(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
水溶性ニッケル塩と、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ及びＰｔからなる群から選択される少なくとも一つの元素を含む金属塩と、錯化剤とを含む第１の溶液を準備する工程と、
アルカリ金属水酸化物を含む第２の溶液を準備する工程と、
ヒドラジンを含む第３の溶液を準備する工程と、
前記第１の溶液、前記第２の溶液、前記第３の溶液を混合し第４の溶液を作製する工程を備え、
前記第４の溶液中にＮｉ粉を析出させるＮｉ粉末の製造方法であって、
前記第４の溶液を作製する工程は、
前記第４の溶液から析出するＮｉのモル数に応じて、
前記第１の溶液に含まれる前記錯化剤のモル数がＮｉ１モルあたり０．２６モル以上０．４４モル以下となる範囲に前記第１の溶液の混合量を制御し、
前記第２の溶液に含まれる前記アルカリ金属水酸化物のモル数がＮｉ１モルあたり２．８４モル以上４．２６モル以下となる範囲に前記第２の溶液の混合量を制御し、
前記第３の溶液に含まれる前記ヒドラジンのモル数がＮｉ１モルあたり１．６６モル以上２．５０モル以下となる範囲に前記第３の溶液の混合量を制御することを特徴とする、Ｎｉ粉末の製造方法。
【請求項２】
前記錯化剤は、少なくとも一つのカルボキシ基を有する有機酸である請求項１に記載のＮｉ粉末の製造方法。
【請求項３】
前記第４の溶液を作製する工程における、前記第１の溶液、前記第２の溶液及び前記第３の溶液の温度を４５℃以上６５℃以下とする請求項１又は２に記載のＮｉ粉末の製造方法。
【請求項４】
前記第４の溶液を作製する工程は、前記第２の溶液及び前記第３の溶液を予め混合しておき、その混合した溶液を前記第１の溶液に滴下混合する手順により行う請求項１〜３のいずれかに記載のＮｉ粉末の製造方法。
【請求項５】
前記第１の溶液に前記第２の溶液と前記第３の溶液の混合溶液を滴下混合する際の、前記混合溶液を滴下する時間は１６０秒以下である請求項４に記載のＮｉ粉末の製造方法。
【請求項６】
前記Ｎｉ粉を含む水溶液であるＮｉ粉スラリーに硫黄コート剤（Ｓコート剤）を加え、硫黄（Ｓ）で表面処理されたＮｉ粉を得る請求項１〜５のいずれかに記載のＮｉ粉末の製造方法。
【請求項７】
前記硫黄コート剤（Ｓコート剤）が、少なくともメルカプト基（−ＳＨ）、ジスルフィド基（−Ｓ−Ｓ−）のいずれかを含む水溶性硫黄化合物である請求項６に記載のＮｉ粉末の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｎｉ粉末、Ｎｉ粉末の製造方法、内部電極ペースト及び電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサでは、誘電体層と内部電極層とを交互に積層し、焼成処理して得られた積層体の両端面に外部電極を形成している。このような構造とすることにより、小型で大きな容量を得ることができることから、近年のモバイル機器等の需要増加に伴って、種々の用途に広く用いられている。
【０００３】
特許文献１には、内部電極の連続性が高く、薄層化された積層セラミックコンデンサが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１０３１９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、セラミック粒子を含む内部電極とセラミック粒子を含まない内部電極を交互に塗布することで、内部電極の連続性を高くしている。但し、特許文献１では内部電極を形成するペーストについての詳細な言及はされていない。
【０００６】
本発明者らが検討したところによると、内部電極の連続性を高くするには、内部電極ペーストに含まれる金属粉のアスペクト比が小さいことと粒度分布が狭いことが重要であると考えられる。
内部電極の連続性を高めるためには、アスペクト比が大きな形状の金属粉を使うとその金属粉の排除体積効果により、その金属粉付近で空隙が生じるため、アスペクト比が小さい金属粉が必要である。またアスペクト比が大きい金属粉の最大径が大きい場合は、金属粉が誘電体層の平面方向に垂直に配向した際に誘電体層を突き破って、内部電極同士を短絡させショート不良が生じることがある。一方で細かい粒子と大きな粒子を配合させることで、焼結前の内部電極の連続性を高めることができるが、粒径が異なる粒子の焼結特性の違いから、焼結後の電極連続性が低下するため粒度分布が狭い金属粉が必要である。
上記金属粉を得る方法の一つとして分級処理がある。しかしながら分級処理では、０．６μｍ〜２μｍ程度の任意の値の分級点を目途に、分級点よりも大きな金属粉の除去が可能であるが、分級点よりも小さな金属粉の一部も同時に除去されてしまうため、製品実収が大幅に低下するという欠点がある。したがって、分級処理を行う場合は、上述の高額な設備導入も含め、製品のコストアップが避けられない。
さらに、金属粉として平均粒径が０．２μｍ以下のＮｉ粉末を用いる場合には、分級処理による粗大粒子の除去自体が困難になるため、今後の内部電極の一層の薄層化に対応できない。
【０００７】
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、内部電極の連続性を高くすることができ、かつ、ショート不良を生じることを防止しうる、金属粉としてのＮｉ粉末を提供すること、並びに、Ｎｉ粉末の製造方法、内部電極ペースト及び電子部品を提供することを目的とする。また、本発明のＮｉ粉末の製造方法によれば、分級処理が必要ないため、積層セラミックコンデンサの内部電極ペーストや、それを用いて製造される内部電極に好適なＮｉ粉末を安価に製造することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
すなわち、上記目的を達成するための、本発明のＮｉ粉末は、平均粒径が０．０５μｍ以上０．４μｍ以下であり、アスペクト比が１．５以下の球状のＮｉ粉と、アスペクト比が１．５より大きく、長手方向において１箇所以上の括れ部を備えている連結状のＮｉ粉とを含み、上記球状のＮｉ粉の粒径のＣＶ値は、２０％以下であり、その最大径が０．８μｍを超える連結状のＮｉ粉の含有量が、０．３重量％以下であることを特徴とする。
【０００９】
本発明のＮｉ粉末において、上記球状のＮｉ粉の平均粒径をＸ（単位はμｍ）とし、上記連結状のＮｉ粉の含有量をＹ（単位は重量％）とすると、
上記球状のＮｉ粉の平均粒径が０．３＜Ｘ≦０．４の場合、Ｙ≦０．３であり、上記連結状のＮｉ粉の最大径は０．８μｍを超え、
上記球状のＮｉ粉の平均粒径が０．０５≦Ｘ≦０．３の場合、Ｙ≦０．１であり、上記連結状のＮｉ粉の最大径は０．８μｍを超え、
上記球状のＮｉ粉の平均粒径が０．０５≦Ｘ≦０．２の場合、Ｙ≦０．１であり、上記連結状のＮｉ粉の最大径は０．６μｍを超えることが好ましい。
【００１０】
本発明のＮｉ粉末において、上記連結状のＮｉ粉を構成するＮｉ粉の括れ部以外の部分の直径の平均値は、０．０５μｍ以上０．４μｍ以下の範囲であることが好ましい。
【００１１】
本発明のＮｉ粉末は、その表面に硫黄（Ｓ）を含有していることが好ましい。晶析工程で得られたＮｉ晶析粉を、硫黄コート剤（Ｓコート剤）を含有する処理液と接触させると、その表面を硫黄（Ｓ）で修飾することができる。上記硫黄コート剤（Ｓコート剤）には、メルカプト基（−ＳＨ）、ジスルフィド基（−Ｓ−Ｓ−）のいずれかを含む各種の水溶性硫黄化合物が適用でき、例えば、硫化水素ナトリウム（ＮａＳＨ）等の無機硫黄化合物、あるいは、チオリンゴ酸（ＨＯＯＣＣＨ（ＳＨ）ＣＨ２ＣＯＯＨ）等の有機硫黄化合物が挙げられる。
Ｎｉ粉末は、その表面が触媒的に働いて、内部電極ペーストに含まれるエチルセルロース等のバインダ樹脂の熱分解を促進する作用があり、積層セラミックコンデンサ製造時の脱バインダ処理にて、低温からバインダ樹脂が分解されて分解ガスが多量に発生しクラックが発生することがある。このバインダ樹脂の熱分解を促進する作用は、Ｎｉ粉末の表面に硫黄（Ｓ）が存在すると抑制されるため、Ｎｉ粉末には硫黄（Ｓ）で修飾する表面処理（硫黄コート処理（Ｓコート処理））を施すことが好ましい。
上記硫黄コート処理したＮｉ粉末における硫黄含有量は１．０重量％以下が好ましく、一方で、硫黄含有量が１．０重量％を超えたとしても、バインダ樹脂の熱分解を抑制する効果の向上は望めず、かえって積層セラミックコンデンサ製造時の焼成において、硫黄を含有するガスが発生しやすくなって、積層セラミックコンデンサ製造装置を腐食させることがあり、好ましいとは言えない。
【００１２】
本発明のＮｉ粉末の製造方法は、水溶性ニッケル塩と、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ及びＰｔからなる群から選択される少なくとも一つの元素を含む金属塩と、錯化剤とを含む第１の溶液を準備する工程と、アルカリ金属水酸化物を含む第２の溶液を準備する工程と、ヒドラジンを含む第３の溶液を準備する工程と、上記第１の溶液、上記第２の溶液、上記第３の溶液を混合し第４の溶液を作製する工程を備え、上記第４の溶液中にＮｉ粉を析出させるＮｉ粉末の製造方法であって、上記第４の溶液を作製する工程は、上記第４の溶液から析出するＮｉのモル数に応じて、上記第１の溶液に含まれる上記錯化剤のモル数がＮｉ１モルあたり０．２６モル以上０．４４モル以下となる範囲に上記第１の溶液の混合量を制御し、上記第２の溶液に含まれる上記アルカリ金属水酸化物のモル数がＮｉ１モルあたり２．８４モル以上４．２６モル以下となる範囲に上記第２の溶液の混合量を制御し、上記第３の溶液に含まれる上記ヒドラジンのモル数がＮｉ１モルあたり１．６６モル以上２．５０モル以下となる範囲に上記第３の溶液の混合量を制御することを特徴とする。
【００１３】
本発明のＮｉ粉末の製造方法において、上記錯化剤は、少なくとも一つのカルボキシ基を有する有機酸であることが好ましい。
【００１４】
本発明のＮｉ粉末の製造方法の、上記第４の溶液を作製する工程においては、上記第１の溶液、上記第２の溶液及び上記第３の溶液の温度を４５℃以上６５℃以下とすることが好ましい。また、本発明のＮｉ粉末の製造方法の、上記第４の溶液を作製する工程は、上記第２の溶液及び上記第３の溶液を予め混合しておき、その混合した溶液を上記第１の溶液に滴下混合する手順により行うことが好ましい。また、上記第１の溶液に上記第２の溶液と上記第３の溶液の混合溶液を滴下混合する際の、上記混合溶液を滴下する時間は１６０秒以下であることが好ましい。
【００１５】
本発明のＮｉ粉末の製造方法では、上記Ｎｉ粉を含む水溶液であるＮｉ粉スラリーに硫黄コート剤（Ｓコート剤）を加え、硫黄（Ｓ）で表面処理されたＮｉ粉を得ることが好ましい。また、上記硫黄コート剤（Ｓコート剤）が、少なくともメルカプト基（−ＳＨ）、ジスルフィド基（−Ｓ−Ｓ−）のいずれかを含む水溶性硫黄化合物であることが好ましい。
【００１６】
本発明の内部電極ペーストは、本発明のＮｉ粉末と、有機溶剤とを含むことを特徴とする。
【００１７】
本発明の電子部品は、本発明の内部電極ペーストを用いて内部電極層を形成してなる電子部品であって、積層された複数の誘電体層と複数の内部電極層を含み、積層方向に相対する第１主面及び第２主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１側面及び第２側面と、積層方向及び幅方向に直交する長さ方向に相対する第１端面及び第２端面とを有しており、上記第１端面及び第２端面に上記内部電極層が露出している積層体と、上記内部電極層に接続され、上記積層体の端面に設けられた外部電極と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
この発明によれば、内部電極の連続性を高くすることができ、かつ、ショート不良を生じることを防止しうる、金属粉としてのＮｉ粉末を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明の電子部品である積層セラミックコンデンサの一例を模式的に示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示す積層セラミックコンデンサの積層体の一例を模式的に示す斜視図である。
【図３】図３は、図１に示す積層セラミックコンデンサのＬ方向、Ｔ方向を含むＬＴ断面図である。
【図４】図４は、図１に示す積層セラミックコンデンサのＷ方向、Ｔ方向を含むＷＴ断面図である。
【図５】図５は、本発明のＮｉ粉末の走査型電子顕微鏡写真（ＳＥＭ像）の一例である。
【図６】図６（ａ）は、球状のＮｉ粉の一例を示す模式図であり、図６（ｂ）は連結状のＮｉ粉の一例を示す模式図である。
【図７】図７（ａ）、図７（ｂ）及び図７（ｃ）は、本発明のＮｉ粉末の製造フローの一例である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照して、本発明のＮｉ粉末、Ｎｉ粉末の製造方法、内部電極ペースト及び電子部品について説明する。しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する本発明の個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
【００２１】
本発明のＮｉ粉末を含む内部電極ペーストを用いて製造することのできる本発明の電子部品としては、積層セラミックコンデンサ、インダクタ、圧電部品、サーミスタ等が挙げられる。以下、本発明の電子部品の例として、積層セラミックコンデンサについて説明する。
【００２２】
積層セラミックコンデンサは、積層体と、積層体の端面に設けられた外部電極とを備える。図１は、本発明の電子部品である積層セラミックコンデンサの一例を模式的に示す斜視図である。積層セラミックコンデンサ１は、積層体１０の端面に外部電極１００を設けてなる。積層体１０において、長さ方向、幅方向、積層方向をそれぞれ両矢印Ｌ、Ｗ、Ｔで定める方向とする。
【００２３】
図２は、図１に示す積層セラミックコンデンサの積層体の一例を模式的に示す斜視図である。図３は、図１に示す積層セラミックコンデンサのＬ方向、Ｔ方向を含むＬＴ断面図であり、図４は、図１に示す積層セラミックコンデンサのＷ方向、Ｔ方向を含むＷＴ断面図である。
【００２４】
積層体１０は、積層された複数の誘電体層２０と複数の内部電極層３０を含み、積層方向に相対する第１主面１１及び第２主面１２と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１側面１３及び第２側面１４と、積層方向及び幅方向に直交する長さ方向に相対する第１端面１５及び第２端面１６と、を含む。積層体１０は角部および稜線部に丸みがつけられていることが好ましい。角部は、積層体１０の３面が交わる部分であり、稜線部は、積層体１０の２面が交わる部分である。
【００２５】
図１に示す長さ方向と幅方向と積層方向とは互いに直交する。積層方向は、積層体１０を構成する複数の誘電体層２０と複数の内部電極層３０が積み上げられていく方向である。また、長さ方向は、積層体の両端に外部電極を設けた際に外部電極が向かい合う方向（その方向に複数個の異なる外部電極が存在する方向）である。
【００２６】
積層セラミックコンデンサ１又は積層体１０の第１端面１５又は第２端面１６に交差し、かつ、積層方向に沿う、積層セラミックコンデンサに代表される電子部品又は積層体の断面をＬＴ断面という。図３は積層セラミックコンデンサ１のＬＴ断面図である。また、積層セラミックコンデンサ１又は積層体１０の第１側面１３又は第２側面１４に交差し、かつ、積層方向に沿う、電子部品(積層セラミックコンデンサ）又は積層体の断面をＷＴ断面という。図４は、積層セラミックコンデンサ１のＷＴ断面図である。
【００２７】
図２に示すように第１端面１５、第２端面１６は、内部電極層３０が露出していている面であり、第１端面１５及び第２端面１６に外部電極１００をそれぞれ設けることができる。また、内部電極層３０は第１側面１３及び第２側面１４に露出していてもよい。
【００２８】
図３に示すように積層体１０は、積層された複数の誘電体層２０と複数の内部電極層３０を有し、複数の内部電極層３０は、少なくとも積層体１０の第１端面１５に露出し、第１端面１５に設けられた外部電極１００と接続する複数の第１内部電極層３５と、少なくとも積層体１０の第２端面１６に露出し、第２端面１６に設けられた外部電極１００と接続する複数の第２内部電極層３６とを備えている。このような構成であると積層セラミックコンデンサとして良好な性能を発揮することができる。
【００２９】
複数の誘電体層２０の平均厚みは、例えば、０．１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。各誘電体層の材料としては、例えばチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、またはジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ３）等を主成分とするセラミック材料を含む。また、各誘電体層２０は、主成分よりも含有量の少ない副成分として、これらの成分にＭｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの主成分よりも含有量の少ない成分を添加したものを用いてもよい。
【００３０】
また、積層された複数の誘電体層２０と複数の内部電極層３０の外側に、誘電体層２０のみが積層されてなる外層部４０が設けられていてもよい。外層部４０は、積層体１０の両主面側に位置し、主面と最も主面に近い内部電極層３０との間に位置する誘電体層である。両外層部４０に挟まれた領域を内層部ともいうことができる。外層部４０の厚みは、５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。
【００３１】
積層体１０に積層される誘電体層の枚数は、２０枚以上１５００枚以下であることが好ましい。この枚数には外層部４０となる誘電体層の枚数も含む。
【００３２】
積層体１０の寸法は、長さ方向に沿った長さは８０μｍ以上３２００μｍ以下、幅方向に沿った長さは８０μｍ以上２６００μｍ以下、積層方向に沿った長さは８０μｍ以上２６００μｍ以下であることが好ましい。
【００３３】
複数の内部電極層３０は、積層方向に交互に配置された第１内部電極層３５及び第２内部電極層３６を含む。第１内部電極層３５は、誘電体層２０を挟んで第２内部電極層３６と対向する対向部と、対向部から第１端面１５に引き出されて第１端面１５に露出する引出部とを有する。第２内部電極層３６は、誘電体層２０を挟んで第１内部電極層３５の対向部と対向する対向部と、対向部から第２端面１６に引き出されて第２端面１６に露出する引出部とを有する。各内部電極層３０は、積層方向から平面視されて、略矩形状である。このように、各対向部では内部電極層が誘電体層を介して対向することにより容量が形成されている。これにより、積層セラミック電子部品はコンデンサとして機能する。
【００３４】
図３に示すように対向部と端面との間に位置し、第１内部電極層及び第２内部電極層のいずれか一方の引き出し部を含む部分を積層体のＬギャップとする。積層体のＬギャップの長さ方向の長さは、５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。積層体のＬギャップの長さ方向の長さは、図３において両矢印ＬＧａｐで示す長さである。
【００３５】
また、図４に示すように対向部と側面との間に位置する部分を積層体のＷギャップとする。積層体のＷギャップの幅方向の長さは、５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。積層体のＷギャップの幅方向の長さは、図４において両矢印ＷＧａｐで示す長さである。
【００３６】
外部電極１００は、積層体１０の端面（第１端面１５、第２端面１６）に設けられており、さらに、第１主面１１、第２主面１２、第１側面１３及び第２側面１４のそれぞれの一部に延び、それぞれの面の一部を被覆している。そして、外部電極１００は、第１端面１５で第１内部電極層３５と、第２端面１６で第２内部電極層３６と接続されている。
【００３７】
外部電極１００は、図３に示すように、下地層６０と、下地層６０上に配置されためっき層６１を有する。図３に示す下地層６０はガラスと金属とを含む焼付け層であり、焼付け層を構成するガラスは、Ｓｉ及び他の元素（Ｂ、Ｂａ、Ａｌ）を含むことが好ましい。また、焼付け層を構成する金属は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金及びＡｕからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素を含むことが好ましい。
【００３８】
焼付け層は、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストを積層体に塗布して焼き付けたものであり、内部電極層と同時焼成したものでもよく、内部電極を焼成した後に焼き付けられたものであってもよい。焼付け層の厚さ（最も厚い部分の厚さ）は、５μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましい。また、焼付け層は複数層設けられていてもよい。
【００３９】
外部電極を構成する下地層は、焼付け層に限定されるものではなく、樹脂層又は薄膜層であってもよい。下地層が樹脂層である場合、樹脂層は、導電性粒子と熱硬化性樹脂を含む樹脂層であることが好ましい。下地層として樹脂層を形成する場合は、焼付け層を形成せずに積層体上に直接樹脂層を形成してもよい。樹脂層の厚さ（最も厚い部分の厚さ）は、５μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましい。また、樹脂層は、複数層であってもよい。
【００４０】
下地層が薄膜層である場合、薄膜層は、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成され、金属粒子が堆積された層であって、その厚さが１μｍ以下の層であることが好ましい。
【００４１】
下地層６０の上に配置されるめっき層６１としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金及びＡｕからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素を含むことが好ましい。めっき層は複数層であってもよい。好ましくは、Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層の２層構造である。Ｎｉめっき層は、下地層が電子部品を実装する際のはんだによって侵食されることを防止することができ、Ｓｎめっき層は、電子部品を実装する際のはんだの濡れ性を向上させ、容易に実装することができる。めっき層一層あたりの厚みは、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００４２】
外部電極は、下地層を有していなくてもよく、積層体上に直接設けられ、内部電極層と直接接続されるめっき層からなるものであってもよい。ただし、前処理として積層体上に触媒を設けておき、その上に設けられためっき層であってもよい。
【００４３】
内部電極層と直接接続されるめっき層は、第１めっき層と、第１めっき層上に設けられた第２めっき層とを含むことが好ましい。第１めっき層及び第２めっき層は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｂｉ及びＺｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属または当該金属を含む合金のめっきを含むことが好ましい。本発明の電子部品は、内部電極層を構成する金属としてＮｉを用いているので、第１めっき層としては、Ｎｉと接合性のよいＣｕを用いることが好ましい。また、第２めっき層としては、はんだ濡れ性のよいＳｎやＡｕを用いることが好ましい。その他、第１めっき層としては、はんだバリア性能を有するＮｉを用いることが好ましい。
【００４４】
第２めっき層は必要に応じて形成されるものであり、外部電極は、第１めっき層のみから構成されたものであってもよい。また、第２めっき層をめっき層の最外層として設けてもよく、第２めっき層上に他のめっき層を設けてもよい。各めっき層１層あたりの厚みは、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。また、めっき層にはガラスを含まないことが好ましい。めっき層の単位体積あたりの金属割合は９９体積％以上であることが好ましい。めっき層は、厚み方向に沿って粒成長したものであり、柱状であることが好ましい。
【００４５】
内部電極層３０は、第１内部電極層３５及び第２内部電極層３６を含む層である。内部電極層３０は本発明のＮｉ粉末を含む、本発明の内部電極ペーストを用いて形成されてなる、Ｎｉを含む層である。本発明のＮｉ粉末及び本発明の内部電極ペーストの詳細な説明は後述する。内部電極層３０はＮｉの他に、他の種類の金属や、誘電体層に含まれるセラミックと同一組成系の誘電体粒子を含んでいてもよい。
【００４６】
積層体１０に積層される内部電極層３０の枚数は、２枚以上１０００枚以下であることが好ましい。また、複数の内部電極層３０の平均厚みは、０．１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【００４７】
なお、複数の内部電極層３０及び複数の誘電体層２０の各々の平均厚さは、以下のように測定される。まず、研磨により露出させた積層体の長さ方向に直交する断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察する。次に、積層体の断面の中心を通る積層方向に沿った中心線、及びこの中心線から両側に等間隔に２本ずつ引いた線の合計５本の線上における厚さを測定する。この５つの測定値の平均値とする。より正確な平均厚さを求めるには、積層方向における上部、中央部、下部のそれぞれについて上記５つの測定値を求め、これら測定値の平均値を平均厚さとする。
【００４８】
なお、本発明の電子部品は、基板に内蔵される電子部品として使用でき、また、基板の表面に実装される電子部品としても使用することができる。
【００４９】
以下、本発明のＮｉ粉末、Ｎｉ粉末の製造方法、及び、内部電極ペーストについて説明する。
【００５０】
本発明のＮｉ粉末は、平均粒径が０．０５μｍ以上０．４μｍ以下であり、アスペクト比が１．５以下の球状のＮｉ粉と、アスペクト比が１．５より大きく、長手方向において１箇所以上の括れ部を備えている連結状のＮｉ粉とを含み、上記球状のＮｉ粉の粒径のＣＶ値は、２０％以下であり、その最大径が０．８μｍを超える連結状のＮｉ粉の含有量が、０．３重量％以下であることを特徴とする。図５は、本発明のＮｉ粉末の走査型電子顕微鏡写真（ＳＥＭ像）の一例である。すなわち、本発明のＮｉ粉末は、球状のＮｉ粉と、連結状のＮｉ粉の２種類のＮｉ粉を含む粉末である。
【００５１】
図６（ａ）は、球状のＮｉ粉の一例を示す模式図であり、図６（ｂ）は連結状のＮｉ粉の一例を示す模式図である。
球状のＮｉ粉とは、平均粒径が０．０５μｍ以上０．４μｍ以下であり、アスペクト比が１．５以下のＮｉ粉である。球状のＮｉ粉の粒径のＣＶ値は、２０％以下となっている。ＣＶ値は粒径のバラツキを示す指標であり、（標準偏差／平均値）×１００［％］の式に基づいて算出される。
球状のＮｉ粉の平均粒径を０．４μｍ以下とすることで、薄層化された積層セラミックコンデンサの内部電極に好適に使用することができる。球状のＮｉ粉の平均粒径を０．０５μｍ以上とすることで、乾燥状態のＮｉ粉末の取り扱いが容易となる。
球状のＮｉ粉のＣＶ値が２０％を超えると、粒度分布が広いために、薄層化された積層セラミックコンデンサへの適用が困難となる場合が生じる。粒度分布は狭いほど良好であるため、ＣＶ値の下限は特に限定されることはない。
球状のＮｉ粉のアスペクト比が１．５を超えると、排除体積効果によりその粒子付近に空隙ができやすく、電極連続性が劣化する。アスペクト比が１に近いほど良好であるため、下限は特に限定されることはない。
粒径及びＣＶ値の測定は、Ｎｉ粉末を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、２００００倍以上５００００倍以下の倍率で観察することにより行う。そして、その観察像を画像解析ソフトを使用して画像解析することによって求めることができる。例えば、旭化成エンジニアリング株式会社製のＩＰ−１０００ＰＣの統合アプリケーションであるＡ像くん（登録商標）で取り込み、円度しきい値１００（円度しきい値１００は、球状のＮｉ粉しか検出されない）で画像解析することによって、球状のＮｉ粉の粒径を求め、その結果から、「平均粒径」及び「ＣＶ値」を算出することができる。
【００５２】
球状のＮｉ粉のアスペクト比は、以下のように測定できる。走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてＮｉ粉末を観察し、その１００００倍の倍率のＳＥＭ像から１００個の単一粒子のＮｉ粉（連結していないＮｉ粉）を抽出する。それぞれのＮｉ粉のＳＥＭ像において最も長い径を長軸とし、長軸方向に対して垂直方向における最大径を短軸として、長軸／短軸比（長軸を短軸で割った値）を求める。次いで、この１００個のＮｉ粉の長軸／短軸比の平均値を算出し、その平均値をアスペクト比とする。
【００５３】
連結状のＮｉ粉とは、アスペクト比が１．５より大きく、長手方向において１箇所以上の括れ部を備えているＮｉ粉である。典型的には、球状のＮｉ粉が複数個連結してなるＮｉ粉であり、球状のＮｉ粉同士が連結している部位が球の直径よりも径が小さい部位となって括れ部となる。括れ部の有無は走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてＮｉ粉末を観察することにより判定することができる。
【００５４】
連結状のＮｉ粉のアスペクト比は、球状のＮｉ粉のアスペクト比と同様にして、ＳＥＭ像から１０個の連結状のＮｉ粉を抽出し、球状のＮｉ粉の場合と同様の手法で算出することができる。
【００５５】
本発明のＮｉ粉末では、その最大径が０．８μｍを超える連結状のＮｉ粉の含有量が、０．３重量％以下となっている。また球状のＮｉ粉の平均粒径をＸ（単位はμｍ）とし、連結状のＮｉ粉の含有量をＹ（単位は質量％）とすると、球状のＮｉ粉の平均粒径が０．３＜Ｘ≦０．４の場合、Ｙ≦０．３であり、連結状のＮｉ粉の最大径は０．８μｍを超えていることが好ましい。同様に球状のＮｉ粉の平均粒径が０．０５≦Ｘ≦０．３の場合、Ｙ≦０．１であり、連結状のＮｉ粉の最大径は０．８μｍを超えていることが好ましい。また、球状のＮｉ粉の平均粒径が０．０５≦Ｘ≦０．２の場合、Ｙ≦０．１であり、連結状のＮｉ粉の最大径は０．６μｍを超えていることが好ましい。
粒径が小さくなるほど連結状のＮｉ粉量が低減できる製造方法であるため、薄層化された積層セラミックコンデンサの内部電極用に好適に使用することができる。なお下限値については少ないほど良好であるため、特に限定されることはない。
最大径が０．８μｍを超える連結状のＮｉ粉の含有量は、アイソポアメンブレンフィルターでろ過することで評価することができる。具体的には、Ｎｉ粉末０．１ｇを水１００ｍＬに分散させ、孔径０．８μｍのアイソポアメンブレンフィルター上に残ったＮｉ粉が、最大径０．８μｍを超える連結状のＮｉ粉であるので、その残ったＮｉ粉をＩＣＰ（高周波誘導結合プラズマ発光）で定量することにより評価することができる。また、球状のＮｉ粉の平均粒径が０．０５μｍ以上０．２μｍ以下のＮｉ粉末では、連結状のＮｉ粉の最大径が０．８μｍ以下となる場合もあるが、任意のアイソポアメンブレンフィルターによって評価が可能である。例えば０．６μｍを超える連結状のＮｉ粉を定量することが可能である。
【００５６】
本発明のＮｉ粉末では、最大径が０．８μｍを超える連結状のＮｉ粉の含有量が０．３重量％以下と少なくなっている。そして、平均粒径が所定の範囲に制御され、その粒径のバラツキ（ＣＶ値）が２０％以下と小さい球状のＮｉ粉がそのほとんどを占めており、連結状のＮｉ粉の割合が低い範囲に制御されているので、内部電極ペーストを構成する金属粉末として使用した場合に、内部電極の連続性が高くなる。また、球状のＮｉ粉は、扁平状の金属粉とは異なり誘電体層を突き破ってショート不良を生じる原因となることはない。そのため、本発明のＮｉ粉末は、内部電極の連続性を高くすることができ、かつ、ショート不良を生じることを防止しうる、金属粉としてのＮｉ粉末とすることができる。
【００５７】
また、連結状のＮｉ粉を構成するＮｉ粉の括れ部以外の部分の直径の平均値は、０．０５μｍ以上０．４μｍ以下の範囲であることが好ましい。
本発明のＮｉ粉末は、その表面に硫黄（Ｓ）を含有していることが好ましい。後述するように、反応液中に得られたＮｉを含む沈殿物を洗浄する時に、硫黄コート剤（Ｓコート剤）を含有する処理液と接触させると、その表面を硫黄（Ｓ）で修飾することができる。上記硫黄コート剤（Ｓコート剤）には、メルカプト基（−ＳＨ）、ジスルフィド基（−Ｓ−Ｓ−）のいずれかを含む各種の水溶性硫黄化合物が適用でき、例えば、硫化水素ナトリウム（ＮａＳＨ）等の無機硫黄化合物、あるいは、チオリンゴ酸（ＨＯＯＣＣＨ（ＳＨ）ＣＨ２ＣＯＯＨ）等の有機硫黄化合物が挙げられる。
Ｎｉ粉末は、その表面が触媒的に働いて、内部電極ペーストに含まれるエチルセルロース等のバインダ樹脂の熱分解を促進する作用があり、積層セラミックコンデンサ製造時の脱バインダ処理にて、低温からバインダ樹脂が分解されて分解ガスが多量に発生しクラックが発生することがある。このバインダ樹脂の熱分解を促進する作用は、Ｎｉ粉末の表面に硫黄（Ｓ）が存在すると抑制されるため、Ｎｉ粉末には硫黄（Ｓ）で修飾する表面処理（硫黄コート処理（Ｓコート処理））を施すことが好ましい。
上記硫黄コート処理したＮｉ粉末における硫黄含有量は１．０重量％以下が好ましく、０．０３重量％以上０．５重量％以下がより好ましく、０．０４重量％以上０．３重量％以下がさらに好ましい。一方で、硫黄含有量が１．０重量％を超えたとしても、バインダ樹脂の熱分解を抑制する効果の向上は望めず、かえって積層セラミックコンデンサ製造時の焼成において、硫黄を含有するガスが発生しやすくなって、積層セラミックコンデンサ製造装置を腐食させることがあり、好ましいとは言えない。
【００５８】
本発明のＮｉ粉末の製造方法は、水溶性ニッケル塩と、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ及びＰｔからなる群から選択される少なくとも一つの元素を含む金属塩と、錯化剤とを含む第１の溶液を準備する工程と、アルカリ金属水酸化物を含む第２の溶液を準備する工程と、ヒドラジンを含む第３の溶液を準備する工程と、上記第１の溶液、上記第２の溶液、上記第３の溶液を混合し第４の溶液を作製する工程を備え、上記第４の溶液中にＮｉ粉を析出させるＮｉ粉末の製造方法であって、上記第４の溶液を作製する工程は、上記第４の溶液から析出するＮｉのモル数に応じて、上記第１の溶液に含まれる上記錯化剤のモル数がＮｉ１モルあたり０．２６モル以上０．４４モル以下となる範囲で上記第１の溶液の混合量を制御し、上記第２の溶液に含まれる上記アルカリ金属水酸化物のモル数がＮｉ１モルあたり２．８４モル以上４．２６モル以下となる範囲に上記第２の溶液の混合量を制御し、上記第３の溶液に含まれる上記ヒドラジンのモル数がＮｉ１モルあたり１．６６モル以上２．５０モル以下となる範囲に上記第３の溶液の混合量を制御することを特徴とする。
【００５９】
このような条件下でＮｉ粉末を製造することにより、連結状のＮｉ粉の割合を低減させて、その平均粒径、アスペクト比及び粒径のバラツキ（ＣＶ値）が好ましい範囲にある球状のＮｉ粉がほとんどを占めるＮｉ粉末を製造することができる。
【００６０】
水溶性ニッケル塩としては、水溶性のニッケル塩であれば特に限定されるものではないが、例えば、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、酢酸ニッケル等があげられる。
【００６１】
Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ及びＰｔからなる群から選択される少なくとも一つの元素を含む金属塩としては、各金属の硝酸塩、硫酸塩、塩化物等が挙げられる。例えば、硫酸銅、塩化パラジウム、ヘキサクロロ白金酸等が挙げられる。これらの塩の水和物を使用してもよい。
【００６２】
上記金属塩の配合量は、金属塩に由来する金属イオン濃度がＮｉ１モル当たり５ｗｔｐｐｍ以上３０ｗｔｐｐｍ以下となるようにすることが好ましい。金属イオン濃度をこの範囲にすると連結状のＮｉ粉の割合を小さくすることができ、ショート不良を抑制する効果が高い。
【００６３】
上記金属塩として、パラジウム、ヘキサクロロ白金酸を使用すると球状のＮｉ粉の平均粒径を小さくすることができ、特にヘキサクロロ白金酸の配合量を多くすると球状のＮｉ粉の平均粒径を０．０５μｍまで小さくすることができる。ヘキサクロロ白金酸の配合量がＮｉ１モル当たり１５ｗｔｐｐｍ以上３０ｗｔｐｐｍ以下になるようにすると球状のＮｉ粉の平均粒径を０．０５μｍまで小さくすることができるが、それ以上配合しても球状のＮｉ粉の平均粒径はそれ以上小さくならない。
【００６４】
錯化剤としては、少なくとも一つのカルボキシ基を有する有機酸であることが好ましく、例えば、クエン酸三ナトリウム、リンゴ酸、マロン酸、コハク酸等が挙げられる。
錯化剤は水和物の形（例えばクエン酸三ナトリウム二水和物）で添加されてもよい。
【００６５】
アルカリ金属水酸化物としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム等が挙げられる。ヒドラジンとしては、抱水ヒドラジンが挙げられる。
【００６６】
図７（ａ）、図７（ｂ）及び図７（ｃ）は、本発明のＮｉ粉末の製造フローの一例である。
本発明のＮｉ粉末の製造方法においては、第４の溶液を作製する際にＮｉ粉が第４の溶液中に析出する。第４の溶液を作製する際には、第２の溶液及び第３の溶液を予め混合しておき、その混合した溶液を第１の溶液に滴下混合する手順により行うことが好ましい。この手順により第４の溶液を作製すると、球状のＮｉ粉のＣＶ値を特に低くすることができる。これは、４電子反応であるＮ２Ｈ４→Ｎ２↑＋４Ｈ＋＋４ｅ−のような上記ヒドラジンの還元反応から明らかであるように、高アルカリほどヒドラジンの還元力が強くなることに起因している。すなわち、図７（ｂ）に示すように強アルカリである第２の溶液と第３の溶液の混合溶液、つまりアルカリ金属水酸化物とヒドラジンの混合溶液に、核発生剤としての金属塩と水溶性ニッケル塩を含む第１の溶液を滴下混合した場合には、第１の溶液の滴下混合領域が滴下直後から常時強アルカリとなるため、ヒドラジンの強い還元力により滴下する時間の間中、特に滴下混合領域において核発生が継続して起きることとなる。言い換えれば、局所的な核発生が長時間生じるため、空間的にも時間的にも不均一な核発生となる。したがって、ＣＶ値増大である粒度分布が広くなり、連結状のＮｉ粉の割合が増加する傾向が見られる。一方、図７（ａ）および図７（ｃ）の手順だと、滴下開始時点での滴下混合領域は弱酸性から弱アルカリであって、滴下進行に伴い、アルカリが強くなっていくため、核発生は強アルカリになる滴下終盤にだけ起きることとなる。つまり、混合が進んだ第４の溶液中の全体で短時間に核発生が生じるため、この核発生は空間的にも時間的にも均一である。したがって、ＣＶ値減少である粒度分布が狭くなり、連結状のＮｉ粉の割合を低下させることができる。
【００６７】
また、第４の溶液を作製する工程においては、第１の溶液、第２の溶液及び第３の溶液の温度を４５℃以上６５℃以下とすることが好ましい。各溶液の温度をこの範囲とすると、球状のＮｉ粉のＣＶ値を特に低くすることができる。
【００６８】
また、第１の溶液に第２の溶液と第３の溶液の混合溶液を滴下混合する際の、混合溶液を滴下する時間は１６０秒以下であることが好ましい。混合溶液を滴下する時間が１６０秒以下であると、球状のＮｉ粉のＣＶ値を特に低くすることができる。
【００６９】
このように第４の溶液を作製するとＮｉ粉が第４の溶液中に析出するが、Ｎｉの析出が第２の溶液及び第３の溶液の混合液の第１の溶液への滴下混合後３０分以上１２０分以下の間にされるようにすることが好ましい。このようにして得た析出物を熟成することによりＮｉを含む沈殿物を得ることができる。
【００７０】
次に、そのＮｉを含む沈殿物が含まれる反応液を冷却した後、その上澄み液を純水で数回置換することによって、Ｎｉ粉末を洗浄することが好ましい。またこの洗浄の際に、硫黄コート剤（Ｓコート剤）を含有する処理液と接触させることで、Ｎｉ粉末の表面に硫黄（Ｓ）を修飾することもできる。硫黄コート剤（Ｓコート剤）としては、メルカプト基（−ＳＨ）、ジスルフィド基（−Ｓ−Ｓ−）のいずれかを含む水溶性硫黄化合物の水溶液が好ましく、チオリンゴ酸（ＨＯＯＣＣＨ（ＳＨ）ＣＨ２ＣＯＯＨ）、Ｌ−システイン（ＨＳＣＨ２ＣＨ（ＮＨ２）ＣＯＯＨ）、チオグリセロール（ＨＳＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ）、ジチオジグリコール酸（ＨＯＯＣＨ２Ｓ−ＳＣＨ２ＣＯＯＨ）等の水溶液が好適である。さらに、アセトンで水を置換し、乾燥した後に、気流式粉砕器で解砕処理をすることでＮｉ粉末を得ることが好ましい。乾燥温度は８０℃以上９０℃未満とすることが好ましい。上記手順により所望のＮｉ粉末を得ることができる。
【００７１】
本発明の内部電極ペーストは、本発明のＮｉ粉末と、有機溶剤とを含むことを特徴とする。有機溶剤としては、α−テルピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、アルコール類等を使用することができる。また、有機バインダをさらに含んでいてもよく、有機バインダとしてはエチルセルロース樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、メタクリル樹脂等を使用することができる。本発明の内部電極ペーストは、本発明の電子部品における内部電極層の形成に使用することができ、本発明の内部電極ペーストを使用することによって、内部電極の連続性を高くすることができ、かつ、ショート不良を生じることを防止することができる。内部電極ペーストにおけるＮｉ粉末の割合は４０重量％以上７０重量％以下であることが好ましい。
【００７２】
以下に、本発明の電子部品の製造方法の一例として、積層セラミックコンデンサの製造方法について説明する。
【００７３】
はじめに、誘電体シート及び内部電極ペーストを準備する。誘電体シートや内部電極ペーストには、バインダおよび溶剤が含まれるが、公知の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。なお、内部電極ペーストとしては、本発明の内部電極ペーストを使用することができる。次に、誘電体シート上に、例えば、スクリーン印刷やグラビア印刷などにより所定のパターンで内部電極ペーストを印刷し、内部電極パターンを形成する。次に、内部電極パターンが印刷されていない外層用の誘電体シートを所定枚数積層し、その上に内部電極パターンが印刷された誘電体シートを順次積層し、その上に外層用の誘電体シートを所定枚数積層し、積層シートを作製する。次に、積層シートを静水圧プレスなどの手段により積層方向にプレスし積層ブロックを作製する。積層ブロックを所定のサイズにカットし、積層チップを切り出す。このとき、バレル研磨などにより積層チップの角部および稜線部に丸みをつけてもよい。次に、積層チップを焼成し積層体を作製する。焼成温度は、誘電体や内部電極の材料にもよるが、９００℃以上１３００℃以下であることが好ましい。
【００７４】
次に、積層体の端面に外部電極を形成する。焼付け層を有する外部電極を形成する場合は、積層体の両端面に外部電極用の導電性ペーストを塗布し、焼き付け、外部電極の焼付け層を形成する。焼き付け温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。次に、必要に応じて焼き付け層の表面にめっきを施してめっき層を形成する。
【００７５】
外部電極として、焼付け層を設けずに、積層体の表面に直接めっき層を形成する場合は、めっき処理を施し、内部電極の露出部上に下地めっき膜を形成する。めっき処理を行うにあたっては、電解めっき、無電解めっきのどちらを採用してもよいが、無電解めっきはめっき析出速度を向上させるために、触媒などによる前処理が必要となり、工程が複雑化するというデメリットがある。したがって、通常は、電解めっきを採用することが好ましい。めっき工法としては、バレルめっきを用いることが好ましい。
【００７６】
なお、表面導体を形成する場合は、あらかじめ最外層の誘電体シート上に表面導体パターンを印刷して、その他の誘電体シート等と同時焼成してもよく、また、焼成後の積層体の主面上に表面導体を印刷してから焼き付けてもよい。
【実施例】
【００７７】
以下、本発明のＮｉ粉末、内部電極ペーストの例、及び、電子部品の例としての積層セラミックコンデンサをより具体的に開示した実施例を示す。なお、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。
【００７８】
（実施例１）
硫酸ニッケル６水和物１００ｇと、クエン酸三ナトリウムのモル数がＮｉ１モル当たり０．３６モルになるようにクエン酸三ナトリウム二水和物４０．３ｇを水２７０ｇに溶解し、銅イオン濃度がＮｉ１モル当たり８．２ｗｔｐｐｍになるように０．４重量％に希釈した硫酸銅５水和物溶液を０．１８ｇ添加して、銅イオンを含有するニッケル塩溶液を準備した。この溶液を第１の溶液とした。
【００７９】
次に、水酸化ナトリウムのモル数が、混合する予定の第１の溶液に含まれるＮｉ１モル当たり３．５５モルになるように５４ｇの水酸化ナトリウムを水２５０ｇに溶解して、第２の溶液を準備した。次に、ヒドラジンのモル数が、混合する予定の第１の溶液に含まれるＮｉ１モル当たり２．０３モルになるように６０％抱水ヒドラジン６６ｇを準備した。この溶液を第３の溶液とした。
【００８０】
第１の溶液、第２の溶液及び第３の溶液を５５℃に加温し、第２の溶液と第３の溶液を事前に混合した。ついで、その混合された溶液を第１の溶液に滴下時間１００秒で投入して第４の溶液を作製し、第４の溶液中にＮｉ粉を析出させた。その後３０分熟成してＮｉを含む沈殿物を得た。次に、反応液を冷却した後、その上澄み液を純水で２回置換してから硫黄コート剤（Ｓコート剤）としてのチオリンゴ酸（別名称：メルカプトこはく酸）（ＨＯＯＣＣＨ（ＳＨ）ＣＨ２ＣＯＯＨ、分子量：１５０．１５）水溶液を加え、さらにその上澄み液を純水で数回置換することによって、Ｎｉ粉末表面の硫黄（Ｓ）処理と洗浄をした。さらに、アセトンで水を置換した後、８０℃の温度に設定されたオーブン中でＮｉ粉末を乾燥させ、気流式粉砕器で解砕処理をしてＮｉ粉末を得た。
【００８１】
＜平均粒径及びＣＶ値の測定＞
得られたＮｉ粉末を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて２００００倍の倍率で観察し、ＳＥＭ像から、旭化成エンジニアリング株式会社製のＩＰ−１０００ＰＣの統合アプリケーションであるＡ像くん（登録商標）を用いて画像解析して、球状のＮｉ粉の平均粒径と粒径のＣＶ値を上述の方法により算出した。ＣＶ値が１５％以下を◎、１５％を超えて２０％以下を○、２０％を超えると×と判定した。結果は表１に示した。
【００８２】
＜硫黄の含有量測定＞
得られたＮｉ粉末について、硫黄含有量を硫黄分析装置（堀場製作所製）を用いて測定した。結果は表１に示した。
【００８３】
＜連結状のＮｉ粉の定量＞
Ｎｉ粉末０．１ｇを水１００ｍＬに分散させ、孔径０．８μｍのアイソポアメンブレンフィルター上に残ったＮｉ粉についてＮｉ粉をＩＣＰ（高周波誘導結合プラズマ発光）で定量することにより、最大径が０．８μｍを超える連結状のＮｉ粉の含有量を定量した。
球状のＮｉ粉の平均粒径が０．２μｍ以下であった実施例については孔径０．６μｍのアイソポアメンブレンフィルターについて同様の作業をして最大径が０．６μｍを超える連結状のＮｉ粉の含有量を定量した。
結果は表１に示した。
【００８４】
＜内部電極ペーストの作製＞
次に、このＮｉ粉末を含む内部電極ペーストを作製した。まず、バインダ樹脂としてエチルセルロース樹脂、有機溶剤としてα−テルピネオールを用意し、エチルセルロース樹脂とα−テルピネオールとの混合比率が、体積比率で、１：９となるようにエチルセルロース樹脂をα−テルピネオール中に溶解させ、これにより有機ビヒクルを作製した。次に、Ｎｉ粉末の含有量が４５重量％となるように、Ｎｉ粉末と有機ビヒクルとを混合し、三本ロールミルを使用して分散・混練させ、これによりＮｉ粉末を導電性材料とした内部電極ペーストを作製した。
【００８５】
＜電極被覆率の算出＞
セラミック原料としてのＢａＴｉＯ３に、ポリビニルブチラール系バインダ、可塑剤及び有機溶剤としてのエタノールを加え、これらをボールミルにより湿式混合し、セラミックスラリーを作製した。次いで、このセラミックスラリーをリップ方式によりシート成形し、矩形の誘電体シートを得た。次に、上記誘電体シート上に、Ｎｉ粉末を含有する内部電極ペーストをスクリーン印刷し、内部電極層となるべき導電膜を形成した。次に、導電膜が形成された誘電体シートを、導電膜の引き出されている側が互い違いになるように複数枚積層し、積層シートを得た。次に、この生の積層シートを、加圧成形し、ダイシングにより分割してチップを得た。得られたチップをＮ２雰囲気中にて加熱して、バインダを燃焼させた後、Ｈ２、Ｎ２及びＨ２Ｏガスを含む還元性雰囲気中において焼成し、焼結した積層体を得た。積層体の構造は、複数の誘電体層と複数の内部電極層を有する構造である。
【００８６】
このように得られた積層体の内部電極層の電極被覆率を算出した。内部電極層の電極被覆率は、試料各５個について、以下の方法で測定した。すなわち、焼結後の各試料を積層方向の中央部で切断し、切断面を光学顕微鏡で観察し、画像解析を行なって内部電極層の理論面積に対する実測面積の面積比率を算出し、その平均値を求め、電極被覆率とした。８０％以上を○、それ未満を×と判定した。結果は表１に示した。電極被覆率は内部電極の連続性を示す指標であり、電極被覆率が高いほうが内部電極の連続性が高いといえる。
【００８７】
＜ショート不良率の算出＞
得られた積層体に外部電極を形成し、絶縁抵抗測定器を用いて電圧２Ｖを印加して、抵抗値が１０５Ω乗以下のものをショート不良と判別した。Ｎ＝１０００個で評価して、ショート不良率が１％未満を○、１％以上を×と判定した。結果は表１に示した。
【００８８】
下記実施例、比較例では以下のようにＮｉ粉末を得た。Ｎｉ粉末を得る工程の他は実施例１と同様にして各特性の評価を行った。
（実施例２）
実施例１の溶液の滴下手順を逆にして、つまり、第１の溶液を第２の溶液と第３の溶液の混合溶液に滴下した他は実施例１と同様にして、Ｎｉ粉末を得た。
（実施例３）
実施例１の硫酸銅５水和物溶液の添加量を０．１２ｇとした他は実施例１と同様にして、Ｎｉ粉末を得た。
（実施例４）
実施例１の銅イオン濃度がＮｉ１モル当たり１５ｗｔｐｐｍになるように硫酸銅水溶液を添加した他は実施例１と同様にして、Ｎｉ粉末を得た。
（実施例５）
実施例１の硫酸銅５水和物溶液に代えて、パラジウムイオン濃度がＮｉ１モル当たり１５ｗｔｐｐｍになるように塩化パラジウム水溶液を添加した他は実施例１と同様にして、Ｎｉ粉末を得た。
（実施例６）
実施例１の硫酸銅５水和物溶液に代えて、白金イオン濃度がＮｉ１モル当たり１５ｗｔｐｐｍになるようにヘキサクロロ白金酸を添加した他は実施例１と同様にして、Ｎｉ粉末を得た。
（実施例７）
実施例１のクエン酸三ナトリウム二水和物の添加量を、Ｎｉ１モル当たり０．４４モルになるように４９．２ｇに変更した他は実施例１と同様にして、Ｎｉ粉末を得た。
（実施例８）
実施例１のクエン酸三ナトリウム二水和物の添加量を、Ｎｉ１モル当たり０．２６モルになるように２８．７ｇに変更した他は実施例１と同様にして、Ｎｉ粉末を得た。
（実施例９）
実施例１の水酸化ナトリウムの添加量を、Ｎｉ１モル当たり４．２６モルになるように６４．８ｇに変更した他は実施例１と同様にして、Ｎｉ粉末を得た。
（実施例１０）
実施例１の水酸化ナトリウムの添加量を、Ｎｉ１モル当たり２．８４モルになるように４３．２ｇに変更した他は実施例１と同様にして、Ｎｉ粉末を得た。
（実施例１１）
実施例１のヒドラジンの添加量を、Ｎｉ１モル当たり２．５０モルになるように６０％抱水ヒドラジン７９．２ｇに変更した他は実施例１と同様にして、Ｎｉ粉末を得た。
（実施例１２）
実施例１のヒドラジンの添加量を、Ｎｉ１モル当たり１．６６モルになるように６０％抱水ヒドラジン５２．８ｇに変更した他は実施例１と同様にして、Ｎｉ粉末を得た。
（実施例１３）
実施例１において第２の溶液と第３の溶液の混合溶液の滴下時間を１６０秒に変更した他は実施例１と同様にして、Ｎｉ粉末を得た。
（実施例１４）
実施例１における第１の溶液、第２の溶液及び第３の溶液の加温温度を５５℃から６５℃に変更した他は実施例１と同様にして、Ｎｉ粉末を得た。
（実施例１５）
実施例１における第１の溶液、第２の溶液及び第３の溶液の加温温度を５５℃から４５℃に変更した他は実施例１と同様にして、Ｎｉ粉末を得た。
【００８９】
（比較例１）
実施例１のクエン酸三ナトリウムの添加量を、Ｎｉ１モル当たり０．４８モルになるようにクエン酸三ナトリウム二水和物５３．３ｇに変更した他は実施例１と同様にして、Ｎｉ粉末を得た。
（比較例２）
実施例１のクエン酸三ナトリウムの添加量を、Ｎｉ１モル当たり０．２２モルになるようにクエン酸三ナトリウム二水和物２４．６ｇに変更した他は実施例１と同様にして、Ｎｉ粉末を得た。
（比較例３）
実施例１の水酸化ナトリウムの添加量を、Ｎｉ１モル当たり４．６２モルになるように７０．２ｇに変更した他は実施例１と同様にして、Ｎｉ粉末を得た。
（比較例４）
実施例１の水酸化ナトリウムの添加量を、Ｎｉ１モル当たり２．４９モルになるように３７．８ｇに変更した他は実施例１と同様にして、Ｎｉ粉末を得た。
（比較例５）
実施例１のヒドラジンの添加量を、Ｎｉ１モル当たり２．７０モルになるように６０％抱水ヒドラジン８５．８ｇに変更した他は実施例１と同様にして、Ｎｉ粉末を得た。
（比較例６）
実施例１のヒドラジンの添加量を、Ｎｉ１モル当たり１．２５モルになるように６０％抱水ヒドラジン３９．６ｇに変更した他は実施例１と同様にしたところ、Ｎｉの析出が完了せずＮｉを含む沈殿物を得られなかった。
【００９０】
【表１】
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※滴下手順は、第２の溶液と第３の溶液の混合液を滴下する場合を「順」、第１の溶液を滴下する場合を「逆」とした。
【００９１】
各実施例で得たＮｉ粉末はそのＣＶ値が低く、連結状のＮｉ粉の量が少ないため、電極連続性が高く電極被覆率に優れており、かつ、ショート不良が生じることも防止されていた。また、金属塩の種類として、銅、パラジウム、白金のいずれを使用しても好ましい結果が得られた。
【符号の説明】
【００９２】
１  積層セラミックコンデンサ(電子部品）
１０  積層体
１１  第１主面
１２  第２主面
１３  第１側面
１４  第２側面
１５  第１端面
１６  第２端面
２０  誘電体層
３０  内部電極層
３５  第１内部電極層
３６  第２内部電極層
４０  外層部
６０  下地層
６１  めっき層
１００  外部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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