(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
粘着性を有する絶縁性接着樹脂層内にバンプ用導電フィラーが平面視で規則配列され且つバンプ用導電フィラーの複数個がユニットを構成しているバンプ形成用フィルムであって、該規則配列がフィルムの長手方向に周期的繰り返し単位を有し、フィルムの厚み方向におけるバンプ用導電フィラーの一方の端部を結ぶ直線が、フィルムの表面に略平行となっているバンプ形成用フィルム。
【請求項２】
ユニット内の該バンプ用導電フィラー間の最短距離が、該バンプ用導電フィラーの平均粒子径の５０％未満である請求項１記載のバンプ形成用フィルム。
【請求項３】
ユニット内のバンプ用導電フィラー同士が互いに離間している請求項２記載のバンプ形成用フィルム。
【請求項４】
フィルムの厚み方向におけるバンプ用導電フィラーの一方の端部を結ぶ直線と、フィルムの表面とがなす角度が±５°である請求項１記載のバンプ形性用フィルム。
【請求項５】
フィルムの厚み方向におけるバンプ用導電フィラーの一方の端部を結ぶ直線と、フィルムの表面とがなす角度が±５°である請求項２又は３記載のバンプ形性用フィルム。
【請求項６】
バンプ用導電フィラーの平均粒子径が、略同一である請求項１〜５のいずれかに記載のバンプ形成用フィルム。
【請求項７】
バンプ導電フィラーが、金属被覆樹脂粒子である請求項１〜６のいずれかに記載のバンプ形成用フィルム。
【請求項８】
バンプ用導電フィラーが、半田粒子である請求項１〜６のいずれかに記載のバンプ形成用フィルム。
【請求項９】
バンプ用導電フィラーの平均粒子径が３〜６０μｍであり、絶縁性接着樹脂層の厚さが、その平均粒子径の０．５〜２０倍である請求項１〜８のいずれかに記載のバンプ形成用フィルム。
【請求項１０】
バンプ用導電フィラーの一部が、絶縁性接着樹脂層から露出している請求項１〜９のいずれかに記載のバンプ形成用フィルム。
【請求項１１】
絶縁性接着樹脂層が、光硬化性もしくは熱硬化性である請求項１〜１０のいずれかに記載のバンプ形成用フィルム。
【請求項１２】
請求項１記載のバンプ形成用フィルムの製造方法であって、以下の工程（イ）〜（ハ）：
＜工程（イ）＞
規則配列された凹部が表面に形成された転写体を用意する工程；
＜工程（ロ）＞
転写体の凹部にバンプ用導電フィラーを充填する工程；及び
＜工程（ハ）＞
該転写体のバンプ用導電フィラーが充填された側の表面に絶縁性接着樹脂層を重ねて押圧することにより、絶縁性接着樹脂層にバンプ用導電フィラーを転着させる工程
を有する製造方法。
【請求項１３】
更に、以下の工程（ニ）
＜工程（ニ）＞
バンプ用導電フィラーが転着した絶縁性接着樹脂層に対し、バンプ用導電フィラー転着面側から絶縁性接着カバー層を積層する工程
を有する請求項１２記載の製造方法。
【請求項１４】
バンプ用導電フィラーが、金属被覆樹脂粒子又は半田粒子である請求項１２又は１３記載の製造方法。
【請求項１５】
表面のバンプ用のベース電極にバンプが配置された電子部品であって、請求項１〜１１のいずれかに記載のバンプ形成用フィルムのバンプ用導電フィラーが該ベース電極のバンプとなるように、該バンプ形成用フィルムが該電子部品のベース電極形成表面に配置されている電子部品。
【請求項１６】
バンプ形成用フィルムのバンプ用導電フィラーの複数個が構成するユニットがベース電極よりも大きい請求項１５記載の電子部品。
【請求項１７】
表面のバンプ用のベース電極にバンプが配置された電子部品の製造方法であって、
表面にバンプ用のベース電極を有するバンプレス電子部品の当該ベース電極に対し、請求項１〜１１のいずれかに記載のバンプ形成用フィルムのバンプ用導電フィラーが、該ベース電極に対向するように、該バンプ形成用フィルムを該電子部品のベース電極形成表面に配置した後、バンプ形成用フィルムを構成する絶縁性接着樹脂で、バンプ用導電フィラーをベース電極に固定する製造方法。
【請求項１８】
バンプ形成用フィルムのバンプ用導電フィラーの複数個が構成するユニットがベース電極よりも大きい請求項１７記載の電子部品の製造方法。
【請求項１９】
表面のバンプ用のベース電極にバンプが配置された半導体装置であって、請求項１〜１１のいずれかに記載のバンプ形成用フィルムのバンプ用導電フィラーが該ベース電極のバンプとなるように、該バンプ形成用フィルムが該半導体装置のベース電極形成表面に配置されている半導体装置。
【請求項２０】
バンプ形成用フィルムを構成する絶縁性接着樹脂層を硬化させることにより、バンプ用導電フィラーがベース電極に固定されている請求項１９記載の半導体装置。
【請求項２１】
バンプ形成用フィラーをベース電極に加熱により金属結合させることにより、バンプ用導電フィラーがベース電極に固定されている請求項１９記載の半導体装置。
【請求項２２】
金属結合形成後に、バンプ形成用フィルムを構成する絶縁性接着樹脂層が、硬化した後に剥離されている請求項２１記載の半導体装置。
【請求項２３】
バンプ形成用フィルムのバンプ用導電フィラーの複数個が構成するユニットがベース電極よりも大きい請求項１９〜２２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項２４】
表面のバンプ用のベース電極にバンプが配置された半導体装置の製造方法であって、
表面にバンプ用のベース電極を有するバンプレス半導体装置の当該ベース電極に対し、請求項１〜１１のいずれかに記載のバンプ形成用フィルムのバンプ用導電フィラーが、該ベース電極に対向するように、該バンプ形成用フィルムを該半導体装置のベース電極形成表面に配置した後、バンプ形成用フィルムを構成する絶縁性接着樹脂層を硬化させることにより、バンプ用導電フィラーをベース電極に固定する製造方法。
【請求項２５】
表面のバンプ用のベース電極にバンプが配置された半導体装置の製造方法であって、
表面にバンプ用のベース電極を有するバンプレス半導体装置の当該ベース電極に対し、請求項１〜１１のいずれかに記載のバンプ形成用フィルムのバンプ用導電フィラーが、該ベース電極に対向するように、該バンプ形成用フィルムを該半導体装置のベース電極形成表面に配置した後、バンプ用導電フィラーを加熱することによりベース電極に金属結合させて固定する製造方法。
【請求項２６】
バンプ形成用フィルムのバンプ用導電フィラーの複数個が構成するユニットがベース電極よりも大きい請求項２４又は２５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
請求項１５又は１６記載の電子部品の表面のベース電極に配置されたバンプ用導電フィラーと他の電子部品の対応する端子とが、硬化性若しくは非硬化性の導電接着剤又は絶縁性接着剤を介して接続されているか、または両者の間に金属結合形成することにより接続されている接続構造体。
【請求項２８】
バンプ用導電フィラーが、金属被覆樹脂粒子又は半田粒子である請求項２７記載の接続構造体。
【請求項２９】
請求項１５又は１６記載の電子部品の表面のベース電極に配置されたバンプ用導電フィラーと他の電子部品の対応する端子とを、硬化性若しくは非硬化性の導電接着剤又は絶縁性接着剤を介して接続するか、または両者の間に金属結合形成することにより接続する、接続構造体の製造方法。
【請求項３０】
請求項１９〜２３のいずれかに記載の半導体装置の表面のベース電極に配置されたバンプ用導電フィラーと他の電気部品の対応する端子とが、硬化性若しくは非硬化性の導電接着剤又は絶縁性接着剤を介して接続されているか、または両者の間に金属結合形成することにより接続されている接続構造体。
【請求項３１】
請求項１９〜２３のいずれかに記載の半導体装置の表面のベース電極に配置されたバンプ用導電フィラーと他の電子部品の対応する端子とを、硬化性若しくは非硬化性の導電接着剤又は絶縁性接着剤を介して接続するか、または両者の間に金属結合形成することにより接続する、接続構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣチップなどの電極パッドにバンプを形成するためのバンプ形成用フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
バンプレスＩＣチップを配線基板にフリップチップ実装する場合、低い導通抵抗と安定した導通信頼性とを実現するために、パッシベーション膜で被覆されていないバンプレスＩＣチップの電極パッドに、予めスタッドバンプ法により金バンプを設けたり、バンプとして機能することが期待される金属メッキ被覆樹脂粒子を超音波加熱により金属結合させることが提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２８６３４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、バンプレスＩＣチップの電極パッドにスタッドバンプ法により金バンプを設けることは、ＩＣチップの製造コストを大きく増大させるため、商業的に採用し難いという問題がある。また、バンプレスＩＣチップの電極パッドに金属被覆樹脂粒子の表面金属を超音波加熱により金属接合させた場合には、表面金属の剥離が発生して導通信頼性が大きく低下することが懸念されるばかりでなく、製造工程が煩雑になるという問題もあった。
【０００５】
本発明の目的は、以上の従来の技術の問題点を解決することであり、バンプレスＩＣチップ等の半導体装置に、低コストで、しかも安定した導通信頼性を実現できるバンプを形成できるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、半導体装置のバンプとして機能することが期待できる導電フィラーをバンプ形成用フィルムで簡便に半導体装置の電極に供給できるようにすれば、上述の問題が解決できるという仮定の下、絶縁性接着樹脂層内にバンプ用導電フィラーを、平面視でフィルムの長手方向に周期的繰り返し単位で規則配列させ、且つフィルム厚み方向のバンプ用導電フィラーの一方の端部を結ぶ直線を、フィルムの表面に略平行とすることにより、本願の目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００７】
即ち、本発明は、「絶縁性接着樹脂層内にバンプ用導電フィラーが平面視で規則配列されているバンプ形成用フィルムであって、該規則配列がフィルムの長手方向に周期的繰り返し単位を有し、フィルムの厚み方向におけるバンプ用導電フィラーの一方の端部を結ぶ直線が、フィルムの表面に略平行となっているバンプ形成用フィルム」を提供する。
【０００８】
また、本発明は、上述の本発明のバンプ形成用フィルムの製造方法であって、以下の工程（イ）〜（ハ）：
＜工程（イ）＞
規則配列された凹部が表面に形成された転写体を用意する工程；
＜工程（ロ）＞
転写体の凹部にバンプ用導電フィラーを充填する工程；及び
＜工程（ハ）＞
該転写体のバンプ用導電フィラーが充填された側の表面に絶縁性接着樹脂層を重ねて押圧することにより、絶縁性接着樹脂層にバンプ用導電フィラーを転着させる工程
を有する製造方法を提供する。
【０００９】
この製造方法は、更に、以下の工程（ニ）
＜工程（ニ）＞
バンプ用導電フィラーが転着した絶縁性接着樹脂層に対し、バンプ用導電フィラー転着面側から絶縁性接着カバー層を積層する工程
を有することが好ましい。
【００１０】
また、本発明は、「表面のバンプ用のベース電極にバンプが配置された電子部品であって、上述のバンプ形成用フィルムのバンプ用導電フィラーが該ベース電極のバンプとなるように、該バンプ形成用フィルムが該電子部品のベース電極形成表面に配置されている電子部品」を提供する。具体的には、「表面のバンプ用のベース電極にバンプが配置された半導体装置であって、上述のバンプ形成用フィルムのバンプ用導電フィラーが該ベース電極のバンプとなるように、該バンプ形成用フィルムが該半導体装置のベース電極形成表面に配置されている半導体装置」を提供する。
【００１１】
更に、本発明は、「表面のバンプ用のベース電極にバンプが配置された電子部品の製造方法であって、
表面にバンプ用のベース電極を有するバンプレス電子部品の当該ベース電極に対し、本発明のバンプ形成用フィルムのバンプ用導電フィラーが、該ベース電極に対向するように、該バンプ形成用フィルムを該電子部品のベース電極形成表面に配置した後、バンプ形成用フィルムを構成する絶縁性接着樹脂で、バンプ用導電フィラーをベース電極に固定する製造方法」を提供する。具体的には、「表面のバンプ用のベース電極にバンプが配置された半導体装置の製造方法であって、
表面にバンプ用のベース電極を有するバンプレス半導体装置の当該ベース電極に対し、本発明のバンプ形成用フィルムのバンプ用導電フィラーが、該ベース電極に対向するように、該バンプ形成用フィルムを該半導体装置のベース電極形成表面に配置した後、バンプ形成用フィルムを構成する絶縁性接着樹脂層を硬化させることにより、バンプ用導電フィラーをベース電極に固定する製造方法」を提供する。
【００１２】
同様に、本発明は、「表面のバンプ用のベース電極にバンプが配置された半導体装置の製造方法であって、
表面にバンプ用のベース電極を有するバンプレス半導体装置の当該ベース電極に対し、本発明のバンプ形成用フィルムのバンプ用導電フィラーが、該ベース電極に対向するように、該バンプ形成用フィルムを該半導体装置のベース電極形成表面に配置した後、バンプ用導電フィラーを加熱することによりベース電極に金属結合させて固定する製造方法」を提供する。
【００１３】
加えて、本発明は、「上述の電子部品の表面のベース電極に配置されたバンプ用導電フィラーと他の電子部品の対応する端子とが、硬化性若しくは非硬化性の導電接着剤又は絶縁性接着剤を介して接続されているか、または両者の間に金属結合形成することにより接続されている接続構造体」を提供する。具体的には、「上述の半導体装置の表面のベース電極に配置されたバンプ用導電フィラーと他の電気部品の対応する端子とが、硬化性若しくは非硬化性の導電接着剤又は絶縁性接着剤を介して接続されているか、または両者の間に金属結合形成することにより接続されている接続構造体」を提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のバンプ形成用フィルムは、絶縁性接着樹脂層内に平面視で、フィルムの長手方向に周期的繰り返し単位を有するように規則配列されているバンプ用導電フィラーを有する。このため、ＩＣチップ等の半導体装置の個々の電極にバンプ用導電フィラーを配置させることが可能となる。しかも本発明のバンプ形成用フィルムにおいては、フィルムの厚み方向のバンプ用導電フィラーの一方の端部を結ぶ直線が、フィルムの表面に略平行となっている。このため、半導体装置のバンプを形成すべき電極に多少の高さムラがあったとしても、それらに安定的にバンプ用導電フィラーを配置することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明のバンプ形成用フィルムの断面図である。
【図２】図２は、本発明のバンプ形成用フィルムの製造方法の工程説明図である。
【図３】図３は、本発明のバンプ形成用フィルムの製造方法の工程説明図である。
【図４】図４は、本発明のバンプ形成用フィルムの製造方法の工程説明図である。
【図５】図５は、本発明のバンプ形成用フィルムの製造方法の工程説明図である。
【図６】図６は、本発明の半導体装置の断面図である。
【図７】図７は、導電粒子が１：５配列された実施例３のバンプ形成用フィルムにおける導電粒子と電極パッドとの関係図である。
【図８】図８は、導電粒子が１：４配列された実施例１０のバンプ形成用フィルムにおける導電粒子と電極パッドとの関係図である。
【図９】図９、導電粒子が１：１６配列された実施例１１のバンプ形成用フィルムにおける導電粒子と電極パッドとの関係図である。
【図１０】図１０は、導電粒子が１：３配列された実施例１２のバンプ形成用フィルムにおける導電粒子と電極パッドとの関係図である。
【図１１】図１１は、導電粒子が１：９配列された実施例１３のバンプ形成用フィルムにおける導電粒子と電極パッドとの関係図である。
【図１２】図１２は、導電粒子が１：６配列された実施例１４のバンプ形成用フィルムにおける導電粒子と電極パッドとの関係図である。
【図１３】図１３は、導電粒子が１：２０配列された実施例１５のバンプ形成用フィルムにおける導電粒子と電極パッドとの関係図である。
【図１４】図１４は、導電粒子が１：２配列された実施例１６のバンプ形成用フィルムにおける導電粒子と電極パッドとの関係図である。
【図１５】図１５は、導電粒子が１：８配列された実施例１７のバンプ形成用フィルムにおける導電粒子と電極パッドとの関係図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を、図面を参照しながら説明する。
【００１７】
＜バンプ形成用フィルム＞
図１に示すように、本発明のバンプ形成用フィルム１０は、絶縁性接着樹脂層１内にバンプ用導電フィラー２が平面視で規則配列されているバンプ形成用フィルムである。このバンプ用導電フィラー２の規則配列は、フィルムの長手方向に周期的繰り返し単位を有している。この周期的繰り返し単位は、バンプを形成すべき半導体装置の電極パターンに対応して適宜選択することができる。また、バンプを形成すべき半導体装置の電極一つに配置されるバンプ用導電フィラー２の個数は一つでもよく、二つ以上であってもよい。なお、発明の効果を損なわない範囲で、バンプ用導電フィラー２同士が近接して配置されてもよく、連結して配置されていてもよい。バンプ用導電フィラー２同士が近接配置もしくは連結配置している場合には、配置ズレの影響を緩和でき、アライメント操作が容易となる。
【００１８】
本発明のバンプ形成用フィルム１０においては、フィルムの厚み方向におけるバンプ用導電フィラー２の一方の端部を結ぶ直線が、フィルムの表面に略平行となっている。図１は、フィルム表面側と裏面側におけるその直線がバンプ形成用フィルム１０の表面側と裏面側とでそれぞれ平行となっている例である。これにより、バンプを形成すべき半導体装置の電極に、バンプ用導電フィラーを確実に安定して配置させることができる。なお略平行の程度は、フィルムの厚み方向におけるバンプ用導電フィラー２の一方の端部を結ぶ直線と、フィルムの表面とがなす角度が±５°以内であることである。
【００１９】
バンプ用導電フィラー２としては、半田粒子、ニッケル粒子、金属被覆樹脂粒子などを挙げることができる。中でも、比較的低温で銅などの端子材料と金属結合を形成可能な半田粒子、半田メッキ樹脂粒子を好ましく挙げることができる。特に、半田粒子が好ましい。また、バンプ用電極とそれに対応した他の電子部品の端子との間の接続の導通信頼性を得られ易くするという観点からは、金属被覆樹脂粒子を好ましく使用することができる。ここで、金属被覆樹脂粒子の金属被覆は、無電解メッキ法やスパッタリング法等の公知の金属膜形成方法を利用して形成することができる。また、金属被覆樹脂粒子を構成するコア樹脂粒子には、導通信頼性の向上のために、導電微粒子を含有させておくことができる。
【００２０】
バンプ用導電フィラー２の画像型粒度分布測定装置で測定した平均粒子径は、好ましくは３〜６０μｍ、より好ましくは８〜５０μｍである。この範囲であれば、一般的な半導体装置の端子サイズにマッチさせることが容易となる。また、バンプ用導電フィラー２の大きさ（平均粒子径）は、各端子における押圧状態を一致させる点から略同一であることが好ましい。ここで、略同一とは、平均粒子径に対する粒子径の標準偏差の割合であるＣＶ値が２０％以下、好ましくは１０％以下であることを意味する。
【００２１】
なお、バンプ用導電フィラー２の形状は、真球形状が好ましいが、それに類した略球形状や楕円球形状等であってもよい。また、表面に微細凹凸があってもよい。微細凹凸があれば、表面積の増大効果や押圧時のアンカー効果を期待でき、導通時の低抵抗化や安定化を期待することができる。
【００２２】
他方、絶縁性接着樹脂層１の厚さは、バンプ用導電フィラー２の平均粒子径の好ましくは０．５〜２０倍、より好ましくは０．８〜１５倍である。この範囲であれば、バンプ位置に対して安定した固定化を実現することができる。また、この範囲の中で、絶縁性接着樹脂層１の厚さを、バンプ用導電フィラー２の一部が絶縁性接着樹脂層１から露出するようにすることが好ましい。後述する絶縁性接着樹脂層１の除去や、別の絶縁性接着樹脂層との積層化など、操作性が高まるからである。
【００２３】
このような絶縁性接着樹脂層１は、バンプ用導電フィラー２を半導体装置の電極に固定するために、粘着性を有していることが好ましいが、密着性を高めるために光硬化性もしくは熱硬化性であってもよい。絶縁性接着樹脂層１を硬化させることにより、バンプ用導電フィラー２が半導体装置の電極と金属結合を形成していれば、金属結合したバンプ用導電フィラー２を残して絶縁性接着樹脂層１を取り除くことが可能となる。
【００２４】
また、バンプ用導電フィラー２を金属結合させずに絶縁性接着樹脂層１で固定化する場合、別の絶縁性接着樹脂層と併せて他の電子部品を接合してもよい。この場合、別の絶縁性接着樹脂層は他の電子部品に予め設けられていてもよく、バンプ用導電フィラー２を有する絶縁性接着樹脂層に予め積層されていてもよい。この場合、バンプ用導電フィラー２が金属メッキ被覆樹脂粒子であれば、その粒子径は絶縁性接着樹脂層の合計した厚みよりも大きくてもよい。接合により追随して変形（扁平）した後に、樹脂粒子の反発により導通接続が保持され易くなるからである。バンプ用導電フィラー２が扁平し易い材質である場合、扁平化を阻害させないために、バンプ用導電フィラー２同士を互いにわずかに離間させることが好ましい。扁平化によってバンプ用導電フィラー２の位置ずれが生じることが懸念されるためである。一例として、バンプ用導電フィラー２の大きさ（平均粒子径）の好ましくは２０％以上、より好ましくは３０％以上離間させる。他方、５０％以上離間すると捕捉効率が低下することが懸念されるため、５０％未満が好ましい。このようにすればバンプ用伝導フィラーは必要な場所で密に存在することができ、製造時の品質を保つ上で好ましい（導通抵抗値を安定化させる上でも好ましい）。
【００２５】
このようなレベルでバンプ用導電フィラー２同士を離間させた場合、バンプ用導電フィラー２の複数個でユニットを構成させてもよい。ユニットを構成させることにより導通抵抗値を安定化させることが可能となり、好ましい。
【００２６】
また、このようなユニットの外形は矩形もしくは円形であることが好ましい。バンプ形状そのものがこのような形状であることが一般的だからである。
【００２７】
ユニットが矩形である場合、バンプに求められる高さと幅（即ちアスペクト比率）によるが、バンプ用導電フィラー２の大きさ（平均粒子径）はバンプに求められる高さに相当する。幅はバンプ用導電フィラー２をその方向に列に形成してユニット化させればよい。この場合も上述の距離間隔を保つことが好ましい。また、この列はバンプ用導電フィラー２の平均粒子径の半分の大きさまでずれていてもよい。
【００２８】
また、ユニットが円形である場合、一つのバンプ用導電フィラー２を中心に、その周辺に円形に準じて他のバンプ用導電フィラー２を配置させる形状であってもよい。この場合も上述の距離間隔を保つことが好ましい。この形状は正三角形や正方形などの正多角形の各角と中心に導電粒子を配置する形状であってもよい。尚、この正多角形の形状は歪ませてもよい。例えば同一面内にバンプ形成部が複数ある場合に、ツールによる押圧を均一化させるためである。
【００２９】
絶縁性接着樹脂層１を光硬化性あるいは熱硬化性とするには、絶縁性接着樹脂層１を構成する樹脂組成物に、公知の光又は熱硬化性オリゴマーもしくはモノマーとに加えて光又は熱重合開始剤とを配合すればよい。このような絶縁性接着樹脂層としては、熱可塑性アクリル系あるいはエポキシ系樹脂フィルム、熱硬化あるいは光硬化アクリル系あるいはエポキシ系樹脂フィルムなどを適用することができる。このような絶縁性接着樹脂層１の厚みは、通常１０〜４０μｍ厚である。
【００３０】
＜バンプ形成用フィルムの製造方法＞
本発明のバンプ形成用フィルムは、以下の工程（イ）〜（ハ）、好ましくは（ニ）を有する製造方法により製造することができる。図面を参照しながら、工程毎に詳細に説明する。
【００３１】
（工程（イ））
まず、図２に示すように、規則配列した凹部５０（例えば平面格子パターンの格子点に相当する柱状の凹部）が表面に形成されている転写体１００を用意する。凹部５０の深さは、バンプを形成すべきＩＣチップ等の半導体装置の電極（電極パッド、スルーホール、バイアホールなど）の電極ピッチ、電極巾、電極間スペース巾、バンプ用導電フィラーの平均粒子径等に応じて決定することができる。
【００３２】
＊転写体の具体例
この工程（イ）で用意すべき転写体は、公知の手法を利用して作成することができ、例えば、金属プレートを加工して原盤を作成し、それに硬化性樹脂を塗布し、硬化させて作成することができる。具体的には、平坦な金属板を切削加工して、凹部に対応した凸部を形成した転写体原盤も作成し、この原盤の凸部形成面に転写体を構成する樹脂組成物を塗布し、硬化させた後、原盤から引き離すことにより転写体が得られる。
【００３３】
（工程（ロ））
次に、図３に示すように、転写体１００の凹部５０にバンプ用導電フィラー２を充填する。具体的には、転写体１００の凹部５０の上方からバンプ用導電フィラー２を散布し、充填されなかったフィラーをブラシやブレード、あるいはエアブローで取り除けばよい。
【００３４】
（工程（ハ））
次に、図４に示すように、転写体１００のバンプ用導電フィラー２が充填した側の表面に、絶縁性接着樹脂層１を重ねて押圧することにより、絶縁性接着樹脂層１の片面にバンプ用導電フィラー２を転着する。この場合、バンプ用導電フィラー２を絶縁性接着樹脂層１に埋没するようにすることができる。これにより、図１に示すようなバンプ形成用フィルム１０が得られる。
【００３５】
なお、以上の工程（イ）〜（ハ）により本発明のバンプ形成用フィルムが得られるが、以下の工程（ニ）を更に実施してもよい。
【００３６】
（工程（ニ））
図５に示すように、バンプ用導電フィラー２が転着した絶縁性接着樹脂層１に対し、バンプ用導電フィラー転着面側から絶縁性接着カバー層６を積層することができる。これにより、２層構造の絶縁性接着樹脂層を有するバンプ形成用フィルム２０が得られる。絶縁性接着カバー層６は、絶縁性接着樹脂層１と同じ素材から形成したものを使用してもよく、一般的に粘着樹脂フィルム、熱硬化性樹脂フィルムおよび光硬化性樹脂フィルムを使用することもできる。
【００３７】
（半導体装置等の電子部品）
本発明のバンプ形成用フィルムは、電子部品の電極にバンプを形成する場合に適用することができる。即ち、電子部品は、表面のバンプ用のベース電極にバンプが配置された構造を有し、バンプ形成用フィルムのバンプ用導電フィラーが該ベース電極のバンプとなるように、該バンプ形成用フィルムが該電子部品のベース電極形成表面に配置されているものである。具体的には、本発明のバンプ形成用フィルムは、ＩＣチップ、半導体ウエハ等の半導体装置の電極（パッド、スルーホール、バイアホール等）にバンプを形成する場合に好ましく適用することができる。スルーホールやバイアホールに適用した場合、バンプがホール中にはめ込まれてもよい。電極パッドに適用した場合には、例えば、図６に示すように、半導体装置２００は、表面にパッシベーション膜３０で囲まれたバンプ用のベース電極６０にバンプが配置された構造を有し、本発明のバンプ形成用フィルム１０のバンプ形成用フィラー２が該ベース電極６０のバンプとなるように、該バンプ形成用フィルム１０が該半導体装置２００のベース電極形成表面に配置されているものである。この半導体装置も本発明の一態様である。
【００３８】
一般に、バンプ用導電フィラーがバンプ形成用フィルムを構成する硬化性若しくは非硬化性の絶縁性接着樹脂でベース電極に固定されているが、図６の態様では、バンプ形成用フィルム１０を構成する絶縁性接着樹脂層１を硬化させることにより、バンプ用導電フィラー２がベース電極６０に固定されていることが好ましい。
【００３９】
なお、バンプ形成用フィラー２をベース電極６０に抵抗加熱や超音波加熱などにより加熱して金属結合させることにより、バンプ用導電フィラー２をベース電極６０に固定してもよい。この場合、金属結合形成後に、バンプ形成用フィルム１０を構成する絶縁性接着樹脂層１を、硬化させた後に剥離してもよい。
【００４０】
（半導体装置等の電子部品の製造方法）
表面のバンプ用のベース電極にバンプが配置された電子部品は、表面にバンプ用のベース電極を有するバンプレス電子部品の当該ベース電極に対し、本発明のバンプ形成用フィルムのバンプ用導電フィラーが、該ベース電極に対向するように、該バンプ形成用フィルムを該電子部品のベース電極形成表面に配置した後、バンプ形成用フィルムを構成する絶縁性接着樹脂で、バンプ用導電フィラーをベース電極に固定する製造方法により製造することができる。具体的には、表面のバンプ用のベース電極にバンプが配置された本発明の半導体装置は、表面にバンプ用のベース電極を有するバンプレス半導体装置の当該ベース電極に対し、本発明のバンプ形成用フィルムのバンプ形成用フィラーが、該ベース電極に対向するように、該バンプ形成用フィルムを該半導体装置のベース電極形成表面に配置した後、バンプ形成用フィルムを構成する絶縁性接着樹脂層を加熱によりあるいは光照射により硬化させ、それによりバンプ用導電フィラーをベース電極に固定する製造方法により製造することができる。
【００４１】
また、表面のバンプ用のベース電極にバンプが配置された本発明の半導体装置は、表面にバンプ用のベース電極を有するバンプレス半導体装置の当該ベース電極に対し、本発明のバンプ形成用フィルムのバンプ形成用フィラーが、該ベース電極に対向するように、該バンプ形成用フィルムを該半導体装置のベース電極形成表面に配置した後、バンプ形成用フィラーを加熱することによりベース電極に金属結合させて固定する製造方法によっても製造することができる。これらの製造方法も本発明の一態様である。
【００４２】
（接続構造体）
本発明の電子部品の表面のベース電極に配置されたバンプ用導電フィラーと他の電子部品の対応する端子とを、硬化性若しくは非硬化性の導電接着剤又は絶縁性接着剤を介して接続するか、または両者の間に金属結合形成することにより接続することにより接続構造体が得られる。具体的には、本発明の半導体装置の表面のベース電極に配置されたバンプ用導電フィラーと、他の電子部品の対応する端子とを、硬化性若しくは非硬化性の導電接着剤又は絶縁性接着剤を介して接続するか、または両者の間に金属結合を形成して接続することにより接続構造体が得られる。これらの接続構造体も本発明の一態様である。
【実施例】
【００４３】
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
【００４４】
実施例１
厚さ２ｍｍのニッケルプレートを用意し、円柱状の凸部（外径３５μｍ、高さ３０μｍ）を形成し、転写体原盤とした。凸部の配置は、７ｍｍ角の２００μｍ内側に２８０箇所ペリフェラル配置であり、また、凸部の密度は５．７個／ｍｍ２であった。
【００４５】
得られた転写体原盤に、フェノキシ樹脂（ＹＰ−５０、新日鉄住金化学（株））６０質量部、アクリレート樹脂（Ｍ２０８、東亞合成（株））２９質量部、光重合開始剤（ＩＲＧＣＵＲ１８４、ＢＡＳＦジャパン（株））２質量部を含有する光重合性樹脂組成物を、乾燥厚みが３０μｍとなるように塗布し、８０℃で５分間乾燥後、高圧水銀ランプにて１０００ｍＪ光照射することにより転写体を作成した。
【００４６】
転写体原盤から引き剥がした転写体の表面にバンプ用導電フィラーとして平均粒子径３０μｍの半田粒子（微粉半田粉、三井金属鉱業（株））を散布した後、エアブローすることにより凹部に半田粒子を充填した。
【００４７】
転写体の半田粒子充填面に対し、ＰＥＴフィルム上に成膜された厚さ２０μｍの絶縁性接着樹脂フィルムを載せ、温度５０℃、圧力０．５ＭＰａで押圧することにより、絶縁性接着樹脂フィルムに半田粒子を埋め込みながら転写させた。導電粒子の配列パターンは、１：１配列（一つの電極パッドに一つの導電粒子が配置されている態様）であった。これにより、全厚が３０μｍのバンプ形成用フィルムを得た。なお、このバンプ形成用フィルムにおいては導電粒子の一方の端部とフィルム界面とが略一致していた。
【００４８】
なお、実施例１で使用した絶縁性接着樹脂フィルムは、フェノキシ樹脂（ＹＰ−５０、新日鉄住金化学（株））６０質量部、エポキシ樹脂（ｊＥＲ８２８、三菱化学（株））４０質量部、及びカチオン系硬化剤（ＳＩ−６０Ｌ、三新化学工業（株））２質量部を含む混合溶液を調製し、それをフィルム厚さ５０μｍのＰＥＴフィルム上に塗布し、８０℃のオーブンにて５分間乾燥させて得たフィルムである。
【００４９】
実施例２
凸部の外径を２５μｍ、高さを２０μｍに変更した転写体原盤を使用する以外、実施例１と同様の操作を繰り返すことにより転写体を用意し、この転写体に対し、平均粒子径２０μｍの半田粒子（微粉半田粉、三井金属鉱業（株））を散布した後、エアブローすることにより凹部に半田粒子を充填した。
【００５０】
半田粒子が充填された転写体の両面に対し、実施例１と同様に絶縁性接着樹脂フィルムを適用することにより、全厚が３０μｍのバンプ形成用フィルムを得た。なお、このバンプ形成用フィルムにおいても実施例１と同様に導電粒子の一方の端部とフィルム界面とが略一致していた。
【００５１】
実施例３
転写体原盤の凸部の密度を平均して２８．５個／ｍｍ２とし、更に導電粒子の配列パターンを、図７に示すように１：５配列とする以外、実施例２と同様の操作を繰り返すことによりバンプ形成用フィルムを得た。本実施例では、１：５配列として、フィルムを平面視した場合に、転写すべき電極パッドＰとそれに近接して導電粒子２を計５個配置した。
【００５２】
比較例１
凸部をランダムに配した転写体原盤（凸部の密度は６０個／ｍｍ２）を使用すること以外、実施例１と同様の操作を繰り返すことによりバンプ形成用フィルムを得た。
【００５３】
実施例４〜６及び比較例２
転写体の半田粒子充填面に適用する絶縁性接着樹脂フィルムとして、ＰＥＴフィルム上に成膜された厚さ３０μｍの絶縁性接着樹脂フィルムを載せ、温度５０℃、圧力０．５ＭＰａで押圧することにより、絶縁性接着樹脂フィルムに半田粒子を埋め込みながら転写させたこと以外、実施例１〜３及び比較例１と同様の操作を繰り返すことにより、それぞれ全厚が３０μｍのバンプ形成用フィルムを得た。なお、これらのバンプ形成用フィルムにおいても実施例１と同様に導電粒子の一方の端部とフィルム界面とが略一致していた。
【００５４】
なお、実施例４〜６及び比較例２で使用した絶縁性接着樹脂フィルムは、フェノキシ樹脂（ＹＰ−５０、新日鉄住金化学（株））３０質量部、アクリルモノマー（ライトアクリレート３ＥＧＡ、共栄社化学（株））６０質量部、及び光ラジカル重合開始剤（ＩＲＧＡＣＵＲＥ  １８４、ＢＡＳＦジャパン（株））３質量部を含む混合溶液を調製し、それをフィルム厚さ５０μｍのＰＥＴフィルム上に塗布し、８０℃のオーブンにて５分間乾燥させて得たフィルムである。
【００５５】
実施例７〜９及び比較例３
転写体の半田粒子充填面に適用する絶縁性接着樹脂フィルムとして、ＰＥＴフィルム上に成膜された厚さ３０μｍの絶縁性接着樹脂フィルムを載せ、温度５０℃、圧力０．５ＭＰａで押圧することにより、絶縁性接着樹脂フィルムに半田粒子を埋め込みながら転写させたこと以外、実施例１〜３及び比較例１と同様の操作を繰り返すことにより、それぞれ全厚が３０μｍのバンプ形成用フィルムを得た。なお、これらのバンプ形成用フィルムにおいても実施例１と同様に導電粒子の一方の端部とフィルム界面とが略一致していた。
【００５６】
なお、実施例７〜９及び比較例３で使用した絶縁性接着樹脂フィルムは、フェノキシ樹脂（ＹＰ−５０、新日鉄住金化学（株））３０質量部、アクリルモノマー（ライトアクリレート３ＥＧＡ、共栄社化学（株））６０質量部、離型剤（ＢＹＫ３５００、ビックケミー・ジャパン（株））３質量部及び光ラジカル重合開始剤（ＩＲＧＡＣＵＲＥ  １８４、ＢＡＳＦジャパン（株））３質量部を含む混合溶液を調製し、それをフィルム厚さ５０μｍのＰＥＴフィルム上に塗布し、８０℃のオーブンにて５分間乾燥させて得たフィルムである。
【００５７】
（評価）
実施例１〜９及び比較例１〜３のバンプ形成用フィルムを使用して以下に説明するように接続構造体を作成し、バンプ形成時の導通抵抗値（初期導通抵抗値）と、温度８５℃、湿度８５％の環境下で電圧５０Ｖ印可時の導通抵抗値（高温高湿バイアス試験後抵抗値）とを測定し評価した。導抵抗値は、デジタルマルチメータ（３４４０１Ａ、アジレント・テクノロジー（株））を用いて４端子法で１ｍＡの通電条件下で測定した。
【００５８】
初期導通抵抗値については、５Ω以下を良好（Ｇ）とし、それを超える場合を不良（ＮＧ）とした。また、高温高湿バイアス試験後導通抵抗値については、２０Ω以下を良好（Ｇ）とし、それを超える場合を不良（ＮＧ）とした。得られた結果を表１に示す。
【００５９】
（実施例１〜３、比較例１のバンプ形成用フィルムを用いた接続構造体の作成）
ペリフェラル配置のアルミ電極パッド（直径３０μｍ、８５μｍピッチ、２８０ピン）を有するバンプレスＩＣチップ（サイズ：７ｍｍ縦×７ｍｍ横×２００μｍ厚）の当該電極パッドにバンプ形成用フィルムを配置し、温度５０℃、圧力０．５ＭＰａで押圧することにより貼り付け固定した。実施例１〜２の場合には一つの電極パッドに一つのバンプ用導電フィラー（半田粒子）が対応するようにした。このバンプ形成用フィルムが貼り付けられたＩＣチップを、ＩＣ実装用ガラスエポキシ基板（材質：ＦＲ４）に、温度１８０℃、圧力４０ＭＰａ、加熱加圧時間１０秒という条件で接続した。これにより接続構造体を得た。
【００６０】
（実施例４〜６、比較例２のバンプ形成用フィルムを用いた接続構造体の作成）
バンプ形成用フィルムを、実施例１と同様にＩＣチップに貼り付けた後、波長３６５ｎｍの紫外線を照射（照射強度１００ｍＷ、照射量２０００ｍＷ／ｃｍ２）し、光ラジカル重合させることにより固定した。実施例３〜４の場合には一つの電極パッドに一つのバンプ用導電フィラー（半田粒子）が対応するようにした。このバンプ形成用フィルムが貼り付けられたＩＣチップを、カチオン重合性絶縁性接着樹脂フィルム（フェノキシ樹脂（ＹＰ−５０、新日鉄住金化学（株））６０質量部、エポキシ樹脂（ｊＥＲ８２８、三菱化学（株））４０質量部、及びカチオン系硬化剤（ＳＩ−６０Ｌ、三新化学工業（株））２質量部からなるフィルム）を介して、ＩＣ実装用ガラスエポキシ基板（材質：ＦＲ４）に、温度１８０℃、圧力４０ＭＰａ、加熱加圧時間２０秒という条件で接続した。これにより接続構造体を得た。
【００６１】
（実施例７〜９、比較例３のバンプ形成用フィルムを用いた接続構造体の作成）
バンプ形成用フィルムを、実施例１と同様にＩＣチップに貼り付けた後、波長３６５ｎｍの紫外線を照射（照射強度１００ｍＷ、照射量２０００ｍＷ／ｃｍ２）し、光ラジカル重合させることにより固定した。実施例５〜６の場合には一つの電極パッドに一つのバンプ用導電フィラー（半田粒子）が対応するようにした。このバンプ形成用フィルムをＩＣチップから引きはがしたところ、ＩＣチップの電極パッドにバンプ形成用導電フィラーが接合されていた。次に、この状態のＩＣチップを、ＩＣ実装用ガラスエポキシ基板（材質：ＦＲ４）に、温度１８０℃、圧力４０ＭＰａ、加熱加圧時間２０秒という条件で接続した。これにより接続構造体を得た。
【００６２】
【表１】
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【００６３】
表１からわかるように、実施例１〜９のバンプ形成用フィルムは、バンプレスＩＣチップの電極パッドに、バンプとして機能する導電フィラーを配置することができ、「初期導通抵抗」及び「高温高湿バイアス試験後導通抵抗」の評価が良好であった。また、ショートの発生もなかった。特に、実施例３、６及び９のバンプ形成フィルムの場合には、バンプレスＩＣチップの一つの電極パッド及びその近傍に存在する導電フィラーの個数が５個となっている。このため、接続構造体の製造時に、バンプ形成フィルムとバンプレスＩＣチップの電極パッドとの間の位置合わせ精度を向上させることができる。それに対し、比較例１〜３のバンプ形成用フィルムは、「初期導通抵抗」及び「高温高湿バイアス試験後導通抵抗」の評価がいずれも不良であった。ショートも発生した。
【００６４】
実施例１０
実施例１から、転写体原盤の凸部を外径１２μｍ、高さ１０μｍに変更し、導電粒子の配列を図８に示すように１：４配列に変更し、更にバンプ用導電フィラーを平均粒子径１０μｍの金／ニッケル被覆樹脂粒子（ミクロパール、積水化学工業（株））に変更し、絶縁性接着樹脂フィルムの厚みを８μｍにすること以外は実施例１と同様の操作を繰り返すことにより、全厚が１０μｍのバンプ形成用フィルムを得た。なお、転写体原盤における凸部の密度は２２．９個／ｍｍ２であった。また、凸部の最近接距離は４．９μｍであった。
【００６５】
実施例１１
実施例１から、転写体原盤の凸部を外径１２μｍ、高さ１０μｍに変更し、導電粒子の配列を図９に示すように１：１６配列に変更し、更にバンプ用導電フィラーを平均粒子径１０μｍの金／ニッケル被覆樹脂粒子（ミクロパール、積水化学工業（株））に変更すること以外は実施例１と同様の操作を繰り返すことにより、全厚が１０μｍのバンプ形成用フィルムを得た。このようにバンプの外周部にもバンプ用導電フィラーを存在させることで、フィルムの貼り合せ工程のズレの許容範囲を広くすることができる。なお、転写体原盤における凸部の密度は９１．４個／ｍｍ２であった。また、凸部の最近接距離は４．９μｍであった。
【００６６】
実施例１２
実施例１から、転写体原盤の凸部を外径１２μｍ、高さ１０μｍに変更し、導電粒子の配列を図１０に示すように１：３配列に変更し、更にバンプ用導電フィラーを平均粒子径１０μｍの金／ニッケル被覆樹脂粒子（ミクロパール、積水化学工業（株））に変更すること以外は実施例１と同様の操作を繰り返すことにより、全厚が１０μｍのバンプ形成用フィルムを得た。なお、転写体原盤における凸部の密度は１７．１個／ｍｍ２であった。また、凸部の最近接距離は４．９μｍであった。
【００６７】
実施例１３
実施例１から、転写体原盤の凸部を外径１２μｍ、高さ１０μｍに変更し、導電粒子の配列を図１１に示すように１：９配列に変更し、更にバンプ用導電フィラーを平均粒子径１０μｍの金／ニッケル被覆樹脂粒子（ミクロパール、積水化学工業（株））に変更すること以外は実施例１と同様の操作を繰り返すことにより、全厚が１０μｍのバンプ形成用フィルムを得た。このようにバンプの外周部にもバンプ用導電フィラーを存在させることで、フィルムの貼り合せ工程のズレの許容範囲を広くすることができる。なお、転写体原盤における凸部の密度は５１．４個／ｍｍ２であった。また、凸部の最近接距離は４．９μｍであった。
【００６８】
実施例１４
実施例１から、転写体原盤の凸部を外径１２μｍ、高さ１０μｍに変更し、導電粒子の配列を図１２に示すように１：６配列に変更し、更にバンプ用導電フィラーを平均粒子径１０μｍの金／ニッケル被覆樹脂粒子（ミクロパール、積水化学工業（株））に変更すること以外は実施例１と同様の操作を繰り返すことにより、全厚が３０μｍのバンプ形成用フィルムを得た。なお、転写体原盤における凸部の密度は３４．３個／ｍｍ２であった。また、凸部の最近接距離は４．９μｍであった。
【００６９】
実施例１５
実施例１から、転写体原盤の凸部を外径１２μｍ、高さ１０μｍに変更し、導電粒子の配列を図１３に示すように１：２０配列に変更し、更にバンプ用導電フィラーを平均粒子径１０μｍの金／ニッケル被覆樹脂粒子（ミクロパール、積水化学工業（株））に変更すること以外は実施例１と同様の操作を繰り返すことにより、全厚が１０μｍのバンプ形成用フィルムを得た。このようにバンプの外周部にもバンプ用導電フィラーを存在させることで、フィルムの貼り合せ工程のズレの許容範囲を広くすることができる。なお、転写体原盤における凸部の密度は１１４．３個／ｍｍ２であった。また、凸部の最近接距離は４．９μｍであった。
【００７０】
実施例１６
実施例１から、転写体原盤の凸部を外径２４μｍ、高さ２０μｍに変更し、導電粒子の配列を図１４に示すように１：２配列に変更し、更にバンプ用導電フィラーを平均粒子径２０μｍの金／ニッケル被覆樹脂粒子（ミクロパール、積水化学工業（株））に変更し、絶縁性接着樹脂フィルムの厚みを１６μｍにすること以外は実施例１と同様の操作を繰り返すことにより、全厚が２０μｍのバンプ形成用フィルムを得た。なお、転写体原盤における凸部の密度は１１．４個／ｍｍ２であった。また、凸部の最近接距離は９．９μｍであった。
【００７１】
実施例１７
実施例１から、転写体原盤の凸部を外径２４μｍ、高さ２０μｍに変更し、導電粒子の配列を図１５に示すように１：８配列に変更し、更にバンプ用導電フィラーを平均粒子径２０μｍの金／ニッケル被覆樹脂粒子（ミクロパール、積水化学工業（株））に変更すること以外は実施例１と同様の操作を繰り返すことにより、全厚が２０μｍのバンプ形成用フィルムを得た。このようにバンプの外周部にもバンプ用導電フィラーを存在させることで、フィルムの貼り合せ工程のズレの許容範囲を広くすることができる。なお、転写体原盤における凸部の密度は４５．７１個／ｍｍ２であった。また、凸部の最近接距離は９．９μｍであった。
【００７２】
（実施例１０〜１７のバンプ形成用フィルムを用いた接続構造体の作成）
実施例１０〜１５のバンプ形成用フィルムを用いる以外、実施例１の場合と同様に接続構造体を作成した。また、実施例１６及び１７のバンプ形成用フィルムの場合には、評価対象となるペリフェラル配置のアルミ電極パッドを、縦３０μｍ×横８５μｍ、８５μｍピッチ（パッド間スペース５５μｍ）、２８０ピンのものに変更する以外は実施例１の場合と同様に接続構造体を作成した。
【００７３】
実施例１０〜１７で作成した接続構造体の初期導通抵抗の評価を、実施例１の場合と同様に行ったところ、すべて５Ω以下であり、実用上問題ないことが確認できた。また、８５℃/８５％環境試験５００時間後の導通信頼性試験を行ったところ、高温高湿バイアス試験後導通抵抗値は全て２０Ω以下の結果を示し、実用性に問題ないことを確認した。また、全てにおいてショートは発生しなかった。
【００７４】
また、実施例１０〜１５の樹脂フィルムについては、それぞれ厚みを２０μｍに変更し、及び実施例１６および１７の樹脂フィルムについては、それぞれ厚みを２５μｍに変更し、且つ導電粒子をフィルムの一方の面に押し込み埋没させた以外は、それぞれ実施例１０〜１７と同様の操作を繰り返すことにより、バンプ形成用フィルムと接続構造体とを作成した。これらについてそれぞれ実施例１０〜１７と同様に評価したところ、実施例１０〜１７の場合と同様に良好な結果が得られた。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明のバンプ形成用フィルムは、バンプレスＩＣチップ等を配線基板に実装する際に有用である。
【符号の説明】
【００７６】
１  絶縁性接着樹脂層
２  バンプ用導電フィラー
６  絶縁性接着カバー層
１０、２０  バンプ形成用フィルム
３０  パッシベーション膜
５０  転写体の凹部
６０  ベース電極
１００  転写体  
２００  半導体装置
Ｐ  電極パッド
【図１】
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【図２】
0006750228.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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