(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電子部品上に、光硬化型の異方性導電フィルムを配置する工程（Ａ）と、
上記異方性導電フィルムを介して、上記第１の電子部品上に、第２の電子部品を配置する工程（Ｂ）と、
上記第２の電子部品側から光照射を行う工程（Ｃ）と、
加熱ツールで、上記第２の電子部品側から、上記第１の電子部品と上記第２の電子部品とを接続する工程（Ｄ）とを有し、
上記工程（Ｄ）における上記第１の電子部品と上記第２の電子部品とのアライメントズレ量は、上記異方性導電フィルムに含有された導電性粒子の粒子径の５０％以内である、接続体の製造方法。
【請求項２】
上記工程（Ｂ）における上記第１の電子部品と上記第２の電子部品とのアライメントズレ量は、上記第１の電子部品の電極又は上記第２の電子部品の電極の短手幅の１０％以内である、請求項１記載の接続体の製造方法。
【請求項３】
上記工程（Ｂ）における上記第１の電子部品と上記第２の電子部品とのアライメントズレ量は、１μｍ以内である、請求項２記載の接続体の製造方法。
【請求項４】
上記工程（Ａ）と上記工程（Ｂ）との間に、上記第１の電子部品上に配置した異方性導電フィルム全面に対して光照射を行う工程（Ｅ）をさらに有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の接続体の製造方法。
【請求項５】
上記工程（Ｃ）の前後に、上記第２の電子部品を押圧する工程（Ｆ）をさらに有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の接続体の製造方法。
【請求項６】
上記工程（Ｃ）における積算光量が３００ｍＪ／ｃｍ２以上である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の接続体の製造方法。
【請求項７】
上記工程（Ｄ）では、上記第１の電子部品側から上記異方性導電フィルムに光照射を行う、請求項１〜６のいずれか１項に記載の接続体の製造方法。
【請求項８】
上記工程（Ｄ）における積算光量が３００〜１２００ｍＪ／ｃｍ２である、請求項７記載の接続体の製造方法。
【請求項９】
上記工程（Ｅ）における積算光量が１００ｍＪ／ｃｍ２未満である、請求項４記載の接続体の製造方法。
【請求項１０】
上記第１の電子部品は透明基板である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の接続体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光硬化型の異方性導電フィルムを介して第１の電子部品上に第２の電子部品を接続する接続体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、テレビやＰＣモニタ、携帯電話、携帯型ゲーム機、タブレットＰＣあるいは車載用モニタ等の各種表示手段として、液晶表示装置が多く用いられている。近年、このような液晶表示装置においては、ファインピッチ化、軽量薄型化等の観点から、液晶駆動用ＩＣを直接液晶表示パネルの基板上に実装するいわゆるＣＯＧ（chip  on  glass）や、液晶駆動回路が形成されたフレキシブル基板を直接液晶表示パネルの基板上に実装するいわゆるＦＯＧ（film on glass）が採用されている（例えば特許文献１、２を参照）。
【０００３】
例えば熱硬化型の異方性導電フィルムを用いた接続方法は、一般的に熱加圧温度が高く、液晶駆動用ＩＣ等の電子部品や透明基板に対する熱衝撃が大きくなる傾向にある。このように透明基板に対する熱衝撃が大きくなると、例えば透明基板の端子部に反りが生じうる。また、異方性導電フィルムが接続された後、常温まで温度が低下する際にも、その温度差に起因してバインダーが収縮し、透明基板の端子部に反りが生じるおそれがある。このように透明基板の端子部に反りが生じる結果、表示ムラや液晶駆動用ＩＣの接続不良が発生するおそれがある。
【０００４】
熱硬化型の異方性導電フィルムに代えて、紫外線硬化型の異方性導電フィルムを用いた接続方法も考えられる。紫外線硬化型の異方性導電フィルムを用いた接続方法は、熱硬化型の異方性導電フィルムと比較して、バインダー樹脂を硬化させるために高熱をかける必要がなく、液晶駆動用ＩＣや透明基板に対する熱衝撃による不具合を抑制できる。紫外線硬化型の異方性導電フィルムを用いた低温接続を行うためには、紫外線硬化型の異方性導電フィルムのバインダー樹脂の粘度そのものを下げる必要がある。
【０００５】
バインダー樹脂の粘度を下げると、液晶駆動用ＩＣ等の電子部品を搭載し、熱圧着手段によって押圧した際や、液晶駆動用ＩＣから熱圧着手段が離間する際に液晶駆動用ＩＣのアライメントずれが発生することが懸念される。このアライメントずれにより、液晶駆動用ＩＣの電極端子と、この電極端子と接続される透明基板の端子部に隣接する端子部とのピッチが狭まってしまい、その結果、導電性粒子を介して短絡する等、接続不良が発生しやすい傾向となる。また、このアライメントずれは電子部品の搭載時にも生じる懸念がある。そのため、接続時にもアライメントずれが発生することは、短絡発生の点からも回避することが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−１５５９３６号公報
【特許文献２】特開２０１５−１６７１８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上述した課題を解決するものであり、電子部品の接続工程におけるアライメントずれを防止し、接続不良を抑制できる接続体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決するために、本発明に係る接続体の製造方法は、第１の電子部品上に、光硬化型の異方性導電フィルムを配置する工程（Ａ）と、異方性導電フィルムを介して、第１の電子部品上に、第２の電子部品を配置する工程（Ｂ）と、第２の電子部品側から光照射を行う工程（Ｃ）と、加熱ツールで、第２の電子部品側から、第１の電子部品と第２の電子部品とを接続する工程（Ｄ）とを有し、工程（Ｄ）における第１の電子部品と第２の電子部品とのアライメントズレは、異方性導電フィルムに含有された導電性粒子の粒子径の５０％以内である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、電子部品の接続工程におけるアライメントずれを防止し、接続体の接続不良を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、第１の電子部品上に異方性導電フィルムを配置する工程（Ａ）の一例を示す断面図である。
【図２】図２は、異方性導電フィルムの一例を示す断面図である。
【図３】図３は、異方性導電フィルムを介して、第１の電子部品上に第２の電子部品を配置する工程（Ｂ）の一例を示す断面図である。
【図４】図４は、第２の電子部品側から光照射を行う工程（Ｃ）の一例を示す断面図である。
【図５】図５は、第１の電子部品と第２の電子部品とを接続する工程（Ｄ）の一例を示す断面図である。
【図６】図６は、第２の電子部品が第１の電子部品上に接続された接続体の一例を示す断面図である。
【図７】図７は、工程（Ａ）と工程（Ｂ）との間に、第１の電子部品上に配置した異方性導電フィルム全面に対して光照射を行う工程（Ｅ）の一例を示す断面図である。
【図８】図８は、工程（Ｄ）において、加熱ツールで第１の電子部品と第２の電子部品とを接続する際に、光照射を併用する場合の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明が適用された接続体の製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１２】
［接続体の製造方法］
本製造方法は、以下の工程（Ａ）、工程（Ｂ）、工程（Ｃ）、及び工程（Ｄ）を有する。
工程（Ａ）：第１の電子部品上に、光硬化型の異方性導電フィルムを配置する。
工程（Ｂ）：異方性導電フィルムを介して、第１の電子部品上に、第２の電子部品を配置する。
工程（Ｃ）：第２の電子部品側から光照射を行う。
工程（Ｄ）：加熱ツールで、第２の電子部品側から、第１の電子部品と第２の電子部品とを接続する。
【００１３】
［工程（Ａ）］
工程（Ａ）では、図１に示すように、第１の電子部品１２上に、光硬化型の異方性導電フィルム１を配置（仮貼り）する。第１の電子部品１２は、第２の電子部品に接続される電極１２ａを有する。第１の電子部品１２は、例えば、ＬＣＤパネルや有機ＥＬ（ＯＬＥＤ）などのフラットパネルディスプレイ用途、タッチパネル用途などのガラス基板、プリント配線板などが挙げられる。プリント配線板の材質は特に限定されない。プリント配線板の材質は、例えば熱可塑性樹脂などのプラスチックやセラミックなどでもよい。また、ガラス基板も透明性の高いものであれば特に限定されず、熱可塑性樹脂などのプラスチック基板であってもよい。第２の電子部品は特に限定されないが、光照射の光を透過させないものである方が、第２の電子部品の接続前の固定化に適するため好ましい。
【００１４】
工程（Ａ）では、例えば図１に示すように、異方性導電フィルム１のバインダー樹脂層３が電極１２ａ側となるように、第１の電子部品１２の電極１２ａ上に異方性導電フィルム１を配置する。バインダー樹脂層３を電極１２ａ上に配置した後、剥離フィルム２側からバインダー樹脂層３を例えば熱圧着ツールで加熱及び加圧し、熱圧着ツールを剥離フィルム２から離し、剥離フィルム２をバインダー樹脂層３から剥離する。異方性導電フィルム１の仮貼りは、熱圧着ツールによる加圧及び光照射により行ってもよく、熱加圧と光照射を併用して行ってもよい。
【００１５】
異方性導電フィルム１は、例えば図２に示すように、通常、基材となる剥離フィルム２上に導電性粒子を含有するバインダー樹脂層（接着剤層）３が形成されている。異方性導電フィルムは、ペースト状の異方性導電接着剤と比べて取扱い性に優れる。異方性導電フィルム１は、第１の電子部品１２に形成された電極１２ａと、第２の電子部品１８の間にバインダー樹脂層３を介在させることで、第１の電子部品１２の電極１２ａと第２の電子部品１８の電極１８ａとを接続させるために用いられる。異方性導電フィルムの重合型は、カチオン重合型、アニオン重合型、又はラジカル重合型のいずれであってもよい。また、特に支障を来たさなければ、例えばカチオン重合型とラジカル重合型を併用してもよい。また、異方性導電フィルムの重合には、熱と光を併用してもよい。
【００１６】
剥離フィルム２としては、異方性導電フィルムにおいて一般に用いられる基材、例えばポリエチレンテレフタレートフィルム等を使用することができる。
【００１７】
バインダー樹脂層３は、バインダー中に導電性粒子４を分散してなるものである。バインダーは、膜形成樹脂、硬化性樹脂、硬化剤、シランカップリング剤等を含有するものであり、通常の異方性導電フィルムに用いられるバインダーを用いることができる。
【００１８】
膜形成樹脂としては、例えば平均分子量が１００００〜８００００程度の樹脂が好ましい。膜形成樹脂としては、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、変形エポキシ樹脂、ウレタン樹脂等の各種の樹脂が挙げられる。中でも、膜形成状態、接続信頼性等の観点からフェノキシ樹脂が特に好ましい。
【００１９】
硬化性樹脂としては、特に限定されず、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。具体例として、例えば、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは単独でも、２種以上の組み合わせであってもよい。例えば硬化性樹脂として、エポキシ樹脂とアクリル樹脂とを併用してもよい。
【００２０】
アクリル樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、具体例として、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、エポキシアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、テトラメチレングリコールテトラアクリレート、２−ヒドロキシ−１，３−ジアクリロキシプロパン、２，２−ビス［４−（アクリロキシメトキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（アクリロキシエトキシ）フェニル］プロパン、ジシクロペンテニルアクリレート、トリシクロデカニルアクリレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ウレタンアクリレート等が挙げられる。これらは単独でも、２種以上の組み合わせであってもよい。
【００２１】
硬化剤としては、光硬化型であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合はカチオン系硬化剤が好ましく、アニオン系硬化剤であってもよい。硬化性樹脂がアクリル樹脂の場合はラジカル系硬化剤が好ましい。
【００２２】
カチオン系硬化剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スルホニウム塩、オニウム塩等を挙げることができ、これらの中でも、芳香族スルホニウム塩が好ましい。ラジカル系硬化剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、有機過酸化物を挙げることができる。
【００２３】
シランカップリング剤としては、エポキシ系、アミノ系、メルカプト・スルフィド系、ウレイド系等を挙げることができる。シランカップリング剤を添加することにより、有機材料と無機材料との界面における接着性が向上される。
【００２４】
導電性粒子４としては、異方性導電フィルムにおいて使用されている公知の何れの導電性粒子を挙げることができる。導電性粒子４としては、例えば、ニッケル、鉄、銅、アルミニウム、錫、鉛、クロム、コバルト、銀、金等の各種金属や金属合金の粒子、金属酸化物、カーボン、グラファイト、ガラス、セラミック、プラスチック等の粒子の表面に金属をコートしたもの、或いは、これらの粒子の表面に更に絶縁薄膜をコートしたもの等が挙げられる。樹脂粒子の表面に金属をコートしたものである場合、樹脂粒子としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリル・スチレン（ＡＳ）樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジビニルベンゼン系樹脂、スチレン系樹脂等の粒子を挙げることができる。導電性粒子は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２５】
［工程（Ｂ）］
工程（Ｂ）では、図３に示すように、異方性導電フィルム１を介して、第１の電子部品１２上に第２の電子部品１８を配置する。第２の電子部品１８は、第１の電子部品１２と対向する面に電極１８ａが形成されている。電極１８ａは、第１の電子部品１２の電極１２ａに対応する間隔で形成されている。電極１８ａは、例えば金属材料で形成されている。第２の電子部品１８としては、例えばフレキシブル基板、テープキャリアパッケージ基板、ＩＣなどが挙げられる。また、ＩＣをフレキシブル基板に実装したＣＯＦ（Chip On Film）などであってもよい。
【００２６】
工程（Ｂ）では、第２の電子部品１８と第１の電子部品１２とのアライメントを行うことが好ましい。例えば図３に示すように、各電極１２ａと各電極１８ａとがバインダー樹脂層３を介して対向するように、第２の電子部品１８を配置する。
【００２７】
第２の電子部品１８上に第１の電子部品１２を搭載する際には、一般的に、装置に由来するアライメントズレが発生してしまう傾向にある。従って、接続時に更にアライメントズレが発生することを回避することが望まれる。このような電子部品搭載時のアライメントズレは、例えば第１の電子部品１２の電極１２ａ、又は第２の電子部品１８の電極１８ａの短手（幅）に対して５〜１０％であることが好ましい。また、工程（Ｄ）、すなわち第１の電子部品１２と第２の電子部品１８とを接続する工程では、さらなるアライメントズレを防止することが求められる。この接続する工程におけるアライメントズレはゼロであることが求められるが、導電性粒子径の５０％以内であることが実用上好ましい。接続体としては、電極の短手の１０％と導電性粒子径の５０％以内のアライメントズレであることが好ましく、電極の短手の５％と導電性粒子径の５０％以内のアライメントズレであることがより好ましい。本製造方法では、以下の工程（Ｃ）を有することにより、電子部品の接続工程におけるアライメントずれを防止する。
【００２８】
［工程（Ｃ）］
工程（Ｃ）では、第２の電子部品１８側から光照射を行う。光照射の方法は、例えば図４に示すように、第２の電子部品１８側に配置された紫外線照射器３１から紫外線を照射する方法が挙げられる。紫外線照射器３１としては、ＬＥＤランプ、水銀ランプ、メタルハライドランプ等を用いることができる。紫外線が第２の電子部品１８及びバインダー樹脂層３に照射されることにより、第２の電子部品１８の周縁部のバインダー樹脂層３の硬化が開始されるため、少なくとも第２の電子部品１８の周縁部とバインダー樹脂層３とを仮圧着することができる。これにより、例えば後述する工程（Ｄ）における第２の電子部品１８のアライメントずれを抑制できる。
【００２９】
工程（Ｃ）において照射する積算光量は、第２の電子部品１８のアライメントずれを抑制する観点から、例えば２００ｍＪ／ｃｍ２以上とすることが好ましく、３００〜７００ｍＪ／ｃｍ２とすることがより好ましい。
【００３０】
［工程（Ｄ）］
工程（Ｄ）では、加熱ツールで、第２の電子部品１８側から、第１の電子部品１２と第２の電子部品１８とを接続する（本圧着工程）。工程（Ｄ）では、例えば図５に示すように、緩衝材３２を介して熱圧着ツール３０により加熱するとともに、導電性粒子４を第２の電子部品１８の電極１８ａ及び電極１２ａの間で挟持させることが可能となるような圧力で加圧する。熱圧着ツール３０による熱加圧温度は、硬化開始前にバインダー樹脂層が溶融したときの粘度（最低溶融粘度）を示す所定の温度に対して±１０〜２０℃の温度（例えば８０℃前後）に設定することが好ましい。これにより、第１の電子部品１２の反りを抑制し、熱による第２の電子部品１８の損傷を抑制することができる。
【００３１】
本圧着工程では、第２の電子部品１８の電極１８ａと電極１２ａとの間からバインダー樹脂が流出するとともに、電極１８ａと電極１２ａとの間で導電性粒子４を挟持させる。そして、加熱によりバインダー樹脂が硬化され、図６に示すように、第２の電子部品１８が第１の電子部品１２上に接続された接続体１０が得られる。
【００３２】
本製造方法では、本圧着工程前に、第２の電子部品１８側から光照射を行うことにより、第２の電子部品１８の周縁部のバインダー樹脂層３の硬化が開始され、第２の電子部品１８の周縁部とバインダー樹脂層３とを仮圧着することができる。また、本圧着工程前に、異方性導電フィルム１のバインダー樹脂の粘度がある程度高められる。そのため、例えば本圧着工程における熱加圧時や熱圧着ツールの離間時に第２の電子部品１８のアライメントずれを抑制できる。したがって、アライメントずれによる端子間ショート、例えば電極１８ａと、電極１８ａと接続される電極１２ａに隣接する電極とのピッチが狭まってしまうことにより、導電性粒子４を介して短絡してしまう端子間ショートを抑制できる。特に、ファインピッチ化された電子部品を用いた場合にも同様の効果が得られる。
【００３３】
なお、本製造方法は、以下に示す工程（Ｅ）や、工程（Ｆ）をさらに有していてもよい。本製造方法は、例えば工程（Ａ）と工程（Ｂ）との間に、図７に示すように、第１の電子部品１２上に配置した異方性導電フィルム１全面に対して光（好ましくは紫外線）照射を行う工程（Ｅ）をさらに有していてもよい。工程（Ｅ）で照射する積算光量は、第２の電子部品１８のアライメントずれを抑制する観点、及び工程（Ｄ）において接続性を良好にする観点から、大きすぎないことが好ましい。工程（Ｅ）における積算光量は、例えば１００ｍＪ／ｃｍ２未満とすることが好ましく、１０〜５０ｍＪ／ｃｍ２とすることがより好ましい。
【００３４】
また、本製造方法は、工程（Ｃ）の前後に第２の電子部品１８を押圧する工程（Ｆ）をさらに有していてもよい。この押圧は、工程（Ｂ）において第２の電子部品１８を異方性導電フィルム１上に配置する際に行ってもよいし、工程（Ｃ）において第２の電子部品１８側からの紫外線照射とともに行ってもよい。押圧は、例えば、第２の電子部品１８の上面を所定の加熱温度に昇温された熱圧着ツールにより、緩衝材を介して、工程（Ｄ）よりも低温、低圧で行うことが好ましい。
【００３５】
また、本製造方法は、工程（Ｄ）において、例えば図８に示すように、加熱ツールで第１の電子部品１２と第２の電子部品１８とを接続する際に、光照射を併用してもよい。光照射は、例えば第１の電子部品１２側に配置された紫外線照射器３１を用いて行うことができる。これにより、バインダー樹脂層３をより効果的に硬化させることができる。工程（Ｄ）において光照射を併用する場合、工程（Ｄ）における積算光量は、例えば、３００〜１２００ｍＪ／ｃｍ２とすることが好ましい。
【００３６】
また、本製造方法は、工程（Ｃ）における光照射を工程（Ａ）、すなわち異方性導電フィルム１を配置するときから開始してもよい。
【実施例】
【００３７】
次いで、本技術の実施例について説明する。本実施例では、評価用ＩＣとＩＴＯコーティングガラスとを光硬化型の異方性導電フィルムを介して接続した接続体サンプルを得た。そして、得られた接続体サンプルについて、接続初期及び信頼性試験後における導通抵抗値、並びに評価用ＩＣのアライメントずれ量を測定した。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
【００３８】
評価素子として、以下の条件の評価用ＩＣを用いた。
外形；１．８ｍｍ×２０ｍｍ
バンプ高さ；１５μｍ
バンプサイズ；３０×６０μｍ（最小バンプ間スペース１０μｍ）
【００３９】
評価用ＩＣが接続される評価基材として、厚さ０．５ｍｍのＩＴＯコーティングガラスを用いた。
【００４０】
光硬化型の異方性導電フィルムは、以下の方法で得られたものを用いた。下記各成分を酢酸エチル、トルエンにて固形分５０％になるように混合溶液を作成し、導電性粒子（ＡＵＬ７０４：平均粒子径４μｍ、積水化学工業株式会社製）を粒子密度が約５０，０００個／ｍｍ2になるように分散させた。
フェノキシ樹脂（ＹＰ−５０：新日鉄住金化学株式会社製）；４５質量部
イソシアヌル酸ＥＯ変性ジアクリレート（Ｍ−２１５：東亜合成株式会社製）；４５質量部
シランカップリング剤（ＫＢＭ−４０３：信越化学工業株式会社製）；２質量部
光ラジカル発生剤（イルガキュア３６９：ＢＡＳＦジャパン株式会社製）；８質量部
【００４１】
得られた混合溶液を厚さ５０μｍのＰＥＴフィルム上に塗布し、７０℃オーブンにて５分間乾燥し、厚さ２０μｍのフィルム状に成形した。これにより、光硬化型の異方性導電フィルムを得た。
【００４２】
［実施例１］
評価基材上に異方性導電フィルムを配置し、この異方性導電フィルムを介して評価基材上に評価用ＩＣを配置した。配置した評価用ＩＣ側から、紫外線照射器（ＺＵＶ−Ｃ３０Ｈ：オムロン株式会社製）で紫外線を照射し（工程（Ｃ））仮圧着を行った。仮圧着後、評価用ＩＣ側から熱圧着ツールで熱加圧及び紫外線照射器で紫外線を照射し（工程（Ｄ））本圧着を行い、接続体サンプルを得た。
【００４３】
仮圧着時の紫外線照射量は、２００ｍＪ／ｃｍ2とした。また、本圧着条件は、１００℃、８０ＭＰａ、５秒であり、押圧時には熱圧着ツールと評価用ＩＣの間には緩衝材として厚み５０μｍのテフロン（登録商標）シートを介した。また、紫外線照射は、熱圧着ツールによる加熱加圧から２秒後に開始し、照射時間は３秒、照度は１００ｍＷ／ｃｍ2とした。本圧着時の紫外線照射は、ガラス基板側から行った。
【００４４】
得られた接続体サンプルについて、初期導通抵抗値（Ω）及び信頼性試験後の導通抵抗値（Ω）を測定した。信頼性試験の条件は、温度８５℃、相対湿度８５％、５００時間である。導通抵抗値の測定は、評価用ＩＣのバンプと接続された評価基材の配線にデジタルマルチメータを接続し、４端子法で電流２ｍＡを流したときの抵抗値を測定した。
【００４５】
また、実体顕微鏡を用いて、得られた接続体サンプルのアライメントずれ量（バンプ配列方向、即ちバンプの短手方向）を測定した。なお、評価用ＩＣ搭載時のアライメントズレ量は１μｍ以内であった。接続の前後を確認することで接続時のアライメントズレ量を求めた。接続時のアライメントずれ量の許容範囲は、バンプの短手方向の導電性粒子径の５０％以内とした。
【００４６】
［実施例２］
仮圧着時の紫外線照射量を６００ｍＪ／ｃｍ2に変更したこと以外は、実施例１と同様の条件で接続体サンプルを得た。
【００４７】
［実施例３］
仮圧着時の紫外線照度と照射時間を変更したこと、及び本圧着時に紫外線照射を行わず熱加圧のみを行ったこと以外は、実施例１と同様の条件で接続体サンプルを得た。
【００４８】
［実施例４］
仮圧着時の紫外線照度と照射時間を変更したこと、及び仮圧着時に評価用ＩＣ側から熱圧着ツールで熱加圧を行った後、評価用ＩＣ側から紫外線を照射したこと以外は、実施例１と同様の条件で接続体サンプルを得た。仮圧着時の熱加圧条件は、８０℃、２ＭＰａ、２秒であり、押圧時には熱圧着ツールと評価用ＩＣの間には緩衝材として厚み５０μｍのテフロン（登録商標）シートを介した。
【００４９】
［実施例５］
仮圧着時の紫外線照度と照射時間を変更したこと、及び仮圧着時に評価用ＩＣ側から熱圧着ツールで熱加圧を行った後、評価用ＩＣ側から紫外線を照射したこと以外は、実施例３と同様の条件で接続体サンプルを得た。仮圧着時の熱加圧条件は、８０℃、２ＭＰａ、２秒であり、押圧時には熱圧着ツールと評価用ＩＣの間には緩衝材として厚み５０μｍのテフロン（登録商標）シートを介した。
【００５０】
［実施例６］
仮圧着時に評価用ＩＣ側から紫外線を照射した後に、評価用ＩＣ側から熱圧着ツールで熱加圧を行ったこと以外は、実施例１と同様の条件で接続体サンプルを得た。仮圧着時の熱加圧条件は、８０℃、２ＭＰａ、２秒であり、押圧時には熱圧着ツールと評価用ＩＣの間には緩衝材として厚み５０μｍのテフロン（登録商標）シートを介した。
【００５１】
［実施例７］
仮圧着時の紫外線照度と照射時間を変更したこと、及び仮圧着時に評価用ＩＣ側から紫外線を照射した後に、評価用ＩＣ側から熱圧着ツールで熱加圧を行ったこと以外は、実施例３と同様の条件で接続体サンプルを得た。仮圧着時の熱加圧条件は、８０℃、２ＭＰａ、２秒であり、押圧時には熱圧着ツールと評価用ＩＣの間には緩衝材として厚み５０μｍのテフロン（登録商標）シートを介した。
【００５２】
［実施例８］
評価基材上に配置した異方性導電フィルム側から、異方性導電フィルム全面に紫外線照射器で紫外線を照射し（工程（Ｅ））、紫外線照射後の異方性導電フィルムを介して評価基材上に評価用ＩＣを配置したこと以外は、実施例１と同様の条件で接続体サンプルを得た。
【００５３】
［実施例９］
評価基材上に配置した異方性導電フィルム側から、異方性導電フィルム全面に紫外線照射器で紫外線を照射し、紫外線照射後の異方性導電フィルムを介して評価基材上に評価用ＩＣを配置したこと以外は、実施例３と同様の条件で接続体サンプルを得た。
【００５４】
［比較例１］
異方性導電フィルム全面に紫外線を照射する際の積算光量が１００ｍＪ／ｃｍ2となるように紫外線照射時間を変更したこと以外は、実施例８と同様の条件で行った。
【００５５】
［比較例２］
異方性導電フィルム全面に紫外線を照射する際の積算光量が２００ｍＪ／ｃｍ2となるように紫外線照射時間を変更したこと以外は、実施例８と同様の条件で行った。
【００５６】
【表１】
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【００５７】
実施例の結果から、電子部品の接続工程におけるアライメントずれを防止することができ、接続体の接続不良を抑制できることが分かった。
【００５８】
比較例１、２では、得られた接続体サンプルの初期導通抵抗値を測定した際にオーバーレンジが表示された。これは、工程（Ｅ）、すなわち異方性導電フィルム全面に紫外線を照射する際の積算光量が大きすぎたため、異方性導電フィルムが本硬化してしまい接続不良が発生したと考えられる。
【符号の説明】
【００５９】
１  異方性導電フィルム、２  剥離フィルム、３  バインダー樹脂層、４  導電性粒子、１０  接続体、１２  第１の電子部品、１８  第２の電子部品、３０  熱圧着ツール、３１  紫外線照射器、３２  緩衝材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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