(57)【要約】      （修正有）【課題】液処理装置に処理液を供給するための供給元となる処理液ボトルにおいて、液処理装置の処理液の供給ラインに接続される処理液ボトルの内部空間で処理液の溶剤が蒸発しない構成の処理液供給装置を提供する。【解決手段】処理液ボトル３０内の貯留処理液の溶剤の蒸発を抑えるように処理液ボトル３０内の空間に溶剤雰囲気ガスを供給する。具体的には、処理液ボトル３０の開口部に装着されたボトルキャップ１９に溶剤雰囲気ガスを供給する溶剤雰囲気ガス供給ライン４４を接続するとともに、溶剤雰囲気ガス供給ライン４４に雰囲気供給バルブ４５を設け、雰囲気供給バルブ４５の開閉を制御部で制御する。【選択図】図３
0003205076.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
基板に揮発性の溶剤を含む処理液を供給して塗布膜を形成する装置の処理液供給装置であって、
基板に向けて処理液を供給する供給ノズルと、
新規の処理液が充填された交換用の処理液ボトルと、
前記処理液ボトルの開口部に装着されて前記処理液ボトル内の処理液を送液する処理液供給配管が接続されたボトルキャップと、
前記処理液ボトルから送液されて貯留可能に構成された中間貯留部と、前記処理液を濾過するフィルタと、前記供給ノズルの上流側に設けられて濾過された処理液を前記供給ノズルに向けて送液するポンプと、
前記ボトルキャップに接続され溶剤雰囲気ガスを供給する溶剤雰囲気ガス供給ラインと、
前記溶剤雰囲気ガス供給ラインに設けられ溶剤雰囲気ガスの供給の開閉を行う雰囲気供給バルブと、
前記雰囲気供給バルブの開閉を制御する制御部と、
を備えていることを特徴とする処理液供給装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記溶剤雰囲気ガスの供給をするときに前記処理液ボトルにボトル加圧用のガスを供給して加圧をする加圧ラインを大気開放に切替えて、且つ中間貯留部に送液する中間貯留部供給ラインに設けられる中間貯留部開閉バルブを閉じるように制御することを特徴とする請求項１に記載の処理液供給装置。
【請求項３】
前記ボトルキャップは、処理液ボトル内の湿度を検出する湿度検出手段が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の処理液供給装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記処理液ボトルの内部空間の湿度が所定の湿度以下になったときに前記溶剤雰囲気ガスを処理液ボトル内に供給するように雰囲気供給バルブの開閉を制御することを特徴とする請求項３に記載の処理液供給装置。
【請求項５】
前記制御部は、湿度設定値に基づいて前記処理液ボトル内の湿度が前記所定の湿度になるように前記溶剤雰囲気ガスの供給を行うように制御することを特徴とする請求項４に記載の処理液供給装置。
【請求項６】
前記処理液ボトルの下方には前記処理液ボトルを載置して重量を検出する重量検知部が設けられ、前記制御部は重量によって設定された前記溶剤雰囲気ガスの供給時間を制御することを特徴とする請求項１に記載の処理液供給装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記中間貯留部に処理液が供給されるごとに所定の時間だけ前記溶剤雰囲気を前記処理液ボトルに供給するように制御することを特徴とする請求項１又は２に記載の処理液供給装置。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、半導体製造装置およびフラットパネルディスプレー製造装置などの基板にレジスト塗布処理などの液処理を行なうための処理液供給装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造におけるフォトレジスト処理工程は、半導体ウエハ（以下、「ウエハ」と称する。）などの基板の表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、次いで加熱乾燥させてからこのレジスト膜上に所定のパターンを露光することが行われる。
【０００３】
このレジスト塗布処理装置は、塗布処理に必要な一連の処理を個別に行う塗布処理ユニットと備えている。塗布処理ユニットは、基板の表面にレジスト液を供給してレジスト膜を形成するための塗布処理を行う。レジスト塗布処理装置にはレジスト液塗布前に基板の冷却処理を冷却処理ユニットで行い塗布後に基板を加熱してレジスト膜を硬化させる塗布後加熱処理ユニットで行う処理装置が設けられている。
【０００４】
この塗布処理ユニットは、基板上にレジスト液を供給するための配管回路を備えており、レジストボトルに貯留されたレジスト液をプロセスレシピに設定されたタイミングで供給できるように構成されている。よって、塗布処理ユニット内のチャックに保持された基板にレジスト液を供給して基板を回転させることで基板に目的の厚みのレジスト膜を形成できるように構成されることが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−６３４１１号公報（図１）
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００６】
揮発性の高い有機溶剤を含む処理液（レジスト）はレジスト塗布装置の処理液供給ライン（ディスペンス配管）に送液するまでの間で揮発が進み処理液の濃度の変動を起こす。基板は濃度の異なる処理液によって処理されることになるのでロット内またはロット間で膜厚の均一性に影響を及ぼすことになる。
【０００７】
例えば、新しい処理液ボトルと交換して処理液供給ラインに送液するには窒素ガスをレジストボトルに供給して、その圧力によって処理液ボトル内から強制排出させて送液を行う方法をとる。この様な場合の使用される窒素ガスはドライ窒素であり処理液ボトル内のレジスト液が消費された後の消費空間にドライ窒素が充満されることになる。この空間中で処理液に含まれる溶剤（シンナー）が揮発してしまい残留レジストの濃度が変わる要因となる。
【０００８】
本考案は、上記事情の問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、処理液供給ラインに送液する処理液の濃度が変動しないように処理液ボトル内の処理液の溶剤の揮発を抑える機構を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために本考案の処理液供給装置は、基板に揮発性の溶剤を含む処理液を供給して塗布膜を形成する装置の処理液供給装置であって、基板に向けて処理液を供給する供給ノズルと、新規の処理液が充填された交換用の処理液ボトルと、前記処理液ボトルの開口部に装着されて前記処理液ボトル内の処理液を送液する処理液供給配管が接続されたボトルキャップと、前記処理液ボトルから送液されて貯留可能に構成された中間貯留部と、前記処理液を濾過するフィルタと、前記供給ノズルの上流側に設けられて濾過された処理液を前記供給ノズルに向けて送液するポンプと、前記ボトルキャップに接続され溶剤雰囲気ガスを供給する溶剤雰囲気ガス供給ラインと、前記溶剤雰囲気ガス供給ラインに設けられ溶剤雰囲気ガスの供給の開閉を行う雰囲気供給バルブと、前記雰囲気供給バルブの開閉を制御する制御部と、を備えていることを特徴とする（請求項１）。
【００１０】
このように構成することによって、新規の処理液ボトルに交換されてセッティングされて処理液が送液されて空間領域が拡大したとしても処理液ボトル内部に溶剤雰囲気ガスを供給するので処理液に含まれる溶剤自体の揮発量を抑えることができる。
【００１１】
また、本考案において、本考案の処理液供給装置の前記制御部は、前記溶剤雰囲気ガスの供給をするときに前記処理液ボトルにボトル加圧用のガスを供給して加圧をする加圧ラインを大気開放に切替えて、且つ中間貯留部に送液する中間貯留部供給ラインに設けられる中間貯留部開閉バルブを閉じるように制御することを特徴とする（請求項２）。
【００１２】
このように構成することによって、溶剤雰囲気ガスを処理ボトルにスムーズに供給（導入）し内部の窒素雰囲気を置換することができる。
【００１３】
また、本考案において、本考案の処理液供給装置の前記ボトルキャップは、処理液ボトル内の湿度を検出する湿度検出手段が設けられている。さらに本考案の処理液供給装置の前記制御部は、前記処理液ボトルの内部空間の湿度が所定の湿度以下になったときに前記溶剤雰囲気ガスを処理液ボトル内に供給するように雰囲気供給バルブの開閉を制御することを特徴とする。また、前記制御部は、湿度設定値に基づいて前記処理液ボトル内の湿度が前記所定の湿度になるように前記溶剤雰囲気ガスの供給を行うように制御することを特徴とする（請求項３、請求項４、請求項５）。
【００１４】
また、本考案において、本考案の処理液供給装置に備わる前記処理液ボトルの下方には前記処理液ボトルを載置して重量を検出する重量検知部が設けられ、前記制御部は重量によって設定された前記溶剤雰囲気ガスの供給時間を制御することを特徴とする（請求項６）。
【００１５】
このように構成することによって、処理液ボトルの処理液が消費された残量から処理液ボトル内部の空間容積が分かるので、その空間に供給される溶剤雰囲気ガスの量も予め時間で設定することが出来るので無駄がなく最適な時間だけ供給することが出来る。
【００１６】
また、本考案において、本考案の処理液供給装置の前記制御部は、前記中間貯留部に処理液が供給されるごとに所定の時間だけ前記溶剤雰囲気を前記処理液ボトルに供給するように制御することを特徴とする（請求項７）。
【００１７】
このように構成することによって、溶剤雰囲気ガスを処理ボトル内の消費空間が増すごとに供給するので処理液の溶剤の蒸発が抑えられる。
【考案の効果】
【００１８】
以上に説明したように、本考案の処理液供給装置は、処理液ボトル内に貯留されている処理液が消費される過程で生じる空間領域中に残存処理液からの溶剤の蒸発を抑えることが出来る。よって、処理液の濃度の変化が抑えられている状態が維持されたまま基板に処理液が供給されることになり、濃度変化分による粘度影響が抑えられて膜厚均一性を安定させる効果が得られる。
【００１９】
さらに、処理液ボトル内部で処理液に吸収されてパーティクルになり得る成分（例えば、窒素、大気開放時の空気）を処理液ボトルから押し出すことで処理液の劣化や成分が安定する効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本考案に係るレジスト塗布現像処理装置の平面図である。
【図２】本考案に係るレジスト塗布現像処理装置の斜視図である。
【図３】本考案に係る処理液供給装置の配管構成図である。
【図４】本考案に係る溶剤雰囲気供給ラインと溶剤雰囲気発生タンクの構成図である。
【考案を実施するための形態】
【００２１】
以下にこの考案に係るレジスト塗布現像処理装置を説明する。処理液供給装置は、例えば液処理装置であるレジスト塗布現像処理装置で使用されるレジスト液を供給元となる処理液ボトルであるレジスト液ガロンビンから送液してレジスト液塗布装置内の半導体基板の表面にレジスト液を供給するまでを示しており、レジスト塗布現像処理装置に組み込まれて液処理装置と連動して動作する構成を成している。処理液供給装置が組み込まれるレジスト塗布現像処理装置の形態として、図１，図２の半導体基板であるウエハＷのレジスト塗布現像処理装置に適用した場合について説明する。レジスト塗布現像処理装置は、キャリアブロックＳ１が設けられており、その載置台２１上に載置された密閉型の基板収納容器であるキャリア２０から開閉部２２を介して受け渡しアームＣがウエハＷを取り出して、キャリアブロックＳ１の奥側に筐体２４で囲まれた処理ブロックＳ２に受け渡し、処理ブロックＳ２から受け渡しアームＣが処理済みのウエハＷを受け取ってキャリア２０に戻すように構成されている。
【００２２】
前記処理ブロックＳ２は、図２に示すように、この例では現像処理を行うため現像処理装置の第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１，Ｂ２、本考案の対象となるレジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うため下層反射防止膜塗布装置が設けられる第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ３、本考案の対象となるレジスト膜の塗布を行うためレジスト塗布処理装置が設けられる第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４、本考案の対象となるレジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成を行うため上層反射防止膜塗布装置の第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ５を、下から順に積層して構成されている。
【００２３】
レジスト塗布現像処理装置は、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１，Ｂ２、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ３、レジスト膜の塗布を行うための第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成を行うための第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ５、により構成される。
【００２４】
例えば、第４のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４を例にとると、各層については、図１に示すように、ＣＯＴユニット３１内にレジストを塗布処理するカップが例えば３個設けられている。そして、搬送アームＡ４の直線搬送を挟む形で加熱及び冷却系の処理ユニット群Ｕ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４がそれぞれ前記直線搬送路に面して並べられている。この処理ユニット群Ｕ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４はそれぞれ２段に構成されており、図１の図面では合計８個の処理ユニットが存在することになる。
【００２５】
更に処理ブロックＳ２には、図１に示すように棚ユニットＵ５（詳細構成は図示せず）が設けられ、キャリアブロックＳ１からのウエハＷは、受け渡しアームＣによって棚ユニットＵ５の受け渡しユニットとなる３本のピンが立設してなるトラジションステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２（図示省略）に受け渡されて、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２の対応する冷却処理ユニットＣＰＬ２（クーリングプレート）（図示省略）に、棚ユニットＵ５の横近傍に設けられた昇降自在な受け渡しアームＤによって順次搬送される。また、処理ブロックＳ２のキャリアブロックＳ１と反対側のインターフェイスブロックＳ３に隣接する位置には棚ユニットＵ６が設けられている。棚ユニットＵ６は棚ユニットＵ５と同様に構成されており、受け渡しアームＥでウエハＷを各層に昇降可能に構成されている。なお、棚ユニットＵ５は、図示しないクーリングプレートＣＰＬ、トラジションステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２が複数を備えておりそれらを積層して構成されている。また、棚ユニットＵ６（詳細構成は図示せず）は、棚ユニットＵ５と同様に構成されている。
【００２６】
前記第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２内の搬送アームＡ３（詳細構成は図示せず）は、棚ユニットＵ５の冷却処理ユニットＣＰＬからウエハＷを受け取って、各ユニット（反射防止膜ユニット及び加熱・冷却系の処理ユニット群）に搬送し、これらユニットにてウエハＷには反射防止膜が形成される。同様にして、ＢＣＴ層Ｂ２で処理の完了したウエハＷは棚ユニットＵ６の冷却処理ユニットＣＰＬに搬送されて受け渡しアームＥによりＣＯＴ層Ｂ４に対応する冷却処理ユニットＣＰＬに搬送されてＣＯＴ層Ｂ４の搬送アームＡ４によって各処理ユニットに運ばれてレジスト塗布処理が行われる。
【００２７】
この後は冷却処理ユニットＣＰＬに運ばれ、前述と同様に受け渡しアームＤが受け取り冷却処理ユニットＣＰＬに受け渡されてＴＣＴ層Ｂ５の搬送アームＡ５（詳細構成は図示せず）によって目的の反射防止膜処理がなされる。この後に棚ユニットＵ６の冷却ユニットＣＰＬに受け渡されて、受け渡しアームＥによりトラジションステージＴＲＳ３，ＴＲＳ４（図示省略）にウエハＷが受け渡される。このウエハＷをインターフェイスブロックＳ３にある受け渡しアームＦにより露光機Ｓ４に受け渡しをすることになる。露光機Ｓ４から搬出されたウエハＷは受け渡しアームＦが受け取り、ウエハＷを支持するための３ピンが出没可能に構成されてなる冷却処理ユニットＣＰＬに受け渡された後、現像処理がＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２（詳細構成は図示せず）にて行われる。その後、冷却処理ユニットＣＰＬに受け渡されて通過させてキャリアブロックＳ１の受け渡しアームＣが受け取ってキャリア２０に収納される。
【００２８】
図３、図４を使って本考案の処理液供給装置を説明する。本考案の処理液供給装置では図４に図示するボトル３０の関係する構成と図３に図示するボトル３０から吐出ノズル５５までを言う。例えば、図１のＣＯＴユニット２６（詳細な図示せず）にはウエハＷを回転自在で吸着保持できるスピンチャック２９と、このスピンチャック２９を囲むように設けられる処理カップ２８を備えており、スピンチャック２９に吸着されたウエハＷ上面に吐出ノズル５５から例えばレジスト液を適量吐出して厚さが均一に近い塗布膜を形成する液処理が行われる。
【００２９】
次に図３に説明するディスペンスシステム７０の最下流となるレジスト液の吐出ノズル５５から上流側の配置を順に説明する。吐出バルブ５５の上流側には供給ライン５１の配管で接続される所定のタイミングでレジスト液を吐出するためのディスペンスバルブ５４がありその上流にレジスト液を送液するための供給ポンプ５３とレジスト液を濾過するフィルタ５２と流路遮断用の流路バルブ５０が設けられている。
【００３０】
流路バルブ５０の上流側には所定量のレジスト液を一時的に溜め置くための中間タンク３３とこの中間タンク３３にレジスト液を供給する交換可能なボトル３０を備え、このボトル３０と中間タンク３３の間の配管３４には中間タンク供給バルブ３２が設けられる。
【００３１】
中間タンク３３には貯留液量を検出する３つの液面検出手段が設けられ、この中間タンク３３の液量が不足してボトル３０からのレジスト液の供給を開始させるための下限センサ３８と液量が所定値に達して中間タンク３０への供給を停止させる上限センサ３７と貯留量の最下限を検出する下限センサ３９を備えている。中間タンク３３の上部にはレジスト液の供給時にドレイン３６の配管を開くドレインバルブ３５と中間タンク３３を加圧してレジスト液を圧送するために窒素を供給する中間タンク加圧ライン１４と逆支弁１５と窒素供給の開閉を行う加圧バルブ１６が接続される。
【００３２】
次にボトル３０の加圧と本考案の構成の主要部を説明する。ボトル３０の開口部にはボトルキャップ１９が接続されて封止されて外気と直接触れない構造を有している。ボトルキャップ１９には中間タンク３３へ送液するための供給チューブ３１が貫通してボトル底部まで延びている。さらに窒素による加圧をおこなうための配管と圧力を調整するレギュレータ１０とその開閉を行うボトル加圧バルブ１８を備えた加圧ライン１１が接続されている。このボトル加圧バルブ１８にはボトル３０の内圧を抜くための開放側に切り替えることが出来るとともに圧力開放調整バルブ１３に接続されて大気開放することが出来る。さらにボトル３０内部に例えばレジスト液の溶剤であるシンナーと同じ溶剤雰囲気ガスを供給する雰囲気ガス供給ライン４４の配管がボトルキャップ１９に接続されている。
【００３３】
溶剤雰囲気ガスの生成には、溶剤雰囲気発生タンク４３にシンナー供給配管４１から供給されて貯留された状態のシンナー液中に窒素を窒素供給配管が接続されてＮ２供給バルブ４２の開閉によって供給してバブリングさせることにより生成する。生成された溶剤雰囲気ガスを雰囲気ガス供給バルブ４５を開いてボトル３０内に供給する。ここで、溶剤雰囲気ガスとは、処理液（ここでは、レジスト液）に含まれる溶剤（ここでは、シンナー）が気化した気体を含有するガスを指す。溶剤が気化した気体の含有比率（濃度）は特に限定されるものではなく、溶剤が気化した気体のみからなるガスでもよく、他の気体（ここでは、窒素）が混合されたガスでもよい。他の気体と混合する場合には、溶剤が気化した気体と反応したり或は溶剤が気化した気体を劣化させることがないよう考慮し、不活性ガスを用いるのが好ましい。
【００３４】
次に溶剤雰囲気ガスの供給までの流れを説明する。レジスト液が吐出ノズル５５より吐出されて中間タンク３３の貯留量が減り下限センサ３８で液面が検出されると制御部４０によりボトル加圧バルブ１８と中間タンク供給バルブ３２が開かれてボトル３０が窒素により加圧されるとともにボトル３０から中間タンク３３に送液されて上限センサ３７が液面を検出して送液が停止される。
【００３５】
このときにボトル３０の内部は送液された量分の消費空間領域にドライ窒素が供給されておりレジスト液の溶剤の蒸発が始まっている。ボトル３０の窒素加圧を停止すると同時にボトル加圧バルブ１８を大気開放側に切り替え後に雰囲気ガス供給バルブ４５を開けて溶剤雰囲気ガスをボトル３０内部に供給して消費空間領域の窒素と置換を行う。溶剤雰囲気ガスはＮ２供給バルブ４２を開いて溶剤雰囲気発生タンク４３内をバブリングさせることも連動させて良い。
【００３６】
このようにボトル３０内部に溶剤雰囲気ガスを供給することによりボトル３０内部に貯留されているレジスト液からの溶剤の蒸発が抑えられることになり、よってレジスト液の濃度変化が抑えられるので中間タンク３３以降から吐出ノズル５５の配管中においても均質な濃度を維持できるので成膜時の膜厚均一性に影響を与えることがない。
【００３７】
前述の構成のボトルキャップ１９に湿度検出手段としての湿度センサ３６を取り付けてボトル３０内部の湿度をモニターする。これにより雰囲気ガスの供給の開始と停止を制御部４０で制御してもよい。ボトル３０内部での湿度と雰囲気ガスの相関データを制御部４０に記憶しておいて所定の湿度以下になれば雰囲気ガスを供給するようにできる。
【００３８】
次にボトル３０への雰囲気ガスの供給をボトル３０のレジスト液の貯留量を重量センサ値から消費空間領域の容積を推定することができるので雰囲気ガスの供給時間を最適化することができる。例えば、ボトル３０の下方に重量検出部としての重量センサ４６を設け、重量センサ４６に載置したボトル３０の重量を検出し、重量センサ４６で液面Ａに相当する重量における消費空間領域では雰囲気ガス供給時間を５秒に、液面Ｂに相当する重量に置ける消費空間領域では雰囲気ガスを２５秒に設定する。また、前述の湿度センサ３６と組み合わせて設定時間内での置換が確実に終わっているかを湿度センサ３６の値によって判定させることもできる。
【００３９】
上記実施形態では、この考案に係る処理液供給装置を半導体のレジスト塗布現像装置システムに適用した場合について説明をしたが、この考案に係る処理液供給装置は、ＦＰＤ基板の処理システムや洗浄装置にも適用できることは勿論のことである。
【符号の説明】
【００４０】
１８          ボトル加圧バルブ
１９          ボトルキャップ
３０          ボトル
３２          中間タンク供給バルブ
３３          中間タンク
３６          湿度センサ
４０          制御部
４３          溶剤雰囲気発生タンク
４４          雰囲気ガスライン
４５          雰囲気ガス供給バルブ
４６          重量センサ
【図１】
0003205076.tif 000003
【図２】
0003205076.tif 000004
【図３】
0003205076.tif 000005
【図４】
0003205076.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月21日(2016.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】実用新案登録請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
基板に揮発性の溶剤を含む処理液を供給して塗布膜を形成する装置の処理液供給装置であって、
基板に向けて処理液を供給する供給ノズルと、
新規の処理液が充填された交換用の処理液ボトルと、
前記処理液ボトルの開口部に装着されて前記処理液ボトル内の処理液を送液する処理液供給配管が接続されたボトルキャップと、
前記処理液ボトルから送液されて貯留可能に構成された中間貯留部と、前記処理液を濾過するフィルタと、前記供給ノズルの上流側に設けられて濾過された処理液を前記供給ノズルに向けて送液するポンプと、
前記ボトルキャップに接続され溶剤雰囲気ガスを供給する溶剤雰囲気ガス供給ラインと、
前記溶剤雰囲気ガス供給ラインに設けられ溶剤雰囲気ガスの供給の開閉を行う雰囲気供給バルブと、
前記雰囲気供給バルブの開閉を制御する制御部と、
を備えていることを特徴とする処理液供給装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記溶剤雰囲気ガスの供給をするときに前記処理液ボトルにボトル加圧用のガスを供給して加圧をする加圧ラインを大気開放に切替えて、且つ中間貯留部に送液する中間貯留部供給ラインに設けられる中間貯留部開閉バルブを閉じるように制御することを特徴とする請求項１に記載の処理液供給装置。
【請求項３】
前記ボトルキャップは、処理液ボトル内の湿度を検出する湿度検出手段が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の処理液供給装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記処理液ボトルの内部空間の湿度が所定の湿度以下になったときに前記溶剤雰囲気ガスを処理液ボトル内に供給するように雰囲気供給バルブの開閉を制御することを特徴とする請求項３に記載の処理液供給装置。
【請求項５】
前記制御部は、湿度設定値に基づいて前記処理液ボトル内の湿度が前記所定の湿度になるように前記溶剤雰囲気ガスの供給を行うように制御することを特徴とする請求項４に記載の処理液供給装置。
【請求項６】
前記処理液ボトルの下方には前記処理液ボトルを載置して重量を検出する重量検知部が設けられ、前記制御部は重量によって設定された前記溶剤雰囲気ガスの供給時間を制御することを特徴とする請求項１に記載の処理液供給装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記中間貯留部に処理液が供給されるごとに所定の時間だけ前記溶剤雰囲気ガスを前記処理液ボトルに供給するように制御することを特徴とする請求項１又は２に記載の処理液供給装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本考案において、本考案の処理液供給装置の前記制御部は、前記中間貯留部に処理液が供給されるごとに所定の時間だけ前記溶剤雰囲気ガスを前記処理液ボトルに供給するように制御することを特徴とする（請求項７）。