(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上において当該基板の上面に沿った第１方向にそれぞれが長尺で、前記第１方向と交差し前記基板の上面に沿った第２方向に互いに間隔をあけて配された複数の第１バンクと、前記第２方向にそれぞれが長尺で前記第１方向に互いに間隔をあけて配された複数の第２バンクと、前記複数の第１バンクによって区画された前記基板上の空間である複数の凹空間に形成された発光層と、を有する有機ＥＬ表示装置を製造する過程において、
前記第１バンクにおける欠陥部を検出し、
欠陥部が検出された場合に、前記検出された欠陥部の前記第２方向における両側に隣接する凹空間のそれぞれにおいて、前記欠陥部に近接する第１空間と、前記欠陥部に近接しない第２空間とに仕切る堰部の仮形成位置を設定し、
隣り合う前記第１バンクと隣り合う前記第２バンクとで規定される領域をサブピクセル領域として、平面視で、１つの前記サブピクセル領域の面積をＨとし、前記仮形成位置の前記堰部によって仕切られる前記欠陥部に近接する空間部分である仮第１空間と前記サブピクセル領域とが重なる重なり領域の面積をＩとすると、
平面視で、前記仮第１空間と前記第２バンクとが重ならない場合に、
Ｉ＜α×Ｈ（０．０５＜α＜０．９）の関係を満たす場合には、前記仮形成位置に、第１形成方法により前記堰部を形成する
バンク補修方法。
【請求項２】
前記第２バンクは、前記第１バンクよりも前記基板の上面からの高さが低く、
平面視で、前記仮第１空間と前記第２バンクとが重ならない場合又は、前記仮第１空間の前記第１方向における両端のうちの一方が前記第２バンクと重なる場合であって、
α×Ｈ≦Ｉの関係を満たす場合には、
前記両側に隣接する凹空間のそれぞれにおいて、前記仮形成位置の前記堰部に代えて、
平面視で、前記欠陥部を前記第１方向に挟んで隣り合う前記第２バンク上に、前記欠陥部が存在する前記第１バンクからその隣の前記第１バンクに前記第２方向に沿って亘る形状の一対の堰からなる前記堰部を、前記第１形成方法よりも形成スピードが速い第２形成方法により形成する
請求項１に記載のバンク補修方法。
【請求項３】
前記堰部は、前記欠陥部を前記第１方向に挟む前記第１バンク上の２点のそれぞれから、前記欠陥部が存在する前記第１バンクの隣の前記第１バンクに亘る形状の一対の堰からなる
請求項１又は２の何れか１項に記載のバンク補修方法。
【請求項４】
平面視で、前記仮形成位置の前記第１方向における両端のうちの一方が、前記第２バンクと重なる場合には、前記両端のうちの前記一方と重なる前記第２バンク上に、前記一対の堰の前記一方を、前記第２形成方法により形成し、
Ｉ＜α×Ｈの関係を満たす場合には、前記一対の堰の他方を、当該他方の前記仮形成位置に、前記第１形成方法により形成する
請求項２に記載のバンク補修方法。
【請求項５】
平面視で、前記仮第１空間が、前記第２バンク及び当該第２バンクの前記第１方向における両側のサブピクセル領域にまたがって重なる場合に、
前記両側のサブピクセル領域のうち、前記第１方向における一端側の前記サブピクセル領域と前記仮第１空間とが重なる領域の平面視での面積をＩａとし、他端側の前記サブピクセル領域と前記第１空間とが重なる領域の平面視での面積をＩｂとすると、
Ｉａ＜α×Ｈの関係を満たす場合には、前記一対の堰のうち前記一端側の堰を、当該一端側の堰の前記仮形成位置に、前記第１形成方法により形成し、
α×Ｈ≦Ｉａの関係を満たす場合には、前記仮第１空間と重なる前記第２バンクの前記一端側に隣り合う前記第２バンク上に、前記一対の堰のうちの前記一端側の堰を、前記第２形成方法により形成し、
Ｉｂ＜α×Ｈの関係を満たす場合には、前記一対の堰のうち前記他端側の堰を、当該他端側の堰の前記仮形成位置に、前記第１形成方法により形成し、
α×Ｈ≦Ｉｂの関係を満たす場合には、前記仮第１空間と重なる前記第２バンクの前記他端側に隣り合う前記第２バンク上に、前記一対の堰のうちの前記他端側の堰を、前記第２形成方法により形成する
請求項４に記載のバンク補修方法。
【請求項６】
前記一対の堰は、それぞれ前記第２方向に沿った形状である
請求項３に記載のバンク補修方法。
【請求項７】
前記一対の堰は、互いに平行であって、前記第２方向と交差する
請求項３に記載のバンク補修方法。
【請求項８】
前記一対の堰は、互いに離間しており、前記欠陥部が存在する前記第１バンクから遠ざかるにつれて互いに近接する形状である
請求項３に記載のバンク補修方法。
【請求項９】
前記堰部は、前記欠陥部が存在する前記第１バンクにおいて、前記欠陥部を前記第１方向に挟む２点の一方から、前記欠陥部を迂回して他方に亘る形状である
請求項１又は２に記載のバンク補修方法。
【請求項１０】
平面視で、前記仮第１空間の前記第１方向における両端の一方が前記第２バンクと重なる場合であって、Ｉ＜α×Ｈの関係を満たす場合には、
前記仮形成位置に、前記第１形成方法により前記堰部を形成する
請求項９に記載のバンク補修方法。
【請求項１１】
平面視で、前記仮第１空間が、前記第２バンク及び当該第２バンクの前記第１方向における両側のサブピクセル領域にまたがって重なる場合に、
前記両側のサブピクセル領域のうち、前記仮第１空間の前記第１方向における一端側のサブピクセル領域と前記仮第１空間とが重なる領域の平面視での面積をＩａとし、他端側のサブピクセル領域と前記第１空間とが重なる領域の平面視での面積をＩｂとすると、
Ｉａ＜α×Ｈ、且つ、Ｉｂ＜α×Ｈの関係を満たす場合には、前記仮形成位置に、前記堰部を、前記第１形成方法により形成し、
α×Ｈ≦Ｉａ、且つ、α×Ｈ≦Ｉｂの関係を満たす場合には、前記仮形成位置の前記堰部に代えて、前記またがって重なる前記第２バンクの前記一端側及び前記他端側に隣り合う前記第２バンクそれぞれの上に、前記欠陥部が存在する前記第１バンクからその隣の前記第１バンクに亘る一対の堰を、前記第１形成方法よりも形成スピードが速い第２形成方法により形成する
請求項９又は１０に記載のバンク補修方法。
【請求項１２】
前記サブピクセル領域の前記第１方向の長さをＬとし、前記またがって重なる前記第２バンクの前記一端側の端部と前記仮第１空間の前記一端との間の前記第１方向の距離をｄａとすると、
Ｉａ＜α×Ｈ、且つ、α×Ｈ≦Ｉｂの関係を満たす場合に、
ｄａ＜α×Ｌの関係を満たす場合には、前記仮形成位置の前記堰部に代えて、一対の堰の一方を、前記仮第１空間の前記一端と重なる位置に、前記第１形成方法により形成し、前記一対の堰の他方を、前記またがって重なる前記第２バンクの前記他端側に隣り合う前記第２バンク上に、前記第２形成方法により形成し、
α×Ｌ≦ｄａの関係を満たす場合には、前記仮形成位置に前記堰部を前記第１形成方法により形成する
請求項１１に記載のバンク補修方法。
【請求項１３】
前記堰部は、前記２点の一方から他方に亘る途中で、前記隣の前記第１バンクに接している
請求項９から１２の何れか１項に記載のバンク補修方法。
【請求項１４】
前記堰部は、前記隣の前記第１バンクと離間している
請求項９から１２の何れか１項に記載のバンク補修方法。
【請求項１５】
前記堰部の形成の際に、前記欠陥部が存在する前記第１バンク及びその隣の前記第１バンクのそれぞれにおいて、前記堰部と接する部分に、当該部分の上部から上方に突出する突状部をさらに形成する、
請求項１から１４の何れか１項に記載の補修方法。
【請求項１６】
前記第１バンクと前記第２バンクの前記基板の上面からの高さが同じであり、
α×Ｈ≦Ｉの関係を満たす場合には、
当該サブピクセル領域については、前記堰部を形成しない
請求項１に記載のバンク補修方法。
【請求項１７】
前記第１形成方法は、ニードルディスペンサを用いて堰部を形成する方法である
請求項１から１６の何れか１項に記載のバンク補修方法。
【請求項１８】
基板と、
前記基板上において当該基板の上面に沿った第１方向に長尺で、前記第１方向に直交し前記基板の上面に沿った第２方向に互いに間隔をあけて配された複数の第１バンクと、
前記第２方向に長尺で前記第１方向に互いに間隔をあけて配された複数の第２バンクと、
前記複数の第１バンクによって区画された前記基板上の空間である複数の凹空間に形成された発光層と、を有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記複数の第１バンクのうち少なくとも１つは、異物又は欠損に起因する欠陥部を有し、前記第１バンクにおいて前記欠陥部が存在する部分の前記第２方向における両側に隣接する前記凹空間のそれぞれの中に、
前記発光層を、前記欠陥部に近接する部分からなる第１発光層と、前記欠陥部に近接しない部分からなる第２発光層とに仕切る堰部を有し、
前記第１発光層の発光色と前記第２発光層の発光色とは、互いに異なり、
前記第１発光層の発光色は、前記欠陥部を有する前記第１バンクを挟んで隣り合う前記凹空間における前記第２発光層それぞれの発光色が混色した色である
有機ＥＬ表示装置。
【請求項１９】
基板と、
前記基板上において当該基板の上面に沿った第１方向に長尺で、前記第１方向に直交し前記基板の上面に沿った第２方向に互いに間隔をあけて配された複数の第１バンクと、
前記第２方向に長尺で前記第１方向に互いに間隔をあけて配された複数の第２バンクと、
前記複数の第１バンクによって区画された前記基板上の空間である複数の凹空間に形成された発光層と、を有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記複数の第１バンクのうち少なくとも１つは、異物又は欠損に起因する欠陥部を有し、前記第１バンクにおいて前記欠陥部が存在する部分の前記第２方向における両側に隣接する前記凹空間のそれぞれの中に、
前記発光層を、前記欠陥部に近接する部分からなる第１発光層と、前記欠陥部に近接しない部分からなる第２発光層とに仕切る堰部を有し、
前記第２バンクは、前記第１バンクよりも前記基板の上面からの高さが低く、
隣り合う前記第１バンクと隣り合う前記第２バンクとで規定される領域をサブピクセル領域とし、平面視で、１つの前記サブピクセル領域の面積をＨとし、１つの前記サブピクセル領域における前記第１発光層の面積をＩとすると、
平面視で、前記第１発光層と前記第２バンクとは、重なっていないか、又は、前記第１発光層の前記第１方向における両端のうちの一方が、前記第２バンクと重なっており、Ｉ＜α×Ｈ（０．０５＜α＜０．９）であって、前記堰部の幅は、第１幅である
有機ＥＬ表示装置。
【請求項２０】
基板と、
前記基板上において当該基板の上面に沿った第１方向に長尺で、前記第１方向に直交し前記基板の上面に沿った第２方向に互いに間隔をあけて配された複数の第１バンクと、
前記第２方向に長尺で前記第１方向に互いに間隔をあけて配された複数の第２バンクと、
前記複数の第１バンクによって区画された前記基板上の空間である複数の凹空間に形成された発光層と、を有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記複数の第１バンクのうち少なくとも１つは、異物又は欠損に起因する欠陥部を有し、前記第１バンクにおいて前記欠陥部が存在する部分の前記第２方向における両側に隣接する前記凹空間のそれぞれの中に、
前記発光層を、前記欠陥部に近接する部分からなる第１発光層と、前記欠陥部に近接しない部分からなる第２発光層とに仕切る堰部を有し、
前記第２バンクは、前記第１バンクよりも前記基板の上面からの高さが低く、
隣り合う前記第１バンクと隣り合う前記第２バンクとで規定される領域をサブピクセル領域とすると、平面視で、前記第１発光層が、前記第２バンク及び当該第２バンクの前記第１方向における両側のサブピクセル領域にまたがって重なっており、
平面視で、１つの前記サブピクセル領域の面積をＨとし、前記両側のサブピクセル領域のうち、前記第１発光層の前記第１方向における一端側のサブピクセル領域と前記第１発光層とが重なる領域の平面視での面積をＩａとし、他端側のサブピクセル領域と前記第１発光層とが重なる領域の平面視での面積をＩｂとすると、Ｉａ＜α×Ｈ、且つ、Ｉｂ＜α×Ｈであって、
前記堰部の幅は、第１幅である
有機ＥＬ表示装置。
【請求項２１】
前記堰部は、前記両側に隣接する凹空間のそれぞれにおいて、前記欠陥部を前記第１方向に挟む前記第１バンク上の２点のそれぞれから、前記欠陥部が存在する前記第１バンクの隣の前記第１バンクに亘る形状で、幅が第１幅である一対の第１堰から成る
請求項１８から２０の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項２２】
前記一対の第１堰は、それぞれ前記第２方向に沿った形状である
請求項２１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項２３】
前記一対の前記第１堰は、互いに平行であって、前記第２方向と交差する
請求項２１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項２４】
前記一対の前記第１堰は、互いに離間しており、前記欠陥部が存在する前記第１バンクから遠ざかるにつれて互いに近接する形状である
請求項２１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項２５】
前記堰部は、前記欠陥部が存在する前記第１バンクにおいて、前記欠陥部を前記第１方向に挟む２点の一方から、前記欠陥部を迂回して他方に亘る形状である
請求項１８から２０の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項２６】
前記堰部は、前記２点の一方から他方に亘る途中で、前記隣の前記第１バンクに接している
請求項２５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項２７】
前記堰部は、前記隣の前記第１バンクと離間している
請求項２５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項２８】
前記第２バンクは、前記第１バンクよりも前記基板の上面からの高さが低く、
隣り合う前記第１バンクと隣り合う前記第２バンクとで規定される領域をサブピクセル領域とすると、平面視で、前記第１発光層が、前記第２バンク及び当該第２バンクの前記第１方向における両側のサブピクセル領域にまたがって重なっており、
前記堰部は、幅が第１幅であって、前記欠陥部が存在する前記第１バンクにおいて、前記欠陥部を前記第１方向に挟む２点の一方から、前記欠陥部を迂回して前記２点の他方に亘る形状であり、
平面視で、１つの前記サブピクセル領域の面積をＨとし、前記両側のサブピクセル領域のうち、前記第１方向における一端側の前記サブピクセル領域と前記第１発光層とが重なる領域の平面視での面積をＩａとし、前記第１方向における他端側の前記サブピクセル領域と前記第１発光層とが重なる領域の平面視での面積をＩｂとし、前記サブピクセル領域の前記第１方向の長さをＬとし、前記またがって重なる前記第２バンクの前記一端側の端部と前記第１発光層の前記一端側の端部との間の前記第１方向の距離をｄａとすると、
Ｉａ＜α×Ｈ、且つ、α×Ｈ≦Ｉｂ、且つ、α×Ｌ≦ｄａである
請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項２９】
前記第２バンクは、前記第１バンクよりも前記基板の上面からの高さが低く、
隣り合う前記第１バンクと隣り合う前記第２バンクとで規定される領域をサブピクセル領域とすると、平面視で、前記第１発光層が、前記第２バンク及び当該第２バンクの前記第１方向における両側のサブピクセル領域にまたがって重なっており、
前記堰部は、一対の堰からなり、
前記一対の堰のうちの一方は、前記またがって重なる前記第２バンクの前記両側のうち、前記第１方向における一端側において、前記欠陥部が存在する前記第１バンクからその隣の前記第１バンクに亘る態様で配され、幅が第１幅である第１堰であり、
前記一対の堰のうちの他方は、前記またがって重なる前記第２バンクの前記両側のうち、前記第１方向における他端側に隣り合う前記第２バンク上において、前記欠陥部が存在する前記第１バンクからその隣の前記第１バンクに亘る態様で配され、幅が前記第１幅よりも大きい第２幅である第２堰であり、
平面視で、１つの前記サブピクセル領域の面積をＨとし、前記一端側のサブピクセル領域と前記第１発光層とが重なる領域の平面視での面積をＩａとすると、Ｉａ＜α×Ｈである
請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３０】
前記第２バンクは、前記第１バンクよりも前記基板の上面からの高さが低く、
前記欠陥部は、平面視で前記第２バンクと重ならず、
前記堰部は、前記欠陥部を前記第１方向に挟んで隣り合う前記第２バンク上において、前記欠陥部が存在する前記第１バンクからその隣の前記第１バンクに亘る態様で配され、幅が第２幅である一対の第２堰からなる
請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３１】
前記第２バンクは、前記第１バンクよりも前記基板の上面からの高さが低く、
前記欠陥部は、平面視で前記第２バンクと重なり、
前記堰部は、前記欠陥部と重なる前記第２バンクの前記第１方向における両隣の前記第２バンク上において、前記欠陥部が存在する前記第１バンクからその隣の前記第１バンクに亘る態様で配され、幅が第２幅である一対の第２堰からなる
請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３２】
前記第１バンクにおける前記堰部と接する部分に、当該部分の上部から上方に突出する突状部を有する
請求項１８から３１の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３３】
前記第１バンク及び前記第２バンクは、前記基板の上面からの高さが同じであり、
隣り合う前記第１バンクと隣り合う前記第２バンクとで規定される領域をサブピクセル領域とし、
平面視で、前記サブピクセル領域の面積をＨとし、前記第１発光層の面積をＩとすると、
Ｉ＜α×Ｈ（０．０５＜α＜０．９）であって、前記堰部の幅は第１幅である
請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３４】
前記第１幅は、５〜２０μｍである
請求項１９、２０、２１、２８、２９及び３３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３５】
前記第２幅は、１０〜５０μｍである
請求項２９から３１の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バンク補修方法、有機ＥＬ表示装置の製造方法および有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光型の表示装置として、基板上に複数の有機ＥＬ素子をマトリックス状に配列した有機ＥＬ表示パネルが実用化されている。この有機ＥＬ表示パネルは、各有機ＥＬ素子が自己発光を行うので視認性が高く、完全固体素子であるため耐衝撃性に優れる。
有機ＥＬ表示パネルにおいて、各有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の一対の電極対の間に有機発光材料を含む発光層が配設された基本構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、陽極から発光層に注入されるホールと、陰極から発光層に注入される電子との再結合に伴って発光する電流駆動型の発光素子である。
【０００３】
有機ＥＬ表示パネルにおいて、一般に各有機ＥＬ素子の発光層と、隣接する有機ＥＬ素子の発光層とは、絶縁材料からなるバンクで仕切られている。
また、陽極と発光層との間には、ホール注入層、ホール輸送層、ホール注入兼輸送層といった有機層が必要に応じて介挿され、陰極と発光層との間にも、必要に応じて電子注入層、電子輸送層または電子注入兼輸送層が介挿されている。
【０００４】
これらの発光層をはじめとするホール注入層、ホール輸送層、ホール注入兼輸送層、電子注入層、電子輸送層または電子注入兼輸送層は、機能層といわれる。
フルカラー表示の有機ＥＬ表示パネルにおいては、このような有機ＥＬ素子が、ＲＧＢ各色のサブピクセルを形成し、隣り合うＲＧＢのサブピクセルが合わさって一画素が形成されている。
【０００５】
このような有機ＥＬ表示パネルを製造する上で、基板上にバンクを形成しておいて、バンクで区画された凹空間に発光層などの有機機能層を形成する工程がある。この有機機能層の形成には、高分子材料や薄膜形成性の良い低分子材料を含むインクを、インクジェット法等で凹空間に塗布するウェット方式が多く用いられている。このウェット方式によれば、大型のパネルにおいても有機機能層を比較的容易に形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開ＷＯ２０１０／０１３６５４号
【特許文献２】特開２０１１−１０８３６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
フルカラー表示の有機ＥＬ表示パネルの場合、バンクを挟んで隣り合う凹空間には、互いに異なる発光色のインクが塗布される場合が多い。このような有機ＥＬ表示パネルの製造過程においてバンクに部分的な決壊が生じていたり、異物が付着したりして欠陥部が存在すると、発光層を形成する際に、凹空間に塗布されたインクが欠陥部を通じて隣の凹空間へと侵入し、異なる色のインク同士が混合されて混色が生じることがある。
【０００８】
このような混色が生じたパネルを用いて製造した有機ＥＬ表示装置においては、混色が生じた範囲での発光色が本来の発光色と異なっていたり、暗点と認識されたりして、表示不良となることがある。
そこで、欠陥が生じたバンクを補修することによって、表示パネルにおける表示不良の発生を抑える技術が求められる。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑み、有機ＥＬ表示装置の製造過程において、バンクに決壊や異物による欠陥部が発生したときにも、表示不良の発生を抑えることのできる有機ＥＬ表示装置の製造方法、及び有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明の一態様にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法は、基板と、前記基板上において当該基板の上面に沿った第１方向にそれぞれが長尺で、前記第１方向と交差し前記基板の上面に沿った第２方向に互いに間隔をあけて配された複数の第１バンクと、前記第２方向にそれぞれが長尺で前記第１方向に互いに間隔をあけて配された複数の第２バンクと、前記複数の第１バンクによって区画された前記基板上の空間である複数の凹空間に形成された発光層と、を有する有機ＥＬ表示装置を製造する過程において、前記第１バンクにおける欠陥部を検出し、欠陥部が検出された場合に、前記検出された欠陥部の前記第２方向における両側に隣接する凹空間のそれぞれにおいて、前記欠陥部に近接する第１空間と、前記欠陥部に近接しない第２空間とに仕切る堰部の仮形成位置を設定し、隣り合う前記第１バンクと隣り合う前記第２バンクとで規定される領域をサブピクセル領域として、平面視で、１つの前記サブピクセル領域の面積をＨとし、前記仮形成位置の前記堰部によって仕切られる前記欠陥部に近接する空間部分である仮第１空間と前記サブピクセル領域とが重なる重なり領域の面積をＩとすると、平面視で、前記仮第１空間と前記第２バンクとが重ならない場合に、Ｉ＜α×Ｈ（０．０５＜α＜０．９）の関係を満たす場合には、前記仮形成位置に、第１形成方法により前記堰部を形成することとした。
【発明の効果】
【００１１】
上記態様に係るバンク補修方法によると、隣り合う凹空間の各々に異なる発光色のインクを塗布して有機機能層を形成するときに、凹空間の中に形成される堰部によってインク層が仕切られるので、欠陥部を介して発光色の異なるインク同士が混ざり合う場合に、インクの混ざり合う混色領域が、欠陥部に近接しない第２空間に広がるのを防ぐことができる。従って、混色領域の広がりを抑制して、有機ＥＬ表示装置における表示不良を抑えることができる。
【００１２】
また、欠陥部の周囲に堰部を形成する方法でバンクを補修するので、欠陥部が異物に起因する場合でも、比較的容易に堰部を形成してバンクを補修することができる。
さらに、Ｉ＜α×Ｈの関係を満たす場合には、仮形成位置に堰部を形成するので、平面視での混色領域の面積をできるだけ小さくすることができ、表示色不良による表示不良を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成例を示す模式ブロック図である。
【図２】実施形態に係る表示パネルを模式的に示す部分平面図である。
【図３】実施形態に係る表示パネルを図２のＡ−Ａ'線で切断した一部拡大断面図である。
【図４】実施形態に係る表示パネルの製造過程を示す模式工程図である。
【図５】実施形態に係る表示パネルの製造工程の一部を示す模式断面図である。
【図６】（ａ）は、バンクに生じる比較的サイズの小さい欠陥部の一例を示す模式斜視図であり、（ｂ）は、実施例１に係る堰部が欠陥部の周囲に形成された様子を示す模式斜視図である。
【図７】（ａ）は、バンクに生じる比較的サイズの大きな欠陥部の一例を示す模式斜視図であり、（ｂ）は、実施例２に係る堰部が欠陥部の周囲に形成された様子を示す模式斜視図である。
【図８】（ａ）異物によってバンクに生じた欠陥部の別の例を示す模式斜視図であり、（ｂ）は、異物によってバンクに生じた欠陥部のさらに別の例を示す模式斜視図であり、（ｃ）は決壊によってバンクに生じた欠陥部の一例を示す模式斜視図である。
【図９】欠陥部の検出とバンクの補修に用いる補修装置の一例を示す概略構成図である。
【図１０】（ａ）は、比較的サイズの小さい欠陥部の周辺の画像において設定された、ニードルディスペンサによる補修材料の塗布位置を示す模式平面図であり、（ｂ）は、その模式断面図であり、（ｃ）は、実施例１に係る堰部が形成された状態を示す模式平面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｇ）は、ニードルディスペンサで補修材料を塗布することにより、堰部が形成される様子を示す模式断面図である。（ａ）は、補修材料を塗布する前の状態のタンク及びニードルの状態を示す模式断面図である。（ｂ）は、ニードルに付着した補修材を塗布点Ｐ１に塗布した状態を示す模式断面図である。（ｃ）は、ニードルを上方に移動させている途中の状態を示す模式断面図である。（ｄ）は、ニードルを上方に移動させた状態を示す模式断面図である。（ｅ）は、ニードル及びタンクを移動させて塗布点Ｐ２に補修材を塗布した状態を示す模式断面図である。（ｆ）は、塗布点Ｐ１に塗布された補修材と塗布点Ｐ２に塗布された補修材とがつながった状態を示す模式断面図である。（ｇ）は、ニードルを上方に移動させた状態を示す模式断面図である。
【図１２】（ａ）は、比較的サイズの大きい欠陥部の周辺の画像において実施例２に係る堰部が形成された状態を示す模式平面図であり、（ｂ）は、ノズルディスペンサで補修材料を塗布することにより堰部が形成される様子を模式的に示す図である。
【図１３】（ａ）は、実施例１に係る堰部が形成されている場合にインク層が形成された状態を示す模式平面図であり、（ｂ）は、実施例２に係る堰部が形成されている場合にインク層が形成された状態を示す模式平面図であり、（ｃ）は、堰部が形成されていない比較例を示す模式平面図である。
【図１４】（ａ）は、図１３（ａ）におけるＣ−Ｃ線の断面図であり、（ｂ）は、図１３（ｂ）におけるＥ−Ｅ線の断面図である。
【図１５】（ａ）は、実施例３に係る堰部の仮形成位置を示す模式平面図であり、（ｂ）は、実施例３に係る堰部が形成された状態を示す模式平面図である。
【図１６】（ａ）は、実施例４に係る堰部の仮形成位置を示す模式平面図であり、（ｂ）は、実施例４に係る堰部の形成された状態を示す模式平面図である。
【図１７】補修装置による堰部設定処理の処理内容の一例を示すフローチャートである。
【図１８】補修装置による堰部形成処理の処理内容の一例を示すフローチャートである。
【図１９】（ａ）は、変形例１に係る堰部が形成された状態を示す模式平面図であり、（ｂ）は、変形例２に係る堰が形成された状態を示す模式平面図である。
【図２０】（ａ）は、変形例３に係る堰部の形状を示す模式斜視図であり、（ｂ）は、凹空間に堰部が形成された後にインク層が形成された状態を示す模式平面図である。
【図２１】変形例３に係る堰部において、平面視で端部の一方が第２バンクと重なる場合を示す模式平面図であって、（ａ）は、欠陥部のサイズが小さい場合を示す模式平面図であり、（ｂ）は、欠陥部のサイズが大きい場合を示す模式平面図である。
【図２２】変形例３に係る堰部において、堰部が平面視で２つのサブピクセル領域にまたがって重なる場合を示す模式平面図であって、（ａ）は、サブピクセル領域との重なり領域が両方とも小さい場合における堰部の一例を示す模式平面図であり、（ｂ）は、一方のサブピクセル領域との重なり領域が小さく、他方のサブピクセル領域との重なり領域が大きい場合における堰部の一例を示す模式平面図である。
【図２３】変形例３に係る堰部において、堰部が平面視で２つのサブピクセル領域にまたがって重なる場合を示す模式平面図であって、（ａ）は、図２２（ｂ）の場合の堰部の別の例を示す模式平面図であり、（ｂ）は、図２２（ｂ）の場合の堰部のさらに別の一例を示す模式平面図である。
【図２４】（ａ）は、変形例４に係る堰部の形状を示す模式斜視図であり、（ｂ）は、凹空間に堰部が形成された後にインク層が形成された状態の模式平面図である。
【図２５】（ａ）は、変形例５に係る堰部の形状を示す模式斜視図であり、（ｂ）は、凹空間に堰部を形成した後、インクを塗布する様子を示す模式断面図である。
【図２６】ピクセルバンクを有する表示パネルにおいて、ピクセルバンクに生じた欠陥部を堰部で補修する変形例を示す模式平面図であって、（ａ）は、変形例６に係る堰部を示す模式平面図であり、（ｂ）は、変形例７に係る堰部を示す模式平面図であり、（ｃ）は、変形例８に係る堰部を示す模式平面図であり、（ｄ）は、変形例９に係る堰部を示す模式平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
＜発明に到った経緯＞
フラットディスプレイ基板の製造技術において、例えば、特許文献１には、隔壁を形成後、インク塗布前に、隔壁における決壊箇所の周囲の一部を除去し、除去した箇所に溌インク性のポリマーからなる隔壁修正液を塗布して、決壊箇所を修復する技術が開示されている。
【００１５】
また、引用文献２には、有機ＥＬ表示装置の異物を検出し、検出された異物の上にニードルディスペンサで非導電性の液体材料を塗布して修復する技術が開示されている。
バンクが部分的に決壊している場合は、引用文献１のような技術を用いて決壊部分の修復をし、修復後にインクを塗布すれば、互いに異なるインクの混合を防止することができると考えられる。
【００１６】
また、異物が付着することによって生じる欠陥部の場合、上記従来技術のようにポリマーを塗布する方法では、異物に起因する欠陥部を補修するのが難しい場合がある。例えば、バンクに付着した異物にポリマー液を塗布しようとすると、異物がポリマー液をはじいて、うまく補修できないこともある。
また、本願発明者の考察によると、現状の有機ＥＬ表示装置においてもバンクの幅は２０μｍ以下とかなり狭く、今後、画素の高精細化が進むにつれてバンクの幅がさらに狭くなることが予想されることから、バンクの決壊箇所や異物に塗布針を正確に位置合わせして補修するのも、より難しくなると予想される。また、補修が精細になればなるほど、補修に要する時間も長くなる。
【００１７】
このような考察のもとに、特に高精細のＥＬ表示装置において、バンクに生じた欠陥部を容易に補修することができ、且つ、発光不良を抑えることのできる方法を検討した。
そして、バンクの欠陥部自体を補修しなくても、欠陥部の周辺の凹空間の中に堰を設けて、当該凹空間を、欠陥部に近接する第１空間と、欠陥部に近接しない第２空間とに仕切ることによって、異なるインク同士が混ざり合って混色が生じたインクを第１空間内に閉じ込めることができる。これにより、混色インクの領域が広がるのを抑えることができ、発光色不良による表示不良の問題を解決できることを見出した。
【００１８】
良好な画質を得るためには、混色領域の面積は、できるだけ小さく収めるのが望ましい。そのためには、堰の形成に際して、堰の形成位置や形状を精密に制御できる方法により堰を形成することが求められる。そのような方法として、例えば、引用文献２に記載されているように、ニードルディスペンサを用いて堰を形成する方法が有用である。しかし、ニードルディスペンサは、ニードルの先端に付けた補修材料を１点ずつ塗布していくため、堰の形成に時間がかかるという問題がある。
【００１９】
ここで、ＥＬ表示装置において、上記のように凹空間に堰を形成して第１空間と第２空間とに仕切ったときに、例えば、平面視で、１つのサブピクセルに相当する領域（以下、「サブピクセル領域」という。）の面積に対する第１空間の面積（即ち、混色領域の面積）が所定の割合以上になると、人間の目には、当該サブピクセル全体が暗点として認識されてしまうことが分かっている。従って、堰により囲まれる混色領域の面積が、サブピクセル領域の所定割合以上となる場合には、混色領域の面積をできるだけ小さくするために、ニードルディスペンサを用いて精密に堰を形成しなくてもよいことになる。
【００２０】
こうして、欠陥部を囲む堰を形成することにより表示不良を抑制するバンク補修方法において、補修に要する時間をより短縮することができるバンク補修方法として、本発明を案出するに至った。
≪本発明の一態様の概要≫
本発明の一態様にかかるバンク補修方法は、基板と、前記基板上において当該基板の上面に沿った第１方向にそれぞれが長尺で、前記第１方向と交差し前記基板の上面に沿った第２方向に互いに間隔をあけて配された複数の第１バンクと、前記第２方向にそれぞれが長尺で前記第１方向に互いに間隔をあけて配された複数の第２バンクと、前記複数の第１バンクによって区画された前記基板上の空間である複数の凹空間に形成された発光層と、を有する有機ＥＬ表示装置を製造する過程において、前記第１バンクにおける欠陥部を検出し、欠陥部が検出された場合に、前記検出された欠陥部の前記第２方向における両側に隣接する凹空間のそれぞれにおいて、前記欠陥部に近接する第１空間と、前記欠陥部に近接しない第２空間とに仕切る堰部の仮形成位置を設定し、隣り合う前記第１バンクと隣り合う前記第２バンクとで規定される領域をサブピクセル領域として、平面視で、１つの前記サブピクセル領域の面積をＨとし、前記仮形成位置の前記堰部によって仕切られる前記欠陥部に近接する空間部分である仮第１空間と前記サブピクセル領域とが重なる重なり領域の面積をＩとすると、平面視で、前記仮第１空間と前記第２バンクとが重ならない場合に、Ｉ＜α×Ｈ（０．０５＜α＜０．９）の関係を満たす場合には、前記仮形成位置に、第１形成方法により前記堰部を形成することとする。
【００２１】
本発明の一態様に係るバンク補修方法によると、隣り合う凹空間の各々に異なる発光色のインクを塗布して有機機能層を形成するときに、凹空間の中に形成される堰部によってインク層が仕切られるので、欠陥部を介して発光色の異なるインク同士が混ざり合う場合に、インクの混ざり合う混色領域が、欠陥部に近接しない第２空間に広がるのを防ぐことができる。従って、混色領域の広がりを抑制して、有機ＥＬ表示装置における表示不良を抑えることができる。
【００２２】
また、欠陥部の周囲に堰部を形成する方法でバンクを補修するので、欠陥部が異物に起因する場合でも、比較的容易に堰部を形成してバンクを補修することができる。
さらに、Ｉ＜α×Ｈの関係を満たす場合には、仮形成位置に堰部を形成するので、平面視での混色領域の面積をできるだけ小さくすることができ、表示色不良による表示不良を抑制することができる。
【００２３】
なお、ここでいう「堰部」は、表示装置の表示領域全体に形成されるバンク（第１バンク，第２バンク）とは別に、欠陥部の周辺に形成されるものであって、バンクのように表示装置の表示領域全体に形成されるものではない。従って、例えば第１バンクとこれに直交する第２バンクが形成されている場合においては、何れのバンクも「堰部」には該当せず、堰部はこれらのバンクとは別に形成される。
【００２４】
また、第１バンクや第２バンクは一般に、ピクセルあるいはサブピクセル同士を区画する境界位置に形成されるが、「堰部」は、ピクセルやサブピクセルの領域内に形成されることもある。
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、前記第２バンクは、前記第１バンクよりも前記基板の上面からの高さが低く、平面視で、前記仮第１空間と前記第２バンクとが重ならない場合又は、前記仮第１空間の前記第１方向における両端のうちの一方が前記第２バンクと重なる場合であって、α×Ｈ≦Ｉの関係を満たす場合には、前記両側に隣接する凹空間のそれぞれにおいて、前記仮形成位置の前記堰部に代えて、平面視で、前記欠陥部を前記第１方向に挟んで隣り合う前記第２バンク上に、前記欠陥部が存在する前記第１バンクからその隣の前記第１バンクに前記第２方向に沿って亘る形状の一対の堰からなる前記堰部を、前記第１形成方法よりも形成スピードが速い第２形成方法により形成してもよい。
【００２５】
α×Ｈ≦Ｉの関係を満たす場合には、たとえ仮形成位置に精密に堰部を形成したとしても、当該サブピクセル全体が暗点として認識されてしまう。これは即ち、当該サブピクセル全体を混色領域としても結果は同じであるということである。従って、第２バンクが第１バンクよりも基板上面からの高さが低い場合、即ち、ラインバンクの場合においては、欠陥部を挟んで隣り合う第２バンク上に一対の堰を形成することができる。
【００２６】
この場合、第２バンクは絶縁性の材料から構成されているので、第２バンク上は非発光領域であり、第２バンクはある程度の幅があるので、形成する堰の幅（太さ）もそれほど細く無くてもよく、形成位置や形状についてもそれほど精密に制御しなくてもよい。従って、第１形成方法よりも形成スピードが速い第２形成方法により欠陥部を挟んで隣り合う第２バンク上に一対の堰からなる堰部を形成することができ、これにより、第１形成方法により堰部を形成する場合と比較して、堰部の形成に要する時間を短縮することができる。
【００２７】
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、前記堰部は、前記欠陥部を前記第１方向に挟む前記第１バンク上の２点のそれぞれから、前記欠陥部が存在する前記第１バンクの隣の前記第１バンクに亘る形状の一対の堰からなってもよい。
これにより、堰部を容易に形成することができる。
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、平面視で、前記仮形成位置の前記第１方向における両端のうちの一方が、前記第２バンクと重なる場合には、前記両端のうちの前記一方と重なる前記第２バンク上に、前記一対の堰の前記一方を、前記第２形成方法により形成し、Ｉ＜α×Ｈの関係を満たす場合には、前記一対の堰の他方を、当該他方の前記仮形成位置に、前記第１形成方法により形成してもよい。
【００２８】
堰部が一対の堰から成る場合に、一対の何れかの仮形成位置が第２バンクと重なる場合には、当該堰を第２形成方法により形成し、Ｉ＜α×Ｈの関係を満たす場合には、もう一方を、第１形成方法により形成することにより、両方の堰を第１形成方法で形成する場合よりも、堰部の形成に要する時間を短縮することができる。
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、平面視で、前記仮第１空間が、前記第２バンク及び当該第２バンクの前記第１方向における両側のサブピクセル領域にまたがって重なる場合に、前記両側のサブピクセル領域のうち、前記第１方向における一端側の前記サブピクセル領域と前記仮第１空間とが重なる領域の平面視での面積をＩａとし、他端側の前記サブピクセル領域と前記第１空間とが重なる領域の平面視での面積をＩｂとすると、Ｉａ＜α×Ｈの関係を満たす場合には、前記一対の堰のうち前記一端側の堰を、当該一端側の堰の前記仮形成位置に、前記第１形成方法により形成し、α×Ｈ≦Ｉａの関係を満たす場合には、前記仮第１空間と重なる前記第２バンクの前記一端側に隣り合う前記第２バンク上に、前記一対の堰のうちの前記一端側の堰を、前記第２形成方法により形成し、Ｉｂ＜α×Ｈの関係を満たす場合には、前記一対の堰のうち前記他端側の堰を、当該他端側の堰の前記仮形成位置に、前記第１形成方法により形成し、α×Ｈ≦Ｉｂの関係を満たす場合には、前記仮第１空間と重なる前記第２バンクの前記他端側に隣り合う前記第２バンク上に、前記一対の堰のうちの前記他端側の堰を、前記第２形成方法により形成してもよい。
【００２９】
ラインバンクの場合には、仮第１空間が第２バンクをまたいで存在することが有り得る。このとき、見かけ上、仮第１空間の面積がα×Ｈ≦Ｉの関係を満たす場合であっても、仮第１空間がかかっているサブピクセル領域を個別に考えた場合に、Ｉ＜α×Ｈの関係を満たす場合、即ち、仮第１空間のうち第２バンクからはみ出している部分の面積が、α×Ｈよりも小さければ、第１形成方法により一対の堰の一方を形成することにより、当該サブピクセルにおいて混色領域の面積をできるだけ小さくすることができ、表示不良を抑制することができる。
【００３０】
また、仮第１空間がかかっているサブピクセル領域を個別に考えた場合に、α×Ｈ≦Ｉの関係を満たす場合には、当該サブピクセル全体を混色領域としてもよいことになる。即ち、仮第１空間と重ならない方の第２バンク上に第２形成方法により一対の堰の一方を形成することができ、当該一方の堰を第１形成方法で形成する場合と比較して、堰部の形成に要する時間を短縮することができる。
【００３１】
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、前記一対の堰は、それぞれ前記第２方向に沿った形状であってもよい。
これにより、堰部を容易に形成することができる。
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、前記一対の堰は、互いに平行であって、前記第２方向と交差してもよい。
【００３２】
これにより、第１バンク上の欠陥部の位置が偏っている場合であっても、それに対応して堰部を形成することができる。
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、前記一対の堰は、互いに離間しており、前記欠陥部が存在する前記第１バンクから遠ざかるにつれて互いに近接する形状であってもよい。
【００３３】
これにより、欠陥部に近いほど隣の凹空間から異なる発光色のインクが流れこむ勢いが強いため、堰部を広く確保して、流れ込んだインクが堰部を乗り越えてその外側に漏れるのを防ぐことができるとともに、堰部で囲まれた面積をより小さくして、出来るだけ混色領域の面積を小さくすることができる。
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、前記堰部は、前記欠陥部が存在する前記第１バンクにおいて、前記欠陥部を前記第１方向に挟む２点の一方から、前記欠陥部を迂回して他方に亘る形状であってもよい。
【００３４】
これにより、欠陥部を迂回して囲む形状の堰部を形成し、第１空間内に混色したインクを留めて表示不良を抑制することができる。
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、平面視で、前記仮第１空間の前記第１方向における両端の一方が前記第２バンクと重なる場合であって、Ｉ＜α×Ｈの関係を満たす場合には、前記仮形成位置に、前記第１形成方法により前記堰部を形成してもよい。
【００３５】
堰部が欠陥部を迂回して囲む形状であって、仮第１空間の第１方向における両端の一方が第２バンクと重なる場合、仮第１空間とサブピクセル領域とが重なる重なり領域の面積Ｉと、サブピクセル領域の面積Ｈとが、Ｉ＜α×Ｈの関係を満たす場合には、仮形成位置に堰部を形成することにより、混色領域の面積を小さく抑えることができ、当該サブピクセル領域が暗点として認識されるのを防ぐことができる。
【００３６】
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、平面視で、前記仮第１空間が、前記第２バンク及び当該第２バンクの前記第１方向における両側のサブピクセル領域にまたがって重なる場合に、前記両側のサブピクセル領域のうち、前記仮第１空間の前記第１方向における一端側のサブピクセル領域と前記仮第１空間とが重なる領域の平面視での面積をＩａとし、他端側のサブピクセル領域と前記第１空間とが重なる領域の平面視での面積をＩｂとすると、Ｉａ＜α×Ｈ、且つ、Ｉｂ＜α×Ｈの関係を満たす場合には、前記仮形成位置に、前記堰部を、前記第１形成方法により形成し、α×Ｈ≦Ｉａ、且つ、α×Ｈ≦Ｉｂの関係を満たす場合には、前記仮形成位置の前記堰部に代えて、前記またがって重なる前記第２バンクの前記一端側及び前記他端側に隣り合う前記第２バンクそれぞれの上に、前記欠陥部が存在する前記第１バンクからその隣の前記第１バンクに亘る一対の堰を、前記第１形成方法よりも形成スピードが速い第２形成方法により形成してもよい。
【００３７】
堰部が欠陥部を迂回して囲む形状であって、仮第１空間が第２バンク及びその第１方向における両側のサブピクセル領域にまたがって重なる場合に、両側のサブピクセル領域それぞれと仮第１空間とが重なる領域の面積が、両方ともα×Ｈよりも小さい場合には、仮形成位置に第１形成方法により堰部を形成することにより、混色領域の面積を小さく抑えることができる。
【００３８】
両方ともα×Ｈ以上の場合には、そのまま仮形成位置に堰部を形成したとしても、両側のサブピクセル領域ともに暗点として認識されてしまう。そこで、仮形成位置に代えて第２バンク上に、第１形成方法よりも形成スピードの速い第２形成方法により一対の堰を形成することにより、混色領域を上記両側のサブピクセル領域に留めることができるので、実質的に仮形成位置に堰部を形成する場合と同様の表示不良抑制効果が得ることができるのに加えて、第１形成方法で堰部を形成する場合よりも堰部形成に要する時間を短縮することができる。
【００３９】
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、前記サブピクセル領域の前記第１方向の長さをＬとし、前記またがって重なる前記第２バンクの前記一端側の端部と前記仮第１空間の前記一端との間の前記第１方向の距離をｄａとすると、Ｉａ＜α×Ｈ、且つ、α×Ｈ≦Ｉｂの関係を満たす場合に、ｄａ＜α×Ｌの関係を満たす場合には、前記仮形成位置の前記堰部に代えて、一対の堰の一方を、前記仮第１空間の前記一端と重なる位置に、前記第１形成方法により形成し、前記一対の堰の他方を、前記またがって重なる前記第２バンクの前記他端側に隣り合う前記第２バンク上に、前記第２形成方法により形成し、α×Ｌ≦ｄａの関係を満たす場合には、前記仮形成位置に前記堰部を前記第１形成方法により形成してもよい。
【００４０】
堰部が欠陥部を迂回して囲む形状であって、仮第１空間が第２バンク及びその第１方向における両側のサブピクセル領域にまたがって重なる場合に、両側のサブピクセル領域のうち、仮第１空間の第１方向における一端側のサブピクセル領域と仮第１空間とが重なる領域の面積Ｉａがα×Ｈよりも小さく、他端側のサブピクセル領域と仮第１空間とが重なる領域の面積Ｉｂがα×Ｈ以上である場合には、他端側のサブピクセル領域は、暗点として認識されてしまうので、他端側の第２バンク上に第２形成方法により堰を形成することにより、堰形成時間を短縮することができる。
【００４１】
ここで、欠陥部を迂回して囲む形状の堰部の場合、一端側の部分と他端側の部分に分割することができないので、他端側を第２形成方法により第２バンク上に形成する場合、堰部は、欠陥部が存在する第１バンクからその隣の第１バンクへと亘る形状の一対の堰から構成されることになる。
ｄａ＜α×Ｌの関係を満たす場合には、仮第１空間の一端の位置に、一対の堰の一端側を第１形成方法により形成することにより、一端側のサブピクセル領域における混色領域の面積がα×Ｈよりも小さく抑えられるので、暗点として認識されるのを防ぐことができる。
【００４２】
α×Ｌ≦ｄａの関係を満たす場合には、仮第１空間の一端の位置に、一対の堰の一端側を形成すると、一端側のサブピクセル領域における混色領域の面積がα×Ｈ以上となってしまい、当該サブピクセル領域は暗点として認識されてしまう。しかしながら、α×Ｈ未満となる位置に一対の堰の一端側を形成するとした場合、当該位置が欠陥部３から十分なマージンを確保できる位置であるかどうかは不明である。そこで、この場合は、そのまま仮形成位置に迂回堰を第１形成方法により形成することにより、一端側のサブピクセル領域における混色領域の面積がα×Ｈ未満に抑えられ、一端側のサブピクセル領域が暗点として認識されてしまうのを防ぐことができる。
【００４３】
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、前記堰部は、前記２点の一方から他方に亘る途中で、前記隣の前記第１バンクに接していてもよい。
これにより、堰部により囲まれた混色領域の面積をより小さくすることができ、表示不良を抑制することができる。
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、前記堰部は、前記隣の前記第１バンクと離間していてもよい。
【００４４】
これにより、混色領域の面積をさらに小さくすることができ、表示不良を抑制することができる。
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、前記堰部の形成の際に、前記欠陥部が存在する前記第１バンク及びその隣の前記第１バンクのそれぞれにおいて、前記堰部と接する部分に、当該部分の上部から上方に突出する突状部をさらに形成してもよい。
【００４５】
これにより、一対の堰形成後に発光層を形成する際に、インクジェット法により、一対の堰上にインク液滴が着弾した場合に、インク液滴が堰の上面を伝わって隣の凹空間に入り込み混色が生じるのを防ぐことができる。
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、前記第１バンクと前記第２バンクの前記基板の上面からの高さが同じであり、α×Ｈ≦Ｉの関係を満たす場合には、当該サブピクセル領域については、前記堰部を形成しなくてもよい。
【００４６】
第１バンクと第２バンクの基板上面からの高さが同じ場合において、即ち、ピクセルバンクの場合には、第１バンク及び第２バンクによりサブピクセルごとに仕切られている。従って、α×Ｈ≦Ｉの関係を満たす場合には、堰部を形成しなくても、混色インクはサブピクセル内に留められ、拡散が防止される。これにより、堰部を形成する工程を省略してバンクの補修に要する時間を短縮することができる。
【００４７】
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、前記第１形成方法は、ニードルディスペンサを用いて堰部を形成する方法であってもよい。
これにより、正確な位置に、正確な形状で堰部を形成することができる。
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、前記第２形成方法は、ノズルディスペンサを用いて堰部を形成する方法であってもよい。
【００４８】
これにより、ニードルディスペンサよりも短時間で堰部を形成することができる。
本発明の一態様に係るバンク補修方法の特定の局面においては、α＝０．２であってもよい。
一般に、サブピクセル領域の面積の２０％以上が混色領域となる場合に、人間の目には当該サブピクセル領域は暗点と判断される。基準値α＝０．２とすることにより、堰部の形成位置および形成方歩について、より効率よく設定することができる。
【００４９】
本発明の別の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上記何れかのバンク補修方法により前記堰部を形成した後、前記各凹空間に、ノズルヘッドから前記凹空間のそれぞれにインク液滴を吐出することにより前記発光層を形成し、前記発光層を形成する際に、前記第１空間及び前記第２空間のそれぞれに、前記ノズルヘッドから吐出されるインク液滴の着弾点を存在させることとする。
【００５０】
これにより、欠陥部が存在する場合に、混色領域の面積をできるだけ小さく抑えて表示不良を抑制することができるとともに、第１空間と第２空間のそれぞれに発光層を形成するインク液滴が塗布されるため、製造された有機ＥＬ表示装置は、発光層を形成するインクの未濡れに起因する発光不良や電流リークが抑えられ、良好な表示性能が得られる。
本発明の別の一態様に係る有機ＥＬ表示装置は、基板と、前記基板上において当該基板の上面に沿った第１方向に長尺で、前記第１方向に直交し前記基板の上面に沿った第２方向に互いに間隔をあけて配された複数の第１バンクと、前記第２方向に長尺で前記第１方向に互いに間隔をあけて配された複数の第２バンクと、前記複数の第１バンクによって区画された前記基板上の空間である複数の凹空間に形成された発光層と、を有する有機ＥＬ表示装置であって、前記複数の第１バンクのうち少なくとも１つは、異物又は欠損に起因する欠陥部を有し、前記第１バンクにおいて前記欠陥部が存在する部分の前記第２方向における両側に隣接する前記凹空間のそれぞれの中に、前記発光層を、前記欠陥部に近接する部分からなる第１発光層と、前記欠陥部に近接しない部分からなる第２発光層とに仕切る堰部を有することとする。
【００５１】
本発明の別の一態様に係る有機ＥＬ表示装置においては、欠陥部に起因する混色が生じた発光層の部分である第１発光層と正常な発光層の部分である第２発光層とが堰部により仕切られている。言い換えると、混色が生じた発光層の部分である混色領域は、堰部により第１発光層に留められている。これにより、堰部により仕切られていない場合と比較して、混色領域の面積が小さく抑えられ、表示不良が抑制された有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【００５２】
本発明の別の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の特定の局面においては、前記第１発光層の発光色と前記第２発光層の発光色とは、互いに異なり、前記第１発光層の発光色は、前記欠陥部を有する前記第１バンクを挟んで隣り合う前記凹空間における前記第２発光層それぞれの発光色が混色した色であってもよい。
これにより、混色が生じた発光層の部分は、第２発光層の範囲に留められ、混色領域の面積ができるだけ小さく抑えられ、表示不良が抑制された有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【００５３】
本発明の別の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の特定の局面においては、前記第２バンクは、前記第１バンクよりも前記基板の上面からの高さが低く、隣り合う前記第１バンクと隣り合う前記第２バンクとで規定される領域をサブピクセル領域とし、平面視で、１つの前記サブピクセル領域の面積をＨとし、１つの前記サブピクセル領域における前記第１発光層の面積をＩとすると、平面視で、前記第１発光層と前記第２バンクとは、重なっていないか、又は、前記第１発光層の前記第１方向における両端のうちの一方が、前記第２バンクと重なっており、Ｉ＜α×Ｈ（０．０５＜α＜０．９）であって、前記堰部の幅は、第１幅であってもよい。
【００５４】
これにより、ラインバンクの場合に、混色領域の面積ができるだけ小さく抑えられ、表示不良が抑制された有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
本発明の別の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の特定の局面においては、前記第２バンクは、前記第１バンクよりも前記基板の上面からの高さが低く、隣り合う前記第１バンクと隣り合う前記第２バンクとで規定される領域をサブピクセル領域とすると、平面視で、前記第１発光層が、前記第２バンク及び当該第２バンクの前記第１方向における両側のサブピクセル領域にまたがって重なっており、平面視で、１つの前記サブピクセル領域の面積をＨとし、前記両側のサブピクセル領域のうち、前記第１発光層の前記第１方向における一端側のサブピクセル領域と前記第１発光層とが重なる領域の平面視での面積をＩａとし、他端側のサブピクセル領域と前記第１発光層とが重なる領域の平面視での面積をＩｂとすると、Ｉａ＜α×Ｈ、且つ、Ｉｂ＜α×Ｈであって、前記堰部の幅は、第１幅であってもよい。
【００５５】
これにより、ラインバンクの場合に、混色領域の面積ができるだけ小さく抑えられた場合と実質的に同じ程度に表示不良が抑制された有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
本発明の別の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の特定の局面においては、前記堰部は、前記両側に隣接する凹空間のそれぞれにおいて、前記欠陥部を前記第１方向に挟む前記第１バンク上の２点のそれぞれから、前記欠陥部が存在する前記第１バンクの隣の前記第１バンクに亘る形状で、幅が第１幅である一対の第１堰から成ってもよい。
【００５６】
これにより、欠陥部を囲む堰部を容易に形成することができる。
本発明の別の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の特定の局面においては、前記一対の第１堰は、それぞれ前記第２方向に沿った形状であってもよい。
これにより、堰部の形成が容易である。
本発明の別の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の特定の局面においては、前記一対の前記第１堰は、互いに平行であって、前記第２方向と交差してもよい。
【００５７】
これにより、第１バンク上の欠陥部の位置が偏っている場合であっても、それに対応して堰部を形成することができる。
本発明の別の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の特定の局面においては、前記一対の前記第１堰は、互いに離間しており、前記欠陥部が存在する前記第１バンクから遠ざかるにつれて互いに近接する形状であってもよい。
【００５８】
これにより、発光部形成の際に、欠陥部に近いほど隣の凹空間から異なる発光色のインクが流れこむ勢いが強いため、堰部を広く確保して、流れ込んだインクが堰部を乗り越えてその外側に漏れるのを防ぐことができるとともに、堰部で囲まれた面積をより小さくして、出来るだけ混色領域の面積を小さくすることができる。従って、混色領域の面積ができるだけ小さく抑えられ、表示不良が抑制された有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【００５９】
本発明の別の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の特定の局面においては、前記堰部は、前記欠陥部が存在する前記第１バンクにおいて、前記欠陥部を前記第１方向に挟む２点の一方から、前記欠陥部を迂回して他方に亘る形状であってもよい。
これにより、発光層の混色した部分である第１発光層が、欠陥部を迂回して囲む形状の堰部により囲まれた領域内に収められるため、混色領域の面積ができるだけ小さく抑えられ、表示不良が抑制された有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【００６０】
本発明の別の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の特定の局面においては、前記堰部は、前記２点の一方から他方に亘る途中で、前記隣の前記第１バンクに接していてもよい。
これにより、混色領域である第１発光層が、堰部により囲まれた領域内に収められるため、混色領域の面積ができるだけ小さく抑えられ、表示不良が抑制された有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【００６１】
本発明の別の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の特定の局面においては、前記堰部は、前記隣の前記第１バンクと離間していてもよい。
これにより、第１発光層の面積をより小さくすることができ、より効果的に表示不良が抑制された有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
本発明の別の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の特定の局面においては、前記第２バンクは、前記第１バンクよりも前記基板の上面からの高さが低く、隣り合う前記第１バンクと隣り合う前記第２バンクとで規定される領域をサブピクセル領域とすると、平面視で、前記第１発光層が、前記第２バンク及び当該第２バンクの前記第１方向における両側のサブピクセル領域にまたがって重なっており、前記堰部は、幅が第１幅であって、前記欠陥部が存在する前記第１バンクにおいて、前記欠陥部を前記第１方向に挟む２点の一方から、前記欠陥部を迂回して前記２点の他方に亘る形状であり、平面視で、１つの前記サブピクセル領域の面積をＨとし、前記両側のサブピクセル領域のうち、前記第１方向における一端側の前記サブピクセル領域と前記第１発光層とが重なる領域の平面視での面積をＩａとし、前記第１方向における他端側の前記サブピクセル領域と前記第１発光層とが重なる領域の平面視での面積をＩｂとし、前記サブピクセル領域の前記第１方向の長さをＬとし、前記またがって重なる前記第２バンクの前記一端側の端部と前記仮第１空間の前記一端側の端部との間の前記第１方向の距離をｄａとすると、Ｉａ＜α×Ｈ、且つ、α×Ｈ≦Ｉｂ、且つ、α×Ｌ≦ｄａであってもよい。
【００６２】
これにより、一方側のサブピクセル領域の暗転化が防止され、表示不良が抑制された有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
本発明の別の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の特定の局面においては、前記第２バンクは、前記第１バンクよりも前記基板の上面からの高さが低く、隣り合う前記第１バンクと隣り合う前記第２バンクとで規定される領域をサブピクセル領域とすると、平面視で、前記第１発光層が、前記第２バンク及び当該第２バンクの前記第１方向における両側のサブピクセル領域にまたがって重なっており、前記堰部は、一対の堰からなり、前記一対の堰のうちの一方は、前記またがって重なる前記第２バンクの前記両側のうち、前記第１方向における一端側において、前記欠陥部が存在する前記第１バンクからその隣の前記第１バンクに亘る態様で配され、幅が第１幅である第１堰であり、前記一対の堰のうちの他方は、前記またがって重なる前記第２バンクの前記両側のうち、前記第１方向における他端側に隣り合う前記第２バンク上において、前記欠陥部が存在する前記第１バンクからその隣の前記第１バンクに亘る態様で配され、幅が前記第１幅よりも大きい第２幅である第２堰であり、平面視で、１つの前記サブピクセル領域の面積をＨとし、前記一端側のサブピクセル領域と前記第１発光層とが重なる領域の平面視での面積をＩａとすると、Ｉａ＜α×Ｈであってもよい。
【００６３】
第１堰が形成されている一端側のサブピクセル領域の暗点化が防止され、表示不良が抑制された有機ＥＬ表示装置を得ることができる。また、一対の堰の他端側が第２堰であり、当該第２堰は第２バンク上に配されている。第２バンク上は非発光領域であるので、第２堰を形成する際にそれほど精密な制御を必要とせず、形成が容易であり、形成に要する時間を短縮することができる。
【００６４】
本発明の別の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の特定の局面においては、前記第２バンクは、前記第１バンクよりも前記基板の上面からの高さが低く、前記欠陥部は、平面視で前記第２バンクと重ならず、前記堰部は、前記欠陥部を前記第１方向に挟んで隣り合う前記第２バンク上において、前記欠陥部が存在する前記第１バンクからその隣の前記第１バンクに亘る態様で配され、幅が第２幅である一対の第２堰からなってもよい。
【００６５】
これにより、欠陥部のサイズが大きく、欠陥部が存在するサブピクセル領域全体が暗点となってしまう場合に、混色領域である第１発光層の領域を規定する堰部が一対の第２堰からなるため、堰部の形成が容易で、形成に要する時間を短縮することができる。
本発明の別の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の特定の局面においては、前記第２バンクは、前記第１バンクよりも前記基板の上面からの高さが低く、前記欠陥部は、平面視で前記第２バンクと重なり、前記堰部は、前記欠陥部と重なる前記第２バンクの前記第１方向における両隣の前記第２バンク上において、前記欠陥部が存在する前記第１バンクからその隣の前記第１バンクに亘る態様で配され、幅が第２幅である一対の第２堰からなってもよい。
【００６６】
これにより、サイズの大きな欠陥部が第２バンク及びその両側のサブピクセル領域にまたがって存在する場合に、混色領域である第１発光層が一対の第２堰により当該両側のサブピクセル領域内に収められ、表示不良が抑制された有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
さらに、堰部が一対の第２堰からなるため、形成が容易で、形成に要する時間を短縮することができる。
【００６７】
本発明の別の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の特定の局面においては、前記第１バンクにおける前記堰部と接する部分に、当該部分の上部から上方に突出する突状部を有してもよい。
このように突状部を有することにより、発光層形成の際に堰部を伝わってインクが隣の凹空間に流れ込むのが防止される。その結果、混色領域の面積がより確実にできるだけ小さく抑えられ、より確実に表示不良が抑制された有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【００６８】
本発明の別の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の特定の局面においては、前記第１バンク及び前記第２バンクは、前記基板の上面からの高さが同じであり、隣り合う前記第１バンクと隣り合う前記第２バンクとで規定される領域をサブピクセル領域とし、平面視で、前記サブピクセル領域の面積をＨとし、前記第１発光層の面積をＩとすると、Ｉ＜α×Ｈ（０．０５＜α＜０．９）であって、前記堰部の幅は第１幅であってもよい。
【００６９】
これにより、ピクセルバンクの場合において、混色領域の面積ができるだけ小さく抑えられ、表示不良が抑制された有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
本発明の別の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の特定の局面においては、前記第１幅は、５〜２０μｍであってもよい。
これにより、形成位置や形状について精密に制御することができるニードルディスペンサで第１堰を形成することができ、混色領域の面積がより正確にできるだけ小さく抑えられ、より効果的に表示不良が抑制された有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【００７０】
本発明の別の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の特定の局面においては、前記第２幅は、１０〜５０μｍであってもよい。
これにより、ニードルディスペンサよりも形成スピードが速いノズルディスペンサで第２堰を形成することができ、表示不良が抑制されると共に、製造に要する時間が短縮された有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【００７１】
＜実施形態＞
[有機ＥＬ表示装置の全体構成]
図１は、実施形態に係る表示パネル１００を有する有機ＥＬ表示装置１の構成を示す模式ブロック図である。
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、表示パネル１００と、これに接続された駆動制御部１０１とを有している。表示パネル１００は、有機材料の電界発光現象を利用したパネルであり、図２に示すように、複数の発光素子（有機ＥＬ素子）１０が基板上にマトリクス状に配列されている。駆動制御部１０１は、４つの駆動回路１０２〜１０５と制御回路１０６とから構成されている。
【００７２】
なお、表示パネル１００に対する駆動制御部１０１の配置などは、これに限られない。
[有機ＥＬ表示パネルの構成]
図２は、表示パネル１００の表示面側から見た概略構成を模式的に示す平面図である。図３は、表示パネル１００を図２のＡ−Ａ'線で切断した一部拡大断面図である。表示パネル１００は、いわゆるトップエミッション型であって、Ｚ方向側が表示面となっている。
【００７３】
表示パネル１００の構成について、図２，３を参照しながら説明する。
図３に示すように、表示パネル１００は、その主な構成として、下地基板１１、画素電極１２、ホール注入層１３、第１バンク１４、有機発光層１５、電子輸送層１６、共通電極１７、封止層１８を備える。
ホール注入層１３、有機発光層１５、電子輸送層１６が、機能層に相当し、画素電極１２と共通電極１７によって、機能層が挟まれた構造となっている。
【００７４】
そして、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の何れかの発光色に対応する有機発光層１５を有する発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂをサブピクセルとし、図２に示すように、サブピクセルがマトリクス状に配設されている。
なお、図２においては、電子輸送層１６、共通電極１７、封止層１８を取り除いた状態を示している。
【００７５】
[下地基板]
下地基板１１は、基板本体部１１ａ、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）層１１ｂ、層間絶縁層１１ｃを有する。
基板本体部１１ａは、表示パネル１００の基材となる部分であり、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル樹脂、アルミナ等の絶縁性材料のいずれかで形成することができる。
【００７６】
ＴＦＴ層１１ｂは、基板本体部１１ａの表面にサブピクセル毎に設けられており、各々には薄膜トランジスタ素子を含む画素回路が形成されている。
層間絶縁層１１ｃは、ＴＦＴ層１１ｂ上に形成されている。層間絶縁層１１ｃは、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等の有機絶縁材料、ＳｉＯ（酸化シリコン）やＳｉＮ（窒化シリコン）等の無機絶縁材料からなり、ＴＦＴ層１１ｂと画素電極１２との間の電気的絶縁性を確保すると共に、ＴＦＴ層１１ｂの上面に段差が存在してもそれを平坦化して、画素電極１２を形成する下地面への影響を抑える機能を持つ。
【００７７】
[画素電極]
画素電極１２は、下地基板１１上に、サブピクセル毎に個別に設けられた画素電極であり、例えば、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）等の光反射性導電材料からなる。本実施形態において、画素電極１２は、陽極である。
【００７８】
なお、画素電極１２の表面にさらに公知の透明導電膜を設けてもよい。透明導電膜の材料としては、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を用いることができる。透明導電膜は、画素電極１２とホール注入層１３の間に介在し、各層間の接合性を良好にする機能を有する。
[ホール注入層]
ホール注入層１３は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。上記の内、酸化金属からなるホール注入層１３は、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層１５に対しホールを注入および輸送する機能を有する。
【００７９】
[バンク]
ホール注入層１３の表面には、Ｙ方向（第１方向）に沿って伸長する平面視にて短冊状の第１バンク１４が複数本並列に設けられている。この第１バンク１４は、絶縁性の有機材料（例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等）からなる。
【００８０】
各第１バンク１４の断面は、図３に示されるように台形であって、第１バンク１４同士の間には、第１バンク１４によって区画された凹空間２０（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）が形成され、各凹空間２０の底部には、複数の画素電極１２がＹ方向に列設され、その上に機能層としてのホール注入層１３、有機発光層１５、電子輸送層１６が形成されている。
第１バンク１４は、Ｘ方向に隣接する発光素子１０どうしを区画すると共に、有機発光層１５をウェット法で形成するときに、塗布されたインクがあふれ出ないようにする構造物としても機能する。
【００８１】
第２バンク２４は、第１バンク１４よりも高さが低く（図６参照）、各凹空間２０においてＹ方向に隣接する画素電極１２と画素電極１２との間に形成され、Ｙ方向に隣接する発光素子１０どうしを区画している。即ち、表示パネル１００は、所謂ラインバンクを有する有機ＥＬ表示パネルである。
複数の各凹空間２０において、形成されている複数の第２バンク２４のＹ方向の位置は同じである。各第２バンク２４はＸ方向（第２方向）に伸長し、第１バンク１４の下を通り隣の第２バンク２４につながってＸ方向に伸長する短冊状となっている。従って、下地基板１１上において、第１バンク１４と第２バンク２４の全体は格子状に形成されている（図２参照）。
【００８２】
[有機発光層]
有機発光層１５は、キャリア（正孔と電子）が再結合して発光する部位であって、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれかの色に対応する有機材料を含む。
この有機発光層１５は、上記の第１バンク１４によって区画されたＹ方向に伸長する溝状の凹空間（図６の凹空間２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ参照）に形成されている。
【００８３】
なお、図６に示す凹空間２０Ｒは赤色の発光層が形成されて赤色の発光素子１０Ｒが形成される凹空間であり、凹空間２０Ｇ、凹空間２０Ｂは、それぞれ緑色、青色の発光層が形成されて、緑色、青色の発光素子１０Ｇ、１０Ｂが形成される凹空間である。
従って、互いに色の異なる有機発光層１５が、第１バンク１４を挟んで配置されていることになる。
【００８４】
有機発光層１５の材料としては、例えば、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレン、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とIII族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等が挙げられる。
【００８５】
[電子輸送層]
電子輸送層１６は、共通電極１７から注入された電子を有機発光層１５へ輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などで形成されている。
[共通電極]
共通電極１７は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の導電性を有する光透過性材料で形成され全てのサブピクセルに亘って設けられている。
【００８６】
本実施形態において、共通電極１７は陰極である。
[封止層１８]
封止層１８は、ホール注入層１３、有機発光層１５、電子輸送層１６、共通電極１７を水分及び酸素から保護するために設けられている。
なお、図示はしないが、封止層１８の上に、ブラックマトリクス、カラーフィルター等が形成されていてもよい。
【００８７】
[表示パネルの製造方法]
図４は、表示パネル１００の製造過程を示す模式工程図である。
図５は、表示パネル１００の製造工程の一部を模式的に示す断面図である。
表示パネル１００の製造方法について、図４の工程図に基づいて、図３、５を参照しながら説明する。
【００８８】
まず、基板本体部１１ａ上にＴＦＴ層１１ｂを形成する（ステップＳ１）。
続いて、ＴＦＴ層１１ｂの上に、絶縁性に優れる有機材料を用いてフォトレジスト法で層間絶縁層１１ｃを形成して下地基板１１を作製する（ステップＳ２）。層間絶縁層１１ｃの厚みは例えば約４μｍである。なお、図３の断面図および図４の工程図には現れないが、層間絶縁層１１ｃを形成するときに、コンタクトホール２（図２参照）を形成する。
【００８９】
次に、下地基板１１上に、真空蒸着法またはスパッタ法によって、厚み４００［ｎｍ］程度の金属材料からなる画素電極１２を、サブピクセル毎に形成する（ステップＳ３）。
続いて、スパッタ法などで酸化タングステンを、下地基板１１および画素電極１２上に一様に成膜することによって、ホール注入層１３を形成する（ステップＳ４）。
次に、第２バンク２４と第１バンク１４を以下のようにフォトリソグラフィー法で形成する（ステップＳ５）。
【００９０】
まず第２バンク２４を形成するためのバンク材料（例えば、感光性を有するフォトレジスト材料）を、ホール注入層１３上に一様に塗布する。
その後、塗布されたバンク材料層に、第２バンク２４のパターンに合わせた開口を有するフォトマスクを重ねて、ＵＶ照射して露光する。そして未硬化の余分なバンク材料を現像液で除去することによって第２バンク２４を形成する。
【００９１】
次に、第１バンク１４を形成するためのバンク材料（例えば、ネガ型感光性樹脂組成物を）を、第２バンク２４を形成した基板上に一様に塗布する。
そのバンク材料層上に、形成しようとする第１バンク１４のパターンに合わせた開口を有するマスクを重ねて、マスクの上から露光する。その後、余分なバンク材料をアルカリ現像液で洗い出すことによって、バンク材料をパターニングして、第１バンクのパターンを形成する。
【００９２】
図５（ａ）に示すように未焼成の第１バンク１４ａ及び第２バンク２４ａがパターン形成される。そして隣接する第１バンク１４ａ同士の間に、凹空間２０が形成されている。
次に、このパターン形成された未焼成の第１バンク１４ａにおける欠陥部の発生を調べて（ステップＳ６）、欠陥部があればその補修を行う。
このバンク補修については、後で詳しく説明するが、検出した欠陥部の近傍において、第１バンク１４ａの同士の間の凹空間２０に補修材を塗布し乾燥して堰部を形成することによって行う（ステップＳ７）。図５（ｂ）には、第１バンク１４ａ間の凹空間２０に補修材が塗布され、未焼成の第１堰５１ａが形成された状態を示している。
【００９３】
その後、未焼成の第１バンク１４ａ、未焼成の第２バンク２４ａ、未焼成の第１堰５１ａを、同時に加熱焼成することによって、第１バンク１４、第２バンク２４、第１堰５１（堰部５０）が出来上がり、欠陥部３の補修が完了する（ステップＳ８）。この同時焼成は、例えば、未焼成の第１バンク１４ａ、未焼成の第２バンク２４ａ、及び未焼成の第１堰５１ａを、１５０℃〜２１０℃の温度で６０分間加熱することによって行う。
【００９４】
図５（ｃ）は、この焼成によって、第１バンク１４、第２バンク２４が形成されると共に第１堰５１が形成された状態、すなわち、第１バンク１４における欠陥部３が補修された状態を示している。
このように形成された第１バンク１４において、さらに、次の工程で塗布するインクに対する第１バンク１４の接触角を調節する処理を施してもよい。あるいは、第１バンク１４の表面に撥水性を付与するために、所定のアルカリ性溶液や水、有機溶媒等による表面処理や、プラズマ処理等を施してもよい。
【００９５】
続いて、図５（ｄ）に示すように、隣り合う第１バンク１４同士間の凹空間２０に、有機発光層１５を形成するためのインクを塗布する。このインクは、有機発光層１５を構成する有機材料と溶媒を混合したものであって、各凹空間２０内にインクジェット法を用いて塗布する。
そして、塗布されたインク層１５ａに含まれる溶媒を蒸発させて乾燥し、必要に応じて加熱焼成することによって、図５（ｅ）に示すように、各凹空間２０内に有機発光層１５が形成される（ステップＳ９）。
【００９６】
次に、有機発光層１５および第１バンク１４の上に、電子輸送層１６を構成する材料を真空蒸着法で成膜して、電子輸送層１６を形成する（ステップＳ１０）。
そして、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の材料を、スパッタ法等で成膜して、共通電極１７を形成する（ステップＳ１１）。
そして、共通電極１７の表面に、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の光透過性材料をスパッタ法あるいはＣＶＤ法等で成膜して、封止層１８を形成する（ステップＳ１２）。
【００９７】
以上の工程を経て表示パネル１００が完成する。
[バンクの欠陥部を検出し補修する方法]
上記製造方法で説明したように、正確には、未焼成の第１バンク１４ａ、第２バンク２４ａ、未焼成の第１堰５１ａを形成した後、これら未焼成の第１バンク１４ａ、第２バンク２４ａや第１堰５１ａを加熱焼成して硬化させることによって、最終的な第１バンク１４、第２バンク２４や第１堰５１が形成される。しかし、未焼成の第１バンク１４ａ、未焼成の第１堰５１ａは、ある程度固体化して安定なバンク形状、堰形状となっているので、本明細書では、未焼成の第１バンク１４ａや未焼成の第１堰５１ａについても、単に第１バンク１４ａ、第１堰５１ａと記載して説明する。
【００９８】
[欠陥部３]
まず、第１バンク１４ａに存在する欠陥部３について説明する。
この欠陥部３は、第１バンク１４ａに存在する異物、または第１バンク１４ａの一部が欠損した部分である。
異物は、例えば、製造装置に由来する金属片、空気中に存在する塵・埃の類である。そして、塵・埃は、繊維片であることが多い。
【００９９】
図６（ａ）に示す例では、１本の第１バンク１４ａの上に、異物が付着して欠陥部３となっている。図６（ｂ）は、欠陥部３をＹ方向（第１方向）に挟むように一対の第１堰５１からなる堰部５０が形成された状態を示す模式斜視図である。図７（ａ）に示す例では、図６（ａ）に示す例よりも大きな異物が第１バンク１４ａ上に付着して欠陥部３となっている。図７（ｂ）は、欠陥部３をＹ方向（第１方向）に挟むように一対の第１堰５１からなる堰部５０が形成された状態を示す模式斜視図である。このように本実施形態においては、堰部５０は、欠陥部３をＹ方向（第１方向）に挟む一対の第１堰５１からなる。第１堰５１は、欠陥部３が存在する第１バンク１４ａ上の欠陥部３を挟む２点から、それぞれ隣の第１バンク１４ａに亘ってＸ方向（第２方向）に沿って形成されており、欠陥部が存在する第１バンク１４ａの両側の凹空間２０にそれぞれ一対ずつ形成されている。
【０１００】
なお、第１堰５１は、ニードルディスペンサにより形成された堰であり、ニードルディスペンサにより堰を形成する方法を、第１形成方法という。第１堰５１の幅（平面視における太さ）は、第１幅であり、具体的には、例えば、５〜２０μｍである。
第１バンク１４ａ上に異物があると、図５（ｄ）に示すように第１バンク１４を挟んで隣接する凹空間２０にインクを塗布してドーム状に盛ったインク層１５ａが形成されると、インク層１５ａが異物に接触し、インクの一部が隣の凹空間２０に流れ込んで、発光色の異なるインク（例えば赤色インクと緑色インク）が混ざってしまうことがある。
【０１０１】
本実施形態では、堰部５０により混色インクをせき止めて、混色領域が広がるのを防ぐことができる。
なお、欠陥部３は、このように第１バンク１４ａ上に異物が付着している場合に限られない。例えば、図８（ａ）に示す例のように、１本の第１バンク１４ａの中に異物が入り込み、その異物が第１バンク１４の壁面を隣の凹空間２０まで貫通して欠陥部３となっている場合もある。また、図８（ｂ）に示す例では、１本の第１バンク１４ａの下に異物が入り込んで、その異物が隣の凹空間２０まで貫通して欠陥部３となっている。このように、第１バンク１４ａの中や下に異物が存在する場合でも、異物とバンク材料との密着性が悪い場合には、隙間が生じてインクの流通路ができる。異物が繊維片の場合には、インクを吸収するので、異物自体がインクの流通路となる。従って、異物を挟んで隣り合う凹空間に形成されたインク層１５ａの間で混色が生じる原因となる。
【０１０２】
さらには、図８（ｃ）に示す例では、第１バンク１４ａの一部が決壊して欠陥部３となっている。このような第１バンク１４ａにおける決壊は、例えば、バンク材料層に対する露光の工程で、露光が不十分で重合が十分になされなかった箇所が、次の現像工程で洗い流されることによって発生する。このように決壊が生じた場合も、その決壊を介して隣り合う凹空間に形成されたインク層１５ａの間で混色が生じる。
【０１０３】
発光層に混色領域が生じたパネルを用いて表示パネル１００を製造すると、混色領域は、本来の発光色とは異なった発光色で発光する。一般に、異なる発光色の蛍光体が混合された場合、波長の長い蛍光体の発光色が優勢になる。
例えば図１３（ｃ）に示すような赤色インクと緑色インクが混合されて生じた混色領域は、赤色で発光することになる。従って、緑色で発光すべき領域の中で、混色領域となった領域では、赤色で発光することになるので、この混色領域が広がると発光色不良の原因となる。
【０１０４】
以上説明したように、第１バンク１４ａにおいて異物や決壊が生じている箇所は、発光色が異なるインクの混色が生じて、発光色不良の原因となるので、この箇所を欠陥部３としている。
また、波長の長い光は暗く見えるため、有機発光層１５の混色が生じていない部分と比較して、混色が生じている部分は暗く表示されてしまうことになる。
【０１０５】
なお、図８（ａ），（ｂ）のように第１バンク１４ａの下あるいは中に異物が入り込むと、その箇所では、第１バンク１４が上に膨らんでバンクの高さが高くなり、一方、図８（ｃ）のように第１バンク１４ａが決壊した箇所では、第１バンク１４の高さが低くなる。
[欠陥部３の検出と堰部５０の形成]
第１バンク１４ａにおける欠陥部３の検出は、例えば、下地基板１１上に形成した第１バンク１４ａの表面画像を撮影し、その表面画像のパターン検査によって行う。
【０１０６】
図９は、バンク欠陥部の検出と、その補修に用いる補修装置の一例を示す概略構成図である。
この補修装置２００においては、ベース２０１上に、上記の下地基板１１を載置するテーブル２０２と、撮像素子２１１，ノズルディスペンサ２１２，ニードルディスペンサ２１３が取り付けられたヘッド部２１０とを有している。そして、テーブル２０２は、コントローラ２３０のＣＰＵ２３１の指示に基づいてＹ方向に移動でき、ヘッド部２１０は、ＣＰＵ２３１の指示によって、Ｘ方向及びＺ方向に移動できるようになっている。
【０１０７】
従って、ヘッド部２１０に取り付けられているノズルディスペンサ２１２，ニードルディスペンサ２１３は、ＣＰＵ２３１の指示によって、テーブル２０２上に載置された下地基板１１の上方で、下地基板１１に対して、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向に相対移動することができる。
なお、ここでは、下地基板１１上に画素電極１２，ホール注入層１３，第１バンク１４ａ，第２バンク２４ａが形成されたものを、下地基板１１として表す。
【０１０８】
（実施例１）
図１０（ａ）は、本実施形態の実施例１における堰部５０の形成位置を示す模式平面図である。図１０（ｂ）は、実施例１における堰部５０が形成された様子を示す模式平面図である。
図１０（ａ）に示すように、第１バンク１４ａ上に欠陥部３が存在する場合、欠陥部３（ここでは、異物）のＹ方向（第１方向）における両端部の座標位置（Ｙａ，Ｙｂ）を取得する。そして、Ｙａ，Ｙｂに、それぞれマージンａを加えた値Ｔａ，Ｔｂを、堰部５０の仮形成位置として設定する。本実施例では、堰部５０は、一対の第１堰５１から成るので、Ｔａ，Ｔｂは、一対の第１堰５１のそれぞれの仮形成位置となる。ここで、一対の堰の仮形成位置のうち、Ｙ方向上流側（図１０（ａ），（ｃ）において紙面下側）の仮形成位置がＴａであり、Ｙ方向下流側（図１０（ａ），（ｃ）において紙面上側）の仮形成位置がＴｂである。
【０１０９】
そして、仮形成位置の堰部５０と隣り合う第１バンク１４ａとで囲まれる領域である仮第１空間ＴＳＡとサブピクセル領域ＳＰとが平面視で重なる領域である重なり領域ＯＬの平面視での面積Ｉを算出する。実施例１においては、仮第１空間ＴＳＡ全部が１つのサブピクセル領域内に位置している、即ち、仮第１空間ＴＳＡが第２バンク２４ａと平面視で重なっていないため、仮第１空間ＴＳＡと重なり領域ＯＬとは同一であり、面積Ｉは、仮第１空間ＴＳＡの面積と等しい。以下、平面視での面積を、単に「面積」と表す。
【０１１０】
１つのサブピクセル領域内において、混色領域の占める割合が所定の割合以上になると、人間の目には、当該サブピクセル領域全体が暗点として認識されてしまう。本実施形態においては、暗点として認識されてしまう所定の割合をαとする。αは、例えば、０．２（２０％）である。なお、αは０．２に限定されるものではなく、暗点と認識されないレベルあるいは、サブピクセルの輝度が低下しても許容可能なレベルの任意の値としてもよい。より具体的には、例えば、αは、０．０５〜０．９の範囲の任意の値としてもよい。さらに好ましくは、αを０．１〜０．３の範囲の任意の値としてもよい。以下、他の実施例及び変形例においても同様である。
【０１１１】
ここで、混色領域となるのは、堰部５０により仕切られた欠陥部３に近接する領域であり、即ち、仮第１空間ＴＳＡである。実施例１では、混色領域となる仮第１空間ＴＳＡの面積は、サブピクセル領域の面積の所定割合未満である。即ち、Ｉ＜α×Ｈである。従って、仮形成位置Ｔａ，Ｔｂに一対の第１堰５１をそれぞれ形成すれば、混色領域は仮第１空間ＴＳＡ（堰が形成された後は、第１空間ＳＡとなる。）内に留められ、当該サブピクセルが暗点として認識されることはない。
【０１１２】
実施例１においては、一対の第１堰５１は、共に、Ｘ方向に沿った形状であるので、サブピクセル領域ＳＰの面積Ｈに対する仮第１空間ＴＳＡの面積Ｉの割合を算出する際には、サブピクセル領域ＳＰのＹ方向の長さＬに対する一対の第１堰５１間のＹ方向の距離Ｊの比率を算出することにより代用することができる。
ここで、サブピクセル領域における混色領域以外の正常な領域の面積をできるだけ大きく確保すること、即ち、混色領域となる仮第１空間ＴＳＡの面積をできるだけ小さく抑えることが重要である。そのためには、第１堰５１の幅は必要最小とし、正確な形成位置に正確な形状で第１堰５１を形成することが必要である。そこで、実施例１では、一対の第１堰５１をニードルディスペンサで形成する。図１０（ａ）に示す点Ｐ１〜Ｐ４は、ニードルディスペンサによる塗布位置を表す。同図に示すように、欠陥部３を有するバンク１４ａの両側に隣接する凹空間２０の中に、欠陥部３の両端からＹ方向にマージンａ離れた点Ａ１及びＡ２を通ってそれぞれＸ方向に伸長する堰形成ラインに沿って、それぞれ塗布点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４を設定する。
【０１１３】
ここで、マージンａは、点Ａ１と点Ａ２とで欠陥部３の全体が挟み込まれ、且つあまり大き過ぎないように、適度な長さに設定する。
図１０（ｂ）は、下地基板１１において、点Ａ１を通る堰形成ラインに沿った断面を模式的に示す図である。
図１１（ａ）〜（ｇ）は、塗布点Ｐ１，Ｐ２…に、補修材を順次塗布することによって、第１堰５１が形成される様子を模式的に示す図である。
【０１１４】
補修装置２００は、このように設定した塗布点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４において、順次、ニードル２１３ａで補修材を塗布することによって第１堰５１を形成する。ニードルディスペンサ２１３は、その先端部分に補修材を収納するタンク２１３ｂが取り付けられ、タンク２１３ｂを貫通するようにニードル２１３ａが上下に移動することによって、ニードル２１３ａに付着させた補修材をマイクロリットル単位で塗布できるようになっている。
【０１１５】
まず図１１（ａ），（ｂ）に示すように、ニードル２１３ａ、タンク２１３ｂを塗布点Ｐ1に位置させて、ニードル２１３ａを下方に移動してニードル２１３ａに補修材を付着させて、ニードル２１３ａを塗布点Ｐ1に近づけることによって補修材を塗布点Ｐ1に塗布する。
補修材は、塗布されるまでは流動性を有するが、塗布後は山形状が維持され、図１１（ｃ）に示すように、塗布点Ｐ１に補修材の山が形成される。
【０１１６】
続いて、図１１（ｄ）に示すように、ニードル２１３ａをタンク２１３ｂ内に引き上げて、ニードル２１３ａ，タンク２１３ｂを、塗布点Ｐ２に移動させる。そして、図１１（ｅ）に示すように、ニードル２１３ａを下方に移動して、補修材を付着させたニードル２１３ａを塗布点Ｐ２に近づけることによって補修材を塗布点Ｐ２に塗布する。
それによって図１１（ｆ）に示すように、塗布点Ｐ２に形成される補修材の山は、塗布点Ｐ１に形成されている補修材の山と繋がる。
【０１１７】
続いて、図１１（ｇ）に示すように、ニードル２１３ａを引き上げて、塗布点Ｐ３に移動させる。そして、同様にして、塗布点Ｐ３に補修材の山を形成して、塗布点Ｐ２の補修材の山とつなげる。
このようにして、欠陥部３を有する第１バンク１４ａ上の点Ａ１から、隣の第１バンク１４ａに亘る形状で、補修材の山が連なることになる。そして、この塗布された補修材の山を、乾燥させ、必要に応じて露光を行うことによって第１堰５１が形成される。
【０１１８】
また、その後の同時焼成工程において、塗布された補修材が硬化するので、より安定した物性を有する第１堰５１が形成される。
上記の工程を、一対の第１堰５１に対してそれぞれ行うことにより、堰部５０が形成される。
以上の堰部形成工程によって、図６（ｂ）に示すように、欠陥部３を有する第１バンク１４の両側にある凹空間２０の各々に、第１堰５１が対で設けられ、この第１堰５１によって凹空間２０は、欠陥部３に近接する空間部分からなる第１空間ＳＡと、欠陥部３に近接しない空間部分からなる２つの第２空間ＳＢとに仕切られている。そして、欠陥部３は、２つの第１空間ＳＡによって囲まれている。
【０１１９】
以上のように各第１バンク１４の欠陥部３を補修した上で、次のステップＳ９（図４参照）の発光層形成工程を行うことによって、後述するように、インクの混色領域を制限するとともに、第１空間ＳＡ、第２空間ＳＢに、インクが塗布され、有機発光層１５が形成される。
なお、補修材としては、光や熱を加えることによって硬化する樹脂の組成物を用いることができる。
【０１２０】
樹脂としては、例えば、（メタ）アクロイル基、アリル基、ビニル基、ビニルオキシ基などのエチレン性の二重結合を有する硬化性の樹脂が挙げられる。
また、樹脂に対して架橋する架橋剤、例えば、エポキシ化合物、ポリイソシアネート化合物を添加してもよい。
また、この樹脂構造の中に、フッ素が導入されているフッ化ポリマーを用いてもよい。補修材の樹脂にフッ素が導入されることによって、形成される堰部５０に溌インク性を付与することができる。あるいは、樹脂に各種溌インク剤を添加してもよい。撥インク剤の添加量は０．０１〜１０ｗｔ％とする。撥インク剤の添加量をこの範囲にすることで、樹脂組成物の貯蔵安定性が良好で、且つ形成される堰部５０の撥インク性も良好となる。
【０１２１】
なお、補修材として、第１バンク１４ａを形成するバンク材料と同じものを用いてもよい。ただしバンク材料の場合は、アルカリ現像液に可溶の酸成分が含まれているが、堰を形成する補修材には、アルカリ現像液に可溶の酸成分は含有しないことが好ましい。これは、堰を形成するときには現像は行われず、酸成分が堰部５０に残存すると堰部５０の耐溶剤性が低下するためである。
【０１２２】
上記補修材を構成する樹脂の組成物に、必要に応じて、溶剤、光重合開始剤を適宜添加してもよい。
溶剤は、樹脂に対する溶解性を有するもので、沸点が１５０〜２５０℃程度の溶剤を1種類以上用いても良い。
光重合開始剤としては、市販の各種光重合開始剤を用いることができる。
【０１２３】
補修材の塗布時において、補修材の固形分は、例えば２０〜９０ｗｔ％に調整し、粘度は例えば１０〜５０ｃＰ（センチポイズ）に調整する。
光重合開始剤の添加量は、焼成時における露光量に応じて調整するが、例えば全固形分に対して０．１〜５０重量％、好ましくは５重量％〜３０重量％である。
第１堰５１ａの形成は、凹空間２０内において、第１堰５１を形成しようとするライン（堰形成ライン）に沿って設定された複数の位置に、ニードルディスペンサ２１３から補修材を塗布することによって行う。
【０１２４】
（実施例２）
図１２（ａ）は、本実施形態の実施例２に係る表示パネルにおける欠陥部３、仮第１空間ＴＳＡ、及び堰部５０を模式的に示す平面図である。図１２（ｂ）は、実施例２において第２堰５２が形成される様子を模式的に示す断面図である。実施例２に係る堰部５０は、一対の第２堰５２からなる。
【０１２５】
なお、第２堰５２は、ノズルディスペンサにより形成された堰であり、ノズルディスペンサにより堰を形成する方法を、第２形成方法という。第２堰５２の幅（平面視における太さ）は、第１幅よりも大きい第２幅であり、具体的には、例えば、１０〜５０μｍである。
実施例２においては、図１２（ａ）に示すように、欠陥部３（ここでは、異物）のサイズが、実施例１の欠陥部３よりも大きい。実施例２においても、実施例１と同様に、欠陥部３のＹ方向（第１方向）における両端部の座標位置（Ｙａ，Ｙｂ）を取得する。そして、Ｙａ，Ｙｂに、それぞれマージンａを加えた値Ｔａ，Ｔｂを、堰部５０の仮形成位置として設定する。本実施例では、堰部５０は、一対の堰から成るので、Ｔａ，Ｔｂは、一対の堰それぞれの仮形成位置となる。
【０１２６】
そして、仮形成位置の堰部５０と隣り合う第１バンク１４ａとで囲まれる領域である仮第１空間ＴＳＡとサブピクセル領域ＳＰとが重なる領域である重なり領域ＯＬの平面視での面積Ｉを算出する。実施例１においては、仮第１空間ＴＳＡ全部が１つのサブピクセル領域内に位置している、即ち、仮第１空間ＴＳＡが第２バンク２４ａと平面視で重なっていないため、仮第１空間ＴＳＡと重なり領域ＯＬとは同一であり、面積Ｉは、仮第１空間ＴＳＡの面積と等しい。
【０１２７】
ここで、仮形成位置Ｔａ，Ｔｂに一対の堰を形成した場合、仮第１空間ＴＳＡが混色領域となる。実施例２では、混色領域となる重なり領域の面積Ｉ（仮第１空間ＴＳＡの面積と等しい）は、サブピクセル領域の面積Ｈの所定割合以上である、即ち、α×Ｈ≦Ｉである。この場合、仮形成位置Ｔａ，Ｔｂに一対の第１堰５１をニードルディスペンサで形成しても、当該サブピクセル領域全体が暗点として認識されてしまう。それならば、当該サブピクセル領域全体を混色領域としてしまっても結果は同じであるので、欠陥部３をＹ方向に挟んで隣り合う第２バンク２４ａ上にそれぞれ堰を形成すればよい。第２バンク２４ａは、絶縁性の材料で形成されており、第２バンク２４上は非発光領域である。また、第２バンク２４は、ある程度幅が大きい（例えば、２５〜３０μｍ）ので、それほど正確な位置に正確な形状で堰を形成しなくてもよく、形成する堰の幅も、ある程度太くても問題ない。従って、実施例２では、堰の形成方法として、ニードルディスペンサのような精密な制御が可能な方法でなくてもよく、例えば、ノズルディスペンサを用いて形成することができる。ノズルディスペンサは、ニードルディスペンサよりも堰の形成スピードが速いため、堰形成に要する時間を短縮することができる。
【０１２８】
実施例２においても、仮第１空間を規定する一対の堰は、共に、Ｘ方向に沿った形状であるので、サブピクセル領域ＳＰの面積Ｈに対する仮第１空間ＴＳＡの面積Ｉの割合を算出する際には、サブピクセル領域ＳＰのＹ方向の長さＬに対する一対の堰間のＹ方向の距離Ｊの比率を算出することにより代用することができる。
[堰部による混色防止効果]
ここで、堰部５０を形成して第１バンク１４の欠陥部３を補修することによるインクの混色防止効果について説明する。
【０１２９】
図１３（ａ）は、実施例１に係る表示パネルにおいて、欠陥部３を有する第１バンク１４の周囲に堰部５０が形成された後、その第１バンク１４に隣接する一方の凹空間２０に、赤の発光色のインクが塗布されてインク層１５ａ（Ｒ）が、他方の凹空間２０に緑の発光色のインクが塗布されてインク層１５ａ（Ｇ）が形成された状態を示す平面図である。図１３（ｂ）は、実施例２に係る表示パネルにおいて、欠陥部３を有する第１バンク１４の周囲に堰部５０が形成された後、その第１バンク１４に隣接する一方の凹空間２０に、インク層１５ａ（Ｒ）が、他方の凹空間２０にインク層１５ａ（Ｇ）が形成された状態を示す平面図である。図１３（ｃ）は、堰部５０を形成しない比較例において、同様に第１バンク１４を挟んで隣接する凹空間２０にインク層１５ａ（Ｒ）とインク層１５ａ（Ｇ）が形成された状態を示す平面図である。
【０１３０】
図１３（ｃ）に示すように、欠陥部３を有する第１バンク１４の周囲に堰部５０が形成されていないと、赤色インクと緑色インクが、欠陥部３を介して混ざり合ってできる混色領域は、各インク層１５ａ内でＹ方向に広がる。この混色領域は、Ｙ方向に長く伸びて、その長さが１ｃｍ程度になることもある。
表示パネル１００が製造されたときに、この混色領域は、本来の発光色とは異なった発光色で発光する。上記のように、赤色インクと緑色インクが混合された混色領域は、赤色で発光することになる。従って、緑色で発光すべき領域の中で、混色領域となった領域では、赤色で発光することになり、発光色不良の原因となる。また、緑の光と比較して赤の光は波長が長く、暗く見えるため、人間の目には暗点として認識されてしまい、画質を損なうことになる。
【０１３１】
これに対して、実施例１では、欠陥部３を有する第１バンク１４の周囲に一対の第１堰５１からなる堰部５０が形成され、凹空間２０が、一対の第１堰５１に挟まれた欠陥部３に近接する第１空間ＳＡと、一対の第１堰５１の外側にある欠陥部３に近接しない２つの第２空間ＳＢとに仕切られている。
同様に、実施例２では、欠陥部３を有する第１バンク１４の周囲に一対の第２堰５２からなる堰部５０が形成され、凹空間２０が、一対の第２堰５２に挟まれた欠陥部３に近接する第１空間ＳＡと、一対の第１堰５１の外側にある欠陥部３に近接しない２つの第２空間ＳＢとに仕切られている。これにより、以下に説明するように、混色領域が制限される。
【０１３２】
図１４（ａ）は、図１３（ａ）におけるＣ−Ｃ線の断面図であって、堰部５０が形成された凹空間２０にインクが塗布されてインク層１５ａ（Ｇ）が形成されたところを、Ｙ方向に切断した断面を表している。図１４（ｂ）は、図１３（ｂ）におけるＥ−Ｅ線の断面図であって、堰部５０が形成された凹空間２０にインクが塗布されてインク層１５ａ（Ｇ）が形成されたところを、Ｙ方向に切断した断面を表している。
【０１３３】
第１バンク１４間の各凹空間２０に、発光層形成用のインクが塗布されると、図１６（ａ），（ｂ）に示すように、１対の第１堰５１（又は一対の第２堰５２）で挟まれた第１空間ＳＡ及び、１対の第１堰５１（又は一対の第２堰５２）よりも外側にある２つの第２空間ＳＢに、それぞれインク層１５ａ（Ｇ）が形成される。
ここで、図１４（ａ）に示す実施例１の場合のように、赤色インクと緑色インクが、欠陥部３を介して混ざり合って、第１空間ＳＡが混色領域となることはあるが、第１空間ＳＡに形成されたインク層１５ａと、１対の第１堰５１よりも外側の第２空間ＳＢに形成されたインク層１５ａとは、１対の第１堰５１によって隔てられているので、相互に混ざり合わない。
【０１３４】
従って、第１空間ＳＡには混色領域ができることがあっても、その混色領域は第１堰５１を超えて第２空間ＳＢに広がることはない。
図１４（ｂ）に示す、実施例２の場合も同様である。
図１３（ａ），（ｂ）に示すインク層１５ａが乾燥（必要に応じて加熱焼成）を経ると有機発光層１５が形成される。このとき、第１空間ＳＡに存在するインク層１５ａ（混色インクの層）は、混色した発光色の第１発光層１５Ａとなる。そして、第２空間ＳＢに存在するインク層１５ａは、正常な発光色の第２発光層１５Ｂとなる。
【０１３５】
このように実施例１及び実施例２においては、欠陥部３によって生じる混色領域の範囲が、欠陥部３に近接する狭い第１空間ＳＡに制限されるので、混色範囲の広がりを抑制する効果が得られ、表示パネル１００における発光色不良に起因する表示不良及び画質低下を抑制することができる。
なお、実施例１及び実施例２のようにライン状の第１バンク１４で仕切られたが凹空間２０にインクを塗布する場合には、インクの混色が生じると混色範囲が広がって発光色不良による表示不良及び画質低下が目立ちやすいので、特にラインバンクを有する有機ＥＬ表示パネルに対しては、本実施形態の堰部５０を形成するバンク補修方法は、得られる効果が大きい。
【０１３６】
（実施例３）
図１５（ａ）は、本実施形態の実施例３における欠陥部３及び仮第１空間ＴＳＡを模式的に示す平面図である。図１５（ｂ）は、実施例３に係る表示パネルにおいて堰部５０が形成された状態を模式的に示す平面図である。
実施例３では、欠陥部３のサイズは、実施例１と同様に小さいものであり、仮第１空間ＴＳＡとサブピクセル領域ＳＰとが平面視で重なり合う領域である重なり領域ＯＬの面積Ｉは、サブピクセル領域ＳＰの面積Ｈの所定割合α未満である。即ち、Ｉ＜α×Ｈである。従って、実施例１と同様に、仮形成位置Ｔａ，Ｔｂに、ニードルディスペンサを用いて一対の第１堰５１から成る堰部５０を形成してもよい。しかし、ここで、実施例３では、仮第１空間のＹ方向における一端が第２バンク２４ａと平面視で重なっている。即ち、図１５（ａ）に示すように、仮形成位置Ｔｂが第２バンク２４ａ上に位置している。従って、仮形成位置Ｔｂ上に形成する堰は、時間がかかるニードルディスペンサで形成しなくても、形成スピードの速いノズルディスペンサで形成してもよいことになる。
【０１３７】
このように、実施例３では、図１５（ｂ）に示すように、仮第１空間ＴＳＡのＹ方向における端部が第２バンク２４ａと平面視で重なる場合、一対の堰のうち、第２バンク２４ａと重ならない方の堰は、ニードルディスペンサで形成し、第２バンク２４ａと重なる方の堰は、ノズルディスペンサで形成する。これにより、両方の堰をニードルディスペンサで形成する場合と比較して、形成時間を短縮することができる。
【０１３８】
実施例３のバンク補修方法において、堰部５０は、第１堰５１と第２堰５２の対から成り、凹空間２０は、堰部５０により、欠陥部３に近接する第１空間ＳＡと、欠陥部３に近接しない第２空間ＳＢとに仕切られる。これにより、実施例１及び２と同様に、混色領域は、第１空間ＳＡに制限され、第２空間ＳＢには広がらないため、表示不良及び画質低下を抑制することができる。
【０１３９】
なお、実施例３では、第２バンク２４ａと重ならない方の仮形成位置Ｔａと第２バンク２４ａの端部との間の距離はｄであるので、サブピクセル領域の面積Ｈに対する重なり領域ＯＬの面積の割合を算出する際には、サブピクセル領域ＳＰのＹ方向の長さＬに対する距離ｄの割合で代用することができる。
また、実施例３のように、仮第１空間ＴＳＡのＹ方向における両端のうちの一方が平面視で第２バンク２４ａと重なっている場合に、α×Ｈ≦Ｉである場合には、実施例２と同様に、欠陥部をＹ方向に挟んで隣り合う第２バンク上に、ノズルディスペンサで第２堰５２をそれぞれ形成する。
【０１４０】
（実施例４）
図１６（ａ）は、本実施形態の実施例４における欠陥部３及び仮第１空間ＴＳＡを模式的に示す平面図である。図１６（ｂ）は、実施例４に係る表示パネルにおいて堰部５０が形成された状態を模式的に示す平面図である。実施例４においては、仮第１空間ＴＳＡが、平面視で第２バンク２４ａと重なり、且つ、当該第２バンクのＹ方向両側のサブピクセル領域にまたがって重なっている。
【０１４１】
実施例４では、欠陥部３のサイズは、実施例２と同様に大きいものであり、仮第１空間ＴＳＡの面積は、サブピクセル領域の面積Ｈの所定割合α以上である。従って、実施例２と同様に、欠陥部３をＹ方向に挟む第２バンク２４ａ上に、それぞれ第２堰５２をノズルディスペンサで形成してもよいように一見思われる。
しかしながら、実施例４においては、仮第１空間ＴＳＡが平面視で第２バンク２４ａと重なっており、且つ、仮第１空間ＴＳＡのＹ方向における端部が第２バンク２４ａと重なっていない。これは言い換えると、仮第１空間ＴＳＡが第２バンク２４ａをまたいでＹ方向に隣接する２つのサブピクセル領域にまたがって存在していることを意味している。このような場合、仮第１空間ＴＳＡの面積がα×Ｈ以上であっても、前記２つのサブピクセル領域それぞれにおいて、仮第１空間ＴＳＡとサブピクセル領域ＳＰとが平面視で重なる領域である重なり領域ＯＬａ及びＯＬｂの面積Ｉａ及びＩｂが、α×Ｈ以上であるとは限らない。実施例４においては、重なり領域ＯＬｂの面積Ｉｂは、Ｉｂ＜α×Ｈであって、重なり領域ＯＬａの面積Ｉａは、α×Ｈ≦Ｉａである。
【０１４２】
従って、図１６（ｂ）に示すように、実施例４に係るバンク補修方法によると、仮形成位置Ｔｂ側のサブピクセル領域（重なり領域ＯＬｂが存在するサブピクセル領域）においては、仮形成位置Ｔｂにニードルディスペンサにより第１堰５１を形成して、混色領域をできるだけ小さく抑える。そして、仮形成位置Ｔａ側のサブピクセル領域（重なり領域ＯＬａが存在するサブピクセル領域）においては、当該サブピクセル領域全体を混色領域としても差し支えないので、当該サブピクセル領域を規定する２つの第２バンク２４ａのうち仮第１空間ＴＳＡと重ならない方の第２バンク２４ａ上に、ノズルディスペンサで第２堰５２を形成する。
【０１４３】
両方のサブピクセル領域全体を混色領域とすると両方ともが暗点となってしまうが、実施例４のバンク補修方法によると、仮形成位置Ｔｂ側のサブピクセル領域の混色領域の面積をできるだけ小さく抑えて、当該サブピクセル領域が暗点となるのを避けることができるので、より効果的に画質低下を抑制することができる。また、一対の堰の両方をニードルディスペンサで形成する場合と比較すると堰部形成に要する時間を短縮することができる。
【０１４４】
実施例４においては、サブピクセル領域の面積Ｈに対する重なり領域ＯＬａの面積Ｉａの割合の算出において、仮第１空間ＴＳＡと重なる第２バンク２４ａの仮形成位置Ｔａ側の端部Ｇａと仮形成位置Ｔａとの間の距離ｄａを用いることができる。また、サブピクセル領域の面積Ｈに対する重なり領域ＯＬｂの面積Ｉｂの割合の算出において、仮第１空間ＴＳＡと重なる第２バンク２４ａの仮形成位置Ｔｂ側の端部Ｇｂと仮形成位置Ｔｂとの間の距離ｄｂを用いることができる。
【０１４５】
なお、Ｉａ＜α×Ｈ、且つ、Ｉｂ＜α×Ｈの場合には、仮形成位置Ｔａ，Ｔｂにそれぞれニードルディスペンサで第１堰５１を形成する。
α×Ｈ≦Ｉａ、且つ、α×Ｈ≦Ｉｂの場合には、平面視で欠陥部と重なる第２バンク２４ａのＹ方向における両隣の第２バンク２４ａ上に、ノズルディスペンサで第２堰５２をそれぞれ形成する。この場合は、仮第１空間ＴＳＡがまたがっている２つのサブピクセルの両方が混色領域となり、暗点となる。
【０１４６】
[バンク補修方法]
以上説明した実施例１〜４のバンク補修方法を、補修装置２００が実行する具体的な処理内容について、図１７及び図１８を参照しながら、以下に説明する。
図１７は、補修装置２００が欠陥部３を検出し、堰部５０の形成態様（形成位置及び形成方法）を設定する堰部設定処理の処理内容の一例を示すフローチャートである。当該処理は、具体的には、コントローラ２３０のＣＰＵ２３１が行い、設定内容は記憶部２３２に設定記憶される。続いて、図１７の堰部設定処理で設定された内容に基づき、図１８に示す堰部形成処理のフローチャートに従って堰部を形成する。
【０１４７】
（堰部設定処理）
先ずは、図１７の堰部設定処理の内容について説明する。先ず、下地基板１１の上面の画像データ（第１バンク１４ａ、第２バンク２４ａの画像）を撮像素子２１１により取得し、コントローラ２３０の記憶部２３２に記憶する（ステップＳ２０）。そして、ＣＰＵ２３１は、その画像データにおいて、各第１バンク１４ａにおける部分同士を次々に比較して、相違点を検出することにより、欠陥部３を検出する。
【０１４８】
なお、このような欠陥部検出工程において、下地基板１１上に形成された複数の第１バンク１４ａのうち、いくつかの第１バンク１４ａに欠陥部３が検出される可能性もあれば、すべての第１バンク１４ａにおいて欠陥部３がゼロである可能性もある。そして、いずれかの第１バンク１４ａで欠陥部３が検出された場合には、堰部を形成してその補修を行う。
【０１４９】
次に、Ｂ＝１に設定し（ステップＳ２１）、Ｂ番目（Ｂ＝１の場合は、１番目）の第１バンク１４ａについて欠陥部３の有無を調べる（ステップＳ２２）。なお、当該フローチャートにおいて、Ｂは、下地基板１１上に形成されている第１バンク１４ａに付した番号を示す。
そして、Ｂ番目の第１バンク１４ａにおいて欠陥部３が検出された場合（ステップＳ２３でＹＥＳ）、次に、α×Ｈ≦Ｉであるかどうか判定する（ステップＳ２４）。
【０１５０】
α×Ｈ≦Ｉでない場合、即ち、Ｉがα×Ｈ未満である場合（ステップＳ２４でＮＯ）、続いて仮形成位置Ｔａが第２バンク２４ａ上に位置しているか（即ち、Ｔａと第２バンク２４ａとが平面視で重なっているか）どうか判定する（ステップＳ２５）。
仮形成位置Ｔａが第２バンク２４ａ上に位置していない場合（ステップＳ２５でＮＯ）、仮形成位置Ｔａを本形成位置Ｆａ１に設定する（ステップＳ２６）。
【０１５１】
ここで、一対の堰の本形成位置（実際に堰を形成する位置）のうち、Ｙ方向上流側の本形成位置がＦａ、Ｙ方向下流側の本形成位置がＦｂである。そして、本形成位置に、ニードルディスペンサを用いた第１形成方法により第１堰５１を形成する場合は、Ｆａ，Ｆｂの後にそれぞれ数字の１を付加してＦａ１，Ｆｂ１と表し、ノズルディスペンサを用いた第２形成方法により第２堰５２を形成する場合は、Ｆａ，Ｆｂの後にそれぞれ数字の２を付加してＦａ２，Ｆｂ２と表す。
【０１５２】
仮形成位置Ｔａが第２バンク２４ａ上に位置している場合（ステップＳ２５でＹＥＳ）、仮形成位置Ｔａを本形成位置Ｆａ２に設定する（ステップＳ２７）。
続いて、仮形成位置Ｔｂが第２バンク２４ａ上に位置しているかどうか判定する（ステップＳ２８）。
仮形成位置Ｔｂが第２バンク２４ａ上に位置していない場合（ステップＳ２８でＮＯ）、仮形成位置Ｔｂを本形成位置Ｆｂ１に設定する（ステップＳ２９）。
【０１５３】
仮形成位置Ｔｂが第２バンク２４ａ上に位置している場合（ステップＳ２８でＹＥＳ）、仮形成位置Ｔｂを本形成位置Ｆｂ２に設定する（ステップＳ３０）。
そして、Ｂが最終番であるかどうか判定する（ステップＳ３１）。
Ｂが最終番である場合（ステップＳ３１でＹＥＳ）、リターンする。
Ｂが最終番でない場合（ステップＳ３１でＮＯ）、Ｂに１をインクリメントして（ステップＳ３２）、ステップＳ２２に戻って、次の番号の第１バンク１４ａについて欠陥部３の有無を調べる。
【０１５４】
ステップＳ２４で、α×Ｈ≦Ｉである場合、即ち、Ｉがα×Ｈ以上である場合（ステップＳ２４でＹＥＳ）、平面視で仮第１空間ＴＳＡと第２バンク２４ａとが重なる部分があるかどうか（即ち、仮第１空間ＴＳＡの一部が第２バンク２４ａと平面視で重なっているかどうか）判定する（ステップＳ３３）。
仮第１空間ＴＳＡと第２バンク２４ａとが重なる部分が無い場合（ステップＳ３３でＮＯ）、仮形成位置Ｔａ，Ｔｂをキャンセルして、仮形成位置ＴＳＡをＹ方向に挟んで隣り合う第２バンク２４ａ上に、本形成位置Ｆａ２，Ｆｂ２をそれぞれ設定し（ステップＳ３４）、ステップＳ３１に進む。
【０１５５】
ステップＳ３３で、仮第１空間ＴＳＡと第２バンク２４ａとが重なる部分がある場合（ステップＳ３３でＹＥＳ）、仮形成位置Ｔａが第２バンク２４ａ上に位置しているかどうか判定する（ステップＳ３５）。
仮形成位置Ｔａが第２バンク２４ａ上に位置している場合（ステップＳ３５でＹｅｓ）、仮形成位置Ｔａを本形成位置Ｆａ２に設定し（ステップＳ３６）、ステップＳ３１に進む。
【０１５６】
仮形成位置Ｔａが第２バンク２４ａ上に位置していない場合（ステップＳ３５でＮｏ）、次に、仮形成位置Ｔｂが第２バンク２４ａ上に位置しているかそうか判定する（ステップＳ３７）。
仮形成位置Ｔｂが第２バンク２４ａ上に位置している場合（ステップＳ３７でＹｅｓ）、仮形成位置Ｔｂを本形成位置Ｆｂ２に設定するとともに、仮形成位置Ｔａをキャンセルして第２バンク２４ａ上に本形成位置Ｆａ２を設定して（ステップＳ３８）、ステップＳ３１に進む。
【０１５７】
ステップＳ３７で仮形成位置Ｔｂが第２バンク２４ａ上に位置していない場合（ステップＳ３７でＮｏ）は、仮第１空間ＴＳＡが第２バンク２４ａをまたいでＹ方向に隣り合う２つのサブピクセル領域ＳＰと平面視で重なることとなる。そこで、次に、当該２つのサブピクセル領域ＳＰのうちＹ方向上流側のサブピクセル領域ＳＰにおいて仮第１空間ＴＳＡと重なる重なり領域ＯＬａの面積Ｉａが、α×Ｈ≦Ｉａであるかどうかを判定する（ステップＳ３９）。
【０１５８】
α×Ｈ≦Ｉａでない場合（ステップＳ３９でＮｏ）、仮形成位置Ｔａを本形成位置Ｆａ１に設定する（ステップＳ４０）。
α×Ｈ≦Ｉａである場合（ステップＳ３９でＹｅｓ）、仮形成位置Ｔａをキャンセルし、仮第１空間ＴＳＡと重なる第２バンク２４ａのＹ方向上流側に隣り合う第２バンク２４ａ上に本形成位置Ｆａ２を設定する（ステップＳ４１）。
【０１５９】
続いて、仮第１空間ＴＳＡと一部が重なる２つのサブピクセル領域ＳＰのうちＹ方向下流側のサブピクセル領域ＳＰにおいて仮第１空間ＴＳＡと重なる重なり領域ＯＬｂの面積Ｉｂが、α×Ｈ≦Ｉｂであるかどうかを判定する（ステップＳ３９）。
α×Ｈ≦Ｉｂでない場合（ステップＳ４２でＮｏ）、仮形成位置Ｔｂを本形成位置Ｆｂ１に設定して（ステップＳ４３）、ステップＳ３１に進む。
【０１６０】
α×Ｈ≦Ｉｂである場合（ステップＳ４２でＹｅｓ）、仮形成位置Ｔｂをキャンセルし、仮第１空間ＴＳＡと重なる第２バンク２４ａのＹ方向下流側に隣り合う第２バンク２４ａ上に本形成位置Ｆｂ２を設定して（ステップＳ４４）、ステップＳ３１に進む。
そして、ステップＳ３１、ステップＳ３２、ステップＳ２２と進んで、以下、ステップＳ３１でＢが最終番であると判断されるまで（ステップＳ３１でＹｅｓ）、ステップＳ２３からステップＳ４４を繰り返す。
【０１６１】
（堰部形成処理）
堰部設定処理において、堰部の形成位置および形成方法が設定された。続いて、堰部設定処理での設定内容に基づいて、実際に堰部を形成する堰部形成処理について、説明する。
図１８は、堰部形成処理の処理内容の一例を示すフローチャートである。
【０１６２】
先ず、堰部設定処理においてＦａ１，Ｆｂ１に設定されている本形成位置をＦ１グループに、Ｆａ２，Ｆｂ２に設定されている本形成位置をＦ２グループに振り分け、それぞれのグループにおいて本形成位置に順に番号を付ける（ステップＳ５０）。
次に、ｎ＝１に設定する（ステップＳ５１）。
続いて、Ｆ１グループのｎ番目（ｎ＝１の場合は、１番目）の本形成位置に、ニードルディスペンサを用いた第１形成方法により第１堰５１を形成する（ステップＳ５２）。
【０１６３】
そして、ｎがＦ１グループの最終番であるかどうかを判定する（ステップＳ５３）。
ｎがＦ１グループの最終番でない場合（ステップＳ５３でＮｏ）、ｎに１をインクリメントして（ステップＳ５４）、ステップＳ５２に戻る。
ｎがＦ１グループの最終番である場合は（ステップＳ５３でＹｅｓ）、第１形成方法で形成する予定であった堰部は全て第１形成方法により形成済みである。従って、次に、ｎ＝１に設定する（ステップＳ５５）。
【０１６４】
続いて、Ｆ２グループのｎ番目（ｎ＝１の場合は、１番目）の本形成位置に、ノズルディスペンサを用いた第２形成方法により第２堰５２を形成する（ステップＳ５６）。
そして、ｎがＦ２グループの最終番であるかどうかを判定する（ステップＳ５７）。
ｎがＦ２グループの最終番でない場合（ステップＳ５７でＮｏ）、ｎに１をインクリメントして（ステップＳ５８）、ステップＳ５６に戻る。
【０１６５】
ｎがＦ２グループの最終番である場合は（ステップＳ５７でＹｅｓ）、第２形成方法で形成する予定であった堰部は全て第２形成方法により形成済みであるので、堰部形成処理を終了する。
以上説明したように、本実施形態に係るバンク補修方法によれば、インクが塗布された際に、欠陥部３に起因する混色領域が発生した場合であっても、堰部５０により混色領域を第１空間ＳＡ内に留めることができるので、表示不良及び画質低下を抑制することができる。
【０１６６】
ところで、欠陥部３によるインクの混色を防止する方法としては、欠陥部３自体を、同様の補修材で覆って補修することも考えられる。しかし、その方法でインクの混色を確実になくすには、欠陥部３を構成する異物全体を補修材で覆ったり、欠陥部３を構成する決壊を補修材で補修したりといったことが必要となる。そして、ディスペンサなどを使ってこの補修を行うには、ディスペンサの塗布針を細かく位置制御しながら塗布することが必要となる。また、異物が存在する場合は、その異物によって補修材がはじかれてうまく補修できない場合も多くあり、塗布するのに技術的な難しさが伴う。これに対して、本実施形態のように欠陥部３を有するバンク１４の周囲に堰部５０を形成する補修方法によれば、欠陥部３に補修材を直接塗布するのではなく、その周囲を囲むように補修材を塗布するので、異物によって補修材がはじかれることがなく、比較的容易に塗布を行うことができる。
【０１６７】
（堰部５０の高さ、幅について）
堰部５０の高さ（凹空間２０の底面からの高さ）について考察する。
ステップＳ９の有機発光層１５を形成する工程で、堰部５０で仕切られている第１空間ＳＡと第２空間ＳＢに、それぞれインクが塗布されてインク層１５ａが形成される。
そして、上記図１７に示されるように、第１空間ＳＡのインク層１５ａと第２空間ＳＢのインク層１５ａとは、堰部５０によって分離された状態となる。
【０１６８】
ここで、堰部５０の高さが低すぎると、インク層１５ａを分離する機能が損なわれて、第１空間ＳＡのインク層１５ａと、第２空間ＳＢのインク層１５ａとが混合され、その結果、混色領域が第２空間ＳＢまで広がることになる。例えば図１４の例で、堰部５０の高さが低すぎると、第１空間ＳＡに存在する赤が混ざった緑のインク層１５ａが、第２空間ＳＢに存在する緑色のインク層１５ａ（Ｇ）と混ざって、赤と緑の混色領域が第２空間ＳＢに広がることになる。
【０１６９】
従って、堰部５０の高さは、この第１空間ＳＡのインク層１５ａと第２空間ＳＢのインク層１５ａとを分離する機能を十分果たすことができるだけの高さに設定することが好ましい。
一方、堰部５０を高くし過ぎると、その上に形成する電子輸送層１６、共通電極１７などに段切れが生じやすくなる。
【０１７０】
このような考察に基づくと、堰部５０の高さは、第１バンク１４の高さに対して５０％以上、２００％以下とし、第１バンク１４の高さと同程度とすることが好ましい。
堰部５０の幅、すなわち堰形成ラインと直交する方向（Ｙ方向）の幅については、この幅が大きすぎると、表示パネル１００を見たときにその堰部５０自体が目立つ可能性もあるので、５０μｍ以下とすることが好ましい。
【０１７１】
（未濡れについて）
本実施形態に係る堰部５０により、凹空間２０が第１空間ＳＡと第２空間ＳＢとに仕切られる。従って、有機発光層１５を形成する工程において、インクジェット法によりインク液滴を吐出する際に、第１空間ＳＡと第２空間ＳＢの両方に、インク液滴が着弾してインクが塗布されることが重要である。たとえば、第１空間ＳＡにインク液滴が全く着弾せずにインクが塗布されない状態、所謂未濡れが発生した場合、第１空間ＳＡに有機発光層１５が形成されないこととなる。有機発光層１５が形成されないと、その部分が非発光領域となって表示不良となるほか、未濡れ部分は、その周囲の部分と電気抵抗が異なるため、電流リーク等の問題が発生する虞があり、好ましくない。
【０１７２】
＜変形例１＞
実施形態に係る実施例１〜４においては、第１堰５１，第２堰５２共に、Ｘ方向に沿った形状であった。しかし、これに限られない、
図１９（ａ）は、変形例１に係る堰部５０ｂが形成された状態を模式的に示す平面図である。変形例１に係る堰部５０ｂは、一対の第１堰５１ｂにより構成されている。一対の第１堰５１ｂは、互いに平行であって、Ｘ方向と角度を有して交差する態様で形成されている。
【０１７３】
変形例１に係る堰部５０ｂによると、第１バンク１４ａ上において長尺な異物がＹ方向に対して斜めに付着しているような欠陥部の場合、欠陥部の角度に合わせて第１堰５１ｂの角度を調整して、混色領域をより効果的に第１空間内に閉じ込めておくことができる。
なお、第２堰５２についても同様に、Ｘ方向と角度を有して交差する態様で形成してもよいが、その場合は、第２バンク２４からあまりはみ出さない程度の角度とするのがよい。
【０１７４】
＜変形例２＞
図１９（ｂ）は、変形例２に係る堰部５０ｃが形成された状態を模式的に示す平面図である。変形例２に係る堰部５０ｃは、一対の第１堰５１ｃにより構成されている。一対の第１堰５１ｃは、共にＸ方向と角度を有して交差する態様で形成されており、欠陥部３からＸ方向に遠ざかるにつれて互いに近接する形状である。
【０１７５】
インクが塗布された際に、欠陥部を乗り越えて隣の凹空間２０へとインクが浸入する場合、欠陥部の近傍においてインクの浸入する勢いが最も強いことが考えられる。変形例２に係る堰部５０ｃによると、欠陥部３の近傍において、一対の第１堰５１ｃ間のＹ方向の間隔を広く確保して、浸入するインクが第１堰５１ｃの外側へと漏れ出すのを防止するとともに、欠陥部３から遠い部分においては、一対の第１堰５１ｃ間のＹ方向の間隔を狭くして、混色領域となる第１空間ＳＡの平面視での面積をできるだけ小さくすることができる。
【０１７６】
この場合においても、第２堰５２についても同様に、欠陥部が存在する第１バンク１４からＸ方向に遠ざかるにつれて互いに近づく形状としてもよいが、その場合は、第２バンク２４からあまりはみ出さない程度の角度とするのがよい。
＜変形例３＞
図２０（ａ）は、変形例３に係る堰部５０ｄの形状を模式的に示す斜視図であり、（ｂ）は、凹空間２０に堰部５０ｄを形成した後、インク層を形成した状態を模式的に示す平面図である。
【０１７７】
本変形例に係る堰部５０ｄは、図２０（ｂ）に示すように、Ｘ-Ｙ面を平面視するとき、欠陥部３をＹ方向に挟む２点（点Ａ１及び点Ａ２）の一方（点Ａ１）から欠陥部３を迂回して他方（点Ａ２）に亘る形状に形成されている。また、点Ａ１から点Ａ２に到る途中の点Ａ３で、欠陥部３が存在する第１バンク１４の隣の第１バンク１４に接している。
堰部５０ｄの形成方法は、実施形態において図１１（ａ）〜（ｇ）を参照しながら説明した方法と同様であって、点Ａ１から点Ａ３を経由して点Ａ２に到る堰形成ラインに沿って設定した複数の塗布点に、ニードルディスペンサで補修材を順次塗布することによって、堰部５０ｄを形成することができる。
【０１７８】
このようにして欠陥部３を有するバンク１４の両側に隣接する各凹空間２０に形成される堰部５０ｄによって、図２０（ａ），（ｂ）に示すように、各凹空間２０は、欠陥部３に近接する空間部分からなる第１空間ＳＡと、欠陥部３に近接しない空間部分からなる２つの第２空間ＳＢとに仕切られる。そして、欠陥部３は２つの第１空間ＳＡによって囲まれる。
【０１７９】
従って、変形例３の堰部５０ｄによっても、実施形態と同様に、混色範囲を抑制する効果が得られる。
すなわち、図２０（ｂ）に示すように、第１バンク１４同士の間の凹空間２０に、発光層形成用のインクが塗布されるときに、赤色インクと緑色インクが、欠陥部３を介して混ざり合って、混色領域ができても、その混色領域は堰部５０ｄを超えて第２空間ＳＢに広がることがない。そして、欠陥部３によって生じる混色領域の範囲は、欠陥部３に近接する狭い第１空間ＳＡに制限されるので、表示パネル１００における発光色不良を低減できることになる。
【０１８０】
また、欠陥部３の周囲を囲むように補修材を塗布することによって堰部５０ｄを形成するので、補修が容易である点および、表示パネル１００製造後に、堰部５０ｄで仕切られた第１空間ＳＡにおいて非発光や電流リークが生じない点についても、実施形態と同様である。
一方、実施形態の堰部５０と比べると、変形例３の堰部５０ｄにおいては、第１空間ＳＡが占める面積がより小さくなっているので、表示パネル１００における表示不良及び画質低下をさらに抑えることができる。
【０１８１】
ここで、ラインバンクの場合に、堰部５０ｄにより仕切られる欠陥部３に近接する空間である仮第１空間ＴＳＡが平面視で第２バンク２４ａと重ならない場合、仮第１空間ＴＳＡとサブピクセル領域ＳＰとが重なる領域である重なり領域ＯＬの面積Ｉが、サブピクセル領域ＳＰの面積Ｈに対して、Ｉ＜α×Ｈの関係を満たす場合には、図２０（ａ），（ｂ）に示すように、堰部５０ｄを、ニードルディスペンサを用いた第１形成方法により形成すればよい。
【０１８２】
また、仮第１空間ＴＳＡが平面視で第２バンク２４ａと重ならない場合に、α×Ｈ≦Ｉの関係を満たす場合には、欠陥部３をＹ方向に挟んで隣り合う第２バンク２４ａ上に、一対の第２堰５２を、ノズルディスペンサを用いた第２形成方法により形成すればよい。
ところで、図２１（ａ），（ｂ）に示すように、堰部５０ｄの仮第１空間ＴＳＡのＹ方向における両端部Ｅａ，Ｅｂの一方（図２１（ａ），（ｂ）では、Ｅａ）が第２バンク２４ａと重なる場合には、以下のようにすることができる。
【０１８３】
図２１（ａ）に示すように、Ｉ＜α×Ｈの関係を満たす場合には、そのまま仮形成位置に、堰部５０ｄを、ニードルディスペンサを用いた第１形成方法により形成する。
図２１（ｂ）に示すように、α×Ｈ≦Ｉの関係を満たす場合には、仮形成位置の堰部５０ｄに代えて、欠陥部３をＹ方向に挟んで隣り合う第２バンク２４ａ上に、一対の第２堰５２を、ノズルディスペンサを用いた第２形成方法により形成する。
【０１８４】
さらには、堰部５０ｄの仮第１空間ＴＳＡが、第２バンクとそのＹ方向における両側のサブピクセル領域ＳＰにまたがって重なる場合には、以下のようにすることができる。
図２２（ａ）に示す例においては、仮第１空間ＴＳＡとＹ方向上流側のサブピクセル領域ＳＰとが重なる重なり領域ＯＬａの面積Ｉａは、Ｉａ＜α×Ｈである。また、仮第１空間ＴＳＡとＹ方向下流側のサブピクセル領域ＳＰとが重なる領域である重なり領域ＯＬｂの面積Ｉｂは、Ｉｂ＜α×Ｈである。この場合は、そのまま仮形成位置に堰部５０ｄを第１形成方法により形成する。
【０１８５】
図２２（ｂ）に示す例においては、仮第１空間ＴＳＡとＹ方向上流側のサブピクセル領域ＳＰとが重なる重なり領域ＯＬａの面積Ｉａは、Ｉａ＜α×Ｈである。また、仮第１空間ＴＳＡとＹ方向下流側のサブピクセル領域ＳＰとが重なる領域である重なり領域ＯＬｂの面積Ｉｂは、α×Ｈ≦Ｉｂである。
ここで、堰部５０ｄのＹ方向上流側の端部Ｅａと第２バンク２４ａとの間のＹ方向の距離ｄａは、サブピクセル領域ＳＰのＹ方向における長さＬに対して、ｄａ＜α×Ｌである。よって、図２３（ａ）に示すように、端部Ｅａの位置に、第１形成方法により第１堰５１を形成しても、第１空間ＳＡの上流側のサブピクセル領域ＳＰと重なる部分の面積はα×Ｈよりも小さくなるので、上流側のサブピクセルは暗点として認識されない。
【０１８６】
また、下流側のサブピクセルは、堰部５０ｄを形成しても暗点として認識されてしまうので、この場合、図２３（ａ）に示すように、仮第１空間ＴＳＡが平面視で重なる第２バンク２４ａと下流側に隣り合う第２バンク２４ａ上に、第２形成方法により第２堰５２を形成する。これにより、堰部５０ｄを、ニードルディスペンサを用いた第１形成方法により形成する場合と比較して、堰部の形成に要する時間を短縮することができるとともに、堰部５０ｄを形成する場合と実質的に同等の表示不良抑制効果及び画質低下抑制効果を得ることができる。
【０１８７】
さらには、図２３（ｂ）に示す例の場合、Ｙ方向上流側の重なり領域ＯＬａの面積Ｉａは、Ｉａ＜α×Ｈであり、Ｙ方向下流側の重なり領域ＯＬｂの面積Ｉｂは、α×Ｈ≦Ｉｂである。ところが、図２３（ｂ）に示す例では、仮第１空間ＴＳＡのＹ方向上流側の端部Ｅａと第２バンク２４ａとの間のＹ方向の距離ｄａが、α×Ｌ≦ｄａである。従って、端部Ｅａの位置に第１堰５１を形成すると、第１空間ＳＡの下流側のサブピクセル領域ＳＰと重なる部分の面積がα×Ｈ以上となり、上流側のサブピクセルが、暗点として認識されてしまう。だからといって、α×Ｈ未満となる位置に第１堰を形成するとした場合、当該位置が欠陥部３から十分なマージンを確保できる位置であるかどうかは不明である。よってこの場合、そのまま堰部５０ｄの仮形成位置に、堰部５０ｄを、ニードルディスペンサを用いた第１形成方法により形成する。
【０１８８】
なお、この場合には、堰部５０ｄのＹ方向上流側の半分のみ、即ち、点Ａ２から点Ａ３までの部分のみをニードルディスペンサを用いた第１形成方法により形成し、下流側に隣接する第２バンク２４ａ上に、ノズルディスペンサを用いた第２形成方法により第２堰５２を形成してもよい。
本変形例においては、欠陥部３をＸ方向（第２方向）に挟む２つの堰部５０ｄは、同じ点Ａ１から同じ点Ａ２に到っているが、これに限られない。例えば、別々の点から別々の点に到っていてもよい。
【０１８９】
さらには、欠陥部３をＸ方向に挟む２つの堰部５０ｄが隣の第１バンク１４に接する点Ａ３のＹ方向における座標位置が互いに異なっていてもよい。
＜変形例４＞
図２４（ａ）は、変形例４に係る堰部５０ｅの形状を模式的に示す斜視図であり、（ｂ）は、凹空間２０に堰部５０ｅを形成した後、インク層を形成した状態を模式的に示す平面図である。
【０１９０】
本変形例にかかる堰部５０ｅも、変形例３と同様に、図２４（ｂ）に示すように、Ｘ-Ｙ面を平面視するとき、欠陥部３をＹ方向に挟む２点Ａ１，Ａ２の一方から欠陥部３を
迂回して他方に亘って形成されているが、欠陥部３が存在する第１バンク１４の隣の第１バンク１４とは非接触である点が変形例３と異なっている。すなわち、変形例４において、各堰部５０ｅが欠陥部３の中央からＸ方向に離間する最大距離ｂが、凹空間２０の幅（Ｘ方向幅）よりも小さく設定されている。
【０１９１】
この堰部５０ｅの形成方法も、実施形態において図１１（ａ）〜（ｇ）を参照しながら説明した方法と同様であって、点Ａ１から点Ａ２に到る堰形成ラインに沿って設定した複数の塗布点に、ニードルディスペンサで補修材を順次塗布することによって、堰部５０ｅを形成することができる。
このように、欠陥部３を有する第１バンク１４の両側に隣接する各凹空間に堰部５０ｅを形成することによって、図２４（ａ），（ｂ）に示すように、各凹空間２０は、欠陥部３に近接する空間部分からなる第１空間ＳＡと、欠陥部３に近接しない空間部分からなる第２空間ＳＢとに仕切られるので、実施形態と同様に混色範囲を抑える効果を奏する。
【０１９２】
すなわち、図２４（ｂ）に示すように、第１バンク１４間の凹空間２０に、発光層形成用のインクが塗布されるときに、赤色インクと緑色インクが、欠陥部３を介して混ざり合って混色領域ができても、その混色領域は堰部５０ｅを超えないので、第２空間ＳＢに広がらない。
また、欠陥部３の周囲を囲むように補修材を塗布することによって堰部５０ｅを形成するので、補修が容易である点、及び表示パネル１００製造後において、堰部５０ｅで仕切られた第１空間ＳＡにおいて非発光や電流リークが生じない点についても実施形態と同様である。
【０１９３】
一方、変形例４では、変形例３と比べて、堰部５０ｅによって仕切られた第１空間ＳＡの占める面積がさらに小さくなっているので、表示パネル１００における表示不良及び画質低下をさらに抑えることができる。
なお、図２４（ｂ）において、２つの堰部５０ｅは、欠陥部３の中央からＸ方向に離間する最大距離ｂが同じであるが、２つの堰部５０ｅにおいて、この最大距離ｂが互いに異なっていてもよい。
【０１９４】
さらには、欠陥部３をＸ方向（第２方向）に挟む２つの堰部５０ｅは、同じ点Ａ１から同じ点Ａ２に到っているが、これに限られない。例えば、別々の点から別々の点に到っていてもよい。
また、平面視で、堰部５０ｅの仮第１空間ＴＳＡのＹ方向の両端部の一方が第２バンクと重なる場合、及び、仮第１空間ＴＳＡが第２バンクと重なり当該第２バンクのＹ方向両側のサブピクセルＳＰにまたがって重なる場合には、変形例３と同様にしてもよい。なお、本変形例の場合には、欠陥部が存在する第１バンクの隣の第１バンクと堰部５０ｅが接触していないので、堰部５０ｅのＹ方向下流側又は上流側の半分のみを第１形成方法により形成するというオプションは適用不可である。
【０１９５】
＜変形例５＞
図２５（ａ）は、変形例５に係る堰部５０ｆの形状を模式的に示す斜視図であり、図２５（ｂ）は、凹空間２０に堰部５０ｆを形成した後、蛍光体インクを塗布する様子を模式的に示す断面図である。
欠陥部３が存在する第１バンク１４ａを補修する工程で、図２５（ａ）に示すように、欠陥部３が存在する第１バンク１４ａの両側に隣接する各凹空間２０に形成する第１堰５１の形状は、実施形態と同じである。一方、変形例５では、さらに、第１バンク１４ａにおける第１堰５１が接する部分に、当該第１バンク１４ａの上部から上方に突出する突状部７ａを形成する点が異なっている。
【０１９６】
この突状部７ａは、第１堰５１を形成するのに用いた補修材を、ニードルディスペンサで第１バンク１４ａの上に塗布し、乾燥することによって形成することができる。
形成された突状部７ａは、同時焼成工程（図４のステップＳ８）において、第１バンク１４ａ，第２バンク２４ａ，第１堰５１，第２堰５２と共に硬化され、安定な突状部７となる。
【０１９７】
このように突状部７を形成することによって、ステップＳ９の有機発光層１５を形成する工程において、凹空間２０に塗布するインクが、第１バンク１４を超えて、隣りの凹空間２０に入り込むのを抑える効果が得られる。
すなわち、インクを塗布するとき、図２５（ｂ）に矢印で示すように、第１堰５１の真上にインク液滴が着弾すると、着弾したインク液滴が第１堰５１の頂部で弾かれて、第１堰５１の頂部を伝ってＸ方向に流れ、第１バンク１４を超えて、隣りの凹空間２０へと向かう。変形例５の構成によると、第１堰５１の端部に突状部７が存在するので、隣りの凹空間２０に向かうインクは、この突状部７によって進行を妨げられ、インクが隣りの凹空間２０に入り込むのが抑えられる。
【０１９８】
なお、突状部７は、第１バンク１４ａにおける第１堰５１が接する部分に加えて、第２堰５２が接する部分に形成してもよい。
＜変形例６＞
上記実施形態及び変形例１〜５においては、ラインバンクの欠陥部を補修する場合について説明した。しかし、これに限られず、ピクセルバンクの欠陥を補修する場合についても、同様に適用可能である。
【０１９９】
図２６（ａ）〜（ｄ）は、ピクセルバンクを有する表示パネルにおいて、そのピクセルバンクに生じる欠陥部を補修する例を模式的に示す平面図である。
図２６（ａ）〜（ｄ）に示すピクセルバンクは、Ｙ方向に伸長する複数の第１バンク１４に加えて、Ｘ方向に伸長する複数の第２バンク２４を備えている。第１バンク１４と第２バンク２４の下地基板１１の上面からの高さ（Ｚ方向の高さ）は同じである。そして、第１バンク１４及び第２バンク２４で囲まれた矩形領域（サブピクセル領域）に発光素子１０が形成されている。
【０２００】
そして、いずれの場合も、Ｙ方向に伸長する第１バンク１４の中で、欠陥部３が存在する第１バンク１４のＸ方向における両側に隣接する凹空間２０の各々の中に堰部が形成され、その堰部は、凹空間２０を、欠陥部３に近接する第１空間ＳＡと、欠陥部３に近接しない第２空間ＳＢとに仕切っている。なお、ピクセルバンクの場合、凹空間２０を平面視した場合にサブピクセル領域に相当する。
【０２０１】
図２６（ａ）に示す変形例６では、実施形態の実施例１と同様に、欠陥部３が存在する第１バンク１４のＸ方向における両側の各凹空間２０に、点Ａ１及び点Ａ２の各々から、Ｘ方向に隣り合う第１バンク１４に亘る形態で、一対の第１堰５１が形成されている。
この場合も、インクを塗布したときに、欠陥部３に起因して混色が発生しても、混色が広がる範囲は、一対の第１堰５１で挟まれた第１空間ＳＡの範囲に限られるので、発光色不良を抑える効果が得られる。有機発光層１５が形成された際には、第１空間ＳＡの範囲が第１発光層１５Ａ、第２空間ＳＢの範囲が第２発光層１５Ｂとなる。
【０２０２】
また、本変形例の場合においても、第１堰５１と第１バンク１４とが接する部分に変形例５と同様に突状部７ａを設けてもよい。
＜変形例７＞
図２６（ｂ）に示す変形例７では、変形例３と同様に、欠陥部３が存在する第１バンク１４のＸ方向両側の各凹空間２０に、点Ａ１から欠陥部３を迂回して点Ａ２に亘る形態で堰部５０ｄが形成されている。変形例７に係る堰部５０ｄは、図２６（ｂ）に示すように、点Ａ１から点Ａ２に亘る途中の点Ａ３で、第１バンク１４と接している。
【０２０３】
この場合も、インクを塗布したときに、欠陥部３に起因して混色が発生しても、混色が広がる範囲は、堰部５０ｄで囲まれた第１空間ＳＡの範囲に限られるので、発光色不良を抑える効果が得られる。有機発光層１５が形成された際には、第１空間ＳＡの範囲が第１発光層１５Ａ、第２空間ＳＢの範囲が第２発光層１５Ｂとなる。
また図示はしないが、ピクセルバンクに対して、変形例４の堰部５０ｅを適用することも可能である。即ち、堰部が第１バンク１４と接しない形状としてもよい。この場合においても同様に、発光色不良を抑える効果が得られる。
【０２０４】
また、本変形例の場合においても、堰部５０ｄと第１バンク１４とが接する部分に変形例５と同様に突状部７ａを設けてもよい。
＜変形例８＞
図２６（ｃ）に示す変形例８では、第１バンク１４における欠陥部３の位置が、比較的第２バンク２４に近い。そして、欠陥部３が存在する第１バンク１４のＸ方向両側の各凹空間２０に、点Ａ１から欠陥部３を迂回して第２バンク２４に亘る形態で堰部５０ｇが形成されている。
【０２０５】
変形例８の場合においても、インクを塗布したときに欠陥部３に起因して混色が発生しても、混色が広がる範囲は、堰部５０ｇと第１バンク１４及び第２バンク２４とで囲まれた第１空間ＳＡの範囲に限られるので、発光色不良を抑える効果が得られる。有機発光層１５が形成された際には、第１空間ＳＡの範囲が第１発光層１５Ａ、第２空間ＳＢの範囲が第２発光層１５Ｂとなる。
【０２０６】
また、本変形例の場合においても、堰部５０ｇと第１バンク１４とが接する部分に変形例５と同様に突状部７ａを設けてもよい。
＜変形例９＞
図２６（ｄ）に示す変形例９では、欠陥部３の位置が、第１バンク１４と第２バンク２４とが交差する位置であって、欠陥部３は４つの凹空間２０にまたがっている。
【０２０７】
そして、この４つの凹空間２０には、各々に堰部５０ｈが形成されている。
すなわち、２つの堰部５０ｈは、点Ａ１から欠陥部３を迂回して当該第２バンク２４に亘る形態で形成され、残り２つの堰部５０ｈは、点Ａ２から欠陥部３を迂回して当該第２バンク２４に亘る形態で形成されている。
この場合、インクを塗布したときに欠陥部３に起因して４つの凹空間２０の間で混色が生じる可能性があるが、混色が発生しても、混色が広がる範囲は、４つの堰部５０ｈで囲まれた第１空間ＳＡの範囲に限られるので、発光色不良を抑える効果が得られる。有機発光層１５が形成された際には、第１空間ＳＡの範囲が第１発光層１５Ａ、第２空間ＳＢの範囲が第２発光層１５Ｂとなる。
【０２０８】
また、本変形例の場合においても、堰部５０ｈと第１バンク１４とが接する部分に変形例５と同様に突状部７ａを設けてもよい。
＜変形例１０＞
上記実施形態及び各変形例においては、トップエミッション型有機ＥＬパネルを例にバンク補修方法及びバンク形態について説明したが、ボトムエミッション型有機ＥＬパネルにおいてもこれらは適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【０２０９】
本発明は、例えば、家庭用もしくは公共施設、あるいは業務用の各種表示装置、テレビジョン装置、携帯型電子機器用ディスプレイ等に用いられる有機ＥＬ表示装置に利用可能である。
【符号の説明】
【０２１０】
１  有機ＥＬ表示装置
３  欠陥部
７  突状部
１０  有機ＥＬ素子
１１  下地基板
１４，１４ａ  第１バンク
１５  有機発光層
２０  凹空間
２１  ディスペンサ
２４，２４ａ  第２バンク
５０，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄ，５０ｅ，５０ｆ，５０ｇ，５０ｈ  堰部
５１，５１ａ，５１ｂ，５１ｃ  第１堰
５２  第２堰
１００  表示パネル
２００  補修装置
２１２  ノズルディスペンサ
２１３  ニードルディスペンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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