(57)【要約】【課題】発光特性を高く維持することができる信頼性の高い半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】ｐｎ接合を有する発光層１を一対の反射層２で挟持するとともに、該各反射層２−発光層１間に非晶質層３をそれぞれ介在させた半導体レーザ素子を形成する。【選択図】図１
2004152837.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐｎ接合を有する発光層を一対の反射層で挟持するとともに、該各反射層−発光層間に非晶質層をそれぞれ介在させたことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記発光層、反射層は単結晶化合物半導体からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
第一半導体基板の上面に発光層及び非晶質層を順次積層するとともに、第二及び第三半導体基板の上面に反射層及び非晶質層をそれぞれ順次積層する工程１と、
該工程１で積層した第一半導体基板の非晶質層と第二半導体基板の非晶質層を対面させるように貼り合わせるとともに、第一半導体基板を除去して発光層を露出させる工程２と、
該工程２で露出させた発光層の表面に非晶質層を積層する工程３と、
該工程３で積層した非晶質層と工程１で得た第三半導体基板の非晶質層とを対面させるように貼り合わせる工程４と、
前記第二半導体基板、第三半導体基板を除去して反射層を露出させる工程５と、を含む半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項４】
第一半導体基板の上面に非晶質層、発光層及び非晶質層を順次積層するとともに、第二及び第三半導体基板の上面に反射層及び非晶質層をそれぞれ順次積層する工程１と、
該工程１で積層した第一半導体基板の最上層の非晶質層と第二半導体基板の非晶質層とを対面させるように貼り合わせるとともに、第一半導体基板を除去して第一半導体基板の最下層の非晶質層を露出させる工程２と、
該工程２で露出させた第一半導体基板の最下層の非晶質層と工程１で得た第三半導体基板の非晶質層とを対面させるように貼り合わせる工程３と、
前記第二半導体基板、第三半導体基板を除去して反射層を露出させる工程４と、を含む半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項５】
前記非晶質層同士を貼り合わせる際に、一方、もしくは双方の非晶質層に親水化処理を施すとともに、これら非晶質層同士を圧接させた状態で両者を４００℃〜７００℃に加熱したことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項６】
前記発光層及び反射層が単結晶化合物半導体からなることを特徴とする請求項３乃至請求項５のいずれかに記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信用の光源等に好適に用いられる半導体レーザ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、光通信等の分野で好適に用いられる光源として半導体レーザ素子が知られている。
【０００３】
かかる従来の半導体レーザ素子としては、ｐｎ接合を有した単結晶状態のＩｎＧａＡｓＰからなる発光層を、単結晶状態のＡｌＡｓ及びＧａＡｓを交互に周期的に積層して形成される一対の反射層で挟持した構造のものが知られており、前記発光層に図示しない電極を介して所定の電力を印加し、発光層の内部で光を発生させるとともに、該発生させた光を前記一対の反射層間で共振・増幅させ、これを前記反射層の一方側よりレーザ光として出射させることによって半導体レーザ素子として機能する。
【０００４】
このような半導体レーザ素子は、発光層を構成するＩｎＧａＡｓＰと反射層を構成するＡｌＡｓやＧａＡｓとは格子定数が大幅に異なっており、発光層上に格子欠陥の少ない良好な反射層を直に成長させることが困難であることから、一般的に以下のような方法で製造される。
（１）まず、ＩｎＰからなる第一半導体基板と、ＧａＡｓからなる第二及び第三半導体基板を準備し、
（２）次に、前記第一半導体基板上にＩｎＰと格子定数が近いＩｎＧａＡｓＰを成長させてｐｎ接合を有する発光層を形成するとともに、前記第二及び第三半導体基板上にＧａＡｓと格子定数と同じもしくは近いＡｌＡｓやＧａＡｓを交互に周期的に積層させて反射層を形成し、
（３）次に、第一半導体基板の発光層と第二半導体基板の反射層とを貼り合わせるとともに、第一半導体基板を除去して発光層を露出させ、
（４）次に、露出した発光層に対して第三半導体基板の反射層を貼り合わせて発光層を一対の反射層で挟持するとともに、第二及び第三半導体基板を除去して一対の反射層を露出させ、
（５）最後に、前記一対の反射層に図示しない電極を被着させることによって半導体レーザ素子が完成する。
【０００５】
なお、前記発光層と反射層とを貼り合わせる際には、両者の表面に親水化処理を施して水酸基を付着させ、しかる後、発光層と反射層とを圧接した状態で加熱することが行なわれており、発光層と反射層の表面に付着させた水酸基を介して両者を接着させるようにしていた。
【０００６】
【特許文献１】
特願平１９９２−２４０５６５号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の半導体レーザ素子においては、発光層と反射層は単結晶状態であり、比較的硬いことから、上述した製造工程中に加えられる熱や半導体レーザ素子の発光時に発生する熱によって発光層−反射層間に線膨張係数の違いに起因した熱応力が発生すると、かかる熱応力によって発光層や反射層に歪が生じ、半導体レーザ素子の発光特性が低下する欠点を誘発する。
【０００８】
また、上述した従来の半導体レーザ素子の製造方法においては、発光層及び反射層の表面に親水化処理を施して水酸基を付着させる際、発光層や反射層の表面には水酸基が付着しにくいことから、水酸基を介して発光層と反射層とを強固に接着することが難しく、両者間の接着強度が不足する傾向にあり、それ故、従来の半導体レーザ素子の製造方法を用いて製作された半導体レーザ素子に熱応力や外部からの外力が印加されたりすると、かかる熱応力や外力によって反射層が発光層より剥がれ、半導体レーザ素子を良好に機能させることができず、最悪の場合、半導体レーザ素子を使用することが不可となる欠点を有していた。
【０００９】
本発明は上記欠点に鑑み案出されたものであり、その目的は発光特性を高く維持することができる信頼性の高い半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体レーザ素子は、ｐｎ接合を有する発光層を一対の反射層で挟持するとともに、該各反射層−発光層間に非晶質層をそれぞれ介在させたことを特徴とするものである。
【００１１】
また本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、第一半導体基板の上面に発光層及び非晶質層を順次積層するとともに、第二及び第三半導体基板の上面に反射層及び非晶質層をそれぞれ順次積層する工程１と、該工程１で積層した第一半導体基板の非晶質層と第二半導体基板の非晶質層を対面させるように貼り合わせるとともに、第一半導体基板を除去して発光層を露出させる工程２と、該工程２で露出させた発光層の表面に非晶質層を積層する工程３と、該工程３で積層した非晶質層と工程１で得た第三半導体基板の非晶質層とを対面させるように貼り合わせる工程４と、前記第二半導体基板及び第三半導体基板を除去して反射層を露出させる工程５と、を含むことを特徴とするものである。
【００１２】
更に本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、第一半導体基板の上面に非晶質層、発光層及び非晶質層を順次積層するとともに、第二及び第三半導体基板の上面に反射層及び非晶質層をそれぞれ順次積層する工程１と、該工程１で積層した第一半導体基板の最上層の非晶質層と第二半導体基板の非晶質層とを対面させるように貼り合わせるとともに、第一半導体基板を除去して第一半導体基板の最下層の非晶質層を露出させる工程２と、該工程２で露出させた第一半導体基板の最下層の非晶質層と工程１で得た第三半導体基板の非晶質層とを対面させるように貼り合わせる工程３と、前記第二半導体基板及び第三半導体基板を除去して反射層を露出させる工程４と、を含むことを特徴とするものである。
【００１３】
また更に本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、前記非晶質層同士を貼り合わせる際に、一方、もしくは双方の非晶質層に親水化処理を施すとともに、これら非晶質層同士を圧接させた状態で両者を４００℃〜７００℃に加熱したことを特徴とするものである。
【００１４】
更にまた本発明は、上述の発光層、反射層が単結晶化合物半導体からなることを特徴とするものである。
【００１５】
本発明の半導体レーザ素子によれば、発光層と反射層との間に非晶質層を介在させたことから、製造工程中に加えられる熱や半導体レーザ素子の発光時に発生する熱によって発光層−反射層間に熱応力が加えられても、かかる熱応力が非晶質層でもって良好に吸収されることとなり、それ故、発光層や反射層を歪の少ない良好な膜質に保持することができ、半導体レーザ素子の発光特性を高く維持することが可能となる。
【００１６】
また本発明の半導体レーザ素子の製造方法によれば、発光層及び反射層をそれぞれ別個の半導体基板に形成するとともに、これら発光層及び反射層の表面に非晶質層を形成し、これらの非晶質層同士を貼り合わせるようにしたことから、該貼り合わせ時、一方、もしくは双方の非晶質層に親水化処理を施す際に、非晶質層に水酸基が良好に付着し、かかる水酸基を介して発光層と反射層とを強固に接着させることができるようになる。従って、半導体レーザ素子を長時間にわたり連続して使用し、半導体レーザ素子が過度の熱を発したとしても、反射層が発光層より剥がれることを有効に防止することができ、半導体レーザ素子を長期にわたり良好に機能させて半導体レーザ素子の信頼性を大幅に向上させることが可能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について添付図面を用いて詳細に説明する。
図１は本発明の一実施形態にかかる半導体レーザ素子の断面図、図２は半導体レーザ素子の第一の製造方法を説明するための各工程における断面図であり、図１に示す半導体レーザ素子は発光層１を一対の反射層２で挟持し、該反射層２−発光層１間に非晶質層３を介在させた構造を有している。
【００１８】
前記発光層１は、ＩｎＧａＡｓＰやＩｎＧａＡｓ等のようなＩｎＧａＡｓ系の単結晶化合物半導体からなるｐ型半導体層とｎ型半導体層を順次積層することにより０．６μｍ〜５μｍの厚みに形成されており、その内部にｐｎ接合を有しているため、かかる発光層１に図示しない電極を介して所定の電力が印加されると、ｎ型半導体層中に正孔が、ｐ型半導体層中に電子がそれぞれ注入され、正孔と電子をｐｎ接合付近で再結合させることによって光を発生し、該発生した光を発光層１の内部で共振・増幅させて、これをレーザ光として外部へ放出するようになっている。尚、前記発光層１をＩｎＧａＡｓＰで形成した場合、放出されるレーザ光の波長は１．３μｍ〜１．５μｍとなる。
【００１９】
また前記発光層１を挟持する一対の反射層２は、ＧａＡｓやＡｌＡｓ等、発光層１を構成する単結晶化合物半導体と格子定数が異なる複数種類（本実施形態においては２種類）の単結晶化合物半導体薄膜を交互に周期的（２０周期〜３０周期）に積層させることにより３μｍ〜１０μｍ形成されており、前記発光層１の内部で発生した光をこれら一対の反射層２によって発光層側に反射させることにより、発光層１の内部で光を共振・増幅させるとともに、該共振・増幅させた光を反射層２の一方側よりレーザ光として外部に出射させる作用を為している。
【００２０】
そして本実施形態において重要なことは、先に述べた如く、前記発光層１−反射層２間に非晶質層３を介在させた点である。
【００２１】
前記非晶質層３は、例えばＳｉやＧｅ等の半導体材料により０．０２μｍ〜２μｍの厚みに形成されており、その内部の結晶状態は、その名の通り、無秩序なアモルファス状態にあり、原子同士が規則性なくランダムに結合していることから、半導体レーザ素子の発光時に生じる熱によって発光層１−反射層２間に発生した熱応力を内部で良好に吸収するようになっている。
【００２２】
従って、製造工程中に加えられる熱や半導体レーザ素子の発光時に発生する熱によって発光層１−反射層２間に熱応力が加えられても、かかる熱応力が非晶質層３でもって良好に吸収されることとなり、それ故、発光層１や反射層２を歪の少ない良好な膜質に保持することができ、半導体レーザ素子の発光特性を長期にわたり高く維持することが可能となる。
【００２３】
また、前記発光層１をＩｎＧａＡｓＰにより、反射層２をＧａＡｓ及びＡｌＡｓにより、非晶質層３をＳｉによりそれぞれ形成しておけば、ＩｎＧａＡｓＰからなる発光層１の発するレーザ光（波長領域１．３μｍ〜１．５μｍ）が非晶質層３や反射層２によって吸収される光量を大幅に低減させることができ、レーザ光の取り出し効率が高い高性能の半導体レーザ装置の実現が可能となる。
【００２４】
かくして上述した半導体レーザ素子は、前記発光層１に図示しない電極を介して所定の電力を印加し、発光層１の内部で光を発生させるとともに、該発生させた光を前記一対の反射層２間で共振・増幅させ、該共振・増幅させた光を前記反射層２の一方側よりレーザ光として出射させることによって半導体レーザ素子として機能する。
【００２５】
次に、上述した半導体レーザ素子の第一の製造方法を図２を用いて詳細に説明する。
【００２６】
（１）まず、第一、第二、第三半導体基板４，５，６を準備する（図２（ｉ））。
【００２７】
前記第一半導体基板４は、ＩｎＰ等のように発光層１を構成する単結晶化合物半導体に対して格子定数が近い単結晶化合物半導体により形成され、一方、第二及び第三半導体基板５，６は、ＧａＡｓ等のように反射層２を構成する単結晶層化合物半導体に対して格子定数が同じかもしくは近い単結晶化合物半導体により形成されており、これら第一乃至第三半導体基板４，５，６は円形状や三角形状、四角形状等、種々の形状に形成される。尚、これら第一乃至第三半導体基板４，５，６は、従来周知のバーチカル・ブリッジマン（ＶＢ法）等によって形成したＩｎＰやＧａＡｓのインゴット（塊）を所定厚みにスライスし、これを表面研磨することによって製作される。
【００２８】
（２）次に、前記第一半導体基板４上に発光層１及び非晶質層３ａを順次積層し、一方、前記第二半導体基板５上に反射層２及び非晶質層３ｂを、第三半導体基板６上に反射層２及び非晶質層３ｃをそれぞれ順次積層する（図２（ｉｉ））。
【００２９】
前記発光層１は、例えば従来周知のＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を採用することにより、上述したＩｎＧａＡｓＰ等の単結晶化合物半導体薄膜を第一半導体基板４上にエピタキシャル成長させることによって所定厚み（０．６μｍ〜５μｍ）に形成される。
【００３０】
また前記反射層２は、例えば、従来周知のＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を採用することにより、ＧａＡｓ及びＡｌＡｓなどの複数種類の単結晶化合物半導体薄膜を第二及び第三半導体基板５，６上に周期的にエピタキシャル成長させることによって３μｍ〜１０μｍの厚みに形成される。
【００３１】
一方、前記非晶質層３ａ、３ｂ、３ｃは、Ｓｉからなる場合、例えば、従来周知のプラズマＣＶＤ法、具体的には、シラン（ＳｉＨ４）や水素（Ｈ２）等の原料ガスを反応室内に導入するとともに、該反応室に高周波電力を印加してグロー放電を生起させ、上記原料ガスを分解し、しかる後、該分解した原料ガスを２００℃〜４００℃の温度に加熱された第１乃至第３半導体基板４，５，６の発光層１、反射層２上にそれぞれ被着させることによって形成され、これによって非晶質層３ａ、３ｂ、３ｃは発光層１や反射層２の上面にそれぞれ０．０１μｍ〜１μｍの厚みに形成される。
【００３２】
（３）次に、第一半導体基板の非晶質層３ａと第二半導体基板５の非晶質層３ｂとを貼り合わせるとともに、第一半導体基板４を除去して発光層１を露出させる（図２（ｉｉｉ））。
【００３３】
前記非晶質層３ａと非晶質層３ｂとの貼り合わせは、一方、もしくは双方の非晶質層３ａ、３ｂをＨＦ溶液に浸漬させることで親水化処理を施し、一方、もしくは双方の非晶質層３ａ、３ｂに水酸基（ＯＨ−）を付着させるとともに、これら水酸基を付着させた非晶質層３ａ、３ｂ同士を０．１ｋｇｆ／ｃｍ２〜１０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で圧接させ、この状態で両者を４００℃〜７００℃に加熱することによって行なわれ、これによって非晶質層３ａ、３ｂが良好に接合され、第一半導体基板４上の発光層１と第二半導体基板上の反射層２とが強固に接着される。
【００３４】
また前記第一半導体基板４の除去は、該第一半導体基板４をＨＣｌ等からなるエッチング液に所定時間浸漬させることによって行なわれる。
【００３５】
（４）次に（２）で露出させた発光層１の表面に非晶質層３ｄを積層する（図２（ｉｖ））。
【００３６】
前記非晶質層３ｄは、先に述べた非晶質層３ａ、３ｂ、３ｃと同質の材料により同様の方法により製作される。
【００３７】
（５）次に、（４）で積層した非晶質層３ｄと前記第三半導体基板６の非晶質層３ｃとを対面させるように貼り合わせる（図２（ｖ））。
【００３８】
前記非晶質層３ｃ、３ｄとの貼り合わせは、上述した非晶質層３ａと非晶質層３ｂとの貼り合わせと同様の方法が採用され、これによって非晶質層３ｃ、３ｄを良好に接合して第一半導体基板４上の発光層１と第三半導体基板６上の反射層２とが強固に接着される。
【００３９】
（６）最後に、第二半導体基板５及び第三半導体基板６を除去して一対の反射層２を露出させ、該露出させた一対の反射層２に図示しない電極をそれぞれ被着させることによって半導体レーザ素子が完成する（図２（ｖｉ））。
【００４０】
前記第二、第三半導体基板５，６を除去するには、これらの半導体基板５，６をＨ２ＳＯ４やＨ２Ｏ２からなるエッチング液に所定時間浸漬させることによって行なわれる。
【００４１】
また図示しない電極は、従来周知の薄膜形成技術、具体的にはスパッタリング、フォトリソグラフィー技術、エッチング技術等を採用することによって、アルミニウム等の金属材料を各反射層２上に所定パターン被着させることによって形成される。
【００４２】
以上のような本実施形態の製造方法によれば、発光層１及び反射層２をそれぞれ別個の半導体基板に形成するとともに、これら発光層１及び反射層２の表面に非晶質層３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄを形成し、これらの非晶質層同士を貼り合わせて発光層１と反射層２とを接着するようにしたことから、該貼り合わせ時、一方、もしくは双方の非晶質層に親水化処理を施す際に、非晶質層に水酸基が良好に付着し、かかる水酸基を介して発光層１と反射層２とを強固に接着させることができるようになる。従って、半導体レーザ素子を長時間にわたり連続して使用し、半導体レーザ素子が過度の熱を発したとしても、反射層２が発光層１より剥がれることを有効に防止することができ、半導体レーザ素子を長期にわたり良好に機能させて半導体レーザ素子の信頼性を大幅に向上させることが可能となる。
【００４３】
次に上述した半導体レーザ素子の第二の製造方法について図３を用いて詳細に説明する。尚、第一の製造方法と同様の構成要素には同一の参照符を用い、重複する説明を省略する。
【００４４】
図３は半導体レーザ素子の第二の製造方法を説明するための各工程における断面図であり、第二の製造方法が第一の製造方法と異なる点は、第一半導体基板４上に、発光層１を挟持する非晶質層３ｅ、３ｆを積層したことである。具体的には以下の工程を経て半導体レーザ素子を完成させる。
【００４５】
（１’）まず、第一の製造方法と同様に第一乃至第三半導体基板４，５，６を準備する（図３（ｉ））。
【００４６】
（２’）次に、第一半導体基板４の上面に非晶質層３ｅ、発光層１及び非晶質層３ｆを順次積層するとともに、第二半導体基板５の上面に反射層２及び非晶質層３ｇを、第三半導体基板６の上面に反射層２及び非晶質層３ｈをそれぞれ順次積層する（図３（ｉｉ））。
【００４７】
（３’）次に、前記第一半導体基板４の最上層の非晶質層３ｆと第二半導体基板５の非晶質層３ｇとを対面させるように貼り合わせるとともに、第一半導体基板４を除去して第一半導体基板４の最下層の非晶質層３ｇを露出させる（図３（ｉｉｉ））。
【００４８】
（４’）次に、（３’）で露出させた第一半導体基板４の最下層の非晶質層３ｅと第三半導体基板６の非晶質層３ｈとを対面させるように貼り合わせる（図３（ｉｖ））。
【００４９】
（５’）最後に、前記第二半導体基板５及び第三半導体基板６を除去して反射層２を露出させ、しかる後、反射層２上に図示しない電極を被着させる（図３（ｖ））。
【００５０】
以上のような半導体レーザ素子の第二の製造方法よっても、上述した半導体レーザ素子を完成させることが可能となる。
【００５１】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で改良・変更が可能である。
【００５２】
例えば上述の実施形態において、前記非晶質層３にＰ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモン）等の不純物を１×１０１９〜５×１０２０原子／ｃｍ３の量だけドーピングするようにすれば、かかる不純物がドナーとして機能するため、非晶質層３の比抵抗を低くなすことができる。従って、発光層１−反射層２間に非晶質層３を介在させても、かかる非晶質層３の近傍で大きな電力損失が発生するのを有効に防止することができ、半導体レーザ素子の消費電力を小さく維持することが可能となる。
【００５３】
ここで、非晶質層３にドーピングする上記不純物の量が１×１０１９原子／ｃｍ３よりも小さいと、非晶質層３の比抵抗を効果的に低くすることができず、半導体レーザ素子の消費電力が大きくなる傾向にあり、一方、非晶質３にドーピングする不純物の量が５×１０２０原子／ｃｍ３よりも大きいと、もはや不純物がドナーとして寄与せず、逆に非晶質層３の抵抗値を増加し、やはり半導体レーザ素子の消費電力が大きくなる傾向にある。従って、前記非晶質層３にＰ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモン）等の不純物を１×１０１９〜５×１０２０原子／ｃｍ３の量だけドーピングするようにすることが好ましい。
【００５４】
また上述の実施形態においては、第二半導体基板５及び第三半導体基板６を同時に除去するようにしたが、これに代えて、これら２つの半導体基板５，６を別々に分けて除去するようにしても良い。
【００５５】
更に上述の実施形態においては、第二半導体基板５及び第三半導体基板６を最後の工程にて除去するようにしたが、これに代えて、これらの半導体基板５，６上に反射層や非晶質層を積層した後であれば、どの工程で除去するようにしても構わない。
【００５６】
【発明の効果】
本発明の半導体レーザ素子によれば、発光層と反射層との間に非晶質層を介在させたことから、製造工程中に加えられる熱や半導体レーザ素子の発光時に発生する熱によって発光層−反射層間に熱応力が加えられても、かかる熱応力が非晶質層でもって良好に吸収されることとなり、それ故、発光層や反射層を歪の少ない良好な膜質に保持することができ、半導体レーザ素子の発光特性を高く維持することが可能となる。
【００５７】
また本発明の半導体レーザ素子の製造方法によれば、発光層及び反射層をそれぞれ別個の半導体基板に形成するとともに、これら発光層及び反射層の表面に非晶質層を形成し、これらの非晶質層同士を貼り合わせるようにしたことから、該貼り合わせ時、一方、もしくは双方の非晶質層に親水化処理を施す際に、非晶質層に水酸基が良好に付着し、かかる水酸基を介して発光層と反射層とを強固に接着させることができるようになる。従って、半導体レーザ素子を長時間にわたり連続して使用し、半導体レーザ素子が過度の熱を発したとしても、反射層が発光層より剥がれることを有効に防止することができ、半導体レーザ素子を長期にわたり良好に機能させて半導体レーザ素子の信頼性を大幅に向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態にかかる半導体レーザ素子の断面図である。
【図２】図１に示す半導体レーザ素子の第一の製造方法を説明するための各工程における断面図である。
【図３】図１に示す半導体レーザ素子の第二の製造方法を説明するための各工程における断面図である。
【符号の説明】
１・・・発光層
２・・・反射層
３，３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆ，３ｇ，３ｈ・・・非晶質層
４・・・第一半導体基板
５・・・第二半導体基板
６・・・第三半導体基板
【図１】
2004152837.tif 000003
【図２】
2004152837.tif 000004
【図３】
2004152837.tif 000005