(57)【要約】【課題】安定した走行再生を行うことが可能な磁気記録媒体を提供する。【解決手段】非磁性支持体１上に、磁性層２と、カーボン保護層４とを有し、磁性層２とカーボン保護層４との間に非磁性金属薄膜３を介在させた構成の金属薄膜型の磁気記録媒体１０を作製する。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性支持体上に磁性層と、カーボン保護層とを有する金属薄膜型の磁気記録媒体であって、
上記磁性層と、上記カーボン保護層との間に、非磁性金属薄膜が介在されてなることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
上記非磁性金属薄膜の膜厚が２ｎｍ以上、上記カーボン保護層の膜厚が３ｎｍ以上であり、
上記非磁性金属薄膜の膜厚と上記カーボン保護層の膜厚の合計が、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
上記非磁性金属薄膜が、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ｚｎの単金属または複合金属からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
上記非磁性金属薄膜が、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇの単金属または複合金属からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
上記非磁性金属薄膜が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂの、４Ｂ元素の単金属または複合金属からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
上記非磁性金属薄膜が、Ｔｉ、Ｚｒの、４Ａ元素の単金属または複合金属からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
上記非磁性金属薄膜が、Ｍｇからなることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
非磁性支持体上に、真空薄膜形成技術によって磁性層を形成する工程と、
上記磁性層上に、非磁性金属薄膜を形成する工程と、
上記非磁性金属薄膜上に、カーボン保護層を形成する工程とを有し、
上記非磁性金属薄膜の形成工程と、上記カーボン保護層を形成する工程とを、外部空気から遮断した環境下で連続的に行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属薄膜型の磁性層を有する磁気記録媒体及びその製造方法に係る。
【０００２】
【従来の技術】
従来、高密度磁気記録化に対応可能な磁気記録媒体としては、Ｃｏ−Ｎｉ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空薄膜形成技術によって、ポリエステルフィルムやポリアミド、ポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に、直接被着した、いわゆる金属薄膜型の磁気記録媒体が提案されている。
【０００３】
金属薄膜型の磁気記録媒体は、抗磁力や角形比等の磁気特性に優れ、また、磁性層を極めて薄層に形成できることから、短波長領域での電磁変換特性に優れ、また、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さく、更には塗布型の磁気記録媒体と異なり、磁性層中に非磁性材料であるバインダーが混入されないので、強磁性金属粒子の充填密度を高めることができる等、種々の利点を有している。このような利点を有していることから、金属薄膜型の磁気記録媒体は高密度磁気記録の主流となっている。
【０００４】
このような金属薄膜型の磁気記録媒体においては、電磁変換特性を向上させ、より大きな出力を得ることができるようにするために、金属磁性材料を斜め方向から蒸着することによって磁性層を形成する、いわゆる斜方蒸着型の磁気記録媒体が実用化されている。
【０００５】
ところで、金属薄膜型の磁気記録媒体に関し、高密度記録化への要求に対応してスペーシングロスの低減化を図るために、磁性層表面が一層平滑化される傾向にある。しかし磁性層の表面の平滑化が進むと、それに伴い磁気ヘッドに対する接触面積が大きくなるため、摩擦力が増大し、磁性層に生じるせん断応力が大きくなる。このような厳しい摺動条件から磁性層を保護するために、磁性層上には、保護層を形成することが重要である。
【０００６】
磁性層上に形成される保護層としては、例えばカーボン膜や石英（ＳｉＯ２）膜、ジルコニア（ＺｒＯ２）膜等が挙げられ、これらはハードディスクや磁気テープ等に適用されている。さらに、保護層を形成する材料としては、特にカーボン膜のうちでも特にダイヤモンド構造を有する硬質カーボン膜（いわゆるダイヤモンドライクカーボン膜）が有効であり、現在広く実用化されている（例えば、下記特許文献１〜３参照。）。
【０００７】
上記硬質カーボン膜を成膜する方法としては、例えばスパッタリング法、あるいはプラズマＣＶＤ法が挙げられる。
このうちスパッタリング法においては、Ａｒ等のスパッタガスを電場や磁場を利用して電離（プラズマ化）し、加速することでターゲット表面に衝突させる。そしてプラズマ粒子が衝突したターゲットからはターゲット原子がはじき出され、このはじき出された原子が被処理体上に堆積することでスパッタ膜が形成される。
【０００８】
しかし、上記スパッタリング法によって硬質カーボン膜を形成した場合、膜形成速度が一般に遅く、工業的見地からは生産性に劣るという問題を有している。一方、プラズマＣＶＤ法においては、膜の原料となる原料ガスを、電場の発生したプラズマのエネルギーによって分解あるいは合成等の化学反応を起こさせ、この化学反応の結果生成された反応物を被処理体に堆積させることによって、ＣＶＤ膜を形成する。
このプラズマＣＶＤ法は、上記スパッタリング法に比べて膜形成速度が速いという利点を有している。このため、上記硬質カーボン膜の成膜方法として期待されている。
【０００９】
【特許文献１】
特開平１０−３６５０号公報
【特許文献２】
特開２００２−３６７１４３号公報
【特許文献３】
特開２００３−６８３６号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで現在のデジタル記録用の蒸着テープ等の磁気記録媒体を構成する磁性層としては、酸素を導入しながら成膜する、いわゆる部分酸化型の金属磁性薄膜が形成されている。このような磁性層上に保護層として硬質カーボン膜を形成した構成の磁気記録媒体においては、繰り返し使用によって保護層と磁性層との間に剥がれが発生し摺動特性が劣化するという問題を有している。すなわち磁気記録媒体を走行させた時、いわゆるシャトル走行におけるレベルダウン現象に伴う画質劣化やスチル特性時のクロッグ現象を生じ、正常な動作が行われなくなるという問題を生じている。
上述したような各種問題を引き起こす原因である磁性層と保護層との間の剥がれの発生は、磁性層を部分酸化型の金属磁性薄膜として形成する際に表面に酸化度の高い金属酸化層が形成され、これがカーボン保護層との親和性が低いということに起因している。
そこで本発明者らは上記問題点に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、長期間安定して正常な走行再生を行うことが可能な磁気記録媒体を提供することとした。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体上に磁性層と、カーボン保護層とを有する金属薄膜型の磁気記録媒体であり、磁性層とカーボン保護層との間に、非磁性金属薄膜が介在されてなる構成のものとする。
【００１２】
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性支持体上に、真空薄膜形成技術によって磁性層を形成する工程と、磁性層上に、非磁性金属薄膜を形成する工程と、非磁性金属薄膜上に、カーボン保護層を形成する工程とを有するものとし、非磁性金属薄膜の形成工程と、カーボン保護層の形成工程とを、外部空気から遮断した環境下で連続的に行うものとする。
【００１３】
本発明によれば、磁性層と保護層との密着性が保たれ、繰り返して摺動を行った場合においても保護層と磁性層との間に剥がれの発生を防止でき、シャトル走行におけるレベルダウン現象に伴う画質劣化や、スチル特性時のクロッグ現象の発生を効果的に回避でき、安定して正常な走行再生を長期に亘って可能とした磁気記録媒体が得られる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の磁気記録媒体について具体的な例を挙げて説明するが、本発明は、以下に示す例に限定されるものではない。
【００１５】
図１に本発明の磁気記録媒体の一例の概略断面図を示す。
磁気記録媒体１０は、非磁性支持体１上に、磁性層２、非磁性金属薄膜３、及びカーボン保護層４が順次形成された構成を有している。
この例における磁気記録媒体１０においては、磁性層２の表層に、後述する磁性層成膜工程において形成された酸化度の高い層、いわゆる金属酸化層２ａを有しているものとする。
また、カーボン保護層４上には潤滑剤層５が形成されてなり、磁性層２形成面側とは反対側に、バックコート層６が形成されている。
【００１６】
以下、本発明の磁気記録媒体１０を構成する各層について、詳細に説明する。
非磁性支持体１には、通常、磁気テープの基体として用いられている公知の材料をいずれも適用できる。
例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレン２，６−ナフタリンジカルボキシレート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテート等のセルロース誘導体、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド等のプラスチック類等を挙げることができる。
【００１７】
非磁性支持体１の磁性層形成面側には、バインダー樹脂、フィラーおよび界面活性剤等を含有する塗料によりコーティング層を形成し、これにより表面に微細な凹凸を付加したり、機械的な強度を高めたりすることができる。
バインダー樹脂には、例えば水性ポリエステル樹脂、水性アクリル樹脂、水性ポリウレタン樹脂等が挙げられる。
フィラーの種類としては、耐熱性ポリマーからなる粒子、二酸化ケイ素、炭酸カルシウム等が挙げられる。
【００１８】
磁性層２は強磁性金属材料の部分酸化型の金属磁性膜として形成されており、単層膜であっても多層膜であってもよい。
この磁性層２を形成する強磁性金属材料としては、従来公知の金属の単体、あるいは複合体をいずれも使用することができ、例えば、Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁性金属、ＣｏＮｉ、ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉ、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａ等の材料、またはこれらの材料に１種類あるいは２種類以上のその他の元素を含有させたものが挙げられる。
【００１９】
非磁性支持体１と磁性層２との間、および磁性層２を多層膜とする場合においては各層間には、付着力の向上、並びに抗磁力の制御、磁性層２の防食性向上等の目的で各種下地層や中間層等の機能層を形成してもよい。
【００２０】
磁性層２は、真空下で強磁性材料を加熱蒸発させ、非磁性支持体１上に付着させる真空蒸着法や、強磁性金属材料の蒸発を放電中で行うイオンプレーティング法や、アルゴンを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こして生じたアルゴンイオンでターゲット表面の原子をたたき出すスパッタ法等、いわゆるＰＶＤ技術によって形成することができる。
【００２１】
図２に磁性層２を成膜する蒸着装置１００の一例の概略図を示す。
この蒸着装置１０においては、排気口２１、２２から排気されて真空状態となされた真空室１１内に、送りロール１３と巻き取りロール１４とが設けられており、これらの間に非磁性支持体１が順次走行するようになされている。
【００２２】
これら送りロール１３と巻き取りロール１４との間において、非磁性支持体１が走行する途中には、冷却キャン１５が設けられている。この冷却キャン１５には、冷却装置（図示せず）が設けられ、周面を走行する非磁性支持体１の温度上昇による熱変形等を抑制している。
【００２３】
非磁性支持体１は、送りロール１３から順次送り出され、さらに冷却キャン１５の周面を通過して巻き取りロール１４に巻き取られるようになされている。
なおガイドロール１６および１７により非磁性支持体１には所定のテンションがかけられ、円滑に走行するようになされている。
【００２４】
真空室１１内には、冷却キャン１５の下方にルツボ１８が設けられており、ルツボ内には、金属磁性材料よりなる成膜材料１９が充填されている。
一方、真空室１１の側壁部には、ルツボ１８内に充填された成膜材料１９を加熱蒸発させるための電子銃２０が設けられている。この電子銃２０は、これより放出される電子線Ｂが、ルツボ内１８内の成膜材料１９に照射されるような位置に配置されている。この電子線Ｂの照射によって蒸発した成膜材料１９が非磁性支持体１の表面に被着して磁性層２の形成がなされる。
【００２５】
また、冷却キャン１５とルツボ１８との間であって、冷却キャン１５の近傍には、シャッター２３が、冷却キャン１５の周面を走行する非磁性支持体１の所定領域を覆う形で配置されており、このシャッター２３により、蒸発した成膜材料１９が非磁性支持体１に対して所定の入射角度範囲で斜めに蒸着するようになされている。
【００２６】
さらに磁性層２の蒸着に際し真空室１１の側壁部を貫通して設けられている酸素ガス導入管２４により、非磁性支持体１の表面に酸素ガスが供給されるようになされ、磁性層２の磁気特性、耐久性、及び耐候性の向上が図られている。
【００２７】
上述したように、磁性層２形成工程においては酸素ガスを供給するので、磁性層２の表層には酸化度の高い層である金属酸化層２ａが形成される。
例えば、金属酸化層２ａにおける構成原子のうちの酸素の原子比率（Ｏ／Ｃｏ）が０．５以上、すなわち酸素原子の含有率が５０％以上である場合を想定すると、この金属酸化層２ａは後述するカーボン保護層４との親和性が低く、磁性層２とカーボン保護層４との間の剥離発生の原因となるため、本発明においては、磁性層２とカーボン保護層４との間に非磁性金属薄膜３を介在させ、保護層４の密着性を確保することとした。
【００２８】
非磁性金属薄膜３は、例えばＭｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ｚｎの単金属または複合金属、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇの単金属または複合金属、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂの４Ｂ元素の単金属または複合金属、Ｔｉ、Ｚｒの、４Ａ元素の単金属または複合金属、Ｍｇの単金属または複合金属等の各種材料を適用し、例えばスパッタ法によって形成することができる。
【００２９】
図３に非磁性金属薄膜３を成膜するスパッタ装置３０の一例の概略図を示す。
このスパッタ装置３０は磁性層２が形成された後の非磁性支持体（被処理体３１）を連続走行させながら、磁性層２上に非磁性金属薄膜３を連続的に形成するものである。
【００３０】
このスパッタ装置３０は、真空排気系３２によって真空状態となされたチャンバー３３内に、巻き出しロール３４と巻き取りロール３５とが設けられ、これら巻き出しロール３４と巻き取りロール３５に、非磁性支持体１上に磁性層２が形成された被処理体３１が順次走行するようになされている。
巻き出しロール３４から巻き取りロール３５に被処理体３１が走行する途中には、円筒状の回転可能な対向電極用キャン３７が設けられている。
【００３１】
巻き出しロール３４と対向電極用キャン３７との間、および対向電極用キャン３７と巻き取りロール３５との間には、それぞれガイドロール３６が配置されてなり、被処理体３１に所定のテンションをかけ、被処理体３１が円滑に走行するようになされている。
【００３２】
このチャンバー３３内には、対向電極用キャン３７と対向する位置に、ターゲット３８が配置されている。このターゲット３８は、非磁性金属薄膜３の形成用材料よりなるものである。このターゲット３８は、カソード電極を構成するバッキングプレート３９に支持され、全体としてスパッタカソード４０を構成し、スパッタカソード４０はマイナス電位のＤＣ電圧が掛けられる電源４１に接続されている。
なお図３においては、スパッタカソード４０が単数の例を示すが、この例に限定されず、複数個のターゲット３８を配置してもよい。
【００３３】
このスパッタ装置３０において、非磁性金属薄膜３を形成する場合には、チャンバー３３内を真空排気系３２によって減圧し、さらに排気バルブ（図示せず）によって排気速度を制御する。一方においてガス導入管４２からＡｒガスを導入して圧力を調整し、対向電極用キャン３７をアノード、バッキングプレート３９をカソードとして、電圧を印加し、電流が流れる状態を保持する。
そして、この電圧の印加により、Ａｒガスをプラズマ化させ、電離されたイオンをターゲット３８に衝突させて材料から原子がはじき出されるようにする。
【００３４】
そして、ターゲット３８からはじき出された原子は、対向電極用キャン３７の外周面に沿って走行する被処理体３１上に付着し、非磁性金属薄膜３が成膜される。このようにして非磁性金属薄膜３が形成された被処理体３１は、巻き取りロール３５に巻き取られる。
【００３５】
非磁性金属薄膜３上には、良好な耐蝕性および走行耐久性を確保するためにカーボン保護層４を形成する。
このカーボン保護層４は硬質カーボン膜であり、ダイヤモンド構造を有するカーボン膜、いわゆるダイヤモンドライクカーボン膜であるものとする。
すなわちカーボンには、グラファイト構造を有するもの、ダイヤモンド構造を有するもの等が知られているが、ラマン分光スペクトル分析によって構造を解析することができる。ここで言うダイヤモンドライクカーボン膜とは、少なくとも一部がダイヤモンド構造を有するものであり、ラマン分光スペクトルにおいてダイヤモンド構造に由来するピークが観測されるものである。通常はグラファイト構造に由来するピークとともに、ダイヤモンド構造に由来するピークの観測がなされる。
【００３６】
カーボン保護層４は、例えば図４に示すプラズマＣＶＤ連続膜形成装置５０用いて、ＣＶＤ法によって形成することができる。
炭素化合物をプラズマ中で分解して成膜するＣＶＤ法は、耐磨耗性、耐蝕性、表面被覆率に優れ、平滑な表面形状と高い電気抵抗率をもつダイヤモンドライクカーボン膜を、極めて薄層に安定して成膜することができる。
使用する原料ガスとしては、エチレン、プロパン等の気体、トルエン、キシレン等の液体を気化させた炭化水素ガスが適用される。これらの炭化水素ガスは単体、または複合状態で用いられ、また、プラズマ生成時には、炭素化合物の分解を促進するためのガスとして、Ａｒ、Ｎ２　等の非炭化水素ガスが導入されていてもよい。
【００３７】
図４に示すプラズマＣＶＤ連続膜形成装置５０は、排気系５３から排気されて真空状態となされた真空室５２内に、巻き出しロール５４と、巻き取りロール５５とが設けられ、これら巻き出しロール５４と巻き取りロール５５との間に、非磁性支持体１上に磁性層２および非磁性金属薄膜３が形成された被処理体５１が順次走行するようになされている。
これら巻き出しロール５４から巻き取りロール５５に向かって被処理体５１が走行する途中には、円筒状の回転可能な対向電極用キャン５７が設けられている。
【００３８】
被処理体５１は、巻き出しロール５４から順次送り出され、対向電極用キャン５７の周面を通過し、巻き取りロール５５に巻き取られていくようになされている。なお、巻き出しロール５４と対向電極用キャン５７との間、および対向電極用キャン５７と巻き取りロール５５との間には、それぞれガイドロール５６が配置され、被処理体５１に所定のテンションをかけ、被処理体５１が円滑に走行するようになされている。
【００３９】
また、対向電極用キャン５７に対向して、例えばパイレックス（登録商標）ガラス、プラスチック等よりなる反応管５８が設けられている。この反応管５８においては、ガス導入口５９から成膜用ガスが内部に導入されるようになされている。
また、反応管５８内には、平板状の放電電極６０が組み込まれている。この放電電極６０には、外部に配設された直流電源６１により、例えば５００〜２０００Ｖの電位が印加されるようになされている。
【００４０】
上述した構成のプラズマＣＶＤ連続膜形成装置５０においては、放電電極６０に電圧が印加されることで、放電電極６０と対向電極用キャン５７との間にプラズマが発生する。そして、反応管５８内に導入された成膜用ガスは、生じたプラズマのエネルギーによって分解および化学的結合がなされ、被処理体５１上に被着する。
【００４１】
放電電極６０は、ガスが透過しやすく、且つ電界を均一にかけることができ、柔軟性を有するものが望ましく、例えばメッシュ状となされているものが好適である。
放電電極６０の材料としては、例えば銅が挙げられるが、その他導電性を有する金属を適宜用いることができ、ステンレスや真鍮、金等も適用可能である。
【００４２】
なお、上述したように本発明の磁気記録媒体１０は、非磁性支持体１上に真空薄膜形成技術によって磁性層２を形成する工程と、磁性層２上に、非磁性金属薄膜３を形成する工程と、非磁性金属薄膜３上に、カーボン保護層４を形成する工程とを経て作製することができるが、非磁性金属薄膜３の最表面に酸化層が形成されることを回避するため、非磁性金属薄膜３を形成する工程と、カーボン保護層４を形成する工程とを、外部空気から遮断した環境下、例えば同一チャンバー内や、外部から遮断された搬送路によって次工程へと送り込まれるような環境下で連続的に行うことが望ましい。
【００４３】
本発明の磁気記録媒体１０においては、必要に応じて磁性層２の形成面側とは反対側にバックコート層６を形成したり、カーボン保護層４上に潤滑剤層５を形成したりしてもよい。この場合、バックコート層６や潤滑剤層５形成用材料としては、非磁性顔料、樹脂結合剤等、従来公知の材料を適宜用いることができる。
【００４４】
【実施例】
次に本発明の磁気記録媒体１０について具体的な例を挙げて説明するが、本発明の磁気記録媒体は、以下の例に限定されるものではない。なお、以下に示す磁気記録媒体１０を作製する際には、非磁性金属薄膜３の形成工程と、カーボン保護層４の形成工程とを、同一のチャンバー内で連続的に行った。
【００４５】
〔第１の実験例〕
この例においては、非磁性金属薄膜３の膜厚とカーボン保護層４の膜厚とが異なる各種サンプルを作製し、各層の膜厚、及びこれらの合計膜厚について好適な値を求めることとした。
【００４６】
先ず図１に示した磁気記録媒体１０の非磁性支持体１として厚さ６μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意し、この非磁性支持体１上に、磁性層２を図２に示した蒸着装置１００を用いて以下の条件で形成した。
（蒸着条件）
成膜材料　　：Ｃｏ１００ｗｔ％
入射角　　　：４５°〜９０°
導入ガス　　：酸素ガス
酸素導入量　：２．０×１０−２Ｐａ
磁性層の膜厚：２００ｎｍ
【００４７】
磁性層２形成後、表層面には厚さ１０ｎｍ程度の表面酸化層２ａが形成されていることが確認された。
【００４８】
次に、以下の条件により図３に示したスパッタ装置３０を用いて非磁性金属薄膜３の形成を行った。
この工程により、非磁性金属薄膜３の膜厚が２ｎｍ（実施例Ａ１）、３ｎｍ（実施例Ａ２）、３ｎｍ（実施例Ａ３）、０ｎｍ（比較例Ａ１）、３ｎｍ（比較例Ａ２）、１ｎｍ（比較例Ａ３）のそれぞれのサンプルを作製した。
（スパッタ条件）
スパッタターゲット：Ｔｉ
導入ガス　　　　　：Ａｒ
スパッタ時真空度　：０．４Ｐａ
【００４９】
次に、以下の条件により図４に示したプラズマＣＶＤ連続膜形成装置５０を用いてカーボン保護層４を形成した。
この工程により、上記実施例Ａ１〜Ａ３および比較例Ａ１〜Ａ３のサンプルに対して、カーボン保護層４を、膜厚が３ｎｍ（実施例Ａ１）、５ｎｍ（実施例Ａ２）、７ｎｍ（実施例Ａ３）、５ｎｍ（比較例Ａ１）、２ｎｍ（比較例Ａ２）、４ｎｍ（比較例Ａ３）となるように形成した。
（ＣＶＤ条件）
導入ガス：エチレン／アルゴン混合ガス　１５０ｓｃｃｍ
（アルゴン混合率：２０ｖｏｌ％）
反応圧力：３０Ｐａ
投入電力：＋１．２ｋＶ
【００５０】
次に、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤を用いて潤滑剤層５を形成し、カーボン系のバックコート層６を形成し、目的とする磁気記録媒体１０を得た。
【００５１】
上述のようにして作製した実施例Ａ１〜Ａ３および比較例Ａ１〜Ａ３のサンプル磁気記録媒体の特性評価を行った。
特性評価は、シャトル走行試験、スチル耐久試験、摩擦試験のそれぞれについて下記に示す方法により行った。なお、シャトル走行試験、スチル耐久試験においては、ＤＶＣカムコーダーＤＣＲ　ＶＸ−７００（ソニー社製）を使用した。
【００５２】
（シャトル走行試験）
４０℃、３０％ＲＨ環境下で１０分間１回記録した後、９９回再生させ、１００ｐａｓｓ目の初期出力に対する出力をｄＢ表示した。
（スチル耐久試験）
−５℃の環境下でスチル状態のまま保持し、初期出力に対して−３ｄＢになる時間を表示した。
（摩擦試験）
４０℃、８０％ＲＨの環境下で摺動摩擦試験を用いて行い、摩擦係数を表示した。
上記各特性評価の結果を下記〔表１〕に示す。
【００５３】
【表１】
2004055114.tif 000003
【００５４】
〔表１〕に示すように、非磁性金属薄膜３の膜厚を２ｎｍ以上としカーボン保護層４の膜厚を３ｎｍ以上とし、これらの合計の膜厚を５ｎｍ以上とした実施例Ａ１〜実施例Ａ３のサンプル磁気記録媒体は、シャトル走行試験、スチル耐久試験、および摩擦試験のいずれにおいても実用上良好な結果が得られた。
一方において非磁性金属薄膜３の膜厚が２ｎｍ未満の比較例Ａ１、比較例Ａ３とカーボン保護層４の膜厚が３ｎｍ未満とした比較例Ａ２においては、シャトル走行試験においては−３ｄＢ以上の低下が確認され実用上望ましくないものであることがわかった。またスチル試験に関しては短時間で出力低下が確認され、摩擦試験に関しては、厳しい使用条件下で摩擦が高く実用上望ましくないものであることがわかった。
また、非磁性金属薄膜３とカーボン保護層４の膜厚の合計が１５ｎｍを越えると電磁変換特性が劣化するため、これらの合計膜厚は１５ｎｍ以下とすることが望ましい。
【００５５】
〔第２の実験例〕
この例においては、非磁性金属薄膜３をＭｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ｚｎの各種金属を用いて形成した各種サンプルと、非磁性金属薄膜３を形成しなかったサンプルとを作製し、非磁性金属薄膜３を形成したことによる効果を明らかにした。
【００５６】
先ず図１に示した磁気記録媒体１０の非磁性支持体１として厚さ６μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意し、この非磁性支持体１上に、磁性層２を図２に示した蒸着装置１００を用いて以下の条件で形成した。
（蒸着条件）
成膜材料　　：Ｃｏ１００ｗｔ％
入射角　　　：４５°〜９０°
導入ガス　　：酸素ガス
酸素導入量　：２．０×１０−２Ｐａ
磁性層の膜厚：２００ｎｍ
【００５７】
磁性層２形成後、表層面には厚さ１０ｎｍ程度の表面酸化層２ａが形成されていることが確認された。
【００５８】
次に、以下の条件により図３に示したスパッタ装置３０を用いて非磁性金属薄膜３の形成を行った。
この工程により、Ｍｏ（実施例Ｂ１）、Ｗ（実施例Ｂ２）、Ｃｕ（実施例Ｂ３）、Ｚｎ（実施例Ｂ４）により非磁性金属薄膜を形成したもの、および非磁性金属薄膜を形成しなかったもの（比較例Ｂ１）を作製した。
（スパッタ条件）
導入ガス　　　　　：Ａｒ
スパッタ時真空度　：０．４Ｐａ
非磁性金属薄膜の膜厚：３ｎｍ
【００５９】
次に、以下の条件により図４に示したプラズマＣＶＤ連続膜形成装置５０を用いてカーボン保護層４を形成した。
（ＣＶＤ条件）
導入ガス：エチレン／アルゴン混合ガス　１５０ｓｃｃｍ
（アルゴン混合率：２０ｖｏｌ％）
反応圧力：３０Ｐａ
投入電力：＋１．２ｋＶ
カーボン保護層の膜厚：７ｎｍ
【００６０】
次に、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤を用いて潤滑剤層５を形成し、カーボン系のバックコート層６を形成し、目的とする磁気記録媒体１０を得た。
【００６１】
上述のようにして作製した実施例Ｂ１〜Ｂ４および比較例Ｂ１の各サンプル磁気記録媒体の特性評価を行った。
特性評価は、シャトル走行試験、スチル耐久試験、摩擦試験のそれぞれについて下記に示す方法により行った。なお、シャトル走行試験、スチル耐久試験においては、ＤＶＣカムコーダーＤＣＲ　ＶＸ−７００（ソニー社製）を使用した。
【００６２】
（シャトル走行試験）
４０℃、３０％ＲＨ環境下で１０分間１回記録した後、９９回再生させ、１００ｐａｓｓ目の初期出力に対する出力をｄＢ表示した。
（スチル耐久試験）
−５℃の環境下でスチル状態のまま保持し、初期出力に対して−３ｄＢになる時間を表示した。
（摩擦試験）
４０℃、８０％ＲＨの環境下で摺動摩擦試験を用いて行い、摩擦係数を表示した。
上記各特性評価の結果を下記〔表２〕に示す。
【００６３】
【表２】
2004055114.tif 000004
【００６４】
〔表２〕に示すように、磁性層２上にＭｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ｚｎの各金属を用いて非磁性金属薄膜３を形成した実施例Ｂ１〜実施例Ｂ４のサンプル磁気記録媒体は、シャトル走行試験、スチル耐久試験、および摩擦試験のいずれにおいても実用上良好な結果が得られた。
また、非磁性金属薄膜３の膜厚を２ｎｍ以上としカーボン保護層４の膜厚を３ｎｍ以上としたことにより、シャトル走行試験、スチル耐久試験、および摩擦試験のいずれにおいても確実に優れた結果が得られた。
一方において非磁性金属薄膜３を形成しなかった比較例Ｂ１のサンプル磁気記録媒体は、シャトル走行試験において−３ｄＢ以上の低下が確認され実用上望ましくないものであることがわかった。またスチル試験に関しては短時間で出力低下が確認され、摩擦試験に関しては、厳しい使用条件下で摩擦が高く実用上望ましくないものであることがわかった。
【００６５】
〔第３の実験例〕
この例においては、非磁性金属薄膜３をＡｇ、Ａｕ、Ｐｔの各金属を用いて形成した各種サンプルと、非磁性金属薄膜３を形成しなかったサンプルとを作製し、非磁性金属薄膜３を形成したことによる効果を明らかにした。
【００６６】
先ず図１に示した磁気記録媒体１０の非磁性支持体１として厚さ６μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意し、この非磁性支持体１上に、磁性層２を図２に示した蒸着装置１００を用いて以下の条件で形成した。
（蒸着条件）
成膜材料　　：Ｃｏ１００ｗｔ％
入射角　　　：４５°〜９０°
導入ガス　　：酸素ガス
酸素導入量　：２．０×１０−２Ｐａ
磁性層の膜厚：２００ｎｍ
【００６７】
磁性層２形成後、表層面には厚さ１０ｎｍ程度の表面酸化層２ａが形成されていることが確認された。
【００６８】
次に、以下の条件により図３に示したスパッタ装置３０を用いて非磁性金属薄膜３の形成を行った。
この工程により、Ａｇ（実施例Ｃ１）、Ａｕ（実施例Ｃ２）、Ｐｔ（実施例Ｃ３）により非磁性金属薄膜を形成したもの、および非磁性金属薄膜を形成しなかったもの（比較例Ｃ１）を作製した。
（スパッタ条件）
導入ガス　　　　　：Ａｒ
スパッタ時真空度　：０．４Ｐａ
非磁性金属薄膜の膜厚：３ｎｍ
【００６９】
次に、以下の条件により図４に示したプラズマＣＶＤ連続膜形成装置５０を用いてカーボン保護層４を形成した。
（ＣＶＤ条件）
導入ガス：エチレン／アルゴン混合ガス　１５０ｓｃｃｍ
（アルゴン混合率：２０ｖｏｌ％）
反応圧力：３０Ｐａ
投入電力：＋１．２ｋＶ
カーボン保護層の膜厚：７ｎｍ
【００７０】
次に、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤を用いて潤滑剤層５を形成し、カーボン系のバックコート層６を形成し、目的とする磁気記録媒体１０を得た。
【００７１】
上述のようにして作製した実施例Ｃ１〜Ｃ３および比較例Ｃ１の各サンプル磁気記録媒体の特性評価を行った。
特性評価は、シャトル走行試験、スチル耐久試験、摩擦試験のそれぞれについて下記に示す方法により行った。なお、シャトル走行試験、スチル耐久試験においては、ＤＶＣカムコーダーＤＣＲ　ＶＸ−７００（ソニー社製）を使用した。
【００７２】
（シャトル走行試験）
４０℃、３０％ＲＨ環境下で１０分間１回記録した後、９９回再生させ、１００ｐａｓｓ目の初期出力に対する出力をｄＢ表示した。
（スチル耐久試験）
−５℃の環境下でスチル状態のまま保持し、初期出力に対して−３ｄＢになる時間を表示した。
（摩擦試験）
４０℃、８０％ＲＨの環境下で摺動摩擦試験を用いて行い、摩擦係数を表示した。
上記各特性評価の結果を下記〔表３〕に示す。
【００７３】
【表３】
2004055114.tif 000005
【００７４】
〔表３〕に示すように、磁性層２上にＡｇ、Ａｕ、Ｐｔの各種金属を用いて非磁性金属薄膜３を形成した実施例Ｃ１〜実施例Ｃ３のサンプル磁気記録媒体は、シャトル走行試験、スチル耐久試験、および摩擦試験のいずれにおいても実用上良好な結果が得られた。
また、非磁性金属薄膜３の膜厚を２ｎｍ以上としカーボン保護層４の膜厚を３ｎｍ以上としたことにより、シャトル走行試験、スチル耐久試験、および摩擦試験のいずれにおいても確実に優れた結果が得られた。
一方において非磁性金属薄膜３を形成しなかった比較例Ｃ１のサンプル磁気記録媒体は、シャトル走行試験において−３ｄＢ以上の低下が確認され実用上望ましくないものであることがわかった。またスチル試験に関しては短時間で出力低下が確認され、摩擦試験に関しては、厳しい使用条件下で摩擦が高く実用上望ましくないものであることがわかった。
【００７５】
〔第４の実験例〕
この例においては、非磁性金属薄膜３をＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂの各種金属を用いて形成した各種サンプルと、非磁性金属薄膜３を形成しなかったサンプルとを作製し、非磁性金属薄膜３を形成したことによる効果を明らかにした。
【００７６】
先ず図１に示した磁気記録媒体１０の非磁性支持体１として厚さ６μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意し、この非磁性支持体１上に、磁性層２を図２に示した蒸着装置１００を用いて以下の条件で形成した。
（蒸着条件）
成膜材料　　：Ｃｏ１００ｗｔ％
入射角　　　：４５°〜９０°
導入ガス　　：酸素ガス
酸素導入量　：２．０×１０−２Ｐａ
磁性層の膜厚：２００ｎｍ
【００７７】
磁性層２形成後、表層面には厚さ１０ｎｍ程度の表面酸化層２ａが形成されていることが確認された。
【００７８】
次に、以下の条件により図３に示したスパッタ装置３０を用いて非磁性金属薄膜３の形成を行った。
この工程により、Ｓｉ（実施例Ｄ１）、Ｇｅ（実施例Ｄ２）、Ｓｎ（実施例Ｄ３）、Ｐｂ（実施例Ｄ４）により非磁性金属薄膜を形成したもの、および非磁性金属薄膜を形成しなかったもの（比較例Ｄ１）を作製した。
（スパッタ条件）
導入ガス　　　　　：Ａｒ
スパッタ時真空度　：０．４Ｐａ
非磁性金属薄膜の膜厚：３ｎｍ
【００７９】
次に、以下の条件により図４に示したプラズマＣＶＤ連続膜形成装置５０を用いてカーボン保護層４を形成した。
（ＣＶＤ条件）
導入ガス：エチレン／アルゴン混合ガス　１５０ｓｃｃｍ
（アルゴン混合率：２０ｖｏｌ％）
反応圧力：３０Ｐａ
投入電力：＋１．２ｋＶ
カーボン保護層の膜厚：７ｎｍ
【００８０】
次に、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤を用いて潤滑剤層５を形成し、カーボン系のバックコート層６を形成し、目的とする磁気記録媒体１０を得た。
【００８１】
上述のようにして作製した実施例Ｄ１〜Ｄ４および比較例Ｄ１の各サンプル磁気記録媒体の特性評価を行った。
特性評価は、シャトル走行試験、スチル耐久試験、摩擦試験のそれぞれについて下記に示す方法により行った。なお、シャトル走行試験、スチル耐久試験においては、ＤＶＣカムコーダーＤＣＲ　ＶＸ−７００（ソニー社製）を使用した。
【００８２】
（シャトル走行試験）
４０℃、３０％ＲＨ環境下で１０分間１回記録した後、９９回再生させ、１００ｐａｓｓ目の初期出力に対する出力をｄＢ表示した。
（スチル耐久試験）
−５℃の環境下でスチル状態のまま保持し、初期出力に対して−３ｄＢになる時間を表示した。
（摩擦試験）
４０℃、８０％ＲＨの環境下で摺動摩擦試験を用いて行い、摩擦係数を表示した。
上記各特性評価の結果を下記〔表４〕に示す。
【００８３】
【表４】
2004055114.tif 000006
【００８４】
〔表４〕に示すように、磁性層２上にＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂの各金属を用いて非磁性金属薄膜３を形成した実施例Ｄ１〜実施例Ｄ４のサンプル磁気記録媒体は、シャトル走行試験、スチル耐久試験、および摩擦試験のいずれにおいても実用上良好な結果が得られた。
また、非磁性金属薄膜３の膜厚を２ｎｍ以上としカーボン保護層４の膜厚を３ｎｍ以上としたことにより、シャトル走行試験、スチル耐久試験、および摩擦試験のいずれにおいても確実に優れた結果が得られた。
一方において非磁性金属薄膜３を形成しなかった比較例Ｄ１のサンプル磁気記録媒体は、シャトル走行試験において−３ｄＢ以上の低下が確認され実用上望ましくないものであることがわかった。またスチル試験に関しては短時間で出力低下が確認され、摩擦試験に関しては、厳しい使用条件下で摩擦が高く実用上望ましくないものであることがわかった。
【００８５】
〔第５の実験例〕
この例においては、非磁性金属薄膜３をＴｉ、Ｚｒを用いて形成した各サンプルと、非磁性金属薄膜３を形成しなかったサンプルとを作製し、非磁性金属薄膜３を形成したことによる効果を明らかにした。
【００８６】
先ず図１に示した磁気記録媒体１０の非磁性支持体１として厚さ６μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意し、この非磁性支持体１上に、磁性層２を図２に示した蒸着装置１００を用いて以下の条件で形成した。
（蒸着条件）
成膜材料　　：Ｃｏ１００ｗｔ％
入射角　　　：４５°〜９０°
導入ガス　　：酸素ガス
酸素導入量　：２．０×１０−２Ｐａ
磁性層の膜厚：２００ｎｍ
【００８７】
磁性層２形成後、表層面には厚さ１０ｎｍ程度の表面酸化層２ａが形成されていることが確認された。
【００８８】
次に、以下の条件により図３に示したスパッタ装置３０を用いて非磁性金属薄膜３の形成を行った。
この工程により、Ｔｉ（実施例Ｅ１）、Ｚｒ（実施例Ｅ２）により非磁性金属薄膜を形成したもの、および非磁性金属薄膜を形成しなかったもの（比較例Ｅ１）を作製した。
（スパッタ条件）
導入ガス　　　　　：Ａｒ
スパッタ時真空度　：０．４Ｐａ
非磁性金属薄膜の膜厚：３ｎｍ
【００８９】
次に、以下の条件により図４に示したプラズマＣＶＤ連続膜形成装置５０を用いてカーボン保護層４を形成した。
（ＣＶＤ条件）
導入ガス：エチレン／アルゴン混合ガス　１５０ｓｃｃｍ
（アルゴン混合率：２０ｖｏｌ％）
反応圧力：３０Ｐａ
投入電力：＋１．２ｋＶ
カーボン保護層の膜厚：７ｎｍ
【００９０】
次に、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤を用いて潤滑剤層５を形成し、カーボン系のバックコート層６を形成し、目的とする磁気記録媒体１０を得た。
【００９１】
上述のようにして作製した実施例Ｅ１、Ｅ２および比較例Ｅ１の各サンプル磁気記録媒体の特性評価を行った。
特性評価は、シャトル走行試験、スチル耐久試験、摩擦試験のそれぞれについて下記に示す方法により行った。なお、シャトル走行試験、スチル耐久試験においては、ＤＶＣカムコーダーＤＣＲ　ＶＸ−７００（ソニー社製）を使用した。
【００９２】
（シャトル走行試験）
４０℃、３０％ＲＨ環境下で１０分間１回記録した後、９９回再生させ、１００ｐａｓｓ目の初期出力に対する出力をｄＢ表示した。
（スチル耐久試験）
−５℃の環境下でスチル状態のまま保持し、初期出力に対して−３ｄＢになる時間を表示した。
（摩擦試験）
４０℃、８０％ＲＨの環境下で摺動摩擦試験を用いて行い、摩擦係数を表示した。
上記各特性評価の結果を下記〔表５〕に示す。
【００９３】
【表５】
2004055114.tif 000007
【００９４】
〔表５〕に示すように、磁性層２上にＴｉ、Ｚｒを用いて非磁性金属薄膜３を形成した実施例Ｅ１、実施例Ｅ２のサンプル磁気記録媒体は、シャトル走行試験、スチル耐久試験、および摩擦試験のいずれにおいても実用上良好な結果が得られた。
また、非磁性金属薄膜３の膜厚を２ｎｍ以上としカーボン保護層４の膜厚を３ｎｍ以上としたことにより、シャトル走行試験、スチル耐久試験、および摩擦試験のいずれにおいても確実に優れた結果が得られた。
一方において非磁性金属薄膜３を形成しなかった比較例Ｅ１のサンプル磁気記録媒体は、シャトル走行試験において−３ｄＢ以上の低下が確認され実用上望ましくないものであることがわかった。またスチル試験に関しては短時間で出力低下が確認され、摩擦試験に関しては、厳しい使用条件下で摩擦が高く実用上望ましくないものであることがわかった。
【００９５】
〔第６の実験例〕
この例においては、非磁性金属薄膜３をＭｇを用いて形成したサンプルと、非磁性金属薄膜３を形成しなかったサンプルとを作製し、非磁性金属薄膜３を形成したことによる効果を明らかにした。
【００９６】
先ず図１に示した磁気記録媒体１０の非磁性支持体１として厚さ６μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意し、この非磁性支持体１上に、磁性層２を図２に示した蒸着装置１００を用いて以下の条件で形成した。
（蒸着条件）
成膜材料　　：Ｃｏ１００ｗｔ％
入射角　　　：４５°〜９０°
導入ガス　　：酸素ガス
酸素導入量　：２．０×１０−２Ｐａ
磁性層の膜厚：２００ｎｍ
【００９７】
磁性層２形成後、表層面には厚さ１０ｎｍ程度の表面酸化層２ａが形成されていることが確認された。
【００９８】
次に、以下の条件により図３に示したスパッタ装置３０を用いて非磁性金属薄膜３の形成を行った。
この工程により、Ｍｇ（実施例Ｆ１）により非磁性金属薄膜を形成したもの、及び非磁性金属薄膜を形成しなかったもの（比較例Ｆ１）を作製した。
（スパッタ条件）
導入ガス　　　　　：Ａｒ
スパッタ時真空度　：０．４Ｐａ
非磁性金属薄膜の膜厚：３ｎｍ
【００９９】
次に、以下の条件により図４に示したプラズマＣＶＤ連続膜形成装置５０を用いてカーボン保護層４を形成した。
（ＣＶＤ条件）
導入ガス：エチレン／アルゴン混合ガス　１５０ｓｃｃｍ
（アルゴン混合率：２０ｖｏｌ％）
反応圧力：３０Ｐａ
投入電力：＋１．２ｋＶ
カーボン保護層の膜厚：７ｎｍ
【０１００】
次に、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤を用いて潤滑剤層５を形成し、カーボン系のバックコート層６を形成し、目的とする磁気記録媒体１０を得た。
【０１０１】
上述のようにして作製した実施例Ｆ１および比較例Ｆ１の各サンプル磁気記録媒体の特性評価を行った。
特性評価は、シャトル走行試験、スチル耐久試験、摩擦試験のそれぞれについて下記に示す方法により行った。なお、シャトル走行試験、スチル耐久試験においては、ＤＶＣカムコーダーＤＣＲ　ＶＸ−７００（ソニー社製）を使用した。
【０１０２】
（シャトル走行試験）
４０℃、３０％ＲＨ環境下で１０分間１回記録した後、９９回再生させ、１００ｐａｓｓ目の初期出力に対する出力をｄＢ表示した。
（スチル耐久試験）
−５℃の環境下でスチル状態のまま保持し、初期出力に対して−３ｄＢになる時間を表示した。
（摩擦試験）
４０℃、８０％ＲＨの環境下で摺動摩擦試験を用いて行い、摩擦係数を表示した。
上記各特性評価の結果を下記〔表６〕に示す。
【０１０３】
【表６】
2004055114.tif 000008
【０１０４】
〔表６〕に示すように、磁性層２上にＭｇを用いて非磁性金属薄膜３を形成した実施例Ｆ１のサンプル磁気記録媒体は、シャトル走行試験、スチル耐久試験、および摩擦試験のいずれにおいても実用上良好な結果が得られた。
また、非磁性金属薄膜３の膜厚を２ｎｍ以上としカーボン保護層４の膜厚を３ｎｍ以上としたことにより、シャトル走行試験、スチル耐久試験、および摩擦試験のいずれにおいても確実に優れた結果が得られた。
一方において、非磁性金属薄膜３を形成しなかった比較例Ｆ１のサンプル磁気記録媒体は、シャトル走行試験において−３ｄＢ以上の低下が確認され実用上望ましくないものであることがわかった。またスチル試験に関しては短時間で出力低下が確認され、摩擦試験に関しては、厳しい条件下で使用すると摩擦が極めて高くなり、走行性悪化や再生ヘッドの破壊を招来し、実用上望ましくないものであることがわかった。
【０１０５】
【発明の効果】
本発明の磁気記録媒体によれば、磁性層とカーボン保護層との間に、非磁性金属薄膜を介在させたことによって、カーボン保護層の密着性が向上し、繰り返して摺動を行った場合においてもカーボン保護層の剥がれの発生を防止でき、シャトル走行におけるレベルダウン現象に伴う画質劣化や、スチル特性時のクロッグ現象の発生を効果的に回避でき、安定した正常な走行再生を行うことが可能となった。
【０１０６】
本発明の磁気記録媒体によれば、磁性層とカーボン保護層との間に介在させる非磁性金属薄膜の膜厚が２ｎｍ以上とし、カーボン保護層の膜厚を３ｎｍ以上とし、非磁性金属薄膜の膜厚と保護層の膜厚の合計が、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下ととなるようにしたことにより、実用上充分な電磁変換特性を確保しつつ、シャトル走行におけるレベルダウン現象に伴う画質劣化や、スチル特性時のクロッグ現象の発生を効果的に回避でき、安定した正常な走行性が確保された。
【０１０７】
本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、磁性層２の形成工程後、非磁性金属薄膜を形成したことにより、カーボン保護層４の密着性の向上が図られ、繰り返して摺動を行った場合においてもカーボン保護層４の剥がれの発生を防止でき、シャトル走行におけるレベルダウン現象に伴う画質劣化や、スチル特性時のクロッグ現象の発生を効果的に回避でき、安定した正常な走行再生を行うことが可能な磁気記録媒体が得られた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体の概略構成図を示す。
【図２】磁性層形成用の蒸着装置の概略構成図を示す。
【図３】非磁性金属薄膜形成用のスパッタ装置の概略構成図を示す。
【図４】カーボン保護層形成用のプラズマＣＶＤ連続膜形成装置の概略図を示す。
【符号の説明】
１……非磁性支持体、２……磁性層、２ａ……金属酸化層、３……非磁性金属薄膜、４……カーボン保護層、５……潤滑剤層、６……バックコート層、１０……磁気記録媒体、１１……真空室、１３……送りロール、１４……巻き取りロール、１５……冷却キャン、１６，１７……ガイドロール、１８……ルツボ、１９……成膜材料、２０……電子銃、２１，２２……排気口、２３……シャッター、２４……酸素ガス導入管、３０……スパッタ装置、３１……被処理体、３２……真空排気系、３３……チャンバー、３４……巻き出しロール、３５……巻き取りロール、３６……ガイドロール、３７……対向電極用キャン、３８……ターゲット、３９……バッキングプレート、４０……スパッタカソード、４１……電源、４２……ガス導入管、５０……プラズマＣＶＤ連続膜形成装置、５１……被処理体、５２……真空室、５３……排気系、５４……巻き出しロール、５５……巻き取りロール、５６……ガイドロール、５７……対向電極用キャン、５８……反応管、５９……ガス導入口、６０……放電電極、６１……電源
【図１】
2004055114.tif 000009
【図２】
2004055114.tif 000010
【図３】
2004055114.tif 000011
【図４】
2004055114.tif 000012