(57)【要約】【課題】開口部の角部（隅部）に異物が溜まりにくく、且つ溜まった異物の洗浄性に優れた構造を有する転写マスクを提供すること。【解決手段】所定のパターンを有する薄膜層と、この薄膜層の下面を支持するシリコン支持体とを備える転写マスクであって、前記シリコン支持体は、前記薄膜層の面に対しほぼ垂直な側壁の開口部を有し、この開口部側壁の上端部及び下端部の少なくとも一方は、前記薄膜層の面に対して５４．７４±５．００度の角度を有する傾斜面を有することを特徴とする。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の転写パターンを有する薄膜層と、この薄膜層を支持するシリコン支持体とを備える転写マスクであって、前記シリコン支持体は、前記薄膜層の面に対しほぼ垂直な側壁の開口部を有し、この開口部側壁の上端部及び下端部の少なくとも一方は、前記薄膜層の面に対して５４．７４±５．００度の角度の傾斜面を有することを特徴とする転写マスク。
【請求項２】
前記開口部側壁の上端部及び下端部の双方が、前記薄膜層の面に対して５４．７４±５．００度の角度の傾斜面を有することを特徴とする請求項１に記載の転写マスク。
【請求項３】
前記転写パターンが薄膜層上の荷電粒子散乱層に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の転写マスク。
【請求項４】
シリコン薄膜層、酸化シリコン層、及びシリコン支持層の積層体であるＳＯＩ基板を加工してなり、所定の転写パターンに形成されたシリコン薄膜層をシリコン支持層によって支持した転写マスクであって、前記シリコン支持層は、前記シリコン薄膜層の面に対しほぼ垂直な側壁の開口部を有し、この開口部側壁の上端部及び下端部の少なくとも一方は、前記シリコン薄膜層の面に対して５４．７４±５．００度の角度の傾斜面を有することを特徴とする転写マスク。
【請求項５】
シリコン薄膜層、酸化シリコン層、及びシリコン支持層の積層体であるＳＯＩ基板の前記シリコン支持層に、ドライエッチングによって前記酸化シリコン層に到達する開口部を形成する工程、
前記開口部側壁に異方性ウェットエッチングを施すことによって、前記開口部側壁の上端部及び下端部の少なくとも一方に、前記シリコン薄膜層の面に対して５４．７４±５．００度の角度の傾斜面を形成する工程、
前記開口部に露出する前記酸化シリコン層の部分を除去する工程、及び
ドライエッチングによって前記シリコン薄膜層に所定の転写パターンを形成する工程
を具備することを特徴とする転写マスクの作製方法。
【請求項６】
シリコン薄膜層、酸化シリコン層、及びシリコン支持層の積層体であるＳＯＩ基板の前記シリコン支持層に、ドライエッチングによって前記酸化シリコン層に到達する開口部を形成する工程、
前記開口部側壁に異方性ウェットエッチングを施すことによって、前記開口部側壁の上端部及び下端部の少なくとも一方に、前記シリコン薄膜層の面に対して５４．７４±５．００度の角度の傾斜面を形成する工程、
ドライエッチングによって前記シリコン薄膜層に所定の転写パターンを形成する工程、及び
前記開口部に露出する前記酸化シリコン層の部分を除去する工程
を具備することを特徴とする転写マスクの作製方法。
【請求項７】
シリコン薄膜層、酸化シリコン層、及びシリコン支持層の積層体であるＳＯＩ基板の前記シリコン薄膜層にドライエッチングによって所定の転写パターンを形成する工程、
前記シリコン支持層に、ドライエッチングによって前記酸化シリコン層に到達する開口部を形成する工程、
前記開口部側壁に異方性ウェットエッチングを施すことによって、前記開口部側壁の上端部及び下端部の少なくとも一方に、前記シリコン薄膜層の面に対して５４．７４±５．００度の角度の傾斜面を形成する工程、及び
前記開口部に露出する前記酸化シリコン層の部分を除去する工程
を具備することを特徴とする転写マスクの作製方法。
【請求項８】
前記シリコン支持層に開口部を形成するドライエッチングを前記酸化シリコン層に到達する前に停止し、次いで、異方性ウェットエッチングを施すことによって、前記開口部の形成を完了するとともに、開口部側壁の上端部及び下端部の少なくとも一方に傾斜面を形成することを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の転写マスクの作製方法。
【請求項９】
前記ＳＯＩ基板を形成する工程は、前記シリコン支持層上に前記酸化シリコン層を形成し、前記酸化シリコン層と前記シリコン薄膜層とを貼り合わせることにより行うことを特徴とする請求項５〜８のいずれかに記載の転写マスクの作製方法。
【請求項１０】
請求項１〜４のいずれかの項に記載の転写マスクに荷電粒子線を照射し、転写パターンの形状に荷電粒子線を整形する工程を具備する荷電粒子線の露光方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子ビームやイオンビームなどの荷電ビーム露光に用いられ転写マスク及びその作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路の微細化及び複雑化に伴い、荷電ビーム透過マスクを用いた荷電ビーム露光による微細パターンの形成が注目されている。従来の荷電ビーム露光用の転写マスクは、シリコン薄膜層／酸化シリコン層／シリコン支持層からなる部材を用いて作製することが多い。
【０００３】
その製造プロセスは、大きく分けて、酸化シリコン層をエッチングストッパー層としてシリコン支持層をウェットエッチングまたはドライエッチングすることによって、酸化シリコン層に到達する開口部を形成する工程と、シリコン薄膜層をドライエッチングによってパターニングする工程とからなる。露出する酸化シリコン層は、最終的に、ウェットエッチングによって除去される。
【０００４】
このような転写マスクの製造プロセスにおいて、シリコン支持層への開口部の形成は、通常、窒化シリコン等をエッチングマスクとして、加熱水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液等の熱アルカリ液に浸積する、ウェットエッチングにより行なわれる。
【０００５】
水酸化カリウム水溶液によるシリコン単結晶のエッチングでは、結晶面によってエッチング速度が大きく異なることが知られており、（１００）面及び（１１０）面ではエッチングが進行するが、（１１１）面では殆どエッチングが進行しない。
【０００６】
このような異方性エッチングのため、表面が（１００）面から成るシリコン支持層の開口の形成を水酸化カリウム水溶液によるウェットエッチングで行う場合、形成される開口部の側壁には平坦な（１１１）面が露出する。そのため、シリコン支持層の開口側壁表面は平坦となるが、開口形状はテーパー状となり、転写パターンを形成するシリコン薄膜層の露出面積は小さくなり、転写マスクが大型化するという問題がある。
【０００７】
この問題を解決するために、シリコン支持層の開口を垂直或いはほぼ垂直に形成することが可能なドライエッチングを用いることが知られている（例えば、特許文献１参照）。ドライエッチングによってシリコン支持層に垂直な壁面を有する開口を形成することで、転写パターンを形成するシリコン薄膜層の露出面積を拡大することができるため、マスクの大型化を抑制することが出来る。
【０００８】
シリコン支持層の開口の形成に用いるドライエッチングとしては、エッチングマスクとのエッチング選択性が高く、且つ側壁垂直性の高いことが望まれるが、これには、側壁保護プラズマエッチングや低温プラズマエッチング等が好適である。
【０００９】
しかしながら、上記ドライエッチングによるシリコン支持層の開口部の形成においては、シリコン支持層の厚さが通常数百μｍあるために、エッチング深さが深くなることや、エッチング面積がウェハ全面の数十パーセントと広いことなどから、従来のシリコンドライエッチングと比較してシリコンのエッチング量が極端に多くなり、形成される開口部の底面及び側壁に数μｍないし数百μｍの針状或いは不定形のドライエッチング残査物が多量に形成され、また開口部側壁形状が荒れて、凹凸が大きくなり、その一部が数μｍないし数百μｍの異物として剥離する場合がある。そして、これらドライエッチング残査物及び側壁異物が転写マスクの異物欠陥となるという問題がある。
【００１０】
上記異物は、ＲＣＡ洗浄法等のシリコン洗浄法を繰り返し実施することで、ある程度除去することが可能ではあるが、垂直或いはほぼ垂直の角度をなすシリコン支持層側壁とシリコン薄膜層の接続部周辺部に位置する異物の除去は、困難である。
【００１１】
なお、シリコン支持層の開口部の形成にドライエッチングとウエットエッチングを併用する技術も知られているが、シリコン支持層の結晶構造が特定の面方位に限定されていて（例えば、特許文献２参照）、実用上問題があったり、シリコン支持層と薄膜との接触角が１０〜４５°と小さい角度であって（例えば、特許文献３参照）、異物の除去が必ずしも充分ではなかった。
【００１２】
【特許文献１】
特開２０００−３３１９０５号公報
【００１３】
【特許文献２】
特開平１１−１５００４９号公報
【００１４】
【特許文献３】
特開２０００−１２４１１７号公報
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、これらの問題に鑑みてなされ、開口部の角部（隅部）に異物が溜まりにくく、且つ溜まった異物の洗浄性に優れた構造を有する転写マスク及びその作製方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、所定の転写パターンを有する薄膜層と、この薄膜層を支持するシリコン支持体とを備える転写マスクであって、前記シリコン支持体は、前記薄膜層の面に対しほぼ垂直な側壁の開口部を有し、この開口部側壁の上端部及び下端部の少なくとも一方は、前記薄膜層の面に対して５４．７４±５．００度の角度の傾斜面を有することを特徴とする転写マスクを提供する。
【００１７】
本発明の転写マスクにおいて、開口部側壁の上端部及び下端部の双方が、薄膜層の面に対して５４．７４±５．００度の角度の傾斜面を有する構成とすることが出来る。また、薄膜層が有するパターンは、薄膜層上の荷電粒子散乱層に形成することが出来る。
【００１８】
また、本発明は、シリコン薄膜層、酸化シリコン層、及びシリコン支持層の積層体であるＳＯＩ基板（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）を加工してなり、所定の転写パターンに形成されたシリコン薄膜層を、開口部を有するシリコン支持層によって支持した転写マスクであって、前記シリコン支持層は、前記シリコン薄膜層の面に対しほぼ垂直な開口部側壁を有し、この開口部側壁の上端部及び下端部の少なくとも一方は、前記シリコン薄膜層の面に対して５４．７４±５．００度の角度の傾斜面を有することを特徴とする転写マスクを提供する。
【００１９】
以上のように構成される本発明の転写マスクによると、シリコン支持体の開口部側壁の上端部及び下端部の少なくとも一方は、薄膜層の面に対して５４．７４±５．００度の角度の傾斜面を有しているため、開口部の角部（隅部）に異物が溜まりにくく、且つ溜まった異物は開口部の角部から容易に洗浄され得るという優れた構造を得ることが出来る。
【００２０】
以上の本発明の転写マスクは、以下の方法により作製される。
【００２１】
１．シリコン薄膜層、酸化シリコン層、及びシリコン支持層の積層体であるＳＯＩ基板の前記シリコン支持層に、ドライエッチングによって前記酸化シリコン層に到達する開口部を形成する工程、前記開口部側壁に異方性ウェットエッチングを施すことによって、前記開口部側壁の上端部及び下端部の少なくとも一方に、前記シリコン薄膜層の面に対して５４．７４±５．００度の角度の傾斜面を形成する工程、前記開口部に露出する前記酸化シリコン層の部分を除去する工程、及びドライエッチングによって前記シリコン薄膜層に所定の転写パターンを形成する工程を具備することを特徴とする転写マスクの作製方法。
【００２２】
２．シリコン薄膜層、酸化シリコン層、及びシリコン支持層の積層体であるＳＯＩ基板の前記シリコン支持層に、ドライエッチングによって前記酸化シリコン層に到達する開口部を形成する工程、前記開口部側壁に異方性ウェットエッチングを施すことによって、前記開口部側壁の上端部及び下端部の少なくとも一方に、前記シリコン薄膜層の面に対して５４．７４±５．００度の角度の傾斜面を形成する工程、ドライエッチングによって前記シリコン薄膜層に所定の転写パターンを形成する工程、及び前記開口部に露出する前記酸化シリコン層の部分を除去する工程を具備することを特徴とする転写マスクの作製方法。
【００２３】
３．シリコン薄膜層、酸化シリコン層、及びシリコン支持層の積層体であるＳＯＩ基板の前記シリコン薄膜層にドライエッチングによって所定の転写パターンを形成する工程、前記シリコン支持層に、ドライエッチングによって前記酸化シリコン層に到達する開口部を形成する工程、前記開口部側壁に異方性ウェットエッチングを施すことによって、前記開口部側壁の上端部及び下端部の少なくとも一方に、前記シリコン薄膜層の面に対して５４．７４±５．００度の角度の傾斜面を形成する工程、及び前記開口部に露出する前記酸化シリコン層の部分を除去する工程を具備することを特徴とする転写マスクの作製方法。
【００２４】
以上の本発明の転写マスクの作製方法によると、シリコン支持層の開口部の形成を、ドライエッチングと、それに引き続くウェットエッチングによって行っているため、シリコン支持層の開口部底面及び側壁のエッチング残査物が容易に除去されるとともに、側壁の凹凸が低減され、そのため側壁からの異物の発生が大幅に抑制される。
【００２５】
また、異方性ウェットエッチングにより、シリコン支持体の開口部側壁の上端部及び下端部の少なくとも一方に、シリコン薄膜層の面に対して５４．７４±５．００度の角度の傾斜面を形成しているため、開口部の角部（隅部）に異物が溜まりにくく、且つ溜まった異物は開口部の角部から容易に洗浄され得るという優れた構造を得ることが出来る。
【００２６】
以上の転写マスクの作製方法において、前記シリコン支持層に開口部を形成するドライエッチングを前記酸化シリコン層に到達する前に停止し、次いで、異方性ウェットエッチングを施すことによって、前記開口部の形成を完了するとともに、開口部側壁の上端部及び下端部の少なくとも一方に、シリコン薄膜層の面に対して５４．７４±５．００度の角度の傾斜面を形成することが出来る。
【００２７】
また、前記ＳＯＩ基板を形成する工程は、前記シリコン支持層上に前記酸化シリコン層を形成し、前記酸化シリコン層と前記シリコン薄膜層とを貼り合わせることにより行うことが出来る。そうすることにより、シリコン支持層と酸化シリコン層との間の欠陥が抑制されたＳＯＩ基板を作製することが出来る。
【００２８】
更に、本発明は、上述の転写マスクに荷電粒子線を照射し、転写パターンの形状に荷電粒子線を整形する工程を具備する荷電粒子線の露光方法を提供する。
【００２９】
かかる本発明の露光方法によると、試料基板上に形成されたレジストに対し、精度よいパターン露光が可能となり、その結果、半導体等のパターンの製造を、高い歩留まりで行うことが出来る。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態に係る転写マスクの製造プロセスについて、図１及び図２を参照して説明する。
【００３１】
まず、図１（ａ）に示すように、２枚の単結晶シリコンウェハ１，２を酸化シリコン層３を介して貼り合わせて、シリコン薄膜層／酸化シリコン層／シリコン支持層からなるＳＯＩ基板４を作製する。このようなＳＯＩ基板４において、シリコン薄膜層の厚さは０．１〜２０μｍ、酸化シリコン層の厚さは０．１〜２μｍ、シリコン支持層の厚さは２００〜１０００μｍであるのが好ましい。
【００３２】
ＳＯＩ基板の貼り合わせ方法は、特に制限されないが、ドライエッチングによる支持層開口後のウェットエッチングの際に酸化シリコン層が熱アルカリに曝されるため、ＳＯＩ基板のシリコン支持層と酸化シリコン層の界面には欠陥の少ないことが重要となるので、シリコン支持層に酸化シリコン層を形成し、シリコン支持層上に形成された酸化シリコン層とシリコン薄膜層とを貼り合わせる方法を好適に用いることができる。この方法によると、シリコン支持層と酸化シリコン層の界面の欠陥が抑制されたＳＯＩ基板を得ることが出来る。
【００３３】
次いで、図１（ｂ）に示すように、ＳＯＩ基板４の全面に窒化シリコンや酸化シリコン等からなるウェットエッチングマスク５を形成する。これらの膜はプラズマ成膜法、スパッタ法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、熱酸化法等により成膜することが出来る。そして、ウェットエッチングマスク５で覆われたＳＯＩ基板４ａのシリコン支持層側の面にフォトレジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィーで支持層開口部パターン７を形成したフォトレジスト６を形成する。
【００３４】
次に、図１（ｃ）に示すように、フォトレジスト６をエッチングマスクとして、ドライエッチングまたはウェットエッチングによって、フォトレジスト６から露出するシリコン支持層開口部に相当する部分の上記ウェットエッチングマスク５を除去して、支持層開口部パターン７ａの形成されたウェットエッチングマスク５ａを形成する。
【００３５】
続いて、図１（ｄ）に示すように、フォトレジスト６をエッチングマスクとして、側壁保護プラズマエッチングや低温プラズマエッチング等のドライエッチングによって、酸化シリコン層３に到達するまで若しくは酸化シリコン層３に到達する直前までシリコン支持層２をエッチングして、開口部７ｂを形成する。開口部７ｂの形成により、シリコン支持層２に支柱８及び周辺支持基板９が形成される。
【００３６】
ここで、シリコン支持層２に開口部７ｂを形成する方法としてドライエッチングを用いたが、他に超音波加工、サンドブラスト等を用いることもできる。
【００３７】
シリコン支持層のドライエッチングのためのマスクとしては、特に制限されない。フォトレジストの代わりに酸化シリコン膜や窒化シリコン膜、金属膜、金属酸化膜、金属窒化膜等も好適に用いることが出来、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜を用いた場合には、ドライエッチングとウェットエッチングの共通のエッチングマスクとすることが出来る。
【００３８】
その後、図２（ａ）に示すように、加熱水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液等のアルカリ液浸積によるウェットエッチングによって、シリコン支持層２の開口形成を完了して、開口部７ｃを得る。ウェットエッチングにより、この開口部７ｃの角部（隅部）には、５４．７４±５．００度の角度の傾斜面が形成される。
【００３９】
次に、図２（ｂ）に示すように、シリコン支持層２に形成された開口部７ｃに露出した酸化シリコン層２をフッ酸水溶液等を除去し、続いて熱リン酸水溶液、フッ酸水溶液等に浸積して、窒化シリコン、酸化シリコン等のウェットエッチングマスク５ａを除去する。
【００４０】
次いで、図２（ｃ）に示すように、シリコン薄膜層１に電子線レジストやフォトレジスト等のレジストを塗布し、電子線リソグラフィーやフォトリソグラフィーによって微細パターン１１の形成されたレジスト１０を形成する。
【００４１】
続いて、図２（ｄ）に示すように、レジスト１０をマスクとしたドライエッチングによって、シリコン薄膜層１に転写パターン１１ａを形成して、転写マスクが得られる。
【００４２】
転写パターン１１ａの形成のためのドライエッチングの方法や条件等は特に制限されない。ドライエッチング装置としては、ＲＩＥ、マグネトロンＲＩＥ、ＥＣＲ、ＩＣＰ、ＮＬＤ、マイクロ波、ヘリコン波等の放電方式を用いたドライエッチング装置が挙げられる。エッチングに使用するガスとしては、ＣＦ４、ＳＦ６ガスといったフッ素系ガスを主体とした混合ガス、Ｃｌ２ガス、ＳｉＣｌ４ガスといった塩素系ガスを主体とした混合ガス、ＨＢｒガスといった臭素系ガスを主体とした混合ガス等が挙げられる。
【００４３】
以上説明した本発明の一実施形態に係る転写マスクの製造プロセスにおいては、シリコン支持層２に開口部７ｃを形成する方法として、最初にドライエッチング等を実施し、引き続きウエットエッチングを実施する、２段階のエッチングを用いている。そのため、シリコン支持層２の開口部底面及び側壁のエッチング残査物が容易に除去される。また、側壁の凹凸が低減され、そのため、側壁からの異物の発生を抑制することが出来る。更に、ウェットエッチングにより、シリコン支持体２の開口部側壁の上端部及び下端部に、５４．７４±５．００度の角度を有する傾斜面を形成することが出来る。そのため、開口部の角部（隅部）に異物が溜まりにくく、且つ溜まった異物の洗浄性に優れた構造を得ることが出来る。
【００４４】
【実施例】
以下、図１〜３を参照して、本発明の実施例について説明する。なお本実施例ではシリコン支持層の開口部を形成した後にシリコン薄膜層に転写パターンを形成しているが、これとは逆にシリコン薄膜層に転写パターンを形成した後にシリコン支持層に開口部を形成しても良い。
【００４５】
図１及び図２は、本説明の一実施例に係る荷電ビーム露光用転写マスク製造工程の一例を表す断面図である。図３は、ドライエッチングによるシリコン支持層の開口形成後にウェットエッチングを施した後の支柱の拡大図である。
【００４６】
まず、図１（ａ）に示すように、結晶面方位が（１００）からなる５００μｍの厚さの単結晶シリコンウェア（シリコン支持層）２上に熱酸化法によって１μｍの厚さの酸化シリコン層３を形成し、これを、結晶面方位が（１００）である２μｍの厚さの単結晶シリコンウェハ（シリコン薄膜層）１と貼り合わせて、ＳＯＩ基板４を作製した。ここではシリコン支持層２、酸化シリコン層３及びシリコン薄膜層１の厚さをそれぞれ５００μｍ、１μｍ及び２μｍとしたが、各層の厚さは、特に制限されない。
【００４７】
次いで、図１（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法によりＳＯＩ基板４の全面にウェットエッチング保護膜としての窒化シリコン膜５を、０．３μｍの厚さに形成して、窒化シリコン膜５で覆われたＳＯＩ基板４ａを作製した。続いて、ＳＯＩ基板４ａのシリコン支持層側の面にフォトレジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィーによって開口部７を形成し、フォトレジスト６を得た。
【００４８】
次に、図１（ｃ）に示すように、フォトレジスト６をエッチングマクスとして、ＣＦ４ガスを主体とした混合ガス用いたＲＩＥにより、開口部７に露出した窒化シリコン５をエッチングして除去し、開口部７ａを形成した。
【００４９】
続いて、図１（ｄ）に示すように、フォトレジスト６をエッチングマスクとしてＣ３Ｆ８ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｃｌ２ガス及びＳＦ６ガスを主体とした混合ガスを用いた誘導結合プラズマによる側壁保護プラズマエッチングで、シリコン支持層２を酸化シリコン層３に到達するまでエッチングして、シリコン支持層２に開口部７ｂを形成した。開口部７ｂの形成により、シリコン支持層２に支柱８及び周辺支持基板９が形成された。
【００５０】
ここで、シリコン支持層２の開口部形成のためのドライエッチングを酸化シリコン層に到達する前に停止する場合には、シリコン支持層２を数μｍないし数十μｍの厚さだけ残してドライエッチングを停止した。
【００５１】
その後、図２（ａ）に示すように、上記フォトレジスト６を酸素ガスによるブラズマアッシングによって除去し、次いで、８５℃に加熱した水酸化カリウム溶液に浸積して、窒化シリコン膜５ａをエッチングマスクとして支柱８及び周辺支持基板９の側壁を１０μｍエッチングし、支柱８ａ及び周辺支持基板９ａを形成した。
【００５２】
上記ウェットエッチングによって、支柱および周辺支持基板の側壁凹凸が大幅に低減されたことを、走査電子顕微鏡及び光学顕微鏡によって確認した。
【００５３】
拡大した図３に示すように、側壁のウェットエッチングにより、支柱８ａ及び周辺支持基板９ａの端部には結晶面２０が露出し、その結晶面方位は（１１１）であった。
【００５４】
また、支柱８ａの上面と酸化シリコン層３との界面２１及び支柱の底面と酸化シリコン５ａとの界面２２と結晶面２０との間の角度２３が、約５４．７４度であることが、支柱断面の走査電子顕微鏡による観察で確認された。
【００５５】
次に、図２（ｂ）に示すように、１６０℃に加熱したリン酸水溶液に上記ウェハを浸積して窒化シリコン５ａを除去し、続いてフッ酸水溶液によるウェットエッチングで支持層開口部７ｃに露出する酸化シリコン層３を除去した。
【００５６】
次いで、図２（ｃ）に示すように、シリコン薄膜層１上に電子線レジストを塗布し、電子線露光により微細パターン１１の形成された電子線レジスト１０を形成した。
【００５７】
更に、図２（ｄ）に示すように、微細パターンの形成された電子線レジスト１０をエッチングマスクとして、塩素ガスを主体とする混合ガスを用いたＲＩＥによりシリコン薄膜層に転写パターン１１ａを形成し、続いて上記電子線レジスト１０を酸素ガスによるプラズマアッシングによって除去して、本実施例に係る転写マスク１２が得られた。
【００５８】
このようにして作製した転写マスク１２では、シリコン支持層２の開口部底面及び側壁には、エッチング残査物は存在しなかった。また、側壁は平滑であり、そのため、側壁から異物は発生しなかった。更に、支柱８ａの上面と酸化シリコン層３との界面２１及び支柱の底面と酸化シリコン５ａとの界面２２と結晶面２０との間の角度２３が、約５４．７４度であるので、開口部の角部（隅部）に異物が溜まりにくく、且つ溜まった異物の洗浄性に優れていた。
【００５９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の転写マスクによれば、シリコン支持体の開口部側壁の上端部及び下端部の少なくとも一方に傾斜面を形成しているため、開口部の角部（隅部）に異物が溜まりにくく、且つ溜まった異物の洗浄性に優れた構造を得ることが出来る。
【００６０】
また、本発明の転写マスクの作製方法によれば、シリコン支持層の開口部の形成を、ドライエッチングと、それに引き続くウェットエッチングによって行っているため、シリコン支持層の開口部底面及び側壁のエッチング残査物が容易に除去されるとともに、側壁の凹凸が低減され、そのため側壁からの異物の発生が抑制される。
【００６１】
更に、本発明の露光方法によると、試料基板上に形成されたレジストに対し、精度よいパターン露光が長期間可能となり、その結果、半導体等のパターンの製造を、高い歩留まりで行うことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る転写マスク作製プロセスを工程順に示す断面図。
【図２】本発明の一実施形態に係る転写マスク作製プロセスを工程順に示す断面図。
【図３】本発明の一実施形態に係る転写マスク作製プロセスにおいて、ウェットエッチングにより側壁をエッチングした後の支柱の概略断面構造を示す図。
【符号の説明】
１・・・シリコン薄膜層
２・・・シリコン支持層
３・・・酸化シリコン層
４・・・ＳＯＩ基板
４ａ・・・ウェットエッチングマスクを全面に成膜したＳＯＩ基板
５・・・ウェットエッチングマスク
５ａ・・・開口パターンを有するウェットエッチングマスク
６・・・開口パターンを有するフォトレジスト
７・・・フォトレジストに形成した開口パターン
７ａ・・・ウェットエッチングマスクに形成した開口パターン
７ｂ・・・シリコン支持層に形成した開口部
７ｃ・・・側壁をウェットエッチングした開口部
８・・・支柱
８ａ・・・側壁をウェットエッチングした支柱
９・・・周辺支持基板
９ａ・・・側壁をウェットエッチングした周辺支持基板
１０・・・微細パターンの形成されたレジスト
１１・・・レジストに形成された微細パターン
１１ａ・・・シリコン薄膜層に形成された転写パターン
１２・・・本発明によって作製された転写マスク
２０・・・ウェットエッチングにより支柱に形成された（１１１）結晶面
２１・・・支柱８ａの上面と酸化シリコン５ａとの界面
２２・・・支柱８ａの底面と窒化シリコン５ａとの界面
２３・・・結晶面２０と界面２１及び界面２２の角度
【図１】
2004152872.tif 000003
【図２】
2004152872.tif 000004
【図３】
2004152872.tif 000005