(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体ウエハやＦＰＤ基板等の製造プロセスにおいて使用される処理液を、基板に向けて供給する処理液供給配管回路を提供する。【解決手段】基板の表面に液供給ノズルから処理液を供給して処理を施すための液処理装置に設けられ、液供給ノズルと前記処理液の液供給源との間に構成される処理液供給配管回路において、処理液を液供給ノズルに向けて供給する吐出ポンプと、吐出ポンプの下流側に設けられる前記処理液の供給バルブと、吐出ポンプの駆動による吐出動作と供給バルブを開く動作により、基板に前記処理液の供給動作の実行を制御する制御部と、を備え、供給バルブの内部流路３５の径断面部を面方向に駆動して当該内部流路３５を封止自在な遮蔽弁体３１を有し、遮蔽弁体３１の閉動作時でも径断面部を完全遮蔽しないための隙間ｈが確保されている。【選択図】図４
0003205915.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に液供給ノズルから処理液を供給して処理を施すための液処理装置に設けられ、前記液供給ノズルと前記処理液の液供給源との間に構成される処理液供給配管回路において、
処理液を液供給ノズルに向けて供給する吐出ポンプと、
前記吐出ポンプの下流側に設けられる前記処理液の供給バルブと、
前記吐出ポンプの駆動による吐出動作と前記供給バルブを開く動作により、基板に対する前記処理液の供給動作の実行を制御する制御部と、
を備え、
前記供給バルブの内部流路の径断面部を面方向に駆動して前記内部流路を封止自在な遮蔽弁体を有し、前記遮蔽弁体の閉動作時において、前記遮蔽弁体が前記径断面部を完全遮蔽しないための隙間が、前記遮蔽弁体と前記内部流路との間に設けられていることを特徴とする処理液供給配管回路。
【請求項２】
前記隙間は、０．０７ｍｍ〜０．７ｍｍであることを特徴とする、請求項１に記載の処理液供給配管回路。
【請求項３】
前記吐出ポンプと前記供給バルブとの間の配管から分岐された配管に、配管内の圧力を抜くための圧抜きバルブを備えていることを特徴とする、請求項１または２のいずれか一項に記載の処理液供給配管回路。
【請求項４】
前記制御部は、前記処理液の供給動作の完了した後に、前記圧抜きバルブを開ける動作を実行させることを特徴とする、請求項３に記載の処理液供給配管回路。
【請求項５】
前記制御部は、前記圧抜きバルブを開ける動作を、前記処理液の供給動作の完了と同期させて実行させることを特徴とする、請求項３に記載の処理液供給配管回路。
【請求項６】
前記供給バルブの上流側に流量計が設けられ、前記制御部は前記供給バルブが閉じたときに前記流量計が処理液の流れを検出した動作信号に基づいて、前記圧抜きバルブを開ける動作を実行させることを特徴とする、請求項３に記載の処理液供給配管回路。
【請求項７】
前記吐出ポンプの下流側に処理液の濾過フィルタが設けられ、前記圧抜きバルブは、前記濾過フィルタの一次側と二次側から分岐した配管にそれぞれ設けられていることを特徴とする、請求項３に記載の処理液供給配管回路。
【請求項８】
前記制御部は、基板への処理液の供給動作が完了した後に前記吐出ポンプにおける処理液の液導入バルブを閉じ且つ吐出ポンプの吐出バルブを開けて、前記吐出ポンプにより下流側の配管の処理液を引いて逆流させる制御を行うことを特徴とする、請求項１または２のいずれか一項に記載の処理液供給配管回路。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この考案は、例えば半導体ウエハやＦＰＤ（フラットパネルディスプレー）基板等の製造プロセスにおいて使用される処理液を、基板に向けて供給する処理液供給配管回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイスの製造においては、例えば半導体ウエハやＦＰＤ基板等（以下、基板という）にレジスト液を塗布し、マスクパターンを露光処理して回路パターンを形成させるために、フォトリソグラフィ技術が利用されている。このフォトリソグラフィ技術においては、スピンコーティング法により基板にレジスト液を塗布し、これにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に回路パターンが形成されている。
【０００３】
このようなフォトリソグラフィ工程においては、一般にレジストの塗布・現像を行う塗布・現像装置に、露光装置を接続した塗布・現像処理システムが用いられている。この塗布・現像処理システムにおいては、現像液やシンナー等の処理液を、このシステムに配設された各処理ユニット、例えばレジスト塗布処理ユニット、現像処理ユニット等に供給する必要がある。
【０００４】
従来のこの種の処理液供給配管回路として、処理液を用いてプロセス処理を行う液処理ユニットに処理液を供給するために、処理液供給源から供給された処理液をポンプで送液して液処理ユニットの液ノズルから吐出して基板に供給をしている。この様な構成においては、液ノズルの上流側に処理液の供給時に開閉させる開閉弁を備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−０８８７０２号公報（図２５）
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】ＣＫＤ（株）薬液用エアオペレイトバルブ・サックバックバルブ一体形カタログ  （例えば、ＡＭＤＳＺ０・ＡＭＤＳ００Ｓｅｒｉｅｓ）[平成２８年５月６日]インターネット<URL:http://hosefia.co.kr/goods/dokimec/fine/wetfine/ams022/amds00/f_amds00.html>
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００７】
処理液供給配管回路には基板に供給前の処理液中の異物（パーティクル）を極力少なくする必要があり、好ましくは処理液中には異物が無いことが望まれている。そのために一般的にフィルタを用いて処理液を濾過しているので、フィルタを通過後の処理液中の異物の数は減っている。しかしながら開閉弁である処理液用エアオペレイトバルブ・サックバックバルブは液ノズルの上流側に配置されており、この開閉弁の内部の流路を開閉させる遮蔽弁体が駆動することにより少なからず発塵して異物が流出することがある。このため異物が液ノズルから吐出されてしまい塗布不良の原因となることが懸念される。近年のパターンの微細化により、わずかな数の異物や微少な異物についてもその発生を抑えることが求められている。
【０００８】
この考案は、上記事情に鑑みてなされたもので、液ノズルに近い場所に位置して、処理液供給の際に用いられる開閉弁からの発塵を無くすことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記問題を解決するために、この考案の処理液供給配管回路は、基板の表面に液供給ノズルから処理液を供給して処理を施すための液処理装置に設けられ、前記液供給ノズルと前記処理液の液供給源との間に構成される処理液供給配管回路において、処理液を液供給ノズルに向けて供給する吐出ポンプと、前記吐出ポンプの下流側に設けられる前記処理液の供給バルブと、前記吐出ポンプの駆動による吐出動作と前記供給バルブを開く動作により、基板に対する前記処理液の供給動作の実行を制御する制御部と、を備え、前記供給バルブの内部流路の径断面部を面方向に駆動して前記内部流路を封止自在な遮蔽弁体を有し、前記遮蔽弁体の閉動作時において、前記遮蔽弁体が前記径断面部を完全遮蔽しないための隙間が、前記遮蔽弁体と前記内部流路との間に設けられている（請求項１）。この場合、隙間は、０．０７ｍｍ〜０．７ｍｍであることが好ましい（請求項２）。
【００１０】
この様に遮蔽弁体が完全遮蔽して摩擦が起きないような隙間を設ける、すなわち非接触にすることで、液供給ノズルの上流となる供給バルブを駆動することによる遮蔽弁体を原因とする異物（パーティクル）の発生が無くなり、発塵させることなく連続使用できる。
【００１１】
また、請求項１または請求項２の考案において、前記吐出ポンプと前記供給バルブとの間の配管から分岐された配管に、配管内の圧力を抜くための圧抜きバルブを備えているようにしてもよい（請求項３）。また、制御部は、前記処理液の供給動作の完了した後に、前記圧抜きバルブを開ける動作を実行させるようにしてもよい（請求項４）。また、制御部は、前記圧抜きバルブを開ける動作を、前記処理液の供給動作の完了と同期させて実行するようにしてもよい（請求項５）
【００１２】
この様に構成することにより、液供給ノズルからの処理液の供給を停止させた後に供給バルブからの残圧による処理液の漏出を止めるために、配管路の残圧を抜くことで正確な供給量を保つことができる。この残圧を抜くためにタイミングは処理液の種類、粘度によって異なるので、供給動作が完了後に所定のタイミングで動作させても良いし、供給停止の制御と同期をさせても良い。
【００１３】
また、請求項３の考案において、前記供給バルブの上流側に流量計が設けられ、前記制御部は前記供給バルブの閉じたときに前記流量計が処理液の流れを検出した動作信号に基づいて前記圧抜きバルブを開ける制御を行ってもよい（請求項６）。
【００１４】
この様に構成することにより、配管中に処理液の流動があれば配管内の残圧を抜く（リリースする）ことができる。
【００１５】
また、供給ポンプの下流側に処理液の濾過フィルタが設けられ前記圧抜きバルブは、前記濾過フィルタの一次側と二次側から分岐した配管にそれぞれ設けるようにしてもよい（請求項７）
【００１６】
この様に構成することにより、濾過フィルタに残り易い残圧を濾過フィルタ両側、すなわち一次側と二次側の流路から抜くことが出来るので、供給バルブからの処理液の漏出を素早く止めることが出来る。
【００１７】
本考案において、前記制御部は、基板への処理液の供給動作が完了した後に前記供給ポンプの処理液の液導入バルブを閉じて且つ吐出ポンプの吐出バルブを開けて、前記吐出ポンプによって、下流側の配管の処理液を引いて逆流させる制御を行うようにしてもよい（請求項８）
【００１８】
この様に構成することにより、供給ポンプを使って配管内の残圧を抜くことができる。
【考案の効果】
【００１９】
本考案によれば、処理液供給配管回路における最終段に設けられる供給バルブからの発塵を無くすことが出来るので、供給バルブの上流側で異物除去処理された処理液をそのままの状態で基板に供給することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本考案の実施の形態が採用されたレジスト塗布現像処理装置の平面図である。
【図２】本考案の実施の形態が採用されたレジスト塗布現像処理装置の斜視図である。
【図３】本考案の実施の形態に係る処理液供給配管回路を模式的に示した説明図である。
【図４】本考案の実施の形態における供給バルブの内部断面の構造部分をを模式的に示した説明図である。
【図５】本考案の実施の形態における供給バルブの動作状態を模式的に示した説明図である。
【図６】本考案の実施の形態に係る処理液供給配管回路の制御タイミングチャート図である。
【考案を実施するための形態】
【００２１】
以下にこの考案の実施の形態に係る処理液供給配管回路が採用されたレジスト塗布現像処理装置を説明する。処理液供給装置は、例えば液処理装置であるレジスト塗布現像処理装置で使用されるレジスト液を、供給元となる薬液ボトルであるレジスト液ガロンビンから送液して、レジスト液塗布装置内の半導体基板の表面にレジスト液を供給するまでを構成しており、レジスト塗布現像処理装置に組み込まれて液処理装置と連動して動作する構成を成している。処理液供給装置が組み込まれるレジスト塗布現像処理装置の形態として、図１、図２に示したような、基板であるウエハＷのレジスト塗布現像処理装置に適用した場合について説明する。このレジスト塗布現像処理装置には、キャリアブロックＳ１が設けられており、その載置台２１上に載置された密閉型の基板収納容器であるキャリア２０から開閉部２２を介して受け渡しアームＣがウエハＷを取り出して、キャリアブロックＳ１の奥側（図１中の右側）に筐体２４で囲まれた処理ブロックＳ２に受け渡し、処理ブロックＳ２から受け渡しアームＣが処理済みのウエハＷを受け取ってキャリア２０に戻すように構成されている。
【００２２】
前記処理ブロックＳ２は、図２に示すように、この例では現像処理を行うため現像処理装置の第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、Ｂ２、本考案の対象となるレジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための下層反射防止膜塗布装置が設けられる第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ３、本考案の対象となるレジスト膜の塗布を行うためのレジスト塗布処理装置が設けられる第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４、本考案の対象となるレジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成を行うための上層反射防止膜塗布装置の第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ５を、下から順に積層して構成されている。
【００２３】
レジスト塗布現像処理装置の処理ブロックＳ２は、このように現像処理前加熱処理と現像処理を行うための第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、Ｂ２、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理と反射防止膜形成後の加熱処理を行うための第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ３、レジスト膜の塗布とレジスト膜形成後の加熱処理を行うための第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜と反射防止膜形成後の加熱処理の形成を行うための第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ５、を有している。
【００２４】
例えば、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４を例にとると、各層については、図１に示すように、ＣＯＴユニット２６内に、レジストを塗布処理する処理カップ２８が例えば３個設けられている。そして、搬送アームＡ４の直線搬送路を挟む形で加熱及び冷却系の処理ユニット群Ｕ１、Ｕ２、Ｕ３、Ｕ４がそれぞれ前記直線搬送路に面して並べられている。この処理ユニット群Ｕ１、Ｕ２、Ｕ３、Ｕ４はそれぞれ２段に構成されており、図１の例では合計８個の処理ユニットが存在することになる。図１のＣＯＴユニット２６（詳細な図示せず）にはウエハＷを回転自在で吸着保持できるスピンチャック２９と、このスピンチャック２９を囲むように設けられる処理カップ２８を備えており、スピンチャック２９に吸着されたウエハＷ上面に、吐出ノズル（例えば後述の液供給ノズルＮ１）から例えばレジスト液を適量吐出して、厚さが均一に近い塗布膜を形成する液処理が行われる
【００２５】
更に処理ブロックＳ２には、図１に示すように棚ユニットＵ５（詳細構成は図示せず）が設けられ、キャリアブロックＳ１からのウエハＷは、受け渡しアームＣによって棚ユニットＵ５の受け渡しユニットとなる３本のピンが立設してなるトラジションステージ（図示省略）に受け渡されて、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ３の対応する冷却処理ユニット（クーリングプレート）（図示省略）に、棚ユニットＵ５の横近傍に設けられた昇降自在な受け渡しアームＤによって順次搬送される。また、処理ブロックＳ２のキャリアブロックＳ１と反対側のインターフェイスブロックＳ３に隣接する位置には棚ユニットＵ６（詳細構成は図示せず）が設けられている。棚ユニットＵ６は棚ユニットＵ５と同様に構成されており、受け渡しアームＥでウエハＷを各層に昇降可能に構成されている。なお、棚ユニットＵ５は、図示しないクーリングプレート、トラジションステージを複数備えておりそれらを積層して構成されている。また、棚ユニットＵ６は、棚ユニットＵ５と同様に構成されている。
【００２６】
前記第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ３内の搬送アームＡ３（詳細構成は図示せず）は、棚ユニットＵ５の冷却処理ユニット（図示せず）からウエハＷを受け取って、各ユニット（反射防止膜ユニット及び加熱・冷却系の処理ユニット群）に搬送し、これらユニットにてウエハＷには反射防止膜が形成される。同様にして、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ３で処理の完了したウエハＷは棚ユニットＵ６の冷却処理ユニットに搬送されて受け渡しアームＥにより第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４に対応する冷却処理ユニット（図示せず）に搬送されて第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４の搬送アームＡ４によって各処理ユニットに運ばれてレジスト塗布処理が行われる。
【００２７】
この後は冷却処理ユニット（図示せず）に運ばれ、前述と同様に受け渡しアームＤが受け取り冷却処理ユニット（図示せず）に受け渡されて第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ５の搬送アーム（詳細構成は図示せず）によって目的の反射防止膜処理がなされる。この後に棚ユニットＵ６の冷却ユニット（図示せず）に受け渡されて、受け渡しアームＥによりトラジションステージ（図示省略）にウエハＷが受け渡される。このウエハＷをインターフェイスブロックＳ３にある受け渡しアームＦにより露光機Ｓ４に受け渡しをすることになる。露光機Ｓ４から搬出されたウエハＷは受け渡しアームＦが受け取り、ウエハＷを支持するための３ピンが出没可能に構成されてなる冷却処理ユニット（図示せず）に受け渡された後、現像処理が第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、Ｂ２（詳細構成は図示せず）にて行われる。その後、冷却処理ユニット（図示せず）に受け渡されて、その後冷却処理ユニットを経た後、キャリアブロックＳ１の受け渡しアームＣが受け取ってキャリア２０に収納される。
【００２８】
次に図３に示される前述の例えばＣＯＴユニット２６に適用する本実施の形態に係る処理液供給配管回路について説明する。処理液供給配管回路は処理液であるレジスト液が入った薬液ボトルＢから配管４１を通じて、例えばダイアフラムポンプである吐出ポンプＰに吸液される。このとき吐出ポンプＰは液導入バルブＶ１を開けて吐出バルブＶ２、ポンプ泡抜きバルブＶ３を閉じて電空バルブＥＶを制御部１００により所定のスピードに制御しながらダイアフラムを拡張させてレジスト液を吸引させる。なお、ポンプ泡抜きバルブＶ３はダイアフラム内部で泡が在る場合になどに定期的に開放して泡を流出させるために設けられている。
【００２９】
吐出ポンプＰからレジスト液を吐出させる際には、液導入バルブＶ１を閉じて吐出バルブＶ２を開けて電空バルブＥＶにてダイアフラムを押圧して、レジスト液を配管４２を通じて下流に送液する。吐出ポンプＰからの下流側に位置する配管４２には、例えばレジスト液の異物（パーティクル）を捕捉する濾過フィルタＦが設けられ、さらにその下流側の配管４３には、配管中のレジスト液の流量を検出するフローメータＦＭと、更にその下流側にはエアオペレイトバルブとサックバックバルブが一体で形成されている供給バルブＡＳとが設けられている。このような構成により、ＣＯＴユニット２６の液供給ノズルＮ１からレジスト液が基板に上に供給されることになる。
【００３０】
図４、図５に実施の形態における供給バルブＡＳの内部断面における、エアオペレイトバルブ３０側の構造の一部を示している。図４はエアオペレイトバルブ３０側の断面構造であり、一次側となるＩＮ側流路３３と二次側となるＯＵＴ側流路３４の間に内部流路の径断面部を面方向で封止させるように駆動する、遮蔽弁体３１が設けられており、遮蔽弁体３１は可撓膜体３２の動作を受けて駆動するように構成されている。
【００３１】
図４はレジスト液の供給がなされていない状態（供給停止）の様子を示しており、遮蔽弁体３１が内部流路３５を塞ぐ様に位置している。内部流路３５は、流路を構成する壁体３５ａ、３５ｂによって、上面が開口した筒状に構成されている。そして供給バルブＡＳが閉じた際には、遮蔽弁体３１は内部流路３５の径断面部を完全遮蔽しないように微少隙間ｈが設定されている。すなわち、壁体３５ａ、３５ｂの上端部と遮蔽弁体３１とは接触せずに、両者の間には、微少隙間ｈが確保されるように設定されている。この微少隙間ｈは処理液の種類、粘度によって０．０７ｍｍ〜０．７ｍｍで設定されている。図５（ａ）、（ｂ）は供給バルブＡＳのエアオペレイトバルブ３０側の開閉動作の際の遮蔽弁体３１の状態を示し、（ａ）は、供給時でバルブが開放している状態、（ｂ）は供給停止時でバルブが閉じている状態を各々示している。このように、供給バルブＡＳが閉じた際にも、遮蔽弁体３１は、内部流路３５を構成する壁体３５ａ、３５ｂとは接触しないので、エアオペレイトバルブ３０側の開閉動作によって、接触や摩擦が無く発塵を生じさせることがない。
【００３２】
レジスト液の供給動作は制御部１００にて制御されるので、吐出ポンプＰの吐出動作行いながら供給バルブＡＳを開けてレジスト液を供給することができる。そしてレジスト液を供給した後に供給バルブＡＳを閉じると、上流側の残圧が影響して微少隙間ｈからレジスト液の漏出が懸念される。漏出すると、供給するレジスト液が設定量以上に供給されたり、液供給ノズルＮ１からサックバックされたレジスト液が垂れ落ちたりするおそれがある。これを防止するため、図３に示される圧抜きバルブＶ４が、配管４２における濾過フィルタＦの下流側から分岐して薬液ボトルＢに戻る配管４４に設けられている。なおこの配管４４には、供給ポンプＰのポンプ泡抜きバルブＶ３からの配管４５が接続されている。
【００３３】
制御部１００は圧抜きバルブＶ４を開ける動作を、レジスト液の供給動作の完了（供給停止）した後に実行するように、圧抜きバルブＶ４を開ける動作を制御する。または、圧抜きバルブＶ４を開ける動作をレジスト液の供給動作の完了（供給停止）と同期させて実行する場合もある。この動作の違いは処理液の種類、粘度によって選択される。例えば、粘度の低い処理液のレジスト液、反射防止膜液であれば同期させて圧抜きバルブＶ４を開ける。粘度が高い処理液のポリイミド液であれば供給バルブＡＳの閉動作時間も長くかかるので、残圧が残り難いため供給動作の完了（供給停止）した後に圧抜きバルブＶ４を開けることになる。
【００３４】
濾過フィルタＦは構造的に残圧が残り易いので、圧抜きバルブＶ４に接続される配管４５を濾過フィルタＦの一次側と二次側にそれぞれ設けても良く、かかる場合には圧抜きバルブＶ４もそれぞれに設けても良い。この様な接続回路にすることにより素早く残圧を開放することができる。
【００３５】
また、レジスト液の供給動作の完了（供給停止）した後に、図３の配管回路に構成されている流量値をモニターするフローメータＦＭの信号に基づいて、圧抜きバルブＶ４を開けるようにしてもよい。これにより処理液の種類や粘度による圧抜きバルブＶ４の開動作の設定を行わなくても、液の流れが確認できたところで所定のタイミングで開ければよい。
【００３６】
次に吐出ポンプＰを使って供給動作後の残圧を抜くプロセスについて説明する。レジスト液の供給動作の完了（供給停止）した後に、液導入バルブＶ１を閉じたままで吐出バルブＶ２を開けることで、下流側の配管４２、４３中のレジスト液の残圧が吐出ポンプＰ内の容積で吸収される。なお吐出バルブＶ２を開ける前に、薬液ボトルＢへのリターン配管となる配管４４、４５と接続されるポンプ泡抜きバルブＶ３を、数秒間開けて吐出ポンプＰの残圧を開放しておいてもよい。
【００３７】
なお、上述の実施形態の動作状態を図６の動作タイミングチャートに示しておく。この動作タイミングチャートにおいては、上側はＯＮ、下側はＯＦＦを示し、バルブについては、上側は開放、下側は閉鎖を表している。
【００３８】
以上、この考案に係る処理液供給システムを半導体ウエハの塗布・現像処理システムのレジスト液の配管回路に適用する場合について説明したが、洗浄液であるシンナーや純水の供給ラインや現像処理に用いられる現像液の供給ラインにも本考案は適用できる。また、半導体ウエハ以外の被処理基板、例えばＦＰＤに対して処理液を供給する場合についても本考案は適用できる。
【符号の説明】
【００３９】
Ｂ          薬液ボトル
Ｐ          吐出ポンプ
Ｖ１        液導入バルブ
Ｖ２        吐出バルブ
Ｖ３        ポンプ泡抜きバルブ
Ｖ４        圧抜きバルブ
ＥＶ        電空バルブ
Ｆ          濾過フィルタ
ＦＭ        フローメータ
ＡＳ        供給バルブ
Ｎ１        液供給ノズル
ｈ          隙間
３０        エアオペレイトバルブ
３１        遮蔽弁体
３２        可撓膜体
３３        ＩＮ側流路
３４        ＯＵＴ側流路
１００      制御部
【図１】
0003205915.tif 000003
【図２】
0003205915.tif 000004
【図３】
0003205915.tif 000005
【図４】
0003205915.tif 000006
【図５】
0003205915.tif 000007
【図６】
0003205915.tif 000008