(57)【要約】【課題】半導体素子に接続された上側外部端子と下側外部端子とを、例えば回路基板に対して例えば半田、導電性接着剤などで同時に接続する時に、下側外部端子と例えば回路基板との接続を確認しづらくなってしまうのを抑制する。【解決手段】上側電極１ａと下側電極１ｂとを有する半導体素子１と、上側電極１ａに接続された上側外部端子２と、下側電極１ｂに接続された下側外部端子３とを具備し、半導体素子１を樹脂４によって封止した半導体装置において、上側外部端子２の左右両端を下側にクランク状に屈曲させてフランジ部２ａを形成すると共に、フランジ部２ａの下面２ｂと下側外部端子３の下面３ａとを同一平面上に配置し、上側外部端子２の上面を外部に対して露出させ、下側外部端子３の前側端面３ｂを、上側外部端子２の前側端面２ｃおよび樹脂４の前面４ａと同一平面上に配置した。【選択図】図２
0003110725.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
上側電極と下側電極とを有する半導体素子と、前記半導体素子の前記上側電極に接続された上側外部端子と、前記半導体素子の前記下側電極に接続された下側外部端子とを具備し、前記半導体素子を樹脂によって封止した半導体装置において、前記上側外部端子の左右両端を下側にクランク状に屈曲させてフランジ部を形成すると共に、前記フランジ部の下面と前記下側外部端子の下面とを同一平面上に配置し、前記上側外部端子の上面を外部に対して露出させ、前記下側外部端子の前側端面を、前記上側外部端子の前側端面および前記樹脂の前面よりも前側に配置するか、あるいは、前記上側外部端子の前側端面および前記樹脂の前面と同一平面上に配置したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記上側外部端子の厚さを前記下側外部端子の厚さより大きくしたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記上側外部端子の厚さを約０．２ｍｍに設定し、前記下側外部端子の厚さを０．１〜０．１５ｍｍに設定したことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記下側外部端子の後側端面を、前記上側外部端子の後側端面および前記樹脂の後面よりも後側に配置するか、あるいは、前記上側外部端子の後側端面および前記樹脂の後面と同一平面上に配置したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
上側電極と下側電極とを有する半導体素子と、前記半導体素子の前記上側電極に接続された上側外部端子と、前記半導体素子の前記下側電極に接続された下側外部端子とを具備し、前記半導体素子を樹脂によって封止した半導体装置において、前記上側外部端子の左右両端部および後端部を中央部よりも下側に押し下げる絞り加工を行ってフランジ部を形成すると共に、前記フランジ部の下面と前記下側外部端子の下面とを同一平面上に配置し、前記上側外部端子の上面を外部に対して露出させ、前記下側外部端子の前側端面を、前記上側外部端子の前側端面および前記樹脂の前面よりも前側に配置するか、あるいは、前記上側外部端子の前側端面および前記樹脂の前面と同一平面上に配置したことを特徴とする半導体装置。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、上側電極と下側電極とを有する半導体素子と、半導体素子の上側電極に接続された上側外部端子と、半導体素子の下側電極に接続された下側外部端子とを具備し、半導体素子を樹脂によって封止した半導体装置に関し、特には、半導体素子の上側電極に接続された上側外部端子と、半導体素子の下側電極に接続された下側外部端子とを、例えば回路基板に対して例えば半田、導電性接着剤などで同時に接続する時に、下側外部端子と例えば回路基板との接続を確認しづらくなってしまうのを抑制することができる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、上面電極（上側電極）と底面電極（下側電極）とを有するダイオード（半導体素子）と、ダイオード（半導体素子）の上面電極（上側電極）に接続された第２のリード端子（上側外部端子）と、ダイオード（半導体素子）の底面電極（下側電極）に接続された第１のリード端子（下側外部端子）とを具備し、ダイオード（半導体素子）を樹脂によって封止した電子部品（半導体装置）が知られている。この種の電子部品（半導体装置）の例としては、例えば特開２００４−９５７５９号公報の図６〜図８に記載されたものがある。
【０００３】
特開２００４−９５７５９号公報の図６〜図８に記載された電子部品（半導体装置）では、第１のリード端子（下側外部端子）および第２のリード端子（上側外部端子）が、屈曲せしめられ、半田を介して回路基板に接続されている。
【０００４】
ところが、特開２００４−９５７５９号公報の図６〜図８には、電子部品（半導体装置）の断面図が記載されているものの、電子部品（半導体装置）を構成する各部品の前後方向の位置関係が記載されていない。つまり、特開２００４−９５７５９号公報の図６〜図８には、第１のリード端子（下側外部端子）の前側端面と、第２のリード端子（上側外部端子）の前側端面と、ダイオード（半導体素子）を封止する樹脂の前面との前後方向の位置関係が記載されていない。
【０００５】
そのため、仮に、第１のリード端子（下側外部端子）の前側端面が、第２のリード端子（上側外部端子）の前側端面および樹脂の前面のいずれか一方よりも後側に位置している場合、つまり、第１のリード端子（下側外部端子）の前側端面が、第２のリード端子（上側外部端子）の前側端面および樹脂の前面のいずれか一方よりも奥まった位置に位置している場合には、回路基板に対して第１のリード端子（下側外部端子）および第２のリード端子（上側外部端子）を半田で同時に接続する時に、第１のリード端子（下側外部端子）と回路基板との接続を確認しづらくなってしまう。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−９５７５９号公報
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００７】
前記問題点に鑑み、本考案は、半導体素子の上側電極に接続された上側外部端子と、半導体素子の下側電極に接続された下側外部端子とを、例えば回路基板に対して例えば半田、導電性接着剤などで同時に接続する時に、下側外部端子と例えば回路基板との接続を確認しづらくなってしまうのを抑制することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の考案によれば、上側電極と下側電極とを有する半導体素子と、前記半導体素子の前記上側電極に接続された上側外部端子と、前記半導体素子の前記下側電極に接続された下側外部端子とを具備し、前記半導体素子を樹脂によって封止した半導体装置において、前記上側外部端子の左右両端を下側にクランク状に屈曲させてフランジ部を形成すると共に、前記フランジ部の下面と前記下側外部端子の下面とを同一平面上に配置し、前記上側外部端子の上面を外部に対して露出させ、前記下側外部端子の前側端面を、前記上側外部端子の前側端面および前記樹脂の前面よりも前側に配置するか、あるいは、前記上側外部端子の前側端面および前記樹脂の前面と同一平面上に配置したことを特徴とする半導体装置が提供される。
【０００９】
請求項２に記載の考案によれば、前記上側外部端子の厚さを前記下側外部端子の厚さより大きくしたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置が提供される。
【００１０】
請求項３に記載の考案によれば、前記上側外部端子の厚さを約０．２ｍｍに設定し、前記下側外部端子の厚さを０．１〜０．１５ｍｍに設定したことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置が提供される。
【００１１】
請求項４に記載の考案によれば、前記下側外部端子の後側端面を、前記上側外部端子の後側端面および前記樹脂の後面よりも後側に配置するか、あるいは、前記上側外部端子の後側端面および前記樹脂の後面と同一平面上に配置したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置が提供される。
【００１２】
請求項５に記載の考案によれば、上側電極と下側電極とを有する半導体素子と、前記半導体素子の前記上側電極に接続された上側外部端子と、前記半導体素子の前記下側電極に接続された下側外部端子とを具備し、前記半導体素子を樹脂によって封止した半導体装置において、前記上側外部端子の左右両端部および後端部を中央部よりも下側に押し下げる絞り加工を行ってフランジ部を形成すると共に、前記フランジ部の下面と前記下側外部端子の下面とを同一平面上に配置し、前記上側外部端子の上面を外部に対して露出させ、前記下側外部端子の前側端面を、前記上側外部端子の前側端面および前記樹脂の前面よりも前側に配置するか、あるいは、前記上側外部端子の前側端面および前記樹脂の前面と同一平面上に配置したことを特徴とする半導体装置が提供される。
【考案の効果】
【００１３】
請求項１に記載の半導体装置では、半導体素子の上側電極に接続された上側外部端子の上面が外部に対して露出せしめられている。そのため、特開２００４−９５７５９号公報の図６〜図８に記載された半導体装置のように上側外部端子の上面が樹脂によって覆われている場合よりも、半導体装置全体を薄型にすることができ、また、上側外部端子の上面からの放熱性を向上させることができる。
【００１４】
更に、請求項１に記載の半導体装置では、半導体素子の下側電極に接続された下側外部端子の前側端面が、半導体素子の上側電極に接続された上側外部端子の前側端面および半導体素子を封止している樹脂の前面よりも前側に配置されているか、あるいは、上側外部端子の前側端面および樹脂の前面と同一平面上に配置されている。そのため、上側外部端子と下側外部端子とを例えば回路基板に対して例えば半田、導電性接着剤などで同時に接続する時に、下側外部端子の前側端面が、上側外部端子の前側端面および樹脂の前面のいずれか一方よりも後側に配置されている場合、つまり、下側外部端子の前側端面が、上側外部端子の前側端面および樹脂の前面のいずれか一方よりも奥まった位置に配置されている場合よりも、下側外部端子と例えば回路基板との接続を容易に確認することができる。
【００１５】
すなわち、請求項１に記載の半導体装置では、上側外部端子と下側外部端子とを例えば回路基板に対して例えば半田、導電性接着剤などで同時に接続する時に、下側外部端子と例えば回路基板との接続を確認しづらくなってしまうのを抑制することができる。
【００１６】
好ましくは、請求項１に記載の半導体装置では、例えば回路基板と下側外部端子とが半田によって接続される場合に、下側外部端子の前側端面上に半田フィレットが形成されている。
【００１７】
請求項２及び３に記載の半導体装置では、上側外部端子の厚さが下側外部端子の厚さより大きくされている。好ましくは、上側外部端子の厚さが約０．２ｍｍに設定され、下側外部端子の厚さが０．１〜０．１５ｍｍに設定されている。そのため、半導体素子が発生した熱の多くを、下側外部端子ではなく、上側外部端子に伝えることができる。更に好ましくは、上側外部端子の上面が外部に対して露出せしめられている。そのため、上側外部端子に伝わった熱の多くを、上側外部端子に接続された例えば回路基板に伝えるのではなく、上側外部端子の上面から外部に放熱させることができる。
【００１８】
つまり、請求項２及び３に記載の半導体装置では、半導体素子が発生した熱の多くが、上側外部端子および下側外部端子に接続された例えば回路基板に伝わってしまうのを抑制することができる。換言すれば、半導体素子が発生した熱の多くを上側外部端子から放熱させることができる。
【００１９】
請求項４に記載の半導体装置では、半導体素子の下側電極に接続された下側外部端子の後側端面が、半導体素子の上側電極に接続された上側外部端子の後側端面および半導体素子を封止している樹脂の後面よりも後側に配置されているか、あるいは、上側外部端子の後側端面および樹脂の後面と同一平面上に配置されている。そのため、上側外部端子と下側外部端子とを例えば回路基板に対して例えば半田、導電性接着剤などで同時に接続する時に、下側外部端子の後側端面が、上側外部端子の後側端面および樹脂の後面のいずれか一方よりも前側に配置されている場合、つまり、下側外部端子の後側端面が、上側外部端子の後側端面および樹脂の後面のいずれか一方よりも奥まった位置に配置されている場合よりも、下側外部端子と例えば回路基板との接続を容易に確認することができる。
【００２０】
すなわち、請求項４に記載の半導体装置では、上側外部端子と下側外部端子とを例えば回路基板に対して例えば半田、導電性接着剤などで同時に接続する時に、下側外部端子と例えば回路基板との接続を確認しづらくなってしまうのを抑制することができる。
【００２１】
好ましくは、請求項４に記載の半導体装置では、例えば回路基板と下側外部端子とが半田によって接続される場合に、下側外部端子の後側端面上に半田フィレットが形成されている。
【００２２】
請求項５に記載の半導体装置では、半導体素子の上側電極に接続された上側外部端子の上面が外部に対して露出せしめられている。そのため、特開２００４−９５７５９号公報の図６〜図８に記載された半導体装置のように上側外部端子の上面が樹脂によって覆われている場合よりも、半導体装置全体を薄型にすることができ、また、上側外部端子の上面からの放熱性を向上させることができる。
【００２３】
更に、請求項５に記載の半導体装置では、半導体素子の下側電極に接続された下側外部端子の前側端面が、半導体素子の上側電極に接続された上側外部端子の前側端面および半導体素子を封止している樹脂の前面よりも前側に配置されているか、あるいは、上側外部端子の前側端面および樹脂の前面と同一平面上に配置されている。そのため、上側外部端子と下側外部端子とを例えば回路基板に対して例えば半田、導電性接着剤などで同時に接続する時に、下側外部端子の前側端面が、上側外部端子の前側端面および樹脂の前面のいずれか一方よりも後側に配置されている場合、つまり、下側外部端子の前側端面が、上側外部端子の前側端面および樹脂の前面のいずれか一方よりも奥まった位置に配置されている場合よりも、下側外部端子と例えば回路基板との接続を容易に確認することができる。
【００２４】
すなわち、請求項５に記載の半導体装置では、上側外部端子と下側外部端子とを例えば回路基板に対して例えば半田、導電性接着剤などで同時に接続する時に、下側外部端子と例えば回路基板との接続を確認しづらくなってしまうのを抑制することができる。
【００２５】
好ましくは、請求項５に記載の半導体装置では、例えば回路基板と下側外部端子とが半田によって接続される場合に、下側外部端子の前側端面上に半田フィレットが形成されている。
【考案を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本考案の半導体装置の第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の半導体装置の平面図などを示した図である。詳細には、図１（Ａ）は第１の実施形態の半導体装置の平面図、図１（Ｂ）は第１の実施形態の半導体装置の正面図、図１（Ｃ）は第１の実施形態の半導体装置の右側面図、図１（Ｄ）は第１の実施形態の半導体装置の底面図である。図２は第１の実施形態の半導体装置の断面図である。詳細には、図２（Ａ）は図１（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図、図２（Ｂ）は図１（Ｂ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図３は第１の実施形態の半導体装置の斜視図である。図４は第１の実施形態の半導体装置と、回路基板と、それらを接続するための半田とを示した図である。詳細には、図４（Ａ）は図１（Ａ）に示した第１の実施形態の半導体装置の平面図に半田および回路基板を描き加えた図、図４（Ｂ）は図２（Ａ）に示した第１の実施形態の半導体装置の断面図に半田および回路基板を描き加えた図である。
【００２７】
図１〜図４において、１は半導体素子を示しており、１ａは半導体素子１の一部を構成する上側電極を示しており、１ｂは半導体素子１の一部を構成する下側電極を示している。２は半導体素子１の上側電極１ａに接続された上側外部端子を示しており、３は半導体素子１の下側電極１ｂに接続された下側外部端子を示しており、４は半導体素子１を封止している樹脂を示している。２ａは上側外部端子２の左右両端を下側（図１（Ｂ）の下側）にクランク状に屈曲させることにより形成されたフランジ部を示しており、２ｂはフランジ部２ａの下面を示しており、３ａは下側外部端子３の下面を示している。
【００２８】
２ｃは上側外部端子２の前側端面を示しており、２ｄは上側外部端子２の後側端面を示している。３ｂは下側外部端子３の前側端面を示しており、３ｃは下側外部端子３の後側端面を示している。４ａは樹脂４の前面を示しており、４ｂは樹脂４の後面を示している。５ａは上側外部端子２と回路基板６とを接続するための半田のうち、上側外部端子２の端面上に形成された半田フィレットを示しており、５ｂは下側外部端子３と回路基板６とを接続するための半田のうち、下側外部端子３の前側端面３ｂおよび後側端面３ｃ上に形成された半田フィレットを示している。
【００２９】
第１の実施形態の半導体装置では、図１（Ｂ）に詳細に示すように、フランジ部２ａの下面２ｂと下側外部端子３の下面３ａとが同一平面上に配置されている。更に、上側外部端子２の上面は、外部に対して露出せしめられており、樹脂によって覆われていない。そのため、第１の実施形態の半導体装置は、例えばフランジ部２ａの下面２ｂと下側外部端子３の下面３ａとが異なる平面上に配置されている半導体装置や、上側外部端子２の上面が樹脂によって覆われている半導体装置よりも薄型に構成されており、いわゆる表面実装型半導体装置に含まれる。
【００３０】
また、第１の実施形態の半導体装置では、上述したように、上側外部端子２の上面が、外部に対して露出せしめられており、樹脂によって覆われていないため、上側外部端子２の上面が樹脂によって覆われている半導体装置よりも、上側外部端子２の上面からの放熱性を向上させることができる。
【００３１】
更に、第１の実施形態の半導体装置では、図２（Ａ）に詳細に示すように、半導体素子１の下側電極１ｂに接続された下側外部端子３の前側端面３ｂが、半導体素子１の上側電極１ａに接続された上側外部端子２の前側端面２ｃおよび半導体素子１を封止している樹脂４の前面４ａと同一平面上に配置されている。更に詳細には、図４（Ｂ）に示すように、下側外部端子３の前側端面３ｂ上に半田フィレット５ｂが形成されている。そのため、上側外部端子２と下側外部端子３とを回路基板６に対して半田で同時に接続する時に、下側外部端子３の前側端面３ｂが、上側外部端子２の前側端面２ｃおよび樹脂４の前面４ａのいずれか一方よりも後側（図４（Ｂ）の上側）に配置されている場合、つまり、下側外部端子３の前側端面３ｂが、上側外部端子２の前側端面２ｃおよび樹脂４の前面４ａのいずれか一方よりも奥まった位置に配置されている場合よりも、下側外部端子３の前側端面３ｂと半田フィレット５ｂとの接続を容易に確認することができ、それにより、下側外部端子３と回路基板６との接続を容易に確認することができる。
【００３２】
上述したように、第１の実施形態の半導体装置では、下側外部端子３の前側端面３ｂが、上側外部端子２の前側端面２ｃおよび樹脂４の前面４ａと同一平面上に配置されているが、第２の実施形態の半導体装置では、代わりに、下側外部端子３の前側端面３ｂを、上側外部端子２の前側端面２ｃおよび樹脂４の前面４ａよりも前側（図２（Ａ）の下側）に配置することも可能である。
【００３３】
また、第１の実施形態の半導体装置では、図２（Ａ）に詳細に示すように、半導体素子１の下側電極１ｂに接続された下側外部端子３の後側端面３ｃが、半導体素子１の上側電極１ａに接続された上側外部端子２の後側端面２ｄおよび半導体素子１を封止している樹脂４の後面４ｂと同一平面上に配置されている。更に詳細には、図４（Ｂ）に示すように、下側外部端子３の後側端面３ｃ上に半田フィレット５ｂが形成されている。そのため、上側外部端子２と下側外部端子３とを回路基板６に対して半田で同時に接続する時に、下側外部端子３の後側端面３ｃが、上側外部端子２の後側端面２ｄおよび樹脂４の後面４ｂのいずれか一方よりも前側（図４（Ｂ）の下側）に配置されている場合、つまり、下側外部端子３の後側端面３ｃが、上側外部端子２の後側端面２ｄおよび樹脂４の後面４ｂのいずれか一方よりも奥まった位置に配置されている場合よりも、下側外部端子３の後側端面３ｃと半田フィレット５ｂとの接続を容易に確認することができ、それにより、下側外部端子３と回路基板６との接続を容易に確認することができる。
【００３４】
上述したように、第１の実施形態の半導体装置では、下側外部端子３の後側端面３ｃが、上側外部端子２の後側端面２ｄおよび樹脂４の後面４ｂと同一平面上に配置されているが、第３の実施形態の半導体装置では、代わりに、下側外部端子３の後側端面３ｃを、上側外部端子２の後側端面２ｄおよび樹脂４の後面４ｂよりも後側（図２（Ａ）の上側）に配置することも可能である。
【００３５】
更に、第１の実施形態の半導体装置では、上側外部端子２の厚さが下側外部端子３の厚さより大きくされている。詳細には、上側外部端子２の厚さが例えば約０．２ｍｍに設定され、下側外部端子３の厚さが例えば０．１〜０．１５ｍｍに設定されている。そのため、半導体素子１が発生した熱の多くを、下側外部端子３ではなく、上側外部端子２に伝えることができる。それにより、上側外部端子２に伝わった熱の多くを、上側外部端子２に接続された回路基板６に伝えるのではなく、上側外部端子２の上面から外部に放熱させることができる。その結果、回路基板６に局所的に伝わった熱によって回路基板６に応力集中が生じてしまうのを抑制することができる。
【００３６】
つまり、第１の実施形態の半導体装置では、半導体素子１が発生した熱の多くが、上側外部端子２および下側外部端子３に接続された回路基板６に伝わってしまうのを抑制することができ、半導体素子１が発生した熱の多くを上側外部端子２の上面から放熱させることができる。
【００３７】
更に、第１の実施形態の半導体装置では、上側外部端子２の表面積が下側外部端子３の表面積より大きくされている。そのため、半導体素子１が発生した熱の多くを、上側外部端子２から放熱させることができる。
【００３８】
上述したように、第１の実施形態の半導体装置では、上側外部端子２および下側外部端子３と回路基板６とを接続するために半田が用いられているが、第４の実施形態の半導体装置では、代わりに、上側外部端子２および下側外部端子３と回路基板６とを接続するために導電性接着剤を用いることも可能である。あるいは、上側外部端子２および下側外部端子３と回路基板６との接続を容易にするために、フランジ部２ａの下面２ｂおよび下側外部端子３の下面３ａに半田、Ｓｎ，Ａｇ等のプリフォーム材を形成してもよい。
【００３９】
また、第１の実施形態の半導体装置では、図２（Ｂ）に詳細に示すように、半導体素子１の前面、後面、左側面および右側面が樹脂４によって覆われているため、外部雰囲気中に含まれる汚染物質から半導体素子１を保護することができる。
【００４０】
更に、第１の実施形態の半導体装置では、図２（Ｂ）に詳細に示すように、半導体素子１が上側外部端子２のほぼ中央に配置されているため、上側外部端子２における熱拡散を左右均等にすることができ、それにより、上側外部端子２の熱膨張に伴う半導体素子１への応力集中を緩和することができる。
【００４１】
また、第１の実施形態の半導体装置では、半導体素子１の上側電極１ａおよび下側電極１ｂの厚さが数μｍオーダーに設定されているのに対し、上述したように、下側外部端子３の厚さが、半導体素子１の上側電極１ａおよび下側電極１ｂの厚さよりも十分に大きい値に設定されている。そのため、半導体素子１の下側電極１ｂが下側外部端子３を介することなく回路基板６に直接実装される場合に比べ、実装時に半導体素子１にかかる衝撃を低減することができ、また、半導体素子１から回路基板６への熱拡散を緩やかにすることができ、それにより、半導体素子１と回路基板６との間の半田の熱膨張によって生じる応力集中を緩和することができる。
【００４２】
以下、本考案の半導体装置の第５の実施形態について説明する。図５は第５の実施形態の半導体装置の平面図などを示した図である。詳細には、図５（Ａ）は第５の実施形態の半導体装置の平面図、図５（Ｂ）は第５の実施形態の半導体装置の正面図、図５（Ｃ）は第５の実施形態の半導体装置の右側面図、図５（Ｄ）は第５の実施形態の半導体装置の底面図である。図６は第５の実施形態の半導体装置の断面図である。詳細には、図６（Ａ）は図５（Ａ）のＣ−Ｃ線に沿った断面図、図６（Ｂ）は図５（Ｂ）のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。図７は第５の実施形態の半導体装置と、回路基板と、それらを接続するための半田とを示した図である。詳細には、図７（Ａ）は図５（Ａ）に示した第５の実施形態の半導体装置の平面図に半田および回路基板を描き加えた図、図７（Ｂ）は図６（Ａ）に示した第５の実施形態の半導体装置の断面図に半田および回路基板を描き加えた図である。
【００４３】
図５〜図７において、図１〜図４に示した参照番号と同一の参照番号は、図１〜図４に示した部品または部分と同一の部品または部分を示している。１２は半導体素子１の上側電極１ａに接続された上側外部端子を示しており、１２ａは上側外部端子１２の左右両端部および後端部を中央部よりも下側（図５（Ｂ）の下側）に押し下げる絞り加工によって形成されたフランジ部を示しており、１２ｂはフランジ部１２ａの下面を示しており、１２ｃは上側外部端子１２の前側端面を示している。１５ａは上側外部端子１２と回路基板６とを接続するための半田のうち、上側外部端子１２の端面上に形成された半田フィレットを示しており、１５ｂは下側外部端子３と回路基板６とを接続するための半田のうち、下側外部端子３の前側端面３ｂ上に形成された半田フィレットを示している。
【００４４】
第５の実施形態の半導体装置では、図５（Ｂ）に詳細に示すように、フランジ部１２ａの下面１２ｂと下側外部端子３の下面３ａとが同一平面上に配置されている。更に、上側外部端子１２の上面は、外部に対して露出せしめられており、樹脂によって覆われていない。そのため、第５の実施形態の半導体装置は、例えばフランジ部１２ａの下面１２ｂと下側外部端子３の下面３ａとが異なる平面上に配置されている半導体装置や、上側外部端子１２の上面が樹脂によって覆われている半導体装置よりも薄型に構成されており、いわゆる表面実装型半導体装置に含まれる。
【００４５】
また、第５の実施形態の半導体装置では、上述したように、上側外部端子１２の上面が、外部に対して露出せしめられており、樹脂によって覆われていないため、上側外部端子１２の上面が樹脂によって覆われている半導体装置よりも、上側外部端子１２の上面からの放熱性を向上させることができる。
【００４６】
更に、第５の実施形態の半導体装置では、図６（Ａ）に詳細に示すように、半導体素子１の下側電極１ｂに接続された下側外部端子３の前側端面３ｂが、半導体素子１の上側電極１ａに接続された上側外部端子１２の前側端面１２ｃおよび半導体素子１を封止している樹脂４の前面４ａと同一平面上に配置されている。更に詳細には、図７（Ｂ）に示すように、下側外部端子３の前側端面３ｂ上に半田フィレット１５ｂが形成されている。そのため、上側外部端子１２と下側外部端子３とを回路基板６に対して半田で同時に接続する時に、下側外部端子３の前側端面３ｂが、上側外部端子１２の前側端面１２ｃおよび樹脂４の前面４ａのいずれか一方よりも後側（図７（Ｂ）の上側）に配置されている場合、つまり、下側外部端子３の前側端面３ｂが、上側外部端子１２の前側端面１２ｃおよび樹脂４の前面４ａのいずれか一方よりも奥まった位置に配置されている場合よりも、下側外部端子３の前側端面３ｂと半田フィレット１５ｂとの接続を容易に確認することができ、それにより、下側外部端子３と回路基板６との接続を容易に確認することができる。
【００４７】
上述したように、第５の実施形態の半導体装置では、下側外部端子３の前側端面３ｂが、上側外部端子１２の前側端面１２ｃおよび樹脂４の前面４ａと同一平面上に配置されているが、第６の実施形態の半導体装置では、代わりに、下側外部端子３の前側端面３ｂを、上側外部端子１２の前側端面１２ｃおよび樹脂４の前面４ａよりも前側（図６（Ａ）の下側）に配置することも可能である。
【００４８】
更に、第５の実施形態の半導体装置では、上側外部端子１２の厚さが下側外部端子３の厚さより大きくされている。詳細には、上側外部端子１２の厚さが例えば約０．２ｍｍに設定され、下側外部端子３の厚さが例えば０．１〜０．１５ｍｍに設定されている。そのため、半導体素子１が発生した熱の多くを、下側外部端子３ではなく、上側外部端子１２に伝えることができる。それにより、上側外部端子１２に伝わった熱の多くを、上側外部端子１２に接続された回路基板６に伝えるのではなく、上側外部端子１２の上面から外部に放熱させることができる。その結果、回路基板６に局所的に伝わった熱によって回路基板６に応力集中が生じてしまうのを抑制することができる。
【００４９】
つまり、第５の実施形態の半導体装置では、半導体素子１が発生した熱の多くが、上側外部端子１２および下側外部端子３に接続された回路基板６に伝わってしまうのを抑制することができ、半導体素子１が発生した熱の多くを上側外部端子１２の上面から放熱させることができる。
【００５０】
更に、第５の実施形態の半導体装置では、上側外部端子１２の表面積が下側外部端子３の表面積より大きくされている。詳細には、上側外部端子１２の表面積が、第１の実施形態の半導体素子の上側外部端子２の表面積より大きくされている。そのため、半導体素子１が発生した熱の多くを上側外部端子１２から放熱させることができ、第１の実施形態の半導体装置よりも熱抵抗を低減することができる。
【００５１】
上述したように、第５の実施形態の半導体装置では、上側外部端子１２および下側外部端子３と回路基板６とを接続するために半田が用いられているが、第７の実施形態の半導体装置では、代わりに、上側外部端子１２および下側外部端子３と回路基板６とを接続するために導電性接着剤を用いることも可能である。あるいは、上側外部端子１２および下側外部端子３と回路基板６との接続を容易にするために、フランジ部１２ａの下面１２ｂおよび下側外部端子３の下面３ａに半田、Ｓｎ，Ａｇ等のプリフォーム材を形成してもよい。
【００５２】
また、第５の実施形態の半導体装置では、図６（Ｂ）に詳細に示すように、半導体素子１の前面、後面、左側面および右側面が樹脂４によって覆われているため、第１の実施形態の半導体装置と同様に、外部雰囲気中に含まれる汚染物質から半導体素子１を保護することができる。
【００５３】
更に、第５の実施形態の半導体装置では、図６（Ｂ）に詳細に示すように、半導体素子１が上側外部端子１２のほぼ中央に配置されているため、第１の実施形態の半導体装置と同様に、上側外部端子２における熱拡散を左右均等にすることができ、それにより、上側外部端子１２の熱膨張に伴う半導体素子１への応力集中を緩和することができる。
【００５４】
また、第５の実施形態の半導体装置では、半導体素子１の上側電極１ａおよび下側電極１ｂの厚さが数μｍオーダーに設定されているのに対し、上述したように、下側外部端子３の厚さが、半導体素子１の上側電極１ａおよび下側電極１ｂの厚さよりも十分に大きい値に設定されている。そのため、第１の実施形態の半導体装置と同様に、半導体素子１の下側電極１ｂが下側外部端子３を介することなく回路基板６に直接実装される場合に比べ、実装時に半導体素子１にかかる衝撃を低減することができ、また、半導体素子１から回路基板６への熱拡散を緩やかにすることができ、それにより、半導体素子１と回路基板６との間の半田の熱膨張によって生じる応力集中を緩和することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】第１の実施形態の半導体装置の平面図などを示した図である。
【図２】第１の実施形態の半導体装置の断面図である。
【図３】第１の実施形態の半導体装置の斜視図である。
【図４】第１の実施形態の半導体装置と、回路基板と、それらを接続するための半田とを示した図である。
【図５】第５の実施形態の半導体装置の平面図などを示した図である。
【図６】第５の実施形態の半導体装置の断面図である。
【図７】第５の実施形態の半導体装置と、回路基板と、それらを接続するための半田とを示した図である。
【符号の説明】
【００５６】
１            半導体素子
１ａ          上側電極
１ｂ          下側電極
２            上側外部端子
２ａ          フランジ部
２ｂ          フランジ部の下面
２ｃ          上側外部端子の前側端面
２ｄ          上側外部端子の後側端面
３            下側外部端子
３ａ          下側外部端子の下面
３ｂ          下側外部端子の前側端面
３ｃ          下側外部端子の後側端面
４            樹脂
４ａ          樹脂の前面
４ｂ          樹脂の後面
５ａ，５ｂ    半田フィレット
６            回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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