(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素の周辺部にリブを形成する工程と、
第１無機膜を前記リブの上層側に形成する工程と、
前記第１無機膜を覆うように、第１有機膜を形成する工程と、
前記第１有機膜の一部を除去する工程と、
前記第１無機膜と前記第１有機膜のうち前記第１有機膜の一部を除去する工程で除去されなかった領域とを覆うように第２無機膜を形成する工程と、
前記第２無機膜を覆うように第２有機膜を形成する工程と、
前記第２有機膜の一部を除去し、前記第２有機膜の一部を前記第２無機膜の平坦面と傾斜面で構成される凹部を埋めて平坦化する工程と、
前記第２無機膜と前記第２有機膜のうち前記第２有機膜の一部を除去する工程で除去されなかった領域とを覆うように第３無機膜を形成する工程と、を含み、
前記第１有機膜の一部を除去する工程は、前記第１有機膜を、前記リブの高さよりも低い厚さで形成するものであり、
前記第２有機膜を形成する工程は、前記第２有機膜の厚さを前記第１有機膜の厚さはとは異なるように形成するものであり、
前記第２有機膜の一部を除去する工程は、前記第２有機膜の上面が、前記リブの凸形状部の頂面部上の前記第２無機膜の上面よりも低い位置となるようにされるものである、
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
複数の画素の周辺部にリブを形成する工程と、
第１無機膜を前記リブの上層側に形成する工程と、
前記第１無機膜を覆うように、第１有機膜を形成する工程と、
前記第１有機膜の一部を除去し、前記第１有機膜の一部を前記第１無機膜の平坦面と傾斜面で構成される凹部を埋めて平坦化する工程と、
前記第１無機膜と前記第１有機膜のうち前記第１有機膜の一部を除去する工程で除去されなかった領域とを覆うように第２無機膜を形成する工程と、
前記第２無機膜を覆うように第２有機膜を形成する工程と、
前記第２有機膜の一部を除去する工程と、
前記第２無機膜と前記第２有機膜のうち前記第２有機膜の一部を除去する工程で除去されなかった領域とを覆うように第３無機膜を形成する工程と、を含み、
前記第２有機膜を形成する工程は、前記第２有機膜の厚さを前記第１有機膜の厚さとは異なり、前記リブよりも低い高さで形成するものであり、
前記第１有機膜の一部を除去する工程は、前記第１有機膜の上面が、前記リブの凸形状部の頂面部上の前記第１無機膜の上面よりも低い位置となるようにされるものである、
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１有機膜及び前記第２有機膜の一方は、７０乃至５００ナノメートルの厚さで形成され、他方は、０．８乃至３．０マイクロメートルの厚さで形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１有機膜または前記第２有機膜の一部を除去する工程はアッシングを含んで行われることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
複数の画素を有する表示装置であって、
前記画素の周縁部に形成されたリブと、
前記リブの上層側に形成された第１無機膜と、
前記リブの平坦面と傾斜面の境界付近の上層の領域に、前記第１無機膜と接して形成された第１有機膜と、
前記第１無機膜と前記第１有機膜を覆うように形成された第２無機膜と、
前記リブの凸形状部の頂面部上の前記第２無機膜の上面よりも低い位置に上面が来るように、かつ、前記第２無機膜の平坦面と傾斜面で構成される凹部を埋めて上面を平坦に形成された第２有機膜と、
前記第２無機膜と前記第２有機膜を覆うように形成された第３無機膜と、を有し、
前記第２有機膜は、前記第１有機膜よりも厚く形成され、
隣接する画素に配置される前記第２有機膜は、前記リブにより分離される、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
複数の画素を有する表示装置であって、
前記画素の周縁部に形成されたリブと、
前記リブの上層側に形成された第１無機膜と、
前記リブの凸形状部の頂面部上の前記第１無機膜の上面よりも低い位置に上面が来るように、かつ、前記第１無機膜の平坦面と傾斜面で構成される凹部を埋めて上面を平坦に形成された第１有機膜と、
前記第１無機膜と前記第１有機膜を覆うように形成された第２無機膜と、
前記リブの平坦面と傾斜面の境界付近の上層の領域に、前記第２無機膜と接して形成された第２有機膜と、
前記第２無機膜と前記第２有機膜を覆うように形成された第３無機膜と、を有し、
前記第１有機膜は、前記第２有機膜よりも厚く形成され、
隣接する画素に配置される前記第１有機膜は、前記リブにより分離される、
ことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ（Electro-luminescent）素子を用いた有機ＥＬ表示装置や、液晶表示装置等の表示装置が実用化されている。しかしながら、有機ＥＬ素子は水分に対して脆弱であることから、有機ＥＬ素子が水分によって劣化し、ダークスポット等の点灯不良が生じるおそれがあった。また、液晶表示装置においても、侵入した水分の影響を受けて薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）の特性が変動し、表示品位の劣化が発生する問題が生じる。そのため、表示装置に対する水分等の侵入を防止するために、表示装置を封止する必要がある。
【０００３】
しかし、封止膜を形成する際に異物が混入すると、封止膜に欠陥が生じ、欠陥から侵入した水分等によって表示品位が劣化するおそれがある。そこで、例えば、特許文献１は、分子を１層ずつ積み上げ、非常に薄い封止膜を等方的に形成するＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて、封止膜を形成することによって、異物に対して高い被覆率で封止膜を形成する点を開示している。
【０００４】
また、例えば、特許文献２は、封止膜を積層する際に、予め封止膜を形成する面に存在する異物や平坦面と傾斜面の境界部などの屈曲部に異物被覆部や屈曲部緩和部を設け、凹凸や屈曲部をなだらかにすることにより、その上に形成される封止膜に欠陥を生じにくくする点を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−１７６７１７ 号公報
【特許文献２】特開２００７−２５０３７０ 号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１のように、ＡＬＤ法を用いて封止膜を形成した場合、大きい異物を被覆することは困難である。
【０００７】
また、特許文献２のように、屈曲部緩和部を設ける構成とした場合であっても、大きさの異なる異物が存在する場合、各異物によって生じる大きさが異なるため、屈曲部を緩和することは困難である。
【０００８】
すなわち、大きい異物に合わせた厚さの屈曲部緩和部を形成した場合、平坦部に形成された屈曲部緩和部を除去する際に、小さい異物の周囲に形成された屈曲部緩和部が全て除去されてしまう。一方、小さい異物に合わせた厚さの屈曲部緩和部を形成した場合、大きい異物の屈曲部を緩和することが困難である。そのため、屈曲部が緩和されない箇所において、封止膜の欠陥が生じる。
【０００９】
従って、単一の封止膜によって異物を封止する構成では、異なる大きさの異物によって生じる、大きさが異なる屈曲部を緩和することができない。
【００１０】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、大きさの異なる異物が混入した場合であっても、外部からの不純物の侵入を防止する表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様は、複数の画素を有する表示装置の製造方法であって、第１無機膜を形成する工程と、前記第１無機膜を覆うように、第１有機膜を形成する工程と、前記第１有機膜の一部を除去する工程と、前記第１無機膜と前記第１有機膜のうち前記第１有機膜の一部を除去する工程で除去されなかった領域とを覆うように第２無機膜を形成する工程と、前記第２無機膜を覆うように第２有機膜を形成する工程と、前記第２有機膜の一部を除去する工程と、前記第２無機膜と前記第２有機膜のうち前記第２有機膜の一部を除去する工程で除去されなかった領域とを覆うように第３無機膜を形成する工程と、を含み、前記第１有機膜の厚さは、前記第２有機膜の厚さと異なることを特徴としたものである。
【００１２】
また、本発明の他の一態様は、複数の画素を有する表示装置であって、前記画素の周縁部に形成されたリブと、前記リブの上層側に形成された第１無機膜と、前記リブの平坦面と傾斜面の境界付近の上層の領域に、前記第１無機膜と接して形成された第１有機膜と、前記第１無機膜と前記第１有機膜を覆うように形成された第２無機膜と、前記リブの凸形状部の頂面部上の前記第２無機膜の上面よりも低い位置に上面が来るように、かつ、前記第２無機膜の平坦面と傾斜面で構成される凹部を埋めて上面を平坦に形成された第２有機膜と、前記第２無機膜と前記第２有機膜を覆うように形成された第３無機膜と、を有し、前記第２有機膜は、前記第１有機膜よりも厚く形成されることを特徴としたものである。
【００１３】
さらに、本発明の他の一態様は、複数の画素を有する表示装置であって、前記画素の周縁部に形成されたリブと、前記リブの上層側に形成された第１無機膜と、前記リブの凸形状部の頂面部上の前記第１無機膜の上面よりも低い位置に上面が来るように、かつ、前記第１無機膜の平坦面と傾斜面で構成される凹部を埋めて上面を平坦に形成された第１有機膜と、前記第１無機膜と前記第１有機膜を覆うように形成された第２無機膜と、前記リブの平坦面と傾斜面の境界付近の上層の領域に、前記第２無機膜と接して形成された第２有機膜と、前記第２無機膜と前記第２有機膜を覆うように形成された第３無機膜と、を有し、前記第１有機膜は、前記第２有機膜よりも厚く形成されることを特徴としたものである。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置を概略的に示す図である。
【図２】表示パネルを概略的に示す図である。
【図３】第１の実施形態における表示パネルの積層構造について概略的に示す一例である。
【図４】第１の実施形態における表示パネルを形成する工程について説明するための図である。
【図５】第１の実施形態における表示パネルを形成する工程について説明するための図である。
【図６】第１の実施形態において異物が混入した場合について説明するための図である。
【図７】第２の実施形態における表示パネルの積層構造について概略的に示す一例である。
【図８】第２の実施形態における表示パネルを形成する工程について説明するための図である。
【図９】第２の実施形態における表示パネルを形成する工程について説明するための図である。
【図１０】第２の実施形態において異物が混入した場合について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１６】
図１は、本発明の実施形態に係る表示装置１００の概略を示す図である。図に示すように、表示装置１００は、上フレーム１１０及び下フレーム１２０に挟まれるように固定された表示パネル２００から構成されている。
【００１７】
図２は、図１の表示パネル２００の構成を示す概略図である。図２に示すように、表示パネル２００は、アレイ基板２０２と、保護フィルム２０４と、駆動ＩＣ（Integrated Circuit）２０６と、を有する。アレイ基板２０２は、後述する発光層３０８、発光層３０８に対する不純物の侵入を防止する封止膜３２０等が形成される。
【００１８】
駆動ＩＣ２０６は、例えば、各画素２０８に配置された画素２０８トランジスタの走査信号線に対してソース・ドレイン間を導通させるための電位を印加すると共に、各画素トランジスタデータ信号線に対して画素２０８の階調値に対応する電流を流す。当該駆動ＩＣ２０６によって、表示パネル２００は、複数色からなる複数の画素２０８によって構成されるカラー画像を、表示領域２１０に表示する。
【００１９】
保護フィルム２０４は、表示パネル２００を外傷から保護するアクリル製のフィルムであって、接着剤によって、アレイ基板２０２に接着される。
【００２０】
[第１の実施形態]
図３は、第１の実施形態における表示領域２１０の断面について概略的に示す図の一例である。図３に示すように、表示パネル２００は、基板３００と、アレイ層３０２と、アノード電極３０４と、リブ３０６と、発光層３０８と、第１無機膜３１０と、第１有機膜３１２と、第２無機膜３１４と、第２有機膜３１６と、第３無機膜３１８と、を含む。
【００２１】
なお、外部からの不純物の侵入を防止する封止膜３２０は、第１無機膜３１０と、第１有機膜３１２と、第２無機膜３１４と、第２有機膜３１６と、第３無機膜３１８と、を積層して構成される。
【００２２】
基板３００は、例えば、ガラス基板であるが、樹脂で形成された可撓性を有する基板であってもよい。アレイ層３０２は、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極や半導体層等を含んで構成される画素トランジスタを有する。画素トランジスタは、各画素２０８に形成され、画素２０８が発する光の輝度を制御する。アレイ層３０２の詳細な構造については、従来技術と同様である為説明を省略する。
【００２３】
アノード電極３０４は、画素トランジスタと電気的に接続するように形成される。具体的には、例えば、アノード電極３０４は、表示領域２１０において、アレイ層３０２に含まれる画素トランジスタのソース又はドレイン電極と電気的に接続されるように、ソース又はドレイン電極の上層側に形成される。
【００２４】
リブ３０６は、画素２０８の周縁部に形成される。具体的には、例えば、図３のように、アレイ層３０２及びアノード電極３０４の端部の上層側に樹脂材料で形成される。当該リブ３０６によって、アノード電極３０４とカソード電極のショートを防止することができる。
【００２５】
発光層３０８は、アノード電極３０４の上層に形成され、光を発する。具体的には、例えば、発光層３０８は、アノード電極３０４及びリブ３０６の上層に、ホール注入層、ホール輸送層、ＥＬ層、電子注入層、電子輸送層、及び、カソード電極が積層されることによって形成される。ＥＬ層は、アノード電極３０４から注入されたホールと、カソード電極から注入された電子とが再結合することにより発光する。ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、及び、電子輸送層については従来技術と同様である為説明を省略する。
【００２６】
第１無機膜３１０は、リブ３０６の上層側に形成される。具体的には、例えば、第１無機膜３１０は、リブ３０６の上層側において、発光層３０８を覆うように形成される。なお、第１無機膜３１０は、例えばＳｉＮ等の、発光層３０８に対する不純物の侵入を防止する無機材料によって形成される。
【００２７】
第１有機膜３１２は、リブ３０６の平坦面と傾斜面の境界付近の上層の領域に、第１無機膜３１０と接して形成される。具体的には、例えば、第１有機膜３１２は、リブ３０６の裾の上層側の領域であって、第１無機膜３１０に形成された傾斜面の端部に形成される。なお、第１有機膜３１２は、例えば、アクリル等の有機材料を用いて、７０乃至５００ナノメートルの厚さ、特に９０ナノメートルの厚さで形成されることが望ましい。
【００２８】
第２無機膜３１４は、第１無機膜３１０と第１有機膜３１２を覆うように形成される。具体的には、例えば、第２無機膜３１４は、第１無機膜３１０及び第１無機膜３１０の傾斜面の端部に形成された第１有機膜３１２を覆うように形成される。ここで、第２無機膜３１４は、第１無機膜３１０と同様に、例えばＳｉＮ等の、発光層３０８に対する不純物の侵入を防止する無機材料によって形成される。
【００２９】
第２有機膜３１６は、リブ３０６の凸形状部の頂面部上の第２無機膜３１４の上面よりも低い位置に上面が来るように、かつ、第２無機膜３１４の平坦面と傾斜面で構成される凹部を埋めて上面を平坦に形成される。具体的には、例えば、第２有機膜３１６は、アノード電極３０４が形成された領域を挟んで隣接する第２無機膜３１４の２つの傾斜面の間に形成される。但しこのとき、第２無機膜３１４はリブ３０６の形状に沿って形成されるため、リブ層３０６の凹形状部の底部上においては、第２有機膜３１６は第２無機膜３１４の上面よりも高い位置に上面が形成される。
【００３０】
なお、第２有機膜３１６は、第１有機膜３１２よりも厚くなるように形成される。具体的には、例えば、第２有機膜３１６は、０．８〜３マイクロメートルの厚さで形成される。
【００３１】
第３無機膜３１８は、第２無機膜３１４と第２有機膜３１６を覆うように形成される。具体的には、例えば、第３無機膜３１８は、第２無機膜３１４及び第２有機膜３１６を覆うように形成される。
【００３２】
続いて、第１の実施形態における表示装置１００の製造方法について説明する。まず、図４（ａ）に示すように、基板３００上にアレイ層３０２及びアノード電極３０４を形成する。アレイ層３０２及びアノード電極３０４を形成する工程は従来と同様であるため説明を省略する。
【００３３】
次に、画素２０８の周縁部にリブ３０６を形成する。具体的には、アレイ層３０２及びアノード電極３０４の端部の上層側にリブ３０６を形成する。そして、アノード電極３０４及びリブ３０６の上層側に、順に、発光層３０８及び第１無機膜３１０を形成する。
【００３４】
さらに、第１無機膜３１０を覆うように、第１有機膜３１２を形成する。具体的には、第１無機膜３１０を覆うように、かつ、リブ３０６によって生じた第１無機膜３１０の傾斜面が残るように、リブ３０６の高さよりも低い厚さの第１有機膜３１２を形成する。
【００３５】
次に、図４（ｂ）に示すように、第１有機膜３１２の一部を除去する。具体的には、プラズマアッシング等の方法により、リブ３０６の凸形状部の頂面の領域に形成された第１有機膜３１２を除去する。すなわち、７０乃至５００ナノメートルの第１有機膜３１２を形成したい場合には、第１有機膜３１２が７０乃至５００ナノメートルの厚みを残して削られるようにプラズマアッシングを行う。
【００３６】
その結果、第１有機膜３１２は、リブ３０６の裾の上層側の領域であって、第１無機膜３１０に形成された傾斜面の端部にのみ残される。残された第１有機膜３１２は、７０乃至５００ナノメートルの厚さとなる。
【００３７】
次に、図４（ｃ）に示すように、第１有機膜３１２と第１有機膜３１２のうち第１有機膜３１２の一部を除去する工程で除去されなかった領域とを覆うように第２無機膜３１４を形成する。具体的には、第１無機膜３１０に形成された傾斜面の端部にのみ残された第１有機膜３１２、及び、第１無機膜３１０を覆うように、第２無機膜３１４を形成する。
【００３８】
そして、第２無機膜３１４を覆うように第２有機膜３１６を形成する。具体的には、第２有機膜３１６は、第２無機膜３１４の平坦面と傾斜面で構成される凹部を埋めて平坦化するよう形成される。すなわち、第２有機膜３１６は、第１有機膜３１２よりも厚くなるように形成される。
【００３９】
次に、図５（ａ）に示すように、第２有機膜３１６の一部を除去する。具体的には、第２有機膜３１６は、リブ３０６の凸形状部の頂面部上の第２無機膜３１４の上面よりも低い位置に第２有機膜３１６の上面が来るように、アッシングされる。ここで、リブ３０６の凸形状部の頂面の領域に形成された第２有機膜３１６は、第１有機膜３１２の場合と同様のアッシングの方法により、除去される。すなわち、リブ３０６の凸形状部の頂面の領域に１マイクロメートルの第２有機膜３１６を形成した場合には、第２有機膜３１６が１．０から１．１マイクロメートル程度削られるようにアッシングを行う。
【００４０】
その結果、第２有機膜３１６は、アノード電極３０４を挟んだリブ３０６の裾の上層側に形成された、第２無機膜３１４の２つの傾斜面の間にのみ残される。
【００４１】
次に、図５（ｂ）に示すように、第２有機膜３１６を覆うように第３無機膜３１８を形成する。具体的には、第２無機膜３１４及び第２有機膜３１６を覆うように、第３無機膜３１８を形成する。
【００４２】
以上のように、下層側に薄い第１有機膜３１２を含み、上層側に厚い第２有機膜３１６を含んで構成される封止膜３２０を形成することにより、大きさの異なる異物６００が存在する場合であっても、いずれの大きさの異物６００も封止膜３２０によって被覆することができる。従って、外部からの不純物の侵入を防止することができる。
【００４３】
以下、本実施形態において、大きさの異なる異物６００が混入した場合における封止膜３２０の構造について説明する。図６（ａ）は、大きな異物６００が混入した場合における、封止膜３２０の構造を説明する為の図である。なお、説明を簡略化するため、図６においては、アレイ層３０２、アノード電極３０４、リブ３０６、及び、発光層３０８の記載を省略している。
【００４４】
図６（ａ）に示すように、カソード電極の表面に１０マイクロメートル以上の大きさの異物６００が付着している。そして、第１無機膜３１０は、異物６００の側面と頂部、及び、異物６００が付着していない平坦部に形成される。なお、図においては、第１無機膜３１０は、異物６００を覆っているが、第１無機膜３１０の厚さよりも異物６００の大きさが大きいため、異物６００を十分に被覆することが出来ず、欠陥が生じるおそれがある。
【００４５】
第１有機膜３１２は、第１無機膜３１０に形成された傾斜面の端部に形成される。具体的には、第１有機膜３１２は、異物６００によって第１無機膜３１０に形成された傾斜面の端部に、９０ナノメートル程度の厚さで形成される。なお、第１無機膜３１０に欠陥が生じていた場合、異物６００の大きさに対して第１有機膜３１２の厚さは小さいことから、第１有機膜３１２が当該欠陥を被覆することはできない。
【００４６】
第２無機膜３１４は、第１有機膜３１２の上層側に形成される。具体的には、第２無機膜３１４は、第１無機膜３１０の傾斜面の端部にのみ残された第１有機膜３１２、及び、第１無機膜３１０の上層側に形成される。なお、第１無機膜３１０と同様に、第２無機膜３１４も異物６００よりも十分に小さいことから、第２無機膜３１４にも欠陥が生じるおそれがある。
【００４７】
第２有機膜３１６は、第２無機膜３１４の傾斜面が形成された領域に形成される。具体的には、第２有機膜３１６は、第２無機膜３１４の段差を平坦化するように形成される。そして、平坦部に形成された第２有機膜３１６は、アッシングによって除去されることによって、第２無機膜３１４の傾斜面が形成された領域に残される。
【００４８】
ここで、第２有機膜３１６は、１ナノメートル程度の厚さを有することから、第２有機膜３１６の上層に形成される第３無機膜３１８に欠陥が生じない程度に、緩やかな傾斜面を形成する。
【００４９】
第３無機膜３１８は、第２有機膜３１６を覆うように形成される。具体的には、第３無機膜３１８は、第２無機膜３１４、及び、第２無機膜３１４の傾斜面に形成された第２有機膜３１６を覆うように形成される。ここで、第３無機膜３１８は、第２有機膜３１６によって、第３無機膜３１８の下地がなだらかに形成されていることから、異物６００による欠陥を生じることなく形成することが出来る。
【００５０】
続いて、図６（ｂ）を用いて、小さな異物６００が混入した場合における、封止膜３２０の構造を説明する。図６（ｂ）に示すように、カソード電極の表面に４マイクロメートル以下の大きさの異物６００が付着している。
【００５１】
そして、第１無機膜３１０は、異物６００の側面と頂部、及び、異物６００が付着していない平坦部に形成される。なお、図においては、第１無機膜３１０は、異物６００を覆っているが、第１無機膜３１０の厚さよりも異物６００の大きさが大きいため、異物６００を十分に被覆することが出来ず、欠陥が生じるおそれがある。
【００５２】
第１有機膜３１２は、第１無機膜３１０に形成された傾斜面の端部に形成される。具体的には、第１有機膜３１２は、異物６００によって第１無機膜３１０に形成された傾斜面の端部に、９０ナノメートル程度の厚さで形成される。
【００５３】
なお、第１有機膜３１２をアッシングする工程では、薄く形成された第１有機膜３１２を削るように、短時間のアッシングが行われることから、第１無機膜３１０の傾斜面端部に形成された第１有機膜３１２は残される。また、第１有機膜３１２の厚さは、小さい異物６００によって生じる第１無機膜３１０の欠陥を被覆するには十分な厚さであることから、異物６００は、第１無機膜３１０または第１有機膜３１２によって被覆される。
【００５４】
第２無機膜３１４は、第１無機膜３１０及び第１有機膜３１２を覆うように形成される。具体的には、第１有機膜３１２によって、第２無機膜３１４の下地はなだらかに形成されていることから、第２無機膜３１４は略平坦に形成される。
【００５５】
第２有機膜３１６は、第２無機膜３１４の上層に形成された後、アッシングによって除去される。具体的には、第２有機膜３１６は、第２無機膜３１４の上層に形成されるが、第２無機膜３１４が略平坦に形成されていることから、アッシングによって除去される。第３無機膜３１８は、第２無機膜３１４を覆うように形成される。
【００５６】
以上のように、大きさの異なる異物６００が存在する場合であっても、大きな異物６００は第２有機膜３１６によって、小さな異物６００は第１有機膜３１２によって、異物６００による段差をなだらかにすることにより、第２無機膜３１４または第３無機膜３１８に欠陥が生じる事態を防止することができる。
【００５７】
[第２の実施形態]
第１の実施形態においては、下層側に形成される第１有機膜３１２が、上層側に形成される第２有機膜３１６よりも薄く形成される場合について説明したが、第１有機膜３１２が、第２有機膜３１６よりも厚く形成される構成としてもよい。以下、第２の実施形態について説明する。なお、第１の実施形態と同様の構成については説明を省略する。
【００５８】
図７は、第２の実施形態における表示領域２１０の断面について概略的に示す図の一例である。図７に示すように、表示パネル２００は、基板３００と、アレイ層３０２と、アノード電極３０４と、リブ３０６と、発光層３０８と、第１無機膜３１０と、第１有機膜３１２と、第２無機膜３１４と、第２有機膜３１６と、第３無機膜３１８と、を含む。基板３００、アレイ層３０２、アノード電極３０４、リブ３０６、発光層３０８、及び、第１無機膜３１０は、第１の実施形態と同様である。
【００５９】
第１有機膜３１２は、リブ３０６の凸形状部の頂面部上の第１無機膜３１０の上面よりも低い位置に上面が来るように、かつ、第１無機膜３１０の平坦面と傾斜面で構成される凹部を埋めて上面を平坦に形成される。具体的には、例えば、第１有機膜３１２は、アノード電極３０４が形成された領域を挟んで隣接する第１無機膜３１０の２つの傾斜面の間に形成される。なお、第１有機膜３１２は、０．８〜３マイクロメートル程度の厚さで形成されることが望ましい。
【００６０】
第２無機膜３１４は、第１無機膜３１０と第１有機膜３１２を覆うように形成される。具体的には、例えば、第２無機膜３１４は、第１無機膜３１０及びアノード電極３０４の上層側に形成された第１有機膜３１２を覆うように形成される。
【００６１】
第２有機膜３１６は、リブ３０６の平坦面と傾斜面の境界付近の上層の領域に、第２無機膜３１４と接して形成される。具体的には、例えば、第２有機膜３１６は、リブ３０６の裾の上層側の領域であって、第２無機膜３１４に形成された傾斜面の端部に形成される。
【００６２】
なお、第２有機膜３１６は、第１有機膜３１２よりも薄くなるように形成される。具体的には、例えば、第２有機膜３１６は、７０乃至５００ナノメートルの厚さ、特に９０ナノメートルの厚さで形成されることが望ましい。
【００６３】
第３無機膜３１８は、第２無機膜３１４と第２有機膜３１６を覆うように形成される。具体的には、例えば、第３無機膜３１８は、第２無機膜３１４及び第２有機膜３１６を覆うように形成される。
【００６４】
続いて、第２の実施形態における表示装置１００の製造方法について説明する。まず、図８（ａ）に示すように、ガラス基板上にアレイ層３０２乃至第１無機膜３１０を形成する。当該工程については、第１の実施形態と同様である。
【００６５】
第１無機膜３１０を形成した後、第１有機膜３１２は、第１無機膜３１０を覆うように形成される。具体的には、第１有機膜３１２は、第１無機膜３１０の平坦面と傾斜面で構成される凹部を埋めて平坦化するように形成される。
【００６６】
次に、図８（ｂ）に示すように、第１有機膜３１２の一部を除去する。具体的には、第１有機膜３１２は、リブ３０６の凸形状部の頂面部上の第１無機膜３１０の上面よりも低い位置に第１有機膜３１２の上面が来るように、アッシングされる。例えば、第１有機膜３１２が０．８から３．０マイクロメートル程度の厚みを残すようにアッシングを行う。
【００６７】
次に、図８（ｃ）に示すように、第２無機膜３１４は、第１無機膜３１０及び第１有機膜３１２を覆うように形成される。そして、第２無機膜３１４を覆うように、第２有機膜３１６を形成する。具体的には、第２無機膜３１４を覆うように、かつ、リブ３０６によって生じた第２無機膜３１４の段差が残るように、リブ３０６の高さよりも低い厚さの第２有機膜３１６を形成する。
【００６８】
次に、図９（ａ）に示すように、第２有機膜３１６の一部を除去する。具体的には、リブ３０６の凸形状部の頂面の領域に形成された第１有機膜３１２が残らないようにアッシングを行う。
【００６９】
その結果、第２有機膜３１６は、リブ３０６の裾の上層側の領域であって、第２無機膜３１４に形成された傾斜面の端部にのみ残される。残された第２有機膜３１６は、７０乃至５００ナノメートルの厚さとなる。
【００７０】
次に、図９（ｂ）に示すように、第２有機膜３１６を覆うように第３無機膜３１８を形成する。具体的には、第２無機膜３１４及び第２有機膜３１６を覆うように、第３無機膜３１８を形成する。
【００７１】
以上のように、下層側に厚い第１有機膜３１２を含み、上層側に薄い第２有機膜３１６を含んで構成される封止膜３２０を形成することにより、大きさの異なる異物６００が存在する場合であっても、いずれの大きさの異物６００も封止膜３２０によって被覆することができる。
【００７２】
以下、本実施形態において、大きさの異なる異物６００が混入した場合における封止膜３２０の構造について説明する。図１０（ａ）は、大きな異物６００が混入した場合における、封止膜３２０の構造を説明する為の図である。なお、説明を簡略化するため、図１０においては、アレイ層３０２、アノード電極３０４、リブ３０６、及び、発光層３０８の記載を省略している。
【００７３】
図１０（ａ）に示すように、カソード電極の表面に１０マイクロメートル程度の大きさの異物６００が付着している。第１無機膜３１０は、異物６００の側面と頂部、及び、異物６００が付着していない平坦部に形成される。また、第１の実施形態と同様に、図においては、第１無機膜３１０は、異物６００を覆っているが、第１無機膜３１０の厚さよりも異物６００の大きさが大きいため、異物６００を十分に被覆することが出来ず、欠陥が生じるおそれがある。
【００７４】
第１有機膜３１２は、第１無機膜３１０の傾斜面が形成された領域に形成される。具体的には、第１有機膜３１２は、第１無機膜３１０の段差を平坦化するように形成された後、平坦部に形成された第１有機膜３１２が、アッシングによって除去されることによって、第１無機膜３１０の傾斜面が形成された領域に残される。
【００７５】
ここで、第１有機膜３１２は、１ナノメートル程度の厚さを有することから、第１有機膜３１２の上層に形成される第２無機膜３１４に欠陥が生じない程度に、緩やかな傾斜面を形成する。
【００７６】
第２無機膜３１４は、第１無機膜３１０及び第１有機膜３１２を覆うように形成される。ここで、第２無機膜３１４は、第１有機膜３１２によって、第２無機膜３１４の下地がなだらかに形成されていることから、異物６００による欠陥を生じることなく形成することが出来る。
【００７７】
第２有機膜３１６は、第２無機膜３１４の上層に形成された後、アッシングによって除去される。具体的には、第２有機膜３１６は、第２無機膜３１４の上層に形成されるが、第２無機膜３１４が略平坦に形成されていることから、アッシングによって除去される。第３無機膜３１８は、第２無機膜３１４を覆うように形成される。
【００７８】
続いて、図１０（ｂ）を用いて、小さな異物６００が混入した場合における、封止膜３２０の構造を説明する。図１０（ｂ）に示すように、カソード電極の表面に４マイクロメートル以下の大きさの異物６００が付着している。
【００７９】
第１無機膜３１０は、異物６００の側面と頂部、及び、異物６００が付着していない平坦部に形成される。また、第１の実施形態と同様に、第１無機膜３１０には、欠陥が生じるおそれがある。
【００８０】
第１有機膜３１２は、第１無機膜３１０の上層に形成された後、アッシングによって除去される。具体的には、第１有機膜３１２は、第１無機膜３１０の上層に形成されるが、異物６００が小さいことから、第１無機膜３１０の傾斜面に付着する第１無機膜３１０が少なく、アッシングによって除去される。
【００８１】
第２無機膜３１４は、第１無機膜３１０を覆うように形成される。第２有機膜３１６は、第２無機膜３１４に形成された傾斜面の端部に形成される。具体的には、第２有機膜３１６は、異物６００によって第２無機膜３１４に形成された傾斜面の端部に、９０ナノメートル程度の厚さで形成される。
【００８２】
なお、第２有機膜３１６をアッシングする工程では、厚く形成された第２有機膜３１６を削るようにアッシングが行われる。ここで、平坦部に形成された第２有機膜３１６はアッシングによって除去されるが、第２無機膜３１４の傾斜面端部に形成された第２有機膜３１６は残されることによって、第３無機膜３１８の下地は略平坦化される。
【００８３】
第３無機膜３１８は、第２無機膜３１４及び第２有機膜３１６を覆うように形成される。具体的には、第２有機膜３１６によって、第３無機膜３１８の下地はなだらかに形成されていることから、第３無機膜３１８は略平坦に形成される。
【００８４】
以上のように、大きさの異なる異物６００が存在する場合であっても、大きな異物６００は第１有機膜３１２によって、小さな異物６００は第２有機膜３１６によって、異物６００による段差をなだらかにすることにより、第２無機膜３１４または第３無機膜３１８に欠陥が生じる事態を防止することができる。
【００８５】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００８６】
１００  表示装置、１１０  上フレーム、１２０  下フレーム、２００  表示パネル、２０２  アレイ基板、２０４  保護フィルム、２０６  駆動ＩＣ、２０８  画素、２１０  表示領域、３００  基板、３０２  アレイ層、３０４  アノード電極、３０６  リブ、３０８  発光層、３１０  第１無機膜、３１２  第１有機膜、３１４  第２無機膜、３１６  第２有機膜、３１８  第３無機膜、３２０  封止膜、６００  異物。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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