(57)【要約】【目的】シールド効果を維持して、シールド効果を充分に維持して、薄型化してもショート等の電気的不具合が生じるおそれが無く高周波半導体装置用パッケージを提供する。【構成】グランド電極の形成された高周波回路基板上に回路素子を配設し、高周波回路基板の２辺にグランド電極と接続するグランド電極を設け、グランド電極に電気的に接続する爪部を２辺に有する金属カバーを被せてなる半導体装置用パッケージにおいて、金属カバー１の内壁部を絶縁コーティング７した金属カバーの２つの爪部２を内側に折り曲げる構造とし、高周波回路基板のグランド電極４に、金属カバー１の爪部２を接触させ電気的に接続した構成とする。【選択図】図１
2004349356.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波回路基板上に回路素子を配設し、前記高周波回路基板にグランド電極を設け、前記グランド電極に電気的に接続する爪部を有する金属カバーを被せてなる半導体装置用パッケージにおいて、金属カバーの内側を絶縁コーティングした絶縁コーティング部とし、金属カバーの内側に向けて折り曲げた爪部を設け、その爪部側面とグランド電極面とを当接させてグランド電極と爪部とを電気的に接続してなることを特徴とする半導体装置用パッケージ。
【請求項２】
矩形状の高周波回路基板の対向する二側面にグランド電極を設け、前記グランド電極に電気的に接続する一対の爪部を設ける請求項１記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項３】
金属カバーを内側に折り曲げて爪部を形成するに当たって、内側に折り曲げた部分の絶縁コーティング部表面が金属カバーの折り曲げない部分の内側絶縁コーティング部表面に実質的に接触する程度に金属カバーを内側に折り曲げて爪部を形成する請求項１又は請求項２記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項４】
高周波回路基板に穴部を設けて穴部内側にグランド電極を配置し、爪部を穴部に勘合させてなる請求項１〜請求項３のいずれか一に記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項５】
爪部とグランド電極との当接面を弾性的に付勢する弾性構造を備える請求項１〜請求項４のいずれか一に記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項６】
爪部が爪部本体と爪部本体の先端から一体に延設された延設部とを有してなり、延設部の側面が高周波回路基板上面に当接してなる請求項１〜請求項４のいずれか一に記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項７】
爪部が爪部本体と爪部本体の先端を折り曲げた折り曲げ部とを有してなり、折り曲げ部の先端面が高周波回路基板上面に当接してなる請求項１〜請求項４のいずれか一に記載の半導体装置用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、発振周波数を例えばＧＨｚ帯とした高周波数発振器等に利用される高周波半導体装置用パッケージに関し、特に電磁波障害を防止して生産性を向上した表面実装用のシールド容器として構成される半導体装置用パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】
高周波発振器は、誘電体あるいはストリップラインを用いて形成され、例えば移動体用通信機器に使用される。このようなものでは、外部からの電気的影響を受けて電磁波障害を生じやすく、容器全体をシールドして封入する半導体装置用パッケージが用いられる。
【０００３】
図７乃至図９は、この半導体装置用パッケージの一従来例を説明する図である。図７は高周波半導体装置用パッケージの分解斜視図、図８は高周波半導体装置用パッケージの断面図、図９は高周波半導体装置用パッケージの部分拡大断面図である。高周波半導体装置用パッケージは、高周波回路基板３と金属カバー１からなるシールド容器３内に、発振回路を構成する各チップ部品６を収容してなる。高周波回路基板３は矩形状とされ、高周波回路基板３の対向する二側面の中央に設けられた凹部にグランド電極４が延出する。金属カバー１は、対向する二辺に爪部２を有する。爪部２は先端が外側面方向に折り曲げられた態様で形成され、この爪部２が高周波回路基板３の対向する二側面の中央に設けられた凹部に勘合し、その勘合部分を介して金属カバー１が高周波回路基板３に取り付けられる。その様にして金属カバー１を高周波回路基板３に装着することによって、その高周波回路基板３の対向する二側面の中央に設けられた凹部のグランド電極部４と爪部２とが接触した状態に保持され、電気的な接続が行われる。
係る高周波半導体装置用パッケージでは金属カバー１の爪部２をくの字に曲げた先端にテーパー２ａが形成されて、金属カバー１を高周波回路基板３に装着する際、金属カバー１の爪部２と高周波回路基板３との勘合部のエッジから先端２ａを介して爪部２を滑り込ませることによって容易に装着が行われると共に勘合部を金属カバー１の爪部２で挟み込んでいる。
【０００４】
このような高周波半導体装置用パッケージでは、高周波回路基板３のグランド電極４と金属カバー１の爪部２とを接合するので、ほぼ全面的に外部と遮蔽されたシールド容器３を形成することができ、電磁波障害を防止することができる。
【０００５】
ここで、このような高周波半導体装置用パッケージとして、例えば以下に示す文献に示された高周波半導体装置用パッケージが提案されている。
特許文献１に示される高周波半導体装置用パッケージでは、金属カバーの一対の対向辺の爪部と前記側面電極とを半田により接合し、他対の対向辺の爪部には内部に突出した膨出部を設けて前記側面電極に強く嵌め合わせた構成とされている。
【０００６】
【特許文献１】
特開平１０−４１６６５
【発明が解決しようとする解決課題】
しかし以上の従来の高周波半導体装置用パッケージや特許文献１に示される高周波半導体装置用パッケージでは、次のような問題があった。
すなわち前述の従来の高周波半導体装置用パッケージ及び特許文献１に示される高周波半導体装置用パッケージでは、金属カバー１内壁が金属面であるため、高周波回路基板３上に実装されるＦＥＴ等のデバイス５とチップ部品６を、金属カバー１内壁に近づけるとチップ部品６と金属カバー１が接触して、ショート等の電気的不具合が生じる。
またこれを防止するために金属カバー１の内壁及び爪部２の内側に絶縁材のコーティングを行うと、高周波回路基板３に装着した際に、その高周波回路基板３のグランド電極４と接触しても、電気的に接続が不可能になる。
また金属カバー１を、高周波回路基板３に装着する際、金属カバー１の爪部２で挟み込んでも、爪部２のくの字の部分すなわち先端テーパー２ａに移行する部分に曲面部分が形成され、高周波回路基板３の厚さが薄いと、高周波回路基板３の上面にくの字の部分が位置するように取り付けられるようになり、爪部２先端テーパー２ａと高周波回路基板３との間にすべりが生じ、外れ易くなるという問題がある。したがって、高周波回路基板を薄型化することができないという問題があった。
本発明は、以上の従来の問題に鑑みてなされたものであって、シールド効果を充分に維持して、薄型化してもショート等の電気的不具合が生じるおそれが無くしかも生産性を向上した、高周波半導体装置用パッケージを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
以上の目的を達成する本発明の半導体装置用パッケージは、高周波回路基板上に回路素子を配設し、前記高周波回路基板にグランド電極を設け、前記グランド電極に電気的に接続する爪部を有する金属カバーを被せてなる半導体装置用パッケージにおいて、金属カバーの内側を絶縁コーティングした絶縁コーティング部とし、金属カバーの内側に向けて折り曲げた爪部を設け、その爪部側面とグランド電極面とを当接させてグランド電極と爪部とを電気的に接続してなることを特徴とする。
【０００８】
【作用】
【０００９】
本発明の高周波半導体装置用パッケージによれば、金属カバーの内壁に絶縁コーティングを行った２箇所の爪部を内側に折り曲げることによって、金属カバー外側の金属面が爪部の内側に配置され、金属カバーを高周波回路基板に装着した際に、その高周波回路基板のグランド電極部と爪部の金属部分とが接触し、電気的に接続される。したがって金属カバーの内壁を絶縁コーティングで覆うことができ、高周波回路基板内に搭載するＦＥＴ等のデバイスとチップコンデンサ、チップ抵抗、チップインダクタ等のチップ部品を金属カバーの内側壁に近づけてもこの絶縁コーティングによって短絡が阻止される。また高周波回路基板上面の上下方向だけではなく平面方向にも従来よりも実装面の面積が広がり、そのように実装面の面積が広がる結果として高周波半導体装置用パッケージを実質的に縮小化することができる。また金属カバーを高周波回路基板に装着する際、金属カバーの爪部先端を高周波回路基板の勘合部のエッジから滑り込ませて装着を容易に行うことができ、装着した状態では勘合部を金属カバーの爪部で挟み込んでいるため外れ難い。
【００１０】
また本発明の高周波半導体装置用パッケージによれば、高周波回路基板を薄型化しても、金属カバーの側壁部分を折り曲げて形成した爪部が、薄くした高周波回路基板のグランド電極部分と勘合することにより、金属カバーの爪部側面のテーパ面ではない平面部分と高周波回路基板のグランド電極の平面部分が当接して対向する爪部によって高周波回路基板側部を挟み込むので、爪部がグランド電極の上部領域に勘合するような態様で金属カバーが高周波回路基板に取り付けられても、容易に離脱することはない。
【００１１】
【実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を説明する。図１〜図３は本発明の一実施の形態の高周波半導体装置用パッケージを示し図１は高周波半導体装置用パッケージの分解斜視図、図２は高周波半導体装置用パッケージの断面図、図３は高周波半導体装置用パッケージの部分拡大断面図である。なお、図７乃至図９に示した従来の高周波半導体装置用パッケージと同一部分には同一符号を付して説明する。図１〜図３に示すように高周波半導体装置用パッケージは、対向する二辺にグランド電極４を有する高周波回路基板３と、これも対向する二辺に爪部２を有する金属カバー１とからなるシールド容器３内に、発振回路を構成する各チップ部品６を収容してなる。
【００１２】
図１〜図３に示されるように本実施の形態の高周波半導体装置用パッケージでは金属カバー１を成形する際に絶縁コーティングを施した絶縁コーティング部７を内壁側に設け、その金属カバー１の側壁部分縁部を内側に向けて折り曲げて対向する一対の爪部２を設ける。この爪部２は縁部が内側に向けて実質的に１８０°程度折り曲げられて形成される。その様に実質的に１８０°程度折り曲げられる結果、金属カバー１爪部２の折り曲げて得られる内側面は特にはテーパとしては機能しない平面とされる。
【００１３】
かかる金属カバー１を爪部２を介してＦＥＴ等のデバイス５とチップコンデンサ・チップ抵抗・チップインダクタ等のチップ部品６を搭載した高周波回路基板３に装着する。その結果、金属カバー１爪部２の折り曲げて得られる内側平面が高周波回路基板３のグランド電極４に当接し、電気的な接続が行われる。その状態で金属カバー１の対向する一対の爪部２で高周波回路基板３を挟みこみテンションを掛けて、高周波回路基板３と金属カバー１が外れないようにする。
【００１４】
なお、金属カバー１の爪部２の先端部近傍には、平面領域２ａから連続するテーパ領域２ｂが設けられる。金属カバー１を爪部２を介して高周波回路基板３に装着する際にはこのテーパ領域２ｂを滑らせて円滑に装着することができる。
【００１５】
以上の実施の形態の高周波半導体装置用パッケージでは金属カバー１の内壁に絶縁コーティング７を行った２箇所の爪部２を内側に１８０°折り曲げることによって、金属カバー１外側の金属面が爪部２の内側に成形され、高周波回路基板３に装着した際に、その高周波回路基板３のグランド電極４と接触し、電気的に接続される。
【００１６】
金属カバー１の爪部２を１８０°折り曲げた面は平面領域２ａにすることで、高周波回路基板３と爪部２との勘合部分がグランド電極４の上部領域であっても外れることが無く、更に爪部２先端に設けたテーパー部２ａの長さを短くすることによって薄型の高周波回路基板３に対する装着も可能となる。
【００１７】
次に本発明の他の実施の形態の高周波半導体装置用パッケージを図４に示す。図４に示す実施の形態の高周波半導体装置用パッケージは金属カバー１の爪部９が爪部底面９ａと爪部側面９ｂ，ｃと爪部上面９ｄとから構成される台形状に構成される。かかる爪部９は爪部底面９ａと爪部上面９ｄとの間で弾性的に撓む機能を有し、その結果、一対の爪部９が対向する２辺のそれぞれにおいて高周波回路基板３のグランド電極４に勘合することによって、その一対の爪部９によって高周波回路基板３が弾性的に保持される。
この図４に示す実施の形態の高周波半導体装置用パッケージによっても先の図１〜図３に示す実施の形態の高周波半導体装置用パッケージと同様にパッケージの小型化・薄型化が可能となる。また、金属カバー１の爪部９を高周波回路基板３のグランド電極４に勘合させる際に爪部９がグランド電極４との当接面を弾性的に付勢する。その結果、金属カバー１が高周波回路基板３から外れることがなく、かつ、高周波回路基板３のグランド電極４と金属カバー１の爪部９が強力に接触し、電気的な接続が保証される。
【００１８】
次に本発明のさらに他の実施の形態の高周波半導体装置用パッケージを図５に示す。図５に示す実施の形態の高周波半導体装置用パッケージは金属カバー１の爪部１５が爪部本体１５ａと爪部本体１５ａの先端から一体に延設された延設部１５ｂとを有してなる。この様に延設部１５ｂを有することによって延設部１５ｂの側面が高周波回路基板３の上面に当接してストッパーとして機能し、対向する２辺のそれぞれにおいて高周波回路基板３のグランド電極４に一対の爪部１５が勘合することによって、その延設部１５ｂの側面が高周波回路基板３の上面に当接し金属カバー１が一定以上高周波回路基板３に近接することが防止され、金属カバー１の上面からの加圧にも充分な強度を発揮する。
【００１９】
次に本発明の別の実施の形態の高周波半導体装置用パッケージを図６に示す。図６に示す実施の形態の高周波半導体装置用パッケージは金属カバー１の爪部２１が爪部本体２１ａと爪部本体２１ａの先端を内側に１８０°折り曲げた折り曲げ部２１ｂとを有してなる。この様に折り曲げ部２１ｂを有することによって折り曲げ部２１ｂの先端面が高周波回路基板３の上面に当接してストッパーとして機能し、対向する２辺のそれぞれにおいて高周波回路基板３のグランド電極４に一対の爪部２１が勘合することによって、その折り曲げ部２１ｂの先端面が高周波回路基板３の上面に当接し金属カバー１が一定以上高周波回路基板３に近接することが防止され、金属カバー１の上面からの加圧にも充分な強度を発揮する。
更に実施の形態では折り曲げ部２１ｂの内側面が絶縁コーティング部７とされているため、爪部本体２１ａと爪部本体２１ａの先端を内側に１８０°折り曲げた折り曲げ部２１ｂにチップ部品６を近づけても接触せず、ショート等の電気的不具合が発生することはない。
【００２０】
【発明の効果】
以上の本発明の半導体装置用パッケージによれば半導体装置用パッケージを高周波回路から生じる電磁波に対するシールド性を充分に保ちながら小型化・薄型化することができると共に金属カバーとの勘合性を保ちながら高周波回路基板を薄型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態を説明する高周波半導体装置用パッケージの分解斜視図である。
【図２】本発明の一実施の形態を説明する高周波半導体装置用パッケージの断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態を説明する高周波半導体装置用パッケージの部分拡大断面図である。
【図４】本発明の他の実施の形態を説明する高周波半導体装置用パッケージの部分拡大断面図である。
【図５】本発明の一実施の形態を説明する高周波半導体装置用パッケージの部分拡大断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態を説明する高周波半導体装置用パッケージの部分拡大断面図である。
【図７】従来の高周波半導体装置用パッケージを説明する高周波半導体装置用パッケージの分解図である。
【図８】従来の高周波半導体装置用パッケージを説明する高周波半導体装置用パッケージの断面図である。
【図９】従来の高周波半導体装置用パッケージを説明する部分拡大断面図である。
【符号の説明】
１・・・金属カバー、４・・・グランド電極、３・・・高周波回路基板、２，９，１５，２１・・・爪部、６・・・チップ部品、７・・・絶縁コーティング部。
【図１】
2004349356.tif 000003
【図２】
2004349356.tif 000004
【図３】
2004349356.tif 000005
【図４】
2004349356.tif 000006
【図５】
2004349356.tif 000007
【図６】
2004349356.tif 000008
【図７】
2004349356.tif 000009
【図８】
2004349356.tif 000010
【図９】
2004349356.tif 000011