(57)【要約】【課題】モノリシック光干渉素子に関し、製造プロセスを簡素化するとともに、構造的に素子取扱い上の不便を改善し、さらには、所望の発振周波数を安定して得る。【解決手段】マッハツェンダー干渉計の２本のアームそれぞれに光学的に屈折率変化が誘起される非線形利得媒質１を設け、非線形利得媒質１によって、マッハツェンダー干渉計内部でモード同期レーザ発振を発生させるとともに、マッハツェンダー干渉計に外部光９を入力する光導波路５を有するモノリシック光干渉素子における内部で生じるモード同期レーザ発振の発振周波数を決めるキャビティの両端面を素子の端面より内側に形成された反射鏡２により構成する。【選択図】　　　　　図１
2004133245.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マッハツェンダー干渉計の２本のアームそれぞれに光学的に屈折率変化が誘起される非線形利得媒質を設け、前記非線形利得媒質によって、前記マッハツェンダー干渉計内部でモード同期レーザ発振を発生させるとともに、前記マッハツェンダー干渉計に外部光を入力する光導波路を有するモノリシック光干渉素子において、内部で生じるモード同期レーザ発振の発振周波数を決めるキャビティの両端面が素子の端面より内側に形成された反射鏡により構成されることを特徴とするモノリシック光干渉素子。
【請求項２】
上記外部光を入力する光導波路の入射端面に、反射防止コーティングを施すことを特徴とする請求項１に記載のモノリシック光干渉素子。
【請求項３】
上記反射鏡を構成する端面に、絶縁膜及び金属膜コーティングからなる積層膜を設けたことを特徴とする請求項１または２に記載のモノリシック光干渉素子。
【請求項４】
上記絶縁膜の膜厚が、上記モード同期レーザの発振波長の約１／４の厚さであることを特徴とする請求項３記載のモノリシック光干渉素子。
【請求項５】
上記金属膜コーティングが、金、白金、或いは、チタンのいずれかからなることを特徴とする請求項３または４に記載のモノリシック光干渉素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はモノリシック光干渉素子に関するものであり、例えば、大容量光通信等に利用するための、構成と制御が簡単で動作の安定な、光スイッチおよび光パルス波形修正素子を小型化するためのキャビティ構成に特徴のあるモノリシック光干渉素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、大容量光通信方式としてＷＤＭ（波長分割多重）光通信が開発され、またさらに大容量光通信を目指したＯＴＤＭ（光時分割多重）光通信方式、或いは、ＴＷＤＭ（時間波長分割多重）光通信方式が提唱され、研究が進められている。
【０００３】
信号光を波長多重することで信号密度を上げるものであるＷＤＭ光通信に対して、ＯＴＤＭやＴＷＤＭといった時間分割方式は、同一波長の非常に狭いスペクトル幅を持ったパルス光の信号密度を上げようとする、例えば、１６０Ｇｂｉｔ／秒以上にしようとするものである。
【０００４】
ところが、電気信号の応答速度はキャリアの移動時間で制限され、光の応答速度よりも遅い。
例えば、現在、電気信号の速度限界は４０Ｇｂｉｔ／秒程度と考えられており、この速度以上のＯＴＤＭ信号を処理するためには、最終的には光信号を高速の光信号処理によって分割して、電気処理可能なビットレートに落とす（ＤＥＭＵＸ）必要がある。
【０００５】
こうした背景を踏まえて最近、電気信号へ変換することなく、光によって光信号を処理するデバイスが研究されており、光制御によるＤＥＭＵＸ用スイッチや、光のままで光信号波形を整形する素子等がその代表的なものである（例えば、特許文献１或いは特許文献２参照）。
【０００６】
【特許文献１】
特表２００１−５２２４７８号公報
【特許文献２】
特表平１０−５１２６８５号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の光スイッチ・ＤＥＭＵＸ技術においては、光通過時間による動作速度の制限、大きな光回路サイズ、偏波依存性等のそれ自身が問題を有する多様な形態の光スイッチを、同じく多様な形態のモードロックレーザと組み合わせる必要があり、しかもその結果、全体のサイズを小さくするのは極めて難しいという問題がある。
【０００８】
また、光のままで光信号波形を整形するための従来技術においては、非常に複雑なシステム構成でかつ微妙な光強度バランスの制御を必要とするという問題があった。
【０００９】
そこで、最近、本発明者はこの様な問題を解決するための新しい光干渉素子を提案した（必要ならば、特願２００１−３８３７２５号参照）。
この光干渉素子は、２入力および２出力の光マルチモード干渉計を少なくとも２つ有し、これらによってマッハツェンダー干渉計が構成されており、このマッハツェンダー干渉計の２本のアームそれぞれに光学的に屈折率変化が誘起される非線形利得媒質を有し、さらにそのマッハツェンダー干渉計の出力先である前記光マルチモード干渉計の出力ポートの少なくとも１方に可飽和光吸収媒質が結合しており、前記可飽和光吸収媒質と前記非線形利得媒質によって、この干渉系内部で受動モード同期レーザ発振を発生させている。
【００１０】
ここで、図９を参照して、本発明者の提案に関わる光干渉素子を説明する。
図９参照
図９は、本発明者の提案による光干渉素子の概略的平面図であり、マッハツェンダ干渉計を構成する一対のＭＭＩ領域７１，７２の２本のアームを構成する光導波路７３，７４のそれぞれに非線形利得領域７５，７６を位置をずらして配置し、出力側のＭＭＩ領域７１の一方の出力ポートに可飽和吸収領域７７を設けるとともに、その外側に高反射率の反射膜８１が配置されている。
また、出力側のＭＭＩ領域７１の他方の出力ポートを９０度屈曲した出力導波路７８とする。
【００１１】
また、他方のＭＭＩ領域７２の入力側には高反射率の反射膜８１と対になってモード同期レーザのキャビティーを構成する反射膜８２を設けた反射導波路７９が設けられるとともに、入射光８３を受け入れる入力ポートとなる９０°屈曲した入力導波路８０を設ける。
【００１２】
この場合の非線形利得領域７５，７６は、外部から入力される入射光８３の位相変調器としての役割と、この素子のモードロック（モード同期）レーザ発振時の利得媒質を兼ねる。
【００１３】
なお、図示を省略しているが、出力導波路７８及び入力導波路８０の出射端面に反射防止膜を設けても良いものであり、この場合、過飽和吸収領域７７の端面と出力導波路７８の出射端面及び反射導波路７９と入力導波路８０の入射端面とが異なった素子端面にあるので、入力側及び出力側の導波路を曲げることで、出力導波路７８及び入力導波路８０の入出射端面に反射膜８１，８２が付着するのを防止することができる。
【００１４】
この新しい光干渉素子は、光スイッチ或いは光信号波形整形器として用いることができ、高速で、コンパクトで、偏波無依存であり、かつ別途モードロックレーザと組み合わせる必要がないという利点を有している。
さらには、全て半導体を用いて作製できるため、集積化が容易であるという特徴がある。
【００１５】
しかしながら、半導体リソグラフィでこの９０度屈曲出力導波路７８或いは入力導波路８０を作製する場合には、エッチングの際に種々の面方位が出現し、それらのエッチング条件が少しずつ異なるために、この違いが影響しない程度のエッチング量でプロセスが完了するように、素子を設計しなくてはならず、汎用性に問題がある。
また、４つの素子端面全てを使用することは、実際の素子の取扱い上、不便であるという問題がある。
【００１６】
また、半導体モード同期レーザに共通の問題であるが、共振器を劈開で作製するために、共振器長が劈開の位置精度で決まってしまい、所望の発振周波数が得られ難いという問題もある。
【００１７】
したがって、製造プロセスを簡素化するとともに、構造的に素子取扱い上の不便を改善し、さらには、所望の発振周波数を安定して得ることを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理的構成図であり、この図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明するが、図１（ａ）は本発明のモノリシック光干渉素子の概略的平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ′を結ぶ一点鎖線に沿った概略的断面図である。
図１（ａ）及び（ｂ）参照
上記目的を達成するため、本発明は、マッハツェンダー干渉計の２本のアームそれぞれに光学的に屈折率変化が誘起される非線形利得媒質１を設け、前記非線形利得媒質１によって、前記マッハツェンダー干渉計内部でモード同期レーザ発振を発生させるとともに、前記マッハツェンダー干渉計に外部光９を入力する光導波路５を有するモノリシック光干渉素子において、内部で生じるモード同期レーザ発振の発振周波数を決めるキャビティの両端面が素子の端面より内側に形成された反射鏡２により構成されることを特徴とする。
【００１９】
この様に、モード同期レーザ発振の発振周波数を決めるキャビティの両端面を劈開によって得られる素子端面より内側に設けることによって、劈開の位置精度に依存しないリソグラフィの位置精度で決まる共振器長を有するキャビティを構成することができ、それによって、所望の発振周波数を安定して得ることが可能になる。
【００２０】
また、キャビティを劈開による素子端面によって構成していないので、外部光９を入力する光導波路５の入射端面に、反射防止コーティング７を施すことが可能になり、それによって、外部光９の入力損失を大幅に低減することができる。
【００２１】
また、キャビティを劈開による素子端面によって構成していないので、出力側の光導波路６を９０度屈曲させることなく、出力側の光導波路６の出射端面に、反射防止コーティング８を施すことが可能になり、出射光１０を効率的に外部に取り出すことが可能になる。
【００２２】
また、反射鏡２を構成する端面に、絶縁膜３及び金属膜コーティング４からなる積層膜を設けることにより、電気的な短絡を防止した状態で反射率を向上することができる。
【００２３】
この場合の絶縁膜３の膜厚は、モード同期レーザの発振波長の約１／４の厚さ、例えば、絶縁膜３が酸化シリコンからなる場合には２００〜３５０ｎｍ、絶縁膜３が窒化シリコンからなる場合には１４０〜３００ｎｍとすることが望ましい。
なお、本発明における「発振波長の約１／４の厚さ」とは厳密な意味でのλ／４膜を意味するものでなく、反射率が１０％以下となる膜厚を意味するものである。
【００２４】
また、反射鏡２を構成する金属膜コーティング４としては、金、白金、或いは、チタンのいずれかが好適であり、それによって、６０％以上の反射率を実現することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
ここで、図２乃至図７を参照して、本発明の第１の実施の形態のモノリシック光干渉素子を説明するが、まず、図２乃至図４を参照して本発明の第１の実施の形態のモノリシック光干渉素子の製造工程を説明する。
図２（ａ）及び（ｂ）参照
図２（ａ）は、製造途中の概略的平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＡ−Ａ′結ぶ一点鎖線に沿った概略的断面図である。
まず、ｎ型ＩｎＰ基板１１上に、ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）を用いて厚さが、例えば、１．０μｍのｎ型ＩｎＰクラッド層１２、厚さが、例えば、０．０５μｍのｉ型ＩｎＧａＡｓＰＳＣＨ層１３、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰからなるＭＱＷ活性層１４、厚さが、例えば、０．０５μｍのｉ型ＩｎＧａＡｓＰＳＣＨ層１５、及び、厚さが、例えば、０．５μｍのｐ型ＩｎＰクラッド層１６を順次堆積させる。
【００２６】
次いで、ＳｉＯ２　パターン（図示を省略）をマスクとして、図２（ａ）における非線形利得領域２０，２１及び過飽和吸収領域２２を形成する領域を残してｎ型ＩｎＰ基板１１が露出するまでエッチング除去する。
【００２７】
次いで、ＳｉＯ２　パターンをそのまま選択成長マスクとして用いて、厚さが、例えば、１．０μｍのｎ型ＩｎＰクラッド層１７、厚さが、例えば、０．２μｍのＩｎＧａＡｓ光導波層１８、及び、厚さが、例えば、０．５μｍのｎ型ＩｎＰクラッド層１９をｎ型ＩｎＰ基板１１の露出部上に選択成長させる。
【００２８】
次いで、ＳｉＯ２　パターンを除去したのち、新たにＳｉＯ２　膜（図示を省略）を堆積させ、次いで、図２（ａ）に示す非線形利得領域２０，２１、過飽和吸収領域２２、ＭＭＩ（多モード干渉器）領域２３，２４、入力導波路２５、光導波路２６〜２８、出力導波路２９、及び、光導波路３０の形状が得られるようにパターニングしてＳｉＯ２　パターンを形成し、このＳｉＯ２　パターンをマスクとしてｎ型ＩｎＰクラッド層１２，１７に達するメサエッチングを施す。
【００２９】
次いで、ＳｉＯ２　パターンをそのまま選択成長マスクとしてｐ型ＩｎＰ埋込層３１及びｎ型ＩｎＰ電流ブロック層３２を順次選択成長させたのち、ＳｉＯ２　パターンを除去し、次いで、全面に厚さが、例えば、３．０μｍのｐ型ＩｎＰクラッド層３３及び厚さが、例えば、０．５μｍのｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３４を堆積させる。
【００３０】
図３（ｃ）参照
図３（ｃ）は図２（ａ）におけるＢ−Ｂ′を結ぶ一点鎖線に沿った位置における概略的断面図である。
次いで、全面に熱ＣＶＤ法を用いてＳｉＯ２　膜３５を堆積させる。
【００３１】
図３（ｄ）参照
次いで、通常のフォトリソグラフィー工程を用いてＳｉＯ２　膜３５をパターニングしてＳｉＯ２　パターン３６を形成したのち、このＳｉＯ２　パターン３６をマスクとしてＩＣＰ（誘導結合プラズマ）エッチング装置を用いてドライエッチングを施すことによって、凹部３７を形成する。
なお、この場合、図２（ａ）における過飽和吸収領域２２の出力端側にも同様に凹部を形成するものである。
【００３２】
図３（ｅ）参照
次いで、ＳｉＯ２　パターン３６を除去したのち、再び、熱ＣＶＤ法を用いて厚さが後述するモード同期レーザの発振波長λの約１／４になる厚さ、例えば、２００〜３５０ｎｍのＳｉＯ２　膜、或いは、厚さが、例えば、１４０〜３００ｎｍのＳｉＮ膜からなる絶縁膜３８を堆積させ、次いで、蒸着法によりＡｕ，Ｐｔ，Ｔｉのいずれかからなる金属膜を堆積させたのち、凹部３７近傍にのみ残存するようにエッチングして金属反射膜３９を形成する。
なお、この場合も、過飽和吸収領域２２の出力端側にも同様に絶縁膜／金属反射膜４０を形成する。
【００３３】
なお、この場合の絶縁膜３８は短絡防止用に設けるものであり、この絶縁膜３８の膜厚を約λ／４とすることによって透過率を向上することができ、それによって、金属反射膜３９の効果を高めることができる。
また、ＳｉＯ２　パターン３６を予め除去することによって、エッチングエッジ等に発生し易い膜不良を防ぐことができる。
【００３４】
図４（ｆ）及び（ｇ）参照
図４（ｆ）は、最終工程における概略的平面図であり、図４（ｇ）は図４（ｆ）におけるＡ−Ａ′結ぶ一点鎖線に沿った概略的断面図である。
以降は、埋込層構造に起因する寄生容量を低減するために埋込層構造の一部をｎ型ＩｎＰ基板１１に達するまで選択的にエッチング除去したのち、ＳｉＯ２　膜４１を設け、非線形利得領域２０，２１及び過飽和吸収領域２２に対応する領域に開口部を設け、ＡｕＺｎ／Ａｕからなるｐ側電極４２を設けるとともに、ｎ型ＩｎＰ基板１１の裏面全面にＡｕＧｅ／Ａｕからなるｎ側電極４３を設ける。
なお、この時、非線形利得領域２０，２１及び過飽和吸収領域２２以外の領域におけるｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層は選択的に除去する。
【００３５】
次いで、アレイの状態で素子を劈開し、劈開面に反射防止膜４４，４５を形成し、最後に、光軸方向に沿って素子分割することによって、本発明の第１の実施の形態のモノリシック光干渉素子の基本構造が完成する。
【００３６】
図５参照
図５は、本発明の第１の実施のモノリシック光干渉素子における端面における反射率の端面傾斜角依存性の説明図である。
図において、実線は垂直方向の傾斜角依存性を示すものであり、破線は水平方向の傾斜角依存性を示すものであり、傾斜角が０°の場合を１００％として規格化している。
【００３７】
上述の凹部３７を形成する際のドライエッチングはその条件によって必ずしも垂直にはエッチングできず、深さ方向に傾くことが考えられるが、傾斜角が数度の範囲であれば、反射率の低下を１０％以下に抑えることができる。
【００３８】
また、マスク転写の精度が悪ければ、傾いたり凹凸のあるエッチングパターンが作製される場合も考えられ、その場合には、水平方向に傾斜角が発生するが、図に示すように垂直方向の傾斜角よりマージンが大きいことが判る。
なお、実線と破線で違いがあるのは、導波路幅がその厚さより広いという非対称性に起因している。
【００３９】
図６参照
図６は、本発明の第１の実施のモノリシック光干渉素子における反射率の絶縁膜厚依存性の説明図である。
実線で示すように屈折率ｎが１．７８７のＳｉＮ膜の場合には、１．５５μｍのモードロック光に対し、１４０〜３００ｎｍの場合に反射率が１０％以下となり、一方、破線で示すように屈折率ｎが１．４５５のＳｉＯ２　膜の場合には、２００〜３５０ｎｍの場合に反射率が１０％以下となることが判る。
【００４０】
図７参照
図７は、本発明の第１の実施のモノリシック光干渉素子における反射率／波長特性の金属材料依存性の説明図である。
Ａｕの場合には、○で示す実験値は１．５μｍにおいて約９９％あるが、●で示す計算値は、波長とともに反射率が増加する傾向を示すので、１．５μｍの近傍のかなり広範な波長領域において大きな反射率が得られることが判る。
【００４１】
また、Ｐｔの場合には、△で示す実験値は１．５μｍにおいて約７５％あるが、▲で示す計算値は、波長とともに反射率が増加する傾向を示すので、１．５μｍの近傍の波長領域において７０％以上の反射率が得られることが判る。
【００４２】
さらに、Ｔｉの場合には、□で示す実験値は０．６μｍにおいて約６０％あるが、■で示す計算値は、波長とともに反射率が増加する傾向を示すので、１．５μｍの近傍の波長領域においても６０％以上の反射率が得られることが判る。
【００４３】
以上、説明したように、本発明の第１の実施の形態においては、モード同期レーザを構成する共振器をエッチングにより形成した反射鏡により構成しているので、共振器長をフォトリソグラフィー工程の精度により決定することができ、それによって、所望の発振波長を精度良く実現することができる。
【００４４】
また、エッチングミラーを用いることによって、出力導波路を９０°屈曲することなく、反射防止膜を形成した劈開面から直接取り出すことができるので、エッチング工程のプロセス管理が簡単になり、且つ、２つの端面のみを入出力面としているので、素子取扱上の不便さを解消することができる。
【００４５】
次に、図８を参照して本発明の第２の実施の形態のモノリシック光干渉素子を説明するが、ポートを構成する光導波路のパターンが異なるとともに、反射鏡の位置が異なるだけで、他の構成は上記の第１の実施の形態と全く同様であるので説明は簡単にする。
【００４６】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明は実施の形態に記載した構成及び条件に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記の実施の形態においては、金属反射膜としてＡｕ、Ｐｔ、或いは、Ｔｉを用いているが、Ａｕ，Ｐｔ，Ｔｉに限られるものではなく、金属の持つ特性から、Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｇ等他の種類の金属を用いても良いものである。
【００４７】
また、上記の実施の形態においては、反射鏡を構成する際に絶縁膜を単層のλ／４としているが、誘電体多層膜を用いて透過率を高めても良いものである。
【００４８】
また、上記の実施の形態においては、モードロックレーザの発振波長λを１．５５μｍ、即ち、１．５μｍ帯としているが、１．５μｍ帯に限られるものではなく、例えば、１．３μｍ帯等の他の波長領域を用いても良いものである。
【００４９】
ここで、再び、図１を参照して、改めて本発明の詳細な特徴を説明する。
再び、図１（ａ）及び（ｂ）参照
（付記１）　マッハツェンダー干渉計の２本のアームそれぞれに光学的に屈折率変化が誘起される非線形利得媒質１を設け、前記非線形利得媒質１によって、前記マッハツェンダー干渉計内部でモード同期レーザ発振を発生させるとともに、前記マッハツェンダー干渉計に外部光９を入力する光導波路５を有するモノリシック光干渉素子において、内部で生じるモード同期レーザ発振の発振周波数を決めるキャビティの両端面が素子の端面より内側に形成された反射鏡２により構成されることを特徴とするモノリシック光干渉素子。
（付記２）　上記外部光９を入力する光導波路５の入射端面に、反射防止コーティング７を施すことを特徴とする付記１に記載のモノリシック光干渉素子。
（付記３）　上記出射光１０を出力する光導波路６の出射端面に、反射防止コーティング８を施すことを特徴とする付記１または２に記載のモノリシック光干渉素子。
（付記４）　上記反射鏡２を構成する端面に、絶縁膜３及び金属膜コーティング４からなる積層膜を設けたことを特徴とする付記１乃至３のいずれか１に記載のモノリシック光干渉素子。
（付記５）　上記絶縁膜３の膜厚が、上記モード同期レーザ発振の発振波長の約１／４の厚さであることを特徴とする付記４記載のモノリシック光干渉素子。（付記６）　上記絶縁膜３が酸化シリコンからなり、且つ、膜厚が２００〜３５０ｎｍの範囲であることを特徴とする付記５に記載のモノリシック光干渉素子。
（付記７）　上記絶縁膜３が窒化シリコンからなり、且つ、膜厚が１４０〜３００ｎｍの範囲であることを特徴とする付記５に記載のモノリシック光干渉素子。
（付記８）　上記金属膜コーティング４が、金、白金、或いは、チタンのいずれかからなることを特徴とする付記４乃至７のいずれか１に記載のモノリシック光干渉素子。
【００５０】
【発明の効果】
本発明は、モード同期レーザの共振器をエッチング面によって構成しているので、発振波長を制御することが容易になり、また、９０°屈曲導波路を用いることなく、出力を劈開面から取り出すことができるので、エッチング工程のプロセス管理が容易になるとともに、素子取扱い上の不便を解消することができ、これによって、より実用的な光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態のモノリシック光干渉素子の途中までの製造工程の説明図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態のモノリシック光干渉素子の図２以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態のモノリシック光干渉素子の図３以降の製造工程の説明図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態のモノリシック光干渉素子における端面の反射率の端面傾斜角依存性の説明図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態のモノリシック光干渉素子における反射率の絶縁膜厚依存性の説明図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態のモノリシック光干渉素子における反射率／波長特性の金属材料依存性の説明図である。
【図８】本発明者の提案による光干渉素子の概略的平面図である。
【符号の説明】
１　非線形利得媒質
２　反射鏡
３　絶縁膜
４　金属膜コーティング
５　光導波路
６　光導波路
７　反射防止コーティング
８　反射防止コーティング
９　外部光
１０　出射光
１１　ｎ型ＩｎＰ基板
１２　ｎ型ＩｎＰクラッド層
１３　ｉ型ＩｎＧａＡｓＰＳＣＨ層
１４　ＭＱＷ活性層
１５　ｉ型ＩｎＧａＡｓＰＳＣＨ層
１６　ｐ型ＩｎＰクラッド層
１７　ｎ型ＩｎＰクラッド層
１８　ＩｎＧａＡｓ光導波層
１９　ｎ型ＩｎＰクラッド層
２０　非線形利得領域
２１　非線形利得領域
２２　過飽和吸収領域
２３　ＭＭＩ領域
２４　ＭＭＩ領域
２５　入力導波路
２６　光導波路
２７　光導波路
２８　光導波路
２９　出力導波路
３０　光導波路
３１　ｐ型ＩｎＰ埋込層
３２　ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層
３３　ｐ型ＩｎＰクラッド層
３４　ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層
３５　ＳｉＯ２　膜
３６　ＳｉＯ２　パターン
３７　凹部
３８　絶縁膜
３９　金属反射膜
４０　金属反射膜
４１　ＳｉＯ２　膜
４２　ｐ側電極
４３　ｎ側電極
４４　反射防止膜
４５　反射防止膜
７１　ＭＭＩ領域
７２　ＭＭＩ領域
７３　光導波路
７４　光導波路
７５　非線形利得領域
７６　非線形利得領域
７７　過飽和吸収領域
７８　出力導波路
７９　反射導波路
８０　入力導波路
８１　反射膜
８２　反射膜
８３　入射光
８４　出射光
【図１】
2004133245.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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