(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理装置内のガスを排気するターボ分子ポンプ内の部材を加熱する加熱装置であって、
前記ターボ分子ポンプの筐体の側壁に設けられている開口内に配置されており、一端が前記部材に固定されており、他端が前記筐体の外部に露出している伝熱管と、
前記伝熱管の内部に設けられており、前記伝熱管を介して前記部材を加熱するヒータと、
前記伝熱管と前記筐体の開口との間に、前記伝熱管の外周面に沿って環状に配置されている第１のシール部材と、
前記伝熱管と前記筐体の開口との間に、前記伝熱管の外周面に沿って環状に配置されており、前記第１のシール部材よりも前記部材側に配置されている第２のシール部材と
を備え、
前記伝熱管は、
前記筐体の内部側に配置される第１の部分と前記筐体の外部側に配置される前記第１の部分より直径が大きい第２の部分とを有し、
前記第２のシール部材は、
前記第１の部分の外周面と前記筐体の前記開口との間に設けられ、
前記ターボ分子ポンプが排気するガスに含まれるラジカルが前記伝熱管と前記筐体の開口との間に侵入することを抑制することを特徴とする加熱装置。  
【請求項２】
前記第２のシール部材は、
表面がフッ素樹脂で被覆されたＯリングであることを特徴とする請求項１に記載の加熱装置。
【請求項３】
前記フッ素樹脂は、ポリテトラフルオロエチレンであることを特徴とする請求項２に記載の加熱装置。
【請求項４】
前記Ｏリングの表面を覆うフッ素樹脂の厚さは、０．２〜０．４ｍｍの範囲の厚さであることを特徴とする請求項２または３に記載の加熱装置。
【請求項５】
前記第２のシール部材は、前記第１のシール部材よりも前記部材側に複数配置されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の加熱装置。
【請求項６】
前記伝熱管と前記筐体の前記開口との間には隙間が設けられており、
前記隙間は、前記第１のシール部材によって、前記筐体の外部の空間から気密に仕切られており、
前記ヒータは、前記伝熱管を介して前記部材を前記筐体の温度よりも高い温度に加熱することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の加熱装置。
【請求項７】
前記部材は、ターボ分子ポンプ内のネジステータであることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の加熱装置。
【請求項８】
プラズマ処理装置内のガスを排気するターボ分子ポンプであって、
筐体と、
前記筐体内に回転可能に設けられており、複数の回転翼を有するロータと、
それぞれの前記回転翼と交互に配置されている固定翼および前記固定翼の下方に設けられているネジステータを有するステータと、
前記ネジステータを加熱する加熱装置と
を備え、
前記加熱装置は、
前記筐体の側壁に設けられている開口内に配置されており、一端が前記ネジステータに固定されており、他端が前記筐体の外部に露出している伝熱管と、
前記伝熱管の内部に設けられており、前記伝熱管を介して前記ネジステータを加熱するヒータと、
前記伝熱管と前記筐体の開口との間に、前記伝熱管の外周面に沿って環状に配置されている第１のシール部材と、
前記伝熱管と前記筐体の開口との間に、前記伝熱管の外周面に沿って環状に配置されており、前記第１のシール部材よりも前記ネジステータ側に配置されている第２のシール部材と
を有し、
前記伝熱管は、
前記筐体の内部側に配置される第１の部分と前記筐体の外部側に配置される前記第１の部分より直径が大きい第２の部分とを有し、
前記第２のシール部材は、
前記第１の部分の外周面と前記筐体の前記開口との間に設けられ、
排気されるガスに含まれるラジカルが前記伝熱管と前記筐体の開口との間に侵入することを抑制することを特徴とするターボ分子ポンプ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の種々の側面および実施形態は、加熱装置およびターボ分子ポンプに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程には、プラズマを用いた処理工程が含まれる場合がある。プラズマを用いた処理工程では、真空チャンバ内に処理ガスのプラズマが生成され、プラズマに含まれるイオンやラジカルによって、真空チャンバ内に配置された基板に対して所定の処理が施される。真空チャンバは、所定の真空度を得るために気密に構成される。真空チャンバは、一般的に複数の部材で構成される。部材間に隙間が存在する場合には、真空チャンバの気密性が低下する。そこで、部材間に隙間が存在する場合には、ゴム等で形成されたＯリングにより、該隙間が埋められる。これにより、真空チャンバの気密性が高まる。
【０００３】
しかし、真空チャンバ内でプラズマが生成される場合には、プラズマに含まれるイオンやラジカル等がＯリングを腐食させる。Ｏリングが腐食すると、真空チャンバの気密性が低下する。これを回避するために、Ｏリングの近傍に排気口を配置する技術が知られている（例えば、下記の特許文献１参照）。
【０００４】
また、プラズマ処理において、真空チャンバ内の処理ガスは、ターボ分子ポンプ等の排気装置によって排気される。真空チャンバ内から排気される処理ガスには、デポと呼ばれる反応副生成物の粒子が含まれる。このようなデポは、排気される過程でターボ分子ポンプ内に付着すると、ターボ分子ポンプの排気能力が低下し、真空チャンバ内を所定の圧力に保つことが困難となる。これを回避するために、ターボ分子ポンプ内でデポが付着しやすい部品を加熱することにより、デポの付着を抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平６−１５１３６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記した特許文献１の技術では、Ｏリングの近傍に排気口が配置されることにより、ラジカルを含むガスが排気口に流れるが、排気されるガスは、Ｏリングの近傍を通過する。そのため、排気されるガスに晒されたＯリングは、排気されるガスに含まれているラジカルによって腐食する。
【０００７】
また、ターボ分子ポンプ内でデポが付着しやすい部品は、例えば、ターボ分子ポンプの外部から挿入された加熱装置により加熱される。加熱装置とターボ分子ポンプの筐体との間には隙間が存在するので、ターボ分子ポンプ内部の気密性の低下を抑えるために、Ｏリングが配置される。このＯリングは、ターボ分子ポンプ内部に流れるガスに晒されるため、ターボ分子ポンプ内部に流れるガスに含まれているラジカルによって腐食する。
【０００８】
Ｏリングが腐食すると、真空チャンバやターボ分子ポンプの気密性が低下するため、Ｏリングを交換することになる。Ｏリングを交換するためには、処理装置を停止させる必要があり、半導体装置の製造におけるスループットが低下する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一側面は、プラズマ処理装置内のガスを排気するターボ分子ポンプ内の部材を加熱する加熱装置であって、伝熱管と、ヒータと、第１のシール部材と、第２のシール部材とを備える。伝熱管は、ターボ分子ポンプの筐体の側壁に設けられている開口内に配置されており、一端がターボ分子ポンプ内の部材に固定されており、他端がターボ分子ポンプの筐体の外部に露出している。ヒータは、伝熱管の内部に設けられており、伝熱管を介してターボ分子ポンプ内の部材を加熱する。第１のシール部材は、伝熱管とターボ分子ポンプの筐体の開口との間に、伝熱管の外周に沿って環状に配置されている。第２のシール部材は、伝熱管とターボ分子ポンプの筐体の開口との間に、伝熱管の外周に沿って環状に配置されており、第１のシール部材よりもターボ分子ポンプ内の部材側に配置されている。また、第２のシール部材は、ターボ分子ポンプが排気するガスに含まれるラジカルが伝熱管とターボ分子ポンプの筐体の開口との間に侵入することを抑制する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の種々の側面および実施形態によれば、半導体装置の製造におけるスループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、プラズマ処理装置の一例を示す図である。
【図２】図２は、ＴＭＰ（ターボ分子ポンプ）の一例を示す断面図である。
【図３】図３は、加熱装置の一例を示す拡大断面図である。
【図４】図４は、Ｏリングおよびラジカルトラップリングが配置された伝熱管の一例を示す斜視図である。
【図５】図５は、下部筐体と伝熱管と間のガスの流れの一例を説明する図である。
【図６】図６は、加熱装置の他の例を示す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
開示する加熱装置は、プラズマ処理装置内のガスを排気するターボ分子ポンプ内の部材を加熱する装置である。該加熱装置は、１つの実施形態において、伝熱管と、ヒータと、第１のシール部材と、第２のシール部材とを備える。伝熱管は、ターボ分子ポンプの筐体の側壁に設けられている開口内に配置されており、一端がターボ分子ポンプ内の部材に固定されており、他端がターボ分子ポンプの筐体の外部に露出している。ヒータは、伝熱管の内部に設けられており、伝熱管を介してターボ分子ポンプ内の部材を加熱する。第１のシール部材は、伝熱管とターボ分子ポンプの筐体の開口との間に、伝熱管の外周に沿って環状に配置されている。第２のシール部材は、伝熱管とターボ分子ポンプの筐体の開口との間に、伝熱管の外周に沿って環状に配置されており、第１のシール部材よりも、加熱装置によって加熱される部材側に配置されている。また、第２のシール部材は、ターボ分子ポンプが排気するガスに含まれるラジカルが伝熱管とターボ分子ポンプの筐体の開口との間に侵入することを抑制する。
【００１３】
また、開示する加熱装置の１つの実施形態において、第２のシール部材は、表面がフッ素樹脂で被覆されたＯリングであってもよい。
【００１４】
また、開示する加熱装置の１つの実施形態において、第２のシール部材の表面を覆うフッ素樹脂は、ポリテトラフルオロエチレンであってもよい。
【００１５】
また、開示する加熱装置の１つの実施形態において、Ｏリングの表面を覆うフッ素樹脂の厚さは、０．２〜０．４ｍｍの範囲内の厚さであってもよい。
【００１６】
また、開示する加熱装置の１つの実施形態において、第２のシール部材は、第１のシール部材よりも、加熱装置によって加熱される部材側に複数配置されていてもよい。
【００１７】
また、開示する加熱装置の１つの実施形態において、伝熱管と筐体の開口との間には隙間が設けられており、該隙間は、第１のシール部材によって、筐体の外部の空間から気密に仕切られており、ヒータは、伝熱管を介して、加熱装置によって加熱される部材を筐体の温度よりも高い温度に加熱してもよい。
【００１８】
また、開示する加熱装置の１つの実施形態において、加熱装置によって加熱される部材は、ターボ分子ポンプ内のネジステータであってもよい。
【００１９】
また、開示するターボ分子ポンプは、プラズマ処理装置内のガスを排気するポンプであって、１つの実施形態において、筐体と、筐体内に回転可能に設けられており、複数の回転翼を有するロータと、それぞれの回転翼と交互に配置されている固定翼および該固定翼の下方に設けられているネジステータを有するステータと、ネジステータを加熱する加熱装置とを備える。該加熱装置は、１つの実施形態において、伝熱管と、ヒータと、第１のシール部材と、第２のシール部材とを備える。伝熱管は、ターボ分子ポンプの筐体の側壁に設けられている開口内に配置されており、一端がターボ分子ポンプ内の部材に固定されており、他端がターボ分子ポンプの筐体の外部に露出している。ヒータは、伝熱管の内部に設けられており、伝熱管を介してターボ分子ポンプ内の部材を加熱する。第１のシール部材は、伝熱管とターボ分子ポンプの筐体の開口との間に、伝熱管の外周に沿って環状に配置されている。第２のシール部材は、伝熱管とターボ分子ポンプの筐体の開口との間に、伝熱管の外周に沿って環状に配置されており、第１のシール部材よりも、加熱装置によって加熱される部材側に配置されている。また、第２のシール部材は、ターボ分子ポンプが排気するガスに含まれるラジカルが伝熱管とターボ分子ポンプの筐体の開口との間に侵入することを抑制する。
【００２０】
以下に、開示する加熱装置およびターボ分子ポンプの実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、本実施形態により、開示される加熱装置およびターボ分子ポンプが限定されるものではない。
【００２１】
［プラズマ処理装置１０の構成例］
図１は、プラズマ処理装置１０の一例を示す図である。プラズマ処理装置１０は、例えば、表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウム等からなる略円筒形状のチャンバＣを有する。チャンバＣは、接地されている。チャンバＣの内部には載置台１２が設けられている。載置台１２は、プラズマ処理の対象である半導体ウエハＷを載置する。
【００２２】
載置台１２には、整合器１３ａを介してプラズマを励起するための高周波電源１３が接続されている。高周波電源１３は、チャンバＣ内にてプラズマを生成するために適した周波数、例えば６０ＭＨｚの高周波電力を載置台１２に印加する。これにより、載置台１２は、半導体ウエハＷを載置するとともに、下部電極としても機能する。整合器１３ａは、チャンバＣ内にプラズマが生成されているときに高周波電源１３の内部インピーダンスと負荷インピーダンスとが見かけ上一致するように機能する。これにより、整合器１３ａは、高周波電源１３の内部（または出力）インピーダンスに負荷インピーダンスを整合させる。
【００２３】
チャンバＣの天井部分には、シャワーヘッド１１が設けられている。シャワーヘッド１１は、上部電極としても機能する。シャワーヘッド１１のガス導入管１４には、プラズマ処理に用いられるガスを供給するガス供給源１５が接続されている。ガス供給源１５から供給されたガスは、ガス導入管１４を介して、シャワーヘッド１１の内部に形成されているバッファ空間１１ｂに導入される。シャワーヘッド１１内に導入されたガスは、シャワーヘッド１１内を拡散し、シャワーヘッド１１の下面に形成された多数の噴射口１１ａを介してチャンバＣ内に噴射される。
【００２４】
チャンバＣの底面には、排気管１６が設けられている。排気管１６には、ＴＭＰ（ターボ分子ポンプ）２０等の排気装置が接続されている。ＴＭＰ２０の動作により、チャンバＣ内のガスが排気される。
【００２５】
高周波電源１３から載置台１２に印加された高周波電力により、載置台１２とシャワーヘッド１１との間に高周波電界が発生する。シャワーヘッド１１の噴射口１１ａからチャンバＣ内に供給されたガスは、載置台１２とシャワーヘッド１１との間に発生した高周波電界によりプラズマ化される。そして、プラズマに含まれる活性種により、載置台１２に載置された半導体ウエハＷの表面に、エッチングや成膜等の所定の処理が施される。
【００２６】
［ＴＭＰ２０の構成例］
図２は、ＴＭＰ２０の一例を示す断面図である。ＴＭＰ２０は、筐体２１と、ロータ２３と、ステータ２４と、加熱装置３０とを備える。筐体２１は、上部筐体２１ａおよび下部筐体２１ｂを有する。下部筐体２１ｂは、底部を有し上方が開口した略円筒形状である。上部筐体２１ａは、略円筒形状を有し下部筐体２１ｂの上端に接続されている。上部筐体２１ａの上部には、吸気口２２として機能する開口が形成されている。上部筐体２１ａおよび下部筐体２１ｂは、例えばアルミニウムやステンレス等で構成される。
【００２７】
ロータ２３は、回転翼２３ａ、円筒部２３ｂ、およびロータ軸２３ｃを有する。ロータ軸２３ｃは、軸受２６ａ〜２６ｄによって回転可能に支持されている。軸受２６ａおよび軸受２６ｂは、ロータ軸２３ｃの回転軸に交差する方向において、ロータ軸２３ｃを例えば磁力により非接触で支持する。軸受２６ｃおよび２６ｄは、ロータ軸２３ｃの回転軸に沿う方向において、ロータ軸２３ｃを例えば磁力により非接触で支持する。回転翼２３ａは、吸気口２２側のロータ軸２３ｃに複数段設けられている。それぞれの回転翼２３ａは、ロータ軸２３ｃからロータ軸２３ｃの回転軸を中心に放射状に延伸する。円筒部２３ｂは、回転翼２３ａの下部に設けられている。
【００２８】
ステータ２４は、固定翼２４ａおよびネジステータ２４ｂを有する。固定翼２４ａは、ロータ２３の回転翼２３ａと交互に複数段配置される。それぞれの段の固定翼２４ａは、スペーサ２５を介して上部筐体２１ａに収納されている。ネジステータ２４ｂは、ロータ２３の円筒部２３ｂを囲むように、円筒部２３ｂに対向して設けられ、円筒部２３ｂと対向する面にネジ溝が形成されている。ネジステータ２４ｂは、ねじ等により下部筐体２１ｂに固定されている。ネジステータ２４ｂは、ＴＭＰ２０内の部材の一例である。
【００２９】
モータ２７は、ロータ軸２３ｃを回転させる。モータ２７によってロータ軸２３ｃが高速回転することにより、上部筐体２１ａの上部に設けられた吸気口２２からガスが吸引され、回転翼２３ａと固定翼２４ａとでガスの分子が下方へ弾き飛ばされる。そして、円筒部２３ｂとネジステータ２４ｂとでガスが圧縮され、下部筐体２１ｂの下部に設けられた排気管２１ｄから排気される。
【００３０】
下部筐体２１ｂの側壁の下部には、開口２１ｃが形成されている。開口２１ｃ内には、加熱装置３０が配置されている。
【００３１】
［加熱装置３０の構成例］
図３は、加熱装置３０の一例を示す拡大断面図である。図４は、Ｏリングおよびラジカルトラップリングが配置された伝熱管の一例を示す斜視図である。加熱装置３０は、伝熱管３３を有する。伝熱管３３は、例えば図３に示すように、一端がネジステータ２４ｂに固定されており、他端が下部筐体２１ｂの外部に露出している。伝熱管３３は、アルミニウム等の熱伝導率の高い金属により構成され、略円筒形状の円筒部３４と、フランジ３５とを有する。
【００３２】
円筒部３４の端面３６には、例えば図４に示すように、ネジ４０を挿入するためのネジ穴３６ａが形成されている。円筒部３４の端面３６は、例えば図３に示すように、ネジ４０によってネジステータ２４ｂの下部に固定される。ネジ４０を挿入するための伝熱管３３の開口は、キャップ４１によって閉じられている。
【００３３】
伝熱管３３内には、ヒータ５０が設けられる。ヒータ５０は、図示しない制御装置からの指示に応じて発熱する。ヒータ５０が発した熱は、伝熱管３３を介して円筒部３４の端面３６からネジステータ２４ｂに伝達される。これにより、ネジステータ２４ｂは、所定の温度まで加熱され、ネジステータ２４ｂへのデポの付着が抑制される。
【００３４】
なお、本実施形態において、下部筐体２１ｂは、ネジステータ２４ｂよりも低い温度となるように制御される。そのため、加熱装置３０が発する熱が下部筐体２１ｂに伝わらないようにするために、加熱装置３０がネジステータ２４ｂを加熱している状態において、伝熱管３３と下部筐体２１ｂとの間には隙間が設けられる。また、該隙間は、ＴＭＰ２０の内部の気密性を維持するために、Ｏリング３１によってシールされる。Ｏリング３１は、例えば図４に示すように、伝熱管３３と下部筐体２１ｂの開口２１ｃとの間に、伝熱管３３の外周面に沿って環状に配置されている。Ｏリング３１は、例えばフッ化ビニリデン系のフッ素ゴムで構成される。Ｏリング３１は、第１のシール部材の一例である。
【００３５】
ここで、加熱装置３０の組み付け誤差や寸法誤差の発生により、円筒部３４の外周面と開口２１ｃの内周面との間の隙間の幅が場所によって異なる場合、該隙間の幅が広い場所では、ＴＭＰ２０内部のガスが該隙間に容易に侵入する。プラズマ処理装置１０によってプラズマ処理が行われている間に排気されるガスには、ラジカルが含まれている。ラジカルは、Ｏリング３１にぶつかるとＯリング３１を腐食させる。
【００３６】
Ｏリングが腐食すると、ＴＭＰ２０の気密性が低下し、所定の排気性能が得られなくなる。そのため、Ｏリングが腐食する前に、Ｏリングを交換することになる。Ｏリングを交換するためには、プラズマ処理装置１０を停止させ、ＴＭＰ２０を取り外す必要がある。プラズマ処理装置１０を停止させると、半導体ウエハＷの処理におけるスループットが低下する。なお、ラジカルに対して耐性の強い材質により構成されたＯリングを用いることも考えられる。しかし、そのようなＯリングは、高価であるため、ＴＭＰ２０全体のコストが上昇してしまう。
【００３７】
そこで、本実施形態では、伝熱管３３と下部筐体２１ｂの開口２１ｃとの間であって、Ｏリング３１よりもネジステータ２４ｂ側の位置に、ラジカルトラップリング３２が配置される。ラジカルトラップリング３２は、伝熱管３３の外周面に沿って環状に配置される。ラジカルトラップリング３２によって、ＴＭＰ２０が排気するガスに含まれるラジカルが伝熱管３３と下部筐体２１ｂの開口２１ｃとの間に侵入することが抑制される。本実施形態において、ラジカルトラップリング３２は、表面が例えばフッ素樹脂で被覆されたＯリングである。Ｏリングを被覆するフッ素樹脂としては、例えばポリテトラフルオロエチレン等が考えられる。
【００３８】
本実施形態のラジカルトラップリング３２において、Ｏリングを被覆するフッ素樹脂の厚さは、断面の直径が例えば１．５ｍｍ〜２．５ｍｍの範囲のＯリングに対して、例えば０．２〜０．４ｍｍの範囲の厚さである。具体的なラジカルトラップリング３２の構成としては、例えば、断面の直径が２ｍｍのＯリングの表面が、０．３ｍｍの厚さのフッ素樹脂で被覆されたものを挙げることができる。ラジカルトラップリング３２は、第２のシール部材の一例である。
【００３９】
ここで、ラジカルトラップリング３２は、表面がフッ素樹脂で被覆されているため、ラジカルを含む雰囲気に晒されても、ラジカルによって内部のＯリングが腐食することはない。しかし、ラジカルトラップリング３２は、表面がフッ素樹脂で被覆されているため、表面がフッ素樹脂で被覆されていないＯリング３１よりもシール性が低い。そのため、本実施形態では、ＴＭＰ２０内部の気密性を維持するために、円筒部３４と下部筐体２１ｂとの間の隙間には、ラジカルトラップリング３２とは別にＯリング３１が配置されている。
【００４０】
ラジカルトラップリング３２は、Ｏリング３１よりもシール性が低いため、ＴＭＰ２０内部のガスが下部筐体２１ｂと伝熱管３３と間の隙間にわずかに侵入する場合がある。ここで、ＴＭＰ２０の外部は大気圧であり、ＴＭＰ２０の内部は大気圧よりもずっと低い圧力である。また、Ｏリング３１は、ラジカルトラップリング３２よりもシール性が高いものの、リークが全くないわけではなく、ＴＭＰ２０の外部からわずかにガスが流入する。そのため、下部筐体２１ｂと円筒部３４と間の隙間では、例えば図５の破線矢印Ａに示すように、Ｏリング３１からラジカルトラップリング３２へ向かう方向にガスのわずかな流れが生じる。
【００４１】
そのため、ＴＭＰ２０内部からラジカルトラップリング３２を介して下部筐体２１ｂと伝熱管３３と間の隙間に漏れたガスは、下部筐体２１ｂと伝熱管３３と間の隙間に生じたガスの流れによりラジカルトラップリング３２側に押し戻される。これにより、ＴＭＰ２０内部からラジカルトラップリング３２を介して下部筐体２１ｂと伝熱管３３と間の隙間に漏れたガスは、Ｏリング３１に到達することなく、再びラジカルトラップリング３２を介してＴＭＰ２０内へ戻る。そのため、ＴＭＰ２０内部からラジカルトラップリング３２を介して下部筐体２１ｂと伝熱管３３と間の隙間に漏れたガスに含まれているラジカルは、Ｏリング３１に到達することなく、再びラジカルトラップリング３２を介してＴＭＰ２０内へ戻る。従って、ラジカルトラップリング３２は、ＴＭＰ２０内を流れるガスに含まれるラジカルによってＯリング３１が腐食することを抑制することができる。
【００４２】
なお、ラジカルトラップリング３２とＯリング３１との間の距離が長い方が、ＴＭＰ２０内部からラジカルトラップリング３２を介して下部筐体２１ｂと伝熱管３３と間の隙間に漏れたガスがＯリング３１に到達し難くなる。そのため、ラジカルによるＯリング３１の腐食を抑制するという観点では、ラジカルトラップリング３２とＯリング３１との間の距離は長くする方が好ましい。
【００４３】
以上、ＴＭＰ２０の一実施形態について説明した。本実施形態のＴＭＰ２０によれば、半導体ウエハＷの製造におけるスループットを向上させることができる。
【００４４】
［その他］
なお、開示の技術は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。
【００４５】
例えば、上記した実施形態において、加熱装置３０の伝熱管３３には、円筒部３４の外周面に沿ってラジカルトラップリング３２が１本配置されたが、ラジカルトラップリング３２は、複数配置されてもよい。ただし、この場合であっても、複数のラジカルトラップリング３２は、伝熱管３３と下部筐体２１ｂの開口２１ｃとの間であって、Ｏリング３１よりもネジステータ２４ｂ側の位置に配置される。これにより、ＴＭＰ２０内部から下部筐体２１ｂと伝熱管３３と間の隙間に漏れるガスが低減され、Ｏリング３１に到達するラジカルをさらに抑制することができる。
【００４６】
また、上記した実施形態において、伝熱管３３の円筒部３４の側面には、Ｏリング３１およびラジカルトラップリング３２を収容する溝以外には、段差が設けられていないが、開示の技術はこれに限られない。例えば、図６に示すように、端面３６側からフランジ３５側へ進むに従って、ステップ状に直径が大きくなるように、伝熱管３３の円筒部３４の側面に段差が設けられてもよい。これにより、ＴＭＰ２０内部から下部筐体２１ｂと円筒部３４と間の隙間に漏れたガスに含まれるラジカルは、下部筐体２１ｂと円筒部３４との間の隙間を通過する過程において、下部筐体２１ｂまたは円筒部３４への衝突を繰り返し、やがて失活する。これにより、ＴＭＰ２０内部から下部筐体２１ｂと円筒部３４と間の隙間に漏れたガスに含まれるラジカルが、大きなエネルギーを保ったままＯリング３１に到達することを防止することができる。これにより、Ｏリング３１の劣化をさらに低減することができる。なお、図６では、円筒部３４の側面に１段の段差が設けられているが、円筒部３４の側面に２段以上の段差が設けられてもよい。
【００４７】
また、上記した実施形態では、ＴＭＰ２０の下部筐体２１ｂと加熱装置３０との間の隙間にラジカルトラップリング３２が配置されたが、開示の技術はこれに限られない。例えば、ラジカルトラップリング３２は、プラズマ処理装置１０内の部品の間の隙間であって、ラジカルが侵入する可能性のある隙間に配置されるＯリングの近傍に配置されてもよい。例えば、ラジカルが侵入する可能性のある部品間の隙間において、ラジカルトラップリング３２は、ラジカルを含むガスが流通する空間とＯリングとの間に配置される。これにより、プラズマ処理装置１０に用いられるＯリングにおいて、ラジカルによるＯリングの劣化を抑制することができる。
【符号の説明】
【００４８】
１０  プラズマ処理装置
２０  ＴＭＰ
２１  筐体
２１ａ  上部筐体
２１ｂ  下部筐体
２１ｃ  開口
２１ｄ  排気管
２２  吸気口
２３  ロータ
２３ａ  回転翼
２３ｂ  円筒部
２３ｃ  ロータ軸
２４  ステータ
２４ａ  固定翼
２４ｂ  ネジステータ
２５  スペーサ
２６ａ〜ｄ  軸受
２７  モータ
３０  加熱装置
３１  Ｏリング
３２  ラジカルトラップリング
３３  伝熱管
３４  円筒部
３５  フランジ
３６  端面
３６ａ  ネジ穴
４０  ネジ
４１  キャップ
５０  ヒータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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