(57)【要約】【課題】超音波プローブに設けられる超音波トランスデューサの鉛フリー及び性能のバラツキを防止した超音波診断プローブ装置を提供すること。【解決手段】超音波トランスデューサは、静電型超音波トランスデューサ（以下、ｃ−ＭＵＴ３１とも記載する）３１であり、シリコンプロセスで自動で製造される。ｃ−ＭＵＴ３１は、複数のｃ−ＭＵＴセル３１ａを配列して形成される。複数のｃ−ＭＵＴセル３１ａ，…，３１ａは微小所定ピッチで複数列、複数行で整列配置されている。ｃ−ＭＵＴセル３１ａは、シリコン基板３５上に形成された、信号入出力用電極である下部電極３７ｄ、シリコンメンブレン３８及び接地電極である上部電極３７ｕで主に構成され、真空空隙部４０はシリコンメンブレン３８の制動層になっている。複数のｃ−ＭＵＴセル３１ａが配列されるシリコン基板３５にはアクセス回路形成部４３や、配線電極４４が設けられている。【選択図】図５
2004350702.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
体腔内に挿入された超音波トランスデューサで超音波を送受波して生体組織情報を得る超音波プローブと、この超音波プローブから伝送される生体組織情報に関する電気信号の信号処理及び前記超音波トランスデューサの駆動制御を行う超音波観測装置とを具備する超音波診断プローブ装置において、
前記超音波プローブに搭載される超音波トランスデューサを、シリコン半導体基板で形成したことを特徴とする超音波診断プローブ装置。
【請求項２】
前記超音波トランスデューサは、シリコンマイクロマシーニング技術を用いて加工した、静電型超音波トランスデューサであることを特徴とする請求項１に記載の超音波診断プローブ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、超音波プローブと超音波観測装置とを備えた体腔内挿入を目的とした超音波診断プローブ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、体腔内に超音波を照射し、そのエコー信号から体内の状態を画像化して診断する超音波診断法が広く普及している。
体腔内の超音波断層画像を得る超音波診断装置として、図２２（ａ）に示すように体腔内に挿入される内視鏡２００の挿入部２０１に設けられている図示しない処置具挿通チャンネルに連通する処置具挿通口２０２を介して体腔内に導かれる図２２（ｂ）及び図２２（ｃ）に示す超音波プローブ２０３、２０５がある。
【０００３】
図２２（ｂ）に示す超音波プローブ２０３の挿入部２０４の先端部内には超音波を送受する機械走査式の超音波トランスデューサ２０８が配設されており、図２２（ｃ）に示す超音波プローブ２０５の挿入部２０６の先端部には超音波を送受する複数の超音波トランスデューサ素子２０７ａ、…、２０７ａを例えば挿入部方向に配列して構成した電子走査式の超音波トランスデューサ２０７が設けられている。
【０００４】
前記超音波トランスデューサ２０７は、これら超音波トランスデューサ素子２０７ａ，…，２０７ａを規則的に電子走査して超音波断層画像を得られるようになっている。一方、前記機械走査式の超音波トランスデューサ２０８はハウジング２０９に一体配置されている。このハウジング２０９は、図示しない駆動モータの駆動力を伝達する例えばフレキシブルシャフト等の伝達部材２１０の先端部に固定されており、前記伝達部材２１０を回転させてハウジング２０９に一体な超音波トランスデューサ２０８を機械的に回転走査して超音波断層画像を得るようになっている。
【０００５】
図２３に示すように前記超音波トランスデューサ２０８は、例えば円板状の複合圧電体２１１を使用したものである。この複合圧電体２１１は、ジルコン酸チタン酸鉛Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３  等のＰＺＴ系圧電セラミックス等で形成されている複数の圧電体（不図示）の隙間及び周囲にポリウレタン、エポキシ等の樹脂部材（不図示）を充填して構成したものであり、この複合圧電体２１１は金属製のケース体２１２内に配設されている。
【０００６】
前記複合圧電体２１１には上面側表面に設けた第１電極２１１ａと、下面側表面に設けた第２電極２１１ｂとが設けられている。前記第２電極２１１ｂと前記第１電極２１１ａとは電気的に別体であり、第１電極２１１ａを設けた上面側が超音波放射面になっている。前記第２電極２１１ｂには信号用導体２１３が接続され、前記第１電極２１１ａにはグランド線２１４が接続されている。
【０００７】
前記ケース体２１２内に配設されている複合圧電体２１１の下面側には超音波吸収体２１５が配設され、曲面を形成した上面側にはケース体２１２の先端面までを覆う音響整合層の振幅条件を満たす音響整合層を兼ねる音響レンズ２１６が設けてある。また、前記超音波吸収体２１５及び複合圧電体２１１の外周側には第１電極２１１ａと第２電極２１１ｂとの電気的な接触を防止する樹脂製の絶縁部材２１７が設けてある。さらに、前記超音波トランスデューサ２０８の表面を、耐水性、耐薬品性に優れたパリレン（ポリパラキシリレン）等で形成された保護膜（不図示）で覆っている。
【０００８】
一方、図２４に示すように複数の超音波トランスデューサ素子２０７ａ，…，２０７ａを配列した超音波トランスデューサ２０７は、ジルコン酸チタン酸鉛Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３  等のＰＺＴ系圧電セラミックス等で形成された圧電素子２２１とこの圧電素子２２１の背面側に配設されるバッキング材２２２とで構成されている。前記圧電素子２２１の両面には電極２２１ａ，２２１ｂが設けられている。そして、前記電極２２１ｂにはフレキシブルプリント基板２２３のパターン２２３ａが図示しない半田で電気的に接続されている。
【０００９】
前記圧電素子２２１は、厚み方向に対してバッキング材２２２まで届く深さ寸法のダイシング溝２２４によって長手方向に短冊状に等間隔で分離されて長手方向に複数のトランスデューサ素子２０７ａを配列している。このダイシング溝２２４によって、半田による接続部をそれぞれ隣接する接続部と分離することにより、各パターン２２３ａは１つのトランスデューサ素子２０７をそれぞれ形成する２つのサブエレメント素子２０７ｂに接続されている。前面側の電極２２１ａの上には図示しない音響整合層が設けられ、前面側の電極２２１ａを図示しないＧＮＤ配線材により隣接する電極２２１ａと互いに接続されてグランド電位に設定されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記超音波プローブでは、電子走査式、機械走査式に関わらず、超音波トランスデューサを構成する圧電体に鉛が含まれている。このため、近年の環境問題を踏まえて、体腔内に挿入されて使用される超音波プローブに設けられる超音波トランスデューサの鉛フリー化が望まれている。
【００１１】
また、機械走査式で用いられる超音波トランスデューサでは、複数の圧電体の隙間及び周囲に樹脂部材を、常時均一に充填することが難しく、作成者、或いは製造日等によって性能にバラツキが生じていた。一方、電子走査式の超音波トランスデューサではダイシング溝を形成する作業に熟練をようし、作成者、或いは製造日等によって性能にバラツキが生じていた。
【００１２】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、超音波プローブに設けられる超音波トランスデューサの鉛フリー及び性能のバラツキを防止した超音波診断プローブ装置を提供することを目的にしている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の超音波診断プローブ装置は、体腔内に挿入された超音波トランスデューサで超音波を送受波して生体組織情報を得る超音波プローブと、この超音波プローブから伝送される生体組織情報に関する電気信号の信号処理及び前記超音波トランスデューサの駆動制御を行う超音波観測装置とを具備する超音波診断プローブ装置であって、
前記超音波プローブに搭載される超音波トランスデューサを、シリコン半導体基板で形成した。
【００１４】
また、前記超音波トランスデューサは、シリコンマイクロマシーニング技術を用いて加工した、静電型超音波トランスデューサである。
【００１５】
これらの構成によれば、シリコンマイクロマシーニング技術を用いることにより、クリーンな環境で、ダイシング溝に起因した不具合を解消した、鉛フリーの小型で高精細な超音波トランスデューサが形成される。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
（第１実施形態）
図１ないし図１０は本発明の第１実施形態にかかり、図１は超音波診断プローブ装置を説明する図、図２は超音波プローブの先端部の構成を説明する図、図３は超音波トランスデューサを説明する図、図４は図３の矢印Ａで示す部分の拡大図及びｃ−ＭＵＴセルを説明する図、図５はｃ−ＭＵＴセルの断面の構成例を説明する図、図６は超音波観測装置及び超音波トランスデューサの構成を説明するブロック図、図７はｃ−ＭＵＴの他の構成例を説明する図、図８はｃ−ＭＵＴセルの配列及びセル形状を説明する図、図９は超音波送受波方向を軸方向に対して直交した方向にしたｃ−ＭＵＴを配置した超音波プローブを示す図、図１０は超音波送受波方向を軸方向にしたｃ−ＭＵＴを配置した超音波プローブを示す図である。
【００１７】
なお、図８（ａ）はｃ−ＭＵＴセルを格子状に配列したときの図、図８（ｂ）はｃ−ＭＵＴセルの他のセル形状を示す図、図８（ｃ）はｃ−ＭＵＴセルの別のセル形状を示す図である。
【００１８】
図１に示すように本実施形態の超音波診断プローブ装置１は、超音波観察装置２と、内視鏡装置７とで構成されている。
前記超音波観察装置２は、先端側に後述する超音波トランスデューサ（図２の符号３１参照）を内蔵した細長な挿入部３ａを備えた超音波プローブ３と、前記超音波プローブ３の基端部に設けた接続部３ｂが着脱自在に接続される連結部４ａを備えた図示しない回転駆動源及びこの回動駆動源の回転角度データを取得してラジアル走査の際の超音波ビームの回転角度情報として回転角度データを後述する超音波観測装置に出力する例えばエンコーダを備えたプローブ駆動ユニット（以下、駆動ユニットと略記する）４と、この駆動ユニット４とコネクタ４ｂを介して電気的に接続され、前記超音波トランスデューサの駆動及びこの静電型超音波トランスデューサから伝送される電気信号の各種信号処理を行って超音波断層画像用の映像信号を生成する信号処理を行う超音波観測装置５と、この超音波観測装置５で生成した映像信号を入力して超音波断層画像を表示する超音波画像表示装置６とで主に構成されている。なお、前記接続部３ｂを前記駆動ユニット４の連結部４ａに配設することによって、機械的及び電気的な接続状態になる。
【００１９】
前記内視鏡装置７は、撮像装置を内蔵した電子内視鏡（以下、内視鏡と略記する）８と、この電子内視鏡８に照明光を供給する光源装置９と、前記電子内視鏡８の図示しない撮像素子の駆動及びこの撮像素子から伝送される電気信号の各種信号処理を行って内視鏡観察画像用の映像信号を生成する信号処理を行うビデオプロセッサ１０と、このビデオプロセッサ１０で生成された映像信号を入力して内視鏡観察用画像を表示する内視鏡画像表示装置１１とで主に構成されている。
【００２０】
前記内視鏡８は、体腔内に挿入される細長の挿入部１２と、この挿入部１２の基端側に位置する操作部１３と、この操作部１３の側部から延出するユニバーサルコード１４とで主に構成されている。
【００２１】
前記ユニバーサルコード１４の基端部には前記光源装置９に接続される内視鏡コネクタ１４ａが設けられている。この内視鏡コネクタ１４ａの側部には電気コネクタ１４ｂが設けられている。この電気コネクタ１４ｂには前記ビデオプロセッサ１０と電気的に接続される映像ケーブル１５が接続される。
【００２２】
前記挿入部１２の先端面１２ａには直視による内視鏡観察を行うための照明光窓１６ａ及び観察窓１６ｂ及び鉗子出口１６ｃ等が設けられいてる。
前記操作部１３には前記挿入部１２を構成する湾曲部１７を湾曲制御するアングルノブ１８、体腔内に導入される処置具の導入口となる、前記鉗子出口１６ｃに連通した処置具挿入口１９、前記内視鏡画像表示装置１１に表示させる表示画像を切り換えたり、フリーズ、レリーズ等の指示を行う各種操作スイッチ２０等が設けられている。
【００２３】
図２に示すように前記超音波プローブ３の挿入部３ａの先端部には超音波透過性に優れた高密度ポリエチレン、ポリメチルペンテン等の部材で形成された先端キャップ２１が配置されている。この先端キャップ２１の内部には超音波トランスデューサ３１を設けたハウジング２２が回転自在に配置されている。このハウジング２２の基端部には前記駆動ユニット４に備えられている回転駆動源の回転駆動力を伝達する回転力伝達部材である例えばフレキシブルシャフト２３の一端部が固定されている。なお、このフレキシブルシャフト２３の他端部は前記駆動ユニット４の回転駆動源に固定されている。
【００２４】
したがって、前記駆動ユニット４に備えられている回転駆動源を駆動状態にすることによって、この回転駆動源の回転駆動力がフレキシブルシャフト２３を介してハウジング２２に伝達されて、このハウジング２２に設けられている超音波トランスデューサ３１が回転状態になる。
【００２５】
前記フレキシブルシャフト２３の内部には前記超音波トランスデューサ３１と前記超音波観測装置５とを電気的に接続する例えば同軸ケーブルで構成された後述する信号線３３をひとまとめにした信号ケーブル（不図示）が挿通している。また、前記挿入部３ａ内には例えば流動パラフィン、カルボキシメチルセルロース水溶液等の超音波伝達媒体２４が充填される。さらに、前記挿入部３ａの先端側には前記先端キャップ２１を覆うよう図示しない膨縮自在なバルーンが必要に応じて取り付けられるようになっている。
【００２６】
図２及び図３に示す前記超音波トランスデューサ３１は、シリコン半導体基板をシリコンマイクロマシーニング技術を用いて加工した、静電型超音波トランスデューサ（以下、ｃ−ＭＵＴ（Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ  Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ  Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ  ）３１とも記載する）であり、手作業によらず、シリコンプロセスで、完全にクリーンな環境で操作シーケンスにしたがって忠実に自動で製造される。
【００２７】
前記ｃ−ＭＵＴ３１は、複数のｃ−ＭＵＴセル３１ａを配列して、例えば各セルに位相差を設けた駆動を行い、合成超音波ビームをセクタ走査したり、いくつかの配列グループに分割して、配列グループ毎に一次元的にリニア走査、又はセクタ走査することができる。また、全素子を並列接続して単一素子としてラジアル走査することも可能である。さらには、全素子を同心枠型アレイ構造にして、それぞれのアレイエレメントに位相差を持った駆動を行い、超音波ビームの収束機能を実現することも可能である。なお、枠型アレイ構造とは、大きさの異なる複数の枠状のアレイエレメントを、例えばそれらの重心位置を一致させて配置したものである。また、上記の各場合に対応して接続ケーブルの特性、配置或いは本数が変化する。このｃ−ＭＵＴ３１の各ｃ−ＭＵＴセル３１ａ，…，３１ａと信号線３３，…，３３とはケーブル接続部３４を介して電気的に接続される構成になっている。このケーブル接続部３４から延出する信号線３３，…，３３はひとまとめにされて、挿入部１２内を挿通する図示しない例えばチューブ内に挿通された状態で操作部１３方向に延出して、前記超音波観測装置５に電気的に接続されるようになっている。
【００２８】
前記ｃ−ＭＵＴ３１の表面及び前記ハウジング部３２の一部は、耐水性、耐薬品性に優れたパリレン（ポリパラキシリレン）等で形成された保護膜（図４の符号３９参照）で被覆されている。
【００２９】
図４及び図５に示すように前記ｃ−ＭＵＴ３１を構成する各ｃ−ＭＵＴセル３１ａのセル形状は例えば六角形形状で形成されている。そして、複数のｃ−ＭＵＴセル３１ａ，…，３１ａを微小所定ピッチで複数列、複数行にハニカム構造で整列配置させて、超音波走査面の開口形状を例えば四角形形状にしている。
【００３０】
前記ｃ−ＭＵＴセル３１ａは、シリコン基板３５上に形成された、下部電極３７ｄ、電極間距離を設定する絶縁性支柱３６、シリコン又はシリコン化合物から形成されたシリコンメンブレン３８、及び上部電極３７ｕで主に構成されている。前記下部電極３７ｄは前記シリコン基板３５の上面に設けられ、前記上部電極３７ｕはシリコンメンブレン３８の上面に設けられている。符号４０は真空空隙部（以下、空隙部と略記する）であり、本形態においてはシリコンメンブレン３８の振動を制動する層になっている。
【００３１】
複数のｃ−ＭＵＴセル３１ａが配列されるシリコン基板３５にはｃ−ＭＯＳ集積回路で構成された送信遅延回路６１、バイアス信号印加回路６２、駆動信号発生回路６３、送受信切換回路６４、ｃ−ＭＵＴセル３１ａにプリアンプ６５、ビームフォーマ６６等からなる制御回路部４３ａや、配線電極４４が設けられている。前記シリコンメンブレン３８に設けられた上部電極３７ｕは接地電極であり、前記下部電極３７ｄは信号入出力用電極である。そして、前記上部電極３７ｕの上面には前記保護膜３９が被覆されている。
【００３２】
図６に示すように前記ｃ−ＭＵＴ３１には複数のｃ−ＭＵＴセル３１ａが配列されている。これらｃ−ＭＵＴセル３１ａは、超音波観測装置５に設けられているＣＰＵ５１から出力される動作指示信号に基づいて駆動制御されるようになっている。
【００３３】
前記超音波観測装置５には前記ＣＰＵ５１、トリガー信号発生回路５２、セレクタ５３、エコー信号処理回路５４、ドップラー信号処理回路５５、高調波信号処理回路５６、超音波画像処理部５７、三次元画像構築回路５８が備えられている。
【００３４】
前記ＣＰＵ５１はこの超音波観測装置５に設けられている各種回路及び処理部に動作指示信号を出力したり、各種回路及び処理部からのフィードバック信号を受信して、各種制御を行う。
【００３５】
前記トリガー信号発生回路５２は、各ｃ−ＭＵＴセル３１ａを駆動させて送波及び受波のタイミング信号である繰り返しのパルス信号を出力する。
前記セレクタ５３は前記ＣＰＵ５１の動作指示信号に基づいて指示された所定のｃ−ＭＵＴセル３１ａに対してパルス信号を伝送する。
【００３６】
前記エコー信号処理回路５４は、各ｃ−ＭＵＴセル３１ａから出力される超音波から生体内の臓器及びその境界などで反射し、前記ｃ−ＭＵＴセル３１ａに戻ってきて受信された後述する受信ビーム信号を基に可視像の画像データを生成する。
【００３７】
前記ドップラー信号処理回路５５は、前記ｃ−ＭＵＴセル３１ａから出力される受信ビーム信号からドップラー効果を利用して組織の移動成分、すなわち血流成分を抽出し、超音波断層像内における血流の位置を着色するためのカラーデータを生成する。
【００３８】
前記高調波信号処理回路５６は、各ｃ−ＭＵＴセル３１ａから出力される受信ビーム信号から第２高調波周波数又は第３高調波周波数を中心周波数とするフィルタでその周波数成分の信号を抽出、増幅してハーモニックイメージング診断用の画像データを生成する。
【００３９】
前記三次元画像構築回路５８は、前記ｃ−ＭＵＴセル３１ａから出力される受信ビーム信号から３次元画像を構築し、３次元画像データを出力する。
【００４０】
以上のように、二次元に配列されたｃ−ＭＵＴセル３１ａからの受信信号だけから三次元画像を構築することは可能であるが、その他、ｃ−ＭＵＴセル３１ａを一次元アレイに配列して電子走査で二次元画像を得て、且つ、一次元アレイに配列した振動子をラジアル回転させて、回転角度情報を得て三次元画像を構築することも可能である。
【００４１】
前記超音波画像処理部５７は前記エコー信号処理回路５４、前記ドップラー信号処理回路５５、前記高調波信号処理回路５６、三次元画像構築回路５８等で生成された画像データを基に、それぞれＢモード画像、ドップラー画像、ハーモニックイメージング像等を構築する。また、同時に、ＣＰＵ５１を介して文字等のキャラクタのオーバーレイを行う。そして、この超音波画像処理部５７で構築した映像信号をモニタ５に出力して、モニタ５の画面上に観察画像の１つである超音波断層画像を表示させる。
【００４２】
前記送信遅延回路６１は各ｃ−ＭＵＴセル３１ａに駆動電圧を印加するタイミングを決定して、所定のセクタ走査等を行うように設定する。
前記バイアス信号印加回路６２は前記駆動信号発生回路６３からの出力に所定のバイアス信号を重畳させる。このバイアス信号としては、送受信時に同じ直流電圧のみを使用する方法、送信時に高い電圧に設定して受信時には低い電圧に変化させる方法、更には例えば直流成分に交流成分を重畳させＳ／Ｎを改善したり、その交流成分とエコー信号との相関をとることによってＳ／Ｎを改善させる方法がある。
【００４３】
ＤＣバイアス電圧は、送信時においては送信電圧波形と同じゆがみのない波形の超音波送信波形を得るために必要である。前記ＤＣバイアス電圧が重畳していないと、送信超音波信号の周波数は駆動電圧信号の２倍となり、その振幅は二分の一となる。
【００４４】
一方、受信時はバイアス電圧印加は必是である。このバイアス電圧は直流電圧であれば受信超音波と同一の波形になる。また、ＤＣ電圧とともに更に交流電圧信号を重畳させ、後段の信号処理によって、その交流電圧信号の中心周波数のバンドパスフィルタで濾波し、ＳＮを改善することも可能である。さらに、他のバイアス電圧印加の利用方法としてｃ−ＭＵＴセル選択が可能となる。これは、バイアス電圧がないと原理的に受信信号が得られないことを利用するものであり、セル選択を行わないセルに対してＤＣ電圧を与えないようにすることで、セル選択が可能になる。直流信号成分が重畳した受信信号は、コンデンサ等の直流信号阻止手段でｒｆ信号に変換され、受信信号とされ、信号処理部に伝送される。
【００４５】
前記駆動信号発生回路６３は前記送信遅延回路６１からの出力信号に基づいて、所望する超音波波形に対応する駆動電圧信号であるバースト波を発生する。    前記送受信切換回路６４は１つのｃ−ＭＵＴセル３１ａを送波状態と受波状態とに切り換えるものである。送波状態のときには前記駆動電圧信号をｃ−ＭＵＴセル３１ａに印加し、受波状態では前記エコー情報を受信することによってｃ−ＭＵＴセル３１ａの電極３７ｕ、３７ｄ間に発生した電荷信号をプリアンプに出力する。なお、前記送受信切換回路６４は、ｃ−ＭＵＴセル３１ａを送信専用と受信専用とに分割して使用する際には不要である。
【００４６】
前記プリアンプ６５は前記送受信切換回路６４から出力された電荷信号を電圧信号に変化するとともに増幅する。
前記ビームフォーマ６６は前記プリアンプ６５から出力された各超音波エコー信号を前記送信遅延回路６１での遅延と同様又は異なる遅延時間で合成した受信ビーム信号を出力する。
【００４７】
そして、ＣＰＵ５１の動作指示信号に基づいて、所定の位相差を与えて、それぞれのｃ−ＭＵＴセル３１ａを駆動して、ｃ−ＭＵＴ３１の超音波走査面から所定の焦点距離に設定した超音波を送波して、前記ビームフォーマ６６で前記送信遅延回路６１での遅延と同様な遅延をかけて合成して受信ビーム信号として出力することによって、前記焦点距離に設定した超音波による超音波観測を行える。
【００４８】
なお、前記ビームフォーマ６６で前記送信遅延回路６１での遅延と異なる所望の遅延時間で合成して出力することによって、このビームフォーマ６６の遅延時間に対応した受信ビーム信号を得て、超音波観測装置５を経て所望の超音波断層画像を得られる。
【００４９】
また、本実施形態においては複数のｃ−ＭＵＴセル３１ａの制御回路及び配線電極等をシリコン基板３５に形成した層状配置のｃ−ＭＵＴ３１としているが、ｃ−ＭＵＴ３１の構成は層状配置に限定されるものではなく、図７に示すようにｃ−ＭＵＴ３１の一面側に複数のｃ−ＭＵＴセル３１ａを配列させたｃ−ＭＵＴセル形成部３１ｂと、前記制御回路、配線電極等を形成した回路形成部３１ｃとを設けた、面内配置の超音波トランスデューサ３１Ａを構成するようにしてもよい。
【００５０】
さらに、本実施形態においてはｃ−ＭＵＴセル３１ａのセル形状を六角形形状に形成し、それらをハニカム構造で整列配置させた構成としているが、ｃ−ＭＵＴセル３１ａの形状及び配列はこれに限定されるものではなく、図８（ａ）に示すように複数のｃ−ＭＵＴセル３１ａを格子状に整列配置させる構成であったり、図８（ｂ）に示すような円形形状や楕円形状（不図示）でｃ−ＭＵＴセル３１ｄを形成したり、図８（ｃ）に示すような八角形形状等の多角形形状でｃ−ＭＵＴセル３１ｅを形成するようにしてもよい。
【００５１】
上述のように構成したｃ−ＭＵＴを超音波観察ユニットに設けた超音波プローブの作用を説明する。
まず、超音波診断プローブ装置１の内視鏡装置７に設けられている内視鏡画像表示装置１１の画面上に表示される内視鏡画像を観察しながら挿入部１２を体腔内に挿入していく。そして、この挿入部１２の先端面が観察部位近傍に到達したなら、前記超音波観察装置２の挿入部３ａを前記処置具挿入口１９から挿入してこの挿入部３ａの先端部を鉗子出口１６ｃから突出させる。そして、前記先端キャップ２１の突出位置や湾曲部１７の湾曲状態を調整して、この先端キャップ２１を所望する位置に配置する。その後、例えば図示しないバルーンを膨張させる、又は、超音波媒体である水で先端キャップ２１を水没させ、超音波観測装置５を操作してｃ−ＭＵＴ３１を駆動状態にする。このとき、駆動ユニット４も駆動状態にする。
【００５２】
すると、前記駆動ユニット４の回転駆動源の回転駆動力がフレキシブルシャフト２３を介してハウジング２２に伝達されてｃ−ＭＵＴ３１か回転状態になるとともに、超音波観測装置５のＣＰＵ５１から観察者の操作指示に対応した動作指示信号が出力され、トリガー信号発生回路５２でパルス信号に変換されて、セレクタ５３を介してｃ−ＭＵＴ３１を構成する所定のｃ−ＭＵＴセル３１ａに向けて出力されていく。
【００５３】
このパルス信号は、送信遅延回路６１に入力され、所定の遅延をかけた駆動電圧信号を駆動信号発生回路６３及びバイアス信号印加回路６２を介して出力し、送受信切換回路６４によって送波状態に切り換えられたとき、この駆動電圧信号がｃ−ＭＵＴセル３１ａに印加されて超音波が出射される。
【００５４】
そして、前記ＣＰＵ５１では配列されたそれぞれのｃ−ＭＵＴセル３１ａに対して動作指示信号を出力して、例えば、中央のｃ−ＭＵＴセル３１ａに対して駆動電圧信号に大きな遅延をかけ、配列の中央から離れていくｃ−ＭＵＴセル３１ａに対して駆動電圧信号に小さな遅延をかける等して１つの超音波波形を形成して、ｃ−ＭＵＴ３１の超音波走査面から出力されていく。
【００５５】
つまり、ＣＰＵ５１の制御に基づいて各ｃ−ＭＵＴセル３１ａから超音波を出射させて、軸方向に対するセクタ走査及び軸周りのラジアル走査が行われる。
【００５６】
一方、前記エンコーダからは回動駆動源の回転角度データが超音波観測装置５に随時入力される。また、前記複数のｃ−ＭＵＴセル３１ａでは、前記送受信切換回路６４によって送波状態と受波状態とが切換制御されている。このため、送受信切換回路６４が受波状態であるときには、ｃ−ＭＵＴセル３１ａでエコー情報を受信したことによって電極３７ｕ、３７ｄ間に発生した電荷信号がプリアンプ６５に出力される。
【００５７】
このプリアンプ６５に出力された電荷信号は、電圧信号に変換するとともに増幅され、ビームフォーマ６６で適当な遅延をかけた受信ビーム信号として超音波観測装置５に出力される。
【００５８】
そして、各ｃ−ＭＵＴセル３１ａから順次出力される受信ビーム信号をエコー信号処理回路５４、三次元画像構築回路５８、ドップラー信号処理回路５５、高調波信号処理回路５６等を経て、回転角度データに基づいて極座標系データをモニタ６に出力できるような直交座標系に変換する等の処理を行い、その後、超音波画像処理部５７で標準的な映像信号に変換すると同時に、ＣＰＵ５１を介してオーバーレイを行ってモニタ５に出力する。このことによって、モニタ５の画面上には三次元の超音波断層画像が表示される。
このことによって、対象観察部位の超音波観察を三次元的に行える。
【００５９】
なお、本実施形態においては、前記駆動ユニット４の回転駆動源を動作させて、つまりｃ−ＭＵＴ３１をラジアル走査するとともにセクタ走査を行って三次元画像を得る実施形態を示しているが、前記回転駆動源を動作させることなくＣＰＵ５１の制御に基づいて各ｃ−ＭＵＴセル３１ａから超音波を出射させて、軸方向に対するセクタ走査や、軸方向に対して直交するセクタ走査を行って超音波断層画像を取得するようにしてもよい。
【００６０】
このように、超音波プローブの先端部に設けられた超音波観察ユニットに配置される超音波トランスデューサを、シリコン半導体基板をシリコンマイクロマシーニング技術を用いて複数のｃ−ＭＵＴセルを配列させた、静電型超音波トランスデューサで構成したことによって、鉛フリーの超音波トランスデューサを実現することができる。
【００６１】
また、シリコンマイクロマシーニング技術を用いることによって、静電型超音波トランスデューサを、クリーンな環境で、自動作成することができる。このことによって、精細なｃ−ＭＵＴセルの配列を、ダイシング歪みやバラツキを発生させることなく行えるので、信頼性の高い超音波観察ユニットを安価に提供することが可能になる。
【００６２】
さらに、ｃ−ＭＵＴセルのセル形状や、超音波走査面の開口形状を所望の形状及び大きさに設定して、超音波観察ユニットの小型化及び高精度化を図ることができる。
【００６３】
又、ｃ−ＭＵＴセルを配列させて構成したｃ−ＭＵＴをハウジングに配設し、このｃ−ＭＵＴを配設したハウジングを回転力伝達部材によって回転させて、セクタ走査及びラジアル走査を行う構成にすることによって、３次元の超音波画像を得るのに必要なエコーデータを瞬時に得ることができる。
【００６４】
このことによって、心臓の拍動の影響等を受ける部位であっても、瞬時に３次元の超音波画像を得るのに必要なエコーデータを取得して、精度の高い３次元の超音波画像による観察を行える。
【００６５】
なお、ｃ−ＭＵＴセルを配列して超音波走査面を円板状に形成してｃ−ＭＵＴを形成するとき、これらｃ−ＭＵＴセルを構成する上部電極同士及び下部電極同士を電気的に連結状態にすることによって、前記図２２（ｂ）で示した超音波プローブでの使用が可能になる。
【００６６】
また、図９に示すように超音波走査面の開口形状を所望の形状及び大きさに設定したｃ−ＭＵＴ３１Ｂを先端部に設けて、挿入方向に対して直交する方向を超音波送受波方向としたセクタタイプの超音波プローブ３Ａを構成したり、図１０に示すようにｃ−ＭＵＴ３１Ｃを先端部に設けて、挿入方向に対して前方を超音波送受波方向としたセクタタイプの超音波プローブ３Ｂを構成するようにしてもよい。
【００６７】
ここで、図１１ないし図１４を参照して複数のｃ−ＭＵＴセル３１ａを配列して構成されるｃ−ＭＵＴの変形例を説明する。
【００６８】
図１１を参照して超音波トランスデューサを構成するｃ−ＭＵＴセルの他の配列構成を説明する。
なお、図１１（ａ）は開口寸法を所定の規則で変化させたｃ−ＭＵＴセルを配列させて構成した超音波トランスデューサを示す図、図１１（ｂ）はｃ−ＭＵＴセルのＡ１−Ａ２方向配列を規制する開口分布曲線を示す図、図１１（ｃ）はｃ−ＭＵＴセルのＢ１−Ｂ２方向配列を規制する開口分布曲線を示す図である。
【００６９】
図１１（ａ）に示すように本実施形態のｃ−ＭＵＴ３１Ｇにおいては、このｃ−ＭＵＴ３１Ｇを構成する各ｃ−ＭＵＴセル３１の開口寸法を配列方向によって、規則的に変化させている。即ち、上述した実施形態のようにｃ−ＭＵＴセル３１ａの開口寸法を全て一定に形成するのではなく、配列方向にしたがって、例えば図１１（ｂ）及び図１１（ｃ）に示すＲ値分布曲線に基づいて設定している。
【００７０】
前記図１１（ｂ）及び図１１（ｃ）に示したＲ値分布曲線は、ｃ−ＭＵＴセルにおいて電極面積は静電容量に比例し、その結果、送受信音圧に比例することを応用して作成したものであり、電極面積を例えばガウス分布関数に設定している。つまり、本実施形態のｃ−ＭＵＴ３１Ｇにおいては中央に位置するｃ−ＭＵＴセル３１ａの開口寸法が最大になって、この中央から前記ｃ−ＭＵＴ３１Ｇの周辺に向かうにしたがって前記曲線と同様に開口寸法が小さくなっている。
【００７１】
このことによって、ｃ−ＭＵＴセルの示す指向特性（＝このエレメントの開口の回折パターン）に、前記ｃ−ＭＵＴセルをアレイ状に配列させたときに相互の干渉効果によって発生する干渉パターンが乗じられておこる音圧の強弱であるグレーティングローブが改善されて、擬情報であるアーティファクトの発生を抑圧することができる。
したがって、良好な超音波断層画像を得られる。
【００７２】
図１２を参照して超音波トランスデューサを構成するｃ−ＭＵＴセルの他の配置構成を説明する。
なお、図１２（ａ）は配列されるｃ−ＭＵＴセルを送信用セルと受信用セルと不使用セルとに分割した一構成例を示す図、図１２（ｂ）は配列されるｃ−ＭＵＴセルを送信用セルと受信用セルと不使用セルとに分割した他の構成例を示す図である。
【００７３】
上述した実施形態では前記送受信切換回路６４を設けて送波状態と受波状態とを切り換えることによって、１つのｃ−ＭＵＴセル３１ａで送受信を行う構成としていたが、本実施形態においては複数のｃ−ＭＵＴセルを送波専用の送信用セル３１ｆと、受波専用の受信用セル３１ｇ、と送波及び受波のどちらの機能も有していない不使用セル３１ｈとしている。
【００７４】
そして、図１２（ａ）に示すように一対の送信用セル３１ｆと受信用セル３１ｇとで構成した送受信セル群３１ｋ及び不使用セル３１ｈを帯状の群である不使用セル群３１ｍとして形成し、この不使用セル群３１ｍと送受信セル群３１ｋとを例えば列方向に交互に配列させてｃ−ＭＵＴ３１Ｈを構成している。
【００７５】
このことによって、列方向に配列された送信セル群３１ｆの間又は受信セル群３１ｇの間に、送信時は受信セル群３１ｇと不使用セル群３１ｈが、受信時は送信セル群３１ｆと不使用セル群３１ｈが物理的な所定間隔を設けることによりクロストークの軽減を図ることができる。したがって、画質の良好な超音波断層画像を得られる。
【００７６】
なお、送受信セル群３１ｋを一対の送信用セル３１ｆと受信用セル３１ｇとで構成する代わりに、図１２（ｂ）に示すように２つの送信用セル３１ｆと１つの受信用セル３１ｇとで送受信セル群３１ｎを構成して、例えば行方向に配列された送受信セル群３１ｎの間に略帯状の不使用セル群３１ｍを配列させて、隣り合う送受信セル群３１ｎ同士の間に物理的な所定間隔を設ける構成にしてｃ−ＭＵＴ３１Ｊを構成するようにしてもよい。
【００７７】
また、本実施形態においてはｃ−ＭＵＴを構成するｃ−ＭＵＴセルを受信用セル３１ｇ、送信用セル３１ｆ、不使用セル３１ｈとした構成例を示しているが、複数の受信用セル３１ｇのそれぞれ電極を一体で電気的に連結してひとまとめにした受信セル群、複数の送信用セル３１ｆのそれぞれの電極を一体で電気的に連結してひとまとめにした送信セル群及び前記不使用セル群として構成し、それぞれのセル群を前記図１２（ａ）や前記図１２（ｂ）に示すように配列させてｃ−ＭＵＴを構成するようにしてもよい。
【００７８】
図１３及び図１４を参照してを超音波プローブに設けられるｃ−ＭＵＴの別の構成を説明する。
図１３は曲面部にｃ−ＭＵＴを設けた超音波プローブを示す図、図１４はｃ−ＭＵＴチップを実装した基板を説明する図である。なお、図１３（ａ）はコンベックス走査型の超音波プローブを示す図、図１３（ｂ）はラジアル走査型の超音波プローブを示す図、図１４（ａ）はｃ−ＭＵＴチップ実装基板の一構成例を示す図、図１４（ｂ）は図１４（ａ）で示すｃ−ＭＵＴチップ実装基板の作用を説明する図である。
【００７９】
図１３（ａ）に示すように本実施形態の超音波プローブ３Ｃは、コンベックス走査が可能なように挿入部３ａの先端部に帯状ｃ−ＭＵＴ９２を配置して構成されている。一方、図１３（ｂ）に示すように本実施形態の超音波プローブ３Ｄは、内視鏡挿入方向に対して直交する方向のラジアル走査が可能なように挿入部先端部の周方向に帯状ｃ−ＭＵＴ９２を配置して構成されている。
【００８０】
前記帯状ｃ−ＭＵＴ９２は、図１４（ａ）に示すように柔軟性を有する平面基板９３に、複数のｃ−ＭＵＴセルを配列させてチップ状に構成したｃ−ＭＵＴチップ９４を所定間隔で複数、実装配置して構成したものである。この帯状ｃ−ＭＵＴ９２は、複数のｃ−ＭＵＴチップ９４を所定間隔で実装配置させたうえで、図１４（ｂ）に示すように所定形状に変形させる。したがって、この帯状ｃ−ＭＵＴ９２を挿入部先端部の所望の方向に配置させて、コンベックス走査、ラジアル走査による超音波断層画像を得られる超音波プローブを構成することかできる。
【００８１】
（第２実施形態）
図１５ないし図２１は本実施形態の第２実施形態にかかり、図１５はｃ−ＭＵＴに加えて、シリコン基板上にシリコン発光素子及びシリコン受光素子を設けた多機能超音波トランスデューサを配置した超音波プローブを説明する図、図１６は多機能超音波トランスデューサの断面の構成例を説明する図、図１７は多機能超音波トランスデューサを配置した超音波プローブを説明する図、図１８はｃ−ＭＵＴに加えて、シリコン基板上に他の機能デバイスを設けた多機能超音波トランスデューサを説明する図、図１９はシリコン発光素子及びシリコン受光素子を配設した多機能超音波トランスデューサの他の構成例を説明する図、図２０は図１５の多機能超音波トランスデューサにさらにマイクロジャイロセンサを配設した多機能超音波トランスデューサの構成を説明する図、図２１はシリコン基板上に静電容量測定用セルを設けた多機能超音波トランスデューサの構成を説明する図である。
【００８２】
なお、図１７（ａ）は多機能超音波トランスデューサを配置した超音波プローブの先端部の構成示す図、図１７（ｂ）は多機能超音波トランスデューサを配置した超音波プローブの作用を説明する図、図１８（ａ）はｃ−ＭＵＴに加えて、シリコン基板上にシリコン発光素子を設けた多機能超音波トランスデューサを配置した超音波プローブを説明する図、図１８（ｂ）はｃ−ＭＵＴに加えて、シリコン基板上にシリコン受光素子を設けた多機能超音波トランスデューサを配置した超音波プローブを説明する図、図２１（ａ）は静電容量測定用のダミーｃ−ＭＵＴセルを設けた多機能超音波トランスデューサを示す図、図２１（ｂ）はダミーｃ−ＭＵＴセルの作用及び機能を説明するフローチャートである。
【００８３】
図１５に示すように本実施形態の多機能超音波トランスデューサ１２２にはシリコンマイクロマシーニング技術を用いて形成した超音波走査面の開口形状を角形形状に形成したｃ−ＭＵＴ１３１と、この角形形状のｃ−ＭＵＴ１３１の例えば略中央部に位置する同一面にシリコン発光素子で構成した発光素子部１２３及びシリコン受光素子で構成した受光素子部１２４とが併設されている。
【００８４】
図１６に示すように本実施形態のｃ−ＭＵＴ１３１においては複数のｃ−ＭＵＴセル１３１ａが配列されるシリコン基板３５には、例えば第１中間誘電体層４１及び第２中間誘電体層４２で形成され、これら誘電体層４１、４２に前記アクセス回路形成部に加えて、前記所定の制御を行うｃ−ＭＯＳ集積回路で構成した前記発光素子部１２３及び受光素子部１２４の制御を行う各種制御回路４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、…や、配線電極４４ａ、４４ｂ、４４ｃ、４４ｄ、…が設けてある。
【００８５】
そして、下部電極３７ｄと配線電極４４ａ、配線電極４４ａと配線電極４４ｂ、配線電極４４ｂと配線電極４４ｃ、配線電極４４ｃと制御回路４３ｃ、配線電極４４ｄと制御回路４３ｂ、配線電極４４ｄと制御回路４３ｃ等とをそれぞれビアホール４５によって電気的に接続している。
【００８６】
前記発光素子部１２３及び前記受光素子部１２４からは図示しない電気ケーブルが延出しており、前記超音波観測装置５と電気的に接続されている。
【００８７】
なお、前記発光素子部１２３は例えば発光ダイオード、レーザーダイオード等であり、前記受光素子部１２４は例えばＣ−ＭＯＳ、ＣＣＤ等のいずれかである。その他の構成は前記第１実施形態と同様であり、同部材には同符号を付して説明を省略する。符号１２６は緩衝領域である。
【００８８】
上述のように構成した多機能超音波トランスデューサ１２２の作用を説明する。
図１７（ａ）に示すように超音波プローブ１２０の挿入部３ａ内のハウジング２２には前記多機能超音波トランスデューサ１２２が配設されている。このため、図１７（ｂ）に示すようにこの多機能超音波トランスデューサ１２２の超音波観測面を体壁に対向させた状態にして、発光素子部１２３によって観察部位を照らし、この発光素子部１２３によって照明された観察部位の内視鏡画像を受光素子部１２４で撮像することによって、超音波画像表示装置６の画面上には内視鏡画像が表示させて、超音波走査面に対向した体壁表面の内視鏡的観察を行える。
【００８９】
この状態で、例えば、超音波伝達媒体である水で超音波プローブ１２０の先端部を水没状態にするとともに、超音波観測装置５を操作して多機能超音波トランスデューサ１２２のｃ−ＭＵＴ１３１を駆動状態にすると、前記第１実施形態で説明したようにこの超音波観測装置５のＣＰＵ５１から観察者の操作指示に対応した動作指示信号がｃ−ＭＵＴ１３１に向けて出力される。そして、ｃ−ＭＵＴセル１３１ａを送波状態／受波状態に切り換えて超音波を出射する一方、反射超音波を受信してモニタ５の画面上に三次元の超音波断層画像を表示させる。このことによって、対象観察部位の超音波観察を行える。
【００９０】
このように、ｃ−ＭＵＴに加えて、発光素子部及び受光素子部をシリコンマイクロマシーニング技術を用いて形成した多機能超音波トランスデューサをハウジングに配設して超音波プローブを構成することによって、超音波プローブによって、超音波観察のみならず、超音波走査面に対向した体壁表面の内視鏡的観察を行うことができる。その他の作用及び効果は前記第１実施形態と同様である。
【００９１】
なお、図１８（ａ）に示すように前記多機能トランスデューサ１２２の代わりに発光素子部１２３だけを設けた多機能超音波トランスデューサ１２２Ａを配置して超音波プローブを構成するようにしてもよい。このことによって、内視鏡８の挿入部１２の先端面１２ａから前記超音波プローブを突出させることによって、この超音波プローブに設けられている多機能超音波トランスデューサ１２２Ａの発光素子部１２３から照射される照明光を補助光にして内視鏡装置７による内視鏡観察を行うことができる。
【００９２】
また、図１８（ｂ）に示すように前記多機能トランスデューサ１２２の代わりに受光素子部１２４だけを設けた多機能超音波トランスデューサ１２２Ｂを配置して超音波プローブを構成するようにしてもよい。このことによって、内視鏡８の挿入部１２の先端面１２ａから前記超音波プローブを突出させることによって、前記内視鏡装置７による内視鏡観察に加えて、超音波プローブに設けられている多機能超音波トランスデューサ１２２Ａの受光素子部１２４による内視鏡観察を行うことができる。
【００９３】
さらに、ｃ−ＭＵＴセルの配列を適宜設定することによって超音波トランスデューサの開口形状を所望の形状及び大きさに設定することができるとともに、発光素子部及び受光素子部の形状、大きさ、数量及び配置位置を適宜設定して多機能超音波トランスデューサを作成することによって小型化、高機能か、或いは高精度化を図る等、超音波プローブの設計の自由度が増大させることができる。
【００９４】
本実施形態においては多機能超音波トランスデューサ１２２のｃ−ＭＵＴ１３１を角形形状に形成し、その中央部に配設される発光素子部１２３及び発光素子部１２４を円形に形成した構成を示しているが、この多機能超音波トランスデューサのｃ−ＭＵＴ形状及び発光素子部及び受光素子部の形状及び配置位置等はこれらに限定されるものではなく、例えば、図１９に示すように角形の受光素子部１２４をｃ−ＭＵＴ１３１の中央部に設け、角形の発光素子部１２３をｃ−ＭＵＴ１３１の四隅に設けて角形の多機能超音波トランスデューサ１２７を形成するようにしてもよい。また、受光素子部及び発光素子部をそれぞれ複数ずつ設ける等、変更するようにしてもよい。
【００９５】
ここで、図２０及び図２１を参照して多機能超音波トランスデューサの変形例を説明する。
図２０に示す多機能超音波トランスデューサ１３２では、ｃ−ＭＵＴ１３１、発光素子部１２３及び発光素子部１２４にさらに加えて、超音波プローブの先端部の動きを検知して位置検知を行う、Ｘ方向及びＹ方向に対応するように配置された静電型マイクロジャイロセンサ１３３、１３４が併設している。
【００９６】
この多機能超音波トランスデューサ１３２をハウジングに配設して超音波プローブを構成することによって、この静電型マイクロジャイロセンサ１３３、１３４から出力される位置検知信号を図示しない演算部で演算処理することによって、超音波プローブの先端部の位置を常時、定量的に把握することができる。
【００９７】
このことによって、挿入部の処置具挿通チャンネルの所定位置に、この超音波プローブを配設させておくことにより、前記静電型マイクロジャイロセンサ１３３、１３４から出力される位置検知信号をもとに挿入部の位置検出も行える。
【００９８】
一方、図２１（ａ）に示す多機能超音波トランスデューサ１３５ではｃ−ＭＵＴ１３１を構成する任意の位置の複数のｃ−ＭＵＴセルを静電容量測定用セル１３６として使用している。そして、この静電容量測定用セル１３６から出力される電気信号を基に、超音波駆動信号を補正して出力する構成にしている。
【００９９】
つまり、超音波観測装置５で静電容量を測定するための指示を出力すると、図２１（ｂ）のステップＳ１に示すようにそれぞれの静電容量測定用セルから逐次、動作時のデータが静電容量測定補正部に入力される。すると、この静電容量測定補正部では、ステップＳ２に示すように入力されたデータの平均値を算出した後、ステップＳ３に移行してこの算出値と予め設定されている基準値との比較を行ってその差異を評価し、ステップＳ４に移行する。このステップＳ４ではステップＳ３での評価結果を基にｃ−ＭＵＴ駆動信号を補正する。このことによって、ｃ−ＭＵＴセルには補正された超音波駆動信号が出力される。
【０１００】
このように、ｃ−ＭＵＴを構成するｃ−ＭＵＴセルの一部を静電容量測定用セルとして設けることによって、ｃ−ＭＵＴセルを構成するｃ−ＭＵＴセルに常時、最適に補正した超音波駆動信号を出力して、超音波診断画像を得ることができる。
【０１０１】
尚、本発明は、以上述べた実施形態のみに限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能である。
【０１０２】
［付記］
以上詳述したような本発明の上記実施形態によれば、以下の如き構成を得ることができる。
【０１０３】
（１）体腔内に挿入された超音波トランスデューサで超音波を送受波して生体組織情報を得る超音波プローブと、この超音波プローブから伝送される生体組織情報に関する電気信号の信号処理及び前記超音波トランスデューサの駆動制御を行う超音波観測装置とを具備する超音波診断プローブ装置において、
前記超音波プローブに搭載される超音波トランスデューサを、シリコン半導体基板で形成した超音波診断プローブ装置。
【０１０４】
（２）前記超音波トランスデューサは、シリコンマイクロマシーニング技術を用いて加工した、静電型超音波トランスデューサである付記１に記載の超音波診断プローブ装置。
【０１０５】
（３）前記静電型超音波トランスデューサは、多数の超音波トランスデューサ素子を直線状に配列して構成したアレイ構造である付記２に記載の超音波診断プローブ装置。
【０１０６】
（４）前記静電型超音波トランスデューサは、多数の超音波トランスデューサ素子を２次元に配列したアレイ構造である付記２に記載超音波診断プローブ装置。
【０１０７】
（５）前記超音波トランスデューサ素子を、所定の規則に基づいて分布させて所定開口形状を形成した付記３又は付記４に記載の超音波診断プローブ装置。
【０１０８】
（６）前記超音波トランスデューサ素子を、異なる機能を有する、少なくとも２つの群で構成した付記３又は付記４に記載の超音波診断プローブ装置
（７）前記群を分離して配置した付記６に記載の超音波診断プローブ装置。
【０１０９】
（８）前記群を、さらに細分化した細分化群を形成し、これら細分化群同士を交互に配置した付記６に記載の超音波診断プローブ装置。
【０１１０】
（９）前記群は、それぞれの群を構成する各超音波トランスデューサ素子をひとつおきに交互に配置して構成される付記６に記載の超音波診断プローブ装置。
【０１１１】
（１０）前記群のうち、少なくとも一つの群は、超音波を送信する機能を有し、他の少なくとも一つの群は超音波を受信する機能を有する付記６に記載の超音波診断プローブ装置。
【０１１２】
（１１）前記超音波トランスデューサをチップ状超音波トランスデューサとして構成し、このチップ状超音波トランスデューサを基板に実装した付記２に記載の超音波診断プローブ装置。
【０１１３】
（１２）前記基板は柔軟性を有する平面基板である付記１１に記載の超音波診断プローブ装置。
【０１１４】
（１３）前記基板を超音波プローブの曲面部に配置した付記１２に記載の超音波診断プローブ装置。
【０１１５】
（１４）前記基板を超音波プローブ挿入部に周方向に配置した付記１２に記載の超音波診断プローブ装置。
【０１１６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、超音波プローブに設けられる超音波トランスデューサの鉛フリー及び性能のバラツキを防止した超音波診断プローブ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１ないし図１０は本発明の第１実施形態にかかり、図１は超音波診断プローブ装置を説明する図
【図２】超音波プローブの先端部の構成を説明する図
【図３】超音波トランスデューサを説明する図
【図４】図３の矢印Ａで示す部分の拡大図及びｃ−ＭＵＴセルを説明する図
【図５】ｃ−ＭＵＴセルの断面の構成例を説明する図
【図６】超音波観測装置及び超音波トランスデューサの構成を説明するブロック図
【図７】ｃ−ＭＵＴの他の構成例を説明する図
【図８】ｃ−ＭＵＴセルの配列及びセル形状を説明する図
【図９】超音波送受波方向を軸方向に対して直交した方向にしたｃ−ＭＵＴを配置した超音波プローブを示す図
【図１０】超音波送受波方向を軸方向にしたｃ−ＭＵＴを配置した超音波プローブを示す図
【図１１】超音波トランスデューサを構成するｃ−ＭＵＴセルの他の配列構成を説明する図
【図１２】超音波トランスデューサを構成するｃ−ＭＵＴセルの他の配置構成を説明する
【図１３】曲面部にｃ−ＭＵＴを設けた超音波プローブを示す図
【図１４】ｃ−ＭＵＴチップを実装した基板を説明する図
【図１５】図１５ないし図２１は本実施形態の第２実施形態にかかり、図１５はｃ−ＭＵＴに加えて、シリコン基板上にシリコン発光素子及びシリコン受光素子を設けた多機能超音波トランスデューサを配置した超音波プローブを説明する図
【図１６】多機能超音波トランスデューサの断面の構成例を説明する図
【図１７】多機能超音波トランスデューサを配置した超音波プローブを説明する図
【図１８】ｃ−ＭＵＴに加えて、シリコン基板上に他の機能デバイスを設けた多機能超音波トランスデューサを説明する図
【図１９】シリコン発光素子及びシリコン受光素子を配設した多機能超音波トランスデューサの他の構成例を説明する図
【図２０】図１５の多機能超音波トランスデューサにさらにマイクロジャイロセンサを配設した多機能超音波トランスデューサの構成を説明する図
【図２１】シリコン基板上に静電容量測定用セルを設けた多機能超音波トランスデューサの構成を説明する図
【図２２】従来の超音波プローブを説明する図
【図２３】機械走査式の超音波トランスデューサの構成例を示す図
【図２４】超音波走査式の超音波トランスデューサの構成例を示す図
【符号の説明】
２…超音波プローブ
３１…静電型超音波トランスデューサ（ｃ−ＭＵＴ）
３１ａ…ｃ−ＭＵＴセル
３５…シリコン基板
３７ｄ…下部電極
３７ｕ…上部電極
３８…シリコンメンブレン
４０…真空空隙部
４４…配線電極
【図１】
2004350702.tif 000003
【図２】
2004350702.tif 000004
【図３】
2004350702.tif 000005
【図４】
2004350702.tif 000006
【図５】
2004350702.tif 000007
【図６】
2004350702.tif 000008
【図７】
2004350702.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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