(57)【要約】      （修正有）【課題】スルーホールが設けられているプリント基板の位置決め精度を確保するとともに、外部端子が傾いていても確実にスルーホールに外部端子を挿入することができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体素子６が接合されたＤＣＢ基板４と、ＤＣＢ基板４に設けられた凹部１２に挿入された外部端子１０と、スルーホール１３及びＤＣＢ基板４に対向するよう配置されたポスト電極８を有するプリント基板９とを備えた半導体装置５０において、外部端子１０を挿入されているプリント基板９のスルーホール１３の周縁領域にスリット１５が形成されている。【選択図】図１
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
主面に回路板を有する絶縁基板と、
前記回路板に固着されている半導体素子と、
前記回路板に一端が固着されている外部端子と、
前記外部端子が貫通するスルーホールを有し、前記スルーホールの周縁領域の剛性が他の領域の剛性よりも低く、前記絶縁基板の主面に対向するプリント基板と、
を備えた半導体装置。
【請求項２】
前記半導体素子はおもて面に電極を有し、
一端が前記半導体素子の電極に固着され、他端が前記プリント基板に固着されているポスト電極を備えた請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記周縁領域にスリットが設けられている請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記スリットが、一つの前記周縁領域に複数個設けられている請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記スルーホールが平面円形状であり、
前記スリットが前記プリント基板の主面側から見て、放射状かつ均一な角度になるように設けられている請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記スルーホールが平面多角形状であり、
前記スリットが前記プリント基板の主面側から見て、それぞれの角の頂点から放射状に設けられている請求項４記載の半導体装置。
【請求項７】
前記平面多角形状が、平面四角形状である請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記プリント基板の前記絶縁基板と対向する面の前記周縁領域に、面取り部が設けられている請求項１記載の半導体装置。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特にパワー半導体素子を搭載したパワー半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
図４は、従来例に係るパワー半導体モジュールの平面図（ａ）及び断面図（ｂ）である。なお、同図（ｂ）は同図（ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ’線で切断した要部断面図である。
図４において、パワー半導体モジュール５００は、ＤＣＢ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｏｐｐｅｒ Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板１０４と、半導体素子１０６と、ポスト電極１０８と、外部端子１１０と、プリント基板１０９とで構成されている。【０００３】
ＤＣＢ基板１０４は、主面に回路板１０３を有している。半導体素子１０６は、回路板１０３に接合材１０５を介して裏面が固着されている。ポスト電極１０８は、半導体素子１０６の表面に接合材１０７を介して固着されている。外部端子１１０は、回路板１０３に設けられた外部端子挿入用の凹部１１２に導電性の接合材（図示せず）を介して固着されている。プリント基板１０９は、金属層１１４を有し、ポスト電極１０８が固着されている。【０００４】
このパワー半導体モジュール５００は、半導体素子１０６の裏面電極（図示せず）への電気配線を回路板１０３で行い、半導体素子１０６のおもて面電極（図示せず）への電気配線をポスト電極１０８及び金属層１１４を備えたプリント基板１０９で行う構造となっている（例えば、特許文献１参照）。【０００５】
パワー半導体モジュール５００の製造工程を図５に示す。
図５は、従来例に係るパワー半導体モジュールの製造工程を示した模式図であり、図６は、従来例に係るスルーホールの拡大平面図である。【０００６】
まず、ＤＣＢ基板１０４に半田等の導電性の接合材１０５を載置した後、その上に半導体素子１０６を載置し、さらにその上に半田等の導電性の接合材１０７を載置する（図５（ａ））。次に、ＤＣＢ基板１０４の半導体素子１０６が接合される面に設けられた凹部１１２に、外部端子１１０を挿入する（図５（ｂ））。さらに、ポスト電極１０８の面をＤＣＢ基板１０４と対向する面に向けたプリント基板１０９を、プリント基板１０９に形成されたスルーホール１１３に外部端子１１０を挿入することで、プリント基板１０９をセットする（図５（ｃ））。このモジュールをＮ2・Ｈ2リフロー等により一括組立し、最後に樹脂封止することで製造される。この方法では、プリント基板１０９はスルーホール１１３を利用し外部端子１１０をガイドとすることで、治具を使わずに位置決めが可能である（例えば、特許文献２参照）。【０００７】
ここで、図６にプリント基板と円状の断面を持つ外部端子用のスルーホールの拡大した平面図を示す。
プリント基板１０９に形成されたスルーホール１１３の内径は、外部端子１１０の外径とほぼ同じ（〜＋０．０５ｍｍ）となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−６４８５２号公報
【特許文献２】特開２０１２−１２９３３６号公報
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００９】
パワー半導体モジュール５００の製造時において、凹部１１２に外部端子１１０を挿入した際（図５（ｂ））、外部端子１１０はＤＣＢ基板１０４に対して完全に垂直ではなく、わずかに傾いて挿入される場合がある。このような状態で、外部端子１１０にプリント基板１０９を挿入すると、プリント基板１０９にも傾きが生じることからポスト電極１０８が半導体素子１０６のおもて面電極に接触しない場合がある。この場合、半導体素子１０６とポスト電極１０８との間に浮きや位置ズレが生じる。そのため、半導体素子１０６とポスト電極１０８が半田等の接合材１０７で接合できず、製造不良となる課題があった。【００１０】
この課題に対しては、プリント基板１０９のスルーホール１１３の内径を、外部端子１１０の内径に比べ大きくすることにより、外部端子１１０の傾き等の影響は少なくなる。しかしその場合は、プリント基板１０９自体の位置ズレが大きくなるという課題が新たに発生する。【００１１】
特に近年適用が進むＳｉＣ半導体素子は、製造歩留まり等の関係から素子の大きさが約３ｍｍ角と従来のＳｉ半導体素子と比べ小さい。このため、このＳｉＣ半導体素子を用いて大きなモジュール電流容量を得るためには、複数の半導体素子を一つのパワー半導体モジュールに搭載する必要がある。そこで、ポスト電極１０８と半導体素子１０６の接続にはプリント基板１０９の良好な位置決め精度の確保が重要となる。このため、プリント基板１０９の位置ズレが大きくなるのは製造上大きな問題である。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記の目的を達成するために、この発明の一態様では、半導体装置は、主面に回路板を有する絶縁基板と、前記回路板に固着されている半導体素子と、前記回路板に一端が固着されている外部端子と、前記外部端子が貫通するスルーホールを有し、前記スルーホールの周縁領域の剛性が他の領域の剛性よりも低く、前記絶縁基板の主面に対向するプリント基板とを備えた構成とする。
【考案の効果】
【００１３】
上記の手段によれば、パワー半導体モジュールを構成するＤＣＢ基板の凹部に挿入された外部端子にわずかな傾きがある場合でも、プリント基板の浮きや位置ズレが原因となる接続不良を少なくすることができる。このため、パワー半導体モジュールの組立良品率向上を実現することが可能となっている。【００１４】
本発明の上記及び他の目的、特徴及び利点は本発明の例として好ましい実施の形態を表す添付の図面と関連した以下の説明により明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１の実施例に係る半導体装置の平面図（ａ）及び断面図（ｂ）である。
【図２】第１の実施例に係るスルーホールの拡大平面図である。
【図３】第２の実施例に係るスルーホールの拡大断面図（ａ）及び拡大底面図（ｂ）である。
【図４】従来例に係るパワー半導体モジュールの平面図（ａ）及び断面図（ｂ）である。
【図５】従来例に係るパワー半導体モジュールの製造工程を示した模式図である。
【図６】従来例に係るスルーホールの拡大平面図である。
【考案を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本発明の好適な実施形態（実施例）を図面に基づいて説明する。
実施の形態を通して共通の構成には同一の符号を付すものとし、重複する説明は省略する。
【００１７】
図１は、第１の実施例に係る半導体装置の平面図（ａ）及び断面図（ｂ）である。
なお、同図（ｂ）は同図（ａ）のＩ−Ｉ’線で切断した要部断面図である。
図示するパワー半導体モジュール（半導体装置）５０は、ＤＣＢ基板４と、ＤＣＢ基板４に対向させたプリント基板９とが封止樹脂１１により一体的になった構造をなしている。そして、ＤＣＢ基板４の主面に位置する回路板３に、半導体素子６が固着されている。
【００１８】
ＤＣＢ基板４は、絶縁基板２と、絶縁基板２の裏面にＤＣＢ法で形成された放熱板１と、絶縁基板２の主面に同じくＤＣＢ法で形成された回路板３を備えている。回路板３は、絶縁基板２の主面に選択的にパターン形成されている。
【００１９】
さらに、回路板３上には、錫（Ｓｎ）−銀（Ａｇ）系等の鉛フリー半田等で形成される導電性の接合材５を介して、少なくとも一つの半導体素子６の裏面電極（例えば、コレクタ電極）が接合されている。
【００２０】
ここで半導体素子６は、例えばＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）、パワーＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＦＷＤ（Ｆｒｅｅ  Ｗｈｅｅｌｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）等の縦型のパワー半導体素子が該当する。
【００２１】
また絶縁基板２は、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）焼結体、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）等のセラミックで構成され、放熱板１、回路板３は銅（Ｃｕ）を主成分とする金属で構成されている。
【００２２】
なおＤＣＢ法により形成されたＤＣＢ基板４だけでなく、絶縁基板２に放熱板１、回路板３をロー材によって接合したＡＭＢ（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｂｒａｚｉｎg）基板を用いてもよい。
【００２３】
プリント基板９は、その主面に金属層１４が選択的にパターン形成されている。ここで、プリント基板９の材質は、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等である。また必要に応じて、ガラス繊維で構成されたガラスクロスを内部に含浸させてもよい。また金属層１４は、例えば、銅を主たる成分により構成されている。
【００２４】
パワー半導体モジュール５０においては、半導体素子６のおもて面電極（例えばエミッタ電極）が位置する領域直上のプリント基板９に、内壁がめっき層（図示せず）で処理された複数の孔が設けられている。そして、その孔の内に円筒状のポスト電極８がめっき層を介し注入（インプラント）されている。さらに各々のポスト電極８は、プリント基板９の主面に配設された金属層１４と導通された状態にある。上記により、パワー半導体モジュール５０においては、半導体素子６のおもて面電極と、外部回路との電気的な接続が、ポスト電極８並びに金属層１４を経由して確保されている。なお、半導体素子６の裏面電極と、外部回路との電気的な接続については、回路板３を経由して確保されている。
【００２５】
なおポスト電極８の材質は、例えば、銅、アルミニウム（Ａｌ）、錫−銀系の鉛フリーの半田材、または、これらの金属からなる合金を主たる成分で構成されている。また、各々のポスト電極８の長さは、均一である。
【００２６】
さらにパワー半導体モジュール５０は、回路板３に設けられた外部端子挿入用の凹部１２に嵌合して固着される位置決め兼用の外部端子１０を有している。そしてプリント基板９は、外部端子１０が貫通する位置決め用のスルーホール１３を有している。
【００２７】
凹部１２と外部端子１０を、図示しない半田を介して固着することで、嵌合と半田固着により、回路板３と外部端子１０の固着強度を確保することができる。
また上記構成要素を外部環境から保護するため、封止樹脂１１が上記構成要素の周囲に配置されている。これにより、パワー半導体モジュール５０の動作時における発熱・冷却で生じる半導体素子６及び導電性の接合材５、７への応力が緩和され、信頼性の高いパワー半導体モジュールを実現することができる。
【００２８】
本実施例が従来技術と異なる点は、位置決めのため外部端子１０を挿入するプリント基板９内のスルーホール１３の周縁領域の剛性を、他の領域の剛性よりも低くしている点である。より具体的には、スルーホール１３の周縁領域に放射状のスリット１５が配置されている点である。周縁領域の剛性を低くすることにより、外部端子１０のわずかな傾きや変形が生じた場合でも、スルーホール１３の周縁領域のみ変形させることができる。これによりプリント基板９全体の傾き、位置ズレを抑えることができることから、ポスト電極８の良好な位置決め精度を確保することができる。この結果、ポスト電極８と半導体素子６の接続不良をなくし、パワー半導体モジュール５０の良品率を改善することができる。
【００２９】
図２は、第１の実施例に係るスルーホールの拡大平面図である。
図２（ａ）は、断面円形状の外部端子１０を用いて位置決めするためのスルーホール１３を示したものであり、スルーホール１３の周縁領域に放射状かつ対称に４本のスリット１５が配置されている。
【００３０】
また図２（ｂ）は、断面四角形状の外部端子１０を用いて位置決めするためのスルーホール１３を示したものであり、四つの角から周縁領域にそれぞれスリット１５が配置されている。外部端子１０及びスルーホール１３が四角の場合、外部端子１０の角が最もスルーホール１３に接触しやすいため、貫通させるプリント基板９側のスルーホール１３の角にスリット１５が配置されることが有効である。
【００３１】
また上記のようにスリット１５を放射状かつ対称に配置することで、プリント基板９の位置が、ある一方向に矯正（位置決め）されにくくできるため有効である。なおスリット１５の数は放射状かつ対称に配置することができれば何本でも良いが、スリット１５を形成する追加工程及びスリット１５を配置する効果を勘案すると、４〜８本程度が好ましい。
【００３２】
また外部端子１０及びスルーホール１３の断面形状は５〜８角形等も可能であり、この場合はスルーホール１３側の角にスリット１５を形成することが有効である。
図３は、第２の実施例に係るスルーホールの拡大断面図（ａ）及び拡大底面図（ｂ）である。
【００３３】
この実施例においては、プリント基板９の絶縁基板２と対向する面のうち、スルーホール１３の近傍に、スルーホール１３と略同軸となるよう、すり鉢形状の面取り部１６が設けられている。
【００３４】
この面取り部１６が設けられることにより、周縁領域の剛性を低くするのと同時に、位置決め精度をより高めながら外部端子１０をスルーホール１３に挿入することが可能となる。そして位置決め精度がより高められた場合において、外部端子１０がわずかに傾いていたとしても、上記に示したスリット１５の働きにより確実にポスト電極８を所定の箇所に接続することができるため、より有効である。
【００３５】
上記については単に本発明の原理を示すものである。さらに、多数の変形、変更が当業者にとって可能であり、本発明は上記に示し、説明した正確な構成及び応用例に限定されるものではない。そして、対応するすべての変形例及び均等物は、添付の請求項及びその均等物による本発明の範囲とみなされる。
【符号の説明】
【００３６】
１    放熱板
２    絶縁基板
３、１０３    回路板
４、１０４    ＤＣＢ基板
５、７、１０５、１０７    接合材
６、１０６    半導体素子
８、１０８    ポスト電極
９、１０９    プリント基板
１０、１１０    外部端子
１１    封止樹脂
１２、１１２    凹部
１３、１１３    スルーホール
１４、１１４    金属層
１５    スリット
１６    面取り部
５０、５００    パワー半導体モジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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