(57)【要約】【課題】活性層で発生した熱を直ちに外部に放熱させ、素子の動作を安定化した面発光レーザの製造方法を提供する。【解決手段】（１）工程を経て一方の反射構造体を作製する工程と、（２）工程を経て他方の反射構造体を作製する工程と、（３）工程と（４）工程とを順次経て発光部材を作製する工程と、さらに（５）〜（９）の各工程を順次経る工程とを具備した面発光レーザの製造方法。（１）Ｓｉ基板上にＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層とを交互に積層してなる周期構造を形成する。（２）Ｓｉ基板上にＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層とを交互に積層してなる周期構造を形成する。（３）ＩｎＰ基板上に活性層等を形成する。（４）ＩｎＰ基板上の活性層をメサエッチングする。（５）発光部材と一方の反射構造体とを貼りつけ、ＩｎＰ基板を除去する。（６）発光部材と他方の反射構造体とを貼りつけ、Ｓｉ基板を除去する。（７）酸化狭窄層を形成する。（８）絶縁膜を被着する。（９）電極を形成する。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記（１）を経て一方の反射構造体を作製する工程と、下記（２）を経て他方の反射構造体を作製する工程と、下記（３）と（４）とを順次経て発光部材を作製する工程と、さらに（５）〜（９）とを順次経る工程とを具備した面発光レーザの製造方法。
（１）…ｎ型導電性のＳｉ基板上にＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層とを交互に積層してなる周期構造を形成する。
（２）…ｐ型もしくはｎ型の導電性のＳｉ基板上にＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層とを交互に積層してなる周期構造を形成する。
（３）…ＩｎＰ基板上に、ｎ型導電性のＩｎＧａＡｓＰクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ活性層、ｐ型導電性のＩｎＧａＡｓＰクラッド層とを順次形成する。
（４）…ＩｎＰ基板上の前記活性層をフォトリソグラフィ工程によりメサエッチングする。
（５）…発光部材と一方の反射構造体とを貼りつけ、ＩｎＰ基板を除去する。
（６）…発光部材と他方の反射構造体とを貼りつけ、この他方の反射構造体のＳｉ基板を除去する。
（７）…前工程により得られた貼りつけ構造に対し酸化狭窄層を形成する。
（８）…前工程により得られた貼りつけ構造に対し絶縁膜を被着する。
（９）…前工程により得られた貼りつけ構造に対し電極を形成する。
【請求項２】
下記（１）を経て一方の反射構造体を作製する工程と、下記（２）を経て他方の反射構造体を作製する工程と、下記（３）と（４）とを順次経て発光部材を作製する工程と、さらに（５）〜（９）とを順次経る工程とを具備するとともに、ウェハ上に複数の素子を形成し、ついで各素子に対し動作検査をおこない、しかる後に、上記ウェハをダイシングして各面発光レーザとしての複数の素子を得る工程を経ることを特徴とする面発光レーザの製造方法。
（１）…ｎ型導電性のＳｉ基板上にＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層とを交互に積層してなる周期構造を形成する。
（２）…ｐ型もしくはｎ型の導電性のＳｉ基板上にＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層とを交互に積層してなる周期構造を形成する。
（３）…ＩｎＰ基板上に、ｎ型導電性のＩｎＧａＡｓＰクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ活性層、ｐ型導電性のＩｎＧａＡｓＰクラッド層とを順次形成する。
（４）…ＩｎＰ基板上の前記活性層をフォトリソグラフィ工程によりメサエッチングする。
（５）…発光部材と一方の反射構造体とを貼りつけ、ＩｎＰ基板を除去する。
（６）…発光部材と他方の反射構造体とを貼りつけ、この他方の反射構造体のＳｉ基板を除去する。
（７）…前工程により得られた貼りつけ構造に対し酸化狭窄層を形成する。
（８）…前工程により得られた貼りつけ構造に対し絶縁膜を被着する。
（９）…前工程により得られた貼りつけ構造に対し電極を形成する。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は面発光レーザの製造方法に関するものであり、たとえば光ファイバーを用いた長距離光通信用の光源に適用する面発光レーザの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の長距離光通信用の光源としては、端面発光型のレーザが用いられてきたが、近時、垂直共振器型の面発光レーザが提案されている。
【０００３】
この面発光レーザによれば、共振器長が短く、単一縦モードが容易に得られるという利点がある。さらには低閾値動作が可能であり、高速変調ができるという特徴もある。
【０００４】
しかも、この面発光レーザによれば、製造上、ウェハ状態にて動作検査ができ、これにより、検査コストが大幅に削減でき、製造コストを下げることができるという有利な点もあり、その早急なる実用化が望まれる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、現状の光通信用長波長面発光レーザは、ＧａＡｓ基板上に形成された反射構造であり、そして、ＩｎＰ基板上に形成された活性層を挟む構造であり、かかる構造によって、ＧａＡｓ基板の放熱性が悪いことで、活性層における発熱に起因して素子の信頼性を低げていた。さらにＧａＡｓ基板自体、高価であり、よって、製造コストを上げる原因にもなっていた。
【０００６】
したがって本発明は、叙上に鑑みて完成されたものであり、その目的は活性層での発熱に起因した素子の信頼性を高め、さらに製造コストを下げた面発光レーザの製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の面発光レーザの製造方法は、下記（１）を経て一方の反射構造体を作製する工程と、下記（２）を経て他方の反射構造体を作製する工程と、下記（３）と（４）とを順次経て発光部材を作製する工程と、さらに（５）〜（９）とを順次経る工程とを具備したことを特徴とする。
【０００８】
（１）…ｎ型導電性のＳｉ基板上にＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層とを交互に積層してなる周期構造を形成する。
【０００９】
（２）…ｐ型もしくはｎ型の導電性のＳｉ基板上にＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層とを交互に積層してなる周期構造を形成する。
【００１０】
（３）…ＩｎＰ基板上に、ｎ型導電性のＩｎＧａＡｓＰクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ活性層、ｐ型導電性のＩｎＧａＡｓＰクラッド層とを順次形成する。
【００１１】
（４）…ＩｎＰ基板上の前記活性層をフォトリソグラフィ工程によりメサエッチングする。
【００１２】
（５）…発光部材と一方の反射構造体とを貼りつけ、ＩｎＰ基板を除去する。
【００１３】
（６）…発光部材と他方の反射構造体とを貼りつけ、この他方の反射構造体のＳｉ基板を除去する。
【００１４】
（７）…前工程により得られた貼りつけ構造に対し酸化狭窄層を形成する。
【００１５】
（８）…前工程により得られた貼りつけ構造に対し絶縁膜を被着する。
【００１６】
（９）…前工程により得られた貼りつけ構造に対し電極を形成する。
【００１７】
本発明の他の面発光レーザの製造方法は、下記（１）を経て一方の反射構造体を作製する工程と、下記（２）を経て他方の反射構造体を作製する工程と、下記（３）と（４）とを順次経て発光部材を作製する工程と、さらに（５）〜（９）とを順次経る工程とを具備するとともに、ウェハ上に複数の素子を形成し、ついで各素子に対し動作検査をおこない、しかる後に、上記ウェハをダイシングして各面発光レーザとしての複数の素子を得る工程を経ることを特徴とする。
【００１８】
（１）…ｎ型導電性のＳｉ基板上にＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層とを交互に積層してなる周期構造を形成する。
【００１９】
（２）…ｐ型もしくはｎ型の導電性のＳｉ基板上にＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層とを交互に積層してなる周期構造を形成する。
【００２０】
（３）…ＩｎＰ基板上に、ｎ型導電性のＩｎＧａＡｓＰクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ活性層、ｐ型導電性のＩｎＧａＡｓＰクラッド層とを順次形成する。
【００２１】
（４）…ＩｎＰ基板上の前記活性層をフォトリソグラフィ工程によりメサエッチングする。
【００２２】
（５）…発光部材と一方の反射構造体とを貼りつけ、ＩｎＰ基板を除去する。
【００２３】
（６）…発光部材と他方の反射構造体とを貼りつけ、この他方の反射構造体のＳｉ基板を除去する。
【００２４】
（７）…前工程により得られた貼りつけ構造に対し酸化狭窄層を形成する。
【００２５】
（８）…前工程により得られた貼りつけ構造に対し絶縁膜を被着する。
【００２６】
（９）…前工程により得られた貼りつけ構造に対し電極を形成する。
【００２７】
【作用】
本発明の面発光レーザの製造方法は、上記のごとく（１）を経て一方の反射構造体を作製する工程と、（２）を経て他方の反射構造体を作製する工程と、（３）と工程（４）とを順次経て発光部材を作製する工程と、さらに（５）〜（９）とを順次経る工程とを具備したことで、反射部材をＳｉ基板上に作製することでＧａＡｓ基板の仕様をなくすことができ、これにより、放熱性に優れたＳｉ基板を用いることで、活性層で発生した熱を直ちに外部に放熱でき、その結果、素子の動作が安定になる。
【００２８】
しかも、本発明の面発光レーザの製造方法によれば、上述したようにウェハ上に複数の素子を形成し、ついで各素子に対し動作検査をおこない、しかる後に、上記ウェハをダイシングして複数の素子を得る工程を経ることで、量産性を高め、これによって製造コストを下げ、安価な面発光レーザが提供できる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の面発光レーザの製造方法を図面にて詳述する。
本発明によれば、（１）を経て一方の反射構造体を作製する工程と、（２）を経て他方の反射構造体を作製する工程と、（３）と工程（４）とを順次経て発光部材を作製する工程と、さらに（５）〜（９）とを順次経る工程とを具備することで、面発光レーザが得られる。
【００３０】
つぎに各工程を詳しく述べる。
【００３１】
工程（１）：
ｎ型導電性のＳｉ基板上にＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層とを交互に積層してなる周期構造を形成し、これにより、一方の反射構造体を作製する。
【００３２】
図１は一方の反射構造体１を示す断面図である。
Ｓｉ基板２上に反射構造を作製するが、この一方の反射構造体１の反射構造３によれば、ＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層の周期構造からなる。そして、本発明においては、かかる周期として、光を外部に取り出す側にて、活性層を挟んで対抗する反射構造の周期よりも少なくすることが好ましい。
【００３３】
また、ＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層の厚みは媒質中でのレーザ光の波長λに対し、それぞれ略λ／４にするとよい。
【００３４】
このようにＳｉ基板２上のＧａＡｓ系半導体を形成するには、たとえば、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法や分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法を用いるとよい。
【００３５】
そして、このＧａＡｓ系半導体の欠陥密度は５ｘ１０ｅ６／ｃｍ２であってもよい。しかしながら、この欠陥密度によれば、光素子や電子素子の活性層として用いる場合において、素子の特性を悪化させる原因になる。
【００３６】
本発明者が繰り返しおこなった実験によれば、一方の反射構造体１の反射構造３として用いるのであれば、かかる欠陥は光のサイズの１００分の１以下であり、そのために、反射特性には影響を及ぼさないことを確認した。
【００３７】
工程（２）：
ｐ型もしくはｎ型の導電性のＳｉ基板上にＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層とを交互に積層してなる周期構造を形成し、これにより、他方の反射構造体を作製する。
【００３８】
図２は他方の反射構造体４を示す断面図である。
Ｓｉ基板５上に反射構造を作製するが、この他方の反射構造体の反射構造６もＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層の周期構造からなり、そして、かかる周期として、光を外部に取り出す側にて、活性層を挟んで対抗する反射構造の周期よりも少なくするとよい。
【００３９】
同様にＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層の厚みは媒質中でのレーザ光の波長λに対し、それぞれ略λ／４にするとよく、これらの層は、たとえば、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法や分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法を用いるとよい。
【００４０】
また、このＧａＡｓ系半導体の欠陥密度は５ｘ１０ｅ６／ｃｍ２であってもよく、他方の反射構造体の反射構造６として用いるのであれば、かかる欠陥は光のサイズの１００分の１以下であり、そのために、反射特性には影響を及ぼさないことを確認した。
【００４１】
そして、他方の反射構造体４については、反射構造６の上部には酸化狭窄層となるＡｌＧａＡｓ層７を形成し、さらにキャップ層としてＧａＡｓ層８を被膜するとよい。
【００４２】
工程（３）：
ＩｎＰ基板上に、ｎ型導電性のＩｎＧａＡｓＰクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ活性層、ｐ型導電性のＩｎＧａＡｓＰクラッド層とを順次形成する。
【００４３】
図３は発光部材９の形成前を示す断面図である。
ＩｎＰ基板１０上に形成される活性層１１はＩｎＧａＡｓＰ層であって、この活性層１１はＩｎＧａＡｓＰ単層でもよいが、発光の効率を上げるには、量子井戸構造または長格子構造を形成することが好ましい。
【００４４】
この活性層１１は、該活性層１１に比べてよりバンドギャップが大きいクラッド層に挟まれており、キャリアはこのクラッド層によって活性層１１内に閉じ込められる。活性層１１とそれを挟むクラッド層の全体の厚みは、内部で発光する光の波長λの半分の奇数倍にするとよい。
【００４５】
また、外部からの電流注入によってレーザ動作させる素子（面発光レーザ）では、ｐ型半導体およびｎ型半導体からなるクラッド層で挟まれた活性層については、不純物を添加していないか、ｐ型にドープされていることが好ましい。
【００４６】
さらにまた、エッチングによっても容易にＩｎＰ基板１０を除去できるように、活性層１１とＩｎＰ基板１０の間に選択エッチング層１３を形成するとよい。
【００４７】
工程（４）：
ＩｎＰ基板１０上の前記活性層１１をフォトリソグラフィ工程によりメサエッチングする。
【００４８】
図４はかかるメサエッチング後の発光部材１２を示す断面図である。
【００４９】
工程（５）：
発光部材１２と工程（１）にて作製した一方の反射構造体１とを貼りつけ、ＩｎＰ基板１０を除去する。
【００５０】
詳細には、図５に示すごとく、活性層１１と一方の反射構造体の反射構造３とを貼り合わせる際には、表面の酸化膜をエッチングによって除去し、そして、貼り合わせ、しかる後に圧着した状態で、熱処理をおこなう。
【００５１】
この熱処理には４００℃以上の温度でもって３０分間以上おこなう。このように高温に加熱することで、界面原子の再配列が進行し、これによって、界面抵抗を減少させる。
【００５２】
なお、工程（６）にて、発光部材と他方の反射構造体とを貼りつけるために、さらに熱処理が必要であることで、本工程においては、仮止めという点で、３００−４００℃にて加熱してもよい。
【００５３】
このような貼り合わせの後に、ＩｎＰ基板１０を除去する。
【００５４】
図６はかかる基板除去した構成の断面図である。
【００５５】
この除去には、研磨にておこなってもよいが、その他、下記のような作業をおこなってもよい。
すなわち、エッチングによっても容易に基板を除去でき、その除去工程によれば、先ずＩｎＰ基板１０上に活性層１１活性層を作製する際に、活性層１１とＩｎＰ基板１０の間にＩｎＡｌＧａＡｓＰまたはＩｎＧａＡｓからなる選択エッチング層１３を形成し、次に活性層１１のうち所要な部分を残してメサエッチングにより除去し、選択エッチング層１３を露出させる。
【００５６】
ＩｎＰ基板１０上の活性層１１を反射構造に貼りつけると、メサの上面のみが接合している状態になる。選択エッチング層１３をエッチャント浸漬すると、メサ以外の部分にエッチャントが回り込み、よって短時間にＩｎＰ基板１０を容易に分離することができる。なお、ＩｎＰ基板１０は再度利用することができる。
【００５７】
工程（６）：
発光部材１２と他方の反射構造体４とを貼りつけ、この他方の反射構造体４のＳｉ基板５を除去する。
【００５８】
図７はかかる貼り合わせ構造を示す断面図である。
【００５９】
この貼り合わせには、熱処理をおこなう。前述したごとく、熱処理温度は高いほど界面抵抗を下げることができるが、しかしながら、７５０℃以上の温度になると界面以外の原子も再配列が起き、これにより、活性層に量子井戸や超格子を用いてる場合には発光強度が低下することで、７５０℃以下で処理することが好ましい。
【００６０】
その後、他方の反射構造体４のＳｉ基板５（光を取出す出射側のＳｉ基板）を除去する。この除去には研磨によりおこなう。
【００６１】
図８はＳｉ基板５を除去した後における工程（７）に述べるエッチング処理後の構成を示す。
【００６２】
工程（７）：
前工程により得られた貼りつけ構造に対し酸化狭窄層１４を形成する。
【００６３】
このような酸化狭窄層１４については、他方の反射構造体４の反射構造６や酸化狭窄層となるＡｌＧａＡｓ層７をエッチングして、各素子単位を形成するとともに、形成すればよい。
【００６４】
工程（８）：
前工程により得られた貼りつけ構造に対し絶縁膜１５を被着する。
【００６５】
図９は工程（７）と工程（８）を経た後の構成を示す。
【００６６】
工程（９）：
前工程により得られた貼りつけ構造に対し電極１６、１７を形成する。
【００６７】
かくして本発明の面発光レーザの製造方法によれば、上述した各工程（１）〜（９）とを経ることで、反射部材をＳｉ基板上に作製することで、従来のごときＧａＡｓ基板の仕様をなくすことができ、これにより、放熱性に優れたＳｉ基板を用いることで、活性層で発生した熱を直ちに外部に放熱でき、その結果、素子の動作が安定になった。
【００６８】
つぎに実施例を述べる。
【００６９】
工程（１）：
ｎ型のＳｉ基板２上にＭＯＣＶＤ装置を用いてＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層の周期構造を作製し、反射構造３を作製した。それぞれの膜厚は媒質中の波長の４分の１である。周期数は４０である。いずれの層にもＳｉを１ｘ１０ｅ１８／ｃｍ２の濃度でドーピングしｎ型としている。
【００７０】
工程（２）：
ｐ型もしくはｎ型の導電性のＳｉ基板上にＭＯＣＶＤ装置を用いてＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層とを交互に積層してなる周期構造を形成し、これにより、他方の反射構造体４を作製する。
【００７１】
それぞれの膜厚は媒質中の波長の４分の１であって、周期数は２５である。いずれの層にもＺｎを１ｘ１０ｅ１８／ｃｍ２の濃度でドーピングし、ｐ型にする。反射構造の上部には酸化狭窄層となるＡｌＧａＡｓ層７を形成し、さらにキャップ層としてＧａＡｓ層８で覆った。
【００７２】
工程（３）：
ＩｎＰ基板上に、ｎ型導電性のＩｎＧａＡｓＰクラッド層、ＩｎＧａＡｓ活性層、ｐ型導電性のＩｎＧａＡｓＰクラッド層とを順次形成する。
【００７３】
ＩｎＰ基板１０の上に、ｎ型のＩｎＧａＡｓＰクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ活性層、ｐ型のＩｎＧａＡｓＰクラッド層を形成した。上下のクラッド層の厚みを略等しくし、活性層を略中心に配置した。これは内部で共振された光が低在波を作り、その低在波の腹の部分に活性層を配置することで光の増幅効果が大きいからである。またＩｎＰ基板１０と下部ＩｎＧａＡｓＰクラッド層の間には、ＩｎＡｌＧａＡｓＰからなる選択エッチング層１３を配置した。
【００７４】
工程（４）：
ＩｎＰ基板１０上の前記活性層１１をフォトリソグラフィ工程によりメサエッチングする。
【００７５】
本例によれば、このフォトリソグラフィ工程によりメサエッチングについては、その径を２０ミクロンにした。メササイズは３０ミクロン以上であれば、以下の工程（７）に記した酸化狭窄工程にて狭窄径の制御が困難になる傾向にある。よって、このためメササイズは３０ミクロン以下にするとよい。好適には２５ミクロン以下にするとよい。
【００７６】
工程（５）：
発光部材１２と工程（１）にて作製した一方の反射構造体１とを貼りつけ、ＩｎＰ基板１０を除去する。
【００７７】
貼り合せ前に表面を硫酸系エッチャントでライトエッチングし、清浄表面を得た。３０ｇ／ｃｍ２の強度で貼り合せた状態において、４００℃にて３０分間の熱処理をおこなった。そして、室温まで冷却後にＩｎＡｌＧａＡｓＰ層を選択エッチングし、ＩｎＰ基板１０を除去した。
【００７８】
工程（６）：
発光部材１２と他方の反射構造体４とを貼りつけ、この他方の反射構造体４のＳｉ基板５を除去する。
【００７９】
この貼りつけについては、熱処理は６５０℃で３０分間行った。室温まで冷却した後にＳｉ基板５を研磨により除去した。
【００８０】
工程（７）：
前工程により得られた貼りつけ構造に対し酸化狭窄層１４を形成する。
【００８１】
このような酸化狭窄層１４については、他方の反射構造体４の反射構造６や酸化狭窄層となるＡｌＧａＡｓ層７をエッチングして、各素子単位を形成するとともに、形成すればよい。
【００８２】
酸化狭窄層１４の形成については、まず水を９５度まで加熱し、窒素をバブリングした。４５０℃で熱処理を行い、先の水蒸気を含んだ窒素ガスを導入した。メサの周囲から酸化が進み、中心の４ミクロン径が酸化されずに残った。
【００８３】
工程（８）：
前工程により得られた貼りつけ構造に対し、ポリイミド絶縁膜による絶縁膜１５を被着する。メサ上部の外部取出し電極がコンタクトする部分のみ開口させた。
【００８４】
工程（９）：
前工程により得られた貼りつけ構造に対し電極１６、１７を形成する。
【００８５】
表面側金属電極をリフトオフ法により形成した。さらに裏面側電極を全面に形成した。さらにオーミックアニールを行った。
【００８６】
実際の製造においては、ウェハ上に複数の素子を形成し、ついで各素子に対し動作検査をおこない、しかる後に、このウェハをダイシングして各面発光レーザとしての複数の素子を得る工程を経る。
【００８７】
【発明の効果】
以上のとおり、本発明の面発光レーザの製造方法によれば、（１）を経て一方の反射構造体を作製する工程と、（２）を経て他方の反射構造体を作製する工程と、（３）と工程（４）とを順次経て発光部材を作製する工程と、さらに（５）〜（９）とを順次経る工程とを具備したことで、反射部材をＳｉ基板上に作製することでＧａＡｓ基板の仕様をなくすことができ、これにより、放熱性に優れたＳｉ基板を用いることで、活性層で発生した熱を直ちに外部に放熱でき、その結果、素子の動作が安定になった。
【００８８】
また、本発明の面発光レーザの製造方法によれば、上述したようにウェハ上に複数の素子を形成し、ついで各素子に対し動作検査をおこない、しかる後に、上記ウェハをダイシングして複数の素子を得る工程を経ることで、量産性を高め、これによって製造コストを下げ、安価な面発光レーザが提供できた。
【図面の簡単な説明】
【図１】一方の反射構造体を示す断面図である。
【図２】他方の反射構造体を示す断面図である。
【図３】発光部材の形成前を示す断面図である。
【図４】メサエッチング後の発光部材を示す断面図である。
【図５】発光部材と一方の反射構造体とを貼りつけた構造を示す断面図である。
【図６】発光部材と一方の反射構造体とを貼りつけた構造に対しＩｎＰ基板を除去した構成の断面図である。
【図７】発光部材と他方の反射構造体とを貼り合わせ構造を示す断面図である。
【図８】発光部材と他方の反射構造体とを貼り合わせ構造に対しエッチング処理した構成を示す断面図である。
【図９】貼りつけ構造に対し絶縁膜を被着した構成を示す断面図である。
【図１０】貼りつけ構造に対し電極を被着した構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１・・・一方の反射構造体
２、５・・・Ｓｉ基板
３、６・・・反射構造
４・・・他方の反射構造体
７・・・酸化狭窄層（ＡｌＧａＡｓ層）
８・・・キャップ層（ＧａＡｓ層）
９、１２・・・発光部材
１０・・・ＩｎＰ基板
１１・・・活性層
１３・・・選択エッチング層
１４・・・酸化狭窄層
１５・・・絶縁膜
１６、１７・・・電極
【図１】
2004152951.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2004152951.tif 000007
【図６】
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【図７】
2004152951.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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