(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性配線基板と、前記導電性配線基板に設けられた半導体発光素子と、前記半導体発光素子の周囲に設けられた反射鏡体と、前記半導体発光素子を封止する封止樹脂と、を備え、
前記反射鏡体は、アルミニウム製の基材と、前記基材の表面に、ジンケート処理膜と、銅めっき膜と、ニッケルめっき膜と、銀めっき膜と、金めっき膜と、がこの順で積層されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記反射鏡体は、前記導電性配線基板に接着層を介して固定されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記金めっきの膜の膜厚が０．０００１〜０．０５μｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記反射鏡体の前記基材は、アルミニウム合金であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記導電性配線基板は、金属製リードフレームまたは導電性配線樹脂基板であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記導電性配線基板と前記半導体発光素子とがワイヤボンディングまたはフリップチップボンディングにて接続されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記金属製リードフレームの裏面に金属製または樹脂製のベース基板が接着層を介して固定されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光装置の高発光効率化を実現する技術としては、例えば特許文献１がある。特許文献１には、基材と、基材上の一部に、Ａｇを含んで形成され、所定の波長の光に対して所定の反射率を示す反射層と、反射層を覆い、反射層上、及び反射層が設けられていない基材上に設けられ、反射層を外部から遮断することにより反射層の所定の波長の光に対して所定の反射率を示す特性を維持するとともに、所定の波長の光を透過する０．０００１〜０．０５μｍの厚さを有する、Ａｕ薄膜からなる特性維持層とを備える半導体発光素子搭載用リードフレームが開示されている。
【０００３】
上記特許文献１は、Ａｇを含む反射層の表面にＡｕ薄膜を設けることで、Ａｇの酸化・硫化を防止してＡｇの反射率の低下を防止し、半導体発光装置の高い発光効率を確保するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４７５８９７６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の白色光の照明用半導体発光装置は、３Ｗ以下の出力において高輝度化、高発光効率化を目指していたが、近年、自動車用途などに高光束（ｌｍ）の高出力（３Ｗ超）半導体発光装置が求められている。これに伴い、半導体発光素子を構成する部材、特に、半導体発光素子からの光を効率よく取り出すための反射鏡体（リフレクター）は、高出力発光素子から発生する熱に耐えられる、高い耐熱性を有することが特に重要となっている。
【０００６】
上記特許文献１では、リフレクターが樹脂材料またはセラミック材料もしくはこれらの複合材料から形成されることが記載されているが、リフレクターに樹脂材料を用いた場合、高温下での耐熱性が十分ではない恐れがある。また、リフレクターにセラミック材料を用いた場合でも、アルミナセラミック（Ａｌ２Ｏ３）の熱伝導率は銅の１／１０であり、放熱性が十分ではない恐れがあり、さらなる耐久性の向上が望まれている。半導体発光素子は温度が上がるほど発光効率（全光束）が低下するためである。例えば１００℃での全光束は２５℃の全光束の８０％程度のまで低下する。このため、半導体発光装置の放熱性は、高出力化のために極めて重要である。また半導体発光素子の温度は、半導体発光装置の寿命にも影響するので耐久性の点でも重要である。
【０００７】
本発明の目的は、上記事情に鑑み、高い耐熱性および放熱性を有し、半導体発光素子の高出力化に対応でき、十分な耐久性を実現する半導体発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するための本発明の一態様は、導電性配線基板と、導電性配線基板に設けられた半導体発光素子と、半導体発光素子の周囲に設けられた反射鏡体と、半導体発光素子を封止する封止樹脂と、を備え、反射鏡体は、アルミニウム製の基材と、基材の表面に、ジンケート処理膜と、銅めっき膜と、ニッケルめっき膜と、銀めっき膜と、金めっき膜と、がこの順で積層されていることを特徴とする半導体発光装置である。
【０００９】
本発明のより具体的な構成は、特許請求の範囲に記載される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、高い耐熱性および放熱性を有し、半導体発光素子の高出力化に対応でき、十分な耐久性を実現する半導体発光装置を提供できる。
【００１１】
上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の半導体発光装置の第１の例を示す断面模式図
【図２】本発明の半導体発光装置の第２の例を示す断面模式図
【図３】本発明の半導体発光装置を構成する反射鏡体の一例を示す上面図および断面図
【図４】反射鏡体の表面の構成の第１の例を示す模式図
【図５】銅製反射鏡体の表面処理膜の構成を示す模式図
【図６】アルミニウム製反射鏡体の表面処理膜の構成を示す模式図
【図７】本発明の半導体発光装置の製造方法の一例を示すフロー図
【図８】本発明の半導体発光装置の第３の例を示す断面模式図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の半導体発光装置について、図面を用いて詳細に説明する。
【００１４】
まず始めに、本発明の半導体発光装置の基本的な構成について、図１および図２を用いて説明する。図１は本発明の半導体発光装置の第１の例を示す断面模式図である。図１に示すように、半導体発光装置１ａは、導電性配線基板４に設けられた半導体発光素子２と、半導体発光素子２の周囲に設けられた反射鏡体３と、半導体発光素子２を封止する封止樹脂６とを備える。図１に示す構成では、導電性配線基板４が、樹脂製または金属製のベース基板４０および金属製のリードフレーム４１からなる。導電性配線基板４を構成するベース基板４０には、ガラスエポキシ基板や液晶ポリマー基板、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂基板などの電気絶縁性樹脂基板を用いることができる。また発光装置からの発熱を効率よく放熱させる目的で、熱伝導性の高いアルミニウム基板や銅基板等の金属製の基板を用いることができる。ベース基板４０に金属製の基板を用いる場合は、リードフレーム４１の金属製ベース基板４０の貼り付けには、電気絶縁性の接着剤や接着フィルムを用いる。
【００１５】
半導体発光素子２は、ボンディングワイヤ７によってリードフレーム４１の先端と電気的に接続されている。なお、図１ではボンディングワイヤ７を２本用いる例を示しているが、１本のみ用いる構成であってもよい。または、複数の発光素子を配置する構造としてもよい。リードフレーム４１として、例えば、厚さ０．２５ｍｍの純銅板Ｃ１０２０（無酸素銅）製のリードフレームを用いることができる。
【００１６】
図２は本発明の半導体発光装置の第２の例を示す断面模式図である。図２に示す半導体発光装置１ｂは、図１の樹脂製または金属製の基材４０と金属製のリードフレーム４１からなる導電性配線基板４に代えて、導通ビア８に配線導体９を設けた樹脂製の導電性配線基板５を用いていること以外は、図１の半導体発光装置１ａと同様の構成を有する。導電性配線基板５（樹脂基板）として、例えば日立化成株式会社製のガラスエポキシ銅張積層板のＭＣＬ−ＨＳ１００を用いることができる。この基板材料は、銅箔の厚さが３〜３５μｍまで５段階に選定することができる。また、基板の厚さは０．０６〜０．４ｍｍまであり、薄型半導体発光装置に対応することができる。
【００１７】
また半導体発光装置１ｂの導電性配線基板５（樹脂基板）用の高反射率銅張積層基板材料には、利昌工業株式会社製の高反射率のシリコーン樹脂を用いたＣＳ−３９７５もある。この樹脂基板は、可視光域で９２％の正反射率が得られる。樹脂基板は、図１に示すリードフレームより高価であるが、ベース基板４０を省略できる特徴があり、またベース基板貼付工程を省略できる。この樹脂基板の構造は、図１に示す金属性のベース基板を用いたリードフレームタイプと比較して、基板に金属を使用しないため放熱性に劣るが、金属製の反射鏡体を用いることで、従来のＰＰＡ（ポリフタルアミド）の反射鏡体の半導体発光装置と比較して、高い放熱性と耐熱性が得られる。
【００１８】
図３は本発明の半導体発光装置を構成する角形の反射鏡体の一例を示す上面図および断面図である。図３に示すように、反射鏡体３は、半導体発光素子２の発光を反射する反射面１２と、上面１３、側面１４および底面１５を有する。反射面１２の内部に半導体発光素子２が配置され、底面１５が図１，２の導電性配線基板４，５に接着層（図示せず）を介して固定される。
【００１９】
図４は反射鏡体の表面の構成の第１の例を示す模式図である。図４に示すように、反射鏡体３の表面は、反射鏡体基材１６と、基材１６の表面に設けられた銀めっき膜２０と、銀めっき膜２０の表面に設けられた金めっき膜２１とを有する。反射鏡体基材１６は金属を用いることで、反射鏡体の放熱性を向上することができる。具体的には、熱伝導性およびコストの観点で、アルミニウムおよびアルミニウム合金または銅、銅合金等の熱伝導性の高い金属を用いることが好ましい。
【００２０】
アルミニウム、アルミニウム合金は、熱伝導性に優れる一方で、可視光域反射率が低く（８９％程度）、また表面の酸化状態（自然酸化膜の成長）で可視光域反射率が８５％まで低下する。そこで、アルミニウム、アルミニウム合金製の基材１６の表面に反射率の高い銀めっき膜２０を形成し、反射率を向上させる。しかしながら、銀めっき膜は、酸化や硫化により急激に反射率が低下する問題がある。そこで、銀めっき膜２０の表面に、さらに金めっき膜２１を設ける。この金めっき膜２１は、可視光の波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの１／１０の極薄金めっき膜であるので、銀めっき膜の持つ９５％の高反射率がそのまま得られる。
【００２１】
また、最上層の金めっき膜は、反射鏡体３と図１，２の導電性配線基板４，５の接着にエポキシ系接着剤を用いる場合、硬化反応時のアウトガスによる硫化や酸化を防止できる特徴がある。
【００２２】
反射鏡体の基材には、銅を用いることもできる。銅はアルミニウムより熱伝導性に優れるのでより放熱性がより高くなる。銅製の反射鏡体の場合も反射率の高い銀めっき膜を形成し、その上に極薄金めっき膜を形成する。後述するように、反射鏡体がアルミニウムの場合には、銀めっき膜の下地めっきとしてジンケート処理膜（亜鉛置換めっき膜）を形成し、さらに銅めっき膜を形成する。また反射鏡体が銅の場合は、銀めっき膜の下地としてニッケルめっき膜を形成する。このような構成とすることで、反射鏡体の基材と銀めっき膜との間の密着性を確保することができる。
【００２３】
従来、反射鏡体には熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂が用いられていた。特に、融点が高く、射出成形性に優れたＰＰＡ（ポリフタルアミド）樹脂が多く用いられてきた。しかし、ＰＰＡ樹脂で構成された反射鏡体には、以下の課題がある：
（１）半導体発光装置の発熱による反射鏡体の燃焼（火災事故）の恐れ
（２）半導体発光装置の発熱による反射率の低下（照度、光度の低下を招く）
（３）樹脂が高価であり、また樹脂成形機が必要で半導体発光装置が高価となる（コストアップ）
（４）熱伝導性が低く、熱を貯めやすく、放熱性が悪い（半導体発光素子の温度上昇による寿命低下の原因）
本発明は、上記課題を解決するために、反射鏡体基材を金属製として耐熱性および熱伝導性を高めている。さらに、金属製の反射鏡体基材に銀めっきおよび金めっきを施し、銀めっきの酸化、硫化、発熱による変色を防止し、反射率を維持しつつ耐熱性の向上を実現するものである。
【００２４】
銀めっき膜の膜厚は、２μｍ〜６μｍが好ましく、金めっき膜の膜厚は、０．０００１〜０．０５μｍが好ましい。銀めっきの膜厚が２μｍ未満では、熱拡散により下地金属が表面に拡散浮上し、銀本来の反射率が損なわれるためである。また６μｍより厚い場合は、銀は高価なためにめっきコストが高くなるためである。
【００２５】
金めっきの種類は、純金めっきが優れるが、Ａｕ−Ｃｏ系などの硬質金合金めっきでも良い。金属製反射鏡体は切削加工でも製造できるが、生産効率的にはプレス加工が適する。しかしいずれの場合も、正反射率を向上させるために、反射鏡体のめっき加工前にバレルなどの機械研磨や、化学研磨を行うのが良い。バレル研磨は研磨剤を用いた回転研磨機を使用できる。また化学研磨では硝酸系、リン酸系の研磨液を用いる。
【００２６】
また、反射鏡体の研磨には電解研磨も有効である。銅製反射鏡体の場合、銀めっき膜の下地膜としてのニッケルめっき膜には、硫酸系ワット浴またはスルファミ酸ニッケルの電気ニッケルめっき浴を用いることができる。また無電解ニッケルめっきでも良くその場合は、リンを還元剤としたＮｉ−Ｐ系のめっき液を使用できる。また銀めっきは、シアン系電気銀めっき液やノンシアン系の電気銀めっき液を使用できる。また金めっき液にはシアン系やフリーシアン系の電気金めっき液が使用できる。
【００２７】
図５は銅製反射鏡体の表面処理膜の構成を示す模式図である。図５に示すように、反射鏡体基材１６には銅または銅合金を用い、反射鏡体基材１６と銀めっき膜２０との間に、銅の銀めっき膜への拡散浮上を防止する拡散バリア膜として、ニッケルめっき膜１９を施す。ニッケルめっき膜の膜厚は、拡散バリア膜として機能できる１μｍ〜３μｍとすることが好ましい。
【００２８】
図６はアルミニウム製反射鏡体の表面処理膜の構成を示す模式図である。図６に示すように、アルミニウム製の反射鏡体基材１６と銀めっき膜２０との間に、両者の密着性を確保すべく、密着性に優れたジンケート処理膜（亜鉛置換めっき膜）１７、銅めっき膜１８およびニッケルめっき膜１９を設けている。ジンケート処理膜の厚さは、反射鏡体基材１６と銀めっき膜２０との密着性確保の観点から１〜２μｍが好ましい。そして銀めっき膜２０の上には０．０００１〜０．０５μｍ厚さの金めっき膜を形成する。
【００２９】
図４〜図６の処理膜の形成は、反射鏡体３の反射面１２にのみ施しても良いが、上面１３、側面１４、底面１５を含む全面に施しても構わない。
【００３０】
金属製の反射鏡体３は、プレス加工で安価に製造できる特徴がある。例えば高速プレス加工では1分間に１００個程度の速さで製造できるので、さらに安価である。また、銀めっき処理はその下地めっきを含めて、一度に大量を処理できるバレルめっき法が可能なので、これも非常に安価である。表面の金めっきもバレルめっきが可能である。金めっきは電気めっきの他、化学めっきも使用できる。
【００３１】
従来の樹脂製反射鏡体は、リードフレームや導電性配線基板に直接に熱可塑性樹脂（ＰＰＡ樹脂／アモデルなど）や熱硬化性エポキシ樹脂を射出成形やトランスファー成形で製造されている。このためにこの方法では、半導体発光素子を導電性配線基板に接着するダイボンディングペーストや、封止樹脂の硬化反応時のアウトガスによる銀めっき膜の変色と同様に、反射鏡体をＰＰＡ樹脂などで樹脂成形する時（成形最高温度３２０℃）のアウトガスによっても、リードフレームや配線導体の先端の銀めっき膜が変色する問題がある。
【００３２】
しかし、本発明では、接着剤を用いて反射鏡体と導電性配線基板（リードフレームや樹脂基板）とを一体化することができる。このため、反射鏡体の樹脂成形法と比較して、銀めっき膜の硫化や酸化の問題が回避される。接着剤には、耐熱性が高くまたアウトガスの少ないシリコーン系の接着剤を用いることで、接着剤による変色を防止できる。
【００３３】
また封止材としては、具体的には、銀の硫化が少なく、ガス透過性や接着性を改良した、エポキシ変性シリコーン封止樹脂やアクリル変性シリコーン封止樹脂を用いることが好ましい。
【００３４】
次に、本発明の半導体発光装置の製造方法について説明する。図７は本発明の半導体発光装置の製造方法の一例を示すフロー図である。図７はリードフレームを用いた本発明の半導体発光装置の組立工程を示している。（ａ）はリードフレームの平面図である。リードフレーム４１には、例えば、厚さ０．２５ｍｍの純銅板Ｃ１０２０（無酸素銅）の材料を用いる。（ｂ）はそのリードフレームの断面である。リードフレームの先端幅は１．０ｍｍとし、その先端のワイヤボンディングパッド２２およびダイパッド２３のみに、金線によるワイヤボンディング用の部分電気銀めっきを施す。部分電気銀めっきには、めっきマスクを有する部分めっき装置を使用する。まず電気ニッケルめっき（ワット浴）により下地ニッケルめっきを２μｍの厚さに部分ニッケルめっきし、その上に３μｍ厚さの部分電気銀めっきを施す。
【００３５】
次に（ｃ）でベース基板４０をリードフレームの裏面から接着剤１１を用いて貼り付ける。ベース基板４０には、液晶ポリマーやエポキシ樹脂、ＰＰＳ樹脂などの樹脂基板でも良いが、放熱性に優れた金属基板を用いる。例えば、ニッケルめっき銅基板や、アルミニウム基板などを用いる。また接着剤には耐熱性と光に対する耐性即ち耐候性に優れ、また高反射率のシリコーン系接着剤（例えば信越シリコーン製ＫＥＲ−３１００−Ｕ２）を用いるのが良い。また液状の接着剤以外に接着フィルムを用いることが出来る。この場合は接着フィルムを予め接着する面積の形状に切断加工して、金型を用いて貼り付けてから、ベース基板を接着する。
【００３６】
次に（ｄ）にてダイパッドに半導体発光素子をダイボンディングペースト２４により接着し搭載する。このダイボンディングペースト２４にも高反射率のシリコーン系接着剤（例えば信越化学工業株式会社製ＫＥＲ−３１００−Ｕ２やＫＥＲ−３０００−Ｍ２）を用いることができる。そして半導体発光素子電極とリードフレーム先端のワイヤボンディングパッドをφ２５μｍの金ワイヤを用いて専用ワイヤボンダーにより接続する。ここで、半導体発光素子の電極は図示せず省略している。
【００３７】
次に（ｅ）にて、金属製反射鏡体をリードフレームの上部に接着剤を用いて一体化する。（ｄ）（ｅ）の工程は逆転させても良い。すなわち、反射鏡体を先に一体化してから、半導体発光素子を搭載しその後ワイヤボンディングする方法でも良い。
【００３８】
この金属製反射鏡体３には、プレス加工で安価に製造したアルミニウムを基材として用いる。そして前述のように、アルミニウム基材の表面に密着性に優れたジンケート処理膜（亜鉛置換めっき膜）１７を施してから、銅めっき１８し、またその上にニッケルめっき１９し、その上に銀めっき２０した反射鏡体を用いる。そしてさらに０．０１μｍ（１０ｎｍ）の極薄の金めっきを最上層に施す。めっきはすべて１０，０００個から１００，０００個を一回で処理できるバレルめっき装置を用いても良いが、１個単位の吊り下げ式のラックめっき方法でも良い。
【００３９】
金属製反射鏡体３のリードフレームへの接着にも信越シリコーン製ＫＥＲ−３１００−Ｕ２を用いることができる。また液状の接着剤以外に接着フィルムを用いることが出来る。この場合は接着フィルムを予め接着する面積の形状に切断加工して、金型を用いて貼り付けてから、金属製反射鏡体を接着する。
【００４０】
そして（ｆ）において、液状封止材２５を金属反射鏡体に流し込み硬化させる。封止樹脂には耐候性に優れまた光の透過性の高いシリコーン系封止材（例えば信越シリコーン製変性シリコーン系の封止材ＳＣＲ−１０１２−Ａ／Ｂ−Ｒ）を用いることができる。そして最後に（ｇ）アウターリード２６を図のように専用の金型を用いて曲げ加工すると、半導体発光装置が完成する。図はアウターリードが外側に曲げる構造を示したが、内側に曲げて半導体発光装置の下にアウターリードが配置する場合もある。この構造はＰＬＣＣ（Ｐｌａｓｔｉｃ  Ｌｅａｄｅｄ  Ｃｈｉｐ  Ｃａｒｒｉｅｒ）構造と呼ばれているが、本発明は反射鏡体に樹脂を用いないので、この言葉は相応しくない。
【００４１】
本発明はベース基板４０にも金属を用いていることができるので、接着剤以外はすべて金属である。また接着剤やダイボンディングペーストにシリコーン系接着剤を用いる場合には、すべて無機系材料で構成される。このため、半導体発光素子の発熱による火災などの事故も防止できる大きな特徴がある。またこの構造では放熱性が高く、よりハイパワーの半導体発光素子を搭載できる特徴がある。また反射鏡体にはプレス加工した銅製の反射鏡体を用いることもできる。この場合にはジンケート処理は不要でめっきコストが低減できるばかりでなく、銅はアルミと比較して熱伝導性が高いのでより放熱性が高まる。
【００４２】
図８は本発明の半導体発光装置の第３の例を示す断面模式図である。本実施例では、図２に示す半導体発光装置１ｂの半導体発光素子２と導電性配線基板５との接続をはんだバンプ３０を用いる（図８）。この構造は、半導体発光素子２を裏返して搭載するのでフリップチップボンディング（Ｆｌｉｐ  Ｃｈｉｐ）方式と呼ばれる。この方法は金線のボンディングワイヤを使用しないので、より小型の半導体発光装置を作れる特徴がある。
【００４３】
はんだバンプ３０には、各種鉛フリーはんだボールを用いることができる。はんだボールを導電性配線基板５の上に搭載し、その上に半導体発光素子２の電極側を搭載して、リフロー炉に入れることで、はんだボールが溶融し半導体発光装置１ｃの電極（図示せず）と導電性配線基板５がはんだで接続される。また、この構造は半導体発光装置１ｃの底面（電極が無い面）を上に配置するので、半導体発光素子２から発光される光の取出効率が上がる特徴があり、より光度や照度が高くなる。
【００４４】
以上、説明したように、本発明によれば、高い耐熱性および放熱性を有し、半導体発光素子の高出力化に対応でき、十分な耐久性を実現する半導体発光装置を提供できることが実証された。
【００４５】
本発明は、金属製反射鏡体を中心に記述したが、表面にめっき膜の形成が可なＡＢＳ樹脂製の反射鏡体でも構わない。ＡＢＳ樹脂は連続使用温度が１１０℃の樹脂である。この表面には密着性に優れたニッケルめっきや銅めっきが可能である。このため、その表面にさらに銀めっき膜、極薄金めっき膜を形成することで、本発明の反射鏡体として使用できる。またニッケルめっきや銅めっき膜を形成することで、樹脂ではあるが、熱伝導性も高まる。
【００４６】
なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かり易く説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。また本発明は発光装置のみでなく、照度計や、光信号を電気信号に変換する受光装置にも適用できる。
【符号の説明】
【００４７】
１ａ，１ｂ…半導体発光装置、２…半導体発光素子、３…反射鏡体、４，５…導電性配線基板、４０…ベース基材、４１…リードフレーム、６…封止樹脂、７…ボンディングワイヤ、８…導通ビア、９…配線導体、１１…、１２…反射鏡体の反射面、１３…反射鏡体の上面、１４…反射鏡体の側面、１５…反射鏡体の底面、１６…反射鏡体の基材、１７…ジンケート層、１８…銅めっき膜、１９…ニッケルめっき膜、２０…銀めっき膜、２１…金めっき膜、２２…ワイヤボンディングパッド、２３…ダイパッド、２４…ダイボンディングペースト、２５…封止樹脂、２６…アウターリード、３０…はんだバンプ。
【要約】
【課題】高い耐熱性および放熱性を有し、半導体発光素子の高出力化に対応でき、十分な耐久性を実現する半導体発光装置を提供する。
【解決手段】
導電性配線基板と、導電性配線基板に設けられた半導体発光素子と、半導体発光素子の周囲に設けられた反射鏡体と、半導体発光素子を封止する封止樹脂と、を備え、反射鏡体は、金属製の基材（１６）と、基材（１６）の表面に設けられた銀めっき膜（２０）と、銀めっき膜（２０）の表面に設けられた金めっき膜（２１）と、を有することを特徴とする。
【選択図】図４【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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