(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電振動子のリード端子及び前記圧電振動子を加熱する熱源のリード端子がそれぞれ接続された基板を備える圧電発振器において、
前記圧電振動子が熱的に結合されると共に、前記熱源が熱的に結合される伝熱板と、
前記熱源の前記リード端子に近接して配置される表面実装型の温度センサと、
前記温度センサの検出温度に基づいて、前記熱源による加熱を制御する温度制御回路とを備え、
前記熱源がパワートランジスタであり、前記温度センサがサーミスタであり、
前記パワートランジスタは、内蔵のトランジスタチップのコレクタに接続された放熱板を有し、前記圧電振動子は、振動片を内蔵した金属製のケースを有し、
前記伝熱板は、長方形状の平板部と、該平板部の両端から前記基板側に向けて折曲された一対の折曲部とを有し、前記一対の折曲部は、前記基板にそれぞれ連結固定される脚部をそれぞれ有し、
前記パワートランジスタの前記放熱板及び前記圧電振動子の前記ケースが、前記伝熱板における前記平板部の前記基板に臨む面に、それぞれ半田接合されており、
前記平板部の前記基板に臨む面にそれぞれ半田接合されている前記パワートランジスタの前記トランジスタチップを覆うモールド樹脂の前記基板に臨む面、及び、前記圧電振動子の前記ケースの前記基板に臨む面が、前記基板からそれぞれ離隔している、
ことを特徴とする圧電発振器。
【請求項２】
前記サーミスタは、前記パワートランジスタのコレクタリード端子に近接して配置されており、
前記基板は、前記パワートランジスタの前記コレクタリード端子が接続されるランドパターンと、前記サーミスタの端子が接続されるランドパターンとを有すると共に、前記両ランドパターンを接続する導電パターンを有する、
請求項１に記載の圧電発振器。
【請求項３】
前記パワートランジスタの前記トランジスタチップの中心部位から前記放熱板、及び、前記伝熱板を介して前記圧電振動子の前記振動片の中心部位に至る伝熱距離と、前記トランジスタチップの中心部位から前記コレクタリード端子及び前記基板を介して前記サーミスタに至る伝熱距離とが略同一である、
請求項２に記載の圧電発振器。
【請求項４】
前記圧電振動子及び前記パワートランジスタが、前記平板部の長手方向に沿って並列配置されている、
請求項１ないし３のいずれかに記載の圧電発振器。
【請求項５】
前記圧電振動子が水晶振動子である、
請求項１ないし４のいずれかに記載の圧電発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電発振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
高い周波数安定度が要求される通信基地局などに用いる圧電発振器として、恒温槽を備えた恒温槽型水晶発振器（ＯＣＸＯ：Oven Controlled Crystal Oscillator）が従来から知られている。
【０００３】
かかる恒温槽型水晶発振器として、水晶振動子を熱容量が大きなアルミブロック等の金属製のブロックの内部に収納すると共に、水晶振動子の温度を検知するセンサ部を収納し、センサ部の検知温度に基づいて、金属ブロックを加熱するヒータ部を制御することによって、水晶振動子を所定温度に保つように構成した発振器がある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−３０６４８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、これら通信機器の分野では、小型、低背化という市場の要請があるが、上記特許文献１の圧電発振器では、大型の金属ブロックを用いているために、圧電発振器の小型、低背化が難しいという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記のような点に鑑みて為されたものであって、圧電発振器の小型、低背化を図ることを主たる目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明では、上記目的を達成するために、次のように構成している。
【０００８】
（１）本発明に係る圧電発振器は、圧電振動子のリード端子及び前記圧電振動子を加熱する熱源のリード端子がそれぞれ接続された基板を備える圧電発振器において、
前記圧電振動子が熱的に結合されると共に、前記熱源が熱的に結合される伝熱板と、前記熱源の前記リード端子に近接して配置される表面実装型の温度センサと、前記温度センサの検出温度に基づいて、前記熱源による加熱を制御する温度制御回路とを備え、前記熱源がパワートランジスタであり、前記温度センサがサーミスタであり、前記パワートランジスタは、内蔵のトランジスタチップのコレクタに接続された放熱板を有し、前記圧電振動子は、振動片を内蔵した金属製のケースを有し、前記伝熱板は、長方形状の平板部と、該平板部の両端から前記基板側に向けて折曲された一対の折曲部とを有し、前記一対の折曲部は、前記基板にそれぞれ連結固定される脚部をそれぞれ有し、前記パワートランジスタの前記放熱板及び前記圧電振動子の前記ケースが、前記伝熱板における前記平板部の前記基板に臨む面に、それぞれ半田接合されており、前記平板部の前記基板に臨む面にそれぞれ半田接合されている前記パワートランジスタの前記トランジスタチップを覆うモールド樹脂の前記基板に臨む面、及び、前記圧電振動子の前記ケースの前記基板に臨む面が、前記基板からそれぞれ離隔している。
【０００９】
本発明によると、金属ブロックに比べて薄い伝熱板に、圧電振動子及び熱源がそれぞれ熱的に結合されているので、熱源からの発熱を、伝熱板によって無駄なく効率的に圧電振動子に伝達して圧電振動子を加熱することができ、金属ブロックを使用する従来例に比べて、小型、低背化を図ることができる。
【００１０】
しかも、水晶振動子等の圧電振動子は、リード端子を有するリードタイプであり、リードタイプの水晶振動子は、表面実装タイプに比べて、使用される水晶振動片が相対的に大きいためＱ値が高く、安定した発振を得ることができる。
【００１１】
熱源からの発熱は、上記のように伝熱板によって圧電振動子に伝達されて圧電振動子を加熱することができる一方、熱源のリード端子にも伝達されることになる。したがって、リードタイプの圧電振動子に近接させてリードタイプの温度センサを配置しなくても、熱源のリード端子の近接位置に温度センサを配置してリード端子の温度を検出することによって、圧電振動子の温度を間接的に検出することが可能となる。温度制御回路では、温度センサで検出された検出温度に基づいて、熱源による加熱を制御して圧電振動子の温度を制御することができる。
【００１２】
温度センサは、熱源のリード端子の近接位置の温度を検出すればよいので、表面実装型の温度センサを使用することができ、他のチップ部品と共に、基板に実装することができる。このため、リードタイプの圧電振動子の近接位置の温度を検出するリードタイプの温度センサに比べて組付け作業性に優れたものとなる。
【００１４】
また、本発明によると、パワートランジスタのトランジスタチップのコレクタに接続された放熱板及び圧電振動子の金属製のケースが、伝熱板にそれぞれ半田接合によって熱的に結合されるので、パワートランジスタのトランジスタチップのコレクタの発熱を、放熱板から半田、伝熱板及び半田を介して圧電振動子の金属製のケースに無駄なく伝達して、ケース内部の振動片を加熱することができる。
【００１６】
（２）本発明の好ましい実施態様では、前記サーミスタは、前記パワートランジスタのコレクタリード端子に近接して配置されており、前記基板は、前記パワートランジスタの前記コレクタリード端子が接続されるランドパターンと、前記サーミスタの端子が接続されるランドパターンとを有すると共に、前記両ランドパターンを接続する導電パターンを有する。
【００１７】
この実施態様によると、温度センサであるサーミスタは、パワートランジスタのトランジスタチップのコレクタに接続されて、前記トランジスタチップのコレクタの発熱が伝達されるコレクタリード端子に近接して配置されるので、コレクタリード端子の温度を検出することによって、前記トランジスタチップのコレクタの発熱が、放熱板、伝熱板を介して伝達されて加熱される圧電振動子の温度を間接的に検出することができる。更に、パワートランジスタのコレクタリード端子の発熱は、パワートランジスタのコレクタリード端子が接続されるランドパターンから導電パターンを介してサーミスタの端子が接続されるランドパターンに伝達されるので、サーミスタでは、パワートランジスタのコレクタリード端子の温度を精度よく検出することができる。
【００１８】
（３）本発明の他の実施態様では、前記パワートランジスタの前記トランジスタチップの中心部位から前記放熱板、及び、前記伝熱板を介して前記圧電振動子の前記振動片の中心部位に至る伝熱距離と、前記トランジスタチップの中心部位から前記コレクタリード端子及び前記基板を介して前記サーミスタに至る伝熱距離とが略同一である。
【００１９】
この実施態様によると、パワートランジスタのトランジスタチップから放熱板及び伝熱板を介して圧電振動子の振動片へ至る熱伝達と、前記トランジスタチップからコレクタリード端子及び基板を介してサーミスタへ至る熱伝達とが同等となる。これによって、圧電振動子から離れた位置のパワートランジスタのコレクタリード端子の温度を検出することによって、圧電振動子の温度を間接的に精度良く検出することが可能となる。
【００２０】
（４）本発明の好ましい実施態様では、前記圧電振動子及び前記パワートランジスタが、前記平板部の長手方向に沿って並列配置されている。
【００２１】
この実施態様によると、伝熱板の長方形状の平板部にそれぞれ熱的に結合される圧電振動子及びパワートランジスタは、平板部の長手方向に沿って並列配置されているので、パワートランジスタからの発熱を、平板部を介してその長手方向に伝達して圧電振動子を効率的に加熱することができる。
【００２２】
(５)本発明の他の実施態様では、前記圧電振動子が水晶振動子である。
【００２３】
この実施態様によると、水晶発振器として好適に実施できる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、金属ブロックに比べて薄い伝熱板に、圧電振動子及び熱源がそれぞれ熱的に結合されているので、熱源からの発熱を、伝熱板によって無駄なく効率的に圧電振動子に伝達して圧電振動子を加熱することができ、金属ブロックを使用する従来例に比べて、小型、低背化を図ることができる。
【００２５】
また、水晶振動子等の圧電振動子は、リード端子を有するリードタイプであるので、表面実装タイプに比べて、使用される水晶振動片が相対的に大きいためＱ値が高く、安定した発振を得ることができる。
【００２６】
更に、熱源のリード端子の近接位置の温度を温度センサで検出することによって、圧電振動子の温度を間接的に検出するので、表面実装型の温度センサを使用することができ、他のチップ部品と共に、基板に実装することができる。これによって、リードタイプの温度センサに比べて組付け作業性に優れ、その分製造コストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施形態に係る水晶発振器の外観斜視図である。
【図２】図１の水晶発振器の主要部を分解した斜視図である。
【図３】図１の水晶発振器の平面図である。
【図４】図１の水晶発振器の一部切り欠き正面図である。
【図５】図１の水晶発振器の側面図である。
【図６】図１のサーミスタの取付け部分の平面図である。
【図７】図１の水晶発振器の温度制御回路の回路図である。
【図８】サーミスタの異なる設置位置を示す概略平面図である。
【図９】サーミスタの各設置位置に対応する特性図である。
【図１０】図１のサーミスタの取付け部分の他の例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。本実施形態では、圧電発振器として水晶発振器に適用して説明する。
【００２９】
図１に、本発明の一実施形態に係る水晶発振器の外観斜視図が、図２に、その主要部の分解斜視図が、図３に、水晶発振器の平面図が、図４に、水晶発振器の一部を切り欠いた正面図が、また、図５に、水晶発振器の側面図がそれぞれ示されており、各図において、カバー８を仮想線で示している。
【００３０】
この実施形態の水晶発振器は、浅い矩形トレイ状の金属製のベース１と、このベース１に複数本（５本）の外部リード端子２を介して支持されたプリント回路基板（以下、「基板」と略称する）３と、基板３上に挿通支持された水晶振動子４と、水晶振動子４を加熱する熱源としてのパワートランジスタ５と、水晶振動子４及びパワートランジスタ５が下向きの内面に後述のようにそれぞれ熱的に結合された伝熱板としての熱板６と、水晶振動子４の温度を検知する温度センサとしてのサーミスタ７と、ベース１の外周縁に上方から外嵌されて固着された金属製のカバー８とを備えている。
【００３１】
ベース１と複数の各外部リード端子２との間には、ガラスなどで形成された絶縁性を有する部材が介在されて、外部リード端子２が、電気絶縁状態でベース１に貫通支持されている。
【００３２】
基板３の上下面には、ランドパターンが形成され、発振回路及び温度制御回路等を構成する各種の電子部品が、リフローによって半田付け接続されている。
【００３３】
この実施形態の水晶振動子４は、安定した発振が得られるように、表面実装タイプに比べて、使用される水晶振動片が相対的に大きいために、Ｑ値が高いリードタイプの水晶振動子である。この水晶振動子４の底部から延出された２本のリード端子４ａは、基板３に平行に延出されてから基板３に向けて屈曲され、所定のランドパターン１０のスルーホールに挿入されて半田付け接続される。
【００３４】
パワートランジスタ５もリードタイプが用いられ、モールド樹脂５ｃの一端から延出された３本のリード端子５ａは、基板３に平行に延出されてから基板３に向けて屈曲され、所定のランドパターン１１のスルーホールに挿入されて半田付け接続される。
【００３５】
水晶振動子４及びパワートランジスタ５は、その上面が、基板３から同一高さになるように設けられている。
【００３６】
水晶振動子４は、上端が閉じられた扁平な長円筒状のキャップ４ｂと底部とからなる金属製のケース内に、ＡＴカットなどの水晶振動片が気密に封止され、ケースの底部から上記のように２本のリード端子４ａが延出している。水晶振動片には、一対の励振電極と、一対の励振電極からそれぞれ引き出された各引出電極とが形成されており、各引出し電極が、一対の各リード端子４ａにそれぞれ接合されている。
【００３７】
各リード端子４ａは、金属製のケースの底部の挿通孔を挿通しており、挿通孔とリード端子４ａとの間は、ハーメチックガラスなどによって絶縁されている。
【００３８】
パワートランジスタ５は、内蔵のトランジスタチップを覆うモールド樹脂５ｃを有し、モールド樹脂５ｃの一端から上記リード端子５ａが延出している。パワートランジスタ５は、その上面にトランジスタチップのコレクタに接続された放熱板５ｄが露出している。
【００３９】
この実施形態では、上記のように、水晶振動子４及びパワートランジスタ５がそれぞれ熱的に結合された熱板６が設けられている。この熱板６は、熱伝導性に優れた材料、例えば、洋白、銅やアルミニウムなどの金属材料、この例では、洋白から構成されている。
【００４０】
熱板６は、水晶振動子４のキャップ４ｂの上面を略完全に覆うと共に、パワートランジスタ５の上面を完全に覆う扁平な矩形の平板部６ａと、平板部６ａの両端から下方へ折曲された一対の折曲部６ｂ，６ｃとを備えており、パワートランジスタ５及び水晶振動子４の上面及び側面を、基板３との間で囲むように設けられる。なお、平板部６ａは、パワートランジスタ５からの発熱を、水晶振動子４に伝達できれば、矩形に限らず、他の形状であってもよい。
【００４１】
一対の折曲部６ｂ，６ｃは、その補強機能によって熱板６全体の剛性を確保している。水晶振動子４とパワートランジスタ５が熱的に結合される平板部６ａは、その面精度が確保されている。パワートランジスタ５に近い側、すなわち、パワートランジスタ５寄りの一方の折曲部６ｂの中央部から小幅の脚部６ｄが延出される一方、水晶振動子４に近い側、すなわち、水晶振動子４寄りの他方の折曲部６ｃの両端部から一対の小幅の脚部６ｅが延出されている。熱板６は、その平板部６ａが基板３に平行になるように、前記３つの脚部６ｄ，６ｅを介して３点支持によって安定して基板３に連結固定される。
【００４２】
熱板６は、例えば、打ち抜き加工によって作製された板状の素材を、平板部６ａの長手方向の両端の各辺に沿って直角に折り曲げ加工して形成することができる。
【００４３】
上面が基板３から同一高さになるように配置される水晶振動子４とパワートランジスタ５の上面は、扁平面に形成されている。
【００４４】
この実施形態では、熱板６の平板部６ａにおける下向き内面、すなわち、基板３に臨む内面に、パワートランジスタ５の上面の放熱板５ｄが、図示しない半田によって接合されることによって、熱的に結合されると共に、水晶振動子４の金属製のキャップ４ｂの上面が、図示しない半田によって接合されることによって、熱的に結合される。
【００４５】
熱的に結合されるとは、熱板６と、パワートランジスタ５または水晶振動子４とが、直接的あるいは間接的に接触して熱伝導が行われる状態をいう。したがって、熱板６と、パワートランジスタ５または水晶振動子４とが、半田等を介在させることなく、直接的に圧接されるようにしてもよい。
【００４６】
この実施形態では、水晶振動子４及びパワートランジスタ５を、基板３に実装する前に、予め熱板６の平板部６ａにおける下向きの内面にクリーム半田を塗布し、クリーム半田を塗布した位置に、パワートランジスタ５の放熱板５ｄ及び水晶振動子４のキャップ４ｂの上面をセットした後、リフローにより半田付けを行うようにしている。
【００４７】
このようにパワートランジスタ５に内蔵されたトランジスタチップの発熱部であるコレクタに直接接続した放熱板５ｄを、熱板６の平板部６ａの下向き内面に半田接合すると共に、水晶振動子４の金属製のキャップ４ｂの扁平な上面を、熱板６の平板部６ａの下向き内面に半田接合するので、パワートランジスタ５のトランジスタチップのコレクタで発生した熱が、コレクタに直接接続された放熱板５ｄから高熱伝導性の熱板６を介して水晶振動子４の金属製のキャップ４ｂの上面に、無駄なく効率的に伝達され、キャップ４ｂ内部の水晶振動片を加熱することができる。
【００４８】
このように金属ブロックに比べて薄い熱板６によって、パワートランジスタ５からの発熱を、水晶振動子４に効率的に伝達して水晶振動子４を加熱するので、金属ブロックを用いる従来例に比べて、小型、低背化を図ることができる。
【００４９】
パワートランジスタ５からの発熱は、上記のように熱板６によって水晶振動子４に伝達されて水晶振動子４を加熱する一方、パワートランジスタ５からの発熱の一部は、パワートランジスタ５に内蔵されたトランジスタチップのコレクタから該コレクタに接続されたリード端子５ａであるコレクタリード端子５ａ（ｃ）にも伝達される。
【００５０】
この実施形態では、水晶振動子４の近接位置に温度センサを配置して水晶振動子４の温度を検出するのではなく、パワートランジスタ５のトランジスタチップからの発熱が伝達されるコレクタリード端子５ａ（ｃ）の近接位置の温度をサーミスタ７によって検出することによって、水晶振動子４の温度を間接的に検出するようにしている。
【００５１】
すなわち、温度センサとしてのサーミスタ７は、表面実装タイプであり、基板３の所定位置に露出形成された一対のランドパターン１２に載置されて、他のチップ部品と共にリフロー処理によって半田付け接続される。
【００５２】
水晶振動子４の温度を、表面実装タイプではなく、リードタイプのサーミスタを用いて検出する場合には、リードタイプのサーミスタの感温部を、熱板６の内面の水晶振動子４の近接位置に接着剤で固定し、サーミスタのリード端子を、基板３のスルーホールに挿入して半田接続しなければならず、組付け作業が面倒である。
【００５３】
これに対して、この実施形態のサーミスタ７は、表面実装タイプであるので、上記のように他のチップ部品と共に、基板３に実装することが可能であり、リードタイプのサーミスタを用いる場合に比べて、製造コストを低減することができる。
【００５４】
この実施形態では、サーミスタ７によって、水晶振動子４の温度を精度良く検出することができるように、図４に示すパワートランジスタ５の中心部位のトランジスタチップ５ｂから放熱板５ｄ、熱板６を介して水晶振動子４の中心部位の水晶振動片４ｃに至る伝熱距離Ｄ１と、図５に示すパワートランジスタ５の中心部位のトランジスタチップ５ｂからコレクタリード端子５ａ（ｃ）、ランドパターン１１，１２を介してサーミスタ７に至る伝熱距離Ｄ２とを略同一としている。ここで、同一とは、完全に同一である場合のみに限らず、ある程度、例えば、１０〜２０％程度以内の誤差を含むものである。
【００５５】
図６は、サーミスタ７の取付け部分を示す平面図である。この図６に示すように、サーミスタ７は、パワートランジスタ５から延出されたリード端子５ａの内、トランジスタチップのコレクタに接続されたコレクタリード端子５ａ（ｃ）の近接位置に配置される。
【００５６】
ここで、近接位置とは、コレクタリード端子５ａ（ｃ）が挿通するスルーホールの中心から半径４．０ｍｍ以内、好ましくは、３．０ｍｍ以内の円形の領域内に、サーミスタ７の全体が位置する程度に近接していることをいう。
【００５７】
この実施形態では、サーミスタ７が半田付け接続される一方のランドパターン１２は、パワートランジスタ５のコレクタリード端子５ａ（ｃ）が半田付け接続されるランドパターン１１（ｃ）に、導電パターン１３を介して接続されている。これによって、パワートランジスタ５のトランジスタチップからの発熱が、コレクタリード端子５ａ（ｃ）、そのランドパターン１１（ｃ）及び導電パターン１３を介してサーミスタ７に効率的に伝達される。
【００５８】
なお、図６に示す導電パターン１３は、後述する他の実施形態における図１０に示す形状の導電パターン１３に対して、ランドパターン１１（ｃ）に近い側にある一方の矩形のランドパターン１２からの引出位置が異なっている。すなわち、図６に示す導電パターン１３は、前記一方の矩形のランドパターン１２の、前記ランドパターン１１（ｃ）から離間する側の長辺の両端から引出されている。これに対して、図１０に示す導電パターン１３は、ランドパターン１１（ｃ）に近い側にある一方の矩形のランドパターン１２の、前記ランドパターン１１（ｃ）に近接する側の長辺の両端から引出されている。図６に示す導電パターン１３は、図１０に示す導電パターン１３に比べて、パワートランジスタ５のトランジスタチップからの発熱をサーミスタ７により伝達させ易い。
【００５９】
導電パターン１３は、ランドパターン１１，１２等と同一の金属を用いて同一の工程で形成される。
【００６０】
サーミスタ７によって検出された温度は、後述のようにパワートランジスタ５の温度制御回路に入力され、水晶振動子４の温度が所定温度になるようにパワートランジスタ５の通電が制御される。
【００６１】
図７は、この実施形態の温度制御回路の回路図である。同図に示すように、この温度制御回路は、上記サーミスタ７、上記パワートランジスタ５、差動増幅器ＩＣ１、及び、抵抗Ｒ１〜Ｒ５を有する。
【００６２】
この実施形態のパワートランジスタ５は、ＮＰＮ型のバイポーラトランジスタであり、そのベースが差動増幅器ＩＣ１の出力端子に接続される一方、そのコレクタは、電源端子Ｖｃｃ及び上記のようにサーミスタ７に接続され、そのエミッタは、接地端子ＧＮＤに接続される。パワートランジスタ５は、ベースに印加される差動増幅器ＩＣ１の出力電圧に比例して、そのコレクタ−エミッタ間に電流が流れると共に、その電流に応じて発熱するようになっている。
【００６３】
この温度制御回路では、水晶振動子４の温度、すなわち、パワートランジスタ５のコレクタリード端子５ａ（ｃ）の温度が上昇すると、サーミスタ７の抵抗値が減少して、差動増幅器ＩＣ１の出力電圧が低下し、これによりパワートランジスタ５の発熱量が減少し、水晶振動子４の温度上昇が抑制される。
【００６４】
一方、水晶振動子４の温度、すなわち、パワートランジスタ５のコレクタリード端子５ａ（ｃ）の温度が下降すると、サーミスタ７の抵抗値が増加して、差動増幅器ＩＣ１の出力電圧が上昇し、パワートランジスタ５の熱量が増大し、水晶振動子４の温度下降が抑制される。このようにして水晶振動子４の温度が所定温度に制御される。
【００６５】
次に、サーミスタ７の設置位置と水晶発振器の特性との関係について説明する。
【００６６】
図８の概略平面図に示すように、サーミスタ７の基板３上における設置位置を、熱板６の長手方向の一端部である水晶振動子４寄りの第１位置Ｐ１と、上記実施形態の第２位置Ｐ２と、該第２位置Ｐ２よりも基板３の外方寄りの第３位置Ｐ３とにそれぞれ設置した場合の各特性を測定した。
【００６７】
図９は、その測定結果を示すものであり、ラインＬ１は、発振周波数から算出した、ベース１及びカバー８によって構成される恒温槽の温度ｔ（℃）を示し、ラインＬ２は、パワートランジスタ５に流れる電流Ｉ（Ａ）を示している。（ａ），（ｂ），（ｃ）が、上記第１位置Ｐ１、第２位置Ｐ２、第３位置Ｐ３にそれぞれ対応する。
【００６８】
基板３上の第１位置Ｐ１は、パワートランジスタ５のコレクタリード端子５ａ（ｃ）から離れていると共に、水晶振動子４のケースを構成するキャップ４ｂから離れている。このため、図９（ａ）のラインＬ１に示すように、恒温槽の温度ｔが大きく変動し、それに応じて、パワートランジスタ５に流れる電流ＩもラインＬ２に示すように大きく変動している。
【００６９】
パワートランジスタ５のコレクタリード端子５ａ（ｃ）に近接して配置されると共に、導電パターン１３によってコレクタリード端子５ａ（ｃ）のランドパターン１１（ｃ）に接続されたランドパターン１２に接続される上記実施形態の第２位置Ｐ２では、図９（ｂ）のラインＬ１に示すように、恒温槽の温度ｔが一定温度に維持されると共に、パワートランジスタ５に流れる電流もラインＬ２に示すように、比較的低い一定電流に維持されており、良好な特性が得られている。
【００７０】
第２位置Ｐ２よりも基板３の外方寄りの第３位置Ｐ３では、図９（ｃ）のラインＬ１に示すように、恒温槽の温度ｔが一定温度に維持される一方、パワートランジスタ５に流れる電流は、ラインＬ２に示すように、短い周期で大きく変動している。
【００７１】
このように第２位置Ｐ２にサーミスタ７を設置した上記実施形態が、最も特性が良好であった。
【００７２】
［他の実施形態］
本発明は、以下のような形態で実施することもできる。
【００７３】
（１）パワートランジスタ５のコレクタリード端子５ａ（ｃ）が連結されるランドパターン１１（ｃ）とサーミスタ７が連結される一方のランドパターン１２とを導通接続する導電パターン１３は、上記形状に限らず、例えば、図１０に示す形状にしてもよい。
【００７５】
また、パワートランジスタ５は、バイポーラ型のトランジスタに限らず、電界効果型のトランジスタ（ＦＥＴ）であってもよい。この場合、電界効果型のトランジスタのリード端子の内、ドレイン端子の近接位置の温度を検出すればよい。
【００７６】
サーミスタ７は温度が上昇すると抵抗値が減少するＮＴＣ型のサーミスタであったが、これに限定されず、温度が上昇すると抵抗値が増大するＰＴＣ型のサーミスタを用いることもできる。
【００７７】
また、上記実施形態では、水晶を圧電材料とした水晶発振器について説明したが、本発明は水晶以外の圧電材料を用いた圧電発振器にも適用することができる。
【符号の説明】
【００７８】
３            基板
４            水晶振動子
５            パワートランジスタ（熱源）
５ａ          リード端子
５ａ（ｃ）    コレクタリード端子
６            熱板（伝熱板）
６ａ          平板部
６ｂ          折曲部
６ｃ          折曲部
６ｄ          脚部
６ｅ          脚部
７            サーミスタ（温度センサ）
１１          ランドパターン
１１（ｃ）    コレクタリード端子用のランドパターン
１２          ランドパターン
１３          導電パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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