(57)【要約】【課題】内側に電子部品を実装するためのキャビティを有する絶縁層のコーナにビア導体を容易に配置できる配線基板を提供する。【解決手段】平面視でほぼ矩形を呈する複数の絶縁層２〜５と、かかる絶縁層２〜５の表面２ａ〜５ａに形成される配線層２０などと、絶縁層２〜４の平面視で内側に形成されるキャビティ６と、を備え、最上層の上記絶縁層２において、ビア導体Ｖが貫通するコーナに近接する上記キャビティ６の内隅部に付すアール７ａの径Ｒが、上記ビア導体Ｖが貫通しないコーナに近接する上記キャビティ６の内隅部に付すアール７ｂの径ｒよりも大きい、配線基板１。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面視でほぼ矩形を呈する複数の絶縁層と、
上記複数の絶縁層の表面および層間の少なくとも一つに形成される配線層と、
少なくとも最上層の上記絶縁層の平面視で内側に形成されるキャビティと、を備え、
上記最上層の絶縁層において、ビア導体が貫通するコーナに近接する上記キャビティの内隅部に付すアールの径が、上記ビア導体が貫通しないコーナに近接する上記キャビティの内隅部に付すアールの径よりも大きい、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
平面視でほぼ矩形を呈する複数の絶縁層と、
上記複数の絶縁層の表面および層間の少なくとも一つに形成される配線層と、
少なくとも最上層の上記絶縁層の平面視で内側に形成されるキャビティと、を備え、
上記最上層の絶縁層において、ビア導体が貫通するコーナの出隅部に設ける断面円弧形の凹形部の径が、上記ビア導体が貫通しないコーナの出隅部に設ける断面円弧形の凹形部の径よりも小さい、
ことを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、内側に水晶振動子などの電子部品を実装するキャビティを内設している配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図７（Ａ）および（Ｂ）に示す配線基板５０は、セラミックなどからなる複数の絶縁層５１〜５４と、これらの表面および層間に形成した図示しない配線層と、最下層の絶縁層５４以外の絶縁層５１〜５３の平面視で内側に形成したキャビティ５５と、を備えている。図７（Ａ），（Ｂ）に示すように、最上層の絶縁層５１におけるキャビティ５５の開口部５６は、図示で上下方向の幅が絶縁層５２，５３におけるキャビティ５５の開口部５７，５８よりも大きく、開口部５７の上下には第２層目の絶縁層５２の表面５２ａが横長の段部として露出する。
【０００３】
開口部５６の４カ所の内隅部には、同じ半径Ｒのアール５９が付されている。尚、キャビティ５５の底面には、絶縁層５４の表面５４ａが露出する。
また、図７（Ａ），（Ｂ）に示すように、絶縁層５１〜５４における４カ所の出隅部には、同じ半径ｒである４分の１円形の湾曲面６０が垂直方向に連続して形成される。このうち、最下層の絶縁層５４における湾曲面６０には、湾曲導体６２が形成され、これは、当該絶縁層５４の表面５４ａに形成される図示しない配線層と接続され、且つかかる配線層を介してキャビティ５５内に実装される図示しない水晶振動子やＳＡＷフィルタなどの底面に位置する端子と導通される。
【０００４】
更に、図７（Ａ），（Ｂ）に示すように、絶縁層５２〜５４において対向する上下辺の中間には、平面視が断面半円形の凹溝６４とこれらに被覆した凹溝導体６６とがそれぞれ形成されている。これらは、絶縁層５２，５３の表面５２ａなどに形成される図示しない配線層と接続され、且つこれらの配線層および図示しないワイヤを介して、キャビティ５５内に実装される上記ＳＡＷフィルタなどの上面に位置する端子と導通される。
図７（Ａ），（Ｂ）に示すように、絶縁層５１〜５３における対角位置のコーナには、複数のビア導体Ｖが前記開口部５６のアール５９および前記湾曲面６０に挟まれ、且つ垂直方向に連続して形成される。かかるビア導体Ｖは、絶縁層５１〜５４の表面５１ａ，５２ａ，５４ａなどに位置する配線層間を接続する。
【０００５】
【発明が解決すべき課題】
ところで、近年の配線基板の小型化の要請により、絶縁層５１などの外形は従前よりも小さくされ、一方、実装すべき電子部品のサイズはあまり変化しないため、キャビティ５５の開口部５６の寸法は従前と変わらない。この結果、最上層の絶縁層５１における各コーナの幅Ｗが狭くなるため、かかるコーナにビア導体Ｖやこれを形成するためのビアホールを貫通することが困難化している。
本発明は、以上に説明した従来の技術における問題点を解決し、内側に電子部品を実装するためのキャビティを有する絶縁層のコーナにビア導体を容易に配置できる配線基板を提供する、ことを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、最上層の絶縁層におけるキャビティの内隅部の半径や出隅部における４分の１円形の湾曲した凹形部の半径を、ビア導体が貫通するコーナと貫通しないコーナとの間で相違させる、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の第１の配線基板（請求項１）は、平面視でほぼ矩形を呈する複数の絶縁層と、かかる複数の絶縁層の表面および層間の少なくとも一つに形成される配線層と、少なくとも最上層の上記絶縁層の平面視で内側に形成されるキャビティと、を備え、上記最上層の絶縁層において、ビア導体が貫通するコーナに近接する上記キャビティの内隅部に付すアールの径が、上記ビア導体が貫通しないコーナに近接する上記キャビティの内隅部に付すアールの径よりも大きい、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、上記絶縁層においてビア導体が貫通するコーナでは、キャビティの内隅部に付すアールの径が、ビア導体が貫通しないコーナのキャビティの内隅部に付すアールの径よりも大きくされる。このため、ビア導体が貫通するコーナでは、かかるコーナにおける上記絶縁層の幅が、ビア導体が貫通しないコーナにおける当該絶縁層の幅よりも大きくなる。この結果、かかる幅広のコーナにビアホールおよびビア導体を容易に配置した配線基板とすることができる。従って、かかるビア導体が絶縁層の外側に接近または露出しないと共に、複数の絶縁層の表面や層間に形成される配線層間を確実に導通することができる。
尚、上記絶縁層には、セラミック絶縁層のほか、樹脂絶縁層も含まれる。
【０００８】
一方、本発明の第２の配線基板（請求項２）は、平面視でほぼ矩形を呈する複数の絶縁層と、かかる複数の絶縁層の表面および層間の少なくとも１つに形成される配線層と、少なくとも最上層の上記絶縁層の平面視で内側に形成されるキャビティと、を備え、上記最上層の絶縁層において、ビア導体が貫通するコーナの出隅部に設ける断面円弧形の凹形部の径が、上記ビア導体が貫通しないコーナの出隅部に設ける断面円弧形の凹形部の径よりも小さい、ことを特徴とする。
これによれば、上記絶縁層においてビア導体が貫通するコーナでは、その出隅部に設ける断面円弧形の凹形部の径が、ビア導体が貫通しないコーナの出隅部に設ける断面円弧形の凹形部の径よりも小さくされる。これによっても、ビア導体が貫通するコーナでは、かかるコーナにおける上記絶縁層の幅が、ビア導体が貫通しないコーナにおける当該絶縁層の幅よりも大きくなる。従って、かかる幅広のコーナにビア導体を容易に配置した配線基板とすることができる。
【０００９】
尚、本発明の前記配線基板は、平面視でほぼ矩形を呈する複数の絶縁層と、かかる複数の絶縁層の表面および層間の少なくとも１つに形成される配線層と、少なくとも最上層の上記絶縁層の平面視で内側に形成されるキャビティと、を備え、上記最上層の絶縁層において、ビア導体が貫通するコーナに近接する上記キャビティの内隅部に付すアールの径が、上記ビア導体が貫通しないコーナに近接する上記キャビティの内隅部に付すアールの径よりも大きいこと、および、上記最上層の絶縁層において、ビア導体が貫通するコーナの出隅部に設ける断面円弧形の凹形導体の径が、上記ビア導体が貫通しないコーナの出隅部に設ける断面円弧形の凹形導体の径よりも小さいこと、の少なくとも一方を保有する、とすることも可能である。
これによれば、上記絶縁層においてビア導体が貫通するコーナでは、キャビティの内隅部に付すアールの径が大きくされ、あるいは、かかるコーナの出隅部に設ける断面円弧形の凹形部の径が小さくされる。特に、キャビティの内隅部に付すアールの径を大きくし且つ出隅部に設ける断面円弧形の凹形部の径を小さくした絶縁層のコーナでは、その幅を更に大きくすることが可能となる。
【００１０】
また、本発明は、平面視でほぼ矩形を呈する複数の絶縁層と、かかる複数の絶縁層の表面および層間の少なくとも１つに形成される配線層と、少なくとも最上層の絶縁層の平面視で内側に形成されるキャビティと、を備えた配線基板の製造方法であって、追って上記最上層の絶縁層となる複数の製品エリアを有する絶縁シートにおいて、かかるシート内で複数の製品エリアのコーナが隣接する複数のＴ字形または十字形境界部に対し、円形の貫通孔を形成し、各製品エリアごとに切断して半円形の凹形部、または４分の１円形の凹形部を形成する工程、を含む、請求項１，２の配線基板の製造方法を含むことも可能である。
これによる場合、複数の配線基板における最上層の絶縁層となる絶縁シートにおいて、前記断面円弧形の凹形導体を形成する凹形部を少ない工数により、効率良く製造できる。従って、電子部品を実装するキャビティを有する配線基板を、小型化の要請に応じつつ確実且つ低コストで提供することが可能となる。
尚、上記絶縁シートには、主にセラミックからなるグリーンシートのほか、合成樹脂からなる樹脂シートも含まれる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下において、本発明の実施に好適な形態を図面と共に説明する。
図１（Ａ）は、本発明による第１の配線基板１における複数の絶縁層２〜５およびこれらの内側に形成したキャビティ６を示す平面図であり、図１（Ｂ），（Ｃ）は、（Ａ）中のＢ−Ｂ線またはＣ−Ｃ線に沿った矢視の断面図である。
配線基板１は、図１（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、例えばアルミナを主成分とするセラミックからなり且つ平面視で正方形（矩形）を呈する厚みが数１００μｍの絶縁層２〜５を積層し、最下層の絶縁層５を除く絶縁層２〜４の内側には、平面視でほぼ矩形のキャビティ６が位置する。上記絶縁層２〜４の表面２ａ〜５ａには、後述する配線層が形成されている。
【００１２】
図１（Ａ），（Ｃ）に示すように、最上層の絶縁層２におけるキャビティ６の開口部７は、図示で上下方向の幅が絶縁層３，４におけるキャビティ６の開口部８よりも大きく、開口部７の上下には第２層目の絶縁層３の表面３ａが横長の段部として露出する。但し、図１（Ａ），（Ｂ）に示すように、最上層の絶縁層２におけるキャビティ６の開口部７は、図示で左右方向の幅が絶縁層３，４におけるキャビティ６の開口部８と同じである。尚、キャビティ６の底面には、絶縁層５の表面５ａが露出している。かかるキャビティ６内には、水晶振動子やＳＡＷフィルタなどの電子部品１８が実装される。
【００１３】
図１（Ａ）に示すように、絶縁層２〜５における４カ所の出隅部には、平面視で断面が４分の１円形である円弧形の凹形部１０が垂直方向に連続して形成され、そのうちで最下層の絶縁層５の凹形部１０には、後述する凹形導体１２が形成される。また、図１（Ａ）に示すように、絶縁層３〜５において対向する上下辺の中間には、平面視で断面がほぼ半円形の凹溝１４とこれらに被覆した後述する凹形導体１６とがそれぞれ形成される。尚、凹形導体１２，１６は、例えばＷ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ａｇ、またはＰｄ、あるいはこれらの何れかをベースとする合金の焼結体からなる。
【００１４】
図１（Ａ）に示すように、最上層の絶縁層２において、左下と右上との各コーナには、直径が約１００μｍのビア導体Ｖが貫通して形成され、かかるビア導体Ｖは下側の絶縁層３，４にも垂直方向に連続して貫通されている。尚、ビア導体Ｖも前記同様の金属または合金からなる焼結体である。
最上層の絶縁層２において、ビア導体Ｖが貫通するコーナに近接するキャビティ６の開口部７の内隅部に付したアール７ａの半径（径）Ｒは、ビア導体Ｖが貫通しないコーナに近接するキャビティ６の開口部７の内隅部に付したアール７ｂの半径（径）ｒよりも大きく設定されている。因みに、絶縁層２におけるキャビティ６の開口部７が３．０ｍｍ×３．０ｍｍである場合、上記半径Ｒは０．４〜０．６ｍｍで且つ半径ｒは０．１５〜０．２５ｍｍである。このため、絶縁層２において、ビア導体Ｖが貫通する左下および右上の各コーナの幅は、ビア導体Ｖが貫通しない左上および右下の各コーナの幅よりも大きくなっている。従って、かかるコーナにビア導体Ｖを精度良く確実に貫通して配置することができる。
【００１５】
図２は、前記配線基板１を形成する絶縁層２〜５の斜視図である。最上層の絶縁層２は、図２に示すように、キャビティ６の開口部７を囲む表面２ａの全体を接地用配線層２０がベタ状に覆っている。かかる配線層２０は、接地回路として機能するほか、キャビティ６内に前記電子部品１８を実装した後で、その上に平面視で正方形の図示しない金属枠をロウ付けするためのものでもあり、かかる金属枠の開口部を図示しない蓋板で密閉することにより、実装した電子部品１８を密封することができる。また、上記配線層２０には、対角位置のビア導体Ｖ，Ｖが接続している。
尚、上記金属枠を省略し、配線層２０に直に蓋板をロウ付けしても良い。また、配線層２０および以下の各配線層も、前記金属または合金の焼結体である。
図２に示すように、第２層および第３層の絶縁層３，４は、キャビティ６の開口部８の周囲の表面３ａ，４ａに、所定パターンを有する信号用の配線層２１〜２８，３１〜３８が形成されている。このうち、配線層２３，２６，３３，３６は、それらの外側において、隣接する凹形導体１６と個別に接続されている。
【００１６】
上記絶縁層３，４における対角位置のコーナには、前記同様のビア導体Ｖ，Ｖが貫通している。このうち、絶縁層３を貫通するビア導体Ｖは、前記配線層２０と配線層３４，３５とを接続し、絶縁層４を貫通するビア導体Ｖは、配線層３４，３５と次述する配線層４０の接続部４２とを接続する。
図２に示すように、最下層の絶縁層５の表面５ａにおける中央付近には、平面視がほぼ矩形で電源用の配線層４０がベタ状に形成され、その四隅には、当該絶縁層５における４カ所の出隅部にそれぞれ位置する凹形導体１２と個別に接続する接続部４２が放射状に形成されている。上記ベタ状の配線層４０には、前記電子部品１８の底面に位置する端子が図示しないロウ材を介して接続される。
【００１７】
前記配線基板１は、次のような工程を経て製造される。
先ず、図３（Ａ）に示すように、例えばアルミナを主成分とし有機バインダを含むグリーンシート（絶縁シート）Ｓを複数枚用意する。かかるグリーンシートＳ中の破線は、追って切断するための切断線を示し、１枚のグリーンシートＳで、追って前記絶縁層２となる製品エリアｓを４個を併有している。
次に、図３（Ｂ）に示すように、隣接する複数の製品エリアｓ，ｓ間におけるＴ字形境界または十字形境界に対し、各部位ごとに専用の径による円形の貫通孔ｈを、レーザ加工またはメカニカルパンチにより穿孔する。
次いで、図３（Ｃ）に示すように、複数の製品エリアｓ，ｓごとにおける所定の位置に上記同様の方法にて、直径が約１００μｍのビアホールｖｈを穿孔する。
【００１８】
更に、図３（Ｄ）に示すように、複数の製品エリアｓ，ｓごとにおける中央寄りの位置を所定の断面形状を有する打ち抜き型でパンチングすることにより、追って前記キャビティ６の一部となる開口部７が形成される。この際、かかる開口部７の内隅部に前記半径Ｒおよび半径ｒのアール７ａ，７ｂが形成されるような打ち抜き型を用いる。
次に、ビアホールｖｈ内にＷなどの金属粉末を含む導電性ペーストをマスク印刷により充填した後、製品エリアｓの表面全体にも同様のペーストをスクリーン印刷により形成する。この結果、ビアホールｖｈ内にはビア導体Ｖが、各製品エリアｓの表面には配線層２０が形成される。
そして、グリーンシートＳを破線に沿って切断することにより、図３（Ｅ）に示すように、最上層の絶縁層２用のグリーンシートＳ２が４枚得られる。この際、前記貫通孔ｈは、かかるシートＳ２の四隅における４分の１円形の凹形部１０、またはシートＳ２の上下辺の中間に位置する半円形の凹形部１４となる。
【００１９】
また、前記絶縁層３，４用のグリーンシートＳ３，４Ｓも、図３（Ａ）〜（Ｅ）の方法と同様にして形成される。尚、シートＳ３，４Ｓの凹形部１４となる貫通孔ｈの内壁にも導電性ペーストを形成しておく。
更に、前記最下層の絶縁層５用のグリーンシートＳ５は、前記グリーンシートＳに円形の貫通孔ｈを穿孔し、その表面に導電性ペーストをスクリーン印刷によりベタ状にして形成した後、前記破線に沿って切断することで得られる。尚、シートＳ５の凹形部１０，１４の内壁にも導電性ペーストを形成しておく。
そして、図４（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、グリーンシートＳ２〜Ｓ５を圧着しつつ積層した後、図示しない焼成炉内に挿入し、８００〜１４００℃に約０．５〜６時間加熱して焼成する。この結果、図１（Ａ）および図４（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、前記配線基板１を効率良く確実に得ることができる。
【００２０】
図５（Ａ），（Ｂ）は、本発明による第２の配線基板１ａに関する。尚、以下において、前記の形態と共通する部分や要素には共通する符号を用いる。
配線基板１ａも、図５（Ａ），（Ｂ）に示すように、絶縁層２〜５を積層し、最下層の絶縁層５を除く絶縁層２〜４の内側には、前記と同じキャビティ６が位置する。上記絶縁層２〜４の表面２ａ〜５ａには、配線層２０などが前記同様に形成されている。図５（Ａ）に示すように、最上層の絶縁層２において、ビア導体Ｖが貫通する左下および右上の各コーナの出隅部に設ける断面が４分の１円形である円弧形の凹形部１１の半径（径）ｄは、ビア導体Ｖが貫通しない左上および右下の各コーナの出隅部設ける凹形部１０の半径（径）Ｄよりも小さくされている。
因みに、最上層の絶縁層２におけるキャビティ６の開口部７のサイズが３．０ｍｍ×３．０ｍｍである場合、上記半径ｄは０．１５〜０．２５ｍｍで且つ半径Ｄは０．３〜０．４ｍｍである。
【００２１】
即ち、配線基板１ａでは、図５（Ａ）に示すように、最上層の絶縁層２におけるキャビティ６の開口部７における４カ所の内隅部を全て半径ｒのアール７ｂとして小さくするが、ビア導体Ｖが貫通するコーナの出隅部に設ける凹形部１１の半径ｄを小さくすることにより、当該コーナにおける幅を広く確保できる。このため、ビア導体Ｖを精度良く確実に貫通させることができる。
しかも、配線基板１ａによれば、キャビティ６の開口部７をも広く取れるため、第２層の絶縁層２の表面２ａ上に露出する配線層２１〜２８の面積を確保できる。この結果、信号用の配線層２１〜２８とキャビティ６内に実装される電子部品の上面に位置する端子とを接続するワイヤのボンディング操作も容易となる。
【００２２】
図６（Ａ），（Ｂ）は、配線基板１，１ａの応用形態の配線基板１ｂに関する。
配線基板１ｂは、図６（Ａ），（Ｂ）に示すように、絶縁層２〜５を積層し、最下層の絶縁層５を除く絶縁層２〜４の内側には、前記と同じキャビティ６が位置する。上記絶縁層２〜４の表面２ａ〜５ａには、配線層２０，４０などが前記同様に形成されている。
図６（Ａ）に示すように、最上層の絶縁層２において、ビア導体Ｖが貫通する左下と右上とのコーナに近接するキャビティ６の開口部７の内隅部に付したアール７ａの半径Ｒは、ビア導体Ｖが貫通しないコーナに近接するキャビティ６の開口部７の内隅部に付したアール７ｂの半径ｒよりも前記同様に大きくされている。
【００２３】
同時に、ビア導体Ｖが貫通する左下および右上の各コーナの出隅部に設ける断面が４分の１円形である円弧形の凹形部１１の半径ｄは、ビア導体Ｖが貫通しない左上および右下の各コーナの出隅部設ける凹形部１０の半径Ｄよりも前記同様に小さくされている。
即ち、配線基板１ｂでは、図６（Ａ）に示すように、最上層の絶縁層２において、ビア導体Ｖが貫通するコーナに近接するキャビティ６の内隅部の半径Ｒを大きくし、且つ同じコーナの出隅部に設ける凹形部１１の半径ｄを小さくすることにより、かかるコーナにおける幅を一層大きく取ることができる。このため、そのコーナにおいて、ビア導体Ｖを容易且つ確実に貫通させ、上下の配線層２０などの導通を確実に取ることができる。尚、配線基板１ｂにおける上述したコーナでは、２つのビア導体Ｖを平行に貫通させることも可能である。
【００２４】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
ビア導体Ｖが貫通するコーナは、前記絶縁層２における対角位置のコーナに限らず、同じ一辺の両端におけるコーナや、３カ所のコーナに配置しても良い。
また、キャビティ６の内隅部に付すアール７ａ，７ｂや絶縁層２の出隅部に設ける凹形部１０，１１の半径Ｒ，ｒ，ｄ，Ｄは、４分の１の円形を描く一定値に限らず、偏平な４分の１の楕円形を描くような変数値にすることも可能である。
更に、前記絶縁層２〜５には、アルミナのほか、チタン酸バリウム、ムライト、窒化アルミニウム、ガラスセラミック、低温焼成セラミックなどのセラミックを適用しても良い。
【００２５】
あるいは、前記絶縁層２〜５には、エポキシ、ポリエステル、ポリイミド、ビスマレイミド・トリアジンなどの合成樹脂や、これらにガラスフィラあるいはガラスクロスなどの無機フィラや無機繊維を含有させた複合材を適用しても良い。かかる樹脂や複合材からなる絶縁層２〜５を用いる場合、前記配線層２０など、凹形導体１２，１６、およびビア導体Ｖは、例えば銅メッキを用いて形成したり、配線パターンを形成するために公知のフォトリソグラフィ技術を用いる。更に、上記樹脂などからなる絶縁層２〜５は、打ち抜き加工を含むプレス加工により所定の形状に成形された後で、接着剤を介して積層される。
加えて、前記キャビティ６内に実装する電子部品は、前記水晶振動子やＳＡＷフィルタに限らず、チップコンデンサ、チップインダクタ、抵抗、フィルタなどの受動部品や、トランジスタ、半導体素子、ＦＥＴ、ローノイズアンプ（ＬＮＡ）などの能動部品も含まれ、あるいはＬＣフィルタ、アンテナスイッチモジュール、カプラ、ダイプレクサ、半導体集積回路なども含まれる。しかも、同種または異種の複数の電子部品を前記配線基板の同じキャビティ内に併せて実装することも可能である。
【００２６】
【発明の効果】
以上に説明した本発明の配線基板（請求項１，２）によれば、キャビティを内設する最上層の絶縁層において、ビア導体が貫通するコーナでは、かかるコーナにおける上記絶縁層の幅が、ビア導体が貫通しないコーナにおける当該絶縁層の幅よりも大きくなる。従って、かかる幅広のコーナにビア導体を容易に配置した配線基板とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）は本発明による第１の配線基板の概略を示す平面図、（Ｂ），（Ｃ）は（Ａ）中のＢ−Ｂ線またはＣ−Ｃ線に沿った矢視の断面図。
【図２】図１の配線基板の分解斜視図。
【図３】（Ａ）〜（Ｅ）は図１の配線基板の製造工程を示す概略図。
【図４】（Ａ）は図３（Ｅ）に続く製造工程または得られた図１の配線基板を示す斜視図、（Ｂ），（Ｃ）は（Ａ）中のＢ−Ｂ線またはＣ−Ｃ線に沿った矢視の断面図。
【図５】（Ａ），（Ｂ）は本発明による第２の配線基板を示す平面図または斜視図。
【図６】（Ａ），（Ｂ）は図１と図５の配線基板の応用形態を示す平面図または斜視図。
【図７】（Ａ），（Ｂ）は従来の配線基板の概略を示す平面図または斜視図。
【符号の説明】
１，１ａ，１ｂ…………………配線基板
２〜５……………………………絶縁層
２ａ〜５ａ………………………表面
６…………………………………キャビティ
７ａ，７ｂ………………………アール
１０，１１………………………凹形部
２０〜２８，３１〜３８，４０…配線層
Ｖ…………………………………ビア導体
Ｒ，ｒ，Ｄ，ｄ…………………半径（径）
【図１】
2004055991.tif 000003
【図２】
2004055991.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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