(57)【要約】【課題】電気光学装置において優れた平坦性を有する配向膜等を備えることによって配向不良等の生じる可能性を減退させ、高品質な画像を表示可能とする。【解決手段】電気光学装置は、走査線（３ａ）及びデータ線（６ａ）並びにこれらの交差領域に対応するように配置されたＴＦＴ（３０）及び画素電極（９ａ）を備え、更に、前記ＴＦＴ及び前記画素電極間に形成された層間絶縁膜（４４）と、これに開孔されＴＦＴ及び画素電極を電気的に接続するためのコンタクトホール（８９）と、その内表面に形成された導電性の接着層（６０１）と、該接着層の上且つ前記コンタクトホールの内部を埋めるように形成された導電層（５０１）とを備えてなり、前記層間絶縁膜の表面は、前記のコンタクトホール、接着層及び導電層の形成領域を含んで平坦化されている。【選択図】      図３
2004184495.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一定の方向に延在する走査線及び該走査線に交差する方向に延在するデータ線と、該走査線及び該データ線の交差領域に対応するように配置されたスイッチング素子及び画素電極とを備えた電気光学装置であって、
前記スイッチング素子及び前記画素電極間に形成された層間絶縁膜と、
該層間絶縁膜に開孔され前記スイッチング素子及び前記画素電極を電気的に接続するためのコンタクトホールと、
前記コンタクトホールの内表面に形成された導電性の接着層と、
前記接着層の上且つ前記コンタクトホールの内部を埋めるように形成された導電層とを備えてなり、
前記層間絶縁膜の表面は、前記コンタクトホール、前記接着層及び前記導電層の形成領域を含んで平坦化されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
一定の方向に延在する走査線及び該走査線に交差する方向に延在するデータ線と、該走査線及び該データ線の交差領域に対応するように配置されたスイッチング素子及び画素電極とを備えた電気光学装置であって、
前記スイッチング素子及び前記画素電極間に形成された遮光膜と、
前記遮光膜と同一膜として形成され前記スイッチング素子及び前記画素電極間の電気的接続を仲介する中継層と、
該中継層及び前記画素電極間に形成された層間絶縁膜と、
該層間絶縁膜に開孔され前記中継層及び前記画素電極を電気的に接続するためのコンタクトホールと、
前記コンタクトホールの内部を埋めるように形成された導電層と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
前記コンタクトホールの内表面に形成された導電性の接着層を更に備えてなり、
前記導電層は、前記接着層の上に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記層間絶縁膜の表面は、前記コンタクトホール及び前記導電層の形成領域を含んで平坦化されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記接着層の厚さは、１０ｎｍ〜３００ｎｍであることを特徴とする請求項１、３及び４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記コンタクトホールの開口部の面積は、当該コンタクトホールの底面の面積よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記コンタクトホールの開口径は、１．２μｍを越えないことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記コンタクトホール及び前記導電層の形成領域の上且つ前記層間絶縁膜の上には、ラビング処理が施された配向膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
一定の方向に延在する走査線及び該走査線に交差する方向に延在するデータ線並びに該走査線及び該データ線の交差領域に対応するように配置されたスイッチング素子及び画素電極を備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
前記画素電極の下地としての層間絶縁膜を形成する工程と、
該層間絶縁膜の表面に平坦化処理を施す第１平坦化工程と、
該第１平坦化工程の後に前記層間絶縁膜にコンタクトホールを開孔する開孔工程と、
前記コンタクトホールの内部を埋めるように導電層を形成する工程と、
前記コンタクトホール及び前記導電層の形成領域を含む前記層間絶縁膜の表面に平坦化処理を施す第２平坦化工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記開孔工程の後、前記コンタクトホールの内表面に接着層を形成する工程を更に含み、
前記導電層は、前記接着層の上に形成されることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記開孔工程は、第一にドライエッチングを実施した後に、第二にウェットエッチングを実施する工程を含むことを特徴とする請求項９又は１０に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記接着層を形成する工程はスパッタリング工程を含み、
前記導電層を形成する工程はＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を含むことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器の技術分野に属し、特に、基板上のスイッチング素子及び画素電極を接続するコンタクトホールが設けられる電気光学装置及びその製造方法、並びにそのような電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器の技術分野に属する。また、本発明は、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置、或いは電子ペーパ等の電気泳動装置の技術分野にも属する。
【０００２】
【背景技術】
マトリクス状に配列された画素電極及び該電極の各々に接続された薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下適宜、「ＴＦＴ」という。）、該ＴＦＴの各々に接続され、行及び列方向それぞれに平行に設けられた走査線及びデータ線等を備えることによって、いわゆるアクティブマトリクス駆動が可能な電気光学装置が知られている。
【０００３】
このような電気光学装置においては、上述したＴＦＴ、走査線及びデータ線に加え、ＴＦＴに付随して蓄積容量等が形成されたＴＦＴアレイ基板、これに対向配置され共通電極が形成された対向基板、並びにＴＦＴアレイ基板及び対向基板間に挟持された液晶等の電気光学物質等を備え、前記画素電極及び前記共通電極間に所定の電位差を設け、前記電気光学物質の状態を画素毎に変化させることで、画像を表示することが可能である。例えば、電気光学物質が液晶であれば、画素毎の電気光学物質の状態の変化は、画素毎の光の透過率の変化がもたらされることを意味し、これによって画像表示が可能となる。
【０００４】
ところで、前記ＴＦＴアレイ基板上では、ＴＦＴ、走査線及びデータ線等の各種の構成要素が積層構造をなして形成されることが一般的である。例えば、基板面から順に、ＴＦＴ、シリコン酸化膜・シリコン窒化膜等からなる層間絶縁膜、蓄積容量（下部電極、誘電体膜及び上部電極）、別の層間絶縁膜並びにデータ線等というようである。なお、前記の画素電極は、通常、このような積層構造の最上層部分の一部として設けられ、また、前記電気光学物質が液晶である場合には、該画素電極上に、液晶の配向を所定の状態に保つための配向膜が設けられることがある。
【０００５】
この際、各種構成要素間には、これらの間で電気的な短絡等が生じないようにするため、上述したように層間絶縁膜が形成されることになるが、これと同時に、例えばＴＦＴのドレイン及び画素電極間その他の特定の構成要素間では電気的な接続を図らなければならないから、前記層間絶縁膜の所定の箇所には、そのためのコンタクトホールが設けられる。このコンタクトホールは、一般に、層間絶縁膜に対するドライエッチング等によって形成される（なお、このような層間絶縁膜に対して平坦化処理を施す技術として、特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】
特開２０００−２５８７９６号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構造を有する電気光学装置においては、次のような問題点があった。すなわち、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールにより、積層構造物の平坦性が損なわれることである。例えば、最上層部分、例えば前記配向膜に、その下層として設けられているコンタクトホールの位置に対応した凹部が形成される可能性があった。これは、コンタクトホールが、その名のとおり、内部に空洞部分を有するがためである。
【０００８】
このように、配向膜に凹部が形成されると、それに応じて液晶の配向状態に乱れが生じる恐れがあり、画像の品質を低下せしめる可能性がある。例えば、液晶の配向状態に乱れが生じることによって、本来であれば、その全面が黒色で塗りつぶされた画像を表示したいのに、前記乱れ部分における光漏れが生じることで、コントラストの低下を招くというが如くである。
【０００９】
また、配向膜の下層として設けられているコンタクトホールの位置に対応した凹部が形成されると、該配向膜が例えばポリイミド等の有機材料から構成されている場合において、該配向膜に対するラビング処理を実施しなければならないことを原因とした不都合が生じる。ここでラビング処理とは、回転金属ローラ等に巻き付けたバフ布で、焼成後の配向膜表面を一定方向に擦る処理をいう。いま、前記の凹部付近をラビング処理する場合を想定するとともに、該凹部を中心としたバフ布の毛先の動きに着目すると、当初、毛先は凹部の手前を擦り、やがて凹部に至り、最後に凹部を抜ける（更に凹部が存在すれば、次の凹部の手前を擦る、ということが繰り返される）ことになるが、このうち凹部を抜ける段階においては、毛先はその直前、該凹部の空洞部分に落ち込んでいるが如き状態になっているから、再び配向膜の表面に毛先が現れるためには、該凹部の縁を擦り上げていくような状態を経なければならない。この場合、毛先は比較的大きな抵抗を受けることになる。すると、これと同時に、当該凹部の縁もまた、毛先より大きな力を受けることになるから、その結果、当該部分における配向膜が剥がれ落ちてしまう場合があったのである。これによると、本来維持されるべき所望の配向膜の厚さが減少してしまうという不具合が発生することとなり、また、剥がれ落ちた配向膜の残滓が前記凹部ないしはコンタクトホール内部に詰まるなどという不具合も発生することになる。更には、前記残滓が、配向膜上に万一残存してしまうと、画像の表示に悪影響を及ぼす可能性も出てくることになる。
【００１０】
加えて、前記コンタクトホールは、その下層に位置する何らかの要素と、該コンタクトホール内部を含んで形成される何らかの要素（以下、上部要素という。）との電気的接続を図るために用いられるものであるが、該コンタクトホールの開口部の縁付近は、急激に落ち込んだ形態となっているため、前記上部要素を形成する場合においては、いわゆるカバーレッジの悪化という問題が生じる。すなわち、前記コンタクトホールの開口部の縁付近では、上部要素の成膜を十分に行うことができず、当該上部要素において断線その他の電気的に不連続な部分を生じさせてしまうおそれがあるのである。
【００１１】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、優れた平坦性を有する配向膜等を備えることによって配向不良等の生じる可能性を減退させ、高品質な画像を表示可能な電気光学装置及びその製造方法を提供することを課題とする。また、本発明は、画素電極及びスイッチング素子間の電気的接続を良好に実現可能なことにより、正確な動作及び高品質画像表示が可能な電気光学装置及びその製造方法を提供することをも課題とする。さらに、本発明は、かかる電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の電気光学装置は、上記課題を解決するため、一定の方向に延在する走査線及び該走査線に交差する方向に延在するデータ線と、該走査線及び該データ線の交差領域に対応するように配置されたスイッチング素子及び画素電極とを備えた電気光学装置であって、前記スイッチング素子及び前記画素電極間に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜に開孔され前記スイッチング素子及び前記画素電極を電気的に接続するためのコンタクトホールと、前記コンタクトホールの内表面に形成された導電性の接着層と、前記接着層の上且つ前記コンタクトホールの内部を埋めるように形成された導電層とを備えてなり、前記層間絶縁膜の表面は、前記コンタクトホール、前記接着層及び前記導電層の形成領域を含んで平坦化されている。
【００１３】
本発明の第１の電気光学装置によれば、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子に対し、走査線を通じて走査信号を供給することで、当該スイッチング素子のＯＮ・ＯＦＦ動作を司るとともに、当該スイッチング素子にデータ線を通じて画像信号を供給することで、該スイッチング素子がＯＮのときに、該画像信号が該スイッチング素子を介して画素電極に供給されるように構成しておけば、いわゆるアクティブマトリクス駆動を行うことができる。
【００１４】
そして本発明では特に、スイッチング素子及び画素電極間に形成された層間絶縁膜に、これらの間を電気的に接続するためのコンタクトホールが形成されており、更に、該コンタクトホールの内部を埋めるように導電層が形成されている。これにより、本発明では、まず、該コンタクトホールの空洞部分をなくすこと（即ち、該空洞部分が導電層に置換されたが如き状態になる。）が可能となる。よって、当該コンタクトホールないしこれが開孔された層間絶縁膜の上に、前記画素電極、或いは配向膜等を形成する場合において、該画素電極或いは該配向膜の表面に前記空洞部分に原因する凹部が形成されることがない。つまり、該画素電極或いは該配向膜の表面の平坦性を極めて好適に確保することが可能となるのである。
【００１５】
そして、このように配向膜の表面の平坦性がきわめて良好に確保されることによれば、該配向膜に対するラビング処理を好適に実施することができる。例えば、本発明によれば、背景技術の項で述べたように、前記凹部の縁における過大な力の作用によって配向膜が剥がれ落とされるなどという事象の発生を抑制することができることになる。
【００１６】
また、本発明によれば、コンタクトホールの内部を埋めるように導電層が形成されることによって、該コンタクトホールの上層として形成される画素電極等を、該コンタクトホールの内部をも含めて成膜するという必要がなくなる。これによると、該コンタクトホールの開口部の縁付近におけるカバーレッジに係る問題について特に懸念する必要がなくなることから、該コンタクトホールを介して接続されるべき画素電極及び該コンタクトホールの下端に接すべき何らかの要素、ひいては該画素電極及びスイッチング素子間の電気的導通を良好に実現することができることになる。
【００１７】
更に加えて、本発明においては、前記層間絶縁膜の表面が、前記コンタクトホール、前記導電層及び前記接着層の形成領域を含めて平坦化されている。これによれば、前述の平坦化に係る作用効果は、更に効果的に享受され得ることになる。
【００１８】
以上により、本発明の電気光学装置によれば、配向膜は所望どおりの膜厚を維持することとなり、該配向膜の残滓が発生するという事態を抑制することができる。また、スイッチング素子及び画素電極間の電気的接続も良好に実現することが可能となる。さらに、これらのことから、本発明の電気光学装置によれば、高品質な画像の表示が可能となる。
【００１９】
ちなみに、本発明のように、層間絶縁膜の表面が平坦化された構成では特に、コンタクトホールの空洞部分に原因する配向膜表面の凹部は平坦面に現れることになるから、ラビング処理で用いられるバフ布の毛先が前記凹部の縁で大きな力を作用させることによって該配向膜の残滓を生じさせるという不具合の発生確率は、前記凹部がもともと凹凸の激しい配向膜の表面に現れている場合に比べて、より大きくなると考えられる。これは、もともと凹凸の激しい配向膜の表面をラビングする場合、前記凹部は、前記凹凸の中にいわば紛れるような形となり、ラビング処理で用いられるバフ布の毛先が、凹部の縁で大きな力を作用させるという現象も生じにくくなるからである。
【００２０】
しかるに、本発明によれば、前述のように、コンタクトホールの内部を埋めるように導電層が形成されていることにより、配向膜の表面が平坦であるか、もともと凸凹であるかにかかわらず、そもそも前記凹部が形成されないのであるから、前述のような不具合は被らないことになる。そして、これを別の観点から見れば、前記凹部が平坦面に存在している場合に前述の残滓に係る問題はより深刻になるのだから、本発明は、そのような場合においてこそ、より威力を発揮するものであるということもできることになる。
【００２１】
加えて、本発明においては更に、前記コンタクトホールの内表面には接着層が形成されており、前記導電層は、該接着層の上に形成されている。これにより、該導電層が例えばタングステン（Ｗ）等であって、層間絶縁膜が酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）等である場合のように、導電層とコンタクトホールの内表面との間の密着性に問題が生じる組み合わせを用いる場合であっても、該導電層及び該内表面間には、前記接着層が存在していることにより、導電層が前記内表面から剥離するなどという事態を未然に防止することが可能となる。ちなみに、導電層がＷ等で層間絶縁膜がＳｉＯ２等であるときには、接着層としては、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、或いはこれらの積層構造を有するものをあてるとよい。
【００２２】
なお、本発明にいう「層間絶縁膜」とは、一層であっても、二層以上からなっていてもよい。二層以上からなる場合においては、このうちの少なくとも一層の層間絶縁膜に対して、前記コンタクトホール、前記接着層及び前記導電層が形成されているということになる。なおまた、層間絶縁膜が二層以上からなる場合においては、各層間絶縁膜間に適当な要素（例えば、蓄積容量等）を混在させることが可能である。
【００２３】
本発明の第２の電気光学装置は、一定の方向に延在する走査線及び該走査線に交差する方向に延在するデータ線と、該走査線及び該データ線の交差領域に対応するように配置されたスイッチング素子及び画素電極とを備えた電気光学装置であって、前記スイッチング素子及び前記画素電極間に形成された遮光膜と、前記遮光膜と同一膜として形成され前記スイッチング素子及び前記画素電極間の電気的接続を仲介する中継層と、該中継層及び前記画素電極間に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜に開孔され前記中継層及び前記画素電極を電気的に接続するためのコンタクトホールと、前記コンタクトホールの内部を埋めるように形成された導電層とを備えている。
【００２４】
本発明の第２の電気光学装置によれば、前述の第１の電気光学装置と同様に、走査線、データ線、スイッチング素子及び画素電極を用いてアクティブマトリクス駆動が行える。
【００２５】
そして、本発明では特に、スイッチング素子及び画素電極間に遮光膜が形成されている。この遮光膜は、具体的には、例えばアルミニウム等の光反射性能に比較的優れた材料、ＴｉＮ等の光吸収性能に比較的優れた材料、或いはこれらの積層構造等からなるように構成するとよい。このような遮光膜の存在によれば、スイッチング素子の一例たる薄膜トランジスタの耐光性を高めることができる。すなわち、該薄膜トランジスタを構成する半導体層のチャネル領域にむやみに光が入射することによって光リーク電流が発生し、画像上にフリッカ等を発生させるなどという事態を未然に防止することが可能となる。
【００２６】
また、本発明では更に、前記遮光膜と同一膜として形成され前記スイッチング素子及び前記画素電極間の電気的接続を仲介する中継層が形成され、該中継層及び前記画素電極間の層間絶縁膜におけるコンタクトホールについて、該コンタクトホールの内部を埋めるように導電層が形成されている。
【００２７】
これにより、まず、上述のように薄膜トランジスタ等の耐光性を高めるという目的により設けられる遮光膜の形成と同時に、画素電極との電気的接続を図るという目的により形成されるべき中継層が形成されることになるから、仮にこれらを別々に形成する場合に比べて、製造工程の簡略化、或いは製造コストの低廉化等を達成することができる。
【００２８】
また、導電層の存在により、該コンタクトホールの空洞部分をなくすこと（即ち、該空洞部分が導電層に置換されたが如き状態になる。）が可能となる。よって、前記第１の電気光学装置に関し説明した導電層によって得られる作用効果が、第２の電気光学装置においても同様に享受され得ることになる。すなわち、該導電層の存在により、配向膜の表面の平坦性は極めて良好に維持され、該配向膜に対するラビング処理実施の際にその残滓が発生するおそれは極めて低減され、また、当該コンタクトホール上に形成される上部要素におけるカバーレッジの悪化について懸念する必要が殆どなくなる等である。
【００２９】
なお、本発明にいう「層間絶縁膜」とは、一層であっても、二層以上からなっていてもよい。二層以上からなる場合においては、このうちの少なくとも一層の層間絶縁膜に対して、前記コンタクトホール、前記接着層及び前記導電層が形成されているということになる。なおまた、層間絶縁膜が二層以上からなる場合においては、各層間絶縁膜間に適当な要素（例えば、蓄積容量等）を混在させることが可能である。
【００３０】
本発明の第２電気光学装置の一態様では、前記コンタクトホールの内表面に形成された導電性の接着層を更に備えてなり、前記導電層は、前記接着層の上に形成されている。
【００３１】
この態様によれば、導電層及びコンタクトホールの内表面を直接に接触させることなく、両者間に接着層を介在されることになる。これにより、該導電層が例えばタングステン（Ｗ）等であって、層間絶縁膜が酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）等である場合のように、導電層とコンタクトホールの内表面との間の密着性に問題が生じる組み合わせを用いる場合であっても、該導電層及び該内表面間には、前記接着層が存在していることにより、導電層が前記内表面から剥離するなどという事態を未然に防止することが可能となる。ちなみに、導電層がＷ等で層間絶縁膜がＳｉＯ２等であるときには、接着層としては、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、或いはこれらの積層構造を有するものをあてるとよい。
【００３２】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記層間絶縁膜の表面は、前記コンタクトホール及び前記導電層の形成領域を含んで平坦化されている。
【００３３】
この態様によれば、前記層間絶縁膜の表面が、前記コンタクトホール、前記導電層及び前記接着層の形成領域を含めて平坦化されている。これによれば、前述の配向膜の平坦化に係る作用効果は、更に効果的に享受され得ることになる。
【００３４】
また、本態様のように、層間絶縁膜の表面が平坦化された構成では特に、コンタクトホールの空洞部分に原因する配向膜表面の凹部は平坦面に現れることになるから、ラビング処理で用いられるバフ布の毛先が前記凹部の縁で大きな力を作用させることによって該配向膜の残滓を生じさせるという不具合の発生確率は、前記凹部がもともと凹凸の激しい配向膜の表面に現れている場合に比べて、より大きくなると考えられる。これは、もともと凹凸の激しい配向膜の表面をラビングする場合、前記凹部は、前記凹凸の中にいわば紛れるような形となり、ラビング処理で用いられるバフ布の毛先が、凹部の縁で大きな力を作用させるという現象も生じにくくなるからである。
【００３５】
しかるに、本発明によれば、前述のように、コンタクトホールの内部を埋めるように導電層が形成されていることにより、配向膜の表面が平坦であるか、もともと凸凹であるかにかかわらず、そもそも前記凹部が形成されないのであるから、前述のような不具合は被らないことになる。そして、これを別の観点から見れば、前記凹部が平坦面に存在している場合に前述の残滓に係る問題はより深刻になるのだから、本発明は、そのような場合においてこそ、より威力を発揮するものであるということもできることになる。
【００３６】
本発明の第１又は第２の電気光学装置の他の態様では、前記接着層の厚さは、１０ｎｍ〜３００ｎｍである。
【００３７】
このような構成によれば、コンタクトホールの側面にも比較的十分に接着層を形成することが可能となるから、該側面と導電層との密着性を高めることができる。すなわち、接着層の厚さが１０ｎｍ以下であると、該接着層のコンタクトホールの側面への付着が十分には行えないおそれがある。また逆に、接着層の厚さが３００ｎｍ以上であると、コンタクトホールの内部に接着層が比較的多量に形成されることになり、導電層による埋め込みが困難になってしまう。
【００３８】
本発明の第１又は第２の電気光学装置の他の態様は、前記コンタクトホールの開口部の面積は、当該コンタクトホールの底面の面積よりも大きい。
【００３９】
この態様によれば、コンタクトホールの開口部はより広く、その底面はより狭い。換言すれば、前記コンタクトホールの開口部及びその底面を含むように当該コンタクトホールを裁断する場合におけるその断面形状は、テーパ形状を含むようになっているともいえる。このような形態によれば、当該コンタクトホールの内部に対する導電層の埋め込み、或いは当該コンタクトホールの内表面（とりわけ、その側壁）に対する接着層の形成をより容易に行うことができる。
【００４０】
なお、本態様にかかるコンタクトホールにおいて、その開口部付近における当該コンタクトホールの側面に立つ法線と、当該コンタクトホールが形成されている層間絶縁膜の表面に立つ法線とのなす角は、例えば７５〜８９度程度、最適には８３度程度とするのが好ましい。前述の導電層埋め込み容易性及び接着層形成容易性という作用効果は、このような場合において、より効果的に享受することが可能となるからである。
【００４１】
また、本態様にかかるコンタクトホールは、例えば、第一に、層間絶縁膜に対するドライエッチング工程を実施して、第二に、前記ドライエッチングによって開孔された開口部を広げるべくウェットエッチング工程を実施する、などの方法により、比較的容易に形成することが可能である。
【００４２】
本発明の第１又は第２の電気光学装置の他の態様は、前記コンタクトホールの開口径は、１．２μｍを越えない。
【００４３】
この態様によれば、コンタクトホールの開口径が１．２μｍ以下とされていることになる。ここで「開口径」とは、コンタクトホールの開口部が円形である場合には半径、四辺形である場合には対向する一組の辺間の距離などが該当する。その他、場合により、変則的な開口部形状を有するコンタクトホールを想定することも可能であるが、場合場合に応じ、適宜、開口径を想定することは可能である。
【００４４】
そして、この点仮に、コンタクトホールの開口径が１．２μｍを越えてしまう場合を仮定すると、コンタクトホールの内部の容積が大きくなり、また通常は、該開口径に応じるような比較的深いコンタクトホールが想定されることから前記容積は更に大きくなることが想定されるところ、これを埋めるように、例えばＷ等からなる導電層を形成するとなると、該導電層は、その内部応力により破損する可能性が大きくなることになる。
【００４５】
しかるに、本態様においては、開口径が１．２μｍを越えないことから、前述のような不具合を被るおそれが極めて低減されている。このように本態様においては、コンタクトホールの内部に形成される導電層を比較的安定して形成することが可能となる。
【００４６】
なお、コンタクトホールの開口径は、０．４μｍ〜１．０μｍ程度であるとより好ましい。
【００４７】
また、本態様において限定されるのは、前述のように上限たる１．２μｍのみについてであって、下限に関しては特に限定されない。ただし、あまりに小さい開口径は当然に含まれない。具体的には、前記下限は、当該コンタクトホールが開孔されるべき層間絶縁膜の厚さに応じて定まる。これは自ずと限定され得る設計事項である。
【００４８】
本発明の第１又は第２の電気光学装置の他の態様は、前記コンタクトホール及び前記導電層の形成領域の上且つ前記層間絶縁膜の上には、ラビング処理が施された配向膜が形成されている。
【００４９】
この態様によれば、コンタクトホール及び導電層の形成領域の上且つ層間絶縁膜の上にラビング処理が施された配向膜が形成されている。したがって、該配向膜の表面は極めて良好な平坦性を呈示する。そして、これにより、該配向膜に対するラビング処理は、極めて好適に実施されることになるから、配向不良箇所を生じさせることは殆どなくなることになる。
【００５０】
なお、本態様の記載から逆に明らかとなるように、本発明において想定される配向膜としては、ラビング処理が必要となるようなポリイミド等の有機材料からなる配向膜に限らない。例えば、斜方蒸着法によって形成される無機配向膜も含まれる。このような配向膜であっても、優れた平坦性を呈する層間絶縁膜、又はその上に形成された画素電極上に、当該配向膜を形成するのであれば、影となる部分（例えば、前記凹部の内表面）が存在せず、略全面について均一な斜方蒸着を実施することができることから、配向不良箇所を生じさせる可能性を低減することができる。
【００５１】
本発明の電気光学装置の製造方法は、上記課題を解決するために、一定の方向に延在する走査線及び該走査線に交差する方向に延在するデータ線並びに該走査線及び該データ線の交差領域に対応するように配置されたスイッチング素子及び画素電極を備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記画素電極の下地としての層間絶縁膜を形成する工程と、該層間絶縁膜の表面に平坦化処理を施す第１平坦化工程と、該第１平坦化工程の後に前記層間絶縁膜にコンタクトホールを開孔する開孔工程と、前記コンタクトホールの内部を埋めるように導電層を形成する工程と、前記コンタクトホール及び前記導電層の形成領域を含む前記層間絶縁膜の表面に平坦化処理を施す第２平坦化工程とを含む。
【００５２】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、まず、画素電極の下地として形成される層間絶縁膜の表面を平坦化するための第１平坦化工程が実施される。ここにいう「平坦化」を実現するためには、例えばＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）膜形成処理、或いはＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理等を用いるとよい。前者のＳＯＧ膜形成処理とは、基板を回転させながら液体状の適当な有機材等を塗布することにより、液体のもつ水平面を現出させ、これを固化させることで平坦化面を得ることの可能な技術である。また、後者のＣＭＰ処理とは、基板と研磨布（パッド）の両者を回転等させながら、それぞれの表面同士を当接させるとともに、該当接部位に研磨液（スラリー）を供給することによって、基板表面を、機械的作用と化学作用の兼ね合いにより研磨し、当該表面を平坦化する技術である。
【００５３】
次に、上述のように平坦化された層間絶縁膜に対して、コンタクトホールを開孔する開孔工程を実施する。このコンタクトホールは、例えば反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチング法を用いることが可能である。
【００５４】
次に、前記コンタクトホールの内部を埋めるように導電層を形成する。この導電層は、例えば該コンタクトホールからいわばはみ出すように形成されることが好ましい。このようにすれば、該コンタクトホール内部を完全に埋め込むこと（即ち、埋め残り部分或いは空洞部分を消失させること）が可能となるからである。
【００５５】
次に、前記コンタクトホール及び前記導電層の形成領域を含む層間絶縁膜の表面を平坦化するための第２平坦化工程が実施される。ここにいう「第２平坦化工程」は、前述の「第１平坦化工程」と同様に、ＣＭＰ処理等を含む。
【００５６】
更に、第２平坦化工程においては特に、平坦化処理として、エッチバック処理等も含まれる。ここでエッチバック処理とは、一般に、凹凸を有する表面上に、フォトレジストや前記ＳＯＧ膜等の平坦性を有する膜を犠牲膜として形成した後、この犠牲膜に対するエッチング処理を前記凹凸が存在する表面に至るまで実行する（これにより、凹凸はいわば「均される」ことになる。）ことで、当該表面を平坦化する技術である。ただし、本発明においては、上述の犠牲膜は必ずしも必要はない。例えば、コンタクトホール内部の空間を満たす以上に（すなわち、コンタクトホールから、いわば溢れるように）、層間絶縁膜の表面に至るまで導電層を過剰に形成した後、コンタクトホールの内部を除いて、その過剰部分を完全にエッチングすることによって、該コンタクトホールの内部のみに導電層が残存するような形態を形成するとともに、平坦な表面を現出する、というような処理を実施してもよい。
【００５７】
このように、本発明の製造方法では特に、上述のように、第１平坦化工程と第２平坦化工程というように、二段の平坦化処理を実施する。このうち前者は、層間絶縁膜に対する平坦化処理のみ、後者は主に導電層に対する平坦化処理のみを目的としている（とりわけ、前述のように導電層をコンタクトホールからいわばはみ出すように形成する場合にあてはまる。）。この点仮に、本発明にいう第２平坦化処理のみを実施し、その際に、層間絶縁膜及び導電層の双方を一挙に平坦化するという場合も全く不可能ではないものの、両者の組成、性質等の相違から、これを実施することは困難である。本発明によれば、層間絶縁膜及び導電層が別個に平坦化処理を受けることになるから、このような困難性を抱えることがない。また、最終的に形成される、コンタクトホール及び導電層を含む層間絶縁膜の表面は、極めて優れた平坦性を呈することになる。そして、これにより、その上層として形成される画素電極及び配向膜の表面もまた、極めて優れた平坦性を呈することになるから、本発明に係る製造方法によって製造された電気光学装置では、配向膜に対するラビング処理が不奏効となる部分を生じさせることが殆どなく、また、配向不良等を生じさせる可能性を著しく減退させることができることになる。
【００５８】
なお、本発明に係る製造方法により製造された電気光学装置においては、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子に対し、走査線を通じて走査信号を供給することで、当該スイッチング素子のＯＮ・ＯＦＦ動作を司るとともに、当該スイッチング素子にデータ線を通じて画像信号を供給することで、該スイッチング素子がＯＮのときに、該画像信号が該スイッチング素子を介して画素電極に供給されるように構成しておけば、いわゆるアクティブマトリクス駆動を行うことができる。
【００５９】
本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、前記開孔工程の後、前記コンタクトホールの内表面に接着層を形成する工程を更に含み、前記導電層は、前記接着層の上に形成される。
【００６０】
この態様によれば、コンタクトホールが開孔された後、その内表面に接着層が形成されるとともに、前記導電層は、該接着層の上に且つ前記コンタクトホールの内部を埋めるように形成されることになる。これにより、該導電層が例えばタングステン（Ｗ）等であって、層間絶縁膜が酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）等である場合のように、導電層とコンタクトホールの内表面との間の密着性に問題が生じる組み合わせを用いる場合であっても、該導電層及び該内表面間には、前記接着層が存在していることにより、導電層が前記内表面から剥離するなどという事態を未然に防止することが可能となる。ちなみに、導電層がＷ等で層間絶縁膜がＳｉＯ２等であるときには、接着層としては、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、或いはこれらの積層構造を有するものをあてるとよい。
【００６１】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記開孔工程は、第一にドライエッチングを実施した後に、第二にウェットエッチングを実施する工程を含む。
【００６２】
この態様によれば、その開口部の面積が、その底面の面積よりも大きいコンタクトホールを形成することが可能である。このようなコンタクトホールは、別言すれば、該コンタクトホールの開口部及びその底面を含むように当該コンタクトホールを裁断する場合におけるその断面形状が、テーパ形状を含むようになっているともいえる。このような形態によれば、当該コンタクトホールの内部に対する導電層の埋め込み、或いは当該コンタクトホールの内表面に対する接着層の形成をより容易に行うことができる。
【００６３】
なお、本態様にかかるコンタクトホールにおいて、その開口部付近における当該コンタクトホールの側面に立つ法線と、当該コンタクトホールが形成されている層間絶縁膜の表面に立つ法線とのなす角は、例えば７５〜８９度程度、最適には８３度程度とするのが好ましい。前述の導電層埋め込み容易性及び接着層形成容易性という作用効果は、このような場合において、より効果的に享受することが可能となるからである。
【００６４】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記接着層を形成する工程はスパッタリング工程を含み、前記導電層を形成する工程はＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を含む。
【００６５】
この態様によれば、例えば接着層をＴｉ、ＴｉＮ或いはこれらの積層構造等、導電層をＷ等からなるものとする場合に、以下に述べるような特有の作用効果を得ることができる。
【００６６】
まず、接着層について、前記材料からなる膜をＣＶＤ法で形成する場合においては、該ＣＶＤ法において使用するガスにＴｉＣｌ４が含まれる場合があり、そうすると、最終的に形成されるＴｉ、ＴｉＮ或いはその積層構造からなる接着層の組成中の塩素が残存してしまうことが考えられる。このようになると、当該接着層の電気抵抗が大きくなってしまうという問題が生じる。この点、接着層をスパッタリング法で形成する場合においては、このような不具合を被らないで済む。したがって、接着層が前記材料からなる場合においては、これをスパッタリング法で形成することが好ましい。
【００６７】
他方、導電層について、前記材料からなる膜をスパッタリング法で形成する場合においては、該導電層をコンタクトホールの内部に完全に埋め込むように形成することが難しい。このように導電層がコンタクトホールの内部に完全に埋め込まれない形になると、接着層及び導電層間が絶縁されてしまうという問題が生じる。この点、導電層をＣＶＤ法で形成する場合においては、このような不具合を被らないで済む。したがって、導電層が前記材料からなる場合においては、これをＣＶＤ法で形成することが好ましい。
【００６８】
本発明の電子機器は、上記課題を解決するため、上述した本発明の電気光学装置（ただし、それらの各種態様を含む。）を具備してなる。
【００６９】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるから、配向膜の表面が極めて良好な平坦性を呈すること等になる結果、高品質な画像を表示することの可能な、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等の各種電子機器を実現することができる。
【００７０】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００７１】
【発明の実施の形態】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００７２】
（画素部における構成）
まず、本発明の実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図１から図３を参照して説明する。ここに図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。なお、図３は、図２のうち要部、具体的には、データ線、シールド層及び画素電極間の配置関係を示すために、主にこれらのみを抜き出した平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ´断面図である。なお、図３においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００７３】
図１において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００７４】
また、ＴＦＴ３０のゲートにゲート電極３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａ及びゲート電極３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００７５】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００７６】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、走査線１１ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量電極３００を含んでいる。
【００７７】
以下では、上記データ線６ａ、走査線１１ａ及びゲート電極３ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の、実際の構成について、図２から図３を参照して説明する。
【００７８】
まず、図２において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（点線部により輪郭が示されている）、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線１１ａが設けられている。データ線６ａは、後述するようにアルミニウム膜等を含む積層構造からなり、走査線１１ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線１１ａは、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向するゲート電極３ａにコンタクトホール１２ｃｖを介して電気的に接続されており、該ゲート電極３ａは該走査線１１ａに含まれる形となっている。すなわち、ゲート電極３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に走査線１１ａに含まれるゲート電極３ａが対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。このＴＦＴ３０（ゲート電極を除く。）は、ゲート電極３ａと走査線１１ａとの間に存在するような形態となっている。
【００７９】
次に、電気光学装置は、図２のＡ−Ａ´線断面図たる図３に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなるＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０とを備えている。
【００８０】
ＴＦＴアレイ基板１０の側には、図３に示すように、前記の画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０の側には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。このうち対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなり、前記の配向膜１６及び２２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００８１】
このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、後述のシール材（図１０及び図１１参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した電気光学物質からなる。シール材は、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサが混入されている。
【００８２】
一方、ＴＦＴアレイ基板１０上には、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６の他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。この積層構造は、図３に示すように、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０等を含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、シールド層４００等を含む第５層、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む第６層（最上層）からなる。また、第１層及び第２層間には下地絶縁膜１２が、第２層及び第３層間には第１層間絶縁膜４１が、第３層及び第４層間には第２層間絶縁膜４２が、第４層及び第５層間には第３層間絶縁膜４３が、第５層及び第６層間には第４層間絶縁膜４４が、それぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。また、これら各種の絶縁膜１２、４１、４２、４３及び４４には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール等もまた設けられている。以下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。
【００８３】
まず、第１層には、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは導電性ポリシリコン等からなる走査線１１ａが設けられている。この走査線１１ａは、平面的にみて、図２のＸ方向に沿うように、ストライプ状にパターニングされている。より詳しく見ると、ストライプ状の走査線１１ａは、図２のＸ方向に沿うように延びる本線部と、データ線６ａ或いはシールド層４００が延在する図２のＹ方向に延びる突出部とを備えている。なお、隣接する走査線１１ａから延びる突出部は相互に接続されることはなく、したがって、該走査線１１ａは１本１本分断された形となっている。
【００８４】
これにより、走査線１１ａは、同一行に存在するＴＦＴ３０のＯＮ・ＯＦＦを一斉に制御する機能を有することになる。また、該走査線１１ａは、画素電極９ａが形成されない領域を略埋めるように形成されていることから、ＴＦＴ３０に下側から入射しようとする光を遮る機能をも有している。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａにおける光リーク電流の発生を抑制的にし、フリッカ等のない高品質な画像表示が可能となる。
【００８５】
次に、第２層として、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、図３に示すように、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造を有しており、その構成要素としては、上述したゲート電極３ａ、例えばポリシリコン膜からなりゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、ゲート電極３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００８６】
また、本実施形態では、この第２層に、上述のゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。この中継電極７１９は、平面的に見て、図２に示すように、各画素電極９ａのＹ方向に延びる一辺の略中央に位置するように、島状に形成されている。中継電極７１９とゲート電極３ａとは同一膜として形成されているから、後者が例えば導電性ポリシリコン膜等からなる場合においては、前者もまた、導電性ポリシリコン膜等からなる。
【００８７】
なお、上述のＴＦＴ３０は、好ましくは図３に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、ゲート電極３ａをマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また、本実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。さらに、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａは非単結晶層でも単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層１ａを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化を図ることができる。
【００８８】
以上説明した走査線１１ａの上、かつ、ＴＦＴ３０の下には、例えばシリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、走査線１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００８９】
この下地絶縁膜１２には、平面的にみて半導体層１ａの両脇に、後述するデータ線６ａに沿って延びる半導体層１ａのチャネル長と同じ幅の溝状のコンタクトホール１２ｃｖが掘られており、このコンタクトホール１２ｃｖに対応して、その上方に積層されるゲート電極３ａは下側に凹状に形成された部分を含んでいる。また、このコンタクトホール１２ｃｖ全体を埋めるようにして、ゲート電極３ａが形成されていることにより、該ゲート電極３ａには、これと一体的に形成された側壁部３ｂが延設されるようになっている。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａは、図２によく示されているように、平面的にみて側方から覆われるようになっており、少なくともこの部分からの光の入射が抑制されるようになっている。
【００９０】
また、この側壁部３ｂは、前記のコンタクトホール１２ｃｖを埋めるように形成されているとともに、その下端が前記の走査線１１ａと接するようにされている。ここで走査線１１ａは、上述のようにストライプ状に形成されていることから、ある行に存在するゲート電極３ａ及び走査線１１ａは、当該行に着目する限り、常に同電位となる。
【００９１】
ここで本発明においては、走査線１１ａに平行するようにして、ゲート電極３ａを含む別の走査線を形成するような構造を採用してもよい。この場合においては、該走査線１１ａと該別の走査線とは、冗長的な配線構造をとることになる。これにより、例えば、該走査線１１ａの一部に何らかの欠陥があって、正常な通電が不可能となったような場合においても、当該走査線１１ａと同一の行に存在する別の走査線が健全である限り、それを介してＴＦＴ３０の動作制御を依然正常に行うことができることになる。
【００９２】
さて、前述の第２層に続けて第３層には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての下部電極７１と、固定電位側容量電極としての容量電極３００とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。また、本実施形態に係る蓄積容量７０は、図２の平面図を見るとわかるように、画素電極９ａの形成領域にほぼ対応する光透過領域には至らないように形成されているため（換言すれば、遮光領域内に収まるように形成されているため）、電気光学装置全体の画素開口率は比較的大きく維持され、これにより、より明るい画像を表示することが可能となる。
【００９３】
より詳細には、下部電極７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただし、下部電極７１は、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。また、この下部電極７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。ちなみに、ここにいう中継接続は、前記の中継電極７１９を介して行われている。
【００９４】
容量電極３００は、蓄積容量７０の固定電位側容量電極として機能する。本実施形態において、容量電極３００を固定電位とするためには、固定電位とされたシールド層４００（後述）と電気的接続が図られることによりなされている。
【００９５】
誘電体膜７５は、図３に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（Ｈｉｇｈ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｏｘｉｄｅ）膜、ＬＴＯ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｏｘｉｄｅ）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。
【００９６】
本実施形態において、この誘電体膜７５は、図３に示すように、下層に酸化シリコン膜７５ａ、上層に窒化シリコン膜７５ｂというように二層構造を有するものとなっている。上層の窒化シリコン膜７５ｂは画素電位側容量電極の下部電極７１より少し大きなサイズにパターニングされ、遮光領域（非開口領域）内で収まるように形成されている。
【００９７】
これにより、比較的誘電率の大きい窒化シリコン膜７５ｂが存在することにより、蓄積容量７０の容量値を増大させることが可能となる他、それにもかかわらず、酸化シリコン膜７５ａが存在することにより、蓄積容量７０の耐圧性を低下せしめることがない。このように、誘電体膜７５を二層構造とすることにより、相反する二つの作用効果を享受することが可能となる。また、着色性のある窒化シリコン膜７５ｂは下部電極７１より少し大きなサイズにパターニングされ、光が透過される部分に形成されていない（遮光領域内に位置する）ので、透過率が低下することを防止できる。また、窒化シリコン膜７５ｂが存在することにより、ＴＦＴ３０に対する水の浸入を未然に防止することが可能となっている。これにより、ＴＦＴ３０におけるスレッショルド電圧の上昇という事態を招来することがなく、比較的長期の装置運用が可能となる。
【００９８】
なお、本実施形態では、誘電体膜７５は、二層構造を有するものとなっているが、場合によっては、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜等というような三層構造や、あるいはそれ以上の積層構造を有するように構成してもよい。むろん単層構造としてもよい。
【００９９】
以上説明したＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａ及び中継電極７１９の上、かつ、蓄積容量７０の下には、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【０１００】
そして、この第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと後述するデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が、後記第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。また、第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するコンタクトホール８３が開孔されている。さらに、この第１層間絶縁膜４１には、蓄積容量７０を構成する画素電位側容量電極としての下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８１が開孔されている。更に加えて、第１層間絶縁膜４１には、中継電極７１９と後述する第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８２が、後記第２層間絶縁膜を貫通しつつ開孔されている。
【０１０１】
なお、これら四つのコンタクトホールのうち、コンタクトホール８１及び８８２の形成部分では、前述の誘電体膜７５が形成されないように、換言すれば、該誘電体膜７５に開口部が形成されるようになっている。これは、コンタクトホール８１においては、高濃度ソース領域１ｄ及びデータ線６ａ間の電気的導通を図る必要があるためであり、コンタクトホール８８２においては、中継電極７１９及び第２中継層６ａ２間の電気的導通を図る必要があるためである。ちなみに、このような開口部が誘電体膜７５に設けられていれば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する水素化処理を行うような場合において、該処理に用いる水素を、該開口部を通じて半導体層１ａにまで容易に到達させることが可能となるという作用効果を得ることも可能となる。
【０１０２】
また、本実施形態では、第１層間絶縁膜４１に対しては、約１０００℃の焼成を行うことにより、半導体層１ａやゲート電極３ａを構成するポリシリコン膜に注入したイオンの活性化を図ってもよい。
【０１０３】
さて、前述の第３層に続けて第４層には、データ線６ａが設けられている。このデータ線６ａは、図３に示すように、下層より順に、アルミニウムからなる層（図３における符号４１Ａ参照）、窒化チタンからなる層（図３における符号４１ＴＮ参照）、窒化シリコン膜からなる層（図３における符号４０１参照）の三層構造を有する膜として形成されている。窒化シリコン膜は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。このうちデータ線６ａが、比較的低抵抗な材料たるアルミニウムを含むことにより、ＴＦＴ３０、画素電極９ａに対する画像信号の供給を滞りなく実現することができる。他方、データ線６ａ上に水分の浸入をせき止める作用に比較的優れた窒化シリコン膜が形成されることにより、ＴＦＴ３０の耐湿性向上を図ることができ、その寿命長期化を実現することができる。なお、窒化シリコン膜は、プラズマ窒化シリコン膜が望ましい。
【０１０４】
また、この第４層には、データ線６ａと同一膜として、シールド層用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２が形成されている。これらは、図２に示すように、平面的に見ると、データ線６ａと連続した平面形状を有するように形成されているのではなく、各者間はパターニング上分断されるように形成されている。例えば図２中最左方に位置するデータ線６ａに着目すると、その直右方に略四辺形状を有するシールド層用中継層６ａ１、更にその右方にシールド層用中継層６ａ１よりも若干大きめの面積をもつ略四辺形状を有する第２中継電極６ａ２が形成されている。
【０１０５】
ちなみに、これらシールド層用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２は、データ線６ａと同一膜として形成されていることから、下層より順に、アルミニウムからなる層、窒化チタンからなる層、プラズマ窒化膜からなる層の三層構造を有する。そして、プラズマ窒化膜は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。このうち窒化チタン層は、シールド層用中継層６ａ１、第２中継電極６ａ２に対して形成するコンタクトホール８０３、８０４（後述）のエッチングの突き抜け防止のためのバリアメタルとして機能する。また、窒化シリコン膜は、水分の浸入をせき止める作用に比較的優れているため、ＴＦＴ３０の耐湿性向上を図ることができ、その寿命長期化を実現することができる。ちなみに、このような窒化シリコン膜は、いま述べたシールド層用中継層６ａ１及び第２中継層６ａ２の形成領域と併せて、前述のデータ線６ａの形成領域にも形成されることになるから、該窒化シリコン膜の形成面積は相対的に増大しているかの如き状態となる。よって、前述の水分浸入防止作用は、より効果的に発揮されることになる。
【０１０６】
以上説明した蓄積容量７０の上、かつ、データ線６ａの下には、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ，ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された第２層間絶縁膜４２が形成されている。この第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続する、前記のコンタクトホール８１が開孔されているとともに、前記シールド層用中継層６ａ１と蓄積容量７０の上部電極たる容量電極３００とを電気的に接続するコンタクトホール８０１が開孔されている。さらに、第２層間絶縁膜４２には、第２中継電極６ａ２と中継電極７１９とを電気的に接続するための、前記のコンタクトホール８８２が形成されている。
【０１０７】
なお、第２層間絶縁膜４２に対しては、第１層間絶縁膜４１に関して前述したような焼成を行わないことにより、容量電極３００の界面付近に生じるストレスの緩和を図るようにしてもよい。
【０１０８】
さて、前述の第４層に続けて第５層には、シールド層４００が形成されている。このシールド層４００は、平面的にみると、図２に示すように、図中Ｘ方向及びＹ方向それぞれに延在するように、格子状に形成されている。該シールド層４００のうち図中Ｙ方向に延在する部分については特に、データ線６ａを覆うように、且つ、該データ線６ａよりも幅広に形成されている。また、図中Ｘ方向に延在する部分については、後述の第３中継電極４０２を形成する領域を確保するために、各画素電極９ａの一辺の中央付近に切り欠き部を有している。
【０１０９】
さらには、図２中、ＸＹ方向それぞれに延在するシールド層４００の交差部分の隅部においては、該隅部を埋めるようにして、略三角形状の部分が設けられている。シールド層４００に、この略三角形状の部分が設けられていることにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する光の遮蔽を効果的に行うことができる。すなわち、半導体層１ａに対して、斜め上から進入しようとする光は、この三角形状の部分で反射又は吸収されることになり半導体層１ａには至らないことになる。したがって、光リーク電流の発生を抑制的にし、フリッカ等のない高品質な画像を表示することが可能となる。
【０１１０】
このシールド層４００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。なお、ここに述べた「定電位源」としては、データ線駆動回路に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位源でも構わない。
【０１１１】
このように、データ線６ａの全体を覆うように形成されているとともに、固定電位とされたシールド層４００の存在によれば、該データ線６ａ及び画素電極９ａ間に生じる容量カップリングの影響を排除することが可能となる。すなわち、データ線６ａへの通電に応じて、画素電極９ａの電位が変動するという事態を未然に回避することが可能となり、画像上に該データ線６ａに沿った表示ムラ等を発生させる可能性を低減することができる。本実施形態においては特に、シールド層４００は格子状に形成されているから、走査線１１ａが延在する部分についても無用な容量カップリングが生じないように、これを抑制することが可能となっている。
【０１１２】
また、第４層には、このようなシールド層４００と同一膜として、本発明にいう「中継層」の一例たる第３中継電極４０２が形成されている。この第３中継電極４０２は、後述のコンタクトホール８０４及び８９を介して、第２中継電極６ａ２及び画素電極９ａ間の電気的接続を中継する機能を有する。なお、これらシールド層４００及び第３中継電極４０２間は、平面形状的に連続して形成されているのではなく、両者間はパターニング上分断されるように形成されている。
【０１１３】
他方、上述のシールド層４００及び第３中継電極４０２は、下層にアルミニウムからなる層、上層に窒化チタンからなる層の二層構造を有している。このようにシールド層４００及び第３中継電極４０２は、光反射性能に比較的優れたアルミニウムを含み、且つ、光吸収性能に比較的優れた窒化チタンを含むことから、該シールド層４００及び該第３中継層４０２は遮光層として機能し得る。すなわち、これらによれば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する入射光（図３参照）の進行を、その上側でさえぎることが可能である。なお、このようなことについては、既に述べたように、上述の容量電極３００及びデータ線６ａについても同様にいえる。本実施形態においては、これらシールド層４００、第３中継電極４０２、容量電極３００及びデータ線６ａが、ＴＦＴアレイ基板１０上に構築される積層構造の一部をなしつつ、ＴＦＴ３０に対する上側からの光入射を遮る上側遮光膜（あるいは、「積層構造の一部」を構成しているという点に着目すれば「内蔵遮光膜」）として機能しうる。なお、この「上側遮光膜」ないし「内蔵遮光膜」なる概念によれば、上述の構成のほか、ゲート電極３ａや下部電極７１等もまた、それに含まれるものとして考えることができる。要は、最も広義に解すると、ＴＦＴアレイ基板１０上に構築される不透明な材料からなる構成であれば、それは「上側遮光膜」ないし「内蔵遮光膜」に該当し得るのである。
【０１１４】
以上説明した前述のデータ線６ａの上、かつ、シールド層４００の下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくは、ＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法で形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。この第３層間絶縁膜４３には、前記のシールド層４００とシールド層用中継層６ａ１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０３、及び、第３中継電極４０２と第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。
【０１１５】
最後に、第６層には、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、該画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９ａ下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第４層間絶縁膜４４が形成されている。この第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａ及び前記の第３中継電極４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。画素電極９ａとＴＦＴ３０との間は、このコンタクトホール８９及び第３中継層４０２並びに前述したコンタクトホール８０４、第２中継層６ａ２、コンタクトホール８８２、中継電極７１９、コンタクトホール８８１、下部電極７１及びコンタクトホール８３を介して、電気的に接続されることとなる。
【０１１６】
（コンタクトホール８９に関する構成）
以下では、上述のコンタクトホール８９に関する構成等について、図４及び図５を参照しながら説明する。ここに図４は、図３に示すコンタクトホール８９及びその周囲の構成を拡大して示す図であり、図５は、図４に対する比較例である。
【０１１７】
まず、本実施形態に係るコンタクトホール８９それ自体は、その開口部における面積がその底面の面積よりも大きくされている。すなわち、コンタクトホール８９は、図３及び図４に示すような断面図においてテーパ形状を有している。ちなみに、コンタクトホール８９の開口部における開口径は、好ましくは１．２μｍ以下、より好ましくは０．４μｍ〜１．０μｍとするとよい。
【０１１８】
そして、本実施形態においては特に、コンタクトホール８９の内表面には、図３及び図４に示すように、接着層６０１が形成されている。この接着層６０１は、例えばＴｉ、ＴｉＮ等からなる。接着層６０１の厚さは、例えば１０ｎｍ〜３００ｎｍ程度とするとよい。また、この接着層６０１の上且つコンタクトホール８９の内部を埋めるように、導電層５０１が備えられてなる。この導電層５０１は、例えばＷ等からなる。導電層５０１の厚さは、例えば２００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度とするとよい。
【０１１９】
ちなみに、これら接着層６０１及び導電層５０１のコンタクトホール８９内部に対する形成ないし成膜は、該コンタクトホール８９が前述のようにテーパ形状を有していたことにより、容易且つ確実に行うことができる。すなわち、該コンタクトホールがテーパ形状を有してない場合においては、該コンタクトホールの側壁は垂直に立つが如き状態になるから、接着層６０１の形成はより困難となり、また、導電層５０１の形成では、側壁と底面との隅部に該導電層５０１を行き渡らせることなどが困難となるなど、これら接着層６０１及び導電層５０１の形成は困難になる。しかるに、本実施形態においては、そのような不都合を被るおそれが極めて低減されているのである。
【０１２０】
なお、このような作用効果をよりよく享受するためには、当該コンタクトホール８９の「テーパ形状」の具体的態様を次のように規定するとよい。すなわち、図４に示すように、該コンタクトホール８９の開口部付近における当該コンタクトホール８９の側面に立つ法線Ｈ１と、当該コンタクトホール８９が形成されている第４層間絶縁膜４４の表面に立つ法線Ｈ２とのなす角が７５〜８９度程度、最適には８３度程度とするのが好ましい。
【０１２１】
また、本実施形態においては、第４層間絶縁膜４４の表面には、平坦化処理が施されている。ここで平坦化処理とは、具体的には、ＳＯＧ膜形成処理、ＣＭＰ処理、或いはエッチバック処理等が含まれる。また、本実施形態に係る平坦化処理は特に、図３及び図４に示すように、コンタクトホール８９の開口部より上には、前記の導電層５０１及び接着層６０１が一切はみ出さないように行われている。つまり、導電層５０１の最上端、接着層６０１の最上端と、第４層間絶縁膜４４の表面とは、同じ水平線上にのるようになっている。
【０１２２】
このような構成を備えることにより、以下のような作用効果が得られる。すなわち第一に、コンタクトホール８９の内部に導電層５０１が埋め込まれていることから、配向膜１６の表面には、図３及び図４に示すように、凹凸形状、とりわけコンタクトホール８９の空洞部分に原因する凹部が形成されることがない。
【０１２３】
また、第４層間絶縁膜４４が平坦化処理を受けているから、その下方に存在する各種配線や素子等に起因する凹凸は均されており、配向膜１６の平坦性はきわめて良好に確保されることになる。とりわけ、本実施形態に係る電気光学装置では、上述のように、ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造中に、蓄積容量７０やシールド層４００等が形成されていることにより、その構成はより複雑化しており、各要素が有する高さに起因する段差はより生じやすい状況といえるから、この平坦化処理を実施することで得られる効果はより一層大きいといえる。
【０１２４】
このように配向膜１６の表面の平坦性がきわめて良好に確保されることによれば、該配向膜１６に対するラビング処理を好適に実施することができる。例えば、本発明によれば、背景技術の項で述べたように、凹部の縁（後述の図５及びその説明参照）における過大な力の作用によって配向膜１６が剥がれ落とされるなどという事象の発生を抑制することができることになる。
【０１２５】
また、コンタクトホール８９の内部を埋めるように導電層５０１が形成されることによって、該コンタクトホール８９の上層として形成される画素電極９ａ等を、該コンタクトホール８９の内部をも含めて成膜するという必要がなくなる。これによると、該コンタクトホールの開口部の縁付近におけるカバーレッジに係る問題について特に懸念する必要がなくなることから、該コンタクトホール８９を介して接続されるべき画素電極９ａ及び該コンタクトホールの下端に位置する第３中継層４０２、ひいては該画素電極９ａ及びＴＦＴ３０間の電気的導通を良好に実現することができることになる。
【０１２６】
この点、仮にコンタクトホール８９の内部に導電層５０１を形成しない場合を想定すると、それは図５の比較例に示すような形態となる。この図５においては、まず、コンタクトホール８９の内部に導電層５０１が存在しないことにより、該コンタクトホール８９の空洞部分が依然存在し、したがって、配向膜１６０の表面にはこの空洞部分に原因する凹部１６０Ｇが形成されることになる。したがって、このような配向膜１６０に対してラビング処理を施すこととなると、前記凹部１６０Ｇの縁（図中矢印参照）とバフ布の毛先との間で大きな力が作用することとなり、当該縁の部分における配向膜１６０が剥がれ落とされるという事態が発生しやすい。また、図５においては、導電層５０１が存在しないことにより、画素電極９ａと第３中継層４０２との間の電気的導通を図るために、該画素電極９ａ自身がコンタクトホール８９の内部にも形成される形となっている。この場合、前記凹部１６０Ｇの縁の近傍では角ばった部分が形成されるため、カバーレッジの悪化を招きやすい。これによると、悪い場合には、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０間との間が絶縁され、画素電極９ａに画像信号が供給されないなどという事態も生じかねないこととなる。本実施形態においては、既に述べたように、以上のような不具合を被るおそれが極めて低減されるのである。
【０１２７】
以上により、本実施形態の電気光学装置によれば、配向膜１６は所望どおりの膜厚を維持することとなり、該配向膜１６の残滓が発生するという事態を抑制することができる。また、ＴＦＴ３０及び画素電極９ａ間の電気的接続も良好に実現することが可能となる。さらに、これらのことから、高品質な画像の表示が可能となる。
【０１２８】
また、本実施形態に係る作用効果の第二として、接着層６０１が形成されていることにより、導電層５０１が容易に剥離する等という事態を未然に防止することができる。特に、本実施形態において、導電層５０１がＷからなり、第４層間絶縁膜４４が酸化シリコン膜からなる（すなわち、コンタクトホール８９の内表面が酸化シリコン膜からなる）などという場合においては、両者の密着性が一般に悪い。しかしながら、本実施形態では、図３及び図４に示すように、両者の間には、接着層６０１が介在していることにより、前記の密着性の悪さが改善されることになるのである。
【０１２９】
なお、上記においては、コンタクトホール８９のみについて、導電層５０１が備えられる形態について述べたが、本発明は、このような形態にのみ限定されるものではない。例えば、図３において示すその他のコンタクトホール（例えば、コンタクトホール８０３、８０４、８１、８０１、８８２等）においても、図４と同様に、その内部に導電層を形成するようにしてよい。このようにすれば、配向膜１６の表面に、当該コンタクトホールの空洞部分に原因する凹部が形成されることがなくなる等のことから、前記と略同様な作用効果が得られることになる。この場合特に、コンタクトホール８１やコンタクトホール８８２など、二つの層間絶縁膜４１及び４２を貫通して設けられている比較的深いコンタクトホールについて、導電層を設ける形態とすればより効果的であると考えられる。なぜなら、このような深いコンタクトホール８８１及び８８２等では、配向膜１６の表面に凹部を形成する可能性がより高まると考えられるからである。
【０１３０】
また、上述においては、第４層間絶縁膜４４にＣＭＰ処理等によって平坦化処理を施す例について言及したが、本発明は、このような形態に限定されるものではない。例えば、上述したＳＯＧ膜処理、ＣＭＰ処理、或いはエッチバック処理等のように、第４層間絶縁膜４４の表面に対するいわば「積極的」な平坦化処理を行うのではなく、該平坦化処理に代えて又は加えて、ＴＦＴアレイ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２及び第３層間絶縁膜４３のうち少なくとも一つに溝を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込むことにより、その高さに起因する段差が配向膜１６の表面に現させないようにする、いわば「消極的」な平坦化処理を行ってもよい。
【０１３１】
（各種変形形態）
以下では、上述のコンタクトホール８９に関する各種の変形形態について、図６を参照しながら説明する。ここに図６の（ａ）乃至（ｂ）は、図４と同趣旨の図であって、各種の変形形態を示す図である。
【０１３２】
まず、図６（ａ）において、コンタクトホール８９の内部には導電層５０１´が形成されているが、図４における接着層６０１が形成されていない。このように、本発明においては、接着層６０１の存在が必ずしも必須なわけではない。導電層５０１´と第４層間絶縁膜４４との密着性が比較的高いのであれば、このような構成も許される。
【０１３３】
次に、図６（ｂ）において、コンタクトホール８９の内表面に、第１接着層６０２及び第２接着層６０３が形成されている。このように、本発明においては、接着層が一層である必要はない。なお、導電層５０１は、このような二層構造となる接着層の上に形成されている。
【０１３４】
さらに、図６（ｃ）において、コンタクトホール８９の内部には、画素電極９ａが埋められるようにして形成されている。すなわち、画素電極９ａは、第４層間絶縁膜４４の表面上に加えて、コンタクトホール８９の内部をも埋めるように形成されているのである。この場合、導電層５０１´´は、画素電極９ａと同一膜として形成されているとみることができ、したがって、該導電層５０１´´はＩＴＯ等の透明導電性材料からなる。
【０１３５】
このような形態によれば、画素電極９ａを形成ないし成膜するプロセスと、コンタクトホール８９内部に導電層５０１´´を形成するプロセスとを同一機会に実施することが可能となり、その相応分製造コストの低減化を図ることが可能となる。
【０１３６】
また、この場合においては次のような作用効果を付随的に得ることができる。すなわち、上記実施形態における第３中継電極４０２は、その下層がアルミニウムからなる層、その上層が窒化チタンからなる層という二層構造で形成されていたから、前記ＩＴＯ等からなる導電層５０１´´は、第３中継層４０２の窒化チタン層と接続されることになる。
【０１３７】
この点、仮に、アルミニウムとＩＴＯとを直接に接続してしまう形態をとると、両者間において電蝕が生じてしまい、アルミニウムの断線、あるいはアルミナの形成による絶縁等のため、好ましい電気的接続が実現されないおそれがある。
【０１３８】
しかるに、図６（ｃ）においては、上述のような不都合を被ることなく、第３中継電極４０２と画素電極９ａとの電気的接続を良好に実現することができることにより、該画素電極９ａに対する電圧印加、あるいは該画素電極９ａにおける電位保持特性を良好に維持することが可能となる。
【０１３９】
（製造プロセス）
以下では、上記実施形態の電気光学装置の製造方法について、図７ないし図９を参照しながら説明する。ここに、図７は、当該実施形態に係る電気光学装置の製造方法（ただし、ＴＦＴアレイ基板１０側の製造方法のみ）を順を追って示すフローチャートであり、図８及び図９は、図４に示した視点においてコンタクトホール８９及びこれに関連する構造に関する製造方法を、順を追って示す工程断面図である。
【０１４０】
まず、図７のステップＳ１１に示すように、石英基板、ハードガラス、シリコン基板等のＴＦＴアレイ基板１０を用意し、このＴＦＴアレイ基板１０の全面に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜を、スパッタリングにより、１００〜５００ｎｍ程度の膜厚、好ましくは２００ｎｍの膜厚の前駆膜を形成する。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、平面形状がストライプ状の走査線１１ａを形成する。次に、走査線１１ａ上に、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を用いて、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる下地絶縁膜１２を形成する。この下地絶縁膜１２の膜厚は、例えば約５００〜２０００ｎｍ程度とする。
【０１４１】
続いて、図７のステップＳ１２に示すように、下地絶縁膜１２上に、減圧ＣＶＤ法等により、アモルファスシリコン膜を形成する。その後、窒素雰囲気中における約６００〜７００℃の熱処理、ＲＴＡを使ったアニール処理、或いはエキシマレーザ等を用いたレーザアニール処理等により、ポリシリコン膜を成長させる。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、所定パターンを有する半導体層１ａを形成する。次に、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａを約９００〜１３００℃の温度、好ましくは約１０００℃の温度により熱酸化して下層ゲート絶縁膜を形成し、場合により、これに続けて減圧ＣＶＤ法等により上層ゲート絶縁膜を形成することにより、一層又は多層の高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜からなる（ゲート絶縁膜を含む）絶縁膜２を形成する。この結果、半導体層１ａは、約３０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３５〜５０ｎｍの厚さとなり、絶縁膜２の厚さは、約２０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３０〜１００ｎｍの厚さとなる。続いて、前述の下地絶縁膜１２に対して、走査線１１ａに通ずるコンタクトホール１２ｃｖを形成する。この溝１２ｃｖは、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより形成する。
【０１４２】
次に、図７のステップＳ１３に示すように、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を堆積し、更にリン（Ｐ）を熱拡散して、このポリシリコン膜を導電化する。この熱拡散に代えて、Ｐイオンをポリシリコン膜の成膜と同時に導入したドープドシリコン膜を用いてもよい。このポリシリコン膜の膜厚は、約１００〜５００ｎｍの厚さ、好ましくは約３５０ｎｍ程度である。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、ＴＦＴ３０のゲート電極部を含めて所定のパターンのゲート電極３ａを形成する。本製造方法では、このゲート電極３ａ形成時において、これに延設される側壁部３ｂもまた同時に形成されることになる。更に、本製造方法では、ゲート電極３ａのパターニング時、これと同時に、中継電極７１９もまた形成されることになる。このパターニングにより、中継電極７１９は、図２に示すような平面形状を有するように成形される。
【０１４３】
続いて、前記半導体層１ａについて、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成する。ここでは、ＴＦＴ３０をＬＤＤ構造をもつｎチャネル型のＴＦＴとする場合を説明すると、具体的にまず、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃを形成するために、ゲート電極３ａをマスクとして、Ｐ等のＶ族元素のドーパンを低濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０１３ｃｍ２のドーズ量にて）ドープする。これによりゲート電極３ａ下の半導体層１ａはチャネル領域１ａ´となる。このときゲート電極３ａがマスクの役割を果たすことによって、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃは自己整合的に形成されることになる。次に、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成するために、ゲート電極３ａよりも幅の広い平面パターンを有するレジスト層をゲート電極３ａ上に形成する。その後、Ｐ等のＶ続元素のドーパントを高濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０１５／ｃｍ２のドーズ量にて）ドープする。
【０１４４】
次に、図７のステップＳ１４に示すように、ゲート電極３ａ上に、例えば、ＴＥＯＳガス、ＴＥＢガス、ＴＭＯＰガス等を用いた常圧又は減圧ＣＶＤ法等により、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜からなる第１層間絶縁膜４１を形成する。この第１層間絶縁膜４１の膜厚は、例えば約５００〜２０００ｎｍ程度とする。ここで好ましくは、８００℃程度の高温でアニール処理し、第１層間絶縁膜４１の膜質を向上させておく。続いて、第１層間絶縁膜４１に対する反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより、コンタクトホール８３及びコンタクトホール８８１を開孔する。この際、前者は半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅに通ずるように、後者は中継電極７１９へ通ずるように、それぞれ形成される。
【０１４５】
次に、図７のステップＳ１５に示すように、第１層間絶縁膜４１上に、蓄積容量７０を形成する。より具体的には、第一に、Ｐｔ等の金属膜を、スパッタリングにより、１００〜５００ｎｍ程度の膜厚に成膜して、所定パターンをもつ下部電極７１の前駆膜を形成する。この際、前述の金属膜の成膜は、コンタクトホール８３及びコンタクトホール８８１の両者が埋められるように行われ、これにより、高濃度ドレイン領域１ｅ及び中継電極７１９と下部電極７１との電気的接続が図られる。続いて、この下部電極７１の前駆膜に対するパターニング処理を実施することで、下部電極７１を形成する。続けて第二に、下部電極７１上に、誘電体膜７５を形成する。この誘電体膜７５は、絶縁膜２の場合と同様に、一般にＴＦＴゲート絶縁膜を形成するのに用いられる各種の公知技術により形成可能である。本実施形態においては特に、まず、酸化シリコン膜７５ａが前述の熱酸化、或いはＣＶＤ法等によって形成され、その後に、窒化シリコン膜７５ｂがプラズマＣＶＤ法等によって形成される。続けて第三に、誘電体膜７５上に、Ａｌ等の金属膜を、スパッタリングにより、約１００〜５００ｎｍ程度の膜厚に成膜して、容量電極３００の前駆膜を形成する。最後に第四に、前述の誘電体膜７５の前駆膜及び容量電極３００の前駆膜を一挙にパターニングすることで、誘電体膜７５及び容量電極３００を形成する。そして、これにより蓄積容量７０が完成する。
【０１４６】
次に、図７のステップＳ１６に示すように、例えば、ＴＥＯＳガス等を用いた常圧又は減圧ＣＶＤ法により、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第２層間絶縁膜４２を形成する。この第２層間絶縁膜４２の膜厚は、例えば約５００〜１５００ｎｍ程度とする。続いて、第２層間絶縁膜４２に対する反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより、コンタクトホール８１、８０１及び８８２を開孔する。この際、コンタクトホール８１は半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄに通ずるように、コンタクトホール８０１は容量電極３００へ通ずるように、また、コンタクトホール８８２は中継電極７１９に通ずるように、それぞれ形成される。
【０１４７】
続いて、図７のステップＳ１７に示すように、第２層間絶縁膜４２上の全面に、スパッタリング等により、遮光性のＡｌ等の低抵抗金属、及び、窒化チタン金属膜を、それぞれ、約１００〜５００ｎｍ程度の厚さ、好ましくは約３００ｎｍに堆積する。続いて、そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、所定パターンをもつデータ線６ａを形成する。この際、当該パターニング時においては、シールド層用中継層６ａ１及び第２中継層６ａ２もまた同時に形成される。シールド層用中継層６ａ１は、コンタクトホール８０１を覆うように形成されるとともに、第２中継層６ａ２は、コンタクトホール８８２を覆うように形成されることになる。続いて、これらの上層の全面にプラズマＣＶＤ法等によって窒化シリコンからなる膜を形成した後、これがデータ線６ａ上にのみ残存するようにパターニング処理を実施する。ただし、該窒化シリコンからなる層をシールド層用中継層６ａ１及び第２中継層６ａ２上にも残存するように形成してよいし、場合によっては、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に関して残存するように形成してもよい。
【０１４８】
次に、図７のステップＳ１８に示すように、データ線６ａ等の上を覆うように、例えばＴＥＯＳガス等を用いた常圧又は減圧ＣＶＤ法により、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第３層間絶縁膜４３を形成する。この第３層間絶縁膜４３の膜厚は、例えば約５００〜１５００ｎｍ程度とする。続いて、第３層間絶縁膜４３に対する反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより、コンタクトホール８０３及び８０４を開孔する。この際、コンタクトホール８０３は前記のシールド層用中継層６ａ１に通ずるように、また、コンタクトホール８０４は第２中継層６ａ２に通ずるように、それぞれ形成されることになる。
【０１４９】
続いて、図７のステップＳ１９に示すように、第３層間絶縁膜４３の上には、スパッタリング法、或いはプラズマＣＶＤ法等により、シールド層４００を形成する。ここでまず、第３層間絶縁膜４３の直上には、例えばアルミニウム等の低抵抗な材料からなる第１層を形成し、続けて、該第１層上に、例えば窒化チタンからなる第２層を形成し、最後に、第１層及び第２層をともにパターニングすることで、二層構造を有するシールド層４００が形成されることになる。なお、この際、シールド層４００とともに、第３中継電極４０２もまた形成される。
【０１５０】
続いて、図７のステップＳ２０に示すように、例えばＴＥＯＳガス等を用いた常圧又は減圧ＣＶＤ法により、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第４層間絶縁膜４４を形成する。この第３層間絶縁膜４３の膜厚は、例えば約５００〜１５００ｎｍ程度とする。
【０１５１】
そして、本実施形態においては特に、この第４層間絶縁膜４４の形成工程以降の電気光学装置の製造が、図８に示す工程断面図のように行われることになる（図７ではステップＳ２０で代表させる。）。
【０１５２】
まず、図８の工程（１）の前段階として、第４層間絶縁膜４４の表面に対して、平坦化処理を施す（本発明にいう「第１平坦化処理工程」に該当する。）。本実施形態では、この平坦化処理として、ＣＭＰ処理を実施する。すなわち、第４層間絶縁膜４４までが形成されたＴＦＴアレイ基板１０に対して、研磨布（パッド）を対向させ、これら第４層間絶縁膜４４及び研磨布の表面同士を当接させるとともにこれら両方又はいずれか片方を回転させる。この際、両者の表面間には、研磨液（スラリー）を供給する。これにより、第４層間絶縁膜４４の表面は、機械的作用と化学的作用の兼ね合いにより研磨されることとなり、当該表面は平坦化されることになる。なお、この場合における研磨布及び研磨液は、第４層間絶縁膜４４が如何なる材料から構成されているかに応じて、適宜好適な組み合わせが選択される。
【０１５３】
以上のように第４層間絶縁膜４４の平坦化処理を行った後、続いて、まず、図８の工程（１）に示すように、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチング法により、第３中継層４０２に通ずるようにコンタクトホール８９の前駆段階たる前駆孔８９Ｓを形成する。次に、図８の工程（２）に示すように、この前駆孔８９Ｓに対して適当なエッチャントを用いたウェットエッチングを施すことにより、開口部の面積を広げ、コンタクトホール８９を形成する。なお、このようなことが可能なのは、ウェットエッチングが、等方的に侵食を進行させる性質を有するからである。以上により、底面の面積に比べて、開口部の面積が大きい、テーパ形状を有するコンタクトホール８９が形成されることになる。
【０１５４】
なお、この場合における「テーパ形状」の具体的態様としては、コンタクトホール８９の開口部付近における当該コンタクトホール８９の側面に立つ法線Ｈ１と、当該コンタクトホール８９が形成されている第４層間絶縁膜４４の表面に立つ法線Ｈ２とのなす角が７５〜８９度程度、最適には８３度程度とするのが好ましい。したがって、図８の工程（１）及び工程（２）におけるドライエッチング及びウェットエッチングは、上述のような条件が満たされるように実施されることが好ましい。
【０１５５】
次に、図８の工程（３）に示すように、コンタクトホール８９の内表面の上に且つ第４層間絶縁膜４４の上に、後に接着層６０１となるべき前駆膜６０１Ｓを形成する。この前駆膜６０１Ｓは、例えばＴｉ、ＴｉＮ等からなる金属膜又は合金膜をスパッタリング法により、１０〜３００ｎｍ程度の膜厚で形成することが好ましい。このように前駆膜６０１Ｓをスパッタリング法で形成する場合には、これをＣＶＤ法で形成する場合に比べて、次のような利点が得られる。すなわち、前述のようにＴｉ、ＴｉＮ等からなる前駆膜６０１ＳをＣＶＤ法で形成する場合においては、該ＣＶＤ法において使用するガスにＴｉＣｌ４が含まれる場合があり、そうすると、最終的に形成されるＴｉ、ＴｉＮ或いはその積層構造からなる接着層６０１の組成中の塩素が残存してしまうことが考えられる。このようになると、当該接着層６０１の電気抵抗が大きくなってしまうという問題が生じる。この点、接着層をスパッタリング法で形成する場合においては、このような不具合を被らないで済むのである。ただ、本発明は、前記前駆膜６０１ＳをＣＶＤ法により形成する場合を積極的に排除するものではない。
【０１５６】
次に、図８の工程（４）に示すように、コンタクトホール８９の内部を埋めるように且つ第４層間絶縁膜４４の上に、後に導電層５０１となるべき前駆膜５０１Ｓを形成する。この前駆膜５０１Ｓは、例えばＷ等からなる金属膜をＣＶＤ法により、２００〜１０００ｎｍ程度の膜厚で形成することが好ましい。このように前駆膜５０１ＳをＣＶＤ法で形成する場合には、これをスパッタリング法で形成する場合に比べて、次のような利点が得られる。すなわち、前述のようにＷ等からなる前駆膜５０１Ｓをスパッタリング法で形成する場合においては、該前駆膜５０１Ｓをコンタクトホール８９の内部に完全に埋め込むように形成することが難しい。このように前駆膜５０１Ｓがコンタクトホール８９の内部に完全に埋め込まれない形になると、最終的に形成される接着層６０１及び導電層５０１間が絶縁されてしまうという問題が生じる。この点、前駆膜５０１ＳをＣＶＤ法で形成する場合においては、このような不具合を被らないで済むのである。ただ、本発明は、前記前駆膜５０１Ｓをスパッタリング法により形成する場合を積極的に排除するものではない。
【０１５７】
次に、図９の工程（５）に示すように、いわばコンタクトホール８９をはみ出し、第４層間絶縁膜４４上に至るまで形成された前述の前駆膜５０１Ｓ及び６０１Ｓに対する平坦化処理を施す（本発明にいう「第２平坦化処理工程」に該当する。）。本実施形態では、この平坦化処理として、犠牲膜を用いないエッチバック法を実施する。すなわち、本実施形態においては、前駆膜５０１Ｓ及び６０１Ｓが、前述のように第４層間絶縁膜４４の上に至るまで形成されているから、これらを犠牲膜と考え、当該前駆膜５０１Ｓ及び６０１Ｓに対するエッチング処理を実施することによって、図９の工程（５）に示すような平坦面を形成することが可能となるのである。なお、本発明においては、このような方法に代えて、ＣＭＰ処理等を用いてよいことは言うまでもない。
【０１５８】
以上のような工程を経ると、図９の工程（５）に示すように、前述までの前駆膜５０１Ｓが導電層５０１となり、前駆膜６０１Ｓが接着層６０１となる。また、これら導電層５０１及び接着は、コンタクトホール８９の開口部より上には一切はみ出さないようになっている、換言すれば、該導電層５０１及び該接着層６０１それぞれの最上端と、第４層間絶縁膜４４の表面とは、同じ水平線上にのるようになっているから、これらコンタクトホール８９、導電層５０１及び接着層６０１の形成領域を含む第４層間絶縁膜４４の表面は、極めて優れた平坦性を呈することとなる。
【０１５９】
後は、図９の工程（６）に示すように、導電層５０１及び接着層６０１に接するよう、第４層間絶縁膜４４上に、スパッタ処理等によってＩＴＯ膜等の透明導電性膜を、約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積する。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、画素電極９ａを形成する。なお、当該電気光学装置を、反射型として用いる場合には、Ａｌ等の反射率の高い不透明な材料によって画素電極９ａを形成してもよい。続いて、図９の工程（７）に示すように、画素電極９ａの上に、ポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角をもつように、かつ所定方向でラビング処理を施すこと等により、配向膜１６が形成される。
【０１６０】
以上により、ＴＦＴアレイ基板１０側の製造工程が完了する。
【０１６１】
他方、対向基板２０については、ガラス基板等がまず用意され、額縁としての遮光膜が、例えば金属クロムをスパッタした後、フォトリソグラフィ及びエッチングを経て形成される。なお、これらの遮光膜は、導電性である必要はなく、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ等の金属材料のほか、カーボンやＴｉをフォトレジストに分散した樹脂ブラック等の材料から形成してもよい。その後、対向基板２０の全面にスパッタ処理等により、ＩＴＯ等の透明導電性膜を、約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積することにより、対向電極２１を形成する。さらに、対向電極２１の全面にポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角をもつように、かつ所定方向でラビング処理を施すこと等により、配向膜２２が形成される。
【０１６２】
最後に、上述のように、各層が形成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、配向膜１６及び２２が対面するようにシール材により貼り合わされ、真空吸引等により、両基板間の空間に、例えば複数種のネマテッィク液晶を混合してなる液晶が吸引されて、所定層厚の液晶層５０が形成される。
【０１６３】
以上説明した製造プロセスにより、前述した実施形態の電気光学装置を製造できる。なお、対向基板２０側の製造工程並びに該対向基板２０及びＴＦＴアレイ基板１０の貼り合わせ工程等においては、図示は省略した。
【０１６４】
以上のような本実施形態に係る製造方法によれば、次のような作用効果が得られる。すなわち、まず、前述の各工程によって、コンタクトホール８９、導電層５０１及び接着層６０１の形成領域を含む第４層間絶縁膜４４の表面は、極めて優れた平坦性を呈することとなるから、その上層として形成される画素電極９ａ及び配向膜１６もまた、極めて優れた平坦性を呈することとなる。したがって、配向膜１６に対するラビング処理においては、例えば該配向膜１６の残滓を発生させるなどという事態を招くことがない等、総じて好適に実施され、また、配向不良等を生じさせる可能性を著しく減退させることができる。
【０１６５】
また、本実施形態においては特に、図８の工程（１）の前段階、すなわちコンタクトホール８９の形成前に平坦化処理を実施するとともに、図９の工程（５）において、二段目の平坦化処理を実施する。このように、二段の平坦化処理を実施することによれば、次のような作用効果が得られる。すなわち、この点仮に、図９の工程（５）における平坦化処理のみを実施することによって、第４層間絶縁膜４４並びに導電層５０１及び接着層６０１の双方を一挙に平坦化するという場合も全く不可能ではないものの、両者の組成、性質等の相違から、これを実施することは困難である。
【０１６６】
しかるに、本実施形態によれば、第４層間絶縁膜４４並びに導電層５０１及び接着層６０１が別個に平坦化処理を受けることになるから、このような困難性を抱えることがない。また、最終的に形成される、コンタクトホール８９及び導電層５０１及び接着層６０１を含む第４層間絶縁膜４４の表面は、極めて優れた平坦性を呈することになる。要するに、本実施形態においては、非常に極めて優れた平坦性を得ることができることになるのである。
【０１６７】
（電気光学装置の全体構成）
以下では、以上のように構成された本実施形態における電気光学装置の全体構成を図１０及び図１１を参照して説明する。なお、図１０は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板２０の側からみた平面図であり、図１１は図１０のＨ−Ｈ´断面図である。
【０１６８】
図１０及び図１１において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【０１６９】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるため、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、紫外線、加熱等により硬化させられたものである。また、このシール材５２中には、本実施形態における電気光学装置を、液晶装置がプロジェクタ用途のように小型で拡大表示を行う液晶装置に適用するのであれば、両基板間の距離（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ、あるいはガラスビーズ等のギャップ材（スペーサ）が散布されている。あるいは、当該電気光学装置を液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置に適用するのであれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含まれてよい。
【０１７０】
シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所定のタイミングで供給することにより該データ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線１１ａ及びゲート電極３ａに走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する二辺に沿って設けられている。
【０１７１】
なお、走査線１１ａ及びゲート電極３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでもよいことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよい。
【０１７２】
ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナ部の少なくとも一箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられている。
【０１７３】
図１１において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１のほか、最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマテッィク液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【０１７４】
なお、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【０１７５】
また、上述した各実施形態においては、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には、それぞれ、例えばＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  Ａｌｉｇｎｅｄ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ  ＤｉｓｐｅｒｓｅｄＬｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード・ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が所定の方向で配置される。
【０１７６】
（電子機器）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図１２は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１７７】
図１２において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１７８】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路を示す回路図である。
【図２】本発明の実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ´断面図である。
【図４】図３に示す画素電極及び第３中継層間に設けられたコンタクトホール及びその周囲の構成を拡大して示す断面図である。
【図５】図４に対する比較例を示す断面図である。
【図６】図４と同趣旨の図であって、前記コンタクトホールの各種変形形態を示す断面図である。
【図７】本発明の実施形態の電気光学装置の製造方法（ただし、ＴＦＴアレイ基板１０側の製造方法のみ）を、順を追って示すフローチャートである。
【図８】図４に示した視点においてコンタクトホール及びこれに関連する構造（導電層及び接着層）に関する製造方法を、順を追って示す工程断面図（その１）である。
【図９】図４に示した視点においてコンタクトホール及びこれに関連する構造（導電層及び接着層）に関する製造方法を、順を追って示す工程断面図（その２）である。
【図１０】本発明の実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板を、その上に形成された各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図である。
【図１１】図１０のＨ−Ｈ´断面図である。
【図１２】本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【符号の説明】
３ａ…走査線    ６ａ…データ線    ９ａ…画素電極    １０…ＴＦＴアレイ基板  ３０…ＴＦＴ    ４４…第４層間絶縁膜    ４０２…第３中継層    ８９…（第３中継層と画素電極を接続する）コンタクトホール    ５０１…導電層
６０１…接着層    ６０２…第１接着層    ６０３…第２接着層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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