(57)【要約】【課題】  基材上に誘電体ゲートのような誘電体用途で使用するのに適した酸窒化Ｚｒ及びＨｆ膜（ＺｒＯxＮy及びＨｆＯxＮy）、酸窒化ケイ素Ｚｒ及びＨｆ膜（Ｚｒ（Ｓｉ）zＯxＮy及びＨｆ（Ｓｉ）zＯxＮy）を形成する方法を提供すること。【解決手段】  Ｚｒ又はＨｆを含有する気体の形の前駆物質を化学気相成長室へ供給し、当該化学気相成長室への供給の前に酸素源及び窒素源と当該前駆物質との混合が起こらないように、当該成長室へ酸素源と窒素源を別に供給して当該化学気相成長室中で反応混合物を作り、そして得られた反応混合物を当該化学気相成長室内の高温に加熱した基材と接触させて酸窒化Ｚｒ又はＨｆ膜を被着するようにする。酸窒化ケイ素Ｚｒ又はＨｆ膜を作るには、上記の反応混合物にケイ素源を加える。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸窒化Ｚｒ及びＨｆ膜からなる群より選ばれる金属酸窒化物の膜を形成するための被着方法であって、
Ａ．（ａ）Ｚｒ及びＨｆを含有する気体の形の前駆物質からなる群より選ばれる前駆物質を化学気相成長室へ供給し、そして
（ｂ）当該化学気相成長室への供給の前に酸素源及び窒素源と当該前駆物質との混合が起こらないように、当該成長室へ酸素源と窒素源を別に供給すること、
により当該化学気相成長室中で反応混合物を作ること、及び
Ｂ．得られた反応混合物を当該化学気相成長室内の高温に加熱した基材と接触させて金属酸窒化物の膜を被着すること、
を含む金属酸窒化物膜被着方法。
【請求項２】
前記金属の前駆物質を約１０Ｔｏｒｒ（１．３３ｋＰａ）以下の圧力の前記化学気相成長室へ気体の形で供給する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記基材を３００〜７００℃の温度に加熱する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記金属の前駆物質がＺｒ又はＨｆアミドである、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記Ｚｒ又はＨｆアミドを、Ｚｒ［Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2］4、Ｚｒ［Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）（ＣＨ3）］4、Ｚｒ［Ｎ（ＣＨ3）2］4、Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2］4、Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）（ＣＨ3）］4、及びＨｆ［Ｎ（ＣＨ3）2］4からなる群より選ぶ、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記酸素及び窒素源がＮＯ、Ｎ2Ｏ又はＮＯ2である、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記酸素源がＯ2、Ｈ2Ｏ、Ｏ3又はＨ2Ｏ2である、請求項４記載の方法。
【請求項８】
前記窒素源がＮＨ3又はＮ2Ｈ4である、請求項７記載の方法。
【請求項９】
酸窒化ケイ素Ｚｒ又はＨｆ膜を形成するため、前記化学気相成長室へケイ素前駆物質を加える、請求項５記載の方法。
【請求項１０】
前記ケイ素前駆物質がケイ素アミドである、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記ケイ素アミドが（Ｈ）xＳｉ（ＮＲ1Ｒ2）4-xの形のもの（式中のＲ1とＲ2はＣ1-8アルキル基であり、ｘは整数の０、１、２又は３である）である、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記ケイ素アミドを、Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2］4、Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）（ＣＨ3）］4、Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ3）2］4、ＨＳｉ［Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2］3、ＨＳｉ［Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）（ＣＨ3）］3、ＨＳｉ［Ｎ（ＣＨ3）2］3及びＨ2Ｓｉ［ＮＨ（Ｃ4Ｈ9）］2からなる群より選ぶ、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
酸窒化Ｚｒ膜及び酸窒化Ｈｆ膜からなる群より選ばれる金属酸窒化物の膜を基材上に形成するための方法であって、
ａ．気体の形のＺｒ及びＨｆアミド前駆物質からなる群より選ばれる前駆物質を化学気相成長室へ供給し、
ｂ．当該前駆物質とは別に当該化学気相成長室へ酸素とアンモニアを供給すること、及び
ｃ．当該化学気相成長室内で当該前駆物質、当該酸素及び当該アンモニアの供給により作られる反応混合物と、３００℃と７００℃の間の温度に加熱した基材を接触させ、それにより当該金属酸窒化物の膜を被着すること、
を含む金属酸窒化物膜形成方法。
【請求項１４】
前記Ｚｒ又はＨｆ前駆物質を、Ｚｒ［Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2］4、Ｚｒ［Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）（ＣＨ3）］4、Ｚｒ［Ｎ（ＣＨ3）2］4、Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2］4、Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）（ＣＨ3）］4、及びＨｆ［Ｎ（ＣＨ3）2］4からなる群より選ぶ、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
酸窒化ケイ素Ｚｒ膜及び酸窒化ケイ素Ｈｆ膜からなる群より選ばれる金属酸窒化物の膜を形成するための被着方法であって、
（ａ）気体の形をしたＺｒ含有前駆物質及びＨｆ含有前駆物質からなる群より選ばれる前駆物質を化学気相成長室へ供給すること、
（ｂ）気体の形のＳｉ含有前駆物質を当該成長室へ別に供給するか、あるいは当該Ｚｒ又はＨｆ含有前駆物質との混合物として供給すること、
（ｃ）当該Ｚｒ又はＨｆ及びＳｉ含有前駆物質とは別に、酸素源及び窒素源を当該成長室へ供給すること、及び
（ｄ）それにより得られる反応混合物に基材を接触させながら、当該反応室内において当該基材を３００℃と７００℃の間の温度に加熱し、当該基材上に酸窒化ケイ素Ｚｒ膜又は酸窒化ケイ素Ｈｆ膜を被着させること、
を含む金属酸窒化物膜形成のための被着方法。
【請求項１６】
前記Ｚｒ又はＨｆ及びケイ素含有前駆物質を１０Ｔｏｒｒ（１．３３ｋＰａ）以下の化学気相成長室へ気体の形で供給する、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記Ｚｒ又はＨｆ及びケイ素含有前駆物質がＺｒアミド又はＨｆアミド及びケイ素アミドである、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記アミドを、Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2、Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）（ＣＨ3）、Ｎ（ＣＨ3）2、及びＮ（ＣＨ2ＣＨ3）2からなる群より選ぶ、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記酸素源がＯ2であり、前記窒素源がＮＨ3である、請求項５又は１８記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば誘電体ゲートのような誘電体用途で使用するのに適した酸窒化Ｚｒ及びＨｆ膜（ＺｒＯxＮy及びＨｆＯxＮy）と酸窒化ケイ素Ｚｒ及びＨｆ膜（Ｚｒ（Ｓｉ）zＯxＮy及びＨｆ（Ｓｉ）zＯxＮy）を形成するための方法の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造産業では、集積回路、記憶装置及びフラットパネルディスプレイ装置用に適切な電子デバイスを製作するため半導体及び絶縁性又は誘電性基材上に金属、金属混合物及び金属化合物の混合物を薄い層、プラグ、ビア及びパターンでもって被着するのに適合した材料及び被着技術が必要とされている。
【０００３】
適当な電子材料基材上に金属、金属化合物及びそれらの混合物を被着するための様々な技術が知られており、それらには物理的な方法、すなわちスパッタリング、分子線エピタキシー、蒸着及びアブレーションや、合金化や、化学気相成長（プラズマ、光又はレーザーに支援される）が含まれる。
【０００４】
化学気相成長（ＣＶＤ）は、均一でコンフォーマルな被着を可能にする特性であること、及び高度に制御可能な条件下で材料のアレイを被着できることから、近年に至って広く利用されている。一般に、化学気相成長は制御された様式でもって高純度材料の被着速度を大きくすることができる。
【０００５】
酸窒化ジルコニウム及びハフニウムのゲート誘電体と酸窒化ケイ素ジルコニウム及びハフニウムのゲート誘電体は、多数のプロセスにより、例えばスパッタ被着、プラズマ被着、及び電子線により作られている。これらのゲートは、通常の熱酸化ケイ素又はケイ素誘電体層よりも高い誘電率をもたらし、そしてそれらはより厚くすることができる。
【０００６】
ジルコニウム及びハフニウムの金属膜、酸窒化ジルコニウム及びハフニウムと酸窒化ケイ素ジルコニウム及びハフニウム誘電体の作製を説明する従来技術の代表的な文献は、次のとおりである。
【０００７】
米国特許第６５０３５６１号明細書には、配位子がアルキル、イミド、アミド、ハライド、ナイトレート、フッ素から選ばれる２種以上の金属配位子錯体前駆物質、例えばジルコニウム、ハフニウム、アルミニウム、ゲルマニウムなどの無溶媒混合物から、フラッシュ蒸発ゾーンへの直接の液の注入により基材上に複数の金属層を被着するための熱ＣＶＤ法が開示されており、この無溶媒の混合物は複合金属化合物層を被着する前に酸素と混合される。
【０００８】
米国特許第６２９１８６７号明細書には、プラズマ被着により酸窒化ケイ素ハフニウム及びジルコニウムゲート誘電体を作ることが開示されている。一つの方法は、基材上へのケイ化ジルコニウムのプラズマ成長、酸素と窒素を含む雰囲気中での、例えばＮＯ中でのアニーリング、を含む。もう一つの方法では、ケイ化ケイ素層をＮＨ3又は窒素を含む非酸化性雰囲気中でアニーリングし、次いで酸化性雰囲気中でアニーリングする。ＣＶＤ法は、ケイ化物層の形成について開示されている。
【０００９】
Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ  Ｓｔａｂｌｅ  ＣＶＤ  ＨｆＯｘＮｙ  Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｓ  Ｗｉｔｈ  Ｐｏｌｙ−Ｓｉ  Ｇａｔｅ  Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ，  ２００２  ＩＥＥＥ  Ｏ−７８０３−７４６３−Ｘ／０２／＄１７．００（Ｃ）の論文には、ＨｆＯｘＮｙ層の形成が開示されており、ここではＮ2キャリアガス及びアンモニアと一緒のテトラキスジエチルアミノハフニウム前駆物質を急速熱ＣＶＤで被着し、続いて被着後のアニーリングを８００〜９００℃で行っている。この方法では、ＨｆＯｘＮｙを７００〜８００℃の温度で成長させている。
【００１０】
比較例では、Ｏ2と同じ前駆物質を使って５００℃でＨｆＯ2を被着してから、被着後のアニーリングを行った。
【００１１】
【特許文献１】米国特許第６５０３５６１号明細書
【特許文献２】米国特許第６２９１８６７号明細書
【非特許文献１】Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ  Ｓｔａｂｌｅ  ＣＶＤ  ＨｆＯｘＮｙ  Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｓ  Ｗｉｔｈ  Ｐｏｌｙ−Ｓｉ  Ｇａｔｅ  Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ，  ２００２  ＩＥＥＥ  Ｏ−７８０３−７４６３−Ｘ／０２／＄１７．００（Ｃ）
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、例えば誘電体ゲートのような誘電体用途で使用するのに適した酸窒化Ｚｒ及びＨｆ膜（ＺｒＯxＮy及びＨｆＯxＮy）と酸窒化ケイ素Ｚｒ及びＨｆ膜（Ｚｒ（Ｓｉ）zＯxＮy及びＨｆ（Ｓｉ）zＯxＮy）を形成するための方法の改良に関する。変数ｘ、変数ｙ、及び変数ｚは、０より大きい正の数である。この方法における特徴は、
（ａ）Ｚｒ又はＨｆ含有前駆物質、酸素源及び窒素源を化学気相成長室へ、この化学気相成長室への導入前に当該Ｚｒ又はＨｆ含有前駆物質を当該酸素源及び当該窒素源と混合することなく導入することにより、当該化学気相成長室において反応混合物を作ること、及び、
（ｂ）当該成長室中で基材を当該反応混合物と高温で、例えば３００℃と７００℃の間の温度で接触させて、それにより酸窒化Ｚｒ及びＨｆ膜を被着すること、
を含む。
【００１３】
ここに記載される方法によりいくつかの利点が得られ、それらには、
良質のＺｒ／Ｈｆ酸窒化物膜及びＺｒ／Ｈｆ−Ｓｉ酸窒化物膜を形成できること、
酸窒化物膜（あるいは単に「酸窒化膜」）中に有意量の窒素を取り込むことができること、
被着を行うのに化学気相成長法を利用できること、
Ｚｒ／Ｈｆ酸窒化膜及びＺｒ／Ｈｆ−Ｓｉ酸窒化膜を被着する際に低温プロセスを使用して低いウエハ（基材）温度を保持できること、及び、
単一の処理工程で良質の膜を製造できること、
が含まれる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明は、半導体装置で使用するための例えばシリコン等の基材上にＺｒ／Ｈｆ酸窒化膜及びＺｒ／Ｈｆ−Ｓｉ酸窒化膜を被着するための改良方法に関する。Ｚｒ／Ｈｆ酸窒化膜を被着する方法では、ジルコニウム又はハフニウム前駆物質、窒素源及び酸素源から構成される反応混合物を化学気相成長室で作り、Ｚｒ／Ｈｆ−Ｓｉ酸窒化膜を作るのには、この反応混合物にケイ素源を追加する。
【００１５】
この方法を実施するのには、少なくとも１種の配位子を含有している様々なジルコニウム及びハフニウム前駆物質を使用することができる。これらには、塩化ジルコニウムと塩化ハフニウム、ジルコニウム及びハフニウムアミド類が含まれる。ジルコニウム及びハフニウム前駆物質のためのこのほかの配位子には、Ｃ1-18アルキルとアルコキシド、シロキサイド、ハライド、ハイドライド、イミド、アジド、ナイトレート、シクロペンタジエニル、及びカルボニルが含まれる。好ましくは、前駆物質は周囲条件において液体である。
【００１６】
具体的なハライドの例には、四塩化ジルコニウム及び四塩化ハフニウムが含まれ、具体的なアミドには、ジメチルアミドＺｒ［Ｎ（ＣＨ3）2］4又はＨｆ［Ｎ（ＣＨ3）2］4、ジエチルアミドＺｒ［Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2］4又はＨｆ［Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2］4、エチルメチルアミドＺｒ［Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）（ＣＨ3）］4又はＨｆ［Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）（ＣＨ3）］4、あるいはブチルアミド、ジプロピルアミド、メチルプロピルアミド、エチルプロピルアミドからなる群より選ばれるものが含まれる。具体的なアルコキシドは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、及びブトキシＺｒ（ＯＣ4Ｈ9）4又はＨｆ（ＯＣ4Ｈ9）4の群から選ばれる。
【００１７】
Ｚｒ−Ｓｉ及びＨｆ−Ｓｉ酸窒化物膜が所望される場合には、様々なＳｉ前駆物質を使用することができる。好ましくは、Ｚｒ／Ｈｆ−Ｓｉ酸窒化膜を作るためのＳｉ前駆物質の配位子は、ジルコニウム及びハフニウム前駆物質として使用されるのと同じか又は類似している。ケイ素アミドの一つのタイプは、（Ｈ）xＳｉ（ＮＲ1Ｒ2）4-xの形のものであり、この式のＲ1とＲ2はＣ1-8アルキル基であり、ｘは整数の０、１、２又は３である。具体的な形態のケイ素アミドは、Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2］4、Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）（ＣＨ3）］4、Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ3）2］4、ＨＳｉ［Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2］3、ＨＳｉ［Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）（ＣＨ3）］3、ＨＳｉ［Ｎ（ＣＨ3）2］3又はＨ2Ｓｉ［ＮＨ（Ｃ4Ｈ9）］2からなる群より選ばれる。Ｚｒ−Ｓｉ及びＨｆ−Ｓｉ酸窒化膜を作る際に使用するケイ素前駆物質のレベルは膜の設計者の自由であり、すなわち、Ｚｒ−Ｓｉ及びＨｆ−Ｓｉ酸窒化膜を作る場合にはｚは正である。
【００１８】
ここで説明しているＣＶＤ法では、好ましい配位子の形態はアミドである。それは、低い基材温度、例えば４００〜５００℃で、一般には１０Ｔｏｒｒ（１．３３ｋＰａ）以下で、シリコンウエハのような基材上に酸窒化ジルコニウム及び酸窒化ハフニウム膜や酸窒化ケイ素ジルコニウム又は酸窒化ケイ素ハフニウム膜を被着することができる。
【００１９】
Ｚｒ／Ｈｆ酸窒化膜及びＺｒ／Ｈｆ−Ｓｉ酸窒化膜の形成では、通常の酸素及び窒素源を使用することができる。酸素源には、酸素、水、ＮＯ2、ＮＯ、Ｎ2Ｏ、オゾン、Ｈ2Ｏ2及び空気が含まれ、その一方、窒素源には、アミド、アンモニア、ＮＯ、空気、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2、Ｎ2Ｈ2、Ｎ2Ｈ4などが含まれる。作業と制御を簡単にするためには、酸素及び窒素源としてそれぞれ酸素とアンモニアが好ましい。窒素／酸素源のＮＯは一般に、より高い処理温度を必要とする。
【００２０】
化学気相成長によりシリコンウエハ等の基材上に良質のＺｒ／Ｈｆ酸窒化膜及びＺｒ／Ｈｆ−Ｓｉ酸窒化膜をうまく被着するのに重要なのは、前駆物質を酸素源及び窒素源とは別に、すなわち事前に混合することなく、化学気相成長室へ供給することである。別々の供給管路を使用することで、反応室に入る前に前駆物質がプロトン性の窒素源、そして酸素源と混合しないようにすることができる。ＣＶＤプロセスにおいては一般的であるとは言え、前駆物質が酸素源かあるいは窒素源と事前に混じり合うと、反応室に達する前に反応することになるのが分かった。これが起こると、被着は効果がなくなり、制御するのが困難になる。
【００２１】
実施することにより得られる一つの利点は、酸窒化膜中の窒素のレベルを一貫して高くするのが可能なことである。原子基準で、窒素レベル、すなわち式ＺｒＯxＮy又はＨｆＯxＮy中の値（ｙ）は１％の最小値から一般に５％以上までである。概して、ｙは１０〜３０％の範囲であることができる。膜中のｘの値は４０〜５０の範囲であるが、反応混合物中の酸素レベルの制御によりこのほかの値としてもよい。
【実施例】
【００２２】
以下の例は、本発明の種々の態様を説明しようとするものである。
【００２３】
（例１）
この例では、Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2］4、Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ3）2］4、Ｏ2、及びＮＨ3を使用する、Ｈｆ、Ｓｉ、酸素及び窒素含有膜の被着を説明する。
【００２４】
重量比１：２のＨｆ［Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2］4とＳｉ［Ｎ（ＣＨ3）2］4から構成される液体前駆物質混合物を、液体供給装置により加熱した気化器へ移送し、そして２００ｓｃｃｍの流量のＨｅスウィープガスを使用して、基材の上方に位置し上下動させることのできるインジェクタリングを通してＣＶＤ反応室へ供給した。最高で１５ｓｃｃｍまでのＯ2、最高で１５ｓｃｃｍまでのＮＨ3、及び最高で３００ｓｃｃｍまでのＨｅ希釈ガスから構成される酸化剤混合物を反応室に別に供給し、この酸化剤混合物の入口の箇所は、上下動できる拡散プレートにより前駆物質インジェクタリングから切り離した。前駆物質と酸化剤を加熱した基材（３００〜７００℃）のところで反応させて、ＲＢＳにより測定されたＨｆ、Ｓｉ、Ｏ、及びＮを含有する膜を作った。反応室の圧力は圧力制御弁を使って１Ｔｏｒｒ（０．１３３ｋＰａ）に保持した。５〜１０ｓｃｃｍの流量のＯ2と１．８５ｓｃｃｍの流量のＮＨ3、及び０．１ｍｌ／ｍｉｎの流量の前駆物質を使用して、図１のグラフに示した膜の組成を、図に示した推定ウエハ温度、すなわち４１０℃、４３０℃、及び４５０℃で実現した。
【００２５】
図１のグラフの結果は、膜の窒素レベルが１０原子％より多く最高で約２８原子％までであることを示している。このグラフはまた、ＣＶＤ室内で低いウエハ温度、例えば４１０〜４５０℃の温度を保持するのが可能であることも示している。
【００２６】
（例２）
この例では、Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ3）2］4、Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ3）2］4、Ｏ2、及びＮＨ3を使用する、Ｈｆ、Ｓｉ、酸素及び窒素含有膜の被着を説明する。
【００２７】
重量比５：７のＨｆ［Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2］4とＳｉ［Ｎ（ＣＨ3）2］4から構成される液体前駆物質混合物を、液体供給装置により加熱した気化器へ移送し、そして２００ｓｃｃｍの流量のＨｅスウィープガスを使用して、基材の上方に位置し上下動させることのできるインジェクタリングを通してＣＶＤ反応室へ供給した。最高で３０ｓｃｃｍまでのＯ2、最高で５ｓｃｃｍまでのＮＨ3、及び最高で２００ｓｃｃｍまでのＨｅ希釈ガスから構成される酸化剤混合物を反応室に別に供給し、この酸化剤混合物の入口の箇所は、上下動できる拡散プレートにより前駆物質インジェクタリングから切り離した。前駆物質と酸化剤を加熱した基材（３００〜７００℃）のところで反応させて、ＲＢＳにより測定されたＨｆ、Ｓｉ、Ｏ、及びＮを含有する膜を作った。反応室の圧力は圧力制御弁を使って１〜１．５Ｔｏｒｒ（０．１３３〜０．２００ｋＰａ）に保持した。４００℃と５００℃の間であると推定された基材温度において、１５〜３０ｓｃｃｍの流量のＯ2と１．８５〜５ｓｃｃｍの流量のＮＨ3、及び０．１〜０．２ｍｌ／ｍｉｎの流量の前駆物質を使用して、合理的な被着速度と膜品質が得られた。
【００２８】
（例３）
この例では、Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2］4、Ｏ2、及びＮＨ3を使用する、Ｈｆ、酸素及び窒素含有膜の被着を説明する。
【００２９】
Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2］4を液体供給装置により加熱した気化器へ移送し、そして２００ｓｃｃｍの流量のＨｅスウィープガスを使用して、基材の上方に位置し上下動させることのできるインジェクタリングを通してＣＶＤ反応室へ供給したことを除いて、例１の手順に従う。被着が起こり、酸窒化ハフニウム膜が製造される。
【００３０】
（例４（比較例））
前駆物質の流れとアンモニアを含有する酸化剤の流れをシャワーヘッドを通して一緒に供給する標準的なＣＶＤ法の手順によることを除いて、例１の手順に従う。
【００３１】
この構成を試すと、一般に被着が起きないか、あるいは窒素が膜に取り込まれず又はわずかだけしか取り込まれない。束縛されるのを意図するものではないが、この結果は窒素源を反応させるのが困難なためであると推測することができる。
【００３２】
（例５）
アンモニアと前駆物質を分離する、すなわち前駆物質の流れとアンモニアを含有する流れとをシャワーヘッドの交互の孔を通して供給する、特殊なシャワーヘッドを使用するのを除いて、例３の手順を繰り返す。例１〜３におけるように膜が被着する。
【００３３】
（例６）
ハフニウム前駆物質が塩化ハフニウムであることを除いて、例１の手順に従う。これらの前駆物質は条件にあったものではあるが、それらを使用するのは問題がないわけではない。これらの前駆物質は通常の条件下では固体であり、従って化学気相成長室への供給において問題を生じる。その上、これらの前駆物質をアンモニアとともに使用すると、反応室において塩化アンモニウムの粒子が生じ、それらは集積回路の生産にとって有害である。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】いろいろな温度での酸窒化ケイ素ハフニウム膜のパーセントで表した組成を示すグラフである。
【図１】
2004349710.tif 000002