(57)【要約】【課題】回転ドラム上に搭載された複数のＭＲヘッド、記録ヘッドの制御状態を、高速に切り換えることができる回転磁気ヘッド型装置を提供することにある。【解決手段】複数のＭＲヘッド（３０１〜３１２）を１チップのヘッドアセンブリで構成し、また複数の記録ヘッド（２０１〜２０６）を１チップのヘッドアセンブリで構成して、各ヘッドの特性バラツキを押さえる。記録再生回路（４０１〜４０６）のヘッド切換データ、各ＭＲヘッドのバイアス電流設定データ、各記録ヘッドの記録電流設定データを同一値として伝送する。これより、ヘッド切換時に必要な伝送データは記録再生それぞれ１種類で済み、最短時間で制御データを伝送できる。【選択図】図１
2004152453.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数個の磁気抵抗効果型ヘッドを搭載した回転ドラムと、これに対向する固定ドラムと、前記回転ドラムと前記固定ドラムとの間の信号伝送を行うロータリートランスとを有し、磁気テープ上に記録された情報信号を再生する回転磁気ヘッド型装置において、
前記複数個の磁気抵抗効果型ヘッドは、１チップ内に複数個の磁気抵抗効果型ヘッドが形成された磁気抵抗効果型ヘッドアセンブリ構造であって、
前記各磁気抵抗効果型ヘッドのバイアス電流値を設定するためのバイアス電流設定手段を有し、
該バイアス電流設定手段は、前記磁気抵抗効果型ヘッドアセンブリ内の複数個の磁気抵抗効果型ヘッドのバイアス電流値がほぼ同一値になるように設定することを特徴とする回転磁気ヘッド型装置。
【請求項２】
請求項１記載の回転磁気ヘッド型装置において、
前記回転ドラム上には、さらに、前記磁気テープ上に情報信号を記録するための１チップ内に複数個の記録ヘッドが形成された記録ヘッドアセンブリを備え、
前記各記録ヘッドの記録電流値を設定するための記録電流設定手段を有し、
該記録電流設定手段は、前記記録ヘッドアセンブリ内の複数個の記録ヘッドの記録電流値がほぼ同一値になるように設定することを特徴とする回転磁気ヘッド型装置。
【請求項３】
請求項１記載の回転磁気ヘッド型装置において、
前記複数個の磁気抵抗効果型ヘッドは、１チップ内に第１のアジマス角度を有する複数個の磁気抵抗効果型ヘッドが形成された第１の磁気抵抗効果型ヘッドアセンブリと、該第１のアジマス角度と異なる第２のアジマス角度を有し１チップ内に複数個の磁気抵抗効果型ヘッドが形成された第２の磁気抵抗効果型ヘッドアセンブリの組合せとして、前記回転ドラム上の対向位置に取り付けられ、
前記バイアス電流設定手段は、前記第１の磁気抵抗効果型ヘッドアセンブリ内の各磁気抵抗効果型ヘッドに対する第１のバイアス電流値と、前記第２の磁気抵抗効果型ヘッドアセンブリ内の各磁気抵抗効果型ヘッドに対する第２のバイアス電流値とを設定可能であり、
前記第１および第２の磁気抵抗効果型ヘッドアセンブリがそれぞれ前記磁気テープに接触する期間毎に、前記第１および第２の磁気抵抗効果型ヘッドアセンブリに属する各磁気抵抗効果型ヘッドのバイアス電流値を対応する前記第１のバイアス電流値および前記第２のバイアス電流値に切り換えることを特徴とする回転磁気ヘッド型装置。
【請求項４】
請求項２記載の回転磁気ヘッド型装置において、
前記複数個の記録ヘッドは、１チップ内に第１のアジマス角度を有する複数個の記録ヘッドが形成された第１の記録ヘッドアセンブリと、該第１のアジマス角度と異なる第２のアジマス角度を有し１チップ内に複数個の記録ヘッドが形成された第２の記録ヘッドアセンブリとの組合せとして、前記回転ドラム上の対向位置に取り付けられ、
前記記録電流設定手段は、前記第１の記録ヘッドアセンブリ内の各記録ヘッドに対する第１の記録電流値と、前記第２の記録ヘッドアセンブリ内の各記録ヘッドに対する第２の記録電流値とを設定可能であり、
前記第１および第２の記録ヘッドアセンブリがそれぞれ前記磁気テープに接触する期間毎に、前記第１および第２の記録ヘッドアセンブリに属する各記録ヘッドの記録電流値を対応する前記第１の記録電流値および前記第２の記録電流値に切り換えることを特徴とする回転磁気ヘッド型装置。
【請求項５】
請求項２記載の回転磁気ヘッド型装置において、
前記複数個の磁気抵抗効果型ヘッドは、１チップ内に第１のアジマス角度を有する複数個の磁気抵抗効果型ヘッドが形成された第１の磁気抵抗効果型ヘッドアセンブリと、該第１のアジマス角度と異なる第２のアジマス角度を有し１チップ内に複数個の磁気抵抗効果型ヘッドが形成された第２の磁気抵抗効果型ヘッドアセンブリの組合せとして、前記回転ドラム上の対向位置に取り付けられ、
前記バイアス電流設定手段は、前記第１の磁気抵抗効果型ヘッドアセンブリ内の各磁気抵抗効果型ヘッドに対する第１のバイアス電流値と、前記第２の磁気抵抗効果型ヘッドアセンブリ内の各磁気抵抗効果型ヘッドに対する第２のバイアス電流値とを設定可能であり、前記第１および第２の磁気抵抗効果型ヘッドアセンブリがそれぞれ前記磁気テープに接触する期間毎に、前記第１および第２の磁気抵抗効果型ヘッドアセンブリに属する各磁気抵抗効果型ヘッドのバイアス電流値を対応する前記第１のバイアス電流値および前記第２のバイアス電流値に切り換え、
前記複数個の記録ヘッドは、１チップ内に第１のアジマス角度を有する複数個の記録ヘッドが形成された第１の記録ヘッドアセンブリと、該第１のアジマス角度と異なる第２のアジマス角度を有し１チップ内に複数個の記録ヘッドが形成された第２の記録ヘッドアセンブリとの組合せとして、前記回転ドラム上の対向位置に取り付けられ、
前記記録電流設定手段は、前記第１の記録ヘッドアセンブリ内の各記録ヘッドに対する第１の記録電流値と、前記第２の記録ヘッドアセンブリ内の各記録ヘッドに対する第２の記録電流値とを設定可能であり、前記第１および第２の記録ヘッドアセンブリがそれぞれ前記磁気テープに接触する期間毎に、前記第１および第２の記録ヘッドアセンブリに属する各記録ヘッドの記録電流値を対応する前記第１の記録電流値および前記第２の記録電流値に切り換えることを特徴とする回転磁気ヘッド型装置。
【請求項６】
請求項１または請求項３または請求項５に記載の回転磁気ヘッド型装置において、
前記回転ドラム上に、前記各磁気抵抗効果型ヘッドにバイアス電流を供給し、磁気抵抗効果型ヘッドの再生出力を増幅する複数個の再生回路を設け、
前記バイアス電流設定手段として、前記固定ドラム側には、前記バイアス電流を制御するための制御信号を生成する制御信号生成回路を、前記回転ドラム上には、前記制御信号生成回路からの前記制御信号を前記ロータリートランスを介して受け、該制御信号を識別して前記複数個の再生回路の動作を制御する制御データを出力するデコーダ回路を備えることを特徴とする回転磁気ヘッド型装置。
【請求項７】
請求項２または請求項４または請求項５に記載の回転磁気ヘッド型装置において、
前記回転ドラム上に、前記各記録ヘッドに記録電流を供給する複数個の記録回路を設け、
前記記録電流設定手段として、前記固定ドラム側には、前記記録電流を制御するための制御信号を生成する制御信号生成回路を、前記回転ドラム上には、前記制御信号生成回路からの前記制御信号を前記ロータリートランスを介して受け、該制御信号を識別して前記複数個の記録回路の動作を制御する制御データを出力するデコーダ回路を備えることを特徴とする回転磁気ヘッド型装置。
【請求項８】
請求項３または請求項５に記載の回転磁気ヘッド型装置において、
前記第１のバイアス電流値と前記第２のバイアス電流値をほぼ同一値に設定することを特徴とする回転磁気ヘッド型装置。
【請求項９】
請求項４または請求項５に記載の回転磁気ヘッド型装置において、
前記第１の記録電流値と前記第２の記録電流値をほぼ同一値に設定することを特徴とする回転磁気ヘッド型装置。
【請求項１０】
請求項５記載の回転磁気ヘッド型装置において、
前記第１、第２の記録ヘッドアセンブリと、前記第１、第２の磁気抵抗効果型ヘッドアセンブリとを、前記回転ドラム上に略９０°間隔で交互に搭載したことを特徴とする回転磁気ヘッド型装置。
【請求項１１】
請求項１記載の回転磁気ヘッド型装置において、
前記バイアス電流設定手段は、前記磁気テープとの接触走行により前記磁気抵抗効果型ヘッドが摩耗した場合、前記磁気抵抗効果型ヘッドアセンブリ内の複数個の磁気抵抗効果型ヘッドのバイアス電流値をほぼ同一値に再度設定することを特徴とする回転磁気ヘッド型装置。
【請求項１２】
請求項２記載の回転磁気ヘッド型装置において、
前記記録電流設定手段は、前記磁気テープとの接触走行により前記記録ヘッドが摩耗した場合、前記記録ヘッドアセンブリ内の複数個の記録ヘッドの記録電流値をほぼ同一値に再度設定することを特徴とする回転磁気ヘッド型装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はディジタル情報信号などを磁気抵抗効果型ヘッド（Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅヘッド、以下ＭＲヘッドと記す）にて再生する装置に係り、特に回転ドラム上に搭載された複数の薄膜型記録ヘッド、およびＭＲヘッドが接続される記録再生集積回路を短時間に制御可能とした回転磁気ヘッド型装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、磁気テープを使用した回転ヘッド型の高密度記録再生装置においては、高転送レート化を図るために回転ドラム上に搭載する記録ヘッド、再生ヘッドの総数を増す傾向にある。また大容量化という目的に対しては、ＭＲヘッドを採用し、線記録密度を上げる方法が検討されている。
【０００３】
ＭＲヘッドは、記録媒体である磁気テープ、磁気ディスクから入力する磁気情報信号を抵抗変化で検出するため、検出用の電流（センス電流）の供給が必要となる。また、この抵抗変化は入力磁界に対して非線形特性を持つため、ＭＲヘッドの動作点を直線性の良い領域に制御するバイアス電流が必要となる。ここで、記録ヘッド及び再生ヘッドの総数を増した場合に、それぞれのヘッドを個別に制御する方法が特許文献１に挙げられている。
上記文献には、ＤＡＴＡ、Ｃｌｏｃｋ、Ｃｈｉｐ  Ｓｅｌｅｃｔ（以下ＣＳとする。）の３種類のディジタル信号を用いることで、ヘッド切換スイッチ、ＭＲヘッドバイアス電流値などを制御し、複数のヘッドを高精度に切換える回転磁気ヘッド型装置が記載されている。具体的には、ＤＡＴＡとＣｌｏｃｋは、デコーダと各集積回路を結ぶように配線するのではなく、共通のラインを用いているので、デコーダと集積回路を結ぶ配線に係る面積を減少させることができ、回転ドラム内の基盤面積不足の解消に繋がる。ここで、個々のヘッドを制御するために、ヘッド切換用データ→ＭＲ電流データ→他のデータの順でデータを送信することで、複数のヘッドを高精度に切換ることを実現している。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−２１６３０２号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、前記文献に記載されているような再生集積回路では、機能の増加によりその制御に必要なデータビット量も大幅に増すために、すべての制御に必要なデータをヘッドの切換毎に伝送すると時間がかかり、最悪の場合には所望タイミングでヘッドが切り換わらず、ヘッド再生信号が欠落する可能性がある。また、ＭＲヘッドの数が増し、回転ドラム上に搭載する再生集積回路数も増すと、使用する集積回路分のデータを時分割多重で伝送するため、同様の課題がある。これは、記録集積回路における複数の記録ヘッドの制御についても同じである。
【０００６】
本発明の目的は、回転ドラム上に搭載された複数のＭＲヘッド、記録ヘッドの制御状態を高精度かつ短時間で切り換えることができ、さらにはヘッド再生信号が欠落することの無い回転磁気ヘッド型装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明では、複数個の磁気抵抗効果型ヘッドは、１チップ内に複数個の磁気抵抗効果型ヘッドが形成された磁気抵抗効果型ヘッドアセンブリ構造であって、各磁気抵抗効果型ヘッドのバイアス電流値を設定するためのバイアス電流設定手段を有し、該バイアス電流設定手段は、前記磁気抵抗効果型ヘッドアセンブリ内の複数個の磁気抵抗効果型ヘッドのバイアス電流値がほぼ同一値になるように設定するようにした。
【０００８】
前記回転ドラム上には、さらに、１チップ内に複数個の記録ヘッドが形成された記録ヘッドアセンブリを備え、前記各記録ヘッドの記録電流値を設定するための記録電流設定手段を有し、該記録電流設定手段は、前記記録ヘッドアセンブリ内の複数個の記録ヘッドの記録電流値がほぼ同一値になるように設定するようにした。
【０００９】
さらに本発明では、前記複数個の磁気抵抗効果型ヘッドは、１チップ内に第１のアジマス角度を有する複数個の磁気抵抗効果型ヘッドが形成された第１の磁気抵抗効果型ヘッドアセンブリと、該第１のアジマス角度と異なる第２のアジマス角度を有し１チップ内に複数個の磁気抵抗効果型ヘッドが形成された第２の磁気抵抗効果型ヘッドアセンブリの組合せとして、前記回転ドラム上の対向位置に取り付ける。前記バイアス電流設定手段は、前記第１の磁気抵抗効果型ヘッドアセンブリ内の各磁気抵抗効果型ヘッドに対する第１のバイアス電流値と、前記第２の磁気抵抗効果型ヘッドアセンブリ内の各磁気抵抗効果型ヘッドに対する第２のバイアス電流値とを設定可能とする。そして、前記第１および第２の磁気抵抗効果型ヘッドアセンブリがそれぞれ前記磁気テープに接触する期間毎に、前記第１および第２の磁気抵抗効果型ヘッドアセンブリに属する各磁気抵抗効果型ヘッドのバイアス電流値を、対応する前記第１のバイアス電流値および前記第２のバイアス電流値に切り換えるようにした。
【００１０】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明による回転磁気ヘッド型装置の第１の実施形態を示すブロック図である。回転ドラム１上に１８０°対向でＭＲヘッド３０１、３０２とＭＲヘッド３０７、３０８が取り付けられており、ドラム回転方向に概略１８０°巻き付けられた磁気テープ（図示せず）に記録された信号を読み取る。記録ヘッドはアジマス角度＋Ａｚの記録ヘッド２０１、アジマス角度−Ａｚの記録ヘッド２０４を１８０°対向で配置している。
【００１１】
記録再生集積回路４０１、４０２は２チャンネルの記録回路およびＭＲヘッド用の２チャンネルの再生アンプを備え、Ｄａｔａ、Ｃｌｏｃｋ、ＣＳ、Ｒ／Ｗ（記録再生切換）の４本の制御ラインで動作モードが制御される。制御機能はたとえば、ヘッド（アンプ）切換スイッチ、ＭＲヘッドバイアス電流設定、再生アンプゲイン設定、ＭＲヘッド特有のサーマルアスペリティノイズ（ＴＡ：Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｓｐｅｒｉｔｙ  ｎｏｉｓｅ）の検出、補正、記録電流の設定などであり、あらかじめその機能に対応するレジスタを選択して制御データを書き込み、その動作状態、値を決定する。これらの制御データは、制御データ生成回路１２により生成し、ロータリートランス９を介してデコーダ６に伝送される。デコーダ６は制御データを識別し、記録再生集積回路４０１、４０２へ制御データを供給する。
【００１２】
固定側と回転側のデータ伝送を行うロータリートランス１０は、記録データ用ロータリートランス７０１、再生信号用ロータリートランス８０１、８０２、制御信号用ロータリートランス９を備えている。
【００１３】
図２は、図１で使用するＭＲヘッドのテープ摺動面から見たヘッド配置の一例を示す図である。本実施形態においては、２個のＭＲヘッド３０１、３０２はインライン状にアジマス角度＋Ａｚを与えられて１チップ上に構成され、同様に２個のＭＲヘッド３０７、３０８はインライン状にアジマス角度−Ａｚを与えられて１チップ上に構成され、それぞれマルチギャップ（マルチトラックヘッド）構造となっている。以下、複数のヘッドを１チップ上に構成したものをヘッドアセンブリと記す。
【００１４】
このように１チップ上に薄膜プロセスで形成された２個のＭＲヘッド３０１、３０２は、数μｍ〜数１００μｍの近接した位置に配置されるため、ＭＲハイトの値を等しく加工でき、両ヘッドともほとんど同一の磁気特性を持たせることができる。ＭＲヘッド３０７、３０８で構成されるヘッドアセンブリについても同様である。このように、同一ヘッドアセンブリ上の複数のＭＲヘッドの特性はほぼ同等であるから、バイアス電流等の設定データも同一値とした。
【００１５】
記録時には、記録データ生成回路１３１から出力されたデータ信号は、記録データ用ロータリートランス７０１、Ｒ／Ｗラインによって記録モードに設定された記録再生集積回路４０１、記録ヘッド２０１、２０４を介して＋アジマス、−アジマスデータトラックが交互に磁気テープ上に記録される。この時、ＭＲヘッド３０２は記録ヘッド２０１で記録された＋アジマスデータトラックを、ＭＲヘッド３０８は記録ヘッド２０４で記録された−アジマスデータトラックを即再生し、記録データの信頼性を高める動作（チェックアフターライト機能）を行う。そのために、ＭＲヘッド３０２、３０８のヘッド高さは、記録ヘッド２０１、２０４の高さに対して調整されているとともに、記録再生集積回路４０２を常に再生モードに設定している。以上の説明では、チェックアフターライトを行うＭＲヘッドには後行側であるＭＲヘッド３０２、３０８を使用したが、先行側であるＭＲヘッド３０１、３０７を使用することもできる。
【００１６】
再生時には、ＭＲヘッド３０１と３０２、および３０７と３０８のペアを同時に動作させる。ＭＲヘッド３０１（＋Ａｚ）、３０７（−Ａｚ）から再生された信号は、Ｒ／Ｗラインによって再生モードに設定された記録再生集積回路４０１で増幅された後、再生信号用ロータリートランス８０１を介して、固定側のバッファアンプ１１１、再生系信号処理回路１４１に伝送される。また、ＭＲヘッド３０２（＋Ａｚ）、３０８（−Ａｚ）から再生された信号は、記録再生集積回路４０２で増幅された後、再生信号用ロータリートランス８０２を介して、固定側のバッファアンプ１１２、再生系信号処理回路１４２に伝送される。バッファアンプ１１１、１１２としては、ベース接地回路のような低入力インピーダンス回路で構成する。
【００１７】
この再生時には、記録時のテープ送り速度に対してわずかに遅いテープ速度（０．９５倍程度）に設定し、ＭＲヘッド３０１と３０２、および３０７と３０８の相互ヘッド高さ調整値を１トラックピッチ相当に設定することにより、特別なトラッキング制御を必要とせず、すべての記録データを４個のＭＲヘッドを使用して、読み取れることを可能としている（以下、この再生方法をノントラッキング方式と記す）。
【００１８】
図３は、本実施形態における記録再生集積回路の制御タイミングを示す図である。本実施形態では、記録再生集積回路４０１、４０２に対するヘッド切換データおよびＭＲバイアス電流データを同一データとし、Ｃｌｏｃｋ、ＣＳ信号を同一タイミングで伝送する。このため、制御データを個別に伝送する従来の方式に比較し、伝送時間を大幅に短縮できる。
【００１９】
ここでＭＲヘッド３０１、３０２とＭＲヘッド３０７、３０８とはアジマス角度が異なるため、ヘッドチップの加工は別々に行っている。そのため寸法精度のわずかな差異により磁気特性は同一とはならない。今後ＭＲヘッドアセンブリの加工精度が上がれば、すべてのＭＲヘッド３０１、３０２、３０７、３０８のバイアス電流データを同一値に設定することも可能となる。この場合には、ＭＲバイアス電流データは装置の起動時に送信すればよく、ヘッド切換毎に送信するのはヘッド切換データのみにすることができ、さらに制御データ伝送時間の短縮を図れる。
【００２０】
図１におけるＣＳスイッチ回路１５は、従来独立していた記録再生集積回路４０１、４０２のＣＳ信号を再生時に共通に設定するためのものである。記録時は、記録再生集積回路４０１、４０２をそれぞれ独立して制御する必要があるため、図１に示したようにＣＳスイッチ回路１５をＷ側に切り換える。この動作については、ＣＳスイッチ回路１５を使用せず、デコーダ６の制御タイミング生成時にＲ側、Ｗ側のＣＳ信号発生タイミングを変更しても良い。
【００２１】
この他、アンプゲイン、ハイパスフィルターカットオフ周波数、サーマルアスペリティノイズの補正データなどを制御する複数のデータは、ヘッド切換毎に送信する必要はなく、装置の起動時に送信するか、または制御が必要になった時のみに送信すればよい。
【００２２】
また本実施形態では、デコーダ６の出力信号で記録再生集積回路４０１、４０２の制御を行っているが、これはデコーダ６を経由せずに直接固定側からＤａｔａ、Ｃｌｏｃｋ、２系統のＣＳ、Ｒ／Ｗの計５ラインを制御信号用ロータリートランス９を介して伝送しても良い。
【００２３】
以上、本実施形態ではヘッド切換時に伝送する制御データを、複数の記録再生集積回路で同一とすることにより、データ通信時間を短縮でき、精度良くヘッドを切り換えることができる。
【００２４】
図４は、本発明による回転磁気ヘッド型装置の第２の実施形態を示すブロック図である。第２の実施形態では、前記第１の実施形態（図１）に比較し、ヘッド数を３倍に増加し、データの転送速度を３倍に高めたものである。図１と同一部品については同一番号で示す。
【００２５】
記録ヘッドには、＋Ａｚの記録ヘッド２０１〜２０３、−Ａｚの記録ヘッド２０４〜２０６の６個、ＭＲヘッドには、＋ＡｚのＭＲヘッド３０１〜３０６、−ＡｚのＭＲヘッド３０７〜３１２の１２個用いている。ヘッド数の増加に合わせて、記録再生集積回路４０１〜４０６を備え、また、記録データ用ロータリートランス７０１〜７０３、再生信号用ロータリートランス８０１〜８０６、記録データ生成回路１３１〜１３３、再生系信号処理回路１４１〜１４６を備える。なお、制御データ生成回路１２とデコーダ６は１系統のみである。
【００２６】
図５は、図４（第２の実施形態）で使用するＭＲヘッドのテープ摺動面から見たヘッド配置の一例を示す図である。本実施形態では、６個のＭＲヘッド３０１〜３０６は、２個ずつ（３０１と３０４、３０２と３０５、３０３と３０６）インライン状にアジマス角度＋Ａｚを与えられて３列に配置される。同様に６個のＭＲヘッド３０７〜３１２は、２個ずつ（３０７と３１０、３０８と３１１、３０９と３１２）インライン状にアジマス角度−Ａｚを与えられて３列に配置されたヘッドアセンブリとなっている。
【００２７】
図６は、図４で使用する記録ヘッドのテープ摺動面から見たヘッド配置の一例を示す。各記録ヘッドは薄膜プロセスで生成され、３個の記録ヘッド２０１〜２０３は３列にアジマス角度＋Ａｚを与えられて配置される。また３個の記録ヘッド２０４〜２０６は、３列にアジマス角度−Ａｚを与えられたヘッドアセンブリとなっている。
【００２８】
記録ヘッドの場合、前述したＭＲヘッドのＭＲハイトと同様、ヘッド特性に影響を及ぼすのはギャップデプス（ギャップ深さ）である。本実施形態では薄膜プロセスで１チップ内に複数の記録ヘッドを生成するので、各記録ヘッドでギャップデプスの値を等しく加工でき、特性バラツキの少ないヘッドアセンブリを得ることができる。
【００２９】
図４の動作を説明する。記録時には、記録データ生成回路１３１〜１３３から出力されたデータ信号は、記録データ用ロータリートランス７０１〜７０３、記録モードに設定された記録再生集積回路４０１〜４０３、記録ヘッド２０１〜２０３、２０４〜２０６を介して３個の＋アジマスデータトラックと３個の−アジマスデータトラックが磁気テープ上に形成される。この時、ＭＲヘッド３０４〜３０６が記録ヘッド２０１〜２０３で記録された＋アジマスデータトラックを、ＭＲヘッド３１０〜３１２が記録ヘッド２０４〜２０６で記録された−アジマスデータトラックを即再生し、チェックアフターライトを行う。そのため、記録再生集積回路４０４〜４０６を常に再生モードに設定している。なお、チェックアフターライト用のＭＲヘッドは、ＭＲヘッド３０１〜３０３、ＭＲヘッド３０７〜３０９の組み合わせでもよい。
【００３０】
再生時には、ＭＲヘッド３０１〜３０６、３０７〜３１２のヘッドアセンブリを同時に動作させ、ＭＲヘッド３０１、３０７から再生された信号は、記録再生集積回路４０１で増幅された後、再生信号用ロータリートランス８０１を介して、固定側のバッファアンプ１１１、再生系信号処理回路１４１に伝送される。他のＭＲヘッド３０２〜３０６、３０８〜３１２についても同様に記録再生集積回路４０２〜４０６、再生信号用ロータリートランス８０２〜８０６、バッファアンプ１１２〜１１６、再生系信号処理回路１４２〜１４６が動作し、前述したノントラッキング方式によるデータ再生を行う。
【００３１】
図７は、図４における記録再生集積回路の制御タイミングを示す。再生時には、記録再生集積回路４０１〜４０６に対するＤａｔａ，Ｃｌｏｃｋ，ＣＳ信号を同一データで同一タイミングにて伝送する。また、記録時には記録再生集積回路４０１〜４０３に対するＤａｔａ，Ｃｌｏｃｋ，ＣＳ信号を同一データ、同一タイミングで伝送するとともに、記録再生集積回路４０４〜４０６に対するＤａｔａ，Ｃｌｏｃｋ，ＣＳ信号を同一データ、同一タイミングで伝送する（図示せず）。
【００３２】
上記の制御タイミングを実現するには、それぞれ独立したＣＳライン６本を使用しても良いが、図４に示した例のように、Ｄａｔａ、Ｃｌｏｃｋラインを共通、記録再生集積回路４０１〜４０３に対するＲ／Ｗ共通制御ライン１本、記録再生集積回路４０１〜４０３に対する共通ＣＳ１本、記録再生集積回路４０４〜４０６に対する共通ＣＳ１本の計５本の制御ラインで記録再生集積回路４０１〜４０６の制御が可能となる。この構成によって記録再生集積回路用制御データ伝送時間の大幅な短縮を図れ、最短の約１μｓで精度良くヘッドを切り換えることができる。
【００３３】
図７に示したタイミング図では、ＭＲヘッド３０１〜３０６用データと、ＭＲヘッド３０７〜３１２をそれぞれ別データとしているが、別加工工程であったとしてもＭＲヘッドの加工精度が向上しＭＲハイトバラツキがなくなれば、このＭＲバイアス電流データは両ＭＲヘッドアセンブリ間でも変える必要はなく、同一値とすることができる。したがってサーマルアスペリティノイズの補正データなど、他のデータと同様ヘッド切換毎に送信する必要はなく、装置の起動時に送信するか、または制御が必要になった時のみに送信しても良く、その場合にはヘッド切換データのみを毎回送信すればよいことになり、通信時間を０．５μｓ程度にまで短縮できる。
【００３４】
記録ヘッドの制御に関しても同様で、薄膜ヘッドの加工精度が向上し、ギャップデプスバラツキがなくなれば、この記録電流データはアジマス角度が異なった記録ヘッドアセンブリ間で変える必要はなく、記録ヘッド２０１〜２０６で同一値とすることができる。
【００３５】
以上は、主に装置の動作電流初期設定時に関する説明であるが、次に装置を長時間使用し、ヘッドの摩耗が進んだ場合の動作電流設定方法について説明する。
【００３６】
磁気テープを使用した回転磁気ヘッド型装置においては、磁気ヘッドの摩耗によってヘッドの磁気特性が変化するので、摩耗状況に応じてヘッドの動作電流を変える必要がある。たとえば記録ヘッドの場合、摩耗によってヘッドのギャップデプスが浅くなると記録効率が上昇し、テープを磁化するのに最適な記録電流値は減少してくる。この状態で記録電流値を下げないと記録減磁が増加し、短波長信号再生レベル、Ｃ／Ｎ値が低下するという問題が発生する。
【００３７】
図８は、ＭＲヘッドにおけるＭＲハイトと、ＭＲ抵抗、ＭＲバイアス電流の関係を示す模式図を示す。ＭＲヘッドにおいては、摩耗によってＭＲハイトが浅くなる（小さくなる）と出力信号の二次歪みを最小にする最適ＭＲバイアス電流値が減少するともに、ＭＲ抵抗値が上昇して出力レベルが増加する。このような状態でＭＲバイアス電流値を下げないと、二次歪みが増加して系のエラーレートを悪化させたり、出力レベルの増加により再生アンプが飽和するという問題を生じる可能性がある。
【００３８】
そこでこれらの問題発生を防ぐために、規定時間、装置を使用したならばバイアス電流値の再調整を行うか、使用時間に応じて予測される各ヘッドの摩耗状態から最適バイアス電流値を計算し、設定を変更する必要がある。
【００３９】
まず再調整を行う方法では、従来の１チップ１ヘッドを複数個並べる構成ではヘッドの数が増すほど長い調整時間を要し、制御も複雑となるが、本実施形態で示した１チップ上に複数個のＭＲヘッドを形成した場合には、その中の１個のヘッドのバイアス電流値に代表させて他のＭＲヘッドのバイアス電流値を同じ値とする方法をとる。
【００４０】
図９は、ＭＲバイアス電流の再設定方法の一例を示す。これはＭＲヘッド３０１〜３０６のヘッドアセンブリに適用した例である。初期にたとえばＭＲヘッド３０６の最適バイアス電流値を測定して１０ｍＡという値が得られたとすると、他のＭＲヘッド３０１〜３０５のバイアス電流も１０ｍＡに設定する。次に装置をある時間使用したとするとＭＲヘッドは摩耗するが、前述したように隣り合うヘッド同士の距離は短く、テープとの接触状態は各ヘッドとも均一となるため、摩耗状態も各ヘッドでほとんど同一となる。ここで再びＭＲヘッド３０６の最適バイアス電流を測定した結果、たとえば７ｍＡになっていたとするならば、他のＭＲヘッド３０１〜３０５のバイアス電流もすべて７ｍＡに再設定すればよい。この方法によれば、すべてのＭＲヘッド３０１〜３０６のバイアス電流を再測定する方法に比べ、１／６の調整時間で済む。
【００４１】
以上はＭＲヘッド３０６の最適バイアス電流値を再測定し、その結果から他のＭＲヘッド３０１〜３０５のバイアス電流値を設定する方法について述べたが、再測定は行わず、あらかじめ使用時間に応じて予測される各ヘッドの摩耗状態から最適バイアス電流値を見積もり、各ＭＲヘッドのバイアス電流値の設定を変更しても良い。これは、図９で示した同一電流設定方法にも適用でき、誤差は含むが再測定を必要としないため、制御が簡単という大きな効果がある。これらの制御データは制御データ生成回路１２で生成するが、デコーダ６の設計に応じて、各ＭＲヘッドのバイアス電流の絶対値をそのまま伝送しても良いし、またリファレンスヘッドに対する各ＭＲヘッドのバイアス電流値の差分を伝送しても良い。
【００４２】
また、以上はＭＲヘッドのバイアス電流設定に適用した例であるが、これは記録ヘッドの記録電流制御にもそのまま使用できる。
【００４３】
【発明の効果】
本発明によれば、回転ドラム上に搭載された複数のＭＲヘッド、記録ヘッドの制御状態を高精度かつ短時間で切り換えることができ、さらにはヘッド再生信号が欠落することの無い回転磁気ヘッド型装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による回転磁気ヘッド型装置の第１の実施形態を示すブロック図。
【図２】図１におけるＭＲヘッドのヘッド配置の一例を示す図。
【図３】図１における記録再生集積回路の制御タイミングの一例を示す図。
【図４】本発明による回転磁気ヘッド型装置の第２の実施形態を示すブロック図。
【図５】図４におけるＭＲヘッドのヘッド配置の一例を示す図。
【図６】図４における記録ヘッドのヘッド配置の一例を示す図。
【図７】図４における記録再生集積回路の制御タイミングの一例を示す図。
【図８】ＭＲヘッドにおけるＭＲハイトと、ＭＲ抵抗、ＭＲバイアス電流の関係を示す模式図。
【図９】ＭＲバイアス電流の再設定方法の一例を示す図。
【符号の説明】
１…回転ドラム、２０１〜２０６…記録ヘッド、３０１〜３１２…ＭＲヘッド、４０１、４０２…記録再生集積回路、５…発振回路、６…デコーダ、７０１〜７０３…記録データ用ロータリートランス、８０１〜８０６…再生信号用ロータリートランス、９…制御信号用ロータリートランス、１０…ロータリートランス、１１１〜１１６…バッファアンプ、１２…制御データ生成回路、１３１〜１３３…記録データ生成回路、１４１〜１４６…再生系信号処理回路、１５…ＣＳスイッチ回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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