(57)【要約】【課題】電気光学装置のパッド（端子部）と外部端子との間の接触抵抗が低く、接続の安定性に優れ、しかも端子間の絶縁性を十分に確保することができ、信頼性に優れた電気光学装置と外部端子との接続構造を提供する。【解決手段】パッド２０２とＦＰＣ２１４とを、接着剤層３１１に導電粒子３１２を分散させた異方性導電膜２１３を介して接続し、パッド２０２を、表示部に配線を介して電気的に接続された第１の金属層３０１と、第１の金属層３０１上に形成された第１の絶縁膜３０２と、第１の絶縁膜３０２上に形成された第２の絶縁膜３０３と、第２の絶縁膜３０３上に形成されかつコンタクトホール３０４、３０４を介して第１の金属層３０１と電気的に接続された第２の金属層３０５と、第２の金属層３０５上に形成された透明電極３０６とにより構成したことを特徴とする。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の端部近傍に設けられた端子部を介して入力された信号に対応して表示部にて画像を表示する電気光学装置と外部端子との接続構造であって、
前記端子部は、前記基板上に形成されかつ前記表示部に配線を介して電気的に接続された第１の金属層と、該第１の金属層上に形成された第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜上に形成され該第１の絶縁膜と異なる物質からなる第２の絶縁膜と、該第２の絶縁膜上に形成された第２の金属層と、該第２の金属層上に形成され外部と電気的に接続するための透明導電層とを備え、
前記第１の金属層と前記第２の金属層とは、前記第１及び第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続され、
該端子部に、異方性導電膜を介して前記外部端子を接続してなることを特徴とする電気光学装置と外部端子との接続構造。
【請求項２】
前記基板上に第３の金属層が形成され、該第３の金属層上に第３の絶縁膜が形成され、該第３の絶縁膜上に前記第１の金属層が形成され、
前記第３の金属層と前記第１の金属層とは、前記第３の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続されてなることを特徴とする請求項１記載の電気光学装置と外部端子との接続構造。
【請求項３】
前記異方性導電膜は導電粒子を含有し、該導電粒子は、前記透明導電層を貫通しかつ前記第２の金属層と電気的に接続してなることを特徴とする請求項１または２記載の電気光学装置と外部端子との接続構造。
【請求項４】
前記導電粒子は、平均粒子径が５μｍ以下であることを特徴とする請求項３記載の電気光学装置と外部端子との接続構造。
【請求項５】
前記第２の金属層は、前記表示部の反射層と同一の物質からなることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項記載の電気光学装置と外部端子との接続構造。
【請求項６】
前記第２の絶縁膜は、前記表示部の反射層の下層側に形成された光散乱用の凸部を形成するための絶縁膜と同一の物質からなることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項記載の電気光学装置と外部端子との接続構造。
【請求項７】
前記第２の絶縁膜は、感光性樹脂からなることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項記載の電気光学装置と外部端子との接続構造。
【請求項８】
前記透明導電層は、前記第２の金属層を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項記載の電気光学装置と外部端子との接続構造。
【請求項９】
前記第１の絶縁膜は、窒化物、酸化物のいずれか１種からなることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項記載の電気光学装置と外部端子との接続構造。
【請求項１０】
前記第３の絶縁膜は、窒化物、酸化物のいずれか１種からなることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項記載の電気光学装置と外部端子との接続構造。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれか１項記載の電気光学装置と外部端子との接続構造を備えてなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置と外部端子との接続構造及び電子機器に関し、特に、外部からの信号が入力されるパッド（端子部）と外部端子との間の接触抵抗が低く、接続の安定性に優れ、しかも端子間の絶縁性を十分に確保することが可能で、信頼性に優れた電気光学装置と外部端子との接続構造、及びこのような電気光学装置と外部端子との接続構造を備えた電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、液晶装置、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置等の表示装置として、マトリクス状に配置された多数の画素を、画素毎に駆動するために、各画素に薄膜半導体装置である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を設けたアクティブマトリクス型の表示装置が知られている。
例えば、アクティブマトリクス型の液晶表示装置へ信号を入出力するＩＣやＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）を接続する場合、この液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の縁辺に沿って配列された複数のパッド（端子部）に、ＩＣやＴＣＰ等の外部端子を異方性導電膜（ＡＣＦ）を用いて電気的に接続した構造が用いられている。
【０００３】
この液晶表示装置のパッド（端子部）と外部端子との接続構造としては、端子間の絶縁性を向上させるために、パッドとＩＣやＴＣＰ等の外部端子との接続部分以外を絶縁膜で覆った構造のものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
また、パッドを覆うように絶縁膜を形成し、このパッド上に異方性導電膜（ＡＣＦ）を介してコネクタ部材の端子部を載置し、このパッドとコネクタ部材を互いに加圧し、この異方性導電膜の導電粒子を前記絶縁膜を破砕して前記パッドの表面に接触させることで、パッドとコネクタ部材の端子部を接続した構造のものが提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特許第２５５５９８７号公報（第２−３頁、第１図）
【特許文献２】
特許第３２４０８０５号公報（第３頁、第２図）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記の接続部分以外を絶縁膜で覆った構造では、絶縁膜の厚みにバラツキがあるために、場合によっては絶縁性を保持するのに十分な厚みが確保されないことがあり、また、絶縁膜にピンホール等の欠陥が生じた場合、この欠陥部分から湿気が侵入して端子同士が導通状態になる虞があり、端子間の絶縁性を確保することができないという問題点があった。
また、上記のパッドとコネクタ部材の端子部を接続した構造では、パッドを覆う絶縁膜の厚みのバラツキや異方性導電膜の導電粒子の径のバラツキにより、パッドとコネクタ部材の端子部との接触抵抗が高くなってしまう虞があり、したがって、接続部分の信頼性が低下するという問題点があった。
【０００６】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであって、電気光学装置のパッド（端子部）と外部端子との間の接触抵抗が低く、接続の安定性に優れ、しかも端子間の絶縁性を十分に確保することができ、信頼性に優れた電気光学装置と外部端子との接続構造を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明の電気光学装置と外部端子との接続構造は、基板上の端部近傍に設けられた端子部を介して入力された信号に対応して表示部にて画像を表示する電気光学装置と外部端子との接続構造であって、前記端子部は、前記基板上に形成されかつ前記表示部に配線を介して電気的に接続された第１の金属層と、該第１の金属層上に形成された第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜上に形成され該第１の絶縁膜と異なる物質からなる第２の絶縁膜と、該第２の絶縁膜上に形成された第２の金属層と、該第２の金属層上に形成され外部と電気的に接続するための透明導電層とを備え、前記第１の金属層と前記第２の金属層とは、前記第１及び第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続され、該端子部に、異方性導電膜を介して前記外部端子を接続してなることを特徴とする。
【０００８】
この接続構造では、第１の金属層と第２の金属層との間に２層構造の絶縁膜を形成した端子部に、異方性導電膜を介して外部端子を接続する構成としたので、端子部と外部端子との間の接触抵抗が低くなり、接続部分が安定化する。これにより、接続部分の信頼性が向上する。
また、前記端子部は、第１の金属層と第２の金属層との間に２層構造の絶縁膜を形成した構成としたことにより、１層の絶縁膜を形成した場合と比べて金属層間の絶縁性が向上し、信頼性が向上する。
さらに、実装時に端子部に掛かる応力が２層構造の絶縁膜により緩和されるので、第１の金属層への応力の集中が緩和される。これにより、応力の集中に起因する断線不良等の不具合が生じる虞がなくなる。
【０００９】
また、この様な電気光学装置と外部端子との接続構造は、前記基板上に第３の金属層が形成され、該第３の金属層上に第３の絶縁膜が形成され、該第３の絶縁膜上に前記第１の金属層が形成され、前記第３の金属層と前記第１の金属層とは、前記第３の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続されてなることを特徴とするものであってもよい。
【００１０】
この様に構成することにより、重ねて形成された各金属層間の絶縁性が良好に保持され、絶縁性の低下を招く虞がない。その結果、信頼性が向上することとなる。
また、３種類の金属層を重ねて形成することが可能になるので、配線の冗長性が向上し、単位面積当たりの配線密度が向上する。その結果、さらなる小型化が可能になる。
【００１１】
また、この様な電気光学装置と外部端子との接続構造は、前記異方性導電膜は導電粒子を含有し、該導電粒子は、前記透明導電層を貫通しかつ前記第２の金属層と電気的に接続してなることを特徴とするものであってもよい。
この様に構成することにより、端子部の第２の金属層と外部端子との間の接触抵抗が低くなり、端子部と外部端子との接続部分が安定化する。したがって、端子部と外部端子との接続部分の信頼性が向上する。
【００１２】
また、この様な電気光学装置と外部端子との接続構造は、前記導電粒子の平均粒子径が５μｍ以下であることを特徴とするものであってもよい。
ここで、導電粒子の平均粒子径を５μｍ以下と限定した理由は、平均粒子径が５μｍを越えると、端子部に異方性導電膜を介して外部端子を加圧接続する際に、この導電粒子が破砕し易くなるために、導電粒子が透明導電層を貫通しない虞があり、したがって、端子部と外部端子との間の接触抵抗が高くなる虞があるからである。
【００１３】
また、この様な電気光学装置と外部端子との接続構造は、前記第２の金属層が前記表示部の反射層と同一の物質からなることを特徴とするものであってもよい。
この様に構成することにより、第２の金属層の形成は、表示部の反射層の形成と同時に行うことが可能になり、製造工程が削減され、その結果、製造コストが削減される。
【００１４】
また、この様な電気光学装置と外部端子との接続構造は、前記第２の絶縁膜が前記表示部の反射層の下層側に形成された光散乱用の凹凸部を形成するための絶縁膜と同一の物質からなることを特徴とするものであってもよい。
この様に構成することにより、第２の絶縁膜の形成は、表示部の光散乱用の凹凸部を形成するための絶縁膜の形成と同時に行うことが可能になり、製造工程が削減され、その結果、製造コストが削減される。
【００１５】
また、この様な電気光学装置と外部端子との接続構造は、前記第２の絶縁膜が感光性樹脂からなることを特徴とするものであってもよい。
この様に構成することにより、通常のフォトリソグラフィ技術を用いて、パターニングされた第２の絶縁膜をマスクとして第１の絶縁膜をパターニングすることが可能となり、第１の絶縁膜を成膜するためのレジスト塗布工程及びフォトリソグラフィ工程が不要となる。これにより、製造工程の短縮及び製造コストの低減が図られ、最終製品における低価格化が実現される。
また、感光性樹脂を用いたことで、膜厚等の制御が容易になり、第２の絶縁膜の膜厚の精度が向上する。
【００１６】
また、この様な電気光学装置と外部端子との接続構造は、前記透明導電層が、前記第２の金属層を覆うように形成されていることを特徴とするものであってもよい。
この様に構成することにより、第２の金属層への湿気の侵入による腐食が防止され、この第２の金属層の導電性が良好に保持される。その結果、第２の金属層の配線層としての機能を損なう虞がなくなり、信頼性が向上する。
【００１７】
また、この様な電気光学装置と外部端子との接続構造は、前記第１（第３）の絶縁膜が窒化物、酸化物のいずれか１種からなることを特徴とするものであってもよい。
この様に構成することにより、絶縁膜としての絶縁性が向上し、金属層に対して剥離等の不具合が生じる虞もない。
さらに、本発明の電子機器は、上記のような電気光学装置と外部端子との接続構造を備えてなることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の各実施の形態を図面を参照しつつ説明する。
「第１の実施形態」
本発明の第１の実施形態の電気光学装置と外部端子との接続構造について、図１〜図６を参照して説明する。
本実施の形態においては、電気光学装置としては、電気光学物質として液晶を用いたアクティブマトリクス方式の反射型液晶表示装置を、また、外部端子としては、この反射型液晶表示装置を駆動するドライバであり、この反射型液晶表示装置のパッド（端子部）にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｒａｓｓ）実装されるＬＳＩ（半導体装置）及びフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）を、それぞれ例に採り説明する。
【００１９】
図１は本実施形態の液晶表示装置と外部端子との接続構造に用いられる液晶表示装置の構成を示す平面図、図２は図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図、図３は、この液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図、図４は、この液晶表示装置の画像表示領域の画素の構造を示す拡大断面図、図５は、この液晶表示装置のパッド（端子部）にＬＳＩをＣＯＧ実装し、かつＦＰＣを実装した構造を示す側面図、図６は、この液晶表示装置のパッド（端子部）にＦＰＣを実装した構造を示す断面図である。
なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００２０】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶表示装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及びパッド（端子部）２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【００２１】
この液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図３に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、各画素１００ａには、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。ここで、データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００２２】
また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。また、反射層９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込むようになっている。
このようにして、反射層９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持されるようになっている。
【００２３】
この液晶表示装置１００においては、図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の基体としての透明なＴＦＴアレイ基板用のガラス基板１０’の表面に、厚さが１００ｎｍ〜５００ｎｍのシリコン酸化膜（絶縁膜）からなる下地保護膜１１が形成され、この下地保護膜１１の表面には、厚さが３０ｎｍ〜１００ｎｍの島状の半導体膜１が形成されている。半導体膜１の表面には、厚さが約５０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２が形成され、このゲート絶縁膜２の表面に、厚さが１００ｎｍ〜８００ｎｍの走査線３ａがゲート電極として形成されている。半導体膜１のうち、走査線３ａに対してゲート絶縁膜２を介して対向する領域がチャネル形成用領域１ａ’になっている。
【００２４】
このチャネル形成用領域１ａ’に対して一方側には、低濃度領域１ｂおよび高濃度ソース領域１ａを備えるソース領域が形成され、他方側には低濃度領域１ｂおよび高濃度ドレイン領域１ｄを備えるドレイン領域が形成され、その中間には、ソース、ドレインのどちらの領域にも属さない高濃度領域１ｃが形成されている。
また、高濃度ドレイン領域１ｄからの延設部分１ｆに対しては、ゲート絶縁膜２と同時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して、走査線３ａと同層の容量線３ｂが上電極として対向することにより、蓄積容量６０が構成されている。
【００２５】
一方、画素スイッチング用のＴＦＴ３０の表面側には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜４、および厚さが１００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜５が形成されている。この第１層間絶縁膜４の表面には厚さが１００ｎｍ〜８００ｎｍのデータ線６ａが形成され、このデータ線６ａは、第１層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホール８を介して高濃度ソース領域１ａに電気的に接続されている。
【００２６】
第２層間絶縁膜５上には、アクリル樹脂を主体として構成される感光性樹脂からなる表面保護層（絶縁膜）７が形成され、表面保護層７の表面にはなだらかな湾曲面を有する凹凸部パターン９ｇが形成されている。なお、図４では、凹凸部パターンとして凸構造を形成するように図示しているが、逆に凹構造を形成することもできる。表面保護層７は、透明性の高い樹脂からなり、具体的には波長４００ｎｍの光の透過率が９５％以上の樹脂から構成されている。すなわち、アクリル樹脂にみられる黄色の色付きを所定の方法により回避した構成となっている。
【００２７】
そして、表面保護層７の上層には、アルミニウムや銀、もしくはこれらの合金、またはこれらの金属膜とチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等の金属膜との積層膜からなる反射層９が形成されている。反射層９には、各画素毎に開口部９ｄが形成され、該反射層９及び該開口部９ｄ上には、ＩＴＯ等の透明導電膜から構成される透明電極９１が形成されている。そして、図示しないバックライトからの光を前記開口部９ｄから透過させることによって、透過表示可能としている。また、透明電極９１の表面側にはポリイミド膜からなる配向膜１２が形成されており、この配向膜１２の表面側には、ラビング処理が施されている。
【００２８】
また、対向基板２０においては、対向基板側のガラス基板２０’上であって、ＴＦＴアレイ基板１０上の反射層９の縦横の境界領域と対向する領域に、ブラックマトリクスまたはブラックストライプと称せられる遮光膜２３が形成され、その上層側にはＩＴＯ膜からなる対向電極２１が形成され、この対向電極２１の上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜２２が形成されている。そして、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶５０が封入されている。
【００２９】
上記のパッド（端子部）２０２各々には、図５に示すように、外部端子である液晶表示装置駆動用ドライバのＬＳＩ（半導体装置）２１１のバンプ２１２が異方性導電膜（ＡＣＦ）２１３を介してＣＯＧ実装されるとともに、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）２１４の一端部２１４ａが異方性導電膜（ＡＣＦ）２１３を介して接続されている。
【００３０】
このパッド２０２は、図６に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の基体としての透明なＴＦＴアレイ基板用のガラス基板１０’上のパッド（端子部）の形成領域の、表示部側の端部を含む領域を除いた領域に形成されたもので、このガラス基板１０’の全面に形成されたシリコン酸化膜からなる下地保護膜１１上に形成されかつ表示部に金属配線を介して電気的に接続された第１の金属層３０１と、第１の金属層３０１上にこれを覆うように形成された第１の絶縁膜３０２と、第１の絶縁膜３０２上に形成され第１の絶縁膜３０２と異なる物質からなる第２の絶縁膜３０３と、第２の絶縁膜３０３上に形成されるとともに、第１の絶縁膜３０２及び第２の絶縁膜３０３に連通して形成されたコンタクトホール３０４、３０４を介して第１の金属層３０１と電気的に接続された第２の金属層３０５と、第２の金属層３０５全体を覆うように形成されたＩＴＯ等からなる透明電極（透明導電層）３０６とにより構成されている。
【００３１】
第１の金属層３０１は、データ線６ａ、すなわちＴＦＴ３０のソース配線に電気的に接続されるもので、導電性の良い金属であればよく、特に限定されないが、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ等が好適である。
第１の絶縁膜３０２は、絶縁性の良い無機化合物であればよく、特に限定されないが、例えば、ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４等の窒化物、あるいはＳｉＯ２等の酸化物が好適である。
【００３２】
第２の絶縁膜３０３は、第１の絶縁膜３０２と異なるものであればよく、特に限定されないが、例えば、絶縁性に優れかつ可視光あるいは紫外線に対して感光性を有する樹脂、例えば、ｉ線の波長の光に対して感光性を有するアクリル樹脂等が好適である。
この第２の絶縁膜３０３は、反射層９の下層側に形成された光散乱用の凹凸部を形成するための表面保護層（絶縁膜）７と同一の物質により構成されている。
【００３３】
第２の金属層３０５は、導電性の良い金属であればよく、特に限定されないが、製造工程の短縮及び製造コストの削減の観点から上記の反射層９と同一の物質からなるものであることが好ましい。これにより、反射機能及び導電性に優れた物質として、Ａｌ等の導電性の良い金属を挙げることができる。
この第２の金属層３０５は、スパッタ法等により、第２の絶縁膜３０３上にＡｌ等からなる導電性に優れた金属膜を成膜し、この金属膜にレジストマスクを介してエッチングを行うことにより形成される。
また、この第２の金属層３０５と同時に、この第２の金属層３０５と同一の材質からなる金属膜を表面保護膜７上に成膜し、この金属膜にレジストマスクを介してエッチングを行うことにより、表示部の反射層９も同時に形成される。
【００３４】
異方性導電膜２１３は、図６に示すように、柔軟性のある接着剤層３１１に多数の導電粒子３１２が分散されたもので、導電粒子３１２としては、例えば、銀（Ａｇ）、銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）合金、ニッケル（Ｎｉ）、導電性樹脂等からなる粒状の導電物質、あるいは粒状の樹脂の表面に金属メッキが施された導電物質が好適に用いられる。
導電粒子３１２の平均粒子径は、５μｍ以下であることが好ましい。
【００３５】
ここで、導電粒子３１２の平均粒子径を５μｍ以下としたのは、平均粒子径が５μｍを越えると、パッド２０２に異方性導電膜２１３を介してＬＳＩ２１１のバンプ２１２やＦＰＣ２１４の一端部２１４ａを加圧接続する際に、この導電粒子３１２が破砕し易くなり、導電粒子３１２が透明電極３０６を貫通しない虞があり、したがって、パッド２０２と、ＬＳＩ２１１のバンプ２１２やＦＰＣ２１４の一端部２１４ａとの間の接触抵抗が高くなる虞があるからである。
【００３６】
ここで、上記のパッド２０２にＦＰＣ２１４を実装するには、図６に示すように、ＦＰＣ２１４の一端部２１４ａに異方性導電膜２１３を貼着し、このＦＰＣ２１４をパッド２０２上に載置し、このＦＰＣ２１４上に加圧用のプレート（図示せず）を載置する。次いで、これらＦＰＣ２１４及びパッド２０２により異方性導電膜２１３を挟持した状態で、加圧用のプレートによりＦＰＣ２１４に所定の圧力を加える。
【００３７】
この場合、接着剤層３１１は柔軟性があるために、加圧により変形し薄厚化するが、導電粒子３１２はその硬度がパッド２０２の最上層の透明電極３０６より高いので、加圧によっても破砕したりすることなく、透明電極３０６にくい込み、これを貫通し、その下層の第２の金属層３０５に接触することとなる。
これにより、ＦＰＣ２１４の一端部２１４ａは、異方性導電膜２１３を介してパッド２０２の第２の金属層３０５に電気的に接続される。
【００３８】
この導電粒子３１２は、透明電極３０６を貫通し第２の金属層３０５に接触しているので、導電粒子３１２を介してパッド２０２とＦＰＣ２１４の一端部２１４ａとが接続されることとなり、パッド２０２とＦＰＣ２１４の一端部２１４ａとの間の接触抵抗は低抵抗となり、パッド２０２とＦＰＣ２１４との間の接続が安定化する。これにより、接続部分の信頼性が向上する。
【００３９】
このＦＰＣ２１４の実装と全く同様にして、上記のパッド２０２にＬＳＩ２１１のバンプ２１２をＣＯＧ実装することができる。
まず、このパッド２０２上に異方性導電膜２１３を端子部全体を覆うように貼着し、この異方性導電膜２１３上にＬＳＩ２１１のバンプ２１２を載置し、ＬＳＩ２１１上に加圧用のプレート（図示せず）を載置する。次いで、これらＬＳＩ２１１のバンプ２１２及びパッド２０２により異方性導電膜２１３を挟持した状態で、加圧用のプレートによりＬＳＩ２１１に所定の圧力を加える。
【００４０】
この場合においても、ＦＰＣ２１４の実装と全く同様にして、異方性導電膜２１３を構成している導電粒子３１２は加圧によっても破砕したりすることなく、パッド２０２の最上層の透明電極３０６にくい込み、貫通し、その下層の第２の金属層３０５に接触することとなる。
これにより、ＬＳＩ２１１のバンプ２１２は、異方性導電膜２１３を介してパッド２０２の第２の金属層３０５に電気的に接続される。
【００４１】
このＬＳＩ２１１のＣＯＧ実装においても、導電粒子３１２が透明電極３０６を貫通し第２の金属層３０５に接触しているので、導電粒子３１２を介してパッド２０２とバンプ２１２とが接続されることとなり、パッド２０２とバンプ２１２との間の接触抵抗が低抵抗となり、パッド２０２とバンプ２１２との間の接続が安定化する。これにより、接続部分の信頼性が向上する。
【００４２】
以上説明したように、本実施形態の液晶表示装置と外部端子との接続構造によれば、第１の金属層３０１と第２の金属層３０５との間に２層構造の絶縁膜３０２、３０３を形成したパッド２０２に、外部端子であるＬＳＩ２１１のバンプ２１２及びＦＰＣ２１４の一端部２１４ａを異方性導電膜２１３を介して接続したので、パッド２０２と、ＬＳＩ２１１及びＦＰＣ２１４との間の接触抵抗を低抵抗化することができ、これら接続部分を安定化させることができる。したがって、接続部分の信頼性を向上させることができる。
【００４３】
また、パッド２０２を、第１の金属層３０１と第２の金属層３０５との間に２層構造の絶縁膜３０２、３０３を形成した構成としたので、１層の絶縁膜を形成した場合と比べて金属層３０１、３０５間の絶縁性を向上させることができ、したがって、パッド２０２の信頼性を向上させることができる。
さらに、実装時にパッド２０２に掛かる応力を２層構造の絶縁膜３０２、３０３により緩和することができるので、第１の金属層３０１への応力の集中を緩和することができ、応力の集中に起因する断線不良等の不具合を防止することができる。
【００４４】
また、第２の金属層３０５に、Ａｌ等の導電性の良い金属を用いたので、パッド２０２の抵抗を低くすることができ、コンタクト抵抗を低減することができる。  また、第１の金属層３０１、第２の金属層３０５のいずれかが断線した場合においても、この断線した一方の金属層はコンタクトホール３０４、３０４を介して他方の金属層に常に電気的に接続されているので、接続不良を生じる虞がなくなる。したがって、電気的接続の安定性及び信頼性を向上させることができ、その結果、液晶表示装置の動作及び接続の安定性及び信頼性を向上させることができる。
【００４５】
「第２の実施形態」
図７は、本発明の第２の実施形態のアクティブマトリクス方式の反射型液晶表示装置と外部端子との接続構造を示す断面図であり、本実施形態のパッド４０１が第１の実施形態のパッド２０２と異なる点は、第１の実施形態のパッド２０２では、下地保護膜１１上に、ＴＦＴ３０のソース配線となる第１の金属層３０１を直接形成したのに対し、本実施形態のパッド４０１では、下地保護膜１１上に、ＴＦＴ３０のゲート配線となる第３の金属層４０２を形成し、この第３の金属層４０２を覆うように層間絶縁膜（第３の絶縁膜）４０３を形成し、この層間絶縁膜４０３の所定位置にコンタクトホール４０４、４０４を形成し、さらに、この層間絶縁膜４０３上に上記の第１の金属層３０１を形成し、この第３の金属層４０２と第１の金属層３０１とを、コンタクトホール４０４、４０４を介して電気的に接続した点である。
【００４６】
第３の金属層４０２は、導電性の良い金属であればよく、特に限定されないが、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ等が好適である。
層間絶縁膜４０３は、絶縁性の良い無機化合物であればよく、特に限定されないが、例えば、ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４等の窒化物、あるいはＳｉＯ２等の酸化物が好適である。
【００４７】
このパッド４０１を作製するには、まず、スパッタ法等により、下地保護膜１１上に、ＴＦＴ３０のゲート配線となる第３の金属層４０２を３００ｎｍ〜    ７００ｎｍの厚さに成膜し、次いで、この第３の金属層４０２をドライエッチングにより所定の形状にパターニングする。次いで、このパターニングされた第３の金属層４０２を覆うように、ＣＶＤ法等により、シリコン酸化膜を５００ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さに成膜し層間絶縁膜４０３とする。
その後、第１の実施形態の電気光学装置の製造方法に準じて、この層間絶縁膜４０３上に、第１の金属層３０１〜透明電極３０６を順次形成する。
【００４８】
本実施形態の液晶表示装置と外部端子との接続構造によれば、パッド４０１とＦＰＣ２１４との間の接触抵抗を低抵抗化することができ、これら接続部分を安定化させることができる。したがって、接続部分の信頼性を向上させることができる。
【００４９】
しかも、このパッド４０１のＴＦＴ３０のゲート配線となる第３の金属層４０２と、ＴＦＴ３０のソース配線となる第１の金属層３０１とを、層間絶縁膜４０３を介して形成したので、このパッド４０１にフレキシブルプリント基板等を実装する際に、このパッド４０１に掛かる圧力を緩和することができる。したがって、応力の集中に起因する断線不良等の不具合が生じる虞がない。その結果、金属配線の信頼性を向上させることができる。
また、第３の金属層４０２、第１の金属層３０１及び第２の金属層３０５を重ねて形成することができるので、配線の冗長性が向上し、単位面積当たりの配線密度を向上させることができ、その結果、さらなる小型化を図ることができる。
【００５０】
「第３の実施形態」
図８は、本発明の第３の実施形態のアクティブマトリクス方式の反射型液晶表示装置と外部端子との接続構造を示す断面図であり、ＴＦＴアレイ基板用のガラス基板１０’上のパッド２０２に、外部端子であるプリント基板（ＰＣ）５０１の一端部５０１ａが異方性導電膜（ＡＣＦ）２１３を介して接続され、このプリント基板（ＰＣ）５０１には、液晶表示装置駆動用ドライバのＬＳＩ２１１が実装されている。
【００５１】
このパッド２０２及び異方性導電膜（ＡＣＦ）２１３は、第１の実施形態のパッド２０２及び異方性導電膜（ＡＣＦ）２１３と全く同様の構成である。
なお、このパッド２０２は、必要に応じて第２の実施形態のパッド４０１に替えてもよい。
【００５２】
本実施形態の液晶表示装置と外部端子との接続構造によれば、パッド２０２とプリント基板（ＰＣ）５０１との間の接触抵抗を低抵抗化することができ、これら接続部分を安定化させることができる。したがって、接続部分の信頼性を向上させることができる。
【００５３】
しかも、パッド２０２に、異方性導電膜（ＡＣＦ）２１３を介して液晶表示装置駆動用ドライバのＬＳＩ２１１を実装したプリント基板（ＰＣ）５０１を接続したので、ガラス基板１０’上にＬＳＩ２１１を実装するためのスペースを用意する必要がなく、パッドの部分の省スペース化を図ることができる。
【００５４】
［電子機器］
上記の実施形態のアクティブマトリクス方式の反射型液晶表示装置と外部端子との接続構造を備えた電子機器の例について説明する。
図９は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図９において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の液晶表示装置と外部端子との接続構造を用いた液晶表示部を示している。
【００５５】
図９に示す電子機器が、上記の第１の実施形態の液晶表示装置と外部端子との接続構造を備えている場合、パッド部と外部端子との接続部分におけるコンタクト抵抗を低減することができ、接続不良等の不具合が生じる虞がなくなる。また、パッド部と外部端子との接続部分における絶縁性が良好に保持されるので、金属配線の信頼性を向上させることができる。したがって、電気的接続の安定性及び信頼性を向上させることができ、その結果、液晶表示部の動作及び接続の安定性及び信頼性を向上させることができる。
【００５６】
また、図９に示す電子機器が、上記の第２の実施形態の液晶表示装置と外部端子との接続構造を備えている場合、上記の第１の実施形態の液晶表示装置と外部端子との接続構造を備えている場合の効果に加えて、配線の冗長性の向上、単位面積当たりの配線密度の向上という効果を奏することができ、その結果、さらなる小型化を図ることができる。
【００５７】
なお、本発明の技術範囲は上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記の実施形態では、ＴＦＴをスイッチング素子としたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置に本発明を適用した例を示したが、その他、ＴＦＤをスイッチング素子としたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置、あるいは一対の基板の各々に走査電極、データ電極を備えたパッシブマトリクス方式の液晶表示装置に本発明を適用することができる。
【００５８】
また、上記の実施形態の画素電極では、反射膜上に透明電極が形成された構成としたが、透明電極上に反射膜が形成された構成に対しても、本発明を適用することができる。
さらに、上記の実施形態では、反射型の液晶表示装置に本発明の液晶表示装置と外部端子との接続構造を適用した例を示したが、反射板を用いない透過型の液晶表示装置に対しても本発明を適用することができる。
【００５９】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明の電気光学装置と外部端子との接続構造によれば、基板上の端子部に異方性導電膜を介して外部端子を接続したので、端子部と外部端子との間の接触抵抗を低抵抗化することができ、これら接続部分を安定化させることができる。したがって、接続部分の信頼性を向上させることができる。
【００６０】
また、前記端子部を、表示部に配線を介して電気的に接続された第１の金属層と、該第１の金属層上に形成された第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜上に形成され該第１の絶縁膜と異なる物質からなる第２の絶縁膜と、該第２の絶縁膜上に形成された第２の金属層と、該第２の金属層上に形成され外部と電気的に接続するための透明導電層とを備え、前記第１の金属層と前記第２の金属層とを、前記第１及び第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続したので、１層の絶縁膜を形成した場合と比べて金属層間の絶縁性を向上させることができ、端子部の信頼性を向上させることができる。
また、実装時に端子部に掛かる応力を２層構造の絶縁膜により緩和することができるので、第１の金属層への応力の集中を緩和することができ、応力の集中に起因する断線不良等の不具合を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【図３】同液晶表示装置の画像表示領域の等価回路図である。
【図４】同液晶表示装置の画像表示領域の画素の構造を示す拡大断面図である。
【図５】同液晶表示装置のパッドとＬＳＩ及びＦＰＣとの接続構造を示す側面図である。
【図６】同液晶表示装置のパッドとＦＰＣとの接続構造を示す拡大断面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態の液晶表示装置のパッドとＦＰＣとの接続構造を示す拡大断面図である。
【図８】本発明の第３の実施形態の液晶表示装置のパッドとＰＣとの接続構造を示す側面図である。
【図９】本発明の第１〜第３の実施形態の液晶表示装置と外部端子との接続構造を備えた電子機器の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
１００  液晶表示装置
１０’  ガラス基板
２０２  パッド（端子部）
９  反射層
２１１  ＬＳＩ（半導体装置）
２１２  バンプ
２１３  異方性導電膜（ＡＣＦ）
２１４  フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）
３０１  第１の金属層
３０２  第１の絶縁膜
３０３  第２の絶縁膜
３０４  コンタクトホール
３０５  第２の金属層
３１１  接着剤層
３１２  導電粒子
４０１  パッド（端子部）
４０２  第３の金属層
４０３  層間絶縁膜（第３の絶縁膜）
４０４  コンタクトホール
５０１  プリント基板（ＰＣ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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