(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面及び裏面を有し、前記表面に被処理物を支持するセラミック基板と、
前記セラミック基板に設けられ、前記被処理物を吸着するための電極と、
前記セラミック基板に設けられ、前記被処理物を加熱するためのヒーターと、
前記セラミック基板における前記裏面側の一端に取り付けられた端子と、
前記端子から前記ヒーターに給電する給電経路と、を備えた積層発熱体であって、
前記給電経路は、前記セラミック基板内に設けられた複数の導電層及び複数のスルービアを組み合わせて成るものであり、
前記複数のスルービアには、以下で定義するスルービアα、スルービアβ、スルービアγ、及びスルービアδが含まれ、
以下の条件（１）及び（２）を充足する４つ以上のスルービアα、４つ以上のスルービアβ、４つ以上のスルービアγ、及び４つ以上のスルービアδの組み合わせが少なくとも１つ存在することを特徴とする積層発熱体。
スルービアα：前記ヒーターと、前記導電層の１つである導電層Ｘとを接続するスルービア。
スルービアβ、及びスルービアγ：前記導電層の１つである導電層Ｙと、前記導電層Ｘとを接続するスルービア。
スルービアδ：前記導電層の１つである導電層Ｚ又は前記端子と、前記導電層Ｙとを接続するスルービア。
条件（１）：前記セラミック基板を前記表面側から前記裏面側に向って見たとき、前記４つ以上のスルービアδは、それぞれ、前記４つ以上のスルービアβのいずれかと重なる位置又は前記スルービアδからいずれかの前記スルービアβまでの距離が、前記スルービアδの最大径の２０倍以内の長さとなる範囲にある。
条件（２）：前記セラミック基板を前記表面側から前記裏面側に向って見たとき、前記４つ以上のスルービアγの位置は、前記４つ以上のスルービアαと前記４つ以上のスルービアδとの間の位置にある。
【請求項２】
前記表面側から前記裏面側に向う方向に直交する面上に、前記スルービアα、前記スルービアγ、及び前記スルービアδの位置を投影したとき、前記スルービアαから前記スルービアγを経由して前記スルービアδに至る経路の長さＬ１は、前記スルービアαから直接前記スルービアδに至る経路の長さＬ２の１．３倍以内であることを特徴とする請求項１に記載の積層発熱体。
【請求項３】
前記導電層Ｘは、前記スルービアβと接続される領域であって、周囲より膜厚が厚い領域を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の積層発熱体。
【請求項４】
前記導電層Ｙは、前記スルービアδと接続される領域であって、周囲より膜厚が厚い領域を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の積層発熱体。
【請求項５】
前記表面側から前記裏面側に向う方向に直交する面上に、前記スルービアβ、及び前記スルービアγの位置を投影したとき、前記スルービアβから前記スルービアγまでの距離は、前記４つ以上のスルービアβのうちのいずれか２つのスルービアβ間の距離より長く、且つ前記４つ以上のスルービアγのうちのいずれか２つのスルービアγ間の距離より長いことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層発熱体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は積層発熱体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば半導体製造装置においては、半導体ウェハ（例えばシリコンウェハ）を固定してドライエッチング等の加工を行ったり、半導体ウェハを吸着固定して反りを矯正したり、半導体ウェハを吸着して搬送するなどの目的で、静電チャックが使用されている。
【０００３】
静電チャックが半導体製造装置のドライエッチング装置で使用される場合、静電チャックに固定された半導体ウェハの温度が、場所ごとにばらつくとエッチングの加工精度が悪くなる。そのため、半導体ウェハの加工精度を高めるためには、半導体ウェハの温度を均一にする必要がある。そのため、静電チャックの内部にヒーターを備え、そのヒーターによって半導体ウェハを均一に加熱しようとする。
【０００４】
ヒーターを内蔵した静電チャックは、その裏面側の一端に取り付けられた端子からヒーターに給電する給電経路を備え、その給電経路は、複数の導電層と、複数のスルービアとを交互に積層した構造を有する。給電経路のうち、ヒーターに隣接する導電層は、発熱量が大きくなり、この導電層の発熱により、静電チャックの表面における温度が不均一になってしまい、結果として、半導体ウェハの温度が不均一になってしまう。
【０００５】
そこで、ヒーターに隣接する導電層付近で給電経路を複数層に分け、各層における電流密度を低減することで、発熱を抑制する方法が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−７５５２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１記載の技術では、給電経路における発熱を十分に抑制できない場合があった。本発明は以上の点に鑑みなされたものであり、上述した課題を解決できる積層発熱体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の積層発熱体は、
表面及び裏面を有し、前記表面に被処理物を支持するセラミック基板と、前記セラミック基板に設けられ、前記被処理物を吸着するための電極と、前記セラミック基板に設けられ、前記被処理物を加熱するためのヒーターと、前記セラミック基板における前記裏面側の一端に取り付けられた端子と、前記端子から前記ヒーターに給電する給電経路と、を備えた積層発熱体であって、前記給電経路は、前記セラミック基板内に設けられた複数の導電層及び複数のスルービアを組み合わせて成るものであり、前記複数のスルービアには、以下で定義するスルービアα、スルービアβ、スルービアγ、及びスルービアδが含まれ、以下の条件（１）及び（２）を充足するスルービアα、スルービアβ、スルービアγ、及びスルービアδの組み合わせが少なくとも１つ存在することを特徴とする。
【０００９】
スルービアα：前記ヒーターと、前記導電層の１つである導電層Ｘとを接続するスルービア。
スルービアβ、及びスルービアγ：前記導電層の１つである導電層Ｙと、前記導電層Ｘとを接続するスルービア。
【００１０】
スルービアδ：前記導電層の１つである導電層Ｚ又は前記端子と、前記導電層Ｙとを接続するスルービア。
条件（１）：前記セラミック基板を前記表面側から前記裏面側に向って見たとき、前記スルービアδは、前記スルービアβと重なる位置又はその近傍にある。
【００１１】
条件（２）：前記セラミック基板を前記表面側から前記裏面側に向って見たとき、前記スルービアγの位置は、前記スルービアαと前記スルービアδとの間の位置、又は前記スルービアαと重なる位置若しくはその近傍にある。
【００１２】
本発明の積層発熱体では、少なくとも１つの組み合わせにおけるスルービアβ、δの位置関係が、前記条件（１）を充足する。そのため、導電層Ｙにおけるスルービアδからスルービアβまでの部分の抵抗が低くなる。そのことにより、導電層Ｙにおける発熱を抑制できる。
【００１３】
また、本発明の積層発熱体において、給電経路には、スルービアβを通る経路と、スルービアγを通る経路とが並列に設けられている。そして、少なくとも１つの組み合わせにおけるスルービアα、γ、δの位置関係が、前記条件（２）を充足するので、スルービアβを通る経路だけでなく、スルービアγを通る経路にも電流が十分に流れる。その結果、スルービアβを通る経路を流れる電流を抑制し、その経路の発熱を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】静電チャック１の構成を表す側断面図である。
【図２】静電チャック１の構成を表す上面図である。
【図３】静電チャック１におけるスルービアα、β、γ、δ付近の構成を表す断面図である。
【図４】スルービアα、β、γ、δをセラミック基板３の厚み方向から見たときの位置関係を表す説明図である。
【図５】静電チャック１におけるスルービアα、β、γ、δ付近の構成を表す断面図である。
【図６】静電チャック１におけるスルービアα、β、γ、δ付近の構成を表す断面図である。
【図７】静電チャック１におけるスルービアα、β、γ、δ付近の構成を表す断面図である。
【図８】静電チャック１におけるスルービアαＩ、αＯ、β、γ、δ付近の構成を表す断面図である。
【図９】静電チャック１におけるスルービアαＩ、αＯ、β、γ、δ付近の構成を表す断面図である。
【図１０】静電チャック１におけるスルービアα、β、γ、δ付近の構成を表す断面図である。
【図１１】静電チャック１におけるスルービアα、β、γ、δ付近の構成を表す断面図である。
【図１２】静電チャック１におけるスルービアα、β、γ、δ付近の構成を表す断面図である。
【図１３】スルービアα、β、γ、δをセラミック基板３の厚み方向から見たときの位置関係を表す説明図である。
【図１４】スルービアα、β、γ、δをセラミック基板３の厚み方向から見たときの位置関係を表す説明図である。
【図１５】静電チャック１におけるスルービアα、β、γ、δ付近の構成を表す断面図である。
【図１６】スルービアα、β、γ、δの別形態を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の実施形態を説明する。
＜第１の実施形態＞
１.静電チャック１の構成
積層発熱体の一実施形態である静電チャック１の構成を図１〜図４に基づいて説明する。静電チャック１は、円盤状のセラミック基板３と、その内部に設けられた吸着電極４、インナーヒーター５、アウターヒーター７、及び導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４を備える。また、静電チャック１は、端子９、１１、１３、１５、１７を備える。
【００１６】
セラミック基板３は、セラミックと有機成分とから成る層（グリーンシート）を積層・焼成して成る円盤状の部材である。セラミック基板３は、表面３ａと裏面３ｂとを有する。表面３ａは被処理物である半導体ウェハ（例えばシリコンウェハ）を吸着し、支持する面である。以下では、表面３ａから裏面３ｂに向う方向を厚み方向とする。また、表面３ａ側を上側とし、裏面３ｂ側を下側とする。セラミック基板３を構成するグリーンシートは厚み方向に積層されている。
【００１７】
吸着電極４は、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ等から成るメタライズ層である。吸着電極４は、セラミック基板３における表面３ａ寄りの位置に、表面３ａと平行となるように設けられている。吸着電極４は、給電経路１９により、端子９に接続している。吸着電極４は、表面３ａに被処理物を吸着するための電極である。
【００１８】
インナーヒーター５は被処理物を加熱するためのヒーターである。インナーヒーター５は、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ等から成るメタライズ層であり、吸着電極４よりも下側に位置する、渦巻き型のヒーターである。図２に示すように、上方から（セラミック基板３の厚み方向から）見たとき、インナーヒーター５の中心はセラミック基板３の中心と一致し、インナーヒーター５は、セラミック基板３の中周まで広がっている。インナーヒーター５の内周側の端部５ａは、導電層Ｘ１上に位置し、外周側の端部５ｂは、導電層Ｘ２上に位置する。
【００１９】
アウターヒーター７は被処理物を加熱するためのヒーターである。アウターヒーター７は、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ等から成るメタライズ層であり、インナーヒーター５と同一平面上、且つインナーヒーター５よりも外側に位置する渦巻状のヒーターである。図２に示すように、上方から見たとき、アウターヒーター７の中心はセラミック基板３の中心と一致し、アウターヒーター７は、インナーヒーター５の最外周と、セラミック基板３の外周端との間に広がっている。アウターヒーター７の内周側の端部７ａは、導電層Ｘ３上に位置し、外周側の端部７ｂは、導電層Ｘ４上に位置する。
【００２０】
導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４は、それぞれ、インナーヒーター５及びアウターヒーター７よりも下側において、それらのヒーターに隣接する、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ等から成るメタライズ層である。導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４は、それぞれ、円を４等分した形状を有し、上方から見たとき、図２のように配置されている。
【００２１】
導電層Ｘ１と端部５ａとは、図１、図３に示すように、スルービアαにより接続されている。スルービアαは、セラミック基板３を構成するセラミックの層に形成した貫通孔に、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ等を主成分とするメタライズを充填したものである。後述するスルービアβ、γ、δも同様である。
【００２２】
また、導電層Ｘ２と端部５ｂとの間、導電層Ｘ３と端部７ａとの間、導電層Ｘ４と端部７ｂとの間も、同様に、スルービアαにより接続されている。なお、以下では、スルービアαを区別するために、導電層Ｘｉに接続されているスルービアαを、スルービアαｉと呼ぶこともある（ｉ＝１〜４）。
【００２３】
導電層Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４は、それぞれ、導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４よりも下側において、導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４に隣接する、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ等から成るメタライズ層である。導電層Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４は、それぞれ、導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４と同一の形状を有し、上方から見たとき、図２のように配置されている。ここで、導電層Ｙ１は導電層Ｘ１の下側に位置し、導電層Ｙ２は導電層Ｘ２の下側に位置し、導電層Ｙ３は導電層Ｘ３の下側に位置し、導電層Ｙ４は導電層Ｘ４の下側に位置する。
【００２４】
導電層Ｘ１と導電層Ｙ１とは、図１、及び図３に示すように、スルービアβ、γにより接続されている。
また、導電層Ｘ２と導電層Ｙ２との間、導電層Ｘ３と導電層Ｙ３との間、及び導電層Ｘ４と導電層Ｙ４との間も、同様に、スルービアβ、γにより接続されている。なお、以下では、スルービアβ、γを区別するために、導電層Ｘｉと導電層Ｙｉとの間を接続するスルービアβ、γを、スルービアβｉ、γｉと呼ぶこともある（ｉ＝１〜４）。
【００２５】
端子９は、セラミック基板３における裏面３ｂ側の一端に設けられた、導電性の材料から成る棒状の端子である。端子９は、上述したように、給電経路１９により、吸着電極４に電気的に接続している。給電経路１９は、導電層とスルービアとにより構成される周知の構造の給電経路である。
【００２６】
端子１１、１３、１５、１７は、セラミック基板３における裏面３ｂ側の一端に設けられた、導電性の材料から成る棒状の端子であり、上方から見たとき、図２に示す配置となるように、端子９の周囲に設けられている。
【００２７】
端子１１は、図３に示すように、スルービアδにより導電層Ｙ１と接続している。同様に、端子１３、１５、１７も、スルービアδにより、それぞれ、導電層Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４と接続している。なお、以下では、スルービアδを区別するために、導電層Ｙｉと接続しているスルービアδを、スルービアδｉと呼ぶこともある（ｉ＝１〜４）
上記の構成を有する静電チャック１においては、インナーヒーター５に関し、端子１１→スルービアδ１→導電層Ｙ１→スルービアβ１、γ１→導電層Ｘ１→スルービアα１→インナーヒーター５→スルービアα２→導電層Ｘ２→スルービアβ２、γ２→導電層Ｙ２→スルービアδ２→端子１３という電流の経路が形成されている。
【００２８】
また、アウターヒーター７に関し、端子１５→スルービアδ３→導電層Ｙ３→スルービアβ３、γ３→導電層Ｘ３→スルービアα３→アウターヒーター７→スルービアα４→導電層Ｘ４→スルービアβ４、γ４→導電層Ｙ４→スルービアδ４→端子１７という電流の経路が形成されている。
【００２９】
なお、上記の「端子１１→スルービアδ１→導電層Ｙ１→スルービアβ１、γ１→導電層Ｘ１→スルービアα１→インナーヒーター５」と、「インナーヒーター５→スルービアα２→導電層Ｘ２→スルービアβ２、γ２→導電層Ｙ２→スルービアδ２→端子１３」と、「端子１５→スルービアδ３→導電層Ｙ３→スルービアβ３、γ３→導電層Ｘ３→スルービアα３→アウターヒーター７」と、「アウターヒーター７→スルービアα４→導電層Ｘ４→スルービアβ４、γ４→導電層Ｙ４→スルービアδ４→端子１７」とは、それぞれ、給電経路の一実施形態である。
【００３０】
各給電経路を構成するスルービアα、β、γ、δをセラミック基板３の厚み方向から見たとき、スルービアα、β、γ、δの位置関係は、図４に示すものとなる。図４は、セラミック基板３の厚み方向に直交する面（例えば、導電層Ｘ１、Ｙ１の面）上に、スルービアα、β、γ、δの位置を投影した図である。
【００３１】
スルービアδはスルービアβの近傍にある。ここで、スルービアδがスルービアβの近傍にあるとは、上記の直交する面において、スルービアδからスルービアβまでの距離Ｄが、スルービアδの最大径ｒｍａｘの２０倍以内であることを意味する。距離Ｄは、スルービアβの最外周部から、スルービアδの最外周部までの最短距離である。
【００３２】
スルービアδが複数ある場合、少なくとも１つのスルービアδがスルービアβの近傍にあればよく、他のスルービアδは、いずれのスルービアβの近傍になくてもよい。また、スルービアβが複数ある場合、スルービアδは、少なくとも１つのスルービアβの近傍にあればよく、他のスルービアβの近傍になくてもよい。
【００３３】
また、図４に示すように、スルービアγは、スルービアαとスルービアδとの間の位置である。スルービアγは、スルービアαとスルービアδとを結ぶ直線Ｌ上にあってもよいし、その直線Ｌから外れた位置にあってもよい。
【００３４】
よって、各給電経路を構成するスルービアα、β、γ、δをセラミック基板３の厚み方向から見たとき、スルービアα、β、γ、δの位置関係は、以下の条件（１）、（２）を充足する。
【００３５】
条件（１）：セラミック基板３を表面３ａ側から裏面３ｂ側に向って見たとき、スルービアδは、スルービアβと重なる位置又はその近傍にある。
条件（２）：セラミック基板３を表面３ａ側から裏面３ｂ側に向って見たとき、スルービアγの位置は、スルービアαとスルービアδとの間の位置、又はスルービアαと重なる位置若しくはその近傍にある。
【００３６】
２．静電チャック１の製造方法
静電チャック１は、以下の(i)〜(viii)の手順により製造することができる。
(i)セラミック、焼結助剤、有機バインダ等を原料とした周知の組成のグリーンシート（セラミックの層）を作成する。
【００３７】
(ii)グリーンシートを所望のサイズに切断する。
(iii)グリーンシートにおいて、後にスルービアを形成する部分に貫通孔を穿孔する。
(iv)貫通孔に、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ等を主成分とするメタライズを充填し、スルービアを形成する。
【００３８】
(v)グリーンシートに、スクリーン印刷の手法を用いてＷ、Ｍｏ、Ｐｔ等を主成分とするメタライズを塗布し、吸着電極４、インナーヒーター５、アウターヒーター７、導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４等を形成する。
【００３９】
(vi) グリーンシートにおいて、ドリル加工により、端子９、１１、１３、１５、１７を取り付ける孔等を形成する。また、グリーンシートの外径を静電チャック１の形状に応じて整える。
【００４０】
(vii)セラミックグリーンシート同士を積層圧着し、セラミック基板３を作製する。
(viii)得られた積層体を脱脂・焼成し、端子９、１１、１３、１５、１７を取り付けて、静電チャック１を完成する。
【００４１】
３．静電チャック１の作用効果
（１Ａ）静電チャック１において、スルービアβ、δの位置関係が、前記条件（１）を充足する。そのため、導電層Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４におけるスルービアδからスルービアβまでの部分の抵抗が低くなる。そのことにより、導電層Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４における発熱を抑制できる。
【００４２】
（１Ｂ）静電チャック１において、給電経路には、スルービアβを通る経路と、スルービアγを通る経路とが並列に設けられている。そして、スルービアα、γ、δの位置関係が、前記条件（２）を充足するので、スルービアβを通る経路だけでなく、スルービアγを通る経路にも電流が十分に流れる。その結果、スルービアβを通る経路を流れる電流を抑制し、その経路の発熱を抑制することができる。
【００４３】
４．スルービアα、β、γ、δの位置関係の確認方法
静電チャック１におけるスルービアα、β、γ、δの位置関係は、以下のようにして確認することができる。
【００４４】
(i)まず、透過Ｘ線を用いて、スルービアα、β、γ、δのおおよその位置を特定する。
(ii)次に、静電チャック１を、表面３ａ側から研磨する。１回あたりの研磨の深さは、スルービアα、β、γ、δの軸方向の長さよりも十分に小さい値とする。
【００４５】
(iii)研磨後の表面のうち、前記(i)で特定した位置の周囲を観察し、スルービアα、β、γ、δを探す。
以降、前記(ii)と(iii)とを交互に繰り返し、スルービアα、β、γ、δの詳細な位置関係を特定する。後述する第２〜第１１の実施形態でも、同様に、スルービアα、β、γ、δの位置関係を特定することができる。
＜第２の実施形態＞
１．静電チャック１の構成
本実施形態の静電チャック１の構成は、基本的には前記第１の実施形態と同様である。以下では相違点を中心に説明する。  
【００４６】
図５に示すように、セラミック基板３を厚み方向から見たとき、スルービアδは、スルービアβと重なる位置にある。本実施形態においても、各給電経路を構成するスルービアα、β、γ、δの位置関係は、前記条件（１）、（２）を充足する。
【００４７】
２．静電チャック１の作用効果
本実施形態の静電チャック１は、前記第１の実施形態の効果（１Ａ）、（１Ｂ）に加え、さらに以下の効果を奏する。
【００４８】
（２Ａ）静電チャック１において、セラミック基板３を厚み方向から見たとき、スルービアδは、スルービアβと重なる位置にある。そのため、導電層Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４におけるスルービアδからスルービアβまでの部分の抵抗が一層低くなる。そのことにより、導電層Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４における発熱を一層抑制できる。
＜第３の実施形態＞
１．静電チャック１の構成
本実施形態の静電チャック１の構成は、基本的には前記第２の実施形態と同様である。以下では相違点を中心に説明する。  
【００４９】
図６に示すように、セラミック基板３を厚み方向から見たとき、スルービアγは、スルービアαと重なる位置にある。本実施形態においても、各給電経路を構成するスルービアα、β、γ、δの位置関係は、前記条件（１）、（２）を充足する。
【００５０】
２．静電チャック１の作用効果
本実施形態の静電チャック１は、前記第２の実施形態の効果（１Ａ）、（１Ｂ）、（２Ａ）と同様の効果を奏する。
＜第４の実施形態＞
１．静電チャック１の構成
本実施形態の静電チャック１の構成は、基本的には前記第２の実施形態と同様である。以下では相違点を中心に説明する。  
【００５１】
図７に示すように、静電チャック１は複数のスルービアγを有する。複数のスルービアγのうち、いずれを選択しても、その選択したスルービアγと、スルービアα、β、δとの位置関係は、前記条件（１）、（２）を充足する。
【００５２】
２．静電チャック１の作用効果
本実施形態の静電チャック１は、前記第２の実施形態の効果（１Ａ）、（１Ｂ）、（２Ａ）に加え、さらに以下の効果を奏する。
【００５３】
（４Ａ）静電チャック１は、前記条件（１）、（２）を充足するスルービアγを複数備える。そのため、給電経路に流れる電流を一層分散し、発熱を一層抑制することができる。
＜第５の実施形態＞
１．静電チャック１の構成
本実施形態の静電チャック１の構成は、基本的には前記第２の実施形態と同様である。以下では相違点を中心に説明する。
【００５４】
静電チャック１は、２つのインナーヒーター５を並列に備えており、図８に示すように、一方のインナーヒーター５の端部５ａＩ、及び他方のインナーヒーター５の端部５ａＯは、それぞれ、スルービアαにより、導電層Ｘ１に接続している。以下では、端部５ａＩに接続しているスルービアαを、スルービアαＩとし、端部５ａＯに接続しているスルービアαを、スルービアαＯとする。
【００５５】
セラミック基板３を厚み方向から見たとき、スルービアαＩ、β、γ、δの位置関係は、前記第２の実施形態におけるスルービアα、β、γ、δの位置関係と同様である。また、スルービアαＯ、β、γ、δの位置関係も、前記第２の実施形態におけるスルービアα、β、γ、δの位置関係と同様である。
【００５６】
よって、スルービアαＩ、β、γ、δの組み合わせ、及びスルービアαＯ、β、γ、δの組み合わせは、それぞれ、前記条件（１）、（２）を充足する。
２．静電チャック１の作用効果
本実施形態の静電チャック１は、前記第２の実施形態の効果（１Ａ）、（１Ｂ）、（２Ａ）と同様の効果を奏する。
＜第６の実施形態＞
１．静電チャック１の構成
本実施形態の静電チャック１の構成は、基本的には前記第５の実施形態と同様である。以下では相違点を中心に説明する。
【００５７】
図９に示すように、セラミック基板３を厚み方向から見たとき、スルービアγの位置は、スルービアαＩとスルービアδとの間にはない。すなわち、スルービアαＩ、β、γ、δの組み合わせは、前記条件（２）を充足しない。
【００５８】
一方、セラミック基板３を厚み方向から見たとき、スルービアαＯ、β、γ、δの位置関係は、前記第２の実施形態におけるスルービアα、β、γ、δの位置関係と同様である。よって、スルービアαＯ、β、γ、δの組み合わせは、前記条件（１）、（２）を充足する。
【００５９】
２．静電チャック１の作用効果
本実施形態の静電チャック１は、前記第２の実施形態の効果（１Ａ）、（１Ｂ）、（２Ａ）と同様の効果を奏する。
＜第７の実施形態＞
１．静電チャック１の構成
本実施形態の静電チャック１の構成は、基本的には前記第２の実施形態と同様である。以下では相違点を中心に説明する。
【００６０】
図１０に示すように、導電層Ｘ１は、スルービアβと接続する接続部２１と、スルービアγと接続する接続部２３とを含み、周囲より膜厚が大きい領域２５を有する。領域２５は、導電層Ｘ１上で、接続部２１から接続部２３まで連続している。すなわち、領域２５は、スルービアβと接続される領域であって、周囲より膜厚が大きい領域である。
【００６１】
また、導電層Ｙ１は、スルービアδと接続する接続部２７と、スルービアγと接続する接続部２９とを含み、周囲より膜厚が大きい領域３１を有する。領域３１は、導電層Ｙ１上で、接続部２７から接続部２９まで連続している。すなわち、領域３１は、スルービアδと接続される領域であって、周囲より膜厚が大きい領域である。
【００６２】
セラミック基板３を厚み方向から見たときの領域２５、３１の形状は適宜設定でき、例えば、帯形、円形、楕円形、矩形、台形、三角形等とすることができる。導電層Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４も、導電層Ｘ１と同様の構成を有する。
【００６３】
領域２５は以下のように形成できる。セラミック基板３を形成するとき、導電層Ｘ１の下となるグリーンシートの上面に、導電層Ｘ１の全領域に対応するメタライズを塗布する。また、導電層Ｘ１の上側となるグリーンシートの下面に、導電層Ｘ１の領域２５に対応するメタライズを塗布する。導電層Ｘ１の下側となるグリーンシートと、導電層Ｘ１の上側となるグリーンシートとを重ねあわせることで、領域２５における膜厚が周囲より厚くなった導電層Ｘ１が形成される。また、領域３１も同様に形成することができる。
【００６４】
なお、領域２５は、図１０に示すように、導電層Ｘ１の上面が周囲よりも一段隆起したものであってもよいし、導電層Ｘ１の下面が周囲よりも一段隆起したものであってもよいし、導電層Ｘ１の上面及び下面の両方において、周囲よりも一段隆起したものであってもよい。領域３１についても同様である。
【００６５】
２．静電チャック１の作用効果
本実施形態の静電チャック１は、前記第２の実施形態の効果（１Ａ）、（１Ｂ）、（２Ａ）に加え、さらに以下の効果を奏する。
【００６６】
（７Ａ）導電層Ｘ１は、スルービアβと接続される領域であって、周囲より膜厚が大きい領域２５を有する。そのため、スルービアβから導電層Ｘ１に導入された電流による発熱を一層抑制することができる。
【００６７】
また、導電層Ｙ１は、スルービアδと接続される領域であって、周囲より膜厚が大きい領域３１を有する。そのため、スルービアδから導電層Ｙ１に導入された電流による発熱を一層抑制することができる。
【００６８】
（７Ｂ）領域２５は、スルービアγとの接続部２３まで連続している。そのため、導電層Ｘ１の発熱を抑制する効果が一層顕著である。また、領域３１は、スルービアγとの接続部２９まで連続している。そのため、導電層Ｙ１の発熱を抑制する効果が一層顕著である。
＜第８の実施形態＞
１．静電チャック１の構成
本実施形態の静電チャック１の構成は、基本的には前記第７の実施形態と同様である。以下では相違点を中心に説明する。
【００６９】
図１１に示すように、導電層Ｘ１における領域２５は、スルービアβとの接続部２１を含むが、スルービアγまでは至らない。また、導電層Ｙ１における領域３１は、スルービアδとの接続部２７を含むが、スルービアγまでは至らない。導電層Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４も、導電層Ｘ１と同様の構成を有する。
【００７０】
２．静電チャック１の作用効果
本実施形態の静電チャック１は、前記第７の実施形態の効果（１Ａ）、（１Ｂ）、（２Ａ）、（７Ａ）と同様の効果を奏する。
＜第９の実施形態＞
１．静電チャック１の構成
本実施形態の静電チャック１の構成は、基本的には前記第１の実施形態と同様である。以下では相違点を中心に説明する。
【００７１】
図１２に示すように、端部５ａと導電層Ｘ１とを接続するスルービアαが複数存在する。また、導電層Ｘ１と導電層Ｙ１とを接続するスルービアβ、γもそれぞれ複数存在する。また、導電層Ｙ１と端子１１とを接続するスルービアδも複数存在する。
【００７２】
スルービアα、β、γ、δをセラミック基板３の厚み方向から見たとき、スルービアα、β、γ、δの位置関係は、図１３に示すものとなる。
複数のスルービアδのうち、少なくとも１つは、一部又は全部のスルービアβの近傍にある。よって、スルービアβ、δは、前記条件（１）を充足する。また、複数のスルービアα、γ、δから選択された少なくとも一組のスルービアα、γ、δは、前記条件（２）を充足する。
【００７３】
２．静電チャック１の作用効果
本実施形態の静電チャック１は、前記第１の実施形態の効果（１Ａ）、（１Ｂ）、に加え、さらに以下の効果を奏する。
【００７４】
（９Ａ）静電チャック１はスルービアα、β、γ、δをそれぞれ複数有するので、電流の経路を一層分散し、導電層Ｘ１、Ｙ１での発熱を一層抑制できる。
＜第１０の実施形態＞
１．静電チャック１の構成
本実施形態の静電チャック１の構成は、基本的には前記第１の実施形態と同様である。以下では相違点を中心に説明する。
【００７５】
スルービアα、β、γ、δをセラミック基板３の厚み方向から見たとき、スルービアα、β、γ、δの位置関係は、図１４に示すものとなる。図１４は、セラミック基板３の厚み方向に直交する面（例えば、導電層Ｘ１、Ｙ１の面）上に、スルービアα、β、γ、δの位置を投影した図である。
【００７６】
図１４において、スルービアγは、スルービアα及びスルービアδを通る直線Ｌ上にはないが、スルービアγの直線Ｌの方向での位置は、スルービアαとスルービアδとの間の位置である。
【００７７】
また、スルービアαからスルービアγを経由してスルービアδに至る経路の長さＬ１（スルービアαとスルービアγとを結ぶ線分の長さＬ１ａと、スルービアγとスルービアδとを結ぶ線分の長さＬ１ｂとの和）は、スルービアαから直接スルービアδに至る直線経路の長さＬ２の１．３倍以内である。長さＬ１は、長さＬ２の１．２倍以内であることが好ましく、１．１倍内であることが一層好ましい。スルービアβ、δの位置関係は前記第１の実施形態と同様である。
【００７８】
よって、スルービアα、β、γ、δをセラミック基板３の厚み方向から見たとき、スルービアα、β、γ、δの位置関係は、前記条件（１）、（２）を充足する。
２．静電チャック１の作用効果
本実施形態の静電チャック１は、前記第１の実施形態の効果（１Ａ）、（１Ｂ）と同様の効果を奏する。
＜第１１の実施形態＞
１．静電チャック１の構成
本実施形態の静電チャック１の構成は、基本的には前記第１の実施形態と同様である。以下では相違点を中心に説明する。
【００７９】
図１５に示すように、スルーホールδは、端子１１側において導電層Ｙ１に隣接する導電層Ｚ１と、導電層Ｙ１とを接続する。同様に、導電層Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４においても、スルーホールδは、導電層Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４と接続する。
【００８０】
２．静電チャック１の作用効果
本実施形態の静電チャック１は、前記第１の実施形態の効果（１Ａ）、（１Ｂ）と同様の効果を奏する。      
【００８１】
尚、本発明は前記実施形態になんら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
（１）前記第１〜第１１の実施形態において、導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４は、インナーヒーター５及びアウターヒーター７に隣接する導電層でなくてもよい。例えば、導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４と、インナーヒーター５及びアウターヒーター７との間に、他の導電層や、スルービアαを構成する導電パッド（後述）が存在してもよい。
【００８２】
また、前記第１〜第１１の実施形態において、導電層Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４は、導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４に隣接する導電層でなくてもよい。例えば、導電層Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４と、導電層Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４との間に、他の導電層や、スルービアβ、γを構成する導電パッドが存在してもよい。
【００８３】
また、前記第１〜第１０の実施形態において、導電層Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４は、端子１１、１３、１５、１７に隣接する導電層でなくてもよい。例えば、導電層Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４と、端子１１、１３、１５、１７との間に、他の導電層や、スルービアδを構成する導電パッドが存在してもよい。
【００８４】
また、前記第１１の実施形態において、導電層Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４は、導電層Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４に隣接する導電層でなくてもよい。例えば、導電層Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４と、導電層Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４との間に、他の導電層や、スルービアδを構成する導電パッドが存在してもよい。
【００８５】
（２）前記第１〜第１１の実施形態において、スルービアαは、図１６に示すように、スルービアαｈと、導電パッドαｍと、スルービアαＸとを直列に接続したものであってもよい。スルービアαｈは、ヒーターと導電パッドαｍとを接続するスルービアである。導電パッドαｍは導電層の１種であり、導電層Ｘ、Ｙと同様に形成できるものである。スルービアαＸは、導電パッドαｍと導電層Ｘとを接続するスルービアである。スルービアαｈとスルービアαＸとは、厚み方向に直交する方向における位置がずれている。
【００８６】
同様に、スルービアβは、スルービアβＸと、導電パッドβｍと、スルービアβＹとを直列に接続したものであってもよい。スルービアβＸは、導電層Ｘと導電パッドβｍとを接続するスルービアである。導電パッドβｍは、導電層αｍと同様のものである。スルービアβＹは、導電パッドβｍと導電層Ｙとを接続するスルービアである。
【００８７】
同様に、スルービアγは、スルービアγＸと、導電パッドγｍと、スルービアγＹとを直列に接続したものであってもよい。スルービアγＸは、導電層Ｘと導電パッドγｍとを接続するスルービアである。導電パッドγｍは、導電層αｍと同様のものである。スルービアγＹは、導電パッドγｍと導電層Ｙとを接続するスルービアである。
【００８８】
同様に、スルービアδは、スルービアδＹと、導電パッドδｍと、スルービアδＺとを直列に接続したものであってもよい。スルービアδＹは、導電層Ｙと導電パッドδｍとを接続するスルービアである。導電パッドδｍは、導電層αｍと同様のものである。スルービアδＺは、導電パッドδｍと導電層Ｚ又は端子とを接続するスルービアである。
【００８９】
スルービアβ、δが前記のものである場合、“スルービアδはスルービアβの近傍にある。”とは、スルービアβＹとスルービアδＹとが、上述した近傍の位置関係にあることを意味する。
【００９０】
（３）前記第１〜第１１の実施形態において、セラミック基板３を厚み方向から見たとき、スルービアγの位置は、スルービアαの近傍であってもよい。ここで、“近傍”の意味は、スルービアβ、δにおける近傍と同様の意味である。すなわち、スルービアγの位置がスルービアαの近傍であるとは、スルービアγからスルービアαまでの距離が、スルービアγの最大径の２０倍以内であることを意味する。ここで、スルービアγからスルービアαまでの距離とは、スルービアγの最外周部から、スルービアαの最外周部までの最短距離である。
【００９１】
（４）第１〜第１１の実施形態における構成の一部又は全部を適宜組み合わせてもよい。
（５）第１〜第１１の実施形態と基本的に同様の構成を有するセラミックヒーターを製造してもよい。このセラミックヒーターは、第１〜１１の実施形態における静電チャック１から、吸着電極４、端子９、及び給電経路１９を除いたものとすることができる。
【００９２】
（６）静電チャック１は、インナーヒーター５及びアウターヒーター７を備える代わりに、単一のヒーターを備えていてもよい。また、３以上のヒーターを備えていてもよい。
【符号の説明】
【００９３】
１…静電チャック、３…セラミック基板、３ａ…表面、３ｂ…裏面、４…吸着電極、５…インナーヒーター、５ａ、５ａＩ、５ａＯ、５ｂ…端部、７…アウターヒーター、７ａ、７ｂ…端部、９、１１、１３、１５、１７…端子、１９…給電経路、２１、２３、２７、２９…接続部、２５、３１…領域、Ｌ…直線、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４…導電層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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