(57)【要約】      （修正有）【課題】高解像度の製品に適用可能な小さい画素構造を有するとともに、高画質を実現できる表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、少なくとも１つの画素構造を有するアレイ基板と、対向基板と、表示媒体層と、を含む。画素構造Ｐは、第１方向Ｄ１に延び、第１側Ｓ１と第１側Ｓ１に対向する第２側Ｓ２とを有する配線部１１１１を有する第１導電層１１１と、第１導電層１１１上に配置され、第１側Ｓ１及び第２側Ｓ２にそれぞれ配置される２つの接触部Ｃ１、Ｃ２を有する第２導電層１１２と、第１導電層１１１と第２導電層１１２との間に配置される酸化物半導体層１１３と、を備える。酸化物半導体層１１３は、２つの接触部Ｃ１、Ｃ２にそれぞれ接触し、第１方向Ｄ１に沿う第１の幅ｗ１を有し、２つの接触部Ｃ１、Ｃ２のうちの一方は、第１導電層１１１と重なる重畳領域Ｚを有し、重畳領域Ｚは第１方向Ｄ１に沿う最大の第２の幅ｗ２を有し、第１の幅ｗ１が第２の幅ｗ２より小さい。【選択図】図１Ｃ
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
表示装置であって、少なくとも１つの画素構造を有するアレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に配置される表示媒体層と、を含み、
前記画素構造は、
第１方向に延び、第１側と当該第１側に対向する第２側とを有する配線部を有する第１導電層と、
前記第１導電層上に配置され、前記第１側及び前記第２側にそれぞれ配置される２つの接触部を有する第２導電層と、
前記第１導電層と前記第２導電層との間に配置される酸化物半導体層と、を備え、
前記酸化物半導体層の両端は、前記２つの接触部にそれぞれ接触し、第１方向に沿う第１の幅を有し、
前記２つの接触部のうちの一方は、前記第１導電層と重なる重畳領域を有し、当該重畳領域は第１方向に沿う最大の第２の幅を有し、
前記第１の幅は、前記第２の幅より小さいことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１導電層は、前記配線部の前記第２側から延びて突出する突出部をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記配線部は、前記２つの接触部のうちの一方と部分的に重なり、
前記突出部は、前記２つの接触部のうちの他方と部分的に重なることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記酸化物半導体層は、接続部と、当該接続部の両側に位置する２つの端部とを有し、
前記接続部の前記第１方向に沿う幅が、前記２つの端部のうちの一方の前記第１方向に沿う幅より小さいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記画素構造は、前記酸化物半導体層と前記第２導電層との間に配置される第１絶縁層をさらに含み、
前記第１絶縁層は、前記２つの接触部に対応する２つの開口を有し、前記２つの接触部が前記２つの開口を通じて前記酸化物半導体層と接触することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記２つの開口部のうちの一方は、前記酸化物半導体層の一方の末端部を完全に露出させることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１絶縁層は、前記酸化物半導体層の他方の末端部を覆うことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記画素構造は、第２絶縁層と、電極とをさらに含み、
前記第２絶縁層は、前記第２導電層上に配置され、
前記電極は、前記第２絶縁層上に配置され、前記第２絶縁層の貫通孔を通じて前記２つの接触部のうちの一方に接続されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記画素構造は、遮光部をさらに含み、
前記遮光部は、前記第１導電層の前記第１側に配置され、
前記貫通孔は、前記遮光部と前記配線部との間に位置することを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第２導電層は、前記第１方向に対して実質的に垂直な第２方向に延びる導線部をさらに有し、
前記導線部は、前記２つの接触部のうちの他方に接続されることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、フラット表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
技術の進展に伴って、フラット表示パネルは、様々な分野に幅広く使用されるようになっている。特に、軽薄性，低消費電力性，非放射性などの優れた特性を有するため、従来の陰極線管表示装置の代わりに、例えば、携帯電話、携帯型マルチメディア装置、ノートパソコン、液晶テレビ、及び液晶スクリーンなどの様々な電子製品に使われるようになっている。
【０００３】
液晶表示パネルを例にとれば、従来の液晶表示パネルは、薄膜トランジスタ基板と、カラーフィルタ基板と、液晶層とを含んでいる。薄膜トランジスタ基板とカラーフィルタ基板とが互いに対向配置され、液晶層はその２つの基板に挟持されている。この場合、薄膜トランジスタ基板は、基板上に複数の画素が配置され、これらの画素を制御することによって、液晶の回転が制御されて表示パネルに画像を表示させることができる。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００４】
市場競争の激化に伴い、業界の１つの目標とされている高解像度・高画質表示装置が継続的に追求されている。したがって、高解像度の製品に適用可能な小さい画素構造を有するとともに、高画質を実現できる表示装置を提供することは、重要な課題となっている。
【０００５】
本考案は、上記の点に鑑みてなされたものであって、高解像度の製品に適用可能な小さい画素構造を有するとともに、高画質を実現できる表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本考案に係る表示装置は、少なくとも１つの画素構造を有するアレイ基板と、対向基板と、アレイ基板と対向基板との間に配置される表示媒体層と、を含む。画素構造は、第１方向に延び、第１側と当該第１側に対向する第２側とを有する配線部を有する第１導電層と、第１導電層上に配置され、第１側及び第２側にそれぞれ配置される２つの接触部を有する第２導電層と、第１導電層と第２導電層との間に配置される酸化物半導体層と、を備える。酸化物半導体層の両端は、２つの接触部にそれぞれ接触し、第１方向に沿う第１の幅を有し、２つの接触部のうちの一方は、第１導電層と重なる重畳領域を有し、当該重畳領域は第１方向に沿う最大の第２の幅を有し、第１の幅が第２の幅より小さい。
【０００７】
一実施例において、第１導電層は、配線部の第２側から延びて突出する突出部をさらに有する。
【０００８】
一実施例において、配線部は、２つの接触部のうちの一方と部分的に重なり、突出部は、２つの接触部のうちの他方と部分的に重なる。
【０００９】
一実施例において、酸化物半導体層は、接続部と、当該接続部の両側に位置する２つの端部とを有し、接続部の第１方向に沿う幅が、２つの端部のうちの一方の第１方向に沿う幅より小さい。
【００１０】
一実施例において、画素構造は、酸化物半導体層と第２導電層との間に配置される第１絶縁層をさらに含み、第１絶縁層は、２つの接触部に対応する２つの開口を有し、２つの接触部が２つの開口を通じて酸化物半導体層と接触する。
【００１１】
一実施例において、２つの開口部のうちの一方は、酸化物半導体層の一方の末端部を完全に露出させる。
【００１２】
一実施例において、第１絶縁層は、酸化物半導体層の他方の末端部を覆う。
【００１３】
一実施例において、画素構造は、第２絶縁層と、電極とをさらに含み、第２絶縁層は、第２導電層上に配置され、電極は、第２絶縁層上に配置され、第２絶縁層の貫通孔を通じて２つの接触部のうちの一方に接続される。
【００１４】
一実施例において、画素構造は、遮光部をさらに含み、遮光部は、第１導電層の第１側に配置され、貫通孔は、遮光部と配線部との間に位置する。
【００１５】
一実施例において、第２導電層は、第１方向に対して実質的に垂直な第２方向に延びる導線部をさらに有し、導線部は、２つの接触部のうちの他方に接続される。
【００１６】
上述したように、本考案の表示装置において、画素構造における第２導電層は、第１導電層における配線部の第１側及び第２側にそれぞれ配置される２つの接触部を有し、酸化物半導体層は、第１導電層と第２導電層との間に配置され、その両端が２つの接触部にそれぞれ接触する。また、酸化物半導体層の第１方向に沿う第１の幅は、２つの接触部のうちの一方と第１導電層と重なる重畳領域の第１方向に沿う最大の第２の幅よりも小さい。このように、本考案の画素構造の設計により、高解像度の製品に適用可能な小さい画素構造を有するとともに、高画質を実現できる表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１Ａ】本考案の一実施例に係る表示装置の概略図である。
【図１Ｂ】図１Ａに示す表示装置における複数の画素構造の概略図である。
【図１Ｃ】図１Ｂに示す１つの画素構造の概略拡大図である。
【図１Ｄ】図１ＣのＡ−Ａ矢視断面図である。
【図１Ｅ】本考案の表示装置を示す他の概略図である。
【図２】本考案の他の実施例に係る画素構造の概略図である。
【図３Ａ】本考案の一実施態様に係る画素構造の概略図である。
【図３Ｂ】本考案の一実施態様に係る画素構造の概略図である。
【図３Ｃ】本考案の一実施態様に係る画素構造の概略図である。
【図３Ｄ】本考案の一実施態様に係る画素構造の概略図である。
【図３Ｅ】本考案の一実施態様に係る画素構造の概略図である。
【考案を実施するための形態】
【００１８】
図面を参照しながら、以下に本考案の好ましい実施例を詳細に説明する。また、図面において、同一なものには、同一の符号を付して説明する。
【００１９】
図１Ａ〜図１Ｄを併せて参照して説明する。図１Ａは、本考案の一実施例に係る表示装置１の概略図である。図１Ｂは、図１Ａに示す表示装置１における複数の画素構造Ｐの概略図である。図１Ｃは、図１Ｂに示す１つの画素構造Ｐの概略拡大図である。図１Ｄは、図１ＣのＡ−Ａ矢視断面図である。図には、第１方向Ｄ１、第２方向Ｄ２及び第３方向Ｄ３が示されている。第１方向Ｄ１、第２方向Ｄ２及び第３方向Ｄ３は、各一対が実質的に互いに直交するようになっている。第１方向Ｄ１は、走査線の延伸方向に対して実質的に平行であり、第２方向Ｄ２は、データ線の延伸方向に対して実質的に平行であり、第３方向Ｄ３は、それぞれ第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に対して実質的に垂直である。
【００２０】
図１Ａに示すように、表示装置１は、アレイ基板１１と、対向基板１２と、表示媒体層１３とを含んでいる。
【００２１】
アレイ基板１１及び対向基板１２は、互いに対向して設けられ、表示媒体層１３がアレイ基板１１と対向基板１２との間に挟設されている。アレイ基板１１及び対向基板１２は、透光性材料を含み、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板であるが、これらに限定されない。表示装置１は、液晶表示パネル又は有機ＥＬ表示パネルであってよい。ここで、液晶表示パネルを例とするため、表示媒体層１３が液晶層である。この場合、アレイ基板１１は、薄膜トランジスタ基板であってもよく、対向基板１２は、カラーフィルタ基板であってもよい。アレイ基板１１、表示媒体層１３及び対向基板１２によって液晶表示パネルが形成されることができる。ただし、他の実施例において、表示装置１が有機ＥＬ表示パネルである場合、表示媒体層１３は有機発光層であってもよい。一実施例において、有機発光層が白色光を発する場合、対向基板１２はカラーフィルタ基板であってもよい。他の実施例において、有機発光層が赤色光、緑色光、青色光を発する場合、対向基板１２は、有機発光層を外気からの水気又は異物による汚染を防止するための保護基板（Ｃｏｖｅｒ  ｐｌａｔｅ）であってもよい。
【００２２】
図１Ｂ〜図１Ｄに示すように、アレイ基板１１は、基板１１０（図１Ｂ及び図１Ｃに図示せず）と、基板１１０上に配置され、少なくとも１つの画素構造Ｐとを備えている。本実施例において、複数の画素構造Ｐを有する場合を例とし、複数の画素構造Ｐが二次元マトリックス状に配列されてよい。画素構造Ｐは、第１導電層１１１と、第２導電層１１２と、酸化物半導体層１１３とを少なくとも含んでいる。ここで、第１導電層１１１、第２導電層１１２及び酸化物半導体層１１３により、少なくとも画素のスイッチ素子である薄膜トランジスタを形成することができる。また、図１Ｄに示すように、本実施例において、画素構造Ｐは、第１絶縁層１１４と、第２絶縁層１１５と、電極１１６と、遮光部１１７と、誘電体層１１８とをさらに含んでもよい。簡単に説明するため、図１Ｂには、電極１１６が点線で示され、図１Ｃには、画素構造Ｐの第１導電層１１１、第２導電層１１２、酸化物半導体層１１３及び遮光部１１７のみが示されているが、他の膜層が示されていない。
【００２３】
図１Ｃ及び図１Ｄに示すように、第１導電層１１１は、アレイ基板１１の基板１１０上に配置され、第１方向Ｄ１に延びる配線部１１１１を有しており、配線部１１１１は、第１側Ｓ１と、第１側Ｓ１に対向する第２側Ｓ２とを有している。本実施例において、第１側Ｓ１は、図１Ｃにおける第１導電層１１１の配線部１１１１の上側であり、第２側Ｓ２は、第１側Ｓ１に対向する他側（配線部１１１１の下側）である。第１導電層１１１の材料は、アルミニウム、モリブデン、銅、銀などの金属、又はこれらの合金の単一層または多重層などとすることができる。この場合には、第１導電層１１１を薄膜トランジスタのゲート（参照符号なし）及び画素の走査線として用いることができる。
【００２４】
誘電体層１１８は、第１導電層１１１及び基板１１０上に配置されている。誘電体層１１８は、例えば有機酸化ケイ素化合物などの有機材料、又は、例えば窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ハフニウムなどの無機材料を用いてもよく、或は上記材料の多重層構造とすることができる。本実施例において、誘電体層１１８は、ゲート及び遮光部１１７を覆うとともに、基板１１０の一部又は全部を選択的に覆うことができる。
【００２５】
第２導電層１１２は、第１導電層１１１上に配置され、第１側Ｓ１及び第２側Ｓ２にそれぞれ配置される２つの接触部を有している。本実施例において、第１側Ｓ１に対応する接触部を第１接触部Ｃ１（薄膜トランジスタのドレインと見なす）として示し、第２側Ｓ２に対応する接触部を第２接触部Ｃ２（薄膜トランジスタのソースと見なす）として示している。また、第２導電層１１２は、第２方向Ｄ２に延びる導線部１１２１をさらに有しており、導線部１１２１は、第２接触部Ｃ２に接続されている。ここで、導線部１１２１は画素のデータ線であってもよい。
【００２６】
酸化物半導体層１１３は、第１導電層１１１と第２導電層１１２との間に配置されている。酸化物半導体層１１３の両端は、２つの接触部にそれぞれ接触している。本実施例において、第１接触部Ｃ１及び第２接触部Ｃ２は、酸化物半導体層１１３上に配置され、酸化物半導体層１１３の両端に接触している。この場合、酸化物半導体層１１３は、薄膜トランジスタのチャネル層であり、例えば、金属酸化物半導体層を含んでもよいが、これに限定されない。インジウム、ガリウム、亜鉛及びスズの何れか１つを含んでもよく、例えば、酸化インジウムガリウム亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｇａｌｌｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ，ＩＧＺＯ）が挙げられる。
【００２７】
図１Ｃに示すように、第１導電層１１１は、配線部１１１１から延びて突出する突出部１１１２をさらに有している。ここで、突出部１１１２は、配線部１１１１の第２側Ｓ２から延びて突出している（突出部１１１２は、第２方向Ｄ２に延びている）。そして、配線部１１１１は、第３方向Ｄ３において第１接触部Ｃ１と部分的に重なり、突出部１１１２は、第３方向Ｄ３において第２接触部Ｃ２と部分的に重なっている。
【００２８】
第１接触部Ｃ１と第２接触部Ｃ２との間に間隔を有している。ここで、「間隔」とは、第１接触部Ｃ１と第２接触部Ｃ２とが互いに接続されず、距離を置いて配置されている。また、第１絶縁層１１４は、酸化物半導体層１１３と第２導電層１１２との間に配置されている。ここで、第１絶縁層１１４は、酸化物半導体層１１３（チャネル層）上に配置されるとともに、第１接触部Ｃ１及び第２接触部Ｃ２にそれぞれ対応する２つの開口Ｏ１，Ｏ２を有し、且つ第１接触部Ｃ１及び第２接触部Ｃ２は、それぞれ２つの開口Ｏ１，Ｏ２を通じて酸化物半導体層１１３に接続されている。
【００２９】
薄膜トランジスタにおける酸化物半導体層１１３が非導通となる場合、第１接触部Ｃ１と第２接触部Ｃ２とが互いに電気的に隔離されている。第１絶縁層１１４は、例えば有機酸化ケイ素化合物などの有機材料、又は、例えば窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ハフニウムなどの単一層の無機材料を用いてもよく、或は上記材料の多重層構造とすることができる。ただし、他の実施態様において、第１絶縁層１１４を設けず、第１接触部Ｃ１及び第２接触部Ｃ２を酸化物半導体層１１３上に直接配置してもよい。
【００３０】
本実施例において、第１絶縁層１１４は、エッチング停止（ｅｔｃｈ  ｓｔｏｐ）層であり、第１接触部Ｃ１及び第２接触部Ｃ２は、第１絶縁層１１４の開口Ｏ１，Ｏ２内にそれぞれ配置されるとともに、第１絶縁層１１４の一部を覆い、且つ第１絶縁層１１４の開口Ｏ１，Ｏ２を通じて酸化物半導体層１１３に接触している。これにより、開口Ｏ１，Ｏ２内に配置される第１接触部Ｃ１及び第２接触部Ｃ２は、第３方向Ｄ３において第１導電層１１１と部分的にのみ重なっているため（重畳面積が比較的に小さい）、薄膜トランジスタの寄生容量（例えば、Ｃｇｄ，Ｃｇｓ）を低減することができ、画素構造Ｐにおいてフィードスルー（Ｆｅｅｄ−Ｔｈｒｏｕｇｈ）現象によって電気特性への影響を低減して表示画質を改善することができる。また、本実施例において、２つの開口Ｏ１，Ｏ２の形状が互いに異なるため、開口Ｏ１，Ｏ２内にそれぞれ配置される第１接触部Ｃ１及び第２接触部Ｃ２の形状も互いに異なっている。そのため、開口Ｏ１，Ｏ２の大きさを調整することによって、第１接触部Ｃ１と酸化物半導体層１１３との接触面積、及び第２接触部Ｃ２と酸化物半導体層１１３との接触面積を調整することができ（コンタクト抵抗の調整）、さらに、薄膜トランジスタのリーク電流を低減することができる。
【００３１】
また、本実施例において、酸化物半導体層１１３が第２方向Ｄ２に延びているため、配線部１１１１は、酸化物半導体層１１３に対して実質的に垂直となっている。この場合、酸化物半導体層１１３は、接続部１１３１と、接続部１１３１の両側に位置する２つの端部１１３２，１１３３とを有している。接続部１１３１は、第２方向Ｄ２に延びており、第１方向Ｄ１に沿う幅が２つの端部１１３２，１１３３のうちの一方の第１方向Ｄ１に沿う幅より小さい。言い換えれば、本実施例において、酸化物半導体層１１３は、第１導電層１１１の配線部１１１１に対して実質的に垂直となっている。且つ、酸化物半導体層１１３の形状は、両側で広く、中間で狭く形成されている。このように、２つの隣り合う画素構造Ｐが第１方向Ｄ１に沿う幅を小さくすることができる（即ち、隣り合う画素構造Ｐにおけるデータ線間の距離を小さくすることにより、画素構造Ｐの大きさを小さくできる）。これにより、高解像度の製品に適用することが可能であり、開口Ｏ１，Ｏ２内に位置する第１接触部Ｃ１及び第２接触部Ｃ２と、酸化物半導体層１１３との接触面積を増大することができるため、コンタクト抵抗を低減させることができる。
【００３２】
次に、図１Ｃ〜図１Ｄに示すように、本実施例において、開口Ｏ１，Ｏ２のうちの一方は、酸化物半導体層１１３の一端を完全に露出させ、且つ第１絶縁層１１４は、酸化物半導体層１１３の他端を覆っている。ここで、（ドレイン端子の）開口Ｏ１は、酸化物半導体層１１３の一方の末端部（図１Ｄでは、酸化物半導体層１１３の右側の末端部）を完全に露出させる。また、端部１１３２は、第１接触部Ｃ１に接触し、（ソース端子の）開口Ｏ２は、端部１１３３を部分的に露出させ（図１Ｄでは、酸化物半導体層１１３の左側）、この部分的に露出する端部１１３３が第２接触部Ｃ２に接触し、第１絶縁層１１４は、酸化物半導体層１１３の左側の末端部を覆っている。また、酸化物半導体層１１３は、第１方向Ｄ１に沿う第１の幅ｗ１を有している。接触部Ｃ１，Ｃ２のうちの一方は、第１導電層１１１と重なる重畳領域Ｚを有し、重畳領域Ｚは第１方向Ｄ１に沿う最大の第２の幅ｗ２を有しており、第１の幅ｗ１は、第２の幅ｗ２より小さい。本実施例において、第１の幅ｗ１は、例えば、酸化物半導体層１１３の接続部１１３１の第１方向Ｄ１に沿う最大の幅であってもよいが、これに限定されない。また、第２の幅ｗ２は、例えば、第１接触部Ｃ１と第１導電層１１１とを重畳する領域（重畳領域Ｚ）の第３方向Ｄ３における最大の幅であってもよい。且つ、第１の幅ｗ１は、第２の幅ｗ２より小さい。また、本実施例において、第２接触部Ｃ２と第１導電層１１１とを重畳する領域の第３方向Ｄ３における最大の幅は、第３の幅ｗ３であり、第１の幅ｗ１も第３の幅ｗ３より小さい。このように、画素構造Ｐの設計により、第１接触部Ｃ１及び第２接触部Ｃ２と、酸化物半導体層１１３とが比較的に大きい接触面積を確保でき（コンタクト抵抗が比較的に低い）、さらに、薄膜トランジスタ（画素構造Ｐ）が良い電気特性を有することができる。
【００３３】
図１Ｄを再び参照する。第２絶縁層１１５は、第２導電層１１２を覆うように、その上に配置されている。電極１１６は、第２絶縁層１１５上に配置され、第２絶縁層１１５の貫通孔Ｈを通じて接触部Ｃ１，Ｃ２のいずれかに接続されている。ここで、第２絶縁層１１５の材料は、例えば有機材料であり、ポリフルオロアルコキシ樹脂（Ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｏａｌｋｏｘｙ，ＰＦＡ）が挙げられるが、これに限定されない。電極１１６は、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、カドミウム錫酸化物（ＣＴＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの透明導電材料であってもよいが、特に限定されない。本実施例において、電極１１６は、画素電極であり、第２絶縁層１１５上に配置され、第２絶縁層１１５の貫通孔Ｈ内に埋め込まれて第１接触部Ｃ１に接続されている。
【００３４】
また、遮光部１１７は、第１導電層１１１の第１側Ｓ１に配置され、貫通孔Ｈは、遮光部１１７と配線部１１１１との間に位置している。ここで、遮光部１１７及び第１導電層１１１は、同じ材料であり、同一なプロセスで形成することが可能となる。これにより、電極１１６（画素電極）の曲がり角に液晶分子の配列異常に起因する光漏れ現象を遮蔽することが可能である。
【００３５】
このように、アレイ基板１１の複数の走査線が走査信号を受けると、各走査線が対応する画素構造Ｐにおける薄膜トランジスタを導通させ、各列の画素に対応するデータ信号を複数のデータ線を通じて対応する画素構造Ｐの電極１１６に転送し、電極１１６及び共通電極による電圧差によって対応する液晶分子が駆動されて表示装置１に画像を表示させることができる。
【００３６】
また、図１Ｅは、本考案の表示装置１を示す他の概略図である。
【００３７】
本実施例において、表示装置１は、バックライトモジュール１４をさらに含んでもよい。バックライトモジュール１４からの光線Ｅがアレイ基板１１、表示媒体層１３、対向基板１２を順に通過し、表示パネル３に色を表示させることによって、画像を形成することができる。
【００３８】
また、図２は、本考案の他の実施例に係る画素構造Ｐａの概略図である。
【００３９】
画素構造Ｐａと図１Ｄにおける画素構造Ｐとの主な相違点は、画素構造Ｐａにおいて第１絶縁層１１４を設けず、第２導電層１１２の第１接触部Ｃ１及び第２接触部Ｃ２が酸化物半導体層１１３の両側をそれぞれ接触するように、酸化物半導体層１１３上に直接配置される点にある。
【００４０】
なお、画素構造Ｐａの他の構成について、画素構造Ｐと同じ構成を参照することができるため、説明を省略する。
【００４１】
また、図３Ａ〜図３Ｅは、本考案の異なる実施態様に係る画素構造Ｐｂ〜Ｐｆの概略図である。ここで、図３Ａ〜図３Ｅでは、画素構造Ｐｂ〜Ｐｆの第１導電層１１１、第２導電層１１２、及び酸化物半導体層１１３のみを示しているが、他の膜層を示していない。
【００４２】
図３Ａに示すように、画素構造Ｐｂは、第１接触部Ｃ１に位置する端部（上側）が第３方向Ｄ３において第１導電層１１１の配線部１１１１と完全に重なっている点で、画素構造Ｐと相違している。
【００４３】
次に、図３Ｂに示すように、画素構造Ｐｃは、第３方向Ｄ３において導線部１１２１と第１導電層１１１と重なる部分が第１方向Ｄ１に比較的に大きい幅を有している点で、画素構造Ｐｂと相違している。
【００４４】
そして、図３Ｃに示すように、画素構造Ｐｄは、第２接触部Ｃ２に位置する端部（下側）が第３方向Ｄ３において第１導電層１１１の突出部１１１２と完全に重なっている点で、画素構造Ｐｂと相違している。
【００４５】
また、図３Ｄに示すように、画素構造Ｐｅは、第１導電層１１１の突出部１１１２の第１方向Ｄ１に沿う幅が比較的に大きく、酸化物半導体層１１３の形状がＬ状である点で、画素構造Ｐｄと相違している。
【００４６】
また、図３Ｅに示すように、画素構造Ｐｆと図１Ｄに示す画素構造Ｐとの主な相違点は、画素構造Ｐｆにおいて、突出部１１１２が設けられず、配線部１１１１のみが設けられるとともに、配線部１１１１の第２方向Ｄ２に沿う幅が画素構造Ｐの配線部１１１１よりも大きい点である。
【００４７】
なお、画素構造Ｐｂ〜Ｐｆの他の技術的特徴については、画素構造Ｐと同じ構成を参照することができるため、説明を省略する。
【００４８】
上述したように、本考案の表示装置において、画素構造における第２導電層は、第１導電層における配線部の第１側及び第２側にそれぞれ配置される２つの接触部を有し、酸化物半導体層は、第１導電層と第２導電層との間に配置され、その両端が２つの接触部にそれぞれ接触する。また、酸化物半導体層の第１方向に沿う第１の幅は、２つの接触部のうちの一方と第１導電層と重なる重畳領域の第１方向に沿う最大の第２の幅よりも小さい。このように、本考案の画素構造の設計により、高解像度の製品に適用可能な小さい画素構造を有するとともに、高画質を実現できる表示装置を提供することができる。
【００４９】
以上は本考案の好ましい具体的な実施例であるが、本考案の実用新案登録請求の範囲を限定するものではなく、本考案の内容を利用して変更した等価なものはいずれも本考案の範囲内に含まれる。
【符号の説明】
【００５０】
１：表示装置
１１：アレイ基板
１１０：基板
１１１：第１導電層
１１１１：配線部
１１１２：突出部
１１２：第２導電層
１１２１：導線部
１１３：酸化物半導体層
１１３１：接続部
１１３２、１１３３：端部
１１４：第１絶縁層
１１５：第２絶縁層
１１６：電極
１１７：遮光部
１１８：誘電体層
１２：対向基板
１３：表示媒体層
１４：バックライトモジュール
Ｃ１：第１接触部
Ｃ２：第２接触部
Ｄ１：第１方向
Ｄ２：第２方向
Ｄ３：第３方向
Ｅ：光線
Ｈ：貫通孔
Ｏ１、Ｏ２：開口
Ｐ、Ｐａ〜Ｐｆ：画素構造
Ｓ１：第１側
Ｓ２：第２側
ｗ１：第１の幅
ｗ２：第２の幅
ｗ３：第３の幅
Ｚ：重畳領域
【図１Ａ】
0003203753.tif 000003
【図１Ｂ】
0003203753.tif 000004
【図１Ｃ】
0003203753.tif 000005
【図１Ｄ】
0003203753.tif 000006
【図１Ｅ】
0003203753.tif 000007
【図２】
0003203753.tif 000008
【図３Ａ】
0003203753.tif 000009
【図３Ｂ】
0003203753.tif 000010
【図３Ｃ】
0003203753.tif 000011
【図３Ｄ】
0003203753.tif 000012
【図３Ｅ】
0003203753.tif 000013