(57)【要約】【課題】装置全体を小型化できると共に、ノイズの混入を防いで検出精度を高める。【解決手段】ケーシングの収容凹部の内部には、ダイヤフラム部にピエゾ抵抗素子１８を備えた圧力センサ１１を取付けると共に、回路部品２１を配置し、圧力媒体を充填する。また、回路部品２１には、圧力センサ１１に駆動電圧Ｖｒｅｆ１を供給する駆動回路２５と圧力センサ１１からの検出信号Ｖｓに基づき圧力センサ出力信号Ｖｐを出力する検出信号出力回路２８とを形成する。さらに、駆動回路２５は、圧力媒体の温度に比例した基準電圧Ｖｒｅｆ０を出力する基準電圧回路２６と、基準電圧Ｖｒｅｆ０を用いてピエゾ抵抗素子１８の温度特性と逆特性の駆動電圧Ｖｒｅｆ１を出力する温度特性補正回路２７とによって構成する。これにより、基準電圧回路２６の基準電圧Ｖｒｅｆ０を用いて圧力媒体の温度を検出することができる。【選択図】        図５
2004184327.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受圧部にピエゾ抵抗素子が設けられた圧力センサと、該圧力センサのピエゾ抵抗素子に駆動電圧を印加する駆動回路と、ピエゾ抵抗素子の抵抗値に応じた信号を出力する検出信号出力回路とからなる圧力検出装置において、
前記駆動回路は、温度に比例した基準電圧を出力する基準電圧回路と、該基準電圧回路の基準電圧を用いてピエゾ抵抗素子の温度特性と逆特性の駆動電圧を出力する温度特性補正回路とによって構成したことを特徴とする圧力検出装置。
【請求項２】
前記駆動回路は、前記圧力センサと一緒に圧力媒体内に配設してなる請求項１に記載の圧力検出装置。
【請求項３】
前記圧力センサはシリコン基板を用いて形成し、前記駆動回路、検出信号出力回路は該シリコン基板に形成する構成としてなる請求項１または２に記載の圧力検出装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば受圧部にピエゾ抵抗素子が設けられた圧力センサに好適に用いられる圧力検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、圧力検出装置としては、受圧部に圧力検出素子を設けると共に、該圧力検出素子と同一面上に温度検出素子を設けたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。そして、このような従来技術による圧力検出装置では、流体通路に臨んで受圧部を配置し、流体通路内の流体の圧力を圧力検出素子を用いて検出すると共に、圧力検出素子と同一面上に配置した温度検出素子を用いて流体の温度を検出している。これにより、従来技術では、これらの流体の圧力と温度とを用いて流体の流量を演算する構成となっている。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−２０１４１４号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来技術では、圧力検出素子と温度検出素子とをそれぞれ設けると共に、これらの検出素子とは別個に制御回路を設け、各検出素子と制御回路との間をリード線を通じて接続する構成としている。このため、温度を検出するためだけに用いる温度検出素子を取付ける必要があるから、温度検出を行わない圧力検出装置に比べて製造コストが高くなると共に、装置全体も大型化する傾向がある。
【０００５】
また、従来技術では、圧力検出素子と温度検出素子とは筐体内に収容するものの、制御回路は筐体の外部に別途設け、各検出素子と制御回路との間をリード線を通じて接続している。このため、リード線を通じて外部のノイズ等が混入し易く、検出精度が低下し易いという問題もある。
【０００６】
本発明は上述した従来技術の問題に鑑みなされたもので、本発明の目的は、装置全体を小型化できると共に、ノイズの混入を防いで検出精度を高めることができる圧力検出装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために本発明は、受圧部にピエゾ抵抗素子が設けられた圧力センサと、該圧力センサのピエゾ抵抗素子に駆動電圧を印加する駆動回路と、ピエゾ抵抗素子の抵抗値に応じた信号を出力する検出信号出力回路とからなる圧力検出装置に適用される。
【０００８】
そして、請求項１の発明が採用する構成の特徴は、駆動回路を、温度に比例した基準電圧を出力する基準電圧回路と、該基準電圧回路の基準電圧を用いてピエゾ抵抗素子の温度特性と逆特性の駆動電圧を出力する温度特性補正回路とによって構成したことにある。
【０００９】
このように構成することにより、基準電圧回路は温度に比例した基準電圧を出力するから、該基準電圧を用いて駆動回路の温度を検出することができる。このため、圧力センサと駆動回路とを圧力媒体内に配置することによって、圧力媒体の温度を正確に検出することができる。また、温度特性補正回路は、ピエゾ抵抗素子の温度特性と逆特性の駆動電圧を圧力媒体の温度に応じて出力するから、ピエゾ抵抗素子の温度特性を正確に補正することができる。
【００１０】
この結果、温度検出用の素子を新たに付加することなく、圧力媒体の温度を検出できるから、従来技術に比べて製造コストを低減できると共に、温度検出素子用の空間を省くことができ、装置全体を小型化することができる。
【００１１】
請求項２の発明は、駆動回路を、圧力センサと一緒に圧力媒体内に配設したことにある。これにより、駆動回路の基準電圧回路を用いて圧力媒体の温度を正確に検出することができる。また、温度特性補正回路は、ピエゾ抵抗素子の温度特性と逆特性の駆動電圧を圧力媒体の温度に応じて出力するから、ピエゾ抵抗素子の温度特性を正確に補正することができる。
【００１２】
請求項３の発明では、圧力センサはシリコン基板を用いて形成し、駆動回路、検出信号出力回路は該シリコン基板に形成する構成としている。
【００１３】
これにより、圧力センサ、駆動回路および検出信号出力回路を１枚のシリコン基板に一体化して形成することができるから、これらの間をワイヤボンディング等を用いて接続する必要がなく、生産性を高めることができると共に、装置全体を小型化することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態による圧力検出装置を、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
ここで、図１ないし図９は本発明による第１の実施の形態を示し、図中、１は圧力検出装置の外殻をなす金属製のケーシングで、該ケーシング１は、略円柱形状をなし、その外周側にはシール用のＯリング２が取付けられている。また、ケーシング１の表面側には後述の圧力センサ１１と回路部品２１を収容する略円形状の収容凹部１Ａが凹設されると共に、該収容凹部１Ａの底面には圧力センサ１１の受圧凹溝１３に圧力媒体５を導くための導入溝１Ｂが形成されている。
【００１６】
３は収容凹部１Ａを閉塞する可撓性の受圧膜で、該受圧膜３は、例えば金属材料、樹脂材料等を用いて形成されている。また、受圧膜３は、その外周側が溶接等によってプロテクタ４と一緒にケーシング１に接合され、その表面がプロテクタ４によって覆われると共に、該プロテクタ４の中央には円形開口４Ａが形成されている。そして、収容凹部１Ａ内には、例えば油等からなる絶縁性の圧力媒体５が密閉状態で封入され、この圧力媒体５は、プロテクタ４の円形開口４Ａを通じて受圧膜３に加わる圧力を圧力センサ１１の受圧凹溝１３に伝えている。
【００１７】
１１はケーシング１の収容凹部１Ａ内に収容された圧力センサで、該圧力センサ１１は、図３に示すように、後述の基板１２、薄肉部１４、枠状突部１５、閉塞板１６、ピエゾ抵抗素子１８等を含んで構成されている。
【００１８】
１２は例えばＳＯＩ基板等を用いて形成された基板で、該基板１２は、それぞれ単結晶のシリコン材料等によって形成された母材部１２Ａ、表層部１２Ｂと、これらの母材部１２Ａ、表層部１２Ｂ間に介在した酸化シリコン等からなる絶縁膜１２Ｃとから一体形成されている。
【００１９】
ここで、母材部１２Ａの裏面側には、例えば特定のシリコン結晶面に沿って結晶異方性のエッチング加工を施すことにより絶縁膜１２Ｃに達する略四角錐状の受圧凹溝１３が穿設されている。また、基板１２は、図１に示すように、ケーシング１の収容凹部１Ａに固着されると共に、導入溝１Ｂと対面した位置に配置され、該導入溝１Ｂを通じて受圧凹溝１３には圧力媒体５が導かれている。
【００２０】
１４は図３に示すように受圧凹溝１３を用いて基板１２の表面側中央寄りに設けられた薄肉部で、該薄肉部１４は、受圧凹溝１３の底部側に位置する表層部１２Ｂおよび絶縁膜１２Ｃの一部を用いて四角形状に形成されている。
【００２１】
ここで、薄肉部１４は、枠状突部１５に取囲まれた内側に位置して閉塞板１６との間に圧力室１７を画成する受圧部としてのダイヤフラム部１４Ａと、枠状突部１５のほぼ中間部（ダイヤフラム部１４Ａの外側）に位置して圧力室１７外に配設された外縁部１４Ｂとから構成されている。そして、ダイヤフラム部１４Ａは、枠状突部１５の内周側の四辺によって規定される四角形状に形成され、受圧凹溝１３内に加わる被測定圧と圧力室１７内に保持された基準圧との間の差圧に応じて撓み変形するものである。
【００２２】
１６はガラス板等を用いて略四角形状に形成された閉塞板で、該閉塞板１６は、陽極接合等の手段によって枠状突部１５の先端側に接合され、ダイヤフラム部１４Ａを閉塞して圧力室１７を画成している。そして、圧力室１７は、被測定圧に対して基準圧となる常圧または一定の負圧状態で密閉されている。
【００２３】
１８はダイヤフラム部１４Ａに埋設された例えば４個の撓み検出素子としてのピエゾ抵抗素子で、該各ピエゾ抵抗素子１８は、ホウ素等の不純物イオンを基板１２の表層部１２Ｂに注入することにより、太幅の配線部１８Ａと一緒に形成された細幅のピエゾ抵抗体によって構成されている。また、配線部１８Ａの先端は、電極パッド１９、ボンディングワイヤ２０を介して後述の回路部品２１に接続されている。
【００２４】
そして、４個のピエゾ抵抗素子１８は、図４および図５に示すように、ブリッジ状に接続されると共に、ダイヤフラム部１４Ａが撓み変形するときの撓みを検出し、配線部１８Ａ、電極パッド１９等を介して検出信号Ｖｓを出力する。これにより、検出信号Ｖｓは、ボンディングワイヤ２０等を介して回路部品２１に導出される。
【００２５】
また、４個のピエゾ抵抗素子１８からなるブリッジ回路は、２個ずつのピエゾ抵抗素子１８が直列接続された２つの直列回路を並列接続することによって構成され、それぞれの直列回路には、後述の駆動電圧Ｖｒｅｆ１が印加される。そして、ダイヤフラム部１４Ａが撓み変形したときには、直列回路中の一方のピエゾ抵抗素子１８の抵抗値が増加し、他方のピエゾ抵抗素子１８の抵抗地が減少する。そして、２つの直列回路の中間位置間の電圧（検出信号Ｖｓ）は、例えば図７中の特性線Ａに示すように、一定値の駆動電圧Ｖｒｅｆ１を印加したときには、圧力媒体５の温度が高くなるに従って低下する温度特性を有している。
【００２６】
２１は図１および図２に示すように圧力センサ１１に近接してケーシング１の収容凹部１Ａ内に取付けられた回路部品で、該回路部品２１には、例えばシリコン等の半導体材料を用いて形成され、後述の駆動回路２５と検出信号出力回路２８とが実装されている。また、回路部品２１は、電極パッド２２、ボンディングワイヤ２０等を介して圧力センサ１１とピン端子２３に接続されると共に、ピン端子２３は、ケーシング１の底部にハーメチックシール２４を用いて固着されている。そして、回路部品２１は、ピン端子２３を通じて電源電圧Ｖｃｃが供給されると共に、温度センサ出力信号Ｖｔと圧力センサ出力信号Ｖｐとを外部に向けて出力している。
【００２７】
２５は回路部品２１に実装された駆動回路で、該駆動回路２５は、図５に示すように、温度に比例した基準電圧Ｖｒｅｆ０を出力する基準電圧回路２６と、該基準電圧回路２６の基準電圧Ｖｒｅｆ０を用いてピエゾ抵抗素子１８の温度特性と逆特性の駆動電圧Ｖｒｅｆ１を出力する温度特性補正回路２７とによって構成されている。また、基準電圧回路２６は、バンドギャップ基準電圧回路からなるセンサ供給電源回路２６Ａと、該センサ供給電源回路２６Ａから出力される基準電圧Ｖｒｅｆ０を分岐する温度センサ出力回路２６Ｂとによって構成されている。
【００２８】
そして、センサ供給電源回路２６Ａは、その入力側が電源電圧Ｖｃｃ用のピン端子２３に接続されると共に、その出力側が温度センサ出力回路２６Ｂと温度特性補正回路２７とに接続されている。また、温度特性補正回路２７は、その出力側が圧力センサ１１に接続され、ブリッジ状に接続された４個のピエゾ抵抗素子１８に駆動電圧Ｖｒｅｆ１を供給している。
【００２９】
ここで、センサ供給電源回路２６Ａは、図６に示すように、例えば３個のトランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３が並列接続されたバンドギャップ基準電圧回路によって構成されている。そして、トランジスタＱ１のコレクタ側には抵抗値ｒ１をもった抵抗Ｒ１が直列接続されている。また、トランジスタＱ２のコレクタ側には抵抗値ｒ２をもった抵抗Ｒ２が直列接続されると共に、トランジスタＱ２のエミッタ側には抵抗値ｒ３をもった抵抗Ｒ３が直列接続されている。さらに、トランジスタＱ１は、そのベースとコレクタとが接続され、トランジスタＱ２のベースにはトランジスタＱ１のコレクタが接続されると共に、トランジスタＱ３のベースにはトランジスタＱ２のコレクタが接続されている。
【００３０】
そして、互いに並列接続された３個のトランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３には定電流回路を通じて一定電流Ｉが供給されたときには、トランジスタＱ１には電流Ｉ１が流れ、トランジスタＱ２には電流Ｉ２が流れる。このとき、トランジスタＱ３のコレクタとエミッタとの間には、以下の数１に示すような基準電圧Ｖｒｅｆ０が出力される。
【００３１】
【数１】
2004184327.tif 000003
但し、Ｖｂｅ３：トランジスタＱ３のベースとエミッタとの間の電圧
ｋ：ボルツマン定数
Ｔ：温度（Ｋ）
ｑ：電荷
Ｉ１＞Ｉ２
【００３２】
このため、抵抗Ｒ２，Ｒ３の抵抗値ｒ２，ｒ３を適宜設定することによって、図８中の特性線Ｂのように、温度Ｔに比例した基準電圧Ｖｒｅｆ０を出力することができる。そして、温度センサ出力回路２６Ｂは、図９中の特性線Ｄに示すように、センサ供給電源回路２６Ａから出力される基準電圧Ｖｒｅｆ０を分岐し、温度センサ出力信号Ｖｔとして外部に出力している。
【００３３】
一方、温度特性補正回路２７は、基準電圧Ｖｒｅｆ０を用いてピエゾ抵抗素子１８の温度特性（図７中の特性線Ａ）と逆特性の駆動電圧Ｖｒｅｆ１を出力する。これにより、駆動電圧Ｖｒｅｆ１は、図８中の特性線Ｃに示すように、圧力媒体５の温度が高くなるに従って上昇（増加）する。そして、温度特性補正回路２７は、ピエゾ抵抗素子１８のブリッジ回路に接続され、互いに並列接続された２つのピエゾ抵抗素子１８の直列回路に駆動電圧Ｖｒｅｆ１を供給している。
【００３４】
２８はピエゾ抵抗素子１８の抵抗値に応じた信号を出力する検出信号出力回路で、該検出信号出力回路２８は、４個のピエゾ抵抗素子１８のブリッジ回路に接続された増幅回路２９と、該増幅回路２９の利得を調整して検出感度を調整する感度調整回路３０と、増幅回路２９の出力側に接続され圧力センサ出力信号Ｖｐのオフセットを調整するオフセット調整回路３１とによって構成されている。
【００３５】
そして、増幅回路２９は、その入力側が２つのピエゾ抵抗素子１８の直列回路の中間位置に接続され、これら中間位置間の電圧（検出信号Ｖｓ）を増幅して出力している。このとき、ピエゾ抵抗素子１８には、その温度特性と逆特性の駆動電圧Ｖｒｅｆ１が印加されているから、増幅回路２９等からなる検出信号出力回路２８は、温度に依存しない圧力センサ出力信号Ｖｐを出力する。
【００３６】
本実施の形態による圧力検出装置は上述の如き構成を有するもので、次にその作動について述べる。
【００３７】
まず、図１に示すように、例えば空気圧、油圧等の被測定圧がケーシング１の受圧膜３に加わると、この圧力はケーシング１内の圧力媒体５によって受圧凹溝１３内に伝わる。このとき、ダイヤフラム部１４Ａには、被測定圧が加わるので、ダイヤフラム部１４Ａは、この被測定圧と圧力室１７内の基準圧との間の差圧に応じて撓み変形する。これにより、ピエゾ抵抗素子１８は、ダイヤフラム部１４Ａの撓みに応じてその抵抗値が変化する。
【００３８】
ここで、ピエゾ抵抗素子１８からなるブリッジ回路には、その温度特性とは逆特性の駆動電圧Ｖｒｅｆ１が印加されると共に、駆動電圧Ｖｒｅｆ１はセンサ供給電源回路２６Ａ（駆動回路２５）周囲の温度によって、その値が設定される。これに対し、センサ供給電源回路２６Ａ等の回路部品２１は、圧力センサ１１と近接してケーシング１の収容凹部１Ａ内に取付けられると共に、圧力センサ１１と一緒に圧力媒体５内に配置されたから、センサ供給電源回路２６Ａには、圧力センサ１１の周囲温度とほぼ同じ圧力媒体５の温度が作用する。このため、ピエゾ抵抗素子１８からなるブリッジ回路には、圧力センサ１１の周囲温度に応じた駆動電圧Ｖｒｅｆ１を印加することができるから、圧力センサ１１は、温度に依存しない検出信号Ｖｓを出力することができ、検出信号出力回路２８は、この検出信号Ｖｓを用いて正確な圧力センサ出力信号Ｖｐを出力することができる。
【００３９】
また、センサ供給電源回路２６Ａは、圧力センサ１１の周囲温度とほぼ同じ圧力媒体５の温度が作用すると共に、温度に比例した基準電圧Ｖｒｅｆ０を出力するから、基準電圧回路２６は、圧力センサ１１の周囲温度に応じた温度センサ出力信号Ｖｔを出力することができる。
【００４０】
かくして、本実施の形態では、基準電圧回路２６は周囲温度に比例した基準電圧Ｖｒｅｆ０を出力するから、該基準電圧Ｖｒｅｆ０を用いて駆動回路２５の温度を検出することができる。このため、圧力センサ１１と駆動回路２５とを圧力媒体５内に配置することによって、基準電圧回路２６は、圧力媒体５の温度に応じた正確な温度センサ出力信号Ｖｔを出力することができる。
【００４１】
また、温度特性補正回路２７は、ピエゾ抵抗素子１８の温度特性と逆特性の駆動電圧Ｖｒｅｆ１を圧力媒体５の温度に応じて出力するから、圧力センサ１１は、ピエゾ抵抗素子１８の温度特性を正確に補正した検出信号Ｖｓを出力することができる。このため、検出信号出力回路２８は、この検出信号Ｖｓを用いて温度に依存しない正確な圧力センサ出力信号Ｖｐを出力することができる。
【００４２】
この結果、温度検出用の素子を新たに付加することなく、圧力媒体の温度を検出できるから、従来技術に比べて製造コストを低減できると共に、温度検出素子用の空間を省くことができ、装置全体を小型化することができる。
【００４３】
また、駆動回路２５を、圧力センサ１１と一緒に圧力媒体５内に配設したから、駆動回路２５の基準電圧回路２６を用いて圧力媒体５の温度を正確に検出することができる。また、温度特性補正回路２７は、ピエゾ抵抗素子１８の温度特性と逆特性の駆動電圧Ｖｒｅｆ１を圧力媒体５の温度に応じて出力するから、ピエゾ抵抗素子１８の温度特性を正確に補正することができる。
【００４４】
また、圧力センサ１１と回路部品２１とを近接してケーシング１の収容凹部１Ａ内に配設したから、これらの間のボンディングワイヤ２０を短くすることができ、ボンディングワイヤ２０等から外部のノイズが混入するのを抑えることができる。
【００４５】
さらに、本実施の形態では、圧力センサ１１に駆動電圧Ｖｒｅｆ１を供給するための基準電圧回路２６を用いて圧力媒体５の温度を検出する構成としたから、温度センサ出力信号Ｖｔのノイズと圧力センサ出力信号Ｖｐのノイズをほぼ同程度に抑えることができる。一方、従来技術のように、圧力センサとは別個に温度検出素子を設けた場合には、圧力センサの出力と温度検出素子の出力とに独立してノイズが加わることがあり、ノイズの除去が難しいという問題がある。これに対し、本実施の形態では、温度センサ出力信号Ｖｔのノイズと圧力センサ出力信号Ｖｐのノイズをほぼ同程度かつ同特性にすることができるから、例えば２つの出力信号Ｖｔ，Ｖｐの差を演算することによって容易にノイズを除去することができ、検出精度を高めることができる。
【００４６】
また、基準電圧回路２６のセンサ供給電源回路２６Ａにはバンドギャップ基準電圧回路を用いる構成としたから、温度に対する基準電圧Ｖｒｅｆ０の線形性を高めることができ、温度の検出を容易に行うことができる。
【００４７】
次に、図１０は本発明による第２の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、圧力センサはシリコン基板を用いて形成し、駆動回路と検出信号出力回路は該シリコン基板に形成する構成としたことにある。なお、本実施の形態では、前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【００４８】
４１は本実施の形態による圧力センサで、該圧力センサ４１は、ＳＯＩ基板（シリコン基板）からなる基板４２を用いて形成され、ケーシング１の収容凹部１Ａ内に取付けられている。そして、基板４２の中央部には、第１の実施の形態による圧力センサ１１とほぼ同様に薄肉部、枠状突起等が形成され、該枠状突起を閉塞板４３によって閉塞すると共に、枠状突起の内側（ダイヤフラム部）には４個のピエゾ抵抗素子（いずれも図示せず）が形成されている。
【００４９】
４４は基板４２に実装された駆動回路で、該駆動回路４４は、第１の実施の形態による駆動回路２５とほぼ同様に基準電圧回路と温度特性補正回路（いずれも図示せず）とによって構成されている。
【００５０】
４５は基板４２に実装された検出信号出力回路で、該検出信号出力回路４５は、第１の実施の形態による検出信号出力回路２８とほぼ同様に増幅回路、感度調整回路およびオフセット調整回路（いずれも図示せず）によって構成されている。
【００５１】
そして、駆動回路４４と検出信号出力回路４５は、圧力センサ４１のピエゾ抵抗素子に接続されると共に、温度センサ出力信号Ｖｔ、圧力センサ出力信号Ｖｐ、電源電圧Ｖｃｃ、グランド等に対応した電極パッド４６にそれぞれ接続され、ボンディングワイヤ４７を介してピン端子４８に接続されている。
【００５２】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、前記第１の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。そして、特に本実施の形態では、駆動回路４４と検出信号出力回路４５は圧力センサ４１の基板４２に形成する構成としたから、圧力センサ４１、駆動回路４４および検出信号出力回路４５を１枚の基板４２に一体化して形成することができる。このため、圧力センサ４１、駆動回路４４および検出信号出力回路４５の間をワイヤボンディング等を用いて接続する必要がなく、ノイズ等の混入を防ぐことができる。また、圧力センサ４１、駆動回路４４および検出信号出力回路４５を１枚の基板４２に一体化して形成するから、生産性を高めることができると共に、装置全体を小型化することができる。
【００５３】
なお、前記各実施の形態では、例えばＳＯＩ基板により形成され母材部１２Ａ、表層部１２Ｂおよび絶縁膜１２Ｃが設けられた基板１２を用いて、その母材部１２Ａに受圧凹溝１３を設ける構成としたが、本発明はこれに限らず、ＳＯＩ基板以外の各種シリコン基板等を用いてセンサ部を構成してもよい。
【００５４】
また、前記第１の実施の形態では、基準電圧回路２６は、センサ供給電源回路２６Ａと温度センサ出力回路２６Ｂとによって構成するものとした。しかし、本発明はこれに限らず、例えば基準電圧Ｖｒｅｆ０を分岐せず、そのまま温度センサ出力信号Ｖｔとして出力する場合には、温度センサ出力回路２６Ｂを省く構成としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態による圧力検出装置の縦断面図である。
【図２】圧力検出装置を図１中の矢示ＩＩ−ＩＩ方向からみた断面図である。
【図３】図１中の圧力センサを単体で示す縦断面図である。
【図４】圧力センサを図３中の矢示ＩＶ−ＩＶ方向からみた横断面図である。
【図５】第１の実施の形態による圧力検出装置を示すブロック図である。
【図６】図５中のセンサ供給電源回路を示す回路図である。
【図７】ピエゾ抵抗素子からなるブリッジ回路に一定の駆動電圧を印加した場合の検出信号と圧力媒体温度との関係を示す特性線図である。
【図８】基準電圧、駆動電圧と圧力媒体温度との関係を示す特性線図である。
【図９】温度センサ出力信号と圧力媒体温度との関係を示す特性線図である。
【図１０】第２の実施の形態による圧力検出装置を図２と同様位置からみた断面図である。
【符号の説明】
１  ケーシング
５  圧力媒体
１１，４１  圧力センサ
１２，４２  基板（シリコン基板）
１３  受圧凹溝
１４  薄肉部
１４Ａ  ダイヤフラム部（受圧部）
１８  ピエゾ抵抗素子（撓み検出素子）
２１  回路部品
２５，４４  駆動回路
２６  基準電圧回路
２７  温度特性補正回路
２８，４５  検出信号出力回路
【図１】
2004184327.tif 000004
【図２】
2004184327.tif 000005
【図３】
2004184327.tif 000006
【図４】
2004184327.tif 000007
【図５】
2004184327.tif 000008
【図６】
2004184327.tif 000009
【図７】
2004184327.tif 000010
【図８】
2004184327.tif 000011
【図９】
2004184327.tif 000012
【図１０】
2004184327.tif 000013