(57)【要約】【課題】シールド効果の低下が生じにくく、所定の周波数帯域で急激な減衰が生じにくい同軸ケーブル、同軸ケーブルの製造方法、及びケーブルアセンブリを提供する。【解決手段】同軸ケーブル１は、導体２と、導体２の周囲を覆う絶縁体３と、絶縁体３の周囲を覆うように、複数の金属素線４１を螺旋状に巻き付けた横巻きシールドを有するシールド層４と、シールド層４の周囲を覆うシース５と、を備え、絶縁体３は、複数の金属素線４１と接触する部分の表面に、複数の金属素線４１と嵌合するくぼみ３ａを有しており、シールド層４は、複数の金属素線４１の周方向における絶縁体３と接触する部分が、絶縁体３のくぼみ３ａと嵌合しており、かつ、シールド層４の周方向に隣り合う複数の金属素線４１同士が面接触している。【選択図】図１
2022003613.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体と、
前記導体の周囲を覆う絶縁体と、
前記絶縁体の周囲を覆うように、複数の金属素線を螺旋状に巻き付けた横巻きシールドを有するシールド層と、
前記シールド層の周囲を覆うシースと、を備え、
前記絶縁体は、前記複数の金属素線と接触する部分の表面に、前記複数の金属素線と嵌合するくぼみを有しており、
前記シールド層は、前記複数の金属素線の周方向における前記絶縁体と接触する部分が、前記絶縁体の前記くぼみと嵌合しており、かつ、前記シールド層の周方向に隣り合う前記複数の金属素線同士が面接触している、
同軸ケーブル。
【請求項２】
ケーブル長手方向に垂直な断面において、前記複数の金属素線の外周の長さのうち１／６以上が前記絶縁体の前記くぼみと嵌合している、
請求項１に記載の同軸ケーブル。
【請求項３】
前記複数の金属素線は、引張強さが２００ＭＰａ以上３８０Ｐａ以下であり、伸びが７％以上２０％以下である、
請求項１または２に記載の同軸ケーブル。
【請求項４】
導体と、
前記導体の周囲を覆う絶縁体と、
前記絶縁体の周囲を覆うように、複数の金属素線を螺旋状に巻き付けた横巻きシールドからなるシールド層と、
前記シールド層の周囲を覆うシースと、を備えた同軸ケーブルの製造方法であって、
前記導体の周囲に、押出成形により前記絶縁体を被覆し、コア部を形成するコア部形成工程と、
前記コア部の周囲に、複数の金属素線を螺旋状に巻き付ける素線巻き付け工程と、
前記複数の金属素線を巻き付けた前記コア部を加熱し、前記絶縁体を軟化させる第１加熱工程と、
加熱された前記複数の金属素線および前記コア部をダイスに通して、前記金属素線を前記コア部側へと圧縮することにより、前記絶縁体の複数の金属素線と接触する部分の表面に、前記複数の金属素線と嵌合するくぼみを形成すると共に、複数の金属素線の周方向における前記絶縁体と接触する部分を、前記絶縁体の前記くぼみと嵌合させかつ、前記シールド層の周方向に隣り合う前記複数の金属素線同士を面接触させて前記シールド層を形成する圧縮工程と、
前記シールド層を加熱し、前記圧縮工程による前記金属素線の歪みを緩和する第２加熱工程と、
前記シールド層の周囲に、押出成形により前記シースを被覆するシース形成工程と、を備えた、
同軸ケーブルの製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至３の何れか１項に記載の同軸ケーブルと、
前記同軸ケーブルの少なくとも一方の端部に一体に設けられた端末部材と、を備えた、
ケーブルアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、同軸ケーブル、同軸ケーブルの製造方法、及びケーブルアセンブリに関する。
【背景技術】
【０００２】
自動運転等に用いられる撮像装置や、スマートフォン、タブレット端末等電子機器の内部配線、あるいは、産業用ロボット等の工作機械で配線として用いられる高周波信号伝送用のケーブルとして、同軸ケーブルが用いられている。
【０００３】
従来の同軸ケーブルとして、樹脂層上に銅箔を設けた銅テープ等のテープ部材を、絶縁体の周囲に螺旋状に巻き付けてシールド層を構成したものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２８５７４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述の従来の同軸ケーブルでは、所定の周波数帯域（例えば、１．２５ＧＨｚ等の数ＧＨｚの帯域）で急激な減衰が生じるサックアウトと呼ばれる現象が発生してしまうという課題がある。
【０００６】
これに対して、例えば、絶縁体の外表面にめっきを施してシールド層を構成することで、サックアウトの発生を抑制することが可能である。しかし、同軸ケーブルを繰り返し曲げたときに、めっきからなるシールド層に亀裂や絶縁体外面からのはく離が発生することがある。めっきからなるシールド層に亀裂や絶縁体外面からのはく離が発生すると、シールド効果が低下してしまう。すなわち、同軸ケーブルに生じるノイズをシールド層よって遮蔽する効果が低下してしまう。
【０００７】
そこで、本発明は、シールド効果の低下が生じにくく、所定の周波数帯域で急激な減衰が生じにくい同軸ケーブル、同軸ケーブルの製造方法、及びケーブルアセンブリを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記課題を解決することを目的として、導体と、前記導体の周囲を覆う絶縁体と、前記絶縁体の周囲を覆うように、複数の金属素線を螺旋状に巻き付けた横巻きシールドを有するシールド層と、前記シールド層の周囲を覆うシースと、を備え、前記絶縁体は、前記複数の金属素線と接触する部分の表面に、前記複数の金属素線と嵌合するくぼみを有しており、前記シールド層は、前記複数の金属素線の周方向における前記絶縁体と接触する部分が、前記絶縁体の前記くぼみと嵌合しており、かつ、前記シールド層の周方向に隣り合う前記複数の金属素線同士が面接触している、同軸ケーブルを提供する。
【０００９】
また、本発明は、上記課題を解決することを目的として、導体と、前記導体の周囲を覆う絶縁体と、前記絶縁体の周囲を覆うように、複数の金属素線を螺旋状に巻き付けた横巻きシールドからなるシールド層と、前記シールド層の周囲を覆うシースと、を備えた同軸ケーブルの製造方法であって、前記導体の周囲に、押出成形により前記絶縁体を被覆し、コア部を形成するコア部形成工程と、前記コア部の周囲に、複数の金属素線を螺旋状に巻き付ける素線巻き付け工程と、前記複数の金属素線を巻き付けた前記コア部を加熱し、前記絶縁体を軟化させる第１加熱工程と、加熱された前記複数の金属素線および前記コア部をダイスに通して、前記金属素線を前記コア部側へと圧縮することにより、前記絶縁体の複数の金属素線と接触する部分の表面に、前記複数の金属素線と嵌合するくぼみを形成すると共に、複数の金属素線の周方向における前記絶縁体と接触する部分を、前記絶縁体の前記くぼみと嵌合させかつ、前記シールド層の周方向に隣り合う前記複数の金属素線同士を面接触させて前記シールド層を形成する圧縮工程と、前記シールド層を加熱し、前記圧縮工程による前記金属素線の歪みを緩和する第２加熱工程と、前記シールド層の周囲に、押出成形により前記シースを被覆するシース形成工程と、を備えた、同軸ケーブルの製造方法を提供する。
【００１０】
また、本発明は、上記課題を解決することを目的として、前記同軸ケーブルと、前記同軸ケーブルの少なくとも一方の端部に一体に設けられた端末部材と、を備えた、ケーブルアセンブリを提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、シールド効果の低下が生じにくく、所定の周波数帯域で急激な減衰が生じにくい同軸ケーブル、同軸ケーブルの製造方法、及びケーブルアセンブリを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施の形態に係る同軸ケーブルを示す図であり、（ａ）は長手方向に垂直な断面を示す断面図、（ｂ）はその要部拡大図である。
【図２】同軸ケーブルの製造する際のフロー図である。
【図３】シールド層の形成を説明する図である。
【図４】ケーブルアセンブリの端末部を示す断面図である。
【図５】本発明の一形態に係る同軸ケーブルの長手方向に垂直な断面を示す断面図である。
【図６】本発明を適用した多心ケーブルの長手方向に垂直な断面を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
［実施の形態］
以下、本発明の実施の形態を添付図面にしたがって説明する。
【００１４】
図１は、本実施の形態に係る同軸ケーブルを示す図であり、（ａ）は長手方向に垂直な断面を示す断面図、（ｂ）はその要部拡大図である。
【００１５】
図１（ａ），（ｂ）に示すように、同軸ケーブル１は、導体２と、導体２の周囲を覆うように設けられている絶縁体３と、絶縁体３の周囲を覆うように設けられているシールド層４と、シールド層４の周囲を覆うように設けられているシース５と、を備えている。
【００１６】
導体２は、複数本の金属素線２１を撚り合わせた撚線導体からなる。これに限らず、導体２としては、金属素線２１を撚り合わせた後、ケーブル長手方向に垂直な断面形状が円形状となるように圧縮加工された圧縮撚線導体を用いることもできる。導体２として圧縮撚線導体を用いることで、導電率が向上し良好な伝送特性が得られると共に、曲げやすさも維持できる。また、金属素線２１は、導電率や機械的強度を向上させる観点から、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉｎ）、チタン（Ｔｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、鉄（Ｆｅ）等を含む銅合金線であってもよい。
【００１７】
絶縁体３は、例えば、ＰＦＡ（パーフルオロアルコキシアルカン）やＦＥＰ（四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体）フッ素樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン等からなる。絶縁体３は、発泡樹脂であってもよく、耐熱性を向上すべく架橋された樹脂で構成されてもよい。また、絶縁体３は、さらに多層構造となっていてもよい。例えば、導体２の周囲に非発泡のポリエチレンからなる第１非発泡層を設け、第１非発泡層の周囲に発泡ポリエチレンからなる発泡層を設け、発泡層の周囲に非発泡のポリエチレンからなる第２非発泡層を設けた３層構成とすることもできる。本実施の形態では、導体２の周囲に、ＰＦＡからなる絶縁体３をチューブ押出しにより形成した。絶縁体３をチューブ押出しにより形成することで、端末加工時に導体２から絶縁体３を剥がし易くなり、端末加工性が向上する。以下、導体２と絶縁体３とをまとめてコア部６と呼称する。
【００１８】
シールド層４は、絶縁体３の周囲に複数の金属素線４１を螺旋状に巻き付けた横巻きシールドから構成されている。本実施の形態に係る同軸ケーブル１では、シールド層４は、複数の金属素線４１の周方向における一部を、絶縁体３に埋め込んで構成されている。つまり、本実施の形態では、絶縁体３は、複数の金属素線４１と接触する部分の表面に、複数の金属素線４１と嵌合するくぼみ３ａを有しており、シールド層４は、複数の金属素線４１の周方向における絶縁体３と接触する部分が、絶縁体３のくぼみ３ａと嵌合している。
【００１９】
図１（ｂ）に示すように、各金属素線４１のケーブル径方向における内側の部分は、絶縁体３のくぼみ３ａに嵌合され絶縁体３（くぼみ３ａの内周面）と密着した状態となっている。以下、金属素線４１の外周面のうち、絶縁体３のくぼみ３ａに嵌合されて絶縁体３と密着している部分を嵌合部４１ａと呼称する。絶縁体３の外周面には、金属素線４１の形状に応じた凹凸が形成されており、金属素線４１の一部が収容される（嵌合部４１ａと当接する）凹状のくぼみ３ａと、周方向に隣り合う金属素線４１の間に位置する凸部３ｂとが、周方向に交互に形成されている。
【００２０】
さらに、本実施の形態では、シールド層４は、周方向に隣り合う金属素線４１同士が面接触するように構成されている。周方向に隣り合う金属素線４１が接触する部分においては、金属素線４１が変形し略平坦な形状となっており、金属素線４１同士が隙間無く接触している。以下、金属素線４１同士が接触している略平坦な部分を素線接触部４１ｂと呼称する。
【００２１】
例えば、絶縁体３の周囲に複数の金属素線４１を螺旋状に巻き付けて横巻きシールドを構成するだけでは、同軸ケーブルを曲げた際に、金属素線４１間に隙間が発生してノイズ特性が低下してしまう。さらに、金属素線４１の間に生じる隙間の影響により、所定の周波数帯域（例えば、１０ＧＨｚ等の帯域）で急激な減衰が生じるサックアウトと呼ばれる現象が発生してしまう。本実施の形態のように、シールド層４において、金属素線４１の一部を絶縁体３のくぼみ３ａに埋め込み、かつ、周方向に隣り合う金属素線４１同士を面接触させることで、同軸ケーブル１を曲げた際に、各金属素線４１が絶縁体３の曲げの動きに追従するため、金属素線４１間に隙間が生じにくくなる。また、くぼみ３ａに嵌合された各金属素線４１は、絶縁体３の曲げに対して、くぼみ３ａに沿うようにケーブル長手方向へ移動する。これにより、曲げて配線された場合であっても、ノイズ特性を向上することが可能になり、さらに２６ＧＨｚまでの帯域においてサックアウトの発生を抑制することが可能になる。
【００２２】
さらに、金属素線４１が絶縁体３に埋め込まれることで、端末加工時にケーブル端末部においてシース５を除去しシールド層４を露出させた際に、金属素線４１が解けにくくなり、端末加工を容易に行うことが可能になる。さらにまた、金属素線４１が絶縁体３に密着されるため、導体２とシールド層４との距離を長手方向において一定に維持することが可能になり、ケーブル長手方向においてインピーダンスを安定して一定に維持することも可能になる。
【００２３】
同軸ケーブル１を曲げた際に各金属素線４１がくぼみ３ａに沿うようにケーブル長手方向へ移動し、絶縁体３の動きに追従しやすくするために、ケーブル長手方向に垂直な断面において、複数の金属素線４１の外周の長さのうち１／６以上が絶縁体３に埋め込まれている（絶縁体３のくぼみ３ａの内周面に密着している）ことが望ましい。つまり、金属素線４１の周方向に沿った嵌合部４１ａの長さＬが、金属素線４１の外周の長さの１／６以上であるとよい。さらに換言すれば、各金属素線４１の外周面のうち、中心角が６０度以上となる範囲が嵌合部４１ａとなっているとよい。金属素線４１が埋め込まれている部分の長さＬは、例えば、光学顕微鏡あるいは電子顕微鏡を用いて、同軸ケーブル１の横断面（同軸ケーブル１の長手方向に垂直な断面）を観察することにより求められる。
【００２４】
詳細は後述するが、シールド層４は、コア部６に金属素線４１を巻き付けた状態で加熱した後、ダイスに通すことで金属素線４１をケーブル径方向内側に圧縮して形成される。この際、金属素線４１がダイスの内周面に擦られることで、各金属素線４１のケーブル径方向における外方の部分（嵌合部４１ａと対向する部分）には、略平坦な面からなる外部４１ｃが形成される。なお、外部４１ｃの形状は、ダイスの内周面に沿った形状となるため、完全に平坦な面ではなく、わずかに湾曲した面となっていることでもよい。
【００２５】
本実施の形態では、金属素線４１が絶縁体３に埋め込まれ固定されること（すなわち、金属素線４１がくぼみ３ａに嵌合され、くぼみ３ａの内周面と金属素線４１の外周面の一部とが密着した状態）になる。そして、この状態を維持して同軸ケーブル１の曲げやすさを確保するために、金属素線４１としては、塑性変形しやすい低耐力な材質からなるものを用いることがよい。より具体的には、金属素線４１としては、引張強さが２００ＭＰａ以上３８０Ｐａ以下であり、かつ伸びが７％以上２０％以下であるものを用いるとよい。
【００２６】
本実施の形態では、金属素線４１として、軟銅線からなる金属線４１１の周囲に銀からなるめっき層４１２を有する銀めっき軟銅線を用いた。なお、金属線４１１としては、軟銅線に限らず、銅合金線、アルミニウム線、アルミニウム合金線、あるいは純銅に微量の不純物を添加した低軟化温度の線材等を用いることができる。また、めっき層４１２を構成する金属は銀に限らず、例えば錫や金であってもよく、めっき層４１２を省略することも可能である。
【００２７】
また、金属素線４１の導電率は、金属素線４１に軟銅線を用いる場合は９８％ＩＡＣＳであるとよく、金属素線４１に銅合金線を用いる場合は８０％ＩＡＣＳ以上であるとよい。本実施の形態では、圧縮工程後に熱処理（第２加熱工程）を行うことで、導電率の改善を図っている。同軸ケーブル１の製造方法の詳細については、後述する。
【００２８】
シース５は、例えば、ＰＦＡやＦＥＰ等のフッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、架橋ポリオレフィン等からなる。端末加工性を高めるために、シース５は、チューブ押出しや挿入押出しによって筒状に形成されていることが望ましく、シールド層４の金属素線４１間に入り込まないように形成することが望ましい。本実施の形態では、フッ素樹脂からなるシース５をチューブ押出しにより形成した。
【００２９】
シース５は、コア部６やシールド層４を保護するためのものであるが、本実施の形態では、金属素線４１をケーブル径方向外側から内側へと締付け、金属素線４１を絶縁体３に押し付けた状態で保持する役割も果たしている。そのため、シース５は、シールド層４をケーブル径方向外側から内側へと締付けるように設けられることが望ましい。
【００３０】
（同軸ケーブル１の製造方法）
図２は、同軸ケーブル１の製造する際のフロー図である。図２に示すように、同軸ケーブル１を製造する際には、まず、ステップＳ１にて、コア部形成工程を行う。コア部形成工程では、撚線導体からなる導体２の周囲に、押出成形により絶縁体３を被覆して、コア部６を形成する。端末加工時に導体２から絶縁体３を剥がし易くするために、絶縁体３は、チューブ押出しまたは挿入押出しにより形成することが望ましい。
【００３１】
その後、ステップＳ２にて、素線巻き付け工程を行う。素線巻き付け工程では、コア部６の周囲に、複数の金属素線４１を螺旋状に巻き付ける。素線巻き付け工程にて金属素線４１を隙間無く巻き付けてしまうと、後述する圧縮工程で金属素線４１をケーブル径方向内側に押し込んでも、金属素線４１がケーブル径方向内側に移動しにくくなり、金属素線４１が絶縁体３に埋め込まれなくなってしまうおそれがある。そのため、素線巻き付け工程では、金属素線４１間にある程度隙間ができるように複数の金属素線４１を巻き付けることが望ましい。具体的には、ケーブル軸方向に垂直な断面において、周方向に隣り合う金属素線４１間の距離（隙間の長さ）の合計値が、金属素線４１の外径の１倍以上、１．５倍以下とすることが好ましい。
【００３２】
その後、ステップＳ３にて、第１加熱工程を行う。第１加熱工程では、図３に示すように、金属素線４１を巻き付けたコア部６をヒータ７１により加熱する。この際、絶縁体３の軟化温度以上の温度に加熱して、絶縁体３を軟化させる。この際、絶縁体３が溶融してしまわない程度の温度に加熱するとよい。
【００３３】
その後、ステップＳ４にて、圧縮工程を行う。圧縮工程では、図３に示すように、第１加熱工程で加熱された金属素線４１及びコア部６をダイス７２に通して、金属素線４１をコア部６側（ケーブル径方向内側）へと圧縮する。ダイス７２の穴径は、コア部６に金属素線４１を巻き付けた際の外径よりも小さく形成されており、コア部６及び金属素線４１をダイス７２に通すことで、金属素線４１がケーブル径方向内側へと圧縮される。
【００３４】
第１加熱工程により絶縁体３は軟化した状態となっているため、圧縮工程を行うことにより、金属素線４１の周方向における一部が絶縁体３に埋め込まれる。金属素線４１が埋め込まれることにより、絶縁体３の外周面にはくぼみ３ａが形成され、金属素線４１の一部がくぼみ３ａに嵌合される。また、くぼみ３ａを形成する際の肉の流動によって、周方向に隣り合う金属素線４１の間の位置では盛り上がりが生じ、凸部３ｂが形成される。凸部３ｂは、周方向に隣り合う金属素線４１と絶縁体３との間に形成される隙間を塞ぐように形成されるため、高周波信号を伝送する際の電気特性の改善に寄与する。
【００３５】
また、圧縮工程で周方向に並んだ金属素線４１がケーブル径方向内側へと押し込まれることにより、周方向に隣り合う金属素線４１同士が互いに押し潰されて面接触された状態となり、素線接触部４１ｂが形成される。また、この際、ダイス７２の内周面に金属素線４１が擦られることによって、各金属素線４１に略平坦な面からなる外部４１ｃが形成される。
【００３６】
その後、ステップＳ５にて、第２加熱工程を行う。第２加熱工程では、図３に示すように、ヒータ７３によって金属素線４１を加熱し、金属素線４１の焼き鈍しを行う。これにより、圧縮工程による金属素線４１の歪み（残留歪み）が緩和される。また、金属素線４１の歪み（残留歪み）が緩和されることにより、金属素線４１が直線状に戻ろうとする力が緩和され、コア部６の周囲に巻き付けられた形状のままとなるため、シース５を除去した際に金属素線４１が解けにくくなり、端末加工性の向上に寄与する。このようなステップＳ２〜ステップＳ５を経てシールド層４が形成されることになる。なお、金属素線４１の歪み（応力歪み）を緩和させる必要がない場合は、ステップＳ５を省略してもよい。
【００３７】
その後、ステップＳ６にて、シース形成工程を行う。シース形成工程では、シールド層４の周囲に、押出成形によりシース５を被覆する。端末加工性を高めるために、シース５は、チューブ押出しや挿入押出しによって形成されることが望ましい。以上により、同軸ケーブル１が得られる。
【００３８】
（他の製造方法）
本実施の形態では、圧縮工程にて金属素線４１を絶縁体３に埋め込んだが、これに限らず、押出成形等により予めくぼみ３ａを有する絶縁体３を形成しておき、その後、くぼみ３ａに嵌合するように複数の金属素線４１を螺旋状に巻き付けした後に、複数の金属素線４１同士が面接触するように横巻シールドを圧縮させることで、シールド層４を形成してもよい。製造の容易さの観点からは、上述したステップＳ１〜ステップＳ６からなる製造方法とすることが好ましい。
【００３９】
（ケーブルアセンブリ）
次に、同軸ケーブル１を用いたケーブルアセンブリについて説明する。図４は、本実施の形態に係るケーブルアセンブリの端末部を示す断面図である。
【００４０】
図４に示すように、ケーブルアセンブリ１０は、本実施の形態に係る同軸ケーブル１と、同軸ケーブル１の少なくとも一方の端部に一体に設けられた端末部材１１と、を備えている。
【００４１】
端末部材１１は、例えば、コネクタ、センサ、コネクタやセンサ内に搭載される基板、あるいは電子機器内の基板等である。図４では、端末部材１１が基板１１ａである場合を示している。基板１１ａには、導体２が接続される信号電極１２、及び、シールド層４が接続されるグランド電極１３が形成されている。基板１１ａは、樹脂からなる基材１６に信号電極１２及びグランド電極１３を含む導体パターンが印刷されたプリント基板からなる。
【００４２】
同軸ケーブル１の端末部においては、端末から所定長さの部分のシース５が除去されシールド層４が露出されており、さらに露出されたシールド層４及び絶縁体３の端末部が除去され導体２が露出されている。露出された導体２が半田等の接続材１４によって信号電極１２に固定され、導体２が信号電極１２に電気的に接続されている。また、露出されたシールド層４が半田等の接続材１５によってグランド電極１３に固定され、シールド層４がグランド電極１３に電気的に接続されている。なお、導体２やシールド層４の接続は半田等の接続材１４，１５を用いずともよく、例えば、固定用の金具に導体２やシールド層４を加締め等により固定することで、導体２やシールド層４を接続してもよい。また、端末部材１１がコネクタやセンサである場合、導体２やシールド層４を直接電極や素子に接続する構成としてもよい。
【００４３】
（実施の形態の作用及び効果）
以上説明したように、本実施の形態に係る同軸ケーブル１では、シールド層４が横巻きシールドからなり、絶縁体３は、複数の金属素線４１と接触する部分の表面に、複数の金属素線４１と嵌合するくぼみ３ａを有しており、シールド層４は、複数の金属素線４１の周方向における絶縁体３と接触する部分が、絶縁体３のくぼみ３ａと嵌合しており、かつ、シールド層４の周方向に隣り合う複数の金属素線４１同士が面接触している。
【００４４】
金属素線４１の一部を絶縁体３のくぼみ３ａに嵌合させ、かつ周方向に隣り合う金属素線４１同士が面接触するように構成することにより、同軸ケーブル１を繰り返し曲げても金属素線４１間に隙間が生じにくくなる。金属素線４１間の隙間を抑制することにより、ノイズ特性を向上し、サックアウトの発生を抑制することが可能になる。すなわち、本実施の形態によれば、シールド効果の低下が生じにくく、所定の周波数帯域で急激な減衰が生じにくい同軸ケーブル１を実現できる。
【００４５】
例えば、同軸ケーブル１を電子機器の内部配線として用いる場合、同軸ケーブル１はＳ字状やＬ字状に曲げた状態で配線されることが多い。本実施の形態に係る同軸ケーブル１では、金属素線４１が絶縁体３に埋め込まれているため、金属素線４１が絶縁体３の曲げに追従する。つまり、本実施の形態では、同軸ケーブル１をＳ字状やＬ字状に曲げた場合であっても、金属素線４１が絶縁体３に埋め込まれた状態が維持され、かつ金属素線４１同士が面接触した状態が維持される。その結果、同軸ケーブル１を曲げて配線しても、金属素線４１間に隙間が発生しにくくなり、ノイズ特性や電気特性の劣化を抑制することが可能になる。
【００４６】
また、金属素線４１が絶縁体３に埋め込まれることで、シース５を除去した際に金属素線４１が解けにくくなり、端末加工性を向上できると共に、ケーブル端末部におけるシールド層４の乱れを抑制して電気特性を向上させることができる。さらに、導体２とシールド層４との距離を長手方向において一定に維持することが可能になり、ケーブル長手方向においてインピーダンスを安定して一定に維持することも可能になる。
【００４７】
（他の実施の形態）
図５は、本発明の他の形態に係る同軸ケーブルの長手方向に垂直な断面を示す断面図である。図５に示す同軸ケーブル１は、図１（ａ），（ｂ）の同軸ケーブル１において、一括めっき部４２を有する点のみが異なるものである。
【００４８】
一括めっき部４２は、横巻きシールド（横巻きシールド部）の周囲全体を一括して覆うように設けられており、横巻きシールドと共に外部導体であるシールド層４を構成している。一括めっき部４２は、隣り合う金属素線４１同士を連結する導電性のめっきからなる。一括めっき部４２を設けることで、一括めっき部４２により金属素線４１間の隙間を塞ぐことができ、ノイズ特性をより向上できる。さらに、金属素線４１間の隙間がなくなることにより、２６ＧＨｚまでの帯域においてサックアウトの発生をより抑制することが可能になる。
【００４９】
この実施の形態では、一括めっき部４２として、錫からなるものを用いた。ただし、これに限らず、一括めっき部４２として、例えば銀、金、銅等からなるものを用いることができる。ただし、製造の容易さの観点から、錫からなる一括めっき部４２を用いることがより好ましいといえる。
【００５０】
絶縁体３の周囲に複数本の金属素線４１を螺旋状に巻き付けして横巻きシールドを形成した後、溶融した錫を貯留した槽に通すことで、溶融めっきからなる一括めっき部４２が形成される。このとき、横巻きシールドの周囲に錫が付着しやすくするために、横巻きシールドの周囲にフラックスを塗布した後に、溶融した錫を貯留した槽に通すことが望ましい。フラックスとしては、例えばロジン系のフラックス等を用いることができる。
【００５１】
ここでは、金属素線４１として銀めっき軟銅線を用いており、金属素線４１の表面には銀からなるめっき層４１２が設けられている。一括めっき部４２を形成する際、溶融した錫に接触する部分のめっき層４１２を構成する銀は槽内の錫に拡散し、金属素線４１と一括めっき部４２との間に銅と錫を含む金属間化合物４１３が形成される。本発明者らがＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を用いたＥＤＸ分析（エネルギー分散型Ｘ線分光法による分析）を行ったところ、金属素線４１の表面に、銅と錫とからなる金属間化合物４１３が存在することが確認できた。なお、金属間化合物４１３には、めっき層４１２を構成する銀が含まれていると考えられるが、金属間化合物４１３における銀の含有量は、ＥＤＸ分析で検出が難しい程度のごく微量である。
【００５２】
一括めっき部４２と接触しない部分の金属素線４１（めっき時に溶融した錫と接触しない部分の金属素線４１）には、銀からなるめっき層４１２が残存する。すなわち、嵌合部４１ａ、素線接触部４１ｂ、及び嵌合部４１ａと素線接触部４１ｂの間の部分には、銀からなるめっき層４１２が残存する。高周波信号の伝送においては、電流はシールド層４における絶縁体３側に集中するため、銀からなるめっき層４１２が存在することにより、シールド層４の導電性の低下を抑制し、良好な減衰特性を維持することが可能になる。
【００５３】
（多心ケーブルへの適用）
また、本発明は、多心ケーブルにも適用可能である。図６に示す多心ケーブル１００は、図１の同軸ケーブル１において、導体２及び絶縁体３を、ケーブルコア１０３に置き換えたものである。ケーブルコア１０３は、導体１０１ａと導体１０１ａの周囲を覆う絶縁体１０１ｂとを有する複数本（ここでは４本）の絶縁電線１０１と、撚り合わせた絶縁電線１０１の周囲を覆う内部シース１０３と、を有する。内部シース１０３は、複数の金属素線４１と接触する部分の表面に、複数の金属素線４１と嵌合するくぼみ１０３ａを有しており、シールド層４は、複数の金属素線４１の周方向における内部シース１０３と接触する部分が、内部シース１０３のくぼみ１０３ａと嵌合しており、かつ、シールド層４の周方向に隣り合う複数の金属素線４１同士が面接触している。内部シース１０３は、例えば、チューブ押出しによって形成されてもよい。これにより、内部シース１０３を充実押出しにより形成した場合と比較して、端末加工時に内部シース１０３を除去して絶縁電線１０１を露出させることが容易になり、端末加工の作業性を向上できる。なお、多心ケーブル１００において、シールド層４は、図５に示す同軸ケーブル１と同様に、複数の金属素線４１から構成される横巻きシールドの周囲全体を一括して覆う一括めっき部が設けられている構造であってもよい。
【００５４】
さらに、図１の同軸ケーブル１を複数本束ね、その周囲を一括して覆うようにジャケットを設けて多心ケーブルを構成することも可能である。さらにまた、図１の同軸ケーブル１と、他の電線とを束ね、その周囲を一括して覆うようにジャケットを設けて多心ケーブルを構成することも可能である。
【００５５】
（実施の形態のまとめ）
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。
【００５６】
［１］導体（２）と、前記導体（２）の周囲を覆う絶縁体（３）と、前記絶縁体（３）の周囲を覆うように、複数の金属素線（４１）を螺旋状に巻き付けた横巻きシールドからなるシールド層（４）と、前記シールド層（４）の周囲を覆うシース（５）と、を備え、前記絶縁体（３）は、前記複数の金属素線（４１）と接触する部分の表面に、前記複数の金属素線（４１）と嵌合するくぼみ（３ａ）を有しており、前記シールド層（４）は、前記複数の金属素線（４１）の周方向における前記絶縁体（３）と接触する部分が、前記絶縁体（３）の前記くぼみ（３ａ）と嵌合しており、かつ、前記シールド層（４）の周方向に隣り合う前記複数の金属素線（４１）同士が面接触している、同軸ケーブル（１）。
【００５７】
［２］ケーブル長手方向に垂直な断面において、前記複数の金属素線（４１）の外周の長さのうち１／６以上が前記絶縁体（３）の前記くぼみ（３ａ）と嵌合している、［１］に記載の同軸ケーブル（１）。
【００５８】
［３］前記複数の金属素線（４１）は、引張強さが２００ＭＰａ以上３８０Ｐａ以下であり、伸びが７％以上２０％以下である、［１］または［２］に記載の同軸ケーブル（１）。
【００５９】
［４］導体（２）と、前記導体（２）の周囲を覆う絶縁体（３）と、前記絶縁体（３）の周囲を覆うように、複数の金属素線（４１）を螺旋状に巻き付けた横巻きシールドからなるシールド層（４）と、前記シールド層（４）の周囲を覆うシース（５）と、を備えた同軸ケーブル（１）の製造方法であって、前記導体（２）の周囲に、押出成形により前記絶縁体（３）を被覆し、コア部（６）を形成するコア部形成工程と、前記コア部（６）の周囲に、複数の金属素線（４１）を螺旋状に巻き付ける素線巻き付け工程と、前記複数の金属素線（４１）を巻き付けた前記コア部（６）を加熱し、前記絶縁体（６）を軟化させる第１加熱工程と、加熱された前記複数の金属素線および前記コア部（６）をダイス（７２）に通して、前記金属素線（４１）を前記コア部（６）側へと圧縮することにより、前記絶縁体（３）の複数の金属素線（４１）と接触する部分の表面に、前記複数の金属素線（４１）と嵌合するくぼみ（３ａ）を形成すると共に、複数の金属素線（４１）の周方向における前記絶縁体（３）と接触する部分を、前記絶縁体（３）の前記くぼみ（３ａ）と嵌合させ、かつ、前記シールド層（４）の周方向に隣り合う前記複数の金属素線（４１）同士を面接触させて前記シールド層（４）を形成する圧縮工程と、前記シールド層（４）を加熱し、前記圧縮工程による前記金属素線（４１）の歪みを緩和する第２加熱工程と、前記シールド層（４）の周囲に、押出成形により前記シース（５）を被覆するシース形成工程と、を備えた、同軸ケーブルの製造方法。
【００６０】
［５］［１］乃至［３］の何れか１項に記載の同軸ケーブル（１）と、前記同軸ケーブル（１）の少なくとも一方の端部に一体に設けられた端末部材（１１）と、を備えた、ケーブルアセンブリ（１０）。
【００６１】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。また、本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。
【符号の説明】
【００６２】
１…同軸ケーブル
２…導体
３…絶縁体
３ａ…くぼみ
４…シールド層
４１…金属素線
４１ａ…嵌合部
４１ｂ…素線接触部
４１ｃ…外部
４２…一括めっき部
５…シース
６…コア部
１０…ケーブルアセンブリ
１１…端末部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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