(57)【要約】【課題】板状磁性体に対するバイアス磁界の低下を防止し、かつ小型化が可能な非可逆回路素子及びこの非可逆回路素子を備えた通信機装置の提供する。【解決手段】略直方体状の中空ヨーク９の内面に、板状磁性体５に複数の中心導体６ｂ、７ｂ、８ｂが装着されてなる磁性組立体１５と、中心導体８ｂの先端側に取り付けられたチップ抵抗１３とが装着されてなり、内面に中空ヨーク９の板厚を薄くした凹部が設けられ、チップ抵抗１３の端子１３ｂが凹部上に配置されていることを特徴とするアイソレータ１を採用する。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
中空ヨークの内面に、板状磁性体に複数の中心導体が装着されてなる磁性組立体と、一の中心導体の先端側に取り付けられたチップ型素子とが装着されてなり、前記内面に前記中空ヨークの板厚を薄くした凹部が設けられ、前記チップ型素子の前記中心導体側の端子が前記凹部上に配置されていることを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項２】
前記凹部に絶縁樹脂が充填されていることを特徴とする請求項１に記載の非可逆回路素子。
【請求項３】
前記絶縁樹脂が２００℃以上の軟化点を示す耐熱性樹脂であることを特徴とする請求項２に記載の非可逆回路素子。
【請求項４】
前記中空ヨークの板厚に対する、前記凹部によって薄くされた板厚の割合が２０％以上７０％以下の範囲であることを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項５】
請求項１ないし請求項のいずれかに記載の非可逆回路素子を具備してなることを特徴とする通信機装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、非可逆回路素子及び通信機装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
非可逆回路素子の一種である集中定数型のアイソレータは、信号を伝送方向に損失なく通過させ、逆方向への信号の通過を阻止する機能を備えた高周波部品であり、携帯電話等の移動通信装置の送信回路部に使用されている。一般にアイソレータは、フェライト等からなる板状磁性体と、板状磁性体の一面側に配置された共通電極と、板状磁性体の他面側に相互に交差した状態で配置された複数の中心導体と、各中心導体に接続された整合用のコンデンサと、一の中心導体に接続された終端抵抗とを備えて構成されている。これらの各構成部品は、磁性体からなる略直方体状の中空ヨークに収納されている。
【０００３】
ここで、終端抵抗としては一般にチップ型の抵抗素子が用いられている。チップ型抵抗素子は、略直方体状の本体と、該本体の長手方向両端に取り付けられた一対の端子とから構成されている。そして、一方の端子（ホット側端子）が一の中心導体に電気的に接続され、他方の端子（コールド側端子）が中空ヨークに電気的に接続されている。中空ヨークには接地端子が設けられており、アイソレータを実装させた際に、接地端子を介して中空ヨーク全体が接地されるようになっている。
【０００４】
チップ型抵抗素子のホット側端子は、中心導体のみに接続され、中空ヨークに対しては絶縁された状態になっている。ホット側端子を中空ヨークから絶縁させる手段の一例として、特許文献１に記載された手段が知られている。すなわち特許文献１には、非可逆回路素子の金属ケースに孔を設け、この孔にチップ部品の端子を近接させることにより、チップ部品の端子を金属ケースに対して非接触にする手段が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−２８４９１０号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特許文献１に記載の手段では、磁気ヨークとなる金属ケースに孔を設けているため、この孔の部分だけバイアス磁界を導くヨーク断面積が減じると共に孔の近傍に磁界の強い部分を発生させてしまい、板状磁性体に加えられるバイアス磁界が減少して挿入損失が増大するという問題があった。特に、アイソレータを小型にすると、アイソレータにおけるチップ抵抗素子の占有体積の割合が増大し、これに伴って金属ケースに設ける孔の割合も大きくなり、バイアス磁界の低下と部分的に特に低下する減少が顕著になるという問題があった。
【０００７】
また、バイアス磁界の減少を補うために、永久磁石を大型にしてバイアス磁界を増加させることは可能だが、孔の近傍に特にバイアスの弱い部分ができるという問題は残り、大型の永久磁石を用いた場合、アイソレータの小型化を図ることができなくなるという問題もあった。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、板状磁性体に対するバイアス磁界の低下を防止し、かつ小型化が可能な非可逆回路素子及びこの非可逆回路素子を備えた通信機装置の提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の非可逆回路素子は、中空ヨークの内面に、板状磁性体に複数の中心導体が装着されてなる磁性組立体と、一の中心導体の先端側に取り付けられたチップ型素子とが装着されてなり、前記内面に前記中空ヨークの板厚を薄くした凹部が設けられ、前記チップ型素子の前記中心導体側の端子が前記凹部上に配置されていることを特徴とする。
【００１０】
上記のチップ型素子としてチップ型抵抗素子を例示できる。チップ型抵抗素子を備えた非可逆回路素子はアイソレータとなる。また、チップ型素子は抵抗素子に限らず、チップ型コンデンサにも適用できる。
また、中空ヨークとしては、その長辺寸法３．５ミリメートル以下の略直方体形状のものが好ましい。
【００１１】
上記のように、チップ型素子の中心導体側の端子が凹部上に配置されているので、当該端子が凹部上で浮いた状態で固定され、当該端子が中空ヨークに直接接触することがなく、当該端子を介した中心導体と中空ヨークとの短絡を防止できる。また、中空ヨークの板厚を薄くして凹部が設けられるので、中空ヨークに孔が形成されることがなく、中空ヨークからのバイアス磁界の漏れを防止できる。これにより板状磁性体に加えられるバイアス磁界が減少することがなく、挿入損失を小さくすることができる。また、バイアス磁界の漏れを少なくできることから永久磁石を小型にすることができ、アイソレータの小型化を図ることができる。特に長辺寸法３．５ミリメートル以下の中空ヨークを備えた非可逆回路素子において有効である。
【００１２】
また、本発明の非可逆回路素子は、先に記載の非可逆回路素子であり、前記凹部に絶縁樹脂が充填されていることを特徴とする。絶縁樹脂としては、２００℃以上の軟化点を示す耐熱性樹脂が好ましい。
【００１３】
この構成により、チップ型素子の中心導体側の端子と中空ヨークとを確実に絶縁し、当該端子を介した中心導体と中空ヨークとの短絡を防止できる。また、絶縁樹脂として耐熱性樹脂を用いるため、アイソレータの製造工程中にハンダリフロー工程がある場合でも、リフロー時の加熱によって絶縁樹脂の変形や変質が発生せず、端子と中空ヨークをより確実に絶縁できる。
【００１４】
また、本発明の非可逆回路素子は、先に記載の非可逆回路素子であり、前記中空ヨークの板厚に対する、前記凹部によって薄くされた板厚の割合が２０％以上７０％以下の範囲であることを特徴とする。この構成により、チップ型素子の中心導体側の端子と中空ヨークとを確実に絶縁できるとともに、バイアス磁界の低下を少なくすることができる。
【００１５】
次に本発明の通信機装置は、先のいずれかに記載の非可逆回路素子を具備してなることを特徴とする。上記の非可逆回路素子は、挿入損失が少ないので、通信機装置の損失を低減できる。また、外部へのバイアス磁界の漏れが少ないので、他の部品に対する磁気の影響を少なくすることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面により本発明の実施の形態を説明する。尚、各図面によって図示される部材の寸法関係は、実際の実施品の寸法関係と一致しない場合がある。
図１に本発明の実施形態のアイソレータ（非可逆回路素子）の回路図を示す。図１に示すように、本実施形態のアイソレータ１は、第１、第２、第３中心導体６ｂ、７ｂ、８ｂが備えられている。第１中心導体６ｂの一端側には第１共振容量Ｃ１が並列接続され、第２中心導体７ｂの一端側には第２共振容量Ｃ２が並列接続されている。第１、第２中心導体６ｂ、７ｂはそれぞれインダクタンスＬ１、Ｌ２を有しており、共振容量Ｃ１、Ｃ２はこれらのインダクタンスＬ１、Ｌ２に並列接続されている。また、各共振容量Ｃ１、Ｃ２はグラウンドに接地されている。また、第１、第２中心導体６ｂ、７ｂの先端側にはポートＰ１、Ｐ２が設けられ、このポートＰ１、Ｐ２に入出力端子が取り付けられている。
【００１７】
次に、第３中心導体８ｂの一端側には第３共振容量Ｃ３と終端抵抗Ｒとが並列に接続されている。第３中心導体８ｂはインダクタンスＬ３を有しており、第３共振容量Ｃ３及び終端抵抗ＲはこのインダクタンスＬ３に接続されている。また、第３共振容量Ｃ３及び終端抵抗Ｒはグラウンドに接地されている。
【００１８】
更に各中心導体６ｂ、７ｂ、８ｂの他端側には共通電極１０が接続されており、この共通電極１０は各共振容量Ｃ１〜Ｃ３及び終端抵抗Ｒと同様に接地されている。
【００１９】
次にアイソレータ１の具体的な構成について説明する。図２にアイソレータ１の内部構造の斜視模式図を示し、図３にアイソレータ１の内部構造の平面模式図を示す。
【００２０】
図２及び図３に示すように、本実施形態のアイソレータ１は、磁性組立体１５と永久磁石１４とが上ヨーク２及び下ヨーク３からなる中空ヨーク９の内部に収納されて構成されている。すなわち、図２に示すように、下ヨーク３の基部３ａ上に磁性組立体１５が載置され、更にその上に永久磁石４と上ヨーク２とが配置されている。また図２及び図３に示すように、上ヨーク２及び下ヨーク３の内部には平板型コンデンサ１１ａ、１１ｂ、１２及びチップ抵抗１３（チップ型抵抗素子（チップ型素子））が収納されている。平板型コンデンサ１１ａ、１１ｂ、１２には各々共振容量Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３が内蔵され、チップ抵抗１３には終端抵抗Ｒが内蔵されている。
【００２１】
中空ヨーク９は、上ヨーク２と下ヨーク３とから構成されており、略直方体形状に形成されている。図２に示すように、中空ヨーク９の長辺寸法Ｌは３．５ミリメートル以下に設定されている。上ヨーク２及び下ヨーク３の材質としては、例えば軟鉄等の軟磁性材料に銀メッキ等を施したものを例示できる。この中空ヨーク９は、永久磁石４及び磁性組立体１４とともに閉磁気回路を構成している。すなわち、永久磁石４から発せられたバイアス磁界が、磁性組立体の板状磁性体５に加えられ、更に中空ヨーク９を伝わって再度永久磁石４に収束するように構成されている。
【００２２】
次に、図２及び図３に示すように、磁性組立体１５は、フェライトからなる板状磁性体５と、その他面５ｂに添わせて設けられた板状磁性体５とほぼ同形状の金属板からなる共通電極１０と、共通電極１０から放射状に延出形成されて板状磁性体５の一面５ａ側に巻き掛けられた第１、第２、第３中心導体６ｂ、７ｂ、８ｂとから構成されている。各中心導体６ｂ〜８ｂは板状磁性体５に沿って折り曲げられ、板状磁性体５の一面５ａ側において相互に交差して重ねられている。なお、板状磁性体５と各中心導体６ｂ〜８ｂはそれぞれ、図示略の絶縁シートにより相互に絶縁されている。
【００２３】
また、図３に示すように、磁性組立体１５は下ヨーク３の基部３ａ中央に配置され、磁性組立体１５の一方の側にコンデンサ１２が収納され、他方の側にコンデンサ１１ａ、１１ｂが収納され、コンデンサ１２の一側部側にチップ抵抗１３が収納されている。
【００２４】
板状磁性体５は長辺を有する平面視略八角形状とされている。第１、第２中心導体６ｂ、７ｂは板状磁性体５の長辺方向（図３横方向）にほぼ沿うように配置され、第３中心導体８ｂは板状磁性体５の短辺方向（図３中縦方向）にほぼ沿うように配置されている。このようにして第３中心導体８ｂは、板状磁性体５の一面５ａ側において第１、第２中心導体６ｂ、７ｂよりも短く形成されている。
【００２５】
各中心導体６ｂ〜８ｂの先端側には、板状磁性体１５の側方に突出する先端部導体６ｃ、７ｃ、８ｃが各々設けられている。先端部導体６ｃ、７ｃは図１におけるポートＰ１、Ｐ２に相当する。このポートＰ１、Ｐ２に入力端子２１と出力端子２２がそれぞれ接続されている。また共通電極１０は、下ヨーク３の基部３ａに電気的に接続されている。下ヨーク３にはアース端子（接地端子）２３，２３が設けられており、共通電極１０はこのアース端子２３，２３に電気的に接続されることで接地されている。
【００２６】
また、第１中心導体６ｂにはスリット１８が設けられており、このスリット１８によって第１中心導体６ｂが一対の分割導体６ｂ１、６ｂ２に分割されている。同様に、第２中心導体７ｂはスリット１９によって一対の分割導体７ｂ１、７ｂ２に分割され、第３中心導体８ｂはスリット２０によって一対の分割導体８ｂ１、８ｂ２に分割されている。
【００２７】
コンデンサ１１ａ、１１ｂ、１２は平行平板型コンデンサであり、一対の電極の間に誘電体が挟まれて構成されている。図２及び図３において、コンデンサ１１ａ、１１ｂ（共振容量Ｃ１、Ｃ２）の図中上面がホット側電極１１ａ１、１１ｂ１とされ、その反対側の面がコールド側電極１１ａ２、１１ｂ２とされている。そして、ホット側電極１１ａ１、１１ｂ１が先端部導体６ｃ、７ｃ（ポートＰ１、Ｐ２）に接続され、コールド側電極１１ａ２、１１ｂ２が下ヨーク３に接続されている。このようにして、共振容量Ｃ１、Ｃ２が第１、第２中心導体６ｂに並列接続されている。
【００２８】
また、図２及び図３において、コンデンサ１２（共振容量Ｃ３）の図中上面がホット側電極１２ａとされ、その反対側の面がコールド側電極１２ｂとされている。そして、コンデンサ１２（共振容量Ｃ３）のホット側電極１２ａが第３中心導体の先端部導体８ｃに接続され、コールド側電極１２ｂが下ヨーク３に接続されている。
【００２９】
また、チップ抵抗１３（終端抵抗Ｒ）は、略直方体状の本体部１３ａと、本体部の長手方向両側に取り付けられた一対の端子１３ｂ、１３ｃとから構成されている。図２及び図３において、チップ抵抗１３の一方の端子１３ｂがホット側端子とされ、他方の端子１３ｃがコールド側端子とされている。そして、ホット側端子１３ｂが先端部導体８ｃに接続され、コールド側端子１３ｃが下ヨーク３に接続されている。このようにして、共振容量Ｃ３と終端抵抗Ｒとが第３中心導体８ｂに接続されている。第３中心導体８ｂは、共振容量Ｃ３と終端抵抗Ｒとが接続されることで終端電極としての役割を担う。
【００３０】
図４〜図５に、チップ抵抗１３と下ヨーク３及び第３中心導体８ｂとの接続構造を詳細に示す。図４に示すように、下ヨークの基部３ａの表面３ａ１（中空ヨークの内面）上にチップ抵抗１３がハンダ付けされている。この構成により、チップ抵抗１３のコールド側端子１３ｃが下ヨーク３に電気的に接続されている。また、ホット側端子１３ｂの上には第３中心導体の先端部導体８ｃがハンダ付けされている。
【００３１】
また、下ヨークの基部３ａの表面３ａ１には、中空ヨーク９（下ヨーク３）の板厚を薄くした凹部３ｂが設けられている。そして、この凹部３ｂ上にチップ抵抗１３のホット側端子１３ｂが配置されている。
【００３２】
図５に示すように、ホット側端子１３ｂは、平面視形状が略矩形状とされている。また、凹部３ｂは、平面視したときの形状がホット側端子１３ｂよりも大きな平面視略矩形状とされている。そして、ホット側端子１３ｂ及び凹部３ｂを平面視したときに、ホット側端子１３ｂが凹部３ｂのほぼ中央に配置されている。この構成により、ホット側端子１３ｂが下ヨーク３の基部３ａから浮いた状態で固定されており、ホット側端子１３ｂと下ヨーク３とが絶縁されている。
【００３３】
また、凹部３ｂには絶縁樹脂３ｃが充填されている。この絶縁樹脂３ｃによってホット側端子１３ｂと下ヨーク３とが完全に絶縁されている。この絶縁樹脂３ｃは２００℃以上の軟化点を示す耐熱性樹脂であり、具体的には液晶ポリマー、耐熱性塗料、粘着材付シートなどを例示できる。
【００３４】
また、ホット側端子１３ｂと凹部３ｂとの寸法関係は、図５に示すように、ホット側端子１３ｂについてチップ抵抗１３の長手方向に平行な寸法をＸ１とし、このＸ１の方向に平行な凹部３ｂの寸法をＸ２としたとき、Ｘ１とＸ２の関係が２・Ｘ１≦Ｘ２となるように設定することが好ましい。
同様に、ホット側端子１３ｂについてチップ抵抗１３の幅方向に平行な寸法をＹ１とし、このＹ１の方向に平行な凹部３ｂの寸法をＹ２としたとき、Ｙ１とＹ２の関係は２・Ｙ１≦Ｙ２となるように設定することが好ましい。
【００３５】
ホット側端子１３ｂと凹部３ｂとの寸法関係が上記の関係を保っていれば、ホット側端子１３ｂの位置が製造誤差等により多少ずれたとしても、ホット側端子１３ｂが下ヨークの表面３ａ１に接触することがなく、ホット側端子１３ｂと下ヨーク３との絶縁が保たれる。
【００３６】
更に、図６に示すように、下ヨーク３の基部３ａの厚みをＤ１とし、凹部３ｂの深さ寸法をＤ２としたとき、凹部３ｂによって薄くされた下ヨーク３の厚みは（Ｄ１−Ｄ２）となる。中空ヨークの板厚Ｄ１に対する、凹部３ｂによって薄くされた板厚（Ｄ１−Ｄ２）の割合（（Ｄ１−Ｄ２）／Ｄ１×１００）は、２０％以上７０％以下の範囲にすることが好ましい。この割合が２０％未満だと、凹部３ｂの深さが不足して、チップ抵抗１３のホット側端子１３ｂと下ヨーク３が接触するおそれがあるので好ましくない。また、この割合が７０％を越えると、バイアス磁界が低下するおそれがあるので好ましくない。
【００３７】
以上のように、上記のアイソレータ１には、下ヨーク３の板厚を薄くした凹部３ｂが設けられており、従来のように中空ヨークに孔が形成されたものではない。このため、閉磁気回路を構成する中空ヨーク９からバイアス磁界が外部に漏れるおそれがない。また、孔に比べてヨーク断面積の減少や孔近傍のバイアス磁界低下の割合も小さい。これにより板状磁性体５に加わるバイアス磁界の強度が低下することがなく、挿入損失を小さくすることができる。また、中空ヨーク９からのバイアス磁界の漏れが少ないことから永久磁石４を小型にすることができ、アイソレータ１の一層の小型化を図ることができる。特に長辺寸法３．５ミリメートル以下の中空ヨーク９を備えたアイソレータ１において有効である。
【００３８】
また、凹部３ｂに充填する絶縁樹脂３ｃに耐熱樹脂を用いているので、アイソレータ１の製造工程中にハンダリフロー工程がある場合でも、リフロー時の加熱によって絶縁樹脂３ｃの変形や変質が発生せず、ホット側端子１３ｂと下ヨーク４をより確実に絶縁できる。尚、凹部３ｂは金型上でパンチング若しくはエッチング（ハーフエッチ）により容易に形成することができる。パンチングの場合、極めて容易に凹部３ｂを形成することができ、エッチングの場合、表面が適度に荒れて絶縁樹脂３ｃとの密着性が向上する。
【００３９】
図７には、上記のアイソレータ１が備えられた通信機装置の回路構成の一例を示す。この例の回路構成においては、アンテナ１４０にアンテナ共用器（ディプレクサ）１４１が接続され、アンテナ共用器１４１の出力側にローノイズアンプ（増幅器）１４２と段間フィルタ１４８と選択回路（混合回路）１４３を介して受信回路（ＩＦ回路）１４４が接続され、アンテナ共用器１４１の入力側に上記のアイソレータ１とパワーアンプ（増幅器）１４５と選択回路（混合回路）１４６を介して送信回路（ＩＦ回路）１４７が接続され、選択回路１４３、１４６に分配トランス１４９を介して局部発振器１５０に接続されて構成されている。
【００４０】
先の構成のアイソレータ１は図７に示す携帯電話装置の回路に組み込まれて使用され、アイソレータ１からアンテナ共振器１４１側への信号は低損失で通過させるが、その逆方向の信号は損失を大きくして遮断するように作用する。これにより、増幅器１４５側のノイズ等の不要な信号を増幅器１４５側に逆入力させないという作用を奏する。
【００４１】
上記の携帯電話装置によれば、挿入損失が小さなアイソレータ１を備えているので、通信機装置の損失を低減できる。また、アイソレータ１からのバイアス磁界の漏れが少ないので、他の部品に対する磁気の影響を少なくすることができ、通信機装置の通信性能を向上できる。
【００４２】
【実施例】
板状磁性体に永久磁石を重ねてバイアス磁界を印加させたときの、板状磁性体におけるバイアス磁界分布を調べた。
【００４３】
（実施例１）
長手方向の長さが１．７５ｍｍ、短手方向の長さが１．３ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍの平面視六角形状のＹＩＧフェライトからなる板状磁性体を用意した。尚、ＹＩＧフェライトの組成はＹ２．３Ｇｄ０．７Ｆｅ４．４８３Ｉｎ０．１Ａｌ０．３Ｏ２とした。
また、下ヨークとして、長手方向の長さが２．５ｍｍ、短手方向の長さが２．０ｍｍ、厚み（Ｄ１）０．１ｍｍの軟鉄からなる略長方形状の基部３ａを有する下ヨーク３を用意した。この下ヨーク３に、一辺の長さが０．６ｍｍの平面視正方形状の凹部３ｂを形成した。凹部の深さＤ２は０．０５ｍｍとした。
更に、永久磁石４として、直径２．５ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの円板を二方向から切り落として短手方向の長さを１．８ｍｍとしたものを用いた。永久磁石４は保磁力３３ｋＡ／ｍ、残留磁束密度０．４１Ｔのものを用いた。
【００４４】
そして図８に示すように、下ヨーク３の基部３ａのほぼ中央に板状磁性体５及び永久磁石４を順次重ねて配置した。図８には下ヨーク３、板状磁性体５及び永久磁石４の配置関係及び寸法関係を示す。尚、この実施例１では、図８に示すように、板状磁性体５の一部と凹部３ｂの一部とが重なった状態になっている。このときの板状磁性体の磁界強度分布を調べた。結果を図９に示す。
【００４５】
（比較例１）
下ヨーク３に凹部でなく、孔１０３ｂを設けたこと以外は上記実施例１と同様にして下ヨークの基部のほぼ中央に板状磁性体５及び永久磁石を順次重ねて配置した。このときの板状磁性体の磁界強度分布を調べた。結果を図１０に示す。
【００４６】
図９及び図１０に示すように、実施例１，比較例１のどちらについても、板状磁性体と凹部とが重なった部分において、板状磁性体のバイアス磁界が小さくなっている。しかし、バイアス磁界の強度を比較すると、実施例１よりも比較例１の方が４０ｋＡ／ｍ以下の領域が広くなっていることがわかる。このように、実施例１の板状磁性体では、バイアス磁界の低下が少なく、バイアス磁界の漏れが少なくなっていることがわかる。これは、比較例１では下ヨークに孔１０３ｂを設けたため、バイアス磁界の一部がこの孔１０３ｂからアイソレータの外部に漏出してしまったためと考えられる。
【００４７】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、コンデンサ１１ａ、１１ｂ、１２は平行平板型に限らず、チップ型コンデンサであっても良い。この場合、下ヨークに新たに凹部を設け、当該凹部上にチップ型コンデンサのホット端子を配置させても良い。すなわち本発明は、チップ型抵抗素子に限らず、チップ型コンデンサにも適用できる。
【００４８】
更に、各ヨークに設ける凹部の位置は、図面に示した位置に限らず、非可逆回路素子の設計変更に合わせて位置を変えても良い。また凹部の形状は、平面視略矩形に限らず、円形、楕円形、多角形のいずれであっても良い。
【００４９】
また、上記の実施形態では各中心導体にスリットを設けた例を示したが、スリットは必ずしも設けなくても良い。また、各中心導体の形状は図面に示した形状に限定されるものではない。また、板状磁性体の平面視形状は八角形状に限らず、四角形、六角形、円形等の形状であっても良い。
【００５０】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明の非可逆回路素子によれば、チップ型素子の中心導体側の端子が凹部上に配置されているので、当該端子が凹部上で浮いた状態で固定され、当該端子が中空ヨークに直接接触することがなく、当該端子を介した中心導体と中空ヨークとの短絡を防止できる。また、中空ヨークの板厚を薄くして凹部が設けられるので、凹部の形成位置に孔が形成されず、板状磁性体に対するバイアス磁界の漏れを防止して挿入損失を小さくすることができる。また、バイアス磁界の漏れを少なくできることから永久磁石を小型にすることができ、アイソレータの小型化を図ることができる。特に長辺寸法３．５ミリメートル以下の中空ヨークを備えた非可逆回路素子において有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態であるアイソレータの回路構成を示す回路図。
【図２】本発明の実施形態であるアイソレータの構成を示す斜視模式図。
【図３】本発明の実施形態であるアイソレータの一部分を取り除いた状態を示す平面図。
【図４】本発明の実施形態であるアイソレータの要部を示す斜視模式図。
【図５】本発明の実施形態であるアイソレータの要部を示す平面模式図。
【図６】本発明の実施形態であるアイソレータの要部を示す側面模式図。
【図７】本発明の実施形態である通信機装置の回路構成を示す回路図。
【図８】実施例１の下ヨークと板状磁性体と永久磁石の配置関係を示す平面模式図。
【図９】実施例１の板状磁性体におけるバイアス磁界の強度分布を示す分布図。
【図１０】比較例１の板状磁性体におけるバイアス磁界の強度分布を示す分布図。
【符号の説明】
１…アイソレータ（非可逆回路素子）、３ａ１…内面（中空ヨークの内面）、３ｂ…凹部、３ｃ…絶縁樹脂、５…板状磁性体、６ｂ…第１中心導体（中心導体）、７ｂ…第２中心導体（中心導体）、８ｂ…第３中心導体（一の中心導体）、９…中空ヨーク、１３…チップ抵抗（チップ型素子）、１３ｂ…ホット側端子（チップ型素子の中心導体側の端子）、１５…磁性組立体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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