(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が、放射線を電荷に変換する変換素子を有して当該電荷に応じた信号を出力するセンサが複数配列された複数のサブアレイを有するセンサアレイと、
前記センサアレイの温度に応じた信号を出力する複数の温度センサと、を有し、
前記複数のサブアレイのうちの１つのサブアレイに含まれる、前記変換素子として前記放射線を光に変換するシンチレータによって変換された光を電荷に変換する光電変換を行う光電変換素子を含む前記センサと、順方向電圧が供給され前記センサアレイの温度と前記順方向電圧に応じた信号を出力する少なくとも１又は複数のダイオードを含む前記複数の温度センサのうちの１つの温度センサと、が共通に接続された配線を介して、前記１つのサブアレイから出力される信号と前記１つの温度センサの信号とが読み出されることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記センサアレイからの信号及び前記温度センサからの信号を読み出すように、前記センサアレイ及び前記温度センサを制御する制御部を更に有することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記センサアレイにおける１フレーム分の読み出し対象のセンサから信号を読み出す期間に、前記温度センサから１フレーム毎に読み出すように、前記センサアレイ及び前記温度センサを制御することを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記光電変換素子は、フォトダイオードを含むことを特徴とする請求項２又は３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記センサアレイの温度と前記順方向電圧に応じた信号に基づいて前記センサアレイの温度叉は前記センサアレイの温度の変化量を算出することを特徴とする請求項２から４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記温度センサは、前記ダイオードの信号を増幅する信号増幅部と、前記信号増幅部から出力された信号を保持する信号保持部と、を有することを特徴とする請求項４又は５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記温度センサは、前記センサアレイの温度の基準となる基準信号を増幅する前記信号保持部とは異なる第２の信号増幅部と、前記第２の信号増幅部から出力された信号を保持する基準保持部と、を更に有することを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記信号増幅部は、少なくとも１つのトランジスタを含むことを特徴とする請求項６又は７に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記サブアレイ及び前記温度センサは、共通の半導体基板に配置されており、
前記温度センサは、前記半導体基板の前記サブアレイが配置された領域とは異なる領域に配置されていることを特徴とする請求項２から８のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記配線を介して前記センサアレイからの信号および前記温度センサからの信号を読み出す信号読出部を更に有することを特徴とする請求項２から９のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記サブアレイは、前記センサが行列状に複数配列されており、
前記サブアレイの複数の前記センサを行単位で走査する行走査回路を更に有し、
前記行走査回路は、所定行の前記センサと前記温度センサとを共通に走査することを特徴とする請求項２から１０のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１２】
前記温度センサは、前記サブアレイに複数配置されていることを特徴とする請求項２から１１のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１３】
前記制御部は、前記センサアレイを動作状態にするための信号とは異なる信号に応じて、前記温度センサから前記センサアレイの温度の変化量に応じた信号の読み出しの可否を決定するように制御を行うことを特徴とする請求項２から１２のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか１項に記載の前記撮像装置と、
前記撮像装置で撮像された画像に処理を行う処理部と、
を有することを特徴とする撮像システム。
【請求項１５】
各々が、放射線を電荷に変換する変換素子を有して当該電荷に応じた信号を出力するセンサが複数配列された複数のサブアレイを有するセンサアレイと、前記センサアレイの温度に応じた信号を出力する複数の温度センサ、とを有する撮像装置の撮像方法であって、
前記複数のサブアレイのうちの１つのサブアレイに含まれる、前記変換素子として前記放射線を光に変換するシンチレータによって変換された光を電荷に変換する光電変換を行う光電変換素子を含む前記センサと、順方向電圧が供給され前記センサアレイの温度と前記順方向電圧に応じた信号を出力する少なくとも１又は複数のダイオードを含む前記複数の温度センサのうちの１つの温度センサと、が共通に接続された配線を介して、前記複数の温度センサから信号を取得する第１の工程と、
前記配線を介して、前記１つのサブアレイから信号を取得する第２の工程と、
を有する撮像方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像素子を用いた撮像装置に関し、特に撮像された撮像画像の画質の向上に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
撮像装置においては、放射線を検出するためのセンサとしてＣＣＤやＣＭＯＳイメージセンサが用いられる。当該センサの特性は、センサが配置されたセンサアレイ自身、あるいはセンサを動作させるための周辺回路の温度変化によって影響を受ける。そして、当該温度変化によって、センサの暗電流が変化するため、画像と暗電流に起因するオフセット値の差が発生し、放射線画像の画質の悪化を引き起こす。
【０００３】
特許文献１では、センサアレイ（ＣＭＯＳイメージセンサ）の複数のサブアレイに複数の温度センサを配置し、当該温度センサの値に応じて、暗電流の補正値を変更し補正する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−３３０３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１で開示されている撮像装置は、複数のサブアレイのデータと複数の温度センサのデータとを関係付けることが煩雑であり、上述した補正のためのデータ処理が複雑となるおそれがあった。
【０００６】
そこで、本発明は、複数の温度センサと複数のサブアレイとを有する撮像装置において、サブアレイのデータと温度センサのデータとの対応を容易にすることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そこで、上記の問題点を解決するために本発明の撮像装置は、各々が、放射線を電荷に変換する変換素子を有して当該電荷に応じた信号を出力するセンサが複数配列された複数のサブアレイを有するセンサアレイと、前記センサアレイの温度に応じた信号を出力する複数の温度センサと、を有し、前記複数のサブアレイのうちの１つのサブアレイに含まれる、前記変換素子として前記放射線を光に変換するシンチレータによって変換された光を電荷に変換する光電変換を行う光電変換素子を含む前記センサと、順方向電圧が供給され前記センサアレイの温度と前記順方向電圧に応じた信号を出力する少なくとも１又は複数のダイオードを含む前記複数の温度センサのうちの１つの温度センサとが共通に接続された配線を介して、前記１つのサブアレイから出力される信号と前記１つの温度センサの信号とが読み出されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、複数の温度センサと複数のサブアレイとを有する撮像装置において、サブアレイのデータと温度センサのデータとの対応を容易にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第一の実施例における放射線撮像システムを示すブロック図である。
【図２】第一の実施例におけるセンサを示す図である。
【図３】第一の実施例における温度センサを示す図である。
【図４】第一の実施例におけるサブアレイを示す図である。
【図５】第一の実施例におけるセンサアレイから信号を読み出すタイミングを示すタイミングチャートである。
【図６】第一の実施例における複数のサブアレイから１つのＡＤ変換部により信号を読み出すタイミングを示すタイミングチャートである。
【図７】第二の実施例における撮像装置の温度センサの配置を示す図である。
【図８】第三の実施例における温度センサを示す図である。
【図９】第三の実施例における撮像装置の信号を読み出すタイミングを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（実施例１）
図１は、本発明の第一の実施例における放射線撮像システムのブロック図の一例を示す図である。
【００１１】
まず、図１を用いて放射線撮像システムの全体構成を説明する。図１は、本実施例を示す放射線撮像システムのブロック図の一例である。
【００１２】
放射線撮像システム１は、放射線撮像装置１００、画像処理およびシステム制御を行う処理部１０１、ディスプレイ等を含む表示部１０２、放射線制御部１０３、放射線を発生する放射線源１０４を有する。放射線撮像を行う際には、処理部１０１により、放射線撮像装置１００と放射線制御部１０３が同期制御され得る。被写体を透過した放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線等）は放射線撮像装置１００によって検出され、処理部１０１等で所定の処理が行われた後、被写体の画像データが生成される。画像データは、表示部１０２に放射線画像として表示される。本実施例における放射線撮像システム１は、本発明における撮像システムに相当する。
【００１３】
次に放射線撮像装置１００の全体構成を説明する。本実施例における放射線撮像装置１００は、センサアレイ１０５と、複数の温度センサ１２７と、を有する。センサアレイ１０５は、複数のサブアレイ１２０を有している。各々のサブアレイ１２０は、放射線叉は光に応じた信号を出力するセンサが複数配列されている。温度センサ１２７は、センサアレイ１０５の温度に応じた信号を出力する。複数のサブアレイ１２０のうちの１つのサブアレイ１２０から出力される信号と、当該１つのサブアレイに配置された温度センサ１２７の信号とが、共通の配線を介して読み出される。本実施例における放射線撮像装置１００は、本発明における撮像装置に相当する。以下、各部について詳述する。
【００１４】
センサアレイ１０５は、複数のサブアレイ１２０が板状の基台の上にタイリング（２次元配列）されて構成されている。このような構成により大型のセンサアレイ１０５が形成され得る。なお、サブアレイ１２０毎に複数のセンサが配列されている。また、ここでは、サブアレイ１２０が７列×２行を形成するように半導体基板がタイリングされた構成が例示されているが、この構成に限られるものではない。本実施例において、サブアレイ１２０は、センサアレイ１０５における複数のセンサが配置された領域を複数に分けた領域のうちの１つの領域である。また、当該複数に分けた領域は、互いに隣接して配置されている。そのため、タイリングされた各々の半導体基板に１つのサブアレイ１２０を規定してもよいし、当該半導体基板内に複数のサブアレイ１２０を規定してもよい。以下、サブアレイ１２０は、センサパネル１０５のうち１つの半導体基板毎に分離した領域として説明する。
【００１５】
サブアレイ１２０の上には、例えば、放射線を光に変換するシンチレータ（不図示）が設けられ得る。当該シンチレータの放射線の入射側と逆側に複数の光電変換素子（センサ）が配置されている。各センサには、ＭＩＳ型、ＰＩＮ型等の光電変換を行う変換素子が用いられる。これにより、照射された放射線量に基づく電気信号が得られる。すなわち、本実施例では、各センサとそれに対応するシンチレータとによって、放射線に応じた電荷を生成する変換素子が構成され得る。なお、当該変換素子は、放射線を直接電荷に変換するものであってもよい。
【００１６】
駆動部２１０は、後述する行走査回路２０３および列走査回路２０４を含む。
【００１７】
信号読出部２０は、差動アンプ等を含む信号増幅部１０７と、アナログデジタル変換（ＡＤ変換）を行うＡＤ変換部１０８とを少なくとも有している。信号読出部２０は、後述する行走査回路２０３、列走査回路２０４で選択されたセンサの信号を読み出し得る。そして、センサアレイ１０５の上辺部および下辺部には、信号の入出力又は電源の供給を行うための複数の電極が配列されている。電極は、外部回路に接続され、接続には例えばフライングリード式プリント配線板（不図示）が用いられる。そして、サブアレイ１２０からの信号は、電極を介して信号読出部２０により読み出される。制御部１０９からの制御信号は、電極を介してサブアレイ１２０に入力される。
【００１８】
制御部１０９は、処理部１０１との間で、制御コマンドの通信を行い、同期信号の通信を行い、また、処理部１０１への画像データの出力を行う。また、制御部１０９は、サブアレイ１２０ないし各ユニットを制御し、各センサと温度センサの駆動制御や動作モード制御を行う。また、制御部１０９は、信号読出部２０のＡＤ変換部１０８によりＡＤ変換された各サブアレイ１２０の画像データ（デジタルデータ）を用いて１つのフレームデータに合成し、処理部１０１に出力する。更に、制御部１０９は、サブアレイ１２０における１フレーム分の読み出し対象のセンサ２０２から信号を読み出す期間に、温度センサ１２７から１フレーム毎に温度データを読み出すように制御し得る。制御部１０９は、取得した温度センサ１２７のデータからセンサアレイ１０５の温度叉は、センサアレイ１０５の温度の変化量を算出し得る。
【００１９】
処理部１０１は、取得した１つのフレームデータからオフセット用のフレームデータを差し引くことでオフセット補正を行い得る。サブアレイ１２０は、撮影のための放射線が照射されていない期間においても暗電流が発生する。このため、サブアレイ１２０は画像データにオフセット値を持っている。処理部１０１は、所定の期間に放射線が照射されていない状態で取得した画像データをサブアレイ１２０のオフセット用のフレームデータとして有している。そして、処理部１０１は、前記所定の期間とは別の期間にて取得した画像データから、オフセット用のフレームデータを減算しオフセット補正を行え得る。また、処理部１０１は、センサアレイ１２０のオフセット補正データを温度データに対応して用意しておくことができる。更に、複数のセンサアレイ１２０を有する場合においては、各センサアレイ１２０でオフセット補正データを有していてもよい。処理部１０１は、温度データに基づいてオフセット補正データを選択し、オフセット補正を行うこともできる。このように、画像データは、センサアレイ１２０の温度に対応してオフセット補正を行うことができる。
【００２０】
制御部１０９と処理部１０１との間では、各種インターフェースを介して、制御コマンドないし制御信号および画像データの授受が行われる。処理部１０１は、制御用インターフェース１１０を介して、動作モードや各種パラメータなどの設定情報ないし撮影情報を制御部１０９に出力する。また、制御部１０９は、制御用インターフェース１１０を介して、放射線撮像装置１００の動作状態などの装置情報を処理部１０１に出力する。また、制御部１０９は、画像データインターフェース１１１を介して、放射線撮像装置１００で得られた画像データを処理部１０１に出力する。また、制御部１０９は、ＲＥＡＤＹ信号１１２を用いて、放射線撮像装置１００が撮影可能な状態になったことを処理部１０１に通知する。また、処理部１０１は、外部同期信号１１３を用いて、制御部１０９からのＲＥＡＤＹ信号１１２に応答して制御部１０９に、放射線の照射開始（曝射）のタイミングを通知する。また、制御部１０９は、曝射許可信号１１４がイネーブル状態の間に、放射線制御部１０３に制御信号を出力して放射線照射を開始させる。
【００２１】
温度センサ１２７は、センサアレイ１０５の温度を取得するために、各サブアレイ１２０に配置されている。温度センサ１２７とサブアレイ１２０とは、共通の配線で接続されている。なお、温度センサ１２７の位置は、表面端部としているが、これに限られない。放射線又は光が入射されない箇所であれば、サブアレイ１２０の表面のどの位置でも配置可能である。少なくとも、サブアレイ１２０及び温度センサ１２７は、共通の半導体基板に配置されている。更に、温度センサ１２７は、半導体基板においてサブアレイ１２０とは異なる領域に配置されていてもよい。なお、共通の半導体基板に配置する構成には、サブアレイ１２０と温度センサ１３７が共通の半導体基板に形成される構成も含まれるものとする。
【００２２】
冷却パネル１３３は、センサアレイ１０５を冷却する機能を有する。センサアレイ１０５の温度変化を少なくし、センサアレイの特性の変動を抑えることができる。冷却パネル１３３はセンサアレイ１０５の全面を均一の温度にするため、熱伝導率が高い物質が用いられる。
【００２３】
冷却装置１３１は、冷却パネル１３３の温度を一定に制御する機能を有する。冷却ホース１３２は、冷却装置１３１と冷却パネルとに接続され、冷却液を循環させる経路としての機能を有する。冷却装置１３１は、温度管理された冷却液を循環させることで、例えば、２７℃に保つことができる。
【００２４】
次に図２を用いて、センサの一例を示す。図２は、サブアレイ１２０を形成する１個当たりセンサ２０２の回路構成の一例を示す等価回路図である。
【００２５】
図２に示すように、複数のセンサの夫々は、例えば、第１部分ｐｓ１と第２部分ｐｓ２と第３部分ｐｓ３とを含み得る。なお、各部分に構成されるトランジスタであるＭ１〜Ｍ１３は、制御部１０９によって導通の可否が制御され得る。
【００２６】
第１部分ｐｓ１は、フォトダイオードＰＤと、トランジスタＭ１〜Ｍ３と、フローティングディフュージョン容量ＣＦＤ（以下、ＦＤ容量ＣＦＤ）と、感度切り替え用の容量ＣＦＤ１とを有し得る。フォトダイオードＰＤは光電変換素子であり、放射線叉は光に応じた電荷を生成し得る。フォトダイオードＰＤは、照射された放射線に応じて前述のシンチレータで生じた光を電気信号に変換する。なお、フォトダイオードＰＤは、放射線を直接検出し電荷を生成し得るものであってもよい。そして、当該放射線叉は光に応じた量の電荷がフォトダイオードＰＤで発生し、発生した電荷量に応じたＦＤ容量ＣＦＤの電圧が第２部分ｐｓ２に出力される。また、感度切り替え用の容量ＣＦＤ１は、センサ２０２の放射線に対する感度を切り替えるために用いられ、トランジスタＭ１（スイッチ素子）を介してフォトダイオードＰＤに接続されている。制御部１０９が、ＷＩＤＥ信号を活性化することによってトランジスタＭ１が導通状態になり、ＦＤ容量ＣＦＤと容量ＣＦＤ１との合成容量の電圧が第２部分ｐｓ２に出力される。このように、センサ２０２では、容量ＣＦＤ１を用いるか否かで放射線に対する感度を変更している。また、トランジスタＭ２は、ＰＲＥＳ信号が活性化されることによってフォトダイオードＰＤの電荷を初期化し、第２部分ｐｓ２に出力される電圧をリセットする。なお、感度切り替え機能を有しない場合、Ｍ１およびＣＦＤ１はｐｓ１に含まれない。
【００２７】
第２部分ｐｓ２は、トランジスタＭ３〜Ｍ７とクランプ容量ＣＣＬと定電流源とを有し得る。トランジスタＭ３とトランジスタＭ４と定電流源（例えばカレントミラー構成のトランジスタ）とは電流経路を形成するように直列に接続されている。制御部１０９が、トランジスタＭ３のゲートに入力されるイネーブル信号ＥＮが活性化されることによって、第１部分ｐｓ１からの電圧を受けるトランジスタＭ４が動作状態となる。このようにしてソースフォロワ回路が形成され、第１部分ｐｓ１からの電圧に応じた電圧が出力される。その後段には、トランジスタＭ５〜７とクランプ容量ＣＣＬとで構成されたクランプ回路が設けられている。具体的には、クランプ容量ＣＣＬの一方の端子ｎ１が、第１部分ｐｓ１のトランジスタＭ３とトランジスタＭ４との間のノードに接続されており、他方の端子ｎ２が、クランプスイッチとして機能するトランジスタＭ５に接続されている。また、トランジスタＭ６とトランジスタＭ７と定電流源とは電流経路を形成するように直接に接続されており、当該他方の端子ｎ２は、トランジスタＭ７のゲートに接続されている。この構成により、第１部分ｐｓ１のフォトダイオードＰＤで生じるｋＴＣノイズ（いわゆるリセットノイズ）の影響が低減され得る。具体的には、前述のリセット時における第１部分ｐｓ１からの電圧に応じた電圧がクランプ容量ＣＣＬの端子ｎ１に入力される。また、クランプ信号ＰＣＬが活性化されることによりトランジスタＭ５が導通状態になり、クランプ電圧ＶＣＬがクランプ容量ＣＣＬの端子ｎ２に入力される。このようにして、端子ｎ２の電位をノイズ成分としてクランプし、その後のフォトダイオードＰＤでの電荷の発生および蓄積に伴う電圧の変化分を信号成分として出力する。また、イネーブル信号ＥＮはトランジスタＭ６のゲートにも入力され、イネーブル信号ＥＮが活性化されることによってトランジスタＭ７が動作状態となる。このようにしてソースフォロワ回路が形成され、トランジスタＭ７のゲート電圧に応じた電圧が第３部分ｐｓ３に出力される。
【００２８】
第３部分ｐｓ３は、トランジスタＭ８、Ｍ１０、Ｍ１１、Ｍ１３と、アナログスイッチＳＷ９、ＳＷ１２と、容量ＣＳおよびＣＮとを有し得る。第３部分ｐｓ３は、本発明における保持部に相当する。保持部は、信号保持部と、基準信号部を有する。信号保持部は、光電変換素子で発生した電荷の量に応じた信号を保持する機能を有する。具体的には、Ｍ８、Ｍ１０、ＳＷ９、容量ＣＳを有する。基準信号部は、発生した電荷の量の基準となる基準信号を保持する機能を有する。具体的には、Ｍ９、Ｍ１１、ＳＷ１２、容量ＣＮを有する。
【００２９】
トランジスタＭ８と容量ＣＳとはサンプルホールド回路を形成しており、第２部分ｐｓ２からの出力値を保持する信号保持部として機能する。まず、信号保持部で信号が保持される動作について説明する。具体的には、制御部１０９が、制御信号ＴＳ１を用いてトランジスタＭ８の状態（導通状態または非導通状態）を切り替えることにより、第２部分ｐｓ２から得られる信号（光成分にしたがう信号）を容量ＣＳに保持し、即ち、サンプリングを行う。また、トランジスタＭ１０は、そのソースフォロワ動作によってアンプとして機能し、これによって当該信号は増幅される。当該増幅された信号は、制御信号ＶＳＲを用いてアナログスイッチＳＷ９を導通状態にすることより、端子Ｓから出力される。次に、基準保持部により、基準信号が保持される動作について説明する。同様に、トランジスタＭ１１およびＭ１３とアナログスイッチＳＷ１２と容量ＣＮとは、基準信号が保持され得る。
【００３０】
次に、図３を用いて第一の実施例における温度センサの構成について詳細に説明する。図３は、第一の実施例における温度センサの構成の一例を示す図である。
【００３１】
はじめに、温度センサの全体構成について説明する。図３における温度センサ１２７は、少なくとも１又は複数のダイオードを含んでいる。さらに、当該ダイオードの信号を増幅する信号増幅部と、信号増幅部から出力された信号を保持する信号保持部と、を有している。さらに、温度センサ１２７は、サブアレイ１２０の温度の基準となる基準信号を保持する基準保持部と、を有している。そして、温度センサ１２７は、サブアレイ１２０の温度の基準となる基準信号を増幅する第２の信号増幅部と、第２の信号増幅部から出力された信号を保持する基準保持部と、を更に有している。以下、各構成について具体的に説明する。
【００３２】
まず、温度センサ１２７のダイオードについて説明する。Ｄ１〜Ｄ４はＰＮ接合によるダイオードである。当該ダイオードの材料はシリコン半導体で構成されている。以下の順方向電圧と温度特性はシリコン半導体で構成されたＰＮ接合型のダイオードを使用する場合について説明する。ＰＮ接合ダイオードに流れる電流Ｉと印加される電圧Ｖの関係は、数式（１）で表わされる。
Ｉ＝Ｉｏ（ｅｘｐ（ｑＶ／ｎｋＴ）−１））  （１）
ここで、ｑは単位電荷、ｎは理想因子、ｋはボルツマン定数、Ｔは温度、Ｉｏは飽和電流を示す。数式（１）に基づく特性の一例として、ＰＮ接合ダイオードは常温で約０．６Ｖの順方向電圧特性、さらに順方向電圧は約−２．５ｍＶ／℃の温度特性を持つ温度センサとして機能する。本実施例では、ダイオードを４段直列に接続し、常温で約２．４Ｖの順方向電圧、約−１０ｍＶ／℃の出力特性を持たせている。温度センサの出力は、図２に示したセンサと同等の出力レンジ内に収めることが可能なため、センサ２０２と同様に図１に示した信号読出部２０を用いて読み出しが可能となっている。
【００３３】
次に、信号増幅部について説明する。信号増幅部は、少なくとも１つのトランジスタ（Ｍ２３）を含んでいる。Ｍ２３はソースフォロアとして動作するトランジスタで、温度信号Ｓとして温度センサから出力されるダイオードの順方向電圧ＶＦに応じた信号の信号増幅を行う機能を有する。
【００３４】
次に、第２の信号増幅部について説明する。第２の信号増幅部としてのＭ２９はソースフォロアとして動作するトランジスタで、基準信号Ｎとして温度センサのＮ端子から出力される基準信号ＶＣＬの信号増幅を行う機能を有する。
【００３５】
次に、信号保持部について説明する。信号保持部は、Ｍ２４とＣＳと少なくとも含んでおり、温度センサ信号のサンプルホールド回路を構成する。Ｍ２４は、サンプルホールド用トランジスタ（サンプルホールドスイッチＳ）である。ＣＳは温度センサ信号用ホールド容量である。さらに信号増幅用のトランジスタＭ２６を有していてもよい。Ｍ２６はソースフォロアとして動作し、温度センサ信号の増幅用トランジスタとして機能する。
【００３６】
次に、基準保持部について説明する。基準保持部はＭ３０とＣＮとを少なくとも含んでおり、基準信号蓄積用のサンプルホールド回路を構成する。Ｍ３０は、サンプルホールド用トランジスタ（サンプルホールドスイッチＮ）である。ＣＮは基準信号用ホールド容量である。さらに信号増幅用のトランジスタＭ３２を有していてもよい。Ｍ３２はソースフォロアとして動作し、基準信号の増幅用トランジスタとして機能する。
【００３７】
次に転送スイッチについて説明する。Ｍ２５はＭ２６で増幅された温度センサ信号をＳ信号出力線へ出力するための転送スイッチＳである。Ｍ３１はＭ３２で増幅された基準信号をＮ信号出力線へ出力するための転送スイッチＮである。
【００３８】
次に温度センサ１２７の制御に関連する各信号とその信号に基づく動作について説明する。以下説明する各信号は、制御部１０９から入力される。
【００３９】
まず、ＥＮ信号について説明する。ＥＮ信号は制御部１０９から入力され各トランジスタの動作状態を制御する機能を有する。ＥＮ信号は、ダイオード用定電流選択スイッチ（Ｍ２１）、ダイオード信号アンプ用定電流選択スイッチ（Ｍ２２）、基準電圧アンプ用定電流選択スイッチ（Ｍ２８）のゲートに接続される。ＥＮ信号がハイレベルの時、これらの選択スイッチＭ２１、Ｍ２２、Ｍ２８はオン状態となる。ＥＮ信号がハイレベルの時、直列接続のダイオードＤ１〜Ｄ４に定電流が流れ、動作状態となったトランジスタＭ２３からダイオードの順方向電圧ＶＦに応じた信号が温度センサの信号出力として出力される。
【００４０】
ＰＣＬ信号は、基準電圧選択スイッチＭ２７を制御する信号である。ＥＮ信号がハイレベルの時、ＰＣＬ信号がハイレベルになると基準電圧選択スイッチＭ２７がオン状態となり、動作状態となったトランジスタＭ２９から基準信号ＶＣＬが増幅され出力される。
【００４１】
ＴＳ信号は、温度センサの信号出力のサンプルホールド制御信号で、ＴＳ信号をハイレベルとし、Ｍ２４をオン状態にすることでダイオードの順方向電圧ＶＦが、Ｍ２３を通して容量ＣＳに印加される。次いで、信号ＴＳをローレベルとし、Ｍ２４をオン状態にすることで、サンプルホールド回路への温度センサ信号の保持が完了する。
【００４２】
ＴＮ信号は、基準信号ＶＣＬのサンプルホールド制御信号で、ＴＮ信号をハイレベルとし、Ｍ３０をオン状態にすることでＭ２９を介して増幅された基準信号ＶＣＬが容量ＣＮに印加される。次いで、信号ＴＮをローレベルとし、Ｍ３０をオフ状態にすることで、サンプルホールド回路への基準信号ＶＣＬの保持が完了する。
【００４３】
容量ＣＳ、容量ＣＮのサンプルホールド後は、Ｍ２６、Ｍ３２がオン状態となり、再度サンプルホールドされるまで保持した信号を非破壊で読み出すことが可能である。
【００４４】
ＴＳＥＬ信号は、温度センサ選択信号で、転送スイッチＳ（Ｍ２５）、転送スイッチＮ（Ｍ３１）のオン／オフの状態を制御する。そして、温度センサ信号用ホールド容量（ＣＳ）の信号Ｓ、基準電圧ＶＣＬホールド用容量（ＣＮ）の信号Ｎが、それぞれ出力される。
【００４５】
なお、本実施例の温度センサ１２７は、後述するように温度センサのダイオードの通電時間は、常時通電ではなく図５に示すように離散的な通電がなされる。
【００４６】
図４を用いて、第一の実施例におけるサブアレイ１２０について説明する。図４はサブアレイ１２０の構成例を示す図である。図４に示すように、サブアレイ１２０は、長辺側である縦方向にｍ個、短辺側である横方向にｎ個に複数のセンサ２０２が配列されている。サブアレイ１２０は、センサが行列状に複数配列されている。本実施例においては、列信号線２０６、２０７のうち、１組の列信号線が温度センサ１２７とサブアレイとの間で共通に用いられる。
【００４７】
サブアレイ１２０と温度センサ１２７の各信号は、共通の配線を介して信号読出部２０により読み出される。本実施例において、サブアレイ１２０の複数のセンサを行単位で走査する行走査回路を更に有し、行走査回路は、所定行のセンサと温度センサとを共通に走査する。
【００４８】
駆動部２１０は、各センサ２０２を駆動するための行走査回路２０３と、各センサ２０２から信号読出を行うための列走査回路２０４と、を有している。
【００４９】
行走査回路２０３および列走査回路２０４は、例えばシフトレジスタで構成されており、制御部１０９からの制御信号に基づいて動作する。行走査回路２０３は、行信号線２０５を介して各センサ２０２に制御信号を入力し、当該制御信号に基づいて各センサ２０２を行単位で駆動する。例えば、行走査回路２０３は行選択部として機能し、信号読出を行うべきセンサ２０２を複数のセンサに対し、行ごとに所定の選択周期で選択する。また、列走査回路２０４は列選択部として機能し、制御信号に基づいて各センサ２０２を列ごとに選択して、所定の読み出し周期で当該各センサ２０２からの信号を順に出力させる。温度センサ１２７は、行選択信号Ｖ０がイネーブルになると、温度センサ１２７の出力が基準信号出力端子Ｎ、信号出力端子Ｓに出力される。Ｖ０に関しては温度センサ専用の行となる。
【００５０】
サブアレイ１２０は、更に入力端子としてＶＳＴ、ＨＳＴ、ＣＬＫＶ、ＣＬＫＨを有する。入力端子ＶＳＴは、行走査スタート信号ＶＳＴが入力される端子である。入力端子ＣＬＫＶは、行走査クロック信号ＣＬＫＶが入力される端子である。入力端子ＣＬＫＨは、列走査クロック信号ＣＬＫＨが入力される端子である。入力端子ＨＳＴは、列走査スタート信号ＨＳＴが入力される端子である。
【００５１】
行走査回路２０３は行ごとに複数のセンサを選択し、行走査クロックＣＬＫＶに同期してセンサを副走査方向である行方向に順次走査する。列走査回路２０４は行走査回路２０３により選択された行のセンサの列信号線を列走査クロック信号ＣＬＫＨに同期して１センサごとに順次選択する。行走査回路２０３の出力線である行信号線２０５がイネーブルになることにより、列信号線２０６、２０７を介して信号、基準信号は出力される。列信号線２０６，２０７に出力された信号を列走査回路２０４が順次選択することにより、アナログ電圧出力線２０８，２０９に各センサの信号が順次出力される。
【００５２】
更に、サブアレイ１２０は、チップセレクト端子ＣＳ、信号出力端子Ｓ、基準信号出力端子Ｎを有する。チップセレクト端子ＣＳは、サブアレイ１２０から信号を読み出し得る状態にするための端子である。信号出力端子ＳＩＧは、各センサ２０２の容量ＣＳに保持された信号を読み出すための端子であり、基準信号出力端子Ｎは、容量ＣＮに保持される。
【００５３】
図５を参照しながら、動作モードの一例として、動画撮影モードにおけるセンサ２０２および温度センサの駆動方法を述べる。以下では、センサ２０２が駆動される場合について説明するが、温度センサも同一の駆動方法で読み出され得る。以下の駆動方法において図２と図３の同一の信号名については、同じタイミングで駆動される。
【００５４】
まず、図５に示すように、時刻ｔ１で動作モード設定および撮影開始設定がなされる。その後、時刻ｔ２では撮影のための駆動が開始され、リセット駆動ＲＤと、サンプリング駆動ＳＤとが交互に繰り返される。また、サンプリング駆動ＳＤの後でかつ、その次のリセット駆動ＲＤの前に、サブアレイ１２０から信号読出を行う読出動作ＲＯがなされる。
【００５５】
リセット駆動ＲＤでは、リセット動作と、リセット時の出力成分をノイズ成分としてクランプする動作と、を行う。具体的には、図５に示すように、時刻ｔ２では、イネーブル信号ＥＮをハイレベルにして、トランジスタＭ３およびＭ６を導通状態にする。これにより、トランジスタＭ４およびＭ７がソースフォロア動作を行える状態になる。
【００５６】
時刻ｔ３では、信号ＰＲＥＳおよびＷＩＤＥ（不図示）をハイレベルにして、感度切替え用のトランジスタＭ１を導通状態にした状態で、リセット用のトランジスタＭ２を導通状態にする。これにより、フォトダイオードＰＤは基準電圧ＶＲＥＳに接続され、フォトダイオードＰＤがリセットされると共に容量ＣＦＤ１および容量ＣＦＤの電圧もリセットされる。また、リセット直後のトランジスタＭ４のゲート電圧に応じた電圧が、クランプ容量ＣＣＬの一方の端子ｎ１（トランジスタＭ４側の端子）に入力される。
【００５７】
時刻ｔ４では、信号ＰＣＬをハイレベルにして、前述のクランプを行うためのトランジスタＭ５を導通状態にする。これにより、クランプ電圧ＶＣＬがクランプ容量ＣＣＬの他方の端子ｎ２（トランジスタＭ７側の端子）に入力される。また、時刻ｔ４では、信号ＴＳおよびＴＮをハイレベルにして、前述のサンプリングを行うためのトランジスタＭ８を導通状態にする。これにより、容量ＣＳおよびＣＮはいずれも初期状態（トランジスタＭ７のゲート電圧が基準電圧ＶＣＬのときの第２部分ｐｓ２の出力値の電圧）になる。
【００５８】
時刻ｔ５では、信号ＰＲＥＳおよびＷＩＤＥ（不図示）をローレベルにして、トランジスタＭ１およびＭ２を非導通状態にする。これにより、容量ＣＦＤ１および容量ＣＦＤは、トランジスタＭ１が非導通状態になるため、リセット直後の電圧で固定され、また、クランプ容量ＣＣＬの端子ｎ１は、リセット直後のトランジスタＭ４のゲート電圧に応じた電圧にセットされる。
【００５９】
時刻ｔ６では、信号ＰＣＬをローレベルにして、トランジスタＭ５を非導通状態にする。これにより、端子ｎ１と端子ｎ２との電位差（基準電圧ＶＲＥＳにしたがう電圧と基準電圧ＶＣＬとの電位差）に応じた電荷がクランプ容量ＣＣＬに保持され、前述のｋＴＣノイズのクランプが完了する。また、時刻ｔ６では、信号ＴＳおよびＴＮをローレベルにして、トランジスタＭ８、Ｍ１１を非導通状態にする。これにより、容量ＣＳおよびＣＮの電圧が固定される。時刻ｔ６では、前述の曝射許可信号１１４をハイレベル（許可状態）にする。その後、フォトダイオードＰＤでは電荷が発生し蓄積される。
【００６０】
時刻ｔ７では、イネーブル信号ＥＮをローレベルにして、トランジスタＭ３およびＭ６を非導通状態にする。これにより、トランジスタＭ４およびＭ７を非動作状態にする。
【００６１】
以上のようにして、リセット駆動ＲＤの一連の動作が終了する。即ち、リセット駆動ＲＤでは、フォトダイオードＰＤをリセットすると共に、第１部分ｐｓ１のフォトダイオードＰＤに起因するｋＴＣノイズに相当する電圧がクランプ容量ＣＣＬに保持され、また、容量ＣＳおよびＣＮが初期化される。
【００６２】
なお、リセット駆動ＲＤは、全てのセンサについて一括で行うことができ、その後（例えば時刻ｔ３１〜ｔ３２）に為されるリセット駆動ＲＤも上述と同様のタイミングでなされ得る。また、制御タイミングのずれを防ぐことによって隣接するセンサ間でデータの連続性が維持され得る。
【００６３】
次に、サンプリング駆動ＳＤでは、センサ２０２を駆動し、得られる信号を容量ＣＳに保持する動作を行う。具体的には、時刻ｔ１１でイネーブル信号ＥＮをハイレベルにしてトランジスタＭ３およびＭ６を導通状態にし、トランジスタＭ４およびＭ７がソースフォロア動作を行う状態になる。トランジスタＭ４のゲート電圧（即ち、ＦＤ容量ＣＦＤの電圧）は、フォトダイオードＰＤで発生し蓄積された電荷量に応じて変化しており、当該変化したゲート電圧に応じた電圧がクランプ容量ＣＣＬの一方の端子ｎ１に入力され、端子ｎ１の電位が変化する。クランプ容量ＣＣＬの他方の端子ｎ２の電位変化は、当該端子ｎ１の電位変化にしたがう。ここで、前述のとおり、クランプ容量ＣＣＬにはｋＴＣノイズに相当する電圧が保持されているため、この電位変化の量が信号成分として第３部分ｐｓ３に出力される。
【００６４】
時刻ｔ１２〜ｔ１４では、センサ２０２の信号が、容量ＣＳに保持される。時刻ｔ１２では、信号ＴＳをハイレベルにしてトランジスタＭ８を導通状態にし、第２部分ｐｓ２の出力値についてのサンプリングを開始する。具体的には、容量ＣＳは、時刻ｔ１１の駆動にしたがう第２部分ｐｓ２の出力値の電圧（トランジスタＭ７のゲート電圧に応じた電圧）になる。次に、時刻ｔ１３では、時刻ｔ１２でサンプリングを開始したので、曝射許可信号１１４をローレベル（禁止状態）にする。その後、時刻ｔ１４では、信号ＴＳをローレベルにしてトランジスタＭ８を非導通状態にし、即ち、第２部分ｐｓ２の出力値をホールドする。具体的には、容量ＣＳの電圧が第２部分ｐｓ２の出力値で固定される。
【００６５】
次に、時刻ｔ１５では、信号ＰＲＥＳをＨｉレベルにして、リセット用のトランジスタＭ２を導通状態にする。これにより、ＦＤ容量ＣＦＤおよび容量ＣＦＤ１の電圧をリセットして基準電圧ＶＲＥＳにし、端子ｎ１の電圧も時刻ｔ３と同じ状態にリセットされる。
【００６６】
時刻ｔ１６では、信号ＰＣＬをＨｉレベルにしてトランジスタＭ５を導通状態にし、クランプ電圧ＶＣＬがクランプ容量ＣＣＬの他方の端子ｎ２（トランジスタＭ７側の端子）に入力される。時刻ｔ１７では、信号ＰＲＥＳをローレベルにしてトランジスタＭ１およびＭ２を非導通状態にする。これにより、容量ＣＦＤ１および容量ＣＦＤはリセット直後の電圧で固定され、また、クランプ容量ＣＣＬの端子ｎ１は、リセット直後のトランジスタＭ４のゲート電圧に応じた電圧にセットされる。
【００６７】
時刻ｔ１８〜ｔ１９では、第２部分ｐｓ２の回路構成に依存する熱ノイズ、１／ｆノイズ、温度差、プロセスばらつき等の固定パターンノイズに相当する電圧が容量ＣＮに保持される。時刻ｔ１８では、信号ＴＮをハイレベルにしてトランジスタＭ１１を導通状態にする。これにより、容量ＣＮは充電され、トランジスタＭ７のゲート電圧が基準電圧ＶＣＬのときの第２部分ｐｓ２の出力値の電圧になる。時刻ｔ１９では、信号ＴＮをローレベルにしてトランジスタＭ１１を非導通状態にする。これにより、容量ＣＮの電圧が固定される。最後に、時刻ｔ２０では信号ＰＣＬをローレベルにしてトランジスタＭ５を非導通状態にし、時刻ｔ２１ではイネーブル信号ＥＮをローレベルにしてトランジスタＭ３およびＭ６を非導通状態（トランジスタＭ４およびＭ７を非動作状態）にする。
【００６８】
以上のようにして、サンプリング駆動ＳＤの一連の動作が終了する。なお、サンプリング駆動ＳＤは、前述のリセット駆動ＲＤと同様に、各サブアレイ１２０の制御タイミングのずれを防ぐため、全てのセンサについて一括でなされ得る。なお、各信号レベルのハイレベルおよびローレベルの極性は例示であり、システムに応じて信号レベルは反転され得る。
【００６９】
次に図６を用いて、３枚のサブアレイ１２０を組み合わせた場合に、温度センサ１２７とサブアレイ１２０の各データを１つの信号読出部２０により読み出すための読み出し動作について説明する。当該読み出し動作によりサブアレイ１２０の１フレーム分の読み出し対象のセンサから信号を読み出しつつ、温度センサ１２７から信号を読み出し得る。
【００７０】
センサアレイ１０５のうち、タイリングされた３枚のサブアレイ１２０を１ブロックとし、その１ブロックをＡＤ変換部１０８のうち１つのＡＤ変換器の変換領域としてＡＤ変換が行われる。
【００７１】
まず、図中の各信号について説明する。ＣＬＫＨは、センサ信号読み出し用の同期信号であり、ＣＬＫＨに同期してサブアレイ１２０のセンサ信号出力が順次切り替わる。ＣＬＫＡＤは、ＡＤ変換を行うタイミングを制御するＡＤクロック信号である。ＣＳ０〜ＣＳ２は動作されるサブアレイ１２０の選択するための信号であり、３つのサブアレイ１２０にＣＳ０〜ＣＳ２が割り当てられている。各選択されたサブアレイ１２０のセンサ２０２及び温度センサ１２７から出力が可能な状態になる。ＡＤＩＮはサブアレイ１２０からの出力信号で、ＡＤ変換部１０８に入力される信号である。ＡＤＯＵＴは、ＡＤ変換部１０８のＡＤ変換後の１６ｂｉｔ出力信号である。ＶＳＴ、ＣＬＫＶ、ＨＳＴ、ＣＬＫＨは図４と同様の信号である。
【００７２】
まず、制御部１０９は、サブアレイ１２０からの信号の読み出しの前に温度センサ１２７から信号を読み出す。制御部１０９は、温度センサ１２７からデータを取得する場合、図４における行選択信号Ｖ０をイネーブルにする。
【００７３】
まず、チップセレクトＣＳ０をイネーブルとし、ＣＳ０で選択されたサブアレイ１２０の温度センサの出力ＡＤＩＮ（Ｔ０）がＡＤ変換器に入力され、ＣＬＫＡＤパルスによりＡＤ変換されＡＤＯＵＴ（Ｔ０）として出力される。その後同様に、ＣＳ１とＣＳ２により各サブアレイ１２０が選択される。そして、ＣＬＫＡＤパルスに同期してＡＤ変換されＡＤＯＵＴ（Ｔ１）、ＡＤＯＵＴ（Ｔ２）として出力される。以上で複数の温度センサからの信号の読み出しが完了する。次にサブアレイ１２０からの読み出しが行われる。
【００７４】
行走査スタート信号ＶＳＴがハイの状態で、行走査クロックＣＬＫＶが立ち上がると、サブアレイ１２０の内部では、行走査回路２０３の行信号線Ｖ１がイネーブルとなる。行信号線Ｖ１がイネーブルとなると、行信号線Ｖ１で選択される図７に示すセンサ行Ｐ０（１，１）からＰ２（ｎ，１）の出力が有効になる。
【００７５】
まず、ＣＳ０で動作状態になるサブアレイ１２０の１行分の読み出し動作について説明する。初めにチップセレクトＣＳ０をイネーブルにし、サブアレイ１２０の出力を有効とする。サブアレイ１２０の内部では、列走査スタート信号ＨＳＴがハイの状態で、列走査クロックＣＬＫＨが立ち上がると、列走査回路２０４の列選択行信号Ｈ１がイネーブルとなる。ＣＬＫＨの立ち上がりに同期して、列走査回路２０４の列選択行信号がＨ２、・・Ｈｎと切り換わる。この信号の切り換わりに同期して、順次、Ｐ０（１，１）、Ｐ０（２，１）、・・Ｐ０（ｎ，１）の信号がＡＤＩＮに出力される。ＡＤＩＮに出力されたセンサ信号は、ＣＬＫＡＤパルスに同期してＡＤ変換される。そして、各センサの信号は、ＡＤＯＵＴ（Ｐ０（１，１））ＡＤＯＵＴ（Ｐ０（２，１））、・・ＡＤＯＵＴ（Ｐ０（ｎ，１））として出力される。サブアレイ１２０のＰ０（１，１）からＰ０（ｎ，１）までの列走査が完了すると、チップセレクトＣＳ０をディセーブルにする。以上により１つのサブアレイ１２０の１行分の読み出し動作が完了する。
【００７６】
同様に、チップセレクトＣＳ１、ＣＳ２をイネーブルにし、Ｐ１（１，１）からＰ１（ｎ，１）、Ｐ２（１，１）からＰ２（ｎ，１）までの列走査を行い、チップセレクトＣＳ１、ＣＳ２をディセーブルにする。以上で、３枚のサブアレイ１２０の１行分の列走査が完了する。
【００７７】
次に各サブアレイ１２０の２行目以降の信号の読み出しについて説明する。制御部１０９は、サブアレイ１２０にＣＬＫＶを１パルス入力することにより、行走査回路２０３の行信号線Ｖ２がイネーブルとするように制御する。制御部１０９は、行信号線Ｖ２がイネーブルとなると、行信号線Ｖ２で選択される図７に示すセンサ行Ｐ０（１，２）からＰ２（ｎ，２）の出力が有効になる。
【００７８】
以降、ＣＬＫＶによりセンサアレイ１０５の行走査回路２０３の行信号線をＶｍまで順次切り換えながら、Ｐ０（１，ｍ）からＰ２（ｎ，ｍ）の最終センサの行まで列走査を繰り返すことにより、サブアレイ１２０の３枚分の全センサの読み出しが完了する。このように各サブアレイ１２０と温度センサ１２７とに対応したＣＳ信号を使用して読み出しを行うことで、サブアレイ１２０と温度センサ１２７との信号を容易に対応させることができる。上記は３つのサブアレイ１２０と１つのＡＤ変換器１０８について述べたが、これに限られるものではない。例えば、１つのサブアレイ１２０と１つのＡＤ変換１０８としてもよい。また、４つ以上のサブアレイ１２０と１つのＡＤ変換器１０８とが対応するものであってもよい。このように、複数のサブアレイ１２０とＡＤ変換器１０８を対応づけることにより、より簡易な回路構成でサブアレイのデータと温度センサのデータとの対応づけることができる。
【００７９】
以上により、温度センサを有する撮像装置において、センサアレイの温度を適切に取得することができる。複数の温度センサと複数のサブアレイとを有する撮像装置において、サブアレイのデータと温度センサのデータとの対応を容易にすることができる。
【００８０】
そして、制御部１０９は、取得された複数の温度センサに基づいて、オフセット用のフレームデータを変更し補正し得る。例えば、各サブアレイの標準の温度データのオフセットフレームデータを基準として、相対的な温度差とオフセット用のフレームデータの関係を予め取得する。そして、オフセット用フレームデータを適宜変更し補正に用いることができる。このようにすることで、撮像装置は適切にオフセット補正を行え得る。
【００８１】
（実施例２）
図７を用いて第二の実施例について説明する。第二の実施例では、温度センサが１つのサブアレイに複数配置されている点で他の実施例と異なる。
【００８２】
本構成により、１つのサブアレイ内の広範囲の温度情報を測定できるため、より正確にセンサアレイの温度補正を行うことができる。以下、第二の実施例について詳細に説明する。
【００８３】
図７は複数のセンサに対応して温度センサ１２７を設けた場合のサブアレイ１２０の内部構造の一例を示す図である。
【００８４】
本実施例のサブアレイ１２０は、温度センサ１２７が複数のセンサに併設されている。制御部１０９は、ＴＳＥＬ信号をイネーブルにし、信号読出部２０への出力を切り替えることができる。図７において、温度センサ１２７は、一部のセンサ２０２に併設されているがこの限りではない。温度センサ１２７は、複数の行や列に対応して配置させることも可能である。センサの数よりも多くの温度センサ１２７が配置されていてもよい。本構成によって、サブアレイ１２０の全体にわたる温度特性を検出することができる。
【００８５】
次に、本実施例での温度センサ１２７の配置の一例について説明する。本実施例では、サブアレイ１２０へ放射線叉は光の入射を遮らないように、温度センサ１２７はサブアレイ１２０の裏側に設置することが好ましい。この構成の場合、サブアレイ１２０と冷却パネル１３０の間に温度センサ１２７を配置することが好ましい。
【００８６】
以上により、温度センサを有する撮像装置において、センサアレイの温度をより広範囲に取得できる。
【００８７】
（実施例３）
図８及び図９を用いて第三の実施例について説明する。他の実施例との違いは、センサアレイを動作状態にするための信号とは異なる信号に応じて、温度センサからセンサパネルの温度の変化量に応じた信号の読み出しの可否を決定できる点で異なる。本構成により、温度センサへ電圧を供給するタイミングを任意のタイミングにすることが可能となる。そのため、センサアレイへのＥＮ信号がイネーブルされた時以外においても温度上昇の検出を行うことができる。以下、第三の実施例について詳細に説明する。
【００８８】
図８は、センサアレイとは別のＥＮ信号でダイオードへの電圧印加が制御可能な温度センサである。Ｍ９１は、ＥＮ１信号によって、ダイオードへの電圧印加を制限するスイッチとして機能するトランジスタである。制御部１０９は、ＥＮ１がアサートの場合（以下ハイレベル）、ダイオードへの電圧印加を行うように制御し得る。一方、制御部１０９は、ＥＮ１をネゲートにすることで（以下ローレベル）、電圧印加を行うように制御し得る。
【００８９】
図９を用いて、温度センサ１２７への定電流を制限した場合における温度センサ１２７からの信号の読出駆動のタイミングの一例について説明する。
【００９０】
まず、制御部１０９は、時刻ｔ１１０においてリセット駆動を行う。この場合に、ＥＮ１をローレベルにし、温度センサ１２７の駆動を制限する。次に、制御部１０９は、時刻ｔ１１１において、サンプリング駆動に先駆けてＥＮ１をハイレベルにする。その後、制御部１０９は、時刻ｔ１１２においてサンプリング駆動を行い、時刻ｔ１１３において、データの読み出しが開始される。このため、リセット駆動のタイミング時に温度センサ１２７を制御させないようにすることができる。
【００９１】
以上により、温度センサを有する撮像装置において、温度センサをセンサアレイとは別に制御しつつ同じ方法で読み出すことが可能となる。このため、温度センサからの信号を所望のタイミングで読みだすことが可能となる。
【００９２】
なお、本発明の実施例は、コンピュータや制御コンピュータがプログラム（コンピュータプログラム）を実行することによって実現することもできる。また、プログラムをコンピュータに供給するための手段、例えばかかるプログラムを記録したＣＤ−ＲＯＭ等のコンピュータが読み取り可能な記録媒体又はかかるプログラムを伝送するインターネット等の伝送媒体も本発明の実施例として適用することができる。また、上記のプログラムも本発明の実施例として適用することができる。上記のプログラム、記録媒体、伝送媒体およびプログラムプロダクトは、本発明の範疇に含まれる。また、実施例から容易に想像可能な組み合わせによる発明も本発明の範疇に含まれる。
【００９３】
以上、本発明を実施例に基づいて詳述してきたが、本発明はこれらの特定の実施例に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の様々な形態も本発明の範疇に含まれる。さらに、上述した実施例は本発明の一実施の形態を示すものにすぎず、上述した実施例から容易に想像可能な発明も本発明の範疇に含まれる。
【符号の説明】
【００９４】
１００  放射線撮像装置
１０５  センサアレイ
１２０  サブアレイ
１２７  温度センサ
２０２  センサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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