(57)【要約】【課題】より薄いシート状の有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置は、水分や酸素などの内部への透過を阻止する保護層と成膜の支持層とを兼ねる基板（５１）と、下地層（１３）の上に成膜された、電気回路を担う薄膜回路層（２０）と有機ＥＬ発光体を担う有機ＥＬ発光層（３０）とを含む積層体と、上記積層体と上記基板とを接合する接着層（４１）と、を含み、上記有機ＥＬ発光体は上記下地層（１３）側に発光光を放射する。それにより、薄い有機ＥＬ表示装置を得ることができる。【選択図】  図１
2004349152.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水分や酸素などの内部透過を阻止する保護層と成膜の支持層とを兼ねる基板と、
下地層の上に成膜された、電気回路を担う薄膜回路層と前記下地層側に発光光を放射する有機ＥＬ発光体を担う有機ＥＬ発光層とを含む積層体と、
前記積層体と前記基板とを接合する接着層と、を含む有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
更に、前記下地層の一部を貫通してその下面に露出し、外部回路と前記電気回路との接続を行う接続電極を含む、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記下地層の膜厚は４００〜８００ｎｍを避けている請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置を表示部として備えた電子機器。
【請求項５】
第１の基板上に剥離層を形成する工程と、
前記剥離層の上にこの剥離層側に光を放出する有機ＥＬ発光層を含む積層体を形成する工程と、
前記積層体を形成した第１の基板と第２の基板とを接着層を介して接合する工程と、
前記剥離層にエネルギを付与して剥離を生じさせ、前記第１の基板を剥がして前記積層体を前記第２の基板側に転写する工程と、
を含む有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
第１の基板上に剥離層を形成する工程と、
前記剥離層の上にこの剥離層側に光を放出する有機ＥＬ発光層を含む積層体を形成する工程と、
前記積層体を形成した第１の基板と第２の基板とを接着層を介して接合する工程と、
前記第１の基板を溶解除去して前記積層体を前記第２の基板側に転写する工程と、
を含む有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は有機ＥＬ表示装置の改良に関し、特に、より薄く作製することを可能とした有機ＥＬ表示装置、これを使用する電子機器及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置等においては、基板上に所要の微細構造体や薄膜回路などの積層体を製造する際に高温処理等の工程を含むために、基板や積層体を構成する部材の選択に制限を受けることがある。例えば、樹脂膜やプラスチック基板などは高温処理には向かない。
【０００３】
そこで、例えば、特開２００２−２１７３９１号公報に記載の発明は、耐熱性の素子形成基板上に第１の剥離層を介して薄膜回路を形成し、この薄膜回路に第２の剥離層を介して仮転写基板を接着し、第１の剥離層を破壊して薄膜回路を素子形成基板側から仮転写基板側に移動する。更に、仮転写基板に最終基板を貼り合わせて第２の剥離層を破壊し、薄膜回路を仮転写基板側から最終基板側に転写する。これにより、素子形成基板上に形成した場合と同様の成膜順序で配置された薄膜回路をプラスチック基板上に得ることができる。ここで、薄膜回路には薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）回路、液晶表示器のＴＦＴ回路基板、有機ＥＬ表示装置なとが含まれる。
【０００４】
【特許文献】
特開２００２−２１７３９１号公報
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のように基板間で剥離転写を２回も繰り返して有機ＥＬ表示装置を最終基板に転写する場合には、製造工程数が増え、製造プロセスが複雑化する。
【０００５】
また、上述した剥離転写技術を使用することによって柔軟性の高いプラスチック薄膜の基板に有機ＥＬ表示装置を形成することも可能となる。これにより、シート状の薄い有機ＥＬ表示パネルを提供することが考えられるが、有機ＥＬ表示装置では発光素子への水分や酸素の侵入を防止するために上記プラスチック基板の他に発光素子群を覆って保護する封止基板を必要とする。このため、薄いプラスチック基板を使用したとしても表示パネル全体の厚さの低減には一定の限界がある。また、２つの基板間に存在する有機ＥＬ発光素子からの放射光は一方の基板を介して外部に出射するので当該基板を透過する際に通過ロスが生ずる。
【０００６】
よって、本発明は基板通過ロスを低減した有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【０００７】
また、本発明はより薄いシート状の有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【０００８】
また、本発明はこのような有機ＥＬ表示装置を使用した電子機器を提供することを目的とする。
【０００９】
また、本発明は上述のような有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため本発明の有機ＥＬ表示装置は、水分や酸素などの内部への透過を阻止する保護層と成膜の支持層とを兼ねる基板と、下地層の上に成膜された、電気回路を担う薄膜回路層と上記下地層側に発光光を放射する有機ＥＬ発光体を担う有機ＥＬ発光層とを含む積層体と、上記積層体と上記基板とを接合する接着層と、を含み、上記有機ＥＬ発光体は上記下地層側に発光光を放射する。
【００１１】
かかる構成とすることによって、１枚の基板を使用した薄い有機ＥＬ表示装置を得ることができる。また、基板を通らずに有機ＥＬ光を外部に放射することができるので基板通過による光量のロスや基板での多重反射を回避することができる。また、基板、接着層、下地層が保護層を形成することによって水分や酸素などの装置内部への侵入を抑制することができる。
【００１２】
好ましくは、上記下地層の一部を貫通してその下面に露出し、外部回路と上記電気回路との接続を行う接続電極を含む。それにより、外部回路との接続が容易になる。また、１回の剥離転写であっても接続端子の確保が可能となる。
【００１３】
好ましくは、上記下地層の膜厚は４００（青色）〜８００（赤色）ｎｍを避けている。より、好ましくは、３００ｎｍ以下とする。それにより、発光光（可視光）が下地層を通過するときに干渉を生じないようにすることが可能となる。
【００１４】
好ましくは、上記基板はプラスチック基板である。それにより、曲げや衝撃に強く、シート状の表示装置を得やすくなる。尤も、ガラス基板であっても良い。
【００１５】
好ましくは、上記下部接続電極及び上記上部接続電極相互間の接続は異方性導電材料又は導電性接着剤を介して行われる。それにより、外部回路と容易に接続を図ることができる。
【００１６】
好ましくは、上記下部接続電極は上記下地層と略面一に形成される。それにより、後の工程における取り扱いや配線接続を容易にすることが可能となる。
【００１７】
また、本発明の電子機器は、上述した有機ＥＬ表示装置を含むので表示部を薄型に構成することが容易となる。電子機器は、例えば、有機ＥＬ表示装置を表示部として用いるものであり、ビデオカメラ、テレビ、大型スクリーン、携帯電話、パーソナルコンピュータ、携帯型情報機器（いわゆるＰＤＡ）、その他各種のものが含まれる。
【００１８】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、第１の基板上に剥離層を形成する工程と、上記剥離層の上にこの剥離層側に光を放出する有機ＥＬ発光層を含む積層体形成する工程と、上記積層体を形成した上記第１の基板と第２の基板とを接着層を介して接合する工程と、上記剥離層にエネルギを付与して剥離を生じさせ、上記第１の基板を剥がして上記積層体を上記第２の基板側に転写する工程と、を含む。
【００１９】
また、本発明の他の態様に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、第１の基板上に剥離層を形成する工程と、上記剥離層の上にこの剥離層側に光を放出する有機ＥＬ発光層を含む積層体を形成する工程と、上記積層体を形成した第１の基板と第２の基板とを接着層を介して接合する工程と、上記第１の基板を溶解除去して上記積層体を上記第２の基板側に転写する工程と、を含む。
【００２０】
かかる構成とすることによって、上述した特徴を持つ有機ＥＬ表示装置を作成することができる。
【００２１】
好ましくは、上記積層体の下面の少なくとも一部に露出する接続電極を形成する工程を含む。それにより、外部回路との接続を容易にする。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２３】
実施例に係る有機ＥＬ表示装置は、ＴＦＴ回路層、有機ＥＬ発光層等を含む積層体を支持する基板が封止基板をも兼ねることによって、素子形成基板及び封止基板の２つの基板の内の一方を不要とする構成としている。このため、背面側に接続電極が露出するように積層体を形成して後述の１回転写によってこの積層体を最終基板に転写し、最終基板を積層体の支持基板及び封止基板として使用する。有機ＥＬ発光層からの放射光は積層体の背面側に出力され、ガラス基板などを介在しない。また、積層体の背面側に接続電極を利用して外部回路との接続が行われる。
【００２４】
図１は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置を説明する断面図である。
【００２５】
同図に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、薄膜回路層２０及び有機ＥＬ発光層３０を含む積層体が接着剤４１を介して基板５１に接合することによって形成されている。使用されている基板は基板５１のみであり、この基板５１が積層体の支持と保護（封止）とを兼ねている。接着剤４１は保護層を兼ね、耐湿性、耐通気性のものが使用される。また、薄膜回路層２０の下面の下地絶縁膜１３が保護層を兼ねている。
【００２６】
この構成によれば、有機ＥＬ発光層からの発光光はいわゆる素子形成基板の存在しない下方に放射され、基板通過の際に光量が低下することはない。また、薄膜回路層２０の下面に接続電極１８ｂが露出するようになされており、後述のように１回の剥離転写工程で製造することができる。従って、素子形成基板と保護基板とを使用する場合に比べて有機ＥＬ表示装置１を薄くすることができ、シート状の有機ＥＬ表示装置を作製することができる。発光光が基板を通過する際のロスも生じない。
【００２７】
また、同図には、有機ＥＬ表示装置１のうち、発光素子領域ＥＬ、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）回路領域ＴＦＴ、外部接続領域ＩＮ／ＯＵＴの部分が示されている。発光素子領域ＥＬには、エレクトロルミネセンス光（ＥＬ）を発生する有機ＥＬ表示素子が有機ＥＬ層３０によって形成されている。薄膜トランジスタ回路領域ＴＦＴには、有機ＥＬ表示素子の動作を制御するトランジスタ回路が薄膜回路層２０によって構成される。薄膜回路層２０及び有機ＥＬ層３０は、絶縁層、導電層、半導体層、発光層、電極層などの機能性膜を複数層積層してなる積層体によって形成されている。外部接続領域ＩＮ／ＯＵＴには薄膜回路層２０の下面に露出した接続電極１８ｂが設けられている。後述のように接続電極１８ｂは下地絶縁層の下面と面一になるように形成されている。接続電極１８ｂは内部の薄膜回路層２０に接続されると共に、異方性導電材料７１を含む接着剤７２を介してＦＰＣ基板（フレキシブル印刷配線基板）６１の配線６２と接続されている。有機ＥＬ表示装置１はＦＰＣ基板６１を介して外部から必要な電源や動作信号の供給を受ける。
【００２８】
薄膜回路層２０は、例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、その他絶縁基板からなる下地絶縁層１３の上にＴＦＴ回路を成膜してなる。下地絶縁層１３は保護層としての役割を担っている。図示の例では下地絶縁層１３を１層によって構成しているがこれを複数層によって構成してもよい。下地絶縁膜１１の膜厚は、４００ｎｍ〜８００ｎｍを避け、好ましくは３００ｎｍ程度の膜厚に設定される。これにより有機ＥＬ発光素子からの発光光（可視光）が下地絶縁層１３を通過する際に、下地絶縁層１３の膜厚が可視光の波長４００ｎｍ（青色）〜８００ｎｍ（青色）と近似することによって下地絶縁層で干渉が生じることを回避している。
【００２９】
図７は実施例の特徴をより明確にするための比較例を示している。同図において図１と対応する部分には同一符号を付し、かかる部分の説明は省略する。
【００３０】
比較例の構成では、素子形成基板１１上に薄膜回路層２０及び有機ＥＬ発光層３０が形成され、接着剤４１を介して封止基板５１が張り合わされている。薄膜回路層２０及び有機ＥＬ発光層３０は素子形成基板１１によって支持されると共に、素子形成基板１１及び封止基板５１によって封止されて水分や酸素等の侵入が防止されている。基板の外周は接着剤（硬化性樹脂）によって封止され、基板１１の外周部において外部回路との接続がＦＰＣ基板６１を介して行われている。
【００３１】
この例と比較して明らかであるように、図１に示す本実施例の構成によれば素子形成基板１１を使用しないので、有機ＥＬ表示装置の厚さを薄くすることができる。素子形成基板１１における光量の減衰や乱反射などをなくことができる。基板５１にプラスチックなどの可撓性に富むものを使用することができることから、有機ＥＬ表示装置を種々のタイプの電子機器に使用することが容易である。
【００３２】
図８は、有機ＥＬ表示装置内への水分や酸素の侵入を防止して長寿命化するための構成例を示すものである。
【００３３】
同図（ａ）は缶封止タイプである。このタイプは、素子形成基板１１上に生成された薄膜回路層２０及び有機ＥＬ層３０等の積層体をステンレスなどの金属の缶パッケージ５２によって封止し、内部に酸化カルシウム（ＣａＯ）等の吸湿剤５３を配置している。吸湿剤５３によって内部に侵入した水分を吸収し、有機ＥＬ層３０のカルシウム層３６が水分によって劣化することを防止している。
【００３４】
同図（ｂ）は基板封止タイプである。図７に示したものと同様の形式であり、素子形成基板１１と封止基板５１とで薄膜回路層２０及び有機ＥＬ層３０等の積層体を挟み、両基板の外周を樹脂４１で封止することによって水分や酸素の内部への侵入を防止している。
【００３５】
本発明の実施例の構成によれば、いずれのタイプと比べても有機ＥＬ表示装置の薄膜化、基板透過光のロス低減の点で優れている。
【００３６】
図２乃至図５は、有機ＥＬ表示装置を薄膜構造の転写法によって製造する製造工程を説明する工程図である。
【００３７】
まず、図２（ａ）に示すように、第１の基板である透明なガラス基板１１上に剥離層として非晶質シリコン（α−Ｓｉ）１２をモノシラン（ＳｉＨ４）を材料ガスとしてＣＶＤ（化学蒸着）法によって成膜する。
【００３８】
剥離層は、後述のレーザ光等の照射光により当該層内や界面において剥離（「層内剥離」または「界面剥離」ともいう）を生ずるものである。すなわち、一定の強度の光を照射することにより、構成物質を構成する原子または分子における原子間または分子間の結合力が消失しまたは減少し、アブレーション（ａｂｌａｔｉｏｎ）等を生じ、剥離を起こすものである。また、照射光の照射により、剥離層から気体が放出され、分離に至る場合もある。剥離層に含有されていた成分が気体となって放出され分離に至る場合と、剥離層が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。このような剥離層の組成としては、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）が好適であるが、これに限られない。
【００３９】
この非晶質シリコン中には、水素が含有されていてもよい。水素の含有量は、２ａｔ％（原子％）程度以上であることが好ましく、２〜２０ａｔ％であることがさらに好ましい。水素が含有されていると、光の照射により水素が放出されることにより剥離層に内圧が発生し、これが剥離を促進するからである。水素の含有量は、成膜条件、例えば、ＣＶＤ法を用いる場合には、そのガス組成、ガス圧力、ガス雰囲気、ガス流量、ガス温度、基板温度、投入する光のパワー等の条件を適宜設定することによって調整する。次に、図２（ｂ）に示すように薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や電極等を含む薄膜回路層を形成する。上述した非晶質シリコン１２上に、下地絶縁層として二酸化シリコン層（ＳｉＯ２）１３をモノシラン（ＳｉＨ４）と酸素（Ｏ２）を材料ガスとしてＣＶＤ法によって３００ｎｍ程度の膜厚に成膜する。次に、二酸化シリコン層１３を下地層とし、この上に半導体層としてシリコン層１４を成膜する。シリコン層１４はモノシラン（ＳｉＨ４）を材料ガスとしてＣＶＤ法によって成膜することができる。このシリコン層１４にエキシマレーザ等によって熱処理を施し、多結晶化させる。なお、プラズマＣＶＤ法によって多結晶シリコン層を成膜しても良い。この多結晶のシリコン層１４をフォトエッチング法によってパターニングして薄膜トランジスタを形成する活性化領域を形成する。
【００４０】
このシリコン層１４上にゲート絶縁膜としての二酸化シリコン層１５を熱酸化法、あるいはＴＥＯＳ等を材料とするＰＥＣＶＤ法等によって形成する。この上に高濃度で不純物を含む多晶質シリコン層をＣＶＤ法で成膜し、フォトエッチング法によってパターニングしてゲート電極及び配線１６を形成する。なお、ゲート電極及び配線１６はスパッタリングによってアルミニウム、クロム、モリブデン、タンタル等を主成分とする金属薄膜を成膜し、これをパターニングすることによっても得られる。
【００４１】
次に、図示しないレジスト及びゲート電極１６をマスクとしてイオン注入法によってＮ型薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域に不純物（例えば、リンイオン）を高濃度で注入する。同様に、レジスト及びゲート電極１６をマスクとしてイオン注入法によってＰ型薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域に不純物（例えば、ボロンイオン）を高濃度で注入する。この後、熱処理を行って不純物を活性化する。ゲート絶縁膜１５及びゲート電極及び配線１６上に二酸化シリコン層１７をモノシラン（ＳｉＨ４）と酸素（Ｏ２）を材料ガスとしてＣＶＤ法によって成膜して層間絶縁膜を形成する。
【００４２】
薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域上のシリコン酸化膜１７にフォトエッチング法によってコンタクトホールを開口する。また、接続電極を形成するべき領域には非晶質シリコン層１２が露出するまでエッチングを施す。ソース・ドレイン電極、配線及び接続電極としてアルミニウムなどの金属層あるいは不純物をドープした多結晶シリコン層を成膜し、フォトエッチング法によってパターニングを施してソース・ドレイン電極及び配線１８を形成する。
【００４３】
更に、図２（ｃ）に示すように、ソース・ドレイン電極及び配線１８等の上に二酸化シリコン層１９をモノシラン（ＳｉＨ４）と酸素（Ｏ２）を材料ガスとしてＣＶＤ法によって成膜し、保護層を形成する。この保護層１９の表面を研磨して平坦化する。次に、フォトエッチング法によってドレイン電極上の二酸化シリコン層１９を部分的に開口する。この上にＩＴＯなどの透明電極層を成膜し、フォトエッチング法によってパターニングすることによって有機ＥＬ発光素子の下部電極層３１を形成する。この上に二酸化シリコン層３２をＣＶＤ法によって成膜し、フォトエッチング法によって下部電極（ＩＴＯ）３１部分を開口する。更に、画素領域を分離するバンク層として感光性樹脂３３を塗布し、下部電極３１部分を開口するためのパターン露光を行って現像し、下部電極３１上を開口する。感光性樹脂３３は硬化させた状態でバンク膜材料として使用される。下地の絶縁層１３乃至保護層１９は薄膜回路層２０を形成する。
【００４４】
次に、図３（ａ）に示すように、例えば、図示しない液滴吐出ヘッドから下部電極３１上に有機ＥＬ材料を吐出し、塗布膜を成膜して発光層を形成する。例えば、液滴吐出ヘッドによって発光層となる正孔輸送層３４、ＥＬ発光層３５の膜材料を下部電極３１上に塗布し、成膜する。この上に電子輸送層として例えばカルシウム層３６を形成する。
【００４５】
更に、カルシウム層３６の上にスパッタ法、真空蒸着法等によって陰極としてアルミニウム層３７を成膜する。この上に、カルシウム層３６へのガスや水分の侵入を防止するべく窒化シリコン層（ＳｉｘＮｙ）３８をモノシラン（ＳｉＨ４）とアンモニア（ＮＨ３）を材料ガスとしてＣＶＤ法によって成膜し、保護層３８を形成する（図３（ｂ））。下部電極層３１〜保護層３８は有機ＥＬ発光層３０を形成する。
【００４６】
次に、接着剤４１を介してＴＦＴ回路層や有機ＥＬ発光層等の薄膜回路が形成された基板１１と基板５１とを貼り合わせる（図３（ｃ））。基板５１は、例えばプラスチック基板を使用することができる。接着剤４１は水分や酸素などを通し難い耐水性、耐ガス性の硬化性樹脂を使用する。基板５１及び接着剤４１はそれぞれ封止基板及び封止剤として機能する。
【００４７】
次に、図４に示すように基板１１の剥離を行う。まず、透明な基板１１の裏面側からエキシマレーザを剥離層である非晶質シリコン層１２に照射してアブレーションを生じさせ、あるいはガス化成分をガス化して膨張させて非晶質シリコン層１２内に（層内剥離）、あるいは基板１１との界面又は下地絶縁層１３との界面（界面剥離）に剥離を生ぜしめる（図４（ａ））。
【００４８】
剥離層１２に沿ってガラス基板１１を引き剥がし、分離する。それによって、薄膜回路層３０がガラス基板１１側から仮転写基板３３側に転写（移動）される（図４（ｂ））。
【００４９】
なお、上記工程に変えて、基板１１を、例えばフッ酸を含む溶液によって溶解除去してもよい。その際、剥離層の構成材料である非晶質シリコン層１２は、フッ酸水溶液に対するエッチングレートが十分小さいので、基板１１が除去された後、剥離層１２が露出した状態で腐食の進行を停止し得る。したがって、ＴＦＴ回路層がエッチング液に侵食されることなく、基板１１のみを溶解除去することが可能となる。
【００５０】
図５に示すように、薄膜回路層２０の下部に残った剥離層１２の残留分をエッチングによって除去することによって発光光を下方に放射する倒立型の有機表示装置１が形成される（図５（ａ））。
【００５１】
この有機ＥＬ表示装置１の下面に露出する接続電極１８ｂと図示しない外部駆動回路等に接続されたＦＰＣ基板６１の配線６２とを異方性導電材料７１を介して接着剤７２で接続する。異方性導電材料７１は、圧縮された方向に導通する性質を持つ。それにより、有機ＥＬ表示装置１は画像表示回路などの外部回路と接続される（図５（ｂ））。
【００５２】
なお、本実施例においては有機ＥＬ表示装置１を構成する積層体が転写対象となるが、他の薄膜装置ではこの部分に転写対象となる微細構造体を単独で、あるいは薄膜回路層と共に形成することができる。上述したように、微細構造体には、圧電振動体、静電振動体、アクチュエータ、回折格子、マイクロミラー、マイクロレンズ、光学素子、生体試料やＤＮＡ試料のプルーブ構造等が含まれる。
【００５３】
図６に電気光学装置である有機ＥＬ表示装置を使用した電子機器の例を挙げる。同図（ａ）は携帯電話への適用例であり、携帯電話２３０は、アンテナ部２３１、音声出力部２３２、音声入力部２３３、操作部２３４、及び有機ＥＬ表示装置１００を備えている。このように本発明の有機ＥＬ表示装置を携帯電話２３０の表示部として利用可能である。同図（ｂ）はビデオカメラへの適用例であり、ビデオカメラ２４０は、受像部２４１、操作部２４２、音声入力部２４３、及び有機ＥＬ表示装置１００を備えている。このように本発明の有機ＥＬ表示装置は、ファインダーや表示部として利用可能である。同図（ｃ）は携帯型パーソナルコンピュータへの適用例であり、コンピュータ２５０は、カメラ部２５１、操作部２５２、及び有機ＥＬ表示装置１００を備えている。このように本発明の有機ＥＬ表示装置は、表示部として利用可能である。
【００５４】
同図（ｄ）はヘッドマウントディスプレイへの適用例であり、ヘッドマウントディスプレイ２６０は、バンド２６１、光学系収納部２６２及び有機ＥＬ表示装置１００を備えている。このように本発明の有機ＥＬ表示装置は画像表示器として利用可能である。同図（ｅ）はリア型プロジェクターへの適用例であり、プロジェクタ２７０は、筐体２７１に、光源２７２、合成光学系２７３、ミラー２７４、ミラー２７５、スクリーン２７６、及び有機ＥＬ表示装置１００を備えている。このように本発明の有機ＥＬ表示装置は画像表示器として利用可能である。同図（ｆ）はフロント型プロジェクタへの適用例であり、プロジェクタ２８０は、筐体２８３に光学系２８１及び有機ＥＬ表示装置１００を備え、画像をスクリーン２８３に表示可能になっている。このように本発明の有機ＥＬ表示装置は画像表示器として利用可能である。
【００５５】
上記例に限らず本発明の有機ＥＬ表示装置は、種々の電子機器に適用可能である。例えば、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイなどにも活用することができる。
【００５６】
以上説明したように本発明によれば、１の基板に有機ＥＬ表示装置（あるいは表示パネル）を形成するので薄い表示装置を得ることができる。また、当該基板と反対側から光を放射するので基板によるロスをなくすことができる。このような有機ＥＬ表示装置は剥離転写法を使用すれば１回の剥離転写によって作製することができる。剥離転写によれば１の基板は薄いプラスチック基板でも良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の有機ＥＬ表示装置の例を説明する断面図である。
【図２】図２（ａ）乃至同図（ｃ）は、実施例の有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する工程図である。
【図３】図３（ａ）乃至同図（ｃ）は、実施例の有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する工程図である。
【図４】図４（ａ）及び同図（ｂ）は、実施例の有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する工程図である。
【図５】図５（ａ）及び同図（ｂ）は、実施例の有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する工程図である。
【図６】図６は、有機ＥＬ表示装置を使用した電子機器の例を説明する説明図である。
【図７】図７は比較例の有機ＥＬ表示装置を説明する断面図である。
【図８】図８（ａ）及び同図（ｂ）は、有機ＥＬ表示装置の封止タイプを説明する説明図である。
【符号の説明】
１１…素子形成基板、１２…剥離層、１３…下地絶縁層（保護層）、２０…薄膜回路層（ＴＦＴ回路層）、３０…有機ＥＬ層、４１…接着剤層、５１…基板（転写先基板、封止基板）
【図１】
2004349152.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004349152.tif 000009
【図８】
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