(57)【要約】【課題】外部からの水分の浸入に対する耐湿性を高めると共に、占有面積の縮小化及び薄型化を図ることを目的とする。【解決手段】半導体パッケージ３０は、半導体素子搭載領域ＭＲが画定される側と反対側の面に撥水加工を施した配線基板１０と、樹脂からなり、半導体素子搭載領域ＭＲよりも大きい開口部を有するように成形された枠体２０とから構成され、配線基板１０と枠体２０は、半導体素子を収容するための凹部ＲＰを構成するように接着されている。また、片面に撥水加工を施した配線基板１０に代えて、水の浸入を防ぐ撥水性と水蒸気を透過させる透湿性を有する特定の材料からなる配線基板を用いてもよい。さらに、凹部ＲＰ内の半導体素子搭載領域ＭＲの下方の位置で、配線基板１０の底面又はその内側に、外部からの水分の吸湿を防止するためのシート状の金属部材を設けてもよい。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子搭載領域が画定される側と反対側の面に撥水加工を施した配線基板と、樹脂からなり、前記半導体素子搭載領域よりも大きい開口部を有するように成形された枠体とが、半導体素子を収容するための凹部を構成するように接着されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記配線基板の半導体素子搭載領域が画定される側と反対側の面に、前記配線基板を構成する絶縁体材料と比べて水分透過性の低い材料が塗布されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
水の浸入を防ぐ撥水性と水蒸気を透過させる透湿性を有する特定の材料からなる配線基板と、樹脂からなり、半導体素子搭載領域よりも大きい開口部を有するように成形された枠体とが、半導体素子を収容するための凹部を構成するように接着されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項４】
前記凹部内の半導体素子搭載領域の下方の位置で、前記配線基板の底面に、外部からの水分の吸湿を防止するためのシート状の金属部材が設けられていることを特徴とする請求項１又は３に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記凹部内の半導体素子搭載領域の下方の位置で、前記配線基板の内側に、外部からの水分の吸湿を防止するためのシート状の金属部材が埋設されていることを特徴とする請求項１又は３に記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記シート状の金属部材は、少なくとも前記半導体素子搭載領域と同じ大きさを有することを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体パッケージの前記凹部内の半導体素子搭載領域上に半導体素子が搭載され、
該半導体素子の各電極が、前記配線基板上で前記凹部の内側から外側に延在して形成された複数のリードの各内側部分にそれぞれボンディングワイヤにより電気的に接続され、
前記凹部の開口端部分が、キャップ部材により気密に封止されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記キャップ部材は、光透過性の材料からなることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を搭載するためのパッケージ（以下、便宜上「半導体パッケージ」という。）及び半導体装置に関し、特に、エポキシ樹脂などをモールド成形して形成される半導体素子収納用の凹部を有する半導体パッケージの耐湿性を高めるのに有用な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子収納用の凹部を有する半導体パッケージは、一般にエポキシ樹脂からなり、上面に半導体素子を収容するための凹部を有する絶縁基体と、この絶縁基体の凹部の内側から外側に延在する複数のリード（例えば、リードフレーム）と、当該絶縁基体の上面に封止材を介して接着され、当該絶縁基体の凹部を塞ぐキャップ部材とから構成されており、当該絶縁基体の凹部底面に半導体素子を接着剤を介して接着すると共に、該半導体素子の各電極を各リードの内側部分にボンディングワイヤを介して電気的に接続した後、当該絶縁基体の上面にキャップ部材を接着剤を介して接合させ、半導体素子を絶縁基体とキャップ部材とからなる容器内部に気密に封止することによって半導体装置となる。
【０００３】
しかしながら、かかる従来の半導体パッケージにおいては、絶縁基体がエポキシ樹脂からなり、このエポキシ樹脂は耐湿性に劣るため、絶縁基体とキャップ部材とからなる容器内部に半導体素子を気密に封止した後、大気中に含まれる水分もしくは水蒸気が絶縁基体を通して、半導体素子が収容されている凹部内に浸入し易い状態となる。凹部内に水分（水蒸気）が浸入すると、半導体素子の電極やボンディングワイヤ等に酸化腐食が発生し、電極やボンディングワイヤに断線が生じて半導体装置としての機能が損なわれるといった問題があった。
【０００４】
また、内部に収容する半導体素子がＣＣＤ（電荷結合素子）などの固体撮像素子の場合で、キャップ部材がガラス等の透明部材からなる場合には、容器内部に水分が浸入すると、キャップ部材に結露による曇りが発生し、固体撮像素子に良好な光電変換を起こさせることができないといった問題もあった。
【０００５】
かかる問題点に対処するため、従来、幾つかの技術が提案されている。その一つとして、吸湿性改善のため、半導体素子収納用の凹部を有する絶縁基体中に吸湿材を０．１〜５０重量％含有させたものがある（例えば、特許文献１参照）。また、半導体素子収納用の凹部を有する絶縁基体中にフィラーを６０〜９５重量％埋入させると共に、５〜３０重量％のフィラーに対し、容積が０．１〜２．０ｍｌ／ｇの細孔を形成したものがある（例えば、特許文献２参照）。さらに、半導体素子収納用の凹部を有する絶縁基体の底面又はそれより内側に、少なくとも半導体素子の底面と同じ大きさを有する蒸気不透過性の部材を形成又は埋設したものがある（例えば、特許文献３参照）。
【０００６】
【特許文献１】
特許第２７５０２５４号公報
【特許文献２】
特許第３０４６１９３号公報
【特許文献３】
特開平１０−７４８６５号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来の半導体素子収納用の凹部を有する半導体パッケージでは、外部からの水分の浸入に対する耐湿性の向上という面では有効であったが、リードフレームを両面から挟み込むようにしてモールド樹脂を成形してなる一体型のパッケージ構造であったため、リードのはみ出しを伴うモールディング（樹脂封止）を行う必要があり、また、パッケージ全面をモールド樹脂で覆う必要があった。このため、パッケージの占有面積が相対的に大きくなり、パッケージの厚さも相対的に厚くなるといった不利があった。
【０００８】
本発明は、かかる従来技術における課題に鑑み創作されたもので、外部からの水分の浸入に対する耐湿性を高めると共に、占有面積の縮小化及び薄型化を図ることができる半導体パッケージ及び半導体装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上述した従来技術の課題を解決するため、本発明の一形態によれば、半導体素子搭載領域が画定される側と反対側の面に撥水加工を施した配線基板と、樹脂からなり、前記半導体素子搭載領域よりも大きい開口部を有するように成形された枠体とが、半導体素子を収容するための凹部を構成するように接着されていることを特徴とする半導体パッケージが提供される。
【００１０】
この形態に係る半導体パッケージの構成によれば、最終的に凹部に半導体素子を搭載し、さらにキャップ部材で気密封止して半導体装置を構成したときに、配線基板の外側に露出する側の面、すなわち、半導体素子搭載領域と反対側の面には撥水加工が施されているので、この撥水性により、パッケージ外部からパッケージ内部に水分が浸入するのを効果的に防ぐことができる。つまり、半導体パッケージの耐湿性を高めることができる。
【００１１】
特に、搭載する半導体素子がＣＣＤ（電荷結合素子）などの固体撮像素子の場合には、パッケージ内部に微量の水分が浸入すると、固体撮像素子特有のオンチップレンズやカラーフィルタがその水分の影響を受けて、固体撮像素子の色再現特性が劣化し、その信頼性が低下する等の問題が起こり得る。しかし、本発明によれば、上記のようにパッケージ外部から内部に水分が浸入するのを効果的に防ぐことができるので、かかる問題が生じるのを防止することができる。
【００１２】
さらに、パッケージ外部からの水分の浸入を防ぐことができる配線基板と、半導体素子を収容する凹部を画定するための枠体との二体からなるパッケージ構造としているので、従来のようにリードフレームを両面から挟み込むようにしてモールド樹脂を成形してなる一体型のパッケージ構造とは違い、リードのはみ出しを伴うようなモールディング（樹脂封止）を行う必要がなく、パッケージ全面をモールド樹脂で覆う必要もない。これによって、パッケージの占有面積を相対的に小さくすることができ、パッケージの厚さ（配線基板の部分の厚さ）を相対的に薄くすることが可能となる。
【００１３】
また、本発明の他の形態によれば、水の浸入を防ぐ撥水性と水蒸気を透過させる透湿性を有する特定の材料からなる配線基板と、樹脂からなり、半導体素子搭載領域よりも大きい開口部を有するように成形された枠体とが、半導体素子を収容するための凹部を構成するように接着されていることを特徴とする半導体パッケージが提供される。
【００１４】
この形態に係る半導体パッケージの構成においても、上記の形態のように配線基板の片面に撥水加工を施しているか、あるいは本形態のように配線基板の材料自体に撥水性をもたせるかの違いはあるにせよ、上記の形態に係る半導体パッケージと同様の効果を奏することができる。
【００１５】
また、本発明の更に他の形態によれば、上記の各形態に係る半導体パッケージの前記凹部内の半導体素子搭載領域上に半導体素子が搭載され、該半導体素子の各電極が、前記配線基板上で前記凹部の内側から外側に延在して形成された複数のリードの各内側部分にそれぞれボンディングワイヤにより電気的に接続され、前記凹部の開口端部分が、キャップ部材により気密に封止されていることを特徴とする半導体装置が提供される。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照しながら説明する。
【００１７】
図１は本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの構成を模式的に示したものである。図中、（ａ）は本実施形態に係る半導体パッケージ３０を平面的に見た構成、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ’線に沿って断面的に見た構成、（ｃ）は（ｂ）に示す断面図を簡略化して示した断面構成をそれぞれ示している。
【００１８】
本実施形態に係る半導体パッケージ３０は、該パッケージ３０の基体を構成する配線基板１０と、搭載する半導体素子を収容するための凹部（図中、ＲＰで示す部分）を画定するための枠体２０との二体からなるパッケージ構造としたことを特徴とし、さらに、配線基板１０の半導体素子搭載領域（図中、ＭＲで示す領域）が画定される側と反対側の面、すなわち、配線基板１０の最終的に外側に露出する側の面に撥水加工を施すか、あるいは配線基板１０の材料自体に撥水性をもたせたことを特徴としている。本実施形態に係る半導体パッケージ３０は、搭載する半導体素子として、特にＣＣＤなどの固体撮像素子を搭載することを意図している。しかし、搭載する半導体素子がかかる固体撮像素子に限定されないことはもちろんである。
【００１９】
半導体パッケージ３０の基体を構成する配線基板１０は、最終的に外側に露出する側の面（半導体素子搭載領域ＭＲが画定される側と反対側の面）に撥水加工を施すことができるような材料で構成されていれば十分であり、その構造や形態は必ずしも特定のものに限定されるものではない。例えば、プリント配線板として広く用いられているガラス布基材銅張積層板（ガラス布を基材とし、これにエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグと銅箔とを積層し接着した板）を用いてもよいし、あるいは、プリモールドタイプのパッケージのようにリードフレームがモールド樹脂によって支持された形態のものを用いてもよい。前者の形態のものを用いた場合、絶縁基材（樹脂）上に形成すべき配線パターン（リード）は、周知のアディティブ法やサブトラクティブ法などを用いて形成することができる。また、後者の形態のものを用いた場合、リードフレームの各リードは、当該リードフレームの材料である金属板（代表的には、銅（Ｃｕ）又はＣｕをベースにした合金、鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）又はＦｅ−Ｎｉをベースにした合金など）をプレス加工することで所要の形状に形成することができる。
【００２０】
本実施形態に係る半導体パッケージ３０では、配線基板１０としてガラス布基材銅張積層板を用い、図１（ｂ）に示すように２層配線構造としている。すなわち、図示の配線基板１０において、１１はガラス布を基材としてエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させてなるコア基板、１２はコア基板１１の所要の箇所に形成されたスルーホールの内壁を含めてコア基板１１の表面に所要の形状にパターニングされた導体層（本実施形態では、Ｃｕ層）、１３は導体層１２の所定の領域（すなわち、搭載する半導体素子の電極に接続されるボンディングワイヤを接続するためのパッドの領域と、外部接続端子として用いるはんだボールを接合するためのパッドの領域）を除いて導体層１２上に形成された保護膜としてのソルダレジスト層、１４はソルダレジスト層１３から露出している導体層１２上に形成された更なる導体層を示す。この導体層１４は、下地のＣｕ層（導体層１２）との密着性を高めるためのＮｉ層と、ボンディングワイヤの接続及びはんだボールの接合の際の密着性と共に導電性を高めるためのＡｕ層との２層構造（Ｎｉ／Ａｕ）からなっている。導体層（Ｃｕ層）１２とその上に形成された導体層（Ｎｉ／Ａｕ層）１４は、配線基板１０上で凹部ＲＰの内側から外側に延在して形成されたリードを構成する。
【００２１】
また、配線基板１０の片面（最終的に外側に露出する側の面）に撥水性をもたせるために、当該片面に、配線基板１０を構成する絶縁体材料（代表的には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂）と比べて水分透過性の低い材料（例えば、シリコーン、ワックスエマルジョンなど）を塗布している。
【００２２】
あるいは、配線基板１０の別の材料として、ゴアテックス〔ジャパンゴアテックス株式会社の登録商標名〕を好適に用いることができる。ゴアテックスは、周知のように多孔質構造を形成する空孔が連続しているために通気性がよく、水の浸入を防ぐ撥水性と、水蒸気を透過させる透湿性を併せもっており、また、ガラス布を使用していないためにレーザ等による穴明け処理が容易で、ビルドアップ工法用の薄膜プリプレグとして最適な材料である。従って、このゴアテックスを配線基板１０の材料として使用すれば、本発明がその目的の一つとして意図している半導体パッケージの「耐湿性の向上」を容易に実現することができる。ゴアテックスを配線基板１０の材料として用いた場合には、上記のように配線基板１０の片面（最終的に外側に露出する側の面）に撥水加工を施す必要はない。
【００２３】
一方、枠体２０についても、所要の形状（すなわち、図１（ａ）に示すように半導体素子搭載領域ＭＲよりも大きい開口部を有する形状）にモールド成形できる材料で構成されていれば十分であり、必ずしも特定の材料に限定されるものではない。本実施形態では、耐熱性、耐水性、加工性、接着性等の特性においてバランスのとれたエポキシ樹脂（熱硬化性樹脂）を使用している。しかし、使用する熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂に限定されないことはもちろんであり、例えば、ポリイミド樹脂等の他の熱硬化性樹脂を適宜用いてもよい。
【００２４】
本実施形態では、図１（ｂ）に示すように半導体素子収納用の凹部ＲＰを構成するように配線基板１０と枠体２０とを接着して半導体パッケージ３０を得るようにしている。この場合、枠体２０を配線基板１０と別個に成形しておき、その後、接着剤などにより枠体２０を配線基板１０に接着するようにしてもよいが、プロセスの簡単化の観点から以下の手法を用いるのが好ましい。先ず、配線基板１０の一方の面（図示の例では上側の面）に枠体２０として最終的に成形されるべき熱硬化性樹脂（本実施形態では、エポキシ樹脂）の形状に応じた凹部を有するモールディング金型（上型）と下型として使用するモールディング金型とを用意し、次に下型上に配線基板１０を搭載し、更にその上から上型により、当該凹部にエポキシ樹脂を充填しながら約２００℃の温度で加熱すると共に加圧する。これによって、図１（ｂ）に示すような配線基板１０に枠体２０が接着された半導体パッケージ３０を得ることができる。
【００２５】
図２は本実施形態に係る半導体パッケージ３０を用いた半導体装置の一構成例を断面図の形態で示したものである。
【００２６】
図示の半導体装置５０において、４０は半導体パッケージ３０の凹部ＲＰ内の半導体素子搭載領域（図１においてＭＲで示す領域）上に搭載された半導体素子を示す。この半導体素子４０は、その裏面（電極が形成されている側と反対側の面）を下にして、エポキシ系樹脂等の接着剤４１により半導体素子搭載領域に接着されている。また、４２は半導体素子４０の電極と露出しているリードの内側部分（すなわち、Ｎｉ／Ａｕ層１４（Ｃｕ層１２））とを電気的に接続するボンディングワイヤ、４３は凹部ＲＰの開口端部分を気密に封止するためのキャップ部材を示し、このキャップ部材４３は、エポキシ系樹脂等の接着剤４４により枠体２０の上端面に接着されている。なお、ボンディングワイヤ４２の材料としては、典型的にはＡｕやアルミニウム（Ａｌ）等が用いられるが、導電性を高めるためにＣｕ線にＡｕの被覆を施したものを用いてもよい。また、キャップ部材４３には光透過性の材料が用いられ、例えば、ガラス板や、アクリル樹脂などの透明樹脂板が用いられる。なお、図２には示していないが、半導体素子搭載側と反対側のソルダレジスト層１３から露出しているパッド、すなわち、Ｎｉ／Ａｕ層１４（Ｃｕ層１２）上には外部接続端子としてのはんだボールが接合される。
【００２７】
以上説明したように、本実施形態に係る半導体パッケージ３０（図１）及び該パッケージ３０を用いた半導体装置５０（図２）によれば、配線基板１０の外側に露出する側の面に撥水加工（シリコーンやワックスエマルジョンなどの塗布）が施されているので、この撥水性により、パッケージ外部からパッケージ内部に水分が浸入するのを効果的に防ぐことができる（耐湿性の向上）。特に、本実施形態ではＣＣＤなどの固体撮像素子を搭載することを意図しているので、従来技術に見られたような、固体撮像素子の色再現特性の劣化及びそれに基づく信頼性の低下といった問題を回避することができる。
【００２８】
図１（ｃ）はその効果を模式的に示したものである。図中、白抜きの太い矢印Ｐ１は、パッケージ外部からの水分（水蒸気）が、配線基板１０の撥水加工を施した面を透過することなく外部にはじかれている様子を示している。また、白抜きの太い矢印Ｐ２は、パッケージ内部（半導体素子収納用の凹部ＲＰ）からの水分（水蒸気）が、配線基板１０中を透過して外部に排出されている様子を示している。この矢印Ｐ２で示す機能は、配線基板１０の材料としてゴアテックスを使用した場合に特に顕著に表れる。
【００２９】
また、パッケージ外部からの水分の浸入を防ぐことができる配線基板１０と、半導体素子４０を収容する凹部ＲＰを画定するための枠体２０との二体からなるパッケージ構造としているので、従来のようにリードフレームを両面から挟み込むようにして熱硬化性樹脂を成形してなる一体型のパッケージ構造とは違い、リードのはみ出しを伴うようなモールディング（樹脂封止）を行う必要がなく、パッケージ全面を熱硬化性樹脂で覆う必要もない。その結果、パッケージ３０の占有面積を相対的に小さくすることができ、また、パッケージ３０の厚さ（配線基板１０の部分の厚さ）を相対的に薄くすることが可能となる。ちなみに、従来のパッケージ構造ではその厚さが０．６ｍｍ〜０．７ｍｍ程度であったのに対し、本実施形態に係るパッケージ構造では、その厚さを０．６ｍｍ〜０．３５ｍｍ程度に薄くすることができた。
【００３０】
図３〜図６は、上述した実施形態に係る半導体パッケージ３０（図１）の各種変形例を示したものである。
【００３１】
図３は、図１の実施形態の第１の変形例に係る半導体パッケージの構成を、図１（ｃ）の例示と同様に簡略化して示した断面図である。図示の半導体パッケージ３０ａは、図１に示した半導体パッケージ３０と比べて、配線基板１０ａ上で凹部ＲＰの内側から外側に延在して形成されたリード（Ｃｕ層１２、Ｎｉ／Ａｕ層１４）の外側部分がパッケージ外部に露出している点で相違する。他の構成及びその機能については、基本的に図１の実施形態の場合と同じであるのでその説明は省略する。この半導体パッケージ３０ａについても、図１の実施形態の場合と同様の効果を奏することができることは理解されるであろう。
【００３２】
図４は、図１の実施形態の第２の変形例に係る半導体パッケージの構成を、図１（ｃ）の例示と同様に簡略化して示した断面図である。図示の半導体パッケージ３０ｂは、図１に示した半導体パッケージ３０と比べて、配線基板１０ｂ上で凹部ＲＰの内側から外側に延在して形成されたリード（Ｃｕ層１２、Ｎｉ／Ａｕ層１４）の外側部分がパッケージ外部に露出している点、枠体２０のサイズを配線基板１０ｂのサイズと等しくした点で相違する。他の構成及びその機能については、基本的に図１の実施形態の場合と同じであるのでその説明は省略する。この半導体パッケージ３０ｂについても、図１の実施形態の場合と同様の効果を奏することができることは理解されるであろう。
【００３３】
図５は、図１の実施形態の第３の変形例に係る半導体パッケージの構成を、図１（ｃ）の例示と同様に簡略化して示した断面図である。図示の半導体パッケージ３０ｃは、図１に示した半導体パッケージ３０と比べて、凹部ＲＰ内の半導体素子搭載領域の下方の位置で配線基板１０ｃの底面に、パッケージ外部からの水分（水蒸気）の透過又は吸湿を防止するためのシート状の金属部材（本実施形態では、Ｃｕ板又はＣｕ層１５）が設けられている点で相違する。このＣｕ板又はＣｕ層１５は、少なくとも半導体素子搭載領域を含む大きさを有している。他の構成及びその機能については、基本的に図１の実施形態の場合と同じであるのでその説明は省略する。この半導体パッケージ３０ｃについても、図１の実施形態の場合と同様の効果を奏することができることは理解されるであろう。
【００３４】
図６は、図１の実施形態の第４の変形例に係る半導体パッケージの構成を、図１（ｃ）の例示と同様に簡略化して示した断面図である。図示の半導体パッケージ３０ｄは、図１に示した半導体パッケージ３０と比べて、凹部ＲＰ内の半導体素子搭載領域の下方の位置で配線基板１０ｄの内側に、図５に例示したものと同様の機能を有するシート状の金属部材（Ｃｕ板又はＣｕ層１６）が埋設されている点で相違する。この場合、配線基板１０ｄの内側に埋設されるＣｕ板又はＣｕ層１６の形態としては、例えば、配線基板１０ｄを４層以上の多層配線構造として、内部の導体層（Ｃｕ層）の一部を吸湿（透過）防止部材として利用することができる。他の構成及びその機能については、基本的に図１の実施形態の場合と同じであるのでその説明は省略する。この半導体パッケージ３０ｄについても、図１の実施形態の場合と同様の効果を奏することができることは理解されるであろう。
【００３５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、基体を構成する配線基板と、半導体素子収納用の凹部を画定するための枠体との二体からなるパッケージ構造とし、さらに、配線基板の最終的に外側に露出する側の面に撥水加工を施し、あるいは配線基板の材料自体に撥水性をもたせることにより、外部からの水分の浸入に対する耐湿性を高めることができると共に、占有面積の縮小化及び薄型化を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの構成を示す図である。
【図２】図１の半導体パッケージを用いた半導体装置の構成を示す断面図である。
【図３】図１の実施形態の第１の変形例に係る半導体パッケージの構成を簡略化して示した断面図である。
【図４】図１の実施形態の第２の変形例に係る半導体パッケージの構成を簡略化して示した断面図である。
【図５】図１の実施形態の第３の変形例に係る半導体パッケージの構成を簡略化して示した断面図である。
【図６】図１の実施形態の第４の変形例に係る半導体パッケージの構成を簡略化して示した断面図である。
【符号の説明】
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ…配線基板、
１１…コア基板（樹脂基材）、
１２…導体層（Ｃｕ層）、
１３…保護膜（ソルダレジスト層）、
１４…導体層（Ｎｉ／Ａｕ層）、
１５，１６…シート状の金属部材（Ｃｕ板、Ｃｕ層）、
２０…枠体（樹脂成形体）、
３０，３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ…半導体パッケージ、
４０…半導体素子、
４１，４４…接着剤、
４２…ボンディングワイヤ、
４３…キャップ部材、
５０…半導体装置、
ＭＲ…半導体素子搭載領域、
ＲＰ…半導体パッケージの凹部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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