(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、導体パターンとを備える配線回路基板の製造方法であり、
斜面を有する前記絶縁層を設ける工程（１）と、
金属薄膜を、少なくとも前記絶縁層の表面に設ける工程（２）と、
フォトレジストを前記金属薄膜の表面に設ける工程（３）と、
フォトマスクを、前記フォトレジストにおいて前記導体パターンが設けられるべき第１部分が遮光されるように配置して、前記フォトレジストを、前記フォトマスクを介して露光する工程（４）と、
前記第１部分を除去して、前記第１部分に対応する前記金属薄膜を露出させる工程（５）と、
前記導体パターンを、前記フォトレジストから露出する前記金属薄膜の表面に設ける工程（６）とを備え、
前記斜面は、前記金属薄膜において反射した反射光が前記第１部分に至るような第２部分を有し、
前記工程（４）において、前記フォトマスクを、前記第２部分に対向する前記フォトレジストが遮光されるように、配置し、
前記第２部分は、平面視において、一方向に向かって連続的に曲がる円弧部であり、
前記円弧部は、それに対応する前記反射光が前記第１部分に集光するように構成されていることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項２】
絶縁層と、導体パターンとを備える配線回路基板の製造方法であり、
斜面を有する前記絶縁層を設ける工程（１）と、
導体層を、少なくとも前記絶縁層の表面に設ける工程（２）と、
フォトレジストを前記導体層の表面に設ける工程（３）と、
フォトマスクを、前記フォトレジストにおいて前記導体パターンが設けられるべき第１部分が遮光されるように配置して、前記フォトレジストを、前記フォトマスクを介して露光する工程（４）と、
前記第１部分を残すように、前記第１部分以外の前記フォトレジストを除去する工程（５）と、
前記第１部分から露出する前記導体層を除去して、前記導体パターンを形成する工程（６）とを備え、
前記斜面は、前記導体層において反射した反射光が前記第１部分に至るような第２部分を有し、
前記工程（４）において、前記フォトマスクを、前記第２部分に対向する前記フォトレジストが遮光されるように、配置し、
前記第２部分は、平面視において、一方向に向かって連続的に曲がる円弧部であり、
前記円弧部は、それに対応する前記反射光が前記第１部分に集光するように構成されていることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記導体パターンは、配線と、前記配線と独立して設けられるダミー配線とを有し、
前記工程（４）では、前記フォトレジストにおいて前記ダミー配線が設けられるべき第３部分が、平面視において、前記第２部分と重複していることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記導体パターンは、配線と、前記配線と連続して設けられるダミー部とを有し、
前記工程（４）では、前記フォトレジストにおいて前記ダミー部が設けられるべき第３部分が、平面視において、前記第２部分と重複していることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項５】
斜面を有する絶縁層と、
配線、および、前記配線と独立して設けられるダミー配線を有する導体パターンとを備え、
前記斜面は、平面視において、一方向に曲がる曲り部を有し、
前記ダミー配線は、平面視において、前記曲り部と重複し、
前記曲り部は、平面視において、一方向に向かって連続的に曲がる円弧部であることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項６】
斜面を有する絶縁層と、
配線、および、前記配線と連続して設けられるダミー部を有する導体パターンとを備え、
前記斜面は、平面視において、一方向に曲がる曲り部を有し、
前記ダミー部は、平面視において、前記曲り部と重複し、
前記曲り部は、平面視において、一方向に向かって連続的に曲がる円弧部であることを特徴とする、配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の目的は、配線回路基板およびその製造方法、詳しくは、配線回路基板の製造方法、および、それに得られる配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線回路基板は、絶縁層と、その上に配線パターンとを設けることにより得られることが知られている。
【０００３】
例えば、絶縁層に第１の厚みを有する第１の部分と第１の厚みよりも小さい第２の厚みを有する第２の部分とを形成する工程と、絶縁層の第１の部分上および第２の部分上に延びるように配線パターンを形成する工程とを備える回路付きサスペンション基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
詳しくは、特許文献１に記載される製造方法では、配線パターンを形成する工程において、第１の部分の上面と境界面との境界線が第１の方向に延び、配線パターンの側辺が第１の方向に交差する第２の方向に延び、第２の方向が第１の方向に対して６０度以上９０度以下の角度をなすように、絶縁層の上面に配線パターンを形成している。
【０００５】
第１の部分の上面と第２の部分の上面との間に境界面が形成されるため、フォトリソグラフィ技術により絶縁層上に配線パターンを形成する工程において、境界面で露光光の反射が発生し、反射光が他の領域に間接的に照射される。しかし、特許文献１に記載の方法によれば、露光光は、境界面で配線パターンが延びる方向に近い方向に反射されるため、反射光が本来の露光光のパターンにほとんど影響を与えない。それにより、フォトリソグラフィ技術により形成される配線パターンに断線または短絡を防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−１２７２１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、配線回路基板を小型化する場合には、配線パターンを複雑なパターンで配置する場合がある。そのような場合には、特許文献１のように、配線パターンを、第２の方向が第１の方向に対して６０度以上９０度以下の角度をなすように、形成することができない場合がある。その場合には、配線パターンの形状不良を防止することができないという不具合がある。
【０００８】
本発明の目的は、導体パターンを高い自由度で設けながら、導体パターンの形状不良を抑制することのできる配線回路基板の製造方法およびそれにより得られる配線回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明（１）は、絶縁層と、導体パターンとを備える配線回路基板の製造方法であり、斜面を有する前記絶縁層を設ける工程（１）と、金属薄膜を、少なくとも前記絶縁層の表面に設ける工程（２）と、フォトレジストを前記金属薄膜の表面に設ける工程（３）と、フォトマスクを、前記フォトレジストにおいて前記導体パターンが設けられるべき第１部分が遮光されるように配置して、前記フォトレジストを、前記フォトマスクを介して露光する工程（４）と、前記第１部分を除去して、前記第１部分に対応する前記金属薄膜を露出させる工程（５）と、前記導体パターンを、前記フォトレジストから露出する前記金属薄膜の表面に設ける工程（６）とを備え、前記斜面は、前記金属薄膜において反射した反射光が前記第１部分に至るような第２部分を有し、前記工程（４）において、前記フォトマスクを、前記第２部分に対向する前記フォトレジストが遮光されるように、配置する、配線回路基板の製造方法を含む。
【００１０】
この製造方法によれば、工程（４）において、フォトマスクを、第２部分に対向するフォトレジストが遮光されるように、配置するので、たとえ、斜面は、金属薄膜において反射した反射光が第１部分に至るような第２部分を有していても、上記した反射光が第１部分に至ることを防止することができる。そのため、工程（４）において、第１部分を確実に遮光して、フォトレジストを露光でき、工程（５）において、第１部分に対応する金属薄膜を確実に露出させ、続いて、工程（６）において、形状不良が抑制された導体パターンを確実に設けることができる。
【００１１】
そのため、高い信頼性を有する導体パターンを高い自由度で設けることができる。
【００１２】
その結果、自由度の高い、接続信頼性に優れる配線回路基板を得ることができる。
【００１３】
本発明（２）は、絶縁層と、導体パターンとを備える配線回路基板の製造方法であり、斜面を有する前記絶縁層を設ける工程（１）と、導体層を、少なくとも前記絶縁層の表面に設ける工程（２）と、フォトレジストを前記導体層の表面に設ける工程（３）と、フォトマスクを、前記フォトレジストにおいて前記導体パターンが設けられるべき第１部分が遮光されるように配置して、前記フォトレジストを、前記フォトマスクを介して露光する工程（４）と、前記第１部分を残すように、前記第１部分以外の前記フォトレジストを除去する工程（５）と、前記第１部分から露出する前記導体層を除去して、前記導体パターンを形成する工程（６）とを備え、前記斜面は、前記導体層において反射した反射光が前記第１部分に至るような第２部分を有し、前記工程（４）において、前記フォトマスクを、前記第２部分に対向する前記フォトレジストが遮光されるように、配置する、配線回路基板の製造方法を含む。
【００１４】
この製造方法によれば、工程（４）において、フォトマスクを、第２部分に対向するフォトレジストが遮光されるように、配置するので、たとえ、斜面は、導体層において反射した反射光が第１部分に至るような第２部分を有していても、上記した反射光が第１部分に至ることを防止することができる。そのため、工程（４）において、第１部分を確実に遮光して、フォトレジストを露光でき、工程（５）において、第１部分を残すように、第１部分以外のフォトレジストを確実に除去し、続いて、工程（６）において、形状不良が抑制された導体パターンを確実に設けることができる。
【００１５】
そのため、高い信頼性を有する導体パターンを高い自由度で設けることができる。
【００１６】
その結果、自由度の高い、接続信頼性に優れる配線回路基板を得ることができる。
【００１７】
本発明（３）は、前記第２部分は、平面視において、一方向に曲がる曲り部を有し、前記曲り部は、それに対応する前記反射光が前記第１部分に集光するように構成されている、上記（１）または（２）に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【００１８】
しかるに、第２部分が、平面視において、一方向に曲がる曲り部を有し、曲り部が、それに対応する反射光が第１部分に集光するように構成されていると、工程（４）において、曲り部に対応する反射光が第１部分に集光するために、第１部分を遮光することができず、工程（５）において、第１部分に対応する金属薄膜を露出させることができず、工程（６）において、形状不良を有する導体パターンが設けられる。
【００１９】
しかし、この製造方法によれば、工程（４）において、フォトマスクを、第２部分に対向するフォトレジストが遮光されるように、配置するので、工程（４）において、反射光が第１部分に集光することを防止して、第１部分を確実に遮光でき、工程（５）において、第１部分に対応する金属薄膜を確実に露出させ、続いて、工程（６）において、形状不良が抑制された導体パターンを確実に設けることができる。
【００２０】
本発明（４）は、前記導体パターンは、１５μｍ以下の幅Ｗを有する配線を有し、前記配線に対応する第１部分は、平面視において、前記第２部分に対して２０μｍ以下の間隔Ｌを隔てて配置され、幅Ｗ（μｍ）および間隔Ｌ（μｍ）は、下記関係式（１）を満足することを特徴とする、上記（１）〜（３）のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法を含む
Ｌ≦−２×Ｗ＋３５      （１）。
【００２１】
しかるに、導体パターンが、１５μｍ以下の狭い幅Ｗを有する配線を有し、第２部分が、平面視において、配線に対して所定間隔Ｌを隔てて配置され、上記した関係式（１）を満足すると、工程（４）において、第２部分に対応する反射光が第１部分に至り易くなる。そのため、第１部分を遮光することができず、工程（５）において、第１部分に対応する金属薄膜を露出させることができず、工程（６）において、形状不良を有する導体パターンが設けられる。
【００２２】
しかし、この製造方法によれば、工程（４）において、フォトマスクを、第２部分に対向するフォトレジストが遮光されるように、配置するので、工程（４）において、第１部分を確実に遮光して、フォトレジストを露光でき、工程（５）において、第１部分に対応する金属薄膜を確実に露出させ、続いて、工程（６）において、形状不良が抑制された配線を確実に設けることができる。
【００２３】
本発明（５）は、前記導体パターンは、配線と、前記配線と独立して設けられるダミー配線とを有し、前記工程（４）では、前記フォトレジストにおいて前記ダミー配線が設けられるべき第３部分が、平面視において、前記第２部分と重複していることを特徴とする、上記（１）〜（４）のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【００２４】
この製造方法によれば、工程（４）では、フォトレジストにおいてダミー配線が設けられるべき第３部分が、平面視において、第２部分と重複しているので、工程（４）において、第３部分を確実に遮光できる。そのため、第３部分と重複する第２部分における反射光の発生を防止することができる。そのため、第２部分における反射光に起因する第１部分の露光を確実に防止して、配線を確実に設けることができる。
【００２５】
本発明（６）は、前記導体パターンは、配線と、前記配線と連続して設けられるダミー部とを有し、前記工程（４）では、前記フォトレジストにおいて前記ダミー部が設けられるべき第３部分が、平面視において、前記第２部分と重複していることを特徴とする、上記（１）〜（５）のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【００２６】
この製造方法によれば、工程（４）では、フォトレジストにおいてダミー部が設けられるべき第３部分が、平面視において、第２部分と重複しているので、工程（４）において、第３部分を確実に遮光できる。そのため、第３部分と重複する第２部分における反射光の発生を防止することができる。その結果、第２部分における反射光に起因する第１部分の露光を確実に防止して、配線を確実に設けることができる。
【００２７】
本発明（７）は、斜面を有する絶縁層と、配線、および、前記配線と独立して設けられるダミー配線を有する導体パターンとを備え、前記斜面は、平面視において、一方向に曲がる曲り部を有し、前記ダミー配線は、平面視において、前記曲り部と重複している、配線回路基板を含む。
【００２８】
しかるに、配線回路基板では、斜面が、平面視において、一方向に曲がる曲り部を有すると、配線回路基板の製造工程のフォト加工において、曲り部に対応する意図しない反射に起因して、遮光不良を配線に対応する部分に生じ、その結果、配線の信頼性が低下する。
【００２９】
しかし、この配線回路基板では、導体パターンがダミー配線を有し、ダミー配線が、平面視において、曲り部と重複するので、配線回路基板の製造工程のフォト加工において、曲り部に対応する意図しない反射を防止して、遮光不良を配線に対応する部分に生じることを防止することができる。そのため、配線の信頼性が向上されている。
【００３０】
本発明（８）は、斜面を有する絶縁層と、配線、および、前記配線と連続して設けられるダミー部を有する導体パターンとを備え、前記斜面は、平面視において、一方向に曲がる曲り部を有し、前記ダミー部は、平面視において、前記曲り部と重複している、配線回路基板を含む。
【００３１】
しかるに、配線回路基板では、斜面が、平面視において、一方向に曲がる曲り部を有すると、配線回路基板の製造工程のフォト加工において、曲り部に対応する意図しない反射に起因して、遮光不良を配線に対応する部分に生じ、その結果、配線の信頼性が低下する。
【００３２】
しかし、この配線回路基板では、導体パターンがダミー部を有し、ダミー部が、平面視において、曲り部と重複するので、配線回路基板の製造工程のフォト加工において、曲り部に対応する意図しない反射を防止して、遮光不良を配線に対応する部分に生じることを防止することができる。そのため、配線の信頼性が向上されている。
【００３３】
本発明（９）は、斜面を有する絶縁層と、１５μｍ以下の幅Ｗを有する配線、および、前記配線と独立して設けられるダミー配線を有する導体パターンとを備え、前記斜面は、平面視において、前記配線に対して２０μｍ以下の間隔Ｌを隔てて配置される第２部分を有し、幅Ｗ（μｍ）および間隔Ｌ（μｍ）は、下記関係式（１）を満足し、
前記ダミー配線は、平面視において、前記配線と重複していることを特徴とする、配線回路基板を含む
Ｌ≦−２×Ｗ＋３５      （１）。
【００３４】
しかるに、配線回路基板では、１５μｍ以下の狭い幅を有する配線を有し、斜面が、平面視において、配線に対して所定間隔を隔てて配置される第２部分を有し、上記した関係式（１）を満足すると、配線回路基板の製造工程のフォト加工において、斜面に対応する意図しない反射に起因して、遮光不良を配線に対応する部分に生じ易く、配線の信頼性が低下する。
【００３５】
しかし、この配線回路基板では、導体パターンがダミー配線を有し、ダミー配線が、平面視において、配線と重複するので、配線回路基板の製造工程のフォト加工において、曲り部に対応する意図しない反射を防止して、遮光不良を配線に対応する部分に生じることを防止することができる。そのため、配線の信頼性が向上されている。
【００３６】
本発明（１０）は、斜面を有する絶縁層と、１５μｍ以下の幅Ｗを有する配線、および、前記配線と連続して設けられるダミー部を有する導体パターンとを備え、前記導体パターンは、平面視において、前記配線に対して２０μｍ以下の間隔Ｌを隔てて配置される第２部分を有し、幅Ｗ（μｍ）および間隔Ｌ（μｍ）は、下記関係式（１）を満足し、前記ダミー部は、平面視において、前記配線と重複していることを特徴とする、配線回路基板を含む
Ｌ≦−２×Ｗ＋３５      （１）。
【００３７】
しかるに、配線回路基板では、１５μｍ以下の狭い幅を有する配線を有し、斜面が、平面視において、配線に対して所定間隔を隔てて配置される第２部分を有し、上記した関係式（１）を満足すると、配線回路基板の製造工程のフォト加工において、斜面に対応する意図しない反射に起因して、遮光不良を配線に対応する部分に生じ易く、配線の信頼性が低下する。
【００３８】
しかし、この配線回路基板では、導体パターンがダミー部を有し、ダミー部が、平面視において、配線と重複するので、配線回路基板の製造工程のフォト加工において、曲り部に対応する意図しない反射を防止して、遮光不良を配線に対応する部分に生じることを防止することができる。そのため、配線の信頼性が向上されている。
【発明の効果】
【００３９】
本発明の配線回路基板の製造方法によれば、自由度の高い、接続信頼性に優れる配線回路基板を得ることができる。
【００４０】
本発明の配線回路基板では、配線の信頼性が向上されている。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】図１は、本発明の配線回路基板の第１実施形態の平面図を示す。
【図２】図２は、図１に示す配線回路基板のａ−ａ線に沿う断面図を示す。
【図３】図３Ａ〜図３Ｃは、本発明の配線回路基板の製造方法の第１実施形態であって、図２に示す配線回路基板の製造方法の工程図を示し、図３Ａが、ベース絶縁層を用意する工程（ｉ）、図３Ｂが、第１導体パターンを設ける工程（ｉｉ）、図３Ｃが、中間絶縁層を設ける工程（１）を示す。
【図４】図４Ｄ〜図４Ｆは、図３Ｃに引き続き、本発明の配線回路基板の製造方法の第１実施形態であって、第１実施形態の配線回路基板の製造方法の工程図を示し、図４Ｄが、金属薄膜を設ける工程（２）、図４Ｅが、フォトレジストを設ける工程（３）、図４Ｆが、フォトレジストを露光する工程（４）を示す。
【図５】図５Ｇ〜図５Ｉは、図４Ｆに引き続き、本発明の配線回路基板の製造方法の第１実施形態であって、第１実施形態の配線回路基板の製造方法の工程図を示し、図５Ｇが、フォトレジストの第１部分および第３部分を除去する工程（４）、図５Ｈが、第２導体パターンを設ける工程（５）、図５Ｉが、フォトレジストを除去する工程（ｉｉｉ）を示す。
【図６】図６Ｊおよび図６Ｋは、図５Ｉに引き続き、本発明の配線回路基板の製造方法の第１実施形態であって、第１実施形態の配線回路基板の製造方法の工程図を示し、図６Ｊが、フォトレジストに対応する金属薄膜を除去する工程（ｉｖ）、図６Ｋが、カバー絶縁層を設ける工程（ｖ）を示す。
【図７】図７は、従来技術（比較例）に相当する配線回路基板の平面図を示す。
【図８】図８Ａ〜図８Ｃは、図７の配線回路基板の製造方法の工程図であり、ｂ−ｂ線に沿う断面図であって、図８Ａが、フォトレジストを露光する工程（４）、図８Ｂが、フォトレジストの第１部分を除去しようとする工程（５）、図８Ｃが、第２導体パターンを設けようとする工程（６）を示す。
【図９】図９Ａ〜図９Ｃは、本発明の配線回路基板の製造方法の第２実施形態である配線回路基板の製造方法の工程図であって、図９Ａが、導体層を設ける工程（２）、図９Ｂが、フォトレジストを設け、フォトマスクを配置し、フォトレジストを露光する工程（３）、図９Ｃが、フォトレジストの第１部分および第３部分を除去する工程（４）を示す。
【図１０】図１０Ｄ〜図１０Ｆは、図９Ｃに引き続き、本発明の配線回路基板の製造方法の第２実施形態である配線回路基板の製造方法の工程図であって、図１０Ｄが、フォトレジストから露出する導体層を除去して、第２導体パターンを形成する工程（５）、図１０Ｅが、フォトレジストを除去する工程、図１０Ｆが、カバー絶縁層を設ける工程（ｖ）を示す。
【図１１】図１１は、本発明の配線回路基板の第３実施形態の配線回路基板の平面図を示す。
【図１２】図１２は、図１１に示す配線回路基板のｃ−ｃ線に沿う断面図を示す。
【図１３】図１３Ａ〜図１３Ｃは、本発明の配線回路基板の製造方法の第３実施形態であり、図１２に示す配線回路基板の製造方法の工程図を示し、図１３Ａが、フォトレジストを露光する工程（４）、図１３Ｂが、フォトレジストの第１部分および第３部分をまとめて除去する工程（４）、図１３Ｃが、第２導体パターンを設ける工程（５）を示す。
【図１４】図１４Ｄ〜図１４Ｆは、図１３Ｃに引き続き、本発明の配線回路基板の製造方法の第３実施形態であって、図１２に示す配線回路基板の製造方法の工程図を示し、図１４Ｄが、フォトレジストを除去する工程、図１４Ｅが、フォトレジストに対応する金属薄膜を除去する工程（ｉｖ）、図１４Ｆが、カバー絶縁層を設ける工程（ｖ）を示す。
【図１５】図１５は、本発明の配線回路基板の第４実施形態の配線回路基板の平面図を示す。
【図１６】図１６Ａ〜図１６Ｃは、図１５に示す配線回路基板の製造工程図であって、図１に示す配線回路基板のｄ−ｄ線に沿う断面図であり、図１６Ａが、フォトレジストを露光する工程（４）、図１６Ｂが、フォトレジストの第１部分および第３部分を除去する工程（４）、図１６Ｃが、フォトレジストおよびそれに対応する金属薄膜を除去する工程（５）を示す。
【図１７】図１７Ａ〜図１７Ｃは、図１５に示す配線回路基板の製造工程図であって、図１に示す配線回路基板のｅ−ｅ線に沿う断面図であり、図１７Ａが、フォトレジストを露光する工程（４）、図１７Ｂが、フォトレジストの第１部分を除去する工程（４）、図１７Ｃが、フォトレジストおよびそれに対応する金属薄膜を除去する工程（５）を示す。
【図１８】図１８は、第４実施形態の変形例（第２配線が第４直線部を有する態様）の平面図を示す。
【図１９】図１９は、第４実施形態の変形例（第１配線が第３直線部のみからなり、かつ、第２配線が第４直線部のみからなる態様）の平面図を示す。
【図２０】図２０は、本発明の配線回路基板の第５実施形態の配線回路基板の平面図を示す。
【図２１】図２１は、図２０に示す配線回路基板のｆ−ｆ線に沿う断面図を示す。
【図２２】図２２は、第５実施形態の変形例（第２配線が第４直線部を有する態様）の平面図を示す。
【図２３】図２３は、第５実施形態の変形例（第１配線が第３直線部のみからなり、かつ、第２配線が第４直線部のみからなる態様）の平面図を示す。
【図２４】図２４は、第１実施形態の変形例（第１導体パターンおよび中間絶縁層が設けられない態様）の断面図を示す。
【図２５】図２５は、比較例２〜比較例１６における、Ｌ２およびＷ２の関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
図１において、紙面上下方向は、前後方向（第１方向）であり、下側が前側（第１方向一方側）、紙面上側が後側（第１方向他方側）である。
【００４３】
図１において、紙面左右方向は、幅方向（第１方向に直交する第２方向）であり、紙面左側が幅方向一方側（第２方向一方側）、紙面右側が幅方向他方側（第２方向他方側）である。
【００４４】
図１において、紙面紙厚方向は、上下方向（第１方向および第２方向に直交する第３方向、厚み方向）であり、紙面手前側が上側（第３方向一方側、厚み方向一方側）、紙面奥側を下側（第３方向他方側、厚み方向他方側）である。方向は、具体的には、各図に記載の方向矢印従う。
【００４５】
また、図１、図７、図１１、図１５、図１８〜２０、図２２、図２３において、後述する第１導体パターン４および第２導体パターン６の相対位置を明確に示すため、後述するベース絶縁層３、中間絶縁層５およびカバー絶縁層７を省略している。但し、中間絶縁層５における湾曲部１７（幅方向一方側の斜面１５）のみを、点ハッチングで示している。
【００４６】
＜第１実施形態＞
本発明の配線回路基板は、導体パターンを単数層あるいは複数層有しており、その層構成は、特に限定されない。また、配線回路基板は、金属支持基板を備える回路付サスペンション基板や、金属支持基板を備えないフレキシブル配線回路基板を含む。
【００４７】
以下、本発明の第１実施形態である配線回路基板およびその製造方法を順次説明する。
【００４８】
１．配線回路基板
図１および図２に示すように、この配線回路基板１は、ベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に設けられる第１導体パターン４と、ベース絶縁層３の上に設けられ、第１導体パターン４を被覆する絶縁層の一例としての中間絶縁層５と、中間絶縁層５の上に配置される導体パターンの一例としての第２導体パターン６と、中間絶縁層５の上に設けられ、第２導体パターン６を被覆するカバー絶縁層７とを備える。
【００４９】
ベース絶縁層３は、前後方向に延びる略平板（シート）形状を有する。ベース絶縁層３は、絶縁材料からなる。絶縁材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテル樹脂、ニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が挙げられ、好ましくは、ポリイミド樹脂が挙げられる。ベース絶縁層３の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上、例えば、２５μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下である。
【００５０】
第１導体パターン４は、第１配線１０と、第１配線１０の両端に設けられる第１端子（図示せず）とを一体的に有する。
【００５１】
第１配線１０は、円弧形状を有する第１円弧部１１と、第１円弧部１１の両端に連続する２つの第１直線部１２とを一体的に有する。
【００５２】
第１円弧部１１は、後方に向かうに従って幅方向一方側に湾曲している。
【００５３】
第１円弧部１１に沿う仮想円（詳しくは、第１円弧部１１の幅方向中心に沿う仮想円）の半径Ｒ１は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【００５４】
第１円弧部１１の中心角αは、特に限定されず、例えば、０度超過以上、好ましくは、３０度以上、より好ましくは、４５度以上であり、また、例えば、１８０度以下、好ましくは、９０度以下である。
【００５５】
２つの第１直線部１２は、それらの延長線が交差するように、配置されている。２つの第１直線部１２のうち、一方は、平面視において、第１円弧部１１の前端部から、前方斜め幅方向一方側に向かって傾斜し、他方は、平面視において、第１円弧部１１の後端部から、後方斜め幅方向一方側に向かって傾斜する。
【００５６】
第１配線１０（第１円弧部１１および第１直線部１２のそれぞれ）は、断面略矩形状を有する。第１配線１０は、上端部に２つの稜線部１３を有する。
【００５７】
第１導体パターン４の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１２μｍ以下である。第１配線１０の幅Ｗ１は、特に限定されず、具体的には、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【００５８】
中間絶縁層５は、ベース絶縁層３の上面において、第１導体パターン４の側面および上面１６を被覆するように、配置されている。なお、図示しないが、中間絶縁層５は、第１導体パターン４の第１端子（図示せず）を露出している。また、中間絶縁層５は、第１平坦面１４と、斜面１５と、第２平坦面１６とを含む上面を有する。
【００５９】
第１平坦面１４は、面方向（ベース絶縁層３の表面に沿う方向）に平行する面であって、第１導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面と、厚み方向に対向する面である。
【００６０】
斜面１５は、第１配線１０に対応しており、第１平坦面１４に連続し、面方向に対して傾斜する面である。具体的には、斜面１５は、第１配線１０の２つの稜線部１３に対応して、第１平坦面１４から上方に向かって傾斜（隆起）する面である。
【００６１】
斜面１５と第１平坦面１４とのなす角度β’の補角β、すなわち、斜面１５の第１平坦面１４に対する斜度βは、特に限定されず、例えば、５度以上、好ましくは、２０度以上であり、また、例えば、９０度未満、好ましくは、６０度以下である。
【００６２】
また、斜面１５は、後述するが、図７および図８Ａに示すように、金属薄膜３３における反射光Ｂ’が、フォトレジスト２５における第１部分２３に至るような第２部分２８を有している。
【００６３】
図１および図２に示すように、第２部分２８は、曲り部の一例としての湾曲部１７から構成される。具体的には、第２部分２８は、好ましくは、湾曲部１７のみからなる。
【００６４】
詳しくは、湾曲部１７は、２つの稜線部１３に対応する２つの斜面１５のうちの幅方向一方側部分（内側部分）である。湾曲部１７は、平面視において、稜線部１３の円弧形状に相似する円弧形状を有する。湾曲部１７は、幅方向一方側に向かって連続的に曲がっている。湾曲部１７に沿う仮想円（詳しくは、湾曲部１７の幅方向中心に沿う仮想円）の半径Ｒ２は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【００６５】
第２平坦面１６は、第１配線１０の２つの稜線部１３を連結する上面１８に対応しており、上面１８の上側に間隔を隔てて対向配置されている。第２平坦面１６は、２つの斜面１５の上端部を連結する。第２平坦面１６は、第１平坦面１４と平行している。
【００６６】
第２導体パターン６は、配線の一例としての第２配線２０と、第２配線２０の両端に設けられる第２端子（図示せず）とを一体的に有する。また、第２導体パターン６は、第２配線２０と独立して設けられるダミー配線２１をさらに有する。
【００６７】
第２配線２０は、前後方向に延びる第２直線部２２からなる。第２直線部２２は、厚み方向に投影したときに、２つの第１直線部１２と交差している。また、第２直線部２２は、厚み方向に投影したときに、湾曲部１７の円弧の中心点Ｃと重複している。具体的には、第２直線部２２の幅方向中央部が、厚み方向において、湾曲部１７の円弧の中心点Ｃと重複している。また、第２配線２０は、中間絶縁層５の第１平坦面１４の上面に配置されている。第２配線２０は、断面視略矩形状を有する。
【００６８】
ダミー配線２１は、第２配線２０と幅方向他方側に間隔を隔てて対向配置されている。ダミー配線２１は、第１導体パターン４の第１円弧部１１に対応して設けられており、具体的には、ダミー配線２１は、第１円弧部１１における幅方向一方側の稜線部１３に対応して設けられている。ダミー配線２１は、平面視において、幅方向一方側の稜線部１３の円弧形状に相似する円弧形状を有する。さらに、ダミー配線２１は、平面視において、中間絶縁層５の湾曲部１７と重複している。
【００６９】
一方、ダミー配線２１は、第１導体パターン４における２つの第１直線部１２に対応して設けられていない。つまり、ダミー配線２１は、厚み方向に投影したときに、第１直線部１２とずれている。
【００７０】
また、ダミー配線２１は、平面視において、幅方向他方側の稜線部１３に対応して設けられていない。つまり、ダミー配線２１は、厚み方向に投影したときに、幅方向他方側の稜線部１３とずれている。
【００７１】
そうすると、ダミー配線２１は、第１円弧部１１における幅方向一方側の稜線部１３のみに対応して設けられている。つまり、ダミー配線２１は、第１円弧部１１における幅方向一方側の稜線部１３と、第１円弧部１１における幅方向一方側部分（上記した稜線部１３を除く）とに重複している。
【００７２】
ダミー配線２１は、断面視において、中間絶縁層５の湾曲部１７（斜面１５）に沿って配置されており、断面視略波形状を有している。
【００７３】
なお、ダミー配線２１は、後述する工程（４）において湾曲部１７に対応する金属薄膜３３における反射光Ｂ’が、フォトレジスト２５の第１部分２３に集光することを防止するために形成される配線であって、本来、配線回路基板１に不要な配線であるが、湾曲部１７を有する配線回路基板１には、必要な配線である。
【００７４】
また、ダミー配線２１は、第２配線２０と独立し、第２端子（図示せず）と電気的に接続されていないので、実質的には、配線の機能を有しない。
【００７５】
第２導体パターン６は、第１導体パターン４と同一の導体材料からなる。
【００７６】
第２導体パターン６の寸法は適宜設定されている。第２導体パターン６の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１２μｍ以下である。第２配線２０の幅Ｗ２は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。ダミー配線２１の幅Ｗ３は、厚み方向に投影したときに、湾曲部１７と重複できるように、設定されており、具体的には、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。ダミー配線２１に沿う仮想円の半径Ｒ３は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。第２配線２０およびダミー配線２１間の間隔は、例えば、３μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。
【００７７】
２．配線回路基板の製造方法
次に、配線回路基板１の製造方法を、図３Ａ〜図６Ｋを参照して説明する。
【００７８】
この配線回路基板１の製造方法は、ベース絶縁層３を用意する工程（ｉ）（図３Ａ参照）と、第１導体パターン４をベース絶縁層３の上に設ける工程（ｉｉ）（図３Ｂ参照）と、中間絶縁層５を、第１導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に設ける工程（１）（図３Ｃ参照）とを備える。
【００７９】
また、配線回路基板１の製造方法は、金属薄膜３３を中間絶縁層５の少なくとも斜面１５の上に設ける工程（２）（図４Ｄ参照）と、フォトレジスト２５を金属薄膜３３の上に設ける工程（３）（図４Ｅ参照）と、フォトマスク２４を、フォトレジスト２５において第２導体パターン６が設けられべき部分の一例としての第１部分２３が遮光されるように配置して、フォトレジスト２５を、フォトマスク２４を介して露光する工程（４）（図４Ｆ参照）とを備える。
【００８０】
さらに、配線回路基板１の製造方法は、第１部分２３を除去して、第１部分２３に対応する金属薄膜３３を露出させる工程（５）（図５Ｇ参照）と、第２導体パターン６を、フォトレジスト２５から露出する金属薄膜３３の上に設ける工程（６）（図５Ｈの仮想線参照）とを備える。
【００８１】
さらにまた、配線回路基板１の製造方法は、フォトレジスト２５を除去する工程（ｉｉｉ）（図５Ｉ参照）と、フォトレジスト２５に対応する金属薄膜３３を除去する工程（ｉｖ）（図６Ｊ参照）と、カバー絶縁層７を、第２導体パターン６を被覆するように、中間絶縁層５の上に設ける工程（ｖ）（図６Ｋ参照）とを備える。
【００８２】
配線回路基板１の製造方法では、工程（ｉ）〜工程（ｉｉ）、工程（１）〜工程（６）、工程（ｉｉｉ）〜工程（ｖ）が順次実施される。以下、上記した各工程を詳述する。
【００８３】
２−１．工程（ｉ）
図３Ａに示すように、工程（ｉ）では、ベース絶縁層３を用意する。
【００８４】
２−２．工程（ｉｉ）
図３Ｂに示すように、工程（ｉｉ）では、第１導体パターン４をベース絶縁層３の上に設ける。
【００８５】
２−３．工程（１）
図３Ｃに示すように、工程（１）では、中間絶縁層５を、第１導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に設ける。
【００８６】
中間絶縁層５をベース絶縁層３の上に設けるには、例えば、感光性の絶縁材料のワニスをベース絶縁層３の上面に塗布し、露光および現像し、その後、必要により加熱する。あるいは、図示しない第１端子を露出するパターンに予め形成された中間絶縁層５を、図示しない接着剤を介して、ベース絶縁層３の上に接着する。
【００８７】
このとき、第１導体パターン４に対応する中間絶縁層５には、斜面１５および第２平坦面１６が生じる。
【００８８】
これにより、湾曲部１７（図１参照）を含む斜面１５を有する中間絶縁層５を設ける。
【００８９】
２−４．工程（２）
図４Ｄに示すように、工程（２）では、金属薄膜３３を中間絶縁層５の少なくとも斜面１５の上に設ける。
【００９０】
金属薄膜３３は、工程（６）（後述、図５Ｈ参照）におけるアディティブ法の種膜（給電層）として役することができる。また、金属薄膜３３は、アディティブ法で第２導体パターン６が得られたときには、第２導体パターン６と一体化することができる層である（図２参照）。
【００９１】
金属薄膜３３は、例えば、中間絶縁層５の上面（第１平坦面１４、斜面１５（湾曲部１７を含む）および第２平坦面１６を含む）全面に設けられている。
【００９２】
金属薄膜３３は、金属材料からなる。金属材料としては、例えば、銅、クロム、ニッケルおよびそれらの合金が挙げられ、好ましくは、銅、クロムが挙げられる。金属薄膜３３は、単層および複層（図４Ｄにおいて図示されず）のいずれの層からなっていてもよい。好ましくは、金属薄膜３３は、第１薄膜（具体的には、クロム薄膜）と、その上に設けられる第２薄膜（銅薄膜）との２層からなる。
【００９３】
また、金属薄膜３３は、中間絶縁層５の上面に追従している。そのため、金属薄膜３３において、中間絶縁層５の第１平坦面１４および第２平坦面１６のそれぞれに対応する部分の上面が、第１平坦面１４および第２平坦面１６のそれぞれに平行し、つまり、面方向に沿っている。一方、金属薄膜３３において、斜面１５（湾曲部１７を含む）に対応する部分の上面が、中間絶縁層５の斜面１５（湾曲部１７を含む）に平行し、つまり、面方向に対して傾斜している。
【００９４】
金属薄膜３３の厚みは、例えば、１０ｎｍ以上、好ましくは、３０ｎｍ以上であり、また、例えば、３００ｎｍｎｍ以下、好ましくは、２００ｎｍ以下である。また、金属薄膜３３が、第１薄膜および第２薄膜の２層からなる場合には、第１薄膜の厚みが、例えば、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であり、第２薄膜の厚みが、例えば、５０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下である。
【００９５】
金属薄膜３３を中間絶縁層５の上に設けるには、例えば、スパッタリング法、めっき法などが用いられ、好ましくは、スパッタリング法が用いられる。
【００９６】
２−５．工程（３）
図４Ｅに示すように、工程（３）では、フォトレジスト２５を金属薄膜３３の上に設ける。
【００９７】
フォトレジスト２５は、ネガ型のフォトレジスト（ネガティブフォトレジスト）である。ネガ型のフォトレジストは、露光時に光が照射された箇所が、その後の現像で残り、一方、露光時に光が遮光された箇所（照射されなかった箇所）が、その後の現像で除去されるレジストである。フォトレジスト２５は、例えば、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を含んでいる。また、フォトレジスト２５は、図５Ｈに示すように、工程（６）におけるめっきにおいてめっきレジストとして役することができる。
【００９８】
また、フォトレジスト２５は、工程（４）（図４Ｆ参照）における光（例えば、紫外線など）を部分的に透過することができ、具体的には、フォトレジスト２５の紫外線に対する透過率が、例えば、１０％以上、好ましくは、２０％以上であり、また、例えば、５０％以下、好ましくは、６０％以下である。
【００９９】
上記したフォトレジスト２５を、金属薄膜３３の上面全面に配置する。
【０１００】
その際、ドライフィルムレジストを、例えば、平板などを用いて、押圧する（押し付ける）。そのため、フォトレジスト２５の上面は、平坦面となる。
【０１０１】
フォトレジスト２５の厚みは、特に限定されず、例えば、１０μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。
【０１０２】
２−６．工程（４）
図４Ｆに示すように、工程（４）では、フォトマスク２４を、フォトレジスト２５における第１部分２３と、フォトレジスト２５において第２部分２８に対応する第３部分２９とが遮光されるように配置して、フォトレジスト２５を、フォトマスク２４を介して露光する。
【０１０３】
第１部分２３は、工程（４）で、フォトレジスト２５において、遮光されるべき部分である。また、第１部分２３は、図５Ｇが参照されるように、次の工程（５）において、除去されるべき部分である。さらに、第１部分２３は、図５Ｈが参照されるように、後の工程（６）において、フォトレジスト２５の開口部３０（後述）において第２配線２０が設けられる（充填される）べき部分である。具体的には、第１部分２３は、後の工程（６）において、フォトレジスト２５の開口部３０において第２配線２０および第２端子（図示せず）が設けられる（充填される）べき部分である。
【０１０４】
一方、第３部分２９は、工程（４）では、フォトレジスト２５において、遮光される部分である。また、後の工程（６）において、フォトレジスト２５の開口部３０においてダミー配線２１が設けられる（充填される）部分でもある。
【０１０５】
フォトマスク２４は、上側からの光を下方に透光できる透光部分２６と、上側からの光を下方に対して遮光できる遮光部分２７とを有する。
【０１０６】
遮光部分２７は、第１部分２３に対応する第１遮光部分３１と、第３部分２９に対応する第２遮光部分３２とを有する。
【０１０７】
工程（４）では、フォトマスク２４を、第１遮光部分３１が第１部分２３と対向し、第２遮光部分３２が第３部分２９と対向し、透光部分２６がフォトレジスト２５において第１部分２３および第３部分２９以外の部分と対向するように、配置する。第２遮光部分３２は、厚み方向に投影したときに、中間絶縁層５の第２部分２８に重複している。透光部分２６は、厚み方向に投影したときに、中間絶縁層５の第１平坦面１４および第２平坦面１６に重複している。
【０１０８】
フォトマスク２４を、フォトレジスト２５の上側に間隔を隔てて対向配置する。なお、図４Ｆで図示されないが、フォトマスク２４を、フォトレジスト２５の上面に直接接触させることもできる。
【０１０９】
これにより、フォトマスク２４を、フォトレジスト２５における第１部分２３および第３部分２９が遮光されるように配置する。また、フォトマスク２４を、フォトレジスト２５における第１部分２３および第３部分２９以外の部分が透光されるように配置する。
【０１１０】
続いて、工程（４）では、フォトレジスト２５を、フォトマスク２４を介して露光する。
【０１１１】
フォトレジスト２５を露光するには、フォトマスク２４の上方に配置された光源からフォトマスク２４に対して光を照射する。光の波長は、例えば、１００ｎｍ以上、好ましくは、好ましくは、３５０ｎｍ以上であり、また、例えば、８００ｎｍ以下、好ましくは、４５０ｎｍ以下である。照射（露光）量は、例えば、例えば、１００ｍＪ／ｃｍ２以上、８００ｍＪ／ｃｍ２以下である。
【０１１２】
［１］  すると、フォトマスク２４の第１遮光部分３１に対して照射された光Ａは、第１遮光部分３１によって遮光され、フォトレジスト２５の第１部分２３に至らない。
【０１１３】
［２］  また、フォトマスク２４の第２遮光部分３２に対して照射された光Ｂは、第２遮光部分３２によって遮光され、フォトレジスト２５の第３部分２９に至らない。そのため、光Ｂは、第３部分２９の下側に位置する金属薄膜３３（フォトレジスト２５の第２部分２８に対向する金属薄膜３３）にも至らない。
【０１１４】
２−７．工程（５）
図５Ｇに示すように、工程（５）では、フォトレジスト２５における第１部分２３（図４Ｆ参照）を除去する。これとともに、フォトレジスト２５における第３部分２９（図４Ｆ参照）を除去する。
【０１１５】
具体的には、まず、必要により、露光後のフォトレジスト２５を加熱する（露光後加熱）。
【０１１６】
続いて、フォトレジスト２５を現像液によって現像する。これによって、フォトレジスト２５において第１部分２３および第３部分２９以外の部分を残しつつ、第１部分２３および第３部分２９のみを除去する。つまり、フォトレジスト２５において、第１部分２３および第３部分２９に対応する開口部３０を形成する。開口部３０は、フォトレジスト２５を厚み方向に貫通する。
【０１１７】
これによって、第１部分２３および第３部分２９に対応する金属薄膜３３、つまり、開口部３０に臨む金属薄膜３３を露出させる。
【０１１８】
その後、必要により、フォトレジスト２５を加熱により硬化させる。
【０１１９】
２−８．工程（６）
図５Ｈの仮想線に示すように、工程（６）では、まず、第２導体パターン６を、フォトレジスト２５から露出する金属薄膜３３の上に設ける。
【０１２０】
第２導体パターン６を金属薄膜３３の上に設けるには、金属薄膜３３から給電する電解めっきが用いられる。
【０１２１】
この際、フォトレジスト２５は、めっきレジストとして利用される。また、金属薄膜３３は、給電層として利用される。
【０１２２】
これにより、第２導体パターン６を、第２配線２０、第２端子およびダミー配線２１を有するパターンで、形成する。
【０１２３】
２−９工程（ｉｉｉ）
図５Ｉに示すように、工程（ｉｉｉ）では、フォトレジスト２５を除去する。
【０１２４】
具体的には、フォトレジスト２５を、例えば、ウェットエッチングにより除去する。
【０１２５】
２−１０．工程（ｉｖ）
図６Ｊに示すように、工程（ｉｖ）では、フォトレジスト２５（図５Ｈ）に対応する金属薄膜３３を除去する。
【０１２６】
具体的には、フォトレジスト２５の下に位置していた金属薄膜３３を、例えば、剥離により除去する。
【０１２７】
２−１１．工程（ｖ）
図６Ｋに示すように、工程（ｖ）では、カバー絶縁層７を、第２導体パターン６の第２配線２０およびダミー配線２１を被覆し、第２端子（図示せず）を露出するパターンで、設ける。
【０１２８】
これにより、ベース絶縁層３と、第１導体パターン４と、中間絶縁層５と、金属薄膜３３および第２導体パターン６と、カバー絶縁層７とを備える配線回路基板１を得る。
【０１２９】
なお、この配線回路基板１では、金属薄膜３３が第２導体パターン６と一体化、具体的には、金属薄膜３３が第２導体パターン６の一部として取り込まれていてもよい。その際には、図１に示すように、金属薄膜３３が第２導体パターン６と判然と区別できない場合がある。
【０１３０】
また、このような配線回路基板１の用途は、特に限定されず、例えば、ハードディスクドライブに搭載され、金属支持基板（図２の仮想線参照）を備える回路付サスペンション基板や、金属支持基板を備えず、可撓性を有するフレキシブル配線回路基板などの、各種配線回路基板として用いられる。とくに、この配線回路基板１は、高密度配線（導体パターン）が必要とされる回路付サスペンション基板であって、上記したダミー配線２１をヘッド搭載領域に有する回路付サスペンション基板に好適に用いられる。
【０１３１】
３．第１実施形態の作用効果
しかるに、図７に示す、ダミー配線２１（図１参照）を有さない配線回路基板１を製造しようとする場合でも、図８Ａおよび図８Ｂに示すように、工程（４）および工程（５）が実施される。
【０１３２】
図７に示すように、そのような配線回路基板１では、第２導体パターン６は、ダミー配線２１を有さず、第２配線２０および第２端子（図示せず）を備える。
【０１３３】
工程（４）では、図８Ａに示すように、フォトマスク２４において、遮光部分２７は、第３部分２９に対応する第２遮光部分３２（図４Ｆ参照）を有さない一方、第１部分２３に対応する第１遮光部分３１のみを有する。
【０１３４】
［１］  光源からフォトマスク２４に対して光を照射すると、フォトマスク２４の第１遮光部分３１に対して照射された光Ａは、第１遮光部分３１によって遮光され、フォトレジスト２５の第１部分２３に至らない。
【０１３５】
［２］  しかし、第３部分２９に対向する透光部分２６に対して照射された光Ｂは、透光部分２６を透過して、第３部分２９に至ってしまう。そうすると、光Ｂの一部は、第３部分２９を透過して、第２部分２８に対応する金属薄膜３３の上面で反射して、反射光Ｂ’を生成する。反射光Ｂ’は、断面視において、フォトレジスト２５を上方斜め幅方向一方側に向かって透過しながら、フォトレジスト２５の第１部分２３に至ってしまう。
【０１３６】
そうすると、図８Ｂに示すように、工程（５）において、第１部分２３を完全に除去できず、つまり、第１部分２３が一部または完全に残る。そのため、フォトマスク２４において、第１部分２３に対応する開口部３０（図５Ｇ参照）が形成されない。その結果、第１部分２３に対応する金属薄膜３３が被覆されてしまう。
【０１３７】
そうすると、第２配線２０（仮想線）を形成することができない。つまり、形状不良を有する第２導体パターン６となってしまう。
【０１３８】
しかし、この第１実施形態の製造方法によれば、図４Ｆに示すように、工程（４）において、フォトマスク２４を、中間絶縁層５の第２部分２８に対向するフォトレジスト２５、つまり、第３部分２９が遮光されるように、配置する。そのため、たとえ、斜面１５が、金属薄膜３３において反射した反射光Ｂ’が第１部分２３に至るような第２部分２８を有していても、工程（４）において、第３部分２９が遮光されるので、反射光Ｂ’が第１部分２３に至ることを防止することができる。つまり、反射光Ｂ’自体の発生を防止することができる。
【０１３９】
その結果、図４Ｆに示すように、工程（４）において、第１部分２３を確実に遮光して、第１部分２３（および第３部分２９）以外のフォトレジスト２５を露光できる。その後、図５Ｇに示すように、工程（５）において、第１部分２３に対応する金属薄膜３３を確実に露出させ、続いて、図５Ｈに示すように、工程（６）において、形状不良が抑制された第２配線２０を確実に設けることができる。
【０１４０】
そのため、高い信頼性を有する第２導体パターン６を高い自由度で設けることができる。
【０１４１】
従って、自由度の高い、接続信頼性に優れる配線回路基板１を得ることができる。
【０１４２】
また、図７および図８Ａに示すように、中間絶縁層５の第２部分２８が、平面視において、一方向に曲がる湾曲部１７を有すると、反射光Ｂ’が、図７に示すように、平面視において、中心点Ｃに対応する第１部分２３に向かって集光する。つまり、平面視において、第２部分２８（湾曲部１７）に対応する金属薄膜３３が凹レンズのようになって、反射光Ｂ’が第２部分２８に点状に集光する。そのため、第１部分２３における光量が相対的に高くなる。具体的には、第１部分２３における光量が、図８Ｂに示す工程（５）において、第１部分２３が残ることができる光量以上の光量となる。
【０１４３】
すると、図８Ｂに示すように、工程（５）において、第１部分２３に対応する金属薄膜３３を露出させることができず、図８Ｃに示すように、工程（６）において、形状不良を有する第２導体パターン６が設けられる。つまり、湾曲部１７に対応する反射光Ｂ’の、フォトレジスト２５の第１部分２３への集光により、第２配線２０の形状不良が顕在化する。
【０１４４】
しかし、この第１実施形態の製造方法によれば、図４Ｆに示すように、工程（４）において、フォトマスク２４を、第２部分２８に対向するフォトレジスト２５である第３部分２９が遮光されるように、配置するので、工程（４）において、第１部分２３を確実に遮光できる。その後、図５Ｇに示すように、工程（５）において、第１部分２３に対応する金属薄膜３３を確実に露出させる。続いて、図５Ｈに示すように、工程（６）において、形状不良が抑制された第２配線２０を備える第２導体パターン６を確実に設けることができる。
【０１４５】
また、第１実施形態の製造方法によれば、図４Ｆに示すように、工程（４）では、フォトレジスト２５においてダミー配線２１が設けられるべき第３部分２９が、平面視において、中間絶縁層５の第２部分２８と重複している。そのため、工程（４）において、第３部分２９を確実に遮光し、さらには、第２部分２８を遮光することができる。そのため、第３部分２９と重複する第２部分２８における反射光Ｂ’の発生を防止することができる。そのため、第２部分２８における反射光Ｂ’に起因する第１部分２３の露光（図８Ａ参照）を確実に防止して、第２配線２０を確実に設けることができる。
【０１４６】
また、この配線回路基板１では、第２導体パターン６がダミー配線２１を有し、ダミー配線２１が、平面視において、湾曲部１７と重複するので、図４Ｆに示されるように、工程（４）のフォト加工において、湾曲部１７に対応する意図しない反射（反射光Ｂ’の生成）を防止して、遮光不良を第２配線２０に対応する部分に生じることを防止することができる。そのため、第２配線２０の信頼性が向上されている。
【０１４７】
４．第１実施形態の変形例
第１実施形態では、曲り部の一例として湾曲部１７を挙げている。しかし、例えば、曲り部は、湾曲部１７に限定されない。
【０１４８】
図示しないが、一方向に所定の角度で複数回あるいは単数回屈曲する屈曲部（あるいは、一方向に所定の角度で折れ曲がる折曲部）を挙げることもできる。その場合には、屈曲部（折曲部）は、多角形の一部の頂点と、それに連続する少なくとも２辺とを含む。上記した角度は、例えば、０度を超過し、さらには、３０度以上であり、また、例えば、９０度以下、好ましくは、６０度以下である。
【０１４９】
また、ダミー配線２１の形状は、図１に示すように、平面視略円弧形状であるが、厚み方向において、第２部分２８と重複していれば、上記の形状に限定されない。
【０１５０】
なお、ダミー配線２１は、厚み方向において、第１円弧部１１に対応する第２部分２８のみに重複しているが、さらに、第１直線部１２に対応する第２部分２８に重複することもできる。
【０１５１】
＜第２実施形態＞
第２実施形態において、第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１５２】
第１実施形態では、ネガ型のフォトレジスト２５を用いて、アディティブ法で、第２導体パターン６を形成している。
【０１５３】
しかし、第２実施形態では、ポジ型のフォトレジスト２５を用いて、サブトラクティブ法で、第２導体パターン６を形成する。
【０１５４】
４−１．配線回路基板の製造方法
第２実施形態の配線回路基板１の製造方法は、第１実施形態のベース絶縁層３を用意する工程（ｉ）（図３Ａ参照）と、第１導体パターン４を設ける工程（ｉｉ）（図３Ｂ参照）と、中間絶縁層５を設ける工程（１）（図３Ｃ参照）とを備える。
【０１５５】
また、第２実施形態の配線回路基板１の製造方法は、導体層３４を中間絶縁層５の少なくとも斜面１５の上に設ける工程（２）（図９Ａ参照）と、フォトレジスト２５を導体層３４の上に設ける工程（３）（図９Ｂ参照）と、フォトマスク２４を、フォトレジスト２５の第１部分２３が遮光されるように配置して、フォトレジスト２５を、フォトマスク２４を介して露光する工程（４）（図９Ｂの矢印参照）とを備える。
【０１５６】
さらに、第２実施形態の配線回路基板１の製造方法は、第１部分２３を残すように、フォトレジスト２５において第１部分２３以外の部分を除去する工程（５）（図９Ｃ参照）と、フォトレジスト２５から露出する導体層３４を除去して、第２導体パターン６を形成する工程（６）（図１０Ｄの仮想線参照）とを備える。
【０１５７】
また、配線回路基板１の製造方法は、フォトレジスト２５を除去する工程（ｉｉｉ）（図１０Ｅ参照）と、カバー絶縁層７を設ける工程（ｖ）（図１０Ｆ参照）とを備える。
【０１５８】
４−２．工程（１）および工程（２）
第２実施形態では、図９Ａおよび図９Ｂに示すように、工程（１）および工程（２）を順次実施する。あるいは、工程（１）および工程（２）を、例えば、同時に実施する。その場合には、中間絶縁層５および導体層３４が積層された２層基材を、ベース絶縁層３の上に、第１導体パターン４を被覆するように、設ける。
【０１５９】
導体層３４は、中間絶縁層５の第１平坦面１４、斜面１５および第２平坦面１６を含む上面全面に配置される。導体層３４は、中間絶縁層５の上面に沿って、面方向に沿って延びる。導体層３４は、第２導体パターン６と同一の導体材料からなる。導体層３４の厚みは、第２導体パターン６の厚みと同一である。
【０１６０】
４−３．工程（４）
図９Ｂに示すように、工程（４）において、フォトマスク２４を、フォトレジスト２５において第１部分２３および第３部分２９が遮光されるように配置する。
【０１６１】
フォトレジスト２５は、ポジ型のフォトレジスト（ポジディブフォトレジスト）である。ポジ型のフォトレジストは、露光時に光が照射された箇所が、その後の現像で除去され、一方、露光時に光が遮光された箇所（照射されなかった箇所）が、その後の現像で残ることができるレジストである。
【０１６２】
その後、図９Ｂの矢印で示すように、フォトレジスト２５を、フォトマスク２４を介して露光する。
【０１６３】
［１］  すると、フォトマスク２４の第１遮光部分３１に対して照射された光Ａは、第１遮光部分３１によって遮光され、第１部分２３に至らない。
【０１６４】
［２］  一方、フォトマスク２４の第２遮光部分３２に対して照射された光Ｂは、第２遮光部分３２によって遮光され、フォトレジスト２５の第３部分２９に至らない。そのため、光Ｂは、第３部分２９の下側に位置する導体層３４（第２部分２８に対向する導体層３４）にも至らない。
【０１６５】
４−４．工程（５）
図９Ｃに示すように、工程（５）では、露光後のフォトレジスト２５を、例えば、現像液によって現像して、第１部分２３および第３部分２９を残すように、第１部分２３および第３部分２９以外のフォトレジスト２５を除去する。
【０１６６】
４−５．工程（６）
図１０Ｄに示すように、工程（６）では、フォトレジスト２５から露出する導体層３４を除去する。
【０１６７】
例えば、フォトレジスト２５をエッチングレジストとして用いて、導体層３４をエッチングする。
【０１６８】
これにより、第２配線２０、第２端子（図示せず）およびダミー配線２１を有する第２導体パターン６を形成する。
【０１６９】
４−６．工程（ｉｉｉ）
図１０Ｅに示すように、工程（ｉｉｉ）では、フォトレジスト２５を、例えば、剥離などによって、除去する。
【０１７０】
５．配線回路基板
上記した製造方法により得られた配線回路基板１は、ベース絶縁層３と、第１導体パターン４と、中間絶縁層５と、第２導体パターン６と、第２導体パターン６を被覆するカバー絶縁層７とを備える。また、第２実施形態の配線回路基板１は、第１実施形態と異なり、金属薄膜３３（図２参照）を備えない。
【０１７１】
一方、第２実施形態の配線回路基板１は、第２導体パターン６および中間絶縁層５の間に、それらを接着する接着剤層（図示せず）を備えていてもよい。
【０１７２】
５．第２実施形態の作用効果
第２実施形態の製造方法によれば、図９Ｂに示すように、工程（４）において、フォトマスク２４を、第２部分２８に対向するフォトレジスト２５である第３部分２９が遮光されるように、配置する。そのため、たとえ、斜面１５が、導体層３４において反射した反射光Ｂ’が第１部分２３に至るような第３部分２９を有していても、工程（４）において、第３部分２９が遮光されるので、反射光Ｂ’が第１部分２３に至ることを防止することができる。つまり、反射光Ｂ’自体の発生を防止することができる。
【０１７３】
その結果、図９Ｂに示すように、工程（４）において、第１部分２３を確実に遮光して、フォトレジスト２５を露光できる。その後、図１０Ｄに示すように、工程（５）において、第１部分２３および第３部分２９を残すように、第１部分２３および第３部分２９以外のフォトレジスト２５を確実に除去し、続いて、図１０Ｅに示すように、工程（６）において、形状不良が抑制された第２配線２０を確実に設けることができる。
【０１７４】
そのため、高い信頼性を有する第２導体パターン６を高い自由度で設けることができる。
【０１７５】
その結果、自由度の高い、接続信頼性に優れる配線回路基板１を得ることができる。
【０１７６】
＜第３実施形態＞
第３実施形態において、第１および第２実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１７７】
１．配線回路基板
図１および図２に示すように、第１実施形態の配線回路基板１は、第２配線２０と独立するダミー配線２１を備える。
【０１７８】
しかし、図１１および図１２に示すように、第３実施形態では、配線回路基板１は、第２配線２０と連続するダミー部３５を備える。
【０１７９】
１−１．ダミー部
ダミー部３５は、第２導体パターン６に備えられる。ダミー部３５は、第２直線部２２の幅方向他端部から幅方向他方側に突出する突出部である。ダミー部３５は、１つの頂点が湾曲状の略三角形状を有している。ダミー部３５（右辺、突出片）は、第１配線１０の第１円弧部１１に相似する形状を有する。ダミー部３５は、第２直線部２２と幅方向に連続している。
【０１８０】
ダミー部３５の突出方向（幅方向）の最大長さは、適宜設定され、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【０１８１】
２−１．工程（４）
配線回路基板１の製造方法において、図１３Ａに示すように、工程（４）では、幅方向に連続する第１遮光部分３１および第２遮光部分３２を有する遮光部分２７を有するフォトマスク２４を配置する。
【０１８２】
図１３Ａの矢印で示すように、第１遮光部分３１および第２遮光部分３２を含む遮光部分２７に照射された光Ｄは、第１部分２３および第３部分２９に至らない。そのため、光Ｄは、第３部分２９の下側に位置する金属薄膜３３にも至らない。
【０１８３】
２−２．工程（５）
図１３Ｂに示すように、第１部分２３および第３部分２９をまとめて除去する。
【０１８４】
これによって、フォトレジスト２５において、第１部分２３および第３部分２９に対応する大きな開口部３０を形成する。
【０１８５】
２−３．工程（６）
図１３Ｃに示すように、第２導体パターン６を、フォトレジスト２５の開口部３０から露出する金属薄膜３３の上に設ける。
【０１８６】
２−４．工程（ｉｉｉ）
図１４Ｄに示すように、工程（ｉｉｉ）では、フォトレジスト２５を除去する。
【０１８７】
２−５．工程（ｉｖ）
図１４Ｅに示すように、工程（ｉｖ）では、フォトレジスト２５（図１３Ｃ）に対応する金属薄膜３３を除去する。
【０１８８】
２−６．工程（ｖ）
図１４Ｆに示すように、工程（ｖ）では、カバー絶縁層７を、第２導体パターン６の第２配線２０およびダミー部３５を被覆し、第２端子（図示せず）を露出するパターンで、設ける。
【０１８９】
３．第３実施形態の作用効果
この第３実施形態の製造方法では、図１３Ａに示すように、工程（４）では、フォトレジスト２５においてダミー部３５が設けられるべき第３部分２９が、平面視において、第２部分２８と重複している。従って、工程（４）において、第３部分２９を確実に遮光できる。そのため、第３部分２９と重複する第２部分２８における反射光Ｂ’（図８Ａ参照）の発生を防止することができる。その結果、第２部分２８における反射光Ｂ’に起因する第１部分２３の露光を確実に防止して、第２配線２０を確実に設けることができる。
【０１９０】
さらに、図１１に示すように、ダミー部３５が第２配線２０と連続しているので、第２配線２０と別途ダミー配線２１を設ける第１実施形態（図１参照）に比べて、構成を簡易にすることができる。
【０１９１】
４．第３実施形態の変形例
第３実施形態の配線回路基板１は、ネガ型のフォトレジスト２５を用いて製造しているが、変形例では、図示しないが、ポジ型のフォトレジスト２５を用いて製造することもできる。
【０１９２】
また、ダミー部３５の形状は、図１１に示すように、平面視略三角形状であるが、ダミー部３５は、厚み方向において、第２部分２８に重複していれば、上記した形状に限定されない。
【０１９３】
なお、ダミー部３５は、第１円弧部１１に対応する第２部分２８のみに重複しているが、さらに、第１直線部１２に対応する第２部分２８に重複することもできる。
【０１９４】
＜第４実施形態＞
第４実施形態において、第１〜第３実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１９５】
第１〜第３実施形態では、図１および図２が参照されるように、第１導体パターン４が、第１円弧部１１を有する。
【０１９６】
しかし、図１５に示すように、第４実施形態では、第１導体パターン４が、第３直線部３６を有する。
【０１９７】
１．第１導体パターン
第１導体パターン４において、第１配線１０は、平面視において、第２導体パターン６の第２直線部２２に対して相対的に遠い２つの第１直線部１２と、第２直線部２２に比べて近い第３直線部３６と、それらを連結する第２連結部３７とを一体的に備える。
【０１９８】
２つの第１直線部１２は、前後方向に間隔を隔てて配置されている。２つの第１直線部１２のそれぞれは、前後方向に延びる。具体的には、２つの第１直線部１２のそれぞれは、平面視において、第２導体パターン６の第２直線部２２と平行する。また、２つの第１直線部１２は、前後方向に投影したときに、重複する。つまり、一方の第１直線部１２と第２直線部２２との幅方向における距離Ｌ０は、他方の第１直線部１２と第２直線部２２との幅方向における距離Ｌ０と同一である。
【０１９９】
第３直線部３６は、幅方向に投影したときに、２つの第１直線部１２の間に配置されている。第３直線部３６は、前後方向に延びる。第３直線部３６は、第１直線部１２と平行する。第３直線部３６は、第２導体パターン６の第２直線部２２と平行する。また、第３直線部３６は、前後方向に投影したときに、２つの第１直線部１２に対して、幅方向一方側に位置する。つまり、平面視における、第３直線部３６と第２直線部２２との幅方向における距離（間隔）Ｌ１は、２つの第１直線部１２と第２直線部２２との幅方向における距離（間隔）Ｌ０に比べて、小さい。
【０２００】
平面視において、第３直線部３６と第２直線部２２との幅方向における距離（間隔）Ｌ１は、例えば、７．５μｍを超過し、また、例えば、２２．５μｍ以下、好ましくは、１７．５μｍ以下、より好ましくは、１２．５μｍ以下である。また、距離Ｌ１（μｍ）は、関係式（２）を満足する。
【０２０１】
Ｌ１≦−２×Ｗ２＋３７．５      （２）
なお、Ｗ２は、第２導体パターン６の第２直線部２２の幅であって、配線の幅Ｗの一例であり、単位は、μｍである。
【０２０２】
つまり、距離Ｌ１は、第２直線部２２の幅Ｗ２が小さくなればなるほど、長くなることが許容される。
【０２０３】
上記した距離Ｌ１および第２直線部２２の幅Ｗ２が上記した関係式（２）を満足しない場合、つまり、関係式（２）において左辺が、右辺より大きい場合には、ダミー配線２１を配線回路基板１に設けることなく、反射光Ｂ’が、フォトレジスト２５の第１部分２３に至ることに基づく第２配線２０の形状不良を解決でき、そうすると、ダミー配線２１を設ける意義がなくなる場合がある。
【０２０４】
一方、平面視において、第１直線部１２と第２直線部２２との幅方向における距離（間隔）Ｌ０は、２５μｍ以上、３０μｍ以上であり、また、１０００μｍ以下である。
【０２０５】
第２連結部３７は、第３直線部３６の前端部と、前側の第１直線部１２の後端部とを連結する部分と、第３直線部３６の後端部と、後側の第１直線部１２の前端部とを連結する部分とを独立して備える。
【０２０６】
従って、第１配線１０は、前側の第１直線部１２から前側の第２連結部３７に至る際に幅方向一方側に曲がり、次いで、前側の第２連結部３７から第３直線部３６に至る際に、幅方向他方側に曲がり、次いで、第３直線部３６から後側の第２連結部３７に至る際に幅方向他方側に曲がり、後側の第２連結部３７から後側の第１直線部１２に至る際に幅方向一方側に曲がる。
【０２０７】
２．中間絶縁層
図１６Ｃおよび図１７Ｃに示すように、中間絶縁層５は、第１配線１０（第３直線部３６を含む）の幅方向一方側の稜線部１３に対応する斜面１５を有する。
【０２０８】
第３直線部３６に対応する斜面１５の幅方向一端部（立ち上がり部）と、第２直線部２２の幅方向他端部との距離Ｌ２（Ｌの一例）は、５μｍを超過し、また、２０μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下、より好ましくは、１０μｍ以下である。
【０２０９】
距離Ｌ２が上記した上限を超える場合には、ダミー配線２１を配線回路基板１に設けることなく、反射光Ｂ’がフォトレジスト２５の第１部分２３に至ることに基づく第２配線２０の形状不良を解決でき、そうすると、ダミー配線２１を設ける意義がなくなる場合がある。
【０２１０】
また、距離Ｌ２（μｍ）は、第２直線部２２の幅Ｗ２（μｍ）とともに、関係式（１）を満足する。
【０２１１】
Ｌ１≦−２×Ｗ２＋３５      （１）
つまり、距離Ｌ２は、第２直線部２２の幅Ｗ２が小さくなればなるほど、長くなることが許容される。図２５に示されるグラフにおいて、距離Ｌ２および幅Ｗ２が、「Ｌ１＝−２×Ｗ２＋３５」の直線を含み、かつ、それより左下の領域にあればよい。
【０２１２】
上記した距離Ｌ２および第２直線部２２の幅Ｗ２が上記した関係式（１）を満足しない場合、つまり、関係式（１）において左辺が、右辺より大きい場合には、ダミー配線２１を配線回路基板１に設けることなく、反射光Ｂ’が、フォトレジスト２５の第１部分２３に至ることに基づく第２配線２０の形状不良を解決でき、そうすると、ダミー配線２１を設ける意義がなくなる場合がある。
【０２１３】
他方、距離Ｌ１および第２直線部２２の幅Ｗ２が上記した関係式（２）を満足する場合には、第２直線部２２の幅Ｗ２において、平面視において、第３直線部３６と、第１部分２３に対応する金属薄膜３３との距離Ｌ１が、図８Ａに示すように、反射光Ｂ’が、第１部分２３に到達してしまう距離（近距離）となる。そのため、ダミー配線２１を設けて、幅Ｗ２を有する第２直線部２２の形状不良を防止する必要がある。
【０２１４】
なお、上記した距離Ｌ２から距離Ｌ１を差し引いた長さ（＝Ｌ２−Ｌ１）は、例えば、０μｍ超過、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、１０μｍ以下である。
【０２１５】
一方、第１直線部１２に対応する斜面１５の幅方向一端部（立ち上がり部）と、第２直線部２２の幅方向他端部との距離Ｌ３は、例えば、２０μｍ以上、さらには、２５μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下である。
【０２１６】
３．第２導体パターン
３−１．第２直線部
第２直線部２２の幅Ｗ２は、１５μｍ以下、好ましくは、１２．５μｍ以下、より好ましくは、１０μｍ以下であり、また、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上である。
【０２１７】
第２直線部２２の幅Ｗ２が、上記した上限を上回れば、ダミー配線２１を配線回路基板１に設けることなく、反射光Ｂ’が、フォトレジスト２５の第１部分２３に至ることに基づく第２配線２０の形状不良を解決でき、そうすると、ダミー配線２１を設ける意義がなくなる場合がある。
【０２１８】
３−２．ダミー配線
ダミー配線２１は、第３直線部３６に対応して設けられており、具体的には、ダミー配線２１は、第３直線部３６における幅方向一方側の稜線部１３に対応して設けられている。ダミー配線２１は、幅方向一方側の稜線部１３の直線形状に相似する略直線形状を有する。さらに、ダミー配線２１は、平面視において、斜面１５と重複している。ダミー配線２１は、平面視において、第２直線部２２の幅方向他方側に間隔を隔てて隣接配置されている。ダミー配線２１は、第２直線部２２に比べて、前後方向に短い。
【０２１９】
一方、ダミー配線２１は、第１直線部１２に対応して設けられていない。ダミー配線２１は、厚み方向に投影したときに、第１直線部１２と重複していない。
【０２２０】
４．配線回路基板の製造方法
第４実施形態の配線回路基板１の製造方法は、第１実施形態の製造方法と同様の製造方法である。
【０２２１】
５．第４実施形態の作用効果
第４実施形態では、上記した距離Ｌ２および幅Ｗ２が上記した範囲に設定され、上記した関係式（１）を満足すれば、フォトマスク２４が第２遮光部分３２を有さず、工程（４）を実施すると、図８Ａが参照されるように、斜面１５における反射光Ｂ’を生成し、その反射光Ｂ’に起因して、第１部分２３が露光されてしまう。つまり、斜面１５に対応する意図しない反射光Ｂ’に起因して、第１部分２３に生じ、第２配線２０の信頼性が低下する。
【０２２２】
具体的には、後で詳述される比較例３〜６、９〜１１、１４では、距離Ｌ２、幅Ｗ２、および、関係式（１）を満足するので、図８Ａに示すように、反射光Ｂ’が、第１部分２３に到達する距離（近距離）となり、第１部分２３の光量が高くなり、具体的には、現像において第１部分２３が残ることができる光量以上の光量となる。そのため、第２配線２０の形状評価が、不良となる。
【０２２３】
従って、第４実施形態のように、フォトマスク２４を、第３部分２９が遮光されるように、配置する、つまり、第２遮光部分３２を第３部分２９に対して対向させる。そのため、図１６Ａに示すように、工程（４）において、第１部分２３を確実に遮光して、フォトレジスト２５を露光できる。その後、図１６Ｂに示すように、工程（５）において、第１部分２３に対応する金属薄膜３３を確実に露出させることができる。その後、図１６Ｃに示すように、工程（６）において、形状不良が抑制された第２配線２０を確実に設けることができる。
【０２２４】
具体的には、上記した比較例３〜６、９〜１１、１４のそれぞれに対応する、実施例２〜９のそれぞれは、第２配線２０の第２配線２０の形状評価が、良好となる。
【０２２５】
なお、図１５および図１７Ａに示すように、第２直線部２２に対応する第１直線部１２は、第１直線部１２に対して相対的に遠くに配置されているため、図１７Ｂおよび図１７Ｃに示すように、第１直線部１２に対応するダミー配線２１が設けられていなくても、第３直線部３６に対応する第２部分２８における反射光Ｅ’が第１部分２３に至らない。そのため、第２直線部２２における形状不良が発生せず、そもそも、ダミー配線２１を設ける必要がない。
【０２２６】
６．第４実施形態の変形例
図１５に示すように、第４実施形態では、第１導体パターン４に第３直線部３６を設け、厚み方向に投影したときに、第３直線部３６と重複するダミー配線２１を設けた。
【０２２７】
しかし、図１８に示すように、第２導体パターン６に第４直線部３８を設け、平面視において、ダミー配線２１を、第４直線部３８の幅方向他方側に隣接配置させることができる。
【０２２８】
図１８に示すように、第１配線１０は、第１直線部１２のみからなる。
【０２２９】
第２配線２０は、平面視において、第１直線部１２に対して相対的に遠い２つの第２直線部２２と、第２直線部２２に比べて近い第４直線部３８と、それらを連結する第１連結部３９とを一体的に備える。
【０２３０】
ダミー配線２１は、第１直線部１２に対して、前後方向に短い。一方、ダミー配線２１は、幅方向に投影したとときに、第４直線部３８と重複しており、より具体的には、第４直線部３８と同一位置に位置している。
【０２３１】
この変形例における配線回路基板１は、第１実施形態の配線回路基板１と同様の方法により製造され、第１実施形態と同一の作用効果を奏する。
【０２３２】
また、図１９に示すように、第１配線１０が、第１直線部１２および第２連結部３７（図１５参照）を有さず、かつ、第３直線部３６のみからなり、また、第２配線２０が、第２直線部２２および第１連結部３９（図１８参照）を有さず、かつ、第４直線部３８のみからなっていてもよい。その場合には、ダミー配線２１を、第１配線１０および第２配線２０に平行し、前後方向に長く延びる。ダミー配線２１は、前後方向に沿う直線形状を有する。ダミー配線２１は、厚み方向に投影したときに、第１配線１０（第３直線部３６）の幅方向一方側の稜線部１３に対応する斜面１５と重複している。
【０２３３】
第４実施形態の配線回路基板１は、ネガ型のフォトレジスト２５を用いて製造しているが、変形例では、図示しないが、ポジ型のフォトレジスト２５を用いて製造することもできる。
【０２３４】
＜第５実施形態＞
第５実施形態において、第１〜第４実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０２３５】
第５実施形態では、図２０および図２１が参照されるように、第２導体パターン６は、ダミー部３５を有する。
【０２３６】
なお、第５実施形態において、第１配線１０および第２配線２０のそれぞれは、第４実施形態の第１配線１０および第２配線２０のそれぞれと同一である。
【０２３７】
１．ダミー部
図２０および図２１に示すように、第５実施形態では、第２配線２０と連続するダミー部３５を備える。
【０２３８】
ダミー部３５は、厚み方向に投影したときに、第２配線２０の幅方向他端部から第３直線部３６の幅方向一端部に至るように、突出する。つまり、ダミー部３５は、第２配線２０から幅方向他方側に突出する突出部である。ダミー部３５は、平面視において、略矩形状、あるいは、略台形状を有する。ダミー部３５は、第２配線２０と幅方向に連続している。
【０２３９】
ダミー部３５の突出方向（幅方向）の最大長さは、適宜設定され、例えば、３μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【０２４０】
２．配線回路基板の製造方法
第５実施形態の配線回路基板１は、第３実施形態（図１３Ａ〜図１３Ｃ参照）と同一の製造方法によって、得られる。
【０２４１】
３．第５実施形態の作用効果
第５実施形態によれば、第４実施形態と同一の作用効果を奏することができる。
【０２４２】
さらに、図２０に示すように、ダミー部３５が第２配線２０と連続しているので、第２配線２０と別途ダミー配線２１を設ける第４実施形態（図１５参照）に比べて、構成を簡易にすることができる。
【０２４３】
４．第５実施形態の変形例
図２０および図２１に示すように、第５実施形態では、第１導体パターン４に第３直線部３６を設け、厚み方向に投影したときに、第３直線部３６と重複するダミー部３５を設けている。
【０２４４】
しかし、図２２に示すように、第２導体パターン６に第４直線部３８を設け、平面視において、ダミー部３５を、第４直線部３８の幅方向他方側に連続させることができる。
【０２４５】
ダミー部３５は、第４直線部３８の幅方向他端部から幅方向他方側に突出する突出部である。
【０２４６】
また、図２３に示すように、第１配線１０が、第１直線部１２および第２連結部３７（図２０参照）を有さず、かつ、第３直線部３６のみからなり、また、第２配線２０が、第２直線部２２および第１連結部３９（図２２参照）を有さず、かつ、第４直線部３８のみからなっていてもよい。その場合には、ダミー部３５を、第１配線１０および第２配線２０に平行し、前後方向に長く延び、かつ、幅広の形状に形成することもできる。
【０２４７】
ダミー部３５は、厚み方向に投影したときに、第１配線１０（第３直線部３６）の幅方向一方側の稜線部１３に対応する斜面１５を重複している。ダミー部３５は、平面視において、第１配線１０の幅方向一端部の前後方向全体に重複するパターンである。ダミー部３５を有する第２導体パターン６は、第１導体パターン４に比べて、幅広の配線パターンである。
【０２４８】
第５実施形態の配線回路基板１は、ネガ型のフォトレジスト２５およびポジ型のフォトレジスト２５のいずれも使用することもできる。
【０２４９】
＜第１〜第５実施形態の変形例＞
第１〜第５実施形態の中間絶縁層５の斜面１５は、第１導体パターン４の稜線部１３に対応している。
【０２５０】
しかし、例えば、図２４に示すように、斜面１５が、第１導体パターン４に対応せず、単に、絶縁層の一例としてのベース絶縁層３が複数の厚みＴ１およびＴ２を有することによって、ベース絶縁層３が斜面１５を有することもできる。なお、厚みＴ１は、第１平坦面１４におけるベース絶縁層３の厚みである。厚みＴ２は、第２平坦面１６におけるベース絶縁層３の厚みである。
【０２５１】
なお、この配線回路基板１は、ベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に設けられ、第２配線２０およびダミー配線２１を有する第１導体パターン４と、ベース絶縁層３の上に、第１導体パターン４を被覆するように設けられるカバー絶縁層７とを備える。
【０２５２】
一方、配線回路基板１は、中間絶縁層５、および、第２導体パターン６を備えない。
【０２５３】
この変形例によっても、第１〜５実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【０２５４】
また、本発明の配線回路基板として配線回路基板１を挙げて説明しているが、これに限定されず、金属支持基板２を備える回路付サスペンション基板とすることもできる。その場合には、回路付サスペンション基板は、金属支持基板２と、ベース絶縁層３、第１導体パターン４、中間絶縁層５、第２導体パターン６およびカバー絶縁層７を備える。
【０２５５】
また、中間絶縁層５は、第２平坦面１６を有しているが、少なくとも斜面１５を有していればよく、第２平坦面１６を有していなくてもよい。
【０２５６】
上記した第１〜第５実施形態を適宜組み合わせることができる。例えば、第２導体パターン６は、ダミー配線２１（図１参照）およびダミー部３５（図１５参照）の両方を備えることができる。
【０２５７】
また、中間絶縁層５は、湾曲部１７（図１参照）、および、第３直線部３６に対応する斜面１５の両方を備えることができる。
【実施例】
【０２５８】
以下に、実験例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実験例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
【０２５９】
実施例１（第１実施形態に対応する実施例）
図３Ａに示すように、まず、厚み１０μｍのポリイミドからなるベース絶縁層３を用意した（工程（ｉ））。
【０２６０】
図３Ｂに示すように、次いで、銅からなる第１導体パターン４をベース絶縁層３の上に設けた（工程（ｉｉ））。図１に示すように、第１導体パターン４は、第１円弧部１１と、２つの第１直線部１２とを一体的に備える。第１導体パターン４の厚みは、９μｍであり、幅Ｗ１は、２０μｍであった。第１円弧部１１に沿う仮想円の半径Ｒ１は、５０μｍであった。第１円弧部１１の中心角αは、９０度であった。
【０２６１】
図３Ｃに示すように、次いで、ポリイミドからなる中間絶縁層５を、第１導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に設けた（工程（１））。中間絶縁層５は、第１平坦面１４、斜面１５および第２平坦面１６を有している。斜面１５は、湾曲部１７を有している。湾曲部１７と第１平坦面１４とのなす角度β’の補角βは、３０度であった。湾曲部１７に沿う仮想円の半径Ｒ２は、４０μｍであった。
【０２６２】
図４Ｄに示すように、次いで、厚み３０ｎｍのクロム薄膜と、厚み７０μｍの銅薄膜とからなる金属薄膜３３を、スパッタリング法で、中間絶縁層５の上に設けた（工程（２））。
【０２６３】
図４Ｅで示すように、次いで、厚み２０μｍのフォトレジスト２５を金属薄膜３３の上に設けた（工程（３））。
【０２６４】
図４Ｆで示すように、次いで、フォトマスク２４を、フォトレジスト２５における第１部分２３および第３部分２９が遮光されるように配置した（工程（４））。具体的には、フォトマスク２４を、第１遮光部分３１が第１部分２３と対向し、第２遮光部分３２が第３部分２９と対向するように、配置した。
【０２６５】
図４Ｆの矢印で示すように、続いて、フォトレジスト２５を、フォトマスク２４を介して露光した（工程（４））。
【０２６６】
図５Ｇに示すように、次いで、現像により、フォトマスク１０の第１部分２３および第３部分２９を除去して、第１部分２３および第３部分２９に対応する金属薄膜３３を露出させた（工程（５））。
【０２６７】
図５Ｈに示すように、次いで、金属薄膜３３から給電する電解銅めっきにより、第２導体パターン６を、フォトレジスト２５から露出する金属薄膜３３の上に設けた（工程（６））。図１に示すように、第２導体パターン６は、第２配線２０、および、第２配線２０と独立し、平面視円弧形状のダミー配線２１を備える。第２導体パターン７の厚みは、９μｍであった。第２直線部２２の幅Ｗ２は、１０μｍであった。ダミー配線２１の幅Ｗ３は、２０μｍであった。ダミー配線２１に沿う仮想円の半径Ｒ３は、３５μｍであった。ダミー配線２１の円弧の中心角は、９０度であった。
【０２６８】
図５Ｉに示すように、次いで、エッチングにより、フォトレジスト２５を除去した工程（ｉｉｉ）。
【０２６９】
図６Ｊに示すように、次いで、剥離により、フォトレジスト２５に対応する金属薄膜３３を除去した（工程（ｉｖ））。
【０２７０】
図６Ｋに示すように、次いで、厚み５μｍのポリイミドからなるカバー絶縁層９を、第２導体パターン７を被覆するように、中間絶縁層５の上に設けた（工程（ｖ））。
【０２７１】
これにより、回路付サスペンション基板１を得た。
【０２７２】
得られた回路付サスペンション基板１を観察したところ、第２配線２０には、断線などの形状不良が観察されなかった。
【０２７３】
比較例１（実施例１に対応する比較例）
第２導体パターン６にダミー配線２１を設けなかった以外は、実施例１と同様に処理して、回路付サスペンション基板１を得た（図７、図８Ａ〜図８Ｃ）。つまり、工程（４）では、図８Ａに示すように、フォトマスク２４において、遮光部分２７は、第３部分２９に対応する第２遮光部分３２（図４Ｆ参照）を有さず、第１部分２３に対応する第１遮光部分３１のみを有する。
【０２７４】
しかし、図８Ａに示すように、工程（４）において、第１部分２３に対応する金属薄膜３３において反射光Ｂ’の生成に起因する第１部分２３の遮光不良が発生し、図８Ｂに示すように、工程（５）において、第１部分２３を除去できず、図８Ｃの実線で示すように、中心点Ｃ（図７参照）およびその近傍において、第２配線２０の形状不良を生じた。
【０２７５】
実施例２（第４実施形態に対応する実施例）
図３Ａに示すように、まず、厚み１０μｍのポリイミドからなるベース絶縁層３を用意した（工程（ｉ））。
【０２７６】
図３Ｂに示すように、次いで、銅からなる第１導体パターン４をベース絶縁層３の上に設けた（工程（ｉｉ））。図１５に示すように、第１導体パターン４は、２つの第１直線部１２と、第３直線部３６と、それらを連結する第２連結部３７とを一体的に備えており、それらの厚みは、９μｍであり、幅Ｗ１は、２０μｍであった。
【０２７７】
図３Ｃに示すように、次いで、ポリイミドからなる中間絶縁層５を、第１導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に設けた（工程（１））。中間絶縁層５は、第１平坦面１４、斜面１５および第２平坦面１６を有している。斜面１５と第１平坦面１４とのなす角度βは、３０度であった。
【０２７８】
図４Ｄに示すように、次いで、厚み３０ｎｍのクロム薄膜と、厚み７０μｍの銅薄膜とからなる金属薄膜３３を、スパッタリング法で、中間絶縁層５の上に設けた（工程（２））。
【０２７９】
図１６Ａおよび図１７Ａに示すように、次いで、厚み２０μｍのフォトレジスト２５を金属薄膜３３の上に設けた（工程（３））。
【０２８０】
次いで、フォトマスク２４を、フォトレジスト２５における第１部分２３および第３部分２９が遮光されるように配置した（工程（４））。具体的には、フォトマスク２４を、第１遮光部分３１が第１部分２３と対向し、第２遮光部分３２が第３部分２９と対向するように、配置した。
【０２８１】
図１６Ａおよび図１７Ａの矢印で示すように、続いて、フォトレジスト２５を、フォトマスク２４を介して露光した（工程（４））。
【０２８２】
図１６Ｂおよび図１７Ｂに示すように、次いで、現像により、フォトマスク１０の第１部分２３および第３部分２９を除去して、第１部分２３および第３部分２９に対応する金属薄膜３３を露出させた（工程（５））。
【０２８３】
次いで、金属薄膜３３から給電する電解銅めっきにより、第２導体パターン６を、フォトレジスト２５から露出する金属薄膜３３の上に設けた（工程（６））。第２導体パターン６は、第２配線２０、および、第２配線２０と独立するダミー配線２１を備える。第２導体パターン７の厚みは、９μｍであった。第２直線部２２の幅Ｗ２は、７．５μｍであった。ダミー配線２１の幅Ｗ３は、２０μｍであった。平面視における、第３直線部３６と第２直線部２２との幅方向における距離（間隔）Ｌ１は、２０μｍであった。また、斜面１５と第２直線部２２との距離Ｌ２は、１７．５μｍであった。距離Ｌ２から距離Ｌ１を差し引いた長さ（＝Ｌ２−Ｌ１）は、２．５μｍであった。
【０２８４】
次いで、図５Ｉに示すように、エッチングにより、フォトレジスト２５を除去した工程（ｉｉｉ）。
【０２８５】
次いで、図６Ｊに示すように、剥離により、フォトレジスト２５に対応する金属薄膜３３を除去した（工程（ｉｖ））。
【０２８６】
図１６Ｃおよび図１７Ｃに示すように、次いで、厚み５μｍのポリイミドからなるカバー絶縁層９を、第２導体パターン７を被覆するように、中間絶縁層５の上に設けた（工程（ｖ））。
【０２８７】
これにより、配線回路基板１を得た。
【０２８８】
得られた配線回路基板１を観察したところ、第２配線２０には、断線などの形状不良が観察されなかった。
【０２８９】
比較例２（実施例２に対応する比較例）
第２導体パターン６にダミー配線２１を設けなかった以外は、実施例２と同様に処理して、配線回路基板１を得た。
【０２９０】
第２導体パターン６には、断線などの形状不良が観察された。
【０２９１】
実施例３〜９
上記したＷ２およびＬ２（ならびにＬ１）を、表１〜表４の記載に従って、変更した以外は、実施例２と同様に処理して、配線回路基板１を得た。
実施例３〜９では、第２配線２０には、断線などの形状不良が観察されなかった。
【０２９２】
比較例２〜１６
上記したＷ２およびＬ２（ならびにＬ１）を、表１〜表４の記載に従って、変更し、さらに、第２導体パターン６にダミー配線２１を設けなかった以外は、実施例２と同様に処理して、配線回路基板１を得た。
【０２９３】
第２配線２０において、断線などの形状の評価を、表１〜表４に記載する。
【０２９４】
【表１】
0006795323.tif 000002
【０２９５】
【表２】
0006795323.tif 000003
【０２９６】
【表３】
0006795323.tif 000004
【０２９７】
【表４】
0006795323.tif 000005
【符号の説明】
【０２９８】
１     配線回路基板
３     ベース絶縁層
５     中間絶縁層
６     第２導体パターン
１５   斜面
１７   湾曲部
２０   第２配線
２１   ダミー配線
２３   第１部分
２４   フォトマスク
２５   フォトレジスト
２８   第２部分
２９   第３部分
３３   金属薄膜
３４   導体層
３５   ダミー部
【図１】
0006795323.tif 000006
【図２】
0006795323.tif 000007
【図３】
0006795323.tif 000008
【図４】
0006795323.tif 000009
【図５】
0006795323.tif 000010
【図６】
0006795323.tif 000011
【図７】
0006795323.tif 000012
【図８】
0006795323.tif 000013
【図９】
0006795323.tif 000014
【図１０】
0006795323.tif 000015
【図１１】
0006795323.tif 000016
【図１２】
0006795323.tif 000017
【図１３】
0006795323.tif 000018
【図１４】
0006795323.tif 000019
【図１５】
0006795323.tif 000020
【図１６】
0006795323.tif 000021
【図１７】
0006795323.tif 000022
【図１８】
0006795323.tif 000023
【図１９】
0006795323.tif 000024
【図２０】
0006795323.tif 000025
【図２１】
0006795323.tif 000026
【図２２】
0006795323.tif 000027
【図２３】
0006795323.tif 000028
【図２４】
0006795323.tif 000029
【図２５】
0006795323.tif 000030