(57)【要約】【課題】ダイシング時の半導体ウエハのチッピングやクラックの発生、樹脂層の剥離など、ダイシング工程に起因する半導体装置の損傷を防止する。【解決手段】ウエハ１の表面１ａの、スクライブライン領域５の半導体チップ領域３近傍の領域に表面側溝７ａを形成し（Ａ）、ウエハ１の裏面１ｂの、スクライブライン領域５の半導体チップ領域３近傍の領域に裏面側溝７ｂを、表面側溝７ａと裏面側溝７ｂを互いに連結させず、スクライブライン領域５内の互いに異なる領域に、かつウエハ１の厚み方向で重複するように形成した後（Ｂ）、スクライブライン領域５の中央側に切断用溝９を形成して、半導体チップ領域３を個々の半導体チップに分割する（Ｃ）。表面側溝７ａ及び裏面側溝７ｂにより、チッピング及びクラックの半導体チップ領域３への伝播を阻止できる。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数の半導体チップ領域が形成され、半導体チップ領域間にスクライブライン領域が設けられた半導体ウエハを個々の半導体装置に分割するためのダイシング工程を含む半導体装置の製造方法において、
ダイシング工程は、半導体ウエハの表面側の、スクライブライン領域の半導体チップ領域近傍の領域に１又は複数の表面側溝を形成し、半導体ウエハの裏面側の、スクライブライン領域の半導体チップ領域近傍の領域に１又は複数の裏面側溝を形成するチッピング及びクラック防止用溝形成工程、及び
スクライブライン領域の中央側に切断用溝を形成する切断用溝形成工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記チッピング及びクラック防止用溝形成工程は、少なくとも前記表面側溝の１つ及び前記裏面側溝の１つを、互いに連結させず、スクライブライン領域内の互いに異なる領域に、かつ半導体ウエハの厚み方向で重複するように形成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記表面側溝を形成した後、前記切断用溝形成工程の前に、前記表面側溝を覆うように半導体ウエハの表面上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程を含む請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記表面側溝を上面側から見て波形形状に形成する請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記チッピング及びクラック防止用溝形成工程は、少なくとも前記表面側溝の１つ及び前記裏面側溝の１つを、互いに連結させず、かつスクライブライン領域内の同じ領域に位置を合わせて形成し、
前記切断用溝形成工程は、位置合わせして形成された前記表面側溝及び前記裏面側溝のスクライブライン領域の中央側の側面に重複するように前記切断用溝を形成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
位置合わせして形成された前記表面側溝及び前記裏面側溝の少なくとも一方について、スクライブライン領域の交差部近傍の、半導体チップ領域の形成領域形状の角部分に対応する部分を上面側から見て丸みをもつように形成する請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体基板の表面に半導体チップ領域が形成され、さらにその上に樹脂層が形成されている半導体装置において、
半導体基板の表面の外周部に表面側溝が形成されており、前記表面側溝内にも前記樹脂層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記表面側溝は上面側から見て波形形状に形成されている請求項８に記載の半導体装置。
【請求項９】
半導体基板の表面に半導体チップ領域が形成されている半導体装置において、半導体基板の表面もしくは裏面又は両面の外周部に溝が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記溝はテーパー形状に形成されている請求項９に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、表面に複数の半導体チップ領域が形成され、半導体チップ領域間にスクライブライン領域が設けられた半導体ウエハ（単にウエハとも称す）を個々の半導体装置（半導体チップとも称す）に分割するためのダイシング工程を含む半導体装置の製造方法及びその製造方法により製造される半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
各種のウエハプロセス処理を経てウエハ上に複数の半導体チップ領域を完成させた後、各半導体チップ領域間に設けたスクライブライン領域をダイシングブレードにより切断（以下、ダイシングと称す）することにより半導体チップ領域に分離する。ダイシングブレードは、厚さ数１０μｍ（マイクロメートル）の円形砥石の切断面表面にダイヤモンドがニッケル層のような接着材を介して固着されたものである。ダイシング工程の際には、ダイシングブレードを数万ｒｐｍの高速に回転させ、切断面表面のダイヤモンド粒子を半導体ウエハに押し当てながら、スクライブライン領域に沿ってダイシングする。
ダイシング工程には、ウエハ厚全てをダイシングするフルカット法とウエハ厚の一部を残すハーフカット法がある。
【０００３】
また、近年では、１パッケージに２チップ以上搭載するマルチチップパッケージ（ＭＣＰ）技術（例えば特開２００２−２５９４８号公報参照）や、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）技術（例えば特開２０００−２６０９１０号公報参照）等を用いて半導体チップを実装すべく、半導体チップを小型化することが重要になってきている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の構造では、図２０に示すように、ウエハ１表面に形成された複数の半導体チップ領域３を個々の半導体チップに分割すべく、ダイシングブレード２９を用いてダイシングする時に、ウエハ１の表面１ａにチッピング（欠け）３１やクラック（亀裂）等が発生するため、チッピング３１等の半導体チップ領域３への伝播を阻止するためにスクライブライン領域５の幅を広くしていた。
【０００５】
また、裏面１ｂに発生するチッピング３３であっても、個々に分割した半導体チップの裏面をリードフレームにダイボンディングさせる工程において治具との接触不良等の問題を起こしやすくなる。このような問題はＭＣＰにおいてはさらに顕著となる。
【０００６】
また、近年、発達してきたＣＳＰにおいては、半導体チップの裏面が実装時の表面になるため、半導体チップの裏面側のチッピングは外観上問題になるほか、半導体チップの裏面に文字を印字する際、特にチップサイズが小さいと文字が正常に印字できなくなるという問題があった。
【０００７】
また、半導体チップの表面側のチッピングは、半導体チップを実装する際の熱ストレスにより、半導体チップの表面側の最上層に形成された樹脂層の剥離が生じるという問題があった。
【０００８】
これとは別に、配線パターンが形成された基板上に半導体チップを搭載し、基板上で樹脂封止が行われるチップオンボード（ＣＯＢ）実装に用いられる半導体チップでは、少なくとも１辺のチッピングが発生していない基準辺が重ね合わせ作業上必要であり、半導体チップの外形精度が要求される。特に、配線パターンが形成された基板上に半導体チップを搭載し、さらにその半導体チップ上に別の半導体チップを搭載する場合に、半導体チップの外形精度が要求される。
【０００９】
例えば図２１に示すように、２つの半導体チップ３５，３７を重ねて搭載するＣＯＢ実装では、下側の半導体チップ３５の半導体基板１の表面１ａにチッピング３１があり、上側の半導体チップ３７の半導体基板１の裏面１ｂにチッピング３３があると、半導体チップ３５と３７を接着させるための接着材３９が基準辺からはみ出し、位置合わせ精度の低下を招くという問題があった。このような問題は、下層の半導体チップの表面又は上層の半導体チップの裏面のいずれかにチッピングがある場合にも起こっていた。
【００１０】
本発明の第１の目的は、ダイシング時の半導体ウエハのチッピングやクラックの発生、樹脂層の剥離など、ダイシング工程に起因する半導体装置の損傷を防止することである。
本発明の第２の目的は、２つ以上の半導体装置を重ねて搭載する際に半導体装置間に充填される接着剤のはみ出しを防止することができる半導体装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、表面に複数の半導体チップ領域が形成され、半導体チップ領域間にスクライブライン領域が設けられた半導体ウエハを個々の半導体装置に分割するためのダイシング工程を含む半導体装置の製造方法であって、ダイシング工程は、半導体ウエハの表面側の、スクライブライン領域の半導体チップ領域近傍の領域に１又は複数の表面側溝を形成し、半導体ウエハの裏面側の、スクライブライン領域の半導体チップ領域近傍の領域に１又は複数の裏面側溝を形成するチッピング及びクラック防止用溝形成工程、及びスクライブライン領域の中央側に切断用溝を形成する切断用溝形成工程を含む。
【００１２】
半導体チップ領域を個々の半導体装置に分割するために切断用溝を形成する前に、スクライブライン領域の半導体チップ領域近傍の領域に表面側溝及び裏面側溝を形成する。これにより、表面側及び裏面側においてチッピングが半導体チップ領域へ伝播するのを阻止することができ、半導体装置の損傷を防止することができる。
【００１３】
本発明の半導体装置の製造方法において、上記チッピング及びクラック防止用溝形成工程は、少なくとも上記表面側溝の１つ及び上記裏面側溝の１つを、互いに連結させず、スクライブライン領域内の互いに異なる領域に、かつ半導体ウエハの厚み方向で重複するように形成することが好ましい。その結果、切断用溝形成工程においてスクライブライン領域の中央側でクラックが発生しても、クラックが半導体チップ領域へ伝播するのを阻止することができ、半導体装置の損傷を防止することができる。
【００１４】
さらに、上記表面側溝を形成した後、上記切断用溝形成工程の前に、上記表面側溝を覆うように半導体ウエハの表面上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程を含むことが好ましい。その結果、樹脂層は表面側溝内にも形成されるので、樹脂層と半導体ウエハの密着性を向上させることができ、樹脂層の剥離を防止することができる。
【００１５】
上記樹脂層形成工程を含む場合、上記表面側溝を上面側から見て波形形状に形成することが好ましい。本明細書において波形形状とは、波線形状、櫛歯形状、ジグザグ形状など、スクライブライン領域の交差部、交差部間の表面側溝が上面側から見て直線で結ばれた直線形状以外の形状をいう。表面側溝を波形形状に形成することにより、半導体ウエハと樹脂層の接触面積を大きくすることができ、半導体ウエハと樹脂層の密着性をさらに向上させることができる。
【００１６】
本発明の半導体装置の製造方法において、上記チッピング及びクラック防止用溝形成工程は、少なくとも上記表面側溝の１つ及び上記裏面側溝の１つを、互いに連結させず、かつスクライブライン領域内の同じ領域に位置を合わせて形成し、上記切断用溝形成工程は、位置合わせして形成された上記表面側溝及び上記裏面側溝のスクライブライン領域の中央側の側面に重複するように上記切断用溝を形成することが好ましい。
【００１７】
その結果、半導体チップ領域を個々の半導体装置に分割するために切断用溝を形成する前にスクライブライン領域の半導体チップ領域近傍の領域に表面側溝及び裏面側溝を形成し、表面側溝及び裏面側溝のスクライブライン領域の中央側の側面に重複するように切断用溝を形成することにより、表面側及び裏面側でのチッピングの半導体チップ領域への伝播を阻止することができ、半導体装置の損傷を防止することができる。
さらに、分割後の半導体装置の側面において、中央側部分を除く表面側部分及び裏面側部分（エッヂ部分）は上面側溝及び裏面側溝の半導体チップ領域側の側面により構成されるので、半導体装置のエッヂ部分を奇麗に仕上げることができ、後の工程でのエッヂ部分の欠けを防止することができる。
さらに、２つ以上の半導体装置を重ねて搭載するＣＯＢ実装の場合、半導体装置のエッヂ部分の欠けをなくすことにより、重ね合わせ精度を向上させることができ、上下の半導体装置間の接触面積を維持し、接着が不安定になるのを防止することができる。
【００１８】
さらに、位置合わせして形成された上記表面側溝及び上記裏面側溝の少なくとも一方について、スクライブライン領域の交差部近傍の、半導体チップ領域の形成領域形状の角部分に対応する部分を上面側から見て丸みをもつように形成することが好ましい。その結果、分割後の半導体装置の角部分に丸みをもたせることができ、後の工程での角部分の欠けを防止することができる。
【００１９】
本発明の半導体装置の第１態様は、半導体基板の表面に半導体チップ領域が形成され、さらにその上に樹脂層が形成されている半導体装置であって、半導体基板の表面の外周部に表面側溝が形成されており、上記表面側溝内にも上記樹脂層が形成されているものである。
【００２０】
樹脂層が表面側溝内にも形成されているので、樹脂層と半導体基板の密着性を向上させることができ、樹脂層の剥離を防止することができる。表面側溝が形成されている領域の半導体基板上にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの絶縁膜や保護膜が形成されている場合には、それらの膜にも表面側溝が形成されている。
【００２１】
本発明の半導体装置の第１態様において、上記表面側溝を上面側から見て波形形状に形成されていることが好ましい。その結果、半導体ウエハと樹脂層の接触面積を大きくすることができるので、半導体ウエハと樹脂層の密着性をさらに向上させることができる。
【００２２】
本発明の半導体装置の第２態様は、半導体基板の表面に半導体チップ領域が形成されている半導体装置であって、半導体基板の表面もしくは裏面又は両面の外周部に溝が形成されているものである。
【００２３】
半導体基板の表面もしくは裏面又は両面の外周部に溝が形成されていることにより、２つ以上の半導体装置を重ねて搭載する際に半導体装置間に充填される接着剤のはみ出しを防止することができる。上記溝が形成されている領域の半導体基板上にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの絶縁膜や保護膜が形成されている場合には、それらの膜にも溝が形成されている。
【００２４】
本発明の半導体装置の第２態様において、上記溝はテーパー形状に形成されていることが好ましい。その結果、２つ以上の半導体装置を重ねて搭載する際に半導体装置間に充填される余分な分の接着剤を溝内に導入しやすくすることができ、接着剤のはみ出しを防止する効果を向上させることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
図１は半導体装置の製造方法の一実施例を示す工程断面図である。図２は図１（Ａ）及び（Ｂ）の工程でのスクライブライン領域の交差部近傍を示す平面図であり、（Ａ）は図１（Ａ）に対応し、（Ｂ）は図１（Ｂ）に対応している。図１及び図２を参照してこの実施例を説明する。
【００２６】
（１）表面１ａに複数の半導体チップ領域３が形成され、半導体チップ領域３の間にスクライブライン領域５が設けられたウエハ１の表面１ａの、スクライブライン領域５の半導体チップ領域３近傍の領域に表面側トレンチ（表面側溝）７ａを形成する。例えばウエハ１の厚みは４００μｍであり、スクライブライン領域５の幅は１００〜１８０μｍであり、表面側トレンチ７ａの幅は２〜３μｍであり、表面側トレンチ７ａの深さは１５０μｍである（図１（Ａ）及び図２（Ａ）参照）。
この工程は、半導体チップ領域３の製造プロセス中に行なってもよいし、半導体チップ領域３の製造プロセスが完了した後に行なってもよい。
【００２７】
表面側トレンチ７ａの形成には例えばフッ素系又は塩素系ガスを用いた汎用的なドライエッチング技術を適用でき、最も好ましいのは、ＩＣＰ−ＲＩＥ（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　ｃｏｕｐｌｅｄ　ｐｌａｓｍａ　ｒｅａｃｔｉｖｅ　ｉｏｎ　ｅｔｃｈｉｎｇ：誘導結合プラズマ−反応性イオンエッチング）と呼ばれる、高速なエッチング技術を挙げることができる。ＩＣＰによるエッチングとエッチング部側壁への保護膜の形成を高速で繰り返すトレンチ形成方法、いわゆるＢｏｓｃｈプロセスによるＩＣＰ−ＲＩＥは、極めてアンダーカットがなく、高アスペクト比で、トレンチを高速に加工できる。
【００２８】
（２）ウエハ１の裏面１ｂの、スクライブライン領域５の半導体チップ領域３近傍の領域に裏面側トレンチ（裏面側溝）７ｂを、表面側トレンチ７ａと裏面側トレンチ７ｂを互いに連結させず、スクライブライン領域５内の互いに異なる領域に、かつウエハ１の厚み方向で重複するように形成する。例えば裏面側トレンチ７ｂの寸法は、幅が２〜３μｍ、深さが３００μｍである。この実施例では裏面側トレンチ７ｂを、表面側トレンチ７ａよりも半導体チップ領域３側に、表面側トレンチ７ａとは水平方向で１０〜３０μｍの間隔をもたせて形成した（図１（Ｂ）及び図２（Ｂ）参照）。
この工程は、半導体チップ領域３の製造プロセス中に行なってもよいし、半導体チップ領域３の製造プロセスが完了した後に行なってもよい。
【００２９】
裏面側トレンチ７ｂの形成には、表面側トレンチ７ａの形成と同様に、汎用的なドライエッチング技術やＩＣＰ−ＲＩＥを適用できる。
工程（１）及び工程（２）は本発明の半導体装置の製造方法のチッピング及びクラック防止用溝形成工程を構成する。
【００３０】
（３）刃の幅が２０〜３０μｍ程度のダイシングブレード１０を用いてスクライブライン領域５の中央側に幅が３０〜４０μｍ程度の切断用溝９を形成して、半導体チップ領域３を個々の半導体チップに分割する（図１（Ｃ）参照）。この工程は本発明の半導体装置の製造方法の切断用溝形成工程を構成する。
【００３１】
切断用溝９の形成時に、スクライブライン領域５の中央側でウエハ１の表面１ａ及び裏面１ｂにチッピングが発生しても、スクライブライン領域５の半導体チップ領域３近傍の領域に表面側トレンチ７ａ及び裏面側トレンチ７ｂが形成されているので、表面１ａ及び裏面１ｂでのチッピングの半導体チップ領域３への伝播を阻止することができ、半導体装置の損傷を防止することができる。
【００３２】
また、スクライブライン領域５にＴＥＧ（Ｔｅｓｔ　Ｅｌｅｍｅｎｔ　Ｇｒｏｕｐ）用のパッド等の金属パターンを形成することがある（例えば特開２００１−３０８０３６号公報参照）。スクライブライン領域５に金属パターンが形成されていると、切断用溝９の形成時に、金属パターンの切り屑によるダイシングブレードの刃の目詰まりにより、ウエハ１にクラックが発生することがある。
【００３３】
この実施例では、切断用溝９の形成時にスクライブライン領域５の中央側でウエハ１にクラックが発生しても、スクライブライン領域５の半導体チップ領域３の近傍の領域に表面側トレンチ７ａと裏面側トレンチ７ｂを、互いに連結させず、スクライブライン領域５内の互いに異なる領域に、かつウエハ１の厚み方向で重複するように形成しているので、クラックが半導体チップ領域３へ伝播するのを阻止することができ、半導体装置の損傷を防止することができる。
【００３４】
この実施例では表面側トレンチ７ａを、スクライブライン領域５を横切ってスクライブライン領域５の交差部の周囲にも形成しているが、本発明の半導体装置の製造方法はこれに限定されるものではなく、例えば図３に示すように、表面側トレンチ７ａ及び裏面側トレンチ７ｂをスクライブライン領域５の交差部の周囲には形成せずに半導体チップ領域３を囲むように形成してもよい。また、裏面側トレンチ７ｂを、スクライブライン領域５を横切ってスクライブライン領域５の交差部の周囲にも形成し、表面側トレンチ７ａをスクライブライン領域５の交差部の周囲には形成せずに半導体チップ領域３を囲むように形成してもよい。
【００３５】
図４は半導体装置の製造方法の他の実施例を示す工程断面図である。図５は図４（Ｂ）の工程でのスクライブライン領域の交差部近傍を示す平面図である。図４及び図５を参照してこの実施例を説明する。
【００３６】
（１）図１（Ａ）及び（Ｂ）を参照して説明した工程（１）及び（２）と同様にして、表面１ａに複数の半導体チップ領域３が形成され、半導体チップ領域３の間にスクライブライン領域５が設けられたウエハ１のスクライブライン領域に、表面１ａには表面側トレンチ７ａを形成し、裏面１ｂには裏面側トレンチ７ｂをする（図４（Ａ）参照）。この工程は本発明の半導体装置の製造方法のチッピング及びクラック防止用溝形成工程を構成する。
【００３７】
（２）半導体ウエハ１の表面１ａ上に、表面側トレンチ７ａを覆い、表面側トレンチ７ａ内に入り込むように樹脂層１１を形成する（図４（Ｂ）及び図５参照）。樹脂層１１を表面側トレンチ７ａ内に入り込むように形成することにより、樹脂層１１とウエハ１の密着性を向上させることができる。この工程は、本発明の半導体装置の製造方法の樹脂層形成工程を構成する。
【００３８】
樹脂層１１の形成方法としては、例えば特開平２００１−５５４３２号公報に示されているように、金型を作製し、その金型内にウエハ１、タブレット状の樹脂、テンポラリフィルム（封止樹脂を金型に接触させないための材料）を配置し、封止樹脂を加熱圧縮してウエハ１の表面１ａ上へ押し広げて樹脂層１１を形成する方法や、特開平７−１６１７６４号公報に示されているように、スピンコート法によりウエハ１の表面１ａ上に未硬化の樹脂を形成した後、樹脂を硬化させて樹脂層１１を形成する方法などを挙げることができる。ただし、樹脂層１１は、これらの方法以外の方法により形成してもよい。
【００３９】
（３）ダイシングブレード１０を用いてスクライブライン領域５の中央側に切断用溝９を形成して、半導体チップ領域３を個々の半導体チップに分割する（図４（Ｃ）参照）。
【００４０】
この実施例では、図１及び図２を参照して説明した製造方法の実施例と同様に、表面１ａ及び裏面１ｂでのチッピングの半導体チップ領域３への伝播を阻止することができ、半導体装置の損傷を防止することができる。さらに、切断用溝９の形成時にスクライブライン領域５の中央側でウエハ１にクラックが発生しても、クラックが半導体チップ領域３へ伝播するのを阻止することができ、半導体装置の損傷を防止することができる。
【００４１】
さらに、個々に分割された半導体チップでは、樹脂層１１が表面側トレンチ７ａ内にも形成されているので、樹脂層１１と半導体ウエハ（半導体基板）１の密着性を向上させることができ、樹脂層１１の剥離を防止することができる。個々に分割された半導体チップは本発明の半導体装置の第１態様の一実施例を構成する。
【００４２】
この実施例では表面側トレンチ７ａを、スクライブライン領域５を横切ってスクライブライン領域５の交差部の周囲にも形成しているが、本発明の半導体装置の製造方法はこれに限定されるものではなく、例えば図６に示すように、表面側トレンチ７ａ及び裏面側トレンチ７ｂをスクライブライン領域５の交差部の周囲には形成せずに半導体チップ領域３を囲むように形成してもよい。また、裏面側トレンチ７ｂを、スクライブライン領域５を横切ってスクライブライン領域５の交差部の周囲にも形成し、表面側トレンチ７ａをスクライブライン領域５の交差部の周囲には形成せずに半導体チップ領域３を囲むように形成してもよい。
【００４３】
また、この実施例では、表面側トレンチ７ａを上面側から見て直線形状に形成しているが、例えば表面側トレンチ７ａを上面側から見て波線形状や（図７（Ａ）参照）、櫛歯形状（図７（Ｂ）参照）、ジグザグ形状（図７（Ｃ）参照）など、波形形状に形成するようにしてもよい。図７では樹脂層１１の図示は省略している。
【００４４】
表面側トレンチ７ａを上面側から見て波形形状に形成することにより、半導体ウエハ１と樹脂層１１の接触面積を大きくすることができ、半導体ウエハ１と樹脂層１１の密着性をさらに向上させることができる。
【００４５】
また、図１から図７を参照して説明した実施例では、裏面側トレンチ７ｂを、表面側トレンチ７ａよりも半導体チップ領域３側に形成しているが、本発明の半導体装置の製造方法はこれに限定されるものではなく、表面側トレンチ７ａを裏面側トレンチ７ｂよりも半導体チップ領域３側に形成してもよい。
【００４６】
また、図１から図７を参照して説明した実施例では、表面側トレンチ７ａを形成した後、裏面側トレンチ７ｂを形成しているが、本発明の半導体装置の製造方法はこれに限定されるものではなく、裏面側トレンチ７ｂを形成した後、表面側トレンチ７ａを形成するようにしてもよい。
【００４７】
図８は半導体装置の製造方法のさらに他の実施例を示す工程断面図である。図９は図８（Ａ）の工程でのスクライブライン領域の交差部近傍を示す平面図である。図８及び図９を参照してこの実施例を説明する。
【００４８】
（１）表面１ａに複数の半導体チップ領域３が形成され、半導体チップ領域３の間にスクライブライン領域５が設けられたウエハ１の表面１ａの、スクライブライン領域５の半導体チップ領域３近傍の領域に表面側トレンチ１３ａを形成する。例えばウエハ１の厚みは４００μｍであり、スクライブライン領域５の幅は１００〜１８０μｍであり、表面側トレンチ１３ａの幅は５〜２０μｍであり、表面側トレンチ１３ａの深さは１５０μｍである（図８（Ａ）及び図９参照）。
【００４９】
表面側トレンチ１３ａの形成には、図１（Ａ）を参照して説明した表面側トレンチ７ａの形成と同様に、汎用的なドライエッチング技術やＩＣＰ−ＲＩＥを適用できる。
工程（１）は、半導体チップ領域３の製造プロセス中に行なってもよいし、半導体チップ領域３の製造プロセスが完了した後に行なってもよい。
【００５０】
（２）ウエハ１の裏面１ｂの、スクライブライン領域５の半導体チップ領域３近傍の領域に裏面側トレンチ１３ｂを、表面側トレンチ１３ａと互いに連結させず、かつスクライブライン領域内の表面側トレンチ１３ａと同じ領域に位置を合わせて形成する。例えば裏面側トレンチ１３ｂの寸法は、幅が５〜２０μｍ、深さが１５０μｍである（図８（Ｂ）参照）。ここで、表面側トレンチ１３ａの底と裏面側トレンチ１３ｂの底の間の長さ（両トレンチ１３ａ，１３ｂ間のウエハ１の厚み）は、ダイシング工程前に、充分な強度を保てる長さにしておく。
【００５１】
表面側トレンチ１３ａの形成には、図１（Ａ）を参照して説明した表面側トレンチ７ａの形成と同様に、汎用的なドライエッチング技術やＩＣＰ−ＲＩＥを適用できる。
工程（２）は、半導体チップ領域３の製造プロセス中に行なってもよいし、半導体チップ領域３の製造プロセスが完了した後に行なってもよい。
工程（１）及び工程（２）は本発明の半導体装置の製造方法のチッピング及びクラック防止用溝形成工程を構成する。
【００５２】
（３）刃の幅が２０〜３０μｍ程度のダイシングブレード１０を用いてスクライブライン領域５の中央側に、表面側トレンチ１３ａ及び裏面側トレンチ１３ｂのスクライブライン領域５の中央側の側面に重複するように、幅が３０〜４０μｍ程度の切断用溝１５を形成して、半導体チップ領域３を個々の半導体チップに分割する（図８（Ｃ）参照）。この工程は本発明の半導体装置の製造方法の切断用溝形成工程を構成する。
【００５３】
切断用溝１５の形成時に、スクライブライン領域５の中央側でウエハ１の表面１ａ及び裏面１ｂにチッピングが発生しても、スクライブライン領域５の半導体チップ領域３近傍の領域に表面側トレンチ１３ａ及び裏面側トレンチ１３ｂが形成されているので、表面１ａ及び裏面１ｂでのチッピングの半導体チップ領域３への伝播を阻止することができ、半導体装置の損傷を防止することができる。
【００５４】
さらに、個々に分割された半導体チップの側面において、中央側部分を除く表面側部分及び裏面側部分（エッヂ部分）は上面側トレンチ１３ａ及び裏面側トレンチ１３ｂの半導体チップ領域３側の側面により構成されるので、半導体チップのエッヂ部分を奇麗に仕上げることができ、後の工程でのエッヂ部分の欠けを防止することができる。
【００５５】
さらに、２つ以上の半導体チップを重ねて搭載するＣＯＢ実装の場合、半導体チップのエッヂ部分の欠けをなくすことにより、重ね合わせ精度を向上させることができ、上下の半導体チップ間の接触面積を維持し、接着が不安定になるのを防止することができる。
【００５６】
図１０は半導体装置の製造方法のさらに他の実施例を説明するための上面図である。この実施例の工程断面図は図８と同じである。
この実施例では、図８及び図９を参照して説明した実施例の工程（１）から（３）と同様にして半導体チップ領域３を個々の半導体チップに分割する。
【００５７】
この実施例で、図８及び図９を参照して説明した実施例と異なる点は、表面側トレンチ１３ａ及び裏面側トレンチ１３ｂについて、スクライブライン領域５の交差部近傍の、半導体チップ領域３の形成領域形状の角部分に対応する部分１７を上面側から見て丸みをもつように形成することである。これにより、個々に分割された半導体チップの角部分１７に丸みをもたせることができ、後の工程での角部分１７の欠けを防止することができる。
【００５８】
この実施例では表面側トレンチ１３ａ及び裏面側トレンチ１３ｂの両方についてスクライブライン領域５の交差部近傍の、半導体チップ領域３の形成領域形状の角部分に対応する部分１７を上面側から見て丸みをもつように形成しているが、本発明の半導体装置の製造方法はこれに限定されるものではなく、表面側トレンチ１３ａと裏面側トレンチ１３ｂの一方についてのみ、スクライブライン領域５の交差部近傍の、半導体チップ領域３の形成領域形状の角部分に対応する部分１７を上面側から見て丸みをもつように形成してもよい。
【００５９】
図１１は半導体装置の製造方法のさらに他の実施例を示す工程断面図である。図１２は図１１（Ａ）の工程でのスクライブライン領域の交差部近傍を示す平面図である。図８及び図９と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。図１１及び図１２を参照してこの実施例を説明する。
【００６０】
（１）ウエハ１の表面１ａの、スクライブライン領域５の半導体チップ領域３近傍の領域に表面側トレンチ１３ａを形成する。各スクライブライン領域５には２本の表面側トレンチ１３ａ，１３ａを形成する。例えばスクライブライン領域５の幅は５０〜１００μｍであり、表面側トレンチ１３ａ、１３ａ間の距離は２０〜３０μｍである（図１１（Ａ）及び図１２参照）。
【００６１】
（２）ウエハ１の裏面１ｂの、スクライブライン領域５の半導体チップ領域３近傍の領域に裏面側トレンチ１３ｂを、表面側トレンチ１３ａと互いに連結させず、かつスクライブライン領域内の表面側トレンチ１３ａと同じ領域に位置を合わせて形成する。裏面側トレンチ１３ｂ、１３ｂ間の距離は例えば２０〜３０μｍである（図１１（Ｂ）参照）。
工程（１）及び工程（２）は本発明の半導体装置の製造方法のチッピング及びクラック防止用溝形成工程を構成する。
【００６２】
（３）刃の幅が２０〜３０μｍ程度のダイシングブレード１０を用いてスクライブライン領域５の中央側に、２本の表面側トレンチ１３ａ，１３ａ及び２本の裏面側トレンチ１３ｂ，１３ｂのスクライブライン領域５の中央側の側面に重複するように、幅が３０〜４０μｍ程度の切断用溝１５を形成して、半導体チップ領域３を個々の半導体チップに分割する（図１１（Ｃ）参照）。この工程は本発明の半導体装置の製造方法の切断用溝形成工程を構成する。
【００６３】
この実施例では、図８及び図９を参照して説明した実施例と同様に、切断用溝１５の形成時にスクライブライン領域５の中央側でウエハ１の表面１ａ及び裏面１ｂにチッピングが発生しても、表面１ａ及び裏面１ｂでのチッピングの半導体チップ領域３への伝播を阻止することができ、半導体装置の損傷を防止することができる。さらに、半導体チップのエッヂ部分を奇麗に仕上げることができ、後の工程でのエッヂ部分の欠けを防止することができる。さらに、２つ以上の半導体チップを重ねて搭載するＣＯＢ実装の場合に重ね合わせ精度を向上させることができ、上下の半導体チップ間の接触面積を維持し、接着が不安定になるのを防止することができる。
【００６４】
さらに、スクライブライン領域５ごとに１回のダイシングで各チップ領域３を分割することができるので、処理時間を短縮することができる。
さらに、スクライブライン領域５の幅を小さくすることができるので、ウエハ１枚あたりに形成できるチップ領域３の個数を増加させることができ、製造コストを低減することができる。
【００６５】
この実施例では、表面側トレンチ１３ａ及び裏面側トレンチ１３ｂについて、スクライブライン領域５の交差部近傍の、半導体チップ領域３の形成領域形状の角部分に対応する部分を直角に形成しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、図１０に示したのと同様に、半導体チップ領域３の形成領域形状の角部分に対応する部分を上面側から見て丸みをもつように形成するようにしてもよい。
【００６６】
図８及び図９を参照して説明した実施例、図１０を参照して説明した実施例、並びに図１１及び図１２を参照して説明した実施例では、表面側トレンチ１３ａ及び裏面側トレンチ１３ｂを、スクライブライン領域５を横切ってスクライブライン領域５の交差部を囲むように形成しているが、本発明の半導体装置の製造方法はこれに限定されるものではなく、図３に示したのと同様に、表面側トレンチ１３ａ及び裏面側トレンチ１３ｂをスクライブライン領域５の交差部の周囲には形成せずに半導体チップ領域３を囲むように形成してもよい。また、表面側トレンチ１３ａと裏面側トレンチ１３ｂのいずれか一方をスクライブライン領域５を横切ってスクライブライン領域５の交差部の周囲にも形成し、他方をスクライブライン領域５の交差部の周囲には形成せずに半導体チップ領域３を囲むように形成してもよい。
【００６７】
また、これらの実施例では表面側トレンチ１３ａを形成した後、裏面側トレンチ１３ｂを形成しているが、本発明の半導体装置の製造方法はこれに限定されるものではなく、裏面側トレンチ１３ｂを形成した後、表面側トレンチ１３ａを形成するようにしてもよい。
【００６８】
図１３は半導体装置の製造方法のさらに他の実施例を示す工程断面図である。図１４は図１３（Ａ）の工程でのスクライブライン領域の交差部近傍を示す平面図である。図１３及び図１４を参照してこの実施例を説明する。
【００６９】
（１）表面１ａに複数の半導体チップ領域３が形成され、半導体チップ領域３の間にスクライブライン領域５が設けられたウエハ１の表面１ａの、スクライブライン領域５の半導体チップ領域３近傍の領域に、スクライブライン領域５の中央側から順に表面側トレンチ１９ａ，２１ａを形成する。例えばウエハ１の厚みは４００μｍであり、スクライブライン領域５の幅は１００〜１８０μｍである。また、例えば表面側トレンチ１９ａの寸法は幅が５〜１０μｍ、深さが１５０μｍであり、表面側トレンチ２１ａの寸法は幅が５〜２０μｍ、深さが５０〜１５０μｍであり、表面側トレンチ１９ａ，２１ａ間の寸法は１０〜３０μｍである（図１３（Ａ）及び図１４参照）。
【００７０】
表面側トレンチ１９ａ，２１ａの形成には、図１（Ａ）を参照して説明した表面側トレンチ７ａの形成と同様に、汎用的なドライエッチング技術やＩＣＰ−ＲＩＥを適用できる。表面側トレンチ１９ａ，２１ａを同じ深さに形成する場合は、製造工程数を低減するために、両トレント１９ａ，２１ａを同時に形成することが好ましい。
工程（１）は、半導体チップ領域３の製造プロセス中に行なってもよいし、半導体チップ領域３の製造プロセスが完了した後に行なってもよい。
【００７１】
（２）ウエハ１の裏面１ｂの、スクライブライン領域５の半導体チップ領域３近傍の領域に、スクライブライン領域５の中央側から順に裏面側トレンチ１９ｂ，２１ｂを形成する。裏面側トレンチ１９ｂについては、表面側トレンチ１９ａと互いに連結させず、かつスクライブライン領域内の表面側トレンチ１３ａと同じ領域に位置を合わせて形成する。例えば裏面側トレンチ１９ｂの寸法は、幅が５〜１０μｍ、深さが１５０μｍであり、裏面側トレンチ２１ｂの寸法は幅が５〜２０μｍ、深さが５０〜１５０μｍであり、裏面側トレンチ１９ｂ，２１ｂ間の寸法は１０〜３０μｍである（図１３（Ｂ）参照）。
【００７２】
裏面側トレンチ１９ｂ，２１ｂの形成には、図１（Ａ）を参照して説明した表面側トレンチ７ａの形成と同様に、汎用的なドライエッチング技術やＩＣＰ−ＲＩＥを適用できる。裏面側トレンチ１９ｂ，２１ｂを同じ深さに形成する場合は、製造工程数を低減するために、両トレント１９ｂ，２１ｂを同時に形成することが好ましい。
工程（２）は、半導体チップ領域３の製造プロセス中に行なってもよいし、半導体チップ領域３の製造プロセスが完了した後に行なってもよい。
工程（１）及び工程（２）は本発明の半導体装置の製造方法のチッピング及びクラック防止用溝形成工程を構成する。
【００７３】
（３）刃の幅が２０〜３０μｍ程度のダイシングブレード１０を用いてスクライブライン領域５の中央側に、表面側トレンチ１３ａ及び裏面側トレンチ１３ｂのスクライブライン領域５の中央側の側面に重複するように、幅が３０〜４０μｍ程度の切断用溝１５を形成して、半導体チップ領域３を個々の半導体チップに分割する（図１１（Ｃ）参照）。この工程は本発明の半導体装置の製造方法の切断用溝形成工程を構成する。
【００７４】
個々に分割された半導体チップには、ウエハ（半導体基板）１の表面１ａの外周部に表面側溝２１ａが形成され、裏面１ｂの外周部に裏面側溝２１ｂが形成されている。この半導体チップは本発明の半導体装置の第２態様の一実施例を構成する。
【００７５】
この実施例では、図８及び図９を参照して説明した実施例と同様に、表面側トレンチ１９ａ及び裏面側トレンチ１９ｂにより、表面１ａ及び裏面１ｂでのチッピングの半導体チップ領域３への伝播を阻止して半導体装置の損傷を防止することができ、さらに、個々に分割された半導体チップの側面において半導体チップのエッヂ部分を奇麗に仕上げることができ、後の工程でのエッヂ部分の欠けを防止することができ、さらに、２つ以上の半導体チップを重ねて搭載するＣＯＢ実装の場合重ね合わせ精度を向上させることができ、上下の半導体チップ間の接触面積を維持し、接着が不安定になるのを防止することができる。
【００７６】
この実施例では表面側トレンチ１９ａ，２１ａ及び裏面側トレンチ１９ｂ，２１ｂを、スクライブライン領域５を横切ってスクライブライン領域５の交差部を囲むように形成しているが、本発明の半導体装置の製造方法はこれに限定されるものではなく、例えば図１５に示すように、表面側トレンチ１９ａ，２１ａ及び裏面側トレンチ１９ｂ，２１ｂをスクライブライン領域５の交差部の周囲には形成せずに半導体チップ領域３を囲むように形成してもよい。また、表面側トレンチ１９ａ，２１ａと裏面側トレンチ１９ｂ，２１ｂのうちのいずれかのトレンチをスクライブライン領域５を横切ってスクライブライン領域５の交差部の周囲にも形成し、残りのトレンチをスクライブライン領域５の交差部の周囲には形成せずに半導体チップ領域３を囲むように形成してもよい。
【００７７】
図１３及び図１４を参照して説明した実施例により製造した半導体チップをＣＯＢ実装に適用し、２つの半導体チップを重ねて搭載した状態の断面図を図１６に示す。図１６では半導体チップを搭載するための基板の図示は省略し、重ね合わされて配置される２つの半導体チップのみを示している。
【００７８】
下側の半導体チップ２３の表面１ａ上に接着剤２７を介して上側の半導体チップ２５が位置合わせして重ね合わせられている。
半導体チップ２３上に半導体チップ２５を搭載する際、余分な接着剤２７は半導体チップ２３の表面１ａの外周部に形成された表面側トレンチ２１ａ内、及び半導体チップ２５の裏面１ｂの外周部に形成された裏面側トレンチ２１ｂ内に入っていくので、半導体チップ２３，２５の側面から余分な接着材２７がはみ出すのを防止することができる。
【００７９】
図１３及び図１４を参照して説明した実施例では、表面側トレンチ２１ａ及び裏面側トレンチ２１ｂについて、それらの側面を表面１ａ及び裏面１ｂに対して直交する方向に形成しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば図１７に示すように、表面側トレンチ２１ａを表面１ａ側が広いテーパー形状に形成し、裏面側トレンチ２１ｂを裏面１ｂ側が広いテーパー形状に形成してもよい。
【００８０】
表面側トレンチ２１ａ及び裏面側トレンチ２１ｂをテーパー形状に形成することにより、個々に分割後の半導体チップを、２つの半導体チップを重ねて搭載するＣＯＢ実装に適用した場合に、余分な接着剤が表面側トレンチ２１ａ内及び裏面側トレンチ２１ｂ内に入りやすくすることができ、重ねて配置した半導体チップの側面から余分な接着材がはみ出すのを防止する効果を向上させることができる。
【００８１】
図１８は半導体装置の製造方法のさらに他の実施例を示す工程断面図である。図１９は図１８（Ａ）の工程でのスクライブライン領域の交差部近傍を示す平面図である。図１３及び図１４と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。図１８及び図１９を参照してこの実施例を説明する。
【００８２】
（１）ウエハ１の表面１ａの、スクライブライン領域５の半導体チップ領域３近傍の領域に、スクライブライン領域５の中央側から順に表面側トレンチ１９ａ，２１ａを形成する。各スクライブライン領域５には表面側トレンチ１９ａ，２１ａの組を２組ずつ形成する。例えばスクライブライン領域５の幅は１００〜１８０μｍであり、表面側トレンチ１９ａ、１９ａ間の距離は２０〜３０μｍである（図１８（Ａ）及び図１９参照）。
【００８３】
（２）ウエハ１の裏面１ｂの、スクライブライン領域５の半導体チップ領域３近傍の領域に、スクライブライン領域５の中央側から順に裏面側トレンチ１９ｂ，２１ｂを形成する。各スクライブライン領域５には裏面側トレンチ１９ｂ，２１ｂの組を２組ずつ形成する。裏面側トレンチ１９ｂについては、表面側トレンチ１９ａと互いに連結させず、かつスクライブライン領域内の表面側トレンチ１３ａと同じ領域に位置を合わせて形成する。裏面側トレンチ１９ｂ、１９ｂ間の距離は例えば２０〜３０μｍである（図１８（Ｂ）参照）。
工程（１）及び工程（２）は本発明の半導体装置の製造方法のチッピング及びクラック防止用溝形成工程を構成する。
【００８４】
（３）刃の幅が２０〜３０μｍ程度のダイシングブレード１０を用いてスクライブライン領域５の中央側に、２本の表面側トレンチ１９ａ，１９ａ及び２本の裏面側トレンチ１９ｂ，１９ｂのスクライブライン領域５の中央側の側面に重複するように、幅が３０〜４０μｍ程度の切断用溝１５を形成して、半導体チップ領域３を個々の半導体チップに分割する（図１８（Ｃ）参照）。この工程は本発明の半導体装置の製造方法の切断用溝形成工程を構成する。
【００８５】
個々に分割された半導体チップには、ウエハ（半導体基板）１の表面１ａの外周部に表面側溝２１ａが形成され、裏面１ｂの外周部に裏面側溝２１ｂが形成されている。この半導体チップは本発明の半導体装置の第２態様の一実施例を構成する。
【００８６】
この実施例では、図８及び図９を参照して説明した実施例と同様に、表面側トレンチ１９ａ及び裏面側トレンチ１９ｂにより、表面１ａ及び裏面１ｂでのチッピングの半導体チップ領域３への伝播を阻止して半導体装置の損傷を防止することができ、さらに、個々に分割された半導体チップの側面において半導体チップのエッヂ部分を奇麗に仕上げることができ、後の工程でのエッヂ部分の欠けを防止することができ、さらに、２つ以上の半導体チップを重ねて搭載するＣＯＢ実装の場合重ね合わせ精度を向上させることができ、上下の半導体チップ間の接触面積を維持し、接着が不安定になるのを防止することができる。
【００８７】
さらに、図１３及び図１４を参照して説明した実施例と同様に、個々に分割後の半導体チップについて、２つの半導体チップを重ねて搭載するＣＯＢ実装に適用した場合に、余分な接着剤を表面側トレンチ２１ａ内及び裏面側トレンチ２１ｂ内に収容することができるので、重ねて配置した半導体チップの側面から余分な接着材がはみ出すのを防止することができる。
【００８８】
さらに、図１１を参照して説明した実施例と同様に、スクライブライン領域５ごとに１回のダイシングで各チップ領域３を分割することができるので、処理時間を短縮することができ、さらに、スクライブライン領域５の幅を小さくすることができるので、ウエハ１枚あたりに形成できるチップ領域３の個数を増加させることができ、製造コストを低減することができる。
【００８９】
この実施例では表面側トレンチ１９ａ，２１ａ及び裏面側トレンチ１９ｂ，２１ｂを、スクライブライン領域５を横切ってスクライブライン領域５の交差部を囲むように形成しているが、本発明の半導体装置の製造方法はこれに限定されるものではなく、例えば図１５に示したのと同様に、表面側トレンチ１９ａ，２１ａ及び裏面側トレンチ１９ｂ，２１ｂをスクライブライン領域５の交差部の周囲には形成せずに半導体チップ領域３を囲むように形成してもよい。また、表面側トレンチ１９ａ，２１ａと裏面側トレンチ１９ｂ，２１ｂのうちのいずれかのトレンチをスクライブライン領域５を横切ってスクライブライン領域５の交差部の周囲にも形成し、残りのトレンチをスクライブライン領域５の交差部の周囲には形成せずに半導体チップ領域３を囲むように形成してもよい。
【００９０】
図１３及び図１４を参照して説明した実施例、並びに図１８及び図１９を参照して説明した実施例では、表面側トレンチ１９ａ，２１ａを形成した後、裏面側トレンチ１９ｂ，２１ｂを形成しているが、本発明の半導体装置の製造方法はこれに限定されるものではなく、裏面側トレンチ１９ｂ，２１ｂを形成した後、表面側トレンチ１９ａ，２１ａを形成するようにしてもよい。
【００９１】
また、これらの実施例では、位置合わせして形成する表面側トレンチ２１ａ及び裏面側トレンチ２１ｂを形成する領域と、半導体チップ領域３の間の領域に、表面１ａと裏面１ｂにそれぞれ１本ずつトレンチを形成しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、位置合わせして形成する表面側トレンチ及び裏面側トレンチを形成する領域と、半導体チップ領域の間の領域に形成するトレンチの本数は、ウエハの表面及び裏面についてそれぞれ何本であってもよい。また、ウエハの表面及び裏面の両面の、位置合わせして形成する表面側トレンチ及び裏面側トレンチを形成する領域と半導体チップ領域の間の領域にトレンチを形成する場合、表面側トレンチと裏面側トレンチの形成位置を合わせる必要はない。
【００９２】
以上、本発明の半導体装置及びその製造方法の実施例を説明したが、実施例で用いた寸法や形状は一例であり、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。
【００９３】
【発明の効果】
請求項１に記載された半導体装置の製造方法では、ダイシング工程は、半導体ウエハの表面側の、スクライブライン領域の半導体チップ領域近傍の領域に１又は複数の表面側溝を形成し、半導体ウエハの裏面側の、スクライブライン領域の半導体チップ領域近傍の領域に１又は複数の裏面側溝を形成するチッピング及びクラック防止用溝形成工程、及びスクライブライン領域の中央側に切断用溝を形成する切断用溝形成工程を含むようにしたので、表面側及び裏面側でのチッピングの半導体チップ領域への伝播を阻止することができ、半導体装置の損傷を防止することができる。
【００９４】
請求項２に記載された半導体装置の製造方法では、チッピング及びクラック防止用溝形成工程は、少なくとも表面側溝の１つ及び裏面側溝の１つを、互いに連結させず、スクライブライン領域内の互いに異なる領域に、かつ半導体ウエハの厚み方向で重複するように形成するようにしたので、切断用溝形成工程においてスクライブライン領域の中央側でクラックが発生しても、クラックが半導体チップ領域へ伝播するのを阻止することができ、半導体装置の損傷を防止することができる。
【００９５】
請求項３に記載された半導体装置の製造方法では、表面側溝を形成した後、切断用溝形成工程の前に、表面側溝を覆うように半導体ウエハの表面上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程を含むようにしたので、樹脂層は表面側溝内にも形成されるので樹脂層と半導体ウエハの密着性を向上させることができ、樹脂層の剥離を防止することができる。
【００９６】
請求項４に記載された半導体装置の製造方法では、樹脂層形成工程を含む場合、表面側溝を上面側から見て波形形状に形成するようにしたので、半導体ウエハと樹脂層の接触面積を大きくすることができ、半導体ウエハと樹脂層の密着性をさらに向上させることができる。
【００９７】
請求項５に記載された半導体装置の製造方法では、請求項１に記載された半導体装置の製造方法において、チッピング及びクラック防止用溝形成工程は、少なくとも表面側溝の１つ及び裏面側溝の１つを、互いに連結させず、かつスクライブライン領域内の同じ領域に位置を合わせて形成し、切断用溝形成工程は、位置合わせして形成された表面側溝及び裏面側溝のスクライブライン領域の中央側の側面に重複するように切断用溝を形成するようにしたので、表面側及び裏面側でのチッピングの半導体チップ領域への伝播を阻止することができ、半導体装置の損傷を防止することができる。さらに、半導体装置のエッヂ部分を奇麗に仕上げることができ、後の工程でのエッヂ部分の欠けを防止することができる。さらに、２つ以上の半導体装置を重ねて搭載するＣＯＢ実装において半導体装置の重ね合わせ精度を向上させることができ、上下の半導体装置間の接触面積を維持し、接着が不安定になるのを防止することができる。
【００９８】
請求項６に記載された半導体装置の製造方法では、請求項５に記載された半導体装置の製造方法において、位置合わせして形成された表面側溝及び裏面側溝の少なくとも一方について、スクライブライン領域の交差部近傍の、半導体チップ領域の形成領域形状の角部分に対応する部分を上面側から見て丸みをもつように形成するようにしたので、分割後の半導体装置の角部分に丸みをもたせることができ、後の工程での角部分の欠けを防止することができる。
【００９９】
請求項７に記載された半導体装置では、半導体基板の表面に半導体チップ領域が形成され、さらにその上に樹脂層が形成されている半導体装置において、半導体基板の表面の外周部に表面側溝が形成されており、表面側溝内にも樹脂層が形成されているようにしたので、樹脂層と半導体基板の密着性を向上させることができ、樹脂層の剥離を防止することができる。
【０１００】
請求項８に記載された半導体装置では、請求項７に記載された半導体装置において、表面側溝を上面側から見て波形形状に形成されているようにしたので、半導体ウエハと樹脂層の接触面積を大きくすることができ、半導体ウエハと樹脂層の密着性をさらに向上させることができる。
【０１０１】
請求項９に記載された半導体装置では、半導体基板の表面に半導体チップ領域が形成されている半導体装置において、半導体基板の表面もしくは裏面又は両面の外周部に溝が形成されているようにしたので、２つ以上の半導体装置を重ねて搭載する際に半導体装置間に充填される接着剤のはみ出しを防止することができる。
【０１０２】
請求項１０に記載された半導体装置では、請求項９に記載された半導体装置において、上記溝はテーパー形状に形成されているようにしたので、２つ以上の半導体装置を重ねて搭載する際に半導体装置間に充填される余分な分の接着剤を溝内に導入しやすくすることができ、接着剤のはみ出しを防止する効果を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体装置の製造方法の一実施例を示す工程断面図である。
【図２】同実施例でのスクライブライン領域の交差部近傍を示す平面図であり、（Ａ）は図１（Ａ）の工程に対応し、（Ｂ）は図１（Ｂ）の工程に対応する。
【図３】同実施例における表面側トレンチ及び裏面側トレンチの他の形成形状を示す平面図である。
【図４】半導体装置の製造方法の他の実施例を示す工程断面図である。
【図５】同実施例でのスクライブライン領域の交差部近傍を示す平面図であり、図４（Ｂ）の工程に対応する。
【図６】同実施例における表面側トレンチ及び裏面側トレンチの他の形成形状を示す平面図である。
【図７】同実施例における表面側トレンチ及び裏面側トレンチのさらに他の形成形状を示す平面図である。
【図８】半導体装置の製造方法のさらに他の実施例を示す工程断面図である。
【図９】同実施例でのスクライブライン領域の交差部近傍を示す平面図であり、図８（Ａ）の工程に対応する。
【図１０】半導体装置の製造方法のさらに他の実施例を説明するための上面図である。
【図１１】半導体装置の製造方法のさらに他の実施例を示す工程断面図である。
【図１２】同実施例でのスクライブライン領域の交差部近傍を示す平面図であり、図１１（Ａ）の工程に対応する。
【図１３】半導体装置の製造方法のさらに他の実施例を示す工程断面図である。
【図１４】同実施例でのスクライブライン領域の交差部近傍を示す平面図であり、図１３（Ａ）の工程に対応する。
【図１５】同実施例における表面側トレンチ及び裏面側トレンチの他の形成形状を示す平面図である。
【図１６】図１３及び図１４の実施例により製造した半導体チップをＣＯＢ実装に適用し、２つの半導体チップを重ねて搭載した状態を示す断面図である。
【図１７】図１３及び図１４の実施例における表面側トレンチ及び裏面側トレンチの他の形成形状を示す断面図である。
【図１８】半導体装置の製造方法のさらに他の実施例を示す工程断面図である。
【図１９】同実施例でのスクライブライン領域の交差部近傍を示す平面図であり、図１８（Ａ）の工程に対応する。
【図２０】従来のダイシング工程の不具合を示す断面図である。
【図２１】２つの半導体チップを重ねて搭載した従来のＣＯＢ実装の不具合を示す断面図である。
【符号の説明】
１　　　ウエハ
３　　　半導体チップ領域
５　　　スクライブライン領域
７ａ　　表面側トレンチ（表面側溝）
７ｂ　　裏面側トレンチ（裏面側溝）
９　　　切断用溝
１０　　　ダイシングブレード
【図１】
2004055852.tif 000003
【図２】
2004055852.tif 000004
【図３】
2004055852.tif 000005
【図４】
2004055852.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2004055852.tif 000009
【図８】
2004055852.tif 000010
【図９】
2004055852.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2004055852.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2004055852.tif 000015
【図１４】
2004055852.tif 000016
【図１５】
2004055852.tif 000017
【図１６】
2004055852.tif 000018
【図１７】
2004055852.tif 000019
【図１８】
2004055852.tif 000020
【図１９】
2004055852.tif 000021
【図２０】
2004055852.tif 000022
【図２１】
2004055852.tif 000023