(57)【要約】【課題】本開示は半導体試験装置および半導体装置の製造方法に関し、半導体装置と緩衝材とを十分に密着させることができる半導体試験装置および半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。【解決手段】第１の開示に係る半導体試験装置は、導電性であり、上面に半導体装置が搭載されるステージと、導電性であり、該半導体装置の上面に設けられる第１緩衝材と、導電性であり、該半導体装置の上面に該第１緩衝材が設けられた状態で該第１緩衝材を上方から加圧する加圧機構と、該ステージと該加圧機構とを介して該半導体装置に電流を流す通電部と、該半導体装置に電流が流れていない状態で、該第１緩衝材と接触した状態で該第１緩衝材を加熱する第１温度調整部と、を備える。【選択図】図１
2022003323.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性であり、上面に半導体装置が搭載されるステージと、
導電性であり、前記半導体装置の上面に設けられる第１緩衝材と、
導電性であり、前記半導体装置の上面に前記第１緩衝材が設けられた状態で前記第１緩衝材を上方から加圧する加圧機構と、
前記ステージと前記加圧機構とを介して前記半導体装置に電流を流す通電部と、
前記半導体装置に電流が流れていない状態で、前記第１緩衝材と接触した状態で前記第１緩衝材を加熱する第１温度調整部と、
を備えることを特徴とする半導体試験装置。
【請求項２】
前記半導体装置が搭載される位置の両側にそれぞれ設けられた複数のシャフトを備え、
前記加圧機構は、複数の前記シャフトに取り付けられ、複数の前記シャフトに対して上下に動き、
前記第１温度調整部は複数の前記シャフトに設けられることを特徴とする請求項１に記載の半導体試験装置。
【請求項３】
前記第１温度調整部は前記半導体装置を冷却することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体試験装置。
【請求項４】
導電性であり、上面に半導体装置が搭載されるステージと、
導電性であり、前記半導体装置の上面に設けられる第１緩衝材と、
導電性であり、前記半導体装置の上面に前記第１緩衝材が設けられた状態で前記第１緩衝材を上方から加圧する加圧機構と、
前記ステージと前記加圧機構とを介して前記半導体装置に電流を流す通電部と、
前記ステージと接触した状態で前記ステージを介して前記第１緩衝材を加熱する第２温度調整部と、
を備えることを特徴とする半導体試験装置。
【請求項５】
導電性であり、前記半導体装置と前記ステージとの間に設けられる第２緩衝材を備えることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の半導体試験装置。
【請求項６】
導電性であり、前記第１緩衝材の上に設けられる第３緩衝材を備え、
前記加圧機構は、前記半導体装置の上面に前記第１緩衝材が設けられ、前記第１緩衝材の上に第３緩衝材が設けられた状態で前記第３緩衝材を上方から加圧することを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の半導体試験装置。
【請求項７】
前記第１緩衝材の常温でのヤング率は１００ＧＰａ以下であることを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の半導体試験装置。
【請求項８】
導電性のステージの上面に半導体装置を搭載する工程と、
前記半導体装置の上面に導電性の第１緩衝材を設ける工程と、
前記第１緩衝材を加熱する工程と、
前記ステージに前記半導体装置が設けられ、前記半導体装置の上面に前記第１緩衝材が設けられ、前記第１緩衝材の温度が加熱前よりも高い状態で、前記第１緩衝材を上方から加圧する工程と、
前記第１緩衝材の加熱を終了した後に、前記第１緩衝材を加圧した状態を維持して、前記半導体装置に電流を流す通電工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記通電工程では、前記半導体装置を冷却しながら電流を流すことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記通電工程では、前記半導体装置の温度を前記通電工程の直前の温度以上に維持して前記半導体装置を冷却することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１緩衝材を加熱する工程は、前記ステージの下または前記ステージの内部に設けられた抵抗に電流を流すことで前記第１緩衝材を加熱する工程であることを特徴とする請求項８から１０の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体試験装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体試験装置が開示されている。この半導体試験装置では、半導体デバイスが冷却板の表面上に載置され、半導体デバイスの表面上に積層金属箔が設けられる。加圧板が積層金属箔を介して半導体デバイスを表面から押圧し、通電部より冷却板、加圧板間に直流電流が供給される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１１８６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１のような半導体試験装置で大電流を通電する場合、半導体装置の表面と積層金属箔が十分に密着していないと、半導体装置と積層金属箔との間に局所的に電流が流れることがある。このとき、半導体装置の表面電極が局所的に高温になり、表面電極の変質が発生するおそれがある。このため、半導体装置の信頼性が低下するおそれがある。
【０００５】
本開示は、上述の課題を解決するためになされたもので、半導体装置と緩衝材とを十分に密着させることができる半導体試験装置および半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１の開示に係る半導体試験装置は、導電性であり、上面に半導体装置が搭載されるステージと、導電性であり、該半導体装置の上面に設けられる第１緩衝材と、導電性であり、該半導体装置の上面に該第１緩衝材が設けられた状態で該第１緩衝材を上方から加圧する加圧機構と、該ステージと該加圧機構とを介して該半導体装置に電流を流す通電部と、該半導体装置に電流が流れていない状態で、該第１緩衝材と接触した状態で該第１緩衝材を加熱する第１温度調整部と、を備える。
【０００７】
第２の開示に係る半導体試験装置は、導電性であり、上面に半導体装置が搭載されるステージと、導電性であり、該半導体装置の上面に設けられる第１緩衝材と、導電性であり、該半導体装置の上面に該第１緩衝材が設けられた状態で該第１緩衝材を上方から加圧する加圧機構と、該ステージと該加圧機構とを介して該半導体装置に電流を流す通電部と、該ステージと接触した状態で該ステージを介して該第１緩衝材を加熱する第２温度調整部と、を備える。
【０００８】
第３の開示に係る半導体装置の製造方法は、導電性のステージの上面に半導体装置を搭載する工程と、該半導体装置の上面に導電性の第１緩衝材を設ける工程と、該第１緩衝材を加熱する工程と、該ステージに該半導体装置が設けられ、該半導体装置の上面に該第１緩衝材が設けられ、該第１緩衝材の温度が加熱前よりも高い状態で、該第１緩衝材を上方から加圧する工程と、該第１緩衝材の加熱を終了した後に、該第１緩衝材を加圧した状態を維持して、該半導体装置に電流を流す通電工程と、を備える。
【発明の効果】
【０００９】
第１から第３の開示に係る半導体試験装置および半導体装置の製造方法では、加熱により第１緩衝材のヤング率を低下させることができる。従って、半導体装置と緩衝材とを十分に密着させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態１に係る半導体試験装置を説明する図である。
【図２】比較例に係る半導体試験装置を説明する図である。
【図３】実施の形態１の変形例に係る半導体試験装置を説明する図である。
【図４】実施の形態２に係る半導体試験装置を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
各実施の形態に係る半導体試験装置および半導体装置の製造方法について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
【００１２】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る半導体試験装置１００を説明する図である。
【００１３】
半導体試験装置１００は半導体装置５０を試験するための装置である。半導体装置５０は例えばスイッチング素子である。半導体装置５０は、逆導通絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（Ｒｅｖｅｒｓｅ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＲＣ−ＩＧＢＴ）であっても良い。また、半導体装置５０は、金属―酸化膜―半導体電界効果トランジスタ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＭＯＳＦＥＴ）であっても良いし、ＰＮダイオードまたはＰＩＮダイオードであっても良い。
【００１４】
半導体試験装置１００は、ステージ１０を備える。ステージ１０は導電性であり、上面に半導体装置５０が搭載される。ステージ１０の上面と半導体装置５０の裏面電極５０ａとは接触し、電気的に接続される。
【００１５】
半導体装置５０の上面には、第１緩衝材３１が設けられる。第１緩衝材３１は導電性である。第１緩衝材３１は例えばアルミ箔である。第１緩衝材３１と半導体装置５０の上面電極５０ｂとは接触し、電気的に接続される。
【００１６】
ステージ１０の上面には、複数のシャフト１２が設けられる。複数のシャフト１２は、半導体装置５０が搭載される位置の両側にそれぞれ設けられる。複数のシャフト１２の各々は柱状であり、ステージ１０の上面から上方に延びる。
【００１７】
ステージ１０の上方には加圧機構１８が設けられる。加圧機構１８は、保持部１４と加圧部１６とを備える。保持部１４は例えば板状である。保持部１４は複数のシャフト１２に取り付けられる。複数のシャフト１２の各々は、保持部１４を貫通する。保持部１４は、複数のシャフト１２を軸として、複数のシャフト１２に対して矢印８１に示されるように上下に動く。
【００１８】
加圧部１６は導電性である。加圧部１６は保持部１４に保持される。加圧部１６は、例えば柱状である。加圧部１６は、第１緩衝材３１の上方に設けられる。加圧部１６の下面である押圧面１６ａは、第１緩衝材３１を挟んで半導体装置５０と対向する。
【００１９】
加圧部１６が上方から加圧されることで、加圧機構１８は下方に移動する。加圧部１６は例えば油圧ジャッキで加圧されても良い。加圧機構１８は、押圧面１６ａとステージ１０上面との距離が、加圧していない状態における半導体装置５０の厚さと第１緩衝材３１の厚さとの和よりも小さくなる位置まで移動可能である。これにより、加圧部１６は、半導体装置５０の上面に第１緩衝材３１が設けられた状態で、第１緩衝材３１を上方から加圧する。
【００２０】
加圧機構１８の構造は、半導体装置５０の上面に第１緩衝材３１が設けられた状態で、第１緩衝材３１を上方から加圧することができれば、別の構造でも良い。
【００２１】
加圧部１６とステージ１０との間には、通電部２２が接続される。加圧部１６と第１緩衝材３１とが接触した状態で通電部２２により通電を行うことで、ステージ１０と加圧機構１８とを介して半導体装置５０に電流が流れる。
【００２２】
半導体試験装置１００は、温度調整部２０を備える。温度調整部２０は複数のシャフト１２に設けられる。温度調整部２０は例えば環状である。本実施の形態では、複数のシャフト１２に一つながりの温度調整部２０が取り付けられる。これに限らず、半導体試験装置１００は複数の温度調整部２０を備えても良い。温度調整部２０は、シャフト１２の側面から第１緩衝材３１に向かって延びる。温度調整部２０は第１緩衝材３１の上面と直接接触する。温度調整部２０は、第１緩衝材３１と接触した状態で、第１緩衝材３１を加熱する。
【００２３】
温度調整部２０は、例えば抵抗加熱方式のヒーターを備える。温度調整部２０はこれに限らず、第１緩衝材３１を加熱できれば良い。温度調整部２０は第１緩衝材３１の両側に接触する。これにより、第１緩衝材３１の温度が上昇する。
【００２４】
次に、本実施の形態の半導体装置５０の製造方法について説明する。まず、ステージ１０の上面に半導体装置５０を搭載する。次に、半導体装置５０の上面に第１緩衝材３１を設ける。次に、温度調整部２０を第１緩衝材３１に接触させ、第１緩衝材３１を加熱する。次に、加圧機構１８を加圧部１６が第１緩衝材３１を押圧する位置まで下降させる。これにより、第１緩衝材３１を加熱しながら、第１緩衝材３１を上方から加圧する。加熱時間は、例えば１〜３０秒であるが、それ以上でも良い。また、加熱は第１緩衝材３１が例えば８０℃〜２００℃となるように実施する。
【００２５】
次に、通電工程を実施する。通電工程では、第１緩衝材３１の加熱を終了した後に、第１緩衝材３１を加圧した状態を維持して、通電部２２により半導体装置に電流を流す。このとき、半導体装置５０の上面と裏面との間が通電する。通電工程は、例えば、半導体装置５０に大電流の電流ストレスを印加するスクリーニング試験であっても良い。
【００２６】
図２は、比較例に係る半導体試験装置８００を説明する図である。半導体試験装置８００は、上面に半導体装置５０が搭載されたステージ８１０を備える。ステージ８１０の上方には加圧部８１６と、加圧部８１６を保持する保持部８１４とが設けられる。保持部８１４は、ステージ８１０上に設けられた複数のシャフト８１２に取り付けられる。加圧部８１６は半導体装置５０と対向する。
【００２７】
保持部８１４と加圧部８１６は複数のシャフト８１２を軸として、下方に移動する。これにより、加圧部８１６は半導体装置５０を上方から加圧する。試験時には、加圧部８１６と半導体装置５０とが接触した状態で、ステージ８１０と加圧部８１６とを介して半導体装置５０に電流が流れる。
【００２８】
比較例に係る半導体試験装置８００では、半導体装置５０の表面と加圧部８１６とが十分に密着しない可能性がある。このとき、半導体装置５０と加圧部８１６との間に局所的に電流が流れ、半導体装置５０の表面電極が局所的に高温になる可能性がある。
【００２９】
これに対し、本実施の形態では、半導体装置５０と加圧部１６との間に第１緩衝材３１が設けられる。さらに、加熱により第１緩衝材３１の温度が上昇し、第１緩衝材３１のヤング率が低下する。この状態で第１緩衝材３１に荷重を印加することで、第１緩衝材３１と半導体装置５０とを十分に密着させることができる。また、押圧面１６ａと第１緩衝材３１とを十分に密着させることができる。
【００３０】
これにより、半導体装置５０と第１緩衝材３１との間に局所的に電流が流れることを抑制できる。よって、半導体装置５０の上面電極５０ｂが局所的に高温になることを防止でき、上面電極５０ｂの変質および第１緩衝材３１との溶着を防止できる。従って、半導体装置５０の信頼性の低下を抑制できる。
【００３１】
また、本実施の形態では第１緩衝材３１と温度調整部２０とが直接接触する。このため、第１緩衝材３１を確実に加熱し、ヤング率を低下させることができる。
【００３２】
また、本実施の形態では加圧の開始前に第１緩衝材３１の加熱を開始する。これにより、加圧の開始から通電までの時間を短縮できる。
【００３３】
また、本実施の形態では加圧により半導体装置５０とステージ１０とを密着させることができる。従って、半導体装置５０からステージ１０に効率よく熱を逃がすことができ、通電時の半導体装置５０の昇温を抑制できる。また、第１緩衝材３１により加圧時の半導体装置５０へのダメージを抑制できる。従って、半導体装置５０の信頼性の低下を抑制できる。
【００３４】
本実施の形態の半導体装置５０は、還流電流をボディダイオードに流すパワーＭＯＳＦＥＴであっても良い。ボディダイオードは寄生ダイオードとも呼ばれる。ボディダイオードを利用することで、スイッチング素子と並列に接続する還流ダイオードを小型化または省略できる。従って、半導体装置５０を小型化できる。また、このようなパワーＭＯＳＦＥＴで電力変換回路を形成しても良い。
【００３５】
また、半導体装置５０は、ワイドバンドギャップ半導体によって形成されていても良い。ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料またはダイヤモンドである。一般に、インバータ等のパワーエレクトロニクス機器の省エネのためには、半導体スイッチング素子の損失を低減させることが有効である。損失は、例えば素子の導通損およびスイッチング損失により決定される。半導体装置５０をワイドバンドギャップ半導体から形成することで、このような損失を低減させることができる。
【００３６】
ここで、ＳｉＣ半導体素子をｐ型とｎ型のキャリアを用いてバイポーラ動作させると、キャリアの再結合エネルギーにより結晶欠陥が拡張することがある。これにより、抵抗が増大するおそれがある。この問題は、一般に還流電流をボディダイオードに流すＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴでも発生する。このため、オン抵抗増大による損失の増大または動作不良等が問題になる場合がある。
【００３７】
本実施の形態の半導体試験装置１００は、このようなＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴに大電流の電流ストレスを印加し、結晶欠陥を拡張させてスクリーニングする装置であっても良い。この場合、半導体試験装置１００は、例えば１５０〜２３０℃、１２０〜４００Ａ／ｃｍ２の条件で、チップ状態のボディダイオードにＤＣ通電を行う。これにより、半導体試験装置１００は、結晶欠陥を飽和状態まで拡張させる。この状態で、順方向抵抗の増加状態を判別することで、スクリーニングが実現される。このように、欠陥拡張させて順方向特性を評価することで、ボディダイオードの信頼性を確保できる。
【００３８】
本実施の形態の半導体試験装置１００によれば、信頼性を損なうことなく上記のような通電テストを実施できる。このため、半導体装置５０の安定性を確保できる。従って、半導体装置５０の市場での信頼性を向上できる。
【００３９】
本実施の形態では、第１緩衝材３１の加熱を開始した後に、加熱を継続した状態で第１緩衝材３１を加圧した。第１緩衝材３１の加熱は、第１緩衝材３１を半導体装置５０に搭載した後、通電の直前まで実施すると良い。これに限らず、加熱のタイミングは、加圧前後の何れでも良い。例えば、加圧を開始した後に、加圧状態を維持したまま加熱を開始しても良い。また、第１緩衝材３１の温度が高い状態が維持できれば、加熱を終了した後に加圧を開始しても良い。また、加熱と加圧を同時に開始しても良い。このように、第１緩衝材３１の温度が加熱前の温度または常温よりも高い状態で、第１緩衝材３１を上方から加圧できれば良い。これにより、ヤング率が低下した状態で第１緩衝材３１を押圧でき、第１緩衝材３１と半導体装置５０とを十分に密着させることができる。
【００４０】
また、第１緩衝材３１の常温でのヤング率は１００ＧＰａ以下であると良い。これにより、良好な密着性が得られることが確認されている。また、半導体装置５０の上面電極５０ｂは、例えばＡｌ、Ｃｕ、またはこれらの窒化物から形成される。また、上面電極５０ｂは、Ａｌ、Ｃｕまたはこれらの窒化物を使用した積層膜、または、合金であっても良い。このような電極材料を使用することで、第１緩衝材３１との間で良好な密着性を得ることができる。
【００４１】
また、半導体試験装置１００では、一度の加圧で試験されることが好ましい。第１緩衝材３１は、加圧によりチップ上面の形状に合わせて変形する。一度加圧した後、加圧を解除し、再加圧すると、ミクロレベルでの位置ずれにより密着性が低下する可能性がある。従って、一度第１緩衝材３１の加圧を開始したら、その加圧状態を維持して通電を実施すると良い。
【００４２】
また、本実施の形態では、第１緩衝材３１の加熱を終了した後に半導体装置５０への通電を開始する。つまり、温度調整部２０は半導体装置５０に電流が流れていない状態で、第１緩衝材３１を加熱する。温度調整部２０は、第１緩衝材３１に通電させずに第１緩衝材３１を加熱する。一般に、通電中は半導体装置５０の温度が上昇する。通電前に加熱を終了することで、半導体装置５０が過剰に高温になることを防止できる。
【００４３】
また、温度調整部２０は半導体装置５０を冷却する機能を備えていてもよい。この場合、通電工程では、半導体装置５０を冷却しながら電流を流す。これにより、通電中の半導体装置５０の温度を調整することが可能である。また、通電工程では、半導体装置５０の温度を通電工程の直前の温度以上に維持して、半導体装置５０を冷却しても良い。これにより、第１緩衝材３１のヤング率が常温よりも低い状態を維持しつつ、半導体装置５０が過剰に高温になることを防止できる。
【００４４】
温度調整部２０はペルチェ素子を備えても良い。これにより冷却機能を実現できる。また、温度調整部２０の冷却機能の有無に関わらず、ステージ１０は冷却機能を備えていても良い。これにより、半導体装置５０の熱をチップ裏面から効率よく放熱できる。
【００４５】
温度調整部２０は、通電開始前までは加熱機能により温度上昇を行い、通電開始後は冷却機能により通電時の温度調整を行う。また、通電開始前までは温度調整部２０により温度上昇を行い、通電開始後はステージ１０の冷却機能により通電時の温度調整を行っても良い。これにより、第１緩衝材３１と半導体装置５０との良好な密着性と、通電時の温度調節の両方が実現できる。
【００４６】
また、温度調整部２０は、第１緩衝材３１の裏面または側面と接触しても良い。また、温度調整部２０は、加熱時以外は平面視で第１緩衝材３１と重ならない位置に収納できても良い。これにより、半導体装置５０および第１緩衝材３１を搭載する際に、温度調整部２０が妨げとなることを防止できる。
【００４７】
図３は、実施の形態１の変形例に係る半導体試験装置２００を説明する図である。半導体試験装置２００は、導電性であり、半導体装置５０とステージ１０との間に設けられる第２緩衝材３２を備える。また、半導体試験装置２００は、導電性であり、第１緩衝材３１の上に設けられる第３緩衝材３３を備える。加圧機構１８は、半導体装置５０の上面に第１緩衝材３１が設けられ、第１緩衝材３１の上に第３緩衝材３３が設けられた状態で、第３緩衝材３３を上方から加圧する。第１緩衝材３１および第２緩衝材３２は、例えばアルミ箔である。第３緩衝材３３は例えば銅板である。
【００４８】
このような構成にすることで、加圧時の半導体装置５０へのダメージをさらに抑制できる。また、半導体装置５０の裏面とステージ１０との間の熱抵抗を下げることができる。従って、通電中の半導体装置５０の冷却を効率よく行うことができる。なお、第２緩衝材３２と第３緩衝材３３は一方のみが設けられても良い。
【００４９】
これらの変形は以下の実施の形態に係る半導体試験装置および半導体装置の製造方法について適宜応用することができる。なお、以下の実施の形態に係る半導体試験装置および半導体装置の製造方法については実施の形態１との共通点が多いので、実施の形態１との相違点を中心に説明する。
【００５０】
実施の形態２．
図４は、実施の形態２に係る半導体試験装置３００を説明する図である。半導体試験装置３００は温度調整部３２０の位置が実施の形態１と異なる。温度調整部３２０は、ステージ１０の下に設けられる。温度調整部３２０は、ステージ１０と接触した状態で第１緩衝材３１を加熱する。このような構成とすることで、ステージ１０の上面側における温度調整部３２０を配置するスペースを削減でき、半導体試験装置３００を小型化できる。特に、複数のシャフト１２を実施の形態１よりも半導体装置５０に近づけて配置できる。
【００５１】
また、実施の形態１では、温度調整部２０と接触する部分を確保するために、第１緩衝材３１が半導体装置５０に対して水平方向に突出する。本実施の形態では、第１緩衝材３１が温度調整部３２０と接触しないため、第１緩衝材３１を小型化できる。従って、半導体試験装置３００を小型化できる。
【００５２】
また、温度調整部３２０は加圧機構から離して設置される。このため、例えば温度調整部２０が加圧機構１８に含まれる構造と比較して、半導体試験装置３００の動作部を小型化できる。
【００５３】
なお、本実施の形態では、第１緩衝材３１は、温度調整部３２０によりステージ１０および半導体装置５０を介して加熱される。
【００５４】
温度調整部３２０は、ステージ１０の内部に設けられても良い。このように、第１緩衝材３１を加熱する工程は、ステージ１０の下またはステージ１０の内部に設けられた抵抗に電流を流すことで実施されても良い。これにより、半導体試験装置３００をよりコンパクトにすることができる。
【００５５】
温度調整部３２０の配置は上記のものに限定されない。温度調整部３２０は、ステージ１０を介して第１緩衝材３１を加熱できれば良い。
【００５６】
なお、各実施の形態で説明した技術的特徴は適宜に組み合わせて用いてもよい。
【符号の説明】
【００５７】
１００、２００、３００  半導体試験装置、１０  ステージ、１２  シャフト、３１  第１緩衝材、３２  第２緩衝材、３３  第３緩衝材、１６ａ  押圧面、１８  加圧機構、２０、３２０  温度調整部、２２  通電部
【図１】
2022003323.tif 000003
【図２】
2022003323.tif 000004
【図３】
2022003323.tif 000005
【図４】
2022003323.tif 000006