(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソルダーレジストを形成するための熱硬化性樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂と、シリカ粒子と、を含み、
前記熱硬化性樹脂組成物を用いて得られた樹脂膜に対して、測定周波数６２．８３ｒａｄ／ｓｅｃ、昇温速度３℃／分の条件で動的粘弾性試験を行ったときに、５０〜１５０℃における前記樹脂膜の最低複素粘度が、０．１Ｐａ・ｓｅｃ以上５０００Ｐａ・ｓｅｃ以下であり、
前記シリカ粒子は、平均粒径Ｄ５０が２ｎｍ以上１００ｎｍ以下である第１のシリカ粒子と、平均粒径Ｄ５０が１００ｎｍを上回る第２のシリカ粒子とを含み、
前記第１のシリカ粒子の平均粒径Ｄ５０をＤ１（μｍ）とし、前記第２のシリカ粒子の平均粒径Ｄ５０をＤ２（μｍ）としたとき、Ｄ２−Ｄ１の値は、０．３５μｍ以上４μｍ以下である熱硬化性樹脂組成物。
【請求項２】
該熱硬化性樹脂組成物を２００℃、１時間で熱処理して硬化物を得たときに、得られた前記硬化物の２５℃における貯蔵弾性率が、７ＧＰａ以上である請求項１に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項３】
該熱硬化性樹脂組成物を２００℃、１時間で熱処理して硬化物を得たときに、得られた前記硬化物のガラス転移温度が、１６０℃以上である請求項１または２に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項４】
該熱硬化性樹脂組成物を２００℃、１時間で熱処理して硬化物を得たときに、得られた前記硬化物のガラス転移温度未満における線膨張係数が、３０ｐｐｍ／℃以下である請求項１ないし３のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項５】
シアネート樹脂をさらに含む請求項１ないし４のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項６】
前記エポキシ樹脂は、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含む請求項１ないし５のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項７】
前記第２のシリカ粒子の平均粒径Ｄ５０は、４００ｎｍ以上５μｍ以下である請求項１ないし６のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項８】
前記第１のシリカ粒子の含有量は、前記熱硬化性樹脂組成物の全固形分に対して１重量％以上１５重量％以下であり、
前記第２のシリカ粒子の含有量は、前記熱硬化性樹脂組成物の全固形分に対して２５重量％以上７５重量％以下である請求項１ないし７のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項９】
緑色染料をさらに含む請求項１ないし８のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項１０】
キャリア基材と、
前記キャリア基材上に設けられ、かつ請求項１ないし９のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物を用いて形成される樹脂膜と、
を備えるキャリア付樹脂膜。
【請求項１１】
請求項１ないし９のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物の硬化物により構成されるソルダーレジストを備える半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱硬化性樹脂組成物、キャリア付樹脂膜、および半導体装置に関し、例えばソルダーレジストを形成する熱硬化性樹脂組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を構成するソルダーレジストとして、熱硬化性樹脂組成物を用いて形成される硬化膜を使用することが検討されている。このような熱硬化性樹脂組成物に関する技術としては、たとえば特許文献１〜３に記載の技術が挙げられる。
【０００３】
特許文献１には、回路基板と、該回路基板上に形成されたソルダーレジスト層とを有する構造体を準備し、次に、該ソルダーレジスト層表面にプラスチックフィルムを接着させた後、該プラスチックフィルムの上側から、レーザー光を照射してビアホールを形成する工程を含む回路基板の製造方法が記載されている。特許文献２には、開口を有するソルダーレジストを表面に備えるプリント配線板の製造方法が記載されている。特許文献３には、ナフトール樹脂および青色着色剤を含有することを特徴とするソルダーレジスト用樹脂組成物が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−６２４７８号公報
【特許文献２】特開２０１３−８４８１６号公報
【特許文献３】特開２０１２−１３６６９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
熱硬化性樹脂組成物を用いて形成されるソルダーレジストを備える半導体装置について、その信頼性を向上させることが求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、
ソルダーレジストを形成するための熱硬化性樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂と、シリカ粒子と、を含み、
前記熱硬化性樹脂組成物を用いて得られた樹脂膜に対して、測定周波数６２．８３ｒａｄ／ｓｅｃ、昇温速度３℃／分の条件で動的粘弾性試験を行ったときに、５０〜１５０℃における前記樹脂膜の最低複素粘度が、０．１Ｐａ・ｓｅｃ以上５０００Ｐａ・ｓｅｃ以下である熱硬化性樹脂組成物が提供される。
【０００７】
本発明によれば、
キャリア基材と、
前記キャリア基材上に設けられ、かつ上述の熱硬化性樹脂組成物を用いて形成される樹脂膜と、
を備えるキャリア付樹脂膜が提供される。
【０００８】
本発明によれば、
上述の熱硬化性樹脂組成物の硬化物により構成されるソルダーレジストを備える半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施形態に係るキャリア付樹脂膜の一例を示す断面図である。
【図２】本実施形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１２】
本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、ソルダーレジストを形成する熱硬化性樹脂組成物であって、エポキシ樹脂と、シリカと、を含む。また、熱硬化性樹脂組成物は、これを用いて得られた樹脂膜（以下、単に「樹脂膜」という）に対して、測定周波数６２．８３ｒａｄ／ｓｅｃ、昇温速度３℃／分の条件で動的粘弾性試験を行ったときに、５０〜１５０℃における樹脂膜の最低複素粘度が、０．１Ｐａ・ｓｅｃ以上５０００Ｐａ・ｓｅｃ以下である。
【００１３】
ソルダーレジストを備える半導体装置の信頼性を向上させるためには、たとえばソルダーレジストの導体回路パターン間への埋め込み性（以下、単に「ソルダーレジストの埋め込み性」ともいう）を向上させることが求められる。しかしながら、熱硬化性樹脂組成物を用いてソルダーレジストを形成する場合において、ソルダーレジストの埋め込み性を向上させつつ、吸湿信頼性に優れた半導体装置を実現することは困難となることがあった。
【００１４】
本発明者は、鋭意検討の結果、熱硬化性樹脂組成物の５０〜１５０℃における最低複素粘度を制御することにより、熱硬化性樹脂組成物を用いて得られたソルダーレジストの埋め込み性を向上させつつ、吸湿信頼性に優れた半導体装置を実現することができることを見出した。本実施形態は、このような知見に基づいて、５０〜１５０℃における樹脂膜の最低複素粘度を０．１Ｐａ・ｓｅｃ以上５０００Ｐａ・ｓｅｃ以下に設定する。ソルダーレジストの構成材料として、上記条件を満足する熱硬化性樹脂組成物を用いることにより、半導体装置の信頼性を向上させることが可能となる。
【００１５】
以下、本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物、キャリア付樹脂膜１００、および半導体装置１０２について詳細に説明する。
【００１６】
まず、熱硬化性樹脂組成物について説明する。
熱硬化性樹脂組成物は、ソルダーレジストを形成するために用いられる。本実施形態においては、たとえば、熱硬化性樹脂組成物を用いて形成された熱硬化性樹脂膜を回路基板上に積層し、これを熱硬化させることによりソルダーレジストが形成される。
【００１７】
熱硬化性樹脂組成物は、たとえば、溶剤を含むワニス状とすることができる。
一方で、熱硬化性樹脂組成物は、フィルム状であってもよい。この場合、たとえばワニス状の熱硬化性樹脂組成物を塗布して得られる樹脂膜に対し溶剤除去処理を行うことにより、フィルム状の熱硬化性樹脂組成物を得ることができる。フィルム状の熱硬化性樹脂組成物は、溶剤含有率が熱硬化性樹脂組成物全体に対して５重量％以下である。また、フィルム状の熱硬化性樹脂組成物は、１７０℃、２分の熱処理前後における重量変化率が５重量％以下である。なお、フィルム状の熱硬化性樹脂組成物は、キャリア基材上に積層されてキャリア付樹脂膜を構成することができる。
【００１８】
熱硬化性樹脂組成物を用いて形成されるソルダーレジストには、たとえばレーザー照射、プラズマエッチング、ケミカルエッチング、またはリソグラフィ処理によって、導体回路パターンを露出させる開口部が形成される。本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、優れたレーザー加工性を有しており、レーザー照射によって開口部が形成されるソルダーレジストを形成する用途にとくに適したものである。
熱硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）と、シリカ（Ｂ）と、を含む。
【００１９】
（エポキシ樹脂（Ａ））
エポキシ樹脂（Ａ）は、たとえばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂（４，４'−（１，３−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂（４，４'−（１，４−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂（４，４'−シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂）などのビスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアラルキル型エポキシ樹脂；ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、２官能ないし４官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂などのナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂；アントラセン型エポキシ樹脂；フェノキシ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；ノルボルネン型エポキシ樹脂；アダマンタン型エポキシ樹脂；フルオレン型エポキシ樹脂から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、ソルダーレジストの埋め込み性や、表面平滑性を向上させる観点からは、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含むことがより好ましい。これにより、ソルダーレジストの線膨張率を低化させることができるとともに、その弾性率を向上させることもできる。また、回路基板の剛性を向上させて作業性の向上に寄与することや、半導体パッケージにおける耐リフロー性の向上および反りの抑制を実現することも可能である。なお、ソルダーレジストの埋め込み性を向上させる観点からは、３官能以上のナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含むことがとくに好ましい。
【００２０】
本実施形態においては、エポキシ樹脂（Ａ）として、以下の式（１）に示すエポキシ樹脂を含むことが、好ましい態様の一例として挙げられる。
【００２１】
【化１】
0006641817.tif 000002
（式（１）中、ｎは０〜１０の整数であり、Ｒ１およびＲ２は互いに独立して水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、または炭素数１〜６のアルコキシ基である）
【００２２】
エポキシ樹脂（Ａ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物の全固形分に対して３重量％以上であることが好ましく、５重量％以上であることがより好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂組成物を用いて形成されるソルダーレジストの埋め込み性や平滑性の向上に寄与することができる。一方で、エポキシ樹脂（Ａ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物の全固形分に対して４０重量％以下であることが好ましく、３５重量％以下であることがより好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、熱硬化性樹脂組成物を用いて形成されるソルダーレジストの耐熱性や耐湿性の向上を図ることができる。なお、熱硬化性樹脂組成物の全固形分とは、熱硬化性樹脂組成物中に含まれる溶剤を除く成分全体を指す。以下、本明細書において同様である。
【００２３】
（シリカ（Ｂ））
シリカ（Ｂ）は、たとえば球状シリカ粒子、および破砕シリカ粒子のうちの少なくとも一方を含む。ソルダーレジストの埋め込み性や表面平滑性を向上させる観点からは、球状シリカを含むことがより好ましい。また、シリカ（Ｂ）は、たとえば溶融シリカである。
【００２４】
シリカ（Ｂ）として、平均粒径Ｄ５０が２ｎｍ以上１００ｎｍ以下である第１のシリカ粒子（微粒子シリカ）を熱硬化性樹脂組成物中に含むことがより好ましい。これにより、ソルダーレジストの埋め込み性や表面平滑性をより効果的に向上させることができる。また、第１のシリカ粒子の平均粒径Ｄ５０は、１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であるのが好ましく、２０ｎｍ以上７０ｎｍ以下であるのがより好ましい。これにより、上述した効果はより顕著となる。
【００２５】
さらに、本実施形態では、平均粒径Ｄ５０が２ｎｍ以上１００ｎｍ以下である第１のシリカ粒子と、平均粒径Ｄ５０が１００ｎｍを上回るシリカ粒子（第２のシリカ粒子）とを、ともに熱硬化性樹脂組成物中に含むことが好ましい。熱硬化性樹脂組成物がこのような平均粒径Ｄ５０を有する第１のシリカ粒子および第２のシリカ粒子を含むことにより、５０〜１５０℃における樹脂膜の最低複素粘度をより確実に０．１Ｐａ・ｓｅｃ以上５０００Ｐａ・ｓｅｃ以下に設定することができる。また、第２のシリカ粒子間に、第１のシリカ粒子が配置することにより、形成されたソルダーレジストの表面平滑性が向上する。このように、第１のシリカ粒子と第２のシリカ粒子とを併用することにより、ソルダーレジストの埋め込み性や表面平滑性をより向上させることができる。また、第２のシリカ粒子の平均粒径Ｄ５０は、４００ｎｍ以上５μｍ以下であるのが好ましく、６００ｎｍ以上３μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、上述した効果はより顕著となる。
また、第１のシリカ粒子の平均粒径Ｄ５０をＤ１（μｍ）とし、第２のシリカ粒子の平均粒径Ｄ５０をＤ２（μｍ）としたとき、Ｄ２−Ｄ１の値は、０．３５μｍ以上４μｍ以下であるのが好ましく、０．５μｍ以上２μｍ以下であるのがさらに好ましい。第１のシリカ粒子と第２のシリカ粒子とが上記関係を満足することにより、５０〜１５０℃における樹脂膜の最低複素粘度をより確実に０．１Ｐａ・ｓｅｃ以上５０００Ｐａ・ｓｅｃ以下に設定することができるとともに、形成されるソルダーレジストの表面平滑性をより向上することができる。
【００２６】
なお、シリカ（Ｂ）の平均粒径Ｄ５０は、たとえばレーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ社製、ＬＡ−５００）を用いて測定することが可能である。
なお、第１のシリカ粒子の含有量は、熱硬化性樹脂組成物の全固形分に対して１重量％以上１５重量％以下であることが好ましく、３重量％以上８重量％以下であることがより好ましい。第１のシリカ粒子の含有量を上記範囲内とすることにより、熱硬化性樹脂組成物の流動性を制御することができる。これにより、５０〜１５０℃における樹脂膜の最低複素粘度をより確実に上記範囲内に設定することができる。
また、第２のシリカ粒子の含有量は、熱硬化性樹脂組成物の全固形分に対して２５重量％以上７５重量％以下であることが好ましく、２９重量％以上７０重量％以下であることがより好ましい。第２のシリカ粒子の含有量を上記範囲内とすることにより、熱硬化性樹脂組成物を用いて得られるソルダーレジストの耐熱性や耐湿性をより向上させることができる。また、第１のシリカ粒子の含有量が上記範囲内であれば、形成されるソルダーレジストの表面平滑性をより向上させることができるとともに、５０〜１５０℃における樹脂膜の最低複素粘度をより確実に制御することができる。
【００２７】
また、熱硬化性樹脂組成物の調製に際しては、シリカ（Ｂ）は、たとえばシリカ濃度が１０重量％以上９０重量％以下であるシリカ原料を使用して得られるものであることがより好ましい。回路基板の機械的強度を向上させる観点からは、たとえばシリカ濃度が５０重量％以上９０重量％以下であるシリカ原料を使用することがとくに好ましい。また、回路基板のたわみの抑制や、半導体装置の吸湿信頼性を向上させる観点からは、たとえばシリカ濃度が５０重量％以上９０重量％以下であるシリカ原料と、シリカ濃度が１０重量％以上５０重量％以下であるシリカ原料と、を併用することがとくに好ましい。特に、シリカ（Ｂ）が第１のシリカ粒子と第２のシリカ粒子とを含む場合には、シリカ濃度が１０重量％以上５０重量％以下のシリカ原料として、第１のシリカ粒子を用いるとともに、シリカ濃度が５０重量％以上９０重量％以下のシリカ原料として、第２のシリカ粒子を用いるのが好ましい。これにより、シリカ粒子（第１のシリカ粒子および第２のシリカ粒子）の熱硬化性樹脂組成物中への分散性を維持することができるため、回路埋め込み性、および平滑性を向上させることができる。その結果、回路基板のたわみをより抑制することができるとともに、半導体装置の吸湿信頼性をより向上させることができる。
【００２８】
シリカ（Ｂ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物の全固形分に対して３０重量％以上であることが好ましく、５０重量％以上であることがより好ましい。シリカ（Ｂ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂組成物を用いて得られるソルダーレジストの耐熱性や耐湿性を効果的に向上させることができる。また、ソルダーレジストの線膨張率を低化させることができるとともに、その弾性率を向上させることができる。これにより、得られる半導体パッケージの反り低減に寄与することも可能である。一方で、シリカ（Ｂ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物の全固形分に対して９０重量％以下であることが好ましく、８５重量％以下であることがより好ましい。シリカ（Ｂ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、ソルダーレジストの埋め込み性をより効果的に向上させることが可能となる。
【００２９】
（シアネート樹脂（Ｃ））
熱硬化性樹脂組成物は、たとえばシアネート樹脂（Ｃ）を含むことができる。これにより、ソルダーレジスの線膨張率を低化させることができるとともに、その弾性率および剛性の向上を図ることができる。また、得られる半導体装置の耐熱性や耐湿性の向上に寄与することも可能である。
シアネート樹脂（Ｃ）は、たとえばノボラック型シアネート樹脂；ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂などのビスフェノール型シアネート樹脂；ナフトールアラルキル型フェノール樹脂と、ハロゲン化シアンとの反応で得られるナフトールアラルキル型シアネート樹脂；ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂；ビフェニルアルキル型シアネート樹脂から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、ソルダーレジストの低線膨張率化や、弾性率および剛性を向上させる観点からは、ノボラック型シアネート樹脂およびナフトールアラルキル型シアネート樹脂のうちの少なくとも一方を含むことがより好ましく、ノボラック型シアネート樹脂を含むことがとくに好ましい。
【００３０】
シアネート樹脂（Ｃ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物の全固形分に対して３重量％以上であることが好ましく、５重量％以上であることがより好ましい。シアネート樹脂（Ｃ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂組成物を用いて形成されるソルダーレジストの線膨張率をより効果的に低下させることができるとともに、その弾性率を向上させることができる。また、埋め込み性や平滑性の向上に寄与することができる。
一方、シアネート樹脂（Ｃ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物の全固形分に対して４０重量％以下であることが好ましく、３５重量％以下であることがより好ましい。シアネート樹脂（Ｃ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、熱硬化性樹脂組成物を用いて形成されるソルダーレジストの耐熱性や耐湿性の向上を図ることができる。
【００３１】
（硬化促進剤（Ｄ））
熱硬化性樹脂組成物は、たとえば硬化促進剤（Ｄ）を含むことができる。これにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化性を向上させることができる。
硬化促進剤（Ｄ）としては、エポキシ樹脂（Ａ）の硬化反応を促進させる硬化促進剤を用いることができ、その種類はとくに限定されない。本実施形態においては、硬化促進剤（Ｄ）として、たとえば、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、オクチル酸亜鉛、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）、トリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）などの有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタンなどの３級アミン類、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシイミダゾールなどのイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノールなどのフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸などの有機酸、およびオニウム塩化合物から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、硬化性をより効果的に向上させる観点からは、オニウム塩化合物を含むことがより好ましい。
【００３２】
硬化促進剤（Ｄ）として用いられるオニウム塩化合物は、とくに限定されないが、たとえば下記一般式（２）で表され化合物を用いることができる。
【００３３】
【化２】
0006641817.tif 000003
（式（２）中、Ｐはリン原子、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香環または複素環を有する有機基、あるいは置換もしくは無置換の脂肪族基を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａ−は分子外に放出しうるプロトンを少なくとも１個以上分子内に有するｎ（ｎ≧１）価のプロトン供与体のアニオン、またはその錯アニオンを示す）
【００３４】
硬化促進剤（Ｄ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物の全固形分に対して０．１重量％以上であることが好ましく、０．３重量％以上であることがより好ましい。硬化促進剤（Ｄ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化性をより効果的に向上させることができる。
一方、硬化促進剤（Ｄ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物の全固形分に対して１０重量％以下であることが好ましく、５重量％以下であることがより好ましい。硬化促進剤（Ｄ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、熱硬化性樹脂組成物の保存性を向上させることができる。
【００３５】
（着色剤（Ｅ））
熱硬化性樹脂組成物は、たとえば着色剤（Ｅ）を含むことができる。着色剤（Ｅ）は、たとえば緑、赤、青、黄、および黒等の染料、顔料、および色素から選択される一種または二種以上を含む。これらの中でも、開口部の視認性等を向上させる観点から、緑色の着色剤を含むことがより好ましく、緑色染料を含むことがとくに好ましい。緑色の着色剤としては、たとえばアントラキノン系、フタロシアニン系、およびペリレン系等の公知の着色剤を一種または二種以上含むことができる。
【００３６】
着色剤（Ｅ）の含有量は、たとえば、熱硬化性樹脂組成物の全固形分に対して０．０５重量％以上であることが好ましく、０．１重量％以上であることがより好ましい。着色剤（Ｅ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂組成物を用いて得られるソルダーレジストの開口部の視認性や隠蔽性をより効果的に向上させることができる。
一方、着色剤（Ｅ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物の全固形分に対して５重量％以下であることが好ましく、３重量％以下であることがより好ましい。着色剤（Ｅ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化性等をより効果的に向上させることが可能となる。
【００３７】
（その他の成分（Ｆ））
熱硬化性樹脂組成物には、上記各成分以外に、必要に応じてカップリング剤、レベリング剤、硬化剤、感光剤、消泡剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、およびイオン捕捉剤等から選択される一種または二種以上の添加物を添加してもよい。
カップリング剤としては、たとえばエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤などのシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤などが挙げられる。
レベリング剤としては、アクリル系共重合物等が挙げられる。硬化剤としては、たとえばフェノール樹脂等が挙げられる。感光剤としては、たとえば感光性ジアゾキノン化合物が挙げられる。
【００３８】
（溶剤）
熱硬化性樹脂組成物は、たとえば、溶剤を含むことができる。溶剤としては、たとえばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール、およびＮ−メチルピロリドン等の有機溶剤から選択される一種または二種以上を含むことができる。
【００３９】
熱硬化性樹脂組成物がワニス状である場合において、熱硬化性樹脂組成物の固形分含有量は、たとえば３０重量％以上８０重量％以下であることが好ましく、４０重量％以上７０重量％以下であることがより好ましい。これにより、作業性や成膜性に非常に優れた熱硬化性樹脂組成物が得られる。なお、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物は、たとえば、上述の各成分を、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いて溶剤中に溶解、混合、撹拌することにより調製することができる。
【００４０】
なお、本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、たとえば、ガラス繊維基材等の繊維基材や紙基材を含まない組成物とすることができる。これにより、ソルダーレジストを形成するためにとくに適した熱硬化性樹脂組成物を実現することができる。
【００４１】
前述したように、熱硬化性樹脂組成物は、これを用いて得られた樹脂膜に対して、測定周波数６２．８３ｒａｄ／ｓｅｃ、昇温速度３℃／分の条件で動的粘弾性試験を行ったときに、５０〜１５０℃における樹脂膜の最低複素粘度が、０．１Ｐａ・ｓｅｃ以上５０００Ｐａ・ｓｅｃ以下である。これにより、上述のようにソルダーレジストの埋め込み性を向上させつつ、吸湿信頼性に優れた半導体装置を実現することが可能となる。また、これにより、ソルダーレジストの表面平滑性を向上させることもできる。動的粘弾性試験は、たとえば動的粘弾性測定装置を用いて、下記の条件で行うことができる。また、動的粘弾性測定装置としては、とくに限定されないが、たとえばＡｎｔｏｎ  Ｐａａｒ社製の、Ｐｈｙｓｉｃａ  ＭＣＲ−３０１を用いることができる。
周波数：６２．８３ｒａｄ／ｓｅｃ
測定温度：５０〜２００℃
昇温速度：３℃／ｍｉｎ
ジオメトリー：パラレルプレート
プレート直径：１０ｍｍ
プレート間隔：０．１ｍｍ
荷重（ノーマルフォース）：０Ｎ（一定）
ストレイン：０．３％
測定雰囲気：空気
【００４２】
熱硬化性樹脂組成物がフィルム状である場合には、上記動的粘弾性試験における熱硬化性樹脂組成物を用いて得られた樹脂膜として、このフィルム状熱硬化性樹脂組成物をそのまま用いることができる。一方で、熱硬化性樹脂組成物がワニス状である場合には、このワニス状熱硬化性樹脂組成物を成膜して得られた熱硬化性樹脂膜に対し、溶剤除去処理を行った樹脂膜を、上記動的粘弾性試験用の樹脂膜として使用することができる。この溶剤除去処理は、熱硬化性樹脂膜の溶剤含有率が熱硬化性樹脂膜全体に対して５重量％以下となる条件で行われる。また、処理後の熱硬化性樹脂膜は、１７０℃、２分の熱処理前後における重量変化率が５重量％以下となる。本実施形態においては、たとえば１００℃〜１５０℃、１分〜５分の条件で溶剤除去処理を行うことができる。これにより、熱硬化性樹脂膜の硬化が進行することを抑制しつつ、十分に溶剤を除去することが可能となる。
【００４３】
ソルダーレジストの埋め込み性や表面平滑性、ソルダーレジストを用いて形成された半導体装置の吸湿信頼性をより効果的に向上させる観点からは、熱硬化性樹脂組成物を用いて得られた樹脂膜の上記最低複素粘度が、０．５Ｐａ・ｓｅｃ以上４５００Ｐａ・ｓｅｃ以下であることがより好ましく、１Ｐａ・ｓｅｃ以上４０００Ｐａ・ｓｅｃ以下であることがとくに好ましい。
【００４４】
本実施形態では、たとえば熱硬化性樹脂組成物中に含まれる各成分の種類や配合量、熱硬化性樹脂組成物の調製方法等を適切に選択することにより、上記最低複素粘度を制御することが可能である。これらの中でも、たとえばエポキシ樹脂（Ａ）およびシリカ（Ｂ）の種類および含有量を適切に調整することや、その他の成分を適切に配合すること、シリカ（Ｂ）に対して表面処理を行うこと等が、上記最低複素粘度を所望の数値範囲とするためにとくに重要な要素として挙げられる。
【００４５】
熱硬化性樹脂組成物を２００℃、１時間で熱処理して硬化物を得たときに、得られた硬化物の２５℃における貯蔵弾性率が、たとえば７ＧＰａ以上である。これにより、熱硬化性樹脂組成物を用いて得られるソルダーレジストを備える回路基板のたわみ抑制や強度向上、この回路基板を備える半導体パッケージの反り抑制等を図ることが可能となる。上記貯蔵弾性率は、１０ＧＰａ以上であることがより好ましい。一方で、上記貯蔵弾性率の上限値は、とくに限定されないが、たとえば５０ＧＰａとすることができる。
【００４６】
熱硬化性樹脂組成物を２００℃、１時間で熱処理して硬化物を得たときに、得られた硬化物のガラス転移温度が、たとえば１６０℃以上である。これにより、熱硬化性樹脂組成物を用いて得られたソルダーレジストの耐熱性および耐リフロー性の向上等を図ることが可能となる。上記ガラス転移温度は、２００℃以上であることがより好ましい。一方で、上記ガラス転移温度の上限値は、とくに限定されないが、たとえば３５０℃とすることができる。
【００４７】
本実施形態において、上記貯蔵弾性率および上記ガラス転移温度は、たとえば動的粘弾性測定装置を用いて周波数１Ｈｚ、昇温速度５℃／分の条件で動的粘弾性試験を行うことにより得られる測定結果から、算出することができる。動的粘弾性測定装置としては、とくに限定されないが、たとえばセイコーインスツルメンツ社製、ＤＭＳ６１００を用いることができる。
【００４８】
熱硬化性樹脂組成物を２００℃、１時間で熱処理して硬化物を得たときに、得られた硬化物のガラス転移温度未満における線膨張係数が、たとえば３０ｐｐｍ／℃以下である。これにより、熱硬化性樹脂組成物を用いて得られるソルダーレジストを備える半導体パッケージの反り抑制等を図ることが可能となる。上記線膨張係数は、２８ｐｐｍ／℃以下であることがとくに好ましい。一方で、上記線膨張係数の下限値は、とくに限定されないが、たとえば３ｐｐｍ／℃とすることができる。
本実施形態においては、たとえばＴＭＡ（熱分析装置）を用いて昇温速度１０℃／分の条件で測定することにより得られる線膨張係数の、２５〜５０℃における平均を算出して、これをガラス転移温度未満における上記線膨張係数とすることができる。
【００４９】
なお、本実施形態では、たとえば熱硬化性樹脂組成物中に含まれる各成分の種類や配合量、熱硬化性樹脂組成物の調製方法等を適切に選択することにより、上記貯蔵弾性率、上記ガラス転移温度、および上記線膨張係数を制御することが可能である。
【００５０】
次に、キャリア付樹脂膜１００について説明する。
図１は、本実施形態に係るキャリア付樹脂膜１００の一例を示す断面図である。キャリア付樹脂膜１００は、ソルダーレジストを形成するのに用いられる。図１に示すように、キャリア付樹脂膜１００は、たとえばキャリア基材１２と、キャリア基材１２上に設けられた樹脂膜（熱硬化性樹脂膜）１０と、を備える。樹脂膜１０は、本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物を用いて形成される。このため、上述したように、キャリア付樹脂膜１００を用いて形成されたソルダーレジストを備える半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００５１】
キャリア付樹脂膜１００は、たとえば、キャリア基材１２上にワニス状の熱硬化性樹脂組成物を塗布して塗布膜を形成した後、当該塗布膜に対して溶剤除去処理を行うことによって樹脂膜１０を形成することにより製造することができる。溶剤除去処理は、たとえば塗布膜の溶剤含有率が塗布膜全体に対して５重量％以下となる条件で行われる。また、処理後の塗布膜は、たとえば１７０℃、２分の熱処理前後における重量変化率が５重量％以下となる。キャリア基材１２は、とくに限定されないが、たとえばＰＥＴ（Ｐｏｌｙ  ｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）や銅箔により構成される。また、樹脂膜１０の膜厚は、とくに限定されないが、たとえば５μｍ以上３００μｍ以下とすることができる。これにより、ソルダーレジストの形成に適した樹脂膜１０を実現することができる。
【００５２】
本実施形態においては、たとえば次のようにしてキャリア付樹脂膜１００を用いてソルダーレジストを形成することができる。まず、回路基板の導体回路パターンが設けられた面上に、樹脂膜１０が回路基板と対向するようキャリア付樹脂膜１００を貼付する。キャリア付樹脂膜１００の貼付は、たとえばキャリア付樹脂膜１００を回路基板上に積層した後、これを真空加熱加圧成形することにより行うことができる。次いで、キャリア基材１２を、樹脂膜１０から剥離する。その後、回路基板上に残存した樹脂膜１０を熱硬化させる。これにより、回路基板上に、導体回路パターンを覆うように、樹脂膜１０を硬化して得られた硬化膜からなるソルダーレジストが形成されることとなる。
【００５３】
次に、半導体装置１０２について説明する。
図２は、本実施形態に係る半導体装置１０２の一例を示す断面図である。図２に示すように、半導体装置１０２は、ソルダーレジスト２６を備えている。ソルダーレジスト２６は、本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物の硬化物により構成される。このため、上述したように、優れた信頼性を有する半導体装置１０２を実現することができる。ソルダーレジスト２６の膜厚は、とくに限定されないが、たとえば５μｍ以上３００μｍ以下とすることができる。
【００５４】
半導体装置１０２は、たとえば回路基板２０と、回路基板２０上に搭載された半導体素子６０と、を備えている。回路基板２０は、インタポーザ等の有機基板である。また、半導体素子６０は、たとえばダイアタッチ材６２を介して回路基板２０上に搭載される。図２においては、コア基材２２の一面と、当該一面と反対側の他面と、に導体回路パターン２４が設けられてなる回路基板２０が例示されている。この場合、コア基材２２の上記一面および上記他面それぞれに、導体回路パターン２４を覆うように、ソルダーレジスト２６が形成されることとなる。
【００５５】
コア基材２２は、たとえば繊維基材に樹脂組成物を含浸してなる樹脂基材である。コア基材２２の厚さは、とくに限定されないが、たとえば１０μｍ以上１０００μｍ以下とすることができる。なお、本実施形態においては、コア基材２２の上記一面および上記他面の少なくとも一方に、一または二以上のビルドアップ層が積層されていてもよい。この場合、ソルダーレジスト２６は、最上層のビルドアップ層上に形成されることとなる。
【００５６】
ソルダーレジスト２６には、導体回路パターン２４を露出させる開口部２８が形成される。半導体素子６０と回路基板２０とを接続するボンディングワイヤ５０は、たとえば開口部２８に露出した導体回路パターン２４へボンディングされる。また、回路基板２０に外部接続端子である半田ボール３０が設けられる例においては、半田ボール３０は、たとえば開口部２８に露出した導体回路パターン２４上に形成される。開口部２８は、たとえばレーザー照射またはリソグラフィ処理によって形成される。
半導体素子６０とボンディングワイヤ５０は、たとえば封止樹脂４０によって封止される。封止樹脂４０は、たとえばエポキシ樹脂組成物を用いて形成することができる。
【００５７】
半導体装置１０２は、たとえば次のようにして形成される。まず、コア基材２２の上記一面上および上記他面上に導体回路パターン２４を形成する。次いで、コア基材２２の上記一面上および上記他面上それぞれに、ソルダーレジスト２６を形成する。ソルダーレジスト２６は、たとえば上述のキャリア付樹脂膜１００を用いて形成することができる。次いで、ソルダーレジスト２６に、レーザー照射によって開口部２８を形成する。なお、露光および現像によるリソグラフィ処理によって開口部２８を形成する場合には、ソルダーレジスト２６を熱硬化させる前に露光および現像を行って開口部２８を形成した後、ソルダーレジスト２６を熱硬化させることとなる。また、開口部２８を形成した後、回路基板２０の上記一面および上記他面に対してデスミア処理およびプラズマ処理を施すことができる。これにより得られた回路基板２０の一面に、ダイアタッチ材６２を介して半導体素子６０を搭載する。次いで、半導体素子６０と、回路基板２０の上記一面側に設けられ、かつ開口部２８から露出した導体回路パターン２４と、をボンディングワイヤ５０によって接続させる。次いで、半導体素子６０とボンディングワイヤ５０を封止樹脂４０により封止する。その後、回路基板２０の上記一面とは反対の他面側に設けられ、開口部２８から露出した導体回路パターン２４上に、半田ボール３０を形成する。本実施形態においては、たとえばこのようにして半導体装置１０２を製造することができる。
【００５８】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【実施例】
【００５９】
次に、本発明の実施例について説明する。なお、本発明はこれに限定されない。
【００６０】
（実施例１〜１０および比較例１、２）
［１］熱硬化性樹脂組成物の調製
表１に示す組成の各実施例および各比較例について、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物を調整した。熱硬化性樹脂組成物は、表１に従い配合された各成分の原料を溶剤であるメチルエチルケトンに溶解、分散させた後、高速撹拌装置を用いて１時間撹拌することにより得た。表１における各成分の原料の詳細は下記のとおりである。表１中における配合割合を示す数値のうち、かっこ外の数値は各成分の原料の配合割合（重量％）を、かっこ内の数値は各成分の固形分比率（重量％）を、それぞれ示している。
【００６１】
エポキシ樹脂（Ａ）
エポキシ樹脂１：ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂（ＨＰ−５０００、ＤＩＣ（株）製）
エポキシ樹脂２：ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂（ＨＰ−６０００、ＤＩＣ（株）製）
【００６２】
シリカ（Ｂ）
シリカ１：アドマナノ、（株）アドマテックス製（平均粒径Ｄ５０＝０．０５μｍ、シリカ濃度４０重量％）
シリカ２：ＳＣ１０５０−ＨＬＡ、（株）アドマテックス製（平均粒径Ｄ５０＝０．３５μｍ、シリカ濃度６０重量％）
シリカ３：ＳＣ２０５０−ＫＮＯ、（株）アドマテックス製（平均粒径Ｄ５０＝０．５μｍ、シリカ濃度７０重量％）
シリカ４：ＳＣ４０５０−ＫＮＲ、（株）アドマテックス製（平均粒径Ｄ５０＝１μｍ、シリカ濃度７０重量％）
シリカ５：ＳＣ５０５０−ＫＮＲ、（株）アドマテックス製（平均粒径Ｄ５０＝１．５μｍ、シリカ濃度７０重量％）
【００６３】
シアネート樹脂（Ｃ）
フェノールノボラック型シアネート樹脂（ＰＴ３０、ロンザジャパン（株）製）をメチルイソブチルケトンに溶解し、シアネート樹脂濃度を９０重量％にしたものを使用した。
【００６４】
硬化促進剤（Ｄ）
テトラフェニルホスホニウムとビス（ナフタレン−２，３−ジオキシ）フェニルシリケートの付加物をシクロヘキサノンに４０重量％に分散したものを使用した。
【００６５】
着色剤（Ｅ）
緑色染料（Ｋａｙａｓｅｔ  Ｇｒｅｅｎ  Ａ−Ｂ、日本化薬（株）製）
【００６６】
その他の成分（Ｆ）
カップリング剤：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（Ａ−１８７、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製）
レベリング剤：ＢＹＫ−３６１Ｎ、ビックケミー・ジャパン（株）製
【００６７】
［２］キャリア付樹脂膜の作製
各実施例および各比較例について、得られた熱硬化性樹脂組成物をキャリア基材であるＰＥＴフィルム上に塗布した後、１４０℃、２分の条件で溶剤を除去して、厚さ３０μｍの熱硬化性樹脂膜を形成した。これにより、キャリア付樹脂膜を得た。
【００６８】
なお、得られた熱硬化性樹脂膜について、溶剤含有率が熱硬化性樹脂膜全体に対して５重量％以下であったことを確認した。また、得られた熱硬化性樹脂膜について、１７０℃、２分の熱処理前後における重量変化率が５重量％以下であったことを確認した。
【００６９】
［最低複素粘度］
各実施例および各比較例について、次のようにして最低複素粘度を測定した。まず、上記において得られたキャリア付樹脂膜から、キャリア基材であるＰＥＴフィルムを剥離したものを測定サンプルとして準備した。次いで、この測定サンプルに対し、動的粘弾性測定装置（Ａｎｔｏｎ  Ｐａａｒ社製、装置名Ｐｈｙｓｉｃａ  ＭＣＲ−３０１）を用いて、下記の条件で複素粘度の測定をおこなった。得られた測定結果から、５０〜１５０℃における測定サンプルの最低複素粘度（Ｐａ・ｓｅｃ）を算出した。結果を表１に示す。
周波数：６２．８３ｒａｄ／ｓｅｃ
測定温度：５０〜２００℃
昇温速度：３℃／ｍｉｎ
ジオメトリー：パラレルプレート
プレート直径：１０ｍｍ
プレート間隔：０．１ｍｍ
荷重（ノーマルフォース）：０Ｎ（一定）
ストレイン：０．３％
測定雰囲気：空気
【００７０】
［貯蔵弾性率、ガラス転移温度］
各実施例および各比較例について、得られたキャリア付樹脂膜からキャリア基材であるＰＥＴフィルムを剥離した樹脂膜を３枚積層して、厚さ９０μｍの樹脂シートを作製した。次いで、当該樹脂シートを、２００℃、１時間で熱処理した後、幅８ｍｍ×長さ５０ｍｍ×厚さ９０μｍに切り出して測定サンプルとした。この測定サンプルに対し、動的粘弾性測定装置（セイコーインスツルメンツ社製、ＤＭＳ６１００）を用いて、周波数１Ｈｚ、昇温速度５℃／分の条件で動的粘弾性試験を行った。次いで、得られた測定結果から、ガラス転移温度（℃）と、２５℃における貯蔵弾性率（ＧＰａ）を算出した。ガラス転移温度は、ｔａｎδのピーク値から判定した。結果を表１に示す。
【００７１】
［線膨張係数］
各実施例および各比較例について、得られたキャリア付樹脂膜からキャリア基材であるＰＥＴフィルムを剥離した樹脂膜を３枚積層して、厚さ９０μｍの樹脂シートを作製した。次いで、当該樹脂シートを、２００℃、１時間で熱処理した後、幅４ｍｍ×長さ２０ｍｍ×厚さ９０μｍに切り出して測定サンプルとした。この測定サンプルに対し、ＴＭＡ（ＴＡインスツルメンツ（株）製）を用いて、昇温速度１０℃／分の条件で線膨張係数の測定を行った。次いで、２５〜５０℃における測定結果の平均を算出し、これをガラス転移温度（Ｔｇ）未満における線膨張係数（ｐｐｍ／℃）とした。結果を表１に示す。
【００７２】
［回路埋め込み性評価、平滑性評価、たわみ量評価］
各実施例および各比較例について、次のようにして回路埋め込み性評価、平滑性評価およびたわみ量評価を行った。
まず、コア基材（４０ｍｍ×８５ｍｍ、６０μｍｔ）の一面および他面上に１１μｍ厚の銅箔を積層してなる両面銅張積層板（住友ベークライト（株）製、ＬαＺ−４７８５ＧＨ−Ｊ）を準備した。次いで、上記銅張積層板の銅箔をエッチング処理して導体回路パターンを形成することにより、一面および他面に上記導体回路パターンが形成された回路基板を得た。次いで、回路基板の上記一面上および上記他面上のそれぞれに、熱硬化性樹脂膜が回路基板と対向するよう上記で得られたキャリア付樹脂膜を積層した。その後、真空加圧式ラミネーター装置を用いて温度１００℃、圧力０．８ＭＰａ、３０秒の条件にて真空加熱加圧成形させた。次いで、キャリア付樹脂膜からキャリア基材を剥離した後、回路基板上の熱硬化性樹脂膜を２００℃、１時間の条件で硬化してソルダーレジスト膜を形成した。このようにして、サンプルを得た。
【００７３】
１．回路埋め込み性評価
上記で得られたサンプルの任意の１０箇所について、回路基板の一面上に形成されたソルダーレジスト膜の表面を顕微鏡で観察した。回路埋め込み性の評価は、導体回路パターン間にソルダーレジスト膜が埋め込まれているか否かをボイドの存在の有無を確認することによって、以下の基準にしたがって行った。
Ａ：観察した全箇所において、ボイドが存在しなかった。
Ｂ：観察した１〜５箇所において、実使用に問題が生じない程度のボイドが存在していた。
Ｃ：観察した６〜９箇所において、実使用に問題が生じない程度のボイドが存在していた。
Ｄ：観察した全箇所において、実使用に問題が生じるボイドが存在していた。
【００７４】
２．平滑性評価
上記で得られたサンプルについて、回路基板の一面上に形成されたソルダーレジスト膜の表面の任意の１０箇所をレーザー顕微鏡にてスキャンし、表面粗さＲａを計測した。平滑性の評価は、以下の基準にしたがって行った。
Ａ：１０箇所におけるＲａの平均値が０．９０μｍ未満
Ｂ：１０箇所におけるＲａの平均値が０．９０μｍ以上０．９５μｍ未満
Ｃ：１０箇所におけるＲａの平均値が０．９５μｍ以上１μｍ未満
Ｄ：１０箇所におけるＲａの平均値が１μｍ以上
【００７５】
３．たわみ量評価
上記で得られたサンプルについて、サンプルの一対の短辺のうちの一方の辺の端から１０ｍｍの部分を支持しつつ、他方の辺を自由端とした。この状態において、上記他方の辺のたわみ量を測定した。たわみ量の評価は、以下の基準にしたがって行った。
Ａ：たわみ量が６ｍｍ未満
Ｂ：たわみ量が６ｍｍ以上６．５ｍｍ未満
Ｃ：たわみ量が６．５ｍｍ以上７ｍｍ未満
Ｄ：たわみ量が７ｍｍ以上
【００７６】
［３］半導体パッケージの作製
各実施例および各比較例について、次のようにして半導体パッケージを作製した。まず、２４０μｍ厚のコア基材（住友ベークライト（株）製、ＬαＺ−４７８５ＴＨ−Ｇ）の一面および他面上に１２μｍ厚の銅箔を積層してなる両面銅張積層板を準備した。次いで、上記銅張積層板の銅箔をエッチング処理して導体回路パターンを形成することにより、一面および他面に上記導体回路パターンが形成された回路基板を得た。次いで、回路基板の上記一面上および上記他面上のそれぞれに、熱硬化性樹脂膜が回路基板と対向するよう上記で得られたキャリア付樹脂膜を積層した後、真空加圧式ラミネーター装置を用いて温度１００℃、圧力０．８ＭＰａ、３０秒の条件にて真空加熱加圧成形させた。次いで、キャリア付樹脂膜からキャリア基材を剥離した後、回路基板上の熱硬化性樹脂膜を２００℃、１時間の条件で硬化してソルダーレジスト膜を形成した。
【００７７】
次に、導体回路パターンの一部が露出するように、炭酸レーザーにより回路基板の一面上に設けられたソルダーレジスト膜に開口を形成した後、回路基板の一面に対してデスミア処理およびプラズマ処理を施した。次いで、回路基板の一面上に、ダイアタッチ材を介して半導体素子を搭載した後、上記開口から露出した導体パターンと上記半導体素子と、をボンディングワイヤにより接続した。次いで、半導体素子およびボンディングワイヤを、エポキシ樹脂組成物により封止成形し、半導体パッケージ（１６ｍｍ×１６ｍｍ）を得た。
【００７８】
［吸湿信頼性］
各実施例および各比較例について、次のようにして吸湿信頼性を評価した。
まず、上記で得られた半導体パッケージに対し、８５℃、相対湿度６０％、１６８時間吸湿処理した後、ＩＲリフロー処理（２６０℃、１０秒、３回リフロー）を行った。次いで、リフロー処理後の半導体パッケージのソルダーレジスト膜を超音波映像装置ＳＡＴで観察した。吸湿信頼性の評価は、以下の基準にしたがって行った。
Ａ：ソルダーレジスト膜に剥離が生じなかった。
Ｂ：ソルダーレジスト膜に、実使用に問題が生じない程度の剥離が生じていた。
Ｃ：ソルダーレジスト膜に、実使用に若干問題が生じる程度の剥離が生じていた。
Ｄ：ソルダーレジスト膜に、実使用に適さない剥離が生じていた。
【００７９】
［パッケージ反り評価］
各実施例および各比較例について、得られた半導体パッケージの２５℃における反り量を測定し、以下の基準にしたがって評価した。なお、パッケージ反り量は、半導体パッケージ上面の中心点と、当該上面の外周部と、の半導体素子と回路基板の積層方向における距離により定義される。Ａ：パッケージ反り量が９０μｍ未満
Ｂ：パッケージ反り量が９０μｍ以上９５μｍ未満
Ｃ：パッケージ反り量が９５μｍ以上１００μｍ未満
Ｄ：パッケージ反り量が１００μｍ以上
【００８０】
【表１】
0006641817.tif 000004
【符号の説明】
【００８１】
１００  キャリア付樹脂膜
１０２  半導体装置
１０  樹脂膜（熱硬化性樹脂膜）
１２  キャリア基材
２０  回路基板
２２  コア基材
２４  導体回路パターン
２６  ソルダーレジスト
３０  半田ボール
４０  封止樹脂
５０  ボンディングワイヤ
６０  半導体素子
６２  ダイアタッチ材
【図１】
0006641817.tif 000005
【図２】
0006641817.tif 000006