(57)【要約】【課題】ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量で記録線速が１．０倍速から１０倍速以上までの広い記録スピードの範囲においても、十分な変調度が確保され、かつ保存信頼性が高くＤＯＷ（ダイレクトオーバーライト）特性が良好な相変化型光記録媒体の提供。【解決手段】透明基板上に、少なくとも、第１保護層、記録層、第２保護層、反射層をこの順に有し、該記録層にレーザ光を照射することによって、記録材料に可逆的な相変化を生じさせ、その光学的変化を利用して、情報の記録再生を行う書換え可能な光記録媒体において、該記録層は少なくともＧａとＳｂを含み、用いるレーザ光の波長が６３０〜７００ｎｍのときに未記録部の反射率Ｒｇが、１２％≦Ｒｇ≦３０％、という条件を満足することを特徴とする光記録媒体。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に、少なくとも、第１保護層、記録層、第２保護層、反射層をこの順に有し、該記録層にレーザ光を照射することによって、記録材料に可逆的な相変化を生じさせ、その光学的変化を利用して、情報の記録再生を行う書換え可能な光記録媒体において、該記録層は少なくともＧａとＳｂを含み、用いるレーザ光の波長が６３０〜７００ｎｍのときに未記録部の反射率Ｒｇが、１２％≦Ｒｇ≦３０％、という条件を満足することを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
用いるレーザ光の波長が６３０〜７００ｎｍ、用いる光学系のレンズＮＡが０．６０以上、記録線速度（Ｖ）の範囲が、３ｍ／ｓ＜Ｖ≦４０ｍ／ｓである時に、記録マークの反射率Ｒｂと未記録部の反射率Ｒｇの変調度Ｍ〔但し、Ｍ＝（Ｒｇ−Ｒｂ）／Ｒｇ〕が０．４以上の条件を満足することを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】
第１保護層、記録層、第２保護層、反射層の各膜厚は、用いるレーザ光の波長をλとして、次の条件を満足することを特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体。
第１保護層の膜厚  ｔ１：０．０７０≦ｔ１／λ≦０．１６
記録層の膜厚      ｔ２：０．０１５≦ｔ２／λ≦０．０３２
第２保護層の膜厚  ｔ３：０．０１１≦ｔ３／λ≦０．０４０
反射層の膜厚      ｔ４：  ０．１０≦ｔ４／λ
【請求項４】
記録層の材料の組成式を、ＭγＧａαＳｂβ（α、β、γは原子比、ＭはＧａ、Ｓｂ以外の元素又はそれらの混合物）として、０．０５≦α≦０．２、０．８≦β≦０．９５、０＜γ≦０．１、α＋β＋γ＝１であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の光記録媒体。
【請求項５】
Ｍが、Ｇｅ、又はＧｅと、Ｉｎ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎよりなる群から選ばれた少なくとも１種の元素の混合物である事を特徴とする請求項４記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ビームを照射することにより記録層材料に光学的な変化を生じさせ、情報の記録、再生を行ない、かつ書換えが可能な相変化型光記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
特許文献１にはＧａとＳｂを含む記録層を有する相変化型光記録媒体が開示されている。
また、本発明者らは、特許文献２において、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量以上の高密度記録が可能で、更にこの２倍速以上（約７ｍ／ｓ以上）までをカバーできる、具体的には３．０ｍ／ｓから１４ｍ／ｓという高記録線速度までの範囲で記録可能な相変化型光記録媒体及びこの記録媒体にＣＡＶ記録或いは記録媒体の記録半径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録を行う記録方法について開示した。
特許文献２において開示された、現在のＤＶＤ＋ＲＷで用いられている記録材料は、ＣＤに採用されているＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録材料を改良し、高線速記録領域（記録線速度＝約８．５ｍ／ｓ）までの記録消去を可能にしたものである。
【０００３】
この材料系は、高線速記録領域の記録スピードに対応するためＳｂの含有量をＣＤ−ＲＷ対応の記録材料より多くしたものであるが、高Ｓｂ組成比の材料は結晶化スピードを促進するものの、結晶化温度が低下するという問題を有し、結晶化温度の低下は保存信頼性の悪化につながることが実験により確認されている。
ディスクの保存信頼性の問題は、記録材料中のＡｇの増量、或いはＧｅなどの第５元素の添加により、実用上問題にならない程度に抑えられているが、一層の高線速記録を達成するために、更にＳｂ量を増加すると、ついにはＳｂとその他の相に分相してしまい、記録層が相変化層として機能しなくなってしまう。
本発明者らは、このときの限界記録スピードは、ＤＶＤの記録密度において、２０ｍ／ｓ前後であると推定している。
【０００４】
【特許文献１】
特公平３−５５８９２号公報
【特許文献２】
特開２０００−３２２７４０号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量で記録線速が１．０倍速から１０倍速以上までの広い記録スピードの範囲においても、十分な変調度が確保され、かつ保存信頼性が高くＤＯＷ（ダイレクトオーバーライト）特性が良好な相変化型光記録媒体の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、次の１）〜５）の発明（以下、本発明１〜５という）によって解決される。
１）  透明基板上に、少なくとも、第１保護層、記録層、第２保護層、反射層をこの順に有し、該記録層にレーザ光を照射することによって、記録材料に可逆的な相変化を生じさせ、その光学的変化を利用して、情報の記録再生を行う書換え可能な光記録媒体において、該記録層は少なくともＧａとＳｂを含み、用いるレーザ光の波長が６３０〜７００ｎｍのときに未記録部の反射率Ｒｇが、１２％≦Ｒｇ≦３０％、という条件を満足することを特徴とする光記録媒体。
２）  用いるレーザ光の波長が６３０〜７００ｎｍ、用いる光学系のレンズＮＡが０．６０以上、記録線速度（Ｖ）の範囲が、３ｍ／ｓ＜Ｖ≦４０ｍ／ｓである時に、記録マークの反射率Ｒｂと未記録部の反射率Ｒｇの変調度Ｍ〔但し、Ｍ＝（Ｒｇ−Ｒｂ）／Ｒｇ〕が０．４以上の条件を満足することを特徴とする１）記載の光記録媒体。
３）  第１保護層、記録層、第２保護層、反射層の各膜厚は、用いるレーザ光の波長をλとして、次の条件を満足することを特徴とする１）又は２）記載の光記録媒体。
第１保護層の膜厚  ｔ１：０．０７０≦ｔ１／λ≦０．１６
記録層の膜厚      ｔ２：０．０１５≦ｔ２／λ≦０．０３２
第２保護層の膜厚  ｔ３：０．０１１≦ｔ３／λ≦０．０４０
反射層の膜厚      ｔ４：  ０．１０≦ｔ４／λ
４）  記録層の材料の組成式を、ＭγＧａαＳｂβ（α、β、γは原子比、ＭはＧａ、Ｓｂ以外の元素又はそれらの混合物）として、０．０５≦α≦０．２、０．８≦β≦０．９５、０＜γ≦０．１、α＋β＋γ＝１であることを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の光記録媒体。
５）  Ｍが、Ｇｅ、又はＧｅと、Ｉｎ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎよりなる群から選ばれた少なくとも１種の元素の混合物である事を特徴とする４）記載の光記録媒体。
【０００７】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
現在のＤＶＤ系の記録材料に関しては、２．５Ｘのスピード（記録線速度＝約８．５ｍ／ｓ）において記録ができるシステムが既に市販され、更に高速記録の要求が高まってきている。
そこで、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量以上の高密度記録が可能で、更にこの１０倍速以上（約３５ｍ／ｓ以上）までをカバーできる相変化型光記録媒体に関して、本発明者らが記録材料の開発を行った結果、ＧａとＳｂの共晶組成近傍の組成が好適であることが分った。
この材料系は、１９８０年代半ばにＣＤ−ＲＯＭと反射率互換性を有する書換え型光ディスクの開発が行われた際に提案されたものであると考えられるが、別にＡｇＩｎＳｂＴｅ系の低反射媒体が提案されたため、この材料系は実用化されなかった経緯がある。
【０００８】
ＧａＳｂ系材料の特徴として挙げられるのは、前述したＡｇＩｎＳｂＴｅ系材料の融点が５００〜６００℃程度であるのに対し、７００℃前後の比較的高い融点を持つことである。そして、この材料系を用いたＣＤ−ＲＯＭと反射率互換性を有する書換え型光ディスクの反射率の目標値は約７０％以上であったため、記録材料が吸収可能な光エネルギーが小さく、充分な変調度を得ることが困難であったことが予想される。
更にまた、ＣＤ系の記録システムは、ＬＤ（レーザーダイオード）光の波長が７８０ｎｍ、レンズＮＡは０．４５である。このため記録に用いる光ビームのスポットは、現在ＤＶＤに用いられているものより約１．７倍大きく、光エネルギー密度は低い。従って、上記反射率条件と相俟って、記録材料の相変化に必要な融点近傍の温度領域までの昇温が困難であったことが考えられる。
【０００９】
しかしながら鋭意検討の結果、本発明者らは、前述のようにＡｇＩｎＳｂＴｅ系の限界記録スピードが２０ｍ／ｓ前後であるのに対し、ＧａＳｂ系においては、レンズＮＡ＝０．６５前後のＤＶＤ系の記録システムを用い、更に用いるレーザ光の波長が６３０〜７００ｎｍのときのディスクの未記録部の反射率をＲｇとして、１２％≦Ｒｇ≦３０％、という条件を満足させれば、この２元材料のみでも約３５ｍ／ｓまでの記録スピードにおいて充分な変調度が得られることを実験により確認した。
このような条件を満足させるためには、例えば第２保護層と反射層の膜厚を本発明３で限定する光学膜厚条件を満足する範囲内とし、主に記録層と第１保護層の膜厚をコントロールすればよい。特に波長が決められた場合には記録層と保護層の膜厚はごく限られた範囲からの選択となるため、これらの層の膜厚を設定することは容易である。
【００１０】
例えば、上記Ｒｇの範囲内で反射率を高くしようとする場合には、記録層と第１保護層の膜厚を厚く設定することにより解決できる。しかし、本発明３で限定する膜厚条件を外れた記録層の膜厚を設定すると、第１保護層による反射率制御が上記Ｒｇの範囲内では難しくなってしまうため、記録層の膜厚は、本発明３で限定する範囲が好ましい。なお、記録膜の膜厚を本発明３で限定する範囲に設定すると、第１保護層の膜厚は、本発明３で限定する第１の膜厚範囲以外に、それよりも膜厚が大きい第２の膜厚範囲、第３の膜厚範囲が存在するようになる。
しかし、第２、第３の膜厚範囲は、第１の場合よりも膜厚が厚く、１枚当りの製造時間が長くなるため、光ディスクの製造の観点からみると、第１の膜厚範囲が低コストのディスクを実現するには有利である。従って、本発明３で限定する膜厚範囲が好ましい。
【００１１】
反射率は、ディスク内の光エネルギーの吸収率を変化させるので、ディスクの記録特性を左右する重要な特性であり、その値によっては次のような現象を生ずる。即ち、Ｒｇが３０％を越える場合には、記録エネルギーが不足し、十分な変調度が得られず、１２％未満の場合には、記録システム上十分な信号強度が得られない。
第２保護層と反射層は上述したディスク内で吸収した光エネルギー（吸収の主体は記録層材料である）を効率よく反射層に伝播し、放熱させる役目があるため、第２保護層はあまり厚くしない方が好ましく、本発明３で限定する膜厚範囲が好ましい。これより厚い場合には、記録層に熱がこもって記録マークがぼやけてしまい、記録特性、特にジッタ特性が悪くなってしまう。また、これより薄いと、記録層で吸収した光エネルギーが蓄積されて記録層を溶融し記録マークを作るという相変化記録の原理を発揮できる熱量となる前に反射層に放熱されてしまうため、十分な記録特性が得られなくなってしまうという不具合を生ずる。
【００１２】
また、記録システムに用いる波長により光ビームのパワー密度が変わるため、第２保護層の膜厚を変える必要があるが、膜厚を前記光学膜厚の条件を満足する範囲内とすることで解決できる。このことは、他の層の膜厚条件にも当てはまる事項である。
ここでジッタ特性は、チャネル周期Ｔｗに対するマークエッジのばらつきσ／Ｔｗで評価したものである。
反射層は上述したようにディスク内で吸収した光エネルギー（吸収の主体は記録層材料である）を放熱させる役割と光ディスクに入射した光を反射させる役割とを持つが、ある膜厚条件以上であればどちらの目的も達成される。
本発明者らの実験からは、反射層の膜厚は、６０ｎｍ程度以上であれば良い結果が得られた。厚い方の限界値は特に存在せず、ディスクの製造コストの観点から許容される範囲内の膜厚にすれば良いが、約３００ｎｍ以下が妥当であると考える。
【００１３】
記録層材料については、ＧａとＳｂの混合物であって、ＧａやＳｂの組成比が、本発明４に規定する条件を満足する場合には、繰り返しオーバーライトしてもジッタ特性が良く、保存安定性において問題のないディスクが得られるが、相変化媒体の記録再生システムを想定した場合、変調度が不足気味となる場合がある。
例えば、現在、記録型のＤＶＤにおいて用いられているような、ＮＡ０．６５、波長６６０ｎｍの評価システムで記録テストを行った際の、最大マーク長の記録マークの信号レベルＩＬと最大スペース長のスペース部の信号レベルＩＨの差から得られる変調度を
変調度Ｍ＝（ＩＨ−ＩＬ）／ＩＨ
とすると、現在の光ディスクシステムの仕様では変調度が約０．５以上とされているのに対し、前述した各層の膜厚のうち、特に第１保護層の膜厚が大きい場合には変調度が０．４未満となってしまう場合がある。
【００１４】
このような場合には、第１保護層の膜厚範囲を変調度が０．４以上となるように設定し、第１保護層と記録層の膜厚をコントロールすることによって問題が解決できる。しかし、記録層に対し、Ｇｅ単体、或いは、Ｇｅと、Ｉｎ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎよりなる群から選ばれた少なくとも１種の元素の混合物を添加することによってもこの問題を解決できる。
この添加元素の組成比は、本発明４で限定する範囲であれば十分である。
例えば、本発明者等は、ＧａＳｂに対し、ＩｎやＧｅを原子比で３％程度添加することによって、変調度を約１０％程度向上できることを確認した。本発明５に示す元素も同様な効果を発揮する。更に、これらの元素の添加によりＧａＳｂのみの記録層の光ディスクより一層保存安定性が向上することや、記録に要する記録パワーが少なくて済むなど、記録システム上扱い易い記録媒体が得られることも確認した。各元素の添加は、記録システムの要求により、最適化すれば良い。
【００１５】
図１は本発明に係る光記録媒体（ディスク）の基本的な構成を示す概略図であり、図１（ａ）は、一部を切り欠いた状態の斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）の切り欠き部の概略断面図である。
透明基板の材料としては、ポリカーボネートの他に、ポリメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、或いはこれらの骨格を化学修飾した樹脂などを用いることができる。
また、本発明１の第１保護層（誘電体層）、記録層、第２保護層（誘電体層）、反射層の各層は、単層でもよいが、多層構成としても良い。
これらの層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法等により形成できる。
更に、オーバーコート層上に、必要に応じて上記透明基板と同じ材料からなる第２透明基板を貼り合わせてもよい。
【００１６】
【実施例】
以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではなく、製造条件も適宜変更可能である。なお、各実施例及び比較例の光記録媒体の記録特性を表１に纏めて示す。
【００１７】
実施例１
ピッチサイズ０．７４μｍで、蛇行量が３５ｎｍ、グルーブ幅０．２５μｍの蛇行溝を有する厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に、ＳｉＯ２２０モル％のＺｎＳ・ＳｉＯ２混合ターゲットを用いた厚さ７０、７３、７５ｎｍの第１誘電体層（第１保護層）、Ｇａ０．１Ｓｂ０．９からなる厚さ１７ｎｍの記録層、第１誘電体層と同じ材料を用いた厚さ１２ｎｍの第２誘電体層、ＳｉＣターゲットを用いた厚さ５ｎｍの第３誘電体層、Ａｇターゲットを用いた厚さ１２０ｎｍの反射層を、この順にスパッタ法で成膜し、反射層の上に紫外線硬化樹脂層（オーバーコート層）をスピンコーティングした後、厚さ０．６ｍｍの第２ポリカーボネート基板を紫外線硬化型の樹脂により貼り合わせ、次いで、１３０Ｗ・ｓｅｃ／ディスクのパワー条件にてレーザダイオード光でアニール（初期化）し、スパッタ直後にアモルファスであった記録材料を結晶化して光記録媒体を作成した（なお、本実施例では第２保護層を第２誘電体層と第３誘電体層の２層構成とした）。
スパッタ装置による各層の製膜条件は次の通りである。
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上記のようにして得られた記録媒体に対して、書き込みレーザ光波長６５０〜６６５ｎｍ、レンズＮＡ０．６５の記録システムを用いてＤＶＤと同等の密度になるように記録を行ったところ、記録可能な線速範囲は６ｍ／ｓ〜４０ｍ／ｓという広い範囲であった。
なお、未記録部分の反射率Ｒｇと記録マークの反射率Ｒｂの変調度Ｍ〔Ｍ＝（Ｒｇ−Ｒｂ）／Ｒｇ〕が０．４以上の条件を満足する場合に記録可能であると判断した。
【００１８】
実施例２
記録層材料をＧｅ０．０３（Ｇａ０．１Ｓｂ０．９）０．９７に変えた点以外は、実施例１と同様にして記録媒体を作成した。
この記録媒体に対し、実施例１と同じシステムを用いて記録を行ったところ、記録可能な線速範囲は４ｍ／ｓ〜３７ｍ／ｓという広い範囲であった。
更に、実施例１の媒体と一緒に高温高湿（８０℃、８５％）下の保存信頼性試験を行った結果、記録マークのジッタ特性の上昇が、実施例１の媒体では３００時間経過後に増加率５％であったのに対し、実施例２の媒体では増加率１％以下であり、Ｇｅの添加は保存信頼性向上に効果があることが分った。
Ｇｅの添加量は、原子比で０．１を超えると効果がなく、更に添加量の増加に伴い記録可能な線速範囲が低くなってしまうことも同時に確認された。
目標とする線速範囲にもよるが、Ｇｅの添加量は原子比で０．１以下、好ましくは０．０７以下が良い。
【００１９】
実施例３
記録層材料をＧｅ０．０３Ｉｎ０．０５（Ｇａ０．１Ｓｂ０．９）０．９２に変えた点以外は、実施例１と同様にして記録媒体を作成した。
この記録媒体に対し、実施例１と同じシステムを用いて記録を行ったところ、記録可能な線速範囲は６ｍ／ｓ〜４３ｍ／ｓという広い範囲であった。
実施例２の媒体よりも記録可能な線速範囲が広くなり、Ｉｎの添加は記録線速向上に効果があることが確認された。また、Ｉｎの代りにＭｎやＡｌを添加しても同等の効果が得られた。これらの元素の添加量は、目的とする線速にもよるが、あまり多く添加すると、連続再生の際にマークの結晶化がパワーの低い再生光でも起ってしまうため、原子比で０．１５以下、好ましくは０．１以下が良い。
【００２０】
実施例４
記録層材料をＧｅ０．０３Ａｇ０．０２（Ｇａ０．１Ｓｂ０．９）０．９５に変えた点以外は、実施例１と同様にして記録媒体を作成した。
この記録媒体に対し、実施例１と同じシステムを用いて記録を行ったところ、記録可能な線速範囲は４ｍ／ｓ〜３５ｍ／ｓであったが、実施例２の媒体よりも記録用レーザ光のパワーが約１０％小さい場合でも同等の変調度を得ることが可能となった。また、Ａｇの代りにＣｕ、Ａｕ又はＮを添加しても同等の効果が得られた。しかしこれらの元素の添加量は、目的とする線速にもよるが、あまり多く添加すると記録可能な線速範囲が狭くなってしまうため、原子比で０．０５以下、好ましくは０．０３以下が良い。
【００２１】
上記実施例１〜４と同じ層構成の光記録媒体について、基準クロックに対する記録マークエッジのばらつきを表すジッタ特性の記録線速依存性を評価した。
結果を図２に示す。図中の各ポイントの対象となる媒体は、実施例毎に反射率Ｒｇがなるべく同じになるように第１誘電体層の膜厚条件を変更して作成した。
記録可能か否かの判断ポイントの閾値をジッタ１０％とすると、３ｍ／ｓ＜Ｖ≦４０ｍ／ｓの線速範囲で記録可能であることが分る。
【００２２】
実施例５、比較例１
第１誘電体層の膜厚を１０５ｎｍに変えて反射率を上昇させた点以外は、実施例１と同様にして本実施例の光記録媒体を作成した。また、第１誘電体層の膜厚を１２０ｎｍとした点以外は、実施例１と同様にして比較例１の光記録媒体を作成した。
これらの光記録媒体に対し、記録線速３５ｍ／ｓ、記録波長６６０ｎｍで記録を行い評価した結果、本実施例の媒体の反射率Ｒｇは２７％台であった。更に、変調度Ｍが０．４以上という本発明２の条件を満たしていることが分った。この場合のジッタは閾値とした１０％以内であり、記録可能な範囲であった。
一方、比較例１の光記録媒体では、反射率Ｒｇが３０％を超え、更に変調度Ｍは０．４未満となってしまった。
これらの結果を図３に示す。図３は反射率Ｒｇと変調度Ｍに関する第１誘電体層の膜厚依存性を評価した結果を示したものである。
図から分るように、第１誘電体層の膜厚が１０８ｎｍ前後で本発明１のＲｇの上限値３０％を超え、本発明２のＭが０．４以上という条件を満足できなくなり、記録特性が悪化することが分る。更に、反射率Ｒｇや変調度Ｍには本発明３の第１保護層（誘電体層）の膜厚条件が大きく関係することが分る。
記録波長を６６０ｎｍとした場合の、本発明３の第１保護層の膜厚範囲の上限値は約１０６ｎｍであるから、これらの結果と整合している。
【００２３】
実施例６、比較例２
記録層の膜厚を１２〜２０ｎｍの間で変化させ、第１誘電体層の膜厚を６０ｎｍに変えた点以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作成し、記録波長６６０ｎｍでのＲｇを評価した。結果を図３に示すが、第１保護層の膜厚が約６０ｎｍのときに反射率Ｒｇは極小値を持ち、このときの反射率は１６％台であった。また、これらの条件では変調度Ｍは大きい値となり、ジッタ特性も良好であった。
一方、記録層の膜厚を８ｎｍとし、第１誘電体層の膜厚を６０ｎｍに変更した点以外は、実施例１と同様にして比較例２の光記録媒体を作成し、同様の評価を行った。この媒体は記録層膜厚を薄くしたことにより更に反射率Ｒｇが低下した。この様子を図４に示す。図から分るように、Ｒｇを１２％以上とするには記録層膜厚を約１０ｎｍ以上とする必要があるが、これは本発明３の記録層膜厚の下限条件とほぼ一致する。
また、図５に示すように、記録層膜厚が薄くなるに従い、ジッタ特性が大きくなり充分な記録特性が得られない。
一方、現状のＤＶＤなどの記録システムにおいては、記録パワーの点で記録層膜厚が２５ｎｍ程度以下までの条件でしか記録が出来ないため、本発明３で限定する記録層膜厚が好ましい上限値となる。
【００２４】
【表１】
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【００２５】
【発明の効果】
本発明１〜４によれば、ＤＶＤの１Ｘから１０Ｘ以上の広い範囲の記録スピードに対応する光記録媒体を実現できる。その結果、ユーザーがコンテンツの入力を行う際に短時間の記録が可能となり、またシステムによってはリアルタイムに再生しながら記録を行うことが可能となり、記録システムの利便性が向上する。
本発明５によれば、更に記録マークの変調度と保存安定性が向上し、記録に要する記録パワーが少なくて済む光記録媒体を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光記録媒体（ディスク）の基本的な構成を示す概略図。
（ａ）  一部を切り欠いた状態の斜視図
（ｂ）  （ａ）の切り欠き部の概略断面図
【図２】実施例１〜４の光ディスクの記録可能な線速範囲を示す図。
【図３】第１誘電体層膜厚と反射率Ｒｇ及び変調度Ｍの関係を示す図。
【図４】記録層膜厚と反射率Ｒｇの関係を示す図。
【図５】記録層膜厚とジッタの関係を示す図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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