(57)【要約】      （修正有）【課題】曲げ強度があり、製造歩留まりの良い半導体メモリーカードを提供する。【解決手段】半導体メモリー３１は、回路基板２１の長手方向における中央部位に縦長方向に配置され、ＳＤメモリーカードの中心線が半導体メモリー３１の中央と交差する。この結果、突き当て部材が発生する曲げ力は回路基板２１だけではなく、半導体メモリー３１のＴＳＯＰパッケージで受けることになる。従って、上側ケーシング１１と下側ケーシング１２だけで耐えるのに比べて格段に強度を上げることができる。さらに、半導体メモリー３１は、面積比で少なくとも４０％以上がそれぞれの領域に位置するような位置関係としてあり、この配置も強度を上げるのに貢献している。【選択図】図１
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
周縁部を貼り合わせて内部に薄い収容空間を形成するメモリーケーシングと、
前記収容空間に収容される概略矩形形状の回路基板と、
前記回路基板に半田付け実装される半導体メモリー集積回路と、、
前記回路基板に半田付け実装される半導体メモリーコントロール集積回路とを備える半導体メモリーカードであって、
前記半導体メモリー集積回路は、薄板状の矩形形状の規格化パッケージであり、
前記回路基板の長手方向における中央部位にて、縦長方向に配置され、
前記回路基板の周縁には、縁部から２ｍｍ以上の部位が空きスペースとなっていることを特徴とする半導体メモリーカード。
【請求項２】
前記回路基板は、２層基板であることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリーカード。
【請求項３】
前記回路基板は、縁部にて、内側に入り込む凹部を形成してあり、同凹部内の縁部から外方に向けて細幅の連結部位が突出する形状としてあることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体メモリーカード。
【請求項４】
前記凹部は、長手方向に沿う縁部に形成してあることを特徴とする請求項３に記載の半導体メモリーカード。
【請求項５】
前記半導体メモリー集積回路は、前記規格化パッケージの端子が突出する辺と、前記回路基板の短辺とが平行となるように配向されていることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体メモリーカード。
【請求項６】
前記半導体メモリーコントロール集積回路は、長辺と短辺とを有する矩形形状であり、短辺が前記長手方向に平行となるように、前記規格化パッケージと隣接して配置されていることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体メモリーカード。
【請求項７】
前記半導体メモリー集積回路は、前記規格化パッケージの内部に複数枚のダイを積層して配置したマルチダイであることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の半導体メモリーカード。
【請求項８】
前記半導体メモリー集積回路は、前記回路基板の長手方向の中央で分割するそれぞれの領域において、面積比で少なくとも４０％以上がそれぞれの領域に位置するように配置されていることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載の半導体メモリーカード。
【請求項９】
前記回路基板は、一の角部が斜辺として形成され、全体として概略五角形に形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれかに記載の半導体メモリーカード。
【請求項１０】
前記メモリーケーシングは、周縁部を貼り合わせて内部に薄い収容空間を形成するとともに外部に端子金具を露出させるための内外に連通する貫通穴を有することを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれかに記載の半導体メモリーカード。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、半導体メモリーカードに関し、特に、ＳＤメモリーカード（SD Memory Card）に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、基板と、コントローラーＩＣと、ＴＳＯＰパッケージのメモリーＩＣを備えたＳＤカードメモリーを開示する。このＳＤカードメモリーでは、前記基板の表面には、横長に配向したＴＳＯＰパッケージを前記基板の長手方向に二段に配置している。
特許文献２は、基板と、コントローラーＩＣと、ＴＳＯＰパッケージのメモリーＩＣを備えたＳＤカードメモリーを開示する。このＳＤカードメモリーでは、前記基板の表面には、横長に配向したＴＳＯＰパッケージを長手方向に二段に配置し、裏面の中央にはコントローラーＩＣを配置する。
【０００３】
特許文献３は、基板と、コントローラーＩＣと、ＴＳＯＰパッケージのメモリーＩＣを備えたＳＤカードメモリーを開示する。このＳＤカードメモリーでは、基板上の表面に、コントローラーＩＣと、ＴＳＯＰパッケージが並んだ状態となっている。
【０００４】
一方、ＳＤカードメモリーの外装の寸法は規定されている。ケーシングの厚み、収容する基板とＴＳＯＰパッケージの厚みを考慮すると、自ずから基板に許容される厚みの限界が生じてくる。基板は、０．２０〜０．３０ｍｍ程度の厚みしか許容されない。
この厚みの基板に半田付けをする場合、基板がそりやすい。基板がそることで、ＩＣの端子と基板のパッドとの距離が離れ、半田付け不良（オープン不良）が生じやすい。特に、多品種少量の製造過程では、基板がそりにくいように重しを乗せて対応することもある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−３１３４３２号公報
【特許文献２】特開２００９−１５７６２８号公報
【特許文献３】特開２００７−１２８９５９号公報
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００６】
メモリーカードの小型化への必要性が増している。一方、小型化すれば機械的強度が低下する。特に、ＳＤメモリーカードでは、業界団体が規定した強度試験もパスしなければならない。
強度試験には、ＳＤメモリーカードを縦長に配向した状態で両端を支持し、中央部位に対して厚み方向へ所定の力で押し当て、メモリーカードが中程で折れないかを確認するものがある。この強度試験は耐曲げ試験と呼ばれている。
【０００７】
特許文献１に示すＳＤメモリーカードでは、基板の表面には、横長に配向したＴＳＯＰパッケージを長手方向に二段に配置しているが、ＴＳＯＰパッケージとＴＳＯＰパッケージとの間が、ＳＤメモリーカードの長手方向の中央位置に近いため、曲げの耐性が弱い。すなわち、上述した機械的強度の測定では小さな力でＳＤメモリーカードが長手方向の中央付近で折れ曲がってしまう。
【０００８】
これに対して、特許文献２に示すＳＤメモリーカードでは、基板の表面に横長に配向したＴＳＯＰパッケージを縦方向に二段に配置している点では、折れにくいと言えるが、裏面の中央にコントローラーＩＣを配置することで、折れ曲がるあたりに位置するコントローラーＩＣが強度を確保する。しかし、基板の両面に部品が配置されると、厚みの制限があって現実的には困難である。
特許文献３に示すＳＤメモリーカードも、基板の表面には、コントローラーＩＣとＴＳＯＰパッケージが配置され、中央部分が比較的空いているのでＳＤメモリーカードが長手方向の中央付近での曲げ強度が低く、折れ曲がってしまう。
【０００９】
そりを防止するためにＴＳＯＰパッケージの上に重しを置くと、半田付け時に本来期待できるセルフアライメント効果を享受できず、正確な位置にＴＳＯＰパッケージを位置決めしなければならなくなり、作業時に要求される位置精度が高くなる。すると、作業時の負担増によって製造歩留まりが悪くなる。
【００１０】
本考案は、曲げ強度があり、製造歩留まりの良い半導体メモリーカードを提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本考案は、周縁部を貼り合わせて内部に薄い収容空間を形成するメモリーケーシングと、前記収容空間に収容される概略矩形形状の回路基板と、前記回路基板に半田付け実装される半導体メモリー集積回路と、前記回路基板に半田付け実装される半導体メモリーコントロール集積回路とを備える半導体メモリーカードであって、前記半導体メモリー集積回路は、薄板状の矩形形状の規格化パッケージであり、前記回路基板の長手方向における中央部位にて、縦長方向に配置され、前記回路基板の周縁には、縁部から２ｍｍ以上の部位が空きスペースとなっている構成としてある。
【００１２】
前記構成において、メモリーケーシングは、周縁部を貼り合わせて内部に薄い収容空間を形成し、この収容空間には、概略矩形形状の回路基板が半導体メモリー集積回路と半導体メモリーコントロール集積回路とを半田付け実装された状態で収容されている。
前記半導体メモリー集積回路は薄板状の矩形形状の規格化パッケージであり、前記回路基板の長手方向における中央部位にて、縦長方向に配置されている。規格化パッケージは、前記回路基板における長手方向の中央部位にて縦長方向に配置されていることにより、メモリーケーシングに対してもほぼ同様の位置関係となる。メモリーケーシングは、周縁部を貼り合わせて内部に薄い収容空間を形成するものであり、表裏面の壁材は薄く、メモリーケーシングの曲げに対する強度は弱い。しかし、曲げようとする大きな力がかかる長手方向の中央部位をまたぐように規格化パッケージの半導体メモリー集積回路が配置されることで、この半導体メモリー集積回路自体の強度を曲げに対応するために利用することができ、追加の補強構造を形成することなく半導体メモリーカードの強度を高めることができる。
【００１３】
また、薄い収容空間内に半導体メモリー集積回路を収容するためには、配線を担う回路基板が薄くならざるを得ず、薄くさせることで半田付け実装の際の熱によってそりが発生しやすい。しかし、前記回路基板の中央に長手方向に規格化パッケージを配置するので、その周縁には縁部から２ｍｍ以上の部位が空きスペースを形成可能となり、この空きスペースを使って回路基板の縁部を押さえ、半田付け実装工程でそらないようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本考案の一実施例にかかるＳＤメモリーカードの分解斜視図である。
【図２】同ＳＤメモリーカードの底面図である。
【図３】回路基板の上面図である。
【図４】回路基板の側面図である。
【図５】回路基板について周縁の空きスペースを示す上面図である。
【図６】半田付け実装工程での概略上面図である。
【図７】半田付け実装工程での要部拡大上面図である。
【図８】半田付け実装工程での要部拡大断面図である。
【図９】回路基板の形成過程での上面図である。
【図１０】従来のＳＤメモリーカードにおける回路基板の上面図である。
【図１１】同回路基板の側面図である。
【図１２】ＳＤカード耐曲げ性試験の様子の概略上面図である。
【図１３】ＳＤカード耐曲げ性試験の様子の概略正面図である。
【考案を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面にもとづいて本考案の実施形態を説明する。
図１は、本考案の一実施例にかかる半導体メモリーカードであるＳＤメモリーカードの分解斜視図であり、図２は、同ＳＤメモリーカードの底面図である。
同図において、このＳＤメモリーカードは、メモリーケーシング１０（１１，１２）と、回路基板２１と、半導体メモリー集積回路（以下、半導体メモリーと呼ぶ）３１と、半導体メモリーコントロール集積回路（以下、コントローラーと呼ぶ）４１などから構成される。図示していないが、他の表面実装回路構成素子などを含んでいる。
【００１６】
メモリーケーシング１０は、それぞれ薄皿形状とされた上側ケーシング１１と、下側ケーシング１２とを備え、それぞれの周縁部を貼り合わせて内部に薄い収容空間を形成している。なお、下側ケーシング１２には、前記回路基板２１の裏面に形成した端子金具２２を外部に露出させるため、内外に連通する複数の貫通穴１３を形成してある。
【００１７】
メモリーケーシングは、図２に示すように底面から見た左上角部を斜めに切り欠いて斜辺とし、全体として概略五角形に形成されている。ＳＤメモリーカードは規格化された汎用メモリーカードであり、より具体的には、２４．００ｍｍ×３２．００ｍｍ×２．１０ｍｍの外形である。また、内部に形成される薄い収容空間は、２２．０５ｍｍ×３０．１５ｍｍ×１．４７ｍｍとなっている。むろん、ケースの種類によって若干異なる。
【００１８】
回路基板２１は、この収容空間に収容される外形となっており、概略矩形形状である。前記収容空間内に、半導体メモリー３１が半田付け実装された回路基板２１が収容されるが、半導体メモリー３１としてＴＳＯＰパッケージ（ＴＳＯＰ  Ｉ）が利用されている。ＴＳＯＰパッケージの最大厚みが１．２０ｍｍなので、回路基板２１に許容されるのは、１．４７ｍｍから１．２０ｍｍを差し引いた０．２７ｍｍ以下である。
【００１９】
ＴＳＯＰパッケージは、薄板状の矩形形状の規格化パッケージであり、矩形の箱形形状の本体における二つの短辺から端子金具が突き出るように配置されている。ＢＧＡパッケージを使用する場合と異なり、ＴＳＯＰパッケージを使用するので、回路基板２１は二層基板のものを採用している。二層基板を採用することでＴＳＯＰパッケージの半導体メモリー３１を採用することにもなる。一般的には、ＢＧＡパッケージよりもＴＳＯＰパッケージの方が大きく、強度も大きい。
【００２０】
図３は、回路基板の上面図であり、図４は、回路基板の側面図である。
この半導体メモリー３１は、回路基板２１の長手方向における中央部位にて、長手方向に縦長に配置されている。
図において、一点鎖線は、ＳＤメモリーカードの長手方向における中央線を示している。この一点鎖線は、回路基板２１上の半導体メモリー３１を横切っている。半導体メモリー３１に加え、回路基板２１上にはコントローラー４１が配置されているため、一点鎖線は半導体メモリー３１の中央線と一致しているわけではないが、概ね中央のあたりと交差している。より具体的には、半導体メモリー３１を中央線で分割したときの、上側の領域と下側の領域の比は、面積比で少なくとも４０％以上がそれぞれの領域に位置するような位置関係としてある。
すなわち、半導体メモリー３１は、回路基板２１の長手方向の中央で分割するそれぞれの領域において、面積比で少なくとも４０％以上がそれぞれの領域に位置するように配置されている。図３と図４に示すものでは、上側と下側とで４２％の割合となっている。このように、必ずしも半導体メモリー３１とＳＤメモリーカードの中心線とが一致する必要はないが、後述するカード耐曲げ性試験の観点から半導体メモリー３１が中心線を基準として一方の側だけに偏るのは強度に影響するため、上述したように面積比で少なくとも４０％以上がそれぞれの領域に位置するような位置関係となるのが好ましい。
【００２１】
図１０は、従来のＳＤメモリーカードにおける回路基板の上面図であり、図１１は、同回路基板の側面図である。
従来のＳＤメモリーカードの場合、回路基板１２１の長手方向と直交するように二つのＴＳＯＰパッケージである半導体メモリー１３１，１３１が横長に隣接して配置されている。また、この二つの半導体メモリー１３１，１３１と隣接してコントローラー１４１が配置されている。なお、同図においても、ＳＤメモリーカードの中心線を一点鎖線で示している。
【００２２】
回路基板１２１上で、大きな面積を占める二つの半導体メモリー１３１，１３１を隣接して配置させた場合、ＳＤメモリーカードの中心線は二つの半導体メモリー１３１，１３１が隣接する隣接ラインに近い位置になる。
【００２３】
図１２は、ＳＤカード耐曲げ性試験の様子の概略上面図である。図１３は、ＳＤカード耐曲げ性試験の様子の概略正面図である。
上向きに開口するコの字型の支持台２０１は、開口幅がＳＤメモリーカード２０２の長さよりもやや短くなっており、ＳＤメモリーカード２０２を掛け渡すように載置することができる。このとき、ＳＤメモリーカード２０２は長手方向の両端の辺がそれぞれコの字型の支持台２０１のそれぞれの台部２０１ａ，２０１ｂ上に載っている。この状態で、ＳＤメモリーカード２０２の長手方向の中心線上で幅方向に延びる突き当て部材２０３を突き当て、同突き当て部材２０３に荷重をかける。ＳＤメモリーカード２０２が二つに折れたときの荷重を計測して耐曲げ強度としている。
【００２４】
図１０と図１１に示す従来のＳＤメモリーカードの場合、上述した突き当て部材２０３が突き当たるのがＳＤメモリーカードの長手方向における中心線、すなわち一点鎖線で示す位置である。一点鎖線と隣接ラインとが近い従来のＳＤメモリーカードの場合、突き当て部材２０３が発生する曲げ応力が同隣接ライン上に集中しやすくなる。隣接ライン上では実質的に回路基板１２１しかなく、図示しないメモリーケーシングだけで曲げ応力に耐えることになってしまう。このため、耐曲げ強度を大きくするには、メモリーケーシングで対応せざるを得ず、リブを形成したり、材料を高価な堅いものにする対策しかとれない。前者であれば形状が複雑になるし、後者であれば、製造コストが高価になったり堅すぎでもろくなるというような弊害も生じる。
【００２５】
これに対して、本考案では、半導体メモリー３１は、回路基板２１の長手方向における中央部位に長手方向に縦長に配置され、ＳＤメモリーカードの中心線が半導体メモリー３１の中央と交差する。この結果、上述した突き当て部材２０３が発生する曲げ力は回路基板２１だけではなく、半導体メモリー３１のＴＳＯＰパッケージで受けることになる。従って、上側ケーシング１１と下側ケーシング１２だけで耐えるのに比べて格段に強度を上げることができる。さらに、半導体メモリー３１は、面積比で少なくとも４０％以上がそれぞれの領域に位置するような位置関係としてあり、この配置も強度を上げるのに貢献している。
【００２６】
また、回路基板２１上に配置するコントローラー４１は、長辺と短辺とを有する矩形形状であり、短辺が前記長手方向に平行となるように、規格化パッケージである半導体メモリー３１と隣接して配置されている。上述したように、縦長に配置した半導体メモリー３１に隣接してコントローラー４１が横長に配置される。すなわち、コントローラー４１は、長辺と短辺とを有する矩形形状であり、短辺が回路基板２１の長手方向に平行となるように、規格化パッケージの半導体メモリー３１と隣接して配置されている。これにより、省スペースとなり、この結果、回路基板２１の周囲に空きスペースを形成可能となる。
【００２７】
なお、半導体メモリー３１は、規格化パッケージの内部に複数枚のダイを積層して配置したマルチダイの構造としてある。ＴＳＯＰパッケージを回路基板２１の長手方向に合わせて配置することになると、ＳＤメモリーカードは一つのＴＳＯＰパッケージしか収容できない。これにより、記憶容量が減ることは好ましくない。しかし、マルチダイの構造であれば、一つのＴＳＯＰパッケージの内部に２枚以上のダイが収容され、各ダイが一つのメモリーに対応するとすれば、記憶容量が減ることはない。
【００２８】
次に、図５は、回路基板について周縁の空きスペースを示す上面図である。
回路基板２１を縦長方向に配置した場合、上端寄り部分に縁部から２．０ｍｍの空きスペースＵＳがあり、下端寄り部分に縁部から２．５ｍｍの空きスペースＢＳがあり、右端寄り部分に縁部から２．５ｍｍの空きスペースＲＳがあり、左端寄り部分に縁部から３．５ｍｍの空きスペースＬＳがある。なお、右端寄り部分については下端近くの表面実装構成素子を除けば概ね縁部から３．０ｍｍの空きスペースがある。
【００２９】
図６は、半田付け実装工程での概略上面図であり、図７は、半田付け実装工程での要部拡大上面図であり、図８は、半田付け実装工程での要部拡大断面図である。
半田付け工程では、回路基板２１の半田付けパターン部分にクリーム半田が塗布され、半導体メモリー３１の端子金具が同クリーム半田に接触するように配置され、加熱炉内を通過させる。このとき、何も対策を取らないと回路基板２１が薄いのでそりやすい。対策として、半導体メモリー３１に重しを置くと、回路基板２１に押しつけられるので、そりにくくすることはできる。本来、回路基板２１の半田付けパターン部分でクリーム半田が溶けると、半導体メモリー３１が微動して端子金具の位置を調整するセルフアライメントの効果を享受できる。しかし、重しを載せることで半導体メモリー３１が微動できなくなり、セルフアライメントの効果を享受できない。
【００３０】
図６〜図８に示すように、回路基板２１の縁部に２．００ｍｍ以上の空きスペースがあることを前提として、同空きスペース内の部品搭載部位に対応した複数の穴６１が形成されたフレーム材６０を用意しておく。半田付け台７０の上の所定位置に回路基板２１を載置し、このフレーム材６０を位置決めして載置すると、回路基板２１上で回路構成部品を載置する部位だけが外部に露出し、回路基板２１の周縁の空きスペースだけがフレーム材６０によって半田付け台７０に向けて押しつけられる状態となる。これにより、回路基板２１は周縁に重しを載せられたことになってそりを防止される。
また、半導体メモリー３１やコントローラー４１上には重しが載せられないので、クリーム半田が溶けるときにこれらの構成素子の端子金具を所定位置に位置合わせするセルフアライメントの効果を享受できることになる。すると、回路基板２１上に半導体メモリー３１を載置する際の位置精度を上げなくても良く、製造歩留まりを向上できる。
【００３１】
図９は、回路基板の形成過程での上面図である。
回路基板２１は一枚のシートから複数個を形成する。一枚のシート中の所定部位を打ち抜いて穴を開けることで、個々の回路基板２１は、周囲の枠状のフレーム２３に対して連結部位２４を介して連結している状態とする。連結部位２４は曲げて折れるように細幅状に形成してある。本実施例では、一箇所ごとに三本の連結部位２４が形成され、回路基板２１とフレーム２３とを連結している。また、三本の連結部位２４が回路基板２１と連結する縁部は、回路基板２１の側では内側に入り込む凹部２５として形成されている。そして、連結部位２４を曲げ折って回路基板２１をフレーム２３から切り離したとき、連結部位２４と回路基板２１が連結していた部位では、同凹部２５内の縁部から外方に向けて細幅の連結部位２４がわずかに突出する形状となる。言い換えると、一枚のシートから複数の回路基板２１を切り離すとき、細幅の連結部位２４を曲げ折って切り離すことになる。この作業は作業者が手作業で行う。従って、連結部位２４は必ずしも根元から綺麗に折れるのではなく、多少はバリとして残ることがある。
【００３２】
しかし、バリとして突き出た状態で残ったとしても、そもそも連結部位２４は回路基板２１の縁部の凹部２５内から突き出ているのに過ぎず、凹部２５を除いた回路基板２１の縁部からは突き出ていない。連結部位２４が突き出ると、メモリーケーシング１０に収容するときに突き出た部位が引っかかって収容できなくなる可能性がある。しかし、予め凹部２５を形成しておいて、その内側で連結部位２４のバリが残るようにしてあるので、後の作業工程で邪魔にならない。また、本実施例では、凹部２５は、回路基板２１の長手方向に沿う縁部に形成してある。長手方向に沿う縁部であれば、二カ所ずつ形成できる。左右、それぞれ二カ所ずつ作っておけば、連結部位２４は必要かつ十分な支持力を有することになる。
【００３３】
このように凹部２５は連結部位２４を曲げ折って回路基板２１をフレーム２３から離すために形成してあり、曲げ折る力がかかりがちな部位となる。
一方、半導体メモリー３１はＴＳＯＰパッケージであるので、短辺から端子金具が突出する。半導体メモリー３１を回路基板２１の長手方向に縦長に配置すれば、端子金具は回路基板２１の内側部分に位置することになる。この結果、端子金具は回路基板の長手方向の縁部からは遠い位置になる。すなわち、ＴＳＯＰパッケージのような規格化パッケージの端子金具が突出する短辺と、回路基板２１の短辺とが平行となるように配向されている。
【００３４】
このように配置することで、回路基板２１をフレーム２３から切り離すときに連結部位２４を曲げ折るときには回路基板２１を曲げてしまう力がかってしまう。しかし、前記のような配向とすることで、凹部と端子金具の位置が離れ、曲げる力が回路基板２１と半導体メモリー３１の半田付け部分にかかりにくくなるため半田付け部位に悪影響が生じないようにすることができる。
【００３５】
なお、本考案は前記実施例に限られるものでないことは言うまでもない。当業者であれば言うまでもないことであるが、
・前記実施例の中で開示した相互に置換可能な部材および構成等を適宜その組み合わせを変更して適用すること
・前記実施例の中で開示されていないが、公知技術であって前記実施例の中で開示した部材および構成等と相互に置換可能な部材および構成等を適宜置換し、またその組み合わせを変更して適用すること
・前記実施例の中で開示されていないが、公知技術等に基づいて当業者が前記実施例の中で開示した部材および構成等の代用として想定し得る部材および構成等と適宜置換し、またその組み合わせを変更して適用すること
は本考案の一実施例として開示されるものである。
【符号の説明】
【００３６】
１０…メモリーケーシング、１１…上側ケーシング、１２…下側ケーシング、１３…貫通穴、１３１…半導体メモリー、１４１…コントローラー、２０１…支持台、２０１ａ，２０１ｂ…台部、２０２…ＳＤメモリーカード、２０３…突き当て部材、２１…回路基板、２２…端子金具、２３…フレーム、２４…連結部位、２５…凹部、３１…半導体メモリー、４１…コントローラー、６０…フレーム材、７０…半田付け台。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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