(57)【要約】【課題】垂直転送部の不要な電荷の排出が容易であり、フレームレートの向上などが可能な固体撮像装置およびその駆動方法を提供する。【解決手段】基板１と、基板１に行方向および列方向に配列して形成された光電変換部１１と、光電変換部１１と隣接する領域において、光電変換部１１の列方向の配列に対応して基板１に形成された垂直転送部１３と、垂直転送部１３の一方の側であって光電変換部１１が形成されている領域の反対側の領域において、垂直転送部１３に対応して基板１に形成された電荷排出部１５とを有する。電荷排出部１５は、垂直転送部１３に存在する電荷を直接排出できる。【選択図】          図１
2004350065.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に行方向および列方向に配列して形成され、光を変換して電荷を生成する光電変換部と、
前記光電変換部と隣接する領域において、前記光電変換部の列方向の配列に対応して前記基板に形成され、前記光電変換部で生成された電荷を列方向に転送する垂直転送部と、
前記垂直転送部の一方の側であって前記光電変換部が形成されている領域の反対側の領域において、前記垂直転送部に対応して前記基板に形成され、前記垂直転送部に存在する電荷を排出する電荷排出部と、
を有する固体撮像装置。
【請求項２】
前記電荷排出部は、前記垂直転送部が形成されている領域の全長に渡って形成されている
請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記光電変換部が配列された列方向の端部の前記基板に形成され、前記垂直転送部が転送する電荷を行方向に転送する水平転送部を有し、
前記垂直転送部が前記水平転送部へ所定の電荷を転送した後に、前記電荷排出部は、前記垂直転送部に残存する電荷を排出する
請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項４】
基板に行方向および列方向に配列して形成されている光電変換部で光を変換して電荷を生成する光電変換工程と、
前記生成された電荷を垂直転送部で列方向に転送する垂直転送工程と、
前記垂直転送部に存在する電荷を前記垂直転送部から直接に電荷排出部へ排出する電荷排出工程と、
を有する固体撮像装置の駆動方法。
【請求項５】
前記電荷排出工程において、前記垂直転送工程の後に前記垂直転送部に残存する電荷を前記電荷排出部へ排出する
請求項４記載の固体撮像装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は固体撮像装置およびその駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）などの固体撮像装置は、家庭用をはじめ、産業用、医療用など多様な用途で広く利用されている。
【０００３】
図８は、従来のインターライン転送方式のＣＣＤ固体撮像装置の概略平面図を示す。基板１０１の撮像部１０２には、光電変換部１１１、読み出し用ゲート部１１２、垂直転送部１１３が形成されている。光電変換部１１１は、行方向および列方向に配列して形成され、それぞれの光電変換部１１１には、読み出し用ゲート部１１２が形成されている。そして、垂直転送部１１３は、読み出し用ゲート部１１２を介して光電変換部１１１と隣接する領域において、光電変換部１１１の列方向の配列に対応して、基板１０１に形成されている。また、撮像部１０２の一端であって、光電変換部１１１が配列された列方向の端部の基板１０１には、水平転送部１０３が形成されている。そして、水平転送部１０３の一端には、出力部１０４が形成されている。
【０００４】
図９は、図８に示すＣＣＤ固体撮像装置の撮像部１０２のＡ−Ｂで切断した概略断面図である。前述したように撮像部１０２には、光電変換部１１１、読み出し用ゲート部１１２、垂直転送部１１３が形成されており、これらを挟むようにして素子分離部１１６が形成されている。
【０００５】
光電変換部１１１は、第１のｐ型ウェル１２１と、ｎ型半導体層１７１と、高濃度のｐ型半導体層１７２とを有する。第１のｐ型ウェル１２１は、ｎ型半導体の基板１０１に形成されており、ｎ型半導体層１７１は、第１のｐ型ウェル１２１の中に形成されている。そして、高濃度のｐ型半導体層１７２が、ｎ型半導体層１７１の基板１０１の表面に形成されている。第１のｐ型ウェル１２１とｎ型半導体層１７１とのｐｎ接合でホトダイオードが形成されており、光電変換部１１１は、受光した光をこのホトダイオードで変換して電荷を生成し、その生成した電荷を一定期間蓄積する。
【０００６】
読み出し用ゲート部１１２は、それぞれの光電変換部１１１に隣接して形成されている。垂直転送部１１３は、読み出し用ゲート部１１２を介して光電変換部１１１と隣接する領域において、基板１０１に形成されている。垂直転送部１１３は、ｎ型埋め込みチャネル層１３２と、第２のｐ型ウェル１３１と、転送電極１８１とを有する。ｎ型埋め込みチャネル層１３２は、第１のｐ型ウェル１２１の表面に形成されており、第２のｐ型ウェル１３１は、ｎ型埋め込みチャネル層１３２の下の、第１のｐ型ウェル１２１の内部に形成されている。そして、転送電極１８１が、ｎ型埋め込みチャネル層１３２の上に、第１絶縁層１６１を介して形成されている。
【０００７】
素子分離部１１６は、垂直転送部１１３と隣の列の光電変換部１１１との間の第１のｐ型ウェル１２１の表面に形成され、高濃度のｐ型の素子分離領域１５１を有する。
【０００８】
そして、遮光膜１９１が、読み出し用ゲート部１１２、垂直転送部１１３、素子分離部１１６を覆うようにして第２絶縁層１６２の上に形成されている。光電変換部１１１が形成されている領域においては、遮光膜１９１がなく、開口部１７３が形成され、光電変換部１１１が受光できるように構成されている。光電変換部１１１、読み出し用ゲート部１１２、垂直転送部１１３、素子分離部１１６が形成された基板１０１の表面には、平坦化膜（図示無し）が形成されている。そして、平坦化膜の光電変換部１１１に対応する領域にオンチップカラーフィルター（図示なし）が形成され、オンチップカラーフィルターの上にオンチップレンズ（図示なし）が形成されている。
【０００９】
上記のＣＣＤ固体撮像装置において、光電変換部１１１は、光電変換期間内に受光した光をホトダイオードで変換して電荷を生成し、その生成した電荷を蓄積する。そして、転送期間内に、転送電極１８１に所定の電圧が印加され、光電変換部１１１が生成した電荷を、読み出し用ゲート部１１２を介して垂直転送部１１３にフィールドシフトして読み出す。そして、垂直転送部１１３は、シフトされた電荷を、たとえば、４相駆動により一方の列方向に並列して逐次転送する。垂直転送部１１３の最端部に転送された１列分の電荷は、垂直転送部１１３から水平転送部１０３へラインシフトして送られる。そして、水平転送部１０３は、垂直転送部１１３からの１列分の電荷を、たとえば、２相駆動により一方の行方向に逐次転送する。そして、水平転送部１０３が転送した電荷を、時系列的な画像信号として、出力部１０４により外部へ出力する。
【００１０】
ＣＣＤ固体撮像装置は、上記のように、光である画像情報を光電変換部１１１で受けて電荷を生成して出力する装置であり、画像情報を正確に高画質で出力することが要求されている。ＣＣＤ固体撮像装置において、画像情報を誤出力する現象として、たとえば、スミアがある。スミアは、垂直方向に縞状の明るい帯ができる現象であり、垂直転送部１１３を通して電荷を出力することに起因する。
【００１１】
垂直転送部１１３は、遮光部１９１により光が遮られているが、反射光の散乱による側面からの混入など、光の混入を完全に避けることは困難な構造となっている。このため、垂直転送部１１３に混入した場合、垂直転送部１１３でスミア電荷が生成される。そして、垂直転送部１１３が転送した電荷とスミア電荷とが重畳して、スミアが発生する。
【００１２】
スミア電荷など不要な電荷に起因する誤出力を防止するため、メカニカルシャッターを用いて遮光する技術がある。その他に、通常転送後に不要な電荷を転送して掃き出す方法や、水平転送部にドレインを形成してスミア電荷などの不要な電荷を排出する方法など、さまざまな提案がされている（たとえば、特許文献１参照）。
【００１３】
【特許文献１】
特開２００１−１４８８０９号公報（ｐ４〜６、図１など）
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、メカニカルシャッターを用いて遮光する技術は、部品数の削減によるコストダウンや製造効率の向上、その他、装置小型化などの達成のため、メカニカルシャッターを採用することが困難な場合が多い。また、メカニカルシャッターは、静止画用途に適用され、動画用途では適用できない。
【００１６】
また、通常転送後に不要な電荷を高速転送して掃き出す方法や、水平転送部にドレインを形成して不要電荷を排出する方法は、高輝度の光が照射されるなど不要な電荷が多く存在する際には、不要電荷を完全に転送して排出することができない場合や、不要電荷の転送期間中にも垂直転送部にスミア電荷などが発生する場合があり、十分な効果が得られなかった。また、この方法は、通常の転送期間以外にも不要電荷を排出するための転送期間が必要であるため、フレームレートが遅延し、特に、不要電荷が多い場合は、電荷転送に大きな駆動力が必要であるために、消費電力が増大するなどの問題が発生する。
【００１７】
以上のように、従来においては、垂直転送部に存在する不要な電荷をなくす場合、コストダウン、製造効率向上などを実現することが困難となっていた。また、従来においては、垂直転送部に存在する不要な電荷を排出することが容易ではなく、フレームレートの遅延、消費電力の増大などの問題を生じていた。
【００１８】
したがって、本発明は、垂直転送部に存在する不要な電荷を排出することが容易であり、その結果、フレームレートの向上、消費電力の低下、コストダウン、製造効率向上などが実現可能な固体撮像装置およびその駆動方法を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明の固体撮像装置は、基板と、前記基板に行方向および列方向に配列して形成され、光を変換して電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部と隣接する領域において、前記光電変換部の列方向の配列に対応して前記基板に形成され、前記光電変換部で生成された電荷を列方向に転送する垂直転送部と、前記垂直転送部の一方の側であって前記光電変換部が形成されている領域の反対側の領域において、前記垂直転送部に対応して前記基板に形成され、前記垂直転送部に存在する電荷を排出する電荷排出部と、を有する。
【００２０】
以上の本発明において、光電変換部は受光した光を変換して電荷を生成し、光電変換部が生成した電荷を、垂直転送部は列方向に転送する。ここで、垂直転送部に対応して形成されている電荷排出部は、それぞれ、垂直転送部に存在する電荷を排出する。
【００２１】
本発明の個体撮像装置の駆動方法は、基板に行方向および列方向に配列して形成されている光電変換部で光を変換して電荷を生成する光電変換工程と、前記生成された電荷を垂直転送部で列方向に転送する垂直転送工程と、前記垂直転送部に存在する電荷を前記垂直転送部から直接に電荷排出部へ排出する電荷排出工程と、を有する。
【００２２】
以上の本発明において、光電変換工程では、光電変換部で受光した光を変換して電荷を生成する。そして、垂直転送工程では、光電変換部が生成した電荷を垂直転送部が列方向に転送する。次いで、電荷排出工程では、垂直転送部に存在する電荷を電荷排出部へ直接に排出する。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態の一例について添付図面を参照して説明する。
【００２４】
図１は、本発明の実施形態におけるインターライン転送方式のＣＣＤ固体撮像装置の概略平面図を示す。基板１の撮像部２には、光電変換部１１、読み出し用ゲート部１２、垂直転送部１３、排出用ゲート部１４、電荷排出部１５が形成されている。
【００２５】
光電変換部１１は、行方向および列方向に配列して形成され、それぞれの光電変換部１１には、読み出し用ゲート部１２が形成されている。そして、垂直転送部１３は、読み出し用ゲート部１２を介して光電変換部１１と隣接する領域において、光電変換部１１の列方向の配列に対応して、基板１に形成されている。電荷排出部１５は、垂直転送部１３の一方の側であって光電変換部１１が形成されている領域の反対側の領域において、垂直転送部１３に対応して基板１に形成されている。この電荷排出部１５は、垂直転送部１３が形成されている領域の全長に渡って形成されている。また、撮像部２の一端であって、光電変換部１１が配列された列方向の端部の基板１には、水平転送部３が形成されている。そして、水平転送部３の一端には、出力部４が形成されている。
【００２６】
図２は、図１に示すＣＣＤ固体撮像装置の撮像部２のＡ−Ｂで切断した概略断面図である。撮像部２には、光電変換部１１、読み出し用ゲート部１２、垂直転送部１３、排出用ゲート部１４、電荷排出部１５が形成されており、これらを挟むようにして素子分離部１６が形成されている。
【００２７】
光電変換部１１は、第１のｐ型ウェル２１と、ｎ型半導体層７１と、高濃度のｐ型半導体層７２とを有する。第１のｐ型ウェル２１は、ｎ型シリコン半導体の基板１に形成されており、ｎ型半導体層７１は、第１のｐ型ウェル２１の中に形成されている。そして、高濃度のｐ型半導体層７２が、ｎ型半導体層７１の基板１の表面に形成されている。第１のｐ型ウェル２１とｎ型半導体層７１とのｐｎ接合でホトダイオードが形成されており、光電変換部１１は、受光した光をこのホトダイオードで変換して電荷を生成し、その生成した電荷を一定期間蓄積する。ホトダイオードの界面が空乏化して暗電流が発生することを抑制するために、ホトダイオードの基板１の表面に高濃度のｐ型半導体層７２が形成され、ホトダイオードを埋め込み構造としている。
【００２８】
読み出し用ゲート部１２は、それぞれの光電変換部１１に隣接して形成されている。垂直転送部１３は、読み出し用ゲート部１２を介して光電変換部１１と隣接する領域において、基板１０１に形成されている。垂直転送部１３は、ｎ型埋め込みチャネル層３２と、第２のｐ型ウェル３１と、転送電極８１とを有する。ｎ型埋め込みチャネル層３２は、第１のｐ型ウェル２１の表面に形成されており、第２のｐ型ウェル３１は、ｎ型埋め込みチャネル層３２の下の、第１のｐ型ウェル２１の内部に形成されている。そして、ポリシリコンなどの転送電極８１が、ｎ型埋め込みチャネル層３２の上に、酸化シリコンなどの第１絶縁層６１を介して形成されている。転送電極８１は、隣接する別の転送電極（図示なし）と、絶縁層を介して一部が重なり合うようにして列方向に交互に形成されている。
【００２９】
排出用ゲート部１４は、それぞれの垂直転送部１３に隣接して形成されている。電荷排出部１５は、垂直転送部１３の一方の側であって、光電変換部１１が形成されている領域と反対側の領域において、排出用ゲート部１４を介した基板１に形成されている。電荷排出部１５は、電荷排出層４２と、第３のｐ型ウェル４１と、排出電極８２とを有する。電荷排出層４２は、第１のｐ型ウェル２１の表面に形成されており、第３のｐ型ウェル４１は、電荷排出層４２の下の、第１のｐ型ウェル２１の内部に形成されている。そして、ポリシリコンなどの排出電極８２が、電荷排出層４２の上に、第１絶縁層６１を介して形成されている。
【００３０】
素子分離部１６は、電荷排出部１５と別の列の光電変換部１１との間の第１のｐ型ウェル２１の表面に形成され、高濃度のｐ型の素子分離領域５１を有する。
【００３１】
そして、タングステンなどの遮光膜９１が、読み出し用ゲート部１２、垂直転送部１３、素子分離部１６を覆うようにして、第２絶縁層６２を介して形成されている。光電変換部１１が形成されている領域においては、遮光膜９１がなく、開口部７３が形成され、光電変換部１１が受光できるように構成されている。光電変換部１１、読み出し用ゲート部１２、垂直転送部１３、素子分離部１６が形成された基板１の表面には、平坦化膜（図示無し）が形成されている。そして、平坦化膜の光電変換部１１に対応する領域にオンチップカラーフィルター（図示なし）が形成され、オンチップカラーフィルターの上にオンチップレンズ（図示なし）が形成されている。
【００３２】
つぎに、本実施形態における上記の固体撮像装置の製造方法について、図２〜図５を用いて説明する。図２〜図５は、図１の撮像部２のＡ−Ｂ断面における各工程を示す概略断面図である。
【００３３】
まず、図３に示すように、ｎ型シリコン半導体の基板１の撮像部２の全面に、イオン注入法などによりｐ型不純物を所定の条件で注入して、第１のｐ型ウェル２１を形成する。
【００３４】
つぎに、図４に示すように、垂直転送部１３の形成領域に、イオン注入法などにより、ｐ型不純物を第１のｐ型ウェル２１より浅くなるような所定の条件で注入して、第２のｐ型ウェル３１を形成する。また、第２のｐ型ウェル３１が形成された垂直転送部１３の形成領域に、イオン注入法などにより、ｎ型不純物を第２のｐ型ウェル３１より浅くなるような所定の条件で注入して、ｎ型埋め込みチャネル層３２を形成する。
【００３５】
そして、電荷排出部１５の形成領域に、イオン注入法などにより、ｐ型不純物を第１のｐ型ウェル２１より浅くなるような所定の条件で注入して、第３のｐ型ウェル４１を形成する。また、第３のｐ型ウェル４１が形成された電荷排出部１５の形成領域に、イオン注入法などにより、ｎ型不純物を第３のｐ型ウェル４１より浅くなるような所定の条件で注入して、電荷排出層４２を形成する。
【００３６】
そして、素子分離部１６の形成領域に、イオン注入法などにより、ｐ型不純物を第１のｐ型ウェル２１より高濃度となる所定の条件で注入して、素子分離領域５１を形成する。
【００３７】
つぎに、図５に示すように、第１のｐ型ウェル２１などが形成された基板１の全面に、熱酸化法により、酸化シリコンの第１絶縁層６１を形成する。
【００３８】
そして、読み出し用ゲート部１２および垂直転送部１３の形成領域に、第１絶縁層６１を介して、ポリシリコンなどの転送電極８１をパターン加工して形成する。この転送電極８１と隣接する別の転送電極（図示なし）とを絶縁層を介して一部が重なり合うようにして、交互に列方向に形成する。また、排出用ゲート部１２、電荷排出部１３、素子分離部の形成領域に、第１絶縁層６１を介して、ポリシリコンの排出電極８２をパターン加工して形成する。
【００３９】
つぎに、図６に示すように、光電変換部１１の形成領域に、たとえば、転送電極８１と排出電極８２とを自己整合的なマスクとし、イオン注入法によりｎ型不純物を所定の条件で注入して、第１のｐ型ウェル２１内にｎ型半導体層７１を形成する。その後、ｎ型半導体層７１が形成された光電変換部１１の形成領域に、たとえば、転送電極８１と排出電極８２とを自己整合的なマスクとし、イオン注入法によりｐ型不純物を所定の条件で注入して、高濃度のｐ型半導体層７２を形成する。そして、基板１の全面に酸化シリコンの第２絶縁層６２を被覆して形成する。
【００４０】
つぎに、図２に示すように、タングステンなどの遮光膜９１を、読み出し用ゲート部１２、垂直転送部１３、素子分離部１６を覆うようにして、第２絶縁層６２を介して形成する。遮光膜９１は、第２絶縁層にタングステンなどをＣＶＤ法などにより堆積後、光電変換部１１の形成領域に開口部７３をパターン加工して形成され、光電変換部１１が受光できるように構成される。
【００４１】
そして、光電変換部１１、読み出し用ゲート部１２、垂直転送部１３、素子分離部１６が形成された基板１の表面に、平坦化膜（図示無し）を形成する。さらに、平坦化膜の光電変換部１１に対応する領域にオンチップカラーフィルター（図示なし）を形成し、オンチップカラーフィルターの上にオンチップレンズ（図示なし）を形成する。
【００４２】
本実施形態の上記のＣＣＤ固体撮像装置における駆動方法の一例について、以下に示す。本実施形態のＣＣＤ固体撮像装置の駆動方法は、基板１に行方向および列方向に配列して形成されている光電変換部１１で光を変換して電荷を生成する光電変換工程と、生成された電荷を垂直転送部１３で列方向に転送する垂直転送工程と、垂直転送部１３が転送する電荷を水平転送部で行方向に転送する水平転送工程と、垂直転送部１３に存在する電荷を垂直転送部１３から直接に電荷排出部１５へ排出する電荷排出工程と、を有する。
【００４３】
図７は、駆動方法のタイミングを示す図であり、図７の（ａ）は本実施形態の場合であり、図７の（ｂ）は従来の場合である。本実施形態の駆動方法は、たとえば、図７の（ａ）に示すように、光電変換期間Ｔａ１中に光電変換工程を実施した後、通常転送期間Ｔａ２中に垂直転送工程と水平転送工程とを実施する。そして、通常転送期間Ｔａ２の後の電荷排出期間Ｔａ３中に、電荷排出工程を実施する。
【００４４】
一方、従来においては、図７の（ｂ）に示すように、光電変換期間Ｔｂ１中に光電変換工程を実施し、その後、通常転送期間Ｔｂ２中に垂直転送工程と水平転送工程とを実施する。そして、転送掃き出し期間Ｔｂ３中に、垂直転送部に存在する不要な電荷を、通常転送と同様な駆動方法により、垂直転送部および水平転送部を用いて転送して掃き出す。
【００４５】
図１および図２を用いて、本実施形態の駆動方法の各工程について、説明する。光電変換工程おいては、光電変換期間Ｔａ１に、光電変換部１１が、受光した光をホトダイオードで変換して電荷を生成し、その生成した電荷を蓄積する。
【００４６】
垂直転送工程においては、通常転送期間Ｔａ２に転送電極８１へ所定の電圧が印加され、光電変換部１１が生成した電荷を、読み出し用ゲート部１２を介して垂直転送部１３にフィールドシフトさせて読み出す。そして、垂直転送部１３は、そのシフトされた電荷を、たとえば、４相駆動により一方の列方向に並列して逐次転送する。垂直転送部１３の最端部に転送された１列分の電荷は、垂直転送部１３から水平転送部３へラインシフトして送られる。そして、水平転送工程において、水平転送部３が、垂直転送部１３からの１列分の電荷を、たとえば、２相駆動により一方の行方向に逐次転送する。そして、水平転送部３が転送した電荷を、時系列的な画像信号として、出力部４により外部へ出力する。
【００４７】
電荷排出工程においては、電荷排出期間Ｔａ３に、排出電極８２へ所定の電圧が印加され、垂直転送部１１に残存する電荷を、排出用ゲート部１４を介して電荷排出部１５にシフトさせて排出する
【００４８】
以上のように、本実施形態において、光電変換部は受光した光を変換して電荷を生成し、光電変換部が生成した電荷を、垂直転送部は列方向に転送する。そして、電荷排出部は、垂直転送部に存在する電荷を排出する。この電荷排出部は、垂直転送部が形成されている領域の全長に渡って、垂直転送部に対応してそれぞれ形成され、垂直転送部に存在する電荷を排出できる。一方、従来においては、垂直転送部に存在する電荷を通常転送と同様な駆動方法により、不要な電荷を掃き出す。このため、図７に示すように、本実施形態の電荷排出期間Ｔａ３においては、垂直転送部に存在する電荷を、通常転送、すなわち、垂直転送と水平転送とをしないで排出できるため、従来の転送掃き出し期間Ｔｂ３よりも短時間に垂直転送部の不要な電荷を容易に無くすことができる。また、本実施形態は、大きな駆動力が必要な垂直転送および水平転送をしないで、垂直転送部に存在する電荷を無くすことができるため、低消費電力化が容易にできる。
【００４９】
また、垂直転送部が水平転送部へ所定の電荷を転送した後に、電荷排出部が、垂直転送部に存在する電荷を直接に排出することで、通常転送後に発生した不要な電荷の除去を、短時間に低消費電力で実施できる。
【００５０】
したがって、本実施形態においては、短時間に垂直転送部に存在する電荷を無くすことができるため、フレームレートの向上、消費電力の低下が可能である。また、本実施形態は、メカニカルシャッターなどを使用しなくても不要な電荷を無くすことができるため、部品点数の削減ができ、コストダウン、製造効率向上などが実現できる。
【００５１】
なお、本発明の実施に際しては、上記した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形形態を採用することできる。
【００５２】
たとえば、撮像部の一部の所定領域のみを利用する場合などは、垂直転送部が列方向へ転送する前に、利用する所定領域外の領域の電荷排出部が、垂直転送部に存在する電荷を直接排出してもよい。利用しない領域の垂直転送部の電荷を排出し、利用する所定領域の電荷のみを転送することができるため、通常転送を短時間に低消費電力で実施できる。
【００５３】
【発明の効果】
本発明によれば、垂直転送部に存在する不要な電荷を排出することが容易であり、その結果、フレームレートの向上、消費電力の低下、コストダウン、製造効率向上などが実現可能な固体撮像装置およびその駆動方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の実施形態における固体撮像装置を示す概略平面図である。
【図２】図２は本発明の実施形態における固体撮像装置を示す概略断面図である。
【図３】図３は本発明の実施形態における固体撮像装置の製造方法の製造工程を示す概略断面図である。
【図４】図４は本発明の実施形態における固体撮像装置の製造方法の製造工程を示す概略断面図である。
【図５】図５は本発明の実施形態における固体撮像装置の製造方法の製造工程を示す概略断面図である。
【図６】図６は本発明の実施形態における固体撮像装置の製造方法の製造工程を示す概略断面図である。
【図７】図７は本発明の実施形態における固体撮像装置の駆動方法を示す図である。
【図８】図８は従来における固体撮像装置を示す概略平面図である。
【図９】図９は従来における固体撮像装置を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１：基板、２：撮像部、３：水平転送部、４：出力部、１１：光電変換部、１２：読み出し用ゲート部、１３：垂直転送部、１４：排出用ゲート部、１５：電荷排出部、１６：素子分離部、２１：第１のｐ型ウェル、３１：第２のｐ型ウェル、３２：ｎ型埋め込みチャネル層、４１：第３のｐ型ウェル、４２：電荷排出層、５１：素子分離領域、６１：第１絶縁層、６２：第２絶縁層、７１：ｎ型半導体層、７２：ｐ型半導体層、８１：転送電極、８２：排出電極、９１：遮光膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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