(57)【要約】      （修正有）【課題】アドレスイベントの検出を行う固体撮像素子をより多様に活用可能とする、固体撮像素子の制御方法及び電子機器を提供する。【解決手段】固体撮像素子は、２次元格子状に配列された複数の画素４０ａと、制御部と、を備える。画素は、受光した光に応じた第１の光電流を出力する第１の受光素子４０１ａと、受光した光に応じた第２の光電流を出力する第２の受光素子４０１ｂと、電流を電圧に変換する変換部と、変換部により変換された電圧の変化に基づきイベントを検出し、検出による検出結果を示す検出信号を出力する出力部３０と、変換部により電圧に変換する電流を第１の光電流と第２の光電流とで切り替える切り替えを行う切替部と、を含む。制御部は、切替部による切り替えを制御する。【選択図】図５
2022002355.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２次元格子状に配列された複数の画素と、
制御部と、
を備え、
前記画素は、
受光した光に応じた第１の光電流を出力する第１の受光素子と、
受光した光に応じた第２の光電流を出力する第２の受光素子と、
電流を電圧に変換する変換部と、
前記変換部により変換された前記電圧の変化に基づきイベントを検出し、該検出による検出結果を示す検出信号を出力する出力部と、
前記変換部により電圧に変換する電流を前記第１の光電流と前記第２の光電流とで切り替える切り替えを行う切替部と、
を含み、
前記制御部は、
前記切替部による前記切り替えを制御する
固体撮像素子。
【請求項２】
前記第１の受光素子は、前記第２の受光素子と比較して低感度であり、
前記制御部は、
前記画素に照射される光量の変化量に基づき前記切り替えを制御する
請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記画素は、
前記第１の光電流または前記第２の光電流の絶対値に基づき画素信号を生成する生成部をさらに含み、
前記制御部は、
前記画素信号に基づき前記切り替えを制御する
請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記制御部は、
前記画素に照射される光量の変化量に基づきさらに前記切り替えを制御し、
前記画素信号に基づく前記切り替えの制御と、前記光量の変化量に基づく前記切り替えの制御と、を、一定の周期で繰り返して実行する
請求項３に記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記変換部は、
前記変換された電圧の上限値を設定するリミッタを含み、
前記切替部は、
前記変換部により変換された電圧と、前記上限値に基づき規定される電圧範囲と、に基づき前記切り替えを制御する
請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項６】
前記制御部は、
前記第１の光電流が所定以下の場合に、前記変換部により電圧に変換する電流を該第１の光電流から前記第２の光電流へ切り替えるように前記切り替えを制御する
請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項７】
前記第１の受光素子と前記第２の受光素子は、同等の感度を有し、
前記制御部は、
前記切り替えを時分割で制御する
請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項８】
前記検出部は、
前記第１の光電流と前記第２の光電流との差分に基づき前記イベントを検出する
請求項７に記載の固体撮像素子。
【請求項９】
前記第１の受光素子の受光状態と前記第２の受光素子の受光状態とが異なる
請求項７に記載の固体撮像素子。
【請求項１０】
前記第１の受光素子と前記第２の受光素子とに異なる遮光パターンを設ける
請求項９に記載の固体撮像素子。
【請求項１１】
前記切替部は、
前記切り替えを制御された状態を前記画素毎に保持する
請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項１２】
画素に含まれる第１の受光素子が受光した光に応じた第１の光電流を出力する第１の出力ステップと、
前記画素に含まれる第２の受光素子が受光した光に応じた第２の光電流を出力する第２の出力ステップと、
前記画素に含まれる変換部が電流を電圧に変換する変換ステップと、
前記画素に含まれる検出部が前記変換ステップにより変換された前記電圧の変化に基づきイベントを検出し、該検出による検出結果を示す検出信号を出力する検出ステップと、
前記画素に含まれる切替部が前記変換ステップにより電圧に変換する電流を前記第１の光電流と前記第２の光電流とで切り替える切り替えステップと、
前記切り替えステップを制御する制御ステップと
を有する
固体撮像素子の制御方法。
【請求項１３】
２次元格子状に配列された複数の画素と、
制御部と、
を備え、
前記画素は、
受光した光に応じた第１の光電流を出力する第１の受光素子と、
受光した光に応じた第２の光電流を出力する第２の受光素子と、
電流を電圧に変換する変換部と、
前記変換部により変換された前記電圧の変化に基づきイベントを検出し、該検出による検出結果を示す検出信号を出力する出力部と、
前記変換部により電圧に変換する電流を前記第１の光電流と前記第２の光電流とで切り替える切り替えを行う切替部と、
を含み、
前記制御部は、
前記切替部による前記切り替えを制御する
固体撮像素子固体撮像素子と、
前記変換部により変換された前記電圧に基づく信号を記憶する記憶部と
を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子、固体撮像素子の制御方法および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＭＯＳ(Complementary  Metal  Oxide  Semiconductor)などを用いた固体撮像装置において、画素アドレス毎に、その画素における受光素子が受光した光量が閾値を超えた旨をアドレスイベントとしてリアルタイムに検出する検出回路を画素毎に設けた、非同期型の固体撮像素子が提案されている（例えば特許文献１）。このように、画素毎にアドレスイベントを検出する固体撮像素子は、ＤＶＳ（Dynamic  Vision  Sensor）と呼ばれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１７−５３５９９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このＤＶＳのような非同期型の固体撮像素子を用いることで、既存の、垂直同期信号などの同期信号に同期した画像データを撮像する同期型の固体撮像素子を用いる場合に対して、より高速な応答が可能となる。そのため、非同期型の固体撮像素子のより多様な活用方法が求められている。
【０００５】
本開示は、アドレスイベントの検出を行う固体撮像素子をより多様に活用可能とすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示に係る固体撮像素子は、２次元格子状に配列された複数の画素と、制御部と、を備え、画素は、受光した光に応じた第１の光電流を出力する第１の受光素子と、受光した光に応じた第２の光電流を出力する第２の受光素子と、電流を電圧に変換する変換部と、変換部により変換された電圧の変化に基づきイベントを検出し、検出による検出結果を示す検出信号を出力する出力部と、変換部により電圧に変換する電流を第１の光電流と第２の光電流とで切り替える切り替えを行う切替部と、を含み、制御部は、切替部による切り替えを制御する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態に係る固体撮像素子を適用した電子機器としての撮像装置の一例の構成を概略的に示す図である。
【図２】第１の実施形態に適用可能な固体撮像素子の一例の構成を示すブロック図である。
【図３】第１の実施形態に係る固体撮像素子を２層構造の積層型ＣＩＳにより形成した例を示す図である。
【図４】第１の実施形態に適用可能な画素アレイ部の一例の構成を示すブロック図である。
【図５】第１の実施形態に係る受光部の一例の構成を示す図である。
【図６Ａ】感度が異なる複数の受光素子を含む画素の例を示す図である。
【図６Ｂ】感度が異なる複数の受光素子を含む画素の例を示す図である。
【図７】第１の実施形態に係る画素アレイ部における配線の例を概略的に示す図である。
【図８】第１の実施形態に適用可能なアドレスイベント検出部の構成をより詳細に示す図である。
【図９】第１の実施形態に適用可能なアドレスイベント検出部の動作を説明するための図である。
【図１０】第１の実施形態に係る電流電圧変換部において用いられるトランジスタのＶｇ−Ｉｄ特性の例を示す図である。
【図１１】第１の実施形態に適用可能な電流電圧変換部の入出力特性の例を示す図である。
【図１２Ａ】第１の実施形態に係る、低感度の受光素子と通常感度の受光素子とを用いてアドレスイベント検出を行う制御を説明するための図である。
【図１２Ｂ】第１の実施形態に係る、低感度の受光素子と通常感度の受光素子とを用いてアドレスイベント検出を行う制御を説明するための図である。
【図１３】第１の実施形態に係る、リミッタを適用した電流電圧変換部の構成の例を示す図である。
【図１４】第１の実施形態に係る電流電圧変換部の入出力特性の例を示す図である。
【図１５】第１の実施形態に係る、アドレスイベント検出処理に用いる受光素子を切り替える必要の無い例について説明するための図である。
【図１６】第１の実施形態に係る、アドレスイベント検出処理に用いる受光素子を切り替える必要の無い例について説明するための図である。
【図１７】第１の実施形態に係る、アドレスイベント検出処理に用いる受光素子を切り替える必要がある例について説明するための図である。
【図１８】第１の実施形態に係る、アドレスイベント検出処理に用いる受光素子を切り替える必要がある例について説明するための図である。
【図１９】第１の実施形態の変形例に係る画素アレイ部における配線の例を概略的に示す図である。
【図２０】第２の実施形態に係る画素の一例の構成を示す図である。
【図２１】第２の実施形態に係る受光部の駆動方法の例を示すタイムチャートである。
【図２２Ａ】第２の実施形態に適用可能な受光素子の構成の例を示す図である。
【図２２Ｂ】第２の実施形態に適用可能な受光素子の構成の例を示す図である。
【図２２Ｃ】第２の実施形態に適用可能な受光素子の構成の例を示す図である。
【図２３】遮光パターンが設けられた画素において受光素子に光が入射される様子を模式的に示す図である。
【図２４】第３の実施形態に係る固体撮像素子の一例の構成を示すブロック図である。
【図２５】第３の実施形態に係る画素アレイ部の一例の構成を示すブロック図である。
【図２６】第３の実施形態に係る画素の一例の構成を示す図である。
【図２７】第３の実施形態に係る画素アレイ部における配線の例を概略的に示す図である。
【図２８Ａ】第３の実施形態に係る受光部の制御を説明するための図である。
【図２８Ｂ】第３の実施形態に係る受光部の制御を説明するための図である。
【図２９】第３の実施形態に係る固体撮像素子における処理の例を示すタイミングチャートである。
【図３０】第３の実施形態に係る、電圧差分に基づく低感度ＰＤと通常感度ＰＤとの切替方法を説明するための図である。
【図３１】第３の実施形態に係る、電圧差分に基づく低感度ＰＤと通常感度ＰＤとの切替方法を説明するための図である。
【図３２】第３の実施形態に係る、画素に受光される光量が増加している場合の光電流Ｉｐｈの切り替え動作を示す一例のフローチャートである。
【図３３】第３の実施形態に係る、画素に受光される光量が減少している場合の光電流Ｉｐｈの切り替え動作を示す一例のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本開示の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の各実施形態において、同一の部位には同一の符号を付することにより、重複する説明を省略する。
【０００９】
［実施形態］
（各実施形態に適用可能な電子機器の構成例）
図１は、各実施形態に係る固体撮像素子を適用した電子機器としての撮像装置の一例の構成を概略的に示す図である。図１において、撮像装置１は、光学系１０と、固体撮像素子１１と、記憶部１２と、制御部１３と、を含む。光学系１０は、１以上のレンズと、オートフォーカス機構および絞り機構などの各機構と、を含み、被写体からの光を固体撮像素子１１の受光面に導く。
【００１０】
固体撮像素子１１は、それぞれ入射した光を光電変換により電気信号に変換して出力する複数の受光素子を含む画素と、これら画素を駆動する駆動回路と、を含む。固体撮像素子１１は、さらに、画素から出力された信号に対して所定の信号処理を施して出力データとして出力する信号処理部を含む。
【００１１】
記憶部１２は、固体撮像素子１１から出力される出力データを記憶媒体に記憶する。記憶部１２は、フラッシュメモリやハードディスクドライブといった不揮発性の記憶媒体を適用することができる。これに限らず、記憶媒体に、ＤＲＡＭ(Dynamic  Random  Access  Memory)などの揮発性の記憶媒体を適用することもできる。
【００１２】
制御部１３は、固体撮像素子１１を制御して、固体撮像素子１１に対して、上述の出力データを出力する撮像動作を実行させる。
【００１３】
［第１の実施形態］
第１の実施形態について説明する。図２は、上述した固体撮像素子１１に対応する、第１の実施形態に適用可能な固体撮像素子１１ａの一例の構成を示すブロック図である。図２に示されるように、固体撮像素子１１ａは、画素アレイ部１１０ａと、カラムアービタ１１１と、ローアービタ１１２と、駆動回路１１３ａと、信号処理部１１４ａと、制御部１１５と、を備える。
【００１４】
画素アレイ部１１０ａは、複数の画素が２次元格子状に配列される。以下、図２における水平方向の配列を「行（ロー）」とし、行に対して垂直方向の配列を「列（カラム）」と呼ぶ。
【００１５】
画素アレイ部１１０ａに含まれる各画素は、それぞれ受光した光に応じた光電流を出力する複数の受光素子と、複数の受光素子から出力された光電流の変化量に基づきアドレスイベントの検出を行うアドレスイベント検出部と、を含む。各画素は、アドレスイベントの発生に応じて、リクエストをカラムアービタ１１１およびローアービタ１１２に出力する。
【００１６】
カラムアービタ１１１およびローアービタ１１２は、画素アレイ部１１０ａに含まれる各画素から出力されるリクエストに応じて協働して調停を行い、特定の画素から出力されるイベント検出信号を選択する。図２の例では、選択されたイベント検出信号が、カラムアービタ１１１から出力されている。また、カラムアービタ１１１およびローアービタ１１２は、選択したイベント検出信号を出力した画素を特定するためのアドレス情報を、当該イベント検出信号と共に出力する。
【００１７】
駆動回路１１３ａは、画素のそれぞれを駆動して、各画素に対してアドレスイベント検出を実行させる。図２の例では、駆動回路１１３ａが画素アレイ部１１０ａに含まれる各画素を行単位に駆動するように示されているが、実際には、画素アレイ部１１０ａに含まれる各画素は、行方向および列方向にそれぞれ駆動され、画素毎にアドレスイベント検出動作を実行可能となっている。
【００１８】
カラムアービタ１１１から出力されたイベント検出信号およびアドレス情報は、信号処理部１１４ａに供給される。信号処理部１１４ａは、イベント検出信号およびアドレス情報に基づき、画像認識処理といった信号処理を実行する。信号処理部１１４ａは、処理結果を示すイベント検出データを出力データとして出力し、記憶部１２０に供給する。
【００１９】
図２を用いて説明した固体撮像素子１１ａは、例えば、複数の半導体チップが積層されて形成された積層型ＣＩＳ(Contact  Image  Sensor)として形成することができる。一例として、固体撮像素子１１ａを、半導体チップを２層に積層した２層構造により形成することができる。
【００２０】
図３は、第１の実施形態に係る固体撮像素子１１ａを２層構造の積層型ＣＩＳにより形成した例を示す図である。図３の構造では、第１層の半導体チップに、例えば受光素子を含む受光チップ２０１を形成し、第２層の半導体チップに、受光素子から出力される光電流に基づきアドレスイベントの検出を行うアドレスイベント検出部を含む検出チップ２０２を形成している。図３の右側に示されるように、第１層の半導体チップと、第２層の半導体チップとを電気的に接触させつつ貼り合わせることで、１つの素子としての固体撮像素子１１ａが形成される。
【００２１】
図４は、第１の実施形態に適用可能な画素アレイ部１１０ａの一例の構成を示すブロック図である。図４の上側に示されるように、画素アレイ部１１０ａは、二次元格子状に配列された複数の画素２０ａを含む。図４の下側に示されるように、各画素２０ａは、アドレスイベント検出部３０と、受光部４０ａと、を含む。
【００２２】
受光部４０ａは、複数の受光素子を含む。複数の受光素子のそれぞれは、入射された光を光電変換して光電流を生成する。受光部４０ａは、駆動回路１１３ａの制御に従い、複数の受光素子から選択された受光素子が生成した光電流を、アドレスイベント検出部３０に供給する。
【００２３】
アドレスイベント検出部３０は、受光部４０ａから供給された光電流の変化量が閾値を超えたか否かを判定し、判定結果に基づきアドレスイベントの有無を検出する。アドレスイベントは、例えば、光電流の変化量がＯＮ閾値を超えた旨を示すアップイベントと、当該変化量がＯＦＦ閾値を下回った旨を示すダウンイベントとを含む。また、アドレスイベントの検出を示すイベント検出信号は、例えば、アップイベントの検出結果を示す１ビットと、ダウンイベントの検出結果を示す１ビットからなる。なお、アドレスイベント検出部３０は、アップイベントのみを検出することもできる。
【００２４】
アドレスイベント検出部３０は、アドレスイベントの発生を検出すると、カラムアービタ１１１およびローアービタ１１２に対して、アドレスイベントの発生を示すイベント検出信号の送信をリクエストする。アドレスイベント検出部３０は、この要求に対する応答をカラムアービタ１１１およびローアービタ１１２から受け取ると、アドレス検出信号をカラムアービタ１１１を介して信号処理部１１４ａに供給する。
【００２５】
図５は、第１の実施形態に係る受光部４０ａの一例の構成を示す図である。図５において、受光部４０ａは、それぞれ例えばフォトダイオード（ＰＤ）からなる２つの受光素子４０１ａおよび４０１ｂを含む。
【００２６】
受光素子４０１ａは、カソードが接地接続され、アノードがＮ型ＭＯＳトランジスタによるトランジスタ４００ａのソースに接続される。トランジスタ４００ａのドレインは、アドレスイベント検出部３０に接続される。トランジスタ４００ａのゲートには、信号ＯＦＧ1が供給される。トランジスタ４００ａは、信号ＯＦＧ1がハイ（Ｈｉｇｈ）状態でオンとなり、信号ＯＦＧ1がロー（Ｌｏｗ）状態でオフとなる。トランジスタ４００ａがオンの状態で、受光素子４０１ａから出力される光電流Ｉｐｈ1がアドレスイベント検出部３０に供給される。
【００２７】
同様に、受光素子４０１ｂは、カソードが接地接続され、アノードがＮ型ＭＯＳトランジスタによるトランジスタ４００ｂのソースに接続される。トランジスタ４００ｂのドレインは、上述したトランジスタ４００ａのドレインと共通して、アドレスイベント検出部３０に接続される。トランジスタ４００ｂのゲートには、信号ＯＦＧ2が供給される。トランジスタ４００ｂは、信号ＯＦＧ2がハイ状態でオンとなり、ロー状態でオフとなる。トランジスタ４００ｂがオンの状態で、受光素子４０１ｂから出力される光電流Ｉｐｈ2がアドレスイベント検出部３０に供給される。
【００２８】
ここで、第１の実施形態では、受光素子４０１ａは、受光素子４０１ｂよりも感度が低い。すなわち、受光素子４０１ａと受光素子４０１ｂとに同一の光量の光が入射された場合、受光素子４０１ａから出力される光電流Ｉｐｈ1の電流値は、受光素子４０１ｂから出力される光電流Ｉｐｈ2の電流値より小さい（Ｉｐｈ1＜Ｉｐｈ2）。
【００２９】
図６Ａおよび図６Ｂは、感度が異なる受光素子４０１ａおよび４０１ｂを含む画素２０ａの例を示す図である。なお、図６Ａおよび図６Ｂにおいて、受光素子４０１ａおよび４０１ｂは、それぞれＰＤ1およびＰＤ2としても記載されている。
【００３０】
図６Ａは、受光素子４０１ａおよび４０１ｂにおける受光部の面積を異ならせて、感度差を形成する例である。図６Ａの例では、受光素子４０１ａの受光部の面積を、受光素子４０１ｂの受光部の面積より小さくしている。この場合、同一の光量の光が受光素子４０１ａおよび４０１ｂに入射された場合に、受光素子４０１ａにおいて、受光素子４０１ａよりも少なく光電変換が行われることになる。したがって、受光素子４０１ａの光に対する感度は、受光素子４０１ｂよりも低くなる。
【００３１】
図６Ｂは、受光素子４０１ａおよび４０１ｂを同一の構成とし、受光部の面積を同一とする一方で、受光素子４０１ａの受光部の一部（図６Ｂの例では半分）をマスクなどにより遮光した例である。この場合、受光素子４０１ａに照射された光は、開口領域Ａにおいて受光部に入射され、遮光領域Ｂにおいては受光部に入射されない。したがって、受光素子４０１ａおよび４０１ｂの受光部の面積が実質的に異ならされることになり、図６Ａの例と同様に、受光素子４０１ａの光に対する感度は、受光素子４０１ｂよりも低くなる。
【００３２】
図７は、第１の実施形態に係る画素アレイ部１１０ａにおける配線の例を概略的に示す図である。駆動回路１１３ａは、制御部１１５の制御に従い信号ＯＦＧ1およびＯＦＧ2を生成し、生成したこれら信号ＯＦＧ1およびＯＦＧ2を、各画素２０ａに供給する。図７の例では、駆動回路１１３ａは、画素アレイ部１１０ａに二次元格子状に配列される各画素２０ａに対して、行毎に信号ＯＦＧ1およびＯＦＧ2を生成している。
【００３３】
また、各画素２０ａは、要求および応答の送受信のために、行単位でローアービタ１１２に接続される。それと共に、各画素２０ａは、要求および応答の送受信、ならびに、イベントの検出を示すイベント検出信号およびアドレス情報の供給のために、列単位でカラムアービタ１１１に接続される。
【００３４】
例えば、カラムアービタ１１１は、画素２０ａから供給されたイベント検出信号およびアドレス情報を、制御部１１５に供給する。制御部１１５は、カラムアービタ１１１から供給されたイベント検出信号およびアドレス情報に基づき、信号ＯＦＧ1およびＯＦＧ2のハイ／ロー状態を切り替えるべき行を特定する。制御部１１５は、特定された行における信号ＯＦＧ1およびＯＦＧ2のハイ／ロー状態の切り替えの指示を、駆動回路１１３ａに供給する。駆動回路１１３ａは、この指示に応じて、当該行における信号ＯＦＧ1およびＯＦＧ2のハイ／ロー状態を切り替える。
【００３５】
なお、図７の例では、信号ＯＦＧ1およびＯＦＧ2が、画素アレイ部１１０ａに含まれる各画素２０ａの行単位で供給されているが、これはこの例に限定されない。例えば、信号ＯＦＧ1およびＯＦＧ2を画素アレイ部１１０ａに含まれる全ての画素２０ａに対して一括して供給してもよいし、画素アレイ部１１０ａを、所定数の画素２０ａを含む複数のブロックに分割し、このブロック単位で信号ＯＦＧ1およびＯＦＧ2を供給してもよい。
【００３６】
図８は、第１の実施形態に適用可能なアドレスイベント検出部３０の構成をより詳細に示す図である。図８において、アドレスイベント検出部３０は、電流電圧変換部３００と、バッファアンプ３１０と、減算部３２０と、量子化器３３０と、を含む。
【００３７】
電流電圧変換部３００は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタによるトランジスタ３０１および３０３と、Ｐ型ＭＯＳトランジスタによるトランジスタ３０２と、を含む。ここでは、受光素子４０１ａがフォトダイオードであるものとして説明する。図８では、説明のため、受光部４０ａに含まれる受光素子４０１ａおよび４０１ｂのうち受光素子４０１ａのみを示すと共に、トランジスタ４００ａの記載を省略している。
【００３８】
Ｎ型のトランジスタ３０１のソースは、受光素子４０１ａに接続され、ドレインは電源端子に接続される。Ｐ型のトランジスタ３０２およびＮ型のトランジスタ３０３は、電源端子と接地端子との間において、直列に接続される。また、トランジスタ３０２のドレインとトランジスタ３０３のドレインとの接続点は、トランジスタ３０１のゲートとバッファアンプ３１０の入力端子とに接続される。また、トランジスタ３０２のゲートには、所定のバイアス電圧Ｖbsが印加される。
【００３９】
それぞれＮ型のトランジスタ３０１および３０３のドレインは、電源側に接続されており、それぞれソースフォロワを形成している。これらのループ状に接続された２つのソースフォロワにより、受光素子４０１ａから出力される光電流は、その対数の電圧信号に変換される。また、トランジスタ３０２は、一定の電流をトランジスタ３０３に供給する。
【００４０】
受光素子４０１ａから出力された光電流が電流電圧変換部３００により電圧に変換された電圧信号は、バッファアンプを介して減算部３２０に供給される。減算部３２０は、コンデンサそれぞれ容量Ｃ1およびＣ2を有するコンデンサ３２１および３２２と、スイッチ部３２３と、インバータ３２４と、を含む。
【００４１】
コンデンサ３２１の一端は、バッファアンプの出力端子に接続され、他端は、インバータ３２４の入力端に接続される。コンデンサ３２２は、インバータ３２４に並列に接続される。スイッチ部３２３は、行駆動信号に従い、コンデンサ３２２の両端を接続する経路を、オン状態およびオフ状態で切り替える。インバータ３２４は、コンデンサ３２１を介して入力された電圧信号を反転する。インバータ３２４は、反転した信号を、量子化器３３０に供給する。
【００４２】
スイッチ部３２３をオン状態とすると、コンデンサ３２１のバッファアンプ側に、バッファアンプの出力信号である電圧信号Ｖinitが入力され、コンデンサ３２１のインバータ３２４側が仮想接地端子となる。この仮想接地端子の電位を便宜上、ゼロとする。このとき、コンデンサ３２１に蓄積されている電荷Ｑinitは、コンデンサ３２１の容量Ｃ1に基づき、次式（１）により表される。一方、コンデンサ３２２の両端は、スイッチ部３２３により短絡されているため、その蓄積電荷がゼロとなる。
Ｑinit＝Ｃ1×Ｖinit    …（１）
【００４３】
次に、スイッチ部３２３がオフ状態とされて、コンデンサ３２１のバッファアンプ側の電圧が変化してＶafterになったものとする。この場合、コンデンサ３２１に蓄積される電荷Ｑafterは、次式（２）により表される。
Ｑafter＝Ｃ1×Ｖafter    …（２）
【００４４】
一方、コンデンサ３２２に蓄積される電荷Ｑ2は、インバータ３２４の出力電圧をＶoutとすると、次式（３）により表される。
Ｑ2＝−Ｃ2×Ｖout    …（３）
【００４５】
このとき、コンデンサ３２１および３２２の総電荷量は変化しないため、次式（４）の関係が成立する。
Ｑinit＝Ｑafter＋Ｑ2    …（４）
【００４６】
式（４）に、式（１）〜式（３）を代入して変形すると、次式（５）が得られる。
Ｖout＝−(Ｃ1／Ｃ2)×(Ｖafter−Ｖinit)    …（５）
【００４７】
式（５）は、電圧信号の減算動作を表し、減算結果の利得は、コンデンサ３２１および３２２の容量の比Ｃ1／Ｃ2となる。通常、利得を最大化することが望まれるため、コンデンサ３２１の容量Ｃ1を大きく、また、コンデンサ３２２の容量Ｃ2を小さく設計することが好ましい。一方、コンデンサ３２２の容量Ｃ2が小さすぎると、ｋＴＣノイズが増大し、ノイズ特性が悪化するおそれがある。そのため、コンデンサ３２２の容量Ｃ2の削減は、ノイズを許容することができる範囲に制限される。また、減算部３２０を含むアドレスイベント検出部３０が各画素２０に搭載されるため、コンデンサ３２１および３２２の容量Ｃ1およびＣ2には、面積上の制約がある。これらを考慮して、コンデンサ３２１および３２２の容量Ｃ1およびＣ2の値が決定される。
【００４８】
量子化器３３０は、ＯＮ閾値およびＯＦＦ閾値の２つの閾値を用いて、アップイベント、ダウンイベントおよびイベント検出無し、の３状態を検出する。そのため、量子化器３３０は、１．５ビット量子化器と呼ばれる。
【００４９】
（実施形態に適用可能なイベント検出処理）
図９は、図８に示したアドレスイベント検出部３０の動作を説明するための図である。図９の上側および下側の図において、横軸は時間を表し、縦軸は電圧を表す。図９の上側の図は、電流電圧変換部３００の出力電圧Ｖｐの例を示している。また、図９の下側の図は、上側の出力電圧Ｖｐの変化に対応する、減算部３２０の出力電圧である電圧Ｖdiffの様子を示している。電圧Ｖdiffは、上述した式（５）における電圧Ｖoutに対応する。
【００５０】
また、図９の下側において、ＯＦＦ閾値およびＯＮ閾値は、それぞれダウンイベントおよびアップイベントの検出のための、電圧Ｖdiffに対する閾値である。電圧ＶdiffがＯＦＦ閾値を正方向に超えた場合に、アップイベント検知、ＯＮ閾値を負方向に超えた場合に、ダウンイベント検知とされる。また、電圧ＶdiffがＯＦＦ閾値未満、且つ、ＯＮ閾値を超える値の場合、イベント検出無しとされる。
【００５１】
電流電圧変換部３００から出力された出力電圧Ｖｐは、バッファアンプを介して減算部３２０に入力される。先ず、例えば受光素子４０１ａの受光量が増加し、電流電圧変換部３００から出力される出力電圧Ｖｐが増加する場合について説明する。
【００５２】
説明のため、図９において、時点ｔ0は、減算部３２０において、スイッチ部３２３がオン状態からオフ状態に切り替えられた直後であるものとする。すなわち、スイッチ部３２３がオン状態とされると、コンデンサ３２２の両端が短絡され、コンデンサ３２２がリセットされる。コンデンサ３２２がリセットされると、減算部３２０の出力の電圧Ｖdiffがリセットレベルになる。行駆動回路１１０は、減算部３２０の出力の電圧Ｖdiffをリセットレベルとした直後に、スイッチ部３２３をオフ状態に切り替える。
【００５３】
この時点ｔ0から出力電圧Ｖｐが増加し、時点ｔ1で、出力電圧Ｖｐの時点ｔ0における出力電圧Ｖｐに対する差分である電圧Ｖdiffが負方向にＯＮ閾値を超えたものとする。この場合、量子化器３３０から、アップイベント検出を示すイベント検出信号が出力される。それと共に、このイベント検出信号に応じて、行駆動回路１１０によりスイッチ部３２３がオン状態に切り替えられ、減算部３２０の出力がリセットレベルとされる。行駆動回路１１０は、減算部３２０の出力をリセットレベルとした直後に、スイッチ部３２３をオフ状態に切り替える。
【００５４】
次に、受光素子４０１ａの受光量が減少し、電流電圧変換部３００から出力される出力電圧Ｖｐが減少する場合について説明する。図９の上側の例では、時点ｔ2において、出力電圧Ｖｐの変化が増加から減少に転じ、時点ｔ3で、その時点での出力電圧Ｖｐと、時点ｔ3の直前に閾値（この場合はＯＮ閾値）を超えたと判定された際の出力電圧Ｖｐと、の差分が正方向にＯＦＦ閾値を超えている。したがって、量子化器３３０から、ダウンイベント検出を示すイベント検出信号が出力される。それと共に、このイベント検出信号に応じて、行駆動回路１１０によりスイッチ部３２３がオン状態に切り替えられ、減算部３２０の出力がリセットレベルとされる。行駆動回路１１０は、減算部３２０の出力をリセットレベルとした直後に、スイッチ部３２３をオフ状態に切り替える。
【００５５】
アドレスイベント検出部３０は、上述したように電流電圧変換部３００の出力電圧Ｖｐの差分をＯＮ閾値およびＯＦＦ閾値と比較することで、受光素子４０１ａが受光した光の光量変化に応じたイベント検出信号を出力することができる。
【００５６】
なお、図９の上側において、電圧Ｖｐ’は、電流電圧変換部３００の出力電圧Ｖｐの変化を、図９の下側、すなわち、量子化器３３０の出力に応じて書き換えたものである。電圧Ｖｐ’の変化と電圧Ｖdiffに基づくＯＮ閾値およびＯＦＦ閾値による判定結果から、量子化器３３０は、換言すれば、電圧Ｖｐ’の、ＯＮ閾値およびＯＦＦ閾値毎の変化の立ち上がりと立ち下がりとを検出しているといえる。
【００５７】
（第１の実施形態のより具体的な説明）
次に、第１の実施形態に係る固体撮像素子１１ａにおける動作について、より具体的に説明する。図１０は、第１の実施形態に係る電流電圧変換部３００（図８参照）において用いられる、Ｎ型のＭＯＳトランジスタであるトランジスタ３０１のＶｇ−Ｉｄ特性の例を示す図である。図１０において、横軸がゲート電圧Ｖｇ、縦軸が対数表示によるドレイン電流Ｉｄ（ｌｎ）をそれぞれ示している。
【００５８】
トランジスタ３０１のＶｇ−Ｉｄ特性は、図１０に示されるように、ゲート電圧Ｖｇの増加に従い、ＯＦＦ（オフ）領域からサブスレッショルド領域に移行し、さらに、サブスレッショルド領域から飽和領域に移行する。ＯＦＦ領域は、ゲート電圧Ｖｇの増加に対してドレイン電流Ｉｄが略一定の領域である。サブスレッショルド領域は、ゲート電圧Ｖｇの増加に従いドレイン電流Ｉｄが対数的に増加する領域である。飽和領域は、ゲート電圧Ｖｇの増加に従いドレイン電流Ｉｄが略線形に増加する領域である。
【００５９】
上述した電流電圧変換部３００は、このサブスレッショルド領域の特性を利用して、受光素子４０１ａから出力される光電流Ｉｐｈを対数変換により電圧に変換して出力電圧Ｖｐを得ている。したがって、サブスレッショルド領域のゲート電圧Ｖｇの範囲に対応する範囲４２０が、受光素子４０１ａから出力される光電流Ｉｐｈの検出範囲となる。このように、アドレスイベント検出部３０における光検出範囲（ダイナミックレンジ）は、電流電圧変換を行うトランジスタのサブスレッショルド領域の電流範囲に制限されてしまう。
【００６０】
図１１は、第１の実施形態に適用可能な電流電圧変換部３００の入出力特性の例を示す図である。横軸は、受光素子４０１ａまたは４０１ｂから出力される光電流Ｉｐｈを対数表示し、縦軸は、電流電圧変換部３００の出力電圧Ｖｐを示している。なお、この図１１は、図１０のグラフの縦軸と横軸とを入れ替えた図に対応する。
【００６１】
図１１において、特性線ＰＤ1およびＰＤ2は、図５を用いて説明した低感度の受光素子４０１ａの特性例と、通常感度の受光素子４０１ｂの特性例と、をそれぞれ示す。また、図１１において、暗電流レベルは、受光素子４０１ａおよび４０１ｂにおいて発生する暗電流を電圧に変換した電圧レベルである。特性線ＰＤ１およびＰＤ２に示されるように、暗電流レベルは、電流電圧変換部３００の出力電圧Ｖｐの下限値となる。
【００６２】
上述したように、低感度の受光素子４０１ａは、通常感度の受光素子４０１ｂと同一光量の光が入射された場合に出力される光電流Ｉｐｈ1の電流値が、受光素子４０１ｂから出力される光電流Ｉｐｈ2の電流値より小さい。すなわち、低感度の受光素子４０１ａは、大光量の光が入射しても、出力される光電流Ｉｐｈ1が小さい。そのため、受光素子４０１ａの特性線ＰＤ1は、受光素子４０１ｂの特性線ＰＤ2に対して、光電流Ｉｐｈの大きい方向（図１１における右方向）にシフトする。
【００６３】
換言すれば、トランジスタ３０１のＩｄーＶｇ特性においてサブスレッショルド領域から飽和領域に移行する飽和点の電圧に対応する、受光素子４０１ａによる光電流Ｉｐｈ1の電流値ａが、受光素子４０１ｂによる光電流Ｉｐｈ2の電流値ｂに対して大きい側にシフトする。第１の実施形態では、アドレスイベント検出のための光検出を、低感度の受光素子４０１ａと通常感度の受光素子４０１ｂとを併用して実行する。これにより、図１１に示されるように、通常感度の受光素子４０１ｂのみによる光検出範囲４２０ｂを、低感度の受光素子４０１ａによる光検出範囲を含めた光検出範囲４２０ａまで拡張することが可能となる。
【００６４】
図１２Ａおよび図１２Ｂは、第１の実施形態に係る、低感度の受光素子４０１ａと、通常感度の受光素子４０１ｂとを用いてアドレスイベント検出を行う制御を説明するための図である。
【００６５】
図１２Ａは、受光素子４０１ａから出力される光電流Ｉｐｈ1に基づきアドレスイベント検出部３０によりアドレスイベント検出を行う例について示している。図１２Ａに示されるように、トランジスタ４００ａのゲートに供給される信号ＯＦＧ1をハイ状態とし、トランジスタ４００ｂのゲートに供給される信号ＯＦＧ2をロー状態とする。これにより、トランジスタ４００ａがオン、トランジスタ４００ｂがオフとされ、受光素子４０１ａから出力される光電流Ｉｐｈ1と、受光素子４０１ｂから出力される光電流Ｉｐｈ2と、のうち、光電流Ｉｐｈ1がトランジスタ４００ａを介してアドレスイベント検出部３０に供給される。
【００６６】
図１２Ｂは、受光素子４０１ｂから出力される光電流Ｉｐｈ2に基づきアドレスイベント検出部３０によりアドレスイベント検出を行う例について示している。図１２Ｂに示されるように、トランジスタ４００ａのゲートに供給される信号ＯＦＧ1をロー状態とし、トランジスタ４００ｂのゲートに供給される信号ＯＦＧ2をハイ状態とする。これにより、トランジスタ４００ａがオフ、トランジスタ４００ｂがオンとされ、受光素子４０１ａから出力される光電流Ｉｐｈ1と、受光素子４０１ｂから出力される光電流Ｉｐｈ2と、のうち、光電流Ｉｐｈ2がトランジスタ４００ｂを介してアドレスイベント検出部３０に供給される。
【００６７】
アドレスイベント検出部３０は、このように、光電流Ｉｐｈ1およびＩｐｈ2のうち、信号ＯＦＧ1およびＯＦＧ2に応じて選択された光電流Ｉｐｈdetに基づきイベント検出信号を出力する。
【００６８】
次に、第１の実施形態に係る、受光素子４０１ａから出力される光電流Ｉｐｈ1と、受光素子４０１ｂから出力される光電流Ｉｐｈ2と、から、アドレスイベント検出部３０がアドレスイベント検出を行うために用いる光電流Ｉｐｈdetを選択する処理について説明する。
【００６９】
第１の実施形態では、電流電圧変換部３００の出力電圧Ｖｐにリミッタを用いて電圧制限を掛けることで、光電流Ｉｐｈ1およびＩｐｈ2に基づき光電流Ｉｐｈdetの選択を行う。
【００７０】
図１３は、第１の実施形態に係る、リミッタを適用した電流電圧変換部３００ａの構成の例を示す図である。なお、図１３は、図８に示したアドレスイベント検出部３０におけるバッファアンプ３１０と、減算部３２０と、量子化器３３０と、を省略している。
【００７１】
図１３において、第１の実施形態に係る電流電圧変換部３００ａは、図８の電流電圧変換部３００に対して、リミッタとしてＰ型のＭＯＳトランジスタであるトランジスタ３０４を追加した構成となっている。より具体的には、トランジスタ３０４のソースを、電流電圧変換部３００ａのイベント検出信号の出力経路、すなわち、トランジスタ３０２および３０３の各ドレインと、トランジスタ３０１のゲートと、の接続点に接続し、トランジスタ３０４のドレインを接地接続する。
【００７２】
この構成において、トランジスタ３０４のゲートに所定のリミット電圧Ｌｔを供給することで、電流電圧変換部３００ａから出力されるイベント検出信号の電圧値の上限を、当該リミット電圧Ｌｔに応じた電圧に制限できる。以下では、電流電圧変換部３００ａから出力されるイベント検出信号の電圧値の上限がリミット電圧Ｌｔに制限されるものとして説明を行う。
【００７３】
図１４は、第１の実施形態に係る電流電圧変換部３００ａの入出力特性の例を示す図である。上述した図１１と同様に、横軸は、受光素子４０１ａまたは４０１ｂから出力される光電流Ｉｐｈを対数表示し、縦軸は、電流電圧変換部３００の出力電圧Ｖｐを示している。図１４に示されるように、電流電圧変換部３００ａの入出力特性は、図１１の電流電圧変換部３００の入出力特性における出力電圧Ｖｐがリミット電圧Ｌｔにより制限された特性となっている。
【００７４】
すなわち、低感度の受光素子４０１ａの光電流Ｉｐｈ1に基づく出力電圧Ｖｐは、図１４において特性線４０３ａで示されるように、トランジスタ３０１のＩｄーＶｇ特性においてサブスレッショルド領域から飽和領域に移行する飽和点の電圧に対応する、受光素子４０１ａによる光電流Ｉｐｈ1の電流値ａにおいて、リミット電圧Ｌｔに制限される。同様に、通常感度の受光素子４０１ｂの光電流Ｉｐｈ2に基づく出力電圧Ｖｐも、当該飽和点の電圧に対応する、受光素子４０１ｂによる光電流Ｉｐｈ2の電流値ｂにおいて、リミット電圧Ｌｔに制限される。
【００７５】
第１の実施形態に係る固体撮像素子１１ａでは、アドレスイベント検出処理の仕組みを用いて、アドレスイベント検出に用いる光電流Ｉｐｈdetを、低感度の受光素子４０１ａから出力される光電流Ｉｐｈ1と、通常感度の受光素子４０１ｂから出力される光電流Ｉｐｈ2とで切り替える。この第１の実施形態に係る切り替え処理について、図１５〜図１８を用いて説明する。なお、ここでは、初期状態として、信号ＯＦＧ1がハイ状態とされ、低感度の受光素子４０１ａから出力される光電流Ｉｐｈ1がアドレスイベント検出部３０ａに供給されているものとする。
【００７６】
先ず、図１５および図１６を用いて、アドレスイベント検出処理に用いる受光素子を切り替える必要の無い例について説明する。図１５は、低感度の受光素子４０１ａから出力される光電流Ｉｐｈ1の変化の例を示す図である。図１５の例では、光電流Ｉｐｈ1の変化の両端が暗電流レベルとリミット電圧Ｌｔとで規定される検出範囲の両端に掛かっていない。
【００７７】
図１６は、図１５の光電流Ｉｐｈ1の変化に対応する、固体撮像素子１１ａにおける処理の例を示すタイミングチャートである。図１６において、チャート（ａ1）は、低感度の受光素子４０１ａ（低感度ＰＤ）から出力される光電流Ｉｐｈ1の変化の例を示す。また、これと同時に、通常感度の受光素子４０１ｂ（通常感度ＰＤ）においても光電流Ｉｐｈ2が出力されており、この光電流Ｉｐｈ2の変化の例を、図１６のチャート（ｂ1）に示す。
【００７８】
なお、これらチャート（ａ1）および（ｂ1）は、光電流Ｉｐｈ1およびＩｐｈ2の変化を相対的に示すものである。低感度ＰＤが受光する光量と、通常感度ＰＤが受光する光量の相対的な変化は対応するものとなり、チャート（ａ1）および（ｂ1）に例示されるように、低感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ1の変化と、通常感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ2の変化は、相対的に同一となる。一方、同一タイミングにおける光電流Ｉｐｈ1と光電流Ｉｐｈ2の絶対値は、異なり、例えば光電流Ｉｐｈ2の絶対値が光電流Ｉｐｈ1の絶対値より大きな値となる。
【００７９】
図１６において、チャート（ｅ1）は、アドレスイベント検出部３０ａから出力されるイベント検出信号の例を示す。この例では、チャート（ａ1）に示される低感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ1の変化に対応したイベント検出信号が、時点ｔ10、ｔ11およびｔ12において出力されている。チャート（ｃ1）および（ｄ1）は、それぞれローアービタ１１２およびカラムアービタ１１１における、当該低感度ＰＤおよび通常感度ＰＤを含む画素２０ａから出力されたイベント検出信号に対する調停の例を示す。それぞれ、ハイ状態で、チャート（ｅ1）に示されるイベント検出信号が選択される。
【００８０】
図１６において、チャート（ｆ1）および（ｇ1）は、それぞれ信号ＯＦＧ1およびＯＦＧ2の状態を示す。当初、信号ＯＦＧ1がハイ状態、信号ＯＦＧ2がロー状態とされ、チャート（ａ1）に示した低感度ＰＤから出力される光電流Ｉｐｈ1がアドレスイベント検出部３０に供給される。
【００８１】
ここで、例えば時点ｔ12から時点ｔ13の間の期間において、低感度ＰＤにおける光電流Ｉｐｈ1の変化量が所定量を超えたものとする。例えば、制御部１１５は、カラムアービタ１１１からイベント検出信号を取得し、取得したイベント検出信号に基づき、低感度ＰＤにおける光電流Ｉｐｈ1と、当該光電流Ｉｐｈ1の変化量とを予測する。制御部１１５は、予測された光電流Ｉｐｈ1の変化量が所定量を超えた場合に、信号ＯＦＧ1をロー状態、信号ＯＦＧ2をハイ状態に切り替える（時点ｔ13）。これにより、通常感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ2がアドレスイベント検出部３０に供給される。
【００８２】
この場合、アドレスイベント検出部３０は、時点ｔ13に信号ＯＦＧ1およびＯＦＧ2が切り替えられる直前の低感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ1と、時点ｔ13で信号ＯＦＧ1およびＯＦＧ2が切り替えられた状態での通常感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ2とを比較した結果を、光電流Ｉｐｈの変化量として求めることになる。アドレスイベント検出部３０は、この変化量がＯＦＦ閾値を正方向に超えた場合にダウンイベントを検出し、ＯＮ閾値を負方向に超えた場合にアップイベントを検出する（図９参照）。
【００８３】
図１６の例では、アドレスイベント検出部３０は、変化量がＯＦＦ閾値を正方向に超えたとしてアップイベントを検出し、イベント検出信号を出力する（時点ｔ14）。カラムアービタ１１１およびローアービタ１１２は、この時点ｔ14でのイベント検出信号を選択する。制御部１１５は、カラムアービタ１１１からこのイベント検出信号を取得すると、信号ＯＦＧ1をハイ状態に戻し（時点ｔ15）、信号ＯＦＧ2をロー状態に戻す（時点ｔ16）。以降、アドレスイベント検出部３０は、初期状態において選択された低感度ＰＤを継続して用いて、アドレスイベント検出を行う（例えば時点ｔ17）。
【００８４】
次に、図１７および図１８を用いて、アドレスイベント検出処理に用いる受光素子を切り替える必要がある例について説明する。図１７は、上述した図１５に対応し、低感度の受光素子４０１ａから出力される光電流Ｉｐｈ1の変化の例を示す図である。図１７の例では、光電流Ｉｐｈ1の変化の下端が暗電流レベルに掛かっている。この場合、光電流Ｉｐｈ1の変化の要因となる光量の変化量は、光電流Ｉｐｈ1の変化量に示される光量変化量より大きい可能性がある。
【００８５】
図１８は、図１７の光電流Ｉｐｈ1の変化に対応する、固体撮像素子１１ａにおける処理の例を示すタイミングチャートである。なお、図１８における各チャート（ａ2）〜（ｇ2）の意味は、上述した図１６の各チャート（ａ1）〜（ｇ1）と同様であるので、ここでの説明を省略する。また、図１８の例においても、上述した図１６と同様に、チャート（ｅ2）に示されるように、低感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ1の変化に対応したイベント検出信号が、時点ｔ20、ｔ21およびｔ22において出力されている。
【００８６】
図１８において、チャート（ｆ2）および（ｇ2）に示されるように、当初、信号ＯＦＧ1がハイ状態、信号ＯＦＧ2がロー状態とされ、チャート（ａ2）に示した低感度ＰＤから出力される光電流Ｉｐｈ1がアドレスイベント検出部３０に供給される。
【００８７】
ここで、例えば時点ｔ22から時点ｔ23の間の期間において、低感度ＰＤにおける光電流Ｉｐｈ1の変化量が所定量を超えたものとする。例えば、制御部１１５は、図１６における説明と同様に、カラムアービタ１１１から取得したイベント検出信号に基づき、低感度ＰＤにおける光電流Ｉｐｈ1と、当該光電流Ｉｐｈ1の変化量とを予測する。制御部１１５は、予測された光電流Ｉｐｈ1の変化量が所定量を超えた場合に、信号ＯＦＧ1をロー状態、信号ＯＦＧ2をハイ状態に切り替える（時点ｔ23）。これにより、通常感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ2がアドレスイベント検出部３０に供給される。
【００８８】
図１８の例では、アドレスイベント検出部３０は、変化量がＯＮ閾値およびＯＦＦ閾値をそれぞれ所定に超えていないとして、イベント検出無しとし、図１８において点線にて囲まれる範囲に示されるように、イベント検出信号を出力しない。これにより、低感度ＰＤがアドレスイベント検出の対象外とされ、通常感度ＰＤがアドレスイベント検出の対象とされる。図１８の例では、アドレスイベント検出部３０は、図１８のチャート（ｂ2）に示される通常感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ2に基づきアドレスイベント検出を行い、時点ｔ24で変化量がＯＦＦ閾値を正方向に超えたとしてダウンイベントを検出し、イベント検出信号を出力する。
【００８９】
カラムアービタ１１１およびローアービタ１１２は、この時点ｔ24でのイベント検出信号を選択する。制御部１１５は、カラムアービタ１１１からこのイベント検出信号を取得しても信号ＯＦＧ1のロー状態と、信号ＯＦＧ2のハイ状態とを維持し、時点ｔ23において低感度ＰＤから切り替えられた通常感度ＰＤを用いて、アドレスイベント検出を行う。
【００９０】
このように、第１の実施形態では、アドレスイベント検出に用いる光電流Ｉｐｈdetを、低感度ＰＤ（受光素子４０１ａ）が出力する光電流Ｉｐｈ1と、通常感度ＰＤ（受光素子４０１ｂ）が出力する光電流Ｉｐｈ2とで切り替える制御を、アドレスイベント検出のための構成を利用して実行することができる。
【００９１】
（第１の実施形態の変形例）
次に、第１の実施形態の変形例について説明する。上述した第１の実施形態では、信号ＯＦＧ1およびＯＦＧ2を、画素アレイ部１１０ａに含まれる各画素２０ａの行単位で供給している。そのため、各画素２０ａにおいて、信号ＯＦＧ1およびＯＦＧ2による選択状態を保持できない。第１の実施形態の変形例では、各画素２０ａに対する信号ＯＦＧ1およびＯＦＧ2による選択状態を保持可能とする。
【００９２】
図１９は、第１の実施形態の変形例に係る画素アレイ部１１０ｂにおける配線の例を概略的に示す図である。図１９において、画素アレイ部１１０ｂは、上述した画素２０ａが二次元格子状に配列されると共に、各画素２０ａに対して、スイッチ２１の端子Ｔｍ1およびＴｍ2が接続される。図５を参照し、例えば、スイッチ２１の端子Ｔｍ1は、画素２０ａに含まれる受光部４０ａにおけるトランジスタ４００ａのゲートに接続され、端子Ｔｍ2は、当該受光部４０ａにおけるトランジスタ４００ｂのゲートに接続される。
【００９３】
駆動回路１１３ｂは、制御部１１５の制御に従い行単位で信号ＯＦＧを生成し、生成した信号ＯＦＧを、各画素２０ａに接続されるスイッチ２１の共通端子Ｔｃを介して、各画素２０ａに供給する。スイッチ２１は、駆動回路１１３ｂから供給される選択信号ＳＬに従い、端子Ｔｍ1およびＴｍ2のうち何れかを選択する。駆動回路１１３ｂは、制御部１１５の制御に従い、各画素２０ａに対応する各選択信号ＳＬを生成し、行毎に、各画素２０ａに接続されるスイッチ２１に供給する。なお、図１９では、選択信号ＳＬｓとして、複数の選択信号ＳＬが供給されることを示している。
【００９４】
以上の構成において、各スイッチ２１における、ある選択信号ＳＬに従った端子Ｔｍ1およびＴｍ2の選択状態を、次の選択信号ＳＬが供給されるまで保持する。これにより、各画素２０ａにおける、低感度の受光素子４０１ａによる光電流Ｉｐｈ1と、通常感度の受光素子４０１ｂによる光電流Ｉｐｈ2と、の選択状態を維持できる。
【００９５】
なお、図１９の例では、スイッチ２１が画素２０ａの外部に設けられるように示しているが、これはこの例に限定されず、スイッチ２１を画素２０ａの内部に設けてもよい。また、上述では、各画素２０ａに対してそれぞれ選択信号ＳＬを供給するように説明したが、これはこの例に限定されない。例えば、各画素２０ａに対応して、特定のビット列に応じてスイッチ２１の端子Ｔｍ1およびＴｍ2を切り替える論理回路を設けてもよい。こうすることで、選択信号ＳＬｓを供給するための信号線数を削減することが可能である。さらに、上述では、１つの画素２０ａに対して１つのスイッチ２１を接続しているが、これはこの例に限定されず、１つのスイッチ２１を複数の画素２０ａで共有することも可能である。
【００９６】
［第２の実施形態］
次に、第２の実施形態について説明する。上述した第１の実施形態では、１つの画素に、感度の異なる複数の受光素子を配している。これに対して、第２の実施形態では、１つの画素に、感度の略同一の複数の受光素子を配した構成としている。
【００９７】
図２０は、第２の実施形態に係る画素２０ｂの一例の構成を示す図である。図２０において、画素２０ｂは、受光部４０ｂと、電流電圧変換部３００と、を含む。電流電圧変換部３００は、図８を用いて説明した電流電圧変換部３００と同様の構成を有するため、ここでの説明を省略する。なお、図２０の電流電圧変換部３００に、図１３を用いて説明したリミッタ（トランジスタ３０４）を追加してもよい。
【００９８】
図２０において、受光部４０ｂは、感度が略同一の受光素子４０１ｃおよび４０１ｄを含む。図５の構成と同様に、受光素子４０１ｃは、カソードが接地接続され、アノードがＮ型ＭＯＳトランジスタによるトランジスタ４００ａのソースに接続される。トランジスタ４００ａのドレインは、電流電圧変換部３００のトランジスタ３０１のソースとトランジスタ３０３のゲートとが接続される接続点に接続される。トランジスタ４００ａのゲートは、信号ＯＦＧ1が供給される。
【００９９】
同様に、受光素子４０１ｄは、カソードが接地接続され、アノードがＮ型ＭＯＳトランジスタによるトランジスタ４００ｂのソースに接続される。トランジスタ４００ｂのドレインは、上述したトランジスタ４００ａのドレインと共通して、電流電圧変換部３００のトランジスタ３０１のソースとトランジスタ３０３のゲートとが接続される接続点に接続される。トランジスタ４００ｂのゲートは、信号ＯＦＧ2が供給される。
【０１００】
図２１は、第２の実施形態に係る受光部４０ｂの駆動方法の例を示すタイムチャートである。図２１において、チャート（ｈ）および（ｉ）は、それぞれ信号ＯＦＧ１およびＯＦＧ２の状態を示し、チャート（ｊ）は、電流電圧変換部３００から出力される出力電圧Ｖｐを示している。
【０１０１】
第２の実施形態では、図２１に示すように、信号ＯＦＧ1のハイ状態およびロー状態と、信号ＯＦＧ2のハイ状態およびロー状態と、を時分割で交互に切り替える。例えば制御部１１５は、この切り替えのタイミングに同期して、電流電圧変換部３００から出力される出力電圧Ｖｐを取得し、信号ＯＦＧ1がハイ状態での出力電圧Ｖｐ1と、信号ＯＦＧ2がハイ状態での出力電圧Ｖｐ2と、を比較し、出力電圧Ｖｐ1およびＶｐ2の差分４０６を求める。これは、受光素子４０１ｃから出力される光電流Ｉｐｈ1と、受光素子４０１ｄから出力される光電流Ｉｐｈ2と、の差分を求める処理に相当する。制御部１１５は、この差分４０６をイベント検出信号として扱い、制御部１１５または外部において解析する。
【０１０２】
受光素子４０１ｃおよび４０１ｄの構成を工夫することで、差分４０６の解析結果から、様々な情報を得ることが可能である。図２２Ａ、図２２Ｂおよび図２２Ｃは、第２の実施形態に適用可能な受光素子４０１ｃおよび４０１ｄの構成の例を示す図である。
【０１０３】
図２２Ａは、受光素子４０１ｃおよび４０１ｄを並列して配置した画素２０ｂ（ａ）の例を示す。この場合、差分４０６に基づき、画像のエッジに関する情報を取得することができる。この場合、１つの受光素子のみを含む画素を用いる場合と比較して、より高精度にエッジ検出を行うことが可能である。
【０１０４】
図２２Ｂは、受光素子４０１ｃおよび４０１ｄを並列および隣接させて配置し、さらに、受光素子４０１ｃおよび４０１ｄの隣接部分を遮光パターン４０７を用いて遮光した画素２０ｂ（ｂ）の例を示す。遮光パターン４０７は、例えばメタル遮光パターンである。図２２Ｂの画素２０ｂ（ｂ）では、当該画素２０ｂ（ｂ）に入射された光は、遮光パターン４０７により遮光されていない開口部から、受光素子４０１ｃおよび４０１ｄに受光される。
【０１０５】
図２３は、図２２Ｂの画素２０ｂ（ｂ）において受光素子４０１ｃおよび４０１ｄに光が入射される様子を模式的に示す図である。図２３の例では、画素２０ｂ（ｂ）において、隣接されて配置された受光素子４０１ｃおよび４０１ｄ上に遮光パターン４０７が設けられ、画素２０ｂ（ｂ）に対応してレンズ４４０が設けられている。レンズ４４０は、例えばＯＣＬ(On  Chip  Lense)である。
【０１０６】
レンズ４４０に対して入射された光は、画素２０ｂ（ｂ）に照射されるが、この光は、遮光パターン４０７により遮光され、図２３上で受光素子４０１ｃの右側と、受光素子４０１ｄの左側には入射されない。レンズ４４０の図２３上で左側の光４０９ａが受光素子４０１ｃの遮光されていない左側に入射され。右側の光４０９ｂが受光素子４０１ｄの遮光されてない右側に入射される。
【０１０７】
この構成を利用することで、画素２０ｂ（ｂ）を、像面位相差画素として活用できる。像面位相差画素は、通常、受光素子の受光面の例えば左側１／２の領域を開口した開口フィルタが積層された画素と、他の受光素子の受光面の右側１／２の領域を開口した開口フィルタが積層された画素と、の２画素を１組とし、この２画素に受光された光の位相差に基づき測距を行うようにしたものである。図２２Ｂの構成を利用することで、１つの画素２０ｂ（ｂ）により像面位相差画素を形成することが可能となる。
【０１０８】
図２２Ｃは、受光素子４０１ｃおよび４０１ｄに対して偏光フィルタ４０８を偏光方向を異ならせて設けた画素２０ｂ（ｃ）の例を示す。偏光フィルタ４０８は、光が透過するスリットを平行に多数設けたメタル遮光パターンにより形成できる。このように、画素２０ｂ（ｃ）に含まれる受光素子４０１ｃおよび４０１ｄの偏光方向を異ならせることで、１つの画素２０ｂ（ｃ）により偏光を検出することが可能となる。
【０１０９】
さらに、例えば図２２Ａの画素２０ｂ（ａ）の構成において、受光素子４０１ｃから出力される光電流と、受光素子４０１ｄから出力される光電流との差分に基づきアドレスイベントを検出することが可能である。
【０１１０】
すなわち、上述したように、例えば制御部１１５は、信号ＯＦＧ1がハイ状態からロー状態に移行する際に、受光素子４０１ｃから出力される光電流Ｉｐｈが変換された出力電圧Ｖｐ1を取得する。信号ＯＦＧ1がロー状態に移行されると、信号ＯＦＧ2がハイ状態に移行される。制御部１１５は、信号ＯＦＧ2がこのハイ状態からロー状態に移行する際に、受光素子４０１ｄから出力される光電流Ｉｐｈが変換された出力電圧Ｖｐ2を取得する。制御部１１５は、これら出力電圧Ｖｐ1およびＶｐ2の差分４０６を求め、この差分４０６がＯＮ閾値またはＯＦＦ閾値をそれぞれ所定の方向に超えた場合に、アドレスイベントが検出されたとする。
【０１１１】
このように、同一の感度を持つ受光素子４０１ｃおよび４０１ｄを含む画素２０ｂは、多様な用途に活用が可能である。
【０１１２】
［第３の実施形態］
次に、第３の実施形態について説明する。上述した第１の実施形態およびその変形例、ならびに、第２の実施形態では、受光素子から出力された光電流Ｉｐｈの変化に基づきアドレスイベント検出を行っていた。第３の実施形態は、受光素子から出力された光電流Ｉｐｈの絶対値に対応する画素信号をさらに用いて、アドレスイベント検出を行う。
【０１１３】
図２４は、図１を用いて説明した固体撮像素子１１に対応する、第３の実施形態に係る固体撮像素子の一例の構成を示すブロック図である。図２４において、固体撮像素子１１ｃは、画素アレイ部１１０ｃと、カラムアービタ１１１と、ローアービタ１１２と、行駆動回路１１３ｃと、信号処理部１１４ｃと、制御部１１５と、列駆動回路１１６と、を備える。行駆動回路１１３ｃは、図２に示した駆動回路１１３ａの機能を含む。
【０１１４】
画素アレイ部１１０ｃは、図２を用いて説明した画素アレイ部１１０ａと同様に、複数の画素が二次元格子状に配列される。そして、画素のそれぞれは、それぞれ受光した光に応じた光電流Ｉｐｈを出力する複数の受光素子と、複数の受光素子から出力された光電流Ｉｐｈの変化量に基づきアドレスイベントの検出を行うアドレスイベント検出部と、光電流Ｉｐｈの絶対値に応じた電圧のアナログ信号である画素信号を生成する画素信号生成部と、を含む。
【０１１５】
行駆動回路１１３ｃは、図２の駆動回路１１３ａの機能に加えて、画素のそれぞれを駆動して画素信号を列駆動回路１１６に出力させる機能を有する。列駆動回路１１６は、列毎のＡＤ(Analog  to  Digital)変換器と、この列毎のＡＤ変換器を行方向にスキャンする駆動回路と、を含む。列毎のＡＤ変換器を、カラムＡＤＣ(AD  Converter)と呼ぶ。列駆動回路１１６は、カラムＡＤＣを行方向にスキャンすることで、各ＡＤ変換器によりディジタル方式の信号に変換された画素信号を、行単位で出力する。列駆動回路１１６から出力された画素信号は、信号処理部１１４ｃに供給される。
【０１１６】
信号処理部１１４ｃは、列駆動回路１１６から供給されたディジタル方式の画素信号に対して、ＣＤＳ（Correlated  Double  Sampling）処理、ＡＧＣ(Auto  Gain  Control)処理などの所定の信号処理を実行する。また、カラムアービタ１１１から供給されたイベント検出信号に対して、画像認識処理といった信号処理を実行する。信号処理部１１４ｃは、処理結果を示すデータとイベント検出信号とを、記憶部１２０に供給する。
【０１１７】
図２５は、第３の実施形態に係る画素アレイ部１１０ｃの一例の構成を示すブロック図である。図２５の上側に示されるように、画素アレイ部１１０ｃは、二次元格子状に配列された複数の画素２０ｃを含む。図２５の下側に示されるように、各画素２０ｃは、アドレスイベント検出部３０と、受光部４０ｃと、画素信号生成部４１と、を含む。
【０１１８】
受光部４０ｃは、複数の受光素子を含み、入射された光を光電変換して光電流Ｉｐｈを生成する。受光部４０ｃは、行駆動回路１１３ｃの制御に従い、画素信号生成部４１およびアドレスイベント検出部３０の何れかに、生成した光電流Ｉｐｈを供給する。
【０１１９】
アドレスイベント検出部３０は、アドレスイベントの発生を検出すると、カラムアービタ１１１およびローアービタ１１２に対して、アドレスイベントの発生を示すイベント検出信号の送信を要求する。アドレスイベント検出部３０は、この要求に対する応答をカラムアービタ１１１およびローアービタ１１２から受け取ると、アドレス検出信号を行駆動回路１１３ｃおよび信号処理部１１４ｃに供給する。
【０１２０】
なお、アドレスイベント検出部３０は、図１３を用いて説明した、リミッタにより出力電圧Ｖｐの上限をリミット電圧Ｌｔに制限する電流電圧変換部３００ａを含む。
【０１２１】
画素信号生成部４１は、受光部４０ｃから供給された光電流Ｉｐｈに応じた電圧の信号を、画素信号として生成する。画素信号生成部４１は、生成した画素信号を、垂直信号線を介して列駆動回路１１６に供給する。
【０１２２】
図２６は、第３の実施形態に係る画素２０ｃの一例の構成を示す図である。図２６において、受光部４０ｃは、それぞれ例えばフォトダイオードからなる２つの受光素子４０１ａおよび４０１ｂと、Ｎ型ＭＯＳトランジスタであるトランジスタ４００ａ、４００ｂ、４０２ａおよび４０２ｂと、を含む。また、画素信号生成部４１は、浮遊拡散層４１３と、それぞれＮ型ＭＯＳトランジスタであるリセットトランジスタ４１０、増幅トランジスタ４１１および選択トランジスタ４１２と、を含む。
【０１２３】
受光部４０ｃにおいて、受光素子４０１ａは、カソードが接地接続され、アノードがＮ型ＭＯＳトランジスタによるトランジスタ４００ａのソースと、Ｎ型ＭＯＳトランジスタによるトランジスタ４０２ａのドレインとに接続される。トランジスタ４００ａのドレインは、アドレスイベント検出部３０に接続される。トランジスタ４０２ａのソースは、画素信号生成部４１における浮遊拡散層４１３に接続される。
【０１２４】
トランジスタ４００ａのゲートには、信号ＯＦＧ1が供給される。トランジスタ４００ａは、信号ＯＦＧ1がハイ状態でオンとなり、信号ＯＦＧ1がロー状態でオフとなる。また、トランジスタ４００ｂのゲートには、信号ＯＦＧ2が供給される。トランジスタ４００ｂは、信号ＯＦＧ2がハイ状態でオンとなり、信号ＯＦＧ2がロー状態でオフとなる。トランジスタ４００ａがオンの状態で、受光素子４０１ａから出力される光電流Ｉｐｈ1がアドレスイベント検出部３０に供給される。同様に、トランジスタ４００ｂがオンの状態で、受光素子４０１ｂから出力される光電流Ｉｐｈ2がアドレスイベント検出部３０に供給される。
【０１２５】
トランジスタ４０２ａのゲートには、信号ＴＲＧ1が供給される。トランジスタ４０２ａは、信号ＴＲＧ1がハイ状態でオンとなり、信号ＯＦＧ1がロー状態でオフとなる。また、トランジスタ４０２ｂのゲートには、信号ＴＲＧ2が供給される。トランジスタ４０２ｂは、信号ＴＲＧ2がハイ状態でオンとなり、信号ＴＲＧ2がロー状態でオフとなる。トランジスタ４０２ａがオンの状態で、受光素子４０１ａから出力される光電流Ｉｐｈ1が画素信号生成部４１に供給される。同様に、トランジスタ４０２ｂがオンの状態で、受光素子４０１ｂから出力される光電流Ｉｐｈ2が画素信号生成部４１に供給される。
【０１２６】
画素信号生成部４１において、浮遊拡散層４１３は、電荷を蓄積して蓄積した電荷の量に応じた電圧を生成する。リセットトランジスタ４１０は、行駆動回路１１３ｃから供給されるリセット信号ＲＳＴに従い浮遊拡散層４１３の電荷量を初期化する。増幅トランジスタ４１１は、浮遊拡散層４１３の電圧を増幅する。選択トランジスタ４１２は、行駆動回路１１３ｃからの選択信号ＳＥＬに従い、増幅トランジスタ４１１により増幅された電圧の信号を画素信号ＳＩＧとして、垂直信号線ＶＳＬを介して列駆動回路１１６に出力する。
【０１２７】
なお、受光素子４０１ａは、受光素子４０１ｂに対して感度が低くされる。以下、適宜、受光素子４０１ａを低感度ＰＤと呼び、受光素子４０１ｂを通常感度ＰＤと呼ぶ。
【０１２８】
図２７は、第３の実施形態に係る画素アレイ部１１０ｃにおける配線の例を概略的に示す図である。図７を用いて説明した第１の実施形態に係る画素アレイ部１１０ａの駆動回路１１３ａと同様に、行駆動回路１１３ｃは、制御部１１５の制御に従い信号ＯＦＧ1およびＯＦＧ2を生成し、生成したこれら信号ＯＦＧ1およびＯＦＧ2を、各画素２０ｃに供給する。図２７の例では、行駆動回路１１３ｃは、画素アレイ部１１０ｃに二次元格子状に配列される各画素２０ｃに対して、行毎に信号ＯＦＧ1およびＯＦＧ2を生成している。
【０１２９】
行駆動回路１１３ｃは、さらに、制御部１１５の制御に従い信号ＴＲＧ1およびＴＲＧ2を生成し、生成したこれら信号ＴＲＧ1およびＴＲＧ2を、各画素２０ｃに供給する。図２７の例では、行駆動回路１１３ｃは、画素アレイ部１１０ｃに二次元格子状に配列される各画素２０ｃに対して、行毎に信号ＴＲＧ1およびＴＲＧ2を生成している。
【０１３０】
また、各画素２０ｃの垂直信号線ＶＳＬが、画素アレイ部１１０ｃに配列される各画素２０ｃの列毎に、列駆動回路１１６に接続される。
【０１３１】
なお、図２７では省略されているが、行駆動回路１１３ｃは、さらにまた、制御部１１５の制御に従い、上述したリセット信号ＲＳＴおよび選択信号ＳＥＬを、画素アレイ部１１０ｃに二次元格子状に配列される各画素２０ｃに対して、行毎に生成する。行駆動回路１１３ｃは、生成したリセット信号ＲＳＴおよび選択信号ＳＥＬを、各画素２０ｃに供給する。
【０１３２】
図２８Ａおよび図２８Ｂは、第３の実施形態に係る受光部４０ｃの制御を説明するための図である。図２８Ａは、低感度ＰＤである受光素子４０１ａから出力される光電流Ｉｐｈ1に基づきアドレスイベント検出部３０によりアドレスイベント検出を行う場合の例を示している。図２８Ａに示されるように、トランジスタ４００ａのゲートに供給される信号ＯＦＧ1をハイ状態とし、トランジスタ４００ｂのゲートに供給される信号ＯＦＧ2をロー状態とする。また、トランジスタ４０２ａのゲートに供給される信号ＴＲＧ1をロー状態とし、トランジスタ４０２ｂのゲートに供給される信号ＴＲＧ2をハイ状態とする。
【０１３３】
これにより、トランジスタ４００ａがオン、トランジスタ４００ｂがオフとされると共に、トランジスタ４０２ａがオフ、トランジスタ４０２ｂがオンとされる。低感度ＰＤである受光素子４０１ａから出力される光電流Ｉｐｈ1と、通常感度ＰＤである受光素子４０１ｂから出力される光電流Ｉｐｈ2と、のうち、光電流Ｉｐｈ1がトランジスタ４００ａを介してアドレスイベント検出部３０に供給され、光電流Ｉｐｈ2がトランジスタ４０２ｂを介して画素信号生成部４１に供給される。
【０１３４】
図２８Ｂは、通常感度ＰＤである受光素子４０１ｂから出力される光電流Ｉｐｈ2に基づきアドレスイベント検出部３０によりアドレスイベント検出を行う場合の例を示している。図２８Ｂに示されるように、トランジスタ４００ａのゲートに供給される信号ＯＦＧ1をロー状態とし、トランジスタ４００ｂのゲートに供給される信号ＯＦＧ2をハイ状態とする。また、トランジスタ４０２ａのゲートに供給される信号ＴＲＧ1をハイ状態とし、トランジスタ４０２ｂのゲートに供給される信号ＴＲＧ2をロー状態とする。
【０１３５】
これにより、トランジスタ４００ａがオフ、トランジスタ４００ｂがオンとされると共に、トランジスタ４０２ａがオン、トランジスタ４０２ｂがオフとされる。低感度ＰＤである受光素子４０１ａから出力される光電流Ｉｐｈ1と、通常感度ＰＤである受光素子４０１ｂから出力される光電流Ｉｐｈ2と、のうち、光電流Ｉｐｈ1がトランジスタ４００ｂを介してアドレスイベント検出部３０に供給され、光電流Ｉｐｈ2がトランジスタ４０２ａを介して画素信号生成部４１に供給される。
【０１３６】
図２９は、第３の実施形態に係る固体撮像素子１１ｃにおける処理の例を示すタイミングチャートである。図２９において、チャート（ｋ）および（ｎ）は、行駆動回路１１３ｃにおいて生成されるリセット信号ＲＳＴおよび選択信号ＳＥＬの例を示す。チャート（ｏ）は、垂直信号線ＶＳＬにおける画素信号の電圧の例を示す。
【０１３７】
また、図２９において、チャート（ｌ）および（ｍ）は、行駆動回路１１３ｃにおいて生成される信号ＴＲＧ1およびＴＲＧ2の例を示し、チャート（ｓ）および（ｔ）は、行駆動回路１１３ｃにおいて生成される信号ＯＦＧ1およびＯＦＧ2の例を示している。
【０１３８】
さらに、図２９において、チャート（ｒ）は、アドレスイベント検出部３０から出力されるイベント検出信号の例を示す。チャート（ｐ）および（ｑ）は、それぞれローアービタ１１２およびカラムアービタ１１１における、チャート（ｒ）に示されるイベント検出信号に対する調停の例を示す。それぞれ、ハイ状態で、チャート（ｒ）に示されるイベント検出信号が選択される。
【０１３９】
図２９において、初期状態として信号ＯＦＧ1がハイ状態、信号ＯＦＧ2がロー状態とされて、低感度ＰＤから出力される光電流Ｉｐｈ1がアドレスイベント検出部３０に供給される。図２９の例では、低感度ＰＤにおける光電流Ｉｐｈ1の変化量が所定量を超えたとされ、時点ｔ30で、アドレスイベント検出部３０からイベント検出信号が出力されている。制御部１１５は、カラムアービタ１１１からこのイベント検出信号を取得し、取得したイベント検出信号に応じて、信号ＯＦＧ1をロー状態とするよう行駆動回路１１３ｃに指示する。行駆動回路１１３ｃは、この指示に従い、信号ＯＦＧ1をロー状態とする（時点ｔ31）。
【０１４０】
行駆動回路１１３ｃは、制御部１１５からの指示に従い、時点ｔ40で、リセット信号ＲＳＴおよび信号ＴＲＧ1をハイ状態として、低感度ＰＤ（受光素子４０１ａ）および浮遊拡散層４１３をリセットする。さらに、行駆動回路１１３ｃは、制御部１１５からの指示に従い、時点ｔ41で、リセット信号ＲＳＴおよび信号ＴＲＧ2をハイ状態として、通常感度ＰＤ（受光素子４０１ｂ）および浮遊拡散層４１３をリセットする。
【０１４１】
このように、時点ｔ40およびｔ41を含む期間５１０は、画素信号ＳＩＧの電圧読み出し動作における露光開始のシーケンスである。期間５１０の間、選択信号ＳＥＬはロー状態が維持されているため、画素信号ＳＩＧの垂直信号線ＶＳＬへの出力は行われない。
【０１４２】
時点ｔ41から所定時間の経過後の時点ｔ42において、行駆動回路１１３ｃは、制御部１１５からの指示に従い、選択信号ＳＥＬをハイ状態として、画素信号ＳＩＧの垂直信号線ＶＳＬへの出力を開始させる。行駆動回路１１３ｃは、選択信号ＳＥＬのハイ状態を、通常感度ＰＤ（受光素子４０１ｂ）によるＣＤＳ読み出しが終了する時点ｔ49まで維持する。
【０１４３】
行駆動回路１１３ｃは、時点ｔ42の直後の時点ｔ44において、リセット信号ＲＳＴをハイ状態とし、時点ｔ45で信号ＴＲＧ1をハイ状態とする。低感度ＰＤ（受光素子４０１ａ）から出力される光電流Ｉｐｈ1に基づく画素信号ＳＩＧ1が垂直信号線ＶＳＬを介して列駆動回路１１６に供給され、低感度ＰＤのＣＤＳ読み出しが行われる（期間５１１ａ）。
【０１４４】
次に、行駆動回路１１３ｃは、低感度ＰＤのＣＤＳ読み出しが終了した時点ｔ46の直後の時点ｔ47において、リセット信号ＲＳＴをハイ状態とし、時点ｔ48で信号ＴＲＧ2をハイ状態とする。通常感度ＰＤ（受光素子４０１ｂ）から出力される光電流Ｉｐｈ2に基づく画素信号ＳＩＧ2が垂直信号線ＶＳＬを介して列駆動回路１１６に供給され、通常感度ＰＤのＣＤＳ読み出しが行われる（期間５１１ｂ）。
【０１４５】
このように、期間５１１ａおよび５１１ｂを含む期間５１１は、画素信号ＳＩＧの電圧読み出し動作における読み出しのシーケンスである。
【０１４６】
ここで、行駆動回路１１３ｃは、期間５１０において信号ＴＲＧ1がハイ状態とされた時点ｔ40から、期間５１１において信号ＴＲＧ1がハイ状態とされる時点ｔ44までの時間５２０ａと、期間５１０において信号ＴＲＧ2がハイ状態とされた時点ｔ41から、期間５１１において信号ＴＲＧ2がハイ状態とされる時点ｔ48までの時間５２０ｂと、を等しくし、低感度ＰＤ（受光素子４０１ａ）の露光時間と、通常感度ＰＤ（受光素子４０１ｂ）の露光時間とを揃える。
【０１４７】
行駆動回路１１３ｃは、通常感度ＰＤのＣＤＳ読み出しが終了すると、選択信号ＳＥＬをロー状態とし、画素信号生成部４１からの画素信号ＳＩＧの出力を停止させる。
【０１４８】
制御部１１５は、列駆動回路１１６から、期間５１１ａにおいて読み出された画素信号ＳＩＧ1と、期間５１１ｂにおいて読み出された画素信号しＳＩＧ2とを取得する。制御部１１５は、取得したこれら画素信号ＳＩＧ1およびＳＩＧ2に基づき、低感度ＰＤ（受光素子４０１ａ）の光電流Ｉｐｈ1と、通常感度ＰＤ（受光素子４０１ｂ）の光電流Ｉｐｈ2とのうち、アドレスイベント検出部３０においてアドレスイベント検出に用いる光電流Ｉｐｈdetを選択する。
【０１４９】
ここでは、制御部１１５は、通常感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ2を、アドレスイベント検出部３０においてアドレスイベント検出に用いる光電流Ｉｐｈdetとして選択したものとする。行駆動回路１１３ｃは、この選択に応じた制御部１１５からの指示に従い、時点ｔ32で、信号ＯＦＧ1をロー状態、信号ＯＦＧ2をハイ状態とし、通常感度ＰＤ（受光素子４０１ｂ）から出力される光電流Ｉｐｈ2をアドレスイベント検出部３０に供給させる。
【０１５０】
図２９の例では、通常感度ＰＤにおける光電流Ｉｐｈ2の変化量が所定量を超えたとされ、時点ｔ33で、アドレスイベント検出部３０からイベント検出信号が出力されている。
【０１５１】
第３の実施形態では、制御部１１５は、アドレスイベント検出部３０がアドレスイベント検出を実行するタイミング（図２９において点線枠で示す）を固定的とし、アドレスイベント検出部３０によるアドレスイベント検出を一定周期で実行するように制御する。すなわち、アドレスイベント検出実行の１周期は、期間５１０および５１１による画素信号の読み出し動作と、当該読み出し動作に基づくアドレスイベント検出とを含む。
【０１５２】
図３０および図３１は、第３の実施形態に係る、電圧差分に基づく低感度ＰＤと通常感度ＰＤとの切替方法を説明するための図である。なお、図３０および図３１は、上述した図１４と対応する図であって、横軸および縦軸、ならびに、特性線４０３ａおよび４０３ｂの意味は、図１４と共通であるので、ここでの説明を省略する。
【０１５３】
図３０は、光量が増加している場合に、アドレスイベント検出部３０が用いる光電流Ｉｐｈdetを通常感度ＰＤ（受光素子４０１ｂ）が出力する光電流Ｉｐｈ2から低感度ＰＤ（受光素子４０１ａ）が出力する光電流Ｉｐｈ1に切り替える動作の例を示している。
【０１５４】
図３０において、当初、信号ＯＦＧ1がロー状態、信号ＯＦＧ2がハイ状態とされ、アドレスイベント検出部３０が用いる光電流Ｉｐｈdetとして、通常感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ2が選択されているものとする。ステップＳ１０において、画素２０ｃに受光される光の光量の上昇が検知される。第３の実施形態では、制御部１１５は、例えば、図２９の期間５１１において読み出された画素信号ＳＩＧに基づき、光量が増加しているか否かを判定する。これに限らず、制御部１１５は、アドレスイベント検出部３０に含まれる電流電圧変換部３００ａの出力電圧Ｖｐに基づき光量の増加を判定してもよい。
【０１５５】
制御部１１５は、光量が増加していると判定すると、アドレスイベント検出部３０に含まれる電流電圧変換部３００ａの出力電圧Ｖｐがリミット電圧Ｌｔによるリミット領域に入ったか否かを判定する。制御部１１５は、例えばステップＳ１１で出力電圧Ｖｐがリミット領域に入ったと判定した場合、アドレスイベント検出部３０によるアップイベントの検出と同期して、アドレスイベント検出部３０がアドレスイベント検出に用いる光電流Ｉｐｈdetを、低感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ1に切り替えて出力電圧Ｖｐを取得する。
【０１５６】
そして、制御部１１５は、取得した低感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ1による出力電圧Ｖｐ（電圧Ｖｐlowとする）と、ステップＳ１１で判定に用いた出力電圧Ｖｐ（電圧Ｖｐnmlとする）とを比較する。比較の結果、電圧Ｖｐlowと電圧Ｖｐnmlとの差分が所定以下であれば、制御部１１５は、信号ＯＦＧ1をハイ状態、信号ＯＦＧ2をロー状態として、アドレスイベント検出部３０がアドレスイベント検出に用いる光電流Ｉｐｈdetを、光電流Ｉｐｈ2から光電流Ｉｐｈ1に切り替える（ステップＳ１２）。
【０１５７】
図３１は、光量が減少している際に、アドレスイベント検出部３０が用いる光電流Ｉｐｈdetを低感度ＰＤ（受光素子４０１ａ）が出力する光電流Ｉｐｈ1から通常感度ＰＤ（受光素子４０１ｂ）が出力する光電流Ｉｐｈ2に切り替える動作の例を示している。
【０１５８】
図３１において、当初、信号ＯＦＧ1がハイ状態、信号ＯＦＧ2がロー状態とされ、アドレスイベント検出部３０が用いる光電流Ｉｐｈdetとして、低感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ1が選択されているものとする。ステップＳ２０において、画素２０ｃに受光される光の光量の減少が、例えば図２９の期間５１１において読み出された画素信号ＳＩＧに基づき検知される。
【０１５９】
制御部１１５は、光量が減少していると判定すると、アドレスイベント検出部３０に含まれる電流電圧変換部３００ａの出力電圧Ｖｐが暗電流レベルによる暗電流領域に入ったか否かを判定する。制御部１１５は、例えばステップＳ２１で出力電圧Ｖｐが暗電流領域に入ったと判定した場合、アドレスイベント検出部３０によるダウンイベントの検出と同期して、アドレスイベント検出部３０がアドレスイベント検出に用いる光電流Ｉｐｈdetを、通常感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ2に切り替えて出力電圧Ｖｐを取得する。
【０１６０】
そして、制御部１１５は、取得した通常感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ2による出力電圧Ｖｐ（電圧Ｖｐnml）と、ステップＳ２１で判定に用いた出力電圧Ｖｐ（電圧Ｖｐlow）とを比較する。比較の結果、電圧Ｖｐnmlと電圧Ｖｐlowとの差分が所定以下であれば、制御部１１５は、信号ＯＦＧ1をロー状態、信号ＯＦＧ2をハイ状態として、アドレスイベント検出部３０がアドレスイベント検出に用いる光電流Ｉｐｈdetを、光電流Ｉｐｈ1から光電流Ｉｐｈ2に切り替える（ステップＳ２２）。
【０１６１】
図３２は、図３０を用いて説明した、第３の実施形態に係る、画素２０ｃに受光される光量が増加している場合の光電流Ｉｐｈの切り替え動作を示す一例のフローチャートである。なお、図３２のフローチャートによる処理に先立って、信号ＯＦＧ1がロー状態、信号ＯＦＧ2がハイ状態とされ、アドレスイベント検出部３０がアドレスイベント検出に用いる光電流Ｉｐｈdetとして通常感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ2が選択されているものとする。
【０１６２】
ステップＳ１００で、制御部１１５は、例えば画素信号ＳＩＧに基づき、画素２０ｃに受光される光量が増加しているか否かを判定する。制御部１１５は、増加していないと判定した場合（ステップＳ１００、「Ｎｏ」）、処理をステップＳ１００に戻す。一方、制御部１１５は、画素２０ｃに受光される光量が増加していると判定した場合（ステップＳ１００、「Ｙｅｓ」）、処理をステップＳ１０１に移行させる。
【０１６３】
ステップＳ１０１で、制御部１１５は、電流電圧変換部３００ａの出力電圧Ｖｐ（電圧Ｖｐnml）がリミット領域に入ったか否かを判定する。制御部１１５は、電圧Ｖｐnmlがリミット領域に入っていないと判定した場合（ステップＳ１０１、「Ｎｏ」）、処理を例えばステップＳ１００に戻す。一方、制御部１１５は、電圧Ｖｐnmlがリミット領域に入っていると判定した場合（ステップＳ１０１、「Ｙｅｓ」）、処理をステップＳ１０２に移行させる。
【０１６４】
ステップＳ１０２で、制御部１１５は、通常感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ2に基づく電圧Ｖｐnmlを取得する。次のステップＳ１０３で、制御部１１５は、信号ＯＦＧ1をハイ状態、信号ＯＦＧ2をロー状態とし、アドレスイベント検出部３０に供給される光電流Ｉｐｈを、低感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ1に切り替える。次のステップＳ１０４で、制御部１１５は、低感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ1に基づく電圧Ｖｐlowを取得する。
【０１６５】
次のステップＳ１０５で、制御部１１５は、例えばステップＳ１００、ステップＳ１０１の期間に通常感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ2に基づき検出したアップイベントに同期して、ステップＳ１０２で取得した電圧Ｖｐnmlと、ステップＳ１０４で取得した電圧Ｖｐlowとの差分を検出する。
【０１６６】
次のステップＳ１０６で、制御部１１５は、ステップＳ１０５で検出された差分が所定値以下であるか否かを判定する。制御部１１５は、差分が所定値以下であると判定した場合（ステップＳ１０６、「Ｙｅｓ」）、処理をステップＳ１０７に移行させる。ステップＳ１０７で、制御部１１５は、信号ＯＦＧ1をハイ状態、信号ＯＦＧ2をロー状態とし、アドレスイベント検出部３０がアドレスイベント検出に用いる光電流Ｉｐｈdetとして、低感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ1を選択する。
【０１６７】
一方、制御部１１５は、ステップＳ１０６で差分が所定値を超えると判定した場合（ステップＳ１０６、「Ｎｏ」）、処理をステップＳ１０８に移行させる。ステップＳ１０８で、制御部１１５は、信号ＯＦＧ1およびＯＦＧ2の状態を維持し、アドレスイベント検出部３０がアドレスイベント検出に用いる光電流Ｉｐｈdetとして、通常感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ2を選択する。
【０１６８】
ステップＳ１０７またはステップＳ１０８の処理が終了すると、図３２のフローチャートによる一連の処理が終了される。
【０１６９】
図３３は、図３１を用いて説明した、第３の実施形態に係る、画素２０ｃに受光される光量が減少している場合の光電流Ｉｐｈの切り替え動作を示す一例のフローチャートである。なお、図３３のフローチャートによる処理に先立って、信号ＯＦＧ1がハイ状態、信号ＯＦＧ2がロー状態とされ、アドレスイベント検出部３０がアドレスイベント検出に用いる光電流Ｉｐｈdetとして低感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ1が選択されているものとする。
【０１７０】
ステップＳ２００で、制御部１１５は、例えば画素信号ＳＩＧに基づき、画素２０ｃに受光される光量が減少しているか否かを判定する。制御部１１５は、減少していないと判定した場合（ステップＳ２００、「Ｎｏ」）、処理をステップＳ２００に戻す。一方、制御部１１５は、画素２０ｃに受光される光量が減少していると判定した場合（ステップＳ２００、「Ｙｅｓ」）、処理をステップＳ２０１に移行させる。
【０１７１】
ステップＳ２０１で、制御部１１５は、電流電圧変換部３００ａの出力電圧Ｖｐ（電圧Ｖｐlow）が暗電流領域に入ったか否かを判定する。制御部１１５は、電圧Ｖｐlowが暗電流領域に入っていないと判定した場合（ステップＳ２０１、「Ｎｏ」）、処理を例えばステップＳ２００に戻す。一方、制御部１１５は、電圧Ｖｐlowが暗電流領域に入っていると判定した場合（ステップＳ２０１、「Ｙｅｓ」）、処理をステップＳ２０２に移行させる。
【０１７２】
ステップＳ２０２で、制御部１１５は、低感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ1に基づく電圧Ｖｐｌｏｗ８を取得する。次のステップＳ２０３で、制御部１１５は、信号ＯＦＧ1をロー状態、信号ＯＦＧ2をハイ状態とし、アドレスイベント検出部３０に供給される光電流Ｉｐｈを、通常感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ2に切り替える。次のステップＳ２０４で、制御部１１５は、通常感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ2に基づく電圧Ｖｐnmlを取得する。
【０１７３】
次のステップＳ２０５で、制御部１１５は、例えばステップＳ２００、ステップＳ２０１の期間に低感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ1に基づき検出したダウンイベントに同期して、ステップＳ２０２で取得した電圧Ｖｐlowと、ステップＳ２０４で取得した電圧Ｖｐnmlとの差分を検出する。
【０１７４】
次のステップＳ２０６で、制御部１１５は、ステップＳ２０５で検出された差分が所定値以下であるか否かを判定する。制御部１１５は、差分が所定値以下であると判定した場合（ステップＳ２０６、「Ｙｅｓ」）、処理をステップＳ２０７に移行させる。ステップＳ２０７で、制御部１１５は、信号ＯＦＧ1をロー状態、信号ＯＦＧ2をハイ状態とし、アドレスイベント検出部３０がアドレスイベント検出に用いる光電流Ｉｐｈdetとして、通常感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ2を選択する。
【０１７５】
一方、制御部１１５は、ステップＳ２０６で差分が所定値を超えると判定した場合（ステップＳ２０６、「Ｎｏ」）、処理をステップＳ２０８に移行させる。ステップＳ２０８で、制御部１１５は、信号ＯＦＧ1およびＯＦＧ2の状態を維持し、アドレスイベント検出部３０がアドレスイベント検出に用いる光電流Ｉｐｈdetとして、低感度ＰＤの光電流Ｉｐｈ1を選択する。
【０１７６】
ステップＳ２０７またはステップＳ２０８の処理が終了すると、図３３のフローチャートによる一連の処理が終了される。
【０１７７】
このように、第３の実施形態では、画素２０ｃに受光される光の光量を画素信号ＳＩＧに基づき判定して、判定結果に基づきアドレスイベント検出部３０がアドレスイベント検出に用いる光電流Ｉｐｈdetを光電流Ｉｐｈ1およびＩｐｈ2から選択している。そのため、光電流Ｉｐｈdetを光電流Ｉｐｈ1およびＩｐｈ2から選択する処理を、より高精度に実行できる。
【０１７８】
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また他の効果があってもよい。
【０１７９】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
２次元格子状に配列された複数の画素と、
制御部と、
を備え、
前記画素は、
受光した光に応じた第１の光電流を出力する第１の受光素子と、
受光した光に応じた第２の光電流を出力する第２の受光素子と、
電流を電圧に変換する変換部と、
前記変換部により変換された前記電圧の変化に基づきイベントを検出し、該検出による検出結果を示す検出信号を出力する出力部と、
前記変換部により電圧に変換する電流を前記第１の光電流と前記第２の光電流とで切り替える切り替えを行う切替部と、
を含み、
前記制御部は、
前記切替部による前記切り替えを制御する
固体撮像素子。
（２）
前記第１の受光素子は、前記第２の受光素子と比較して低感度であり、
前記制御部は、
前記画素に照射される光量の変化量に基づき前記切り替えを制御する
前記（１）に記載の固体撮像素子。
（３）
前記画素は、
前記第１の光電流または前記第２の光電流の絶対値に基づき画素信号を生成する生成部をさらに含み、
前記制御部は、
前記画素信号に基づき前記切り替えを制御する
前記（１）または（２）に記載の固体撮像素子。
（４）
前記制御部は、
前記画素に照射される光量の変化量に基づきさらに前記切り替えを制御し、
前記画素信号に基づく前記切り替えの制御と、前記光量の変化量に基づく前記切り替えの制御と、を、一定の周期で繰り返して実行する
前記（３）に記載の固体撮像素子。
（５）
前記変換部は、
前記変換された電圧の上限値を設定するリミッタを含み、
前記切替部は、
前記変換部により変換された電圧と、前記上限値に基づき規定される電圧範囲と、に基づき前記切り替えを制御する
前記（１）乃至（４）の何れかに記載の固体撮像素子。
（６）
前記制御部は、
前記第１の光電流が所定以下の場合に、前記変換部により電圧に変換する電流を該第１の光電流から前記第２の光電流へ切り替えるように前記切り替えを制御する
前記（１）乃至（５）の何れかに記載の固体撮像素子。
（７）
前記第１の受光素子と前記第２の受光素子は、同等の感度を有し、
前記制御部は、
前記切り替えを時分割で制御する
前記（１）に記載の固体撮像素子。
（８）
前記検出部は、
前記第１の光電流と前記第２の光電流との差分に基づき前記イベントを検出する
前記（７）に記載の固体撮像素子。
（９）
前記第１の受光素子の受光状態と前記第２の受光素子の受光状態とが異なる
前記（７）または（８）に記載の固体撮像素子。
（１０）
前記第１の受光素子と前記第２の受光素子とに異なる遮光パターンを設ける
前記（９）に記載の固体撮像素子。
（１１）
前記切替部は、
前記切り替えを制御された状態を前記画素毎に保持する
前記（１）乃至（１０）の何れかに記載の固体撮像素子。
（１２）
画素に含まれる第１の受光素子が受光した光に応じた第１の光電流を出力する第１の出力ステップと、
前記画素に含まれる第２の受光素子が受光した光に応じた第２の光電流を出力する第２の出力ステップと、
前記画素に含まれる変換部が電流を電圧に変換する変換ステップと、
前記画素に含まれる検出部が前記変換ステップにより変換された前記電圧の変化に基づきイベントを検出し、該検出による検出結果を示す検出信号を出力する検出ステップと、
前記画素に含まれる切替部が前記変換ステップにより電圧に変換する電流を前記第１の光電流と前記第２の光電流とで切り替える切り替えステップと、
前記切り替えステップを制御する制御ステップと
を有する
固体撮像素子の制御方法。
（１３）
２次元格子状に配列された複数の画素と、
制御部と、
を備え、
前記画素は、
受光した光に応じた第１の光電流を出力する第１の受光素子と、
受光した光に応じた第２の光電流を出力する第２の受光素子と、
電流を電圧に変換する変換部と、
前記変換部により変換された前記電圧の変化に基づきイベントを検出し、該検出による検出結果を示す検出信号を出力する出力部と、
前記変換部により電圧に変換する電流を前記第１の光電流と前記第２の光電流とで切り替える切り替えを行う切替部と、
を含み、
前記制御部は、
前記切替部による前記切り替えを制御する
固体撮像素子固体撮像素子と、
前記変換部により変換された前記電圧に基づく信号を記憶する記憶部と
を有する電子機器。
【符号の説明】
【０１８０】
１  撮像装置
１１，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ  固体撮像素子
２０ａ，２０ｂ，２０ｂ（ａ），２０ｂ（ｂ），２０ｂ（ｃ），２０ｃ  画素
２１  スイッチ
３０  アドレスイベント検出部
４０ａ，４０ｂ，４０ｃ  受光部
４１  画素信号生成部
１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ  画素アレイ部
１１１  カラムアービタ
１１２  ローアービタ
１１３ａ，１１３ｂ  駆動回路
１１３ｃ  行駆動回路
１１５  制御部
１１６  列駆動回路
４０１ａ，４０１ｂ，４０１ｃ，４０１ｄ  受光素子
３００，３００ａ  電流電圧変換部
４０７  遮光パターン
４０８  偏光フィルタ
【図１】
2022002355.tif 000003
【図２】
2022002355.tif 000004
【図３】
2022002355.tif 000005
【図４】
2022002355.tif 000006
【図５】
2022002355.tif 000007
【図６Ａ】
2022002355.tif 000008
【図６Ｂ】
2022002355.tif 000009
【図７】
2022002355.tif 000010
【図８】
2022002355.tif 000011
【図９】
2022002355.tif 000012
【図１０】
2022002355.tif 000013
【図１１】
2022002355.tif 000014
【図１２Ａ】
2022002355.tif 000015
【図１２Ｂ】
2022002355.tif 000016
【図１３】
2022002355.tif 000017
【図１４】
2022002355.tif 000018
【図１５】
2022002355.tif 000019
【図１６】
2022002355.tif 000020
【図１７】
2022002355.tif 000021
【図１８】
2022002355.tif 000022
【図１９】
2022002355.tif 000023
【図２０】
2022002355.tif 000024
【図２１】
2022002355.tif 000025
【図２２Ａ】
2022002355.tif 000026
【図２２Ｂ】
2022002355.tif 000027
【図２２Ｃ】
2022002355.tif 000028
【図２３】
2022002355.tif 000029
【図２４】
2022002355.tif 000030
【図２５】
2022002355.tif 000031
【図２６】
2022002355.tif 000032
【図２７】
2022002355.tif 000033
【図２８Ａ】
2022002355.tif 000034
【図２８Ｂ】
2022002355.tif 000035
【図２９】
2022002355.tif 000036
【図３０】
2022002355.tif 000037
【図３１】
2022002355.tif 000038
【図３２】
2022002355.tif 000039
【図３３】
2022002355.tif 000040