(57)【要約】【課題】ケルビン接続構造を有する半導体測定装置において、半導体試料がフォース電極部およびセンス電極部と安定して接触することができる半導体測定装置を提供することを目的とする。【解決手段】半導体試料が載置される載置台において、当該載置台の上面として半導体試料との接触面が平坦であるフォース電極部１を配設し、当該フォース電極部１に穴６を穿設し、さらに、当該穴６より突出するように上下方向に可動する第一のセンスプローブ２を配設する。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体試料が載置される載置台と、
前記載置台の上面に配設され、前記半導体試料との平坦な接触面を有する電極部と、
前記電極部に穿設された穴を介して先端が当該穴から突出自在であり、前記電極部上に載置された前記半導体試料と当該先端が接触する第一のプローブとを、備えることを特徴とする半導体測定装置。
【請求項２】
前記載置台は、
前記電極部の下方で形成されている空間部と、
前記空間部の気体に対して吸引を行う吸引孔とを、
備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体測定装置。
【請求項３】
前記電極部に穿設される穴は複数である、
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体測定装置。
【請求項４】
前記第一のプローブは複数である、
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体測定装置。
【請求項５】
前記電極部は凹状であり、当該凹状の底部は平坦である、ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の半導体測定装置。
【請求項６】
前記電極部は、電流検知用のフォース部であり、
前記第一のプローブは、電圧検知用のセンス部である、
ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の半導体測定装置。
【請求項７】
前記半導体試料の上面に当接される電圧検知用の第二のプローブをさらに備え、
前記第一のプローブおよび前記第二のプローブのそれぞれには、抵抗器が設けられている、
ことを特徴とする請求項６に記載の半導体測定装置。
【請求項８】
前記第二のプローブは複数である、
ことを特徴とする請求項７に記載の半導体測定装置。
【請求項９】
前記半導体試料の同電位となる上面電極パッドに当接される電流検知用の複数の第三のプローブをさらに備え、
前記複数の第三のプローブには、それぞれ同抵抗値の抵抗器が設けられている、
ことを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の半導体測定装置。
【請求項１０】
一端で前記半導体試料を吸着する搬送部と、
前記搬送部を移動させる駆動装置とを、
さらに備えることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の半導体測定装置。
【請求項１１】
前記載置台は、
前記電極部の下方で形成されている空間部と、
前記空間部の気体の吸引および送り込みを行う通気孔とを、備え、
前記半導体測定装置は、
一端で前記半導体試料を吸着する搬送部と、
前記搬送部を移動させる駆動装置とを、さらに備える、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体測定装置。
【請求項１２】
前記載置台を固定する架台をさらに備えており、
前記載置台は、前記架台に対して取り外し可能である、
ことを特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の半導体測定装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体装置の特性測定に用いられる半導体測定装置に係る発明であって、例えば、縦型半導体装置の特性測定に適用できる。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の上下面に電極パッドを有し、当該半導体装置内の上下方向に電流が流れる縦型半導体装置の測定は、一平面内に二種類の電極を有するケルビン接続構造の電極治具を有する半導体測定装置により測定されていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
当該電極治具は、電圧検知用のセンス部と電流検知用のフォース部とに分かれており、当該電極治具に半導体試料をセンス部とフォース部とに渡って載置させる。そして、載置された半導体試料の上面に、電圧検知用のセンスプローブと電流検知用フォースプローブとを当接させる。
【０００４】
【特許文献】
特開平９−２５２０３３号公報（第１項、第９図）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、半導体試料が載置される、センス部の上面とフォース部の上面とを面一にする構造を形成することは非常に困難であり、これにより、半導体試料と前記センス部および前記フォース部との接触面積が一定とならず、接触抵抗が均一化されないため、安定した測定が行えないという問題があった。
【０００６】
そこで、この発明は、半導体試料に対してセンス部とフォース部とを安定した接触面積にて接触させることができる半導体測定装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明に係る請求項１に記載の半導体測定装置は、半導体試料が載置される載置台と、前記載置台の上面に配設され、前記半導体試料との平坦な接触面を有する電極部と、前記電極部に穿設された穴を介して先端が当該穴から突出自在であり、前記電極部上に載置された前記半導体試料と当該先端が接触する第一のプローブとを、備えている。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、この発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。
【０００９】
＜実施の形態１＞
図１は、本実施の形態の半導体測定装置の載置台を上方から見た平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【００１０】
図１，２から分かるように、載置台は内部に空間５を有しており、当該空間５は、上面となる平板の電流検知用のフォース電極部（以下、単にフォース電極部と称す。）１と下面となる絶縁体からなる底部３とを、絶縁体からなる側面部４で隔て、密封することにより形成されている。
【００１１】
また、前記フォース電極部１は中央部に穴６が穿設されており、底部３から当該穴６を突出するように電圧検知用の第一のセンスプローブ（以下、単に第一のセンスプローブと称す。）２が形成されている。ここで、第一のセンスプローブ２がフォース電極部１と接触しない程度の穴６が、当該フォース電極部１に穿設されている。また、前記フォース電極部１に穿設された穴６を介して、第一のセンスプローブ２の先端は当該穴６から突出自在である。例えば、第一のセンスプローブ２の他端にバネ等の弾性体を設け、当該弾性体の力を利用して当該第一のセンスプローブ２が上下移動自在となるようにしてもよく、また、当該第一のセンスプローブ２自身が伸縮可能な弾性体であり、これにより第一のセンスプローブ２の先端が当該穴６から突出自在となるようにしてもよい。
【００１２】
なお、フォース電極部１はプローブ７を介して電流測定部に接続されており、第一のセンスプローブ２は電圧測定部に接続される。
【００１３】
さて次に、上下面に電極パッドを有する半導体試料を上記載置台に載置した状態を図３，４に示す。図３は平面図であり、図４は図３のＢ−Ｂ断面図である。ここで図３において、フォース電極部１に穿設されている穴６および第一のセンスプローブ２は、半導体試料１０の下側に位置しているため、当該外形を点線にて描いている。
【００１４】
図４から分かるように、フォース電極部１に半導体試料１０を載置する際、当該半導体試料１０の重みにより第一のセンスプローブ２は、当該半導体試料１０との接触を保ちながら、当該載置方向に縮小する。ここで、半導体試料１０の上面には電極パッド１０ａ、下面には電極パッド１０ｂが備えられている。
【００１５】
最後に、図５に示すように半導体試料１０の電極パッド１０ａに、電圧検知用のセンスプローブ（以下、第二のセンスプローブと称す。）１１と電流検知用フォースプローブ（以下、フォースプローブと称す。）１２とを当接させ、当該状態にて半導体試料１０の測定を行う。
【００１６】
このように、本実施の形態の半導体測定装置の載置台に半導体試料１０を載置させることにより、フォース電極部１は平板であり、第一のセンスプローブ２の先端は穴６から突出自在なので、当該半導体試料１０に対するフォース電極部１および第一のセンスプローブ２の接触を安定的に行うことができ、結果的に信頼性の高い測定データを取得することができる。
【００１７】
また、フォース電極としてを平板の電極採用し、センス電極としてプローブを採用することにより、半導体試料１０において、フォース部との接触面積の方がセンス部との接触面積より大きくなるので、大電流を半導体試料１０に流したときに電流密度が過大になることを防止することができる。
【００１８】
＜実施の形態２＞
図６は、本実施の形態の半導体測定装置の載置台を側面から見た断面図である。図６から分かるように、当該載置台の側面部４には、フォース電極部１の下方に存する空間５内の気体の吸引を行うことができる吸引孔２０が形成されている。なお、第二のセンスプローブとフォースプローブとは、図６において図示は省略している。
【００１９】
上記構成の載置台を採用することにより、半導体試料１０を当該載置台のフォース電極部１に載置する際、吸引孔２０より真空引きを実行することにより、穴６を介する当該載置台の内外の圧力差が生じ、半導体試料１０（具体的には、電極パッド１０ｂ）をより強固にフォース電極部１および第一のセンスプローブ２に接触させることができ、半導体試料１０とフォース電極部１との間の接触抵抗、および半導体試料１０と第一のセンスプローブ２との間の接触抵抗の変化を抑制することができるので、安定した測定データを得ることができる。
【００２０】
＜実施の形態３＞
本実施の形態は、実施の形態２の真空引きが可能な載置台に対して有効なものである。
【００２１】
図７は、本実施の形態の半導体測定装置の載置台を上方から見た平面図であり、図８は、図７のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。さらに図９は、当該載置台のフォース電極部３０を上方斜め方向から見た図である。ここで、図７〜９において、第二のセンスプローブとフォースプローブとは、図示を省略している。
【００２２】
図７，８，９から分かるように、本実施の形態ではフォース電極部３０は凹状であり、当該凹状の底部は平坦であり、当該平坦領域に半導体試料１０が載置される。また、実施の形態２と同様に、当該凹状フォース電極部３０の下方には空間５が存しており、当該載置台の側面部４には、当該空間５内の気体の吸引を行うことができる吸引孔２０が形成されている。
【００２３】
ここで図７では、凹状のフォース電極部３０の底部に穿設されている穴６および第一のセンスプローブ２は、半導体試料１０の下側に位置しているため、当該外形を点線にて描いている。
【００２４】
このように、実施の形態２の真空引き可能な載置台のフォース電極部３０として、凹状のものを採用し、当該フォース電極部３０の底部である平坦領域に半導体試料１０を載置させることにより、半導体試料１０の周りがフォース電極部３０の側面で覆われることとなるので、真空引きによる半導体試料１０の吸引力がさらに強固となる。
【００２５】
したがって、半導体試料１０（具体的には、電極パッド１０ｂ）とフォース電極部３０との間の接触抵抗、および半導体試料１０（具体的には、電極パッド１０ｂ）と第一のセンスプローブ２との間の接触抵抗の変化をより抑制することができるので、より安定した測定を行うことができる。
【００２６】
なお、実施の形態１，２のように、平板のフォース電極部１０を採用し、周りを他の部材で囲っても良いが、その際、吸引力を強くするためには、半導体試料１０と当該周りの囲いとの間の距離はなるべく小さい方が良い。そうすると半導体試料１０の周りに余分な領域が存しなくなるので、フォース電極部１０へのプローブ７との接続が困難となる。
【００２７】
しかし、本実施の形態のように、フォース電極部３０自身を凹状とすることにより、凹状の側面の部分を利用してプローブ７を接続することができるので、当該プローブ７との接続も簡単に行うことができる。
【００２８】
＜実施の形態４＞
図１０は、本実施の形態の半導体測定装置の載置台を上方から見た平面図であり、図１１は、図１０のＤ−Ｄ断面を示す断面図である。なお、第二のセンスプローブとフォースプローブとは、図１０，１１において図示は省略している。
【００２９】
図１０，１１から分かるように、本実施の形態の載置台では、フォース電極部４０に複数の穴４１が穿設されている。他の構成は、実施の形態２で示した真空引き可能な載置台と同様であるので、ここでの説明は省略する。ここで図１０では、フォース電極部４０の底部に穿設されている複数の穴４１および単一の第一のセンスプローブ２は、半導体試料１０の下側に位置しているため、当該外形を点線にて描いている。
【００３０】
このように、真空引き可能な載置台において、フォース電極部４０に複数の穴４１を穿設することにより、載置台の側面部４に設けられた吸引孔２０から空間５内の気体の吸引を行うことで、半導体試料１０を複数点で吸引することとなるので、半導体試料１０が回転したり横ずれしたりすることを防止することができる。
【００３１】
また、半導体試料１０のずれによるフォース電極部４０および第一のセンスプローブ２の磨耗を防ぐことができ、半導体試料１０（具体的には、電極パッド１０ｂ）とフォース電極部４０との間の接触抵抗、および半導体試料１０（具体的には、電極パッド１０ｂ）と第一のセンスプローブ２との間の接触抵抗の変化をより一層抑制することができるので、結果的に、より一層測定データの信頼性が高くなる。
【００３２】
なお、本実施の形態では、平板のフォース電極部４０に複数の穴４１を穿設する場合について述べたが、凹状のフォース電極部の平坦な底部に複数の穴を穿設しても同様の効果を得ることができる。
【００３３】
また、穿設される穴の位置は、フォース電極部４０において半導体試料１０が載置される領域内ならどこに設けても良いが、図示したように均等に複数の穴４１を穿設することにより、半導体試料１０を満遍なく吸引することができ、より安定した吸着が可能となる。
【００３４】
＜実施の形態５＞
図１２は、本実施の形態の半導体測定装置の載置台を上方から見た平面図であり、図１３は、図１２のＥ−Ｅ断面を示す断面図である。なお、第二のセンスプローブとフォースプローブとは、図１２，１３において図示は省略している。
【００３５】
図１２，１３から分かるように、本実施の形態の載置台では、実施の形態４で説明したように、フォース電極部に複数個穿設した穴を利用して、複数本の第一のセンスプローブを設けていることが特徴である。
【００３６】
上記実施の形態１〜４と同様に、載置台は内部に空間５５を有しており、当該空間５５は、上面となる平板のフォース電極部５１と下面となる底部５３とを、絶縁体からなる側面部５４で隔て、密封することにより形成されている。ここで、側面部５４には、空間５５内の気体の吸引を行うことができる吸引孔５６が形成されている。
【００３７】
また、前記フォース電極部５１には複数の穴５７が穿設されており、底部５３から当該穴５７を突出するように複数の第一のセンスプローブ５２が形成されている。ここで、各第一のセンスプローブ５２がフォース電極部５１と接触しない程度の穴５７が、当該フォース電極部５１に穿設されている。また、各第一のセンスプローブ５２は、半導体試料１０の重みにより当該穴５７から先端が突出自在であり、半導体試料１０が載置されることにより、半導体試料１０との接触を保ちながら下方向に縮小する。
【００３８】
ここで図１２では、フォース電極部５１の底部に穿設されている複数の穴５７および複数の第一のセンスプローブ５２は、半導体試料１０の下側に位置しているため、当該外形を点線にて描いている。
【００３９】
このように、本実施の形態では、半導体試料１０（具体的には、電極パッド１０ｂ）に対して第一のセンスプローブ５２が複数点で接触することとなるので、当該半導体試料１０（具体的には、電極パッド１０ｂ）と第一のセンスプローブ５２との全体の接触抵抗が少なくなる。
【００４０】
したがって、半導体試料１０（具体的には、電極パッド１０ｂ）と第一のセンスプローブ５２との間の接触抵抗による測定データの変動を小さくすることができ、結果的に信頼性の高い測定データを取得することができる。
【００４１】
なお、ここではフォース電極部として平板のものを図示して説明したが、実施の形態３のような凹状のフォース電極部を用いて本実施の形態の載置台を構成することもできる。
【００４２】
＜実施の形態６＞
図１４は、本実施の形態の半導体測定装置の載置台の断面を示す断面図である。
【００４３】
図１４から分かるように、本実施の形態では、実施の形態５の載置台の構成に対して、半導体試料１０の下面（具体的には、電極パッド１０ｂ）から当接する第一のセンスプローブ６１、および半導体試料１０の上面（具体的には、電極パッド１０ａ）から当接する第二のセンスプローブ６２に、抵抗器６３をそれぞれ取り付けている。その他の構成は、上記実施の形態５と同様であるので、ここでの説明は省略する。なお、図１４において、半導体試料１０の上面に当接されるフォースプローブの図示は省略している。
【００４４】
このように、第一および第二のセンスプローブ６１，６２に対して抵抗器６３をそれぞれ取り付けることにより、例えば大電流測定時において、半導体試料１０（具体的には、電極パッド１０ｂ）と第一のセンスプローブ６１との接触抵抗、および半導体試料１０（電極パッド１０ａ）と第二のセンスプローブ６２との接触抵抗を無視することができる。
【００４５】
したがって、上記接触抵抗による測定データの変動もなくなり、結果的により信頼性の高い測定データを取得することができる。
【００４６】
なお、本実施の形態では、第二のセンスプローブ６２は一本のみの場合について図示したが、図１５に示すように、第二のセンスプローブ６２を複数本設けても良い。これにより、実施の形態５で説明したように、第一のセンスプローブを複数本備えた場合と同様な効果を得ることができる。
【００４７】
＜実施の形態７＞
実施の形態１では、半導体試料の上面の電極パッドにフォースプローブを一本だけ当接する場合について図示したが（図５）、本実施の形態では、複数本のフォースプローブを半導体試料の同電位となる上面電極パッドに当接させる。
【００４８】
図１６は、本実施の形態の半導体測定装置の載置台の断面を示す断面図である。
【００４９】
図１６から分かるように、本実施の形態では、載置台上に載置されている半導体試料１０の上面に存する同電位である電極パッド７０に複数のフォースプローブ７１を当接し、当該フォースプローブ７１の各々に同抵抗値の抵抗器７２が取り付けられており、最終的に全てのフォースプローブ７１が同一の電流測定部へと接続されている。なお、図１６では第二のセンスプローブの図示を省略している。
【００５０】
同電位となる電極パッド７０に、同一の電流測定部と接続されている複数のフォースプローブ７１を当接することにより、単一のみを当接する場合より電流密度を緩和させることができる。
【００５１】
しかし、ただ複数のフォースプローブ７１を電極パッド７０に当接しただけでは、それぞれのフォースプローブ７１において、電極パッド７０との間で接触抵抗差が生じてしまい、当該状態にて大電流を流すと電流密度の偏りが顕著となり、電流検出が不安定となったり、プローブの焼け・融解等が発生することもあった。
【００５２】
そこで、本実施の形態のように同一の値の抵抗器７２をそれぞれのフォースプローブ７１に取り付けることにより、接触抵抗差を緩和することができ、各フォースプローブ７１に均一に電流を流すことができる。
【００５３】
したがって、大電流測定を行ったときに、電流集中によるプローブ、半導体試料の焼け、融解を防ぐと共に、均等に電流が流れないことによる測定データのばらつきも防止することができる。
【００５４】
なお、本実施の形態のフォースプローブ構成は、上記の他の実施の形態に対してそれぞれ適用することができる。
【００５５】
＜実施の形態８＞
本実施の形態は、載置台への半導体試料の搬送・載置、および載置台からの半導体試料１０の取り除きを可能とする搬送手段をさらに備えることを特徴とする。
【００５６】
図１７は、本実施の形態の搬送手段を備える半導体測定装置の構成を示す図である。なお、第二のセンスプローブとフォースプローブとは、図１７において図示は省略している。
【００５７】
図１７で示すように、本実施の形態の半導体測定装置では、真空による吸引力を利用した半導体試料１０の搬送を行う搬送手段として、搬送部８０と真空ポンプ装置８１と駆動装置８２とが、さらに備えられている。
【００５８】
搬送部８０の内部は中空部８０ａとなっており、一方面は半導体試料１０を吸着する面であり、他方面は、真空ポンプ装置８１に接続されている。また、搬送部８０は、駆動装置８２により上下左右の方向へと移動させることができる。
【００５９】
当該搬送部８０は、他方面で接続されている真空ポンプ装置８１を作動させることにより、中空部８０ａを介して一方面で吸引力が生ずる。当該吸引力が発生している状態で、駆動装置８２により搬送部８０を半導体試料１０の真上に移動させ、当該半導体試料１０を当該搬送部８０の一方面に吸着させる。
【００６０】
次に、半導体試料１０が搬送部８０に吸着した状態で、当該搬送部８０を駆動装置８２により載置台のフォース電極部１の上方へと移動させ、半導体試料１０をフォース電極部１の上面へと載置させる。このとき、真空ポンプ装置８１の吸引を切ることにより、搬送部８０の半導体試料１０に対する吸引力がなくなり、フォース電極部１に半導体試料１０が載置される。
【００６１】
ところが、真空ポンプ装置８１の吸引を切っても半導体試料１０が搬送部８０から離れ難い場合もあり得る。そこで、載置台の側面部４に設けられた吸引孔２０により、空間５の気体を吸引する。これにより、半導体試料１０はフォース電極部１と固着され、半導体試料１０を搬送部８０から完全に取り離すことができる。
【００６２】
さて、一連の測定後、半導体試料１０を載置台から取り除くため、再び駆動装置８２により搬送部８０を半導体試料１０の上面にまで移動させ、真空ポンプ装置８１を作動させ、搬送部８０の一方面で吸引力を発生させる。当該吸引力により半導体試料１０が搬送部８０に吸着する。
【００６３】
ここで、半導体試料１０のフォース電極部１からの取り除きを容易にするために、吸引孔２０を通気孔として使用する。つまり、当該通気孔を通して空間５内に気体を送り込むことにより、半導体試料１０を完全にフォース電極部１から取り除くことができる。
【００６４】
最後に、半導体試料１０を搬送部８０に吸着させながら、駆動装置８２にて、半導体試料１０を他の場所へと移動させる。
【００６５】
このように、真空を利用した半導体試料１０の搬送を採用することにより、例えば半導体試料１０の両端を挟んで搬送する手法により発生していた半導体試料１０の変形・破損を防止することができる。
【００６６】
また、載置台に設けられた通気孔を利用して、フォース電極部１の下方に存する空間５の気体の吸引・送り込みを行うことにより、半導体試料１０のフォース電極部１に対する載置および取り除きを容易に行うことができる。
【００６７】
なお、本実施の形態は、実施の形態２に当該搬送手段を備えた場合について図示しているが、その他の実施の形態にも備えることができ、特に、吸引孔（通気孔）を備える載置台と併用することにより、より搬送手段を用いることによる効果を発揮させることができる。
【００６８】
＜実施の形態９＞
本実施の形態の半導体測定装置は、上記各構成の載置台を取り付けることができる架台をさらに備え、当該載置台は当該架台に対して取り外しができることを特徴とする。以下、図面に基づいて本実施の形態の半導体測定装置を具体的に説明する。
【００６９】
図１８は、取り外し可能な載置台の断面を示す図である。
【００７０】
図１８において、載置台は内部に空間９５を有しており、当該空間９５は、上面となる凹状のフォース電極部９１と、下面となる絶縁体からなる底部９３とを、絶縁体からなる側面部９４で隔て、密封することにより形成されている。ここで、フォース電極部９１として凹状のものについて言及したが、平板のフォース電極部を採用してもかまわない。また、側面部９４には、空間９５に対して気体の吸引および／または送り込みを行う通気孔（または吸引孔）９０が設けられている。
【００７１】
前記凹状のフォース電極部９１の底部は平坦であり、当該底部には複数の穴９６が穿設されており、底部９３から当該穴９６を突出するように複数の第一のセンスプローブ９２が形成されている。ここで、第一のセンスプローブ９２がフォース電極部９１と接触しない程度の穴９６が、当該フォース電極部９１に穿設されている。また、測定される半導体試料を載置する際して、第一のセンスプローブ９２の先端は、穴９６から突出自在となっている。
【００７２】
底部９３の内部には、第一のセンスプローブ９２に一方が接続されている配線９７が配設されており、当該配線９７の他方は、フォース電極部９１との絶縁が保たれているプローブ９８へと接続されている。また、フォース電極部９１にはプローブ９９が接続されている。
【００７３】
なお、測定時には、プローブ９８は電圧測定部に接続されており、プローブ９９は電流測定部に接続されている。
【００７４】
さらに、上記構成の底部９３とプローブ９８とを架設するように絶縁体からなる土台１００が設けられている。ここで、当該土台１００の底部には、架台との咬合をならしめるため、係り止め部１００ａが形成されている。
【００７５】
上記全体で載置台を構成している。
【００７６】
さて、上記載置台を架台に取り付けるため、図１９に示す架台１０１を用意する。架台１０１には、載置台の係り止め部１００ａと咬合するために係り止め突起１０１ａが形成されている。さらに、架台１０１には可動式の載置台抑え部１０１ｂが備えられており、例えば、載置台の架台１０１への固定時に、載置台抑え部１０１ｂは下方向に可動し、当該載置台抑え部１０１ｂにより上方向から載置台を抑え、載置台と架台１０１の固着を強固なものにする。
【００７７】
それでは次に、載置台の架台１０１への取り付け方法について記載する。
【００７８】
図２０は、当該載置台の架台１０１への取り付け状態を示す図である。図２０が示すように、架台１０１に形成されている係り止め突起１０１ａと、載置台の土台１００に形成されている係り止め部１００ａとを咬み合わせることにより、載置台を架台１０１に仮止めし、その後、可動式の載置台抑え部１０１ｂにより上方から載置台を抑え、架台１０１への載置台の固定を確実なものにする。
【００７９】
また、架台１０１から載置台を取り外すときは、載置台抑え部１０１ｂを上方へ移動させ載置台に対する抑えを解除することにより、簡単に載置台を取り外すことができる。
【００８０】
このように、架台１０１に対して載置台を取り外し可能にすることにより、載置台のメンテナンスを容易に行うことができる。
【００８１】
また、載置台を、測定される半導体試料のサイズに併せて、色々なサイズのものを用意することにより（つまり、様々なサイズの半導体試料に対応できるように、フォース電極部９１の試料載置領域のサイズの異なる載置台を用意する。）、以下に示す効果を得ることができる。
【００８２】
異なるサイズの半導体試料を同一のサイズの載置台に交互に載置させると、半導体試料とフォース電極部９１との接触範囲が変わる。すると、半導体試料によるフォース電極部９１の磨耗範囲が異なり、小さいサイズの半導体試料により磨耗した箇所において、大きなサイズの半導体試料１０が接触しなくなる。したがって測定時には、当該大きなサイズの半導体試料に電流が均等に流れず、測定データ値が正確に所得できなくなる。
【００８３】
しかし、上記のように半導体試料の様々なサイズに対応した載置台を予め用意しておき、当該載置台を交換可能とすることで、上記の問題は解消することができる。
【００８４】
さらに、凹状のフォース電極部９１を用いた場合には、半導体試料を測定する際に、凹状の底部の平坦領域の面積を、測定対象となる半導体試料が収まり、当該半導体試料の面積より若干大きめのサイズのものを採用することにより、凹部の容積が必要最小限の大きさとなり、吸引孔（通気孔）９０からの空間９５内の気体の吸引により生じる半導体試料への吸着力を最も高めることができる。
【００８５】
【発明の効果】
本発明の請求項１に記載の半導体測定装置は、半導体試料が載置される載置台と、前記載置台の上面に配設され、前記半導体試料との平坦な接触面を有する電極部と、前記電極部に穿設された穴を介して先端が当該穴から突出自在であり、前記電極部上に載置された前記半導体試料と当該先端が接触する第一のプローブとを、備えているので、電極部の半導体試料との接触面は平坦であり、第一のプローブは穴から突出可能なので、当該半導体試料に対する電極部および第一のプローブの接触を安定的に行うことができ、結果的に信頼性の高い測定データを取得することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１の載置台の平面図である。
【図２】実施の形態１の載置台の断面図である。
【図３】実施の形態１の載置台に半導体試料を載置させた状態を示す平面図である。
【図４】実施の形態１の載置台に半導体試料を載置させた状態を示す断面図である。
【図５】実施の形態１の半導体測定装置による半導体試料の測定の様子を示す断面図である。
【図６】実施の形態２の載置台の断面図である。
【図７】実施の形態３の載置台の平面図である。
【図８】実施の形態３の載置台の断面図である。
【図９】実施の形態３のフォース電極部の上方斜め図である。
【図１０】実施の形態４の載置台の平面図である。
【図１１】実施の形態４の載置台の断面図である。
【図１２】実施の形態５の載置台の平面図である。
【図１３】実施の形態５の載置台の断面図である。
【図１４】実施の形態６の載置台の断面図である。
【図１５】実施の形態６の載置台の変形例の断面図である。
【図１６】実施の形態７の載置台の断面図である。
【図１７】実施の形態８の載置台の断面図である。
【図１８】実施の形態９の載置台の断面図である。
【図１９】実施の形態９の架台の断面図である。
【図２０】実施の形態９の半導体測定装置の断面図である。
【符号の説明】
１，４０，５１  フォース電極部、２，５２，６１，９２  第一のセンスプローブ、３，５３，９３  底部、４，５４，９４  側面部、５，５５，９５  空間、６，４１，５７，９６  穴、７，９８，９９  プローブ、１０  半導体試料、１０ａ，１０ｂ  電極パッド、１１，６２  第二のセンスプローブ、１２  フォースプローブ、２０，５６，９０  吸引孔（または通気孔）、３０，９１  凹状フォース電極部、６３  抵抗器、７０  同電位の電極パッド、７２  抵抗器、８０  搬送部、８０ａ  中空部、８１  真空ポンプ、８２  駆動装置、９７  配線、１００  土台、１００ａ  係り止め部、１０１  架台、１０１ａ  係り止め突起、１０１ｂ  載置台抑え部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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