(57)【要約】【課題】本発明は、簡単な構造で、昇温時にステムの内側と外側との間の気密性を保つとともに、プレートの温度分布が均一なステージを提供する。【解決手段】ステージ１は、プレート２とステム３とシールリング４と第１シール部材５と第２シール部材６とを備える。プレート２に形成された第１シール面１５とステム３に形成された第２シール面１７との間にシールリング４が挿入される。第１シール部材５は、シールリング４と第１シール面１５の間に取り付けられ、第２シール部材６は、シールリング４と第２シール面１７の間に取り付けられる。プレート２とステム３とは、ねじ（締結部材）２７によって固定される。シールリング４の線膨張係数は、プレート２及びステム３の線膨張係数より大きい。プレート２が加熱されると、シールリング４が膨張し、第１及び第２シール部材５，６を第１及び第２シール面１５，１７に押し付ける。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
抵抗過熱によって発熱するヒータが埋設されたプレートと、
前記ヒータに接続されて前記プレートから露出する端子と、
前記端子を囲む環状に前記プレートに形成される第１シール面と、
前記端子を囲む筒状に形成されて前記プレートを支持するステムと、
前記プレートを支持する側の前記ステムの端面に環状に形成された第２シール面と、
前記プレートと反対側の前記ステムの開口端を塞ぐ蓋と、
前記蓋を貫通して前記端子に接続される配線と、
前記第１シール面と前記第２シール面の間に挿入され、前記プレート及び前記ステムの線膨張係数よりも線膨張係数が大きいシールリングと、
前記シールリングと前記第１シール面との間に取り付けられる第１シール部材と、
前記シールリングと前記第２シール面との間に取り付けられる第２シール部材と、
前記プレートと前記ステムとを固定する締結部材とを備えることを特徴とするステージ。
【請求項２】
前記第１シール面と前記第２シール面の少なくともどちらか一方が他方から離れる方向に凹んだ溝に設けられることを特徴とする請求項１に記載のステージ。
【請求項３】
前記シールリングは、前記締結部材に貫通されていることを特徴とする請求項１に記載のステージ。
【請求項４】
前記第１シール面は、前記ステムから離れる方向に凹んだ第１溝に形成され、
前記第２シール面は、前記プレートから離れる方向に凹んだ第２溝に形成され、
前記第１シール部材は、前記第１溝の内径側の壁と底とに接触する第１シール内径部材と、前記第１溝の外径側の壁と底とに接触する第１シール外径部材とを有し、
前記第２シール部材は、前記第２溝の内径側の壁と底とに接触する第２シール内径部材と、前記第２溝の外径側の壁と底とに接触する第２シール外径部材とを有していることを特徴とする請求項１に記載のステージ。
【請求項５】
前記第１シール面は、前記締結部材よりも内径側で、前記ステムから離れる方向に凹んだ第１凹部の少なくとも外周壁に形成され、
前記第２シール面は、前記締結部材よりも内径側で、前記プレートから離れる方向に凹んだ第２凹部の少なくとも外周壁に形成され、
前記シールリングは、前記第１凹部の内径側に入り込んだ第１凸部と、前記第２凹部の内径側に入り込んだ第２凸部を備えることを特徴とする請求項１に記載のステージ。
【請求項６】
前記シールリングは、アルミナ系のセラミックで造られ、前記第１シール部材と前記第２シール部材とは、軟質金属で造られていることを特徴とする請求項１から請求項５の内のいずれか１項に記載のステージ。
【請求項７】
前記シールリングは、マグネシア系のセラミックで造られ、前記第１シール部材と前記第２シール部材とは、軟質金属で造られていることを特徴とする請求項１から請求項５の内のいずれか１項に記載のステージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、半導体の製造プロセス等のプロセスガス雰囲気中において、ウェーハを加熱するステージに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体は、製造プロセスにおいて、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＶＤ（Ｐｌａｓｍａ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、エッチングなどの処理が施される。各プロセスで使用される装置は、円板状に切り出されたウェーハを保持するステージを備えている。このステージは、ウェーハを保持するプレートと、このプレートを支持するステムを備えている。各プロセスに応じてヒータや高周波用の電極などがプレートに埋設されている。プレートから露出するヒータや電極の端子には、配線が接続されている。ステムは、端子や配線を囲う筒状に形成されている。
【０００３】
ステージは、プロセスチャンバに入れられて、プロセスガスに曝される。金属部品は、プロセスガスに腐食され、金属パーティクルが飛散する原因となる。したがって、プレートとステムは、セラミックで造られるとともに、端子や配線などの金属部品がプロセスガスに曝されないように、ステムは、プレートに対して気密に接合される（例えば、特許文献１参照。）。そして、プレートとステムとの接合力を大きくするために、ステムにフランジを設け、プレートとの接触面積を大きくしたものがある（例えば、特許文献２参照。）。
【０００４】
また、プレート（セラミックヒータ）とステム（円筒状体）のいずれかに損傷が生じた場合に両者を分離し故障したほうだけを交換できるようにしたステージがある（例えば、特許文献３参照。）。このステージは、ステムの端面に形成されたフランジとプレートとの間に軟質金属からなる円環状部材を挿入し、ボルトで締付けることで気密にシールしている。
【０００５】
【特許文献１】
特公平６−２８２５８号公報（第３頁の右欄の第２行−第４行、第２図）
【０００６】
【特許文献２】
特許第２５２５９７４号公報（段落００１７、第１図）
【０００７】
【特許文献３】
特許第３１３１０１０号公報（段落０００７−０００８、段落００１４、第１図）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、プレートとステムを一体に接合すると、温度が上がったときに接合部に応力が働き破損してしまう恐れがある。また、接合部を通してヒータの熱がステムに伝わるので、プレート上の温度斑が生じやすく、半導体製造プロセスの処理条件が不安定となる。
【０００９】
軟質金属の円環状部材をステム（円筒状体）とプレート（セラミックヒータ）との間に挿入し、気密にシールをするとともに、応力を緩和させたものは、円筒状体の内側が外気に曝されている。したがって、端子や配線が酸化しやすい。また、外気と接する部分から放熱し、セラミックヒータの温度分布に斑が生じる。特に、セラミックヒータから円筒状体へ軟質金属の円環状部材を伝わって熱が逃げやすく、温度差による熱応力が作用して、セラミックヒータが破損する恐れがある。
【００１０】
また、円環状部材を円筒状体とセラミックヒータの間で押圧するために、セラミックヒータの外周を支持部材で押えている。しかし、セラミックヒータが大径化し、円環状部材とセラミックヒータの外周までの距離が離れるほど、セラミックヒータが撓みやすい。そのため、セラミックヒータの平坦度が損なわれたり、気密状態を維持するために必要な押圧力が得られなくなったりする恐れがある。また、各部材の線膨張係数の差により、加熱時にシール部がずれ、気密性が損なわれる恐れがある。そのため、円環状部材に対するセラミックヒータと円筒状体との押し付け力を安定させるために、複雑な機構を必要としている。
【００１１】
そこで、本発明は、簡単な構造で、昇温時にステムの内側と外側との間の気密性を保つとともに、プレートの温度分布が均一なステージを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るステージは、抵抗過熱によって発熱するヒータが埋設されたプレートと、ヒータに接続されてプレートから露出する端子と、端子を囲む環状にプレートに形成される第１シール面と、端子を囲む筒状に形成されてプレートを支持するステムと、プレートを支持する側のステムの端面に環状に形成された第２シール面と、プレートと反対側のステムの開口端を塞ぐ蓋と、蓋を貫通して端子に接続される配線と、第１シール面と第２シール面の間に挿入され、プレート及びステムの線膨張係数よりも線膨張係数が大きいシールリングと、シールリングと第１シール面との間に取り付けられる第１シール部材と、シールリングと第２シール面との間に取り付けられる第２シール部材と、プレートとステムとを固定する締結部材とを備える。
【００１３】
また、シールリングのずれを防止するために、第１シール面と第２シール面の少なくともどちらか一方を他方から離れる方向に凹んだ溝に設ける。または、締結部材をシールリングに貫通させる。
【００１４】
また、気密性を向上させるために、第１シール面をステムから離れる方向に凹んだ第１溝に形成し、第２シール面をプレートから離れる方向に凹んだ第２溝に形成する。そして、第１シール部材として、第１溝の内径側の壁と底とに接する第１シール内径部材と、第１溝の外径側の壁と底とに接する第１シール外径部材とを設け、第２シール部材として、第２溝の内径側の壁と底とに接する第２シール内径部材と、第２溝の外径側の壁と底とに接する第２シール外径部材とを設ける。
【００１５】
また、第１シール面を締結部材よりも内径側で、ステムから離れる方向に凹んだ第１凹部の少なくとも外周壁に形成し、第２シール面を締結部材よりも内径側で、プレートから離れる方向に凹んだ第２凹部の少なくとも外周壁に形成し、シールリングは、第１凹部の内径側に入り込んだ第１凸部と、第２凹部の内径側に入り込んだ第２凸部を備える。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明に係る第１の実施形態のステージ１について、図１及び図２を参照して説明する。図１に示すステージ１は、プレート２とステム３とシールリング４と第１シール部材５と第２シール部材６とを備えている。このステージ１は、半導体のウェーハＷをプレート２上に保持する。ステージ１は、プロセスチャンバ７の中に配置され、ウェーハＷを保持した状態で、そのプロセスに応じたプロセスガスに曝される。
【００１７】
プレート２は、セラミックで造られており、ヒータ８と電極９とを内蔵している。ヒータ８は、抵抗加熱によって発熱する。ヒータ８は、耐熱性に優れ、線膨張係数の小さい金属、線膨張係数がプレート２を形成するセラミックの線膨張係数に近い金属であることが好ましく、具体的には、モリブデンやタングステンなどが挙げられる。ヒータ８に電力を供給する端子１０は、プレート２から露出している。電極９は、プラズマ処理をウェーハＷに施すときなどに使用するグランド用の電極であって、ウェーハＷを保持する面に近い位置に埋設されている。電極９は、ヒータ８用の端子１０と同じ側に露出する電極９用の端子１１に接続されている。また、プレート２には、ヒータ８の温度管理をするために、端子１０，１１が露出する側に熱電対１２を差し込むソケット１３が取り付けられている。なお、熱電対１２は、プレート２の端子１０，１１が露出する側に直接取付けても良い。さらに、ヒータ８用の端子１０と電極９用の端子１１とソケット１３とを囲んで環状に、第１溝１４がプレート２に設けられ、第１シール面１５が第１溝１４に形成されている。
【００１８】
ステム３は、セラミックで造られており、ヒータ８用の端子１０と電極９用の端子１１及び熱電対１２用のソケット１３を囲う十分な太さの筒状に形成されている。ステム３は、両端にフランジ３ａ，３ｂが形成されている。プレート２に面したフランジ３ａには、第１溝１４と向かい合わせの位置に第２溝１６が形成され、第２シール面１７がこの第２溝１６に形成されている。また、もう一方のフランジ３ｂには、Ｏリング溝１８が形成されている。Ｏリング溝１８には、Ｏリング１９が装着され、ねじ２０で蓋２１が取り付けられる。
【００１９】
端子１０，１１に接続される配線２２，２３とソケット１３に差し込まれる熱電対１２とは、蓋２１を貫通して設けられる。配線２２，２３および熱電対１２と蓋２１との隙間は、パッキングなど、例えばＯリング２４が取り付けられて気密に封じられる。また、蓋２１には、ステム３の内部に不活性ガスを充満させるノズル２５が取り付けられている。ノズル２５には、圧力調整弁２６や流量調整弁、及び不活性ガスが入ったボンベなどが接続される。ステム３の内部は、プロセスチャンバ７の内部に充満するプロセスガスの圧力よりも高い圧力で不活性ガスが供給される。
【００２０】
シールリング４は、プレート２及びステム３よりも伝熱抵抗が大きく、断熱性に優れたセラミックで造られている。また、プレート２やステム３に使用するセラミックよりも、線膨張係数が大きいセラミックをシールリング４に使用する。シールリング４は、プレート２に形成された第１溝１４とステム３に形成された第２溝１６に嵌り込み、第１シール面１５と第２シール面１７との間に挿入される。
【００２１】
図２に示すように、第１シール部材５は、シールリング４と第１シール面１５との間に挿入される。この第１シール部材５には、第１溝１４の内径側の壁１４ａと底１４ｂとに接する第１シール内径部材５ａと、第１溝１４の外径側の壁１４ｃと底１４ｂとに接する第１シール外径部材５ｂとがある。同様に、第２シール部材６は、シールリング４と第２シール面１７の間に挿入される。この第２シール部材６には、第２溝１６の内径側の壁１６ａと底１６ｂとに接する第２シール内径部材６ａと、第２溝１６の外径側の壁１６ｃと底１６ｂとに接する第２シール外径部材６ｂとが有る。つまり、シールリング４の四角に第１及び第２シール部材５，６が配置された状態となっている。第１シール部材５（第１シール内径部材５ａ、第１シール外径部材５ｂ）と第２シール部材６（第２シール内径部材６ａ、第２シール外径部材６ｂ）とは、軟質金属で造られる。軟質金属の具体的な例として、ニッケル、インコネル合金（商品名：インコ社）、ハステロイ（商品名：Ｈａｙｎｅｓ  Ｓｔｅｌｌｉｔｅ社）ステンレス鋼など、耐熱性、耐食性に優れた合金を焼鈍して軟化させたものが挙げられる。
【００２２】
プレート２とステム３とは、締結部材であるねじ２７で固定される。このねじ２７は、シールリング４を貫通している。第１シール内径部材５ａと第２シール内径部材６ａとは、ねじ２７よりも内径側に、第１シール外径部材５ｂと第２シール外径部材６ｂとは、ねじ２７よりも外径側に位置している。また、ねじ２７は、温度変化によってねじ山を破損しないように、プレート２と同じ線膨張係数の部材、好ましくは、異なる硬さで同じ線膨張係数のセラミックで造られることが好ましい。
【００２３】
以上のように構成されたステージ１において、図１に示すように、ヒータ８や電極９の配線２２，２３及び熱電対１２は、制御装置２８に接続される。制御装置２８は、熱電対１２で検出される温度を基に、ヒータ８に供給する電流を制御することで、プレート２の温度を制御する。また、制御装置２８は、プロセスチャンバ７に供給されるプロセスガスの圧力とステム３の内側に供給される不活性ガスの圧力差を検出する差圧計２９の信号を基に、不活性ガスの圧力調整弁２６を制御する。
【００２４】
プロセスチャンバ７内において、プレート２が加熱されると、第１溝１４に接している第１シール部材５を伝わった熱でシールリング４が温められて膨張する。シールリング４の線膨張係数は、プレート２及びステム３の線膨張係数よりも大きいので、同じように温度が上昇した場合、シールリング４の周長の伸びは、第１溝１４及び第２溝１６の周長の伸びよりも大きい。そのため、シールリング４は、第１溝１４及び第２溝１６に対して、半径が大きくなる外径方向に移動する。また、シールリング４は、軸方向にも膨張する。ステージ１が使用されるプロセスの処理温度に昇温することで、シールリング４が膨張し、第１シール部材５を第１溝１４に、第２シール部材６を第２溝１６にそれぞれ押し当てる。つまり、第１及び第２シール外径部材５ｂ、６ｂは、第１溝１４及び第２溝１６の外周面１４ｃ、１６ｃとシールリング４の外周面とによって、それぞれ半径方向に押圧され、第１及び第２シール内径部材５ａ，６ａは、第１溝１４及び第２溝１６の底面１４ｂ，１６ｂとシールリング４の上下面とによって、それぞれ軸方向に押圧される。
【００２５】
その結果、第１シール部材５と第２シール部材６がシールリング４と第１溝１４及び第２溝１６とに密着し、ステム３の内側と外側とは、気密に遮断される。
【００２６】
ウェーハＷが均質に処理されるために、プレート２が所望する温度に加熱されたことが制御装置２８によって確認されて、はじめて、プロセスガスは、プロセスチャンバ７内に供給される。ステージ１は、プレート２が所望の温度に加熱された状態で、ステム３の内側と外側を気密に遮断する。したがって、プロセスチャンバ７内のプロセスガスが、ステム３内に浸入しない。つまり、端子１０，１１、配線２２，２３、ソケット１３、および熱電対１２がプロセスガスに曝されない。
【００２７】
また、シールリング４は、伝熱抵抗が大きい断熱性に優れたセラミックでできている。シールリング４は、プレート２とステム３との間に挿入されている。そして、シールリング４と第１シール面１５の間に第１シール部材５が取り付けられ、シールリング４と第２シール面１７の間に第２シール部材６が取り付けられている。第１溝１４と第１シール部材５、第１シール部材５とシールリング４、シールリング４と第２シール部材６、第２シール部材６と第２溝１６のそれぞれの接触面積、すなわち伝熱面積は、小さい。したがって、ヒータ８の熱が、ステム３に伝わり難く、プレート２の温度が安定する。
【００２８】
なお、設定温度よりもやや低い温度でステム３の外部と内部とが気密に遮断されるように、シールリング４、第１溝１４、第２溝１６、第１シール部材５、第２シール部材６の寸法を決めることで、加熱された状態で各部材に大きな応力が作用しないので良い。
【００２９】
次に、本発明に係る第２の実施形態のステージ１について、図３を参照して説明する。なお、図３に示すシールリング３１の周辺の構成以外については、第１の実施形態と同じであるので、その説明を省略する。
【００３０】
図３に示すように、第１シール面１５は、ねじ２７よりも内径側で、ステム３から離れる方向に凹んだプレート２の第１凹部３２の外周壁３２ａと底３２ｂに形成されている。第２シール面１７は、プレート２から離れる方向に凹んだステム３の第２凹部３３の外周壁３３ａと底３３ｂに形成されている。それぞれ第１凹部３２は、第１の実施形態の第１溝１４に相当し、第２凹部３３は、第１の実施形態の第２溝１６に相当する。したがって、それぞれ溝であっても良い。
【００３１】
シールリング３１の内周端３１ａは、第１凹部３２及び第２凹部３３について、深さ方向に入り込んだ第１凸部３１ｂと第２凸部３１ｃが形成されている。いいかえると、シールリング３１の内周端３１ａは、リングを横切る断面が、いわゆるＴ形をしている。第１シール部材３４は、第１凹部３２の外周壁３２ａ及び底３２ｂと第１凸部３１ｂとの間に配置され、第２シール部材３５は、第２凹部３３の外周壁３３ａ及び底３３ｂと第２凸部３１ｃとの間に配置されている。シールリング３１は、ねじ２７に貫通されている。
【００３２】
シールリング３１は、プレート２及びステム３に使用しているセラミック材料の線膨張係数よりも線膨張係数が大きいセラミック材料を適用する。そして、ステージ１が使用されるプロセスの処理温度に昇温された状態で、シールリング３１が、第１シール部材３４を第１凹部３２の第１シール面１５に、第２シール部材３５を第２凹部３３の第２シール面１７に、それぞれ押し当てる寸法に、第１凹部３２と第２凹部３３とシールリング３１とが形成されている。また、シールリング３１の材料は、伝熱抵抗が大きく、断熱性に優れているセラミックを適用する。
【００３３】
以上のように構成されたステージ１は、プレート２上にウェーハＷを支持し、プロセスチャンバ７の中に配置される。シールリング３１の材料は、プレート２及びステム３の材料よりも線膨張係数が大きく、処理温度で第１シール部材３４を第１シール面１５に、第２シール部材３５を第２シール面１７にそれぞれ押し付ける。そして、プレート２、第１シール部材３４、シールリング３１、第２シールリング３５、ステム３によって、ステム３の内側と外側とを気密に遮断する。
【００３４】
プロセスチャンバ７は、ヒータ８が所望する温度に加熱されたあと、プロセスガスで満たされる。つまり、ステム３の内側は、プロセスガスが供給される前に気密に遮断されている。したがって、ステム３の内側にある端子１０，１１、配線２２，２３、熱電対１２などの金属部品は、プロセスガスに曝されない。また、ノズル２５によって、不活性ガスがステム３の内側に供給されているので、端子１０，１１、配線２２，２３、熱電対１２等の金属部品が酸化されることもない。さらに、プレート２とステム３との間に、伝熱抵抗の大きいシールリング４が挿入されている。したがって、ヒータ８の熱が、ステム３に伝わり難く、プレート２の温度が安定する。
【００３５】
第１及び第２の実施形態におけるプレート２、ステム３、シールリング４，３１、ねじ２７に使われるセラミック材料の具体的な組合せの一例を挙げる。プレート２には、窒化アルミニウム系、ステム３には、アルミナ形、シールリング４，３１には、マグネシア系を用いる。なお、セラミック材料として、この他にジルコニア系、窒化珪素系、サイアロン系、窒化チタン系、チタニア系などを適用することができるので、用途に応じて、これらの材料を選択することも可能である。
【００３６】
また、プレート２とステム３とがねじ２７で固定されているので、どちらかに不具合が生じた場合に、不具合の生じている側のみを交換するだけでよい。したがって、ステージ１の保全費用を少なく抑えることができる。
【００３７】
また、第１溝１４や第１凹部３２を形成せずに第１シール面１５をプレート２の端子１０，１１が露出する側に直接形成し、第２溝１６や第２凹部３３を形成せずに第２シール面をステム３のフランジ３ａに直接形成し、ステム３の内部と外部とを気密に遮断することもできる。シールリング４，３１は、加熱されたヒータ８の熱が伝わって、半径方向及び軸方向に膨張する。シールリング４，３１の線膨張係数はプレート２やステム３の線膨張係数よりも大きい。またシールリング４，３１は、軸方向の寸法よりも直径の寸法の方が大きい。従って、シールリング４，３１は、温度が上がることで、プレート２やステム３に対して半径方向に拡がる。第１シール面１４および第２シール面１６に沿う方向に拡がるので、ステム３の内側と外側の気密を損なうことはない。
【００３８】
【発明の効果】
本発明にかかるステージによれば、プレートとステムとはねじによって固定されているので分離可能である。また、プレートに形成された第１シール面とステムに形成された第２シール面の間には、プレート及びステムよりも線膨張係数が大きいシールリングが挿入されている。さらに、シールリングと第１シール面との間に第１シール部材が挿入され、シールリングと第２シール面との間に第２シール部材が挿入されている。プレートに内蔵されるヒータなどに接続されてプレートから露出する端子及びこの端子に接続された配線は、筒状に形成されたステムの内側に通されている。ヒータによってプレートが処理温度に加熱されると、第１シール部材を伝った熱でシールリングが膨張する。シールリングは、体積膨張することで、直径が大きくなるとともに、断面積が大きくなる。その結果、第１シール部材と第２シール部材は、シールリングによって、第１シール面及び第２シール面に押し付けられ、ステムの内側と外側とが気密に遮断される。プロセスガスは、プレートの温度が処理温度になってから供給されるので、端子や配線などステムの内側にある金属部品は、プロセスガスに曝されて腐食することがない。
【００３９】
また、熱は、第１シール部材、シールリング、第２シール部材を介して、プレートからステムに伝わる。また、プレートと第１シール部材、第１シール部材とシールリング、シールリングと第２シール部材、第２シール部材とステムの間の接触面積、すなわち伝熱面積が小さいので、プレートの熱がステムに伝わり難い。したがって、プレートの温度分布が均一になる。
【００４０】
さらに、プレートの第１溝或いは第１凹部に第１シール面を設け、ステムの第２溝或いは第２凹部に第２シール面を設けた発明によれば、シールリングが直径方向に大きくなることによって、第１シール部材及び第２シール部材をより強固にシール面に押し付ける事ができるので、ステムの内側と外側との気密性が増す。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第１の実施形態のステージを備える半導体プロセス装置を示す断面図。
【図２】図１のステージのシールリングとその周辺を示す断面図。
【図３】本発明に係る第２の実施形態のステージのシールリングとその周辺を示す断面図。
【符号の説明】
１…ステージ
２…プレート
３…ステム
４，３１…シールリング
５，３４…第１シール部材
６，３５…第２シール部材
８…ヒータ
１０…端子
１４…第１溝
１４ａ…内径側の壁
１４ｂ…底
１４ｃ…外径側の壁
１５…第１シール面
１６…第２溝
１６ａ…内径側の壁
１６ｂ…底
１６ｃ…外径側の壁
１７…第２シール面
２２…配線
２７…ねじ（締結部材）
３２…第１凹部
３２ａ…外周壁
３３…第２凹部
３３ａ…外周壁
【図１】
2004152866.tif 000003
【図２】
2004152866.tif 000004
【図３】
2004152866.tif 000005