(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器内にて互いに反応する少なくとも２つの反応ガスを順番に供給して基板に膜を堆積させる成膜装置であって、
前記容器内に回転可能に設けられ、底部に貫通穴を有する凹部が上面に形成された回転テーブルと、
前記凹部に着脱可能に載置され、上面に前記基板が載置される載置部を有する基板支持部材と、
前記回転テーブルを昇降させ、かつ、回転させる駆動機構と、
前記容器内において前記回転テーブルよりも下方に設けられ、エアの供給により回転可能な回転ユニットと、
前記回転ユニットの周囲に設けられ、前記回転ユニットの複数の位置にエアを供給可能であり、前記複数の位置の少なくともいずれかにエアを供給することで前記回転ユニットを回転させるエア供給部と、
前記エア供給部から前記回転ユニットにエアを供給しながら前記駆動機構により前記回転テーブルを下降させることで、前記回転ユニットにより前記基板支持部材の下面を保持し、前記基板支持部材の下面を保持した状態で、前記エア供給部から前記回転ユニットに供給されるエアの位置を変更することで、前記回転テーブルに対して前記基板支持部材を所定の角度だけ回転させる制御部と
を備える成膜装置。
【請求項２】
前記回転ユニットは、前記容器の底部に取り付けられている、
請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記回転ユニットは、
前記基板支持部材を保持する保持部と、
前記保持部に取り付けられたシャフト部と、
前記保持部よりも下方において前記シャフト部に固定され、前記エアを受風可能な羽根部と
を有し、
前記エア供給部から前記羽根部にエアが供給されることで、前記保持部、前記シャフト部及び前記羽根部が回転する、
請求項１又は２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記回転ユニットは、前記羽根部の回転を停止させるストッパ部を有する、
請求項３に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記エア供給部は、
前記羽根部にエアを供給することで前記羽根部を反時計回り回転させる第１のエア供給部と、
前記羽根部にエアを供給することで前記羽根部を時計回りに回転させる第２のエア供給部と
を有する、
請求項３又は４に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記羽根部は、円板状部と、前記円板状部の外周部から前記円板状部の外径方向に突出した複数の突起と有する、
請求項３乃至５のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項７】
前記羽根部は、円板状部と、前記円板状部の外縁部から前記シャフト部と平行な方向に突出した複数の突起とを有する、
請求項３乃至５のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項８】
容器内にて互いに反応する少なくとも２つの反応ガスを順番に供給して基板に膜を堆積させる成膜方法であって、
前記容器内に回転可能に設けられ、底部に貫通穴を有する凹部が上面に形成された回転テーブルの前記凹部に着脱可能に載置され、上面に前記基板が載置される載置部を有する基板支持部材の前記載置部に前記基板を載置する搬入工程と、
前記回転テーブルを回転させると共に、前記回転テーブルの周方向に互いに分離領域を介して離間した領域にそれぞれ第１の反応ガス及び第２の反応ガスを供給することにより前記基板に成膜を行う成膜工程と、
前記回転テーブルの回転を停止するステップと、
前記容器内において前記回転テーブルよりも下方に回転可能に設けられた回転ユニットにエアを供給することで、前記回転ユニットを第１の回転方向に回転させるステップと、
前記回転ユニットを前記第１の回転方向に回転させた後、前記回転テーブルを下降させて、前記回転ユニットにより前記基板支持部材の下面を保持するステップと、
前記回転ユニットにより前記基板支持部材の下面を保持した状態で、前記回転ユニットにエアを供給することで、前記回転ユニットを前記第１の回転方向と反対方向の第２の回転方向に回転させて、前記回転テーブルに対して前記基板支持部材を所定の角度だけ回転させるステップと、
前記回転テーブルに対して前記基板支持部材を所定の角度だけ回転させた後、前記回転テーブルを上昇させるステップと、
を含む自転工程と
を有する、
成膜方法。
【請求項９】
前記回転ユニットにより前記基板支持部材の下面を保持するステップにおいて、前記凹部から前記基板支持部材が離間するように前記回転テーブルを下降させる、
請求項８に記載の成膜方法。
【請求項１０】
前記成膜工程及び前記自転工程を交互に複数回繰り返す、
請求項８又は９に記載の成膜方法。
【請求項１１】
前記所定の角度は、堆積する膜の膜厚が目標膜厚に達するまでの間に、所定の回数の前記自転工程において回転した前記回転テーブルに対する前記基板支持部材の回転角度の合計が３６０°の整数倍となる角度である、
請求項１０に記載の成膜方法。
【請求項１２】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の成膜装置に請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の成膜方法を実行させる、プログラム。
【請求項１３】
請求項１２に記載のプログラムを格納した、コンピュータ可読記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置、成膜方法、プログラム及びコンピュータ可読記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、真空容器内に設けられた回転テーブルの回転方向に複数の基板を載置し、回転テーブルを回転させた状態で回転テーブルの径方向に沿って設けられたガス供給部から処理ガスを供給することにより、基板に膜を堆積する成膜装置が知られている。
【０００３】
このような成膜装置では、真空容器内のガスの流れ、回転テーブルの温度分布などにより、基板に堆積する膜の膜厚に不均衡が生じる場合がある。特に、回転テーブルが回転軸を中心に円運動を行うため、回転テーブルの回転中心に近い側と遠い側とにおいて不均衡が生じやすい。
【０００４】
そこで、従来は、例えば回転テーブルにおける基板を載置する位置にトレイを設け、回転テーブルの回転（公転）とは別に真空容器の外部に設けた駆動装置によりトレイを回転（自転）させることで、膜厚を均一化していた（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２０６０２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記の技術では、真空容器の外部からトレイを回転させる構造であるため、トレイを回転させるための機構が複雑である。
【０００７】
このため、簡素な機構で回転テーブルに対して基板を回転させて、基板に堆積する膜の膜厚均一性を向上させることができる成膜装置が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る成膜装置は、容器内にて互いに反応する少なくとも２つの反応ガスを順番に供給して基板に膜を堆積させる成膜装置であって、前記容器内に回転可能に設けられ、底部に貫通穴を有する凹部が上面に形成された回転テーブルと、前記凹部に着脱可能に載置され、上面に前記基板が載置される載置部を有する基板支持部材と、前記回転テーブルを昇降させ、かつ、回転させる駆動機構と、前記容器内において前記回転テーブルよりも下方に設けられ、エアの供給により回転可能な回転ユニットと、前記回転ユニットの周囲に設けられ、前記回転ユニットの複数の位置にエアを供給可能であり、前記複数の位置の少なくともいずれかにエアを供給することで前記回転ユニットを回転させるエア供給部と、前記エア供給部から前記回転ユニットにエアを供給しながら前記駆動機構により前記回転テーブルを下降させることで、前記回転ユニットにより前記基板支持部材の下面を保持し、前記基板支持部材の下面を保持した状態で、前記エア供給部から前記回転ユニットに供給されるエアの位置を変更することで、前記回転テーブルに対して前記基板支持部材を所定の角度だけ回転させる制御部とを備える。
【発明の効果】
【０００９】
開示の成膜装置によれば、基板に堆積する膜の膜厚均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施形態の成膜装置の概略断面図
【図２】本実施形態の成膜装置の概略斜視図（１）
【図３】本実施形態の成膜装置の概略平面図
【図４】本実施形態の成膜装置の概略斜視図（２）
【図５】本実施形態の成膜装置における回転テーブルの同心円に沿った概略断面図
【図６】本実施形態の成膜装置の分離領域を示す概略断面図
【図７】本実施形態の成膜装置におけるウエハの回転機構を示す概略断面図（１）
【図８】本実施形態の成膜装置におけるウエハの回転機構を示す概略斜視図（１）
【図９】本実施形態の成膜装置におけるウエハの回転機構を示す概略断面図（２）
【図１０】本実施形態の成膜装置におけるウエハの回転機構を示す概略斜視図（２）
【図１１】本実施形態の成膜装置における回転ユニットの一例を示す図
【図１２】図１１に示す回転ユニットの羽根部を説明する図
【図１３】図１２に示す羽根部の動作を説明する図
【図１４】図１３に示す羽根部の動作を実現するエア供給部の一例を示す図
【図１５】本実施形態の成膜装置における回転ユニットの他の例を示す図
【図１６】図１５に示す回転ユニットの羽根部を説明する図
【図１７】図１６に示す羽根部の動作を説明する図
【図１８】図１７に示す羽根部の動作を実現するエア供給部の一例を示す図
【図１９】本実施形態の成膜方法の一例を示すフローチャート
【図２０】本実施形態の成膜方法の工程図（１）
【図２１】本実施形態の成膜方法の工程図（２）
【図２２】本実施形態の成膜方法の工程図（３）
【図２３】本実施形態の成膜方法の工程図（４）
【図２４】本実施形態の成膜方法の工程図（５）
【図２５】本実施形態の成膜方法の工程図（６）
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
【００１２】
〔成膜装置〕
本実施形態の成膜装置について、図１から図６に基づき説明する。図１は、本実施形態の成膜装置の概略断面図である。図２及び図４は、本実施形態の成膜装置の概略斜視図である。図３は、本実施形態の成膜装置の概略平面図である。なお、図２及び図３では、説明の便宜上、天板の図示を省略している。また、図４では、説明の便宜上、天板、回転テーブル、蓋部材、ヒータユニット、ノズル等の図示を省略している。
【００１３】
図１から図３までを参照すると、成膜装置は、ほぼ円形の平面形状を有する扁平な真空容器１と、真空容器１内に設けられ、真空容器１の中心に回転中心を有する回転テーブル２と、を備えている。真空容器１は、内部に収容したウエハの上面に成膜処理を行うための処理室である。真空容器１は、有底の円筒形状を有する容器本体１２と、容器本体１２の上面に対して、例えばＯリングなどのシール部材１３を介して気密に着脱可能に配置される天板１１とを有している。
【００１４】
回転テーブル２は、真空容器１内に回転可能に設けられている。回転テーブル２は、中心部にて円筒形状のコア部２１に固定され、このコア部２１は、鉛直方向に伸びる回転軸２２の上端に固定されている。回転軸２２は真空容器１の底部１４を貫通し、下端が駆動部２３に取り付けられている。駆動部２３は、例えば圧空シリンダとステッピングモータとを含み、回転軸２２を昇降させることで回転テーブル２を昇降させ、回転軸２２を鉛直軸回りに回転させることで回転テーブル２を回転させる。回転軸２２及び駆動部２３は、上面が開口した筒状のケース体２０内に収納されている。ケース体２０はその上面に設けられたフランジ部が、鉛直方向に伸縮可能なベローズ１６を介して真空容器１の底部１４の下面に気密に取り付けられており、ケース体２０の内部雰囲気と外部雰囲気との気密状態が維持されている。回転テーブル２が昇降する場合には、回転テーブル２の昇降に対応してベローズ１６が伸縮するため、ケース体２０の内部雰囲気と外部雰囲気との気密状態を維持することができる。なお、ベローズ１６及び駆動部２３は駆動機構の一例である。
【００１５】
回転テーブル２の上面には、図２及び図３に示されるように、回転テーブル２の回転方向（周方向）に沿って複数（図示の例では６個）の円形状の凹部２ａが形成されている。各凹部２ａには、図３に示されるように、基板である半導体ウエハ（以下「ウエハＷ」という。）を載置するための基板支持部材９１が設けられている。即ち、図示の例では、回転テーブル２の上に、６個の基板支持部材９１が同心円状に設けられている。なお、図３には便宜上、１個の基板支持部材９１だけにウエハＷを示している。
【００１６】
図４に示されるように、回転テーブル２の下方には、上方からの平面視において、基板支持部材９１が所定の回転位置に停止しているときに基板支持部材９１と重なる位置に複数の回転ユニット２００が設けられている。即ち、複数の回転ユニット２００は、複数の回転ユニット２００の中心により形成される円と複数の基板支持部材９１の中心により形成される円とが等しくなる位置に設けられている。回転ユニット２００は、回転テーブル２に対してウエハＷを回転させるユニットであり、例えば真空容器１の底部１４の上面に取り付けられている。なお、回転ユニット２００の詳細については後述する。
【００１７】
回転テーブル２の上方には、図２及び図３に示されるように、例えば石英により形成された反応ガスノズル３１、３２及び分離ガスノズル４１、４２が真空容器１の周方向（回転テーブル２の回転方向（図３の矢印Ａ））に互いに間隔をおいて配置されている。図示の例では、後述の搬送口１５から時計回り（回転テーブル２の回転方向）に、分離ガスノズル４１、反応ガスノズル３１、分離ガスノズル４２及び反応ガスノズル３２がこの順番で配列されている。これらのノズル３１、３２、４１、４２は、各ノズル３１、３２、４１、４２の基端部であるガス導入ポート３１ａ、３２ａ、４１ａ、４２ａ（図３）を容器本体１２の外周面に固定することにより、真空容器１の外周面から真空容器１内に導入され、容器本体１２の径方向に沿って回転テーブル２に対して水平に伸びるように取り付けられている。
【００１８】
本実施形態においては、図３に示されるように、反応ガスノズル３１は、配管１１０、流量制御器１２０などを介して、第１の反応ガスの供給源１３０に接続されている。反応ガスノズル３２は、配管１１１、流量制御器１２１などを介して、第２の反応ガスの供給源１３１に接続されている。分離ガスノズル４１、４２は、いずれも不図示の配管、流量制御バルブなどを介して、分離ガスの供給源（図示せず）に接続されている。分離ガスとしては、ヘリウム（Ｈｅ）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガスなどの希ガスや窒素（Ｎ２）ガスなどの不活性ガスを用いることができる。本実施形態では、Ｎ２ガスを用いる例を挙げて説明する。
【００１９】
反応ガスノズル３１、３２には、回転テーブル２に向かって開口する複数のガス吐出孔３５が、反応ガスノズル３１、３２の長さ方向に沿って、例えば１０ｍｍの間隔で配列されている。反応ガスノズル３１の下方領域は、第１の反応ガスをウエハＷに吸着させるための第１の処理領域Ｐ１となる。反応ガスノズル３２の下方領域は、第１の処理領域Ｐ１においてウエハＷに吸着した第１の反応ガスと反応する第２の反応ガスを供給し、反応生成物の分子層を生成する第２の処理領域Ｐ２となる。なお、反応生成物の分子層が、堆積（成膜）される膜を構成する。
【００２０】
第１の反応ガスは、種々のガスであってよいが、一般的には、成膜される膜の原料となる原料ガスが選択され、例えばシリコン酸化膜を成膜する場合には、ビスターシャルブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）ガスなどのシリコン含有ガスが選択される。
【００２１】
第２の反応ガスには、第１の反応ガスと反応して反応生成物を生成し得る反応ガスであれば、種々の反応ガスを用いることができ、例えばシリコン酸化膜を成膜する場合にはオゾン（Ｏ３）ガスなどの酸化ガスが選択される。
【００２２】
図２及び図３を参照すると、真空容器１内には２つの凸状部４が設けられている。凸状部４は、分離ガスノズル４１、４２と共に分離領域Ｄを構成するため、回転テーブル２に向かって突出するように天板１１の下面に取り付けられている。また、凸状部４は、頂部が円弧状に切断された扇型の平面形状を有し、本実施形態においては、内円弧が突出部５（後述）に連結し、外円弧が、真空容器１の容器本体１２の内周面に沿うように配置されている。
【００２３】
図５は、本実施形態の成膜装置における回転テーブルの同心円に沿った概略断面図であり、反応ガスノズル３１から反応ガスノズル３２まで回転テーブル２の同心円に沿った真空容器１の断面を示している。なお、図５では、説明の便宜上、基板支持部材９１及びウエハＷの図示を省略している。
【００２４】
図５に示されるように、天板１１の下面に凸状部４が取り付けられている。このため、真空容器１内には、凸状部４の下面である平坦な低い天井面４４（第１の天井面）と、この天井面４４の周方向の両側に位置する、天井面４４よりも高い天井面４５（第２の天井面）とが存在する。天井面４４は、頂部が円弧状に切断された扇型の平面形状を有している。また、図５に示されるように、凸状部４には周方向の中央において、径方向に伸びるように形成された溝部４３が形成され、分離ガスノズル４２が溝部４３内に収容されている。もう一つの凸状部４にも同様に溝部４３が形成され、分離ガスノズル４１が溝部４３内に収容されている。また、高い天井面４５の下方の空間に反応ガスノズル３１、３２がそれぞれ設けられている。これらの反応ガスノズル３１、３２は、天井面４５から離間してウエハＷの近傍に設けられている。なお、図５に示されるように、高い天井面４５の下方の右側の空間４８１に反応ガスノズル３１が設けられ、高い天井面４５の下方の左側の空間４８２に反応ガスノズル３２が設けられる。
【００２５】
また、凸状部４の溝部４３に収容される分離ガスノズル４１、４２には、回転テーブル２に向かって開口する複数のガス吐出孔４２ｈ（図５）が、分離ガスノズル４１、４２の長さ方向に沿って、例えば１０ｍｍの間隔で配列されている。
【００２６】
天井面４４は、狭隘な空間である分離空間Ｈを回転テーブル２に対して形成している。分離ガスノズル４２のガス吐出孔４２ｈからＮ２ガスが供給されると、このＮ２ガスは、分離空間Ｈを通して空間４８１及び空間４８２へ向かって流れる。このとき、分離空間Ｈの容積は空間４８１及び４８２の容積よりも小さいため、Ｎ２ガスにより分離空間Ｈの圧力を空間４８１及び４８２の圧力に比べて高くすることができる。即ち、空間４８１及び４８２の間に圧力の高い分離空間Ｈが形成される。また、分離空間Ｈから空間４８１及び４８２へ流れ出るＮ２ガスが、第１の処理領域Ｐ１からの第１の反応ガスと、第２の処理領域Ｐ２からの第２の反応ガスとに対するカウンターフローとして働く。したがって、第１の処理領域Ｐ１からの第１の反応ガスと、第２の処理領域Ｐ２からの第２の反応ガスとが分離空間Ｈにより分離される。よって、真空容器１内において第１の反応ガスと第２の反応ガスとが混合し、反応することが抑制される。
【００２７】
なお、回転テーブル２の上面に対する天井面４４の高さｈ１は、成膜時の真空容器１内の圧力、回転テーブル２の回転速度、分離ガスの供給量などを考慮し、分離空間Ｈの圧力を空間４８１、４８２の圧力に比べて高くするのに適した高さに設定することが好ましい。
【００２８】
一方、天板１１の下面には、回転テーブル２を固定するコア部２１の外周を囲む突出部５（図２及び図３）が設けられている。この突出部５は、本実施形態においては、凸状部４における回転中心側の部位と連続しており、その下面が天井面４４と同じ高さに形成されている。
【００２９】
先に参照した図１は、図３のＩ−Ｉ'線に沿った断面図であり、天井面４５が設けられている領域を示している。一方、図６は、天井面４４が設けられている領域を示す断面図である。図６に示されるように、扇型の凸状部４の周縁部（真空容器１の外縁側の部位）には、回転テーブル２の外端面に対向するようにＬ字型に屈曲する屈曲部４６が形成されている。この屈曲部４６は、凸状部４と同様に、分離領域Ｄの両側から反応ガスが侵入することを抑制して、第１の反応ガスと第２の反応ガスとの混合を抑制する。扇型の凸状部４は天板１１に設けられ、天板１１が容器本体１２から取り外せるようになっていることから、屈曲部４６の外周面と容器本体１２との間には僅かに隙間がある。屈曲部４６の内周面と回転テーブル２の外端面との隙間、及び屈曲部４６の外周面と容器本体１２との隙間は、例えば回転テーブル２の上面に対する天井面４４の高さと同様の寸法に設定されている。
【００３０】
容器本体１２の内周面は、分離領域Ｄでは図６に示されるように屈曲部４６の外周面と接近して垂直面に形成されているが、分離領域Ｄ以外の領域では図１に示されるように例えば回転テーブル２の外端面と対向する部位から底部１４に亘って外方側に窪んでいる。以下、説明の便宜上、概ね矩形の断面形状を有する窪んだ部分を排気領域と記す。具体的には、第１の処理領域Ｐ１に連通する排気領域を第１の排気領域Ｅ１と記し、第２の処理領域Ｐ２に連通する領域を第２の排気領域Ｅ２と記す。第１の排気領域Ｅ１及び第２の排気領域Ｅ２の底部には、図１から図３に示されるように、それぞれ第１の排気口６１及び第２の排気口６２が形成されている。第１の排気口６１及び第２の排気口６２は、図１に示されるように、それぞれ排気管６３を介して真空排気手段である例えば真空ポンプ６４に接続されている。また、真空ポンプ６４と排気管６３との間に、圧力制御器６５が設けられる。
【００３１】
回転テーブル２と真空容器１の底部１４との間の空間には、図１及び図６に示されるように加熱手段であるヒータユニット７が設けられ、回転テーブル２を介して回転テーブル２上のウエハＷが、プロセスレシピで決められた温度（例えば２００℃）に加熱される。回転テーブル２の周縁付近の下方側には、回転テーブル２の上方空間から第１の排気領域Ｅ１、第２の排気領域Ｅ２に至るまでの雰囲気とヒータユニット７が置かれている雰囲気とを区画して回転テーブル２の下方領域へのガスの侵入を抑えるために、リング状のカバー部材７１が設けられている（図６）。このカバー部材７１は、回転テーブル２の外縁部及び外縁部よりも外周側を下方側から臨むように設けられた内側部材７１ａと、この内側部材７１ａと真空容器１の内周面との間に設けられた外側部材７１ｂと、を備えている。外側部材７１ｂは、分離領域Ｄにおいて凸状部４の外縁部に形成された屈曲部４６の下方にて、屈曲部４６と近接して設けられている。内側部材７１ａは、回転テーブル２の外縁部下方（及び外縁部よりも僅かに外側の部分の下方）において、ヒータユニット７を全周に亘って取り囲んでいる。
【００３２】
ヒータユニット７が配置されている空間よりも回転中心側の部位における底部１４は、回転テーブル２の下面の中心部付近におけるコア部２１に接近するように上方側に突出して突出部１２ａをなしている。この突出部１２ａとコア部２１との間は狭い空間になっており、また底部１４を貫通する回転軸２２の貫通穴の内周面と回転軸２２との隙間が狭くなっていて、これら狭い空間はケース体２０に連通している。そしてケース体２０にはパージガスであるＮ２ガスを狭い空間内に供給してパージするためのパージガス供給管７２が設けられている。また真空容器１の底部１４には、ヒータユニット７の下方において周方向に所定の角度間隔で、ヒータユニット７の配置空間をパージするための複数のパージガス供給管７３が設けられている（図６には一つのパージガス供給管７３を示す）。また、ヒータユニット７と回転テーブル２との間には、ヒータユニット７が設けられた領域へのガスの侵入を抑えるために、外側部材７１ｂの内周面（内側部材７１ａの上面）から突出部１２ａの上端部との間を周方向に亘って覆う蓋部材７ａが設けられている。蓋部材７ａは、例えば石英により形成されている。
【００３３】
また、真空容器１の天板１１の中心部には分離ガス供給管５１が接続されていて、天板１１とコア部２１との間の空間５２に分離ガスであるＮ２ガスを供給するように構成されている。この空間５２に供給された分離ガスは、突出部５と回転テーブル２との狭い空間５０を介して回転テーブル２のウエハ載置領域側の上面に沿って周縁に向けて吐出される。空間５０は分離ガスにより空間４８１及び空間４８２よりも高い圧力に維持され得る。したがって、空間５０により、第１の処理領域Ｐ１に供給されるＢＴＢＡＳガスと第２の処理領域Ｐ２に供給されるＯ３ガスとが、中心領域Ｃを通って混合することが抑制される。即ち、空間５０（又は中心領域Ｃ）は分離空間Ｈ（又は分離領域Ｄ）と同様に機能することができる。
【００３４】
さらに、真空容器１の側壁には、図２から図４に示されるように、外部の搬送アーム１０と回転テーブル２との間でウエハＷの受け渡しを行うための搬送口１５が形成されている。この搬送口１５は、図示しないゲートバルブにより開閉される。また、この搬送口１５に対向する位置にて回転テーブル２におけるウエハ載置領域である基板支持部材９１と搬送アーム１０との間でウエハＷの受け渡しが行われる。このため、回転テーブル２の下方側において受け渡し位置に対応する部位に、基板支持部材９１を貫通してウエハＷを下面から持ち上げるための受け渡し用の昇降ピン及びその昇降機構（いずれも図示せず）が設けられている。
【００３５】
また、本実施形態による成膜装置には、図１に示されるように、装置全体の動作のコントロールを行うためのコンピュータからなる制御部１００が設けられている。また、制御部１００のメモリ内には、制御部１００の制御の下に、後述する成膜方法を成膜装置に実施させるプログラムが格納されている。このプログラムは後述の成膜方法を実行するようにステップ群が組まれており、ハードディスクなどの媒体１０２に記憶されており、所定の読み取り装置により記憶部１０１へ読み込まれ、制御部１００内にインストールされる。
【００３６】
〔回転機構〕
本実施形態の成膜装置におけるウエハＷの回転機構について、図７から図１４に基づき説明する。図７から図１０は本実施形態の成膜装置におけるウエハＷの回転機構を示す概略図であり、図２及び図３における６個の凹部２ａのうちの１個の凹部２ａが形成された部分を拡大した図である。図７及び図８は、回転テーブル２が、ウエハＷに成膜を行うときの位置（以下「成膜位置」という。）に位置するときの回転テーブル２と回転ユニット２００との位置関係を示しており、それぞれ断面図及び斜視図である。なお、ウエハＷの搬送（搬入又は搬出）を行うときの位置（以下「搬送位置」という。）についても、例えば図７及び図８と同様の位置とすることができる。図９及び図１０は、回転テーブル２が、ウエハＷを回転（自転）させるときの位置（以下「自転位置）」ともいう。）に位置するときの回転テーブル２と回転ユニット２００との位置関係を示しており、それぞれ断面図及び斜視図である。
【００３７】
図７及び図８に示されるように、回転部２１０は、回転テーブル２が上昇した位置（搬送位置又は成膜位置）に位置するときに基板支持部材９１と接触しない高さを有する。また、図９及び図１０に示されるように、回転部２１０は、回転テーブル２が下降した位置（自転位置）に位置するときに基板支持部材９１の下面と接触して基板支持部材９１の下面を保持可能な高さを有する。
【００３８】
回転テーブル２は、例えば約１０ｍｍの厚さを有する石英板により円板状に形成されている。回転テーブル２の上面には、図７から図１０に示されるように、基板支持部材９１が着脱可能に載置される円形状の凹部２ａが形成されている。凹部２ａの中心部には、円形状の貫通穴２ｂが設けられている。
【００３９】
凹部２ａは、基板支持部材９１の外径よりも僅かに（例えば１ｍｍ）大きい内径と、基板支持部材９１の厚さにほぼ等しい深さとを有している。これにより、基板支持部材９１が凹部２ａに載置されると、回転テーブル２の上面（基板支持部材９１が載置されない領域）と基板支持部材９１の上面とがほぼ同じ高さになる（図７及び図８）。回転テーブル２の上面と基板支持部材９１の上面との間に段差が生じると、回転テーブル２及び基板支持部材９１の上方のガスの流れが乱れ、ウエハＷに堆積する膜の膜厚均一性に影響を与える場合がある。この影響を低減するため、回転テーブル２の上面と基板支持部材９１の上面とをほぼ同一の高さとし、ガスの流れが乱れることを抑制している。
【００４０】
凹部２ａには、基板支持部材９１が設けられている。基板支持部材９１は、例えば約４ｍｍの厚さを有する石英板により円板状に形成されている。
【００４１】
図７及び図９に示されるように、基板支持部材９１の上面には、ウエハＷが載置される円形凹状の載置部９１ａが形成されている。載置部９１ａの底面には、ウエハＷの下面を支持してウエハＷを昇降させるための昇降ピンが貫通する複数個（図示せず）の貫通穴が形成されている。載置部９１ａは、ウエハＷの直径よりも僅かに（例えば２ｍｍ）大きい内径と、ウエハＷの厚さにほぼ等しい深さとを有している。これにより、ウエハＷが載置部９１ａに載置されると、基板支持部材９１の上面（ウエハＷが載置されない領域）とウエハＷの上面とがほぼ同じ高さになる。基板支持部材９１の上面とウエハＷの上面との間に段差が生じると、基板支持部材９１及びウエハＷの上方のガスの流れが乱れ、ウエハＷに堆積する膜の膜厚均一性に影響を与える場合がある。この影響を低減するため、基板支持部材９１の上面とウエハＷの上面とをほぼ同一の高さとし、ガスの流れが乱れることを抑制している。
【００４２】
回転テーブル２（基板支持部材９１）の下方には、図７から図１０に示されるように、回転ユニット２００が設けられている。
【００４３】
図１１は本実施形態の成膜装置における回転ユニット２００の一例を示す図であり、図１１（ａ）は回転ユニット２００の斜視図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）の回転ユニット２００を縦方向に切断したときの斜視図である。図１２は図１１に示す回転ユニット２００の羽根部２１３を説明する図であり、回転ユニット２００の回転軸と平行な方向から羽根部２１３を見たときの図である。
【００４４】
図１１に示されるように、回転ユニット２００は、回転部２１０と、固定部２２０と、ストッパ部２３０とを有する。
【００４５】
回転部２１０は、基板支持部材９１を保持する例えば円板状に形成された保持部２１１と、保持部２１１の下面に取り付けられたシャフト部２１２と、保持部２１１よりも下方においてシャフト部２１２に固定された羽根部２１３とを有する。なお、回転部２１０は、保持部２１１、シャフト部２１２及び羽根部２１３が一体成型により形成されていてもよく、それぞれが別体で形成された後に一体として組み付けられることにより形成されていてもよい。
【００４６】
羽根部２１３は、エアを受風可能に形成されており、後述するエア供給部９２からエアが供給されることで回転する。羽根部２１３は、例えば図１２に示されるように、円板状部２１３ａと、円板状部２１３ａの外周部から円板状部２１３ａの外径方向に突出した複数の突起２１３ｂとを有する。羽根部２１３は、円板状部２１３ａの外周部の一部に突起２１３ｂが形成されていない部分を有する。
【００４７】
固定部２２０は、例えば図１１に示されるように、円環板状部材により形成され、ベアリング２２１を介して回転部２１０のシャフト部２１２を回転自在に支持する。固定部２２０は、真空容器１の底部１４の上面に取り付けられている。
【００４８】
ストッパ部２３０は、固定部２２０の上面に設けられ、羽根部２１３が所定の角度以上回転しないように回転部２１０の回転を停止する。固定部２２０の形状は、特に限定されず、羽根部２１３の回転を停止可能な形状であれば種々の形状とすることができる。
【００４９】
このような構成を有する回転ユニットによれば、回転テーブル２を下降させて回転ユニット２００により基板支持部材９１の下面を保持した状態で、回転ユニット２００にエアを供給することで、回転テーブル２に対して基板支持部材９１を所定の角度だけ回転させることができる。
【００５０】
次に、回転部２１０の動作について、図１３に基づき説明する。図１３は、図１２に示す羽根部２１３の動作を説明する図である。
【００５１】
回転部２１０は、エアが供給されることにより回転可能に構成されている。具体的には、回転部２１０は、羽根部２１３にエアが供給されると、シャフト部２１２（図１１）を回転軸として回転する。例えば、図１３（ａ）に示されるように、羽根部２１３にエアが供給されていない場合、羽根部２１３は回転することなく元の状態を維持する。これに対して、図１３（ｂ）及び図１３（ｃ）に示されるように、羽根部２１３にエアが供給されると、羽根部２１３は、エアが供給される位置に応じてシャフト部２１２を回転軸として反時計回り（図１３（ｂ））又は時計回り（図１３（ｃ））に回転する。そして、突起２１３ｂがストッパ部２３０に接触すると羽根部２１３の回転が停止する。なお、図１３では、羽根部２１３の円板状部２１３ａの外周部のうち突起２１３ｂが形成されていない部分の角度が９０°であるので、羽根部２１３にエアが供給されることにより回転する角度の合計は９０°となる。
【００５２】
次に、羽根部２１３にエアを供給するエア供給部９２について、図１４に基づき説明する。図１４は図１３に示す羽根部２１３の動作を実現するエア供給部９２の一例を示す図であり、回転ユニット２００の回転軸と平行な方向からエア供給部９２を見たときの図である。
【００５３】
図１４に示されるように、エア供給部９２は、回転ユニット２００の周囲に設けられており、第１のエア供給部９２ａと、第２のエア供給部９２ｂとを有する。第１のエア供給部９２ａは、羽根部２１３を反時計回りに回転させるようにエアを供給する。第２のエア供給部９２ｂは、羽根部２１３を時計回りに回転させるようにエアを供給する。
【００５４】
図１４（ａ）に示されるように、第１のエア供給部９２ａから羽根部２１３にエアを供給することで、羽根部２１３を反時計回りに回転させることができる。一方、図１４（ｂ）に示されるように、第２のエア供給部９２ｂから羽根部２１３にエアを供給することで、羽根部２１３を時計回りに回転させることができる。なお、第１のエア供給部９２ａからエアを供給する場合には、例えば第１のエア供給部９２ａに設けられたバルブ（図示せず）を開き、第２のエア供給部９２ｂに設けられたバルブ（図示せず）を閉じればよい。一方、第２のエア供給部９２ｂからエアを供給する場合には、例えば第１のエア供給部９２ａに設けられたバルブを閉じ、第２のエア供給部９２ｂに設けられたバルブを開けばよい。第１のエア供給部９２ａ及び第２のエア供給部９２ｂの位置は、羽根部２１３の形状に応じて定めることができる。また、第１のエア供給部９２ａ及び第２のエア供給部９２ｂから羽根部２１３に供給するエアの流量は、羽根部２１３を回転させることができれば特に限定されず、羽根部２１３の質量や形状に応じて定めることができる。
【００５５】
次に、本実施形態の回転機構の他の例について、図１５から図１８に基づき説明する。図１５は本実施形態の成膜装置における回転ユニット３００の他の例を示す図であり、図１５（ａ）は回転ユニット３００の斜視図であり、図１５（ｂ）は図１５（ａ）の回転ユニット３００を縦方向に切断したときの断面図である。図１６は図１５に示す回転ユニット３００の羽根部を説明する図であり、回転ユニット３００の回転軸と平行な方向から羽根部３１３を見たときの図である。
【００５６】
図１５及び図１６に示されるように、回転ユニット３００は、回転部３１０と、固定部３２０と、ストッパ部３３０とを有する。
【００５７】
回転部３１０は、基板支持部材９１を保持する例えば円板状に形成された保持部３１１と、保持部３１１の下面に取り付けられたシャフト部３１２と、保持部３１１よりも下方においてシャフト部３１２に固定された羽根部３１３とを有する。なお、回転部３１０は、保持部３１１、シャフト部３１２及び羽根部３１３が一体成型により形成されていてもよく、それぞれが別体で形成された後に一体として組み付けられることにより形成されていてもよい。
【００５８】
羽根部３１３は、後述するエア供給部９２からエアが供給されることで回転可能に形成されている。羽根部３１３は、例えば図１６に示されるように、円板状部３１３ａと、円板状部３１３ａの外縁部から回転ユニット３００の回転軸と平行な方向（シャフト部３１２と平行な方向）に突出した複数の突起３１３ｂとを有する。羽根部３１３は、円板状部３１３ａの外縁部の一部に突起３１３ｂが形成されていない相対的に窪んだ部分を有する。
【００５９】
固定部３２０は、例えば図１５（ｂ）に示されるように、円環板状部材により形成され、ベアリング３２１を介して回転部３１０のシャフト部３１２を回転自在に支持する。固定部３２０は、真空容器１の底部１４の上面に取り付けられている。
【００６０】
ストッパ部３３０は、羽根部３１３が所定の角度以上回転しないように回転部３１０の回転を停止可能な位置に設けられている。固定部３２０の形状は、特に限定されず、羽根部３１３の回転を停止可能な形状であれば種々の形状とすることができる。
【００６１】
次に、回転部３１０の動作について、図１７に基づき説明する。図１７は、図１６に示す羽根部３１３の動作を説明する図である。
【００６２】
回転部３１０は、エアが供給されることにより回転可能に構成されている。具体的には、回転部３１０は、羽根部３１３にエアが供給されると、シャフト部３１２（図１５）を回転軸として回転する。例えば、図１７（ａ）に示されるように、羽根部３１３にエアが供給されていない場合、羽根部３１３は回転することなく元の状態を維持する。これに対して、図１７（ｂ）及び図１７（ｃ）に示されるように、羽根部３１３にエアが供給されると、羽根部３１３は、エアが供給される位置に応じてシャフト部３１２を回転軸として反時計回り（図１７（ｂ））又は時計回り（図１７（ｃ））に回転する。そして、突起３１３ｂがストッパ部３３０に接触すると羽根部３１３の回転が停止する。なお、図１７では、羽根部３１３の円板状部３１３ａの外縁部のうち突起３１３ｂが形成されていない部分の角度が９０°であるので、羽根部３１３にエアが供給されることにより回転する角度の合計は９０°となる。
【００６３】
また、回転部３１０は、前述した回転ユニット２００の場合と同様に、回転テーブル２が上昇した位置（搬送位置又は成膜位置）に位置するときに基板支持部材９１と接触しない高さを有する。また、回転部３１０は、前述した回転ユニット２００の場合と同様に、回転テーブル２が下降した位置（自転位置）に位置するときに基板支持部材９１の下面と接触して基板支持部材９１の下面を保持可能な高さを有する。
【００６４】
このため、回転テーブル２を下降させて回転ユニット３００により基板支持部材９１の下面を保持した状態で、エア供給部９２から回転ユニット３００にエアを供給することで、回転テーブル２に対して基板支持部材９１を所定の角度だけ回転させることができる（図１４）。
【００６５】
次に、羽根部３１３にエアを供給するエア供給部９２について、図１８に基づき説明する。図１８は、図１７に示す羽根部３１３の動作を実現するエア供給部９２の一例を示す図であり、回転ユニット３００の回転軸と平行な方向からエア供給部９２を見たときの図である。
【００６６】
図１８に示されるように、エア供給部９２は、回転ユニット３００の周囲に設けられており、第１のエア供給部９２ａと、第２のエア供給部９２ｂとを有する。第１のエア供給部９２ａは、羽根部３１３を反時計回りに回転させるようにエアを供給する。第２のエア供給部９２ｂは、羽根部３１３を時計回りに回転させるようにエアを供給する。
【００６７】
図１８（ａ）に示されるように、第１のエア供給部９２ａから羽根部３１３にエアを供給することで、羽根部３１３を反時計回りに回転させることができる。一方、図１８（ｂ）に示されるように、第２のエア供給部９２ｂから羽根部３１３にエアを供給することで、羽根部３１３を時計回りに回転させることができる。なお、第１のエア供給部９２ａからエアを供給する場合には、例えば第１のエア供給部９２ａに設けられたバルブ（図示せず）を開き、第２のエア供給部９２ｂに設けられたバルブ（図示せず）を閉じればよい。一方、第２のエア供給部９２ｂからエアを供給する場合には、例えば第１のエア供給部９２ａに設けられたバルブを閉じ、第２のエア供給部９２ｂに設けられたバルブを開けばよい。第１のエア供給部９２ａ及び第２のエア供給部９２ｂの位置は、羽根部３１３の形状に応じて定めることができる。また、第１のエア供給部９２ａ及び第２のエア供給部９２ｂから羽根部３１３に供給するエアの流量は、羽根部３１３を回転させることができれば特に限定されず、羽根部３１３の質量や形状に応じて定めることができる。
【００６８】
〔成膜方法〕
本実施形態の成膜方法について、図１９から図２５に基づき説明する。図１９は、本実施形態の成膜方法の一例を示すフローチャートである。
【００６９】
図１９に示されるように、本実施形態の成膜方法は、搬入工程と、成膜工程と、自転工程と、搬出工程とを有する。そして、本実施形態の成膜方法では、成膜工程と自転工程とを交互に複数回繰り返すことにより、回転テーブル２に対してウエハＷを間欠的に回転させながらウエハＷに所定の膜厚の膜を堆積させる。このため、成膜工程ごとに回転テーブル２に対してウエハＷが所定の角度だけ回転するので、ウエハＷの上面の各点における成膜量を均一化することができる。また、自転工程において、エアを用いて回転させた回転ユニット２００によりウエハＷを回転させるので、ウエハＷを回転させるための駆動装置を容器の外部に設ける必要がない。その結果、簡素な機構で回転テーブル２に対してウエハＷを回転させて、ウエハＷに堆積する膜の膜厚均一性を向上させることができる。
【００７０】
以下では、本実施形態の成膜方法の一例として、前述の成膜装置を用いてウエハＷにシリコン酸化膜を成膜する方法について説明する。
【００７１】
図２０から図２５は、本実施形態の成膜方法の工程図である。なお、図２０から図２５において、（ａ）図は図２及び図３における６個の凹部２ａのうちの１個の凹部２ａが形成された部分を拡大した概略断面図であり、（ｂ）図は回転ユニット２００の羽根部の回転を説明する概略平面図である。
【００７２】
なお、以下では、搬送位置と成膜位置とが同じ位置（以下「搬送・成膜位置」ともいう。）である場合を例に説明するが、搬送位置と成膜位置とは、基板支持部材９１の下面が回転ユニット２００に接触しない位置であれば異なる位置であってもよい。
【００７３】
（搬入工程）
まず、制御部１００は、回転テーブル２が搬送・成膜位置に位置しているか否かを判定する（ステップＳ１０２）。
【００７４】
ステップＳ１０２において、制御部１００が、回転テーブル２が搬送・成膜位置に位置していると判定した場合、制御部１００は、真空容器１内にウエハＷを搬入するように成膜装置を制御する（ステップＳ１０６）。具体的には、図示しないゲートバルブを開き、外部から搬送アーム１０により搬送口１５を介して、図２０（ａ）に示されるように、ウエハＷを基板支持部材９１の載置部９１ａに受け渡す。この受け渡しは、載置部９１ａが搬送口１５に対向する位置に停止したときに載置部９１ａの底面の貫通穴を介して真空容器１の底部１４側から不図示の昇降ピンが昇降することにより行われる。このようなウエハＷの受け渡しを、回転テーブル２を間欠的に回転させて行い、基板支持部材９１の６つの載置部９１ａにそれぞれウエハＷを載置する。このとき、羽根部２１３にはエアが供給されていないので、図２０（ｂ）に示されるように、羽根部２１３はいずれの方向にも回転しない状態となっている。
【００７５】
ステップＳ１０２において、制御部１００が、回転テーブル２が搬送・成膜位置に位置していないと判定した場合、制御部１００は、回転テーブル２が搬送・成膜位置へ移動するように回転テーブル２を上昇又は下降させる（ステップＳ１０４）。回転テーブル２が搬送・成膜位置に移動した後、制御部１００は、真空容器１内にウエハＷを搬入するように成膜装置を制御する（ステップＳ１０６）。
【００７６】
（成膜工程）
続いて、制御部１００は、所定の成膜条件でウエハＷに対して成膜処理を行うように成膜装置を制御する（ステップＳ１０８）。
【００７７】
具体的には、真空容器１内にウエハＷを搬入した後、ゲートバルブを閉じ、真空ポンプ６４により真空容器１内を予め設定された圧力にまで排気する。次いで、回転テーブル２を時計回りに回転（公転）させる。回転テーブル２及び基板支持部材９１は、ヒータユニット７により予め所定の温度に加熱されており、ウエハＷは載置部９１ａに載置されることにより加熱される。ウエハＷが予め設定された所定の温度に加熱された後、反応ガスノズル３１から第１の処理領域Ｐ１に第１の反応ガス（ＢＴＢＡＳガス）を供給し、反応ガスノズル３２から第２の処理領域Ｐ２に第２の反応ガス（Ｏ３ガス）を供給する。また、分離ガスノズル４１、４２から分離ガス（Ｎ２ガス）を供給する。
【００７８】
ウエハＷが反応ガスノズル３１の下方の第１の処理領域Ｐ１を通過するときにウエハＷの上面にＢＴＢＡＳ分子が吸着し、反応ガスノズル３２の下方の第２の処理領域Ｐ２を通過するときにウエハＷの上面にＯ３分子が吸着し、Ｏ３によりＢＴＢＡＳ分子が酸化する。即ち、回転テーブル２の回転により、ウエハＷが第１の処理領域Ｐ１及び第２の処理領域Ｐ２を一回通過すると、ウエハＷの上面に酸化シリコンの一分子層が形成される。そして、回転テーブル２の回転によりウエハＷが第１の処理領域Ｐ１及び第２の処理領域Ｐ２を交互に所定の回数通過した後、ＢＴＢＡＳガスとＯ３ガスの供給を停止し、回転軸２２の回転を停止させて回転テーブル２の回転を停止させる。
【００７９】
（自転工程）
続いて、制御部１００は、回転ユニット２００を反時計回り（第１の回転方向）に回転させる（ステップＳ１１０）。具体的には、図２１（ｂ）に示されるように、制御部１００は、第１のエア供給部９２ａにより、羽根部２１３が反時計回りに回転するようにエアを供給する。このとき、図２１（ａ）に示されるように、回転テーブル２は搬送・成膜位置に位置しているため、基板支持部材９１の下面と回転ユニット２００とが接触していない。このため、羽根部２１３が反時計回りに回転すると、基板支持部材９１は回転することなく、回転ユニット２００のみが反時計回りに回転する。
【００８０】
続いて、制御部１００は、回転テーブル２を下降させて、回転テーブル２を搬送・成膜位置から自転位置へ移動させる（ステップＳ１１２）。具体的には、図２２（ａ）に示されるように、回転テーブル２を下降させて、基板支持部材９１の下面を回転ユニット２００の上面に接触させて、回転ユニット２００により基板支持部材９１を保持する。このとき、回転テーブル２の凹部２ａに載置されていた基板支持部材９１を凹部２ａから僅かに離間させることが好ましい。また、図２２（ｂ）に示されるように、羽根部２１３にはエアが供給され続けているので、回転ユニット２００は回転しない。
【００８１】
続いて、制御部１００は、回転ユニット２００を時計回り（第２の回転方向）に回転させる（ステップＳ１１４）。具体的には、図２３（ｂ）に示されるように、制御部１００は、第２のエア供給部９２ｂにより、羽根部２１３が時計回りに回転するようにエアを供給する。このとき、図２３（ａ）に示されるように、回転テーブル２は自転位置に位置しているため、基板支持部材９１の下面が回転ユニット２００により保持されている。このため、回転ユニット２００が時計回りに所定の角度だけ回転すると、基板支持部材９１も時計回りに所定の角度だけ回転する。
【００８２】
なお、所定の角度は、堆積する膜の膜厚が目標膜厚に達するまでの間に、所定の回数の自転工程において回転した回転テーブル２に対する基板支持部材９１の回転角度の合計が３６０°の整数倍（ｎ倍）となるように定められることが好ましい。これにより、目標膜厚の膜が成膜させる間に、ウエハＷがｎ回転することになる。このため、ウエハＷ面内に生じ得る膜の厚い部分の膜厚と薄い部分の膜厚とが効果的に相殺され、ウエハＷに堆積する膜の膜厚均一性を特に向上させることができる。
【００８３】
具体的には、例えば堆積するシリコン酸化膜の膜厚が目標膜厚に達するまでの間に自転工程が４回行われる場合、所定の角度は９０°（３６０°／４）であることが好ましい。また、例えば堆積する膜の膜厚が目標膜厚に達するまでの間に自転工程が１２回行われる場合、所定の角度は６０°（７２０°／１２）、９０°（１０８０°／１２）、１２０°（１４４０°／１２）であることが好ましい。
【００８４】
続いて、制御部１００は、回転テーブル２を上昇させて、回転テーブル２を自転位置から搬送・成膜位置へ移動させる（ステップＳ１１６）。具体的には、図２４（ａ）に示されるように、回転テーブル２を上昇させて、基板支持部材９１の下面を回転ユニット２００の保持部２１１の上面から離間させる。また、図２４（ｂ）に示されるように、羽根部２１３にはエアが供給され続けているので、回転ユニット２００は回転しない。
【００８５】
続いて、制御部１００は、所定の回数の成膜工程が行われたか否かを判定する（ステップＳ１１８）。
【００８６】
ステップＳ１１８において、制御部１００が、所定の回数の成膜工程が行われたと判定した場合、制御部１００は、第１のエア供給部９２ａからのエアの供給を停止し、ステップＳ１２０へ進む。
【００８７】
ステップＳ１１８において、制御部１００が、所定の回数の成膜工程が行われていないと判定した場合、制御部１００は、第１のエア供給部９２ａからのエアの供給を停止し、ステップＳ１０８へ戻る。このとき、ｎ回目（ｎは１以上の整数）の成膜工程では、（ｎ−１）回目の成膜工程に対して、回転テーブル２に対するウエハＷの角度が所定の角度だけ回転した状態で成膜処理が行われる。即ち、成膜工程ごとに回転テーブル２に対しウエハＷが所定の角度だけ回転するので、ウエハＷの上面の各点における成膜量を均一化することができる。このため、真空容器１内のガスの流れや、回転テーブル２の温度に分布がある場合であっても、ガスの流れや回転テーブル２の温度の分布による影響を相殺し、ウエハＷに堆積する膜の膜厚均一性を向上させることができる。
【００８８】
（搬出工程）
制御部１００は、真空容器１内にウエハＷを搬出するように成膜装置を制御する（ステップＳ１２０）。具体的には、真空容器１内をパージし、搬入工程における動作と逆の動作によりウエハＷを搬送アーム１０により真空容器１から順次搬出する。
【００８９】
以上の工程により、ウエハＷの上面に所定の膜厚を有するシリコン酸化膜が成膜される。
【００９０】
なお、本実施形態の成膜方法では、ステップＳ１１０において回転ユニット２００を反時計回りに回転させ、ステップＳ１１４において回転ユニット２００を時計回りに回転させる形態を説明したが、これに限定されない。ステップＳ１１０において回転ユニット２００を時計回りに回転させ、ステップＳ１１４において回転ユニット２００を反時計回りに回転させてもよい。
【００９１】
以上に説明したように、本実施形態によれば、エアを用いた回転ユニット２００の回転により成膜工程ごとに回転テーブル２に対してウエハＷを所定の角度だけ回転させることができるので、ウエハＷの上面の各点における成膜量を均一化できる。このため、簡素な機構で回転テーブル２に対してウエハＷを回転させて、ウエハＷに堆積する膜の膜厚均一性を向上させることができる。
【００９２】
以上、成膜装置、成膜方法、プログラム及びコンピュータ可読記憶媒体を上記実施形態により説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。
【００９３】
また、本実施形態では、シリコン酸化膜の分子層成膜について説明したが、これに限定されず、例えばシリコン窒化膜の分子層成膜を行うこともできる。シリコン窒化膜の分子層成膜のための窒化ガスとしては、例えばアンモニア（ＮＨ３）を用いることができる。
【００９４】
また、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜の分子層成膜のための原料ガスとしては、ＢＴＢＡＳに限定されない。原料ガスとしては、例えばジクロロシラン（ＤＣＳ）、ヘキサクロロジシラン（ＨＣＤ）、トリジメチルアミノシラン（３ＤＭＡＳ）、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を用いることができる。
【００９５】
さらに、本発明に係る成膜装置では、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜の分子層成膜に限定されず、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）とＯ３又は酸素プラズマとを用いた酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）の分子層成膜、テトラキスエチルメチルアミノジルコニウム（ＴＥＭＡＺ）とＯ３又は酸素プラズマとを用いた酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）の分子層成膜、テトラキスエチルメチルアミノハフニウム（ＴＥＭＡＨｆ）とＯ３又は酸素プラズマとを用いた酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）の分子層成膜、ストロンチウムビステトラメチルヘプタンジオナト（Ｓｒ（ＴＨＤ）２）とＯ３又は酸素プラズマとを用いた酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）の分子層成膜、チタニウムメチルペンタンジオナトビステトラメチルヘプタンジオナト（Ｔｉ（ＭＰＤ）（ＴＨＤ））とＯ３又は酸素プラズマとを用いた酸化チタニウム（ＴｉＯ）の分子層成膜などを行うことができる。
【符号の説明】
【００９６】
１        真空容器
２        回転テーブル
２ａ      凹部
２ｂ      貫通穴
７        ヒータユニット
１４      底部
１６      ベローズ
２３      駆動部
３１      反応ガスノズル
３２      反応ガスノズル
９１      基板支持部材
９１ａ    載置部
９２      エア供給部
９２ａ    第１のエア供給部
９２ｂ    第２のエア供給部
１００    制御部
２００    回転ユニット
２１０    回転部
２１１    保持部
２１２    シャフト部
２１３    羽根部
２１３ａ  円板状部
２１３ｂ  突起
２２０    固定部
２２１    ベアリング
２３０    ストッパ部
３００    回転ユニット
３１０    回転部
３１１    保持部
３１２    シャフト部
３１３    羽根部
３１３ａ  円板状部
３１３ｂ  突起
３２０    固定部
３２１    ベアリング
３３０    ストッパ部
Ｗ        ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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