(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１直流電源及び交流の電気機器に接続されて直流と交流との間で電力を変換するインバータ回路を構成する複数のスイッチング素子を駆動するインバータ駆動装置であって、
前記スイッチング素子の負極側の端子の電位に対して正の電位であって、前記スイッチング素子をオン状態に制御する電位を第１電位とし、
前記スイッチング素子の負極側の端子の電位に対して負の電位であって、前記スイッチング素子をオフ状態に制御する電位を第２電位として、
前記第１電位及び前記第２電位を、前記第１直流電源よりも定格電圧が低い第２直流電源から生成する第１駆動電圧生成回路と、
前記インバータ回路を制御するインバータ制御装置から出力されるスイッチング制御信号の論理レベルに応じて、前記第１電位の駆動信号、又は、前記第２電位の前記駆動信号を生成して、前記スイッチング素子の制御端子に伝達する第１駆動回路と、
前記第２直流電源又は前記第２直流電源を電力源として動作する低圧系回路の動作状態を監視する電圧監視回路と、
前記電圧監視回路による監視結果に基づいて、前記スイッチング素子の負極側の端子の電位に対して負の電位であって、前記スイッチング素子をオフ状態に制御する電位である第３電位を、前記第１直流電源又は前記インバータ回路の直流側に接続された平滑コンデンサに充電された電力から生成する第２駆動電圧生成回路と、
前記第２駆動電圧生成回路により前記第３電位が生成された場合に、当該第３電位の前記駆動信号を生成して前記スイッチング素子の制御端子に伝達する第２駆動回路と、を備えるインバータ駆動装置。
【請求項２】
前記インバータ回路は、上段側スイッチング素子と下段側スイッチング素子との直列回路により構成された交流１相分のアームを少なくとも１本備え、前記第２駆動回路は、全ての前記アームの前記上段側スイッチング素子に対してのみ、又は、全ての前記アームの前記下段側スイッチング素子に対してのみ前記第３電位の前記駆動信号を伝達する請求項１に記載のインバータ駆動装置。
【請求項３】
前記第２駆動回路は、全ての前記アームの前記下段側スイッチング素子に対してのみ前記第３電位の前記駆動信号を伝達する請求項２に記載のインバータ駆動装置。
【請求項４】
前記第３電位は、前記第２電位以下の電位である請求項１から３の何れか一項に記載のインバータ駆動装置。
【請求項５】
前記第１駆動回路は、前記スイッチング素子の制御端子に対して直列接続された制限抵抗を介して前記第１電位又は前記第２電位の前記駆動信号を当該制御端子に伝達し、
前記第２駆動回路は、当該制限抵抗を介すること無く、前記第３電位の前記駆動信号を当該制御端子に伝達する請求項１から４の何れか一項に記載のインバータ駆動装置。
【請求項６】
前記第２駆動回路は、前記第２駆動電圧生成回路により前記第３電位が生成された場合にのみオン状態に遷移するスイッチを備え、
当該スイッチは、オン状態において、前記第３電位を生成する前記第２駆動電圧生成回路の出力端に電気的に接続された前記第２駆動回路の端子と、前記駆動信号を出力する前記第２駆動回路の出力端子とを導通させる請求項１から５の何れか一項に記載のインバータ駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、直流と交流との間で電力を変換するインバータ回路を構成する複数のスイッチング素子を駆動するインバータ駆動装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開２００３−２９９３６７号公報（特許文献１）には、直流と交流との間で電力を変換するインバータ回路のスイッチング素子を駆動する駆動回路（ドライブ回路）に関する技術が開示されている（［００１４］−［００１６］、図１等。）。通常、ｎチャネル型のＩＧＢＴやＦＥＴは、エミッタ（ソース）端子を基準としてゲート端子に所定の正電圧を印加することによってオン状態となり、エミッタ（ソース）端子を基準としたゲート端子の電圧をゼロとすることによってオフ状態となる。しかし、スイッチング素子の特性や、インバータ回路及び駆動回路の環境等によっては、エミッタ（ソース）端子を基準としてゲート端子の電圧をゼロとするだけでは、スイッチング素子をオフ状態に維持する際の信頼性が保てない場合がある。特許文献１では、そのような観点から、エミッタ（ソース）端子を基準として、ゲート端子に負の電圧を印加することによって安定してスイッチング素子をオフ状態に制御している。
【０００３】
特許文献１では、このような負の駆動信号をスイッチング素子に与えるために、負の電圧を出力する電源回路（ローサイド側スイッチング素子ＯＦＦ電源回路（７））を備えている。この電源回路（７）は、別の電源回路（中位電源回路（３））から供給される中間電圧から負の電圧を生成している。中位電源回路（３）は、インバータ回路の直流側に接続された直流源（１）から出力される電圧を中間電圧に変換している。但し、このように、段階的に電圧を変換していくと、変換の都度、損失を生じることになる。特許文献１では、中間電圧が１０［Ｖ］と例示されているが、出力の大きい機器を駆動するようなインバータ回路の場合には、直流源（１）の電圧が２００〜４００［Ｖ］程度の場合もある。このような場合には、電圧変換における損失も大きくなる。
【０００４】
このため、スイッチング制御信号を生成する制御回路などに電力を供給するために、インバータ回路に接続される直流源とは別に当該直流源よりも定電圧の低圧直流源が備えられる場合がある。低圧直流源を有する場合には、駆動回路の動作電圧も、低圧直流源から生成されることが多い。ここで、低圧直流源や、低圧直流源から駆動回路の動作電圧を生成する電源回路から適切な電圧が出力されないような事象が生じた場合、スイッチング素子を安定してオフ状態に制御できなくなるおそれがある。例えば、オフ状態とすることができていても、ノイズ等によってスイッチング素子が動作してコレクターエミッタ間（ドレイン−ソース間）に電流が流れる場合がある。その状態で、直流源からインバータ回路に電力が供給されているなど、インバータ回路の直流側に高い電圧が印加されていると、スイッチング素子には非常に大きな電流が流れることになり、好ましくない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２９９３６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記背景に鑑みて、インバータ回路を構成するスイッチング素子に駆動信号を伝達する駆動回路への電力供給が滞った場合においても、適切にスイッチング素子をオフ状態に制御することができる技術の提供が望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
１つの態様として、上記に鑑みた、第１直流電源及び交流の電気機器に接続されて直流と交流との間で電力を変換するインバータ回路を構成する複数のスイッチング素子を駆動するインバータ駆動装置は、
前記スイッチング素子の負極側の端子の電位に対して正の電位であって、前記スイッチング素子をオン状態に制御する電位を第１電位とし、
前記スイッチング素子の負極側の端子の電位に対して負の電位であって、前記スイッチング素子をオフ状態に制御する電位を第２電位として、
前記第１電位及び前記第２電位を、前記第１直流電源よりも定格電圧が低い第２直流電源から生成する第１駆動電圧生成回路と、
前記インバータ回路を制御するインバータ制御装置から出力されるスイッチング制御信号の論理レベルに応じて、前記第１電位の駆動信号、又は、前記第２電位の前記駆動信号を生成して、前記スイッチング素子の制御端子に伝達する第１駆動回路と、
前記第２直流電源又は前記第２直流電源を電力源として動作する低圧系回路の動作状態を監視する電圧監視回路と、
前記電圧監視回路による監視結果に基づいて、前記スイッチング素子の負極側の端子の電位に対して負の電位であって、前記スイッチング素子をオフ状態に制御する電位である第３電位を、前記第１直流電源又は前記インバータ回路の直流側に接続された平滑コンデンサに充電された電力から生成する第２駆動電圧生成回路と、
前記第２駆動電圧生成回路により前記第３電位が生成された場合に、当該第３電位の前記駆動信号を生成して前記スイッチング素子の制御端子に伝達する第２駆動回路と、を備える。
【０００８】
この構成によれば、第２直流電源を電力源として第１電位及び第２電位を生成する第１駆動電圧生成回路が正常に機能しない場合に、第２駆動電圧生成回路により、スイッチング素子をオフ状態に制御することのできる第３電位が生成される。さらに、この第３電位が生成された場合には、第２駆動回路により当該第３電位の駆動信号が生成されてスイッチング素子の制御端子に伝達される。第１駆動電圧生成回路が正常に機能しない場合、スイッチング素子の制御ができなくなるおそれがあるが、そのような場合でも、スイッチング素子を少なくともオフ状態に制御することができる。即ち、本構成によれば、インバータ回路を構成するスイッチング素子に駆動信号を伝達する駆動回路への電力供給が滞った場合においても、適切にスイッチング素子をオフ状態に制御することができる。
【０００９】
インバータ駆動装置のさらなる特徴と利点は、図面を参照して説明する実施形態についての以下の記載から明確となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】回転電機制御装置のシステム構成例を示す回路ブロック図
【図２】駆動装置の構成例を示す模式的回路図
【図３】第２駆動電圧生成回路の構成例を示す模式的回路ブロック図
【図４】第２駆動生成回路の構成例を示す模式的回路ブロック図
【図５】複数相の駆動装置の構成例を示すブロック図
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、回転電機を駆動制御する回転電機制御装置に適用される形態を例として、インバータ駆動装置の実施形態を図面に基づいて説明する。図１の回路ブロック図は、回転電機制御装置１のシステム構成を模式的に示している。図１に示すように、回転電機制御装置１は、直流電力と複数相の交流電力との間で電力を変換するインバータ回路１０を備えている。本実施形態では、交流の回転電機８０及び高圧バッテリ１１（第１直流電源）に接続されて、複数相の交流と直流との間で電力を変換するインバータ回路１０を例示する。インバータ回路１０は、高圧バッテリ１１にコンタクタ９を介して接続されると共に、交流の回転電機８０に接続されて直流と複数相の交流（ここでは３相交流）との間で電力を変換する。インバータ回路１０は、上段側スイッチング素子３Ｈと下段側スイッチング素子３Ｌとの直列回路により構成された交流１相分のアーム３Ａを複数本（ここでは３本）備えている。
【００１２】
尚、本実施形態では、交流の電気機器として交流の回転電機８０を例示しているが、コンプレッサやポンプなど、回転電機以外の電気機器であってもよい。また、本実施形態では、複数本のアーム３Ａを有し、複数相の交流電力と直流電力との間で電力を変換するインバータ回路１０を例示しているが、インバータ回路１０は、アーム３Ａを１本のみ有して単相の交流電力と直流電力との間で電力を変換するものであってもよい。
【００１３】
回転電機８０は、例えばハイブリッド自動車や電気自動車等の車両の駆動力源とすることができる。また、回転電機８０は、電動機としても発電機としても機能することができる。回転電機８０は、インバータ回路１０を介して高圧バッテリ１１から供給される電力を、車両の車輪を駆動する動力に変換する（力行）。或いは、回転電機８０は、不図示の内燃機関や車輪から伝達される回転駆動力を電力に変換し、インバータ回路１０を介して高圧バッテリ１１を充電する（回生）。高圧バッテリ１１は、例えば、ニッケル水素電池やリチウムイオン電池などの二次電池（バッテリ）や、電気二重層キャパシタなどにより構成されている。回転電機８０が、車両の駆動力源の場合、高圧バッテリ１１は、大電圧大容量の直流電源であり、定格の電源電圧は、例えば２００〜４００［Ｖ］である。
【００１４】
以下、インバータ回路１０の直流側の正極電源ラインＰと負極電源ラインＮとの間の電圧を、直流リンク電圧Ｖｄｃと称する。インバータ回路１０の直流側には、直流リンク電圧Ｖｄｃを平滑化する平滑コンデンサ（直流リンクコンデンサ４）が備えられている。直流リンクコンデンサ４は、回転電機８０の消費電力の変動に応じて変動する直流電圧（直流リンク電圧Ｖｄｃ）を安定化させる。
【００１５】
図１に示すように、高圧バッテリ１１とインバータ回路１０との間には、コンタクタ９が備えられている。具体的には、コンタクタ９は、直流リンクコンデンサ４と高圧バッテリ１１との間に配置されている。コンタクタ９は、回転電機制御装置１の電気回路系統（直流リンクコンデンサ４、インバータ回路１０）と、高圧バッテリ１１との電気的な接続を切り離すことが可能である。即ち、インバータ回路１０は、回転電機８０に接続されていると共に、高圧バッテリ１１との間にコンタクタ９を介して接続されている。コンタクタ９が接続状態（閉状態）において高圧バッテリ１１とインバータ回路１０（及び回転電機８０）とが電気的に接続され、コンタクタ９が開放状態（開状態）において高圧バッテリ１１とインバータ回路１０（及び回転電機８０）との電気的接続が遮断される。
【００１６】
本実施形態において、このコンタクタ９は、車両内の上位の制御装置の１つである車両ＥＣＵ（Electronic Control Unit）９０からの指令に基づいて開閉するメカニカルリレーであり、例えばシステムメインリレー（ＳＭＲ：System Main Relay）と称される。コンタクタ９は、車両のイグニッションキー（ＩＧキー）がオン状態（有効状態）の際にリレーの接点が閉じて導通状態（接続状態）となり、ＩＧキーがオフ状態（非有効状態）の際にリレーの接点が開いて非導通状態（開放状態）となる。
【００１７】
上述したように、インバータ回路１０は、直流リンク電圧Ｖｄｃを有する直流電力を複数相（ｎを自然数としてｎ相、ここでは３相）の交流電力に変換して回転電機８０に供給すると共に、回転電機８０が発電した交流電力を直流電力に変換して直流電源に供給する。インバータ回路１０は、複数のスイッチング素子３を有して構成される。スイッチング素子３には、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やパワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）やＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ（Silicon Carbide - Metal Oxide Semiconductor FET）やＳｉＣ−ＳＩＴ（SiC - Static Induction Transistor）、ＧａＮ−ＭＯＳＦＥＴ（Gallium Nitride - MOSFET）などの高周波での動作が可能なパワー半導体素子を適用すると好適である。図１及び図２に示すように、本実施形態では、スイッチング素子３としてＭＯＳＦＥＴ（好適には、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ）が用いられる。図２に示すように、本実施形態では、スイッチング素子３は、ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴ３Ｆ、ゲート−ソース間に接続されたゲートバイアス抵抗３Ｒ、後述するフリーホイールダイオード３Ｄを有して構成されている。
【００１８】
例えば直流と複数相の交流との間で電力変換するインバータ回路１０は、よく知られているように複数相のそれぞれに対応する数のアーム３Ａを有するブリッジ回路により構成される。本実施形態では、回転電機８０のＵ相、Ｖ相、Ｗ相に対応するステータコイル８のそれぞれに一組の直列回路（アーム３Ａ）が対応したブリッジ回路が構成される。アーム３Ａの中間点、つまり、正極電源ラインＰの側のスイッチング素子３（上段側スイッチング素子３Ｈ）と負極電源ラインＮ側のスイッチング素子３（下段側スイッチング素子３Ｌ）との接続点は、回転電機８０の３相のステータコイル８にそれぞれ接続される。尚、各スイッチング素子３には、負極（Ｎ）から正極（Ｐ）へ向かう方向（下段側から上段側へ向かう方向）を順方向として、並列にフリーホイールダイオード３Ｄが備えられている（図２参照）。
【００１９】
図１に示すように、インバータ回路１０は、インバータ制御装置２０により制御される。インバータ制御装置２０は、マイクロコンピュータ等の論理回路を中核部材として構築されている。例えば、インバータ制御装置２０は、車両ＥＣＵ９０等の他の制御装置等から要求信号として提供される回転電機８０の目標トルクに基づいて、ベクトル制御法を用いた電流フィードバック制御を行って、インバータ回路１０を介して回転電機８０を制御する。回転電機８０の各相のステータコイル８を流れる実電流は電流センサ１２により検出され、インバータ制御装置２０はその検出結果を取得する。また、回転電機８０のロータの各時点での磁極位置は、例えばレゾルバなどの回転センサ１３により検出され、インバータ制御装置２０はその検出結果を取得する。インバータ制御装置２０は、電流センサ１２及び回転センサ１３の検出結果を用いて、電流フィードバック制御を実行する。インバータ制御装置２０は、電流フィードバック制御のために種々の機能部を有して構成されており、各機能部は、マイクロコンピュータ等のハードウエアとソフトウエア（プログラム）との協働により実現される。電流フィードバック制御については、公知であるのでここでは詳細な説明は省略する。
【００２０】
ところで、インバータ回路１０を構成する各スイッチング素子３の制御端子（例えばＭＯＳＦＥＴのゲート端子）は、駆動装置２（インバータ駆動装置）を介してインバータ制御装置２０に接続されており、それぞれ個別にスイッチング制御される。車両ＥＣＵ９０や、スイッチング制御信号ＳＷを生成するインバータ制御装置２０は、マイクロコンピュータなどを中核として、図２に示すような低圧系回路ＬＶとして構成される。低圧系回路ＬＶは、インバータ回路１０などの回転電機８０を駆動するための高圧系回路ＨＶとは、動作電圧（回路の電源電圧）が大きく異なる。多くの場合、車両には、高圧バッテリ１１の他に、高圧バッテリ１１よりも低電圧（例えば１２〜２４［Ｖ］）の電源である低圧バッテリ１５（第２直流電源）も搭載されている。車両ＥＣＵ９０やインバータ制御装置２０の動作電圧は、例えば５［Ｖ］や３．３［Ｖ］であり、低圧バッテリ１５の電力に基づいてこれらの電圧を生成する電圧レギュレータなどの電源回路から電力を供給されて動作する。
【００２１】
このため、回転電機制御装置１には、各スイッチング素子３に対するスイッチング制御信号ＳＷ（ＭＯＳＦＥＴの場合、ゲート駆動信号）の駆動能力（例えば電圧振幅や出力電流など、後段の回路を動作させる能力）をそれぞれ高めて中継する駆動装置２が備えられている。低圧系回路ＬＶのインバータ制御装置２０により生成されたスイッチング制御信号ＳＷは、駆動装置２を介して高圧系回路ＨＶの駆動信号ＤＳとしてインバータ回路１０に供給される。駆動装置２には、それぞれのスイッチング素子３に対応する第１駆動回路２１が備えられている。本実施形態では、インバータ回路１０に６つのスイッチング素子３が備えられており、駆動装置２にも６つの第１駆動回路２１が備えられている（例えば図５参照）。低圧系回路ＬＶと高圧系回路ＨＶとは、多くの場合、互いに絶縁されている。本実施形態でも、フォトカプラ（６，３１）やトランス（５２）などの絶縁素子により、低圧系回路ＬＶと高圧系回路ＨＶとが絶縁されている。
【００２２】
ところで、駆動装置２には、スイッチング素子３の制御に必要な出力を得るために負電源が必要なものがある。例えばスイッチング素子３がＩＧＢＴの場合には、そのような負電源が必要とされることは少ないが、スイッチング素子３がＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴの場合には、しばしばそのような負電源が必要とされる。
【００２３】
スイッチング素子３がＩＧＢＴの場合には、スイッチング素子３の負極側の端子の電位を基準として駆動信号ＤＳの信号レベルが例えば１５〜２０［Ｖ］の時に当該スイッチング素子３がオン状態に制御され、信号レベルが０［Ｖ］の時に当該スイッチング素子３がオフ状態に制御される。この場合には、駆動装置２には、負電源は不要である。近年実用化が進んでいる素子の１つであるＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴは、ＩＧＢＴに比べてスイッチング速度が速く、スイッチング損失も小さい。また、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴは、小型化も可能であるから、ＩＧＢＴに代えてインバータ回路１０のスイッチング素子３として採用される例も増加している。但し、ＳｉＣ―ＭＯＳＦＥＴは、ＩＧＢＴに比べて、スイッチング素子３の負極側の端子の電位を基準とした場合に、オン状態とオフ状態とが切り換わるしきい値電圧が低い。例えば、ＩＧＢＴのしきい値電圧は５〜７［Ｖ］程度であり、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧は１〜３［Ｖ］程度である。
【００２４】
このため、スイッチング素子３がＳｉＣ―ＭＯＳＦＥＴの場合には、スイッチング素子３の負極側の端子の電位を基準とした駆動信号ＤＳの信号レベルが例えば１５〜２０［Ｖ］の時には、当該スイッチング素子３が安定してオン状態に制御されるが、信号レベルが０［Ｖ］の時には、ノイズ等に影響によって当該スイッチング素子３がオフ状態に制御されない場合がある。スイッチング素子３を適切にオフ状態に制御するためには、駆動信号ＤＳの信号レベルを、スイッチング素子３の負極側の端子の電位よりも低い電位にする必要がある。例えば、スイッチング素子３の負極側の端子の電位を基準として“−５［Ｖ］”程度の信号レベルの駆動信号ＤＳが必要となる。
【００２５】
本実施形態では、インバータ回路１０を構成するスイッチング素子３として、このＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴを例示している。従って、駆動装置２は、信号レベルが負の駆動信号ＤＳを出力する必要があり、駆動装置２には、負電源が必要である。ここで、スイッチング素子３をオン状態に制御する電位（上述した約１５〜２０［Ｖ］程度の電位に相当する）を第１電位“＋Ｖ１”と称する。第１電位“＋Ｖ１”は、スイッチング素子３の負極側の端子の電位に対して正の電位である。また、スイッチング素子３をオフ状態に制御する電位を第２電位“−Ｖ２”と称する。第２電位“−Ｖ２”は、スイッチング素子３の負極側の端子の電位に対して負の電位である。第１駆動電圧生成回路５は、第１電位“＋Ｖ１”及び第２電位“−Ｖ２”を、高圧バッテリ１１（第１直流電源）よりも定格電圧が低い低圧バッテリ１５（第２直流電源）から生成する。
【００２６】
第１駆動電圧生成回路５は、一次側コイル及び二次側コイルを備えたトランス（第１駆動電圧生成用トランス５２）と、制御回路５１とを有している。一次側コイルは低圧系回路ＬＶに接続され、二次側コイルは高圧系回路ＨＶに接続されている。制御回路５１は、スイッチング素子を備えて構成されており、一次側コイルへの通電を制御する。このようなトランスを利用した電源回路は、公知であるから詳細な説明は省略する。第１駆動電圧生成回路５は、それぞれのスイッチング素子３に駆動信号ＤＳを伝達する第１駆動回路２１に独立して駆動電圧を供給する。本実施形態では、インバータ回路１０が６つのスイッチング素子３を備え、これに対応して６つの第１駆動回路２１が設けられているので、６つの第１駆動電圧生成回路５が設けられる。但し、下段側スイッチング素子３Ｌに関しては、スイッチング素子３の負極側の端子の電位が“Ｎ”であって共通しているので、全相に共通する第１駆動電圧生成回路５が設けられていてもよい（図５にはこの形態を例示）。この場合には、４つの第１駆動電圧生成回路５が設けられる。
【００２７】
スイッチング制御信号伝送用フォトカプラ６も、それぞれのスイッチング素子３に対して独立して設けられており、本実施形態では６つ設けられている。フォトカプラは、互いに絶縁された発光ダイオードとフォトトランジスタ（又はフォトダイオード）とを備えており、光信号によって信号を伝送する。スイッチング制御信号伝送用フォトカプラ６の信号入力側の発光ダイオードは低圧系回路ＬＶに接続され、信号出力側のフォトトランジスタ（又はフォトダイオード）は高圧系回路ＨＶに接続されている。信号出力側のフォトトランジスタ（又はフォトダイオード）には、例えば、第１駆動電圧生成回路５から電力が供給される。
【００２８】
第１駆動回路２１は、インバータ回路１０を制御するインバータ制御装置２０から出力されるスイッチング制御信号ＳＷの論理レベルに応じて、第１電位“＋Ｖ１”の駆動信号ＤＳ、又は、第２電位“−Ｖ２”の駆動信号ＤＳを生成して、スイッチング素子３の制御端子に伝達する。ここで、インバータ制御装置２０から出力されるスイッチング制御信号ＳＷとは、上述したようにスイッチング制御信号伝送用フォトカプラ６を介して伝達された信号である。
【００２９】
図２に示すように、第１駆動回路２１は、例えば、相補的にスイッチングする２つのスイッチング素子（ここではトランジスタ（２１ｎ，２１ｐ））を有するバッファ回路（エミッタフォロワ回路）として構成されている。具体的には、第１駆動回路２１は、ＮＰＮ型の上段側トランジスタ２１ｎ、ＰＮＰ型の下段側トランジスタ２１ｐ、ベース抵抗Ｒ２３、制限抵抗Ｒ２４を有して構成されている。上段側トランジスタ２１ｎのコレクタ端子は、第１抵抗Ｒ２１を介して第１電位“＋Ｖ１”に接続され、下段側トランジスタ２１ｐのコレクタ端子は、第２抵抗Ｒ２２を介して第２電位“−Ｖ２”に接続されている。上段側トランジスタ２１ｎのエミッタ端子と下段側トランジスタ２１ｐのエミッタ端子と制限抵抗Ｒ２４の一端とが接続されており、第１駆動回路２１からの駆動信号ＤＳは、制限抵抗Ｒ２４を介して出力される。上段側トランジスタ２１ｎのベース端子と下段側トランジスタ２１ｐのベース端子とは接続されており、ベース抵抗Ｒ２３を介して共にスイッチング制御信号ＳＷが入力される。
【００３０】
ＮＰＮ型の上段側トランジスタ２１ｎとＰＮＰ型の下段側トランジスタ２１ｐとは、スイッチング制御信号ＳＷの論理レベルに応じて、相補的にオン状態となる。第１駆動回路２１は、スイッチング制御信号ＳＷの論理レベルがハイ状態のとき、第１電位“＋Ｖ１”の駆動信号ＤＳを出力し、スイッチング制御信号ＳＷの論理レベルがロー状態のとき、第２電位“−Ｖ２”の駆動信号ＤＳを出力する。
【００３１】
上述したように、第１駆動電圧生成回路５は、低圧バッテリ１５から第１電位“＋Ｖ１”及び第２電位“−Ｖ２”を生成する。従って、低圧バッテリ１５からの電力の供給が遮断された場合などには、第１電位“＋Ｖ１”及び第２電位“−Ｖ２”を生成することができなくなる。スイッチング素子３が、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴの場合、駆動信号ＤＳの電位が、第２電位“−Ｖ２”でなければ、安定的にスイッチング素子３をオフ状態に制御することができない。例えば駆動信号ＤＳの電位が、スイッチング素子３の負極側の電位に対して０［Ｖ］程度の場合には、ノイズ等によってスイッチング素子３がオン状態となってソース−ドレイン間に電流が流れる可能性がある。高圧バッテリ１１とインバータ回路１０との接続が維持されている場合（コンタクタ９が閉じている場合）や、当該接続が遮断されていても（コンタクタ９が開放されていても）直流リンクコンデンサ４に多くの電荷が蓄積されている場合に、アーム３Ａの両方のスイッチング素子３がオン状態となると、短絡によって大きな電流がアーム３Ａに流れるおそれがある。
【００３２】
従って、低圧バッテリ１５からの電力の供給が遮断された場合などで、第１駆動電圧生成回路５が第２電位“−Ｖ２”を生成することができなくなっても、スイッチング素子３を適切にオフ状態とすることができる駆動信号ＤＳをスイッチング素子３に提供することが望まれる。このため、駆動装置２には、上述した第１駆動回路２１に加えて、第２駆動回路２２が備えられている。第２駆動回路２２は、第３電位“−Ｖ３”の駆動信号ＤＳを生成してスイッチング素子３の制御端子に伝達する。第３電位“−Ｖ３”は、スイッチング素子３の負極側の端子の電位に対して負の電位であって、スイッチング素子３をオフ状態に制御する電位である。好ましくは、第３電位“−Ｖ３”は、第２電位“−Ｖ２”以下の電位に設定されており、第３電位“−Ｖ３”の駆動信号ＤＳによってスイッチング素子３を適切にオフ状態に制御することができる。
【００３３】
尚、第２駆動回路２２は、低圧バッテリ１５からの電力の供給が遮断された場合などで、第１駆動電圧生成回路５が第２電位“−Ｖ２”を生成することができなくなった場合に第３電位“−Ｖ３”の駆動信号ＤＳを生成する。このため、駆動装置２は低圧バッテリ１５（第２直流電源）又は低圧バッテリ１５を電力源として動作する低圧系回路ＬＶの動作状態を監視する電圧監視回路３０を有している。電圧監視回路３０による監視結果は、監視情報伝送用フォトカプラ３１などの絶縁回路を介して、高圧系回路ＨＶ側の回路（後述する第２駆動電圧生成回路７など）に伝達される。
【００３４】
尚、低圧バッテリ１５を電力源として動作する低圧系回路ＬＶは、例えば、低圧バッテリ１５の正極（＋Ｂ）と低圧バッテリ１５の負極（グラウンド）との間に接続されたフォトカプラの発光ダイオードや、低圧系回路ＬＶに備えられた電圧レギュレータの出力と低圧バッテリ１５の負極（グラウンド）との間に接続されたフォトカプラの発光ダイオードであってもよい。当該フォトカプラの二次側のフォトトランジスタ（又はフォトダイオード）を高圧系回路ＨＶに配置すれば、当該フォトカプラによって電圧監視回路３０を構成することもできる。
【００３５】
高圧系回路ＨＶには、スイッチング素子３をオフ状態に制御する電位である第３電位“−Ｖ３”を、高圧バッテリ１１（第１直流電源）又は直流リンクコンデンサ４（平滑コンデンサ）に充電された電力から生成する第２駆動電圧生成回路７が備えられている。コンタクタ９が閉じており、高圧系回路ＨＶに高圧バッテリ１１から電力が供給されない場合においても、直流リンクコンデンサ４に電荷が溜まっている状態であれば、直流リンクコンデンサ４に充電された電力に基づいて第２駆動電圧生成回路７は、第３電位“−Ｖ３”を生成することができる。尚、コンタクタ９が開放されており、第３電位“−Ｖ３”を生成することができない程度まで直流リンクコンデンサ４の電荷が放電されている場合には、アーム３Ａが短絡状態となってもほとんど電流は流れなくなっているため、問題はない。
【００３６】
図３は、トランス（第２駆動電圧生成用トランスＴ１）を中核として構成される第２駆動電圧生成回路７を例示している。第２駆動電圧生成回路７は、一次側コイルＬ１、一次側抵抗Ｒ１、一次側ダイオードＤ１、一次側コンデンサＣ１、及び電源制御用スイッチング素子Ｓ１を備えた一次側回路と、二次側コイルＬ２、二次側ダイオードＤ２、及び二次側コンデンサＣ２を備えた二次側回路と、一次側回路の電源制御用スイッチング素子Ｓ１をスイッチング制御する制御回路７１とを備えて構成されている。
【００３７】
制御回路７１は、電圧監視回路３０から、第１駆動電圧生成回路５が第２電位“−Ｖ２”を生成することができない状態となっていることを示す監視結果を受け取った場合に、電源制御用スイッチング素子Ｓ１をスイッチング制御して、二次側回路に第３電位“−Ｖ３”を発生させる。尚、当該監視結果とは、例えば、低圧バッテリ１５の端子間電圧を含み、低圧系回路ＬＶの中で予め規定された部位の電圧の監視結果に相当する。
【００３８】
一例として、監視対象の電圧が予め規定されたしきい値電圧以下となった場合に、電圧監視回路３０から第２駆動電圧生成回路７に監視結果が通知されると好適である。上述したように、フォトカプラを用いて電圧監視回路３０を構成する場合には、発光ダイオードが点灯しており、受信側のフォトトランジスタ（フォトダイオード）がオン状態の場合には電圧低下がないと判定し、発光ダイオードが消灯或いは減光して受信側のフォトトランジスタ（フォトダイオード）がオフ状態となった場合に、電圧低下が生じたと判定すると好適である。
【００３９】
図３に示すように、一次側回路は、直流リンク電圧Ｖｄｃ（正極“Ｐ”と負極“Ｎ”）を電力源としている。また、二次側回路の基準電位は、スイッチング素子３の負極側の電位である。例えば、下段側スイッチング素子３Ｌに対する第２駆動回路２２のために第３電位“−Ｖ３”を生成する場合には、当該基準電位は、高圧バッテリ１１（又はインバータ回路１０）における負極“Ｎ”である。上段側スイッチング素子３Ｈに対する第２駆動回路２２のために第３電位“−Ｖ３”を生成する場合には、当該基準電位は、Ｕ，Ｖ，Ｗ相それぞれの上段側スイッチング素子３Ｈの負極側の電位（Ｎｕ，Ｎｖ，Ｎｗ）である。
【００４０】
第２駆動回路２２は、第２駆動電圧生成回路７により第３電位“−Ｖ３”が生成された場合に、当該第３電位“−Ｖ３”の駆動信号ＤＳを生成してスイッチング素子３の制御端子に伝達する。図２に示すように、第２駆動回路２２は、保護ダイオード２２Ｄと、ＦＥＴ２２Ｓ（スイッチ）と、バイアス抵抗２２Ｒとを有して構成されている。保護ダイオード２２Ｄは、第１駆動回路２１から出力される駆動信号ＤＳが、通常動作の際に第２駆動回路２２の影響を受けないように保護するダイオードである。ＦＥＴ２２Ｓのゲート端子は、上述した第２駆動電圧生成回路７の基準電位に接続されている。また、ＦＥＴ２２Ｓのゲート端子は、バイアス抵抗２２Ｒを介して、第２駆動電圧生成回路７の出力、つまり第３電位“−Ｖ３”に接続されている。
【００４１】
第２駆動電圧生成回路７が第３電位“−Ｖ３”を生成していない場合には、例えば図３における二次側コンデンサＣ２の両端は同電位であり、第２駆動電圧生成回路７の基準電位（Ｎ，Ｎｕ，Ｎｖ，Ｎｗ）である。従って、第２駆動電圧生成回路７の出力は、第３電位“−Ｖ３”ではなく、第２駆動電圧生成回路７の基準電位（Ｎ，Ｎｕ，Ｎｖ，Ｎｗ）である。このため、第２駆動回路２２のバイアス抵抗２２Ｒの両端も同電位であり、ＦＥＴ２２Ｓはオフ状態である。
【００４２】
第２駆動電圧生成回路７により、第３電位“−Ｖ３”が生成されると第２駆動回路２２のバイアス抵抗２２Ｒの両端に電位差が生じる。第３電位“−Ｖ３”は、第２駆動電圧生成回路７の基準電位（Ｎ，Ｎｕ，Ｎｖ，Ｎｗ）よりも低い電位であるから、ＦＥＴ２２Ｓのゲート端子の電位は、ソース端子よりも高い電位となり、ｎチャネル型のＦＥＴ２２Ｓはオン状態となる。これにより、ＦＥＴ２２Ｓのソース−ドレイン間が導通し、ＦＥＴ２２Ｓのドレイン端子の電位は、概ね第３電位“−Ｖ３”となる。保護ダイオード２２Ｄのアノード端子の電位は、高い状態であっても、概ねスイッチング素子３の負極側の電位（Ｎ，Ｎｕ，Ｎｖ，Ｎｗ）であり、第３電位“−Ｖ３”よりも高い電位である。従って、保護ダイオード２２Ｄも導通し、保護ダイオード２２Ｄのアノード端子の電位は、順方向電圧降下を無視すれば、概ね第３電位“−Ｖ３”となる。つまり、駆動信号ＤＳが概ね第３電位“−Ｖ３”となる。保護ダイオード２２Ｄの順方向電圧降下を補償する場合は、第２駆動電圧生成回路７において、第３電位“−Ｖ３”を第２電位“−Ｖ２”よりも低い電位として生成しておくと好適である。
【００４３】
このように、第２駆動回路２２は、第２駆動電圧生成回路７により第３電位“−Ｖ３”が生成された場合に、当該第３電位“−Ｖ３”の駆動信号ＤＳを生成してスイッチング素子３の制御端子に伝達する。第３電位“−Ｖ３”が生成されていないとき、即ち、インバータ回路１０を含むシステムに好ましくない事象（例えば、第１駆動回路２１への電源供給の喪失など）が生じていないときには、第３電位“−Ｖ３”が、第１電位“＋Ｖ１”及び第２電位“−Ｖ２”の駆動信号ＤＳに影響を与えないことが好ましい。ＦＥＴ２２Ｓ（スイッチ）を備えることによって、通常動作時における第３電位“−Ｖ３”の影響を抑制することができる。
【００４４】
上述したように、第１駆動回路２１は、スイッチング素子３の制御端子に対して直列接続された制限抵抗Ｒ２４を介して第１電位“＋Ｖ１”又は第２電位“−Ｖ２”の駆動信号ＤＳを当該制御端子に伝達する。第１駆動回路２１は、通常動作においてスイッチング素子３に駆動信号ＤＳを伝達する。このため、第１駆動回路２１は、駆動信号ＤＳの変化点（波形の立ち上がりや立ち下がり）におけるノイズの発生の抑制や、スイッチング素子３に流れる電流の急激な変化の抑制のために、制限抵抗Ｒ２４を介して駆動信号ＤＳを伝達する。
【００４５】
一方、第２駆動回路２２は、当該制限抵抗Ｒ２４を介すること無く、第３電位“−Ｖ３”の駆動信号ＤＳを当該制御端子に伝達する。制限抵抗Ｒ２４を介して駆動信号ＤＳを接続すると、当然ながら駆動信号ＤＳの伝搬遅延時間は増加するから、スイッチング素子３がオン状態とオフ状態との間で状態遷移する時間も長くなる。第３電位“−Ｖ３”の駆動信号ＤＳは、迅速にスイッチング素子３をオフ状態に制御するために第２駆動回路２２からスイッチング素子３に伝達される。従って、第１駆動回路２１とは異なり、第２駆動回路２２から出力される第３電位“−Ｖ３”の駆動信号ＤＳは、伝搬遅延時間や、スイッチング素子３の状態遷移時間が短くなるように、制限抵抗Ｒ２４を介すること無く、スイッチング素子３に伝達される。つまり、制限抵抗Ｒ２４とスイッチング素子３の制御端子との間に、第２駆動回路２２からの第３電位“−Ｖ３”の駆動信号ＤＳの出力端子が接続されている。
【００４６】
ところで、第２駆動電圧生成回路７は、図３に例示したようなトランスを用いた回路（７Ａ）に限定されず、図４に例示するようにチョッパ回路（７Ｂ）によって構成されてもよい。第２駆動電圧生成回路７は、負電源を生成する回路であるから、正の入力電圧（負極“Ｎ”を基準とした正極“Ｐ”）から負の出力電圧（負極“Ｎ”を基準として負の電位“−Ｖ３”）を発生させる反転型のチョッパ型ＤＣ−ＤＣコンバータにより構成されると好適である。図４に示すように、この第２駆動電圧生成回路７は、正極“Ｐ”に接続された電源制御用スイッチング素子Ｓ３と、エネルギーを蓄積するコイルＬ３及びコンデンサＣ３と、整流用のダイオードＤ３とを有して構成される。この構成の第２駆動電圧生成回路７は、入力側と出力側とが絶縁されてはいない。従って、上段側スイッチング素子３Ｈに対する第２駆動回路２２に第３電位“−Ｖ３”を提供する場合には、基準電圧（Ｎｕ，Ｎｖ，Ｎｗ）が不安定となる場合がある。従って、この構成の第２駆動電圧生成回路７は、下段側スイッチング素子３Ｌに対する第２駆動回路２２に第３電位“−Ｖ３”を提供する場合に適用することが好ましい。
【００４７】
ところで、第２駆動回路２２は、全てのアーム３Ａの上段側スイッチング素子３Ｈに対してのみ、又は、全てのアーム３Ａの下段側スイッチング素子３Ｌに対してのみ第３電位“−Ｖ３”の駆動信号ＤＳを伝達するものであってよい。アーム３Ａは、上段側スイッチング素子３Ｈと下段側スイッチング素子３Ｌとの直列回路により構成されているから、上段側スイッチング素子３Ｈ及び下段側スイッチング素子３Ｌの何れか一方をオフ状態に制御することができれば、アーム３Ａが短絡状態となることを抑制することができる。上段側スイッチング素子３Ｈ及び下段側スイッチング素子３Ｌの双方に対して第２駆動回路２２を設ける場合に比べて、上段側スイッチング素子３Ｈ及び下段側スイッチング素子３Ｌの何れか一方に対して第２駆動回路２２を設ける方が、駆動装置２の構成を小規模にすることができて好適である。
【００４８】
さらに、上段側スイッチング素子３Ｈ及び下段側スイッチング素子３Ｌの何れか一方に対して第２駆動回路２２を設ける場合、第２駆動回路２２は、全てのアーム３Ａの下段側スイッチング素子３Ｌに対してのみ第３電位“−Ｖ３”の駆動信号ＤＳを伝達するように設けられていると好適である。上述したように、第２駆動電圧生成回路７は、スイッチング素子３の負極側の端子の電位に対して負の電位である第３電位“−Ｖ３”を生成する。下段側スイッチング素子３Ｌの負極側の端子の電位は、インバータ回路１０の動作状態に拘わらず、インバータ回路１０の負極“Ｎ”である。従って、第２駆動電圧生成回路７は安定して第３電位“−Ｖ３”を生成することができ、駆動信号ＤＳも安定する。
【００４９】
また、本実施形態のように、インバータ回路１０が直流と複数相の交流との間で電力を変換する場合には、アーム３Ａも交流の相数に応じて複数構成されている。上述したように、アーム３Ａが複数存在する場合でも、下段側スイッチング素子３Ｌの負極側の端子の電位は“Ｎ”で一定であり、複数のアーム３Ａにおいて共通である。従って、図５に示すように、複数本のアーム３Ａに共通する１つの第２駆動電圧生成回路７が下段側スイッチング素子３Ｌの負極側の端子の電位に対して負の電位である第３電位“−Ｖ３”を生成することができる。
【００５０】
一方、上段側スイッチング素子３Ｈの負極側の端子の電位は、インバータ回路１０の動作状態に応じて変動する。従って、インバータ回路１０が複数本のアーム３Ａを有する場合には、図５に仮想線で示すように、アーム３Ａの本数に応じた数の第２駆動電圧生成回路７が必要である。図５を参照すれば明らかなように、インバータ回路１０が複数本のアーム３Ａを備える場合には、下段側スイッチング素子３Ｌに対してのみ第２駆動回路２２が設けられる構成（実線）の方が、上段側スイッチング素子３Ｈに対してのみ第２駆動回路２２が設けられる構成（仮想線）に比べて小さい回路規模で駆動装置２を構成することができる。
【００５１】
上述したように、本実施形態では、複数本のアーム３Ａを有し、複数相の交流電力と直流電力との間で電力を変換するインバータ回路１０を例示しているが、インバータ回路１０は、アーム３Ａを１本のみ有して単相の交流電力と直流電力との間で電力を変換するものであってもよい。そして、第２駆動回路２２は、アーム３Ａの上段側スイッチング素子３Ｈに対してのみ、又は、アーム３Ａの下段側スイッチング素子３Ｌに対してのみ第３電位“−Ｖ３”の駆動信号ＤＳを伝達するものであってよい。
【００５２】
尚、上記において開示された構成は、矛盾が生じない限り、組み合わせて適用することも可能である。その他の構成に関しても、本明細書において開示された実施形態は全ての点で単なる例示に過ぎない。従って、本開示の趣旨を逸脱しない範囲内で、適宜、種々の改変を行うことが可能である。
【００５３】
〔実施形態の概要〕
以下、上記において説明したインバータ駆動装置（２）の概要について簡単に説明する。
【００５４】
１つの態様として、第１直流電源（１１）及び交流の電気機器（８０）に接続されて直流と交流との間で電力を変換するインバータ回路（１０）を構成する複数のスイッチング素子（３）を駆動するインバータ駆動装置（２）は、
前記スイッチング素子（３）の負極側の端子の電位に対して正の電位であって、前記スイッチング素子（３）をオン状態に制御する電位を第１電位（＋Ｖ１）とし、
前記スイッチング素子（３）の負極側の端子の電位に対して負の電位であって、前記スイッチング素子（３）をオフ状態に制御する電位を第２電位（−Ｖ２）として、
前記第１電位（＋Ｖ１）及び前記第２電位（−Ｖ２）を、前記第１直流電源（１１）よりも定格電圧が低い第２直流電源（１５）から生成する第１駆動電圧生成回路（５）と、
前記インバータ回路（１０）を制御するインバータ制御装置（２０）から出力されるスイッチング制御信号（ＳＷ）の論理レベルに応じて、前記第１電位（＋Ｖ１）の駆動信号（ＤＳ）、又は、前記第２電位（−Ｖ２）の前記駆動信号（ＤＳ）を生成して、前記スイッチング素子（３）の制御端子に伝達する第１駆動回路（２１）と、
前記第２直流電源（１５）又は前記第２直流電源（１５）を電力源として動作する低圧系回路（ＬＶ）の動作状態を監視する電圧監視回路（３０）と、
前記電圧監視回路（３０）による監視結果に基づいて、前記スイッチング素子（３）の負極側の端子の電位に対して負の電位であって、前記スイッチング素子（３）をオフ状態に制御する電位である第３電位（−Ｖ３）を、前記第１直流電源（１１）又は前記インバータ回路（１０）の直流側に接続された平滑コンデンサ（４）に充電された電力から生成する第２駆動電圧生成回路（７）と、
前記第２駆動電圧生成回路（７）により前記第３電位（−Ｖ３）が生成された場合に、当該第３電位（−Ｖ３）の前記駆動信号（ＤＳ）を生成して前記スイッチング素子（３）の制御端子に伝達する第２駆動回路（２２）と、を備える。
【００５５】
この構成によれば、第２直流電源（１５）を電力源として第１電位（＋Ｖ１）及び第２電位（−Ｖ２）を生成する第１駆動電圧生成回路（５）が正常に機能しない場合に、第２駆動電圧生成回路（７）により、スイッチング素子（３）をオフ状態に制御することのできる第３電位（−Ｖ３）が生成される。さらに、この第３電位（−Ｖ３）が生成された場合には、第２駆動回路（２２）により当該第３電位（−Ｖ３）の駆動信号（ＤＳ）が生成されてスイッチング素子（３）の制御端子に伝達される。第１駆動電圧生成回路（５）が正常に機能しない場合、スイッチング素子（３）の制御ができなくなるおそれがあるが、そのような場合でも、スイッチング素子（３）を少なくともオフ状態に制御することができる。即ち、本構成によれば、インバータ回路（１０）を構成するスイッチング素子（３）に駆動信号を伝達する駆動回路（２（２１））への電力供給が滞った場合においても、適切にスイッチング素子（３）をオフ状態に制御することができる。
【００５６】
ここで、前記インバータ回路（１０）が、上段側スイッチング素子（３Ｈ）と下段側スイッチング素子（３Ｌ）との直列回路により構成された交流１相分のアーム（３Ａ）を少なくとも１本備え、前記第２駆動回路（２２）が、全ての前記アーム（３Ａ）の前記上段側スイッチング素子（３Ｈ）に対してのみ、又は、全ての前記アーム（３Ａ）の前記下段側スイッチング素子（３Ｌ）に対してのみ前記第３電位（−Ｖ３）の前記駆動信号（ＤＳ）を伝達すると好適である。
【００５７】
インバータ回路（１０）において最も避けたい事象の１つは、上段側スイッチング素子（３Ｈ）と下段側スイッチング素子（３Ｌ）とが共にオン状態（非飽和領域での部分的なオン状態も含む）となり、アーム（３Ａ）が短絡状態となることである。上述したように、アーム（３Ａ）は、上段側スイッチング素子（３Ｈ）と下段側スイッチング素子（３Ｌ）との直列回路により構成されているから、上段側スイッチング素子（３Ｈ）及び下段側スイッチング素子（３Ｌ）の何れか一方をオフ状態に制御することができれば、そのような短絡状態が生じることを抑制することができる。上段側スイッチング素子（３Ｈ）及び下段側スイッチング素子（３Ｌ）の双方に対して第２駆動回路（２２）を設ける場合に比べて、上段側スイッチング素子（３Ｈ）及び下段側スイッチング素子（３Ｌ）の何れか一方に対して第２駆動回路（２２）を設ける方が、インバータ駆動装置（２）の構成を小規模にすることができて好適である。
【００５８】
また、前記インバータ回路（１０）が、前記アーム（３Ａ）を少なくとも１本備える場合、前記第２駆動回路（２２）が、全ての前記アーム（３Ａ）の前記下段側スイッチング素子（３Ｌ）に対してのみ前記第３電位（−Ｖ３）の前記駆動信号（ＤＳ）を伝達すると好適である。
【００５９】
第２駆動電圧生成回路（７）は、スイッチング素子（３）の負極側の端子の電位に対して負の電位である第３電位（−Ｖ３）を生成する。上段側スイッチング素子（３Ｈ）の負極側の端子の電位は、インバータ回路（１０）の動作状態に応じて変動する。一方、下段側スイッチング素子（３Ｌ）の負極側の端子の電位は、インバータ回路（１０）の動作状態に拘わらず、インバータ回路（１０）の直流側の負極電位である。第２駆動電圧生成回路（７）は、安定した下段側スイッチング素子（３Ｌ）の負極側の端子の電位に対して負の電位である第３電位（−Ｖ３）を生成することで、良好に当該電位を生成することができる。従って、第２駆動回路（２２）も下段側スイッチング素子（３Ｌ）に対して安定して第３電位（−Ｖ３）の駆動信号（ＤＳ）を伝達することができる。
【００６０】
また、インバータ回路（１０）が直流と複数相の交流との間で電力を変換する場合には、アーム（３Ａ）も交流の相数に応じて複数構成されている。アーム（３Ａ）が複数存在する場合でも、下段側スイッチング素子（３Ｌ）の負極側の端子の電位は一定であり、複数のアーム（３Ａ）において共通である。従って、複数本のアーム（３Ａ）に共通する１つの第２駆動電圧生成回路（７）が下段側スイッチング素子（３Ｌ）の負極側の端子の電位に対して負の電位である第３電位（−Ｖ３）を生成することができる。上段側スイッチング素子（３Ｈ）の負極側の端子の電位は、インバータ回路（１０）の動作状態に応じて変動するから、インバータ回路（１０）が複数本のアーム（３Ａ）を有する場合には、その本数に応じた数の第２駆動電圧生成回路（７）が必要である。従って、インバータ回路（１０）が複数本のアーム（３Ａ）を備える場合には、下段側スイッチング素子（３Ｌ）に対してのみ第２駆動回路（２２）が設けられる構成の方が、上段側スイッチング素子（３Ｈ）に対してのみ第２駆動回路（２２）が設けられる構成に比べて小さい回路規模でインバータ駆動装置（２）を構成することができる。
【００６１】
ここで、前記第３電位（−Ｖ３）は、前記第２電位（−Ｖ２）以下の電位であると好適である。スイッチング素子（３）をオフ状態にするために、第３電位（−Ｖ３）の駆動信号（ＤＳ）がスイッチング素子（３）に伝達されるので、確実にスイッチング素子（３）をオフ状態に制御できるように、第３電位（−Ｖ３）は、第２電位（−Ｖ２）以下の電位であることが好ましい。
【００６２】
また、前記第１駆動回路（２１）が、前記スイッチング素子（３）の制御端子に対して直列接続された制限抵抗（Ｒ２４）を介して前記第１電位（＋Ｖ１）又は前記第２電位（−Ｖ２）の前記駆動信号（ＤＳ）を当該制御端子に伝達する場合、前記第２駆動回路（２２）は、当該制限抵抗（Ｒ２４）を介すること無く、前記第３電位（−Ｖ３）の前記駆動信号（ＤＳ）を当該制御端子に伝達すると好適である。
【００６３】
第１駆動回路（２１）は、通常動作においてスイッチング素子（３）に駆動信号（ＤＳ）を伝達する。このため、第１駆動回路（２１）は、駆動信号（ＤＳ）の変化点（波形の立ち上がりや立ち下がり）におけるノイズの発生の抑制や、スイッチング素子（３）に流れる電流の急激な変化の抑制のために、制限抵抗（Ｒ２４）を介して駆動信号（ＤＳ）を伝達するように構成されている場合がある。但し、このような制限抵抗（Ｒ２４）を設けると、当然ながら駆動信号（ＤＳ）の伝搬遅延時間は増加するから、スイッチング素子（３）がオン状態とオフ状態との間で状態遷移する時間も長くなる。第３電位（−Ｖ３）の駆動信号（ＤＳ）は、迅速にスイッチング素子（３）をオフ状態に制御するために第２駆動回路（２２）からスイッチング素子（３）に伝達される。従って、駆動信号（ＤＳ）の伝搬遅延時間や、スイッチング素子（３）の状態遷移時間が短くなるように、第３電位（−Ｖ３）の駆動信号（ＤＳ）は、制限抵抗（Ｒ２４）を介すること無く、スイッチング素子（３）に伝達されると好ましい。
【００６４】
また、前記第２駆動回路（２２）は、前記第２駆動電圧生成回路（７）により前記第３電位（−Ｖ３）が生成された場合にのみオン状態に遷移するスイッチ（２２Ｓ）を備え、当該スイッチ（２２Ｓ）は、オン状態において、前記第３電位（−Ｖ３）を生成する前記第２駆動電圧生成回路（７）の出力端に電気的に接続された前記第２駆動回路（２２）の端子と、前記駆動信号（ＤＳ）を出力する前記第２駆動回路（２２）の出力端子とを導通させると好適である。
【００６５】
第３電位（−Ｖ３）が生成されていないとき、即ち、インバータ回路（１０）を含むシステムに好ましくない事象（例えば、第１駆動回路（２１）への電源供給の喪失など）が生じていないときには、第３電位（−Ｖ３）が、第１電位（＋Ｖ１）及び第２電位（−Ｖ２）の駆動信号（ＤＳ）に影響を与えないことが好ましい。当該スイッチ（２２Ｓ）を備えることによって、通常動作時における第３電位（−Ｖ３）の影響を抑制することができる。
【符号の説明】
【００６６】
２      ：駆動装置
３      ：スイッチング素子
３Ａ    ：アーム
３Ｈ    ：上段側スイッチング素子
３Ｌ    ：下段側スイッチング素子
４      ：直流リンクコンデンサ（平滑コンデンサ）
５      ：第１駆動電圧生成回路
７      ：第２駆動電圧生成回路
１０    ：インバータ回路
１１    ：高圧バッテリ（第１直流電源）
１５    ：低圧バッテリ（第２直流電源）
２０    ：インバータ制御装置
２１    ：第１駆動回路
２２    ：第２駆動回路
２２Ｓ  ：ＦＥＴ（スイッチ）
２４    ：制限抵抗
３０    ：電圧監視回路
ＤＳ    ：駆動信号
Ｌｖ    ：低圧系回路
Ｒ２４  ：制限抵抗
ＳＷ    ：スイッチング制御信号
【図１】
0006638504.tif 000002
【図２】
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【図３】
0006638504.tif 000004
【図４】
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【図５】
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