(57)【要約】【課題】熱処理時に撓んで変形するウェーハの撓み変形と自重を、集中して受けない分散荷重として多重受けし、スリップの発生を防止して高品質な大口径ウェーハの熱処理に適したウェーハ支持具を提供する。【解決手段】水平配置の半導体ウェーハｗを下方から支持する熱処理用ウェーハ支持具Ａにおいて、その外周部１０の内側中空に、外周部１０の所定位置２から中心方向に向って湾曲する線状の湾曲型支持部１が複数形成され、その複数の湾曲型支持部１…の上に載置されるウェーハｗの自重や同ウェーハｗの熱処理による撓み変形に応じて、当該湾曲型支持部１が上下方向に変位自在な柔体構造に構成されている。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
水平配置の半導体ウェーハを下方から支持する熱処理用ウェーハ支持具において、
当該ウェーハ支持具の外周部の内側中空に、ウェーハの自重や同ウェーハの熱処理による変形に応じて変位する柔体構造が形成されていることを特徴とする熱処理用ウェーハ支持具。
【請求項２】
水平配置の半導体ウェーハを下方から支持する熱処理用ウェーハ支持具において、
当該ウェーハ支持具の外周部の内側中空に、その外周部の所定位置から中心方向に向って湾曲する線状の湾曲型支持部が複数形成され、その複数の湾曲型支持部の上に載置されるウェーハの自重や同ウェーハの熱処理による撓み変形に応じて、当該湾曲型支持部が上下方向に変位自在な柔体構造に構成されていることを特徴とする熱処理用ウェーハ支持具。
【請求項３】
水平配置の半導体ウェーハを下方から支持する熱処理用ウェーハ支持具において、
当該ウェーハ支持具の外周部の内側中空に、その外周部の所定位置から中心方向に向って螺旋状に渦巻く線状の渦巻き型支持部が複数形成され、その複数の渦巻き型支持部の上に載置されるウェーハの自重や同ウェーハの熱処理による撓み変形に応じて、当該渦巻き型支持部が上下方向に変位自在な柔体構造に構成されていることを特徴とする熱処理用ウェーハ支持具。
【請求項４】
水平配置の半導体ウェーハを下方から支持する熱処理用ウェーハ支持具において、
当該ウェーハ支持具の外周部の内側中空に、その外周部の所定位置から中心に向って膨出する膨出型支持部が複数形成され、その複数の膨出型支持部の上に載置されるウェーハの自重や同ウェーハの熱処理による撓み変形に応じて、当該膨出型支持部が上下方向に変位自在な柔体構造に構成されていることを特徴とする熱処理用ウェーハ支持具。
【請求項５】
柔体構造の膨出型支持部が、円周方向に延設された左右の羽根部と更に中心に向って延びる先端部とから成る逆Ｔ字形状、又は円形状、又は尖った角のない平面形状に形成され、外周部の所定位置から中心に向って膨出する柔体構造の基端部に当該膨出型支持部が連接されていることを特徴とする、請求項４に記載した熱処理用ウェーハ支持具。
【請求項６】
水平配置の半導体ウェーハを下方から支持する熱処理用ウェーハ支持具において、
当該ウェーハ支持具の外周部の内側中空に、その外周部の所定位置と中心部材を結ぶ半径線型部材が複数形成されていると共に、前記隣り合う半径線型部材の間において、前記中心部材から外周部に向って膨出する柔体構造の基端部に円形状等の膨出型支持部がそれぞれ形成され、その複数の膨出型支持部の上に載置されるウェーハの自重や同ウェーハの熱処理による撓み変形に応じて、当該膨出型支持部が上下方向に変位自在な柔体構造に構成されていることを特徴とする熱処理用ウェーハ支持具。
【請求項７】
水平配置の半導体ウェーハを下方から支持する熱処理用ウェーハ支持具において、
当該ウェーハ支持具の外周部の内側中空に、その外周部の所定位置から同心円上をたどるように中心方向に向って蛇行する線状の蛇行型支持部が複数形成され、その複数の蛇行型支持部の上に載置されるウェーハの自重や同ウェーハの熱処理による撓み変形に応じて、当該蛇行型支持部が上下方向に変位自在な柔体構造に構成されていることを特徴とする熱処理用ウェーハ支持具。
【請求項８】
湾曲型支持部又は渦巻き型支持部又は膨出型支持部又は蛇行型支持部は、それぞれ３個以上の複数個形成され、前記各支持部の基端は、外周部又は中心部材の外周において等間隔の位置に接続されていることを特徴とする、請求項２〜７のいずれか１項に記載した熱処理用ウェーハ支持具。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱処理用ウェーハ支持具の技術に属し、さらに云えば、大口径の半導体ウェーハ（以下、単にウェーハということがある。）の高温又は超高温による熱処理に適したウェーハ支持具の技術分野に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体ウェーハの高温熱処理又は超高温熱処理に際し、いわゆる縦型タイプの熱処理装置に使用されるウェーハの支持具として、水平配置のウェーハを下方から支持する水平配置のウェーハ支持具が公知である（特開平１０−３３５４３４号公報等）。
【０００３】
例えば、図１０に示したような従来のウェーハ支持具ａは、非常に硬い材質及びその形状からして変位不可能な、いわば剛体構造で構成されている。一方、このウェーハ支持具ａの突型支持部ｂの上に載置されているウェーハｗは、図１０Ｃに示した如く熱処理中に、熱によって撓み変形が生じたり自重が原因となって、当該ウェーハ支持具ａの突型支持部ｂ中、符号ｓで示した個所に局所的なストレス（負荷）がかかるため、ウェーハｗにスリップ（欠陥）が生じ易くなっている。
【０００４】
また、ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  ＩＭｐｌａｎｔｅｄ  ＯＸｙｇｅｎ）ウェーハ製作時に特有のスリップの発生も指摘されている。すなわち、シリコンウェーハとＳｉＣ製のウェーハ支持具ａが不動状態で溶着し得る。というのは、お互いの酸化膜同士が熱処理中に融点に達して溶着するが、温度が降下すると離れようとして当該溶着部分にストレスがかかりスリップが発生することがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
前記のスリップを生じないようにするためには、従来の剛体構造に形成されたウェーハ支持具を改良し、ウェーハ支持具の構造が原因でウェーハに局所的に集中するストレスを発生させないことである。
【０００６】
一方、近年３００ｍｍの大口径ウェーハの時代が到来しつつあり、この大口径で薄いウェーハの熱処理に際しても対応する必要があるが、１２００℃〜１３９０℃以上の超高温熱処理を施した場合、当該大口径ウェーハｗの支持具ａに支持されていない部分は、お碗状や花びら状又は山形状等さまざまな形状に撓むと考えられる。
【０００７】
しかし、そのようなさまざまなウェーハの撓み変形や自重に対して従来タイプのウェーハ支持具ａは、前記のように熱処理時でも変位・変形が不可能な非常に硬い剛体構造であるため、突型支持部ｂの接触部位ｓに集中してストレスがかかる。そこで、本出願人は、ウェーハ支持具を従来のような剛体構造ではなく、柔体構造として形成することにより、局所的にストレスを集中させないスリップ防止手段を案出した。
【０００８】
したがって、本発明の目的は、水平配置の半導体ウェーハの熱処理において、撓んで変形するウェーハの撓み変形と自重を、集中して受けない分散荷重としていわば多重受け等すると共に、全体として柔体構造で柔かく受け、スリップの発生を防止して高品質かつ経済的な大口径ウェーハの熱処理に適したウェーハ支持具を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するための手段として、請求項１記載の発明の熱処理用ウェーハ支持具は、水平配置の半導体ウェーハｗを下方から支持する熱処理用ウェーハ支持具において、当該ウェーハ支持具の外周部１０の内側中空に、ウェーハｗの自重や同ウェーハｗの熱処理による変形に応じて変位する柔体構造を形成したことを特徴とする。
【００１０】
請求項２記載の発明の熱処理用ウェーハ支持具は、水平配置の半導体ウェーハｗを下方から支持する熱処理用ウェーハ支持具Ａ、Ａ’において、当該ウェーハ支持具Ａ、Ａ’の外周部１０の内側中空に、その外周部１０の所定位置２から中心方向に向って湾曲する線状の湾曲型支持部１を複数形成し、その複数の湾曲型支持部１…の上に載置されるウェーハｗの自重や同ウェーハｗの熱処理による撓み変形に応じて、当該湾曲型支持部１が上下方向に変位自在な柔体構造に構成したことを特徴とする（図１、図２参照）。
【００１１】
請求項３記載の発明の熱処理用ウェーハ支持具は、水平配置の半導体ウェーハｗを下方から支持する熱処理用ウェーハ支持具Ｂ、Ｂ’、Ｂ”において、当該ウェーハ支持具Ｂ、Ｂ’、Ｂ”の外周部１０の内側中空に、その外周部１０の所定位置２から中心方向に向って螺旋状に渦巻く線状の渦巻き型支持部３を複数形成し、その複数の渦巻き型支持部３…の上に載置されるウェーハｗの自重や同ウェーハｗの熱処理による撓み変形に応じて、当該渦巻き型支持部３が上下方向に変位自在な柔体構造に構成したことを特徴とする（図３〜図５参照）。
【００１２】
請求項４記載の発明の熱処理用ウェーハ支持具は、水平配置の半導体ウェーハｗを下方から支持する熱処理用ウェーハ支持具Ｃ、Ｃ’において、当該ウェーハ支持具Ｃ、Ｃ’の外周部１０の内側中空に、その外周部１０の所定位置から中心に向って膨出する膨出型支持部５、１１を複数形成し、その複数の膨出型支持部５…、１１…の上に載置されるウェーハ１０の自重や同ウェーハ１０の熱処理による撓み変形に応じて、当該膨出型支持部５、１１が上下方向に変位自在な柔体構造に構成したことを特徴とする（図６〜図８参照）。
【００１３】
請求項５記載の発明の熱処理用ウェーハ支持具は、前記柔体構造の膨出型支持部５、１１を、円周方向に延設された左右の羽根部６、６と更に中心に向って延びる先端部７とから成る逆Ｔ字形状、又は円形状１１、又は尖った角のない平面形状に形成し、外周部１０の所定位置から中心に向って膨出する柔体構造の基端部８、９に当該膨出型支持部５、１１を連接したことを特徴とする。
【００１４】
請求項６記載の発明の熱処理用ウェーハ支持具は、水平配置の半導体ウェーハｗを下方から支持する熱処理用ウェーハ支持具Ｃ”において、当該ウェーハ支持具Ｃ”の外周部１０の内側中空に、その外周部１０の所定位置と中心部材１３を結ぶ半径線型部材１２を複数形成した。と共に、前記隣り合う半径線型部材１２、１２の間において、前記中心部材１３から外周部１０に向って膨出する柔体構造の基端部１４に円形状等の膨出型支持部１５をそれぞれ形成し、その複数の膨出型支持部１５…の上に載置されるウェーハｗの自重や同ウェーハｗの熱処理による撓み変形に応じて、当該膨出型支持部１５が上下方向に変位自在な柔体構造に構成したことを特徴とする（図８参照）。
【００１５】
請求項７記載の発明の熱処理用ウェーハ支持具は、水平配置の半導体ウェーハｗを下方から支持する熱処理用ウェーハ支持具Ｄにおいて、当該ウェーハ支持具Ｄの外周部１０の内側中空に、その外周部１０の所定位置１７から同心円上をたどるように中心方向に向って蛇行する線状の蛇行型支持部１６を複数形成し、その複数の蛇行型支持部１６…の上に載置されるウェーハｗの自重や同ウェーハｗの熱処理による撓み変形に応じて、当該蛇行型支持部１６が上下方向に変位自在な柔体構造に構成したことを特徴とする（図９参照）。
【００１６】
請求項８記載の発明の熱処理用ウェーハ支持具は、前記湾曲型支持部１又は渦巻き型支持部３又は膨出型支持部５、１１、１５又は蛇行型支持部１６を、それぞれ３個以上の複数個形成し、前記各支持部１、３、５、１１、１５、１６の基端２、８、９、１４、１７は、外周部１０又は中心部材１３の外周において等間隔の位置に接続したことを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
請求項１〜８記載の本発明の熱処理用ウェーハ支持具は、半導体ウェーハの超高温熱処理、特にはＳＩＭＯＸウェーハ製作時に実施されるアニール方法において好適に実施される。
【００１８】
このウェーハ支持具は、例えば、図示を省略した縦型の熱処理装置の電気炉に炉心管が装着され、その炉心管内で熱処理が施される水平配置のウェーハを、下方から水平配置で支持する支持具である。１３５０〜１３９０℃以上の超高温の熱処理に対応可能であり、基本的には、当該ウェーハ支持具の外周部１０の内側中空に、載置されるウェーハｗの自重や同ウェーハｗの熱処理による変形に応じて変位する柔体構造が形成されている（請求項１参照）。なお、以下、ウェーハｗは、３００ｍｍ口径のものを例に説明するが、２００ｍｍ口径のウェーハや３００ｍｍを超える口径のウェーハに対しても同様に実施可能である。
【００１９】
本発明の熱処理用ウェーハ支持具を大別すると、図１と図２の湾曲タイプ、図３〜図５の渦巻きタイプ、図６〜図８の膨出タイプ、図９の蛇行タイプに分類できる。以下、これらの各タイプの好適な実施形態を、図面にしたがって説明する。なお、各タイプの支持具の説明の便宜上、図示した該当部分が分りにくい場合を考慮し、該当部分を色濃く表示している。
【００２０】
まず、図１と図２に示した湾曲タイプの実施形態を説明する（請求項２）。
【００２１】
図１に示した当該湾曲タイプのウェーハ支持具Ａの外周部１０は、直径約３１９ｍｍのリング状であって、中心方向に約１７〜３５ｍｍの幅寸分延設された平坦部１０ａを有し、この平坦部１０ａの上に３００ｍｍ口径のウェーハｗを載置可能な構成とされている。この外周部１０の構成については、以下の各実施形態において略同じである。
【００２２】
当該ウェーハ支持具Ａの外周部１０で囲まれた中空状の内側の同一平面上に、幅寸約１００ｍｍの線状の湾曲型支持部１が複数形成されている。各湾曲型支持部１は、その外周部１０の所定位置２から中心方向に向って同一方向に緩やかな曲率で湾曲し、当該外周部１０の約１／４の長さ程で切断されて形成されている。湾曲型支持部１の先端は、ウェーハｗと接触した場合にスリップが生じないように丸く加工成形されている（以下の線材の支持部の先端において同じ）。図１の図示例では、合計６本の湾曲型支持部１が、その各基端部２を、外周部１０において６等分した等間隔の各位置に接続されており、各湾曲型支持部１、１間及び中心部は中空の構造である（請求項８参照）。なお、外周部１０及び湾曲型支持部１の材質としては、ＳｉＣ、Ｓｉ、石英等が好適であるが、これらの材質に限定されるものではない（以下の各支持部３、５、１１、１５、１６及び基端部２、８、９、１４、１７並びに中心部材１３等において同じ）。
【００２３】
かくして、各湾曲型支持部１は、荷重を受けるときは先端にいくにしたがって大きく下方向に変位し、荷重を受けないときは元の水平位置に至る上方向への復元が自在な柔かい柔体構造に形成されている。
【００２４】
したがって、本実施形態によれば、超高温熱処理時において、お碗状や花びら状又は山形状等さまざまに湾曲状に撓んで変形するウェーハｗの撓み変形とウェーハｗの自重を、図１０Ｃに示した従来のように剛体構造の支持具の一部分（ｓ）に集中してストレス受けるのではなく、図１Ｃに示したように接触部分ｐが、多点存在する分散荷重として、複数の湾曲型支持部１…の集合により多重受けしつつ、全体としては柔体構造で柔かくウェーハｗを受けるので、ウェーハｗとの接触によるスリップの発生を可及的に防止することができる。
【００２５】
図２は、前記図１のウェーハ支持具Ａに比べ湾曲型支持部１の数が少ない３本の湾曲型支持部１…より成るウェーハ支持具Ａ’の例を示している。この湾曲型支持部１の各基端部２もやはり、外周部１０において等間隔の位置に接続されている。但し、湾曲型支持部１の本数が少ない分だけ、多重受けする部位を増やすべく、当該外周部１０の約１／３の長さ程の長い位置で切断されて形成されている。
【００２６】
次に、図３〜図５に示した渦巻きタイプの実施形態を説明する（請求項３）。
【００２７】
図３に示した当該渦巻きタイプのウェーハ支持具Ｂは、外周部１０の内側中空に、その外周部１０を３等分した等間隔位置２から中心方向に向って同一方向に螺旋状に渦巻く線状の渦巻き型支持部３が３本形成されている。この渦巻き型支持部３は、前記の湾曲型支持部１と比べると曲率が大きく、螺旋状又は渦巻状のような形状になっている点が異なるが、基本的な作用は、湾曲型支持部１と同じである。
【００２８】
すなわち、この渦巻きタイプのウェーハ支持具Ｂの場合も、複数の渦巻き型支持部３…の上に載置されるウェーハｗの自重や撓み変形に応じて当該渦巻き型支持部３…が上下方向に変位自在な柔体構造となっており、熱処理により様々な形状に撓んで変形するウェーハｗの撓み変形と同ウェーハｗの自重を、接触部分ｐが多点存在する分散荷重として、これら複数の渦巻き型支持部３…により多重受けするので（図３Ｃ）、ウェーハｗのスリップの発生を可及的に防ぐことができる。
【００２９】
図４と図５は、前記図３のウェーハ支持具Ｂに比べ渦巻き型支持部３の数が少なく２本としたウェーハ支持具Ｂ’、Ｂ”の例を示している。両ウェーハ支持具Ｂ’、Ｂ”における２本の渦巻き型支持部３、３は、各基端部２、２が対峙する位置を基点とし、同じ方向に回転するように渦巻いて形成されている。２つの渦巻き型支持部３、３同士は近接するが接触することなく配置されている。ウェーハ支持具Ｂ’の場合、中央部で２本の渦巻き型支持部３、３は切断され、中央部は中空となっている。これに対し、ウェーハ支持具Ｂ”  の渦巻き型支持部３は、ウェーハ支持具Ｂ’の渦巻き型支持部３の幅寸より短く、且つ中央で２つの渦巻き型支持部３、３が合体して中央部４を有する形態である。
【００３０】
したがって、図４のウェーハ支持具Ｂ’を例に説明すれば、２本の渦巻き型支持部３…が組み合わさった平常時の平坦な断面を示す図４Ｂの状態から、熱処理時の状態を示す図４Ｃのように、接触部分ｐが直径線方向で１０個所もの多点存在する分散荷重として多重受けするので、やはりウェーハｗのスリップの発生防止に効果的である。
【００３１】
次に、図６と図７に示した膨出タイプの実施形態を説明する（請求項４、請求項５）。
【００３２】
図６に示した当該膨出タイプのウェーハ支持具Ｃは、外周部１０の内側中空に、その外周部１０を６等分した等間隔位置（８）から中心に向って膨出する膨出型支持部５が合計６個形成されている。この膨出型支持部５は、前記外周部１０の６等分された柔体構造の基端部８に、まず円周方向に延設された左右の羽根部６、６が形成され、更に中心に向って延び先端がやや膨らんだ先端部７とから成る逆Ｔ字形状であって、且つ角部が丸味を帯びて形成されている。隣り合う膨出型支持部５、５（羽根部６、６）同士は近接するが接触することなく配置されている。
【００３３】
基端部８は、膨出型支持部５が柔体構造となって上下方向に移動可能なように、幅寸の狭い弱い構造に形成されている。但し、基端部８の厚みを薄く形成することによる柔体構造の手段も可能である。左右の羽根部６、６は、φ＝３００ｍｍウェーハｗの重心ポイントとなる部位、すなわち中心から約φ＝２１０ｍｍの部位の近傍に形成されている。
【００３４】
図７に示した膨出タイプのウェーハ支持具Ｃ’は、外周部１０の内側中空に、その外周部１０を３等分した等間隔位置（９）から中心に向って膨出するφ＝７５ｍｍの円形状の膨出型支持部１１が合計３個形成されている。この円形状の膨出型支持部１１は、φ＝３００ｍｍウェーハｗの前記重心ポイントで受けられるように配置されている。また、円形状の膨出型支持部１１も柔体構造となって上下方向に移動可能なように、基端部９の厚みは薄く形成する実施形態が採用されている。
【００３５】
したがって、前記図６や図７に示した逆Ｔ字形状又は円形状の膨出型支持部５、１１が、基端部８、９の位置で上下方向に変位自在な柔体構造となっているから、ウェーハ１０の自重や同ウェーハ１０の熱処理による撓み変形が生じても、従来の剛体構造の支持具のように一部分に集中してストレスを受けることなく、上下方向に変位する膨出型支持部５、１１の全体で接触しつつ柔かくウェーハｗを受けるので、やはりウェーハｗのスリップ発生を効果的に防止することができる（図６Ｃ、図７Ｃ参照）。
【００３６】
なお、膨出型支持部１１としては、前記のほか楕円形状や偏平楕円形状、又は梅形状等の尖った角のない丸味を帯びた平面形状に形成して実施することも好適に行われる（図示は省略）。
【００３７】
また、図８に示した膨出タイプのウェーハ支持具Ｃ”は、前記円形状の膨出型支持部１１のように外周部１０から中心に向って膨出するのではなく、円形状の膨出型支持部１１が中心から外周部１０の方向に向って膨出された構造である。すなわち、外周部１０の内側中空に、その外周部１０を３等分した等間隔位置から中心に向って膨出する柔体構造の半径線型部材１２の３本が、中心に配置された中心部材１３と連結されている。そして、隣り合う半径線型部材１２、１２の中間位置において、前記中心部材１３から外周部１０に向って膨出する弱い構造の基端部１４に、円形状の膨出型支持部１５が若干高い位置にそれぞれ形成されている（請求項８参照）。但し、膨出型支持部１５の形状は、この円形状に限定されるものではない。
【００３８】
したがって、このウェーハ支持具Ｃ”の場合、ウェーハ１０の自重や同ウェーハ１０の撓み変形によるストレスは、半径線型部材１２→中心部材１３→基端部１４→膨出型支持部１５と伝達され、一段高い円形状の膨出型支持部１５…のみがウェーハｗと接触しながら受ける。よって、半径線型部材１２、中心部材１３、基端部１４、膨出型支持部１５は、それぞれ柔体構造に形成されているから、それぞれ上下方向に変位しながらウェーハｗを柔かく受ける。かくして、ウェーハｗは円形状の膨出型支持部１５のみと接触し、この円形状の膨出型支持部１５がウェーハｗと面接触しつつ上方向（又は下方向）に変位し、ウェーハｗに対していわば自動調芯が可能に構成されているので、スリップ発生を効果的に防止することができる（図８Ｃ参照）。
【００３９】
最後に、図９に示した蛇行タイプの実施形態を説明する（請求項７）。
【００４０】
この図９に示したこの蛇行タイプのウェーハ支持具Ｄは、外周部１０の内側中空に、その外周部１０を３等分した等間隔位置（１７）から同心円上をたどるように中心方向に向って蛇行する線状の蛇行型支持部１６が３本形成されている。各蛇行型支持部１６の先端は、中心の手前では蛇行を止めて半径線方向に直進する直進部材１８に形成され、最終的に中心部材１９と連接されている。よって、当該蛇行型支持部１６、直進部材１８、中心部材１９が上下方向に変位自在な柔体構造に構成されている。
【００４１】
かくして、この蛇行タイプのウェーハ支持具Ｄの場合も、蛇行する線状の蛇行型支持部１６…等の上に載置されるウェーハｗの自重や同ウェーハｗの熱処理による撓み変形に応じて、当該蛇行型支持部１６…等が上下方向に変位自在な柔体構造となっており、熱処理によって様々な形状に撓んで変形するウェーハｗの撓み変形とウェーハｗの自重を、接触部分ｐが多点存在する分散荷重として多重受けするので（図９Ｃ）、ウェーハｗのスリップの発生を可及的に防ぐことができる。
【００４２】
【発明の効果】
請求項１〜８記載の発明の熱処理用ウェーハ支持具は、外周部の内側中空に形成された線状の湾曲型支持部や渦巻き型支持部、又は膨出型支持部や蛇行型支持部等が上下方向に変位自在な柔体構造であり、半導体ウェーハの熱処理に際し、撓んで変形するウェーハの撓み変形とウェーハの自重を、集中して受けない分散荷重の多重受けにより柔かく受けたり、面接触しても全体として柔かく受けるので、スリップの発生を防止して歩留まりが向上し、高品質で経済的な大口径のウェーハの量産に多大に貢献する。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ａ、Ｂ、Ｃは、湾曲タイプのウェーハ支持具を示した平面図とＩ−Ｉ断面図と熱処理時の同断面図である。
【図２】Ａ、Ｂ、Ｃは、異なる湾曲タイプのウェーハ支持具を示した平面図とＩＩ−ＩＩ断面図と熱処理時の同断面図である。
【図３】Ａ、Ｂ、Ｃは、渦巻きタイプのウェーハ支持具を示した平面図とＩＩＩ−ＩＩＩ断面図と熱処理時の同断面図である。
【図４】Ａ、Ｂ、Ｃは、異なる渦巻きタイプのウェーハ支持具を示した平面図とＩＶ−ＩＶ断面図と熱処理時の同断面図である。
【図５】Ａ、Ｂ、Ｃは、異なる渦巻きタイプのウェーハ支持具を示した平面図とＶ−Ｖ断面図と熱処理時の同断面図である。
【図６】膨出タイプのウェーハ支持具を示した平面図である。
【図７】Ａ、Ｂ、Ｃは、異なる膨出タイプのウェーハ支持具を示した平面図とＶＩＩ−ＶＩＩ断面図と熱処理時の同断面図である。
【図８】Ａ、Ｂ、Ｃは、異なる膨出タイプのウェーハ支持具を示した平面図とＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ断面図と熱処理時の同断面図である。
【図９】Ａ、Ｂ、Ｃは、蛇行タイプのウェーハ支持具を示した平面図とＩＸ−ＩＸ断面図と熱処理時の同断面図である。
【図１０】Ａ、Ｂ、Ｃは、従来のウェーハ支持具を示した平面図とＸ−Ｘ断面図と熱処理時の同断面図である。
【符号の説明】
ｗ        半導体ウェーハ
Ａ、Ａ’    ウェーハ支持具
Ｂ、Ｂ’、Ｂ”  ウェーハ支持具
Ｃ、Ｃ’、Ｃ”  ウェーハ支持具
Ｄ        ウェーハ支持具
１        湾曲型支持部
１０      外周部
３        渦巻き型支持部
５、１１  膨出型支持部
６        羽根部
７        先端部
８、９    基端部
１２      半径線型部材
１３      中心部材
１４      基端部
１５      膨出型支持部
１６      蛇行型支持部
【図１】
2004349348.tif 000003
【図２】
2004349348.tif 000004
【図３】
2004349348.tif 000005
【図４】
2004349348.tif 000006
【図５】
2004349348.tif 000007
【図６】
2004349348.tif 000008
【図７】
2004349348.tif 000009
【図８】
2004349348.tif 000010
【図９】
2004349348.tif 000011
【図１０】
2004349348.tif 000012