(57)【要約】      （修正有）【課題】解放電圧を向上できる光起電装置を提供する。【解決手段】光電変換構造１００と、光電変換構造に設けられ、少なくとも１つの開口２１０を含むパッシベーション層２００と、パッシベーション層に設けられ、パッシベーション層の開口を貫通して光電変換構造に電気的に接続され、光電変換構造の主要元素の拡散距離より小さい幅を有する少なくとも１つの第１の導電バス３００と、を含む。【選択図】図２
0003206839.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
光電変換構造と、
前記光電変換構造に設けられ、少なくとも１つの開口を含むパッシベーション層と、
前記パッシベーション層に設けられ、前記開口を貫通して前記光電変換構造に電気的に接続され、前記光電変換構造の主要元素の拡散距離より小さい幅を有する少なくとも１つの第１の導電バスと、
を含む光起電装置。
【請求項２】
前記第１の導電バスの幅は、約１０μｍ〜約６００μｍである請求項１に記載の光起電装置。
【請求項３】
前記開口の幅は前記光電変換構造の前記主要元素の前記拡散距離より小さい請求項１又は２に記載の光起電装置。
【請求項４】
前記光電変換構造は半導体基板を含み、前記第１の導電バスが前記半導体基板に接触して接触領域を形成し、前記接触領域の主要元素の濃度は前記半導体基板の主要元素の濃度より高い請求項１〜３の何れか１項に記載の光起電装置。
【請求項５】
前記パッシベーション層に設けられ、前記第１の導電バスに電気的に接続された少なくとも１つの第２の導電バスを更に含み、前記第１の導電バスの長手方向は前記第２の導電バスの長手方向と交差する請求項１〜４の何れか１項に記載の光起電装置。
【請求項６】
前記第１の導電バスの前記長手方向と前記第２の導電バスの前記長手方向とは、実際的に垂直である請求項５に記載の光起電装置。
【請求項７】
前記少なくとも１つの第１の導電バスは、複数であり、前記第２の導電バスの前記長手方向に沿って間隔をあけて配列される請求項５に記載の光起電装置。
【請求項８】
前記少なくとも１つの第２の導電バスは、複数であり、前記第１の導電バスの前記長手方向に沿って間隔をあけて配列される請求項５に記載の光起電装置。
【請求項９】
光電変換構造と、
前記光電変換構造に設けられ、少なくとも１つの開口を含み、前記開口の口径は前記光電変換構造の主要元素の拡散距離より小さいパッシベーション層と、
前記光電変換構造に電気的に接続されるされるように、前記開口の中に少なくとも部分的に位置する少なくとも１つの第１の導電バスと、
を含む光起電装置。
【請求項１０】
前記開口の口径は、約１０μｍ〜約６００μｍである請求項９に記載の光起電装置。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、光起電装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、環境保護意識が益々高まることにつれて、再生可能エネルギーも日増しに注目されている。光起電装置（太陽電池ともいう）はゼロ汚染及びいくら取っても尽きないという利点を有するので、再生可能エネルギーの分野で注目される焦点となっている。光起電装置は、光電効果に基づいて、光エネルギーを電気エネルギーに変換する装置である。光が光起電装置に照射すると、光起電装置は、光エネルギーを吸収して自由の電子正孔対を発生させ、その後、電子正孔対が分離して光起電装置の負極と正極へ移動し、更に部品を負荷するための電気エネルギーを与える。光起電産業の発展に伴って、如何に光起電装置の発電効率を向上させるかは、重要な課題になっている。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００３】
本考案は、光起電装置の開放電圧を向上可能な光起電装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本考案の一部の実施形態によると、光電変換構造に設けられ、少なくとも１つの開口を含む光電変換構造と、パッシベーション層と、パッシベーション層に設けられ、パッシベーション層の開口を貫通して光電変換構造に電気的に接続され、光電変換構造の主要元素の拡散距離より小さい幅を有する少なくとも１つの第１の導電バスと、を含む光起電装置を提供する。
【０００５】
本考案の一部の実施形態によると、光電変換構造と、光電変換構造に設けられ、少なくとも１つの開口を含み、開口の口径が光電変換構造の主要元素の拡散距離より小さいパッシベーション層と、光電変換構造に電気的に接続されるように、開口の中に少なくとも部分的に位置する少なくとも１つの第１の導電バスと、を含む光起電装置を提供する。
【考案の効果】
【０００６】
上記実施形態において、第１の導電バスの幅は光電変換構造の主要元素の拡散距離より小さくてもよく、これにより、主要元素の拡散方向が第１の導電バスの幅により制限される。又は、パッシベーション層の開口の口径は光電変換構造の主要元素の拡散距離より小さくてもよく、これにより、主要元素の拡散方向がパッシベーション層の開口の口径により制限される。このように、主要元素の第１の導電バスの幅方向での濃度は、迅速に飽和になって転向するので、主要元素の第１の導電バスと光電変換構造との境界での濃度が増やす。これにより、好適な電界効果になるので、電子と正孔とが複合する可能性を低くし、光起電装置の開放電圧を向上させることができる。
【０００７】
上記のものは、考案が解決しようとする課題、課題を解決するための手段、及び考案の効果等を説明するためのものである。本考案の具体的な細部については、下記の実施形態及び関連図面において詳しく紹介する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
対応する図面に合わせて下記詳しい説明を参照して、本考案の複数の態様を理解することができる。注意すべきなのは、図面における複数の特徴は、該当分野の基準手法に基づいて実際的な比例で描かれない。事実上、検討を明確にするために、前記特徴のサイズを如何に増加又は減少してもよい。
【図１】本考案の一部の実施形態に係る光起電装置の後面図である。
【図２】図１に示した線２-２に沿う断面模式図である。
【図３Ａ】図２に示した一部の領域Ｒの走査型電子写真である。
【図３Ｂ】本考案の対照群の対応する領域での走査型電子写真である。
【図４】本考案の一部の実施形態に係る光起電装置の後面図である。
【図５】本考案の一部の実施形態に係る光起電装置の後面図である。
【考案を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面及び詳細な説明によって本考案の精神を詳しく説明する。当業者であれば、誰でも本考案の実施例を理解した上に、本考案の精神と範囲から逸脱せずに、本考案の教示する技術に、改善や修正を加えることができる。
【００１０】
図１と図２を同時に参照されたい。図１は、本考案の一部の実施形態に係る光起電装置１０の後面図である。図２は、図１に示した線２-２に沿う断面模式図である。図１及び図２において、光起電装置１０は、光電変換構造１００と、パッシベーション層２００と、第１の導電バス３００と、を含む。パッシベーション層２００は、光電変換構造１００に設けられ、開口２１０を含む。第１の導電バス３００は、パッシベーション層２００に設けられ、パッシベーション層２００の開口２１０を貫通して光電変換構造１００に電気的に接続される。第１の導電バス３００の幅Ｗ１は、光電変換構造１００の主要元素の拡散距離より小さい。本実施形態の光起電装置１０の製造過程において、例えば、焼結する途中、第１の導電バス３００の原子は光電変換構造１００の方向へ進む。光電変換構造１００の主要元素は等方的に拡散し、つまり異なる各方向へ等確率的に拡散する（図２に示した主要元素Ｃを例として、その周囲の矢印はこの主要元素Ｃが等方的に拡散することを表す）。具体的には、光電変換構造１００の主要元素は、パッシベーション層２００の開口２１０を介して第１の導電バス３００へ拡散する。第１の導電バス３００の幅Ｗ１が光電変換構造１００の主要元素の拡散距離より小さいため、主要元素の拡散方向は第１の導電バス３００の幅Ｗ１により制限され、主要元素が第１の導電バス３００の幅方向Ｄ１に沿って拡散する可能性が低くなる。更に、第１の導電バス３００は対向する２つの側壁３０２を有し、幅Ｗ１はこの２つの側壁３０２の距離である。主要元素が第１の導電バス３００の幅方向Ｄ１に沿って拡散する場合、主要元素の拡散距離が第１の導電バス３００の幅Ｗ１より大きいので、主要元素が第１の導電バス３００の側壁３０２まで拡散すると、主要元素は迅速に飽和状態になるため、主要元素は、更に第１の導電バス３００の幅方向Ｄ１に沿って拡散して転向できなくなる。そのため、主要元素が第１の導電バス３００の幅方向Ｄ１に沿って拡散する可能性を低下させ、主要元素が第１の導電バス３００と光電変換構造１００との境界へ拡散する可能性を高くすることができるので、主要元素の第１の導電バス３００と光電変換構造１００との境界における濃度が高くなる。このように、第１の導電バス３００と光電変換構造１００との境界の主要元素の濃度は光電変換構造１００の主要元素の濃度より高くなり、これにより、電界効果が発生するので、電子と正孔との複合の可能性を低くし、光起電装置１０の開放電圧を向上させることができる。例としては、一部の実施形態において、光電変換構造１００はシリコンベースダイオードであり、第１の導電バス３００はアルミニウムバスである。光起電装置１０の焼結途中、アルミニウムはシリコンベースダイオードの方向へ入り込むことに対して、ケイ素はアルミニウムの方向へ拡散し、最終的にアルミニウムケイ素合金となる。アルミニウムバスの幅がケイ素原子の拡散距離より小さくなると、ケイ素原子の拡散方向はアルミニウムバスの幅により制限されて、迅速に飽和状態になり、アルミニウムとケイ素との境界に高濃度のアルミニウムケイ素合金を形成する。これにより、電界効果が発生するので、電子と正孔との複合の可能��を低くし、光起電装置１０の開放電圧を向上させることができる。注意すべきなのは、光起電装置１０の開放電圧とは、光起電装置１０が開回路になる（つまり、部品を負荷していない）場合の電圧であり、光起電装置１０の発電効率を反応する重要なパラメータの１つであり、且つ発電効率とは正相関の関係になる。
【００１１】
具体的には、一部の実施形態において、図２に示すように、光電変換構造１００は、上面１０２及び上面１０２に対向する下面１０４を有する。第１の導電バス３００は、光電変換構造１００の下面１０４に設けられる。一部の実施形態において、光起電装置１０は、光電変換構造１００の上面１０２に設けられた表面導電バス３１０を更に含みてもよい。第１の導電バス３００と表面導電バス３１０とは、それぞれ電気的性質の異なるキャリアーを受けることに用いられる。例としては、一部の実施形態において、第１の導電バス３００は、電子を受けるための光起電装置１０の負極であってもよく、表面導電バス３１０は、正孔を受けるための光起電装置１０の正極であってもよい。又は、一部の実施形態において、第１の導電バス３００は光起電装置１０の正極であってもよく、表面導電バス３１０は光起電装置１０の負極であってもよい。第１の導電バス３００と表面導電バス３１０との極性は、光電変換構造１００にドープされた成分によって決まるが、本考案はこれに制限されない。例としては、一部の実施形態において、光起電装置１０の光電変換構造１００は、周期律表の第３族元素がドープされたケイ素基板であり、Ｐ型となる。光が光起電装置１０に照射する場合、光電変換構造１００は、光エネルギーを吸収して電子正孔対を発生させ、その後、電子と正孔とは別々に分離し、正孔が光起電装置１０の第１の導電バス３００に伝導され、電子が表面導電バス３１０に伝導される。電子と正孔とは、光電変換構造１００からそれぞれ光起電装置１０の第１の導電バス３００と表面導電バス３１０に伝導される途中、光起電装置１０の材料欠陥、インタフェース欠陥、又は熱欠陥等の要素により複合し、電子及び正孔の収集効率が低下することもある。しかしながら、本考案の実施形態において、第１の導電バス３００の幅Ｗ１が光電変換構造１００の主要元素（ここで、ケイ素原子である）の拡散距離より小さいので、第１の導電バス３００と光電変換構造１００との境界におけるケイ素原子の濃度を高くすることができ、境界での電界効果（ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ）の発生に寄与し、正孔を第１の導電バス３００に伝導するようにし、電子の第１の導電バス３００への伝導を防止し、電子を表面導電バス３１０に伝導するようにし、電子と正孔の收集に寄与する。
【００１２】
同様に、一部の実施形態において、光起電装置１０の光電変換構造１００は、周期律表の第４族元素がドープされたケイ素基板であり、Ｎ型となる。光が光起電装置１０に照射する場合、光電変換構造１００は、光エネルギーを吸収して電子正孔対を発生させ、その後、電子と正孔とは別々に分離し、電子が光起電装置１０の第１の導電バス３００に伝導され、正孔が表面導電バス３１０に伝導される。電子と正孔とは、光電変換構造１００からそれぞれ光起電装置１０の表面導電バス３１０と第１の導電バス３００に伝導される途中、光起電装置１０の材料欠陥、インタフェース欠陥、又は熱欠陥等の要素により複合し、電子及び正孔の収集効率が低下することもある。しかしながら、本考案の実施形態において、第１の導電バス３００の幅Ｗ１が光電変換構造１００の主要元素（ここで、ケイ素原子である）の拡散距離より小さいので、第１の導電バス３００と光電変換構造１００との境界におけるケイ素原子の濃度を高くすることができ、境界での電界効果の発生に寄与し、電子を第１の導電バス３００に伝導するようにし、正孔の第１の導電バス３００への伝導を防止し、正孔を表面導電バス３１０へ伝導するようにし、電子と正孔の收集に寄与する。
【００１３】
具体的には、一部の実施形態において、第１の導電バス３００の幅Ｗ１は、約１０μｍ〜６００μｍである。例としては、一部の実施形態において、光電変換構造１００は、Ｐ型ドープケイ素基板を含み、その主要元素はケイ素原子であり、そのケイ素原子の拡散距離は約６００μｍである。第１の導電バス３００は、正孔を受けることに用いられ、表面導電バス３１０は電子を受けることに用いられる。このように、第１の導電バス３００の幅Ｗ１が約１０μｍ〜６００μｍである場合、第１の導電バス３００は、ケイ素原子の第１の導電バス３００の幅方向Ｄ１に沿っている拡散距離を制限し、ケイ素原子が第１の導電バス３００の幅方向Ｄ１に沿って拡散する可能性を低くし、更に第１の導電バス３００と光電変換構造１００との境界におけるケイ素原子の濃度を高くすることができ、好適な電界効果の発生に寄与し、正孔を第１の導電バス３００に伝導するようにし、電子が第１の導電バス３００に伝導されて複合することを防止することもできる。つまり、光電変換構造１００は、第１の導電バス３００に近い一端に光電変換構造１００よりも高いケイ素原子濃度を有し、このケイ素原子の濃度差により好適なビルトイン電界が発生し、電子と正孔との収集効率の向上に寄与する。ここで、好適なビルトイン電界とは、対照群（つまり、第１の導電バスの幅Ｗ１が主要元素の拡散濃度よりはるかに大きい光起電装置）に比べて、深い裏面電界（Ｂａｃｋ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｆｉｅｌｄ；ＢＳＦ）を有する。
【００１４】
図３Ａ及び図３Ｂを参照されたい。図３Ａは、図２の一部の領域Ｒを１８０°反転した走査型電子写真である。図３Ｂは、本考案の対照群の対応する領域での走査型電子写真である。ここの対照群とは、第１の導電バス３００の幅Ｗ１が主要元素の拡散距離よりはるかに大きいものである。例としては、一部の実施形態において、光電変換構造１００はケイ素基板であってもよく、第１の導電バス３００はアルミニウムであってもよい。図３Ａに示すように、第１の導電バス（アルミニウム）は、パッシベーション層の開口を貫通して光電変換構造（ケイ素基板）に接続されるように、光電変換構造（ケイ素基板）に位置する。第１の導電バスと光電変換構造との交点（アルミニウムとケイ素との交点）に、矢印に示すような暗い領域がある。この暗い領域は、ケイ素原子の高濃度領域であり、裏面電界領域ともいう。図３Ａ及び図３Ｂを参照されたい。本考案の実施形態の光起電装置の裏面電界は、対照群の光起電装置の裏面電界よりも深い。これにより、本考案の実施形態において、第１の導電バス３００の幅Ｗ１は光電変換構造１００の主要元素の拡散濃度より大きく、好適な裏面電界（つまり深い裏面電界）の発生に寄与し、電子と正孔とが複合する可能性を低くし、光起電装置１０のパッシベーション効果を向上させることができることが分かる。
【００１５】
下記表に、本考案の実施形態に係る光起電装置１０と対照群との光起電装置の裏面電界深さ及び開放電圧値を示す。
【表１】
0003206839.tif 000003
【００１６】
対照群の光起電装置において、第１の導電バスの幅Ｗ１は、光電変換構造の主要元素の拡散距離よりはるかに大きい。本考案の実施形態の光起電装置の第１の導電バスの幅Ｗ１（例としては、幅Ｗ１は約１０〜６００μｍである）は、主要元素の拡散距離より小さい。上記表から、第１の導電バスの幅Ｗ１が光電変換構造の主要元素の拡散距離より小さくなる場合、光起電装置は、対照群よりも深い裏面電界深さを有し、その裏面電界の平均深さが約３．７μｍであることが分かる。第１の導電バスの幅Ｗ１が光電変換構造の主要元素の拡散距離よりはるかに大きい場合、対照群の光起電装置の裏面電界の平均深さは約２．０μｍである。注意すべきなのは、本考案の実施形態の光起電装置が深い裏面電界を有するため、電子と正孔とが複合する可能性を低くし、光起電装置のパッシベーション効果を向上させることができる。そのパッシベーション効果は、光起電装置の開放電圧値に反映される。上記表のように、本考案の光起電装置の平均開放電圧は約６６６ｍＶであるが、対照群の光起電装置の平均開放電圧は約６６０ｍＶである。これにより、本考案の実施形態において、第１の導電バス３００の幅Ｗ１は光電変換構造１００の主要元素の拡散濃度より大きく、電子と正孔とが複合する可能性を低くすることに寄与し、光起電装置の開放電圧を向上させることができることが分かる。
【００１７】
一部の実施形態において、図２に示すように、光電変換構造１００は、半導体基板１１０を含み、第１の導電バス３００が半導体基板１１０に接触し両者の境界に接触領域１１２を形成する。接触領域１１２の主要元素濃度は半導体基板１１０の主要元素濃度より高い。このように、半導体基板１１０の少量のキャリアーの接触領域１１２への移動を避けることができるため、電子と正孔との複合の可能性を低くし、電子と正孔との收集効率を向上させることができる。例としては、一部の実施形態において、半導体基板１１０は、Ｐ型ケイ素半導体基板１１０であってもよく、その主要元素はケイ素原子である。第１の導電バス３００がＰ型ケイ素半導体基板１１０に接触すると、Ｐ型ケイ素半導体基板１１０のケイ素原子は第１の導電バス３００へ移動し、接触領域１１２にケイ素原子の高濃度領域を形成し、電子の第１の導電バス３００への進みを阻止し、電子と正孔とが複合する可能性を低くし、電子と正孔との收集効率を向上させることができる。
【００１８】
一部の実施形態において、パッシベーション層２００の開口２１０の幅Ｗ２は、光電変換構造１００の主要元素の拡散距離より小さい。つまり、第１の導電バス３００が開口２１０を通してパッシベーション層２００を貫通して光電変換構造１００に電気的に接続される場合、開口２１０の幅Ｗ２により、第１の導電バス３００と光電変換構造１００と接触する領域の１次元幅が制限される。具体的には、光起電装置１０を製造する途中、光電変換構造１００の主要元素が開口２１０の幅方向Ｄ１に沿って拡散する可能性が低下し、更に主要元素が第１の導電バス３００の幅方向Ｄ１に沿って拡散する可能性が低くなり、第１の導電バス３００と光電変換構造１００との境界での主要元素の濃度を向上させるようになる。このように、第１の導電バス３００と光電変換構造１００との境界における主要元素の濃度は光電変換構造１００の主要元素の濃度より高くなり、これにより、光電変換構造１００の少量のキャリアーの境界への移動を避けることができるので、電子と正孔との複合の可能性を低くし、光起電装置１０の開放電圧を向上させることができる。
【００１９】
一部の実施形態において、開口２１０は、円状孔又は楕円孔であってもよい。このような実施形態において、開口２１０の幅Ｗ２は、この円状孔又は楕円孔の口径である。開口２１０の口径系は光電変換構造１００の主要元素の拡散距離より小さい。第１の導電バス３００は、少なくとも一部が開口２１０の中に位置し、光電変換構造１００に電気的に接続される。つまり、一部の実施形態において、パッシベーション層２００の開口２１０の口径は、光電変換構造１００の主要元素の拡散距離より小さい。つまり、第１の導電バス３００の少なくとも一部が開口２１０の中に位置し、光電変換構造１００に電気的に接続される場合、開口２１０の口径により、第１の導電バス３００と光電変換構造１００と接触する領域の１次元幅Ｗ１が制限される。具体的には、光起電装置１０を製造する途中、光電変換構造１００の主要元素が開口２１０の口径方向に沿って拡散する可能性が低くなり、更に主要元素が第１の導電バス３００の幅方向Ｄ１に沿って拡散する可能性が低くなり、第１の導電バス３００と光電変換構造１００との境界での主要元素の濃度を向上させるようになる。このように、第１の導電バス３００と光電変換構造１００との境界における主要元素の濃度は光電変換構造１００の主要元素の濃度より高くなり、これにより、光電変換構造１００の少量のキャリアーの境界への移動を避けることができるので、電子と正孔との複合の可能性を低くし、光起電装置１０の開放電圧を向上させることができる。
【００２０】
一部の実施形態において、図２に示すように、光起電装置１０のパッシベーション層２００の開口２１０の口径は、約１０μｍ〜約６００μｍである。例としては、一部の実施形態において、光電変換構造１００は、Ｐ型ドープケイ素基板を含み、その主要元素はケイ素原子であり、そのケイ素原子の拡散距離は約６００μｍである。第１の導電バス３００は、正孔を受けることに用いられ、表面導電バス３１０は電子を受けることに用いられる。パッシベーション層２００の開口２１０の口径が約１０μｍ〜６００μｍである場合、第１の導電バス３００と光電変換構造１００と接触する領域の１次元幅Ｗ１は、約１０μｍ〜６００μｍである。このように、光電変換構造１００の正孔が開口２１０の口径方向に沿って拡散する可能性が低くなり、更に正孔が第１の導電バス３００の幅方向Ｄ１に沿って拡散する可能性が低くなり、第１の導電バス３００と光電変換構造１００との境界におけるケイ素原子の濃度を向上させるようにし、好適な電界効果の発生に寄与し、正孔を第１の導電バス３００に伝導するようにし、電子が第１の導電バス３００に伝導されて複合することを防止することもできる。つまり、光電変換構造１００は、第１の導電バス３００に近い一端に光電変換構造１００よりも高いケイ素原子濃度を有し、このケイ素原子の濃度差により好適なビルトイン電界が発生し、電子と正孔との収集効率の向上に寄与する。
【００２１】
図４を参照されたい。図４は、本考案の別の実施形態に係る光起電装置１０ａの後面図である。図４に示すように、光起電装置１０ａは、第１の導電バス３００に電気的に接続されるようにパッシベーション層２００に設けられた第２の導電バス３２０を更に含む。第１の導電バス３００の長手方向Ｄ２と第２の導電バス３２０の長手方向Ｄ３とが交差する。つまり、第２の導電バス３２０と第１の導電バス３００とは交差し、互いに電気的に接続する。このように、電子又は正孔は、第１の導電バス３００によって長手方向Ｄ２に沿って伝導されることができる。同様に、電子又は正孔は、第２の導電バス３２０によって長手方向Ｄ３に沿って伝導されることができる。このように、第１の導電バス３００の長手方向Ｄ２と第２の導電バス３２０の長手方向Ｄ３とが交差する場合、電子又は正孔の伝導通路の制限が少なくなり、電子又は正孔の伝導に寄与し、光起電装置１０の抵抗を低下させることに寄与する。一部の実施形態において、第２の導電バス３２０の幅Ｗ３は、第１の導電バス３００の幅Ｗ１より大きい。一部の実施形態において、第２の導電バス３２０の抵抗は、第１の導電バス３００の抵抗より小さい。一部の実施形態において、キャリアーの伝導に寄与するために、第２の導電バス３２０の材料金属又は他の抵抗の低い材料であってもよい。例としては、一部の実施形態において、第２の導電バス３２０の材料はアルミニウム、銀又はアルゲンティウムであってもよいが、本考案はこれに制限されない。
【００２２】
一部の実施形態において、図４に示すように、第１の導電バス３００は複数であり、第２の導電バス３２０の長手方向Ｄ３に沿って間隔をあけて配列される。具体的には、図４に示すように、第１の導電バス３００は、パッシベーション層２００に設けられ、且第１の導電バス３００は第２の導電バス３２０の長手方向Ｄ３に沿って間隔をあけてパッシベーション層２００に配列される。つまり、第１の導電バス３００は、パッシベーション層２００を部分的に被覆し、つまりパッシベーション層２００の一部は、被覆されずに露出する。パッシベーション層２００の被覆されていない部分は、光電変換構造１００に良好なパッシベーション効果を与え、パッシベーション層２００と光電変換構造１００とのインタフェース欠陥を低減することに寄与し、電子と正孔とが複合する可能性を低くする。一部の実施形態において、光起電装置１０ａの抵抗とパッシベーション層２００の被覆されていない比率を調整するように、第１の導電バス３００の数を調整してもい。このように、第１の導電バス３００の数を調整することで、光起電装置１０ａの電気エネルギー損失及びインタフェース欠陥を低減することができる。一部の実施形態において、キャリアーの伝導に寄与するために、第１の導電バス３００の材料は、金属又は低抵抗率材料であってもよい。例としては、一部の実施形態において、第１の導電バス３００は、アルミニウムであってもよい。
【００２３】
一部の実施形態において、図４に示すように、第１の導電バス３００の長手方向Ｄ２と第２の導電バス３２０の長手方向Ｄ３とは実際的に垂直である。具体的には、図４に示すように、第１の導電バス３００と第２の導電バス３２０とは交差し、第１の導電バス３００と第２の導電バス３２０とは交差点で実際的に垂直である夾角が成す。このように、パッシベーション層２００に位置する電子又は正孔が第１の導電バス３００及び第２の導電バスバー３２０へ遷移する平均経路長を減少することができ、光起電装置１０ａの抵抗の低減に寄与し、更に光起電装置の電気エネルギー損失を低減することができる。
【００２４】
一部の実施形態において、図４に示すように、第２の導電バス３２０は、複数であり、第１の導電バス３００の長手方向Ｄ２に沿って間隔をあけて配列される。一部の実施形態において、光起電装置１０ａの抵抗及びパッシベーション層２００の被覆されていない比率を調整するために、第２の導電バス３２０の数を調整してもよい。このように、第２の導電バス３２０の数を調整することで、光起電装置１０ａの電気エネルギー損失及びインタフェース欠陥を低減することができる。例としては、第２の導電バス３２０の数が多いほど、その光起電装置１０ａの電気エネルギー損失も減少し、光起電装置１０ａの電流が大きくなる。また、光起電モジュールを製造する場合、伝導帯（図示せず）によって光起電装置１０ａの第２の導電バス３２０と別の光起電装置１０ａの第２の導電バス３２０とを接続してもよい。
【００２５】
図５を参照されたい。図５は、本考案の別の実施形態に係る光起電装置１０ｂの後面図である。図５に示すように、本実施形態は、第２の導電バス３２０ａが長手方向Ｄ３において互いに分離することに、前記実施形態と異なっている。つまり、第２の導電バス３２０ａは、長手方向Ｄ３において連続的ではない。長手方向Ｄ３において連続ではない第２の導電バス３２０ａにより、パッシベーション層２００ａの被覆される比率が低下し、光起電装置１０ｂのパッシベーション効果が向上する。また、第２の導電バス３２０ａが長手方向Ｄ３において互いに分離することは、第２の導電バス３２０ａの材料用量を低減することに寄与し、光起電装置１０ｂのコストを低下にする。
【００２６】
本考案の実施形態を前述の通りに開示したが、これは、本考案を限定するものではなく、当業者なら、本考案の精神と範囲から逸脱しない限り、多様の変更や修正を加えることができ、したがって、本考案の保護範囲は、後の実用新案登録請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【符号の説明】
【００２７】
１０、１０ａ、１０ｂ  光起電装置
１００  光電変換構造
１０２  上面
１０４  下面
１１０  半導体基板
１１２  接触領域
２００  パッシベーション層
２１０  開口
３００  第１の導電バス
３１０  表面導電バス
３２０、３２０ａ  第２の導電バス
Ｃ  主要元素
Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３  幅
Ｄ１  幅方向
Ｄ２、Ｄ３  長手方向
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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