(57)【要約】      （修正有）【課題】電極を移動可能としながらも、隔壁の貫通孔とこれに挿通された電極との隙間を縮小できる構造を備えたシリカガラスルツボ製造装置を提供する。【解決手段】シリカガラスルツボ製造装置は、シリカ粉成形体を保持するためのモールドと、アーク放電を発生させるための棒状に形成された複数の電極と、モールドの上方に配された板状の隔壁と、隔壁をその厚さ方向に貫通する貫通孔と、貫通孔を閉塞する閉塞手段と、閉塞手段を貫通する挿入孔と、を備える。また、電極は、貫通孔および挿入孔に挿通されると共に、モールドに向けて延び、さらに、貫通孔内および挿入孔内において隔壁の面方向に沿って移動可能に配されている。また、挿入孔は、閉塞手段による貫通孔の閉塞状態を保持しながら、電極の移動に追従して隔壁の面方向に沿って移動可能に配されている。【選択図】図１
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
アーク放電によってシリカ粉成形体を加熱溶融してシリカガラスルツボを製造するためのシリカガラスルツボ製造装置であって、
シリカ粉成形体を保持するためのモールドと、
アーク放電を発生させるための棒状に形成された複数の電極と、
前記モールドの上方に配された板状の隔壁と、
前記隔壁をその厚さ方向に貫通する貫通孔と、
前記貫通孔を閉塞する閉塞手段と、
前記閉塞手段を貫通する挿入孔と、
を備え、
前記電極が、前記貫通孔および前記挿入孔に挿通されると共に、前記モールドに向けて延び、さらに、前記貫通孔内および前記挿入孔内において前記隔壁の面方向に沿って移動可能に配されており、
前記挿入孔が、前記閉塞手段による前記貫通孔の閉塞状態を保持しながら、前記電極の移動に追従して前記隔壁の面方向に沿って移動可能に配されている、
シリカガラスルツボ製造装置。
【請求項２】
前記閉塞手段が、前記隔壁の主面上に配された閉塞平板からなり、
前記挿入孔が、前記閉塞平板の厚さ方向に貫通して形成されている、請求項１に記載のシリカガラスルツボ製造装置。
【請求項３】
前記閉塞手段が、前記隔壁の主面上に複数積層された閉塞平板からなり、
下層側の前記閉塞平板の前記挿入孔は、前記貫通孔内における前記電極の移動方向に沿った長さが、当該下層側の前記閉塞平板よりも上層側の前記閉塞平板の前記挿入孔よりも大きい、請求項２に記載のシリカガラスルツボ製造装置。
【請求項４】
前記上層側の閉塞平板が前記下層側の閉塞平板に対して相対的に移動する移動範囲を規制する規制手段をさらに備える、請求項３に記載のシリカガラスルツボ製造装置。
【請求項５】
前記閉塞手段が、頂部に前記挿入孔を有する弾性変形可能な傘状の筒状体からなり、
前記傘状の筒状体の下側の開口が、前記挿入孔の開口面積よりも大きく形成されており、かつ前記貫通孔を囲繞するように前記隔壁の主面に配されている、請求項１に記載のシリカガラスルツボ製造装置。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、シリカガラスルツボ製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン単結晶の引き上げに用いるシリカガラスルツボの製造方法としては、回転モールド法が知られている（例えば特許文献１、特許文献２参照）。この方法では、回転させながら碗状の内表面にシリカ粉を堆積するためのモールドと、モールドの上方に設置された複数本の電極とを備えるシリカガラスルツボ製造装置を使用する。
【０００３】
すなわち、この種のシリカガラスルツボ製造装置では、モールドをその回転軸を中心に回転させながらモールドの内表面にシリカ粉を所定の層厚に堆積することで、シリカ粉からなる碗状のシリカ粉成形体がモールド内において成形され、複数本の電極の先端間に生じるアーク放電によりモールド内のシリカ粉成形体を加熱溶融してガラス化することで、シリカガラスルツボが製造される。
【０００４】
ところで、シリカ粉成形体を適切に溶融させるためには、電極の先端同士の距離を調整する等して、アーク放電の出力を調整し、アーク放電の安定化を図る必要がある。これに対し、従来のシリカガラスルツボ製造装置には、各電極をモールドの上方において移動させる機構を設けたものがあり、これにより電極の先端同士の距離を調整している。
【０００５】
また、シリカ粉成形体を加熱溶融する際には、モールド内からヒューム（シリカ蒸気）等の粉塵が発生することがある。これに対し、従来のシリカガラスルツボ製造装置には、モールドの上方に板状の隔壁を配置したものがあり、これによって電極をモールドの上方において保持する保持機構などの保護を図っている。なお、隔壁にはその厚さ方向に貫通する貫通孔が複数形成されており、これら複数の貫通孔に各電極を個別に挿通させている（例えば特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特公昭５９−３４６５９号公報
【特許文献２】特開平１１−２３６２３３号公報
【特許文献３】特開２０１１−９３７７５号公報
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来のシリカガラスルツボ製造装置に、電極を移動させる機構及び隔壁の両方を設けた場合には、電極と貫通孔との干渉を回避するために、貫通孔の開口面積を電極に対して大きく設定する必要があり、この場合には、粉塵が貫通孔と電極との隙間から隔壁の上方側に侵入する虞がある。また、逆に粉塵や意図せぬ塵埃が、隔壁の上方側から貫通孔と電極との隙間を介してモールドに落下する虞もある。また、特許文献３では、上部区画と下部区画とを連通する区画部材の連通路におけるガス流の制御するための装置構成が大掛かりとなってしまう。
【０００８】
本考案は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、電極を移動可能としながらも、隔壁の貫通孔とこれに挿通された電極との隙間を縮小できる構造を備えたシリカガラスルツボ製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本考案によれば、アーク放電によってシリカ粉成形体を加熱溶融してシリカガラスルツボを製造するためのシリカガラスルツボ製造装置が提供される。このシリカガラスルツボ製造装置は、シリカ粉成形体を保持するためのモールドと、アーク放電を発生させるための棒状に形成された複数の電極と、上記モールドの上方に配された板状の隔壁と、上記隔壁をその厚さ方向に貫通する貫通孔と、上記貫通孔を閉塞する閉塞手段と、上記閉塞手段を貫通する挿入孔と、を備える。また、上記電極は、上記貫通孔および上記挿入孔に挿通されると共に、上記モールドに向けて延び、さらに、上記貫通孔内および前上記挿入孔内において上記隔壁の面方向に沿って移動可能に配されている。また、上記挿入孔は、上記閉塞手段による上記貫通孔の閉塞状態を保持しながら、上記電極の移動に追従して上記隔壁の面方向に沿って移動可能に配されている。
【００１０】
上記シリカガラスルツボ製造装置においては、電極が貫通孔内において隔壁の面方向に移動できるように貫通孔の開口面積が大きく設定されても、この貫通孔は閉塞手段によって閉塞されている。一方、閉塞手段には電極が挿通する挿入孔が設けられており、この挿入孔は電極の移動に追従して隔壁の面方向に移動する。そのため、閉塞手段の挿入孔の開口面積は、電極を挿通できる程度に小さく抑えることができる。すなわち、挿入孔とこれに挿通された電極との隙間を縮小することが可能となる。
【００１１】
また、隔壁の貫通孔の開口面積を大きく設定できることで、貫通孔に対する電極の移動範囲を拡大することができ、例えば、アーク放電が生じる電極の先端同士の距離を広い範囲で調整することが可能となる。また、例えば、アーク放電が生じる電極の軸線同士がなす角度（以下、電極の開き角度と呼ぶ。）も広い角度範囲で調整することができる。このように貫通孔に対する電極の移動範囲を拡大させることは、例えば３０インチ以上の大口径のシリカガラスルツボを製造する場合に特に有効である。
【００１２】
すなわち、大口径のシリカガラスルツボを製造する際には、シリカ粉を溶融するために必要なアーク放電の出力が増す。このため、アーク放電に基づく熱によって電極はその先端側から消耗しやすく、これに伴って電極の先端同士の距離が大きくなり易い。ここで、上記シリカガラスルツボ製造装置においては、前述したように、電極の先端同士の距離を広い範囲で調整することが可能であるため、電極の寿命を実質的に延ばすことができる。
【００１３】
また、アーク放電の出力を増大させるためには、電極の先端間以外においてアーク放電が生じないように、電極の開き角度を拡大する必要がある。ここで、上記シリカガラスルツボ製造装置によれば、前述したように、上記電極の開き角度を広い角度範囲で調整できるため、同一のシリカガラスルツボ製造装置において、小口径から大口径までの幅広いシリカガラスルツボまで製造することが可能である。
【００１４】
そして、このシリカガラスルツボ製造装置においては、上記閉塞手段が、上記隔壁の主面上に配された閉塞平板からなってもよい。また、上記挿入孔が、上記閉塞平板の厚さ方向に貫通して形成されていてもよい。
【００１５】
この構成において、電極が貫通孔に対して上記面方向に沿って移動する場合には、電極が閉塞平板の挿入孔の周縁に当接する等して、隔壁の主面上において閉塞平板が電極の移動方向に追従して移動することで、挿入孔を電極の移動に追従させるように移動させることができる。
【００１６】
また、このシリカガラスルツボ製造装置においては、上記閉塞平板が、上記隔壁の主面上に複数積層された閉塞平板からなってもよい。また、下層側の上記閉塞平板の上記挿入孔は、上記貫通孔内における上記電極の移動方向に沿った長さが、当該下層側の上記閉塞平板よりも上層側の上記閉塞平板の上記挿入孔よりも大きくてもよい。なお、この構成においては、隔壁の主面から最も離間した最上層に位置する閉塞平板の挿入孔の開口面積のみ電極を挿通できる程度に小さく抑えればよい。
【００１７】
この構成において、電極が貫通孔に対して上記面方向に沿って移動する場合には、例えば電極が最上層の閉塞平板等の上層側の閉塞平板に形成された挿入孔の周縁に当接することで、上層側の閉塞平板が電極の移動方向に追従して移動する。
【００１８】
ここで、上層側の閉塞平板に当接する下層側の閉塞平板の挿入孔は、上層側の閉塞平板の挿入孔よりも電極の移動方向に沿った長さが大きい。そのため、電極がその移動方向に対面する下層側の閉塞平板の挿入孔の周縁（以下、挿入孔の移動方向端部とも呼ぶ。）から離れている場合には、下層側の閉塞平板が電極に追従して移動することはない。すなわち、この場合には、上層側の閉塞平板が下層側の閉塞平板に対して相対的に移動することになる。
【００１９】
一方、電極が下層側の閉塞平板の挿入孔の移動方向端部に位置する場合には、電極が下層側の閉塞平板の挿入孔の移動方向端部に当接する等して、上層側の閉塞平板及び下層側の閉塞平板の両方が電極の移動方向に追従して移動する。すなわち、この場合には、上層側の閉塞平板が下層側の閉塞平板に対して相対的に移動しない。
このように、上記構成のシリカガラスルツボ製造装置では、積層方向に隣り合う２つの閉塞平板が互いに褶動するように相対移動する長さや、隔壁の主面とこれに当接する閉塞平板と互いに褶動するように相対移動する長さを小さく設定できるため、各閉塞平板や隔壁の主面の摩耗、及び、この摩耗に伴う塵埃の発生を抑制することができる。
【００２０】
また、上述した相対的な移動長さを小さく設定できることから、他の閉塞平板や隔壁に当接する一の閉塞平板の当接面において、シリカ粉成形体を加熱溶融する際に発生するヒューム等の粉塵が付着する付着面積を小さくできると共に、一の閉塞平板の当接面に付着した粉塵が各閉塞平板の移動に伴って削ぎ落とされる量も減らすことが可能となる。したがって、モールドに向けて落下する塵埃や粉塵の量を減らすことができる。
【００２１】
さらに、このシリカガラスルツボ製造装置においては、上記上層側の閉塞平板が上記下層側の閉塞平板に対して相対的に移動する移動範囲を規制する規制手段を備えていてもよい。
【００２２】
この構成の場合には、規制手段により下層側の閉塞平板に対する上層側の閉塞平板の移動可能範囲を容易に設定することができる。また、電極の隔壁の面方向への移動に際して、電極が最上層の閉塞平板を除く他の閉塞平板の挿入孔の周縁に当接しないように設定することも可能となる。すなわち、電極の保護を図ることができる。
【００２３】
また、このシリカガラスルツボ製造装置においては、上記閉塞手段が、頂部に上記挿入孔を有する弾性変形可能な傘状の筒状体からなっていてもよい。また、上記傘状の筒状体の下側の開口が、上記挿入孔の開口面積よりも大きく形成されており、かつ上記貫通孔を囲繞するように上記隔壁の主面に配されていてもよい。
【００２４】
この構成において、電極が貫通孔内において前記面方向に沿って移動する場合には、傘状の筒状体が弾性変形することで、電極の移動に追従させるように挿入孔を移動させることができる。
【００２５】
なお、傘状の筒状体の載置側開口部が隔壁の主面に固定されていない場合には、電極の移動に伴って傘状の筒状体が隔壁の主面上を移動することで、電極の移動に追従させるように挿入孔を移動させることもできる。
【考案の効果】
【００２６】
本考案によれば、隔壁の貫通孔を閉塞手段によって閉塞した状態で、電極を挿通させた閉塞手段の挿入孔が電極の移動に追従するため、挿入孔とこれに挿通された電極との隙間を縮小することができる。これにより、シリカ粉成形体を加熱溶融する際に発生するヒューム等の粉塵が、挿入孔と電極との隙間を介して隔壁の上方側に侵入することを抑制できる。また、意図せぬ塵埃が、隔壁の上方側から挿入孔と電極との隙間を介してモールドに落下することも抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本考案に係るシリカガラスルツボ製造装置の一実施形態を示す模式正面図である。
【図２】図１のシリカガラスルツボ製造装置における電極配置状態を示す模式平面図である。
【図３】図１のシリカガラスルツボ製造装置における電極配置状態を示す模式正面図である。
【図４】図１のシリカガラスルツボ製造装置における閉塞手段を示す拡大平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図６】図５に示す閉塞手段において炭素電極の移動に伴う閉塞手段の動作を示す拡大断面図である。
【図７】図１のシリカガラスルツボ製造装置において閉塞手段の変形例を示す拡大断面図である。
【図８】図１のシリカガラスルツボ製造装置において電極移動機構及び貫通孔の変形例を示す拡大平面図である。
【図９】図８の貫通孔を閉塞する閉塞手段を示す拡大平面図である。
【図１０】図８の構成において本考案に係るシリカガラスルツボ製造装置の炭素電極を変位させたアーク状態を示す模式正面図である。
【図１１】図１０の電極配置状態を示す模式平面図である。
【図１２】図１のシリカガラスルツボ製造装置において閉塞手段の変形例を示す拡大断面図である。
【考案を実施するための形態】
【００２８】
＜用語の定義＞
本明細書において、シリカ粉とは、石英に限らず、二酸化ケイ素（シリカ）を含む、水晶、珪砂等、シリカガラスルツボの原材料として周知の材料の粉体をも含むものとする。すなわち、シリカ粉には、結晶状態、アモルファス、ガラス状態であるものが全て含まれ、その内部構造は石英のみに限定されないものとする。
【００２９】
以下、本考案の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００３０】
＜装置全体の構成＞
図１は、本実施形態におけるシリカガラスルツボ製造装置の一部を示す模式正面図である。図において、符号１は、シリカガラスルツボ製造装置である。本実施形態のシリカガラスルツボ製造装置１は、２４インチ以上、好ましくは３２〜４４〜５０インチ程度の口径を有するシリカガラスルツボの製造における熱源として利用される。もっとも、非導電体をアーク溶融するための装置であれば、被溶融物種類、ルツボ口径、装置出力および熱源としての用途は限定されるものではなく、この構成に限られるものではない。
【００３１】
本実施形態のシリカガラスルツボ製造装置１は、図１に示すように、図示しない回転手段によって回転可能とされシリカガラスルツボの外形を規定する碗状の内表面を有するモールド１０を備えており、モールド１０を回転させながらその内表面に原料粉（シリカ粉）が所定厚さに堆積されることでシリカ粉成形体１１が成形される。モールド１０内部には、その内表面に開口すると共に図示しない減圧手段に接続された通気口１２が複数設けられ、シリカ粉成形体１１内部を減圧できるようになっている。
【００３２】
また、モールド１０は、溶融炉１４内に対して出し入れ自在に配することが可能とされている。これにより、例えばシリカ粉成形体１１の成形を溶融炉１４外において実施した後に、モールド１０を溶融炉１４内に配してシリカ粉成形体１１の加熱溶融を実施することができる。
【００３３】
一方、溶融炉１４内に配されたモールド１０の上方には図示しない電力供給手段に接続されたアーク加熱用の炭素電極１３，１３，１３が設けられ、これによってシリカ粉成形体１１が加熱可能とされている。
【００３４】
炭素電極１３，１３，１３は、例えば交流３相（Ｒ相、Ｓ相、Ｔ相）のアーク放電をおこなうように同形状の電極棒とされ、溶融炉１４の天井部分をなす板状の隔壁１５の厚さ方向に貫通する貫通孔１６に挿通されると共に、溶融炉１４内のモールド１０に向けて延びるように配されている。各炭素電極１３，１３，１３は、隔壁１５の上方側に配された電極移動機構２０，２０，２０によってそれぞれ個別に保持されている。
【００３５】
そして、炭素電極１３，１３，１３は、図２，図３に示すように、平面視で電極位置中心線ＬＬを中心とした同一の円周上に配置されている。また、炭素電極１３，１３，１３は、下方に頂点を有するような逆三角錐状となるように、それぞれの軸線１３Ｌが角度θ１をなすようにそれぞれ設けられている。なお、図示例において、電極位置中心線ＬＬは、モールド１０の回転中心線Ｌに一致しているが、電極移動機構２０により炭素電極１３を移動させることで、回転中心線Ｌに対してずらすことも可能である。
【００３６】
この構成において、シリカガラスルツボ製造装置１は、３００ｋＶＡ〜１２，０００ｋＶＡの出力範囲で、複数の炭素電極１３，１３，１３の先端間に生じるアーク放電によって非導電性対象物（シリカ粉）を加熱溶融する高出力の装置とされる。
【００３７】
なお、炭素電極１３の本数は、図示例のものに限らず任意に設定することが可能であり、また、炭素電極１３の本数に応じて交流２相、交流３相、交流４相のアーク放電を行うことができる。
【００３８】
図１に示すように、各電極移動機構２０は、溶融炉１４に対して隔壁１５の平坦な上面（主面）１５ａに沿う一方向（水平方向Ｔ１）に移動可能とされた基台２１と、基台２１からその上方に突出する柱状支持部２２と、柱状支持部２２に対して隔壁１５の厚さ方向（上下方向Ｔ２）に移動可能に取り付けられた中間支持部２３と、中間支持部２３に対して隔壁１５の上面１５ａに沿って延びる縦回転軸線Ｏ１を中心に回転可能に取り付けられた電極保持部２４とを備えている。
【００３９】
ここで、溶融炉１４に対する基台２１の移動方向（水平方向Ｔ１）はモールド１０の回転中心線Ｌの径方向のみに設定されている。また、柱状支持部２２に対する中間支持部２３の上下方向Ｔ２への移動は、例えばラックピニオン等の機構により実施することが可能である。また、電極保持部２４の縦回転軸線Ｏ１は、水平方向Ｔ１に対して直交している。さらに、電極保持部２４は、炭素電極１３を保持するチャック手段として機能し、炭素電極１３は電極保持部２４に対して着脱可能とされている。なお、電極保持部２４は、例えば炭素電極１３をその軸線１３Ｌ方向に移動可能に保持するように構成されていてもよい。
【００４０】
この構成により、各炭素電極１３は、隔壁１５に対して水平方向Ｔ１及び上下方向Ｔ２に平行に移動可能とされ、さらに、縦回転軸線Ｏ１を中心として縦回動方向Ｔ３に回動可能とされている。
【００４１】
したがって、例えば炭素電極１３，１３の先端間距離Ｄ（以下、電極間距離Ｄと呼ぶ。）やその軸線１３Ｌ同士がなす角度θ１（以下、開き角度θ１と呼ぶ。）は、各炭素電極１３を水平方向Ｔ１及び縦回動方向Ｔ３に移動させることで調整することができる。また、モールド１０に対する炭素電極１３の高さ位置は、各炭素電極１３を上下方向Ｔ２に移動させることで調整することができる。
【００４２】
一方、隔壁１５に形成される貫通孔１６は、図４，図５に示すように、各炭素電極１３が上述のように移動可能となるように、炭素電極１３の径寸法と比較して十分に大きく形成されている。なお、本実施形態においては、炭素電極１３を隔壁１５に対して水平方向Ｔ１や上下方向Ｔ２、縦回動方向Ｔ３に移動させた際に、貫通孔１６内に位置する炭素電極１３は水平方向Ｔ１のみに移動する。このため、貫通孔１６は、炭素電極１３の径寸法に対して水平方向Ｔ１に沿った長さが大きくなるように形成されており、隔壁１５の上面１５ａに沿って水平方向Ｔ１に直交する貫通孔１６の幅寸法は、炭素電極１３の径寸法よりも微小に大きく設定されている。この構成により、炭素電極１３が貫通孔１６内において水平方向Ｔ１に移動可能となる。
【００４３】
＜閉塞手段の構成＞
図１に示すように、貫通孔１６，１６，１６は、隔壁１５の上面１５ａに配された閉塞手段３０，３０，３０によって個別に閉塞されている。各閉塞手段３０は、図４，５に示すように、隔壁１５の上面１５ａに平板状の閉塞平板３１を複数（図示例では３枚）積層して構成されている。各閉塞平板３１は、カーボン等のように耐熱性に優れる材料からなり、各閉塞平板３１には、その厚さ方向に貫通して炭素電極１３を挿入する挿入孔３２が形成されている。また、任意の閉塞平板３１は、これに当接する他の閉塞平板３１や隔壁１５の上面１５ａに対して褶動するように、隔壁１５の面方向に移動可能となるように配されている。
【００４４】
ただし、図示例においては、隔壁１５の上面１５ａに沿って水平方向Ｔ１に直交する閉塞平板３１，３１，３１の両側部に移動規制部材３３，３３が当接しており、隔壁１５の上面１５ａに固定されて隔壁１５の上面に沿う水平方向Ｔ１の直交方向に閉塞平板３１，３１，３１が移動することを防いでいる。これによって、閉塞平板３１，３１，３１の移動方向が水平方向Ｔ１に限定されている。なお、移動規制部材３３，３３は、特に設けられなくても構わない。
【００４５】
各閉塞平板３１の挿入孔３２は、いずれも貫通孔１６の開口面積よりも小さく形成されている。具体的には、水平方向Ｔ１に沿う各挿入孔３２の長手寸法が貫通孔１６より短く設定されている。なお、図示例において、隔壁１５の上面に沿って水平方向Ｔ１に直交する各挿入孔３２の幅寸法は、貫通孔１６より短く設定されているが、例えば貫通孔１６と等しくなるように設定されていてもよい。
【００４６】
また、隔壁１５の上面１５ａから最も離間した最上層に位置する第三閉塞平板３１Ｃの挿入孔３２Ｃは、平面視円形状に形成されており、その開口面積は、炭素電極１３を挿通できる程度に小さく抑えられている。そして、第三閉塞平板３１Ｃ（上層側閉塞平板３１）の下側に当接する第二閉塞平板３１Ｂ（下層側閉塞平板３１）の挿入孔３２Ｂは、第三閉塞平板３１Ｃの挿入孔３２Ｃと比較して、水平方向Ｔ１に沿った長さが大きい。また、第二閉塞平板３１Ｂ（上層側閉塞平板３１）の下側に当接する第一閉塞平板３１Ａ（下層側閉塞平板３１）の挿入孔３２Ａは、第二閉塞平板３１Ｂの挿入孔３２Ｂと比較して、水平方向Ｔ１に沿った長さがさらに大きい。
【００４７】
すなわち、複数の閉塞平板３１に形成される複数の挿入孔３２は、隔壁１５の上面１５ａから離れるにしたがって水平方向Ｔ１の寸法が順次小さくなるように相対的に形成されている。
【００４８】
さらに、上記構成の閉塞手段３０は、水平方向Ｔ１に沿って第一閉塞平板３１Ａ（下層側閉塞平板３１）に対して相対的に移動する第二閉塞平板３１Ｂ（上層側閉塞平板３１）の移動範囲を規制する第一規制手段を備えている。第一規制手段は、第一閉塞平板３１Ａを第二閉塞平板３１Ｂの両端部よりも水平方向Ｔ１に延長させた上で、第一閉塞平板３１Ａのうち第二閉塞平板３１Ｂに当接する当接面の水平方向Ｔ１への延長部分に設けられた一対の第一突出ピン３３Ａ，３３Ａによって構成されている。
【００４９】
この構成においては、水平方向Ｔ１に沿う第一突出ピン３３Ａ，３３Ａ間の距離から第二閉塞平板３１Ｂの長手寸法を差し引いた長さが、第一閉塞平板３１Ａに対する第二閉塞平板３１Ｂの移動可能範囲に相当する。なお、第二閉塞平板３１Ｂをこの移動可能範囲内で第一閉塞平板３１Ａに対して移動させる限り、第二閉塞平板３１Ｂの挿入孔３２Ｂは第一閉塞平板３１Ａの挿入孔３２Ａの周縁よりも内側に位置する（図６参照）。
【００５０】
また、閉塞手段３０は、水平方向Ｔ１に沿って第二閉塞平板３１Ｂ（下層側閉塞平板３１）に対して相対的に移動する第三閉塞平板３１Ｃ（上層側閉塞平板３１）の移動範囲を規制する第二規制手段を備えている。すなわち、第二規制手段は、第一規制手段と同様に、第二閉塞平板３１Ｂのうち第三閉塞平板３１Ｃに当接する当接面の水平方向Ｔ１への延長部分に設けられた一対の第二突出ピン３３Ｂ，３３Ｂによって構成され、第二突出ピン３３Ｂ，３３Ｂ間の距離から第三閉塞平板３１Ｃの長手寸法を差し引いた長さが、第二閉塞平板３１Ｂに対する第三閉塞平板３１Ｃの移動可能範囲に相当する。なお、第三閉塞平板３１Ｃをこの移動可能範囲内で第二閉塞平板３１Ｂに対して移動させる限り、第三閉塞平板３１Ｃの挿入孔３２Ｃは第二閉塞平板３１Ｂの挿入孔３２Ｂの周縁よりも内側に位置する（図６参照）。
【００５１】
＜閉塞手段の動作＞
以下、炭素電極１３の移動に対する上記構成の閉塞手段３０の動作について説明する。ここでは、貫通孔１６及び複数の挿入孔３２の中心位置が水平方向Ｔ１に揃うように、上記構成の閉塞手段３０及び炭素電極１３が隔壁１５の貫通孔１６に対して配されている状態（図５に示す状態）から、図６に示すように、炭素電極１３を貫通孔１６内において水平方向Ｔ１（図６において左方向）に移動させる場合について説明する。
【００５２】
はじめに、炭素電極１３を水平方向Ｔ１に移動させると、炭素電極１３が第三閉塞平板３１Ｃの挿入孔３２Ｃの周縁に当接することで、第三閉塞平板３１Ｃが炭素電極１３に追従して水平方向Ｔ１に移動する。
【００５３】
この移動に際して、炭素電極１３が水平方向Ｔ１に対面する第一閉塞平板３１Ａ及び第二閉塞平板３１Ｂの挿入孔３２Ａ，３２Ｂの周縁（以下、挿入孔３２Ａ，３２Ｂの移動方向端部と呼ぶ。）から離れている状態、また、第三閉塞平板３１Ｃの移動方向前方側の端部が、これに対向する第二閉塞平板３１Ｂの第二突出ピン３３Ｂに対して離れている状態では、第一閉塞平板３１Ａ及び第二閉塞平板３１Ｂが炭素電極１３に追従して移動することはない。すなわち、この状態においては第三閉塞平板３１Ｃのみが第二閉塞平板３１Ｂに対して褶動するように移動することになる。
【００５４】
次いで、炭素電極１３をさらに水平方向Ｔ１に移動させて、第三閉塞平板３１Ｃの移動方向前方側の端部が第二閉塞平板３１Ｂの第二突出ピン３３Ｂに当接すると、第二閉塞平板３１Ｂ及び第三閉塞平板３１Ｃが炭素電極１３に追従して水平方向Ｔ１に移動する。なお、この当接状態においては、炭素電極１３が第二閉塞平板３１Ｂの挿入孔３２Ｂの移動方向端部の近傍に位置するものの当接することはない。また、第三閉塞平板３１Ｃと第二閉塞平板３１Ｂとの間に相対的な移動は生じない。
【００５５】
この移動に際して、炭素電極１３が水平方向Ｔ１に対面する第一閉塞平板３１Ａの挿入孔３２Ａの移動方向端部から離れている状態、また、第二閉塞平板３１Ｂの移動方向前方側の端部が、これに対向する第一閉塞平板３１Ａの第一突出ピン３３Ａに対して離れている状態では、第一閉塞平板３１Ａが炭素電極１３に追従して移動することはない。すなわち、この状態においては第二閉塞平板３１Ｂが第一閉塞平板３１Ａに対して褶動するように移動することになる。
【００５６】
その後、炭素電極１３をさらに水平方向Ｔ１に移動させて、第二閉塞平板３１Ｂの移動方向前方側の端部が第一閉塞平板３１Ａの第一突出ピン３３Ａに当接すると、全ての閉塞平板３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃが炭素電極１３に追従して水平方向Ｔ１に移動する。なお、この当接状態においては、炭素電極１３が第一閉塞平板３１Ａ及び第二閉塞平板３１Ｂの挿入孔３２Ａ，３２Ｂの移動方向端部の近傍に位置するものの当接することはない。また、全ての閉塞平板３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃの間に相対的な移動は生じない。したがって、この移動に際しては、第一閉塞平板３１Ａが隔壁１５に対して褶動するように移動することになる。
【００５７】
以上のことから、上述した炭素電極１３の移動に際して、積層方向に隣り合う２つの閉塞平板３１，３１が互いに褶動するように移動する長さや、第一閉塞平板３１Ａと隔壁１５とが互いに褶動するように移動する長さをそれぞれ短く設定することができる。また、挿入孔３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃは、閉塞平板３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃによる貫通孔１６の閉塞状態を保持しながら、貫通孔１６内における炭素電極１３に追従して移動することができる。
【００５８】
＜シリカガラスルツボの製造方法＞
次に、以上のように構成されたシリカガラスルツボ製造装置において、シリカ粉成形体１１を加熱溶融してシリカガラスルツボを製造する方法について説明する。モールド１０の内表面に成形された碗状のシリカ粉成形体１１を加熱溶融する際には、アーク放電開始前に、予め炭素電極１３，１３，１３が、センターアークとして、モールド１０の回転中心線Ｌに一致させた電極位置中心線ＬＬに対して軸線対称に設定される。具体的には、図２，図３に示すように、下方に頂点を有するような逆三角錐状となるように、それぞれの軸線１３Ｌ同士が開き角度θ１をなすように設定される。また、アーク放電を生じさせる炭素電極１３，１３，１３の先端同士を接触させておく。
【００５９】
次いで、図示しない電力供給手段により炭素電極１３，１３，１３への電極供給を開始する（電力供給開始工程）。この際、炭素電極１３，１３，１３の先端同士が接触しているため、アーク放電は生じない。
【００６０】
その後、電極移動機構２０により、炭素電極１３，１３，１３が下方に頂点を有するような逆三角錐状を維持しながら、電極間距離Ｄを拡大する（電極距離拡大工程）。これに伴って、炭素電極１３，１３間で放電が発生し始める。この際、各炭素電極１３における電力密度が４０ｋＶＡ／ｃｍ２〜１，７００ｋＶＡ／ｃｍ２となるように電力供給手段により供給電力を制御する。
【００６１】
また、電極移動機構２０により、開き角度θ１を維持した状態で、シリカ粉成形体１１溶融に必要な熱源としての条件を満たすように、電極間距離Ｄを調節する（電極距離調整工程）。この際、各炭素電極１３における電力密度が４０ｋＶＡ／ｃｍ２〜１，７００ｋＶＡ／ｃｍ２となるように電力供給手段による供給電力制御が維持される。これにより、アーク放電の状態を安定させ、安定したアーク火炎の発生を持続することができる。
【００６２】
さらに、電極移動機構２０により、開き角度θ１を維持した状態で、シリカ粉成形体１１溶融に必要な熱源としての条件を満たすように、モールド１０に対する炭素電極１３の高さ位置を調節する（電極高さ設定工程）。この際、各炭素電極１３における電力密度が４０ｋＶＡ／ｃｍ２〜１，７００ｋＶＡ／ｃｍ２となるように電力供給手段による供給電力制御が維持される。
【００６３】
最後に、シリカ粉成形体１１の溶融が所定の状態になった後に、電力供給手段による電力供給を停止する（電力供給終了工程）ことで、シリカガラスルツボの製造が完了する。なお、上述した各工程においては、通気口１２に接続した減圧手段によってシリカ粉成形体１１付近の圧力を制御してもよい。
【００６４】
＜作用効果＞
以上説明したように、本実施形態によるシリカガラスルツボ製造装置１においては、炭素電極１３が貫通孔１６内において水平方向Ｔ１に移動できるように貫通孔１６の開口面積が大きく設定されても、貫通孔１６は閉塞手段３０によって閉塞されている。一方、炭素電極１３の移動に追従して水平方向Ｔ１に移動する閉塞手段３０のうち１つの挿入孔３２Ｃの開口面積は、炭素電極１３を挿通できる程度に小さく抑えられているため、この挿入孔３２Ｃと炭素電極１３との隙間を縮小することが可能となる。
【００６５】
したがって、シリカ粉成形体１１を加熱溶融する際に発生するヒューム等の粉塵が、隔壁１５の上方側に侵入して、電極移動機構２０等に付着することを抑制できる。また、意図せぬ塵埃が、隔壁１５の上方側から挿入孔３２Ｃと炭素電極１３との隙間を介してモールド１０に落下することも抑制できる。このような塵埃がアーク溶融中のシリカガラスルツボの内表面に付着すると、塵埃が溶融したシリカガラスに取り込まれた状態で固化することになってしまう。そして、このようにシリカガラスに取り込まれた塵埃は出荷前に洗浄などで除去することが困難である。その結果、このようにシリカガラス中に取り込まれた塵埃が、ユーザによるシリカガラスルツボを用いたＣＺ法（チョコラルスキー法）による単結晶シリコンの引上げの際に単結晶に欠陥を発生させる原因と成り得る。そのため、このような塵埃がわずかでも（ｐｐｍオーダーでも）取り込まれたシリカガラスルツボは商品価値がなくなってしまう。これに対して、本実施形態によるシリカガラスルツボ製造装置１においては、意図せぬ塵埃が落下することを抑制できるため、シリカガラスルツボの商品価値を高く維持することができる。
【００６６】
また、隔壁１５の貫通孔１６の開口面積を大きく設定できることで、貫通孔１６に対する炭素電極１３の移動範囲を拡大することができ、例えば、アーク放電が生じる炭素電極１３，１３の電極間距離Ｄを広い範囲で調整することが可能となる。また、例えば、アーク放電が生じる炭素電極１３，１３の開き角度θ１も広い角度範囲で調整することができる。このように貫通孔１６に対する炭素電極１３の移動範囲を拡大させることは、例えば３０インチ以上の大口径のシリカガラスルツボを製造する場合に特に有効である。
【００６７】
すなわち、大口径のシリカガラスルツボを製造する際には、シリカ粉を溶融するために必要なアーク放電の出力が増す。このため、アーク放電に基づく熱によって各炭素電極１３はその先端側から消耗しやすく、これに伴って炭素電極１３，１３の電極間距離Ｄが大きくなり易い。ここで、本実施形態のシリカガラスルツボ製造装置１においては、前述したように、電極間距離Ｄを広い範囲で調整することが可能であるため、炭素電極１３の寿命を実質的に延ばすことができる。
【００６８】
また、アーク放電の出力を増大させるためには、炭素電極１３，１３の先端間以外においてアーク放電が生じないように、炭素電極１３，１３の開き角度θ１を拡大する必要がある。ここで、本実施形態のシリカガラスルツボ製造装置１によれば、前述したように、開き角度θ１を広い角度範囲で調整できるため、同一のシリカガラスルツボ製造装置１において、小口径から大口径までの幅広いシリカガラスルツボまで製造することが可能である。
【００６９】
さらに、上記シリカガラスルツボ製造装置１においては、炭素電極１３の移動に際して、２つの閉塞平板３１，３１が互いに褶動するように移動する長さや、第一閉塞平板３１Ａと隔壁１５とが互いに褶動するように移動する長さをそれぞれ短く設定することができるため、各閉塞平板３１や隔壁１５の上面１５ａの摩耗、及び、この摩耗に伴う塵埃の発生を抑制できる。
【００７０】
また、上述した相対的な移動長さを小さく設定できることから、溶融炉１４の内部空間に対面して他の閉塞平板３１や隔壁１５に当接する任意の閉塞平板３１の当接面において、シリカ粉成形体１１を加熱溶融する際に発生するヒューム等の粉塵が付着する付着面積を小さくできる。さらに、複数の閉塞平板３１に形成される複数の挿入孔３２は、隔壁１５の上面１５ａから離れるにしたがって水平方向Ｔ１の寸法が順次小さくなるように相対的に形成されているため、任意の閉塞平板３１の当接面は鉛直方向下方に向くことになり、当接面に対する粉塵や塵埃の堆積を防ぐことができる。以上のことから、任意の閉塞平板３１の当接面に付着した粉塵が各閉塞平板３１の移動に伴って削ぎ落とされる量も減らすことが可能となる。したがって、モールド１０に向けて落下する塵埃や粉塵の量を減らすことができる。
【００７１】
さらに、規制手段をなす突出ピン３３を設けることで、下層側閉塞平板３１に対する上層側閉塞平板３１の移動可能範囲を容易に設定することができる。また、規制手段をなす突出ピン３３によって、炭素電極１３の水平方向Ｔ１への移動に際して、炭素電極１３が第一閉塞平板３１Ａ及び第二閉塞平板３１Ｂの挿入孔３２Ａ，３２Ｂの周縁に当接しないように設定されているため、炭素電極１３の保護を図ることもできる。
【００７２】
＜変形例１＞
なお、本考案は上述した実施形態に限定されるものではなく、本考案の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記実施形態において、閉塞平板３１，３１，３１は、隔壁１５の上面１５ａに積層されるとしたが、例えば図７に示すように、溶融炉１４の内部空間に面する隔壁１５の下面（主面）１５ｂ（図１参照）に積層されてもよい。この構成においては、上記実施形態と同様形状の第一閉塞平板３１Ａ、第二閉塞平板３１Ｂ及び第三閉塞平板３１Ｃを順番に積層すればよく、下面１５ｂに固定された懸架手段１７により第一閉塞平板３１Ａが隔壁１５の下面１５ｂに当接するように閉塞平板３１，３１，３１を支持すればよい。ただし、水平方向Ｔ１に沿う各閉塞平板３１の長手寸法は、閉塞平板３１が懸架手段１７から外れないように調整することが好ましい。
【００７３】
＜変形例２＞
また、各炭素電極１３は、貫通孔１６内において水平方向Ｔ１に移動するだけでなく、例えば図８に示すように、隔壁１５の上面１５ａに直交する横回転軸線Ｏ２（図１参照）を中心に横回動方向Ｔ４に回動可能とされてもよい。この場合には、電極移動機構２０において、例えば中間支持部２３が基台２１に対して横回転軸線Ｏ２を中心に回転可能に取り付けられていればよい。また、貫通孔１６内に位置する炭素電極１３は、隔壁１５の上面１５ａに沿って横回転軸線Ｏ２の周方向（横回動方向Ｔ４）にも移動するため、貫通孔１６は、例えば横回転軸線Ｏ２を中心とした扇状に形成されていればよい。
【００７４】
一方、この貫通孔１６を閉塞する閉塞手段４０は、図９に示すように、上記実施形態と同様に、上面１５ａに積層される複数の閉塞平板３１，３１，３１によって構成されており、主に各閉塞平板３１の平面視形状について上記実施形態の構成と異なっている。また、上記実施形態のように移動規制部材３３，３３が設けられていない点でも異なる。
【００７５】
すなわち、各閉塞平板３１は、平面視扇状の貫通孔１６を覆うように、横回転軸線Ｏ２を中心とした平面視扇状に形成されている。また、第一閉塞平板３１Ａ及び第二閉塞平板３１Ｂの挿入孔３２Ａ，３２Ｂも、横回転軸線Ｏ２を中心とした平面視扇状に形成されており、横回動方向Ｔ４に沿う挿入孔３２Ａ，３２Ｂの周方向寸法は、いずれも貫通孔１６よりも短く設定されている。なお、第三閉塞平板３１Ｃの挿入孔３２Ｃは、上記実施形態と同様に平面視円形状に形成され、挿入孔３２Ｃの開口面積は炭素電極１３を挿通できる程度に小さく抑えられている。
【００７６】
そして、第二閉塞平板３１Ｂの挿入孔３２Ｂは、第三閉塞平板３１Ｃの挿入孔３２Ｃと比較して、横回動方向Ｔ４の長さが大きい。また、第一閉塞平板３１Ａの挿入孔３２Ａは、第二閉塞平板３１Ｂの挿入孔３２Ｂと比較して、横回動方向Ｔ４の長さがさらに大きい。すなわち、複数の閉塞平板３１に形成される複数の挿入孔３２は、隔壁１５の上面１５ａから離れるにしたがって横回動方向Ｔ４の寸法が順次小さくなるように相対的に形成されている。なお、水平方向Ｔ１に沿う各閉塞平板３１の長手寸法及び各挿入孔３２の長手寸法は、上記実施形態と同様に設定されている。
【００７７】
さらに、閉塞手段４０は、横回動方向Ｔ４に沿って第一閉塞平板３１Ａ（下層側閉塞平板３１）に対して相対的に移動する第二閉塞平板３１Ｂ（上層側閉塞平板３１）の移動範囲を規制する第三規制手段としての一対の第三突出ピン３３Ｃ，３３Ｃを備えている。第三突出ピン３３Ｃ，３３Ｃは、第一閉塞平板３１Ａのうち第二閉塞平板３１Ｂに当接する当接面の横回動方向Ｔ４への延長部分に設けられている。この構成においては、横回動方向Ｔ４に沿う第三突出ピン３３Ｃ，３３Ｃ間の距離から横回動方向Ｔ４に沿う第二閉塞平板３１Ｂの周方向寸法を差し引いた長さが、第一閉塞平板３１Ａに対する第二閉塞平板３１Ｂの移動可能範囲に相当する。
【００７８】
また、閉塞手段４０は、横回動方向Ｔ４に沿って第二閉塞平板３１Ｂ（下層側閉塞平板３１）に対して相対的に移動する第三閉塞平板３１Ｃ（上層側閉塞平板３１）の移動範囲を規制する第四規制手段としての一対の第四突出ピン３３Ｄ，３３Ｄを備えている。第四突出ピン３３Ｄ，３３Ｄは、第二閉塞平板３１Ｂのうち第三閉塞平板３１Ｃに当接する当接面の横回動方向Ｔ４への延長部分に設けられている。この構成においては、横回動方向Ｔ４に沿う第四突出ピン３３Ｄ，３３Ｄ間の距離から横回動方向Ｔ４に沿う第三閉塞平板３１Ｃの周方向寸法を差し引いた長さが、第二閉塞平板３１Ｂに対する第三閉塞平板３１Ｃの移動可能範囲に相当する。
【００７９】
なお、第一突出ピン３３Ａ及び第二突出ピン３３Ｂの形成位置は、上記実施形態と同様である。
【００８０】
図８，９に示す構成においては、例えば図１０，１１に示すように、炭素電極１３，１３，１３を縦回動方向Ｔ３や横回動方向Ｔ４等に移動させることで、電極位置中心線ＬＬに沿うアーク火炎の発生方向を回転中心線Ｌに沿う鉛直方向から角度ψ１だけ変位させることも可能となる。また、このように炭素電極１３，１３，１３を変位させても、貫通孔１６を閉塞手段４０によって閉塞状態に保持することができる。
【００８１】
なお、図８，９に示す閉塞手段４０においては、平面視における貫通孔１６の形状や、各閉塞平板３１の外形形状、挿入孔３２Ａ，３２Ｂの形状を平面視扇状に限らなくてもよく、少なくとも貫通孔１６が閉塞手段４０によって閉塞状態に保持されながら、炭素電極１３が貫通孔１６内において水平方向Ｔ１及び横回動方向Ｔ４に移動可能であれば、任意の形状に設定してもよい。
【００８２】
＜変形例３＞
また、上記実施形態において、溶融炉１４に対する基台２１の移動方向（水平方向Ｔ１）はモールド１０の回転中心線Ｌの径方向のみに設定されているが、基台２１は溶融炉１４に対して例えば回転中心線Ｌの周方向にも移動可能とされてもよい。言い換えれば、基台２１の移動方向（水平方向Ｔ１）は、隔壁１５の上面（主面）に沿う面方向に設定されてもよい。この場合には、例えばモールド１０の回転中心線Ｌに対して電極位置中心線ＬＬを隔壁１５の面方向に平行移動させることが可能となる。
【００８３】
＜変形例４＞
さらに、下層側の閉塞平板３１に対する上層側の閉塞平板３１の移動範囲を規制する規制手段は、下層側の閉塞平板３１に設けられた突出ピン３３に限らない。例えば互いに当接する下層側の閉塞平板３１及び上層側の閉塞平板３１のいずれか一方の当接面に形成されて炭素電極１３の移動方向に沿って延びる溝状の軌道と、他方の閉塞平板３１の当接面に形成されて軌道に係合する突起状の係合部とによって構成されてもよい。この構成においては、軌道の長さ寸法を設定することで、下層側の閉塞平板３１に対する上層側の閉塞平板３１の相対的な移動可能範囲を設定できる。なお、この構成の場合には、下層側の閉塞平板３１に対する上層側の閉塞平板３１の相対位置にかかわらず上層側の閉塞平板３１が下層側の閉塞平板３１の挿入孔３２の周縁を覆っていれば、貫通孔１６内における炭素電極１３の移動方向に沿う下層側の閉塞平板３１の両端部の距離が上層側の閉塞平板３１の両端部の距離よりも大きくなくてもよい。
【００８４】
また、突出ピン３３等からなる規制手段は特に設けられなくても構わない。この場合には、炭素電極１３がその移動に伴って下層側閉塞平板３１の挿入孔３２の移動方向端部に当接することで、下層側閉塞平板３１が上層側閉塞平板３１と共に炭素電極１３の移動方向に追従して移動する。
【００８５】
＜変形例５＞
さらに、貫通孔１６を閉塞する閉塞手段３０，４０は、閉塞平板３１を複数積層して構成されるとしたが、例えば１枚の閉塞平板３１のみによって構成されてもよい。すなわち、貫通孔１６を閉塞する閉塞手段３０，４０は、１枚、２枚、３枚、４枚、５枚のいずれの枚数の閉塞平板３１を積層して構成されていてもよい。
【００８６】
＜変形例６＞
また、閉塞手段は、閉塞平板３１によって構成されることに限らず、少なくとも炭素電極１３を挿入可能な挿入孔を有する任意の部材によって構成されていればよい。すなわち、閉塞手段は、例えば図１２に示すように、弾性変形可能な傘状の筒状体５０によって構成されてもよい。筒状体５０は、容易に弾性変形可能となるように蛇腹状に形成されており、筒状体５０においては、その一端側の開口が炭素電極１３の挿入孔５１とされている。また、他端側の開口は、挿入孔５１の開口面積よりも大きく形成された載置側開口部５２とされており、この載置側開口部５２が貫通孔１６を囲繞するように隔壁１５の上面１５ａに配される。
【００８７】
なお、載置側開口部５２は隔壁１５の上面１５ａに固定されてもよいが、例えば上記実施形態の閉塞平板３１の場合と同様に、隔壁１５の上面１５ａとの間に隙間が形成されないように隔壁１５の上面１５ａに沿って移動可能とされてもよい。また、傘状の筒状体５０は、例えば隔壁１５の下面１５ｂに固定されてもよい。この傘状の筒状体５０は、例えばカーボンファイバー等のように耐熱性に優れる材料によって形成されることが好ましい。
【００８８】
この構成においては、炭素電極１３が貫通孔１６内において例えば水平方向Ｔ１に移動する場合には、傘状の筒状体５０が弾性変形することで、炭素電極１３の移動に追従させるように挿入孔５１を移動させることができる。また、傘状の筒状体５０の載置側開口部５２が隔壁１５の上面１５ａに固定されていない場合には、炭素電極１３の移動に伴って筒状体５０が隔壁１５の上面１５ａ上を移動することで、炭素電極１３の移動に追従させるように挿入孔５１を移動させることもできる。すなわち、この構成においても、傘状の筒状体による貫通孔１６の閉塞状態を保持しながら、挿入孔５１が貫通孔１６内における炭素電極１３の移動に追従して移動可能となっている。
【符号の説明】
【００８９】
１...シリカガラスルツボ製造装置、１０...モールド、１１...シリカ粉成形体、１３...炭素電極、１５...隔壁、１５ａ...上面（主面）、１５ｂ...下面（主面）、１６...貫通孔、３０，４０...閉塞手段、３１...閉塞平板、３２...挿入孔、３３...突出ピン（規制手段）、５０...傘状の筒状体（閉塞手段）、５１...挿入孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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