(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、ダイヤモンドからなるｐ＋導電層、ダイヤモンドからなるｐ型ドリフト層、ダイヤモンドからなる高抵抗層、及びダイヤモンドからなるｐ＋コンタクト層をこの順に備えるダイヤモンド積層構造を有することを特徴とするダイヤモンド電子素子であって、
前記ダイヤモンド積層構造において、トレンチ構造を備え、前記トレンチ構造の溝側壁が｛１１１｝面であることを特徴とするダイヤモンド電子素子。
【請求項２】
半絶縁性基板上に前記ｐ＋導電層が積層されていることを特徴とする請求項１記載のダイヤモンド電子素子。
【請求項３】
前記高抵抗層が窒素ドープダイヤモンドからなる層であることを特徴とする請求項１又は２記載のダイヤモンド電子素子。
【請求項４】
前記｛１１１｝面の上にゲート電極を備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のダイヤモンド電子素子。
【請求項５】
前記ゲート電極が、金属・半導体接合のトランジスタ構造である、請求項４記載のダイヤモンド電子素子。
【請求項６】
前記ゲート電極が、金属・絶縁膜・半導体接合のトランジスタ構造である、請求項４記載のダイヤモンド電子素子。
【請求項７】
前記ｐ＋導電層に第１の電極、前記コンタクト層に第２の電極を備えることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のダイヤモンド電子素子。
【請求項８】
ダイヤモンド積層構造の窒素ドープダイヤモンド層の｛１１１｝面を正孔チャネルに用いることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、縦型構造又は疑似縦型構造の高出力ダイヤモンド電子素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ダイヤモンド電子素子は、大きなバンドギャップ、高いアバランシェ破壊電界、高い飽和キャリア移動度、高い熱伝導率、高温度や放射線曝露環境下で実用動作可能な素子として期待されている。これらの特徴を生かした半導体素子として、ダイヤモンドショットキーバリアダイオード、ダイヤモンド電界効果トランジスタ、ダイヤモンドｐｎダイオード、ダイヤモンドサイリスタ、ダイヤモンドトランジスタなどの高出力ダイヤモンド半導体素子の開発が進められている。
【０００３】
従来、高出力ダイヤモンド半導体素子の積層構造のうち擬似縦型構造（特許文献１、２参照）や縦型構造について、本発明者等を含め研究開発がなされてきた。
【０００４】
また、本発明者等は、ＣＶＤによる高品質ダイヤモンド積層構造及び製法について研究開発を行ってきた（特許文献３〜５参照）。また、本発明者等は、ダイヤモンドの（１００）面にチャネルを有する横型のＭＥＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を提案している（非特許文献１参照）。なお、ＭＥＳＦＥＴは、ショットキー接合性の金属をゲートとして半導体上に形成した構造をもつ電界効果トランジスタである。
【０００５】
先行技術文献調査をしたところ、次のような技術があった。
【０００６】
特許文献６では、ダイヤモンドを主材料として有する電界効果トランジスタとして、基板、ダイヤモンド半導体層、化合物半導体層の順で形成された電界トランジスタが示されている。該電界トランジスタは、ダイヤモンド半導体層を（１１１）面ダイヤモンドにより構成すると共に、化合物半導体層を（０００１）面の六方晶化合物半導体あるいは（１１１）面の立方晶化合物により構成するものである。特許文献６では、（１１１）面ダイヤモンド上に結晶成長を行うことによって、化合物半導体が自発的に配向して形成できるものである。
【０００７】
特許文献６に従来技術としても示されているが、ダイヤモンド半導体をチャネル材料として用いたＦＥＴは、ほとんど正孔導電型であった。これは化学気相堆積（ＣＶＤ）法を用いてダイヤモンド結晶を成長したときに、自発的に形成されるダイヤモンドの水素終端表面をキャリア供給源として用いたものである。この従来技術では、低い正孔移動度に起因して、高周波動作や高電流密度化が困難であったこと、また、閾値電圧は水素終端面の界面状態に依存するため、閾値電圧の制御が困難という問題があったことが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−２５２７７６号公報
【特許文献２】特開２００９−５９７９８号公報
【特許文献３】特開２００９−２００３４３号公報
【特許文献４】特開２００７−１９４２３１号公報
【特許文献５】特開２００９−５９７３９号公報
【特許文献６】特開２００８−１８６９３６号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Ｈ．Ｕｍｅｚａｗａ  ｅｔ  ａｌ．，ＩＥＥＥ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅ  Ｌｅｔｔ．３５（２０１４）１１１２．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従来、ダイヤモンド半導体をパワーデバイスとして応用する取り組みが行われている。横型ダイオード、擬似縦型構造によるダイオード、縦型構造によるダイオード、横型ＭＥＳＦＥＴ、横型ＭＯＳＦＥＴが提案されている。なお、半導体に絶縁膜を介してゲート金属を形成した電界効果トランジスタは、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）と呼ばれる。トランジスタの低損失化かつ高耐圧化のためには、トレンチゲート構造を有する縦型構造が必須である。トレンチゲート構造を実現するためには、ｎ型やｐ型層を選択的に形成する技術や、高精度なエッチング技術が必要であった。しかし、ダイヤモンドへのイオン注入には注入ダメージによる品質劣化が発生し、移動度、キャリア濃度などの半導体特性が劣化する問題があり、数ミクロンの選択成長では成長側壁の荒れの問題がある。また、ダイヤモンドは薬品を用いた化学的なエッチングは制御が難しく表面に荒れが発生する。さらに、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）やＣＣＰ（Ｃａｐａｓｉｔｉｖｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）を用いた物理化学的なエッチングでは、エッチング表面の荒れやエッチング底面のエッチピットが発生し、その後のプロセスに影響を与えたり、半導体性能品質に悪い影響を与えるという問題がある。
【００１１】
本発明は、これらの問題を解決しようとするものであり、ダイヤモンド半導体の低損失化及び高耐圧化を目的とするものである。また、本発明は、優れた低損失かつ高耐圧特性を有する、縦型構造又疑似縦型構造に適するダイヤモンド電子素子を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、前記目的を達成するために、以下の特徴を有する。
【００１３】
本発明は、ダイヤモンド電子素子に関し、少なくとも、ダイヤモンドからなるｐ＋導電層、ダイヤモンドからなるｐ型ドリフト層、ダイヤモンドからなる高抵抗層、及びダイヤモンドからなるｐ＋コンタクト層をこの順に備えるダイヤモンド積層構造を有する。例えば、ＭＯＳＦＥＴの場合は、前記積層構造である。ＭＥＳＦＥＴの場合は、ダイヤモンドからなる高抵抗層と、ダイヤモンドからなるｐ＋コンタクト層の間に、ダイヤモンドからなるｐ型層を配置する積層構造である。
【００１４】
例えば、本発明のダイヤモンド電子素子は、半絶縁性基板上に前記ｐ＋導電層が積層されている。
【００１５】
例えば、本発明のダイヤモンド電子素子は、前記高抵抗層が窒素ドープダイヤモンドからなる層である。
【００１６】
例えば、本発明のダイヤモンド電子素子は、前記ダイヤモンド積層構造において、トレンチ構造を備え、前記トレンチ構造の溝側壁が｛１１１｝面である。
【００１７】
例えば、本発明のダイヤモンド電子素子は、前記｛１１１｝面の上にゲート電極を備える。
【００１８】
例えば、本発明のダイヤモンド電子素子は、前記ゲート電極が、金属・半導体接合のトランジスタ構造である。
【００１９】
例えば、本発明のダイヤモンド電子素子は、前記ゲート電極が、金属・絶縁膜・半導体接合のトランジスタ構造である。
【００２０】
例えば、本発明のダイヤモンド電子素子は、前記ｐ＋導電層に第１の電極、前記コンタクト層に第２の電極を備える。例えば、第１の電極はドレイン電極で、第２の電極はソース電極である。
【００２１】
本発明は、電界効果型トランジスタに関し、ダイヤモンド積層構造の窒素ドープダイヤモンド層の｛１１１｝面を正孔チャネルに用いることを特徴とする。
【００２２】
本発明は、電界効果型トランジスタに関し、窒素ドープダイヤモンドの｛１１１｝面に絶縁膜を介してゲート電極を設けて、金属・絶縁膜・半導体接合を形成し、前記｛１１１｝面を正孔チャネルに用いることを特徴とする。
【００２３】
本発明は、電界効果型トランジスタに関し、窒素ドープダイヤモンドの｛１１１｝面にｐ型層を介してゲート電極を設けて金属・半導体接合を形成し、ｐ型層をチャネルとすることを特徴とする。
【００２４】
｛１１１｝表面は、具体的には、原子平坦化して、水素もしくはＯＨ基にて終端化されている。
【発明の効果】
【００２５】
本発明のダイヤモンド電子素子は、低損失化かつ高耐圧化を図ることができる。
【００２６】
本発明のダイヤモンド積層構造を備えることにより、小さいチップ面積で大きな電流が得られる低損失化の効果が得られる。
【００２７】
また、高品質半絶縁性基板上に形成されたダイヤモンド積層構造であることにより、低価格化の効果が得られる。
【００２８】
また、｛１１１｝面が露出した構造を採用し、露出した｛１１１｝面にゲート電極が形成される構造とすると、界面準位密度が低いＭＯＳ界面が得られるので、高い移動度が可能となり、小さいチップ面積で大きな電流が得られる低損失化の効果が大である。
【００２９】
また、本発明のように、ゲート電極が金属・半導体接合であるトランジスタ構造を採用する場合は、ＭＥＳＦＥＴ構造が可能となり、大電流化の効果が得られる。
【００３０】
また、本発明のように、ゲート電極が金属・絶縁膜・半導体接合であるトランジスタ構造を採用する場合は、ＭＯＳＦＥＴ構造が可能となり、ノーマリオフ化の効果が得られる。
【００３１】
また、高抵抗層に窒素ドープダイヤモンドが用いられている場合は、簡便な成長が可能であり、低価格化の効果が得られる。
【００３２】
また、本発明のように、ダイヤモンド積層構造を備える半導体装置において、ダイヤモンドの（１１１）表面をチャネルに用いることにより、表面を原子平坦化することが可能となった。さらに、ダイヤモンドの（１１１）表面をチャネルに用い、原子平坦化して水素もしくはＯＨ基により終端し、チャネルを窒素ドープ層を利用した半絶縁層とすることにより、界面（ＭＯＳ、ＭＥＳ）に欠陥のないダイヤモンド積層構造によるパワー半導体を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の実施の形態の、（００１）面ウェハに形成した縦型構造ＭＯＳＦＥＴの模式図。
【図２】本発明の実施の形態の、（００１）面ウェハに形成した擬似縦型構造ＭＯＳＦＥＴの模式図。
【図３】本発明の実施の形態の、（００１）面ウェハに形成した縦型構造ＭＥＳＦＥＴの模式図。
【図４】本発明の実施の形態の、（００１）面ウェハに形成した擬似縦型構造ＭＥＳＦＥＴの模式図。
【図５】本発明の実施の形態の、（１１０）面ウェハに形成した縦型構造ＭＯＳＦＥＴの模式図。
【図６】本発明の実施の形態の、（１１０）面ウェハに形成した擬似縦型構造ＭＯＳＦＥＴの模式図。
【図７】本発明の実施の形態の、（１１０）面ウェハに形成した縦型構造ＭＥＳＦＥＴの模式図。
【図８】本発明の実施の形態の、（１１０）面ウェハに形成した擬似縦型構造ＭＥＳＦＥＴの模式図。
【図９】本発明の実施の形態の、ボディダイオードなしの（００１）面ウェハに形成した縦型構造ＭＥＳＦＥＴの模式図。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
本発明の実施形態について以下説明する。
【００３５】
電界効果型トランジスタの低損失化かつ高耐圧化のためには、縦型チャネル構造を有し、半導体性能への影響がなく、ＭＯＳ界面に電荷捕獲されない構造でトランジスタをプロセス形成し、さらにＭＯＳ界面に電流が発生しない構造を作る必要がある。
【００３６】
まず、ＭＯＳ界面に欠陥があると、欠陥に電荷がたまるため、クーロン散乱により移動度が低下したり、ゲートに電圧印加して半導体側に誘起した電荷がすべて欠陥にたまってしまい、電気伝導が得られない、などの問題がある。
【００３７】
また、半導体表面に荒れがあると、散乱を受けて移動度が低下し、電気伝導性が悪くなる。このため、ＭＯＳ界面は平坦であり、かつダングリングボンドなどの欠陥が発生しないことが必要である。
【００３８】
Ｓｉ半導体技術では、例えば、母材Ｓｉを酸化成長させることで酸化膜絶縁物を得ることが可能であり、このため母材Ｓｉと酸化膜絶縁物には化学的結合がある。しかし、ダイヤモンドは、酸化物固体絶縁膜がないため、酸化膜を蒸着やＣＶＤ法により、ＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３などの絶縁膜を形成する必要がある。ＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３などの絶縁膜形成物とダイヤモンド表面には化学結合が乏しいため、ダイヤモンド表面にあらかじめ処理を行い未結合手などの欠陥を終端する必要がある。一般にＭＯＳＦＥＴのシートキャリア濃度は１Ｅ１２／ｃｍ２から１Ｅ１３／ｃｍ２程度であるため、フリーキャリアを得るための欠陥密度は１Ｅ１１／ｃｍ２程度以下である必要がある。しかし、ダイヤモンド表面の原子密度は１Ｅ１５／ｃｍ２程度であり、９９．９９％の表面原子で結合を制御する必要がある。現状の（００１）表面ダイヤモンドでは、水素終端表面を理想状態として想定されているものの、このような高品質な表面を実現する技術は報告されていない。
【００３９】
さらに、ダイヤモンドのバンドギャップが５．５ｅＶと大きく、さらに終端原子によって電子親和力が負になったり正になったりするため、終端原子の選定が重要である。特に水素で終端した場合には負性電子親和力状態となり、ダイヤモンドの伝導帯が絶縁物の伝導帯より高い位置にあるため、ダイヤモンド中の電子は伝導帯に容易に入り込みゲートリーク電流となる。
【００４０】
チャネルへのドーピングは閾値を制御するのに重要であり、ｐチャネルＦＥＴの場合にはｎ型層が、ｎチャネルＦＥＴの場合にはｐ型層が必要となる。ダイヤモンドではｎ型層に一般にリンが用いられるが、リンドープダイヤモンドの品質の制御はきわめて難しい。
【００４１】
本発明者は、ダイヤモンド電子素子の積層構造に着目し、ダイヤモンドからなるｐ型ドリフト層、ダイヤモンドからなる高抵抗層を含む、本発明の積層構造を開発するに到った。
【００４２】
また、本発明者は、ダイヤモンド電子素子において（１１１）表面をチャネルに用いる本発明を開発するに到った。より具体的には、（１１１）表面を１×１表面構造にて原子平坦化して、水素もしくはＯＨ基にて終端し、チャネルを、合成が難しいｎ型層ではなく窒素ドープを利用した半絶縁層（「高抵抗層」ともいう。）として、正孔（ホール）を形成させる構造とした。この構造により、より低損失でより高耐圧化を図ることができた。なお、本明細書において、原子平坦化した（１１１）面とは、原子レベルで平坦であるという意味であり、水素プラズマ処理等の方法により原子平坦化する。チャネルに窒素ドープを利用した半絶縁層を用いることで、水素終端ダイヤモンドで得られる表面伝導層は非バイアス状態では形成されない。
【００４３】
本発明の実施の形態では、（１１１）表面をチャネルに用いる場合、（００１）表面に（１１１）チャネルを形成する方法（ａ）と、（１１０）表面に（１１１）チャネルを形成する方法（ｂ）とがある。本発明の実施の形態では、ダイヤモンド積層構造にトレンチ構造を設け、トレンチ構造の側壁が｛１１１｝面であるようにする。前記｛１１１｝面にゲート電極が位置するように配置する。なお、例えば（００１）面と等価な面を｛００１｝と表記する。
【００４４】
また、（ａ）（ｂ）の方法について、それぞれ縦型構造と擬似縦型構造とを作製できる。
【００４５】
また、ゲート構造にショットキー接合を用いるＭＥＳＦＥＴ構造としてもよい。
【００４６】
また、ＭＯＳＦＥＴ構造またはＭＥＳＦＥＴ構造は、ボディダイオ−ド付きであってもよいし、ボディダイオ−ドなしであってもよい。ここで、ボディダイオードは、後述する実施の形態の構造によりソース−ドレイン間の内蔵ダイオードが形成されるものであり、ボディダイオードと呼ばれる。
【００４７】
本発明の実施の形態のダイヤモンド電子素子におけるダイヤモンド積層構造は、少なくとも、ｐ＋導電層、ダイヤモンドからなるｐ型ドリフト層、ダイヤモンドからなる高抵抗層、ダイヤモンドからなるｐ＋コンタクト層の順に積層されたダイヤモンド積層構造を備える。
【００４８】
「ｐ＋導電層」は、例えば、導電性基板、又は高品質ダイヤモンド半絶縁性基板上に成膜された「ｐ＋導電層」である。
【００４９】
ｐ＋導電層は、ホウ素濃度５Ｅ１９／ｃｍ３以上、１Ｅ２２／ｃｍ３以下程度が好ましく、１Ｅ２０／ｃｍ３以上、１Ｅ２１／ｃｍ３以下の範囲がより好ましい。ｐ＋導電層の比抵抗は、０．１ｍΩｃｍ以上、１００ｍΩｃｍ以下程度が好ましく、１０ｍΩｃｍ以下がより好ましい。膜厚は１μｍ以上、３００μｍ以下程度が好ましく、１０μｍ以上、２００μｍ以下がより好ましい。
【００５０】
高品質ダイヤモンド半絶縁性基板の「高品質」とは、例えば、基板中の貫通転位密度が１Ｅ３／ｃｍ３以下程度であることを示す。半絶縁性基板とは、窒素を１Ｅ１５／ｃｍ３以上、１Ｅ２１／ｃｍ３以下の濃度で含むダイヤモンド単結晶が好ましい。
【００５１】
「ダイヤモンドからなるｐ型ドリフト層」は、例えば「高品質ドリフト層」である。なお、「ドリフト層」とはゲート・ドレイン間に印加される電圧、つまり耐圧を保持するための領域である。本実施の形態では、「ダイヤモンドからなるｐ型ドリフト層」は、例えば、ホウ素をドープしたｐ型ダイヤモンド層であり、ホウ素濃度１Ｅ１５／ｃｍ３以上、１Ｅ１８／ｃｍ３以下程度が好ましい。その膜厚は０．５μｍ以上、１００μｍ以下であることがより好ましい。濃度と膜厚は動作電流・耐圧設計に関係する。
【００５２】
「ダイヤモンドからなる高抵抗層」は、例えば、後述するＭＯＳＦＥＴの「窒素ドープチャネル層」、ＭＥＳＦＥＴの「窒素ドープ層」である。ここで「高抵抗層」とは、室温において１Ｅ８  Ｏｈｍ−ｃｍ以上の抵抗を有するダイヤモンド層が好ましく、半絶縁性ともいうことができる。ＭＯＳＦＥＴの場合、絶縁膜を挟んで半導体側にＣＶ＝Ｑのキャリアを誘起することが可能、つまり「電気伝導がない膜にチャネルを誘起して電気伝導性を持たせる」動作が可能である。一方、ＭＥＳＦＥＴの場合は、反転誘起させることは原理的に不可能であるため、「電気伝導を持つチャネルを空乏化させる」動作だけが可能である。この場合、ＭＯＳＦＥＴにおいては、電気伝導がない膜に電気伝導する領域を形成するため、後述する図中の点線（二次元正孔ガス）以外の窒素ドープ領域には電気伝導性がなく、つまりチャネル以外にソース電極からドレイン電極に繋がる電流パスは形成されない。一方、ＭＥＳＦＥＴにおいては、別途窒素ドープ領域で電流パスをカットしないと、ソースからドレインに直接流れるパスが出来てしまうので、窒素ドープ領域が必要である。
【００５３】
窒素ドープチャンネル層や窒素ドープ層は、窒素ドープダイヤモンドの窒素濃度が１Ｅ１３／ｃｍ３（１．０×１０１３／ｃｍ３を表す）以上、１Ｅ２１／ｃｍ３以下の範囲であり、かつ０．５μｍ以上、５０μｍ以下の厚さであることが好ましい。また、窒素ドープチャンネル層や窒素ドープ層は、窒素ドープダイヤモンドの窒素濃度が１Ｅ１５／ｃｍ３以上、１Ｅ１９／ｃｍ３以下の範囲であり、かつ０．５μｍ以上、１０μｍ以下の厚さであることがより好ましい。
【００５４】
ＭＥＳＦＥＴの高抵抗層の場合、窒素濃度上限はより広い。ＭＯＳＦＥＴの場合、窒素濃度がしきい値（ＦＥＴの重要な設計パラメータ）に影響を与えるが、ＭＥＳＦＥＴの場合、単に正孔がソースからドレインに直接流れないようにするためのバリア層の機能のためである。よって、閾値電圧を１Ｖ以上１０Ｖ以下とし、また耐電圧５００Ｖ以上かつ電流制御性を５００Ａ／ｃｍ２とするためには、窒素濃度の範囲は上述の範囲が好ましい。
【００５５】
ＭＥＳＦＥＴの場合は、ダイヤモンドからなる高抵抗層と、ダイヤモンドからなるｐ＋コンタクト層の間に、ダイヤモンドからなるｐ型層を配置する積層構造となる。ＭＥＳはゲート絶縁膜がないので、各電極をショートさせないように、特にソースとゲートをショートさせないようにｐ型層をｐ＋型コンタクト層との間に置かなければならず、ＭＯＳとやや積層構造が異なる。
【００５６】
窒素をドープした際には伝導帯から１．４ｅＶ程度のところに不純物準位が形成され得る。抵抗値で言うと、室温で１Ｅ８Ｏｈｍ−ｃｍ以上である。
【００５７】
ＭＯＳ構造ではゲート電極から絶縁膜を介して半導体側にキャリア誘起できる。一方、ＭＥＳ構造では、キャリア誘起はできず、はじめからキャリアが居るｐ型チャネル層が必要であり、ゲート電圧を使ってｐ型チャネル層に空乏層を伸ばして伝導性を制御、基本的に空乏層をチャネル中に広げて絶縁化させる原理である。ＭＯＳＦＥＴでは、窒素ドープダイヤモンドの絶縁膜との界面（ＭＯＳ界面）の窒素ドープ側の表面、厳密に言うとＭＯＳ界面から窒素ドープ側１０ｎｍ以下程度の領域に正孔チャネルが形成されるが、ＭＥＳＦＥＴの場合にはｐ型膜全体がチャネルになる。
【００５８】
「ダイヤモンドからなるｐ＋コンタクト層」は、後述する各図の「コンタクト層」である。ｐ＋導電層は、ホウ素濃度５Ｅ１９／ｃｍ３以上、１Ｅ２２／ｃｍ３以下程度が好ましく、１Ｅ２０／ｃｍ３以上、１Ｅ２１／ｃｍ３以下の範囲がより好ましい。比抵抗は０．１ｍΩｃｍ以上、１００ｍΩｃｍ以下程度が好ましく、１０ｍΩｃｍ以下がより好ましい。膜厚は０．０５μｍ以上、１μｍ以下程度が好ましく、０．１μｍ以上、０．５μｍ以下がより好ましい。
【００５９】
各電極及び絶縁膜の材料は従来のダイヤモンド電子素子に用いられている材料を用いることができる。
【００６０】
ソース電極およびドレイン電極にはオーミック接合電極を用い得る。オーミック接合電極には、ＴｉもしくはＣｒもしくはＮｉを用い得る。複数の金属からなる積層構造をとり、ダイヤモンド上にオーミック接合電極／キャップ電極もしくは、ダイヤモンド上にオーミック接合電極／バリア電極／キャップ電極の構造とし得る。キャップ電極はＡｕもしくはＡｌを用い得る。バリア電極にはＰｔもしくはＭｏを用い得る。各オーミック接合電極、バリア電極は、それぞれ１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であり、キャップ電極は５０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下の厚さであることが好ましい。
【００６１】
（実施の形態１）
本実施の形態を図１を参照して以下説明する。図１は、本実施の形態の、（００１）面ウェハに形成した縦型構造ＭＯＳＦＥＴ（ボディダイオードつき）の模式図である。
【００６２】
図１の素子は、導電性基板２、高品質ドリフト層３、窒素ドープチャネル層（高抵抗層４）、コンタクト層５からなるダイヤモンド積層構造を備える。前記ダイヤモンド積層構造のいずれの層もダイヤモンドからなる。ドレイン電極９は、導電性基板２に設けられ、かつ高品質ドリフト層３の反対側に設けられる。ソース電極８は、コンタクト層５に設けられ、かつ前記高品質ドリフト層３の反対側に設けられ、窒素ドープチャネル層（高抵抗層４）に一部直接設けられる。窒素ドープチャネル層の表面は（００１）表面である。ダイヤモンド積層構造に、トレンチ構造が設けられ、トレンチ構造の側壁は原子平坦化した（１１１）面である。本実施の形態のトレンチ構造は図１のようにその側壁が傾斜した構造である。トレンチ構造は、トレンチの底面が高品質ドリフト層３内に位置し、側壁が、高品質ドリフト層３、窒素ドープチャネル層（高抵抗層４）、コンタクト層５の三層からなるような溝である。トレンチ構造の溝内には、絶縁膜６を介してゲート電極７が設けられる。また、ゲート電極７とソース電極８は、絶縁膜６により絶縁されている。
【００６３】
本素子では、ゲート電圧により、ゲート構造（ＭＯＳ界面）に平行に二次元シート状に正孔キャリアが存在する層（二次元正孔ガス（２ＤＨＧ））を発現させることができる。この正孔キャリアの発現によって、ソース・コンタクト層と、ドリフト層・導電層（導電性基板）をつなげて電流が、ソース−ドレイン間に流れる。
【００６４】
窒素ドープチャネル層は、窒素をドープした半絶縁性ダイヤモンド層、窒素濃度１Ｅ１５／ｃｍ３以上、１Ｅ１９／ｃｍ３以下、膜厚は０．５μｍ以上、５０μｍ以下とし得る。濃度と膜厚は動作電流・耐圧設計に関係する。
【００６５】
図１の素子の製造方法について述べる。
【００６６】
まず、導電性基板上にＣＶＤ法で高品質ドリフト層を成長形成した。ＣＶＤはマイクロ波プラズマ法を用いて行い、水素をキャリアガスとし、炭素原料であるメタンを総流量の４％となるように制御した。さらにチャンバからの不要な取り込みを防ぐための酸素原料である二酸化炭素、およびホウ素原料であるトリメチルボロンを添加した。二酸化炭素の濃度はＯ／Ｃ比が０．４となるように設定し、トリメチルボロンはＢ／Ｃ比が０．５ｐｐｍ程度となるように制御した。具体的には、水素流量を３８３ｃｃｍ、メタン流量を１２．８ｓｃｃｍ、ＣＯ２流量を３．２ｓｃｃｍ、１０ｐｐｍに水素で希釈したトリメチルボロンを０．５ｓｃｃｍの流量でチャンバ内に導入した。炭素原料は総流量の０．１％以上、１０％以下としてもよく、酸素流量はＯ／Ｃが１以下であればよい。プラズマ電力は３．９ｋＷであり、チャンバ内ガス圧力は１２０Ｔｏｒｒ、合成温度は９５０℃である。炭素原料は一酸化炭素、エタンとしてもよく、酸素原料は酸素としてもよい。また炭素原料として一酸化炭素を用いる場合には酸素原料を用いないことも可能である。プラズマ電力は７５０Ｗ以上１０ｋＷ以下としてもよく、チャンバ内圧力は２０Ｔｏｒｒ以上、３００Ｔｏｒｒ以下としてもよい。
【００６７】
さらに続けて窒素ドープ層を成長形成し、さらにｐ＋層を積層成長形成させる。窒素ドープ層の形成には、水素、炭素原料のほかに窒素原料を導入した。具体的には水素流量を３７４ｃｃｍ、メタン流量を１６ｓｃｃｍ、１００ｐｐｍに希釈した窒素を１０ｓｃｃｍとした。ｐ＋層の形成には水素、炭素原料、ホウ素原料ガスを導入した。具体的には水素流量を３９３ｓｃｃｍとし、メタン流量を２ｓｃｃｍ、１％に希釈したトリメチルボロンを５ｓｃｃｍとしてチャンバに導入した。
【００６８】
次にゲート部となる箇所にＮｉをリソグラフィー法およびリフトオフ法を用いて選択形成し、エッチング処理を行い｛１１１｝面を露出させた。エッチング処理は、まずＮｉを真空蒸着法で約３５０ｎｍ堆積させ、９００℃の環境でＮ２およびＨ２Ｏの混成ガスを電気炉中にフローさせ、１時間処理を行った。続けて、塩酸加水（ＨＣｌ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１：６）処理により金属汚染を除去し、熱混酸（ＨＮＯ３：Ｈ２ＳＯ４＝１：３、２４０℃）処理により非ダイヤモンド層を除去した。水素プラズマ処理により｛１１１｝面を原子平坦状態とした。
【００６９】
続けてゲート酸化膜を形成したのちゲート電極をリソグラフィー法およびリフトオフ法を用いて形成した。ゲート酸化膜の形成はＡＬＤ法を用いて行い、合成温度を２５０℃とし、酸化膜厚は１００ｎｍとした。ゲート電極にはＴｉを用い、リソグラフィー法およびリフトオフ法を用い、膜厚を５０ｎｍとしてスパッタ形成した。
【００７０】
続けて導電性基板にはオーミック電極となるドレイン電極を形成した。ゲート電極とソース電極の短絡を防ぐため、絶縁膜をＣＶＤ法にて形成した。リソグラフィー法およびドライエッチング法によりコンタクト層を露出させ、リソグラフィー法およびリフトオフ法を用いてソース電極を形成した。ドレイン電極およびソース電極はオーミック接合であり、スパッタ法によって形成した。Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｕの順で形成し、膜厚は各３０ｎｍ、３０ｎｍ、１００ｎｍとした。絶縁膜はＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ  Ｅｔｈｙｌ  Ｏｒｔｈｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ）を原料ガスとして用いたＣＶＤによりＳｉＯ２絶縁膜を成長させ、膜厚を１μｍとした。
【００７１】
ここで、ゲート部となる箇所の原子平坦化について、調べた。
【００７２】
上述の、ゲート部となる箇所にＮｉをリソグラフィー法およびリフトオフ法を用いて選択形成し、エッチング処理を行い｛１１１｝面を露出させ、水素プラズマ処理により｛１１１｝面を原子平坦状態とした工程の結果を、調べた。実施例として、具体的には、窒素ドープダイヤモンド基板の窒素濃度は１Ｅ１９／ｃｍ３程度である。水素プラズマ処理は導入ガスを水素のみとし、４００Ｗ、２０ｋＰａで１５０時間処理を行った。水素処理前後の（１１１）表面チャネルにおけるラフネスの様子を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で評価した。処理前における（１１１）表面チャネルのラフネスＲＭＳは０．１７ｎｍ程度であり、原子平坦性は得られておらず、複数の表面原子結合状態が発生している。しかし、水素プラズマ処理後には、ラフネスＲＭＳは０．０３ｎｍであり、テラス間のステップは０．２１ｎｍであった。この結果から、水素プラズマ処理後は、原子レベルで平坦な領域が得られていることが分かった。
【００７３】
一方、比較例として、１００面にチャネルを有するＭＥＳＦＥＴを試作するため、以下のプロセスを行った。（００１）面を表面に有するＩｂダイヤモンド基板にｐ−ドリフト層を合成し、さらに選択成長により窒素ドープ層を成長させた。選択成長マスクにはＴｉとＡｕからなる積層メタル構造を用いた。膜厚はそれぞれ３０ｎｍ、２００ｎｍとした。窒素ドープ選択成長にはマイクロ波ＣＶＤにより以下の条件にて行った。水素雰囲気中メタン濃度１％、Ｎ／Ｃ濃度５０００ｐｐｍ、７５０Ｗ、２時間で行った。窒素ドープ選択成長層の窒素濃度は１Ｅ１５／ｃｍ３程度である。選択成長後には選択成長マスクを酸処理にて剥離した。走査型顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したところ成長側壁にラフネスが見られたが、水素プラズマ処理での回復は難しかった。さらにチャネル層を形成するためにＣＶＤにて追成長を行った。チャネル層成長条件は、水素雰囲気中メタン濃度４％、３９００Ｗ、１時間の条件で行った。追成長後にも（００１）面チャネルとなるエッチング側面のラフネスが残っていることが分かった。
【００７４】
（実施の形態２）
本実施の形態を図２を参照して以下説明する。図２は、本実施の形態の、（００１）面ウェハに形成した擬似縦型構造ＭＯＳＦＥＴ（ボディダイオードつき）の模式図である。
【００７５】
図２の素子は、図１とは、導電性基板を用いず、またドレイン電極の位置が異なる構造である。図２の素子は、高品質ダイヤモンド半絶縁性基板１１にｐ＋導電層１２をエピタキシャル成長させ、ｐ＋導電層１２上に、図１と同様、高品質ドリフト層３、窒素ドープチャネル層（高抵抗層４）、コンタクト層５の順で形成する。ドレイン電極９は、ｐ＋導電層１２に、前記高品質ドリフト層側に設けられる。
【００７６】
（実施の形態３）
本実施の形態を図３を参照して以下説明する。図３は、本実施の形態の、（００１）面ウェハに形成した縦型構造ＭＥＳＦＥＴ（ボディダイオードつき）の模式図である。
【００７７】
図３の素子は、導電性基板２、高品質ドリフト層１３、窒素ドープ層（高抵抗層１４）、ｐ型層、コンタクト層１５からなるダイヤモンド積層構造を備える。前記ダイヤモンド積層構造のいずれの層もダイヤモンドからなる。ドレイン電極９は、導電性基板２に設けられ、かつ高品質ドリフト層１３の反対側に設けられる。ソース電極８は、コンタクト層１５に設けられ、かつ前記高品質ドリフト層１３の反対側に設けられ、窒素ドープ層（高抵抗層１４）に一部直接設けられる。窒素ドープ層（高抵抗層１４）の表面は（００１）表面である。ダイヤモンド積層構造に、トレンチ構造が設けられ、トレンチ構造の側壁は原子平坦化した（１１１）面である。トレンチ構造は、トレンチの底面が高品質ドリフト層１３内に位置し、側壁が、高品質ドリフト層１３、窒素ドープ層（高抵抗層１４）、コンタクト層５の三層からなるような溝である。トレンチ構造の溝内には、ｐ型層を介してゲート電極７が設けられる。また、ゲート電極７とソース電極８は、絶縁膜６により絶縁されている。
【００７８】
窒素ドープ層は、窒素をドープした半絶縁性ダイヤモンド層であり、窒素濃度１Ｅ１５／ｃｍ３以上、１Ｅ２１／ｃｍ３以下程度である。膜厚は０．５μｍ以上、５０μｍ以下程度である。
【００７９】
図３の素子の製造方法について述べる。
【００８０】
まず、導電性基板上にＣＶＤ法で高品質ドリフト層を成長形成した。ＣＶＤはマイクロ波プラズマ法を用いて行い、水素をキャリアガスとし、炭素原料であるメタンを総流量の４％となるように制御した。さらにチャンバからの不要な取り込みを防ぐための酸素原料である二酸化炭素、およびホウ素原料であるトリメチルボロンを添加した。二酸化炭素の濃度はＯ／Ｃ比が０．４となるように設定し、トリメチルボロンはＢ／Ｃ比が０．５ｐｐｍ程度となるように制御した。具体的には、水素流量を３８３ｃｃｍ、メタン流量を１２．８ｓｃｃｍ、ＣＯ２流量を３．２ｓｃｃｍ、１０ｐｐｍに水素で希釈したトリメチルボロンを０．５ｓｃｃｍの流量でチャンバ内に導入した。炭素原料は総流量の０．１％以上、１０％以下としてもよく、酸素流量はＯ／Ｃが１以下であればよい。プラズマ電力は３．９ｋＷであり、チャンバ内ガス圧力は１２０Ｔｏｒｒ、合成温度は９５０℃である。
【００８１】
炭素原料は一酸化炭素、エタンとしてもよく、酸素原料は酸素としてもよい。また炭素原料として一酸化炭素を用いる場合には酸素原料を用いないことも可能である。プラズマ電力は７５０Ｗ以上１０ｋＷ以下としてもよく、チャンバ内圧力は２０Ｔｏｒｒ以上、３００Ｔｏｒｒ以下としてもよい。
【００８２】
さらに続けて窒素ドープ層を成長形成し、さらにｐ型層およびｐ＋層を積層成長形成させる。窒素ドープ層の形成には、水素、炭素原料のほかに窒素原料を導入した。具体的には水素流量を３７４ｃｃｍ、メタン流量を１６ｓｃｃｍ、１００ｐｐｍに希釈した窒素を１０ｓｃｃｍとした。また、ｐ型層を形成する場合にはドリフト層と同様に水素、炭素原料、酸素原料、ホウ素原料ガスを用いて成長させた。ｐ＋層の形成には水素、炭素原料、ホウ素原料ガスを導入した。具体的には水素流量を３９３ｓｃｃｍとし、メタン流量を２ｓｃｃｍ、１％に希釈したトリメチルボロンを５ｓｃｃｍとしてチャンバに導入した。各層の厚さ、ドーピング濃度は前述の通りである。
【００８３】
続いてゲート部となる箇所をエッチング処理し、原子平坦｛１１１｝面を露出させた。
【００８４】
続けてｐ型チャネル層をＣＶＤ法により形成した。合成には水素、炭素原料、酸素原料、ホウ素原料を用いて行う。具体的には水素流量７８３ｓｃｃｍ、メタン流量１０ｓｃｃｍ、二酸化炭素流量６ｓｃｃｍ、１０ｐｐｍに水素で希釈したトリメチルボロン流量を０．５ｓｃｃｍとした。
【００８５】
熱混酸（ＨＮＯ３：Ｈ２ＳＯ４＝１：３、２４０℃）処理による非ダイヤモンド層の除去を行い、２５３ｎｍの波長によるＵＶオゾン処理を行って表面を酸化したのち、リソグラフィー法およびリフトオフ法を用いて導電性基板にオーミック電極となるドレイン電極を形成した。またリソグラフィー法およびリフトオフ法を用いてチャネル部にゲート電極を形成した。またゲート電極とソース電極の短絡を防ぐため、絶縁膜をＣＶＤ法にて形成した。リソグラフィー法およびドライエッチング法によりコンタクト層を露出させ、リソグラフィー法およびリフトオフ法を用いてソース電極を形成した。ドレイン電極およびソース電極はオーミック接合であり、スパッタ法によって形成した。Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｕの順で形成し、膜厚は各３０ｎｍ、３０ｎｍ、１００ｎｍとした。ショットキー接合であるゲート電極はＰｔ、Ａｕの積層構造としスパッタ法を用いて形成した。各膜厚は３０ｎｍ、１００ｎｍである。絶縁膜はＴＥＯＳを原料ガスとして用いたＣＶＤにより成長させ、膜厚を１μｍとした。
【００８６】
（実施の形態４）
本実施の形態を図４を参照して以下説明する。図４は、本実施の形態の、（００１）面ウェハに形成した擬似縦型構造ＭＥＳＦＥＴ（ボディダイオードつき）の模式図である。
【００８７】
図４の素子は、図３とは、導電性基板を用いず、ドレイン電極の位置が異なる構造である。
【００８８】
図４の素子は、高品質ダイヤモンド半絶縁性基板１１にｐ＋導電層１２をエピタキシャル成長させ、ｐ＋導電層１２上に、図３と同様、高品質ドリフト層１３、窒素ドープ層（高抵抗層１４）、ｐ型層、コンタクト層５の順で形成する。ドレイン電極９は、ｐ＋導電層１２に、前記高品質ドリフト層側に設けられる。
【００８９】
（実施の形態５）
本実施の形態を図５を参照して以下説明する。図５は、本実施の形態の、（１１０）面ウェハに形成した縦型構造ＭＯＳＦＥＴ（ボディダイオードつき）の模式図である。
【００９０】
図５の素子は、図１とは、ダイヤモンド積層構造の結晶面が異なり、トレンチ構造の形状が異なる構造である。
【００９１】
図５の素子は、導電性基板２、高品質ドリフト層３、窒素ドープチャネル層（高抵抗層４）、コンタクト層５からなるダイヤモンド積層構造を備える。前記ダイヤモンド積層構造のいずれの層もダイヤモンドからなる。ドレイン電極９は、導電性基板２に設けられ、かつ高品質ドリフト層３の反対側に設けられる。ソース電極８は、コンタクト層５に設けられ、かつ前記高品質ドリフト層３の反対側に設けられ、窒素ドープチャネル層（高抵抗層４）に一部直接設けられる。窒素ドープチャネル層の表面は（１１０）表面である。ダイヤモンド積層構造に、トレンチ構造が設けられ、トレンチ構造の側壁は原子平坦化した（１１１）面である。トレンチ構造は、トレンチの底面が高品質ドリフト層３内に位置し、側壁が、高品質ドリフト層３、窒素ドープチャネル層（高抵抗層４）、コンタクト層５の三層からなるような溝である。トレンチ構造の溝内には、絶縁膜６を介してゲート電極７が設けられる。また、ゲート電極７とソース電極８は、絶縁膜６により絶縁されている。
【００９２】
（実施の形態６）
本実施の形態を図６を参照して以下説明する。図６は、本実施の形態の、（１１０）面ウェハに形成した擬似縦型構造ＭＯＳＦＥＴ（ボディダイオードつき）の模式図である。
【００９３】
図６の素子は、図２とは、ダイヤモンド積層構造の結晶面が異なり、トレンチ構造の形状が異なる構造である。
【００９４】
（実施の形態７）
本実施の形態を図７を参照して以下説明する。図７は、本実施の形態の、（１１０）面ウェハに形成した縦型構造ＭＥＳＦＥＴ（ボディダイオードつき）の模式図である。
【００９５】
図７の素子は、図３とは、ダイヤモンド積層構造の結晶面が異なり、トレンチ構造の形状が異なる構造である。
【００９６】
（実施の形態８）
本実施の形態を図８を参照して以下説明する。図８は、本実施の形態の、（１１０）面ウェハに形成した擬似縦型構造ＭＥＳＦＥＴ（ボディダイオードつき）の模式図である。
【００９７】
図８の素子は、図４とは、ダイヤモンド積層構造の結晶面が異なり、トレンチ構造の形状が異なる構造である。
【００９８】
（実施の形態９）
本実施の形態を図９を参照して以下説明する。図９は、本実施の形態の、ボディダイオードなしの（００１）面ウェハに形成した縦型構造ＭＥＳＦＥＴの模式図である。
【００９９】
図９の素子は、図３とは、ボディダイオードなしである点でのみ異なる。
【０１００】
上記実施の形態等で示した例は、発明を理解しやすくするために記載したものであり、この形態に限定されるものではない。
【産業上の利用可能性】
【０１０１】
本発明のダイヤモンド電子素子は、縦型構造又は疑似縦型構造の高出力ダイヤモンド電子素子などのパワーデバイスとして、産業上有用である。
【符号の説明】
【０１０２】
２    導電性基板
３、１３    高品質ドリフト層
４、１４    高抵抗層
５、１５    コンタクト層
６    絶縁膜
７    ゲート電極
８    ソース電極
９    ドレイン電極
１１    高品質ダイヤモンド半絶縁性基板
１２    ｐ＋導電層
【図１】
0006765651.tif 000002
【図２】
0006765651.tif 000003
【図３】
0006765651.tif 000004
【図４】
0006765651.tif 000005
【図５】
0006765651.tif 000006
【図６】
0006765651.tif 000007
【図７】
0006765651.tif 000008
【図８】
0006765651.tif 000009
【図９】
0006765651.tif 000010