(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に並ぶ複数の駆動電極と、
前記複数の駆動電極との間に容量を形成する検出電極と、
前記複数の駆動電極に対して第１駆動信号又は第２駆動信号を供給するドライバと、
前記第１駆動信号に対して前記検出電極から得られる第１検出信号に基づいて検出領域に接触或いは近接する物体を検出する第１検出回路と、
前記第２駆動信号に対して前記複数の駆動電極から得られる第２検出信号に基づいて前記検出領域に接触或いは近接する物体を検出する第２検出回路と、
を備え、
前記複数の駆動電極は、複数の第１駆動電極と、隣り合う第１駆動電極の間に配置された複数の第２駆動電極とを含み、
前記第１駆動電極の前記第１方向における第１幅は、前記第２駆動電極の前記第１方向における第２幅の整数倍であり、
前記ドライバは、前記第１方向に連続する第１規定数の前記駆動電極をそれぞれ含む複数の第１ブロックに対して前記第１駆動信号を順次供給し、前記第１方向に連続する第２規定数の前記駆動電極をそれぞれ含む複数の第２ブロックに対して前記第２駆動信号を順次供給し、
前記第１ブロックの前記第１方向における中心位置と、前記第２ブロックの前記第１方向における中心位置とが一致する、
表示装置。
【請求項２】
隣り合う前記第１駆動電極の間に、２つの前記第２駆動電極が配置され、
前記第１幅は、前記第２幅の２倍である、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
隣り合う前記第１ブロックは、同一の前記第２駆動電極を共用する、
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
第１方向に並ぶ複数の駆動電極と、
前記複数の駆動電極との間に容量を形成する検出電極と、
前記複数の駆動電極に対して第１駆動信号又は第２駆動信号を供給するドライバと、
前記第１駆動信号に対して前記検出電極から得られる第１検出信号に基づいて検出領域に接触或いは近接する物体を検出する第１検出回路と、
前記第２駆動信号に対して前記複数の駆動電極から得られる第２検出信号に基づいて前記検出領域に接触或いは近接する物体を検出する第２検出回路と、
を備え、前記複数の駆動電極は、複数の第１駆動電極と、隣り合う第１駆動電極の間に配置された複数の第２駆動電極とを含み、前記第１駆動電極の前記第１方向における第１幅は、前記第２駆動電極の前記第１方向における第２幅の整数倍である表示装置の駆動方法であって、
前記第１方向に連続する第１規定数の前記駆動電極をそれぞれ含む複数の第１ブロックに対して前記第１駆動信号を順次供給し、
前記第１方向に連続する第２規定数の前記駆動電極をそれぞれ含む複数の第２ブロックに対して前記第２駆動信号を順次供給し、
前記第１ブロックの前記第１方向における中心位置と、前記第２ブロックの前記第１方向における中心位置とを一致させる、
駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置及び表示装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチ検出機能付きの表示装置が知られている。このタッチ検出機能を実現するタッチ検出装置は、表示装置の入力デバイスとして利用されるものであり、例えば、駆動信号が順次供給される複数の駆動電極と、この駆動電極との間に容量を形成する検出電極と、を備え、検出電極から得られる信号に基づき検出面に接触或いは近接する物体を検出する方式と、駆動電極自体の容量に基づき検出面に接触或いは近接する物体を検出する方式とを実現するものがある。
【０００３】
２つの検出方式を組み合わせることにより、タッチ検出の検出精度を高めることができる。しかしながら、それぞれの検出方式において、検出方式が異なるため、タッチの誤検出が生じる場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−４９８８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の一態様における目的は、タッチの誤検出を発生させないタッチ検出機能付き表示装置及び表示装置の駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施形態に係る表示装置は、第１方向に並ぶ複数の駆動電極と、前記複数の駆動電極との間に容量を形成する検出電極と、前記複数の駆動電極に対して第１駆動信号又は第２駆動信号を供給するドライバと、前記第１駆動信号に対して前記検出電極から得られる第１検出信号に基づいて検出領域に接触或いは近接する物体を検出する第１検出回路と、前記第２駆動信号に対して前記複数の駆動電極から得られる第２検出信号に基づいて前記検出領域に接触或いは近接する物体を検出する第２検出回路と、を備え、前記複数の駆動電極は、複数の第１駆動電極と、隣り合う第１駆動電極の間に配置された複数の第２駆動電極とを含み、前記第１駆動電極の前記第１方向における第１幅は、前記第２駆動電極の前記第１方向における第２幅の整数倍であり、前記ドライバは、前記第１方向に連続する第１規定数の前記駆動電極をそれぞれ含む複数の第１ブロックに対して前記第１駆動信号を順次供給し、前記第１方向に連続する第２規定数の前記駆動電極をそれぞれ含む複数の第２ブロックに対して前記第２駆動信号を順次供給し、前記第１ブロックの前記第１方向における中心位置と、前記第２ブロックの前記第１方向における中心位置とが一致する。
【０００７】
一実施形態に係る表示装置の駆動方法は、以下の構成を備える。表示装置は、第１方向に並ぶ複数の駆動電極と、前記複数の駆動電極との間に容量を形成する検出電極と、前記複数の駆動電極に対して第１駆動信号又は第２駆動信号を供給するドライバと、前記第１駆動信号に対して前記検出電極から得られる第１検出信号に基づいて検出領域に接触或いは近接する物体を検出する第１検出回路と、前記第２駆動信号に対して前記複数の駆動電極から得られる第２検出信号に基づいて前記検出領域に接触或いは近接する物体を検出する第２検出回路と、を備え、前記複数の駆動電極は、複数の第１駆動電極と、隣り合う第１駆動電極の間に配置された複数の第２駆動電極とを含み、前記第１駆動電極の前記第１方向における第１幅は、前記第２駆動電極の前記第１方向における第２幅の整数倍である。駆動方法は、前記第１方向に連続する第１規定数の前記駆動電極をそれぞれ含む複数の第１ブロックに対して前記第１駆動信号を順次供給し、前記第１方向に連続する第２規定数の前記駆動電極をそれぞれ含む複数の第２ブロックに対して前記第２駆動信号を順次供給し、前記第１ブロックの前記第１方向における中心位置と、前記第２ブロックの前記第１方向における中心位置とを一致させる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、一実施形態に係る表示装置の概略的な構成を示す平面図である。
【図２】図２は、一実施形態に係る表示装置の断面の一例を模式的に示す図である。
【図３】図３は、表示領域に接触或いは近接する物体を検出する原理の一例を示す図である。
【図４】図４は、表示領域に接触或いは近接する物体を検出する原理の一例を示す図である。
【図５】図５は、一実施形態に係る表示装置において、画像表示に係る概略的な等価回路を示す図である。
【図６】図６は、一構成例に係る駆動電極の一例を示す図である。
【図７】図７は、一構成に係るミューチャル検出方式のセンシング動作を説明するための図である。
【図８】図８は、一構成例に係るミューチャル検出方式での検出結果の一例を示す図である。
【図９】図９は、一構成例に係るセルフ検出方式のセンシング動作を説明するための図である。
【図１０】図１０は、一構成例に係るセルフ検出方式での検出結果の一例を示す図である。
【図１１】図１１は、一構成例に係る駆動電極の一例を示す図である。
【図１２】図１２は、一構成例に係るミューチャル検出方式のセンシング動作を説明するための図である。
【図１３】図１３は、一構成例に係るミューチャル検出方式での検出結果の一例を示す図である。
【図１４】図１４は、一構成例に係るセルフ検出方式のセンシング動作を説明するための図である。
【図１５】図１５は、一構成例に係るセルフ検出方式での検出結果の一例を示す図である。
【図１６】図１６は、一構成例に係るミューチャル検出方式でのセンシング動作の具体的な一例を示す図である。
【図１７】図１７は、図１６での検出結果の一例を示す図である。
【図１８】図１８は、一構成例に係るセルフ検出方式でのセンシング動作の具体的な一例を示す図である。
【図１９】図１９は、図１８での検出結果の一例を示す図である。
【図２０】図２０は、本実施形態の第１実施例に係る駆動電極の構成（一構成例の偶数の構成に対応）の一例を示す図である。
【図２１】図２１は、第１実施例に係るミューチャル検出方式のセンシング動作を説明するための図である。
【図２２】図２２は、第１実施例に係るミューチャル検出方式の検出結果の一例を示す図である。
【図２３】図２３は、第１実施例に係るセルフ検出方式のセンシング動作を説明するための図である。
【図２４】図２４は、第１実施例に係るセルフ検出方式の検出結果の一例を示す図である。
【図２５】図２５は、本実施形態の第２実施例に係る駆動電極の構成（一構成例の奇数の構成に対応）の一例を示す図である。
【図２６】図２６は、第２実施例に係るミューチャル検出方式のセンシング動作を説明するための図である。
【図２７】図２７は、第２実施例に係るミューチャル検出方式の検出結果の一例を示す図である。
【図２８】図２８は、第２実施例に係るセルフ検出方式のセンシング動作を説明するための図である。
【図２９】図２９は、第２実施例に係るセルフ検出方式の検出結果の一例を示す図である。
【図３０】図３０は、表示装置に含まれるタッチ検出装置の構成の一例を示す図である。
【図３１】図３１は、表示装置のタッチ検出処理と、画像表示処理とを実行するタイミングの一例を示すタイミングチャート。
【図３２】図３２は、他の実施形態に係る駆動電極の構成の一例を示す図である。
【図３３】図３３は、他の実施形態に係るミューチャル検出方式のセンシング動作の一例を示す図である。
【図３４】図３４は、他の実施形態に係るセルフ検出方式のセンシング動作の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
いくつかの実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。各図において、連続して配置される同一又は類似の要素については符号を省略することがある。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１０】
各実施形態においては、表示装置の一例として、液晶表示素子を用いた表示パネルを備える表示装置を開示する。ただし、各実施形態は、液晶表示素子以外の表示素子を用いた表示装置に対する、各実施形態にて開示される個々の技術的思想の適用を妨げるものではない。液晶表示素子以外の表示素子としては、有機エレクトロルミネッセンス表示素子等を有する自発光型の表示パネル、或いは電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示パネルなどが想定される。
【００１１】
図１は、本実施形態に係る、タッチ検出機能付き表示装置１の概略的な構成を示す平面図である。表示装置１は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、パーソナルコンピュータ、テレビ受像装置、車載装置、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。
【００１２】
表示装置１は、表示パネル２と、複数の駆動電極ＴＸ（ＴＸ１〜ＴＸｎ）と、各駆動電極ＴＸと対向する複数の検出電極ＲＸ（ＲＸ１〜ＲＸｍ）と、ドライバモジュールとして機能するドライバＩＣ３と、検出回路４とを備えている。ｎ及びｍは、例えば２以上の整数である。駆動電極は、共通電極と呼ばれる場合もある。
【００１３】
表示パネル２は、矩形状のアレイ基板ＡＲ（第１基板）と、このアレイ基板ＡＲよりも外形が小さい矩形状の対向基板ＣＴ（第２基板）とを備えている。図１の例において、アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴは、３辺を重ねて貼り合わされている。アレイ基板ＡＲは、対向基板ＣＴと対向しない端子領域ＮＡ（非対向領域）を有している。
【００１４】
アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴが対向する領域において、表示パネル２は、画像を表示する表示領域（アクティブエリア）ＤＡと、表示領域ＤＡと表示パネル２の端部との間の周辺領域ＦＡとを有している。図１の例において、表示領域ＤＡは、端子領域ＮＡ側の第１辺Ｅ１と、第１辺Ｅ１の反対側の第２辺Ｅ２と、第１辺Ｅ１及び第２辺Ｅ２を繋ぐ第３辺Ｅ３及び第４辺Ｅ４とを有した長方形状である。以下の説明においては、第１辺Ｅ１及び第２辺Ｅ２と平行な方向を第１方向Ｘと呼び、第３辺Ｅ３及び第４辺Ｅ４と平行な方向を第２方向Ｙと呼ぶ。本実施形態においては、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙが垂直に交わるが、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは他の角度で交わっても良い。
【００１５】
表示領域ＤＡにおいて、駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎは、第１辺Ｅ１から第２辺Ｅ２に至るまで第２方向Ｙに延びるとともに第１方向Ｘに並んでいる。駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎは、例えばインジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）などの透明導電膜で形成することができる。駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎは、例えば表示パネル２の内部、つまり、アレイ基板ＡＲに形成されている。
【００１６】
表示領域ＤＡにおいて、検出電極ＲＸ１〜ＲＸｍは、第３辺Ｅ３から第４辺Ｅ４に至るまで第１方向Ｘに延びるとともに第２方向Ｙに並んでいる。検出電極ＲＸ１〜ＲＸｍは、ＩＴＯなどの透明導電膜や、金属線を用いた導電パターンによって形成することができる。検出電極ＲＸ１〜ＲＸｍは、例えば対向基板ＣＴのアレイ基板ＡＲと対向する面とは反対側の表面に形成されている。
【００１７】
なお、駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎが第１方向Ｘに延びるとともに第２方向Ｙに並び、検出電極ＲＸ１〜ＲＸｍが第２方向Ｙに延びるとともに第１方向Ｘに並んだ構成を採用しても良い。
ドライバＩＣ３は、駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎに対して駆動信号を供給することによりセンシングに関する制御、及び画像表示に関する制御を実行するものであり、端子領域ＮＡに実装されている。ドライバＩＣは、ＣＯＧ（Chip On Glass）方式により実装されているが、第１フレキシブル配線基板６に実装されたものであっても良い。
【００１８】
端子領域ＮＡには、実装端子５が形成されている。実装端子５には、画像データを表示パネル２に供給する第１フレキシブル配線基板６が接続されている。
端子領域ＮＡに沿う対向基板ＣＴの端部には、実装端子７が形成されている。実装端子７には、検出電極ＲＸ１〜ＲＸｍ、および駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎからの検出信号を出力する第２フレキシブル配線基板８が接続されている。図１の例において、検出回路４は、第２フレキシブル配線基板８に実装されている。
【００１９】
検出電極ＲＸ１〜ＲＸｍは、例えば周辺領域ＦＡにおいて対向基板ＣＴの表面に形成された検出配線ＤＬを介して実装端子７と接続されている。図１の例において、表示領域ＤＡの第２辺Ｅ２側から奇数番目の検出電極ＲＸと実装端子７とを接続する検出配線ＤＬは、表示領域ＤＡの第３辺Ｅ３と対向基板ＣＴの端部（図中左側の端部）との間に引き回され、これら奇数番目の検出電極ＲＸに接続されている。一方、表示領域ＤＡの第２辺Ｅ２側から偶数番目の検出電極ＲＸと実装端子７とを接続する検出配線ＤＬは、表示領域ＤＡの第１辺Ｅ１と対向基板ＣＴの端子領域ＮＡ側の端部との間、及び、表示領域ＤＡの第４辺Ｅ４と対向基板ＣＴの端部（図中右側の端部）との間に引き回され、これら偶数番目の検出電極ＲＸに接続されている。
【００２０】
図２は、表示領域ＤＡにおける表示装置１の断面の一例を模式的に示す図である。この図に示す断面は、１つの副画素ＳＰＸに着目したものである。それぞれ異なる色に対応する複数の副画素ＳＰＸにより、カラー画像を表示するための１つの画素が形成される。
【００２１】
図２の例において、アレイ基板ＡＲは、第１絶縁基板１０と、第１絶縁層１１と、第２絶縁層１２と、第１配向膜１３と、画素電極ＰＥと、駆動電極ＴＸとを備えている。第１絶縁層１１は、第１絶縁基板１０の対向基板ＣＴ側の面に形成されている。駆動電極ＴＸは、第１絶縁層１１の上に形成されている。第２絶縁層１２は、駆動電極ＴＸを覆っている。画素電極ＰＥは、副画素ＳＰＸごとに設けられ、第２絶縁層１２の上に形成されている。例えば画素電極ＰＥは、１又は複数のスリットＳＬを有している。第１配向膜１３は、画素電極ＰＥ及び第２絶縁層１２の一部を覆っている。
【００２２】
対向基板ＣＴは、第２絶縁基板２０と、遮光層２１と、カラーフィルタ２２と、オーバーコート層２３と、第２配向膜２４とを備えている。遮光層２１は、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＡＲ側の面に形成され、副画素ＳＰＸを区画している。カラーフィルタ２２は、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＡＲ側の面に形成され、副画素ＳＰＸに対応する色に着色されている。オーバーコート層２３は、カラーフィルタ２２を覆っている。第２配向膜２４は、オーバーコート層２３を覆っている。
【００２３】
第１配向膜１３と第２配向膜２４との間には、液晶分子を含む液晶層ＬＣが形成されている。例えば、検出電極ＲＸは、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＡＲと対向しない側の面に形成されている。なお、図２の例においては駆動電極ＴＸがアレイ基板ＡＲに形成されているが、駆動電極ＴＸは対向基板ＣＴに形成されても良い。その他、表示パネル２の内部構造はここに示したものに限られず、種々の構造を適用することができる。
【００２４】
続いて、駆動電極ＴＸ及び検出電極ＲＸにより表示領域ＤＡに接触或いは近接する物体を検出する原理の一例につき、図３を用いて説明する。  
互いに対向する駆動電極ＴＸと検出電極ＲＸとの間には、容量Ｃｃが存在する。駆動電極ＴＸに駆動信号Ｓｔｘが供給されると、容量Ｃｃを介して検出電極ＲＸに電流が流れるため、検出電極ＲＸから検出信号Ｓｒｘが得られる。駆動信号Ｓｔｘは例えば矩形パルスであり、検出信号Ｓｒｘは駆動信号Ｓｔｘに対応した電圧の矩形パルスである。
【００２５】
表示装置１にユーザの指などの導体である物体Ｏが近づくと、物体Ｏに近接する検出電極ＲＸと物体Ｏとの間に容量Ｃｘが生じる。駆動電極ＴＸに駆動信号Ｓｔｘが供給されたとき、物体Ｏに近接する検出電極ＲＸから得られる検出信号Ｓｒｘの波形は、容量Ｃｘの影響を受けて変化する。すなわち、各検出電極ＲＸから得られる検出信号Ｓｒｘに基づけば、検出回路４は、表示装置１に接触或いは近接する物体Ｏを検出することができる。また、各駆動電極ＴＸに駆動信号Ｓｔｘを時分割で順次供給した際に各時相にて各検出電極ＲＸから得られる検出信号Ｓｒｘに基づけば、検出回路４は、物体Ｏの第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにおける位置を検出することができる。以上説明した方式は、相互容量方式、又は、ミューチャル検出方式などと呼ばれる。
【００２６】
続いて、駆動電極ＴＸにより表示領域ＤＡに接触或いは近接する物体を検出する原理の他の一例につき、図４を用いて説明する。  
検出回路４は、駆動電極ＴＸ自体が有する容量の変化に基づいて物体Ｏの接触、或いは近接を検出することができる。このような検出方式は、セルフ容量検出方式などと呼ばれるが、以下ではセルフ検出方式と称することとする。
【００２７】
このように２つの検出方式を用いることにより、タッチ検出機能付き表示装置１は、物体Ｏの接触、或いは近接を確実に検出することが可能になる。例えば、表示装置１に水滴が付着した場合、ミューチャル検出方式では水滴を検出するのに対して、セルフ検出方式では水滴を検出しない。一方、表示装置１に指先が接触した場合、ミューチャル検出方式、およびセルフ検出方式のいずれでも指先を検出する。したがって、表示装置１に水滴が付着した場合に、水滴をタッチであると検出する事態を回避することができる。
【００２８】
次に、表示装置１による画像表示について説明する。図５は、画像表示に関わる概略的な等価回路を示す図である。表示装置１は、複数の走査線Ｇと、これら走査線Ｇに交差する複数の信号線Ｓと、第１ゲートドライバＧＤ１と、第２ゲートドライバＧＤ２と、セレクタ（ＲＧＢスイッチ）ＳＤとを備えている。セレクタＳＤは、複数のビデオ線ＶＬを介してドライバＩＣ３と接続されている。
【００２９】
各走査線Ｇは、表示領域ＤＡにおいて第１方向Ｘに延びるとともに第２方向Ｙに並んでいる。各信号線Ｓは、表示領域ＤＡにおいて第２方向Ｙに延びるとともに第１方向Ｘに並んでいる。各走査線Ｇ及び各信号線Ｓは、アレイ基板ＡＲに形成されている。各走査線Ｇは、第１ゲートドライバＧＤ１及び第２ゲートドライバＧＤ２に接続されている。各信号線Ｓは、セレクタＳＤに接続されている。
【００３０】
図５の例においては、各走査線Ｇ及び各信号線Ｓによって区画された領域が１つの副画素ＳＰＸに相当する。例えば、本実施形態においては、赤色に対応する副画素ＳＰＸＲと、緑色に対応する副画素ＳＰＸＧと、青色に対応する副画素ＳＰＸＢとで１つの画素ＰＸが構成される。画素ＰＸは、白色に対応する副画素ＳＰＸなどをさらに備えても良い。
【００３１】
各副画素ＳＰＸは、アレイ基板ＡＲに形成された薄膜トランジスタＴＦＴ（スイッチング素子）を備えている。薄膜トランジスタＴＦＴは、走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び画素電極ＰＥと電気的に接続されている。表示に際して、駆動電極ＴＸは共通電位に設定され、いわゆる共通電極として機能する。
【００３２】
第１ゲートドライバＧＤ１及び第２ゲートドライバＧＤ２は、各走査線Ｇに対して走査信号を順次供給する。セレクタＳＤは、ドライバＩＣ３に制御されて、各信号線Ｓに対して映像信号を選択的に供給する。ある薄膜トランジスタＴＦＴに接続された走査線Ｇに走査信号が供給され、かつこの薄膜トランジスタＴＦＴに接続された信号線Ｓに映像信号が供給される。この映像信号に応じた電圧が画素電極ＰＥに印加され、画素電極ＰＥと駆動電極ＴＸとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣの液晶分子の配向が電圧の印加されていない初期配向状態から変化する。このような動作により、表示領域ＤＡに画像が表示される。  
以上説明したように、本実施形態に係る表示装置１は、駆動電極ＴＸを画像表示及びタッチ検出の双方に利用する。
【００３３】
次に、表示装置１が有する駆動電極ＴＸの構成例について説明する。駆動電極ＴＸは、例えば、ピッチ２Ｗで構成され、ピッチ２Ｗは、例えば４０画素から１００画素で構成され、１画素は、既述のように、副画素ＳＰＸＲ，ＳＰＸＧ，ＳＰＸＢが含まれる。ここに、駆動電極ＴＸの「ピッチ」は、上述の第１方向Ｘにおける駆動電極ＴＸの幅に相当する。駆動電極ＴＸ間はスリットで仕切られている。各駆動電極ＴＸ内にダミーのスリットが設けられてもよい。例えば、駆動電極ＴＸ間のスリットとダミーのスリットとを含む各スリットは、上述の第１方向Ｘにおいて、一定の間隔で並ぶ。
【００３４】
第１方向Ｘに隣り合う副画素の間に、信号線Ｓと対向して第２方向Ｙに延びる金属配線が設けられても良い。この金属配線は、例えば、駆動電極ＴＸの上に形成することができる。金属配線を設けることで、駆動電極ＴＸの抵抗を下げることができる。
例えば、金属配線は、駆動電極ＴＸ間のスリットとダミーのスリットが形成される位置には設けなくても良い。例えば、駆動電極ＴＸ間のスリットとダミーのスリットを副画素ＳＰＸＲ，ＳＰＸＢの間に設け、金属配線を副画素ＳＰＸＲ，ＳＢＸＧの間と副画素ＳＰＸＧ，ＳＰＸＢの間に設ける構成を採用し得る。
【００３５】
駆動電極ＴＸのピッチは、適宜に変更することができる。例えば、ピッチ２Ｗの駆動電極ＴＸと、ピッチＷの駆動電極ＴＸとが混在しても良い。なお、ピッチの一例を挙げれば、ピッチ２Ｗが２ｍｍであり、ピッチＷが１ｍｍである。
次に、表示装置１のミューチャル検出方式とセルフ検出方式のセンシング動作について、２つの例を挙げて説明する。一構成例は、ピッチ２Ｗの駆動電極ＴＸが偶数で構成されている場合と、奇数で構成されている場合とを説明する。また、本実施形態の構成例では、ピッチ２Ｗの駆動電極ＴＸと、２つのピッチＷの駆動電極ＴＸの組との合計数が偶数である場合と、奇数である場合とを説明する。
【００３６】
（複数の駆動電極ＴＸの一構成例）
＜偶数で構成されている場合＞
図６は、駆動電極ＴＸの物理分割数が偶数の場合の一例であり、複数の駆動電極ＴＸがピッチ２Ｗの駆動電極ＴＸ１から駆動電極ＴＸ８の８個の駆動電極ＴＸにより構成されている。このように複数の駆動電極ＴＸが構成されている場合のミューチャル検出方式のセンシング動作を図７，図８を参照して、また、セルフ検出方式のセンシング動作を図９，図１０を参照してそれぞれ説明する。
【００３７】
まず、ミューチャル検出方式のセンシング動作について説明する。  
図７に示す例では、駆動電極ＴＸ１〜ＴＸ３がブロックＭＢＬ１１ｅを構成し、駆動電極ＴＸ３〜ＴＸ５がブロックＭＢＬ１２ｅを構成し、駆動電極ＴＸ５〜ＴＸ７がブロックＭＢＬ１３ｅを構成し、駆動電極ＴＸ７，ＴＸ８がブロックＭＢＬ１４ｅを構成する場合を想定する。このように、ミューチャル検出方式のセンシング動作においては、ブロックＭＢＬ毎（３バンドル毎）にセンシングを行うときに、一部の駆動電極ＴＸがオーバーラッップするように構成されている。なお、ブロックＭＢＬ１４ｅについては、駆動電極ＴＸ７，ＴＸ８の２バンドルになるため、ドライバＩＣ３は、仮想の駆動電極ＶＴＸを用いて３バンドルとして処理する。また、駆動電極ＴＸ２，ＴＸ４，ＴＸ６，ＴＸ８の幅方向の中心を示す位置ＭＣ１１ｅ〜ＭＣ１４ｅは、それぞれ各ブロックＭＢＬ１１ｅ〜ＭＢＬ１４ｅの中心位置を示している。
【００３８】
ドライバＩＣ３は、ブロックＭＢＬ１１ｅに対して駆動信号Ｓｔｘを供給すると、検出電極ＲＸの検出結果を取得する。このような動作が、ブロックＭＢＬ１２ｅ〜ＭＢＬ１４ｅに対しても同様に実行される。図８は、物体Ｏを検出していないときの各ブロックＭＢＬ１１ｅ〜ＭＢＬ１４ｅの検出結果の一例である。ブロックＭＢＬ１１ｅ〜ＭＢＬ１３ｅがそれぞれ３バンドル（ピッチ６Ｗ）であるの対して、ブロックＭＢＬ１４ｅは２バンドル（ピッチ４Ｗ）に駆動電極ＶＴＸを加えて仮想的に３バンドルとして検出される。このため、実際に検出される容量に相違が生じ、ブロックＭＢＬ１１ｅ〜ＭＢＬ１３ｅのＲＡＷキャパシタンスより、ブロックＭＢＬ４ｅのＲＡＷキャパシタンスが小さくなる。このように、ブロックＭＢＬ１１ｅからＭＢＬ１３ｅのＲＡＷキャパシタンスと、ブロックＭＢＬ１４ｅのＲＡＷキャパシタンスとが相違し、左右の値がアンバランスになっているため、ドライバＩＣ３は、ＲＡＷキャパシタンスの補正が困難になり、検出精度に低下が生じる。
【００３９】
次に、セルフ検出方式のセンシング動作について説明する。  
図９に示す例は、駆動電極ＴＸ１，ＴＸ２がブロックＳＢＬ１１ｅを構成し、駆動電極ＴＸ３，ＴＸ４がブロックＳＢＬ１２ｅを構成し、駆動電極ＴＸ５，ＴＸ６がブロックＳＢＬ１３ｅを構成し、駆動電極ＴＸ７，ＴＸ８がブロックＳＢＬ１４ｅを構成する場合を想定する。また、駆動電極ＴＸ１，ＴＸ２の間、駆動電極ＴＸ３，ＴＸ４の間、駆動電極ＴＸ５，ＴＸ６の間、駆動電極ＴＸ７，ＴＸ８の間にそれぞれ位置する位置ＳＣ１１ｅ〜ＳＣ１４ｅは、ブロックＳＢＬ１１ｅ〜ＳＢＬ１４ｅの中心位置を示している。
【００４０】
ドライバＩＣ３は、ブロックＳＢＬ１１ｅ〜ＳＢＬ１４ｅの検出結果を同時に取得する。図１０は、物体Ｏを検出していないときの各ブロックＳＢＬ１１ｅ〜ＳＢＬ１４ｅの検出結果の一例である。ブロックＳＢＬ１１ｅ〜ＳＢＬ１４ｅは、それぞれ２バンドル（ピッチ４Ｗ）であり、同容量となるため、同一のＲＡＷキャパシタンスの値になっている。
【００４１】
以上のように、ピッチ２Ｗの駆動電極ＴＸが偶数で構成されている場合、ミューチャル検出方式の各ブロックＭＢＬ１１ｅ〜ＭＢＬ１４ｅの位置ＭＣ１１ｅ〜ＭＣ１４ｅと、セルフ検出方式の各ブロックＳＢＬ１１ｅ〜ＳＢＬ１４ｅの位置ＳＣ１１ｅ〜ＳＣ１４ｅとは、それぞれ、ずれて位置される。このように、２つのセンシング動作において、各ブロックの中心位置がずれることにより、ドライバＩＣ３は、物体Ｏを誤検出する可能性が生じる。
【００４２】
＜奇数で構成されている場合＞
図１１は、駆動電極ＴＸの物理分割数が奇数の場合の一例であり、複数の駆動電極ＴＸがピッチ２Ｗの駆動電極ＴＸ１から駆動電極ＴＸ７の７個の駆動電極ＴＸにより構成されている。このように複数の駆動電極ＴＸが構成されている場合のミューチャル検出方式のセンシング動作を図１２，図１３を参照して、また、セルフ検出方式のセンシング動作を図１４，図１５を参照してそれぞれ説明する。
【００４３】
まず、ミューチャル検出方式のセンシング動作について説明する。  
図１２に示す例では、駆動電極ＴＸ１，ＴＸ２がブロックＭＢＬ１１ｏを構成し、駆動電極ＴＸ２〜ＴＸ４がブロックＭＢＬ１２ｏを構成し、駆動電極ＴＸ４〜ＴＸ６がブロックＭＢＬ１３ｏを構成し、駆動電極ＴＸ６，ＴＸ７がブロックＭＢＬ１４ｏを構成する場合を想定する。このように、複数の駆動電極ＴＸが奇数で構成されている場合にも、一部の駆動電極ＴＸがオーバーラップするオーバーラップ駆動を実行する。なお、ブロックＭＢＬ１１ｏ，ＭＢＬ１４ｏについては、駆動電極ＴＸが２バンドルになるため、ドライバＩＣ３は、ブロックＭＢＬ１１ｏは仮想の駆動電極ＶＴＸ１を用いて、ブロックＭＢＬ１４ｏは仮想の駆動電極ＶＴＸ２を用いて３バンドルとして処理する。また、駆動電極ＴＸ１，ＴＸ３，ＴＸ５，ＴＸ７の幅方向の中心を示す位置ＭＣ１１ｏ〜ＭＣ１４ｏは、各ブロックＭＢＬ１１ｏ〜ＭＢＬ１４ｏの中心位置を示している。
【００４４】
ドライバＩＣ３は、ブロックＭＢＬ１１ｏに対して駆動信号Ｓｔｘを供給すると、検出電極ＲＸの検出結果を取得する。このような動作が、ブロックＭＢＬ１２ｏ〜ＭＢＬ１４ｏに対しても同様に実行される。図１３は、物体Ｏを検出していないときの各ブロックＭＢＬ１１ｏ〜ＭＢＬ１４ｏの検出結果の一例である。ブロックＭＢＬ２ｏ，ＭＢＬ３ｏが３バンドル（ピッチ６Ｗ）であるのに対して、ブロックＭＢＬ１１ｏ，ＭＢＬ１４ｏは２バンドル（ピッチ４Ｗ）に駆動電極ＶＴＸ１，ＶＴＸ２をそれぞれ加えて３バンドルとして検出される。このため、実際に検出される容量に相違が生じ、ブロックＭＢＬ２ｏ，ＭＢＬ３ｏのＲＡＷキャパシタンスより、ブロックＭＢＬ１１ｏ，ＭＢＬ１４ｏのＲＡＷキャパシタンスが小さくなる。このように、ブロックＭＢＬ１１ｏ，ＭＢＬ１４ｏのＲＡＷキャパシタンスと、ブロックＭＢＬ１２ｏからＭＢＬ１３ｏのＲＡＷキャパシタンスとが相違する。図１３に示す例では、ブロックＭＢＬ１１ｏ，ブロックＭＢＬ１４ｏのＲＡＷキャパシタンスがブロックＭＢＬ１２ｏ，ＭＢＬ１３ｏのＲＡＷキャパシタンスより小さくなっている。このようにＲＡＷキャパシタンスが相違するが、左右の値のバランスが対称的であるため、ドライバＩＣ３は、ＲＡＷキャパシタンスの補正が容易になる。
【００４５】
次に、セルフ検出方式のセンシング動作について説明する。  
図１４に示す例は、駆動電極ＴＸ１がブロックＳＢＬ１１ｏを構成し、駆動電極ＴＸ２，ＴＸ３がブロックＳＢＬ１２ｏを構成し、駆動電極ＴＸ４，ＴＸ５がブロックＳＢＬ１３ｏを構成し、駆動電極ＴＸ６，ＴＸ７がブロックＳＢＬ１４ｏを構成する場合を想定する。なお、ブロックＳＢＬ１１ｏについては、駆動電極ＴＸ１の１バンドルになるため、ドライバＩＣ３は、仮想の駆動電極ＶＴＸを用いて２バンドルとして処理する。また、それぞれ駆動電極ＴＸ１の中心、及び駆動電極ＴＸ２，ＴＸ３の間、駆動電極ＴＸ４，ＴＸ５の間、駆動電極ＴＸ６，ＴＸ７の間にそれぞれ位置する位置ＳＣ１１ｏ〜ＳＣ１４ｏは、ブロックＳＢＬ１１ｏ〜ＳＢＬ１４ｏの中心位置を示している。
【００４６】
ドライバＩＣ３は、ブロックＳＢＬ１１ｏ〜ＳＢＬ１４ｏから同時に検出結果を取得する。図１５は、物体Ｏを検出していないときの各ブロックＳＢＬ１１ｏ〜ＳＢＬ１４ｏの検出結果の一例である。ブロックＳＢＬ１２ｏ〜ＳＢＬ１４ｏが２バンドル（ピッチ４Ｗ）であるのに対して、ブロックＳＢＬ１１ｏは１バンドル（ピッチ２Ｗ）に駆動電極ＶＴＸを加えて仮想的に２バンドルとして検出される。このため、実際に検出される容量に相違が生じ、ブロックＳＢＬ１２ｏ〜ＳＢＬ１４ｏのＲＡＷキャパシタンスより、ブロックＳＢＬ１１ｏのＲＡＷキャパシタンスが小さくなる。このように、ブロックＳＢＬ１２ｏ〜ＳＢＬ１４ｏのＲＡＷキャパシタンスと、ブロックＳＢＬ１１ｏのＲＡＷキャパシタンスとが相違し、左右の値がアンバランスになっているため、ドライバＩＣ３は、ＲＡＷキャパシタンスの補正が困難になり、検出精度に低下が生じる。
【００４７】
以上のように、ピッチ２Ｗの駆動電極ＴＸが奇数で構成されている場合において、ミューチャル検出方式の各ブロックＭＢＬ１１ｅ〜ＭＢＬ１４ｅの位置ＭＣ１１ｅ〜ＭＣ１４ｅと、セルフ検出方式の各ブロックＳＢＬ１１ｏ〜ＳＢＬ１４ｏの位置ＳＣ１１ｏ〜ＳＣ１４ｏとは、それぞれ、ずれて位置される。このように、２つのセンシング動作において、各ブロックの中心位置がずれることにより、ドライバＩＣ３は、物体Ｏを誤検出する可能性が生じる。
【００４８】
したがって、ピッチ２Ｗの駆動電極ＴＸが偶数で構成されていても、奇数で構成されていても、ドライバＩＣ３は、物体Ｏの誤検出を生じる可能性がある。このように誤検出を生じる仕組みについて、ピッチ２Ｗの駆動電極ＴＸが奇数で構成されている場合（参照：図１１）を例に挙げ、図１６から図１９を参照して説明する。
【００４９】
図１６に示すように、物体Ｏが駆動電極ＴＸ３に接触し、且つ、駆動電極ＴＸ４にも物体Ｏの一部が接触する場合を想定する。
ミューチャル検出方式のセンシング動作においては、駆動電極ＴＸ３はブロックＭＢＬ１２ｏに含まれているため、ブロックＭＢＬ１２ｏに駆動信号Ｓｔｘが供給されたときに、物体Ｏが検出される。図１７に示す例では、ブロックＭＢＬ１２ｏのときにシグナル（Ｄｅｌｔａキャパシタンス）が大きく検出される。なお、ブロックＭＢＬ１１ｏ，ＭＢＬ１４ｏではシグナルは検出されていないが、ブロックＭＢＬ１３ｏでは物体Ｏの一部が接触しているため、シグナル（Ｄｅｌｔａキャパシタンス）が若干検出されている。また、図１７において破線で示すように、物体Ｏの検出シグナルから少し遅れてゴースト（シグナル）がノイズにより発生する場合がある。このように、ドライバＩＣ３は、ブロックＭＢＬ１２ｏ，ＭＢＬ１３ｏで物体Ｏを検出する場合が生じる。
【００５０】
一方、セルフ検出方式のセンシング動作においては、図１８に示すように、図１６に示す例と同様に、物体Ｏが駆動電極ＴＸ３に接触し、駆動電極ＴＸ４にも物体Ｏの一部接触する場合を想定する。
駆動電極ＴＸ３がブロックＳＢＬ１２ｏに含まれ、駆動電極ＴＸ４がブロックＳＢＬ１３ｏに含まれているため、図１９に示すように、ブロックＳＢＬ１２ｏ、ＳＢＬ１３ｏのときにシグナル（Ｄｅｌｔａキャパシタンス）が大きく検出される。なお、ブロックＳＢＬ１１ｏ，ＳＢＬ１４ｏではシグナルは検出されない。このように、ドライバＩＣ３は、ブロックＳＢＬ１２ｏ，ＳＢＬ１３ｏで物体Ｏを検出する。
【００５１】
したがって、物体Ｏの検出がブロックＭＢＬ１２ｏ（駆動電極ＴＸ２〜ＴＸ４），ＭＢＬ１３ｏ（駆動電極ＴＸ４〜ＴＸ６）で検出されると共に、ブロックＳＢＬ１２ｏ（駆動電極ＴＸ２、ＴＸ３），ＳＢＬ１３ｏ（駆動電極ＴＸ４，ＴＸ５）で検出される。このため、ドライバＩＣ３は、ブロックＭＢＬ１２ｏだけでなく、本来は物体Ｏを検出しないブロックＭＢＬ１３ｏでも物体Ｏの位置を誤検出する場合が生じる。
【００５２】
（本実施形態の複数の駆動電極ＴＸの構成例）
＜実施例１：偶数で構成されている場合＞
図２０は、ピッチ２Ｗの駆動電極ＴＸと、２つのピッチＷの駆動電極ＴＸの組との合計数が偶数である場合の一例であり、複数の駆動電極ＴＸが駆動電極ＴＸ１〜ＴＸ１２の１２個の駆動電極ＴＸにより構成されている。駆動電極ＴＸ２，ＴＸ５，ＴＸ８，ＴＸ１１はピッチ２Ｗ（第１幅）であり、駆動電極ＴＸ１，ＴＸ３，ＴＸ４，ＴＸ６，ＴＸ７、ＴＸ９，ＴＸ１０，ＴＸ１２はピッチＷ（第２幅）である。したがって、複数の駆動電極ＴＸは、ピッチＷ−ピッチ２Ｗ−ピッチＷの並びが繰り返されて構成されている。この並びを、以下では、第１の配置パターンと称する。なお、本実施形態の構成例においては、ピッチ２Ｗ（第１幅）がピッチＷ（第２幅）の２倍である場合で説明するが、第１幅が第２幅の整数倍となるように構成しても良い。
【００５３】
このように複数の駆動電極ＴＸが構成されている場合のミューチャル検出方式のセンシング動作を図２１，図２２を参照して、また、セルフ検出方式のセンシング動作を図２３，図２４を参照してそれぞれ説明する。
まず、ミューチャル検出方式のセンシング動作について説明する。  
図２１に示す例では、駆動電極ＴＸ１〜Ｘ４がブロックＭＢＬ１ｅを構成し、駆動電極ＴＸ３〜ＴＸ７がブロックＭＢＬ２ｅを構成し、駆動電極ＴＸ６〜ＴＸ１０がブロックＭＢＬ３ｅを構成し、駆動電極ＴＸ９〜ＴＸ１２がブロックＭＢＬ４ｅを構成する場合を想定する。したがって、ドライバＩＣ３は、ブロックＭＢＬ（第１ブロック）の一部の駆動電極ＴＸを重複させながら５バンドル（ピッチ６Ｗ，第１規定数）のオーバーラップ駆動を実行する。なお、ブロックＭＢＬ１ｅ，ブロックＭＢＬ４ｅについては、４バンドルになるため、ドライバＩＣ３は、ブロックＭＢＬ１ｅについてはピッチＷの仮想の駆動電極ＶＴＸ１を用いて、ブロックＭＢＬ４ｅについてはピッチＷの仮想の駆動電極ＶＴＸ２を用いて５バンドルとして処理する。また、駆動電極ＴＸ２，ＴＸ５，ＴＸ８，ＴＸ１１の幅方向の中心を示す位置ＭＣ１ｅ〜ＭＣ４ｅは、各ブロックＭＢＬ１ｅ〜ＭＢＬ４ｅの中心位置を示している。
【００５４】
ドライバＩＣ３は、ブロックＭＢＬ１ｅに対して駆動信号Ｓｔｘを供給すると、検出電極ＲＸの検出結果を取得する。このような動作が、ブロックＭＢＬ２ｅ〜ＭＢＬ４ｅに対しても同様に実行される。図２２は、物体Ｏを検出していないときの各ブロックＭＢＬ１ｅ〜ＭＢＬ４ｅの検出結果の一例である。ブロックＭＢＬ２ｅ，ＭＢＬ３ｅが５バンドル（ピッチ６Ｗ）であるのに対して、ブロックＭＢＬ１ｅ，ＭＢＬ４ｅは４バンドル（ピッチ５Ｗ）に駆動電極ＶＴＸ１，ＶＴＸ２をそれぞれ加えて仮想的に５バンドル相当として検出される。このため、実際に検出される容量に相違が生じ、ブロックＭＢＬ２ｅ，ＭＢＬ３ｅのＲＡＷキャパシタンスと、ブロックＭＢＬ１ｅ，ＭＢＬ４ｅのＲＡＷキャパシタンスとが相違する。図２２に示す例では、ブロックＭＢＬ１ｅ，ブロックＭＢＬ４ｅのＲＡＷキャパシタンスがブロックＭＢＬ２ｅ，ＭＢＬ３ｅのＲＡＷキャパシタンスより小さくなっている。このように、ＲＡＷキャパシタンスが相違するが、左右の値のバランスが良く、対称的になっているため、ドライバＩＣ３は、ＲＡＷキャパシタンスの補正が容易である。また、上記一構成例の駆動電極ＴＸが偶数で構成されている場合の仮想的な駆動電極ＶＴＸの容量比（ピッチ６Ｗ：ピッチ２Ｗ，参照：図８）と比較して、仮想的な駆動電極ＶＴＸ１容量比（ピッチ６Ｗ：ピッチＷ）が小さくなるため、ドライバＩＣ３は、ＲＡＷキャパシタンスの補正をさらに容易にすることができる。
【００５５】
次に、セルフ検出方式のセンシング動作について説明する。  
図２３に示す例は、駆動電極ＴＸ１〜ＴＸ３がブロックＳＢＬ１ｅを構成し、駆動電極ＴＸ４〜ＴＸ６がブロックＳＢＬ２ｅを構成し、駆動電極ＴＸ７〜ＴＸ９がブロックＳＢＬ３ｅを構成し、駆動電極ＴＸ１０〜ＴＸ１２がブロックＳＢＬ４ｅを構成する場合を想定する。ブロックＳＢＬ１ｅ〜ＳＢＬ４ｅ（第２ブロック）は、全て３バンドル（ピッチ４Ｗ，第２規定数）駆動である。また、駆動電極ＴＸ２，ＴＸ５，ＴＸ８，ＴＸ１１の幅方向の中心を示す位置ＳＣ１ｅ〜ＳＣ４ｅは、各ブロックＳＢＬ１ｅ〜ＳＢＬ４ｅの中心位置を示している。したがって、ミューチャル検出方式のセンシングの中心位置である位置ＭＣ１ｅ〜ＭＣ４ｅと、セルフ検出方式のセンシングの中心位置である位置ＳＣ１ｅ〜ＳＣ４ｅとは、それぞれ一致するように構成される。
【００５６】
ドライバＩＣ３は、ブロックＳＢＬ１ｅ〜ＳＢＬ４ｅの検出結果を同時に取得する。図２４は、物体Ｏを検出していないときの各ブロックＳＢＬ１ｅ〜ＳＢＬ４ｅの検出結果の一例である。ブロックＳＢＬ１ｅ〜ＳＢＬ４ｅは、それぞれ３バンドル（ピッチ４Ｗ）であり、同容量となるため、同一のＲＡＷキャパシタンスの値になっている。
【００５７】
以上のように、ミューチャル検出方式のセンシングの中心位置である位置ＭＣ１ｅ〜ＭＣ４ｅと、セルフ検出方式のセンシングの中心位置である位置ＳＣ１ｅ〜ＳＣ４ｅとが、それぞれ一致するように構成されている。このため、物体Ｏが接触、或いは近接した場合に、一構成例のように（参照：図１６〜図１９）、２つの検出方式によるセンシング動作において物体Ｏを検出する位置がずれない。したがって、ドライバＩＣ３は、例えばノイズによりゴーストが発生した場合にも物体Ｏの誤検出を回避することができ、物体Ｏの位置を正確に検出することができる。
【００５８】
＜実施例２：奇数で構成されている場合＞
図２５は、ピッチ２Ｗの駆動電極ＴＸと、２つのピッチＷの駆動電極ＴＸの組との合計数が奇数である場合の一例であり、複数の駆動電極ＴＸが駆動電極ＴＸ１〜ＴＸ１０の１０個の駆動電極ＴＸにより構成されている。駆動電極ＴＸ１，ＴＸ４，ＴＸ７，ＴＸ１０はピッチ２Ｗ（第１幅）であり、駆動電極ＴＸ２，ＴＸ３，ＴＸ５，ＴＸ６，ＴＸ８，ＴＸ９はピッチＷ（第２幅）である。したがって、図１４の例と比較すると、駆動電極ＴＸ１側から、偶数番目の駆動電極ＴＸが半分に分割されて構成されている。この並びを、以下では、第２の配置パターンと称する。なお、本実施形態の構成例においては、ピッチ２Ｗ（第１幅）がピッチＷ（第２幅）の２倍である場合で説明するが、第１幅が第２幅の整数倍となるように構成しても良い。
【００５９】
このように駆動電極ＴＸが構成されている場合のミューチャル検出方式のセンシング動作を図２６，図２７を参照して、また、セルフ検出方式のセンシング動作を図２８，図２９を参照してそれぞれ説明する。
まず、ミューチャル検出方式のセンシング動作について説明する。  
図２６に示す例では、駆動電極ＴＸ１〜ＴＸ３がブロックＭＢＬ１ｏを構成し、駆動電極ＴＸ２〜ＴＸ６がブロックＭＢＬ２ｏを構成し、駆動電極ＴＸ５〜ＴＸ９がブロックＭＢＬ３ｏを構成し、駆動電極ＴＸ８〜ＴＸ１０がブロックＭＢＬ４ｏを構成する場合を想定する。このように構成される場合にも、ドライバＩＣ３は、ブロックＭＢＬ（第１ブロック）の一部の駆動電極ＴＸを重複させながら５バンドル（ピッチ６Ｗ：第１規定数）のオーバーラップ駆動を実行する。なお、ブロックＭＢＬ１ｏ，ＭＢＬ４ｏについては、３バンドル（ピッチ４Ｗ）になるため、ドライバＩＣ３は、ブロックＭＢＬ１ｏについてはピッチ２Ｗの仮想の電極ＶＴＸ１を用いて、ブロックＭＢＬ４ｏについてはピッチ２Ｗの仮想の電極ＶＴＸ２を用いて、５バンドル相当として処理する。また、駆動電極ＴＸ１，ＴＸ４，ＴＸ７，ＴＸ１０の幅方向の中心を示す位置ＭＣ１ｏ〜ＭＣ４ｏは、各ブロックＭＢＬ１ｏ〜ＭＢＬ４ｏの中心位置を示している。
【００６０】
ドライバＩＣ３は、ブロックＭＢＬ１ｏに対して駆動信号Ｓｔｘを供給すると、検出電極ＲＸの検出結果を取得する。このような動作が、ブロックＭＢＬ２ｏ〜ＭＢＬ４ｏに対しても同様に実行される。図２７は、物体Ｏを検出していないときの各ブロックＭＢＬ１ｏ〜ＭＢＬ４ｏの検出結果の一例である。ブロックＭＢＬ２ｏ，ＭＢＬ３ｏが５バンドル（ピッチ６Ｗ）であるのに対して、ブロックＭＢＬ１ｏ，ＭＢＬ４ｏは３バンドル（ピッチ４Ｗ）に駆動電極ＶＴＸ１，ＶＴＸ２をそれぞれ加えて５バンドル相当として検出される。このため、実際に検出される容量に相違が生じ、ブロックＭＢＬ２ｏ，ＭＢＬ３ｏのＲＡＷキャパシタンスより、ブロックＭＢＬ１ｏ，ＭＢＬ４ｏのＲＡＷキャパシタンスが小さくなる。このように、ブロックＭＢＬ２ｏ，ＭＢＬ３ｏのＲＡＷキャパシタンスと、ブロックＭＢＬ１ｏ，ＭＢＬ４ｏのＲＡＷキャパシタンスとが相違する。図２７に示す例では、ブロックＭＢＬ１ｏ，ブロックＭＢＬ４ｏのＲＡＷキャパシタンスがブロックＭＢＬ２ｏ，ＭＢＬ３ｏのＲＡＷキャパシタンスより小さくなっている。このようにＲＡＷキャパシタンスが相違するが、左右の値のバランスが対称的であるため、ドライバＩＣ３は、ＲＡＷキャパシタンスの補正が容易である。
【００６１】
次に、セルフ検出方式のセンシング動作について説明する。  
図２８に示す例は、駆動電極ＴＸ１、ＴＸ２がブロックＳＢＬ１ｏを構成し、駆動電極ＴＸ３〜ＴＸ５がブロックＳＢＬ２ｏを構成し、駆動電極ＴＸ６〜ＴＸ８がブロックＳＢＬ３ｏを構成し、駆動電極ＴＸ９，ＴＸ１０がブロックＳＢＬ４ｏを構成する場合を想定する。なお、ブロックＳＢＬ１ｏ，ブロックＳＢＬ４ｏは、２バンドル駆動である。このため、ドライバＩＣ３は、ピッチＷの仮想の駆動電極ＶＴＸ１，ＶＴＸ２を用いて、ブロックＳＢＬ１ｏ〜ＳＢＬ４ｏ（第２ブロック）を３バンドル（ピッチ４Ｗ：第２規定数）相当として処理する。また、駆動電極ＴＸ１，ＴＸ４，ＴＸ７，ＴＸ１０の幅方向の中心を示す位置ＳＣ１ｏ〜ＳＣ４ｏは、各ブロックＳＢＬ１ｏ〜ＳＢＬ４ｏの中心位置を示している。したがって、既述の第２実施例の偶数で構成される場合と同様に、ミューチャル検出方式のセンシングの中心位置である位置ＭＣ１ｏ〜ＭＣ４ｏと、セルフ検出方式のセンシングの中心位置である位置ＳＣ１ｏ〜ＳＣ４ｏとは、それぞれ一致するように構成される。
【００６２】
ドライバＩＣ３は、ブロックＳＢＬ１ｏ〜ＳＢＬ４ｏの検出結果を同時に取得する。図２９は、物体Ｏを検出していないときの各ブロックＳＢＬ１ｏ〜ＳＢＬ４ｏの検出結果の一例である。ブロックＳＢＬ２ｏ，ＳＢＬ３ｏが３バンドル（ピッチ４Ｗ）であるのに対して、ブロックＳＢＬ１ｏ，ＳＢＬ４ｏは２バンドル（ピッチ３Ｗ）に駆動電極ＶＴＸ１，ＶＴＸ２をそれぞれ加えて仮想的に３バンドルとして検出される。このため、実際に検出される容量に相違が生じ、ブロックＳＢＬ２ｏ，ＳＢＬ３ｏのＲＡＷキャパシタンスと、ブロックＳＢＬ１ｏ，ＳＢＬ４ｏのＲＡＷキャパシタンスとが相違する。図２９に示す例では、ブロックＳＢＬ１ｏ，ブロックＳＢＬ４ｏのＲＡＷキャパシタンスがブロックＭＢＬ２ｏ，ＭＢＬ３ｏのＲＡＷキャパシタンスより小さくなっている。このように、ＲＡＷキャパシタンスが相違するが、左右の値のバランスが対称的であるため、ドライバＩＣ３は、ＲＡＷキャパシタンスの補正が容易である。
【００６３】
以上のように、既述の第１実施例のように構成される場合と同様に、ミューチャル検出方式のセンシングの中心位置である位置ＭＣ１ｏ〜ＭＣ４ｏと、セルフ検出方式のセンシングの中心位置である位置ＳＣ１ｏ〜ＳＣ４ｏとが、それぞれ一致するように構成されている。このため、物体Ｏが接触、或いは近接した場合に、２つの検出方式によるセンシング動作において物体Ｏを検出する位置がずれない。したがって、ドライバＩＣ３は、物体Ｏの誤検出を回避することができ、物体Ｏの位置を正確に検出することができる。
【００６４】
このように本実施形態の構成例のように、複数の駆動電極ＴＸを第１の配置パターン、又は第２の配置パターンに構成することにより、ミューチャル検出方式のセンシングの中心位置である位置ＭＣ１ｅ〜ＭＣ４ｅ，ＭＣ１ｏ〜ＭＣ４ｏと、セルフ検出方式のセンシングの中心位置である位置ＳＣ１ｅ〜ＳＣ４ｅ，ＳＣ１ｏ〜ＳＣ４ｏとが、それぞれ一致するため、ドライバＩＣ３は、物体Ｏの誤検出を回避することができ、物体Ｏの位置を正確に検出することができる。
【００６５】
さらに、仮想の駆動電極ＶＴＸを含むブロックと、駆動電極ＶＴＸを含まないブロックとの容量の比が既述の一構成例の場合より小さくなるため、ドライバＩＣ３は、ＲＡＷキャパシタンスの補正を容易にすることができる。
次に、表示装置１に含まれる、ミューチャル検出方式と、セルフ検出方式とを実行するタッチ検出装置ＴＤの構成の一例について、ピッチ２Ｗの駆動電極ＴＸと、２つのピッチＷの駆動電極ＴＸの組との合計数が奇数である場合の一例（第２の配置パターン）で説明する。
【００６６】
図３０に示すように、タッチ検出装置ＴＤは、駆動電極ＴＸ１〜ＴＸ１０と、ドライバＩＣ３と、検出回路４と、第１選択回路３０と、第２選択回路４０と、制御回路５０と、を備えている。検出回路４は、ミューチャル検出方式による物体Ｏを検出する回路（第１検出回路）、及びセルフ検出方式による物体Ｏを検出する回路（第２検出回路）を含んでいる。したがって、検出回路４は、既述のように、検出電極ＲＸ（図３０において図示省略）からの出力を検出し、検出結果をドライバＩＣ３へ出力する処理と、ＳＬＭＢ１ｏ〜ＳＢＬ４ｏ毎の出力を検出し、検出結果をドライバＩＣ３へ出力する処理とを実行する。第１選択回路３０は、スイッチング部ＳＷ１〜ＳＷ１０を有している。第２選択回路４０は、スイッチング部ＳＷ１１〜ＳＷ２０を有している。
【００６７】
スイッチング部ＳＷ１〜ＳＷ１０は、リード線ＬＡ１〜ＬＡ１０，リード線ＬＢ１〜ＬＢ１０を介して駆動電極ＴＸ１からＴＸ１０にそれぞれ接続されると共に、第２選択回路４０と接続される。駆動電極ＴＸ１，ＴＸ２にそれぞれ接続されるリード線ＬＢ１，ＬＢ２は、第１選択回路３０内で合流してから第２選択回路４０に接続され、駆動電極ＴＸ３，ＴＸ４，ＴＸ５にそれぞれ接続されるリード線ＬＢ３，ＬＢ４，ＬＢ５は、第１選択回路３０内で合流してから第２選択回路４０に接続され、駆動電極ＴＸ６，ＴＸ７，ＴＸ８にそれぞれ接続されるリード線ＬＢ６，ＬＢ７，ＬＢ８は、第１選択回路３０内で合流してから第２選択回路４０に接続され、駆動電極ＴＸ９，ＴＸ１０にそれぞれ接続されるリード線ＬＢ９，ＬＢ１０は、第１選択回路３０内で合流してから第２選択回路４０に接続される。
【００６８】
スイッチング部ＳＷ１〜ＳＷ１０は、それぞれ、駆動電極ＴＸ１からＴＸ１０とスイッチング部ＳＷ１１〜ＳＷ２０とを導通させる第１状態（オン）と、駆動電極ＴＸ１からＴＸ１０とスイッチング部ＳＷ１１〜ＳＷ１０とを導通させない第２状態（オフ）との間で切り替わると共に、駆動電極ＴＸ１からＴＸ１０と検出回路４とを導通させる第３状態（オン）と、駆動電極ＴＸ１からＴＸ１０と検出回路４とを導通させない第４状態（オフ）との間で切り替わる。スイッチング部ＳＷ１〜ＳＷ１０は、ドライバＩＣ３と信号線ＳＬ１５により接続されている。ドライバＩＣ３は、信号線ＳＬ１５を介して、スイッチング部ＳＷ１〜ＳＷ１０にＳＥＬＦ＿ＥＮ信号を出力する。ＳＥＬＦ＿ＥＮ信号がオンのときは、セルフ検出方式によるセンシング動作を実行するため、スイッチング部ＳＷ１〜ＳＷ１０は、それぞれ第２状態、且つ、第３状態になる。一方、ＳＥＬＦ＿ＥＮ信号がオフのときは、ミューチャル検出方式によるセンシング動作などを実行するため、スイッチング部ＳＷ１〜ＳＷ１０は、それぞれ第１状態、且つ、第４状態になる。
【００６９】
スイッチング部ＳＷ１１〜ＳＷ２０は、リード線ＬＡ１〜ＬＡ１０と接続されると共に、電圧線ＳＬ１３，１４を介してドライバＩＣ３と接続される。電圧線ＳＬ１３は、グランドに近い共通電圧ＶＣＯＭＤＣが供給され、電圧線ＳＬ１４は、所定の共通電圧ＴＳＶＣＯＭ（Ｈ）が供給される。スイッチング部ＳＷ１１〜ＳＷ２０は、それぞれ、リード線ＬＡ１〜ＬＡ１０を介して駆動電極ＴＸ１〜ＴＸ１０に供給する電圧を共通電圧ＶＣＯＭＤＣと共通電圧ＴＳＶＣＯＭとのいずれかになるように切り替える。共通電圧ＶＣＯＭＤＣと共通電圧ＴＳＶＣＯＭを高速で交互に切り換えることにより、交流電圧を駆動電極ＴＸ１〜ＴＸ１０に供給することができる。
【００７０】
制御回路５０は、ゲートＧ１〜Ｇ１０と、シフトレジスタＳ／Ｒ１〜Ｓ／Ｒ１０と、を備えている。ゲートＧ１〜Ｇ１０は、それぞれ、スイッチング部ＳＷ１１〜ＳＷ２０と接続されると共に、シフトレジスタＳ／Ｒ１〜Ｓ／Ｒ１０、及び電圧線ＳＬ１２と接続される。
【００７１】
ゲートＧ１〜Ｇ１０は、シフトレジスタＳ／Ｒ１〜Ｓ／Ｒ１０からの出力と、電圧線ＳＬ１２から供給される選択信号ＶＣＯＭＳＥＬとを比較して、スイッチング部ＳＷ１１〜ＳＷ２０の状態を切り替える。
シフトレジスタＳ／Ｒ１〜Ｓ／Ｒ１０は、それぞれゲートＧ１〜Ｇ１０と接続されると共に、制御線ＳＬ１１と接続される。制御線ＳＬ１１は、ドライバＩＣ３と接続されている。ドライバＩＣ３は、シフトレジスタＳ／Ｒ１〜Ｓ／Ｒ１０を、ブロックＭＢＬ１ｏ，ＭＢＬ２ｏ，ＭＢＬ３ｏ，ＭＢＬ４ｏ毎に順次駆動させるようにシフトレジスタＳ／Ｒ１〜Ｓ／Ｒ１０に、スタート信号ＳＤＳＴ，クロック信号ＳＤＣＫを供給する。
【００７２】
次に、ミューチャル検出方式のセンシング動作について説明する。  
ドライバＩＣ３は、ブロックＭＢＬ１ｏ（駆動電極ＴＸ１，ＴＸ２，ＴＸ３）を駆動させるように、制御線ＳＬ１１を介して制御回路５０に制御信号（第１駆動信号）を供給する。これにより、シフトレジスタＳ／Ｒ１，Ｓ／Ｒ２，Ｓ／Ｒ３から電圧を切り替えるようにスイッチング部ＳＷ１１，ＳＷ１２，ＳＷ１３に信号が出力される。このとき、ＳＥＬＦ＿ＥＮ信号がオフであるため、リード線ＬＡ１〜ＬＡ３が接続されている一方、リード線ＬＢ１〜ＬＢ３は接続されていない。そして、ブロックＭＢＬ１ｏを構成する駆動電極ＴＸ１〜ＴＸ３に上述の交流電圧が供給される。このとき、検出回路４は、検出電極ＲＸ１〜ＲＸｎからの検出結果をドライバＩＣ３へ出力する。ドライバＩＣ３は、この検出結果に基づいて、ブロックＭＢＬ１ｏに対するセンシングを行うことができる。
【００７３】
次に、ドライバＩＣ３は、ブロックＭＢＬ１ｏに対する処理と同様な処理を、ブロックＭＢＬ２ｏ〜ＭＢＬ４ｏに対しても順次実行する。これにより、ドライバＩＣ３は、ブロックＭＢＬ１ｏ〜ＭＢＬ４ｏに対する物体Ｏのセンシングを実行することができる。
【００７４】
次に、セルフ検出方式のセンシング動作について説明する。
ドライバＩＣ３は、セルフ検出方式のセンシングを行うときには、ＳＥＬＦ＿ＥＮ信号（第２駆動信号）をオンにする。これにより、信号線ＳＬ１５を介して、スイッチング部ＳＷ１〜ＳＷ１０に供給されるＳＥＬＦ＿ＥＮ信号がオンになる。スイッチング部ＳＷ１〜ＳＷ１０においては、ＳＥＬＦ＿ＥＮ信号がオンであるため、リード線ＬＡ１〜ＬＡ１０が接続されなくなる一方、リード線ＬＢ１〜ＬＢ１０が接続される。これにより、検出回路４は、ブロックＳＬＢ１ｏ〜ＳＬＢ４ｏ毎の検出結果をドライバＩＣ３へ出力する。ドライバＩＣ３は、この検出結果に基づいて、ブロックＳＢＬ１ｏ〜ＳＢＬ４ｏに対するセンシングを行うことができる。
【００７５】
次に、ドライバＩＣ３のセンシング処理、及び画像表示の処理のタイミングについて説明する。図３１の例は、１フレームＦ毎のセンシング、及び画像表示のタイミングの一例を示すタイミングチャートである。
１フレームＦは、複数の期間Ｔａと、複数の期間Ｔｂとで構成されている。期間Ｔａと期間Ｔｂは交互に繰り返される。各期間Ｔａは、それぞれ画像表示のタイミングであり、各期間Ｔｂは、センシング（タッチ検出）を実行するタイミングである。各期間Ｔａにおいては、上述の信号線Ｓのうち、各期間Ｔａに対応する信号線Ｓｎに対して表示信号ＳＩＧｎが供給される。
【００７６】
複数の期間Ｔｂは、期間Ｔｂｍ１〜Ｔｂｍ４と、期間Ｔｂｓとを含む。ドライバＩＣ３は、期間Ｔｂｍ１〜Ｔｂｍ４においてミューチャル検出方式のセンシング動作を行い、期間Ｔｂｓにおいてセルフ検出方式のセンシング動作を行う。
期間Ｔｂｓを除き、ＳＥＬＦ＿ＥＮ信号は、オフになる。期間Ｔｂｍ１において、ドライバＩＣ３は、ブロックＭＢＬ１ｏ（駆動電極ＴＸ１〜ＴＸ３）を用いてセンシングを実行する。期間Ｔｂｍ２において、ドライバＩＣ３は、ブロックＭＢＬ２ｏ（駆動電極ＴＸ２〜ＴＸ６）を用いてセンシングを実行する。期間Ｔｂｍ３において、ドライバＩＣ３は、ブロックＭＢＬ３ｏ（駆動電極ＴＸ５〜ＴＸ９）を用いてセンシングを実行する。期間Ｔｂｍ４において、ドライバＩＣ３は、ブロックＭＢＬ４ｏ（駆動電極ＴＸ８〜ＴＸ１０）を用いてセンシングを実行する。
【００７７】
期間Ｔｂｓにおいては、ドライバＩＣ３は、ＳＥＬＦ＿ＥＮ信号をオンにする。これにより、ドライバＩＣ３は、ブロックＳＢＬｏ１〜ＳＢＬ４ｏ毎にセルフ検出方式のセンシングを実行することができる。図３１の例では、期間ＴｂｓがフレームＦの最後の期間である。期間Ｔｂｓの終了により、フレームＦが終了し、次のフレームＦの処理が実行される。なお、期間Ｔｂｓは、フレームＦの最初の期間Ｔｂなど、他の期間Ｔｂであっても良い。また、図３１では、フレームＦの最初の４つの期間Ｔｂがそれぞれ期間Ｔｂｍ１〜Ｔｂｍ４である例を示しているが、期間Ｔｂｍ１〜Ｔｂｍ４はフレームＦの最後の４つの期間Ｔｂなど、他の期間Ｔｂであっても良い。さらに、１フレームＦにおいて、複数回の期間Ｔｂｍ１〜Ｔｂｍ４及び期間Ｔｂｓが設定されても良い。
【００７８】
以上のように、ドライバＩＣ３は、センシング処理と、画像表示処理とを交互に切り替えながら実行する。このため、表示及びセンシングそれぞれの駆動で生じるノイズが他方の駆動に影響することを防止できる。また、所定期間画像処理を連続して行うと、当該所定期間センシング処理が実行できないが、センシング処理と、画像表示処理とを交互に切り替えるため、センシング処理ができない期間を非常に短くすることができる。
【００７９】
なお、本実施形態に係る回路構成に限らず、タッチ検出装置ＴＤは種々の回路構成によって実現することができる。  
また、駆動電極ＴＸを表示及びセンシングの双方に利用するため、表示及びセンシングに必要な電極を別々に設ける必要がない。これにより、表示装置１の構成を簡略化することができるとともに、表示装置１を小型化することができる。
【００８０】
駆動電極ＴＸ及び検出電極ＲＸは、既述の実施形態において図１等に示した構成に限られない。例えば、駆動電極ＴＸ及び検出電極ＲＸは、島状に形成されるとともに、同一の平面内で第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに交互に配置されていても良い。また、駆動電極ＴＸ及び検出電極ＲＸの材料は、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料に限られない。例えば、検出電極ＲＸは、金属線によって形成されていても良い。
【００８１】
本実施形態では、画像表示に用いる共通電極を駆動電極ＴＸとして利用する構成を例示した。しかしながら、共通電極と別途に駆動電極ＴＸを設けても良い。また、タッチ検出装置ＴＤは、表示装置１と独立した装置であっても良い。一例として、透明基板の一方の面に駆動電極ＴＸを形成し、他方の面に検出電極ＲＸを形成することで、タッチ検出装置ＴＤを構成しても良い。
（他の実施形態）
さらに、図３２から図３４の例は、複数の駆動電極ＴＸを分割する構成の他の一例を示す。図３２に示すように、複数の駆動電極ＴＸがピッチＷ（同一の幅）の駆動電極ＴＸ１〜ＴＸ１４で構成されている。言い換えると、既述の第１実施例の複数の駆動電極ＴＸが奇数で構成されている場合の各駆動電極ＴＸを全て１／２に分割した構成となっている。
【００８２】
このように複数の駆動電極ＴＸを構成した場合のミューチャル検出方式のセンシング動作の一例を図３３に示す。図３３に示す例では、駆動電極ＴＸ１〜ＴＸ４がブロックＭＢＬ２１を構成し、駆動電極ＴＸ３〜ＴＸ８がブロックＭＢＬ２２を構成し、駆動電極ＴＸ７〜ＴＸ１２がブロックＭＢＬ２３を構成し、駆動電極ＴＸ１１〜ＴＸ１４がブロックＭＢＬ２４を構成する場合を想定する。このように構成される場合には、ドライバＩＣ３は、６バンドル（ピッチ６Ｗ）相当のオーバーラップ駆動を実行する。なお、ブロックＭＢＬ２１，ＭＢＬ２４は、４バンドル（ピッチ４Ｗ）になるため、ドライバＩＣ３は、ブロックＭＢＬ２１についてはピッチ２Ｗの仮想の電極ＶＴＸ１を用いて、ブロックＭＢＬ２４については仮想の電極ＶＴＸ２を用いて、６バンドル相当として処理する。また、駆動電極ＴＸ１とＴＸ２，ＴＸ５とＴＸ６，ＴＸ９とＴＸ１０，ＴＸ１３とＴＸ１４との間を示す位置ＭＣ２１〜ＭＣ２４は、各ブロックＭＢＬ２１〜ＭＢＬ２４の中心位置を示している。
【００８３】
次に、セルフ検出方式のセンシング動作の一例を図３４に示す。図３４に示す例では、駆動電極ＴＸ〜ＴＸ３がブロックＳＢＬ２１を構成し、駆動電極ＴＸ４〜ＴＸ７がブロックＳＢＬ２２を構成し、駆動電極ＴＸ８〜ＴＸ１１がブロックＳＢＬ２３を構成し、駆動電極ＴＸ１２〜ＴＸ１４がブロックＳＢＬ２４を構成する場合を想定する。なお、ブロックＳＢＬ２１，ブロックＳＢＬ２４は、３バンドル（ピッチ３Ｗ）になるため、ドライバＩＣ３は、ピッチＷの仮想の駆動電極ＶＴＸ１，ＶＴＸ２をそれぞれ用いて、４バンドルとして処理する。また、駆動電極ＴＸ１とＴＸ２，ＴＸ５とＴＸ６，ＴＸ９とＴＸ１０，ＴＸ１３とＴＸ１４との間を示す位置ＳＣ２１〜ＳＣ２４は、各ブロックＳＢＬ２１〜ＳＢＬ２４の中心位置を示している。したがって、ミューチャル検出方式のセンシングの中心位置である位置ＭＣ２１〜ＭＣ２４と、セルフ検出方式のセンシングの中心位置である位置ＳＣ２１〜ＳＣ２４とは、それぞれ一致するように構成される。したがって、この他の実施形態のように複数の駆動電極ＴＸを構成しても上記第２実施例と同様な効果を奏することができる。
【００８４】
なお、本実施形態においては、図３０の例のように、検出回路４がミューチャル検出方式と、セルフ検出方式の２つの検出を行う場合で説明したが、このような構成に限るものではない。ミューチャル検出方式による検出を行う回路と、セルフ検出方式による検出を行う回路とをドライバＩＣ３内に含み、１チップ構成としても良い。また、ミューチャル検出方式による回路と、セルフ検出方式による回路を別々のチップとして構成しても良い。
【００８５】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
（付記）
（１）複数のセンサと、前記複数のセンサを第１規定数単位で前記センサを重複させながら順次駆動させる第１駆動信号、及び前記複数のセンサを第２規定数単位で一斉に駆動させる第２駆動信号を供給するドライバと、前記第１駆動信号に対応する第１検出信号に基づいて検出領域に接触或いは近接する物体を検出する第１検出回路と、前記第２駆動信号に対応する第２検出信号に基づいて検出領域に接触する或いは近接する物体を検出する第２検出回路と、を備え、前記複数のセンサは、前記第１規定数単位で順次駆動する前記センサの中心位置と、前記第２規定数単位で駆動する前記センサの中心位置とが一致するように分割される、タッチ検出装置。
（２）前記センサの幅が、所定幅であり、前記分割される前記センサの幅は、前記所定幅の半分である、（１）に記載のタッチ検出装置。
（３）前記センサの幅が同一の幅である、（１）に記載のタッチ検出装置。
【符号の説明】
【００８６】
１…タッチ検出機能付き表示装置、３…ドライバＩＣ、４…検出回路、ＴＸ…駆動電極、ＲＸ…検出電極、ＳＥ…センサ、ＳＡ…検出領域、ＰＮＬ…液晶表示パネル、ＤＡ…表示領域、３０…第１選択回路、４０…第２選択回路、５０…制御回路、ＳＷ１〜２０…スイッチング部、Ｆ…フレーム、ＴＤ…タッチ検出装置、ＭＢＬ１ｅ〜ＭＢＬ４ｅ，ＭＢＬ１ｏ〜ＭＢＬ４ｏ，ＭＢＬ２１〜ＭＢＬ２４，ＳＢＬ１ｅ〜ＳＢＬ４ｅ，ＳＢＬ１ｏ〜ＳＢＬ４ｏ，ＳＢＬ２１〜ＳＢＬ２４…ブロック、ＭＣ１ｅ〜ＭＣ４ｅ，ＭＣ１ｏ〜ＭＣ４ｏ，ＭＣ２１〜ＭＣ２４，ＳＣ１ｅ〜ＳＣ４ｅ，ＳＣ１ｏ〜ＳＣ４ｏ，ＳＣ２１〜ＳＣ２４…ブロックの中心の位置、Ｗ…ピッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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