(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス貯蔵内部容積を画定する容器コンテナ、並びに、前記容器コンテナに固定されたバルブヘッド調整器アセンブリであって、前記容器コンテナの前記内部容積内に配置された単一のガス圧力調整器、及びガス流制御バルブを含むバルブヘッドを備えた、バルブヘッド調整器アセンブリを備え、前記単一のガス圧力調整器が０．５ＭＰａから１．５ＭＰａまでの範囲内の設定点圧力を有するように構成され、前記容器コンテナの前記内部容積が、４０Ｌから２２０Ｌまでの範囲内に含まれ、前記容器コンテナ内の前記内部容積内に貯蔵されたガスが、前記設定点圧力よりも大きい、大気圧を超えた圧力である、ガス貯蔵分配容器。
【請求項２】
前記容器コンテナの前記内部容積内に、４ＭＰａから１４ＭＰａまでの範囲内に含まれる圧力のガスを収容している、請求項１に記載のガス貯蔵分配容器。
【請求項３】
前記ガスが、アルシン、ホスフィン、三フッ化窒素、三フッ化ホウ素、三塩化ホウ素、ジボラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、ジシラン、シラン、ゲルマン、有機金属ガス状試薬、セレン化水素、テルル化水素、スチビン、クロロシラン、トリシラン、メタン、硫化水素、水素、フッ化水素、ジボロン四フッ化物、塩化水素、塩素、フッ素化炭化水素、ハロゲン化シラン、ハロゲン化ジシラン、ＧｅＦ４、ＰＦ３、ＰＦ５、ＡｓＦ３、ＡｓＦ５、Ｈｅ、Ｎ２、Ｏ２、Ｆ２、Ｘｅ、Ａｒ、Ｋｒ、ＣＯ、ＣＯ２、ＣＦ４、ＣＯＦ２、以上のうちの２以上の混合物、及び同位体が濃縮されたそれらの変異物、から成る群から選択されたガスを含む、請求項２に記載のガス貯蔵分配容器。
【請求項４】
前記ガス貯蔵分配容器が配置されるガスキャビネットと組み合わされる、請求項１に記載のガス貯蔵分配容器。
【請求項５】
（ｉ）前記ガス貯蔵分配容器が配置されるガスボックス、及び（ｉｉ）前記ガスボックスに対して昇圧された電圧で動作するように構成された処理ツールであって、前記ガスボックス内に配置される前記ガス貯蔵分配容器からのガスを受容するように配置された、処理ツールと組み合わされる、請求項１に記載のガス貯蔵分配容器。
【請求項６】
前記ガス貯蔵分配容器からのガスを受容する浮遊帯結晶化装置と動作可能に連結される、請求項１に記載のガス貯蔵分配容器。
【請求項７】
フラットパネルディスプレイ製品の製造のためにガスを供給するように動作可能に配置された、請求項１に記載のガス貯蔵分配容器を備えた、フラットパネルディスプレイ製造処理システム。
【請求項８】
イオン注入処理設備、シリコンウエハ製造設備、及び半導体製造処理設備のうち少なくとも一つを備えるガス利用処理設備内での使用のために、請求項１に記載のガス貯蔵分配容器内にパッケージされたガスを供給することを含む、ガス利用処理設備の作動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本明細書は、２０１４年１０月３日に出願された米国仮特許出願第６２／０５９，５３６号の３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１９における優先権の利益を主張する。米国仮特許出願第６２／０５９，５３６号の開示は、全ての目的に対してその全体が参照されることによって本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本開示は、ガスの貯蔵及び分配のための圧力調整されたガス供給容器に関し、それを備えた処理システムに関し、且つ、それを製造し使用する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
高価なガスの貯蔵及び分配のためのガス供給パッケージの分野では、従来の高圧ガスシリンダーの範囲を超えて、様々な設計が発展してきた。
【０００４】
Ｌｕｐｉｎｇ  Ｗａｎｇらの米国特許第６，１０１，８１６号、６，０８９，０２７号、及び６，３４３、４７６号で説明され、ＶＡＣというブランド名で（米国マサチューセッツ州ビルリカの）Ｅｎｔｅｇｒｉｓ，Ｉｎｃ．から入手可能なガス供給容器は、一例である。その容器は、１以上の圧力調整器がガス供給容器の内部容積内に配置され、低圧ガス源が対応する低圧で操作されるイオン注入装置にドーパント原料ガスを供給するのに望ましい、イオン注入などの用途に対して、低圧、例えば、大気圧より低い圧力におけるガスを分配することをもたらし得る。
【０００５】
概して、そのような種類の圧力調整されたガス供給容器は、５００ｔｏｒｒ（０．６７ｂａｒ）のオーダーの圧力におけるガスを供給するように構成された、比較的小型のガス供給パッケージ、例えば、２．２Ｌガス貯蔵容積パッケージとして販売されてきた。
【発明の概要】
【０００６】
本開示は、圧力調整されたガス供給容器、そのような容器を備えたシステム、及びそのような容器を製造し使用する方法に関する。
【０００７】
一態様では、本開示が、ガス貯蔵内部容積を画定する容器コンテナ、並びに、容器コンテナに固定されたバルブヘッド調整器アセンブリであって、容器コンテナの内部容積内に配置された単一のガス圧力調整器、及びガス流制御バルブを含むバルブヘッドを備えた、バルブヘッド調整アセンブリを備え、単一の調整器が少なくとも０．５ＭＰａの設定点圧力を有するように構成され、容器コンテナの内部容積が少なくとも５Ｌである、ガス貯蔵分配容器に関する。
【０００８】
別の一態様では、本開示が、ガス貯蔵分配容器が配置されるガスキャビネットと組み合わされた、上述のガス貯蔵分配容器に関する。
【０００９】
更なる一態様では、本開示が、（ｉ）ガス貯蔵分配容器が配置されるガスボックス、及び（ｉｉ）ガスボックスに対して昇圧された電圧で動作するように構成された処理ツールであって、ガスボックス内に配置されるガス貯蔵分配容器からのガスを受容するように配置された、処理ツールと組み合わされた、上述のガス貯蔵分配容器に関する。
【００１０】
本開示の更なる一態様は、ガス利用処理設備内での使用のために、ガス貯蔵分配容器内にパッケージされたガスを供給することを含む、ガス利用処理設備の作動を向上させる方法に関する。
【００１１】
本開示の他の態様、特徴、及び実施形態は、詳細な説明及び添付の特許請求の範囲から、より完全に明らかになるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本開示の一実施形態による、圧力調整されたガス供給容器の概略的な表現である。
【図２】図１の圧力調整されたガス供給容器のバルブヘッド調整器アセンブリの正面図である。
【図３】図２のバルブヘッド調整器アセンブリの調整器の断面立面図である。
【図４】図１で示された圧力調整されたガス供給容器を採用するＮタイプのウエハ製造システムの概略的な表現である。
【図５】３つの処理チャンバにガスを供給するための、本開示の圧力調整されたガス供給容器を収容しているガスキャビネットを含む、処理システムの概略的な表現である。
【図６】処理チャンバにガスを供給するための、本開示の圧力調整されたガス供給容器を収容しているガスキャビネット、及び分離されたガス供給源を含む、処理システムの概略的な表現である。
【図７】イオン注入ツールにガスを供給するように配置された、本開示の圧力調整されたガス供給容器を収容しているガスボックスを含む、フラットパネルディスプレイ製造システムの概略的な表現である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本開示は、圧力調整されたガス供給容器、それを備えたシステム、及びそれに関連付けられた方法に関する。
【００１４】
今まで販売されてきた圧力調整されたガス供給容器は、例えば、２．２Ｌの容器コンテナ内のガス供給容積を有する、概して、小さい容積のものであった。そのような小さい容積の圧力調整された容器は、容器内の圧力調整器の下流に配置された手動で操作可能な流制御バルブを含むバルブヘッドを有するものとして販売されてきた。このバルブヘッド構造は、個人による容器の取り扱いが、手動バルブの漏れ難い閉鎖を証明及び保証し得るように、安全性の要求として、手動で操作可能な流制御バルブが必要とされたことを反映している。同時に、圧力調整されたガス供給容器の小さい容積のものは、最悪の場合の解放（ＷＣＲ）イベントにおいて容器の周囲環境へ解放され得る、容器内に貯蔵された大気圧を超えている圧力のガスの全容積に関して、安全性を考慮したものと考えられる。したがって、典型的な構成は、調整器がその出口において大気圧より低い圧力状態に晒されたときに、オープンするように構成された内部調整器を有する、手動の流制御バルブを含むバルブヘッドアセンブリを含む、小さい容積の容器を含んでいた。
【００１５】
本開示は、そのような内部に配置された圧力調整器が、ガス流制御バルブを含むバルブヘッドアセンブリの部品であるときに、少なくとも０．５ＭＰａ、例えば、０．５ＭＰａから１．５ＭＰａまでの範囲内に含まれる、設定点圧力を有する容器内に配置された単一の圧力調整器を利用する、高度に安全で効率的な、より大きい容積の圧力調整された容器が提供され得るという知見を反映している。そのような容器内にガスを収容するための容積は、高効率のガス供給パッケージを提供するために、少なくとも５Ｌ、例えば、４０Ｌから２２０Ｌまでのオーダーであり得る。容器の内部容積内に収容されるガスは、単一の調整器の設定点より上の大気圧を超えた圧力にあり、様々な実施形態では、そのような圧力が、４ＭＰａから１４ＭＰａ、より好適には、７ＭＰａから１０ＭＰａの範囲内にあり得る。特定の一実施形態では、収容されているガスの圧力が、９．５ＭＰａ（１３８０ｐｓｉａ）のオーダーであり得る。
【００１６】
本開示の圧力調整された容器内に貯蔵され、本開示の圧力調整された容器から分配されるガスは、任意の適切な種類であり、例えば、半導体製品、フラットパネルディスプレイ、及び太陽電池パネルの製造において有用なガスを含み得る。そのようなガスは、単一成分のガスのみならず、複数成分のガス混合物も含み得る。
【００１７】
本開示の圧力調整されたガス供給パッケージ内に収容され得る例示的なガスは、非限定的に、アルシン、ホスフィン、三フッ化窒素、三フッ化ホウ素、三塩化ホウ素、ジボラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、ジシラン、シラン、ゲルマン、有機金属ガス状試薬、セレン化水素、テルル化水素、スチビン、クロロシラン、トリシラン、メタン、硫化水素、水素、フッ化水素、ジボロン四フッ化物、塩化水素、塩素、フッ素化炭化水素、ハロゲン化シラン（例えば、ＳｉＦ４）及びハロゲン化ジシラン（例えば、Ｓｉ２Ｆ６）、ＧｅＦ４、ＰＦ３、ＰＦ５、ＡｓＦ３、ＡｓＦ５、Ｈｅ、Ｎ２、Ｏ２、Ｆ２、Ｘｅ、Ａｒ、Ｋｒ、ＣＯ、ＣＯ２、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、ＮＦ３、ＣＯＦ２など、のみならず、以上のうちの２以上の混合物、及び同位体が濃縮されたそれらの変異物を含む。
【００１８】
したがって、一実施形態では、本開示が、ガス貯蔵内部容積を画定する容器コンテナ、並びに、容器コンテナに固定されたバルブヘッド調整器アセンブリであって、容器コンテナの内部容積内に配置された単一のガス圧力調整器、及びガス流制御バルブを含むバルブヘッドを備えた、バルブヘッド調整アセンブリを備え、単一の調整器が少なくとも０．５ＭＰａの設定点圧力を有するように構成され、容器コンテナの内部容積が少なくとも５Ｌである、ガス貯蔵分配容器に関する。
【００１９】
特定の実施形態では、そのような容器内の単一の調整器の設定点圧力が、０．５ＭＰａから１．５ＭＰａまでの範囲内にあり得る。様々な実施形態における容器コンテナの内部容積は、４０Ｌから２２０Ｌまでの範囲内にあり得る。他の実施形態では、容器コンテナの内部容積が、５Ｌから１５Ｌまでの範囲内にあり、又は１５Ｌから５０Ｌまでの範囲内にあり、又は５０Ｌから２００Ｌまでの範囲内にあり、又は５Ｌから２２０Ｌまでの広い範囲内の他の特定の範囲若しくは部分的な範囲、又はそれ以上にあり得る。
【００２０】
ガス貯蔵分配容器のバルブヘッドは、以下に本明細書でより完全に説明されるように、出口ポート及び注入ポートを含む２ポートのバルブヘッドを備え得る。
【００２１】
ガス貯蔵分配容器は、容器コンテナの内部容積内にガスを収容し得る。そのようなガスは、単一成分のガス又は複数成分のガスであり得る。それらは、例えば、アルシン、ホスフィン、三フッ化窒素、三フッ化ホウ素、三塩化ホウ素、ジボラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、ジシラン、シラン、ゲルマン、有機金属ガス状試薬、セレン化水素、テルル化水素、スチビン、クロロシラン、トリシラン、メタン、硫化水素、水素、フッ化水素、ジボロン四フッ化物、塩化水素、塩素、フッ素化炭化水素、ハロゲン化シラン、ＳｉＦ４、ハロゲン化ジシラン、Ｓｉ２Ｆ６、ＧｅＦ４、ＰＦ３、ＰＦ５、ＡｓＦ３、ＡｓＦ５、Ｈｅ、Ｎ２、Ｏ２、Ｆ２、Ｘｅ、Ａｒ、Ｋｒ、ＣＯ、ＣＯ２、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、ＮＦ３、ＣＯＦ２、以上のうちの２以上の混合物、及び同位体が濃縮されたそれらの変異物、から成る群から選択されたガスを含み得る。
【００２２】
特定の実施形態では、ガス貯蔵分配容器が、ガス貯蔵分配容器が配置されるガスキャビネットと組み合わされて展開され得る。
【００２３】
他の実施形態では、ガス貯蔵分配容器が、（ｉ）ガス貯蔵分配容器が配置されるガスボックス、及び（ｉｉ）ガスボックスに対して昇圧された電圧で動作するように構成された処理ツールであって、ガスボックス内に配置されるガス貯蔵分配容器からのガスを受容するように配置された、処理ツールと組み合わされて、展開され得る。
【００２４】
特定の実施形態では、ガス貯蔵分配容器が、ガス貯蔵分配容器からのガスを受容する、浮遊帯結晶化装置（ｆｌｏａｔ  ｚｏｎｅ  ｃｒｙｓｔａｌｉｚａｔｉｏｎ  ａｐｐａｒａｔｕｓ）と動作可能に連結され得る。
【００２５】
他の実施形態では、ガス貯蔵分配容器が、そこに対してガスを供給するところの、イオン源と動作可能に連結され得る。
【００２６】
例示的な一実施態様では、本開示が、フラットパネルディスプレイ製品の製造のためにガスを供給するように動作可能に配置された、本開示のガス貯蔵分配容器を備えた、フラットパネルディスプレイ製造処理システムを考慮する。
【００２７】
更なる一態様では、本開示が、本開示による、ガス利用処理設備内での使用のために、ガス貯蔵分配容器内にパッケージされたガスを供給することを含む、ガス利用処理設備の作動を向上させる方法を考慮する。処理設備は、イオン注入処理設備を備え得る。そこでは、例えば、イオン注入処理設備が、ガス貯蔵分配容器から供給されたドーパントガスを利用する。他の実施形態では、処理設備が、シリコンウエハ製造設備を備え得る。更に他の実施形態では、処理設備が半導体製造処理設備を備え得る。そこでは、例えば、半導体製造処理設備が、前記ガス貯蔵分配容器から供給されたエッチャントガスを利用する、エッチング処理ツールを備える。
【００２８】
ガス利用処理設備の作動を向上させる方法の特定の態様では、供給されるガスが、本開示によるガス貯蔵分配容器内にパッケージされる。供給されるガスは、任意の適切な種類のガスであってよい。一実施形態では、ガスが、ホスフィンを含み、例えば、ホスフィンとアルゴンの混合物である。別の例示的な一実施形態では、ガスが、フッ素を含み、例えば、エッチング用途のためのフッ素とアルゴンの混合物である。
【００２９】
本開示のガス貯蔵分配容器が、幅広い様々なやり方で構成され、様々な種類のガス利用の用途のための、それらに対応する幅広い様々なガスのパッケージングのために有用に採用され得ることは、認識されるだろう。
【００３０】
次に、図面を参照すると、図１は、本開示の一実施形態による、圧力調整されたガス供給容器１００の概略的な表現である。圧力調整されたガス供給容器１００は、容器が床又は他の平坦な表面上で垂直に支持されることを可能にする、平坦な底部１０４を有する容器コンテナ１０２を備える。容器コンテナ１０２は、注入ポート１１８及び出口１２４を有するバルブ本体とガスバルブ１２６とを含む、バルブヘッドアセンブリ１０８が配置される、上側収縮ネック１０６を有する、細長い円筒状の形態を採る。
【００３１】
図２は、図１の圧力調整されたガス供給容器のバルブヘッド調整器アセンブリ１０８の正面図である。示されているように、バルブヘッド調整器アセンブリ１０８は、上述の注入ポート１１８及び出口１２４を備えたバルブヘッド本体１３０とガスバルブ１２６とを含み、ガスバルブ１２６は、バルブヘッド本体に連結され、ガスバルブのそれに対応するガス作動に応じて、バルブヘッド本体内のバルブ要素を、完全に開いた位置と完全に閉じた位置との間で移動させるように配置されている。バルブ本体１３０は、バルブヘッド調整器アセンブリが配置されている容器のネック（図１参照）の内側にネジが切られた螺合面と係合可能に、それに対応してねじが切られた螺合円筒部分１３２を含む。
【００３２】
バルブヘッド調整器アセンブリは、注入ポート１１８と流体連通する注入流路１３４を含む。注入ポート１１８は、その上にある例示的な閉鎖要素によって通常閉じられ、圧力調整された容器内に貯蔵され且つ続いて圧力調整された容器から分配されるガスの源と選択的に連結され得る。バルブヘッド本体１３０は、螺合円筒部分１３２の下側端部において、圧力調整器アセンブリ１５０の排出チューブ１３６に連結されている。圧力調整器アセンブリ１５０は、圧力調整器１３８、その下流側の端部において圧力調整器１３８に漏れ難く接合された排出チューブ１３６、及びその上流側の端部において圧力調整器１３８に漏れ難く接合された入口チューブ１４０を備える。入口チューブ１４０は、示されている方向でのその下側端部において、それに対して粒子フィルタ１４４が固定されたところの、その下側端部においてフランジを有する拡張チューブ１４２に接合されている。粒子フィルタ１４４は、その分配動作の間に、バルブヘッド調整器アセンブリが配置された容器から排出されているガスから粒子を除去するように働く。
【００３３】
したがって、バルブヘッド調整器アセンブリは、それが設置されている関連付けられた容器からガスを排出するためのガス流路を提供する。分配していない状態の下で、ガスが容器内に貯蔵されているときに、容器コンテナ内のガスは、調整器１３８の設定点よりも高い圧力にあり、ガスバルブ１２６は閉じられており、調整器の圧力感知アセンブリは、調整器入口のバルブを閉じた状態に維持する。それによって、そこを通るガス流は存在しない。ガスバルブ１２６が開かれたときに、調整器内の圧力感知アセンブリは、調整器の設定点圧力未満の下流の圧力に晒され、圧力感知アセンブリは、調整器入口におけるバルブを開くように調整器内で移動される。その後、ガスは、粒子フィルタ１４４、拡張チューブ１４２、調整器１３８、排出チューブ１３６、及びバルブヘッドアセンブリ１３０内のガス流路を通って、容器から排出されるために出口１２４へ流れる。
【００３４】
図３は、図２のバルブヘッド調整器アセンブリ１５０の調整器の断面立面図であり、その内部構造の詳細を示している。示されているように、圧力感知アセンブリ１５４は、出口の圧力状態に応じて拡張し又は収縮する拡張可能／収縮可能ベローズ（ｂｅｌｌｏｗｓ）１６６に連結され、バルブが開いているときに分配している間にガスの圧力が設定点圧力で維持されるように、且つ、下流の圧力が調整器の設定点より上のときに調整器を通るガスの流れを妨げるようにポペットバルブ要素１５２が配置されるように、ポペットバルブ要素１５２を移動させる。
【００３５】
したがって、排出チューブ１３６内の下流の圧力が調整器の設定点未満であるときに、容器コンテナ内のガス容積からのガスは、入口チューブ１４０を通り調整器を通って排出チューブ１３６へ流れる。
【００３６】
図４は、図１で示された圧力調整されたガス供給容器を採用するＮタイプのウエハ製造システムの概略的な表現である。
【００３７】
ウエハ製造システムは、上側チャック２１２及び下側チャック２１０が配置された、内部容積２０４を画定するチャンバ２０２を含む、浮遊帯結晶化装置２００を含む。対応する浮遊帯結晶化プロセスでは、多結晶シリコンロッド２１６が、下側チャック２１０上に配置された種晶（ｓｅｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌ）２１４と接触している。高周波コイル２２０の近くのロッドが溶けるように、高周波コイル２２０が矢印Ａによって示される方向へ移動され、「溶けた前部」は、種晶からロッドの端部へ移動され且つ戻される。その際に、コイルは、上側チャック２１２が上昇するように移動され、その後、下側チャック２１０の方向へ戻される。この動作の結果として、単結晶ロッドが製造される。
【００３８】
示されているように、対応する部分及び構成要素がそれに対応して数値的に特定される、図１で示された種類の容器は、その中への下向きの流れのために、浮遊帯結晶化チャンバ２０２の上側端部において入口の中へガスが流れるように配置されている。それに対応するｎタイプのシリコンウエハの製造のための単結晶ｎタイプ材料の製造のために、圧力調整された容器コンテナによって供給されるガスは、ｎタイプのドーパント源材料、アルゴンなどの不活性ガス内のホスフィン（ＰＨ３）を含む。ホスフィン／アルゴンのガス混合物内のホスフィンの濃度は、５００ｐｐｍのＰＨ３のオーダーであり得る。
【００３９】
対応するガス混合物の供給圧力は、０．６９ＭＰａ（１００ｐｓｉ）のオーダーにあり、その圧力は、そのような圧力値にある容器コンテナ１０２内の単一の調整器の設定点圧力によって決定され得る。
【００４０】
図５は、３つの処理チャンバ３２６、３３２、及び３３８にガスを供給するための、本開示による圧力調整されたガス供給容器３０６及び３０８のペアを、ガスキャビネットの内部容積３０４内に収容しているガスキャビネット３０２を含む処理システム３００の概略的な表現である。
【００４１】
示されているように、容器３０６及び３０８は、順に分配ライン３１２と流体連通する、マニフォールドライン３１０と分配可能に流体連通するように配置されている。容器３０６及び３０８は、望ましいように、同時に又は順番に動作するように配置され得る。分配ライン３１２は、圧力調整、及びフィードライン３１６内の流れをマニフォールドライン３２０へ送るために、分配されるガスを外部の圧力調整器３１４に搬送する。分配されるガスは、マニフォールドライン３２０から、それぞれ、質量流量コントローラ３２４、３３０、及び３３６を含むそれぞれのブランチフィードライン３２２、３２８、及び３３４内へ流れ、それぞれ、処理チャンバ３２６、３３２、及び３３８へ流れる。
【００４２】
容器３０６及び３０８によって供給されるガスは、処理チャンバ３２６、３３２、及び３３８、並びにそこで行われる処理動作に適切な、図４との関連で説明されたようなガス混合物、又は単一成分若しくは他の複数成分のガスを含み得る。フィードライン３１６内のガスの圧力は、０．７〜０．８ＭＰａのオーダーであり、ガスキャビネット３０２内の圧力調整された容器３０６及び３０８内に配置された調整器の設定点圧力と一貫している。
【００４３】
図６は、処理チャンバ４１８にガスを供給するための、本開示による圧力調整されたガス供給容器４０６及び４０８を収容しているガスキャビネット４０４、及び分離されたガス供給源４２０を含む、処理システム４００の概略的な表現である。示される圧力調整されたガス供給容器４０６及び４０８は、外部の圧力調整器４１４及び質量流量コンテナ４１６を含む供給ライン４１２内を通ってチャンバ４１８へ流れるように、マニフォールド４１０にガスを供給する。容器４０６及び４０８は、ホスフィンを収容し、その内部に０．７ＭＰａのオーダーの設定点圧力を有する調整器を有し得る。分離したガス供給源４２０は、質量流量コントローラ４２２を含むフィードライン４２４内を通って処理チャンバ４１８へ流れる、アルゴン又は他の適切な不活性ガスを含み得る。ホスフィンとアルゴンのガスのそれぞれの流量は、処理チャンバ４１８内でのホスフィンの望ましい濃度、例えば、処理チャンバ内のアルゴンガスにおける４０ｐｐｍから１５０ｐｐｍまでの範囲内に含まれる濃度を提供し得る。
【００４４】
図７は、イオン注入ツール５０４にガスを供給するように配置された、本開示による圧力調整されたガス供給容器５０８及び５１０が配置された、閉鎖容積５０６を画定するガスボックス５０２を含む、フラットパネルディスプレイ製造システム５００の概略的な表現である。
【００４５】
示されているように、ガスボックス５０２は、連続的な動作を可能にする配置にある容器５０８及び５１０を収容し、それによって、１つの容器が消尽した際に、他の容器がイオン注入ツール５０４にガスを分配する流れに配置され得る。したがって、容器５０８は、流制御バルブ５１４、外部の調整器５１６、及び手動のバルブ５１８を含むガス分配ライン５１２に連結され、容器５１０は、流制御バルブ５２２を含むブランチライン５２０にガスを分配するように配置され、ブランチライン５２０は、その終端においてガス分配ライン５１２に連結されている。
【００４６】
破線の円「Ｂ」によって概略的に指定されている、ガスボックス５０２の外側のガス分配ライン５１２は、およそ１０フィートの長さを有し、誘電体バルクヘッド５３０を通ってイオン注入ツール５０４へガスを流すように放出する。イオン注入ツール５０４の囲いは、グランドに対して昇圧された電圧、したがって、ガスボックス５０２よりも高い電圧にある。イオン注入ツールの囲い内では、ガスボックス５０２によって供給されたガスが、流制御バルブ５３４と５３８が側部に配置された外部の調整器５３６、並びに質量流量コントローラ５４４及び流制御バルブ５４６を通ってライン５３２内を、ツールのイオン源５５０へ流れる。ライン５３２は、流制御バルブ５４２を含むバイパスループ５４０とも流体連通し、質量流量コントローラ５４４と流制御バルブ５４６の周りで、導入されたガスの選択的なバイパスを可能にする。
【００４７】
処理システム５００内の圧力調整されたガス供給容器５０８及び５１０によって供給されるガスは、それぞれのガス供給容器の各々内の単一の調整器の設定点圧力と一貫した、それぞれのガス供給容器から０．８ＭＰａのオーダーの圧力で供給される、同位体が濃縮された三フッ化ホウ素又は他の適切なガスを含み得る。
【００４８】
本開示の圧力調整された容器を利用する前述の処理設置物は、例示目的のみのものであり、そのような圧力調整された容器は、ガスを安全に効率的に且つ信頼できるやり方で提供するための、幅広い様々な種類の処理設置物及び用途で利用され得ることが、理解される。
【００４９】
本開示は、特定の態様、特徴、及び例示的な実施形態を参照しながら本明細書で説明されたが、本開示の用途はそれらによって限定されるものではなく、むしろ、本明細書の説明に基づいて本開示の当業者が想起できる、数多くの他の変形例、修正例、及び代替的な実施形態に及び、且つ、それらを包含することが理解されるだろう。したがって、以下の特許請求の範囲で開示されるものが、その精神及び範囲内に、全てのそのような変形例、修正例、及び代替的な実施形態を含むものと考えられ且つ解釈されるべきである。
【図１】
0006746568.tif 000002
【図２】
0006746568.tif 000003
【図３】
0006746568.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0006746568.tif 000008