(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材からなり、対向する一対の表面を有する基板本体と、
上記基板本体の少なくとも何れか一方の表面側に形成された第１メタライズ層、および該第１メタライズ層と電気的に独立した第２メタライズ層と、
上記第１メタライズ層および第２メタライズ層と個別に接続する第１配線および第２配線と、
上記第１メタライズ層および第２メタライズ層の表面ごとに個別に被覆された複数層の金属部と、を含み、
上記第１メタライズ層の表面には、イオン化傾向の大きい卑な金属からなる第１金属部、該第１金属部の表面に被覆され且つ該第１金属部よりもイオン化傾向の小さい貴な金属からなる第２金属部、および、該第２金属部の表面に被覆され且つイオン化傾向が上記第１金属部と第２金属部との間の金属からなる第３金属部が順次被覆され、該第３金属部の表面には、更に上記第１金属部と同じ金属からなる第４金属部が被覆され、且つ該第４金属部の表面には、上記第２金属部と同じ金属からなる第５金属部が被覆されていると共に、
上記第２メタライズ層の表面には、上記第１金属部と同じ金属からなる第６金属部と、上記第２金属部と同じ金属からなる第７金属部とが順次被覆されている、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第２メタライズ層の第７金属部の表面には、更に該第７金属部と同じ金属からなる第９金属部のみが被覆されているか、あるいは、前記第６金属部と同じ金属からなる第８金属部が被覆され、且つ該第８金属部の表面には、上記第７金属部と同じ金属からなる第９金属部が被覆されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１金属部、第４金属部、第６金属部、および第８金属部がニッケルからなり、前記第２金属部、第５金属部、第７金属部、および第９金属部が金からなると共に、前記第３金属部が銅あるいは銀からなる、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
絶縁材からなり、対向する一対の表面を有する基板本体と、該基板本体の少なくとも何れか一方の表面側に形成された第１メタライズ層、および該第１メタライズ層と電気的に独立した第２メタライズ層と、前記第１メタライズ層および第２メタライズ層と個別に接続する第１配線および第２配線と、上記第１メタライズ層および第２メタライズ層の表面ごとに個別に被覆された複数層の金属部と、を含、を含む配線基板の製造方法であって、
上記第１メタライズ層および第２メタライズ層の表面ごとに、イオン化傾向の大きい卑な金属からなる第１金属部および第６金属部を個別に被覆する第１電解金属メッキ工程と、
上記第１メタライズ層上の第１金属部の表面および第２メタライズ層上の第６金属部の表面ごとに、上記第１金属部および第６金属部の金属よりもイオン化傾向の小さい貴な金属からなる第２金属部および第７金属部を個別に被覆する第２電解金属メッキ工程と、
上記第１メタライズ層上の第２金属部の表面に、イオン化傾向が第１金属部と第２金属部との間の金属からなる第３金属部を被覆する第３電解金属メッキ工程と、を含み、
上記第３電解金属メッキ工程の後において、
上記第１メタライズ層上の第３金属部の表面に、上記第１金属部と同じ金属からなる第４金属部を被覆する第４電解金属メッキ工程と、
上記第１メタライズ層上の第４金属部の表面に、上記第２金属部と同じ金属からなる第５金属部を被覆する第５電解金属メッキ工程と、を備えている、
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第４電解金属メッキ工程では、更に前記第２メタライズ層上の第７金属部の表面に、前記第６金属部と同じ金属からなる第８金属部を被覆し、
前記第５電解金属メッキ工程では、更に前記第２メタライズ層上の第８金属部の表面に、前記第７金属部と同じ金属からなる第９金属部を被覆する、
ことを特徴とする請求項４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１金属部、第４金属部、第６金属部、および第８金属部は、ニッケルからなり、前記第２金属部、第５金属部、第７金属部、および第９金属部は、金からなると共に、前記第３金属部は、銅あるいは銀からなる、
ことを特徴とする請求項４または５に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、電気的に互いに独立した複数の表面配線などを構成する複数のメタライズ層の表面ごとに異なる金属からなる金属部（金属皮膜）を被覆してなる配線基板、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、平面視の外形が矩形状である絶縁母基板と、該絶縁母基板の内側に位置し且つ複数の配線基板を縦横に隣接させて配列した基板領域と、該基板領域の周囲を囲み且つ平面視が矩形枠状の捨て代領域（耳部）とを備え、上記配線基板ごとに形成され且つ電気的に互いに独立した第１の導体および第２の導体が、それぞれ第１のめっき導通用配線および第２のめっき導通用配線を個別に介して、上記捨て代領域の外側面に形成された第１のめっき用端子部および第２のめっき用端子部と個別に導通可能とされた多数個取り配線基板の発明が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
上記のような多数個取り配線基板によれば、前記基板領域の配線基板ごとに形成された第１の導体および第２の導体の表面に厚みや種類の互いに異なるめっき層を容易且つ効率的に被着することが可能である。
【０００３】
しかし、互いに電気的に独立し且つ予め下地にニッケルめっき層が被着された前記第１の導体および第２の導体の何れか一方の表面のみに銅めっき層を被着しようとする場合、導通側の導体の表面には銅めっき層が被着されるが、非導通側の導体にもめっき用の電流が流れる局部での電池反応を生じる。かかる局部での電池反応によれば、非導通側の導体の表面に露出し且つ上記銅よりもイオン化傾向が大きい卑な金属であるニッケルからなる下地の上記ニッケルめっき層からＮｉイオンが、電解銅めっき液中に溶出し、甚だしい場合には、下地のニッケルめっき層が剥離するに至る場合がある。その結果、非導通側の導体の表面に、下層のニッケルめっき層を介して、上層の金めっき層を被着することができなくなる、という問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３４０５４２号公報（第１〜１０頁、図１〜３）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、背景技術で説明した問題点を解決し、絶縁材からなる基板本体における少なくとも一方の表面に形成され、且つ電気的に互いに独立した複数のメタライズ層の表面ごとに対し、イオン化傾向の異なる金属を相互に含む複数層の金属部を所要の厚みごとによって正確に被覆した配線基板、および該配線基板を確実に得るための製造方法を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、前記複数のメタライズ層の表面ごとに対し、イオン化傾向の大きい卑な金属からなる金属部の直下の金属部（下地層）には、必ず前記金属よりも相対的にイオン化傾向の小さい貴な金属からなる金属部を被覆する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の配線基板（請求項１）は、絶縁材からなり、対向する一対の表面を有する基板本体と、該基板本体の少なくとも何れか一方の表面側に形成された第１メタライズ層、および該第１メタライズ層と電気的に独立した第２メタライズ層と、第１メタライズ層および第２メタライズ層と個別に接続する第１配線および第２配線と、上記第１メタライズ層および第２メタライズ層の表面ごとに個別に被覆された複数層の金属部と、を含み、上記第１メタライズ層の表面には、イオン化傾向の大きい卑な金属からなる第１金属部、該第１金属部の表面に被覆され且つ該第１金属部よりもイオン化傾向の小さい貴な金属からなる第２金属部、および、該第２金属部の表面に被覆され且つイオン化傾向が上記第１金属部と第２金属部との間の金属からなる第３金属部が順次被覆され、該第３金属部の表面には、更に上記第１金属部と同じ金属からなる第４金属部が被覆され、且つ該第４金属部の表面には、上記第２金属部と同じ金属からなる第５金属部が被覆されていると共に、上記第２メタライズ層の表面には、上記第１金属部と同じ金属からなる第６金属部と、上記第２金属部と同じ金属からなる第７金属部とが順次被覆されている、ことを特徴とする。
【０００７】
前記配線基板によれば、前記第１メタライズ層の表面には、イオン化傾向の大きい卑な金属からなる第１金属部、該第１金属部の表面に被覆され且つ該第１金属部よりもイオン化傾向の小さい貴な金属からなる第２金属部、および、該第２金属部の表面に被覆され且つイオン化傾向が第１金属部と第２金属部との間の金属からなる第３金属部が順次被覆されると共に、前記第２メタライズ層の表面には、第１金属部と同じ金属からなる第６金属部と、第２金属部と同じ金属からなる第７金属部とが順次被覆されているので、以下の効果（１）〜（３）を奏することが可能となる。
（１）前記第１メタライズ層の表面に第３金属部を電解メッキで被覆した際に、該第３金属部の直下の下地層である前記第２金属部と、前記第２メタライズ層の表面に被覆され且つ上記第２金属部と同じ金属からなる第７金属部とが、何れも上記第３金属部を形成する金属よりもイオン化傾向の小さい貴な金属からなっている。その結果、前述した局部での電池反応が発生した場合でも、その悪影響を皆無にするか、あるいは可及的に抑制できるので、第３金属部を第１，第２，第６，第７金属部と共に、所要の厚みで第１メタライズ層および第２メタライズ層の表面ごとに所望の厚みで被覆された配線基板となっている。
（２）前記第１メタライズ層の表面に第１〜第３金属部が順次被覆され、且つ前記第２メタライズ層の表面に第６，第７金属部が順次被覆されることにより、第１および第６金属部を下地層とし、第２金属部を第３金属の下地層とし、且つ例えば、第７金属部を防錆用の最上層とした高い信頼性を有する配線基板にできる。
（３）例えば、前記第１メタライズ層が、前記基板本体における一対の表面およびこれらの表面間を貫通する貫通孔の内壁面に沿って形成され、且つ前記第３金属部が上記貫通孔の内側を埋めて形成されている形態では、当該第３金属部はビア導体と放熱ビアとの双方を兼ねている。従って、追って、第１メタライズ層の上方に発熱量の比較的大きな電子部品を実装しても、該電子部品から発する熱を反対側の表面側に効率良く伝熱して放熱させることが可能となる。
更に、イオン化傾向が第１金属部と第２金属部との間の金属からなる第３金属部の表面に、更に前記第１金属部と同じ金属からなる第４金属部が被覆されると共に、該第４金属部の表面には、前記第２金属部と同じ金属からなる第５金属部が被覆されているため、前記効果（１）〜（３）に加えて、以下の効果（４）が得られる。
（４）上記第３金属部の表面に、所要の厚みに被覆された第４金属部を下地層とし、該第４金属部の表面に、イオン化傾向が比較的小さい貴な金属からなり、例えば、防錆用である最上層の第５金属部を所要の厚みで被覆している。従って、例えば、かかる第５金属部の上方に、ロウ材などを介して追って実装される電子部品の電極との接合を強固に行える配線基板にできる。
【０００８】
尚、前記絶縁材は、例えば、アルミナなどの高温焼成セラミック、ガラス−セラミックなどの低温焼成セラミック、あるいは、エポキシなどの樹脂である。
また、前記対向する一対の表面は、相対的な呼称であり、例えば、表面および裏面と称され、これらの周辺側には前記一対の表面に挟まれた側面が位置する。
更に、前記表面側とは、該表面に開口するキャビティ内の段部や底面も含む。
また、前記第１および第２メタライズ層は、上記絶縁材が高温焼成セラミックの場合は、例えば、タングステン（Ｗ）あるいはモリブデン（Ｍｏ）からなり、上記絶縁材が低温焼成セラミックや樹脂の場合は、例えば、銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）からなる。該第１・第２メタライズ層は、各々単数でも複数でも良い。
更に、前記第１メタライズ層には、例えば、配線基板ごとの前記表面上に電子部品を追って実装するための実装部に位置する電極を含む形態が、前記第２メタライズ層には、前記実装部や電子部品を外部から封止する金属蓋あるいは金属枠との接合材とする形態が例示される。
【０００９】
また、前記第１配線は、前記第１メタライズ層と、外部のメッキ用の電極と接する第１端子との間を導通するための配線であり、第２配線は、第２メタライズ層と、外部のメッキ用の電極と接する第２端子との間を導通するための配線であると共に、かかる第１・第２配線は、内部配線層、ビア導体、およびタイバーなどから構成される。
更に、上記第１・第２端子は、前記配線基板の基板本体ごとにおける側面、または、多数個取り配線基板において、複数の配線基板が縦横に隣接している製品領域の周囲を囲む耳部（捨て代）の外側面に形成される。
また、前記第１メタライズ層と第１端子との間や、第２メタライズ層と第２端子との間は、前記基板本体ごとの表面、内部、または側面、上記多数個取り配線基板における製品領域の配線基板ごとの表面、内部、および上記耳部の表面、内部に形成された前記第１配線や第２配線を介して、個別に導通されている。
更に、前記第１メタライズ層は、前記基板本体における一対の表面を貫通する貫通孔の内壁面を含む前記一対の表面に沿って形成され、前記第３金属部は、上記貫通孔の内側を埋設する形態を含んで形成されていると共に、上記基板本体における一方の表面側から他方の表面側に電気および熱の双方を伝える機能を併有していても良い。
加えて、前記配線基板は、後述する多数個取り配線基板に複数個が併設された形態であっても良い。
【００１０】
更に、本発明には、前記第２メタライズ層の第７金属部の表面には、更に該第７金属部と同じ金属からなる第９金属部のみが被覆されているか、あるいは、前記第６金属部と同じ金属からなる第８金属部が被覆され、且つ該第８金属部の表面には、上記第７金属部と同じ金属からなる第９金属部が被覆されている、配線基板（請求項２）も含まれる。
【００１１】
これによれば、イオン化傾向の小さい貴な金属からなる前記第７金属部の表面に、更に該第７金属部と同じ金属からなる第９金属部のみが被覆された形態、あるいは、イオン化傾向の大きい卑な金属からなる第８金属部が被覆され、且つ該第８金属部の表面に上記第９金属部が順次被覆された形態を有している。
そのため、前記効果（１）〜（４）に加えて、上記第７金属部の表面に、貴な金属のみからなり、且つ例えば防錆用である第７，第９金属部を所要の厚みで順次被覆した配線基板、あるいは、上記第７金属部の表面に、所要の厚みに被覆された第８金属部を下地層とし、該第８金属部の表面に、イオン化傾向が比較的小さい貴な金属からなる最上層の第９金属部が被覆されている。そのため、該第９金属部の上方に、例えば、ロウ材または溶接部を介して、金属枠あるいは金属蓋を気密性を保って接合可能とした配線基板にすることができる（効果（５））。
【００１２】
加えて、本発明には、前記第１金属部、第４金属部、第６金属部、および第８金属部がニッケルからなり、前記第２金属部、第５金属部、第７金属部、および第９金属部が金からなると共に、前記第３金属部が銅あるいは銀からなる、配線基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、例えば、前記第１メタライズの表面には、ニッケル（第１金属部）、金（第２金属部）、銅あるいは銀（第３金属部）、ニッケル（第４金属部）、および金（第５金属部）が所要の厚みで順次被覆されていると共に、前記第２メタライズの表面には、ニッケル（第６金属部）、金（第７金属部）、および金（第９金属部）の順、あるいは、ニッケル（第６金属部）、金（第７金属部）、ニッケル（第８金属部）、および金（第９金属部）の順で且つ各々が所要の厚みにして被覆されている。そのため、第３金属部を形成する銅あるいは銀を電解メッキする際において、非導通状態にある第２メタライズ層の最上層には、第７金属部を形成し且つイオン化傾向が小さい貴な金が被覆されているので、当該第２メタライズ層を含む非導通側の回路における前記局部での電池反応の発生を阻止していたか、あるいは抑制されている。従って、少なくとも前記効果（１）〜（５）を一層確実に奏することが可能となる。
尚、前記第３金属部が銅あるいは銀からなる場合、前記第２，第５，第７，第９金属部の金属は、前記金に替えて白金（Ｐｔ）からなるものとしても良い。
【００１３】
付言すれば、本発明には、平面視で複数の前記配線基板を縦横に隣接して配列した基板領域と、該基板領域の周囲を囲み且つ前記同様の絶縁材からなる平面視が矩形枠状の耳部（捨て代部）とを備え、該耳部の外側面には、前記第１配線および第２配線と個別に導通する第１端子および第２端子が形成されている、多数個取り配線基板も含み得る。
上記多数個取り配線基板による場合、前記効果（１）〜（５）を奏する複数の配線基板を多数個取りの形態によって提供することが可能となる。
【００１４】
更に付言すれば、本発明には、前記基板本体において対向する一対の表面の間、あるいは一方の表面側と他方の表面側との間に、これらの間を貫通する貫通孔が形成され、前記第１メタライズ層は、一対の表面あるいは表面側と上記貫通孔の内壁面とに沿って形成されていると共に、前記第３金属部を形成する銅や銀などは、上記一対の表面ごとあるいは一対の表面側ごとに沿った表面側の部分と、これらを接続し且つ上記貫通孔の内側を埋設した貫通孔側の部分とから構成されている、配線基板も含まれ得る。
上記配線基板よれば、前記効果（１），（２）に加え、特に効果（３）を顕著に奏する配線基板とすることが可能となる。
【００１５】
一方、本発明による配線基板の製造方法（請求項４）は、絶縁材からなり、対向する一対の表面を有する基板本体と、該基板本体の少なくとも何れか一方の表面側に形成された第１メタライズ層、および該第１メタライズ層と電気的に独立した第２メタライズ層と、前記第１メタライズ層および第２メタライズ層と個別に接続する第１配線および第２配線と、上記第１メタライズ層および第２メタライズ層の表面ごとに個別に被覆された複数層の金属部と、を含、を含む配線基板の製造方法であって、上記第１メタライズ層および第２メタライズ層の表面ごとに、イオン化傾向の大きい卑な金属からなる第１金属部および第６金属部を個別に被覆する第１電解金属メッキ工程と、上記第１メタライズ層上の第１金属部の表面および第２メタライズ層上の第６金属部の表面ごとに、上記第１金属部および第６金属部の金属よりもイオン化傾向の小さい貴な金属からなる第２金属部および第７金属部を個別に被覆する第２電解金属メッキ工程と、上記第１メタライズ層上の第２金属部の表面に、イオン化傾向が第１金属部と第２金属部との間の金属からなる第３金属部を被覆する第３電解金属メッキ工程と、を含み、上記第３電解金属メッキ工程の後において、上記第１メタライズ層上の第３金属部の表面に、上記第１金属部と同じ金属からなる第４金属部を被覆する第４電解金属メッキ工程と、上記第１メタライズ層上の第４金属部の表面に、上記第２金属部と同じ金属からなる第５金属部を被覆する第５電解金属メッキ工程と、を備えている、ことを特徴とする。
【００１６】
前記のような配線基板の製造方法によれば、前記効果（１）〜（４）を奏する配線基板を確実に製造することができる（効果（６））と共に、前記第４および第５電解金属メッキ工程をも含むことによって、前記効果（１）〜（４）を奏する配線基板をより確実に製造することができる（効果（７））。
【００１７】
更に、本発明には、前記第４電解金属メッキ工程では、更に前記第２メタライズ層上の第７金属部の表面に、前記第６金属部と同じ金属からなる第８金属部を被覆し、前記第５電解金属メッキ工程では、更に前記第２メタライズ層上の第８金属部の表面に、前記第７金属部と同じ金属からなる第９金属部を被覆する、配線基板の製造方法（請求項５）も含まれる。
これによれば、前記効果（１）〜（５）を奏する配線基板を一層確実に製造することができる（効果（８））。
【００１８】
加えて、本発明には、前記第１金属部、第４金属部、第６金属部、および第８金属部は、ニッケルからなり、前記第２金属部、第５金属部、第７金属部、および第９金属部は、金からなると共に、前記第３金属部は、銅あるいは銀からなる、配線基板の製造方法（請求項６）も含まれる。
これによれば、少なくとも前記効果（１）〜（５）を確実に奏する配線基板を製造することができる。
【００１９】
付言すれば、本発明には、平面視で複数の前記配線基板を縦横に隣接して配列した基板領域と、該基板領域の周囲を囲み且つ前記同様の絶縁材からなる平面視が矩形枠状の耳部（捨て代部）とを備え、該耳部の側面には、前記第１配線および第２配線と個別に導通する上記第１端子および第２端子が形成されており、前記第１〜第５電解メッキ工程は、上記第１端子、第１配線、および前記第１メタライズ層を導通する一方のメッキ用電流と、上記第２端子、第２配線、および前記第２メタライズ層を導通する他方のメッキ用電流との何れかによって、行われる多数個取り配線基板の製造方法も含まれ得る。
上記多数個取り配線基板の製造方法による場合、前記効果（１）〜（５）を奏する複数の配線基板を多数個取りの形態にて効率良く製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】（Ａ）は本発明の配線基板を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）中のＢ−Ｂ線の矢視に沿った拡大垂直断面図、（Ｃ）は（Ｂ）中の右半部の模式的な拡大断面図。
【図２】異なる形態の金属部を有する配線基板の図１（Ｃ）と同様の模式的な拡大断面図。
【図３】複数の上記配線基板を含む多数個取り配線基板を示す部分平面図。
【図４】上記多数個取り配線基板による一製造工程を示す部分平面図。
【図５】図４中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った部分断面図。
【図６】（Ａ），（Ｂ）は図４，図５に続く上記配線基板の製造工程を示す部分断面図。
【図７】図６（Ｂ）に続く上記配線基板の製造工程を示す部分断面図。
【図８】異なる形態の金属部を含む上記配線基板の製造工程を示す部分断面図。
【図９】水素を基準とした場合の金属のイオン化傾向の大小関係を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下において、本発明を実施するための形態について説明する。
図１（Ａ）は、本発明の配線基板１を示す平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）中のＢ−Ｂ線の矢視に沿った拡大垂直断面図、図１（Ｃ）は図１（Ｂ）中の右半部の拡大断面図である。
上記配線基板１は、図１（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、複数のセラミック層（絶縁材）ｃ１〜ｃ５を積層してなり、平面視の外形が長方形（矩形）状あるいは正方形（矩形）状を呈し且つ互いに対向する表面３および裏面（表面）４を有する基板本体２と、前記表面３に開口するキャビティ６の底面７および上記裏面４に形成され、且つ上記表面３と裏面４との間を貫通する貫通孔１５の内壁面にも沿って形成された第１メタライズ層１１と、上記キャビティ６における表面３側の段部９に形成された第２メタライズ層１２とを備えている。
即ち、上記第１メタライズ層１１は、図１（Ｃ）に示すように、上記表面３側と貫通孔１５の内壁面と裏面４とに沿って形成され、断面が互いに対称であり且つ離間する左右一対のコ字形状を呈している。一方、上記第２メタライズ層１２は、図１（Ａ）に示すように、平面視が矩形枠状を呈している。
【００２２】
前記基板本体２を構成する前記セラミック層ｃ１〜ｃ５は、例えば、アルミナなどの高温焼成セラミックからなり、前記第１メタライズ層１１および第２メタライズ層１２は、上記セラミック層ｃ１〜ｃ５と同時焼成されたタングステン（Ｗ）またはモリブデン（Ｍｏ）からなる。尚、上記セラミック層ｃ１〜ｃ５が、例えば、ガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックからなる場合、上記第１メタライズ層１１および第２メタライズ層１２には、銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）が適用される。
また、前記キャビティ６は、平面視が長方形あるいは正方形の底面７と、その周辺から立設し且つ平面視で広狭に差がある上下二段の側面８，１０と、かかる側面８，１０間に位置し、且つ平面視が矩形枠状の段部９とを備えている。
【００２３】
図１（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、第１メタライズ層１１と第２メタライズ層１２とは、互いに離れて形成され、且つ電気的にも互いに独立している。
また、上記第１メタライズ層１１には、セラミック層ｃ２，ｃ３間に形成された第１配線１３が接続され、上記第２メタライズ層１２には、セラミック層ｃ４，ｃ５間に形成された第２配線１４が接続されている。上記第１配線１３は、第１メタライズ１１層と、図示しない第１端子との間を接続するメッキ用の配線であり、第２配線１４は、上記第２メタライズ層１２と、図示しない第２端子との間を接続するメッキ用の配線である。かかる第１配線１３および第２配線１４の端面は、図１（Ｂ）に示すように、基板本体２の側面５に露出している。該側面５は、後述する多数個取り配線基板から、個々の配線基板１に個片化した際に切断されて分割された跡でもある。
尚、前記基板本体２の表面３，裏面４、および前記セラミック層ｃ１〜ｃ５間には、図示しない表・裏面端子や配線層を形成し、これらの一部は、前記第１・第２メタライズ層１１，１２に接続され、且つ上記表・裏面端子や配線層の間は、セラミック層ｃ１〜ｃ５を個別に貫通するビア導体で接続されていても良い。
【００２４】
図１（Ａ），（Ｂ）に示すように、前記第１メタライズ層１１の表面３側、裏面４側、および貫通孔１５の内壁面の内側には、複数層からなる金属部ｆ１が被覆されていると共に、前記第２メタライズ層１２の表面３側には、複数層からなる金属部ｆ２が被覆されている。
上記金属部ｆ１は、図１（Ｃ）で例示するように、第１メタライズ層１１の表面に沿って被覆され且つイオン化傾向の大きい卑な金属であるニッケル（Ｎｉ）からなる第１金属部ｍ１と、該第１金属部ｍ１の表面に沿って被覆され且つ上記ニッケルよりもイオン化傾向の小さい貴な金属である金（Ａｕ）からなる第２金属部ｍ２と、該第２金属部ｍ２の表面に沿って被覆され且つイオン化傾向が上記ニッケルと金との間にある金属の銅（Ｃｕ）からなる第３金属部ｍ３と、該第３金属部ｍ３の表面に沿って被覆され且つ上記第１金属部ｍ１と同じニッケルからなる第４金属部ｍ４と、該第４金属部ｍ４の表面に沿って被覆され且つ上記第２金属部ｍ１と同じ金からなる第５金属部ｍ５と、から構成されている。
【００２５】
尚、前記第１および第４金属部ｍ１，ｍ４のニッケルの厚みは、例えば、約１〜９μｍ、前記第２および第５金属部ｍ２，ｍ５の金の厚みは、例えば、約０．２〜３μｍ、前記第３金属部ｍ３の銅の厚みは、例えば、約１００〜２００μｍであるが、これらに限られるものではない。
また、前記金属部ｆ２は、図１（Ｃ）で例示するように、前記第２メタライズ層１２の表面に沿って被覆され且つ前記第１金属部ｍ１と同じニッケルからなる第６金属部ｍ６と、該第６金属部ｍ６の表面に沿って被覆され且つ前記第２金属部ｍ２と同じ金からなる第７金属部ｍ７と、該第７金属部ｍ７の表面に沿って被覆され且つ前記第４金属部ｍ４と同じニッケルからなる第８金属部ｍ８と、該第８金属部ｍ８の表面に沿って被覆され且つ前記第５金属部ｍ５と同じ金からなる第９金属部ｍ９と、から構成されている。
【００２６】
尚、前記第６金属部ｍ６のニッケルの厚みは、これと製造時に同時に被覆された前記第１金属部ｍ１のニッケルと同様であり、前記第８金属部ｍ８のニッケルの厚みは、これと製造時に同時に被覆された前記第４金属部ｍ４のニッケルと同様である。また、前記第７金属部ｍ７の金の厚みは、これと製造時に同時に被覆された前記第２金属部ｍ２の金と同様であり、前記第９金属部ｍ９の金の厚みは、これと製造時に同時に被覆された前記第５金属部ｍ５の金と同様である。
更に、前記第３金属部ｍ３の厚みを他の金属部ｍ１，ｍ２，ｍ４〜ｍ９よりも著しく大きくしたのは、図１（Ｂ），（Ｃ）に示すように、左右一対の前記第１メタライズ層１１の上方に跨って、追って発熱量が比較的大きなパワー半導体やＬＥＤの発光素子などの電子部品を実装した際に、該電子部品から発生する熱を基板本体２の表面３側から裏面４側に迅速且つ効果的に伝熱し、且つ該裏面４側から外部に効率良く外部へ放熱するためである。即ち、第３金属部ｍ３のうち、前記貫通孔１５の内側に位置する部分は、ビア導体と共に放熱ビアも兼ねている。
【００２７】
図２は、前記同様の配線基板１において、第２メタライズ層１２の表面３側に被覆する複数層の金属部ｆ２の異なる形態を示す前記図１（Ｃ）と同様な部分拡大断面図である。図２に示すように、前記金属部ｆ２は、第２メタライズ層１２の表面に沿って被覆され且つ前記第１金属部ｍ１と同じニッケルからなる第６金属部ｍ６と、該第６金属部ｍ６の表面に沿って被覆され且つ前記第２金属部ｍ２と同じ金からなる第７金属部ｍ７と、該第７金属部ｍ７の表面に沿って被覆され且つ前記第５金属部ｍ２と同じ金からなる第９金属部ｍ９と、から構成されている。
即ち、図２中で示す複数層の金属部ｆ２は、前記図１（Ｃ）中で示した複数層の金属部ｆ２から、前記第８金属部ｍ８のニッケルを省略したものである。
【００２８】
以上のような配線基板１によれば、前記第１メタライズ層１１の表面には、ニッケルの第１金属部ｍ１、金の第２金属部ｍ２、比較的厚く且つ基板本体２の表面３側と裏面４との間をも貫通する銅の第３金属部ｍ３、ニッケルの第４金属部ｍ４、および金の第５金属部ｍ５がそれぞれ所要の厚みで順次被覆されている。一方、前記第２メタライズ層１２の表面には、ニッケルの第６金属部ｍ６、金の第７金属部ｍ７、ニッケルの第８金属部ｍ８、および金の第９金属部ｍ９が順次被覆されているか、あるいは、ニッケルの第６金属部ｍ６、金の第７金属部ｍ７、および金の第９金属部ｍ９がそれぞれ所要の厚みで順次被覆されている。
そのため、製造時において、前記第１メタライズ層１１の表面上の金からなる第２金属部ｍ２の表面に比較的厚肉の銅を電解銅メッキする際に、非導通側のメッキ回路に含まれる前記第２メタライズ層１２の最上層には、金からなる第７金属部ｍ７が被覆されているので、前述した局部での電池反応が生じた場合であっても、第６金属部ｍ６を形成しているニッケルの溶出を皆無にしていたか、あるいは可及的に抑制されていた。
【００２９】
その結果、前記第１〜第５金属部ｍ１〜ｍ５がそれぞれ所要の厚みで順次被覆された前記第１メタライズ層１１の前記表面３側の上方に、発熱量の比較的大きな電子部品を実装してもその熱を前記裏面４側に効果的に放熱できると共に、前記第６〜第９金属部ｍ６〜ｍ９、あるいは第６，第７，第９金属部ｍ６，ｍ７，ｍ９がそれぞれ所要の厚みで順次被覆された前記第２メタライズ層１２の表面上に、ロウ材または溶接部を介して、金属枠あるいは金属蓋を気密性を持って強固な接合を可能とする配線基板１となっている。
従って、前記のような配線基板１によれば、前記効果（１）〜（５）を奏することができる。
【００３０】
図３は、複数の前記配線基板１を併有する多数個取り配線基板２０の概略を示す部分平面図である。
上記多数個取り配線基板２０は、図３に示すように、平面視で複数の前記配線基板１を縦横に隣接して配列した基板領域２２と、該基板領域２２の周囲を囲み且つ前記同様の絶縁材（ｃ１〜ｃ５）からなる平面視が矩形枠状の耳部（捨て代）２３、とを備え、該耳部２３の側面２４には、前記第１配線１３および第２配線１４と個別に導通する第１端子１８および第２端子１９が形成されている。
上記第１端子１８および第２端子１９も、前記と同様にタングステンまたはモリブデン、あるいは、銅または銀からなり、耳部２３の側面２４に形成された平面視が半円形状の凹部１７の内壁面ごとに沿って、個別に円弧形状にして形成されている。
尚、図３中の符号２５は、個々の配線基板１における基板本体２の領域を画定し、且つ前記基板領域２２の周囲も画定する仮想の境界線であるか、あるいは、垂直断面がＶ字形状の分割溝である。
以上のような多数個取り配線基板２０によれば、前記効果（１）〜（５）を奏する複数の前記配線基板１を効率良く提供することができる。
【００３１】
以下において、前記配線基板１の製造方法の一形態について説明する。
図４は、上記製造方法の開始工程に用いる多数個取り基板２０を示す部分平面図、図５は、図４中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った拡大断面図である。
予め、上記多数個取り基板２０を用意した。かかる多数個取り基板２０は、前記セラミック層ｃ１〜ｃ５を積層してなり、図４，図５に示すように、前記第１メタライズ層１１が前記基板本体２ごとの表面３、裏面４、および貫通孔１５の内壁面に沿って形成され、且つ前記第２メタライズ層１２が基板本体２の表面３の周辺側に沿って形成された複数の配線基板１を縦横に隣接して併有した基板領域２１と、その周囲を囲み且つ側面２４に複数の第１端子１８および複数の第２端子１９を設けた耳部２３とからなる。
前記第１メタライズ層１１は、図４，図５に示すように、第１配線１３を介して耳部２３の右辺および左辺ごとに位置する第１端子１８と導通可能とされている。一方、前記第２メタライズ層１２は、第２配線１４を介して、耳部２３の右辺および左辺ごとに位置する第２端子１９と導通可能とされている。
【００３２】
尚、前記第１・第２メタライズ層１１，１２、前記第１・第２配線１３，１４、および前記第１・第２端子１８，１９は、予め、前記セラミック層ｃ１〜ｃ５と同時に焼成されたタングステンあるいはモリブデンからなる。
次に、前記多数個取り基板２０に対し、第１，第２電解メッキ工程を施した。
先ず、多数個取り基板２０における第１端子１８と第２端子１９とに対し、互いに異極である二組の金属棒（メッキ用電極）を個別に接触させた状態（以下、電極との接触状態と称する）で、これらを電解ニッケルメッキ液中に浸漬し、一組に属する一方の金属棒と他方の金属棒との間と、もう一組に属する一方の金属棒と他方の金属棒との間とに対し、所定の電力（電位）を個別に付加した。
【００３３】
その結果、一方の第１端子１８、第１配線１３、第１メタライズ層１１、第１配線１３、および他方の第１端子１８の順の経路（以下、第１メッキ用回路と称する）にメッキ電流が流れたことにより、図６（Ａ）に示すように、第１メタライズ層１１の貫通孔１５の内側を含む表面３側と裏面４とに沿って、厚みが約１〜９μｍのニッケルからなる第１金属部ｍ１が被覆された。同時に、一方の第２端子１９、第２配線１４、第２メタライズ層１２、第２配線１４、および他方の第２端子１９の順の経路（以下、第２メッキ用回路と称する）でメッキ電流が流れたことにより、図６（Ａ）に示すように、第２メタライズ層１２の表面に沿って、厚さが約１〜９μｍのニッケルからなる第６金属部ｍ６が被覆された（第１電解メッキ工程）。
【００３４】
更に、前記同様に電極との接触状態とした前記多数個取り配線基板２０を、電解金メッキ液中に浸漬し、一組およびもう一組に属する一方側の金属棒と、他方側の金属棒との間に対し、所定の電力を個別に付加した。
その結果、前記第１メッキ用回路にメッキ電流が流れたことにより、図６（Ａ）に示すように、第１メタライズ層１１の表面に被覆された前記第１金属部ｍ１の貫通孔１５の内側を含む表面に沿って、厚みが約０．２〜３μｍの金からなる第２金属部ｍ２が被覆された。同時に、前記第２メッキ用回路にメッキ電流が流れたことにより、図６（Ａ）に示すように、第２メタライズ層１２の表面に被覆された前記第６金属部ｍ６の表面に沿って、厚みが約０．２〜３μｍの金からなる第７金属部ｍ７が被覆された（第２電解メッキ工程）。
【００３５】
次いで、前記多数個取り基板２０に対し、第３電解メッキ工程を施した。
予め、前記複数の第１端子１８のみを前記電極と接触状態とし、且つ第２端子１９には、前記電極棒が非接触とした多数個取り基板２０を、電解銅メッキ液中に浸漬し、前記第１メッキ用回路のみに対して、所定の電力を付加した。
その結果、前記第１メッキ用回路にメッキ電流が流れたことにより、図６（Ｂ）に示すように、第１メタライズ層１１の表面に被覆された前記第２金属部ｍ２の貫通孔１５の内側を含む表面に沿って、厚みが約１００〜２００μｍの銅からなる第３金属部ｍ３が形成された。該第３金属部ｍ３のうち、上記貫通孔１５の内側を埋設した部分は、基板本体２の表面３側と裏面４側との間を貫通する比較的太径のビア導体になると共に熱を伝達する放熱ビアにもなった。
この間において、前記第２メタライズ層１２を含む第２メッキ用回路は、非導通状態であったが、仮に該第２メッキ用回路に電流が不用意に流れる前記局部での電池反応が生じた場合であっても、第２メタライズ層１２の表面には、ニッケルからなる下層側の第６金属部ｍ６を介して、第３金属部ｍ３よりもイオン化傾向が小さい貴な金属である金からなる第７金属部ｍ７が最上層に被覆されていたので、上記第６金属部ｍ６を形成しているニッケルの前記電解銅メッキ液中への溶出を皆無にできたか、あるいは可及的に抑制することができた。
【００３６】
そして、前記多数個取り基板２０に対し、第４，第５電解メッキ工程を施した。
先ず、前記同様に電極との接触状態とした前記多数個取り配線基板２０を、電解ニッケルメッキ液中に浸漬し、一組およびもう一組の双方に属する一方側の金属棒と、他方側の金属棒との間に対し、所定の電力を個別に付加した。
その結果、前記第１メッキ用回路にメッキ電流が流れたことにより、図７に示すように、第１メタライズ層１１の表面に被覆された前記第３金属部ｍ３における上下一対の表面に沿って、厚みが約１〜９μｍのニッケルからなる第４金属部ｍ４が被覆された。同時に、前記第２メッキ用回路にメッキ電流が流れたことにより、図７に示すように、第２メタライズ層１２の表面に被覆された前記第７金属部ｍ７の表面に沿って、厚みが約１〜９μｍのニッケルからなる第８金属部ｍ８が被覆された（第４電解メッキ工程）。
【００３７】
更に、前記同様に電極との接触状態とした前記多数個取り配線基板２０を、電解金メッキ液中に浸漬し、一組およびもう一組に属する一方側の金属棒と、他方側の金属棒との間に対し、所定の電力を個別に付加した。
その結果、前記第１メッキ用回路にメッキ電流が流れたことにより、図７に示すように、第１メタライズ層１１の表面に被覆された前記第４金属部ｍ４の表面に沿って、厚みが約０．２〜３μｍの金からなる第５金属部ｍ５が被覆された。同時に、前記第２メッキ用回路にメッキ電流が流れたことにより、図７に示すように、第２メタライズ層１２の表面に被覆された前記第８金属部ｍ８の表面に沿って、厚みが約０．２〜３μｍの金からなる第９金属部ｍ９が被覆された（第５電解メッキ工程）。
【００３８】
以上の第１乃至第５電解メッキ工程を順次経ることによって、前記図１（Ａ）〜（Ｃ）で示した配線基板１を複数併有する多数個取り配線基板２０を製造することができた。尚、前記第３電解メッキ工程において、前記電解銅メッキ浴に替え、電解銀メッキ浴を用いることにより、銀からなる第３金属部ｍ３を前記と同様の位置に被覆しても良い。
以上において説明した第１乃至第５電解メッキ工程の一覧表を、表１に示す。
【００３９】
【表１】
0006685750.tif 000002
【００４０】
また、前記図２に示した異なる形態の金属部ｆ２を有する配線基板１の製造方法に関する異なる形態について、以下に説明する。
前記多数個取り配線基板２０に対し、前記同様の第１乃至第３電解メッキ工程を順次施すことによって、配線基板１ごとにおける前記第１メタライズ層１１の表面に第１〜第３金属部ｍ１〜ｍ３を順次被覆し、且つ前記第２メタライズ層１２の表面に第６，第７金属部ｍ６，ｍ７を順次被覆した。
次いで、前記複数の第１端子１８のみを前記電極と接触状態とし、且つ第２端子１９には、前記電極棒が非接触とした上記多数個取り基板２０を、電解ニッケルメッキ液中に浸漬し、前記第１メッキ用回路のみに対し、所定の電力を付加した。その結果、図８に示すように、第１メタライズ層１１の表面に被覆された前記第３金属部ｍ３における上下一対の表面に沿って、厚みが約１〜９μｍのニッケルからなる第４金属部ｍ４が被覆された（第４電解メッキ工程）。
【００４１】
この間において、非導通であった第２メタライズ層１２を含む前記第２メッキ用回路に、前記局部での電池反応が生じても、上記第２メタライズ層１２の最上層には、上記ニッケルよりもイオン化傾向が小さい貴な金からなる第７金属部ｍ７が被覆されていたので、第６金属部ｍ６を形成しているニッケルからのＮｉイオンの溶出は皆無であった。
そして、前記多数個取り配線基板２０に対し、前記同様の第５電解メッキ工程を施した。その結果、図８に示すように、第１メタライズ層１１の表面に被覆された前記第４金属部ｍ４の表面に沿って、厚みが約０．２〜３μｍの金からなる第５金属部ｍ５が被覆された。同時に、第２メタライズ層１２の表面に被覆された金からなる前記第７金属部ｍ７の表面に沿って、厚みが約０．２〜３μｍの同じ金からなる第９金属部ｍ９が被覆された（第５電解メッキ工程）。
以上において説明した異なる形態の製造方法による第１乃至第５電解メッキ工程の一覧表を、表２に示す。尚、前記第３電解メッキ工程においても、前記電解銅メッキに替えて、電解銀メッキを施しても良い。
【００４２】
【表２】
0006685750.tif 000003
【００４３】
最後に、前記第１乃至第５電解メッキ工程を施された前記多数個取り配線基板２０に対し、前記境界線２５に沿ってダイシング加工を施すか、あるいは前記分割溝２５に沿って剪断加工を施すことによって、前記図１（Ａ）〜（Ｃ）、あるいは図２に示した複数の配線基板１を、効率良く製造することができた。
以上のような２種類の形態を有する配線基板１の製造方法によれば、前記効果（６）〜（８）を奏することができた。
【００４４】
ここで、本発明におけるイオン化傾向の大きい卑な金属と、イオン化傾向の小さい貴な金属とは、金属のイオン化傾向において、水素を基準とした場合のイオン化傾向の大小を示すものである。具体的には、図９に示すように、水素よりもイオン化傾向が大きい側に位置する金属を卑な金属と言い、水素よりもイオン化傾向が小さい側に位置する金属を貴な金属と言う。
【００４５】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記配線基板の基板本体を形成する絶縁材は、前記アルミナ以外の高温焼成セラミック、ガラス−セラミックなどの低温焼成セラミック、あるいは、エポキシ系などの合成樹脂としても良い。
また、前記配線基板の基板本体は、対向する一対の表面を有する平板状の形態、あるいは、一対の表面の双方にキャビティが開口する形態であっても良い。
更に、前記第１メタライズ層および第２メタライズ層は、前記配線基板の基板本体における少なくとも一方の表面に形成され、且つ追って実装される電子部品と接続される表面電極、該表面電極とは異極の表面端子、あるいは追って金属枠や金属蓋が上面にロウ付けまたはシーム溶接される矩形状の枠体などであっても良い。
また、前記第１および第２メタライズ層の両者の総数は、前記配線基板１の基板本体２ごとに３つ以上が形成されていても良い。
更に、第１金属部乃至第９金属部には、前記イオン化傾向の関係が保たれている限り、それぞれに対して任意の金属を適用することが可能である。
加えて、前記第１端子１８および第２端子１９は、前記配線基板１の基板本体２ごとの側面５に直に形成された形態としても良い。この場合、上記配線基板１は、個別に製造される。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明によれば、絶縁材からなる基板本体の表面に形成され、且つ互いに電気的に独立した複数のメタライズ層の表面ごとに対し、イオン化傾向の異なる金属を相互に含む複数層の金属部を所要の厚みごとにより正確に被覆した配線基板と、該配線基板を確実に得るための製造方法とを提供することが可能となる。
【符号の説明】
【００４７】
１……………配線基板
２……………基板本体
３……………表面
４……………裏面（表面）
７……………キャビティの底面（表面側）
９……………段部（表面側）
１１…………第１メタライズ層
１２…………第２メタライズ層
１３…………第１配線
１４…………第２配線
ｃ１〜ｃ５…セラミック層（絶縁材）
ｆ１，ｆ２…複数層の金属部
ｍ１〜ｍ９…第１金属部〜第９金属部
【図１】
0006685750.tif 000004
【図２】
0006685750.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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