(57)【要約】      （修正有）【課題】大電力半導体とラジエーターとの組立構造を提供する。【解決手段】プリント回路板１０１とプリント回路板に設けられる大電力半導体素子１〜６とを含む大電力半導体モジュール１０と、少なくとも２つのメイン放熱フィン２０ａ、２０ｂを有するラジエーター２０と、隙間充填層１０２と、を含み、前記大電力半導体モジュールが隣接する２つのメイン放熱フィンの間に設けられ、前記隙間充填層が前記大電力半導体モジュールとメイン放熱フィンとの間に設けられ、また、前記隙間充填層がメイン放熱フィンの表面に緊密に接合される。本考案では、大電力半導体モジュールがラジエーターのメイン放熱フィンの間に形成される格納空間内に設けられ、また、大電力半導体モジュールとメイン放熱フィンとの間に隙間充填層が設けられることで、大電力半導体モジュールにより生じる熱を迅速にラジエーターのメイン放熱フィンに伝達し、メイン放熱フィンを通じて迅速に外部に拡散できる。【選択図】図６
0003207656.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
大電力半導体とラジエーターとの組立構造であって、
プリント回路板と、プリント回路板の第１面上に設けられる大電力半導体素子と、を含む第１大電力半導体モジュールと、
プリント回路板と、プリント回路板の第１面上に設けられる大電力半導体素子と、を含む第２大電力半導体モジュールと、
少なくとも３つのメインフィンを有するラジエーターと、
隙間充填層と、
を含み、
前記第１大電力半導体モジュールと前記第２大電力半導体モジュールとがそれぞれ隣接する２つの前記メインフィンの間に設けられ、前記隙間充填層が、前記第１大電力半導体モジュールと前記メインフィンとの間、及び、前記第２大電力半導体モジュールと前記メインフィンとの間に設けられ、前記隙間充填層が前記メインフィンの表面に緊密に接合されることを特徴とする、
大電力半導体とラジエーターとの組立構造。
【請求項２】
大電力半導体とラジエーターとの組立構造であって、
プリント回路板と、プリント回路板の第１面上と第２面上とに設けられる大電力半導体素子と、を含む大電力半導体モジュールと、
少なくとも２つのメインフィンを有するラジエーターと、
隙間充填層と、を含み、
前記大電力半導体モジュールが隣接する２つの前記メインフィンの間に設けられ、前記隙間充填層が前記大電力半導体モジュールと前記メインフィンとの間に設けられ、前記隙間充填層が前記メインフィンの表面に緊密に接合されることを特徴とする
大電力半導体とラジエーターとの組立構造。
【請求項３】
前記大電力半導体素子が、表面実装される半導体であることを特徴とする、
請求項１又は２に記載の大電力半導体とラジエーターとの組立構造。
【請求項４】
前記大電力半導体素子が、表面実装技術により前記プリント回路板に実装されることを特徴とする、
請求項１又は２に記載の大電力半導体とラジエーターとの組立構造。
【請求項５】
前記プリント回路板に、電気接続するためのコネクタ又は連結孔が設けられることを特徴とする、
請求項３又は４に記載の大電力半導体とラジエーターとの組立構造。
【請求項６】
前記隙間充填層が、熱伝達性と柔軟性とを有することを特徴とする、
請求項１又は２に記載の大電力半導体とラジエーターとの組立構造。
【請求項７】
前記隙間充填層が、前記第１大電力半導体モジュールと第２大電力半導体モジュールとをそれぞれ被覆することを特徴とする、
請求項１に記載の大電力半導体とラジエーターとの組立構造。
【請求項８】
前記ラジエーターが、１つの金属部材で製造されるか、又は１つ以上の金属部材を組み合わせて製造されることを特徴とする、
請求項１又は２に記載の大電力半導体とラジエーターとの組立構造。
【請求項９】
前記大電力半導体素子のパッケージの最上部は水平で、熱伝達金属片が固定され、前記熱伝達金属片と前記大電力半導体素子の大電流が流れるピンとは電気的に接続されることを特徴とする、
請求項２に記載の大電力半導体とラジエーターとの組立構造。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、電力半導体とラジエーターとの組立構造、より具体的には、大電力半導体とラジエーターとの組立構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
大電力半導体素子は、作動時に熱消耗が生じる。その熱量が大きすぎ、周囲の媒体に拡散できなければ、大電力半導体素子は温度が高くなりすぎて機能しなくなる。大電力半導体素子の温度が高くなりすぎないようにするため、一般的にはラジエーターを増やすことで放熱が早められる。しかしながら、電力密度が高まるに伴い大電力半導体素子が生じる熱量は大きくなる一方で、従来の大電力半導体とラジエーターとの組立構造では放熱の需要を満足できなくなるため、より有効な放熱構造が強く求められている。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００３】
本考案の目的は、大電力半導体とラジエーターとの組立構造を提供することであり、大電力半導体素子が生じる熱量を速やかに伝達して放熱し、温度が高くなりすぎて、大電力半導体素子の正常の作動に影響することを避けることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
一の態様では、本考案における大電力半導体とラジエーターとの組立構造は、
プリント回路板とプリント回路板の第１面上に設けられる大電力半導体素子とを含む第１大電力半導体モジュールと、
プリント回路板とプリント回路板の第１面上に設けられる大電力半導体素子とを含む第２大電力半導体モジュールと、
少なくとも３つのメインフィンを有するラジエーターと、
隙間充填層と、を含み、
前記第１大電力半導体モジュールと前記第２大電力半導体モジュールとがそれぞれ隣接する２つのメインフィンの間に設けられ、前記隙間充填層が前記第１大電力半導体モジュールとメインフィンとの間、及び、前記第２大電力半導体モジュールとメインフィンとの間に設けられ、前記隙間充填層がメインフィンの表面に緊密に接合される。
【０００５】
他の態様では、本考案における大電力半導体とラジエーターとの組立構造は、
プリント回路板とプリント回路板の第１面上と第２面上とに設けられる大電力半導体素子とを含む大電力半導体モジュールと、
少なくとも２つのメインフィンを有するラジエーターと、
隙間充填層と、を含み、
前記大電力半導体モジュールが隣接する２つのメインフィンの間に設けられ、前記隙間充填層が前記大電力半導体モジュールとメインフィンとの間に設けられ、前記隙間充填層がメインフィンの表面に緊密に接合される。
【０００６】
本考案の一実施例において、前記大電力半導体素子は、表面実装される半導体である。
【０００７】
本考案の一実施例において、前記大電力半導体素子は、表面実装技術により前記プリント回路板に実装される。
【０００８】
本考案の一実施例において、前記プリント回路板に、電気接続するためのコネクタまたは連結孔が設けられる。
【０００９】
本考案の一実施例において、前記隙間充填層は、熱伝達性と柔軟性とを有する。
【００１０】
本考案の一実施例において、前記隙間充填層は、前記大電力半導体モジュールを被覆する。
【００１１】
本考案の一実施例において、前記ラジエーターは、１つの金属部材で製造されるか、または１つ以上の金属部材を組み合わせて製造される。
【００１２】
本考案の一実施例において、前記大電力半導体素子のパッケージの最上部は水平で、熱伝達金属片が固定され、前記熱伝達金属片と前記大電力半導体素子の大電流が流れるピンとは電気的に接続される。
【考案の効果】
【００１３】
本考案による大電力半導体とラジエーターとの組立構造を使用すれば、次のような有益な効果がもたらされる。本考案によれば、大電力半導体モジュールがラジエーターのメインフィンの間に形成される格納空間内に設けられ、また、大電力半導体モジュールとメインフィンとの間に隙間充填層が設けられることで、大電力半導体モジュールにより生じる熱を迅速にラジエーターのメインフィンに伝達し、メインフィンを通じて迅速に外部に拡散できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
次に、図面や実施例と関連付けて本考案についてさらに説明する。
【図１】三相ブラシレスモータ駆動回路の模式図である。
【図２】本考案の大電力半導体とラジエーターとの組立構造の第１実施例の模式図である。
【図３】図２に示す大電力半導体とラジエーターとの組立構造の原理模式図である。
【図４】図２に示す大電力半導体とラジエーターとの組立構造の分解模式図である。
【図５】図２に示す大電力半導体とラジエーターとの組立構造の他の角度での分解模式図である。
【図６】本考案の大電力半導体とラジエーターとの組立構造の第２実施例の模式図である。
【図７】図６に示す大電力半導体とラジエーターとの組立構造の原理模式図である。
【図８】図６に示す大電力半導体とラジエーターとの組立構造の分解模式図である。
【図９】図６に示す大電力半導体とラジエーターとの組立構造の他の角度での分解模式図である。
【図１０】本考案の大電力半導体とラジエーターとの組立構造の第３実施例の模式図である。
【図１１】図１０に示す大電力半導体とラジエーターとの組立構造の原理模式図である。
【考案を実施するための形態】
【００１５】
本考案の技術的特徴、目的及び効果がより明確に理解されるように、図面を参照しながら本考案の具体的な実施形態について詳細に説明する。
【００１６】
以下の通り、本考案による大電力半導体とラジエーターとの組立構造の実施例について詳細に説明する。これらの実施例の凡例は図面に示されており、同一または類似の符号は同一若しくは類似の部品又は同一若しくは類似の機能を有する素子を示すものである。
【００１７】
本考案の大電力半導体とラジエーターとの組立構造についての説明で、「前」、「後」、「上」、「下」、「上端」、「下端」、「上部」、「下部」などの用語により示される方位や位置関係は、図面に基づいて示される方位や位置関係であり、本考案を説明しやすくしたり説明を簡略化したりするためのものにすぎないと理解されたい。示される装置又は部品が特定の方位での構造や操作のために特定の方位にあるべきことを示し又は暗示するものではないので、本考案を限定するものと解するべきではない。また、「第１」、「第２」などという用語も説明を目的とするものにすぎず、相対的重要性を示し又は暗示すると解してはならない。
【００１８】
図１は、よく見られる三相ブラシレスモータ駆動回路の模式図である。当該三相ブラシレスモータ駆動回路は、電源８と、電源８に接続される駆動モジュール１３と、三相ブラシレスモータ７とを有しており、駆動モジュール１３は、三相ブラシレスモータ７に接続されて三相ブラシレスモータ７を駆動する。駆動モジュール１３は、第１大電力半導体モジュール１０と第２大電力半導体モジュール１１とを含み、第１大電力半導体モジュール１０に少なくとも３つの大電力半導体素子１、３、５が設けられ、第２大電力半導体モジュール１１に少なくとも３つの大電力半導体素子２、４、６が別途設けられる。大電力半導体素子１〜６は、ＭＯＳＦＥＴ又はその他の半導体スイッチデバイスであってもよい。大電力半導体素子１〜６が作動中に発生させる大量の熱量が速やかに外部に拡散されない場合、大電力半導体素子１〜６は温度が高くなりすぎて機能しなくなる。しかし、本考案による大電力半導体とラジエーターとの組立構造は、この問題をよく解決することができる。本考案による大電力半導体とラジエーターとの組立構造がどのようにして実現されるのかを以下に詳細に説明する。
【００１９】
図２及び図３は、本考案による大電力半導体とラジエーターとの組立構造の第１実施例の模式図である。ラジエーター２０は、３つのメイン放熱フィン２０ａ、２０ｂ及び２０ｃを有し、メイン放熱フィン２０ａとメイン放熱フィン２０ｂとの間に第１大電力半導体モジュール１０を格納するための格納空間が形成され、プリント回路板１０１とその第１面上に実装される大電力半導体素子１、３、５、及び隙間充填層１０２が、当該格納空間内に挿入される。メイン放熱フィン２０ｂとメイン放熱フィン２０ｃとの間に第２大電力半導体モジュール１１を格納するための格納空間が形成され、プリント回路板１１１とその第１面上に実装される大電力半導体素子２、４、６、及び隙間充填層１１２が、当該格納空間内に挿入される。
【００２０】
図２〜図５を参照すると、よりよく放熱するために、プリント回路板１０１、１１１とメイン放熱フィン２０ａ、２０ｂ、２０ｃとの間にそれぞれ隙間充填層１０２、１１２が設けられる。隙間充填層１０２、１１２は、熱伝導材料により製造される。隙間充填層１０２は、第１大電力半導体モジュール１０とメイン放熱フィン２０ａ、２０ｂとの間の隙間に充填される。隙間充填層１１２は、第２大電力半導体モジュール１１とメイン放熱フィン２０ｂ、２０ｃとの間の隙間に充填される。よりよい放熱及び組み立てのために、隙間充填層１０２、１１２は二層構造となっている。隙間充填層１０２は、ともに積層されている第１層１０２ａと第２層１０２ｂとを含む。第２層１０２ｂは、第１層１０２ａの外側に位置してメイン放熱フィン２０ａ、２０ｂの表面に緊密に接合される。隙間充填層１１２は、ともに積層されている第１層１１２ａと第２層１１２ｂとを含む。第２層１１２ｂは、第１層１１２ａの外側に位置してメイン放熱フィン２０ｂ、２０ｃの表面に緊密に接合される。隙間充填層１０２、１１２の第１層１０２ａ、１１２ａと第２層１０２ｂ、１１２ｂとは、それぞれ熱伝導絶縁耐高温材料で製造される。第１層１０２ａ、１１２ａは柔軟でその表面に粘着性を有するため、隙間をよく充填でき、かつ、プリント回路板１０１、１１１及び大電力半導体素子１〜６の表面に固定されて緩衝作用をもたらすこともできる。第２層１０２ｂ、１１２ｂは強靭でその表面に粘着性がなく、かつ、第２層１０２ｂ、１１２ｂの摩擦係数は第１層１０２ａ、１１２ａの摩擦係数より小さいため、大電力半導体モジュール１０、１１をスライドさせて、メイン放熱フィン２０ａ、２０ｂ、２０ｃの間に形成される格納空間内に挿入しやすい。第１層１０２ａ、１１２ａは、シリコン弾性体又は他の適宜な材料で製造されてもよく、第２層１０２ｂ、１１２ｂは、ポリエチレンテレフタレート材質のガスケットであってもよい。または、第２層１０２ｂ、１１２ｂは、カーボン充填のグラスファイバー、カーボン充填のポリイミド、シリコン弾性体、シリコンゴムコーティングされたポリイミド又は他の適宜な材料で製造される。
【００２１】
図２〜図５を参照すると、本実施例では、プリント回路板１０１の第１面に大電力半導体素子１、３、５が実装され、大電力半導体素子１、３、５が隙間充填層１０２の第１層１０２ａに緊密に接合され、プリント回路板１０１の第２面が隙間充填層１０２の第１層１０２ａに緊密に接合される。このようにすることで、プリント回路板１０１及びその上にある大電力半導体素子１、３、５と隙間充填層１０２との良好な接触が保たれ、適時かつ迅速にプリント回路板１０１及びその上にある大電力半導体素子１、３、５からラジエーター２０へと熱を伝達することができる。プリント回路板１１１及び大電力半導体素子２、４、６の放熱構造は、プリント回路板１０１及びその上にある大電力半導体素子１、３、５の放熱構造と同じであるため、ここでは説明を省略する。本実施例では、駆動回路がさらに第３回路モジュール１４を有し、第１大電力半導体モジュール１０と第２大電力半導体モジュール１１との間がコネクタ１２で接続され、第２大電力半導体モジュール１１と第３回路モジュール１４との間がコネクタ１５で接続される。
【００２２】
図６〜図９は、本考案の大電力半導体とラジエーターとの組立構造の第２実施例の模式図である。ラジエーター２０が２つのメイン放熱フィン２０ａ及び２０ｂを有し、メイン放熱フィン２０ａとメイン放熱フィン２０ｂとの間に大電力半導体モジュール１０を格納するための格納空間が形成される。プリント回路板１０１と、プリント回路板１０１の第１面上に実装される大電力半導体素子１、３、５、プリント回路板１０１の第２面上に実装される大電力半導体素子２、４、６、及び隙間充填層１０２が当該格納空間内に挿入される。
【００２３】
図６〜図９を参照すると、よりよく放熱するために、プリント回路板１０１とメイン放熱フィン２０ａ、２０ｂとの間に隙間充填層１０２が設けられる。隙間充填層１０２は、熱伝導材料により製造される。隙間充填層１０２は、第１大電力半導体モジュール１０とメイン放熱フィン２０ａ、２０ｂとの間の隙間に充填される。よりよい放熱及び組み立てのために、隙間充填層１０２は二層構造となっている。隙間充填層１０２は、ともに積層されている第１層１０２ａと第２層１０２ｂとを含む。第２層１０２ｂは、第１層１０２ａの外側に位置してメイン放熱フィン２０ａ、２０ｂの表面に緊密に接合される。隙間充填層１０２の第１層１０２ａと第２層１０２ｂとは、それぞれ熱伝導絶縁耐高温材料で製造される。第１層１０２ａは柔軟でその表面が粘着性を有するため、隙間をよく充填でき、かつプリント回路板１０１及び大電力半導体素子１〜６の表面に固定されて緩衝作用をもたらすこともできる。第２層１０２ｂは強靭でその表面に粘着性がなく、かつ、第２層１０２ｂの摩擦係数が第１層１０２ａの摩擦係数より小さいため、プリント回路板１０１をスライドさせて、メイン放熱フィン２０ａ、２０ｂの間に形成される格納空間内に挿入しやすい。第１層１０２ａは、シリコン弾性体又は他の適宜な材料で製造されてもよく、第２層１０２ｂは、ポリエチレンテレフタレート材質のガスケットであってもよい。または、第２層１０２ｂは、カーボン充填のグラスファイバー、カーボン充填のポリイミド、シリコン弾性体、シリコンゴムコーティングされたポリイミド又は他の適宜な材料で製造される。
【００２４】
図６〜図９を参照すると、本実施例では、プリント回路板１０１の２つの面に大電力半導体素子が実装される。そのうち、プリント回路板１０１の第１面上に大電力半導体素子１、３、５が実装され、プリント回路板１０１の第２面上に大電力半導体素子２、４、６が実装される。大電力半導体素子１〜６が隙間充填層１０２の第１層１０２ａに緊密に接合されることにより、プリント回路板１０１上にある大電力半導体素子１〜６と隙間充填層１０２との良好な接触が保たれ、適時かつ迅速にプリント回路板１０１及びその上にある大電力半導体素子１〜６からラジエーター２０へ熱を伝達することができる。本実施例では、駆動回路は第３回路モジュール１４を更に有し、第１大電力半導体モジュール１０と第３回路モジュール１４との間がコネクタ１２で接続される。
【００２５】
図１０と図１１は、本考案の大電力半導体とラジエーターとの組立構造の第３実施例の模式図であり、第２実施例を基礎にして更なる改良を施したものである。よりよい放熱効果を得るため、大電力半導体モジュール１０のプリント回路板１０１の第１面上の大電力半導体素子１、３、５にそれぞれ熱伝達金属片２０１、２０３、２０５が追加される。熱伝達金属片２０１、２０３、２０５はそれぞれ水平で、大電力半導体素子１、３、５のパッケージの最上部に固定される。熱伝達金属片２０１、２０３、２０５は、それぞれ手溶接又はＳＭＴ方式で、例えばＭＯＳＦＥＴのドレインのような大電力半導体素子１、３、５の大電流が流れるピンに電気的に接続される。プリント回路板１０１の第２面上の大電力半導体素子２、４、６にそれぞれ熱伝達金属片２０２、２０４、２０６が追加される。熱伝達金属片２０２、２０４、２０６はそれぞれ水平で、大電力半導体素子２、４、６のパッケージの最上部に固定される。熱伝達金属片２０２、２０４、２０６は、それぞれ手溶接又はＳＭＴ方式で、例えばＭＯＳＦＥＴのドレインのような大電力半導体素子２、４、６の大電流が流れるピンに電気的に接続される。熱伝達金属片２０１〜２０６は、銅、アルミ、又は合金片であってもよい。熱伝達金属片２０１〜２０６は、それぞれ大電力半導体素子１〜６の大電流ピンに接続されて、大電流ピンで発生する熱を速やかにラジエーター２０のメイン放熱フィン２０ａ、２０ｂに伝達するため、よりよい放熱効果が得られる。当該実施例のその他の構造は、第２実施例の構造と同じであるため、ここでは説明を省略する。
【００２６】
本考案では、大電力半導体素子を表面実装技術（ＳＭＴ）でプリント回路板に実装してもよく、半田付けでプリント回路板に溶接してもよい。ラジエーターは、金属材料で加工することができる。例えばアルミ合金、アルミ、銅合金、銅等のうち、１つの金属材料を用いて押出成形しても、コンピュータ数値制御（ＣＮＣ）等の方法で加工しても、又は複数の金属部材を溶接又はねじ接合で組み合わせて製造してもよい。
【００２７】
本考案によれば、大電力半導体素子の実装されているプリント回路板がラジエーターのメインフィンの間に形成される格納空間内に設けられ、また、プリント回路板とメインフィンとの間に隙間充填層が設けられることにより、大電力半導体素子及びプリント回路板により生じる熱を迅速にラジエーターのメインフィンに伝達し、メインフィンを通して迅速に外部に拡散することができる。
【００２８】
上記のように、図面と関連付けて本考案の実施例を説明したが、本考案は、上記の具体的な実施形態に限定されるものではない。上記の具体的な実施形態は、例示的なものにすぎず、限定的なものではない。当業者は、本考案の示唆の下、本考案の趣旨と請求項で保護しようとする範囲を逸脱せずに多くの形態で実施可能であり、これらの全ても本考案の保護範囲に属するものである。
【図１】
0003207656.tif 000003
【図２】
0003207656.tif 000004
【図３】
0003207656.tif 000005
【図４】
0003207656.tif 000006
【図５】
0003207656.tif 000007
【図６】
0003207656.tif 000008
【図７】
0003207656.tif 000009
【図８】
0003207656.tif 000010
【図９】
0003207656.tif 000011
【図１０】
0003207656.tif 000012
【図１１】
0003207656.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月27日(2016.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】実用新案登録請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
大電力半導体とラジエーターとの組立構造であって、
プリント回路板と、プリント回路板の第１面上に設けられる大電力半導体素子と、を含む第１大電力半導体モジュールと、
プリント回路板と、プリント回路板の第１面上に設けられる大電力半導体素子と、を含む第２大電力半導体モジュールと、
少なくとも３つのメインフィンを有するラジエーターと、
隙間充填層と、
を含み、
前記第１大電力半導体モジュールと前記第２大電力半導体モジュールとがそれぞれ隣接する２つの前記メインフィンの間に設けられ、前記隙間充填層が、前記第１大電力半導体モジュールと前記メインフィンとの間、及び、前記第２大電力半導体モジュールと前記メインフィンとの間に設けられ、前記隙間充填層が前記メインフィンの表面に緊密に接合されることを特徴とする、
大電力半導体とラジエーターとの組立構造。
【請求項２】
前記大電力半導体素子が、表面実装される半導体であることを特徴とする、
請求項１に記載の大電力半導体とラジエーターとの組立構造。
【請求項３】
前記大電力半導体素子が、表面実装技術により前記プリント回路板に実装されることを特徴とする、
請求項１に記載の大電力半導体とラジエーターとの組立構造。
【請求項４】
前記プリント回路板に、電気接続するためのコネクタ又は連結孔が設けられることを特徴とする、
請求項２又は３に記載の大電力半導体とラジエーターとの組立構造。
【請求項５】
大電力半導体とラジエーターとの組立構造であって、
プリント回路板と、プリント回路板の第１面上と第２面上とに設けられる大電力半導体素子と、を含む大電力半導体モジュールと、
少なくとも２つのメインフィンを有するラジエーターと、
隙間充填層と、を含み、
前記大電力半導体モジュールが隣接する２つの前記メインフィンの間に設けられ、前記隙間充填層が前記大電力半導体モジュールと前記メインフィンとの間に設けられ、前記隙間充填層が前記メインフィンの表面に緊密に接合されることを特徴とする
大電力半導体とラジエーターとの組立構造。
【請求項６】
前記大電力半導体素子が、表面実装される半導体であることを特徴とする、
請求項５に記載の大電力半導体とラジエーターとの組立構造。
【請求項７】
前記大電力半導体素子が、表面実装技術により前記プリント回路板に実装されることを特徴とする、
請求項５に記載の大電力半導体とラジエーターとの組立構造。
【請求項８】
前記プリント回路板に、電気接続するためのコネクタ又は連結孔が設けられることを特徴とする、
請求項５に記載の大電力半導体とラジエーターとの組立構造。
【請求項９】
前記隙間充填層が、熱伝達性と柔軟性とを有することを特徴とする、
請求項１又は５に記載の大電力半導体とラジエーターとの組立構造。
【請求項１０】
前記隙間充填層が、前記第１大電力半導体モジュールと第２大電力半導体モジュールとをそれぞれ被覆することを特徴とする、
請求項１に記載の大電力半導体とラジエーターとの組立構造。
【請求項１１】
前記ラジエーターが、１つの金属部材で製造されるか、又は１つ以上の金属部材を組み合わせて製造されることを特徴とする、
請求項１又は５に記載の大電力半導体とラジエーターとの組立構造。
【請求項１２】
前記大電力半導体素子のパッケージの最上部は水平で、熱伝達金属片が固定され、前記熱伝達金属片と前記大電力半導体素子の大電流が流れるピンとは電気的に接続されることを特徴とする、
請求項５に記載の大電力半導体とラジエーターとの組立構造。