(57)【要約】【課題】熱硬化性ポリフェニレンエーテルを含有する樹脂からなる絶縁層に対して回路を形成する工程を備えた配線基板の製造方法において、前記絶縁層の表面を粗化することなく、この絶縁層と導体層との密着性を改善する。【解決手段】熱硬化性ポリフェニレンエーテルを含有する樹脂からなる絶縁層２の回路形成面２１に対して、酸素存在下で紫外線照射を行った後に、この絶縁層２を加熱し、その後に回路形成工程を行う。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱硬化性ポリフェニレンエーテルを含有する樹脂からなる絶縁層に対して回路を形成する工程を備えた配線基板の製造方法において、
前記絶縁層の回路を形成する面に対して酸素存在下で紫外線照射を行った後に、この絶縁層を加熱し、その後に前記回路形成工程を行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁層の回路を形成する面に水または水溶液を付着させる液処理工程を、
前記紫外線照射工程の前、前記紫外線照射工程と前記加熱工程との間、および前記加熱工程と前記回路形成工程との間、の少なくともいずれかの時点で行う請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記液処理工程を、温度が１０〜９０℃でｐＨが９〜１４である水溶液を用いて行う請求項２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁層は、熱硬化性付与成分としてトリアリルイソシアヌレートおよび／またはトリアリルシアヌレートを含有するポリフェニレンエーテル樹脂組成物を熱硬化させて得られたものである請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁層は、下記の（ａ）と（ｂ）を含有する樹脂組成物を熱硬化させて得られたものである請求項１記載の配線基板の製造方法。
（ａ）ポリ（２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエーテル）と不飽和カルボン酸または酸無水物との反応生成物と、フェノール性化合物と、を反応開始剤の存在下に再分配反応させて得られた、低分子量ポリフェニレンエーテル反応生成物。
（ｂ）トリアリルイソシアヌレートおよび／またはトリアリルシアヌレート。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ポリフェニレンエーテルを含有する樹脂からなる絶縁層に対して回路を形成する工程を備えた配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化、軽量化が急速に進んでいる。それに伴い、プリント回路には、配線の高密度化と高い信頼性が要求されている。
最近では、精密な高密度配線を有する多層プリント配線板を作製する方法として、ビルドアップ方式が広く採用されている。ビルドアップ方式では、コア基板上に薄い絶縁層と導体層を交互に積層し、層間を極小径のビアホールで接続している。
本出願人等は、先に、ビルドアップ方式で多層プリント配線板を作製する際の絶縁層を構成する材料として好適な樹脂組成物を提案した。
【０００３】
この樹脂組成物は、熱硬化性付与成分としてトリアリルイソシアヌレートおよび／またはトリアリルシアヌレートを含有するポリフェニレンエーテル樹脂組成物であって、この樹脂組成物を熱硬化させることで絶縁層を形成している。この絶縁層は、優れた誘電特性を有するため、信号の配線遅延や伝送損失を低減できるとともに、耐熱性および耐水性にも優れている。
しかしながら、このポリフェニレンエーテル樹脂組成物を熱硬化させることで得られた絶縁層には、その上に形成する導体層との密着性の点で改善の余地がある。
ビルドアップ方式で多層プリント配線板を作製する際の絶縁層と導体層との密着性を改善する方法としては、前記絶縁層の表面を粗化する方法がある（例えば下記の特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−１９６７４３号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記絶縁層の表面を粗化する方法では、これにより生じた表面の凹凸に起因して、この表面に形成する微細な配線の精度が低下するという問題点がある。また、絶縁層表面が粗化されていると、高周波信号の伝送損失が大きくなるという問題点がある。
本発明は、このような従来技術の未解決な課題を解決するためのものであり、ポリフェニレンエーテルを含有する樹脂からなる絶縁層に対して回路を形成する工程を備えた配線基板の製造方法において、前記絶縁層の表面を粗化することなく、この絶縁層と導体層との密着性を改善することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、熱硬化性ポリフェニレンエーテルを含有する樹脂からなる絶縁層に対して回路を形成する工程を備えた配線基板の製造方法において、前記絶縁層の回路を形成する面に対して酸素存在下で紫外線照射を行った後に、この絶縁層を加熱し、その後に前記回路形成工程を行うことを特徴とする配線基板の製造方法を提供する。
【０００７】
本発明の方法においては、前記絶縁層の回路を形成する面に水または水溶液を付着させる液処理工程を、前記紫外線照射工程の前、前記紫外線照射工程と前記加熱工程との間、および前記加熱工程と前記回路形成工程との間、の少なくともいずれかの時点で行うことが好ましい。
本発明の方法においては、前記液処理工程を、温度が１０〜９０℃でｐＨが９〜１４である水溶液を用いて行うことが好ましい。
【０００８】
本発明の方法において、前記絶縁層としては、熱硬化性付与成分としてトリアリルイソシアヌレートおよび／またはトリアリルシアヌレートを含有するポリフェニレンエーテル樹脂組成物を熱硬化させて得られたものが挙げられる。
本発明の方法において、前記絶縁層としては、下記の（ａ）と（ｂ）を含有する樹脂組成物を熱硬化させて得られたものが挙げられる。
【０００９】
（ａ）ポリ（２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエーテル）と不飽和カルボン酸または酸無水物との反応生成物と、フェノール性化合物と、を反応開始剤の存在下に再分配反応させて得られた、低分子量ポリフェニレンエーテル反応生成物。
（ｂ）トリアリルイソシアヌレートおよび／またはトリアリルシアヌレート。
ポリ（２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエーテル）は下記の（１）式で表される。
【００１０】
【化１】
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【００１１】
上記ポリ（２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエーテル）を含む通常のポリフェニレンエーテル樹脂は熱可塑性樹脂であるため、上述のように熱硬化性付与成分を含む樹脂組成物を熱硬化させたものを前記絶縁層として使用することが好ましい。
単独で熱硬化可能なポリフェニレンエーテル樹脂としては、不飽和基を有するポリフェニレンエーテル樹脂（例えば、ベンゼン環の水素および／または置換基が不飽和基に置換されたポリフェニレンエーテル樹脂）が挙げられる。この場合には、熱硬化性付与成分を含有させずに単独で熱硬化させたものを、前記絶縁層として使用することができる。
【００１２】
次に、本発明の方法の特徴である、紫外線照射工程、加熱工程、液処理工程について詳述する。
［紫外線照射工程］
本発明の方法において、紫外線照射工程は酸素の存在下で行う。例えば空気中で行うことができる。また、ＣＦ４  （四フッ化炭素）ガス、水素ガス、アルゴンガス、窒素ガス、アンモニアガス、ヘリウムガス、ＳＦ６  （六フッ化硫黄）ガス等と酸素ガスとからなる混合ガスの雰囲気下で行ってもよい。この場合、混合ガス中の酸素濃度を１０−３体積％（１０ｐｐｍ）以上とする。好ましくは１体積％以上、より好ましくは３体積％以上とする。
【００１３】
照射する紫外線としては波長３００ｎｍ以下の光が好ましい。紫外線照射装置としては、低圧水銀灯（紫外線波長：１８５ｎｍ及び２５４ｎｍ）、キセノンエキシマーランプ（紫外線波長：１７２ｎｍ）等が好適である。
前記絶縁層の回路形成面に対する紫外線の照射量は、１×１０２  〜１×１０５  Ｊ／ｍ２  とすることが好ましい。より好ましくは１×１０２  〜５×１０４  Ｊ／ｍ２  、さらに好ましくは１×１０３  〜２×１０４  Ｊ／ｍ２  とする。紫外線の照射量が多すぎると前記絶縁層の回路形成面が劣化し、少な過ぎると紫外線照射による効果（導体層との密着性の改善効果）が得られない。
【００１４】
［加熱工程］
本発明の方法において、加熱工程は５０℃〜４００℃の温度範囲で行うことが好ましい。より好ましくは８０℃〜３００℃の温度範囲で、さらに好ましくは１００℃〜２５０℃の温度範囲で行う。また、加熱時の雰囲気は特に限定されず、空気下でも不活性ガス雰囲気内でも良い。
［液処理工程］
本発明の方法において、前記絶縁層の回路を形成する面に水または水溶液を付着させる液処理工程は、▲１▼紫外線照射工程の前、▲２▼紫外線照射工程と加熱工程との間、▲３▼加熱工程と回路形成工程との間、の少なくともいずれかの時点で行う。▲１▼▲２▼▲３▼のいずれか１回でもよいし、いずれか２回でもよいし、▲１▼〜▲３▼の全ての時点で行ってもよい。
【００１５】
使用可能な水溶液としては、塩、アミン、アンモニア、水酸化ナトリウム、および水酸化カリウムの水溶液、硫酸水、硝酸水、過酸化水素水等が挙げられる。特にｐＨ９〜１４のアルカリ性水溶液を使用することが好ましく、さらに好ましくはｐＨ１１〜１４のアルカリ性水溶液を使用する。
使用可能なアルカリ性水溶液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、モノエタノールアミン、アニリン、水酸化リチウム、水酸化カルシウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、メチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、およびプロピルアミンの水溶液、およびこれらを２種以上混合した水溶液が挙げられる。なお、この液処理工程の前後に、無電解めっきの前処理液として市販されている薬液で、前記絶縁層の回路形成面を処理してもよい。
【００１６】
使用する処理液の温度は１０℃〜９０℃であることが好ましい。より好ましくは３０℃〜８０℃、更に好ましくは５０℃〜７０℃とする。
前記絶縁層の回路形成面に処理液（水または水溶液）を付着させる方法としては、処理液中に前記絶縁層が形成されている基板を浸漬する方法、前記絶縁層の回路形成面に処理液をスプレー塗布する方法等が挙げられる。処理時間（浸漬時間、スプレー時間）は１秒〜１時間の範囲内で行う。好ましくは１０秒〜３０分間、さらに好ましくは３０秒〜１５分間である。なお、処理後は浸漬法またはスプレー法により十分に水洗する。
【００１７】
［その他］
上述のように、本発明の配線基板の製造方法は、ポリフェニレンエーテルを含有する樹脂からなる絶縁層の回路形成面に対して、前記紫外線照射工程と加熱工程を（好ましくは液処理工程も）行うことを特徴としている。これらの特徴部分以外の工程については、従来より公知の方法で行うことができる。
例えば、前記絶縁層に対する回路形成工程としては、前記絶縁層に銅箔などの導電性層を形成した後に、この導電性層をパターニングすることで回路を形成する方法を採用してもよいし、マスクを介した成膜法により、回路パターンの導電性層を前記絶縁層に直接形成する方法を採用してもよい。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
［配線基板の作製］
サンプルＮｏ．  １〜１１の各配線基板を以下の手順で作製した。
＜１．ポリフェニレンエーテルを含有する樹脂からなる絶縁層の形成＞
（１）  ポリフェニレンエーテル系樹脂Ａ〜Ｄの合成
（１−１）  ポリフェニレンエーテル系樹脂Ａを以下の方法で合成した。
ポリフェニレンエーテルとして、ポリ（２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエーテル）を用意した。このポリ（２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエーテル）の、３０℃、０．５ｇ／ｄｌのクロロホルム溶液で測定した粘度数ηｓｐ／ｃは０．４４であった。また、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサンからなる反応開始剤として、日本油脂（株）製の「パーヘキサ２５Ｂ」を用意した。
【００１９】
先ず、前記ポリ（２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエーテル）１００質量部と、無水マレイン酸１．５質量部と、前記反応開始剤１．０質量部とを、室温で混合（ドライブレンド）した。次に、この混合物を二軸押し出し機にかけて、シリンダー温度３００℃、スクリュー回転速度２３０ｒｐｍの条件で押し出すことにより、ポリ（２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエーテル）と無水マレイン酸を反応させた。これにより、ポリフェニレンエーテル系樹脂Ａ（変性ポリフェニルエーテル）を得た。
【００２０】
（１−２）  公知の方法（国際公開第０１／６２８２８号パンフレットに記載された方法）に従って、前記ポリフェニレンエーテル系樹脂Ａを再配分反応させることにより、ポリフェニレンエーテル系樹脂Ｂを得た。
すなわち、先ず、このポリフェニレンエーテル系樹脂Ａ：１００質量部と、フェノール性化合物である２，６−キリレノール：１．５質量部と、反応開始剤であるビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート：２．５質量部と、トルエン（溶剤）：５５０質量部とを容器内に入れ、８０℃で３時間攪拌した。次に、得られた低分子量ポリフェニレンエーテル反応生成物を、使用したトルエンと同容積のメタノールで再析出させた後、その三倍量のメタノールで洗浄した後に乾燥させた。この精製後の低分子量ポリフェニレンエーテル反応生成物（変性ポリフェニレンエーテル）をポリフェニレンエーテル系樹脂Ｂとする。
【００２１】
（１−３）  ポリフェニレンエーテル系樹脂Ｃを以下の方法で合成した。
先ず、（１−１）  と同じポリ（２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエーテル）１００質量部と、無水マレイン酸１．５質量部とを、室温で混合（ドライブレンド）した。次に、この混合物を二軸押し出し機にかけて、シリンダー温度３００℃、スクリュー回転速度２３０ｒｐｍの条件で押し出すことにより、ポリ（２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエーテル）と無水マレイン酸を反応させた。これにより、ポリフェニレンエーテル系樹脂Ｃ（変性ポリフェニルエーテル）を得た。
【００２２】
（１−４）  ポリフェニレンエーテル系樹脂Ｄを以下の方法で合成した。
ポリフェニレンエーテルとして、ポリ（２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエーテル）を用意した。このポリ（２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエーテル）の、３０℃、０．５ｇ／ｄｌのクロロホルム溶液で測定した粘度数ηｓｐ／ｃは０．４６であった。
このポリ（２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエーテル）を用い、公知の方法（特開昭６４−６９６２９号公報に記載された方法）に従って、アリル基置換ポリフェニレンエーテル（不飽和基を含むポリフェニレンエーテル）を得た。このアリル基置換ポリフェニレンエーテルは、アリル基の平均置換率が１４％であり、前記と同様の方法で測定した粘度数ηｓｐ／ｃは０．４４であった。このアリル置換ポリフェニレンエーテルをポリフェニレンエーテル系樹脂Ｄとする。
【００２３】
（２）  ポリフェニレンエーテル系樹脂Ａ〜Ｄからなる絶縁層の形成
熱硬化性付与成分として、日本化成（株）製のトリアリルイソシアヌレート（ＴＡＩＣ）を用意した。ラジカル反応開始剤（２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン：「ＰＨ」）として、日本油脂（株）製の「パーヘキサ２５Ｂ」を用意した。絶縁層の物性を向上させる目的で添加する熱可塑性樹脂として、旭化成（株）製の「ハイインパクトポリスチレン」：ＨＩＰＳを用意した。
【００２４】
先ず、上記各成分とポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）系樹脂Ａ〜Ｄを下記の表１に示す組成で配合して樹脂組成物を得、これをトルエンに溶解または分散させて液状物とした。
次に、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムとして、（株）リンテック製の「ＰＥＴ―ＧＳ５０」（厚さ５０μｍ）を用意した。このＰＥＴフィルム上に前記液状物をバーコーターを用いて塗布した後、液膜からトルエンを蒸発させた。その後、このフィルムをエアーオーブンに入れて、液膜を更に乾燥させた。これにより、ＰＥＴフィルムからなる基板１の上に、前記各樹脂組成物からなる樹脂層２０を厚さ４５μｍで形成した。図１（ａ）はこの状態を示す。各樹脂層２０の表面は光沢があり、均一なフィルム状になっていた。
【００２５】
次に、図１（ｂ）に示すように、この基板１の樹脂層２０側を、銅張積層板（コア基板）３の両面に固定した。この銅張積層板３は、厚さ０．８ｍｍの絶縁基板３１と、その両面に形成された２５μｍの銅箔３２とからなる。両面の銅箔３２には予め必要な回路パターンが形成されている。この銅張積層板３の両面の銅箔３２に樹脂層２０を配置して熱プレスを行った。
【００２６】
この熱プレスは、圧力：１．９６×１０６  Ｐａで、室温から所定速度で温度を１８０℃まで上昇させた後、１８０℃で１５分間保持して樹脂層２０を熱硬化させ、その後に所定速度で冷却することにより行った。この熱プレスの後にＰＥＴ基板１を剥離した。
これにより、銅張積層板（コア基板）３の銅箔３２（回路パターンが形成されている）面に、熱硬化性ポリフェニレンエーテルを含有する樹脂からなる絶縁層２が形成されて、図１（ｃ）に符号「４」で示す積層体（銅張積層板３に薄い絶縁層２が形成された積層体）が得られた。
【００２７】
この絶縁層２は、サンプルＮｏ．  １〜３，Ｎｏ．  ５，Ｎｏ．  ６，Ｎｏ．  １０では、ポリフェニレンエーテル系樹脂Ｂとトリアリルイソシアヌレートとハイインパクトポリスチレンとからなる。サンプルＮｏ．  ４とＮｏ．  １１では、ポリフェニレンエーテル系樹脂Ｂとトリアリルイソシアヌレートとからなる。
サンプルＮｏ．  ７では、この絶縁層２は、ポリフェニレンエーテル系樹脂Ａとトリアリルイソシアヌレートとハイインパクトポリスチレンとからなる。サンプルＮｏ．  ８では、ポリフェニレンエーテル系樹脂Ｃとトリアリルイソシアヌレートとハイインパクトポリスチレンとからなる。サンプルＮｏ．  ９では、ポリフェニレンエーテル系樹脂Ｄとトリアリルイソシアヌレートとハイインパクトポリスチレンとからなる。
【００２８】
＜２．紫外線照射工程＞
次に、図１（ｃ）に示すように、銅張積層板３に薄い絶縁層２が形成された積層体４の両面（絶縁層２の回路形成面）２１に、紫外線５を照射する工程を行った。
サンプルＮｏ．  １，２，５〜９では、波長１７２ｎｍの紫外線を放射するキセノンエキシマーランプを用い、ランプと絶縁層２の回路形成面２１との間隔を１ｍｍとして、空気中で３０秒間紫外線照射を行った。これにより、サンプルＮｏ．  １，２，５〜９では、絶縁層２の回路形成面２１に紫外線が照射量１×１０４  Ｊ／ｍ２  で照射された。
【００２９】
サンプルＮｏ．  ３，４，１１では、波長１８５ｎｍおよび２５４ｎｍの紫外線を放射する低圧水銀ランプを用い、ランプと絶縁層２の回路形成面２１との間隔を１ｍｍとして、空気中で３０秒間紫外線照射を行った。これにより、サンプルＮｏ．  ３，４，１１では、絶縁層２の回路形成面２１に紫外線が照射量２×１０４  Ｊ／ｍ２  で照射された。
サンプルＮｏ．  １０では紫外線照射を行わなかった。
【００３０】
＜３．液処理工程＞
次に、図１（ｄ）に示すように、この積層体４を、処理液６１が入った容器６内に浸漬することで液処理工程を行った。
サンプルＮｏ．  １，３，７〜１１では、濃度：２５ｇ／リットル、ｐＨ：１３の水酸化ナトリウム水溶液（表１の「液の種類」の欄には、これを「アルカリ性ａ」と表示した。）を用い、液温を６０℃に保持して５〜１５分間浸漬した。
サンプルＮｏ．  ２では、濃度：４０ｇ／リットル、ｐＨ：１４の水酸化ナトリウム水溶液（表１の「液の種類」の欄には、これを「アルカリ性ｂ」と表示した。）を用い、液温を５０℃に保持して５分間浸漬した。
【００３１】
サンプルＮｏ．  ４では、濃度：４０ｇ／リットル、ｐＨ：１４の水酸化ナトリウム水溶液（表１の「液の種類」の欄には、これを「アルカリ性ｂ」と表示した。）を用い、液温を６０℃に保持して５分間浸漬した。
サンプルＮｏ．  ５では、濃度：２０ミリリットル／リットル、ｐＨ：１の硫酸水溶液（表１の「液の種類」の欄には、これを「酸性」と表示した。）を用い、液温を６０℃に保持して５分間浸漬した。
サンプルＮｏ．  ６では液処理工程を行わなかった。
【００３２】
＜４．加熱工程＞
次に、サンプルＮｏ．  １〜１０では、図２（ａ）に示すように、この積層体４を加熱炉７内に入れて、１８０℃に６０分間加熱した。サンプルＮｏ．  １１ではこの加熱工程を行わなかった。
＜５．銅箔形成工程＞
次に、この積層体４の絶縁層２に、スパッタリング法により厚さ０．４μｍの銅薄膜を形成した後、電解銅めっきを行った。これにより、この積層体４の絶縁層２に厚さ２５μｍの銅箔８が形成された。図２（ｂ）はこの状態を示す。
【００３３】
［配線基板の性能評価］
このようにして得られたサンプルＮｏ．  １〜１１の配線基板について、銅箔８に対する回路形成の前に、銅箔８の絶縁層２に対する接着強度を「ＪＰＣＡ−ＢＵ０１」に準拠して測定した。また、銅箔８と絶縁層２との間に膨れや剥がれ等の欠陥が有るか無いかについて目視により観察した。これらの結果を下記の表１に併せて示す。
【００３４】
【表１】
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【００３５】
この表に示すように、本発明の方法で製造された配線基板に相当するサンプルＮｏ．  １〜９は、銅箔８の絶縁層２に対する接着強度が５Ｎ／ｃｍ以上と高く、欠陥も無かった。これらのうち、液処理工程を水酸化ナトリウム（アルカリ性ａ，ｂ）を用いて行ったサンプルＮｏ．  １〜４，７〜９は、液処理工程を硫酸水（酸性）を用いて行ったサンプルＮｏ．  ５および液処理工程を行わなかったサンプルＮｏ．  ６よりも、銅箔８の絶縁層２に対する接着強度が高くなった。
そして、サンプルＮｏ．  １〜９について、図２（ｂ）の状態の銅箔８に対して回路形成を行ったところ、得られた回路は、電気的特性および信頼性のいずれにおいても問題が生じなかった。
【００３６】
これに対して、紫外線照射工程を行わなかったサンプルＮｏ．  １０では、銅箔８と絶縁層２との間に部分的な剥がれが生じた。また、銅箔８の絶縁層２に対する接着強度を、剥がれが生じていない部分で測定したところ、１Ｎ／ｃｍ以下と低かった。
銅箔８を形成する前の加熱工程を行わなかったサンプルＮｏ．  １１でも、銅箔８と絶縁層２との間に部分的な剥がれが生じた。また、銅箔８の絶縁層２に対する接着強度を、剥がれが生じていない部分で測定したところ、１Ｎ／ｃｍ以下と低かった。
【００３７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の配線基板の製造方法によれば、ポリフェニレンエーテルを含有する樹脂からなる絶縁層の表面を粗化することなく、この絶縁層とその上に形成する導体層との密着性を良好にすることができる。
すなわち、本発明の方法によれば、例えば、熱硬化性付与成分としてトリアリルイソシアヌレートおよび／またはトリアリルシアヌレートを含有するポリフェニレンエーテル樹脂組成物を熱硬化させて得られる絶縁層を用い、その高い性能（信号の配線遅延や伝送損失が低く、耐熱性および耐水性にも優れている）を保持しながら、信頼性の高い配線基板を得ることができる。また、絶縁層の表面を粗化しないため、微細な配線を高精度で形成することができる。
したがって、本発明の方法によれば、高速且つ高周波領域の電気信号を扱う配線基板、特に高速ＣＰＵパッケージおよび高周波ＩＣパッケージとして好適な配線基板を製造することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板の製造方法の一実施形態を、各工程毎に説明する断面図である。
【図２】本発明の配線基板の製造方法の一実施形態を、各工程毎に説明する断面図である。
【符号の説明】
１  ＰＥＴフィルムからなる基板
２  ポリフェニレンエーテル系樹脂からなる絶縁層
２０  樹脂層（熱硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂組成物からなる層）
２１  絶縁層の回路形成面
３  銅張積層板（コア基板）
３１  絶縁基板
３２  銅箔
４  積層体
５  紫外線
６  容器
６１  処理液
７  加熱炉
８  銅箔
【図１】
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【図２】
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