(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板の一方の面側に配設された金属電極と、を備えるパッケージ基板の製造方法であって、
熱硬化性の樹脂を含み該金属電極を封止する樹脂層を該基板の該一方の面側に形成する樹脂層形成ステップと、
該樹脂層形成ステップを実施した後、該樹脂層を熱処理して半硬化させる半硬化ステップと、
該半硬化ステップを実施した後、該樹脂層をバイト工具で切削して該樹脂層の表面側の一部を除去することで該金属電極の端部を表出させるバイト切削ステップと、
該バイト切削ステップで該金属電極の端部を表出させた該樹脂層の表面側に、該樹脂層から発生し該金属電極を腐食させる腐食性ガスから該金属電極を保護する防食剤を含む液体を供給し、該金属電極の端部に該防食剤を被覆させる防食剤被覆ステップと、
該防食剤被覆ステップを実施した後、該樹脂層を熱処理して硬化させる硬化ステップと、を備え、
該硬化ステップでは、第１の温度の熱処理で該樹脂層を硬化させた後、該第１の温度より高い第２の温度の熱処理で該金属電極から該防食剤を除去することを特徴とするパッケージ基板の製造方法。
【請求項２】
該防食剤被覆ステップは、該バイト切削ステップの実施中、又は、バイト切削ステップの実施後に被加工物の表面を洗浄する洗浄ステップの実施中に行われることを特徴とする請求項１記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項３】
該第１の温度は、該防食剤が揮発又は熱分解しない温度であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のパッケージ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属電極が樹脂層で封止されたパッケージ基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種の電子機器に組み込まれるパッケージデバイス（packaged devices）は、例えば、金属電極が配列された基板の一方の面（上面）側を樹脂層で封止してパッケージ基板を形成した後に、このパッケージ基板を所定の分割予定ラインに沿って分割することで製造できる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
完成したパッケージデバイスの実装時には、樹脂層で封止された金属電極を介してパッケージデバイスと実装先の基板等とを電気的に接続させる。そのため、この電気的な接続の不良を低減できるように、金属電極の端部（上端部）をバイト工具で切削して平坦にしておくのが一般的になっている（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
ところで、上述した金属電極を封止する樹脂層には、パッケージ基板の反り等の変形を防ぐ目的でＳｉＯ２等の微粉末（フィラー）が混入される。ところが、この微粉末の硬度は高いので、金属電極の端部を樹脂層とともに切削すると、バイト工具の欠け、摩耗等が発生してその寿命が短くなり易いという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２４００３号公報
【特許文献２】特開２００１−１７３９５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
この問題を解決するために、近年では、半硬化させた状態の樹脂層を金属電極と共にバイト工具で切削し、その後に樹脂層を完全に硬化させる方法が検討されている。この方法によれば、樹脂層を完全に硬化させていない状態で切削するので、微粉末との摩擦によるバイト工具の欠け、摩耗等の発生を抑制できる。
【０００７】
しかしながら、この方法では、金属電極を表出させた後に樹脂層を完全に硬化させるので、硬化の際に樹脂層から発生するガスによって、表出した金属電極の端部が腐食し易い。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、金属電極の腐食を防止できるパッケージ基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、基板と、該基板の一方の面側に配設された金属電極と、を備えるパッケージ基板の製造方法であって、熱硬化性の樹脂を含み該金属電極を封止する樹脂層を該基板の該一方の面側に形成する樹脂層形成ステップと、該樹脂層形成ステップを実施した後、該樹脂層を熱処理して半硬化させる半硬化ステップと、該半硬化ステップを実施した後、該樹脂層をバイト工具で切削して該樹脂層の表面側の一部を除去することで該金属電極の端部を表出させるバイト切削ステップと、該バイト切削ステップで該金属電極の端部を表出させた該樹脂層の表面側に、該樹脂層から発生し該金属電極を腐食させる腐食性ガスから該金属電極を保護する防食剤を含む液体を供給し、該金属電極の端部に該防食剤を被覆させる防食剤被覆ステップと、該防食剤被覆ステップを実施した後、該樹脂層を熱処理して硬化させる硬化ステップと、を備え、該硬化ステップでは、第１の温度の熱処理で該樹脂層を硬化させた後、該第１の温度より高い第２の温度の熱処理で該金属電極から該防食剤を除去することを特徴とするパッケージ基板の製造方法が提供される。
【０００９】
本発明の一態様において、該防食剤被覆ステップは、該バイト切削ステップの実施中、又は、バイト切削ステップの実施後に被加工物の表面を洗浄する洗浄ステップの実施中に行われることが好ましい。
【００１１】
また、本発明の一態様において、該第１の温度は、該防食剤が揮発又は熱分解しない温度であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の一態様に係るパッケージ基板の製造方法では、例えば、半硬化させた樹脂層に切削液を供給しながらバイト工具で切削して金属電極の端部を表出させるバイト切削ステップや樹脂層の表面に洗浄液を供給して洗浄する洗浄ステップの実施中に、切削液（液体）又は洗浄液（液体）に防食剤を含ませて金属電極の端部に防食剤を被覆させる防食剤被覆ステップを実施する。よって、この防食剤被覆ステップによって、金属電極の表出した端部に防食剤を付着できる。
【００１３】
つまり、樹脂層を熱処理して硬化させる硬化ステップを実施する前に金属電極に防食剤を付着できるので、硬化ステップで腐食性ガスが発生しても金属電極は腐食し難くなる。このように、本発明の一態様に係るパッケージ基板の製造方法によれば、バイト工具を用いる切削によって表出した金属電極の腐食を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１（Ａ）は、樹脂層形成ステップを模式的に示す一部断面側面図であり、図１（Ｂ）は、半硬化ステップを模式的に示す断面図である。
【図２】図２（Ａ）は、バイト切削ステップを模式的に示す一部断面側面図であり、図２（Ｂ）は、洗浄ステップを模式的に示す一部断面側面図である。
【図３】硬化ステップを模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態に係るパッケージ基板の製造方法は、樹脂層形成ステップ（図１（Ａ）参照）、半硬化ステップ（図１（Ｂ）参照）、バイト切削ステップ（図２（Ａ）参照）、洗浄ステップ（図２（Ｂ）参照）、硬化ステップ（図３参照）、及び防食剤被覆ステップ（図２（Ａ）及び図２（Ｂ）参照）を含む。
【００１６】
樹脂層形成ステップでは、基板に設けられた金属電極を封止するための樹脂層を熱硬化性の樹脂で形成する。半硬化ステップでは、樹脂層を熱処理して半硬化させる。バイト切削ステップでは、切削液を供給しながら樹脂層をバイト工具で切削し、樹脂層の表面側の一部を除去して金属電極の端部を表出させる。
【００１７】
洗浄ステップでは、洗浄液を用いて樹脂層を洗浄する。硬化ステップでは、樹脂層を熱処理して完全に硬化させる。防食剤被覆ステップでは、金属電極の腐食を抑制できる防食剤を切削液（液体）及び（又は）洗浄液（液体）に含ませて、樹脂層の表面側に表出した金属電極の端部に防食剤を被覆させる、すなわち、防食剤被覆ステップを、バイト切削ステップの実施中、及び（又は）、洗浄ステップの実施中に実施する。これにより、表出した金属電極に防食剤が付着した状態で硬化ステップを実施し、金属電極の腐食を防止できる。以下、本実施形態に係るパッケージ基板の製造方法について詳述する。
【００１８】
本実施形態に係るパッケージ基板の製造方法では、まず、基板に配置された金属電極を封止するための樹脂層を形成する樹脂層形成ステップを実施する。図１（Ａ）は、樹脂層形成ステップを模式的に示す一部断面側面図である。この樹脂層形成ステップでは、図１（Ａ）に示すような基板１１に樹脂層が形成される。
【００１９】
基板１１は、例えば、樹脂、金属、半導体、セラミック等の材料で円盤状に形成されており、複数のデバイス（デバイスチップ）（不図示）を含んでいる。各デバイスに対応する基板１１の表面（一方の面）１１ａ側には、導電性を持つ金属でなる複数の金属電極１３が配置されている。各金属電極１３は、例えば、半田ボールであり、デバイスの端子等に対して電気的に接続されている。なお、基板１１や金属電極１３の材質、形状等に制限はなく、例えば、矩形状の基板１１を用いることもできる。
【００２０】
樹脂層形成ステップでは、この基板１１の表面１１ａ側に熱硬化性の樹脂を含む材料で樹脂層を形成する。樹脂層形成ステップは、例えば、図１（Ａ）に示す樹脂塗布装置２を用いて実施される。樹脂塗布装置２は、基板１１を保持するための保持テーブル４を備えている。保持テーブル４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。
【００２１】
保持テーブル４の上面は、基板１１の裏面（他方の面）１１ｂ側を吸引、保持する保持面４ａとなっている。この保持面４ａは、保持テーブル４の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面４ａに作用させることで、基板１１を保持テーブル４で保持できる。保持テーブル４の上方には、熱硬化性（熱硬化型）の樹脂２１を滴下するための樹脂供給ノズル６が配置されている。この樹脂供給ノズル６は、配管（不図示）等を通じて樹脂２１の供給源（不図示）に接続されており、樹脂２１を下向きに噴射できる。
【００２２】
樹脂層形成ステップでは、まず、基板１１の裏面１１ｂ側を保持テーブル４の保持面４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、基板１１は、複数の金属電極１３が配列された表面１１ａ側が上方に露出した状態で保持テーブル４に保持される。なお、基板１１の裏面１１ｂには、保護テープ等を貼り付けておいても良い。
【００２３】
次に、保持テーブル４を回転させて、樹脂供給ノズル６から液状の樹脂２１を滴下する。本実施形態では、例えば、熱によって硬化するエポキシ・ポリイミド系の樹脂２１を用いるが、樹脂２１の具体的な材質等に制限はない。これにより、基板１１の表面１１ａ側に樹脂２１を塗布して、金属電極１３を封止するための樹脂層２３を形成できる。
【００２４】
この樹脂層２３は、各金属電極１３の全体を覆う程度に厚く形成されることが望ましい。また、本実施形態では、いわゆるスピンコーティングによって樹脂層２３を形成しているが、ディップコーティング、スプレーコーティング、インクジェット、ポッティング、射出成形等の方法で樹脂層２３を形成することもできる。
【００２５】
樹脂層形成ステップの後には、樹脂層２３を熱処理して半硬化させる半硬化ステップを実施する。図１（Ｂ）は、半硬化ステップを模式的に示す断面図である。この半硬化ステップは、例えば、図１（Ｂ）に示す熱処理装置１２を用いて実施される。
【００２６】
図１（Ｂ）に示すように、熱処理装置１２は、内部に熱処理用の空間が形成されたチャンバー１４を備えている。チャンバー１４の内部の空間には、基板１１を保持するための保持テーブル１６及びヒーター（不図示）が配置されている。保持テーブル１６の上面は、基板１１の裏面１１ｂ側を保持する保持面１６ａとなる。
【００２７】
半硬化ステップでは、まず、基板１１の裏面１１ｂ側と保持テーブル１６の保持面１６ａとが対面するように、基板１１を保持テーブル１６に載せる。これにより、基板１１は、表面１１ａ側に形成された樹脂層２３が上方に露出する態様で保持テーブル１６に保持される。
【００２８】
基板１１を保持テーブル１６に載せた後には、例えば、チャンバー１４を密閉してヒーターを作動させる。これにより、樹脂層２３を熱処理して半硬化させることができる。この半硬化ステップでは、例えば、温度が７０℃〜１８０℃、処理時間が３０分〜９０分の条件で熱処理を行う。ただし、熱処理の条件に特段の制限はない。半硬化ステップの熱処理は、少なくとも、形状が保たれる程度に樹脂層２３を硬化させ、かつ、完全には硬化させない条件で実施されれば良い。
【００２９】
半硬化ステップの後には、樹脂層２３の表面２３ａ側の一部を除去して金属電極１３の端部（上端部）を表出させるバイト切削ステップを実施する。図２（Ａ）は、バイト切削ステップを模式的に示す一部断面側面図である。
【００３０】
このバイト切削ステップは、図２（Ａ）に示すバイト切削装置２２を用いて実施される。バイト切削装置２２は、基板１１を保持するための保持テーブル２４を備えている。保持テーブル２４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、保持テーブル２４は、この移動機構で水平方向に移動する。
【００３１】
保持テーブル２４の上面は、基板１１の裏面１１ｂ側を吸引、保持する保持面２４ａとなっている。この保持面２４ａは、保持テーブル２４の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面２４ａに作用させることで、基板１１を保持テーブル２４で保持できる。保持テーブル２４の上方には、バイト切削ユニット２６が配置されている。
【００３２】
バイト切削ユニット２６は、鉛直方向に伸びる回転軸を構成するスピンドル２８を備えている。スピンドル２８の下端部には、円盤状の工具マウント３０が固定されている。工具マウント３０の下面には、バイト工具３２が装着されている。バイト工具３２は、例えば、アルミニウム、ステンレス等の金属材料でなる基部と、基部の下方に固定されたダイヤモンド等でなる切り刃（バイト）と、で構成される。
【００３３】
スピンドル２８の上端側には、モータ等の回転機構（不図示）が連結されている。バイト工具３２は、この回転機構から伝達される回転力によって回転する。また、スピンドル２８は、昇降機構（不図示）によって支持されている。昇降機構でスピンドル２８を上下に移動させれば、バイト工具３２を任意の高さに位置付けることができる。
【００３４】
保持テーブル２４及びバイト切削ユニット２６の近傍には、切削液（液体）３１を供給するための切削液供給ノズル３４が配置されている。切削液供給ノズル３４は、配管（不図示）等を通じて切削液３１の供給源（不図示）に接続されており、樹脂層２３の表面２３ａに向けて切削液３１を噴射できる。
【００３５】
バイト切削ステップでは、まず、基板１１の裏面１１ｂ側を保持テーブル２４の保持面２４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、基板１１は、表面１１ａ側に形成された樹脂層２３が上方に露出する態様で保持テーブル２４に保持される。なお、基板１１の裏面１１ｂには、保護テープ等を貼り付けておいても良い。
【００３６】
次に、基板１１の表面１１ａ側に設けられた金属電極１３の端部（上端部）と接触する高さにバイト工具３２の下端（切り刃の下端）を位置付ける。この状態で、樹脂層２３の表面２３ａに切削液３１を供給しながらバイト工具３２を回転させて、保持テーブル２４を水平方向に移動させれば、図２（Ａ）に示すように、樹脂層２３の表面２３ａ側を切削、除去して金属電極１３の端部（上端部）を表出させることができる。
【００３７】
なお、このバイト切削ステップでは、金属電極１３の端部（上端部）と接触する高さにバイト工具３２の下端を位置付けた状態で、バイト工具３２と保持テーブル２４とを相対的に移動させるので、樹脂層２３と共に金属電極１３の端部（上端部）も切削される。また、このバイト切削ステップにより、切削後の樹脂層２３の表面２３ｂと金属電極１３の端部とが概ね面一になる。
【００３８】
また、バイト切削ステップの実施中には、防食剤被覆ステップを実施する。具体的には、切削液３１として、例えば、純水等の液体に、金属の腐食を防ぐための防食剤を含ませたものを用いる。
【００３９】
防食剤としては、例えば、分子内に３つ以上の窒素原子を有し、且つ、縮環構造を有する複素芳香環化合物、又は、分子内に４つ以上の窒素原子を有する複素芳香環化合物を用いることが好ましい。更に、芳香環化合物は、カルボキシル基、スルホ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基を含むことが好ましい。具体的には、テトラゾール誘導体、１，２，３−トリアゾール誘導体、及び１，２，４−トリアゾール誘導体、ベンゾトリアゾール、５‐メチル‐１Ｈ‐ベンゾトリアゾール、１‐アミノベンゾトリアゾール、１‐ヒドロキシベンゾトリアゾール、１‐ヒドロキシベンゾトリアゾール水和物、２，３-ジカルボキシプロピルベンゾトリアゾール、４−カルボキシベンゾトリアゾール、４−ブトキシカルボニル-１Ｈ-ベンゾトリアゾール、等が防食剤として特に有効である。
【００４０】
また、５‐（ブロモメチル）‐１‐メチル‐１Ｈ‐１，２，３‐ベンゾトリアゾール、１‐メチル‐１Ｈ‐１，２，３‐ベンゾトリアゾール‐５‐カルボン酸、１‐メチル‐１Ｈ‐１，２，３‐ベンゾトリアゾール‐５‐カルバルデヒド、１‐（４‐ピペリジル）‐１Ｈ‐１，２，３‐ベンゾトリアゾール塩酸塩、２‐（２′‐ヒドロキシ‐５′‐メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２‐（２′‐ヒドロキシ‐３′，５′‐ジ‐ｔｅｒｔ‐アミルフェニ ル） ベンゾトリアゾール、等を防食剤として用いることもできる。
【００４１】
テトラゾール誘導体としては、テトラゾール環を形成する窒素原子上に置換基を有さず、且つ、テトラゾールの５位に、スルホ基、アミノ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された置換基、又は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された少なくとも１つの置換基で置換されたアルキル基が導入されたものを挙げることができる。
【００４２】
１，２，３−トリアゾール誘導体としては、１，２，３−トリアゾール環を形成する窒素原子上に置換基を有さず、且つ、１，２，３−トリアゾールの４位及び／又は５位に、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された置換基、或いは、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された少なくとも１つの置換基で置換されたアルキル基又はアリール基が導入されたものを挙げることができる。
【００４３】
１，２，４−トリアゾール誘導体としては、１，２，４−トリアゾール環を形成する窒素原子上に置換基を有さず、且つ、１，２，４−トリアゾールの２位及び／又は５位に、スルホ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された置換基、或いは、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、カルバモイル基、カルボンアミド基、スルファモイル基、及びスルホンアミド基からなる群より選択された少なくとも１つの置換基で置換されたアルキル基又はアリール基が導入されたものを挙げることができる。
【００４４】
上述のような防食剤を含有させた切削液３１を用いることで、表出した金属電極１３の端部（上端部）に防食剤が付着する。その結果、後の硬化ステップで樹脂層２３からガス（腐食性ガス）が発生しても、表出した金属電極１３の端部が腐食する可能性を低く抑えることができる。
【００４５】
バイト切削ステップの後には、樹脂層２３の表面２３ｂに洗浄液を噴射して樹脂層２３を洗浄する洗浄ステップを実施する。図２（Ｂ）は、洗浄ステップを模式的に示す一部断面側面図である。
【００４６】
この洗浄ステップは、図２（Ｂ）に示す洗浄装置４２を用いて実施される。洗浄装置４２は、基板１１を保持するための保持テーブル４４を備えている。保持テーブル４４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。
【００４７】
保持テーブル４４の上面は、基板１１の裏面１１ｂ側を吸引、保持する保持面４４ａとなっている。この保持面４４ａは、保持テーブル４４の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面４４ａに作用させることで、基板１１を保持テーブル４４で保持できる。
【００４８】
保持テーブル４４の上方には、洗浄液供給ユニット４６が配置されている。洗浄液供給ユニット４６は、Ｌ字状の支持アーム４８と、支持アーム４８の一端側に固定された洗浄液供給ノズル５０とを含む。支持アーム５０の他端側には、回転機構（不図示）が連結されている。この回転機構は、所定の角度範囲で洗浄液供給ノズル４８が搖動するように支持アーム５０を回転させる。また、洗浄液供給ノズル４８は、配管（不図示）等を通じて洗浄液（液体）３３の供給源（不図示）に接続されており、洗浄液３３を下向きに噴射できる。
【００４９】
洗浄ステップでは、まず、基板１１の裏面１１ｂ側を保持テーブル４４の保持面４４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、基板１１は、表面１１ａ側に形成された樹脂層２３が上方に露出する態様で保持テーブル４４に保持される。なお、基板１１の裏面１１ｂには、保護テープ等を貼り付けておいても良い。
【００５０】
次に、保持テーブル４４を回転させるとともに、洗浄液供給ノズル４８を搖動しながら樹脂層２３の表面２３ｂに向けて洗浄液３３を噴射する。これにより、洗浄液供給ノズル４８から噴射される洗浄液３３によって樹脂層２３の表面２３ｂ側を洗浄できる。
【００５１】
この洗浄ステップの実施中には、防食剤被覆ステップを実施する。具体的には、洗浄液３３として、例えば、純水等の液体に、金属の腐食を防ぐための防食剤を含ませたものを用いる。洗浄液３３に含ませる防食剤としては、切削液３１に含ませる防食剤として挙げたものを同様に用いることができる。
【００５２】
上述のような防食剤を含有させた洗浄液３３を用いることで、表出した金属電極１３の端部（上端部）に防食剤が付着する。その結果、後の硬化ステップで樹脂層２３から腐食性ガスが発生しても、表出した金属電極１３の端部が腐食する可能性を低く抑えることができる。なお、本実施形態では、切削液３１、洗浄液３３の両方に防食剤を含ませているが、防食剤は、例えば、切削液３１、洗浄液３３のいずれか一方に含ませても良い。
【００５３】
洗浄ステップの後には、樹脂層２３を熱処理して硬化させる硬化ステップを実施する。図３は、硬化ステップを模式的に示す断面図である。この硬化ステップは、例えば、半硬化ステップで用いた熱処理装置１２を用いて実施される。
【００５４】
硬化ステップでは、まず、基板１１の裏面１１ｂ側と保持テーブル１６の保持面１６ａとが対面するように、基板１１を保持テーブル１６に載せる。これにより、基板１１は、表面１１ａ側に形成された樹脂層２３が上方に露出する態様で保持テーブル１６に保持される。
【００５５】
基板１１を保持テーブル１６に載せた後には、例えば、チャンバー１４を密閉してヒーターを作動させる。これにより、樹脂層２３を熱処理して硬化させることができる。この硬化ステップでは、例えば、金属電極１３の端部（上端部）を被覆する防食剤が揮発又は熱分解しない第１の温度で第１の熱処理を行い、その後、第１の温度より高い第２の温度で第２の熱処理を行う。
【００５６】
第１の熱処理の第１の温度は、２００℃、好ましくは、１８０℃以下に設定される。一方、第１の熱処理の処理時間は、例えば、３０分〜９０分に設定される。このような条件で第１の熱処理を行うことにより、樹脂層２３から発生する腐食性ガスによる金属電極１３の腐食を抑制しながら、樹脂層２３を硬化させることができる。
【００５７】
すなわち、本実施形態では、切削液３１及び洗浄液３３に防食剤を含ませ、表出した金属電極１３に防食剤を付着させているので、第１の熱処理で樹脂層２３から腐食性ガスが発生しても、表出した金属電極１３の端部が腐食する可能性を低く抑えることができる。ただし、所定の時間が経過した後には腐食性ガスが殆ど発生しなくなることもあるので、その場合には、腐食性ガスの発生が止まった後に第１の温度を２００℃より高くしても良い。
【００５８】
第２の熱処理の第２の温度は、２００℃より高い温度、好ましくは、２２０℃より高い温度に設定される。一方、第２の熱処理の処理時間は、例えば、３０分〜９０分に設定される。このような条件で第２の熱処理を行うことにより、金属電極１３に付着している防食剤を除去しながら、樹脂層２３を硬化させることができる。
【００５９】
ただし、熱処理の条件に特段の制限はない。硬化ステップの熱処理は、少なくとも、樹脂層２３が完全に硬化する条件で実施されれば良い。この硬化ステップにより、基板１１の表面１１ａ側を樹脂層２３で封止したパッケージ基板４１が完成する。
【００６０】
以上のように、本実施形態に係るパッケージ基板の製造方法では、半硬化させた樹脂層２３に切削液３１を供給しながらバイト工具３２で切削して金属電極１３の端部を表出させるバイト切削ステップ中、及び（又は）、樹脂層２３の表面２３ｂに洗浄液３３を供給して洗浄する洗浄ステップ中に、切削液（液体）３１又は洗浄液（液体）３３に防食剤を含ませて金属電極１３の端部に防食剤を被覆させる防食剤被覆ステップを実施している。よって、バイト切削ステップ及び洗浄ステップ（バイト切削ステップ又は洗浄ステップ）において、金属電極１３の表出した端部に防食剤を付着できる。
【００６１】
つまり、樹脂層２３を熱処理して硬化させる硬化ステップを実施する前に金属電極１３に防食剤を付着できるので、硬化ステップで腐食性ガスが発生しても金属電極１３は腐食し難くなる。このように、本実施形態に係るパッケージ基板の製造方法によれば、バイト工具３２を用いる切削によって表出した金属電極１３の腐食を防止できる。
【００６２】
なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、バイト切削ステップ中及び（又は）洗浄ステップ中に防食剤被覆ステップを実施しているが、バイト切削ステップや洗浄ステップとは別に防食剤被覆ステップを実施することもできる。
【００６３】
例えば、バイト切削ステップや洗浄ステップの後に防食剤被覆ステップを実施しても良い。すなわち、切削や洗浄を目的とせずに、防食剤を含む液体を樹脂層２３の表面２３ｂに供給し、金属電極１３の端部に防食剤を被覆させることもできる。
【００６４】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００６５】
１１  基板
１１ａ  表面（一方の面）
１１ｂ  裏面（他方の面）
１３  金属電極
２１  樹脂
２３  樹脂層
２３ａ，２３ｂ  表面
３１  切削液（液体）
３３  洗浄液（液体）
４１  パッケージ基板
２  樹脂塗布装置
４  保持テーブル
４ａ  保持面
６  樹脂供給ノズル
１２  熱処理装置
１４  チャンバー
１６  保持テーブル
１６ａ  保持面
２２  バイト切削装置
２４  保持テーブル
２４ａ  保持面
２６  バイト切削ユニット
２８  スピンドル
３０  工具マウント
３２  バイト工具
３４  切削液供給ノズル
４２  洗浄装置
４４  保持テーブル
４４ａ  保持面
４６  洗浄液供給ユニット
４８  支持アーム
５０  洗浄液供給ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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