(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料をイオン化するイオン源と、前記イオン源で発生したイオンが入口から入り内部を通過して出口へと出る四重極部と、前記四重極部の出口から引き出されたイオンを検出する検出器とを具備した四重極型質量分析計において、
前記四重極部の入口と出口とを通る中心軸上に粒子通過空間が形成され、前記粒子通過空間の周囲に検出器が設けられ、前記検出器にイオンが向かうように、前記中心軸に対して回転非対称な電場又は磁場が形成され、
四重極型質量分析計が、前記電場又は前記磁場を形成する複数の電場形成部材をさらに備え、
複数の前記電場形成部材のいずれかに電圧を印加することによって前記電場又は磁場を変更して、検出器のイオン検出面を変更することを特徴とする四重極型質量分析計。
【請求項２】
前記検出器が、粒子通過空間を形成する貫通孔が中心に設けられたマイクロチャネルプレート検出器であり、前記検出器とは別に前記電場形成部材が設けられていることを特徴とする請求項１記載の四重極型質量分析計。
【請求項３】
前記粒子通過空間の周囲に複数の検出器が設けられており、各イオン検出器に独立して電圧を印加して、前記回転非対称な電場又は磁場を形成できるように構成された請求項１記載の四重極型質量分析計。
【請求項４】
前記中心軸上に配置されたファラデーカップを具備することを特徴とする請求項１、２又は３記載の四重極型質量分析計。
【請求項５】
前記検出器として、粒子通過空間を形成する貫通孔が中心に設けられたマイクロチャネルプレート検出器と前記中心軸上に配置されたファラデーカップとを備え、
前記検出器からの出力値に基づいて、イオン検出方法を前記マイクロチャネルプレート検出器と前記ファラデーカップとの間で切り替える切り替え制御部を具備する請求項１記載の四重極型質量分析計。
【請求項６】
請求項１記載の四重極型質量分析計を用いて真空チャンバ内の残留ガスを分析する残留ガス分析方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、四重極型質量分析計に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
四重極型質量分析計では、中性粒子等の無電荷粒子がイオンと共に四重極部を通過して、検出器に衝突することで、電子が放出されノイズが発生するという問題がある。
【０００３】
従来、特許文献１に示すように、検出器の四重極部の中心軸が通過する部分に中性粒子等の無電荷粒子を通過させるための貫通孔を形成し、中性粒子等の無電荷粒子は貫通孔を通過させ、イオンのみを電場によって検出器に向けて曲げることで、ノイズの発生を抑えるように構成されたものが考えられている。
【０００４】
しかしながら、このような構成では、イオンを検出器に向かわせるための電場が四重極部の中心軸に対して回転対称に形成されるので、中心軸近傍の電場の等高線が中心軸に対して垂直に近くなり、イオンを大きく曲げることができない。したがって、イオンの多くが中心軸上にある貫通孔を通過してしまい、思ったほど測定精度を向上できないという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−１４４２５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記の問題を解決すべくなされたものであり、中性粒子等の無電荷粒子を通過させてノイズを減らしながら、イオンのみをより効率良く検出器に導き検出すべく図ったものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る四重極型質量分析計は、試料をイオン化するイオン源と、前記イオン源で発生したイオンが入口から入り内部を通過して出口へと出る四重極部と、前記四重極部の出口から引き出されたイオンを検出する検出器とを具備した四重極型質量分析計において、前記四重極部の入口と出口を通る中心軸上に粒子通過空間が形成され、前記粒子通過空間の周囲に検出器が設けられ、前記検出器にイオンが向かうように、前記中心軸に対して回転非対称な電場又は磁場が形成されていることを特徴とするものである。
【０００８】
このような四重極型質量分析計によれば、中性粒子等の無電荷粒子は前記粒子通過空間を通過するが、前記回転非対称な電場又は磁場によって、イオンが前記粒子通過空間を通過することを防ぐことができるので、中性粒子等の無電荷粒子によるノイズを低減しながらイオンのみをより効率良く検出器に導いて検出することができる。
【０００９】
前記検出器が、前記粒子通過空間を形成する貫通孔が中心に設けられたマイクロチャネルプレート検出器であり、前記検出器とは別に前記電場又は磁場を形成する電場形成部材が設けられていることを特徴とする四重極型質量分析計であれば、マイクロチャネルプレート検出器とは別に配置された電場形成部材に電圧を印加して回転非対称な電場又は磁場を形成することができるので、高価なマイクロチャネルプレート検出器を複数用意することなく、イオンを効率よく検出することができる。
【００１０】
マイクロチャネルプレートの表面はイオンを検出している間にイオンの付着等により汚れが溜まるので、所定の期間使用する度に校正や交換の必要がある。
【００１１】
前記電場形成部材が複数設けられており、いずれかの電場形成部材に電圧を印加することによって前記電場又は磁場を変化させることができるように構成されたことを特徴とする四重極型質量分析計であれば、マイクロチャネルプレートの校正を行う際には、前記電場又は磁場を変化させて前記マイクロチャネルプレートのイオン検出面として使用していない部分で標準試料のイオンを検出することで、マイクロチャネルプレートの校正をすることができる。
【００１２】
また、前記電場又は磁場を変化させて前記マイクロチャネルプレートのイオン検出面として使用していない部分を新たなイオン検出面とすることで、マイクロチャネルプレートの交換頻度を抑えることができる。
【００１３】
前記粒子通過空間の周囲に複数の検出器が設けられており、各イオン検出器に独立して電圧を印加して、前記回転非対称な電場又は磁場を形成できるように構成されたことを特徴とする四重極型質量分析計であれば、前記電場形成部材を用いることなく前記回転非対称な電場又は磁場を形成することができ、また各検出器が独立しているので、マイクロチャネルプレートの校正や交換が必要な場合にも、検出器単位で校正や交換を行うことができる。
【００１４】
前記検出器のイオン検出面が前記四重極部に向いて配置されていることを特徴とする四重極型質量分析計であれば、検出器に電場又は磁場を形成してイオンのみをイオン検出面に向けて導いて検出する際に、イオンを大きく曲げる必要がなく、電場又は磁場によってうまく曲がらずイオン検出面に向かわないイオンを減らすことができるので、イオンを効率よく検出することができる。
【００１５】
マイクロチャネルプレートは、真空度が低く、四重極部を通過するイオンが多い状態で使用すると、増幅された電子が出力限界を超えてしまい検出感度の直線性が低下したり、イオン検出面への汚れの付着が加速することにより寿命が短くなってしまう恐れがある。
【００１６】
前記中心軸上に配置されたファラデーカップを具備することを特徴とする四重極型質量分析計であれば、検出器としてマイクロチャネルプレート検出器とファラデーカップを備えているので、試料の濃度が高く四重極部を通過するイオンが多い環境では、ファラデーカップを使うことができる。
【００１７】
また、試料の濃度が低く四重極部を通過するイオンが少ない環境では、マイクロチャネルプレート検出器によって高い感度で検出できるので、分析できる試料濃度の範囲をマイクロチャネルプレート検出器だけの時に比べて広げることができる。
【００１８】
検出器からの出力値に基づいてイオン検出方法をマイクロチャネルプレート検出器とファラデーカップの間で切り替える切り替え制御部を具備することを特徴とする四重極型質量分析計であれば、試料の濃度によってイオン検出方法をマイクロチャネルプレート検出器とファラデーカップの間で自動で切り替えることができるので、試料濃度を監視して、試料濃度によって検出器を手動で切り替える手間を省いて、広い範囲の試料濃度にわたって、試料濃度に適した検出器で感度よく質量分析をすることができる。
【００１９】
また、試料濃度に適した検出器を使用することができるので、マイクロチャネルプレートの寿命が短くなることによるメンテナンスの手間やコストを省くことができる。
【００２０】
本発明に係る四重極型質量分析計を真空チャンバ内の残留ガス分析方法に使用すれば、広い濃度範囲にわたって効率良く残留ガスを分析することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係る四重極型質量分析計によれば、中性粒子等の無電荷粒子は前記粒子通過空間を通過するが、前記回転非対称な電場又は磁場によって、イオンが前記粒子通過空間を通過することを防ぐことができるので、中性粒子等の無電荷粒子によるノイズを低減しながらイオンのみをより効率良くイオン検出面に導いて検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本実施形態に係る四重極型質量分析計の真空チャンバへの取り付け状態を表す図。
【図２】同実施形態に係る四重極型質量分析計の構造図。
【図３】同実施形態における四重極部及びイオン検出部の模式図。
【図４】同実施形態におけるイオン検出部の断面図。
【図５】同実施形態における電場形成部材とマイクロチャネルプレート検出器の模式図。
【図６】他の実施形態におけるイオン検出部の模式図。
【図７】他の実施形態におけるイオン検出部の模式図。
【図８】他の実施形態におけるイオン検出部の模式図。
【図９】他の実施形態におけるイオン検出部の模式図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に、本発明の一実施形態を、図面を用いて説明する。
【００２４】
本実施形態に係る四重極型質量分析計は、例えば、半導体プロセスチャンバＶＣ等の真空チャンバＶＣに取り付けられて、チャンバＶＣ内の残留ガスを分析する四重極型質量分析計ＱＭＳに用いられるものである。
【００２５】
この四重極型質量分析計ＱＭＳは、ケーシング１と、ケーシング１の内部に収容されたセンサ部２およびデータ処理回路３とを具備するものである。
【００２６】
前記ケーシング１は、図１に示すように、その先端面がチャンバＶＣの内部に配置されるように取り付けられて前記センサ部２を収容する第１カバー１１と、チャンバＶＣに取り付けられて前記データ処理回路３を収容する第２カバー１２とを具備する。
【００２７】
チャンバＶＣ内に配置された前記第１カバー１１の前記先端面には、チャンバＶＣ内のガスを前記センサ部２内に導入するためのガス導入口１１１が設けられている。
【００２８】
前記センサ部２は、図２に示すように、前記ガス導入口１１１から導入された試料ガスを電子衝突によりイオン化するイオン源２１と、イオン源２１で発生したイオンを引き出して加速、収束させるイオン引き出し電極２２と、イオン引き出し電極２２によって加速、収束されたイオンを４本の円柱状の電極により発生する高周波電場によって電荷対質量比に応じて分離する四重極部２３と、四重極部２３で分離されたイオンを検出し、その電流値をデータ処理回路３に出力する検出部２４とを具備する。なお、符号Ａは、四重極部からイオンを引き出すイオン引き出し電極である。
【００２９】
前記検出部２４は、図３に示すように、負の電圧が印加されて電場を形成する湾曲した短冊状の導電性部材である第１電場形成部材２４Ｅ１及び第２電場形成部材２４Ｅ２と、前記四重極部２３の入口と出口を通る中心軸Ｃに沿って直径がおよそ２．５ｍｍの円形の貫通孔２４１Ｈが形成された厚みがおよそ２ｍｍで直径がおよそ９ｍｍのドーナツ型のマイクロチャネルプレート検出器２４１と、前記中心軸Ｃ上にその開口を前記四重極部２３に向けて配置された円筒状のファラデーカップ２４２とを具備する。なお、図３においては四重極部からイオンを引き出すイオン引き出し電極については省略してある。
【００３０】
前記第１電場形成部材２４Ｅ１と第２電場形成部材２４Ｅ２は、図４に示すように、前記中心軸Ｃ上を避けるように、前記マイクロチャネルプレート検出器２４１のイオン検出面２４１Ｓの前記四重極部２３側で、前記イオン検出面２４１Ｓから所定の距離だけ離間した位置に配置されている。
【００３１】
これらの第１電場形成部材２４Ｅ１と第２電場形成部材２４Ｅ２は、前記中心軸Ｃを挟んで対称に配置されており、前記第２カバー１２内に内蔵された電圧源Ｖ１及びＶ２が接続されて、それぞれに独立した電圧を印加することができるように構成されている。
【００３２】
前記マイクロチャネルプレート検出器２４１は、前記イオン検出面２４１Ｓが前記四重極部２３の出口に正対するように配置されており、中心に前記貫通孔２４１Ｈが形成されイオン検出面２４１Ｓとして機能する厚みがおよそ０．５ｍｍの円盤状のマイクロチャネルプレート２４１Ｐと、マイクロチャネルプレート２４１Ｐから放出された二次電子を検出するプレート状のアノード電極２４１Ａと、同じく中心に前記貫通孔２４１Ｈが形成されたドーナツ型のセラミックベース２４１Ｂとを具備する。
【００３３】
マイクロチャネルプレート２４１Ｐは、厚み方向に貫通する、およそ直径１０μｍの、例えば、高鉛ガラスで形成されたガラスチューブが多数束ねられたものであり、これらのガラスチューブはマイクロチャネルプレート２４１Ｐの厚み方向に対しておよそ１０度傾けた状態で取り付けられている。
【００３４】
さらに、前記マイクロチャネルプレート２４１Ｐの表面には金属電極が蒸着されており、この電極に前記第２カバー１２内に内蔵された電圧源Ｖ３が接続されて、前記マイクロチャネルプレート２４１Ｐのイオン検出面２４１Ｓには負の電圧を、二次電子を放出する側の表面には正の電圧を、それぞれ印加できるように構成されている。
【００３５】
前記マイクロチャネルプレート２４１Ｐのイオン検出面２４１Ｓに負の電圧を印加するための接続端子は、前記イオン検出面２４１Ｓのうち、前記四重極部２３の入口側から見たときに前記四重極部２３の円柱状電極の影になっている部分に配置されている。
【００３６】
前記アノード電極２４１Ａは、前記第２カバー１２内に内蔵された電圧源Ｖ４により正の電圧が印加されており、前記セラミックベース２４１Ｂの内部に保持されている。
【００３７】
前記ファラデーカップ２４２は、例えば銅からなる導電性のカップで、前記四重極部２３と前記マイクロチャネルプレート検出器２４１とファラデーカップ２４２がこの順で並ぶように配置されている。
【００３８】
前記ファラデーカップ２４２は、前記電圧源Ｖ１、Ｖ２及びＶ３によりマイクロチャネルプレート２４１Ｐ、前記第１電場形成部材２４Ｅ１及び第２電場形成部材２４Ｅ２に電圧が印加されていない時に、前記マイクロチャネルプレート検出器２４１の貫通孔２４１Ｈを通過するイオンを検出するものである。
【００３９】
前記データ処理回路３は、増幅器、Ａ／Ｄコンバータ、Ｄ／Ａコンバータ、ＣＰＵ、メモリ、通信ポート等を備えるものであり、前記センサ部２から出力された電流値に基づいて質量分析を行う。また必要に応じて、その分析結果を汎用コンピュータ等に送信する。
【００４０】
前記データ処理回路３は、前記マイクロチャネルプレート２４１Ｐ、前記第１電場形成部材２４Ｅ１、前記第２電場形成部材２４Ｅ２及び前記アノード電極２４１Ａに電圧を印加する前記電圧源Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３及びＶ４として機能している。
【００４１】
また、前記データ処理回路３は、前記マイクロチャネルプレート検出器２４１又は前記ファラデーカップ２４２から出力された電流値に基づいて、前記第１電場形成部材２４Ｅ１又は第２電場形成部材２４Ｅ２と、前記マイクロチャネルプレート２４１Ｐに電圧を印加する前記電圧源Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３及びＶ４に指令を出す切り替え制御部としての機能も果たしている。
【００４２】
前記データ処理回路３は、１つの装置であっても、有線または無線で互いに接続された複数の装置であっても良く、その一部として汎用コンピュータを使用するものとしても良い。
【００４３】
次に、このように構成された四重極型質量分析計の動作の一例を図４及び図５を用いて説明する。
【００４４】
前記イオン源２１で発生し、前記四重極部２３を通過したイオンは、中性粒子等の無電荷粒子とともに前記中心軸Ｃに沿って検出部２４へと向かう。この時、中性粒子等の無電荷粒子は慣性運動により、前記マイクロチャネルプレート検出器２４１に形成された前記貫通孔２４１Ｈを通過し、電荷を持つイオンのみが前記回転非対称な電場によって軌道を曲げられて前記イオン検出面２４１Ｓに到達し、検出される。
【００４５】
前記回転非対称な電場が、例えば、前記第１電場形成部材２４Ｅ１に負の電圧が印加されることで形成されている場合、前記イオン検出面２４１Ｓのうち一部の面２４１Ｓ１でイオンを検出している。
【００４６】
このような場合に、前記マイクロチャネルプレート２４１Ｐの校正が必要になると、前記制御部から前記電圧源Ｖ１に対して、前記第１電場形成部材２４Ｅ１に印加していた電圧を解除し、前記電圧源Ｖ２に対して、前記第２電場形成部材２４Ｅ２に電圧を印加するように指令が出される。
【００４７】
前記第２電場形成部材２４Ｅ２に負の電圧が印加されると、前記電場が変更されて、イオン検出面２４１Ｓとして使用していなかった面２４１Ｓ２にイオンが導かれるようになる。
【００４８】
このようにしてイオン検出面２４１Ｓとして使用していた面２４１Ｓ１とイオン検出として使用していなかった面２４１Ｓ２のそれぞれで同じ標準試料を検出し、これらの電流値を比較することで、イオン検出面２４１Ｓとしてしようしていた面２４１Ｓ１を校正する。
【００４９】
また、イオン検出面２４１Ｓとして使用していた面２４１Ｓ１が使用により汚れ場合等にも、前述のように前記電場を変更して、イオン検出として使用していなかった面２４１Ｓ２にイオンを導き、イオン検出として使用していなかった面２４１Ｓ２を新たなイオン検出面として使用することもできる。
【００５０】
前記第１電場形成部材２４Ｅ１又は第２電場形成部材２４Ｅ２に電場が印加され、前記マイクロチャネルプレート検出器２４１でイオンが検出されている場合に、前記マイクロチャネルプレート検出器２４１で検出され前記データ処理回路に出力された電流値Ａ１が所定の値を超えた時には、前記制御部が前記電圧源Ｖ１又はＶ２と、Ｖ３に指令を出して、前記第１電場形成部材２４Ｅ１又は第２電場形成部材２４Ｅ２と前記マイクロチャネルプレート２４１Ｐとに印加されていた電圧を解除する。
【００５１】
その結果、イオンが前記イオン検出面２４１Ｓに向かうように形成されていた電場が消失し、イオンが前記貫通孔２４１Ｈを通過する。貫通孔２４１Ｈを通過したイオンは、貫通孔２４１Ｈの後方に配置された前記ファラデーカップ２４２によって検出される。
【００５２】
一方、前記ファラデーカップ２４２によって検出され前記データ処理回路に送られる電流値Ａ２が、所定の値を下回った場合には、前記制御部が前記電圧源Ｖ１又はＶ２と、Ｖ３に前記第１電場形成部材２４Ｅ１又は第２電場形成部材２４Ｅ２と前記マイクロチャネルプレート２４１Ｐに電圧を印加するよう指令を出す。
【００５３】
その結果、イオンが前記イオン検出面２４１Ｓに向かうように電場が形成されるので、この電場によってイオンが前記イオン検出面２４１Ｓに向かい、マイクロチャネルプレート検出器２４１によって検出される。
【００５４】
前記マイクロチャネルプレート検出器２４１で検出され前記データ処理回路に出力された電流値Ａ１と、前記ファラデーカップ２４２によって検出され前記データ処理回路に送られる電流値Ａ２を１つの計器で計測するものとしても良い。
【００５５】
このように構成した本実施形態の四重極型質量分析計ＱＭＳによれば、中性粒子等の無電荷粒子は前記マイクロチャネルプレート検出器２４１に形成された粒子通過空間である貫通孔２４１Ｈを通過するが、前記第１電場形成部材２４Ｅ１又は第２電場形成部材２４Ｅ２によって形成された前記回転非対称な電場によって、前記中心軸上において、前記中心軸に対して垂直な方向にイオンが力を受けることで、イオンを偏らせて、イオンが前記貫通孔２４１Ｈを通過することを防ぎ、特定のイオン検出面に到達するイオンを増やすことができるので、中性粒子等の無電荷粒子によるノイズを低減しながら、イオンのみをより効率良くイオン検出面２４１Ｓに導いて検出することができる。
【００５６】
前記第１電場形成部材２４Ｅ１又は第２電場形成部材２４Ｅ２に電圧を印加して、前記回転非対称な電場を形成することができるので、高価なマイクロチャネルプレート２４１Ｐを複数用意することなく、効率よくイオンを検出することができる。
【００５７】
前記第１電場形成部材２４Ｅ１と第２電場形成部材２４Ｅ２が、中心軸Ｃを挟んで反対側に配置されて、それぞれに独立した電圧が印加されることによって前記電場を変化させることができるように構成されているので、図４に示すように、例えばマイクロチャネルプレート２４１Ｐのうち一部の面２４１Ｓ１を使用している場合に、この面２４１Ｓ１の校正を行う際には、前記中心軸Ｃを挟んだ反対側の部分２４１Ｓ２を使用して校正することができる。
【００５８】
前記マイクロチャネルプレート検出器２４１のイオン検出面２４１Ｓが四重極部２３側を向いて配置されており、イオンを検出面２４１Ｓに向けて曲げる角度を小さくすることができるので、四重極部２３の出口から引き出されたイオンを効率よく検出することができる。
【００５９】
前記四重極部２３の入口側から見たときに前記四重極部２３の円柱状電極の影になっている部分には四重極部２３の出口から引き出されたイオンが到達する可能性が比較的低いと考えられる。
【００６０】
そこで、本実施例では、前記マイクロチャネルプレート２４１Ｐに電圧を印加するための接続端子を、前記イオン検出面２４１Ｓのうち、前記四重極部２３の入口側から見たときに前記四重極部２３の円柱状電極の影になっている部分に配置しているので、前記接続端子が前記円柱状電極の影になっている部分以外に配置されている場合に比べてイオンを効率よく検出することができる。
【００６１】
前記検出部２４が、前記マイクロチャネルプレート検出器２４１と、前記中心軸Ｃ上に配置されたファラデーカップ２４２とを具備しているので、試料の濃度が高く四重極部２３を通過するイオンが多い環境ではファラデーカップ２４２を使うことができる。また、試料の濃度が低く四重極部２３を通過するイオンが少ない環境ではマイクロチャネルプレート検出器２４１によって高い感度でイオンを検出できるので、分析できる残留ガス濃度の範囲を広げることができる。
【００６２】
また、試料濃度によってイオン検出方法をマイクロチャネルプレート検出器２４１とファラデーカップ２４２の間で自動で切り替えることができるので、残留ガスの濃度を監視して、検出方法を手動で切り替えるという手間を省いて、広い濃度範囲にわたって、試料濃度に適した検出方法で感度よく質量分析をすることができる。
【００６３】
また、試料濃度に適した検出方法を使用することができるので、マイクロチャネルプレート２４１Ｐの寿命が短くなることによるメンテナンスの手間やコストを省くことができる。
【００６４】
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
【００６５】
例えば、前記粒子通過空間は前記イオン検出面の中心以外に形成されていてもよく、前記粒子通過空間がイオン検出面の外に形成されていても良い。
【００６６】
前記検出部は、正に帯電したイオンを検出するものに限らず、前記電場形成部材や前記イオン検出面に印加する電圧を正負逆にして、負に帯電したイオンを検出するものとしても良い。
【００６７】
前記電場形成部材は、湾曲した短冊状のものに限らず、棒状のものや円柱状のもの等でも良く、湾曲したものに限らず直線的な形状のものでも良い。またその長さや大きさについては、どのようなものでも良い。
【００６８】
さらに、複数設けられた前記電場形成部材が全て同じ形状である必要はなく、それぞれ違う形状や長さ、大きさのものを複数組み合わせても良い。
【００６９】
また、前記電場形成部材は２つに限らず、例えば、図７、８及び９に示すように１つでも３つ以上設けられているものでも良く、前記中心軸に対して対称に配置されていなくてもよい。また、これらを配置する間隔は等間隔であっても、等間隔でなくても良い。
【００７０】
前記検出器２４１は、例えば図５に示すように、前記中心軸上に設けられた前記粒子通過空間２４Ｖを避けて設けられた複数のマイクロチャネルプレート検出器２４１であり、それぞれのマイクロチャネルプレート検出器２４１に独立して電圧が印加されて、前記回転非対称な電場が形成されるものであっても良い。
【００７１】
前記電場形成部材又は前記検出器に印加された電圧によって形成されるものは、回転非対称な電場であることが好ましいが、回転非対称な磁場であっても良い。
【００７２】
前記イオン検出面の形状は円形に限らず、矩形やその他の多角形、異形のものであっても良い。
【００７３】
また、前記検出器はマイクロチャネルプレート検出器に限らず、パイプ型のチャンネル型二次電子倍増管や不連続ダイノードによる二次電子倍増器等でもよい。
【００７４】
その他、本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形が可能である。
【符号の説明】
【００７５】
四重極型質量分析計・・・ＱＭＳ
イオン源・・・２１
四重極部・・・２３
検出器・・・２４１
中心軸・・・Ｃ
粒子通過空間・・・２４Ｖ
イオン検出面・・・２４１Ｓ
貫通孔・・・２４１Ｈ
電場形成部材・・・２４Ｅ
ファラデーカップ・・・２４２
真空チャンバ・・・ＶＣ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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