(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ本体と、
前記チップ本体の一面に設けられた、互いに融点が相違する２種以上のろう材と、
を有し、
前記２種以上のろう材の間で、
融点が高いものほど前記チップ本体からの最大離間距離が短く、
平面視で、融点が高いものの輪郭は、それよりも融点が低いものの輪郭の外側にあり、
前記２種以上のろう材の各々は、それらの平面形状が円形であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板本体と、
前記基板本体の一面に設けられた、互いに融点が相違する２種以上のろう材と、
を有し、
前記２種以上のろう材の間で、
融点が高いものほど前記基板本体からの最大離間距離が短く、
平面視で、融点が高いものの輪郭は、それよりも融点が低いものの輪郭の外側にあり、
前記２種以上のろう材の各々は、それらの平面形状が円形であることを特徴とする実装基板。
【請求項３】
実装基板上に、請求項１に記載の半導体装置を、前記２種以上のろう材のうちで最も融点が低いものが前記実装基板と接するようにして載置する工程と、
前記２種以上のろう材を融点が低いものから順に溶融させる工程と、
溶融した前記ろう材を凝固させる工程と、
を有することを特徴とする半導体装置実装構造の製造方法。
【請求項４】
半導体装置を、請求項２に記載の実装基板上に、前記２種以上のろう材のうちで最も融点が低いものが前記半導体装置と接するようにして載置する工程と、
前記２種以上のろう材を融点が低いものから順に溶融させる工程と、
溶融した前記ろう材を凝固させる工程と、
を有することを特徴とする半導体装置実装構造の製造方法。
【請求項５】
実装基板と、
前記実装基板上のチップ本体と、
前記実装基板に前記チップ本体をろう付けする、互いに融点が相違する２種以上のろう材と、
を有し、
前記２種以上のろう材の間で、
融点が最も低いものが、平面視で前記チップ本体よりも広範囲に広がっており、
融点が高いものほど前記チップ本体からの最大離間距離が短く、
前記２種以上のろう材の各々は、それらの平面形状が円形であることを特徴とする半導体装置実装構造。
【請求項６】
基板本体と、
前記基板本体上の半導体装置と、
前記基板本体に前記半導体装置をろう付けする、互いに融点が相違する２種以上のろう材と、
を有し、
前記２種以上のろう材の間で、
融点が最も低いものが、平面視で前記半導体装置よりも広範囲に広がっており、
融点が高いものほど前記基板本体からの最大離間距離が短く、
前記２種以上のろう材の各々は、それらの平面形状が円形であることを特徴とする半導体装置実装構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、実装基板及び半導体装置実装構造等に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップの実装基板への実装には、ＡｕＳｎろう材及びＡｇペースト等の接合材が用いられている。接合材の溶融及び凝固の間に、接合材中に気泡が入り込み、これが凝固後にも残留することがある。接合材は半導体チップで生じた熱を実装基板に伝達する作用を有し、接合材中に残留する気泡は熱の伝達を妨げる。接合材及び実装基板を介した抜熱が不十分であると、半導体チップの温度が過剰に上昇し、出力電力が低下したり、効率が低下したりする。特に、窒化ガリウム（ＧａＮ）系のパワーデバイスの発熱量が大きいため、半導体チップがこのようなパワーデバイスを含む場合の特性の低下が顕著である。
【０００３】
接合材中の気泡は、接合材が溶融している間に、実装基板上で半導体チップを水平方向に擦ることで低減することができる。しかしながら、半導体チップの大型化に伴って、このような操作によっても気泡を十分に排除できなくなってきている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２８８７７０号公報
【特許文献２】特開平１０−６０７３号公報
【特許文献３】特開２０１３−８４６８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、ろう材中の気泡の残留を低減することができる半導体装置、実装基板及び半導体装置実装構造等を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
半導体装置の一態様には、チップ本体と、前記チップ本体の一面に設けられた、互いに融点が相違する２種以上のろう材が含まれる。前記２種以上のろう材の間で、融点が高いものほど前記チップ本体からの最大離間距離が短く、平面視で、融点が高いものの輪郭は、それよりも融点が低いものの輪郭の外側にあり、前記２種以上のろう材の各々は、それらの平面形状が円形である。ろう材のチップ本体からの最大離間距離とは、当該ろう材内の点のうちでチップ本体から最も離間した点のチップ本体からの距離をいう。
【０００７】
半導体装置実装構造の製造方法の一態様では、実装基板上に上記半導体装置を前記２種以上のろう材のうちで最も融点が低いものが前記実装基板と接するようにして載置し、前記２種以上のろう材を融点が低いものから順に溶融させ、溶融した前記ろう材を凝固させる。
【０００８】
実装基板の一態様には、基板本体と、前記基板本体の一面に設けられた、互いに融点が相違する２種以上のろう材が含まれる。前記２種以上のろう材の間で、融点が高いものほど前記基板本体からの最大離間距離が短く、平面視で、融点が高いものの輪郭は、それよりも融点が低いものの輪郭の外側にあり、前記２種以上のろう材の各々は、それらの平面形状が円形である。ろう材の基板本体からの最大離間距離とは、当該ろう材内の点のうちで基板本体から最も離間した点の基板本体からの距離をいう。
【０００９】
半導体装置実装構造の製造方法の他の一態様では、半導体装置を上記実装基板上に前記２種以上のろう材のうちで最も融点が低いものが前記半導体装置と接するようにして載置し、前記２種以上のろう材を融点が低いものから順に溶融させ、溶融した前記ろう材を凝固させる。
【００１０】
半導体装置実装構造の一態様には、実装基板と、前記実装基板上のチップ本体と、前記実装基板に前記チップ本体をろう付けする、互いに融点が相違する２種以上のろう材と、が含まれる。前記２種以上のろう材の間で、融点が最も低いものが、平面視で前記チップ本体よりも広範囲に広がっており、融点が高いものほど前記チップ本体からの最大離間距離が短く、前記２種以上のろう材の各々は、それらの平面形状が円形である。
【００１１】
半導体装置実装構造の他の態様には、基板本体と、前記基板本体上の半導体装置と、前記基板本体に前記半導体装置をろう付けする、互いに融点が相違する２種以上のろう材と、が含まれる。前記２種以上のろう材の間で、融点が最も低いものが、平面視で前記半導体装置よりも広範囲に広がっており、融点が高いものほど前記基板本体からの最大離間距離が短く、前記２種以上のろう材の各々は、それらの平面形状が円形である。
【発明の効果】
【００１２】
上記の半導体装置等によれば、適切な互いに融点が相違する２種以上のろう材が含まれているため、ろう材中の気泡の残留を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置を示す図である。
【図２】半導体装置実装構造を製造する方法を工程順に示す断面図である。
【図３】第２の実施形態に係る半導体装置を示す図である。
【図４Ａ】ろう材の平面形状の一例を示す図である。
【図４Ｂ】ろう材の平面形状の他の一例を示す図である。
【図５】第３の実施形態に係る半導体装置を示す図である。
【図６】半導体装置実装構造を示す断面図である。
【図７】第４の実施形態に係る実装基板を示す図である。
【図８】半導体装置実装構造を製造する方法を工程順に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。
【００１５】
（第１の実施形態）
先ず、第１の実施形態について説明する。図１は、第１の実施形態に係る半導体装置を示す図である。図１（ａ）は断面図、図１（ｂ）は下面図である。
【００１６】
図１に示すように、第１の実施形態に係る半導体装置１００には、チップ本体１０１、チップ本体１０１の実装面に形成されためっき膜１０２、並びにめっき膜１０２上に形成されたろう材１０３、１０４及び１０５が含まれる。チップ本体１０１には、半導体集積回路が含まれる。半導体集積回路には、例えば、ＧａＮ等の化合物半導体を用いたトランジスタ等が含まれる。めっき膜１０２は、例えばＡｕめっき膜である。ろう材１０３の融点はめっき膜１０２の融点より低く、ろう材１０４の融点はろう材１０３の融点より低く、ろう材１０５の融点はろう材１０４の融点より低い。例えば、ろう材１０３の材料はＡｕ0.28Ｓｎ0.72であり、ろう材１０４の材料はＡｕ0.20Ｓｎ0.80であり、ろう材１０５の材料はＡｕ0.15Ｓｎ0.85である。
【００１７】
平面視で、ろう材１０３の輪郭はチップ本体１０１及びめっき膜１０２の輪郭の内側にあり、ろう材１０４の輪郭はろう材１０３の輪郭の内側にあり、ろう材１０５の輪郭はろう材１０４の輪郭の内側にある。例えば、チップ本体１０１及びめっき膜１０２の平面形状は一辺の長さが５ｍｍの正方形であり、ろう材１０３の平面形状は一辺の長さが４ｍｍの正方形であり、ろう材１０４の平面形状は一辺の長さが３ｍｍの正方形であり、ろう材１０５の平面形状は一辺の長さが２ｍｍの正方形である。つまり、平面視で、融点が高いろう材の輪郭は、それよりも融点が低いろう材の輪郭の外側にある。
【００１８】
また、ろう材１０３がめっき膜１０２の下面上に形成され、ろう材１０４がろう材１０３の下面上に形成され、ろう材１０５がろう材１０４の下面上に形成されている。すなわち、ろう材１０３の上面全体がめっき膜１０２の下面の一部に接し、ろう材１０４の上面全体がろう材１０３の下面の一部に接し、ろう材１０５の上面全体がろう材１０４の下面の一部に接している。例えば、ろう材１０３、１０４及び１０５の厚さは、いずれも５μｍである。そして、ろう材１０４の下面はろう材１０３の下面よりも、チップ本体１０１の下面から離れており、ろう材１０５の下面はろう材１０４の下面よりも、チップ本体１０１の下面から離れている。つまり、融点が高いろう材ほどチップ本体１０１からの最大離間距離が短い。
【００１９】
次に、第１の実施形態に係る半導体装置１００を用いて半導体装置実装構造を製造する方法について説明する。図２は、半導体装置実装構造を製造する方法を工程順に示す断面図である。
【００２０】
先ず、図２（ａ）に示すように、ホットプレート１５０上に実装基板１５１を載置し、実装基板１５１上に、ろう材１０５が実装基板１５１と接するようにして半導体装置１００を載置する。
【００２１】
次いで、ホットプレート１５０の温度を、ろう材１０５の融点以上ろう材１０４の融点未満とする。この結果、図２（ｂ）に示すように、ろう材１０３及び１０４は固体のまま、ろう材１０５が溶融する。溶融前にろう材１０５と実装基板１５１とが互いに接触している領域の面積は、チップ本体１０１の面積と比較して極めて小さく、ろう材１０５は溶融しながら実装基板１５１の上面上を濡れ広がっていく。このため、ろう材１０５と実装基板１５１との間に気泡は極めて入りにくい。また、ろう材１０５はろう材１０４の下面上を濡れ広がっていくため、ろう材１０５とろう材１０４との間にも気泡は極めて入りにくい。
【００２２】
その後、ホットプレート１５０の温度を、ろう材１０４の融点以上ろう材１０３の融点未満とする。この結果、図２（ｃ）に示すように、ろう材１０３は固体のまま、ろう材１０４が溶融する。ろう材１０４はろう材１０３の下面上を濡れ広がっていくため、ろう材１０４とろう材１０３との間に気泡は極めて入りにくい。
【００２３】
続いて、ホットプレート１５０の温度を、ろう材１０３の融点以上めっき膜１０２の融点未満とする。この結果、図２（ｄ）に示すように、めっき膜１０２は固体のまま、ろう材１０３が溶融する。ろう材１０３はめっき膜１０２の下面上を濡れ広がっていくため、ろう材１０３とめっき膜１０２との間に気泡は極めて入りにくい。
【００２４】
そして、ホットプレート１５０の加熱を切ることで、ろう材１０３、１０４及び１０５の温度が低下し、ろう材１０３、１０４及び１０５が凝固する。この結果、気泡のないろう付けが実現される。このようにして製造された半導体装置実装構造においては、融点が最も低いろう材１０５が、平面視でチップ本体１０１よりも広範囲に広がっており、融点が高いろう材ほどチップ本体１０１からの最大離間距離が短い。
【００２５】
このような半導体装置実装構造によれば、チップ本体１０１で生じた熱が高効率で実装基板１５１に伝達される。このため、チップ本体１０１の温度の過剰な上昇を抑制することができ、高い信頼性を得ることができる。チップ本体１０１が窒化ガリウム（ＧａＮ）系のパワーデバイスを含む場合であっても、優れた信頼性を得ることができる。
【００２６】
半導体装置１００の製造にあたっては、チップ本体１０１の実装面上にめっき膜１０２を形成し、その上にスパッタリング法によりろう材１０３、１０４及び１０５を順次形成すればよい。
【００２７】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。図３は、第２の実施形態に係る半導体装置を示す図である。図３（ａ）は断面図、図３（ｂ）は下面図である。
【００２８】
図３に示すように、第２の実施形態に係る半導体装置２００では、ろう材１０３、１０４及び１０５の平面形状が、半導体装置１００のものと相違している。例えば、ろう材１０３の平面形状は、直径が４ｍｍの円形であり、ろう材１０４の平面形状は、直径が３ｍｍの円形であり、ろう材１０５の平面形状は、直径が２ｍｍの円形である。他の構成は第１の実施形態と同様である。
【００２９】
第２の実施形態に係る半導体装置２００を用いて半導体装置実装構造を製造する場合にも、半導体装置１００を用いて半導体装置実装構造を製造する場合と同様の処理を行うことにより、気泡のないろう付けが実現される。
【００３０】
ろう材１０３、１０４及び１０５の平面形状は矩形又は円形に限定されない。例えば、図４Ａに示すように、十字型であってもよく、図４Ｂに示すように、より角数の多い多角形であってもよい。
【００３１】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について説明する。図５は、第３の実施形態に係る半導体装置を示す図である。図５（ａ）は断面図、図１（ｂ）は下面図である。
【００３２】
図５に示すように、第３の実施形態に係る半導体装置３００には、チップ本体１０１、めっき膜１０２、並びにめっき膜３０２上に形成されたろう材３０３、３０４及び３０５が含まれる。ろう材３０３の融点はめっき膜３０２の融点より低く、ろう材３０４の融点はろう材３０３の融点より低く、ろう材３０５の融点はろう材３０４の融点より低い。例えば、ろう材３０３の材料はＡｕ0.28Ｓｎ0.72であり、ろう材３０４の材料はＡｕ0.20Ｓｎ0.80であり、ろう材３０５の材料はＡｕ0.15Ｓｎ0.85である。
【００３３】
例えば、チップ本体３０１及びめっき膜３０２の平面形状は一辺の長さが５ｍｍの正方形であり、ろう材３０５の平面形状は一辺の長さが２ｍｍの正方形である。平面視で、ろう材３０５の全体をろう材３０４が取り囲み、ろう材３０５及び３０４の全体をろう材３０３が取り囲んでいる。すなわち、ろう材３０３及び３０４は環状の平面形状を有している。ろう材３０４の内形は一辺の長さが２ｍｍの正方形であり、外形は一辺の長さが３ｍｍの正方形である。ろう材３０３の内形は一辺の長さが３ｍｍの正方形であり、外形は一辺の長さが４ｍｍの正方形である。平面視で、ろう材３０３の輪郭はチップ本体３０１及びめっき膜３０２の輪郭の内側にあり、ろう材３０４の輪郭はろう材３０３の輪郭の内側にあり、ろう材３０５の輪郭はろう材３０４の輪郭の内側にある。つまり、平面視で、融点が高いろう材の輪郭は、それよりも融点が低いろう材の輪郭の外側にある。
【００３４】
また、ろう材３０３、３０４及び３０５のすべてがめっき膜３０２の下面上に形成されている。すなわち、ろう材３０３の上面全体がめっき膜３０２の下面の一部に接し、ろう材３０４の上面全体がめっき膜３０２の下面の一部に接し、ろう材３０５の上面全体がめっき膜３０２の下面の一部に接している。ろう材３０５はろう材３０４より厚く、ろう材３０４はろう材３０３より厚い。例えば、ろう材３０５の厚さは１５μｍ、ろう材３０４の厚さは１０μｍ、ろう材３０３の厚さは５μｍである。そして、ろう材３０４の下面はろう材３０３の下面よりも、チップ本体３０１の下面から離れており、ろう材３０５の下面はろう材３０４の下面よりも、チップ本体３０１の下面から離れている。つまり、融点が高いろう材ほどチップ本体１０１からの最大離間距離が短い。
【００３５】
第３の実施形態に係る半導体装置３００を用いて半導体装置実装構造を製造する場合にも、半導体装置１００を用いて半導体装置実装構造を製造する場合と同様の処理を行うことにより、気泡のないろう付けが実現される。この場合、例えば、図６に示すような構造が得られる。すなわち、融点が最も低いろう材３０５が、平面視でチップ本体３０１よりも広範囲に広がっており、融点が高いろう材ほどチップ本体３０１からの最大離間距離が短い。
【００３６】
（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態について説明する。図７は、第４の実施形態に係る実装基板を示す図である。図７（ａ）は断面図、図７（ｂ）は上面図である。
【００３７】
図７に示すように、第４の実施形態に係る実装基板６００には、基板本体６０１、基板本体６０１の上面（表面）に形成されたろう材６０３、６０４及び６０５が含まれる。基板本体６０１には、プリント配線が含まれる。ろう材６０４の融点はろう材６０３の融点より低く、ろう材６０５の融点はろう材６０４の融点より低い。例えば、ろう材６０３の材料はＡｕ0.28Ｓｎ0.72であり、ろう材６０４の材料はＡｕ0.20Ｓｎ0.80であり、ろう材６０５の材料はＡｕ0.15Ｓｎ0.85である。
【００３８】
平面視で、ろう材６０３の輪郭は基板本体６０１の輪郭の内側にあり、ろう材６０４の輪郭はろう材６０３の輪郭の内側にあり、ろう材６０５の輪郭はろう材６０４の輪郭の内側にある。例えば、ろう材６０３の平面形状は一辺の長さが４ｍｍの正方形であり、ろう材６０４の平面形状は一辺の長さが３ｍｍの正方形であり、ろう材６０５の平面形状は一辺の長さが２ｍｍの正方形である。つまり、平面視で、融点が高いろう材の輪郭は、それよりも融点が低いろう材の輪郭の外側にある。
【００３９】
また、ろう材６０３が基板本体６０１の上面上に形成され、ろう材６０４がろう材６０３の上面上に形成され、ろう材６０５がろう材６０４の上面上に形成されている。すなわち、ろう材６０３の下面全体が基板本体６０１の上面の一部に接し、ろう材６０４の下面全体がろう材６０３の上面の一部に接し、ろう材６０５の下面全体がろう材６０４の上面の一部に接している。例えば、ろう材６０３、６０４及び６０５の厚さは、いずれも５μｍである。そして、ろう材１０４の下面はろう材１０３の下面よりも、チップ本体１０１の下面から離れており、ろう材１０５の下面はろう材１０４の下面よりも、チップ本体１０１の下面から離れている。つまり、融点が高いろう材ほど基板本体６０１からの最大離間距離が短い。
【００４０】
次に、第４の実施形態に係る実装基板６００を用いて半導体装置実装構造を製造する方法について説明する。図８は、半導体装置実装構造を製造する方法を工程順に示す断面図である。
【００４１】
先ず、図８（ａ）に示すように、ホットプレート１５０上に実装基板６００を載置し、チップ本体１０１及びめっき膜１０２を含む半導体装置７００を、ろう材６０５がめっき膜１０２と接するようにして実装基板６００上に載置する。
【００４２】
次いで、ホットプレート１５０の温度を、ろう材６０５の融点以上ろう材６０４の融点未満とする。この結果、図８（ｂ）に示すように、ろう材６０３及び６０４は固体のまま、ろう材６０５が溶融する。溶融前にろう材６０５とめっき膜１０２とが互いに接触している領域の面積は、チップ本体１０１の面積と比較して極めて小さく、ろう材６０５は溶融しながらめっき膜１０２の下面上を濡れ広がっていく。そして、このため、ろう材６０５と半導体装置７００との間に気泡は極めて入りにくい。また、ろう材６０５はろう材６０４の上面上を濡れ広がっていくため、ろう材６０５とろう材６０４との間にも気泡は極めて入りにくい。
【００４３】
その後、ホットプレート１５０の温度を、ろう材６０４の融点以上ろう材６０３の融点未満とする。この結果、図８（ｃ）に示すように、ろう材６０３は固体のまま、ろう材６０４が溶融する。ろう材６０４はろう材６０３の上面上を濡れ広がっていくため、ろう材６０４とろう材６０３との間に気泡は極めて入りにくい。
【００４４】
続いて、ホットプレート１５０の温度を、ろう材６０３の融点以上めっき膜１０２の融点未満とする。この結果、図８（ｄ）に示すように、めっき膜１０２は固体のまま、ろう材６０３が溶融する。ろう材６０３は基板本体６０１の上面上を濡れ広がっていくため、ろう材６０３と基板本体６０１との間に気泡は極めて入りにくい。
【００４５】
そして、ホットプレート１５０の加熱を切ることで、ろう材６０３、６０４及び６０５の温度が低下し、ろう材６０３、６０４及び６０５が凝固する。この結果、気泡のないろう付けが実現される。このようにして製造された半導体装置実装構造においては、融点が最も低いろう材６０５が、平面視でチップ本体１０１よりも広範囲に広がっており、融点が高いろう材ほど基板本体６０１からの最大離間距離が短い。
【００４６】
このような半導体装置実装構造によれば、チップ本体１０１で生じた熱が高効率で基板本体６０１に伝達される。このため、チップ本体１０１の温度の過剰な上昇を抑制することができ、高い信頼性を得ることができる。チップ本体１０１が窒化ガリウム（ＧａＮ）系のパワーデバイスを含む場合であっても、優れた信頼性を得ることができる。
【００４７】
実装基板６００の製造にあたっては、基板本体６０１の表面上にスパッタリング法によりろう材６０３、６０４及び６０５を順次形成すればよい。
【００４８】
ろう材６０３、６０４及び６０５の平面形状は矩形に限定されず、例えば、円形であってもよく、十字型であってもよく、より角数の多い多角形であってもよい（図３、図４Ａ、図４Ｂ参照）。
【００４９】
なお、融点が相違するろう材の種類は３種類に限定されず、２種類であってもよく、４種類以上であってもよい。ろう材の材料はＡｕＳｎに限定されない。
【００５０】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００５１】
（付記１）
チップ本体と、
前記チップ本体の一面に設けられた、互いに融点が相違する２種以上のろう材と、
を有し、
前記２種以上のろう材の間で、
融点が高いものほど前記チップ本体からの最大離間距離が短く、
平面視で、融点が高いものの輪郭は、それよりも融点が低いものの輪郭の外側にあることを特徴とする半導体装置。
【００５２】
（付記２）
前記２種以上のろう材はＡｕＳｎを含むことを特徴とする付記１に記載の半導体装置。
【００５３】
（付記３）
基板本体と、
前記基板本体の一面に設けられた、互いに融点が相違する２種以上のろう材と、
を有し、
前記２種以上のろう材の間で、
融点が高いものほど前記基板本体からの最大離間距離が短く、
平面視で、融点が高いものの輪郭は、それよりも融点が低いものの輪郭の外側にあることを特徴とする実装基板。
【００５４】
（付記４）
前記２種以上のろう材はＡｕＳｎを含むことを特徴とする付記３に記載の実装基板。
【００５５】
（付記５）
実装基板上に、付記１又は２に記載の半導体装置を、前記２種以上のろう材のうちで最も融点が低いものが前記実装基板と接するようにして載置する工程と、
前記２種以上のろう材を融点が低いものから順に溶融させる工程と、
溶融した前記ろう材を凝固させる工程と、
を有することを特徴とする半導体装置実装構造の製造方法。
【００５６】
（付記６）
半導体装置を、付記３又は４に記載の実装基板上に、前記２種以上のろう材のうちで最も融点が低いものが前記半導体装置と接するようにして載置する工程と、
前記２種以上のろう材を融点が低いものから順に溶融させる工程と、
溶融した前記ろう材を凝固させる工程と、
を有することを特徴とする半導体装置実装構造の製造方法。
【００５７】
（付記７）
実装基板と、
前記実装基板上のチップ本体と、
前記実装基板に前記チップ本体をろう付けする、互いに融点が相違する２種以上のろう材と、
を有し、
前記２種以上のろう材の間で、
融点が最も低いものが、平面視で前記チップ本体よりも広範囲に広がっており、
融点が高いものほど前記チップ本体からの最大離間距離が短いことを特徴とする半導体装置実装構造。
【００５８】
（付記８）
基板本体と、
前記基板本体上の半導体装置と、
前記基板本体に前記半導体装置をろう付けする、互いに融点が相違する２種以上のろう材と、
を有し、
前記２種以上のろう材の間で、
融点が最も低いものが、平面視で前記半導体装置よりも広範囲に広がっており、
融点が高いものほど前記基板本体からの最大離間距離が短いことを特徴とする半導体装置実装構造。
【符号の説明】
【００５９】
１００、２００、３００：半導体装置
１０１：チップ本体
１０３〜１０５：ろう材
３０３〜３０５：ろう材
６００：実装基板
６０１：基板本体
６０３〜６０５：ろう材
【図１】
0006687838.tif 000002
【図２】
0006687838.tif 000003
【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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