(57)【要約】【課題】  交流型プラズマディスプレイパネルおよびアドレス電極形成方法を提供する。【解決手段】  互いに対向配置されてそれら間に放電セルを形成する背面基板および前面基板と、背面基板上にストライプ状に形成される多数のアドレス電極と、背面基板上に形成されてアドレス電極を埋め込む第１誘電体層と、前面基板の底面にアドレス電極と直交するストライプ状に対をなして形成される多数の維持電極と、前面基板の底面に形成されて維持電極を埋め込む第２誘電体層と、第２誘電体層の底面に形成される保護層と、背面基板と前面基板間に設けられて放電セルを区画し、その側面に蛍光体層が塗布される多数の隔壁を備え、多数のアドレス電極それぞれは、放電セルに対応する位置に配置される厚肉部および厚肉部間に配置される薄肉部を含み、厚肉部は前記薄肉部より厚く形成されるプラズマディスプレイパネル。これにより、隔壁の高さが高くなって発光効率が向上するだけでなく、アドレス電極と維持電極間の間隔が増加せずにアドレス電極が高まらない。【選択図】  図３
2004349258.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向配置されてそれらの間に放電セルを形成する背面基板および前面基板と、
前記背面基板上にストライプ状に形成される多数のアドレス電極と、
前記背面基板上に形成されて前記アドレス電極を埋め込む第１誘電体層と、
前記前面基板の底面に前記アドレス電極と直交してストライプ状に対をなして形成される多数の維持電極と、
前記前面基板の底面に形成されて前記維持電極を埋め込む第２誘電体層と、
前記第２誘電体層の底面に形成される保護層と、
前記背面基板と前面基板との間に設けられて前記放電セルを区画し、その側面に蛍光体層が塗布される多数の隔壁と、を備え、
前記多数のアドレス電極それぞれは、前記放電セルに対応する位置に配置される厚肉部および厚肉部間に配置される薄肉部を含み、前記厚肉部は前記薄肉部よりも厚く形成されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記アドレス電極の薄肉部の厚さは５μｍ〜７μｍであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記アドレス電極の厚肉部の厚さは前記薄肉部の厚さよりも１０μｍ〜３０μｍさらに厚いことを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記厚肉部の厚さは前記薄肉部の厚さよりも実質的に２０μｍさらに厚いことを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記隔壁の高さは１３０μｍ〜１６０μｍであることを特徴とする請求項１ないし４のうちいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記隔壁の高さは実質的に１４０μｍであることを特徴とする請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記厚肉部の幅は前記薄肉部の幅よりも広いことを特徴とする請求項１ないし６のうちいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記厚肉部の幅は前記薄肉部の幅と同一であることを特徴とする請求１ないし６のうちいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
プラズマディスプレイパネルの背面基板上にさらに薄い厚さの薄肉部とさらに厚い厚さの厚肉部とが交互に配列されたアドレス電極を形成する方法において、
（ａ）前記背面基板上にストライプ状に第１開口が形成された第１スクリーンマスクを配置する段階と、
（ｂ）前記第１スクリーンマスクを使用して前記背面基板上に金属ペーストを印刷することによって第１金属層を形成する段階と、
（ｃ）前記第１金属層を乾燥させる段階と、
（ｄ）前記背面基板上に、前記厚肉部に対応する位置に第２開口が形成された第２スクリーンマスクを配置する段階と、
（ｅ）前記第２スクリーンマスクを使用して前記第１金属層上に金属ペーストを印刷することによって第２金属層を形成する段階と、
（ｆ）前記第２金属層を乾燥させた後、前記第１金属層および第２金属層を塑性する段階と、
を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネルのアドレス電極形成方法。
【請求項１０】
前記第１スクリーンマスクは＃３２５メッシュの網よりなることを特徴とする請求項９に記載のプラズマディスプレイパネルのアドレス電極形成方法。
【請求項１１】
前記第１金属層は、前記（ｂ）段階でほぼ１０μｍの厚さに形成され、前記（ｆ）段階で５μｍ〜７μｍの厚さに縮まることを特徴とする請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネルのアドレス電極形成方法。
【請求項１２】
前記第２スクリーンマスクは＃８０〜＃１００メッシュの網よりなることを特徴とする請求項９または１０に記載のプラズマディスプレイパネルのアドレス電極形成方法。
【請求項１３】
前記第２金属層は、前記（ｂ）段階でほぼ４０μｍの厚さに形成され、前記（ｆ）段階でほぼ２０μｍの厚さに縮まることを特徴とする請求項１２に記載のプラズマディスプレイパネルのアドレス電極形成方法。
【請求項１４】
プラズマディスプレイパネルの背面基板上にさらに薄い薄肉部とさらに厚い厚肉部とが交互に配列されたアドレス電極を形成する方法において、
（ａ）前記背面基板上に、前記薄肉部に対応する位置に形成された第１開口および前記厚肉部に対応する位置に形成された第２開口を持つスクリーンマスクを配置する段階と、
（ｂ）前記スクリーンマスクを使用して前記背面基板上に金属ペーストを印刷することによって金属層を形成する段階と、
（ｃ）前記金属層を乾燥させた後に塑性する段階と、
を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネルのアドレス電極形成方法。
【請求項１５】
前記スクリーンマスクは、前記第１開口が形成された部分は＃３２５メッシュの網よりなり、前記第２開口が形成された部分は＃８０〜＃１００メッシュの網よりなることを特徴とする請求項１４に記載のプラズマディスプレイパネルのアドレス電極形成方法。
【請求項１６】
前記（ｂ）段階で、前記金属層は前記第１開口を通じてほぼ１０μｍの厚さで印刷され、前記第２開口を通じてほぼ４０μｍの厚さで印刷され、
前記（ｃ）段階で、ほぼ１０μｍの厚さで印刷された前記金属層の部分は５μｍ〜７μｍの厚さに縮まり、ほぼ４０μｍの厚さで印刷された前記金属層の部分はほぼ２０μｍの厚さに縮まることを特徴とする請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネルのアドレス電極形成方法。
【請求項１７】
前記第２開口の幅が前記第１開口の幅よりも広く形成され、前記厚肉部の幅が前記薄肉部の幅よりも広く形成されることを特徴とする請求項９または１４に記載のプラズマディスプレイパネルのアドレス電極形成方法。
【請求項１８】
前記金属ペーストはＡｇ、ＡｕおよびＣｕのうちいずれか一つのペーストであることを特徴とする請求項９または１４に記載のプラズマディスプレイパネルのアドレス電極形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は交流型プラズマディスプレイパネルに関し、より詳細には駆動電圧および放電遅延時間の延長なしに発光効率を高めうる形のアドレス電極を持つ交流型プラズマディスプレイパネルおよび背面基板上に前記アドレス電極を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気的放電を利用して画像を形成するプラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ；以下、ＰＤＰ）は輝度や視野角などの表示性能に優れてその使用が益々増大しつつある。このようなＰＤＰは、電極に印加される直流または交流電圧によって電極間にあるガスで放電が起き、ガス放電過程に伴う紫外線の放射によって蛍光体が励起されて可視光を発散する。
【０００３】
前記ＰＤＰはその放電形式によって直流型（ＤＣタイプ）と交流型（ＡＣタイプ）とに分類される。直流型ＰＤＰはあらゆる電極が放電空間に露出される構造を有し、対応電極間で電荷の移動が直接的になされる。交流型ＰＤＰは少なくとも一つの電極が誘電体層で包まれ、対応する電極間で直接的な電荷の移動がなされない代わりに壁電荷によって放電がなされる。
【０００４】
また、ＰＤＰは、電極の配置構造によって対向放電型と面放電型とに分類される。対向放電型ＰＤＰは、対をなす二つの維持電極がそれぞれ前面基板および背面基板に配置された構造を有し、放電がパネルの垂直軸方向になされる。面放電型ＰＤＰは対をなす二つの維持電極が同じ基板上に配置された構造を有し、放電が基板の一平面上でなされる。
【０００５】
ところで、前記対向放電型ＰＤＰは発光効率が高い一方、プラズマにより蛍光体層が容易に劣化してしまう短所および放電のために高電圧が要求される短所があって、近来には面放電型ＰＤＰが主流をなしている。
【０００６】
図１および図２には、従来の一般的な交流型ＰＤＰが図示されている。図２には、ＰＤＰの内部構造をさらに容易に示すために前面基板だけ９０゜回転した状態で図示されている。
【０００７】
図１および図２をともに参照すれば、従来の交流型ＰＤＰは相互対面する背面基板１０および前面基板２０を備える。
【０００８】
背面基板１０の上面には多数のアドレス電極１１がストライプ状に配列されており、このアドレス電極１１は白色の第１誘電体層１２により埋め込まれている。そして、第１誘電体層１２の上面には、放電セル１４間の電気的、光学的干渉を防止するための多数の隔壁１３が互いに所定間隔はなれて形成されている。この隔壁１３により区画された放電セル１４の内面にはそれぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の蛍光体層１５が所定厚さで塗布されており、この放電セル１４内にＮｅ、Ｘｅまたはそれらが混合された放電ガスが注入される。
【０００９】
前面基板２０は可視光が透過可能な透明基板であって主にガラスよりなり、隔壁１３が設けられた背面基板１０に結合される。前面基板２０の底面には前記アドレス電極１１と直交するストライプ状の維持電極２１ａ、２１ｂが対をなして形成されている。前記維持電極２１ａ、２１ｂは可視光が透過可能なように主にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な伝導性材料よりなる。そして、前記維持電極２１ａ、２１ｂのライン抵抗を減らすために、維持電極２１ａ、２１ｂそれぞれの底面には金属材よりなるバス電極２２ａ、２２ｂが維持電極２１ａ、２１ｂよりも狭い幅で形成されている。このような維持電極２１ａ、２１ｂおよびバス電極２２ａ、２２ｂは透明な第２誘電体層２３により埋め込まれており、第２誘電体層２３の底面には保護層２４が形成されている。前記保護層２４はプラズマ粒子のスパッタリングによる第２誘電体層２３の損傷を防止し、２次電子を放出して放電電圧および維持電圧を低める役割をするものであって、一般的に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）よりなる。
【００１０】
このような構成を持つ従来のＰＤＰの駆動タイミングはリセット期間、アドレス期間および維持期間に分けうる。リセット期間には、放電セル１４でのアドレス動作を円滑にするために各放電セル１４の電荷状態を初期化させる。アドレス期間には、選択された放電セル１４でアドレス電極１１と一つの維持電極２１ｂ、すなわち、Ｙ電極との間にアドレス放電が起き、この時に壁電荷が蓄積される。維持期間には、壁電荷が形成された放電セル１４でＹ電極２１ｂと他の一つの維持電極２１ａ、すなわち、Ｘ電極との間に維持放電が起きる。この維持放電時に放電ガスから発生する紫外線により該当放電セル１４の蛍光体層１５が励起されて可視光が発散し、この可視光が前面基板２０を通じて出射されつつユーザーが認識できる画像を形成する。
【００１１】
一方、前記従来のＰＤＰにおいて、前記隔壁１３の高さＨは発光効率に大きな影響を及ぼす。すなわち、前記隔壁１３の高さＨが高まるほど放電セル１４内の放電空間の体積が大きくなって発光効率が高まる。一方、前記隔壁１３の高さＨが低ければ、維持電極２１ａ、２１ｂとアドレス電極１１との間の間隔が狭くなって維持放電時にアドレス電極１１による電界干渉が起き、また電子やイオンなどの荷電粒子が隔壁１３に容易に吸収されるので発光効率が低くなる。このように、従来のＰＤＰにおいては、前記隔壁１３の高さＨが高まるほど発光効率が高まる特性を示す。
【００１２】
しかし、前記隔壁１３の高さＨが１８０μｍ以上である場合には、放電セル１４が深くなるにつれての影効果と共振トラップおよび底部の蛍光体層１５が薄くなるなどの問題点によりかえって発光効率が低くなる。
【００１３】
したがって、前記隔壁１３の高さＨを１８０μｍを超えない範囲内でなるべく高めることが望ましいといえる。
【００１４】
ところで、隔壁１３の高さＨが高まるほどアドレス電極１１と維持電極２１ａ、２１ｂとの間の間隔が大きくなることによってアドレス電圧が高まり、これによりＰＤＰのドライバＩＣに過度な負荷がかかって安定した動作を阻害する。具体的に、隔壁１３の高さＨが１０μｍ高まるにつれてアドレス電圧はほぼ５ボルト程度高まり、アドレス放電遅延時間もほぼ７％延び、アドレス電圧のマージンも若干減少する。
【００１５】
前記のような問題点により、従来のＰＤＰにおいては隔壁１３の高さＨを通常的に１２０μｍ程度とし、これ以上高めることはできなかった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は前記のような従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、特に発光効率を高めるために隔壁の高さを高めるものの駆動電圧は高まらない形のアドレス電極を具備した交流型ＰＤＰを提供するところにその目的がある。
【００１７】
そして、本発明は前記一交流型ＰＤＰにおいて、背面基板上に前記アドレス電極を形成する方法を提供するところに他の目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
前記の技術的課題を解決するための本発明による交流型ＰＤＰは、互いに対向配置されてそれら間に放電セルを形成する背面基板および前面基板と、前記背面基板上にストライプ状に形成される多数のアドレス電極と、前記背面基板上に形成されて前記アドレス電極を埋め込む第１誘電体層と、前記前面基板の底面に前記アドレス電極と直交するストライプ状に対をなして形成される多数の維持電極と、前記前面基板の底面に形成されて前記維持電極を埋め込む第２誘電体層と、前記第２誘電体層の底面に形成される保護層と、前記背面基板と前面基板との間に設けられて前記放電セルを区画し、その側面に蛍光体層が塗布される多数の隔壁と、を備え、前記多数のアドレス電極それぞれは、前記放電セルに対応する位置に配置される厚肉部および厚肉部間に配置される薄肉部を含み、前記厚肉部は前記薄肉部よりも厚く形成されることを特徴とする。
【００１９】
ここで、前記アドレス電極の薄肉部の厚さは５μｍ〜７μｍであることが望ましい。
【００２０】
前記アドレス電極の厚肉部の厚さは前記薄肉部の厚さよりも１０μｍ〜３０μｍさらに厚いことが望ましく、この場合に前記隔壁の高さは１３０μｍ〜１６０μｍであることが望ましい。
【００２１】
特に、前記厚肉部の厚さは前記薄肉部の厚さよりも実質的に２０μｍさらに厚いことがさらに望ましく、この場合に、前記隔壁の高さは実質的に１４０μｍであることがさらに望ましい。
【００２２】
前記厚肉部の幅は前記薄肉部の幅よりも広いか、または同一に形成される。
【００２３】
そして、本発明による交流型ＰＤＰの背面基板上にさらに薄い厚さの薄肉部とさらに厚い厚さの厚肉部とが交互に配列されたアドレス電極を形成する第１方法は、（ａ）前記背面基板上にストライプ状に第１開口が形成された第１スクリーンマスクを配置する段階と、（ｂ）前記第１スクリーンマスクを使用して前記背面基板上に金属ペーストを印刷することによって第１金属層を形成する段階と、（ｃ）前記第１金属層を乾燥させる段階と、（ｄ）前記背面基板上に、前記厚肉部に対応する位置に第２開口が形成された第２スクリーンマスクを配置する段階と、（ｅ）前記第２スクリーンマスクを使用して前記第１金属層上に金属ペーストを印刷することによって第２金属層を形成する段階と、（ｆ）前記第２金属層を乾燥させた後、前記第１金属層および第２金属層を塑性する段階と、を備える。
【００２４】
ここで、前記第１スクリーンマスクは＃３２５メッシュの網よりなることが望ましく、前記第２スクリーンマスクは＃８０〜＃１００メッシュの網よりなることが望ましい。
【００２５】
一方、本発明によるＰＤＰの背面基板上にさらに薄い薄肉部とさらに厚い厚肉部とが交互に配列されたアドレス電極を形成する第２方法は、（ａ）前記背面基板上に、前記薄肉部に対応する位置に形成された第１開口および前記厚肉部に対応する位置に形成された第２開口を持つスクリーンマスクを配置する段階と、（ｂ）前記スクリーンマスクを使用して前記背面基板上に金属ペーストを印刷することによって金属層を形成する段階と、（ｃ）前記金属層を乾燥させた後に塑性する段階と、を備える。
【００２６】
ここで、前記スクリーンマスクは、前記第１開口が形成された部分は＃３２５メッシュの網よりなり、前記第２開口が形成された部分は＃８０〜＃１００メッシュの網よりなることが望ましい。
【００２７】
前記第１および第２方法において、前記第２開口の幅は前記第１開口の幅よりも広く形成され、前記厚肉部の幅は前記薄肉部の幅よりも広く形成される。
【００２８】
そして、前記金属ペーストはＡｇ、ＡｕおよびＣｕのうちいずれか一つのペーストであることが望ましい。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によるＰＤＰによれば、隔壁の高さを高めるもののアドレス電極と維持電極との間の間隔は増加しないようにアドレス電極を部分的に厚くすることにより、アドレス電圧およびアドレス放電遅延時間の延長なしに発光効率が高まる。
【００３０】
そして、隔壁の高さが高まれば、従来より低い維持電圧でも維持放電が可能になるので、ドライバＩＣにかかる負荷が減少してさらに安定した動作がなされる。
【００３１】
また、薄肉部および厚肉部を持つアドレス電極により放電セルがさらに明確に区画されるので、隣接した放電セル間の電気的かつ光学的干渉がさらにはっきりと回避できる。特に、隣接した放電セル間のアドレス電界の影響が遮断されてアドレス電圧のマージンが増加しうる。
【００３２】
また、前記構造を持つアドレス電極により、蛍光体層が屈曲を持つようになってその表面積が増加するため、輝度が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、添付された図面を参照しながら本発明による交流型ＰＤＰの望ましい実施例を詳細に説明する。以下の図面で同じ参照符号は同じ構成要素を示す。
【００３４】
図３ないし図５は、本発明の望ましい実施例による交流型ＰＤＰを示す分離斜視図及び垂直断面図であり、図６は、図３に図示されたアドレス電極だけを分離して示した斜視図である。
【００３５】
図３ないし図６を共に参照すれば、本発明によるＰＤＰは、互いに対向配置される背面基板１１０および前面基板１２０を備える。前記背面基板１１０および前面基板１２０は所定間隔離れてそれらの間に多数の放電セル１１４を形成する。
【００３６】
前記背面基板１１０としてはガラス基板が使われ、その上面には多数のアドレス電極１１１がストライプ状に形成される。前記アドレス電極１１１は、例えばＡｇ、ＡｌまたはＣｕなどの伝導性に優れて抵抗の低い金属材料よりなる。前記アドレス電極１１１それぞれは薄肉部１１１ａ及び厚肉部１１１ｂを持つ構造で形成されるが、これについては後で詳細に説明する。
【００３７】
前記アドレス電極１１１は、背面基板１１０の上面に形成される第１誘電体層１１２により埋め込まれる。前記第１誘電体層１１２は、放電セル１１４内で発散する可視光が反射されるように白色の誘電物質よりなる。
【００３８】
前記第１誘電体層１１２の上面には、放電セル１１４間の電気的かつ光学的干渉を回避するために放電セル１１４を区画する多数の隔壁１１３が形成される。前記隔壁１１３により区画される放電セル１１４内にはＮｅ、Ｘｅまたはそれらが混合された放電ガスが注入され、前記放電セル１１４を取り囲む隔壁１１３の側面および第１誘電体層１１２の上面にはそれぞれＲ、Ｇ、Ｂの蛍光体層１１５が所定厚さで形成される。
【００３９】
前記前面基板１２０は可視光が透過可能な透明基板であって、主にガラスよりなり、その底面には前記アドレス電極１１１と直交してストライプ状に多数の維持電極１２１ａ、１２１ｂが対をなして形成される。前記維持電極１２１ａ、１２１ｂは、放電セル１１４内で発散される可視光が透過可能なように透明な伝導性材料、例えばＩＴＯよりなる。そして、透明な伝導性材料であるＩＴＯは比較的抵抗が高いので、前記維持電極１２１ａ、１２１ｂのライン抵抗を減らすために、それぞれの底面には伝導性に優れた金属材よりなるバス電極１２２ａ、１２２ｂがその一側端部に沿って維持電極１２１ａ、１２１ｂの幅よりも狭く形成される。
【００４０】
前記維持電極１２１ａ、１２１ｂは前面基板１２０の底面に形成される第２誘電体層１２３により埋め込まれる。この時、前記バス電極１２２ａ、１２２ｂも前記第２誘電体層１２３により埋め込まれる。前記第２誘電体層１２３は可視光が透過可能なように透明な誘電物質よりなる。そして、前記第２誘電体層１２３の底面には保護層１２４が形成される。前記保護層１２４は、例えば酸化マグネシウム（ＭｇＯ）よりなり、プラズマ粒子のスパッタリングにより第２誘電体層１２３および維持電極１２１ａ、１２１ｂが損傷することを防止し、かつ２次電子を放出して放電電圧および維持電圧を低める役割をする。
【００４１】
本発明において、前記隔壁１１３の高さＨＢは従来よりも高く形成される。具体的に、前記隔壁１１３の高さＨＢは従来よりも１０μｍ〜４０μｍ程度高く、すなわち、１３０μｍ〜１６０μｍ程度に形成される。望ましくは、前記隔壁１１３の高さＨＢは従来よりも２０μｍ程度高い１４０μｍ程度に形成される。このように、隔壁１１３の高さが高まれば、発光効率が向上して維持電圧が低くなる長所がある。これについては後で図８ないし図１０のグラフを参照して再び説明する。
【００４２】
そして、前記アドレス電極１１１それぞれは前述したように、多数の薄肉部１１１ａおよび多数の厚肉部１１１ｂを持つ構造で形成される。前記厚肉部１１１ｂは放電セル１１４に対応する位置に配置される。すなわち、一対の維持電極１２１ａ、１２１ｂの下方に一つの厚肉部１１１ｂが配置され、このような厚肉部１１１ｂは所定間隔をおいて一列に多数配列される。前記薄肉部１１１ａは厚肉部１１１ｂ間に配置される。したがって、前記アドレス電極１１１は、薄肉部１１１ａと厚肉部１１１ｂとが交互に一列配列された構造を持つ。
【００４３】
前記薄肉部１１１ａは従来と同じ厚さ、例えば５μｍ〜７μｍ程度の厚さに形成される。しかし、前記厚肉部１１１ｂは前記薄肉部１１１ａの厚さＴａよりも望ましくは１０μｍ〜３０μｍ程度よりも厚く形成される。このような厚肉部１１１ｂの厚さＴｂは前記隔壁１１３の高さＨＢによって適正に定められる。具体的に、前記隔壁１１３の高さＨＢが高まるほど前記厚肉部１１１ｂも順次厚く形成される。例えば、前記隔壁１１３の高さＨＢが従来よりも２０μｍ高まった１４０μｍ程度である場合には、前記厚肉部１１１ｂの厚さＴｂは薄肉部１１１ａの厚さＴａよりも２０μｍ程度厚く形成される。そして、前記厚肉部１１１ｂの幅は前記薄肉部１１１ａの幅よりも広く形成される。
【００４４】
このようにアドレス電極１１１の厚肉部１１１ｂが薄肉部１１１ａよりも厚く形成されれば、隔壁１１３の高さＨＢが高まっても維持電極１２１ａ、１２１ｂとアドレス電極１１１との間の間隔が増加せずに従来と同じ間隔で維持されうる。したがって、発光効率を向上させるために隔壁１１３の高さＨＢを高めてもアドレス電圧は従来よりも高まらず、ＰＤＰのドライバＩＣに過度な負荷がかかってしまう問題点が回避できる。
【００４５】
そして、本発明によるアドレス電極１１１構造によれば、従来に比べてアドレス放電遅延時間も延びない。これについては後で図１１を参照して再び説明する。
【００４６】
また、薄肉部１１１ａおよび厚肉部１１１ｂを持つアドレス電極１１１により放電セル１１４がさらに明確に区画されるので、隣接した放電セル１１４間の電気的かつ光学的干渉がさらにはっきりと回避できる長所がある。
【００４７】
また、前記構造を持つアドレス電極１１１により、図示されたように蛍光体層１１５が屈曲を持つようになってその表面積が増加し、輝度が向上する長所もある。
【００４８】
図７には、図３に図示されたアドレス電極の変形例が図示されている。
【００４９】
図７に図示されたアドレス電極２１１は前述したように多数の薄肉部２１１ａと多数の厚肉部２１１ｂとが交互に配列された構造を持ち、そのそれぞれの厚さＴａ、Ｔｂも前述した通りである。しかし、図７に図示されたアドレス電極２１１においては、前記厚肉部２１１ｂの幅が薄肉部２１１ａの幅と同一に形成される。このような構造を持つアドレス電極２１１によっても前述したような効果を得られる。
【００５０】
以下説明される図８ないし図１２は、２００２年２月に発表されたソウル大学修士学位論文（論文発表者；金テ・ジュン、論文題目；ＡＣ ＰＤＰにおいて隔壁の高さが放電特性に及ぶ影響に関する研究）から引用したグラフである。
【００５１】
図８は、隔壁の高さによる発光効率および輝度の変化を示すグラフであり、図９は、隔壁の高さによる発光効率および放電電力の変化を示すグラフである。図８および図９のグラフは、リセット電圧を３４０Ｖ、アドレス電圧を６０Ｖに設定した状態で、隔壁の高さおよび維持電圧による発光効率と輝度および放電電力とを測定した結果を示したものである。
【００５２】
図８のグラフを見れば、隔壁の高さＨＢが１２０μｍである場合と比較して１４０μｍまたは１６０μｍである場合に発光効率が高いということが分かる。特に、隔壁の高さＨＢが１４０μｍである場合に発光効率が最も高く現れる。また、隔壁の高さＨＢが１２０μｍである場合と比較して１４０μｍまたは１６０μｍである場合に輝度も高いということが分かる。
【００５３】
そして、図９のグラフを見れば、隔壁の高さＨＢが高まるほど放電電力は高まるが、発光効率は隔壁の高さＨＢが１４０μｍである場合に最も高いということが分かる。
【００５４】
したがって、本発明のように隔壁を従来よりも高く、望ましくは１４０μｍ程度の高さで形成すれば、高効率および高輝度のＰＤＰを具現できる。
【００５５】
図１０は、隔壁の高さによる放電維持電圧および放電開始電圧の変化を示すグラフである。図１０のグラフもリセット電圧を３４０Ｖ、アドレス電圧を６０Ｖに設定した状態で、隔壁の高さによる放電開始電圧および放電維持電圧を測定した結果を示したものである。
【００５６】
図１０のグラフを見れば、隔壁の高さＨＢが１２０μｍである場合と比較して、１５０μｍまたは１８０μｍである場合に放電開始電圧および放電維持電圧が低いということが分かる。このように、隔壁の高さＨＢが高まれば放電開始電圧および放電維持電圧が低くなる理由は、隔壁の高さＨＢが高まるほど放電セル内の放電空間の体積が大きくなるので、維持放電時にアドレス電極による電界干渉が減少し、また電子やイオンなどの荷電粒子の隔壁吸収が減るからである。
【００５７】
したがって、本発明のように隔壁の高さＨＢを従来よりも高めれば、従来より低い電圧でも維持放電が可能になり、これによりドライバＩＣにかかる負荷が減少してさらに安定した動作が可能であるという長所がある。
【００５８】
図１１は、隔壁の高さによるアドレス放電遅延時間を示す図面である。
【００５９】
図１１を見れば、一般的に隔壁の高さＨＢが１２０μｍから１４０μｍに高まれば、アドレス放電遅延時間がほぼ１５０ｎｓｅｃ程度延びるということが分かる。しかし、本発明によれば、アドレス電極がさらに厚く形成された厚肉部を持つことによって、隔壁の高さＨＢが１２０μｍから１４０μｍに高まってもアドレス電極と維持電極との間の間隔は増加しないのでアドレス放電遅延時間も延びない。
【００６０】
したがって、本発明によるＰＤＰにおいては、隔壁の高さＨＢが１４０μｍに高まっても隔壁の高さＨＢが１２０μｍである場合と同じアドレス放電遅延時間を持つようになるので、高速アドレスアドレッシングが可能であるという長所がある。
【００６１】
図１２は、隔壁の高さによるアドレス電圧のマージンを示す図面である。
【００６２】
図１２を見れば、一般的に隔壁の高さＨＢが１２０μｍから１４０μｍに高まれば、アドレス電圧Ｖａのマージンがほぼ５１．２Ｖから４８．２Ｖにほぼ３Ｖ程度減るということが分かる。アドレス電圧Ｖａのマージンとは、隣接した放電セルに影響を及ぼさずに所望の放電セルでのみ選択的にアドレス放電を起こしうるアドレス電圧Ｖａの最高値と、所望の放電セルでアドレス放電を起こしうるアドレス電圧Ｖａの最低値との間の幅のことをいう。このようなアドレス電圧Ｖａのマージンが減れば、各放電セルを選択的にターンオンするのにさらに精密な制御が必要になって望ましくない。しかし、本発明によれば、アドレス電極がさらに厚く形成された厚肉部を持つことによって、隔壁の高さＨＢが１２０μｍから１４０μｍに高まってもアドレス電極と維持電極との間の間隔が増加しないため、アドレス電圧のマージンＶａも減らない。
【００６３】
特に、本発明によれば、薄肉部および厚肉部を持つアドレス電極により放電セルがさらに明確に区画されるので、隣接した放電セル間のアドレス電界の影響が減ってアドレス電圧Ｖａのマージンはかえって増加しうる。
【００６４】
以下では、添付された図面を参照して本発明によるＰＤＰの背面基板上に前記構造を持つアドレス電極を形成する方法を説明する。
【００６５】
図１３Ａないし図１３Ｇは、背面基板上にアドレス電極を形成する第１方法を段階別に示す図面であり、図１４Ａおよび図１４Ｂは、前記第１方法で使われる第１および第２スクリーンマスクをそれぞれ部分的に示した斜視図である。
【００６６】
図１３Ａを参照すれば、まず背面基板１１０を備える。前記背面基板１１０としては所定厚さのガラス基板が使用できる。そして、前記背面基板１１０上に第１スクリーンマスク１５０を配置する。前記第１スクリーンマスク１５０としては、図１４Ａに図示されたように、ストライプ状の開口１５１が互いに所定間隔離れて形成された、例えば＃３２５メッシュのステンレス網が使用可能である。ここで、＃番号は一辺の長さが１インチである正方形内のメッシュの数を示し、＃番号が大きくなるほど各メッシュの大きさは小さくなり、＃番号が小さくなるほど各メッシュの大きさは大きくなる。
【００６７】
次に図１３Ｂに図示されたように、第１スクリーンマスク１５０の上面に伝導性に優れた金属材料、例えばＡｇペーストＰを塗布する。一方、前記金属材料としてＡｇ以外にもＡｌまたはＣｕなどが使用可能である。
【００６８】
次いで、図１３Ｃに図示されたように、加圧道具１７０を使用して第１スクリーンマスク１５０を背面基板１１０側に加圧しつつ一方向に移動させて前記ＡｇペーストＰをスキージングする。それにより、第１スクリーンマスク１５０の開口１５１を通じて抜け出たＡｇペーストＰが背面基板１１０の上面に所定厚さで印刷される。これにより、図１３Ｄに図示されたように、背面基板１１０の上面に所定厚さの第１金属層１８１がストライプ状に形成される。
【００６９】
この時、第１金属層１８１の厚さは第１スクリーンマスク１５０のメッシュによって調節できる。すなわち、第１スクリーンマスク１５０の＃番号が大きくなればメッシュの大きさが小さくなるので背面基板１１０上に印刷される第１金属層１８１は薄くなり、＃番号が小さくなればメッシュの大きさが大きくなるので第１金属層１８１は厚くなる。前記のように、＃３２５メッシュの第１スクリーンマスク１５０を使用する場合には前記第１金属層１８１の厚さはほぼ１０μｍとなる。
【００７０】
次いで、ペースト状態の前記第１金属層１８１を乾燥させる。
【００７１】
次に、図１３Ｅに図示されたように、第１金属層１８１が形成された背面基板１１０上に第２スクリーンマスク１６０を配置する。前記第２スクリーンマスク１６０としては、図１４Ｂに図示されたように、多数の方形開口１６１が形成された例えば＃８０〜＃１００メッシュのステンレス網が使用できる。前記方形開口１６１は第１金属層１８１に沿って互いに所定間隔はなれて配列され、第１金属層１８１の幅よりも広く形成される。次いで、第２スクリーンマスク１６０の上面に前述したようにＡｇペーストＰを塗布する。
【００７２】
図１３Ｆは、第１金属層１８１上に第２金属層１８２を所定厚さに形成した状態を示した図面である。前記第２金属層１８２は図１３Ｃに図示された方法により形成される。この時、第２金属層１８２の厚さは第２スクリーンマスク１６０のメッシュによって調節できる。前記のように、＃８０メッシュの第２スクリーンマスク１６０を使用する場合には前記第２金属層１８２の厚さはほぼ４０μｍとなる。
【００７３】
次に、ペースト状態の前記第２金属層１８２を乾燥させた後、第１金属層１８１および第２金属層１８２を塑性する。この時、塑性により第１金属層１８１の厚さはほぼ５μｍ〜７μｍ程度に薄くなり、第２金属層１８２の厚さはほぼ２０μｍ程度に薄くなる。それにより、図１３Ｇに図示されたように、背面基板１１０上に本発明によるアドレス電極１１１が形成される。具体的に、第１金属層１８１のみからなる部分はアドレス電極１１１の薄肉部１１１ａをなし、第１金属層１８１と第２金属層１８２とが重畳された部分はアドレス電極１１１の厚肉部１１１ｂをなす。
【００７４】
一方、第２スクリーンマスク１６０に形成された開口１６１の幅を第１スクリーンマスク１５０に形成された開口１５１の幅と同一にすれば、図７に図示されたように薄肉部２１１ａの幅と厚肉部２１１ｂの幅とが同一なアドレス電極２１１が形成できる。そして、前記のように、第１および第２スクリーンマスク１５０、１６０の＃番号を変えれば、背面基板１１０上に印刷される第１金属層１８１および第２金属層１８２の厚さが変わり、これにより、アドレス電極１１１の薄肉部１１１ａおよび厚肉部１１１ｂを多様な厚さに形成できる。
【００７５】
図１５は、背面基板上にアドレス電極を形成する第２方法で使われるスクリーンマスクを部分的に示した斜視図である。
【００７６】
図１５を参照すれば、本発明によるアドレス電極を形成する第２方法では、一つのスクリーンマスク２５０を使用して背面基板上にアドレス電極の薄肉部および厚肉部をなす金属層を同時に印刷する。このために、前記スクリーンマスク２５０にはさらに狭い幅を持つ第１開口２５１とさらに広い幅を持つ第２開口２５２とが互いに交互に配列される。一方、図７に図示されたアドレス電極を形成するためには、前記第１開口２５１及び第２開口２５２の幅を同一に形成できる。そして、前記第１開口２５１が形成された部分はさらに大きい＃番号、例えば＃３２５メッシュのステンレス網よりなり、前記第２開口２５２が形成された部分はさらに小さな＃番号、例えば＃８０〜＃１００メッシュのステンレス網よりなる。これにより、第１開口２５１を通じて背面基板上に印刷される金属層はほぼ１０μｍ程度の厚さを持ち、第２開口２５２を通じて背面基板上に印刷される金属層はほぼ４０μｍ程度の厚さを持つ。
【００７７】
本発明によるアドレス電極を形成する第２方法は、前記のようなスクリーン印刷段階を除いては前述した第１方法と同一である。すなわち、前記スクリーンマスク２５０を使用して背面基板上にＡｇペーストを印刷した後、これを乾燥させて塑性すれば、図６または図７に図示されたように薄肉部および厚肉部を持ったアドレス電極が形成される。
【００７８】
本発明は開示された実施例を参考として説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならばこれより多様な変形および均等な他の実施例が可能であるという点を理解できる。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲により定められねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本発明は、駆動電圧および放電遅延時間の延長なしに発光効率を高めうる形のアドレス電極を持つ交流型プラズマディスプレイパネルに適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】従来の一般的な交流型ＰＤＰを一部切除して示す分離斜視図である。
【図２】図１に図示された従来のＰＤＰの内部構造を示す垂直断面図である。
【図３】本発明の望ましい実施例による交流型ＰＤＰを一部切除して示す分離斜視図である。
【図４】図３に図示されたＰＤＰの垂直断面図である。
【図５】図３に図示されたＰＤＰの垂直断面図である。
【図６】図３に図示されたアドレス電極だけを分離して示す斜視図である。
【図７】図３に図示されたアドレス電極の変形例を示す斜視図である。
【図８】隔壁の高さによる発光効率および輝度の変化を示すグラフである。
【図９】隔壁の高さによる発光効率および放電電力の変化を示すグラフである。
【図１０】隔壁の高さによる放電維持電圧および放電開始電圧の変化を示すグラフである。
【図１１】隔壁の高さによるアドレス放電遅延時間を示す図面である。
【図１２】隔壁の高さによるアドレス電圧のマージンを示す図面である。
【図１３Ａ】背面基板上にアドレス電極を形成する第１方法を段階別に示す図面である。
【図１３Ｂ】背面基板上にアドレス電極を形成する第１方法を段階別に示す図面である。
【図１３Ｃ】背面基板上にアドレス電極を形成する第１方法を段階別に示す図面である。
【図１３Ｄ】背面基板上にアドレス電極を形成する第１方法を段階別に示す図面である。
【図１３Ｅ】背面基板上にアドレス電極を形成する第１方法を段階別に示す図面である。
【図１３Ｆ】背面基板上にアドレス電極を形成する第１方法を段階別に示す図面である。
【図１３Ｇ】背面基板上にアドレス電極を形成する第１方法を段階別に示す図面である。
【図１４Ａ】前記第１方法で使われる第１および第２スクリーンマスクをそれぞれ部分的に示す斜視図である。
【図１４Ｂ】前記第１方法で使われる第１および第２スクリーンマスクをそれぞれ部分的に示す斜視図である。
【図１５】背面基板上にアドレス電極を形成する第２方法で使われるスクリーンマスクを部分的に示す斜視図である。
【符号の説明】
【００８１】
１１０  背面基板
１１１  アドレス電極
１１１ａ  薄肉部
１１１ｂ  厚肉部
１１２  第１誘電体層
１１３  隔壁
１１４  放電セル
１１５  蛍光体層
１２０  前面基板
１２１ａ、１２１ｂ  維持電極
１２２ａ、１２２ｂ  バス電極
１２３  第２誘電体層
１２４  保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
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【図１３Ｄ】
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【図１３Ｅ】
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【図１３Ｆ】
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【図１３Ｇ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５】
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