(57)【要約】      （修正有）【課題】電子機器に発生した熱を排出する排熱構造、排熱パッド及び排熱収納袋を提供する。【解決手段】排熱構造１０は、基材１２と、基材１２に配置されるとともにメインリブ１４２及び複数のサブリブ１４４を有する放熱体１４とを備える。メインリブ１４２は、半波形状であり、基材１２に周期的に突設され、基材１２に形成されたメインリブ山領域及びメインリブ谷領域を有する。サブリブ１４４は、メインリブ１４２の両側へそれぞれ配置されて複数の排熱溝部が形成され、サブリブ１４４間がピッチ幅で離間され、基材１２に形成されたサブリブ山領域及びサブリブ谷領域を有する。サブリブ１４４及びメインリブ１４２のピッチに基づき、メインリブ山領域に対するサブリブ山領域のスケーリングを決定する。【選択図】図１
0003178595.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
電子機器で発生した熱を排出し、基材と、前記基材に配置されるとともにメインリブ及び複数のサブリブを有する放熱体と、を備えた排熱構造であって、
前記メインリブが、半波形状であり、前記基材に周期的に突設され、前記基材に形成されたメインリブ山領域及びメインリブ谷領域を有し、
前記サブリブが、前記メインリブの両側へそれぞれ配置されて複数の排熱溝部が形成され、前記サブリブ間がピッチ幅で離間され、前記基材に形成されたサブリブ山領域及びサブリブ谷領域を有し、前記サブリブ山領域が、前記メインリブ山領域に対応し、前記サブリブ谷領域が、前記メインリブ谷領域に対応し、前記サブリブ及び前記メインリブのピッチに基づき、前記メインリブ山領域に対する前記サブリブ山領域のスケーリングを決定することを特徴とする排熱構造。
【請求項２】
前記メインリブと、前記メインリブに隣接した前記サブリブとにより前記排熱溝部が形成され、
前記サブリブ間には、前記排熱溝部が形成され、
前記排熱溝部の幅が、前記ピッチ幅に等しい請求項１に記載の排熱構造。
【請求項３】
前記メインリブと前記サブリブとは、前記基材に平行に配置される請求項１から２のいずれかに記載の排熱構造。
【請求項４】
前記メインリブ及び前記サブリブは、弾性、可塑性及び折り曲げのうちの少なくともいずれか１つの性質を備えた材料からなる請求項１から３のいずれかに記載の排熱構造。
【請求項５】
電子機器で発生した熱を排出し、基材、第１の放熱体及び第２の放熱体を備えた排熱パッドであって、
前記第１の放熱体が、前記基材に配置されるとともに第１のメインリブ及び複数の第１のサブリブを有し、
前記第１のメインリブが、半波形状であり、前記基材に第１の周期で突設され、前記基材に形成された第１のメインリブ山領域及び第１のメインリブ谷領域を有し、
前記第１のサブリブが、前記第１のメインリブの両側へそれぞれ配置されて前記第１のサブリブ間がピッチ幅で離間され、前記第１のサブリブのそれぞれが、前記基材に形成された第１のサブリブ山領域及び第１のサブリブ谷領域を有し、前記第１のサブリブ山領域が、前記第１のメインリブ山領域に対応し、前記第１のサブリブ谷領域が、前記第１のメインリブ谷領域に対応し、前記第１のサブリブのそれぞれと前記第１のメインリブとのピッチに基づき、前記第１のメインリブ山領域に対する前記第１のサブリブ山領域のスケーリングを決定し、
前記第２の放熱体が、前記基材に配置されて前記第１の放熱体に隣接され、第２のメインリブ及び複数の第２のサブリブを有し、
前記第２のメインリブが、半波形状であり、前記基材に第２の周期で突設され、前記基材に形成された第２のメインリブ山領域及び第２のメインリブ谷領域を有し、前記第２の周期が、前記第１の周期と所定の角度でずれ、
前記第２のサブリブが、前記第２のメインリブの両側へそれぞれ配置されて前記第２のサブリブ間がピッチ幅で離間され、前記基材に形成された第２のサブリブ山領域及び第２のサブリブ谷領域を有し、前記第２のサブリブ山領域が、前記第２のメインリブ山領域に対応し、前記第２のサブリブ谷領域が、前記第２のメインリブ谷領域に対応し、前記第２のサブリブのそれぞれと前記第２のメインリブとのピッチに基づき、前記第２のメインリブ山領域に対する前記第２のサブリブ山領域のスケーリングを決定することを特徴とする排熱パッド。
【請求項６】
前記角度が９０度であり、
前記第１のメインリブ山領域が、前記第２のサブリブ谷領域に対応し、
前記第１のメインリブ谷領域が、前記第２のサブリブ山領域に対応する請求項５に記載の排熱パッド。
【請求項７】
前記第１の放熱体及び前記第２の放熱体が形成されていない側の前記基材の表面に形成された滑り止め層を更に備える請求項５から６のいずれかに記載の排熱パッド。
【請求項８】
前記滑り止め層が、前記基材が接触されない表面に形成された複数のバンプを有する請求項７に記載の排熱パッド。
【請求項９】
前記第１のメインリブ山領域及び前記第２のメインリブ山領域が、前記第１のサブリブ山領域及び前記第２のサブリブ山領域より高くて前記電子機器を支える山ピークをそれぞれ有する請求項５から８のいずれかに記載の排熱パッド。
【請求項１０】
電子機器で発生した熱を排出するとともに電子機器を収納し、第１の排熱パッド及び第２の排熱パッドを備えた排熱収納袋であって、
前記第１の排熱パッドが、第１の基材及び第１の放熱層を有し、前記第１の放熱層が、前記第１の基材に形成され、第１のメインリブ及び複数の第１のサブリブを有し、前記第１の放熱層が、前記第１のメインリブ及び前記第１のサブリブを介し、前記第１のサブリブ間に複数の第１の放熱溝部が形成され、前記第１のメインリブ及び前記第１のサブリブが、半波形状であり、前記第１の基材に周期的に突設され、
前記第２の排熱パッドが、第２の基材及び第２の放熱層を有し、前記第２の放熱層が、前記第２の基材に配置され、第２のメインリブ及び複数の第２のサブリブを有し、前記第２の放熱層が、前記第２のメインリブ及び前記第２のサブリブを介し、前記第２のサブリブ間に複数の第２の放熱溝部が形成され、前記第２のメインリブ及び前記第２のサブリブが、半波形状であり、前記第２の基材に周期的に突設され、
前記第１の排熱パッドと前記第２の排熱パッドとを結合し、前記電子機器を収納する収納空間を形成し、前記第１の放熱溝部及び前記第２の放熱溝部のうちの少なくともいずれか１つにより、前記電子機器に発生した熱を排出することを特徴とする排熱収納袋。
【請求項１１】
前記第１のサブリブが、前記第１のメインリブとの間のピッチ幅に基づき、前記第１のメインリブに対して第１のスケーリングを有し、
前記第２のサブリブが、前記第２のメインリブとの間のピッチ幅に基づき、前記第２のメインリブに対して第２のスケーリングを有する請求項１０に記載の排熱収納袋。
【請求項１２】
前記第１のスケーリングとピッチとの関係が、下記式（１）で表される請求項１１に記載の排熱収納袋。
【数１】
0003178595.tif 000006
ここで、Ｒは前記第１のスケーリングであり、Ｂはスケーリング基準値であり、ＳＰＷは前記第１のサブリブと前記第１のメインリブとの間のピッチ幅であり、Ｄは前記第１のサブリブのうちの１つと、前記第１のメインリブとの間の最も近いピッチ幅である。
【請求項１３】
前記第１の放熱層が形成されていない側の前記第１の排熱パッドの表面と、前記第２の放熱層が形成されていない側の前記第２の排熱パッドの表面とに形成された滑り止め層を更に備える請求項１０から１２のいずれかに記載の排熱収納袋。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、排熱構造に関し、特に、電子機器に発生した熱を排出する排熱構造、排熱パッド及び排熱収納袋に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の高速作動する携帯型電子機器は、高温を発生させ、高温により熱が溜まると、例えば、電子機器の演算が遅れたり不正確になったり、電子機器がフリーズしたりクラッシュしたりするなどの悪影響が起きる虞がある。
【０００３】
上述の問題点を解決するために、従来技術では、放熱パッドの上方に取り付けたファンを用いて電子機器に発生した熱を排出していたが、放熱パッドに取り付けたファンを作動させるために付加的に電源に接続したり電子機器から電源を得たりする必要があった。
【０００４】
しかし、従来の放熱パッドは、電源を供給する必要がある上、硬質の構造であるため、携帯する際不便であり、固定された位置でしか用いることができない。
【０００５】
そのため、従来技術の問題点を解決することができる技術手段が求められていた。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００６】
本考案の第１の目的は、複数のリブにより電子機器を支える上、電子機器との接触面積を減らし、複数のリブ間に形成した排熱溝部により電子機器に発生した熱をスピーディーに排出し、電子機器に熱が溜まることを防ぐことができる排熱構造を提供することにある。
本考案の第２の目的は、複数のリブをメインリブと複数のサブリブへ分け、サブリブの高さをメインリブより低くして電子機器との接触面積を減らすことができる排熱構造を提供することにある。
本考案の第３の目的は、複数のリブにより構成した複数の放熱体を基材へ交互に配置して熱を排出し、使用する消耗材を減らすことができる排熱パッドを提供することにある。
本考案の第４の目的は、付加的な電力がなくとも、電子機器に発生する熱を排出することができる排熱パッドを提供することにある。
本考案の第５の目的は、排熱構造を備えた少なくとも２つの排熱パッドを用い、電子機器を収納する収納空間を形成し、電子機器が放熱収納袋の表面に設置された際、電子機器に発生した熱を排熱収納袋の排熱構造により排出することができる排熱収納袋を提供することにある。
本考案の第６の目的は、収納空間の排熱収納袋の内表面に排熱構造を形成し、複数のリブにより電子機器を挟持して電子機器を収納したり損壊しないように保護したりする排熱収納袋を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するために、本考案の第１の形態によれば、電子機器で発生した熱を排出し、基材と、前記基材に配置されるとともにメインリブ及び複数のサブリブを有する放熱体と、を備えた排熱構造であって、前記メインリブは、半波形状であり、前記基材に周期的に突設され、前記基材に形成されたメインリブ山領域及びメインリブ谷領域を有し、  前記サブリブは、前記メインリブの両側へそれぞれ配置されて複数の排熱溝部が形成され、前記サブリブ間がピッチ幅で離間され、前記基材に形成されたサブリブ山領域及びサブリブ谷領域を有し、前記サブリブ山領域は、前記メインリブ山領域に対応し、前記サブリブ谷領域は、前記メインリブ谷領域に対応し、前記サブリブ及び前記メインリブのピッチに基づき、前記メインリブ山領域に対する前記サブリブ山領域のスケーリングを決定することを特徴とする排熱構造が提供される。
【０００８】
また、前記メインリブと、前記メインリブに隣接した前記サブリブとにより前記排熱溝部が形成され、前記サブリブ間には、前記排熱溝部が形成され、前記排熱溝部の幅は、前記ピッチ幅に等しいことが好ましい。
【０００９】
また、前記メインリブと前記サブリブとは、前記基材に平行に配置されることが好ましい。
【００１０】
また、前記メインリブ及び前記サブリブは、弾性、可塑性及び折り曲げのうちの少なくともいずれか１つの性質を備えた材料からなることが好ましい。
【００１１】
前記課題を解決するために、本考案の第２の形態によれば、電子機器で発生した熱を排出し、基材、第１の放熱体及び第２の放熱体を備えた排熱パッドであって、前記第１の放熱体は、前記基材に配置されるとともに第１のメインリブ及び複数の第１のサブリブを有し、前記第１のメインリブは、半波形状であり、前記基材に第１の周期で突設され、前記基材に形成された第１のメインリブ山領域及び第１のメインリブ谷領域を有し、前記第１のサブリブは、前記第１のメインリブの両側へそれぞれ配置されて前記第１のサブリブ間がピッチ幅で離間され、前記第１のサブリブのそれぞれは、前記基材に形成された第１のサブリブ山領域及び第１のサブリブ谷領域を有し、前記第１のサブリブ山領域は、前記第１のメインリブ山領域に対応し、前記第１のサブリブ谷領域は、前記第１のメインリブ谷領域に対応し、前記第１のサブリブのそれぞれと前記第１のメインリブとのピッチに基づき、前記第１のメインリブ山領域に対する前記第１のサブリブ山領域のスケーリングを決定し、前記第２の放熱体は、前記基材に配置されて前記第１の放熱体に隣接され、第２のメインリブ及び複数の第２のサブリブを有し、前記第２のメインリブは、半波形状であり、前記基材に第２の周期で突設され、前記基材に形成された第２のメインリブ山領域及び第２のメインリブ谷領域を有し、前記第２の周期は、前記第１の周期と所定の角度でずれ、前記第２のサブリブは、前記第２のメインリブの両側へそれぞれ配置されて前記第２のサブリブ間がピッチ幅で離間され、前記基材に形成された第２のサブリブ山領域及び第２のサブリブ谷領域を有し、前記第２のサブリブ山領域は、前記第２のメインリブ山領域に対応し、前記第２のサブリブ谷領域は、前記第２のメインリブ谷領域に対応し、前記第２のサブリブのそれぞれと前記第２のメインリブとのピッチに基づき、前記第２のメインリブ山領域に対する前記第２のサブリブ山領域のスケーリングを決定することを特徴とする排熱パッドが提供される。
【００１２】
また、前記角度は９０度であり、前記第１のメインリブ山領域は、前記第２のサブリブ谷領域に対応し、前記第１のメインリブ谷領域は、前記第２のサブリブ山領域に対応することが好ましい。
【００１３】
また、前記第１の放熱体及び前記第２の放熱体が形成されていない側の前記基材の表面に形成された滑り止め層を更に備えることが好ましい。
【００１４】
また、前記滑り止め層は、前記基材が接触されない表面に形成された複数のバンプを有することが好ましい。
【００１５】
また、前記第１のメインリブ山領域及び前記第２のメインリブ山領域は、前記第１のサブリブ山領域及び前記第２のサブリブ山領域より高くて前記電子機器を支える山ピークをそれぞれ有することが好ましい。
【００１６】
前記課題を解決するために、本考案の第３の形態によれば、電子機器で発生した熱を排出するとともに電子機器を収納し、第１の排熱パッド及び第２の排熱パッドを備えた排熱収納袋であって、前記第１の排熱パッドは、第１の基材及び第１の放熱層を有し、前記第１の放熱層は、前記第１の基材に形成され、第１のメインリブ及び複数の第１のサブリブを有し、前記第１の放熱層は、前記第１のメインリブ及び前記第１のサブリブを介し、前記第１のサブリブ間に複数の第１の放熱溝部が形成され、前記第１のメインリブ及び前記第１のサブリブは、半波形状であり、前記第１の基材に周期的に突設され、前記第２の排熱パッドは、第２の基材及び第２の放熱層を有し、前記第２の放熱層は、前記第２の基材に配置され、第２のメインリブ及び複数の第２のサブリブを有し、前記第２の放熱層は、前記第２のメインリブ及び前記第２のサブリブを介し、前記第２のサブリブ間に複数の第２の放熱溝部が形成され、前記第２のメインリブ及び前記第２のサブリブは、半波形状であり、前記第２の基材に周期的に突設され、前記第１の排熱パッドと前記第２の排熱パッドとを結合し、前記電子機器を収納する収納空間を形成し、前記第１の放熱溝部及び前記第２の放熱溝部のうちの少なくともいずれか１つにより、前記電子機器に発生した熱を排出することを特徴とする排熱収納袋が提供される。
【００１７】
また、前記第１のサブリブは、前記第１のメインリブとの間のピッチ幅に基づき、前記第１のメインリブに対して第１のスケーリングを有し、前記第２のサブリブは、前記第２のメインリブとの間のピッチ幅に基づき、前記第２のメインリブに対して第２のスケーリングを有することが好ましい。
【００１８】
また、前記第１のスケーリングとピッチとの関係は、下記式（１）で表されることが好ましい。
【数１】
0003178595.tif 000003
ここで、Ｒは前記第１のスケーリングであり、Ｂはスケーリング基準値であり、ＳＰＷは前記第１のサブリブと前記第１のメインリブとの間のピッチ幅であり、Ｄは前記第１のサブリブのうちの１つと、前記第１のメインリブとの間の最も近いピッチ幅である。
【００１９】
また、前記第１の放熱層が形成されていない側の前記第１の排熱パッドの表面と、前記第２の放熱層が形成されていない側の前記第２の排熱パッドの表面とに形成された滑り止め層を更に備えることが好ましい。
【考案の効果】
【００２０】
本考案の排熱構造、排熱パッド及び排熱収納袋は、従来技術と比べ、複数のリブにより形成された排熱溝部により排熱を行い、半波形状であり、基材に周期的に突設され、電子機器とリブとが接触されると、半波形状の山ピークだけが接触されるため、電子機器との接触面積を減らすことができる。また、収納袋の外部又は内部に排熱構造を形成すると、収納機能を得ることができる以外に、電子機器の熱を排出したり、電子機器を挟持したり損壊されることを防いだりすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、本考案の一実施形態に係る排熱構造を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１の線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図３】図３は、図１のメインリブ及びサブリブを示す断面図である。
【図４】図４は、本考案の第１実施形態に係る排熱パッドを示す斜視図である。
【図５】図５は、本考案の第２実施形態に係る排熱パッドを示す断面図である。
【図６】図６は、本考案の一実施形態に係る排熱収納袋を示す斜視図である。
【考案を実施するための形態】
【００２２】
以下、本考案の実施形態について図に基づいて説明する。なお、これによって本考案が限定されるものではない。
【００２３】
（排熱構造）
図１を参照する。図１に示すように、本考案の一実施形態に係る排熱構造１０は、例えば、携帯型コンピュータ、タブレット型パソコンなどの電子機器（図示せず）に発生した熱を排出するために用いる。電子機器が動作すると、電子機器の電子部品が高速演算を行って熱を発生させ、この熱を電子機器の放熱ファンにより電子機器の外部へ排出させる。一般に熱は電子機器の底部から排出させる。
【００２４】
排熱構造１０は、少なくとも基材１２及び放熱体１４から構成される。
【００２５】
基材１２は、放熱体１４を設置するために用いる。本実施形態において、基材１２は、ナイロン（Ｎｙｌｏｎ）からなるが、放熱体１４に結合して放熱体１４を固定させることができる限り、ナイロン以外の材料からなってもよい。
【００２６】
放熱体１４は、メインリブ１４２及びサブリブ１４４を含む。図２を併せて参照する。図２は、図１の線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【００２７】
メインリブ１４２は、半波形状であり、ここでは正弦波を例に説明する。本実施形態のメインリブ１４２は、半波形状であり、基材１２の縁部まで延伸されて基材１２に突設されている。メインリブ１４２は、基材１２に形成されたメインリブ山領域１４２２及びメインリブ谷領域１４２４を含み、メインリブ山領域１４２２とメインリブ谷領域１４２４により波状に形成される。また、ここでメインリブ山領域１４２２は、山ピーク１４２６（即ち、波中の振幅が最大値）の両側の領域により形成され、メインリブ谷領域１４２４は、谷ピーク１４２８（即ち、波中の振幅が最小値）の両側の領域により形成される。
【００２８】
各サブリブ１４４は、基材１２に形成されたサブリブ山領域１４４２及びサブリブ谷領域１４４４を含む。サブリブ山領域１４４２は、メインリブ山領域１４２２に対応し、サブリブ谷領域１４４４は、メインリブ谷領域１４２４に対応する。
【００２９】
図３を併せて参照する。図３は、図１の基材１２の縁部を示す断面図である。複数のサブリブ１４４は、メインリブ１４２の両側へそれぞれ配置されて複数の排熱溝部１６が形成される。これら複数のサブリブ１４４は、メインリブ１４２と交点を形成しない。例えば、メインリブ１４２及びサブリブ１４４は、基材に対して平行に配置される。これらサブリブ１４４は、ピッチ幅ＳＰＷにより離間され、このピッチ幅ＳＰＷは排熱溝部１６の幅に等しくてもよい。
【００３０】
各サブリブ１４４とメインリブ１４２とのピッチ幅ＳＰＷに基づき、メインリブ山領域１４２２に対するサブリブ山領域１４４２のスケーリングを決定する。スケーリングとピッチ幅ＳＰＷとの関係は、次式（１）で表すことができる。
【００３１】
【数２】
0003178595.tif 000004
【００３２】
ここで、Ｒはサブリブ山領域のスケーリングであり、その単位はパーセンテージであり、Ｂはスケーリング基準値であり、ＳＰＷはサブリブとメインリブとのピッチ幅であり、Ｄはサブリブのうちの１つと、メインリブとの間の最も近いピッチ幅であり、その単位はｍｍである。
【００３３】
ここで、基準値は２０％であり、サブリブ山領域１４４２はメインリブ山領域１４２２の全体面積の８０％である。ここでは、サブリブ１４４が５個である場合で説明し、これら５個のサブリブ１４４間のピッチ幅ＳＰＷが同じである場合で説明する。
【００３４】
最も近いメインリブ１４２とサブリブ１４４’との間隔が０．３ｍｍである場合、上式（１）により（１−２０％×（０．３／０．３））サブリブ１４４’のスケーリングＲの８０％を得て、サブリブ１４４’のサブリブ山領域１４４２の面積は、メインリブ１４２のメインリブ山領域１４２２の面積の僅か８０％である。
【００３５】
また、スケーリングＲは、同様に高度のスケーリングであり、サブリブ１４４’の山ピークの高さは、メインリブ１４２の山ピーク１４２６の高さの８０％である。言い換えると、サブリブ１４４’の高さは、メインリブ１４２より２０％低い。
【００３６】
同様に、これら複数のサブリブ１４４とメインリブ１４２との間隔を広げるに伴って、８０％、６０％、４０％、２０％から０％へと２０％ずつ徐々に低くしたり、０％から８０％へ２０％ずつ徐々に高くしたりしてもよい。最終的に、これら複数のサブリブ１４４の数と、メインリブ１４２との間隔のピッチ幅ＳＰＷとに基づき、基材１２においてメインリブ１４２を中心として、メインリブ１４２の両側にサブリブ１４４の突出物を形成するが、この突出物は丘に類似した形状を有する。
【００３７】
メインリブ１４２及びサブリブ１４４は、弾性、可塑性、折り曲げなどの性質を備えた材料からなる。
【００３８】
（排熱パッド）
図４を参照する。図４は、本考案の第１実施形態に係る排熱パッドを示す斜視図である。図４に示すように、排熱パッド２０は、上述の実施形態と同様に電子機器（図示せず）に発生した熱を排出するために用い、基材２２、第１の放熱体２４及び第２の放熱体２６を含む。第１の放熱体２４は、基材２２に配置され、第１のメインリブ２４２及び複数の第１のサブリブ２４４を有する。第２の放熱体２６は、基材２２において第１の放熱体２４に隣接した箇所に配置され、第２のメインリブ２６２及び複数の第２のサブリブ２６４を含む。
【００３９】
第１の放熱体２４の第１のメインリブ２４２及び複数の第１のサブリブ２４４に関しては、前述の実施形態のメインリブ１４２及びサブリブ１４４と略同じであるためここでは繰り返して述べない。
【００４０】
第１のメインリブ２４２は、半波形状であり、第１の周期で基材２２に突設され、基材２２に形成された第１のメインリブ山領域２４２２及び第１のメインリブ谷領域２４２４を含む。
【００４１】
これら複数の第１のサブリブ２４４は、第１のメインリブ２４２の両側へそれぞれ配置され、これら複数の第１のサブリブ２４４はピッチ幅ＳＰＷにより離間され、各第１のサブリブ２４４は、基材２２に形成された第１のサブリブ山領域２４４２及び第１のサブリブ谷領域２４４４を含む。第１のサブリブ山領域２４４２は、第１のメインリブ山領域２４２２に対応し、第１のサブリブ谷領域２４４４は、第１のメインリブ谷領域２４２４に対応する。各第１のサブリブ２４４と第１のメインリブ２４２との間隔により、第１のメインリブ山領域２４２２に対する第１のサブリブ山領域２４４２のスケーリングを決定する。
【００４２】
上述の第１の放熱体２４は、基材２２の表面上に形成された丘状の複数の突出物を含む。
【００４３】
第２の放熱体２６の第２のメインリブ２６２及び複数の第２のサブリブ２６４は、上述の実施形態中のメインリブ１４２及びサブリブ１４４と略同じであり、基材２２に略丘状の複数の突出物が形成されている。
【００４４】
第２の放熱体２６と第１の放熱体２４とは僅かに異なる。
【００４５】
第２のメインリブ２６２は、上述の実施形態と同様に半波形状であるが、第２のメインリブ２６２は、第２の周期により基材２２に突設される。この第２の周期は、第１の周期と角度θでずれている。本実施形態では、９０度の角度を例に説明する。この９０度の角度により、基材２２の表面上で第１の放熱体２４と第２の放熱体２６とを交互に配列させる。
【００４６】
ここで、第１のメインリブ２４２の第１のメインリブ山領域２４２２は、上述の実施形態と同様に山ピーク（即ち、第１のメインリブ山領域２４２２中で最大振幅の頂点を有する）を有し、この山ピークは、第１のサブリブ谷領域２４４４の山ピーク（即ち、第１のサブリブ谷領域２４４４中で最大振幅の頂点を有する）を用いて電子機器を支え、第２のメインリブ２６２は同様の効果を得ることができる。
【００４７】
図５を参照する。図５は、本考案の第２実施形態に係る排熱パッドを示す断面図である。図５に示すように、排熱パッド２０’は、第１実施形態と同様に基材２２、第１の放熱体２４及び第２の放熱体２６を含む以外に、滑り止め層２８を含む。この滑り止め層２８は、第１の放熱体２４及び第２の放熱体２６が設けられていない側の基材２２の表面に形成され、卓上面などに排熱パッド２０’が設置された際、摩擦を高めて排熱パッド２０’が容易に移動しないようにする。ここで、滑り止め層２８は、基材２２と接触されない側の表面に設けられた複数のバンプ２８２を含む。
【００４８】
（排熱収納袋）
図６を参照する。図６は、本考案の一実施形態に係る排熱収納袋を示す斜視図である。図６に示すように、排熱収納袋３０は、電子機器（図示せず）により発生した熱を排出し、電子機器を収納するために用いる。
【００４９】
排熱収納袋３０は、第１の排熱パッド３２及び第２の排熱パッド３４を含む。
【００５０】
第１の排熱パッド３２は、第１の基材３２２及び第１の放熱層３２４を含む。第１の放熱層３２４は、第１の基材３２２に形成される。第１の放熱層３２４は、第１のメインリブ３２４２及び複数の第１のサブリブ３２４４を含む。第１の放熱層３２４は、第１のメインリブ３２４２及び第１のサブリブ３２４４を介し、複数の第１のサブリブ３２４４間に複数の第１の放熱溝部３２６が形成されている。第１のメインリブ３２４２及び第１のサブリブ３２４４は、半波形状であり、第１の基材３２２に周期的に突設されている。
【００５１】
第２の排熱パッド３４は、第２の基材３４２及び第２の放熱層３４４を含む。第２の放熱層３４４は、第２の基材３４２に配置される。第２の放熱層３４４は、第２のメインリブ３４４２及び複数の第２のサブリブ３４４４を含む。第２の放熱層３４４は、第２のメインリブ３４４２及び第２のサブリブ３４４４を介し、第２のサブリブ３４４４間に複数の第２の放熱溝部３４６が形成される。第２のメインリブ３４４２及び第２のサブリブ３４４４は、半波形状であり、第２の基材３４２に周期的に突設されている。
【００５２】
第１の排熱パッド３２と第２の排熱パッド３４とを結合し、電子機器を収納する収納空間３６を形成し、第１の放熱溝部３２６及び第２の放熱溝部３４６のうちの少なくともいずれか１つにより、電子機器に発生した熱を排出する。
【００５３】
各第１のサブリブ３２４４は、第１のメインリブ３２４２との間のピッチ幅に基づき、第１のメインリブ３２４２に対する第１のスケーリングを得て、各第２のサブリブ３４４４は、第２のメインリブ３４４２との間のピッチ幅に基づき、第２のメインリブ３４４２に対する第２のスケーリングを得る。第１のスケーリングを例に説明すると、スケーリングとピッチ幅ＳＰＷとの関係は、次式（２）で表すことができる。
【００５４】
【数３】
0003178595.tif 000005
【００５５】
ここで、Ｒは第１のスケーリングであり、Ｂはスケーリング基準値であり、ＳＰＷは第１のサブリブと第１のメインリブとのピッチ幅であり、Ｄは第１のサブリブのうちの１つと、第１のメインリブとの間の最も近いピッチ幅である。
【００５６】
本考案の他の実施形態では、排熱収納袋３０は、第１の放熱層３２４が形成されていない側の第１の排熱パッド３２の表面と、第２の放熱層３４４が形成されていない側の第２の排熱パッド３４の表面とにそれぞれ形成されて収納空間３６中で電子機器を挟持する滑り止め層３８を更に含む。
【００５７】
上述したことから分かるように、本考案の排熱構造、排熱パッド及び排熱収納袋は、複数のリブにより形成された排熱溝部により排熱を行い、半波形状であり、基材に周期的に突設され、電子機器とリブとが接触されると、半波形状の山ピークだけが接触されるため、電子機器との接触面積を減らすことができる。また、収納袋の外部又は内部に排熱構造を形成すると、収納機能を得ることができる上、電子機器の熱を排出したり、電子機器を挟持したり損壊されることを防いだりすることもできる。
【００５８】
当該分野の技術を熟知するものが理解できるように、本考案の好適な実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本考案を限定するものではない。本考案の主旨と領域を逸脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。従って、本考案の実用新案登録請求の範囲は、このような変更及び修正を含めて広く解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００５９】
１０      排熱構造
１２      基材
１４      放熱体
１６      排熱溝部
２０      排熱パッド
２０’    排熱パッド
２２      基材
２４      第１の放熱体
２６      第２の放熱体
２８      滑り止め層
３０      排熱収納袋
３２      第１の排熱パッド
３４      第２の排熱パッド
３６      収納空間
３８      滑り止め層
１４２      メインリブ
１４４      サブリブ
１４４’    サブリブ
２４２      第１のメインリブ
２４４      第１のサブリブ
２６２      第２のメインリブ
２６４      第２のサブリブ
２８２      バンプ
３２２      第１の基材
３２４      第１の放熱層
３２６      第１の放熱溝部
３４２      第２の基材
３４４      第２の放熱層
３４６      第２の放熱溝部
１４２２      メインリブ山領域
１４２４      メインリブ谷領域
１４２６      山ピーク
１４２８      谷ピーク
１４４２      サブリブ山領域
１４４４      サブリブ谷領域
２４２２      第１のメインリブ山領域
２４２４      第１のメインリブ谷領域
２４４２      第１のサブリブ山領域
２４４４      第１のサブリブ谷領域
３２４２      第１のメインリブ
３２４４      第１のサブリブ
３４４２      第２のメインリブ
３４４４      第２のサブリブ
ＳＰＷ      ピッチ幅
θ      角度
【図１】
0003178595.tif 000007
【図２】
0003178595.tif 000008
【図３】
0003178595.tif 000009
【図４】
0003178595.tif 000010
【図５】
0003178595.tif 000011
【図６】
0003178595.tif 000012