(57)【要約】【課題】処理液の清浄度を向上させる技術を提供する。【解決手段】実施形態に係る液処理装置は、貯留タンクと、循環ラインと、供給ラインと、戻しラインと、少なくとも１つのフィルタとを備える。貯留タンクは、処理液を貯留する。循環ラインは、貯留タンクから送られる処理液を貯留タンクに戻す。供給ラインは、循環ラインと、基板に処理液を供給する供給部とを接続する。戻しラインは、供給ラインに接続され、供給ラインから貯留タンクに処理液を戻す。フィルタは、戻しラインと供給ラインとの接続箇所よりも上流側の供給ライン、および戻しラインの少なくとも一方に設けられ、処理液中の異物を除去する。【選択図】図３
2022003666.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液を貯留する貯留タンクと、
前記貯留タンクから送られる前記処理液を前記貯留タンクに戻す循環ラインと、
前記循環ラインと、基板に前記処理液を供給する供給部とを接続する供給ラインと、
前記供給ラインに接続され、前記供給ラインから前記貯留タンクに前記処理液を戻す戻しラインと、
前記戻しラインと前記供給ラインとの接続箇所よりも上流側の前記供給ライン、および前記戻しラインの少なくとも一方に設けられ、前記処理液中の異物を除去する少なくとも１つのフィルタと
を備える液処理装置。
【請求項２】
前記供給ラインに設けられる定圧弁
を備え、
前記フィルタは、前記定圧弁よりも下流側の前記供給ラインに設けられる
請求項１に記載の液処理装置。
【請求項３】
前記供給ラインに設けられる定圧弁
を備え、
前記フィルタは、前記定圧弁よりも上流側の前記供給ラインに設けられる
請求項１に記載の液処理装置。
【請求項４】
前記供給ライン、および前記戻しラインは、複数の供給部に対応して複数設けられる
請求項１〜３のいずれか１つに記載の液処理装置。
【請求項５】
前記循環ラインに設けられ、前記処理液の温度を調整する温調部
を備える請求項１〜４のいずれか１つに記載の液処理装置。
【請求項６】
前記処理液の流れを前記戻しライン、または前記接続箇所よりも前記供給部側の前記供給ラインに切り替える切替部と、
前記切替部を制御する制御装置と
を備え、
前記制御装置は、前記供給部から前記基板に前記処理液を供給しない待機時には、前記処理液が前記戻しラインに流入するように前記切替部を制御し、前記供給部から前記基板に前記処理液を供給する供給時には、前記処理液が前記供給部に流入するように前記切替部を制御する
請求項１〜５のいずれか１つに記載の液処理装置。
【請求項７】
前記制御装置は、初期動作時には、前記処理液が前記戻しラインに流入するように前記切替部を制御し、かつ前記待機時よりも前記戻しラインに流入する前記処理液の流量を増加させる
請求項６に記載の液処理装置。
【請求項８】
前記供給ラインに設けられる定圧弁
を備え、
前記制御装置は、前記初期動作時には、前記定圧弁を制御することによって、前記待機時よりも前記戻しラインに流入する前記処理液の流量を増加させる
請求項７に記載の液処理装置。
【請求項９】
前記循環ラインに設けられ、前記循環ラインによって前記貯留タンクに戻る前記処理液の流量を調整する流量調整部
を備え、
前記制御装置は、前記初期動作時には、前記流量調整部を制御することによって、前記循環ラインによって前記貯留タンクに戻る前記処理液の流量を前記待機時よりも減少させ、前記戻しラインに流入する前記処理液の流量を増加させる
請求項７または８に記載の液処理装置。
【請求項１０】
前記循環ラインに設けられ、前記処理液の温度を調整する温調部、
を備え、
前記制御装置は、初期動作時に、前記温調部によって所与の非加熱時間、前記処理液を加熱せずに、前記処理液を前記戻しラインに流入させた後に、前記温調部による前記処理液の加熱を開始する
請求項６〜９のいずれか１つに記載の液処理装置。
【請求項１１】
前記循環ラインに設けられ、前記処理液の温度を調整する温調部、
を備え、
前記制御装置は、初期動作時に、前記供給ライン、および前記戻しラインに前記処理液を流入させず、前記循環ラインを流れる前記処理液の温度を前記温調部によって所与の加熱温度とした後に、前記供給ライン、および前記戻しラインに前記処理液を流入させる
請求項６〜９のいずれか１つに記載の液処理装置。
【請求項１２】
貯留タンクに貯留された処理液を循環ラインによって循環させる循環工程と、
前記循環ラインに接続される供給ラインによって、基板に前記処理液を供給する供給工程と、
前記供給ラインに接続される戻しラインによって、前記供給ラインから前記貯留タンクに前記処理液を戻す戻し工程と、
前記戻しラインと前記供給ラインとの接続箇所よりも上流側の前記供給ライン、および前記戻しラインの少なくとも一方に設けられる少なくとも１つのフィルタによって、前記処理液中の異物を除去する除去工程と
を有する液処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、液処理装置および液処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、処理液が循環する循環ラインから供給ラインを介して処理ユニットに処理液を供給する液処理装置が開示されている。液処理装置は、供給ラインに接続される戻しラインによって処理ユニットに処理液を供給せずに、処理液を循環ラインに戻すことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−３５１３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、処理液の清浄度を向上させる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様による液処理装置は、貯留タンクと、循環ラインと、供給ラインと、戻しラインと、少なくとも１つのフィルタとを備える。貯留タンクは、処理液を貯留する。循環ラインは、貯留タンクから送られる処理液を貯留タンクに戻す。供給ラインは、循環ラインと、基板に処理液を供給する供給部とを接続する。戻しラインは、供給ラインに接続され、供給ラインから貯留タンクに処理液を戻す。フィルタは、戻しラインと供給ラインとの接続箇所よりも上流側の供給ライン、および戻しラインの少なくとも一方に設けられ、処理液中の異物を除去する。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、処理液の清浄度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。
【図２】図２は、実施形態に係る処理ユニットの構成を示す模式図である。
【図３】図３は、実施形態に係る処理液供給源の概略構成を示す図である。
【図４】図４は、実施形態に係る供給時におけるＩＰＡの流れを示す図である。
【図５】図５は、実施形態に係る待機時におけるＩＰＡの流れを示す図である。
【図６】図６は、実施形態に係る初期動作時における処理を説明するフローチャートである。
【図７】図７は、実施形態の変形例に係る処理液供給源の概略構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照して、本願の開示する液処理装置および液処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により開示される液処理装置および液処理方法が限定されるものではない。
【０００９】
＜基板処理システムの概要＞
実施形態に係る基板処理システム１（液処理装置の一例）の概略構成について図１を参照し説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システム１の概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００１０】
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
【００１１】
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、実施形態では半導体ウェハＷ（以下、ウェハＷと呼称する。）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
【００１２】
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
【００１３】
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
【００１４】
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
【００１５】
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して基板処理を行う。処理ユニット１６は、搬送されたウェハを保持し、保持したウェハに基板処理を行う。処理ユニット１６は、保持されたウェハに処理液を供給し、基板処理を行う。処理液は、ＨＦＣ（HydroFluoroCarbon）などのウェハＷを処理するＣＦ系洗浄液や、ＤＨＦ（Diluted  HydroFluoric  acid：希フッ酸）などのウェハＷの残渣を洗浄する洗浄液である。また、処理液は、ＤＩＷ（DeIonized  Water：脱イオン水）などのリンス液や、ＩＰＡ（IsoPropyl  Alcohol）などの置換液である。
【００１６】
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
【００１７】
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【００１８】
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
【００１９】
処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって基板処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
【００２０】
＜処理ユニットの概要＞
次に、処理ユニット１６の概要について、図２を参照しながら説明する。図２は、実施形態に係る処理ユニット１６の構成を示す模式図である。処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理液供給部４０と、回収カップ５０とを備える。
【００２１】
チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理液供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan  Filter  Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
【００２２】
基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。
【００２３】
基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させる。これにより、保持部３１に保持されたウェハＷが回転する。
【００２４】
処理液供給部４０（供給部の一例）は、ウェハＷ（基板の一例）に処理液を供給する。処理液供給部４０は、処理液供給源７０に接続される。処理液供給部４０は、複数のノズルを備える。例えば、複数のノズルは、各処理液に対応して設けられる。各ノズルは、各処理液供給源７０から供給される処理液をウェハＷに吐出する。
【００２５】
回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。
【００２６】
＜処理液供給源の概要＞
次に、処理液供給源７０について図３を参照し説明する。図３は、実施形態に係る処理液供給源７０の概略構成を示す図である。ここでは、ＩＰＡを供給する処理液供給源７０を一例として説明する。図３に示される処理液供給源７０の構成は、ＩＰＡに限られず、他の処理液を供給する処理液供給源の構成に適用されてもよい。また、図３においては、処理液供給源７０が２つの処理液供給部４０にＩＰＡを供給する一例を示すが、これに限られることはない。処理液供給源７０は、複数の処理液供給部４０にＩＰＡを供給する。また、処理液供給源７０は、１つの処理液供給部４０にＩＰＡを供給してもよい。
【００２７】
処理液供給源７０は、タンク７１と、処理液補充部７２と、排液ライン７３と、循環ライン７４と、供給ライン７５と、戻しライン７６とを備える。
【００２８】
タンク７１（貯留タンクの一例）は、ＩＰＡ（処理液の一例）を貯留する。処理液補充部７２は、タンク７１に新たなＩＰＡを供給する。例えば、処理液補充部７２は、タンク７１のＩＰＡを入れ替える場合や、タンク７１のＩＰＡが所与の量よりも少なくなった場合に、タンク７１に新たなＩＰＡを供給する。
【００２９】
排液ライン７３は、タンク７１のＩＰＡを入れ替える場合に、タンク７１からＩＰＡを外部に排出し、ＩＰＡを廃液する。タンク７１のＩＰＡを入れ替える場合には、新たなＩＰＡを供給しつつ、ＩＰＡの循環が行われ、循環ライン７４、供給ライン７５、および戻しライン７６に残存するＩＰＡが廃液されてもよい。すなわち、循環ライン７４、供給ライン７５、および戻しライン７６に残存するＩＰＡを含むＩＰＡが入れ替えられてもよい。
【００３０】
循環ライン７４は、タンク７１（貯留タンクの一例）から送られるＩＰＡ（処理液の一例）をタンク７１に戻す。循環ライン７４は、ＩＰＡがタンク７１の外部を流れ、再びタンク７１に戻るように設けられる。循環ライン７４は、ＩＰＡを、複数の処理ユニット１６に供給可能となるように設けられる。
【００３１】
循環ライン７４には、ポンプ８０と、ヒータ８１と、フィルタ８２と、流量計８３と、温度センサ８４と、背圧弁８５とが設けられる。具体的には、循環ライン７４には、タンク７１を基準としたＩＰＡの流れ方向において、上流側からポンプ８０、ヒータ８１、フィルタ８２、流量計８３、温度センサ８４、および背圧弁８５の順に設けられる。
【００３２】
ポンプ８０は、循環ライン７４においてＩＰＡを圧送する。圧送されたＩＰＡは、循環ライン７４を循環し、タンク７１に戻される。
【００３３】
ヒータ８１は、循環ライン７４に設けられ、ＩＰＡ（処理液の一例）の温度を調整する。具体的には、ヒータ８１は、ＩＰＡを加熱する。ヒータ８１は、制御装置４からの信号に基づいてＩＰＡの加熱量を制御し、ＩＰＡの温度を調整する。例えば、ヒータ８１によるＩＰＡの加熱量は、温度センサ８４によって検出されるＩＰＡの温度に基づいて調整される。
【００３４】
例えば、制御装置４は、ヒータ８１を制御し、ＩＰＡの温度を所与の温度に調整する。所与の温度は、供給時に処理液供給部４０のノズルからウェハＷに吐出されるＩＰＡの温度が、予め設定された処理温度となる温度である。所与の温度は、供給ライン７５などに設けられるフィルタ９２の熱容量などに基づいて設定される温度である。
【００３５】
フィルタ８２は、循環ライン７４を流れるＩＰＡに含まれるパーティクルなどの汚染物質である異物を除去する。流量計８３は、循環ライン７４を流れるＩＰＡの流量を計測する。温度センサ８４は、循環ライン７４を流れるＩＰＡの温度を検出する。温度センサ８４は、供給ライン７５が接続される箇所よりも上流側の循環ライン７４に設けられる。
【００３６】
背圧弁８５は、背圧弁８５の上流側におけるＩＰＡの圧力が所与の圧力より大きい場合には弁開度を大きくする。背圧弁８５は、背圧弁８５の上流側におけるＩＰＡの圧力が所与の圧力より小さい場合には弁開度を小さくする。背圧弁８５は、上流側における処理液の圧力を所与の圧力に保つ機能を有する。所与の圧力は、予め設定された圧力である。背圧弁８５の弁開度は制御装置４（図１参照）により制御される。
【００３７】
背圧弁８５は、弁開度が制御されることによって、循環ライン７４におけるＩＰＡの流量を調整可能である。すなわち、背圧弁８５（流量調整部の一例）は、循環ライン７４に設けられ、循環ライン７４によってタンク７１（貯留タンクの一例）に戻るＩＰＡ（処理液の一例）の流量を調整する。なお、循環ライン７４におけるＩＰＡの流量は、ポンプ８０の吐出圧力が制御されることによって調整されてもよい。循環ライン７４におけるＩＰＡの流量は、流量計８３によって検出されるＩＰＡの流量に基づいて制御される。
【００３８】
供給ライン７５は、循環ライン７４に接続される。供給ライン７５は、温度センサ８４よりも下流側であり、かつ背圧弁８５よりも上流側の循環ライン７４に接続される。供給ライン７５は、複数の処理液供給部４０（供給部の一例）に対応して複数設けられる。供給ライン７５は、循環ライン７４から分岐し、処理液供給部４０にＩＰＡを供給可能となるように設けられる。供給ライン７５は、循環ライン７４と、ウェハＷ（基板の一例）にＩＰＡ（処理液の一例）を供給する処理液供給部４０とを接続する。
【００３９】
供給ライン７５には、流量計９０と、定圧弁９１と、フィルタ９２と、開閉弁９３とが設けられる。具体的には、供給ライン７５には、循環ライン７４側から、流量計９０、定圧弁９１、フィルタ９２、および開閉弁９３の順に設けられる。すなわち、供給ライン７５には、循環ライン７４から処理液供給部４０に流れるＩＰＡの流れ方向において、上流側から流量計９０、定圧弁９１、フィルタ９２、および開閉弁９３の順に設けられる。
【００４０】
流量計９０は、供給ライン７５を流れるＩＰＡの流量を計測する。定圧弁９１は、定圧弁９１よりも下流側におけるＩＰＡの圧力を調整する。例えば、定圧弁９１は、処理液供給部４０のノズルから吐出されるＩＰＡの吐出量が、所与の吐出量となるようにＩＰＡの圧力を調整する。すなわち、定圧弁９１は、処理液供給部４０のノズルから吐出されるＩＰＡの流量を調整する。所与の吐出量は、予め設定された量であり、ウェハＷの処理条件に応じて設定される。定圧弁９１は、制御装置４からの信号に基づいてＩＰＡの圧力を調整する。
【００４１】
フィルタ９２は、戻しライン７６と供給ライン７５との接続箇所７５ａよりも上流側の供給ライン７５に設けられる。フィルタ９２は、定圧弁９１よりも下流側の供給ライン７５に設けられる。フィルタ９２は、供給ライン７５を流れるＩＰＡに含まれるパーティクルなどの汚染物質である異物を除去する。すなわち、フィルタ９２は、ＩＰＡ（処理液の一例）中の異物を除去する。
【００４２】
フィルタ９２は、循環ライン７４に設けられたフィルタ８２よりも小型のフィルタである。フィルタ９２は、例えば、ＰＯＵ（Point  Of  Use）フィルタである。ＰＯＵフィルタなどの小型のフィルタが用いられることによって、供給ライン７５の大型化、すなわち基板処理システム１の大型化が抑制される。
【００４３】
開閉弁９３は、処理液供給部４０に対するＩＰＡの供給の有無を切り替える。開閉弁９３が開くことによって、処理液供給部４０にＩＰＡが供給される。すなわち、開閉弁９３が開くことによって、処理液供給部４０のノズルからＩＰＡが吐出される。開閉弁９３が閉じることによって、処理液供給部４０にＩＰＡは供給されない。すなわち、開閉弁９３が閉じることによって、処理液供給部４０のノズルからＩＰＡが吐出されない。開閉弁９３は、制御装置４からの信号に基づいて開閉される。すなわち、開閉弁９３は、制御装置４によって制御される。
【００４４】
戻しライン７６は、供給ライン７５に接続され、供給ライン７５からタンク７１（貯留タンクの一例）にＩＰＡ（処理液の一例）を戻す。戻しライン７６は、フィルタ９２と開閉弁９３との間に設けられた接続箇所７５ａにおいて供給ライン７５に接続される。戻しライン７６は、複数の処理液供給部４０（供給部の一例）に対応して複数設けられる。戻しライン７６には、開閉弁１００が設けられる。
【００４５】
開閉弁１００は、戻しライン７６におけるＩＰＡの流れの有無を切り替える。開閉弁１００が開くことによって、供給ライン７５から戻しライン７６にＩＰＡが流れる。戻しライン７６に流れるＩＰＡは、タンク７１に戻される。開閉弁１００が閉じることによって、戻しライン７６にＩＰＡが流れない。開閉弁１００は、制御装置４からの信号に基づいて開閉される。すなわち、開閉弁１００は、制御装置４によって制御される。
【００４６】
各開閉弁９３、１００（切替部の一例）は、ＩＰＡ（処理液）の流れを戻しライン７６、または接続箇所７５ａよりも処理液供給部４０（供給部の一例）側の供給ライン７５に切り替える。
【００４７】
複数の戻しライン７６は、戻しライン７６を流れるＩＰＡの流れ方向において開閉弁１００よりも下流側で合流し、タンク７１に接続される。複数の戻しライン７６が合流する箇所よりも下流側の戻しライン７６には、温度センサ１０１が設けられる。温度センサ１０１は、戻しライン７６からタンク７１に戻るＩＰＡの温度を検出する。なお、戻しライン７６は、背圧弁８５よりも下流側の循環ライン７４に接続されてもよい。
【００４８】
＜供給時におけるＩＰＡの流れ＞
次に、供給時におけるＩＰＡの流れについて図４を参照し説明する。図４は、実施形態に係る供給時におけるＩＰＡの流れを示す図である。
【００４９】
制御装置４は、処理液供給部４０（供給部の一例）からウェハＷ（基板の一例）にＩＰＡ（処理液の一例）を供給する供給時には、ＩＰＡが処理液供給部４０に流入するように各開閉弁９３、１００（切替部の一例）を制御する。具体的には、制御装置４は、供給時には、戻しライン７６に設けられた開閉弁１００を閉じ、供給ライン７５に設けられた開閉弁９３を開く。これにより、ＩＰＡが、戻しライン７６には流入せず、処理液供給部４０のノズルから吐出される。
【００５０】
供給ライン７５を流れるＩＰＡは、フィルタ９２によって異物が除去され、処理液供給部４０のノズルからウェハＷに吐出される。そのため、清浄度が高いＩＰＡがウェハＷに吐出される。
【００５１】
＜待機時におけるＩＰＡの流れ＞
次に、待機時におけるＩＰＡの流れについて図５を参照し説明する。図５は、実施形態に係る待機時におけるＩＰＡの流れを示す図である。
【００５２】
制御装置４は、処理液供給部４０（供給部の一例）からウェハＷ（基板の一例）にＩＰＡ（処理液の一例）を供給しない待機時には、ＩＰＡが戻しライン７６に流入するように開閉弁９３、１００（切替部の一例）を制御する。具体的には、制御装置４は、待機時には、供給ライン７５に設けられた開閉弁９３を閉じ、戻しライン７６に設けられた開閉弁１００を開く。これにより、ＩＰＡは、処理液供給部４０のノズルから吐出されず、戻しライン７６を介してタンク７１に戻される。
【００５３】
戻しライン７６を流れるＩＰＡは、供給ライン７５に設けられたフィルタ９２によって異物が除去されている。待機時にＩＰＡ中の異物が除去されるため、ＩＰＡの清浄度が高くなる。
【００５４】
なお、複数の処理ユニット１６において、各開閉弁９３、１００の開閉は、各処理ユニット１６におけるウェハＷの処理状況に応じてそれぞれ制御される。
【００５５】
待機時において供給ライン７５に流れるＩＰＡの流量は、供給時において供給ライン７５に流れるＩＰＡの流量と同じ流量である。これにより、各開閉弁９３、１００の開閉が切り替えられることによって、ウェハＷに所与の吐出量のＩＰＡを供給することができる。
【００５６】
＜初期動作時における制御＞
次に、初期動作時における処理について図６を参照し説明する。図６は、実施形態に係る初期動作時における処理を説明するフローチャートである。初期動作には、タンク７１のＩＰＡを入れ替え動作、タンク７１へのＩＰＡの補充動作、および基板処理システム１の起動動作が含まれる。
【００５７】
制御装置４は、初期動作時には、ＩＰＡ（処理液の一例）が戻しライン７６に流入するように各開閉弁９３、１００（切替部の一例）を制御する（Ｓ１００）。なお、制御装置４は、複数の供給ライン７５、および複数の戻しライン７６において、ＩＰＡが戻しライン７６に流入するように、各開閉弁９３、１００を制御する。
【００５８】
制御装置４は、ポンプ８０によって循環ライン７４にＩＰＡを循環させ（Ｓ１０１）、待機時よりも戻しライン７６に流入するＩＰＡ（処理液の一例）の流量を増加させる（Ｓ１０２）。具体的には、制御装置４は、初期動作時には、定圧弁９１を制御することによって、待機時よりも戻しライン７６に流入するＩＰＡ（処理液の一例）の流量を増加させる。なお、制御装置４は、各供給ライン７５に設けられた各定圧弁９１を制御する。また、制御装置４は、初期動作時には、背圧弁８５を制御することによって、循環ライン７４によってタンク７１（貯留タンクの一例）に戻るＩＰＡ（処理液の一例）の流量を待機時よりも減少させ、戻しライン７６に流入するＩＰＡの流量をさせる。循環ライン７４によってタンク７１に戻るＩＰＡの流量が減少することで、各供給ライン７５に流入するＩＰＡの流量が増加し、戻しライン７６に流入するＩＰＡの流量が増加する。
【００５９】
これにより、初期動作時には、循環ライン７４を循環するＩＰＡは、循環ライン７４に設けられたフィルタ８２によって異物が除去される。また、循環ライン７４から供給ライン７５、および戻しライン７６に流れるＩＰＡは、供給ライン７５に設けられたフィルタ９２によって異物が除去される。
【００６０】
初期動作時には、待機時よりも供給ライン７５、および戻しライン７６に流入するＩＰＡの流量が増加されている。そのため、処理液供給源７０は、供給ライン７５に設けられたフィルタ９２によって、多くの異物をＩＰＡから除去することができる。処理液供給源７０は、初期動作時に、ＩＰＡの清浄度を素早く高めることができ、ウェハＷの処理を早期に開始することができる。すなわち、処理液供給源７０は、初期動作の時間を短くすることができる。
【００６１】
制御装置４は、待機時よりも供給ライン７５、および戻しライン７６に流入するＩＰＡの流量を増加させてから所与の時間が経過したか否かを判定する（Ｓ１０３）。所与の時間は、予め設定された時間であり、ＩＰＡの清浄度が予め設定された清浄度となる時間である。所与の時間は、初期動作の種類に応じて設定される。
【００６２】
制御装置４は、待機時よりも供給ライン７５、および戻しライン７６に流入するＩＰＡの流量を増加させてから所与の時間が経過するまで（Ｓ１０３：Ｎｏ）、戻しライン７６へのＩＰＡの流量増加を継続する（Ｓ１０２）。
【００６３】
制御装置４は、待機時よりも供給ライン７５、および戻しライン７６に流入するＩＰＡの流量を増加させから所与の時間が経過すると（Ｓ１０３：Ｙｅｓ）、ＩＰＡの流量を待機時における流量に減少させる（Ｓ１０４）。
【００６４】
＜効果＞
基板処理システム１（液処理装置の一例）は、タンク７１（貯留タンクの一例）と、循環ライン７４と、供給ライン７５と、戻しライン７６と、フィルタ９２とを備える。タンク７１は、ＩＰＡ（処理液の一例）を貯留する。循環ライン７４は、タンク７１から送られるＩＰＡをタンク７１に戻す。供給ライン７５は、循環ライン７４と、ウェハＷ（基板の一例）にＩＰＡを供給する処理液供給部４０（供給部の一例）とを接続する。戻しライン７６は、供給ライン７５に接続され、供給ライン７５からタンク７１にＩＰＡを戻す。フィルタ９２は、戻しライン７６と供給ライン７５との接続箇所７５ａよりも上流側の供給ライン７５に設けられ、ＩＰＡ中の異物を除去する。
【００６５】
これにより、基板処理システム１は、フィルタ９２によってＩＰＡ中の異物を除去し、ＩＰＡの清浄度を向上させることができる。基板処理システム１は、例えば、待機時に、ＩＰＡ中の異物を除去することができ、供給時に、清浄度が高いＩＰＡをウェハＷに供給することができる。基板処理システム１は、処理液供給部４０に近い箇所にフィルタ９２が設けることによって、清浄度の高いＩＰＡをウェハＷに供給することができる。
【００６６】
基板処理システム１は、定圧弁９１を備える。定圧弁９１は、供給ライン７５に設けられる。フィルタ９２は、定圧弁９１よりも下流側の供給ライン７５に設けられる。
【００６７】
これにより、基板処理システム１は、フィルタ９２から処理液供給部４０までの供給ライン７５に配置される部材を少なくし、清浄度の高いＩＰＡをウェハＷに供給することができる。
【００６８】
供給ライン７５、および戻しライン７６は、複数の処理液供給部４０（供給部の一例）に対応して複数設けられる。これにより、基板処理システム１は、各供給ライン７５に設けられたフィルタ９２によってＩＰＡ中の異物を除去することができ、ＩＰＡ中の異物を早期に除去することができる。
【００６９】
基板処理システム１は、ヒータ８１（温調部の一例）を備える。ヒータ８１は、循環ライン７４に設けられ、ＩＰＡ（処理液の一例）の温度を調整する。
【００７０】
これにより、基板処理システム１は、ヒータ８１によってＩＰＡの温度を調整し、フィルタ９２を通り、処理液供給部４０からウェハＷに供給されるＩＰＡの温度を安定させることができる。
【００７１】
基板処理システム１は、各開閉弁９３、１００（切替部）と、制御装置４を備える。各開閉弁９３、１００は、ＩＰＡ（処理液の一例）の流れを戻しライン７６、または接続箇所７５ａよりも処理液供給部４０（供給部の一例）側の供給ライン７５に切り替える。制御装置４は、各開閉弁９３、１００を制御する。制御装置４は、処理液供給部４０からウェハＷ（基板の一例）にＩＰＡを供給しない待機時には、ＩＰＡが戻しライン７６に流入するように各開閉弁９３、１００を制御する。制御装置４は、処理液供給部４０からウェハＷにＩＰＡを供給する供給時には、ＩＰＡが処理液供給部４０に流入するように各開閉弁９３、１００を制御する。
【００７２】
これにより、基板処理システム１は、待機時、および供給時にフィルタ９２によってＩＰＡ中の異物を除去することができ、ＩＰＡの清浄度を向上させることができる。基板処理システム１は、待機時にフィルタ９２によってＩＰＡ中の異物を除去することで、供給時にウェハＷに清浄度が高いＩＰＡを供給することができる。
【００７３】
制御装置４は、初期動作時には、ＩＰＡ（処理液の一例）が戻しライン７６に流入するように各開閉弁９３，１００（切替部の一例）を制御し、かつ待機時よりも戻しライン７６に流入するＩＰＡ（処理液の一例）の流量を増加させる。
【００７４】
これにより、基板処理システム１は、初期動作時にＩＰＡ中の異物を早期に除去することができ、初期動作の時間を短くし、ウェハＷの処理を早期に開始することができる。
【００７５】
制御装置４は、初期動作時には、定圧弁９１を制御することによって、待機時よりも戻しライン７６に流入するＩＰＡ（処理液の一例）の流量を増加させる。
【００７６】
これにより、基板処理システム１は、簡易な構成によって供給ライン７５に設けられたフィルタ９２に流入するＩＰＡの流量を増加させて、ＩＰＡ中の異物を早期に除去することができる。そのため、基板処理システム１は、初期動作の時間を短くし、ウェハＷの処理を早期に開始することができる。
【００７７】
基板処理システム１は、背圧弁８５（流量調整部の一例）を備える。背圧弁８５は、循環ライン７４に設けられ、循環ライン７４によってタンク７１（貯留タンクの一例）に戻るＩＰＡの流量を調整する。制御装置４は、初期動作時には、背圧弁８５を制御することによって、循環ライン７４によってタンク７１に戻るＩＰＡの流量を待機時よりも減少させ、戻しライン７６に流入するＩＰＡの流量を増加させる。
【００７８】
これにより、基板処理システム１は、簡易な構成によって供給ライン７５に設けられたフィルタ９２に流入するＩＰＡの流量を増加させて、ＩＰＡ中の異物を早期に除去することができる。そのため、基板処理システム１は、初期動作の時間を短くし、ウェハＷの処理を早期に開始することができる。
【００７９】
＜変形例＞
処理液供給源７０では、図７に示すように、フィルタ９２は、定圧弁９１よりも上流側の供給ライン７５に設けられてもよい。図７は、実施形態の変形例に係る処理液供給源７０の概略構成を示す図である。フィルタ９２が定圧弁９１よりも上流側の供給ライン７５に設けられることによって、定圧弁９１から処理液供給部４０に流れるＩＰＡの流量を安定させることができる。すなわち、基板処理システム１は、供給時に処理液供給部４０のノズルから吐出されるＩＰＡの流量を安定させることができる。
【００８０】
なお、フィルタ９２は、戻しライン７６に設けられてもよい。戻しライン７６に設けられるフィルタ９２は、開閉弁１００よりも上流側の戻しライン７６に設けられてもよく、開閉弁１００よりも下流側の戻しライン７６に設けられてもよい。
【００８１】
また、フィルタ９２は、複数設けられてもよい。例えば、フィルタ９２は、供給ライン７５、および戻しライン７６に設けられてもよい。また、供給ライン７５に複数のフィルタ９２が設けられてもよい。例えば、戻しライン７６が接続される接続箇所７５ａよりも上流側の供給ライン７５、および開閉弁９３よりも下流側の供給ライン７５にフィルタ９２が設けられてもよい。また、供給ライン７５に複数のフィルタ９２が設けられ、かつ戻しライン７６にフィルタ９２が設けられてもよい。
【００８２】
ＩＰＡ中の異物を除去する少なくとも１つのフィルタ９２は、戻しライン７６と供給ライン７５との接続箇所７５ａよりも上流側の供給ライン７５、および戻しライン７６の少なくとも一方に設けられる。
【００８３】
これにより、基板処理システム１は、フィルタ９２によってＩＰＡ中の異物を除去し、ＩＰＡの清浄度を向上させることができる。基板処理システム１は、待機時にＩＰＡ中の異物を除去することができ、供給時に、清浄度の高いＩＰＡをウェハＷに供給することができる。また、基板処理システム１は、初期動作時に、ＩＰＡ中の異物を早期に除去することができ、初期動作の時間を短くし、ウェハＷの処理を早期に開始させることができる。
【００８４】
また、制御装置４は、初期動作時に、ヒータ８１（温調部の一例）によって所与の非加熱時間、ＩＰＡ（処理液の一例）を加熱せずに、ＩＰＡを戻しライン７６に流入させた後に、ヒータ８１によるＩＰＡの加熱を開始してもよい。具体的には、制御装置４は、初期動作時に、ヒータ８１によってＩＰＡを加熱せずに、供給ライン７５から戻しライン７６にＩＰＡを流入させる。これにより、ＩＰＡは、温度が低い状態でフィルタ９２を通過する。そのため、基板処理システム１は、フィルタ９２によるＩＰＡ中の異物の捕集効率を向上させることができ、ＩＰＡ中の異物を早期に除去することができ、初期動作の時間を短くすることができる。所与の非加熱時間は、予め設定された時間であり、ＩＰＡ中の異物が十分に除去される時間である。制御装置４は、所与の非加熱時間が経過すると、ヒータ８１によってＩＰＡを加熱し、ＩＰＡの温度を所与の温度に調整する。
【００８５】
また、制御装置４は、初期動作時に、供給ライン７５、および戻しライン７６にＩＰＡ（処理液の一例）を流入させず、循環ライン７４を流れるＩＰＡの温度をヒータ８１（温調部の一例）によって所与の加熱温度とする。そして、制御装置４は、ＩＰＡの温度を所与の加熱温度とした後に、供給ライン７５、および戻しライン７６にＩＰＡを流入させてもよい。所与の加熱温度は、予め設定された温度である。所与の加熱温度は、供給ライン７５、および戻しライン７６にＩＰＡを流入させた場合に、フィルタ９２などによって吸熱されて低下するＩＰＡの温度を考慮して設定される。所与の加熱温度は、所与の温度よりも高い。これにより、基板処理システム１は、ＩＰＡの温度を、所与の温度に早期に調整することができ、処理液供給部４０のノズルから、温度が調整されたＩＰＡを早期にウェハＷに供給することができる。
【００８６】
また、循環ライン７４には、背圧弁８５よりも下流側に温度センサが設けられてもよい。制御装置４は、初期動作時に、温度センサ８４によって検出されたＩＰＡの温度と、背圧弁８５の下流側のＩＰＡの温度との温度差が所与の第１温度差以下になると、供給ライン７５、および戻しライン７６に処理液を流入させてもよい。所与の第１温度差は、予め設定された温度差である。所与の第１温度差は、循環ライン７４を流れるＩＰＡの温度が安定していると判定可能な温度差である。これにより、基板処理システム１は、ＩＰＡの温度を安定させた後に、ＩＰＡ中の異物を除去し、ＩＰＡの清浄度を高めることができる。
【００８７】
また、制御装置４は、初期動作を行った後に、循環ライン７４を流れるＩＰＡの温度と、戻しライン７６を流れるＩＰＡの温度との温度差に基づいて、ＩＰＡを処理液供給部４０に流入させてもよい。具体的には、制御装置４は、供給ライン７５、および戻しライン７６にＩＰＡを流入させた後に、温度差が所与の第２温度差以下になった場合に、処理液供給部４０のノズルからウェハＷへのＩＰＡの吐出を許可する。所与の第２温度差は、例えば、フィルタ９２などを通過したＩＰＡの温度が安定していると判定可能な温度差である。これにより、基板処理システム１は、ＩＰＡ中の異物が除去され、温度が安定したＩＰＡをウェハＷに供給することができる。
【００８８】
また、温度センサ１０１は、各戻しライン７６にそれぞれ設けられてもよい。これにより、基板処理システム１は、各戻しライン７６におけるＩＰＡの温度、すなわち処理ユニット１６毎のＩＰＡの温度を正確に検出することができる。制御装置４は、検出されたＩＰＡの温度に基づいて、各供給ライン７５に流入するＩＰＡの流量を調整する。制御装置４は、例えば、背圧弁８５、各供給ライン７５に設けられた定圧弁９１を制御し、各供給ライン７５に流入するＩＰＡの流量を調整する。これにより、基板処理システム１は、各供給ライン７５に流入するＩＰＡの温度、および流量を適切に制御することができる。
【００８９】
なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【符号の説明】
【００９０】
１      基板処理システム（液処理装置）
４      制御装置
１６    処理ユニット
４０    処理液供給部（供給部）
７０    処理液供給源
７１    タンク（貯留タンク）
７４    循環ライン
７５    供給ライン
７６    戻しライン
８０    ポンプ
８１    ヒータ（温調部）
８５    背圧弁（流量調整部）
９１    定圧弁
９２    フィルタ
９３    開閉弁（切替部）
１００  開閉弁（切替部）
【図１】
2022003666.tif 000003
【図２】
2022003666.tif 000004
【図３】
2022003666.tif 000005
【図４】
2022003666.tif 000006
【図５】
2022003666.tif 000007
【図６】
2022003666.tif 000008
【図７】
2022003666.tif 000009