(57)【要約】【課題】ウェーハ裏面の端辺付近のダレ形状のように被測定物の所定領域について被測定物の端辺に略直角の方向における表面粗さの影響を除去した形状を正確に測定できること。【解決手段】被測定物の所定の測定領域Ａの２次元の表面変位を測定し，測定された表面変位について被測定物の端辺２ａに略平行な方向に平均化処理を行うことにより端辺２ａに略直角の方向（半径方向）の１次元プロフィールを算出する。測定領域Ａの端辺２ａに略平行な方向の幅は測定領域Ａの表面粗さによる凹凸の空間周期よりも十分長いものとする。測定領域Ａの２次元の表面変位は，干渉計により測定領域Ａ表面の干渉像を検出し，検出された干渉像に基づいて算出する。【選択図】図３
2004184194.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定物の所定の測定領域における前記被測定物の端辺に略直角の方向の表面形状を測定する形状測定装置において，
前記測定領域の２次元の表面変位を測定する表面変位測定手段と，
測定された前記表面変位について前記端辺に略平行な方向に所定の平均化処理を行うことにより前記端辺に略直角の方向の１次元プロフィールを算出する１次元プロフィール算出手段と，
を具備してなることを特徴とする形状測定装置。
【請求項２】
前記測定領域の前記端辺に略平行な方向の幅が，前記測定領域の表面粗さによる凹凸の空間周期よりも十分長いものである請求項１に記載の形状測定装置。
【請求項３】
前記表面変位測定手段が，前記測定領域表面における干渉像を検出する干渉計と，検出された前記干渉像に基づいて前記２次元の表面変位を算出する表面変位算出手段とを具備してなる請求項１又は２のいずれかに記載の形状測定装置。
【請求項４】
被測定物の所定の測定領域における前記被測定物の端辺に略直角の方向の表面形状を測定する形状測定方法において，
前記測定領域の２次元の表面変位を測定する表面変位測定手順と，
測定された前記表面変位について前記端辺に略平行な方向に所定の平均化処理を行うことにより前記端辺に略直角の方向の１次元プロフィールを算出する１次元プロフィール算出手順と，
を有してなることを特徴とする形状測定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，被測定物の所定の測定領域の表面形状（平坦度等）を測定する形状測定装置であって，特に，半導体ウェーハ裏面の端辺付近の表面形状を測定するのに好適な形状測定装置及び形状測定方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に，半導体ウェーハ（以下，ウェーハという）においては，その中央部での平坦度は十分確保されるが，その端辺（エッジ）付近では，端辺に向かうに従って平坦度が悪化するいわゆるダレ（ロールオフ）が形成される傾向がある。
一方，近年，１枚のウェーハから得られる半導体チップの数を極力増やすため，ウェーハの端辺により近い部分まで高い平坦度が要求される。このため，ウェーハ全範囲のうち，端辺近辺の領域の表面形状（即ち，ダレ）を測定することが重要となる。
例えば，非特許文献１や特許文献１には，ウェーハのエッジ先端にブロック部材を当接させ，該ブロック部材のウェーハに当接する面の位置を基準とし，触針式の形状計をウェーハの端辺の直角方向（ウェーハの端辺が円弧状である場合にはその円弧の半径方向）に移動させながらウェーハの表面形状を測定することによってウェーハの端辺付近のロールオフ値（ダレ）を測定する技術が示されている。
ところで，ウェーハを取り扱うプロセスでは，ウェーハが載置されるステージによりウェーハの裏面を吸着するステッパーやウェーハをその裏面から研磨手段に押し付けるＣＭＰ（化学機械研磨）プロセス等においてウェーハの裏面形状がデバイスを作成するウェーハのおもて面の形状に影響を及ぼす。このように，ウェーハのダレ（ロールオフ）は裏面側でも問題となるため，デバイスの歩留まり向上のためにはウェーハの裏面側の端辺付近の形状（即ち，ダレ形状）を把握する必要がある。
【０００３】
【特許文献１】
特開２０００−１４６５６９号公報
【非特許文献１】
「Ｍ．  Ｋｉｍｕｒａ  ｅｔ  ａｌ．，  Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．  Ｖｏｌ．３８（１９９９）」
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，一般に，ウェーハの裏面はポリッシュされていない粗面であるため，特許文献１及び非特許文献１に示されるような従来の方法でウェーハ裏面の表面変位を測定すると，粗面の凹凸によって測定値（表面変位）が大きく変化する。ところが，実際に把握したい裏面形状は，その表面粗さによる凹凸の空間周期よりも緩慢に形状が変化するダレ形状であり，従来の方法では正確なダレ形状を測定できないという問題点があった。
また，短周期成分と長周期成分とを有するデータから長周期成分のみを抽出する場合，一般に，ＦＦＴによるローパスフィルタ処理や荷重平均フィルタ処理の１つであるガウシアンフィルタリング処理等を行うことが考えられるが，ＦＦＴでは，入力波形に一般的に適用される窓関数の影響により，また，荷重平均フィルタの場合は被測定物の端部への適用が困難（例えば，２ｍｍ程度の移動平均では端部の１ｍｍ程度の範囲の計算ができない）なことから，これらフィルタリング処理によりダレ形状を抽出することは困難である。
従って，本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり，その目的とするところは，ウェーハ裏面の端辺付近のダレ形状のように被測定物の所定領域について被測定物の端辺に略直角の方向における表面粗さの影響を除去した形状を正確に測定することができる形状測定装置及び形状測定方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は，被測定物の所定の測定領域における前記被測定物の端辺に略直角の方向の表面形状を測定する形状測定装置において，前記測定領域の２次元の表面変位を測定する表面変位測定手段と，測定された前記表面変位について前記端辺に略平行な方向に所定の平均化処理を行うことにより前記端辺に略直角の方向の１次元プロフィール（即ち，１次元の表面変位分布）を算出する１次元プロフィール算出手段と，を具備してなることを特徴とする形状測定装置として構成されるものである。
これにより，前記測定領域における被測定物の端辺に略直角の方向の各位置について，前記表面変位が平均化処理された変位量が算出され，該変位量が前記端辺に略直角の方向の１次元プロフィールを表すことになる。この１次元プロフィールを構成する各変位量は，複数の前記表面変位が平均化処理されたものであるので，被測定物の表面粗さによる凹凸の影響が除去されている。しかも，その変位量は，被測定物の前記端辺に略平行な方向に平均化処理されたものであるので，前記端辺に略直角の方向に移動平均等の平均化処理を行う場合のように，前記端辺に略直角の方向における空間分解能は低下しない。従って，ウェーハ裏面の端辺付近のダレ形状のように被測定物の所定領域について被測定物の端辺に略直角の方向における表面粗さの影響を除去した形状を正確に測定することができる。
ここで，前記被測定物の端辺とは，前記被測定物の端部の一部をなす辺であり，直線状の端辺に限るものでなく，例えば円弧状の端辺等の曲線状のものも含まれる。また，前記端辺が曲線状である場合，前記端辺に略直角の方向とは，前記端辺の接線方向に対して略直角の方向のことをいうものとする。例えば，前記端辺が円弧状である場合，前記端辺の略直角の方向とは，その円弧の半径方向又はそれに近い方向を表す。
【０００６】
また，前記平均化処理により被測定物の表面粗さの凹凸の影響を十分除去するためには，前記測定領域の前記端辺に略平行な方向の幅が，前記測定領域の表面粗さによる凹凸の空間周期よりも十分長いものであることが望ましい。
また，前記表面変位測定手段としては，例えば，前記測定領域表面における干渉像を検出する干渉計と，検出された前記干渉像に基づいて前記２次元の表面変位を算出する表面変位算出手段とを具備するものが考えられる。
これにより，光学的に精度の高い測定を短時間で行うことが可能となる。
【０００７】
また，本発明は，前記形状測定装置に対応する形状測定方法として捉えてもよい。即ち，被測定物の所定の測定領域における前記被測定物の端辺に略直角の方向の表面形状を測定する形状測定方法において，前記測定領域の２次元の表面変位を測定する表面変位測定手順と，測定された前記表面変位について前記端辺に略平行な方向に所定の平均化処理を行うことにより前記端辺に略直角の方向の１次元プロフィールを算出する１次元プロフィール算出手順と，を有してなることを特徴とする形状測定方法である。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下添付図面を参照しながら，本発明の実施の形態について説明し，本発明の理解に供する。尚，以下の実施の形態は，本発明を具体化した一例であって，本発明の技術的範囲を限定する性格のものではない。
ここに，図１は本発明の実施の形態に係る形状測定装置Ｘの概略構成を表す図，図２は本発明の実施の形態に係る形状測定装置Ｘで形状測定するウェーハの測定領域を設定するための校正用ウェーハがステージ上に載置された状態を表す図，図３は本発明の実施の形態に係る形状測定装置Ｘのステージ上にウェーハを載置した状態の平面及び側面を表す図，図４は本発明の実施の形態に係る形状測定装置Ｘによる形状測定と従来法による形状測定との各測定結果であるウェーハ端辺付近の一次元プロフィールを表すグラフ，図５は測定面の表面粗さを空間周期が０．１ｍｍ及び振幅が１μｍの正弦波で表した場合における５ｍｍの範囲の平均化処理を行った結果を表すグラフである。
【０００９】
まず，図１を用いて，本発明の実施の形態に係る形状測定装置Ｘの構成について説明する。
本形状測定装置Ｘは，被測定物の一例であるウェーハ１の載置台であり該ウェーハ１を位置決めするためのピン１８が設けられたステージ１７と，該ステージ１７上にその測定面１ａを上にして載置された前記ウェーハ１の上方に設けられた斜入射干渉計１０と，該斜入射干渉計１０から得られる干渉像（干渉縞画像）を入力する演算器３１とを具備している。ここで，前記ウェーハ１の測定面１ａは，ポリッシュ研磨されていない粗面である裏面であるとする。
【００１０】
前記斜入射干渉計１０は，前記ウェーハ１に対して測定光１２を出射する発光器１１，その測定光１２を前記ウェーハ１の測定面１ａに対して斜め方向の平行ビームとするコリメータレンズ１４，その平行ビーム１２の一部を透過し，一部を反射する基準平面１５ａを有する三角プリズム１５，前記ウェーハ１の測定面１ａで反射された測定光が前記基準平面１５ａ（前記三角プリズム１５の一面）及びコリメータレンズ１４’を経た光を受光するＣＣＤカメラ等の受光器１６，及び前記三角プリズム１５を前記ウェーハ１の面に略垂直な方向に移動させるピエゾアクチュエータ１９を備えている。このような構成により，前記基準平面１５ａでの反射光と，前記ウェーハ１の測定面１ａでの反射光とには，前記基準平面１５ａと前記測定面１ａとの距離に対応する光路差があるため，この光路差が，前記受光器１６において，両反射光で形成される干渉縞として観測される。前記三角プリズム１５は，前記基準平面１５ａが前記ウェーハ１の測定面１ａに近接するよう（例えば，０．１ｍｍ程度の距離）前記ピアゾアクチュエータ１９により位置決めされる。前記測定光１２としては，例えば，ＨｅＮｅレーザ（λ＝６３３ｎｍ）や，半導体レーザ等のコヒーレント光が用いられる。また，前記三角プリズム１５は，フィゾー干渉で用いられるようなウェッジプリズム等の参照板を用いてもかまわない。
【００１１】
前記受光器１６で得られる干渉縞画像は，画像入力手段を有するパーソナルコンピュータ等である前記演算器３１に入力され，入力された干渉縞画像に基づいて前記ウェーハ１の測定面１ａの表面形状（２次元の表面変位分布）が演算される。該演算は，前記演算器３１に記憶された所定のプログラムが実行されることにより行われる。
ここで，前記三角プリズム１５の前記基準平面１５ａは，前記ピアゾアクチュエータ１９によって複数の位置に位置決めされ，それぞれの位置での干渉縞画像が輝度データとして前記演算器３１に取り込まれる。前記基準平面１５ａの位置決めは，前記測定光１２の前記ウェーハ１の測定面１ａへの入射角θ（不図示）を考慮した位置（前記測定面１ａとの距離）に位置決めされる。例えば，前記基準平面１５ａと前記測定面１ａとの距離を，所定の基準距離を０として，０，λ／８×１／ｃｏｎθ，２λ／８×１／ｃｏｓθ，３λ／８×１／ｃｏｓθ（λ＝λ’／ｃｏｓψ  （λ’は前記測定光１２の波長，ψは前記測定光１２の前記ウェーハ１への入射角））の各位置に移動させ，それぞれの位置での干渉縞画像を輝度データとして前記演算器３１に取り込めば，それぞれ位相が０°，９０°，１８０°，２７０°に変化した干渉縞画像が得られる。それぞれの位置での干渉縞画像の座標（ｘ，ｙ）における画像データ（輝度）をＩ０（ｘ，ｙ），Ｉ９０（ｘ，ｙ），Ｉ１８０（ｘ，ｙ），Ｉ２７０（ｘ，ｙ）とすると，干渉縞画像の位相φ（ｘ，ｙ）は，次の（１）式で求められる。
φ（ｘ，ｙ）＝ａｒｃｔａｎ（Ｉ０−Ｉ１８０）／（Ｉ９０−Ｉ２７０）  …（１）
このようにして求められた位相φ（ｘ，ｙ）に周知のアンラップ処理を施し，アンラップ処理後の位相をφ’（ｘ，ｙ）とすると，例えば次の（２）式により，前記測定面１ａの表面変位Ｌａ（ｘ，ｙ）（表面形状）を求めることができる。
Ｌａ（ｘ，ｙ）＝（φ’（ｘ，ｙ）／２π）×（λ／２）  …（２）
このような処理（演算）を前記演算期３１で行うことにより，前記基準平面１５ａでカバーされる領域の一部又は全部について前記測定面１ａと前記基準平面１５ａとの距離の分布，即ち，前記測定面１ａの２次元の表面変位を算出できる。もちろん，表面変位の算出方法としては，周知の他の位相シフト法を用いてもかまわない。ここで，前記干渉計１０及び前記演算器３１が，前記表面変位測定手段の一例である。
【００１２】
次に，図２を用いて，前記演算器３１による前記ウェーハ１の表面形状（表面変位）の測定領域について説明する。
本形状測定装置Ｘでは，被測定物である前記ウェーハ１を測定する前に，予め，前記ウェーハ１と平面形状が略等しい所定の校正用ウェーハを用いて測定領域を設定する。
図２は，前記ウェーハ１の測定領域を設定するための前記校正用ウェーハ２が前記ステージ１７上に載置された状態を表す図である。図２に示すように，円盤状の前記校正用ウェーハ２の表面には，その中心Ｏからその端辺２ａ付近まで２本の直線▲３▼，▲４▼がけがかれている（以下，この直線をケガキ線▲３▼，▲４▼という）。該ケガキ線▲３▼，▲４▼は所定の角度（例えば２°）をなしている。さらに，前記端辺２ａ付近には，円弧状の前記端辺２ａに平行な円弧▲１▼，▲２▼がそれぞれ前記ケガキ線▲３▼，▲４▼の両方に交差するようけがかれている（以下，この円弧をケガキ線▲１▼，▲２▼という）。例えば，前記ケガキ線▲１▼は前記中心Ｏから半径ｒ＝１４０ｍｍの位置に，前記ケガキ線▲２▼は半径ｒ＝１４９ｍｍの位置にそれぞれけがかれている。これらケガキ線▲１▼〜▲４▼で囲まれる領域を測定領域Ａとする。
このような校正用ウェーハ２をその端部が２つの前記ピン１８に当接するとともに，前記測定領域Ａが前記三角プリズム１５の前記基準平面１５ａの範囲内（破線枠内）に入るように配置した状態で，前記受光器１６及び前記演算器３１により画像を取り込むことにより，前記演算器３１によって前記ケガキ線▲１▼〜▲４▼を検出することができる。さらに，検出された前記ケガキ線▲１▼〜▲４▼の位置（座標）から，前記測定領域Ａと，前記ケガキ線▲１▼，▲２▼の方向，即ち，円弧の中心及び半径とが求められる。このようにして求められる前記ケガキ線▲１▼，▲２▼の方向は，前記校正用ウェーハ２の前記端辺２ａと平行な方向（以下，端辺平行方向という）である。該端辺平行方向は，前記校正用ウェーハ２が円盤状であるのでその周方向（に平行な方向）である。従って，図４に示すように，前記校正用ウェーハ２をこれと同等の平面形状を有する被測定物である前記ウェーハ１に置き換えて同様に配置した場合には，前記ケガキ線▲１▼，▲２▼により求めた前記端辺平行方向は，前記ウェーハ１の前記三角プリズム１５（の前記基準平面１５ａ）でカバーされる領域における端辺１ｂと略平行な方向（周方向に平行な方向）であるといえる。
【００１３】
次に，前記演算器３１による前記測定領域Ａの表面形状の測定処理について説明する。
前記校正用ウェーハ２を用いて前記測定領域Ａ及び前記端辺平行方向を予め求めた後，まず，図４に示すように被測定物である前記ウェーハ１をその端部が２つの前記ピン１８に当接するように前記ステージ１７上に載置した状態で，干渉縞画像（干渉像）が取り込まれる。
次に，所定のアンラップ処理等により，前記測定領域Ａにおける２次元の表面変位が測定される（前記表面変位測定手段の処理及び前記表面変位測定手順の一例）。
さらに，測定された前記測定領域Ａの表面変位のデータについて，前記端辺平行方向に積算して該積算を行ったデータ数で割るいわゆる単純平均を求める（前記１次元プロフィール算出手段の処理及び前記１次元プロフィール算出手順の一例）。このようにして求められた前記表面変位データの単純平均は，前記端辺平行方向に直角な方向（即ち，前記ウェーハ１の端辺１ｂの略直角方向）の１次元プロフィール（１次元の表面変位分布）を表すことになる。
ここで，前記単純平均を求める際に，前記端辺平行方向に対応する角度による座標系と前記受光器１６（即ち，カメラ）のＸＹ座標系（画素の座標系）との変換が必要となり，該変換によって前記受光器１６の画素と一致しない座標のデータが必要となる場合も生じるが，そのような場合は，一般的な補間法を用いて補間したデータを用いるようにすればよい。
【００１４】
図４（ａ），（ｂ）は，前記端辺平行方向（周方向）の平均化処理を行わずに単純に前記ウェーハ１の前記測定領域Ａにおいて，半径方向（前記端辺平行方向に直角の方向）に表面変位（形状）を測定した１次元プロフィールの一例を表すグラフである。ここで，半径方向の位置は，前記ウェーハ１の端辺（エッジ）からの距離で表す。図４（ａ），（ｂ）に示されるように，前記ウェーハ１の裏面（前記測定面１ａ）は粗面であるため，粗面の凹凸によって測定値（表面変位）が大きく変化している。このような表面変位データに基づいてＲＯＡ（Ｒｏｌｌ−ｏｆｆＡｍｏｕｎｔ）を評価しても，表面粗さによる凹凸の空間周期よりも緩慢な形状変化であるダレ形状を表すものではないため，そのＲＯＡは前記ウェーハ１の加工制御に用いることができない。
【００１５】
一方，図４（ｃ），（ｄ）は，図４（ａ），（ｂ）と同じ前記ウェーハ１の前記測定領域Ａについて，本形状測定装置Ｘにより測定した半径方向（前記端辺平行方向に直角の方向）の１次元プロフィールを表すグラフである。
図４（ｃ），（ｄ）に示されるように，本形状測定装置Ｘで計測された１次元プロフィールを構成する各変位量（表面変位の平均値）は，前記端辺平行方向における複数の表面変位データが平均化処理されたものであるので，前記測定面１ａの表面粗さによる凹凸の影響が除去されている。しかも，その変位量は，前記ウェーハ１の端辺１ｂに略平行な方向に平均化処理されたものであるので，前記端辺１ｂに略直角の方向に移動平均等の平均化処理を行う場合のように，前記端辺１ｂに略直角の方向（半径方向）における空間分解能は低下しない。従って，前記ウェーハ１ｂ裏面の端辺付近のダレ形状を正確に測定することができる。このような変位量を用いてＲＯＡを求めれば，そのＲＯＡは，前記ウェーハ１の端辺付近（端部付近）の加工制御に用いることが可能となる。
【００１６】
また，図３に示した例では，前記測定領域Ａの前記端辺平行方向の幅は，前記ウェーハ１の最も内側（前記ケガキ線▲１▼の位置）で約４．９ｍｍ，最も外側（前記ケガキ線▲２▼の位置）で約５．２ｍｍである。ここで，５ｍｍの範囲を平均化処理した場合，測定データの空間周期が５ｍｍ程度以下である成分を減衰するローパスフィルタとして作用する。前記ウェーハ１では，前記測定面１ａの表面粗さによる凹凸の空間周期が０．１ｍｍ〜０．０５ｍｍ程度であることを考慮すると，５ｍｍ程度の範囲について平均化処理を行うことにより，前記測定面１ａの表面粗さによる前記凹凸の影響を十分抑える（遮断する）ことができる。
例えば，表面粗さを空間周期λｎ，振幅Ｂの正弦波（平均化処理を行う方向の座標をｘとする）として表すと，次の（３）式で表される。
【数１】
2004184194.tif 000003
この周期の表面粗さを有する前記測定面１ａの測定データを，５ｍｍの範囲（区間）で平均化処理した結果は，次の（４）式で表される。
【数２】
2004184194.tif 000004
この（４）式を，Ｂ＝１μｍ，λｎ＝０．１ｍｍ近郷でグラフ化したものが図５である。図５に示されるように，平均化処理を行うことによって前記測定面１ａの表面粗さ（振幅Ｂ＝１μｍ）の影響（変動）を約０．００３倍以下と十分小さく抑えられることがわかる。従って，この測定領域Ａの前記端辺平行方向の幅は前記ウェーハ１のダレ形状測定としては十分な長さである。
また，前記ケガキ線▲３▼，▲４▼を平行な線として前記測定領域Ａの前記端辺平行方向の幅を等幅とすること等，前記測定領域Ａの形状は他の形状であってもかまわない。
【００１７】
本形状測定装置Ｘでは，図４（ｃ），（ｄ）に示されるような１次元プロフィールが前記演算器３１の記憶部に記憶されるとともに，ＣＲＴ等の表示装置に表示される。
なお，本実施の形態では，前記表面変位のデータを前記端辺平行方向に単純平均する例を示したが，これに限るものでなく，例えば，メディアンや中央値，或いはガウシアンやダブルガウシアンのような重み付け平均等の他の平均化処理を行うものであってもよい。特に，ガウシアンやダブルガウシアンによるフィルタリングは，前述した単純平均よりも，より高周波成分の減衰化特性に優れるという特徴を有しているため好適である。
また，２次元の表面変位の測定は，斜入射干渉計を用いることに限らず，フィゾー干渉計やマイケルソン干渉計を用いること等，他の測定装置及び方法を用いるものであってもかまわない。
【００１８】
【発明の効果】
以上説明したように，本発明によれば，被測定物の所定の測定領域における端辺に略直角の方向の各位置について，表面変位が平均化処理された変位量が算出され，該変位量が前記端辺に略直角の方向の１次元プロフィールを表すことになるので，この１次元プロフィールにより表される形状は，測定領域の表面粗さによる凹凸の影響が除去されている。しかも，その変位量は，被測定物の前記端辺に略平行な方向に平均化処理されたものであるので，前記端辺に略直角の方向における空間分解能は低下しない。従って，ウェーハ裏面の端辺付近のダレ形状等の表面粗さの影響を除去した形状を正確に測定することができる。
また，測定領域の２次元の表面変位を干渉計による干渉像から算出するよう構成することにより，光学的に精度の高い測定を短時間で行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る形状測定装置Ｘの概略構成を表す図。
【図２】本発明の実施の形態に係る形状測定装置Ｘで形状測定するウェーハの測定領域を設定するための校正用ウェーハがステージ上に載置された状態を表す図。
【図３】本発明の実施の形態に係る形状測定装置Ｘのステージ上にウェーハを載置した状態の平面及び側面を表す図。
【図４】本発明の実施の形態に係る形状測定装置Ｘによる形状測定と従来法による形状測定との各測定結果であるウェーハ端辺付近の一次元プロフィールを表すグラフ。
【図５】測定面の表面粗さを空間周期が０．１ｍｍ及び振幅が１μｍの正弦波で表した場合における５ｍｍの範囲の平均化処理を行った結果を表すグラフ。
【符号の説明】
１…ウェーハ（被測定物）
１ａ…測定面（粗面）
１ｂ…ウェーハの端辺
２…校正用ウェーハ
２ａ…校正用ウェーハの端辺
１０…斜入射干渉計
１１…発光器
１２…測定光
１４，１４’…コリメータレンズ
１５…三角プリズム
１５ａ…基準平面
１６…受光器
１７…ステージ
１８…ピン
１９…ピエゾアクチュエータ
３１…演算器（１次プロフィール算出手段）
Ａ…測定領域
【図１】
2004184194.tif 000005
【図２】
2004184194.tif 000006
【図３】
2004184194.tif 000007
【図４】
2004184194.tif 000008
【図５】
2004184194.tif 000009