(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の絶縁材料により形成され、第１の表面を有する板状の絶縁体板と、
前記絶縁体板の内部に配置され、抵抗発熱体により形成され、一対の端子に接続されるヒータ電極と、
を備え、前記絶縁体板の前記第１の表面の上方において対象物を保持する保持装置において、さらに、
前記第１の表面に平行な方向において前記ヒータ電極の一部分と前記ヒータ電極の他の一部分との間に配置され、前記所定の絶縁材料より熱伝導率の高い所定の材料により形成され、１つの端子に接続される、または、端子に接続されないダミー部を備え、
前記保持装置は、第１の前記ヒータ電極と、前記第１のヒータ電極に接続される前記一対の端子とは異なる前記一対の端子に接続される第２の前記ヒータ電極とを備え、
前記ダミー部は、前記第１の表面に平行な方向において、前記第１のヒータ電極の一部分と前記第１のヒータ電極の他の一部分との間に配置され、かつ、前記第１のヒータ電極と前記第２のヒータ電極との間には配置されないことを特徴とする、保持装置。
【請求項２】
請求項１に記載の保持装置において、
前記所定の材料は、前記抵抗発熱体と同材料であることを特徴とする、保持装置。
【請求項３】
請求項１に記載の保持装置において、
前記所定の材料は、前記抵抗発熱体より熱伝導率の高い材料であることを特徴とする、保持装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の保持装置において、
前記ヒータ電極および前記ダミー部は、前記第１の表面に直交する方向視で線状のパターンであり、
前記ダミー部の線幅は、前記ヒータ電極の線幅より太いことを特徴とする、保持装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の保持装置において、
前記第１の表面に直交する方向において、前記ダミー部の厚さは、前記ヒータ電極の厚さと略同一であることを特徴とする、保持装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の保持装置において、さらに、
前記絶縁体板の内部における前記ヒータ電極および前記ダミー部と前記第１の表面との間に配置され、静電引力を発生させる吸着電極を備えることを特徴とする、保持装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に開示される技術は、対象物を保持する保持装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体製造装置において、ウェハを保持する保持装置として、静電チャックが用いられる。静電チャックは、例えば、板状のセラミックス板と、セラミックス板の内部に設けられた吸着電極とを備えており、吸着電極に電圧が印加されることにより発生する静電引力を利用して、セラミックス板の表面（以下、「吸着面」という）にウェハを吸着して保持する。
【０００３】
静電チャックに保持されたウェハの温度分布が不均一になると、ウェハに対する各処理（成膜、エッチング、露光等）の精度が低下するため、静電チャックにはウェハの温度分布を均一にする性能が求められる。そのため、静電チャックのセラミックス板の内部には、抵抗発熱体により形成されたヒータ電極が設けられ、ヒータ電極による加熱によってセラミックス板の吸着面の温度制御が行われる（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】登録実用新案第３１８２１２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
セラミックス板の内部におけるヒータ電極は、パターン幅や離隔距離等の制約の関係上、吸着面に平行な方向に全面的に配置することはできない。すなわち、吸着面に平行な方向において、ヒータ電極の一部分とヒータ電極の他の一部分との間には、ヒータ電極が配置されていない領域が存在する。そのため、セラミックス板の吸着面において、ヒータ電極が配置されていない領域の直上の領域の温度が、ヒータ電極の直上の領域の温度より低くなり、その結果、セラミックス板の吸着面の温度分布の均一性が十分に高くならず、ひいてはウェハの温度分布の均一性が十分に高くならないという問題がある。
【０００６】
なお、このような課題は、静電引力を利用してウェハを保持する静電チャックに限らず、第１の表面を有する絶縁体板と該絶縁体板の内部に配置されたヒータ電極とを備え、絶縁体板の第１の表面の上方において対象物を保持する保持装置に共通の課題である。
【０００７】
本明細書では、上述した課題を解決することが可能な技術を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本明細書に開示される技術は、例えば、以下の形態として実現することが可能である。
【０００９】
（１）本明細書に開示される保持装置は、所定の絶縁材料により形成され、第１の表面を有する板状の絶縁体板と、前記絶縁体板の内部に配置され、抵抗発熱体により形成され、一対の端子に接続されるヒータ電極と、を備え、前記絶縁体板の前記第１の表面の上方において対象物を保持する保持装置において、さらに、前記第１の表面に平行な方向において前記ヒータ電極の一部分と前記ヒータ電極の他の一部分との間に配置され、前記所定の絶縁材料より熱伝導率の高い所定の材料により形成され、１つの端子に接続される、または、端子に接続されないダミー部を備える。本保持装置によれば、絶縁体板の第１の表面（対象物を保持する面）に平行な方向において、ヒータ電極の一部分とヒータ電極の他の一部分との間に、絶縁体板の形成材料より熱伝導率の高い材料により形成されたダミー部が配置されるため、そのようなダミー部が配置されない構成と比較して、第１の表面に平行な方向の伝熱性を向上させることができ、その結果、絶縁体板の第１の表面における温度分布の均一性を向上させることができる。さらに、絶縁体板の第１の表面にヒータ電極の形状に対応する凹凸が発生することを抑制することができる。
【００１０】
（２）上記保持装置において、前記所定の材料は、前記抵抗発熱体と同材料である構成としてもよい。本保持装置によれば、ダミー部をヒータ電極と一括して形成することができるため、製造工程の効率化を実現することができる。
【００１１】
（３）上記保持装置において、前記所定の材料は、前記抵抗発熱体より熱伝導率の高い材料である構成としてもよい。本保持装置によれば、第１の表面に平行な方向の伝熱性をより効果的に向上させることができ、絶縁体板の第１の表面における温度分布の均一性をより効果的に向上させることができる。
【００１２】
（４）上記保持装置において、第１の前記ヒータ電極と、前記第１のヒータ電極に接続される前記一対の端子とは異なる前記一対の端子に接続される第２の前記ヒータ電極とを備え、前記ダミー部は、前記第１の表面に平行な方向において、前記第１のヒータ電極の一部分と前記第１のヒータ電極の他の一部分との間に配置され、かつ、前記第１のヒータ電極と前記第２のヒータ電極との間には配置されない構成としてもよい。本保持装置によれば、第１のヒータ電極により温度制御されるゾーンと第２のヒータ電極により温度制御されるゾーンとの間の熱の独立性が低下することを抑制しつつ、各ゾーン内において第１の表面に平行な方向の伝熱性を向上させることができる。
【００１３】
（５）上記保持装置において、前記ヒータ電極および前記ダミー部は、前記第１の表面に直交する方向視で線状のパターンであり、前記ダミー部の線幅は、前記ヒータ電極の線幅より太い構成としてもよい。本保持装置によれば、第１の表面に平行な方向の伝熱性をより効果的に向上させることができ、絶縁体板の第１の表面における温度分布の均一性を向上させることができる。
【００１４】
（６）上記保持装置において、前記第１の表面に直交する方向において、前記ダミー部の厚さは、前記ヒータ電極の厚さと略同一である構成としてもよい。本保持装置によれば、絶縁体板の第１の表面にヒータ電極の形状に対応する凹凸が発生することをより効果的に抑制することができる。
【００１５】
（７）上記保持装置において、さらに、前記絶縁体板の内部における前記ヒータ電極および前記ダミー部と前記第１の表面との間に配置され、静電引力を発生させる吸着電極を備えることを特徴とする構成としてもよい。本保持装置によれば、絶縁体板の第１の表面にヒータ電極の形状に対応する凹凸が発生することを抑制することができ、その結果、ヒータ電極から第１の表面までの距離（絶縁体の厚さ）の均一性を向上させ、静電引力による対象物の保持力の均一性を向上させることができる。
【００１６】
なお、本明細書に開示される技術は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、保持装置、静電チャック、ヒータ、真空チャック、それらの製造方法等の形態で実現することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本実施形態における静電チャック１００の外観構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】本実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。
【図３】本実施形態における静電チャック１００のＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。
【図４】本実施形態における静電チャック１００の製造方法を示すフローチャートである。
【図５】本実施形態の静電チャック１００における伝熱の様子を示す説明図である。
【図６】比較例の静電チャック１００ｘにおける伝熱の様子を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
Ａ．実施形態：
Ａ−１．静電チャック１００の構成：
図１は、本実施形態における静電チャック１００の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図２は、本実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図であり、図３は、本実施形態における静電チャック１００のＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。図２には、図３のＩＩ−ＩＩの位置における静電チャック１００のＸＺ断面構成が示されており、図３には、図２のＩＩＩ−ＩＩＩの位置における静電チャック１００のＸＹ断面構成が示されている。各図には、方向を特定するための互いに直交するＸＹＺ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Ｚ軸正方向を上方向といい、Ｚ軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック１００は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。図４以降についても同様である。
【００１９】
静電チャック１００は、対象物（例えばウェハＷ）を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内でウェハＷを固定するために使用される。静電チャック１００は、所定の配列方向（本実施形態では上下方向（Ｚ軸方向））に並べて配置されたセラミックス板１０およびベース板２０を備える。セラミックス板１０とベース板２０とは、セラミックス板１０の下面（以下、「セラミックス側接合面Ｓ２」という）とベース板２０の上面（以下、「ベース側接合面Ｓ３」という）とが上記配列方向に対向するように配置されている。静電チャック１００は、さらに、セラミックス板１０のセラミックス側接合面Ｓ２とベース板２０のベース側接合面Ｓ３との間に配置された接合層３０を備える。
【００２０】
セラミックス板１０は、例えば円形平面の板状部材であり、絶縁材料であるセラミックスにより形成されている。セラミックス板１０の直径は、例えば５０ｍｍ〜５００ｍｍ程度（通常は２００ｍｍ〜３５０ｍｍ程度）であり、セラミックス板１０の厚さは、例えば１ｍｍ〜１０ｍｍ程度である。セラミックス板１０は、絶縁体板の一例である。
【００２１】
セラミックス板１０の形成材料としては、種々のセラミックスが用いられ得るが、強度や耐摩耗性、耐プラズマ性等の観点から、例えば、酸化アルミニウム（アルミナ、Ａｌ２Ｏ３）を主成分とするセラミックスが用いられることが好ましい。なお、ここでいう主成分とは、含有割合（重量割合）の最も多い成分を意味する。
【００２２】
セラミックス板１０の内部には、例えば、タングステンを含む導電性材料により形成された一対の吸着電極４０が設けられている。一対の吸着電極４０に電源（図示せず）から電圧が印加されると、静電引力が発生し、この静電引力によってウェハＷがセラミックス板１０の上面（以下、「吸着面Ｓ１」という）に吸着固定される。セラミックス板１０の吸着面Ｓ１は、特許請求の範囲における第１の表面に相当する。
【００２３】
また、セラミックス板１０の内部には、例えば、タングステンを含む導電性材料からなる抵抗発熱体により形成された第１および第２のヒータ電極５１，５２が設けられている。以下の説明では、第１および第２のヒータ電極５１，５２を、まとめて単にヒータ電極５１，５２ともいう。ヒータ電極５１，５２のそれぞれに接続された端子５３，５４に電源（図示せず）から電圧が印加されると、ヒータ電極５１，５２が発熱することによってセラミックス板１０が温められ、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷが温められる。これにより、ウェハＷの温度制御が実現される。ヒータ電極５１，５２の構成については、後に詳述する。
【００２４】
また、セラミックス板１０の内部には、第１および第２のダミー部６１，６２が設けられている。以下の説明では、第１および第２のダミー部６１，６２を、まとめて単にダミー部６１，６２ともいう。ダミー部６１，６２は、ヒータ電極５１，５２と類似の構成を有するが、いずれの端子にも接続されていない。そのため、ダミー部６１，６２には電圧は印加されず、ダミー部６１，６２は発熱しない。ダミー部６１，６２は、セラミックス板１０の形成材料（例えばアルミナを主成分とするセラミックス）より熱伝導率の高い材料により形成されている。本実施形態では、ダミー部６１，６２は、ヒータ電極５１，５２の形成材料と同一の材料（例えばタングステンを含む導電性材料）により形成されている。ダミー部６１，６２の構成については、後に詳述する。
【００２５】
ベース板２０は、例えばセラミックス板１０と同径の、または、セラミックス板１０より径が大きい円形平面の板状部材であり、例えば金属（アルミニウムやアルミニウム合金等）により形成されている。ベース板２０の直径は、例えば２２０ｍｍ〜５５０ｍｍ程度（通常は２２０ｍｍ〜３５０ｍｍ程度）であり、ベース板２０の厚さは、例えば２０ｍｍ〜４０ｍｍ程度である。
【００２６】
ベース板２０の内部には冷媒流路２１が形成されている。冷媒流路２１に冷媒（例えば、フッ素化液や水等）が流されると、ベース板２０が冷却され、接合層３０を介したベース板２０とセラミックス板１０との間の伝熱によりセラミックス板１０が冷却され、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷが冷却される。これにより、ウェハＷの温度制御が実現される。
【００２７】
接合層３０は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着剤を含んでおり、セラミックス板１０とベース板２０とを接合している。接合層３０の厚さは例えば０．１ｍｍ〜１ｍｍ程度である。
【００２８】
Ａ−２．ヒータ電極５１，５２およびダミー部６１，６２の詳細構成：
図３に示すように、ヒータ電極５１，５２の上下方向視の形状（パターン）は、らせん状の線状形状である。第１のヒータ電極５１は、上述した電圧が印加される一対の端子５３に接続されており、第２のヒータ電極５２は、上述した電圧が印加される一対の端子５４（一対の端子５３とは異なる）に接続されている。第１のヒータ電極５１は、セラミックス板１０の比較的外周に近い領域（後述する第１のゾーンＺ１）に配置されており、第１のゾーンＺ１の温度制御を担う。一方、第２のヒータ電極５２は、セラミックス板１０の比較的中心に近い領域（後述する第２のゾーンＺ２）に配置されており、第２のゾーンＺ２の温度制御を担う。
【００２９】
また、図３に示すように、ダミー部６１，６２の上下方向視の形状（パターン）は、ヒータ電極５１，５２と同様に、らせん状の線状形状である。ただし、ダミー部６１，６２は、ヒータ電極５１，５２と異なり、端子に接続されておらず、従って電圧が印加されることはない。
【００３０】
図２および図３に示すように、第１のダミー部６１は、吸着面Ｓ１に平行な方向（以下、「面方向」ともいう）において、第１のヒータ電極５１の一部分と第１のヒータ電極５１の他の一部分との間に配置される。第１のダミー部６１の線幅は、第１のヒータ電極５１の線幅より太い。同様に、第２のダミー部６２は、面方向において、第２のヒータ電極５２の一部分と第２のヒータ電極５２の他の一部分との間に配置される。第２のダミー部６２の線幅は、第２のヒータ電極５２の線幅より太い。なお、面方向において、第１のヒータ電極５１と第２のヒータ電極５２との間には、ダミー部６１，６２は配置されていない。換言すれば、ダミー部６１，６２は、第１のヒータ電極５１と第２のヒータ電極５２との間を避けて配置されている。
【００３１】
また、図２に示すように、ヒータ電極５１，５２およびダミー部６１，６２は、上下方向において略同一の位置に配置されており、その位置は、吸着電極４０より下側（吸着面Ｓ１から遠い側）である。換言すると、吸着電極４０は、セラミックス板１０の内部におけるヒータ電極５１，５２およびダミー部６１，６２と吸着面Ｓ１との間に配置されている。また、上下方向において、ダミー部６１（または６２）の厚さは、ヒータ電極５１（または５２）の厚さと略同一である。
【００３２】
Ａ−３．静電チャック１００の製造方法：
次に、本実施形態における静電チャック１００の製造方法を説明する。図４は、本実施形態における静電チャック１００の製造方法を示すフローチャートである。
【００３３】
はじめに、例えばアルミナを主成分とするセラミックスグリーンシートを複数準備し、各セラミックスグリーンシートに対して、スルーホールの形成やビア用インクの充填、吸着電極４０の形成のための電極用インクの塗布等の必要な加工を行う（Ｓ１１０）。なお、ビア用インクや電極用インクとしては、例えばアルミナを主成分とするセラミックスグリーンシート用の原料粉末にタングステン粉末を混合してスラリー状としたメタライズインクが用いられる。
【００３４】
次に、１つのセラミックスグリーンシート上に、ヒータ電極５１，５２およびダミー部６１，６２用のメタライズインクを、例えばスクリーン印刷によって塗布する（Ｓ１２０）。すなわち、本実施形態では、ヒータ電極５１，５２およびダミー部６１，６２の形成のためのメタライズインクの塗布が、一括して（同タイミングで）実行される。なお、ヒータ電極５１，５２およびダミー部６１，６２用のメタライズインクとしては、上述したものと同様のメタライズインクが用いられる。
【００３５】
次に、複数のセラミックスグリーンシートを積層して熱圧着し、この積層体を所定の形状にカットし、還元雰囲気中で焼成する（例えば、１４００〜１８００℃で５時間の焼成を行う）（Ｓ１３０）。この焼成処理により、複数のセラミックスグリーンシートがセラミックス板１０となり、各メタライズインクの層が、吸着電極４０、ヒータ電極５１，５２、ダミー部６１，６２となる。
【００３６】
次に、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着剤を用いて、セラミックス板１０とベース板２０とを接合する（Ｓ１４０）。これにより、上述した構成の静電チャック１００の製造が完了する。
【００３７】
Ａ−４．本実施形態の効果：
上述した構成の本実施形態の静電チャック１００によれば、以下に説明するように、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１における温度分布の均一性を向上させることができる。
【００３８】
図５は、本実施形態の静電チャック１００における伝熱の様子を示す説明図であり、図６は、比較例の静電チャック１００ｘにおける伝熱の様子を示す説明図である。図５および図６の上段には、それぞれ、本実施形態の静電チャック１００および比較例の静電チャック１００ｘにおける図２のＸ１部に対応する部分の断面構成が拡大して示されている。図５および図６の上段では、ヒータ電極５１，５２から発せられた熱が伝わる量（伝熱量）の大きさを矢印の大きさで表現している（矢印が大きいほど伝熱量が大きい）。また、図５および図６の下段には、それぞれ、本実施形態の静電チャック１００および比較例の静電チャック１００ｘにおける吸着面Ｓ１（ＸＹ平面）の温度分布が、それぞれの図の上段に示す断面構成と対応付けて概念的に示されている。図５および図６の下段では、吸着面Ｓ１の温度をハッチングの濃さで表現している（ハッチングが濃いほど温度が高い）。なお、図５および図６の下段には、ヒータ電極５１，５２やダミー部６１，６２の位置が括弧付きの符号により示されている。
【００３９】
図５および図６の上段に示すように、本実施形態の静電チャック１００および比較例の静電チャック１００ｘでは、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１の温度制御に関し、第１および第２のゾーンＺ１，Ｚ２が設定されており、第１のヒータ電極５１が第１のゾーンＺ１の温度制御を担い、第２のヒータ電極５２が第２のゾーンＺ２の温度制御を担う。
【００４０】
ここで、図６の上段に示すように、比較例の静電チャック１００ｘは、ダミー部６１，６２を備えていない。すなわち、面方向において、第１のヒータ電極５１の一部分と第１のヒータ電極５１の他の一部分との間、および、第２のヒータ電極５２の一部分と第２のヒータ電極５２の他の一部分との間は、セラミックス板１０の形成材料であるセラミックスによって占められている。そのため、比較例の静電チャック１００ｘでは、ヒータ電極５１，５２がセラミックスにより全周囲まれていることとなり、ヒータ電極５１，５２からの発熱は上下方向や面方向に略均等に伝わる。その結果、図６の下段に示すように、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１において、ヒータ電極５１，５２の直上の領域の温度が比較的高くなり、ヒータ電極５１，５２が配置されていない領域の直上の領域の温度は比較的低くなり、両者の差が比較的大きくなる。
【００４１】
これに対し、図５の上段に示すように、本実施形態の静電チャック１００では、面方向において、第１のヒータ電極５１の一部分と第１のヒータ電極５１の他の一部分との間に第１のダミー部６１が配置され、第２のヒータ電極５２の一部分と第２のヒータ電極５２の他の一部分との間に第２のダミー部６２が配置されている。ダミー部６１，６２は、セラミックス板１０の形成材料より熱伝導率の高い材料により形成されている。そのため、本実施形態の静電チャック１００では、ヒータ電極５１（または５２）からの発熱が、他の方向と比べて、ダミー部６１（または６２）側に向かう方向に伝わりやすくなる。その結果、図５の下段に示すように、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１において、ダミー部６１，６２の直上の領域の温度と、ヒータ電極５１，５２の直上の領域の温度との差は、比較的小さくなる。従って、本実施形態の静電チャック１００によれば、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１における温度分布の均一性を向上させることができ、ひいては、ウェハＷの温度分布の均一性を向上させることができる。
【００４２】
なお、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１における温度分布の均一性を向上させるために、面方向においてヒータ電極５１，５２をより高密度で配置することも考えられるが、パターン幅や離隔距離等の制約の関係上、ヒータ電極５１，５２を全面的に配置することはできず、ヒータ電極５１，５２が配置されない領域をある程度以上確保する必要がある。しかし、本実施形態において用いられるダミー部６１，６２は、電圧が印加されないために配置の制約がほとんどなく、ヒータ電極５１，５２が配置されない領域のほとんどにダミー部６１，６２を配置することができ、その結果、ヒータ電極５１，５２もダミー部６１，６２も配置されない領域を最小化することができ、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１における温度分布の均一性を大幅に向上させることができる。
【００４３】
また、本実施形態の静電チャック１００では、ダミー部６１，６２が、ヒータ電極５１，５２の形成材料と同一の材料（例えば、タングステンを含む導電性材料）により形成されている。そのため、本実施形態の静電チャック１００によれば、ダミー部６１，６２をヒータ電極５１，５２と一括して形成することができるため、製造工程の効率化を実現することができる。
【００４４】
また、本実施形態の静電チャック１００は、一対の端子５３に接続される第１のヒータ電極５１と、第１のヒータ電極５１に接続される一対の端子５３とは異なる一対の端子５４に接続される第２のヒータ電極５２とを備え、面方向において第１のヒータ電極５１と第２のヒータ電極５２との間にはダミー部は配置されていない（すなわち、ダミー部６１，６２は、第１のヒータ電極５１と第２のヒータ電極５２との間を避けて配置されている）。そのため、本実施形態の静電チャック１００によれば、第１のヒータ電極５１により温度制御される第１のゾーンＺ１と、第２のヒータ電極５２により温度制御される第２のゾーンＺ２との間の熱の独立性が低下することを抑制しつつ、ゾーン毎に吸着面Ｓ１における温度分布の均一性を向上させることができる。
【００４５】
また、本実施形態の静電チャック１００では、ヒータ電極５１，５２およびダミー部６１，６２は、上下方向視で線状のパターンであり、第１および第２のダミー部６１，６２の線幅は、それぞれ、第１および第２のヒータ電極５１，５２の線幅より太い。そのため、本実施形態の静電チャック１００によれば、ヒータ電極５１（または５２）の一部分とヒータ電極５１（または５２）の他の一部分との間の伝熱性をより効果的に向上させることができ、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１における温度分布の均一性をさらに向上させることができる。
【００４６】
また、本実施形態の静電チャック１００では、ダミー部６１，６２が、上下方向においてヒータ電極５１，５２と略同一の位置に配置されており、ダミー部６１，６２を設けるためにセラミックスグリーンシートの層数を増やす必要がないため、セラミックス板１０の厚さの増加を抑制することができると共に、製造工程の煩雑化を抑制することができる。
【００４７】
なお、図６の上段に示すように、比較例の静電チャック１００ｘは、ダミー部６１，６２を備えていないため、上述した製造方法に従って複数のセラミックスシートを積層すると、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１において、ヒータ電極５１（または５２）の一部分とヒータ電極５１（または５２）の他の一部分との間に、ヒータ電極５１（または５２）の厚さの分に相当する凹部ＣＰが発生し、吸着面Ｓ１にヒータ電極５１（または５２）の形状に対応する凹凸が発生するおそれがある。また、この場合に、吸着面Ｓ１の平坦性を確保するために吸着面Ｓ１を研磨して新たな吸着面Ｓ１ｘを形成することも考えられるが、このようにすると、誘電体の厚さ（すなわち、吸着電極４０から吸着面Ｓ１ｘまでの距離）に関し、ヒータ電極５１，５２の直上部分の厚さＬ１が、ヒータ電極５１，５２が配置されていない領域の直上部分の厚さＬ２より薄くなり、吸着力のばらつきが発生するため、好ましくない。
【００４８】
これに対し、本実施形態の静電チャック１００では、面方向において、第１のヒータ電極５１の一部分と第１のヒータ電極５１の他の一部分との間に第１のダミー部６１が配置され、第２のヒータ電極５２の一部分と第２のヒータ電極５２の他の一部分との間に第２のダミー部６２が配置されているため、複数のセラミックスシートを積層してもセラミックス板１０の吸着面Ｓ１において凹部ＣＰが発生することを抑制することができ、その結果、吸着面Ｓ１に凹凸が発生したり、吸着面Ｓ１を研磨することによって吸着力のばらつきが発生したりすることを抑制することができる。
【００４９】
なお、本実施形態の静電チャック１００では、上下方向において、ダミー部６１（または６２）の厚さは、ヒータ電極５１（または５２）の厚さと略同一である。そのため、本実施形態の静電チャック１００によれば、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１に凹凸が発生することをより効果的に抑制することができる。
【００５０】
Ｂ．変形例：
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。
【００５１】
上記実施形態における静電チャック１００の構成は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、ダミー部６１，６２はいずれの端子にも接続されていないとしているが、ダミー部６１，６２がグラウンドに接続される１つの端子に接続されるとしてもよい。いずれにしても、ダミー部６１，６２には電圧は印加されない。
【００５２】
また、上記実施形態では、第１のヒータ電極５１は、一対の端子５３に接続され、第２のヒータ電極５２は、一対の端子５３とは異なる一対の端子５４に接続されているとしているが、第１のヒータ電極５１に接続される一対の端子の一方と第２のヒータ電極５２に接続される一対の端子の一方とが共用される（同じである）としてもよい。この場合であっても、第１のヒータ電極５１に接続される一対の端子の他方は、第２のヒータ電極５２に接続される一対の端子の他方とは異なるため、第１のヒータ電極５１に接続される一対の端子は、第２のヒータ電極５２に接続される一対の端子とは異なると言える。
【００５３】
また、上記実施形態では、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１の温度制御に関する２つのゾーン（第１および第２のゾーンＺ１，Ｚ２）に対応する２つのヒータ電極（第１および第２のヒータ電極５１，５２）が設けられているが、３つ以上のゾーンに対応する３つ以上のヒータ電極が設けられるとしてもよい。また、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１の温度制御に関し、ゾーン分けが行われないとしてもよい。
【００５４】
また、上記実施形態では、ダミー部６１（または６２）の線幅はヒータ電極５１（または５２）の線幅より太いとしているが、ダミー部６１（または６２）の線幅は、ヒータ電極５１（または５２）の線幅と同じであってもよいし、ヒータ電極５１（または５２）の線幅より細いとしてもよい。また、上記実施形態では、ダミー部６１（または６２）の厚さは、ヒータ電極５１（または５２）の厚さと略同一であるとしているが、必ずしも両者が略同一である必要はない。
【００５５】
また、上記実施形態では、冷媒流路２１がベース板２０の内部に形成されるとしているが、冷媒流路２１が、ベース板２０の内部ではなく、ベース板２０の表面（例えばベース板２０と接合層３０との間）に形成されるとしてもよい。また、上記実施形態では、セラミックス板１０の内部に一対の吸着電極４０が設けられた双極方式が採用されているが、セラミックス板１０の内部に１つの吸着電極４０が設けられた単極方式が採用されてもよい。
【００５６】
また、上記実施形態における各部材を形成する材料は、あくまで一例であり、各部材が他の材料により形成されてもよい。例えば、上記実施形態では、セラミックス板１０の形成材料として、アルミナを主成分とするセラミックスが用いられているが、他のセラミックス（例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分とするセラミックス等）やセラミックス以外の絶縁材料（例えば、樹脂材料等）が用いられてもよい。
【００５７】
また、上記実施形態では、ヒータ電極５１，５２およびダミー部６１，６２は、タングステンを含む導電性材料により形成されるとしているが、他の導電性材料（例えば、モリブデンを含む導電性材料等）により形成されるとしてもよい。なお、上記実施形態では、ダミー部６１，６２は、ヒータ電極５１，５２の形成材料と同一の材料により形成されているが、ダミー部６１，６２が、ヒータ電極５１，５２の形成材料とは異なる材料により形成されてもよい。この場合には、ダミー部６１，６２の形成材料が、ヒータ電極５１，５２の形成材料より熱伝導率の高い材料であることが好ましい。このような構成とすれば、ヒータ電極５１，５２からの発熱が、ダミー部６１，６２側に向かう方向により伝わりやすくなるため、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１における温度分布の均一性をより効果的に向上させることができる。
【００５８】
また、上記実施形態における静電チャック１００の製造方法はあくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、ヒータ電極５１，５２およびダミー部６１，６２がスクリーン印刷により形成されるとしているが、ヒータ電極５１，５２およびダミー部６１，６２が、メッキにより形成されたり、エッチングのパターンとして形成されたりしてもよい。
【００５９】
また、本発明は、静電引力を利用してウェハＷを保持する静電チャック１００に限らず、絶縁材料により形成された板状の絶縁体板と、絶縁体板の内部に配置され、抵抗発熱体により形成され、一対の端子に接続されるヒータ電極と、を備え、絶縁体板の表面の上方において対象物を保持する保持装置（例えば、真空チャックやヒータ等）にも適用可能である。例えば、本発明は、ポリイミドにより形成されたポリイミド板と、ポリイミド板の内部に配置されたヒータ電極とを備えるヒータにも適用可能である。なお、このようなヒータに適用される場合において、ウェハＷ等の対象物は、ポリイミド板の表面上に保持されるとしてもよいし、ポリイミド板の上方に積層された他の板状部材（例えばセラミックス板）の表面上に保持されるとしてもよい。
【符号の説明】
【００６０】
１０：セラミックス板  ２０：ベース板  ２１：冷媒流路  ３０：接合層  ４０：吸着電極  ５１：第１のヒータ電極  ５２：第２のヒータ電極  ５３：一対の端子  ５４：一対の端子  ６１：第１のダミー部  ６２：第２のダミー部  １００：静電チャック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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