(57)【要約】【課題】ＣＯ２などの大気汚染物質を含む燃焼ガスなどを発生せず、外気温に影響されずに温泉水を効率良く加熱可能な省エネ型の温泉循環給湯システムを提案すること。【解決手段】温泉循環給湯システム１では、浴槽２から浴槽水を回収して濾過水槽８等を通して濾過した後に、パネル二次熱交換器９に通して加熱し、レジオネラ菌対策用の濾過装置１０を通して殺菌処理して再び浴槽２に戻す。浴槽水を加熱する加熱水は膨張タンク２１とパネル二次熱交換器９の間を循環する。膨張タンク２１に貯留されている加熱水は、ヒートポンプシステム３２との間で熱交換を行って所定温度以上に保持され、外気温が摂氏零度を下回る場合には電磁誘導加熱装置４２が併用される。ボイラーなどのような一般的な加熱装置を用いる場合とは異なり、ＣＯ２などの大気汚染物質を含む燃焼ガスが発生せず、また、効率良く浴槽水を加熱できる。【選択図】図１
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
浴槽から回収した水に含まれている異物を除去する異物除去手段と、異物が除去された後の水を加熱して４０℃以上の温水とする加熱手段と、温水を殺菌するための殺菌手段とを有し、殺菌後の温水を前記浴槽に還流させる温泉循環給湯システムにおいて、
前記加熱手段は、
ヒートポンプシステムと、
前記ヒートポンプシステムによって加熱された加熱水を貯留する膨張タンクと、
前記ヒートポンプシステムから前記膨張タンクに供給される加熱水を加熱するための補助加熱装置と、
前記異物が除去された後の水を前記膨張タンクから供給される加熱水によって加熱する熱交換器と、
前記ヒートポンプシステムの周囲温度が予め定めた設定温度を下回る場合には、前記補助加熱装置を用いて前記加熱水を加熱する制御を行う制御部とを有していることを特徴とする温泉循環給湯システム。
【請求項２】
請求項１において、
前記補助加熱装置は電磁誘導加熱装置であることを特徴とする温泉循環給湯システム。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記制御部は、前記周囲温度が前記設定温度以上の場合には前記補助加熱装置による加熱を止めることを特徴とする温泉循環給湯システム。
【請求項４】
請求項１または２において、
前記制御部は、前記周囲温度が前記設定温度以上の場合には、前記膨張タンクに供給される前記加熱水の温度が予め定めた設定温度を下回るときに前記補助加熱装置を用いて前記加熱水を加熱する制御を行うことを特徴とする温泉循環給湯システム。
【請求項５】
請求項１ないし４のうちのいずれかの項において、
前記設定温度は摂氏零度であることを特徴とする温泉循環給湯システム。
【請求項６】
請求項１ないし５のうちのいずれかの項において、
前記ヒートポンプシステムを介して加熱された後の加熱水を前記膨張タンクに供給する供給路に介挿した補助膨張タンクを有し、
この補助膨張タンクを介して加熱水が前記膨張タンクに供給されることを特徴とする温泉循環給湯システム。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、温泉浴場などにおいて用いられる温泉循環給湯システムに関し、特に、ＣＯ２などの大気汚染物質を排出することなく、また、外気温の高低に影響されることなく、浴槽に還流させる温泉水を効率良く沸かすことのできる温泉循環給湯システムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
温泉浴場などに設置されている温泉循環給湯システムは、一般に、浴槽から排出された水をろ過して異物を除去した後に、熱交換器を介して再加熱して、浴槽に還流させるように構成されている。熱交換器に供給される熱媒を加熱するためにボイラーなどの加熱装置が用いられている。
【０００３】
ボイラーなどの加熱装置からはＣＯ２を含む燃焼ガスが発生するので、大気汚染を防止するという観点からは好ましくない。また、ボイラーなどの燃焼装置は一般に加熱効率が悪いという問題点がある。特許文献１には、このような点に鑑みて、燃焼ガスを発生させることなく効率良く温泉水を加熱することのできるヒートポンプシステムを利用した温泉循環給湯システムが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−６０１８５号公報
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、ヒートポンプシステムを用いる場合には外気温の高低に影響されるので、一定温度以上の温泉水を効率良く供給できない場合がある。
【０００６】
本考案の課題は、この点に鑑みて、外気温に影響されずに効率良く温泉水を加熱することができる温泉循環給湯システムを提案することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本考案は、浴槽から回収した水に含まれている異物を除去する異物除去手段と、異物が除去された後の水を加熱して４０℃以上の温水とする加熱手段と、温水を殺菌するための殺菌手段とを有し、殺菌後の温水を前記浴槽に還流させる温泉循環給湯システムにおいて、
前記加熱手段は、
ヒートポンプシステムと、
前記ヒートポンプシステムによって加熱された加熱水を貯留する膨張タンクと、
前記ヒートポンプシステムから前記膨張タンクに供給される加熱水を加熱するための電磁誘導加熱装置等の補助加熱装置と、
前記異物が除去された後の水を前記膨張タンクから供給される加熱水によって加熱する熱交換器と、
前記ヒートポンプシステムの周囲温度が予め定めた設定温度を下回る場合には、前記補助加熱装置を用いて前記加熱水を加熱する制御を行う制御部とを有していることを特徴としている。
【０００８】
ここで、前記周囲温度が前記設定温度以上の場合には前記補助加熱装置による加熱を止めればよい。加熱水の温度管理を精度良く行うためには、前記制御部は、前記周囲温度が前記設定温度以上の場合には、前記膨張タンクに供給される前記加熱水の温度が予め定めた設定温度を下回るときに前記補助加熱装置を用いて前記加熱水を加熱する制御を行うことが望ましい。
【０００９】
また、本考案の温泉循環給湯システムは、前記ヒートポンプシステムを介して加熱された後の加熱水を前記膨張タンクに供給する供給路に介挿した補助膨張タンクを有していることが望ましい。
【考案の効果】
【００１０】
本考案の温泉循環給湯システムでは、熱交換器の熱媒として用いる原水を加熱するための加熱源として、ヒートポンプシステムと膨張タンクとを備えている。ＣＯ２などの大気汚染物質を含む燃焼ガスを発生させることなく、しかも、効率良く原水を加熱することができる。また、周囲の温度が低い場合にはヒートポンプシステムによって高温の加熱水を得ることができない場合がある。特に、外気温が零度を下回る場合には高温の加熱水が得られない。本考案では、このような場合には、補助加熱装置を併用して膨張タンクに供給される加熱水を加熱しているので、外気温の高低に影響されることなく常に高温の加熱水を膨張タンクに供給することができる。補助加熱装置として電磁誘導加熱装置を用いると、ＣＯ２などの大気汚染物質を含む燃焼ガスを発生させることなく加熱水を加熱できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本考案を適用した温泉循環給湯システムの概略構成図である。
【考案を実施するための形態】
【００１２】
以下に、図面を参照して、本考案を適用した温泉循環給湯システムを説明する。
【００１３】
図１は温泉循環給湯システムを示す概略構成図である。温泉循環給湯システム１は、浴槽水循環系Ａと、浴槽水を再加熱するための加熱水循環系Ｂと、加熱水を加熱するための加熱水循環系Ｃとを備えている。
【００１４】
浴槽水循環系Ａは、浴槽２の水を、循環ポンプ３を用いて、浴槽２の吸入口４から回収して給湯口５から再び浴槽２に還流させる。浴槽水循環系Ａには、循環経路に沿って、異物除去手段としてのヘアーキャッチャ６、バグフィルタ７および濾過水槽８と、パネル二次熱交換器９と、殺菌手段としてのレジオネラ菌対策装置（濾過装置）１０が配置されている。レジオネラ菌対策装置１０としては市販のものを用いることができる。また、濾過水槽８は、後述の集中制御盤４０の制御の下で、タイマー管理によって逆洗動作が行われるようになっている。手動によって逆洗を行うことも可能である。
【００１５】
浴槽２の吸入口４から排出された浴槽水は、ヘアーキャッチャ６においてヘアーが除去された後に、循環ポンプ３を介して、バグフィルタ７を経由して濾過水槽８に供給される。濾過水槽８内に充填されている多層の濾材層を流下する間に、浴槽水に含まれている異物が濾過される。濾過後の水は、湯温調整槽１２を介してパネル二次熱交換器９に供給され、ここで熱交換により加熱された後に、濾過装置１０を通ってレジオネラ菌の殺菌処理が行われる。そして、循環湯温度調整槽１１を介して、４０〜４２℃の温水状態で給湯口５から浴槽２に供給される。
【００１６】
加熱水循環系Ｂは、膨張タンク２１に貯留されている熱媒としての加熱水を、ライン循環ポンプ２２を用いて、膨張タンク２１の供給口２１ａからパネル二次熱交換器９に供給し、ここを経由した後に、膨張タンク２１の回収口２１ｂから当該膨張タンク２１に戻す。
【００１７】
ライン循環ポンプ２２は、例えば、濾過水槽８から湯温調整槽１２を介して流れる湯温が４２℃以下になると作動して、膨張タンク２１に貯留されている加熱水をパネル二次熱交換器９を介して循環させる。パネル二次熱交換器９において、加熱水と浴槽水との間で熱交換が行われ、浴槽水が例えば４２℃以上の温度に加熱される。
【００１８】
次に、加熱水循環系Ｃは、膨張タンク２１に貯留される加熱水を所定温度以上、例えば、６５℃以上に保持するための系であり、循環ポンプ（ラインポンプ）３１とヒートポンプシステム３２を備えている。循環ポンプ３１は、例えば、膨張タンク２１内の加熱水の温度が６５℃以下になると作動し、７０℃に達すると停止する。循環ポンプ３１が作動すると、膨張タンク２１の加熱水が供給口２１ｃから吸引され、ヒートポンプシステム３２の水熱交換器３３を経由して加熱された後に、再び、膨張タンク２１の回収口２１ｄから当該膨張タンク２１内に戻る。例えば、加熱水を９０℃に加熱して膨張タンク２１に戻す。このように、膨張タンク２１に貯留されている加熱水を循環させてヒートポンプシステム３２との間で熱交換を行うことにより、膨張タンク２１内の加熱水の温度が所定温度に維持される。
【００１９】
ヒートポンプシステム３２から膨張タンク２１への加熱水の還流路３４には、補助加熱装置としての電磁誘導加熱装置４２が介挿されている。また、還流路３４における電磁誘導加熱装置４２と膨張タンク２１の間の部位には、膨張タンク２１内の内圧の上昇を抑制するために、補助の膨張タンク３５を介挿してある。二段に膨張タンク（３５、２１）を配置することにより、加熱水を適切な圧力下で循環させることができる。
【００２０】
一方、補給水は、電磁弁を介して膨張タンク２１に供給される。また、補給湯温度調節槽３６には、補給水および膨張タンク２１から加熱水が供給され、例えば、４２℃に調整された温水を電磁弁を介して浴槽２に補給可能となっている。
【００２１】
ここで、各循環系Ａ、Ｂ、Ｃでの浴槽水、加熱水の循環制御は、マイクロコンピュータを備えた集中制御盤４０（制御部）によって集中制御される。集中制御盤４０では、ヒートポンプシステム３２の周囲温度（外気温）が予め定めた設定温度を下回る場合に、補助加熱装置である電磁誘導加熱装置４２を用いて加熱水を加熱する制御を行う。
【００２２】
本例では、外気温が摂氏零度を下回ると、電磁誘導加熱装置４２による加熱動作が行われ、摂氏零度以上になると電磁誘導加熱装置４２による加熱を止めるようにしている。膨張タンク２１に供給される加熱水の温度管理を精度良く行うためには、外気温が摂氏零度（設定温度）以上の場合において、膨張タンク２１に供給される加熱水の温度が予め定めた設定温度を下回るときにも電磁誘導加熱装置４２を併用して膨張タンク２１への還流水の加熱動作を行うようにすればよい。
【００２３】
以上説明したように、本例の温泉循環給湯システム１では、浴槽水を加熱するために用いる加熱水を、ヒートポンプシステム３２および膨張タンク２１を備えた循環系によって加熱している。したがって、一般的なボイラーなどの加熱装置を用いる場合のような大気汚染物質を含む燃焼ガスが発生しない。また、効率良く原水を加熱することができる。よって、ＣＯ２などを発生しない省エネ型の温泉循環給湯システムを実現することができる。
【００２４】
また、寒冷地などにおいては周囲の温度が低いとヒートポンプシステム３２によって高温の加熱水を得ることができない場合がある。特に、外気温が零度を下回る場合には高温の加熱水が得られない。本例の温泉循環給湯システム１では、電磁誘導加熱装置４２を併用して膨張タンク２１に供給される還流水（加熱水）を加熱している。よって、外気温の高低に影響されることなく常に高温の加熱水を膨張タンクに還流することができる。さらに、補助加熱装置として電磁誘導加熱装置を用いているので、ＣＯ２などの大気汚染物質を含む燃焼ガスを発生させることなく加熱動作を行うことができる。
【符号の説明】
【００２５】
１    温泉循環給湯システム
Ａ    浴槽水循環系
Ｂ    加熱水循環系
Ｃ    加熱水循環系
２    浴槽
３    循環ポンプ
４    吸入口
５    給湯口
６    ヘアーキャッチャ
７    バグフィルタ
８    濾過水槽
９    パネル二次熱交換器
１０  濾過装置
１１  循環湯温度調整槽
１２  湯温調整槽
２１  膨張タンク
２２  ライン循環ポンプ
３１  循環ポンプ
３２  ヒートポンプシステム
３３  水熱交換器
３４  還流路
３５  補助膨張タンク
３６  補給湯温度調節槽
４０  集中制御盤
４２  電磁誘導加熱装置
【図１】
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