(57)【要約】【課題】デザインルールの微細化に伴う分子汚染レベルの向上の要求を満足させることができるクリーンルームを提供する。【解決手段】本クリーンルーム７０は、空気中の分子汚染発生因子の濃度を低くする分子汚染除去空調装置５４を外部に有するクリーンルームである。ルーム本体１４は、個別に分子汚染低減空気供給設備５６を備えた製造装置１８Ａと、それ以外の製造装置１８Ｂとをフリーアクセスフロア３２上に混在して収容している。空調装置は、冷却コイル２２、再加熱コイル２４、送風機２６及びケミカルフィルタ５２を備え、分子汚染発生因子濃度の極めて低い空気をサプライダクト５８を介して個々の空気供給設備に供給する。空気供給設備は、製造装置のハウジングの上部に密閉型上部チャンバ５７を備え、チャンバ内にＦＦＵ３６及びＵＬＰＡ３８を備える。空気供給設備は、製造装置のハウジングの下部に密閉型下部チャンバ７２を備え、各チャンバのそれぞれから空調装置に延びるリターンダクト７４を介して製造装置を通過した空気を空調装置に戻している。【選択図】        図１
2004184010.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケミカルフィルタによって空気中の分子汚染発生因子を除去する分子汚染除去空調装置をクリーンルーム本体外に有し、製造装置を収容したクリーンルーム本体に分子汚染発生因子濃度の低い空気を送風するクリーンルームにおいて、
前記分子汚染発生因子濃度の低い空気を必要とする前記各製造装置のハウジングの上部に密閉型上部チャンバを備え、前記密閉型上部チャンバ内にフィルタ付き送風機と空調用高性能フィルターとを有する空気供給設備と、
前記分子汚染除去空調装置から前記各空気供給設備の密閉型上部チャンバにそれぞれ延びるサプライダクトと、
前記製造装置のハウジングの下部に設けられた密閉型下部チャンバと、
前記各密閉型下部チャンバのそれぞれから前記分子汚染除去空調装置に延びるリターンダクトと
を備えていることを特徴とするクリーンルーム。
【請求項２】
前記製造装置のハウジング内の空気圧を陽圧に調節、維持して、ハウジング外から分子汚染発生因子の流入を防止するために、前記サプライダクトと前記上部チャンバとの接続部、及び前記下部チャンバと前記リターンダクトとの接続部には、それぞれ、ダンパーが設けられていることを特徴とする請求項１に記載のクリーンルーム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、クリーンルームに関し、更に詳細には、分子汚染低減空気の直接供給方式のクリーンルームに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置を製造する製造ライン、或いは液晶表示装置を製造する製造ラインは、多数の同じ種類の製造装置及び多数の相互に異なる多種類の製造装置で構成されていて、粒子状ダストによる歩留り低下を防止するために、厳密なダスト管理が施され、サブミクロンの粒子状ダストを排除した清浄な空気が流通するクリーンルーム内に設置されている。
【０００３】
ところで、近年、デバイス加工の微細化が進むに伴い、粒子状のダストだけではなく、ガス状の気中汚染物質による汚染、いわゆる分子汚染による歩留り低下が注目されている。
分子汚染の原因物質（以下、分子汚染発生因子と言う）は、ホウ素（Ｂ）、リン（Ｐ）などのドーパント、金属の無機物、Ｆ−  、ＮＯＸ  、ＳＯＸ  、ＮＨ４  ＋  などのイオン成分、フタル酸ジオクチル（ＤＯＰ）などの有機物に分類される。
分子汚染発生因子による製造プロセスへの影響として、ドーパントによる汚染はトランジスタ等の半導体装置の閾値電圧の変動、シート抵抗異常などの電気特性に影響し、金属による汚染は半導体装置の絶縁破壊やリーク電流増加などの原因となっている。ＮＨ４  ＋  による汚染は露光装置の光学系の曇りや化学増幅型レジストの解像不良の原因となり、有機物と無機物による複合汚染は酸化膜の特性変化やＣＶＤ膜の膜付き性の悪化などを招くことが知られている。
【０００４】
上述のように、分子汚染は、半導体装置または液晶表示装置の生産性の低下、製品歩留まりの低下、品質および信頼性の低下につながるために、クリーンルーム気中の分子汚染は、近年、生産性及び信頼性に係わる大きな問題として認識されている。
このため、半導体装置製造工場および液晶表示装置製造工場では、例えば、分子汚染発生因子の一つである水溶性成分の外気からの進入を防ぐために外気処理用空調装置にエアワッシャを設置したり、建築材からの有機物発生を防ぐために低分子シロキサン等の有機物揮散が少ないシリコンシール材を建築材として使用したり、空調用高性能フィルター（ＵＬＰＡ）からのホウ素（Ｂ）発生を防ぐためにホウ素含有の少ない濾材を採用したフィルターを使用したりしている。
つまり、従来は、主に、建築物の部材、空調設備、電気設備などの設備を改良することにより、クリーンルームの空気の分子汚染を低減することに取り組んできた。
【０００５】
ところで、半導体デバイスのデザインルールが一層微細化されるにつれて、分子汚染を一層確実に防止するために、分子汚染が一層低減された空気を製造装置に直接供給することが、要求されるようになっている。
【０００６】
ここで、図２を参照して、分子汚染が低減された空気を製造装置に直接供給する方式（以下、分子汚染低減空気の直接供給方式という）の従来のクリーンルームの構成を説明する。図２は分子汚染低減空気の直接供給方式の従来のクリーンルームの概念的断面図を示す。
分子汚染低減空気の直接供給方式の従来のクリーンルーム１０は、図２に示すように、空調装置１２を設けた空調機械室（図示せず）と、空調装置１２から温度調節された空気が供給されるクリーンルーム本体１４とから構成され、クリーンルーム本体１４は隔壁（図示せず）によって空調機械室（図示せず）から絶縁されている。
クリーンルーム本体１４は、分子汚染発生因子の濃度を低減した空気が領域全体に供給される分子汚染低減エリア１６と、クリーンルーム本体１４内に設けられた製造装置１８のうちの所定の製造装置１８Ａに、直接、分子汚染低減空気を供給するために、分子汚染低減空気供給設備２０を所定の製造装置１８Ａの上部に設けた領域２１とに区画壁１５によって区画されている。
【０００７】
空調装置１２は、冷却コイル２２と、再加熱コイル２４と、送風機２６とを備え、冷却コイル２２及び再加熱コイル２４により空気温度を所定温度に調整した空気を送風機２６によって上部ダクト２８を通ってクリーンルーム本体１４に送風する。
【０００８】
クリーンルーム本体１４は、システム天井３０と、フリーアクセスフロア３２と、本体壁３４とで囲われた空間として構成されており、領域２１上のシステム天井３０にはＦＦＵ（Ｆａｎ  Ｆｉｌｔｅｒ  Ｕｎｉｔ  ）３６とＵＬＰＡ（空調用高性能フィルター）３８とが設けてあり、分子汚染低減エリア１６上のシステム天井３０には、空気に分子汚染除去処理を施すために、ＦＦＵ３６と、ケミカルフィルタ４２と、ＵＬＰＡ３８とが設けてある。
ケミカルフィルタ４２は、酸、アルカリ、及び有機物成分等を除去して空気中の分子汚染発生因子の濃度を低下させる装置である。
クリーンルーム本体１４のシステム天井３０と建物の屋根との間の空間は、空調装置１２から上部ダクト２８を経て清浄な空気が送風される、プレナムエリア４０と呼ばれる空間である。
【０００９】
また、分子汚染低減空気の供給設備２０は、製造装置１８Ａのハウジング上に設けられた上部開口のチャンバ４４と、上部開口のチャンバ４４内に設けられたＦＦＵ３６、ケミカルフィルタ４２、及びＵＬＰＡ３８からなる空気処理装置とから構成されている。
【００１０】
また、フリーアクセスフロア３２と建物の底壁との間の床下空間４８と空調装置１２との接続するために、下部ダクト４６が床下空間４８から空調装置１２まで設けてあって、分子汚染低減エリア２０を通過した空気、分子汚染低減エリア２０以外の領域２１を通過した空気、及び製造装置１８Ａのハウジング内を通過した空気を一緒にして空調装置１２に循環させる。
【００１１】
以上の構成により、分子汚染低減空気の直接供給方式の従来のクリーンルーム１０では、所定温度に調節された空気が空調装置１２から上部ダクト２８を介してプレナムエリア４０に送風される。
プレナムエリア４０に導入された空気の一部は、システム天井３０に設けられているＦＦＵ３６、ケミカルフィルタ４２、及びＵＬＰＡ３８を経て、分子汚染発生因子濃度が低減された空気となって分子汚染低減エリア１６に流入する。
【００１２】
一方、残りの空気は、システム天井３０に設けられているＦＦＵ３６及びＵＬＰＡ３８を経て、微粒子濃度の低い空気となってクリーンルーム本体１４の分子汚染低減エリア１６以外の領域２１に流入する。
領域２１に流入した空気の一部は、チャンバ４４の上部開口からチャンバ４４内に入り、ＦＦＵ３６、ケミカルフィルタ４２及びＵＬＰＡ３８を経て、分子汚染発生因子濃度の低減された空気となって直接製造装置１８Ａのハウジング内に流入する。
【００１３】
分子汚染低減エリア２０を通過した空気、分子汚染低減エリア２０以外の領域２１を通過した空気、及び製造装置１８Ａのハウジング内を通過した空気は、フリーアクセスフロア３２の開口部から床下空間４４及び下部ダクト４６を経て空調装置１２に循環する。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述のクリーンルーム１０では、製造装置１８Ａの上部にケミカルフィルタ４２を設けているので、ケミカルフィルタ４２の設置時または交換時に活性炭等の発塵源になるケミカルフィルタをクリーンルーム本体１４内に持ち込むことになり、クリーンルーム本体１４がダスト汚染される可能性が高い。
また、各製造装置１８の上部にケミカルフィルタ４２を設置する場合、半導体デバイス０．１８μｍ世代の１万ｍ２のクリーンルームで、ケミカルフィルタ４２の設置箇所が数十箇所になるので、多大なイニシャルコストが必要になるとともに、ケミカルフィルタの寿命による交換費用などのランニングコストが増大する。
更には、破過したまま放置した場合には、製造の歩留を低下させることになるので、フィルタの破過の管理が作業員の大変な負担となる。
【００１５】
また、分子汚染低減空気の直接供給方式でも、或いは分子汚染低減エリア２０でも、空気は、基本的には、ＦＦＵ３６の下に設けられたケミカルフィルタ４２を１回の通過するだけなので、分子汚染除去率は９０％前後である。
従って、０．１μｍ以降の半導体デバイスのデザインルールの世代では、更なる分子汚染レベルの向上が求められるので、ケミカルフィルタを２段以上に設置する等の対応が必要になる。しかし、２段以上にケミカルフィルタを設置しようとすると、設置スペースが増大するためにクリーンルーム内のレイアウトが難しくなり、更にイニシャルコスト、及びランニングコストが増大する。
【００１６】
そこで、分子汚染低減空気の直接供給方式の別例のクリーンルームが提案されている。
ここで、図３を参照して分子汚染低減空気の直接供給方式の別例のクリーンルームの構成を説明する。図３は分子汚染低減空気の直接供給方式の別例のクリーンルームの構成を示す概念的断面図である。
分子汚染低減空気の直接供給方式の別の従来のクリーンルーム５０では、図３に示すように、以下の点で構成が前述の従来のクリーンルーム１０と異なっている。
【００１７】
（１）空調装置１２に代えて、ケミカルフィルタ５２を備えた分子汚染除去空調装置５４を備えていること。つまり、分子汚染除去空調装置５４は、冷却コイル２２、再加熱コイル２４、及び送風機２６に加えて、酸、アルカリ、及び有機物成分等の分子汚染発生因子を化学的・物理的に除去するケミカルフィルタ５２を備えている。ケミカルフィルタ５２として、例えば日本エアフィルター（株）製の商品名イオケミカルを使用することができる。
（２）分子汚染低減エリア１６を設ける代わりに、分子汚染低減空気を必要とする全ての製造装置１８Ａのハウジングの上部に、個別の分子汚染低減空気供給設備５６を設けたこと。分子汚染低減空気供給設備５６は、密閉型上部チャンバ５７を備え、密閉型上部チャンバ５７内にＦＦＵ３６及びＵＬＰＡ３８を備えるのみでケミカルフィルタを備えていない。
【００１８】
（３）サプライダクト５８を介して分子汚染除去空調装置５４から各分子汚染低減空気供給設備５６に分子汚染低減空気を供給していること。
（４）サプライダクト５８と各分子汚染低減空気供給設備５６の上部チャンバ５７との接続部にはダンパー６０を設けたこと。
（５）クリーンルーム本体１４の分子汚染低減空気供給設備５６以外の領域６１にも、分子汚染除去空調装置５４から所定温度で分子汚染低減空気が、図示しない別の上部ダクトを介して供給されている。
【００１９】
以上の構成により、従来のクリーンルーム５０は、サプライダクト５８を介して分子汚染除去空調装置５４から各分子汚染低減空気供給設備５６に分子汚染低減空気を所定の温度で供給する。
分子汚染低減空気は、分子汚染低減空気供給設備５６に設けられたＦＦＵ３６及びＵＬＰＡ３８によって微粒子が除去された後、製造装置１８Ａのハウジングに流入する。
次いで、製造装置１８Ａのハウジングを通過した空気は、クリーンルーム本体１４内の他の領域６１を通過した大量の空気と共に床下空間４８から下部ダクト４６を経て分子汚染除去空調装置５６に戻る。
【００２０】
しかし、上述した従来のクリーンルーム５０では、クリーンルーム本体１４から戻った空気は分子汚染除去空調装置５６のケミカルフィルタ５２により分子汚染除去されるものの、製造装置１８のハウジングを通過した空気は、クリーンルーム本体１４内の他の領域を通過した大量の空気と共に床下空間４８から下部ダクト４６を経て分子汚染除去空調装置５６に戻っている。
従って、空気はケミカルフィルタ５２により１回処理されるだけに等しいので、分子汚染除去率は９０％前後である。デザインルールの微細化に伴い分子汚染レベルの向上が求められていることを考慮すると、ケミカルフィルタを２段以上に設置する等の対応が必要になる。これでは、設置スペース上も厳しくなり、イニシャルコスト及びランニングコストが増大する。
【００２１】
以上のように、従来のクリーンルームは、デザインルールの微細化に伴う分子汚染レベル向上の要求を満足させることはできなかった。
そこで、本発明の目的は、デザインルールの微細化に伴う分子汚染レベル向上の要求を満足させることができるクリーンルームを提供することである。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係るクリーンルームは、ケミカルフィルタによって空気中の分子汚染発生因子を除去する分子汚染除去空調装置をクリーンルーム本体外に有し、製造装置を収容したクリーンルーム本体に分子汚染発生因子濃度の低い空気を送風するクリーンルームにおいて、
分子汚染発生因子の濃度の低い空気を必要とする各製造装置のハウジングの上部に密閉型上部チャンバを備え、密閉型上部チャンバ内にＦＦＵ（Ｆａｎ  Ｆｉｌｔｅｒ  Ｕｎｉｔ  、フィルタ付き送風機）とＵＬＰＡ（空調用高性能フィルター）とを有する空気供給設備と、
分子汚染除去空調装置から各空気供給設備の密閉型上部チャンバにそれぞれ延びるサプライダクトと、
製造装置のハウジングの下部に設けられた密閉型下部チャンバと、
各密閉型下部チャンバのそれぞれから分子汚染除去空調装置に延びるリターンダクトと
を備えていることを特徴としている。
【００２３】
本発明のクリーンルームの空気供給設備に設けるＦＦＵ及びＵＬＰＡは、半導体装置の製造工場のクリーンルームに設けられている通常のＦＦＵ及びＵＬＰＡで良い。
分子汚染除去空調装置で分子汚染発生因子を除去した空気をダクトからなる密閉空気流路で製造装置のハウジングに直接供給し、かつ同様にダクトからなる密閉空気流路で製造装置のハウジングから分子汚染除去空調装置に戻すことにより、完全な閉鎖空間を確立している。そして、閉鎖空間を介して空気を循環させ、ケミカルフィルタにより繰り返して空気に分子汚染除去処理を施すことにより、分子汚染除去率９９％以上の高清浄の空気を製造装置に供給することができる。
【００２４】
本発明の好適な実施態様では、サプライダクトと上部チャンバとの接続部、及び下部チャンバとリターンダクトとの接続部には、それぞれ、ダンパーが設けられている。ダンパーの開度を調節して、製造装置のハウジング内の空気圧を陽圧に調整、維持することにより、ハウジング外から分子汚染発生因子の流入を防止することができる。
ダンパーは、空気圧の調節ができる限り、その形式に制約は無い。
【００２５】
本発明に係るクリーンルームは、クリーンルームの用途、及び製造装置の種類に制約無く適用でき、例えば半導体装置の製造用クリーンルーム、液晶表示装置の製造用クリーンルーム、バイオ医薬関連用クリーンルーム等に好適に適用することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下に、添付図面を参照し、実施形態例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説明する。
実施形態例
本実施形態例は本発明に係るクリーンルームの実施形態の一例であって、図１は本実施形態例のクリーンルームの構成を示す概念的断面図である。図１に示す部品、部位のうち図２及び図３と同じものには同じ符号を付している。
本実施形態例のクリーンルーム７０は、分子汚染低減空気の直接供給方式の半導体装置製造用クリーンルームであって、図３に示す従来のクリーンルームを更に改良したものである。
【００２７】
本実施形態例のクリーンルーム７０は、図３に示す従来のクリーンルーム５０の構成に加えて、製造装置のハウジング１８の下部に設けられた密閉型下部チャンバ７２と、各密閉型下部チャンバ７２のそれぞれから分子汚染除去空調装置５４に延びるリターンダクト７４と、各密閉型下部チャンバ７２とリターンダクト７４との接続部に設けられたダンパー７６とを有する。
更に、クリーンルーム７０では、分子汚染低減空気供給設備５６以外のクリーンルーム本体１４の領域６１には図示しない別の空調装置又は分子汚染除去空調装置から空気を供給し、続いて床下空間４８を経由して別の空調装置又は分子汚染除去空調装置に循環させる。
以上のことを除いて、クリーンルーム７０は、図３に示す従来のクリーンルーム５０と同じ構成を備えている。
【００２８】
つまり、本実施形態例のクリーンルーム７０は、図１に示すように、空気中の分子汚染発生因子の濃度を低くする分子汚染除去空調装置５４をクリーンルーム本体１４の外部に有するクリーンルームである。
クリーンルーム本体１４は、個別に分子汚染低減空気供給設備５６を備えた製造装置１８Ａと、それ以外の製造装置１８Ｂ、即ち個別の分子汚染低減空気供給設備５６を備えていない製造装置１８Ｂとをフリーアクセスフロア３２上に混在して設置、収容している。
【００２９】
分子汚染除去空調装置５４は、冷却コイル２２、再加熱コイル２４、送風機２６及びケミカルフィルタ５２を備え、冷却コイル２２及び再加熱コイル２４により所定温度に調整された空気を送風機２６で送風するに際し、ケミカルフィルタ５２により分子汚染発生因子の除去処理を行って、空気中の分子汚染発生因子濃度の極めて低い空気をサプライダクト５８を介して個々の分子汚染低減空気供給設備５６に供給している。
【００３０】
分子汚染低減空気供給設備５６は、分子汚染低減空気を必要とする製造装置１８Ａのハウジングの上部に密閉型上部チャンバ５７を備え、密閉型上部チャンバ５７内にＦＦＵ３６及びＵＬＰＡ３８を備えるのみでケミカルフィルタを備えていない。
また、分子汚染低減空気供給設備５６は、製造装置１８Ａのハウジングの下部に密閉型下部チャンバ７２を備え、各密閉型下部チャンバ７２のそれぞれから分子汚染除去空調装置５４に延びるリターンダクト７４を介して製造装置１８Ａのハウジングを通過した空気を分子汚染除去空調装置５４に戻している。
【００３１】
更に、サプライダクト５８と各分子汚染低減空気供給設備５６の上部チャンバ５７との接続部にはダンパー６０が、また、各密閉型下部チャンバ７２とリターンダクト７４との接続部に設けられたダンパー７６が、それぞれ、設けられている。
ダンパー６０及びダンパー７６の開度を調節して各分子汚染低減空気供給設備５６及び製造装置１８Ａのハウジング内の空気圧を陽圧に維持することにより、外部からの分子汚染発生因子を含む空気の流入を防止することができる。
【００３２】
各分子汚染低減空気供給設備５６が設けられていない、製造装置１８Ａ以外の製造装置１８Ｂを収容する領域６１には、図示しない空調装置又は分子汚染除去空調装置５４とは別に設けられた図示しない分子汚染除去空調装置から、清浄な空気が図示しないダクトを介してシステム天井３０上のプレナムエリア４０に供給される。
空気は、システム天井３０上のＦＦＵ３６及びＵＬＰＡ３８により微粒子等が除去された後、クリーンルーム本体１４内に流入し、クリーンルーム本体１４内を通過した後、フリーアクセスフロア３２の開口部から床下空間４８を経て図示しないダクトを介して図示しない空調装置又は別の分子汚染除去空調装置に戻る。
【００３３】
以上のように、本実施形態例のクリーンルーム７０では、外部とは隔離した分子汚染除去空調装置５４、ダクト５８、分子汚染低減空気供給設備５６、及びダクト７４からなる密閉型空気流路により、分子汚染発生因子の流入を嫌う製造装置１８Ａに、分子汚染発生因子濃度の低い空気を循環して供給することができる。一方、製造装置１８Ａほど分子汚染発生因子濃度の低い空気を必要としない製造装置１８Ｂには、製造装置１８Ａの密閉型空気供給経路とは別の空気供給経路により空気が供給される。
【００３４】
以上の構成により、本実施形態例では、製造装置１８Ａに供給される空気は、分子汚染除去空調装置５４のケミカルフィルタ５２により繰り返して分子汚染除去処理が施されるので、９９％以上の分子汚染除去率が達成できる。
また、分子汚染除去した空気は、密閉型空気流路を介して供給されるので、屋根を支持するトラス構造体、配管、ダクト、電線ケーブル、コンクリート梁、塗装部材等の汚染建設部材と接触することがない。これによって、空気の分子汚染を回避することができる。
また、  ダンパー６０及びダンパー７６の開度を調節して各分子汚染低減空気供給設備５６及び製造装置１８Ａのハウジング内の空気圧を陽圧に維持することにより、外部からの分子汚染発生因子を含む空気の流入を防止することができる。
【００３５】
【発明の効果】
本発明によれば、製造装置のハウジングの上部及び下部にそれぞれ密閉型上部チャンバ及び密閉型下部チャンバを有し、かつ密閉型上部チャンバ内にＦＦＵ及びＵＬＰＡを備えた空気供給設備を、分子汚染発生因子の濃度の低い空気を必要とする各製造装置に設け、分子汚染除去空調装置から各空気供給設備にサプライダクトを介して分子汚染発生因子の濃度の低い空気を供給し、次いで各空気供給設備からダクトを介して空気を分子汚染除去空調装置に戻している。
このように外部から隔離した閉鎖型空気流路を確立することにより、分子汚染除去空調装置により繰り返して空気に分子汚染除去処理を施すことができるので、各空気供給設備、従って製造装置に９９％以上の除去率で分子汚染発生因子を除去した空気を供給することができる。
よって、半導体デバイスのデザインルール０．１μｍ以降の微細化加工に際し、プロセス及びデバイス上の分子汚染汚染による欠陥、トラブルを軽減し、高い製品歩留まりを維持することができる。
【００３６】
クリーンルーム内の個々の製造装置にケミカルフィルタを設置すると、半導体デバイス０．１８μｍ世代の１万ｍ２  のクリーンルームで数十箇所のケミカルフィルタが必要であるが、本発明によれば、分子汚染除去空調装置に数台のケミカルフィルタを設置すればこと足りるので、イニシャルコスト及びランニングコストが大幅に低減される。
【００３７】
また、ケミカルフィルタを有する分子汚染除去空調装置をクリーンルーム外に設置しているので、クリーンルーム中に持ち込まずにケミカルフィルタの設置及び交換が可能であり、ケミカルフィルタの構成成分である活性炭等に起因するダスト汚染を避けることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態例のクリーンルームの構成を示す概念的断面図である。
【図２】分子汚染低減空気の直接供給方式の従来のクリーンルームの概念的断面図を示す。
【図３】分子汚染低減空気の直接供給方式の従来の別のクリーンルームの概念的断面図を示す。
【符号の説明】
１０……分子汚染低減空気の直接供給方式の従来のクリーンルーム、１２……空調装置、１４……クリーンルーム本体、１５……区画壁、１６……局所的分子汚染低減エリア、１８……製造装置、２０……分子汚染低減空気供給設備、２２……冷却コイル、２４……再加熱コイル、２６……送風機、２８……上部ダクト、３０……システム天井、３２……フリーアクセスフロア、３４……本体壁、３６……ＦＦＵ、３８……ＵＬＰＡ、４０……プレナムエリア、４２……ケミカルフィルタ、４４……チャンバ、４６……下部ダクト、４８……床下空間、５０……分子汚染低減空気の直接供給方式の別の従来のクリーンルーム、５２……ケミカルフィルタ、５４……分子汚染除去空調装置、５６……分子汚染低減空気供給設備、５７……密閉型上部チャンバ、５８……サプライダクト、６０……ダンパー、７０……実施形態例の分子汚染低減空気の直接供給方式の半導体装置製造用クリーンルーム、７２……密閉型下部チャンバ、７４……リターンダクト、７６……ダンパー。
【図１】
2004184010.tif 000003
【図２】
2004184010.tif 000004
【図３】
2004184010.tif 000005