(57)【要約】      （修正有）【課題】一体化されたヒートシンクを備えた基板処理チャンバ用ハロゲンランプアセンブリの提供。【解決手段】ハロゲンランプとセラミックヒートシンクモノリスを有し、ハロゲンランプは、フィラメントと一対の電気コネクタであって、圧迫式密閉端部を有する包囲体内にカプセル化されたもので、セラミックヒートシンクモノリスは、ブロックと、離間ポストアレイであって、上記ブロックから外側に突き出ているものを含み、ブロックは、上記ランプの圧迫式密閉端部と係合するように形成された凹んだ内部表面を有するキャビティと、上記ハロゲンランプの電気コネクタを貫通させる開口部とを含むハロゲンランプアセンブリ。【選択図】図１
0003109271.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
基板処理チャンバ用ハロゲンランプアセンブリであって：
（ａ）（ｉ）圧迫式密閉端部を有する実質的に透過性の包囲体、（ｉｉ）前記包囲体内のフィラメント、（ｉｉｉ）前記フィラメントに接続し、前記圧迫式密閉端部を通過する一対の電気コネクタを備えるハロゲンランプと；
（ｂ）（ｉ）前記ハロゲンランプの前記圧迫式密閉端部に係合するように形成された凹んだ内部表面、前記ハロゲンランプの前記電気コネクタを通過させる開口を有するブロック、（ｉｉ）前記ブロックから外側に突き出た離間ポストアレイを備えるセラミックヒートシンクモノリスと；
を備える、前記ハロゲンランプアセンブリ。
【請求項２】
前記ポストは：
（ｉ）ポストの平均横断面積と長さとの比が、少なくとも約０．５ｍｍから約２．０ｍｍであること；
（ｉｉ）前記ポストは、テーパが付けられていること；
（ｉｉｉ）前記ポストは、最大で約３°までの角度でテーパが付けられていること；
の特性の内、少なくとも一つを備える、請求項１記載のハロゲンランプアセンブリ。
【請求項３】
前記ブロックの対向外部表面上に一対の離間ポストを備える、請求項１記載のハロゲンランプアセンブリ。
【請求項４】
前記包囲体は、石英から構成され、前記セラミック製ヒートシンクモノリスは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、シリコンカーバイド、または窒化シリコンで構成されている、請求項１記載のハロゲンランプアセンブリ。
【請求項５】
請求項１記載の複数のハロゲンランプアセンブリを備える基板処理チャンバであって：
（ｉ）包囲壁；
（ｉｉ）基板支持体；
（ｉｉｉ）ガス分配装置；
（ｉｖ）ガス排気装置；
を更に備える、基板処理チャンバ。
【請求項６】
ハロゲンランプを受容する為のレセプタクルを有する基板処理チャンバ用ハロゲンランプアセンブリであって：
（ａ）（ｉ）圧迫式密閉端部を有する実質的に透過性の包囲体、（ｉｉ）前記包囲体内のフィラメント、（ｉｉｉ）前記フィラメントに接続し、前記圧迫式密閉端部を通過する一対の電気コネクタを備えるハロゲンランプと；
（ｂ）（ｉ）前記ハロゲンランプの前記圧迫式密閉端部に係合するように形成された凹んだ内部表面、前記ハロゲンランプの前記電気コネクタを通過させる開口を有するブロック、（ｉｉ）前記ブロックから外側に突き出た離間ポストアレイを備え、前記レセプタクルと係合するセラミックヒートシンクモノリスと；
を備える、前記ハロゲンランプアセンブリ。
【請求項７】
前記ポストは：
（ｉ）ポストの平均横断面積と長さとの比が、少なくとも約０．５ｍｍから約２．０ｍｍであること；
（ｉｉ）前記ポストは、テーパが付けられていること；
（ｉｉｉ）前記ポストは、最大で約３°までの角度でテーパが付けられていること；
の特性の内、少なくとも一つを備える、請求項１記載のハロゲンランプアセンブリ。
【請求項８】
前記包囲体は、石英から構成され、前記セラミック製ヒートシンクモノリスは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、シリコンカーバイド、または窒化シリコンで構成されている、請求項６記載のハロゲンランプアセンブリ。
【請求項９】
基板上部に位置決めされた請求項６による複数の上部ハロゲンランプアセンブリと、基板の下方に位置決めされた複数の請求項６記載の下部ハロゲンランプアセンブリと、を備える基板処理用チャンバであって、
（ｉ）包囲壁；
（ｉｉ）基板支持体；
（ｉｉｉ）ガス分配装置；
（ｉｖ）ガス排気装置；
を更に備える、基板処理チャンバ。
【請求項１０】
前記ハロゲンランプアセンブリは、前記基板と同心のリング内に配置されている、請求項９記載のチャンバ。
【考案の詳細な説明】
【背景】
【０００１】
本考案は、基板処理チャンバ用ハロゲンランプアセンブリに関する。
【０００２】
半導体ウエハやディスプレイのような基板が処理される基板処理チャンバは、しばしば、基板やチャンバ壁を加熱する為にハロゲンランプを使用する。ハロゲンランプは、通常、石英製ガラス包囲体内でハロゲンガス雰囲気中のタングステン製フィラメントがカプセル化された白熱ランプである。包囲体は、ランプ基部で収縮され、フィラメントに電流を通過させる金属製コネクタの周囲で圧迫式密閉端部を形成する。これらのランプは、例えば、急速加熱処理（ＲＴＰ）用チャンバ内で基板上の材料層をアニールする為に使用される熱を放ち、或いは、エピタキシャルチャンバ内で基板上に層を形成する為にガスを分解する為に、使用される。ハロゲンランプは、急速に赤外線熱エネルギを急速に、制御可能に、均一な到達範囲で発生可能なので、基板を急速に加熱する為に有用である。
【０００３】
しかし、ハロゲンランプにより放出される熱は、ランプの臨界的領域の故障を起因する可能性があるので、ランプの寿命を減少する。故障を特に受けるランプの一領域は、圧迫式密閉端部である。圧迫式密閉端部は、この領域を通過するコネクタを通る電流の通過から発生された追加抵抗熱により高温に晒される。ガラス、金属、ガラスと金属密閉部材の熱膨張係数における不整合から生じる応力のため、高温動作温度は、金属製シールに対するガラスを機能しなくさせる。また、熱は、金属製コネクタの部分的酸化や他の劣化を生じる可能性がある。そのため、ハロゲンランプの予想される寿命は、圧迫式密閉端部で３００℃の最大動作温度に対し約２０００時間以上であるが、圧迫式密閉端部における動作温度が３５０℃であるときには約１０００時間というかなり短い寿命、動作温度が４００℃のときには約２５０時間の寿命を有する。
【０００４】
そのため、ヒートシンクを備えたハロゲンランプアセンブリを有するのが好ましいが、ヒートシンクは、ランプの動作温度を減少することができる。また、圧迫式密閉領域温度を臨界レベル以下に維持し、ランプの早期機能不全を減じることが望ましい。また、複雑な冷却設備を有することなく、その動作中にランプにより発生された熱を除去することが望ましい。
【概要】
【０００５】
基板処理チャンバ用ハロゲンランプアセンブリは、ハロゲンランプとセラミック製ヒートシンクモノリスを備える。ハロゲンランプは、圧迫式密閉端部を備えた実質的に透過性の包囲体、上記包囲体内のフィラメント、上記フィラメントに接続し、上記圧迫式密閉端部を通過する一対の電気コネクタを備える。セラミック製ヒートシンクモノリスは、ハロゲンランプの圧迫式密閉端部に係合するように形成された凹んだ内部表面、ハロゲンランプの電気コネクタが通過させる開口を有するブロックを備える。セラミック製ヒートシンクモノリスは、上記ブロックから外側に突き出た離間ポストのアレイも備える。
【０００６】
一変形例において、セラミック製ヒートシンクモノリスは、また、基板処理チャンバ内でレセプタクルと係合する。他の変形例において、ヒートシンクブロックは、矩形であり、円形プレートは、ブロックから延びており、穴は、ブロックの開口に整列している。この変形例において、一対のポストのアレイは、ブロックの対向する外側表面から外側に突き出ている。
【０００７】
基板処理チャンバは、複数のハロゲンランプアセンブリを使用する。基板処理アセンブリは、包囲壁、基板支持体、ガス分配装置、ガス排気装置も含む。
【０００８】
本考案の特徴、態様、利点は、本考案の一例を例示する、以下の説明、添付請求項、添付図面について良好に理解される。しかし、特徴の各々は、一般的に本考案に使用可能であり、単に特定の図面の状況で使用可能ではなく、本考案は、これらの特徴の、いかなる組合せも含む。
【説明】
【０００９】
基板処理チャンバ内で基板を処理する為に熱エネルギを供給する為に使用可能なハロゲンランプアセンブリ２０の一実施形態は、図１，図２に例示されている。ハロゲンランプアセンブリ２０は、ハロゲンランプ２２とセラミック製ヒートシンクモノリス２４を備える。本願で説明されているハロゲンランプ２２とセラミック製ヒートシングモノリス２４は、例示的な実施形態であり、これらは、本考案の範囲を限定する為に使用すべきではない。
【００１０】
一般的に、ランプ２２は、光透過性包囲体２６を備え、これは、フィラメント２８の周囲の内部雰囲気を含み、電気コネクタ３０を通過させる。示された変形例において、包囲体２６は、管状形状、圧迫式密閉端部３４、排気管３６を備える。包囲体２６の形状は、管状でなくてもよく、円錐、球、多円弧形状でもよい。包囲体２６は、石英、石英ガラス、アルミノ珪酸塩ガラス、他に適した光透過性材料から成る。包囲体２６内に内包された内部雰囲気は、ハロゲン含有ガスから成る。排気管３６は、製造中、包囲体２６からガスを除去あるいは包囲体２６にガスを追加する為に使用され、後で密封される。
【００１１】
包囲体２８内部のフィラメント２８は、２つの端部を備え、これらは、電気コネクタ３０に電気的に結合されている。フィラメント２８は、金属製抵抗ワイヤを備え、ある変形例では、タングステン製ワイヤである。フィラメント２８は、単一コイルまたは複数のコイルまたは平面ストリップでもよい。フィラメント２８は、フィラメント２８の中間点または最終点で電気コネクタ３０に結合されている。フィラメント２８の電気的特性は、単位長さ、直径、又はコイルピッチ（ワイヤの直径で割ったコイルの区切り）により変更可能である。動作において、フィラメント２８は、約２キロワットまでのワット範囲で、約１２０ＶＡＣの動作電圧で放射を生み出すことができる。通常、放射は、深紫外線、紫外線、可視または赤外線範囲である。
【００１２】
コネクタ３０は、通常、良好な電導性を備えたフォイルや金属製ワイヤ（例えばモリブデン製ワイヤ）を備える。コネクタ３０は、また、他の金属（タングステン、ニッケルメッキ鋼、低い電気抵抗を持ち、高電流を信頼性良く運べる他の材料）でもよい。一変形例において、コネクタ３０は、フィラメントから圧迫式密閉端部３４まで至る金属製第１ワイヤ、金属製第１ワイヤに接続された圧迫式密閉３４の内側にカプセル化されたフォイルシート、フォイルシートに接続され圧迫式密閉３４から遠くに伸びた金属製第２ワイヤを備える。金属製第１ワイヤ及び金属製第２ワイヤは、直接、フォイルシートに接続されてもよく、或いは、フォイルシート及び第１ワイヤ及び第２ワイヤに溶接された追加のワイヤリードによりフォイルシートに接続されてもよい。他の変形例では、コネクタ３０は、単一素線、または複数の素線ワイヤであって、フィラメント２８に接続され、圧迫式密閉端部３４を通過するものを備えてもよい。
【００１３】
圧迫式密閉端部３４は、電気コネクタ３０が、包囲体２６に入り、電気的に外部電源をフィラメント２８に結合させるので、電気コネクタ３０の周囲で物理的に収縮された包囲体２６の領域を備える。コネクタ３０は、圧迫式密閉端部３４を通過し、これにより所定の場所で保持されている。圧迫式密閉端部３４は、ハーメチックシールを形成し、包囲体２６の内部雰囲気の圧力及び組成を維持する。他の変形例において、ランプ２２は、包囲体２６の実質的に対向する端部で、各圧迫式密閉端部３４を通過する単一コネクタを備えた２つの圧迫式密閉端部３４を有してもよい。また他の変形例において、単一の圧迫式密閉端部３４を通過する３つのコネクタ３０を有してもよい。
【００１４】
ハロゲンランプアセンブリ２０は、更に、図１に示されたように、セラミック製ヒートシンクモノリス２４を備える。セラミック製ヒートシンクモノリス２４は、ランプ２２の圧迫型密閉端部３４に直接結合されたブロック３８を備える。ブロック３８は、圧迫式密閉端部３４から熱エネルギを外に引き出し、対流及び放射により、直接、この熱を大気に放散させる。ブロック３８は、バルクブロック材のインピーダンスに加えて追加の熱インピーダンスを発生させるインターフェースや接合部を容積中に持たない単一構造のモノリスである。従来のランプアセンブリ用ヒートシンクは、しばしば、反り、粗さ、間隙を有するインターフェースで接触する複数部品を内包する。部品のインターフェース間の貧弱な接触は、熱インピーダンスを生み出し、これらは、バルク材の固体導体路のインピーダンスよりかなり高い。そのため、単一構造のモノリスブロック３８は、そのような容積内部にインターフェースが欠如していることにより、従来のヒートシンクアセンブリと比較すると、高い熱伝導率を与える。
【００１５】
ブロック３８は、また、キャビティ４２を有し、キャビティ４２は、ランプ２２の圧迫式密閉端部３４を受容する。キャビティ４２は、ランプ２２の圧迫式密閉端部３４の外部表面と係合するように形づくられた凹んだ表面４４を形成する。圧迫式密閉端部３４の外部表面と凹んだ内部表面４４との間の係合は、これらの間の熱伝達率を最大にするヒートシンク２４とランプ２２間に実質的に適合したインターフェースを与える。従来のランプアセンブリのヒートシンクは、ヒートシンクと熱発生ランプ間の不適合係合のため、或いは、高い熱インピーダンスを持つ外部表面間の間隙や粗さのため、非効率的な熱伝達を与える。外部表面３５と凹んだ内部表面４４間に存在する間隙は、セラミックから構成される充填材で満たされ、圧迫式密閉端部３４の外部表面３５とセラミック製ヒートシンクモノリス２４の凹んだ内部表面４４との間に連続的な熱的インターフェースを与える。
【００１６】
セラミック製ヒートシンクモノリス２４は、ブロック３８から外側に突き出ており、離間ポスト４０のアレイ３９を更に備える。アレイ３９は、二次元格子のポスト４０を備え、これらは、両方のアレイの次元で間隔を開けて周期的に配置されている。例えば、一変形例において、単一アレイ３９は、５列で、各列に１２個のポストが配置された６０個のポスト４０を備えてもよい。しかし、アレイ３９は、異なる合計のポスト４０を備えてもよい。列の正確な数と、各列におけるポスト４０の正確な数は、変更可能である。ポスト４０は、これらが始まる平面から実質的に直交して外側に突き出ている。ポスト４０は、ランプ２２の圧迫式密閉端部３４で発生され、ブロック３８の凹んだ内部表面を介して伝導的に通過する熱を受ける。伸張されたポスト４０は、放射と対流を介して熱を周囲の大気に放散する。好ましくは、ポスト４０は、ブロック３８の単一構造モノリス伸張部を形成し、これらの間に異なる材料のインターフェースや接合部を持たないことが好ましい。ポスト４０は、セラミック製ヒートシンクモノリス２４の一部である。
【００１７】
一変形例において、間隔を開けて配置されたポスト４０のアレイ３９は、ブロック３８の対向する外部表面５６ａ、ｂから外側に突き出ている。アレイ３９は、側部表面５７ａ、ｂにより接合された対向する表面５６ａ、ｂ上にある。２つの対向する表面５６ａ、ｂからのみ突き出ているポスト４０のアレイ３９を有することにより、ハロゲンランプアセンブリ２０は、チャンバ内で基板の周りと同一中心のリング内で、互いに接触する側部表面５７ａ、ｂと共に密接に配置可能になる。この配置は、熱放散を犠牲にすることなく、より均一または大量の熱を発生させる為に高密度のランプを提供する。
【００１８】
一変形例において、各ポスト４０は、ブロック３８の表面５６から外側に突き出るポスト全長にわたり、およそ矩形横断面を持つ。矩形横断面の寸法は、ポスト４０の全長にわたり変更可能である。一変形例において、ポスト４０は、ブロック３８から外側に突き出るにつれてテーパが付けられ、ポスト４０の横断面積は、ブロック３８の表面５６からの距離に伴い減少する。テーパが付けられたポスト４０は、ブロック３８に接触し一体化された広い横断面積からブロック３８に近い熱伝導率を増加する一方、ブロック３８から更に遠くに突出部に沿ってポスト４０から有効な対流及び放射の為に多くのガスを提供する。一変形例において、ポスト４０は、約８ｍｍ２から約１５ｍｍ２の平均横断面積、約８ｍｍから約１２ｍｍの平均長、約３°までの角度でテーパを持つ。他の変形例において、ポスト４０は、約０．５ｍｍから約２．０ｍｍという長さに対する平均横断面積の比を有する。
【００１９】
圧迫式密閉端部３４からの熱伝達は、ブロック３８の大きさ、ポスト４０の横断径と長さ、ブロック３８のセラミック材の熱伝導率を調節することにより変更可能である。例えば、ブロック３８の大きさ、ポスト４０の横断径と長さは、予想される大気と圧迫式密閉端部の温度のような境界値情報やヒートシンクモノリス２４の幾何学的形状に基づき、数学的モデルを構成することにより選択可能である。数学的シンボル操作用ソフトウエアは、ブロック３８の大きさ、ポスト４０の横断寸法、長さという観点で、圧迫式密閉端部３４からの熱伝達を表す公式の展開において支援可能である。ブロック３８の大きさやポスト４０の横断寸法及び長さを選択する他の方法は、有限要素分析（ＦＥＡ）モデルを使用することである。ヒートシンクモノリス２４のＦＥＡモデルは、多数の微分的に小さな要素を備え、これらが、各々に、有限面積内部の放射、熱伝導率、対流をモデル化する。パワーの計算は、その後、多数の小さな要素の既知の相互作用に基づき、全体として、ヒートシンクモノリス２４の動作をモデル化するのに使用される。ＦＥＡモデル化ソフトウエアは、ペンシルバニア州キャノンズバーグに本拠地を置く、Ａｎｓｙｓ社から、デザインスペースソフトウエアパッケージのようなソースから商業的に利用可能である。
【００２０】
ヒートシンクモノリス２４は、また、基板処理チャンバ内でランプアセンブリ２０を受容するレセプタクルと係合する表面５１を提供する。一変形例において、セラミック製ヒートシンクモノリス２４は、ブロック３８から伸び、ブロック内の開口と整列した穴を有し、ランプからのコネクタ３０をブロック３８に通過させる円形プレートを備える。好ましくは、円形プレート５０は、ブロック３８の単一構造モノリス伸張部を形成し、これらの間に異なる材料や部品のインターフェースや接合部は存在しない。円形プレート５０は、セラミック製モノリス２４の一部である。円形プレート５０は、基板処理チャンバ内のレセプタクルに対するランプアセンブリ２０の整列を容易にする。例えば、円形プレート５０は、また、チャンバ内のレセプタクルにおける整合用窪みに嵌るような大きさにできる。円形プレート５０は、また、レセプタクルの表面に対し安定して接触できる矩形、平坦面を与える。この第２の適合した係合面は、更に、適合したインターフェースを介する伝導により、チャンバレセプタクルへの熱伝達を高める。
【００２１】
一変形例において、ブロック３８及びポスト４０は、酸化アルミニウムのようなセラミックから構成されている。セラミック製ヒートシンクモノリス２４は、熱劣化に対し耐性があり、良好な熱伝達率を与えるように選択される。例えば、酸化アルミニウムは、セラミックスの中でも比較的良好な熱伝導率を有し、その数値は、約２５Ｗ／ｍ・Ｋから約３５Ｗ／ｍ・Ｋである。酸化アルミニウムのセラミックは、酸化に対し耐性を有し、約１８００℃までの温度に耐える能力を有する。代替えのセラミックスは、窒化アルミニウム、シリコンカーバイド、窒化シリコンを含む。窒化アルミニウムは、特に良好な熱伝導率を示し、同様に、望ましい。
【００２２】
ハロゲンランプアセンブリ２０は、優れた熱伝導率と良好な寿命を提供する。良好な寿命は、ランプ２２の圧迫式密閉端部３４の温度を減少することにより提供される。これにより、動作中、金属製コネクタ３０の酸化が減少される。包囲体２６の熱膨張と導電性コネクタ３０間の熱膨張不整合から生じる応力は、ランプ２２の圧迫式密閉端部３４内の割れや裂け傷を導くが、これも減少可能である。更に、ハロゲンランプアセンブリ２０は、大きな電気的負荷を許容でき、特定処理適用に望ましい場合、追加の熱を発生する。
【００２３】
包囲体２６、フィラメント２８の関連したカプセル充填、圧迫式密閉端部３４内部のコネクタ３０を備えたハロゲンランプ２２は、従来の石英又はガラス製作方法により製造可能であり、これには、成型、ブローイング、機械加工を含む。セラミック製ヒートシンクは、ランプ２２に取り付けられ、ブロック３８の、圧迫式密閉端部３４に対して適合した単一構造を形成する。セラミック製ヒートシンクモノリス２４は、セラミックスラリを形成し、このセラミックスラリをブロック３８とポスト４０を形成するように形づくられた型の中に注ぐことにより製作可能である。あるいは、セラミックの矩形片は、ポスト及びブロック表面を形成するように機械加工可能である。ハロゲンランプ２２の圧迫式密閉端部３４は、セラミック製ヒートシングモノリス２４のブロック３８のキャビティ４２に充填材を用いて係合可能であるが、充填材は、これらの間に、セラミック製ヒートシンクモノリス２４に対しハロゲンランプ２２の固体単一構造を形成する為に、これらの間にセラミックを備える。例えば、適した充填材は、セラミックパウダー（アルミナ、シリカ、ミュライト（mulite）、フライアッシュ(flyash)であって、ケイ酸ナトリウムや燐酸塩のような接着材料と混合されたもの）である。
【００２４】
ハロゲンランプアセンブリ２０は、基板処理チャンバ内で使用可能であり、実行されている処理中、或いは別個の処理中のいずれかに、基板を加熱する。図３は、複数のハロゲンランプアセンブリ２０を含むが、ハロゲンランプ２０は、他のチャンバでも使用可能であり、例示チャンバの実施形態は、この考案を限定するために使用されるべきではない。
【００２５】
チャンバ１００は、図３に示されるように、包囲壁１０２、ガス分配装置１０４，ガス排気装置１０６を内包する。上部カバー１２４及び下部カバー１２６は、処理環境を内包する。ガス分配装置１０４は、ガス供給装置１０８、ガスバルブ１１０、ガス入口１１２を備える。ガス分配装置は、処理ガスを基板１２８の上方にある処理ゾーン１２２、パージガスを基板１２８の下方にあるエリアに分配できる。ガス排気装置１０６は、ガス出口１１４，排気バルブ１１６，ポンプ１１８を備える。チャンバ１００は、また、基板支持体１２０を備え、基板１２８を処理ゾーン１２２内に保持する。基板支持体１２０は、支持アーム１２１を備え、基板１２８が上部に置かれる支持用プラットフォーム１２３を保持する。チャンバ１００は、また、シャフト１３２とシャフトモータ１３４を備え、基板支持体１２０を処理サイクル中に回転させ、処理均一性を促進する。
【００２６】
チャンバ１００は、上方から基板１２８上の温度を測定する為に上部光学温度検出装置１３０ａ、ｂを更に備え、下方から基板支持体１２０上の温度を測定する為に下部光学温度検出装置１３０ｃを更に備える。例えば、検出装置１３０は、赤外線高温計でもよい。上部及び下部カバー１２４，１２６は、光学及び赤外線放射に対し透過性であり、光学温度検出装置１３０ａ、ｂ、ｃの動作、熱エネルギの基板１２８及び処理ゾーン１２２への導入を赤外線放射形式で許容する。カバー１２４，１２６は、石英のような材料から製作されてもよい。
【００２７】
基板処理チャンバ１００は、ハロゲンランプアセンブリ２０を受容する為に複数のレセプタクル１４６を有し、これらは、基板１２８の上方及び下方の両方に位置決め可能である。例えば、図３に例示されるように、複数の上部ランプアセンブリ２０ａは、基板１２８の上方に位置決めされ、赤外線放射を発生させる。上部ランプアセンブリ２０ａは、基板１２８と同心のリング内に配置可能である。複数の下部アセンブリ２０ｂ、ｃは、また、基板１２８の下方に位置決めされる。図３に示された変形例において、２セットの下部ランプアセンブリ、すなわち、外側下部ランプアセンブリ２０ｂ、内側下部ランプアセンブリ２０ｃがある。下部ランプアセンブリ２０ｂ、ｃも、同様に、基板１２８と同心のリング内に配置可能である。さらに、チャンバは、リフレクタ１３６、１３８、１４０を有し、ランプアセンブリ２０により発生された赤外線を基板及び基板支持体に向けて反射する。上部ランプリフレクタ１３６は、上部ランプアセンブリ２０ａにより発生された赤外線を基板１２８の下方に反射する。外側下部リフレクタ１３８および内側下部リフレクタ１４０は、下部ランプアセンブリ２０ｂ、ｃにより発生された赤外線を基板支持体１２０及び基板１２８に向けて反射する。
【００２８】
上部、外側下部、内側下部ランプアセンブリ２０ａ、ｂ、ｃは、別個に制御可能であり、基板１２８と基板支持体１２０上の温度を均一性及び精度を制御する点で大きな自由度を提供する。例えば、外側及び内側下部ランプアセンブリ２０ｂ、ｃは、基板１２８、基板支持体１２０の様々な地点に分配される熱エネルギをカスタマイズする為に、パワーレベルを異なって変更する際に動作可能である。
【００２９】
コントローラ１４２は、電源１４４，検出装置１３０、シャフトモータ１３４、複数のランプアセンブリ２０ａ−ｃを制御する。コントローラ１４２は、通常、適切なハードウエア及びソフトウエアの構成を備え、基板処理チャンバ１００の構成要素を動作せしめる。例えば、コントローラ１４２は、メモリ及び他のコンポーネントに接続される中央制御装置（ＣＰＵ）を備えてもよい。ＣＰＵは、コンピュータ可読プログラムを実行する能力を有するマイクロプロセッサを備える。メモリは、ハードディスク、光コンパクトディスク、フロッピィディスク、読取り書込み記憶装置、及び／又は他のタイプのメモリのようなコンピュータ可読媒体を備えてもよい。オペレータとコントローラ間のインターフェースは、例えば、モニタのようなディスプレイ、キーボードのような入力装置を介する。コントローラ１４２は、アナログ及びデジタル入力／出力ボード、リニアモータドライバボード、ステッパモータコントローラボードのような駆動電子装置を含み得る。
【００３０】
本考案を、その好ましい変形例を参照して、かなり詳細に説明したが、他の変形例も可能である。そのため、添付された請求の範囲は、本願に含まれた好ましい変形例の説明に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】図１は、本考案に従うハロゲンランプアセンブリの一実施形態の分解斜視図である。
【図２】図２は、図１に示されたハロゲンランプアセンブリの一実施形態の側面図である。
【図３】図３は、複数のハロゲンランプアセンブリを内包する基板処理チャンバの一実施形態の概略図である。
【符号の説明】
【００３２】
２０…ハロゲンランプアセンブリ、２０ａ…上部ランプアセンブリ、２０ｂ…外側下部ランプアセンブリ、２０ｃ…内側下部ランプアセンブリ、２２…ハロゲンランプ、２４…セラミック製ヒートシンクモノリス、２６…包囲体、２８…フィラメント、３０…電気コネクタ、３４…圧迫式密閉端部、３６…排気管、３８…ブロック、３９…アレイ、４０…２次元格子ポスト、４２…キャビティ、４４…凹んだ内側表面、４６…、５０…円形プレート、５１…レセプタクルと係合する表面、５３…穴、５６ａ、ｂ…ブロックの対向表面、５７ａ、ｂ…側部表面、１００…基板処理チャンバ、１０２…包囲壁、１０４…ガス分配装置、１０６…ガス排気装置、１０８…ガス供給装置、１１０…ガスバルブ、１１２…ガス入口、１１４…ガス出口、１１６…排気バルブ、１１８…ポンプ、１２０…基板支持体、１２２…処理ゾーン、１２３…支持用プラットフォーム、１２４、１２６…下部カバー、１２８…基板、１３０…検出装置、１３０ａ、ｂ、ｃ…光学温度検出装置、１３２…シャフト、１３４…シャフトモータ、１３６、１３８、１４０…リフレクタ、１４２…コントローラ、１４４…電源、１４６…レセプタクル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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