(57)【要約】【課題】外圧に対する基板間隔（セルギャップ）の大きな変動が回避され、干渉縞の発生、色調のばらつき及び駆動電圧特性のばらつきが回避できる液晶パネル及びその製造方法を提供する。【解決手段】一方の基板２０の上にポジ型フォトレジスト膜３５を形成し、露光／現像処理を施して、スペーサ２６を形成する。その後、１２０℃の温度で熱処理して、スペーサ２６を半硬化状態にする。次に、基板２０に設けられた配向膜をラビングする。このとき、スペーサ２６は半硬化状態であるので、スペーサが削られることが回避される。次に、スペーサ２６を再露光して軟化させる。その後、基板２０の上にシール剤３６を塗布し、他方の基板１０をシール剤３６及びスペーサ２６で接合する。次いで、熱処理してシール剤２６を硬化させ、基板１０，２０間に液晶を封入する。【選択図】　図３
2004133258.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向して配置された一対の基板と、
ポジ型感光性樹脂により形成されて前記一対の基板の両方に接合し、前記一対の基板の間隔を一定に維持する複数のスペーサと、
前記一対の基板間に封入された液晶と
を有することを特徴とする液晶パネル。
【請求項２】
第１の基板及び第２の基板を用意する工程と、
前記第１の基板上にポジ型感光性樹脂を塗布して感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜に対し露光及び現像処理を施してスペーサを形成する露光／現像工程と、
前記スペーサを再露光する再露光工程と、
シール剤と前記スペーサとにより前記第１の基板と前記第２の基板と接合し、前記シール剤、前記第１の基板及び前記第２の基板で囲まれる空間内に液晶を封入する液晶封入工程と
を有することを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【請求項３】
前記露光／現像工程と前記再露光工程との間に、前記第１の基板に対しラビング処理を施すラビング工程を有することを特徴とする請求項２に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項４】
前記露光／現像工程と前記ラビング工程との間に、前記スペーサを熱処理して半硬化状態にする工程を有することを特徴とする請求項３に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項５】
ポジ型感光性樹脂として、ポリシランレジストを使用することを特徴とする請求項２に記載の液晶パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一対の基板間に液晶を封入して構成される液晶パネル及びその製造方法に関し、特に柱状のスペーサにより一対の基板間の間隔を一定に維持する液晶パネル及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶パネルは、薄くで軽量であるとともに消費電力が小さいという長所があり、電卓、家庭用電化製品及びＯＡ（Ｏｆｆｉｃｅ　Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ　）機器等のディスプレイに使用されている。また、液晶パネルは、空間光変調素子（Ｓｐａｃｉａｌ　Ｌｉｇｈｔ　Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ　）として、光情報処理システムの入力装置及び計算機ホログラムにも使用されている。
【０００３】
ＯＡ機器のディスプレイに使用される液晶パネルは、通常、一対の基板間に液晶を封入した構造を有している。一方の基板には画素毎にＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）及び画素電極が形成されており、他方の基板には各画素共通のコモン電極が形成されている。以下、画素電極及びＴＦＴが設けられている基板をＴＦＴ基板と呼び、ＴＦＴ基板に対向して配置される基板を対向基板と呼ぶ。
【０００４】
ＴＦＴ基板と対向基板との間隔（セルギャップ）は、通常、樹脂又はセラミック等からなる球形のビーズにより一定に維持される。このビーズは、ＴＦＴ基板と対向基板とをシール剤で接合する際に、ＴＦＴ基板及び対向基板のいずれか一方の基板上に散布される。
【０００５】
しかしながら、基板上にビーズを散布する方法では、基板全体にわたってビーズが均一に分布するとは限らない。基板全体にわたってビーズが均一に分布していない場合は、セルギャップの面内ばらつきが発生し、表示品質の低下の原因となる。また、液晶分子はビーズの表面に沿って配向する性質があるので、画素領域内にビーズが存在すると、配向異常が発生して表示品質が低下する。
【０００６】
そこで、フォトレジストを使用して、画素領域の間（例えば、データバスラインとゲートバスラインとが交差する部分）に柱状のスペーサを形成することが提案されている（例えば、特開平８−２２０５４６号公報、特開２００１−８３５１７号公報及び特開２００１−２０１７５０号公報）。
【０００７】
【特許文献１】
特開平８−２２０５４６号公報
【特許文献２】
特開２００１−８３５１７号公報
【特許文献３】
特開２００１−２０１７５０号公報
【特許文献４】
特開平８−１１０５２４号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本願発明者等は、柱状のスペーサを用いる従来の液晶パネルには以下に示す問題点があると考える。
【０００９】
即ち、フォトレジストにより柱状のスペーサを形成する従来の方法では、柱状スペーサは一方の基板に接合されているが、他方の基板には接合されていない。このため、図７に示すように、対向基板５０にスペーサ５１が接合され、ＴＦＴ基板６０にはスペーサが５１が接合されていないとすると、スペーサ５１間の点Ａに外圧が加えられた場合に、点Ａの周囲のセルギャップが大きく変動して、干渉縞が発生したり、色調のばらつき及び駆動電圧特性のばらつき等が発生する。
【００１０】
なお、特開平８−１１０５２４号公報には、熱可塑性樹脂をコーティングしたスペーサを一方の基板上に散布し、２枚の基板を貼合わせるときに熱可塑性樹脂によってスペーサを両方の基板に接合することが記載されている。しかし、この方法では、スペーサを所望の位置に配置することができない。
【００１１】
以上から、本願発明の目的は、外圧に対する基板間隔（セルギャップ）の大きな変動が回避され、干渉縞の発生、色調のばらつき及び駆動電圧特性のばらつきが回避できる液晶パネル及びその製造方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記した課題は、対向して配置された一対の基板と、ポジ型感光性樹脂により形成されて前記一対の基板の両方に接合し、前記一対の基板の間隔を一定に維持する複数のスペーサと、前記一対の基板間に封入された液晶とを有することを特徴とする液晶パネルにより解決する。
【００１３】
本発明においては、一対の基板の間隔を一定に維持するためのスペーサがポジ型感光性樹脂により形成されている。従って、スペーサを画素領域間などの所望の位置に配置することができて、スペーサの面に沿って配向する液晶による表示品質の低下が回避される。
【００１４】
また、本発明においては、スペーサが一対の基板の両方に接合されている。このため、液晶パネルに外圧が加えられても基板とスペーサとが離れることがなく、セルギャップ（基板間隔）が大幅に変化することが回避される。これにより、干渉縞の発生、色調のばらつき及び駆動電圧特性のばらつきが回避される。
【００１５】
また、上記した課題は、第１の基板及び第２の基板を用意する工程と、前記第１の基板上にポジ型感光性樹脂を塗布して感光性樹脂膜を形成する工程と、前記感光性樹脂膜に対し露光及び現像処理を施してスペーサを形成する露光／現像工程と、前記スペーサを再露光する再露光工程と、シール剤と前記スペーサとにより前記第１の基板と前記第２の基板と接合し、前記シール剤、前記第１の基板及び前記第２の基板で囲まれる空間内に液晶を封入する液晶封入工程とを有することを特徴とする液晶パネルの製造方法により解決する。
【００１６】
本発明においては、ポジ型感光性樹脂を使用してスペーサを形成する。その後、このスペーサを再露光すると、スペーサを構成する感光性樹脂が光分解し、スペーサが軟化して接着性が向上する。この状態で第１の基板と第２の基板とを重ね合わせると、スペーサと第１及び第２の基板とが接合される。その後、例えば熱処理してスペーサを硬化させる。
【００１７】
このように、本発明においてはポジ型感光性樹脂を用いてスペーサを形成し、その後再露光した後に第１の基板と第２の基板とを重ね合わせるので、スペーサと第１及び第２の基板とを強固に接合することができる。これにより、外圧が加えられてもセルギャップの大幅な変化が回避され、干渉縞の発生、色調のばらつき及び駆動電圧特性のばらつきが回避される。
【００１８】
第１の基板に設けられた配向膜に対しラビング処理を施す場合は、ラビング処理前にスペーサを熱処理して、半硬化状態にすることが必要である。これにより、ラビング処理時にスペーサが削られてしまうことが防止でき、セルギャップを所望の値に維持することができる。この場合も、スペーサを再露光すると、スペーサを構成する感光性樹脂が光分解して、接着性を回復することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００２０】
（液晶パネル）
図１は本発明の実施の形態の液晶パネルの１画素を示す平面図、図２は図１のＩ−Ｉ線による断面図である。なお、本実施の形態は、本発明を透過型液晶表示パネルに適用した例について説明している。
【００２１】
本実施の形態の液晶表示パネルは、図２に示すように、相互に対向して配置されたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０と、これらのＴＦＴ基板１０及び対向基板２０の間に封入された液晶３０とにより構成されている。なお、ＴＦＴ基板１０の下及び対向基板２０の上にはそれぞれ偏光板が配置される。また、ＴＦＴ基板１０の下方には、光源（バックライト）が配置される。
【００２２】
ＴＦＴ基板１０は、図１，図２に示すように、ガラス基板１１と、ガラス基板１１上に形成されたゲートバスライン１２、データバスライン１４、ＴＦＴ１５及び画素電極１８等により構成されている。ゲートバスライン１２は水平方向に延在しており、データバスライン１４は垂直方向に延在している。これらのゲートバスライン１２及びデータバスライン１４により区画される領域がそれぞれ画素領域である。画素電極１８及びＴＦＴ１５は、各画素領域に１個づつ形成されている。
【００２３】
本実施の形態では、図１に示すように、ゲートバスライン１２の一部がＴＦＴ１５のゲート電極となっており、チャネル保護膜１６の幅方向の両側にはそれぞれＴＦＴ１５のソース電極１５ｓ及びドレイン電極１５ｄが配置されている。ソース電極１５ｓは絶縁膜１７に形成されたコンタクトホール１７ａを介して画素電極１８に電気的に接続され、ドレイン電極１５ｄはデータバスライン１４に電気的に接続されている。また、画素電極１８の上にはポリイミド等からなる配向膜１９が形成されている。この配向膜１９の表面には、電界が印加されていないときの液晶分子の配向方向を決めるラビング処理が施されている。
【００２４】
一方、対向基板２０は、ガラス基板２１と、このガラス基板２１の一方の面側（図２では下側）に形成されたブラックマトリクス２２、絶縁膜２３及びコモン電極２４とにより構成されている。ブラックマトリクス２２は、画素間の領域及びＴＦＴ形成領域を覆うように形成されている。また、絶縁膜２３は、ガラス基板２１の下側に、ブラックマトリクス２２を覆うようにして形成されている。絶縁膜２３の下にはコモン電極２４が形成されており、このコモン電極２４の下にはポリイミド等からなる配向膜２５が形成されている。この配向膜２５の表面にも、電界が印加されていないときの液晶分子の配向方向を決めるラビング処理が施されている。
【００２５】
これらのＴＦＴ基板１０及び対向基板２０は、配向膜１９，２５が形成された面を相互に対向させて配置されており、両者の間に封入された液晶３０とともに液晶パネルを構成する。
【００２６】
ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間隔は、ゲートバスライン１２とデータバスライン１３とが交差する部分の上に設けられた柱状のスペーサ２６により一定に維持される。この柱状スペーサ２６はポジ型フォトレジストにより形成され、、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０の両方に接合されている。
【００２７】
このように構成された液晶パネルにおいて、画像を表示する際には駆動回路（図示せず）から垂直方向に並ぶゲートバスライン１２に対し順番に走査信号を供給するとともに、データバスライン１４に表示信号を供給する。走査信号が供給されたゲートバスライン１２に接続しているＴＦＴ１５はオン状態となり、画素電極１８にはＴＦＴ１５を介して表示信号が書き込まれる。これにより、画素電極１８とコモン電極２４との間に表示信号に応じた電界が発生して液晶分子の向きが変化し、その結果、画素を透過する光の光量が変化する。各画素毎に透過光の光量を制御することにより、液晶パネルに所望の画像を表示することができる。
【００２８】
（液晶パネルの製造方法）
以下、本発明の実施の形態の液晶パネルの製造方法について説明する。
【００２９】
まず、図１，図２に示すようなＴＦＴ基板１０及び対向基板２０をそれぞれ製造する。
【００３０】
ＴＦＴ基板１０の製造方法を簡単に説明する。まず、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ　ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　）法により、ガラス基板１１上に第１の金属膜を形成し、フォトリソグラフィ法により第１の金属膜をパターニングしてゲートバスライン１２を形成する。その後、ガラス基板１１の上側全面にゲート絶縁膜１３を形成し、その上にＴＦＴ１５の動作層となる第１のシリコン膜と、チャネル保護膜１６となるＳｉＮ膜とを形成する。その後、フォトリソグラフィ法によりＳｉＮ膜をパターニングして、ゲートバスライン１２の上方の所定の領域にチャネル保護膜１６を形成する。
【００３１】
次に、ガラス基板１１の上側全面に、オーミックコンタクト層となる不純物が高濃度に導入された第２のシリコン膜を形成し、続けて第２のシリコン膜の上に第２の金属膜を形成する。そして、フォトリソグラフィ法により第２の金属膜、第２のシリコン膜及び第１のシリコン膜をパターニングして、ＴＦＴ１５の動作層となるシリコン膜の形状を確定するとともに、データバスライン１４、ソース電極１５ｓ及びドレイン電極１５ｄを形成する。
【００３２】
次いで、ガラス基板１１の上側全面に絶縁膜１７を形成し、この絶縁膜１７の所定の位置にコンタクトホール１７ａを形成する。その後、ガラス基板１１の上側全面にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電体からなる膜を形成する。そして、この透明導電体の膜をパターニングすることにより、コンタクトホール１７ａを介しＴＦＴ１５のソース電極１５ｓに電気的に接続された画素電極１８を形成する。その後、ガラス基板１１の上側全面にポリイミドからなる配向膜１９を形成する。このようにして、ＴＦＴ基板１０が完成する。
【００３３】
以下、対向基板２０の製造方法について簡単に説明する。まず、ガラス基板２１の上にＣｒ等の金属膜を形成し、この金属膜をパターニングしてブラックマトリクス２２を形成する。その後、ガラス基板２１の上に絶縁膜２３を形成する。カラー型液晶表示パネルを形成する場合は、絶縁膜２３を赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の樹脂により形成し、各画素毎に赤色、緑色及び青色のうちのいずれか１色の絶縁膜２３を配置する。
【００３４】
次いで、絶縁膜２３の上に、ＩＴＯ等の透明導電体によりコモン電極２４を形成する。その後、コモン電極２４の上にポリイミドからなる配向膜２５を形成する。このようにして、対向基板２０が完成する。
【００３５】
次に、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０のうちのいずれか一方の側に柱状のスペーサ２６を形成する。本実施の形態では、対向基板２０の側にスペーサ２６を形成するものとする。
【００３６】
即ち、図３（ａ）に示すように、スピンコート法により、対向基板２０の上にポジ型フォトレジストを約２μｍの厚さに塗布してレジスト膜３５を形成し、このレジスト膜３５を１００℃の温度で１分間プリベーキングする。
【００３７】
次に、所定のパターンが設けられた露光マスクを介してレジスト膜３５に紫外線を露光した後、現像処理を施して、図３（ｂ）に示すように柱状のスペーサ２６を形成する。その後、対向基板２０の表面を純水で洗浄した後、乾燥させる。
【００３８】
スペーサ２６は、例えば直径が１０μｍの円柱状とする。また、スペーサ２６は、ゲートバスライン１２とデータバスライン１４との交差部に対応する位置に形成する。例えば、スペーサ２６の水平方向及び垂直方向のピッチはいずれも１００μｍとする。
【００３９】
次に、１２０℃の温度で１０分間熱処理して、スペーサ２６を構成するレジストを半硬化状態にする。その後、配向膜２５に対してラビング処理を施す。一般的なラビング処理は、ナイロン等の布を巻いたローラにより配向膜の表面を一方向に擦ることにより行われる。
【００４０】
このとき、仮にスペーサ２６を構成するレジストに熱処理が施されていないとすると、レジストの硬度が低いため、ラビング処理時にスペーサ２６が削られて所望のセルギャップを維持することができなくなってしまう。しかし、本実施の形態では、熱処理によりスペーサ２６を構成するレジストを半硬化状態にしているので、ラビング処理によりスペーサ２６が削られることが回避される。
【００４１】
その後、スペーサ２６を再露光して、スペーサ２６を構成するレジストを光分解する。これにより、スペーサ２６が軟化して、接着性が向上する。
【００４２】
次に、図４に示すように、対向基板２０の上に、表示領域を囲むように熱硬化性の樹脂からなるシール剤３６を塗布する。但し、基板間に液晶を注入するための液晶注入口となる部分には、シール剤３６を塗布しないでおく。
【００４３】
その後、図３（ｃ）に示すように、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との位置合わせを行って重ね合わせ、熱処理装置内で圧力を加えながらシール剤３６の硬化温度で熱処理して、シール剤３６を硬化させる。これにより、スペーサ２６は圧力を受けたまま一旦軟化した後に硬化し、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０に強固に接合される。なお、シール剤３６は、配向膜１９，２５に施したラビング処理の効果が失われない程度の温度で硬化させることが必要である。以下、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とを貼合わせてなる構造物（液晶封入前のパネル）を空パネルという。
【００４４】
次いで、真空注入法によりＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に液晶３０を注入する。即ち、液晶を入れた容器と空パネルとを真空チャンバ内に入れ、真空チャンバ内を排気して真空状態とする。その後、空パネルの液晶注入口を液晶中に入れて、真空チャンバ内を大気圧に戻す。そうすると、空パネルの内部空間の圧力と大気圧との差により液晶が空パネル内に進入し、パネルの内部空間に液晶が充填される。その後、液晶が充填されたパネルを２枚の平板で挟んで余分な液晶を押し出し、液晶注入口を封止樹脂で封止する。このようにして、本実施の形態に係る液晶パネルが完成する。
【００４５】
なお、スペーサ２６となるフォトレジスト膜は、ポリシランレジストにより形成することが好ましい。ポリシランレジストは、露光により軟化するとともにシラノールが形成される。このシラノールがポリイミドからなる配向膜１９，２５に対し強い接着性を示すので、スペーサ２６とＴＦＴ基板１０及び対向基板２０とを強固に接合することができる。
【００４６】
また、ポリシランレジストにはアリール基が導入されていることが好ましい。ポリシランレジストにアリール基が導入されていると、アルカリ水溶液による現像性が向上し、露光時間が短縮されるとともに解像度の向上が期待される。アニール基によりポリシランレジストの現像性が向上する理由は明らかではないものの、以下のように考えられる。
【００４７】
即ち、ポリシランレジストを露光すると、レジスト中にシラノールが生成される。このシラノールはアルカリ水溶液に溶解性を示すが、更にポリシランの側鎖にアリール基が導入されていると、側鎖にアルキル基が導入されている場合に比べて生成されたシラノールが相互に反応しにくくなり、架橋することなく安定する。これにより、アルカリ水溶液に対し強い溶解性を示すようになり、現像性が向上する。
【００４８】
但し、本発明においては、スペーサ２６は露光により軟化する性質を有するポジ型フォトレジストにより形成すればよく、本実施の形態によりスペーサ２６の材料がポリシランレジストに限定されるものではない。
【００４９】
本実施の形態においては、スペーサ２６を半硬化状態にしてから配向膜に対しラビング処理を施すので、ラビング処理時にスペーサ２６が殆ど削られない。このため、液晶表示パネルのセルギャップを所望の値にすることができる。
【００５０】
また、本実施の形態では、スペーサ２６がＴＦＴ基板１０及び対向基板２０の両方に接合されるので、外圧に対する耐性（耐ストレス性）が高い。例えば、図５に示すように、スペーサ間の部分に外圧が加えられても、基板３０がスペーサ２６から離れることがなく、セルギャップの大きな変動が回避される。これにより、干渉縞の発生、色調のばらつき及び駆動電圧特性のばらつきが回避される。
【００５１】
なお、本発明は、ツイステッドネマティック（ＴＮ）型液晶、スーパーツイステッドネマティック（ＳＴＮ）型液晶、ネマティックコレステリック相転移型液晶、ポリマー分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶、ツイストグレインバウンダリ液晶及び電傾効果を示すスメクティックＡ相液晶等を用いた液晶パネルに適用することができる。
【００５２】
また、上述した実施の形態では本発明を透過型液晶パネルに適用した場合について説明したが、これにより本発明の適用範囲が透過型液晶パネルに限定されるものではない。本発明は、透過型液晶パネルの他にも、反射型液晶パネルや空間光変調素子に適用することができる。
【００５３】
以下，本発明の実施例に係る液晶パネルを実際に製造し、外圧を加えたときの表示品質を調べた結果について、比較例と比較して説明する。
【００５４】
（実施例１）
長さが２００ｍｍ、幅が１００ｍｍ、厚さが１．１ｍｍの２枚のガラス基板を用意した。そして、これらのガラス基板の一方の面上にそれぞれＩＴＯ膜を形成し、透明電極とした。
【００５５】
次に、スピンコータを用いて、透明電極の上に、濃度が３ｗｔ％のポリイミド溶液を２０００ｒｐｍの回転数で塗布してポリイミド膜を形成した後、ポリイミド膜を２００℃の温度で３０分間焼成して配向膜とした。
【００５６】
このようにして透明電極及び配向膜を形成した２枚のガラス基板の一方に、スピンコータを用いてポジ型ポリシランレジストを塗布し、厚さが２．０μｍのレジスト膜を形成した。
【００５７】
次に、ガラス基板をホットプレートの上に載せ、レジスト膜を１００℃の温度で１分間プリベーキングした。その後、所定のパターンが設けられた露光マスクを介してレジスト膜に８００ｍＪ／ｃｍ２　のエネルギーで紫外線（ＵＶ）を露光した後、アルカリ現像液（ＴＭＡＨ２．３８％）により現像処理して、１００μｍのピッチで水平方向及び垂直方向に配列した直径が１０μｍの円柱状のスペーサを形成した。その後、ガラス基板の表面を純水で洗浄した後、ホットプレートの上で１３０℃の温度で１分間加熱して乾燥させた。
【００５８】
次に、両方のガラス基板をラビング処理した。その後、シール剤としてエポキシ樹脂を使用し、印刷法により一方のガラス基板の上にシール剤を塗布した。このとき、シール剤は、液晶注入口となる部分を除き、ガラス基板の縁部に沿って枠状に塗布した。なお、シール剤として使用したエポキシ樹脂は、１５０℃の温度で１時間で硬化するものである。
【００５９】
次に、スペーサに１００ｍＪ／ｃｍ２　のエネルギーで紫外線を再露光し、スペーサを構成するレジストを光分解した。
【００６０】
なお、予め、上記条件でレジストに用いたポリシラン樹脂を再露光すると、平均分子量が３０％程度低下することが確認されている。また、ＩＲ（赤外線）分光測定した結果、再露光後のレジスト中にはシラノールが増加することも確認されている。
【００６１】
次に、この一対のガラス基板を、透明電極が向かい合うように貼り合わせた後、真空袋に入れた。そして、１５０℃の温度で１時間加熱して、シール剤であるエポキシ樹脂を硬化させた。この加熱により、スペーサは一旦軟化して基板と接合し、その後基板と接合したまま硬化した。
【００６２】
このようにしてシール剤及びスペーサにより接合された一対の基板（空パネル）の間に、真空注入法により強誘電性液晶を注入し、液晶注入口を封止して強誘電性液晶表示パネルとした。
【００６３】
この液晶表示パネルの上下にそれぞれ偏光板を配置した。偏光板は、偏光軸が直交するように（クロスニコルス）配置した。
【００６４】
その後、先端径が０．８ｍｍのペン先により、ペン荷重１００ｇで液晶表示パネルの中央を押した。しかし、ペン先の周囲に表示色の変化はみられず、セルギャップを小さくする外力に対して、耐ストレス性が認められた。
【００６５】
また、液晶表示パネルの中央部を支持し、両端に３００ｇの荷重を加えたが、画面全体にわたって表示色の変化は観察されなかった。
【００６６】
（実施例２）
レジストとしてポジ型ノボラックレジストを使用し、スペーサ形成時の紫外線の露光エネルギーを５０ｍＪ／ｃｍ２　、再露光時の紫外線のエネルギーを３０ｍＪ／ｃｍ２　にした以外は実施例１と同一条件で液晶表示パネルを製造した。
【００６７】
この液晶表示パネルを実施例１と同様に試験した結果、実施例１と同様に良好な耐ストレス性を有することが確認できた。
【００６８】
（実施例３）
スペーサとなるポジ型フォトレジストとして、ポリシランの側鎖にアリール基としてフェニル基を導入したフォトレジストを使用した以外は実施例１と同一条件で液晶表示パネルを製造した。
【００６９】
この液晶表示パネルを実施例１と同様の方法で試験した結果、実施例１と同様に良好な耐ストレス特性を有することが確認できた。
【００７０】
（実施例４）
基板間に封入する液晶としてツイステッドネマティック型液晶を使用し、セルギャップを６μｍにした以外は実施例１と同一条件で液晶表示パネルを製造した。
【００７１】
この液晶表示パネルを実施例１と同様の方法で試験した結果、実施例１と同様に良好な耐ストレス特性を有することが確認できた。
【００７２】
（実施例５）
基板間に封入する液晶としてスーパーツイステッドネマティック型液晶を使用し、セルギャップを６μｍにした以外は実施例１と同一条件で液晶表示パネルを製造した。
【００７３】
この液晶表示パネルを実施例１と同様の方法で試験した結果、実施例１と同様に良好な耐ストレス特性を有することが確認できた。
【００７４】
（実施例６）
基板間に封入する液晶としてネマティックコレステリック相転移型液晶を使用し、セルギャップを６μｍにした以外は実施例１と同一条件で液晶表示パネルを製造した。
【００７５】
この液晶表示パネルを実施例１と同様の方法で試験した結果、実施例１と同様に良好な耐ストレス特性を有することが確認できた。
【００７６】
（実施例７）
基板間に封入する液晶として反強誘電性液晶を使用した以外は実施例１と同一条件で液晶表示パネルを製造した。
【００７７】
この液晶表示パネルを実施例１と同様の方法で試験した結果、実施例１と同様に良好な耐ストレス特性を有することが確認できた。
【００７８】
（実施例８）
基板間に封入する液晶としてツイストグレインバウンダリ液晶を使用し、セルギャップを６μｍにした以外は実施例１と同一条件で液晶表示パネルを製造した。
【００７９】
この液晶表示パネルを実施例１と同様の方法で試験した結果、実施例１と同様に良好な耐ストレス特性を有することが確認できた。
【００８０】
（実施例９）
基板間に封入する液晶としてスメクティックＡ相液晶を使用し、セルギャップを６μｍにした以外は実施例１と同一条件で液晶表示パネルを製造した。
【００８１】
この液晶表示パネルを実施例１と同様の方法で試験した結果、実施例１と同様に良好な耐ストレス特性を有することが確認できた。
【００８２】
（実施例１０）
滴下注入法により基板間に液晶を注入した以外は実施例１と同様と同じ条件で液晶表示パネルを製造した。即ち、図６に示すように、スペーサを形成したＴＦＴ基板２０上に表示領域を囲むようにしてシール剤３６を塗布した。その後、ディスペンサーにより、ＴＦＴ基板２０の上に強誘電性液晶３０を滴下した。この場合、液晶３０の滴下量はパネルの大きさとセルギャップとに応じて決定し、ＴＦＴ基板２０上に分散させて滴下した。その後、ＴＦＴ基板２０の上に対向基板（図示せず）を重ね合わせ、加熱によりシール剤３６を硬化させた。
【００８３】
このようにして製造した液晶表示パネルを実施例１と同様の方法で試験した結果、実施例１と同様に良好な耐ストレス特性を有することが確認できた。なお、実施例１０では滴下注入法により基板間に液晶を封入しているので、実施例１に比べて製造に要する時間を大幅に短縮することができた。
【００８４】
（比較例１）
ラビング処理後のスペーサに対し再露光をしなかった以外は実施例１と同一条件で液晶表示パネルを製造した。
【００８５】
この液晶表示パネルを実施例１と同様の方法で試験した。その結果、先端径が０．８ｍｍのペン先によりペン荷重１００ｇでパネル中央を押したところ、ペン先の周囲に表示色の変化が見られる表示不良が発生した。このことから、スペーサと一方の基板とが接合されていないことが判明した。
【００８６】
（比較例２）
レジストとして，ポジ型ポリシランレジストの替わりにネガ型のポリシランレジストを用いた以外は実施例１と同一条件で液晶表示パネルを製造した。
【００８７】
この液晶表示パネルを実施例１と同様の方法で試験した。その結果、先端径が０．８ｍｍのペン先によりペン荷重１００ｇでパネル中央を押したところ、ペン先の周囲に表示色の変化が見られる表示不良が発生した。このことから、スペーサと一方の基板とが接合されていないことが判明した。
【００８８】
（付記１）対向して配置された一対の基板と、ポジ型感光性樹脂により形成されて前記一対の基板の両方に接合し、前記一対の基板の間隔を一定に維持する複数のスペーサと、前記一対の基板間に封入された液晶とを有することを特徴とする液晶パネル。
【００８９】
（付記２）前記一対の基板には、それぞれラビング処理された配向膜が形成されていることを特徴とする付記１に記載の液晶パネル。
【００９０】
（付記３）前記スペーサが、一定の間隔で配置されていることを特徴とする付記１に記載の液晶パネル。
【００９１】
（付記４）前記液晶が、ツイステッドネマティック型液晶、スーパーツイステッドネマティック型液晶、ネマティックコレステリック相転移型液晶、ポリマー分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶、ツイストグレインバウンダリ液晶、及びスメクティックＡ相液晶からなる群から選択されたいずれか一種であることを特徴とする付記１に記載の液晶パネル。
【００９２】
（付記５）第１の基板及び第２の基板を用意する工程と、前記第１の基板上にポジ型感光性樹脂を塗布して感光性樹脂膜を形成する工程と、前記感光性樹脂膜に対し露光及び現像処理を施してスペーサを形成する露光／現像工程と、前記スペーサを再露光する再露光工程と、シール剤と前記スペーサとにより前記第１の基板と前記第２の基板と接合し、前記シール剤、前記第１の基板及び前記第２の基板で囲まれる空間内に液晶を封入する液晶封入工程とを有することを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【００９３】
（付記６）前記露光／現像工程と前記再露光工程との間に、前記第１の基板に対しラビング処理を施すラビング工程を有することを特徴とする付記５に記載の液晶パネルの製造方法。
【００９４】
（付記７）前記露光／現像工程と前記ラビング工程との間に、前記スペーサを熱処理して半硬化状態にする工程を有することを特徴とする付記６に記載の液晶パネルの製造方法。
【００９５】
（付記８）ポジ型感光性樹脂として、ポリシランレジストを使用することを特徴とする付記５に記載の液晶パネルの製造方法。
【００９６】
（付記９）前記ポリシランレジストが、アリール基を含有していることを特徴とする付記８に記載の液晶パネルの製造方法。
【００９７】
（付記１０）前記ポリシランレジストが、前記再露光によりシラノールを生成するものであることを特徴とする付記８に記載の液晶パネルの製造方法。
【００９８】
（付記１１）前記液晶封入工程は、真空注入法により実施することを特徴とする付記５に記載の液晶パネルの製造方法。
【００９９】
（付記１２）前記液晶封入工程は、滴下注入法により実施することを特徴とする付記５に記載の液晶パネルの製造方法。
【０１００】
（付記１３）前記液晶封入工程では、前記スペーサを加熱し軟化させた状態で、前記第２の基板と接合することを特徴とする付記５に記載の液晶パネルの製造方法。
【０１０１】
（付記１４）前記シール剤として、前記感光性樹脂の硬化温度よりも高い温度で硬化する熱硬化性樹脂を使用することを特徴とする付記５に記載の液晶パネルの製造方法。
【０１０２】
（付記１５）前記液晶として、ツイステッドネマティック型液晶、スーパーツイステッドネマティック型液晶、ネマティックコレステリック相転移型液晶、ポリマー分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶、ツイストグレインバウンダリ液晶、及びスメクティックＡ相液晶からなる群から選択されたいずれか一種を使用することを特徴とする付記５に記載の液晶パネルの製造方法。
【０１０３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の液晶パネルによれば、スペーサが一対の基板の両方に接合されているので、液晶パネルに外圧が加えられても基板とスペーサとが離れることがなく、セルギャップ（基板間隔）が大幅に変化することが回避される。これにより、干渉縞の発生、色調のばらつき及び駆動電圧特性のばらつきが回避される。
【０１０４】
また、本発明の液晶パネルの製造方法によれば、ポジ型感光性樹脂を用いてスペーサを形成し、その後再露光した後に第１の基板と第２の基板とを重ね合わせるので、スペーサと第１及び第２の基板とを強固に接合することができる。これにより、外圧が加えられてもセルギャップの大幅な変化が回避され、干渉縞の発生、色調のばらつき及び駆動電圧特性のばらつきが回避される。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の実施の形態の液晶パネルの１画素を示す平面図である。
【図２】図２は、図１のＩ−Ｉ線による断面図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態の液晶パネルの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図４】図４は、基板上に塗布したシール剤を示す平面図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態の液晶パネルに外圧が加えられたときのセルギャップの変化を示す模式図である。
【図６】図６は、滴下注入法を示す模式図である。
【図７】図７は、従来の液晶パネルに外圧が加えられたときのセルギャップの変化を示す模式図である。
【符号の説明】
１０，６０…ＴＦＴ基板、
１１，２１…ガラス基板、
１３…ゲート絶縁膜、
１２…ゲートバスライン、
１４…データバスライン、
１５…ＴＦＴ、
１５ｄ…ドレイン電極、
１５ｓ…ソース電極、
１６…チャネル保護膜、
１７，２３…絶縁膜
１７ａ…コンタクトホール、
１８…画素電極、
１９，２５…配向膜、
２０，５０…対向基板、
２２…ブラックマトリクス、
２４…コモン電極、
２６，５１…スペーサ、
３０…液晶、
３５…レジスト膜、
３６…シール剤。
【図１】
2004133258.tif 000003
【図２】
2004133258.tif 000004
【図３】
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【図４】
2004133258.tif 000006
【図５】
2004133258.tif 000007
【図６】
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【図７】
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