／Ｃ非晶質層を有しており、その中においては、該ＳｉＣ基板のシリコン原子とカーボン原子との間の相分離によってシリコン原子と比較してカーボン原子が支配的（例えば、少なくとも２倍で、特に２倍乃至１００倍）である。この非晶質層の下側で、オーミックコンタクト層６０は、該非晶質層の厚さよりも一層大きな厚さを有しておりカーボンクラスタを包含している層（例えば、グラファイト層）を包含している層を提供することが可能である。このオーミックコンタクト層６０の形成は、以下に説明する製造プロセスの結果としてシリコンカーバイドの熱分解に起因するものである。
【００１９】
本発明の更なる側面によれば、オーミックコンタクト層６０は、表面５２ａ上において、注入領域５９と自己整合される（即ち、ＸＹ面における平面図において、オーミックコンタクト層６０は注入領域５９と同一の形状及び範囲を有している。
【００２０】
更に、本発明の更なる側面によれば、オーミックコンタクト層６０は、Ｚ軸に沿って、表面５２ａを越えて延在するものではなく、即ち、オーミックコンタクト層６０は、表面５２ａと同一面状（即ち、Ｘ軸に沿って整合している）の上部表面６０ａを有しており、且つ表面５２ａから測定を開始して１ｎｍと数十ｎｍとの間（例えば、１ｎｍと２０ｎｍとの間）の深さだけ注入領域５９内を延在している（Ｚ軸に沿って）。
【００２１】
ＸＹ面においての注入領域５９（従って、オーミックコンタクト層６０）の平面図における形状、即ち「レイアウト」は、設計段階において必要に応じて選択することが可能である。特に、注入領域５９は、装置５０の全活性エリアにわたって連続的に延在（ＸＹ面における平面図において）することが可能であり、又は装置５０の該活性エリアの一部のみにわたって延在することが可能であり、又はドリフト層５２の部分部分によって互いに分離されている複数個の注入サブ領域によって形成することが可能である。
【００２２】
本発明者が知得したところによれば、前述したタイプのオーミックコンタクト層６０はＵＶ照射に対して、特に２００ｎｍ乃至３８０ｎｍの範囲の照射に対して透明、即ち透過性、である。従って、使用した場合に、例えオーミックコンタクト層６０が装置５０の活性エリア全体を被覆する場合であっても、検知すべきＵＶ照射は該オーミックコンタクト層６０を横断してドリフト層５２に到達し、それ自身既知の態様で、電荷キャリアを発生させることとなる。装置５０をそのアノードとカソードとの間で適宜分極させることによって（例えば、ボンディングワイヤによって）、ＵＶ照射によって誘起された電流を回収し且つ、本発明の一部を構成するものではないそれ自身既知の態様で、測定することが可能である。
【００２３】
装置５０を形成する幾つかのステップについて以下に説明するが、それはオーミックコンタクト層６０の形成ステップに関するもののみである（残りのステップは従来技術に基づいて実施される）。
【００２４】
図３を参照すると、ＳｉＣ（特に、４Ｈ-ＳｉＣであるが、これらに制限するわけではないが、２Ｈ−ＳｉＣ、３Ｃ−ＳｉＣ、及び６Ｈ−ＳｉＣ等のその他のポリタイプを使用することも可能）からなる基板５３を含むウエハ１００を用意する。
【００２５】
前述したように、基板５３は第１導電型（この実施例においては、Ｎ型のドーピング）を有しており且つ軸Ｚに沿って互いに反対側の前部表面５３ａと背部表面５３ｂとが設けられている。基板５３は、１×１０１９と１×１０２２原子数／ｃｍ３の間のドーパント濃度を有している。
【００２６】
ウエハ１００の前部は前部表面５３ａに対応しており、且つウエハ１００の背部は背部表面５３ｂに対応している。基板３０の固有抵抗は、例えば、２ｍΩ・ｃｍと４０ｍΩ・ｃｍとの間である。
【００２７】
基板５３の前部表面５３ａ上には、例えばエピタキシャル成長によってシリコンカーバイドのドリフト層５２が形成されており、それは第１導電型（Ｎ）を有しており且つ基板５３のドーパント濃度よりも一層低いドーパント濃度を有しており、例えば、１×１０１３と５×１０１６原子数／ｃｍ３との間である。ドリフト層５２はＳｉＣ、特に４Ｈ−ＳｉＣからなるが、２Ｈ、６Ｈ、３Ｃ又は１５Ｒ等のその他のＳｉＣポリタイプを使用することも可能である。
【００２８】
ドリフト層５２は、上部側５２ａと底部側５２ｂ（後者は基板５３の前部表面５３ａと直接コンタクトしている）との間に画定される厚さを有している。
【００２９】
次いで（図４）、第２導電型（この場合には、Ｐ導電型）を有するドーパント種（例えば、ボロン又はアルミニウム）の注入を実施する。該注入（図中に矢印７２で表してある）は、前述した如く、設計条件に従って注入マスクを使用するか又は使用せずに実施することが可能である。注入マスクが無い場合には、注入領域は、図中に示した如く、ドリフト層５２のカーテシアン座標系のＸＹ面の範囲全体で且つＺ軸に沿って注入エネルギに依存する深さ延在する。注入マスクがある場合には、該注入マスクが注入に対して透明即ち透過性である箇所において一つ又はそれ以上の注入領域が延在する。
【００３０】
例示として与えられた実施例においては、図４の注入ステップは、１×１０１２原子数／ｃｍ２と１×１０１５原子数／ｃｍ２の間のドーズで３０ｋｅＶと５００ｋｅＶとの間の注入エネルギで、第２ドーパント型を有するドーパント種の一つ又はそれ以上の注入を包含している。その後の熱アニールは、そのように注入されたドーパントの活性化を可能とさせ且つ１×１０１８原子数／ｃｍ３よりも一層高いドーパント濃度を有し且つ０．３μｍと１μｍとの間の表面５２ａから開始して測定した深さを有している注入アノード領域５９を形成する。
【００３１】
次いで（図５）、注入領域５９内に前述した一つ又はそれ以上のカーボンリッチ層（例えば、グラフェン及び／又はグラファイト層）の発生に好適であるように設計された熱履歴を表面５２ａ上に発生させる。その目的のために、適宜のビーム８２を発生すべく構成されたレーザー供給源８０を使用する。
【００３２】
レーザ８０は、例えば、ＵＶエキシマレーザである。その他のタイプのレーザを使用することも可能であり、その中で可視光領域における波長のレーザがある。
【００３３】
本発明の目的を達成するために最適化されており、即ち注入領域５９内にオーミックコンタクトを形成することを可能とするレーザ８０の動作パラメータ及び構成は以下の通りである。即ち、波長が２９０と３７０ｎｍとの間であり、特に３１０ｎｍであり、パルス期間が１００ｎｓと３００ｎｓとの間であって、特に１６０ｎｓであり、パルス数（スキャン数）が１と５の間であり、エネルギ密度が１．５Ｊ／ｃｍ２と４Ｊ／ｃｍ２との間であって、特に３Ｊ／ｃｍ２（表面５２ａのレベルにおいて評価）であり、及び温度が１４００℃と２６００℃との間であって、特に１６００℃（表面５２ａのレベルにおいて評価）である。表面５２ａのレベルにおけるビーム８２のスポットのエリアは０．７と１．５ｃｍ２との間である。
【００３４】
ウエハ１００全体、又は加熱すべきウエハ１００のサブ領域をカバーするために、ＸＹ面内においてレーザ８０の一つ又はそれ以上のスキャンが実施される（例えば、互いに平行であり且つ軸Ｘ及び／又は軸Ｙに対して平行な複数個のスキャン）。
【００３５】
注入領域５９の深さが与えられる場合、専用の熱履歴を実施するための必要性無しに全てのドーパントの活性化を保証するために注入領域５９によって到達される最大深さ（例えば、１μｍ）においても上述した範囲内の温度を保証するためには、表面５２ａのレベルにおける約２０００℃の温度で十分である。
【００３６】
この温度は、注入領域５９の無い表面５２ａにおいてではなく、専ら注入領域５９においてのカーボンリッチオーミックコンタクトの化合物の発生を好適なものとさせるものである。この効果それ自身は既知のタイプであり、例えば、Ｍａｘｉｍｅ  Ｇ．  Ｌｅｍａｉｔｒｅの「イオン注入及びパルス型レーザアニーリングを介してのＳｉＣの低温場所選択的グラファイト化（Ｌｏｗ−ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ，  ｓｉｔｅ  ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  ｇｒａｐｈｉｔｉｚａｔｉｏｎ  ｏｆ  ＳｉＣ  ｖｉａ  ｉｏｎ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ａｎｄ  ｐｕｌｓｅｄ  ｌａｓｅｒ  ａｎｎｅａｌｉｎｇ）」、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ１００、１９３１０５（２０１２）に記載されている。
【００３７】
１実施例において、注入領域５９の一部のオーミックコンタクト層６０への変換は、適宜レーザ８０を移動させながら、ウエハ１００全体を加熱することによって得られる。１．５と３Ｊ／ｃｍ２の間のビーム８２のエネルギ密度で、局所化された表面温度増加がオーミックコンタクト層６０を形成させる。注入領域５９が存在していない場合には、この効果が観察されることはない。
【００３８】
異なる実施例においては、注入領域５９の表面部分のオーミックコンタクト層６０への変換は、注入領域５９の範囲全体に対応するものではない場合があるウエハ１００の一部のみを処理することによって得られる（例えば、ＵＶ検知器として装置５０の使用期間中に興味のない部分が電荷の発生及び輸送に参加することがないものである限りそれらの部分を排除する）。
【００３９】
更なる実施例において、ビーム８２に対して透明な一つ又はそれ以上の領域（即ち、ビーム８２がそれらを横断する領域）及びビーム８２に対して不透明な複数の領域（即ち、ビーム８２はそれらを横断することが無いか、又はそれらの下側に延在するウエハ１００の部分を著しく加熱することがないような減衰された形態でそれらを横断する領域）を具備するマスクを表面５２ａ上に配置させることが可能である（表面５２ａと接触して又はそれから或る距離において）。注入領域５９（又は夫々の注入領域）に対して整合されている該マスクの透明領域は、夫々のオーミックコンタクト層６０の形成を可能とさせる。Ｐ注入の無いドリフト層５２の領域は該マスクにより被覆され且つ保護される。この場合に、ビーム８２のエネルギ密度は４．５Ｊ／ｃｍ２又はそれ以上へ増加させることが可能である。実際に、エピタキシャル成長期間中にドープ領域内にオーミックコンタクトを発生させるために、該レーザビームのエネルギ密度は、イオン注入プロセスを介してドープ領域内にオーミックコンタクトを発生させるために必要なものよりも一層高いものが必要とされる（特に、約３Ｊ／ｃｍ２よりも一層高い）。
【００４０】
この実施例においては、注入領域５９のみを露出させるマスクが存在しているので、ドリフト層５２のＮ型の領域上にオーミックコンタクトを形成する危険性無しで、３Ｊ／ｃｍ２よりも一層高いエネルギ密度を使用することが可能である。
【００４１】
注入領域５９のドーパントの活性化のための熱アニールステップは、１実施例においては、レーザビーム８２によって到達される温度が該ドーパントを活性化させるためのものである限り、該オーミックコンタクト層６０を形成するステップと一致する場合がある。代替的に、いずれにおいても、オーミックコンタクト層６０を形成する前に、従来の熱アニールを実施することが可能である。
【００４２】
Ｐ型のＳｉＣのオーミックコンタクトへの変換は、１２００℃と２６００℃との間の温度、より詳細には１６００℃よりも一層高い温度において発生する。これらの温度は、注入領域５９の表面部分において（数ナノメートル、例えば１−２０ｎｍ）到達される。
【００４３】
一層大きな深さに対しては、該温度は、最早、シリコンカーバイドのカーボンリッチ層（グラフェン及び／又はグラファイト層）への変換を起こすことのない値へ降下する。従って、オーミックコンタクトの形成は自己制限型である。その結果、オーミックコンタクト層６０は夫々の注入領域の厚さ全体を介して延在する事は無く専らその表面レベルにおいて延在する。
【００４４】
本発明者が知得したところでは、前述したレーザの構成及び動作のパラメータで、装置５０に対する所望の電気的及び光学的挙動が得られる。図６は、この点に関して、オーミックコンタクト層６０を形成し且つ装置５０を種々の波長においてＵＶ照射へ露光させた後の透過率の実験データを例示しており、その挙動は予測した通りであり且つ従来のＵＶ検知器のものと同等である。
【００４５】
図７は、本発明の更なる側面に基づく検知器装置１５０を例示している。図２の装置５０と共通の装置１５０の要素には同じ参照番号を付してあるので、その説明は割愛する。
【００４６】
装置５０と異なり、装置１５０はニッケルシリサイドのオーミックコンタクト層５６とカソードメタリゼーション５７を有するものではない。その代わりに、装置１５０は、基板５３の表面５３ｂ上を延在しているオーミックコンタクト層１５６を有している。このオーミックコンタクト層１５６はオーミックコンタクト層６０と同様であり（特に、それが、例えばグラファイト層又はグラフェンマルチ層等の一つ又はそれ以上のカーボンリッチ層を有することが可能である）且つ検知すべきＵＶ照射（例えば、２００ｎｍ乃至３８０ｎｍの範囲における波長を有するもの）に対して透明である。
【００４７】
オーミックコンタクト層１５６の形成はレーザ処置を包含する（オーミックコンタクト層６０の形成について前述したことと同様）。
【００４８】
基板５３（Ｎドーピングを有している）の背部におけるコンタクト１５６のオーミック特性の最適化は、注入領域（Ｐドーピングを有している）内の層６０のオーミック特性の最適化のために必要なエネルギとは異なるビーム８２のエネルギ密度を必要とする。実際に、前述したように、Ｎドーピングを有している基板上のオーミックコンタクトを発生させるために、レーザビームのエネルギ密度は、注入プロセスを介してドープ領域Ｐ内にオーミックコンタクトを発生させるために必要なものよりも一層大きいことが必要とされる。その目的のために、各ビームがオーミック特性を具備する夫々の層を発生させるように構成されており、形成することが所望されるオーミックコンタクト層６０又は１５６に基づいて異なる特性を有するビームを発生させるためにレーザ８０の動作パラメータを調整することが可能である。
【００４９】
従って、基板５３の背部５３ｂにオーミックコンタクト１５６を形成するために以下の構成及び動作パラメータを有するレーザ８０を使用することが可能である。即ち、波長が２９０と３７０ｎｍとの間で、特に３１０ｎｍであり、パルス期間が１００ｎｓと３００ｎｓとの間で、特に１６０ｎｓであり、パルス数（スキャン数）が１個と５個とのあいだであり、エネルギ密度が３と４．５Ｊ／ｃｍ２の間で、特に３．２Ｊ／ｃｍ２と４．５Ｊ／ｃｍ２との間であり、温度が１４００℃と２６００℃との間で、特に１８００℃を超えるものである（表面５３ｂのレベルにおいて評価）。
【００５０】
この様に、両側（前部及び背部）からＵＶ照射を受けることが可能なＵＶ検知器が得られる。
【００５１】
本開示に基づいて提供される本発明の特性を吟味することにより本発明が提供する利点は明らかである。特に、電気的コンタクト（それは、本発明によれば、前述したように、検知すべきＵＶ照射に対して透明である）が存在するか否かに拘わらずに、使用可能な表面の全てを光検知によって使用することの可能性のために、検知器の応答が最大化されている。更に、その製造プロセスの流れは従来技術と比較して簡単化されている。
【００５２】
更に、本発明は、両方の表面（前部及び背部）に入射する照射を検知するように構成されたＵＶ検知器を提供することを可能としており、そのことは、例えば、宇宙ステーション及び／又は建物の窓、眼鏡等を製造するために使用することが可能である。
【００５３】
更に、本発明によれば、必要に応じてレーザビームを指向させることにより、即ちフォトマスク技術の使用無しで、ＵＶ照射を検知するエリアの形状及び寸法を変調させる能力が与えられる。
【００５４】
以上、本発明の具体的実施の態様について詳細に説明したが、本発明はこれらの具体的実施例のいずれかに制限されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱する事なしに種々の変形が可能であることは勿論である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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