(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも銀レジネートを含む導電性成分（Ａ）、光または熱により酸もしくは塩基を発生する化合物（Ｂ）、及びバインダー（Ｃ）を含有する、ペーストであって、導電性成分（Ａ）の割合が、ペースト中の全固形分に対して７０重量％以上であり、導電性成分（Ａ）に対する化合物（Ｂ）の割合が、０．１〜５重量％であることを特徴とする導電ペースト。
【請求項２】
前記導電性成分（Ａ）として、銀レジネートと銀粒子を含有することを特徴とする請求項１に記載の導電ペースト。
【請求項３】
さらに炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ｄ）を含有することを特徴とする請求項１または２に記載の導電ペースト。
【請求項４】
前記化合物（Ｂ）が、塩基発生剤であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の導電ペースト。
【請求項５】
前記バインダー（Ｃ）が、アルカリ可溶性樹脂であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の導電ペースト。
【請求項６】
さらに光ラジカル重合開始剤（Ｅ）を含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の導電ペースト。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の導電ペーストを塗布する工程と熱処理工程とを含むことを特徴とする導電パターンの製造方法。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の導電ペーストを塗布する工程と露光工程とを含むことを特徴とする導電パターンの製造方法。
【請求項９】
請求項５または６に記載の導電ペーストを塗布する工程と露光工程と現像工程とを含むことを特徴とする導電パターンの製造方法。
【請求項１０】
前記塗布工程においてディスペンサーで塗布することを特徴とする請求項７〜９のいずれか一項に記載の導電パターンの製造方法。
【請求項１１】
請求項７〜１０のいずれか一項に記載の導電パターンの製造方法によって基板上に導電パターンを形成する工程を含むことを特徴とする導電パターン付基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電ペースト、導電パターンの製造方法、導電パターンを具備する基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、スマートフォンやタブレットＰＣといった新規ハードウェアの出現により、電子機器市場は右肩上りの成長を続けており、各社とも開発や設備投資が進められている。これら電子機器には、アンテナや配線などの導電パターンが形成されている。導電パターンが形成される基板は、高分子からなる基板の使用が検討されるようになってきた。ところが、こうした高分子材料は一般的に耐熱性が低いことから、熱処理プロセスの低温化が求められている。
【０００３】
従来、基板上に、導電パターンを形成する方法として蒸着法が知られている。蒸着法は、真空容器内に投入した基板に金属膜を蒸着後、保護膜形成・エッチング・保護膜剥離を行うことによりパターンを形成する方法である。しかしながら、設備投資費用が高いだけでなく、工程が多いことが課題である。
【０００４】
そこで、設備投資費用が低い手法として、有機成分である樹脂と、無機成分である導電性成分とを含む、有機−無機複合導電パターンを形成するための材料として、樹脂や接着剤に銀粉、銅粉又はカーボン粉末を大量に混合した、いわゆるポリマ型の導電ペーストが実用化されている。
【０００５】
これら導電ペーストとして、スクリーン印刷法により形成したパターンを加熱硬化させることで、導電パターンを得ることができる（特許文献１及び２）や、酸性エッチング可能な導電ペースト（特許文献３）や、感光性硬化型導電ペーストが開発されている（特許文献４、５参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−１８７８３号公報
【特許文献２】特開２００７−２０７５６７号公報
【特許文献３】特開平１０−６４３３３号公報
【特許文献４】特開２００３−１６２９２１号公報
【特許文献５】国際公開第２０１４／２０８４４５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１〜５記載の導電ペーストはいずれも１２０℃以上の熱処理が必要であることから、耐熱性の低い基板上では使用できないという問題があった。
【０００８】
そこで本発明は、１００℃以下の低温条件において導電性を発現する導電パターンを形成することが可能な、導電ペーストを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明は、以下の（１）〜（１１）に記載した導電ペースト及び導電パターンの製造方法、及び、導電パターンを具備する基板を提供する。
（１）少なくとも銀レジネートを含む導電性成分（Ａ）、光または熱により酸もしくは塩基を発生する化合物（Ｂ）、及びバインダー（Ｃ）を含有する、ペーストであって、導電性成分（Ａ）の割合が、ペースト中の全固形分に対して７０重量％以上であり、導電性成分（Ａ）に対する化合物（Ｂ）の割合が、０．１〜５重量％であることを特徴とする導電ペースト。
（２）前記導電性成分（Ａ）として、銀レジネートと銀粒子を含有することを特徴とする（１）に記載の導電ペースト。
（３）さらに炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ｄ）を含有することを特徴とする（１）または（２）に記載の導電ペースト。
（４）前記化合物（Ｂ）が、塩基発生剤であることを特徴とする（１）〜（３）のいずれか一項に記載の導電ペースト。
（５）前記バインダー（Ｃ）が、アルカリ可溶性樹脂であることを特徴とする（１）〜（４）のいずれか一項に記載の導電ペースト。
（６）さらに光ラジカル重合開始剤（Ｅ）を含有することを特徴とする（１）〜（５）のいずれか一項に記載の導電ペースト。
（７）（１）〜（６）のいずれか一項に記載の導電ペーストを塗布する工程と熱処理工程とを含むことを特徴とする導電パターンの製造方法。
（８）（１）〜（６）のいずれか一項に記載の導電ペーストを塗布する工程と露光工程とを含むことを特徴とする導電パターンの製造方法。
（９）（５）または（６）に記載の導電ペーストを塗布する工程と露光工程と現像工程とを含むことを特徴とする導電パターンの製造方法。
（１０）前記塗布工程においてディスペンサーで塗布することを特徴とする（７）〜（９）のいずれか一項に記載の導電パターンの製造方法。
（１１）（７）〜（１０）のいずれか一項に記載の導電パターンの製造方法によって基板上に導電パターンを形成する工程を含むことを特徴とする導電パターン付基板の製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の導電ペーストによれば、低温キュア条件においても、比抵抗の低い導電パターンを得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施例の比抵抗評価に導電パターンを示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の導電ペーストは、スクリーン印刷法、感光性法（フォトリソグラフィー法）などの方法により導電パターンを形成することが可能な導電性成分と有機成分の混合物に関する。
本発明の導電ペーストは、導電性成分（Ａ）として、少なくとも銀レジネートを含有することが重要である。銀レジネートと、後述する、光または熱により酸もしくは塩基を発生する化合物（Ｂ）を含有することで、低温キュア条件においても、比抵抗の低い導電パターンを得ることが可能となる。そのメカニズムとしては、パターン形成プロセスにおいて銀レジネート中の銀イオンの還元反応が促進されるためと考えている。
【００１３】
本発明における銀レジネートとしては、有機酸であるカルボン酸と銀の塩、すなわち、カルボン酸銀が好ましい。カルボン酸銀としては、例えば、酢酸銀、プロピオン酸銀、酪酸銀、イソ酪酸銀、乳酸銀、ピルビン酸銀、グリオキシル酸銀、マロン酸銀、ラウリン酸銀、２−エチルヘキサン酸銀、ネオデカン酸銀、ステアリン酸銀、パルミチン酸銀、ベヘン酸銀、オレイン酸銀、リノール酸銀、銀アセチルアセトナート、アセトンジカルボン酸銀、イソブチリル酢酸銀、ベンゾイル酢酸銀、アセト酢酸銀、プロピオニル酢酸銀、α−メチルアセト酢酸銀、α−エチルアセト酢酸銀、ピバロイル酢酸銀、安息香酸銀、ピクリン酸銀、などが挙げられる。
【００１４】
また、導電性成分（Ａ）として、銀レジネート以外の導電性成分を含有することも好ましい。銀レジネートとその他の導電性成分を併用することで、比抵抗がより低い導電パターンを得ることが可能となる。そのメカニズムとしては、銀レジネート中の銀イオンの還元反応により、その他の導電性成分の粒子間を還元銀で架橋でき、銀レジネート単独の場合に比べ効率的に導電パスを形成できるためと考えている。銀レジネート以外の導電性成分（Ａ）としては例えば、銀、金、銅、白金、鉛、錫、ニッケル、アルミニウム、タングステン、モリブデン、酸化ルテニウム、クロム、チタン、カーボン若しくはインジウムの粒子又はこれら金属の合金の粒子、あるいは、これらの混合物が挙げられる。なかでも、導電性成分（Ａ）として、銀レジネートおよび銀粒子を含有することが好ましい。かかる構成とすることで、より低抵抗の導電パターンを形成できる。銀粒子のメジアン径（Ｄ５０）は、０．１〜１０μｍが好ましく、０．５〜６μｍがより好ましい。Ｄ５０が０．１μｍ以上であると、キュア工程での導電性成分（Ａ）同士の接触確率が向上し、製造された導電パターンの比抵抗が低くなる。一方で、体積平均粒子径が１０μｍ以下であると、製造された導電パターンの表面平滑度及び寸法精度が向上する。なお、Ｄ５０は、レーザー光散乱法により測定することができる。
【００１５】
導電性成分（Ａ）における銀レジネートの含有比としては、０．１〜１００重量％とすることが好ましい。０．１％以上とすることで、低温キュア条件における導電性の効果を十分に得ることができる。好ましくは０．５〜９０重量％であり、さらに好ましくは１〜５０重量％である。
【００１６】
導電ペースト中の全固形分に占める導電性成分（Ａ）の割合は、導電ペースト中の全固形分に対して７０重量％以上であることが重要である。全固形分に対する添加量が７０重量％未満であると、導電パターン中の導電性成分の密度が小さくなり、導電性が不十分となる。全固形分に対する添加量は、７５〜９８重量％が好ましく、８０〜９５重量％がより好ましい。全固形分に対する添加量が７５重量％以上であると、導電パターン中の導電性成分（Ａ）の密度が大きくなり、導電性が良好となる。一方、全固形分に対する添加量が９８重量％以下であると、基板との密着性が良好となる。
【００１７】
ここで全固形分とは、溶剤を除く、導電ペーストの全構成成分をいう。導電ペースト中の全固形分に占める導電性成分（Ａ）の割合は、導電ペースト作製時の導電性成分（Ａ）および有機成分の添加量で制御できる。
【００１８】
本発明の導電ペーストは、有機成分として少なくとも、光または熱により酸もしくは塩基を発生する化合物（Ｂ）、及びバインダー（Ｃ）を含有することを特徴とする。
【００１９】
光または熱により酸もしくは塩基を発生する化合物（Ｂ）（以下、「化合物（Ｂ）」）を含有することにより、パターン形成プロセスにおいて銀レジネート中の銀イオンの還元反応が促進し、低温キュア条件においても比抵抗の低い導電パターンが得られる。
【００２０】
化合物（Ｂ）としては、光酸発生剤、熱酸発生剤、塩基発生剤などが挙げられるが、特定のものに限定されるものではなく、またこれらを単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２１】
光酸発生剤としては、例えば、ＳＩ−１０１、ＳＩ−１０５、ＳＩ−１０６、ＳＩ−１０９、ＰＩ−１０５、ＰＩ−１０６、ＰＩ−１０９、ＮＡＩ−１００、ＮＡＩ−１００２、ＮＡＩ−１００３、ＮＡＩ−１００４、ＮＡＩ−１０１、ＮＡＩ−１０５、ＮＡＩ−１０６、ＮＡＩ−１０９、ＮＤＩ−１０１、ＮＤＩ−１０５、ＮＤＩ−１０６、ＮＤＩ−１０９、ＰＡＩ−０１、ＰＡＩ−１０１、ＰＡＩ−１０６若しくはＰＡＩ−１００１（以上、いずれもみどり化学（株）製）、ＳＰ−０７７若しくはＳＰ−０８２（以上、いずれも（株）ＡＤＥＫＡ製）、ＴＰＳ−ＰＦＢＳ（東洋合成工業（株）製）、ＣＧＩ−ＭＤＴ若しくはＣＧＩ−ＮＩＴ（以上、いずれもチバジャパン（株）製）又はＷＰＡＧ−２８１、ＷＰＡＧ−３３６、ＷＰＡＧ−３３９、ＷＰＡＧ−３４２、ＷＰＡＧ−３４４、ＷＰＡＧ−３５０、ＷＰＡＧ−３７０、ＷＰＡＧ−３７２、ＷＰＡＧ−４４９、ＷＰＡＧ−４６９、ＷＰＡＧ−５０５若しくはＷＰＡＧ−５０６（以上、いずれも和光純薬工業（株）製）、イルガキュアＰＡＧ１０３、イルガキュアＰＡＧ１２１、イルガキュアＰＡＧ２０３（ＢＡＳＦ製）が挙げられるが、特定のものに限定されるものではなく、またこれらを単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２２】
加熱により酸を発生する化合物である熱酸発生剤としては、例えば、ＳＩ−６０、ＳＩ−８０、ＳＩ−１００、ＳＩ−１１０、ＳＩ−１４５、ＳＩ−１５０、ＳＩ−６０Ｌ、ＳＩ−８０Ｌ、ＳＩ−１００Ｌ、ＳＩ−１１０Ｌ、ＳＩ−１４５Ｌ、ＳＩ−１５０Ｌ、ＳＩ−１６０Ｌ、ＳＩ−１８０Ｌ（以上、いずれも三新化学工業（株）製）、４−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム、２−メチルベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム、２−メチルベンジル−４−アセチルフェニルメチルスルホニウム、２−メチルベンジル−４−ベンゾイルオキシフェニルメチルスルホニウム、これらのメタンスルホン酸塩、トリフルオロメタンスルホン酸塩、カンファースルホン酸塩、ｐ−トルエンスルホン酸塩が挙げられる。より好ましくは４−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム、２−メチルベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム、２−メチルベンジル−４−アセチルフェニルメチルスルホニウム、２−メチルベンジル−４−ベンゾイルオキシフェニルメチルスルホニウム、これらのメタンスルホン酸塩、トリフルオロメタンスルホン酸塩、カンファースルホン酸塩、ｐ−トルエンスルホン酸塩、などが挙げられるが、特定のものに限定されるものではなく、またこれらを単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２３】
塩基発生剤としては、コバルトなど遷移金属錯体、オルトニトロベンジルカルバメート類、α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジルカルバメート類、アシルオキシイミノ類などが挙げられる。
【００２４】
発生する塩基の種類としては有機、無機の塩基のいずれの場合も好ましく用いることができるが、光照射による発生効率の点から有機アミン類が特に好ましい。発生する有機アミン類の種類としては脂肪族、芳香族のいずれでもよく、また、１官能でも多官能でも良い。紫外線照射により発生するアミン類の具体例としては、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、デシルアミン、セチルアミン、ヒドラジン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ベンジルアミン、アニリン、ナフチルアミン、フェニレンジアミン、トルエンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ヘキサメチルテトラミン、ピペリジン、ピペラジンなどが挙げられる。
【００２５】
好ましい塩基発生剤の具体例として、遷移金属錯体としては、ブロモペンタアンモニアコバルト過塩素酸塩、ブロモペンタメチルアミンコバルト過塩素酸塩、ブロモペンタプロピルアミンコバルト過塩素酸塩、ヘキサアンモニアコバルト過塩素酸塩、ヘキサメチルアミンコバルト過塩素酸塩、ヘキサプロピルアミンコバルト過塩素酸塩などが挙げられ、オルトニトロベンジルカルバメート類としては、［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］メチルアミン、［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］プロピルアミン、［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ヘキシルアミン、［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］アニリン、［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ピペリジン、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ヘキサメチレンジアミン、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］フェニレンジアミン、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］トルエンジアミン、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ジアミノジフェニルメタン、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ピペラジン、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］メチルアミン、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］プロピルアミン、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ヘキシルアミン、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］アニリン、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ピペリジン、ビス［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ヘキサメチレンジアミン、ビス［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］フェニレンジアミン、ビス［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］トルエンジアミン、ビス［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ジアミノジフェニルメタン、ビス［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ピペラジンなどが挙げられ、α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジルカルバメート類としては、［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］メチルアミン、［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］プロピルアミン、［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］ヘキシルアミン、［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］アニリン、［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］ピペリジン、ビス［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］ヘキサメチレンジアミン、ビス［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］フェニレンジアミン、ビス［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］トルエン��アミン、ビス［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］ジアミノジフェニルメタン、ビス［［（α，α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）オキシ］カルボニル］ピペラジンなどが挙げられ、アシルオキシイミノ類としては、プロピオニルアセトフェノンオキシム、プロピオニルベンゾフェノンオキシム、プロピオニルアセトンオキシム、ブチリルアセトフェノンオキシム、ブチリルベンゾフェノンオキシム、ブチリルアセトンオキシム、アジポイルアセトフェノンオキシム、アジポイルベンゾフェノンオキシム、アジポイルアセトンオキシム、アクロイルアセトフェノンオキシム、アクロイルベンゾフェノンオキシム、アクロイルアセトンオキシムなどが挙げられ、その他の塩基発生剤として、ＷＰＢＧ−０１８、ＷＰＢＧ−０２７、ＷＰＢＧ−１４０、ＷＰＢＧ−１６５、ＷＰＢＧ−２６６（以上、いずれも和光純薬工業（株）製）などが挙げられるが、特定のものに限定されるものではなく、またこれらを単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２６】
導電性成分（Ａ）に対する化合物（Ｂ）の割合は、０．１〜５重量％であることが好ましく、０．２〜３重量％がより好ましい。化合物（Ｂ）の割合が０．１重量％以上であると、低温キュア条件において、比抵抗の低い導電パターンが得られる。一方、化合物（Ｂ）の割合が５重量％以下であると、導電パターン中の絶縁成分量が少なくなるので、比抵抗の低い導電パターンが得られる。また、熱酸発生剤、光酸発生剤、および塩基発生剤を併用しても構わない。
【００２７】
本発明の導電ペーストが含有する、バインダー（Ｃ）は、ペースト化および導電パターンの基板への密着性に必要な成分である。バインダー（Ｃ）としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、セルロース化合物、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂などが好適に用いられる。これらを単独または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２８】
アクリル樹脂としては、共重合成分に炭素−炭素二重結合を有するアクリル系モノマを含む、共重合体を用いることができる。炭素−炭素二重結合を有するアクリル系モノマとしては、例えば、メチルアクリレート、アクリル酸、２−エチルヘキシルアクリレート、エチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、ｉｓｏ−ブチルアクリレート、ｉｓｏ−プロパンアクリレート、グリシジルアクリレート、Ｎ−メトキシメチルアクリルアミド、Ｎ−エトキシメチルアクリルアミド、Ｎ−ｎ−ブトキシメチルアクリルアミド、Ｎ−イソブトキシメチルアクリルアミド、ブトキシトリエチレングリコールアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、イソボニルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソデキシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレングリコールアクリレート、メトキシジエチレングリコールアクリレート、オクタフロロペンチルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリルアクリレート、トリフロロエチルアクリレート、アクリルアミド、アミノエチルアクリレート、フェニルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、１−ナフチルアクリレート、２−ナフチルアクリレート、チオフェノールアクリレート若しくはベンジルメルカプタンアクリレート等のアクリル系モノマ、スチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、α−メチルスチレン、クロロメチルスチレン若しくはヒドロキシメチルスチレン等のスチレン類、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、１−ビニル−２−ピロリドン、アリル化シクロヘキシルジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，３−ブチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、グリセロールジアクリレート、メトキシ化シクロヘキシルジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、トリグリセロールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、エポキシ基を不飽和酸で開環させた水酸基を有するエチレングリコールジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ジエチレングリコールジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、グリセリンジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ビスフェノールＦのアクリル酸付加物若しくはクレゾールノボラックのアクリル酸付加物等のエポキシアクリレートモノマ、又は、上記アクリル系モノマのアクリル基を、メタクリル基に置換した化合物が挙げられる。具体的な製品例としては、オリコックスＫＣ−１７００Ｐ、ＫＣ−��１００（共栄社化学（株）製）、ハイパールＭ−４００３、Ｍ−４００６、Ｍ−４５０１、Ｍ−５０００、Ｍ−５００１、Ｍ−６００３、Ｍ−６７０１、Ｍ−６６６４、Ｍ−０６０３（根上工業（株）製）などが挙げられる。
【００２９】
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、ビスフェノールＡのノボラック型、ビフェノール型、ビキシレノール型、トリスフェノールメタン型、Ｎ−グリシジル型、αートリグリシジルイソシアネート、βートリグリシジルイソシアヌレート、脂環式、複素環式など、公知のエポキシ樹脂、フェノキシ樹脂が挙げられるが、特定のものに限定されるものではなく、またこれらを単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。具体的な製品例として、ｊＥＲ（登録商標）８２５、８２７、８２８、１００１、１００２、１００３、１０５５、１００４、１００７、１００９、１０１０、８０６、８０７、４００４Ｐ、４００５Ｐ、４００７Ｐ、４０１０Ｐ、１２５６、４２５０、４２７５、１５４、１０３１Ｓ、ＹＸ７７００、ＹＸ８０００、ＹＸ８０３４（三菱化学（株）製）などが挙げられる。
【００３０】
セルロース化合物としては、例えばメチルセルロース、エチルセルロース等が挙げられ、具体的な製品例として、ＥＴＨＯＣＥＬ（登録商標）４ｃｐ、７ｃｐ、１０ｃｐ、１４ｃｐ、２０ｃｐ、４５ｃｐ、７０ｃｐ、１００ｃｐ、２００ｃｐ、３００ｃｐ（ダウケミカル（株）製）などが挙げられる。
【００３１】
導電性成分（Ａ）に対する化合物（Ｃ）の割合は、２〜５０重量％であることが好ましく、２．５〜３０重量％がより好ましい。化合物（Ｃ）の割合が２重量％以上であると、基材との密着性の良好な導電パターンが得られる。一方、化合物（Ｃ）の割合が５０重量％以下であると、導電パターン中の絶縁成分量が少なくなるので、比抵抗の低い導電パターンが得られる。
【００３２】
本発明の導電ペーストは、必要に応じて、炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ｄ）（以下、「化合物（Ｄ）」）を含有することが好ましい。
【００３３】
化合物（Ｄ）としては、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ｎ−プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、ｓｅｃ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルアクリレート、ｎ−ペンチルアクリレート、アリルアクリレート、ベンジルアクリレート、ブトキシエチルアクリレート、ブトキシトリエチレングリコールアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、グリセロールアクリレート、グリシジルアクリレート、ヘプタデカフロロデシルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、イソボニルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソデキシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレングリコールアクリレート、メトキシジエチレングリコールアクリレート、オクタフロロペンチルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリルアクリレート、トリフロロエチルアクリレート、アリル化シクロヘキシルジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，３−ブチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、グリセロールジアクリレート、メトキシ化シクロヘキシルジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、トリグリセロールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、アクリルアミド、アミノエチルアクリレート、フェニルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、ベンジルアクリレート、１−ナフチルアクリレート、２−ナフチルアクリレート、ビスフェノールＡジアクリレート、ビスフェノールＡ−エチレンオキサイド付加物のジアクリレート、ビスフェノールＡ−プロピレンオキサイド付加物のジアクリレート、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート等の各種アクリル酸エステル、チオフェノールアクリレート若しくはベンジルメルカプタンアクリレート又はこれらモノマの芳香環の水素原子の１〜５個を塩素若しくは臭素原子に置換したモノマ、あるいは、スチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、塩素化スチレン、臭素化スチレン、α−メチルスチレン、塩素化α−メチルスチレン、臭素化α−メチルスチレン、クロロメチルスチレン、ヒドロキシメチルスチレン、カルボシキメチルスチレン、ビニルナフタレン、ビニルアントラセン又はビニルカルバゾールが挙げられる。また、上記の炭素−炭素二重結合を含有する化合物の分子内のアクリレートの一部若しくはすべてをメタクリレートに置換したものも挙げられる。また、多官能モノマにおいては、アクリル基、メタクリル基、ビニル基又はアリル基が混在していても構わない。
【００３４】
本発明の導電ペーストは、必要に応じて、バインダー（Ｃ）がアルカリ可溶性樹脂であることが好ましい。アルカリ可溶性樹脂としては、例えば、カルボキシル基を有するアクリル樹脂が挙げられる。カルボキシル基を有するアクリル樹脂は、構成モノマとして不飽和カルボン酸などの不飽和酸を用いることにより得られる。不飽和酸としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸若しくはビニル酢酸又はこれらの酸無水物が挙げられる。用いる不飽和酸の多少により、得られるアクリル系共重合体の酸価を調整することができる。
【００３５】
また、上記アクリル系共重合体が有するカルボキシル基と、グリシジル（メタ）アクリレート等の不飽和二重結合を有する化合物と、を反応させることにより、側鎖に反応性の不飽和二重結合を有する、アルカリ可溶性のアクリル系共重合体が得られる。
【００３６】
化合物（Ｃ）の酸価は、化合物（Ｃ）のアルカリ可溶性を至適なものとするため、４０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好ましく、５０〜２００ｍｇＫＯＨ／ｇであることがより好ましい。酸価が４０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であると、可溶部分の溶解性が良好となる。一方、酸価が２５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であると、現像許容幅が広くなる。なお、化合物（Ｃ）の酸価は、ＪＩＳ  Ｋ  ００７０（１９９２）に準拠して測定することができる。
【００３７】
本発明の導電ペーストは、必要に応じて、光ラジカル重合開始剤（Ｅ）を含有することが好ましい。ここで光ラジカル重合開始剤（Ｅ）とは、紫外線等の短波長の光を吸収して分解するか、又は、水素引き抜き反応を起こして、ラジカルを生じる化合物をいう。光ラジカル重合開始剤（Ｅ）としては、例えば、１，２−オクタンジオン、１−［４−（フェニルチオ）−２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）］、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキサイド、エタノン，１−［９−エチル−６−２（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、ベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４’−メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、２，２’−ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、ｐ−ｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、アントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、２−アミルアントラキノン、β−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンゾスベロン、メチレンアントロン、４−アジドベンザルアセトフェノン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）シクロヘキサノン、６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）−４−メチルシクロヘキサノン、１−フェニル−１，２−ブタンジオン−２−（ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−プロパンジオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキシム、１，３−ジフェニル−プロパントリオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−３−エトキシ−プロパントリオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキシム、ミヒラーケトン、２−メチル−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−１−プロパノン、ナフタレンスルホニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド、Ｎ−フェニルチオアクリドン、４，４’−アゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィド、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィン、カンファーキノン、２，４−ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、四臭化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾイン、エオシン又はメチレンブルー等の光還元性色素と、アスコルビン酸若しくはトリエタノールアミン等の還元剤との組み合わせが挙げられる。
【００３８】
本発明において、導電性成分（Ａ）、化合物（Ｂ）、アルカリ可溶性樹脂、化合物（Ｄ）により構成される導電ペースト、および、導電性成分（Ａ）、化合物（Ｂ）、アルカリ可溶性樹脂、化合物（Ｄ）、光ラジカル重合開始剤（Ｅ）により構成される導電ペーストは、感光性を有するペーストであり、露光・現像工程によりパターン形成が可能となる。線幅５０μｍ以下のパターンを形成する場合は、感光性を有する方が好ましい。
【００３９】
本発明の導電ペーストは、増感剤を含んでいても構わない。増感剤としては、例えば、２，４−ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２，３−ビス（４−ジエチルアミノベンザル）シクロペンタノン、２，６−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）シクロヘキサノン、２，６−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）−４−メチルシクロヘキサノン、ミヒラーケトン、４，４−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４−ビス（ジメチルアミノ）カルコン、４，４−ビス（ジエチルアミノ）カルコン、ｐ−ジメチルアミノシンナミリデンインダノン、ｐ−ジメチルアミノベンジリデンインダノン、２−（ｐ−ジメチルアミノフェニルビニレン）イソナフトチアゾール、１，３−ビス（４−ジメチルアミノフェニルビニレン）イソナフトチアゾール、１，３−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）アセトン、１，３−カルボニルビス（４−ジエチルアミノベンザル）アセトン、３，３−カルボニルビス（７−ジエチルアミノクマリン）、Ｎ−フェニル−Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−フェニルエタノールアミン、Ｎ−トリルジエタノールアミン、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、３−フェニル−５−ベンゾイルチオテトラゾール又は１−フェニル−５−エトキシカルボニルチオテトラゾールが挙げられる。
【００４０】
本発明の導電ペーストは、溶剤を含有しても構わない。溶剤としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルイミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（以下、「ＣＡ」）、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル、３−メトキシ−３−メチルブタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、ジアセトンアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール又はプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げられる。
【００４１】
本発明の導電ペーストは、その所望の特性を損なわない範囲であれば、可塑剤、レベリング剤、界面活性剤、シランカップリング剤、消泡剤若しくは顔料等の添加剤を含有しても構わない。
【００４２】
可塑剤としては、例えば、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート、ポリエチレングリコール又はグリセリンが挙げられる。
【００４３】
レベリング剤としては、例えば、特殊ビニル系重合物又は特殊アクリル系重合物が挙げられる。
【００４４】
シランカップリング剤としては、例えば、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン又はビニルトリメトキシシランが挙げられる。
【００４５】
導電ペーストの全成分分析方法は以下のとおりである。
（i）導電ペーストを有機溶媒で希釈し、１Ｈ−ＮＭＲ測定、ＧＣ測定及びＧＣ／ＭＳ測定をしてその概要を調べる。
（ii）導電ペーストを有機溶媒抽出した後に遠心分離を行い、可溶分と不溶分とを分離する。
（iii）上記不溶分について、高極性有機溶媒で抽出した後に遠心分離を行い、可溶分と不溶分とをさらに分離する。
（iv）上記（ii）及び（iii）で得られた可溶分の混合液について、ＩＲ測定、１Ｈ−ＮＭＲ測定及びＧＣ／ＭＳ測定を行う。さらに、上記混合液をＧＰＣ分取し、得られた分取物についてＩＲ測定及び１Ｈ−ＮＭＲ測定を行う。また、該分取物については、必要に応じてＧＣ測定、ＧＣ／ＭＳ測定、熱分解ＧＣ／ＭＳ測定及びＭＡＬＤＩ／ＭＳ測定を行う。
（v）上記（iii）で得られた不溶分についてＩＲ測定又はＴＯＦ−ＳＩＭＳ測定を行い、有機物が存在することが確認された場合には、熱分解ＧＣ／ＭＳ又はＴＰＤ／ＭＳ測定を行う。
（vi）上記（i）、（iv）及び（v）の測定結果を総合的に判断することで、導電ペーストが含有する各成分の含有率を求めることができる。なお、上記（iii）で用いる高極性有機溶媒としては、クロロホルム又はメタノール等が好ましい。
【００４６】
本発明の導電ペーストは、例えば、“あわとり練太郎”（登録商標）（ＡＲＥ−３１０；（株）シンキー製）などの自転・公転ミキサー、もしくは、三本ローラー、ボールミル若しくは遊星式ボールミル等の分散機又は混練機を用いて製造される。
【００４７】
次に本発明の導電ペーストを用いた、導電パターンの製造方法について説明する。
【００４８】
本発明の導電パターンの製造方法により得られた導電パターンは、有機成分と無機成分との複合物となっており、本発明の導電ペーストに含まれる導電性成分（Ａ）中の銀レジネート由来の還元銀同士、あるいは還元銀と金属粒子の接触により、導電性が発現するものである。
【００４９】
導電パターンを製造するための工程として、例えば、塗布工程、熱処理工程、露光工程、現像工程などが挙げられる。
【００５０】
本発明における塗布工程としては、例えば、スピナーを用いた回転塗布、スプレー塗布、ディスペンサー塗布、ロールコーティング、スクリーン印刷又はブレードコーター、ダイコーター、カレンダーコーター、メニスカスコーター若しくはバーコーターなどを用いた基板への塗布が挙げられる。
【００５１】
基板としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム（以下、「ＰＥＴフィルム」）、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、アラミドフィルム、エポキシ樹脂基板、ポリエーテルイミド樹脂基板、ポリエーテルケトン樹脂基板、ポリサルフォン系樹脂基板、ポリカーボネート基板、ガラス基板、シリコンウエハー、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板、炭化ケイ素基板、加飾層形成基板又は絶縁層形成基板などが挙げられる。
【００５２】
本発明における熱処理工程としては、例えば、オーブン、イナートオーブン、ホットプレート若しくは赤外線等による加熱乾燥又は真空乾燥などが挙げられる。
【００５３】
本発明における露光工程としては、感光法によりパターン形成する場合はフォトマスクを介した露光、あるいは、レーザー直接描画である必要があるが、それ以外の場合は、フォトマスクやレーザー直接描画をする必要はなく、全面露光すればよい。露光装置としては、例えば、ステッパー露光機又はプロキシミティ露光機などが挙げられる。この際使用される活性光源としては、例えば、近紫外線、紫外線、電子線、Ｘ線又はレーザー光等が挙げられるが紫外線が好ましい。紫外線の光源としては、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲンランプ又は殺菌灯が挙げられるが、超高圧水銀灯が好ましい。
【００５４】
本発明における現像工程としては、感光性ペーストの場合、現像液を用いて現像し、未露光部を溶解除去することで、所望のパターンが得られる。アルカリ現像を行う場合の現像液としては、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノエチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン又はヘキサメチレンジアミンの水溶液が挙げられるが、これらの水溶液に、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド若しくはγ−ブチロラクトン等の極性溶媒、メタノール、エタノール若しくはイソプロパノール等のアルコール類、乳酸エチル若しくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン若しくはメチルイソブチルケトン等のケトン類又は界面活性剤を添加しても構わない。有機現像を行う場合の現像液としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド若しくはヘキサメチルホスホルトリアミド等の極性溶媒又はこれら極性溶媒とメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、キシレン、水、メチルカルビトール若しくはエチルカルビトールとの混合溶液が挙げられる。
【００５５】
現像の方法としては、例えば、基板を静置又は回転させながら現像液を塗布膜面にスプレーする方法、基板を現像液中に浸漬する方法、又は、基板を現像液中に浸漬しながら超音波をかける方法などが挙げられる。
【００５６】
現像により得られたパターンは、リンス液によるリンス処理を施しても構わない。ここでリンス液としては、例えば、水あるいは水にエタノール若しくはイソプロピルアルコール等のアルコール類又は乳酸エチル若しくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル類を加えた水溶液などが挙げられる。
【００５７】
本発明において、溶剤を揮発除去する方法としては、例えば、オーブン、ホットプレート若しくは赤外線等による加熱乾燥又は真空乾燥が挙げられる。
【００５８】
導電パターンの製造方法としては、塗布工程を経た後に熱処理工程を経る方法、塗布工程を経た後に、露光工程、熱処理工程を経る方法、あるいは、塗布工程を経た後に、溶剤を揮発除去し、露光工程、熱処理工程を経る方法、もしくは、塗布工程を経た後に、溶剤を揮発除去し、露光工程、現像工程を経てパターン形成し、熱処理工程を経る方法、などが挙げられる。
【実施例】
【００５９】
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００６０】
各実施例及び比較例で用いた材料は、以下のとおりである。
【００６１】
［導電性成分（Ａ）］
（Ａ−１）ネオデカン酸銀（和光純薬工業（株）製）
（Ａ−２）銀アセチルアセトナート（シグマアルドリッチジャパン製）
（Ａ−３）１次粒子径が１．５μｍの銀粒子（三井金属（株）製）
（Ａ−４）１次粒子径が２．０μｍの銀粒子（三井金属（株）製）
［化合物（Ｂ）］
（Ｂ−１）サンエイド  ＳＩ−６０Ｌ（三新化学工業（株）製）（熱酸発生剤）
（Ｂ−２）ＷＰＢＧ−１４０（和光純薬工業（株）製）（光塩基発生剤）
（Ｂ−３）イルガキュア（登録商標）ＰＡＧ−１２１（ＢＡＳＦ製）（光酸発生剤）
［バインダー（Ｃ）］
（Ｃ−１）オリコックスＫＣ−１７００Ｐ（共栄社化学（株）製）
（Ｃ−２）ＥＴＨＯＣＥＬ（登録商標）２０ｃｐ（ダウケミカル（株）製）
（Ｃ−３）ｊＥＲ（登録商標）１２５６（三菱化学（株）製）
（Ｃ−４）窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのＣＡを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、２０ｇのＥＡ、４０ｇの２−ＥＨＭＡ、２０ｇのＳｔ、１５ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＣＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。引き続き、５ｇのＧＭＡ、１ｇのトリエチルベンジルアンモニウムクロライド及び１０ｇのＣＡからなる混合物を、０．５時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに２時間付加反応を行った。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、アルカリ可溶性樹脂（Ｃ−４）を得た。得られたアルカリ可溶性樹脂（Ｃ−４）の酸価は９７ｍｇＫＯＨ／ｇ、重量平均分子量は１６０００であった。
【００６２】
［炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ｄ）］
ライトアクリレートＢＰ−４ＥＡ（共栄社化学（株）製）
［光重合開始剤（Ｅ）］
ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）３６９（ＢＡＳＦ（株）製）
［溶剤］
ＣＡ（東京化成工業（株）製）
（実施例１）
１００ｍＬクリーンボトルに、０．２５ｇの化合物（Ｂ−１）、４．７５ｇのバインダー（Ｃ−１）、１２．５ｇのＣＡを入れ、“あわとり練太郎”（登録商標）（ＡＲＥ−３１０；（株）シンキー製）で混合して、１７．５ｇの樹脂溶液を得た。得られた１７．５ｇの樹脂溶液と、４５．０の銀レジネート（Ａ−１）を混ぜ合わせ、“あわとり練太郎”（登録商標）（ＡＲＥ−３１０；（株）シンキー製）で混合して、６２．５ｇの導電ペーストを得た。
【００６３】
得られた導電ペーストを用いて、導電パターンの比抵抗及び基材との密着性を評価した。
【００６４】
図１に示す線幅０．４０ｍｍ、線長８０ｍｍの導電パターンをスクリーン印刷（印刷版：ＳＵＳ製３２５メッシュ／インチ）にて、ＰＥＴフィルム上にパターン印刷した。得られた塗布膜を６０℃、８０℃、１００℃の条件でそれぞれ１０分間熱処理を行い、比抵抗評価パターンを得た。得られた比抵抗評価パターンのそれぞれの端部に抵抗計でつないで抵抗値を測定し、以下の式（１）に基づいて比抵抗を算出した。
比抵抗  ＝  抵抗値×膜厚×線幅／線長  ・・・  （１）
導電パターンの比抵抗は６７０μΩｃｍ（６０℃１０分）、１９０μΩｃｍ（８０℃１０分）、７６μΩｃｍ（１００℃１０分）であり、いずれの条件においても比抵抗が１０００μΩｃｍ以下で良好であった。また、導電パターンを光学顕微鏡で観察し、導電パターンが基板と密着しているかを判定した結果、基板からの剥離は確認されず、密着性は○であった。
【００６５】
（実施例２、３、６、比較例２、４）
表１、２に示す組成の導電ペーストを実施例１と同様の方法で製造し、実施例１と同様の評価を行った結果を表３、４に示す。
【００６６】
（実施例４）
１００ｍＬクリーンボトルに、０．２５ｇの化合物（Ｂ−２）、４．７５ｇのバインダー（Ｃ−１）、１２．５ｇのＣＡを入れ、“あわとり練太郎”（登録商標）（ＡＲＥ−３１０；（株）シンキー製）で混合して、１７．５ｇの樹脂溶液を得た。得られた１７．５ｇの樹脂溶液と、４５．０の銀レジネート（Ａ−１）を混ぜ合わせ、“あわとり練太郎”（登録商標）（ＡＲＥ−３１０；（株）シンキー製）で混合して、６２．５ｇの導電ペーストを得た。
【００６７】
得られた導電ペーストを用いて、導電パターンの比抵抗及び基材との密着性を評価した。
【００６８】
図１に示す線幅０．４０ｍｍ、線長８０ｍｍの導電パターンをスクリーン印刷（印刷版：ＳＵＳ製３２５メッシュ／インチ）にて、ＰＥＴフィルム上にパターン印刷した。得られた塗布膜を２５℃、１０Ｐａで２分真空乾燥した。その後、露光装置（ＰＥＭ−６Ｍ；ユニオン光学株式会社製）を用いて露光量１５０ｍＪ／ｃｍ２（波長３６５ｎｍ換算）で全線露光を行った。得られた露光膜を、６０℃、８０℃、１００℃の条件でそれぞれ１０分間熱処理を行い、比抵抗評価パターンを得た。熱処理なしのパターンも含め、実施例１と同様の方法で比抵抗評価した結果、いずれの条件においても導電パターンの比抵抗が１０００μΩｃｍ以下で良好であった。また、導電パターンの基板からの剥離は確認されず、密着性は○であった。
【００６９】
（実施例５、７）
表１に示す組成の導電ペーストを実施例４と同様の方法で製造し、実施例４と同様の評価を行った結果を表３に示す。
【００７０】
（実施例８）
１００ｍＬクリーンボトルに、０．２５ｇの化合物（Ｂ−１）、４．７５ｇのバインダー（Ｃ−１）、１２．５ｇのＣＡを入れ、“あわとり練太郎”（登録商標）（ＡＲＥ−３１０；（株）シンキー製）で混合して、１７．５ｇの樹脂溶液を得た。得られた１７．５ｇの樹脂溶液と、４０．０の銀レジネート（Ａ−１）を混ぜ合わせ、“あわとり練太郎”（登録商標）（ＡＲＥ−３１０；（株）シンキー製）で混合して後に、銀粒子（Ａ−３）５．０ｇを混ぜ合わせ、３本ローラー（ＥＸＡＫＴ  Ｍ−５０；ＥＸＡＫＴ社製）を用いて混練し、６２．５ｇの導電ペーストを得た。
【００７１】
得られた導電ペーストを用いて、導電パターンの比抵抗及び基材との密着性を評価した。
【００７２】
図１に示す線幅０．４０ｍｍ、線長８０ｍｍの導電パターンをスクリーン印刷（印刷版：ＳＵＳ製３２５メッシュ／インチ）にて、ＰＥＴフィルム上にパターン印刷した。得られた塗布膜を６０℃、８０℃、１００℃の条件でそれぞれ１０分間熱処理を行い、比抵抗評価パターンを得た。実施例１と同様の方法で比抵抗評価した結果、いずれの条件においても比抵抗が１０００μΩｃｍ以下で良好であった。また、導電パターンの基板からの剥離は確認されず、密着性は○であった。
【００７３】
（実施例９〜１４、１７、比較例３）
表１、２に示す組成の導電ペーストを実施例８と同様の方法で製造し、実施例８と同様の評価を行った結果を表３、４に示す。
【００７４】
（実施例１５）
１００ｍＬクリーンボトルに、０．２５ｇの化合物（Ｂ−２）、４．７５ｇのバインダー（Ｃ−１）、１２．５ｇのＣＡを入れ、“あわとり練太郎”（登録商標）（ＡＲＥ−３１０；（株）シンキー製）で混合して、１７．５ｇの樹脂溶液を得た。得られた１７．５ｇの樹脂溶液と、０．５の銀レジネート（Ａ−１）を混ぜ合わせ、“あわとり練太郎”（登録商標）（ＡＲＥ−３１０；（株）シンキー製）で混合して後に、銀粒子（Ａ−３）４４．５ｇを混ぜ合わせ、３本ローラー（ＥＸＡＫＴ  Ｍ−５０；ＥＸＡＫＴ社製）を用いて混練し、６２．５ｇの導電ペーストを得た。
【００７５】
得られた導電ペーストを用いて、導電パターンの比抵抗及び基材との密着性を評価した。
【００７６】
図１に示す線幅０．４０ｍｍ、線長８０ｍｍの導電パターンをスクリーン印刷（印刷版：ＳＵＳ製３２５メッシュ／インチ）にて、ＰＥＴフィルム上にパターン印刷した。得られた塗布膜を２５℃、１０Ｐａで２分真空乾燥した。その後、露光装置（ＰＥＭ−６Ｍ；ユニオン光学株式会社製）を用いて露光量１５０ｍＪ／ｃｍ２（波長３６５ｎｍ換算）で全線露光を行った。得られた露光膜を、６０℃、８０℃、１００℃の条件でそれぞれ１０分間熱処理を行い、比抵抗評価パターンを得た。熱処理なしのパターンも含め、実施例１と同様の方法で比抵抗評価した結果、いずれの条件においても導電パターンの比抵抗が１０００μΩｃｍ以下で良好であった。また、導電パターンの基板からの剥離は確認されず、密着性は○であった。
【００７７】
（実施例１６、１８、１９、２３）
表２に示す組成の導電ペーストを実施例１５と同様の方法で製造し、実施例１５と同様の評価を行った結果を表４に示す。
【００７８】
（実施例２０）
１００ｍＬクリーンボトルに、０．５ｇの化合物（Ｂ−３）、７．５ｇのバインダー（Ｃ−４）、１．０ｇの化合物Ｄ、１２．５ｇのＣＡを入れ、“あわとり練太郎”（登録商標）（ＡＲＥ−３１０；（株）シンキー製）で混合して、２１．５ｇの樹脂溶液を得た。得られた２１．５ｇの樹脂溶液と、０．５の銀レジネート（Ａ−１）を混ぜ合わせ、“あわとり練太郎”（登録商標）（ＡＲＥ−３１０；（株）シンキー製）で混合して後に、銀粒子（Ａ−３）４０．５ｇを混ぜ合わせ、３本ローラー（ＥＸＡＫＴ  Ｍ−５０；ＥＸＡＫＴ社製）を用いて混練し、６２．５ｇの導電ペーストを得た。
【００７９】
得られた導電ペーストを用いて、導電パターンの比抵抗及び基材との密着性を評価した。
【００８０】
ＰＥＴフィルム上に導電ペーストをスクリーン印刷にて１００ｍｍ角で塗布し、２５℃、１０Ｐａで２分真空乾燥した。その後、フォトマスクを介して乾燥後の塗布膜を露光、現像して、図１に示す線幅０．４０ｍｍ、線長８０ｍｍの導電パターンを得た。なお、露光は露光装置（ＰＥＭ−６Ｍ；ユニオン光学株式会社製）を用いて露光量１５０ｍＪ／ｃｍ２（波長３６５ｎｍ換算）で全線露光を行い、現像は０．２％のＮａ２ＣＯ３溶液に基板を３０秒浸漬させた後、超純水によるリンス処理を施して行った。その後、６０℃、８０℃、１００℃の条件でそれぞれ１０分間熱処理を行い、比抵抗評価パターンを得た。実施例１と同様の方法で比抵抗評価した結果、いずれの条件においても導電パターンの比抵抗が１０００μΩｃｍ以下で良好であった。また、導電パターンの基板からの剥離は確認されず、密着性は○であった。
【００８１】
（実施例２１、２２）
表２に示す組成の導電ペーストを実施例２０と同様の方法で製造し、実施例２０と同様の評価を行った結果を表４に示す。
【００８２】
（比較例１）
表２に示す組成の導電ペーストを実施例１と同様の方法で製造した。
【００８３】
得られた導電ペーストを用いて、導電パターンの比抵抗及び基材との密着性を評価した。
【００８４】
図１に示す線幅０．４０ｍｍ、線長８０ｍｍの導電パターンをディスペンサーにて、ＰＥＴフィルム上に塗布した。得られた塗布膜を６０℃、８０℃、１００℃の条件でそれぞれ１０分間熱処理を行い、比抵抗評価パターンを得た。実施例１と同様の方法で比抵抗評価した結果、いずれの条件においても比抵抗が１０００μΩｃｍ以下で良好であったが、導電パターンが基板からの剥離した箇所が確認され、密着性は×であった。
【００８５】
実施例１〜２３の導電ペーストでは、いずれも比抵抗、基材との密着性に優れた導電パターンを形成することができた。比較例２〜４の導電ペーストで形成した導電パターンは、比抵抗が高かった。
【００８６】
【表１】
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【００８７】
【表２】
0006638511.tif 000003
【００８８】
【表３】
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【００８９】
【表４】
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【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明の導電ペーストは、タッチパネル用周囲配線、太陽電池、回路等の導電パターンの製造のために、好適に利用できる。
【符号の説明】
【００９１】
Ａ：導電パターン
【図１】
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