(57)【要約】      （修正有）【課題】直列基板処理ツールに使用するウインドウアセンブリおよび直列基板処理ツールを提供する。【解決手段】直列基板処理ツールに使用するウインドウアセンブリ２１４は、内表面および外表面を有するウインドウ本体２９０であって、放射熱ランプから放出された放射熱２６８を通過させるように構成された中心半透明部２５４と、中心半透明部２５４の周りに配設されるとともに内表面および外表面それぞれに配設された表面処理部であり、放射熱ランプから放出された放射熱２６８の全反射を最小限に抑えるように構成された、表面処理部とを具備した、ウインドウ本体２９０と、ウインドウ本体２９０の外縁に近接して、ウインドウ本体２９０の内表面および外表面それぞれに配設された１つまたは複数の成形シール２８０とを備えていてもよい。【選択図】図２Ｂ
0003203666.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
直列基板処理ツールに使用するウインドウアセンブリであって、
内表面および外表面を有するウインドウ本体であり、
放射熱ランプから放出された放射熱を通過させるように構成された中心半透明部と、
前記中心半透明部の周りに配設されるとともに前記内表面および外表面それぞれに配設された表面処理部で、前記放射熱ランプから放出された放射熱の全内部反射を最小限に抑えるように構成された、表面処理部と、
を具備した、ウインドウ本体と、
前記ウインドウ本体の外縁に近接して、前記ウインドウ本体の前記内表面および外表面それぞれに配設された１つまたは複数の成形シールと、
を備えた、ウインドウアセンブリ。
【請求項２】
前記１つまたは複数の成形シールに近接して配設された差圧真空シールであって、真空チャネルを有するデュアルシールを具備した、差圧真空シールをさらに備えた、請求項１に記載のウインドウアセンブリ。
【請求項３】
前記差圧真空シールが、２つの成形シール間に配設された、請求項２に記載のウインドウアセンブリ。
【請求項４】
前記差圧真空シールが、当該差圧真空シールの膨張領域内の基準圧力を監視することによって、シール完全性の継続的な実時間監視を可能にする、請求項２に記載のウインドウアセンブリ。
【請求項５】
前記中心半透明部が、ＩＲ放射に半透明な材料で製造された、請求項１から４のいずれか一項に記載のウインドウアセンブリ。
【請求項６】
前記中心半透明部が、透き通った平らな石英（ＳｉＯ２）で製造された、請求項から４のいずれか一項に記載のウインドウアセンブリ。
【請求項７】
前記表面処理部が、当該表面処理部の内表面および外表面にビーズブラストされた、請求項１から４のいずれか一項に記載のウインドウアセンブリ。
【請求項８】
前記表面処理部の幅が、約１インチ〜約４インチであり、当該ウインドウアセンブリの周囲に近接して配設された、請求項１から４のいずれか一項に記載のウインドウアセンブリ。
【請求項９】
前記１つまたは複数の成形シールが、成形フルオロカーボンまたはポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）シールである、請求項１から４のいずれか一項に記載のウインドウアセンブリ。
【請求項１０】
前記１つまたは複数の成形シールが、矩形ガスケットまたは円形Ｏリングの一方である、請求項１から４のいずれか一項に記載のウインドウアセンブリ。
【請求項１１】
前記ウインドウ本体が、約６ｍｍ〜約８ｍｍの厚さである、請求項１から４のいずれか一項に記載のウインドウアセンブリ。
【請求項１２】
前記表面処理部が、前記１つまたは複数の成形シールの表面における熱伝導性および光伝送性を最小限に抑える、請求項１から４のいずれか一項に記載のウインドウアセンブリ。
【請求項１３】
直列基板処理ツールであって、
基部とそれぞれが基板支持面を有する一対の対向基板支持体とを有する基板キャリアと、
複数のモジュールであって、前記基板キャリアが該複数のモジュールを通るよう案内を容易化する、該複数のモジュールの軸長に沿って設けられたトラックを含む直線的な配置で互いに結合される、複数のモジュールとを備え、当該複数のモジュールのうちの少なくとも１つのモジュールが、
当該少なくとも１つのモジュールの内容積に放射熱を供給する加熱ランプと、
ウインドウアセンブリと、を備え、当該ウインドウアセンブリが、
内表面および外表面を有するウインドウ本体であって、中心半透明部と、前記中心半透明部の周りに配設されるとともに前記内表面および外表面それぞれに配設された表面処理部であり、前記加熱ランプから放出された放射熱の全内部反射を最小限に抑える、表面処理部とを具備した、ウインドウ本体と、
前記ウインドウ本体の外縁に近接して、前記ウインドウ本体の前記内表面および外表面それぞれに配設された１つまたは複数の成形シールと、
を備えた、直列基板処理ツール。
【請求項１４】
前記ウインドウアセンブリが、真空チャネルを有するデュアルシールを具備した差圧真空シールをさらに備えた、請求項１３に記載の直列基板処理ツール。
【請求項１５】
前記差圧真空シールが、２つの成形シール間に配設された、請求項１４に記載の直列基板処理ツール。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案の実施形態は一般的に、半導体処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
アモルファスおよび多結晶太陽電池は、光をエネルギーに変換する効率が制限されている。単結晶高移動度材料は、はるかに高い効率が可能であるが、通常、はるかに高価である。従来の装置は、最も高い要求および非常に高いコストを伴う半導体用途に設計されている。ただし、これらのシステムはすべて、高コストであり、高スループットの自動化が不可能である。
【０００３】
高スループットで光電池用途の超低コストのエピタキシャル堆積を実現するため、本考案者らは、単にすべてを大型化するのではなく、根本的な変更が必要と考えている。たとえば、本考案者らは、バッチリアクタが材料、消耗品、および自動化課題の高コストにより、スループットが制限されていることを確認した。また、非常に高い流量の水素、窒素、水、および前駆体も必要である。さらに、厚膜の成長時には、多量の危険な副産物が生成される。
【０００４】
エピタキシャル処理に対しては、連続リアクタが何回も試されているが、生産に値しないばかりか、良好な前駆体の使用も実現されていない。主な問題点として、膜質が低く、過度な保守が必要である。
【０００５】
一方、単一ウエハリアクタは、前駆体および動力（電力）の利用効率が非常に低く、ウエハ当たりのスループットも低い。また、単一ウエハリアクタでは、複雑な基板持ち上げ／回転機構が必要となる。このように、単一ウエハリアクタは、非常に高い品質、低い金属汚染レベル、ならびに良好な厚さ均一性および抵抗が可能であるものの、これらの結果を得るためのウエハ当たりのコストは、非常に高い。
【０００６】
さらに、エピタキシャルシステムにおける放射加熱に関して、これらのシステムに用いられるウインドウアセンブリは、大きな温度勾配および圧力差に耐える必要がある。いくつかのエピタキシャルシステムでは、製造に高価な機械加工および溶接を要する円形のドーム状ウインドウを用いることによって、大きな温度勾配および圧力差に耐え得るウインドウを構成する。また、シールについても、高温および大きな圧縮荷重に耐える必要がある。このように、昇温時の密封を可能とする単純で低コストのウインドウおよびシールが求められている。
【０００７】
したがって、本考案者らは、高い前駆体利用、簡単な自動化、低コスト、ならびに高いスループットおよび処理品質を有する比較的簡単なリアクタ設計のうちの一部または全部をもたらし得る基板処理ツールの実施形態を提供している。また、本考案者らは、非常に低いコストでウインドウサイズの拡大が可能なウインドウアセンブリの実施形態を提供している。
【考案の概要】
【０００８】
本明細書においては、直列基板処理ツールに使用する装置を提供する。いくつかの実施形態において、直列基板処理ツールに使用するウインドウアセンブリは、内表面および外表面を有するウインドウ本体であって、放射熱ランプから放出された放射熱を通過させるように構成された中心半透明部と、中心半透明部の周りに配設されるとともに内表面および外表面それぞれに配設された表面処理部であり、放射熱ランプから放出された放射熱の全反射を最小限に抑えるように構成された、表面処理部とを具備した、ウインドウ本体と、ウインドウ本体の外縁に近接して、ウインドウ本体の内表面および外表面それぞれに配設された１つまたは複数の成形シールとを備えていてもよい。
いくつかの実施形態において、直列基板処理ツールは、基部とそれぞれが基板支持面を有する一対の対向基板支持体とを有する基板キャリアと、直線的な配置で互いに結合されるとともに軸長に沿って設けられたトラックを具備することにより基板キャリアの案内を容易化する複数のモジュールであって、当該複数のモジュールのうちの少なくとも１つのモジュールが、当該少なくとも１つのモジュールの内容積に放射熱を供給する加熱ランプと、内表面および外表面を有するウインドウ本体であり、中心半透明部と、当該中心半透明部の周りに配設されるとともに内表面および外表面それぞれに配設された表面処理部であり、加熱ランプから放出された放射熱の全反射を最小限に抑える、表面処理部とを具備した、ウインドウ本体と、当該ウインドウ本体の外縁に近接して、ウインドウ本体の内表面および外表面それぞれに配設された１つまたは複数の成形シールとを備えた、ウインドウアセンブリとを備えた、複数のモジュールとを備える。
【０００９】
本考案の他の別の実施形態については、以下に説明する。
【００１０】
以上簡単にまとめるとともに以下に詳述する本考案の実施形態は、添付の図面に示す本考案の例示的な実施形態を参照することによって理解可能である。ただし、添付の図面は、本考案の代表的な実施形態のみを図示しており、本考案の実施形態が他の同様に効果的な実施形態も認め得ることから、本考案の範囲を制限するものと考えるべきではないことに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本考案のいくつかの実施形態に係る、インデックス直列基板処理ツールを示した図である。
【図２Ａ】本考案のいくつかの実施形態に係る、基板処理ツールのモジュールに使用するウインドウアセンブリの側面断面図である。
【図２Ｂ】本考案のいくつかの実施形態に係る、基板処理ツールのモジュールに使用するウインドウアセンブリの端面断面図である。
【図３】本考案のいくつかの実施形態に係る、基板処理ツールのモジュールを示した図である。
【図４】本考案のいくつかの実施形態に係る、ガス入り口の概略上面図である。
【図５】本考案のいくつかの実施形態に係る、基板処理ツールに使用する基板キャリアを示した図である。
【考案を実施するための形態】
【００１２】
理解を容易にするため、可能な限り同一の参照番号を使用することによって、各図に共通する同一の要素を指定している。各図は、縮尺通りには描いておらず、明瞭化のため簡素化している場合がある。一実施形態の要素および特徴は、別途記述することなく、他の実施形態において有利に組み込み可能であると考えられる。
【００１３】
本明細書においては、エピタキシャルシリコン堆積のための高容量で低コストのシステムの実施形態を提供する。範囲を制限するものではないが、本考案者らは、本考案に係る基板処理システムが太陽電池製造用途において特に好都合となり得るものと考えている。また、本明細書においては、エピタキシャルシリコン堆積のための高容量で低コストのシステムに使用する、非常に低いコストでウインドウサイズの拡大が可能なウインドウアセンブリの実施形態を提供する。
【００１４】
本考案に係るシステムは、多段基板処理の実行に用いられる従来の基板処理ツールと比べて、コスト効果が高く簡単な製造可能性ならびにエネルギーおよびコスト効率が高い使用を可能とするものであり都合が良い。
【００１５】
たとえば、基本的な設計構成要素は、平板に基づいており、容易に入手可能な材料を標準的な形態で使用することによりコストを低く維持することによって、製造を簡素化するとともにコストを抑制する。高信頼性の直線的なランプを使用可能である。また、特定のランプを特定の用途に最適化可能である。これらのランプは、エピタキシャル堆積リアクタに通常用いられる種類のものであってもよい。また、システム内の流れ場を特定の各用途に最適化することによって、廃棄物を最小限に抑えることができる。この設計は、パージガスに対する要求を最小化するとともに前駆体の利用を最大化する。また、排気システムに洗浄ガスを追加することによって、排気チャネルからの堆積材料の除去を容易化するようにしてもよい。また、ロードおよびアンロードの自動化を分離することによって、直列処理を容易化可能である。複雑な自動化は、オフラインで取り扱い可能である。基板は、システムの柔軟性を最大化するため、キャリア（サセプタ）にプリロードすることによって、他のステップへの統合を容易化する。このシステムは、システム構成の柔軟性をもたらす。たとえば、複数の堆積チャンバ（または、ステーション）を組み込むことによって、多層構造またはより高いスループットを実現可能である。
【００１６】
エピタキシャルシリコン堆積のための高容量で低コストのシステムの実施形態は、独立基板処理ツール、クラスタ基板処理ツールまたはインデックス直列基板処理ツールを用いて実行するようにしてもよい。図１は、本考案のいくつかの実施形態に係る、インデックス直列基板処理ツール１００である。インデックス直列基板処理ツール１００は一般的に、所望の半導体用途に関して基板に任意の処理を施すように構成されていてもよい。たとえば、いくつかの実施形態において、インデックス直列基板処理ツール１００は、たとえばエピタキシャル堆積処理等の１つまたは複数の堆積処理を施すように構成されていてもよい。
【００１７】
インデックス直列基板処理ツール１００は一般的に、直線状に結合された複数のモジュール１１２（図示の第１のモジュール１０２Ａ、第２のモジュール１０２Ｂ、第３のモジュール１０２Ｃ、第４のモジュール１０２Ｄ、第５のモジュール１０２Ｅ、第６のモジュール１０２Ｆ、および第７のモジュール１０２Ｇ）を備える。基板は、矢印１２２で示すように、インデックス直列基板処理ツール１００を通って移動するようになっていてもよい。いくつかの実施形態においては、たとえば図５〜図８に関して後述する基板キャリア５０２、６０２および７０２等の基板キャリア上に１つまたは複数の基板が配設されることによって、インデックス直列基板処理ツール１００を通る当該１つまたは複数の基板の移動が容易化されるようになっていてもよい。
【００１８】
複数のモジュール１１２はそれぞれ個々に、所望の処理の一部を実行するように構成されていてもよい。モジュールそれぞれを用いて所望の処理の一部のみを実行することにより、複数のモジュール１１２の各モジュールは、処理の当該部分に対して最も効率的に動作するように明確に構成および／または最適化されることにより、多段処理の実行に用いられる従来使用のツールと比べて、インデックス直列基板処理ツール１００がより効率化されていてもよい。
【００１９】
また、所望の処理の一部を各モジュールで実行することにより、各モジュールに与えられる処理リソース（たとえば、電力、処理ガス等）は、当該モジュールが完結するように構成された処理の部分の完結のみに必要な処理リソースの量によって決まることにより、多段処理の実行に用いられる従来使用のツールと比べて、本考案に係るインデックス直列基板処理ツール１００がより効率化されていてもよい。
【００２０】
さらに、別個のモジュールによって、たとえばｐ＋＋ドーパントを１０ミクロン、ｐ＋ドーパントを１０ミクロン、ｎドーパントを１０ミクロン等、異なるドーパントの層を１つまたは複数の基板上に堆積できて都合が良い。一方、従来の単一チャンバにおいて、異なるドーパントの堆積は、互いに干渉するため禁止されている。また、エピタキシャル層が別個のチャンバで構築される直列の直線的な堆積は、モジュール間でのパージガスの使用に起因する基板からキャリア上へのエピタキシャルシリコン（Ｓｉ）の過成長または架橋を防止するのに役立ち（後述）、あるモジュールから次のモジュールへの移送段階においてエッチング効果をもたらす。
【００２１】
いくつかの実施形態におけるインデックス直列基板処理ツール１００の例示的な構成において、第１のモジュール１０２Ａは、パージガスの供給によって、たとえば基板および／もしくは基板キャリアからの不純物の除去ならびに／または適当な雰囲気中への基板の導入による堆積を行うように構成されていてもよい。第２の１０２Ｂモジュールは、予備加熱または温度傾斜によって、堆積を行うのに適した温度まで基板の温度を上昇させるように構成されていてもよい。第３のモジュール１０２Ｃは、焼成により、材料の堆積に先立って、揮発性の不純物を基板から除去するように構成されていてもよい。第４のモジュール１０２Ｄは、所望の材料を基板上に堆積させるように構成されていてもよい。第５のモジュール１０２Ｅは、たとえばアニーリング処理等の堆積後処理を行うように構成されていてもよい。第６のモジュール１０２Ｆは、基板を冷却するように構成されていてもよい。第７のモジュール１０２Ｇは、パージガスの供給により、インデックス直列基板処理ツール１００からの除去に先立って、たとえば基板および／または基板キャリアから処理残留物を除去するように構成されていてもよい。特定の処理が不要な実施形態においては、処理の当該部分用に構成されたモジュールを省略するようにしてもよい。たとえば、堆積後のアニーリングが不要であれば、アニーリング用に構成されたモジュール（たとえば、上記例示的な実施形態における第５のモジュール１０２Ｅ）を省略するか、または所望の異なる処理用に構成されたモジュールで置き換えるようにしてもよい。
【００２２】
基板処理ツール１００のいくつかの実施形態は、隣接した基板キャリアをモジュール１０２Ａ〜１０２Ｇで連続的に移送可能な直列「プッシュ機構」（図示せず）等の機構を具備する。たとえば、インデックス輸送では、空気圧プランジャ式プッシュ機構を用いることにより、直列リアクタでキャリアモジュールを前に進めることができる。
【００２３】
複数のモジュールのうちの一部または全部は、たとえばバリア１１８によって隣接モジュールから隔離または遮蔽されることにより、インデックス直列基板処理ツール１００の他のモジュールに対して、隔離された処理容積の保守が容易化されていてもよい。たとえば、いくつかの実施形態において、バリア１１８は、隣接モジュール間に供給されて当該モジュールを互いに隔離または実質的に隔離する空気または不活性ガス等のガスカーテンであってもよい。いくつかの実施形態において、ガスカーテンは、各モジュールまたは所望のモジュール（堆積またはドーピングモジュール等）の４つの垂直壁すべてに沿って供給することにより、モジュールまたはキャリアの望ましくない位置における不要な２次汚染または堆積を制限可能である。また、このような隔離により、炭素または水分等の汚染物質が反応ゾーン／基板に到達することが防止される。
【００２４】
いくつかの実施形態において、バリア１１８は、開放によりあるモジュールから次のモジュールへの基板キャリアの移動を可能にするとともに、閉鎖によりモジュールを隔離可能なゲートまたはドアであってもよい。いくつかの実施形態において、インデックス直列基板処理ツール１００は、たとえばガスカーテンおよびゲートの両者を具備し、ガスカーテンによる一部のモジュールの分離とゲートによる他のモジュールの分離および／またはガスカーテンとゲートによる一部のモジュールの分離を行うようにしてもよい。プッシュ機構が各チャンバの所望の位置に基板キャリアを搬送すると、ドア／ゲートアセンブリ（およびチャンバ直列要素）が基板キャリアの周りを密閉することによって、各チャンバ内に閉塞領域を形成する。ドア機構の開放または閉鎖に際して、ガス流（すなわち、ガスパージまたはガスカーテン）が各ドアとその隣接キャリアとの間に供給されることで、チャンバ間の２次汚染が防止される。供給されたガス流は、処理ツール１００の底部に配設された１つまたは複数の排気口により受容される。
【００２５】
いくつかの実施形態においては、位置に応じて窒素またはアルゴンガスを用いたパージガスカーテンにより隔離がもたらされる。たとえば、高温の処理領域におけるガスカーテンは、アルゴンガスを用いて形成される。高温の処理領域から離れたゲート近傍の低温領域におけるガスカーテンは、窒素を用いることによって、運用コストを最小限に抑えることも可能である。窒素ガスカーテンは、各モジュールの低温不活性部分でのみ使用可能である。
【００２６】
いくつかの実施形態においては、インデックス直列基板処理ツール１００の第１の端部１１４にロードモジュール１０４が配設され、インデックス直列基板処理ツール１００の第２の端部１１６にアンロードモジュール１０６が配設されていてもよい。ロードモジュール１０４およびアンロードモジュール１０６が存在する場合は、これらによって、インデックス直列基板処理ツール１００に対する基板の提供および基板の撤去がそれぞれ容易化されるようになっていてもよい。いくつかの実施形態において、ロードモジュール１０４およびアンロードモジュール１０６は、真空ポンプの大気圧復帰機能を提供することにより、インデックス直列基板処理ツール１００外側の大気条件からインデックス直列基板処理ツール１００内の条件（真空圧を含んでいてもよい）への基板の移送を容易化するようになっていてもよい。いくつかの実施形態においては、１つまたは複数の基板キャリア移送ロボットを利用することにより、ロードモジュール１０４およびアンロードモジュール１０６に対する基板キャリアの提供および撤去を行うことで、インデックス直列基板処理ツール１００に対する基板キャリアの自動ローディングおよびアンローディングを提供するようにしてもよい。
【００２７】
いくつかの実施形態においては、インデックス直列基板処理ツール１００の軸長に沿ってトラック１２０を設けることにより、インデックス直列基板処理ツール１００を通る基板キャリアの案内を容易化するようにしてもよい。トラック１２０は、インデックス直列基板処理ツール１００が備え付けられた施設の床面等の基面に沿って設けられていてもよい。このような実施形態において、各モジュールは、当該モジュールの露出底部に沿ってトラック１２０が位置決めされることで各モジュールを通るトラック１２０に沿った基板キャリアの移動が容易化されるように組み立てられるように構成されていてもよい。あるいは、トラック１２０は、直線状のアセンブリでモジュールの底面に備え付けられるようになっていてもよい。あるいは、すべてのモジュールが直線状に組み立てられた後にトラック１２０全体が形成されるように、各個別モジュールの底面にトラック１２０の一部が備え付けられていてもよい。いくつかの実施形態において、トラック１２０は、車輪、ボールベアリング、または他の種類のローラを具備することにより、トラック１２０に沿った基板キャリアの低摩擦移動を容易化するようになっていてもよい。いくつかの実施形態において、トラック１２０は、図２に関して後述するような低摩擦材料で製造または被覆することにより、トラック１２０に沿った基板キャリアの低摩擦移動を容易化するようになっていてもよい。
【００２８】
いくつかの実施形態においては、ロードモジュール１００とアンロードモジュール１０６との間に洗浄モジュール１１０が配設されていてもよい。洗浄モジュール１１０が存在する場合は、これによって、基板キャリアの洗浄および／または準備を行うことにより、（帰還路矢印１０８で示すように）インデックス直列基板処理ツール１００を通る次回の別の１つまたは複数の基板を受容するようにしてもよい。このため、基板キャリアは、複数回にわたって再使用可能である。
【００２９】
図２Ａは、上述の複数のモジュール１１２のモジュールのうちの１つまたは複数として使用可能であり、いくつかの実施形態においては基板上への材料の堆積用に構成されたモジュールとして使用可能なモジュール１０２Ｄ等のモジュールの例示的な構成の断面図である。以下では、特定のモジュール（１０２Ｅ）に関して一般的に論じるが、この説明は一般的に、堆積処理に特段必要な構成要素および／または構成を除いて、すべてのモジュールに当てはまる。
【００３０】
図２を参照するに、いくつかの実施形態において、モジュール１０２Ｄは一般的に、筐体２０２を備える。筐体２０２は、たとえばアルミニウム、ステンレス鋼といった金属等、半導体処理に適した任意の材料で製造されていてもよい。また、筐体２０２は、所与のサイズの１つまたは複数の基板を搬送するとともに所望の流量およびプロファイルを容易化するように構成された基板キャリア（たとえば、後述の基板キャリア５０２）を収容するのに適した任意の寸法を有していてもよい。たとえば、いくつかの実施形態において、筐体は、高さおよび長さが約２４インチまたは約３６インチであり、奥行きが約６インチであってもよい。
【００３１】
いくつかの実施形態において、筐体２０２は、複数の板を結合して筐体２０２を形成することにより組み立てられていてもよい。各筐体２０２は、処理の所望の部分を実行可能な特定のモジュール（たとえば、モジュール１０２Ｄ）を形成するように構成されていてもよい。筐体２０２は、このように組み立てることにより、簡単でコスト効果が高い処理を介して、複数用途の複数個が生産されるようになっていてもよい。
【００３２】
筐体の下面２０６は、基板キャリアを支持するとともに、複数のモジュールのうちのモジュール１０２Ｄを通って隣接モジュールまで基板キャリアが直線的に移動する経路を提供する。いくつかの実施形態において、下面２０６は、トラック１２０として構成されていてもよい。いくつかの実施形態において、下面２０６は、当該下面２０６に結合されたトラック１２０またはその一部を有していてもよい。いくつかの実施形態において、下面２０６またはトラック１２０は、たとえばニッケル合金（ＮｉＡｌ）含有コーティング等の乾式潤滑剤のコーティングを備えることによって、モジュール１０２Ｄを通る基板キャリアの移動を容易化するようにしてもよい。この代替または組み合わせとして、いくつかの実施形態においては、下面２０６の上に複数のローラ（参照番号２２８にて疑似的に図示）を配設することによって、モジュール１０２Ｄを通る基板キャリアの移動を容易化するようになっていてもよい。このような実施形態において、複数のローラ２２８は、たとえば石英（ＳｉＯ２）等、処理環境に反応しない任意の材料で製造されていてもよい。
【００３３】
いくつかの実施形態においては、（たとえば、図１に示すようなバリア１１８を形成するため）筐体２０２の第１の端部２１６および／または第２の端部２１８に近接して、バリア２１９が配設されていてもよい。バリア２１９が存在する場合は、これによって、複数のモジュールの各モジュールが隣接モジュールから隔離されることにより、モジュール間の２次汚染または環境の混合が防止される。いくつかの実施形態において、バリア２１９は、モジュール１０２Ｄの上方に配設されたガス入り口（たとえば、ガス入り口２０８）で供給されるパージガス等のガス流であってもよい。この代替または組み合わせとして、いくつかの実施形態においては、バリア２１９が可動ゲートであってもよい。ゲートは、たとえばシーケンスの堆積部分等、特定の処理に関する別途の隔離を提供する。いくつかの実施形態においては、１つまたは複数のノッチ（図示の２つのノッチ２２４、２２６）をゲートに形成することによって、モジュール１０２Ｄ内の所望の位置における基板キャリアの固定の容易化および／または処理中の基板キャリアとバリア２１９との間の密閉を図るようにしてもよい。
【００３４】
いくつかの実施形態において、ゲートは、アルミニウム、研磨ステンレス鋼等の金属で製造されていてもよい。他の実施形態において、処理システムの高温領域のゲートは、高温に耐えるように石英で作製可能である。
【００３５】
いくつかの実施形態において、モジュール１０２Ｄは、筐体２０２の最上部２３０に近接して配設されたガス入り口２０８を具備することにより、筐体２０２に形成された貫通孔２３１を介して筐体２０２中に１つまたは複数のガスを供給するようにしてもよい。ガス入り口２０８は、所望の処理ガス流を筐体２０２に供給するのに適した任意の様態で構成されていてもよい。ガス噴射は、２つの基板キャリア間で行われることによって、２つの基板キャリア間の反応ゾーンにおける処理ガスの包含および／または基板キャリアとモジュール壁との間のパージガスの包含が図られるようになっていてもよい。
【００３６】
いくつかの実施形態において、モジュール１０２Ｄは、ガス入り口２０８の反対側の筐体２０２の部分（たとえば、底部２０４）に結合された排気孔２２１を備えることによって、筐体２０２の底部２０４に形成された通路２３３を介した筐体２０２からのガス除去を容易化するようにしてもよい。
【００３７】
いくつかの実施形態において、モジュール１０２Ｄは、図２Ａおよび図２Ｂに示すように、たとえば筐体２０２に配設されたウインドウアセンブリ２１４等、筐体の１つまたは複数の側面に配設された１つまたは複数のウインドウを備えていてもよい。ウインドウアセンブリ２１４は、たとえば当該ウインドウアセンブリ２１４に関して筐体２０２内部の反対側に配設された放射熱ランプから筐体２０２中に放射熱２６８（たとえば、ＩＲ透過）を供給可能である。いくつかの実施形態において、ウインドウアセンブリ２１４は、筐体２０２内の処理環境に曝された場合の劣化に耐えつつ、放射熱に当該ウインドウアセンブリ２１４の一部を通過させるのに適した任意の材料で製造可能なウインドウ本体２９０を具備する。たとえば、いくつかの実施形態において、ウインドウ本体２９０は、透き通った平らな石英（ＳｉＯ２）で製造されていてもよい。いくつかの実施形態において、選択された石英は、低い含水率を有することにより、ウインドウ本体２９０の一部を通るＩＲ透過を最大化する。また、他の適当な半透明材料を使用するようにしてもよい。いくつかの実施形態において、ウインドウ本体２９０は、約６〜８ｍｍの厚さであってもよいが、処理環境の要求に応じて、他の厚さであってもよい。
【００３８】
いくつかの実施形態において、ウインドウ本体２９０は、筐体２０２中に放射熱２６８（たとえば、ＩＲ透過）を供給可能な中心半透明部２５４を具備していてもよい。いくつかの実施形態において、中心半透明部２５４のすべての鋭い縁部は、機械加工された表面であり、丸みを帯びるとともに火仕上げされている。いくつかの実施形態において、ウインドウ本体２９０は、ウインドウの両表面（すなわち、内表面および外表面）に形成されたビーズブラスト部２５２をさらに具備することによって、放射熱ランプ（図３に関して以下に詳述）から放出された放射熱２６８の全反射（ＴＩＲ）を最小限に抑える。ビーズブラスト部２５２は、放射熱２６８のＴＩＲを最小限に抑えることによって、シール表面における熱伝導性および光伝送性を最小限に抑えるため都合が良い。また、ビーズブラストによってビーズブラスト部２５２を形成することにより、ウインドウアセンブリ２１４の製造に要する機械加工の量が最小限に抑えられるとともに、従来のウインドウアセンブリのように透明材料を半透明材料に溶接する必要がなくなる。これにより、製造コストが低下するとともに製造ばらつきが抑えられて都合が良い。いくつかの実施形態において、ウインドウ本体２９０のビーズブラストは、清浄な未使用の材料で行って汚染を最小限に抑えるとともに、ウインドウ本体２９０の構造的完全性を低下させない様態で実施する。いくつかの実施形態において、ビーズブラスト部２５２は、幅が約１インチ〜約４インチの厚さであってもよく、図２Ａに示すように、ウインドウアセンブリ２１４の周囲に近接して配設されていてもよい。
【００３９】
いくつかの実施形態において、ウインドウアセンブリ２１４は、差圧膨張真空チャネルを有するデュアルシールを具備した差圧真空シール２５０を具備していてもよい。差圧真空シール２５０は、高温（たとえば、約６００°Ｆ〜約８００°Ｆ）でのシール透過性に関する問題に対処するとともに、差圧シールの膨張領域内の基準圧力を監視することによって、シール完全性の継続的な実時間監視を可能にするため都合が良い。いくつかの実施形態において、差圧真空シール２５０は、汚染バリアおよび耐荷重シールとして機能する成形シール２８０間に配設されている。成形シール２８０は、成形フルオロカーボンまたはポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）シールであってもよい。いくつかの実施形態において、成形シール２８０は、矩形ガスケット、円形Ｏリング、または別の種類のシールであってもよい。
【００４０】
いくつかの実施形態において、ウインドウアセンブリ２１４は、保持構造２７０によりモジュール１０２に保持されていてもよい。いくつかの実施形態において、保持構造２７０は、ウインドウアセンブリ２１４を４つの辺で支持するフレームであってもよい。いくつかの実施形態において、保持構造２７０は、モジュール１０２に堅く備え付けられた堅固装着部２５８と、堅固装着部２５８に結合され、図２Ｂに示すようにウインドウアセンブリ２１４をモジュール１０２内に保持する保持部２５６とを具備していてもよい。いくつかの実施形態において、保持部２５６は、堅固装着部２５８にボルト締結、溶接、クランプ締結等されていてもよい。いくつかの実施形態において、保持構造２７０は、配設されるモジュール１０２の処理環境に耐え得るステンレス鋼、アルミニウム等の適当な材料で形成されていてもよい。図２Ｂは、堅固装着部２５８に結合された保持部２５６を含む保持構造２７０の下部の詳細を示している。ただし、当業者であれば、図２Ｂに関して説明した保持構造２７０の下部の特徴のうちの少なくとも一部は、保持構造２７０の上部にも適用可能であることが了解されるべきである。
【００４１】
保持構造２７０は、保持部２５６を堅固装着部２５８に結合することによって形成された溝２７２を具備する。ウインドウ本体２９０は、グローブ２７２に配設されることによって支持されている。いくつかの実施形態においては、ウインドウ本体２９０が溝２７２に配設された際に、溝２７２の底部に間隙２６４が形成されてもよい。保持構造２７０は、成形シール２８０を含む１つまたは複数の凹部２６２を具備する。また、保持構造２７０は、後述する放射熱ランプにより加熱されたウインドウアセンブリを冷却する複数の水冷チャネル２６６を具備していてもよい。
【００４２】
図３を参照するに、いくつかの実施形態において、モジュール１０２Ｄは、筐体２０２の側面３０６、３０８に結合された１つまたは複数の加熱用ランプ（図示の２つの加熱用ランプ３０２、３０４）を具備していてもよい。加熱用ランプ３０２、３０４は、ウインドウ２１４を介して筐体２０２中に放射熱を供給する。また、加熱用ランプ３０２、３０４は、筐体中に十分な放射熱を供給することによりモジュール１０２Ｄ内で処理の所望の部分を実行するのに適した任意の種類の加熱用ランプであってもよい。たとえば、いくつかの実施形態において、加熱用ランプ３０２、３０４は、約０．９ミクロンまたは、いくつかの実施形態においては約２ミクロンの波長で放射熱を供給できる直線的なランプまたは区域分けされた直線的なランプであってもよい。様々なモジュールのランプに使用する波長は、所望の用途に基づいて選択されていてもよい。たとえば、波長は、所望のフィラメント温度を与えるように選択されていてもよい。短波長バルブは、安価であり、使用する電力が少なく、予備加熱に利用可能である。長波長バルブは、大きなパワーを供給することによって、たとえば堆積処理用のより高い処理温度の供給を容易化する。
【００４３】
いくつかの実施形態においては、１つまたは複数のゾーンに赤外線（ＩＲ）ランプを設けることによって、基板キャリアひいては基板に熱エネルギーを供給するようにしてもよい。ウインドウ等の堆積が望ましくないチャンバの部分は、ＩＲ光エネルギーを吸収して加熱することのない材料で製造されていてもよい。このような熱管理によって、所望の領域に堆積が実質的に封じ込められる。たとえばモジュールの側面の最上部から底部までの水平帯におけるＩＲランプの１つまたは複数のゾーンは、垂直温度勾配の制御を容易化することによって、堆積等の処理の逓減効果等の垂直な非均一性を補償する。また、いくつかの実施形態においては、時間の経過とともに、ゾーン間で温度を変調可能である。この種の細かい温度制御は、図４に関して上述したガス噴射の変調への追加または組み合わせとして、基板の最上部から底部までの他、外縁間の基板処理結果（たとえば、堆積膜の厚さまたはドーパント濃度および／もしくは深さの均一性）の制御を容易化可能である。
【００４４】
図４は、本考案のいくつかの実施形態に係る、ガス入り口の概略上面図である。いくつかの実施形態において、ガス入り口２０８は、複数のガス開口部４１０を有するガス分配板４０２を備えていてもよい。ガス開口部４１０は、所望の処理ガス流を筐体２０２中に供給するように構成されていてもよい。たとえば、いくつかの実施形態において、ガス開口部４１０は、図４に示すような複数の内側ガス孔４０８および複数の外側ガススロット４０６を備えていてもよい。このような実施形態において、内側ガス孔４０８は、高速処理ガス噴流を筐体２０２の中心領域に供給することにより、処理を容易化するようになっていてもよい。いくつかの実施形態において、外側ガススロット４０６は、基板キャリアに配設された基板に低速処理ガス層流を供給するようになっていてもよい。
【００４５】
図５は、本明細書に記載の本考案の実施形態に使用可能な基板キャリア５０２の少なくとも１つの例示的な実施形態を示している。基板キャリア５０２は、２つ以上の基板を支持するとともに、インデックス直列基板処理ツール１００を通るか、またはクラスタ基板処理ツール（図示せず）まで２つ以上の基板を搬送するようになっていてもよい。いくつかの実施形態において、基板キャリア５０２は一般的に、基部５１２および一対の対向基板支持体５０８、５１０を具備していてもよい。基板支持体５０８、５１０それぞれには、１つまたは複数の基板（図５に示す基板５０４、５０６）が配設されて、処理されるようになっていてもよい。いくつかの実施形態において、基板支持体５０８、５１０は、基板キャリア５０２上に固定され、基板が互いに向き合うとともに両者間に反応ゾーンを規定した状態で、互いに鋭角で保持されていてもよい。たとえば、いくつかの実施形態において、基板支持体５０８、５１０は、垂直から約２°〜１０°の角度で保持されている。
【００４６】
基部５１２は、たとえばグラファイト等、処理中に基板支持体５０８、５１０を支持するのに適した任意の材料で製造されていてもよい。いくつかの実施形態においては、第１のスロット５２６および第２のスロット５２８が基部５１２に形成され、基板支持体５０８、５１０を少なくとも部分的に第１のスロット５２６および第２のスロット５２８内に配設することにより、基板支持体５０８、５１０を所望の位置に保持して処理できるようになっていてもよい。いくつかの実施形態において、基板支持体５０８、５１０は一般的に、基板支持面が互いに大略対向するとともにｖ字状に配置されるように、外方へわずかに角度を有する。いくつかの実施形態において、基部５１２は、絶縁材料で製造されており、温度管理のため、透明もしくは不透明な石英または透明および不透明な石英の組み合わせであってもよい。
【００４７】
基部５１２の底面５２７にはチャネル５１４が配設され、基部５１２の上面５２９からチャネル５１４まで、基部５１２を通って開口５１８が配設されて、１つまたは複数のガスが基部５１２を流れる経路が形成されている。たとえば、基板キャリア５０２が上述のモジュール１０２Ｄ等のモジュールに配設されている場合、開口５１８およびチャネル５１４は、ガス入り口（たとえば、上述のガス入り口２０８）からモジュールの排気孔（たとえば、上述のモジュール１０２Ｄの排気孔２２１）までのガスの流れを促進する。キャリッジは、石英で製造され、排気孔および洗浄チャネルが石英または当該石英の下側の金属基部に加工されていてもよい。また、バッフルを設けることにより、基部５１２を通る流れの安定化を容易にしていてもよい。
【００４８】
いくつかの実施形態において、基部５１２は、当該基部５１２内に配設されるとともにチャネル５１４を囲んだ導管５１６を具備していてもよい。導管５１６は、当該導管５１６の長さに沿って形成された１つまたは複数の開口を有することにより、チャネル５１４に対して当該導管５１６を流体的に結合することによって、導管５１６からチャネル５１４までガスが流れるようにしていてもよい。いくつかの実施形態においては、基板キャリア５０２がモジュールに配設されている間、導管５１６およびチャネル５１４に洗浄ガスを供給することによって、チャネル５１４からの堆積材料の除去を容易化するようにしてもよい。洗浄ガスは、１つまたは複数の排気孔に近接して供給することにより、排気孔内の処理副産物の堆積を防止して、洗浄／保守に必要な中断時間を短縮するようにしてもよい。また、洗浄ガスは、モジュールから特定の材料を除去するのに適した任意のガスであってもよい。たとえば、いくつかの実施形態において、洗浄ガスとしては、塩化水素（ＨＣｌ）、塩素ガス（Ｃｌ２）等、もう一つの塩素含有ガスが挙げられる。あるいは、いくつかの実施形態においては、導管５１６およびチャネル５１４に不活性ガスを供給することにより、チャネルを流れる排気ガスとチャネルの表面との間にバリアを形成することによって、チャネル５１４上の材料の堆積を最小限に抑えるようにしてもよい。
【００４９】
基板支持体５０８、５１０は、処理中に基板５０４、５０６を支持するのに適した任意の材料で製造されていてもよい。たとえば、いくつかの実施形態において、基板支持体５０８、５１０は、グラファイトで製造されていてもよい。このような実施形態において、グラファイトは、たとえば炭化ケイ素（ＳｉＣ）で被覆することにより、劣化に対する耐性の付与および／または基板汚染の最小化を図るようになっていてもよい。
【００５０】
対向基板支持体５０８、５１０はそれぞれ、基部５１２から上方および外方に延びた基板支持面５２０、５２２を備える。したがって、基板５０４、５０６が基板支持体５０８、５１０上に配設されると、基板５０４、５０６それぞれの上面５０５、５０７が互いに向き合う。処理中に基板５０４、５０６を互いに向き合わせると、両基板５０４、５０６に同等かつ対称な熱量を供給して基板５０４、５０６間の処理均一性を促進する放射空洞が基板間（たとえば、基板支持体５０８、５１０間の領域５２４）にできるため都合が良い。
【００５１】
いくつかの実施形態においては、処理中、基板支持体５０８、５１０間の領域５２４に処理ガスが供給される一方、基板支持体５０８、５１０の背面５３０、５３２に近接して配設された熱源（たとえば、上述の加熱用ランプ３０２、３０４）が基板５０４、５０６に熱を供給する。基板支持体５０８、５１０間の領域５２４に処理ガスを供給することにより、モジュールの内部構成要素に対する処理ガスの曝露が抑えられ、熱源と基板支持体との間に処理ガスを供給する従来の処理システムと比べて、モジュール内の低温点（たとえば、モジュールの壁、ウインドウ等）への材料堆積が抑えられるため都合が良い。また、本考案者は、基板支持体５０８、５１０の背面５３０、５３２を介して基板５０４、５０６を加熱することにより、基板５０４、５０６ではなく基板支持体５０８、５１０の背面５３０、５３２上にモジュール内の任意の不純物が堆積するため、基板５０４、５０６上には、高純度かつ低粒子数の材料が堆積可能となって都合が良いことを確認している。
【００５２】
上記図面において説明したインデックス直列基板処理ツール１００の動作においては、第１の基板一式（たとえば、基板５０４、５０６）が配設された基板キャリア５０２を第１のモジュール（たとえば、第１のモジュール１０２Ａ）に供給する。第１のモジュールの第１の側面および／または第２の側面にバリア（たとえば、バリア１１８またはバリア２１９）が存在する場合は、これを閉鎖またはオンすることによって、第１のモジュールの隔離を促進するようにしてもよい。そして、第１の基板一式に処理の第１の部分（たとえば、堆積処理のパージステップ）を施すようにしてもよい。処理の第１の部分が完了した後は、第２の基板一式が配設された第２の基板キャリアを第１のモジュールに供給する。第２の基板キャリアは、第１のモジュールに供給されると、第１のキャリアを第２のモジュール（たとえば、第２のモジュール１０２Ｂ）に押し出す。そして、第１のモジュールの第２の基板一式に処理の第１の部分を施す一方、第２のモジュールの第１の基板一式に処理の第２の部分を施す。後続の基板キャリアを追加することにより、各基板キャリアが固定位置（すなわち、所望のモジュール内）に繰り返し供給されるため、基板キャリアの機械的インデキシングが可能となる。基板において処理が完了したら、アンロードモジュール（たとえば、アンロードモジュール１０６）を介してインデックス直列基板処理ツール１００からキャリアを取り出すようにしてもよい。
【００５３】
以上は、本考案の実施形態に関するが、本考案の基本的な範囲から逸脱することなく、本考案の他の別の実施形態も考案可能である。
【図１】
0003203666.tif 000003
【図２Ａ】
0003203666.tif 000004
【図２Ｂ】
0003203666.tif 000005
【図３】
0003203666.tif 000006
【図４】
0003203666.tif 000007
【図５】
0003203666.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月30日(2015.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】実用新案登録請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
直列基板処理ツールに使用するウインドウアセンブリであって、
内表面および外表面を有するウインドウ本体であり、
放射熱ランプから放出された放射熱を通過させるように構成された中心半透明部と、
前記中心半透明部の周りに配設されるとともに前記内表面および外表面それぞれに配設された表面処理部で、前記放射熱ランプから放出された放射熱の全内部反射を最小限に抑えるように構成された、表面処理部と、
を具備した、ウインドウ本体と、
前記ウインドウ本体の外縁に近接して、前記ウインドウ本体の前記内表面および外表面それぞれに配設された１つまたは複数の成形シールと、
を備えた、ウインドウアセンブリ。
【請求項２】
前記１つまたは複数の成形シールに近接して配設された差圧真空シールであって、真空チャネルを有するデュアルシールを具備した、差圧真空シールをさらに備えた、請求項１に記載のウインドウアセンブリ。
【請求項３】
前記差圧真空シールが、２つの成形シール間に配設された、請求項２に記載のウインドウアセンブリ。
【請求項４】
前記差圧真空シールが、当該差圧真空シールの膨張領域内の基準圧力を監視することによって、シール完全性の継続的な実時間監視を可能にする、請求項２に記載のウインドウアセンブリ。
【請求項５】
前記中心半透明部が、ＩＲ放射に半透明な材料で製造された、請求項１から４のいずれか一項に記載のウインドウアセンブリ。
【請求項６】
前記中心半透明部が、透き通った平らな石英（ＳｉＯ２）で製造された、請求項１から４のいずれか一項に記載のウインドウアセンブリ。
【請求項７】
前記表面処理部が、当該表面処理部の内表面および外表面にビーズブラストされた、請求項１から４のいずれか一項に記載のウインドウアセンブリ。
【請求項８】
前記表面処理部の幅が、約１インチ〜約４インチであり、当該ウインドウアセンブリの周囲に近接して配設された、請求項１から４のいずれか一項に記載のウインドウアセンブリ。
【請求項９】
前記１つまたは複数の成形シールが、成形フルオロカーボンまたはポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）シールである、請求項１から４のいずれか一項に記載のウインドウアセンブリ。
【請求項１０】
前記１つまたは複数の成形シールが、矩形ガスケットまたは円形Ｏリングの一方である、請求項１に記載のウインドウアセンブリ。
【請求項１１】
前記ウインドウ本体が、約６ｍｍ〜約８ｍｍの厚さである、請求項１から４のいずれか一項に記載のウインドウアセンブリ。
【請求項１２】
前記表面処理部が、前記１つまたは複数の成形シールの表面における熱伝導性および光伝送性を最小限に抑える、請求項１から４のいずれか一項に記載のウインドウアセンブリ。
【請求項１３】
直列基板処理ツールであって、
基部とそれぞれが基板支持面を有する一対の対向基板支持体とを有する基板キャリアと、
複数のモジュールであって、前記基板キャリアが該複数のモジュールを通るよう案内を容易化する、該複数のモジュールの軸長に沿って設けられたトラックを含む直線的な配置で互いに結合される、複数のモジュールとを備え、当該複数のモジュールのうちの少なくとも１つのモジュールが、
当該少なくとも１つのモジュールの内容積に放射熱を供給する加熱ランプと、
ウインドウアセンブリと、を備え、当該ウインドウアセンブリが、
内表面および外表面を有するウインドウ本体であって、中心半透明部と、前記中心半透明部の周りに配設されるとともに前記内表面および外表面それぞれに配設された表面処理部であり、前記加熱ランプから放出された放射熱の全内部反射を最小限に抑える、表面処理部とを具備した、ウインドウ本体と、
前記ウインドウ本体の外縁に近接して、前記ウインドウ本体の前記内表面および外表面それぞれに配設された１つまたは複数の成形シールと、
を備えた、直列基板処理ツール。
【請求項１４】
前記ウインドウアセンブリが、真空チャネルを有するデュアルシールを具備した差圧真空シールをさらに備えた、請求項１３に記載の直列基板処理ツール。
【請求項１５】
前記差圧真空シールが、２つの成形シール間に配設された、請求項１４に記載の直列基板処理ツール。
【請求項１６】
前記差圧真空シールが、当該差圧真空シールの膨張領域内の基準圧力を監視することによって、シール完全性の継続的な実時間監視を可能にする、請求項１４に記載の直列基板処理ツール。
【請求項１７】
前記中心半透明部が、ＩＲ放射に半透明な材料で製造された、請求項１３に記載の直列基板処理ツール。
【請求項１８】
前記中心半透明部が、透き通った平らな石英（ＳｉＯ２）で製造された、請求項１３に記載の直列基板処理ツール。
【請求項１９】
前記表面処理部が、当該表面処理部の内表面および外表面にビーズブラストされた、請求項１３に記載の直列基板処理ツール。
【請求項２０】
前記表面処理部の幅が、約１インチ〜約４インチであり、当該ウインドウアセンブリの周囲に近接して配設された、請求項１３に記載の直列基板処理ツール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
いくつかの実施形態におけるインデックス直列基板処理ツール１００の例示的な構成において、第１のモジュール１０２Ａは、パージガスの供給によって、たとえば基板および／もしくは基板キャリアからの不純物の除去ならびに／または適当な雰囲気中への基板の導入による堆積を行うように構成されていてもよい。第２のモジュール１０２Ｂは、予備加熱または温度傾斜によって、堆積を行うのに適した温度まで基板の温度を上昇させるように構成されていてもよい。第３のモジュール１０２Ｃは、焼成により、材料の堆積に先立って、揮発性の不純物を基板から除去するように構成されていてもよい。第４のモジュール１０２Ｄは、所望の材料を基板上に堆積させるように構成されていてもよい。第５のモジュール１０２Ｅは、たとえばアニーリング処理等の堆積後処理を行うように構成されていてもよい。第６のモジュール１０２Ｆは、基板を冷却するように構成されていてもよい。第７のモジュール１０２Ｇは、パージガスの供給により、インデックス直列基板処理ツール１００からの除去に先立って、たとえば基板および／または基板キャリアから処理残留物を除去するように構成されていてもよい。特定の処理が不要な実施形態においては、処理の当該部分用に構成されたモジュールを省略するようにしてもよい。たとえば、堆積後のアニーリングが不要であれば、アニーリング用に構成されたモジュール（たとえば、上記例示的な実施形態における第５のモジュール１０２Ｅ）を省略するか、または所望の異なる処理用に構成されたモジュールで置き換えるようにしてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
いくつかの実施形態においては、インデックス直列基板処理ツール１００の軸長に沿ってトラック１２０を設けることにより、インデックス直列基板処理ツール１００を通る基板キャリアの案内を容易化するようにしてもよい。トラック１２０は、インデックス直列基板処理ツール１００が備え付けられた施設の床面等の基面に沿って設けられていてもよい。このような実施形態において、各モジュールは、当該モジュールの露出底部に沿ってトラック１２０が位置決めされることで各モジュールを通るトラック１２０に沿った基板キャリアの移動が容易化されるように組み立てられるように構成されていてもよい。あるいは、トラック１２０は、直線状に組み立てられたモジュールの底面に備え付けられるようになっていてもよい。あるいは、すべてのモジュールが直線状に組み立てられた後にトラック１２０全体が形成されるように、各個別モジュールの底面にトラック１２０の一部が備え付けられていてもよい。いくつかの実施形態において、トラック１２０は、車輪、ボールベアリング、または他の種類のローラを具備することにより、トラック１２０に沿った基板キャリアの低摩擦移動を容易化するようになっていてもよい。いくつかの実施形態において、トラック１２０は、図２に関して後述するような低摩擦材料で製造または被覆することにより、トラック１２０に沿った基板キャリアの低摩擦移動を容易化するようになっていてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
いくつかの実施形態においては、ロードモジュール１０４とアンロードモジュール１０６との間に洗浄モジュール１１０が配設されていてもよい。洗浄モジュール１１０が存在する場合は、これによって、基板キャリアの洗浄および／または準備を行うことにより、（帰還路矢印１０８で示すように）インデックス直列基板処理ツール１００を通る次回の別の１つまたは複数の基板を受容するようにしてもよい。このため、基板キャリアは、複数回にわたって再使用可能である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図２Ａは、上述の複数のモジュール１１２のモジュールのうちの１つまたは複数として使用可能であり、いくつかの実施形態においては基板上への材料の堆積用に構成されたモジュールとして使用可能なモジュール１０２Ｄ等のモジュールの例示的な構成の断面図である。以下では、特定のモジュール（１０２Ｄ）に関して一般的に論じるが、この説明は一般的に、堆積処理に特段必要な構成要素および／または構成を除いて、すべてのモジュールに当てはまる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
いくつかの実施形態において、モジュール１０２Ｄは、ガス入り口２０８の反対側の筐体２０２の部分（たとえば、底部２０４）に結合された排気孔２２１を備えることによって、筐体２０２の底部２０４に形成された通路２３３を介した筐体２０２からのガスの除去を容易化するようにしてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
保持構造２７０は、保持部２５６を堅固装着部２５８に結合することによって形成された溝２７２を具備する。ウインドウ本体２９０は、溝２７２に配設されることによって支持されている。いくつかの実施形態においては、ウインドウ本体２９０が溝２７２に配設された際に、溝２７２の底部に間隙２６４が形成されてもよい。保持構造２７０は、成形シール２８０を含む１つまたは複数の凹部２６２を具備する。また、保持構造２７０は、後述する放射熱ランプにより加熱されたウインドウアセンブリを冷却する複数の水冷チャネル２６６を具備していてもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図３を参照するに、いくつかの実施形態において、モジュール１０２Ｄは、筐体２０２の側面３０６、３０８に結合された１つまたは複数の加熱用ランプ（図示の２つの加熱用ランプ３０２、３０４）を具備していてもよい。加熱用ランプ３０２、３０４は、ウインドウアセンブリ２１４を介して筐体２０２中に放射熱を供給する。また、加熱用ランプ３０２、３０４は、筐体中に十分な放射熱を供給することによりモジュール１０２Ｄ内で処理の所望の部分を実行するのに適した任意の種類の加熱用ランプであってもよい。たとえば、いくつかの実施形態において、加熱用ランプ３０２、３０４は、約０．９ミクロンまたは、いくつかの実施形態においては約２ミクロンの波長で放射熱を供給できる直線的なランプまたは区域分けされた直線的なランプであってもよい。様々なモジュールのランプに使用する波長は、所望の用途に基づいて選択されていてもよい。たとえば、波長は、所望のフィラメント温度を与えるように選択されていてもよい。短波長バルブは、安価であり、使用する電力が少なく、予備加熱に利用可能である。長波長バルブは、大きなパワーを供給することによって、たとえば堆積処理用のより高い処理温度の供給を容易化する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
基部５１２の底面５２７にはチャネル５１４が配設され、基部５１２の上面５２９からチャネル５１４まで、基部５１２を通って開口５１８が配設されて、１つまたは複数のガスが基部５１２を流れる経路が形成されている。たとえば、基板キャリア５０２が上述のモジュール１０２Ｄ等のモジュールに配設されている場合、開口５１８およびチャネル５１４は、ガス入り口（たとえば、上述のガス入り口２０８）からモジュールの排気孔（たとえば、上述のモジュール１０２Ｄの排気孔２２１）までのガスの流れを促進する。キャリアは、石英で製造され、排気孔および洗浄チャネルが石英または当該石英の下側の金属基部に加工されていてもよい。また、バッフルを設けることにより、基部５１２を通る流れの安定化を容易にしていてもよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
いくつかの実施形態において、基部５１２は、当該基部５１２内に配設されるとともにチャネル５１４を囲んだ導管５１６を具備していてもよい。導管５１６は、当該導管５１６の長さに沿って形成された１つまたは複数の開口を有することにより、チャネル５１４に対して当該導管５１６を流体的に結合することによって、導管５１６からチャネル５１４までガスが流れるようにしていてもよい。いくつかの実施形態においては、基板キャリア５０２がモジュールに配設されている間、導管５１６およびチャネル５１４に洗浄ガスを供給することによって、チャネル５１４からの堆積材料の除去を容易化するようにしてもよい。洗浄ガスは、１つまたは複数の排気孔に近接して供給することにより、排気孔内の処理副産物の堆積を防止して、洗浄／保守に必要な中断時間を短縮するようにしてもよい。また、洗浄ガスは、モジュールから特定の材料を除去するのに適した任意のガスであってもよい。たとえば、いくつかの実施形態において、洗浄ガスとしては、塩化水素（ＨＣｌ）、塩素ガス（Ｃｌ２）等、一つ又は複数の塩素含有ガスが挙げられる。あるいは、いくつかの実施形態においては、導管５１６およびチャネル５１４に不活性ガスを供給することにより、チャネルを流れる排気ガスとチャネルの表面との間にバリアを形成することによって、チャネル５１４上の材料の堆積を最小限に抑えるようにしてもよい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
上記図面において説明したインデックス直列基板処理ツール１００の動作においては、第１の基板一式（たとえば、基板５０４、５０６）が配設された基板キャリア５０２を第１のモジュール（たとえば、第１のモジュール１０２Ａ）に供給する。第１のモジュールの第１の側面および／または第２の側面にバリア（たとえば、バリア１１８またはバリア２１９）が存在する場合は、これを閉鎖またはオンすることによって、第１のモジュールの隔離を促進するようにしてもよい。そして、第１の基板一式に処理の第１の部分（たとえば、堆積処理のパージステップ）を施すようにしてもよい。処理の第１の部分が完了した後は、第２の基板一式が配設された第２の基板キャリアを第１のモジュールに供給する。第２の基板キャリアは、第１のモジュールに供給されると、第１のキャリアを第２のモジュール（たとえば、第２のモジュール１０２Ｂ）に押し出す。そして、第１のモジュールの第２の基板一式に処理の第１の部分を施す一方、第２のモジュールの第１の基板一式に処理の第２の部分を施す。後続の基板キャリアを追加することにより、各基板キャリアが固定位置（すなわち、所望のモジュール内）に繰り返し供給されるため、基板キャリアの機械的インデキシングが可能となる。処理が完了したら、アンロードモジュール（たとえば、アンロードモジュール１０６）を介してインデックス直列基板処理ツール１００から基板キャリアを取り出すようにしてもよい。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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