(57)【要約】【課題】薄く且つ絶縁耐圧の大きな多層絶縁膜を実現する。【解決手段】多層絶縁膜は、複数の絶縁膜が積層されて構成され、厚みが１５〜２０ｎｍで、絶縁耐圧が７Ｖ以上のものである。この多層絶縁膜は、化学的気相成長法を用いて、薄膜形成に用いられる材料が断続的に噴射されることにより形成される複数の絶縁膜を積層することによって製造される。多層絶縁膜は、例えば、磁気抵抗素子と、この磁気抵抗素子をシールドするシールド層と、磁気抵抗素子とシールド層との間に設けられ、これらを絶縁するシールドギャップ膜とを有する薄膜磁気ヘッドにおけるシールドギャップ膜として用いられる。【選択図】図１０
2004152470.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁膜が積層されて構成され、厚みが１５〜２０ｎｍで、絶縁耐圧が７Ｖ以上であることを特徴とする多層絶縁膜。
【請求項２】
磁気抵抗素子と、この磁気抵抗素子をシールドするシールド層と、前記磁気抵抗素子と前記シールド層との間に設けられ、これらを絶縁するシールドギャップ膜とを有する薄膜磁気ヘッドにおける前記シールドギャップ膜として用いられることを特徴とする請求項１記載の多層絶縁膜。
【請求項３】
前記複数の絶縁膜はアルミナ膜であることを特徴とする請求項１または２記載の多層絶縁膜。
【請求項４】
複数の絶縁膜が積層されて構成され、厚みが１５〜２０ｎｍで、絶縁耐圧が７Ｖ以上である多層絶縁膜を製造する方法であって、
化学的気相成長法を用いて、薄膜形成に用いられる材料が断続的に噴射されることにより形成される複数の絶縁膜を積層することによって前記多層絶縁膜を製造することを特徴とする多層絶縁膜の製造方法。
【請求項５】
前記多層絶縁膜は、磁気抵抗素子と、この磁気抵抗素子をシールドするシールド層と、前記磁気抵抗素子と前記シールド層との間に設けられ、これらを絶縁するシールドギャップ膜とを有する薄膜磁気ヘッドにおける前記シールドギャップ膜として用いられることを特徴とする請求項４記載の多層絶縁膜の製造方法。
【請求項６】
前記複数の絶縁膜はアルミナ膜であることを特徴とする請求項４または５記載の多層絶縁膜の製造方法。
【請求項７】
前記化学的気相成長法として低圧化学的気相成長法を用いることを特徴とする請求項４ないし６のいずれかに記載の多層絶縁膜の製造方法。
【請求項８】
前記複数の絶縁膜は、薄膜形成に用いられる材料としてのＨ2Ｏ、Ｎ2ＯまたはＨ2Ｏ2と、薄膜形成に用いられる材料としてのＡｌ（ＣＨ3）3またはＡｌＣｌ3が交互に断続的に噴射されることにより形成されるアルミナ膜であることを特徴とする請求項４ないし７のいずれかに記載の多層絶縁膜の製造方法。
【請求項９】
前記複数の絶縁膜は、１００〜３５０℃の温度の下で形成されることを特徴とする請求項４ないし８のいずれかに記載の多層絶縁膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の絶縁膜が積層されて構成された多層絶縁膜およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク装置の面記録密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵抗（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）とも記す。）素子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異方性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic Magnetoresistive）と記す。）効果を用いたＡＭＲ素子と、巨大磁気抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magnetoresistive ）と記す。）効果を用いたＧＭＲ素子とがあり、ＡＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッドあるいは単にＭＲヘッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＧＭＲヘッドと呼ばれる。ＡＭＲヘッドは、面記録密度が１ギガビット／（インチ）2を超える再生ヘッドとして利用され、ＧＭＲヘッドは、面記録密度が３ギガビット／（インチ）2を超える再生ヘッドとして利用されている。近年は、ほとんどＧＭＲヘッドが利用されるようになってきている。
【０００３】
再生ヘッドの性能を向上させる方法としては、ＭＲ膜をＡＭＲ膜からＧＭＲ膜等の磁気抵抗感度の優れた材料に変える方法や、ＭＲ膜のパターン幅、すなわち、再生トラック幅やＭＲハイトを適切化する方法等がある。ＭＲハイトとは、ＭＲ素子のエアベアリング面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。また、エアベアリング面は、薄膜磁気ヘッドにおける磁気記録媒体と対向する面である。
【０００４】
一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性能のうち面記録密度を高めるには、記録トラック密度を上げる必要がある。このためには、記録ギャップ層を挟んでその上下に形成された下部磁極および上部磁極のエアベアリング面での幅を数ミクロンからサブミクロン寸法まで狭くした狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があり、これを達成するために半導体加工技術が利用されている。また、記録ヘッドの性能を決定する他の要因としては、パターン幅、特に、スロートハイト（Throat Height）がある。スロートハイトは、２つの磁極層が記録ギャップ層を介して対向する部分、すなわち磁極部分の、エアベアリング面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。記録ヘッドの性能向上のためには、スロートハイトの縮小化が望まれている。このスロートハイトは、エアベアリング面の加工の際の研磨量によって決定される。
【０００５】
このように、薄膜磁気ヘッドの性能の向上のためには、記録ヘッドと再生ヘッドをバランスよく形成することが重要である。
【０００６】
高密度記録を可能にする薄膜磁気ヘッドに要求される条件としては、再生ヘッドについては、再生トラック幅の縮小、再生出力の増加、ノイズの低減等があり、記録ヘッドについては、記録トラックの縮小、記録媒体上の既にデータを書き込んである領域にデータを重ね書きする場合の特性であるオーバーライト特性の向上、非線形トランジションシフト（Non-linear Transition Shift）の向上等がある。
【０００７】
ここで、図１６ないし図２２を参照して、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。なお、図１６ないし図２２において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【０００８】
この製造方法では、まず、図１６に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなる基板１０１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで堆積する。次に、絶縁層１０２の上に、磁性材料よりなる再生ヘッド用の下部シールド層１０３を、例えば２〜３μｍの厚みに形成する。
【０００９】
次に、図１７に示したように、下部シールド層１０３の上に、アルミナ等の絶縁材料よりなるシールドギャップ膜１０４ａを、例えばスパッタリングにより、例えば１０〜２０ｎｍの厚みに形成する。次に、シールドギャップ膜１０４ａの上に、後述するＧＭＲ素子を形成すべき領域を除いて、アルミナ等の絶縁材料よりなるシールドギャップ膜１０４ｂを、例えばスパッタリングにより、例えば１００ｎｍの厚みに形成する。シールドギャップ膜１０４ｂは、後述するＧＭＲ素子と下部シールド層１０３との電気的な短絡を防止するために設けられる。
【００１０】
次に、シールドギャップ膜１０４ｂの上に、再生用のＧＭＲ素子を構成する膜を、例えばスパッタリングにより、例えば４０〜５０ｎｍの厚みに形成する。次に、この膜を、図示しないフォトレジストパターンをマスクにしてエッチングすることにより、ＧＭＲ素子１０５を形成する。
【００１１】
次に、上記のフォトレジストパターンを用いて、リフトオフ法により、ＧＭＲ素子１０５に電気的に接続される一対の導電層（リードともいう。）１０６を形成する。次に、フォトレジストパターンを除去する。
【００１２】
次に、図１８に示したように、シールドギャップ膜１０４ａ，１０４ｂ、ＧＭＲ素子１０５および導電層１０６の上に、アルミナ等の絶縁材料よりなるシールドギャップ膜１０７ａを、例えばスパッタリングにより、例えば１０〜２０ｎｍの厚みに形成し、ＧＭＲ素子１０５をシールドギャップ膜１０４ａ，１０７ａ内に埋設する。次に、ＧＭＲ素子１０５の近傍を除く、シールドギャップ膜１０７ａの上に、アルミナ等の絶縁材料よりなるシールドギャップ膜１０７ｂを、例えばスパッタリングにより、例えば１００ｎｍの厚みに形成する。
【００１３】
次に、図１９に示したように、シールドギャップ膜１０７ａ，１０７ｂの上に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、上部シールド層と記す。）１０８を、約３μｍの厚みに形成する。
【００１４】
次に、図２０に示したように、上部シールド層１０８の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録ギャップ層１０９を、例えば０．２μｍの厚みに形成する。次に、磁路形成のために、記録ギャップ層１０９において、後述する薄膜コイルを形成する領域の中央部分を選択的にエッチングして、コンタクトホールを形成する。次に、磁極部分における記録ギャップ層１０９の上に、記録ヘッド用の磁性材料よりなる上部磁極チップ１１０を、１．０〜１．５μｍの厚みに形成する。このとき同時に、磁路形成のためのコンタクトホールの位置に、磁性材料からなる磁性層１１９を形成する。
【００１５】
次に、上部磁極チップ１１０をマスクとして、イオンミリングによって、記録ギャップ層１０９と上部シールド層１０８の一部をエッチングする。図２０（ｂ）に示したように、上部磁極部分（上部磁極チップ１１０）、記録ギャップ層１０９および上部シールド層１０８の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形成された構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれる。
【００１６】
次に、全面に、例えばアルミナ膜よりなる絶縁層１１１を、約３μｍの厚みに形成する。次に、この絶縁層１１１を、上部磁極チップ１１０および磁性層１１９の表面に至るまで研磨して平坦化する。
【００１７】
次に、図２１に示したように、平坦化された絶縁層１１１の上に、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コイル１１２を形成する。次に、絶縁層１１１およびコイル１１２の上に、フォトレジスト層１１３を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト層１１３の上に、第２層目の薄膜コイル１１４を形成する。次に、フォトレジスト層１１３およびコイル１１４上に、フォトレジスト層１１５を、所定のパターンに形成する。
【００１８】
次に、図２２に示したように、上部磁極チップ１１０、フォトレジスト層１１３，１１５および磁性層１１９の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えばパーマロイよりなる上部磁極層１１６を形成する。次に、上部磁極層１１６の上に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１１７を形成する。最後に、上記各層を含むスライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面１１８を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００１９】
図２３は、図２２に示した薄膜磁気ヘッドの平面図である。なお、この図では、オーバーコート層１１７や、その他の絶縁層および絶縁膜を適宜省略している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
ところで、ハードディスク装置の性能、特に面記録密度を向上させる方法には、線記録密度を高める方法とトラック密度を高める方法とがある。高性能のハードディスク装置を設計する際には、線記録密度とトラック密度のどちらに重点を置くかによって、記録ヘッド、再生ヘッド、あるいは薄膜磁気ヘッド全体における具体的な方策が異なる。すなわち、トラック密度に重点を置いた設計の場合には、例えば、記録ヘッドと再生ヘッドの双方においてトラック幅の縮小が求められる。一方、線記録密度に重点を置いた設計の場合には、例えば、再生ヘッドにおいて、再生出力の向上や、再生出力における半値幅の縮小が求められる。線記録密度に重点を置いた設計の場合には、更に、ハードディスクとスライダとの間の距離（以下、磁気スペースと言う。）の縮小が求められる。２０〜３０ギガビット／（インチ）2の面記録密度を実現する場合には、磁気スペースとしては、例えば１５〜２５ｎｍであることが必要となる。
【００２１】
ここで、線記録密度に重点を置いた設計の場合における方策について考察する。線記録密度の向上に寄与する要因のうち、磁気スペースの縮小は、スライダの浮上量の縮小によって達成される。スライダの浮上量は、主に、スライダの設計、加工方法、研磨方法等によって左右される。
【００２２】
線記録密度の向上に寄与する要因のうち、再生出力の向上は、主に、ＭＲ膜をＡＭＲ膜からＧＭＲ膜等の磁気抵抗感度の優れた材料に変えることによって達成される。また、線記録密度の向上に寄与する要因のうち、再生出力における半値幅の縮小は、下部シールド層と上部シールド層との間の距離（以下、シールドギャップ長と言う。）を縮小することによって可能であることが知られている。シールドギャップ長は薄膜磁気ヘッドの製造工程において制御可能である。
【００２３】
以下、シールドギャップ長を縮小する場合における問題点について説明する。１０ギガビット／（インチ）2程度の面記録密度を実現する場合には、シールドギャップ長としては０．１１〜０．１４μｍ（１１０〜１４０ｎｍ）が妥当であった。しかし、３０〜４０ギガビット／（インチ）2の面記録密度を実現する場合には、シールドギャップ長としては、例えば０．０７〜０．０９μｍ（７０〜９０ｎｍ）が必要となる。
【００２４】
ＭＲ素子の厚みは必要とする再生出力等によって決定されるため、ＭＲ素子の厚みの縮小は困難である。従って、シールドギャップ長を縮小するには、ＭＲ素子と下部シールド層との間、およびＭＲ素子と上部シールド層との間のそれぞれに設けられるシールドギャップ膜の厚みの縮小が不可欠である。
【００２５】
ここで、４０ギガビット／（インチ）2の面記録密度を実現する場合に、シールドギャップ長としては６０〜７０ｎｍが必要であるとする。この場合、ＭＲ素子の厚みが４０ｎｍとすると、ＭＲ素子と下部シールド層との間、およびＭＲ素子と上部シールド層との間のそれぞれに設けられるシールドギャップ膜の厚みとしては１０〜１５ｎｍが必要となる。
【００２６】
従来、シールドギャップ膜としては、例えば、高周波（ＲＦ）スパッタリング装置や電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）スパッタリング装置等を用いてプラズマ雰囲気中で行われるスパッタリングによって形成されるアルミナ膜が用いられていた。
【００２７】
しかしながら、従来のスパッタリングによって形成されるシールドギャップ膜では、その厚みの縮小は２０ｎｍ程度までが限界であった。すなわち、従来のシールドギャップ膜では、厚みを２０ｎｍよりも小さくした場合には絶縁耐圧が５〜７Ｖかそれ以下となり静電気破壊が生じやすくなる。また、従来のシールドギャップ膜では、厚みを１０〜１５ｎｍ程度にまで小さくすると、絶縁耐圧がより小さくなるのに加え、ピンホールが発生しやすくなる。シールドギャップ膜において、静電気破壊が生じたりピンホールが発生したりすると、ＭＲ素子と下部シールド層との間やＭＲ素子と上部シールド層との間が電気的に短絡し、その結果、再生出力信号にノイズが発生し、正確な再生出力信号が得られない場合が生じる。
【００２８】
また、従来のシールドギャップ膜では、ステップカバレージが悪いため、特に、ＭＲ素子のパターンエッジの近傍やＭＲ素子に接続されたリードの近傍のように凹凸のある部分においてピンホールや絶縁不良が発生しやすかった。
【００２９】
このように、従来は、薄く、且つ良質すなわち緻密で、厚みの均一性がよく、絶縁耐圧が大きく、ステップカバレージのよいシールドギャップ膜を形成することが難しかった。そのため、従来の薄膜磁気ヘッドでは、シールドギャップ長を縮小することが難しく、その結果、再生出力における半値幅を縮小し、記録密度を向上させることが難しいという問題点があった。また、従来は、薄く且つ良質のシールドギャップ膜を形成することが困難なことから、高密度記録用の薄膜磁気ヘッドの歩留りが低いという問題点があった。
【００３０】
なお、ここまでは、シールドギャップ膜を形成する場合における問題点について説明してきたが、同様のことは、記録ギャップ層や、記録ヘッドと再生ヘッドを絶縁膜によって分離した構造の薄膜磁気ヘッドにおける絶縁膜や、コイルの線間を絶縁する絶縁層等を形成する場合についても言える。
【００３１】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、薄く且つ絶縁耐圧の大きな多層絶縁膜およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３２】
本発明の多層絶縁膜は、複数の絶縁膜が積層されて構成され、厚みが１５〜２０ｎｍで、絶縁耐圧が７Ｖ以上のものである。
【００３３】
本発明の多層絶縁膜は、磁気抵抗素子と、この磁気抵抗素子をシールドするシールド層と、磁気抵抗素子とシールド層との間に設けられ、これらを絶縁するシールドギャップ膜とを有する薄膜磁気ヘッドにおけるシールドギャップ膜として用いられてもよい。また、本発明の多層絶縁膜において、複数の絶縁膜はアルミナ膜であってもよい。
【００３４】
本発明の多層絶縁膜の製造方法は、複数の絶縁膜が積層されて構成され、厚みが１５〜２０ｎｍで、絶縁耐圧が７Ｖ以上である多層絶縁膜を製造する方法であって、化学的気相成長法を用いて、薄膜形成に用いられる材料が断続的に噴射されることにより形成される複数の絶縁膜を積層することによって多層絶縁膜を製造するものである。
【００３５】
本発明の多層絶縁膜の製造方法において、多層絶縁膜は、磁気抵抗素子と、この磁気抵抗素子をシールドするシールド層と、磁気抵抗素子とシールド層との間に設けられ、これらを絶縁するシールドギャップ膜とを有する薄膜磁気ヘッドにおけるシールドギャップ膜として用いられるものであってもよい。また、本発明の多層絶縁膜の製造方法において、複数の絶縁膜はアルミナ膜であってもよい。
【００３６】
また、本発明の多層絶縁膜の製造方法において、化学的気相成長法として低圧化学的気相成長法を用いてもよい。
【００３７】
また、本発明の多層絶縁膜の製造方法において、複数の絶縁膜は、薄膜形成に用いられる材料としてのＨ2Ｏ、Ｎ2ＯまたはＨ2Ｏ2と、薄膜形成に用いられる材料としてのＡｌ（ＣＨ3）3またはＡｌＣｌ3が交互に断続的に噴射されることにより形成されるアルミナ膜であってもよい。
【００３８】
また、本発明の多層絶縁膜の製造方法において、複数の絶縁膜は、１００〜３５０℃の温度の下で形成されてもよい。
【発明の効果】
【００３９】
本発明によれば、薄く且つ絶縁耐圧の大きな多層絶縁膜を実現することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
まず、図１ないし図９を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。なお、図１ないし図８において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【００４１】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる絶縁層２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料よりなる再生ヘッド用の下部シールド層３を、例えば２〜３μｍの厚みに形成する。
【００４２】
次に、図２に示したように、下部シールド層３の上に、絶縁膜としてのシールドギャップ膜４ａを、例えば１０〜１５ｎｍの厚みに形成する。シールドギャップ膜４ａには、それぞれ化学的気相成長（以下、ＣＶＤと記す。）法を用いて形成された複数の薄いアルミナ膜が積層されて構成された絶縁膜（以下、多層ＣＶＤ絶縁膜と言う。）が用いられる。多層ＣＶＤ絶縁膜は、本発明における多層絶縁膜に対応する。シールドギャップ膜４ａの形成方法については、後で詳しく説明する。
【００４３】
次に、シールドギャップ膜４ａの上に、後述するＧＭＲ素子を形成すべき領域を除いて、アルミナ等の絶縁材料よりなる絶縁膜としてのシールドギャップ膜４ｂを例えば１００ｎｍの厚みに形成する。シールドギャップ膜４ｂは、スパッタリングによって形成された絶縁膜であってもよいし、多層ＣＶＤ絶縁膜であってもよい。シールドギャップ膜４ｂは、後述するＧＭＲ素子と下部シールド層３との電気的な短絡を防止するために設けられる。
【００４４】
次に、シールドギャップ膜４ｂの上に、再生用のＧＭＲ素子を構成する膜を、例えばスパッタリングにより、例えば４０〜５０ｎｍの厚みに形成する。次に、この膜を、図示しないフォトレジストパターンをマスクにしてエッチングすることにより、ＧＭＲ素子５を形成する。
【００４５】
次に、上記のフォトレジストパターンを用いて、リフトオフ法により、ＧＭＲ素子５に電気的に接続される一対の導電層（リードともいう。）６を形成する。次に、フォトレジストパターンを除去する。
【００４６】
次に、図３に示したように、シールドギャップ膜４ａ，４ｂ、ＧＭＲ素子５および導電層６の上に、絶縁膜としてのシールドギャップ膜７ａを、例えば１０〜２０ｎｍの厚みに形成し、ＧＭＲ素子５をシールドギャップ膜４ａ，７ａ内に埋設する。シールドギャップ膜７ａには、多層ＣＶＤ絶縁膜が用いられる。シールドギャップ膜７ａの形成方法については、後で詳しく説明する。
【００４７】
次に、ＧＭＲ素子５の近傍を除く、シールドギャップ膜７ａの上に、アルミナ等の絶縁材料よりなる絶縁膜としてのシールドギャップ膜７ｂを例えば１００ｎｍの厚みに形成する。シールドギャップ膜７ｂは、スパッタリングによって形成された絶縁膜であってもよいし、多層ＣＶＤ絶縁膜であってもよい。シールドギャップ膜７ｂは、ＧＭＲ素子５と後述する上部シールド層との電気的な短絡を防止するために設けられる。
【００４８】
次に、図４に示したように、シールドギャップ膜７ａ，７ｂの上に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、上部シールド層と記す。）８を、約３μｍの厚みに形成する。
【００４９】
次に、図５に示したように、上部シールド層８の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録ギャップ層９を例えば０．１〜０．２μｍの厚みに形成する。記録ギャップ層９は、スパッタリングによって形成された絶縁膜であってもよいし、多層ＣＶＤ絶縁膜であってもよい。
【００５０】
次に、記録ギャップ層９の上に、例えばめっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の薄膜コイル１０を形成する。薄膜コイル１０の線幅は例えば０．５〜０．８μｍとし、線の間隔は例えば０．５μｍとし、厚みは例えば０．８〜１．５μｍとする。
【００５１】
次に、記録ギャップ層９および薄膜コイル１０の上に、フォトレジスト層１１を所定のパターンに形成する。ここで、フォトレジスト層１１のエアベアリング面（記録媒体に対向する媒体対向面）３０側の端部がスロートハイトを規定する。
【００５２】
次に、図６に示したように、磁路形成のために、記録ギャップ層９において、薄膜コイル１０が形成された領域の中央部分を選択的にエッチングして、コンタクトホールを形成する。
【００５３】
次に、磁極部分における記録ギャップ層９の上からフォトレジスト層１１のエアベアリング面３０側の一部にかけて、上部磁極層１２の磁極部分を含む磁極部分層１２ａを例えば２．５〜３．５μｍの厚みに形成すると共に、上記のコンタクトホールの位置に、磁性層１２ｂを例えば２．５〜３．５μｍの厚みに形成する。なお、上部磁極層１２は、磁極部分層１２ａおよび磁性層１２ｂと、後述するヨーク部分層とで構成される。磁性層１２ｂは、後述するヨーク部分層と上部シールド層８とを接続するための部分である。
【００５４】
上部磁極層１２の磁極部分層１２ａおよび磁性層１２ｂは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタ法によって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。
【００５５】
次に、上部磁極層１２の磁極部分層１２ａをマスクとして、例えばイオンミリングによって、記録ギャップ層９と上部シールド層８の一部をエッチングする。これにより、図７（ｂ）に示したように、上部磁極部分（磁極部分層１２ａ）、記録ギャップ層９および上部シールド層８の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形成されたトリム（Trim）構造が得られる。このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効的なトラック幅の増加を防止することができる。
【００５６】
次に、全面に、例えばアルミナ膜よりなる絶縁層１３を、約４μｍの厚みに形成する。次に、例えばＣＭＰ（化学機械研磨）によって、絶縁層１３を、磁極部分層１２ａおよび磁性層１２ｂの表面に至るまで研磨して平坦化する。
【００５７】
次に、図８に示したように、磁極部分層１２ａ、絶縁層１３および磁性層１２ｂの上に、記録ヘッド用の磁性材料によって、上部磁極層１２のヨーク部分層１２ｃを、例えば３μｍの厚みに形成する。ヨーク部分層１２ｃは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）の材料を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタリングによって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。また、高周波特性の改善のため、ヨーク部分層１２ｃを、無機系の絶縁膜とパーマロイ等の磁性層とを何層にも重ね合わせた構造としてもよい。
【００５８】
次に、上部磁極層１２の上に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１４を、例えば２０〜４０μｍの厚みに形成する。最後に、上記各層を含むスライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面３０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００５９】
図９は、図８に示した薄膜磁気ヘッドの平面図である。なお、この図では、オーバーコート層１４や、その他の絶縁層および絶縁膜を省略している。上部磁極層１２の磁極部分層１２ａのうち、エアベアリング面３０側に配置された磁極部分は、記録ヘッドのトラック幅に等しい幅を有している。
【００６０】
本実施の形態において、下部シールド層３は本発明における第１のシールド層に対応し、上部シールド層８は本発明における第２のシールド層に対応する。上部シールド層８は、下部磁極層を兼ねているので、本発明における第１の磁性層にも対応する。また、上部磁極層１２は本発明における第２の磁性層に対応する。また、シールドギャップ膜４ａは本発明における第１のシールドギャップ膜に対応し、シールドギャップ膜７ａは本発明における第２のシールドギャップ膜に対応する。
【００６１】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッドと記録ヘッド（誘導型電磁変換素子）とを備えている。再生ヘッドは、ＧＭＲ素子５と、記録媒体に対向する媒体対向面すなわちエアベアリング面３０側の一部がＧＭＲ素子５を挟んで対向するように配置され、ＧＭＲ素子５をシールドする下部シールド層３および上部シールド層８と、ＧＭＲ素子５に接続された導電層６と、ＧＭＲ素子５および導電層６と下部シールド層３との間に設けられたシールドギャップ膜４ａ，４ｂと、ＧＭＲ素子５および導電層６と上部シールド層８との間に配置されたシールドギャップ膜７ａ，７ｂとを有している。
【００６２】
記録ヘッドは、互いに磁気的に連結され、エアベアリング面３０側において互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む下部磁極層（上部シールド層８）および上部磁極層１２と、下部磁極層の磁極部分と上部磁極層１２の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層９と、少なくとも一部が下部磁極層および上部磁極層１２の間に、これらに対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイル１０とを有している。
【００６３】
次に、本実施の形態におけるシールドギャップ膜４ａ，７ａとして用いられる多層ＣＶＤ絶縁膜の形成方法の２つの例について説明する。
【００６４】
図１０は多層ＣＶＤ絶縁膜の形成方法の第１の例を示す説明図である。この例では、低圧ＣＶＤ法によって薄いアルミナ膜を形成する工程を複数回実行することによって多層ＣＶＤ絶縁膜を形成している。このような絶縁膜の形成方法は、例えば、文献“Microelectronic Engineering 36(1997年)，91-94ページ”に記載されている。
【００６５】
第１の例では、図１０に示したように、低圧ＣＶＤ装置５０を用いて、基板６０上に薄いアルミナ膜を形成する。なお、ここで、基板６０とは、基板１と、その上に所望の絶縁膜が形成される直前までに積層された層とを含む構造体を言う。低圧ＣＶＤ装置５０のチャンバー５１内には、薄膜形成対象物を固定するチャック５２が設けられている。チャック５２の下方には、チャック５２を加熱するための図示しないヒータが設けられている。また、チャンバー５１には、チャンバー５１内に、薄膜形成に用いられる材料を噴射するための２つの噴射口５３，５４が設けられている。
【００６６】
第１の例では、基板６０は、低圧ＣＶＤ装置５０のチャンバー５１内においてチャック５２の上面に固定される。基板６０上に多層ＣＶＤ絶縁膜を成膜する際には、チャック５２および基板６０は、ヒーターによって、１００〜３５０℃、好ましくは１５０〜２５０℃の温度に保たれる。従って、多層ＣＶＤ絶縁膜を構成する薄いアルミナ膜は、１００〜３５０℃、好ましくは１５０〜２５０℃の温度の下で形成される。また、チャンバー５１内は、１０-3〜１０-5Ｐａ程度の真空度に保たれる。
【００６７】
第１の例では、上記の状態において、薄膜形成に用いられる材料としてのＨ2Ｏ、Ｎ2ＯまたはＨ2Ｏ2を、パージガスとしてのＮ2のバブルでキャリーさせて、例えば噴射口５３より基板６０上に短時間、噴射するステップと、薄膜形成に用いられる材料としてのＡｌ（ＣＨ3）3（トリメチルアルミニウム）またはＡｌＣｌ3を、パージガスとしてのＮ2のバブルでキャリーさせて、例えば噴射口５４より基板６０上に短時間、噴射するステップとを、交互に複数回繰り返す。すなわち、第１の例では、薄膜形成に用いられる材料が断続的に基板６０上に噴射される。１回の噴射当たりのＨ2Ｏ、Ｎ2ＯまたはＨ2Ｏ2の流量は、例えば０．２５〜０．５ｍｇとし、１回の噴射当たりのＡｌ（ＣＨ3）3またはＡｌＣｌ3の流量は、例えば０．１〜０．２ｍｇとする。Ｈ2Ｏ、Ｎ2ＯまたはＨ2Ｏ2の１回の噴射と、Ａｌ（ＣＨ3）3またはＡｌＣｌ3の１回の噴射とを合わせて１サイクルとする。１サイクルの時間は例えば２秒程度とする。また、１サイクルによって、Ｈ2Ｏ、Ｎ2ＯまたはＨ2Ｏ2と、Ａｌ（ＣＨ3）3またはＡｌＣｌ3との化学反応により、基板６０上に、例えば０．１〜０．２ｎｍの薄いアルミナ膜が形成される。第１の例では、複数サイクルの実行により、複数の薄いアルミナ膜を積層することによって、所望の厚みの多層ＣＶＤ絶縁膜を形成する。
【００６８】
図１１は多層ＣＶＤ絶縁膜の形成方法の第２の例を示す説明図である。この例では、複数のチャンバーを用いて、ＣＶＤ法によって薄いアルミナ膜を形成する工程を複数回実行することによって多層ＣＶＤ絶縁膜を形成している。この例では、図１１に示したように、マルチチャンバー方式のＣＶＤ装置７０を用いて、基板６０上に薄いアルミナ膜を形成する。ＣＶＤ装置７０は、複数のチャンバー７１と、各チャンバー７１との間で薄膜形成対象物を出し入れする搬送装置７２とを備えている。各チャンバー７１は、例えばプラズマＣＶＤ法により、薄膜形成対象物に対して所望の薄膜を形成するようになっている。
【００６９】
第２の例では、まず、基板６０は搬送装置７２によって一つのチャンバー７１内に搬送され、そのチャンバー７１内で、例えばＯ2とＡｌ（ＣＨ3）3を用いて、基板６０上に薄いアルミナ膜が形成される。チャンバー７１内は例えば１０-3Ｐａ程度の真空度に保たれ、チャンバー７１内において基板６０は、１００〜３５０℃、好ましくは２００〜２５０℃の温度に保たれる。一つのチャンバー７１内において、基板６０上に形成されるアルミナ膜の厚みは、例えば０．５〜１．５ｎｍとする。
【００７０】
第２の例では、上述のようにして薄いアルミナ膜が形成された基板６０は、搬送装置７２によって、他のチャンバー７１に搬送される。そして、他のチャンバー７１内において、最初のチャンバー７１と同様にして、基板６０上に更にアルミナ膜が形成される。第２の例では、以下同様にして、基板６０を複数のチャンバー７１間で移動させて各チャンバー７１内でそれぞれ薄いアルミナ膜を形成する。このように、第２の例では、複数のチャンバー７１を用いて、薄いアルミナ膜を形成する工程を複数回実行することによって、多層ＣＶＤ絶縁膜を形成する。
【００７１】
なお、第２の例において、プラズマＣＶＤ法の代りに常圧ＣＶＤ法を用いてもよい。
【００７２】
上記の第１および第２の例は、シールドギャップ膜４ａ，７ａとして用いられる絶縁膜のみならず、シールドギャップ膜４ｂ，７ｂとして用いられる絶縁膜や、記録ギャップ層９として用いられる絶縁膜にも適用することができる。
【００７３】
上記の第１および第２の例のようにして形成される多層ＣＶＤ絶縁膜は、スパッタリングによって形成される絶縁膜に比べて、緻密で、厚みの均一性がよく、絶縁耐圧が大きく、また、緻密なことからステップカバレージがよい。また、これらのことから、多層ＣＶＤ絶縁膜は、スパッタリングによって形成される絶縁膜に比べて、質を落とすことなく薄く形成することが可能である。
【００７４】
ここで、スパッタリングによって形成される絶縁膜と本実施の形態における多層ＣＶＤ絶縁膜とで、厚みの均一性の指標となる中心線平均粗さＲａを比較した実験結果について説明する。この実験では、スパッタリングによって形成された３０ｎｍの厚みの絶縁膜と３０ｎｍの厚みの多層ＣＶＤ絶縁膜のそれぞれの中心線平均粗さＲａを求めた。結果は、スパッタリングによって形成された絶縁膜の中心線平均粗さＲａは０．２１６ｎｍであり、多層ＣＶＤ絶縁膜の中心線平均粗さＲａは０．１０７ｎｍであった。この結果から、多層ＣＶＤ絶縁膜は、スパッタリングによって形成される絶縁膜に比べて厚みの均一性がよいことが分かる。
【００７５】
次に、図１２を参照して、スパッタリングによって形成される絶縁膜と本実施の形態における多層ＣＶＤ絶縁膜とで絶縁耐圧を比較した実験結果について説明する。図１２は、４種類の絶縁膜について、絶縁膜に対する印加電圧と絶縁破壊しない絶縁膜の割合（図１２では歩留りと記す。）との関係を表したものである。４種類の絶縁膜は、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）スパッタリング装置を用いて連続的なスパッタリングによって形成された１５ｎｍの厚みのアルミナ膜（図１２においてECR 15と記す。）と、電子サイクロトロン共鳴スパッタリング装置を用いて連続的なスパッタリングによって形成された２０ｎｍの厚みのアルミナ膜（図１２においてECR 20と記す。）と、低圧ＣＶＤ法によって薄いアルミナ膜を形成する工程を複数回実行することによって形成された１５ｎｍの厚みの多層ＣＶＤ絶縁膜（図１２においてALCVD 15と記す。）と、低圧ＣＶＤ法によって薄いアルミナ膜を形成する工程を複数回実行することによって形成された２０ｎｍの厚みの多層ＣＶＤ絶縁膜（図１２においてALCVD 20と記す。）である。
【００７６】
図１２から分かるように、電子サイクロトロン共鳴スパッタリング装置を用いて連続的なスパッタリングによって形成されたアルミナ膜では、厚みが２０ｎｍの場合には絶縁耐圧が５Ｖ程度となり、厚みが１５ｎｍの場合には絶縁耐圧が３Ｖ程度となり、いずれも場合も静電気破壊が生じやすく実用的ではない。これに対し、多層ＣＶＤ絶縁膜では、厚みが２０ｎｍ、１５ｎｍのいずれの場合にも、絶縁耐圧が７Ｖ以上となり、静電気破壊が生じにくい。本発明の多層絶縁膜は、複数の絶縁膜が積層されて構成され、厚みが１５〜２０ｎｍで、絶縁耐圧が７Ｖ以上のものである。
【００７７】
以上説明したように、本実施の形態では、シールドギャップ膜４ａ，７ａとして、ＣＶＤ法を用いて形成された複数の薄いアルミナ膜が積層されて構成された多層ＣＶＤ絶縁膜を用いている。この多層ＣＶＤ絶縁膜は、上述のように、緻密で、厚みの均一性がよく、絶縁耐圧が大きく、ステップカバレージがよく、薄く形成することが可能である。従って、本実施の形態によれば、シールドギャップ膜４ａ，７ａを従来よりも薄くすることができ、その結果、シールドギャップ長を縮小することができる。また、本実施の形態によれば、シールドギャップ長を縮小することにより、再生出力における半値幅を縮小することができ、その結果、記録密度を向上させることができる。図１３は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける再生出力の波形の一例を示したものである。この図において、符号ＰＷ５０は再生出力における半値幅を表している。半値幅ＰＷ５０は、再生出力がピーク時の５０％以上となる時間である。
【００７８】
また、シールドギャップ膜７ａは、ＧＭＲ素子５のパターンエッジの近傍やＧＭＲ素子５に接続された導電層６の近傍のように凹凸のある部分にも形成されるため、ステップカバレージが悪いとピンホールや絶縁不良が発生しやすい。しかしながら、本実施の形態では、シールドギャップ膜７ａとして、ステップカバレージのよい多層ＣＶＤ絶縁膜を用いているので、シールドギャップ膜７ａにおいてピンホールや絶縁不良が発生することを防止することができる。
【００７９】
また、本実施の形態によれば、薄く且つ良質のシールドギャップ膜４ａ，７ａを形成できることから、高密度記録用の薄膜磁気ヘッドの歩留りを向上させることができる。
【００８０】
以上のことから、本実施の形態によれば、薄膜磁気ヘッドの性能と歩留りを向上させることができる。
【００８１】
また、本実施の形態において、シールドギャップ膜４ａ，７ａのみならず、シールドギャップ膜４ｂ，７ｂや記録ギャップ層９としても多層ＣＶＤ絶縁膜を用いることにより、これらも薄く且つ良質なものとすることができ、薄膜磁気ヘッドの性能と歩留りをより向上させることができる。
【００８２】
［第２の実施の形態］
次に、図１４を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。図１４（ａ）は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面に垂直な断面を示し、図１４（ｂ）は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【００８３】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、第１の実施の形態における上部シールド層８の代りに、磁性材料からなる上部シールド層８ａと、分離膜２０と、磁性材料からなる下部磁極層８ｂとを備えている。分離膜２０は、再生ヘッドと記録ヘッドとを磁気的に分離する絶縁膜である。
【００８４】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、シールドギャップ膜７ａ，７ｂの上に上部シールド層８ａを形成し、次に、上部シールド層８ａの上に分離膜２０を形成し、次に、分離膜２０の上に下部磁極層８ｂを形成する。分離膜２０の厚みは例えば０．１〜０．２μｍとする。
【００８５】
分離膜２０としては、第１の実施の形態におけるシールドギャップ膜４ａ，７ａと同様に、ＣＶＤ法を用いて形成された複数の薄いアルミナ膜が積層されて構成された多層ＣＶＤ絶縁膜が用いられる。
【００８６】
本実施の形態によれば、分離膜２０によって再生ヘッドと記録ヘッドとを磁気的に分離したので、記録ヘッドの記録動作に起因する再生ヘッドにおけるバルクハウゼンノイズ等のノイズを低減することができると共に再生出力の変動を低減することができる。
【００８７】
また、本実施の形態によれば、分離膜２０として多層ＣＶＤ絶縁膜を用いたので、この分離膜２０を薄く且つ良質なものとすることができ、薄膜磁気ヘッドの性能と歩留りを向上させることができる。
【００８８】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００８９】
［第３の実施の形態］
次に、図１５を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。図１５（ａ）は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面に垂直な断面を示し、図１５（ｂ）は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【００９０】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、第１の実施の形態におけるフォトレジスト層１１および絶縁層１３の代りに、フォトレジスト層３１およびコイル絶縁層３２を備えている。フォトレジスト層３１は、記録ギャップ層９と薄膜コイル１０との間には形成されず、記録ギャップ層９と上記磁極層１２の磁極部分層１２ａの一部との間にのみ形成されている。本実施の形態では、薄膜コイル１０は、記録ギャップ層９の上に配置されている。コイル絶縁層３２は、薄膜コイル１０を覆うように形成され、薄膜コイル１０の線間を絶縁するようになっている。本実施の形態では、フォトレジスト層３１のエアベアリング面３０側の端部がスロートハイトを規定する。
【００９１】
コイル絶縁層３２としては、第１の実施の形態におけるシールドギャップ膜４ａ，７ａと同様に、ＣＶＤ法を用いて形成された複数の薄いアルミナ膜が積層されて構成された多層ＣＶＤ絶縁膜が用いられる。
【００９２】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、記録ギャップ層９の上にフォトレジスト層３１を形成し、次に、記録ギャップ層９およびフォトレジスト層３１の上に、上記磁極層１２の磁極部分層１２ａを形成すると共に、記録ギャップ層９に形成されたコンタクトホールの位置に磁性層１２ｂを形成する。次に、上部磁極層１２の磁極部分層１２ａをマスクとして、例えばイオンミリングによって、記録ギャップ層９と上部シールド層８の一部をエッチングしてトリム構造を形成する。次に、記録ギャップ層９の上に薄膜コイル１０を形成する。次に、全体に、多層ＣＶＤ絶縁膜によってコイル絶縁層３２を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、上部磁極層１２の磁極部分層１２ａおよび磁性層１２ｂの表面に至るまでコイル絶縁層３２を研磨して平坦化する。その後の工程は、第１の実施の形態と同様である。
【００９３】
本実施の形態によれば、薄膜コイル１０の線間を絶縁するコイル絶縁層３２として、ステップカバレージのよい多層ＣＶＤ絶縁膜を用いたので、薄膜コイル１０の線間に、キーホールやボイド等の空隙のない絶縁膜を形成することができ、その結果、薄膜磁気ヘッドの性能と歩留りを向上させることができる。
【００９４】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００９５】
本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明は、ＭＲ素子としてＧＭＲ素子を用いた薄膜磁気ヘッドに限らず、磁気抵抗素子としてＡＭＲ素子やＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子を用いた薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【００９６】
また、上記実施の形態では、基体側に読み取り用のＭＲ素子を形成し、その上に、書き込み用の誘導型電磁変換素子を積層した構造の薄膜磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。
【００９７】
つまり、基体側に書き込み用の誘導型電磁変換素子を形成し、その上に、読み取り用のＭＲ素子を形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下部磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介して、それに対向するように上記実施の形態に示した下部磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成することにより実現できる。この場合、誘導型電磁変換素子の上部磁極層とＭＲ素子の下部シールド層を兼用させてもよい。
【００９８】
また、本発明は、誘導型電磁変換素子を有しない再生専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型電磁変換素子のみを有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型電磁変換素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図である。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図である。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態における多層ＣＶＤ絶縁膜の形成方法の第１の例を示す説明図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態における多層ＣＶＤ絶縁膜の形成方法の第２の例を示す説明図である。
【図１２】スパッタリングによって形成される絶縁膜と本発明の第１の実施の形態における多層ＣＶＤ絶縁膜とで絶縁耐圧を比較した実験結果を示す特性図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける再生出力の波形の一例を示したものである。
【図１４】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図１５】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図１６】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図１７】図１６に続く工程を説明するための断面図である。
【図１８】図１７に続く工程を説明するための断面図である。
【図１９】図１８に続く工程を説明するための断面図である。
【図２０】図１９に続く工程を説明するための断面図である。
【図２１】図２０に続く工程を説明するための断面図である。
【図２２】図２１に続く工程を説明するための断面図である。
【図２３】従来の薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【符号の説明】
【０１００】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４ａ，４ｂ…シールドギャップ膜、５…ＧＭＲ素子、６…導電層、７ａ，７ｂ…シールドギャップ膜、８…上部シールド層、９…記録ギャップ層、１０…薄膜コイル、１２…上部磁極層、１２ａ…磁極部分層、１２ｂ…磁性層、１２ｃ…ヨーク部分層、１４…オーバーコート層。
【図１】
2004152470.tif 000003
【図２】
2004152470.tif 000004
【図３】
2004152470.tif 000005
【図４】
2004152470.tif 000006
【図５】
2004152470.tif 000007
【図６】
2004152470.tif 000008
【図７】
2004152470.tif 000009
【図８】
2004152470.tif 000010
【図９】
2004152470.tif 000011
【図１０】
2004152470.tif 000012
【図１１】
2004152470.tif 000013
【図１２】
2004152470.tif 000014
【図１３】
2004152470.tif 000015
【図１４】
2004152470.tif 000016
【図１５】
2004152470.tif 000017
【図１６】
2004152470.tif 000018
【図１７】
2004152470.tif 000019
【図１８】
2004152470.tif 000020
【図１９】
2004152470.tif 000021
【図２０】
2004152470.tif 000022
【図２１】
2004152470.tif 000023
【図２２】
2004152470.tif 000024
【図２３】
2004152470.tif 000025