(57)【要約】      （修正有）【課題】反射率を低下させる静電容量方式タッチパネル及びそれに応用されるタッチパネルディスプレイを提供する。【解決手段】基板１１０、複数の検知構造１２０及び光拡散構造で構成される。各検知構造は複数の検知電極１２１ｔ、１２２ｔ及び複数の接続線からなり、隣接する２つの検知電極は対応する接続線により接続される。光拡散構造はこれら前記接続線の内の何れか１つに形成され、光線は光拡散構造へ入射後拡散されて反射する。【選択図】図２
0003180668.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
各々が複数の検知電極及び複数の接続線で構成され、隣接する２つの前記検知電極は対応する前記接続線により接続される複数の検知構造と、
これら前記接続線の内の何れか１つに形成され、光線は前記光拡散構造へ入射後拡散されて反射する光拡散構造と、を備える事を特徴とする、
静電容量方式タッチパネル。
【請求項２】
各前記接続線は上表面及び側面を有し、前記光拡散構造は少なくとも１つの前記接続線の前記上表面か前記側面かの内の何れか１つに形成される事を特徴とする、請求項１に記載の静電容量方式タッチパネル。
【請求項３】
これら前記検知構造は、各々が第１方向に沿い配列される複数の第１検知ラインと、各々が第２方向に沿い配列される複数の第２検知ラインを備え、前記複数の第１検知ラインは、複数の第１接続線と、隣接する２つの対応する前記第１接続線により接続される複数の第１検知電極を更に有し、前記複数の第２検知ラインは、複数の第２接続線と、隣接する２つの対応する前記第２接続線により接続される複数の第２検知電極を更に含む事を特徴とする、請求項１に記載の静電容量方式タッチパネル。
【請求項４】
前記光拡散構造は粗面化構造であり、前記光線は前記粗面化構造へ入射後拡散されて反射する事を特徴とする、請求項１に記載の静電容量方式タッチパネル。
【請求項５】
静電容量方式タッチパネルと、
前記静電容量方式タッチパネルに対応させて配置されるディスプレイパネルと、を備え、
前記静電容量方式タッチパネルは、基板と、
各々が複数の検知電極及び複数の接続線からなり、隣接する２つの前記検知電極は対応する前記接続線により接続される、複数の検知構造と、
前記接続線の内の何れか１つに形成され、光線が前記光拡散構造へ入射後拡散されて反射する光拡散構造を更に含む事を特徴とする、
タッチパネルディスプレイ。
【請求項６】
各前記接続線は上表面及び側面を有し、前記光拡散構造は少なくとも１つの前記接続線の前記上表面か前記側面かの内の何れか１つに形成される事を特徴とする、請求項５に記載のタッチパネルディスプレイ。
【請求項７】
これら前記検知構造は、各々が第１方向に沿い配列される複数の第１検知ラインと、各々が第２方向に沿い配列される複数の第２検知ラインを備え、前記複数の第１検知ラインは、複数の第１接続線と、隣接する２つの対応する前記第１接続線により接続される複数の第１検知電極を更に有し、前記複数の第２検知ラインは、複数の第２接続線と、隣接する２つの対応する前記第２接続線により接続される複数の第２検知電極を更に含む事を特徴とする、請求項５に記載のタッチパネルディスプレイ。
【請求項８】
前記光拡散構造は粗面化構造であり、前記光線は前記粗面化構造へ入射後拡散されて反射する事を特徴とする、請求項５に記載のタッチパネルディスプレイ。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、静電容量方式タッチパネル及びそれに応用されるタッチパネルディスプレイに関し、より詳しくは、反射率を低下させる静電容量方式タッチパネル及びそれに応用されるタッチパネルディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の静電容量方式タッチパネルは、各検知構造が複数の金属接続線及び複数の検知電極を備え、この構造では、金属接続線が隣接する２つの検知電極へ接続され、１つの検知構造の金属接続線と検知電極とを電気的に接続させる。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、前述した従来の技術では、金属接続線の材質は金属であり、この種の構造では金属接続線へ入射する光線が極端（極度に集光され）に反射されてしまい、ユーザーの視覚上極めて不快なものになった。
【０００４】
そこで、本考案者は上記の欠点が改善可能と考え、鋭意検討を重ねた結果、合理的設計で上記の課題を効果的に改善する本考案の提案に到った。
【０００５】
本考案は、このような従来の問題に鑑みてなされたものである。上記課題解決のため、本考案は、反射率を低下させる静電容量方式タッチパネル及びそれに応用されるタッチパネルディスプレイを提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本考案に係る静電容量方式タッチパネルは、基板と、各々が複数の検知電極及び複数の接続線で構成され、隣接する２つの前記検知電極は対応する前記接続線により接続される複数の検知構造と、これら前記接続線の内の何れか１つに形成され、光線は前記光拡散構造へ入射後拡散されて反射する光拡散構造を備えることを特徴とする。
【０００７】
また、本考案に係るタッチパネルディスプレイは、静電容量方式タッチパネルと、前記静電容量方式タッチパネルに対応させて配置されるディスプレイパネルを備え、前記静電容量方式タッチパネルは、基板と、各々が複数の検知電極及び複数の接続線からなり、隣接する２つの前記検知電極は対応する前記接続線により接続される複数の検知構造と、これら前記接続線の内の何れか１つに形成され、光線が前記光拡散構造へ入射後拡散されて反射する光拡散構造を更に含むことを特徴とする。
【考案の効果】
【０００８】
本考案によれば、反射率を低下させる静電容量方式タッチパネル及びそれに応用されるタッチパネルディスプレイが得られる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本考案に係る実施形態によるタッチパネルディスプレイの断面図である。
【図２】図１の静電容量方式タッチパネルの俯瞰図である。
【図３】図２の方向３−３´に沿う断面図である。
【図４】図２の方向４−４´に沿う断面図である。
【図５Ａ】本考案に係る他の実施形態による光拡散構造の外観図である。
【図５Ｂ】図５Ａの方向５Ｂ−５Ｂ´に沿う断面図である。
【図６Ａ】本考案に係る他の実施形態による光拡散構造の断面図である。
【図６Ｂ】図６Ａの方向６Ｂ−６Ｂ´に沿う断面図である。
【図７】本考案に係る他の実施形態による光拡散構造の断面図である。
【図８】本考案に係る他の実施形態による静電容量方式タッチパネルの俯瞰図の断面図である。
【図９】本考案に係る実施形態による光拡散構造の反射率の測定結果図である。
【考案を実施するための形態】
【００１０】
以下に図面を参照して本考案を実施するための形態について、詳細に説明する。なお、本考案は、以下に説明する実施形態に限定されるものではない。
【００１１】
図１は本考案に係る実施形態によるタッチパネルディスプレイの断面図である。タッチパネルディスプレイ１０は例えば携帯式電子装置、ノートパソコンやタブレット型パソコンであり、携帯式電子装置とは携帯電話、スマートフォン、ＰＤＡ端末（ＰＤＡ）やＧＰＳ端末等である。
【００１２】
タッチパネルディスプレイ１０は静電容量方式タッチパネル１００、ディスプレイパネル１２、ケース１４及び透光蓋板１６を備える。ディスプレイパネル１２は静電容量方式タッチパネル１００に対応させて配置され、これは例えば液晶ディスプレイパネルや、電気泳動ディスプレイ、或いは有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ、  ＯＬＥＤ）ディスプレイ等どの種のディスプレイパネルでもよい。
【００１３】
静電容量方式タッチパネル１００及びディスプレイパネル１２はケース１４内に納置され、透光蓋板１６は静電容量方式タッチパネル１００を被覆する。
【００１４】
図２は図１の静電容量方式タッチパネルの俯瞰図である。静電容量方式タッチパネル１００は基板１１０、複数の検知構造１２０及び光拡散構造１３０（図３に図示する）を備える。このほか、タッチパネルディスプレイ１００はタッチコントロールが必要な各種電子装置に応用される。
【００１５】
これ以外に、静電容量方式タッチパネル１００は少なくとも１つの信号伝送線１５０及び回路基板１４０を含む。各信号伝送線１５０は対応する検知構造１２０と回路基板１４０とに接続され、検知構造１２０からのタッチコントロール信号を回路基板１４０へと伝送させる。
【００１６】
基板１１０は透明基板であり、その材質は高透光率の絶縁性材料、例えばガラス、ポリカーボネート（Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ、ＰＣ）、ポリエチレンテレフタラート（Ｐｏｌｙｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、  ＰＥＴ）、ポリメタクリル酸メチル（Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ、ＰＭＭＡ）或いは環状オレフィンコポリマー（Ｃｙｃｌｉｃ  Ｏｌｅｆｉｎ  Ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）等の材料である。
【００１７】
本実施形態の、これら前記検知構造１２０は皆基板１１０の上表面１１０ｕに形成される。他の実施形態の、これら前記検知構造１２０の内の幾つかは（後述の第１検知ライン１２１及び第２検知ライン１２２の内の何れか１つ）は基板１１０の上表面１１０ｕに形成され、これら前記検知構造１２０の内の他のものは（後述の第１検知ライン１２１及び第２検知ライン１２２の内の他の１つ）基板１１０の上表面１１０ｕに対向する下表面に形成される。
【００１８】
各検知構造１２０は複数の検知電極及び複数の接続線を備え、隣接する２つの検知電極は対応する接続線により接続される。例えば、本実施形態のこれら前記検知構造１２０は複数の第１検知ライン１２１及び複数の第２検知ライン１２２を含む。
各第１検知ライン１２１は第１方向Ｄ１に沿い配列すると共に複数の第１接続線１２１ｂ及び複数の第１検知電極１２１ｔを備え、隣接する２つの第１検知電極１２１ｔは対応する第１接続線１２１ｂにより接続する。各第２検知ライン１２２は第２方向Ｄ２に沿い配列すると共に複数の第２接続線１２２ｂ及び複数の第２検知電極１２２ｔで構成する。隣接する２つの第２検知電極１２２ｔは対応する第２接続線１２２ｂにより接続する。
【００１９】
これら前記検知構造１２０は絶縁層１２３を更に含み、絶縁層１２３はこれら前記第１接続線１２１ｂとこれら前記第２接続線１２２ｂとを電気的に分離させ、第１接続線１２１ｂと対応する第２接続線１２２ｂが接触してショートするのを防ぐ。このほか、絶縁層１２３は透光絶縁層或いは遮光（非透光）絶縁層でもよい。
【００２０】
図３は図１の方向３−３´に沿う断面図である。本実施形態の、第１検知ライン１２１及び絶縁層１２３は基板１１０の上表面１１０ｕに形成し、第２接続線１２２ｂは絶縁層１２３に形成し、絶縁層１２３を跨いで隣接する２つの第２検知電極１２２ｔへ接続する。
【００２１】
他の実施形態の、検知構造１２０の構造は図２の構造とは異なり、例えば第１検知ライン１２１及び第２検知ライン１２２は基板１１０の対向する２つの面にそれぞれ形成する。検知構造１２０の構造は異なる需要に合わせて異なる設計を採用してよく、本考案に係る実施形態による検知構造１２０の構造には如何なる制限もない。
【００２２】
本実施形態の、第１検知電極１２１ｔの材質は透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｏｘｉｄｅ；  ＴＣＯ）や透明有機導電材料等であり、透明導電性酸化物は例えば酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、  ＩＴＯ）等であり、透明の有機導電性材料はポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等である。
第２検知電極１２２ｔの材質は第１検知電極１２１ｔに相似するため、さらなる詳述は省く。第１接続線１２１ｂの材質は透明導電性酸化物や金属等であり、金属の材質はチタン、アルミニウム、モリブデン、銅、銀及びそれらの組み合わせで構成されるグループから選択させる。第２接続線１２２ｂの材質は第１接続線１２１ｂに相似するので、ここでの説明は省略する。
【００２３】
このほか、本実施形態では、第１接続線１２１ｂは第１導電層１２１ｂ１、第２導電層１２１ｂ２及び第３導電層１２１ｂ３を備える。第１導電層１２１ｂ１は基板１１０に形成し、第２導電層１２１ｂ２は第１導電層１２１ｂ１に形成し、第３導電層１２１ｂ３は第２導電層１２１ｂ２に形成する。
本実施形態では、第１導電層１２１ｂ１、第２導電層１２１ｂ２及び第３導電層１２１ｂ３はそれぞれモリブデン／アルミニウム／モリブデン、或いはチタン／アルミニウム／チタンである。モリブデン／アルミニウム／モリブデンは、本実施形態では、モリブデン層の厚さは約２５ナノメートルであり、アルミニウム層の厚さは約２５０ナノメートルである。
【００２４】
図３によると、光拡散構造１３０はこれら前記接続線の内の何れか１つに形成し、光線Ｌは光拡散構造１３０へ入射後拡散或いは散射されて反射し、光線Ｌが集中的に反射するのを防ぐ。ここでは、光線Ｌは環境光線、例えば太陽光や外部光源等である。
本実施形態による光拡散構造１３０は第１接続線１２１ｂに形成し、例えば第１接続線１２１ｂの上表面１２０ｕに形成し、光線Ｌを光拡散構造１３０へ入射させた後拡散させて反射する。このほか、上表面１２０ｕは第３導電層１２２ｂ３の上表面であり、即ち光拡散構造１３０は第３導電層１２２ｂ３に形成する。他の実施形態による光拡散構造１３０は第１接続線１２１ｂの上表面１２０ｕ及び側面１２０ｓに形成する。他の実施形態では、光拡散構造１３０は第１接続線１２１ｂに形成しない。
【００２５】
図３によれば、信号伝送線１５０と第１接続線１２１ｂ、ないし第２接続線１２２ｂとが同じ製造工程中に形成されると、信号伝送線１５０の上表面（或いは上表面と側面の内のいずれか１つ）も光拡散構造１３０を形成する。他の実施形態による光拡散構造１３０は信号伝送線１５０に形成しない。
【００２６】
図４は図２の方向４−４´に沿う断面図である。第２検知電極１２２ｔは基板１１０の上表面１１０ｕに形成する。本実施形態では、第２接続線１２２ｂは第１導電層１２２ｂ１、第２導電層１２２ｂ２、及び第３導電層１２２ｂ３を含む。
第１導電層１２１ｂ１は絶縁層１２３に形成し、第２導電層１２２ｂ２は第１導電層１２２ｂ１に形成し、第３導電層１２２ｂ３は第２導電層１２２ｂ２に形成する。第１導電層１２２ｂ１、第２導電層１２２ｂ２、及び第３導電層１２２ｂ３の材質及びサイズは上述の第１導電層１２１ｂ１、第２導電層１２１ｂ２、及び第３導電層１２１ｂ３にそれぞれ相似するため、ここでの詳述は省く。
【００２７】
図４によると、光拡散構造１３０は第２接続線１２２ｂ、例えば第２接続線１２２ｂの上表面１２０ｕに形成し、これにより光線Ｌは光拡散構造１３０へ入射後散されて反射する。このほか、上表面１２０ｕは第３導電層１２２ｂ３の上表面であり、即ち光拡散構造１３０は第３導電層１２２ｂ３に形成する。他の実施形態による光拡散構造１３０は第２接続線１２２ｂの上表面１２０ｕ及び側面１２０ｓに形成する。他の実施形態では、光拡散構造１３０は第２接続線１２２ｂに形成しない。
【００２８】
光拡散構造１３０は例えば粗面化構造であり、光線Ｌは光拡散構造１３０へ入射後拡散されて反射する。他の実施形態で、光拡散構造を他の構造に設計させてそれに入射する光線Ｌを拡散させて反射させるようにしてもよい。例えば、光拡散構造１３０本体を酸化物、或いはパターン化構造にしてもよい。粗面化構造、酸化物、或いはパターン化構造であるかに拘らず、すべて光線Ｌが光拡散構造へ入射後に拡散させて反射するようにする。
【００２９】
光拡散構造１３０（例えば粗面化構造）の形成方法の第１接続線１２１ｂを例にとり説明すると、塗布、スパッタリング、化学気相成長、或いは沈着等の方法により接続線材料（図示せず）を基板１１０へ形成する。接続線材料の材質はチタン、アルミニウム、モリブデン、銅、銀、及びそれらの組み合わせで構成されるグループから選択させる。
その後、化学エッチング、フォトリソグラフィ、ローラープレス、毛羽ブラシ、或いはスチールワイヤブラシにより前記接続線材料の上表面全体に光拡散構造１３０（例えば粗面化構造）を形成し、続いてフォトリソグラフィ等を用いて、前記接続線材料をパターン化させ、第１接続線１２１ｂを形成する。この製造工程では、接続線の上表面１２０ｕにのみ光拡散構造１３０（即ち接続線の側面１２０ｓは粗面化構造を有しない）を形成する。
他の実施形態では、接続線の側面１２０ｓに光拡散構造１３０を形成し、例えば前記接続線材料をパターン化させた後第１接続線１２１ｂを形成し、第１接続線１２１ｂは側面１２０ｓに露出させる。
次に化学エッチング方法（ｅｔｃｈｉｎｇ）、フォトリソグラフィ（Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）、ローラープレス（Ｒｏｌｌｅｒ）、毛羽ブラシ、或いはスチールワイヤブラシ等を用いて接続線の上表面１２０ｕ及び側面１２０ｓに光拡散構造１３０を形成する。このほか、相似する方法を用いて光拡散構造１３０（粗面化構造）を第２接続線１２２ｂに形成してもよい。
【００３０】
他の光拡散構造１３０（例えば酸化物）の形成方法は第１接続線１２１ｂを例に説明すると、塗布（Ｃｏａｔｉｎｇ）、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、化学気相成長（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）或いは沈着（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等の方法により、接続線材料を基板１１０或いは絶縁層１２３に形成する。
その後、金属をスパッタリング或いは沈着させる製造工程で酸素を流入させ、製造工程の完了後空腔に空気を流入させて接続線を酸化させ、或いは製造工程の完了後酸素プラズマ処理により、接続線の表面に金属酸化物（即ち光拡散構造）を生成する。ここでは金属酸化物は酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）、酸化銅（ＣｕＯｘ）、酸化銀（ＡｇＯｘ）等である。
このほか、製造工程中に流入する酸素量或いは空腔内への空気の流入量と時間、或いは酸素プラズマ処理時間と仕事率とにより金属酸化物（即ち光拡散構造）の塗膜の厚さを約１０から１００ナノメートル（ｎｍ）の間に制御し、この金属酸化物薄膜の特性を利用し薄膜干渉現象を発生させて反射率を低下させ、人の目に識別され難くする。その後、フォトリソグラフィ等を用い前記金属酸化物及び接続線材料をパターン化し、第１接続線１２１ｂを形成する。このほか、相似する方法を用い、光拡散構造１３０（例えば酸化物）を第２接続線１２２ｂに形成してもよい。
【００３１】
図５Ａは本考案に係る他の実施形態による光拡散構造の外観図であり、図５Ｂは図５Ａの方向５Ｂ−５Ｂ´に沿う断面図である。
第２接続線１２２ｂに形成される光拡散構造２３０を例に説明すると、光拡散構造２３０はパターン化構造であり、複数の柱体２３１を備え、光線Ｌは柱体２３１へ入射後拡散されて反射する。柱体２３１の断面は円形、楕円形、或いは多辺形等であり、このうち多辺形は三角形、矩形、長方形、または正方形等である。これら前記柱体２３１の断面形状は完全に同形か、あるいは完全に同形ではない。
【００３２】
光拡散構造２３０の内の１つの形成方法は第２接続線１２２ｂに形成される光拡散構造２３０を例に説明すると、塗布、スパッタリング、化学気相成長、或いは沈着等の方法を用い拡散材料を第２接続線１２２ｂに形成する。
前記拡散材料の材質は有機材料或いは無機材料であり、有機材料は光依存性抵抗材料等で、赤色（Ｒ）光依存性抵抗、青色（Ｂ）光依存性抵抗、緑色（Ｇ）光依存性抵抗、透明光依存性抵抗、及び黒色光依存性抵抗で構成されるグループから選択する。
無機材料は金属酸化物、シリコン酸化物、或いはシリコン窒化物等であり、金属酸化物は五酸化ニオブ、酸化インジウムスズ、酸化アルミニウム等であり、シリコン酸化物は酸化珪素や窒化酸化珪素等であり、シリコン窒化物は窒化シリコンや窒化酸化珪素等である。
その後、フォトリソグラフィ等を用いて前記拡散材料をパターン化させて光拡散構造２３０（パターン化構造）を形成する。このほか、相似する方法を用い第１接続線１２１ｂ及び／或いは信号伝送線１５０に光拡散構造２３０を形成してもよい。
【００３３】
本実施形態の、光拡散構造２３０は粗面化構造を有さず、他の実施形態では、前記拡散材料のパターン化の前に、化学エッチング、フォトリソグラフィ、ローラープレス、毛羽ブラシ、或いはスチールワイヤブラシ等を用い、前記拡散材料の上表面全体に光拡散構造１３０に相似する粗面化構造を形成させる。また他の実施形態では、光拡散構造２３０は上述の酸化物に相似する。
【００３４】
図６Ａは本考案に係る他の実施形態による光拡散構造の断面図であり、図６Ｂは図６Ａの方向６Ｂ−６Ｂ´に沿う断面図である。第２接続線１２２ｂに形成される光拡散構造３３０を例に説明すると、光拡散構造３３０はパターン化溝槽であり、光線Ｌはパターン化溝槽の槽壁へ入射後拡散されて反射する。相似する光拡散構造は第１接続線１２１ｂに形成するが、更なる詳述は省略する。
【００３５】
このほか、光拡散構造３３０の断面形状は円形、楕円形、或いは多辺形等であり、多辺形は三角形、矩形、長方形、或いは正方形等である。
【００３６】
上述の実施形態の光拡散構造（粗面化構造、酸化物及びパターン化構造を有する）は加工方式或いは表面処理方式により形成するものを例に説明するが、光拡散構造の厚さの設計により反射率低下機能を達成させる。
【００３７】
図７は本考案に係る他の実施形態の光拡散構造の断面図である。光拡散構造４３０の材質は有色有機材料であり、有色有機材料は赤色光依存性抵抗、青色光依存性抵抗、緑色光依存性抵抗、透明光依存性抵抗、及び黒色光依存性抵抗の内の少なくとも１つである。光拡散構造４３０の厚さＨは約０．５ミクロンから２ミクロンの間であり、光拡散構造４３０の厚さにより、反射率を低下させる。
【００３８】
本実施形態による光拡散構造４３０は第２接続線１２２ｂの上表面１２０ｕに形成される場合を例に説明すると、他の実施形態では、光拡散構造４３０は第２接続線１２２ｂの側面１２０ｓに更に形成され、第２接続線１２２ｂを被覆する。このほか、相似する方法を用い光拡散構造４３０を第１接続線１２１ｂ及び／或いは信号伝送線１５０に形成してもよい。
【００３９】
前述の光拡散構造（粗面化構造、酸化物、及びパターン化構造）に比べ、本実施形態の光拡散構造４３０は表面処理或いは表面加工以外の方法を用いて形成する。しかし本実施形態をこれに制限するわけではない。他の実施形態は図示しないが、光拡散構造４３０は粗面化構造（光拡散構造１３０に相似する）を有してもよく、或いは光拡散構造４３０本体は酸化物（上述の酸化物に相似する）でもよく、または光拡散構造４３０はパターン化構造（光拡散構造３３０に相似する）でもよい。
【００４０】
図８は本考案に係る他の実施形態による静電容量方式タッチパネルの俯瞰図の断面図である。本実施形態では、まず第１接続線１２１ｂを基板１１０に形成し、次に第１検知電極１２１ｔを基板１１０に形成し、隣接する２つの第１検知電極１２１ｔは対応する第１接続線１２１ｂにより接続する。続いて、絶縁層１２３を第１接続線１２１ｂに形成した後、第２検知電極１２２ｔ及び第２接続線１２２ｂを形成する。
本実施形態による第２検知電極１２２ｔ及び第２接続線１２２ｂは同じ製造工程か、或いは異なる製造工程に同じ材料、例えば透明導電性酸化物や透明有機導電材料製造により製造するか、もしくは異なる材料により製造する。
【００４１】
図９は本考案に係る実施形態による光拡散構造の反射率測定結果図である。光拡散構造４３０（曲線Ｄ２に対応する）を例に説明する。従来の技術と比較すると、従来のものは本実施形態の光拡散構造（対応到曲線Ｄ１）の反射率を有せず、本考案では光拡散構造４３０の静電容量方式タッチパネル１００の約３％の反射率低下を有する。従って、本考案に係る実施形態による光拡散構造４３０は反射率低下効果を有すると言える。
【００４２】
本考案の上述の実施形態による静電容量方式タッチパネル及びそれに応用されるタッチパネルディスプレイは多くの特徴を有する。その一部を以下に説明する。
（１）光拡散構造は粗面化構造、或いは酸化物、ないしはパターン化構造である。粗面化構造、酸化物、またはパターン化構造かを問わず、全て光線を光拡散構造へ入射させた後拡散させて反射させる。
（２）光拡散構造の粗面化は化学エッチング、フォトリソグラフィ、ローラープレス、毛羽ブラシ、或いはスチールワイヤブラシを用いて実現する。
（３）拡散材料の材質は有機材料或いは無機材料である。有機材料は光依存性抵抗材料、例えば赤色光依存性抵抗、青色光依存性抵抗、緑色光依存性抵抗、透明光依存性抵抗、及び黒色光依存性抵抗の任意の組み合わせである。有機材料は金属酸化物、シリコン酸化物、或いはシリコン窒化物である。金属酸化物は五酸化ニオブ、酸化インジウムスズ、酸化アルミニウム等である。シリコン酸化物は酸化珪素や窒化酸化珪素等である。シリコン窒化物は窒化シリコンや窒化酸化珪素等である。
【００４３】
以上、本考案の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本考案の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
【符号の説明】
【００４４】
１０        タッチパネルディスプレイ
１２        ディスプレイパネル
１４        ケース
１６        透光蓋板
１００      静電容量方式タッチパネル
１１０      基板
１１０ｕ    上表面
１２０      検知構造
１２０ｓ    側面
１２０ｕ    上表面
１２１      第１検知ライン
１２１ｂ    第１接続線
１２１ｂ１  第１導電層
１２１ｂ２  第２導電層
１２１ｂ３  第３導電層
１２１ｔ    第１検知電極
１２２      第２検知ライン
１２２ｂ    第２接続線
１２２ｂ１  第１導電層
１２２ｂ２  第２導電層
１２２ｂ３  第３導電層
１２２ｔ    第２検知電極
１２３      絶縁層
１３０      光拡散構造
１４０      回路基板
１５０      信号伝送線
２３０      光拡散構造
２３１      柱体
３３０      光拡散構造
４３０      光拡散構造
Ｄ１        曲線
Ｄ２        曲線
Ｈ          厚さ
Ｌ          光線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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