(57)【要約】【課題】メタルマスクと基板とを高精度で位置合わせすることができ、それによりメタルマスクのパターンを正確に転写できる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。【解決手段】透明な基板とメタルマスクとに回折格子状の位置合わせ用マーク１，２（２Ａ，２Ｂ，２Ｃ）を形成しておき、成膜に先だってメタルマスクと基板とを近接させ位置合わせする際に、メタルマスクに背反する基板の背面側からマーク１，２を検出して、一方のマーク１の線部１ａ，１ｂがたとえばマーク２Ａの線部２ａ間，２ｂ間の間隙に重なるようにメタルマスクまたは基板の位置を調整する。何本の線部が重なっているのか、その重なりがどの程度であるのか、を画像や戻り光量として捕らえることができるので、画像や戻り光量を参照しながら、位置調整することにより、メタルマスクと基板とを精度よく位置合わせできる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小穴よりなるパターンが形成された金属箔製のメタルマスクを蒸着源と基板との間に配置し、前記蒸着源に保持された発光用有機材料などの蒸着物質を前記メタルマスクの微小穴を通して基板表面に堆積させて、微小穴に対応する蒸着物質のパターンを成膜する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記メタルマスクおよび透明な前記基板の位置合わせ用マークをそれぞれ、複数本の線部により回折格子状に形成しておき、
前記成膜に先だってメタルマスクと基板とを近接させ位置合わせする際に、メタルマスクに背反する基板の背面側から前記マークを検出して、一方のマークの線部が他方のマークの線部間の間隙に重なるようにメタルマスクまたは基板の位置を調整する
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】
画素を構成する３色のパターンを各色ごとに成膜する都度に、前記回折格子状のマークを用いてメタルマスクと基板とを位置合わせする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項３】
メタルマスクおよび基板のマークをＣＣＤカメラで撮像し、撮像画像上で一方のマークの線部と他方のマークの線部間の間隙との重なりを認識する請求項１または請求項２のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項４】
メタルマスクおよび基板のマーク部分にレーザ光を照射し、戻り光量で一方のマークの線部と他方のマークの線部間の間隙との重なりを認識する請求項１または請求項２のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項５】
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造に用いられる透明な基板であって、蒸着の際に密着配置されるメタルマスクに形成された回折格子状の位置合わせ用マークに対応する位置に、前記メタルマスクの位置合わせ用マークの線部に対し自身の線部間の間隙が重なり得るように形成された回折格子状の位置合わせ用マークを少なくとも１個有する基板。
【請求項６】
有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する蒸着工程で用いられるメタルマスクであって、成膜対象の透明な基板に形成された回折格子状の位置合わせ用マークに対応する位置に、前記基板の位置合わせ用マークの線部に対し自身の線部間の間隙が重なり得るように形成された回折格子状の位置合わせ用マークを少なくとも１個有するメタルマスク。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は表示素子に関わり、特に自発光のフルカラー有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】
近年、情報化社会の進展により、情報を表示する表示素子のニーズがとみに高まっている。現在までに実用化されているものとしては、ＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）等がある。しかし、ＣＲＴはサイズ並びに消費電力が大きい、ＬＣＤは大画面化が難しくかつ高価である、ＰＤＰは薄型化が難しくかつ高価である、というようにそれぞれ欠点を抱えている。これらの欠点を克服して、ここ数年、次世代表示装置の主役と目されるようになってきたのが、有機エレクトロルミネッセンス（以下有機ＥＬ）ディスプレイである。有機ＥＬディスプレイの特徴は、製造コストが低い、大画面化が容易、消費電力が小さい、素子の動作速度が速い、等である。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、有機材料よりなる微少領域に電流が流すと自発光するものである。一般的な有機ＥＬ素子の構成を図３に示す。ガラス基板２１上にＩＴＯ膜などの透明電極２２が形成され、この透明電極２２と陰極２３との間に正電荷と電子との再結合により発光する発光層２４が配されている。透明電極２２と発光層２４との間には、透明電極２２側より順に、透明電極２２からの正電荷が入りやすくするための正孔注入層２５、注入された正電荷を発光層２４まで運ぶための正孔輸送層２６が形成されており、発光層２４と陰極２３との間には、陰極２３側より順に、陰極２３からの電子が入りやすくするための電子注入層２７電子を発光層２４まで運ぶための電子輸送層２８が形成されている。
【０００４】
これらの層の中で、正孔注入層２５、正孔輸送層２６、電子輸送層２８、電子注入層２７、陰極２３は、共通、つまり、それぞれ単一の膜を使用できる。それに対して透明電極２２と発光層２４は、発光色ごとに分離して成膜する必要がある。つまり、１画素にＲ（Ｒｅｄ）、Ｇ（Ｇｒｅｅｎ）、Ｂ（Ｂｌｕｅ）の３色の発光を要するのであるが、透明電極２２と発光層２４では画素ごと、発光色ごとに分離して成膜する必要がある。透明電極２２は、有機ＥＬ素子を駆動するＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を基板２１に作り込む際に同時に各色ごとに個別に形成されており、発光層２４は、独自の工程で各色ごとに個別に形成されている。
【０００５】
有機ＥＬ素子の製造方法を具体的に説明する。正孔注入層２５、正孔輸送層２６、発光層２４、電子輸送層２８、電子注入層２７、陰極２３は、真空蒸着法という薄膜形成方法で形成される。図４は一般的な真空蒸着装置を示し、成膜室３１、真空ポンプ３２、蒸着源３３、金属板よりなるシャッター３４を備えている。真空ポンプ３２はロータリーポンプ３５、ターボ分子ポンプ３６等で構成されている。蒸着源３３は、ヒータ３７を巻装した坩堝３８などで構成され、蒸着物質３９を保持するものである。
【０００６】
このような真空蒸着装置において、成膜室３１の蒸着源３３の上方に基板４０を成膜面を下向きにして設置し、次いで成膜室３１を気密状態にしてロータリーポンプ３５を動作させて排気し、それにより到達する０．１Ｐａ程度の真空度では不足なので、さらにターボ分子ポンプ３６を動作させて１０−３Ｐａまで排気し、その後に蒸着源３３で蒸着物質３９を加熱する。
【０００７】
このようなほぼ真空状態では、蒸着物質３９が容易に蒸発して、蒸着源３３よりも温度の低い基板４０の上に堆積し膜を形成するのであるが、その際に蒸着源３３と基板４０との間のシャッター３４を必要な時間だけ開けることで、蒸着物質３９の膜厚をコントロールする。また、このような蒸着方法では基板４０全面に均一に膜が形成されるので、膜を付着させたくない部分をマスクで遮蔽する。
【０００８】
正孔注入層２５、正孔輸送層２６、電子輸送層２８、電子注入層２７、陰極２３では、膜を形成する部分と形成しない部分とを大きく分ければよいので、図５に示すようなメタルマスク４１、すなわち金属製の板（厚さ０．２〜０．５ｍｍ）に大きな開口部４１ａを形成しその周囲を遮蔽部４１ｂとしたものが用いられる。
【０００９】
それに対し、発光層２４のＲＧＢ塗り分けに要求されるような数十〜数百μｍサイズの微小なパターンを形成するためには、図６（ａ）（ｂ）に示すような、多数の微小穴４２ａが周期性を持って形成されているメタルマスク４２を用い、その全ての微小穴４２ａを正確に成膜位置に合わせる必要がある。そのために、たとえば図７に示すように、Ｘ、Ｙ、Ｚ、θ方向に移動可能な基板ホルダー４３に基板４０を載せて、メタルマスク４２に対する基板４０の位置を調整できるようになっている。
【００１０】
ＲＧＢを塗り分ける手順を図８に基いて説明すると、まず、図８（ａ）  に示すように、メタルマスク４２の穴４２ａを基板４０上のＲの成膜位置に正確に対応させ、上述した蒸着物質３９であるＲの発光材料を付着させて発光層２４Ｒを形成する。この時にはＧＢの部分はメタルマスク４２の遮蔽部４２ｂで塞がれているため、Ｒの発光材料が付着することはない。次に、図８（ｂ）  に示すように、メタルマスク４２の穴４２ａをＧの成膜位置に対応させ、Ｇの発光材料を付着させて発光層２４Ｇを形成する。この時にはＲＢの部分はメタルマスク４２の遮蔽部４２ｂで塞がれているため、Ｇの発光材料が付着することはない。さらに、図８（ｃ）  に示すように、メタルマスク４２の穴４２ａをＢの成膜位置に対応させ、Ｂの発光材料を付着させて発光層２４Ｂを形成する。
【００１１】
なおその際に、全ての穴４２ａを正確に成膜位置に合わせるために、通常は、図９（ａ）  に示すような位置合わせマーク４０Ｍ，４２Ｍがそれぞれ基板４０とメタルマスク４２に刻まれている。これらマーク４０Ｍ，４２Ｍはメタルマスク４２のパターンよりも外周側に相応する位置に刻まれており、上述した図６のメタルマスク４２では、互いに隣接する２つの隅部の近傍に刻まれている。一般に、基板４０のマーク４０Ｍは十字形、メタルマスク４２のマーク４２Ｍは、基板４０のマーク４０Ｍよりも一回り大きい十字形を複数個並べた形状、図示した例では３個の十字形を一部ずつ重ねて並べた形状である。
【００１２】
位置合わせの手順を説明すると、まず、基板４０をメタルマスク４２の上方０．１〜０．５ｍｍ離れた位置に配置する。この位置は、位置合わせを観察するために基板４０の上方に設置される光学式検出手段４４の一例であるＣＣＤカメラにとって、基板４０のマーク４０Ｍとメタルマスク４２のマーク４２Ｍが同じ視野で十分に焦点が合う位置である。この際のＣＣＤカメラが捕らえる画像は、初期では図９（ｂ）  のようにマーク４０Ｍ，４２Ｍの位置は互いにずれている。このずれをなくすようにＸ、Ｙ、θの微調機構を用いて調整して、図９（ｃ）  のようにマーク４０Ｍ，４２Ｍの位置を合わせる。その後に、基板４０を降下させてメタルマスク４２の上に載せる。わずかな距離を直線的に降下させるだけなので、この基板４０の移動によってメタルマスク４２との位置関係がずれることはない。この状態で、上述したような下方からの蒸着物質３９を堆積させて膜形成を行なうのである（たとえば特許文献１参照）。
【００１３】
【特許文献１】
特開２０００−３６３８４号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記したような従来のマークでは、十分な位置合わせ精度を出すのが難しい。つまり従来は、ＣＣＤカメラにより近い基板４０のマーク４０Ｍの十字形をメタルマスク４２のマーク４２Ｍの十字形よりも小さく刻むことで、２つのマーク４０Ｍ，４２Ｍを合わせた時の明暗差をとらえ、位置合わせの合否を判定しているのであるが、目視での判断であることや、画像上でのぼけ等を考慮すると、図９に示すように、基板４０のマーク４０Ｍの線幅ｄ１はメタルマスク４２のマーク４２Ｍの線幅ｄ２の２／３倍が最大の限界である。この最大限の場合（ｄ１＝ｄ２×２／３）に、マーク４０Ｍ，４２Ｍをｄ２の±１／６倍の位置精度で位置合わせすることが可能であり、通常のｄ２は１００〜６０μｍであるため、マーク４０Ｍ，４２Ｍ（したがって基板４０，メタルマスク４２）の位置合わせ精度は１０〜１６μｍになる。この位置合わせ精度では、将来的に必要になると言われている位置合わせ精度１〜５μｍを達成することは難しいのである。
【００１５】
本発明は上記問題点を解決するもので、メタルマスクと基板とを高精度で位置合わせすることができ、それによりメタルマスクのパターンを正確に転写できる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、基板とメタルマスクに回折格子状の位置合わせ用マークを設けることにより、高精度の位置合わせを実現する。
【００１７】
ここで回折格子状とは、それぞれのマークの線部を所定方向に沿って一定のピッチで配置するとともに、一方のマークの線部を他方のマークの線部間の間隙に重なり合うように配置した状態を言う。回折格子は、刻み幅（線幅および間隙幅）が１０μｍ以下となるように、溝状（凹状）に刻んだり、あるいはペイントすることで形成される。
【００１８】
このような回折格子状のマークを互いに対応する位置に形成しておくことで、２つのマークを光学的に観察することにより、何本の線部が重なっているのか、その重なりがどの程度であるのか、を画像や戻り光量として捕らえることができる。このため、画像や戻り光量を参照しながら、一方のマークの線部が他方のマークの線部間の間隙に完全に重なるように位置調整することにより、メタルマスクと基板とを精度よく位置合わせすることができる。
【００１９】
この原理を図面を用いて説明する。図１０において、メタルマスクの回折格子状のマーク５１は、同一形状（ほぼ長方形）の５本の線部５１ａ〜５１ｅを平行に同一ピッチで配列して形成したものであり、基板の回折格子状のマーク５２は、メタルマスクの線部５１ａ〜５１ｅと同一形状，同一ピッチで４本の線部５２ａ〜５２ｄを平行に配列して形成したものである。
【００２０】
図１１（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ、基板を位置Ａ〜位置Ｅに移動させた時のマーク５１，５２の重なり状態（マーク５２に添えた符号（Ａ）〜（Ｅ）は基板の位置を表わす）の変化を示し、これは、たとえばＣＣＤカメラで撮像した画像上で観察される。図１２は、図１１と同様に基板を位置Ａ〜位置Ｅに移動させた時のマーク５１，５２の重なり状態の変化を画像データから、あるいはレーザ光を照射することにより、計測した戻り光量を示す。
【００２１】
図１１および図１２からわかるように、Ａ，Ｅ位置では２つのマーク５１，５２のずれが大きいため戻り光量が大きく、Ｂ，Ｄ位置では２つのマーク５１，５２は概ね位置が合っているが格子の刻み幅以下のずれがあり、Ｃ位置では２つのマークはほぼ完全に位置が合っていて、一方のマーク５２の線部が他方のマーク５１の線部間の間隙に完全に重なっているため、戻り光量は最低になる。
【００２２】
このように、回折格子状のマークを利用すると、戻り光量と位置ずれとの間に相関式が成り立つため、戻り光量からマークの位置ずれ量を定量的に測定できる。この原理によれば、理論上は位置ずれ量の測定に限界はなくなり、従来は不可能であった位置合わせ精度１〜５μｍも可能である。
【００２３】
請求項１記載の発明は、微小穴よりなるパターンが形成された金属箔製のメタルマスクを蒸着源と基板との間に配置し、前記メタルマスクと基板とをそれぞれに形成された位置合わせ用マークにより位置合わせし密着させた後に、前記蒸着源に保持された発光用有機材料などの蒸着物質を前記メタルマスクの微小穴を通して基板表面に堆積させて、微小穴に対応する蒸着物質のパターンを成膜する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記メタルマスクおよび透明な前記基板の位置合わせ用マークをそれぞれ、複数本の線部により回折格子状に形成しておき、前記メタルマスクと基板とを近接させ位置合わせする際に、メタルマスクに背反する基板の背面側から前記マークを検出して、一方のマークの線部が他方のマークの線部間の間隙に重なるように、メタルマスクまたは基板の位置を調整することを特徴とする。
【００２４】
請求項２記載の発明は、画素を構成する３色のパターンを各色ごとに成膜する都度に、前記回折格子状のマークを用いてメタルマスクと基板とを位置合わせすることを特徴とする。
【００２５】
請求項３記載の発明は、メタルマスクおよび基板のマークをＣＣＤカメラで撮像し、撮像画像上で一方のマークの線部と他方のマークの線部間の間隙との重なりを認識することを特徴とする。
【００２６】
請求項４記載の発明は、メタルマスクおよび基板のマーク部分にレーザ光を照射し、戻り光量で一方のマークの線部と他方のマークの線部間の間隙との重なりを認識することを特徴とする。
【００２７】
請求項５記載の発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造に用いられる透明な基板であって、蒸着の際に密着配置されるメタルマスクに形成された回折格子状の位置合わせ用マークに対応する位置に、このメタルマスクの位置合わせ用マークの線部に対し自身の線部間の間隙が重なり得るように形成された回折格子状の位置合わせ用マークを少なくとも１個有することを特徴とする。
【００２８】
請求項６記載の発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する蒸着工程で用いられるメタルマスクであって、成膜対象の透明な基板に形成された回折格子状の位置合わせ用マークに対応する位置に、この基板の位置合わせ用マークの線部に対し自身の線部間の間隙が重なり得るように形成された回折格子状の位置合わせ用マークを少なくとも１個有することを特徴とする。
【００２９】
メタルマスクと基板の一方に１個のマークを形成し、他方に３個のマークを並列に形成しておけば、画素を構成する３色のパターンを各色ごとに成膜する際に、１種類のメタルマスクを準備するだけで、換言すると、各色に対応する位置にマークを付した３種類のメタルマスクを準備することなく、メタルマスクと基板とを位置合わせできる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基いて説明する。
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１におけるエレクトロルミネッセンス素子の製造方法の蒸着工程で使用する基板およびメタルマスクの位置合わせ用マークを示す。この蒸着工程を実施する蒸着装置の構成、および基板，メタルマスクの配置は先に図４を用いて説明した従来のものと同様なので、図４を援用して詳しい説明を省略する。
【００３１】
図１において、１は成膜対象の基板４０に形成された位置合わせ用の回折格子状のマークである。２は基板４０に密着配置されるメタルマスク４２に形成された位置合わせ用の回折格子状のマークである。基板４０は透明なガラス基板であり、メタルマスク４２は、金属箔（ＳＵＳ４３０など）を材料として、基板４０とほぼ同じ大きさに形成されており、発光層のパターンを形成するための微小穴よりなるパターンを有している（図６参照）。
【００３２】
基板４０の位置合わせ用マーク１（以下、基板マーク１という）は、同一形状（ほぼ長方形）かつ一定間隔をなす線部を２本１組として、中央部を空けて十字形に配したものであり、その結果、上下方向の線部１ａが２本ずつ互いに上下段に並び、また横方向の線部１ｂが２本ずつ互いに左右に並んでいる。
【００３３】
メタルマスク４２の位置合わせ用マーク２（以下、マスクマーク２という）は、３個のマーク２Ａ，２Ｂ，２Ｃを並列に配したものである。これら３個のマーク２Ａ，２Ｂ，２Ｃは、１つの画素を構成する発色層の３色のパターンの並び方向およびピッチに対応している。各マーク２Ａ，２Ｂ，２Ｃは、基板マーク１の線部１ａ，１ｂと同一形状（ほぼ長方形）かつ同一間隔をなす線部を３本１組として、中央部を空けて十字形に配したものであり、その結果、上下方向の線部２ａが３本ずつ互いに上下段に並び、また横方向の線部２ｂが３本ずつ互いに左右に並んでいる。ただしここでは、隣接するマーク２Ａ，２Ｂどうし、またマーク２Ｂ，２Ｃどうし、横方向の線部２ｂを共有している。３色のパターンのピッチによっては線部２ｂを共有することなくそれぞれに形成することになる。
【００３４】
このような位置合わせ用の基板マーク１，マスクマーク２をそれぞれ有した基板４０とメタルマスク４２とを用いて成膜する蒸着工程、すなわち上述した発光層を成膜する蒸着工程では、従来と同様に、真空引きされた成膜室３１内で、微調機構に保持された基板４０をメタルマスク４２の上方約０．１ｍｍの位置に配置する。
【００３５】
次いで、基板４０の上方に設置した光学式検出手段４４の内の１つであるＣＣＤカメラにより、基板マーク１，マスクマーク２の両方を同一視野内に見る。そして、ＣＣＤカメラがとらえた画像を目視しながら、基板マーク１と、マスクマーク２Ａとがほぼ重なるように、つまり、基板マーク１の線部１ａ，１ｂがマスクマーク２の線部２ａ，２ｂ間の間隙に重なるように、基板４０（あるいはメタルマスク４２）の位置を粗調整する。
【００３６】
次いで、基板マーク１，マスクマーク２の部分に、光学式検出手段４４の内の１つであるレーザ装置よりレーザ光を照射して両マーク１，２からの戻り光量を測定し、戻り光量が最低になるように基板４０（あるいはメタルマスク４２）の位置微調整する。
【００３７】
その後に、基板４０を降下させてメタルマスク４２の上に載せ、マグネットなどを用いて適正に密着させる。この状態で、上述した下方からの蒸着物質３９をメタルマスク４２の微小穴を通じて基板４０の表面に堆積させて成膜する。成膜終了後にメタルマスク４２と基板４０とを離間させる。
【００３８】
更に、同じ成膜室３１の内部で、上記したのと同様の蒸着工程を蒸着物質３９を換えて繰り返すことで、発光層のＲＧＢを塗り分けする。その際には、上記したようにメタルマスク４２に３個のマーク２Ａ，２Ｂ，２Ｃが形成されているので、順次にマーク２Ｂ，２Ｃを用いて基板４０を位置合わせできる。
【００３９】
成膜終了後に、メタルマスク４２と基板４０とを離間させ、成膜室３１から取り出す。
ＲＧＢの成膜を終了した後に、基板４０の成膜部分の位置精度を顕微鏡を用いて測定したところ、３μｍのずれがあることが分かった。しかし、このようなずれがある成膜を用いて有機ＥＬ素子を作製し評価した時には、発色部に色の滲みや混色は観測されなかった。
（実施の形態２）
図１は本発明の実施の形態１におけるエレクトロルミネッセンス素子の製造方法の蒸着工程で使用する基板およびメタルマスクの位置合わせ用マークを示す。
【００４０】
基板４０の位置合わせ用マーク３（以下、基板マーク３という）は、四角枠状の線部３ａを同心状かつ同一方向を向けて、また一定幅かつ一定間隔で配したものである。
【００４１】
メタルマスク４２の位置合わせ用マーク４（以下、マスクマーク４という）は、３個のマーク４Ａ，４Ｂ，４Ｃを並列に配したものである。これら３個のマーク４Ａ，４Ｂ，４Ｃは、１つの画素を構成する発色層の３色のパターンの並び方向およびピッチに対応している。各マーク４Ａ，４Ｂ，４Ｃは、基板マーク３の最内周の線部３ａの内側と同じ大きさの四角部４ａを配し、この四角部４ａの周りに、四角枠状の線部４ｂを同心状かつ同一方向を向けて、また基板マーク３の線部３ａと同一の幅および間隔で配したものである。
【００４２】
このような基板４０、メタルマスク４２を用いて成膜する際も、上記した実施の形態１と同様にして、基板マーク３と、たとえばマスクマーク４Ａとがほぼ重なるように、つまり、基板マーク３の線部３ａがマスクマーク４Ａの線部４ａ間の間隙に重なるように、基板４０（あるいはメタルマスク４２）の位置を粗調整する。
【００４３】
次いで、基板マーク３，マスクマーク４の部分に、光学式検出手段４４の内の１つであるレーザ発振器よりレーザ光を照射して両マーク３，４からの戻り光量を測定し、戻り光量が最低になるように基板４０（あるいはメタルマスク４２）の位置を微調整する。
【００４４】
その後に、基板４０を降下させてメタルマスク４２の上に載せ、マグネットなどを用いて適正に密着させる。この状態で、上述した下方からの蒸着物質３９をメタルマスク４２の微小穴を通じて基板４０の表面に堆積させて成膜する。成膜終了後にメタルマスク４２と基板４０とを離間させる。
【００４５】
更にその後に、上記したのと同様の蒸着工程を、マスクマーク４Ａに変えてマスクマーク４Ｂ，４Ｃを用いて繰り返すことで、発光層のＲＧＢを塗り分けする。
【００４６】
成膜終了後に、メタルマスク４２と基板４０とを離間させ、成膜室３１から取り出す。
ＲＧＢの成膜を終了した後に、基板４０の成膜部分の位置精度を顕微鏡を用いて測定したところ、３μｍのずれがあることが分かった。しかし、このようなずれがある成膜を用いて有機ＥＬ素子を作製し評価した時には、発色部に色の滲みや混色は観測されなかった。
【００４７】
比較のために、図９に示したような従来の位置合わせ用マーク４０Ｍ，４２Ｍを用いたこと以外は上記した実施の形態１，２と同様にして、発光層を成膜し、基板４０の成膜部分の位置精度を顕微鏡を用いて測定したところ、１５μｍのずれがあることが分かった。このようなずれがある成膜を用いて有機ＥＬ素子を作製し評価した時には、発色部に色の滲みや混色が観測された。
【００４８】
【発明の効果】
以上の発明によれば、基板とメタルマスクとに回折格子状の位置合わせ用マークを設けるようにしたため、メタルマスクの位置合わせ精度が向上し、メタルマスクのパターンを基板に正確に転写できるようになり、混色や滲みのない有機ＥＬ素子の製造が可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１におけるエレクトロルミネッセンス素子の製造方法の蒸着工程で使用する基板およびメタルマスク上の位置合わせ用マークの平面図
【図２】本発明の実施の形態２におけるエレクトロルミネッセンス素子の製造方法の蒸着工程で使用する基板およびメタルマスク上の位置合わせ用マークの平面図
【図３】従来の一般的な有機ＥＬ素子の構成を示す断面図
【図４】従来より用いられている蒸着装置の構成を示す断面図
【図５】開口部が大きな従来のメタルマスク
【図６】微小穴よりなるパターンが形成された従来のメタルマスクの（ａ）  平面図および（ｂ）  一部拡大図
【図７】従来より行なわれている基板とメタルマスクとの位置合わせを説明する斜視図
【図８】従来より行なわれている発光層の塗り分けを説明する工程断面図
【図９】従来より行なわれているマークによる位置合わせの説明図
【図１０】本発明による位置合わせの原理を説明するための基板およびメタルマスク上の回折格子状のマーク位置合わせ用マークの平面図
【図１１】メタルマスクに対して基板を移動させた時の上記マークの重なり状態の変化を示す模式図
【図１２】図１１の基板位置とその時のマークの重なり状態で画像データあるいはレーザ照射により計測される戻り光量との関係を示すグラフ
【符号の説明】
１・・基板の位置合わせ用マーク
１ａ，１ｂ・・線部
２Ａ，２Ｂ，２Ｃ・・メタルマスクの位置合わせ用マーク
２ａ，２ｂ・・線部
３・・基板の位置合わせ用マーク
３ａ・・線部
４Ａ，４Ｂ，４Ｃ・・メタルマスクの位置合わせ用マーク
４ｂ・・線部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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