(57)【要約】【課題】載置台の熱抵抗の面内均一性を向上させること。【解決手段】載置台の製造方法は、吸着部と基台とを接着剤により接着する工程と、吸着部と基台とを接着する接着層の熱抵抗の面内分布を特定する工程と、特定した接着層の熱抵抗の面内分布に基づき、載置台の基板を載置する面内における熱抵抗のばらつきが低減するように吸着部の表面の加工条件を決定する工程と、決定した加工条件に基づき、吸着部の表面を加工する工程と、を有する。【選択図】図３
2022002284.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を静電吸着する吸着部と基台と接着した載置台の製造方法であって、
ａ）前記吸着部と前記基台とを接着する工程と、
ｂ）前記吸着部と前記基台とを接着する接着層の熱抵抗の面内分布を特定する工程と、
ｃ）特定した前記接着層の熱抵抗の面内分布に基づき、前記載置台の前記基板を載置する面内における熱抵抗のばらつきが低減するように前記吸着部の表面の加工条件を決定する工程と、
ｄ）決定した加工条件に基づき、前記吸着部の表面を加工する工程と、
を有する載置台の製造方法。
【請求項２】
前記工程ａ）の前に、前記吸着部及び前記基台の厚さの面内分布を測定する工程をさらに有し、
前記工程ｂ）は、
ｂ−１）前記吸着部と前記基台とを接着した前記載置台の厚さの面内分布を測定する工程と、
ｂ−２）測定した前記載置台の厚さの面内分布と、前記吸着部及び前記基台の厚さの面内分布とに基づき、前記接着層の厚さの面内分布を特定する工程と、
ｂ−３）特定した前記接着層の厚さの面内分布と前記接着層の厚さと熱抵抗の関係を示す熱抵抗データとに基づき、前記接着層の熱抵抗の面内分布を特定する工程と、を有する
請求項１に記載の載置台の製造方法。
【請求項３】
前記工程ｂ−２）は、対応する位置ごとに、測定した前記載置台の厚さから前記吸着部及び前記基台の厚さを減算することで、前記接着層の厚さの面内分布を特定する
請求項２に記載の載置台の製造方法。
【請求項４】
前記工程ｃ）は、前記接着層の熱抵抗が大きい領域については前記吸着部の表面に形成するドットのサイズが大きくまたは前記ドットが高密度となり、前記接着層の熱抵抗が小さい領域については前記ドットのサイズが小さくまたは前記ドットが低密度となるように、前記加工条件を決定する
請求項１〜３の何れか１つに記載の載置台の製造方法。
【請求項５】
前記工程ｃ）は、前記載置台の面内における熱抵抗がいずれも所定の許容範囲内となるように前記吸着部の表面の加工条件を決定する
請求項１〜４の何れか１つに記載の載置台の製造方法。
【請求項６】
基板を静電吸着する吸着部と、
基台と、
前記吸着部と前記基台とを接着する接着層と、
を備え、
前記接着層は、熱抵抗が異なる複数の領域を有し、
前記吸着部は、前記複数の領域に対応して、異なる表面形状を有する
載置台。
【請求項７】
前記吸着部は、前記複数の領域のうち、熱抵抗が大きい領域については前記吸着部の表面に形成するドットのサイズが大きくまたは前記ドットが高密度であり、熱抵抗が小さい領域については前記ドットのサイズが小さくまたは前記ドットが低密度である
請求項６に記載の載置台。
【請求項８】
請求項６又は請求項７に記載の載置台
を有する基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、載置台の製造方法、載置台、及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、熱交換媒体の流路を有する電極ブロック上に、静電吸着層を接着する構成とした載置台を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１６２６１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、載置台の熱抵抗の面内均一性を向上させる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様による載置台の製造方法は、基板を静電吸着する平板状の吸着部と平板状の基台と接着した載置台の製造方法である。載置台の製造方法は、吸着部と基台とを接着剤により接着する工程と、吸着部と基台とを接着する接着層の熱抵抗の面内分布を特定する工程と、特定した接着層の熱抵抗の面内分布に基づき、載置台の基板を載置する面内における熱抵抗のばらつきが低減するように吸着部の表面の加工条件を決定する工程と、決定した加工条件に基づき、吸着部の表面を加工する工程と、を有する。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、載置台の熱抵抗の面内均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、実施形態に係る基板処理装置の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、実施形態に係る載置台の構成の一例を示す概略断面図である。
【図３】図３は、実施形態に係る載置台の製造方法の流れの一例を示すフローチャートである。
【図４】図４は、実施形態に係る静電チャック及び基台の厚さの面内分布の一例を示す図である。
【図５】図５は、実施形態に係る載置台の厚さの面内分布の一例を示す図である。
【図６】図６は、実施形態に係る載置台の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本願の開示する載置台の製造方法、載置台、及び基板処理装置の実施形態について詳細に説明する。なお、本実施形態により、開示する載置台の製造方法、載置台、及び基板処理装置が限定されるものではない。
【０００９】
半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という。）等の基板に対して、成膜やエッチングなどの基板処理を実施する基板処理装置が知られている。基板処理装置には、載置台で基板を静電吸着するものがある。このような載置台は、例えば、基板を静電吸着する静電チャックなどの平板状の吸着部と平板状の基台と接着して構成される。
【００１０】
ところで、基板処理装置は、基板の温度の面内均一性が悪いと、基板の面内での基板処理の均一性が低下する。例えば、半導体製造プロセスでは、ウエハの温度の面内均一性が悪いとウエハの面内での成膜特性、エッチング特性が不均一になるため、ウエハに製造するデバイスの歩留りが低下する。
【００１１】
基板の温度の面内均一性を向上させるには、載置台の熱抵抗の面内均一性をよくしなければならない。しかし、吸着部と基台とを接着する接着層の厚さを均一にできないため、載置台の熱抵抗の面内均一性が低くなる。
【００１２】
そこで、載置台の熱抵抗の面内均一性を向上させる新たな技術が期待されている。
【００１３】
［実施形態］
［装置構成］
実施形態について説明する。以下では、本開示の基板処理装置を、プラズマ処理を実施するプラズマ処理装置とした場合を例に説明する。図１は、実施形態に係る基板処理装置１の一例を示す概略断面図である。実施形態に係る基板処理装置１は、例えば平行平板の電極を備える容量結合プラズマ（ＣＣＰ：Capacitively  Coupled  Plasma）タイプのプラズマエッチング装置である。基板処理装置１は、プラズマ処理チャンバー１０、ガス供給部２０、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電力供給部３０及び排気システム４０を含む。また、基板処理装置１は、載置台１１及び上部電極シャワーヘッド１２を含む。また、基板処理装置１は、制御部５１を更に備える。
【００１４】
プラズマ処理チャンバー１０は、例えばアルミニウム等の材料により構成され、例えば略円筒形状に形成されている。プラズマ処理チャンバー１０は、内壁面に陽極酸化処理が施されている。また、プラズマ処理チャンバー１０は、保安接地されている。載置台１１は、プラズマ処理チャンバー１０内のプラズマ処理空間１０ｓの下部領域に配置される。上部電極シャワーヘッド１２は、載置台１１の上方に配置され、プラズマ処理チャンバー１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の一部として機能し得る。
【００１５】
載置台１１は、上面に基板Ｗが載置される。載置台１１は、プラズマ処理空間１０ｓにおいて基板Ｗを支持するように構成される。一実施形態において、載置台１１は、基台１１１、静電チャック１１２、及びエッジリング１１３を含む。基台１１１は、例えば、アルミニウム等の導電性材料により平板状に形成されている。基台１１１は、下部電極として機能する。静電チャック１１２は、平板状に形成されている。静電チャック１１２は、基台１１１上に配置され、静電チャック１１２の上面で基板Ｗを支持するように構成される。エッジリング１１３は、基台１１１の周縁部上面において基板Ｗを囲むように配置される。また、図示は省略するが、一実施形態において、載置台１１は、静電チャック１１２及び基板Ｗのうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、流路、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路には、冷媒、伝熱ガスのような温調流体が流れる。
【００１６】
載置台１１は、プラズマ処理チャンバー１０の底面に設けられた支持部材１１４によって支持されている。支持部材１１４は、絶縁材料により構成される。プラズマ処理チャンバー１０と載置台１１は、支持部材１１４により絶縁される。
【００１７】
上部電極シャワーヘッド１２は、不図示の絶縁性の遮蔽部材を介して、プラズマ処理チャンバー１０の上部に支持されている。上部電極シャワーヘッド１２は、電極板１４、及び電極支持体１５を有する。電極板１４は、下面がプラズマ処理空間１０ｓに面している。電極板１４には複数のガス吐出口１４ａが形成されている。電極板１４は、例えばシリコンを含む材料により構成される。
【００１８】
電極支持体１５は、例えば、アルミニウム等の導電性材料により構成されている。電極支持体１５は、電極板１４を上方から着脱自在に支持する。電極支持体１５は、保安接地されている。電極支持体１５は、図示しない水冷構造を有し得る。電極支持体１５の内部には、拡散室１５ａが形成されている。拡散室１５ａからは、電極板１４のガス吐出口１４ａに連通する複数のガス流通口１５ｂが下方に（載置台１１に向けて）延びている。電極支持体１５には、拡散室１５ａに処理ガスを導くガス入口１５ｃが設けられており、ガス入口１５ｃには、配管を介して、ガス供給部２０が接続されている。
【００１９】
上部電極シャワーヘッド１２は、ガス供給部２０からの１又はそれ以上の処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するように構成される。一実施形態において、上部電極シャワーヘッド１２は、１又はそれ以上の処理ガスをガス入口１５ｃからガス拡散室１２ｂ、ガス出口１２ｃ、ガス吐出口１４ａを介してプラズマ処理空間１０ｓに供給するように構成される。
【００２０】
ガス供給部２０は、１又はそれ以上のガスソース２１及び１又はそれ以上の流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、１又はそれ以上の処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してガス入口１５ｃに供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、１又はそれ以上の処理ガスの流量を変調又はパルス化する１又はそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。
【００２１】
ＲＦ電力供給部３０は、ＲＦ電力、例えば１又はそれ以上のＲＦ信号を、基台１１１、上部電極シャワーヘッド１２、又は、基台１１１及び上部電極シャワーヘッド１２の双方のような１又はそれ以上の電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された１又はそれ以上の処理ガスからプラズマが生成される。従って、ＲＦ電力供給部３０は、プラズマ処理チャンバー１０において１又はそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。一実施形態において、ＲＦ電力供給部３０は、２つのＲＦ生成部３１ａ，３１ｂ及び２つの整合回路３２ａ，３２ｂを含む。一実施形態において、ＲＦ電力供給部３０は、第１のＲＦ信号を第１のＲＦ生成部３１ａから第１の整合回路３２ａを介して基台１１１に供給するように構成される。例えば、第１のＲＦ信号は、２７ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの範囲内の周波数を有してもよい。
【００２２】
また、一実施形態において、ＲＦ電力供給部３０は、第２のＲＦ信号を第２のＲＦ生成部３１ｂから第２の整合回路３２ｂを介して基台１１１に供給するように構成される。例えば、第２のＲＦ信号は、４００ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数を有してもよい。代わりに、第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて、ＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｃｕｒｒｅｎｔ）パルス生成部を用いてもよい。
【００２３】
さらに、図示は省略するが、本開示においては他の実施形態が考えられる。例えば、ＲＦ電力供給部３０は、第１のＲＦ信号をＲＦ生成部から基台１１１に供給し、第２のＲＦ信号を他のＲＦ生成部から基台１１１に供給し、第３のＲＦ信号をさらに他のＲＦ生成部から基台１１１に供給するように構成されてもよい。加えて、他の代替実施形態において、ＤＣ電圧が上部電極シャワーヘッド１２に印加されてもよい。
【００２４】
またさらに、種々の実施形態において、１又はそれ以上のＲＦ信号（即ち、第１のＲＦ信号、第２のＲＦ信号等）の振幅がパルス化又は変調されてもよい。振幅変調は、オン状態とオフ状態との間、あるいは、２又はそれ以上の異なるオン状態の間でＲＦ信号振幅をパルス化することを含んでもよい。
【００２５】
排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバー１０の底部に設けられた排気口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力弁及び真空ポンプを含んでもよい。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、粗引きポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。
【００２６】
プラズマ処理チャンバー１０の側壁には、基板Ｗを搬入又は搬出するための開口１０ａが設けられている。開口１０ａは、ゲートバルブ１０ｂにより開閉可能とされている。
【００２７】
制御部５１は、本開示において述べられる種々の工程を基板処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部５１は、ここで述べられる種々の工程を実行するように基板処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。制御部５１は、例えばコンピュータを含んでもよい。コンピュータは、例えば、処理部（ＣＰＵ：Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）５１１、記憶部５１２、及び通信インターフェース５１３を含んでもよい。処理部５１１は、記憶部５１２に格納されたプログラムに基づいて種々の制御動作を行うように構成され得る。記憶部５１２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース５１３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介して他の基板処理装置１など他の装置との間で通信してもよい。
【００２８】
次に、実施形態に係る載置台１１の構成について説明する。図２は、実施形態に係る載置台１１の構成の一例を示す概略断面図である。
【００２９】
載置台１１は、基台１１１及び静電チャック１１２を含んで構成されている。
【００３０】
静電チャック１１２は、上面が平坦な円盤状に形成されている。静電チャック１１２の上面には、基板Ｗが載置される載置面１１ａが形成されている。静電チャック１１２は、基板Ｗを静電吸着するための機能を有する。例えば、静電チャック１１２は、セラミックなどの誘電体１１２ａの間に電極１１２ｂを介在させて構成されている。電極１１２ｂには、不図示の配線を介して不図示の直流電源が接続されている。静電チャック１１２は、電極１１２ｂに直流電源から直流電圧が印加されることにより生じるクーロン力によって、基板Ｗを静電吸着する。
【００３１】
基台１１１は、導電性材料により平板状に形成されている。基台１１１の内部には、流路１１１ａが形成されている。流路１１１ａは、不図示の配管を介してチラーユニットが接続されている。基台１１１は、チラーユニットにより、冷媒、例えば冷却水や、ガルデンなどの有機溶剤等を流路１１１ａの中に循環させることによって、所定の温度に制御可能に構成されている。
【００３２】
載置台１１は、基台１１１と静電チャック１１２とが接着剤により接着されて構成されている。図２には、基台１１１と静電チャック１１２とを接着する接着剤による接着層１１５が示されている。
【００３３】
ところで、上述のように、基板処理装置１は、基板Ｗの温度の面内均一性が悪いと、基板Ｗの面内での基板処理の均一性が低下する。例えば、プラズマエッチングでは、基板Ｗの温度の面内均一性が低いと、基板Ｗの面内のエッチング特性が不均一になるため、基板Ｗに製造するデバイスの歩留りが低下する。
【００３４】
プラズマを用いる工程では、一般的に、基板Ｗを載置台１１に吸着させ、プラズマから基板Ｗへの熱を載置台１１に伝搬させて逃がしつつ、プラズマ処理を行う。このため、基板Ｗの温度の均一性を高くするには、載置台１１の面内の熱抵抗の均一性を高くしなければならない。載置台１１の熱抵抗の面内均一性を高くするには、接着層１１５の厚さの均一性を高くする必要がある。しかし、接着層１１５の厚さが均一となるように、静電チャック１１２と基台１１１を接着することは困難である。載置台１１は、接着層１１５の厚さの面内均一性が低い。このため、基板処理装置１は、デバイスの歩留りが安定しない。また、接着層１１５の厚さは個体差が大きいため、基板処理装置ごとのエッチング特性が異なったものとなる。
【００３５】
［載置台１１の製造方法の流れ］
そこで、本実施形態では、以下に説明する方法により載置台１１を製造する。図３は、実施形態に係る載置台１１の製造方法の流れの一例を示すフローチャートである。図３には、載置台１１を製造する手順が例示されている。本実施形態では、図３のフローチャートに示された手順により、載置台１１が製造される。以下では、図４〜図６を参照しながら、載置台１１の製造方法の一例を説明する。
【００３６】
まず、静電チャック１１２及び基台１１１の厚さの面内分布を測定する（ステップＳ１０）。例えば、静電チャック１１２及び基台１１１についてそれぞれ３次元測定を行い、静電チャック１１２及び基台１１１の厚さの面内分布を測定する。図４は、実施形態に係る静電チャック１１２及び基台１１１の厚さの面内分布の一例を示す図である。図４には、静電チャック１１２の厚さの面内分布の一例として、載置面１１ａに対応する領域の位置Ｐ１１〜Ｐ１３での厚さｄ１１〜ｄ１３が示されている。また、図４には、基台１１１の面内分布の一例として、載置面１１ａに対応する領域の位置Ｐ２１〜Ｐ２３での厚さｄ２１〜ｄ２３が示されている。
【００３７】
次に、静電チャック１１２と基台１１１と接着剤により接着する（ステップＳ１１）。
【００３８】
そして、静電チャック１１２と基台１１１とを接着する接着層１１５の熱抵抗の面内分布を特定する。具体的には、まず、静電チャック１１２と基台１１１とを接着した載置台１１の厚さの面内分布を測定する（ステップＳ１２）。例えば、載置台１１の３次元測定を行い、載置台１１の厚さの面内分布を測定する。図５は、実施形態に係る載置台１１の厚さの面内分布の一例を示す図である。図５には、載置台１１の厚さとして、載置面１１ａに対応する領域の位置Ｐ３１〜Ｐ３３での厚さｄ３１〜ｄ３３が示されている。そして、測定した載置台１１の厚さの面内分布と、静電チャック１１２及び基台１１１の厚さの面内分布とに基づき、接着層１１５の厚さの面内分布を特定する（ステップＳ１３）。載置台１１の厚さは、静電チャック１１２の厚さと、基台１１１の厚さと、接着層１１５の厚さを加算した値である。そこで、対応する位置ごとに、測定した載置台１１の厚さから、静電チャック１１２及び基台１１１の厚さを減算することで、接着層１１５の厚さの面内分布を特定する。図５には、実施形態に係る接着層１１５の厚さの面内分布の一例が示されている。例えば、載置台１１の位置Ｐ３１〜Ｐ３３は、静電チャック１１２の位置Ｐ１１〜Ｐ１３及び基台１１１の位置Ｐ２１〜Ｐ２３と重なる位置となっており、位置Ｐ１１〜Ｐ１３及び基台１１１の位置Ｐ２１〜Ｐ２３がそれぞれ対応する位置となっている。なお、図５及び図６では、識別しやくするため、位置Ｐ３１〜Ｐ３３から位置Ｐ１１〜Ｐ１３、Ｐ２１〜Ｐ２３を若干ずらして示している。この場合、位置Ｐ３１〜Ｐ３３での接着層１１５の厚さｄ４１〜ｄ４３は、以下の式（１）〜（３）のように算出することで特定する。
【００３９】
ｄ４１  ＝  ｄ３１−ｄ２１−ｄ１１          （１）
ｄ４２  ＝  ｄ３２−ｄ２２−ｄ１２          （２）
ｄ４１  ＝  ｄ３１−ｄ２１−ｄ１１          （３）
【００４０】
なお、静電チャック１１２及び基台１１１の加工精度が高く、静電チャック１１２及び基台１１１の厚さが設計値の厚さとみなせる場合は、静電チャック１１２及び基台１１１の厚さは計測しなくてもよい。接着層１１５の厚さは、測定した載置台１１の厚さから、静電チャック１１２及び基台１１１の設計値の厚さを減算することで、特定してもよい。
【００４１】
特定した接着層１１５の厚さの面内分布と、接着層１１５の厚さと熱抵抗の関係を示す熱抵抗データとに基づき、接着層１１５の熱抵抗の面内分布を特定する（ステップＳ１４）。例えば、事前に様々な厚さで接着層１１５を形成し、それぞれの厚さで接着層１１５の熱抵抗を計測して接着層１１５の厚さと熱抵抗の関係を示す熱抵抗データを生成し、コンピュータなどの情報処理装置に記憶させておく。情報処理装置は、接着層１１５の厚さの面内分布について、熱抵抗データを用いて、接着層１１５の厚さに対応する熱抵抗を求めることで、接着層１１５の熱抵抗の面内分布を特定する。
【００４２】
特定した接着層１１５の熱抵抗の面内分布に基づき、載置台１１の載置面１１ａ内における熱抵抗のばらつきが低減するように静電チャック１１２の表面の加工条件を決定する（ステップＳ１５）。静電チャック１１２には、基板Ｗが載置される。静電チャック１１２は、表面の形状を変えて基板Ｗとの接触面積を変えることで、基板Ｗと静電チャック１１２との間の熱抵抗を変えることができる。例えば、静電チャック１１２の表面にドットと呼ばれる柱を形成する場合、ドット径やドット高さを調整することで、熱抵抗を調整できる。例えば、ドット形成工程は、マスク作製、レジスト塗布、露光、現像、ブラスト、表面ブラシ加工からなる。ドット径やドット高さは、例えば、以下のような加工条件を変えることで変更できる。
（１）領域毎にドット径が異なるマスクを用いる。
（２）領域毎に露光時間を変える。
（３）領域毎にブラスト時間を変える。
（４）領域毎に表面ブラシ加工条件（処理時間、回転数、ブラシ押し付け圧力）を変える。
【００４３】
例えば、事前に様々な表面形状の静電チャック１１２を形成し、それぞれの静電チャック１１２の熱抵抗を計測して表面形状と熱抵抗の関係を示す形状データを生成し、コンピュータなどの情報処理装置に記憶させておく。情報処理装置は、接着層１１５の熱抵抗の面内分布について、形状データを用いて、載置台１１の載置面１１ａ内における熱抵抗のばらつきが低減するように静電チャック１１２の表面の加工条件を決定する。例えば、接着層１１５の熱抵抗が大きい領域についてはドットのサイズが大きくまたはドットが高密度となり、接着層１１５の熱抵抗が小さい領域についてはドットのサイズが小さくまたはドットが低密度となるように、加工条件を決定する。
【００４４】
ここで、載置台１１の熱抵抗は、静電チャック１１２の熱抵抗と、基台１１１の熱抵抗と、接着層１１５の熱抵抗とを加算した値となる。載置面１１ａに対応する領域において、静電チャック１１２及び基台１１１の厚さが略一定の場合、載置台１１の載置面１１ａ内における熱抵抗のばらつきは、主に、接着層１１５の面内での熱抵抗のばらつきによるものである。載置面１１ａに対応する領域において、静電チャック１１２及び基台１１１の厚さが略一定の場合、接着層１１５の面内での熱抵抗のばらつきを低減するように静電チャック１１２の表面の加工条件を決定する。一方、載置面１１ａに対応する領域において、静電チャック１１２及び基台１１１の厚さにばらつきがある場合、載置台１１の載置面１１ａ内における熱抵抗のばらつきは、静電チャック１１２、基台１１１及び接着層１１５の面内での熱抵抗のばらつきの複合的な影響によるものである。この場合、静電チャック１１２及び基台１１１の厚さから静電チャック１１２及び基台１１１の熱抵抗をそれぞれ求める。そして、載置面１１ａに対応する領域において、位置ごとに静電チャック１１２の熱抵抗と基台１１１の熱抵抗と接着層１１５の熱抵抗を加算して載置台１１の熱抵抗の面内分布を求める。そして、載置台１１の面内での熱抵抗のばらつきを低減するように静電チャック１１２の表面の加工条件を決定する。
【００４５】
また、載置台１１の面内における熱抵抗のばらつきが小さいものの、製造される載置台１１ごとに、熱抵抗の個体差が大きい場合、基板処理装置１は、個体ごとに異なったエッチング特性を示す。そこで、載置台１１の面内での熱抵抗が所定の許容範囲内となるように静電チャック１１２の表面の加工条件を決定してもよい。例えば、接着層１１５及び静電チャック１１２による熱抵抗の基準値を設計等で事前に定め、基板処理装置１で実施するプラズマ処理に応じて基準値を基準として熱抵抗の許容範囲を決定する。そして、形状データを用いて、接着層１１５の熱抵抗の面内分布から、接着層１１５の熱抵抗と静電チャック１１２の表面の熱抵抗を加算した熱抵抗が許容範囲内となるように、静電チャック１１２の表面の加工条件を決定する。
【００４６】
決定した加工条件に基づき、静電チャック１１２の表面を加工する（ステップＳ１６）。例えば、決定した加工条件に従って、マスク作製、レジスト塗布、露光、現像、ブラスト、表面ブラシ加工を実施してドットを形成する。図６は、実施形態に係る載置台１１の一例を示す図である。図６には、加工されたことにより静電チャック１１２の表面にドットの凹凸が形成されている。このように製造された載置台１１は、接着層１１５の厚さの個体差が大きい場合でも、載置台１１の熱抵抗の個体差を小さくすることができる。基板処理装置１は、このように製造された載置台１１を配置することで、装置ごとにエッチング特性が異なったものとなることを抑制できる。
【００４７】
以上のように、実施形態に係る載置台１１の製造方法は、静電チャック１１２（吸着部）と基台１１１とを接着剤により接着する工程（ステップＳ１１）と、静電チャック１１２と基台１１１とを接着する接着層１１５の熱抵抗の面内分布を特定する工程（ステップＳ１２〜Ｓ１４）と、特定した接着層１１５の熱抵抗の面内分布に基づき、載置台１１の基板Ｗを載置する面（載置面１１ａ）内における熱抵抗のばらつきが低減するように静電チャック１１２の表面の加工条件を決定する工程（ステップＳ１５）と、決定した加工条件に基づき、静電チャック１１２の表面を加工する工程（ステップＳ１６）と、を有する。これにより、実施形態に係る載置台１１の製造方法は、載置台１１の熱抵抗の面内均一性を向上させることができる。
【００４８】
また、実施形態に係る載置台１１の製造方法は、接着する工程（ステップＳ１１）の前に、静電チャック１１２及び基台１１１の厚さの面内分布を測定する工程（ステップＳ１０）をさらに有する。また、熱抵抗の面内分布を特定する工程は、静電チャック１１２と基台１１１とを接着した載置台１１の厚さの面内分布を測定する工程（ステップＳ１２）と、測定した載置台１１の厚さの面内分布と、静電チャック１１２及び基台１１１の厚さの面内分布とに基づき、接着層１１５の厚さの面内分布を特定する工程（ステップＳ１３）と、特定した接着層１１５の厚さの面内分布と、接着層１１５の厚さと熱抵抗の関係を示す熱抵抗データ２０３ａとに基づき、接着層１１５の熱抵抗の面内分布を特定する工程（ステップＳ１４）と、を有する。これにより、実施形態に係る載置台１１の製造方法は、接着層１１５の熱抵抗の面内分布を特定できる。
【００４９】
また、接着層１１５の厚さの面内分布を特定する工程（ステップＳ１３）は、対応する位置ごとに、測定した載置台１１の厚さから静電チャック１１２及び基台１１１の厚さを減算することで、接着層１１５の厚さの面内分布を特定する。これにより、実施形態に係る載置台１１の製造方法は、静電チャック１１２と基台１１１とを接着する接着層１１５の厚さの面内分布を特定できる。
【００５０】
また、決定する工程（ステップＳ１５）は、接着層１１５の熱抵抗が大きい領域については静電チャック１１２の表面に形成するドットのサイズが大きくまたはドットが高密度となり、接着層１１５の熱抵抗が小さい領域についてはドットのサイズが小さくまたはドットが低密度となるように、加工条件を決定する。これにより、実施形態に係る載置台１１の製造方法は、載置台１１の熱抵抗の面内均一性を向上させることができる。
【００５１】
また、決定する工程（ステップＳ１５）は、載置台１１の面内における熱抵抗がいずれも所定の許容範囲内となるように静電チャック１１２の表面の加工条件を決定する。これにより、実施形態に係る載置台１１の製造方法は、製造される載置台１１ごとに、熱抵抗の個体差を小さくすることができる。
【００５２】
また、実施形態に係る載置台１１は、静電チャック１１２（吸着部）と、基台１１１と、接着層１１５とを備える。静電チャック１１２は、平板状とされ、基板Ｗを静電吸着する。基台１１１は、平板状とされている。接着層１１５は、静電チャック１１２と基台１１１とを接着する。接着層１１５は、熱抵抗が異なる複数の領域を有する。静電チャック１１２は、複数の領域に対応して、異なる表面形状を有する。これにより、実施形態に係る載置台１１は、熱抵抗の面内均一性を向上する。
【００５３】
また、静電チャック１１２は、複数の領域のうち、熱抵抗が大きい領域については静電チャック１１２の表面に形成するドットのサイズが大きくまたはドットが高密度とされ、熱抵抗が小さい領域についてはドットのサイズが小さくまたはドットが低密度とされている。これにより、実施形態に係る載置台１１は、熱抵抗の面内均一性を向上する。
【００５４】
また、実施形態に係る基板処理装置１は、実施形態に係る載置台１１の製造方法により製造された載置台１１を有する。これにより、実施形態に係る基板処理装置１は、エッチング特性が基板Ｗの面内で不均一なることを抑制できる。この結果、基板処理装置１は、基板Ｗに製造するデバイスの歩留りを向上させることができる。
【００５５】
以上、実施形態について説明してきたが、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上述した実施形態は、多様な形態で具現され得る。また、上述した実施形態は、請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【００５６】
例えば、本開示の技術は、任意のプラズマ処理装置に採用され得る。例えば、基板処理装置１は、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Inductively-coupled  plasma）タイプや、マイクロ波といった表面波によってガスを励起させるプラズマ処理装置のように、任意のタイプのプラズマ処理装置であってもよい。
【００５７】
また、上記した実施形態では、基板処理装置１として、プラズマエッチング処理装置を例に説明したが、開示の技術はこれに限られない。基板処理装置１は、プラズマを用いる成膜装置や、改質装置等であってもよい。
【００５８】
また、上述した実施形態では、基板を半導体ウエハとした場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。基板は、ガラス基板など、他の基板であってもよい。
【００５９】
なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【符号の説明】
【００６０】
Ｗ  基板
１  基板処理装置
１０  プラズマ処理チャンバー
１１  載置台
１１１  基台
１１２  静電チャック
１１５  接着層
【図１】
2022002284.tif 000003
【図２】
2022002284.tif 000004
【図３】
2022002284.tif 000005
【図４】
2022002284.tif 000006
【図５】
2022002284.tif 000007
【図６】
2022002284.tif 000008