(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に第１ハードマスク層および第１レジスト層が順に設けられた第１モールド用ブランクスを用意する工程と、
前記第１レジスト層をパターニングして、所定の溝部が開設された第１レジストパターンを形成する工程と、
硬化時に所定の収縮率で収縮するパターン矯正層を、前記第１レジストパターンおよび前記溝部を覆うように形成する工程と、
前記パターン矯正層を硬化させ、当該パターン矯正層を収縮させることによって、前記第１レジストパターンの側壁を前記溝部の幅に応じて前記溝部の幅方向に引っ張ることで、前記第１レジストパターンを矯正する工程と、
前記パターン矯正層を除去する工程と、
前記第１レジストパターンをマスクとして用い、前記第１ハードマスク層をエッチングする工程と、
前記第１ハードマスク層をマスクとして用い、前記第１基板の表面をエッチングすることで、前記第１基板の表面に第１モールドパターンを有する第１モールドを形成する工程と、
を有するインプリント用モールドの製造方法。
【請求項２】
第２基板上に第２ハードマスク層および第２レジスト層が順に設けられた第２モールド用ブランクスを用意する工程と、
前記第２レジスト層に対して前記第１モールドパターンを転写して、前記第１モールドパターンを反転させた第２レジストパターンを形成する工程と、
前記第２レジストパターンをコアパターンとして用い、ダブルパターニング法により、前記第２レジストパターンのピッチよりも狭いピッチを有するマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンをマスクとして用い、前記第２ハードマスク層をエッチングする工程と、
前記第２ハードマスク層をマスクとして用い、前記第２基板の表面をエッチングして、前記第２基板の表面に第２モールドパターンを有する第２モールドを形成する工程と、
を有する請求項１に記載のインプリント用モールドの製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載のインプリント用モールドの製造方法により製造された前記第２モールドを用い、第３基板上に形成された第３レジスト層に対して前記第２モールドパターンを転写して、前記第３基板上に第３レジストパターンを形成する工程を有するパターン基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジストパターン形成方法、インプリント用モールドの製造方法、及びパターン基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ法に代わる次世代のパターン形成方法として、ナノインプリント法が注目されている。ナノインプリント法とは、モールドの転写面に形成されたモールドパターン（凹凸パターン）を被転写体に転写する方法である。ナノインプリント法では、フォトリソグラフィ法のようにパターン寸法が露光光の波長に依存することがなく、また、光の干渉を考慮したマスクパターン設計を必要としないという利点がある。
【０００３】
その一方で、ナノインプリント法に用いられるモールドにおいては、被転写体の表面に等倍の寸法でパターンが形成されることから、縮小露光が適用可能なフォトマスクと比べて、さらなる微細なパターンが要求される。このため、モールドの微細パターンの形成には、電子線リソグラフィ法が用いられる。
【０００４】
電子線リソグラフィ法では、パターン寸法が微細化するほど、描画経路が長くなるため、描画時間が長くなる傾向がある。また、パターン寸法が解像限界に近付くと、パターン寸法のバラツキ（ライン幅ラフネス（以下、ＬＷＲ）、またはライン端ラフネス（以下、ＬＥＲ））が大きくなる傾向がある。
【０００５】
そこで、本発明者等は、電子線リソグラフィ法における描画時間を短縮化するとともに、パターン寸法のバラツキを改善するため、いわゆるダブルパターニング法を用いたインプリント用モールドの製造方法を開発した（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−７９９０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載の方法では、ダブルパターニング法におけるコアパターン（ｍａｎｄｒｅｌ）としてのレジストパターンを形成するために、まず、所定のピッチ且つ所定の幅でレジストパターンを形成し、次いで、レジストパターンの幅をコアパターンとして適した幅まで狭くする工程が行われる場合がある。このレジストパターンの幅を狭くする工程を、「スリミング工程」と呼んでいる。
【０００８】
しかしながら、スリミング工程を行うと、レジストパターンが幅方向だけでなく高さ方向も減少するため、レジストパターンの側壁が順テーパとなる可能性がある。この場合、当該レジストパターンをコアパターンとして用い、ダブルパターニング法によってマスクパターンを形成すると、レジストパターンの側壁に沿って、マスクパターンが傾斜してしまう。そして、当該マスクパターンをマスクとして用い、基板（モールド用基板）をエッチングすると、モールドパターン（凹凸パターン）の幅方向の寸法にバラツキが生じ易く、凹部の幅が広い部分と凹部の幅が狭い部分とを交互に繰り返すようなモールドパターンが形成される可能性がある。
【０００９】
そこで、本発明は、パターン精度を向上させることができるレジストパターン形成方法、インプリント用モールドの製造方法、及びパターン基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（構成１）
本発明の第１の構成は、
基板上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をパターニングして、所定の溝部が開設されたレジストパターンを形成する工程と、
硬化時に所定の収縮率で収縮するパターン矯正層を、前記レジストパターンおよび前記溝部を覆うように形成する工程と、
前記パターン矯正層を硬化させ、当該パターン矯正層を収縮させることによって、前記レジストパターンの側壁を前記溝部の幅に応じて前記溝部の幅方向に引っ張ることで、前記レジストパターンを矯正する工程と、
前記パターン矯正層を除去する工程と、
を有するレジストパターン形成方法である。
【００１１】
（構成２）
本発明の第２の構成は、
第１基板上に第１ハードマスク層および第１レジスト層が順に設けられた第１モールド用ブランクスを用意する工程と、
前記第１レジスト層をパターニングして、所定の溝部が開設された第１レジストパターンを形成する工程と、
硬化時に所定の収縮率で収縮するパターン矯正層を、前記第１レジストパターンおよび前記溝部を覆うように形成する工程と、
前記パターン矯正層を硬化させ、当該パターン矯正層を収縮させることによって、前記第１レジストパターンの側壁を前記溝部の幅に応じて前記溝部の幅方向に引っ張ることで、前記第１レジストパターンを矯正する工程と、
前記パターン矯正層を除去する工程と、
前記第１レジストパターンをマスクとして用い、前記第１ハードマスク層をエッチングする工程と、
前記第１ハードマスク層をマスクとして用い、前記第１基板の表面をエッチングすることで、前記第１基板の表面に第１モールドパターンを有する第１モールドを形成する工程と、
を有するインプリント用モールドの製造方法である。
【００１２】
（構成３）
本発明の第３の構成は、
第２基板上に第２ハードマスク層および第２レジスト層が順に設けられた第２モールド用ブランクスを用意する工程と、
前記第２レジスト層に対して前記第１モールドパターンを転写して、前記第１モールドパターンを反転させた第２レジストパターンを形成する工程と、
前記第２レジストパターンをコアパターンとして用い、ダブルパターニング法により、前記第２レジストパターンのピッチよりも狭いピッチを有するマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンをマスクとして用い、前記第２ハードマスク層をエッチングする工程と、
前記第２ハードマスク層をマスクとして用い、前記第２基板の表面をエッチングして、前記第２基板の表面に第２モールドパターンを有する第２モールドを形成する工程と、
を有する
第２の構成のインプリント用モールドの製造方法である。
【００１３】
（構成４）
本発明の第４の構成は、
第３の構成のインプリント用モールドの製造方法により製造された前記第２モールドを用い、第３基板上に形成された第３レジスト層に対して前記第２モールドパターンを転写して、前記第３基板上に第３レジストパターンを形成する工程を有するパターン基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、パターン精度を向上させることができるレジストパターン形成方法、インプリント用モールドの製造方法、及びパターン基板の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】（ａ）は、本発明の一実施形態に係るインプリント用モールドの製造工程のフローを示す図であり、（ｂ）は、比較例に係るインプリント用モールドの製造工程のフローを示す図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施形態に係るインプリント用モールドの製造工程を示す概略断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態に係るインプリント用モールドの製造工程を示す概略上面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態に係るインプリント用モールドの製造工程を示す概略断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態に係るインプリント用モールドの製造工程を示す概略断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態に係るインプリント用モールドの製造工程を示す概略断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態に係るインプリント用モールドの製造工程を示す概略断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態に係るパターン基板の製造工程を示す概略断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態の変形例に係るインプリント用モールドの製造工程を示す概略断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、比較例に係るインプリント用モールドの製造工程を示す概略断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｅ）は、比較例に係るインプリント用モールドの製造工程を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
＜発明者等の得た知見＞
まず、図１（ｂ）、図１０〜図１１を用い、比較例として、レジストパターンに対してスリミング工程を行う場合について詳細を説明する。図１（ｂ）は、比較例に係るインプリント用モールドの製造工程のフローを示す図である。なお、ステップを「Ｓ」と略している。また、図１０（ａ）〜図１１（ｅ）は、比較例に係るインプリント用モールドの製造工程を示す概略断面図である。
【００１７】
なお、以下において、「レジストパターン」とは、レジスト層がパターニングされて残存した部分のことを意味している。「ハードマスクパターン」についても上記と同様である。一方で、「モールドパターン」とは、凹部と凸部とを含む凹凸パターンのことを意味している。また、以下において、それぞれのパターンは、平面視でライン状であると仮定する。
【００１８】
（Ｓ９１０：第１レジストパターン形成）
まず、合成石英からなる第１基板９１１の主面上に、クロム（Ｃｒ）を主成分として含むハードマスク層９１３と、ポジ型の電子線描画用レジストからなる第１レジスト層９１５と、を順に有する第１モールド用ブランクスを用意する。
【００１９】
次に、第１レジスト層９１５に対して、電子線により所定の描画パターンを描画し、現像処理を行うことにより、第１レジストパターン９１６を形成する（図１０（ａ））。
【００２０】
このとき、所定のＬＷＲ（３σ値）（例えば、約３ｎｍ）が得られるように、例えば、ピッチ４８ｎｍ、略２４ｎｍＬＳパターンの第１レジストパターン９１６を形成する。なお、「略２４ｎｍＬＳパターン」とは、ライン幅が略２４ｎｍで且つスペース（溝）幅が略２４ｎｍであることを意味している。
【００２１】
（Ｓ９４０：第１モールド形成）
次に、第１レジストパターン９１６をマスクとして用い、第１ハードマスク層９１３をドライエッチングすることで、第１レジストパターン９１６に対応する第１ハードマスクパターン（不図示）を形成する。次に、第１ハードマスクパターンをマスクとして用い、第１基板９１１の主面をドライエッチングすることで、第１ハードマスクパターンに対応する第１モールドパターン（第１凹凸パターン）９１２を形成する。次に、第１基板９１１の上から第１ハードマスクパターンをエッチングにより選択的に除去する。これにより、第１モールド９１が得られる（図１０（ｂ））。
【００２２】
（Ｓ９５０：第２レジストパターン形成）
次に、第２基板９２１の主面上に、第２ハードマスク層９２３と、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂からなる第２レジスト層９２５と、を順に有する第２モールド用ブランクスを用意する。そして、第２モールド用ブランクスの第２レジスト層９２５に対して、第１モールド９１の第１モールドパターン９１２を押しつけ、この状態で第２レジスト層９２５に対してＵＶ光を照射して、第２レジスト層９２５を硬化させる（図１０（ｃ））。
【００２３】
次に、第２基板９２１から第１モールド９１を離型させ、第２レジスト層９２５の残膜を除去する。これにより、第２レジストパターン９２６を形成する（図１０（ｄ）、図１１（ａ）と同じ）。
【００２４】
（Ｓ９６０：スリミング処理）
ここで、図１１（ａ）に示すように、上述のように電子描画時の所定のＬＷＲ（３σ値）（例えば３ｎｍ）が維持され、所定のピッチ且つ所定の幅（例えば、ピッチ４８ｎｍ、幅２４ｎｍ）で第２レジストパターン９２６が形成されている。このまま自己整合型のダブルパターニング法（Ｓｅｌｆ−Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ，ＳＡＤＰ法）を行うには、第２レジストパターン９２６の幅が広い状態となっている。
【００２５】
そこで、比較例では、第２レジストパターン９２６をＳＡＤＰ法におけるコアパターン（芯となるパターン）とするために、異方性ドライエッチングにより、第２レジストパターン９２６の幅をコアパターンとして適した幅（幅１２ｎｍ）まで狭くする（スリミング処理）（図１１（ｂ））。
【００２６】
このとき、ドライエッチング時の異方性が高くなるようにエッチング条件が調整されるものの、第２レジストパターン９２６が幅方向だけでなく高さ方向も減少する。このため、第２レジストパターン９２６の初期の矩形断面は維持されず、第２レジストパターン９２６の側壁が順テーパとなる可能性がある。以下、第２レジストパターン９２６の側壁が順テーパとなったと仮定して説明する。
【００２７】
（Ｓ９７０：ダブルパターニング）
次に、第２レジストパターン９２６および第２ハードマスク層９２３を覆うように、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）からなるマスク層９２７を形成する。次に、エッチバックにより、第２レジストパターン９２６の両側壁にマスク層９２７を残す。次に、第２レジストパターン９２６をエッチングにより除去する。このようにして、ＳＡＤＰ法により、第２レジストパターン９２６のピッチよりも狭いピッチ（例えば、２４ｎｍ）を有するマスクパターン９２８が得られる（図１１（ｃ））。
【００２８】
このとき、マスクパターン９２８は、第２レジストパターン９２６の側壁に沿うように、第２基板９２１の主面の法線方向に対して傾斜した状態で形成される。また、第２レジストパターン９２６を挟んで両側に形成された２つのマスクパターン９２８は、上に行くにつれて互いに近づくように傾斜して形成される。つまり、マスクパターン９２８の断面形状では、矩形性および垂直性が損なわれてしまう。
【００２９】
（Ｓ９８０：第２モールド形成）
次に、マスクパターン９２８をマスクとして用い、第２ハードマスク層９２３をドライエッチングして、第２ハードマスクパターン９２４を形成する（図１１（ｄ））。
【００３０】
このとき、マスクパターン９２８が傾斜しているため、平面視でマスクパターン９２８の影となる部分が生じる。このため、第２ハードマスクパターン９２４の幅がマスクパターン９２８の上端幅よりも広い部分が生じる可能性がある。また、第２ハードマスクパターン９２４のライン＆スペース（ライン幅：溝部幅）は、１：１の比率とならない可能性がある。
【００３１】
次に、第２ハードマスクパターン９２４をマスクとして用い、第２基板９２１の主面をドライエッチングする。これにより、第２ハードマスクパターン９２４に開設された溝部に対応する第２凹部９２２ａと、第２ハードマスクパターン９２４に対応する第２凸部９２２ｂと、を有する第２モールドパターン（第２凹凸パターン）９２２を形成する。次に、第２基板９２１の上から第２ハードマスクパターン９２４をエッチングにより選択的に除去する。これにより、インプリント用モールドとしての第２モールド９２が製造される（図１１（ｅ））。
【００３２】
以上のようにして得られた第２モールド９２では、以下のような課題が生じる可能性がある。ダブルパターニングＳ９７０において、マスクパターン９２８が傾斜して形成された影響によって、第２モールド９２では、第２モールドパターン９２２の幅方向の寸法にバラツキが生じ易い。このため、第２モールドパターン９２２におけるＬＷＲは、電子描画により第１レジストパターン９１６を形成したときのＬＷＲ（例えば、３ｎｍ（３σ値））よりも大きくなる可能性がある。また、ダブルパターニングＳ９７０において、第２レジストパターン９２６を挟んで両側に形成された２つのマスクパターン９２８が、上に行くにつれて互いに近づくように傾斜して形成された影響によって、第２モールド９２では、第２凹部９２２ａの幅が広い部分と第２凹部９２２ａとを交互に繰り返すような第２モールドパターン９２２が形成される可能性がある。その結果、第２モールドパターン９２２をインプリント法により転写して、最終製造物としてのパターン基板を製造した場合には、精度のよいパターンを得ることが困難となる。さらに微細なパターンを有するパターン基板を製造する場合には、これらの課題がより顕著となる可能性がある。
【００３３】
本発明は、本発明者等が見出した上記知見に基づくものである。
【００３４】
＜本発明の一実施形態＞
（１）インプリント用モールドの製造方法（パターン基板の製造方法）
次に、図１（ａ）、図２〜図８を用い、本発明の一実施形態に係るインプリント用モールドの製造方法（パターン基板の製造方法）について説明する。図１（ａ）は、本実施形態に係るインプリント用モールドの製造工程のフローを示す図である。なお、ステップを「Ｓ」と略している。図２（ａ）〜（ｆ）、図４（ａ）〜図７（ｄ）は、本実施形態に係るインプリント用モールドの製造工程を示す概略断面図である。図３（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態に係るインプリント用モールドの製造工程を示す概略上面図である。図８（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態に係るパターン基板の製造工程を示す概略断面図である。
【００３５】
本実施形態に係るインプリント用モールドの製造方法（パターン基板の製造方法）では、上記比較例のようなスリミング工程を行うことなく、パターン矯正層１７０によって第１レジストパターン１６０を矯正する工程を行う。以下、詳細を説明する。
【００３６】
（Ｓ１１０：第１レジストパターン形成）
まず、図２（ａ）に示すように、合成石英からなる第１基板１１０の主面上に、Ｃｒを主成分として含む第１ハードマスク層１３０と、ポジ型の電子線描画用レジストからなる第１レジスト層１５０と、を順に有する第１モールド用ブランクス１００を用意する。なお、電子線描画用レジストとしては、例えば、日本ゼオン社製のＺＥＰ５２０Ａが用いられる。
【００３７】
次に、図２（ｂ）に示すように、第１レジスト層１５０に対して、電子線により所定の描画パターンを描画する。このとき、電子描画用レジスト本来のパターン精度として、所定のＬＷＲ（例えば、約３ｎｍ（３σ値））が得られるように、例えば、ピッチ４８ｎｍ、略２４ｎｍＬＳパターンを描画する。
【００３８】
次に、図２（ｃ）に示すように、所定の現像液を用いて現像処理を行うことにより、第１レジスト層１５０のうち電子線が描画された部分を除去する。これにより、所定の溝部１６０ａが開設された第１レジストパターン１６０を形成する。
【００３９】
次に、溝部１６０ａの底面（第１ハードマスク層１３０の表面）に生じたレジストの余剰残渣や、第１レジストパターン１６０の側壁に形成された裾引きを除去するため、例えば、酸素とアルゴンとの混合ガスを用いたドライエッチング処理（デスカム処理）を行う。デスカム処理を行うことにより、第１レジストパターン１６０の品質を向上させ、後工程での欠陥が生じることを抑制することができる。
【００４０】
（Ｓ１２０：パターン矯正層形成）
次に、図２（ｄ）および図３（ａ）に示すように、回転塗布法などにより、第１レジストパターン１６０および溝部１６０ａを覆うように、パターン矯正層１７０を形成する。パターン矯正層１７０の材料としては、硬化時に所定の収縮率（体積収縮率）で収縮する材料が用いられる。また、パターン矯正層１７０の材料は、水またはアルカリ性水溶液等によって容易に除去できる材料が好ましい。例えば、パターン矯正層１７０の材料が水溶性ポリマーである場合、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルアセテート、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸、ポリエチレンイミン、ポリエチレンオキシド、ポリビニルアミン、ポリアリルアミン等を例示することができる。パターン矯正層１７０の材料がアルカリ可溶性である場合、アルカリ可溶性樹脂としては、例えば、ノボラック樹脂、ビニルフェノール樹脂、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸等を例示することができる。なお、取扱いの容易性等を考慮すると、パターン矯正層１７０の材料が水溶性ポリマーであることが好ましい。
【００４１】
（Ｓ１３０：パターン矯正）
次に、図２（ｅ）および図３（ｂ）に示すように、所定の温度で加熱処理を所定時間行うことで、パターン矯正層１７０から溶媒を蒸発させ、パターン矯正層１７０を硬化させる。これにより、パターン矯正層１７０を所定の収縮率で収縮させる。
【００４２】
このとき、図３（ｂ）に示すように、パターン矯正層１７０を所定の収縮率で収縮させることによって、第１レジストパターン１６０の側壁を、溝部１６０ａの幅に応じて溝部１６０ａの幅方向に引っ張る。パターン矯正層１７０をバネとして考えれば、溝部１６０ａの幅が広いほど、パターン矯正層１７０の収縮によって第１レジストパターン１６０の側壁を溝部１６０ａの幅方向に引っ張る力は大きくなる。具体的には、平面視で第１レジストパターン１６０が太く溝部１６０ａの幅が狭い部分では、パターン矯正層１７０の収縮によって第１レジストパターン１６０の側壁を溝部１６０ａの幅方向に引っ張る力は小さく、第１レジストパターン１６０の幅方向への変形量は小さくなる（図中短い矢印）。一方で、平面視で第１レジストパターン１６０が細く溝部１６０ａの幅が広い部分では、パターン矯正層１７０の収縮によって第１レジストパターン１６０の側壁を溝部１６０ａの幅方向に引っ張る力は大きく、第１レジストパターン１６０の幅方向への変形量は大きくなる（図中長い矢印）。
【００４３】
その結果、図２（ｄ）および図３（ｃ）に示すように、第１レジストパターン１６０の幅は所定の幅まで広くなり、溝部１６０ａの幅は狭くなる。具体的には、例えば、第１レジストパターン１６０の幅は３６ｎｍとなり、溝部１６０ａの幅は１２ｎｍとなる。なお、第１レジストパターン１６０の幅が広くなるため、第１レジストパターン１６０の高さは低くなる。
【００４４】
また、図３（ｃ）に示すように、第１レジストパターン１６０の側壁は滑らかとなる。これにより、第１レジストパターン１６０の幅方向の寸法のバラツキが減少する。具体的には、第１レジストパターン１６０のＬＷＲを、電子線描画時（第１レジストパターン形成Ｓ１１０）のＬＷＲよりも小さくすることができる（例えば、３ｎｍ未満（３σ値））。
【００４５】
なお、このとき、パターン矯正層１７０の高さ方向（厚さ方向）の各位置では、パターン矯正層１７０が均等に収縮するため、第１レジストパターン１６０の高さ方向の各位置に対して、均等に引張力が加わる。したがって、第１レジストパターン１６０の矯正（変形）の際に、第１レジストパターン１６０の側壁は傾斜することがなく、第１レジストパターン１６０の断面形状における矩形性および垂直性は維持される。
【００４６】
以上のようにして、第１レジストパターン１６０が所望の形状に矯正される。
【００４７】
次に、図２（ｆ）（図４（ａ）と同じ）および図３（ｄ）に示すように、良溶媒（例えば、純水）により、パターン矯正層１７０を除去する。
【００４８】
（Ｓ１４０：第１モールド形成）
次に、図４（ｂ）に示すように、矯正された第１レジストパターン１６０をマスクとして用い、第１ハードマスク層１３０をドライエッチングする。このときのエッチングガスとしては、塩素ガスおよび酸素ガス等が用いられる。これにより、矯正された第１レジストパターン１６０に対応する第１ハードマスクパターン１４０を形成する。
【００４９】
次に、図４（ｃ）に示すように、第１ハードマスクパターン１４０をマスクとして用い、第１基板１１０の主面をドライエッチングする。このときのエッチングガスとしては、フッ素系ガスが用いられる。これにより、第１ハードマスクパターン１４０に開設された溝部に対応する第１凹部１２０ａと、第１ハードマスクパターン１４０に対応する第１凸部１２０ｂと、を有する第１モールドパターン（第１凹凸パターン）１２０を形成する。
【００５０】
このとき、エッチング条件を調整することにより、第１モールドパターン１２０において、第１凹部１２０ａの底部（底面）に対する第１凸部１２０ｂの側壁の角度（第１凸部１２０ｂ側の角度）θ１を、８５°以上とする。ここでは、角度θ１を、例えば、略９０°とする。これにより、後述する第２レジストパターン形成Ｓ１５０において、第２レジストパターン２６０の断面形状の矩形性および垂直性を確保することができる。また、このとき、エッチング条件を調整することにより、第１凹部１２０ａのアスペクト比（幅に対する深さ）を、例えば、２程度とする。これにより、後述する第２レジストパターン形成Ｓ１５０において第２レジストパターン２６０が倒れる欠陥が生じることを抑制することができる。
【００５１】
次に、図４（ｄ）に示すように、クロムエッチング液を用いたウェットエッチングにより、第１基板１１０の上から第１ハードマスクパターン１４０を選択的に除去する。これにより、第１モールド１０が得られる。
【００５２】
このとき、第１モールド１０では、矯正された第１レジストパターン１６０のパターン精度が反映されるため、第１モールドパターン１２０の第１凸部１２０ｂのＬＷＲは、矯正された第１レジストパターン１６０のＬＷＲと同等となる（例えば、３ｎｍ未満（３σ値））。また、第１凸部１２０ｂの幅は３６ｎｍとなり、第１凹部１２０ａの幅は１２ｎｍとなる。
【００５３】
（Ｓ１５０：第２レジストパターン形成）
次に、図５（ａ）に示すように、第２基板２１０の主面上に、第２ハードマスク層２３０と、ＵＶ硬化樹脂からなる第２レジスト層２５０と、を順に有する第２モールド用ブランクス２００を用意する。そして、第２モールド用ブランクス２００の第２レジスト層２５０側の面に対して、第１モールド１０の第１モールドパターン１２０側の面を対向させる。
【００５４】
次に、図５（ｂ）に示すように、第２モールド用ブランクス２００の第２レジスト層２５０に対して、第１モールド１０の第１モールドパターン１２０を押しつけ、この状態で第２レジスト層２５０に対してＵＶ光を照射して、第２レジスト層２５０を硬化させる。
【００５５】
次に、図５（ｃ）に示すように、第２基板２１０から第１モールド１０を離型させる。このようにして、インプリント法により、第１モールドパターン１２０を反転させた転写パターンを第２レジスト層２５０に形成する。
【００５６】
次に、図５（ｄ）に示すように、インプリント法によって生じる第２レジスト層２５０の残膜を、異方性ドライエッチングにより除去する。これにより、第１モールドパターン１２０の第１凹部１２０ａに対応する第２レジストパターン２６０と、第１モールドパターン１２０の第１凸部１２０ｂに対応する溝部２６０ａと、が形成される。
【００５７】
このとき、第２レジストパターン２６０の幅は第１モールドパターン１２０の第１凹部１２０ａの幅と同等となり、溝部２６０ａの幅は第１モールドパターン１２０の第１凸部１２０ｂの幅と同等となる。
【００５８】
また、このとき、第２レジスト層２５０の残膜を除去する際のエッチング条件を調整することにより、第２レジストパターン２６０の幅と断面形状とは、上記した転写時の幅と断面形状から概ね維持される。一方で、第２レジストパターン２６０の高さは、転写時の高さよりも第２レジスト層２５０の残膜厚と同じ程度低くなる。結果として、第２レジストパターン２６０のアスペクト比（幅に対する高さ）を、例えば２程度とする。
【００５９】
（Ｓ１７０：ダブルパターニング）
ここで、図６（ａ）に示すように、第２レジストパターン２６０では、矯正された第１モールドパターン１２０のパターン精度が反映されるため、第２レジストパターン２６０の断面形状では、矩形性および垂直性が維持される。また、第２レジストパターン２６０のＬＷＲは、矯正された第１レジストパターン１６０のＬＷＲと同等となっている（例えば、３ｎｍ未満（３σ値））。また、第２レジストパターン２６０の幅は１２ｎｍとなっている。
【００６０】
つまり、本実施形態の第２レジストパターン２６０の形状は、ＳＡＤＰ法のコアパターン（ｍａｎｄｒｅｌ）として適した形状となっている。したがって、本実施形態では、第２レジストパターン形成Ｓ１５０の後に、スリミング処理を行わずに、第２レジストパターン２６０をコアパターンとして直接用いて、以下のダブルパターニングＳ１７０を行う。
【００６１】
図６（ｂ）に示すように、第２レジストパターン２６０および溝部２６０ａを覆うように、ＳｉＯ２からなるマスク層２７０を形成する。マスク層２７０は、第２レジストパターン２６０の上面および側壁を均一な膜厚で覆うために、原子層堆積法（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＡＬＤ）法）により形成することが望ましい。このとき、第２レジストパターン２６０の両側壁におけるマスク層２７０の厚さは、後述するマスクパターン２８０の幅（例えば、１２ｎｍ）となるように調整される。
【００６２】
次に、図６（ｃ）に示すように、エッチバックにより、第２レジストパターン２６０の上面と、溝部２６０ａの底面と、を覆ったマスク層２７０を除去し、第２レジストパターン２６０の両側壁にマスク層２７０を残す。このときのエッチングガスとしては、フッ素系ガスが用いられる。
【００６３】
次に、図６（ｄ）（図７（ａ）と同じ）に示すように、第２レジストパターン２６０をドライエッチングにより除去する。このときのエッチングガスとしては、酸素ガスが用いられる。
【００６４】
このようにして、ＳＡＤＰ法により、第２レジストパターン２６０のピッチよりも狭いピッチ（例えば、２４ｎｍ）を有するマスクパターン２８０が得られる。
【００６５】
このとき、マスクパターン２８０は、第２レジストパターン２６０の側壁に沿うように、第２基板２１０の主面に対して略垂直に形成される。つまり、マスクパターン２８０の断面形状では、垂直性および矩形性が維持される。また、各々のマスクパターン２８０は、幅方向に均等なピッチ（例えば、２４ｎｍ）で配列される。
【００６６】
（Ｓ１８０：第２モールド形成）
次に、図７（ｂ）に示すように、マスクパターン２８０をマスクとして用い、第２ハードマスク層２３０をドライエッチングする。これにより、マスクパターン２８０に対応する第２ハードマスクパターン２４０を形成する。このとき、マスクパターン２８０の矩形性および垂直性が維持されていることにより、比較例のようなマスクパターンの影となる部分が生じることが抑制される。
【００６７】
次に、図７（ｃ）に示すように、第２ハードマスクパターン２４０をマスクとして用い、第２基板２１０の主面をドライエッチングする。これにより、第２ハードマスクパターン２４０に開設された溝部に対応する第２凹部２２０ａと、第２ハードマスクパターン２４０に対応する第２凸部２２０ｂと、を有する第２モールドパターン（第２凹凸パターン）２２０を形成する。
【００６８】
このとき、エッチング条件を調整することにより、第２モールドパターン２２０において、第２凹部２２０ａの底部（底面）に対する第２凸部２２０ｂの側壁の角度（第２凸部２２０ｂ側の角度）θ２を、８５°以上とする。ここでは、角度θ２を、例えば、略９０°とする。これにより、後述するパターン基板の製造工程での第３レジストパターン形成において、第３レジストパターン３６０の断面形状の矩形性および垂直性を確保することができる。また、このとき、第２凹部２２０ａのアスペクト比（幅に対する深さ）を、例えば、２程度とする。これにより、後述するパターン基板の製造工程での第３レジストパターン形成において、第３レジストパターン３６０が倒れる欠陥が生じることを抑制することができる。
【００６９】
次に、図７（ｄ）に示すように、クロムエッチング液を用いたウェットエッチングにより、第２基板２１０の上から第２ハードマスクパターン２４０を選択的に除去する。これにより、インプリント用モールドとしての第２モールド２０が製造される。
【００７０】
このとき、第２モールド２０では、上記した一連の工程を経ることで、矯正された第１レジストパターン１６０のパターン精度が反映されるため、第２モールドパターン２２０の第２凸部２２０ｂのＬＷＲは、矯正された第１レジストパターン１６０のＬＷＲと同等となる（例えば、３ｎｍ未満（３σ値））。また、各々の第２モールドパターン２２０は、幅方向に均等なピッチで配列され、第２モールドパターン２２０は、例えば、ピッチ２４ｎｍ、略１２ｎｍＬＳパターンとなる。
【００７１】
以上のようにして製造された第２モールド２０は、例えば、以下のようにパターン基板の製造に用いられる。
【００７２】
（第３レジストパターン形成）
まず、例えば、最終製造物を構成するシリコンウェハからなる第３基板３１０の主面上に、例えば、熱酸化膜（ＳｉＯ２）等を主成分とする第３ハードマスク層３３０を形成する。そして、第３ハードマスク層３３０の上に、ＵＶ硬化樹脂からなる第３レジスト層３５０を形成する。
【００７３】
次に、第３基板３１０上の第３レジスト層３５０に対して、第２モールド２０の第２モールドパターン２２０を押しつけ、この状態で第３レジスト層３５０に対してＵＶ光を照射して、第３レジスト層３５０を硬化させる（図８（ａ））。
【００７４】
次に、第３基板３１０から第２モールド２０を離型させ、第３レジスト層３５０の残膜を異方性ドライエッチングにより除去する。これにより、第２モールドパターン２２０の第２凸部２２０ｂに対応する溝部３６０ａと、第２モールドパターン２２０の第２凹部２２０ａに対応する第３レジストパターン３６０と、が形成される（図８（ｂ））。
【００７５】
このとき、第３レジストパターン３６０の幅は第２モールドパターン２２０の第２凹部２２０ａの幅と同等となり、溝部３６０ａの幅は第２モールドパターン２２０の第２凸部２２０ｂの幅と同等となる。
【００７６】
また、このとき、第３レジスト層３５０の残膜を除去する際のエッチング条件を調整することにより、第３レジストパターン３６０の幅と断面形状とは、上記した転写時の幅と断面形状から概ね維持される。一方で、第３レジストパターン３６０の高さは、転写時の高さよりも第３レジスト層３５０の残膜厚と同じ程度低くなる。結果として、第３レジストパターン３６０のアスペクト比（幅に対する高さ）を、例えば２程度とする。
【００７７】
（第３凹凸パターン形成）
次に、第３レジストパターン３６０をマスクとして用い、第３ハードマスク層３３０をドライエッチングする。これにより、第３レジストパターン３６０に対応する第３ハードマスクパターン（不図示）を形成する。
【００７８】
次に、第３ハードマスクパターン３４０をマスクとして用い、第３基板３１０の主面をドライエッチングする。これにより、第３ハードマスクパターンに開設された溝部に対応する第３凹部３２０ａと、第３ハードマスクパターンに対応する第３凸部３２０ｂと、を有する第３凹凸パターン３２０を形成する。
【００７９】
このとき、エッチング条件を調整することにより、第３凹凸パターン３２０において、第３凹部３２０ａの底部（底面）に対する第３凸部３２０ｂの側壁の角度（第３凸部３２０ｂ側の角度）θ３を、８５°以上とする。ここでは、角度θ３を、例えば、略９０°とする。また、このとき、第３凹部３２０ａのアスペクト比（幅に対する深さ）を、例えば、２程度とする。
【００８０】
次に、クロムエッチング液を用いたウェットエッチングにより、第３基板３１０の上から第３ハードマスクパターンを選択的に除去する。これにより、最終製造物としてのパターン基板３０が製造される（図８（ｃ））。
【００８１】
このとき、パターン基板３０では、上記した一連の工程を経ることで、矯正された第１レジストパターン１６０のパターン精度が反映されるため、第３凹凸パターン３２０の第３凸部３２０ｂのＬＷＲは、矯正された第１レジストパターン１６０のＬＷＲと同等となる（例えば、３ｎｍ未満（３σ値））。また、各々第３凹凸パターン３２０は、幅方向に均等なピッチで配列され、第３凹凸パターン３２０は、例えば、ピッチ２４ｎｍ、略１２ｎｍＬＳパターンとなる。
【００８２】
このようにして、パターン精度を向上させた超微細パターンを有するパターン基板３０を製造することができる。
【００８３】
（２）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。
【００８４】
（ａ）本実施形態によれば、第１レジストパターン１６０を形成した後、第１レジストパターン１６０および溝部１６０ａを覆うように、パターン矯正層１７０を形成する。そして、パターン矯正層１７０を硬化させ、パターン矯正層１７０を所定の収縮率で収縮させることによって、第１レジストパターン１６０の側壁を、溝部１６０ａの幅に応じて溝部１６０ａの幅方向に引っ張る。これにより、溝部１６０ａの幅を所定の幅まで狭くするとともに、第１レジストパターン１６０の側壁を滑らかにすることができる。このように、第１レジストパターン１６０を所望の形状に矯正することにより、第１レジストパターン１６０のパターン精度を向上させ、第１レジストパターン１６０の幅方向の寸法のバラツキ（ＬＷＲおよびＬＥＲ）を減少させることができる。
【００８５】
（ｂ）本実施形態によれば、矯正された第１レジストパターン１６０を転写することで形成された第２レジストパターン２６０をコアパターンとして用い、ダブルパターニング法により、マスクパターン２８０を形成する。そして、マスクパターン２８０をマスクとして用い、第２モールドパターン２２０を有するインプリント用モールドとしての第２モールド２０を製造する。この一連の工程により、第２モールド２０では、矯正された第１レジストパターン１６０のパターン精度を反映させることができる。その結果、断面形状の矩形性と優れたＬＷＲとを維持した第２モールドパターン２２０を得ることができる。
【００８６】
（ｃ）本実施形態によれば、上記した比較例のようなスリミング工程を行わない。これにより、第２レジストパターン２６０が順テーパとなることが抑制される。これにより、第２レジストパターン２６０をコアパターンとして形成されるマスクパターン２８０の断面形状では、垂直性および矩形性を維持することができる。また、各々のマスクパターン２８０を、幅方向に均等なピッチで配列することができる。その結果、パターン劣化を抑制した第２モールド２０を得ることができる。
【００８７】
（ｄ）本実施形態によれば、上記した第２モールド２０を用いて、インプリント法により、最終製造物を構成する第３基板３１０の上に第３レジストパターン３６０を形成する。そして、第３レジストパターン３６０をマスクとして用い、第３凹凸パターン３２０を有するパターン基板３０を製造する。この一連の工程により、パターン基板３０では、矯正された第１レジストパターン１６０のパターン精度を反映させることができる。その結果、断面形状の矩形性と優れたＬＷＲとを維持した第３凹凸パターン３２０を得ることができる。
【００８８】
＜本実施形態の変形例＞
図９を用い、本実施形態の変形例について説明する。図９（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態の変形例に係るインプリント用モールドの製造工程を示す概略断面図である。
【００８９】
以下の本実施形態の変形例は、ダブルパターニングＳ１７０においてＤＳＡ（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｓｅｌｆ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ）法を用いる点が上述の本実施形態と異なる。以下、本変形例では、本実施形態と異なる要素についてのみ説明し、本実施形態で説明した要素と実質的に同一の要素には、その説明を省略する。
【００９０】
（Ｓ１７０：ダブルパターニング）
図９（ａ）に示すように、第２基板２１０上には、第２レジストパターン２６０が形成されている。第２レジストパターン２６０では、第１モールド１０の第１モールドパターン１２０のパターン精度が反映されている。
【００９１】
次に、回転塗布法などにより、第２基板２１０上に、第２レジストパターン２６０に開設された溝部２６０ａを覆うように、第１ブロック共重合体と第２ブロック共重合体とを含むジブロック共重合体からなるマスク層２７２を形成する。第１ブロック共重合体および第２ブロック共重合体は、非相溶に構成され、第１ブロック共重合体は、例えば、ポリスチレン（ＰＳ）であり、第２ブロック共重合体は、例えば、ポリメチルメタクリレート（Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ  ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ，ＰＭＭＡ）である。なお、第１ブロック共重合体および第２ブロック共重合体のそれぞれの分子鎖長は、所望のパターン幅と同等となるように調整される。
【００９２】
次に、図９（ｂ）に示すように、所定の温度で加熱処理を所定時間行うことで、溝部２６０内で、マスク層２７２を相分離させる。そして、自己整合的に、コアパターン（ガイドパターン）としての第２レジストパターン２６０に沿うようにマスク層２７２を配向させることで、ポリスチレンからなる第１相（非除去相）２８２と、ＰＭＭＡからなる第２相（除去相）２８４と、を交互に配列する。
【００９３】
次に、図９（ｃ）に示すように、ドライエッチングまたはウェットエッチングにより、第２レジストパターン２６０および第２相２８４を除去する。これにより、第１相２８２からなるマスクパターン（２８２）を形成する。
【００９４】
以降の工程は、第１相２８２からなるマスクパターンをマスクとして用いる点を除いて、上述の実施形態と同様である。
【００９５】
本変形例によれば、矯正された第１レジストパターン１６０を転写することで形成された第２レジストパターン２６０をコアパターンとして用い、ＤＳＡ法により、マスク層２７２を相分離させることで、マスクパターン（２８２）を形成する。パターン精度のよい第２レジストパターン２６０をコアパターンとして用いることにより、マスク層２７２に各相の配列欠陥が生じることを抑制することができる。そして、マスクパターン（２８２）では、矯正された第１レジストパターン１６０のパターン精度を反映させることができる。その結果、断面形状の矩形性と優れたＬＷＲとを維持したマスクパターン（２８２）を得ることができる。
【００９６】
＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００９７】
上述の実施形態では、インプリント用モールドの製造工程の一工程として、パターン矯正層形成Ｓ１２０およびパターン矯正Ｓ１３０を適用する場合について説明したが、単なるレジストパターン工程の一工程として、パターン矯正層形成およびパターン矯正を適用してもよい。
【００９８】
上述の実施形態では、パターン矯正Ｓ１３０において、溝部１６０ａの幅を１２ｎｍに矯正する場合について説明したが、溝部の幅を１２ｎｍ以下に矯正してもよい。
【００９９】
上述の実施形態では、ＳＡＤＰ法やＤＳＡ法などのダブルパターニングＳ１７０を行ってから、第２モールド形成Ｓ１８０を行う場合について説明したが、ダブルパターニングの代わりに、以下のように、第２モールド形成を行ってから、第３モールド形成を行っても良い。
例えば、ダブルパターニングを行うことなく、第２レジストパターンをマスクとして用い、第２基板の主面をドライエッチングすることで、第２モールドパターンを有する第２モールドを形成する。次に、第３モールド用ブランクスを用意し、第３モールド用ブランクスの第３レジスト層に対して第２モールドを転写することで、第３レジストパターンを形成する。次に、第３レジストパターンをマスクとして用い、第３基板の主面をエッチングすることで、インプリント用モールドとして第３モールドパターンを有する第３モールドを製造する。
【０１００】
上述の実施形態では、パターン基板の製造工程において、第３レジストパターン３６０をマスクとして用い、第３基板３１０に第３凹凸パターン３２０を形成する場合について説明したが、第３基板に第３凹凸パターンを形成する場合に限られない。例えば、第３レジストパターンをマスクとして用い、第３基板上に金属からなる配線パターンを形成してもよい。
【０１０１】
＜本発明の好ましい態様＞
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
【０１０２】
（付記１）
本発明の一態様によれば、
基板上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をパターニングして、所定の溝部が開設されたレジストパターンを形成する工程と、
硬化時に所定の収縮率で収縮するパターン矯正層を、前記レジストパターンおよび前記溝部を覆うように形成する工程と、
前記パターン矯正層を硬化させ、当該パターン矯正層を収縮させることによって、前記レジストパターンの側壁を前記溝部の幅に応じて前記溝部の幅方向に引っ張ることで、前記レジストパターンを矯正する工程と、
前記パターン矯正層を除去する工程と、
を有するレジストパターン形成方法が提供される。
【０１０３】
（付記２）
本発明の他の態様によれば、
第１基板上に第１ハードマスク層および第１レジスト層が順に設けられた第１モールド用ブランクスを用意する工程と、
前記第１レジスト層をパターニングして、所定の溝部が開設された第１レジストパターンを形成する工程と、
硬化時に所定の収縮率で収縮するパターン矯正層を、前記第１レジストパターンおよび前記溝部を覆うように形成する工程と、
前記パターン矯正層を硬化させ、当該パターン矯正層を収縮させることによって、前記第１レジストパターンの側壁を前記溝部の幅に応じて前記溝部の幅方向に引っ張ることで、前記第１レジストパターンを矯正する工程と、
前記パターン矯正層を除去する工程と、
前記第１レジストパターンをマスクとして用い、前記第１ハードマスク層をエッチングする工程と、
前記第１ハードマスク層をマスクとして用い、前記第１基板の表面をエッチングすることで、前記第１基板の表面に第１モールドパターンを有する第１モールドを形成する工程と、
を有するインプリント用モールドの製造方法が提供される。
【０１０４】
（付記３）
好ましくは、付記２に記載のインプリント用モールドの製造方法であって、
前記第１レジストパターンを形成する工程と前記パターン矯正層を形成する工程との間に、デスカム処理を行う工程を有する。
【０１０５】
（付記４）
好ましくは、付記２又は３に記載のインプリント用モールドの製造方法であって、
前記第１レジストパターンを矯正する工程では、
前記溝部の幅を１２ｎｍ以下とする。
【０１０６】
（付記５）
好ましくは、付記２〜４のいずれかに記載のインプリント用モールドの製造方法であって、
前記第１レジストパターンを矯正する工程では、
前記第１レジストパターンのライン幅ラフネスの３σ値を３ｎｍ以下とする。
【０１０７】
（付記６）
好ましくは、付記２〜５のいずれかに記載のインプリント用モールドの製造方法であって、
前記第１モールドを形成する工程では、
前記第１モールドパターンとして、前記第１レジストパターンに対応する第１凸部と、前記溝部に対応する第１凹部と、を形成し、
前記第１凹部の底部に対する前記第１凸部の側壁の角度を８５°以上とする。
【０１０８】
（付記７）
好ましくは、付記２〜６のいずれかに記載のインプリント用モールドの製造方法であって、
第２基板上に第２ハードマスク層および第２レジスト層が順に設けられた第２モールド用ブランクスを用意する工程と、
前記第２レジスト層に対して前記第１モールドパターンを転写して、前記第１モールドパターンを反転させた第２レジストパターンを形成する工程と、
前記第２レジストパターンをコアパターンとして用い、ダブルパターニング法により、前記第２レジストパターンのピッチよりも狭いピッチを有するマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンをマスクとして用い、前記第２ハードマスク層をエッチングする工程と、
前記第２ハードマスク層をマスクとして用い、前記第２基板の表面をエッチングして、前記第２基板の表面に第２モールドパターンを有する第２モールドを形成する工程と、
を有する。
【０１０９】
（付記８）
好ましくは、付記７に記載のインプリント用モールドの製造方法であって、
前記マスクパターンを形成する工程は、
前記第２レジストパターンおよび前記第２ハードマスク層を覆うように、マスク層を形成する工程と、
前記マスク層をエッチバックし、前記第２レジストパターンの側壁に沿うように前記マスク層を残すことで、前記マスクパターンを形成する工程と、
前記第２レジストパターンを除去する工程と、
を有する。
【０１１０】
（付記９）
好ましくは、付記７に記載のインプリント用モールドの製造方法であって、
前記マスクパターンを形成する工程は、
前記第２基板上に、第１ブロック共重合体と第２ブロック共重合体とを含むマスク層を形成する工程と、
前記マスク層を相分離させ、前記第２レジストパターンに沿うように配向させることで、前記第１ブロック共重合体からなる第１相と前記第２ブロック共重合体からなる第２相とを交互に配列する工程と、
前記第２レジストパターンおよび前記第２相を除去することで、前記第１相からなる前記マスクパターンを形成する工程と、
を有する。
【０１１１】
（付記１０）
好ましくは、付記７〜９のいずれかに記載のインプリント用モールドの製造方法であって、
前記第２モールドを形成する工程では、
前記第２モールドパターンとして、前記マスクパターンに対応する第２凸部と、前記マスクパターンに開設された溝部に対応する第２凹部と、を形成し、
前記第２凹部の底部に対する前記第２凸部の側壁の角度を８５°以上とする。
【０１１２】
（付記１１）
本発明の更に他の態様によれば、
付記７〜１０のいずれかに記載のインプリント用モールドの製造方法により製造された前記第２モールドを用い、第３基板上に形成された第３レジスト層に対して前記第２モールドパターンを転写して、前記第３基板上に第３レジストパターンを形成する工程を有するパターン基板の製造方法が提供される。
【符号の説明】
【０１１３】
１０  第１モールド
２０  第２モールド
３０  パターン基板
１００  第１モールド用ブランクス
１１０  第１基板
１２０  第１モールドパターン（第１凹凸パターン）
１２０ａ  第１凹部
１２０ｂ  第１凸部
１３０  第１ハードマスク層
１４０  第１ハードマスクパターン
１５０  第１レジスト層
１６０  第１レジストパターン
１６０ａ  溝部
１７０  パターン矯正層
２００  第２モールド用ブランクス
２１０  第２基板
２２０  第２モールドパターン（第２凹凸パターン）
２２０ａ  第２凹部
２２０ｂ  第２凸部
２３０  第２ハードマスク層
２４０  第２ハードマスクパターン
２５０  第２レジスト層
２６０  第２レジストパターン
２６０ａ  溝部
２７０，２７２  マスク層
２８０，２８２  マスクパターン
２８２  第１相（非除去相）
２８４  第２相（除去相）
３１０  第３基板
３２０  第３凹凸パターン
３２０ａ  第３凹部
３２０ｂ  第３凸部
３３０  第３ハードマスク層
３４０  第３ハードマスクパターン
３５０  第３レジスト層
３６０  第３レジストパターン
３６０ａ  溝部
【図１】
0006675160.tif 000002
【図２】
0006675160.tif 000003
【図３】
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【図４】
0006675160.tif 000005
【図５】
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【図６】
0006675160.tif 000007
【図７】
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【図８】
0006675160.tif 000009
【図９】
0006675160.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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