(57)【要約】【課題】  ローバンド同調時にオフとなるスイッチダイオードの微少容量によって引き起こされる寄生共振のピークを小さくして妨害信号を抑圧する。【解決手段】  第１又は第２のバラクタダイオードの一方の一端に第１のハイバンド同調コイル１３、第１のローバンド同調コイル１４の各一端を接続し、他方のバラクタダイオードの一端には、直列同調コイル１６の第２のハイバンド同調コイル１６ａ側の一端を接続し、第１のローバンド同調コイル１４の他端と直列同調コイル１６の第２のローバンドコイル１６ｂ側の他端とをグランド側に接続し、第１のハイバンド同調コイル１３の他端を第１のスイッチダイオード１８を介してグランド側に接続すると共に、第２のハイバンド同調コイル１６ａと第２のローバンド同調コイル１６ｂとの接続点を第２のスイッチダイオード１９を介してグランド側に接続した。【選択図】        図１
0003108419.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
それぞれにインダクタとバラクタダイオードとスイッチダイオードとを有し、前記スイッチダイオードのオン／オフによって２つのバンドに同調するように切り替えられる一次同調回路と二次同調回路とからなり、前記スイッチダイオードのオフ時の容量と前記インダクタとによって構成される共振回路の共振周波数を一次同調回路と二次同調回路とで異ならせたことを特徴とする複同調回路。
【請求項２】
前記一次同調回路は第１の前記バラクタダイオードを有し、前記二次同調回路は第２の前記バラクタダイオードを有し、前記インダクタは、前記第１又は第２のバラクタダイオードの一方の一端にそれぞれの一端が接続された第１のハイバンド同調コイル及び第１のローバンド同調コイルと、互いに直列接続された第２のハイバンド同調コイル及び第２のローバンド同調コイルからなり前記第２のハイバンド同調コイル側の一端が他方のバラクタダイオードの一端に接続された直列同調コイルとからなり、前記第１及び第２のバラクタダイオードのアノードを直流的に接地すると共に、カソードに同調電圧を印加し、前記第１のローバンド同調コイルの他端と前記直列同調コイルの前記第２のローバンドコイル側の他端とをグランド側に接続し、前記第１のハイバンド同調コイルの他端を第１の前記スイッチダイオードを介してグランド側に接続すると共に、前記第２のハイバンド同調コイルと前記第２のローバンド同調コイルとの接続点を第２の前記スイッチダイオードを介してグランド側に接続したことを特徴とする請求項１に記載の複同調回路。
【請求項３】
前記第１のローバンド同調コイルの他端と前記直列同調コイルの前記第２のローバンドコイル側の他端とを第１の結合コイルを介して接地し、前記第１及び第２のスイッチダイオードを第２の結合コイルを介して接地したことを特徴とする請求項２に記載の複同調回路。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案はテレビジョンチューナ等に使用される複同調回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の複同調回路を図５によって説明する。１次同調回路５１は、直列に接続された直流阻止コンデンサ５３およびバラクタダイオード５４と、図示の順序で直列に接続されたハイバンド同調コイル５５、ローバンド同調コイル５６、抵抗５７、結合用コイル５８、直流阻止コンデンサ５９とが、並列に接続されて構成される。バラクタダイオード５４は、アノードが接地され、カソードが直流阻止コンデンサ５３と接続される。また、直流阻止コンデンサ５９の他端も接地されている。直流阻止コンデンサ５３と同調コイル５５の接続点が、前段の高周波増幅器６０に接続される。同調コイル５５と同調コイル５６との接続点とグランドとの間に、直列に接続された直流阻止コンデンサ６１とスイッチダイオード６２と直流阻止コンデンサ６３が設けられる。スイッチダイオード６２は、アノードが直流阻止コンデンサ６１と、カソードが直流阻止コンデンサ６３と接続される。
【０００３】
直流阻止コンデンサ６１とスイッチダイオード６２との接続点は、給電抵抗６４を介してハイバンド受信用の切替端子６５に接続される。スイッチダイオード６２と直流阻止コンデンサ６３との接続点は、給電抵抗６６を介してローバンド受信用の切替端子６７に接続される。スイッチダイオード６２と直流阻止コンデンサ６３との接続点とグランドとの間に、バイアス抵抗６８が設けられる。直流阻止コンデンサ５３とバラクタダイオード５４との接続点は、給電抵抗６９を介して、同調電圧端子７０に接続される。
【０００４】
２次同調回路５２は、バラクタダイオード７１と、図示の順序で直列に接続されたハイバンド同調コイル７２、ローバンド同調コイル７３、抵抗７４、直流阻止コンデンサ７５、結合用のコイル５８、直流阻止コンデンサ５９とが並列に接続されて構成される。バラクタダイオード７１は、アノードが接地され、カソードが同調コイル７２と接続される。バラクタダイオード７１と同調コイル７２との接続点に、直列に接続したバラクタダイオード７６と直流阻止コンデンサ７７が接続される。バラクタダイオード７６は、アノードが直流阻止コンデンサ７７と接続され、カソードが同調コイル７２と接続される。直流阻止コンデンサ７７の他端が後段の混合器７８に接続される。
【０００５】
同調コイル７２と同調コイル７３との接続点と、スイッチダイオード６２と直流阻止コンデンサ６３との接続点とに、直列に接続された直流阻止コンデンサ７９とスイッチダイオード８０とが設けられる。スイッチダイオード８０は、アノードが直流阻止コンデンサ７９と、カソードが直流阻止コンデンサ６３と接続される。直流阻止コンデンサ７９とスイッチダイオード８０との接続点は、給電抵抗８１を介してハイバンド受信用の切替端子６５に接続される。スイッチダイオード８０と直流阻止コンデンサ６３との接続点は、給電抵抗６６を介してローバンド受信用の切替端子６７に接続される。バラクタダイオード７１と同調コイル７２との接続点は、給電抵抗８２を介して同調電圧端子７０に接続される。
【０００６】
以上のような構成によって、ハイバンド受信用の切替端子６５または、ローバンド受信用の切替端子６７に電圧を印加することで、スイッチダイオード６２およびスイッチダイオード８０を共に導通または非導通にすることにより、この複同調回路をハイバンドの受信状態またはローバンドの受信状態に切替える（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−１５７１２７号公報（図５）
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００８】
スイッチダイオード６２、８０をオフにしてローバンドに同調した場合、これらスイッチダイオードは小容量を有し、一次側ではスイッチダイオード６２、ローバンド同調コイル５６、結合用コイル５８によって共振回路が形成され、二次側ではスイッチダイオード８２ローバンド同調コイル７３、結合用コイル５８によって共振回路が形成される。これらの新しく形成される共振回路の共振周波はほぼ等しいために重なり合うことでピーク値の大きな共振特性となってＵＨＦ帯に現れる。このため、この付近の周波数が混合器７８に入力されると局部発振信号の高調波と混合され、中間周波数帯内に妨害信号となって現れる。
【０００９】
本考案は、ローバンド同調時にオフとなるスイッチダイオードの微少容量によって引き起こされる寄生共振のピークを小さくして妨害信号を抑圧することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するための第１の手段として、それぞれにインダクタとバラクタダイオードとスイッチダイオードとを有し、前記スイッチダイオードのオン／オフによって２つのバンドに同調するように切り替えられる一次同調回路と二次同調回路とからなり、前記スイッチダイオードのオフ時の容量と前記インダクタとによって構成される共振回路の共振周波数を一次同調回路と二次同調回路とで異ならせた。
【００１１】
また、第２の手段として、前記一次同調回路は第１の前記バラクタダイオードを有し、前記二次同調回路は第２の前記バラクタダイオードを有し、前記インダクタは、前記第１又は第２のバラクタダイオードの一方の一端にそれぞれの一端が接続された第１のハイバンド同調コイル及び第１のローバンド同調コイルと、互いに直列接続された第２のハイバンド同調コイル及び第２のローバンド同調コイルからなり前記第２のハイバンド同調コイル側の一端が他方のバラクタダイオードの一端に接続された直列同調コイルとからなり、前記第１及び第２のバラクタダイオードのアノードを直流的に接地すると共に、カソードに同調電圧を印加し、前記第１のローバンド同調コイルの他端と前記直列同調コイルの前記第２のローバンドコイル側の他端とをグランド側に接続し、前記第１のハイバンド同調コイルの他端を第１の前記スイッチダイオードを介してグランド側に接続すると共に、前記第２のハイバンド同調コイルと前記第２のローバンド同調コイルとの接続点を第２の前記スイッチダイオードを介してグランド側に接続した。
【００１２】
また、第３の手段として、前記第１のローバンド同調コイルの他端と前記直列同調コイルの前記第２のローバンドコイル側の他端とを第１の結合コイルを介して接地し、前記第１及び第２のスイッチダイオードを第２の結合コイルを介して接地した。
【考案の効果】
【００１３】
第１の解決手段によれば、それぞれにインダクタとバラクタダイオードとスイッチダイオードとを有し、スイッチダイオードのオン／オフによって２つのバンドに同調するように切り替えられる一次同調回路と二次同調回路とからなり、スイッチダイオードのオフ時の容量とインダクタとによって構成される共振回路の共振周波数を一次同調回路と二次同調回路とで異ならせたので、各共振回路のピーク点の位置がずれてそのレベルが低くなり妨害信号のレベルが低下する。
【００１４】
また、第２の手段によれば、一次同調回路は第１の前記バラクタダイオードを有し、二次同調回路は第２のバラクタダイオードを有し、インダクタは、第１又は第２のバラクタダイオードの一方の一端にそれぞれの一端が接続された第１のハイバンド同調コイル及び第１のローバンド同調コイルと、互いに直列接続された第２のハイバンド同調コイル及び第２のローバンド同調コイルからなり第２のハイバンド同調コイル側の一端が他方のバラクタダイオードの一端に接続された直列同調コイルとからなり、第１及び第２のバラクタダイオードのアノードを直流的に接地すると共に、カソードに同調電圧を印加し、第１のローバンド同調コイルの他端と直列同調コイルの第２のローバンドコイル側の他端とをグランド側に接続し、第１のハイバンド同調コイルの他端を第１のスイッチダイオードを介してグランド側に接続すると共に、第２のハイバンド同調コイルと第２のローバンド同調コイルとの接続点を第２のスイッチダイオードを介してグランド側に接続したので、ローバンドに切り替えられた時にはオフ状態の２つのスイッチダイオードをそれぞれ含む寄生共振回路が形成されるが、第１のスイッチダイオードを含む寄生共振回路は第２のスイッチダイオードを含む共振回路よりも共振周波数が低くなってそれぞれの共振周波数が異なることから、共振特性のピークが抑えられる。このことから、第２の寄生共振回路の共振周波数がＵＨＦ帯に現れても、共振特性のピーク値は従来よりも低くなり、妨害信号のレベルが低下する。
【００１５】
また、第３の手段によれば、第１のローバンド同調コイルの他端と直列同調コイルの第２のローバンドコイル側の他端とを第１の結合コイルを介して接地し、第１及び第２のスイッチダイオードを第２の結合コイルを介して接地したので、ハイバンド時とローバンド時との何れのバンドにおいてもそれぞれ専用の結合用コイルによって一次、二次同調回路を結合させることが可能となる。
【考案を実施するための最良の形態】
【００１６】
本考案の複同調回路を図１乃至図４に従って説明する。図１において、本考案の複同調回路１は高周波増幅器２と混合器３との間に介挿される。高周波増幅器２に結合される入力端１ａには、直流カットコンデンサ１１を介して一次同調回路を構成する第１のバラクタダイオード１２の一端（カソード）が接続され、他端（アノード）は接地される。第１のバラクタダイオード１２の一端には、第１のハイバンド同調コイル１３の一端と第１のローバンド同調コイル１４の一端が接続される。
【００１７】
混合器３に結合されている出力端１ｂには、二次同調回路を構成する第２のバラクタダイオード１５の一端（カソード）が接続され、アノードは接地される。第２のバラクタダイオード１５の一端には、互いに直列接続された第２のハイバンド同調コイル１６ａ及び第２のローバンド同調コイル１６ｂからなる直列同調コイル１６における第２のハイバンド同調コイル１６ａ側の一端が接続される。第１のハイバンド同調コイル１３と第２のハイバンド同調コイル１６ａとはほぼ同一のインダクタンス値を有する。また、第１のローバンド同調コイル１４のインダクタンス値は、第２のハイバンド同調コイル１６ａのインダクタンス値と第２のローバンド同調コイル１６ｂのインダクタンス値を合わせた値にほぼ等しい。
【００１８】
第１のローバンド同調コイル１４の他端と直列同調コイル１６における第２のローバンド同調コイル１６ｂ側の他端とは、第１の結合用コイル１７を介して高周波的に接地される。また、第１のハイバンド同調コイル１３の他端には第１のスイッチダイオード１８のアノードが接続される。直列同調コイル１６の中点、即ち第２のハイバンド同調コイル１６ａと第２のローバンド同調コイル１６ｂとの高周波的な接続点には第２のスイッチダイオード１９のアノードが接続される。そして、第１のスイッチダイオード１８のカソードと第２のスイッチダイオード１９のカソードとが相互接続され、この接続点は第２の結合用コイル２０を介して接地される。
【００１９】
第１のバラクタダイオードのカソードは抵抗２１によって第２のハイバンド同調コイル１６ａに接続されることで第２のバラクタダイオード１５のカソードに接続される。そして、第２のバラクタダイオード１５のカソードに同調電圧Ｖｔが印加される。また、第１の結合用コイル１７には電源電圧Ｖｂが印加される。この電源電圧の印加によって、高周波増幅器２に電源電圧が供給され、第１及び第２のスイッチダイオード１８、１９のアノードにも電源電圧が供給される。さらに、第１及び第２のスイッチダイオード１８、１９のカソードにはハイ又はローのバンド切替電圧Ｖｓが印加される。
【００２０】
複同調回路１の出力端１ｂは第３のバラクタダイオード２２を介して混合器３に結合される。第３のバラクタダイオード２１のカソードにも同調電圧が印加され、アノードは直流的に接地される。
【００２１】
以上の構成において、ハイバンドに同調する場合は、バンド切替電圧をローにして第１及び第２のスイッチダイオード１８、１９をオンにする。そうすると、複同調回路１は図２に示す回路となり、第１のハイバンド同調コイル１３と第２の結合用コイル２０とが第１のバラクタダイオード１２と共に一次側同調回路を構成し、第２のハイバンド同調コイル１６ａと第２の結合用コイル２０とが第２のバラクタダイオード１５と共に二次側同調回路を構成する。同調周波数はハイバンドとなる。なお、第１のハイバンド同調コイル１３には第１のローバンド同調コイル１４及びそれに接続された第１の結合コイル１７、第２のローバンド同調コイル１６ｂ等が接続されているが、これらのコイルのインダクタンス値は第１のハイバンド同調コイル１３に比べて大きいので無視できる。
【００２２】
ローバンドに同調する場合は、バンド切替電圧をハイにして第１及び第２のスイッチダイオード１８、１９をオフにする。すると、複同調回路１は図３に示す回路となり、第１のローバンド同調コイル１４と第１の結合用コイル１７とが第１のバラクタダイオード１２と共に一次側同調回路を構成し、直列同調コイル１６（第２のハイバンド同調コイル１６ａと第２のローバンドコイル１６との直列接続）と第１の結合用コイル１７とが第２のバラクタダイオード１５と共に二次側同調回路を構成する。同調周波数はローバンドとなる。
【００２３】
第１及び第２のスイッチダイオード１８、１９がオフ状態となった場合は微少容量を有するので、この微少容量を含めた回路は図４にように表される。図３の回路によれば、一次側には、第１の結合用コイル１７と、第１のローバンド同調コイル１４と、第１のハイバンド同調コイル１３と第１のスイッチダイオード１８と第２の結合用コイル２０とからなる閉ループによる第１の寄生共振回路Ｌ１が形成され、二次側には、第１の結合用コイル１７と第２のローバンド同調コイル１６ｂと、第２のスイッチダイオード１９と、第２の結合用コイル２０とからなる閉ループによる第２の寄生共振回路Ｌ２が形成されることが解る。しかし、２つの寄生共振回路Ｌ１、Ｌ２を比較すると、第１の寄生共振回路Ｌ１の共振周波数は第２の寄生共振回路Ｌ２よりも低いことが明らかであり、共振周波数は一致しない。
【００２４】
このことから、第２の寄生共振回路Ｌ２の共振周波数がＵＨＦ帯に現れても、共振特性のピーク値は従来よりも低くなり、妨害信号のレベルが低下する。
【００２５】
なお、図１の構成では、二次側同調回路の第２のバラクタダイオード１５に直列同調コイル１６を接続し、一次側同調回路の第１のバラクタダイオード１２に第１のハイバンド同調コイル１３及び第１のローバンド同調コイル１４を接続したが、二次側同調回路の第２のバラクタダイオード１５に第１のハイバンド同調コイル１３及び第１のローバンド同調コイル１４を接続し、一次側同調回路の第１のバラクタダイオード１２に直列同調コイル１６を接続してもよいことは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本考案の複同調回路の構成を示す回路図である。
【図２】本考案の複同調回路のハイバンド同調時の等価回路図である。
【図３】本考案の複同調回路のローバンド同調時の等価回路図である。
【図４】本考案の複同調回路のローバンド同調時の等価回路図である。
【図５】従来の複同調回路の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
【００２７】
１：複同調回路
１ａ：入力端
１ｂ：出力端
２：高周波増幅器
３：混合器
１１：直流カットコンデンサ
１２：第１のバラクタダイオード
１３：第１のハイバンド同調コイル
１４：第１のローバンド同調コイル
１５：第２のバラクタダイオード
１６：直列同調コイル
１６ａ：第２のハイバンド同調コイル
１６ｂ：第２のローバンド同調コイル
１７：第１の結合用コイル
１８：第１のスイッチダイオード
１９：第２のスイッチダイオード
２０：第２の結合用コイル
２１：抵抗
２２：第３のバラクタダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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