(57)【要約】【課題】配線導体と絶縁層の接着強度の向上と、配線基板に半導体素子や抵抗器等の電子部品を実装する際の熱履歴による剥離が生じず、接続信頼性に優れた配線基板を提供する。【解決手段】耐熱繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁層１に金属箔から成る配線導体２をその表面が絶縁層１の表面と略同一面をなすように埋入して成る回路基板３を複数枚積層して成る配線基板において、配線導体２はその両主面２ａが算術平均粗さが１〜２μｍのマット面であり、かつその両側面２ｂが算術平均粗さが０．１〜０．５μｍの粗化面である。【選択図】  図２
2004152869.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
耐熱繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁層に金属箔から成る配線導体をその表面が前記絶縁層の表面と略同一面をなすように埋入して成る回路基板を複数枚積層して成る配線基板において、前記配線導体は、その両主面が算術平均粗さが１〜２μｍのマット面であり、かつその両側面が算術平均粗さが０．１〜０．５μｍの粗化面であることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面に半導体素子や抵抗器等の電子部品を搭載するための配線基板に関し、特に、半導体素子や抵抗器等の電子部品を実装する際の配線導体との接続信頼性に優れた配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、現在の電子機器は、移動体通信機器に代表されるように小型・薄型・軽量化が要求されてきており、このような電子機器に使用される半導体素子や抵抗器等の電子部品を搭載するための配線基板にも小型・薄型・多端子化が求められてきており、それを実現するために配線基板における信号導体等を含む配線導体層の幅を細くするとともにその間隔を狭くし、さらに配線導体層を多層化することにより高密度配線化が図られている。
【０００３】
このような配線基板は、ガラス繊維基材にエポキシ樹脂を含浸させるとともに硬化させて成る絶縁層の上下面に金属箔から成る配線導体形成し、これら配線導体を形成した絶縁層を接着層を介して複数層積層圧着して多層化することにより製作されている。しかしながら、この配線基板は、絶縁層の表面と配線導体の表面との高さの相違により表面が凹凸状態になってしまうともに、配線導体間に接着層が充分に充填されずに隙間が生じてしまい、その隙間に湿気が浸入し配線導体層間の絶縁性が低下してしまうという問題点があった。
【０００４】
このような問題点を解決するために、近年、転写フィルム表面に形成された金属箔から成る配線導体を未硬化状態の絶縁層表面に転写することによって、絶縁層表面に配線導体を埋入させた未硬化の回路基板を複数枚作成し、これらを積層圧着後、一括して熱硬化させる一括硬化によって製作した多層配線基板が提案されている。
【０００５】
上記の多層配線基板は、工程を簡略化出来るとともに、転写時に金属箔から成る配線導体を未硬化状態の絶縁層にその表面と配線導体の表面とが略同一面となるように埋入することができるので、配線導体と絶縁層との間に積層不良を生じることないなどの多くの利点を有するものである。
【０００６】
このような多層配線基板において配線導体に用いられる金属箔は、一般的には表面が平滑な電着ドラムの表面に電解めっき法によって金属膜を析出させる方法により成形される。そして金属箔の一方の面が金属めっきの粒成長によって算術平均粗さが１〜２μｍの凹凸のついたマット面となり、他方の面が粗さが０．１〜０．３μｍのドラム表面に対応したシャイニー面となる。また、転写フィルムに対してはシャイニー面側が接着されており、金属箔の絶縁層に埋入される側の面は、凹凸のついたマット面となっている。なお、金属箔は、配線パターン状にエッチング処理されるため、その側面はその粗さが０．０５〜０．１μｍの平滑面となっている。
【０００７】
【特許文献１】
特許第３０３７６６２号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の多層配線基板によれば、配線導体の絶縁層側の面はマット面となっており絶縁層との接着強度が大きいが、上に位置する絶縁層と接する配線導体の他方の面はシャイニー面で平滑となっており絶縁層との接着強度が極端に小さく、絶縁層に配線導体が高密度に配設されると絶縁層表面の配線導体のシャイニー面の面積が大きなものとなり、配線導体が高密度に配設された絶縁層と上に位置する絶縁層との接着強度が小さなものとなり、配線基板に半導体素子や抵抗器等の電子部品を実装する際に印加される熱応力により両者間で剥離が発生するという問題点があった。また、配線導体の側面は平滑なため配線導体と絶縁層との間に隙間が生じ、その隙間を起点とするクラックが発生して周囲の配線導体を切断してしまうという問題点があった。
【０００９】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、配線導体と絶縁層の接着強度の向上と、配線基板に半導体素子や抵抗器等の電子部品を実装する際の熱履歴による剥離が生じず、接続信頼性に優れた配線基板を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線基板は、耐熱繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁層に金属箔から成る配線導体をその表面が前記絶縁層の表面と略同一面をなすように埋入して成る回路基板を複数枚積層して成る配線基板において、前記配線導体は、その両主面が算術平均粗さが１〜２μｍのマット面であり、かつその両側面が算術平均粗さが０．１〜０．５μｍの粗化面であることを特徴とするものである。
【００１１】
本発明の配線基板によれば、配線導体の両主面が算術平均粗さが１〜２μｍのマット面であることから、絶縁層の樹脂がマット面の凹凸に入り込み密着するアンカー効果により配線導体と上下の絶縁層との密着性が良好となり、絶縁層に配線導体を高密度に配設した場合においても、配線基板に半導体素子や抵抗器等の電子部品を実装した際の熱履歴による熱応力が発生して剥離が生じることはない。
【００１２】
また、配線導体の両側面が算術平均粗さが０．１〜０．５μｍである粗化面であることから、絶縁層の樹脂が粗化面の凹凸に入り込み密着するアンカー効果により配線導体の両側面と絶縁層とが強固に接合するので、配線導体と絶縁層との間に隙間が生じることはなく、その結果、その隙間を起点とするクラックが発生するこることもなく、配線導体の断線等のない接続信頼性に優れた配線基板とすることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の配線基板を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す断面図であり、図２はその要部拡大断面図である。これらの図において、１は絶縁層、２は配線導体、３は絶縁層１に配線導体２を埋入して成る回路基板である。
【００１４】
本発明の配線基板は、耐熱繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸させて成る絶縁層１に、配線導体２をその表面と絶縁層１の表面とが略同一となるように埋入してした回路基板３を複数枚積層して成るものであり、図１にはこのような回路基板３を４層積層してなる配線基板の例を示している。また、図１には、絶縁層１の上下に位置する配線導体２同士を、絶縁層１に形成した貫通導体５により電気的に接続した例を示している。
【００１５】
絶縁層１は、その厚みが５０〜１５０μｍであり、配線導体２を支持するとともに上下に位置する配線導体２間の絶縁を保持する機能を有し、耐熱性繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸させて成る。このような絶縁層１は、その厚みが５０μｍ未満であると、配線基板の剛性が低下して配線基板が撓みやすくなる傾向があり、１５０μｍを超えると絶縁層１の厚みが不要に厚いものとなり配線基板の軽量化が困難となる傾向がある。従って、絶縁層１は、その厚みを５０〜１５０μｍとすることが好ましい。
【００１６】
絶縁層１は、耐熱繊維基材に熱硬化性樹脂や架橋剤・エラストマー等から成る樹脂組成物を含浸させて硬化してなる。
このような熱硬化性樹脂としては、アリル変性ポリフェニレンエーテル樹脂やエポキシ樹脂・変性ポリオレフィン樹脂等が用いられ、転写・埋入させやすいように、その分子量は１００００〜５０００００に調整されている。
【００１７】
また、架橋剤としては、トリアリルイソシアヌレート等のトリアジン化合物が用いられ、その含有率は熱硬化性樹脂１００質量部に対して、１〜１０質量部であることが好ましい。架橋剤の含有率が１質量部より少ないと架橋密度が低下し吸湿し易くなる傾向があり、１０質量部より多いと絶縁層３が脆くなる傾向にある。従って、架橋剤の含有率は１〜１０質量部であることが好ましい。
【００１８】
さらに、エラストマーとしては、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン（ＳＥＢＳ）やスチレン−エチレン−プロピレン−スチレン（ＳＥＰＳ）等の熱可塑性エラストマーが用いられ、その含有率は熱硬化性樹脂１００質量部に対して、１０〜４０質量部が好ましい。エラストマーの含有率が１０質量部より少ないと絶縁層３が脆くなる傾向にあり、４０質量部を超えると絶縁層３の剛性が低くなる傾向にある。従って、エラストマーの含有率は１０〜４０質量部が好ましい。
【００１９】
また、耐熱性繊維基材は、アラミド繊維やガラス繊維等の繊維の不織布または織布から成り、織布の場合その織り方は特に制限されず、一般に用いられる平織・綾織・朱子織等の織布が用いられる。このような耐熱性繊維基材の含有率は、熱硬化性樹脂１００質量部に対して５０〜１３０質量部が好ましい。耐熱性繊維基材の含有率が５０質量部より少ないと、絶縁層１の積層・硬化時に熱硬化性樹脂が流動し、絶縁層１表面の配線導体２が歪んでしまい易くなる傾向があり、１３０質量部より多いと耐熱性繊維基材に熱硬化性樹脂を良好に含浸できなくなる傾向にある。従って、耐熱性繊維基材の含有率は、熱硬化性樹脂１００質量部に対して、５０〜１５０質量部が好ましい。
【００２０】
このような絶縁層１は、アラミド繊維やガラス繊維の不織布または織布を、熱硬化性樹脂や架橋剤・エラストマーおよび適当な溶剤を混合してなる液状の組成物に浸漬することによって、あるいはこの組成物をアラミド繊維やガラス繊維の不織布または織布に含浸させることによって製作される。
【００２１】
また、絶縁層１の表面には、配線導体２がその表面が絶縁層１の表面と略同一面をなすように埋入されている。配線導体２は、配線基板に搭載される電子部品（図示せず）の各電極を外部電気回路基板（図示せず）の配線導体に電気的に接続する導電路の一部としての機能を有し、幅が２０〜２００μｍ、厚みが５〜５０μｍで、銅やアルミニウム・銀等の金属箔から成る。なお、安価および低導電性という観点からは、銅を用いることが好ましい。
【００２２】
配線導体２は、その幅が２０μｍ未満となると配線導体２の変形や断線が発生しやすくなる傾向があり、２００μｍを超えると高密度配線が形成できなくなる傾向がある。また、配線導体２は、その厚みが５μｍ未満になると配線導体２の強度が低下し変形や断線が発生しやすくなる傾向があり、５０μｍを超えると絶縁層１への埋入が困難となる傾向がある。従って、配線導体２は、その幅を２０〜２００μｍ、厚みを５〜５０μｍとすることが好ましい。
【００２３】
このような配線導体２は、配線導体２を貼着した転写フィルムと熱硬化性樹脂が未硬化の絶縁層１とを熱プレスを用いて熱圧着することにより、絶縁層１に埋入される。
【００２４】
そして本発明の配線基板においては、配線導体２は、その両主面が算術平均粗さが１〜２μｍのマット面２ａであり、かつその両側面２ｂが算術平均粗さが０．１〜０．５μｍの粗化面２ｂである。また、本発明の配線基板においてはこのことが重要である。
【００２５】
なお、ここで配線導体２となる金属箔は、ドラム表面に金属を電解析出させることによって成形されるものであり、マット面とは金属粒子の電解析出による成長によって表面に凹凸が形成された面をいい、また、金属が析出しはじめる面、すなわちドラムと接触している面をシャイニー面という。さらに粗化面とは、金属箔を酸処理等の化学処理によってその表面に突起が多数形成された面のことをいう。
【００２６】
またこのような、両主面にマット面を有する金属箔は、一方の主面にマット面を、他方の主面にシャイニー面を有する金属箔を電解液に浸漬して、電流密度が数１００Ａ／ｄｍ２の電流を通電して、金属箔の両主面に電解液中の金属を析出させることにより製作される。
【００２７】
本発明の配線基板によれば、配線導体２の両主面２ａが算術平均粗さが１〜２μｍのマット面であることから、絶縁層１の樹脂がマット面の凹凸に入り込み密着するアンカー効果により配線導体２と上下の絶縁層１との密着性が良好となり、絶縁層１に配線導体２を高密度に配設した場合においても、配線基板に半導体素子や抵抗器等の電子部品を実装した際の熱履歴による熱応力が発生して剥離が生じることはない。
【００２８】
また、配線導体２の両側面２ｂが算術平均粗さが０．１〜０．５μｍである粗化面であることから、絶縁層１の樹脂が粗化面の凹凸に入り込み密着するアンカー効果により配線導体２の両側面２ｂと絶縁層１とが強固に接合するので、配線導体２と絶縁層１との間に隙間が生じることはなく、その結果、その隙間を起点とするクラックが発生するこることもなく、配線導体２の断線等のない接続信頼性に優れた配線基板とすることができる。
【００２９】
なお、両主面２ａの算術平均粗さが１μｍ未満であると、配線導体２を絶縁層１に転写した際の絶縁層１と配線導体２との接着力が弱くなる傾向があり、２μｍを超えると転写フィルムと配線導体２を接着している接着剤が配線導体２を転写した際に配線導体２の表面に残留してしまい、熱硬化時に残留した接着剤が劣化し界面剥離の原因となる傾向がある。従って、配線導体２の両主面２ａの算術平均粗さは１〜２μｍでなければならない。
【００３０】
また、配線導体２の両側面２ｂは、その算術平均粗さが０．１μｍ未満の場合、絶縁層１に埋入された配線導体２と絶縁層１の熱硬化性樹脂との接着力が弱くものとなり、回路基板３または回路基板３を複数枚積層して得られる配線基板において、半導体素子や抵抗器等の電子部品を実装するの熱履歴により、その粗化面が絶縁層から剥離してしまう傾向にあり、また０．５μｍを超えると、その製法上、配線導体２の主面とフィルム状感光性レジストの隙間に酸溶液が浸入、オーバーエッチングされることにより主面２ａの算術平均粗さが１〜２μｍの範囲から外れてしまう傾向がある。従って、配線導体の両側面２ｂの算術平均粗さは０．１〜０．５μｍでなければならない。
【００３１】
なお、配線導体２の側面２ｂは、塩酸や硫酸・硝酸・酢酸・蟻酸などの酸処理による化学的な薬品処理によって粗化面とすることができるが、特に、酸溶液を配線導体２に噴霧することにより、尖頭状を有する突起を多数有する粗化面とすることができる。
【００３２】
さらに、絶縁層１には、その上面から下面にかけて貫通導体５がレーザによって形成されている。貫通導体５は、絶縁層１の上下に位置する配線導体２間を電気的に接続する機能を有し、その直径が３０〜２００μｍであり、絶縁層１に設けた貫通孔４に金属粉末とトリアジン系熱硬化性樹脂等とから成る導電性材料を埋め込み熱硬化することにより形成されている。なお、貫通導体５は、その直径が３０μｍ未満になると加工が困難となる傾向があり、２００μｍを超えると高密度配線が形成できなくなる傾向がある。従って、貫通導体５は、その直径を３０〜２００μｍとすることが好ましい。
【００３３】
また、貫通導体５を形成する導電性材料の金属粉末の含有量は８０〜９５質量％が好ましい。金属粉末の含有量が８０質量％より少ないと、トリアジン系熱硬化性樹脂により金属粉末同士の接続が妨げられ導通抵抗が上昇してしまう傾向があり、９５質量％を超えると導電性材料の粘度が上がり過ぎて良好に埋め込みできない傾向がある。従って、導電性材料の金属粉末の含有量は８０〜９５質量％が好ましい。
【００３４】
このような金属粉末は、錫・銀・ビスマス・銅等の合金から成り、錫を７０〜９０質量％含有することが好ましい。また、金属粉末の平均粒径は５〜１０μｍが好ましい。平均粒径が５μｍより小さいと導電性材料の粘度が上がり過ぎて良好に埋め込みできない傾向があり、１０μｍより大きいと金属粉末が高充填できず導通抵抗が高くなってしまう傾向がある。従って、金属粉末の平均粒径は５〜１０μｍが好ましい。
【００３５】
さらに、貫通導体５の熱硬化性樹脂は、トリアリルシアヌレートやトリアリルイソシアヌレート・トリスエポキシプロピルイソシアヌレート・トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレート等のトリアジン系熱硬化性樹脂が好ましい。
【００３６】
また、絶縁層１の一方の最外層表面に形成された配線導体２の一部は、電子部品の各電極に導体バンプ７ａを介して接合される電子部品接続用の実装用電極６ａを形成し、絶縁層１の他方の最外層表面に形成された配線導体２の一部は、外部電気回路基板（図示せず）の各電極に導体バンプ７ｂを介して接続される外部接続用の実装用電極６ｂを形成している。
【００３７】
なお、実装用電極６ａ・６ｂの表面には、その酸化腐蝕を防止するとともに導体バンプ７ａ・７ｂとの接続を良好とするために、半田との濡れ性が良好で耐腐蝕性に優れたニッケル−金等のめっき層が被着されている。また、最外層の絶縁層１の表面に絶縁層１および実装用電極６ａ・６ｂを保護するソルダーレジスト層８を、実装用電極６ａ・６ｂの導体バンプ７ａ・７ｂとの接続領域を残して被着してもよい。
【００３８】
かくして、本発明の配線基板によれば、配線導体２は、その両主面２ａの算術平均粗さが１〜２μｍのマット面であることから、絶縁層１の樹脂がマット面の凹凸に入り込み密着するアンカー効果により、配線導体２と上下の絶縁層１とを強固に接着でき、配線基板に半導体素子や抵抗器等の電子部品を実装した際の熱履歴による熱応力が発生しても剥離が生じることはない。また、その側面２ｂが算術平均粗さが０．１〜０．５μｍの粗化面であることから、絶縁層１の樹脂がマット面の凹凸に入り込み密着するアンカー効果により、配線導体２の側面２ｂと絶縁層１とを強固に接着でき、配線導体２の側面２ｂに隙間が生じず、隙間を起点とするクラックが発生しないため、断線等のない接続信頼性に優れた配線基板とすることができる。
【００３９】
このような配線基板は、以下に述べる方法により製作される。
まず、金属箔は、例えば金属箔が銅箔である場合、銅イオンを含有する電解液に浸漬した電着ドラム（カソード体）と鉛容器（アノード体）との間に、電流密度が数１０〜数１００Ａ／ｄｍ２の電流を通電して電着ドラム表面に１０〜３０μｍ程度の銅箔を析出させ、その後、電着ドラム表面から銅箔を剥離する。次に、銅箔の表裏面を電解液に再度浸漬して電流密度が数１００Ａ／ｄｍ２の電流を通電して、銅箔の表裏面に銅を析出させ、銅箔の表裏面とも算術平均粗さが１〜２μｍであるコブ状の凹凸を有するマット面にする。
【００４０】
次に、厚みが２０〜５０μｍ程度のポリエチレンテレフタレート等の耐熱性樹脂から成る転写フィルムの片面に接着剤を介して上記のどう箔を貼着する。
さらに、銅箔上に耐エッチング樹脂を被着するとともにこの耐エッチング樹脂を露光・現像して配線パターン状の耐エッチング樹脂層を形成し、しかる後、塩化第二鉄溶液中に浸漬して銅箔の非配線パターン部をエッチング除去し、配線導体２を形成する。その後、配線導体２の側面２ｂは図２に示すように、算術平均粗さが０．１〜０．５μｍとなる粗化処理を行なう。
【００４１】
この粗化処理は、塩酸や硫酸・硝酸・酢酸・蟻酸などの酸処理による化学的な薬品処理によって多数の尖頭状を有する突起を施すことができるが、特に酸溶液を配線導体２に噴霧することが望ましい。さらに、耐エッチング樹脂を剥離除去することにより転写フィルムに被着された配線導体２が製作される。
【００４２】
次に、保護フィルムを被着した絶縁層１にレーザ光の照射により貫通孔４を穿孔する。このような貫通孔４は、保護フィルムが被着した絶縁層１に従来周知の炭酸ガスレーザやＹＡＧレーザなどを用いることにより形成される。貫通孔４の径は３０〜２００μｍであることが好ましく、径が３０μｍより小さいと導体ペーストが良好に充填されず貫通導体５の電気抵抗が大きくなってしまう傾向があり、２００μｍより大きいと高密度配線ができなくなる傾向にある。従って、貫通孔５の径は３０〜２００μｍであることが好ましい。
【００４３】
さらに、貫通孔４内に導電性粉末と未硬化の熱硬化性樹脂とから成る導体ペーストを充填して貫通導体５を形成する。このような導体ペーストとしては、銅や銀等の導電性粉末に未硬化のエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と液状の硬化剤とを混練したものが好ましく、導体ペーストを熱硬化して成る貫通導体５を低抵抗化するという観点からは、金属粉末に少なくとも鉛や錫を含む低融点金属を含有させても良い。さらに、貫通孔４への導体ペーストの充填は、貫通孔４に対応する孔を有するメタルマスクを用いたスクリーン印刷法で行なったり、保護フィルムをマスクとして直接印刷する手法により行なわれる。
【００４４】
次に、絶縁層１から保護フィルムを剥離した後、配線導体２と導体ペーストとが接合するようにして絶縁層１の表面に配線導体２を積層するとともにそれらを加熱加圧して配線導体２と絶縁層１とを熱圧着した後、絶縁層１から転写フィルムを剥離して絶縁層１に配線導体２を転写する。熱圧着は、熱プレス機を用いて温度が１００〜１５０℃、圧力が０．５〜５ＭＰａの条件で数分間加圧することにより行なわれ、配線導体２を絶縁層１に圧接して配線導体２を絶縁層１に転写埋入させる。
【００４５】
なお、熱圧着は加熱に先行して加圧のみを行なう方が良い。加熱を先に行なうと熱によって転写フィルム１が伸び、配線導体２と貫通導体５の正確な位置合わせが困難となる傾向がある。従って、熱圧着は加熱に先行して加圧のみを行なうことが好ましい。
【００４６】
また、絶縁層１はロール状の連続体ではなく、１枚ずつカットされて供給されることが望ましい。これは、配線導体２がロール状の連続体で供給されるため、絶縁層１を動かして細かな位置の調整を行ない、配線導体２との位置合わせを行なったほうが、位置合わせ機構がコンパクトになるためである。さらに、配線導体２と絶縁層１の位置合わせはＣＣＤにより、光学的に行なうことができるが、その他、様々な公知の方法も使用しても良い。
【００４７】
次に、配線導体２が転写された絶縁層１から転写フィルムを剥離する。この時、絶縁層１から転写フィルムを絶縁層１と転写フィルムとのなす角度が６０°以上で剥離することが望ましい。剥離の角度が６０°未満の場合、配線導体２の転写不良が生じ易くなる傾向がある。この剥離の角度はできるだけ大きいほうが良く、望ましくは１００°〜１８０°、最適には１１０°〜１７０°の角度が好ましい
さらに、配線導体２が転写された回路基板３の複数枚を、各絶縁層１に転写された配線導体２同士が貫通導体５で接続されるようにして積層するとともにそれらを加熱加圧して絶縁層１および導体ペースト中の熱硬化性樹脂を熱硬化する。なお、得られた積層体の加熱処理にあたっては、積層体をフッ素系樹脂などから成る離型性シートで上下から挟みこみ、１〜５ＭＰａの圧力で１５０〜２４０℃の温度で熱処理して、絶縁層１および導体ペースト中の熱硬化性樹脂を熱硬化させることにより本発明の配線基板となる。
【００４８】
なお、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【００４９】
【実施例】
本発明の配線導体の両主面および両側面の算術平均粗さと絶縁層との接着性を評価するために、次のような配線基板を製作して評価を行なった。
【００５０】
まず、耐熱性繊維に未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させて成る絶縁層と、両主面の算術平均粗さが０．５〜２．５μｍの範囲の銅箔を用意し、次にこられを転写フィルム上に接着剤を介して接着し、その後、配線パターン状にエッチングして配線導体を形成した。なお、両側面の算術平均粗さは０．３μｍとなるように調製した。なお、各試料の配線導体の両主面および両側面の表面粗さは、非接触式表面粗さ計で測定した。
各試料について、配線導体を絶縁層に転写したときの配線導体表面への接着剤残りおよび絶縁層の熱硬化性樹脂と配線導体との密着性について確認した。結果を表１に示す。
【００５１】
【表１】
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【００５２】
実験から、配線導体の主面の算術平均粗さが１ｍｍ未満の試料（試料Ｎｏ．１〜２）では、絶縁層の熱硬化性樹脂と配線導体との密着性が悪く、配線導体を転写シートから絶縁層に転写するのが困難であることがわかった。また、配線導体の主面の算術平均粗さが２ｍｍを超える試料（試料Ｎｏ．８〜９）では、配線導体表面に転写シートと配線導体とを接着する接着剤の残りが見られた。これらに対して、配線導体の主面の算術平均粗さが１〜２ｍｍの試料（試料Ｎｏ．３〜７）では、接着剤残りもなく、絶縁層と配線導体との密着性が良好なことがわかった。
【００５３】
次に、両主面の算術平均粗さが１μｍの金属箔を転写フィルムに接着剤を介して接着した後、配線パターン状にエッチングして配線導体を形成した。なお、配線導体の両側面は、酸溶液を両側面にに噴霧することにより算術平均粗さが０．０５〜０．６１μｍの範囲となるように調製した。
【００５４】
そして各試料について、配線導体を絶縁層に転写したときの配線導体表面への接着剤残りおよび絶縁層の熱硬化性樹脂と配線導体との密着性について確認した。結果を表２に示す。
【００５５】
【表２】
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【００５６】
実験から、配線導体の側面の算術平均粗さが０．１ｍｍ未満の試料（試料Ｎｏ．１０〜１１）では、配線導体の側面と絶縁層の熱硬化性樹脂との密着性が悪く、両者間に隙間が発生した。また、配線導体の側面の算術平均粗さが０．５ｍｍを超える試料（試料Ｎｏ．１８〜１９）では、側面を粗化する際に主面の算術平均粗さを２μｍを以内にすることが困難であり、配線導体の側面と絶縁層の熱硬化性樹脂との密着性は良好ではあるものの、配線導体表面に転写シートと配線導体とを接着する接着剤の残りが見られた。これらに対して配線導体の側面の算術平均粗さが０．１〜０．５μｍの試料（試料Ｎｏ．１０〜１９）では、配線導体の側面と絶縁層の熱硬化性樹脂との密着性が良好で、配線導体表面に接着剤残りも見られなかった。
【００５７】
【発明の効果】
本発明の配線基板によれば、配線導体の両主面が算術平均粗さが１〜２μｍのマット面であることから、絶縁層の樹脂がマット面の凹凸に入り込み密着するアンカー効果により配線導体と上下の絶縁層との密着性が良好となり、絶縁層に配線導体を高密度に配設した場合においても、配線基板に半導体素子や抵抗器等の電子部品を実装した際の熱履歴による熱応力が発生して剥離が生じることはない。
【００５８】
また、配線導体の両側面が算術平均粗さが０．１〜０．５μｍである粗化面であることから、絶縁層の樹脂が粗化面の凹凸に入り込み密着するアンカー効果により配線導体の両側面と絶縁層とが強固に接合するので、配線導体と絶縁層との間に隙間が生じることはなく、その結果、その隙間を起点とするクラックが発生するこることもなく、配線導体の断線等のない接続信頼性に優れた配線基板とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】図１の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
１・・・・・・絶縁層
２・・・・・・配線導体
２ａ・・・・・配線導体の主面
２ｂ・・・・・配線導体の側面
３・・・・・・回路基板
４・・・・・・貫通孔
５・・・・・・貫通導体
【図１】
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【図２】
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