(57)【要約】【課題】スピンコート装置に関し、溶媒中に分散している磁性金属の磁化容易軸を垂直或いは面内方向に揃える。【解決手段】非極性の溶媒中に分散している磁性体を、スピンコート法によって被塗布基板２上に成膜するスピンコート装置に、成膜中に磁場を発生させ、成膜する磁性体の磁化容易軸を発生させた磁場と同一方向に揃えるための磁場印加機構５を備える。【選択図】　　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非極性の溶媒中に分散している磁性体を、スピンコート法によって被塗布基板上に成膜するスピンコート装置において、成膜中に磁場を発生させ、成膜する磁性体の磁化容易磁区を発生させた磁場と同一方向に揃えるための磁場印加機構を備えたことを特徴とするスピンコート装置。
【請求項２】
上記磁場印加機構が、発生する磁場強度の可変機構を備えた超伝導磁石或いは常伝導磁石のいずれかであることを特徴とする請求項１記載のスピンコート装置。
【請求項３】
上記磁場印加機構は、被塗布基板との距離を可変にできる移動機構を備えた永久磁石であることを特徴とする請求項１記載のスピンコート装置。
【請求項４】
上記磁場印加機構と被塗布基板を回転させるためのモータとの間には磁気的シールドを設けたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のスピンコート装置。
【請求項５】
上記被塗布基板の裏面へのコート液の回り込みを防ぐ回り込み防止手段を備えたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のスピンコート装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はスピンコート装置に関するものであり、例えば、磁気ディスク基板上に磁性金属粒子を塗布コートする際に磁性金属粒子の磁化容易磁区を揃えるための磁場印加機構に特徴のあるスピンコート装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体デバイスや磁気ヘッド等の数多くのデバイスの製造工程において、フォトリソグラフィー工程或いは層間絶縁膜の形成工程にスピンコート法による成膜が採用されている。
【０００３】
近年、磁気記録媒体、即ち、磁気ディスクの製造工程においても、磁性層を形成するために、スパッタリング法に代わってスピンコート法の採用が検討されている。
【０００４】
例えば、ヘキサンやオクタンなどの非極性の炭化水素溶媒中にＦｅＰｔ粒子を分散させたコート液を用いてガラス基板上にスピンコートし、溶媒を蒸発させたのち熱処理を加えてＦｅＰｔを磁性化することが行われている。
この場合、ＦｅＰｔ粒子を規則正しく配列させるためには、溶媒の蒸発をゆっくり行う必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、沸点の低いヘキサン（沸点：６８．７４℃）やオクタンなどの非極性の炭化水素溶媒中に成膜したいＦｅＰｔ粒子等の磁性金属物質が分散している場合、汎用的なスピンコータを用いると、滴下直後から溶媒の揮発が始まり、スピンコートしても、均一に成膜できない問題がある。
特に、スピンコータは、その成膜方法が、外径、内径を有する基板への成膜は、基板中心に所望の物質を滴下するこができないという問題がある。
【０００６】
そこで、本発明者等はこれらの２つの問題を解決するため、溶媒を密閉成膜室に別途供給して密閉成膜室を溶媒雰囲気とし、コート液中の溶媒の蒸発をゆっくり行うことを提案している（必要ならば、特願２００２−１１７００７号参照）。
【０００７】
一般に、ハードディスクの記録媒体は、記録再生の能力を高めるために、通常、記録媒体の面内方向あるいは、垂直方向に磁化容易磁区を揃えるような工夫がされている。
【０００８】
しかし、溶媒中に分散している磁性金属をスピンコートしただけでは、磁化容易磁区は、三次元ランダムの方向に向いており、垂直あるいは、面内に揃えることができないといった問題がある。
【０００９】
したがって、本発明は、溶媒中に分散している磁性金属の磁化容易磁区を垂直或いは面内方向に揃えることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理的構成の説明図であり、この図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照
上記目的を達成するため、本発明は、非極性の溶媒中に分散している磁性体を、スピンコート法によって被塗布基板２上に成膜するスピンコート装置において、成膜中に磁場を発生させ、成膜する磁性体の磁化容易磁区を発生させた磁場と同一方向に揃えるための磁場印加機構５を備えたことを特徴とする。
【００１１】
この様に、成膜中に磁場を印加することによって、磁性を有する磁性体の磁化容易磁区は印加した磁場の方向に再現性良く整列するので、磁気ディスク基板等の記録性能を向上することができる。
【００１２】
この様な磁場印加機構５としては、超伝導磁石或いは常伝導磁石を用いても良く、コイルに流す電流量によって発生する磁場強度を制御することができる。
【００１３】
また、磁場印加機構５として、永久磁石を用いても良いものであり、この場合には、被塗布基板２との距離を可変にできる移動機構を設けることによって印加する磁場の強度を制御することができる。
【００１４】
また、被塗布基板２を回転させるためのモータに起因する磁場の影響を排除するために、磁場印加機構５とモータとの間に磁気的シールドを設けることが望ましい。
【００１５】
また、被塗布基板２の両面に磁性層を形成する場合には、コート液供給機構３から供給されたコート液の被塗布基板２の裏面への回り込みを防ぐ回り込み防止手段、例えば、ファンを設けることが望ましい。
例えば、ファンを被塗布基板２の回転軸に取り付けることにより、回転軸の回転と同時にファンが回り、裏面に向かって対流が起こるため、裏面への回り込みを防止できる。
この様な構成は、特に、非極性溶媒供給機構４から溶媒を供給し、密閉成膜室１を溶媒雰囲気にした状態でコートを行う場合に有効となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
ここで、図２乃至図５を参照して、本発明の第１の実施の形態のスピンコート装置を説明する。
図２参照
図２は、本発明の第１の実施の形態のスピンコート装置の密閉状態における概略的構成図であり、ディスク基板１４をディスクチャック機構２０により保持して回転させるディスク基板回転機構１２を挿通した密閉用カップ１１と、コート液用シリンジ３４及びヘキサン用シリンジ３６を挿通したガス導入密閉用プレート３１によって基本構造が構成される。
【００１７】
このディスク基板回転機構１２には、コート液が裏面に回り込むのを防止するために、ディスク基板１４の裏面に雰囲気を吹きつけるためのファン１９が設けられている。
【００１８】
また、密閉用カップ１１の底部には、密閉用カップ１１を上下動させてガス導入密閉用プレート３１に接触させて密閉空間を形成するカップ上下動機構１３が設けられており、図において矢印で示す上下方向に移動させることによって、開放−密閉の操作を行う。
なお、密閉用カップ１１とガス導入密閉用プレート３１との接触部の一方には、Ｏリング等の気密封止手段が設けられている。
【００１９】
また、密閉用カップ１１には配管を介して密閉空間を真空に排気するオイルフリーポンプ１５が接続されており、また、密閉用カップ１１内には密閉空間の真空度を測定するピラニゲージ１７と、導入した溶媒であるヘキサンの蒸気圧を測定するヘキサン蒸気圧センサ１６が配置されている。
【００２０】
一方、コート液用シリンジ３４には、ヘキサン中にＦｅＰｔ粒子を分散させたコート液の滴下量を制御するためのマスフローコントローラ３５が設けられており、また、このコート液用シリンジ３４には気密構造を保ったままでラジアル方向に直線的に移動させる機構が設けられている。
なお、この場合のＦｅＰｔ粒子は、化学合成後に分散液を加熱することによって事前に磁気を帯びさせている。
【００２１】
また、ヘキサン用シリンジ３６には、ヘキサンの導入量を制御するマスフローコントローラ３７が設けられているとともに、滴下先にホットプレート３８が配置されており、滴下されたヘキサンはホットプレート３８によって加熱されるこによって気化し、密閉成膜室１８をヘキサン雰囲気で満たすことになる。
【００２２】
また、ガス導入密閉用プレート３１は、ガス導入空間３３が設けられ、１本のガス導入管４０と１個のコンダクタンスバルブ３９を介してＮ２　ガスをガス導入空間３３に導入し、ガス導入密閉用プレート３１に均一に配置した複数のガス導入口３２を介して密閉成膜室１８に乾燥用のＮ２　ガスを導入するようにしたものである。
なお、ガス導入管４０にはマスフローコントローラ４１が設けられている。
【００２３】
また、密閉用カップ１１の外周には中空円筒状の超伝導磁石５０が設けられており、この超伝導磁石５０のコイルに電流を流すことによって図において矢印で示す方向の磁場を発生させる。
【００２４】
図３（ａ）及び（ｂ）参照
図３（ａ）は、非チャック時のディスクチャック機構２０の概略的断面図であり、図３（ｂ）は、チャック時のディスクチャック機構２０の概略的断面図である。
図に示すようにディスクチャック機構２０は、左右に移動してディスク基板１４をディスク基板回転機構１２に装着・固定するディスク抑え部材２１、このディスク抑え部材２１を上方向から抑えつけて左右に移動させる抑え部材駆動部材２２からなる。
【００２５】
なお、図示を省略しているが、ディスク抑え部材２１はバネ部材により中央側に付勢されているので、抑え部材駆動部材２２を上昇させると、バネの付勢力によってディスク抑え部材２１は中央よりに移動してチャック状態が解除される。
【００２６】
この様なディスクチャック機構２０を用いることによって、ドーナツ状のディスク基板１４の内側の一部だけに接触して保持・固定することが可能になり、それによって、有効記録領域を広くすることができる。
【００２７】
図４参照
図４は、本発明の第１の実施の形態のスピンコート装置のファンの概略的構成図であり、ファン１９は通常の換気扇と同様の形状のハネ２４と、ハネ２４を固定する中空回転軸２３からなり、この中空回転軸２３は、ディスク基板回転機構１２の回転軸に挿通され固定され、ディスク基板回転機構１２の回転軸の回転とともにハネ２４が回転して雰囲気ガス、即ち、溶媒ガスをディスク基板１４の裏面に吹きつける。
【００２８】
通常、磁気記録媒体は、プラッタあたりの記録密度を高めるために、両面に記録再生が可能とするように両面に磁性薄膜が成膜されているが、スピンコート法を用いて、両面に成膜するためには、裏面への塗布液の回り込みを防止する必要がある。
【００２９】
従来の、塗布液の裏面への回り込みを防止する方法としては、スピンドルの回転軸に空気を流すための配管を行い、裏面の内側から外側へ空気を流しながら成膜することで塗布液の裏面への回り込みを防止することが提案されている（必要ならば、実願平６−２８６４号参照）。
【００３０】
しかし、この方法は、構造が複雑であるという問題があり、また、本発明の場合、スピンコートする際は、溶媒雰囲気にて行うため、空気を流すことで溶媒雰囲気の溶媒濃度が薄まってしまうという問題があるため、ファン１９を設けたものである。
なお、配管からヘキサンを吐出させた場合には、塗布膜が溶けだす虞があり、また、気化したヘキサンを吹きかけた場合には、溶媒雰囲気の溶媒濃度の制御が困難になる。
【００３１】
次に、本発明の第１の実施の形態のスピンコート装置を用いたスピンコート法を説明するが、説明に当たっては図２に付した符号を引用する。
まず、
▲１▼ディスク基板１４の前処理工程として、例えば、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍのドーナツ状のガラス基板からなるディスク基板１４を上述のディスクチャック機構２０によりディスク基板回転機構１２に固定したのち、ディスク基板１４を例えば、３００ｒｐｍで回転させる。
【００３２】
次いで、
▲２▼密閉成膜室１８をヘキサン雰囲気にする工程とし、図２に示すように、カップ上下動機構１３を駆動して密閉用カップ１１を上方に移動させて、ガス導入密閉用プレート３１に当接させることにより密閉成膜室１８を構成したのち、密閉成膜室１８内にヘキサン用シリンジ３６からヘキサンを例えば、１００ｍＬ導入し、ホットプレート３８で例えば、８０℃に加熱することによりヘキサンを気化させて、密閉成膜室１８内を予めヘキサン雰囲気とする。
【００３３】
次いで、
▲３▼超伝導磁石５０に電流を流して、図において矢印で示すように、ディスク基板１４に垂直な方向の磁場を発生させる。
この場合の磁場強度は超伝導磁石５０に流す電流量によって制御するものであり、ここでは、例えば、５ｋＧａｕｓｓ発生させる。
【００３４】
次いで、
▲４▼コート液滴下工程において、磁場を印加した状態で、溶媒のヘキサンに磁気を帯びたＦｅＰｔ粒子を分散させたコート液を、コート液用シリンジ３４から例えば、２００μＬを５秒間で滴下する。
本発明においては、このコート液を渦巻状態で滴下するので、この様子を図５を参照して説明する。
【００３５】
図５参照
図５は、本発明の第１の実施の形態のスピンコート法の説明図であり、ディスク基板１４を例えば、６０ｒｐｍのゆっくりした回転数で回転させた状態で、コート液用シリンジ３４を図において矢印で示すラジアル方向に０．５ｃｍ／秒の速度で移動させながらコート液４２を滴下するものであり、この相対運動によってコート液４２はディスク基板１４に対し渦巻状態で滴下されることになる。
【００３６】
次いで、
▲５▼スピンコート工程において、ディスク基板１４を例えば、１０００ｒｐｍで１０秒間回転させることにより、コート液４２を、したがって、磁気を帯びたＦｅＰｔ粒子をディスク基板１４の表面全面に拡げる。
【００３７】
このスピンコート工程においては、密閉成膜室１８内は、ヘキサン蒸気で満たされているので、コート液４２中のヘキサンが揮発することはない。
また、ディスク基板１４の回転と同時にファン１９も回転し、ヘキサン雰囲気をディスク基板１４の裏面に吹きつけているので、回転によってディスク基板１４の周辺端部の押しやられたコート液４２が裏面に回り込むことがない。
【００３８】
次いで、
▲６▼残存溶媒の乾燥工程において、ディスク基板１４を例えば、３００ｒｐｍで回転させた状態で、密閉成膜室１８内に、ガス導入管２８及びコンダクタンスバルブ２７を介してＮ２　ガスを例えば、１０ｓｃｃｍの流量で１２０秒間導入して、コート液４２中のヘキサンを蒸発させる。
【００３９】
この時、複数のガス導入口３２を略均一に面内分布させているので、ディスク基板１４の表面全面にＮ２　ガスが均一に当たり、基板全面においてゆっくりと均一に蒸発が生じるので、ＦｅＰｔ粒子が整然と均一な厚さで整列した状態で乾燥膜が得られる。
【００４０】
また、スピンコート工程及び乾燥工程において、常に磁場が印加されているので、ＦｅＰｔ粒子の磁化容易磁区が、印加された磁場の方向、即ち、ディスク基板１４と垂直方向に整列することになる。
【００４１】
次いで、ディスク基板１４を裏返しにしてチャックし、上記と同様の工程で再び成膜を行うことによって、ディスク基板１４の両面にＦｅＰｔ粒子からなる磁性層を形成する。
【００４２】
この様に、本発明の第１の実施の形態においては、スピンコート工程及び乾燥工程において磁場を印加しているため、磁場の方向にＦｅＰｔ粒子の磁化容易磁区が揃い、垂直異方性をもつ成膜ができる。
【００４３】
また、スピンコート工程及び乾燥工程においてファンを回転させて、ディスク基板の裏面に雰囲気ガスを吹きつけているので、内径、外径を有する基板の表面と裏面に、ＦｅＰｔ粒子からなる磁性膜を成膜することができる。
【００４４】
また、本発明の第１の実施の形態においては、上述の図３に示したディスクチャック機構を用いているので、内径、外径を有する基板を固定する際に、内径の内側ぎりぎりまでコート液を滴下することができ、それによって、有効磁気記録領域を広くすることができる。
【００４５】
次に、図６を参照して、本発明の第２の実施の形態のスピンコート装置を説明する。
図６参照
図６は、本発明の第２の実施の形態のスピンコート装置の密閉状態における概略的構成図であり、基本的構成は上記の第１の実施の形態と同様であるが、この第２の実施の形態においては超伝導磁石の代わりに、永久磁石５１を設けたものである。
【００４６】
この永久磁石５１は、中空円筒状をしており、ディスク基板回転機構１２の回転軸に挿通・固定されており、ディスク基板回転機構１２の回転に伴って回転する。
なお、永久磁石５１は、図示しない調整手段により、上下方向に移動可能なように固定され、ディスク基板１４との距離によって印加する磁場の強度を調整する。
【００４７】
この第２の実施の形態においては、上記の第１の実施の形態と同様に、磁場の方向にＦｅＰｔ粒子の磁化容易磁区が揃い、垂直異方性をもつ成膜ができるとともに、永久磁石５１を用いているので磁場印加機構を小型化することができる。
但し、磁場強度をあまり強くすることができない。
【００４８】
次に、図７を参照して、本発明の第３の実施の形態のスピンコート装置を説明する。
図７参照
図７は、本発明の第３の実施の形態のスピンコート装置の密閉状態における概略的構成図であり、基本的構成は上記の第１の実施の形態と同様であるが、この第３の実施の形態においては超伝導磁石５０の代わりに、常伝導磁石５２を設けたものである。
【００４９】
即ち、この第３の実施の形態においては、磁場印加機構を一対のドーナツ状のヘルムホルツ型の常伝導磁石５２によって構成したものであり、一方のドーナツ状の常伝導磁石５２の中に密閉用カップ１１を挿入するようにしたものである。
この場合の作用効果は、上記の第１の実施の形態と基本的に同様である。
【００５０】
次に、図８を参照して、本発明の第４の実施の形態のスピンコート装置を説明する。
図８参照
図８は、本発明の第４の実施の形態のスピンコート装置の密閉状態における概略的構成図であり、基本的構成は上記の第２の実施の形態と同様であるが、この第４の実施の形態においては密閉用カップ１１の外周面に軟磁性体からなる磁気シールド膜２５を設けたものである。
【００５１】
この第４の実施の形態においては、磁気シールド膜２５によって密閉用カップ１１の外部に設けたディスク基板回転機構１２を回転させるための電導モータによる磁気の影響を防止したものである。
この場合の他の作用効果は、上記の第１の実施の形態における作用効果と基本的に同様である。
【００５２】
次に、図９を参照して、本発明の各実施の形態に用いるファンの変形例を説明する。
図９（ａ）及び（ｂ）参照
図９（ａ）は本発明の各実施の形態に用いるファンの変形例の平面図であり、また、図９（ｂ）はその側面図である。
図に示すように、このファン２６は、エッジ状のハネ２８と、このハネ２８を固定する中空回転軸２７からなり、中空回転軸２７はディスク基板回転機構１２の回転軸に挿通・固定する。
この様な簡単な構成のハネ２８を用いることによって、ファン構成を簡素化することができる。
【００５３】
以上、本発明の各実施の形態を説明したが、本発明は各実施の形態に記載した構成及び条件に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記の各実施の形態においては、ファンを設けているが、ファンは必ずしも必須のものではない。
【００５４】
また、上記の各実施の形態においてはファンをディスク基板回転機構１２の回転軸に挿通・固定し、ディスク基板回転機構１２と同じ回転数で回転させているが、ファンをディスク基板回転機構１２の回転軸にベアリングを介して取付け、他の回転手段により独立に回転するようにしても良い。
それによって、常に同じ回転数で回転させることにより、ディスク基板の裏面に吹きつける雰囲気ガスの吹きつけ量を常に一定にすることができる。
【００５５】
また、上記の第２及び第４の実施の形態においては、永久磁石５１をディスク基板回転機構１２の回転軸に挿通・固定し、ディスク基板回転機構１２と同時に回転させているが、永久磁石５１をディスク基板回転機構１２の回転軸にベアリングを介して取付け、永久磁石５１を非回転状態にしても良いものである。
【００５６】
また、上記の各実施の形態においては、ヘキサンを液状で導入して、密閉成膜室内で気化させているが、気体の状態で供給しても良いものである。
その場合には、密閉成膜室外に気化装置を設けても良いし、或いは、密閉成膜室外において、ヘキサン用シリンジにコイルヒータを巻き付けて加熱しても良いものである。
【００５７】
また、上記の第１の実施の形態においては、ヘキサンを滴下する際に、ディスク基板を回転させているが、ホットプレート等の気化装置を用いる場合には必ずしも必要はないものである。
【００５８】
また、上記の各実施の形態においては、有機溶媒としてヘキサンを用いているが、ヘキサンに限られるものではなく、オクタン等のヘキサンと同様の他の非極性の炭化水素を用いても良いものである。
【００５９】
また、コート液に含まれる溶質は、ＦｅＰｔ粒子に限られるものではなく、成膜対象となる磁気を帯びた磁性金属粒子であれば良い。
【００６０】
また、溶質及び溶媒に組み合わせは、上記の組合せに限られるものではなく、溶質は必ずしも金属粒子である必要はなく磁気を帯びた磁性粒子であれば良く、また、溶媒は必ずしも非極性の炭化水素である必要はない。
【００６１】
また、上記各実施の形態においては、コート液を滴下するためにシリンジを用いているが、シリンジに限られるものではなく、ノズル等の他の液体導入機構を用いても良いものである。
【００６２】
また、上記の各実施の形態においては、乾燥ガスとしてＮ２　ガスを用いているが、Ｎ２　ガスに限られるものではなく、Ａｒガス等の他の不活性ガスを用いても良いことは言うまでもない。
【００６３】
また、上記の各実施の形態においては、真空排気手段としてオイルフリーポンプを用いているが、必ずしもオイルフリーポンプである必要はなく、通常のロータリーポンプを用いても良いものである。
但し、ロータリーポンプを用いた場合には、有機溶媒によってオイルが劣化してロータリーポンプの寿命が短くなる虞がある。
【００６４】
また、上記の各実施の形態においては、密閉成膜室内にヘキサン蒸気圧センサを設けているが、必ずしも必要のないものであり、密閉成膜室の容積とヘキサンの滴下量によって制御しても良いものである。
【００６５】
また、上記の各実施の形態においては、真空計としてピラニゲージを用いているが、ピラニゲージに限られるものではなく、低真空度の計測が可能であればどの様な真空計を用いても良いものである。
【００６６】
また、上記の各実施の形態においては、ディスク基板としてガラス基板を用いているが、Ａｌ基板等の他の基板を用いても良いものである。
【００６７】
ここで、再び図１を参照して、改めて本発明の詳細な特徴を説明する。
再び、図１参照
（付記１）　非極性の溶媒中に分散している磁性体を、スピンコート法によって被塗布基板２上に成膜するスピンコート装置において、成膜中に磁場を発生させ、成膜する磁性体の磁化容易磁区を発生させた磁場と同一方向に揃えるための磁場印加機構５を備えたことを特徴とするスピンコート装置。
（付記２）　上記磁場印加機構５が、発生する磁場強度の可変機構を備えた超伝導磁石或いは常伝導磁石のいずれかであることを特徴とする付記１記載のスピンコート装置。
（付記３）　上記磁場印加機構５は、被塗布基板２との距離を可変にできる移動機構を備えた永久磁石であることを特徴とする付記１記載のスピンコート装置。
（付記４）　上記磁場印加機構５と被塗布基板２を回転させるためのモータとの間には磁気的シールドを設けたことを特徴とする付記１乃至３のいずれか１に記載のスピンコート装置。
（付記５）　上記被塗布基板２の裏面へのコート液の回り込みを防ぐ回り込み防止手段を備えたことを特徴とする付記１乃至４のいずれか１に記載のスピンコート装置。
（付記６）　上記回り込み防止手段が、被塗布基板２の裏面へ雰囲気を吹きかけるファンからなることを特徴とする付記５記載のスピンコート装置。
【００６８】
【発明の効果】
本発明によれば、スピンコート工程及び乾燥工程において磁場を印加しているので、磁性粒子の磁化容易磁区を印加磁場の方向に揃えることができ、それによって、垂直異方性を有する成膜を再現性良く行うことが可能になる。
【００６９】
また、スピンコート工程及び乾燥工程においてファンを回転させ、コート液の基板裏面への回り込みを防止しているので、両面記録磁気記録媒体を精度良く形成することができ、ひいては、磁気ディスクの高密度記録化・低コスト化に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態のスピンコート装置の密閉状態における概略的構成図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態のスピンコート装置のディスクチャック機構の概略的構成図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態のスピンコート装置のファンの概略的構成図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態のスピンコート法の説明図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態のスピンコート装置の密閉状態における概略的構成図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態のスピンコート装置の密閉状態における概略的構成図である。
【図８】本発明の第４の実施の形態のスピンコート装置の密閉状態における概略的構成図である。
【図９】本発明の各実施の形態に用いるファンの変形例の説明図である。
【符号の説明】
１　密閉成膜室
２　被塗布基板
３　コート液供給機構
４　非極性溶媒供給機構
５　磁場印加機構
１１　密閉用カップ
１２　ディスク基板回転機構
１３　カップ上下機構
１４　ディスク基板
１５　オイルフリーポンプ
１６　ヘキサン蒸気圧センサ
１７　ピラニゲージ
１８　密閉成膜室
１９　ファン
２０　ディスクチャック機構
２１　ディスク抑え部材
２２　抑え部材駆動部材
２３　中空回転軸
２４　ハネ
２５　磁気シールド膜
２６　ファン
２７　中空回転軸
２８　ハネ
３１　ガス導入密着用プレート
３２　ガス導入口
３３　ガス導入空間
３４　コート液用シリンジ
３５　マスフローコントローラ
３６　ヘキサン用シリンジ
３７　マスフローコントローラ
３８　ホットプレート
３９　コンダクタンスバルブ
４０　ガス導入管
４１　マスフローコントローラ
４２　コート液
５０　超伝導磁石
５１　永久磁石
５２　常伝導磁石
【図１】
2004055075.tif 000003
【図２】
2004055075.tif 000004
【図３】
2004055075.tif 000005
【図４】
2004055075.tif 000006
【図５】
2004055075.tif 000007
【図６】
2004055075.tif 000008
【図７】
2004055075.tif 000009
【図８】
2004055075.tif 000010
【図９】
2004055075.tif 000011