(57)【要約】      （修正有）【課題】反射ベースと基板との結合力を高める発光ダイオード基底構造を提供する。【解決手段】絶縁基板１０、金属基板或いは２つの電気的接続部２０には、固定部３０がそれぞれ形成され、固定部の上部の断面積が固定部の底部の断面積より大きく、反射ベース４０の形成時に固定部が反射ベース内に埋入されて反射ベースの固定に使用される。固定部により反射ベースと基板との間の結合力が高まる。【選択図】図１
0003205147.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
第一表面及び第二表面を有し、且つ前記第一表面及び前記第二表面を貫通させる複数の貫通孔を有する絶縁基板と、
前記第一表面に電気的に隔絶されるように設置されると共に前記貫通孔を通過して前記第二表面にそれぞれ延伸される２つの電気的接続部と、
前記絶縁基板の前記第一表面に形成され、前記電気的接続部の外側に周設されると共に前記電気的接続部とは互いに隔絶され、且つ上部の断面積が底部の断面積より大きい固定部と、
前記第一表面に形成され、中空領域を有し、前記固定部が内側に埋入され、且つ前記電気的接続部の一部が前記中空領域に露出される反射ベースと、を備えることを特徴とする、
発光ダイオード基底構造。
【請求項２】
前記電気的接続部の一部が更に前記反射ベース内に埋入され、且つ前記電気的接続部の前記反射ベースに埋入される部分は、更に押圧加工方式により、前記電気的接続部の前記反射ベース内に埋入される端部に凹凸状、鋸の歯状及びＹ字形状の内の何れか１つが形成されることを特徴とする、請求項１に記載の発光ダイオード基底構造。
【請求項３】
前記固定部は金属材質で製造され、且つ前記固定部の上部は押圧加工方式により製造され、前記固定部の上部の断面積が前記固定部の底部の断面積より大きくなることを特徴とする、請求項１に記載の発光ダイオード基底構造。
【請求項４】
前記固定部の上部の断面形状は凹凸状、鋸の歯状及びＷ字形状を含むことを特徴とする、請求項３に記載の発光ダイオード基底構造。
【請求項５】
前記絶縁基板はアルミナセラミックス基板、窒化アルミニウムセラミックス基板及びプリント回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ、ＰＣＢ）を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光ダイオード基底構造。
【請求項６】
互いに隔絶される２枚の金属基板と、
前記金属基板にそれぞれ形成され、且つ上部の断面積が底部の断面積より大きい２つの固定部と、
前記金属基板の内の何れか１つの表面に形成され、且つ前記固定部の内の何れか１つとは互いに隔絶される第一電気的接続部と、
前記金属基板の他の表面に形成されると共に他の前記固定部とは互いに隔絶される第二電気的接続部と、
中空領域を有し、前記金属基板、前記固定部、前記第一電気的接続部及び前記第二電気的接続部を被覆させて連結させると共に前記金属基板とは絶縁され、且つ前記第一電気的接続部及び前記第二電気的接続部の一部が前記中空領域に露出される反射ベースと、を備えることを特徴とする、
発光ダイオード基底構造。
【請求項７】
前記第一電気的接続部及び前記第二電気的接続部の一部は更に前記反射ベース内に埋入され、前記反射ベース内に埋入される前記第一電気的接続部及び前記第二連接部の端部は更に押圧加工方式により、前記第一電気的接続部及び前記第二連接部の前記反射ベース内に埋入される端部に凹凸状、鋸の歯状及びＹ字形状の内の何れか１つが形成されることを特徴とする、請求項６に記載の発光ダイオード基底構造。
【請求項８】
前記固定部の上部の断面形状は凹凸状、鋸の歯状及びＷ字形状を含むことを特徴とする、請求項７に記載の発光ダイオード基底構造。
【請求項９】
前記固定部は金属材質で製造され、且つ前記固定部の上部は押圧加工方式により製造され、前記固定部の上部の断面積が前記固定部の底部の断面積より大きくなることを特徴とする、請求項６に記載の発光ダイオード基底構造。
【請求項１０】
互いに隔絶される２枚の金属基板と、
前記金属基板の内の何れか１つの表面に形成される第一電気的接続部と、
前記金属基板の他の表面に形成される第二電気的接続部と、
前記第一電気的接続部及び前記第二電気的接続部にそれぞれ形成され、且つ上部の断面積が底部の断面積より大きい２つの固定部と、
中空領域を有し、前記第一電気的接続部、前記第二電気的接続部及び前記固定部を被覆させて連結させると共に前記金属基板とは絶縁され、且つ前記第一電気的接続部及び前記第二電気的接続部の一部が前記中空領域に露出される反射ベースと、を備えることを特徴とする、
発光ダイオード基底構造。
【請求項１１】
前記固定部は金属材質で製造され、且つ前記固定部の上部は押圧加工方式により製造され、前記固定部の上部の断面積が前記固定部の底部の断面積より大きくなることを特徴とする、請求項１０に記載の発光ダイオード基底構造。
【請求項１２】
前記固定部の上部の断面形状は凹凸状、鋸の歯状及びＷ字形状を含むことを特徴とする、請求項１０に記載の発光ダイオード基底構造。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、発光ダイオード基底構造に関し、反射ベースの結合力を高める発光ダイオード基底構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的な絶縁基板（例えば、セラミックス基板等）には、反射ベースを形成させるために、セラミックス共焼結方式或いは接着剤塗布方式が採用されて、絶縁基板上に反射ベースが形成される。しかしながら、セラミックス共焼結方式は、コストが高く、且つ製造工程が複雑である。接着剤塗布方式は、反射ベースに有効的な反射面を提供できない。
【０００３】
他の反射ベースの成形方式として、絶縁基板の結合射出方式があり、絶縁基板上に反射ベースが射出成形される。しかし、反射ベースと絶縁基板の表面との結合力が低く、反射ベースが剥離し易い上、水気があると絶縁基板と反射ベースとの接合面が反射ベース内に滲み出し、発光ダイオードの寿命が縮まった。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００４】
これらの問題を解決するために、絶縁基板に先に穿孔を施す方法がある。レーザー穿孔方式により絶縁基板に穿孔が形成されることで、反射ベースが穿孔中に填入されて、反射ベースを絶縁基板に固定させる効果を達成させ、反射ベースの剥離を防止する。
しかしながら、絶縁基板にレーザー穿孔を施工するのは、効率が悪く、且つコストも高い。
【０００５】
そこで、本考案者は上記の絶縁基板に反射ベースが固定される製造工程が複雑過ぎる、或いは製造工程の効率が不足する問題を改善可能と考え、鋭意検討を重ねた結果、合理的設計で上記の課題を効果的に改善する本考案の提案に到った。
【０００６】
本考案は、以上の従来技術の課題を解決する為になされたものである。即ち、本考案の目的は、上述の問題を解決するために、発光ダイオード基底構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するための本考案に係る発光ダイオード基底構造は、絶縁基板と、電気的接続部と、固定部と、反射ベースとを備える。
絶縁基板は第一表面及び第二表面を有し、且つ絶縁基板は第一表面及び第二表面を貫通させる複数の貫通孔を有する。電気的接続部は第一表面に電気的に隔絶されるように設置されると共に貫通孔を通過させて第二表面にそれぞれ延伸される。固定部は絶縁基板の第一表面に形成され、電気的接続部の外側に周設されると共に電気的接続部とは互いに隔絶され、且つ固定部の上部の断面積が固定部の底部の断面積より大きい。反射ベースは第一表面に形成され、反射ベースは中空領域を有し、且つ固定部は反射ベース内に埋入され、電気的接続部の一部が中空領域に露出される。
【０００８】
本考案の第２実施形態による発光ダイオード基底構造は、２つの金属基板と、２つの固定部と、第一電気的接続部と、第二電気的接続部と、反射ベースとを備える。
２つの金属基板は互いに隔絶される。固定部は金属基板にそれぞれ形成され、且つ固定部の上部の断面積が固定部の底部の断面積より大きい。第一電気的接続部は金属基板の内の何れか１つの表面に形成されると共に固定部の内の何れか１つとは互いに隔絶される。第二電気的接続部は金属基板の他の表面に形成されると共に他の固定部とは互いに隔絶される。反射ベースは中空領域を有し、反射ベースは金属基板、固定部、第一電気的接続部及び第二電気的接続部を被覆させて連結させると共に金属基板とは絶縁され、且つ第一電気的接続部及び第二電気的接続部の一部が中空領域に露出される。
【０００９】
本考案の第３実施形態による発光ダイオード基底構造は、２つの金属基板と、第一電気的接続部と、第二電気的接続部と、２つの固定部と、反射ベースとを備える。
２つの金属基板は互いに隔絶される。第一電気的接続部は金属基板の内の何れか１つの表面に形成される。第二電気的接続部は金属基板の他の表面に形成される２つの固定部は第一電気的接続部及び第二電気的接続部にそれぞれ形成され、且つ固定部の上部の断面積が固定部の底部の断面積より大きい。反射ベースは中空領域を有し、反射ベースは第一電気的接続部、第二電気的接続部及び固定部を被覆させて連結させると共に金属基板とは絶縁され、且つ第一電気的接続部及び第二電気的接続部の一部が中空領域に露出される。
【考案の効果】
【００１０】
本考案の構造は上述のとおりであって、本考案と先行技術との間の差異は、絶縁基板、金属基板或いは第一電気的接続部及び第二電気的接続部に固定部がそれぞれ形成され、固定部の上部の断面積が固定部の底部の断面積より大きく、反射ベースの形成時に、固定部が反射ベース内に埋入されて反射ベースの固定に使用される点である。
従って、上述の技術手段により、本考案は固定部により反射ベースと基板との間の結合力を高める技術効果を達成させる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本考案の第１実施形態による発光ダイオード基底構造の断面を示す模式図である。
【図２】本考案の第１実施形態による発光ダイオード基底構造の上部を示す概略図である。
【図３Ａ】本考案の第１実施形態による発光ダイオード基底構造の固定部を示す断面拡大図である。
【図３Ｂ】本考案の第１実施形態による発光ダイオード基底構造の固定部を示す断面拡大図である。
【図３Ｃ】本考案の第１実施形態による発光ダイオード基底構造の第一電気的接続部を示す断面拡大図である。
【図３Ｄ】本考案の第１実施形態による発光ダイオード基底構造の第二電気的接続部を示す断面拡大図である。
【図４】本考案の第２実施形態による発光ダイオード基底構造の断面を示す模式図である。
【図５Ａ】本考案の第２実施形態による発光ダイオード基底構造の固定部を示す断面拡大図である。
【図５Ｂ】本考案の第２実施形態による発光ダイオード基底構造の固定部を示す断面拡大図である。
【図５Ｃ】本考案の第２実施形態による発光ダイオード基底構造の第一電気的接続部を示す断面拡大図である。
【図５Ｄ】本考案の第２実施形態による発光ダイオード基底構造の第二電気的接続部を示す断面拡大図である。
【図６】本考案の第３実施形態による発光ダイオード基底構造の断面を示す模式図である。
【図７Ａ】本考案の第３実施形態による発光ダイオード基底構造の固定部を示す断面拡大図である。
【図７Ｂ】本考案の第３実施形態による発光ダイオード基底構造の固定部を示す断面拡大図である。
【考案を実施するための形態】
【００１２】
本考案における好適な実施の形態について、添付図面を参照して説明する。尚、以下に説明する実施の形態は、実用新案登録請求の範囲に記載された本考案の内容を限定するものではない。また、以下に説明される構成の全てが、本考案の必須要件であるとは限らない。
【実施例】
【００１３】
（第１実施形態）
以下、第１実施形態を図１〜３Ｄに基づいて説明する。図１は本考案の第１実施形態による発光ダイオード基底構造の断面を示す模式図であり、図２は本考案の第１実施形態による発光ダイオード基底構造の上部を示す概略図である。
【００１４】
本考案の第１実施形態による発光ダイオード基底構造は、絶縁基板１０と、２つの電気的接続部２０と、固定部３０と、反射ベース４０とを備える。
絶縁基板１０は第一表面１１及び第二表面１２を有し、且つ絶縁基板１０は第一表面１１及び第二表面１２を貫通させる複数の貫通孔１３を有する。
【００１５】
電気的接続部２０は絶縁基板１０の第一表面１１に電気的に隔絶されるように設置されると共に絶縁基板１０の貫通孔１３を通過させて第二表面にそれぞれ延伸される。絶縁基板１０の第一表面１１には固定部３０が形成され、固定部３０は電気的接続部２０の外側に周設されると共に電気的接続部２０とは互いに隔絶される。
【００１６】
上述の絶縁基板１０はアルミナセラミックス基板、窒化アルミニウムセラミックス基板及びプリント回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ、ＰＣＢ）等を含む。これらは説明のための例にすぎず、本考案の応用範囲がこれらに限定されるわけではない。
【００１７】
上述の電気的接続部２０及び固定部３０の材質は導電性に優れる金属材質或いは合金材質であり、例えば、金、鉄、銅、鋼等であるが、これらは説明のための例にすぎず、本考案の応用範囲がこれらに限定されるわけではない。
【００１８】
続いて、図３Ａは本考案の第１実施形態による発光ダイオード基底構造の固定部を示す断面拡大図であり、図３Ｂは本考案の第１実施形態による発光ダイオード基底構造の固定部を示す断面拡大図である。
固定部３０は、押圧加工方式により、固定部３０の上部３１の断面積が固定部３０の底部３２の断面積より大きくなるように製造される（図３Ａ及び図３Ｂ参照）。
【００１９】
図３Ａでは、固定部３０の上部３１の断面形状は凹凸状であり、図３Ｂでは、固定部３０の上部３１の断面形状はＷ字形状である。
これらは説明のための例にすぎず、本考案の固定部３０の上部３１の断面形状がこれらに限定されるわけではなく、本考案の固定部３０の上部３１の断面形状が鋸の歯状や球状等であってもよい。
【００２０】
さらに、図１に示すように、絶縁基板１０の第一表面１１は射出成形方式により反射ベース４０が製造され、反射ベース４０は中空領域４１を有し、固定部３０が反射ベース４０内に埋入され、且つ電気的接続部２０の一部が反射ベース４０の中空領域４１に露出される。
固定部３０の上部３１（図２Ａまたは図２Ｂ参照）の断面積が固定部３０の底部３２（図２Ａまたは図２Ｂ参照）の断面積より大きいため、反射ベース４０が絶縁基板１０に固定されるための結合力が更に提供され、且つ本考案に係る発光ダイオード基底構造が製造される。
【００２１】
上述の反射ベース４０の材質はポリカーボネート（Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ、ＰＣ）、ポリフタラミド（Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ、ＰＰＡ）或いは発光ダイオード基底構造の反射ベースによく使用される他の熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂等である。これらは説明のための例にすぎず、本考案の応用範囲がこれらに限定されるわけではない。
【００２２】
発光ダイオードチップ（図示せず）は電気的接続部２０の内の何れか１つに固着され、発光ダイオードチップは電気的接続部２０の内の何れか１つを介して必要な電気的極性を獲得させ、或いは他の電子装置（図示せず）に電気的に接続される。
【００２３】
発光ダイオードチップ及び他の電気的接続部２０はワイヤボンディング（ｗｉｒｅ  ｂｏｎｄｉｎｇ）技術により電気的な接続が形成されるが、これは説明のための例にすぎず、本考案の応用範囲がこれに限定されるわけではない、発光ダイオードチップは、他の電気的接続部２０を介して必要な他の電気的極性を獲得させ、或いは他の電子装置に電気的に接続されてもよい。
【００２４】
図３Ｃは本考案の第１実施形態による発光ダイオード基底構造の第一電気的接続部を示す断面拡大図であり、図３Ｄは本考案の第１実施形態による発光ダイオード基底構造の第二電気的接続部を示す断面拡大図である。
【００２５】
図３Ｃに示すように、電気的接続部２０は反射ベース４０内に埋入される部分が、更に押圧加工方式により電気的接続部２０の反射ベース４０内に埋入される端部に凹凸状が形成される。相対的に、他の電気的接続部２０は反射ベース４０内に埋入される部分が、押圧加工方式により電気的接続部２０の反射ベース４０内に埋入される端部に凹凸状が形成される。
【００２６】
なお、図３Ｄに示すように、電気的接続部２０は反射ベース４０内に埋入される部分が、更に押圧加工方式により電気的接続部２０の反射ベース４０内に埋入される端部にＹ字形状が形成される。相対的に、他の電気的接続部２０は反射ベース４０内に埋入される部分が、押圧加工方式により電気的接続部２０の反射ベース４０内に埋入される端部にＹ字形状が形成される。
【００２７】
上述の電気的接続部２０の反射ベース４０内に埋入される端部に形成される形状は上述の説明のものに制限されず、本考案の電気的接続部２０の一部が反射ベース４０内に埋入される部分に形成される形状は鋸の歯状や球状等でもよい。
【００２８】
電気的接続部２０の反射ベース４０内に埋入される部分に凹凸状、鋸の歯状、Ｙ字形状等が製造されることで、反射ベース４０が絶縁基板１０に固定される固定力が提供される。
【００２９】
（第２実施形態）
以下、本考案の第２実施形態について、図４乃至図５Ｄを参照しながら説明する。図４は本考案の第２実施形態による発光ダイオード基底構造の断面を示す模式図である。
【００３０】
本考案の第２実施形態による発光ダイオード基底構造は、２つの金属基板５０と、２つの固定部３０と、第一電気的接続部６０と、第二電気的接続部７０と、反射ベース４０とを備える。互いに隔絶される金属基板５０には固定部３０がそれぞれ形成され、金属基板５０の内の何れか１つの表面には第一電気的接続部６０が形成され、金属基板５０の他の表面には第二電気的接続部７０が形成される。
【００３１】
上述の金属基板５０、固定部３０、第一電気的接続部６０及び第二電気的接続部７０の材質は導電性が良好な金属材質或いは合金材質であり、例えば、金、鉄、銅、鋼等である。これらは説明のための例にすぎず、本考案の応用範囲がこれらに限定されるわけではない。
【００３２】
次に、図５Ａは本考案の第２実施形態による発光ダイオード基底構造の固定部を示す断面拡大図であり、図５Ｂは本考案の第２実施形態による発光ダイオード基底構造の固定部を示す断面拡大図である。
固定部３０は、押圧加工方式により固定部３０の上部３１の断面積が固定部３０の底部３２の断面積より大きくなるように製造される（図５Ａ及び図５Ｂ参照）。
【００３３】
図５Ａでは、固定部３０の上部３１の断面形状は凹凸状であり、図５Ｂでは、固定部３０の上部３１の断面形状はＷ字形状であるが、これらは説明のための例にすぎず、本考案の固定部３０の上部３１の断面形状がこれらに制限されるわけではなく、本考案の固定部３０の上部３１の断面形状は鋸の歯状や球状等でもよい。
【００３４】
さらに、図４に示すように、射出成形方式により中空領域４１を有する反射ベース４０が製造され、反射ベース４０が金属基板５０、固定部３０、第一電気的接続部６０及び第二電気的接続部７０を被覆させて連結させると共に金属基板５０とは絶縁され、且つ第一電気的接続部６０及び第二電気的接続部７０の一部が反射ベース４０の中空領域４１に露出される。
固定部３０の上部３１（図５Ａ及び図５Ｂ参照）の断面積が固定部３０の底部３２（図５Ａまたは図５Ｂ参照）の断面積より大きいため、反射ベース４０が金属基板５０に固定される固定力が更に提供され、且つ本考案に係る発光ダイオード基底構造が製造される。
【００３５】
上述の反射ベース４０の材質はポリカーボネート、ポリフタラミド或いは発光ダイオード基底構造の反射ベースによく使用される他の熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂等であるが、これらは説明のための例にすぎず、本考案の応用範囲がこれらに限定されるわけではない。
【００３６】
また、発光ダイオードチップ（図示せず）は第一電気的接続部６０或いは第二電気的接続部７０に固着され、発光ダイオードチップは第一電気的接続部６０或いは第二電気的接続部７０を介して必要な電気的極性を獲得させ、或いは他の電子装置（図示せず）に電気的に接続される。
【００３７】
発光ダイオードチップ及び第二電気的接続部７０或いは第一電気的接続部６０はワイヤボンディング（ｗｉｒｅ  ｂｏｎｄｉｎｇ）技術により電気的な接続が形成されるが、これは説明のための例にすぎず、本考案の応用範囲がこれに限定されるわけではない。
発光ダイオードチップは第二電気的接続部７０或いは第一電気的接続部６０を介して必要な他の電気的極性を獲得させ、或いは他の電子装置に電気的に接続されてもよい。
【００３８】
図５Ｃは本考案の第２実施形態による発光ダイオード基底構造の第一電気的接続部を示す断面拡大図である。図５Ｄは本考案の第２実施形態による発光ダイオード基底構造の第二電気的接続部を示す断面拡大図である。
【００３９】
図５Ｃに示すように、第一電気的接続部６０は反射ベース４０内に埋入される部分が、更に押圧加工方式により第一電気的接続部６０の反射ベース４０内に埋入される端部に凹凸状が形成される。相対的に、第二電気的接続部７０は反射ベース４０内に埋入される部分が、押圧加工方式により第二電気的接続部７０の反射ベース４０内に埋入される端部に凹凸状が形成される。
【００４０】
図５Ｄに示すように、第二電気的接続部７０は反射ベース４０内に埋入される部分が、更に押圧加工方式により第二電気的接続部７０の反射ベース４０内に埋入される端部にＹ字形状が形成される。相対的に、第一電気的接続部６０は反射ベース４０内に埋入される部分が、押圧加工方式により第一電気的接続部６０の反射ベース４０内に埋入される端部にＹ字形状が形成される。
【００４１】
上述の第一電気的接続部６０及び第二電気的接続部７０の反射ベース４０内に埋入される端部に形成される形状は上述の説明のものに制限されず、本考案の第一電気的接続部６０及び第二電気的接続部７０の反射ベース４０内に埋入される端部に形成される形状は、鋸の歯状や球状等でもよい。
【００４２】
第一電気的接続部６０及び第二電気的接続部７０の反射ベース４０内に埋入される部分が凹凸状、鋸の歯状、Ｙ字形状等に製造されることで、反射ベース４０が絶縁基板１０に固定される固定力が更に提供される。
【００４３】
（第３実施形態）
以下、第３実施形態を図６〜７Ｂに基づいて説明する。まず、図６は本考案の第３実施形態による発光ダイオード基底構造の断面を示す模式図である。
【００４４】
本考案の第３実施形態による発光ダイオード基底構造は、２つの金属基板５０と、２つの固定部３０と、第一電気的接続部６０と、第二電気的接続部７０と、反射ベース４０とを備える。
互いに隔絶される金属基板５０の内の何れか１つの表面には第一電気的接続部６０が形成され、金属基板５０の他の表面には第二電気的接続部７０が形成され、第一電気的接続部６０及び第二電気的接続部７０には固定部３０がそれぞれ形成される。
【００４５】
上述の金属基板５０、固定部３０、第一電気的接続部６０及び第二電気的接続部７０の材質は導電性の好ましい金属材質或いは合金材質であり、例えば、金、鉄、銅、鋼等であるが、これらは説明のための例にすぎず、本考案の応用範囲がこれらに限定されるわけではない。
【００４６】
続いて、図７Ａは本考案の第３実施形態による発光ダイオード基底構造の固定部を示す断面拡大図であり、図７Ｂは本考案の第３実施形態による発光ダイオード基底構造の固定部を示す断面拡大図である。
固定部３０は、押圧加工方式により固定部３０の上部３１の断面積が固定部３０の底部３２の断面積より大きくなるように製造される（図７Ａ及び図７Ｂ参照）。
【００４７】
図７Ａでは、固定部３０の上部３１の断面形状は凹凸状であり、図７Ｂでは、固定部３０の上部３１の断面形状はＷ字形状であるが、これらは説明のための例にすぎず、本考案の固定部３０の上部３１の断面形状がこれらに限定されるわけではなく、本考案の固定部３０の上部３１の断面形状は、鋸の歯状や球状等でもよい。
【００４８】
図６によれば、射出成形方式により中空領域４１を有する反射ベース４０が製造され、反射ベース４０は固定部３０、第一電気的接続部６０及び第二電気的接続部７０を被覆させて連結させると共に金属基板５０とは絶縁され、且つ第一電気的接続部６０及び第二電気的接続部７０の一部が反射ベース４０の中空領域４１に露出される。
固定部３０の上部３１（図７Ａ及び図７Ｂ参照）の断面積が固定部３０の底部３２（図７Ａ及び図７Ｂ参照）の断面積より大きいため、反射ベース４０が絶縁基板１０に固定される結合力が更に提供され、且つ本考案に係る発光ダイオード基底構造が製造される。
【００４９】
上述の反射ベース４０の材質はポリカーボネート、ポリフタラミド或いは発光ダイオード基底構造の反射ベースによく使用される他の熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂等であるが、これらは説明のための例にすぎず、本考案の応用範囲がこれらに限定されるわけではない。
【００５０】
発光ダイオードチップ（図示せず）は第一電気的接続部６０或いは第二電気的接続部７０に固着され、発光ダイオードチップは第一電気的接続部６０或いは第二電気的接続部７０を介して必要な電気的極性を獲得させ、或いは他の電子装置（図示せず）に電気的に接続される。
【００５１】
発光ダイオードチップ及び第二電気的接続部７０或いは第一電気的接続部６０はワイヤボンディング（ｗｉｒｅ  ｂｏｎｄｉｎｇ）技術により電気的な接続が形成されるが、これは説明のための例にすぎず、本考案の応用範囲がこれに限定されるわけではない。
発光ダイオードチップは第二電気的接続部７０或いは第一電気的接続部６０を介して必要な他の電気的極性を獲得させ、或いは他の電子装置に電気的に接続される。
【００５２】
上述のように、本考案と先行技術との間の差異は、絶縁基板、金属基板或いは第一電気的接続部及び第二電気的接続部に固定部がそれぞれ形成され、固定部の上部の断面積が固定部の底部の断面積より大きく、反射ベースの形成時に、固定部が反射ベース内に埋入されて反射ベースの固定に使用される点である。
【００５３】
また、この技術手段により先行技術に存在する、絶縁基板に反射ベースを固定させる製造工程が複雑過ぎる、或いは製造工程の効率が不足するという問題を解決させ、固定部により反射ベースと基板との間の結合力が高まるという技術効果を更に達成させる。
【００５４】
上述の実施形態は本考案の技術思想及び特徴を説明するためのものにすぎず、当該技術分野を熟知する者に本考案の内容を理解させると共にこれをもって実施させることを目的とし、本考案の請求の範囲を限定するものではない。従って、本考案の精神を逸脱せずに行う各種の同様の効果をもつ改良又は変更は、後述の請求項に含まれるものとする。
【符号の説明】
【００５５】
１０  絶縁基板
１１  第一表面
１２  第二表面
１３  貫通孔
２０  電気的接続部
３０  固定部
３１  上部
３２  底部
４０  反射ベース
４１  中空領域
５０  金属基板
６０  第一電気的接続部
７０  第二電気的接続部
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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