(57)【要約】【課題】固定層の溶断の抑制を可能にした触媒装置を提供する。【解決手段】触媒装置１は、櫛歯状の金属電極２と、金属電極２を下地層５に固定する固定層１３とを備える。固定層１３は、金属電極２の一部を覆うように下地層５に接合されることにより、金属電極２を下地層５に固定する。また、本例の場合、金属電極２及び下地層５の接触面積Ｓを、固定層１３が配置されない箇所よりも、固定層１３が配置された箇所の方が大きくなるように設ける。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒が担持された担体と、
前記担体の表面において間に下地層が介装されて設けられた櫛歯状の金属電極と、
前記金属電極の一部を覆うように前記下地層に接合されることにより、前記金属電極を前記下地層に固定する固定層とを備え、
前記固定層が前記金属電極に配置される領域、かつ前記金属電極が前記下地層と対向する面においての規定の面積当たりの前記金属電極及び前記下地層の接触面積を、前記固定層が前記金属電極に配置されない領域、かつ前記金属電極が前記下地層と対向する面においての規定の面積当たりの前記金属電極及び前記下地層の接触面積よりも大きくした触媒装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極通電によって触媒を活性化させて排気ガスを浄化する触媒装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気加熱式の触媒装置は、金属触媒が担持された担体と、担体に取り付けられた櫛状の金属電極とを備える。金属電極は、複数箇所において固定層によって担体に固定されている（特許文献１等参照）。固定層は、例えば担体の表面に形成された下地層に対し、金属媒体を覆うよう接合されることにより、担体に取り付け固定されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開２０１０／０６３３５３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この種の触媒装置では、金属電極への通電時、固定層も通電された状態となる。固定層の断面積が小さいと、その分、抵抗が上昇し、これが固定層の温度上昇の要因となる。固定層が温度上昇すると、固定層が溶断してしまう可能性があり、何らかの対策が必要とされていた。
【０００５】
本発明の目的は、固定層の溶断の抑制を可能にした触媒装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記問題点を解決する触媒装置は、触媒が担持された担体と、前記担体の表面において間に下地層が介装されて設けられた櫛歯状の金属電極と、前記金属電極の一部を覆うように前記下地層に接合されることにより、前記金属電極を前記下地層に固定する固定層とを備え、前記固定層が前記金属電極に配置される領域、かつ前記金属電極が前記下地層と対向する面においての規定の面積当たりの前記金属電極及び前記下地層の接触面積を、前記固定層が前記金属電極に配置されない領域、かつ前記金属電極が前記下地層と対向する面においての規定の面積当たりの前記金属電極及び前記下地層の接触面積よりも大きくした。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、触媒装置において固定層の溶断を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１実施形態の触媒装置の斜視図。
【図２】触媒装置の正面図。
【図３】図４のII−II線断面図。
【図４】固定層が設けられた金属電極の平面図。
【図５】図４のIII−III線断面図。
【図６】図４のIV−IV線断面図。
【図７】（ａ）〜（ｅ）は触媒装置の担体に金属電極を固定する際の手順図。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は溶射によって固定層を形成する際の工程図。
【図９】第２実施形態において側方から見た触媒装置の一部拡大断面図。
【図１０】軸方向からみた触媒装置の一部拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
（第１実施形態）
以下、触媒装置の第１実施形態を説明する。
図１に示すように、触媒装置１は、例えば自動車等の排気経路上に設けられ、エンジンから排出される排出ガスを浄化する装置である。触媒装置１は、触媒装置１に設けられた櫛歯状の金属電極２への通電によって金属触媒を活性化させて排気ガスを浄化する電気加熱式である。
【００１０】
触媒装置１は、内部が排気ガスの通過路となる担体３を備える。担体３は、例えばセラミックスからなる多孔質部材であって、略円筒状をなしている。担体３の内部は、軸方向に延びる空孔が径方向において隙間なく複数配列されたハニカム構造をなし、これら空孔を排気ガスが通過する。担体３の材料であるセラミックスは、例えばSiC（炭化珪素）粒子とSi（珪素）粒子とで構成される複合材が好ましく、導電性を有するセラミックスであればよい。また、担体３のハニカム構造の壁面には、例えば白金、パラジウム、ロジウム等の金属触媒が担持されている。
【００１１】
図１及び図２に示すように、担体３の表面４には、金属電極２の下地層５が設けられている。下地層５は、金属電極２及び担体３の間に介在されている。下地層５は、金属電極２を固定するための層であって、担体３の軸Ｌ１を中心として径方向両側に一対（計２つ）配置されている。下地層５は、担体３の表面４に設けられた第１下地層６と、第１下地層６の表面に設けられた第２下地層７とを備えた２層構造をなしている。第１下地層６は、導電性を有したセラミック材料からなり、本例の場合、例えばSiC（炭化珪素）粒子とSi（珪素）粒子とで構成された複合材の層からなる。
【００１２】
ここで、担体３に含有されるSiC（炭化珪素）粒子の割合は、第１下地層６を構成するSiC（炭化珪素）粒子の割合よりも多いことが好ましい。これにより、担体３の抵抗値を、第１下地層６のものに比べて高くし、担体３の発熱性を高めることができる。
【００１３】
このような関係性を前提として、担体３を構成するSiC（炭化珪素）粒子とSi（珪素）粒子との合計量を１００％としたとき、SiC（炭化珪素）は、６５体積％〜７５体積％であることが好ましい。これに対して、第１下地層６を構成するSiC（炭化珪素）粒子とSi（珪素）粒子との合計量を１００％としたとき、SiC（炭化珪素）粒子は、５５体積％〜６５体積％であることが好ましい。
【００１４】
第２下地層７は、酸化鉱物からなる酸化鉱物粒子が分散し、この酸化鉱物粒子を金属マトリクスで連結した層である。具体的には、金属マトリックスは、NiCr合金またはMCrAkY合金（但し、「M」はFe、Co、Niのうち少なくとも一種）等が挙げられる。酸化鉱物は、SiO２やAl２O３などの酸化物を主な成分とするものであり、例えばベントナイトやマイカ或いはそれらの混合物などからなることが好ましい。本例の場合、第２下地層７は、第１下地層６の表面に金属マトリックスとなるNiCr合金粒子と酸化鉱物粒子となるベントナイト粒子とを混合した混合粉末を溶射した層である。
【００１５】
なお、本例の場合、担体３の抵抗値、第１下地層６の抵抗値、及び第２下地層７の抵抗値は、前述の記載順に抵抗値が高くなっている。従って、これらの中で担体３が最も抵抗値が高いため、通電時に担体３が過熱され易い。また、第２下地層７の抵抗値を第１下地層６の抵抗値よりも低くすることにより、第２下地層７で金属電極２からの電流を、担体３の周方向（図１の矢印Ａ１方向）に流れ易くすることができる。なお、第１下地層６は、第２下地層７から担体３の周方向（図１の矢印Ａ１方向）に流れた電流が担体３に流れるように、中間の抵抗値として調整される層となっている。
【００１６】
金属電極２は、例えばFe−Cr合金（例えば、ステンレス鋼）などの導電性を有した金属からなる。金属電極２は、担体３の軸Ｌ１を中心として径方向両側に一対（計２つ）配置されている。金属電極２は、担体３の長手方向（図１のＸ軸方向）に沿って延びる基部１０と、基部１０から担体３の周方向（図１の矢印Ａ１方向）に沿って延びる複数の配線部１１とを備える。基部１０の長手方向の途中には、担体３の径方向外側に直立した端子部１２が形成されている。基部１０及び配線部１１の境界部分は、基部１０が担体３の表面４から離れる方向に僅かに屈曲した形状となっている。配線部１１は、担体３の長手方向（図１のＸ軸方向）に等間隔に並んで配置されている。
【００１７】
図３に示すように、配線部１１は、複数箇所に設けられた固定層１３によって下地層５に固定されている。本例の固定層１３は、配線部１１の一部を覆うように下地層５に接合されることによって、下地層５に固定されている。このように、固定層１３は、各々の配線部１１において配線部１１の一部分を覆うように配置されている。本例の場合、固定層１３は、下地層５の２層のうち表面側の第２下地層７に取り付けられている。固定層１３に覆われた配線部１１の部位と下地層５との間には、所定の空隙１４が形成されている。固定層１３は、担体３の周方向において千鳥状に配置されている。固定層１３は、第２下地層７で例示した材料からなり、本例の場合、第２下地層７と同じ材料としてもよい。
【００１８】
ここで、第２下地層７及び固定層１３に含まれるベントナイト等の酸化鉱物（粒子）と、NiCr合金等の金属（マトリックス）との割合は、これらの合計量に対して、酸化鉱物（粒子）が５５体積％〜７０体積％であることが好ましい。また、固定層１３の金属（マトリックス）の含有割合は、第２下地層７に比べて少ないことが好ましい。これにより、固定層１３の熱膨張率を配線部１１の熱膨張率に近づけることができ、配線部１１の熱収縮率により固定層１３に作用する熱応力を軽減することができる。
【００１９】
図４に示すように、固定層１３は、担体３の平面視において四角状（矩形状）に形成されている。この場合、固定層１３は、正方形及び長方形のいずれでもよい。本例の場合、固定層１３は、４辺のうち対向する一対の第１辺１５ａ及び第２辺１５ｂが平行となり、これらと直交する方向の第３辺１５ｃ及び第４辺１５ｄが平行となっている。また、固定層１３の各辺を繋ぐ角部１６は、丸みを帯びていてもよいし、或いは直角となっていてもよい。
【００２０】
図５及び図６に示すように、金属電極２及び下地層５の接触面積を「Ｓ」とした場合、この接触面積Ｓを、固定層１３が配置されない箇所（本例は、接触面積Ｓ２と記す）よりも、固定層１３が配置された箇所（接触面積Ｓ１と記す）の方が大きくなるように設けた。また、別の表現で表した場合、固定層１３が金属電極２に配置される領域、かつ金属電極２が下地層５と対向する面においての規定面積当たりの金属電極２及び下地層５の接触面積Ｓ（Ｓ１）を、固定層１３が金属電極２に配置されない領域、かつ金属電極２が下地層５と対向する面においての規定の面積当たりの金属電極２及び下地層５の接触面積Ｓ（Ｓ２）よりも大きくする。なお、規定の面積当たりとは、例えば単位面積当たりであることが好ましい。
【００２１】
本例の場合、金属電極２には、固定層１３が配置される箇所において下地層５に向かって突出する凸部１７が設けられている。具体的には、凸部１７は、金属電極２の配線部１１に形成されている。このように、本例では、金属電極２に凸部１７を設け、この凸部１７が下地層５と接触する箇所を、金属電極２及び下地層５の接触部１８とした。このように、金属電極２の凸部１７によって下地層５との接触箇所を増やすことにより、固定層１３が配置されない箇所よりも固定層１３が配置される箇所の方の接触面積Ｓを大きくとっている。
【００２２】
次に、本実施形態の触媒装置１の作用について説明する。
図７（ａ）〜（ｅ）に、触媒装置１の製造手順を図示する。まず、図７（ａ）に示すように、セラミックスからなる担体３の表面４に下地層５を形成する。この工程では、一対の下地層５を形成する。具体的には、まず、金属触媒が担持された担体３を用意し、SiC（炭化珪素）粒子とSi（珪素）粒子とを分散媒で分散させたペースト材を担体３の表面４に塗布する。そして、これを焼成して、担体３の表面４に第１下地層６を形成する。なお、ペースト材の塗布は、スクリーン印刷によって実施してもよい。そして、この後、金属触媒を担持する。
【００２３】
続いて、第１下地層６の上面に、第２下地層７の形状に応じた開口を有した金属製のマスキング材（図示略）を配置する。そして、この開口に向かって、NiCr合金粒子とベントナイト粒子とを混合した粉末を、例えばガスフレーム溶射又はプラズマ溶射等の溶射によって吹き付けてNiCr合金を溶融し、第２下地層７を形成する。
【００２４】
図７（ｂ）に示すように、配線部１１に局所的に凸部１７が形成された金属電極２を用意し、この金属電極２を下地層５の（第２下地層７）の表面に配置する。本例の場合、金属電極２の基部１０を担体３の軸方向（軸Ｌ１の方向）に沿わせるようにしつつ、配線部１１を担体３の周方向（矢印Ａ１の方向）に沿って延在するように配置する。具体的には、シート状の金属電極２を、第２下地層７の表面に倣うように湾曲させて配置させる。このとき、シート状の金属電極２の基部１０と反対側の連結部２１とを互いに離間する方向に引っ張りながら位置合わせすることにより、第２下地層７の表面に倣わせる。
【００２５】
図７（ｃ）に示すように、金属電極２が配置された担体３の表面４に、固定層１３の形成に使用するマスキング材２２を配置する。マスキング材２２には、各固定層１３の形状、及びこれらの配置パターンに応じた四角状（矩形状）の開口２３が形成されている。そして、金属電極２の配線部１１が開口２３から露出するようにマスキング材２２を担体３の表面４に配置する。特に、本例の場合、配線部１１の凸部１７にマスキング材２２の開口２３が位置するように、金属電極２の上面にマスキング材２２が配置される。
【００２６】
続いて、マスキング材２２がセットされた担体３に対し、第２下地層７の形成時と同様の方法で、NiCr合金粒子とベントナイト粒子とを混合した粉末を、例えばガスフレーム溶射又はプラズマ溶射等の溶射によって開口２３に吹き付ける。これにより、NiCr合金を溶融し、金属電極２の配線部１１の上面に固定層１３を形成する。従って、金属電極２の配線部１１の一部を覆い、かつ第２下地層７に接合されるように固定層１３が形成され、この固定層１３によって各配線部１１が第２下地層７に固定される。
【００２７】
図７（ｄ）に示すように、固定層１３の形成後、マスキング材２２を担体３から取り外す。このとき、同図からも分かるように、金属電極２の配線部１１に固定層１３が局所的に複数設けられる。
【００２８】
図７（ｅ）に示すように、担体３からマスキング材２２を取り外した後、金属電極２から余剰部分（例えば、連結部２１の部分）を切断する。これにより、担体３の表面４に一方の金属電極２が固定層１３によって取り付けられる。同様の手順に沿って、担体３の表面４の他方にも金属電極２を固定層１３によって担体３に取り付ける。以上によって、担体３の表面４に対向するように一対の金属電極２を備えた触媒装置１が製造される。
【００２９】
ここで、図８（ａ）〜（ｄ）に、NiCr混合粒子の溶射によって固定層１３を形成する工程の詳細を図示する。なお、同図において左側の図は、担体３の側方から金属電極２を見たときの断面図であり、右側の図は、担体３の軸方向から金属電極２を見たときの断面図である。
【００３０】
図８（ａ）に示すように、金属電極２を第２下地層７の表面に載置する場合、湾曲させた金属電極２のばね力で金属電極２を第２下地層７に張り付ける。ところで、第２下地層７の表面は、微細な凹凸形状をなしている。このため、金属電極２を第２下地層７に配置した際、第２下地層７の凹凸のうち背の高い山部２４で金属電極２の裏面を支持する。このように、金属電極２の裏面と山部２４との接触箇所が金属電極２及び第２下地層７の接触部１８となる。
【００３１】
図８（ｂ）に示すように、固定層１３の形成の溶射が実行されると、金属電極２及び第２下地層７の表面に固定層１３が蓄積されていく。溶射初期時は、金属電極２及び第２下地層７の積層される固定層１３の量は未だ少ない。溶射持は、溶射粉の衝撃によって、金属電極２が上下に振動する。特に、金属電極２と第２下地層７との間に空隙１４が存在するので、この空隙１４によって金属電極２の振動が助長される。また、溶射初期時は、金属電極２上に乗る溶射粉も少なく、金属電極２の振動が大きいと想定される。
【００３２】
図８（ｃ）に示すように、溶射の中盤になると、固定層１３が金属電極２及び第２下地層７に更に積層されていく。このときも、金属電極２は振動するが、第２下地層７の積層した固定層１３と近くなっていくに従い、振動が徐々に小さくなる。
【００３３】
図８（ｄ）に示すように、溶射が終了すると、溶射中盤に比べて金属電極２や第２下地層７に固定層１３が更に積層され、金属電極２側の固定層１３と、第２下地層７側の固定層１３とが繋がる。この固定層１３同士の繋がりの際、隙間部分が粗大孔２５として発生した状態となってしまうことがある。粗大孔２５が固定層１３に残存した場合、通電断面積が減少する。これにより、抵抗が上昇し、温度上昇で溶断の可能性に繋がる。
【００３４】
そこで、本例の場合は、図５及び図６に示すように、金属電極２において固定層１３が設けられる箇所に凸部１７を形成し、金属電極２と下地の層部分との間の接触面積Ｓを確保する。これにより、金属電極２の裏面において下地の層部分で支持される面積を広くとることが可能となり、金属電極２と下地の層部分との間の空隙１４が小さく済む。このため、固定層１３の溶射粉を溶射するときの金属電極２の振動を少なく抑えることが可能となり、ひいては粗大孔２５の形成も抑制される。よって、固定層１３の通電断面積の減少が低減され、固定層１３の溶断を抑制することができる。
【００３５】
上記実施形態の触媒装置１によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）触媒装置１は、触媒が担持された担体３と、担体３の表面４において間に下地層５が介装されて設けられた櫛歯状の金属電極２と、金属電極２を下地層５に固定する固定層１３とを備える。固定層１３は、金属電極２の一部を覆うように下地層５に接合されることにより、金属電極２を下地層５に固定する。また、本例の場合、固定層１３が金属電極２に配置される領域、かつ金属電極２が下地層５と対向する面においての規定の面積当たりの金属電極２及び下地層５の接触面積Ｓ（本例は、「Ｓ１」）を、固定層１３が金属電極２に配置されない領域、かつ金属電極２が下地層５と対向する面においての規定の面積当たりの金属電極２及び下地層５の接触面積Ｓ（本例は、「Ｓ２」）よりも大きくした。すなわち、本例の場合、金属電極２及び下地層５の接触面積Ｓを、固定層１３が配置されない箇所よりも、固定層１３が配置された箇所の方が大きくなるように設けた。
【００３６】
本例の構成によれば、金属電極２に固定層１３が設けられた箇所において、金属電極２と下地層５との間の空隙１４を小さくすることが可能となる。このため、例えば溶射等によって金属電極２に固定層１３を設けて金属電極２を固定層１３によって下地層５に固定する製造工程時、金属電極２の振動を少なく抑えることが可能となり、固定層１３の内部に発生する粗大孔２５の形成が抑制される。よって、固定層１３の通電断面積の減少が低減され、固定層１３の溶断を抑制することができる。
【００３７】
（２）金属電極２は、基部１０と、基部１０から延びる複数の配線部１１とを備える。固定層１３は、各々の配線部１１において配線部１１の一部分を覆うように配置されている。この場合、局所的に設けた固定層１３によって、金属電極２を下地層５にしっかりと固定することができる。
【００３８】
（３）金属電極２には、固定層１３が配置される箇所において下地層５に向かって突出する凸部１７が設けられ、この凸部１７が下地層５と接触する箇所を金属電極２及び下地層５の接触部１８とした。この場合、金属電極２に凸部１７を設けるという簡素な構造によって、溶射等による層形成時（固定層１３の形成時）の金属電極２の振動を少なく抑えて、固定層１３の溶断を抑制することができる。
【００３９】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態を説明する。なお、第２実施形態は、第１実施形態の固定層範囲において金属電極２と下地層５との接触面積Ｓを確保する方法を変更した実施例である。よって、第１実施形態と同様の箇所には同一符号を付して詳しい説明を省略し、異なる部分についてのみ詳述する。
【００４０】
図９及び図１０に示すように、金属電極２及び下地層５の間には、前述の下地層５とは別の層の追加下地層３１が設けられている。追加下地層３１は、固定層１３が配置される箇所の少なくとも一部分に形成されることが好ましい。また、追加下地層３１は、例えば第２下地層７の形成時と同様の工法を使用して製造するとよい。製造の具体例としては、第２下地層７の上面に、追加下地層３１の形状に応じた開口を有した金属製のマスキング材（図示略）を配置する。そして、この開口に向かって、NiCr合金粒子とベントナイト粒子とを混合した粉末を、例えばガスフレーム溶射又はプラズマ溶射等の溶射によって吹き付けてNiCr合金を溶融し、追加下地層３１を形成する。
【００４１】
このように、本例では、金属電極２及び下地層５の間に追加下地層３１を設け、この追加下地層３１が金属電極２と接触する箇所を、金属電極２及び追加下地層３１（下地の層部分）の接触部１８とした。このように、追加下地層３１によって金属電極２との接触箇所を増やすことにより、固定層１３が配置されない箇所よりも固定層１３が配置される箇所の方の接触面積Ｓを大きくとっている。
【００４２】
このように、金属電極２及び下地層５の間に追加下地層３１を形成し、金属電極２と下地の層部分との間の接触面積Ｓを確保する。これにより、金属電極２の裏面において下地の層部分で支持される面積を広くとることが可能となり、金属電極２と下地の層部分との間の空隙１４が小さく済む。このため、固定層１３の溶射粉を溶射するときの金属電極２の振動を少なく抑えることが可能となり、ひいては粗大孔２５の形成も抑制される。よって、固定層１３の通電断面積の減少が低減され、固定層１３の溶断を抑制することができる。
【００４３】
従って、第２実施形態によれば、第１実施形態に記載の効果に加えて以下の効果を得ることができる。
（４）金属電極２及び下地層５の間には、下地層５とは別の層の追加下地層３１が設けられ、追加下地層３１が金属電極２の裏面と接触する箇所を金属電極２及び下地層５の接触部１８とした。この場合、追加下地層３１を設けるという簡素な構造によって、溶射等による層形成時（固定層１３の形成時）の金属電極２の振動を少なく抑えて、固定層１３の溶断を抑制することができる。
【００４４】
なお、本実施形態は、以下のように変更して実施することができる。本実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
・各実施形態において、金属電極２の配線部１１は、整列する方向に等間隔配置されることに限定されず、非等間隔で配置されてもよい。
【００４５】
・各実施形態において、配線部１１の個数は、適宜変更してもよい。
・各実施形態において、金属電極２は、担体３に対して一対（２つ）設けられることに限定されず、１つとしてもよいし、或いは３つ以上配置してもよい。
【００４６】
・各実施形態において、金属電極２の櫛歯状は、基部１０から同一方向に延び、かつ基部１０の長手方向に等間隔配列された形状に限定されない。例えば、基部１０から両方向に突出し、かつ基部１０の長手方向に整列した形状としてもよい。
【００４７】
・各実施形態において、担体３は、触媒が担持された形状であればよい。
・各実施形態において、第１下地層６及び第２下地層７の厚さは、同じ厚さに限定されず、異なっていてもよい。
【００４８】
・各実施形態において、下地層５は、２層（第１下地層６、第２下地層７）に限定されず、３層以上としてもよい。
・各実施形態において、固定層１３の形状やサイズは、適宜変更してもよい。
【００４９】
・各実施形態において、固定層１３の材料は、下地層５と異なるものを使用してもよい。
・各実施形態において、固定層１３の配置場所は、千鳥状に限定されず、例えば各々の配線部１１の先端や根元とするなど、適宜変更してもよい。
【００５０】
・第１実施形態において、凸部１７の形状は、円形や四角形など、種々の形状を用いることができる。
・第１実施形態において、凸部１７は、穴形状に限定されず、例えば配線を屈曲した溝でもよい。
【００５１】
・第２実施形態において、追加下地層３１は、１層に限定されず、複数層としてもよい。
・第２実施形態において、追加下地層３１は、全ての固定層１３に設けられることに限定されず、全ての固定層１３のうち特定のものに選択的に設けてもよい。
【００５２】
・各実施形態において、接触面積Ｓとは、金属電極２と下地層５とが接触する箇所であればよく、接触箇所の全てを足し合わせた面積をいう。
次に、上記実施形態及び変更例から把握できる技術的思想について記載する。
【００５３】
（イ）触媒が担持された担体と、前記担体の表面において間に下地層が介装されて設けられた櫛歯状の金属電極と、前記金属電極の一部を覆うように前記下地層に接合されることにより、前記金属電極を前記下地層に固定する固定層とを備え、前記金属電極及び前記下地層の接触面積を、前記固定層が配置されない箇所よりも、前記固定層が配置された箇所の方が大きくなるように設けた触媒装置。
【符号の説明】
【００５４】
１…触媒装置、２…金属電極、３…担体、４…表面、５…下地層、１０…基部、１１…配線部、１３…固定層、１７…凸部、１８…接触部、３１…追加下地層、Ｓ…接触面積。
【図１】
2022001736.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2022001736.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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