(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号線と、走査線と、前記信号線を覆う第１絶縁膜と、前記信号線に沿って形成されたスリットにより分割された第１共通電極と第２共通電極と、前記信号線に沿って形成された第１金属層と第２金属層と、前記第１絶縁膜上の第２絶縁膜と、を備える第１基板と、
スペーサを備え、前記第１基板に対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に封入された液晶層と
を具備し、
前記第１金属層、前記第２金属層、前記第１共通電極及び前記第２共通電極は前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に位置し、
前記第１金属層は、前記第１共通電極に接する第１部分と、前記スリットと重なる位置において前記第１絶縁膜に接する第２部分と、を有し、前記第２共通電極に接しておらず、
前記第２金属層は、前記第２共通電極に接し、
前記信号線は、前記スリットと前記第１金属層の第２部分に重なり、
前記スペーサは、前記信号線及び前記走査線と重なる位置において前記第１基板と接触し、
前記第１金属層は、前記スペーサが前記第１基板と接触する位置に分断部を有し、前記分断部において前記第１金属層が形成されていない、
液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１金属層の、前記スペーサが前記第１基板と接触する位置における前記分断部は、前記第１金属層の前記信号線が延出する方向の一方側の第１端部と、他方側の第２端部により分断された領域であり、前記第１端部は前記走査線に重ならず、前記第２端部は前記走査線に重なる、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１基板は、
前記第２絶縁膜上に位置し、前記第１共通電極もしくは前記第２共通電極に対向する複数の画素電極と、
前記画素電極と同層において前記画素電極と同一材料で形成され、前記スリット及び前記第１金属層の前記第２部分を覆う導電層と、
前記複数の画素電極及び前記導電層を覆う配向膜とをさらに備え、
前記導電層の幅中心は、前記第１金属層の幅中心と重ならない、請求項１又は請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１共通電極及び前記第２共通電極に対して、表示領域に画像を表示するための電圧、又は、前記表示領域に近接する物体を検出するための駆動信号を選択的に供給するドライバモジュールと、
前記第１共通電極及び前記第２共通電極に対向する検出電極と、
前記第１共通電極及び前記第２共通電極に前記駆動信号が供給された際に、前記検出電極から得られる信号に基づき、前記表示領域に近接する物体を検出する検出モジュールと、
をさらに備える、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置が盛んに開発されており、中でも液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力等の利点から特に注目を集めている。特に、各画素にスイッチング素子を組み込んだアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、画素電極と共通電極の双方をアレイ基板に設け、これら電極を絶縁膜を介して対向させた構造が注目されている。
一般に、共通電極は、複数に分割して設けられる。共通電極の分割の態様としては、例えば、隣り合う共通電極の境界を形成するスリットを、画素に映像信号を供給する信号線に沿うように設けることが考えられる。
【０００３】
上述したスリットが設けられることにより、スリットの近傍に位置する信号線と画素電極との間に電界が発生し、この電界の一部が液晶層に漏れてしまう可能性がある。液晶層に漏れた電界は、例えば画面にクロストーク状のスジを発生させる等、液晶表示装置の表示品位を低下させ得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１４９８１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
実施形態の一態様における目的は、表示品位に優れた液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に係る液晶表示装置は、第１基板と、第２基板と、液晶層とを備える。上記第１基板は、信号線と、走査線と、上記信号線を覆う第１絶縁膜と、上記信号線に沿って形成されたスリットにより分割された第１共通電極と第２共通電極と、上記信号線に沿って形成された第１金属層と第２金属層と、上記第１絶縁膜上の第２絶縁膜と、を備える。上記第２基板は、スペーサを備え、上記第１基板に対向配置される。上記液晶層は、上記第１基板と上記第２基板との間に封入される。上記第１金属層、上記第２金属層、上記第１共通電極及び上記第２共通電極は上記第１絶縁膜と上記第２絶縁膜との間に位置する。上記第１金属層は、上記第１共通電極に接する第１部分と、上記スリットと重なる位置において上記第１絶縁膜に接する第２部分と、を有し、上記第２共通電極に接していない。上記第２金属層は、上記第２共通電極に接する。上記信号線は、上記スリットと上記第１金属層の第２部分に重なる。上記スペーサは、上記信号線及び上記走査線と重なる位置において上記第１基板と接触する。上記第１金属層は、上記スペーサが上記第１基板と接触する位置に分断部を有し、上記分断部において上記第１金属層が形成されていない。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る液晶表示装置の概略的な構成を示す平面図である。
【図２】図２は、表示領域に接触或いは近接する物体を検出する原理の一例を示す図である。
【図３】図３は、第１の実施形態に係る液晶表示装置において、画像表示に関わる概略的な等価回路を示す図である。
【図４】図４は、第１の実施形態に係る液晶表示装置において、アレイ基板に形成された３つの副画素からなる１つの画素を対向基板の側から見た概略平面図である。
【図５】図５は、第１の実施形態に係る液晶表示装置において、アレイ基板に形成される多数の副画素を対向基板の側から見た概略平面図である。
【図６】図６は、図５の線Ａ−Ａ’に沿った液晶表示装置の一部を示す断面図である。
【図７】図７は、第１の実施形態に係る液晶表示装置の比較例となる液晶表示装置の一部を示す断面図である。
【図８】図８は、図７に示す断面図の一部を拡大した図である。
【図９】図９は、第２の実施形態に係る液晶表示装置において、アレイ基板に形成される多数の副画素を対向基板の側から見た概略平面図である。
【図１０】図１０は、図９の線Ｂ−Ｂ’に沿った液晶表示装置の一部を示す断面図である。
【図１１】図１１は、第３の実施形態に係る液晶表示装置が備える各スイッチ群のタッチ検出期間における状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
いくつかの実施形態につき、図面を参照しながら説明する。  
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有される。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。各図において、連続して配置される同一又は類似の要素については符号を省略することがある。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。
【０００９】
各実施形態においては、表示装置の一例として、液晶表示素子を用いた表示パネルを備えるとともに、タッチ検出機能を有した表示装置を開示する。ただし、各実施形態は、液晶表示素子以外の表示素子を用いた表示装置に対する、各実施形態にて開示される個々の技術的思想の適用を妨げるものではない。液晶表示素子以外の表示素子としては、有機エレクトロルミネッセンス表示素子等を有する自発光型の表示パネル、或いは電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示パネルなどが想定される。
【００１０】
＜第１の実施形態＞  
図１は、第１の実施形態に係る液晶表示装置１の概略的な構成を示す平面図である。液晶表示装置１は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、パーソナルコンピュータ、テレビ受像装置、車載装置、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。
【００１１】
液晶表示装置１は、液晶表示パネル２と、複数の駆動電極ＴＸ（ＴＸ１〜ＴＸｎ）と、各駆動電極ＴＸと対向する複数の検出電極ＲＸ（ＲＸ１〜ＲＸｍ）と、ドライバモジュールとして機能するドライバＩＣ３と、検出モジュールとして機能するタッチ検出ＩＣ４とを備えている。ｎ及びｍは、例えば２以上の整数である。駆動電極は、共通電極と呼ばれる場合もある。
【００１２】
液晶表示パネル２は、矩形状のアレイ基板ＡＲ（第１基板）と、このアレイ基板ＡＲよりも外形が小さい矩形状の対向基板ＣＴ（第２基板）とを備えている。図１の例において、アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴは、３辺を重ねて貼り合わされている。アレイ基板ＡＲは、対向基板ＣＴと対向しない端子領域ＮＡ（非対向領域）を有している。
【００１３】
アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴが対向する領域において、液晶表示パネル２は、画像を表示する表示領域（アクティブエリア）ＤＡと、表示領域ＤＡと液晶表示パネル２の端部との間の周辺領域ＦＡとを有している。図１の例において、表示領域ＤＡは、端子領域ＮＡ側の第１辺Ｅ１と、第１辺Ｅ１の反対側の第２辺Ｅ２と、第１辺Ｅ１及び第２辺Ｅ２を繋ぐ第３辺Ｅ３及び第４辺Ｅ４とを有した長方形状である。以下の説明においては、第１辺Ｅ１及び第２辺Ｅ２と平行な方向を第１方向Ｘと呼び、第３辺Ｅ３及び第４辺Ｅ４と平行な方向を第２方向Ｙと呼ぶ。本実施形態においては、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙが垂直に交わるが、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは他の角度で交わっても良い。
【００１４】
表示領域ＤＡにおいて、駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎは、第１辺Ｅ１から第２辺Ｅ２に至るまで第２方向Ｙに延びると共に第１方向Ｘに並んでいる。駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎは、例えばインジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）等の透明導電膜で形成することができる。駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎは、例えば液晶表示パネル２の内部、つまり、アレイ基板ＡＲに形成されている。
【００１５】
表示領域ＤＡにおいて、検出電極ＲＸ１〜ＲＸｍは、第３辺Ｅ３から第４辺Ｅ４に至るまで第１方向Ｘに延びると共に第２方向Ｙに並んでいる。検出電極ＲＸ１〜ＲＸｍは、ＩＴＯ等の透明導電膜や、金属線を用いた導電パターンによって形成することができる。検出電極ＲＸ１〜ＲＸｍは、例えば対向基板ＣＴのアレイ基板ＡＲと対向する面とは反対側の表面に形成されている。
【００１６】
ドライバＩＣ３は、画像表示に関する制御を実行するものであり、端子領域ＮＡに実装されている。ドライバＩＣは、例えばＣＯＧ（Chip On Glass）方式により実装されているが、第１フレキシブル配線基板６に実装されたものであっても良い。  
端子領域ＮＡには、実装端子５が形成されている。実装端子５には、画像データを液晶表示パネル２に供給する第１フレキシブル配線基板６が接続されている。
【００１７】
端子領域ＮＡに沿う対向基板ＣＴの端部には、実装端子７が形成されている。実装端子７には、検出電極ＲＸ１〜ＲＸｍからの検出信号を出力する第２フレキシブル配線基板８が接続されている。図１の例において、タッチ検出ＩＣ４は、第２フレキシブル配線基板８に実装されている。
【００１８】
検出電極ＲＸ１〜ＲＸｍは、例えば周辺領域ＦＡにおいて対向基板ＣＴの表面に形成された検出配線ＤＬを介して実装端子７と接続されている。
【００１９】
続いて、駆動電極ＴＸ及び検出電極ＲＸにより表示領域ＤＡに接触或いは近接する物体を検出する原理の一例につき、図２を用いて説明する。  
互いに対向する駆動電極ＴＸと検出電極ＲＸとの間には、容量Ｃｃが存在する。駆動電極ＴＸに駆動信号Ｓｔｘが供給されると、容量Ｃｃを介して検出電極ＲＸに電流が流れるため、検出電極ＲＸから検出信号Ｓｒｘが得られる。駆動信号Ｓｔｘは例えば矩形パルスであり、検出信号Ｓｒｘは駆動信号Ｓｔｘに対応した電圧の矩形パルスである。
【００２０】
液晶表示装置１にユーザの指等の導体である物体Ｏが近づくと、物体Ｏに近接する検出電極ＲＸと物体Ｏとの間に容量Ｃｘが生じる。駆動電極ＴＸに駆動信号Ｓｔｘが供給されたとき、物体Ｏに近接する検出電極ＲＸから得られる検出信号Ｓｒｘの波形は、容量Ｃｘの影響を受けて変化する。すなわち、各検出電極ＲＸから得られる検出信号Ｓｒｘに基づけば、タッチ検出ＩＣ４は、表示装置１に接触或いは近接する物体Ｏを検出することができる。また、各駆動電極ＴＸに駆動信号Ｓｔｘを時分割で順次供給した際に各時相にて各検出電極ＲＸから得られる検出信号Ｓｒｘに基づけば、タッチ検出ＩＣ４は、物体Ｏの第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにおける位置を検出することができる。以上説明した方式は、相互容量方式、又は、ミューチャル検出方式等と呼ばれる。
【００２１】
次に、液晶表示装置１による画像表示について説明する。図３は、画像表示に関わる概略的な等価回路を示す図である。液晶表示装置１は、複数のゲート配線（走査線）Ｇと、これらゲート配線Ｇに交差する複数のソース配線（信号線）Ｓと、第１ゲートドライバＧＤ１と、第２ゲートドライバＧＤ２と、セレクタ（ＲＧＢスイッチ）ＳＤとを備えている。セレクタＳＤは、複数のビデオ線ＶＬを介してドライバＩＣ３と接続されている。
【００２２】
各ゲート配線Ｇは、表示領域ＤＡにおいて第１方向Ｘに延びると共に第２方向Ｙに並んでいる。各ソース配線Ｓは、表示領域ＤＡにおいて第２方向Ｙに延びると共に第１方向Ｘに並んでいる。各ゲート配線Ｇ及び各ソース配線Ｓは、アレイ基板ＡＲに形成されている。各ゲート配線Ｇは、第１ゲートドライバＧＤ１及び第２ゲートドライバＧＤ２に接続されている。各ソース配線Ｓは、セレクタＳＤに接続されている。
【００２３】
図３の例においては、各ゲート配線Ｇ及び各ソース配線Ｓによって区画された領域が１つの副画素ＳＰＸに相当する。例えば、本実施形態においては、赤色に対応する副画素ＳＰＸＲと、緑色に対応する副画素ＳＰＸＧと、青色に対応する副画素ＳＰＸＢとで１つの画素ＰＸが構成される。画素ＰＸは、白色に対応する副画素ＳＰＸＷ等を更に備えても良い。
【００２４】
各副画素ＳＰＸは、アレイ基板ＡＲに形成された薄膜トランジスタＴＦＴ（スイッチング素子）を備えている。薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート配線Ｇ、ソース配線Ｓ及び画素電極ＰＥと電気的に接続されている。表示に際して、駆動電極ＴＸは共通電位に設定され、いわゆる共通電極として機能する。
【００２５】
第１ゲートドライバＧＤ１及び第２ゲートドライバＧＤ２は、各ゲート配線Ｇに対して走査信号を順次供給する。セレクタＳＤは、ドライバＩＣ３に制御されて、各ソース配線Ｓに対して映像信号を選択的に供給する。ある薄膜トランジスタＴＦＴに接続されたゲート配線Ｇに走査信号が供給され、かつこの薄膜トランジスタＴＦＴに接続されたソース配線Ｓに映像信号が供給されると、この映像信号に応じた電圧が画素電極ＰＥに印加される。このとき、画素電極ＰＥと駆動電極ＴＸとの間に生じる電界によって、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に封入された液晶層ＬＣの液晶分子の配向が、電圧の印加されていない初期配向状態から変化する。このような動作により、表示領域ＤＡに画像が表示される。
【００２６】
図４は、アレイ基板ＡＲに形成されたＸ方向に連続する３つの副画素ＳＰＸＲ，ＳＰＸＧ，ＳＰＸＢからなる１つの画素ＰＸを対向基板ＣＴの側から見た概略平面図である。  
副画素ＳＰＸＲは、隣接する２本のゲート配線Ｇｉ，Ｇｉ＋１（ｉは正の整数）と、隣接する２本のソース配線Ｓｊ，Ｓｊ＋１（ｊは正の整数）とによりその領域が区画される画素であって、当該画素内に１つの画素電極ＰＥを備える。副画素ＳＰＸＲは赤色（Ｒ）を表示するための画素である。
【００２７】
副画素ＳＰＸＧは、隣接する２本のゲート配線Ｇｉ，Ｇｉ＋１と、隣接する２本のソース配線Ｓｊ＋１，Ｓｊ＋２とによりその領域が区画される画素であって、当該画素内に１つの画素電極ＰＥを備える。副画素ＳＰＸＧは緑色（Ｇ）を表示するための画素である。
【００２８】
副画素ＳＰＸＢは、隣接する２本のゲート配線Ｇｉ，Ｇｉ＋１と、隣接する２本のソース配線Ｓｊ＋２，Ｓｊ＋３とによりその領域が区画される画素であって、当該画素内に１つの画素電極ＰＥを備える。副画素ＳＰＸＢは青色（Ｂ）を表示するための画素である。
図４の例において、各副画素ＳＰＸＲ，ＳＰＸＧ，ＳＰＸＢに配置された画素電極ＰＥは、いずれも１本のスリットＰＳＬを有している。画素電極ＰＥは、例えばＩＴＯなどの透明導電膜によって形成されている。
【００２９】
図４においては、各副画素ＳＰＸＲ，ＳＰＸＧ，ＳＰＸＢと向かい合うように対向基板ＣＴに設けられるブラックマトリクスＢＭ（遮光層）と、アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴの間に設けられる（液晶層ＬＣに突出する）柱状のスペーサＰＳとを破線にて示している。スペーサＰＳは、例えば対向基板ＣＴに設けられ、先端部がアレイ基板ＡＲに当接する。ブラックマトリクスＢＭは、ゲート配線Ｇｉ，Ｇｉ＋１と重なってＸ方向に延びる第１部分ＢＭａを有する。更に、ブラックマトリクスＢＭは、ソース配線Ｓｊ〜Ｓｊ＋３と重なるようにＹ方向に延びる第２部分ＢＭｂを有する。この各第２部分ＢＭｂの両端部がそれぞれ各第１部分ＢＭａに接続されて、各副画素ＳＰＸＲ，ＳＰＸＧ，ＳＰＸＢに対応する開口部ＡＰが形成されている。
【００３０】
スペーサＰＳは、ブラックマトリクスＢＭの第１部分ＢＭａと重なる位置に設けられる。図４の例においては、ゲート配線Ｇｉ＋１とソース配線Ｓｊとが重なる位置と、ゲート配線Ｇｉ＋１とソース配線Ｓｊ＋３とが重なる位置とにスペーサＰＳが設けられているが、第１部分ＢＭａと重なる他の位置にスペーサＰＳが設けられてもよい。また、図４の例においては、３つの副画素ＳＰＸＲ，ＳＰＸＧ，ＳＰＸＢ、つまり、１つの画素ＰＸに対して１つの割合でスペーサＰＳが設けられている場合を例示しているが、例えば４以上の副画素ＳＰＸに対して１つの割合でスペーサＰＳが設けられてもよい。
【００３１】
図５は、アレイ基板ＡＲに形成される多数の副画素ＳＰＸを対向基板ＣＴの側から見た概略平面図である。  
図５においては、第２方向Ｙに沿って屈曲しながら延びる５本のソース配線Ｓｊ，Ｓｊ＋１，Ｓｊ＋２，Ｓｊ＋３，Ｓｊ＋４と、第１方向Ｘに沿って延びる３本のゲート配線Ｇｉ，Ｇｉ＋１，Ｇｉ＋２とを含む平面を示している。
【００３２】
ゲート配線Ｇｉ，Ｇｉ＋１の間に形成される副画素ＳＰＸと、ゲート配線Ｇｉ＋１，Ｇｉ＋２の間に形成される副画素ＳＰＸとは、主に画素電極ＰＥ及びソース配線Ｓの形状において異なっている。具体的には、ゲート配線Ｇｉ＋１，Ｇｉ＋２の画素電極ＰＥ及びソース配線Ｓは、ゲート配線Ｇｉ，Ｇｉ＋１の間の画素電極ＰＥ及びソース配線Ｓの形状に対し、第２方向Ｙに関して線対称な形状になっている。このような２通りの形状の画素電極ＰＥが、第２方向Ｙに交互に並ぶ。なお、図５においては、ゲート配線Ｇｉ，Ｇｉ＋１の間に形成される画素電極ＰＥと、ゲート配線Ｇｉ＋１，Ｇｉ＋２の間に形成される画素電極ＰＥとを１つずつ示し、他の画素電極ＰＥを省略している。
【００３３】
図１等に示した駆動電極ＴＸは、ＩＴＯなどの透明導電膜で形成された複数の分割電極ＤＥによって構成されている。各分割電極ＤＥは、第１方向Ｘに並ぶ所定数の副画素ＳＰＸに亘って配置され、これら副画素ＳＰＸの画素電極ＰＥと対向している。図５の例において、各分割電極ＤＥは、それぞれ隣り合うゲート配線Ｇの間で第１方向Ｘに沿って帯状に延びている。なお、図５においては少なくとも４つ以上の副画素ＳＰＸに亘って延びる分割電極ＤＥを示しているが、分割電極ＤＥは、１つの画素ＰＸを構成する３つの副画素ＳＰＸＲ，ＳＰＸＧ，ＳＰＸＢに亘る長さであっても良い。また、第２方向Ｙに並ぶ分割電極ＤＥは、ゲート配線Ｇと重なる位置で分離されずに、連続していても良い。
第１方向Ｘに隣り合う分割電極ＤＥの境界には、スリットＳＬが形成されている。スリットＳＬは、各分割電極ＤＥの境界近傍のソース配線Ｓ（図５においてはソース配線Ｓｊ）に沿って、一定の間隔で延びている。例えば、当該ソース配線Ｓは、一方の分割電極ＤＥの端部と平面視で重なり、他方とは重ならない。
【００３４】
各ソース配線Ｓｊ〜Ｓｊ＋４に沿って金属層ＭＬ（金属線）が形成されている。金属層ＭＬは、各ソース配線Ｓｊ〜Ｓｊ＋４と平面視で重なり、ソース配線Ｓｊ〜Ｓｊ＋４と同じく屈曲しながら第２方向Ｙに延びている。金属層ＭＬは、モリブデン、タングステン、アルミニウム、チタン、銅などの金属材料或いはこれらの金属材料を含む合金等によって形成されている。金属層ＭＬは、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。
金属層ＭＬは、第２方向Ｙに並ぶ各分割電極ＤＥを電気的に接続する。これにより、第２方向に並ぶ各分割電極ＤＥが同電位となり、図１に示したような第２方向Ｙに延びる駆動電極ＴＸが構成される。金属層ＭＬは、ＩＴＯなどの透明導電膜よりも低抵抗であるために、金属層ＭＬによって各分割電極ＤＥを接続することで、駆動電極ＴＸの抵抗値を低く抑えることができる。
【００３５】
図５の例において、金属層ＭＬは、対向基板ＣＴに形成されたスペーサＰＳの先端部がアレイ基板ＡＲに当接する部分（以下、スペーサ接地部分と呼ぶ）には形成されていない。表示領域ＤＡの他のスペーサ接地部分についても同様である。
例えば、各スペーサＰＳの高さは同一である。したがって、仮に表示領域ＤＡにおいて、金属層ＭＬが存在するスペーサ接地部分と存在しないスペーサ接地部分とが混在していれば、金属層ＭＬの有無により、金属層ＭＬの厚さ分だけセルギャップにばらつきが生じ得る。このようなばらつき生じれば、液晶層ＬＣを形成するためにアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に滴下される液晶の量を正確に定めることが困難となる。
これに対し、本実施形態のように、いずれのスペーサ接地部分にも金属層ＭＬが存在しない構成とすれば、金属層ＭＬに起因したセルギャップのばらつきが生じない。したがって、液晶の滴下量を正確に定めることができる。なお、いずれのスペーサ接地部分においても金属層ＭＬが存在する構成を採用した場合であっても、金属層ＭＬに起因したセルギャップのばらつきが防がれるので、同様の効果を得ることができる。
【００３６】
図６は、図５の線Ａ−Ａ’に沿った液晶表示装置１の一部を示す断面図である。
【００３７】
アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、上述のセルギャップがスペーサＰＳにより形成された状態で貼り合わされている。このセルギャップにより形成される空間に、液晶層ＬＣが封入されている。
【００３８】
アレイ基板ＡＲは、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第１絶縁基板１０を備えている。アレイ基板ＡＲは、第１絶縁基板１０の対向基板ＣＴに対向する側に、ソース配線Ｓ、駆動電極ＴＸ（分割電極ＤＥ）、画素電極ＰＥ、金属層ＭＬ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３及び第１配向膜ＡＬ１などを備えている。
【００３９】
第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０の対向基板ＣＴに対向する側の面に形成されている。第２絶縁膜１２は、ソース配線Ｓ及び第１絶縁膜１１を覆っている。分割電極ＤＥは、第２絶縁膜１２の上に形成されている。
【００４０】
分割電極ＤＥの上には、上述したように、各ソース配線Ｓと対向する金属層ＭＬが形成されている。第３絶縁膜１３は、分割電極ＤＥ、金属層ＭＬ、及びスリットＳＬから露出した第２絶縁膜１２を覆っている。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３の上に形成されている。各画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３を介して分割電極ＤＥと対向している。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び第３絶縁膜１３を覆っている。
【００４１】
一方、対向基板ＣＴは、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第２絶縁基板２０を備えている。対向基板ＣＴは、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＡＲに対向する側に、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢ、オーバーコート層ＯＣ及び第２配向膜ＡＬ２などを備えている。
【００４２】
ブラックマトリクスＢＭ及びカラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢは、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＡＲと対向する側の面に形成されている。カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢの境界は、ブラックマトリクスＢＭと重なっている。
【００４３】
オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢを覆っている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。
【００４４】
検出電極ＲＸは、第２絶縁基板２０の表面（外面ＥＳ）に形成されている。  
第１方向Ｘに隣り合う２つの分割電極ＤＥの境界近傍に位置する金属層ＭＬ（以下、金属層ＭＬＣと呼ぶ）は、これら分割電極ＤＥの間のスリットＳＬにも延び、スリットＳＬの一部を覆っている。
【００４５】
図６の例において、金属層ＭＬＣは、スリットＳＬを介して隣り合う２つの分割電極ＤＥのうち、一方の分割電極ＤＥの端部を覆っている。これにより、金属層ＭＬＣは、当該一方の分割電極ＤＥと接触しているが、他方の分割電極ＤＥには接触していない。なお、図６の例においては、青色のカラーフィルタＣＦＢに対向する分割電極ＤＥと、赤色のカラーフィルタＣＦＲに対向する分割電極ＤＥとの境界にスリットＳＬが形成され、金属層ＭＬＣが接触する分割電極ＤＥが青色のカラーフィルタＣＦＢに対向する分割電極ＤＥである場合を例示している。しかしながら、金属層ＭＬＣが接触する分割電極ＤＥは、他のカラーフィルタに対向する分割電極ＤＥであっても良い。例えば、分割電極ＤＥの境界毎に形成されるスリットＳＬに設けられる金属層ＭＬＣは、あるスリットＳＬにおいては青色のカラーフィルタＣＦＢに対向する分割電極ＤＥに接触し、このスリットＳＬの隣りのスリットＳＬにおいては赤色のカラーフィルタＣＦＲに対向する分割電極ＤＥに接触しても良い。
【００４６】
スリットＳＬを介して隣り合う２つの分割電極ＤＥのうちの一方に接触し、他方に接触しないように金属層ＭＬＣが形成されることで、これら２つの分割電極ＤＥの短絡を防ぎつつも、当該スリットＳＬ間に金属層ＭＬＣを配置することができる。この金属層ＭＬＣの厚みは、バックライトや反射板等からの光が当該金属層ＭＬＣの側面にて反射しないようにするために、例えば０．１μｍ以下であることが好ましい。また、金属層ＭＬＣは、図６に示すように、スリットＳＬの下方に位置するソース配線Ｓｊと（少なくとも部分的に）対向し、当該金属層ＭＬＣも含めた金属層ＭＬは、図６に示すように、第１方向Ｘにおいて等間隔になっていても良い。また、金属層ＭＬＣは、ソース配線Ｓｊを全体的に覆うように形成されても良いし、ソース配線Ｓｊを部分的に覆うように形成されても良い。更に、金属層ＭＬＣは、図５に示すように、平面視においてソース配線Ｓｊの中心軸（第１方向Ｘに隣り合う副画素ＳＰＸの境界）に関して対称となる形状（ソース配線Ｓｊ及び金属層ＭＬＣの中心軸が一致する形状）に形成されても良いし、非対称な形状に形成されても良い。また、金属層ＭＬＣの第１方向Ｘにおける幅は、他の金属層ＭＬの第１方向Ｘにおける幅と同一であっても良いし、他の金属層ＭＬよりも小さい幅、例えばスリットＳＬの下方に位置するソース配線Ｓｊを少なくとも部分的に覆うことが可能な幅だけを有していても良い。
【００４７】
ここで、本実施形態に係る液晶表示装置１と、図７に示す断面構造の液晶表示装置１００とを比較して、本実施形態から得られる効果について説明する。図７に示す液晶表示装置１００は、スリットＳＬに金属層ＭＬＣが形成されておらず、かつ、スリットＳＬの真上に位置する第３絶縁膜１３の上に、共通電位の導電層ＰＥＣが形成されている点で、本実施形態に係る液晶表示装置１と相違する。
【００４８】
ここで、図７中の右側からユーザが画面を覗いた場合を想定すると、上記したように液晶表示装置１００のスリットＳＬには金属層ＭＬＣが形成されていないので、当該スリットＳＬを介して隣り合う２つの分割電極ＤＥのうち、図中右側の分割電極ＤＥに対向するカラーフィルタＣＦＲの開口幅ＷＡ１と、カラーフィルタＣＦＧ，ＣＦＢの開口幅ＷＡ２，ＷＡ３とには違いが生じてしまう。これによれば、カラーフィルタＣＦＲの開口面積がカラーフィルタＣＦＧ，ＣＦＢの開口面積より大きくなるため、カラーフィルタＣＦＲは、他のカラーフィルタＣＦＧ，ＣＦＢよりも、バックライトや反射板等からの光を多く透過することになり、目的とする色とは異なる色が表示されてしまう、所謂色シフトが発生し得る。
【００４９】
また、液晶表示装置１００のスリットＳＬに金属層ＭＬＣが形成されていないと、バックライトや反射板等からの光が当該スリットＳＬの下方に位置するソース配線Ｓｊの側面にて反射した場合に、この反射光を遮光することができない。これによれば、図７に破線矢印で示すように、本来であれば不要な光が例えばカラーフィルタＣＦＲを透過することになるので、コントラストが低下する恐れがある。更に、液晶表示装置１００のスリットＳＬに金属層ＭＬＣが形成されていないと、バックライトや反射板等からの光のうちの不要な光を遮光することができない。具体的には、例えば図７中に実線矢印で示すように、赤色のカラーフィルタＣＦＲの側からの光が青色のカラーフィルタＣＦＢを通過し得る。これによれば、左右視覚での混色が悪化する恐れがある。
【００５０】
さらに、スリットＳＬの近傍においては、ソース配線Ｓ（図７においてはソース配線Ｓｊ）と画素電極ＰＥとの間に電位差が生じた際に、これらソース配線Ｓ及び画素電極ＰＥの間に電界が生じ、この電界の一部が液晶層ＬＣに漏れてしまう可能性がある。この電界の漏れにより液晶層ＬＣの液晶分子の配向が乱れると、表示画像にクロストーク状のスジが発生し得るなど、表示品位の低下を招く。
【００５１】
図７の例においては、上記したように、スリットＳＬに金属層ＭＬＣを形成する代わりに、スリットＳＬの真上に位置する第３絶縁膜１３の上に、共通電位の導電層ＰＥＣが画素電極ＰＥと同一の透明導電材料にて形成されている。これによれば、ソース配線Ｓｊと画素電極ＰＥとの間に発生する電界が液晶層ＬＣに漏れることを防ぎ、ひいては、液晶層ＬＣに当該電界が漏れることに起因したスジむらの発生を防ぐことができる。
【００５２】
しかしながら、導電層ＰＥＣは画素電極ＰＥと同一の透明導電材料（例えば、ＩＴＯ等）によって形成されるため、金属層ＭＬＣのようにバックライトや反射板等からの光を遮光することができない。このため、上記した色シフトの発生、コントラストの低下、左右視覚での混色の悪化を防ぐことができない。  
また、スリットＳＬの真上に位置する第３絶縁膜１３の上に共通電位の導電層ＰＥＣを形成する場合、図８に示すように、スリットＳＬの幅Ｗ１、導電層ＰＥＣの幅Ｗ２、スリットＳＬから導電層ＰＥＣまでの第１方向Ｘの距離Ｍ１、スリットＳＬから画素電極ＰＥまでの第１方向Ｘの距離Ｍ２、導電層ＰＥＣから画素電極ＰＥまでの第１方向Ｘの距離Ｍ３等、種々様々な距離や幅を考慮した上で、導電層ＰＥＣを形成する必要がある。これに伴い、加工技術上の理由などから、画素電極ＰＥに設けられるスリットＰＳＬやスリットＰＳＬを介して隣り合う櫛歯の数が制限され、結果的に、透過率の低下やスジむらの発生等、液晶表示装置の表示品位を損ねる可能性もある。
【００５３】
これに比べて、本実施形態に係る液晶表示装置１によれば、第１方向Ｘに隣り合う分割電極ＤＥの境界に形成されるスリットＳＬに金属層ＭＬＣを備えた構成となっているので、スリットＳＬの下方に位置するソース配線ＳｊとスリットＳＬの上方に位置する画素電極ＰＥとの間に発生し得る電界を遮蔽し、当該発生した電界を液晶層ＬＣに漏らさないようにすると共に、バックライトや反射板等からの光のうち不要な光を遮光して、当該不要な光をカラーフィルタに漏らさないようにすることができる。さらには、本実施形態に係る液晶表示装置１は図７の比較例に示した導電層ＰＥＣを備えていないので、画素電極ＰＥに設けられるスリットＰＳＬの数が制限されることもない。
【００５４】
なお、本実施形態では、図６に示すように、分割電極ＤＥ（駆動電極ＴＸ）よりも画素電極ＰＥが液晶層ＬＣ側に位置する液晶表示装置１を例にとって説明したが、例えば、画素電極ＰＥよりも分割電極ＤＥ（駆動電極ＴＸ）が液晶層ＬＣ側に位置する液晶表示装置であったとしても、スリットＳＬ部分に金属層ＭＬＣを形成することは可能であり、上記した効果を得ることができる。
【００５５】
＜第２の実施形態＞  
以下、第２の実施形態について説明する。なお、本実施形態では、既述した金属層ＭＬＣに加えて、図９及び図１０に示す導電層ＰＥＣがさらに形成されている場合について説明する。以下の説明においては、主に第１の実施形態との相違点に着目し、同一の構成については同一の符号を付して説明を省略することがある。
【００５６】
図９は、第２の実施形態に係る液晶表示装置１において、アレイ基板ＡＲに形成される副画素ＳＰＸの一部を対向基板ＣＴの側から見た概略平面図であり、図１０は、図９の線Ｂ−Ｂ’に沿った液晶表示装置１の一部を示す断面図である。  
なお、本実施形態においては、図９及び図１０に示すように、金属層ＭＬＣが第１方向Ｘに隣り合う副画素ＳＰＸの境界に関して非対称な形状に形成されている（すなわち、金属層ＭＬＣがソース配線Ｓｊと部分的に重なるように形成されている）場合を想定している。これによれば、金属層ＭＬＣがソース配線Ｓｊ全体と重なっていないため、ソース配線Ｓｊと画素電極ＰＥとの間に発生する電界を金属層ＭＬＣにて遮蔽しきれず、当該発生した電界が液晶層ＬＣに漏れ、液晶表示装置１の表示品位を損ねる可能性がある。
【００５７】
そこで、本実施形態では、図９及び図１０に示すように、金属層ＭＬＣの真上に位置する第３絶縁膜１３の上に、共通電位の導電層ＰＥＣがさらに形成されている。この導電層ＰＥＣは、例えばＩＴＯ等の透明導電膜により形成される。この導電層ＰＥＣによれば、ソース配線Ｓｊと画素電極ＰＥとの間に発生する電界を金属層ＭＬＣにて遮蔽しきれなかったとしても、当該導電層ＰＥＣにより遮蔽しきれなかった電界を遮蔽することができる。したがって、ソース配線Ｓｊと画素電極ＰＥとの間に発生する電界が液晶層ＬＣに漏れることを防ぐことができる。
【００５８】
以上説明した第２の実施形態によれば、金属層ＭＬＣによって防ぐことができない電界を導電層ＰＥＣにより遮蔽し、この電界が液晶層ＬＣに漏れることを防ぐことができる。これにより、表示品位の優れた液晶表示装置を提供することができる。
【００５９】
＜第３の実施形態＞  
以下、第３の実施形態について説明する。なお、本実施形態では、第１の実施形態において既述した図６の構成、又は、第２の実施形態において既述した図１０の構成を備えた液晶表示装置１に設けられ、駆動電極ＴＸを利用した画像表示及びタッチ検出時に動作する回路について説明する。以下の説明においては、第１の実施形態及び第２の実施形態において既述した同一の構成については同一の符号を付して説明を省略することがある。
【００６０】
図１１は、液晶表示装置１において、駆動電極ＴＸを利用した画像表示及びタッチ検出に必要な要素等を概略的に示す図である。この図に示す液晶表示装置１は、既述の要素に加えて、第１スイッチ群ＳＷＧ１と、第２スイッチ群ＳＷＧ２と、第３スイッチ群ＳＷＧ３と、第４スイッチ群ＳＷＧ４と、第５スイッチ群ＳＷＧ５と、第１供給線３０と、第２供給線４０とを備えている。なお、第３スイッチ群ＳＷＧ３は、セレクタＳＤに含まれるもので、マルチプレクサと呼ばれることもある。
【００６１】
例えば、各スイッチ群ＳＷＧ１〜ＳＷＧ５は、いずれもアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとが対向する領域において、液晶表示パネル２に形成されている。
【００６２】
図１１の例において、第１スイッチ群ＳＷＧ１、セレクタＳＤ（第３スイッチ群ＳＷＧ３）及び第４スイッチ群ＳＷＧ４は、図１に示した表示領域ＤＡの第１辺Ｅ１と端子領域ＮＡ側の対向基板ＣＴの端部との間に配置されている。また、第２スイッチ群ＳＷＧ２及び第５スイッチ群ＳＷＧ５は、図１に示した表示領域ＤＡの第２辺Ｅ２と表示パネル２の端部（図中上側の端部）との間に配置されている。
【００６３】
第１供給線３０には、画像表示のための共通電圧ＶＣＯＭが印加されている。第１供給線３０は、端子領域ＮＡの、ドライバＩＣ３の両側から第１スイッチ群ＳＷＧ１に向けて延びている。また、第１供給線３０は途中で分岐し、第２スイッチ群ＳＷＧ２に接続されている。
【００６４】
第２供給線４０は、タッチ検出のための駆動信号を供給する。本実施形態において、第２供給線４０は、第１電圧ＶＴＰＬが印加された低電圧線４１と、第１電圧ＶＴＰＬよりも高い第２電圧ＶＴＰＨが印加された高電圧線４２とを含んでいる。低電圧線４１及び高電圧線４２は、端子領域ＮＡのドライバＩＣ３の両側から第１スイッチ群ＳＷＧ１に向けて延びている。
【００６５】
例えば、第１供給線３０、低電圧線４１及び高電圧線４２は、実装端子５と第１フレキシブル配線基板６とを介してタッチ検出ＩＣ４に接続されている。第１供給線３０、低電圧線４１及び高電圧線４２は、ドライバＩＣ３に接続されても良い。第１スイッチ群ＳＷＧ１は、駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎの接続先を、第１供給線３０と第２供給線４０（低電圧線４１又は高電圧線４２）との間で切り替える。
【００６６】
第３スイッチ群ＳＷＧ３及びドライバＩＣ３は、複数のビデオ線ＶＬによって接続されている。各ビデオ線ＶＬは、ドライバＩＣ３から表示領域ＤＡに形成されたソース配線Ｓを介して各副画素ＳＰＸの画素電極ＰＥに供給される映像信号を伝達する。
【００６７】
第３スイッチ群ＳＷＧ３は、ドライバＩＣ３から供給される映像信号を、表示領域ＤＡに形成された複数のソース配線Ｓに分配する。
【００６８】
第１スイッチ群ＳＷＧ１は、駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎの各々に対して設けられた複数の第１スイッチＳＷ１を備えている。第１スイッチＳＷ１は、駆動電極ＴＸの接続先を第１供給線３０と第２供給線４０（低電圧線４１又は高電圧線４２）との間で切り換える。具体的には、第１スイッチＳＷ１は、駆動電極ＴＸと第１供給線３０とを接続（オン）又は遮断（オフ）する共通電圧スイッチＳＷＣと、駆動電極ＴＸと低電圧線４１とを接続（オン）又は遮断（オフ）する低電圧スイッチＳＷＬと、駆動電極ＴＸと高電圧線４２とを接続（オン）又は遮断（オフ）する高電圧スイッチＳＷＨとを含んでいる。共通電圧スイッチＳＷＣ、低電圧スイッチＳＷＬ及び高電圧スイッチＳＷＨは、いずれもドライバＩＣ３からの信号によりオンオフされる。
【００６９】
第２スイッチ群ＳＷＧ２は、駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎの各々に対して設けられた複数の第２スイッチＳＷ２を備えている。第２スイッチＳＷ２は、駆動電極ＴＸと第１供給線３０とを接続（オン）又は遮断（オフ）する。例えば、第２スイッチＳＷ２は、ドライバＩＣ３の制御の下でオンオフされる。
【００７０】
第３スイッチ群ＳＷＧ３は、表示領域ＤＡに設けられた複数の信号線Ｓの各々に対して設けられた複数の第３スイッチＳＷ３を備えている。第３スイッチＳＷ３は、ドライバＩＣ３から延出するビデオ線ＶＬの一端に設けられており、表示領域ＤＡの各ソース配線ＳとドライバＩＣ３とを接続（オン）又は遮断（オフ）する。例えば、第３スイッチＳＷ３は、ドライバＩＣ３から供給される制御信号に基づき、ドライバＩＣからビデオ線ＶＬを介して時分割で供給される映像信号を各ソース配線Ｓに順次供給するようにオンオフされる。
【００７１】
第４スイッチ群ＳＷＧ４は、ソース配線Ｓに対して設けられた複数の第４スイッチＳＷ４を備えている。第４スイッチＳＷ４は、ソース配線Ｓと駆動電極ＴＸとを接続（オン）又は遮断（オフ）する。例えば、第４スイッチＳＷ４は、ドライバＩＣ３から供給される制御信号に基づき、オンオフされる。
【００７２】
第５スイッチ群ＳＷＧ５は、信号線Ｓに対して設けられた複数の第５スイッチＳＷ５を備えている。第５スイッチＳＷ５は、信号線Ｓと駆動電極ＴＸとを接続（オン）又は遮断（オフ）する。例えば、第５スイッチＳＷ５は、ドライバＩＣ３から供給される制御信号に基づき、オンオフされる。
【００７３】
ここで、図１１を参照して、表示領域ＤＡに接触或いは近接する物体を検出するタッチ検出期間における各スイッチ群ＳＷＧ１〜ＳＷＧ５の状態について説明する。  
タッチ検出期間においては、例えば、駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎに駆動信号が順次供給される。駆動信号の供給対象（以下、駆動対象という）の駆動電極ＴＸと残りの駆動電極ＴＸとで第１スイッチＳＷ１の接続態様が異なる。
【００７４】
図１１の例においては、駆動電極ＴＸ２が駆動対象である場合を想定している。駆動対象である駆動電極ＴＸ２の共通電圧スイッチＳＷＣはオフされ、残りの駆動電極ＴＸの共通電圧スイッチＳＷＣはいずれもオンされている。各第２スイッチＳＷ２及び各第３スイッチＳＷ３は全てオフされ、各第４スイッチＳＷ４及び各第５スイッチＳＷ５は全てオンされている。
【００７５】
駆動対象である駆動電極ＴＸ２の接続先は、低電圧線４１及び高電圧線４２でスウィングされる。すなわち、駆動電極ＴＸ２の低電圧スイッチＳＷＬ及び高電圧スイッチＳＷＨが交互にオンオフされ、これにより第１電圧ＶＴＰＬと第２電圧ＶＴＰＨとの間でトグルする駆動信号Ｓｔｘが生成されて、この駆動信号Ｓｔｘが駆動電極ＴＸ２に供給される。この駆動信号Ｓｔｘに対して検出電極ＲＸ１〜ＲＸｍから得られる検出信号（上述の検出信号Ｓｒｘ）に基づき、タッチ検出ＩＣ４が表示領域ＤＡに接触或いは近接する物体の位置を検出する。
【００７６】
各第４スイッチＳＷ４及び各第５スイッチＳＷ５がオンされているので、各ソース配線Ｓは、それぞれに対向する駆動電極ＴＸと同電位となる。これにより、各ソース配線Ｓと各駆動電極ＴＸとの間の容量形成を防ぎ、タッチ検出の精度を高めることができる。本実施形態では、駆動電極ＴＸ及びソース配線Ｓの延出方向（第２方向Ｙ）の両端部において駆動電極ＴＸとソース配線Ｓとを接続するので、駆動電極ＴＸ及びソース配線Ｓを全体に亘り安定して同電位とすることができる。
【００７７】
タッチ検出期間において、ドライバＩＣ３と第３スイッチ群ＳＷＧ３との間の各ビデオ線ＶＬはいずれもフローティングとなり、各ビデオ線ＶＬに起因した不要な容量形成が軽減される。なお、タッチ検出期間において、全て或いは一部の第４スイッチＳＷ４と第５スイッチＳＷ５とをオフとし、これにより全て或いは一部のソース配線Ｓをフローティングとしても良い。
【００７８】
駆動対象の駆動電極ＴＸは、駆動電極ＴＸ１から駆動電極ＴＸｎに向けて順番に選定されても良いし、他の順に選定されても良い。また、複数の駆動電極ＴＸが同時に駆動対象として選定されても良い。さらに、１回のタッチ検出期間において駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎが１通り駆動対象として選定されるようにしても良いし、２回以上のタッチ検出期間に分散して駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎが駆動対象として選定されるようにしても良い。
【００７９】
画像を表示する表示期間においては、各第１スイッチＳＷ１の共通電圧スイッチＳＷＣ、各第２スイッチＳＷ２及び各第３スイッチＳＷ３がオンされ、各第４スイッチＳＷ４及び各第５スイッチＳＷ５がオフされる。これにより、各駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｎには共通電圧ＶＣＯＭが印加される。さらに、ドライバＩＣ３から各ソース配線Ｓに映像信号が供給される。
【００８０】
以上のような構成の回路において、スリットＳＬの近傍に位置するソース配線Ｓについては、第４スイッチＳＷ４及び第５スイッチＳＷ５による接続先を、このスリットＳＬを介して隣り合う２つの駆動電極ＴＸ（分割電極ＤＥ）のうち当該ソース配線Ｓとの容量結合が大きい一方に定めることが好ましい。仮に容量結合が小さい駆動電極ＴＸが接続先となれば、タッチ検出期間において、当該駆動電極ＴＸに供給される駆動信号Ｓｔｘに応じたノイズが、ソース配線Ｓを介して容量結合が大きい他方の駆動電極ＴＸに混入し、検出性能が低下し得る。
【００８１】
例えば図５及び図６の例において、スリットＳＬの近傍に配置されたソース配線Ｓｊは、金属層ＭＬＣ及びこの金属層ＭＬＣが接触する分割電極ＤＥと対向する面積が大きい。したがって、ソース配線Ｓｊは、この分割電極ＤＥを含む駆動電極ＴＸとの容量結合が大きくなるため、第４スイッチＳＷ４及び第５スイッチＳＷ５による接続先をこの駆動電極ＴＸに定めることができる。
【００８２】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００８３】
例えば、表示領域ＤＡに形成される各スリットＳＬは、必ずしもその全てが駆動電極ＴＸの境界を形成するものである必要はない。すなわち、第１方向Ｘに並ぶ複数の分割電極ＤＥが同一の駆動電極ＴＸを構成しても良い。これら複数の分割電極ＤＥは、例えば表示領域ＤＡの外側において互いに電気的に接続されても良いし、表示領域ＤＡにおいて互いに電気的に接続されても良い。これら複数の分割電極ＤＥの間に形成されるスリットＳＬにおいては、金属層ＭＬＣが当該スリットＳＬを介して隣り合う分割電極ＤＥの双方に接しても良い。
【００８４】
また、金属層ＭＬは、分割電極ＤＥの下側、すなわち分割電極ＤＥと第２絶縁膜１２との間に形成されても良い。この場合であっても、各実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００８５】
検出電極ＲＸは金属で形成されていてもよい。検出電極ＲＸは対向基板ＣＴの液晶側に設けてもよいし、アレイ基板ＡＲに設けてもよい。検出電極ＲＸをアレイ基板ＡＲに透明導電膜で形成する場合、検出電極ＲＸに本願発明を適用することも可能である。また、ＯＬＥＤに適用する場合、本願明細書の構造を、特に制限することなく、ＯＬＥＤのカソード電極に対して適用することも可能である。
【符号の説明】
【００８６】
１…液晶表示装置、２…液晶表示パネル、１０…第１絶縁基板、１１…第１絶縁膜、１２…第２絶縁膜、１３…第３絶縁膜、２０…第２絶縁基板、ＡＲ…アレイ基板、Ｓ…ソース配線、ＤＥ…分割電極、ＴＸ…駆動電極、ＭＬ，ＭＬＣ…金属層、ＳＬ…スリット、ＡＬ１…第１配向膜、ＡＬ２…第２配向膜、ＰＥ…画素電極、ＰＥＣ…導電層、ＰＸ…画素、ＬＣ…液晶層、ＯＣ…オーバーコート層、ＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢ…カラーフィルタ、ＢＭ…ブラックマトリクス、ＣＴ…対向基板、ＲＸ…検出電極、ＥＳ…外面。
【図１】
0006664896.tif 000002
【図２】
0006664896.tif 000003
【図３】
0006664896.tif 000004
【図４】
0006664896.tif 000005
【図５】
0006664896.tif 000006
【図６】
0006664896.tif 000007
【図７】
0006664896.tif 000008
【図８】
0006664896.tif 000009
【図９】
0006664896.tif 000010
【図１０】
0006664896.tif 000011
【図１１】
0006664896.tif 000012