(57)【要約】【課題】フォトマスクのパターン欠損部を設計データと実際のパターンとの両方を用いて精度良く修正すること。【解決手段】本発明は、フォトマスクのパターン欠損部およびその周辺に対応した設計データをデータベースから取得する工程（Ｓ１）と、パターン欠損部の近傍におけるフォトマスクのパターンの線幅と、そのパターンに位置に対応した設計データにおけるパターンの線幅を比較する工程（Ｓ３）と、線幅の比較結果からパターン欠損部に対応した設計データにおけるパターンの線幅を補正する工程（Ｓ４）と、この補正された設計データを用いてパターン欠損部を修正する工程（Ｓ５）とを備えている。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスクのパターン欠損部およびその周辺に対応した設計データをデータベースから取得する工程と、
前記パターン欠損部の近傍における前記フォトマスクのパターンの線幅と、そのパターンに位置に対応した設計データにおけるパターンの線幅を比較する工程と、
前記線幅の比較結果から前記パターン欠損部に対応した設計データにおけるパターンの線幅を補正する工程と、
前記補正された設計データを用いて前記パターン欠損部を修正する工程と
を備えることを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。
【請求項２】
前記設計データを取得した後、その設計データに対して予め描画プロセスに応じたパターン端部の形状補正を施す
ことを特徴とする請求項１記載のフォトマスクの欠陥修正方法。
【請求項３】
フォトマスクのパターン欠損部を修正する欠陥修正装置において、
前記フォトマスクのパターン欠損部およびその周辺に対応した設計データをデータベースから取得する処理、
前記パターン欠損部の近傍における前記フォトマスクのパターンの線幅と、そのパターンに位置に対応した設計データにおけるパターンの線幅を比較する処理、
前記線幅の比較結果から前記パターン欠損部に対応した設計データにおけるパターンの線幅を補正する処理、
前記補正された設計データを用いて前記パターン欠損部を修正する処理を行う計算手段を備えている
ことを特徴とするフォトマスクの欠陥修正装置。
【請求項４】
フォトマスクのパターン欠損部を修正するためのデータを生成する欠陥修正プログラムにおいて、
フォトマスクのパターン欠損部およびその周辺に対応した設計データをデータベースから取得するステップと、
前記パターン欠損部の近傍における前記フォトマスクのパターンの線幅と、そのパターンに位置に対応した設計データにおけるパターンの線幅を比較するステップと、
前記線幅の比較結果から前記パターン欠損部に対応した設計データにおけるパターンの線幅を補正して修正のためのデータを生成するステップと
を備えることを特徴とするフォトマスクの欠陥修正プログラム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトマスクのパターン欠損を修正する欠陥修正方法、欠陥修正装置ならびに欠陥修正プログラムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
通常、フォトマスクには、その製造段階で余分な遮光膜であるＣｒ（もしくは位相シフト膜）が残留した欠陥（いわゆる黒欠陥）と、逆に必要な個所にＣｒ（もしくは位相シフト膜）がなくなっている欠陥（いわゆる白欠陥）が発生してしまう。
【０００３】
これらの黒欠陥、白欠陥の修正にはＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ）修正が使用されている。ＦＩＢ修正とは、黒欠陥の場合修正部に集束イオンビームを照射し、エッチングにより修正を行ない、白欠陥の場合、修正部に有機物ガスを吹き付け、集束イオンビームを照射、走査し、欠陥部に堆積させた有機物を炭化させることにより修正を行う。
【０００４】
また、パターンが製造段階で消失した場合でも非修正部と同様の形状にすることが基本的に可能である。これは、周囲にまったく同じパターンがある場合、欠陥部と同じパターンのエッジを装置側で記憶し、欠陥部に重ね合わせて欠けている部分の修正を行うというものである。
【０００５】
ここで、従来のフォトマスクにおける欠陥修正方法を図４のフローチャートに沿って説明する。
ステップＳ１１：リファレンスのイメージを取得して、欠陥部と同じパターンをあらかじめ調べておき、リファレンスパターンを表示させる。
ステップＳ１２：リファレンスパターンを装置に記憶させる。
ステップＳ１３：欠陥のある座標に移動し欠陥部を表示させる。
ステップＳ１４：リファレンスと欠陥部を重ね合わせ、修正領域を決定する。
ステップＳ１５：欠陥修正を行う。
【０００６】
また、フォトマスクの設計データを用いて実際のフォトマスクのパターンと比較し、欠損部を検出して修正を行う技術も開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
【特許文献１】
特許第３０４１３９８号
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、周囲のまったく同じパターンの形状をコピーして修正を行う場合、解像度の違いから微細なパターンの場合実際の形状と異なってしまい、修正が失敗するケースがある。つまり、周囲の同じパターンの形状から得たデータ（例えば、実測データ）を用いてＦＩＢ修正を行うと、ＦＩＢ修正装置の解像度がフォトマスク作成プロセスでの解像度と異なる関係からパターンの端部において正確な形状が再現されないことになる。
【０００９】
また、設計データを用いた場合も、実際の形状は設計データと線幅が異なるため正確な欠損修正を行うことはできない。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような課題を解決するために成されたものである。すなわち、本発明の欠陥修正方法は、フォトマスクのパターン欠損部およびその周辺に対応した設計データをデータベースから取得する工程と、パターン欠損部の近傍におけるフォトマスクのパターンの線幅と、そのパターンに位置に対応した設計データにおけるパターンの線幅を比較する工程と、線幅の比較結果からパターン欠損部に対応した設計データにおけるパターンの線幅を補正する工程と、この補正された設計データを用いてパターン欠損部を修正する工程とを備えている。
【００１１】
また、本発明の欠陥修正装置は、フォトマスクのパターン欠損部およびその周辺に対応した設計データをデータベースから取得する処理、パターン欠損部の近傍におけるフォトマスクのパターンの線幅と、そのパターンに位置に対応した設計データにおけるパターンの線幅を比較する処理、線幅の比較結果からパターン欠損部に対応した設計データにおけるパターンの線幅を補正する処理、補正された設計データを用いてパターン欠損部を修正する処理を行う計算手段を備えているものである。
【００１２】
また、本発明の欠陥修正プログラムは、フォトマスクのパターン欠損部およびその周辺に対応した設計データをデータベースから取得するステップと、パターン欠損部の近傍におけるフォトマスクのパターンの線幅と、そのパターンに位置に対応した設計データにおけるパターンの線幅を比較するステップと、線幅の比較結果からパターン欠損部に対応した設計データにおけるパターンの線幅を補正して修正のためのデータを生成するステップとを備えている。
【００１３】
このような本発明では、パターン欠損部の近傍におけるパターンの線幅と、そのパターンの位置に対応した設計データにおけるパターンの線幅とを比較して、パターン欠損部におけるパターンの線幅を補正しているため、形状は設計データと相似し、線幅は実際のフォトマスクのパターンに対応したデータを用いてパターン欠損部を補う修正を行うことができるようになる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図に基づき説明する。図１は、本実施形態に係るフォトマスクの欠陥修正方法を説明する模式図である。すなわち、本実施形態の欠陥修正方法は、欠陥修正時に設計データを用いるにあたり、設計データをそのまま使用するのではなく、設計データの形状、線幅を実際のパターンに近づけるよう補正することにより、より精度良く修正を行う点に特徴がある。
【００１５】
先ず、検査装置からパターン欠損部の座標を取得し、その座標を元にしてパターン欠損部の座標周囲の設計データを取り込む（図中Ａ参照）。次いで、あらかじめ用意してある描画装置（プロセス）ごとのパターンのコーナー部あるいはライン端長さの形状補正ファイルを設計データへ反映させる（図中Ｂ参照）。一般にパターンの形状は、描画装置およびプロセスの影響をうける。したがって、描画装置、プロセスごとの補正ファイルを作成することにより、コーナー形状の補正が可能となる。
【００１６】
次に、図中Ｃに示すように、欠陥のある座標にマスクを移動し欠陥１を表示する。その後、図中Ｄに示すように、設計データと欠陥１の近くの線幅とを比較する。比較は欠陥１の近くで欠陥１以外の場所を設計データと重ね合わせ、線幅のずれ量を測定することにより算出する。もしくは、あらかじめ欠陥１の近くの線幅を測定しておき、線幅を入力することにより、修正装置で自動的にずれ量を計算する。
【００１７】
次いで、図中Ｅに示すように、測定した線幅のデータを元に設計データに反映させて線幅を補正する。その後、図中Ｆに示すように、補正後の設計データ（図中Ｅ参照）と欠陥１のデータとを重ね合わせ修正範囲２を決定する。そして、図中Ｇに示すように、決定した修正範囲２において欠陥１の修正を行う。
【００１８】
このような修正により、設計データに基づきパターン端部の形状を正確に再現できるとともに、設計データとの線幅の違いは実際のパターン（周辺のパターン）の線幅から得ることで補正して、実際のパターンの線幅も精度良く再現できるようになる。
【００１９】
図２は、本実施形態に係る欠陥修正方法を説明するフローチャートである。先ず、ステップＳ１に示すように、パターン欠損部およびその周辺の設計データを取得し、次いで、ステップＳ２に示すように、フォトマスクの作成プロセスに応じて設計データ端部の形状補正を行う。
【００２０】
このステップＳ２の処理で、フォトマスクの作成プロセスに応じＦＩＢ修正装置の解像度を考慮した設計データへ変換できるようになる。つまり、この補正後の設計データを用いてＦＩＢ修正を行うと、ＦＩＢ修正装置のもつ解像度であってもフォトマスクの作成プロセスに応じたパターン端部の形状を再現できるようになる。
【００２１】
次に、ステップＳ３に示すように、パターン欠損部の近傍におけるパターンの設計データと実際のパターンの線幅との比較を行い、ステップＳ４に示すように、この線幅の比較結果に基づき、パターン欠損部の設計データの線幅を補正する。この補正によって、設計データの形状を用いて線幅を実際のパターンに合わせることができる。
【００２２】
そして、ステップＳ４で求めた補正後の設計データを用いてパターン欠損部をＦＩＢ修正する。これによって、パターンの形状および線幅ともに実際のパターンとほぼ等しいパターンで修正できるようになる。
【００２３】
なお、上記フローチャートのうちステップＳ１〜Ｓ４までの処理はコンピュータによって実行される欠陥修正プログラムとして実現することができる。つまり、この欠陥修正プログラムでは、パターン欠損部および周辺の設計データをデータベースから取得し、設計データ端部の形状補正、実際のパターンと設計データとの線幅比較、比較結果に基づく設計データの線幅補正を行い、ＦＩＢ修正を行うためのデータを生成できるようになる。
【００２４】
図３は、本実施形態に係るフォトマスクの欠陥修正装置を説明するブロック図である。すなわち、この欠陥修正装置は、イオン源１、イオン源１から出射されたイオンビーム２を走査する走査電極３、イオンビーム２をフォトマスクＭ上に集束させる対物レンズ４、走査電極３を制御する走査回路５、ガスノズルＮ、フォトマスクＭを載置するステージＳを備えるＦＩＢ修正部分と、ＦＩＢ修正部分に対するデータ生成および制御を行うコンピュータＣと、設計データ等を蓄積するデータベースＤとを備えている。
【００２５】
このうち、ＦＩＢ修正部分では、イオン源１からイオンビーム２を出射し、走査電極３によってイオンビーム２を所定領域で走査させ、対物レンズ４によってイオンビーム２をフォトマスクＭのパターン欠損部分に集束させる。また、イオンビーム２の照射とともにガスノズルＮから有機化合物蒸気を吹き付けてイオンビーム２の照射領域に有機化合物を堆積させ、パターン欠損部を補う修正を行う。
【００２６】
また、コンピュータＣはデータベースＤに蓄積された設計データや、検査装置から得たフォトマスクのパターン欠損部の座標、パターン欠損部の周辺のパターンの線幅をＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）等の線幅測定装置の測定結果から得て、先に説明した欠陥修正方法に基づく処理を実行する。
【００２７】
つまり、コンピュータＣでは先に説明した欠陥修正プログラムを実行してパターン欠損部修正のためのデータを生成し、走査回路５やステージＳ等を制御してフォトマスクＭのパターン欠損部の修正を実現する。
【００２８】
このような欠陥修正装置によってパターン欠損部のデータ生成およびパターン修正を一つの装置で行うことができるようになる。
【００２９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば次のような効果がある。すなわち、パターン欠損部の周囲に同じパターンが無い場合でも欠損の修正が可能となる。また、リファレンスに用いる設計データを実パターンに合わせ込み、パターン幅の補正を施すため、精度の高い修正を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態に係るフォトマスクの欠陥修正方法を説明する模式図である。
【図２】本実施形態に係る欠陥修正方法を説明するフローチャートである。
【図３】本実施形態に係るフォトマスクの欠陥修正装置を説明するブロック図である。
【図４】従来例を説明するフローチャートである。
【符号の説明】
１…イオン源、２…イオンビーム、３…走査電極、４…対物レンズ、５…走査回路、Ｃ…コンピュータ、Ｄ…データベース、Ｍ…フォトマスク、Ｎ…ガスノズル、Ｓ…ステージ
【図１】
2004184786.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2004184786.tif 000006