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(57)【要約】【課題】片方向に光を取り出す平板状蛍光ランプにおいて、安価な製品を提供する。【解決手段】平板状をした少なくとも片面が透光性を有する放電容器において、光を取り出す面と反対側の面の内面に少なくとも光反射材が塗布されているように構成する。【選択図】図１
2004152715.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状をした少なくとも片面が透光性を有する放電容器と、放電容器の内側にあって誘電体に覆われ、平行に配置された一対の電極と、放電空間にＸｅまたはＸｅを含む２種以上の希ガスの混合ガスまたはＨｇと希ガスとの混合物が封入され、透光性を有する面の内面には蛍光体が塗布され、他の面の内面には光反射材および蛍光体が塗布されていることを特徴とする平板型蛍光ランプ。
【請求項２】
平板状をした少なくとも片面が透光性を有する放電容器と、放電容器の内側にあって誘電体に覆われ、平行に配置された一対の電極と、放電空間にＸｅまたはＸｅを含む２種以上の希ガスの混合ガスまたはＨｇと希ガスとの混合物が封入され、透光性を有する面の内面には蛍光体が塗布され、他の面の内面には光反射材が塗布されていることを特徴とする平板型蛍光ランプ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば液晶パネル用バックライト等の平板型光源、平面状の照明用光源に用いて好適な平面状に発光する平板型蛍光ランプに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶パネルは薄形軽量であり、かつ低消費電力であるため、ビデオカメラ等の携帯用機器や、パソコン、テレビ等各種の情報映像デバイスとして広く使用されている。しかし、液晶自体は発光素子ではなく、表示のためには液晶パネルの背面から光を供給するバックライトが必要である。
【０００３】
従来用いられているバックライトは、水銀と希ガスを封入した冷陰極蛍光ランプとアクリル樹脂製の導光体を組み合わせたものが主であるが、携帯用の液晶表示装置のバックライトとして小電力の平板型光源も使用されている。
【０００４】
例えば特開２０００−１４９８６９号公報に記載されている従来の平板型光源は、断面が扁平状の放電空間を有し、内面に蛍光体が塗布された密閉容器で構成され、上記密閉容器内に表面が誘電体で覆われている一対の放電電極が設けられており、放電空間にはキセノンとアルゴンの混合ガスが封入されている。本構造による平板型蛍光ランプは、電極間に高周波電圧を印加することにより放電空間内に希ガス放電が発生し、これにより蛍光体が励起されて発光し、外部に放射される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来の平板型蛍光ランプでは、放電容器の両面に蛍光体を塗布している。このため、片方向のみに光を取り出す場合は、光を取り出す面の蛍光体を薄く塗布し、反対面の蛍光体を厚く塗布して蛍光体層の中で反射させていた。この場合、反対面の蛍光体を厚く塗布するため、高価な蛍光体の使用量が多くなり、価格の高いものとなっていた。本発明は、蛍光体の使用量を減らして、原価を低減しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明では平板状をした少なくとも片面が透光性を有する放電容器において、透光性を有する面の内面には蛍光体が塗布され、他の面の内面には光反射材および蛍光体が塗布されているように構成する。
【０００７】
また、本発明では平板状をした少なくとも片面が透光性を有する放電容器において、透光性を有する面の内面には蛍光体が塗布され、他の面の内面には光反射材が塗布されているように構成する。
【０００８】
【発明の実施の形態】
つぎに本発明の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。
【０００９】
図１は本発明による平板型蛍光ランプの一実施例の一部切欠き図である。図において１は板ガラス状の前面板、２は薄皿状の背面板で、ともにソーダガラスでできている。前面板１と背面板２は封着ガラス（図示せず）で封着され、密閉構造となっている。３および４は対になる電極であり、前面板１の内面に印刷されている。さらに電極３，４の放電空間に接する部分では、その上に誘電体膜５が厚膜印刷され、電極３，４を覆っている。
【００１０】
前面板１の内面には蛍光体７が塗布されている。背面板２の内面には酸化チタンなどでできた光反射膜８が塗布され、その上に蛍光体９が塗布されている。容器内にはＸｅ，Ｎｅ，Ａｒの混合ガスが封入されている。
【００１１】
図１の平板型蛍光ランプの動作は次の様になる。放電中でＸｅより発光した紫外光は蛍光体７および９に到達し、可視光に変換される。この時蛍光体９から背面板の方向に出た光は、反射膜８で前面板側に反射される。このため、もともと前面板の方向に出射する光と合わせて、前面板の輝度を高くし、大きな光量を取り出すことができる。本実施例では、背面板の方向に出た光を反射させるために、酸化チタンを用いたので、安価なランプが実現できた。
【００１２】
本実施例は、変形・応用が可能である。例えば容器は板ガラス状の前面板と背面板とし、側面を別の側面用ガラス板を用いて、これらを封着して構成してもよい。また、電極上の誘電体膜の上にさらにＭｇＯ膜を形成してもよい。封入物としてＨｇとＡｒガスであってもよい。
【００１３】
また、背面板には蛍光体膜を設けず、反射膜のみの構成でもよい。図１の実施例において、Ｘｅ分圧を比較的高圧力にした場合は、放電から放射される紫外線に、波長１７２ｎｍの紫外線の割合が多くなる。このとき放電ガスによる再吸収を受けないため、紫外線自身が前面板まで到着して可視光に変換されるからである。
【００１４】
【発明の効果】
本発明によれば、片方向に光を取り出す平板型蛍光ランプの場合に、高価な蛍光体の使用量を減らして、安価な製品を提供できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による平板型蛍光ランプの一実施例の部分断面斜視図。
【符号の説明】
１…前面板、２…背面板、３、４…電極、５…誘電体膜、７、９…蛍光体、８…反射膜。
【図１】
2004152715.tif 000003
(57)【要約】【課題】フィルタ時定数変更に伴うタクトタイム増加を位置ずれする事なく短縮でき、またフィルタ出力を滑らかにすることができる【解決手段】フィルタを備えたマシンコントローラにおいて、フィルタ時定数が異なる２個の独立した前記フィルタと、指令入力を前記２個の前記フィルタのいずれかに入力できるように切り換える切換スイッチと、前記２個のフィルタの出力を加算する加算器と、からなる。【選択図】    図１
2004152119.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルタを備えたマシンコントローラにおいて、
フィルタ時定数が異なる２個の独立したフィルタと、
指令入力を前記２個のフィルタのいずれかに入力できるように切り換える切換スイッチと、
前記２個のフィルタの出力を加算する加算器と、
からなることを特徴とするマシンコントローラのフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、位置決め装置などに使用されるマシンコントローラのフィルタ機能に関しており、特にフィルタ時定数変更に伴うタクトタイム短縮ができるフィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、位置決め装置などに使用されるマシンコントローラにおいて加減速時の機械系の振動を抑え、モータを滑らかに回転させるためのソフトの機能としてセグメントフィルタ（移動平均フィルタ）があった。図３は、従来のセグメントフィルタをブロック化した図であり、図４はそのフィルタの時定数変更時の動作手順を示すフローチャートである。
図３に示すように従来のセグメントフィルタは、入出力部と１つのフィルタから構成され、入力されたセグメントをソフトで逐次フィルタ処理し、出力するという手順がとられていた（例えば特許文献１）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−３０６１１８号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが従来のセグメントフィルタでは、連続した入力指令を入力して位置決めをする際、位置ずれを発生させずにフィルタ定数を切り替えるには次の２通りの方法がとられている。
▲１▼前回のフィルタ払い出し完了を待つ
▲２▼フィルタ残量を一気に出力させる
しかしながら、▲１▼ではフィルタ時定数変更の際、前回のフィルタ払い出し完了を待つ時間があるためタクトタイムがフィルタ時定数に比例して長くなってしまうという問題があり、▲２▼ではフィルタのバッファ内全ての指令を一気に出力するため、非常に大きな値の指令が１回の指令で出力されてフィルタ出力が滑らかでなくなり、そのような指令で制御された機械にダメージを与えてしまうという問題があった。
本発明はこのような様々な問題点に鑑みてなされたものであり、フィルタの時定数変更に伴うタクトタイム増加を位置ずれする事なく短縮でき、またフィルタ出力を滑らかにすることができるフィルタを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記問題を解決するため、本発明は、フィルタを備えたマシンコントローラにおいて、フィルタ時定数が異なる２個の独立したフィルタと、指令入力を前記２個のフィルタのいずれかに入力できるように切り換える切換スイッチと、
前記２個のフィルタの出力を加算する加算器と、からなることを特徴とするものである。
このようになっているため、前回のフィルタ払い出し完了を待たずフィルタ時定数を変更することができ、かつモータを滑らかに回転させることができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的実施例について、図に基づいて説明する。図１は、本発明のマシンコントローラのフィルタの構成を示すブロック図である。図に示すように本発明のマシンコントローラのフィルタは、入出力部、入力を切り替えるためのスイッチと複数個の独立したフィルタから構成されている。図において、従来１つのフィルタで行っていたフィルタ処理を複数個の独立したフィルタを用い、フィルタ払い出し完了状態のフィルタに入力を切り替える事でフィルタ時定数の切り替えを実現している。
【０００７】
図２は図１のマシンコントローラのフィルタにおける処理手順を示すフローチャートである。この図１，２を用いて、以下、本発明のマシンコントローラのフィルタが２個のフィルタから構成される場合を例にとって順を追って説明する。
指令１まではフィルタ時定数１、指令１〜指令２ではフィルタ時定数２でフィルタ処理を行う場合、指令１が入力されるとフィルタ時定数１を持ったフィルタ１にセグメントが入力され、フィルタ処理１が行われる。指令１の払い出しが終わり、指令２が入力されるとセグメントの入力を切り替え、フィルタ時定数２を持ったフィルタ２に入力され、フィルタ処理２が行われる。その際、フィルタ１にはセグメントは入力されていないがフィルタ残量が０になるまでフィルタ処理を続ける。そしてフィルタ１、２で処理されたセグメントの和が出力される。
このように、フィルタ１にフィルタ残量があっても  フィルタ１の払い出し完了を待たず、また一気にフィルタ残量を払い出すことなくフィルタ２に切り替えてフィルタ時定数の変更ができ、またフィルタ１、フィルタ２で処理されたセグメントの和を出力しているので位置ずれすることなくフィルタ処理をすることが出来るのである。
【０００８】
図５は、本発明の効果を説明する図であり、点Ａから点Ｂまでは緩やかな加減速を、点Ｂから点Ｃへの移動では急な加減速をかける場合について、従来のフィルタ処理と本発明の方法を適用したフィルタ処理のタクトタイムを比較したものである。図より本発明の方法を適用したフィルタを用いるほうが従来のものと比べてタクトタイムが短縮されていることが分かる。
2004152119.tif 000003
【０００９】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の方法によれば、複数個の独立したフィルタを用い、入力を切り替えるという手順をとっているので、従来のセグメントフィルタの問題点であったフィルタ時定数変更に伴うタクトタイムの増加を位置ずれする事なく短縮でき、またフィルタ出力も滑らかにする事が可能となって機械に無用のダメージを与えなくなるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のマシンコントローラのフィルタの構成を示すブロック図
【図２】本発明の方法の処理手順を示すフローチャート
【図３】従来のマシンコントローラのフィルタの構成を示すブロック図
【図４】従来のフィルタの処理手順を示すフローチャート
【図５】本発明の効果を説明する図
【図１】
2004152119.tif 000004
【図２】
2004152119.tif 000005
【図３】
2004152119.tif 000006
【図４】
2004152119.tif 000007
【図５】
2004152119.tif 000008
(57)【要約】【課題】半導体装置が大容量になると、単純なＣスナバ回路では十分なサージ抑制能力が得られない。【解決手段】半導体装置が大容量の場合、チップ（１）を複数個並列接続して、大容量を達成していことが多い。このような半導体装置に対し、個々のチップ（１）にスナバ接続端子（４，５）を設け、これらのスナバ接続端子（４，５）に個別のスナバ回路を設ける。【選択図】        図１
2004152861.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置を構成するチップ毎にスナバ接続端子を設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
単一の大容量チップをいくつかのセル単位で分割し、分割したそれぞれに対してスナバ接続端子を設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
上記スナバ接続端子個々にＣスナバ回路を接続する請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
基板上にある浮遊容量をスナバ回路のコンデンサとして用いた請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体装置に関し、特にスナバ回路を具備した半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電力用の半導体装置では、スイッチング時に発生するサージ電圧を抑制するためには、
▲１▼  ゲート抵抗を大きくしてスイッチング時間を短くする、
▲２▼  スナバ回路でサージ電圧を吸収する、などの方法が一般に取られている。
その半導体装置が大容量となるにつれ、サージ電圧も高くなるため、▲１▼▲２▼の手法を更に強化する必要がある。
【０００３】
集積回路の入出力保護として、複数の外部端子に対して共通の入出力保護デバイスを接続している（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
半導体集積回路の静電保護として、二つ以上のボンディングパッドが一つの静電保護回路を共用している（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
スイッチング素子に用いるスナバ回路のコンデンサとして、ＭＯＳＦＥＴやバイポーラトランジスタのコレクタ・ベース間の接合容量を用いている（例えば、特許文献３参照）。
【０００６】
【特許文献１】
特開平５−７５０２３号「集積回路の入出力保護装置」（請求項１、図１）
【０００７】
【特許文献２】
特開平２−１５１０６３号「半導体集積回路の静電保護回路」（請求項１、図１）
【０００８】
【特許文献３】
特開平３−１７８２１４号「パワー半導体装置のスナバ回路」（請求の範囲１、第１図）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上記▲１▼の手法は、大容量の場合、スイッチング損失が増大し冷却能力の増強が必要となる。また、▲２▼の手法及び特許文献２、３では、小容量素子では、コンデンサのみによるスナバ（Ｃスナバ）回路で十分効果が得られるのに対し、大容量素子では、コンデンサ、抵抗、ダイオードを組合せたスナバ（ＣＲＤスナバ）回路などの複雑な配線を講じたものでなければ効果が得られなかった。
【００１０】
この発明は、単純なＣスナバ回路などの採用で十分なサージ抑制能力を有する半導体装置を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
半導体装置が大容量の場合、チップを複数個並列接続して、大容量を達成していことが多い。本発明は、そのような半導体装置に対し、個々のチップにスナバ接続端子を設け、それらのスナバ接続端子に個別のスナバ回路を設ける。
【００１２】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１に本発明の実施形態１に係わる大容量素子２１を示している。この大容量素子２１は、図示したように、絶縁基板上に設けた４個のチップ１を並列接続して、主端子２、３は共通にして一つの大容量素子を構成している。それらのチップ１に対して、スナバ接続端子４、５を設け、それぞれのチップ１に対して個別にスナバ回路を設ける。
【００１３】
これらのスナバ接続端子４、５には周知のスナバ回路が接続されるが、このようにチップ毎にスナバ回路を接続する場合には、コンデンサのみによる簡単なＣスナバ回路であってもサージ電圧を十分に抑制することができる。
【００１４】
実施の形態２．
図２に本発明の実施形態２に係わる大容量素子２２を示している。この大容量素子２２は、絶縁基板上の単一のチップ１１からなるが、そのチップ１１を複数のセル１１ａ単位に分割し、それぞれのセル１１ａにスナバ接続端子４、５を設け、個別にスナバ回路を設ける。この場合も実施形態１と同様に、Ｃスナバ回路だけでサージ電圧を十分に抑制することができる。
【００１５】
実施の形態３．
図３に本発明の実施形態３に係わるトランジスタの構成図（左図）およびその等価回路（右図）を示している。配線パターン６を、エミッタ電極下にあるもの（６ａ）と、そうでないもの（６ｂ）とに分割し、配線パターン６ｂを面全体のパターンとする。そして、その配線パターン６ｂをワイヤ７を用いてエミッタＥに接続する。
【００１６】
配線パターン６ａ、６ｂの下には、絶縁物８を挟んで別の配線パターン９が位置する。この場合、配線パターン６ａと配線パターン９との間で絶縁物８によって、コンデンサＣＡＰ１が形成され、また、配線パターン６ｂと配線パターン９との間で絶縁物８によって、コンデンサＣＡＰ２が形成され、図３の右図に示すように、コレクタＣとエミッタＥとの間にコンデンサＣＡＰ１、ＣＡＰ２が直列に接続されたことになる。
【００１７】
このコンデンサがＣスナバ回路のコンデンサとして機能する。この実施形態３では、チップの極めて近い個所にスナバ回路が形成され、また、利用されていなかった個所の基板パターン６ｂを活用できる。
【００１８】
【発明の効果】
この発明は、半導体装置を構成するチップ毎にスナバ接続端子を設け、各スナバ接続端子にスナバ回路を接続するようにしたので、接続するスナバ回路としてはＣスナバ回路のごとき単純なものでサージ抑制効果を十分に得ることができ、スナバ回路の接続も容易となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１を示した半導体装置の斜視図
【図２】本発明の実施の形態２を示した半導体装置の斜視図
【図３】本発明の実施の形態３を示したトランジスタの断面図および等価回路図
【符号の説明】
１  半導体チップ、２  主端子、３  主端子、４  スナバ接続端子、５  スナバ接続端子、６  配線パターン、７  ワイヤ、８  絶縁物、９  基板パターン、２１  大容量素子、２２  大容量素子
【図１】
2004152861.tif 000003
【図２】
2004152861.tif 000004
【図３】
2004152861.tif 000005
(57)【要約】【課題】従来の主照明装置によれば、通常、使用する場合、白系の照明しか付いておらず、部屋の雰囲気を変えることができなかった。また間接照明は天井面や壁面に通常主照明装置と別に付いており、電気配線の関係上、容易に追加することができなかった。【解決手段】主照明装置１に通常、付いている、照明装置２以外に上部に色合いの付いた間接照明専用の照明器具３を設けることにより、新たな電気配線及び、照明器具を付加せずに天井面及び壁面を照らすことにより部屋全体の色合いや雰囲気を変える。【選択図】図１
2004152647.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部に色合いの付いた間接照明専用の照明器具を設けたことを特徴とする主照明器具。
【請求項２】
上部に色合いの付いた間接照明専用の照明器具を設け、天井面及び壁面を照らすことにより部屋全体の色合いや雰囲気を変えることを特徴とする請求項１記載の主照明器具。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
この発明は、部屋の主照明装置の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の主照明装置の構造は、図３に示すように、主照明装置の下側のみを照らす又は、下側上側共に同色の照明を行うものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、以上の従来技術によれば、通常、使用する場合、白系の照明しか付いておらず、部屋の雰囲気を変えることができなかった。また間接照明は天井面や壁面に通常主照明装置と別に付いており、電気配線の関係上、容易に追加することができなかった。そこで、この発明は、部屋の雰囲気を変えることのできる主照明装置を提供することを課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するために、請求項１の発明は、上部に色合いの付いた間接照明専用の照明器具を設けたことを特徴とする主照明器具である。また、請求項２の発明は、上部に色合いの付いた間接照明専用の照明器具を設け、天井面及び壁面を照らすことにより部屋全体の色合いや雰囲気を変えることを特徴とする請求項１記載の主照明器具である。
【０００５】
【発明の実施の形態】
この発明の一実施形態を、図１に示す。吊り下げ式主照明装置の本体１の下部には、下側照明用の白色蛍光灯２あり、この本体１の上部には、さらに青色蛍光灯３が設けられている。この蛍光灯３は天井面及び壁面を照らす構造になっている。また図２において、天井取り付け式照明装置の本体１も同様の構造となっている。
【０００６】
「実施形態の効果」
この実施形態によれば、間接照明用の上部青色蛍光灯のみを使用すれば、一般的な白色の天井面や壁面に青色の光が照らし出され、部屋全体が青くなり、雰囲気を変えることができる。
【０００７】
「他の実施形態」
図１及び図２の実施形態では、照明に蛍光灯を使っているが、電球やＬＥＤなど他の照明器具を用いてもよい。また図１及び図２の実施形態では、色合いの付いた照明器具を用いているが、フイルムや乳版などを用い透過時に変色や模様をつけるものであってもよい。また図１及び図２の実施形態では、上部間接照明用に青色の物を利用しているがその他の色や複数色・模様の入った物であってもよい。また図１及び図２の実施形態では、上部間接照明用に一つの照明器具しか付いていないが、複数個または複数種類の照明がついたものでもよい。また図１及び図２の実施形態では、間接照明装置が一体型となっているが、後付用に一体型になってなくてもよい。
【０００８】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、主照明装置の上部に色合いのついた間接照明装置を取り付けることにより、天井面及び壁面を照らすことにより部屋全体の色合いや雰囲気を変えることができる。
【０００９】
また、間接照明を追加する場合、天井面や壁面に新たに電気配線を追加しなくてよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態を示す斜視図である。
【図２】この発明の一実施形態を示す斜視図である。
【図３】従来技術を示す斜視図である。
【符号の説明】
１  照明器具本体
２  下側照明用蛍光灯
３  上側間接照明用青色蛍光灯
４  下側照明光軸
５  上側間接照明光軸
【図１】
2004152647.tif 000003
【図２】
2004152647.tif 000004
【図３】
2004152647.tif 000005
(57)【要約】【課題】スムーズに可動できる押しボタンスイッチを提供する。【解決手段】基台１の上面に、窓孔２を形成したリング状のケース３を取り付け、前記窓孔２に押しボタン４を嵌め合わせた押しボタンスイッチにおいて、前記押しボタン４の下縁５を前記基台１の上面に形成した凹溝６にガイド可能とした押しボタンスイッチである。【選択図】  図１
2004349004.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基台の上面に、窓孔を形成したリング状のケースを取り付け、前記窓孔に押しボタンを嵌め合わせた押しボタンスイッチにおいて、前記押しボタンの下縁を前記基台の上面に形成した凹溝にガイド可能とした押しボタンスイッチ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄型化に好適な押しボタンスイッチに関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般的な押しボタンスイッチは、基台の上面に、窓孔を形成したリング状のケースを取り付け、前記窓孔に押しボタンを嵌め合わせている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、薄型化された押しボタンスイッチにそのまま適用すると、押しボタンを押し込んだ場合の直線性が悪く、その下縁がふらつきやすいために引っかかりを生じやすいという解決すべき課題があることに着目されるべきである。本発明はこのような解決すべき課題を鑑み、スムーズに可動できる押しボタンスイッチを提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明を要約すると、基台の上面に、窓孔を形成したリング状のケースを取り付け、前記窓孔に押しボタンを嵌め合わせた押しボタンスイッチにおいて、前記押しボタンの下縁を前記基台の上面に形成した凹溝にガイド可能とした押しボタンスイッチである。
【０００５】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態を説明するが、それはあくまで本発明に基づいて採択された例示的な実施形態であり、本発明をその実施形態に特有な事項に基づいて限定解釈してはならず、本発明の技術的範囲は、請求項に示した事項さらにはその事項と実質的に等価である事項に基づいて定めなければならない。
【０００６】
図示の実施形態は、基台１の上面に、窓孔２を形成したリング状のケース３を取り付け、前記窓孔２に押しボタン４を嵌め合わせた押しボタンスイッチにおいて、前記押しボタン４の下縁５を前記基台１の上面に形成した凹溝６にガイド可能とした押しボタンスイッチである。
【０００７】
さらに詳述すれば、基台１の上面には基板７が配置され、基板７の上面には図示されない導電パターンが印刷配線されている。押しボタン４の下面と基板７の間にはゴムなどの弾性体によるドーム体９が配置される。また、ケース３と基台１とは図外の箇所で適宜、互いに爪などで係止固定されている。
【０００８】
押しボタン４を押すとドーム体９が弾性圧縮されその中央下面の図示されない導電面が基板７の前記導電パターンに接触する。この動作において、凹溝６の内側にあるリブ８の外側が押しボタン４の下縁５をガイドするため、押しボタン４が直線性よくスライドされ、そのふらつきが発生せず、引っかかりなどの問題点を生じない。
【０００９】
本実施形態によれば、押しボタン４の下縁５を前記基台１の上面に形成した凹溝６にガイド可能としたことにより、押しボタン４を押したときの直線性が至極改善され、引っかかりなどの問題点を生じないスムーズなものとなった。なお、凹溝６と下縁５は必ずしもリング状であることを要しない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態を示す断面図
【符号の説明】
１  基台
２  窓孔
３  ケース
４  押しボタン
５  下縁
６  凹溝
【図１】
2004349004.tif 000003
(57)【要約】【課題】二次電池の劣化を防止。【解決手段】陰極、陽極及びイオン伝導体から成る二次電池であって、前記イオン伝導体に放射性物質を添加することによって、イオン伝導体中のイオンや析出物に放射線を当て、イオンの原子価電子や、析出物中の結合電子を励起させて、イオンや析出物の化学反応活性を高め、析出物結晶の成長及び肥大を抑止し、充放電の繰り返しによる蓄電容量や起電力の低下を防止する。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極、陽極及びイオン伝導体から成る二次電池であって、前記イオン伝導体に放射性物質を添加したことを特徴とする二次電池。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、充放電を繰り返しても劣化しない二次電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、化学電池は一次電池と二次電池に大別され、化学エネルギーを電気エネルギーに変換する仕組みは同じで、酸化剤を陽極活物質、還元剤を陰極活物質とし、両極をイオン伝導体（電解質水溶液又は非水溶液電解質）中に対置し、かかる両極に外部負荷を接続すると、陽極では電子受容反応（還元反応）が起こり、陰極では電子放出反応（酸化反応）が起こり、外部負荷を通って電子は陰極から陽極へと移動し、電流は陽極から陰極に流れる。
又、イオン伝導体中ではイオンが移動することで、電流が流れる。
この様に、放電現象は電気化学反応によって起こり、放電により活物質が消費され、それ以上放電出来なくなったら廃棄してしまう形式の電池を一次電池といい、活物質が消費し尽くされたら、外部から電力を供給し、活物質を再生して繰り返し使用する形式のものを二次電池という。
二次電池には、自動車等の機械器具類に用いられる鉛蓄電池や、電子機器等の小型機器に用いられるアルカリ蓄電池があり、アルカリ蓄電池の中でも、活物質にリチウムを利用したものが最も軽量且つ小型のため、携帯電話やノート型パソコンの普及に伴って特に注目されている。
【０００３】
研究開発段階や出願段階で先行技術調査を行っておらず、記載すべき先行技術文献を知りません。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記充放電時の化学反応には、電解質の析出又は分解が伴い、充放電を繰り返すと次第に析出物の結晶が大きく成長し、完全に元に戻らなくなってしまい、その結果、二次電池の蓄電容量、起電力が低下し、電池の交換を余儀なくされた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題に鑑み、陰極、陽極及びイオン伝導体から成る二次電池であって、前記イオン伝導体に放射性物質を添加することによって、イオン伝導体中のイオンや析出物に放射線を当て、イオンの原子価電子や、析出物中の結合電子を励起させて、イオンや析出物の化学反応活性を高め、析出物結晶の成長及び肥大を抑止する様にして、上記課題を解決する。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下本発明の一実施例について説明する。
本発明に係る二次電池は、陰極、陽極及びイオン伝導体から構成され、前記イオン伝導体に放射性物質を添加している。
イオン伝導体は、所謂電解質で水系、非水系を問わず、例えば無機電解質を水に溶解させた水溶液、有機電解液、高分子固体電解質、無機固体電解質、溶融塩等で良い。
陰陽両極の活物質は、組み合わせるイオン伝導体に合わせて適宜選択すれば良く、例えば、鉛と酸化鉛、黒鉛とリチウム含有酸化物等で良い。
放射性物質は、極微量の放射線を放出可能なものであれば良く、例えばラジウム、ラドン等が挙げられ、その形態は、イオン伝導体中での分散性を良くするために微粉末化したものが望ましい。
【０００７】
次に本発明の二次電池の作用について説明する。
イオン伝導体中の放射性物質は、人体に影響しない程度の極微量の放射線を常時放出し続け、この放射線を受けたイオン伝導体中のイオンは、原子価電子が励起状態に遷移し、化学反応を起こし易い状態となる。
従って、放電時の化学反応による析出物の生成速度は速く、このため析出物の結晶成長が抑止されて、結晶が肥大しない。
又、生成した析出物も、放射線を受けて結合電子が励起されているため、充電時に電子の授受で容易に分解される。
【０００８】
【発明の効果】
要するに本発明は、陰極、陽極及びイオン伝導体から成る二次電池であって、前記イオン伝導体に放射性物質を添加したので、放射線でイオン伝導体中のイオンと析出物の活性を高めて、活物質や電解質の可逆反応を円滑にできるため、蓄電容量や起電力が低下せず、半永久的に使用することが出来その実用的効果甚だ大である。
(57)【要約】【課題】簡単安価な振動スイッチおよびこの振動スイッチを用いた振動発光体を提供する。【解決手段】ボタン型の電池１と、この電池１の電極（＋）（図１では、電池１の下面から側面にかけて設けられる）に近接して設けられた金属バネ２とを備え、振動があった場合に前記金属バネ２が前記電極（＋）に揺動接触するものである振動スイッチである。そして好ましくは、金属バネ２は固定基端が小径、自由先端が大径に形成された揺れやすいコイル状であり、振動があった場合に前記金属バネ２の自由先端側面が電池の電極（＋）に揺動接触するものである。【選択図】  図１
2004349134.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電池と、この電池の電極に近接して設けられた金属バネとを備え、振動があった場合に前記金属バネが前記電極に揺動接触するものである振動スイッチ。
【請求項２】
請求項１において、金属バネは固定基端が小径、自由先端が大径に形成されたコイル状であり、振動があった場合に前記金属バネの自由先端側面が電池の電極に揺動接触するものである振動スイッチ。
【請求項３】
基板の片面に発光素子、他の片面に電池及びこの電池の電極に近接する金属バネを設けるとともに、これらをカバーに収め、振動があった場合に前記金属バネが前記電極に揺動接触して前記発光素子が発光するものである振動発光体。
【請求項４】
請求項３において、電池の外周がカバーの内壁で位置決めされている振動発光体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、振動スイッチ及び振動発光体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
振動スイッチは、振動（衝撃、加速度など）を検知して回路が閉成される目的のものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、大抵は部品点数が多く、高価である。そこで、本発明は、簡単安価な振動スイッチおよびこの振動スイッチを用いた振動発光体を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明を要約すると、電池と、この電池の電極に近接して設けられた金属バネとを備え、振動があった場合に前記金属バネが前記電極に揺動接触するものである振動スイッチである。好ましくは、金属バネは固定基端が小径、自由先端が大径に形成されたコイル状であり、振動があった場合に前記金属バネの自由先端側面が電池の電極に揺動接触するものである振動スイッチである。また、他の本発明として、基板の片面に発光素子、他の片面に電池及びこの電池の電極に近接する金属バネを設けるとともに、これらをカバーに収め、振動があった場合に前記金属バネが前記電極に揺動接触して前記発光素子が発光するものである振動発光体がある。この場合、電池の外周がカバーの内壁で位置決めされていると好ましい。
【０００６】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態を説明するが、それはあくまで本発明に基づいて採択された例示的な実施形態であり、本発明をその実施形態に特有な事項に基づいて限定解釈してはならず、本発明の技術的範囲は、請求項に示した事項さらにはその事項と実質的に等価である事項に基づいて定めなければならない。
【０００７】
図示の実施形態は、ボタン型の電池１と、この電池１の電極（＋）（図１では、電池１の下面から側面にかけて設けられる）に近接して設けられた金属バネ２とを備え、振動があった場合に前記金属バネ２が前記電極（＋）に揺動接触するものである振動スイッチである。そして好ましくは、金属バネ２は基板３への固定基端が小径、自由先端が大径に形成された揺れやすいコイル状であり、振動があった場合に前記金属バネ２の自由先端側面が電池１の電極（＋）に揺動接触するものである。
【０００８】
また、基板３の片面に発光ダイオードなどの発光素子４、他の片面に電池１及びこの電池１の電極（＋）に近接する金属バネ２を設けるとともに、これらを絶縁樹脂製のカバー５に収め、振動があった場合に前記金属バネ２が前記電極（＋）に揺動接触して前記発光素子４が発光するものである振動発光体でもある。好ましくは、電池１の外周がカバー５の内壁６で位置決めされていると電池１の移動がなく、金属バネ２との間隔を維持できる。
【０００９】
さらに詳述すれば、電池１の電極（＋）は基板３に固定した金属コイルバネ７に圧接され、（−）極は基板３に固定した略Ｌ状の金属バネ線８に圧接している。基板３はカバー５内に収納固定され、さらに全体を透明樹脂モールド９するとよい。振動があると、金属バネ２が揺れるため、その自由先端側面が電池１の（＋）極に揺動接触する。そうすると、コンデンサ１０が充電されてその充電電荷が抵抗１１を通じてＦＥＴ１２をオンさせ、発光素子４が発光する。発光はコンデンサ１０の電荷が実質的に消失するまで続き、ついには消灯するので、スイッチをオフにする必要はない。
【００１０】
このように本実施形態によれば、簡単安価な振動スイッチ及び振動発光体を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】部分斜視図
【図２】分解斜視図
【図３】回路図
【図４】外観斜視図
【符号の説明】
１  電池
２  金属バネ
３  基板
４  発光素子
５  カバー
６  内壁
【図１】
2004349134.tif 000003
【図２】
2004349134.tif 000004
【図３】
2004349134.tif 000005
【図４】
2004349134.tif 000006
(57)【要約】【課題】本発明は、簡単な構造で効率よく機器配置の行える端子台２を提供することを目的としている。【解決手段】本発明に係る、ブレーカ等の電気機器を配置した分電盤に用いられ、電線や銅バーを接続する複数の端子部１を有する端子台２の構造は、端子部１をそれぞれ異なる長さに階段状に形成したことを特徴とし、この端子台２の使用に簡単な構造で効率よく機器配置が行えるもので、機器配置の自由度が増し、分電盤全体の小型を図ることができ、価格を抑えることができると共に省施工となる。【選択図】        図３
2004349170.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブレーカ等の電気機器を配置した分電盤に用いられ、電線や銅バーを接続する複数の端子部を有する端子台であって、前記端子部をそれぞれ異なる長さに階段状に形成したことを特徴とする端子台。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ブレーカ等の電気機器を配置した分電盤に用いられ、電線や銅バーを接続する複数の端子部を有する端子台に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図６〜図７に示すように、従来の端子台２１では複数の端子２２を一直線上に配列している（例えば非特許文献１参照。）。電線２３は、端子２２の限定された一方向から接続していた。端子台２１に接続された電線２３はその他の機器に接続するために、その機器の方向に曲げ加工を施す必要があった。また、銅バーで結線を行う場合は、銅バーに合わせて機器を配置する必要があった。
【０００３】
【非特許文献１】
河村電器産業株式会社、「カワムラカタログ電設資材編ＮＯ．３３」、平成１３年４月１日改訂、ｐ．６４４
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記従来技術における端子台では、端子に電線等を接続する際、電線は、端子の限定された方向からしか接続できないため、曲げ加工を施す必要があり、作業に手間がかかると共に、電線を曲げるためのスペースが必要となっていた。さらに銅バーで結線を行う場合には、機器配置においてかなり制限されていた。また、銅バーを折曲加工するには、そのための設備や金型が必要となり、製造コストが高くなっていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明は、簡単な構造で効率よく機器配置の行える端子台を提供することを目的とし、その構造は、端子部をそれぞれ異なる長さに階段状に形成したことを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明に係る端子台は、端子部を階段状に設け、端子部の横側からも、電線や銅バーで結線を可能とする。端子部への接続が一方向のみに限定されないので、電線を曲げたり銅バーを加工したりせずに、省スペースで機器を配置できる。
【０００７】
【実施例】
本発明に係る端子台の実施例を図１〜図２の添付図面に基づいて説明する。
【０００８】
端子部１を有する端子台２において、図１に示すように端子部１をそれぞれ延設して階段状に形成する。端子台１への結線は、図２に示すように、端子台２の正面からまっすぐに行う。また、それぞれの端子の位置が横一列ではないため、図３に示すように、端子台２の横側へ向かって結線することもできる。
【０００９】
横側にも結線することができるため、電線を曲げたり、銅バーに曲げ加工を施したりというような手間が要らなくなり、機器配置を無駄なく省スペースにて行うことができる。
【００１０】
端子部１への結線は、電線、銅バーのどちらでも良く、また、横方向から正面までの９０°の範囲内では、任意の方向へ結線することができる。
【００１１】
本発明に係る端子台は、図１〜図３に示す形状に限定されるものではなく、図４に示すように、階段状の端子部３を端子台４の両側に設けても良い。
【００１２】
また、端子部は横側に結線させることができれば良く、図５に示すように、接続する機器配置によっては左右どちら側の端子部５を長く延設しても良い。
【００１３】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明に係る端子台は、端子部をそれぞれ異なる長さに階段状に形成したため、電線や銅バーの接続方向が限定されず、従来電線で接続した時のように、電線配線のためのスペースを考慮せずに効率よく機器配置が行え、機器配置の自由度が増し、分電盤全体の小型を図ることができ、価格を抑えることができると共に省施工となる。また、電線の曲げ加工や専用の銅バーの製作の必要がないため、部品の単価を安価に抑えることができると共に、金型費等の投資も必要なく、組み立て作業も簡単である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る端子台を示す説明図である。
【図２】本発明に係る端子台を示す正面図である。
【図３】本発明に係る端子台をを示す正面図である。
【図４】本発明に係る端子台の変形実施例を示す正面図である。
【図５】本発明に係る端子台の変形実施例を示す正面図である。
【図６】従来技術における端子台を示す説明図である。
【図７】従来技術における端子台の電線結線を示す正面図である。
【符号の説明】
１      端子部
２      端子台
３      端子部
４      端子台
５      端子部
【図１】
2004349170.tif 000003
【図２】
2004349170.tif 000004
【図３】
2004349170.tif 000005
【図４】
2004349170.tif 000006
【図５】
2004349170.tif 000007
【図６】
2004349170.tif 000008
【図７】
2004349170.tif 000009
(57)【要約】【課題】ＳｉＣ基板上に堆積したＳｉを熱酸化する際に、ＳｉＣ基板にまで酸化が及ぶのを防ぐ。【解決手段】シリコン膜２が形成されたシリコンカーバイド基板１を乾燥酸素ガス雰囲気中で９００度を上限とする温度に曝し、シリコン膜２を熱酸化する。これによりシリコン膜２が酸化膜に変換され、酸化膜３が形成される。その後ゲート電極４を形成しＭＯＳ型半導体装置が形成される。本発明により良好な特性を示す、ＭＯＳ構造を有するシリコンカーバイド半導体装置の製造が可能となる。【選択図】  図２
2004349449.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンカーバイド表面にシリコン膜を堆積し、前記シリコン膜を９００度以下で酸化する工程を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記シリコン膜に不純物を添加することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記不純物が窒素酸化物であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法、特に熱処理に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
シリコンカーバイドは広い禁制帯幅を持ち、熱的、化学的および機械的に極めて安定な材料である。このためシリコン等、現行の半導体材料では適用が困難な、高温、大電力といった過酷な環境下で動作する装置に用いる材料として期待されている。
【０００３】
さらにシリコンカーバイドは、半導体装置材料として従来用いられているシリコンと同様に、熱酸化により良質な絶縁膜（酸化シリコン膜）を形成することが可能であり、シリコン半導体装置で主流となっているＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型半導体装置に適用することが可能である。
【０００４】
しかし、これまでのところシリコンカーバイドを用いたＭＯＳＦＥＴでは、期待されている特性が得られておらず、従来のシリコンを用いたＭＯＳＦＥＴと同等程度の特性を得るにとどまっている。この原因として、バルクの移動度の大きさに反して、シリコンカーバイドを用いたＭＯＳＦＥＴのチャネル移動度が極端に小さいことが挙げられる。
【０００５】
チャネル移動度が小さいことの原因の一つとして、シリコンカーバイドと酸化膜との間の界面準位密度が非常に多いことが考えられる。シリコンカーバイド上に熱酸化を用いて酸化膜を形成すると、シリコンと比較して非常に多くの界面準位が発生することが知られている。この原因の一つとして、シリコンカーバイドと酸化膜との界面が急峻になっておらず、境界領域が広がっていることが挙げられる。
【０００６】
急峻な界面を形成するために、例えば特許文献１、特許文献２に示された技術ではシリコンカーバイド表面にシリコン膜を堆積させ、そのシリコン膜を酸化するという方法が述べられている。図３に従来技術によって得られるシリコンカーバイドのＭＯＳ型半導体装置の断面模式図を示す。
【０００７】
【特許文献１】
特開昭６０−６６８６６号公報
【特許文献２】
特開昭６３−２６２８７１号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記特許文献による方法では、シリコン膜の酸化温度がシリコンカーバイドを直接酸化する温度と同等の１０００〜１１００度と高温のため、図３に示すようにシリコン膜の酸化が完了すると同時にシリコンカーバイドの酸化が進行してしまい、シリコンカーバイドとシリコン酸化膜との界面が急峻にはなりにくいため、すぐれた特性を有するＭＯＳ型半導体装置を実現することが困難であった。なお、ＭＯＳとはＭｅｔａｌ    Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒの略である。
【０００９】
本発明は上記課題を解決するもので、界面準位の少ない急峻なシリコン酸化膜／シリコンカーバイド界面を形成し、すぐれた特性を有するＭＯＳ型半導体装置を実現することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため、本発明の請求項１に係るシリコン膜の酸化温度をシリコン膜が十分に酸化され、かつシリコンカーバイドの酸化がほとんど進行しない温度である９００度以下に抑制する。これにより、シリコンカーバイドの酸化を実用上問題のないレベルで回避し、急峻な界面を形成することを可能とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図に基づき説明する。
【００１２】
図１および図２は本発明の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【００１３】
まず、シリコンカーバイド基板１上に、ＣＶＤ法によりシリコン膜２を形成する（図１）。
【００１４】
次に、シリコン膜２が形成されたシリコンカーバイド基板１を乾燥酸素ガス雰囲気中で９００度を上限とする温度に曝し、シリコン膜２を熱酸化する。これによりシリコン膜２が酸化膜に変換され、酸化膜３が形成される。その後ゲート電極４を形成しＭＯＳ型半導体装置が形成される（図２）。一方、従来例のように１１００度で酸化を行った場合、図３に示すようにシリコン膜２が１時間で１００ｎｍ酸化される間に、シリコンカーバイド基板１も２０ｎｍ程度酸化されてしまうため、選択比が５と小さく急峻な界面を形成することは不可能である。
【００１５】
一方、これに対し、９００度で酸化を行うと、シリコン膜２は１時間で２０ｎｍ程度酸化されるが、シリコンカーバイド基板１はほとんど酸化が進行せず、膜厚の計測は不能であった。これは実用上十分な選択比を有しており、急峻な界面を形成することが可能である。
【００１６】
また、シリコン膜２を形成する際に窒素酸化物を添加することにより、酸化膜３とシリコンカーバイド基板１との界面に生じる界面準位密度をさらに低減することが可能である。
【００１７】
以上の実施の形態では、シリコン膜の酸化法として乾燥酸素ガスを用いて熱酸化を行っているが、水蒸気を用いてもよく、酸素ガスと水素ガスの混合ガスを用いてもよい。また、前記雰囲気中に窒素酸化物を混合させてもよい。
【００１８】
【発明の効果】
本発明によれば、シリコンカーバイドの酸化を抑制し、シリコンカーバイドと酸化膜との境界に界面準位の少ない急峻な界面を再現性よく形成することが可能となる。
【００１９】
シリコンカーバイドと酸化膜との界面状態の改善は、ＭＯＳ型半導体装置の特性につながる。本発明により良好な特性を示す、ＭＯＳ構造を有するシリコンカーバイド半導体装置の製造が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法において、特にＳｉ膜形成過程を示す断面図
【図２】本発明の半導体装置の製造方法において、特に酸化膜形成過程を示す断面図
【図３】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図
【符号の説明】
１  シリコンカーバイド基板
２  シリコン膜
３  シリコン膜の酸化によるシリコン酸化膜
４  金属電極
５  シリコンカーバイドの酸化によるシリコン酸化膜
【図１】
2004349449.tif 000003
【図２】
2004349449.tif 000004
【図３】
2004349449.tif 000005
(57)【要約】      （修正有）【課題】パッケージ型発光体（例、ＬＥＤ）の側面、及び側面上下の光照射を可能にする。【解決手段】透明パッケージ１入りの発光体２（例、ＬＥＤ）から発する光に対し、パッケージ（円柱または角柱）・発光部・反射面・レンズ体１１を設ける。具体的には、屈折・反射・全反射・鏡面反射・レンズ屈折・ハーフミラーなどの機能を持つ部材を、複合する形態に製作し、側面、及び側面上下への光照射を可能にする。【選択図】図３
2004349660.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光体パッケージの形態で光の進行方向を側面方向、及び他方向に制御する。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【従来の手段】現在のパッケージ型発光体（例、発光ダイオード通称ＬＥＤ）は、発光部より発生した光は、光の進行方向と平行に進み、照射、拡散して発光する。
【０００２】パッケージ型発光体（例、ＬＥＤ）外部に突起物を付けて、光を拡散するものがある。
【０００３】光の進行方向に凸または、レンズ加工して光を拡散するものがある。
【０００４】
【発明の要点】この発明はパッケージ型発光体（例、ＬＥＤ）の側面、及び側面上下に光を照射すること。
【０００５】
【従来の問題点】従来のパッケージ型発光体（例、ＬＥＤ）は光を側面、及び側面上下に照射できない。もし、可能な物が有っても、光はやわらかく、鋭い光とはならない。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明は透明パッケージ入りの発光体から発する光を、基本図１図のようにパッケージＰ（円柱または角柱）・発光部Ｕ・反射面Ｍとして、発光部Ｕより発した光は反射面Ｍに反射し、パッケージＰの側面より発光する。
【０００７】
反射面Ｍは粒子面・滑面・ハーフミラーコーティング面・鏡面、等に変化させることによって反射率を調整できる。同時に透過率も変わる。
【０００８】
また、反射面Ｍの光に対して角度を変化させることにより側面方向の光の照射角度を変えることができ、透過率も可変できる。
【０００９】
反射面Ｍは、直線で表示しているが、凸弧・凹弧・方物弧・楕円弧、等に変化させることにより散光、集光が可能となる。
【００１０】
基本図２図は、基本図１図の側面にレンズ体Ｌ１のようなの加工を施す。
レンズ体Ｌ１の光軸は反射面Ｍをかいし発光体半分の部分の中心線と結びつくものとする。レンズ体Ｌの焦点距離内に発光体Ｕを設置すれば、レンズ体Ｌ１を通した発光体Ｕは、虚像となり拡大される。また、焦点の位置にあればその光は結像することなく揺らいで見える。
【００１１】
基本図３図では、基本図２図における反射面Ｍの透過性（粒子面、滑面、ハーフミラー等）を利用して、パッケージＰの円錐空間に同型の円錐付凸レンズＬ２を取り付ける。設計位置はＬ１と同様とする。
取り付け方は、透明スペーサーを挟み空間を空けて取り付ける方法と、密着して取り付ける方法とがあり各々光の効果が変化する。
また、空間に小さな高反射材（例、アルミ箔の小片）を適量入れれば輝く効果の表現もできる。
【００１２】
【発明の効果】パッケージ型発光体（例、ＬＥＤ）の側面の発光性は著しく低く、または発光できても、光の鋭さは低下する。しかし、本発明では発光体の側面、側面上下からの発光が可能となる。形態は、基本図１、基本図２、基本図３、を基本とし、応用図１、応用図２、応用図３、などに発展することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】基本図１
【図２】基本図２
【図３】基本図３
【図４】応用図１
【図５】応用図２
【図６】応用図３
【符号の説明】
１パッケージＰ    ２発光部Ｕ    ３光    ４反射面Ｍ    ５側面
６円柱または角柱    ７配線    ８レンズ体Ｌ１    ９光軸    １０中心線
１１円錐付凸レンズＬ２    １２透明スペーサー    １３弧    １４球状
１５円錐
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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