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(57)【要約】【課題】フィラー組織を均一なものとすることによって、使用時の粒子離脱を抑制し、寿命の延びたカーボンブラシを提供する。【解決手段】フィラーとなる黒鉛粒子のうち粒子径が１０〜４０μｍの黒鉛粒子の数が６０％以上であることを特徴とする。【選択図】　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィラーとなる黒鉛粒子のうち粒子径が１０〜４０μｍの黒鉛粒子の数が６０％以上であることを特徴とするカーボンブラシ。
【請求項２】
粒子径が１２〜２０μｍの黒鉛粒子の数が４０％以上であることを特徴とする請求項１に記載のカーボンブラシ。
【請求項３】
樹脂硬化型カーボンブラシである請求項１又は２に記載のカーボンブラシ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気機械に用いられる樹脂硬化型のカーボンブラシに関し、特に、使用時のフィラーの粒子離脱等を抑制したカーボンブラシに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、カーボンブラシは、人造黒鉛粒子あるいは天然黒鉛粒子をフィラーとして使用していた。そして、フィラーとなる人造黒鉛粒子あるいは天然黒鉛粒子は、微粉、粗粉等大まかに分級して使用されていた。このため、形成されるカーボンブラシは、そのフィラー組織が均一なものでなく、粒子の大きさが不揃いな不均一なものが主流であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、近年、モータの入力が高くなり、使用条件が過酷なものとなり、使用時に粒子離脱等が発生し、短寿命となる問題が発生している。
【０００４】
本発明は、フィラー組織を均一なものとすることによって、使用時の粒子離脱を抑制したカーボンブラシを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため本発明に係るのカーボンブラシは、フィラーとなる黒鉛粒子のうち粒子径が１０〜４０μｍの黒鉛粒子の数が６０％以上であることを特徴とする。また、その中でも、粒子径が１２〜２０μｍの黒鉛粒子の数が４０％以上であることを特徴とする。また、樹脂硬化型カーボンブラシであるものである。
【０００６】
使用する黒鉛粒子のうち、粒子径が１０〜４０μｍの黒鉛粒子が全体の６０％以上、好ましくは７０％以上であり、さらに、この中で、粒子径が１２〜２０μｍの黒鉛粒子が４０％以上となるように分級して、これをフィラーとして使用する。これによって、フィラーとなる黒鉛粒子の組織が均一となる。このため、使用時に粒子離脱等が発生した場合であっても、離脱した粒子部分が小さく、偏摩耗することがなく、寿命の延命効果が得られる。
【０００７】
また、本発明に使用される黒鉛粒子は、人造黒鉛又は天然黒鉛のいずれの黒鉛粒子をも使用することができる。また、これらを混合した黒鉛粒子であってもよい。
【０００８】
これら黒鉛粒子の粒子間を結合する樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びこれらを変性して得られる種々の熱硬化性樹脂等を使用することができる。これら、樹脂は、バインダー分として１０〜４０％を使用することが好ましい。
【０００９】
そして、これら熱硬化性樹脂を結合剤として、前述の黒鉛粒子に結合剤となる樹脂を混合後、所定形状に形成後、これら樹脂が硬化する１５０〜２５０℃の温度で熱処理をし、カーボンブラシとする。
【００１０】
なお、本発明に係るカーボンブラシは、前述のフィラーに加えて、ニ硫化モリブデン、二硫化タングステン、窒化ホウ素等の固体潤滑剤を加えることもできる。また、前述の熱硬化型カーボンブラシに限らず、金属結合型、焼結型と呼ばれる各種カーボンブラシに適用することで、同様の効果を得ることが可能である。
【００１１】
【実施例】
以下、実施例により本発明に係るカーボンブラシを具体的に説明する。
【００１２】
（実施例１）
フィラーとなる黒鉛粒子のうち、粒子径が１０〜４０μｍの黒鉛粒子の数が６０％になるように調整した（平均粒子径が１８．９μｍ）、モード径が１６．９μｍ（１２〜２０μｍの黒鉛粒子の数が４０％）で標準偏差値０．２８の人造黒鉛粉末８０重量％に、バインダーとして汎用性エポキシ樹脂２０重量％を配合して混練した。この混練物を６３μｍ以下のものが５０％程度になるように粉砕後、１００ＭＰａで成形しカーボンブラシを得た。
【００１３】
（実施例２）
フィラーとなる黒鉛粒子のうち、粒子径が１０〜４０μｍの黒鉛粒子の数が６０％になるように調整した（平均粒子径が１９．１μｍ）、モード径が１６．９μｍ（１２〜２０μｍの黒鉛粒子の数が４５％）で標準偏差値０．２８の人造黒鉛粉末８０重量％に、バインダーとして汎用性エポキシ樹脂２０重量％を配合して混練した。この混練物を６３μｍ以下のものが５０％程度になるように粉砕後、２００ＭＰａで成形しカーボンブラシを得た。
【００１４】
（比較例１）
フィラーとなる黒鉛粒子のうち、粒子径が１０〜４０μｍの黒鉛粒子の数が５５％になるように調整した（平均粒子径が４１．０μｍ）、モード径が１６．９μｍ（１２〜２０μｍの黒鉛粒子の数が３０％）で標準偏差値０．４７の人造黒鉛粉末８０重量％に、バインダーとして汎用性エポキシ樹脂２０重量％を配合して混練した。この混練物を６３μｍ以下のものが５０％程度になるように粉砕後、１００ＭＰａで成形しカーボンブラシを得た。
【００１５】
以上の各カーボンブラシを、真空掃除器用のモータに組み込んで、寿命を調査した。表１に、各カーボンブラシの特性をまとめて示す。
【００１６】
【表１】
2004055459.tif 000002
【００１７】
表１からわかるように、粒子径が１０〜４０μｍの黒鉛粒子が全体の６０％以上、好ましくは７０％以上であり、さらに、この中で、粒子径が１２〜２０μｍの黒鉛粒子が４０％以上となるように分級した黒鉛粒子をフィラーとして使用した実施例１のカーボンブラシは、比較例１に係る分級していないカーボンブラシに比べて、その寿命が２倍程度の延びていることがわかる。
【００１８】
【発明の効果】
本発明は、以上のように構成されており、黒鉛粒子を分級したものをフィラーとして使用することによって、均一なフィラー組織とすることが可能となり、粒子離脱等による偏摩耗を抑制することが可能となり、カーボンブラシの長寿命化の効果を得ることができる。
(57)【要約】【課題】生産性と施工性を向上できるダウンライトを提供する。【解決手段】垂直配置した略矩形状の点灯回路基板１に複数のソケット２を横向きに配置して、前記点灯回路基板１を前記ソケット２とともに略矩形状のケース３に収め、このケース３の開口孔４より前記ソケット２に対して蛍光ランプ５を横向きに装着し、これらの蛍光ランプ５を反射笠６の下面に突出させ、前記反射笠６の下縁を天井７の開口８に位置させるように埋め込んだダウンライトである。そして、前記点灯回路基板１の短辺方向が垂直方向にされ、前記複数のソケット２は前記点灯回路基板１の一方の短辺かつ下部側の長辺に寄せて横方向に配列されている。【選択図】　図１
2004055462.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直配置した略矩形状の点灯回路基板に複数のソケットを横向きに配置して、前記点灯回路基板を前記ソケットとともに略矩形状のケースに収め、このケースの開口孔より前記ソケットに対して蛍光ランプを横向きに装着し、これらの蛍光ランプを反射笠の下面に突出させ、前記反射笠の下縁を天井の開口に位置させるように埋め込んだダウンライトであって、前記点灯回路基板の短辺方向が垂直方向にされ、前記複数のソケットは前記点灯回路基板の一方の短辺かつ下部側の長辺に寄せて横方向に配列されたダウンライト。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の蛍光ランプを横向きに設けたダウンライトに関する。
【０００２】
【従来の技術】
複数の蛍光ランプを横向きに設けたダウンライトでは、天井の開口に埋め込まれる反射笠の内側面に蛍光ランプを装着する複数のソケットを設け、点灯回路基板を収めたケースは前記反射笠の上面に設けていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ソケットと点灯回路基板間に接続コードを配線しなければならない上、全体の高さも高くなるため、天井内の空間高さがさほどない場合には施工できないなどの解決すべき課題があることに着目されるべきである。本発明はこのような解決すべき課題を鑑み、生産性と施工性を向上できるダウンライトを提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明を要約すると、垂直配置した略矩形状の点灯回路基板に複数のソケットを横向きに配置して、前記点灯回路基板を前記ソケットとともに略矩形状のケースに収め、このケースの開口孔より前記ソケットに対して蛍光ランプを横向きに装着し、これらの蛍光ランプを反射笠の下面に突出させ、前記反射笠の下縁を天井の開口に位置させるように埋め込んだダウンライトであって、前記点灯回路基板の短辺方向が垂直方向にされ、前記複数のソケットは前記点灯回路基板の一方の短辺かつ下部側の長辺に寄せて横方向に配列されたダウンライトである。
【０００５】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態を説明するが、それはあくまで本発明に基づいて採択された例示的な実施形態であり、本発明をその実施形態に特有な事項に基づいて限定解釈してはならず、本発明の技術的範囲は、請求項に示した事項さらにはその事項と実質的に等価である事項に基づいて定めなければならない。
【０００６】
図示の実施形態は、垂直配置した略矩形状の点灯回路基板１に複数のソケット２を横向きに配置して、前記点灯回路基板１を前記ソケット２とともに略矩形状のケース３に収め、このケース３の開口孔４より前記ソケット２に対して蛍光ランプ５を横向きに装着し、これらの蛍光ランプ５を反射笠６の下面に突出させ、前記反射笠６の下縁を天井７の開口８に位置させるように埋め込んだダウンライトである。そして、前記点灯回路基板１の短辺方向が垂直方向にされ、前記複数のソケット２は前記点灯回路基板１の一方の短辺かつ下部側の長辺に寄せて横方向に配列されている。
【０００７】
さらに詳述すれば、ケース３は反射笠６の外面に取り付けられていてもよいが、本実施形態では、取付板９の下面に固定した支持板１０の外面にケース３がビスなどで固定されている。点灯回路基板１にはソケット２の他にパワー半導体素子１１その他の電子部品が搭載されている。反射笠６の上面は取付板９に固定した支持具１２を介してねじ１５で支持されるとともに、取付板９に固定された複数の支持脚１３の下端が反射笠６の下縁に固定されることにより、反射笠６が支持固定されている。
【０００８】
また、蛍光ランプ５は、反射笠６の孔１４及び支持板１０の孔１６を貫通した状態で反射笠６の下面に突出されている。そして、反射笠６の下縁を天井７の開口８に埋め込み取り付けする手段は挟み止め具１７その他の公知の手段で適宜行えばよい。
【０００９】
本実施形態によれば、点灯回路基板１に複数のソケット２を配置したため、ソケット２と点灯回路基板１の間にいわゆる接続コードが不要となり、生産性が向上する。さらに、前記点灯回路基板１の短辺方向が垂直方向にされたことにより全体高さが低減され、かつ、前記複数のソケット２は前記点灯回路基板１の一方の短辺かつ下部側の長辺に寄せて横方向に配列されたため、ケース３を斜めにしながらケース３を天井７の開口８に挿入するときに、ケース３の下縁が天井７の裏面にスムーズに導入されやすくなり、施工性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態を示す断面図
【図２】図１とは切断面が直交する断面図
【図３】同下面図
【符号の説明】
１　点灯回路基板
２　ソケット
３　ケース
４　開口孔
５　蛍光ランプ
６　反射笠
７　天井
８　開口
【図１】
2004055462.tif 000003
【図２】
2004055462.tif 000004
【図３】
2004055462.tif 000005
(57)【要約】【課題】本発明は上記のような従来技術の問題点に鑑みて、カラーレジストに感光作用を及ぼすことなく、感光工程の前段階において，カラーレジストの塗布状態の撮像を可能にする装置を提供することを目的とするものである。【解決手段】可視光、及び近赤外光に受光波長特性を有する撮像手段と、可視光、及び近赤外光に照射波長特性を有する照明手段と、特定波長範囲のみを透過する特性を有するフィルターとを構成要素とし、平面状に塗布されたカラーレジストの画像を、カラーレジストに感光作用を及ぼすことなく撮像取得することを特徴とするカラーレジスト塗布状態撮像装置で、前記フィルターが、カラーレジストの透過波長特性、及び感光波長特性に応じて交換可能な手段を有するカラーレジスト塗布状態撮像装置。【選択図】図１
2004055789.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可視光、及び近赤外光に受光波長特性を有する撮像手段と、可視光、及び近赤外光に照射波長特性を有する照明手段と、特定波長範囲のみを透過する特性を有するフィルタとを構成要素とし、平面状に塗布されたカラーレジスト層の画像を、カラーレジストに感光作用を及ぼすことなく、感光工程の前段階において、撮像取得することを特徴とするカラーレジスト塗布状態撮像装置。
【請求項２】
前記フィルターが、カラーレジストの透過波長特性、及び感光波長特性に応じて交換可能な手段を有することを特徴とする請求項１記載のカラーレジスト塗布状態撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はカラーレジストの平面塗布状態の撮像に関するものであり、特にカラーレジストに感光作用を及ぼさない特定波長範囲のみで撮像するカラーレジスト塗布状態撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の撮像装置は、可視光波長での撮像装置であるか、もしくは特定波長範囲のみの撮像であっても、カラーレジストの透過率波長特性及び感光波長特性が考慮されていない特定波長範囲での撮像装置であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記の従来技術においては、カラーレジストの感光波長特性が考慮されておらず、感光工程（露光工程）の前段階において従来技術を用いると、カラーレジストの感光作用（パターニング作用）に影響を及ぼし、感光工程前段階にて、カラーレジストを感光（パターニング）してしまうと言う問題があった。
【０００４】
本発明は上記のような従来技術の問題点に鑑みて、カラーレジストに感光作用を及ぼすことなく、感光工程の前段階においてカラーレジストの塗布状態の撮像を可能にする装置を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を達成するために、まず請求項１に係る発明は、可視光、及び近赤外光に受光波長特性を有する撮像手段と、可視光、及び近赤外光に照射波長特性を有する照明手段と、特定波長範囲のみを透過する特性を有するフィルターとを構成要素とし、平面状に塗布されたカラーレジスト層の画像を、カラーレジストに感光作用を及ぼすことなく、感光工程の前段階において、撮像取得することを特徴とするカラーレジスト塗布状態撮像装置である。
【０００６】
本発明の請求項２に係る発明は、前記フィルターが、カラーレジストの透過波長特性、及び感光波長特性に応じて交換可能な手段を有することを特徴とする請求項１記載のカラーレジスト塗布状態撮像装置である。
【０００７】
【発明の実施の形態】
図１に示すように、本発明の装置は、中央に平面塗布されたカラーレジスト１５を載置するステージを配置し、下部に光を照射する照明手段１４と、特性波長範囲に波長を制限するフィルター１２と、前記フィルター１２をフィルター交換するフィルター交換手段１３と、上部に、画像取得する撮像手段１１を配置した構成である。可視光及び近赤外光に照射波長特性２２を有する照明手段１４より照射された光は、上記波長範囲を特定波長範囲に制限するフィルター波長特性２３を有するフィルター１２を通過し、該光は、被写体（平面塗布されたカラーレジスト１５）を通過後、可視光及び近赤外光に受光波長特性を有する撮像手段１１まで到達し、該撮像手段により塗布状態を撮像する。前記被写体を通過時、カラーレジストの透過率波長特性及び感光波長特性に適応する前記フィルター１２を通過しているため、カラーレジストに感光作用を及ぼすことなく、塗布状態を撮像することが可能となる。ここで可視光及び近赤外光とは波長範囲として０ｎｍから１２００ｎｍ程度の波長範囲を意味し、人の視覚特性や現在市販されている可視光照明装置の特性等に制限されるものではない、例えば可視光及び近赤外光に増して紫外光にも受光波長特性をもつ撮像手段や、照明手段としてもよい。
【０００８】
また、フィルター交換手段１３を備えることで、各カラーレジストの特性に適応した波長制限が可能なフィルターに交換することが可能となる。
【０００９】
図２は、下記の実施例の波長特性を示す特性図で、横軸は波長、縦軸は透過率である。特性図では、まず、撮像手段受光波長特性２１と、照明手段照射波長特性２２は、略同様の波長特性を持ち、また、カラーレジスト透過率波長特性２４と、カラーレジスト感光波長特性２５は同様の波長特性を備えている。またフィルター１２波長特性は、前記２つのグループの波長特性の交差点近傍にピークがある。前記２つのグループは、照明と撮像系の波長特性のグループと、カラーレジスト系の波長特性のグループに区分できる。
【００１０】
〈実施例１〉
以下に、本発明の実施例について説明する。図２に示す波長特性図ように、カラーレジスト透過率波長特性２４と、カラーレジスト感光波長特性２５を有するカラーレジストの塗布状態を撮像するため、カラーレジスト感光波長特性２５の波長範囲とは重ならず、なおかつ、塗布状態の変化の様子が撮像可能なように、カラーレジスト透過率波長特性２４の透過率の変化の急峻な波長範囲を特定波長範囲とするフィルター波長特性２３を有するフィルター１２を設定した。
【００１１】
また、上記特定波長範囲の撮像が可能なように、図２に示す撮像手段受光波長特性２１を有する撮像手段１１と、図２に示す照明手段照射波長特性２２を有する照明手段１４を設定した。
【００１２】
このようにして取得された画像はカラーレジストの塗布状態変化を捉えることが可能であり、なおかつ、カラーレジストに感光作用を及ぼすことがない。
【００１３】
【発明の効果】
上記のように構成された本発明の装置によれば、カラーレジストに感光作用を及ぼすことなく、感光工程前段階において、カラーレジストの塗布状態を撮像することが可能となる。また、感光工程前段階ではカラーレジストがパターニングされていないため、被写体内に透過率等の大きな変動がなく、カラーレジストの塗布状態の撮像が容易であり、その撮像画像からの塗布状態観察も容易となるという利点を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の撮像装置の側断面である。
【図２】本発明の実施例１を説明する波長特性図である。
【符号の説明】
１１…撮像手段
１２…フィルター
１３…フィルター交換手段
１４…照明手段
１５…カラーレジスト（被写体）
２１…撮像手段受光波長特性
２２…照明手段照射波長特性
２３…フィルター波長特性
２４…カラーレジスト透過率波長特性
２５…カラーレジスト感光波長特性
【図１】
2004055789.tif 000003
【図２】
2004055789.tif 000004
(57)【要約】【課題】耐放射線性を有する発光素子の作製に関する方法であり、特に、半導体中にドープされた希土類の発光を用いることにより放射線照射されても発光強度の低下が極めて少ない発光素子を作製することに関する。即ち、基板上に形成されたＧａＮ半導体等の半導体に、希土類元素をドープすることにより耐放射線性を有する発光素子を作製する方法に関するものであり、この方法により得られた発光素子は、放射線に照射されても、その発光強度が、希土類がドープされていない半導体と比較して、低下しないという特性を有するものである。【解決手段】希土類元素を半導体ヘドープすることを特徴とする耐放射線性を有する発光素子を作製する方法であり、特に、窒化ガリウム半導体（ＧａＮ）へ希土類元素の１つであるユーロピウム（Ｅｕ）をドープする方法。【選択図】　図１
2004055776.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
希土類元素を半導体ヘドープすることを特徴とする耐放射線性を有する発光素子を作製する方法。
【請求項２】
窒化ガリウム半導体（ＧａＮ）へ希土類元素の１つであるユーロピウム（Ｅｕ）をドープすることを特徴とする請求項１記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、耐放射線性を有する発光素子の作製に関する方法であり、特に、半導体中にドープされた希土類の発光を用いることにより放射線照射されても発光強度の低下が極めて少ない発光素子を作製することに関する。
【０００２】
即ち、本発明は、基板上に形成されたＧａＮ半導体等の半導体に、希土類元素をドープすることにより耐放射線性を有する発光素子を作製する方法に関するものであり、この方法により得られた発光素子は、放射線に照射されても、その発光強度が、希土類がドープされていない半導体と比較して、低下しないという特性を有するものである。
【０００３】
【従来の技術】
従来、半導体を用いた発光素子は禁制帯間遷移を利用したものである。又、希土類元素を用いた発光に関する半導体発光素子についての報告はあるが、耐放射線性を有する半導体発光素子に希土類元素を用いた場合の発光に関する報告の例はない。
【０００４】
上記禁制帯間遷移については、半導体中に拘束されている電子や正孔は、ある特定のエネルギー以上のエネルギーが入射されることで自由になり、このある特定のエネルギーに相当するものが禁制帯である。ある特定のエネルギーの入射により発生した自由に動ける電子や正孔は、ある一定の寿命で再結合（半導体に拘束される）し、この再結合の際に余分なエネルギーを放出し、そのエネルギーが光として放出される場合が禁制帯間遷移を利用した発光である。この発光を利用することで得られる発光素子が、従来の禁制帯間遷移を利用した発光素子である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
禁制帯幅間遷移を利用した発光素子においては、結晶中を自由に移動できる電子と正孔が再結合することにより得られる発光を利用するが、これに放射線が照射される事により、これらの電子あるいは正孔を捕獲する欠陥が半導体結晶中に発生するため、発光特性は放射線照射量に大きな影響を受ける。本発明は、禁制帯間遷移以外の遷移を用いることで、放射線照射による発光特性の影響が極めて少ない発光素子を作製しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体中に希土類元素をドープすることで、希土類内殻準位に関連した発光、すなわち、希土類元素のごく近傍の制限された空間で生じる発光を用いた素子を作製し、発光強度の耐放射線性を向上させるものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
ＧａＮ半導体に希土類元素の１つであるＥｕをドープして発光素子を作製し、電子線照射によるその発光強度の変化を調べたところ、従来の禁制帯間遷移を用いた素子の発光強度が急激に減少する量の１０倍の電子線を照射してもＥｕをドープしたものは発光強度の低下の全く見られない。
【０００８】
本発明では、ＧａＮに希土類元素をドープする方法としてイオン注入法が使用される。このイオン注入法は、希土類元素のドープに限らず、半導体や個体中に特定の元素を導入する方法として一般的に用いられている。本発明においては、ＧａＮ中に希土類元素がどのような方法であれドープされれば発光素子となるので、その導入方法は限定されない。
【０００９】
本発明における希土類元素としては、Ｅｕ以外に、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ又はＬｕが使用できる。これらの元素は全て、内殻準位により発光することのできるものである。
【００１０】
【実施例１】
サファイア基板上に作製したＧａＮ薄膜にイオン注入によりＥｕをドープして作製した発光素子の電子線照射による発光強度を調べた。図１に示すように、従来の希土類元素をドープしないＧａＮからの発光特性は、１０１６ｃｍ−２以上の電子線照射により発光強度が急激に低下するのに対し、Ｅｕ原子をドープしたものは１０１７ｃｍ−２以上の電子線照射に対しても発光強度の低下は全く見られない。
【００１１】
なお、図１では、未電子線照射の場合を１として規格化した値で表示しており、無添加ＧａＮは、従来の母材（Ｅｕの添加されていない発光素子）による発光の結果を示し、ＥｕドープＧａＮが、本発明による発光の変化を示している。
【００１２】
【実施例２】
実施例１と同様な方法により作製したＥｕドープした発光素子の発光強度測定温度による変化を調べた。図２に示すように、従来の希土類元素をドープしない素子では、測定温度の上昇に伴い発光強度が低下していく。これは、温度上昇により電子と正孔の移動量が増えることで、電子或いは正孔が結晶欠陥に捕獲される確率が増加することに対応する。
【００１３】
一方、Ｅｕ元素をドープしたものは、発光強度の低下がほとんど見られない。これは、発光が希土類元素のごく近傍で生ずるため温度に影響されないことによる。この事実は、希土類のドープによる発光を用いた素子では、その母材の半導体材料の結晶欠陥に関係なく発光をすることに対応しており、実施例１と合わせて考えると、本発明がＧａＮに限らず、さらに希土類元素のドープ法によらず、半導体一般に応用できることが分かる。
【００１４】
なお、図２では、無添加ＧａＮは、従来の母材（Ｅｕの添加されていない発光素子）による発光の結果を示し、ＥｕドープＧａＮが、本発明による発光の変化を示している。又、それぞれの変化を比較しやすくするために、最低温測定のＰＬ（ｐｈｏｔｏ　ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）強度の結果が同じになるように表示されている。
【００１５】
【発明の効果】
希土類元素を半導体にドープすることで、耐放射線性の発光素子が作製可能となる、という本発明に特有な顕著な効果が生ずる。
【図面の簡単な説明】
【図１】電子線照射量に対する発光（ＰＬ：ｐｈｏｔｏ　ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）強度の変化を示す図である。
【図２】測定温度に対する発光（ＰＬ：ｐｈｏｔｏ　ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）強度の変化を示す図である。
【図１】
2004055776.tif 000003
【図２】
2004055776.tif 000004
(57)【要約】　　　（修正有）【課題】従来の電池は、電解液に酸、アルカリ又は塩水を用いていた。そのため一次電池では、最後は廃棄し、二次電池では、充電により再度復帰させて使用するが充電によって完全には復帰せず、不純物や酸化物又は反応残渣が発生し蓄積する。【解決手段】電池の電解液を酸、アルカリ、塩水ではなく精製水に貴金属超微粒子を効果的な量で混入したものを利用し、微粒子のもつ触媒作用のみで水素イオンと水酸基イオンと水の酸化還元反応を惹起し水と貴金属超微粒子があれば極板に影響なく永久に続く電池を製造することにより、自動車用やコンピュータ、携帯電話等の民生用に役立たせようとするものである。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
２ナノメートルから５ナノメートルの触媒能力を持つ貴金属超微粒子がコロイド溶液としてなるものを電解液として使用することを特徴とする永久電池の製造方法
【請求項２】
放置時に極板に対して貴金属超微粒子の触媒能力により、自己充電現象を起こし起電力を回復させることを特徴とする請求項１の永久電池の製造方法
【請求項３】
電解液に酸、アルカリ、塩水等を使用しないことを特徴とする請求項１の永久電池の製造方法
【請求項４】
電解液に酸、アルカリ、塩水等を使用している電池に対して請求項１の貴金属コロイド溶液を混合して電解液として使用することを特徴とする永久電池の製造方法
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、電気自動車においては放電してしまうと、放置することにより起電力を復帰させることができ、充電の必要がない為放電用バッテリーと自己充電用バッテリーを二連搭載すればバッテリーのみでの走行が可能となる。
【０００２】
また携帯電話においては充電器を持ち歩く必要がなく、緊急時の電池切れの問題もなくなる。
このように二次電池における新しい開発に関る永久電池の製造方法に関するものである。
【０００３】
【従来の技術】
従来の電池は、電解液に酸、アルカリ又は塩水を用いていたが、その反応には限界があり反応終了時に廃棄となる一次電池や充電により再度復帰させて使用する二次電池等があるが、二次電池にしても限界があった。
なぜなら二次電池にしても充電によって完全には復帰せず、不純物や酸化物又は反応残査が発生し蓄積するためであった。
【０００４】
【課題を解決する為の手段】
本発明は、酸アルカリ及び塩水反応ではなく、精製水に貴金属超微粒子がブラウン運動にて浮遊しているだけのものであり、貴金属が白金（Ｐｔ）の場合は、白金超微粒子が１００℃以上では酸化作用があり常温では還元作用を行なう触媒能力があるため、水中では水素イオン（Ｈ＋）を吸着する性質と電子を与え続ける還元作用がある触媒能力に着目したものである。
【０００５】
また白金超微粒子は、イオン化傾向が低いので水中は勿論のこと、酸、アルカリ、塩水、石油類中でも溶けることはなく超微粒子状態で沈殿もせずブラウン運動により浮遊している物質である。
その為酸化及び還元の触媒能力は表面反応であり、極板との表面接触が必要である。
【０００６】
貴金属コロイドの貴金属とは、白金（Ｐｔ）及びルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ），オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）等の白金属と呼ばれるものや、金（Ａｕ）等が挙げられる。
【０００７】
【実施例】
陽極に炭素（Ｃ）、陰極に亜鉛板（Ｚｎ）……　▲１▼
陽極に銅板（Ｃｕ）、陰極に亜鉛板（Ｚｎ）……　▲２▼
極板は二種類、陰極は亜鉛板とし陽極は炭素と銅板を使用した。
【０００８】
白金超微粒子の濃度は、原液（白金量１．６ｗ％）の２〜３ｇを１０００ｃｃの精製水に混ぜたものを希釈原液とし、その希釈原液８０ｃｃを精製水４００ｃｃに混ぜたものを電解液として使用した。
【０００９】
▲１▼の実施結果
初期値　　　　　　　電圧　　１．１Ｖ　　導電状態　１８Ｐｏｉｎｔ
放電（２時間）　　　電圧　　０．８Ｖ　　導電状態　　６Ｐｏｉｎｔ
放置（１分後）　　　電圧　　１．０Ｖ　　導電状態　１０Ｐｏｉｎｔ
放置（１時間後）　　電圧　　１．０Ｖ　　導電状態　１４Ｐｏｉｎｔ
放電（２時間）　　　電圧　　０．３Ｖ　　導電状態　１３Ｐｏｉｎｔ
放置（１時間後）　　電圧　　０．５Ｖ　　導電状態　１３Ｐｏｉｎｔ
放置（２時間後）　　電圧　　１．０Ｖ　　導電状態　１３Ｐｏｉｎｔ
【００１０】
▲２▼の実施結果
初期値　　　　　　　電圧　　１．０Ｖ　　導電状態　８Ｐｏｉｎｔ
放電（２時間）　　　電圧　　１．０Ｖ　　導電状態　８Ｐｏｉｎｔ
放置（２時間後）　　電圧　　１．０Ｖ　　導電状態　８Ｐｏｉｎｔ
電解液少量追加　　　電圧　　１．１Ｖ　　導電状態９．２Ｐｏｉｎｔ
放電（２時間）　　　電圧　　１．０Ｖ　　導電状態　９Ｐｏｉｎｔ
放置（１２時間後）　電圧　　１．０Ｖ　　導電状態　８Ｐｏｉｎｔ
【００１１】
以上の結果から導電状態は炭素と亜鉛板の組み合わせの方が良い様であるが、起電力の低下が大きく問題がある。
銅板と亜鉛板の組み合わせが非常に安定しているが、導電状態があまり良くないので電池の形態を検討する際には内部抵抗を充分考慮する必要がある。
【００１２】
極板の選定にあたっては、あらゆる組み合わせが考えられる。
本発明の実施例において陰極にアルミニュウムや鉛も検討したが夫々に問題があり、水中の水素イオン（Ｈ＋）と反応し易い亜鉛版とした
【００１３】
白金超微粒子本体は、マイナスに帯電しており溶液中の水素イオン（Ｈ＋）を引き寄せて全体としては、水素イオン（Ｈ＋）で取り囲まれた状態であり陰極へとすすむ、その水素イオンが亜鉛板（Ｚｎ）と反応して亜鉛イオン（Ｚｎ＋）を発生させる。
その時亜鉛イオン（Ｚｎ＋）が電子を手放し陰極に放出する、通電すると陰極から陽極へと電子の移動がある。
【００１４】
白金超微粒子が水（Ｈ−Ｏ−Ｈ）の水素イオン（Ｈ＋）を陽極にて奪い取り、水酸基イオン（ＯＨ−）が発生する、それが陽極の銅板の周りに集まる。
フェノールフタレイン液によるテストでは、放電時に陽極付近が赤色に変化した、これは水酸基イオン（ＯＨ−）に反応したものでアルカリ反応である。
【００１５】
起電力復帰の理由は、陰極の亜鉛板の酸化作用と白金超微粒子が持つ電子を与えるという触媒活性による還元作用を同時に行なう為に放電の時は酸化作用が、また放置の時は還元作用が優位に働き、亜鉛板の酸化による劣化を防ぐと同時に亜鉛板が電子を受けて蓄積する為である。
【００１６】
白金超微粒子は放電時には陰極に対して水素イオン（Ｈ＋）を与え放置時には陽極に対して水素イオン（Ｈ＋）を与える性質がある。つまり放電時は、水（Ｈ−Ｏ−Ｈ）が陽極で水素イオン（Ｈ＋）を奪われて水酸基イオン（ＯＨ−）となり、水酸基イオン（ＯＨ−）が陰極で水素イオン（Ｈ＋）をもらって、水（Ｈ−Ｏ−Ｈ）と亜鉛イオン（Ｚｎ＋）となり電子を放出する。
放置時は、陽極が水酸基イオン（ＯＨ−）に水素イオン（Ｈ＋）をもらって水（Ｈ−Ｏ−Ｈ）となり電子を放出する、陰極は電子を得て水素イオン（Ｈ＋）と水酸基イオン（ＯＨ−）になるかまたは、水（Ｈ−Ｏ−Ｈ）となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】放電時の理論概念図
【図２】放置時の理論概念図
【図１】
2004055504.tif 000002
【図２】
2004055504.tif 000003
(57)【要約】【課題】外部から入った静電気パルスが、電源配線を通り抜けるとき、内部回路を破壊してしまう。【解決手段】パッドに繋がる出力ＭＯＳトランジスタ、および、保護素子の電源配線を、内部回路の電源配線と分離独立させる。【選択図】　　図１
2004055675.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力パッドに直接接続される出力ＭＯＳトランジスタ素子と、静電気保護素子の電源パッドへの配線が、前記電源パッドに繋がる同一基板上の他のＭＯＳトランジスタ素子への配線と、分離独立して存在することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＣＭＯＳ半導体装置を静電気破壊から守る静電気保護に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＭＯＳ半導体装置では、静電気保護素子として寄生的に構造化されているＰＮダイオード素子や、ＮＰＮバイポーラ素子、ＮＰＮＰサイリスタ素子等が用いられる。ＣＭＯＳ半導体装置の最大動作電圧以上でかつＥＳＤ破壊電圧には至らない電圧範囲にてＥＳＤ保護素子にスイッチングを引き起こさせ、大電荷を放出させる構造となっている。
【０００３】
パッドから入力された静電気電荷は、同一ノード上の静電気保護素子がオンするまでの短い時間だけ入出力ＭＯＳ素子に電気的ストレスを与えることになる。したがって入出力ＭＯＳ素子はある短時間の静電気ストレスを受けても破壊されない耐性を持っていることが条件である。そのため、内部で使用されているＭＯＳ素子と出力ＭＯＳ素子は構造的に異なる場合が多い。内部用のＭＯＳ素子としては、レイアウト効率の高いデザインルール最小構造が用いられ、出力用のＭＯＳ素子には熱耐性がある大きなレイアウト構造を用いられる。
【０００４】
図２は従来のＣＭＯＳ半導体装置で使用される電源パッド配線の一例を示す回路図である。出力パッド１に静電気保護素子回路３と出力回路４が接続される。そして、その静電気保護回路３、出力回路４、および、内部回路５の電源は、電源パッド２に繋がる共通の電源配線６から供給される回路になっている。
【０００５】
出力パッド１に入ってくる＋電荷は、静電気保護回路３であるＮＭＯＳオフトランジスタの表面ブレークダウンからソース−サブ−ドレインのＮＰＮバイポーラ動作をオンさせ、電源配線６から電源パッド７に電荷を逃がすことができる構造になっている。電源配線６を＋電荷が通過する際、内部回路５内のＭＯＳ素子のソースおよび基板電位を急激に上昇させ、浮いているドレイン側はノード容量分のマイナスストレスを受けることになる。
【０００６】
また、出力パッド１に入ってくる−電荷は、前記静電気保護回路３内のＮＭＯＳドレイン部と前記出力回路のＮＭＯＳドレイン部から順方向ダイオード動作により、電源配線６から電源パッド２へ逃がす構造になっている。電源配線６を−電荷が通過する際、内部回路５内のＭＯＳ素子のソースおよび基板電位を急激に下降させ、浮いているドレイン側はノード容量分のプラスストレスを受けることになる。
【０００７】
静電気保護回路３内のＮＭＯＳと出力回路４内のＮＭＯＳにおいて、最も熱が発生するドレイン側構造は、電流（熱）耐性を決める重要な因子であり、発熱を分散させる構造が要求されている。これらのＮＭＯＳではゲート電極とドレインコンタクトの距離を離したり、深い均一な濃度プロファイルをもつドレインを形成したりといった電流の一部分集中を回避する工夫を施している。一方、内部回路５内のＮＭＯＳは、ゲート電極とドレインコンタクトの距離を最小にし、レイアウト効率を第一に考えた微細に適した構造を使用しているのが一般的である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような構成においては、静電気電荷を逃がす過程で、電源配線６から電源パッド２に電荷が流れる途中に、内部回路５にも静電気ストレスが掛かり、場合によっては内部回路５を破壊してしまうといった問題点があった。内部回路５内で弱いと思われる部分のＭＯＳ素子の電流（熱）耐性を高めるレイアウトを行うことで、内部回路５の面積を大きくしてしまうといった問題点があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するために、本発明は電源パッド配線を以下のように構成した。
【００１０】
パッドに直接繋がる出力ＭＯＳ素子と静電気保護素子における電源パッドへ繋がる配線が、前記電源パッドに繋がる同一基板上の他のＭＯＳ素子への配線と、分離独立して存在することを特徴とする半導体装置とした。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図面を用いて説明する。
【００１２】
図１は本発明の電源パッド配線の実施例を示す回路図である。出力パッド１に静電気保護素子回路３と出力回路４が接続され、前記静電気保護回路３、および、前記出力回路４の電源を電源パッド２に繋がる電源配線６から供給される回路になっている。また、内部回路５の電源を電源パッド２に繋がる内部素子用電源配線７で供給する回路になっている。電源配線６と内部素子用電源配線７は電源パッド２の根元より別れ独立に存在している。
【００１３】
出力パッド１に入ってくる＋電荷は、前記静電気保護回路３であるＮＭＯＳオフトランジスタの表面ブレークダウンからソース−サブ−ドレインのＮＰＮバイポーラ動作をオンさせ、電源配線６から電源パッド７に電荷を逃がすことができる構造になっている。電源配線６上には内部回路５に電源を供給していないため、＋電荷が通過しても内部回路５に何も影響しない。
【００１４】
また、出力パッド１に入ってくる−電荷は、前記静電気保護回路３内のＮＭＯＳドレイン部と前記出力回路のＮＭＯＳドレイン部から順方向ダイオード動作により、電源配線６から電源パッド２へ逃がす構造になっている。電源配線６を−電荷が通過する際、電源配線６上には内部回路５に電源を供給していないため、−電荷が通過しても内部回路５も何も影響しない。
【００１５】
内部回路５内のＭＯＳ回路は、外部からの静電気パルスを受けることが無いため、電流（熱）耐性を考えず、レイアウト効率を第一に考えた最小デザインルールで内部回路５を効率的に設計できる。
【００１６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、静電気に強く、コストに対応力のあるＣＭＯＳ半導体装置を供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＣＭＯＳ半導体装置で使用される電源パッド配線の実施例を示す回路図である。
【図２】従来のＣＭＯＳ半導体装置で使用される電源パッド配線の一例を示す回路図である。
【符号の説明】
１　　出力パッド
２　　電源パッド
３　　静電気保護素子回路
４　　出力回路
５　　内部回路
６　　電源配線
７　　内部素子用電源配線
【図１】
2004055675.tif 000003
【図２】
2004055675.tif 000004
(57)【要約】【課題】ヒートシンク機能を有する電子機器用電子基板モジュールにおいて、ヒートシンク部の重量を増加させることなく、高い熱伝導と小さな熱膨張係数を有するヒートシンク用複合部材を提供する。【解決手段】Ｓｉ金属マトリックス中に強化材が複合されたヒートシンク用複合部材であって、前記強化材が炭素繊維およびＳｉＣであることを特徴とするヒートシンク用複合部材とすることにより、ヒートシンク部の重量を増加させることなく、高い熱伝導と小さな熱膨張係数を有するヒートシンク用複合部材を得る。【選択図】　　　　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ金属マトリックス中に強化材が複合されたヒートシンク用複合部材であって、前記強化材が炭素繊維およびＳｉＣであることを特徴とするヒートシンク用複合部材。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、軽量でかつ熱伝導度の高いヒートシンク用複合部材に関する。特に、高度９０ｋｍ以上の高々度空間で使用される各種機材に装着される電子機器用プリント配線基板用モジュールとして好適な、軽量でかつ高熱伝導度のヒートシンク用複合部材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
高度９０ｋｍ以上の高々度空間で使用される各種機材に装着される電子機器用電子基板モジュール、特にヒートシンク機能を有する電子機器用電子基板モジュールとしては、その軽量性から、アルミニウムをヒートシンク用部材として用いた電子機器用電子基板モジュールが使用されている。しかしながらアルミニウムでは熱膨張係数が大きく、実装用のセラミックス基板との熱膨張係数の差が大きいため、ロウ付けなどの方法で接合すると反りや剥離が生じるという課題を有していた。したがって、こうした問題を解決するため最近、炭素繊維強化炭素（Ｃ／Ｃコンポジット）と銅の複合部材が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら特に宇宙帰還機のように、そのトンあたり打ち上げコストが２０億円を超すと言われている場合には、グラム単位での軽量化を目的として必死の努力が図られているのが現状であり、Ｃ／Ｃコンポジットと銅の複合部材は低熱膨張、高熱伝導といった優れた特性を有するが、銅の比重が９と大きいため、軽量化には限界があるという課題があった。
【０００４】
本発明者らは、上記課題に鑑み鋭意研究した結果、金属としてＳｉ金属を用いれば著しい軽量化が可能であることを着想し、さらに、強化材を高熱伝導、低熱膨張、軽量の材料である炭素繊維とＳｉＣとすることで、ヒートシンクの重量を増加させることなく、高い熱伝導と小さな熱膨張係数を有するヒートシンク用複合部材が得られるのではないかとの着想により本発明を完成するに至った。
【０００５】
すなわち、本発明の目的は、ヒートシンク機能を有する電子機器用電子基板モジュールにおいて、ヒートシンク部の重量を増加させることなく、高い熱伝導と小さな熱膨張係数を有するヒートシンク用複合部材を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記した本発明の目的は、Ｓｉ金属マトリックス中に強化材が複合されたヒートシンク用複合部材であって、前記強化材が炭素繊維およびＳｉＣであることを特徴とするヒートシンク複合用複合部材によって達成される。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明においては、Ｓｉ金属マトリックス中に強化材が複合されたヒートシンク用複合部材であって、前記強化材が炭素繊維およびＳｉＣであることを特徴とするヒートシンク複合用複合部材を提案している。ここで、Ｓｉ金属を選定した理由は、Ｓｉが比重が２．３と軽く、しかも、炭素繊維およびＳｉＣを強化材として複合化することが可能であるからである。
【０００８】
ここで、本発明においてヒートシンク用複合部材中の炭素繊維の含有率は４０体積％以上であることが好ましい。その理由は、炭素繊維の含有率が４０体積％未満では、熱伝導率が低下し、さらには複合部材の強度が低下するため好ましくないからである。
【０００９】
本発明において、マトリックスであるＳｉ金属の純度は９７％以上が好ましい。その理由は、Ｓｉ金属の純度が９７％未満では熱伝導率が低下し好ましくないからである。
【００１０】
本発明の複合部材の作製方法は慣用の方法を用いることができる。例を挙げて説明すれば以下のようになる。
まず、炭素繊維束あるいは炭素繊維の２次元織物と炭素あるいは樹脂を混合し、プレスなどの方法により成形してプリフォームとする。このプリフォームとＳｉ金属を炉内に設置、非酸化雰囲気中１５００〜２０００℃で加熱して溶融Ｓｉをプリフォーム中に浸透させ所望の複合部材を得る。このようにして得られた複合部材に必要に応じて機械加工を施し、ヒートシンク用複合部材を得る。
【００１１】
以下に、本発明の実施例と比較例をあげて本発明を詳細にについて説明する。
［実施例］
炭素繊維（三菱化学社製）とエポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製）を混合後、１００×１００ｍｍの金型に入れ、１００℃で加熱しながらプレスし、厚さ１０ｍｍのプリフォームを得た。このプリフォームの炭素繊維含有率は５０体積％であった。このプリフォームと純度９８％のＳｉ金属を炉内に設置し、１９００℃、Ａｒ雰囲気中で加熱することにより、溶融Ｓｉをプリフォーム中に浸透させて複合部材を得た。
この複合部材の比重をＪＩＳ１６３４に準拠する方法で測定したところ、２．３であった。また、この複合部材からφ１０×１ｍｍの試験片を切り出し、レーザーフラッシュ法で熱伝導率を測定したところ、２２０Ｗ／ｍＫであった。また、この複合部材から３×４×４０ｍｍの試験片を切り出し、ＪＩＳ１６０１に準拠する方法で曲げ強度を測定したところ、４５０ＭＰａと十分な強度を有していた。
また、この複合部材から４×４×２０ｍｍの試験片を切り出し、ＲＩＧＡＫＵ社製のＴＭＡ−８４１０を用いて室温〜２００℃の熱膨張係数を測定したところ、３．１×１０−６／℃と小さかった。
【００１２】
［比較例］
マトリックス金属をＣｕに変更し、また複合化の方法としては高圧鋳造法（プリフォームをセットした金型に１２００℃で溶融したＣｕを加圧注入して複合化する方法。）により複合部材を得た。また、実施例と同様にして複合部材の評価を行った。その結果、複合部材の比重は５．６と大きくなった。また、熱伝導率を測定したところ、２５０Ｗ／ｍＫであり、曲げ強度は３００ＭＰａであった。また、実施例と同様にして室温〜２００℃の熱膨張係数を測定したところ、７．８×１０−６／℃と大きかった。
【００１３】
以上の結果から、本発明によれば、マトリックス金属をＣｕとした場合より重さが半分以下と軽量で高熱伝導、低熱膨張の優れた特性を有するヒートシンク用複合部材を容易に作製することが可能となることが分かった。
【００１４】
【発明の効果】
このように本発明によれば、ヒートシンク機能を有する電子機器用電子基板モジュールにおいて、ヒートシンク部の重量を増加させることなく、高い熱伝導と小さな熱膨張係数を有するヒートシンク用複合部材を提供することが可能となる。
(57)【要約】　　　（修正有）【課題】簡単な構造で製造費用も抑えられ、また、多種の機器を同じマウントアングル及びマウントレールを用いて取り付けられる機器収納用ラックを提供する。【解決手段】マウントアングル８及びマウントレール９の折曲数を削減し、それぞれの幅が狭いので、通常使用されるマウントアングル及びマウントレール以外に、台板のスライド装置を取り付けるためのレールキット用マウントアングル１２や、背面取り付け型の機器を取り付けるためのリアマウントアングル１３等を、適宜任意の位置に取り付ける。【選択図】　　　　図２
2004055981.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
折曲形成されたマウントアングル及びマウントレールをラック本体に取り付け、各種機器等を前記マウントアングル及びマウントレールに支持固定させて収納する機器収納用ラックにおいて、前記マウントアングル及びマウントレールの折曲数を削減し、それぞれの幅寸法を小さくして前記マウントアングル及びマウントレールを複数または、他の形状のアングルやレールも同時に取り付けられることを特徴とする機器収納用ラック。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、折曲形成されたマウントアングル及びマウントレールをラック本体に取り付け、各種機器等を前記マウントアングル及びマウントレールに支持固定させて収納する機器収納用ラックに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来技術における機器収納用ラック３１は、図４に示すように、機器収納用ラック３１のサイドレール３２にマウントアングル３３及びマウントレール３４を一本ずつ取り付けていた。図５に示すように、マウントアングル３３は、サイドレール取り付け部３３ａと機器取り付け部３３ｂと前面機器取り付け部３３ｃとを五回折曲して形成していた。また、マウントレール３４は、サイドレール取り付け部３４ａと機器取り付け部３４ｂとを四回折曲して形成していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来技術によれば、マウントアングル及びマウントレールが複雑に折曲して形成されていたので、その製作費用がかかっていた。また、マウントアングル及びマウントレールが大きく、ラックに取り付けるときにスペースが多く必要であり、他の特殊機器用のレールを取り付けるスペースがとれない場合があった。または、搭載される機器によっては、特別に部材を用意することもあり、部品管理の手間など、作業性を悪くしていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明は、簡単な構造で製造費用も抑えられ、また、多種の機器を同じマウントアングル及びマウントレールを用いて取り付けられる機器収納用ラックを提供することを目的とし、その構造は、マウントアングル及びマウントレールの折曲数を削減し、それぞれの幅寸法を小さくしてマウントアングル及びマウントレールを複数または、他の形状のアングルやレールも同時に取り付けられることを特徴とする。
【０００５】
【発明の実施の形態】
本発明に係る機器収納用ラックは、ラック本体側面の前面側に三回折曲して形成されたマウントアングルを、背面側に二回折曲して形成されたマウントレールを取り付ける。また、機器収納用ラックに搭載する機器によっては、マウントアングルとマウントレールの中間に支持レールが必要な場合もあるので、その場合に、ひとつひとつのマウントアングル及びマウントレールの占める幅が少ないので、同時にいろいろな種類の複数のレールをラック本体に取り付けることが可能である。
【０００６】
【実施例】
本発明に係る機器収納用ラックの実施例を図１〜図２の添付図面に基づいて説明する。
【０００７】
各種機器を収納するための機器収納用ラック１は、フレーム２を組み付けて底面部を形成し底面部には底板３を取り付ける。底面部に柱４を立設し、柱４の上端部にフレーム２を組み付け天板部を形成する。天板部には天板５を取り付け、必要に応じて側面はパネル６で被覆し構成する。柱４にはサイドレール７を渡し、マウントアングル８及びマウントレール９はこのサイドレール７に固定する。
【０００８】
マウントアングル８は、側面機器取り付け部８ａとサイドレール取り付け部８ｂと前面機器取り付け部８ｃとを三回折曲して、形成する。それぞれの部分に、固定穴１０を任意の間隔で複数設ける。マウントアングル８は、ラック本体側面の前面側に取り付け、搭載される機器が前面取り付け型の場合、前面機器取り付け部８ｃに機器を固定する。
【０００９】
マウントレール９は、側面機器取り付け部９ａとサイドレール取り付け部９ｂとを二回折曲して形成する。それぞれの部分に、固定穴１１を任意の間隔で複数設ける。マウントレール９は、ラック本体側面の背面側に取り付け、搭載される機器が重い場合など、前面側をマウントアングル８に固定しながら、平面側からも支持するものである。
【００１０】
搭載される機器によっては、上記マウントアングル８とマウントレール９では、取り付けられない場合があるが、その場合は、マウントアングル８とマウントレール９の中間に、例えば、引き出すことのできるような台板のスライド装置を取り付けるためのレールキット用マウントアングル１２や、背面取り付け型の機器を取り付けることのできるような、リアマウントアングル１３等を、適宜任意の位置に取り付ける。従来のマウントアングルやマウントレールに比べると、本発明に係るマウントアングル８とマウントレール９は幅が狭いので、搭載される機器によっては、通常使用されるマウントアングル８とマウントレール９以外のアングルやレールも同時に取り付けることができる。
【００１１】
【発明の効果】
以上述べたように本発明に係る機器収納用ラックは、マウントアングル及びマウントレールの折曲数を削減し、それぞれの幅寸法を小さくしてマウントアングル及びマウントレールを複数または、他の形状のアングルやレールも同時に取り付けられるため、製作費用を抑えることができると共に、搭載される機器によって、変えていた部材等の、煩雑な部品管理の手間をはぶくことができ、作業性も向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る機器収納用ラックを示す斜視図である。
【図２】本発明に係る機器収納用ラックを示す一部斜視図である。
【図３】本発明に係る機器収納用ラックのマウントアングル及びマウントレールを示す正面図である。
【図４】従来技術における機器収納用ラックを示す一部斜視図である。
【図５】従来技術におけるマウントアングル及びマウントレールを示す断面図である。
【符号の説明】
１　　　機器収納用ラック
２　　　フレーム
３　　　底板
４　　　柱
５　　　天板
６　　　パネル
７　　　サイドレール
８　　　マウントアングル
８ａ　　前面機器取り付け部
８ｂ　　サイドレール取り付け部
８ｃ　　側面機器取り付け部
９　　　マウントレール
１０　　固定穴
１１　　固定穴
１２　　レールキット用マウントアングル
１３　　リアマウントアングル
【図１】
2004055981.tif 000003
【図２】
2004055981.tif 000004
【図３】
2004055981.tif 000005
【図４】
2004055981.tif 000006
【図５】
2004055981.tif 000007