(57)【要約】【課題】熱膨張により記録ヘッド部が磁気ディスク対向面からの突出することを抑制して、磁気記録装置の高記録密度化、高周波化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを提供する。【解決手段】下部コア層１３の周囲に、下部コア層１３と接触しないように上部放熱層１５を形成して、第１のコイル２１と第２のコイル２３が下部コア層１３に対向する部分と上部放熱層１５に対向する部分とを有し、第１のコイル２１と第２のコイル２３の熱が上部放熱層１５に放出されるようにした。【選択図】　　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部コア層と、上部コア層と、記録媒体との対向側で前記下部コア層と上部コア層との間に形成されて非磁性ギャップ層を有する記録部と、前記記録部の後方で前記下部コア層と上部コア層とを磁気的に接続する接続部と、前記接続部の周囲に平面螺旋状に巻回された導電層からなるコイルとを有し、前記下部コアの少なくとも後方に、前記下部コア層と分離された第１の放熱層が形成されており、前記コイルは、絶縁層を介して前記下部コア層に対向する部分と、絶縁層を介して前記第１の放熱層に対向する部分とを有していることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
下部コア層と、上部コア層と、記録媒体との対向側で前記下部コア層と上部コア層との間に形成されて非磁性ギャップ層を有する記録部と、前記記録部の後方で前記下部コア層と上部コア層とを磁気的に接続する接続部と、前記接続部の周囲に平面螺旋状に巻回された導電層からなるコイルと、前記下部コア層の下に絶縁材料の分離絶縁層を介して設けられた上部シールド層と、前記記録媒体との対向側で前記上部シールド層の下に設けられた再生用の磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の下側に絶縁層を介して設けられた下部シールド層とを有し、
前記下部コア層の少なくとも後方に、前記下部コア層と分離して形成される第１の放熱層、あるいは前記上部シールド層の少なくとも後方に、前記上部シールド層と分離して形成される第２の放熱層、または前記下部シールド層の少なくとも後方に、前記下部シールド層と分離して形成される第３の放熱層が、少なくとも１つ以上設けられ、
前記コイルは、絶縁層を介して前記下部コア層に対向する部分と、絶縁層を介して前記のいずれかの放熱層に対向する部分とを有していることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記第１の放熱層、第２の放熱層及び第３の放熱層のうち少なくとも２つ以上の放熱層が設けられ、設けられた前記放熱層の一部はそれぞれ膜厚方向に対向して設けられる請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記記録部のトラック幅を決める方向に沿う方向を幅方向としたときに、前記第２の放熱層は、前記上部シールド層の前記幅方向の両側にまで延びている請求項２または３に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記第２の放熱層は、前記上部シールド層と同じ材料で前記上部シールド層と同じ厚さに形成されている請求項２ないし４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記第２の放熱層は、前記上部シールド層よりも熱伝導率の高い材料で前記上部シールド層と同じ厚さに形成されている請求項２ないし４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記第２の放熱層と前記第１の放熱層とが第１の連結部により接続されている請求項２ないし６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記第１の連結部は、前記第１の放熱層と第２の放熱層のいずれか一方と一体に形成されている請求項７記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記記録部のトラック幅を決める方向に沿う方向を幅方向としたときに、前記第３の放熱層は、前記下部シールド層の前記幅方向の両側にまで延びている請求項２ないし８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記第３の放熱層は、前記下部シールド層と同じ材料で前記下部シールド層と同じ厚さに形成されている請求項２ないし９のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド
【請求項１１】
前記第３の放熱層は、前記下部シールド層よりも熱伝導率の高い材料で前記下部シールド層と同じ厚さに形成されている請求項２ないし９のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】
前記第３の放熱層と前記第２の放熱層とが第２の連結部により接続されている請求項２ないし１１のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】
前記第２の連結部は、前記第２の放熱層と第３の放熱層のいずれか一方と一体に形成されている請求項１２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１４】
前記記録部のトラック幅を決める方向に沿う方向を幅方向としたときに、前記第１の放熱層は、前記下部コア層の前記幅方向の両側にまで延びている請求項１ないし１３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１５】
前記第１の放熱層は、前記下部コア層と同じ材料で下部コア層と同じ厚さに形成されている請求項１ないし１４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１６】
前記第１の放熱層は、前記下部コア層よりも熱伝導率の高い材料で前記下部コア層と同じ厚さに形成されている請求項１ないし１４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１７】
前記コイルと前記下部コア層との対向面積よりも、前記コイルと前記第１の放熱層との対向面積の方が大きい請求項１ないし１６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば磁気記録媒体に対向するスライダのトレーリング端部に設けられる薄膜磁気ヘッドに係り、特に、放熱性に優れた薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の薄膜磁気ヘッドは、図６に示すように、スライダ８１のトレーリング側端面８１ａに、記録ヘッド部ｈ８５が設けられている。この記録ヘッド部ｈ８５は、下部コア層８２、上部コア層８３の間にコイル８４を備えたインダクティブヘッドであり、下部コア層８２の先端と上部コア層８３の先端の間に磁気ギャップ層８５が設けられ、上部コア層８３と下部コア層８２は後方部分で磁気的に接続されている。このような記録ヘッド部ｈ８５は、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料からなる保護層８６によって覆われている。
【０００３】
ハード磁気ディスクが搭載される磁気記録装置において、記録ヘッド部ｈ８５が磁気媒体である磁気ディスクに磁気記録を付与するとき、スライダ８１は、磁気ディスクから微小間隔をもって浮上する。
【０００４】
そして、記録ヘッド部ｈ８５は、コイル８４に記録電流が印加されて、記録電流により下部、上部コア層８２、８３に誘導された磁界が磁気ギャップ層８５で洩れ磁界となり、磁気ディスクに記録磁界として付与される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来の薄膜磁気ヘッドでは、コイル８４の発熱により記録ヘッド部ｈ８５の温度が上昇して、熱膨張した記録ヘッド部ｈ８５がスライダ８１の記録媒体との対向面８１ｂから突出する。
【０００６】
記録ヘッド部ｈ８５の温度は、下部、上部コア層８２、８３に渦電流が発生することによっても上昇するが、記録ヘッド部ｈ８５の温度上昇が主にコイル８４の発熱によることは、図７のグラフにも示すように、コイル８４の直流抵抗の増大に伴ってスライダからの突出量が増加することからもわかる。
【０００７】
特に、高記録密度を可能とした薄膜磁気ヘッドでは、コイル８４に与えられる記録電流の周波数が高いため、コイル８４の発熱量が多い。このような記録ヘッド部ｈ８５は高温となり、前記対向面８１ｂからの突出量が大きくなる。
【０００８】
高密度および高速記録が可能な磁気記録装置では、磁気媒体とスライダ８１の対向面８１ｂとの対向間隔が狭くなっているため、前記磁気ヘッド部ｈ８５が突出すると、記録ヘッド部ｈ８５が磁気媒体に当たる頻度が高くなり、記録媒体を損傷させたり、記録ヘッド部ｈ８５を損傷する可能性が高くなる。
【０００９】
本発明は、記録ヘッド部の熱膨張を抑制して、磁気記録装置の高記録密度化、高周波化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、下部コア層と、上部コア層と、記録媒体との対向側で前記下部コア層と上部コア層との間に形成されて非磁性ギャップ層を有する記録部と、前記記録部の後方で前記下部コア層と上部コア層とを磁気的に接続する接続部と、前記接続部の周囲に平面螺旋状に巻回された導電層からなるコイルとを有し、
前記下部コア層の少なくとも後方に、前記下部コア層と分離された第１の放熱層が形成されており、前記コイルは、絶縁層を介して前記下部コア層に対向する部分と、絶縁層を介して前記第１の放熱層に対向する部分とを有している。
【００１１】
下部コア層は、例えばパーマロイなどのメッキ可能な磁性金属であり、第１の放熱層は、メッキ可能な金属であることが好ましい。このような薄膜磁気ヘッドでは、コイルの熱が第１の放熱層に放出されて、コイルの熱により記録部が熱膨張することが抑制される。第１の放熱層と下部コア層が接触していると、下部コア層の磁束が第１の放熱層に流れ込み、記録部のインダクタンスが変化するなどの記録部の特性変化が生じるので好ましくない。第１の放熱層とコイルの導体層との対向面積は、広いほうが好ましいが、第１の放熱層は、コイルの導体層の一部と対向していれば良い。
【００１２】
また本発明の薄膜磁気ヘッドは、下部コア層と、上部コア層と、記録媒体との対向側で前記下部コア層と上部コア層との間に形成されて非磁性ギャップ層を有する記録部と、前記記録部の後方で前記下部コア層と上部コア層とを磁気的に接続する接続部と、前記接続部の周囲に平面螺旋状に巻回された導電層からなるコイルと、前記下部コア層の下に絶縁材料の分離絶縁層を介して設けられた上部シールド層と、前記記録媒体との対向側で前記上部シールド層の下に設けられた再生用の磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の下側に絶縁層を介して設けられた下部シールド層とを有し、
前記下部コア層の少なくとも後方に、前記下部コア層と分離して形成される第１の放熱層、あるいは前記上部シールド層の少なくとも後方に、前記上部シールド層と分離して形成される第２の放熱層、または前記下部シールド層の少なくとも後方に、前記下部シールド層と分離して形成される第３の放熱層が、少なくとも１つ以上設けられ、
前記コイルは、絶縁層を介して前記下部コア層に対向する部分と、絶縁層を介して前記のいずれかの放熱層に対向する部分とを有していることを特徴とするものである。
【００１３】
上記した薄膜磁気ヘッドでは、コイルの熱が第１の放熱層、第２の放熱層あるいは第３の放熱層のいずれか１つ以上の放熱層に放出されて、コイルの熱により記録部が熱膨張することが抑制される。
【００１４】
パーマロイなどの磁性金属からなる下部コア層、上部シールド層や下部シールド層に対して、第１の放熱層、第２の放熱層あるいは第３の放熱層の少なくも一つの放熱層がＣｕやＡｕなどの熱伝導率の高い材料であれば、コイルの熱は、下部コア層、上部シールド層及び下部シールド層側よりも前記放熱層側に放出され易い。
【００１５】
また本発明では、前記第１の放熱層、第２の放熱層及び第３の放熱層のうち少なくとも２つ以上の放熱層が設けられ、設けられた前記放熱層の一部はそれぞれ膜厚方向に対向して設けられることが好ましい。
【００１６】
また本発明では、前記記録部のトラック幅を決める方向に沿う方向を幅方向としたときに、前記第２の放熱層は、前記上部シールド層の前記幅方向の両側にまで延びているものが好ましい。
【００１７】
トラック幅を決める方向は、磁気記録媒体との対向面に露出した非磁性ギャップ層の膜面方向の幅方向である。第２の放熱層の面積は、熱容量を増すために、広い方が好ましいので、上部シールド層の後方（磁気記録媒体との対向面と反対方向）側で、上部シールド層の両側に形成されている方が良い。しかし、第２の放熱層が磁気記録媒体との対向面に露出すると、熱膨張した第２の放熱層が磁気記録媒体に接触する可能性がある。よって第２の放熱層（第１の放熱層、第３の放熱層も同様）は、前記磁気記録媒体との対向面よりも後退していることが好ましい。
【００１８】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記第２の放熱層は、前記上部シールド層と同じ材料で前記上部シールド層と同じ厚さに形成できる。
【００１９】
このような薄膜磁気ヘッドは、第２の放熱層と上部シールド層を同時に形成することができる。上部シールド層を形成するパーマロイなどの磁性金属は、ある程度の高い熱伝導率を有するので、第２の放熱層としても用いることが可能である。また、第２の放熱層と上部シールド層の厚さを同じにすることで、コイルを平坦面に形成することができる。
【００２０】
または、前記第２の放熱層は、前記上部シールド層よりも熱伝導率の高い材料で前記上部シールド層と同じ厚さに形成することも可能である。
【００２１】
第２の放熱層の熱伝導率が高いと、コイルの熱が下部コア層よりも第２の放熱層に放出されやすくなり、上部シールド層側に放出されるコイルの温度が下がり、記録部での温度上昇がさらに抑制される。第２の放熱層は、非磁性金属であることが好ましく、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｎ、ＮｉＰ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、ＣｕＮｉから選ばれる１種、または２種以上の合金であり、あるいは前記から選ばれた２種以上の金属材料が積層された積層体で形成される。さらに、第２の放熱層は、メッキ可能な金属とすることが好ましい。また、第２の放熱層と上部シールド層の厚さを同じにすることで、コイルを平坦面に形成することができる。
【００２２】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記第２の放熱層と前記第１の放熱層とが第１の連結部により接続されていることがさらに好ましい。
【００２３】
第１の放熱層と第２の放熱層は、第１の連結部材により一体化されて熱容量が増し、コイルの熱が第１の放熱層と第２の放熱層に放出され易くなる。
【００２４】
第１の連結部は、金属からなることが好ましいが、分離絶縁層よりも熱伝導率が高い限り、絶縁材料であっても良い。例えば、分離絶縁層がＡｌ２Ｏ３であるとき、第１の連結部を、絶縁材料としては熱伝導率の高いＡｌＮとしてもよい。また、第１の連結部は、第１の放熱層と第２の放熱層のほぼ全面に接触して形成されることが好ましい。
【００２５】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記第１の連結部は、前記第１の放熱層と第２の放熱層のいずれか一方と一体に形成されている。
【００２６】
このような薄膜磁気ヘッドでは、第１の連結部を第１の放熱層や第２の放熱層と同じ工程で形成することができる。
【００２７】
また本発明では、前記記録部のトラック幅を決める方向に沿う方向を幅方向としたときに、前記第３の放熱層は、前記下部シールド層の前記幅方向の両側にまで延びていることが好ましい。このように、第３の放熱層は、熱容量を増大させるために広いほうが好ましい。
【００２８】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記第３の放熱層が、前記下部シールド層と同じ材料で前記下部シールド層と同じ厚さに形成されているものであってもよい。
【００２９】
このような薄膜磁気ヘッドでは、下部シールド層と第３の放熱層を同時に形成することができる。また、下部シールド層と第３の放熱層を同じ厚さにすることにより、上部シールド層と第２の放熱層、下部コア層と第１の放熱層を平坦面に形成できて、コイルを平坦面上に形成することができる。
【００３０】
あるいは、前記第３の放熱層は、前記下部シールド層よりも熱伝導率の高い材料で前記下部シールド層と同じ厚さに形成されているものであってもよい。
【００３１】
第３の放熱層は、ＡｕやＣｕなどのメッキ可能な金属であることが好ましい。また、下部シールド層と第３の放熱層を同じ厚さにすることにより、上部シールド層と第２の放熱層、下部コア層と第１の放熱層を平坦面に形成できて、コイルを平坦面上に形成することができる。
【００３２】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記第３の放熱層と前記第２の放熱層とが第２の連結部により接続されていることがさらに好ましい。
【００３３】
第２の放熱層と第３の放熱層は、第２の連結部により一体化されて、第１の放熱層の熱がより伝導しやすくなる。
【００３４】
第２の連結部は、金属であることが好ましいが、上部シールド層と下部シールド層の間に挟まれている絶縁層よりも熱伝導率が高い限り、絶縁材料であっても良い。例えば、上部シールド層と下部シールド層の間に挟まれている絶縁層がＡｌ２Ｏ３であるとき、第２の連結部を絶縁材料としては熱伝導率が高いＡｌＮとしてもよい。
【００３５】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記第２の連結部が、前記第２の放熱層と第３の放熱層のいずれか一方と一体に形成されている。
【００３６】
このような薄膜磁気ヘッドでは、第２の連結部を第２の放熱層や第３の放熱層と同じ工程で形成することができる。
【００３７】
また本発明では、前記記録部のトラック幅を決める方向に沿う方向を幅方向としたときに、前記第１の放熱層は、前記下部コア層の前記幅方向の両側にまで延びていることが好ましい。このように、第１の放熱層は、熱容量を増大させるために広いほうが好ましい。
【００３８】
また本発明では、前記第１の放熱層は、前記下部コア層と同じ材料で下部コア層と同じ厚さに形成されていることが好ましい。このような薄膜磁気ヘッドでは、下部コア層と第１の放熱層を同時に形成することができる。また、下部コア層と第１の放熱層を同じ厚さにすることにより、コイルを平坦面上に形成することができる。
【００３９】
また本発明では、前記第１の放熱層は、前記下部コア層よりも熱伝導率の高い材料で前記下部コア層と同じ厚さに形成されてもよい。
【００４０】
第１の放熱層は、ＡｕやＣｕなどのメッキ可能な金属であることが好ましい。また、下部コア層と第１の放熱層を同じ厚さにすることにより、コイルを平坦面上に形成することができる。
【００４１】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記コイルと前記下部コア層との対向面積よりも、前記コイルと前記第１の放熱層との対向面積の方が大きいものとして構成される。
【００４２】
コイルは、良導電材料からなる導体層が巻回されて形成されたものであり、コイルの導体層の幅が、下部コア層上よりも第１の放熱層上で広いと、下部コア層上の導電層で発生した熱が第１の放熱層上の導体層に移動して、第１の放熱層に放出され易い。また、導体層を巻回する間隔（コイル断面における導体層の間隔）を広げてもよい。
【００４３】
【発明の実施の形態】
図１に示す磁気ヘッド装置は、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣからなる略直方体のスライダ１を有しており、その対向面１ｂがハード磁気ディスクである記録媒体に対向する。前記スライダ１のトレーリング側の端面１ａ上に、薄膜磁気ヘッドＨと端子層６０，６０および端子層６１，６１、が形成されている。薄膜磁気ヘッドＨは、再生部ｈ１と記録部ｈ２とを備えた複合型である。
【００４４】
図２は、本発明の第１の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの断面図である。スライダ１のトレーリング側の端面１ａ上には、薄膜磁気ヘッドの再生部ｈ１と記録部ｈ２が順次積層形成されている。
【００４５】
スライダ１の前記端面１ａは、Ａｌ２Ｏ３からなるアンダーコート２により被われている。アンダーコート２上には、再生部ｈ１のパーマロイからなる下部シールド層３が形成されている。下部シールド層３の先端は、スライダ１の磁気ディスク対向面１ｂに露出している。トラック幅を決める方向は、スライダ１を磁気ディスク対向面１ｂ側から見て、端面１ａの面方向であると定義する（図２では、紙面垂直方向）。
【００４６】
アンダーコート２上には、下部シールド層３の後方（以下、「後方」とは、磁気ディスク対向面１ｂと反対側を意味する）に下部シールド層３と同じパーマロイ材料からなる下部放熱層（第３の放熱層）４が形成されている。下部シールド層３と下部放熱層４とは、互いに接触することがないように離して形成されている。
【００４７】
絶縁層５は、Ａｌ２Ｏ３からなる第１層５ａと第２層５ｂが積層されており、アンダーコート２上に形成されて下部シールド層３を覆っている。下部放熱層４は、前方の縁部付近のみが前記絶縁層５に覆われており、上面のほぼ全面が絶縁層５から露出している。
【００４８】
下部シールド層３上には、絶縁層５の第１層５ａを介して再生部ｈ１の磁気抵抗効果素子６が形成されている。この磁気抵抗効果素子６は、スピンバルブ膜に代表される巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲ素子や、異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲ素子である。磁気抵抗効果素子６の先端は、スライダ１の磁気ディスク対向面１ｂに露出している。
【００４９】
磁気抵抗効果素子６の両端には、磁気抵抗効果素子６に接続された１対の電極層（図示しない）が形成されている。１対の電極層の間隔が、再生トラック幅寸法と同等である。
【００５０】
絶縁層５の第２層５ｂは、第１層５ａ上に形成されて、磁気抵抗効果素子６を覆っている。
【００５１】
また、図２に示すように、絶縁層５上には、パーマロイからなる上部シールド層９が形成されている。上部シールド層９は、下部シールド層３と対向しており、先端がスライダ１の磁気ディスク対向面１ｂに露出している。
【００５２】
このように、再生部ｈ１は、磁気抵抗効果素子６が上部シールド層９と下部シールド層３の間に介在する構成である。絶縁層５の第１層５ａと第２層５ｂは、それぞれ磁気抵抗効果素子６と下部シールド層３の間、磁気抵抗効果素子６と上部シールド層９の間に挟まれて、磁気抵抗効果素子６を下部シールド層３と上部シールド層９から絶縁している。
【００５３】
また、絶縁層５上には、上部シールド層９と同じパーマロイからなる中間放熱層（第２の放熱層）１１が形成されている。中間放熱層１１は、絶縁層５から露出した下部放熱層４を覆って形成されている。中間放熱層１１は、下部放熱層４とほぼ同じ大きさであり、膜厚方向で下部放熱層４のほぼ全面と対向している。
【００５４】
中間放熱層１１は、絶縁層５を貫通して、絶縁層５から露出した下部放熱層４に接触する第２の連結部１１ａが一体に形成されている。中間放熱層１１と下部放熱層４は、中間放熱層１１と一体の前記第２の連結部１１ａにより連結されている。
【００５５】
中間放熱層１１は、上部シールド層９や導電接続部１０に接触することなく、上部シールド層９の後方に形成されている。中間放熱層１１を上部シールド層９から分離することにより、中間放熱層１１の熱が上部シールド層９に伝わり難く、上部シールド層９の温度上昇による磁気抵抗効果素子６への影響を低減できる。
【００５６】
上部シールド層９は、Ａｌ２Ｏ３からなる分離絶縁層１２により覆われている。分離絶縁層１２からは、中間放熱層１１の上面のほぼ全面が露出している。
【００５７】
再生部ｈ１上には、分離絶縁層１２を介して記録ヘッド部ｈ２が形成されている。図２に示す記録ヘッド部ｈ２はインダクティブヘッドである。このインダクティブヘッドでは、分離絶縁層１２上に、パーマロイからなる下部コア層１３が形成されている。下部コア層１３の先端は、対向面１ｂに露出している。
【００５８】
分離絶縁層１２上には、下部コア層１３と同じパーマロイからなる上部放熱層（第２の放熱層）１５が形成されている。上部放熱層１５は、分離絶縁層１２から露出した中間放熱層１１を覆って形成されている。
【００５９】
上部放熱層１５には、分離絶縁層１２を貫通して、分離絶縁層１２から露出した中間放熱層１１に接触する第１の連結部１５ａが一体に形成されている。上部放熱層１５と中間放熱層１１は、上部放熱層１５と一体の前記第１の連結部１５ａにより連結されている。
【００６０】
上部放熱層１５は、中間放熱層１１とほぼ同じ大きさであり、膜厚方向で中間放熱層１１のほぼ全面と対向している。
【００６１】
上部放熱層１５は、下部コア層１３や磁気抵抗効果素子６に電気的に接続された電極層後方での接続部（図示しない）に接触することなく、下部コア層１３の後方に形成されている。上部放熱層１５を下部コア層１３と分離することにより、下部コア層１３の磁界が上部放熱層１５に流れ込むことがなく、上部放熱層１５を設けることによる記録コア部ｈ２のインダクタンスの変化を生じない。
【００６２】
記録ヘッド部ｈ２において、前記下部コア層１３上に導電材料からなるメッキ下地層１６が積層されている。
【００６３】
記録ヘッド部ｈ２の対向面１ｂ側には、前記メッキ下地層１６の上に、記録コア部１７がメッキで形成されており、この記録コア部１７が前記対向面１ｂに露出している。前記記録コア部１７は、メッキ下地層１６の上にメッキ成長した磁性金属材料で形成された下部磁極層１７ａと、前記下部磁極層１７ａの上にメッキ成長したＮｉＰなどの非磁性金属で形成された非磁性ギャップ層１７ｂ、および前記非磁性ギャップ層１７ｂの上にメッキ成長した磁性金属材料で形成された上部磁極層１７ｃとで構成されている。
【００６４】
高記録密度に対応した薄膜磁気ヘッドでは、前記対向面１ｂに現れている前記記録コア部１７のトラック幅寸法（図２の紙面に垂直方向での幅寸法）は、０．７μｍ以下で形成されることが好ましく、より好ましくは０．５μｍ以下である。また、下部磁極層１７ａの高さ寸法（厚み寸法）は、例えば０．３μｍ程度、非磁性ギャップ層１７ｂの高さ寸法（厚み寸法）は、例えば０．１μｍ程度、上部磁極層４ｃの高さ寸法（厚み寸法）は、例えば２．４〜２．７μｍ程度である。
【００６５】
前記下部磁極層１７ａおよび上部磁極層１７ｃは、前記下部コア層１３と同じ磁性材料で形成されていてもよいが、前記下部コア層１３よりも飽和磁束密度の高い磁性材料で形成されていることが好ましい。
【００６６】
この実施の形態では、前記対向面１ｂよりも後方に、有機絶縁材料で形成されたＧｄ決め絶縁層１８が形成され、前記非磁性ギャップ層１７ｂの奥行き寸法が前記Ｇｄ決め絶縁層１８により決められている。
【００６７】
薄膜磁気ヘッドの内方では、前記メッキ下地層１６の上に磁性金属材料の接続層１９がメッキ形成され、接続層１９が下部コア層１３と磁気的に接続されている。
【００６８】
前記記録コア部１７および前記接続層１９を除く領域では、前記メッキ下地層１６およびＧｄ決め絶縁層１８を覆う絶縁下地層２０が形成されている。また、上部放熱層１５は、絶縁下地層２０により覆われている。
【００６９】
前記絶縁下地層２０上には、第１のコイル２１が設けられている。この第１のコイル２１は、Ｃｕなどの比抵抗の小さい良導電体からなる導体層２１ａが、前記接続層１９の周囲に平面螺旋状となるように周回されて構成されている。第１のコイル２１には、下部コア層１３と対向する領域と、上部放熱層１５と対向する領域がある。第１のコイル２１は、下部コア層１３と対向する部分の後方で、ほぼ全面が上部放熱層１５に対向していることが好ましい。
【００７０】
第１のコイル２１は、導体層２１ａの幅が下部コア層１３と対向する領域に比べて、上部放熱層１５と対向する領域で広くなっている。
【００７１】
このような第１のコイル２１は、導体層２１ａの幅が狭い下部コア層１３側で発熱するが、良導電体からなる導体層２１ａの熱伝導率が高いので、下部コア層１３側の熱は上部放熱層１５側に移動して、上部放熱層１５に放出されやすい。
【００７２】
また、第１のコイル２１は、記録コア部１７と接続層１９に挟まれた部分において、隣合う導体層２１ａ間の間隔がそれ以外の部分に比べて狭くなっている。このような第１のコイル２１の構造では、記録コア部１７と接続層１９との間隔を狭くして、磁路長が短く低インダクタンスの記録ヘッド部ｈ２とすることができる。
【００７３】
前記第１のコイル２１は、導体層２１ａの間が第１のコイル絶縁層２２で埋められている。第１のコイル２１は、前記第１のコイル絶縁層２２により覆われている。
【００７４】
前記第１のコイル絶縁層２２を形成する無機絶縁材料は、ＡｌＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ３、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種から選択されることが好ましい。なお、前記第１のコイル２１の導体層２１ａの間は、レジスト等の有機絶縁材料で埋められていても良い。
【００７５】
第１のコイル絶縁層２２上には、第２のコイル２３が形成されている。第２のコイル２３は、Ｃｕ等の良導電体からなる導体層２３ａが接続層１９の周囲に平面螺旋状となるように巻回されて構成されている。第２のコイル２３は、導体層２３ａの中心端部が第１のコイル絶縁層２２を貫通して第１のコイル２１の中心に接続されている。
【００７６】
第２のコイル２３は、下部コア層１３と対向する領域と上部放熱層１５と対向する領域がある。第２のコイル２３は、第１のコイル２１と同様に、下部コア層１３に対向する部分の後方で、ほぼ全面が上部放熱層１５に対向していることが好ましい。
【００７７】
第２のコイル２３は、導体層２３ａの幅が下部コア層１３と対向する領域に比較して、上部放熱層１５と対向する領域で広くなっている。このような第２のコイル２３では、第１のコイル２１と同様に、導体層２３ａの熱が上部放熱層１５に放出されやすい。
【００７８】
第１のコイル絶縁層２２の上には、レジストからなる第２のコイル絶縁層３６が形成されて、第２のコイル２３は、第２のコイル絶縁層３６により覆われている。第２のコイル絶縁層３６は、第２のコイル２３の導体層２３ａ間を埋めている。
【００７９】
第２のコイル絶縁層３６の上には、パーマロイからなる上部コア層２４が形成されている。上部コア層２４は、第２のコイル絶縁層３６により第２のコイル２３から絶縁されており、基部２４ａが接続層１９に接続されると共に、先端部２４ｂが記録コア部１７の上部磁極層１７ｃの上面に接続されている。
【００８０】
また、上部コア層２４の先端部２４ｂは、磁気ディスク対向面１ｂに露出することなく、対向面１ｂからハイト方向へ後退した位置を起点として記録コア部１７から離れるに従って磁気ディスク対向面１ｂから離れるような傾斜面を有している。
【００８１】
保護層２５は、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料からなり、記録ヘッド部ｈ２を覆っており、またその一部が対向面１ｂと同一面となっている。
【００８２】
保護層２５上には、図１に示した端子層６０，６０および端子層６１，６１が形成されている。この端子層６０，６０および端子層６１，６１は、比抵抗の小さい金属材料であるＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕのいずれか、または前記金属材料のいずれか２種以上の合金、あるいは前記金属材料のいずれか２種以上の積層体である。
【００８３】
記録ヘッド部ｈ２の第１のコイル２１と第２のコイル２３の端部は、それぞれ端子層６１、６１と電気的に接続されている。また、再生部ｈ１の磁気抵抗効果素子６の両側に電気的に接続された電極層後方での接続部（図示しない）は、それぞれ端子層６０、６０と電気的に接続されている。
【００８４】
前記端子層６０，６０および前記端子層６１，６１はいわゆるボンディングパッドとして機能するものであり、前記各端子層に接続されたワイヤー、またはフレキシブルプリント基板のリードが、磁気記録再生装置に設けられた電気回路と導通されている。
【００８５】
次に、上記薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する。
Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ基板のアンダーコート２上にパーマロイ膜をメッキ形成して、下部シールド層３と下部放熱層４を同時に形成した後、Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ（以下、ＣＭＰと記載）により下部シールド層３と下部放熱層４を平坦化する。次に、磁気抵抗効果素子６と絶縁層５を形成して、下部放熱層４上の絶縁層５を除去する。
【００８６】
次に、下部シールド層３、磁気抵抗効果素子６を覆う絶縁層５上に、パーマロイ膜をメッキ形成して、上部シールド層９と中間放熱層１１を同時に形成する。このとき、下部放熱層４上の絶縁層５が除去されているので、中間放熱層１１には、下部放熱層４に接触する第２の連結部１１ａが形成される。そして、ＣＭＰにより上部シールド層９と中間放熱層１１を平坦化する。
【００８７】
そして、上部シールド層９と中間放熱層１１を覆う分離絶縁層１２を形成して、中間放熱層１１上の分離絶縁層１２を除去する。
【００８８】
次に、分離絶縁層１２の上にパーマロイ膜をめっき形成して、記録部ｈ２の下部コア層１３と、上部放熱層１５とを同時に形成する。このとき、中間放熱層１１上の分離絶縁層１２が除去されているので、上部放熱層１５には、中間放熱層１１に接触する第１の連結部１５ａが形成される。そして、ＣＭＰにより下部コア層１３と上部放熱層１５を平坦化する。
【００８９】
続いて下部コア層１３の上に、記録ヘッド部ｈ２のＧｄ決め絶縁層１８、記録コア部１７、接続層１９、第１、第２のコイル２１、２３、上部コア層２４などを形成した後、記録ヘッド部ｈ２を覆う保護層２５を形成する。
【００９０】
このような薄膜磁気ヘッドの製造方法では、下部放熱層４、中間放熱層１１、上部放熱層１５を、それぞれ下部シールド層３、上部シールド層９、下部コア層１３と同じ材料で且つ同時に形成するので、各放熱４、１１、１５を設けるために製造工程数、材料数が増えることがない。
【００９１】
図１に示す磁気ヘッド装置は、ハード磁気ディスク装置等の磁気記録再生装置に搭載される。この磁気ヘッド装置は、スライダ１が薄い板ばねで形成された弾性支持部材に支持されて、スライダ１の対向面１ｂが磁気ディスク（図示せず）等の磁気記録媒体に対向する。そして前記磁気記録媒体が回転すると、その表面の空気流によりスライダ１が磁気記録媒体から微小間隔を空けて浮上し、またはスライダ１が磁気記録媒体に摺動する。
【００９２】
このような薄膜磁気ヘッドが磁気ディスク等の磁気媒体に磁気記録を行なうとき、記録部ｈ２の第１のコイル２１と第２のコイル２３に、記録電流が印加される。第１のコイル２１と第２のコイル２３を流れる記録電流は、下部コア層１３および上部コア層２４に磁界を誘導する。この磁界は、非磁性ギャップ層１７ｂにおいて洩れ磁界となり、この洩れ磁界により磁気記録媒体が磁化される。
【００９３】
このとき、上部コア層２４と下部コア層１３間には、記録コア部１７と接続層１９を介して磁路が形成される。記録コア部１７と接続層１９の間において、第１のコイル２１の導体層２１ａ幅と、第２のコイル２３の導体層２３ａ幅が狭くなっているので、記録コア部１７と接続層１９の間隔が狭く形成されて、記録ヘッド部ｈ２は、磁路長が短く、効率良く磁気記録媒体を磁化することができる。
【００９４】
第１のコイル２１と第２のコイル２３には、記録電流によるジュール熱が発熱する。上部放熱層１５は、上部放熱層１５の第１の連結部１５ａ、中間放熱層１１の第２の連結部１１ａにより中間放熱層１１及び下部放熱層４と一体化されて、熱容量が増大しているので、第１のコイル２１と第２のコイル２３の熱が放出され易い。第１のコイル２１と第２のコイル２３の熱は、一体化された上部放熱層１５と中間放熱層１１と下部放熱層４に放出されて、下部放熱層４からスライダ１に放出される。
【００９５】
また、下部コア層１３上に比べて、上部放熱層１５上で第１のコイル２１の導体層２１ａ幅と第２のコイル２３の導体層２３ａ幅が広がっている。第１のコイル２１の導体層２１ａと第２のコイル２３の導体層２３ａは、良導電体であり熱伝導性にも優れているので、第１のコイル２１と第２のコイル２３の熱は、下部コア層１３側から上部放熱層１５側に移動して、上部放熱層１５に放出される。
【００９６】
記録部ｈ２の温度は、上部コア層２４と下部コア層１３に生じる渦電流によっても上昇するが、第１のコイル２１と第２のコイル２３を流れる記録電流によるものが主である。
【００９７】
このようにして、第１のコイル２１と第２のコイル２３の熱は、上部放熱層１５、中間放熱層１１、下部放熱層４に放出されるので、記録部ｈ２が高熱になるのを防ぐことができる。その結果、記録部ｈ２の熱膨張量が少なくなって、記録部ｈ２がスライダ１の対向面１ｂから突出することが抑制される。
【００９８】
よって、高記録密度化、高周波数化に伴いスライダ１の磁気ディスク対向面１ｂと磁気記録媒体（磁気ディスク）との間隔が狭く、例えば、１０ｎｍ以下のハード磁気ディスク装置であっても、記録部ｈ２が磁気記録媒体に直接に当たるのを防止できるようになる。
【００９９】
また、このような薄膜磁気ヘッドでは、磁気ディスク等磁気媒体の磁気記録を再生するとき、磁気抵抗効果素子６は、上部シールド層９、下部シールド層３の間に現れた磁気ディスクからの磁界を検知して、磁界により電気抵抗が変化する。そして、この電気抵抗変化から磁気記録を再生する。
【０１００】
このとき、再生部ｈ１は、下部シールド層３と上部シールド層９が、それぞれ下部放熱層４、中間放熱層１１から分離されており、下部シールド層３と上部シールド層９は、下部放熱層４や中間放熱層１１からの熱が伝導し難く、高温になることがない。また、記録部ｈ２での温度上昇が抑制されているので、記録部ｈ２の熱により再生部ｈ１が高温になることがない。
【０１０１】
このような再生部ｈ１では、下部シールド層３や上部シールド層９の温度上昇による磁気抵抗効果素子６の磁気特性の変動や、温度による電気抵抗変化が少ないので、磁気抵抗効果素子６の電気抵抗の変化から磁気記録を正確に再生することができる。
【０１０２】
図３は、本発明の第２の実施の形態の薄膜磁気ヘッドを示す断面図である。図３の実施の形態において、第１の実施の形態と同一部材には同一符号を付与して説明を省略する。ここでは、第１の実施の形態と異なる事項を説明する。
【０１０３】
下部放熱層４の上面は、ＣｕやＡｕなどの熱伝導率の高い金属材料からなる第２の連結部２８に接触している。
【０１０４】
上部シールド層９の後方には、上部シールド層９と同じパーマロイからなる中間放熱層２６が形成されている。中間放熱層２６は、下部放熱層４と互いに対向しており、第２の連結部２８により下部放熱層４と連結されている。
【０１０５】
中間放熱層２６は、上面のほぼ全面が分離絶縁層１２から露出している。上部放熱層２７は、下部コア層１３と同じパーマロイ材料からなり、中間放熱層２６と互いに対向している。ＣｕやＡｕなどの熱伝導率の高い金属材料からなる第１の連結部２９は、分離絶縁層１２を貫通して設けられ、上部放熱層２７および中間放熱層２６に接触している。
【０１０６】
第２の実施の形態において、上部放熱層２７は、中間放熱層２６及び下部放熱層４と熱伝導率の高い金属からなる第２の連結部２８および第１の連結部２９により一体化されており、上部放熱層２７から下部放熱層４までの熱伝導が速やかであり、第１のコイル２１と第２のコイル２３の熱がスライダ１に放出され易い。
【０１０７】
このような第２の実施の形態の製造方法は、下部放熱層４上の絶縁層５を除去した後、ＣｕやＡｕなどの金属膜をメッキ形成して、第２の連結部２８を形成する。第２の連結部２８を形成した後、パーマロイ膜をメッキ形成して、中間放熱層２６を形成する。
【０１０８】
そして、中間放熱層２６と上部シールド層９を覆う分離絶縁層１２を形成した後、中間放熱層２６上の分離絶縁層１２を除去する。そして、ＣｕやＡｕなどの金属膜をメッキ形成して、第１の連結部２９を形成する。第１の連結部２９を形成した後、パーマロイ膜をメッキ形成して、上部放熱層２７を形成する。
【０１０９】
図４は、本発明の第３の実施の形態の薄膜磁気ヘッドを示す断面図である。図４の実施の形態において、第１の実施の形態と同一部材には同一符号を付与して説明を省略する。ここでは、第１の実施の形態と異なる事項を説明する。
【０１１０】
第３の実施の形態において、下部シールド層３０は、第１の実施の形態よりも広い範囲に形成されており、記録部ｈ２の接続層１９よりも後方に延出されている。記録部ｈ２の第１のコイル２１と第２のコイル２３は、全面が下部シールド層３０の上に形成されている。
【０１１１】
下部シールド層３０は、磁気抵抗効果素子６を覆う絶縁層５に覆われており、絶縁層５上には、上部シールド層９の後方に、上部シールド層９と同じパーマロイからなる中間放熱層３１が形成されている。
【０１１２】
中間放熱層３１は、絶縁層５を介して下部シールド層３０と対向しており、中間放熱層３１と下部シールド層３０は絶縁層５により絶縁されている。また、中間放熱層３１は、スライダ１の磁気ディスク対向面１ｂに露出していない。
【０１１３】
上部シールド層９と中間放熱層３１は、分離絶縁層１２により覆われている。中間放熱層３１は、上面のほぼ全面が分離絶縁層１２から露出している。
【０１１４】
分離絶縁層１２上には、記録部ｈ２の下部コア層１３と、下部コア層１３と同じパーマロイからなる上部放熱層３２が形成されている。
【０１１５】
上部放熱層３２は、下部コア層１３の後方に下部コア層１３と接触することなく形成されている。また、上部放熱層３２は、スライダ１の磁気ディスク対向面１ｂに露出していない。
【０１１６】
このような上部放熱層３２には、分離絶縁層１２を貫通して中間放熱層３１に接触する第１の連結部３２ａが一体に形成されている。上部放熱層３２と中間放熱層３１は、上部放熱層３２の第１の連結部３２ａにより連結されている。
【０１１７】
第３の実施の形態の製造方法は、第１の実施の形態とほぼ同じであり、異なるのは、下部シールド層３０のパターンと、絶縁層５の中間放熱層３１が形成される部分を除去しないことだけであるから、説明を省略する。
【０１１８】
このような第３の実施の形態の薄膜磁気ヘッドが磁気媒体に磁気記録を行なうとき、第１の実施の形態と同様に、第１のコイル２１と第２のコイル２３には、記録電流によるジュール熱が発生する。
【０１１９】
上部放熱層３２は、第１の連結部３２ａにより中間放熱層３１と一体化されて、熱容量が増大している。第１のコイル２１と第２のコイル２３の熱は、一体化された上部放熱層３２と中間放熱層３１に放出される。
【０１２０】
下部シールド層３０と中間放熱層３１の間には絶縁層５が介在しているので、下部シールド層３０には中間放熱層３１の熱が伝導し難い。ただし、下部シールド層３０に中間放熱層３１の熱が伝導した場合にも、下部シールド層３０の熱は、スライダ１側に放出され易く、下部シールド層３０が高温になることはない。
【０１２１】
なお、上記第３の実施の形態では、再生部ｈ１の上部シールド層９と記録部ｈ２の下部コア層１３が分離されており、上部シールド層９の後方に形成された中間放熱層３１と下部コア層１３の後方に形成された上部放熱層３２は、第１の連結部３２ａにより一体化されているが、再生部ｈ１の上部シールド層９が記録部ｈ２の下部コア層１３と兼用されるとき、即ち、分離絶縁層１２がなく、上部シールド層９と下部コア層１３が連続に形成されて一体であるとき、上部放熱層３２と中間放熱層３１を連続に形成して一体化しても良い。
【０１２２】
上記第１、第２、第３の形態において、上部放熱層１５、２７、３２と中間放熱層１１、２６、３１は、磁性金属からなり熱伝導率がそれほど高くないので、連結部１５ａ、２９、３２ａにより一体化されて、熱容量を増大させることが好ましい。しかし、連結部１５ａ、２９、３２ａがなく、上部放熱層１５、２７、３２と中間放熱層１１、２６、３１の間に分離絶縁層１２が介在していても良い。下部コア層１３から分離されて形成された上部放熱層１５、２７、３２が第１のコイル２１と第２のコイル２３に対向している限り、中間放熱層１１、２６、３１がなくても良い。
【０１２３】
図５は、本発明の第４の実施の形態の薄膜磁気ヘッドを示す断面図である。図５の実施の形態において、第１の実施の形態と同一部材には同一符号を付与して説明を省略する。ここでは、第１の実施の形態と異なる事項を説明する。
【０１２４】
第４の実施の形態において、下部放熱層３３は、ＣｕやＡｕなどの熱伝導率が高い金属材料からなり、パーマロイからなる下部シールド層３の後方に形成されている。下部放熱層３３は、下部シールド層３に接触することなく、スライダ１の磁気ディスク対向面１ｂに露出していない。下部シールド層３と下部放熱層３３は磁気抵抗効果素子６を覆う絶縁層５により覆われている。
【０１２５】
パーマロイからなる上部シールド層９は、絶縁層５を介して下部シールド層３と対向している。ＣｕやＡｕなどの熱伝導率が高い金属材料からなる中間放熱層３４は、絶縁層５上で上部シールド層９の周囲に上部シールド層９と接触することなく形成されている。中間放熱層３４は、スライダ１の磁気ディスク対向面１ｂに露出していない。
【０１２６】
中間放熱層３４と下部放熱層３３は、絶縁層５を挟んで対向しており、絶縁層５により互いに絶縁されている。
【０１２７】
上部シールド層９と中間放熱層３４は、分離絶縁層１２により覆われている。分離絶縁層１２上には、パーマロイからなる下部コア層１３が形成されており、下部コア層１３と上部シールド層９は、分離絶縁層１２を介して互いに対向している。
【０１２８】
また、分離絶縁層１２上には、ＣｕやＡｕなどの熱伝導率が高い金属材料からなる上部放熱層３５が下部コア層１３の周囲に形成されている。上部放熱層３５は、下部コア層１３に接触することなく、スライダ１の磁気ディスク対向面１ｂに露出していない。上部放熱層３５と中間放熱層３４は、分離絶縁層１２を挟んで互いに対向しており、分離絶縁層１２により互いに絶縁されている。
【０１２９】
第４の実施の形態の製造方法は、アンダーコート２上に、パーマロイ膜をメッキ形成して下部シールド層３を形成する工程と、ＣｕやＡｕ等の金属膜をメッキ形成して下部放熱層３３を形成する工程とをそれぞれ別の工程で行った後、下部シールド層３と下部放熱層３３を覆う絶縁層５を形成する。
【０１３０】
そして、絶縁層５上に、パーマロイ膜をメッキ形成して上部シールド層９を形成する工程と、ＣｕやＡｕ等の金属膜をメッキ形成して中間放熱層３４を形成する工程とをそれぞれ別の工程で行った後、上部シールド層９と中間放熱層３４を覆う分離絶縁層１２を形成する。
【０１３１】
そして、分離絶縁層１２上に、パーマロイ膜をメッキ形成して下部コア層１３を形成する工程と、ＣｕやＡｕ等の金属膜をメッキ形成して上部放熱層３５を形成する工程とをそれぞれ別の工程で行う。
【０１３２】
このような第４の実施の形態の薄膜磁気ヘッドが磁気媒体に磁気記録を行なうとき、第１の実施の形態と同様に、第１のコイル２１と第２のコイル２３には、記録電流によるジュール熱が発生する。
【０１３３】
上部放熱層３５は、パーマロイよりも熱伝導率の高い金属からなるので、第１のコイル２１と第２のコイル２３の熱は、パーマロイからなる下部コア層１３よりも上部放熱層３５側に放出されやすい。
【０１３４】
上部放熱層３５と中間放熱層３４は、分離絶縁層１２により互いに分離されているが、中間放熱層３４が熱伝導率の高い材料からなるので、上部放熱層３５の熱は、分離絶縁層１２を介して中間放熱層３４に伝導する。
【０１３５】
また、中間放熱層３４と下部放熱層３３は、絶縁層５により互いに分離されているが、下部放熱層３３が熱伝導率の高い材料からなるので、中間放熱層３４の熱は、絶縁層５を介して下部放熱層３３に伝導する。そして、第１のコイル２１と第２のコイル２３の熱は、下部放熱層３３からスライダ１に放出される。
【０１３６】
なお、上記第４の実施の形態では、下部放熱層３３と中間放熱層３４と上部放熱層３５のすべてをパーマロイなどの磁性金属よりも熱伝導率の高い金属から形成したが、下部放熱層３３と中間放熱層３４と上部放熱層３５のうち、いずれかが熱伝導率の高い金属であれば、他を下部コア層１３や上部シールド層９、下部シールド層３と同じ磁性金属にしても良い。特に、第１のコイル２１と第２のコイル２３に最も近い上部放熱層３５を熱伝導率の高い金属から形成することが好ましい。
【０１３７】
第１のコイル２１と第２のコイル２３の熱を上部放熱層３５に放出しやすくするためには、上部放熱層３５の熱が中間放熱層３４と下部放熱層３３に放出されることが好ましいが、上部放熱層３５が、下部コア層１３から分離されて形成され、第１のコイル２１と第２のコイル２３に対向している限り、中間放熱層３４と下部放熱層３３は、設けなくても良い。
【０１３８】
上記第４の実施の形態で、下部放熱層３３と中間放熱層３４は絶縁層５により分離されているが、下部放熱層３３を絶縁層５から露出させて、下部放熱層３３と中間放熱層３４を連結する連結部を設けても良い。
【０１３９】
下部放熱層３３と中間放熱層３４を連結する連結部は、中間放熱層３４と一体に形成されていても良いし、上部シールド層９と同じパーマロイから形成されていても良い。上部シールド層９と同じパーマロイからなる連結部では、上部シールド層９と同時に形成することができる。
【０１４０】
また、上記第４の実施の形態で、中間放熱層３４と上部放熱層３５は分離絶縁層１２により分離されているが、中間放熱層３４を分離絶縁層１２から露出させて、中間放熱層３４と上部放熱層３５を連結する連結部を設けても良い。
【０１４１】
中間放熱層３４と上部放熱層３５を連結する連結部は、上部放熱層３５と一体に形成されていても良いし、下部コア層１３と同じパーマロイから形成されていても良い。下部コア層１３と同じパーマロイからなる連結部では、下部コア層１３と同時に形成することができる。
【０１４２】
上記第１から第４の実施の形態で説明したように、第１のコイル２１と第２のコイル２３の熱は、下部コア層１３から分離されて形成された上部放熱層１５、２７、３２、３５に放出されるようになっている。
【０１４３】
また、上記第１から第４の実施の形態において、再生部ｈ１の下部シールド層３と上部シールド層９が、磁気抵抗効果素子６の後方で金属からなる連結部に連結されていてもよい。
【０１４４】
下部シールド層３と上部シールド層９を連結すると、上部シールド層９が加熱された場合にも、上部シールド層９の熱が連結部から下部シールド層３に伝導されて、下部シールド層３からスライダ１に放出されるので好ましい。
【０１４５】
また、上部シールド層９と下部シールド層３が金属からなる連結部に連結されると、上部シールド層９と下部シールド層３が同電位となって、上部シールド層９と下部シールド層３の耐腐食性を高めることができる。
【０１４６】
また、上記した下部放熱層４、中間放熱層１１及び上部放熱層１５のうちいずれか１つ以上の放熱層が形成されていればよく、前記コイル２１、２３は、設けられた前記放熱層に対向する部分を有していればよい。
【０１４７】
また下部放熱層４、中間放熱層１１及び上部放熱層１５のうち２つ以上の放熱層が設けられ、設けられた前記放熱層の一部はそれぞれ膜厚方向に対向して設けられていることが好ましい。これによって連結部１１ａ、２８で各放熱層間を適切に連結させることが可能になる。
【０１４８】
さらに設けられた放熱層は、その前方に設けられた磁性層（下部シールド層３、上部シールド層９、下部コア層１３のいずれか）の幅方向の両側にまで延びて形成されていることが好ましい。ここで幅方向とは、記録部のトラック幅を決める方向に沿う方向である。
【０１４９】
ただしかかる場合、放熱層が磁気記録媒体との対向面に露出すると、熱膨張した放熱層が磁気記録媒体に接触する可能性があるので、前記放熱層は、前記磁気記録媒体との対向面よりも後退していることが好ましい。
【０１５０】
上記のように、前記放熱層を、その前方に設けられた磁性層の幅方向の両側にまで延ばして形成することで、熱容量が増し、しかもコイル層と放熱層との膜厚方向へのオーバーラップ領域が増えるので、コイル層からの熱をより放熱層に導くことが可能である。
【０１５１】
【発明の効果】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、記録部の熱が放熱層に放出されるので、記録部、さらには記録部と再生部の温度上昇を抑制し、記録媒体との対向面からの前記部の熱膨張による突出を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドが形成されたスライダの全体斜視図、
【図２】本発明の薄膜磁気ヘッドの第１の実施の形態の断面図、
【図３】本発明の薄膜磁気ヘッドの第２の実施の形態の断面図、
【図４】本発明の薄膜磁気ヘッドの第３の実施の形態の断面図、
【図５】本発明の薄膜磁気ヘッドの第４の実施の形態の断面図、
【図６】従来の薄膜磁気ヘッドの断面図、
【図７】コイルの導体層の直流抵抗と突出量の関係を示すグラフ、
【符号の説明】
ｈ１　再生部
ｈ２　記録部
１　スライダ
１ａ　一端面
１ｂ　磁気ディスク対向面
３、３０　下部シールド層
４、３３　下部放熱層
５　絶縁層
６　磁気抵抗効果素子
９　上部シールド層
１１、２６、３１、３４　中間放熱層
１１ａ　第２の連結部
１９　接続層
２８　　第２の連結部
１２　分離絶縁層
１３　下部コア層
１５、２７、３２、３５　上部放熱層
１５ａ、３２ａ　連結部
２９　第１の連結部
１７　記録コア
１７ｂ　非磁性ギャップ
２１　第１のコイル
２１ａ　導体層
２３　第２のコイル
２３ａ　導体層
２４　上部コア層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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