(57)【要約】      （修正有）【課題】足隠れ式の高パワーLEDフレームに関し、更に該フレームを採用する高パワーLEDパッケージング構造を提供する。【解決手段】足隠れ式の高パワーＬＥＤフレームは、導電足とこの導電足を取り囲む基座とを含み、基座の頂部に凹部を形成し、凹部底部にヒートシンクを固定し、導電足が基座の底面を貫通し、導電足の底面が基座の底面及びヒートシンクの底面に合わせる。【選択図】図１
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
導電足とこの前記導電足を取り囲む基座とを含み、前記基座の頂部に凹部を形成しており、前記凹部底部にヒートシンクを固定し、前記導電足が基座の底面を貫通し、前記導電足の底面が前記基座の底面及びヒートシンクの底面に合わせることを特徴とする足隠れ式の高パワーLEDフレーム。
【請求項２】
前記導電足がランドとこのランドに沿って下に向かって屈曲する展延部とを含み、前記展延部基座の底部端面を貫通し、且つ基座の底部端面に一つの折り辺を形成し、前記折り辺の底面がヒートシンクの底面及び基座の底面に合わせ、前記ランドとヒートシンクとの間に予め絶縁間隙が配置しておくことを特徴とする請求項1に記載の足隠れ式の高パワーLEDフレーム。
【請求項３】
前記基座が珪素樹脂により制作されることを特徴とする請求項2に記載の足隠れ式の高パワーLEDフレーム。
【請求項４】
前記導電足が正極導電足及び負極導電足を含み、前記正極導電足及び前記負極導電足のランドが凹部の底部に位置することを特徴とする請求項3に記載の足隠れ式の高パワーLEDフレーム。
【請求項５】
前記ランドの上表面及びヒートシンクの上表面に反射層を設けていることを特徴とする請求項4に記載の足隠れ式の高パワーLEDフレーム。
【請求項６】
前記ヒートシンクの頂部にはLEDチップを収容する凹部を形成していることを特徴とする請求項5に記載の足隠れ式の高パワーLEDフレーム。
【請求項７】
前記絶縁間隙の振幅が0.1mm〜0.3mmの間にあることを特徴とする請求項6に記載の足隠れ式の高パワーLEDフレーム。
【請求項８】
前記導電足は立方体とし、前記導電足の上端部が溶接線区とし、前記導電足の底面がヒートシンクの底面及び基座の底面に合わせ、前記導電足におけるヒートシンクに面する外側面が基座の側面に合わせ、前記導電足とヒートシンクとの間に予め絶縁間隙が配置しておくことを特徴とする請求項1に記載の足隠れ式の高パワーLEDフレーム。
【請求項９】
LEDチップがヒートシンク上に固定され、前記チップが前記導電足と電気に接続し、前記パッケージング材料が前記凹部内に充填されてLEDチップを被覆することを特徴とする請求項1に記載の足隠れ式の高パワーLEDフレームを採用する足隠れ式の高パワーLEDパッケージング構造。
【請求項１０】
前記導電足がランドとこのランドに沿って下に向かって屈曲する展延部とを含み、前記展延部が基座の底部端面を貫通し、且つ基座の底部端面に一つの折り辺を形成し、前記折り辺の底面がヒートシンクの底面及び基座の底面に合わせ、前記ランドとヒートシンクとの間に予め絶縁間隙が配置しておくことを特徴とする請求項9に記載の足隠れ式の高パワーLEDパッケージング構造。
【請求項１１】
前記基座が珪素樹脂により制作することを特徴とする請求項10に記載の足隠れ式の高パワーLEDパッケージング構造。
【請求項１２】
前記パッケージング材料が蛍光材料とすることを特徴とする請求項11に記載の足隠れ式の高パワーLEDパッケージング構造。
【請求項１３】
前記導電足は立方体とし、前記導電足の上端部が溶接線区とし、前記導電足の底面がヒートシンクの底面及び基座の底面に合わせ、前記導電足におけるヒートシンクに面する外側面が基座の側面に合わせ、前記導電足とヒートシンクとの間に予め絶縁間隙が配置しておくことを特徴とする請求項12に記載の足隠れ式の高パワーLEDパッケージング構造。 
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】本考案は、高パワーLEDフレームに関し、特に足隠れ式の高パワーLEDフレームに関し、更に該フレームを採用する高パワーLEDパッケージング構造に関する。
【背景技術】
【０００２】白光発光ダイオード(Lighting Emitting Diode)は効率が高く、寿命が長く、信頼性が高く、環境を保護して省エネルギー、応用が多様な等の多い長所を持ち、普遍的に第四の世代の照明光源と認可され、幅広い発展前景を備える。現在、市販におけるLED光源は主にルーメン型、チップ式、集成高パワー型及びLAMP型の四種があり、その中でLAMP型がベースピン式の電球であり、その放熱が主にリードフットによるため、低パワーの電球だけとし、主に装飾灯、低パワー携帯式灯具及び簡易なディスプレイクリーン等の製品に応用されている。チップ式LEDはフレームの比較的小さい放熱面積に制約されるため、低パワーのパッケージングだけとする可能で、例えば市販に主流とする3528或は5050等、最大でも0.2Wに達し、例えば高パワーの灯具の制作に後期の電球モジュール化アレイの方式を採用しかできなく、効率がとても低い。現在、高パワーの光源の制作が主にリードフット型及び集成高パワー型を主にして、その中リードフット型が主に1W及び1W以上の高パワー電球の制作に用いられ、リードフット型の電球が高パワーLED照明の大部分の市場を占している。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００３】図1の示すように、基座200、基座200内に固定されるチップ、封止チップのレンズ500及び基座200の両側から伸び出す導電足200a、200bを含むが、それは導電足200a、200bの露出する構造に制限されるため、自動化生産を実現できなく、後段の分光工程で導電足2a、2bの露出で自動振動盤に基づくことができないため、人工で手動に料管を装入することにより、再び分光機に取付して分光し、分光した後に再度料管を装入し、そうして料管にあるLEDを編組機に入れて編組を行い、全過程で手動により完成する必要があり、且つそのレンズの制作工程が煩瑣で、大量の工数をかかる必要があるため、リードフット型LEDの制作工程が面倒で、全面的に自動化生産できなく、生産効率が低く、価格が高く、以上のこれらの欠点がその普及を制約する技術難題である。集成高パワー型LEDは業種標準が欠き、標準化生産を行うことができなく、現有の応用メーカの需要によりあつらえる必要があり、且つ通用性が強くなく、体積が大きく、構造が複雑で、工程が煩瑣で、生産効率が低く、自動化に生産して加工できない。
【課題を解決するための手段】
【０００４】従来の技術中で高パワーLED製造に存在する前記の技術的問題に対して、本考案の目的は、先ず高パワーLED電球の自動化パッケージングを実現できる足隠れ式LEDパッケージングフレームを提供する。前記の技術目的に達するために、本考案の採用する技術手段は足隠れ式の高パワーLEDフレームであり、導電足及び前記導電足を包囲する基座を含み、前記基座の頂部に凹部を形成し、前記凹部の底部にヒートシンクを固設する足隠れ式LEDパッケージングフレームにおいて、前記導電足が基座の底面を貫通し、前記導電足の底面が前記基座の底面及びヒートシンクの底面と面一にすることを特徴とする。【０００５】本考案に言われる「足隠れ式」とは、導電足を基座の骨組み内に隠し、本考案の提供する高パワーLEDパッケージングフレームは、従来の技術にかかるリードフット電球の両側から延出する導電足を基座の骨組み内に隠すことに成功し、導電足が露出する折り辺を基座の底部に隠させ、それが順調に振動盤により後続の自動化生産を行うことができ、本考案の構造の設計が巧妙で、本分野で長期より面する高パワーLEDが全面的な自動化生産を実現できない技術的難題を解決し、従来の高パワーLEDの半自動パッケージングモードを改良し、産業の全体の自動化パッケージング進程を推進し、高パワーLEDパッケージング分野の新しい革命性の突破である。本考案の足隠れ式の高パワーLEDパッケージングフレームのパッケージング技術を採用することにより300%の生産能力を向上でき、LEDのコストを現有の価格の三分の一つに削減させ、源からLEDの高い価格問題を解決し、LED産業の全体の自動化パージョンアップの促進に資し、且つLED照明全面の普及を促す。【０００６】好ましくは、前記導電足がランド及びそのランドに沿って下に向かって屈曲する展延部を含み、前記展延部が基座の底部端面を貫通し、且つ基座の底部端面に一つの折り辺を形成し、前記折り辺の底面がヒートシンクの底面及び基座の底面に合わせ、前記ランドとヒートシンクとの間に予め絶縁間隙が配置する。好ましくは、前記基座が珪素樹脂により制作する。好ましくは、前記導電足が正極導電足及び負極導電足を含み、前記正極導電足及び負極導電足のランドが凹部の底部に位置する。好ましくは、前記ランドの上表面及びヒートシンクの上表面に反射層を設けている。好ましくは、前記ヒートシンクの頂部に容置LEDチップの凹部を形成している。好ましくは、所絶縁間隙の振幅が0.1mm〜0.3mmにある。好ましくは、前記導電足は立方体とし、前記導電足の上端部が溶接線区となり、前記導電足の底面がヒートシンクの底面及び基座の底面に合わせ、前記導電足におけるヒートシンクに面する外側面が基座の側面に合わせ、前記導電足とヒートシンクとの間に予め絶縁間隙が配置しておく。本考案は、更には前記足隠れ式の高パワーLEDフレームを採用する足隠れ式の高パワーLEDパッケージング構造を提供し、その中でLEDチップがヒートシンク上に固定され、前記チップが前記導電足電と接続し、前記パッケージング材料が前記凹部内に充填してLEDチップを被覆する。本考案の提供する高パワーLEDパッケージング結構は、従来の技術にかかるリードフット電球両側から延出する導電足を基座の骨組み内に隠すことができ、導電足が露出する折り辺を基���の底部に隠し、それが順調に振動盤により後続の自動化生産を行うことができ、本考案の構造の設計が巧妙で、本分野で長期より面する高パワーLEDが全面的な自動化生産を実現できない技術的難題を解決し、徹底的に従来の高パワーLEDの半自動パッケージングモードを改良し、産業の全体の自動化パッケージング進程を推進し、高パワーLEDパッケージング分野の新規な考案である。本考案の高パワーLEDパッケージング構造を採用して300%の生産能力を向上させことができ、LEDのコストを現有の価格の三分の一つに削減させ、LEDの高い価格問題を解決し、LED産業の全体の自動化パージョンアップの促進に資し、且つLED照明全面の普及を促す。【０００７】好ましくは、前記導電足を含むランド及びランドに沿って下に向かって屈曲する展延部、前記展延部基座の底部端面を貫通し、且つ在基座の底部端面に一つの折り辺を形成し、前記折り辺の底面がヒートシンクの底面及び基座の底面に合わせ、前記ランドとヒートシンクとの間に予め絶縁間隙が配置しておく。好ましくは、前記基座が珪素樹脂により制作する。好ましくは、前記パッケージング材料が蛍光材料とする。好ましくは、前記導電足は立方体とし、前記導電足の上端部が溶接線区となり、前記導電足の底面がヒートシンクの底面及び基座の底面に合わせ、前記導電足におけるヒートシンクに面する外側面が基座の側面に合わせ、前記導電足とヒートシンクとの間に予め絶縁間隙が配置しておく。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】は従来の高パワーLEDの斜視図である。
【図２】は本考案の正面図である。
【図３】は図1のA-A断面図である。
【図４】は本考案の底面図である。
【図５】は本考案の実施例の断面図である。
【図６】は本考案の実施例の底面図である。
【図７】は本考案の他の実施例の断面図である。
【図８】は本考案のパッケージングの断面図である。
【図９】は本考案のパッケージング構造の断面図である。
【図１０】は本考案のパッケージング構造の断面図である。
【考案を実施するための形態】
【０００９】本考案の技術案を、図面を参照して詳細に説明する。図2、図3、図4の示すように、本考案は、足隠れ式の高パワーLEDフレームを開示しており、導電足1a、1bとこの導電足1a、1bを取り囲む基座2とを含み、前記基座2の頂部の中央位置に一つの凹部6を形成し、前記凹部6の底部に一つのヒートシンク3を固定し、導電足1a、1bがランド11及びランド11に沿って下に向かって屈曲する展延部12を含み、前記展延部12が基座2の底部端面20を貫通し、且つ基座2の底部端面に一つの折り辺13を形成し、前記折り辺13の底面10がヒートシンク3の底面30及び基座2の底面20とに合わせ、前記ランド11とヒートシンク3との間に予め絶縁間隙7が配置しておく。
【００１０】本考案の「足隠れ式」とは、導電足1a、1bを基座2の骨組み内に隠し、本考案の提供する高パワーLEDパッケージングフレームが従来の技術にかかるリードフット電球両側から延出する導電足1a、1bを基座2の骨組み内に隠すことに成功し、導電足1a、1bが露出する折り辺を基座2の底部に隠させ、それを順調に振動盤により後続の自動化生産を行うことができる。本考案の構造の設計が巧妙で、本分野で高パワーLEDが全面的な自動化生産を実現できないという長年の技術的難題を解決し、従来の高パワーLEDの半自動パッケージングモードを改善し、産業の全体の自動化パッケージング進程を推進し、高パワーLEDパッケージング分野の新しい提案である。本考案の足隠れ式の高パワーLEDパッケージングフレームのパッケージング技術を採用することにより、300%の生産能力を向上でき、LEDのコストを現有の価格の三分の一つに削減させ、源からLEDの高い価格問題を解決し、LED産業の全体の自動化パージョンアップの促進に資し、且つLED照明全面の普及を促す。
【００１１】本考案の前記基座2は珪素樹脂を採用して制作する。珪素樹脂がパッケージング材料における珪素&#33014;との結合能力が非常によく、従来の技術にかかるLED受熱後パッケージング材料（珪素&#33014;）と基座(PPA材料)発生崩裂の現象を防止でき、製品の耐熱性能を向上させる。珪素樹脂が更に良好な光反射率を持ち、青光を例とし、従来のPPA材料の基座とその光線反射率が90%に満たないが、珪素樹脂の光反射率が98%以上に達できるため、珪素樹脂を引用して基座2を制作することによりLEDの光抽出効率を向上させるができる。同時に、珪素樹脂が更に良好な抗老化性能を持ち、駆動電流が60mAである場合には、LEDが3000時間点灯した後、PPA材料を基座とするLED衰減が高く40%に達し、珪素樹脂材料を基座とするLEDの衰減が5%に満たない。なお、珪素樹脂が良好な抗紫外線性能を持ち、従来のPPA材質の基座が紫外線で5分照射された後に黄色に変化し始めるが、珪素樹脂材質の基座が紫外線で20時間照射された後、外観の変化はない。このため、本考案は、珪素樹脂のような材料を採用して、従来のPPA材料を代替し、良好な粘接性能、超強の光反射率、優良な抗老化性能及び良質の抗UV性能が得られる。
【００１２】本考案の導電足1aが正極導電足であり、導電足1bが負極導電足であり、前記正極導電足1a及び負極導電足1bのランド11がそれぞれ凹部6の底部に位置し、前記のランド1がヒートシンク3の両側に分布している。本考案にかかる前記ランド11の上表面及びヒートシンク3の上表面に反射層8を設けており、該反射層8が銀層メッキ或は他の形式の金属層メッキとしてもよい。本考案にかかる前記ヒートシンク3の頂部に凹部31を形成し、該凹部31にLEDチップが入れる。本考案にかかる前記ヒートシンク3の形状は、テーパー状の逆金字塔形とし、これにより更に大きい反射面積を提供し、光抽出率を向上させる。前記ヒートシンク3の上表面が長方形としてももい。前記ヒートシンク3の材料が銅、アルミニウム、石墨、陶磁或は他の金属合金とし、例えばアルミニウム合金、タングステン銅合金。本考案にかかる絶縁間隙7の振幅Hが0.1mm〜0.3mmとし、好ましく0.1mm或は0.2mmとし、これにより更に大きい反射区域を提供し、光抽出効率を向上させる。
【００１３】本考案にかかる導電足1a、1bの折り辺13が図3、図4の示すように基座2の中央区域に向って屈曲してもよく、これにより導電足1a、1bを隠す目的に達し、図5、図6の示すように、本考案にかかる導電足1a、1bの折り辺13も基座2の周辺区域屈曲に向って屈曲してもよく、同様に導電足1a、1bを隠す目的に達でき、即ち、導電足1a、1bの折り辺13が左或は右に屈曲してもよい。
【００１４】本考案の他の好ましの実施例の形態は、図7の示すように、即ち、導電足1a、1bは立方体とし、前記導電足1a、1bの上端部11a、11bが溶接線区とし、前記導電足1a、1bの底面10がヒートシンク3の底面30及び基座2の底面20に合わせ、前記導電足1a、1bにおけるヒートシンク3に面する外側面12が基座2の側面22に合わせ、前記導電足1a、1bとヒートシンク3との間に予め絶縁間隙が配置しておく。図8、図9の示すように、本考案は更に前記足隠れ式の高パワーLEDフレームを採用する足隠れ式の高パワーLEDのパッケージング構造を提供し、LEDフレーム9と、LEDフレーム9内に固定されるLEDチップ4と、このLEDチップ4を被覆するためのパッケージング材料5とを含み、前記フレーム9が導電足1a、1b及びこの導電足1a、1bを取り囲む基座2を含み、前記基座2の頂部に凹部6を形成し、前記凹部6の底部にヒートシンク3を固定し、前記導電足がランド11及びこのランドに沿って下に向かって屈曲する展延部12を含み、前記展延部12が基座2の底部端面20を貫通し、且つ基座の底部端面20に一つの折り辺13を形成し、前記ランド11とヒートシンク3との間に予め絶縁間隙7が配置しておく、前記LEDチップ4がヒートシンク3上に固定し、前記チップ4が前記ランド11と電気に接続し、前記パッケージング材料5が前記凹部6内に充填してLEDチップ4を被覆する。前記折り辺13の底面10がヒートシンク3の底面30及び基座2の底面20に合わせることで、後続のLED電球の自動化分光に便利になる。
【００１５】本考案にかかる前記ヒートシンク3の頂部には、LEDチップ4が入れる一つの凹部31を形成している。本考案にかかる前記パッケージング材料5が蛍光材料とし、該蛍光材料は、均一の蛍光粉が混合したパッケージング材料である。好ましくは、LEDチップ4が青光LEDチップであり、前記蛍光材料が黄色の蛍光材料であり、この時に青光LEDチップが黄色蛍光材料を使用しないことにより白光が得られる。以上は、本考案にかかるパッケージング構造の実施例の説明であり、本考案の保護範囲がこれに限定されない。本考案にかかるパッケージング構造の他の実施例の形態は、図10のように示し、即ち、導電足1a、1bは立方体とし、導電足1a、1bの上端部11a、11bが溶接線区となり、前記導電足1a、1bの底面10がヒートシンク3の底面30及び基座2の底面20に合わせ、前記導電足1a、1bにおけるヒートシンク3に面する外側面12が基座2の側面22に合わせ、前記導電足1a、1bとヒートシンク3との間に予め絶縁間隙が配置しておく、LEDチップ4がヒートシンク3上に固定し、パッケージング材料5がLEDチップ4を被覆する。
【００１６】以上の記載は本考案の説明用であり、本考案の創作精神を離脱しない範囲内で、この技術を熟知する当業者による何れかの簡単な修飾と変形は、依然として本考案の保護範囲に属する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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