(57)【要約】【課題】リードフレームに半導体チップを搭載して樹脂モールドを行う樹脂モールド半導体装置において、リード固定用テープに析出する金属によって発生するリード間短絡不良を防止し、半導体装置の信頼性を高める。【解決手段】リード１１の側縁１１ｅと固定用テープ２の側縁２ｅとが実質的に直交する様にリード１１に対して固定用テープ２を貼り付けて電位差を有するリード１１間に生じる電気力線が一方のリード１１の側縁から他方のリード１１の側縁に垂直に入射するようにして電気力線が集中する部分が形成されることを防止して、リード１１から溶出したＣｕイオンの対向するリード１１における到達部の分布を均一化することによりデンドライトの成長を抑制する。【選択図】図１
2004349354.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを搭載し樹脂封止を行うリードフレームの複数のリードに、絶縁テープに接着剤が塗布された固定用テープを貼り付けてリードを固定した構造のテーピングリードフレームであって、リードの側縁と固定用テープの側縁とが実質的に直交する様にリードに対して固定用テープが貼り付けられてなることを特徴とするテーピングリードフレーム。
【請求項２】
固定用テープの平面形状が弧状にされてなる請求項１記載のテーピングリードフレーム。
【請求項３】
リードフレームが固定用テープとの接着部において屈曲されてなる請求項１記載のテーピングリードフレーム。
【請求項４】
半導体チップを搭載し樹脂封止を行うリードフレームの複数のリードに、絶縁テープに接着剤が塗布された固定用テープを貼り付けてリードを固定した構造のテーピングリードフレームであって、リードに切り欠き部を設け、この切り欠き部に固定用テープの側縁が位置する様にリードに固定用テープを貼り付けて成ることを特徴とするテーピングリードフレーム。
【請求項５】
半導体チップを搭載し樹脂封止を行うリードフレームの複数のリードに、絶縁テープに接着剤が塗布された固定用テープを貼り付けてリードを固定した構造のテーピングリードフレームであって、
リードにエンボス加工を施してなるエンボス部を設け、このエンボス部に固定用テープの側縁が位置する様にリードに固定用テープを貼り付けて成ることを特徴とするテーピングリードフレーム。
【請求項６】
半導体チップを封止するためのリードフレームのリードに対して、絶縁テープが所定の接着剤を介して接着された固定用テープを貼り付けたテーピングフレーム構造を有する半導体装置であって、
少なくとも隣接リード間に電位差が生じる前記リードの側縁と固定用テープの側縁とが実質的に直交する様にリードに対して固定用テープが貼り付けられてなることを特徴とする樹脂モールド半導体装置。
【請求項７】
前記固定用テープの平面形状が弧状にされてなる請求項６記載の樹脂モールド半導体装置。
【請求項８】
前記リードフレームが、固定用テープとの接着部において屈曲されてなることを特徴とする請求項６記載の樹脂モールド半導体装置。
【請求項９】
半導体チップを封止するためのリードフレームのリードに対して、絶縁テープが所定の接着剤を介して接着された固定用テープを貼り付けたテーピングフレーム構造を有する半導体装置であって、
前記リードに切り欠き部を設け、この切り欠き部に固定用テープの側縁が位置する様にリードに固定用テープを貼り付けて成ることを特徴とする樹脂モールド半導体装置。
【請求項１０】
半導体チップを封止するためのリードフレームのリードに対して、絶縁テープが所定の接着剤を介して接着された固定用テープを貼り付けたテーピングフレーム構造を有する半導体装置であって、
前記リードにエンボス加工を施してなるエンボス部を設け、このエンボス部に固定用テープの側縁が位置する様にリードに固定用テープを貼り付けて成ることを特徴とする樹脂モールド半導体装置。
【請求項１１】
半導体チップを搭載し樹脂モールドを行うリードフレームの複数のリードに、絶縁テープに接着剤が塗布された固定用テープを貼り付けてリードを固定し、このリードフレームを用いた樹脂モールド半導体装置の製造方法であって、少なくとも隣接リード間に電位差が生じるリードの側縁と固定用テープの側縁とが実質的に直交する様に固定用テープをリードに貼り付け、このリードフレームを用いて樹脂モールドを行うことを特徴とする樹脂モールド半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
半導体チップを搭載し樹脂モールドを行うリードフレームの複数のリードに、絶縁テープに接着剤が塗布された固定用テープを貼り付けてリードを固定し、このリードフレームを用いた樹脂モールド半導体装置の製造方法であって、リードに切り欠き部を設け、この切り欠き部に固定用テープの側縁が位置する様に固定用テープをリードに貼り付け、このリードフレームを用いて樹脂モールドを行うことを特徴とする樹脂モールド半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
半導体チップを搭載し樹脂モールドを行うリードフレームの複数のリードに、絶縁テープに接着剤が塗布された固定用テープを貼り付けてリードを固定し、このリードフレームを用いた樹脂モールド半導体装置の製造方法であって、リードにエンボス加工を施してなるエンボス部を設け、このエンボス部に固定用テープの側縁が位置する様にリードに固定用テープを貼り付け、このリードフレームを用いて樹脂モールドを行うことを特徴とする樹脂モールド半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップの樹脂モールドに使用するテーピングリードフレーム及びそれを用いた樹脂モールド半導体装置並びにその樹脂モールド半導体装置の製造方法に関するものであって、特に、リードフレームのリードにリード固定用の絶縁テープを接着してリードを固定する構造のテーピングリードフレーム及びそれを用いた樹脂モールド半導体装置並びにその樹脂モールド半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＩＣやＬＳＩの樹脂モールドパッケージタイプの半導体装置は、リードフレーム中央部のアイランドに半導体チップを搭載し、アイランドの周囲に配置されたリードと半導体チップとを金属細線で接続した後、樹脂モールドして形成されている。
【０００３】
近年のパッケージの小型化、半導体チップの高集積化に伴って、リードフレームのリード幅は細く、リード間隔は狭くなっており、そのため、最近のリードフレームは、半導体装置組立時における搬送衝撃などによって変形を受けやすい状態になっている。リードに変形が発生すると、半導体チップとの接続不良やリード間の短絡不良となるため、この変形を防ぐ手段として、リードフレームの製造段階でリードに絶縁テープを貼り付けてリードを固定する、いわゆるテーピングによる固定方法が行われている。
【０００４】
以下に、従来行われているテーピングによるリードフレームのリード固定方法について述べる。図１１は従来のテーピングにより固定されたリードの一部を示す断面図である。リードフレームの複数のリード１１は、あらかじめ接着剤５が塗布された絶縁テープ４で構成される固定用テープ２によって接着固定されている。リードフレームの材質には導電率に優れたＣｕが主に用いられ、リード幅とリード間隔はともに約０．１ｍｍに形成されている。絶縁テープ４にはポリイミド樹脂等の絶縁性、耐熱性に優れた高分子材料のフィルムが用いられ、接着剤５にはＮＢＲ（ニトリルゴム）とフェノール樹脂との混合物がよく使用されている。そして、リード１１の固定の際には、接着剤５が塗布された固定用テープ２の接着面をリード１１に軽く熱圧着して固定する方法がよく採用されている。リード１１はその一部が接着剤５中に潜り込んだ状態で固定される。このようにリードにテーピングを行うことによって、狭小化したリード幅やリード間隔を有する従来のリードフレームは、リードの変形や隣接するリード同士の接触が防止されている。
【０００５】
しかし、このテーピングされたＣｕ製のリードフレームを使用した樹脂モールド半導体装置において、隣接するリード間に電位差が生じた場合、電場の作用により陽極リードでＣｕイオンが発生し、このＣｕイオンが接着剤の層を通して陰極リードに移動し、陰極リードにおいてＣｕを析出する、いわゆるＣｕのイオンマイグレーションと呼ばれる現象が起こる。接着剤層中をＣｕイオンが移動するのは、パッケージのモールド樹脂材であるエポキシ樹脂に比べ接着剤の電気伝導度が高いためである。
【０００６】
このＣｕイオンによるマイグレーションの作用について、図面を用いて説明する。図１２はマイグレーションによるＣｕの析出を説明するためのテーピングされたリードの断面図である。図１２に示すように、隣接する陽極リード６と陰極リード７が接着剤５を介して固定されており、両リード間に電場がかかった場合、そのメカニズムの詳細は明らかにされていないが、リードの材料金属がイオン化することが一因と考えられている。
【０００７】
リードフレームがＣｕ素材の場合には、陽極リード６のようにＣｕイオン（Ｃｕ＋，Ｃｕ２＋）が接着剤５層中に溶出する（酸化過程）。Ｃｕイオンは電場により陰極リード７の表面まで運ばれ、電子（ｅ−）を受ける還元によりＣｕとなって析出する（還元過程）。このＣｕの析出によって陽極リード６と陰極リード７の間に短絡が起きるためには、陽極リード６の表面での酸化過程と陰極リード７の表面での還元過程の同時進行が必要であり、どちらか一方での反応を防止すれば、析出したＣｕが樹枝状に成長するデンドライトは発生しなくなり、短絡事故の問題は解消されることになる。
【０００８】
ここで、このイオンマグレーションを防止するために、例えば以下に示す文献に示されたリードフレーム及びそれを用いた半導体装置並びにその製造方法が提案されている。
特許文献１に示されるリードフレーム及びそれを用いた半導体装置並びにその製造方法では、図１３（ａ）〜図１３（ｅ）に示すようにリード１１の途中を屈曲させて凹状または凸状に形成した屈曲部３を設け、屈曲部３の位置は隣接するリード１１ａ，１１ｂ間で交互になるように配置し、屈曲部３の位置に合わせて２本の固定用テープ２ａ，２ｂを平行に貼り渡してリードを固定する。リード１１ａ，１１ｂは屈曲部において固定用テープ２ａ，２ｂと離間しているため、リード１１は一本おきに同じ固定用テープ２ａ，２ｂと接着することになり、隣接リード１１が同一接着剤層を介して接続されないようにしている。その結果、金属析出の原因である酸化過程、還元過程の一方が防止されることによって、リード１１ａ，１１ｂ間に金属が析出されない。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００２−３４３９２１
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし以上の特許文献１に示すリードフレーム１及びそれを用いた半導体装置並びにその製造方法では、以下の各種問題があった。
まずテーピングが必要とされる多ピンリードフレーム１ではリード１１ａ，１１ｂが長くかつ細く、またリード１１ａ，１１ｂ相互間の隙間も狭い。係るリード１１ａ，１１ｂを変形させずに所要の凹凸部を設けることは実際には容易ではない。
また、半導体チップに対しリード１１ａ，１１ｂの一端を固定するボンディング時にはヒータブロックによってリードフレーム１の下面を押さえて、ボンディングが効率よく行われる様にする必要があり、リード１１ａ，１１ｂに凸部がある場合にはその凸部に当接する部分のヒータブロックに逃がし加工を施す必要があり、ヒータブロックの共用性が低下する。
さらに２本の固定用テープ２ａ，２ｂが不可欠であり、テーピング加工費が嵩むだけでなく、少なくとも一方のテープによるボンディング時のリード押さえ位置は他方のテープによるリード押さえ位置よりもボンディング部から遠くなり、一方のテープによるボンディング時のリード押さえが不十分となるなどの製造技術上の問題や製造コストの問題をかかえている。
【００１１】
本発明は以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであって、リードにテーピングを施したＣｕ製のリードフレームを使用し、このリードフレームに樹脂モールドを行ってパッケージを形成した後、リードに電圧を印加した際に発生するＣｕのマイグレーションによるリード間の短絡事故を簡易に低コストに低減することができ、樹脂モールド半導体装置の信頼性を高めることができるテーピングリードフレーム及びそれを用いた樹脂モールド半導体装置並びにその樹脂モールド半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明のテーピングリードフレームは、半導体チップを搭載し樹脂封止を行うリードフレームの複数のリードに、絶縁テープに接着剤が塗布された固定用テープを貼り付けてリードを固定した構造のテーピングリードフレームであって、リードの側縁と固定用テープの側縁とが実質的に直交する様にリードに対して固定用テープが貼り付けられてなることを特徴とする。
【００１３】
以上の本発明のテーピングリードフレームによれば、リードの側縁と固定用テープの側縁とが実質的に直交するよう配置されるので、電気力線が集中することに起因するデンドライトの異常成長を、負極をなすリードの側縁部へのＣｕイオンの移動量分布を均一化することによって抑制することができる。
【００１４】
さらに本発明のテーピングリードフレームは、半導体チップを搭載し樹脂封止を行うリードフレームの複数のリードに、絶縁テープに接着剤が塗布された固定用テープを貼り付けてリードを固定した構造のテーピングリードフレームであって、リードに切り欠き部を設け、この切り欠き部に固定用テープの側縁が位置する様にリードに固定用テープを貼り付けて成ることを特徴とする。
【００１５】
以上の本発明に係るテーピングリードフレームによれば、リードに切り欠き部を設け、その切り欠き部の内側に固定用テープの側縁が位置するようにしたことで、リード側縁と固定用テープの側縁との交差領域におけるリード相互間の間隔を部分的に拡大すると共に局部的な電界の集中が起こらないようにＣｕイオンの到達を分散してデンドライトの発生を抑制し、長期間に亘り高い信頼性を確保することができる。
【００１６】
さらに本発明のテーピングリードフレームは、  半導体チップを搭載し樹脂封止を行うリードフレームの複数のリードに、絶縁テープに接着剤が塗布された固定用テープを貼り付けてリードを固定した構造のテーピングリードフレームであって、リードにエンボス加工を施してなるエンボス部を設け、このエンボス部に固定用テープの側縁が位置する様にリードに固定用テープを貼り付けて成ることを特徴とする。
【００１７】
以上の本発明に係るテーピングリードフレームによれば、リードにエンボス加工を施してなるエンボス部を設け、このエンボス部に固定用テープの側縁が位置するように固定用テープが貼り付けられるのでエンボス加工によって加えられる塑性変形によって切り欠き部を形成する場合と同様にリード側縁と固定用テープの側縁との交差領域におけるリード相互間の間隔を部分的に拡大することができ、しかも、リード側縁と固定用テープの側縁との交差領域におけるリードの潰しの塑性加工による剛性の向上を期待することができる。
【００１８】
さらに本発明の樹脂モールド半導体装置は、半導体チップを封止するためのリードフレームのリードに対して、絶縁テープが所定の接着剤を介して接着された固定用テープを貼り付けたテーピングフレーム構造を有する半導体装置であって、少なくとも隣接リード間に電位差が生じる前記リードの側縁と固定用テープの側縁とが実質的に直交する様にリードに対して固定用テープが貼り付けられてなることを特徴とする。
【００１９】
以上の本発明の樹脂モールド半導体装置によれば、リードの側縁と固定用テープの側縁とが実質的に直交するよう配置されるので、電気力線が集中することに起因するデンドライトの異常成長を、負極をなすリードの側縁部へのＣｕイオンの移動量分布を均一化することによって抑制し、長期間に亘り高い信頼性を確保することができる。
【００２０】
さらに本発明の樹脂モールド半導体装置は、半導体チップを封止するためのリードフレームのリードに対して、絶縁テープが所定の接着剤を介して接着された固定用テープを貼り付けたテーピングフレーム構造を有する半導体装置であって、前記リードに切り欠き部を設け、この切り欠き部に固定用テープの側縁が位置する様にリードに固定用テープを貼り付けて成ることを特徴とする。
【００２１】
以上の本発明に樹脂モールド半導体装置によれば、リードに切り欠き部を設け、その切り欠き部の内側に固定用テープの側縁が位置するようにしたことで、リード側縁と固定用テープの側縁との交差領域におけるリード相互間の間隔を部分的に拡大すると共に局部的な電界の集中が起こらないようにＣｕイオンの到達を分散してデンドライトの発生を抑制し、長期間に亘り高い信頼性を確保することができる。
【００２２】
さらに本発明の樹脂モールド半導体装置は、半導体チップを封止するためのリードフレームのリードに対して、絶縁テープが所定の接着剤を介して接着された固定用テープを貼り付けたテーピングフレーム構造を有する半導体装置であって、前記リードにエンボス加工を施してなるエンボス部を設け、このエンボス部に固定用テープの側縁が位置する様にリードに固定用テープを貼り付けて成ることを特徴とする。
【００２３】
以上の本発明に係る樹脂モールド半導体装置によれば、リードにエンボス加工を施してなるエンボス部を設け、このエンボス部に固定用テープの側縁が位置するように固定用テープが貼り付けられるのでエンボス加工によって加えられる塑性変形によって切り欠き部を形成する場合と同様にリード側縁と固定用テープの側縁との交差領域におけるリード相互間の間隔を部分的に拡大することができ、しかも、切り欠きを行う場合に比しリード側縁と固定用テープの側縁との交差領域におけるリードの潰しの塑性加工による剛性の向上を期待することができ、長期間に亘り高い信頼性を確保することができる。
【００２４】
さらに本発明の樹脂モールド半導体装置の製造方法は、半導体チップを搭載し樹脂モールドを行うリードフレームの複数のリードに、絶縁テープに接着剤が塗布された固定用テープを貼り付けてリードを固定し、このリードフレームを用いた樹脂モールド半導体装置の製造方法であって、少なくとも隣接リード間に電位差が生じるリードの側縁と固定用テープの側縁とが実質的に直交する様に固定用テープをリードに貼り付け、このリードフレームを用いて樹脂モールドを行うことを特徴とする。
【００２５】
以上の本発明の樹脂モールド半導体装置の製造方法によれば、リードの側縁と固定用テープの側縁とが実質的に直交するよう配置して樹脂モールド半導体装置を製造するので、電気力線が集中することに起因するデンドライトの異常成長を、負極をなすリードの側縁部へのＣｕイオンの移動量分布を均一化することによって抑制した信頼性の高い樹脂モールド半導体装置を効率よく製造することができる。
【００２６】
さらに本発明の樹脂モールド半導体装置の製造方法は、半導体チップを搭載し樹脂モールドを行うリードフレームの複数のリードに、絶縁テープに接着剤が塗布された固定用テープを貼り付けてリードを固定し、このリードフレームを用いた樹脂モールド半導体装置の製造方法であって、リードに切り欠き部を設け、この切り欠き部に固定用テープの側縁が位置する様に固定用テープをリードに貼り付け、このリードフレームを用いて樹脂モールドを行うことを特徴とする。
【００２７】
以上の本発明に樹脂モールド半導体装置によれば、リードに切り欠き部を設け、その切り欠き部の内側に固定用テープの側縁が位置するようにして樹脂モールド半導体装置を製造するので、リード側縁と固定用テープの側縁との交差領域におけるリード相互間の間隔を部分的に拡大すると共に局部的な電界の集中が起こらないようにＣｕイオンの到達を分散してデンドライトの発生を抑制した信頼性の高い樹脂モールド半導体装置を効率よく製造することができる。
【００２８】
さらに本発明の樹脂モールド半導体装置の製造方法は、半導体チップを搭載し樹脂モールドを行うリードフレームの複数のリードに、絶縁テープに接着剤が塗布された固定用テープを貼り付けてリードを固定し、このリードフレームを用いた樹脂モールド半導体装置の製造方法であって、リードにエンボス加工を施してなるエンボス部を設け、このエンボス部に固定用テープの側縁が位置する様にリードに固定用テープを貼り付け、このリードフレームを用いて樹脂モールドを行うことを特徴とする。
【００２９】
以上の本発明に係る樹脂モールド半導体装置の製造方法によれば、リードにエンボス加工を施してなるエンボス部を設け、このエンボス部に固定用テープの側縁が位置するように固定用テープを貼り付けるので、エンボス加工によって加えられる塑性変形によってリード側縁と固定用テープの側縁との交差領域におけるリード相互間の間隔を部分的に拡大することができ、しかも、リード側縁と固定用テープの側縁との交差領域におけるリードの剛性を潰しの塑性加工により向上させて、信頼性の高い樹脂モールド半導体装置を効率よく製造することができる。
【００３０】
【作用】
テーピングリードフレームにおけるＣｕイオンのマイグレーションは、リード間の電位差によって発生し、陽極をなすリードから溶出したＣｕイオンは、固定用テープの接着剤中を電位勾配にそって移動し、負極をなすリードへと到達する。この電位勾配は２電極間の最短経路をなすように構成される電気力線に従って形成されるので、隣接する２つのリードの対向する側縁部が平行である場合には、電気力線は平行なリード側縁に対して垂直に形成される。従って、これらの側縁に対してＣｕイオンは垂直方向に移動するということができる。
ここで、リードの側縁と固定用テープの側縁とが実質的に直交していない場合には、対向するリード間に配置される固定用テープの側縁とリード側縁とが交差する部分においてその交差角度が鈍角になる部分が形成される。この場合に、対向するそれぞれのリードにおけるリード側縁と固定用テープの接着剤との接着部についてみると、一方のリード側縁に対する垂直方向には他方のリードの接着部が対向していない領域を生じる。この場合に対向する電位差のあるリード側縁間に形成される電気力線はこの垂直には対向していない領域ではリード側縁に対する垂直方向には形成されず、固定用テープの側縁に沿うようにカーブしながら、前述の鈍角部の頂点をなすリード側縁部に集中するように形成される。即ち、対向する隣接リ−ドが陽極であり負極リ−ドとのなす角が鈍角部の頂点では電気力線の集中が発生する。従って、係る鈍角の頂点部には多数のＣｕイオンが移動することとなり、この領域で特異的にデンドライトが成長するという現象が認められる。
【００３１】
そこで、本願の発明に係るテーピングリードフレームでは、リードの側縁と固定用テープの側縁とが実質的に直交するよう配置するので、電気力線が集中する部分が形成されず、負極をなすリードの側縁部へのＣｕイオンの移動量分布を均一化することができる。すなわちこの様に電気力線の集中が発生しにくい構成を備えることでＣｕイオンが負極をなすリードの側縁の特定箇所に集中して到達しデンドライトが異常成長する現象を抑制することができる。
このように、一方、負極をなすリードの側縁部へのＣｕイオンの移動速度については、リード間の電界を考慮することで制御することができる。
Ｃｕイオンのマイグレーションによる破壊時間すなわちリード間短絡までの時間と電界との関係は、縦軸に時間の対数をとり、横軸に電界強度の対数をとると、ほぼ直線的な関係が得られ、その経験式は以下のように表される。
ｔｒ  ＝  ｋｅ  Ｅ−ｎここで、ｔｒ  は破壊時間（ｈ）、ｋｅ  およびｎは定数、Ｅは電界（Ｖ／ｍｍ）である。この式は、リード間の電界を低下することで破壊時間を延長することが可能であることを示しており、リード間の電界の低下は、リード間の電位差を低下させるか、若しくはリード間の距離を長くすることによって達成される。しかし、リード間の電位差を管理して低下させることは半導体装置の使用目的からして限界がある。
【００３２】
そこで、本発明に係るテーピングリードフレームでは、リードに切り欠きを設け、リードフレーム間の距離の拡大を図ることによって負極をなすリードの側縁部へのＣｕイオンの移動速度を制御することとした。ただし、リードに切り欠きを設けることはリードの局所的な機械強度に関して影響を生じる。したがって本発明では、切り欠きを設けることによって生じる切り欠き面積を必要最小限の範囲とするために切り欠き部の内側に固定用テープの側縁を位置させることとした。このような構成とすることで、固定用テープとリードとの側縁部が固定用テープの接着剤側になす角が鈍角になって電気力線の集中が発生しやすい状況が発生しても、この鈍角の頂点をなす部分に切り欠きが有るため、切り欠きがない領域に比しこの領域ではリード間距離が相対的に大きい。このためその切り欠き領域での電界は局所的に低くなり、係る鈍角の頂点へと集中するように移動するＣｕイオンの移動速度は相対的に低下する。また、切り欠き部が形成されることでリード側縁の縁面の面積が部分的に増加する。このため、鈍角の頂点部へと集中してきた電気力線は、リード側縁における増加した縁面に均一に到達するように拡散されて局部的な電界の集中の可能性が抑制される。従って、係る鈍角の頂点部へのＣｕイオンのリード側縁の縁面における単位面積当たりの到達量は相対的に低下し、リード側縁における局所的なデンドライト発生が抑制される。
以上のように、リードに切り欠き部を設け、その切り欠き部の内側に固定用テープの側縁を位置させるようにしたことでリード側縁と固定用テープの側縁との交差領域における電位差を有して対向するリード間の間隔の拡大がもたらされて、デンドライト発生の抑制が達成される。
また、係る観点に基づいて、リードに切り欠き部を設ける以外に、リード側縁にエンボス部を設け、このエンボス部に固定用テープの側縁が位置するように固定用テープが貼り付けられる構成をテーピングリードフレームが備えていてもよい。
この場合には、エンボス加工によって生じる塑性変形によって切り欠き部と同様の機能を備えるエンボス部が形成され、このエンボス部によって電位差を有して対向するリード間の間隔の拡大と接着部のリード側縁の縁面の面積拡大が可能となる。さらに、切り欠き部のようにリードの部分削除を行っていないのでリードは体積が実質的に変化せず、潰しの塑性加工によってリードの機械強度が向上される。
【００３３】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。
図１〜図３は本発明の実施の形態のリードフレームの構造を説明する模式図である。
図１〜図３に示すように、リードフレーム１は、半導体素子（図示せず）を載置するアイランド１３と、そのアイランド１３から放射状に外方に向かって延設された複数のインナーリード１１（以下、これら複数のインナーリードをインナーリード部とする）とからなる。インナーリード部は、前記アイランド１３と共に封止樹脂（図示せず）によって封止される領域である。また、前記アイランド１３に対してインナーリード１１の最近端部分は、半導体素子の表面に形成された電極に対してワイヤボンディングされる領域である。さらに、ボンディングやハンドリング等、樹脂封入前の工程時において、ぶれや曲がりを防ぐための固定用テープ２が接着剤５でインナーリード１１に固定されている。
【００３４】
本実施の形態のリードフレーム１では図１及び図２に示すように、固定用テープ２の平面形状が弧状にされてなる。その結果、半導体チップを搭載し樹脂封止を行うリードフレーム１の複数のリード１１に、絶縁テープに接着剤が塗布された固定用テープ２を貼り付けてリード１１を固定した構造のリードフレーム１にあって、リード１１の側縁１１ｅと固定用テープ２の側縁２ｅとが実質的に直交する様にリード１１に対して固定用テープ２が貼り付けられる。
【００３５】
さらに図３（ａ）（ｂ）に示す実施の形態のリードフレーム１ではリードフレーム１１に固定用テープ２との接着部が屈曲されてなる屈曲部１１ｄが形成される。その様に屈曲部１１ｄを介してリード１１に固定用テープ２を貼り付けてリード１１を固定する結果、本実施の形態のリードフレーム１にあっても、リード１１の側縁１１ｅと固定用テープ２の側縁２ｅとが実質的に直交する様にリード１１に対して固定用テープ２が貼り付けられる。
以上の各実施の形態のように、リード１１の側縁１１ｅと固定用テープ２の側縁２ｅとが実質的に直交する様にリード１１に対して固定用テープ２が貼り付けられる結果、電気力線が集中する部分が形成されにくく、電位差を有して陽極をなすリード１１から溶出したＣｕイオンが負極をなすリード１１の側縁１１ａの特定箇所に集中して到達する現象が発生することを防止し、到達部の分布を均一化することができデンドライトの成長を抑制することができる。
【００３６】
ここで、図３（ｃ）に示すようにリード１１の側縁１１ｅと固定用テープ２の側縁２ｅとが実質的に直交していない場合には、対向するリード１１間に配置される固定用テープ２の接着剤において、リード１１側縁１１ｅと固定用テープ２の側縁２ｅとがなす角Ａは鈍角になり、この場合には、それぞれのリード１１におけるリード１１側縁と固定用テープ２の接着剤との接着部は、電位差を有する一方のリード１１側縁の垂直方向Ｂには他方のリード１１の固定用テープ２の接着剤との接着部が対向していない部分Ｃを生じることとなる。このため、この場合に２つのリード１１側縁間に形成される電気力線はこの垂直には対向していない部分Ｃではリード１１側縁に対して垂直には形成されず、固定用テープ２の側縁２ｅに沿うようにカーブしながら、前述の鈍角部Ａの頂点をなすリード１１側縁部に集中するように形成される。即ち、鈍角部Ａの頂点をなすリード１１側縁部では電気力線の集中が発生する。従って、係る鈍角部Ａの頂点部には多数のＣｕイオンが移動することとなり、この領域で特異的にデンドライトが成長する。
【００３７】
これに対し前述したように本発明の各実施の形態のリードフレーム１では、リード１１の側縁１１ｅと固定用テープ２の側縁２ｅとが実質的に直交する様にリード１１に対して固定用テープ２が貼り付けられる結果、電位差を有するリード１１間に生じる電気力線が一方のリード１１の側縁から他方のリード１１の側縁に垂直に入射するようにすることができ、電気力線が集中する部分が形成されることを防止して、リード１１から溶出したＣｕイオンの対向するリード１１における到達部の分布を均一化することができデンドライトの成長を抑制することができる。
なお、以上の各実施の形態に示した本発明のリードフレーム１ではリード１１の側縁１１ｅと固定用テープ２の側縁２ｅとが実質的に直交する様にリード１１に対して固定用テープ２を貼り付ける場合の「直交」は必ずしも厳格に９０度であるとは限らない。例えば、用いられる接着剤等との関係で１０５〜７５度程度でも同様な目的でリード１１の側縁１１ｅと固定用テープ２の側縁２ｅとの交差角が設定される場合は「実質的に直交」であるということができる。したがってここに言う「実質的に直交」は１０５〜７５度程度ということができる。
【００３８】
図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の他の実施の形態のリードフレーム１の構造を説明する模式図である。図４（ａ）はリードフレーム１の一部を示す平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ´方向の断面図、図４（ｃ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ´方向の断面図である。なお図４に示す各リード１１のうちで、真中のリ−ド１１ｂが負極であり、左右のリ−ド１１ａ、１１ｃが陽極である。
【００３９】
図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、各リード１１にはリードの途中の一部を半円形状あるいはコの字状に切り欠いて形成した切り欠き部８が設けられている。図４では半円形の凹部を示している。また、切り欠き部８を設ける位置は、図４に示すように、切り欠き部８内側８ｉに固定用テープ２の側縁２ｅが位置する様にリード１１に固定用テープ２を貼り付けることができる位置である。
すなわち各リード１１の一側に設けられる一対の切り欠き部８ａ、８ｂはその間隔が固定用テープ２の幅ｗとほぼ同一にされる。なおここで切り欠き部８内側８ｉとは図４（ａ）、（ｂ）に示すように切り欠き部８の開口部８ｉｙと切り欠き部８の縁部８ｉｘによって囲まれた領域である。
さらに詳細には切り欠き部８ａの内側中心部領域８ａ１と切り欠き部８ｂの内側中心部領域８ｂ１との間隔が固定用テープ２の幅ｗとほぼ一致するように設定される。一方、各リード１１の他側に設けられる他の一対の切り欠き部８ｃ、８ｄもその間隔が固定用テープ２の幅ｗとほぼ同一にされ、さらに詳細には切り欠き部８ｃの内側中心部領域８ｃ１と切り欠き部８ｄの内側中心部領域８ｄ１との間隔が固定用テープ２の幅ｗとほぼ一致するように設定される。
【００４０】
さらに各リード１１の一側に設けられる切り欠き部８ａとその他側に設けられる切り欠き部８ｃとはほぼ対向する位置関係で設けられる。同様に各リード１１の一側に設けられる切り欠き部８ｂとその他側に設けられる切り欠き部８ｄとはほぼ対向する位置関係で設けられる。
したがって、切り欠き部８ａ〜切り欠き部８ｄは平行四辺形Ｆを想定した場合に、そのほぼ４頂点に配置される位置関係を持つ。
この様な位置関係で切り欠き部８ａ〜切り欠き部８ｄが形成される結果、各リード１１に対して固定用テープ２を貼り付ける場合に、切り欠き部８ａ〜切り欠き部８ｄ内側の中心部領域８ａ１、８ｂ１、８ｃ１、８ｄ１に固定用テープ２の側縁２ｅが位置する様に各リード１１に対して固定用テープ２を貼り付けることができる。
【００４１】
以上の場合に、リード１１ａの切り欠き部８ａ〜切り欠き部８ｄが設けられる位置とリード１１ｂに切り欠き部８ａ〜切り欠き部８ｄが設けられる位置とは、リード１１ａの切り欠き部８ａ〜切り欠き部８ｄ内側の中心部領域８ａ１、８ｂ１、８ｃ１、８ｄ１に固定用テープ２の側縁２ｅが位置する様にリード１１ａに対して固定用テープ２を貼り付けると共にリード１１ｂの切り欠き部８ａ〜切り欠き部８ｄ内側の中心部領域８ａ１、８ｂ１、８ｃ１、８ｄ１に固定用テープ２の側縁２ｅが位置する様にリード１１ｂに対して固定用テープ２を貼り付けることができる位置関係とされる。
換言すれば、リード１１ａの一側に設けられる切り欠き部８ａの内側中心部領域８ａ１と他側に設けられる切り欠き部８ｃの内側中心部領域８ｃ１及びリード１１ｂの一側に設けられる切り欠き部８ａの内側中心部領域８ａ１と他側に設けられる切り欠き部８ｃの内側中心部領域８ｃ１とを結ぶ直線Ｇを想定した場合に、その直線と固定用テープ２の側縁は実質的に平行する若しくはその直線Ｇに沿って固定用テープ２の側縁２ｅが位置する関係となる相互の位置関係で、リード１１ａの切り欠き部８ａ、８ｃとリード１１ｂの切り欠き部８ａ、８ｃが設けられる。同様にリード１１ａの一側に設けられる切り欠き部８ｂの内側中心部領域８ｂ１と他側に設けられる切り欠き部８ｄの内側中心部領域８ｄ１及びリード１１ｂの一側に設けられる切り欠き部８ｂの内側中心部領域８ｂ１と他側に設けられる切り欠き部８ｄの内側中心部領域８ｄ１とを結ぶ直線Ｈを想定した場合に、その直線Ｈと固定用テープ２の側縁２ｅとは実質的に平行する若しくはその直線Ｈに沿って固定用テープ２の側縁２ｅが位置する関係となる相互の位置関係で、リード１１ａの切り欠き部８ｂ、８ｄとリード１１ｂの切り欠き部８ｂ、８ｄが設けられる。
【００４２】
以上の実施の形態のテーピングリードフレーム１では、リード１１ａに切り欠き部８ａ〜切り欠き部８ｄを設け、リード１１ａの切り欠き部８ａ〜切り欠き部８ｄ内側の中心部領域８ａ１、８ｂ１、８ｃ１、８ｄ１に固定用テープ２の側縁２ｅが位置する様にリード１１ａに対して固定用テープ２を貼り付けると共にリード１１ｂの切り欠き部８ａ〜切り欠き部８ｄ内側の中心部領域８ａ１、８ｂ１、８ｃ１、８ｄ１に固定用テープ２の側縁２ｅが位置する様にリード１１ｂに対して固定用テープ２を貼り付ける様にしたことで、リード１１ａ及びリード１１ｂ間の電気力線の集中が発生しやすい領域Ａにおける実質的な距離の拡大が図られている。これにより固定用テープ２とリード１１との側縁部が固定用テープ２の接着剤側になす角、すなわち領域Ａのなす角度が鈍角になって電気力線の集中が発生しやすい状況が発生しても、この鈍角の頂点をなす部分に切り欠き部８ａ〜切り欠き部８ｄが有るため、この領域ではリード１１相互間の距離が相対的に大きく、その領域Ａでの電界が局所的に低くなり、係る鈍角の頂点へと集中するように移動するＣｕイオンの移動速度は相対的に低下する。また、切り欠き部８ａ〜切り欠き部８ｄが形成されることでリード１１側縁の縁面の面積が部分的に増加する。このため、鈍角Ａの頂点部へと集中してきた電気力線は、リード１１側縁に到達直前に、増加したリード側縁の縁面に均一に到達するように拡散される。従って、係る鈍角Ａの頂点部へのＣｕイオンの単位面積当たりの到達量は相対的に低下し、局所的なデンドライト発生が抑制される。
以上のように、リード１１が所定の位置に切り欠き部８ａ〜切り欠き部８ｄを有することで、リード１１側縁と固定用テープ２の側縁との交差領域におけるリード１１相互間の実質的な距離拡大、及びリード１１側縁の縁面の面積拡大がもたらされて、デンドライト発生の抑制が達成される。
【００４３】
図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の他の実施の形態のリードフレームを示す。この実施の形態では図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）における切り欠き部８ａ〜切り欠き部８ｄに代わりリード１１にエンボス加工を施してなるエンボス部９ａ〜エンボス部９ｄを設け、このエンボス部９ａ〜エンボス部９ｄに固定用テープ２の側縁２ｅが位置する様にリード１１に固定用テープ２を貼り付けて成る。図５に示す各リード１１のうちで、真中のリ−ド１１ｂが負極であり、左右のリ−ド１１ａ、１１ｃが陽極である。
この実施の形態のテーピングリードフレーム１でも、リード１１ａにエンボス部９ａ〜エンボス部９ｄを設け、リード１１ａのエンボス部９ａ〜エンボス部９ｄ内側９ｉの中心部領域９ａ１、９ｂ１、９ｃ１、９ｄ１に固定用テープ２の側縁２ｅが位置する様にリード１１ａに対して固定用テープ２を貼り付けると共にリード１１ｂのエンボス部９ａ〜エンボス部９ｄ内側９ｉの中心部領域９ａ１、９ｂ１、９ｃ１、９ｄ１に固定用テープ２の側縁２ｅが位置する様にリード１１ｂに対して固定用テープ２を貼り付ける様にしたことで、リード１１ａ及びリード１１ｂ間の電気力線の集中が発生しやすい領域Ａにおける実質的な距離の拡大が図られている。これにより固定用テープ２とリード１１との側縁部が固定用テープ２の接着剤側になす角、すなわち領域Ａのなす角度が鈍角になって電気力線の集中が発生しやすい状況が発生しても、この鈍角の頂点をなす部分にエンボス部９ａ〜エンボス部９ｄが有るため、この領域ではリード１１間距離が相対的に大きく、その領域Ａでの電界が局所的に低くなり、係る鈍角の頂点へと集中するように移動するＣｕイオンの移動速度は相対的に低下する。また、エンボス部９ａ〜エンボス部９ｄが形成されることでリード１１側縁の縁面の面積が部分的に増加する。このため、鈍角Ａの頂点部へと集中してきた電気力線は、リード１１側縁に到達直前に、増加したリード側縁の縁面に均一に到達するように拡散される。従って、係る鈍角Ａの頂点部へのＣｕイオンの単位面積当たりの到達量は相対的に低下し、局所的なデンドライト発生が抑制される。特にこの実施の形態のリードフレームでは、塑性変形によって形成されるエンボス部によって切り欠き部と同様の作用がもたらされ、上記のリード間距離拡大とリード側縁の縁面の面積拡大とが達成され、しかも切り欠き部を形成する場合のようにリードの部分削除を行っていないのでリードは体積が実質的に変化せず、その点でこの実施の形態におけるエンボス部９ａ〜エンボス部９ｄを設ける態様は切り欠き部を設ける態様よりも望ましい形態であるということができる。なおここで切り欠き部９内側９ｉとは図５（ａ）、（ｂ）に示すように切り欠き部９の開口部９ｉｙと切り欠き部９の縁部９ｉｘによって囲まれた領域である。
【００４４】
図６は図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示した実施の形態のリードフレーム１と同様に各リード１１に切り欠き部８を設ける実施の形態を示す。図６に示す各リード１１のうちで、真中のリ−ド１１ｂが負極であり、左右のリ−ド１１ａ、１１ｃが陽極である。この実施の形態では図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示した実施の形態とは異なり各リード１１にはリードの途中の一部を頂部を有する三角形状に切り欠いた切り欠き部８が形成される。この様に切り欠き部８を三角形状に切り欠いて形成する場合には、固定用テープ２とリード１１との側縁部が固定用テープ２の接着剤側になす角、すなわち領域Ａのなす角度は確実に鋭角となり、かつリード１１ａ及びリード１１ｂ間の電気力線の集中が発生しやすい領域における実質的な間隔を図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す実施の形態よりも大きくすることができる。
【００４５】
図７は図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示した実施の形態のリードフレーム１と同様に各リード１１に切り欠き部８を設ける実施の形態を示す。図７に示す各リード１１のうちで、真中のリ−ド１１ｂが負極であり、左右のリ−ド１１ａ、１１ｃが陽極である。この実施の形態では図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示した実施の形態のリードフレーム１とは異なり各リード１１にはリードの途中の一部を長方形状に切り欠いた切り欠き部８が形成される。この実施の形態では切り欠き部８が長方形状に切り欠いて形成されるので、この切り欠き部８ａ〜切り欠き部８ｄ内側の中心部領域８ａ１、８ｂ１、８ｃ１、８ｄ１に固定用テープ２の側縁２ｅが位置する様にリード１１ａに対して固定用テープ２を貼り付ける際に前記各実施例の場合に比較してより簡便に効率よく固定用テープ２の貼り付けを行うことができる。
【００４６】
図８は図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示した実施の形態のリードフレーム１と同様に各リード１１に切り欠き部８を設ける実施の形態を示す。図８に示す各リード１１のうちで、真中のリ−ド１１ｂが負極であり、左右のリ−ド１１ａ、１１ｃが陽極である。この実施の形態ではリード１１と固定用テープ２との交差部間全体に亘って間隔を確保することを目的として、交差部間全体に亘る切り欠き部８が形成される。この実施の形態では交差部間全体に亘る切り欠き部８を有するので交差部間全体に亘ってリード１１ａ及びリード１１ｂ間の距離を大きくして、デンドライトの発生を抑制することができ、しかも前記各実施例の場合に比較してより簡便に効率よく固定用テープ２の貼り付けを行うことができる。
【００４７】
図９（ａ）は図４に示した実施の形態のリードフレーム１と同様に各リード１１に切り欠き部８を設けるにあたり各リード１１にはリードの途中の一部を頂部を有する三角形状に切り欠いた切り欠き部８を形成し、さらにその切り欠き部８は一の壁面が、固定用テープ２の側縁２ｅと実質的に直交する様に形成された実施の形態を示す。リード１１の側縁１１ｅを構成する切り欠き部８の一の壁面と固定用テープ２の側縁２ｅとが実質的に直交する様にリード１１に対して固定用テープ２が貼り付けられる。この様に切り欠き部８を形成する場合には、固定用テープ２とリード１１との側縁部が固定用テープ２の接着剤側になす角、すなわち領域Ａは実質的に直角となり、リード１１ａ及びリード１１ｂ間の電気力線の集中が発生しない。
【００４８】
さらに図９（ｂ）は図３（ａ）（ｂ）に示す実施の形態のリードフレーム１における屈曲部１１ｄの他の態様を示し、本実施の形態ではリード１１と固定用テープとの交差領域が波状にされて、リード１１の側縁１１ｅと固定用テープ２の側縁２ｅとが交差する部分に屈曲部１１ｄが形成されて、リード１１の側縁１１ｅと固定用テープ２の側縁２ｅとが実質的に直交する様にリード１１に対して固定用テープ２が貼り付けられる。本実施の形態でもリード１１の側縁１１ｅと固定用テープ２の側縁２ｅとが実質的に直交する様にリード１１に対して固定用テープ２が貼り付けられる結果、電気力線が集中する部分が形成されにくく、電位差を有して陽極をなすリード１１から溶出したＣｕイオンが負極をなすリード１１の側縁１１ａの特定箇所に集中して到達する現象が発生することを防止し、到達部の分布を均一化することができデンドライトの成長を抑制することができる。
なお図９に示す各リード１１のうちで、真中のリ−ド１１ｂが負極であり、左右のリ−ド１１ａ、１１ｃが陽極である。
【００４９】
次に本発明の実施の形態の樹脂モールド半導体装置について説明する。
図１０に示すようにこの本発明の実施の形態の樹脂モールド半導体装置１００は、半導体チップ１０をリードフレーム１に搭載、接合し、ボンディングワイヤ１０７によって電気的接続をとり、モールド樹脂１０８によって封止してなる。
半導体チップ１０は上面にゲート電極１１０を有し、底面にドレイン電極（図示せず）を有する。リードフレーム１は、パッケージの相対する２つの側部に突設されるリード１１を備えてパッケージ内部において一体形成されており、それによりアイランド１３が構成される。半導体チップ１０はアイランド１３にダイボンド材９を介して接着され、そのドレイン電極（図示せず）がアイランド１３に電気的に接続される。半導体チップ１０の上面上のゲート電極１１０とリードフレーム１のゲート端子とはボンディングワイヤ１０７により接続される。半導体チップ１０、インナーリード及びボンディングワイヤ１０７は、リード１１を固定用テープ２によって固定した状態でモールド樹脂１０８によって封止され、パッケージングされる。
【００５０】
以上の半導体装置１００を半導体チップ１０をアイランド１３に搭載し樹脂モールドを行うリードフレーム１の複数のリード１１に、絶縁テープに接着剤５が塗布された固定用テープ２を貼り付けてリード１１を固定する。
【００５１】
その際、図１〜図３に示す本発明の実施の形態のリードフレームを用い隣接リード間に電位差が生じるリード１１の側縁と固定用テープ２の側縁とが実質的に直交する様に固定用テープ２をリード１１に貼り付け、このリードフレーム１を用いて樹脂モールドを行うことによって以上の本発明の半導体装置を得ることができる。
すなわち図１及び図２に示すように、半導体チップを搭載し樹脂封止を行うリードフレーム１の複数のリード１１に、絶縁テープに接着剤が塗布された固定用テープ２を貼り付けてリード１１を固定した構造のリードフレーム１にあって、リード１１の側縁１１ｅと固定用テープ２の側縁２ｅとが実質的に直交する様にリード１１に対して平面形状を弧状にした固定用テープ２を貼り付け、このリードフレーム１を用いて樹脂モールドを行うことによって本発明の半導体装置が構成される。
【００５２】
さらに図３（ａ）（ｂ）に示す様に固定用テープ２との接着部が屈曲されてなる屈曲部１１ｄを形成し、屈曲部１１ｄを介してリード１１に固定用テープ２を貼り付けてリード１１を固定してリード１１の側縁１１ｅと固定用テープ２の側縁２ｅとが実質的に直交する様にリード１１に対して固定用テープ２を貼り付けて、このリードフレーム１を用いて樹脂モールドを行うことによっても以上の本発明の半導体装置が構成される。
【００５３】
さらにリード１１に図４〜図９のいずれかに示す実施の形態の切り欠き部８を形成し、リード１１ａに切り欠き部８ａ〜切り欠き部８ｄを設け、リード１１ａの切り欠き部８ａ〜切り欠き部８ｄ内側の中心部領域８ａ１、８ｂ１、８ｃ１、８ｄ１に固定用テープ２の側縁２ｅが位置する様にリード１１ａに対して固定用テープ２を貼り付けると共にリード１１ｂの切り欠き部８ａ〜切り欠き部８ｄ内側の中心部領域８ａ１、８ｂ１、８ｃ１、８ｄ１に固定用テープ２の側縁２ｅが位置する様にリード１１ｂに対して固定用テープ２を貼り付ける様にして、このリードフレーム１を用いて樹脂モールドを行って本発明の樹脂モールド半導体装置となすことができる。係る樹脂モールド半導体装置によれば、リード１１ａ及びリード１１ｂ間の電気力線の集中が発生しやすい領域Ａにおける実質的な距離の拡大が図られることにより固定用テープ２とリード１１との側縁部が固定用テープ２の接着剤側になす角、すなわち領域Ａのなす角度が鈍角になって電気力線の集中が発生しやすい状況が発生しても、この領域ではリード１１相互間の距離が相対的に大きく、その領域Ａでの電界が局所的に低くなり、係る鈍角の頂点へと集中するように移動するＣｕイオンの移動速度は相対的に低下する。その結果、長期間に亘り安定して動作することが保証される。
【００５４】
【実施例】
本発明のリードフレーム１と、従来のリードフレーム１とを、それぞれエポキシ樹脂で封止して樹脂モールドパッケージ（以下、本発明品および従来品と呼ぶ）を作製し、両者のマイグレーション発生状況を比較するための加速試験を行った。
【００５５】
本発明品の樹脂モールドパッケージは図４に示すリード１１ａに切り欠き部８ａ〜切り欠き部８ｄを設け、リード１１ａの切り欠き部８ａ〜切り欠き部８ｄ内側の中心部領域８ａ１、８ｂ１、８ｃ１、８ｄ１に固定用テープ２の側縁２ｅが位置する様にリード１１ａに対して固定用テープ２を貼り付けると共にリード１１ｂの切り欠き部８ａ〜切り欠き部８ｄ内側の中心部領域８ａ１、８ｂ１、８ｃ１、８ｄ１に固定用テープ２の側縁２ｅが位置する様にリード１１ｂに対して固定用テープ２を貼り付ける様にし、このリードフレーム１を用いて樹脂モールドを行って製造した。
【００５６】
製造条件として、リード１１の幅と間隔は、ともに０．１ｍｍとした。切り欠き部８の寸法は、図４（ａ）のＢ−Ｂ´方向の最大長ｗを約０．９ｍｍ、図４（ａ）のＡ−Ａ´方向の最大長（最大深さ）ｓを約０．２ｍｍとした。また、固定用テープ２は、厚さが約５０μｍのポリイミドフィルムの片面に、ＮＢＲとフェノール樹脂との混合物を接着剤５として約２０μｍの膜厚で塗布したものである。この固定用テープ２の幅は１．５ｍｍであり、図４に示すように、切り欠き部８の位置に合わせて固定用テープ２を貼り渡し、リード１１ａ、１１ｂを固定した。
【００５７】
試験条件としては、本発明品、従来品ともに隣接する３本のリードを取り出し、そのうちの中央のリードを接地リードとし、両側のリードにそれぞれ同時に＋２０Ｖの直流電圧を印加して、相隣る接地リードとの間の短絡発生状況を調査した。その結果を図に示している。なお、ボンディングワイヤ１０７によって電気的接続をとった状態で１０Ｖ〜２０Ｖの電圧を印加するとチップ側でリ−クが発生し試験を実施できないことから本加速試験はボンディングワイヤ１０７を設けない状態で行なった。
以上の結果、従来品ではリード１１の側縁と固定用テープ２の側縁とが交差する部分にデンドライトの発生が認められた。しかし、本発明品ではデンドライトの析出伸長が１／７に抑制され、従来品と比べて大幅な改善が見られた。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のテーピングリードフレームによれば、リードの側縁と固定用テープの側縁とが実質的に直交するよう配置されるので、デンドライトの異常成長を、負極をなすリードの側縁部へのＣｕイオンの移動量分布を均一化することによって抑制することができる。
【００５９】
またリードに切り欠き部を設け、その切り欠き部の内側に固定用テープの側縁が位置するようにしたことで、デンドライトの発生を抑制することができる。
【００６０】
さらにエンボス部に固定用テープの側縁が位置するように固定用テープが貼り付けられるのでエンボス加工によって加えられる塑性変形によって簡便にデンドライトの発生を抑制し、またリードの潰しの塑性加工による剛性の向上も併せて期待することができる。
【００６１】
さらに本発明の樹脂モールド半導体装置は、長期間に亘り高い信頼性を確保することができ、また本発明の樹脂モールド半導体装置の製造方法は、デンドライトの発生がなくなって短絡事故を防止でき、信頼性の高い樹脂モールド半導体装置を効率よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態のリードフレームの構造を説明する模式図である。
【図２】図１に示す本発明の実施の形態のリードフレームの部分拡大図である。
【図３】図３（ａ）は本発明の実施の形態のリードフレームの構造を説明する模式図である。図３（ｂ）は図３（ａ）の部分拡大模式図である。図３（ｃ）は従来のリードフレームの部分拡大模式図である。
【図４】本発明の他の実施の形態のリードフレームの構造を説明する模式図である。図４（ａ）はリードフレームの一部を示す平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ´方向の断面図、図４（ｃ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ´方向の断面図である。
【図５】本発明の他の実施の形態のリードフレームの構造を説明する模式図である。図５（ａ）はリードフレームの一部を示す平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ´方向の断面図、図５（ｃ）は図５（ａ）のＢ−Ｂ´方向の断面図である。
【図６】本発明の他の実施の形態のリードフレームの構造を説明する模式図である。図６（ａ）はリードフレームの一部を示す平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ´方向の断面図、図６（ｃ）は図６（ａ）のＢ−Ｂ´方向の断面図である。
【図７】本発明の他の実施の形態のリードフレームの構造を説明する模式図である。図７（ａ）はリードフレームの一部を示す平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−Ａ´方向の断面図、図７（ｃ）は図７（ａ）のＢ−Ｂ´方向の断面図である。
【図８】本発明の他の実施の形態のリードフレームの構造を説明する模式図である。図８（ａ）はリードフレームの一部を示す平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ´方向の断面図、図８（ｃ）は図８（ａ）のＢ−Ｂ´方向の断面図である。
【図９】図９（ａ）は本発明の他の実施の形態のリードフレームの構造を説明する模式図である。図９（ｂ）は図３（ａ）（ｂ）に示す実施の形態の他の態様の実施の形態のリードフレームの模式図である。
【図１０】図１０は本発明の一実施の形態のリードフレームを用いて本発明の製造方法によって製造した本発明の実施の形態の半導体装置の断面模式図である。
【図１１】従来のリードフレームの接着形態を示す断面図である。
【図１２】Ｃｕのマイグレーションを説明するリードフレームの断面図である。
【図１３】従来のテーピングリードフレームを示す図で、同図（ａ）はリードフレームの一部分を示す上面図、同図（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）はそれぞれ同図（ａ）のＢ−Ｂ´、Ｃ−Ｃ´、Ｄ−Ｄ´、Ｅ−Ｅ´における断面図である。
【符号の説明】
１  リードフレーム
２、２ａ、２ｂ  固定用テープ
１１、１１ａ、１１ｂ  リード
８  切り欠き部
４  絶縁テープ
５  接着剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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