(57)【要約】【課題】大面積化が可能で且つ安価であり、その上に形成される結晶の配向性を高くすることができる、窒化物半導体用基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】石英ガラス基板１１に窒素プラズマ１５を照射する。これにより、石英ガラス基板１１表面に窒化珪素層１２が形成された窒化物半導体用基板１０が得られる。この基板上にＧａＮ等の窒化物半導体層を形成すると、その窒化物半導体は優れたｃ軸配向性を示す。この窒化物半導体用基板により、従来ＧａＮ半導体に用いられてきたサファイア基板やＳｉＣ基板よりも安価で且つ大面積化が可能な、石英ガラス基板を用いた窒化物半導体の製造が可能になった。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
石英ガラス基板表面に窒化珪素層が形成されていることを特徴とする窒化物半導体用基板。
【請求項２】
石英ガラス基板を４００℃〜１２００℃に加熱しつつ該基板表面に窒素プラズマ照射を行うことを特徴とする窒化物半導体用基板製造方法。
【請求項３】
前記窒素プラズマが電子サイクロトン共鳴（ＥＣＲ）により生成されることを特徴とする請求項２に記載の窒化物半導体用基板製造方法。
【請求項４】
ａ）石英ガラス基板表面に窒化珪素層が形成された窒化物半導体用基板と、
ｂ）前記窒化物半導体用基板の上に形成された窒化物半導体バッファ層と、
ｃ）前記窒化物半導体バッファ層の上に形成された窒化物半導体エピタキシャル層と、
を含むことを特徴とする窒化物半導体。
【請求項５】
前記エピタキシャル層がＧａ窒化物半導体から成ることを特徴とする請求項４に記載の窒化物半導体。
【請求項６】
前記バッファ層及びエピタキシャル層がいずれもＧａＮから成ることを特徴とする請求項５に記載の窒化物半導体。
【請求項７】
ａ）石英ガラス基板を４００℃〜１２００℃に加熱しつつ該基板表面に窒素プラズマ照射を行い窒化物半導体用基板を形成する窒化物半導体用基板形成工程と、
ｂ）前記窒化物半導体用基板上に窒素プラズマ及び３価の元素の分子線を照射することにより窒化物半導体バッファ層を形成するバッファ層形成工程と、
ｃ）前記窒化物半導体バッファ層の上に窒素プラズマ及び３価の元素の分子線を照射することにより窒化物半導体エピタキシャル層を形成するエピタキシャル層形成工程と、
を含むことを特徴とする窒化物半導体製造方法。
【請求項８】
上記エピタキシャル層形成工程において照射される３価の元素の分子線がＧａの分子線を含むことを特徴とする請求項７に記載の窒化物半導体製造方法。
【請求項９】
上記バッファ層形成工程及びエピタキシャル層形成工程において照射される３価の元素の分子線が共にＧａの分子線であることを特徴とする請求項８に記載の窒化物半導体製造方法。
【請求項１０】
ａ）石英ガラス基板表面に窒化珪素層が形成された窒化物半導体用基板と、
ｂ）前記窒化物半導体用基板の上に形成された窒化物半導体バッファ層と、
ｃ）前記窒化物半導体バッファ層の上に形成された窒化物半導体エピタキシャル層を含む発光層と、
を備えることを特徴とする発光ダイオード。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザーダイオード（ＬＤ）やその他の発光デバイス等に用いられる窒化物半導体用の基板及びその製造方法、更にその半導体基板を用いて製造される窒化物半導体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＥＤやＬＤ等の発光デバイス用半導体として実用化されている窒化ガリウム（ＧａＮ）等の窒化物半導体の基板には、一般にサファイア（Ａｌ２Ｏ３）結晶や炭化珪素（ＳｉＣ）結晶が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
窒化物半導体の用途は今後更に広がるものと予想されているが、そのための障害の一つに基板の大型化がある。現在用いられているサファイア結晶やＳｉＣ結晶基板は大型化が難しく、量産性の高い窒化物半導体の製造が困難である。
【０００４】
石英ガラス基板はサファイア基板やＳｉＣ基板よりも安価であるうえに、大面積化が可能である。しかし、アモルファスである石英ガラス基板上にＧａＮを成長させた場合、ＧａＮは多結晶体となる。このような石英ガラス上の多結晶ＧａＮから強い発光が測定されたという報告があり（Ｋ．　Ｉｗａｔａ，　Ｈ．　Ａｓａｈｉ，　Ｋ．　Ａｓａｍｉ，　Ｒ．　Ｋｕｒｏｉｗａ　ａｎｄ　Ｓ．　Ｇｏｎｄａ：　Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　３６　（１９９７）　Ｌ６６１）、また、その結晶構造と光学特性の関係も報告されている（Ｎ．　Ｍｕｒａｔａ，　Ｈ．　Ｔｏｃｈｉｓｈｉｔａ，　Ｙ．　Ｓｈｉｍｉｚｕ，　Ｔ．　Ａｒａｋｉ　ａｎｄ　Ｙ．　Ｎａｎｉｓｈｉ：　Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　３７　（１９９８）　Ｌ１２１４）。しかし、石英ガラス基板上に成長させた多結晶ＧａＮは配向性が乏しく、乱雑な方向に成長する。このため、多結晶ＧａＮを用いた発光デバイスは、単結晶に比較するとやはり発光効率が低く、明るさが前記サファイア基板を用いた発光デバイスの１／１００程度しか得られていない。
【０００５】
また、安価かつ大面積化が可能なインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を基板とし、その表面を窒化処理した後にその表面上に多結晶ＧａＮを成長させた報告もある。この多結晶ＧａＮも、前記石英ガラス基板上に成長させた多結晶ＧａＮと比較すれば配向性がやや勝るものの、実用上望まれる単一配向は実現していない。
【０００６】
このように、窒化物半導体の高品質化（高い配向性）や大面積化、及び低価格化のためには、窒化物半導体を成長させる土台となる基板の選択・改良が重要となる。
【０００７】
本発明はこのような課題を解決するために成されたものであり、その目的とするところは、大面積化が可能で且つ安価であり、その上に形成される結晶の配向性を高くすることができる窒化物半導体用基板及びその製造方法を提供することにある。また併せて、その基板上に形成される窒化物半導体及びその製造方法を提供する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために成された本発明に係る窒化物半導体用基板は、石英ガラス基板表面に窒化珪素層が形成されていることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る窒化物半導体用基板製造方法は、石英ガラス基板を４００℃〜１２００℃に加熱しつつ該基板表面に窒素プラズマ照射を行うことを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る窒化物半導体製造方法は、
ａ）石英ガラス基板を４００℃〜１２００℃に加熱しつつ該基板表面に窒素プラズマ照射を行い窒化物半導体用基板を形成する窒化物半導体用基板形成工程と、
ｂ）前記窒化物半導体用基板上に窒素プラズマ及び３価の元素の分子線を照射することにより窒化物半導体バッファ層を形成するバッファ層形成工程と、
ｃ）前記窒化物半導体バッファ層の上に窒素プラズマ及び３価の元素の分子線を照射することにより窒化物半導体エピタキシャル層を形成するエピタキシャル層形成工程と、
を含むことを特徴とする。
【００１１】
前記エピタキシャル層形成工程においてＧａを含む分子線を前記窒化物半導体バッファ層の上に照射すると、Ｇａ窒化物半導体を得ることができる。なお本明細書では、ＧａＮと、Ｇａの一部がＩｎ、Ａｌ等の他の３価の元素で置換された窒化物半導体を総称して「Ｇａ窒化物半導体」と呼ぶ。
【００１２】
【発明の実施の形態及び発明の効果】
（１）窒化物半導体用基板
本発明に係る窒化物半導体用基板は、前記のように安価で且つ大面積化の可能な石英ガラス基板表面に窒化珪素層を形成したものである。その製造方法は以下の通りである。石英ガラス基板を４００℃〜１２００℃に熱し、その表面に窒素プラズマ照射を行う。これにより、石英ガラス基板表面に窒化珪素層が形成された窒化物半導体用基板が得られる。
【００１３】
この窒化物半導体用基板製造方法において、石英ガラス基板の温度が低すぎると、窒化珪素層が形成されないか、あるいは形成されたとしても窒化珪素が非晶質となり好ましくない（窒化珪素が非晶質であると好ましくない理由は後述）。逆に石英ガラス基板の温度が高すぎると、基板表面の劣化が生じる。このような条件を満たすために、窒化物半導体用基板を製造する際の石英ガラス基板の温度は、上記のように４００℃〜１２００℃とした。また、窒素プラズマの照射方法には、高周波（ＲＦ）を用いて窒素ガスをプラズマ化して照射する方法や、電子サイクロトン共鳴（ＥＣＲ）を用いて窒素ガスをプラズマ化して照射する方法等がある。特に、低エネルギーで高密度の窒素プラズマを生成することが可能であるＥＣＲ法を用いることが望ましい。
【００１４】
この窒化物半導体用基板は、窒化物半導体作製において以下の効果を有する。この窒化物半導体用基板の上に窒化物半導体層を形成すると、アモルファス石英ガラスを基板とした場合と比較すると、ｃ軸方向の配向性が向上する。これは、アモルファス石英ガラス基板とは異なり、窒化物半導体用基板表面にある窒化珪素層が何らかの結晶構造を持つため、窒化物半導体層の結晶の成長方向が窒化珪素の結晶構造により決定されるためと考えられる。そのため、プラズマ処理時の石英ガラス基板温度が低く、形成された窒化珪素が非晶質になると、窒化物半導体層のｃ軸方向の配向性の向上という効果は得られない。また、サファイア結晶やＳｉＣ結晶等の従来実用化されている半導体用基板と比較すると、大面積化が可能であり、しかも安価である。
【００１５】
（２）窒化物半導体用基板上に形成される窒化物半導体
次に、この窒化物半導体用基板の上に窒化物半導体を製造する方法を説明する。前記窒化物半導体用基板の表面に、窒素プラズマと共に３価の元素の分子線を照射する。窒素プラズマの照射方法には前記と同様の方法を用いることができ、特にＥＣＲ法を用いることが望ましい。３価の元素の分子線の照射には一般的な分子線エピタキシ（ＭＢＥ）装置を用いることができる。これにより窒化珪素層の上に、３価の原子と窒素原子から成る第１の窒化物半導体層が形成される。
【００１６】
この工程により得られた第１の窒化物半導体層は、従来の石英ガラス基板上に直接形成された窒化物半導体よりもｃ軸方向の配向性が向上する。すなわち、窒化物半導体のｃ軸が基板に対して垂直に揃う。これは、上記のように窒化物半導体層の成長方向が窒化珪素の結晶構造により決定されるためと考えられる。窒化珪素層はアモルファス石英ガラス基板と窒化物半導体層との間の緩衝層（バッファ層）の役割を果たしていると言える。なお、後述のように実際には窒化珪素層は石英ガラス基板のごく表面（厚さ約２ｎｍ以下）にのみ形成され、窒化珪素層と石英ガラスの間にはＳｉ−Ｎ−Ｏから成る層が存在するとみられるが、前記バッファ層の役割を果たしているのは表面にある窒化珪素層と考えられる。
【００１７】
優れた結晶性を有する窒化物半導体を得るために、前記の工程に加えて、更に以下の工程を行う。前記第１の窒化物半導体層の上に更に、窒素プラズマと共に３価の元素の分子線を照射する。ここで窒素プラズマの照射方法及び３価の元素の分子線の照射方法には、前記第１の窒化物半導体層を形成する際の方法を用いることができる。これにより第１の窒化物半導体層の上に形成される第２の窒化物半導体層は、第１の窒化物半導体層よりも更に優れたｃ軸配向性を示す。この場合、第１の窒化物半導体層が窒化物半導体用基板と第２の窒化物半導体層との間のバッファ層となり、第２の窒化物半導体層がエピタキシャル層となる。このようにして作製された窒化物半導体製品は、エピタキシャル層を発光層とするＬＥＤ等、様々な用途に用いることができる。
【００１８】
第１の窒化物半導体層（バッファ層）及び／又は第２の窒化物半導体層（エピタキシャル層）を形成する時にＧａの分子線を照射することにより、ＧａＮバッファ層及び／又はエピタキシャル層を得ることができる。或いは、バッファ層及び／又はエピタキシャル層形成時にＧａとそれ以外の１種又は複数種類の３価の元素を含む分子線を照射することにより、種々のＧａ窒化物半導体から成るバッファ層及び／又はエピタキシャル層を得ることができる。例えばＧａとＩｎとを含む分子線を照射すればＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）が、ＧａとＡｌとを含む分子線を照射すればＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）を得ることができる。ＩｎｘＧａ１−ｘＮは青色ＬＥＤ等の高出力の発光デバイスとして、ＡｌｘＧａ１−ｘＮは深紫外領域発光デバイスとして現在多く用いられている。なお、Ｇａ窒化物半導体を形成する際には、バッファ層とエピタキシャル層は必ずしも同じ組成である必要はない。
【００１９】
本発明により、ＬＥＤやＬＤ等の発光効率を左右するｃ軸配向性が優れた窒化物半導体を得ることができる。この窒化物半導体は、前記の窒化物半導体用基板の上に形成するので、従来のサファイア基板やＳｉＣ基板を用いて作製された窒化物半導体よりも低価格化及び大口径化が可能になる。また、この窒化物半導体は可視領域から紫外領域までの発光デバイスとして利用されるものであるので、それらの発光デバイスの低価格化や大型化が可能になる。
【００２０】
【実施例】
（１）窒化物半導体用基板
（１−１）窒化物半導体用基板の作製
本実施例ではＥＣＲ−ＭＢＥ装置を用いて、まず以下のように窒化物半導体用基板を作製した。なお、ＥＣＲ−ＭＢＥ装置は電子サイクロトン共鳴（ＥＣＲ）装置と分子線エピタキシ（ＭＢＥ）装置を組み合わせたものであるが、ここではＥＣＲのみ使用する（ＭＢＥは後述のＧａＮ半導体形成時に用いられる）。流量１０ｓｃｃｍで流入させた窒素ガスに２００Ｗのマイクロ波を照射することにより窒素プラズマ１５を生成し、７００℃に加熱した石英ガラス基板１１にこの窒素プラズマ１５を１時間照射した（図１（ａ））。これにより石英ガラス基板１１上に窒化珪素層１２が形成され、窒化物半導体用基板１０が完成した（ｂ）。なお、実際には後述のように、石英ガラス基板１１と窒化珪素層１２との間にはＳｉ−Ｎ−Ｏから成る層が存在するが、ここでは図示していない。
【００２１】
（１−２）窒化物半導体用基板の評価
図２に窒化珪素層１２形成前（石英ガラス基板１１の窒化前）と窒化珪素層１２形成後の基板（窒化後）の反射高エネルギー電子回折（ＲＨＥＥＤ）パターンを示す。窒化前の基板のＲＨＥＥＤパターンはハローパターンであり、基板面はアモルファスであることを示している。しかし、窒化後のＲＨＥＥＤパターンではハローがかった中にストリークパターンがみられる。このことから、窒化を行なうことにより基板表面に結晶構造を持つ何らかの物質（このデータのみからは窒化珪素か否かは不明）が生じたことが考えられる。
【００２２】
そこで、窒化前と窒化後の基板表面をＸ線光電子分光（ＸＰＳ）により解析を行なった。図３にその結果を示す。図３は上から（ａ）Ｓｉ２ｐ、（ｂ）Ｏ１ｓ、（ｃ）Ｎ１ｓのピーク図である。Ｓｉ２ｐピーク図（ａ）において窒化前と窒化後のグラフを比べると、結合エネルギーが低エネルギー側へシフトしていることがわかる。これは、窒化によりＳｉ−Ｏ結合からＳｉ−Ｎ結合が支配的になったことを示している。また、窒化後のスペクトルにおいて、窒化前のスペクトルのピーク位置である１０４ｅＶ付近にも強度を持っていることから、窒化によりＳｉ−Ｎ結合のみが生じたとは考えにくく、Ｓｉ−Ｎ−Ｏ結合も形成されたことが考えられる。Ｎ１ｓピーク図（ｂ）においても、窒化前と窒化後を比較すると結合エネルギーが約５３７ｅＶから約５３６ｅＶへと低エネルギー側へシフトしており、窒化によりＳｉ−Ｎ−Ｏ結合が増加したことが考えられる。なお、５３１ｅＶ付近にみられるピークは、窒化前後でピークシフトがなく試料ホルダー上の酸化膜であると考えられる。Ｎ１ｓピーク図（ｃ）においては、４０２ｅＶ付近のピークが窒化後のみ見られることから、窒化によりＳｉ−Ｎ結合が生じたことが考えられる。以上のことから、窒化により生じた前記の結晶構造を持つ物質は窒化珪素であると考えられる。
【００２３】
窒化後の石英ガラス基板の表面は図４のような構造をしていると考えられる。放出される光電子の脱出深さが２ｎｍ程度であることを考えると、Ｓｉ−Ｎの結合で成る窒化珪素層１２はごく表面近傍のみで形成され、それと石英ガラス基板１１との間にはＳｉ−Ｎ−Ｏから成る層１２１が形成されていると考えられる。
【００２４】
（２）窒化物半導体用基板上に成長させたＧａＮ半導体
前記（１−２）において、窒化物半導体用基板１０上に結晶構造を持つ窒化珪素が形成されていることが確認された。従来の（窒化を行わない）アモルファスの石英ガラス基板上に直接ＧａＮを成長させる場合に比べて、結晶構造を持つ窒化珪素上にＧａＮを成長させるとＧａＮの結晶性が向上することが期待される。そこで、前記窒化物半導体用基板１０上にＧａＮの結晶を成長させた。
【００２５】
（２−１）窒化物半導体用基板上へのＧａＮ半導体作成方法
前記と同じＥＣＲ−ＭＢＥ装置を用いた。ＥＣＲ装置に流量３０ｓｃｃｍで流入させた窒素ガスに８０Ｗのマイクロ波を照射することにより生成された窒素プラズマ１５と、ＭＢＥ装置のＧａセルを９２０℃に加熱することにより生成されたＧａ分子線１６を、４５０℃に加熱し２０Ｖのバイアス電圧を印加した窒化物半導体用基板１０に２０分間照射した（図５（ａ））。これにより、窒化珪素層１２上にＧａＮバッファ層１３が形成された（ｂ）。
【００２６】
さらに、ＥＣＲ装置に流量３０ｓｃｃｍで流入させた窒素ガスに１２０Ｗのマイクロ波を照射することにより生成された窒素プラズマ１５と、ＭＢＥ装置のＧａセルを９８０℃に加熱することにより生成されたＧａ分子線１６を、７００℃に加熱し２０Ｖのバイアス電圧を印加した窒化物半導体用基板１０上のＧａＮバッファ層１３に２時間照射した（ｂ）。これによりＧａＮバッファ層１３上にＧａＮエピタキシャル層１４が形成され、２層構造のＧａＮ半導体が得られた（ｃ）。
【００２７】
（２−２）作製されたＧａＮ半導体の評価
本実施例で窒化物半導体用基板１０を用いて作製されたＧａＮ半導体（ＧａＮエピタキシャル層１４形成後）のサンプルと、作製途上でありＧａＮバッファ層１３形成後のサンプルについて評価を行った。また、比較例として、窒化を行わない石英ガラス基板上に作製したＧａＮ半導体のサンプルに対しても同様の評価を行った。なお、比較例のサンプルの作成条件は、窒化物半導体用基板１０の代わりに石英ガラス基板を用いること以外、（２−１）と同じとした。
【００２８】
ＧａＮバッファ層１３形成後のサンプルのＲＨＥＥＤパターンを図６（ａ）に、ＧａＮエピタキシャル層１４形成後のサンプルのＲＨＥＥＤパターンを図７（ａ）に示す。また、比較例として、石英ガラス基板表面の窒化を行わず（窒化珪素層１２を形成せず）にＧａＮバッファ層１３を形成したサンプルのＲＨＥＥＤパターンを図６（ｂ）に、同じく窒化を行わずにＧａＮエピタキシャル層１４を形成したサンプルのＲＨＥＥＤパターンを図７（ｂ）に示す。
【００２９】
図６、図７のＲＨＥＥＤパターンから、石英ガラス基板表面の窒化を行なっていないサンプルでは、ＧａＮバッファ層１３形成後及びＧａＮエピタキシャル層１４形成後共にリングパターンが現れていることがわかる。これは、ＧａＮのｃ軸配向が揺らいでいることを示している。これに対し、石英ガラス基板表面の窒化を行なったサンプルでは、スポット状のＧａＮ［１１−２０］方向と［１−１００］方向の回折パターンが混在していることが確認でき、ＧａＮのｃ軸が基板に対して垂直に揃っていることがわかる。石英ガラス基板上のＧａＮバッファ、エピタキシャル層成長後において、このようなｃ軸配向性が良いことを反映したＲＨＥＥＤパターンが得られたのは、この窒化を行なったサンプルが最初である。また、窒化を行なったサンプルは窒化を行なっていないサンプル同様、ＲＨＥＥＤ測定時に基板回転により電子線入射方向を変化させても回折パターンは変化しなかったことから、ＧａＮはｃ面内ではａ軸方向がランダムな多結晶であることがわかった。
【００３０】
石英ガラス基板表面の窒化なし・窒化ありの条件でそれぞれＧａＮエピタキシャル層１４形成を行なった２つのサンプルのＸ線回折（ＸＲＤ）測定結果を図８、図９に示す。図８のω−２θスキャン測定結果では、ＧａＮ（０００２）、（０００４）面の回折ピークが得られ、他の面からのピークがないことから、両サンプルのＧａＮはｃ軸配向性をもっていることがわかる。しかし、図７のＲＨＥＥＤパターンから明らかなように、窒化なしサンプルのＧａＮのｃ軸配向性は弱いと考えられる。そこで、ｃ軸配向性の強さを知るためＧａＮ（０００２）面のＸ線ωスキャンを行なった結果が図９である。その結果、窒化ありサンプルでは、半値全幅（ＦＷＨＭ）：４８．９ａｒｃｍｉｎが得られた（図９（ａ））。それに対し、窒化なしサンプルではピークは得られなかった。従来のサンプル（窒化なし）では、ｃ軸配向性が悪いため図９（ｂ）のようにＸ線ωスキャンを行なってもピークが得られない。このことを考えると、窒化を行なうことにより、多結晶ＧａＮのｃ軸配向性を大きく改善することができるといえる。
【００３１】
次に、石英ガラス基板表面の窒化を行っていないサンプルと窒化を行ったサンプルのエピタキシャル層１４成長後の表面ＳＥＭ像を図１０に、断面ＳＥＭ像を図１１に示す。窒化を行なったサンプルでは柱状ドメインのｃ軸配向性が良好であることが見た目でも確認できる。また、両サンプル共にＧａ−ｒｉｃｈ条件で成長しているため、柱状ドメイン間にＧａの存在を確認することができる。また、膜厚は両サンプル共に、約６００ｎｍであった。
【００３２】
図１２は石英ガラス基板表面の窒化を行っていないサンプルと行ったサンプルの室温におけるＣＬスペクトルである。両サンプル共にバンド端からの鋭い発光が得られた。窒化を行っていないサンプルでは、３．２ｅＶ付近に立方晶からの発光がわずかに見られるが、窒化を行ったサンプルでは立方晶からの発光は見られなかった。このＣＬ像からは、両サンプル共に柱状ドメインが発光に寄与していることが分った。特に本発明の窒化を行ったサンプルでは柱状ドメインからのみ発光が得られた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の窒化物半導体用基板の作製方法を説明する図。
【図２】石英ガラス基板窒化前と窒化後の基板のＸＲＨＥＥＤパターンを表す図。
【図３】石英ガラス基板窒化前と窒化後の基板のＸＰＳ測定の結果を表す図。
【図４】窒化後の基板を、Ｓｉ−Ｎ−Ｏ層を含めて表す図。
【図５】窒化物半導体用基板上にＧａＮ半導体層を作製する方法を説明する図。
【図６】ＧａＮバッファ層１３形成後のサンプルのＲＨＥＥＤパターンを表す図。
【図７】ＧａＮエピタキシャル層１４形成後のサンプルのＲＨＥＥＤパターンを表す図。
【図８】ＧａＮエピタキシャル層１４形成後のサンプルに対するＸＲＤの２θ−ωスキャンの結果を表す図。
【図９】ＧａＮエピタキシャル層１４形成後のサンプルに対するＸＲＤのωスキャンの結果を表す図。
【図１０】ＧａＮエピタキシャル層１４形成後のサンプルの表面ＳＥＭ像。
【図１１】ＧａＮエピタキシャル層１４形成後のサンプルの断面ＳＥＭ像。
【図１２】ＧａＮエピタキシャル層１４形成後のサンプルの室温におけるＣＬスペクトルを表す図。
【符号の説明】
１１…石英ガラス基板
１２…窒化珪素層
１２１…Ｓｉ−Ｎ−Ｏ層
１３…ＧａＮバッファ層
１４…ＧａＮエピタキシャル層
１５…窒素プラズマ
１６…Ｇａ分子線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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