(57)【要約】【課題】高出力駆動時でも高い信頼性を示し、長寿命を有する半導体レーザ装置を提供すること。【解決手段】第一導電型のＧａＡｓ基板１０１上に、第一導電型の下クラッド層１０３，１０４、ＩｎＧａＡｓＰ系材料からなるバリア層と井戸層とを交互に重ねてなる量子井戸活性層１０７、および第二導電型の上クラッド層１１０を少なくとも積層する。量子井戸活性層１０７を第二導電型となる不純物を添加しながら成長させる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一導電型の半導体基板上に、第一導電型の下クラッド層、バリア層と井戸層とを交互に重ねてなる量子井戸活性層、および第二導電型の上クラッド層が少なくとも積層されている半導体レーザ装置において、
上記量子井戸活性層自体に第二導電型となる不純物が添加されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
第一導電型のＧａＡｓ基板上に、第一導電型の下クラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ系材料からなるバリア層と井戸層とを交互に重ねてなる量子井戸活性層、および第二導電型の上クラッド層が少なくとも積層されており、発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さい半導体レーザ装置において、
上記量子井戸活性層自体に第二導電型となる不純物としてＺｎが添加されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体レーザ装置において、
上記量子井戸活性層に添加されているＺｎの濃度が２×１０１７ｃｍ−３以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項４】
第一導電型の半導体基板上に、第一導電型の下クラッド層、バリア層と井戸層とを交互に重ねてなる量子井戸活性層、および第二導電型の上クラッド層が少なくとも積層されている半導体レーザ装置において、
上記量子井戸活性層自体に第一導電型となる不純物が添加されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項５】
第一導電型のＧａＡｓ基板上に、第一導電型の下クラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ系材料からなるバリア層と井戸層とを交互に重ねてなる量子井戸活性層、および第二導電型の上クラッド層が少なくとも積層されており、発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さい半導体レーザ装置において、
上記量子井戸活性層自体に第一導電型となる不純物としてＳｉが添加されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体レーザ装置において、
上記量子井戸活性層に添加されているＳｉの濃度が２×１０１７ｃｍ−３以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項７】
請求項２または５に記載の半導体レーザ装置において、
上記量子井戸活性層と上クラッド層、下クラッド層との間に、それぞれＡｌＧａＡｓ系材料からなるガイド層が挟まれていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体レーザ装置において、
上記ガイド層を構成するＡｌＧａＡｓ系材料のＡｌ混晶比が０．２より大きいことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項９】
請求項２または５に記載の半導体レーザ装置において、
上記井戸層が圧縮歪を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体レーザ装置において、
上記圧縮歪の量が３．５％以内であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１１】
請求項９に記載の半導体レーザ装置において、
上記バリア層が引張歪を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体レーザ装置において、
上記引張歪の量が３．５％以内であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１３】
第一導電型の半導体基板上に、第一導電型の下クラッド層、バリア層と井戸層とを交互に重ねてなる量子井戸活性層、および第二導電型の上クラッド層を少なくとも積層する半導体レーザ装置の製造方法において、
上記量子井戸活性層を第二導電型となる不純物を添加しながら成長させることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１４】
第一導電型のＧａＡｓ基板上に、第一導電型の下クラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ系材料からなるバリア層と井戸層とを交互に重ねてなる量子井戸活性層、および第二導電型の上クラッド層を少なくとも積層して、発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さい半導体レーザ装置を作製する製造方法において、
上記量子井戸活性層を第二導電型となる不純物としてＺｎを添加しながら成長させることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の半導体レーザ装置の製造方法において、
上記Ｚｎを上記量子井戸活性層内での濃度が２×１０１７ｃｍ−３以下となるように添加することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１６】
第一導電型の半導体基板上に、第一導電型の下クラッド層、バリア層と井戸層とを交互に重ねてなる量子井戸活性層、および第二導電型の上クラッド層を少なくとも積層する半導体レーザ装置の製造方法において、
上記量子井戸活性層を第一導電型となる不純物を添加しながら成長させることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１７】
第一導電型のＧａＡｓ基板上に、第一導電型の下クラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ系材料からなるバリア層と井戸層とを交互に重ねてなる量子井戸活性層、および第二導電型の上クラッド層を少なくとも積層して、発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さい半導体レーザ装置を作製する製造方法において、
上記量子井戸活性層を第一導電型となる不純物としてＳｉを添加しながら成長させることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の半導体レーザ装置の製造方法において、
上記Ｓｉを上記量子井戸活性層内での濃度が２×１０１７ｃｍ−３以下となるように添加することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１または４に記載の半導体レーザ装置を備えていることを特徴とする光ディスク再生記録装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体レーザ装置とその製造方法に関する。また、この発明は光ディスク再生記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体レーザ装置は光通信装置や光記録装置などに用いられるが、近年、その高速化・大容量化といったニーズが高まってきており、それに応えるために半導体レーザ装置の様々な特性を向上させるための研究開発が進められている。
【０００３】
その中で、従来ＣＤ（コンパクトディスク）やＣＤ−Ｒ／ＲＷ（書き込み／書き換え可能コンパクトディスク）といった光ディスク再生（記録）装置に用いられる７８０ｎｍ帯の半導体レーザ装置は、通常ＡｌＧａＡｓ系の材料により作製されている。ＣＤ−Ｒ／ＲＷにおいても高速書き込みに対する要求は益々高まってきているため、これに対応するために半導体レーザ装置の高出力化が要求されている。
【０００４】
従来のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ装置としては、図１２に示すようなものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。この半導体レーザ装置では、ｎ−ＧａＡｓ基板５０１上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層５０２、ｎ−Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ下クラッド層５０３、Ａｌ０．３５Ｇａ０．６５Ａｓ下ガイド層５０４、Ａｌ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓ井戸層（層厚８０Å、２層）とＡｌ０．３５Ｇａ０．６５Ａｓバリア層（層厚５０Å、３層）を交互に配置してなる多重量子井戸活性層５０５、Ａｌ０．３５Ｇａ０．６５Ａｓ上ガイド層５０６、ｐ−Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第一上クラッド層５０７、ｐ−ＧａＡｓエッチストップ層５０８が順次積層されており、さらに該エッチストップ層５０８上に、メサストライプ状のｐ−Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ第二上クラッド層５０９、その上部に庇状のｐ−ＧａＡｓキャップ層５１０が形成されている。また、該第二上クラッド層５０９両側には、ｎ−Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ第一電流ブロック層５１１およびｎ−ＧａＡｓ第二電流ブロック層５１２が積層されて、該メサストライプ以外の領域を電流狭窄部となっている。また、該第二電流ブロック層５１３上にはｐ−ＧａＡｓ平坦化層５１３が設けられ、更に全面にｐ−ＧａＡｓコンタクト層５１４が積層されている。
【０００５】
この半導体レーザ装置を発明者らが作製して特性を調べたところ、しきい値電流はおよそ３５ｍＡであり、ＣＯＤ（端面破壊）レベルがおよそ１６０ｍＷ程度となっている。
【０００６】
【特許文献１】
特開平−２７４６４４号公報（段落００５３、図１）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のようなＡｌＧａＡｓ系の材料を用いた半導体レーザ装置では、活性なＡｌの影響により、高出力駆動時にレーザ光出射端面においてＣＯＤ（端面破壊）が起こりやすい。このため、信頼性が十分ではなく、寿命が長くないという問題がある。
【０００８】
そこで、この発明の課題は、高出力駆動時でも高い信頼性を示し、長寿命を有する半導体レーザ装置とその製造方法を提供することにある。
【０００９】
また、この発明の課題は、そのような半導体レーザ装置を備えた光ディスク再生記録装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
レーザ光出射端面におけるＣＯＤは、以下のようなメカニズムによって生じていると考えられている。共振器端面においては、Ａｌが容易に酸化されるためにそれにより表面準位が形成される。活性層に注入されたキャリアはこの準位を介して緩和し、その際に熱を放出するため、局所的に温度が上昇する。この温度上昇によって端面近傍の活性層のバンドギャップが縮小し、レーザ光が端面近傍の活性層で吸収され発生したキャリアが、また表面準位を介して緩和し発熱する。このような正帰還を繰り返すことにより最終的に端面が溶融し発振停止に至る、と考えられている。
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明者らは活性領域にＡｌを含まない（Ａｌフリー）材料であるＩｎＧａＡｓＰ系による高出力半導体レーザ装置の研究を進めたところ、２５０ｍＷ近くまでの最高光出力をもつ半導体レーザ装置を実現したものの、十分な信頼性は得られなかった。しかしながら、この半導体レーザ装置を解析したところ、ｐ型不純物であるＺｎが活性層まで拡散しており、その濃度が２×１０１７ｃｍ−３に達していることが分かった。また、素子の断面を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察すると、量子井戸構造が部分的に無秩序化されており、井戸−バリア層界面が不明瞭となっていた。
【００１２】
そこで、この解析結果に基づいて、本発明にかかる半導体レーザ装置は、第一導電型の半導体基板上に、第一導電型の下クラッド層、バリア層と井戸層とを交互に重ねてなる量子井戸活性層、および第二導電型の上クラッド層が少なくとも積層されている半導体レーザ装置において、上記量子井戸活性層自体に第二導電型となる不純物が添加されていることを特徴とする。
【００１３】
この半導体レーザ装置では、量子井戸活性層自体に第二導電型となる不純物が添加されているので、上下のクラッド層などから不純物が量子井戸活性層へ拡散しようとしても、量子井戸活性層への不純物拡散は抑制される。この結果、量子井戸活性層への不純物拡散による無秩序化が低減され、結晶性が損なわれることがない。したがって、この半導体レーザ装置は、高出力駆動時でも、高い信頼性を示し、長寿命を有することができる。
【００１４】
別の面では、本発明にかかる半導体レーザ装置は、第一導電型のＧａＡｓ基板上に、第一導電型の下クラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ系材料からなるバリア層と井戸層とを交互に重ねてなる量子井戸活性層、および第二導電型の上クラッド層が少なくとも積層されており、発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さい半導体レーザ装置において、上記量子井戸活性層自体に第二導電型となる不純物としてＺｎが添加されていることを特徴とする。
【００１５】
なお、「ＩｎＧａＡｓＰ系材料」とは、ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙ（ただし、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１である。）を意味する。
【００１６】
この半導体レーザ装置では、量子井戸活性層自体に第二導電型となる不純物としてＺｎが添加されているので、上下のクラッド層などから該量子井戸活性層への不純物拡散による無秩序化が低減される。例えば、上クラッド層に不純物としてＺｎ（拡散速度が比較的速い）が添加されており、上クラッド層からＺｎが量子井戸活性層へ拡散しようとしても、量子井戸活性層のＺｎ濃度が或る程度高いため、量子井戸活性層へのＺｎの拡散は抑制される。この結果、量子井戸活性層の結晶性が損なわれることがない。したがって、この半導体レーザ装置は、高出力駆動時でも、高い信頼性を示し、長寿命を有することができる。
【００１７】
上記量子井戸活性層に添加されているＺｎが２×１０１７ｃｍ−３以下であることにより、上記量子井戸活性層でのレーザ発振を担保できる。しかも、該量子井戸活性層へのＺｎの拡散を低減もしくはほぼなくすことが可能となるため、上記と同様な効果を得ることができる。
【００１８】
別の面では、本発明にかかる半導体レーザ装置は、第一導電型の半導体基板上に、第一導電型の下クラッド層、バリア層と井戸層とを交互に重ねてなる量子井戸活性層、および第二導電型の上クラッド層が少なくとも積層されている半導体レーザ装置において、上記量子井戸活性層自体に第一導電型となる不純物が添加されていることを特徴とする。
【００１９】
この半導体レーザ装置では、量子井戸活性層自体に第一導電型となる不純物が添加されているので、上下のクラッド層などから不純物が量子井戸活性層へ拡散しようとしても、量子井戸活性層への不純物の拡散は抑制される。この結果、量子井戸活性層への不純物拡散による無秩序化が低減され、結晶性が損なわれることがない。したがって、この半導体レーザ装置は、高出力駆動時でも、高い信頼性を示し、長寿命を有することができる。
【００２０】
別の面では、本発明にかかる半導体レーザ装置は、第一導電型のＧａＡｓ基板上に、第一導電型の下クラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ系材料からなるバリア層と井戸層とを交互に重ねてなる量子井戸活性層、および第二導電型の上クラッド層が少なくとも積層されており、発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さい半導体レーザ装置において、上記量子井戸活性層自体に第一導電型となる不純物としてＳｉが添加されていることを特徴とする。
【００２１】
この半導体レーザ装置では、量子井戸活性層自体に第一導電型となる不純物としてＳｉが添加されているので、上下のクラッド層などから該量子井戸活性層への不純物拡散による無秩序化が低減される。例えば、下クラッド層に不純物としてＳｉが添加されており、下クラッド層からＳｉが量子井戸活性層へ拡散しようとしても、量子井戸活性層のＳｉ濃度が或る程度高いため、量子井戸活性層へのＳｉの拡散は抑制される。この結果、量子井戸活性層の結晶性が損なわれることがない。したがって、この半導体レーザ装置は、高出力駆動時でも、高い信頼性を示し、長寿命を有することができる。
【００２２】
上記量子井戸活性層に添加されているＳｉが２×１０１７ｃｍ−３以下であることにより、上記量子井戸活性層でのレーザ発振を担保できる。しかも、該量子井戸活性層へのＳｉの拡散を低減もしくはほぼなくすことが可能となるため、上記と同様な効果を得ることができる。
【００２３】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記量子井戸活性層と上クラッド層、下クラッド層との間に、それぞれＡｌＧａＡｓ系材料からなるガイド層が挟まれていることを特徴とする。
【００２４】
なお、「ＡｌＧａＡｓ系材料」とは、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ただし、０＜ｘ＜１である。）を意味する。
【００２５】
この半導体レーザ装置では、ＩｎＧａＡｓＰ系材料からなる井戸層とＡｌＧａＡｓ系材料からなるガイド層との間で、コンダクションバンドのエネルギ差（ΔＥｃ）およびバレンスバンドのエネルギ差（ΔＥｖ）が生じるので、井戸層からのキャリアのオーバーフローを抑制できる。したがって、高出力が得られる。
【００２６】
なお、上記量子井戸活性層を構成する最上層および最下層を上記バリア層としておけば、発光再結合のおこる井戸層にはＡｌＧａＡｓ系材料が直接接することがない。したがって、半導体レーザ装置の信頼性が損なわれることはない。
【００２７】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記ガイド層を構成するＡｌＧａＡｓ系材料のＡｌ混晶比が、０．２より大きいことから、ＩｎＧａＡｓＰ系材料からなる井戸層とＡｌＧａＡｓ系材料からなるガイド層との間で、コンダクションバンドのエネルギ差（ΔＥｃ）、バレンスバンドのエネルギ差（ΔＥｖ）がそれぞれバランス良く生じる。したがって、井戸層からのキャリアのオーバーフローをより好適に抑制できる。したがって、より確実に高出力が得られる。
【００２８】
一実施形態の半導体レーザ装置では、ＧａＡｓ基板上のＩｎＧａＡｓＰ系材料からなる上記井戸層が圧縮歪を有する。したがって、発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さい半導体レーザ装置において、高出力駆動時でも、より高い信頼性を示し、長寿命を有することができる。
【００２９】
なお、「歪」の量は、ＧａＡｓ基板の格子定数をａＧａＡｓ、井戸層の格子定数をａ１とすると、（ａ１−ａＧａＡｓ）／ａＧａＡｓで表される。この値が正であれば圧縮歪、負であれば引っ張り歪と呼ばれる。
【００３０】
上記圧縮歪の量が３．５％以内であることにより、より好適に上記効果が得られる。
【００３１】
一実施形態の半導体レーザ装置では、ＧａＡｓ基板上のＩｎＧａＡｓＰ系材料からなる上記バリア層が引張歪を有するので、上記井戸層の圧縮歪が補償されて、上記量子井戸活性層の結晶性がより安定する。したがって、発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さい半導体レーザ装置において、高出力駆動時でも、より高い信頼性を示し、長寿命を有することができる。
【００３２】
上記引張歪量が３．５％以内であることにより、より好適に上記効果が得られる。
【００３３】
本発明にかかる半導体レーザ装置の製造方法は、第一導電型の半導体基板上に、第一導電型の下クラッド層、バリア層と井戸層とを交互に重ねてなる量子井戸活性層、および第二導電型の上クラッド層を少なくとも積層する半導体レーザ装置の製造方法において、上記量子井戸活性層を第二導電型となる不純物を添加しながら成長させることを特徴とする。
【００３４】
この半導体レーザ装置の製造方法では、量子井戸活性層を第二導電型となる不純物を添加しながら成長させるので、上下のクラッド層などから不純物が量子井戸活性層へ拡散しようとしても、量子井戸活性層への不純物拡散は抑制される。この結果、量子井戸活性層への不純物拡散による無秩序化が低減され、結晶性が損なわれることがない。したがって、作製された半導体レーザ装置は、高出力駆動時でも、高い信頼性を示し、長寿命を有することができる。
【００３５】
別の面では、本発明にかかる半導体レーザ装置の製造方法は、第一導電型のＧａＡｓ基板上に、第一導電型の下クラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ系材料からなるバリア層と井戸層とを交互に重ねてなる量子井戸活性層、および第二導電型の上クラッド層を少なくとも積層して、発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さい半導体レーザ装置を作製する製造方法において、上記量子井戸活性層を第二導電型となる不純物としてＺｎを添加しながら成長させることを特徴とする。
【００３６】
この半導体レーザ装置の製造方法では、量子井戸活性層を第二導電型となる不純物としてＺｎを添加しながら成長させるので、上下のクラッド層などから該量子井戸活性層への不純物拡散による無秩序化が低減される。例えば、上クラッド層に不純物としてＺｎ（拡散速度が比較的速い）が添加されており、上クラッド層からＺｎが量子井戸活性層へ拡散しようとしても、量子井戸活性層のＺｎ濃度が或る程度高いため、量子井戸活性層へのＺｎの拡散は抑制される。この結果、量子井戸活性層の結晶性が損なわれることがない。したがって、作製された半導体レーザ装置は、高出力駆動時でも、高い信頼性を示し、長寿命を有することができる。
【００３７】
上記Ｚｎを上記量子井戸活性層内での濃度が２×１０１７ｃｍ−３以下となるように添加することにより、上記量子井戸活性層でのレーザ発振を担保できる。しかも、該量子井戸活性層へのＺｎの拡散を低減もしくはほぼなくすことが可能となるため、上記と同様な効果を得ることができる。
【００３８】
別の面では、本発明にかかる半導体レーザ装置の製造方法は、第一導電型の半導体基板上に、第一導電型の下クラッド層、バリア層と井戸層とを交互に重ねてなる量子井戸活性層、および第二導電型の上クラッド層を少なくとも積層する半導体レーザ装置の製造方法において、上記量子井戸活性層を第一導電型となる不純物を添加しながら成長させることを特徴とする。
【００３９】
この半導体レーザ装置の製造方法では、量子井戸活性層を第一導電型となる不純物を添加しながら成長させるので、上下のクラッド層などから不純物が量子井戸活性層へ拡散しようとしても、量子井戸活性層への不純物の拡散は抑制される。この結果、量子井戸活性層への不純物拡散による無秩序化が低減され、結晶性が損なわれることがない。したがって、作製された半導体レーザ装置は、高出力駆動時でも、高い信頼性を示し、長寿命を有することができる。
【００４０】
別の面では、本発明にかかる半導体レーザ装置の製造方法は、第一導電型のＧａＡｓ基板上に、第一導電型の下クラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ系材料からなるバリア層と井戸層とを交互に重ねてなる量子井戸活性層、および第二導電型の上クラッド層を少なくとも積層して、発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さい半導体レーザ装置を作製する製造方法において、上記量子井戸活性層を第一導電型となる不純物としてＳｉを添加しながら成長させる。
【００４１】
この半導体レーザ装置の製造方法では、量子井戸活性層を第一導電型となる不純物としてＳｉを添加しながら成長させるので、上下のクラッド層などから該量子井戸活性層への不純物拡散による無秩序化が低減される。例えば、下クラッド層に不純物としてＳｉが添加されており、下クラッド層からＳｉが量子井戸活性層へ拡散しようとしても、量子井戸活性層のＳｉ濃度が或る程度高いため、量子井戸活性層へのＳｉの拡散は抑制される。この結果、量子井戸活性層の結晶性が損なわれることがない。したがって、作製された半導体レーザ装置は、高出力駆動時でも、高い信頼性を示し、長寿命を有することができる。
【００４２】
上記Ｓｉを上記量子井戸活性層内での濃度が２×１０１７ｃｍ−３以下となるように添加することにより、上記量子井戸活性層でのレーザ発振を担保できる。しかも、該量子井戸活性層へのＳｉの拡散を低減もしくはほぼなくすことが可能となるため、上記と同様な効果を得ることができる。
【００４３】
本発明にかかる光ディスク再生記録装置は、上述の半導体レーザ装置を備えていることを特徴とする。
【００４４】
一般に、光ディスク再生記録装置では、書き込み動作時にディスクへのアクセス時間を短縮して、高速の書き込みを行うことが課題になっている。ここで、本発明にかかる光ディスク再生記録装置では、半導体レーザ装置が、上述のように、高出力駆動時でも、高い信頼性を示し、長寿命を有する。つまり、高い光出力で従来に比して安定に動作する。この結果、この光ディスク再生記録装置は、従来に比して、ディスクの回転数を高速化してディスクへのアクセス時間を短縮することが可能になる。したがって、データの読み書き、特に書き込みを従来に比して高速に行うことができる。これにより、ユーザの操作がより快適になる。
【００４５】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００４６】
（実施の形態１）
図１は、この発明の実施の形態１の半導体レーザ装置の構造を示したものである。この半導体レーザ装置は、ｎ−ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２、ｎ−Ａｌ０．４６６Ｇａ０．５３４Ａｓ第一下クラッド層１０３、ｎ−Ａｌ０．４９８Ｇａ０．５０２Ａｓ第二下クラッド層１０４、Ａｌ０．４３３Ｇａ０．５６７Ａｓ下ガイド層１０５、多重歪量子井戸活性層１０７、Ａｌ０．４３３Ｇａ０．５６７Ａｓ上ガイド層１０９、ｐ−Ａｌ０．４８８５Ｇａ０．５１１５Ａｓ第一上クラッド層１１０およびｐ−ＧａＡｓエッチングストップ層１１１を順次積層した状態に備えている。このエッチングストップ層１１１上に、メサストライプ形状のｐ−Ａｌ０．４８８５Ｇａ０．５１１５Ａｓ第二上クラッド層１１２およびＧａＡｓキャップ層１１３が設けられると共に、上記メサストライプ形状のｐ−Ａｌ０．４８８５Ｇａ０．５１１５Ａｓ第二上クラッド層１１２およびＧａＡｓキャップ層１１３の両側が、ｎ−Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ第一電流ブロック層１１５、ｎ−ＧａＡｓ第二電流ブロック層１１６およびｐ−ＧａＡｓ平坦化層１１７からなる光・電流狭窄領域で埋め込まれ、さらに、全面にｐ−ＧａＡｓキャップ層１１９が設けられている。
【００４７】
なお、「ｎ−」とある層はｎ型不純物としてＳｉが添加されている層であり、また「ｐ−」とある層はｐ型不純物としてＺｎが添加されている層である。
【００４８】
多重歪量子井戸活性層１０７は、Ｉｎ０．０９３２Ｇａ０．９０６８Ａｓ０．４０７１Ｐ０．５９２９バリア層（歪−１．４４％、基板側から層厚７０Å・５０Å・７０Åの３層）とＩｎ０．２１１１Ｇａ０．７８８９Ａｓ０．６０５３Ｐ０．３９４７圧縮歪量子井戸層（歪０．１２％、層厚８０Å、２層）とを交互に配置して構成されている。ここでいう歪の量は、ＧａＡｓ基板の格子定数をａＧａＡｓ、井戸層の格子定数をａ１とすると、（ａ１−ａＧａＡｓ）／ａＧａＡｓで表される。この値が正であれば圧縮歪、負であれば引っ張り歪と呼ばれる。この実施形態では、量子井戸活性層１０７自体に、ｐ型不純物としてのＺｎが２×１０１７ｃｍ−３程度の濃度で添加されている。
【００４９】
この半導体レーザ装置は、メサストライプ部１２１ａと、そのメサストライプ部１２１ａの両側方のメサストライプ部側方部１２１ｂとを有する。なお、図示を省略しているが、この半導体レーザ装置を動作させるために、基板１０１の下と、キャップ層１１９の上とに、それぞれ電極が設けられる。
【００５０】
次に図２〜図４を参照しながら、上記半導体レーザ装置の作製方法を説明する。
【００５１】
図２に示すように、（１００）面を持つｎ−ＧａＡｓ基板１０１上にｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２（層厚０．５μｍ）、ｎ−Ａｌ０．４６６Ｇａ０．５３４Ａｓ第一下クラッド層１０３（層厚３．０μｍ）、ｎ−Ａｌ０．４９８Ｇａ０．５０２Ａｓ第二下クラッド層１０４（層厚０．１８μｍ）、Ａｌ０．４３３Ｇａ０．５６７Ａｓ下ガイド層１０５（層厚７０ｎｍ）、多重歪量子井戸活性層１０７、Ａｌ０．４３３Ｇａ０．５６７Ａｓ上ガイド層１０９（層厚７０ｎｍ）、ｐ−Ａｌ０．４８８５Ｇａ０．５１１５Ａｓ第一上クラッド層１１０（層厚０．１９μｍ）、ｐ−ＧａＡｓエッチングストップ層１１１（層厚３０Å）、ｐ−Ａｌ０．４８８５Ｇａ０．５１１５Ａｓ第二上クラッド層１１２（層厚１．２８μｍ）、ＧａＡｓキャップ層１１３（層厚０．７５μｍ）を順次有機金属化学気相成長法にて結晶成長させる。
【００５２】
ここで、上記量子井戸活性層１０７を形成するときは、ｐ型不純物としてＺｎを２×１０１７ｃｍ−３ほどの濃度になるように添加しながら、上述のＩｎ０．０９３２Ｇａ０．９０６８Ａｓ０．４０７１Ｐ０．５９２９バリア層（歪−１．４４％、基板側から層厚７０Å・５０Å・７０Åの３層）とＩｎ０．２１１１Ｇａ０．７８８９Ａｓ０．６０５３Ｐ０．３９４７圧縮歪量子井戸層（歪０．１２％、層厚８０Å、２層）とを交互に結晶成長させて形成する。つまり、量子井戸活性層１０７を構成する最上層および最下層をバリア層とする。
【００５３】
さらにメサストライプ部を形成する部分に、レジストマスク１１４（マスク幅５．５μｍ）をストライプ方向が（０１１）方向を持つように写真工程により作製する。
【００５４】
次に、図３に示すように、該レジストマスク部１１４以外の部分をエッチングし、メサストライプ部１２１ａを形成する。エッチングは硫酸と過酸化水素水の混合水溶液およびフッ酸を用い二段階で行い、エッチングストップ層１１１直上まで行う。ＧａＡｓはフッ酸によるエッチングレートが非常に遅いということを利用し、エッチング面の平坦化およびメサストライプの幅制御を可能にしている。エッチングの深さは１．９５μｍ、メサストライプの最下部の幅は約２．５μｍである。エッチング後、上記レジストマスク１１４を除去する。
【００５５】
続いて、図４に示すように、ｎ−Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ第一電流ブロック層１１５（層厚１．０μｍ）、ｎ−ＧａＡｓ第二電流ブロック層１１６（層厚０．３μｍ）、ｐ−ＧａＡｓ平坦化層１１７（層厚０．６５μｍ）を順次有機金属結晶成長させ、光・電流狭窄領域を形成する。
【００５６】
その後写真工程により、上記メサストライプ部両側１２１ｂ上にのみレジストマスク１１８を形成する。続いて上記メサストライプ部１２１ａ上のブロック層をエッチングにより除去する。このエッチングには、アンモニアと過酸化水素水の混合水溶液および硫酸と過酸化水素水の混合水溶液を用い、二段階でエッチングを行う。その後上記レジストマスク１１８を除去し、図１に示すように、ｐ−ＧａＡｓキャップ層１１９（層厚２．０μｍ）を積層する。このようにして、図１に示す構造を有し、発振波長が７８０ｎｍの半導体レーザ装置を作製することができる。
【００５７】
図６は、本実施の形態の半導体レーザ装置についての、７０℃で２３０ｍＷパルスを用いた信頼性試験の結果を、比較例についての結果とともに示している。図中、６ａは本実施の形態の半導体レーザ装置についての結果を示し、６ｃは比較例（量子井戸活性層に不純物が添加されおらず、それ以外は本実施の形態の半導体レーザ装置と全く同様に作製されたもの）についての結果を示している（６ｂについては後述する。）。これから分かるように、比較例は２０００時間までに特性劣化を起こしたのに対して、本実施の形態の半導体レーザ装置は５０００時間以上安定に動作をした。これまで発明者らは、ＧａＡｓ基板上にてＩｎＧａＡｓＰ系の量子井戸活性層を用いた半導体レーザ装置の研究を進めており、今回、ＡｌＧａＡｓ系に比べＣＯＤレベルの高い半導体レーザ装置を作製することができた。そして更に高出力駆動時の半導体レーザ装置の寿命や信頼性を向上すべく、量子井戸活性層に不純物を添加することで、特性の向上を実現した。詳しくは、本実施の形態のように、上記量子井戸活性層および上記上ガイド層に、ｐ型の不純物であるＺｎを２×１０１７ｃｍ−３ほど添加することで、上記上クラッド層から受けるＺｎの拡散を抑制することができ、該量子井戸活性層１０７の無秩序化を防ぎ結晶性を損ねることがなくなったことが、特性の向上につながったと考えられる。半導体層中の不純物の拡散は、半導体層間の不純物濃度の勾配によって生じるものであり、例えば図１０に示すようにその勾配を少なくすることで、拡散を抑制することができる。なお、図１０は、量子井戸活性層１０７・上ガイド層１０９・第一上クラッド層１１０における積層方向の不純物濃度プロファイルを示しており、量子井戸活性層１０７に不純物を添加した場合（実線１０ａで示す）は量子井戸活性層に不純物を添加していない場合（一点鎖線１０ｂで示す）に比して不純物濃度の勾配が少なくなっている。また、ＩｎＧａＡｓＰ中では不純物の拡散速度がＧａＡｓ中などに比べ速いため、本実施の形態のようにあらかじめＩｎＧａＡｓＰからなる量子井戸活性層１０７に不純物を添加しておくことで、特に不純物拡散抑制の効果が大きく得られると考えられる。
【００５８】
また本実施の形態では、ｐ型の不純物としてＺｎを用いているので、拡散速度が速い不純物に対して効果的に拡散を抑制することができる。したがって、作製された半導体レーザ装置は、高出力駆動時でも、さらに高い信頼性を示し、長寿命を有することができる。
【００５９】
また本実施の形態では、上記量子井戸活性層１０７に添加されているＺｎの濃度が２×１０１７ｃｍ−３以下であることにより、該量子井戸活性層へのＺｎの拡散が低減され又はほぼ起こらなくなっている。したがって、作製された半導体レーザ装置は、高出力駆動時でも、さらに高い信頼性を示し、長寿命を有することができる。なお、Ｚｎの濃度が２×１０１７ｃｍ−３を超えてしまうと、図９に示すように、該量子井戸活性層自体のＩｎＧａＡｓＰとしての質が低下し、レーザ発振のしきい値の上昇による動作電流値の増加など、特性の悪化につながった。
【００６０】
また本実施の形態では、上記量子井戸活性層１０７と上クラッド層１１０、下クラッド層１０４との間に、それぞれＡｌＧａＡｓ系材料からなるガイド層１０９，１０５が挟まれている。これにより、ＩｎＧａＡｓＰ系材料からなる井戸層とＡｌＧａＡｓ系材料からなるガイド層１０９，１０５との間で、コンダクションバンドのエネルギ差（ΔＥｃ）およびバレンスバンドのエネルギ差（ΔＥｖ）が生じるので、井戸層からのキャリアのオーバーフローを抑制できる。したがって、高出力が得られる。なお、上記量子井戸活性層１０７を構成する最上層および最下層が上記バリア層となっているので、発光再結合のおこる井戸層にはＡｌＧａＡｓ系材料が直接接することがない。したがって、半導体レーザ装置の信頼性が損なわれることはない。
【００６１】
通常高信頼性を得るためにＡｌフリーの半導体レーザ装置を作る場合、ガイド層、クラッド層までＩｎＧａＰなどで全てＡｌフリーとする。しかし本実施の形態では、発振波長７８０ｎｍ帯のＩｎＧａＡｓＰからなる井戸層に対するコンダクションバンドのエネルギー差（ΔＥｃ）、バレンスバンドのエネルギー差（ΔＥｖ）がバランスよく得られるように、Ａｌ混晶比が０．２より大きいＡｌＧａＡｓを、ガイド層として設けている。図８にガイド層のＡｌ混晶比に対する特性温度（Ｔｏ）の関係を示すグラフを示す。ガイド層のＡｌ混晶比が０．２よりも大きいＡｌＧａＡｓの場合に温度特性が向上していることが確認されており、十分高い信頼性を得ることができた。
【００６２】
また本実施の形態では、上述の通りＧａＡｓ基板１０１上のＩｎＧａＡｓＰからなる圧縮歪井戸層が用いられている。これにより特に７８０ｎｍ帯において、高出力駆動時に高い信頼性を有する、寿命の長い半導体レーザ装置が実現された。また、上記圧縮歪量が３．５％以内であることにより、より好適に上記効果が得られた。詳しくは、図７に井戸層の圧縮歪量の違いによる半導体レーザ装置の信頼性の相違を示す。図７中、７ａ，７ｂ，７ｃはそれぞれ井戸層の圧縮歪量が＋１．０％，＋２．２％，３．６％であるときの、７０℃で２３０ｍＷパルスを用いた信頼性試験の結果を表している。この図から、圧縮歪量が３．５％を超えると、信頼性が悪化しているのが分かる。これは、圧縮歪量が大き過ぎて結晶性が悪くなっていると考えられる。
【００６３】
また本実施の形態では、ＩｎＧａＡｓＰからなる引張歪バリア層によって、圧縮歪を有する井戸層の歪量を補償しているので、より安定した結晶をもつ歪量子井戸活性層を作製することができ、高信頼性の半導体レーザ装置が実現された。また、上記引張歪量が３．５％以内であることにより、より好適に上記効果が得られた。
【００６４】
（実施の形態２）
図５は、この発明の実施の形態２の半導体レーザ装置の構造を示したものである。この半導体レーザ装置は、ｎ−ＧａＡｓ基板２０１上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２０２、ｎ−Ａｌ０．４６６Ｇａ０．５３４Ａｓ第一下クラッド層２０３、ｎ−Ａｌ０．４９８Ｇａ０．５０２Ａｓ第二下クラッド層２０４、Ａｌ０．４３３Ｇａ０．５６７Ａｓ下ガイド層２０５、多重歪量子井戸活性層２０７、Ａｌ０．４３３Ｇａ０．５６７Ａｓ上ガイド層２０９、ｐ−Ａｌ０．４８８５Ｇａ０．５１１５Ａｓ第一上クラッド層２１０およびｐ−ＧａＡｓエッチングストップ層２１１を順次積層した状態に備えている。このエッチングストップ層２１１上に、メサストライプ形状のｐ−Ａｌ０．４８８５Ｇａ０．５１１５Ａｓ第二上クラッド層２１２およびＧａＡｓキャップ層２１３が設けられると共に、上記メサストライプ形状のｐ−Ａｌ０．４８８５Ｇａ０．５１１５Ａｓ第二上クラッド層２１２およびＧａＡｓキャップ層２１３の両側が、ｎ−Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ第一電流ブロック層２１５、ｎ−ＧａＡｓ第二電流ブロック層２１６およびｐ−ＧａＡｓ平坦化層２１７からなる光・電流狭窄領域で埋め込まれ、さらに、全面にｐ−ＧａＡｓキャップ層２１９が設けられている。
【００６５】
この半導体レーザ装置は、メサストライプ部２２１ａと、そのメサストライプ部２２１ａの両側方のメサストライプ部側方部２２１ｂとを有する。なお、図示を省略しているが、この半導体レーザ装置を動作させるために、基板２０１の下と、キャップ層２１９の上とに、それぞれ電極が設けられる。
【００６６】
なお、実施の形態１と同様に、「ｎ−」とある層は不純物としてＳｉが添加されている層であり、また「ｐ−」とある層は不純物としてＺｎが添加されている層である。この実施形態では、量子井戸活性層２０７自体に、ｎ型不純物としてＳｉが２×１０１７ｃｍ−３程度の濃度で添加されている点が、実施の形態１と異なっている。
【００６７】
上記半導体レーザ装置は、実施の形態１とほぼ同様の材料、層厚で、ほぼ同様の作製方法によって作製される。ただし、上記量子井戸活性層２０７を形成するときは、ｎ型不純物としてＳｉを２×１０１７ｃｍ−３ほどの濃度になるように添加しながら、上述のＩｎ０．０９３２Ｇａ０．９０６８Ａｓ０．４０７１Ｐ０．５９２９バリア層（歪−１．４４％、基板側から層厚７０Å・５０Å・７０Åの３層）とＩｎ０．２１１１Ｇａ０．７８８９Ａｓ０．６０５３Ｐ０．３９４７圧縮歪量子井戸層（歪０．１２％、層厚８０Å、２層）とを交互に結晶成長させて形成する。つまり、量子井戸活性層２０７を構成する最上層および最下層をバリア層とする。このようにして、図５に示す構造を有し、発振波長が７８０ｎｍの半導体レーザ装置を作製することができる。
【００６８】
図６中に６ｂで示すように、本実施の形態の半導体レーザ装置は、実施の形態１の半導体レーザ装置と同様に、７０℃、２３０ｍＷパルスを用いた信頼性試験で５０００時間以上安定に動作をした。
【００６９】
本実施の形態でも同様に、量子井戸活性層に不純物を添加することで、特性の向上を実現した。詳細は不明だが、上記量子井戸活性層２０７、上ガイド層２０９および下ガイド層２０５に、ｎ型の不純物であるＳｉを２×１０１７ｃｍ−３ほど添加することで、量子井戸活性層２０７への不純物の拡散を抑制することができ、該量子井戸活性層の無秩序化を防ぎ結晶性を損ねることがなくなったことが、特性の向上につながったと考えられる。また、ＩｎＧａＡｓＰ中では拡散速度がＧａＡｓなどに比べ速いため、本実施の形態のようにあらかじめＩｎＧａＡｓＰからなる上記量子井戸活性層に不純物を添加しておくことで、特に不純物拡散抑制の効果が大きく得られると考えられる。
【００７０】
また本実施の形態では、ｎ型の不純物としてＳｉを用いているので、拡散速度が速い不純物に対して効果的に拡散を抑制することができる。したがって、作製された半導体レーザ装置は、高出力駆動時でも、さらに高い信頼性を示し、長寿命を有することができる。
【００７１】
また本実施の形態では、上記量子井戸活性層２０７に添加されているＺｎの濃度が２×１０１７ｃｍ−３以下であることにより、該量子井戸活性層への不純物の拡散が低減され又はほぼ起こらなくなっている。したがって、作製された半導体レーザ装置は、高出力駆動時でも、さらに高い信頼性を示し、長寿命を有することができる。なお、Ｓｉの濃度が２×１０１７ｃｍ−３を超えてしまうと、該量子井戸活性層自体のＩｎＧａＡｓＰとしての質が低下し、レーザ発振のしきい値の上昇による動作電流値の増加など、特性の悪化につながった。
【００７２】
また本実施の形態では、上記量子井戸活性層２０７と上クラッド層２１０、下クラッド層２０４との間に、それぞれＡｌＧａＡｓ系材料からなるガイド層２０９，２０５が挟まれている。これにより、ＩｎＧａＡｓＰ系材料からなる井戸層とＡｌＧａＡｓ系材料からなるガイド層２０９，２０５との間で、コンダクションバンドのエネルギ差（ΔＥｃ）およびバレンスバンドのエネルギ差（ΔＥｖ）が生じるので、実施の形態１と同様に、井戸層からのキャリアのオーバーフローを抑制できる。したがって、高出力が得られる。なお、上記量子井戸活性層２０７を構成する最上層および最下層が上記バリア層となっているので、発光再結合のおこる井戸層にはＡｌＧａＡｓ系材料が直接接することがない。したがって、半導体レーザ装置の信頼性が損なわれることはない。
【００７３】
また本実施の形態では、上述の通りＧａＡｓ基板２０１上のＩｎＧａＡｓＰからなる圧縮歪井戸層が用いられている。これにより特に７８０ｎｍ帯において、高出力駆動時に高い信頼性を有する、寿命の長い半導体レーザ装置が実現された。また、上記圧縮歪量が３．５％以内であることにより、より好適に上記効果が得られた。
【００７４】
また本実施の形態では、ＩｎＧａＡｓＰからなる引張歪バリア層によって、圧縮歪を有する井戸層の歪量を補償しているので、より安定した結晶をもつ歪量子井戸活性層を作製することができ、高信頼性の半導体レーザ装置が実現された。また、上記引張歪量が３．５％以内であることにより、より好適に上記効果が得られた。
【００７５】
また、上記実施の形態１および２では、埋込リッジ構造を備えたが、これに限るものではない。リッジ構造、内部ストライプ構造、埋込ヘテロ構造など、あらゆる構造に対して同様の効果が得られる。
【００７６】
また、上記実施の形態１および２では、ｎ型基板を用いたが、それに代えてｐ型基板を用い、各層のｎ型、ｐ型を入れ替えても、同様の効果は得られる。
【００７７】
また、発振波長は７８０ｎｍとしたが、これに限るものではない。７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さいいわゆる７８０ｎｍ帯であれば、同様の効果が得られる。
【００７８】
また、上記実施の形態１および２では、ｐ−ＧａＡｓキャップ層１１９および２１９の層厚は２μｍとしているが、およそ５０μｍと厚く積層してもよい。また、成長温度を７５０℃および６８０℃としているが、この温度に限るものではない。
【００７９】
また、上記実施の形態１および２では、量子井戸活性層１０７，２０７のみに不純物添加を施しているが、量子井戸活性層の他に上ガイド層乃至下ガイド層にも不純物添加を施してもよい。また、不純物もＺｎ、Ｓｉに限らずＣなどでもよい。
【００８０】
（実施の形態３）
図１１は、本発明にかかる光ディスク記録再生装置の構造の一例を示したものである。これは光ディスク４０１にデータを書き込んだり、書き込まれたデータを再生するためのものであり、その際用いられる発光素子として、先に説明した実施の形態１の半導体レーザ装置４０２を備えている。
【００８１】
この光ディスク記録再生装置についてさらに詳しく説明する。書き込みの際は、半導体レーザ装置４０２から出射された信号光がコリメートレンズ４０３により平行光とされ、ビームスプリッタ４０４を透過しλ／４偏光板４０５で偏光状態が調節された後、対物レンズ４０６で集光され光ディスク４０１に照射される。読み出し時には、データ信号がのっていないレーザ光が書き込み時と同じ経路をたどって光ディスク４０１に照射される。このレーザ光がデータの記録された光ディスク４０１の表面で反射され、レーザ光照射用対物レンズ４０６、λ／４偏光板４０５を経た後、ビームスプリッタ４０４で反射され９０°角度を変えた後、再生光用対物レンズ４０７で集光され、信号検出用受光素子４０８に入射する。信号検出用受光素子内で入射したレーザ光の強弱によって記録されたデータ信号が電気信号に変換され、信号光再生回路４０９において元の信号に再生される。
【００８２】
本実施の形態の光ディスク装置は、従来よりも高い光出力で動作する半導体レーザ装置４０２を用いているため、ディスクの回転数を従来より高速化してもデータの読み書きが可能である。従って特に書き込み時に問題となっていたディスクへのアクセス時間が従来の半導体レーザ装置を用いた装置よりも格段に短くなり、ユーザはより快適に操作を行うことができる。
【００８３】
なおここでは本発明の半導体レーザ装置を記録再生型の光ディスク装置に適用した例について説明したが、同じ波長７８０ｎｍ帯を用いる光ディスク記録装置、光ディスク再生装置にも適用可能であることはいうまでもない。
【００８４】
尚、本発明の半導体レーザ装置、および光ディスク再生記録装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、たとえば井戸層・バリア層の層厚や層数など、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【００８５】
【発明の効果】
以上より明らかなように、本発明にかかる半導体レーザ装置は、高出力駆動時でも高い信頼性を示し、長寿命を有する。
【００８６】
本発明にかかる光ディスク再生記録装置は、そのような半導体レーザ装置を備えることにより、データの読み書き、特に書き込みを従来に比して高速に行うことができ、ユーザの操作をより快適にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる半導体レーザ装置の、ストライプ方向（共振器長の方向）に対して垂直な面の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１にかかる半導体レーザ装置の、第一回結晶成長マスクプロセス終了後の、ストライプ方向に対して垂直な面の断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１にかかる半導体レーザ装置の、メサストライプ形成エッチングプロセス終了後の、ストライプ方向に対して垂直な面の断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１にかかる半導体レーザ装置の、電流ブロック層埋め込み結晶成長プロセス終了後の、ストライプ方向に対して垂直な面の断面図である。
【図５】本発明の実施の形態２にかかる半導体レーザ装置の、ストライプ方向に対して垂直な面の断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１，２にかかる半導体レーザ装置の信頼性試験結果を、比較例についての結果とともに示すグラフである。
【図７】本発明にかかる半導体レーザ装置の、井戸層の圧縮歪量の違いによる信頼性の相違を示すグラフである。
【図８】本発明にかかる半導体レーザ装置の、ガイド層のＡｌ混晶比に対する温度特性（Ｔｏ）の関係を示すグラフである。
【図９】本発明にかかる半導体レーザ装置の、量子井戸活性層内の不純物添加量に対するしきい電流値の関係を示すグラフである。
【図１０】本発明にかかる半導体レーザ装置の、量子井戸活性層への不純物添加の有無に対する、不純物の拡散から生じる不純物濃度プロファイルである。
【図１１】本発明の実施の形態３に係る光ディスク記録再生装置の概略図である。
【図１２】従来の半導体レーザ装置の、ストライプ方向に対して垂直な面の断面図である。
【符号の説明】
１０１，２０１  基板
１０２，２０２  バッファ層
１０３，２０３  第一下クラッド層
１０４，２０４  第二下クラッド層
１０５，２０５  下ガイド層
１０７，２０７  多重歪量子井戸活性層
１０９，２０９  上ガイド層
１１０，２１０  第一上クラッド層
１１１，２１１  エッチングストップ層
１１２，２１２  第二上クラッド層
１１３，２１３  キャップ層
１１５，２１５  第一電流ブロック層
１１６，２１６  第二電流ブロック層
１１７，２１７  平坦化層
１１９，２１９  キャップ層
４０２  半導体レーザ装置
【図１】
2004152966.tif 000003
【図２】
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【図３】
2004152966.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004152966.tif 000009
【図８】
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【図９】
2004152966.tif 000011
【図１０】
2004152966.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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