(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）
Ｒ−ＳＯ２−Ｆ                    （１）
（式（１）中、Ｒは、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、４−エチルフェニル基、炭素数３〜４の直鎖若しくは分岐若しくは環式のアルキル基で置換されたフェニル基、ハロゲン原子で置換されたフェニル基、４−ビフェニル基、１−ナフチル基又は２−ナフチル基を示す）
で表わされるスルホニルフルオリド誘導体を有機溶媒中、有機強塩基及びプロトン捕捉剤存在下、トリフルオロメタンを反応させることを特徴とする下記一般式（２）
Ｒ−ＳＯ２−ＣＦ３                （２）
（式（２）中、Ｒは前記式（１）に同じ）
で表わされるトリフルオロメチルスルホニル化合物誘導体の製造方法であって、
有機強塩基の使用量が、原料のスルホニルフルオリド誘導体に対して０．０１モル量〜０．５０モル量の範囲である、方法。
【請求項２】
有機強塩基が１−ｔｅｒｔ−ブチル−４，４，４−トリス(ジメチルアミノ)−２，２−ビス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]−２λ５，４λ５−カテナジ（ホスファゼン）であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はトリフルオロメタン（別名フルオロホルム）を原料とし、トリフルオロメチルアニオンを発生させ、スルホニルフルオリド誘導体に求核的トリフルオロメチル化を行い、トリフルオロメチルスルホニル化合物誘導体を製造する方法に関する。トリフルオロスルホニル化合物誘導体は医・農薬の製造中間体として有用な化合物である。
【背景技術】
【０００２】
従来より、トリフルオロメチル基の導入方法としては、トリフルオロメチルトリメチルシランを用い、フルオロスルホニル基をトリフルオロメチルスルホニル基へ変換する方法や、ケトン類と反応させトリフルオロメチル基含有アルコール類を製造する方法等が知られている（例えば非特許文献１，２参照）。
また、トリフルオロメタンを原料としトリフルオロメチルアニオンを発生させ、カルボニル化合物類に求核的トリフルオロメチル化を行い、トリフルオロメチル基含有アルコール類を製造する方法としては、有機強塩基としてカリウム  Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−ヘキサメチルジシラジドを等モル用いる方法（例えば特許文献１参照）及び有機強塩基として１−ｔｅｒｔ−ブチル−４，４，４−トリス(ジメチルアミノ)−２，２−ビス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]−２λ５，４λ５−カテナジ（以下、Ｐ４-ｔＢｕと略す）を等モル以上用いる方法（例えば特許文献２参照）等が知られている。
【０００３】
従来の非特許文献１及び２に記載の方法は、各種反応に用いることが可能であるが、用いるトリフルオロメチルトリメチルシランは比較的高価で、工業的にはより安価なトリフルオロメチルアニオン源が望まれている。
一方、特許文献１及び特許文献２に記載の方法は、カルボニル化合物類へのトリフルオロメチル化に関するものであり、スルホニルフルオリド誘導体との反応は記載されていない。さらに、特許文献１及び特許文献２では、非常に高価なカリウム  Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−ヘキサメチルジシラジドやＰ４-ｔＢｕを等モル以上使用する必要があり、また又反応温度としても−３０℃以下の超低温で実施する必要があるという課題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２０１４−５１９４８６号公報
【特許文献２】特開２０１４−９１６９１号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】ユ  エル  ヤグポルスキー（Yu. L. Yagupolski）ら, Synthesis, 1990(12), 1151-1152
【非特許文献２】シュレーブ  ジェイエム（Shreeve JM）ら, J. Org. Chem., 1999, 64(8), 2873-2876
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、トリフルオロメタンをトリフルオロメチルアニオンの発生剤として用い、高価な有機強塩基を触媒量として用い、かつ一般的に実施可能な−２０℃〜４０℃の温度範囲で実施可能な、スルホニルフルオリド誘導体からトリフルオロメチルスルホニル化合物誘導体を製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、トリフルオロメタンを原料とし、触媒量の有機強塩基を用い、トリフルオロメチルアニオンを発生させ、スルホニルフルオリド誘導体に求核的トリフルオロメチル化を行い、トリフルオロメチルスルホニル化合物誘導体を製造する方法について、鋭意検討した結果、反応系にプロトン捕捉剤を共存させることにより、有機強塩基を触媒量の使用でトリフルオロメチルスルホニル化合物誘導体を製造することが可能となり、かつ反応温度が−２０℃〜４０℃で実施可能となることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
すなわち本発明は、下記一般式（１）
Ｒ−ＳＯ２−Ｆ                    （１）
（式（１）中、Ｒは、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、４−エチルフェニル基、炭素数３〜４の直鎖若しくは分岐若しくは環式のアルキル基で置換されたフェニル基、ハロゲン原子で置換されたフェニル基、４−ビフェニル基、１−ナフチル基又は２−ナフチル基を示す）
で表わされるスルホニルフルオリド誘導体を有機溶媒中、有機強塩基触媒及びプロトン捕捉剤存在下、トリフルオロメタンを反応させることを特徴とする下記一般式（２）
Ｒ−ＳＯ２−ＣＦ３                （２）
（式（２）中、Ｒは前記式（１）に同じ）
で表わされるトリフルオロメチルスルホニル化合物誘導体の製造方法に係る。
【発明の効果】
【０００９】
本発明により、安価なトルフルオロメタンを用い、高価な有機強塩基を触媒量の使用で、各種トリフルオロメチルスルホニル化合物誘導体の製造が可能となった。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明において、炭素数３〜４の直鎖若しくは分岐若しくは環式のアルキル基で置換されたフェニル基とは、２−ｎ−プロピルフェニル基、３−ｎ−プロピルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、２−ｉｓｏ−プロピルフェニル基、３−ｉｓｏ−プロピルフェニル基、４−ｉｓｏ−プロピルフェニル基、２−ｃｙｃｌｏ−プロピルフェニル基、３−ｃｙｃｌｏ−プロピルフェニル基、２−ｎ−ブチルフェニル基、３−ｎ−ブチルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、２−ｉｓｏ−ブチルフェニル基、３−ｉｓｏ−ブチルフェニル基、４−ｉｓｏ−ブチルフェニル基、２−ｓｅｃ−ブチルフェニル基、３−ｓｅｃ−ブチルフェニル基、４−ｓｅｃ−ブチルフェニル基、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２−ｃｙｃｌｏ−ブチルフェニル基、３−ｃｙｃｌｏ−ブチルフェニル基、４−ｃｙｃｌｏ−ブチルフェニル基を表わす。
【００１１】
本発明において、ハロゲン原子で置換されたフェニル基とは、２−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル基、２−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、４−クロロフェニル基、２−ブロモフェニル基、３−ブロモフェニル基、４−ブロモフェニル基、２−ヨードフェニル基、３−ヨードフェニル基、４−ヨードフェニル基を表わす。
【００１２】
本発明のトリフルオロメチルスルホニル化合物誘導体の製造方法に適用可能な一般式（１）で表わされるスルホニルフルオリド誘導体としては、具体的には例えば、ベンゼンスルホニルフルオリド、ｏ−トルエンスルホニルフルオリド、ｍ−トルエンスルホニルフルオリド、ｐ−トルエンスルホニルフルオリド、ｏ−エチルベンゼンスルホニルフルオリド、ｍ−エチルベンゼンスルホニルフルオリド、ｐ−エチルベンゼンスルホニルフルオリド、ｏ−ｎ−プロピルベンゼンスルホニルフルオリド、ｍ−ｎ−プロピルベンゼンスルホニルフルオリド、ｐ−ｎ−プロピルベンゼンスルホニルフルオリド、ｏ−クメンスルホニルフルオリド、ｍ−クメンスルホニルフルオリド、ｐ−クメンスルホニルフルオリド、ｏ−ｃｙｃｌｏ−プロピルベンゼンスルホニルフルオリド、ｍ−ｃｙｃｌｏ−プロピルベンゼンスルホニルフルオリド、ｐ−ｃｙｃｌｏ−プロピルベンゼンスルホニルフルオリド、ｏ−ｎ−ブチルベンゼンスルホニルフルオリド、ｍ−ｎ−ブチルベンゼンスルホニルフルオリド、ｐ−ｎ−ブチルベンゼンスルホニルフルオリド、ｏ−ｉｓｏ−ブチルベンゼンスルホニルフルオリド、ｍ−ｉｓｏ−ブチルベンゼンスルホニルフルオリド、ｐ−ｉｓｏ−ブチルベンゼンスルホニルフルオリド、ｏ−ｓｅｃ−ブチルベンゼンスルホニルフルオリド、ｍ−ｓｅｃ−ブチルベンゼンスルホニルフルオリド、ｐ−ｓｅｃ−ブチルベンゼンスルホニルフルオリド、ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホニルフルオリド、ｍ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホニルフルオリド、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホニルフルオリド、ｏ−ｃｙｃｌｏ−ブチルベンゼンスルホニルフルオリド、ｍ−ｃｙｃｌｏ−ブチルベンゼンスルホニルフルオリド、ｐ−ｃｙｃｌｏ−ブチルベンゼンスルホニルフルオリド、ｏ−フルオロベンゼンスルホニルフルオリド、ｍ−フルオロベンゼンスルホニルフルオリド、ｐ−フルオロベンゼンスルホニルフルオリド、ｏ−クロロベンゼンスルホニルフルオリド、ｍ−クロロベンゼンスルホニルフルオリド、ｐ−クロロベンゼンスルホニルフルオリド、ｏ−ブロモベンゼンスルホニルフルオリド、ｍ−ブロモベンゼンスルホニルフルオリド、ｐ−ブロモベンゼンスルホニルフルオリド、ｏ−ヨードベンゼンスルホニルフルオリド、ｍ−ヨードベンゼンスルホニルフルオリド、ｐ−ヨードベンゼンスルホニルフルオリド、４−ビフェニルスルホニルフルオリド、１−ナフタレンスルホニルフルオリド、２−ナフタレンスルホニルフルオリド等を挙げることができる。
【００１３】
本発明のトリフルオロメチルスルホニル化合物誘導体の製造方法により製造できる一般式（２）で表わされるトリフルオロメチルスルホニル化合物誘導体としては、具体的には例えば、トリフルオロメチルスルホニルベンゼン、１−メチル−２−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−メチル−３−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−メチル−４−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−エチル−２−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−エチル−３−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−エチル−４−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ｎ−プロピル−２−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ｎ−プロピル−３−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ｎ−プロピル−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ｉｓｏ−プロピル−２−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ｉｓｏ−プロピル−３−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ｉｓｏ−プロピル−４−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ｃｙｃｌｏ−プロピル−２−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ｃｙｃｌｏ−プロピル−３−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ｃｙｃｌｏ−プロピル−４−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ｎ−ブチル−２−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ｎ−ブチル−３−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ｎ−ブチル−４−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ｉｓｏ−ブチル−２−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ｉｓｏ−ブチル−３−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ｉｓｏ−ブチル−４−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ｓｅｃ−ブチル−２−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ｓｅｃ−ブチル−３−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ｓｅｃ−ブチル−４−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ｔｅｒｔ−ブチル−２−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ｔｅｒｔ−ブチル−３−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ｔｅｒｔ−ブチル−４−（トリフルオロメチル）スルホニルベンゼン、１−ｃｙｃｌｏ−ブチル−２−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ｃｙｃｌｏ−ブチル−３−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ｃｙｃｌｏ−ブチル−４−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−フルオロ−２−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−フルオロ−３−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−フルオロ−４−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−クロロ−２−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−クロロ−３−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−クロロ−４−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ブロモ−２−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ブロモ−３−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ブロモ−４−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ヨード−２−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ヨード−３−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、１−ヨード−４−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン、４−（トリフルオロメチルスルホニル）ビフェニル、１−（トリフルオロメチルスルホニル）ナフタレン、２−（トリフルオロメチルスルホニル）ナフタレン等を挙げることができる。
【００１４】
本発明のトリフルオロメチルスルホニル化合物誘導体の製造方法に適用可能な有機強塩基としては、塩基として用いられる有機化合物の総称であって、プロトンを受容するブレンステッド塩基を示し、窒素上に容易にプロトンを受容してアンモニウムなどのカチオン（共役酸）を形成する化合物である。
本発明のトリフルオロメチルスルホニル化合物誘導体の製造方法に適用可能な有機強塩基としては、具体的には例えば、１，１，３，３−テトラメチルブチルイミノ−トリス（ジメチルアミノ）フォスフォラン（以下Ｐ１-Ｏｃｔと略す）、ｔｅｒｔ−ブチルイミノ−トリス（ジメチルアミノ）フォスフォラン（以下Ｐ１-ｔＢｕと略す）、２−ｔｅｒｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチルペルヒドロ−１，３，２−ジアザホスホリン（以下ＢＥＭＰと略す）、ｔｅｒｔ−ブチルイミノ−トリス（ピロリジノ）フォスフォラン（以下ＢＴＰＰと略す）、Ｎ'''−［Ｎ−エチル−Ｐ，Ｐ−ビス（ジメチルアミノ）フォスフィニミル］−Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'，Ｎ''，Ｎ''−ヘキサメチルフォスフォリミジクトリアミド（以下Ｐ２−Ｅｔと略す）、１−ｔｅｒｔ−ブチル−４，４，４−トリス(ジメチルアミノ)−２，２−ビス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]−２λ５，４λ５−カテナジ（以下Ｐ４-ｔＢｕと略す）等が挙げられ、反応に具する一般式（１）で表されるスルホニルフルオリド誘導体に対して、０．０５モル量〜０．５０モル量使用するとよい。
【００１５】
本発明のトリフルオロメチルスルホニル化合物誘導体の製造方法に適用可能なプロトン捕捉剤としては、具体的には例えば、トリス（トリメチルシリル）アミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルトリメチルシリルアミン、１−（トリメチルシリル）プロピン等が挙げられ、反応に具する一般式（１）で表されるスルホニルフルオリド誘導体に対して、１．００モル量〜２．００モル量使用するとよい。
【００１６】
本発明のトリフルオロメチルスルホニル化合物誘導体の製造方法に使用するトリフルオロメタンの使用量は、反応に具する一般式（１）で表されるスルホニルフルオリド誘導体に対して、１．００モル量〜１００．００モル量とするとよく、通常はスルホニルフルオリド誘導体に対して大過剰使用するとよい。
本発明のトリフルオロメチルスルホニル化合物誘導体の製造方法に適用可能な有機溶媒としては、反応に不活性なものであれば特に制限されないが、具体的には例えば、エーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦと略す）等のエーテル系有機溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性有機溶媒等が挙げられ、反応に具する一般式（１）で表されるスルホニルフルオリド誘導体に対して、２．０重量倍〜１００重量倍量使用するとよい。
【００１７】
本発明のトリフルオロメチルスルホニル化合物誘導体の製造方法における反応温度及び時間としては、−２０〜４０℃の温度範囲で１〜２４時間とするとよい。
本発明のトリフルオロメチルスルホニル化合物誘導体の製造方法の後処理としては、特に制限されず周知の方法で実施可能であり、例えば、飽和の塩化アンモニウム水溶液を添加、ジクロロメタン等の溶剤で抽出、抽出液を硫酸ナトリウム上で乾燥、ろ過、濃縮の後、さらに、シリカゲルカラムクロマトグラフィー等で精製し、一般式（２）で表わされるトリフルオロメチルスルホニル化合物誘導体を得ることができる。
【実施例】
【００１８】
以下実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
なお、分析には下記機器を使用した。
１Ｈ−ＮＭＲ及び１９Ｆ−ＮＭＲ：バリアン社製マーキュリー３００（Varian Mercury 300）。
１３Ｃ−ＮＭＲ：ブルカー社製アバンス５００（Burker Avance 500）。
ＧＣＭＳ（ＥＩ）：島津社製ＧＣＭＳ−ＱＰ５０５０Ａ。
ＩＲ：ジャスコ社製ＦＴ／ＩＲ−２００スペクトロメーター（JASCO FT/IR-200 spectrometer）。
ＨＲＭＳ：ウオーターズ社製ＧＣＴプレマイアー（Waters GCT Premier）。
融点：ビュッヒ社製メルティングポイントＭ−５６５（BUCHI Melting Point M-565）
実施例１  ４−（トリフルオロメチルスルホニル）ビフェニル（３）の調製
【００１９】
【化１】
0006664887.tif 000002
【００２０】
室温下、攪拌子を備えたシュレンク管に、４−ビフェニルスルホニルフルオリド（２３．６ｍｇ，０．１０ｍｍｏｌ）、トリス（トリメチルシリル）アミン（７０．１ｍｇ，０．３０ｍｍｏｌ，１．５ｅｑｕｉｖ．）のＤＭＦ（０．５０ｍＬ）溶液を仕込み、０℃に冷却の後、これにＰ４−ｔＢｕ塩基（３７．５μＬ，０．０３０ｍｍｏｌ，０．３０ｅｑｕｉｖ．）を添加した。次いでトリフルオロメタン（過剰）を１分間バブリング供給した後、同温度で７時間反応を行った。反応終了後、飽和の塩化アンモニウム水溶液を添加、塩化メチレンで抽出、得られた有機層を飽和の塩化ナトリウム水溶液で洗浄、無水硫酸ナトリウム上で乾燥、減圧下溶媒留去し粗製物を得た。得られた粗製物をシリカゲルクロマトグラフィーで精製することにより目的物の４−（トリフルオロメチルスルホニル）ビフェニル（３）を収率８４％で得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）δ７．５０−７．５２（ｍ，３Ｈ），７．６４（ｄ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，２Ｈ），７．８６（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ），８．１０（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，２８２ＭＨｚ）δ−７８．９（ｓ，３Ｆ）。
ＭＳ（ＥＩ，ｍ／ｚ）２８６（Ｍ＋）。
【００２１】
実施例２〜９  各種トリフルオロメチルスルホニル化合物誘導体の調製
実施例１と同じ反応装置を用い、表１中に示した条件下、下記に示す反応を行った。結果を、ＲＳＯ２Ｆ（４）、ＲＳＯ２ＣＦ３（５）、Ｐ４−ｔＢｕ（equiv.）、Ｔｅｍｐ（温度、℃）、Ｔｉｍｅ（時間、ｈｒｓ）、収率（％）として、表１中に示した。
【００２２】
【化２】
0006664887.tif 000003
【００２３】
【表１】
0006664887.tif 000004
【００２４】
１）実施例２の生成物：１−クロロ−４−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）δ７．６６（ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，２Ｈ），７．９８（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，２Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，２８２ＭＨｚ）δ−７８．８（ｓ，３Ｆ）。 
ＭＳ（ＥＩ ｍ／ｚ）２４４（Ｍ＋）。
２）実施例３の生成物：１−ブロモ−２−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）δ７．６１−７．６２（ｍ，２Ｈ），７．８８（ｄ，Ｊ＝２．４Ｈｚ，１Ｈ），８．２３（ｍ，１Ｈ）。
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５．８ＭＨｚ）δ１１９．８（ｑ，Ｊ＝３３６．７Ｈｚ），１２３．６，１２８．４，１３１．７（ｄ，Ｊ＝１．３Ｈｚ），１３５．２，１３６．８，１３７．１。
１９Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１８８ＭＨｚ）δ−７６．２（ｓ，３Ｆ）。
ＩＲ（ｎｅａｔ）３０９０，２９２５，１５７４，１４２３，１３７２，１２６０，１２１７，１１４４，１０９１，１０２６，７６２，７３５，６９９，６４９，６０４，５７６，５４２，５２３，５０９，５０１。
ＭＳ（ＥＩ，ｍ／ｚ）２８８（Ｍ＋−１），２９０（Ｍ＋＋１）。
ＨＲＭＳ（ＥＩ）ｃａｌｃｄ．  ｆｏｒ  Ｃ８Ｈ４ＢｒＦ３Ｏ２Ｓ（Ｍ）＋：２８７．９０６７  Ｆｏｕｎｄ：２８７．９０７７。
３）実施例４の生成物：１−ブロモ−３−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）δ７．５７（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，１Ｈ），７．９８（ｍ，２Ｈ），８．１８（ｓ，１Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，２８２ＭＨｚ）δ−７８．５（ｓ，３Ｆ）。
ＭＳ（ＥＩ，ｍ／ｚ）２８８（Ｍ＋−１），２９０（Ｍ＋＋１）。
４）実施例５の生成物：１−ブロモ−４−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）δ７．８３（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），７．９０（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，２８２ＭＨｚ）δ−７８．７（ｓ，３Ｆ）。
ＭＳ（ＥＩ，ｍ／ｚ）２８８（Ｍ＋−１），２９０（Ｍ＋＋１）。
５）実施例６の生成物：１−ヨード−４−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）δ７．７２（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ），８．０６（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）。
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１２５．８ＭＨｚ）δ１０５．９，１１９．６（ｑ，Ｊ＝３２５．８Ｈｚ），１３０．９，１３１．７，１３９．３。
１９Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１８８ＭＨｚ）δ−７８．８（ｓ，３Ｆ）。
ＩＲ（ＫＢｒ）３０９０，２９２５，１９２３，１７９６，１６４９，１５６６，１４７０，１３６３，１２７５，１２１４，１１４０，１０７２，１００７，９５６，８８７，８１８，７６４，７３２，６９８，６１４，５７８，５２１ｃｍ−１。
ｍｐ＝７５．６−７６．６ oＣ（ＣＨＣｌ３）。
ＭＳ ＥＩ，ｍ／ｚ）３３６（Ｍ＋）。
ＨＲＭＳ（ＥＩ）ｃａｌｃｄ．  ｆｏｒ  Ｃ７Ｈ４Ｆ３ＩＯ２（Ｍ＋）：３３５．８９２９  Ｆｏｕｎｄ：３３５．８９４０。 
６）実施例７の生成物：１−ｉｓｏ−プロピル−４−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）δ１．３１（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，６Ｈ），３．０３−３．０８（ｍ，１Ｈ），７．５１（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），７．９５（ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，２８２ＭＨｚ）δ−７９．１（ｓ，３Ｆ）。 
ＭＳ（ＥＩ，ｍ／ｚ）２５２（Ｍ＋）。
７）実施例８の生成物：１−ｔｅｒｔ−ブチル−４−（トリフルオロメチルスルホニル）ベンゼン
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）δ１．３８（ｓ，９Ｈ），７．６７（ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ），７．９６（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，２８２ＭＨｚ）δ−７９．１（ｓ，３Ｆ）。 
ＭＳ（ＥＩ，ｍ／ｚ）２６６（Ｍ＋）。 
８）実施例９の生成物：１−（トリフルオロメチルスルホニル）ナフタレン
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）δ７．６６−７．７９（ｍ，３Ｈ），８．０１（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ），８．３０（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ），８．４７（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，１Ｈ），８．８２（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，２８２ＭＨｚ）δ−７８．３（ｓ，３Ｆ）。 
ＭＳ（ＥＩ，ｍ／ｚ）２６０（Ｍ＋）。
９）実施例１０の生成物：２−（トリフルオロメチルスルホニル）ナフタレン
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）δ７．７１−７．７８（ｍ，２Ｈ），７．９４−８．０１（ｍ，２Ｈ），８．０６−８．１１（ｍ，２Ｈ），８．６６（ｓ，１Ｈ）。
１９Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，２８２ＭＨｚ）δ−７８．７（ｓ，３Ｆ）。
ＭＳ（ＥＩ，ｍ／ｚ）２６０（Ｍ＋）。
【産業上の利用可能性】
【００２５】
本発明のトリフルオロメタンを用い、直接、求核的トリフルオロメチル基を導入する方法は、医農薬や電子材料分野において、トリフルオロメチルスルホニル化合物誘導体の合成方法として有用である。