(57)【要約】【課題】弾性波フィルタと温度センサとのアイソレーションの劣化を抑制する。【解決手段】高周波モジュール１００は、実装基板と、弾性波フィルタ１と、温度センサ１０８と、補正回路１０と、を備える。実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。弾性波フィルタ１は、第１主面側に配置されている。温度センサ１０８は、第２主面側に配置されている。補正回路１０は、温度センサ１０８で計測された温度に応じて、弾性波フィルタ１の通過帯域を補正する。【選択図】図１
2022002364.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板と、
前記第１主面側に配置されている弾性波フィルタと、
前記第２主面側に配置されている温度センサと、
前記温度センサで計測された温度に応じて、前記弾性波フィルタの通過帯域を補正する補正回路と、を備える、
高周波モジュール。
【請求項２】
前記補正回路は、前記弾性波フィルタに接続されている少なくとも１つの回路素子のパラメータを調整することにより前記通過帯域を補正する、
請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記補正回路は、前記第２主面側に配置されているデジタルチューナブルキャパシタを含み、
前記温度センサと前記デジタルチューナブルキャパシタとが１つのチップで構成されている、
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記第２主面側に配置されているローノイズアンプを更に備える、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記温度センサと前記ローノイズアンプとが１つのチップで構成されている、
請求項４に記載の高周波モジュール。
【請求項６】
アンテナ端子と、
前記第２主面側に配置され、前記アンテナ端子に接続されているスイッチと、を更に備え、
前記ローノイズアンプと前記スイッチとが１つのチップで構成されている、
請求項４又は５に記載の高周波モジュール。
【請求項７】
前記弾性波フィルタは、前記実装基板の厚さ方向からの平面視で前記温度センサと重なっている、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【請求項８】
前記第１主面側に配置されているパワーアンプを更に備える、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【請求項９】
アンテナ端子と、
前記第２主面側に配置され、前記アンテナ端子に接続されているスイッチと、を更に備える、
請求項８に記載の高周波モジュール。
【請求項１０】
前記パワーアンプは、前記実装基板の厚さ方向からの平面視で前記温度センサ及び前記スイッチと重ならない、
請求項９に記載の高周波モジュール。
【請求項１１】
前記補正回路は、デジタルチューナブルキャパシタを含み、
前記温度センサと前記デジタルチューナブルキャパシタとが１つのチップで構成されている、
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【請求項１２】
アンテナ端子と、
前記第２主面側に配置され、前記アンテナ端子に接続されているスイッチと、を更に備え、
前記弾性波フィルタは、前記実装基板の厚さ方向からの平面視で前記スイッチと重なっている、
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【請求項１３】
前記温度センサは、サーミスタを含む、
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、
前記高周波モジュールに接続されており、高周波信号を処理する信号処理回路と、を備える、
通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には、弾性波フィルタと温度センサとを備える高周波モジュール、及び高周波モジュールを備える通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、可変フィルタ回路（弾性波フィルタ）と温度センサとを備えるＰＡモジュール（高周波モジュール）が記載されている。特許文献１に記載のＰＡモジュールでは、温度センサは、温度変化による可変フィルタ回路のインピーダンスの変化を補正するために用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１５／００２１２７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載のＰＡモジュールでは、可変フィルタ回路が実装される実装基板に温度センサが実装される場合、温度センサの実装位置によっては可変フィルタ回路と温度センサとのアイソレーションが劣化する可能性がある。
【０００５】
本発明の目的は、弾性波フィルタと温度センサとのアイソレーションの劣化を抑制することが可能な高周波モジュール及び通信装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、弾性波フィルタと、温度センサと、補正回路と、を備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記弾性波フィルタは、前記第１主面側に配置されている。前記温度センサは、前記第２主面側に配置されている。前記補正回路は、前記温度センサで計測された温度に応じて、前記弾性波フィルタの通過帯域を補正する。
【０００７】
本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、前記高周波モジュールに接続されており、高周波信号を処理する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の上記態様に係る高周波モジュール及び通信装置によれば、弾性波フィルタと温度センサとのアイソレーションの劣化を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、実施形態１に係る高周波モジュール及び通信装置の回路構成図である。
【図２】図２Ａは、同上の高周波モジュールの弾性波フィルタの回路構成図である。図２Ｂは、同上の高周波モジュールの温度センサの回路構成図である。
【図３】図３は、同上の高周波モジュールの断面図である。
【図４】図４は、実施形態１の変形例１に係る高周波モジュールの断面図である。
【図５】図５は、実施形態１の変形例２に係る高周波モジュールの断面図である。
【図６】図６は、実施形態１の変形例３に係る高周波モジュールの断面図である。
【図７】図７は、実施形態２に係る高周波モジュール及び通信装置の回路構成図である。
【図８】図８は、同上の高周波モジュールの断面図である。
【図９】図９は、実施形態２の変形例１に係る高周波モジュールの断面図である。
【図１０】図１０は、実施形態２の変形例２に係る高周波モジュールの断面図である。
【図１１】図１１は、実施形態２の変形例３に係る高周波モジュールの断面図である。
【図１２】図１２は、実施形態２の変形例４に係る高周波モジュールの要部の回路構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下の実施形態１，２等において参照する図３〜図６及び図８〜図１１は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
【００１１】
また、本開示において、「任意の構成要素が実装基板の第１主面側に配置されている」とは、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板において、上記構成要素が実装基板の第２主面よりも第１主面側に配置されていることをいう。「任意の構成要素が実装基板の第１主面側に配置されている」例としては、上記構成要素が実装基板の第１主面に配置されている場合と、上記構成要素が実装基板の第１主面と離隔して配置されている場合とがある。「上記構成要素が実装基板の第１主面に配置されている」例としては、上記構成要素が実装基板の第１主面に実装されている場合と、上記構成要素の一部が実装基板の第１主面に実装されており、上記構成要素の残りが実装基板に内装されている場合とがある。「上記構成要素が実装基板の第１主面と離隔して配置されている」例としては、上記構成要素と他の構成要素とがスタックされている場合がある。この場合、実装基板の第１主面に他の構成要素が実装されており、他の構成要素の上に上記構成要素が積層されている。上記構成要素と他の構成要素との間に更に他の構成要素が存在していてもよい。
【００１２】
同様に、本開示において、「任意の構成要素が実装基板の第２主面側に配置されている」とは、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板において、上記構成要素が実装基板の第１主面よりも第２主面側に配置されていることをいう。「任意の構成要素が実装基板の第２主面側に配置されている」例としては、上記構成要素が実装基板の第２主面に配置されている場合と、上記構成要素が実装基板の第２主面と離隔して配置されている場合とがある。「上記構成要素が実装基板の第２主面に配置されている」例としては、上記構成要素が実装基板の第２主面に実装されている場合と、上記構成要素の一部が実装基板の第２主面に実装されており、上記構成要素の残りが実装基板に内装されている場合とがある。「上記構成要素が実装基板の第２主面と離隔して配置されている」例としては、上記構成要素と他の構成要素とがスタックされている場合がある。この場合、実装基板の第２主面に他の構成要素が実装されており、他の構成要素の上に上記構成要素が積層されている。上記構成要素と他の構成要素との間に更に他の構成要素が存在していてもよい。
【００１３】
（実施形態１）
実施形態１に係る高周波モジュール１００は、図１〜図３に示すように、実装基板９と、弾性波フィルタ１と、温度センサ１０８と、補正回路１０と、を備える。実装基板９は、互いに対向する第１主面９１及び第２主面９２を有する。弾性波フィルタ１は、第１主面９１側に配置されている。温度センサ１０８は、第２主面９２側に配置されている。補正回路１０は、温度センサ１０８で計測された温度に応じて、弾性波フィルタ１の通過帯域を補正する。これにより、実施形態１に係る高周波モジュール１００は、弾性波フィルタ１と温度センサ１０８とのアイソレーションの劣化を抑制することが可能となる。
【００１４】
以下、実施形態１に係る高周波モジュール１００及び通信装置３００について、図１〜図６を参照して説明する。
【００１５】
（１）高周波モジュール及び通信装置
（１．１）高周波モジュール及び通信装置の回路構成
まず、実施形態１に係る高周波モジュール１００及び通信装置３００の回路構成について、図１を参照して説明する。
【００１６】
実施形態１に係る高周波モジュール１００は、例えば、通信装置３００に用いられる。通信装置３００は、例えば、携帯電話（例えば、スマートフォン）であるが、これに限らず、例えば、ウェアラブル端末（例えば、スマートウォッチ）であってもよい。高周波モジュール１００は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ  ＬＴＥ規格（ＬＴＥ：Long Term Evolution）である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ  ＮＲ（New Radio）である。高周波モジュール１００は、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティに対応可能なモジュールである。
【００１７】
高周波モジュール１００は、例えば、信号処理回路３０１から入力された送信信号（高周波信号）を増幅してアンテナ３１０に出力できるように構成されている。また、高周波モジュール１００は、アンテナ３１０から入力された受信信号（高周波信号）を増幅して信号処理回路３０１に出力できるように構成されている。信号処理回路３０１は、高周波モジュール１００の構成要素ではなく、高周波モジュール１００を備える通信装置３００の構成要素である。高周波モジュール１００は、例えば、通信装置３００が備える信号処理回路３０１によって制御される。通信装置３００は、高周波モジュール１００と、信号処理回路３０１と、を備える。通信装置３００は、アンテナ３１０を更に備える。通信装置３００は、高周波モジュール１００が実装された回路基板を更に備える。回路基板は、例えば、プリント配線板である。回路基板は、グランド電位が与えられるグランド電極を有する。
【００１８】
信号処理回路３０１は、例えば、ＲＦ信号処理回路３０２と、ベースバンド信号処理回路３０３と、を含む。ＲＦ信号処理回路３０２は、例えば、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号に対する信号処理を行う。ＲＦ信号処理回路３０２は、例えば、ベースバンド信号処理回路３０３から出力された高周波信号（送信信号）に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を出力する。また、ＲＦ信号処理回路３０２は、例えば、高周波モジュール１００から出力された高周波信号（受信信号）に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号をベースバンド信号処理回路３０３へ出力する。ベースバンド信号処理回路３０３は、例えば、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）である。ベースバンド信号処理回路３０３は、ベースバンド信号からＩ相信号及びＱ相信号を生成する。ベースバンド信号は、例えば、外部から入力される音声信号、画像信号等である。ベースバンド信号処理回路３０３は、Ｉ相信号とＱ相信号とを合成することでＩＱ変調処理を行って、送信信号を出力する。この際、送信信号は、所定周波数の搬送波信号を、当該搬送波信号の周期よりも長い周期で振幅変調した変調信号（ＩＱ信号）として生成される。ベースバンド信号処理回路３０３で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のために、又は、音声信号として通話のために使用される。高周波モジュール１００は、アンテナ３１０と信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２との間で高周波信号（受信信号、送信信号）を伝達する。
【００１９】
高周波モジュール１００は、パワーアンプ１１１と、ローノイズアンプ１２１と、を備える。また、高周波モジュール１００は、複数（図示例では２つ）の送信フィルタ１１２Ａ，１１２Ｂと、複数（図示例では２つ）の受信フィルタ１２２Ａ，１２２Ｂと、を備える。また、高周波モジュール１００は、出力整合回路１１３と、入力整合回路１２３と、複数（図示例では２つ）の整合回路１１４，１２４と、を備える。また、高周波モジュール１００は、第１スイッチ１０４と、第２スイッチ１０５と、第３スイッチ１０６と、を備える。また、高周波モジュール１００は、デジタルチューナブルインダクタ１０７と、温度センサ１０８と、を備える。実施形態１に係る高周波モジュール１００では、受信フィルタ１２２Ａが、上述の弾性波フィルタ１を構成している。また、実施形態１に係る高周波モジュール１００では、デジタルチューナブルインダクタ１０７が、上述の補正回路１０を構成している。
【００２０】
また、高周波モジュール１００は、複数の外部接続端子８０を備える。複数の外部接続端子８０は、アンテナ端子８１と、信号入力端子８２と、信号出力端子８３と、複数のグランド端子８４（図３参照）と、を含む。複数のグランド端子８４は、通信装置３００が備える上述の回路基板のグランド電極と電気的に接続されてグランド電位が与えられる端子である。
【００２１】
パワーアンプ１１１は、送信信号用の信号経路Ｔ１に設けられている。パワーアンプ１１１は、入力端子及び出力端子を有する。パワーアンプ１１１は、入力端子に入力された第１周波数帯域の送信信号を増幅して出力端子に出力する。第１周波数帯域は、例えば、第１通信バンドと第２通信バンドとを含む。第１通信バンドは、送信フィルタ１１２Ａを通る送信信号に対応し、例えば、３ＧＰＰ  ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１１である。第２通信バンドは、送信フィルタ１１２Ｂを通る送信信号に対応し、例えば、３ＧＰＰ  ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２２である。
【００２２】
パワーアンプ１１１の入力端子は、信号入力端子８２に接続されている。パワーアンプ１１１の入力端子は、信号入力端子８２を介して信号処理回路３０１に接続される。信号入力端子８２は、外部回路（例えば、信号処理回路３０１）からの高周波信号（送信信号）を高周波モジュール１００に入力するための端子である。パワーアンプ１１１の出力端子は、出力整合回路１１３を介して第２スイッチ１０５の共通端子１５０に接続されている。パワーアンプ１１１は、例えば、信号処理回路３０１によって制御される。
【００２３】
ローノイズアンプ１２１は、受信信号用の信号経路Ｒ１に設けられている。ローノイズアンプ１２１は、入力端子及び出力端子を有する。ローノイズアンプ１２１は、入力端子に入力された第２周波数帯域の受信信号を増幅して出力端子から出力する。第２周波数帯域は、例えば、第１周波数帯域と同じであり、第１通信バンドと第２通信バンドとを含む。
【００２４】
ローノイズアンプ１２１の入力端子は、入力整合回路１２３を介して第３スイッチ１０６の共通端子１６０に接続されている。ローノイズアンプ１２１の出力端子は、信号出力端子８３に接続されている。ローノイズアンプ１２１の出力端子は、例えば、信号出力端子８３を介して信号処理回路３０１に接続される。信号出力端子８３は、ローノイズアンプ１２１からの高周波信号（受信信号）を外部回路（例えば、信号処理回路３０１）へ出力するための端子である。
【００２５】
送信フィルタ１１２Ａは、例えば、第１通信バンドの送信帯域を通過帯域とするフィルタである。送信フィルタ１１２Ｂは、例えば、第２通信バンドの送信帯域を通過帯域とするフィルタである。受信フィルタ１２２Ａは、例えば、第１通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。受信フィルタ１２２Ｂは、例えば、第２通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。実施形態１に係る高周波モジュール１００では、送信フィルタ１１２Ａと受信フィルタ１２２Ａとで第１デュプレクサが構成され、送信フィルタ１１２Ｂと受信フィルタ１２２Ｂとで第２デュプレクサが構成されている。
【００２６】
第１スイッチ１０４は、共通端子１４０と、複数（図示例では２つ）の選択端子１４１，１４２と、を有する。共通端子１４０は、アンテナ端子８１に接続されている。アンテナ端子８１には、アンテナ３１０が接続される。選択端子１４１は、送信フィルタ１１２Ａの出力端子、及び受信フィルタ１２２Ａの入力端子に接続されている。選択端子１４２は、送信フィルタ１１２Ｂの出力端子、及び受信フィルタ１２２Ｂの入力端子に接続されている。第１スイッチ１０４は、例えば、共通端子１４０に複数の選択端子１４１，１４２のうち少なくとも１つを接続可能なスイッチである。ここで、第１スイッチ１０４は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。
【００２７】
第１スイッチ１０４は、送信信号用の信号経路Ｔ１（Ｔ１１，Ｔ１２）と受信信号用の信号経路Ｒ１（Ｒ１１，Ｒ１２）との両方に設けられている。より詳細には、第１スイッチ１０４は、パワーアンプ１１１と出力整合回路１１３と第２スイッチ１０５と送信フィルタ１１２Ａと整合回路１１４とが設けられている送信信号用の信号経路Ｔ１１に設けられている。また、第１スイッチ１０４は、パワーアンプ１１１と出力整合回路１１３と第２スイッチ１０５と送信フィルタ１１２Ｂと整合回路１２４とが設けられている送信信号用の信号経路Ｔ１２に設けられている。また、第１スイッチ１０４は、整合回路１１４と受信フィルタ１２２Ａと第３スイッチ１０６と入力整合回路１２３とローノイズアンプ１２１とが設けられている受信信号用の信号経路Ｒ１１に設けられている。また、第１スイッチ１０４は、整合回路１２４と受信フィルタ１２２Ｂと第３スイッチ１０６と入力整合回路１２３とローノイズアンプ１２１とが設けられている受信信号用の信号経路Ｒ１２に設けられている。
【００２８】
第１スイッチ１０４は、例えば、信号処理回路３０１によって制御される。第１スイッチ１０４は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号に従って、共通端子１４０と複数の選択端子１４１，１４２との接続状態を切り替える。第１スイッチ１０４は、例えば、スイッチＩＣ（Integrated Circuit）である。
【００２９】
第２スイッチ１０５は、共通端子１５０と、複数（図示例では２つ）の選択端子１５１，１５２と、を有する。共通端子１５０は、出力整合回路１１３を介してパワーアンプ１１１の出力端子に接続されている。選択端子１５１は、送信フィルタ１１２Ａの入力端子に接続されている。選択端子１５２は、送信フィルタ１１２Ｂの入力端子に接続されている。第２スイッチ１０５は、例えば、共通端子１５０に複数の選択端子１５１，１５２のうち少なくとも１つを接続可能なスイッチである。ここで、第２スイッチ１０５は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。第２スイッチ１０５は、互いに通信バンドの異なる複数の送信信号用の信号経路Ｔ１１，Ｔ１２を切り替える機能を有するスイッチである。
【００３０】
第２スイッチ１０５は、例えば、信号処理回路３０１によって制御される。第２スイッチ１０５は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号に従って、共通端子１５０と複数の選択端子１５１，１５２との接続状態を切り替える。第２スイッチ１０５は、例えば、スイッチＩＣである。
【００３１】
第３スイッチ１０６は、共通端子１６０と、複数（図示例では２つ）の選択端子１６１，１６２と、を有する。共通端子１６０は、入力整合回路１２３を介してローノイズアンプ１２１の入力端子に接続されている。選択端子１６１は、受信フィルタ１２２Ａの出力端子に接続されている。選択端子１６２は、受信フィルタ１２２Ｂの出力端子に接続されている。第３スイッチ１０６は、例えば、共通端子１６０に複数の選択端子１６１，１６２のうち少なくとも１つを接続可能なスイッチである。ここで、第３スイッチ１０６は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。第３スイッチ１０６は、互いに通信バンドの異なる複数の受信信号用の信号経路Ｒ１１，Ｒ１２を切り替える機能を有するスイッチである。
【００３２】
第３スイッチ１０６は、例えば、信号処理回路３０１によって制御される。第３スイッチ１０６は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号に従って、共通端子１６０と複数の選択端子１６１，１６２との接続状態を切り替える。第３スイッチ１０６は、例えば、スイッチＩＣである。
【００３３】
出力整合回路１１３は、パワーアンプ１１１の出力端子と第２スイッチ１０５の共通端子１５０との間の信号経路に設けられている。出力整合回路１１３は、パワーアンプ１１１と送信フィルタ１１２Ａ，１１２Ｂとのインピーダンス整合をとるための回路である。出力整合回路１１３は、例えば、１つのインダクタで構成されるが、これに限らず、例えば、複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含む場合もある。
【００３４】
入力整合回路１２３は、ローノイズアンプ１２１の入力端子と第３スイッチ１０６の共通端子１６０との間の信号経路に設けられている。入力整合回路１２３は、ローノイズアンプ１２１と受信フィルタ１２２Ａ，１２２Ｂとのインピーダンス整合をとるための回路である。入力整合回路１２３は、例えば、１つのインダクタで構成されているが、これに限らず、例えば、複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含む場合もある。
【００３５】
整合回路１１４は、送信フィルタ１１２Ａの出力端子、及び受信フィルタ１２２Ａの入力端子と第１スイッチ１０４の選択端子１４１との間の信号経路に設けられている。整合回路１１４は、送信フィルタ１１２Ａ及び受信フィルタ１２２Ａと第１スイッチ１０４とのインピーダンス整合をとるための回路である。整合回路１１４は、例えば、１つのインダクタで構成されているが、これに限らず、例えば、複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含む場合もある。
【００３６】
整合回路１２４は、送信フィルタ１１２Ｂの出力端子、及び受信フィルタ１２２Ｂの入力端子と第１スイッチ１０４の選択端子１４２との間の信号経路に設けられている。整合回路１２４は、送信フィルタ１１２Ｂ及び受信フィルタ１２２Ｂと第１スイッチ１０４とのインピーダンス整合をとるための回路である。整合回路１２４は、例えば、１つのインダクタで構成されているが、これに限らず、例えば、複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含む場合もある。
【００３７】
デジタルチューナブルインダクタ１０７は、複数のインダクタと、複数のスイッチ（可変制御スイッチ）と、を含む。複数のインダクタと複数のスイッチとは一対一に対応している。複数のインダクタの各々は、複数のスイッチのうち対応するスイッチと直列に接続されている。すなわち、デジタルチューナブルインダクタ１０７は、インダクタとスイッチとが直列に接続された複数の直列回路を含む。実施形態１に係る高周波モジュール１００では、デジタルチューナブルインダクタ１０７は、複数のスイッチの各々をオン又はオフにすることによりインダクタンス値を変更することが可能となる。すなわち、実施形態１に係る高周波モジュール１００では、デジタルチューナブルインダクタ１０７が、弾性波フィルタ１に接続されている回路素子であり、デジタルチューナブルインダクタ１０７のインダクタンス値（パラメータ）を変更することにより、弾性波フィルタ１の通過帯域を補正することが可能となる。
【００３８】
温度センサ１０８は、図２Ｂに示すように、サーミスタＴｈ１を含む。サーミスタＴｈ１は、例えば、ＰＴＣ（Positive Temperature Coefficient）サーミスタである。サーミスタＴｈ１は、抵抗Ｒ２を介して電源に接続されている。温度センサ１０８は、サーミスタＴｈ１の両端電圧を検出することにより、対象温度を検出できるように構成されている。実施形態１に係る高周波モジュール１００では、図３に示すように、後述の第１電子部品１からなる弾性波フィルタ１が実装基板９の第１主面９１側に配置され、後述の第６電子部品６からなる温度センサ１０８が実装基板９の第２主面９２側に配置されている。そのため、実施形態１に係る高周波モジュール１００では、温度センサ１０８は、例えば、温度センサ１０８（図３の第６電子部品６）と共にチップ２０（図３参照）を構成するローノイズアンプ１２１（図３の第３電子部品３）の表面温度を計測する。温度センサ１０８の計測結果は、例えば、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２に入力される。ＲＦ信号処理回路３０２は、ローノイズアンプ１２１の表面温度に基づいて、弾性波フィルタ１の表面温度とローノイズアンプ１２１の表面温度との相関から、弾性波フィルタ１の表面温度を算出（推定）する。そして、ＲＦ信号処理回路３０２は、弾性波フィルタ１の表面温度に基づいて複数のスイッチのオン／オフを制御することにより、デジタルチューナブルインダクタ１０７のインダクタンス値を調整する。
【００３９】
（１．２）高周波モジュールの構造
次に、実施形態１に係る高周波モジュール１００の構造について、図２Ａ、図２Ｂ及び図３を参照して説明する。
【００４０】
実施形態１に係る高周波モジュール１００は、図３に示すように、実装基板９と、複数の電子部品と、複数の外部接続端子８０と、を備える。複数の電子部品は、第１電子部品１と、第２電子部品２と、第３電子部品３と、第４電子部品４と、第５電子部品５と、第６電子部品６と、第７電子部品７と、第８電子部品８と、を含む。第１電子部品１は、例えば、受信フィルタ１２２Ａである。第２電子部品２は、例えば、パワーアンプ１１１である。第３電子部品３は、例えば、ローノイズアンプ１２１である。第４電子部品４は、例えば、第１スイッチ１０４である。第５電子部品５は、例えば、出力整合回路１１３である。第６電子部品６は、例えば、温度センサ１０８である。第７電子部品７は、例えば、デジタルチューナブルインダクタ１０７の複数のスイッチである。第８電子部品８は、例えば、デジタルチューナブルインダクタ１０７の複数のインダクタである。
【００４１】
実装基板９は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において互いに対向する第１主面９１及び第２主面９２を有する。実装基板９は、例えば、複数の誘電体層及び複数の導電層を含む多層基板である。複数の誘電体層及び複数の導電層は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において積層されている。複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。複数の導電層の各々は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導電層の材料は、例えば、銅である。複数の導電層は、グランド層を含む。高周波モジュール１００では、複数のグランド端子８４とグランド層とが、実装基板９の有するビア導体等を介して電気的に接続されている。実装基板９は、例えば、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板である。実装基板９は、ＬＴＣＣ基板に限らず、例えば、プリント配線板、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）基板、又は樹脂多層基板であってもよい。
【００４２】
また、実装基板９は、ＬＴＣＣ基板に限らず、例えば、配線構造体であってもよい。配線構造体は、例えば、多層構造体である。多層構造体は、少なくとも１つの絶縁層と、少なくとも１つの導電層と、を含む。絶縁層は、所定パターンに形成されている。絶縁層が複数の場合は、複数の絶縁層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、絶縁層の所定パターンとは異なる所定パターンに形成されている。導電層が複数の場合は、複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、１つ又は複数の再配線部を含んでいてもよい。配線構造体では、多層構造体の厚さ方向において互いに対向する２つの面のうち第１面が実装基板９の第１主面９１であり、第２面が実装基板９の第２主面９２である。配線構造体は、例えば、インタポーザであってもよい。インタポーザは、シリコン基板を用いたインタポーザであってもよいし、多層で構成された基板であってもよい。
【００４３】
実装基板９の第１主面９１及び第２主面９２は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において離れており、実装基板９の厚さ方向Ｄ１に交差する。実装基板９における第１主面９１は、例えば、実装基板９の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板９における第２主面９２は、例えば、実装基板９の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として、導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板９の第１主面９１及び第２主面９２は、微細な凹凸、凹部又は凸部が形成されていてもよい。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、実装基板９は、長方形状であるが、これに限らず、例えば、正方形状であってもよい。
【００４４】
パワーアンプ１１１（第２電子部品２）は、例えば、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する基板と、この基板の第１主面側に形成されたトランジスタを有する回路部（ＩＣ部）と、を含むＩＣチップである。基板は、例えば、ガリウム砒素基板である。回路部は、パワーアンプ１１１の入力端子に入力された送信信号を増幅する機能を有する。トランジスタは、例えば、ＨＢＴ（Heterojunction Bipolar Transistor）である。パワーアンプ１１１は、例えば、直流カット用のキャパシタを含んでいてもよい。パワーアンプ１１１を含むＩＣチップは、例えば、基板の第１主面及び第２主面のうち第１主面が実装基板９の第１主面９１側となるように実装基板９の第１主面９１にフリップチップ実装されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、パワーアンプ１１１を含むＩＣチップの外周形状は、四角形状である。パワーアンプ１１１を含むＩＣチップにおける基板は、ガリウム砒素基板に限らず、シリコン基板、シリコンゲルマニウム基板、又は窒化ガリウム基板等であってもよい。また、トランジスタは、ＨＢＴ等のバイポーラトランジスタに限らず、例えば、ＦＥＴ（Field Effect Transistor）であってもよい。ＦＥＴは、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）である。
【００４５】
ローノイズアンプ１２１（第３電子部品３）は、例えば、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する基板と、この基板の第１主面側に形成された回路部（ＩＣ部）と、を含むＩＣチップである。基板は、例えば、シリコン基板である。回路部は、ローノイズアンプ１２１の入力端子に入力された受信信号を増幅する機能を有する。ローノイズアンプ１２１は、例えば、基板の第１主面及び第２主面のうち第１主面が実装基板９の第２主面９２側となるように実装基板９の第２主面９２にフリップチップ実装されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、ローノイズアンプ１２１の外周形状は、四角形状である。
【００４６】
複数の送信フィルタ１１２Ａ，１１２Ｂ及び複数の受信フィルタ１２２Ａ，１２２Ｂの各々は、例えば、ラダー型フィルタである。ここでは、複数の送信フィルタ１１２Ａ，１１２Ｂ及び複数の受信フィルタ１２２Ａ，１２２Ｂのうち、受信フィルタ１２２Ａについて図２Ａ及び図２Ｂを参照して説明するが、残りの送信フィルタ１１２Ａ，１１２Ｂ及び受信フィルタ１２２Ｂについても同様である。
【００４７】
受信フィルタ１２２Ａは、図２Ａに示すように、複数（図示例では５つ）の直列腕共振子ｓ１〜ｓ５と、複数（図示例では４つ）の並列腕共振子ｐ１〜ｐ４と、を有する。複数の直列腕共振子ｓ１〜ｓ５は、受信フィルタ１２２Ａの入力端子と出力端子との間において互いに直列に接続されている。並列腕共振子ｐ１は、上述のデジタルチューナブルインダクタ１０７と直列に接続されており、デジタルチューナブルインダクタ１０７と共に、２つの直列腕共振子ｓ１，ｓ２間のノードｎ１とグランドとの間に接続されている。並列腕共振子ｐ２は、２つの直列腕共振子ｓ２，ｓ３間のノードｎ２とグランドとの間に接続されている。並列腕共振子ｐ３は、２つの直列腕共振子ｓ３，ｓ４間のノードｎ３とグランドとの間に接続されている。並列腕共振子ｐ４は、２つの直列腕共振子ｓ４，ｓ５間のノードｎ４とグランドとの間に接続されている。
【００４８】
受信フィルタ１２２Ａは、例えば、弾性波フィルタ（以下、「弾性波フィルタ１」ともいう）である。弾性波フィルタ１は、複数の直列腕共振子ｓ１〜ｓ５及び複数の並列腕共振子ｐ１〜ｐ４の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波フィルタ１は、例えば、弾性表面波を利用する表面弾性波フィルタである。実施形態１に係る高周波モジュール１００では、送信フィルタ１１２Ａ，１１２Ｂ及び受信フィルタ１２２Ｂの各々も弾性波フィルタである。
【００４９】
表面弾性波フィルタでは、複数の直列腕共振子ｓ１〜ｓ５及び複数の並列腕共振子ｐ１〜ｐ４の各々は、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子である。
【００５０】
表面弾性波フィルタは、例えば、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する基板と、この基板の第１主面側に形成されている回路部と、を含む。基板は、圧電基板である。圧電基板は、例えば、リチウムタンタレート基板であるが、リチウムニオベイト基板であってもよい。回路部は、複数の直列腕共振子ｓ１〜ｓ５に一対一に対応する複数のＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極と、複数の並列腕共振子ｐ１〜ｐ４に一対一に対応する複数のＩＤＴ電極と、を有している。
【００５１】
複数の送信フィルタ１１２Ａ，１１２Ｂ及び複数の受信フィルタ１２２Ａ，１２２Ｂの各々は、例えば、ベアチップの弾性波フィルタである。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、複数の送信フィルタ１１２Ａ，１１２Ｂ及び複数の受信フィルタ１２２Ａ，１２２Ｂの各々の外周形状は、四角形状である。複数の送信フィルタ１１２Ａ，１１２Ｂ及び複数の受信フィルタ１２２Ａ，１２２Ｂの各々は、例えば、基板の第１主面と第２主面とのうち第１主面が実装基板９側となるように実装基板９の第１主面９１にフリップチップ実装されている。
【００５２】
第１スイッチ１０４（第４電子部品４）、第２スイッチ１０５及び第３スイッチ１０６の各々は、スイッチＩＣである。より詳細には、第１スイッチ１０４、第２スイッチ１０５及び第３スイッチ１０６の各々は、例えば、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する基板と、この基板の第１主面側に形成されたＦＥＴ（Field Effect Transistor）を有する回路部（ＩＣ部）と、を含むＩＣチップである。基板は、例えば、シリコン基板である。回路部は、共通端子と複数の選択端子との接続状態を切り替える機能を有する機能部である。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１スイッチ１０４、第２スイッチ１０５及び第３スイッチ１０６の各々を構成するＩＣチップの外周形状は、四角形状である。第１スイッチ１０４は、例えば、基板の第１主面及び第２主面のうち第１主面が実装基板９の第２主面９２側となるように実装基板９の第２主面９２にフリップチップ実装されている。また、第２スイッチ１０５及び第３スイッチ１０６の各々は、例えば、基板の第１主面及び第２主面のうち第１主面が実装基板９の第１主面９１側となるように実装基板９の第１主面９１にフリップチップ実装されている。
【００５３】
出力整合回路１１３（第５電子部品５）におけるインダクタは、例えば、チップインダクタである。出力整合回路１１３におけるインダクタは、例えば、実装基板９の第１主面９１側に配置されているが、これに限らない。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、インダクタの外周形状は、四角形状である。
【００５４】
入力整合回路１２３におけるインダクタは、例えば、チップインダクタである。入力整合回路１２３におけるインダクタは、例えば、実装基板９の第１主面９１側に配置されているが、これに限らない。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、インダクタの外周形状は、四角形状である。
【００５５】
複数の外部接続端子８０は、実装基板９の第２主面９２に配置されている。複数の外部接続端子８０の各々は、柱状（例えば、円柱状）の端子である。複数の外部接続端子８０の材料は、金属（例えば、銅、又は銅合金）である。
【００５６】
複数の外部接続端子８０は、上述のアンテナ端子８１、信号入力端子８２及び信号出力端子８３以外に複数のグランド端子８４を含む。複数のグランド端子８４は、上述したように、実装基板９のグランド層と電気的に接続されている。グランド層は、高周波モジュール１００の回路グランドである。
【００５７】
実施形態１に係る高周波モジュール１００では、図３に示すように、少なくとも第１電子部品１、第２電子部品２、第５電子部品５及び第８電子部品８が実装基板９の第１主面９１側に配置されている。また、実施形態１に係る高周波モジュール１００では、少なくとも第３電子部品３、第４電子部品４、第６電子部品６及び第７電子部品７が実装基板９の第２主面９２側に配置されている。さらに、実施形態１に係る高周波モジュール１００では、第３電子部品３と第４電子部品４と第６電子部品６と第７電子部品７とが１つのチップ２０で構成されている。すなわち、実施形態１に係る高周波モジュール１００では、第３電子部品３からなるローノイズアンプ１２１と第６電子部品６からなる温度センサ１０８とが１つのチップ２０で構成されている。また、実施形態１に係る高周波モジュール１００では、第３電子部品３からなるローノイズアンプ１２１と第４電子部品４からなる第１スイッチ（スイッチ）１０４とが１つのチップ２０で構成されている。これにより、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視での実装基板９の面積を小さくすることが可能となる。
【００５８】
さらに、実施形態１に係る高周波モジュール１００では、デジタルチューナブルインダクタ１０７を構成する複数のスイッチ及び複数のインダクタのうち、第７電子部品７からなる複数のスイッチと第８電子部品８からなる複数のインダクタとが別体である。そして、実施形態１に係る高周波モジュール１００では、複数のインダクタが実装基板９の第１主面９１側に配置され、複数のスイッチが実装基板９の第２主面９２側に配置されている。
【００５９】
また、実施形態１に係る高周波モジュール１００では、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１電子部品１からなる弾性波フィルタ１の一部と第６電子部品６からなる温度センサ１０８の一部とが重なっている。さらに、実施形態１に係る高周波モジュール１００では、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１電子部品１からなる弾性波フィルタ１の一部と第４電子部品４からなる第１スイッチ１０４の全部とが重なっている。これにより、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視での実装基板９の面積を小さくすることが可能となる。
【００６０】
また、実施形態１に係る高周波モジュール１００では、第２電子部品２からなるパワーアンプ１１１は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第６電子部品６からなる温度センサ１０８及び第４電子部品４からなる第１スイッチ１０４と重なっていない。これにより、実装基板９におけるパワーアンプ１１１との対向領域にグランド電極を配置することが可能となる。
【００６１】
（２）高周波モジュールの特性
次に、実施形態１に係る高周波モジュール１００の特性について説明する。
【００６２】
実施形態１に係る高周波モジュール１００では、上述したように、受信フィルタ１２２Ａは弾性波フィルタ１である。弾性波フィルタ１は、弾性波フィルタ１の表面温度（周囲温度）に応じて通過帯域が変化する特性を有している。具体的には、弾性波フィルタ１は、弾性波フィルタ１の表面温度が高くなるにつれて、通過帯域が低周波数側に変化（シフト）する。したがって、高温環境下では、所望の周波数帯域の高周波信号を弾性波フィルタ１により遮断してしまう可能性がある。
【００６３】
実施形態１に係る高周波モジュール１００は、上述したように、補正回路１０としてのデジタルチューナブルインダクタ１０７と、温度センサ１０８と、を備えている。そして、温度センサ１０８により計測された温度に応じて、デジタルチューナブルインダクタ１０７のインダクタンス値を調整することにより、温度上昇によって低周波数側にシフトした通過帯域を高周波数側にシフトすることが可能となる。すなわち、実施形態１に係る高周波モジュール１００によれば、弾性波フィルタ１の表面温度が高くなることによって弾性波フィルタ１の通過帯域が低周波数側にシフトするような場合でも、弾性波フィルタ１の通過帯域を所望の周波数帯域に近づけることが可能となる。これにより、温度変化に伴う通過帯域のシフト量が大きい安価な弾性波フィルタを用いることが可能となり、安価な高周波モジュール１００を実現することが可能となる。また、温度変化に伴う通過帯域のシフト量が小さい弾性波フィルタを用いた場合には、複数のＢａｎｄに対応する複数の弾性波フィルタを１つのチップで構成することが可能となり、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視での実装基板９の面積を小さくすることが可能となる。
【００６４】
ところで、弾性波フィルタ１の表面温度を計測するためには、弾性波フィルタ１と温度センサ１０８とが実装基板９の同一主面（第１主面９１又は第２主面９２）において隣接して配置されていることが好ましい。しかしながら、この場合には、弾性波フィルタ１を通過する高周波信号（ここでは、受信信号）が温度センサ１０８の信号経路に入り込む可能性がある。言い換えると、弾性波フィルタ１と温度センサ１０８とのアイソレーションが劣化する可能性がある。そのため、実施形態１に係る高周波モジュール１００では、弾性波フィルタ１と温度センサ１０８とのアイソレーションの劣化を抑制することが可能となるように、実装基板９の第１主面９１側に弾性波フィルタ１を配置し、実装基板９の第２主面９２側に温度センサ１０８を配置している。その結果、弾性波フィルタ１と温度センサ１０８とのアイソレーションの劣化を抑制することが可能となる。
【００６５】
（３）まとめ
（３．１）高周波モジュール
実施形態１に係る高周波モジュール１００は、実装基板９と、弾性波フィルタ１と、温度センサ１０８と、補正回路１０と、を備える。実装基板９は、互いに対向する第１主面９１及び第２主面９２を有する。弾性波フィルタ１は、第１主面９１側に配置されている。温度センサ１０８は、第２主面９２側に配置されている。補正回路１０は、温度センサ１０８で計測された温度に応じて、弾性波フィルタ１の通過帯域を補正する。
【００６６】
実施形態１に係る高周波モジュール１００では、上述したように、弾性波フィルタ１が実装基板９の第１主面９１側に配置され、温度センサ１０８が実装基板９の第２主面９２側に配置されている。そのため、例えば、弾性波フィルタ１と温度センサ１０８とが実装基板９の同一主面（第１主面９１又は第２主面９２）において隣接して配置されている場合に比べて、弾性波フィルタ１と温度センサ１０８との間のアイソレーションの劣化を抑制することが可能となる。これにより、弾性波フィルタ１を通過する高周波信号が、温度センサ１０８の経路に入り込むことを抑制することが可能となる。
【００６７】
また、実施形態１に係る高周波モジュール１００では、温度センサ１０８の計測結果に応じて、弾性波フィルタ１に接続されている回路素子（ここでは、デジタルチューナブルインダクタ１０７）のパラメータ（インダクタンス値）を調整することにより、弾性波フィルタ１の通過帯域を補正することが可能となる。
【００６８】
（３．２）通信装置
実施形態１に係る通信装置３００は、上述した高周波モジュール１００と、信号処理回路３０１と、を備える。信号処理回路３０１は、高周波モジュール１００に接続されており、高周波信号を処理する。
【００６９】
実施形態１に係る通信装置３００は、高周波モジュール１００を備えるので、弾性波フィルタ１と温度センサ１０８とのアイソレーションの劣化を抑制することが可能となる。また、温度センサ１０８の計測結果に応じて、弾性波フィルタ１の通過帯域を補正することも可能となる。
【００７０】
（４）変形例
以下、実施形態１の変形例を列挙する。以下に説明する変形例は、適宜組み合わせて適用可能である。
【００７１】
（４．１）変形例１
実施形態１の変形例１に係る高周波モジュール１００について、図４を参照して説明する。変形例１に係る高周波モジュール１００に関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００７２】
変形例１に係る高周波モジュール１００では、複数の外部接続端子８０ａが球状に形成されている点で、実施形態１に係る高周波モジュール１００と相違する。
【００７３】
複数の外部接続端子８０ａの各々は、図４に示すように、例えば、球状に形成されているボールバンプである。ボールバンプの材料は、例えば、金、銅、又ははんだである。
【００７４】
なお、変形例１に係る高周波モジュール１００において、例えば、複数の外部接続端子８０ａの一部が柱状の端子で、複数の外部接続端子８０ａの残りが球状の端子であってもよい。すなわち、変形例１に係る高周波モジュール１００において、複数の外部接続端子８０ａとして、柱状の端子と球状の端子とを組み合わせてもよい。
【００７５】
（４．２）変形例２
実施形態１の変形例２に係る高周波モジュール１００ａについて、図５を参照して説明する。変形例２に係る高周波モジュール１００ａに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００７６】
変形例２に係る高周波モジュール１００ａでは、第３電子部品３と第６電子部品６と第７電子部品７とが１つのチップ２０ａで構成されている点、つまり第４電子部品４がチップ２０ａに含まれていない点で、実施形態１に係る高周波モジュール１００と相違する。
【００７７】
第３電子部品３は、例えば、ローノイズアンプ１２１である。第６電子部品６は、例えば、温度センサ１０８である。第７電子部品７は、例えば、デジタルチューナブルインダクタ１０７の複数のスイッチである。すなわち、変形例２に係る高周波モジュール１００ａでは、ローノイズアンプ１２１と温度センサ１０８と複数のスイッチとが１つのチップ２０ａで構成されている。
【００７８】
変形例２に係る高周波モジュール１００ａにおいても、弾性波フィルタ１（第１電子部品１）が実装基板９の第１主面９１側に配置され、温度センサ１０８（第６電子部品６）が実装基板９の第２主面９２側に配置されている。したがって、変形例２に係る高周波モジュール１００ａにおいても、弾性波フィルタ１と温度センサ１０８とのアイソレーションの劣化を抑制することが可能となる。
【００７９】
また、変形例２に係る高周波モジュール１００ａにおいても、デジタルチューナブルインダクタ１０７のインダクタンス値を調整することにより、弾性波フィルタ１の通過帯域を補正することが可能となる。
【００８０】
（４．３）変形例３
実施形態１の変形例３に係る高周波モジュール１００ｂについて、図６を参照して説明する。変形例３に係る高周波モジュール１００ｂに関し、変形例２に係る高周波モジュール１００ａと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００８１】
変形例３に係る高周波モジュール１００ｂでは、第８電子部品８が実装基板９に内装されている点で、変形例２に係る高周波モジュール１００ａと相違する。
【００８２】
第８電子部品８は、例えば、デジタルチューナブルインダクタ１０７の複数のインダクタである。第８電子部品８は、図６に示すように、実装基板９に内装されている。この場合において、第８電子部品８は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において、第１主面９１よりも第２主面９２側に配置されていてもよいし、第２主面９２よりも第１主面９１側に配置されていてもよい。
【００８３】
変形例３に係る高周波モジュール１００ｂにおいても、弾性波フィルタ１（第１電子部品１）が実装基板９の第１主面９１側に配置され、温度センサ１０８（第６電子部品６）が実装基板９の第２主面９２側に配置されている。したがって、変形例３に係る高周波モジュール１００ｂにおいても、弾性波フィルタ１と温度センサ１０８とのアイソレーションの劣化を抑制することが可能となる。
【００８４】
また、変形例３に係る高周波モジュール１００ｂにおいても、デジタルチューナブルインダクタ１０７のインダクタンス値を調整することにより、弾性波フィルタ１の通過帯域を補正することが可能となる。
【００８５】
（４．４）その他の変形例
実施形態１に係る高周波モジュール１００では、補正回路１０としてのデジタルチューナブルインダクタ１０７が、並列腕共振子ｐ１とグランドとの間に接続されているが、デジタルチューナブルインダクタ１０７は、例えば、並列腕共振子ｐ２，ｐ３，ｐ４のいずれかとグランドとの間に接続されていてもよい。また、デジタルチューナブルインダクタ１０７は、複数の並列腕共振子ｐ１〜ｐ４のうち２つ以上の並列腕共振子とグランドとの間に接続されていてもよい。例えば、デジタルチューナブルインダクタ１０７は、並列腕共振子ｐ１とグランドとの間、及び並列腕共振子ｐ２とグランドとの間にそれぞれ接続されていてもよい。
【００８６】
実施形態１に係る高周波モジュール１００では、直列腕共振子が５つで、並列腕共振子が４つであるが、直列腕共振子及び並列腕共振子の各々は１つ以上であればよい。
【００８７】
実施形態１に係る高周波モジュール１００では、温度センサ１０８を構成するサーミスタＴｈ１がＰＴＣサーミスタであるが、サーミスタＴｈ１は、例えば、ＮＴＣ（Negative Temperature Coefficient）サーミスタであってもよいし、ＣＴＲ（Critical Temperature Resistor）サーミスタであってもよい。さらに、温度センサ１０８は、サーミスタＴｈ１に限らず、例えば、サーモパイル及び熱電対のいずれかであってもよいし、サーミスタＴｈ１、サーモパイル及び熱電対のうち２つ以上を組み合わせてもよい。
【００８８】
実施形態１に係る高周波モジュール１００では、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、弾性波フィルタ１（第１電子部品１）の一部と温度センサ１０８（第６電子部品６）の一部とが重なっているが、これに限らない。例えば、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、弾性波フィルタ１の全部と温度センサ１０８の全部とが重なっていてもよいし、弾性波フィルタ１の全部と温度センサ１０８の一部とが重なっていてもよいし、弾性波フィルタ１の一部と温度センサ１０８の全部とが重なっていてもよい。
【００８９】
実施形態１に係る高周波モジュール１００では、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、弾性波フィルタ１（第１電子部品１）の一部と第１スイッチ１０４（第４電子部品４）の全部とが重なっているが、これに限らない。例えば、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、弾性波フィルタ１の全部と第１スイッチ１０４の全部とが重なっていてもよいし、弾性波フィルタ１の全部と第１スイッチ１０４の一部とが重なっていてもよいし、弾性波フィルタ１の一部と第１スイッチ１０４の一部とが重なっていてもよい。
【００９０】
実施形態１に係る高周波モジュール１００では、温度センサ１０８は、温度センサ１０８と共にチップ２０を構成するローノイズアンプ１２１の表面温度を計測しているが、他の回路素子の表面温度を計測してもよい。例えば、温度センサ１０８は、温度センサ１０８と共にチップ２０を構成する第１スイッチ１０４の表面温度を計測してもよい。また、実施形態１に係る高周波モジュール１００では、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２が、温度センサ１０８の計測結果に基づいてデジタルチューナブルインダクタ１０７のインダクタンス値を調整しているが、この機能を温度センサ１０８が有していてもよい。すなわち、温度センサ１０８は、計測結果に基づいてデジタルチューナブルインダクタ１０７のインダクタンス値を調整してもよい。
【００９１】
弾性波フィルタ１は、第１基板と、低音速膜と、圧電体層と、複数のＩＤＴ電極と、複数のパッド電極と、を有する弾性波フィルタであってもよい。低音速膜は、第１基板の第１主面上に設けられている。圧電体層は、低音速膜上に設けられている。複数のＩＤＴ電極は、圧電体層上に設けられている。複数のパッド電極は、第１基板の第１主面上に設けられている。弾性波フィルタ１は、その厚さ方向からの平面視で、長方形状であるが、これに限らず、例えば、正方形状であってもよい。
【００９２】
低音速膜は、弾性波フィルタ１の厚さ方向からの平面視で、第１基板の外周から離れて位置している。弾性波フィルタ１は、絶縁層を更に有する。絶縁層は、第１基板の第１主面のうち低音速膜に覆われていない領域を覆っている。絶縁層は、電気絶縁性を有する。絶縁層は、第１基板の第１主面上において第１基板の外周に沿って形成されている。絶縁層は、複数のＩＤＴ電極を囲んでいる。弾性波フィルタ１の厚さ方向からの平面視で、絶縁層は、枠形状（例えば、矩形枠状）である。絶縁層の一部は、弾性波フィルタ１の厚さ方向において圧電体層の外周部に重なっている。圧電体層の外周面及び低音速膜の外周面は、絶縁層により覆われている。絶縁層の材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド等である。
【００９３】
複数のパッド電極は、絶縁層を介して第１基板の第１主面上に設けられている。
【００９４】
圧電体層の材料は、例えば、リチウムニオベイト又はリチウムタンタレートである。低音速膜の材料は、例えば、酸化ケイ素である。低音速膜では、圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも、低音速膜を伝搬するバルク波の音速が低速である。低音速膜の材料は、酸化ケイ素に限定されず、例えば、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素、炭素、若しくはホウ素を加えた化合物、又は、上記各材料を主成分とする材料であってもよい。
【００９５】
第１基板は、例えば、シリコン基板である。第１基板では、圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも、第１基板を伝搬するバルク波の音速が高速である。ここにおいて、第１基板を伝搬するバルク波は、第１基板を伝搬する複数のバルク波のうち最も低音速なバルク波である。
【００９６】
圧電体層の厚さは、例えば、ＩＤＴ電極の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。低音速膜の厚さは、例えば、２．０λ以下である。
【００９７】
弾性波フィルタ１は、第１基板と低音速膜との間に設けられている高音速膜を更に有していてもよい。高音速膜では、圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも、高音速膜を伝搬するバルク波の音速が高速である。高音速膜の材料は、例えば、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、圧電体（リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、又は水晶）、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料である。高音速膜の材料は、上述したいずれかの材料を主成分とする材料、又は、上述したいずれかの材料を含む混合物を主成分とする材料であってもよい。
【００９８】
弾性波フィルタ１は、例えば、低音速膜と圧電体層との間に介在する密着層を含んでいてもよい。密着層は、例えば、樹脂（エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂）からなる。また、弾性波フィルタ１は、低音速膜と圧電体層との間、圧電体層上、又は低音速膜下のいずれかに誘電体膜を備えていてもよい。
【００９９】
（実施形態２）
実施形態２に係る高周波モジュール１００ｃ及び通信装置３００ｃについて、図７〜図１２を参照して説明する。実施形態２に係る高周波モジュール１００ｃに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【０１００】
実施形態２に係る高周波モジュール１００ｃでは、第１スイッチ１０４と第１デュプレクサ（送信フィルタ１１２Ａ及び受信フィルタ１２２Ａ）との間に接続されている整合回路１１４ｃが補正回路１０ｃである点で、実施形態１に係る高周波モジュール１００と相違する。
【０１０１】
（１）高周波モジュール及び通信装置
（１．１）高周波モジュール及び通信装置の回路構成
まず、実施形態２に係る高周波モジュール１００ｃ及び通信装置３００ｃの回路構成について、図７を参照して説明する。
【０１０２】
通信装置３００ｃは、高周波モジュール１００ｃと、信号処理回路３０１と、を備える。信号処理回路３０１は、ＲＦ信号処理回路３０２と、ベースバンド信号処理回路３０３と、を含む。
【０１０３】
高周波モジュール１００ｃは、パワーアンプ１１１と、ローノイズアンプ１２１と、を備える。また、高周波モジュール１００ｃは、複数（図示例では２つ）の送信フィルタ１１２Ａ，１１２Ｂと、複数（図示例では２つ）の受信フィルタ１２２Ａ，１２２Ｂと、を備える。また、高周波モジュール１００ｃは、出力整合回路１１３と、入力整合回路１２３と、複数（図示例では２つ）の整合回路１１４ｃ，１２４と、を備える。また、高周波モジュール１００ｃは、第１スイッチ１０４と、第２スイッチ１０５と、第３スイッチ１０６と、を備える。また、高周波モジュール１００ｃは、デジタルチューナブルインダクタ１０７と、温度センサ１０８と、を備える。
【０１０４】
また、高周波モジュール１００ｃは、複数の外部接続端子８０を備える。複数の外部接続端子８０は、アンテナ端子８１と、信号入力端子８２と、信号出力端子８３と、複数のグランド端子８４（図８参照）と、を含む。複数のグランド端子８４は、通信装置３００が備える上述の回路基板のグランド電極と電気的に接続されてグランド電位が与えられる端子である。
【０１０５】
整合回路１１４ｃは、図７に示すように、デジタルチューナブルキャパシタ（ＤＴＣ）１０９を含む。デジタルチューナブルキャパシタ１０９は、静電容量を調整可能な素子である。デジタルチューナブルキャパシタ１０９の静電容量を調整することにより、例えば、送信フィルタ１１２Ａの通過帯域を補正することが可能となる。実施形態２に係る高周波モジュール１００ｃでは、送信フィルタ１１２Ａが弾性波フィルタ１である。また、実施形態２に係る高周波モジュール１００ｃでは、整合回路１１４ｃが補正回路１０ｃである。
【０１０６】
（１．２）高周波モジュールの構造
次に、実施形態２に係る高周波モジュール１００ｃの構造について、図８を参照して説明する。
【０１０７】
実施形態２に係る高周波モジュール１００ｃは、図８に示すように、実装基板９と、複数の電子部品と、複数の外部接続端子８０と、を備える。複数の電子部品は、第１電子部品１と、第２電子部品２と、第３電子部品３と、第４電子部品４と、第５電子部品５と、第６電子部品６と、第１１電子部品１１と、を含む。第１電子部品１は、例えば、送信フィルタ１１２Ａである。第２電子部品２は、例えば、パワーアンプ１１１である。第３電子部品３は、例えば、ローノイズアンプ１２１である。第４電子部品４は、例えば、第１スイッチ１０４である。第５電子部品５は、例えば、出力整合回路１１３である。第６電子部品６は、例えば、温度センサ１０８である。第１１電子部品１１は、例えば、整合回路１１４ｃである。第１１電子部品１１は、少なくともデジタルチューナブルキャパシタ１０９を含んでいればよく、整合回路１１４ｃの一部を含んでいてもよいし、整合回路１１４ｃの全てを含んでいてもよい。
【０１０８】
実施形態２に係る高周波モジュール１００ｃでは、少なくとも第１電子部品１、第２電子部品２、第５電子部品５及び第１１電子部品１１が実装基板９の第１主面９１側に配置されている。また、実施形態２に係る高周波モジュール１００ｃでは、少なくとも第３電子部品３、第４電子部品４及び第６電子部品６が実装基板９の第２主面９２側に配置されている。また、実施形態２に係る高周波モジュール１００ｃでは、第３電子部品３、第４電子部品４及び第６電子部品６が１つのチップ２０ｃで構成されている。すなわち、実施形態２に係る高周波モジュール１００ｃでは、温度センサ１０８とローノイズアンプ１２１とが１つのチップ２０ｃで構成されている。
【０１０９】
実施形態２に係る高周波モジュール１００ｃでは、第２電子部品２は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、チップ２０ｃと重なっていない。すなわち、パワーアンプ１１１は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で温度センサ１０８及び第１スイッチ１０４と重なっていない。これにより、実装基板９におけるパワーアンプ１１１との対向領域にグランド電極を配置することが可能となる。
【０１１０】
また、実施形態２に係る高周波モジュール１００ｃでは、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、弾性波フィルタ１（第１電子部品１）の一部と第１スイッチ１０４（第４電子部品４）の全部とが重なっている。これにより、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視での実装基板９の面積を小さくすることが可能となる。
【０１１１】
（２）高周波モジュールの特性
次に、実施形態２に係る高周波モジュール１００ｃの特性について説明する。
【０１１２】
実施形態２に係る高周波モジュール１００ｃでは、上述したように、送信フィルタ１１２Ａが弾性波フィルタ１である。弾性波フィルタ１は、上述したように、弾性波フィルタ１の表面温度が高くなるにつれて、通過帯域が低周波数側にシフトするため、所望の周波数帯域の高周波信号を弾性波フィルタ１により遮断してしまう可能性がある。
【０１１３】
実施形態２に係る高周波モジュール１００ｃは、上述したように、補正回路１０ｃとしてのデジタルチューナブルキャパシタ１０９と、温度センサ１０８と、を備えている。そして、温度センサ１０８により計測された温度に応じて、デジタルチューナブルキャパシタ１０９の静電容量を調整することにより、温度上昇によって低周波数側にシフトした通過帯域を高周波数側にシフトすることが可能となる。すなわち、実施形態２に係る高周波モジュール１００ｃによれば、弾性波フィルタ１の表面温度が高くなることによって弾性波フィルタ１の通過帯域が低周波数側にシフトするような場合でも、弾性波フィルタ１の通過帯域を所望の周波数帯域に近づけることが可能となる。これにより、温度変化に伴う通過帯域のシフト量が大きい安価な弾性波フィルタを用いることが可能となり、安価な高周波モジュール１００ｃを実現することが可能となる。また、温度変化に伴う通過帯域のシフト量が小さい弾性波フィルタを用いた場合には、複数のＢａｎｄに対応する複数の弾性波フィルタを１つのチップで構成することが可能となり、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視での実装基板９の面積を小さくすることが可能となる。
【０１１４】
（３）まとめ
実施形態２に係る高周波モジュール１００ｃでは、第１電子部品１が実装基板９の第１主面９１側に配置され、第６電子部品６が実装基板９の第２主面９２側に配置されている。すなわち、実施形態２に係る高周波モジュール１００ｃでは、弾性波フィルタ１が実装基板９の第１主面９１側に配置され、温度センサ１０８が実装基板９の第２主面９２側に配置されている。そのため、例えば、弾性波フィルタ１と温度センサ１０８とが実装基板９の同一主面（第１主面９１又は第２主面９２）において隣接して配置されている場合に比べて、弾性波フィルタ１と温度センサ１０８との間のアイソレーションの劣化を抑制することが可能となる。これにより、弾性波フィルタ１を通過する高周波信号が温度センサ１０８の経路に入り込むことを抑制することが可能となる。
【０１１５】
また、実施形態２に係る高周波モジュール１００ｃでは、温度センサ１０８の計測結果に応じて、弾性波フィルタ１に接続されている回路素子（ここでは、デジタルチューナブルキャパシタ１０９）のパラメータ（静電容量）を調整することにより、弾性波フィルタ１の通過帯域を補正することが可能となる。
【０１１６】
さらに、実施形態２に係る通信装置３００ｃは、高周波モジュール１００を備えるので、弾性波フィルタ１と温度センサ１０８とのアイソレーションの劣化を抑制することが可能となる。また、温度センサ１０８の計測結果に応じて、弾性波フィルタ１の通過帯域を補正することも可能となる。
【０１１７】
（４）変形例
以下、実施形態２の変形例を列挙する。以下に説明する変形例は、適宜組み合わせて適用可能である。
【０１１８】
（４．１）変形例１
実施形態２の変形例１に係る高周波モジュール１００ｄについて、図９を参照して説明する。変形例１に係る高周波モジュール１００ｄに関し、実施形態２に係る高周波モジュール１００ｃと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【０１１９】
変形例１に係る高周波モジュール１００ｄでは、第３電子部品３と第６電子部品６と第１１電子部品１１とが１つのチップ２０ｄで構成されている点で、実施形態２に係る高周波モジュール１００ｃと相違する。
【０１２０】
第３電子部品３は、例えば、ローノイズアンプ１２１である。第６電子部品６は、例えば、温度センサ１０８である。第１１電子部品１１は、例えば、整合回路１１４ｃである。すなわち、変形例１に係る高周波モジュール１００ｄでは、ローノイズアンプ１２１と温度センサ１０８と整合回路１１４ｃとが１つのチップ２０ｄで構成されている。なお、整合回路１１４ｃについては、少なくともデジタルチューナブルキャパシタ１０９がチップ２０ｄに含まれていればよく、整合回路１１４ｃの一部がチップ２０ｄに含まれていてもよいし、整合回路１１４ｃの全てがチップ２０ｄに含まれていてもよい。
【０１２１】
変形例１に係る高周波モジュール１００ｄにおいても、弾性波フィルタ１（第１電子部品１）が実装基板９の第１主面９１側に配置され、温度センサ１０８（第６電子部品６）が実装基板９の第２主面９２側に配置されている。したがって、変形例１に係る高周波モジュール１００ｄにおいても、弾性波フィルタ１と温度センサ１０８とのアイソレーションの劣化を抑制することが可能となる。
【０１２２】
また、変形例１に係る高周波モジュール１００ｄにおいても、デジタルチューナブルキャパシタ１０９の静電容量を調整することにより、弾性波フィルタ１の通過帯域を補正することが可能となる。
【０１２３】
（４．２）変形例２
実施形態２の変形例２に係る高周波モジュール１００ｅについて、図１０を参照して説明する。変形例２に係る高周波モジュール１００ｅに関し、実施形態２に係る高周波モジュール１００と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【０１２４】
変形例２に係る高周波モジュール１００ｅでは、第３電子部品３と第６電子部品６とが１つのチップ２０ｅで構成されている点で、実施形態２に係る高周波モジュール１００と相違する。
【０１２５】
第３電子部品３は、例えば、ローノイズアンプ１２１である。第６電子部品６は、例えば、温度センサ１０８である。すなわち、変形例２に係る高周波モジュール１００ｅでは、ローノイズアンプ１２１と温度センサ１０８とが１つのチップ２０ｅで構成されている。
【０１２６】
変形例２に係る高周波モジュール１００ｅにおいても、弾性波フィルタ１（第１電子部品１）が実装基板９の第１主面９１側に配置され、温度センサ１０８（第６電子部品６）が実装基板９の第２主面９２側に配置されている。したがって、変形例２に係る高周波モジュール１００ｅにおいても、弾性波フィルタ１と温度センサ１０８とのアイソレーションの劣化を抑制することが可能となる。
【０１２７】
また、変形例２に係る高周波モジュール１００ｅにおいても、デジタルチューナブルキャパシタ１０９の静電容量を調整することにより、弾性波フィルタ１の通過帯域を補正することが可能となる。
【０１２８】
（４．３）変形例３
実施形態２の変形例３に係る高周波モジュール１００ｆについて、図１１を参照して説明する。変形例３に係る高周波モジュール１００ｆに関し、実施形態２に係る高周波モジュール１００ｃと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【０１２９】
変形例３に係る高周波モジュール１００ｆでは、第６電子部品６が実装基板９に内装されている点で、実施形態２に係る高周波モジュール１００ｃと相違する。
【０１３０】
変形例３に係る高周波モジュール１００ｆでは、図１１に示すように、少なくとも第１電子部品１、第２電子部品２、第５電子部品５及び第１１電子部品１１が実装基板９の第１主面９１側に配置されている。また、変形例３に係る高周波モジュール１００ｆでは、少なくとも第４電子部品４が実装基板９の第２主面９２側に配置されている。また、変形例３に係る高周波モジュール１００ｆでは、第６電子部品６は、実装基板９に内装されている。具体的には、第６電子部品６は、実装基板９の内部において、第１主面９１よりも第２主面９２側に配置されている。すなわち、第６電子部品６は、実装基板９の第２主面９２側に配置されている。
【０１３１】
変形例３に係る高周波モジュール１００ｆでは、第４電子部品４が実装基板９の第２主面９２に配置され、第６電子部品６が実装基板９に内装されている。すなわち、変形例３に係る高周波モジュール１００ｆでは、第１スイッチ１０４と温度センサ１０８とが別体である。
【０１３２】
変形例３に係る高周波モジュール１００ｆにおいても、弾性波フィルタ１（第１電子部品１）が実装基板９の第１主面９１側に配置され、温度センサ１０８（第６電子部品６）が実装基板９の第２主面９２側に配置されている。したがって、変形例３に係る高周波モジュール１００ｆにおいても、弾性波フィルタ１と温度センサ１０８とのアイソレーションの劣化を抑制することが可能となる。
【０１３３】
また、変形例３に係る高周波モジュール１００ｆにおいても、デジタルチューナブルキャパシタ１０９の静電容量を調整することにより、弾性波フィルタ１の通過帯域を補正することが可能となる。
【０１３４】
（５．４）変形例４
実施形態２の変形例４に係る高周波モジュールについて、図１２を参照して説明する。変形例４に係る高周波モジュールに関し、実施形態２に係る高周波モジュール１００ｃと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【０１３５】
変形例４に係る高周波モジュールでは、上述した整合回路１１４ｃの代わりに整合回路１１５が設けられている点で、実施形態２に係る高周波モジュール１００ｃと相違する。
【０１３６】
第１スイッチ１０４ｇは、共通端子１４０と、複数（図示例では３つ）の選択端子１４１〜１４３と、を有する。整合回路１１５は、選択端子１４３とグランドとの間に接続されている。整合回路１１５は、デジタルチューナブルキャパシタ１１０を含む。変形例４に係る高周波モジュールでは、デジタルチューナブルキャパシタ１１０の静電容量を調整することにより、弾性波フィルタ１の通過帯域を補正することが可能となる。
【０１３７】
変形例４に係る高周波モジュールでは、例えば、送信フィルタ１１２Ａとアンテナ３１０とを接続する場合に、共通端子１４０と選択端子１４１とを接続し、かつ共通端子１４０と選択端子１４３とを接続する。これにより、送信フィルタ１１２Ａとアンテナ３１０との間の信号経路に対して整合回路１１５を接続することが可能となる。
【０１３８】
実施形態２で説明した構成は、実施形態１で説明した種々の構成（変形例を含む）と適宜組み合わせて採用可能である。
【０１３９】
（態様）
本明細書には、以下の態様が開示されている。
【０１４０】
第１の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ〜１００ｆ）は、実装基板（９）と、弾性波フィルタ（１）と、温度センサ（１０８）と、補正回路（１０；１０ｃ）と、を備える。実装基板（９）は、互いに対向する第１主面（９１）及び第２主面（９２）を有する。弾性波フィルタ（１）は、第１主面（９１）側に配置されている。温度センサ（１０８）は、第２主面（９２）側に配置されている。補正回路（１０；１０ｃ）は、温度センサ（１０８）で計測された温度に応じて、弾性波フィルタ（１）の通過帯域を補正する。
【０１４１】
この態様によれば、弾性波フィルタ（１）が実装基板（９）の第１主面（９１）側に配置され、温度センサ（１０８）が実装基板（９）の第２主面（９２）側に配置されているので、弾性波フィルタ（１）と温度センサ（１０８）とのアイソレーションの劣化を抑制することが可能となる。また、温度センサ（１０８）の計測結果に応じて、弾性波フィルタ（１）の通過帯域を補正することも可能となる。
【０１４２】
第２の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ〜１００ｆ）では、第１の態様において、補正回路（１０；１０ｃ）は、弾性波フィルタ（１）に接続されている少なくとも１つの回路素子（例えば、デジタルチューナブルインダクタ１０７）のパラメータを調整することにより弾性波フィルタ（１）の通過帯域を補正する。
【０１４３】
この態様によれば、上記回路素子のパラメータを調整することにより弾性波フィルタ（１）の通過帯域を補正することが可能となる。
【０１４４】
第３の態様に係る高周波モジュール（１００ｄ）では、第１又は第２の態様において、補正回路（１０ｃ）は、デジタルチューナブルキャパシタ（１０９）を含む。デジタルチューナブルキャパシタ（１０９）は、第２主面（９２）側に配置されている。温度センサ（１０８）とデジタルチューナブルキャパシタ（１０９）とが１つのチップ（２０ｄ）で構成されている。
【０１４５】
この態様によれば、実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視での実装基板（９）の面積を小さくすることが可能となる。
【０１４６】
第４の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ〜１００ｆ）は、第１〜第３の態様のいずれか１つにおいて、ローノイズアンプ（１２１）を更に備える。ローノイズアンプ（１２１）は、第２主面（９２）側に配置されている。
【０１４７】
この態様によれば、ローノイズアンプ（１２１）の表面温度を計測することが可能となる。
【０１４８】
第５の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ〜１００ｅ）では、第４の態様において、温度センサ（１０８）とローノイズアンプ（１２１）とが１つのチップ（２０；２０ａ；２０ｃ；２０ｄ；２０ｅ）で構成されている。
【０１４９】
この態様によれば、実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視での実装基板（９）の面積を小さくすることが可能となる。
【０１５０】
第６の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ｃ）は、第４又は第５の態様において、アンテナ端子（８１）と、スイッチ（１０４）と、を更に備える。スイッチ（１０４）は、第２主面（９２）側に配置され、アンテナ端子（８１）に接続されている。ローノイズアンプ（１２１）とスイッチ（１０４）とが１つのチップ（２０；２０ｃ）で構成されている。
【０１５１】
この態様によれば、実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視での実装基板（９）の面積を小さくすることが可能となる。
【０１５２】
第７の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ〜１００ｆ）では、第１〜第６の態様のいずれか１つにおいて、弾性波フィルタ（１）は、実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で温度センサ（１０８）と重なっている。
【０１５３】
この態様によれば、実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視での面積を小さくすることが可能となる。
【０１５４】
第８の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ〜１００ｆ）は、第１〜第７の態様のいずれか１つにおいて、パワーアンプ（１１１）を更に備える。パワーアンプ（１１１）は、第１主面（９１）側に配置されている。
【０１５５】
この態様によれば、発熱量が大きいパワーアンプ（１１１）を弾性波フィルタ（１）と同じ第１主面（９１）側に配置しているので、弾性波フィルタ（１）は、パワーアンプ（１１１）の発熱の影響を受けやすい。そのため、弾性波フィルタ（１）の通過帯域のシフト量も大きくなる。したがって、この態様によれば、弾性波フィルタ（１）の通過帯域の補正の効果が顕著になる。
【０１５６】
第９の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ｃ；１００ｄ；１００ｆ）は、第８の態様において、アンテナ端子（８１）と、スイッチ（１０４）と、を更に備える。スイッチ（１０４）は、第２主面（９２）側に配置され、アンテナ端子（８１）に接続されている。
【０１５７】
この態様によれば、実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視での実装基板（９）の面積を小さくすることが可能となる。
【０１５８】
第１０の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ｃ）では、第９の態様において、パワーアンプ（１１１）は、実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で温度センサ（１０８）及びスイッチ（１０４）と重ならない。
【０１５９】
この態様によれば、実装基板（９）におけるパワーアンプ（１１１）との対向領域にグランド電極を配置することが可能となり、その結果、パワーアンプ（１１１）の放熱効果を高めることが可能となる。
【０１６０】
第１１の態様に係る高周波モジュール（１００ｄ）では、第１〜第１０の態様のいずれか１つにおいて、補正回路（１０ｃ）は、デジタルチューナブルキャパシタ（１０９）を含む。温度センサ（１０８）とデジタルチューナブルキャパシタ（１０９）とが１つのチップ（２０ｄ）で構成されている。
【０１６１】
この態様によれば、実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視での実装基板（９）の面積を小さくすることが可能となる。
【０１６２】
第１２の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ｃ）は、第１〜第１１の態様のいずれか１つにおいて、アンテナ端子（８１）と、スイッチ（１０４）と、を更に備える。スイッチ（１０４）は、第２主面（９２）側に配置され、アンテナ端子（８１）に接続されている。弾性波フィルタ（１）は、実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視でスイッチ（１０４）と重なっている。
【０１６３】
この態様によれば、実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視での実装基板（９）の面積を小さくすることが可能となる。
【０１６４】
第１３の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ〜１００ｆ）では、第１〜第１２の態様のいずれか１つにおいて、温度センサ（１０８）は、サーミスタ（Ｔｈ１）を含む。
【０１６５】
この態様によれば、高周波モジュール（１００；１００ａ〜１００ｆ）の温度を測定することが可能となる。
【０１６６】
第１４の態様に係る通信装置（３００；３００ｃ）は、第１〜第１３の態様のいずれか１つの高周波モジュール（１００；１００ａ〜１００ｆ）と、信号処理回路（３０１）と、を備える。信号処理回路（３０１）は、高周波モジュール（１００；１００ａ〜１００ｆ）に接続され、高周波信号を処理する。
【０１６７】
この態様によれば、弾性波フィルタ（１）が実装基板（９）の第１主面（９１）側に配置され、温度センサ（１０８）が実装基板（９）の第２主面（９２）側に配置されているので、弾性波フィルタ（１）と温度センサ（１０８）とのアイソレーションの劣化を抑制することが可能となる。また、温度センサ（１０８）の計測結果に応じて、弾性波フィルタ（１）の通過帯域を補正することも可能となる。
【符号の説明】
【０１６８】
１  第１電子部品（弾性波フィルタ）
２  第２電子部品
３  第３電子部品
４  第４電子部品
５  第５電子部品
６  第６電子部品
７  第７電子部品
８  第８電子部品
９  実装基板
１０，１０ｃ  補正回路
１１  第１１電子部品
２０，２０ａ，２０ｃ，２０ｄ，２０ｅ，２０ｆ  チップ
８０，８０ａ  外部接続端子
８１  アンテナ端子
８２  信号入力端子
８３  信号出力端子
８４  グランド端子
９１  第１主面
９２  第２主面
１００，１００ａ〜１００ｆ  高周波モジュール
１０４，１０４ｇ  第１スイッチ
１０５  第２スイッチ
１０６  第３スイッチ
１０７  デジタルチューナブルインダクタ
１０９，１１０  デジタルチューナブルキャパシタ
１１１  パワーアンプ
１１２Ａ，１１２Ｂ  送信フィルタ
１１４，１１４ｃ  整合回路
１１５  整合回路
１２１  ローノイズアンプ
１２２Ａ，１２２Ｂ  受信フィルタ
１２４  整合回路
１４０  共通端子
１４１，１４２，１４３  選択端子
１５０  共通端子
１５１，１５２  選択端子
１６０  共通端子
１６１，１６２  選択端子
３００，３００ｃ  通信装置
３０１  信号処理回路
３０２  ＲＦ信号処理回路
３０３  ベースバンド信号処理回路
３１０  アンテナ
Ｄ１  厚さ方向
ｎ１〜ｎ４  ノード
ｐ１〜ｐ４  並列腕共振子
Ｒ２  抵抗
ｓ１〜ｓ５  直列腕共振子
Ｔ１，Ｔ２，Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２  信号経路
Ｔｈ１  サーミスタ
【図１】
2022002364.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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