(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地層と、
前記下地層に積層する複数の画素電極と、
前記複数の画素電極に積層する発光素子層と、
前記発光素子層に積層する共通電極と、
無機絶縁層と、
を有し、
前記複数の画素電極のそれぞれは、前記下地層に直接接触する第１酸化物導電層と、前記第１酸化物導電層に直接接触する金属導電層と、前記金属導電層に直接接触する第２酸化物導電層と、を含み、
前記下地層は、前記金属導電層よりも、前記第１酸化物導電層に対して密着性が高く、
前記第１酸化物導電層は、隣同士の前記画素電極の相互に対向する方向に、前記金属導電層及び前記第２酸化物導電層からはみ出す突出部を有し、
前記無機絶縁層は、前記第１酸化物導電層の前記突出部の少なくとも先端及び前記下地層に載り、前記金属導電層の先端及び前記第２酸化物導電層の先端から間隔をあけて形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置において、
前記第１酸化物導電層は、前記複数の画素電極のそれぞれの周縁部の全体に、前記突出部を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された表示装置において、
前記第１酸化物導電層及び前記第２酸化物導電層は、それぞれ、酸化インジウムスズ及び酸化インジウム亜鉛からなる群より選ばれる材料を含み、
前記金属導電層は、金、アルミニウム、及び銀からなる群より選ばれる材料を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
複数の画素電極を形成する工程と、
前記複数の画素電極に発光素子層を積層する工程と、
前記発光素子層に共通電極を積層する工程と、
を含み、
前記複数の画素電極を形成する工程は、
前記複数の画素電極に対応する形状で、隣同士の前記画素電極に対応する部分が無機絶縁層で隔離されるように、第１酸化物導電層のパターンを形成する工程と、
前記第１酸化物導電層よりも前記無機絶縁層に対して密着性が低い金属導電層を、前記無機絶縁層及び前記第１酸化物導電層の前記パターンに直接接触するように形成する工程と、
第２酸化物導電層を、前記金属導電層の上に形成する工程と、
前記金属導電層及び前記第２酸化物導電層を、前記第１酸化物導電層の前記パターンの内側に載った部分が残るように、ウエットエッチングによりパターニングする工程と、
を含み、
前記第１酸化物導電層を形成する工程で、前記第１酸化物導電層を下地層の上でパターニングした後に、前記下地層の上に前記無機絶縁層を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載された表示装置の製造方法において、
前記第１酸化物導電層を形成する工程で、前記無機絶縁層を、前記第１酸化物導電層の前記パターンの先端に載るように、前記パターンから露出した前記下地層の上に形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４又は５に記載された表示装置の製造方法において、
前記第１酸化物導電層及び前記第２酸化物導電層は、それぞれ、酸化インジウムスズ及び酸化インジウム亜鉛からなる群より選ばれる材料を含み、
前記金属導電層は、金、アルミニウム、及び銀からなる群より選ばれる材料を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項４から６のいずれか１項に記載された表示装置の製造方法において、
前記ウエットエッチングは、混酸及びシュウ酸の少なくとも一方を使用して行うことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項８】
下地層と、
前記下地層に積層する複数の画素電極と、
前記複数の画素電極に積層する発光素子層と、
前記発光素子層に積層する共通電極と、
無機絶縁層と、
を有し、
前記複数の画素電極のそれぞれは、前記下地層に直接接触する第１酸化物導電層と、前記第１酸化物導電層に直接接触する金属導電層と、前記金属導電層に直接接触する第２酸化物導電層と、を含み、
前記下地層は、シリコン窒化膜またはシリコン酸化膜であり、
前記金属導電層は、金、アルミニウム、及び銀からなる群より選ばれる材料を含み、
前記第１酸化物導電層は、隣同士の前記画素電極の相互に対向する方向に、前記金属導電層及び前記第２酸化物導電層からはみ出す突出部を有し、
前記無機絶縁層は、前記第１酸化物導電層の前記突出部の少なくとも先端及び前記下地層に載り、前記金属導電層の先端及び前記第２酸化物導電層の先端から間隔をあけて形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項８に記載された表示装置において、
前記第１酸化物導電層は、前記複数の画素電極のそれぞれの周縁部の全体に、前記突出部を有することを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子などの発光素子を画素ごとに設けた表示装置が次世代ディスプレイとして期待されている。発光素子は、画素電極（アノード）及び共通電極（カソード）に挟まれた発光層で光を発生するようになっており、発生した光は画素電極で反射する構造が多い。トップエミッション型の表示装置の場合、発光素子からの出射光は共通電極側から取り出すことになるため、画素電極を反射電極、共通電極を透過電極として形成する。画素電極は、光取り出し効率を高めるために、反射率の高い材料からなる反射膜であることが好ましい。
【０００３】
ただし、発光層へのホール注入の仕事関数を最適化するため、反射膜の上面（発光層との接触面）は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）又は酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）の酸化物導電膜で覆われる場合がある。一方、画素電極の下地層である無機絶縁膜との密着性を保持するため、反射膜の下面（無機絶縁膜との接触面）にも、酸化物導電膜が設けられる場合がある（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−３１７６０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
画素電極を形成するときに、例えば、ＩＴＯ膜、Ａｇ膜及びＩＴＯ膜からなる積層膜を混酸でパターニングする場合、Ａｇのエッチング残りや残渣が発生する場合がある。これは、混酸とＡｇが反応して発生した一酸化窒素ガスが、Ａｇ膜の表面に付着することで、エッチング液中で、Ａｇ膜の表面が不動態化するからであると考えられる。
【０００６】
このため、混酸ではパターニングが十分ではなく、隣同士の画素電極がショートする問題がある。高精細化により、画素電極の間隔が狭くなるほど、Ａｇのエッチング残りや残渣が発生しやすくなる。また、Ａｇ膜は無機絶縁膜との密着性が低いので、Ａｇ膜がＩＴＯ膜から露出すると、画素電極は、下地層との密着性が低くなる。
【０００７】
なお、特許文献１は、Ａｇ膜の上下及び周囲をＩＴＯ膜で封止することで、Ａｇを有機材料から遮断して、Ａｇと有機材料の反応によるガスの発生を防止することが開示されている。したがって、Ａｇ膜が露出しないので、画素電極は下地層との密着性が高くなっており、本発明が解決しようとする課題がそもそも存在しない。
【０００８】
本発明は、剥離しにくい画素電極の形成や高い精度でのパターニングを可能にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る表示装置は、下地層と、前記下地層に積層する複数の画素電極と、前記複数の画素電極に積層する発光素子層と、前記発光素子層に積層する共通電極と、を有し、前記複数の画素電極のそれぞれは、前記下地層に直接接触する第１酸化物導電層と、前記第１酸化物導電層に直接接触する金属導電層と、前記金属導電層に直接接触する第２酸化物導電層と、を含み、前記下地層は、前記金属導電層よりも、前記第１酸化物導電層に対して密着性が高く、前記第１酸化物導電層は、隣同士の前記画素電極の相互に対向する方向に、前記金属導電層及び前記第２酸化物導電層からはみ出す突出部を有することを特徴とする。本発明によれば、下地層に対する密着性の高い第１酸化物導電層が、金属導電層及び第２酸化物導電層からはみ出す突出部を有するので、画素電極が剥離しにくくなっている。
【００１０】
本発明に係る表示装置の製造方法は、複数の画素電極を形成する工程と、前記複数の画素電極に発光素子層を積層する工程と、前記発光素子層に共通電極を積層する工程と、を含み、前記複数の画素電極を形成する工程は、前記複数の画素電極に対応する形状で、隣同士の前記画素電極に対応する部分が無機絶縁層で隔離されるように、第１酸化物導電層のパターンを形成する工程と、前記第１酸化物導電層よりも前記無機絶縁層に対して密着性が低い金属導電層を、前記無機絶縁層及び前記第１酸化物導電層の前記パターンに直接接触するように形成する工程と、第２酸化物導電層を、前記金属導電層の上に形成する工程と、前記金属導電層及び前記第２酸化物導電層を、前記第１酸化物導電層の前記パターンの内側に載った部分が残るように、ウエットエッチングによりパターニングする工程と、を含むことを特徴とする。本発明によれば、金属導電層は無機絶縁層に対して密着性が低く、無機絶縁層の上でエッチング残りや残渣が発生しても剥がれやすい。そのため、第１酸化物導電層のパターンのショートを防止することができるので、高い精度で画素電極を形成することが可能になる。
【００１１】
本発明に係る表示装置は、下地層と、前記下地層に積層する複数の画素電極と、前記複数の画素電極に積層する発光素子層と、前記発光素子層に積層する共通電極と、を有し、前記複数の画素電極のそれぞれは、前記下地層に直接接触する第１酸化物導電層と、前記第１酸化物導電層に直接接触する金属導電層と、前記金属導電層に直接接触する第２酸化物導電層と、を含み、前記下地層は、シリコン窒化膜またはシリコン酸化膜であり、前記金属導電層は、金、アルミニウム、及び銀からなる群より選ばれる材料を含み、前記第１酸化物導電層は、隣同士の前記画素電極の相互に対向する方向に、前記金属導電層及び前記第２酸化物導電層からはみ出す突出部を有することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る表示装置を示す断面図である。
【図２】図１の一点鎖線で囲んだ部分IIを拡大した図である。
【図３】図３（Ａ）〜図３（Ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図４】図４（Ａ）〜図４（Ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る表示装置の一部の拡大断面図である。
【図６】図６（Ａ）〜図６（Ｃ）は、本発明の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図７】図７（Ａ）〜図７（Ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１４】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１５】
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１６】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置を示す断面図である。表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を例に挙げる。表示装置は、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせて、フルカラーの画素（ピクセル）を形成し、フルカラーの画像を表示するようになっている。
【００１７】
表示装置は、ガラスや樹脂からなる第１基板１０を有する。第１基板１０には、それ自体が含有する不純物が上層へ拡散することを防ぐためのバリアとなるアンダーコート１２が形成され、その上に半導体層１４が形成されている。半導体層１４にソース電極１６及びドレイン電極１８が設けられ、半導体層１４を覆ってゲート絶縁膜２０が形成されている。ゲート絶縁膜２０の上にはゲート電極２２が形成され、ゲート電極２２を覆って層間絶縁膜２４が形成されている。ソース電極１６及びドレイン電極１８は、ゲート絶縁膜２０及び層間絶縁膜２４を貫通している。半導体層１４、ソース電極１６、ドレイン電極１８及びゲート電極２２によって薄膜トランジスタ２６が構成される。薄膜トランジスタ２６を覆うようにパッシベーション膜２８が設けられている。
【００１８】
薄膜トランジスタ２６は、画素電極３０（例えば陽極）に電気的に接続される。パッシベーション膜２８の表面が凸凹になっているので、平坦な表面を形成するように、画素電極３０の下地層３２が設けられている。下地層３２は、窒化ケイ素または二酸化ケイ素などからなる無機絶縁層である。下地層３２（無機絶縁層）は、金属に対して密着性が低い一方で、酸化物に対して密着性が高い。下地膜３２は平坦化性能が高い有機絶縁膜と、その上の無機絶縁膜の２層で構成されていてもよい。
【００１９】
下地層３２に画素電極３０が積層する。詳しくは、下地層３２の上に、複数の単位画素それぞれに対応するように構成された複数の画素電極３０が設けられている。画素電極３０は、下地層３２及びパッシベーション膜２８を貫通するコンタクトホール３４を介して、半導体層１４上のソース電極１６及びドレイン電極１８の一方に電気的に接続している。画素電極３０は、上面が平坦になった部分と、上面がコンタクトホール３４に入り込んで窪む部分と、を有する。
【００２０】
図２は、図１の一点鎖線で囲んだ部分IIを拡大した図である。画素電極３０は、下地層３２に直接接触する第１酸化物導電層３６を含む。第１酸化物導電層３６は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）又は酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）から形成されている。第１酸化物導電層３６の外周縁が、画素電極３０の外形になっている。
【００２１】
画素電極３０は、第１酸化物導電層３６に直接接触する金属導電層３８を含む。金属導電層３８は、金、アルミニウム、銀、または少なくともこれらの１つを含む合金から形成されている。下地層３２は、金属導電層３８よりも、第１酸化物導電層３６に対して密着性が高い。金属導電層３８は、下地層３２には接触しないように、第１酸化物導電層３６の上面からはみ出さない形状になっている。
【００２２】
画素電極３０は、金属導電層３８に直接接触する第２酸化物導電層４０を含む。第２酸化物導電層４０は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）又は酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）から形成されている。第２酸化物導電層４０は、金属導電層３８の上面からはみ出さないことが好ましい。第２酸化物導電層４０は、第１酸化物導電層３６又は下地層３２のいずれにも接触しない。
【００２３】
第１酸化物導電層３６は、隣同士の画素電極３０の相互に対向する方向に、金属導電層３８及び第２酸化物導電層４０からはみ出す突出部３６ａを有する。第１酸化物導電層３６は、画素電極３０の周縁全体に突出部３６ａを有する。本実施形態によれば、下地層３２に対する密着性の高い第１酸化物導電層３６が、金属導電層３８及び第２酸化物導電層４０からはみ出す突出部３６ａを有するので、金属導電層３８及び第２酸化物導電層４０がいずれも下地層３２に接触しなくなり、画素電極３０が剥離しにくくなっている。
【００２４】
図１に示すように、下地層３２及び画素電極３０上に、樹脂などの有機材料からなる絶縁層４２が形成されている。絶縁層４２は、画素電極３０の周縁部に載り、画素電極３０の一部（例えば中央部）を開口させるように形成されている。絶縁層４２の開口が発光領域となる。絶縁層４２によって、画素電極３０の一部を囲むバンクが形成される。
【００２５】
画素電極３０に発光素子層４４が積層する。発光素子層４４は、絶縁層４２の上にも載る。発光素子層４４は、少なくとも発光層を含み、さらに、電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層及び正孔注入層のうち少なくとも一層を含んでもよい。発光素子層４４の少なくとも発光層が、画素電極３０ごとに別々に載るようになっている。これにより、それぞれの発光素子層４４の発光層が複数色のいずれかの色の光を発するようになり、フルカラーの画像表示が可能になる。なお、発光層以外の層は、複数の画素電極３０に連続的に設けてあっても、複数色の光を発するように構成することは可能である。変形例として、発光層を含めて発光素子層４４の全体を複数の画素電極３０に連続的に載るように形成してもよいが、その場合は、単色の発光であるため、カラーフィルタを通すことでフルカラーの画像表示が可能になる。
【００２６】
発光素子層４４の上には、複数の画素電極３０の上方で発光素子層４４に接触するように、共通電極４６（例えば陰極）が設けられている。共通電極４６は、バンクとなる絶縁層４２の上方に載るように形成する。共通電極４６は、隣同士の発光素子層４４の間では、絶縁層４２に接触する。発光素子層４４は、画素電極３０及び共通電極４６に挟まれ、両者間を流れる電流によって輝度が制御されて発光する。
【００２７】
発光素子層４４は、共通電極４６に積層する封止層４８によって覆われることで封止されて、水分から遮断されている。封止層４８の上方には、充填層５０を介して、第２基板５２が設けられている。本実施形態では、複数色の光を発するように発光素子層４４を設けるのでカラーフィルタは不要であるが、単色の光のみを発するように発光素子層４４を設けるのであれば、カラーフィルタを第２基板５２に積層する。また、必要に応じて、図示しないブラックマトリクスを設けてもよい。第２基板５２は、タッチパネルであってもよいし、偏光板や位相差板を備えてもよい。
【００２８】
なお、表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置には限定されず、量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：Quantum‐Dot Light Emitting Diode）のような発光素子を各画素に備えた表示装置であってもよいし、液晶表示装置であってもよい。
【００２９】
図３（Ａ）〜図４（Ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図である。表示装置の製造方法は、複数の画素電極３０（図１参照）を形成する工程を含む。下地層３２を形成するまでの工程は、図１を参照して上述した内容から自明であるため説明を省略する。
【００３０】
図３（Ａ）に示すように、第１酸化物導電層３６を下地層３２の上に例えば全面にわたって成膜する。下地層３２は、窒化ケイ素または二酸化ケイ素などからなる無機絶縁層である。第１酸化物導電層３６は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）又は酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）から、例えば蒸着によって形成する。
【００３１】
図３（Ｂ）に示すように、第１酸化物導電層３６をパターニングする。詳しくは、図１に示す複数の画素電極３０に対応する形状で、隣同士の画素電極３０に対応する部分が、下地層３２（無機絶縁層）で隔離されるように、第１酸化物導電層３６のパターンを形成する。言い換えると、第１酸化物導電層３６は、隣同士の画素電極３０に対応する部分が、下地層３２（無機絶縁層）の露出面で囲まれるようにパターニングする。パターニングは周知の方法を適用することができる。
【００３２】
図３（Ｃ）に示すように、金属導電層３８及び第２酸化物導電層４０を、第１酸化物導電層３６のパターンに積層する。詳しくは、第１酸化物導電層３６よりも無機絶縁層に対して密着性が低い金属導電層３８を、下地層３２及び第１酸化物導電層３６のパターンに直接接触するように形成する。金属導電層３８は、金、アルミニウム、銀、または少なくともこれらの１つを含む合金から形成する。そして、第２酸化物導電層４０を、金属導電層３８の上に形成する。第２酸化物導電層４０は、酸化インジウムスズ又は酸化インジウム亜鉛から形成する。金属導電層３８及び第２酸化物導電層４０は、例えば、スパッタリング法等によって形成する。
【００３３】
さらに、エッチングマスク５４を第２酸化物導電層４０の上に形成する。エッチングマスク５４は、図１に示す複数の画素電極３０の外形（第１酸化物導電層３６のパターン）よりもわずかに小さくなるように、感光性樹脂（フォトレジスト）から、フォトリソグラフィを適用して形成する。エッチングマスク５４は、第１酸化物導電層３６のパターンの周縁部（突出部３６ａ）との重畳を避ける形状である。
【００３４】
図４（Ａ）に示すように、第２酸化物導電層４０及び金属導電層３８を、エッチングマスク５４が載った部分が残るように、ウエットエッチングによりパターニングする。エッチングマスク５４が載った部分とは、第１酸化物導電層３６のパターン（周縁部を除いた領域）と重畳する部分である。エッチング液５６は、混酸及びシュウ酸の少なくとも一方である。例えば、混酸で第２酸化物導電層４０及び金属導電層３８を一括してエッチングしてもよいし、シュウ酸で第２酸化物導電層４０をエッチングした後に、混酸で金属導電層３８をエッチングしてもよい。
【００３５】
第２酸化物導電層４０の一部がエッチングで除去されて金属導電層３８が露出する。そして、混酸による金属導電層３８のエッチングでは、両者の化学反応によって、一酸化窒素（ＮＯ）ガス５８が発生する。一酸化窒素ガス５８は、金属導電層３８の表面に付着し、金属導電層３８の表面の一部を不動態化する場合がある。
【００３６】
図４（Ｂ）に示すように、金属導電層３８は、エッチングが進行しても、一酸化窒素ガス５８で不動態化した部分が残るようになる。例えば、隣同士の画素電極３０の間に、金属導電層３８の残渣６０（膜残り）が発生する。金属導電層３８の残渣６０は、下地層３２（無機絶縁層）の上から残渣６０がリフトオフする。これは、金属導電層３８は無機絶縁層に対して密着性が低いため、両者の界面にエッチング液５６（混酸）が入り込むからである。第１酸化物導電層３６から露出した無機絶縁層の表面から、金属導電層３８の残渣６０がなくなることで、第１酸化物導電層３６のパターンのショートを防止することができる。
【００３７】
図４（Ｃ）に示すように、高い精度で画素電極３０を形成することが可能になる。その後、絶縁層４２を形成した後、複数の画素電極３０に発光素子層４４を積層し、発光素子層４４に共通電極４６を積層する。これらの工程は、図１を参照して上述した内容から自明であるため、説明を省略する。
【００３８】
［第２の実施形態］
図５は、本発明の第２の実施形態に係る表示装置の一部の拡大断面図である。本実施形態では、下地層２３２の上に画素電極２３０が形成されており、第１酸化物導電層２３６の突出部２３６ａの少なくとも先端及び下地層２３２に無機絶縁層２６２が載っている。無機絶縁層２６２は、金属導電層２３８の先端及び第２酸化物導電層２４０の先端から間隔をあけて形成されている。つまり、下地層２３２とは別に、無機絶縁層２６２が設けられている。
【００３９】
図６（Ａ）〜図７（Ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図である。
【００４０】
図６（Ａ）に示すように、第１酸化物導電層２３６のパターンを下地層２３２の上に形成し、さらに窒化ケイ素または二酸化ケイ素などからなる無機絶縁層２６２を形成する。第１酸化物導電層２３６のパターンの形成方法は第１の実施形態で説明した通りである。無機絶縁層２６２は、下地層２３２が第１酸化物導電層２３６のパターンから露出する領域を含め、下地層２３２の上に例えば全面に形成する。
【００４１】
図６（Ｂ）に示すように、無機絶縁層２６２をパターニングする。詳しくは、第１酸化物導電層２３６のパターンの先端に載るが、図５に示す画素電極２３０の突出部２３６ａの全体には載らないように、無機絶縁層２６２をパターニングする。無機絶縁層２６２は、第１酸化物導電層２３６のパターンから露出した下地層２３２の上に残す。こうすることで、隣同士の第１酸化物導電層２３６のパターンは、無機絶縁層２６２によって電気的に絶縁される。
【００４２】
図６（Ｃ）に示すように、パターニングされた無機絶縁層２６２、第１酸化物導電層２３６のパターン及び下地層２３２の上に、金属導電層２３８及び第２酸化物導電層２４０を積層する。そして、第２酸化物導電層２４０の上に、エッチングマスク２５４を形成する。図６（Ｃ）に示す工程は、下地層２３２とは別に無機絶縁層２６２を設ける点を除き、図３（Ｃ）を参照して説明した内容が該当する。
【００４３】
図７（Ａ）に示すように、第２酸化物導電層２４０及び金属導電層２３８を、ウエットエッチングによりパターニングする。第２酸化物導電層２４０がエッチングで除去された領域に、金属導電層２３８が露出する。そして、エッチング液２５６として混酸を使用した金属導電層２３８のエッチングでは、両者の化学反応によって、一酸化窒素（ＮＯ）ガス２５８が発生する。一酸化窒素ガス２５８は、金属導電層２３８の表面に付着し、金属導電層２３８の表面の一部を不動態化する。
【００４４】
図７（Ｂ）に示すように、金属導電層２３８は、エッチングが進行しても、一酸化窒素ガス２５８で不動態化した部分が残るようになり、無機絶縁層２６２の上に、金属導電層２３８の残渣２６０（膜残り）が発生する。しかし、金属導電層２３８の残渣２６０は、無機絶縁層２６２の上から残渣２６０がリフトオフする。これは、金属導電層２３８は無機絶縁層２６２に対して密着性が低いため、両者の界面にエッチング液２５６（混酸）が入り込むからである。無機絶縁層２６２の表面から、金属導電層２３８の残渣２６０がなくなることで、第１酸化物導電層２３６のパターンのショートを防止することができる。
【００４５】
無機絶縁層２６２の側面が急峻に立ち上がる形状（例えば逆テーパ）であれば、側面に付着した金属導電層２３８の残渣２６０は元々薄い膜厚であるため剥離しやすいが、さらに剥離しやすくなる。無機絶縁層２６２の上面と側面とで形成される角部が、上面に直交する断面において、直角又は鋭角であることが好ましい。こうして、隣接する画素電極間が確実に分離されることにより、高い精度で画素電極２３０を形成することが可能になる。その後、図５に示す画素電極２３０に、図１に示すように、発光素子層４４を積層し、発光素子層４４に共通電極４６を積層する。これらの工程は、図１を参照して上述した内容から自明であるため、説明を省略する。
【００４６】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００４７】
１０  第１基板、１２  アンダーコート、１４  半導体層、１６  ソース電極、１８  ドレイン電極、２０  ゲート絶縁膜、２２  ゲート電極、２４  層間絶縁膜、２６  薄膜トランジスタ、２８  パッシベーション膜、３０  画素電極、３２  下地層、３４  コンタクトホール、３６  第１酸化物導電層、３６ａ  突出部、３８  金属導電層、４０  第２酸化物導電層、４２  絶縁層、４４  発光素子層、４６  共通電極、４８  封止層、５０  充填層、５２  第２基板、５４  エッチングマスク、５６  エッチング液、５８  一酸化窒素ガス、６０  残渣、２３０  画素電極、２３２  下地層、２３６  第１酸化物導電層、２３６ａ  突出部、２３８  金属導電層、２４０  第２酸化物導電層、２５４  エッチングマスク、２５６  エッチング液、２５８  一酸化窒素ガス、２６０  残渣、２６２  無機絶縁層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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