(57)【要約】【課題】側面導通が可能なセラミックパッケージであって、製造が容易であり、導体パターンを備えた凹溝の幅が狭く、高密度配線が可能であり、また、凹溝の寸法精度が高く位置ズレも示さないセラミックパッケージを提供すること。【解決手段】電子部品を搭載するキャビティを規定するセラミック基板の側壁に半長円形の横断面をもった導体パターンが形成されており、かつその導体パターンがセラミック基板の表面及び（又は）内部に設けられた配線パターンどうしを接続しているように構成する。【選択図】　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品搭載のためのキャビティをほぼ中央部に備えたセラミック基板を含むセラミックパッケージであって、
前記キャビティを規定するセラミック基板の側壁に、該側壁を垂直方向に切欠きかつ貫通する半長円形の横断面をもった導体パターンが形成されており、そして
前記導体パターンが、前記セラミック基板の表面及び（又は）内部に設けられた配線パターンどうしを接続していることを特徴とするセラミックパッケージ。
【請求項２】
前記セラミック基板が、グリーンシートの複数枚を所定の形状に成形し、積層及び焼成して形成されたものであり、かつ
前記導体パターンが、前記セラミック基板の形成途中で、長円形の横断面をもった導体充填の貫通孔をそのほぼ中間の位置で切断することによって形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載のセラミックパッケージ。
【請求項３】
前記キャビティを規定するセラミック基板の側壁が階段構造を有しており、それぞれの階段部分の側面に前記導体パターンが形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のセラミックパッケージ。
【請求項４】
前記導体パターンが、導体ペーストからなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のセラミックパッケージ。
【請求項５】
前記導体パターンの幅が、１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のセラミックパッケージ。
【請求項６】
前記キャビティの底面が、前記セラミック基板の裏面に接合された金属板によって規定されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のセラミックパッケージ。
【請求項７】
多数個取り方式で一括して製造されたものであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のセラミックパッケージ。
【請求項８】
前記電子部品が半導体素子であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のセラミックパッケージ。
【請求項９】
ほぼ中央部にキャビティを有するセラミック基板を備えたセラミックパッケージと、前記キャビティに搭載された電子部品とを含む電子装置であって、前記セラミックパッケージにおいて、
前記キャビティを規定するセラミック基板の側壁に、該側壁を垂直方向に切欠きかつ貫通する半長円形の横断面をもった導体パターンが形成されており、そして
前記導体パターンが、前記セラミック基板の表面及び（又は）内部に設けられた配線パターンどうしを接続していることを特徴とする電子装置。
【請求項１０】
前記電子部品が半導体素子であることを特徴とする請求項９に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミックパッケージに関し、さらに詳しく述べると、半導体素子などの電子部品を搭載するためのセラミックパッケージに関する。本発明はまた、かかるセラミックパッケージを使用した電子装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
周知の通り、半導体装置にはいろいろな構成のものがあるが、ある半導体装置は、半導体チップをセラミックパッケージに搭載することによって構成されている。セラミックパッケージは、通常、所定の枚数のグリーンシートを積層し、焼成して一体化することによって製造されている。また、一般的に、セラミックパッケージは、その中央部に中空構造（キャビティ）を有し、半導体チップを搭載できるようになっている。セラミックパッケージは、中空構造を有しているので、ボンディングワイヤの断線防止に有効であり、耐湿性や放熱性にも優れているばかりでなく、グリーンシートの積層数を増加することで配線パターンの数を増やすことができるので、高密度パッケージを実現できる。セラミックパッケージの構造には、例えば、サイドブレーズ、ボトムブレーズ、チップキャリヤ、ピン・グリッド・アレイ（ＰＧＡ）などがある。
【０００３】
図７は、セラミックパッケージの一例として、特開昭６２−８９３４５号公報に開示されているリードレスチップキャリヤを示したものである。図７（Ａ）は、リードレスチップキャリヤの平面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）の線分Ｂ−Ｂに沿った断面図である。
【０００４】
図示のリードレスチップキャリヤ４０は、半導体素子搭載部（キャビティ）４４、内部導通部（中位段差部）４２及び外部導通部４３を備えたセラミック基板４１からなる。セラミック基板４１は、セラミックのグリーンシート、すなわち、複数枚の未焼成のセラミックシートを所要の形状に形成した後、積層し、焼成することによって形成することができる。セラミック基板４１の所定の領域には、電気的な導通をとるため、予め形成されたメタライズ層の上に金めっき等が、焼成後に施される。また、キャリヤ４０の周壁に付設された外部導通部４３は、図８（Ａ）に示すように半円状の断面をもった凹溝を切削加工によって形成した後、図８（Ｂ）に示すように、メタライズ層４５及び金めっき層４６を順に被着することによって形成することができる。また、凹溝を切削加工によって形成する代りに、セラミック基板をその周囲に余裕をもった形で形成するとともに、凹溝の代りに円形の断面をもった貫通孔を形成し、基板を貫通孔の中心点を結ぶ線上でダイヤモンドカッター等で切断しても、同様な構造のリードレスチップキャリヤを製造することができる。このような構造のセラミックパッケージでは、その基板の側壁に外部導通部を付設したので、上記した効果（断線防止、耐湿性及び放熱性の向上、高密度配線）の他に、配線構造の単純化という効果も得ることができる。
【０００５】
しかし、上記したように切削加工やその他の機械加工によって凹溝を形成する方法は、製造工程が煩雑であり、バリなどの欠陥も加工時に発生しやすい。また、このような機械加工の方法や貫通孔を形成した後にそれを半分に切断して凹溝となす方法では、得られる凹溝のサイズに限界があり、通常、約４００〜５００μｍ程度の幅をもった凹溝しか形成することができず、高密度配線の要求を十分に満たすことができない。また、従来の方法では凹溝の位置ズレも生じやすく、凹溝の導体パターンと配線パターンの側面導通を確保できないという問題が発生する。
【０００６】
さらに、従来のセラミックパッケージを高周波回路用に使用するような場合には、配線が緻密になった場合に、凹溝そのものを形成することができない。信号層の両側にグランド層を配置してシールド効果を得ることができないからである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記のような従来の技術の問題点を解決して、側面導通が可能なセラミックパッケージであって、製造が容易であり、導体パターンを備えた凹溝の幅が狭く、高密度配線が可能であり、また、凹溝の寸法精度が高く位置ズレも生じないセラミックパッケージを提供することにある。
【０００８】
また、本発明の目的は、耐湿性や放熱性に優れ、しかも高密度実装が可能な電子装置を提供することにある。
【０００９】
本発明のこれらの目的やその他の目的は、以下の詳細な説明から容易に理解することができるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、その１つの面において、電子部品搭載のためのキャビティをほぼ中央部に備えたセラミック基板を含むセラミックパッケージであって、
前記キャビティを規定するセラミック基板の側壁に、該側壁を垂直方向に切欠きかつ貫通する半長円形の横断面をもった導体パターンが形成されており、そして
前記導体パターンが、前記セラミック基板の表面及び（又は）内部に設けられた配線パターンどうしを接続していることを特徴とするセラミックパッケージにある。
【００１１】
また、本発明は、そのもう１つの面において、ほぼ中央部にキャビティを有するセラミック基板を備えたセラミックパッケージと、前記キャビティに搭載された電子部品とを含む電子装置であって、前記セラミックパッケージにおいて、
前記キャビティを規定するセラミック基板の側壁に、該側壁を垂直方向に切欠きかつ貫通する半長円形の横断面をもった導体パターンが形成されており、そして
前記導体パターンが、前記セラミック基板の表面及び（又は）内部に設けられた配線パターンどうしを接続していることを特徴とする電子装置にある。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明によるセラミックパッケージ及び電子装置は、それぞれ、いろいろな形態で有利に実施することができる。以下に具体的に説明する本発明の実施の形態は、したがって、本発明の範囲を限定するものではない。
【００１３】
図１は、本発明によるセラミックパッケージの好ましい１形態を示した断面図である。セラミックパッケージ１０は、ほぼ中央の位置に電子部品（ここでは、ＬＳＩチップ）５を搭載するための矩形の開口（キャビティ）４を有するセラミック基板１を備える。また、セラミック基板１は、その側壁に階段構造を付与するため、第１のセラミック基板（以下、「基板本体」ともいう）１１及び第２のセラミック基板（以下、「枠体」ともいう）１２からなる。これらのセラミック基板は、好ましくは複数枚のグリーンシートから積層及び焼成を経て一体的に形成することができる。例えば、１枚の基板本体１１の上に１枚の枠体１２を積層し、焼成することで、セラミック基板１を容易に製造することができる。また、ここでは図示しないが、図２を参照して説明するように、セラミック基板１の表面には、階段部分の表面も含めて、配線パターン（例えば、信号層、グランド層、電源層など）を形成し、かつセラミック基板１の側壁に側面導通のための導体パターンを埋設する。なお、図示の例ではセラミック基板１の側壁に１個の階段構造を付与したが、所望とする配線パターンに応じて、２個もしくはそれ以上の階段構造を付与してもよく、あるいは階段構造を省略してもよい。
【００１４】
セラミック基板は、いろいろなセラミック材料から任意に製造することができる。適当なセラミック材料は、以下に列挙するものに限定されるわけではないけれども、アルミナ（酸化アルミニウム）、窒化アルミニウム、ガラスセラミックなどである。セラミック基板は、これらのセラミック材料の粉末を含むスラリーからグリーンシートを製造した後、グリーンシートの複数枚を所定の形状に成形及び加工し、さらに積層及び焼成して有利に製造することができる。この製造方法は、以下において詳細に説明する。
【００１５】
セラミック基板１（基板本体１１）は、その裏面に金属板７が接合される。金属板７は、開口４の底面を閉じてキャビティを規定するとともに、素子搭載面も規定し、さらには放熱板としても機能する。金属板７は、通常、放熱特性に優れた金属材料の板、例えば銅、アルミニウムもしくはその合金の板などからなる。基板本体１１に対する金属板７の接合は、通常、ろう付けで行われる。したがって、基板本体１１の底面には、ろう付けの領域について例えばタングステンなどからメタライズ層（メタライズパターン）を形成し、その上にさらに例えばニッケル、金などから金属めっき層を形成するのが一般的である。金属板７のろう付けには、例えば銀ろうなどを使用することができる。なお、図示の例では、金属板７によって素子搭載用キャビティ４を形成したけれども、必要なら、基板本体１１を開口を有しない板材で構成し、その中央部にキャビティ４もしくはその一部として働く矩形の凹部を形成してもよい。
【００１６】
上述のようなセラミックパッケージ１０は、通常、マザーボードや配線回路基板などに実装して用いられる。実装時の外部との接続は、この技術分野で一般的に使用されている技法を使用することができる。例えば、基板本体１１の裏面の露出領域１１ｂを利用して、外部接続端子としてリードピンを立設することができる。別法によれば、ボールバンプを外部接続端子として付設してもよく、あるいはセラミック基板１１の裏面と平行にリードを延設してもよい。
【００１７】
本発明によるセラミックパッケージは、そのセラミック基板のほぼ中央部に形成されたキャビティに電子部品を搭載することによって電子装置を提供することができる。ここで、「電子装置」とは、広義で用いられており、１個もしくはそれ以上の電子部品をセラミックパッケージの所定の領域に搭載した各種の電子装置、例えば半導体装置などを意味する。また、「電子部品」とは、ＩＣチップ、ＬＳＩチップ、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅ）チップ等の半導体素子、チップコンデンサ、ＬＤ（Ｌａｓｅｒ　Ｄｉｏｄｅ）、ＰＤ（Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ）等のダイオードなどを含む各種の部品を意味する。
【００１８】
例えば図１のセラミックパッケージ１０を使用して半導体装置を製造する場合には、パッケージ１０のキャビティ４の底面を規定する金属板７の表面にＬＳＩチップ５を搭載する。チップ５は、例えば、ろう材、接着剤などで金属板７に接着し、固定することができる。必要に応じて、金属板７の上に、チップ搭載用のステージ（例えばモリブデン板）を付設してもよい。チップ５の電極端子は、ボンディングワイヤ６を介してセラミック基板１の導体パターンと接続される。チップ５を搭載した後、図示しないが、キャビティ４の全体を例えばエポキシ樹脂のような絶縁性の樹脂で封止してもよい。最後に、セラミックパッケージ１０の上面をキャップ（図示せず）によって封止し、半導体装置が完成する。キャップには、例えば、コバール（ＫОＶＡＲ）板などを使用することができ、また、パッケージに対するキャップの接合には、ろう材、例えばＮｉ−Ｓｎのようなろう材を使用することができる。
【００１９】
本発明のセラミックパッケージでは、側面導通のために半長円形の導体パターンをセラミック基板の側壁に形成することに特徴がある。この導体パターンは、典型的には、図２に模式的に示すように形成することができる。すなわち、セラミックパッケージ１０のキャビティ４を規定するセラミック基板１の側壁に、その側壁を垂直方向に切欠きかつ貫通する半長円形の横断面をもった導体パターン３を形成する。導体パターン３は、セラミック基板１の表面やその内部に設けられた配線パターンどうしを接続可能であり、よって、セラミックパッケージ１０の側面導通を確保できる。
【００２０】
図２のセラミックパッケージ１０の場合、中央部に正方形の開口を有する第１のセラミック基板（基板本体）１１の側壁（これが、キャビティの外周を規定する）に第１の導体パターン３１が埋め込まれており、その表面には、信号線２２とその両側に形成されたグランド層２１とからなる配線パターン２がある。第１の導体パターン３１は、図３に示すように、半長円形の横断面をもっている。この第１のセラミック基板１１の上には、それと同様に中央部に正方形の開口を有する第２のセラミック基板１２が一体的に載置されている。この第２のセラミック基板１２は、枠体として用いられており、その側壁には第２の導体パターン３２が埋め込まれており、かつその表面には、グランド層２１が形成されている。第２の導体パターン３２は、第１の導体パターン３１と同様に半長円形の横断面をもっている。さらに、図示しないが、セラミック基板１の内部にも配線パターン２は形成されている。なお、図示の導体パターンは、半長円形の横断面を有しているが、もしも比較可能な効果が得られるのであるならば、細長い長方形の横断面を有するように導体パターンを形成してもよい。
【００２１】
それぞれのセラミック基板において、導体パターンは、いろいろなサイズで形成することができる。導体パターンの高さｈは、そのパターンが埋設されたセラミック基板の厚さに同じであり、基板厚さに応じて任意に変更可能である。また、導体パターンの幅ｗは、特に限定されるものではなく、側面導通の目的で一般的に使用されている約４００〜５００μｍの範囲であってもよいが、好ましくは、約１００μｍもしくはそれ以下、さらに好ましくは、約５０μｍもしくはそれ以下である。導体パターンの幅ｗの下限は、現行の技術の加工能力などを考慮した場合、通常、約３０μｍである。本発明では、このような狭い幅を導体パターンに適用しても、位置ズレなどの欠陥を伴うことなく側面導通を確保でき、また、半長円形の断面を採用したことで、多少の位置ズレがあっても側面導通に悪影響は出ないからである。さらに、導体パターンの深さｄは、特に限定されないというものの、通常、約５０〜２００μｍの範囲である。導体パターンの深さは、側面導通が確保されればよいので、ことさら大きく設定することは不要である。
【００２２】
半長円形の横断面をもった導体パターンは、好ましくは、図４に示すようにして形成することができる。グリーンシート１の導体パターン形成部位に長円形の横断面をもった貫通孔を形成した後、図４（Ａ）に示すように、導体パターン形成材料３を充填する。貫通孔の形成には、常用の穿孔手段、例えば打ち抜きあるいは押し抜きを使用することができる。適当な穿孔手段の一例として、例えば、ポンチによる打ち抜き加工、レーザ加工などを挙げることができる。また、導体パターン形成材料としては、セラミックパッケージの製造条件などに応じていろいろな導体材料を使用できるけれども、好ましくは、導体ペーストである。有用な導体ペーストとして、例えばモリブデンペースト、タングステンペーストなどの、高融点の金属を含む導体ペーストを挙げることができる。導体ペーストの充填が完了した後、キャビティとともに側面導通のための導体パターンを形成するため、グリーンシート１を導体充填貫通孔３のほぼ中間の位置を通る打ち抜き線ｃに沿って切断する。この切断加工は、例えば、ポンチによる打ち抜き加工が有利である。その結果、図４（Ｂ）に示すように、グリーンシート１に所定の深さで埋設された半長円形断面をもった導体パターン３が得られる。
【００２３】
配線パターンは、セラミック基板の内部や表面において常用の技法を使用して形成することができる。配線パターンの好ましい形成方法は、例えば、セラミック基板の製造途中で、グリーンシートの表面に導電性の金属材料を使用してメタライズ層を形成する方法である。適当な導電性金属は、例えば、タングステン、モリブデンなどである。また、メタライズ層の膜厚は、広い範囲で変更できるけれども、通常、約５〜３０μｍの範囲である。メタライズ層は、必要に応じて、その上に金属めっき層をさらに有していてもよい。金属めっき層は、グリーンシートの焼成後に常用の電解めっき法あるいは無電解めっき法を使用して形成することができる。適当なめっき金属は、例えば、ニッケル、金などである。また、金属めっき層の膜厚は、広い範囲で変更できるけれども、通常、Ｎｉめっきの場合で約１．５〜５μｍの範囲であり、その上に施すＡｕめっきは約０．３〜２μｍ程度である。
【００２４】
電子部品搭載のためのキャビティをほぼ中央部に備えたセラミック基板を含み、かつ前記キャビティを規定するセラミック基板の側壁に、該側壁を垂直方向に切欠きかつ貫通する半長円形の横断面をもった導体パターンが形成されている本発明によるセラミックパッケージは、いろいろな方法で製造することができる。必要に応じてセラミック粉末の加圧成形に基づく方法を使用してもよいけれども、グリーンシートの積層に基づく方法を使用することが推奨される。配線パターンのレイアウトを自由に変更可能であり、導体パターンも容易にかつ高精度で形成できるからである。
【００２５】
グリーンシートの積層に基づく本発明のセラミックパッケージの製造方法は、通常、次のような一連の工程を包含する。
（１）グリーンシートの作製及び成形
（２）貫通孔の形成及び導体の充填
（３）配線パターン用メタライズ層の形成
（４）キャビティの加工
（５）グリーンシートの積層
（６）個片切断
（７）焼成
好ましくは、本発明のセラミックパッケージは、下記の工程：
セラミック原料から、前記セラミック基板を積層によって形成するのに必要な数及び厚さのグリーンシートを作製し、
前記グリーンシートのそれぞれを、前記セラミック基板を形成するのに必要な形状に成形し、
前記グリーンシートの導体パターンの形成位置に長円形の横断面をもった貫通孔を形成し、
前記貫通孔に前記導体パターンの形成材料（導体）を充填し、
前記グリーンシートの表面に、配線パターン用のメタライズ層を予め定められた配線デザインに従って形成し、
前記グリーンシートを前記導体充填の貫通孔のほぼ中央の位置を通る打ち抜き線に沿って打ち抜いて、そのグリーンシートのほぼ中央部に前記キャビティを形成する開口を加工し、
前記グリーンシートを所定の順序で積層して、前記開口及び前記導体充填の貫通孔がそれぞれ連通した積層シートを形成し、
前記積層シートを予め定められた切断線に沿って切断して前記セラミックパッケージの前駆体の個片を切り出すこと、そして
前記セラミックパッケ−ジの個片を所定の温度で焼成して一体化すること、
を含む方法によって製造することができる。なお、上記の工程は、必要に応じて加工順序を入れ替えてもよく、あるいは追加の加工工程を加入してもよい。また、上記のようにしてセラミックパッケージを製造した後、仕上げ加工として、表面に露出した配線パターン等に金属めっきを施したり、基板の裏面に外部接続端子を取り付けたり、キャビティの底面に金属板（放熱板）を貼着したりするのが一般的である。
【００２６】
また、この製造方法は、多数個取り方式に基づいて実施するのが有利である。１枚の積層グリーンシートから多数のセラミックパッケージを一括して製造できるからである。さらに、切断工程によって得られたセラミックパッケージには、常法に従って外部接続端子を形成したり放熱板を取り付けたりすることができる。
【００２７】
さらに詳しく述べると、本発明のセラミックパッケージは、図５及び図６に示すような方法で有利に製造することができる。図１及び図２に示したようにセラミック基板が基板本体と枠体からなる場合には、図５に示すように、それぞれの部材を別工程で作製し、積層によって一体化するのが有利である。
グリーンシートの作製及び成形：
セラミック原料から、セラミック基板を積層によって形成するのに必要な数及び厚さのグリーンシートを作製する。例えば、原料セラミックの粉末（例えば、アルミナ基板の場合にはアルミナ粉）、可塑剤、溶剤等を混合して調製したセラミックスラリーを成形してグリーンシートを作製する。例えば、スラリーをドクタブレード法でシート状に成形する。グリーンシートの厚さは、所望とするセラミックパッケージの詳細やその製造条件などに応じて広く変動し得るけれども、通常、約０．２〜０．５ｍｍの範囲である。
【００２８】
長尺のグリーンシートの作製後、セラミック基板を形成するのに必要なサイズに裁断する。形状は、通常、正方形もしくは長方形である。多数個取りでセラミックパッケージを製造するような場合、最終的に必要な数のパッケージ（個片）を切り取ることのできる大きさとする。
貫通孔の形成：
それぞれのグリーンシートに、最終的に得られるセラミックパッケージにおいてビアホール、導体パターンを付与するのに必要な貫通孔を形成する。例えば、ビアホールの形成部位には、それに見合った直径の貫通孔を形成する。また、本発明に必須の工程であるが、図６（Ａ）に示すように、グリーンシート１の導体パターンの形成部位に、長円形の横断面をもった貫通孔１３を予め定められた大きさで形成する。貫通孔は、例えば、レーザ加工によって穿孔することができる。
貫通孔の充填：
図６（Ｂ）に示すように、グリーンシート１の貫通孔に導体パターン形成材料（導体）３を充填する。導体としては、充填の容易さなどから、例えばタングステンやモリブデンなどの高融点の金属を含むペーストを有利に使用することができる。
配線パターン用メタライズ層の形成：
セラミックパッケージは、通常、その表面及び内部に配線パターン（信号層、グランド層、電源層等）を有する。これらの配線パターンは、好ましくは、グリーンシートの段階でメタライズ層（内部メタライズ層ともいう）をパターン状に印刷することによって有利に形成することができる。配線パターン用メタライズ層のパターンは、予め定められた配線レイアウトに従って決定される。メタライズ金属としては、例えば、タングステン、モリブデンなどがある。図６（Ｃ）は、導体パターン３の上に配線パターン２が形成されている状態を示している。
キャビティの加工：
上記のようにして貫通孔に導体を充填し、さらにはメタライズ層を形成した後、グリーンシートのほぼ中央部にキャビティのための矩形の開口を加工する。キャビティの加工にはいろいろな方法を使用できる。例えば、ポンチなどを使用した打ち抜き加工が便宜である。
【００２９】
また、このキャビティの加工は導体充填の貫通孔の中間を通る打ち抜き線に沿って行うので、キャビティと同時に、図６（Ｄ）に示すように、半長円形の横断面をもった導体パターン３が形成される。
【００３０】
以上の加工工程は、セラミック基板の本体の製造を想定して説明したものである。この加工工程に準じて、基板の枠体も同様に製造することができる。但し、枠体の製造では、製造の途中でキャビティのための開口を打ち抜く工程を省略して、取り扱い性を高めるためにメタライズ加工の後に枠体を個片に切断する時に、開口も同時に形成することができる。
グリーンシートの積層：
それぞれのグリーンシートにおいてキャビティ、ビアホール、導体パターン、配線パターン等を形成した後、必要枚数のグリーンシートを所定の順序で積層し、加圧により一体化する。グリーンシートの積層に当たっては、シートの間で導体パターン、配線パターン等に位置ズレが生じないように注意を払うことが必要である。なお、本発明では、導体パターンを半長円形の横断面で形成したので、少しの位置ズレが生じても、電気的な接続に悪影響がでることはない。
積層シートの切断（外形加工）：
上記のようにして製造した積層シートを予め定められた切断線に沿って個々に切断する。得られる個片は、目的とするセラミックパッケージの前駆体ということができる。必要なら、それぞれの個片を外形加工する。
パッケージ前駆体の焼成：
切断して得た個片をまとめて焼成炉に入れ、所定の温度で焼成して一体化する。焼成温度は、セラミックの種類などによって変動するけれども、通常、約１５００〜１６００℃の高温である。焼成の結果、パッケージ前駆体中に含まれていた樹脂成分は、熱分解によって除去せしめられ、また、貫通孔内の導体ペーストは、金属化せしめられる。
金属板（放熱板）の貼着：
パッケージ前駆体の裏面には、放熱などを目的として金属板、例えば銅板などをろう付けで貼着するのが好ましい。
金属めっき層の形成：
上記の工程が完了した後、パッケージ前駆体の表面に露出する配線パターン（表面メタライズ層）に必要に応じて金属めっき層を施す。適用可能な金属めっき層には、例えば、ニッケルめっき層、金めっき層などがある。このめっき層を介して、例えば半導体チップとの接続をとることができる。このようにして、図１及び図２を参照して先に説明したセラミックパッケージが完成する。
【００３１】
また、セラミックパッケージの裏面に外部接続端子を設けてもよい。例えば複数本のリードを外部接続端子として立設するような場合、ニッケルめっきを施した後にリードフレームをろう付けすることができる。
【００３２】
【発明の効果】
以上に詳細に説明したように、本発明によれば、側面導通が可能なセラミックパッケージであって、製造が容易であり、導体パターンを備えた凹溝の幅が狭く、高密度配線が可能であり、また、凹溝の寸法精度が高く位置ズレも示さないセラミックパッケージを提供することができる。
【００３３】
実際に、このセラミックパッケージを使用すると、高周波伝送装置で配線パターンが緻密であっても、信号線の両側に確実にグランド層を配置でき、満足し得るシールド効果を得ることができる。さらに、セラミック基板の表面においてグランド層がすべて露出した状態となっているので、配線レイアウトを無駄なく実現することができる。
【００３４】
また、本発明によれば、側面導通が可能なセラミックパッケージの凹溝を高寸法精度で位置ズレもなく容易に製造することができる。また、凹溝の幅は、従来の方法では約４００〜５００μｍまでが限界であったものを１００μｍ以下まで狭くでき、高密度化に寄与できる。
【００３５】
さらに、本発明によれば、セラミックパッケージの利点を生かして、耐湿性や放熱性に優れ、しかも高密度実装が可能な半導体装置やその他の電子装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるセラミックパッケージの好ましい１形態を示した断面図である。
【図２】図１に示したセラミックパッケージの一部を拡大して示した斜視図である。
【図３】図２に示したセラミックパッケージの導体パターンの部分を拡大して示した斜視図である。
【図４】図３に示した導体パターンの形成方法を模式的に示した平面図である。
【図５】図１に示したセラミックパッケージの好ましい製造方法を示したフローシートである。
【図６】図４に示した導体パターンの形成方法を順を追って示した平面図である。
【図７】従来のリードレスチップキャリヤの一例を模式的に示した平面図及び断面図である。
【図８】図７に示したリードレスチップキャリヤにおける外部導通部の形成方法を模式的に示した平面図である。
【符号の説明】
１…セラミック基板
２…配線パターン
３…導体パターン
４…キャビティ
５…半導体チップ
６…ボンディングワイヤ
７…金属板
１０…セラミックパッケージ
１３…貫通孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
2004055985.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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