(57)【要約】【課題】大面積の被処理体を処理する場合であっても、高効率で且つ高密度のプラズマを生成することが可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】処理チャンバ内に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、該プラズマに基づき被処理体を処理するプラズマ処理装置において、処理チャンバの天板を巻くように、高周波アンテナが処理チャンバ内および処理チャンバ外に配置される。天板が金属またはシリコンをベースとする材料から構成されていてもよい。【選択図】　　　図１
2004055600.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバ内に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、該プラズマに基づき被処理体を処理するプラズマ処理装置であって；
前記処理チャンバが、前記プラズマが生成すべき領域を介して前記被処理体と対向する天板を有し、且つ、該天板を巻くように、高周波アンテナが処理チャンバ内および処理チャンバ外に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
処理チャンバ内に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、該プラズマに基づき被処理体を処理するプラズマ処理装置であって；
前記処理チャンバが、前記プラズマが生成すべき領域を介して前記被処理体と対向する天板を有し、且つ、該天板が金属またはシリコンをベースとする材料から構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記処理チャンバ内に、１本以上の金属製の高周波アンテナが、直線状および／又は曲線状に配置されている請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記処理チャンバ内に配置された高周波アンテナが、プラズマと直接に接触しないように絶縁体で覆われている請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記処理チャンバ内に配置された高周波アンテナの長さが、ｎ／２−１／４λ０≦（λ０は高周波の波長、ｎは整数）以上で、且つｎ／２＋１／４λ０以下である請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記処理チャンバ内に配置された高周波アンテナの太さが、高周波進行方向に沿って変化する請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記処理チャンバ内に配置された高周波アンテナ配置が、処理チャンバの中心部と周辺部とで、および／又は処理チャンバの高さ方向で疎密が変化する請求項１〜６のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記処理チャンバ内に配置された高周波アンテナと、前記絶縁体との間に絶縁性の流体が循環される請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記処理チャンバ内に配置された高周波アンテナと、前記天板との間の距離が可変とされている請求項１〜８のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記天板の少なくとも１箇所に、生成したプラズマの状態をモニターするための計測器が配置されている請求項１〜９のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記天板が、処理チャンバ内に供給されるべきガスが通過するための複数の孔を有する請求項１〜１０のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
前記被処理体を載置するためのサセプターが処理チャンバ内に配置され、更に該サセプターにバイアスが印加可能とされている請求項１〜１１のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】
前記処理チャンバ内のグランドラインの少なくとも一部が開放され、該開放部からのマイクロ波電界のグランドライン外部への放射により、処理チャンバ内にプラズマが生成される請求項１〜１２のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子デバイス等を作製するために、被処理体（電子デバイス用基材等）に対してプラズマ処理を行う際に好適に使用可能なプラズマ処理装置に関する。より詳しくは、本発明は、効率が高く且つ高密度のプラズマを生成することが可能なプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
本発明のプラズマ処理装置は、被処理体（例えば、半導体ないし半導体デバイス、液晶デバイス等の電子デバイス材料）のプラズマ処理に広く一般的に適用可能である。
【０００３】
【従来の技術】
近年、半導体デバイスを始めとする電子デバイスの高密度化および高微細化に伴い、これらの電子デバイスの製造工程において、成膜、エッチング、アッシング等の種々の処理のためにプラズマ処理装置が使用される場合が増大している。このようなプラズマ処理を用いた場合には、電子デバイスの製造工程において、高精度なプロセス制御が容易であるという一般的な利点がある。
【０００４】
例えば、半導体デバイス（通常は比較的に処理面積が小さい）の製造と比較して、液晶デバイス（ＬＣＤ）の製造においては、処理すべき被処理材料（例えば、ウエハ）が大口径のものであることが多い。したがって、液晶デバイスの製造にプラズマ処理装置を使用する場合には、特にプラズマ処理に使用すべきプラズマが大面積に渡って、均一で且つ高密度であることが要請される。
【０００５】
従来より、プラズマ処理装置としては、ＣＣＰ（平行平板プラズマ）処理装置およびＩＣＰ（誘導結合プラズマ）処理装置が使用されて来た。
【０００６】
これらのうち、ＣＣＰ処理装置においては、通常は、平行平板の一方を構成する上部電極としてプロセスガスのより均一化した流れを与えるためのシャワーヘッド構造を有するＳｉ天板を有し、平行平板の他方たる下部電極側にバイアスを印加できるサセプターを有する処理チャンバが通常は用いられる。この場合のプラズマ処理においては、上記サセプター上に処理を行うべき基板（被処理体）を載置して、上記した上部電極および下部電極間でプラズマを生成させ、該プラズマに基づき基板に対して所望のプロセス処理を行う。
【０００７】
しかしながら、このＣＣＰ処理装置においては、他のプラズマ源に比べて、プラズマ密度が低く、イオンフラックスを充分に取り難いため、被処理体（ウエハ等）に対する処理速度が低い傾向がある。また平行平板に対する電源の周波数を高めたとしても、平行平板を構成する電極面内の電位分布が出現するため、プラズマおよび／又はプロセスの均一性が低下し易い。加えて、ＣＣＰ処理装置においてはＳｉ電極の消耗が激しいため、ＣＯＣ（Ｃｏｓｔ　ｏｆ　Ｃｏｎｓｕｍａｂｌｅ；消耗品コスト）に関しても、コストが高くなる傾向がある。
【０００８】
他方、ＩＣＰ処理装置においては、通常は、処理チャンバの上部側に位置する誘電体天板上（すなわち、処理チャンバの外側）に高周波を供給すべきターンコイルを配置し、該コイルの誘導加熱により天板直下にプラズマを生成し、該プラズマに基づき、被処理体のプロセス処理を行う。
【０００９】
このような従来のＩＣＰ処理装置においては、処理チャンバ外側のターンコイルに高周波を供給して（誘電体天板を介して）処理チャンバ内にプラズマを生成する。したがって、基板（被処理体）が大口径化すると、真空封止のため処理チャンバに機械的強度が必要になり、誘電体天板の厚みを増大せざるを得ないため、コストが高くなる。加えて、誘電体天板の厚みを増大させると、ターンコイルからプラズマへの電力の伝送効率が低下するため、コイルの電圧を高く設定せざるを得ない。このため、誘電体天板自体がスパッタされる傾向が強まり、上記のＣＯＣも悪化する。更には、このスパッタにより生成した異物が基板に堆積し、プロセス性能を悪化させる恐れがある。またターンコイル自身もサイズを大きくする必要があるため、このような大サイズのコイルに給電するための高出力の電源が必要となる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来技術においては、特に液晶デバイス等の用途のために大面積の被処理体を処理する場合に、高効率で且つ高密度のプラズマを生成することが可能なプラズマ処理装置は実現されていなかった。
【００１１】
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を解消したプラズマ処理装置を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は、大面積の被処理体を処理する場合であっても、高効率で且つ高密度のプラズマを生成することが可能なプラズマ処理装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者は鋭意研究の結果、処理チャンバ天板を特定の構成として、且つ処理チャンバ内に高周波電力を供給することが、上記目的の達成のために極めて効果的なことを見出した。
【００１４】
本発明のプラズマ処理装置は上記知見に基づくものであり、より詳しくは、処理チャンバ内に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、該プラズマに基づき被処理体を処理するプラズマ処理装置であって；前記処理チャンバが、前記プラズマが生成すべき領域を介して前記被処理体と対向する天板を有し、且つ、該天板を巻くように、高周波アンテナが処理チャンバ内および処理チャンバ外に配置されていることを特徴とするものである。
【００１５】
本発明によれば、更に、処理チャンバ内に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、該プラズマに基づき被処理体を処理するプラズマ処理装置であって；前記処理チャンバが、前記プラズマが生成すべき領域を介して前記被処理体と対向する天板を有し、且つ、該天板が金属またはシリコンをベースとする材料から構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、必要に応じて図面を参照しつつ本発明を更に具体的に説明する。以下の記載において量比を表す「部」および「％」は、特に断らない限り質量基準とする。
【００１７】
（プラズマ処理装置の一態様）
【００１８】
本発明のプラズマ処理装置は、処理チャンバ内に高周波電力を供給してプラズマを発生させて被処理体を処理するプラズマ処理装置である。本発明の一態様においては、処理チャンバを構成する天板が金属またはシリコンをベースとする材料から構成される。天板を金属をベースとする材料で構成する場合には、少なくとも、該天板の処理チャンバ内部に面する側は、絶縁体で被覆される。
【００１９】
このように、天板を金属またはシリコンをベースとする材料で構成することにより、この天板をシャワーヘッド構造とすることが容易となり、該シャワーヘッド構造に基づき、プラズマ処置中における反応ガスの分圧および／又は組成等が均一となって、プラズマ処置における均一性を更に向上させることが可能となる。
【００２０】
更に、天板を金属をベースとする材料で構成する場合には、下部電極との容量結合に基づきプラズマの着火がより容易となり、且つ、プラズマの引き込み制御もより容易となる。
【００２１】
他方、天板をシリコンをベースとする材料で構成する場合には、処理チャンバ内におけるパーティクル防止が、更に容易となる。
【００２２】
（アンテナ配置）
【００２３】
図１は、本発明のプラズマ処理装置の構成を示す模式斜視図である。
図１を参照して、このような態様における真空容器としての処理チャンバ１は、例えば直方体状に形成されている。処理チャンバ１は、前記プラズマが生成すべき領域を介して被処理体２（ウエハ等）と対向する天板３を有している。天板３は、金属またはシリコンをベースとする材料で構成される。
【００２４】
更に、処理チャンバ１の上部にはエッチング用の反応性ガスやＣＶＤ（化学気相堆積）用の原料ガスなどのプロセスガスやＡｒ等の希ガスなどのガスを処理チャンバ１内へ供給するためのガス導入管（図示せず）が接続され、他方、処理チャンバ１には、処理チャンバ１内を排気するための排気管（図示せず）が接続されている。この処理チャンバ１は、直方体状に限らず、円筒形状に形成されていてもよい。
上記した排気管には、図示しない圧力調整弁を介して排気ポンプが接続され、この排気ポンプの作動によって処理チャンバ１内が所望の圧力に保たれている。
処理チャンバ１内には、基板ステージ７が設けられ、この基板ステージ７上にエッチング、ＣＶＤ処理等が行なわれる上記被処理体（ウエハ等）２が載置されている。この基板ステージ７には、整合器（図示せず）を介して電源（図示せず）が接続され、基板ステージ７に対して所定電圧のバイアスが印加されるようになっている。
処理チャンバ１内には、直線状の高周波アンテナ１０が処理チャンバ１を横切るように配置されている。本発明においては、このアンテナ１０全体として直線状であれば足りる（すなわち、この直線状アンテナ１０の一部に湾曲した部分があってもよい）。処理チャンバ１内に配置されたアンテナ１０は、１本であってもよく、また複数本であってもよい。処理チャンバ１内に配置されたアンテナ１０は、複数本であることが好ましい。
【００２５】
アンテナ１０は、図１の模式斜視図に示すように、高周波電力を分配器１１で分配して、複数のアンテナ１０から処理チャンバ１内に供給することができる。この態様において、それぞれのアンテナ１０は、導電性ロッド１０ａと、該導電性ロッド１０ａの周囲に配置された絶縁管１０ｂとからなる。
【００２６】
このような図１（ａ）の態様においては、処理チャンバ１内部に配置された部分の、アンテナ１０内の電流の向きは一定方向である。これにより、図１（ｂ）に示すように、処理チャンバ１内部に配置された複数のアンテナ１０内の電流に基づく誘導電界は、互いに強め合うこととなる。
【００２７】
これに対して、図２の模式断面図に示したように、処理チャンバ１内部に配置された複数のアンテナ１０内の電流の向きが互いに逆方向である場合には、これら複数のアンテナ１０内の電流に基づく誘導電界は、互いに打ち消し合うこととなる。
【００２８】
図１の態様において、導電性ロッド１０ａと絶縁管１０ｂからなる伝送線路で高周波は伝播し、絶縁管１０ｂ外壁表面での電界強度が「しきい値」に達すると、処理チャンバ１内で、プラズマ生成領域Ｐ（図１）においてプラズマが着火する。
【００２９】
プラズマ着火後、電源側の図示しない可変容量たるチューナ−（例えば、スタブチューナ）によりマッチングを取ることで、反射電力が電源にリターンしないように制御することが好ましい。
【００３０】
（複数アンテナ配置の一態様）
【００３１】
図１の模式斜視図を参照しつつ、複数アンテナ配置の一態様について、より詳しく説明する。この態様においては、上述したように、図示しない高周波電源から同軸線路１２を伝送する高周波電力は分配器１１により複数方向に分配される。それぞれの分配された高周波電力は、チャンバ壁１ａに絶縁物１３を介して支持された導電性ロッド（アンテナ）１０ａを伝って、処理チャンバ１の内側に伝送される。通常、導電性ロッド１０ａは絶縁管（例えば石英管）１０ｂで保護され、導電性ロッド１０ａがプラズマと直接に接触しないように構成されている。また、この絶縁管１０ｂとＯ−リング（図示せず）により、処理チャンバ１側は真空封止される。したがって、絶縁管１０ｂ内部は大気圧であってもよい。この図２の態様においては、導電性ロッド１０ａは左右のチャンバ壁１ａを貫通する形態となっている。導電性ロッド１０ａの長さは、高周波の波長λ０のｎ／２倍（ｎ：整数）から、±１／４λ０以内にする（すなわち、ｎ／２−１／４λ０≦（導電性ロッド１０ａの長さ）≦ｎ／２＋１／４λ０とする）ことが好ましい。
【００３２】
導電性ロッド１０ａの長さ、形状、配置の態様等は特に制限されないが、必要に応じて、導電性ロッド１０ａの太さを、高周波進行方向に変化させてもよい。
【００３３】
上記したように、分配器１１から個々の導電性ロッド１０ａの間には、図示しないチューナー（容量可変機構）を設けることができる、このようにして容量を調節して、結合度を変化させることにより分配器１１からの電力伝送効率を調節することができ、プロセスガス、圧力領域に応じてプラズマ分布を制御することができる。
【００３４】
マイクロ波給電によりプラズマを生成させる場合と異なり、導電性ロッド１０ａのレイアウトに関しては任意の場所に配置することができる。したがって、導電性ロッド１０ａの配置に関して、処理チャンバ１の中心部と周辺部で疎密を変化させるか、および／又は処理チャンバ１の高さ方向に変化させることで、プラズマ生成場所をコントロールすることもできる。
【００３５】
導電性ロッド１０ａの太さを変化させることにより、プラズマとの結合度を変化させることができる。また、導電性ロッド１０ａと絶縁管１０ｂの隙間に絶縁気体または絶縁液体を循環させることにより、導電性ロッド１０ａを冷却できる。
【００３６】
上述したように、上記構成を有するプラズマ源を、金属またはシリコンをベースとする天板を有する処理チャンバ１内に設置したとき、大口径・均一なプラズマを容易に得ることができる。
【００３７】
（アンテナ配置の他の態様）
【００３８】
図３の模式斜視図に、アンテナ配置の第２の態様を示す。この図４の態様においては、アンテナ（導電性ロッド）は、チャンバ壁１ａに「片持ちばり」タイプで保持された形態となっている以外は、図２の構成と同様である。
【００３９】
図４の模式斜視図に、アンテナ配置の第３の態様を示す。この図５の態様においては、アンテナ（導電性ロッド）は、左右のチャンバ壁１ａにそれぞれ「片持ちばり」タイプで保持された形態となっている以外は、図４の構成と同様である。
【００４０】
（天板の形状）
【００４１】
図５〜８の模式斜視図に、天板形状の他の態様を示す。これらの図面においては、天板３の形状を変化させて、アンテナ１０ａ−天板３間の距離を（該アンテナ１０ａの長手方向の）不均等に分布させている。これらの図における天板３の形状を、アンテナ１０ａのアレイ間で不均等に分布させる（すなわち、該アンテナ１０ａの長手方向とは垂直方向に不均等に分布させる）ように構成してもよい。
【００４２】
上記したうち、図５または図６に示したように天板３の中心部をせり出させて、天板３−アンテナ１０ａ間の距離を周辺部のものより狭くすることで、アンテナ１０ａと天板３との容量結合性を増大させ、着火時の電界強度を高め、且つプラズマの生成領域を限定させることができる。例えば、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）処理を目的とする場合には、基板面に対向する天板３の領域でバイアス分布を均一にすることができる。
【００４３】
また、図６の模式斜視図に示すように、アンテナの配列を、その中心部が天板３に近づくような分布にさせることにより、図５の効果と同様に、アンテナ１０ａと天板３との容量結合性を増大させ、着火時の電界強度を高め、且つプラズマの生成領域を限定させることができる。
【００４４】
上記とは逆に、図７の模式斜視図に示すように、天板３の中心部を引き上げて、天板３−アンテナ１０ａ間の距離が周辺部のものより広くすると、周辺部のアンテナ−プラズマ間の容量結合を増大させることになるため、プラズマは周辺で生成される。例えば、ラジカル処理を目的とする場合には周辺でプラズマを生成して、拡散により基板面での処理を均一にすることができる。
【００４５】
また図８の模式斜視図に示すように、アンテナ１０ａの配列を、その中心部が天板３とは離れるような分布にさせることは、周辺部のアンテナ１０ａ−プラズマ間の容量結合を増大させることになるため、プラズマを周辺で生成することができる。
【００４６】
（無反射終端器の配置）
【００４７】
本発明のプラズマ処理装置においては、必要に応じて、高周波の伝送線路の終端に、無反射終端器１５を配置してもよい。このような構成の一態様を、図９の模式断面図に示す。
【００４８】
この図９においては、処理チャンバ１内に複数配置されたアンテナ１０ａを対向するチャンバ壁１ａを貫通するように配置し、更に、これらのアンテナ１０ａの終端に、無反射終端器１５を配置している。
【００４９】
（アンテナを可動とする態様）
【００５０】
プロセス・ガス・圧力・電力等の条件に応じて、各アンテナ１０ａの位置を可動としてもよい。このような態様の例を、図１０〜図１３の模式平面図に示す。これらの態様においては、例えば、外部から位置制御可能なチューナー１６を絶縁性ガイシ１７で支持して配置し、必要に応じて、このチューナー１６を駆動させてアンテナ１０ａの位置を変化させ、処理チャンバ１内のプラズマ分布を変化させることができる。
【００５１】
この際には、例えば、アンテナ１０ａ（導電性棒）と絶縁性ガイシ１７の間にアンテナ１０ａとはマルチコンタクト等で摺動しつつも、常に低抵抗で接触するように、絶縁性ガイシ１７に支持された導電性治具（図示せず）を配置すればよい。
【００５２】
（センサーの配置）
【００５３】
プロセス・ガス・圧力・電力等の条件に応じて、各アンテナ１０ａに供給される電力の分配比が変化し、プラズマが不均一になる可能性がある。このような場合には、必要に応じて、プラズマ生成中に外部からプラズマ密度の分布を光電センサー等でモニターし、その結果を可変チュ−ナーにフィードバックすることで、可変チュ一ナ一をプラズマが均一になるように、それぞれのアンテナ１０ａと高周波伝送線路１２との結合度を調整して、最終的に全領域にわたってプラズマ分布を均一にすることができる。
【００５４】
このような態様の一例を、図１４に示す。この場合、例えば、チューナーの容量を調節することにより、高周波伝送線路１２とアンテナ１０ａとの結合は強くして、電力はアンテナ１０ａに供給することができる。逆にチューナーの容量の調節により、高周波伝送線路１２とアンテナ１０ａとの結合を弱くすることもできる。あらかじめプラズマが均一になる条件（チューナーの容量）をプロセス条件ごとにライブラリ−を作成しておき、プラズマ着火後そのようにチューナーの容量を調節することも可能である。
【００５５】
この場合、アンテナ１０ａの本数が多い場合には、センサーおよびアンテナ１０ａをグルーピングして、それぞれに対応するチューナーの容量を調節してもよい。更には、光電センサーの出力を、プラズマの分布／均一性やプロセス分布／速度（エッチング、ＣＶＤ等）にデータベースや理論式より換算、所望の結果になるようにチューナーを制御してもよい。
【００５６】
（グランドラインの一部開放）
【００５７】
本発明においては、必要に応じて、処理チャンバ１内のグランドライン２０の少なくとも一部を開放させて、その開放部２０ａから高周波電界をグランドライン２０の外部に放射させて、チャンバ１内にプラズマを生成させ、その開放部２０ａの位置によりプラズマ分布を調整してもよい。このようなプラズマ分布の調整により、所望のプラズマ分布をより容易に得ることができる。
【００５８】
このような態様の一例を、図１５および図１６の模式斜視図に示す。これらの図において、グランドライン２０は通常、同軸線路からなる。図１５を参照して、チャンバ１内伝送線路のグランドライン２０を、導電性パイプまたはその外部を被覆するめっき処理した絶緑管２０ｂの内壁と、芯線２０ｃとからなる同軸線路で形成することができる。その同軸線路の一部分におけるグランドライン２０の被覆をはがすことで、その開放部分２０ａはインピーダンスの立場から見ると高インピーダンスとなり、電圧が上昇する。この高電位により強電界を発生させ、プラズマを着火することができる。また高周波エネルギーは、この開放部２０ａから供給されるため、プラズマはこの地点から外側に電力の増加とともに拡がり始める。すなわち所望のプラズマ分布を得られるように、この開放部の位置を決定することができる。
【００５９】
図１６の構成においては、チャンバ内伝送線路の２箇所に上記した開放部を設けた以外は、図１５の構成と同様である。
【００６０】
（プラズマ処理装置の他の態様）
【００６１】
本発明のプラズマ処理装置の他の態様を図１８の模式斜視図に示す。この態様においては、処理チャンバ１内および処理チャンバ１外に、処理チャンバ天板３を巻くように高周波アンテナ１０ａが配置されている。
【００６２】
（アンテナ配置）
【００６３】
図１７は、本発明のプラズマ処理装置の構成を示す模式断面図であり、図１９は、図１７におけるアンテナ１０ａ配置を具体的に示す模式斜視図である。
図１７および図１８を参照して、このような態様においては、アンテナ１０ａが、図１８の模式斜視図に示すように、処理チャンバ１の上部に配置された天板３を巻くように、処理チャンバ１の内部および処理チャンバ１外部に配置されている。すなわち、図１８（ａ）に示すように、処理チャンバ１内部に配置された部分の、アンテナ１０ａ内の電流の向きは一定方向である。これにより、図１８（ｂ）に示すように、処理チャンバ１内部に配置された複数のアンテナ１０ａ内の電流に基づく誘導電界は、互いに強め合うこととなる。
【００６４】
したがって、これらの図１７および図１８に示す態様においても、上述した図１に示した態様と同様に、高効率で且つ高密度のプラズマを生成することが容易である。
【００６５】
【発明の効果】
上述したように本発明によれば、大面積の被処理体を処理する場合であっても、高効率で且つ高密度のプラズマを生成することが可能なプラズマ処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のプラズマ処理装置の一態様を示す模式斜視図（ａ）、およびこのアンテナ位置に基づく電流の向きおよび電界の向きを示す模式断面図（ｂ）である。
【図２】他のアンテナ位置に基づく電流の向きおよび電界の向きを示す模式断面図である。
【図３】一方のチャンバ壁に「片持ちばり」形態で保持された高周波アンテナの一態様を示す模式斜視図である。
【図４】双方のチャンバ壁に「片持ちばり」形態で保持された高周波アンテナの一態様を示す模式斜視図である。
【図５】天板の形状を変化させた一例を示す模式斜視図である。
【図６】天板の形状を変化させた他の例を示す模式斜視図である。
【図７】天板の形状を変化させた他のを示す模式斜視図である。
【図８】天板の形状を変化させた他の例を示す模式斜視図である。
【図９】高周波伝送線路の終端に無反射終端器を配置した本発明の態様の一例を示す模式断面図である。
【図１０】高周波伝送線路と、アンテナとの間に容量可変のチューナーを配置した本発明の態様の一例を示す模式断面図である。
【図１１】高周波伝送線路と、アンテナとの間に容量可変のチューナーを配置した本発明の態様の他の例を示す模式断面図である。
【図１２】高周波伝送線路と、アンテナとの間に容量可変のチューナーを配置した本発明の態様の他の例を示す模式断面図である。
【図１３】高周波伝送線路と、アンテナとの間に容量可変のチューナーを配置した本発明の態様の他の例を示す模式断面図である。
【図１４】処理チャンバ内に光電センサを配置した本発明の態様の一例を示す部分模式断面図である。
【図１５】処理チャンバ内のグランドラインに開放部を設けた本発明の態様の一例を示す部分模式断面図である。
【図１６】処理チャンバ内のグランドラインに開放部を設けた本発明の態様の他の例を示す部分模式断面図である。
【図１７】本発明のプラズマ処理装置の一態様を示す模式断面図である。
【図１８】図１７に示した本発明のプラズマ処理装置の一態様を示す模式斜視図（ａ）、およびこのアンテナ位置に基づく電流の向きおよび電界の向きを示す模式断面図（ｂ）である。
【図１】
2004055600.tif 000003
【図２】
2004055600.tif 000004
【図３】
2004055600.tif 000005
【図４】
2004055600.tif 000006
【図５】
2004055600.tif 000007
【図６】
2004055600.tif 000008
【図７】
2004055600.tif 000009
【図８】
2004055600.tif 000010
【図９】
2004055600.tif 000011
【図１０】
2004055600.tif 000012
【図１１】
2004055600.tif 000013
【図１２】
2004055600.tif 000014
【図１３】
2004055600.tif 000015
【図１４】
2004055600.tif 000016
【図１５】
2004055600.tif 000017
【図１６】
2004055600.tif 000018
【図１７】
2004055600.tif 000019
【図１８】
2004055600.tif 000020