(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置であって、
複数の個々に誘導可能なリフレクタを有するフィールドミラー及び複数の瞳ファセットを有する瞳ミラーと、前記個々に誘導可能なリフレクタを制御し、所望の線量プロファイルを基板のターゲット部分に送達するように構成されたコントローラと、
前記基板が露光されている間に前記基板をスキャン方向にスキャンするように構成されたポジショナと、を含み、
前記コントローラは、個々に誘導可能なリフレクタのサブセットを仮想フィールドファセットへグループ化するようにさらに構成され、各仮想フィールドファセットは、照明フィールドの全体を照明するように構成されており、前記コントローラは、第１のモードでは個々に誘導可能なリフレクタのサブセットをグループ化し、第１の寸法及び第１の放射強度で第１の照明フィールドを照明し、第２のモードでは第２の寸法及び第２の放射強度で第２の照明フィールドを照明するようにさらに構成され、前記第１の照明フィールドの前記第１の寸法は、前記第２の照明フィールドの前記第２の寸法とは異なる、
リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記第１の照明フィールドは、前記スキャン方向に対して垂直な方向で前記第２の照明フィールドよりも大きい寸法を有する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記第１の照明フィールドは、前記スキャン方向に対して平行な方向で前記第２の照明フィールドよりも大きな第１の寸法を有する、請求項１又は２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記第２の照明フィールドを照明する前記仮想フィールドファセットの数は、前記第１の照明フィールドを照明する仮想フィールドファセットの数よりも大きい、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記フィールドミラーの実質的にすべての個々に誘導可能なリフレクタは、仮想フィールドファセットへグループ化されている、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記第２の放射強度は、前記第１の放射強度よりも大きい、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
[0001]  本出願は、２０１４年７月１５日出願の欧州特許出願公開ＥＰ１４１７７０２５．５号の利益を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
【０００２】
[0002]  本発明の実施形態は、リソグラフィ装置―特にファセットフィールドミラーデバイス及び／又はファセット瞳ミラーデバイスを備えたリソグラフィ装置―及びリソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィは、集積回路（ＩＣ）及びその他のデバイス及び／又は構造を製造する際の主要なステップの１つとして広く認識されている。しかし、リソグラフィを使用して製造される特徴の寸法がより微細になると共に、リソグラフィは小型ＩＣ又はその他のデバイス、及び／又は構造の製造を可能にするためのより決定的なファクタになってきている。
【０００４】
[0004]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、ＩＣの製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。
【０００５】
[0005]  露光波長を短縮し、それによって印刷可能な最小サイズを縮小するため、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されてきた。ＥＵＶ放射源は、通常は、およそ５〜２０ｎｍ、例えば、１３．５ｎｍ又は約１３ｎｍ又は６．５〜６．８ｎｍの放射波長を出力するように構成されている。ＥＵＶ放射の使用は、小さなフィーチャ印刷の達成への重要なステップになり得る。かかる放射は、極端紫外線又は軟Ｘ線と呼ばれ、可能な放射源として、例えば、レーザ生成プラズマ放射源、放電プラズマ放射源、又は電子蓄積リングからのシンクトロン放射がある。
【０００６】
[0006]  たいていの材料はＥＵＶ放射を吸収するので、ＥＵＶ放射を使用するリソグラフィ装置の光学システムは、リフレクタを使用して設計されなければならない。高い反射性を有するＥＵＶ用のリフレクタを作製することは困難であるので、使用されるリフレクタの数は最小限に維持しなければならない。したがって、均一で制御された手法でパターニングデバイスを照明することができる光学システムを設計し作製することは困難である。
【発明の概要】
【０００７】
[0007]  ＥＵＶ光学装置の照明システムの一設計では、個々に誘導可能なリフレクタのアレイ及びファセット瞳ミラーを有するフィールドミラーが使用される。個々に誘導可能なリフレクタは、仮想フィールドファセットにグループ化される。各仮想ファセットは、ファセット瞳ミラーの瞳ファセットと呼ばれるファセット上に放射を誘導する。各瞳ファセットは、照明システムにおける任意のその他のミラーと一緒に、パターニングデバイスで照明フィールド（スリットと呼ばれることもある）上に仮想フィールドファセットを結像する。多くの仮想フィールドファセットの像は照明フィールド内で重なって照明の均一性を増大させる。
【０００８】
[0008]  様々な理由により、照明フィールドのサイズを調節し、且つ／又は照明フィールドの長さ及び／又は幅にわたって照明の強度を調節することが望ましい。これは、パターニングデバイスの近くの照明放射に投影するように選択的に延出され得る、マスキングブレード又はその他のマスキング部材を提供することによって行うことができる。しかし、パターニングデバイスの近くのスペースは、リソグラフィ装置のその他のコンポーネントにも必要である。
【０００９】
[0009]  本発明の一態様によれば、複数の個々に誘導可能なリフレクタを有するフィールドミラー及び複数の瞳ファセットを有する瞳ミラーと、
個々に誘導可能なリフレクタを制御して所望の線量プロファイルを基板のターゲット部分に送達するように構成されたコントローラと、基板が露光されている間に基板をスキャン方向にスキャンするように構成されたポジショナと、を含むリソグラフィ装置が提供される。
【００１０】
[0010]  本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置を使用するデバイスを製造する方法が提供され、リソグラフィ装置は、複数の個々に誘導可能なリフレクタを有するフィールドミラー及び複数の瞳ファセットを有する瞳ミラーを含み、個々に誘導可能なリフレクタは数組の隣接した個々に誘導可能なリフレクタに分けられて仮想フィールドファセットを形成し、瞳ファセットが仮想フィールドファセットの像を投影して照明フィールドを充填し、方法は、
１つの仮想フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタのサブセットが、１つの仮想フィールドファセットのその他の個々に誘導可能なリフレクタと同じ瞳ファセット内へ放射を誘導することがないように１つの仮想フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタを制御することと、
照明フィールドにパターニングデバイスの一部を位置決めすることと、
パターニングデバイスの一部の像を基板のターゲット部分へ投影することと、を含み、
サブセットにおける個々に誘導可能なリフレクタの数は経時的に変動し、所望の線量プロファイルがターゲット部分によって受けられるようになっている。
【００１１】
[0011]  本発明の態様によれば、複数の個々に誘導可能なリフレクタを有するフィールドミラー及び複数の瞳ファセットを有する瞳ミラーと、
個々に誘導可能なリフレクタを制御し、第１のモードでは第１の放射強度で照明フィールドの全体を照明し、第２のモードでは第２の放射強度で照明フィールドのある領域を照明するように構成されたコントローラと、を含み、照明フィールドの領域は、全体の照明フィールドよりも小さく、第２の放射強度は第１の放射強度よりも大きい、リソグラフィ装置が提供される。
【００１２】
[0012]  本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置を使用するデバイスを製造する方法が提供され、リソグラフィ装置は、複数の個々に誘導可能なリフレクタと、複数の瞳ファセットを有する瞳ミラーとを含み、個々に誘導可能なリフレクタは、数組の個々に誘導可能なリフレクタに分けられて仮想フィールドファセットを形成し、瞳ファセットが仮想フィールドファセットの像を投影して照明フィールドを充填し、方法は、
各仮想フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタのサブセットが、仮想フィールドファセットのその他の個々に誘導可能なリフレクタと同じ瞳ファセット内へ放射を誘導することがないように、各仮想フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタを制御することと、
パターニングデバイスの一部分を照明フィールドに位置決めすることと、
パターニングデバイスの一部の像を基板のターゲット部分へ投影することと、を含み、
仮想フィールドファセットは第１の方向に伸長し、
各仮想フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタのサブセットは、照明フィールドの端部分が照明されないように、第１の方向で各仮想フィールドファセットの少なくとも１つの端部分にあるように選択され、かつ
各仮想フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタのサブセットの配向は、それらがその仮想フィールドファセットのその他の個々に誘導可能なリフレクタとは異なる瞳ファセットの１つ内へ放射を誘導するように制御される。
【００１３】
[0013]  本発明の一態様によれば、複数の個々に誘導可能なリフレクタを有するフィールドミラー及び複数の瞳ファセットを有する瞳ミラーと、
一組の隣接した個々に誘導可能なリフレクタの第１のサブセットが第１の瞳ファセットに放射を誘導し、一組の隣接した個々に誘導可能なリフレクタの第２のサブセットが第２の瞳ファセットに放射を誘導するように一組の隣接した個々に誘導可能なリフレクタを制御するコントローラと、を含み、第２のサブセットは、照明フィールドに所望の線量プロファイルを提供するように選択されている、リソグラフィ装置が提供される。
【００１４】
[0014]  本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置を使用するデバイスを製造する方法が提供され、リソグラフィ装置は、複数の個々に誘導可能なリフレクタを有するフィールドミラー及び複数の瞳ファセットを有する瞳ミラーを含み、個々に誘導可能なリフレクタは数組の隣接した個々に誘導可能なリフレクタに分けられて仮想フィールドファセットを形成し、瞳ファセットが仮想フィールドファセットの像を投影して照明フィールドを充填し、方法は、
１つの仮想フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタのサブセットが、１つの仮想フィールドファセットのその他の個々に誘導可能なリフレクタと同じ瞳ファセット内へ放射を誘導することがないように１つの仮想フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタを制御することと、
照明フィールドにパターニングデバイスの一部を位置決めすることと、
パターニングデバイスの一部の像を基板のターゲット部分へ投影することと、を含み、
１つの仮想フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタのサブセットは、所望の線量プロファイルを提供するように選択され、かつ
各仮想フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタのサブセットの配向は、それらがその仮想フィールドファセットのその他の個々に誘導可能なリフレクタとは異なる瞳ファセットの１つ内へ放射を誘導するように制御される。
【００１５】
[0015]  本発明の一態様によれば、複数の個々に誘導可能なリフレクタを有するフィールドミラー及び複数の瞳ファセットを有する瞳ミラーと、
基板の縁に隣接したターゲット部分の縁部が、ターゲット部分の非縁部より低い線量を受けるように個々に誘導可能なリフレクタを制御するように配置されたコントローラと、を含むリソグラフィ装置が提供される。
【００１６】
[0016]  本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置を使用するデバイスを製造する方法が提供され、リソグラフィ装置は、複数の個々に誘導可能なリフレクタを有するフィールドミラー及び複数の瞳ファセットを有する瞳ミラーを含み、個々に誘導可能なリフレクタは数組の隣接した個々に誘導可能なリフレクタに分けられて仮想フィールドファセットを形成し、瞳ファセットが仮想フィールドファセットの像を投影して照明フィールドを充填し、方法は、
各仮想フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタのサブセットが、瞳ミラー内へ放射を誘導することがないように、各仮想フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタを制御することと、
照明フィールドにパターニングデバイスの一部を位置決めすることと、
パターニングデバイスの一部の像を基板のターゲット部分へ投影することと、を含み、
ターゲット部分は基板の縁と交差し、個々に誘導可能なリフレクタのサブセットは、ターゲット部分の縁部が、ターゲット部分の非縁部よりも低い線量を受けるように配置され、縁部は基板の縁に隣接しており、非縁部は基板の縁に隣接していない。
【００１７】
[0017]  本発明の様々な実施形態のさらなる態様、特徴、及び潜在的利点、さらには構造及び動作は、添付の図面を参照して以下で詳しく述べられる。本発明は、本明細書に記載する特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は、例示のみを目的として本明細書に記載されている。本明細書に含まれる教示に基づいて当業者はさらなる実施形態を容易に思い付くであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
[0018]  本発明の実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】[0019]本発明の実施形態による反射光学システムを有するリソグラフィ装置を模式的に示す図である。
【図２】[0020]図１の装置のより詳細を示す図である。
【図３】[0021]フィールドファセットのアレイを有するフィールドミラーデバイスを示す図である。
【図４】[0022]一組の個々に誘導可能なリフレクタから成るフィールドファセットを示す図である。
【図５】[0023]線量を調節する個々に誘導可能なリフレクタの選択的なアクティブ化を示す図である。
【図６】[0024]経時的に強度の変化を示す図である。
【図７】[0025]照明フィールドの幅にわたって線量を調節する個々に誘導可能なリフレクタの選択的なアクティブ化を示す図である。
【図８】[0026]スリットの幅にわたって、及び経時的に強度の変化を示す図である。
【図９】[0027]照明フィールドのサイズを制御する個々に誘導可能なリフレクタの選択的なアクティブ化を示す図である。
【図１０】[0027]照明フィールドのサイズを制御する個々に誘導可能なリフレクタの選択的なアクティブ化を示す図である。
【図１１】[0027]照明フィールドのサイズを制御する個々に誘導可能なリフレクタの選択的なアクティブ化を示す図である。
【図１２】[0028]フィールドミラーデバイスから瞳ミラーの異なるファセットへの放射の再誘導を示す図である。
【図１３】[0029]照明フィールドの一部分のみを照明するように配置された仮想フィールドファセットを示す図である。
【図１４】[0030]照明の一部分のみを照明する仮想フィールドファセットのその他の配置を示す図である。
【図１５】[0031]照明フィールドの全体を照明するように配置された仮想フィールドファセットを示す図である。
【図１６】[0032]ビームダンプに誘導された放射の一部で照明フィールドの一部分のみを照明するように配置された仮想フィールドファセットを示す図である。
【図１７】[0033]ビームダンプに放射を誘導することなく照明フィールドの一部分のみを照明するように配置された仮想フィールドファセットを示す図である。
【図１８】[0034]縁を重ね合わせるターゲット部分を有する基板を示す図である。
【図１９】[0035]基板の縁を重ね合わせるターゲット部分と一緒に使用するためのＸ方向で変化する強度プロファイルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
[0036]  図１は、本発明の実施形態による放射源コレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置４１００を模式的に示す。この装置は、露光ビーム（例えば、ＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＥＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構成され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって露光ビームＥＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、反射性投影システム）ＰＳとを含む。
【００２０】
[0037]  支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計及び、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否か等の条件に応じた方法でパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造は、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を用いて、パターニングデバイスを保持することができる。支持構造は、例えば、必要に応じて固定又は可動式にできるフレーム又はテーブルであってもよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して確実に所望の位置に来るようにしてもよい。
【００２１】
[0038]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用できるあらゆるデバイスを指すものとして広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分に形成されるデバイス内の特定の機能層に対応していてもよい。
【００２２】
[0039]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）位相シフトマスク、ハーフトーン型（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００２３】
[0040]  照明システムのような投影システムは、使用する露光放射、又は真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。その他のガスは放射を吸収しすぎるため、ＥＵＶ放射用には真空を使用することが望ましいことがある。したがって、真空環境は、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供してもよい。
【００２４】
[0041]  本明細書で示すように、本装置は反射タイプである（例えば反射マスクを使用する）。
【００２５】
[0042]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ以上の他のテーブルを露光に使用している間に１つ以上のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００２６】
[0043]  図１を参照すると、イルミネータＥＩＬは、放射源コレクタモジュールＳＯから極端紫外線ビームを受ける。ＥＵＶ光を生成する方法には、必ずしも限定されないが、物質を、ＥＵＶ範囲内の１本以上の輝線を有する例えばキセノン、リチウム、又はスズである少なくとも１つの元素を有するプラズマ状態に変換することが含まれる。多くの場合にレーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれるこのような方法の１つでは、必要とされるプラズマは、必要な輝線を放出する元素を有する物質の液滴、ストリーム又はクラスタなどの燃料をレーザビームによって照射することによって生成することができる。放射源コレクタモジュールＳＯは、燃料を励起させるレーザビームを提供するために、図１には示されないレーザを含むＥＵＶ放射システムの一部であってよい。結果として生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射である出力放射を放出し、この放射は、放射源コレクタモジュール内に配された放射コレクタを用いて集められる。例えばＣＯ２レーザを用いて燃料励起のためのレーザビームを提供する場合は、レーザと放射源コレクタモジュールは別個の構成要素であってよい。
【００２７】
[0044]  その場合、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、放射ビームはレーザから放射源コレクタモジュールへ、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合、例えば放射源が多くの場合ＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合、放射源は放射源コレクタモジュールの一体部分とすることもできる。
【００２８】
[0045]  イルミネータＥＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタを備えていてもよい。一般に、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。加えて、イルミネータＥＩＬは、ファセットフィールド及び瞳ミラーデバイスなどの様々なその他のコンポーネントを含んでもよい。イルミネータＥＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００２９】
[0046]  露光ビームＥＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン付与される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射された後、露光ビームＥＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点を合わせる。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使い、例えば、様々なターゲット部分Ｃを露光ビームＥＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭ及びその他の位置センサＰＳ１を用いて、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを露光ビームＥＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って位置合わせされ得る。
【００３０】
[0047]  リソグラフィ装置は、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）スキャンモードで動作し得る。支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率及び像反転特性によって決めることができる。
【００３１】
[0048]  図２は、放射源コレクタモジュールＳＯ、イルミネータＥＩＬ、及び投影システムＰＳを含むリソグラフィ装置４１００より詳細に示す。放射源コレクタモジュールＳＯは、放射源コレクタモジュールＳＯの囲い構造４２２０内に真空環境が維持可能であるように構成配置されている。ＥＵＶ放射を放出するプラズマ４２１０が放電生成プラズマ源によって形成され得る。ＥＵＶ放射は、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気又はＳｎ蒸気といったガス又は蒸気によって生成されてよく、ガス又は蒸気内では非常に高温のプラズマ４２１０が生成されて電磁スペクトルのＥＵＶ範囲の放射が放出される。この非常に高温のプラズマ４２１０は、例えば少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを引き起こす放電によって生成される。例えば、１０Ｐａの分圧のＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気又は任意の他の好適なガス又は蒸気が、放射の効率のよい発生には必要となり得る。一実施形態では、励起されたスズ（Ｓｎ）のプラズマが提供されてＥＵＶ放射が生成される。
【００３２】
[0049]  プラズマ４２１０によって放出された放射は、放射源チャンバ４２１１からコレクタチャンバ４２１２内へと、放射源チャンバ４２１１の開口内又はその後方に位置決めされる光学ガスバリア又は汚染物質トラップ４２３０（汚染物質バリア又はフォイルトラップとも呼ばれることもある）を介して送られる。汚染物質トラップ４２３０はチャネル構造を含み得る。汚染物質トラップ４２３０はガスバリア、又は、ガスバリアとチャネル構造の組み合わせを含んでもよい。汚染物質トラップは、ガスバリア又はガスバリアとチャネル構造の組み合わせを含んでもよい。
【００３３】
[0050]  コレクタチャンバ４２１２は、いわゆるかすめ入射コレクタであり得る放射コレクタＣＯを含み得る。コレクタＣＯを通過する放射は、格子スペクトル純度フィルタ４２４０から反射されて仮想放射源点ＩＦに合焦される。仮想放射源点ＩＦは通常中間焦点と呼ばれ、放射源コレクタモジュールは中間焦点ＩＦが囲い構造４２２０の開口４２２１に又はその付近に置かれるように配置されている。仮想放射源点ＩＦは放射を放出するプラズマ４２１０の像である。
【００３４】
[0051]  次に、放射はイルミネータＥＩＬを通過するが、これはパターニングデバイスＭＡにおいて露光ビームＥＢの所望の角分布を提供し、また、パターニングデバイスＭＡにおいて所望の放射強度の均一性を提供するように配置されたファセットフィールドミラーデバイス４２２及びファセット瞳ミラーデバイス４２４を含み得る。ファセットフィールドミラー４２２は、複数のフィールドファセットを有する。ファセット瞳ミラーデバイス４２２は、複数の瞳ファセットを有する。イルミネータＥＩＬはイルミネータ４２３、４２５も含み、これらはファセット瞳ミラーデバイス４２４と協働し、ファセットフィールドミラーデバイスの各ファセットの像を照明フィールド（スリットとも呼ばれる）ＩＳ上へ結像する。イルミネータＥＩＬは、照明スリットＩＳのケーラー照明を提供するように配置されている。
【００３５】
[0052]  支持構造ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡでの露光ビームＥＢの反射と同時に、パターンが付与されたビーム４２６が形成され、パターンが付与されたビーム４２６は、反射エレメント４２８、４３０を介して投影システムＰＳによって、ウェーハステージ又は基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗ上へ結像される。
【００３６】
[0053]  図示されるよりも多くのエレメントが一般的にイルミネータＥＩＬ及び投影システムＰＳ内に存在し得る。格子スペクトル純度フィルタ４２４０は、リソグラフィ装置のタイプに依存して任意選択的に存在し得る。さらに図示されるよりも多くのミラーが存在してよく、例えば、図２に示されるよりも１〜６個追加の反射エレメントが投影システムＰＳ内に存在してもよい。
【００３７】
[0054]  コレクタ光学部品ＣＯは、図２に示されているように、コレクタ（又はコレクタミラー）のほんの一例として、かすめ入射リフレクタを有するネスト型コレクタとして示されている。このタイプのコレクタＣＯは、多くの場合、ＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマ源と組み合わせて用いられることが望ましい。
【００３８】
[0055]  一実施形態では、放射源コレクタモジュールＳＯは、ＬＰＰ放射システムの一部であってよい。レーザＬＡがキセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、又はリチウム（Ｌｉ）などの燃料にレーザエネルギーを与えるように配置され、それにより、数十ｅＶの電子温度を有する高度にイオン化されたプラズマ４２１０が生成される。脱励起及びこれらのイオンの再結合時に発生されるエネルギー放射がプラズマから放出され、近垂直入射コレクタＣＯによって集められ、囲い構造４２２０の開口４２２１に合焦される。
【００３９】
[0056]  リソグラフィでは、パターニングデバイスの照明がきわめて重要である。特に、照明フィールドＩＳに到達する放射の角分布を制御することが望ましい。イルミネータＥＩＬは、ケーラー照明を提供するように配置されることが望ましく、瞳ミラーによって照明フィールドへ結像されるフィールドミラー及びイルミネータの任意のその他の光学コンポーネントを有する。ケーラー照明では、照明システムでの放射の角分布は、瞳面、例えば、瞳ミラーの面における放射の空間分布の点から便利に記述されている。いわゆる従来の照明モードでは、放射は光軸上を中心として瞳面の円形区域を均一に充填する。ダイポール照明モードでは、放射は、光軸から離隔している瞳面の２つの区域を充填する。その他多くの照明モードが周知である。原則としては、最適な照明モードは、所定の条件下に所定のパターンを結像するように規定できる。したがって、照明フィールドに適応性を提供することが望ましい。
【００４０】
[0057]  照明の均一性もきわめて重要である。照明の均一性は、基板上に形成されたフィーチャの寸法の均一性の重要な尺度である、ＣＤ均一性に影響を与える、基板のターゲット部分が露光される線量の均一性に影響を及ぼす。ファセットフィールドミラーデバイスは、フィールドミラーとして使用され、ファセット瞳ミラーデバイスは瞳ミラーとして使用され得る。イルミネータは、各フィールドファセットが重ね合わせる手法で照明フィールドＩＳ上に結像されるように配置されている。望ましくは、フィールドファセットの各像は、照明スリットＩＳを充填する。フィールドファセットの像の重なりは、放射源コレクタモジュールＳＯによって提供される露光ビームＥＢ内の任意の不規則性を強調する。
【００４１】
[0058]  多くの個々に誘導可能なリフレクタを有するファセットフィールドミラーデバイスが、米国特許出願公開ＵＳ２０１１／０００１９４７Ａ１号及びＰＣＴ国際特許出願公開ＷＯ２０１４／０１９６７５号に記載されている。このような個々に誘導可能なリフレクタは、例えば、多層ミラーであってよい。各個々に誘導可能なリフレクタは、放射が誘導される瞳面上の位置が制御され得るように、１つ又は２つの軸の周りで制御された配向を有することができる。個々に誘導可能なリフレクタはグループに分けられ、各グループは仮想フィールドファセットとしてみなされている。瞳ファセットは、仮想フィールドファセットを照明フィールド内へ結像する。所望の照明モードを有効にするために、各仮想フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタは、瞳ファセットの選択された１つに放射を誘導するように制御される。幾つかの瞳ファセットは、１つ以上の仮想フィールドファセットから放射を受けることがあり、その他の瞳ファセットは放射を受けないことがある。この配置を使用して、多くの異なる照明モードを有効にすることができる。フィールドミラーの実質的にすべての個々に誘導可能なリフレクタが仮想フィールドファセットへグループ化され得る。フィールドミラーの実質的にすべての個々に誘導可能なリフレクタを仮想フィールドファセットへグループ化することによって、放射強度は最適化される。
【００４２】
[0059]  本発明の一実施形態において使用に適したリソグラフィ装置では、図３に示したファセットフィールドミラーデバイス４２２は、複数のフィールドファセット５０−１乃至５０−ｎ（ｎは整数である）を含む。フィールドファセットの各々は、図４に示されているように、複数の個々に誘導可能なリフレクタ４２２１から成る。明確さのために、少数のフィールドファセットしか図３には示されていないが、実際の実施形態では、１００以上のフィールドファセット、例えば、３００乃至４００のフィールドファセットが存在し得る。一実施形態では、個々に誘導可能なリフレクタのフィールドファセットへの割り当ては固定されておらず、変更可能である一方で、リソグラフィ装置は使用されている。フィールドファセットは仮想フィールドファセットと呼ぶことができる。
【００４３】
[0060]  個々に誘導可能なリフレクタ４２２１の各々は、１つ以上のアクチュエータを有し、それにより個々に誘導可能なリフレクタ４２２１は１つの軸又は２つの直交軸の周りを回転することができる。それによって、各個々に誘導可能なリフレクタ４２２１は制御され、特定の方向に放射を誘導することができる。個々に誘導可能なリフレクタ４２２１は、超小型電気機械システム（ＭＥＭＳ）であることができる。１００，０００個以上の個々に誘導可能なリフレクタ４２２１がファセットフィールドミラーデバイス４４２に存在し得る。
【００４４】
[0061]  フィールドファセット５０−１乃至５０−ｎの１つを構成する一組の個々に誘導可能なリフレクタ４２２１は、照明フィールドＩＳの形状に対応する形状で複数の隣接した個々に誘導可能なリフレクタ４２２１を含む。一組の個々に誘導可能なリフレクタ４２２１は、１つ以上の瞳ファセットによって結像され、イルミネータ４２３、４２５と組み合わせて、照明スリットＩＳを充填する。各フィールドファセットの形状及びサイズは、照明フィールドＩＳと厳密に同じではないが、イルミネータ４２３、４２５と組み合わせて瞳ファセットのＸ及びＹ方向の拡大に左右されることに留意されたい。照明フィールドＩＳは、曲げられ又は真っすぐにされ得る。一実施形態では、フィールドファセットは伸長し、フィールドファセットの像の長手方向が、スキャン方向、例えば、Ｙ方向に対して垂直であり、フィールドファセットの像の横方向がスキャン方向に対して平行であるように照明フィールドへ投影される。
【００４５】
[0062]  各フィールドファセットは、数百又はそれ以上の個々に誘導可能なリフレクタ４２２１を含むことができる。一実施形態では、各組は１０列ごとに１００個の個々に誘導可能なリフレクタ４２２１で配置された１０００個のミラーを有する。これらの列は、１０個の個々に誘導可能なリフレクタ４２２１の１００の縦列が存在するように整列させることができる。縦列の幾つかは、隣接し縦列からずらされ、ほぼ湾曲した形状を形成することができる。一実施形態では、一組の個々に誘導可能なリフレクタは、仮想フィールドファセットが単一の近接領域を占めるように隣接している。一実施形態では、一組の個々に誘導可能なリフレクタの一部又はすべては、互いに隣接していない。
【００４６】
[0063]  各個々に誘導可能なリフレクタ４２２１は、少なくとも２つの状態に設定することができる。すなわち、中間焦点ＩＦから受け取った放射を、放射が照明フィールドＩＳに到達しないような方向に向ける非アクティブ状態と、中間焦点ＩＦから受け取った放射線を、照明フィールドＩＳに放射線が到達するような方向に向けるアクティブ状態とを含む。アクティブ状態では、各個々に誘導可能なリフレクタ４２２１は、放射を瞳ファセットに誘導する。１つの個々に誘導可能なリフレクタ４２２１が複数のアクティブ状態を有することができ、各アクティブ状態では、放射は瞳ファセットの異なる１つに誘導され、したがって、異なる角度から照明フィールドＩＳで到達する。したがって、異なる照明モードは、適切な状態にあるように個々に誘導可能なリフレクタ４２２１を制御することによって有効にすることができる。ビームダンプは、非アクティブ状態にある個々の指示可能なリフレクタ４２２１によって反射された放射を受け取るために提供することができる。ビームダンプは、イルミネータを囲む真空チャンバの壁内へ統合させることができる。
【００４７】
[0064]  本発明の一態様では、各組の個々に誘導可能なリフレクタ４２２１の選択された１つが、それらの非アクティブ状態に設定され、基板のターゲット部分に送達される線量を制御する。それらの非アクティブ状態に設定される個々に誘導可能なリフレクタ４２２１の１つは、以下では非アクティブリフレクタと呼ばれる。図５に示されているように、非アクティブリフレクタ４２２３（図中の陰影で示した）はフィールドファセット５０にわたって分布され、個々に誘導可能なリフレクタ４２２１のサブセットを形成する。図５では、フィールドファセット５０は例示の便宜上、直線で示されているが、上記のように湾曲されてもよい。非アクティブリフレクタ４２２３の数及び／又は分布は、基板Ｗによって受けた線量Ｉが図６に示されているように経時的に変化するように、経時的に変更される。
【００４８】
[0065]  線量制御の幾つかのモードを本発明の実施形態によって提供することができる。露光間線量制御モードでは、非アクティブリフレクタの分布は、フィールドファセット５０の長手方向にわたって実質的に均一であり、１つのターゲット部分の露光にかかる時間中に一定である。しかし、非アクティブリフレクタの数は、１つのターゲット部分の１つの露光から別のターゲット部分から別の露光まで変化する。バッチの１つの基板上の所定の位置のターゲット部分を露光するために使用される線量は、そのバッチの別の基板上の対応する位置のターゲット部分を露光するために使用される線量と同じであり又は異なることもある。このように、異なるターゲット部分は、異なる線量で露光され、基板上のターゲット部分間のＣＤ又はＣＤ均一性などの結像パラメータのバラツキを補正することができる。
【００４９】
[0066]  露光内モードでは、図７に示すように、フィールドファセット５０の長さＸにわたる所望の配置に従って非アクティブリフレクタの分布が不均一になり、したがって照明フィールドＩＳの長さにわたって不均一なリフレクタが形成される。非アクティブリフレクタの配置は、ターゲット部分ＣのＸ方向にわたって線量の所望の変動を有効にし、かつパターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗのスキャンと同期して経時的に変化し、図８に示されているように、ターゲット部分ＣのＹ方向にわたって線量の所望の変動を有効にするように選ばれる。図８の強度の変動は、例示を目的として誇張されており、実際の実施形態では、線量の変動はおそらく最大線量の５％未満であることに留意されたい。
【００５０】
[0067]  露光内モードを使用し、基板の各ターゲット部分で同じ線量プロファイルを有効にすることができる。代替的に、線量プロファイルが基板上又はバッチ内のターゲット部分間で異なるように、露光内モードを露光間モードと結合することができる。
【００５１】
[0068]  粗線量制御モード（ｃｏａｒｓｅ  ｄｏｓｅ  ｃｏｎｔｒｏｌ  ｍｏｄｅ）では、本発明の一実施形態が使用され、送達することができる最大出力の約１０％乃至約３０％の範囲の量で投影ビームにおける放射の強度を縮小する。このような粗制御は、個々に誘導可能なリフレクタの約１０％から約３０％に非アクティブ状態に設定することによって有効にされる。非アクティブ状態に設定されている個々に誘導可能なリフレクタは、フィールドファセットにわたって均等に分布されている。非アクティブ状態に設定されている個々に誘導可能なリフレクタの分布は、疑似ランダムであり得る。非アクティブ状態に設定された個々に誘導可能なリフレクタの分布は、露光の経過中に一定であり、又は変動する一方で、非アクティブ状態での個々に誘導可能なリフレクタの総数を一定に維持し、均一の線量が露光されたターゲット区域にわたって受けられることを確実にすることができる。
【００５２】
[0069]  粗線量制御は、高い感度、すなわち露光するために低線量を必要とする放射感受性層（例えば、レジスト）を使用する際に有用であり得る。ＥＵＶ源は、特定の出力レベルで放射光放出するために最適化され、減量することができない可能性がある。基板での線量を縮小する一方で、露光スキャン中にパターニングデバイス及び基板の動きの速度を上昇させることによって、ＥＵＶ源出力を一定に維持することは可能である。しかし、直観に反して、スキャン速度を上昇させると、露光スキャン間にパターニングデバイス及び基板テーブルを加速及び減速するために必要な追加の時間のため、スループットの低下することがある。したがって、粗動線量制御は、高感度を有する放射感応性層（例えば、レジスト）を使用する際にスループットを増大するために使用することができる。
【００５３】
[0070]  本発明の別の態様は、パターニングデバイスの仮想マスキングに関する。ターゲット部分がスキャンモードで露光されるとき、パターニングデバイスは、露光開始前にスキャン速度までもたらされる必要がある。パターニングデバイス、例えば、マスクは、露光すべきパターンが画定され、通常、不透明又は非反応性である、境界によって囲まれた、パターン領域ＭＦを有する。境界は吸収性であり得る。露光の開始時に、パターン領域ＭＦの先端（ｌｅａｄｉｎｇ  ｅｄｇｅ）は照明フィールドＩＳ内へ移動し、次いで照明フィールドを横切る。先端が照明フィールドに達する前に、露光放射は境界に衝突し、これが照明フィールドの望ましくない加熱の原因になり得る。
【００５４】
[0071]  Ｘ方向での照明フィールドの長さは、露光され得るターゲット部分Ｃの最大幅に対応する。場合によっては、基板に付与されるべきパターンは、Ｘ方向での照明フィールドの長さよりもＸ方向で小さくなる。言い換えれば、照明フィールドは、露光され得る最大寸法とは異なる寸法をＸ方向（すなわち、スキャン方向に対して垂直）で有し得る。Ｙ方向に延出する境界の各部分は、したがって、露光中に照明フィールド以内であり、露光中に放射を受けることがある。同様に、照明フィールドは、露光され得る最大寸法とは異なる寸法をＹ方向（すなわち、スキャン方向に対して平行）で有し得る。
【００５５】
[0072]  境界の照射を回避するには、パターニングデバイスの近くに可動式のマスキングブレードを設けることが周知である。いわゆるＹマスキングブレードはＸ方向に平行して延出し、Ｙ方向に可動式である。それらはＹ方向における露光を画定するために使用される。いわゆるＸマスキングブレードはＹ方向に平行して延出し、Ｘ方向に可動式である。それらはＹ方向における露光を画定するために使用される。Ｙマスキングブレードは露光前に閉鎖されており、パターン領域の先端の照明フィールド内への動きと同期して開放する。露光の終了時に、それらは照明フィールドから出るパターン領域の後縁（ｔｒａｉｌｉｎｇ  ｅｄｇｅ）と同期して閉鎖される。Ｘマスキングブレードは、Ｘ方向におけるパターン領域の幅と一致するように設定され、露光中には静止している。
【００５６】
[0073]  上記のＰＣＴ国際特許出願公開ＷＯ２０１４／０１９６７５号は、移動可能なマスキングブレードと同様の機能性を有効にするために、幾つかの個々に誘導可能なリフレクタを、マスクに対して放射を反射しない位置に設定することを開示している。
【００５７】
[0074]  次に、本発明の一実施形態による方法を図９、図１０、及び図１１を参考にして説明する。これらの図は、マスキングモードでの１つのフィールドファセットにおける個々に誘導可能なリフレクタの切り替えを例示している。一実施形態では、すべてのフィールドファセットに対応するすべての組の個々に誘導可能なリフレクタは、露光中に同じように制御される。最初、個々に誘導可能なリフレクタのすべては非アクティブ状態に設定され、この状態は図９乃至図１１に斜線の陰影で示されているが、照明フィールドに到達する放射はない。パターン領域ＭＦが照明フィールド内へ移動すると、パターン領域ＭＦの先端が達している照明フィールドの部分に対応する個々に誘導可能なリフレクタの列は、アクティブ状態に切り替わる。図９では、パターン領域は、個々に誘導可能なリフレクタの２つの列Ｒ１、Ｒ２と同等の距離を照明フィールド内へ移動し、そこでパターン領域ＭＦの幅以内にある第１の２つの列における個々に誘導可能なリフレクタは、アクティブ状態に切り替わり、この状態は図９乃至図１１に陰影なしで示されている。図１０では、パターン領域は別の列Ｒ３を照明フィールド内へ移動させ、別の列の個々に誘導可能なリフレクタはアクティブ状態に切り替わる。図１１では、パターン領域は別の列Ｒ４を照明フィールド内へ移動させ、さらに別の個々に誘導可能なリフレクタはアクティブ状態に切り替わる。この段階では最後の列Ｒ５の個々に誘導可能なリフレクタのみが非アクティブ状態であるが、これらはパターン領域がさらに進むとアクティブ状態に切り替わる。
【００５８】
[0075]  以上のように、パターン領域ＭＦはＸ方向の照明フィールドよりも小さい。個々に誘導可能なリフレクタの縦列Ｃ１乃至Ｃ３及びＣｎ−２乃至Ｃｎは、パターン領域の外側の照明フィールドで結像される。これらのミラーが、パターン領域が進むにつれて残りの個々に誘導可能なリフレクタと一緒にアクティブ状態に切り替わるのは、それらが誘導する放射はパターニングデバイス上に不必要な熱負荷の原因となるため望ましくない。縦列Ｃ１乃至Ｃ３及びＣｎ−２乃至Ｃｎの個々に誘導可能なリフレクタは、露光全体を通じて非アクティブ状態に切り替り得る。
【００５９】
[0076]  本発明の実施形態によるデバイス製造方法では、個々に誘導可能なリフレクタの縦列Ｃ１乃至Ｃ３及びＣｎ−２乃至Ｃｎは、パターン領域の外側の照明フィールドで結像され、エッジリフレクタ（ｅｄｇｅ  ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）と呼ばれるが、非アクティブ状態には切り替わらない。エッジリフレクタはその正常なアクティブ状態にも切り替わらない。むしろ、エッジリフレクタは、中間リフレクタと呼ばれる、パターン領域ＭＦの内側の照明フィールドで結像される個々に誘導可能なリフレクタとは異なる瞳ファセットに放射を誘導する第２のアクティブ状態に切り替わる。第２のアクティブ状態は、図９乃至図１１では水平の陰影で示されている。言い換えれば、所定の仮想フィールドファセットでは、中間リフレクタは、第１の瞳ファセットに放射を誘導するように設定され、エッジリフレクタは、第１の瞳ファセットとは異なる第２の瞳ファセットに放射を誘導するように設定される。
【００６０】
[0077]  図１２は、どのように放射の再誘導が達成されるかを示している。瞳ミラー４２４は、複数の瞳ファセット４２４１−１乃至４２４１−Ｍを含む。瞳ファセットの数は、フィールドファセットの数よりも多く、例えば、３乃至５倍多い。各フィールドファセットは、瞳ファセットの数、例えば、３乃至５と関係がある。フィールドファセットの個々に誘導可能なリフレクタの各々は、フィールドファセットと関係がある瞳ファセットの任意の１つに放射を誘導するように設定することができる。個々に誘導可能なミラーが、関係のある瞳ファセットの１つへ放射を誘導するように設定されると、放射は照明フィールドＩＳに到達するが、照明フィールドＩＳでの放射の入射の位置及び方向は、放射が誘導されている瞳ファセットによって異なる。第１の仮想フィールドファセットのエッジリフレクタは、第２の仮想フィールドファセットの中間リフレクタと同じ瞳ファセットに放射を誘導することができる。
【００６１】
[0078]  図１３乃至図１７は、リソグラフィ装置に結像され得る最大デバイスパターンよりも小さいデバイスパターンを露光するときに、仮想フィールドファセットの縁に置かれている個々に誘導可能なリフレクタから放射を再誘導する本発明の実施形態による方法を示す。
【００６２】
[0079]  図１３は、仮想フィールドファセット５０−１乃至５０−５の列を示し、その各々は、図１５に示されているように、これも長さＬ１を有する、照明フィールドＩＳへ結像され得る長さＬ１を有する。仮想フィールドファセット５０−１乃至５０−５は、真っすぐに示されているが、その代わりに湾曲していてもよい。説明を容易にするために、フィールドファセット５０とパターニングデバイスＭＡとの間の光学システムが１の倍率を有すると仮定し、倍率が１でない場合、フィールドファセットはそれに応じて拡大縮小される。
【００６３】
[0080]  各フィールドファセット５０は、個々に誘導可能なリフレクタが第１のアクティブ状態に設定されている長さＬ２の中間部分５１を有する。中間部分５１は、Ｌ１未満である、照明スリットＩＳの長さＬ２が照明されるように、照明スリットＩＳ上へ結像される。長さＬ２は、結像されるべきデバイスパターンの幅に対応し、そこではデバイスパターンは、リソグラフィ装置によって結像可能な最大のデバイスパターンよりも小さい。各フィールドファセット５０は、結像されるべきデバイスパターンに対応する区域の外側の照明スリットＩＳに結像されることになる２つの縁部分５２も有する。縁部分５２における個々に誘導可能なリフレクタは、図１６に示されているように、それらがビームダンプ６０に放射を誘導する非アクティブ状態に設定することができる。しかし、放射をビームダンプ６０に誘導することは、ビームダンプに誘導される放射は目的を果たさないという意味で無駄である。
【００６４】
[0081]  本発明の一実施形態では、個々に誘導可能なリフレクタの割り当ては、リソグラフィ装置に結像され得る最大のデバイスパターンよりも小さいデバイスパターンを露光する際に変更される。図１４は、フィールドミラーデバイスの仮想フィールドファセット５０−１乃至５０−５と同じ長さを占める第２の仮想フィールドファセット５５−１乃至５５−６の列を示す。したがって、この例では、６つの第２の仮想フィールドファセットが、５つの仮想フィールドファセットを作るために使用された個々に誘導可能なリフレクタから作成されている。第２の仮想フィールドファセット５５−１乃至５５−６の各々は、照明フィールドＩＳに結像され、長さＬ２の照明された区域を形成するが、図１７に示されているようにＬ２はＬ１よりも短い（Ｌ２＜Ｌ１）。このようにして、より小さいデバイスパターンが放射を無駄にせずに照明され得る。照明フィールドでの放射の強度は、照明フィールドの全長が照明されるときよりも高く、したがって、スキャン速度は上昇し得る。したがって、スループットが増大し得る。フィールドミラーの実質的にすべての個々に誘導可能なリフレクタは、仮想フィールドファセット内へグループ化され得る。フィールドミラーの実質的にすべての個々に誘導可能なリフレクタを仮想フィールドファセット内へグループ化することによって、放射強度は最大化される。照明フィールドのある一定の寸法により、すべての個々に誘導可能なリフレクタを同等に仮想フィールドファセット一面に分布することができないことがある。このような場合、個々に誘導可能なリフレクタのすべてをアクティブに設定できない。記載された例では、１つの列の仮想フィールドファセットの数は、５から６に拡大される。本発明はこの実施形態に限定されない。１列以内のその他の数の仮想フィールドファセットが可能である。
【００６５】
[0082]  本発明の別の態様は、エッジダイ（ｅｄｇｅ  ｄｉｅ）の露光に関する。図１８は、円形基板Ｗに課されたターゲット部分Ｃの長方形グリッドを示す。示されるように、グリッド内の一定のセルが基板の縁一面に延出する。このようなセルは、エッジダイと呼ばれ、有用なデバイスを製造するためには使用できない。基板上の使用に適したターゲット部分Ｃの配置は、基板ごとに使用に適したターゲット部分Ｃの数を最大にするために、及び／又はスループットを最大にするために、図示された単純なグリッドから変動し得る。それにもかかわらず、任意の配置で幾つかのエッジダイＥが存在することになる。
【００６６】
[0083]  エッジダイは有用なデバイスを製造するために使用できないにもかかわらず、有用なターゲット部分Ｃと同じようにして、エッジダイを露光し処理することは慣例となっている。これは、エッジダイが露光されず、処理されない場合は、デバイスの製造中に使用に適したターゲット部分に層が蓄積すると、エッジダイと使用に適したターゲット部分との間の高さの差が発生し得るからである。基板の内部応力の差も発生し得る。これらの差は、基板の変形につながりかねない。また、処理ステップ中、露光され処理されていないエッジダイに隣接するターゲット部分によって経験される環境は、基板の中心のターゲット部分によって経験される環境とは異なるであろう。
【００６７】
[0084]  しかし、本発明者らは、エッジダイが露光される場合は、デブリが引き起こされ得ると判断した。特に、薄い構造、例えば、孤立ラインが基板の縁の近くに形成されるようにエッジダイが露光される場合は、構造の各部分が断ち切れ、デブリを生成する大きな可能性がある。デブリによって様々な問題が発生する可能性がある。デブリは、基板の他のターゲット部分を汚染又は損傷させる可能性がある。デブリは、リソグラフィ装置の一部を汚染する可能性がある。デブリは、まだ露光されていないターゲット部分に落下し、結像の欠陥を引き起こす可能性がある。
【００６８】
[0085]  本発明の一実施形態では、少なくともエッジダイの一部が露光される線量は、使用に適したターゲット部分を露光するために使用される線量と比べて縮小するエッジダイモードが提案されている。縮小した線量を受けるエッジダイの部分は基板の縁に隣接しており、縁部と呼ばれる。線量は、レジストのタイプ、パターン、及びレシピが、線量を縮小することによって、結果として大きい及び／又はより強固であるフィーチャが形成されるような場合には縮小する。一実施形態では、縁部を露光するために使用される線量は均一ではなく、むしろ基板の縁に向かって縮小する。図１９は、例として、基板の＋Ｘ側でのエッジダイの露光に有用な線量プロファイルを示す。エッジダイの左手側（−Ｘ側）は、使用に適したターゲット部分を露光するために使用される線量と実質的に等しい標準の線量を受ける。線量は、エッジダイの縁部における右手側（＋Ｘ側）に向かって先細り、そのため基板の縁に隣接したフィーチャサイズが増大する。図示されているように、線量の先細りは直線的であるが、そうである必要はない。基板の最先端部（ｖｅｒｙ  ｅｄｇｅ）では、線量はゼロに縮小する。基板の最先端部で線量をゼロに縮小することによって、基板ホルダ又は基板テーブルへの過剰な放射はなくなり、熱負荷が防止され、その上のコーティングの劣化が回避される。
【００６９】
[0086]  もちろん、基板の縁は直線状ではなく、Ｙ方向（スキャン方向）には整列していない。したがって、先細の線量プロファイルは、エッジダイの露光中に一定ではあり得ないが、基板の縁に対して投影ビームの一時的な位置に従って動的に調整される。しかし、基板の縁がＹ方向に対してほぼ平行であるエッジダイには一定のプロファイを使用することができる。縁に対して異なる位置の縁には異なる線量プロファイルが決定される。基板の縁がＸ方向に対してほぼ平行であるエッジダイについては、線量プロファイルはＸで一定であるが、基板の動きと同期して経時的に変動し得る。
【００７０】
[0087]  上述した本発明の様々な態様の線量調整モードは、他の何らかの理由で必要とされる可能性のある線量調整と相互に組み合わせることができることが理解されよう。
【００７１】
[0088]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義とみなしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００７２】
[0089]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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