(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体よりも抵抗率の大きい第２の絶縁体とを備えた積層体と、
前記第１の絶縁体と前記第２の絶縁体との間に位置し、所定の端面が少なくとも前記積層体の端面近傍に位置する金属導体と、
前記金属導体の所定の端面に形成され、かつ、前記第２の絶縁体の端面よりも前記第１の絶縁体の端面の方に広がる態様で形成されているめっき膜と、
前記めっき膜の外側に形成され、当該めっき膜を介して前記金属導体と電気的に接続されている外側導体と、
を備えることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記金属導体の所定の端面は、前記積層体の端面よりも内側に位置することを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第１の絶縁体は磁性体であり、前記第２の絶縁体は非磁性体であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記第１の絶縁体の内部にはコイルが形成されており、
前記外側導体は、シールドとしての機能を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項５】
前記金属導体は、グランドと電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に関し、特に、絶縁体の間に金属導体が配置された構造を有する電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁体の間に金属導体が挟まれた構造を有する電子部品が知られている。【０００３】
そのような電子部品の一つとして、特許文献１には、卑金属を主成分とする金属導体の端面を、Ｐｄ、Ａｕ、ＰｔおよびＡｇから選ばれる少なくとも１種を主成分とする金属膜で被覆し、さらにその上に、めっき膜を形成した電子部品が記載されている。この電子部品によれば、金属導体の端面を貴金属で覆うことにより、金属導体の端面に均一にめっき膜を形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−９３１１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の電子部品では、金属導体を挟み込むように配置されている絶縁体は同じものが用いられているため、金属導体の端面に形成されるめっき膜は、引用文献１の図４で示されているように、金属膜の位置を中心として外側に膨らむように形成されてしまい、平坦に広がった平面面積の大きいめっき膜を形成することは困難である。このため、めっき膜の外側に、めっき膜を介して金属導体と電気的に接続される外側導体を配置する構成とする場合、外側導体とめっき膜との接続面積を十分に広くすることができず、金属導体と外側導体との間の接続信頼性に改善の余地があった。【０００６】
本発明は、上記課題を解決するものであり、外側導体とめっき膜との接続面積を広くし、金属導体と外側導体との間の接続信頼性を向上させることが可能な電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電子部品は、
第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体よりも抵抗率の大きい第２の絶縁体とを備えた積層体と、
前記第１の絶縁体と前記第２の絶縁体との間に位置し、所定の端面が少なくとも前記積層体の端面近傍に位置する金属導体と、
前記金属導体の所定の端面に形成され、かつ、前記第２の絶縁体の端面よりも前記第１の絶縁体の端面の方に広がる態様で形成されているめっき膜と、
前記めっき膜の外側に形成され、当該めっき膜を介して前記金属導体と電気的に接続されている外側導体と、
を備えることを特徴とする。【０００８】
前記金属導体の所定の端面は、前記積層体の端面よりも内側に位置するように構成されていてもよい。【０００９】
前記第１の絶縁体は磁性体であり、前記第２の絶縁体は非磁性体であってもよい。【００１０】
前記第１の絶縁体の内部にはコイルが形成されており、
前記外側導体は、シールドとしての機能を有するように構成されていてもよい。【００１１】
前記金属導体は、グランドと電気的に接続されていてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の電子部品によれば、金属導体の端面に形成されているめっき膜は、第２の絶縁体の端面よりも抵抗率の小さい第１の絶縁体の端面の方に広がる態様で形成されているので、金属導体の端面を中心として外側に膨らむような態様でめっき膜が形成されている構成と比べて、めっき膜と外側導体との接続面積が広くなる。これにより、金属導体と外側導体との間の接続信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態における電子部品としてのフェライト基板モジュールの概略構成を示す断面図である。
【図２】一実施形態における電子部品としてのフェライト基板モジュールが適用される電源回路例を示す概略回路図である。
【図３】第４の配線導体の外側端面と周辺の拡大図である。
【図４】第４の配線導体の外側端面を含む周辺領域を、図３の矢印Ｙ１の方向から見た図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、フェライト基板モジュールの製造方法を説明するための図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）は、フェライト基板モジュールの製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに具体的に説明する。
【００１５】
以下では、本発明の電子部品として、フェライト基板モジュールを例に挙げて説明する。
【００１６】
図１は、本発明の一実施形態における電子部品としてのフェライト基板モジュール１０の概略構成を示す断面図である。また、図２は、一実施形態における電子部品としてのフェライト基板モジュール１０が適用される電源回路例を示す概略回路図である。
【００１７】
図１に示すように、フェライト基板モジュール１０は、フェライト基板２０と、封止樹脂３０と、第１の実装型電子部品５１および第２の実装型電子部品５２と、外側導体６０とを備える。
【００１８】
フェライト基板２０は、略直方体の形状を有する。すなわち、フェライト基板２０は、互いに対向する第１主面２０３Ａおよび第２主面２０３Ｂと、当該第１主面２０３Ａと第２主面２０３Ｂとを連接させる第１側面２０１および第２側面２０２とを少なくとも有する。
【００１９】
積層体であるフェライト基板２０は、第１の磁性体層２１、第２の磁性体層２２、第１の非磁性体層２４、第２の非磁性体層２５、および、第３の非磁性体層２３を備える。第１の磁性体層２１、第２の磁性体層２２、第１の非磁性体層２４、第２の非磁性体層２５、および、第３の非磁性体層２３はいずれもセラミック絶縁体層である。また、第１の磁性体層２１および第２の磁性体層２２は、複数のセラミック絶縁体層が積層されたものである。第２の磁性体層２２は、本発明の第１の絶縁体に対応し、第２の非磁性体層２５は、本発明の第２の絶縁体に対応する。
【００２０】
第３の非磁性体層２３は、第１の磁性体層２１と第２の磁性体層２２の間に配置されている。この第３の非磁性体層２３は、省略することも可能である。第３の非磁性体層２３を省略した場合、第１の磁性体層２１および第２の磁性体層２２からなる磁性体層が本発明の第１の絶縁体に対応することになる。ただし、第３の非磁性体層２３を設けることによって、後述するコイル４０１の直流重畳特性を向上させることができる。
【００２１】
第１の非磁性体層２４は、第１の磁性体層２１の両面のうち、第３の非磁性体層２３との当接面とは反対側の面に当接している。
【００２２】
第２の非磁性体層２５は、第２の磁性体層２２の両面のうち、第３の非磁性体層２３との当接面とは反対側の面に当接している。
【００２３】
すなわち、厚み方向に沿って、第１の非磁性体層２４、第１の磁性体層２１、第３の非磁性体層２３、第２の磁性体層２２、および、第２の非磁性体層２５が順に積層されている。
【００２４】
第１の磁性体層２１、第３の非磁性体層２３、および第２の磁性体層２２の積層部分には、コイル４０１が形成されている。
【００２５】
コイル４０１は、平面視で、フェライト基板２０の中央に開口部を有し、厚み方向を軸方向とする螺旋形の導体として構成されている。この構成を実現するため、コイル４０１は、複数のコイル導体と複数の層間接続導体とを備える。
【００２６】
複数のコイル導体のそれぞれは、巻回形、すなわち、周上の一部を切り欠いた環状の形状を有する。複数のコイル導体は、フェライト基板２０の第１の磁性体層２１および第２の磁性体層２２における厚み方向の異なる位置に形成されている。これら複数のコイル導体は、第１の磁性体層２１、第２の磁性体層２２、および、第３の非磁性体層２３に形成された層間接続導体によって、１本の導体となるように接続されている。接続されたコイル導体の端部は、第１の非磁性体層２４に形成された層間接続導体を介して第１の非磁性体層２４上に搭載された実装型電子部品（例えば制御用ＩＣ）に電気的に接続されている。
【００２７】
第１の非磁性体層２４には、第１の部品実装用ランド導体４４１、第２の部品実装用ランド導体４４２、第１の配線導体４５１、第２の配線導体４５２、第１の層間接続導体４６１、および、第２の層間接続導体４６２が形成されている。
【００２８】
第１の部品実装用ランド導体４４１および第２の部品実装用ランド導体４４２は、フェライト基板２０の第１主面２０３Ａ、すなわち、第１の非磁性体層２４の両面のうち、第１の磁性体層２１との当接面とは反対側の面に形成されている。第１の部品実装用ランド導体４４１には、第１の実装型電子部品５１が実装されている。また、第２の部品実装用ランド導体４４２には、第２の実装型電子部品５２が実装されている。
【００２９】
第１の配線導体４５１は、第１の非磁性体層２４と第１の磁性体層２１との界面に形成されている。第１の配線導体４５１の一方端付近は、第１の層間接続導体４６１を介して、第１の部品実装用ランド導体４４１と電気的に接続されている。第１の配線導体４５１の他方端は、後述する外側導体６０と接続されている。
【００３０】
第２の配線導体４５２は、第１の非磁性体層２４と第１の磁性体層２１との界面に形成されている。第２の配線導体４５２の一方端付近は、第２の層間接続導体４６２を介して、第２の部品実装用ランド導体４４２と電気的に接続されている。第２の配線導体４５２の他方端は、後述する外側導体６０と接続されている。
【００３１】
第２の非磁性体層２５には、第１の端子導体４１１、第２の端子導体４１２、第３の配線導体４２１、第４の配線導体４２２、第３の層間接続導体４３１、および、第４の層間接続導体４３２が形成されている。
【００３２】
第１の端子導体４１１および第２の端子導体４１２は、第２の非磁性体層２５の両面のうち、第２の磁性体層２２との当接面とは反対側の面に形成されている。第１の端子導体４１１および第２の端子導体４１２は、基準電位用の端子導体、例えば、グランド（接地）用の端子導体である。
【００３３】
第３の配線導体４２１は、本発明の金属導体に対応する。第３の配線導体４２１は、第２の非磁性体層２５と第２の磁性体層２２との界面に形成されている。すなわち、第３の配線導体４２１は、第２の非磁性体層２５と第２の磁性体層２２との間に配置されている。第３の配線導体４２１の一方端付近は、第３の層間接続導体４３１を介して、第１の端子導体４１１と電気的に接続されている。
【００３４】
第３の配線導体４２１の他方端側の端面は、フェライト基板２０の第１側面２０１の近傍に位置する。この第３の配線導体４２１の他方端側の端面には、めっき膜８１が形成されている。めっき膜８１の詳細については後述する。
【００３５】
第４の配線導体４２２は、本発明の金属導体に対応する。第４の配線導体４２２は、第２の非磁性体層２５と第２の磁性体層２２との界面に形成されている。すなわち、第４の配線導体４２２は、第２の非磁性体層２５と第２の磁性体層２２との間に配置されている。第４の配線導体４２２の一方端付近は、第４の層間接続導体４３２を介して、第２の端子導体４１２と電気的に接続されている。
【００３６】
第４の配線導体４２２の他方端側の端面は、フェライト基板２０の第２側面２０２の近傍に位置する。この第４の配線導体４２２の他方端側の端面には、めっき膜８２が形成されている。めっき膜８２の詳細については、図３を用いて後述する。
【００３７】
封止樹脂３０は、フェライト基板２０の第１主面２０３Ａと、第１の実装型電子部品５１および第２の実装型電子部品５２とを覆っている。
【００３８】
シールドとしての機能を有する外側導体６０は、封止樹脂３０の表面、フェライト基板２０の第１側面２０１および第２側面２０２を覆っている。外側導体６０は、例えば、ステンレス鋼、銅、および、ステンレス鋼の三層により構成されている。
【００３９】
第１の配線導体４５１および第２の配線導体４５２は、外側導体６０と電気的に接続されている。また、第３の配線導体４２１は、めっき膜８１を介して、外側導体６０と電気的に接続され、第４の配線導体４２２は、めっき膜８２を介して、外側導体６０と電気的に接続されている。
【００４０】
第１の端子導体４１１および第２の端子導体４１２がグランド（接地）用の端子導体である場合、第３の配線導体４２１および第４の配線導体４２２もグランドと電気的に接続される。したがって、外側導体６０もグランドと電気的に接続される。
【００４１】
ここで、第１の配線導体４５１、第２の配線導体４５２、第３の配線導体４２１、および、第４の配線導体４２２は、Ａｇを主成分とすることが好ましい。これにより、第１の配線導体４５１、第２の配線導体４５２、第３の配線導体４２１、および、第４の配線導体４２２の導電率が向上し、グランドを、より安定化することができる。
【００４２】
なお、本発明の金属導体である第３の配線導体４２１および第４の配線導体４２２の主成分がＡｇに限定されることはない。
【００４３】
上述した構成のフェライト基板モジュール１０は、図２に示すような回路に適用される。図２に示すように、フェライト基板モジュール１０は、入力端子ＰＩＮ、出力端子ＰＯＵＴ、グランド端子ＰＧＮＤ、制御ＩＣ７１、入力コンデンサ７２、インダクタ（チョークコイル）７３、および、出力コンデンサ７４を備える。
【００４４】
入力端子ＰＩＮには、制御ＩＣ７１の入力端が接続されている。入力端子ＰＩＮとグランド端子ＰＧＮＤとの間には、入力コンデンサ７２が接続されている。制御ＩＣ７１の出力端にはインダクタ７３の一端が接続されており、当該インダクタ７３の他端は、出力端子ＰＯＵＴに接続されている。出力端子ＰＯＵＴとグランド端子ＰＧＮＤとの間には、出力コンデンサ７４が接続されている。グランド端子ＰＧＮＤは、基準電位である外部のグランド（接地電位）に接続されている。
【００４５】
このような構成により、フェライト基板モジュール１０は、制御ＩＣ７１によるスイッチング制御により、入力端子ＰＩＮに与えられた入力電圧Ｖｉｎを、出力電圧Ｖｏｕｔとして出力端子ＰＯＵＴから出力する。すなわち、フェライト基板モジュール１０は、降圧型のＤＣＤＣコンバータとして機能する。
【００４６】
図２の制御ＩＣ７１は、図１の第１の実装型電子部品５１によって実現され、図２の入力コンデンサ７２および出力コンデンサ７４は、図１の第２の実装型電子部品５２によって実現され、図２のインダクタ７３は、図１のコイル４０１によって実現される。そして、これらをシールドする外側導体６０とグランド端子ＰＧＮＤとの接続の安定性が向上することにより、ノイズを抑制したＤＣＤＣコンバータを実現することができる。
【００４７】
図３は、第４の配線導体４２２の外側端面と周辺の拡大図である。以下では、第４の配線導体４２２の外側端面に形成されているめっき膜８２について説明するが、第３の配線導体４２１の外側端面に形成されているめっき膜８１についても同様の構成を有する。
【００４８】
第４の配線導体４２２の外側端面４２２ａは、第２の磁性体層２２の端面２２ａおよび第２の非磁性体層２５の端面２５ａよりも内側に位置する。第４の配線導体４２２の外側端面４２２ａには、めっき膜８２が形成されている。
【００４９】
めっき膜８２は、第２の非磁性体層２５の端面２５ａよりも第２の磁性体層２２の端面２２ａの方に広がる態様で形成されている。図４は、第４の配線導体４２２の外側端面４２２ａを含む周辺領域を、図３の矢印Ｙ１の方向から見た図である。
【００５０】
めっき膜８２は、電解めっき膜であってもよいし、無電解めっき膜であってもよい。めっき膜８２の金属種は特に限られるものではなく、例えば、Ｎｉ＋Ａｕ、Ｎｉ＋Ｓｎなどを用いることができる。
【００５１】
第２の磁性体層２２の抵抗率は、第２の非磁性体層２５の抵抗率と比べて小さい。言い換えれば、第２の磁性体層２２は、導体に対して親和性が高い。このため、フェライト基板モジュール１０の製造工程において、第４の配線導体４２２の端面４２２ａにめっき膜を形成すると、抵抗率の小さい第２の磁性体層２２の方へめっき析出が進む。これにより、第４の配線導体４２２の端面４２２ａに形成されためっき膜８２は、第２の非磁性体層２５の端面２５ａよりも第２の磁性体層２２の端面２２ａの方に広がった形状を有する。換言すると、めっき膜８２が第２の磁性体層２２の端面２２ａを覆っている面積は、第２の非磁性体層２５の端面２５ａを覆っている面積よりも大きい。
【００５２】
上記のように、めっき膜８２は、積層方向における、第４の配線導体４２２の厚さよりも広い範囲に形成されている。より詳しくは、めっき膜８２は、図４に示すように、第２の磁性体層２２の端面２２ａにおいて、第４の配線導体４２２の厚さ以上の長さに延びている。これにより、第４の配線導体４２２の端面４２２ａに、外側に突出するような形状を有し、かつ、積層方向外側にそれほど広がりを有していないような形状のめっき膜が形成された場合と比べて、めっき膜８２と外側導体６０との接続面積が増えるので、めっき膜８２を介した第４の配線導体４２２と外側導体６０との電気的接続性が向上する。したがって、外側導体６０のグランドがより安定化し、フェライト基板モジュール１０から発せられる高周波の放射ノイズを効果的に低減することができる。
【００５３】
また、第４の配線導体４２２の端面４２２ａに形成されているめっき膜８２は、外側に突出するような形状ではなく、第２の磁性体層２２の端面２２ａの方に広がる形状を有するので、フェライト基板モジュール１０の製造工程において、めっき膜８２の外側に外側導体６０を容易に形成することが可能となる。
【００５４】
上述したように、本実施形態では、第４の配線導体４２２の端面４２２ａは、第２の磁性体層２２の端面２２ａおよび第２の非磁性体層２５の端面２５ａよりも内側に位置する。このため、図３に示すように、めっき膜８２は、第４の配線導体４２２の端面４２２ａよりも外側であって、第２の磁性体層２２と第２の非磁性体層２５との間の領域に形成される。これにより、めっき膜８２と、絶縁体層である第２の磁性体層２２および第２の非磁性体層２５との間の接触面積が増えるため、めっき膜８２と、第２の磁性体層２２および第２の非磁性体層２５との間の固着力が高くなる。
【００５５】
なお、図４に示す、第４の配線導体４２２の幅Ｈ１は、任意の長さとすることができる。
【００５６】
ここで、上記フェライト基板モジュール１０は、以下のような方法で製造することができる。
【００５７】
まず、図５（Ａ）に示すように、磁性体層２１Ｍ、２２Ｍを構成する複数の磁性体シート、および、非磁性体層２４Ｍ、２５Ｍを構成する複数の非磁性体シートに、それぞれ導体パターンを形成する。磁性体層２１Ｍ、２２Ｍを構成する複数の磁性体シート、および、非磁性体層２４Ｍ、２５Ｍを構成する複数の非磁性体シートは、複数のフェライト基板２０を一括で形成できる大きさのマザーシートである。
【００５８】
導体パターンとして、磁性体層２１Ｍ、２２Ｍを構成する複数の磁性体シートに、コイル４０１を構成するコイル導体および層間接続導体を形成する。また、非磁性体層２４Ｍを構成する複数の非磁性体シートに、第１の部品実装用ランド導体４４１、第２の部品実装用ランド導体４４２、配線導体４５０、第１の層間接続導体４６１、および、第２の層間接続導体４６２を形成する。さらに、非磁性体層２５Ｍを構成する複数の非磁性体シートに、第１の端子導体４１１、第２の端子導体４１２、配線導体４２０、第３の層間接続導体４３１、および、第４の層間接続導体４３２を形成する。
【００５９】
配線導体４２０、４５０は、複数の素子部を跨ぐ形状である。なお、素子部とは、最終的に１個のフェライト基板モジュール１０（フェライト基板２０）となる部分を示す。
【００６０】
そして、磁性体層２１Ｍ、２２Ｍを構成する複数の磁性体シート、非磁性体層２４Ｍ、２５Ｍを構成する複数の非磁性体シート、および、非磁性体層２３Ｍを構成する非磁性体シートを積層し、マザー積層体２０Ｍを形成する。
【００６１】
次に、図５（Ｂ）に示すように、マザー積層体２０Ｍを個々の素子部に分割するためのブレイク溝２１０を形成する。これにより、配線導体４２０は、第３の配線導体４２１と第４の配線導体４２２に分割される。また、第３の配線導体４２１および第４の配線導体４２２の外側端部は、ブレイク溝２１０に露出する。
【００６２】
その後、マザー積層体２０Ｍを焼成する。焼成により、金属導体である第３の配線導体４２１および第４の配線導体４２２は収縮する。これにより、図５（Ｃ）に示すように、第３の配線導体４２１の外側端面の位置は、ブレイク溝２１０に露出している磁性体層２２Ｍの端面および非磁性体層２５Ｍの端面よりも内側の位置となる。同様に、第４の配線導体４２２の外側端面の位置は、ブレイク溝２１０に露出している磁性体層２２Ｍの端面および非磁性体層２５Ｍの端面よりも内側の位置となる。
【００６３】
続いて、第３の配線導体４２１および第４の配線導体４２２の外側端面に、めっき膜を形成する。このとき、非磁性体層２５Ｍと比べて抵抗率の小さい磁性体層２２Ｍの方にめっき析出が進む。これにより、図６（Ａ）に示すように、めっき膜８１、８２は、非磁性体層２５Ｍと比べて磁性体層２２Ｍの方に広がる態様で形成される。
【００６４】
その後、図６（Ｂ）に示すように、焼成後のマザー積層体２０Ｍの第１主面２０３Ａに、第１の実装型電子部品５１および第２の実装型電子部品５２を実装する。具体的には、第１の部品実装用ランド導体４４１に第１の実装型電子部品５１を実装し、第２の部品実装用ランド導体４４２に第２の実装型電子部品５２を実装する。
【００６５】
続いて、図６（Ｂ）に示すように、マザー積層体２０Ｍの第１主面２０３Ａ側に、封止樹脂３０Ｍを形成する。そして、ブレイク溝２１０に沿って、マザー積層体２０Ｍを複数の素子部に個片化する。最後に、個片化した各素子部の外側に、外側導体６０を形成する。外側導体６０は、例えば、スパッタリング法により形成することができる。
【００６６】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【００６７】
例えば、第４の配線導体４２２の端面４２２ａは、第２の磁性体層２２の端面２２ａおよび第２の非磁性体層２５の端面２５ａよりも内側に位置するものとして説明したが、第２の磁性体層２２の端面２２ａおよび第２の非磁性体層２５の端面２５ａと、厚み方向の同じ位置であってもよい。同様に、第３の配線導体４２１の端面は、第２の磁性体層２２の端面および第２の非磁性体層２５の端面よりも内側に位置するものとして説明したが、厚み方向の同じ位置であってもよい。すなわち、本発明の金属導体の所定の端面は、少なくとも積層体としてのフェライト基板２０の端面近傍に位置していればよい。
【００６８】
上述した実施形態では、フェライト基板モジュール１０を、降圧型のＤＣＤＣコンバータとして用いる例を示したが、インダクタ７３と制御ＩＣ７１を少なくとも備える昇圧型のＤＣＤＣコンバータ、または昇降圧型のＤＣＤＣコンバータとして用いることも可能である。
【００６９】
上述したフェライト基板モジュール１０において、第１の実装型電子部品５１および第２の実装型電子部品５２を備えていない構成とすることもできる。
【００７０】
上記実施形態では、電子部品がフェライト基板モジュール１０である例を示し、フェライト基板モジュール１０の第２の磁性体層２２が第１の絶縁体に対応し、第２の非磁性体層２５が第２の絶縁体に対応するものとして説明した。しかし、本発明の電子部品がフェライト基板モジュールに限定されることはない。また、第１の絶縁体が磁性体層に限定されることはなく、第２の絶縁体が非磁性体層に限定されることもない。
【００７１】
すなわち、本発明の電子部品は、第１の絶縁体と第１の絶縁体よりも抵抗率の大きい第２の絶縁体とを備えた積層体と、第１の絶縁体と前記第２の絶縁体との間に位置し、所定の端面が少なくとも積層体の端面近傍に位置する金属導体と、金属導体の所定の端面に形成され、かつ、第２の絶縁体の端面よりも第１の絶縁体の端面の方に広がる態様で形成されているめっき膜と、めっき膜の外側に形成され、当該めっき膜を介して金属導体と電気的に接続されている外側導体とを備える構成であればよい。
【符号の説明】
【００７２】
１０    フェライト基板モジュール
２０    フェライト基板
２０Ｍ  マザー積層体
２１    第１の磁性体層
２２    第２の磁性体層
２２ａ  第２の磁性体層の端面
２３    第３の非磁性体層
２４    第１の非磁性体層
２５    第２の非磁性体層
２５ａ  第２の非磁性体層の端面
３０    封止樹脂
５１    第１の実装型電子部品
５２    第２の実装型電子部品
６０    外側導体
７１    制御ＩＣ
７２    入力コンデンサ
７３    インダクタ
７４    出力コンデンサ
８１、８２  めっき膜
２０１  第１側面
２０２  第２側面
２０３Ａ  第１主面
２０３Ｂ  第２主面
４０１  コイル
４１１  第１の端子導体
４１２  第２の端子導体
４２１  第３の配線導体
４２２  第４の配線導体
４２２ａ  第４の配線導体の端面
４３１  第３の層間接続導体
４３２  第４の層間接続導体
４４１  第１の部品実装用ランド導体
４４２  第２の部品実装用ランド導体
４６１  第１の層間接続導体
４６２  第２の層間接続導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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