(57)【要約】【課題】半導体チップの電極部上に設けられたバンプに配線を接合する際に、このバンプの中央部分の電極部上からのはみ出し量を小さくすることができるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】パッド１３を表面に有するＩＣチップ１１と、このＩＣチップ１１のパッド１３上に設けられたＡｕバンプ１５とを備え、このＡｕバンプ１５の平面視長手方向の中央部分１６の厚さは当該Ａｕバンプ１５の平面視長手方向の両端部分１８、１９のそれぞれの厚さと同じであり、かつ、当該中央部分１６の幅は該両端部分１８、１９のそれぞれの幅よりも小さい。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極部を表面に有する半導体チップと、
前記半導体チップの前記電極部上に設けられたバンプとを備え、
前記バンプの平面視長手方向の中央部分の厚さは当該バンプの平面視長手方向の両端部分のそれぞれの厚さと同じであり、かつ、
当該中央部分の幅は該両端部分のそれぞれの幅よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
電極部を表面に有する半導体チップと、
前記半導体チップの前記電極部上に設けられたバンプとを備え、
前記バンプの平面視長手方向の中央部分の厚さは当該バンプの平面視長手方向の両端部分のそれぞれの厚さと同じであり、かつ、
前記バンプの平面視長手方向の中央部分には当該バンプを分割する溝部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記バンプは、当該バンプの長手方向に沿った中心線に対して平面視で線対称の形状を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体チップの表面にある電極部上にバンプを形成する方法であって、
前記電極部上を開口部内に露出させ、他の領域を覆うようなレジストパターンを前記半導体チップの表面上に形成する工程と、
前記レジストパターンの前記開口部内に露出した前記電極部上に導電部材をメッキで形成する工程とを含み、
前記開口部の平面視長手方向の中央部分の幅は、当該開口部の平面視長手方向の両端部分の幅よりも小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、フレキシブル配線基板のインナーリード等に接合されるバンプの形状及びその製造の技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、携帯電話やノートパソコン等に搭載される液晶ディスプレイのドライバーＩＣには、ＴＣＰ（ｔａｐｅ  ｃａｒｒｉｅｒ  ｐａｃｋａｇｅ）、ＣＯＦ（ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｆｉｌｍ）等が用いられている。これらのＴＣＰや、ＣＯＦのボンディング工程では、ポリイミドをベースとする厚さ数十［μｍ］程度のフィルム状の配線基板（以下で、フレキシブル配線基板という）上に形成されたインナーリードに、ＩＣチップのバンプが接合される。
【０００３】
具体的には、ＩＣチップのパッド上に形成した金（Ａｕ）バンプと、Ａｕメッキした銅箔のインナーリードとに熱と圧力を加えてそれぞれを接合する。このＡｕ−Ａｕ接合方式は、はんだを用いる錫（Ｓｎ）−Ａｕ接合方式と比べて化学反応が起こりにくいため、経年変化しにくいという利点がある。
図９（Ａ）及び（Ｂ）は、従来例に係る半導体装置９０の構成例を示す平面図と、Ｆ−Ｆ´矢視断面図である。図９（Ａ）に示すように、この隣り合うＡｕバンプ９１は、ＩＣチップ９２表面のパッド９３上にそれぞれ形成されている。Ａｕバンプ９１は一定の間隔をもって複数個が配置されており、それぞれの大きさはバンプ間で同じである。
【０００４】
例えば、図９（Ａ）において、Ａｕバンプ９１の幅（短手方向の長さ）をｗとし、Ａｕバンプ９１のピッチ（長手方向にそったそれぞれの中心線の間隔）をｗＰとしたとき、ｗ＝３５［μｍ］、ｗＰ＝４０μｍ程度である。また、図９（Ｂ）に示すように、Ａｕバンプ９１間の離隔距離をｗｓとしたとき、ｗｓ＝５〜１０［μｍ］程度である。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−２７７５５３号公報
【特許文献２】
特開平１０−１０７０８１号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来例に係るＴＣＰ、ＣＯＦ等におけるボンディング工程では、ＩＣチップ９２の複数個のパッド９３上にそれぞれ形成したＡｕバンプ９１と、Ａｕメッキした銅箔のインナーリードとに熱と圧力を加えてそれぞれを接合していた。
【０００７】
しかしながら、Ａｕ−Ａｕ接合方式では、Ｓｎ−Ａｕ接合方式とは異なり共晶反応が起こらないので、Ａｕバンプ９１と、Ａｕメッキした銅箔のインナーリードのボンディング工程では、そのボンディング圧を高くする必要がある。
このため、図１０（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、インナーリード９９に対するＡｕバンプ９１のボンディング時に、このＡｕバンプ９１が潰れてしまい、Ａｕバンプ９１の平面視長手方向の中央部分９８がバッド９３上から横方向（Ａｕバンプの短手方向）にはみ出てしまうという問題があった。
【０００８】
このようなＡｕバンプ９１の中央部分９８のはみ出しは、Ａｕバンプ９１間の離隔距離を狭めてしまい、Ａｕバンプ９１間のＩＣチップ９２上に導電性の異物が付着した場合には、この異物を介してＡｕバンプ９１間が導通してしまうという問題があった。
また、Ａｕバンプ９１の中央部分９８のはみ出し量が大きい場合には、隣り合うＡｕバンプ９１同士が直接接触し、短絡してしまうという問題があった。このようなＡｕバンプ９１の中央部分９８のはみ出しは、Ａｕバンプが細線化し、ピッチが微細化するに従って、より一層顕著となりつつある。
【０００９】
そこで、この発明はこのような問題を解決したものであって、半導体チップの電極部上に設けられたバンプに配線を接合する際に、このバンプの中央部分の電極部上からのはみ出し量を小さくすることができるようにした半導体装置及びその製造方法の提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記した課題を解決するために、本発明に係る第１の半導体装置は、電極部を表面に有する半導体チップと、この半導体チップの電極部上に設けられたバンプとを備え、このバンプの平面視長手方向の中央部分の厚さは当該バンプの平面視長手方向の両端部分のそれぞれの厚さと同じであり、かつ、当該中央部分の幅は該両端部分のそれぞれの幅よりも小さいことを特徴とするものである。
【００１１】
ここで、本発明のバンプとは、例えば、フレキシブル配線基板の配線に熱と圧力で接合（以下で、熱圧着という）される金等からなる端子のことである。この種のバンプは、通常、配線との接着面積を広く確保する等の目的で、この配線の配線方向に沿って一方向に長く形成される。
また、本発明のバンプの平面視長手方向の中央部分の厚さや幅、及び、平面視長手方向の両端部分の厚さや幅は、この種のバンプを配線に熱圧着（ボンディング）する前の厚さや幅のことである。
【００１２】
さらに、本発明のバンプの平面視長手方向の中央部分の幅、及び、平面視長手方向の両端部分の幅とは、電極部上を露出させるような開口部以外の領域のバンプの幅のことである。例えば、バンプの平面視長手方向の中央部分に電極部上を露出させるような開口部が設けられている場合には、この開口部以外の領域の中央部分の幅を足し合わせた値が、本発明のバンプの平面視長手方向の中央部分の幅に相当する。
【００１３】
本発明に係る第１の半導体装置によれば、平面視同一長手方向の同一長さ範囲内で、中央部分の体積は両端部分のそれぞれの体積よりも小さいので、半導体チップの電極部上に設けられたバンプに配線を接合する際に、このバンプの中央部分の電極部上からのはみ出し量を小さくすることができる。
従って、隣り合うバンプ同士の接触を防ぐことができ、当該バンプ間の導通を防ぐことができる。これにより、半導体装置の歩留まりや、信頼性の向上に寄与することができる。
【００１４】
本発明に係る第２の半導体装置は、電極部を表面に有する半導体チップと、この半導体チップの電極部上に設けられたバンプとを備え、このバンプの平面視長手方向の中央部分の厚さは当該バンプの平面視長手方向の両端部分のそれぞれの厚さと同じであり、かつ、このバンプの平面視長手方向の中央部分には当該バンプを分割する溝部が設けられていることを特徴とするものである。
【００１５】
本発明に係る第２の半導体装置によれば、上述した第１の半導体装置と同様に、平面視同一長手方向の同一長さ範囲内で、中央部分の体積は両端部分のそれぞれの体積よりも小さいので、半導体チップの電極部上に設けられたバンプに配線を接合する際に、このバンプの中央部分の電極部上からのはみ出し量を小さくすることができる。
【００１６】
本発明に係る第３の半導体装置は、上述した第１又は第２の半導体装置において、このバンプは、当該バンプの長手方向に沿った中心線に対して平面視で線対称の形状を有することを特徴とするものである。
本発明に係る第３の半導体装置によれば、バンプと配線を圧力を加えて接合する際に、このバンプの中央部分の電極部上からのはみ出し量を当該バンプの長手方向に対して左右均等に小さくすることができる。
【００１７】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップの表面にある電極部上にバンプを形成する方法であって、この電極部上を開口部内に露出させ、他の領域を覆うようなレジストパターンを半導体チップの表面上に形成する工程と、このレジストパターンの開口部内に露出した電極部上に導電部材をメッキで形成する工程とを含み、この開口部の平面視長手方向の中央部分の幅は、当該開口部の平面視長手方向の両端部分の幅よりも小さいことを特徴とするものである。
【００１８】
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体チップの表面にある電極部上にバンプを形成する際に、バンプの平面視長手方向の中央部分を当該バンプの平面視長手方向の両端部分と同じ厚さに形成することができ、かつ、当該中央部分の幅を該両端部分の幅よりも小さく形成することができる。
従って、半導体チップの電極部上に設けられたバンプに配線を接合する際に、このバンプの中央部分の電極部上からのはみ出し量を小さくすることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。
（１）第１実施形態
図１（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置１００の構成例を示す平面図と、Ａ−Ａ´矢視断面図である。また、図２は、この半導体装置１００の構成例を示す側面図である。
【００２０】
図１（Ａ）において、１１はＩＣチップ、１３はパッド、１５はＡｕバンプである。これらの中で、ＩＣチップ１１は、例えばＭＯＳトランジスタ等の多数の素子が能動面（以下で、表面という）に形成されたシリコンチップである。また、パッド１３は、このＩＣチップ１１の外部接続用の電極部であり、ＩＣチップ１１の表面に形成されている。このパッド１３は、例えばアルミ（Ａｌ）からなるものである。
【００２１】
さらに、Ａｕバンプ１５は金（Ａｕ）からなるものであり、パッド１３上に形成されている。このＡｕバンプ１５は、ＩＣチップ１１の表面にあるパッド１３と、このＩＣチップ１１を実装するフレキシブル配線基板（図示せず）のインナーリード（図３（Ａ）及び（Ｂ）参照）とを電気的に接続するものである。この半導体装置１００のパッケージ形態は、例えば、ＴＡＢ技術を利用したＴＣＰや、ＣＯＦ等である。
【００２２】
ところで、この半導体装置１００では、Ａｕバンプ１５の平面視長手方向の中央部分１６の厚さは、当該Ａｕバンプ１５の平面視長手方向の端部分１８、１９のそれぞれの厚さと同じである。また、このＡｕバンプ１５の中央部分１６の幅は両端部分１８、１９のそれぞれの幅よりも小さい。即ち、平面視同一長手方向の同一長さ範囲（一定区画）内で、Ａｕバンプ１５の中央部分１６の体積と、端部分１８、１９のそれぞれの体積とを比較すると、中央部分１６の体積の方が端部分１８、１９のそれぞれの体積よりも小さい。
【００２３】
例えば、図１（Ｂ）に示すように、このＡｕバンプ１５の中央部分１６の幅をＷｃとし、Ａｕバンプ１５の端部分１８、１９のそれぞれの幅をＷｅとしたとき、Ｗｃ＜Ｗｅであり、それぞれの値は、Ｗｃ＝３５［μｍ］、Ｗｅ＝４０［μｍ］程度である。また、隣り合うＡｕバンプ１５間の離隔距離をＷｓとしたとき、Ｗｓ＝５〜１０［μｍ］程度である。さらに、図２に示すように、Ａｕバンプ１５ａの高さをＴとしたとき、Ｔ＝２０  ［μｍ］程度である。図２には示さないが、Ａｕバンプ１５ｂの高さもＡｕバンプ１５ａの高さと同じであり、例えば２０［μｍ］程度である。また、図１（Ａ）に示すように、Ａｕバンプ１５のピッチをＷｐとしたとき、Ｗｐ＝４０［μｍ］程度である。
【００２４】
図３（Ａ）及び（Ｂ）は、Ａｕバンプ１５上にフレキシブル配線基板（図示せず）のインナーリード３０を接合した状態を示す平面図と、Ｂ−Ｂ´矢視断面図である。上述したように、平面視同一長手方向の同一長さ範囲内で、ボンディング前のＡｕバンプ１５の中央部分１６の体積は、端部分１８、１９のそれぞれの体積よりも小さかった。
【００２５】
従って、図３（Ａ）に示すように、このＡｕバンプ１５とインナーリード３０とを熱圧着したときに、Ａｕバンプ１５の中央部分１６のパッド１３上からのはみ出し量を小さくすることができる。例えば、図３（Ｂ）に示すように、隣り合うＡｕバンプ１５間のボンディング後の離隔距離をＷｓ´としたとき、Ｗｓ´＝５［μｍ］程度である。
【００２６】
また、ボンディング前のＡｕバンプ１５は、それぞれの長手方向に沿った中心線に対して平面視で線対称の形状を有していたので、Ａｕバンプ１５とインナーリード３０とを熱圧着したときに、このＡｕバンプ１５の中央部分１６のはみ出し量を当該Ａｕバンプ１５の長手方向に対して左右均等に小さくすることができる。
【００２７】
このように、本発明に係る半導体装置１００によれば、このＡｕバンプ１５とインナーリード３０とを熱圧着する際に、Ａｕバンプ１５の中央部分１５のパッド１３上からのはみ出し量を小さくすることができる。
従って、隣り合うＡｕバンプ１５同士の接触を防ぐことができ、接触によるＡｕバンプ１５間の導通を防ぐことができる。また、Ａｕバンプ１５の極接近を防ぐことができるので、Ａｕバンプ１５間のＩＣチップ１１上に導電性の異物（例えば、Ａｌ片等）が付着した場合でも、この異物を介してＡｕバンプ１５間が導通してしまう可能性を小さくすることができる。これにより、半導体装置の歩留まりや、信頼性の向上に寄与することができる。
【００２８】
図７（Ａ）〜（Ｃ）は、上述した半導体装置１００の製造方法を示す工程図である。次に、この半導体装置１００の製造方法について説明する。
まず、図７（Ａ）に示すように、ＩＣチップ１１の表面に周知のウエーハプロセスを用いてＡｌからなるパッド１３を形成する。次に、このパッド１３上を含むＩＣチップ１１の表面上にバリアメタル（図示せず）をスパッタ法で形成する。このバリアメタルは、例えばチタン（Ｔｉ）等である。
【００２９】
そして、図７（Ｂ）に示すように、ＩＣチップ１１のパッド１３上を露出させ、他の領域を覆うようなレジストパターン２０を、このＩＣチップ１１の表面上に形成する。このレジストパターン２０は、ＩＣチップ１１の表面上にスピンコート法でレジスト液を略平坦に形成した後、このレジスト液をステッパ等を用いて所定形状に現像し、ディベロッパーを用いて現像処理することによって形成する。
【００３０】
図８はレジストパターン２０の形状例を示す平面図である。図８に示すように、このレジストパターン２０の開口部２５の形状は、図１（Ａ）に示したＡｕバンプ１５の形状に対応している。即ち、この開口部２５の平面視長手方向の中央部分２６の深さ（レジストパターン表面からパッド表面に至る距離）は、当該開口部２５の平面視長手方向の両端部分２７、２８のそれぞれの深さと同じである。また、図８に示すように、当該中央部分２６の幅は該両端部分２８、２９のそれぞれの幅よりも小さい。
【００３１】
次に、図７（Ｃ）に示すように、このレジストパターン２０下から露出したパッド１３上に金をメッキ技術（電界メッキ）で形成する。ここで、金は、レジストパターン２０上には形成されず、このレジストパターン２０の開口部内にのみ形成されるので、開口部の形状と深さに対応した形のＡｕバンプ１５が形成される。その後、このレジストパターン２０をアッシング処理して除去する。さらに、Ａｕバンプ１５をマスクにして、このＡｕバンプ１５下以外のバリアメタルをドライエッチングし、除去する。このようにして、半導体装置１００を完成させる。
【００３２】
このように、本発明に係る半導体装置１００の製造方法によれば、ＩＣチップ１１の表面にあるパッド１３上にＡｕバンプ１５を形成する際に、このＡｕバンプ１５の平面視長手方向の中央部分１６を当該Ａｕバンプ１５の平面視長手方向の端部分１８、１９と同じ厚さに形成することができ、かつ、この中央部分１６の幅を端部分１８、１９の幅よりも小さく形成することができる。
【００３３】
従って、ＩＣチップ１１のパッド１３上に設けられたＡｕバンプ１５にインナーリード３０を熱圧着する際に、このＡｕバンプ１５のパッド１３上からのはみ出し量を小さくすることができる。
この第１実施形態では、ＩＣチップ１１が本発明の半導体チップに対応し、Ａｕバンプ１５が本発明のバンプに対応している。また、中央部分１６が本発明のバンプの平面視長手方向の中央部分に対応し、端部分１８、１９が本発明のバンプの平面視長手方向の両端部分に対応している。さらに、レジストパターン２０が本発明のレジストパターンに対応し、開口部２５が本発明のレジストパターンの開口部に対応している。また、中央部分２６が本発明の開口部の平面視長手方向の中央部分に対応し、端部分２８、２９が本発明の開口部の平面視長手方向の両端部分に対応している。また、半導体装置１００が本発明の半導体装置に対応している。
【００３４】
なお、この第１実施形態では、Ａｕバンプ１５は、その長手方向に沿った中心線に対して平面視で線対称の形状を有する場合について説明した。しかしながら、Ａｕバンプ１５は、その長手方向に沿った中心線に対して必ずしも線対称でなくとも良い。
図６（Ａ）及び（Ｂ）は、半導体装置１００´の形状例を示す平面図と、Ｃ−Ｃ´矢視断面図である。図６（Ａ）に示すように、この半導体装置１００´では、Ａｕバンプ１５´の中央部分１６´の右側だけが、このＡｕバンプ１５´の長手方向に沿った中心線付近まで横方向に凹んでいる。
【００３５】
例えば、図４（Ｂ）に示すように、このＡｕバンプ１５´の中央部分１６´の幅をＷｃ´とし、Ａｕバンプ１５の端部分１８´、１９´のそれぞれの幅をＷｅ´としたとき、Ｗｃ´＜Ｗｅ´であり、それぞれの値は、Ｗｃ´＝３５［μｍ］、Ｗｅ´＝４０［μｍ］程度である。また、隣り合うＡｕバンプ１５間の離隔距離をＷｓ´としたとき、Ｗｓ´＝５〜１０［μｍ］程度である。さらに、図４（Ａ）に示すように、Ａｕバンプ１５´のピッチをＷｐ´としたとき、Ｗｐ´＝４０［μｍ］程度である。
【００３６】
このような形状によれば、Ａｕバンプ１５´とインナーリードとを熱圧着する際に、特に、中央部分１６´の右側において、Ａｕバンプ１５´のパッド１３上からのはみ出し量を小さくすることができるので、隣り合うＡｕバンプ１５同士の接触を防ぐことができる。
（２）第２実施形態
図５（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置２００の構成例を示す平面図と、Ｄ−Ｄ´矢視断面図である。この第２実施形態では、Ａｕバンプの中央部分にパッドを露出させる開口部を設けた場合について説明する。それ以外の他の構成については、上述した第１実施形態と同様である。従って、図５（Ａ）及び（Ｂ）において、図１（Ａ）及び（Ｂ）と対応する部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００３７】
図５（Ａ）に示すように、Ａｕバンプ４５の平面視長手方向の中央部分４６には、当該Ａｕバンプ４５下のパッド１３を露出させるような開口部４０が設けられている。この開口部４０によって、Ａｕバンプ４５の平面視長手方向の中央部分４６の幅は、当該Ａｕバンプ４５の平面視長手方向の端部分４８、４９のそれぞれの幅よりも小さくなる。また、このＡｕバンプ４５の中央部分４６の厚さは、このＡｕバンプ４５の平面視長手方向の端部分４８、４９のそれぞれの厚さと同じである。
【００３８】
このように、本発明に係る半導体装置２００によれば、平面視同一長手方向の同一長さ範囲内で、ボンディング前のＡｕバンプ４５の中央部分４６の体積は、端部分４８、４９のそれぞれの体積よりも小さい。
従って、上述した半導体装置１００と同様に、Ａｕバンプ４５とインナーリードを熱圧着する際に、Ａｕバンプ４５の中央部分４５のパッド１３上からのはみ出し量を小さくすることができる。
【００３９】
この第２実施形態では、Ａｕバンプ４５が本発明のバンプに対応し、中央部分４６が本発明のバンプの平面視長手方向の中央部分に対応し、端部分４８、４９が本発明のバンプの平面視長手方向の両端部分に対応している。また、半導体装置２００が本発明の半導体装置に対応している。
（３）第３実施形態
図６（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置３００の構成例を示す平面図と、Ｅ−Ｅ´矢視断面図である。この第３実施形態では、Ａｕバンプの平面視長手方向の中央部分に当該Ａｕバンプを２つに分割する溝部を設けた場合について説明する。それ以外の他の構成については、上述した第１実施形態と同様である。従って、図６（Ａ）及び（Ｂ）において、図１（Ａ）及び（Ｂ）と対応する部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００４０】
図６（Ａ）に示すように、Ａｕバンプ５５の長手方向の中央部分５６には、このＡｕバンプ５５を２つに分割する溝部５０が設けられている。この溝部５０内からは、パッド１３が露出している。また、この溝部５０によって２つに分割されたＡｕバンプ５５は、その平面視長手方向の一方の端部分５８から他方の端部５９にかけてその厚さが略均一である。
【００４１】
このように、本発明に係る半導体装置３００によれば、平面視同一長手方向の同一長さ範囲内で、ボンディング前のＡｕバンプ５５の中央部分５６の体積は、端部分５８、５９のそれぞれの体積よりも小さい。
従って、上述した半導体装置１００、２００と同様に、Ａｕバンプ５５とインナーリードを熱圧着する際に、Ａｕバンプ５５の中央部分５５のパッド１３上からのはみ出し量を小さくすることができる。
【００４２】
この第３実施形態では、Ａｕバンプ５５が本発明のバンプに対応し、中央部分５６が本発明のバンプの平面視長手方向の中央部分に対応し、端部分５８、５９が本発明のバンプの平面視長手方向の両端部分に対応している。また、半導体装置３００が本発明の半導体装置に対応している。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置１００の構成例を示す平面図と、Ａ−Ａ´矢視断面図。
【図２】半導体装置１００の構成例を示す側面図。
【図３】Ａｕバンプ１５上にインナーリード３０を接合した状態を示す平面図と、Ｂ−Ｂ´矢視断面図。
【図４】半導体装置１００´の構成例を示す平面図と、Ｃ−Ｃ´矢視断面図。
【図５】第２実施形態に係る半導体装置２００の構成例を示す平面図と、Ｄ−Ｄ´矢視断面図。
【図６】第３実施形態に係る半導体装置３００の構成例を示す平面図と、Ｅ−Ｅ´矢視断面図。
【図７】半導体装置１００の製造方法を示す工程図。
【図８】レジストパターン２０の形状例を示す平面図。
【図９】従来例に係る半導体装置９０の構成例を示す平面図と、Ｆ−Ｆ´矢視断面図。
【図１０】Ａｕバンプ９１上にインナーリード９９を接合した状態を示す平面図と、Ｇ−Ｇ´矢視断面図。
【符号の説明】
１１  ＩＣチップ、１３  パッド、１５、１５´、４５、５５  Ａｕバンプ、１６、１６´、４６、５６  中央部分、１８、１８´、１９、１９´、２８、２９、４８、４９、５８、５９  端部分、３０  インナーリード、４０  開口部、５０  溝部、１００、１００´２００、３００  半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2004349453.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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