(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
その厚さを貫通して形成された第１の複数のビア（５０）を有する第１の誘電体基板（３４）と、
前記第１の誘電体基板（３４）の上面（４０）に結合された金属化コンタクト層（４８）と、
前記第１の誘電体基板（３４）の厚さを貫通して形成された第１のダイ開口部（５８）内に位置付けされた第１のダイと、
前記第１の誘電体基板（３４）の底面（５４）に形成され、前記金属化コンタクト層（４８）の少なくとも一部分に接触するように前記第１の複数のビア（５０）を貫通して延びる第１の複数の金属化相互接続部（５６）と、
前記第１の誘電体基板（３４）の底面に（５４）結合された上面を有する第２の誘電体基板（６４）であって、その厚さを貫通して形成された第２の複数のビア（８２）を有する、第２の誘電体基板（６４）と、
前記第２の誘電体基板（６４）の底面に形成され、前記第１の複数の金属化相互接続部（５６）および前記第１のダイのコンタクトパッドに接触するように第２の複数のビア（８２）を貫通して延びる第２の複数の金属化相互接続部（５６）と、
前記第１のダイを前記金属化コンタクト層（４８）に電気的に結合する第１の導電性要素（１１４）と、
前記第１の誘電体基板（３４）の厚さを貫通して形成された第２のダイ開口部（５８）内に位置付けされた第２のダイ（７０）と、
前記第２のダイ（７０）を前記金属化コンタクト層（４８）に電気的に結合する第２の導電性要素（１１６）と、を
備え、
前記第２のダイ（７０）が前記第１のダイ（６８）の厚さ（１２２）より大きな厚さ（１２４）を有する、
電子回路パッケージ（３２）。
【請求項２】
前記金属化コンタクト層（４８）が、複数の金属性コンタクトパッド（４９）およびトレースを備える、請求項１記載の電子回路パッケージ（３２）。
【請求項３】
前記第１の導電性要素（１１４）が、前記第１のダイ（６８）を前記金属化コンタクト層（４８）の金属性コンタクトパッド（４９）に電気的に結合する、請求項２記載の電子回路パッケージ（３２）。
【請求項４】
前記第２の導電性要素（１１６）が、前記金属化コンタクト層（４８）に結合された第１の部分（１２０）と、前記第２のダイ（７０）に結合された第２の部分（１２０）とを備え、
前記第１の部分（１２０）は、前記第２の部分（１２０）の厚さより大きな厚さを有する、
請求項１記載の電子回路パッケージ（３２）。
【請求項５】
前記第２のダイが、前記第１のダイの厚さに等しい厚さを有する、請求項１記載の電子回路パッケージ（３２）。
【請求項６】
前記第１の誘電体基板（３４）の厚さが、前記第１のダイ（６８）の厚さ（１２２）に等しい、請求項１記載の電子回路パッケージ（３２）。
【請求項７】
前記金属化コンタクト層（４８）の１対の金属性コンタクトパッド（４９）に結合された構成要素（１０８、１１０）をさらに備える、請求項１記載の電子回路パッケージ（３２）。
【請求項８】
第１の誘電体層（３４）を用意するステップと、
前記第１の誘電体層（３４）の第１の表面（４０）に金属化コンタクト層（４８）を形成するステップと、
前記第１の表面（４０）の反対側の前記第１の誘電体層（３４）の第２の表面（５４）に、第１の複数の金属化ビア（５６）を形成するステップであって、前記第１の複数の金属化ビア（５６）は、前記複数の金属化コンタクト層（４８）の少なくとも一部分に接触するように前記第１の誘電体層（３４）の厚さを貫通して延びる、ステップと、
前記第１の誘電体層（３４）の厚さを貫通して第１の電気部品開口部（５８）を形成するステップと、
前記第２の誘電体層（６４）を、前記第１の誘電体層（３４）の第２の表面（５４）に結合するステップと、
前記第１の電気部品開口部（５８）内に、第１の電気部品を位置付けするステップと、
前記第２の誘電体層（６４）の底面に第２の複数の金属化ビア（９２）を形成するステップであって、前記第２の複数の金属化ビア（９２）は、前記金属化コンタクト層（４８）を前記第１の電気部品に結合するように、前記第２の誘電体層（６４）の厚さを貫通して延びる、ステップと、
前記第１の電気部品と前記金属化コンタクト層（４８）との間に、第１の導電性要素（１１４）を結合するステップと、
前記第１の誘電体層（３４）の厚さを貫通して、第２の電気部品開口部（５８）を形成するステップと、
前記第２の電気部品開口部（５８）内に、第２の電気部品（７０）を位置付けするステップと、
前記第２の電気部品（７０）と前記金属化コンタクト層（４８）との間に、第２の導電性要素（１１６）を結合するステップと、
第１の厚さを有する第１の半田層（１２０）によって、前記金属化コンタクト層（４８）を前記第１の導電性要素（１１６）に結合するステップと、
前記第１の厚さとは異なる第２の厚さを有する第２の半田層（１２０）によって、前記金属化コンタクト層（４８）を前記第２の導電性要素（１１６）に結合するステップと、
を含む、電子回路パッケージを製造する方法。
【請求項９】
前記第１の電気部品を、前記金属化コンタクト層（４８）の金属性コンタクトパッド（４
９）に結合するステップをさらに含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の導電性要素（１１６）の第１の表面を、前記第１の電気部品（７０）に結合するステップと、
前記第１の導電性要素（１１６）の第２の表面を、前記第１の金属性コンタクトパッド（４９）に結合するステップと
をさらに含み、
前記第１の導電性要素（１１６）の第１および第２の表面は同一平面上にない、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
封入剤によって、前記第１の電気部品および前記金属化コンタクト層（４８）を封入するステップをさらに含む、請求項８記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の複数の金属化ビア（５６）の厚さより大きな厚さを有する、前記金属化コンタクト層（４８）を形成するステップをさらに含む、請求項８記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の電気部品（６８）の厚さに等しい厚さを有するように、前記金属化コンタクト層（４８）を形成するステップをさらに含む、請求項８記載の方法。
【請求項１４】
金属化コンタクト層（４８）を形成する前記ステップが、
前記第１の誘電体層（３４）の上面に銅層（４２）を堆積するステップと、
前記銅層上に複数の半田パッド（４６）を形成するステップと、
前記銅層をパターニングしエッチングして、複数の金属性コンタクトパッド（４９）およびトレース（５１）を形成するステップと
を含む、請求項８記載の方法。
【請求項１５】
第１のフレーム上に前記第１の誘電体層（３４）を用意するステップと、
第２のフレーム上に前記第２の誘電体層（６４）を用意するステップと、
接着剤（６２）によって前記第２の誘電体層（６４）をスピンコーティングするステップと、
前記第１の誘電体層（３４）を、前記接着剤（６２）によって前記第２の誘電体層（６４）に結合するステップと
をさらに含む、請求項８記載の方法。
【請求項１６】
第１の誘電体層（３４）に結合された金属化コンタクト層（１９２）であって、前記金属化コンタクト層（１９２）の底面は、前記第１の誘電体層（３４）の上面と同一平面上にある、金属化コンタクト層（１９２）、
前記第１の誘電体層（３４）の底面（５４）に配置され、前記金属化コンタクト層（１９２）と電気的に接続するように前記第１の誘電体層（３４）に形成されたビア（５０）を貫通して延びる、第１の複数の金属相互接続（５６）、
接着剤（６２）によって前記第１の誘電体層（３４）に結合された、第２の誘電体層（６４）、および
前記第２の誘電体層（６４）の底面に配置され、前記第１の複数の金属相互接続（５６）の少なくとも一部分と電気的に接続するように前記第２の誘電体層（６４）内に形成されたビアを貫通して延びる、第２の複数の金属相互接続（９２）
を備えた機能ウェブ組立体（１７８）と、
前記第１の誘電体層（３４）を貫通して形成された第１の開口部（５８）内に位置付けされ、前記接着剤（６２）、および前記第１の複数の金属相互接続（５６）の少なくとも１つの金属相互接続に結合された第１の表面を有する、第１のダイ（１８０）と、
前記金属化コンタクト層（１９２）の第１の部分、および前記第１の表面の反対側の前記第１のダイ（１８０）の第２の表面を電気的に接続する、第１の金属ブリッジ（１９４）と、
を備える電子回路パッケージ（１７０）。
【請求項１７】
前記金属化コンタクト層（１９２）の１対の金属性コンタクトパッドに結合された、能動部品および受動部品の１つをさらに備える、請求項１６記載の電子回路パッケージ（１７０）。
【請求項１８】
前記第１の誘電体層（３４）を貫通して形成された第２の開口部（５８）内に位置付けされた第２のダイであって、前記第１のダイの厚さより大きな厚さを有する第２のダイと、
前記金属化コンタクト層（１９２）の第２の部分を、前記第２のダイに電気的に接続する第２の金属ブリッジと
をさらに備え、
前記第２の金属ブリッジは、Ｌ字状断面を備える、請求項１６記載の電子回路パッケージ（１７０）。
【請求項１９】
前記金属化コンタクト層（１９２）が、
銅層と、
前記銅層の上面の少なくとも一部分上に形成された半田付け可能な被覆と、
前記銅層の底面に形成された金属シード層と
を有する複数の金属性コンタクトパッドを備える、請求項１６記載の電子回路パッケージ（１７０）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、一般に埋め込み型半導体デバイスパッケージまたは電子回路パッケージに関し、より詳細にはプリント回路基板（ＰＣＢ）を組み込んだ従来技術のデバイスと比べて電子回路パッケージの全体の厚さを最小にしながら、電子回路パッケージ内のダイおよび他の電気部品へのＩ／Ｏ接続を形成する電気的相互接続構造体または機能ウェブ組立体を組み込んだ半導体デバイスパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスパッケージがますます小さくなり、より良好な動作性能をもたらすようになるのに従って、パッケージング技術は、それに対応してリード線型パッケージングから、積層型ベースのボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）パッケージングへ、チップスケールパッケージング（ＣＳＰ）へ、次いでフリップチップパッケージへ、そして現在において埋め込まれたダイ／埋め込み型チップビルドアップパッケージングへと進化してきている。半導体チップパッケージング技術における進歩は、より良好な性能、より高度の小型化、およびより高い信頼性を達成するための常に増加する必要性によって推進される。新しいパッケージング技術はさらに、規模の経済をそれによって可能にし一方で小型化の需要に対応する、大規模製造を目的とするバッチ生産の可能性をもたらさなければならない。
【０００３】
既存の製造技法に対する課題は、異なるタイプの個々にパッケージされた半導体ダイまたはパワーデバイスを組み込んだ電子回路パッケージの小型化である。個々にパッケージされたデバイスは一般に多層プリント回路基板（ＰＣＢ）上に搭載され、これにより全体の電子回路パッケージにかなりの厚さが加わる。
【０００４】
したがって、電子回路パッケージの全体の厚さを最小にしながら、相互接続総数および密度が増加された両面Ｉ／Ｏシステムをもたらす、埋め込み型電子回路パッケージを製造する方法の必要性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１４００９３９９９号公報
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態は、電子回路パッケージへの剛性、およびパッケージ内の構成要素の上面および底面へのＩ／Ｏ接続のための電気的ルーティングの層を加えるという２つの目的を果たす機能ウェブ組立体の製造から始まる、埋め込み型半導体デバイスパッケージのビルドアッププロセスを提供することによって上述の欠点を克服する。
【０００７】
本発明の１つの態様によれば、電子回路パッケージは、その厚さを貫通して形成された第１の複数のビアを有する第１の誘電体基板、第１の誘電体基板の上面に結合された金属化コンタクト層、および第１の誘電体基板の厚さを貫通して形成された第１のダイ開口部内に位置付けされた第１のダイを含む。第１の複数の金属化相互接続部は、第１の誘電体基板の底面に形成され、金属化コンタクト層の少なくとも一部分に接触するように第１の複数のビアを貫通して延びる。第２の誘電体基板の上面は、第１の誘電体基板の底面に結合され、第２の誘電体基板は、その厚さを貫通して形成された第２の複数のビアを有する。第２の複数の金属化相互接続部は、第２の誘電体基板の底面に形成され、第１の複数の金属化相互接続部および第１のダイのコンタクトパッドに接触するように第２の複数のビアを貫通して延びる。第１の導電性要素は、第１のダイを金属化コンタクト層に電気的に結合する。
【０００８】
本発明の他の態様によれば、電子回路パッケージを製造する方法は、第１の誘電体層を用意するステップと、第１の誘電体層の第１の表面に金属化コンタクト層を形成するステップと、第１の表面の反対側の第１の誘電体層の第２の表面に、第１の複数の金属化ビアを形成するステップとを含む。第１の複数の金属化ビアは、複数の金属化コンタクト層の少なくとも一部分に接触するように第１の誘電体層の厚さを貫通して延びる。方法はまた、第１の誘電体層の厚さを貫通して第１の電気部品開口部を形成するステップと、第２の誘電体層を、第１の誘電体層の第２の表面に結合するステップと、第１の電気部品開口部内に、第１の電気部品を位置付けするステップとを含む。第２の誘電体層の底面に第２の複数の金属化ビアが形成され、第２の複数の金属化ビアは、金属化コンタクト層を第１の電気部品に結合するように、第２の誘電体層の厚さを貫通して延びる。さらに方法は、第１の電気部品と金属化コンタクト層との間に、第１の導電性要素を結合するステップを含む。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、電子回路パッケージは、第１の誘電体層に結合された金属化コンタクト層を有する機能ウェブ組立体を含み、金属化コンタクト層の底面は、第１の誘電体層の上面と実質的に同一平面上にある。機能ウェブ組立体はまた、第１の誘電体層の底面に配置され、金属化コンタクト層と電気的に接続するように第１の誘電体層に形成されたビアを貫通して延びる、第１の複数の金属相互接続と、接着剤によって第１の誘電体層に結合された、第２の誘電体層と、第２の誘電体層の底面に配置され、第１の複数の金属相互接続の少なくとも一部分と電気的に接続するように第２の誘電体層内に形成されたビアを貫通して延びる、第２の複数の金属相互接続とを含む。第１のダイは、第１の誘電体層を貫通して形成された第１の開口部内に位置付けされ、接着剤、および第１の複数の金属相互接続の少なくとも１つの金属相互接続に結合された第１の表面を有する。第１の金属ブリッジは、金属化コンタクト層の一部分、および第１の表面の反対側の第１のダイの第２の表面を電気的に接続する。
【００１０】
上記その他の利点および特徴は、添付の図面と共に示される本発明の好ましい実施形態についての以下の詳細な説明から、より容易に理解されるであろう。
【００１１】
図面は、本発明を実施するための現在企図される実施形態を示す。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】従来技術の集積回路（ＩＣ）パッケージの概略断面側面図である。
【図２】本発明の一実施形態による製造／ビルドアッププロセスの様々な段階の間の、機能ウェブ構造体を組み込んだ集積回路（ＩＣ）パッケージの概略断面側面図である。
【図３】本発明の一実施形態による製造／ビルドアッププロセスの様々な段階の間の、機能ウェブ構造体を組み込んだ集積回路（ＩＣ）パッケージの概略断面側面図である。
【図４】本発明の一実施形態による製造／ビルドアッププロセスの様々な段階の間の、機能ウェブ構造体を組み込んだ集積回路（ＩＣ）パッケージの概略断面側面図である。
【図５】本発明の一実施形態による製造／ビルドアッププロセスの様々な段階の間の、機能ウェブ構造体を組み込んだ集積回路（ＩＣ）パッケージの概略断面側面図である。
【図６】本発明の一実施形態による製造／ビルドアッププロセスの様々な段階の間の、機能ウェブ構造体を組み込んだ集積回路（ＩＣ）パッケージの概略断面側面図である。
【図７】本発明の一実施形態による製造／ビルドアッププロセスの様々な段階の間の、機能ウェブ構造体を組み込んだ集積回路（ＩＣ）パッケージの概略断面側面図である。
【図８】本発明の一実施形態による製造／ビルドアッププロセスの様々な段階の間の、機能ウェブ構造体を組み込んだ集積回路（ＩＣ）パッケージの概略断面側面図である。
【図９】本発明の一実施形態による製造／ビルドアッププロセスの様々な段階の間の、機能ウェブ構造体を組み込んだ集積回路（ＩＣ）パッケージの概略断面側面図である。
【図１０】本発明の一実施形態による製造／ビルドアッププロセスの様々な段階の間の、機能ウェブ構造体を組み込んだ集積回路（ＩＣ）パッケージの概略断面側面図である。
【図１１】本発明の一実施形態による製造／ビルドアッププロセスの様々な段階の間の、機能ウェブ構造体を組み込んだ集積回路（ＩＣ）パッケージの概略断面側面図である。
【図１２】本発明の一実施形態による製造／ビルドアッププロセスの様々な段階の間の、機能ウェブ構造体を組み込んだ集積回路（ＩＣ）パッケージの概略断面側面図である。
【図１３】本発明の一実施形態による製造／ビルドアッププロセスの様々な段階の間の、機能ウェブ構造体を組み込んだ集積回路（ＩＣ）パッケージの概略断面側面図である。
【図１４】本発明の一実施形態による製造／ビルドアッププロセスの様々な段階の間の、機能ウェブ構造体を組み込んだ集積回路（ＩＣ）パッケージの概略断面側面図である。
【図１５】本発明の一実施形態による製造／ビルドアッププロセスの様々な段階の間の、機能ウェブ構造体を組み込んだ集積回路（ＩＣ）パッケージの概略断面側面図である。
【図１６】本発明の一実施形態による製造／ビルドアッププロセスの様々な段階の間の、機能ウェブ構造体を組み込んだ集積回路（ＩＣ）パッケージの概略断面側面図である。
【図１７】本発明の一実施形態による製造／ビルドアッププロセスの様々な段階の間の、機能ウェブ構造体を組み込んだ集積回路（ＩＣ）パッケージの概略断面側面図である。
【図１８】本発明の一実施形態による図２〜１７の製造／ビルドアッププロセスの任意選択のステップの間の、機能ウェブ構造体を組み込んだＩＣパッケージの概略断面側面図である。
【図１９−２０】それぞれ、図２〜１６の製造／ビルドアッププロセスにより製造されるＩＣパッケージの概略底面および上面図である。
【図２１】本発明の代替実施形態による、機能ウェブ構造体を組み込んだＩＣパッケージの概略断面側面図である。
【図２２】本発明の他の実施形態による製造／ビルドアッププロセスの様々な段階の間の、機能ウェブ構造体を組み込んだ集積回路（ＩＣ）パッケージの概略断面側面図である。
【図２３】本発明の他の実施形態による製造／ビルドアッププロセスの様々な段階の間の、機能ウェブ構造体を組み込んだ集積回路（ＩＣ）パッケージの概略断面側面図である。
【図２４】本発明の他の実施形態による製造／ビルドアッププロセスの様々な段階の間の、機能ウェブ構造体を組み込んだ集積回路（ＩＣ）パッケージの概略断面側面図である。
【図２５】本発明の他の実施形態による製造／ビルドアッププロセスの様々な段階の間の、機能ウェブ構造体を組み込んだ集積回路（ＩＣ）パッケージの概略断面側面図である。
【図２６】本発明の他の実施形態による製造／ビルドアッププロセスの様々な段階の間の、機能ウェブ構造体を組み込んだ集積回路（ＩＣ）パッケージの概略断面側面図である。
【図２７】本発明の他の実施形態による製造／ビルドアッププロセスの様々な段階の間の、機能ウェブ構造体を組み込んだ集積回路（ＩＣ）パッケージの概略断面側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の実施形態は、埋め込み型ダイモジュールまたは電子回路パッケージを形成する方法をもたらす。電子回路パッケージは、埋め込み型ダイパッケージに剛性を加え、電気的ルーティングの追加の層をもたらす機能ウェブ組立体を含むように製造される。以下で詳しく述べられるように機能ウェブ組立体の実施形態は、両面上の金属化電気的接続または相互接続部、およびそれらを貫通して位置付けされた金属化ビア相互接続部を有する誘電体層を含む。ダイ開口部は機能ウェブ組立体内に形成され、誘電体層に対してチップまたは電気部品を配置することを可能にする。
【００１４】
本発明の実施形態は、電子回路パッケージ内にルーティング層を形成する複数のパターニングされた機能ウェブ層内に埋め込まれた、１つまたは複数のダイ（すなわちチップ）を含む電子回路パッケージのビルドアップを対象とする。図２〜２７の実施形態では電子回路パッケージに埋め込まれたダイが特にダイとして以下で参照されるが、他の電気部品も、埋め込み型ダイモジュールにおいてダイに対して置き換えられ、したがって本発明の実施形態は、電子回路パッケージにチップ／ダイを埋め込むことのみに限定されない。すなわち以下で述べられる電子回路パッケージ実施形態におけるダイ／チップの使用はまた、電子回路パッケージ内に設けることができる抵抗器、コンデンサ、インダクタ、フィルタ、または他の同様なデバイスなどの他の電気部品を包含することが理解されるべきである。
【００１５】
従来技術の電子回路パッケージ１０の一般的な構造は図１に示される。ＩＣパッケージ１０のための標準の製造プロセスは通常、およそ３２ミルから６４ミルの厚さ１４を有する多層プリント回路基板（ＰＣＢ）１２から始まる。様々な個別部品１６、１８、例えばダイパッケージまたはパッケージされたコントローラ、ならびにインダクタ２２および受動部品２４などの他の電気部品は、例えばボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）の形での半田ボールなどの金属化接続２８を用いて、ＰＣＢ１２の電気的コンタクト２６に電気的に結合され得る。個別部品１６、１８のそれぞれは、それらの活性面に形成されたコンタクトパッド２１、３１を有するそれぞれのダイ２０、３０を含む。ダイ２０、３０は、搭載プラットフォーム２９、３９上に設けられ、封入剤またはオーバモールドコンパウンド２５、３５内に包み込まれる。ワイヤボンド２７、３７は、それぞれのダイ２０、３０の活性面と、個別部品１６、１８の下側面に設けられたまたはそれらに結合された金属化入力／出力（Ｉ／Ｏ）との間に直接の金属接続を形成する。個別部品１６の場合はワイヤボンド２７は、ダイ２０のコンタクトパッド２１と、個別部品１６の底面に設けられたＩ／Ｏパッド２３との間の電気的接続を形成する。ワイヤボンド３７はコンタクトパッド３１をＩ／Ｏリード３３に電気的に結合する。例えばダイ３０がダイオードである場合は、ワイヤボンド３７はダイ３０の第１の表面上のアノードに接続することができ、ダイの第２の表面はリードフレームに半田付けされ得る。Ｉ／Ｏパッド２３およびＩ／Ｏリード３３は、金属化接続２８によってＰＣＢ１２の電気的コンタクト２６に結合される。このような従来技術のＩＣパッケージの全体の厚さ１５は、５００μｍ〜２０００μｍの範囲またはそれより大きくなり得る。
【００１６】
次に図２〜１７を参照して本発明の一実施形態による、電子回路パッケージ３２を製造するための技法が説明される。ビルドアッププロセスの視覚化を容易にするために、図２〜１７のそれぞれでは単一の電子回路パッケージビルドアッププロセスの断面が示されるが、当業者にはパネルレベルにおいて同様なやり方で複数の電子回路パッケージが製造され、次いで必要に応じて個々の電子回路パッケージ部品に個片化され得ることが理解されよう。また電子回路パッケージのそれぞれは、単一のダイまたは複数のダイ／チップ／受動部品を含むことができる。
【００１７】
埋め込み型ダイモジュール３２の製作は、図２に示されるように、任意選択のフレーム３６（斜線で示される）に結合された上側誘電体層３４、または絶縁フィルムから始まる。一実施形態では上側誘電体層３４は、Ｋａｐｔｏｎ（登録商標）ラミネートフレックスであるが、Ｕｌｔｅｍ（登録商標）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、または液晶ポリマーもしくはポリイミド基板などの他のポリマーフィルムなどの他の適切な材料も使用することができる。一実施形態では上側誘電体層３４は、およそ１０μｍ〜５０μｍの厚さを有する。上側誘電体層３４の上面４０には金属シード層３８（図３）が形成され、例えば銅などの金属層４２が金属シード層３８に付着される。一実施形態では金属シード層３８はチタン銅を備え、スパッタ技法を用いて形成され、金属層４２は電気メッキプロセスを用いて付着される。他の実施形態では金属層４２は、シード金属なしに上側誘電体層３４の上面４０に直接付着される。他の実施形態では上側誘電体層３４は、フレーム３６に取り付ける前に銅を被覆することができ、銅は電着または積層することができる。金属層４２の厚さは以下でより詳しく述べられるように、例えばダイ厚さなどの設計要件に応じて選択することができる。金属層４２は、例示的実施形態ではおよそ４μｍ〜１５０μｍの厚さを有する。金属層４２の上面４４には、任意選択のチタン層（図示せず）を付着することができる。
【００１８】
図４を参照すると本発明の一実施形態では次いで、金属層４２の上面４４が金属性被覆または半田付け可能な被覆４６でメッキされ、次いでパターニングされて、製作プロセスの後のステップにおける受動部品の半田取り付けのための半田パッドを形成する。金属性被覆４６は、半田接着を容易にし、金属層４２の上面４４全体に沿って半田が流れるのを防止するのに役立つ、１つの非限定的な例としてニッケル金などの半田付け可能な金属を備える。しかし金属性被覆４６は、受動部品が設計に含まれないもしくは受動部品の半田取り付けのために金属性被覆が必要でない、または導電性接着剤などの他の方法が用いられる代替実施形態では、省略され得ることが企図される。次いで金属層４２はパターニングされる。金属性被覆４６を組み込んだ実施形態では、被覆４６はエッチングマスクとして用いることができる。次に金属層４２および金属シード層３８はエッチングされて、上側誘電体層３４の上面４４に金属化コンタクト層４８を形成する。代替実施形態では、金属化コンタクト層４８を形成するためにセミアディティブメッキプロセスを用いることができる。
【００１９】
図５に示されるように、金属化コンタクト層４８のいくつかの部分は金属性被覆４６を含むことでき、その他は含まなくてもよい。金属性被覆４６を含む金属化コンタクト層４８の部分は、半田を用いてそれに電子部品を取り付けることができる金属性コンタクトパッド４９として機能する。金属性被覆４６を含まない金属化コンタクト層４８の部分は、図１９にさらに詳しく示されるように、電子回路パッケージ内に設けられた様々な構成要素を電気的に接続するための電気的トレース５１として機能する。したがって金属化コンタクト層４８は、金属性コンタクトパッド４９およびトレース５１の組み合わせを有して形成される。金属化コンタクト層４８のコンタクトパッド４９およびトレース５１の例示的配置は、図１９にさらに詳しく示される。
【００２０】
図６に示されるように、パターニングされた銅層４２に対応する場所において、上側誘電体層３４を貫通していくつかのビア５０が形成される。ビア５０は、例えばＵＶレーザ穿孔またはエッチングによって形成することができる。代替としてまたビア５０は、プラズマエッチング、フォトデフィニション、ＣＯ２およびエキシマなどの他のレーザ技法、または機械的穿孔プロセスを含む他の方法によって形成され得ることが理解される。一実施形態では図６に示されるようにビア５０は、角度のある側面を有して形成され、これは後の充填および金属堆積を容易にする。次いで図７に示されるように、例えば銅などの金属層５２が、誘電体３４の底面５４に形成される。一実施形態では銅層５２の堆積の前に、誘電体３４の底面５４に、かつビア５０を通して、任意選択のチタン銅シード層（図示せず）がスパッタメッキされる。金属層５２をパターニングした後に図８に示されるように、金属層５２およびチタン銅シード層（使用される場合）はエッチングされて、上側誘電体層３４の底面５４に、ビア５０を貫通して延びる、金属化ビアまたは金属相互接続５６の上層を形成する。代替として金属相互接続５６のパターンは、セミアディティブメッキプロセスを用いて生成することができる。このようにして金属化ビア５６の上層は、上側誘電体層３４の底面５４と、上側誘電体層３４の上面４０上の金属化コンタクト層４８との間の電気的接続を形成する。
【００２１】
次に図９に示されるように１つまたは複数のダイ開口部５８が、上側誘電体層３４を貫通して形成される。ダイ開口部５８は、対応するダイよりわずかに大きくなるようにサイズ設定される。１つの非限定的な例ではダイ開口部５８は、対応するダイよりおよそ１０μｍ大きくなるようにサイズ設定される。一実施形態ではダイ開口部５８は、ダイ開口部５８の側壁５９の角度を制御するために用いることができる、レーザを用いて形成される。図９はダイ開口部５８が、ダイ開口部５８内へのダイの配置を容易にするように角度のある側壁５９を有して形成される一実施形態を示す。代替としてダイ開口部５８は、真っ直ぐまたは垂直な側壁を有して形成され得る。
【００２２】
結果としての第１のレベルの機能ウェブ組立体６０は、金属化コンタクト層４８、およびその上に形成された金属化ビア５６の上層を有する上側誘電体層３４を含む。金属化コンタクト部４８および／または金属化ビア５６の上層の厚さは、設計仕様に基づいて変えられることが企図される。例えば金属化コンタクト層４８および金属化ビア５６の上層の一方または両方は、大電流用途を扱うように増加された厚さを用いて設計され得る。
【００２３】
機能ウェブ組立体６０の相互接続部密度およびルーティング能力を増加させるために、ダイ構成要素を機能ウェブ組立体６０に取り付ける前に、追加の金属相互接続層を第１のレベルの機能ウェブ組立体６０に追加することができる。例えば製造プロセスの次のステップにおいて、上側誘電体層３４の底面５４、および金属化ビア５６の上層に接着剤層６２を付着することができる。一実施形態によれば接着剤層６２は、図１０に示される任意選択の大きめのサイズのフレーム６６に結合された下側誘電体層６４上に最初に付着される。様々な実施形態によれば接着剤層６２は、非限定的な例としてスピンコーティングまたはスロットダイコーティングなどのコーティング技法を用いて付着することができ、またはインクジェット印刷タイプの装置の技法の形でのプログラマブル分注ツールによって付着することができる。接着剤層６２が上側誘電体層３４上に付着された後に、上側誘電体層３４を下側誘電体層６４に結合するように積層技法が実行される。
【００２４】
図１１を参照すると１つまたは複数のダイ６８、７０、７２は、上側誘電体層３４内に形成されたダイ開口部５８内に配置される。ダイ６８、７０、７２は、図１１に示されるように様々な厚さとすることができ、または代替実施形態では同じ厚さとすることができる。１つの非限定的な実施形態では、およそ５０μｍの厚さを有する薄くされたダイを、ダイ開口部５８内に配置することができる。図示のようにダイ６８、７０、７２は、コンタクトパッド８０を備えた活性面７４、７６、７８が接着剤層６２内に位置付けされるように位置付けされる。図に示された実施形態には示されないが、ダイ６８、７０、７２に関して上述されたのと同様なやり方で、例えば抵抗器、コンデンサ、またはインダクタなどの受動デバイスをそれぞれのダイ開口部５８内の接着剤層６２内に配置できることが企図される。
【００２５】
ダイ６８、７０、７２がダイ開口部５８内に位置付けされるのに従って、接着剤層６２の一部分はダイ６８、７０、７２の側部を登って、誘電体層３４とダイ６８、７０、７２との間の空間を充填する。接着剤層６２またはダイ６８、７０、７２によって充填されずに残るダイ開口部５８の部分は、後の処理ステップにおいて封入剤１３２によって充填することができる。ダイ６８、７０、７２が位置付けされた後に、接着剤層６２は熱的に、または熱または放射の組み合わせによって完全に硬化することができる。適切な放射は、ＵＶ光および／またはマイクロ波を含み得る。揮発性物質が存在する場合は、硬化の間に接着剤からの除去を促進するために、部分真空および／または大気圧より高い圧力を用いることができる。ダイ開口部５８は、ダイ６８、７０、７２よりわずかに大きく（例えばおよそ１０μｍ大きく）サイズ設定されるので、ダイ６８、７０、７２は誘電体層３４内に自己整合する。ダイ開口部５８はまた、接着剤層６２が完全に硬化されるのに従って、ダイ６８、７０、７２が位置を外れて移動するまたは泳ぎ出るのを防止する。
【００２６】
次に大きめのサイズのフレーム６６は除去され、ビア８２の第２の層が、下側誘電体層６４および接着剤層６２を貫通して形成される。図１２に示されるようにビア８２の第２の層は、金属化ビア５６およびダイ６８、７０、７２の対応する場所に延びる。ビア８２のサイズは、電流要件およびダイパッドサイズに応じて変えられることが企図される。
【００２７】
ビア８２の第２の層を形成した後に図１３に示されるように、下側誘電体層６４の底面８６を被覆し、ビア８２の第２の層を貫通して延びるように金属化層８４が付着される。一実施形態では金属化層８４を付着する前に、下側誘電体層６４の底面８６に、チタン銅シード層などの金属被覆層（図示せず）がスパッタ蒸着される。任意選択として金属化層８４の底面８８にチタン層（図示せず）を付着することができる。次いでフレーム３６を除去することができる。
【００２８】
次に図１４を参照すると金属化層８４の底面８８に、例えばニッケル金などの半田付け可能な金属被覆９０が付着される。次に図１５に示されるように、金属化層８４はパターニングされエッチングされて、金属化ビアまたは金属化相互接続９２の下層を形成する。金属化ビア９２の下層は、ダイ６８、７０、７２および金属化ビア５６の上層への電気的接続を備える。代替実施形態では金属化ビア９２の下層は、セミアディティブメッキ技法を用いて形成することができる。接着剤層６２、金属化ビア９２の下層、および半田付け可能な金属被覆９０は一緒に、第２のレベルの機能ウェブ組立体９４を形成する。
【００２９】
第１のレベルの機能ウェブ組立体６０および第２のレベルの機能ウェブ組立体９４を備える機能ウェブ組立体９６は、ダイ６８、７０、７２の有無にかかわらず、前もって製作されたモジュールとして製造され得ることが企図される。機能ウェブ組立体９６がダイ６８、７０、７２なしで製造される一実施形態では、接着剤層６２は、さらなる取り扱いまたは輸送のために十分に安定な、部分的に硬化された状態（例えばＢステージ材料として）用意することができる。これはその後にダイ６８、７０、７２が、後の処理ステップにおいて機能ウェブ組立体９６に取り付けられることを可能にする。一実施形態では機能ウェブ組立体９６は、およそ５ミルの厚さ９８を有する。
【００３０】
本発明の実施形態によれば、機能ウェブ組立体９６のさらなるビルドアップステップ時に、第２のレベルの機能ウェブ組立体９４を超えて、追加の誘電体の層および金属化ビアを追加することができ、付着される機能ウェブの追加のレベルの数は、最終パッケージの設計検討に応じたものになることが理解される。
【００３１】
諸レベルの機能ウェブ組立体９６を付着した後に、機能ウェブ組立体９６の最も外側の底面１０２に、半田マスク１００を付着することができる。図に示された実施形態では、図１６に示されるように半田マスク１００は、下側誘電体層６４の底面８６および金属化ビア９２の下層の部分に付着され、パターニングされる。図１６に示されないが、用途によって必要に応じて第２の半田マスクを、金属化コンタクト層４８、上側誘電体層３４、およびダイ６８、７０、７２の選択された上向きの面に形成され得ることが企図される。半田マスク１００を付着した後に、図示のように下側半田層１０４を形成することができる。下側半田層１０４は、機能ウェブ組立体９６の底面１０２にＩ／Ｏ接続をもたらす。一実施形態では下側半田層１０４は、半田マスク１００に対する半田であるボール（例えばボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）を形成する半田ボール）として形成される。しかしまた、機能ウェブ組立体９６内の電気部品と、例えばマザーボードまたはプリント回路基板（ＰＣＢ）などの外部構成要素（図示せず）との間に電気的接続をもたらすことができるように、メッキされたバンプ、柱状バンプ、金スタッドバンプ、金属充填型ポリマーバンプ、またはワイヤボンド接続／パッドなどの他の形のＩ／Ｏ相互接続８４が取り付けられ得ることが構想される。
【００３２】
図１７に示されるように、受動部品または他の半田付け可能なデバイス１０８、１１０を金属化コンタクト層４８のそれぞれの金属化コンタクトパッド４９に結合するために、半田層１０６が用いられる。図に示された実施形態では、各受動部品１０８、１１０は、金属化コンタクト層４８の１対の金属化コンタクトパッド４９のそれぞれの上側面１１２に結合される。埋め込み型ダイモジュール３２の結果としての厚さ１２９は、用途に従って、およびモジュール内に組み込まれたダイの相対的な薄さまたは厚さに応じて変わり得る。１つの非限定的な例では本発明の実施形態により、埋め込むダイモジュール３２は、およそ１７５μｍ〜２７０μｍの厚さ１２９を有するように製造され得る。
【００３３】
また各ダイ６８、７０、７２をそれぞれの金属化コンタクトパッド４９に電気的に結合するために、金属ブリッジ、導電性要素、または短絡バー１１４、１１６、１１８が用いられる。一実施形態では短絡バー１１４、１１６、１１８をダイ６８、７０、７２に電気的に結合するために、半田１２０が用いられる。代替として半田の代わりに、例えば焼結銀などの、望ましい電気および熱伝導特性を有する別の接合剤を用いることができる。ダイ６８およびダイ７０の場合に示されるように、短絡バー１１４、１１６と金属化コンタクト部４８との間の半田１２０の厚さは、ダイ６８、７０の異なる厚さ１２２、１２４を考慮して変えることができる。図１７では短絡バー１１４、１１６、１１８は各ダイ６８、７０、７２に対して設けられるように示されるが、当業者には短絡バーは、１つの活性面のみを有するダイに対しては省略され得ることが理解されよう。
【００３４】
代替として異なるダイ厚さを考慮するように、短絡バーの幾何形状を変更することができる。図１７に示されるように例えば短絡バー１１８は、Ｌ字状断面幾何形状を有して設けられ、短絡バー１１８の第１の表面１２６は半田１１８を通して金属化コンタクト部４８と接触し、短絡バー１１８の第２の表面１２８は半田１１８を通してダイ７２の第２の活性側部１３０と接触する。短絡バー１１８は、一実施形態ではＬ字状断面を有するように機械加工することができ、または代替実施形態では導電性エポキシなどの接着剤によって一緒に結合された１対の矩形のスラブを有するように構築することができる。
【００３５】
任意選択として図１８に示されるように、ダイ６８、７０、７２、および受動部品１０８、１１０は、封入剤１３２によって上塗りすることができる。封入剤１３２は、例えば高電圧用途においてダイと金属部品との間のアークを防止するため、または剛性および取り扱いの容易さをもたらすために用いることができる。結果としての電子回路パッケージ３２（封入剤１３２の有無にかかわらず）は、次いで洗浄され、検査され、必要に応じて個片化され得る。
【００３６】
図１９および２０は、図２〜１５の製造／ビルドアッププロセスにより製造された、短絡バー１１４、１１６、１１８、半田マスク１００、半田層１０４、封入剤１３２を付着する前の電子回路パッケージのそれぞれ底面および上面図を示す。図１９の底面または裏面図では、様々なダイ６８、７０、７２、受動部品１０８、１１０、金属化コンタクト層４８、および誘電体層３４上に形成された金属相互接続５６の例示的配置が示される。図２０の上面または正面図は、誘電体層６４上に形成された金属化相互接続９２の対応する例示的配置が示される。
【００３７】
図１９に示されるように金属コンタクト層４８は、様々な電気部品を電気的に接続するために、誘電体層３４の上にルーティング層を生成するようにパターニングされる。例えば金属コンタクト層４８の部分５１ａは、受動部品１０８ａ、１０８ｂ、および１０８ｃの間の電気的接続を形成する。金属被覆９０を含む金属コンタクト層４８の場所は、半田を用いて能動および受動部品がそれに結合され得るコンタクトの場所を形成する。したがって金属コンタクト層４８は、ルーティング層として、および電気部品を取り付けるための半田付け可能なコンタクト層としての、二重の機能の働きをする。
【００３８】
さらに上述の製造またはビルドアップ技法に関連するプロセスまたは方法ステップの順序および系列は、代替実施形態により変更され得る。１つの非限定的な例として半田マスク１００の後に、半田付け可能な金属被覆９０を付着することができる。
【００３９】
金属化コンタクト層４８、および／または金属化ビア５６の上層の厚さは、設計仕様に基づいて変え得ることが企図される。例えば金属化コンタクト層４８、および金属化ビア５６の上層の一方または両方は、大電流用途を扱うように増加された厚さを用いて設計することができる。次に図２１を参照すると、本発明の他の実施形態による機能ウェブ組立体１３４が示される。機能ウェブ組立体１３４および機能ウェブ組立体９６（図１５）は、いくつかの共通の構成要素を共有する。機能ウェブ組立体１３４および機能ウェブ組立体９６に共通な要素および部品については、必要に応じて同じ参照番号に関連して論じられる。
【００４０】
図示のように機能ウェブ組立体１３４は、その厚さ１３８を貫通して形成されたダイ開口部５８を有する上側誘電体層１３６を含む。金属化コンタクト部１４０は、上側誘電体層１３６の上面１４２に、金属化コンタクト層４８（図５）と同様なやり方で形成される。金属化ビア１４４の上層は、金属化ビア５６（図８）の上層と同様に、上側誘電体層１３６の底面１４６に形成され、上側誘電体層１３６を貫通して形成されたビア１４８を貫通して延びる。第２の機能ウェブ組立体９４は、接着剤層６２によって上側誘電体層１３６に結合される。複数のダイ１５０は、機能ウェブ組立体１３４の対応するダイ開口部５８内に位置付けされる。
【００４１】
上側誘電体層１３６の厚さ１３８は、機能ウェブ組立体９６の上側誘電体層３４の厚さより大きい。一実施形態では、上側誘電体層１３６と、金属化ビア１４４の上層との合計の厚さ１５２は、図２１に示されるようにダイ１５０の厚さ１５４に実質的に等しい。代替として上側誘電体層１３６は、ダイ１５０の厚さ１５４におよそ等しい厚さを有して設けることができる。
【００４２】
上側半田マスク１５６および下側半田マスク１５８は、機能ウェブ組立体１３４のそれぞれ上側および下側面１６０、１６２上に形成されて、上側および下側半田層１６４、１６６の形成を可能にする。結果としての電子回路パッケージ１６８は、図示のように電子回路パッケージ１６８の両面へのボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）取り付けを可能にする。さらに結果としての電子回路パッケージ１６８は、複数の電子回路パッケージまたはモジュールの積層を可能にする実質的に平面状の構造を有する。図２１に示される実施形態では金属化コンタクト部１４０は、機能ウェブ組立体１３４の一部として、およびダイ１５０を配置する前に製造される。
【００４３】
次に図２２〜２７を参照して本発明の代替実施形態による、機能ウェブ組立体１７２を組み込んだ電子回路パッケージ１７０を製造するための技法が述べられる。図２２〜２７は、ビルドアッププロセスの様々なステップ時の、電子回路パッケージ１７０および／または機能ウェブ組立体１７２の断面図を示す。機能ウェブ組立体１７２および機能ウェブ組立体９６（図１５）はいくつかの共通の構成要素を共有するので、これらの共通の構成要素については、必要に応じて同じ参照番号に関連して論じられる。
【００４４】
最初に図２２を参照すると様々な実施形態により、シード金属層の有無にかかわらず上側誘電体層３４の上面４０に、上側金属化層１７４が形成される。代替として上側金属化層１７４は、フレーム３６に取り付ける前に、上側誘電体層３４に付着される金属性クラッディングとして設けることができる。図２３に示されるように、次いでこの層１７４はパターニングされエッチングされて、複数の金属性相互接続部１７６を形成する。図６に関して述べられたのと同様なやり方でビア５０を形成した後に、図７および図８に関して述べられたのと同様なやり方で、金属化ビア５６の上層が上側誘電体層３４の底面５４に形成される。代替実施形態ではビア５０は、誘電体層３４の上側および下側面を金属でメッキする前に形成することができる。次いでダイ開口部５８が、上側誘電体層３４の厚さを貫通して形成される。結果としての第１のレベルの機能ウェブ組立体１７８は、上側誘電体層３４、複数の金属性相互接続部１７６、金属化ビア５６の上層、およびダイ開口部５８を含む。
【００４５】
次いで図１０に関して述べられたやり方で、下側誘電体層６４が接着剤層６２を用いて第１のレベルの機能ウェブ組立体１７８に結合され、図２４に示されるように１つまたは複数のダイ１８０、１８２、１８４がダイ開口部５８内に位置付けされる。図示のようにダイ１８０、１８２、１８４は、上側誘電体層３４の上面４０と、ダイ１８０、１８２、１８４の非活性面１９０が実質的に同一平面上になるように、上側誘電体層３４の厚さ１８８に実質的に等しい厚さ１８６を有する。
【００４６】
次いで図２５に示されるように、金属化ビアの第２の層または金属化相互接続９２が、下側誘電体層６４および接着剤層６２を貫通して形成される。次いで図示のように下側誘電体層６４の底面８６および金属化ビア９２の下層に、半田マスク１００を付着することができる。次に図２６に示されるように、上側誘電体層３４の上面４０上、およびダイ１８０、１８２、１８４の非活性面１９０にわたって、金属コンタクト層１９２が形成される。金属コンタクト層１９２および金属化相互接続９２の層は、上記では別々のステップにおいて形成されるように述べられたが、代替実施形態では両方の層９２、１９２は同時に堆積され得ることが企図される。
【００４７】
次いで図２７に示されるように金属コンタクト層１９２は、パターニングされエッチングされて、複数の金属コンタクト相互接続１９４を形成する。金属コンタクト相互接続１９４は、ダイ１８０、１８２、１８４の非活性面と、金属化ビア５６の上層との間に電気的接続を形成することによって、図１７の短絡バー１１４、１１６、１１８と同様に機能する。
【００４８】
次いで上側誘電体層３４の上面４０、および複数の金属コンタクト相互接続１９４の部分上に上側半田マスク１５６を形成することができ、その後に上側半田層１６４および下側半田層１６６が形成される。次いで結果としての電子回路パッケージ１７０は洗浄され、検査され、必要に応じて個片化され得る。
【００４９】
したがって本発明の実施形態は、複数のダイおよび他の電気部品からの入力／出力を可能にするように電子回路パッケージ内に組み込むことができる、本明細書では機能ウェブ組立体と呼ばれる相互接続組立体を含む。
【００５０】
したがって本発明の実施形態は、埋め込み型ダイおよび他の電気部品を含む電子回路パッケージを提供するので有益である。電子回路パッケージ内に設けられた機能ウェブ組立体は、電子回路パッケージ内の電気部品の上面と底面との間に所望の電気的相互接続をもたらすように製造され、それによってパッケージ内の嵩張る多層ＰＣＢを不要にする。機能ウェブ組立体内に電気的相互接続をもたらすことにより、電子回路パッケージの全体の体積はおよそ３５％低減することができ、一方、多層ＰＣＢを組み込んだ電子回路パッケージと比べて電力密度をおよそ５０％増加させる。
【００５１】
さらに機能ウェブ組立体内の様々な材料層の厚さは、電子回路パッケージの全体の厚さを最小にしながら、様々なダイ寸法、ならびに種々のダイおよび電気部品の組み合わせに対応するように変えることができる。
【００５２】
さらに機能ウェブ組立体は前もって製作することができるので、相互接続は電子回路パッケージに組み込まれる前に試験することができ、それによって最終の組み立てられた電子回路パッケージの歩留まりが改善する。
【００５３】
したがって本発明の一実施形態によれば電子回路パッケージは、その厚さを貫通して形成された第１の複数のビアを有する第１の誘電体基板、第１の誘電体基板の上面に結合された金属化コンタクト層、および第１の誘電体基板の厚さを貫通して形成された第１のダイ開口部内に位置付けされた第１のダイを含む。第１の複数の金属化相互接続部は、第１の誘電体基板の底面に形成され、金属化コンタクト層の少なくとも一部分に接触するように第１の複数のビアを貫通して延びる。第２の誘電体基板の上面は、第１の誘電体基板の底面に結合され、第２の誘電体基板は、その厚さを貫通して形成された第２の複数のビアを有する。第２の複数の金属化相互接続部は、第２の誘電体基板の底面に形成され、第１の複数の金属化相互接続部および第１のダイのコンタクトパッドに接触するように第２の複数のビアを貫通して延びる。第１の導電性要素は、第１のダイを金属化コンタクト層に電気的に結合する。
【００５４】
本発明の他の実施形態によれば、電子回路パッケージを製造する方法は、第１の誘電体層を用意するステップと、第１の誘電体層の第１の表面に金属化コンタクト層を形成するステップと、第１の表面の反対側の第１の誘電体層の第２の表面に、第１の複数の金属化ビアを形成するステップとを含む。第１の複数の金属化ビアは、複数の金属化コンタクト層の少なくとも一部分に接触するように第１の誘電体層の厚さを貫通して延びる。方法はまた、第１の誘電体層の厚さを貫通して第１の電気部品開口部を形成するステップと、第２の誘電体層を、第１の誘電体層の第２の表面に結合するステップと、第１の電気部品開口部内に、第１の電気部品を位置付けするステップとを含む。第２の誘電体層の底面に第２の複数の金属化ビアが形成され、第２の複数の金属化ビアは、金属化コンタクト層を第１の電気部品に結合するように、第２の誘電体層の厚さを貫通して延びる。さらに方法は、第１の電気部品と金属化コンタクト層との間に、第１の導電性要素を結合するステップを含む。
【００５５】
本発明の他の実施形態によれば、電子回路パッケージは、第１の誘電体層に結合された金属化コンタクト層を有する機能ウェブ組立体を含み、金属化コンタクト層の底面は、第１の誘電体層の上面と実質的に同一平面上にある。機能ウェブ組立体はまた、第１の誘電体層の底面に配置され、金属化コンタクト層と電気的に接続するように第１の誘電体層に形成されたビアを貫通して延びる、第１の複数の金属相互接続と、接着剤によって第１の誘電体層に結合された、第２の誘電体層と、第２の誘電体層の底面に配置され、第１の複数の金属相互接続の少なくとも一部分と電気的に接続するように第２の誘電体層内に形成されたビアを貫通して延びる、第２の複数の金属相互接続とを含む。第１のダイは、第１の誘電体層を貫通して形成された第１の開口部内に位置付けされ、接着剤、および第１の複数の金属相互接続の少なくとも１つの金属相互接続に結合された第１の表面を有する。第１の金属ブリッジは、金属化コンタクト層の一部分、および第１の表面の反対側の第１のダイの第２の表面を電気的に接続する。
【００５６】
本発明について限られた数の実施形態のみに関して詳細に述べてきたが、本発明はこのような開示された実施形態に限定されないことは容易に理解されるべきである。むしろ本発明は、任意の数の変更、変形、置換、またはこれまで述べられていないが本発明の趣旨および範囲と同等である等価な構成を組み込むように変更することができる。さらに本発明の様々な実施形態について述べてきたが、本発明の態様は、述べられた実施形態の一部のみを含み得ることを理解されたい。したがって本発明は、上記の説明によって限定されると見なされるべきではなく、添付の「特許請求の範囲」によってのみ限定されるものである。
【符号の説明】
【００５７】
１０  電子回路パッケージ
１２  多層プリント回路基板、ＰＣＢ
１４  厚さ
１５  厚さ
１６  個別部品
１８  個別部品
２０  ダイ
２１  コンタクトパッド
２２  インダクタ
２３  Ｉ／Ｏパッド
２４  受動部品
２５  オーバモールドコンパウンド
２６  電気的コンタクト
２７  ワイヤボンド
２８  金属化接続
２９  搭載プラットフォーム
３０  ダイ
３１  コンタクトパッド
３２  電子回路パッケージ、埋め込み型ダイモジュール
３３  Ｉ／Ｏリード
３４  上側誘電体層
３５  オーバモールドコンパウンド
３６  フレーム
３７  ワイヤボンド
３８  金属シード層
３９  搭載プラットフォーム
４０  上側誘電体層３４の上面
４２  金属層
４４  金属層４２の上面
４６  金属性被覆
４８  金属化コンタクト層
４９  金属性コンタクトパッド
５０  ビア
５１  トレース
５２  金属層
５４  上側誘電体層３４の底面
５６  金属化ビア、金属相互接続
５８  ダイ開口部
５９  ダイ開口部５８の側壁
６０  第１のレベルの機能ウェブ組立体
６２  接着剤層
６４  下側誘電体層
６６  フレーム
６８  ダイ
７０  ダイ
７２  ダイ
７４  活性面
７６  活性面
７８  活性面
８０  コンタクトパッド
８２  ビア
８４  金属化層
８６  下側誘電体層６４の底面
８８  金属化層８４の底面
９０  金属被覆
９２  金属化ビア、金属化相互接続
９４  第２のレベルの機能ウェブ組立体
９６  機能ウェブ組立体
９８  厚さ
１００  半田マスク
１０２  機能ウェブ組立体９６の底面
１０４  下側半田層
１０６  半田層
１０８  受動部品
１１０  受動部品
１１２  コンタクトパッド４９の上側面
１１４  短絡バー
１１６  短絡バー
１１８  短絡バー
１２０  半田
１２２  厚さ
１２４  厚さ
１２６  短絡バー１１８の第１の表面
１２８  短絡バー１１８の第２の表面
１２９  厚さ
１３０  ダイ７２の第２の活性側部
１３２  封入剤
１３４  機能ウェブ組立体
１３６  上側誘電体層
１３８  厚さ
１４０  金属化コンタクト部
１４２  上側誘電体層１３６の上面
１４４  金属化ビア
１４６  上側誘電体層１３６の底面
１４８  ビア
１５０  ダイ
１５２  厚さ
１５４  厚さ
１５６  上側半田マスク
１５８  下側半田マスク
１６０  機能ウェブ組立体１３４の上側面
１６２  機能ウェブ組立体１３４の下側面
１６４  上側半田層
１６６  下側半田層
１６８  電子回路パッケージ
１７０  電子回路パッケージ
１７２  機能ウェブ組立体
１７４  上側金属化層
１７６  金属性相互接続部
１７８  第１のレベルの機能ウェブ組立体
１８０  ダイ
１８２  ダイ
１８４  ダイ
１８６  厚さ
１８８  厚さ
１９０  ダイの非活性面
１９２  金属コンタクト層
１９４  金属コンタクト相互接続
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９−２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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