(57)【要約】【課題】有機ＥＬ素子の光出射面において補助電極上部周辺の輝度が他の位置に比べて極めて高くなってしまうことがなく、また、補助電極上部周辺に輝点が発生しにくい、実質的に輝度むらのない有機ＥＬ素子を提供する。【解決手段】一対の電極間に有機発光材料を含有する有機層３が狭持され、少なくとも一方の電極１が透明であり、有機層３で発せられた光を透明な電極１側から外部へ取り出し、透明な電極１と有機層３との間の一部に、透明電極１よりも低抵抗率の補助電極２が配置され、補助電極２は、透明電極１と接していない表面がプラズマ処理されている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に有機発光材料を含有する有機層が狭持され、少なくとも一方の電極が透明であり、有機層で発せられた光が透明な電極側から外部へ取り出される有機電界発光素子であって、
透明な電極と有機層との間の一部に、当該電極よりも低抵抗率の補助電極が配置され、当該補助電極は、前記透明な電極と接していない表面がプラズマ処理されていることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項２】
一対の電極間に有機発光材料を含有する有機層が狭持され、少なくとも一方の電極が透明であり、有機層で発せられた光が透明な電極側から外部へ取り出される有機電界発光素子であって、
透明な電極と有機層との間の一部に、当該電極よりも低抵抗率の補助電極が配置され、当該補助電極は、前記透明な電極と接していない表面が、十点平均粗さで８０ｎｍ以下であることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項３】
一対の電極間に有機発光材料を含有する有機層が狭持され、少なくとも一方の電極が透明であり、有機層で発せられた光が透明な電極側から外部へ取り出される有機電界発光素子であって、
透明な電極と有機層との間の一部に、当該電極よりも低抵抗率の補助電極が配置され、当該補助電極は、前記透明な電極と接していない表面の十点平均粗さが、前記有機層の膜厚以下の大きさであることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の有機電界発光素子であって、
前記補助電極は不透明であることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の有機電界発光素子であって、
補助電極の有機層と接する表面が、絶縁性である、又は、補助電極の他の部位よりも高抵抗であることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項６】
一対の電極間に有機発光材料を含有する有機層が狭持され、少なくとも一方の電極が透明であり、有機層で発せられた光を透明な電極側から外部へ取り出す有機電界発光素子の製造方法であって、
透明な電極上の一部に、当該電極よりも低抵抗率の補助電極を配置する工程と、
少なくとも補助電極表面をプラズマ処理する工程と、
透明電極及び補助電極上に前記有機層及び他の電極を順次積層する工程と、を有することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の有機電界発光素子の製造方法において、
補助電極を、酸素の存在する雰囲気下でプラズマ処理することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一対の電極間に有機発光材料を含有する有機層が狭持され、少なくとも一方の電極が透明であり、有機層で発せられた光を透明な電極側から外部へ取り出す有機電界発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）は、一対の電極間に有機発光材料を含有する有機層が狭持され、電極間に電流が流されるとホール（正孔）と電子とが再結合して励起子が生成し、有機発光材料が励起状態となり、これが基底状態に戻る際にエレクトロルミネッセンス（光）を発する自発光素子である。
【０００３】
このような有機ＥＬ素子は、有機層で発せられた光を、少なくとも一方の電極側から外部へ取り出す。したがって、光取出側に設けられる電極は透明電極（透明導電膜）にされる。
【０００４】
しかし、透明電極は一般に高抵抗であるために、得られる有機ＥＬ素子は、消費電力が大きくなってしまう。
また、図４に示すように、透明電極１００における端子付近Ｘ１と端子から遠い部分（例えばＸ２）とでは電位差が生じるため、結果として、得られた有機ＥＬ素子／有機層３００は、端子付近Ｘ１と、そうでない部分（例えばＸ２）とで得られる光の量／輝度が異なってしまう。つまり輝度むらが生じてしまう。
【０００５】
この問題を解決するために、図５に示すように、透明電極１００としての陽極（ホール注入電極、正孔注入電極）上に、有機発光材料を含む一層の又は積層構造の有機層３００と、対向電極４００としての陰極（電子注入電極）とが順次積層された構成をとり、透明電極１００よりも抵抗率の低い補助電極２００を透明電極１００の一部分のみに積層して透明電極１００と電気的に接続する従来技術が提案されている（例えば特許文献１を参照）。
この従来技術によれば、透明電極１００に低抵抗率の補助電極２００が設けられているために、陽極全体の抵抗が小さくなり、有機ＥＬ素子としての消費電力の低減（電力効率／発光効率の向上）が図れる。
また、透明電極１００上に補助電極２００が設けられているために、透明電極１００面内における電位差を、補助電極を設けない場合と比べて小さくでき、輝度むらの発生を抑制できる。つまり、位置Ｘ１とＸ２との輝度の差／輝度比を小さくできる。
【０００６】
【特許文献１】
特開平１１−３３９９７０号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来技術を用いた場合、補助電極２００が設けられた位置における透明電極１００と対向電極４００との距離（厚み）が、他の場所における透明電極１００と対向電極４００との距離と比べて短くなってしまうため、有機ＥＬ素子の光出射側（光出射面）において補助電極２００上部周辺の輝度が他の位置の輝度に比べて高くなってしまう。また、有機ＥＬ素子の光出射面において補助電極２００上部周辺に、補助電極２００と対向電極４００とがリークしているために生じると考えられる輝点、又は両者が極めて接近しているために生じると考えられる輝点が散見されてしまう。
つまり、上記従来技術を用いても、実質的に輝度むらを防止できているとは言い得ない。
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、有機ＥＬ素子の光出射面において補助電極上部周辺の輝度が他の位置に比べて極めて高くなってしまうことがなく、また、補助電極上部周辺に輝点が発生しにくい、実質的に輝度むらのない有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。
また、本発明は、このような有機ＥＬ素子の製造方法を提供することを第二の目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る第一の有機ＥＬ素子は、一対の電極（透明電極−対向電極）間に有機発光材料を含有する有機層が狭持され、少なくとも一方の電極が透明であり、有機層で発せられた光を透明な電極側から外部へ取り出し、透明な電極と有機層との間の一部に、当該電極よりも低抵抗率の補助電極が配置され、当該補助電極は、前記透明な電極と接していない表面がプラズマ処理されていることを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る第二の有機ＥＬ素子は、一対の電極（透明電極−対向電極）間に有機発光材料を含有する有機層が狭持され、少なくとも一方の電極が透明であり、有機層で発せられた光を透明な電極側から外部へ取り出し、透明な電極と有機層との間の一部に、当該電極よりも低抵抗率の補助電極が配置され、当該補助電極は、前記透明な電極と接していない表面が、十点平均粗さで８０ｎｍ以下であることを特徴とする。
【００１１】
本発明に係る第三の有機ＥＬ素子は、一対の電極（透明電極−対向電極）間に有機発光材料を含有する有機層が狭持され、少なくとも一方の電極が透明であり、有機層で発せられた光を透明な電極側から外部へ取り出し、透明な電極と有機層との間の一部に、当該電極よりも低抵抗率の補助電極が配置され、当該補助電極は、前記透明な電極と接していない表面の十点平均粗さが、前記有機層の膜厚以下の大きさであることを特徴とする。
【００１２】
なお、第一〜第三の有機ＥＬ素子は、補助電極が不透明であってもよい。
さらに、補助電極の有機層と接する表面が、絶縁性であってもよく、補助電極の他の部位よりも高抵抗とされていてもよい。
【００１３】
本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、一対の電極間に有機発光材料を含有する有機層が狭持され、少なくとも一方の電極が透明であり、有機層で発せられた光を透明な電極がから外部へ取り出す有機ＥＬ素子の製造方法であって、透明な電極上の一部に、当該電極よりも低抵抗率の補助電極を配置する工程と、少なくとも補助電極表面をプラズマ処理する工程と、透明電極及び補助電極上に前記有機層及び他の電極を順次積層する工程と、を有することを特徴とする。
また、上記製造方法において、補助電極を、酸素雰囲気下でプラズマ処理してもよい。
【００１４】
なお、本明細書において、十点平均粗さは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１  ２００１の付属書１（参考）に定義されている十点平均粗さを意味する。
また、本明細書において、算術平均高さは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１  ２００１に定義されている算術平均高さＲａを意味する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子について図面を参照しながら詳細に説明し、あわせてこの有機ＥＬ素子の製造方法についても詳細に説明する。
図１に示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子は、透明基板５上に、陽極である透明電極１が形成され、透明電極１上の一部に補助電極２が形成され、透明電極１及び補助電極２上に有機発光材料を含む有機層３が形成され、有機層３上に陰極である対向電極４が形成され、透明電極１−対向電極４間に電流が流されると有機層３で光を発生し、発生した光を透明電極１側の光取出面５０から素子外部へ取り出す素子である。そして、補助電極２の透明電極１と接していない部分がプラズマ処理されていることを特徴とする。
まず、補助電極２及び透明電極１について詳細に説明する。
【００１６】
〈補助電極２〉
図２に示すように、透明電極１上の（破線で示す有機層３側の）一部に設けられる、透明電極１よりも抵抗率の低い導電層であり、透明電極１と電気的に接続される。この構成を採用するため、以下の効果を得ることができる。
・陽極としての透明電極１の一部に、抵抗率の低い補助電極２が設けられているため、陽極全体としての抵抗が小さくなる。
・透明電極１全面における電位が均一化し、有機層３に流れる電流量がいずれの位置でもほぼ同一となり、発生する光の量（輝度）がほぼ均一になる。
・補助電極２は透明電極１の一部に設けられるため、補助電極２が非透明であっても、素子外部へ光を取り出すことができる。
【００１７】
補助電極２を構成する材料としては、補助電極２に透明電極１よりも低い抵抗率を付与する材料で有ればどのようなものでも採用でき、例えば、Ａｌ、Ｓｃ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷ等から選択することができる。これらの材料は、一種のみで用いても良く、二種以上を混合して／合金として用いても良い。これらの材料を二種以上用いるときの混合比は任意である。これらの金属元素は、材料、製造工程等から混入される不可避成分を除いて、実質的に補助電極２を構成する元素となっていることが望ましい。
以上のような材料の中でも、Ａｌ単体の補助電極や、Ａｌを主成分とし上記した遷移元素を一種以上含む合金が好ましく用いられる。この合金は、Ａｌの含有量が９０ａｔ％以上、特に９５ａｔ％以上であることが好ましい。
【００１８】
なお、透明電極１上における補助電極２の線幅Ａは、特に制限されない。
補助電極２の膜厚Ｂは、有機層３の膜厚より薄くすることが好ましい。一般には１０〜１０００ｎｍ、特には２０〜５００ｎｍ、さらには１００〜３００ｎｍ程度が好ましい。
また、有機層３で発せられた光を透明電極１側から取り出す場合には、補助電極２は、透明にしてもよく、この場合には、好ましくは有機層３で発せられた光に対する透過率が８０％以上になるようにする。例えばＰｔにより補助電極２を形成した場合、膜厚Ｂが１ｎｍで可視光の透過率が約８２％であるので、膜厚Ｂを０．５〜２０ｎｍ、特に１〜１０ｎｍにするとよい。
【００１９】
補助電極２の表面の内、透明電極１と接していない部分は、プラズマ処理されている。なお、透明電極１と接していない表面すべてがプラズマ処理されていなければならないのではなく、実質的に表面すべてがプラズマ処理されていれば足り、例えば、少なくとも透明電極１と接する面とは反対側の面や、有機層３と接する面がほぼプラズマ処理されていればよい。好ましくは、透明電極１と接していない部分の５０％以上、好ましくは７５％以上、望ましくは９０％以上がプラズマ処理されていればよい。
【００２０】
プラズマ処理としては、ＤＣプラズマ処理やＲＦプラズマ処理など、電極の表面処理に用いられる公知のプラズマ処理を適宜採用できる。
【００２１】
プラズマ処理に用いる処理ガスとしては、どのようなガスであってもよく、例えば、Ａｒ等の不活性ガスを採用しても良く、酸素や窒素等を採用しても良い。
【００２２】
なお、Ｏを含むガスを用いてプラズマ処理した場合には、補助電極２の透明電極１と接しない表面の一部又は全部を酸化して、補助電極２から有機層３へ電気が流れにくくする、又は流れなくすることが可能になる。特に、補助電極２が不透明である場合、補助電極２の背後の有機層３で発生した光のほとんどは、補助電極２に遮られて素子外部へ出射できないため、この領域（補助電極２の背後の有機層３）を光らせないようにすれば、素子外部へ出射される光の量（利用できる光の量）をほとんど変えることなく消費電力を下げることが可能になる。
つまり、補助電極２の表面の内、透明電極１と接していない面を絶縁性としたり、補助電極２内部よりも高抵抗にしたりしてもよい。
【００２３】
処理ガスの流量は、使用するガスの種類や動作条件などにより異なるが、通常Ｏ２換算で５〜５００ＳＣＣＭ程度である。動作圧力は、通常０．３〜５Ｐａ程度が好ましい。
プラズマ処理に用いる高周波誘導コイルに印加される高周波としては、一般に高周波１３．５６ＭＨｚ程度、電力０．１〜５ｋＷ程度の高周波電力が印加されるが、これらに限定されるものではなく、プラズマを発生、維持可能な周波数、電力を与えればよい。
プラズマ処理の時間としては、１分以上、特に２分〜２０分が好ましい。
【００２４】
このように補助電極２表面をプラズマ処理することにより、プラズマ処理しない場合と比べて補助電極２上部周辺における輝点の発生がほぼなくなり、また、光出射面５０において補助電極２上部周辺が他の部分と比べて輝度が高くなるということが少なくなる。
【００２５】
このように本実施の形態に係る有機ＥＬ素子が実質的に輝度むらがないのは、補助電極２の表面をプラズマ処理したために、表面が平坦化され、補助電極２と対向電極４とが接している箇所や極めて近づいている箇所がなくなったためと考えられる。
【００２６】
従来技術において、輝点が生じたり、他の部位に比べて輝度が高くなってしまったりするのは、補助電極２上の凹凸のために、補助電極２と対向電極４との距離が極めて短くなる部分が生じ、この部分で両者間に狭持される有機層３の膜厚が、他の場所に比べて極めて薄くなるからと考えられる。有機層３が極めて薄い部分は、他の部分と比べて低抵抗であるために電流が多く流れ、輝度が高くなる。また、電流が多く流れることで上記部位の温度が高くなり、さらに低抵抗になり、より輝度が高くなってしまう。したがって、光出射面５０において、補助電極２が設けられた位置近傍に輝点が生じたり、この位置近傍の輝度が他の位置の輝度に比べて高くなってしまったりしてしまう。
【００２７】
これに対して、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子では、補助電極２が平坦化されているために、補助電極２と対向電極４との距離、つまり両者間の有機層３の膜厚が、他の位置における有機層３の膜厚と比べて十分な厚さがあるため、前記したように輝度が高くなったり、輝点が生じたりすることがなく、実質的に輝度むらをなくせる。さらに、このような位置の素子寿命を、ひいては有機ＥＬ素子の素子寿命を長くすることも可能になる。
【００２８】
なお、補助電極２の表面の粗さを以下のいずれかのようにすると、輝点の発生及び輝度むらの発生をほとんど確認できないことが分かった。
・補助電極２の表面を、十点平均粗さで８０ｎｍ以下に平坦化する。
・補助電極２の表面粗さを、十点平均粗さで、有機層３の膜厚以下の大きさに平坦化する。
【００２９】
また、以上の条件において、十点平均粗さの下限は特に限定されない。後述するように、補助電極２の表面粗さが十点平均粗さで２０ｎｍ程度でも良好な効果が得られた。
このように、補助電極２の表面を平坦化することで、補助電極２と対向電極４とのリークや、有機層３の膜厚が極めて薄い部分をなくすことができる。
【００３０】
さらに、補助電極２の表面を、算術平均高さで０．１ｎｍ以上５．０ｎｍ以下程度にした上で、十点平均粗さを前記したように設計すると、特に良好な効果が得られる。
また、補助電極２の表面粗さを、十点平均粗さで、有機層３の膜厚の１．６分の１以下にすると、輝度むらが極めて少なく、かつ、輝点が発生する可能性が極めて少ない有機ＥＬ素子を得ることができる。
【００３１】
補助電極２は、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法、真空蒸着法、ＥＢ蒸着法等の公知の薄膜成膜法を用いて透明電極１上に形成すればよい。特に、真空蒸着法を用い、陰極形成用の材料と同一の材料によって補助電極を形成すると、真空蒸着装置の中で一貫して製造できるために好ましい。
【００３２】
スパッタ法を用いれば、透明電極１と補助電極２との接着性を極めて高くできる。
スパッタ法を用いる場合には、ターゲットとしては、通常、補助電極２の組成と同じもの（前記金属や合金の焼結体）を用いる。成膜される補助電極２の組成は、ターゲットとほぼ同じものが得られる。
スパッタ時のスパッタガスの圧力は、０．５〜５Ｐａの範囲が好ましい。また、成膜中にスパッタガスの圧力を前記範囲内で変化させることにより、濃度勾配を有するホール注入層を容易に得ることができる。
スパッタガスには、通常のスパッタ装置に使用される不活性ガスが使用できる。中でもＡｒ、Ｋｒ、Ｘｅのいずれか、あるいはこれらの少なくとも一種以上のガスを含む混合ガスを用いることが好ましい。
また、反応性スパッタを行っても良く、反応性ガスとしては、酸化物を形成する場合、Ｏ２、ＣＯ等が挙げられ、窒化物を形成する場合Ｎ２、ＮＨ３、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ等が挙げられ、炭化物を形成する場合、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ４、ＣＯ等が挙げられる。これらの反応性ガスは単独で用いても、二種以上を混合して用いても良い。
スパッタ法としては、ＲＦ電源を用いた高周波スパッタ法を用いても、ＤＣスパッタ法を用いてもよいが、ＲＦスパッタ法が好ましい。成膜レートは０．５〜１０ｎｍ／ｍｉｎの範囲が好ましい。
【００３３】
透明電極１の一部に所定の形状で補助電極２を形成するには、公知のパターニング手法を採用すればよく、例えば、通常用いられているレジスト材を使用したパターニングの手法を用いることができる。エッチングはドライでもウェットでも良く、ウェットの場合のエッチング液としては、Ａｌの補助電極２の場合にはリン酸、硝酸及び酢酸の混合溶液系を用いる等、それぞれの金属を選択的にエッチングすることが可能なエッチング液を用いることが好ましい。
【００３４】
なお、補助電極２と透明電極１との間に、窒化チタン（ＴｉＮ）等のバリア層を設けても良い。バリア層としては、補助電極２のエッチャントに対し、十分な耐エッチング性を有することが好ましく、クロム、窒化チタン、窒化モリブデン、窒化タンタル、窒化クロム等の窒化物、コバルトシリサイド、クロムシリサイド、モリブデンシリサイド、タングステンシリサイド、チタンシリサイド等のシリサイド化合物、チタンカーバイド、ドープト炭化シリコン等を好ましく挙げることができる。これらの中でも、窒化チタンやクロムは耐腐食性が高く好ましい。窒化チタンの窒化率は５〜５５％でよい。
バリア層の膜厚は、５〜２００ｎｍ、特に３０〜１００ｎｍが好ましい。
【００３５】
〈透明電極１〉
透明電極１は、有機層３よりも光取出側に設けられる電極であり、本実施の形態では透明基板５上に設けられる陽極である。
【００３６】
透明電極１形成用の材料は、有機層３（有機層３を形成する正孔注入層／正孔注入輸送層等）に正孔を効率よく注入することができるものが望ましく、一般には、仕事関数４．５ｅＶ〜５．５ｅＶの物質が好ましい。具体的には、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム（ＩＺＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化錫（ＳｎＯ２）及び酸化亜鉛（ＺｎＯ）のいずれかを主組成としたものが好ましい。
これらの酸化物は、その化学両論組成から多少偏倚していてもよい。ＩＴＯにおけるＩｎ２Ｏ３に対するＳｎＯ２の混合比は、１〜２０ｗｔ％、さらには５〜１２ｗｔ％が好ましい。ＩＺＯにおけるＩｎ２Ｏ３に対するＺｎＯの混合比は、通常、１２〜３２ｗｔ％程度である。なお、透明電極１全体の平均値としてこのような組成で有れば、膜厚方向に濃度勾配を持っていてもよい。
その他、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｐｂ等が酸化物の形で、酸化物換算にして１ｗｔ％以下含まれていてもよい。
【００３７】
なお、本明細書において「透明」とは、素子外部へ取り出す光に対する光透過率が５０％以上、好ましくは８０％以上、望ましくは９０％以上であることを言い、一般には、４００〜８００ｎｍ程度の波長の光（可視光）を素子外部へ取り出す。透過率が低くなるすぎると、発光層からの発光自体が減衰され、発光素子として必要な輝度を得難くなってくる。
【００３８】
透明電極１の厚さは、有機層に正孔注入を十分に行える一定以上の厚さを有すればよく、通常、１０〜５０ｎｍ程度とすることが好ましい。上限には特に制限はないが、あまり厚いと透過率の低下や剥離などの心配が生じる。厚さが薄すぎると、十分な正孔注入ができなかったり、製造時の膜強度等の点に問題が生じたりする。素子の信頼性を向上させるために駆動電圧が低いことが必要であるが、好ましいものとして、３〜３０Ω／シート（膜厚５０〜３００ｎｍ）のＩＴＯが挙げられる。実際に使用する場合には、ＩＴＯ等のホール注入電極界面での反射による緩衝効果が、光取出効率や色純度を十分に満足するように、電極の膜厚や光学定数を設定すればよい。
【００３９】
透明電極１は、蒸着法等の公知の薄膜形成法によって形成できるが、スパッタ法により形成することが好ましい。ＩＴＯ、ＩＺＯ電極の形成にはスパッタ法を用いる場合、好ましくはＩｎ２Ｏ３にＳｎＯ２やＺｎＯをドープしたターゲットを用いる。スパッタ法によりＩＴＯ透明電極を成膜した場合、蒸着により成膜したものよりも発光輝度の経時変化が少ない。スパッタ法としてはＤＣスパッタ法やＲＦスパッタ法が好ましく、その投入電力としては、０．１〜４Ｗ／ｃｍ２、特に０．２〜５Ｗ／ｃｍ２の範囲が好ましい。また、成膜レートは２〜１００ｎｍ／ｍｉｎ、特に５〜５０ｎｍ／ｍｉｎの範囲が好ましい。
【００４０】
スパッタガスとしては、特に制限するものではなく、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ等の不活性ガス、あるいはこれらの混合ガスを用いればよい。このようなスパッタガスのスパッタ時における圧力としては、通常０．１〜２０Ｐａ程度でよい。
【００４１】
また、透明電極１は、補助電極２と同様にプラズマ処理してもよい。プラズマ処理する場合には、透明電極１及び補助電極２をあわせて（同時に）処理してもよく、それぞれ別に処理してもよい。
次に、有機層３と対向電極４について説明する。
【００４２】
〈有機層３〉
有機層３は、Ａｌｑ３やＤＣＭ等の有機発光材料を含有し、有機材料を主体とすし、透明電極１と対向電極４との間に電圧が印加されるとエレクトロルミネッセンス（光）を発する層である。
有機層３は、上記材料を含有する一層構造であってもよく、積層構造であってもよい。積層構造を採用する場合には、有機発光材料を含有する層のことを特に発光層と表記する。
【００４３】
［層構成］
以下、図１に示す、基板５上に陽極としての透明電極１が形成され、透明電極１上に補助電極２が形成され、透明電極１及び補助電極２上（透明基板５とは反対側）にホール注入輸送層３０、発光層３１、電子注入輸送層３２が形成された有機ＥＬ素子に基づいて説明を行うが、他の層構成も当然に採用できる。
【００４４】
例えば、ホール注入輸送層の機能、すなわちホール注入機能及びホール輸送機能を発光層に持たせ、ホール注入輸送層を省略したり、電子注入輸送層を、電子注入機能を担う電子注入層と電子注入機能を担う電子輸送層とに機能分離して積層させたりすることも可能であり、より具体的には以下のような層構成を採用することもできる。
・（陽極）／ホール注入層／ホール輸送層／発光層／非発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極）
・（陽極）／ホール注入層／ホール輸送層／発光層／非発光層／電子注入輸送層／（陰極）
・（陽極）／ホール注入輸送層／発光層／非発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極）
・（陽極）／ホール注入輸送層／発光層／非発光層／電子注入輸送層／（陰極）
・（陽極）／発光層／非発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極）
・（陽極）／発光層／非発光層／電子注入輸送層／（陰極）
【００４５】
また、以上の各層は、それぞれ上記した以外の機能を有していてもよく、例えば、発光層は、ホール輸送機能、ホール注入機能、電子注入機能及び／又は電子輸送機能を備えていてもよい。
さらに、上記以外の層を適宜設けることができる。
当然、基板上に陰極から順次積層して有機ＥＬ素子を形成することもできる。
【００４６】
［ホール注入輸送層３０］
ホール注入輸送層３０は、透明電極１と発光層３１との間に設けられる層であり、透明電極１からホールが注入され、注入されたホールを発光層３１へ輸送する層である。一般に、ホール注入輸送層３０のイオン化エネルギーは、透明電極１の仕事関数と発光層３１のイオン化エネルギーの間になるように設定され、通常は５．０ｅＶ〜５．５ｅＶに設定される。
図１に示す有機ＥＬ素子は、ホール注入輸送層３０を備えることにより次のような性質を有する。
・駆動電圧が低い。
・透明電極１から発光層３１へのホール注入が安定化するので素子が長寿命化する。
・陰極１０と発光層３１との密着性が上がるため、発光面の均一性が高くなる。
・透明電極１の突起などを被覆し素子欠陥を減少できる。
【００４７】
また、ホール注入輸送層３０は、発光層３１よりも光取り出し側に設けられる場合には、取り出す光に対して透明に形成される。ホール注入輸送層３０を形成可能な材料の中から、薄膜化された際に上記光に対して透明な材料が適宜選択され、一般には取り出す光に対する透過率が１０％よりも大きくなるように設定される
【００４８】
ホール注入輸送層３０形成用の材料としては、ホール注入輸送層３０に以上の性質を付与するものであれば特に制限はなく、光伝導材料のホール注入材料として用いることができる公知の材料や、有機ＥＬ素子のホール注入輸送層に使用されている公知の材料などの中から任意の材料を選択して用いることができる。
【００４９】
例えば、フタロシアニン誘導体やトリアゾール誘導体、トリアリールメタン誘導体、トリアリールアミン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、ポリシラン誘導体、イミダゾール誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、ポルフィリン化合物、ポリアリールアルカン誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール誘導体など）、チオフェンオリゴマーなどの導電性高分子オリゴマー、銅フタロシアニン、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン類や無金属フタロシアニン類、キナクリドン化合物、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物などを挙げることができる。
【００５０】
トリアリールアミン誘導体としては、例えば、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（４”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メトキシフェニル）アミノ〕ビフェニル、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１”−ナフチル）アミノ〕ビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル、１，１−ビス〔４’−［Ｎ，Ｎ−ジ（４”−メチルフェニル）アミノ］フェニル〕シクロヘキサン、９，１０−ビス〔Ｎ−（４’−メチルフェニル）−Ｎ−（４”−ｎ−ブチルフェニル）アミノ〕フェナントレン、３，８−ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）−６−フェニルフェナントリジン、４−メチル−Ｎ，Ｎ−ビス〔４”，４’’’−ビス［Ｎ’，Ｎ’’−ジ（４−メチルフェニル）アミノ］ビフェニル−４−イル〕アニリン、Ｎ，Ｎ’’−ビス〔４−（ジフェニルアミノ）フェニル〕−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，３−ジアミノベンゼン、Ｎ，Ｎ’−ビス〔４−（ジフェニルアミノ）フェニル〕−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，４−ジアミノベンゼン、５，５”−ビス〔４−（ビス［４−メチルフェニル］アミノ）フェニル〕−２，２’：５’，２”−ターチオフェン、１，３，５−トリス（ジフェニルアミノ）ベンゼン、４，４’，４”−トリス（Ｎ−カルバゾリイル）トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス〔Ｎ−（３’’’−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス〔Ｎ，Ｎ−ビス（４’’’−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−４””−イル）アミノ〕トリフェニルアミン、１，３，５−トリス〔Ｎ−（４’−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ベンゼンなどを挙げることができる。
【００５１】
ポルフィリン化合物としては、例えば、ポルフィン、１，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン銅（ＩＩ）、１，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン亜鉛（ＩＩ）、５，１０，１５，２０−テトラキス（ペンタフルオロフェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン、シリコンフタロシアニンオキシド、アルミニウムフタロシアニンクロリド、フタロシアニン（無金属）、ジリチウムフタロシアニン、銅テトラメチルフタロシアニン、銅フタロシアニン、クロムフタロシアニン、亜鉛フタロシアニン、鉛フタロシアニン、チタニウムフタロシアニンオキシド、マグネシウムフタロシアニン、銅オクタメチルフタロシアニンなどを挙げることができる。
【００５２】
芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物としては、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノフェニル、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン、２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミノフェニル、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン、ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノフェニルエーテル、４，４’−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−［４（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］スチルベン、４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン、３−メトキシ−４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン、Ｎ−フェニルカルバゾールなどを挙げることができる。また、芳香族ジメチリディン系化合物も、ホール注入輸送層３１０の材料として使用することができる。
【００５３】
ホール注入輸送層３０は、上記したような材料の一種から形成してもよく、複数の材料を混合して形成してもよい。また、同一組成又は異種組成の複数層からなる複層構造であってもよい。
【００５４】
ホール注入輸送層３０は、材料を陽極上に、例えば真空蒸着法やスピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の薄膜成膜法によって形成すればよい。
膜厚は、選択する材料にもよるが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。
【００５５】
［発光層３１］
発光層３１は、主として有機材料で構成され、透明電極１側及び対向電極４側からそれぞれホール及び電子が注入され、ホール及び電子の少なくとも一方を輸送して両者を再結合し、励起子を作り、励起子が基底状態に戻る際にエレクトロルミネッセンス（光）を発する層である。
【００５６】
したがって、発光層３１形成用の材料（有機材料）は、以下の機能を有していればよい。
・ホール注入輸送層３０（又は透明電極１）からホールを注入することができるホール注入機能。
・電子注入輸送層３２から電子を注入することができる電子注入機能。
・注入されたホール及び電子の少なくとも一方を電界の力によって移動させる輸送機能。
・電子とホールの再結合し、励起状態（励起子）を生成する機能。
・励起状態から基底状態に戻る際にエレクトロルミネッセンスを生成する機能。
【００５７】
以上の機能を備えた材料としては、代表的なものとしては、例えばＡｌｑ３やＢｅ−ベンゾキノリノール（ＢｅＢｑ２）を挙げることができる。また、以下のような材料も採用できる。
【００５８】
２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）−１，３，４−チアジアゾール、４，４’−ビス（５，７−ベンチル−２−ベンゾオキサゾリル）スチルベン、４，４’−ビス〔５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル〕スチルベン、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ベンチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフィン、２，５−ビス（〔５−α，α−ジメチルベンジル〕−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、２，５−ビス〔５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル〕−３，４−ジフェニルチオフェン、２，５−ビス（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、４，４’−ビス（２−ベンゾオキサイゾリル）ビフェニル、５−メチル−２−〔２−〔４−（５−メチル−２−ベンゾオキサイゾリル）フェニル〕ビニル〕ベンゾオキサイゾリル、２−〔２−（４−クロロフェニル）ビニル〕ナフト〔１，２−ｄ〕オキサゾール等のベンゾオキサゾール系；２，２’−（ｐ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾール等のベンゾチアゾール系；２−〔２−〔４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニル〕ビニル〕ベンゾイミダゾール、２−〔２−（４−カルボキシフェニル）ビニル〕ベンゾイミダゾール等のベンゾイミダゾール系等の蛍光増白剤や、
【００５９】
ビス（８−キノリノール）マグネシウム、ビス（ベンゾ−８−キノリノール）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノール）インジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、８−キノリノールリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノール）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノール）カルシウム、ポリ〔亜鉛−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリノニル）メタン〕等の８−ヒドロキシキノリン系金属錯体；ジリチウムエピンドリジオン等の金属キレート化オキシノイド化合物；１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、１，４−ビス（２−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）２−メチルベンゼン等のスチリルベンゼン系化合物；２，５−ビス（４−メチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス（４−エチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス〔２−（１−ナフチル）ビニル〕ピラジン、２，５−ビス（４−メトキシスチリル）ピラジン、２，５−ビス〔２−（４−ビフェニル）ビニル〕ピラジン、２，５−ビス〔２−（１−ピレニル）ビニル〕ピラジン等のジスチルピラジン誘導体；ナフタルイミド誘導体；ペリレン誘導体；オキサジアゾール誘導体；アルダジン誘導体；シクロペンタジエン誘導体；スチリルアミン誘導体；クマリン系誘導体；芳香族ジメチリディン誘導体；アントラセン；サリチル酸塩；ピレン；コロネンや、
【００６０】
ファク−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム等の燐光発光材料など。
【００６１】
また、発光層３１は、エレクトロルミネッセンスの生成機能を担う材料（有機発光材料／ドーパント）と、その他の機能を担う材料（ホスト材）とを含有してもよい。この場合、ホスト材が、キャリア注入及びキャリア輸送を行い、再結合により励起状態となる。励起状態となったホスト材は、励起エネルギーをドーパントに移動させる。ドーパントは、基底状態に戻る際にエレクトロルミネッセンスを生成する。ドーパントとしては、一般に、蛍光材料や燐光材料が用いられる。
【００６２】
ホスト材は、以上の機能を備えていればよく、公知の材料を用いることができる。例えば、ジスチリルアリレーン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、キノリノラート系金属錯体、トリアリールアミン誘導体、アゾメチン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、シロール誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジカルバゾール誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、クマリン誘導体、ピレン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ベンゾピラン誘導体、ユーロピウム錯体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体が挙げられる。
【００６３】
蛍光材料は、蛍光性の材料（蛍光色素、蛍光ドーパント）であり、ホスト材からのエネルギーを得て基底状態に遷移する際に発光する、常温において励起状態の一重項から発光を取り出すことのできる材料である。一般には、高い蛍光量子効率を有する材料が選ばれ、添加量はホスト材に対して０．０１重量％以上３０重量％以下である。
【００６４】
蛍光材料は、以上の性質を備えた公知の材料を適宜選択すればよく、例えば、ユーロピウム錯体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナイルレッド、２−（１，１−ジメチルエチル）−６−（２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ（ｉｊ）キノリジン−９−イル）エテニル）−４Ｈ−ピラン−４Ｈ−イリデン）プロパンジニトリル（ＤＣＪＴＢ）、ＤＣＭ、クマリン誘導体、キナクリドン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン、ルブレン等が挙げられる。
【００６５】
燐光材料は、燐光性の材料（燐光色素、燐光ドーパント）であり、ホスト材からのエネルギーを得て基底状態に遷移する際に発光する、常温において励起状態の一重項及び三重項から発光を取り出すことのできる材料である。燐光材料の添加量（ドープ量）は、一般には、ホスト材に対して０．０１重量％以上３０重量％以下とされる。
【００６６】
燐光材料は、常温において励起状態における一重項状態及び三重項状態からの発光を利用できる材料であれば特に限定なく、発光層用の燐光材料として選択される公知の材料を用いることができる。一般には燐光発光性の重金属錯体を用いられることが多い。
例えば、緑色燐光材料としては、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウムを用いることができる。赤色燐光材料としては、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ２３Ｈ−ポルフィンプラチナ（ＩＩ）を用いることができる。また、これらの材料の中心金属を他の金属又は非金属に変えてもよい。
【００６７】
発光層３１は、例えば真空蒸着法やスピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の薄膜化法により、ホール注入輸送層３０上に設ければよい。
膜厚は、採用する材料にもよるが、一般には１ｎｍ〜１００ｎｍ程度であり、好ましくは２〜５０ｎｍ程度である。
【００６８】
また、同一層内にドーパントを複数添加することで、発光色が混色化したり、二以上の光を発したり、ホスト材から低エネルギーの第一ドーパントへエネルギー移動した後に、より低いエネルギーの第二ドーパントへエネルギーを効率よく移動させたりすることが可能になる。
【００６９】
なお、発光層３１が発する光（エレクトロルミネッセンス）の色度や彩度、明度、輝度等の調整は、発光層３１を形成する材料の種類の選択と、添加量の調整、膜厚の調整などによって行える。
また、発光層３１の発光色の調整手法には以下のような手法もある。これらの一又は複数の手法を用いて発光色を調整すればよい。
【００７０】
・発光層３１よりも光取り出し側にカラーフィルタを設けて調整する手法。
カラーフィルタは、透過する波長を限定することで発光色を調整する。カラーフィルタとしては、例えば青色のフィルターとしては酸化コバルト、緑色のフィルターとしては酸化コバルトと酸化クロムの混合系、赤色のフィルターとしては酸化鉄などの公知の材料を用い、例えば真空蒸着法などの公知の薄膜成膜法を用いて基板２上に形成してもよい。
【００７１】
・発光を促進したり阻害したりする材料を添加して発光色を調整する手法。
例えば、ホスト材からエネルギーを受け取り、このエネルギーをドーパントへ移す、いわゆるアシストドーパントを添加し、ホスト材からドーパントへのエネルギー移動を容易にすることができる。アシストドーパントとしては、公知の材料から適宜選択され、例えば上記したホスト材やドーパントとして利用できる材料から選択されることがある。
【００７２】
・発光層３１よりも光取り出し側にある層（基板２を含む）に、波長を変換する材料を添加して発光色を調整する手法。
この材料としては公知の波長変換材料を用いることができ、例えば、発光層３１から発せられた光を他の低エネルギー波長の光に変換する蛍光変換物質を採用することができる。蛍光変換物質の種類は目的とする有機ＥＬ装置から出射させようとする光の波長と発光層３１から発せられる光の波長とに応じて適宜選択される。また、蛍光変換物質の使用量は濃度消光を起さない範囲内でその種類に応じて適宜選択可能であるが、透明樹脂（未硬化のもの）に対して１０−５〜１０−４モル／リットル程度が適当である。蛍光変換物質は１種のみを用いてもよいし、複数種を併用してもよい。複数種を併用する場合には、その組合せにより青色光、緑色光および赤色光以外に、白色光や中間色の光を放出することができる。蛍光変換物質の具体例としては、下記（ａ）〜（ｃ）に示す物質が挙げられる。
【００７３】
（ａ）紫外光によって励起されて青色光を放出するもの
１，４−ビス（２−メチルスチリン）ベンゼン，トランス−４，４′−ジフェニルスチルベン等のスチルベン系色素、７−ヒドロキシ−４−メチルクマリン等のクマリン系色素、４，４′−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル等の芳香族ジメチリディン系色素。
【００７４】
（ｂ）青色光によって励起されて緑色光を放出するもの
２，３，５，６−１Ｈ，４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフロルメチルキノリジノ（９，９ａ，１−ｇｈ）クマリン（クマリン１５３）等のクマリン色素等。
【００７５】
（ｃ）青色から緑色にかけての波長の光によって励起されて橙色から赤色にかけての波長の光を放出するもの
４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリルリル）−４Ｈ−ピラン，４−（ジシアノメチレン）−２−フェニル−６−（２−（９−ユロリジル）エテニル）−４Ｈ−ピラン，４−（ジシアノメチレン）−２，６−ジ（２−（９−ユロリジル）エテニル）−４Ｈ−ピラン，４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（２−（９−ユロリジル）エテニル）−４Ｈ−ピラン，４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（２−（９−ユロリジル）エテニル）−４Ｈ−チオピラン等のシアニン系色素、１−エチル−２−（４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル）−ピリジウム−パーコラレイト（ピリジン１）等のピリジン系色素、ローダミンＢ，ローダミン６Ｇ等のキサンチン系色素、オキサジン系色素等。
【００７６】
［電子注入輸送層３２］
電子注入輸送層３２は、対向電極４と発光層３１との間に設けられる層であり、対向電極４から注入された電子を発光層３１へ輸送する層であり、有機ＥＬ素子に以下のような性質を付与する。
・駆動電圧が低くなる。
・陰極から発光層への電子注入が安定化するため、長寿命化する。
・陰極と発光層との密着性が上がるため、発光面の均一性を高くできる。
・陰極の突起などを被覆し、素子欠陥を減少できる。
【００７７】
電子注入輸送層３２形成用の材料としては、光伝導材料の電子注入材料として用いることができる公知の材料や、有機ＥＬ装置の電子注入輸送層に使用されている公知の材料の中から任意の材料が選ばれ、一般的には電子親和力が陰極の仕事関数と発光層３１の電子親和力の間になるような材料が用いられる。
具体的には、１，３−ビス［５’−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２’−イル］ベンゼンや２−（４−ビフィニルイル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールなどのオキサジアゾール誘導体や；３−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４”−ビフェニル）−１，２，４−トリアゾールなどのトリアゾール誘導体；なども用いることができる。トリアジン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体、アントラキノジメタン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体等も用いることができる。
【００７８】
また、ビス（１０−ベンゾ［ｈ］キノリノラート）ベリリウム、５−ヒドロキシフラボンのベリリウム塩、５−ヒドロキシフラボンのアルミニウム塩などの有機金属錯体も好適に選択されるが、８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体も特に好適に選択される。具体例としては、オキシン（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウムやトリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノ−ル）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノ−ル）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノ−ル）アルミニウムなどが挙げられる。また、これらの金属錯体の中心金属がインジウム、マグネシウム、銅、カルシウム、スズ又は鉛に置き代わった金属錯体なども挙げられる。メタルフリーあるいはメタルフタロシアニン又はそれらの末端がアルキル基、スルホン基などで置換されているものも好ましく用いられる。
【００７９】
電子注入輸送層３２は、上記したような材料一種のみで形成してもよく、複数を混合して形成してもよい。また、同一組成又は異種組成の複数層からなる複層構造であってもよい。
【００８０】
電子注入輸送層３２は、上記したような材料を用いて、スパッタリング法やイオンプレーティング法、真空蒸着法、スピンコート法、電子ビーム蒸着法などの公知の薄膜形成法によって形成される。
膜厚は、用いる材料によっても異なるが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。
【００８１】
なお、電子注入輸送層３２は、発光層３１よりも光取り出し側に設けられる場合には、取り出す光に対して透明である必要がある。そのため、上記したような電子注入輸送層３２を形成可能な材料の中から、薄膜化された際に上記光に対して透明な材料が適宜選択され、一般には取り出す光に対する透過率が１０％よりも大きくなるように設定される。
【００８２】
（その他の層、添加剤）
本実施の形態に係る有機ＥＬ素子には、図１に示す層以外の公知の層を設けてもよく、また、構成する層に公知の添加剤（ドーパント）等を添加させても（ドーピングしても）よい。例えば、以下のように変形できる。
【００８３】
〔層間に設ける層〕
層同士の密着性を向上させたり、電子注入性又はホール注入性を向上させたりするための層を設けてもよい。
例えば、対向電極４を形成する材料と電子注入輸送層３２を形成する材料とを共蒸着させた陰極界面層（混合電極）を両者の間に設けてもよい。これにより、発光層３１と対向電極４との間に存在する電子注入のエネルギー障壁を緩和できる。また、対向電極４と電子注入輸送層３２との密着性を向上させることもできる。
陰極界面層形成用の材料は、陰極界面層に以上の性能を付与する材料であれば特に制限なく採用でき、公知の材料も用いることができる。例えば、フッ化リチウム、酸化リチウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウム等のアルカリ金属、アルカリ土類金属のフッ化物、酸化物、塩化物、硫化物等を用いることができる。陰極界面層は、単独の材料で形成してもよいし、複数の材料によって形成してもよい。
膜厚は０．１ｎｍ〜１０ｎｍ程度であり、好ましくは０．３ｎｍ〜３ｎｍである。
陰極界面層は陰極界面層内で膜厚を均一に形成してもよいし、不均一に形成してもよく、島状に形成してもよく、真空蒸着法などの公知の薄膜成膜法によって形成することができる。
【００８４】
〔保護層〕
有機ＥＬ素子が酸素や水分と接触するのを防止する目的で、保護層（封止層、パッシベーション膜）を設けてもよい。
保護層に使用する材料としては、例えば、有機高分子材料、無機材料、さらには光硬化性樹脂などを挙げることができ、保護層に使用する材料は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。保護層は、一層構造であってもよく、また多層構造であってもよい。
有機高分子材料の例としては、クロロトリフルオロエチレン重合体、ジクロロジフルオロエチレン重合体、クロロトリフルオロエチレン重合体とジクロロジフルオロエチレン重合体との共重合体等のフッ素系樹脂、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート等のアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、エポキシシリコーン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリパラキシレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂などを挙げることができる。
無機材料としては、ダイヤモンド薄膜、アモルファスシリカ、電気絶縁性ガラス、金属酸化物、金属窒化物、金属炭素化物、金属硫化物などを挙げることができる。
【００８５】
なお、以上のような材料に、前記した蛍光変換物質を添加してもよい。
また、有機ＥＬ素子を、例えば、パラフィン、流動パラフィン、シリコンオイル、フルオロカーボン油、ゼオライト添加フルオロカーボン油などの不活性物質中に封入して保護することができる。
【００８６】
〔ホール注入輸送層３０、電子注入輸送層３２へのドーピング〕
ホール注入輸送層３０や電子注入輸送層３２に、蛍光材料又は燐光材料などの有機発光材料（ドーパント）をドープし、これらの層でも光を発するようにしてもよい。
【００８７】
〔対向電極４に隣接する層へのアルカリ金属やアルカリ金属化合物のドーピング〕
対向電極４にアルミニウムなどの金属を用いる場合に、対向電極４と有機発光層３１との間のエネルギー障壁を緩和するために、対向電極４に隣接する層へアルカリ金属やアルカリ金属化合物をドーピングしてもよい。添加した金属や金属化合物により有機層が還元されてアニオンが生成するため、電子注入性が高まり、印加電圧が低くなる。アルカリ金属化合物としては、例えば酸化物、フッ化物、リチウムキレートなどが挙げられる。
【００８８】
〈対向電極４〉
本実施の形態に係る対向電極４は、透明電極３と対をなして有機層３を狭持し、電子注入輸送層３２に電子を注入する陰極である。電子注入効率を高くするために仕事関数が例えば４．５ｅＶ未満、一般には４．０ｅＶ以下、典型的には３．７ｅＶ以下の金属や合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物が電極物質として採用される。例えば、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｚｒ等の金属元素単体、又は安定性を向上させるためにそれらを含む２成分、３成分の合金系を用いることが好ましい。合金系としては、例えばＡｇ・Ｍｇ（Ａｇ：０．１〜５０ａｔ％）、Ａｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：０．０１〜１２ａｔ％）、Ｉｎ・Ｍｇ（Ｍｇ：５０〜８０ａｔ％）、Ａｌ・Ｃａ（Ｃａ：０．０１〜２０ａｔ％）等は、対向電極４の酸化を防止できたり、また、有機層３（電子注入輸送層３２）との接着性を高くしたりできるため好ましい。また、特にこれらの酸化物、さらには酸化リチウムを用いることが好ましい。対向電極４を酸化物とすることにより、ＩＴＯ等の酸化物である透明電極２と対になった酸化物で有機層３を囲むようになり、耐候性が向上する。さらには、陽極に用いることができる材料も採用できる。
光反射性電極として用いられる場合には、以上のような材料の内、外部へ取り出す光を反射する性能を備えた材料が適宜選択され、一般には金属や合金、金属化合物が選択される。
【００８９】
また、対向電極４は、同一組成又は異種組成の複数層からなる複層構造であってもよい。例えば、対向電極４の仕事関数を小さくするために、対向電極４と電子注入輸送層３２との界面部分に仕事関数の小さな酸化物やフッ化物、金属、化合物等を挿入する。
例えば、対向電極４の材料をアルミニウムとし、界面部分にフッ化リチウムや酸化リチウムを挿入したものも用いられる。
【００９０】
対向電極４は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオン化蒸着法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などの公知の薄膜成膜法によって形成できる。膜厚は、使用する電極物質の材料にもよるが、有機層３に電子注入を十分行える一定以上の厚さとすれば良く、０．１ｎｍ以上、好ましくは１ｎｍ以上とすればよい。また、その上限値には特に制限はないが、一般に、５ｎｍ〜１μｍ程度、好ましくは５〜１０００ｎｍ程度、特に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍ程度、望ましくは５０〜２００ｎｍに設定される。
対向電極４のシート電気抵抗は、数百ミリオーム／シート以下に設定することが好ましい。
【００９１】
対向電極４を蒸着法で形成する場合、真空蒸着の条件は特に限定されないが、１０−４Ｐａ以下の真空度とし、蒸着速度は０．０１〜１ｎｍ／ｓｅｃ程度とすると良い。
また、対向電極４を形成する材料を、補助電極２を形成する材料と同じにすれば、蒸着速度等の蒸着条件を適宜設定すれば、同一の真空蒸着装置内で有機ＥＬ素子を形成できるため好ましい。
【００９２】
対向電極４及び保護電極をスパッタ法で形成する場合、スパッタ時のスパッタガスの圧力は、０．１〜１Ｐａの範囲が好ましい。スパッタガスは通常のスパッタ装置に使用される不活性ガスが使用される。
【００９３】
スパッタ法としてはＲＦ電源を用いた高周波スパッタ法や、ＤＣスパッタ法等の中から好適なスパッタ法を用いて成膜すればよい。スパッタ装置の電力としては、好ましくはＤＣスパッタでも１〜１０Ｗ／ｃｍ２、ＲＦスパッタで１０〜１０Ｗ／ｃｍ２の範囲である。また、成膜レートは５〜１００ｎｍ／ｍｉｎ、特に１０〜５０ｎｍ／ｍｉｎの範囲が好ましい。
【００９４】
対向電極４は、マスク蒸着、又は膜形成後にエッチングするなどの方法でパターニングし、これによって素子分離を行い、所望の発光パターンを得る。
【００９５】
〈基板５〉
基板５は、有機ＥＬ素子を支える、主として板状の部材である。有機ＥＬ素子は、構成する各層が非常に薄いため、一般に基板５によって支えられた有機ＥＬデバイスとして作製される。
【００９６】
基板５は、有機ＥＬ素子が積層される部材であるため、平面平滑性を有していることが好ましい。
また、本実施の形態のように発光層３１よりも光取り出し側にある場合には取り出す光に対して透明とされる。
【００９７】
基板５としては、上記した性能を有していれば公知のものを用いることができる。一般には、ガラス基板やシリコン基板、石英基板などのセラミックス基板や、プラスチック基板が選択される。また、金属基板や支持体に金属泊を形成した基板なども用いられる。さらに、同種又は異種の基板を複数組み合わせた複合シートからなる基板を用いることもできる。
【００９８】
〈別例〉
前記したように、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子は、以下の要件を備えていればよい。
・一対の電極間に有機発光材料を含有する有機層３が狭持されている。
・少なくとも一方の電極が透明（透明電極１）であり、他が対向電極４である。
・有機層３で発せられた光を少なくとも透明電極１側から外部へ取り出す。
・透明電極１と有機層３との間の一部に、透明電極１よりも低抵抗率の補助電極２が配置されている。
・補助電極２は、透明電極１と接していない表面／有機層３と接する表面が実質的に平坦化されている。
したがって、次のように変形することもできる。
【００９９】
［プラズマ処理以外による平坦化処理］
研磨による平坦化や、化学処理による平坦化など、公知の平坦化法を採用することができる。このような平坦化法を採用する場合には、透明電極１を適宜保護し、補助電極２のみを平坦化してもよく、また、透明電極１もあわせて平坦化してもよい。このように平坦化する場合には、前記したとおり、補助電極２の表面を以下のいずれかのように平坦化すると、実質的に極めて輝度むらのない有機ＥＬ素子を提供できる。
・補助電極２の表面を、十点平均粗さで８０ｎｍ以下に平坦化する。
・補助電極２の表面粗さを、十点平均粗さで、有機層３の膜厚以下、好ましくは膜厚の１．６分の一以下の大きさに平坦化する。
【０１００】
なお、前記したように、補助電極２の表面の十点平均粗さの下限は特に制限されず、後述するように、例えば十点平均粗さを２０ｎｍ以上８０ｎｍの範囲にしても、実質的に輝度むらのない有機ＥＬ素子を提供できる。
また、補助電極２の表面を、上記したように設定し、さらに、算術平均高さで０．１ｎｍ以上５．０ｎｍ以下程度に平坦化すると、輝度むらのない、極めて良好な有機ＥＬ素子を提供できる。
【０１０１】
［補助電極２表面の処理］
補助電極２の表面（特に有機層３と接する表面）を、平坦化するだけでなく、前記したように酸化するなどして、絶縁性にしたり、又は補助電極の他の部位よりも高抵抗にしたりすることにより、このような処理を行わない場合と比べて素子外部へ取り出される光の量をほとんど変えることなく消費電力を低下させることもできる。
なお、本実施の形態においては補助電極２を透明にすることも当然に可能であり、また、透明電極１における補助電極２の配置位置を適宜工夫したり、透明電極１に対する補助電極２の占める割合を適宜設計したりすれば、十分な輝度が得られる。
【０１０２】
［透明電極１が陰極の構成］
透明電極１が陰極で、対向電極４が陽極であってもよい。この場合であっても、前記同等の効果が得られる。
【０１０３】
［トップエミッション型構成の採用］
前記構成は、透明基板５上に透明電極１、補助電極２、有機層３及び対向電極４が順次積層された、有機層３で発せられた光を透明基板５側から取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ素子であったが、基板上に対向電極４、有機層３、補助電極２、透明電極１が順次積層され、基板とは反対側から光を取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ素子にすることも当然にできる。また、有機層３を基準にして両側から光を取り出す構成等、公知の光取出構成を適宜採用できる。
【０１０４】
〈実施例〉
以下、本発明の実施例及び比較例について以下に記すが、本発明は以下の例に限定して解釈されるものでないことは当然である。
【０１０５】
［実施例１］
一方の面上に、透明電極１（膜厚２２０ｎｍ、縦４ｃｍ、横５ｃｍのＩＴＯの層）が形成された透明なガラス（基板）５を用意し、基板洗浄を行った。基板洗浄は、アルカリ洗浄、純水洗浄を順次行い、乾燥させた後に紫外線オゾン洗浄を行った。
【０１０６】
次いで、透明電極１上に、線幅０．３ｍｍ、膜厚１０ｎｍのＡｌにより構成された補助電極２を、真空蒸着装置（カーボンルツボ、蒸着速度１ｎｍ／ｓ，  真空度約５．０×１０−５Ｐａ）により作製した。図３に示すように、補助電極２は、透明電極１上に０．８ｃｍ間隔で４本設けた。
なお、図３は、作製した有機ＥＬ素子を光出射面５０側からみた図に、補助電極２が配設された様子を模式的に示した図である。
【０１０７】
補助電極２形成後、補助電極２の透明電極１と接していない表面を、処理ガスにＡｒ及びＯ２（ＡｒとＯ２の流量比３：１）を用いて、１０分間プラズマ処理した。このときのプラズマ発生用の交流電力は、周波数１３．５６ＭＨｚで２００Ｗとし、動作圧力は３．６Ｐａとした。
作製した補助電極２の透明電極１と接していない表面を、粗さ計（（株）島津製作所製、商品名ＳＰＭ−９５００Ｊ２）により測定したところ、十点平均粗さが５０ｎｍであった。
【０１０８】
補助電極２にプラズマ処理を施した後、透明電極１及び補助電極２上に、真空蒸着装置（カーボンルツボ、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓ、真空度約５．０×１０−５Ｐａ）で膜厚３０ｎｍの下記式（１）で示すＴＰＴＥの層を作製し、この層をホール注入輸送層３０とした。
【０１０９】
【化１】
2004349138.tif 000003
【０１１０】
ホール注入輸送層３０上に、真空蒸着装置（カーボンルツボ、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓ、真空度約５．０×１０−５Ｐａ）で膜厚３０ｎｍの下記式（２）で示すＤＰＶＢｉ（９３．０重量％）と、下記式（３）で示すＢＣｚＶＢｉ（７．０重量％）とを共蒸着した層を作製し、この層を発光層３１とした。
【０１１１】
【化２】
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【０１１２】
発光層３１上に、真空蒸着装置（カーボンルツボ、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓ、真空度約５．０×１０−５Ｐａ）で膜厚２０ｎｍの下記式（４）で示す２，５−ビス（６’−（２’，２”−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロールの層を作製し、この層を電子注入輸送層３２とした。
【０１１３】
【化３】
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【０１１４】
電子注入輸送層３２上に、タングステンボード（蒸着速度１ｎｍ／ｓ、真空度約５．０×１０−５Ｐａ）で膜厚１５０ｎｍのアルミニウムの層を形成し、この層を対向電極４とし、有機電界発光素子を作製した。
【０１１５】
作製した有機電界発光素子に、公知のパッシベーション膜にて膜封止し、透明電極１と対向電極４とを公知の駆動回路で接続し、輝度１６００ｃｄ／ｍ２における、輝点の発生数を目視で確認した。また、光出射面５１における、補助電極２が設けられた位置近傍（図３における位置Ｐ１）の輝度の、補助電極２が設けられていない位置（図３における位置Ｐ２）の輝度に対する比を、輝度測定器（株式会社トプコン製、商品名ＢＭ７）を用いてそれぞれの位置の輝度を測定することで求めた。結果を表１に示す。
【０１１６】
［実施例２〜７］
実施例２〜８は、それぞれ、補助電極２の透明電極１と接していない表面の粗さが、十点平均粗さで２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍとなるようにプラズマ処理の条件を変更した以外は実施例１と同様に有機ＥＬ素子を作製した。
作製した有機ＥＬ素子は、実施例１と同様に測定した。結果を表１に示す。
【０１１７】
［比較例１］
比較例１は、補助電極２にプラズマ処理を施さなかったこと以外は実施例１と同様に有機ＥＬ素子を作製した。補助電極２の表面の十点平均粗さは１２６．１ｎｍであった。また、算術平均粗さは３．６ｎｍであった。
作製した有機ＥＬ素子は、実施例１と同様に測定した。結果を表１に示す。
【０１１８】
［比較例２〜５］
比較例２〜５は、それぞれ、補助電極２の透明電極１と接していない表面の粗さが、十点平均粗さで９０ｎｍ、１００ｎｍ、１１０ｎｍ、１２０ｎｍになるようにプラズマ処理の条件を変更した以外は実施例１と同様に有機ＥＬ素子を作製した。
作製した有機ＥＬ素子は実施例１と同様に測定した。結果を表１に示す。
【０１１９】
【表１】
2004349138.tif 000006
【０１２０】
［評価］
・実施例１〜７及び比較例１〜５から、補助電極２の透明電極１と接していない表面の十点平均粗さを２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下とすると、輝点が目視で確認されず、また、補助電極上部周辺と他の位置との輝度比が０．９８〜１．１０とほとんど差がなく、実質的に輝度むらのない有機ＥＬ素子が得られることが分かった。
一方、比較例では、補助電極上部周辺に輝点が目視で観測されてしまい、また、補助電極上部周辺と他の位置との輝度比が１．１０を超えた。
【０１２１】
・実施例１〜７及び比較例１〜５から、補助電極２の透明電極１と接していない表面の十点平均粗さを２０ｎｍ以上で９０ｎｍを超えない大きさとすると、輝点が目視で確認されず、また、補助電極上部周辺と他の位置との輝度比が０．９８〜１．１０とほとんど差がなく、実質的に輝度むらのない有機ＥＬ素子が得られることが分かった。
一方、比較例では、補助電極上部周辺に輝点が目視で観測されてしまい、また、補助電極上部周辺と他の位置との輝度比が１．１０を超えた。
【０１２２】
・実施例１〜７及び比較例１〜５から、補助電極２の透明電極１と接していない表面の十点平均粗さを、有機層３の膜厚以下とすると、輝点が目視で確認されず、また、補助電極上部周辺と他の位置との輝度比が０．９８〜１．１０とほとんど差がなく、実質的に輝度むらのない有機ＥＬ素子が得られることが分かった。一方、比較例では、補助電極上部周辺に輝点が目視で観測されてしまい、また、補助電極上部周辺と他の位置との輝度比が１．１を超えた。
【０１２３】
・実施例１〜７及び比較例１〜５から、補助電極２の透明電極１と接していない表面の十点平均粗さを、有機層３の膜厚以下の大きさとすると、輝点が目視で確認されず、また、補助電極上部周辺と他の位置との輝度比が０．９８〜１．１０とほとんど差がなく、実質的に輝度むらのない有機ＥＬ素子が得られることが分かった。
一方、比較例では、補助電極上部周辺に輝点が目視で観測されてしまい、また、補助電極上部周辺と他の位置との輝度比が１．１を超えた。
【０１２４】
・実施例１〜７及び比較例１〜５から、補助電極２の透明電極１と接していない表面の十点平均粗さを、有機層３の膜厚の０．８９分の１を超えない大きさとすると、輝点が目視で確認されず、また、補助電極上部周辺と他の位置との輝度比が０．９８〜１．１０とほとんど差がなく、実質的に輝度むらのない有機ＥＬ素子が得られることが分かった。
一方、比較例では、補助電極上部周辺に輝点が目視で観測されてしまい、また、補助電極上部周辺と他の位置との輝度比が１．１を超えた。
【０１２５】
なお、上記粗さ計を用いて実施例１〜７の算術平均高さを測定したところ、それぞれ０．１ｎｍ以上５．０ｎｍ以下の範囲の高さであったが、他の算術平均高さにおいて前記した範囲内の十点平均粗さに設定しても、上記同等の効果を得ることができた。
【０１２６】
実施例１〜４から、及び比較例１〜５から、補助電極２の透明電極１と接していない表面の十点粗さを、有機層３の膜厚の１．６分の一以下とすると、輝点が目視で確認されず、また、補助電極上部周辺と他の位置との輝度比が０．９８〜１．０２と極めて小さな値となり、実質的に輝度むらのない極めて良好な有機ＥＬ素子が得られることが分かった。
【０１２７】
実施例１〜５から、及び比較例１〜５から、補助電極２の透明電極１と接していない表面の十点粗さを、有機層３の膜厚の１．３分の一を超えないようにすると、輝点が目視で確認されず、また、補助電極上部周辺と他の位置との輝度比が０．９８〜１．０２と極めて小さな値となり、実質的に輝度むらのない極めて良好な有機ＥＬ素子が得られることが分かった。
【０１２８】
実施例１〜４から、及び比較例１〜５から、補助電極２の透明電極１と接していない表面の十点粗さを５０ｎｍ以下とすると、輝点が目視で確認されず、また、補助電極上部周辺と他の位置との輝度比が０．９８〜１．０２と極めて小さな値となり、実質的に輝度むらのない極めて良好な有機ＥＬ素子が得られることが分かった。
【０１２９】
実施例１〜４から、及び比較例１〜５から、補助電極２の透明電極１と接していない表面の十点粗さを、６０ｎｍを超えない値に設計すると、輝点が目視で確認されず、また、補助電極上部周辺と他の位置との輝度比が０．９８〜１．０２と極めて小さな値となり、実質的に輝度むらのない極めて良好な有機ＥＬ素子が得られることが分かった。
【０１３０】
また、実施例１〜７及び比較例１〜５から、補助電極２の透明電極１と接していない表面の十点平均粗さを以下の範囲にしても、補助電極２上部周辺の輝度と他の位置との輝度比が１．１９以下となり、また、補助電極２上部周辺に発生する輝点も僅か（最大で２つ）しか目視で観測できないことが分かった。
・８０ｎｍを超え１１０ｎｍを超えない範囲。
・９０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲。
・８０ｎｍを超え１００ｎｍ以下の範囲。
・９０ｎｍ以上で１１０ｎｍを超えない範囲。
・有機層３の膜厚に対して０．８９分の一以上０．８０以下の範囲。
・有機層３の膜厚に対して１分の一を超えず０．８０以下の範囲。
・有機層３の膜厚に対して０．８９分の一以上０．７３より大きな範囲。
・有機層３の膜厚に対して１分の位置を超えず０．７３より大きな範囲。
【０１３１】
【発明の効果】
上記説明からも明らかなように、本発明によれば、有機ＥＬ素子の光出射面において補助電極上部周辺の輝度が他の位置に比べて極めて高くなってしまうことがなく、また、補助電極上部周辺に輝点が発生しにくい、実質的に輝度むらのない有機ＥＬ素子を提供することができる。
また、本発明は、このような有機ＥＬ素子の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態に係る有機ＥＬ素子の構成を説明するための断面図である。
【図２】本実施の形態に係る有機ＥＬ素子における補助電極２について説明するための斜視図である。
【図３】実施例にかかる有機ＥＬ素子の構造を説明するための図である。
【図４】従来の有機ＥＬ素子の構成を説明するための第一の断面図である。
【図５】従来の有機ＥＬ素子の構成を説明するための第二の断面図である。
【符号の説明】
１  透明電極
２  補助電極
３  有機層
４  対向電極
【図１】
2004349138.tif 000007
【図２】
2004349138.tif 000008
【図３】
2004349138.tif 000009
【図４】
2004349138.tif 000010
【図５】
2004349138.tif 000011