(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１領域と、前記第１領域に隣接する第２領域と、前記第１領域及び前記第２領域に配置され前記第２領域に形成された第１貫通部を有する絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に形成されたパッド電極と、前記パッド電極と電気的に接続された信号配線と、を有する第１基板と、
接続配線を有し、前記絶縁基板の下方に位置する配線基板と、
前記第１貫通部内に設けられ、前記パッド電極と前記接続配線とを電気的に接続する導電材料と、を備え、
前記第２領域の前記絶縁基板は、前記第１領域の前記絶縁基板よりも薄い表示装置。
【請求項２】
前記第１基板は、さらに、前記絶縁基板と前記パッド電極との間に絶縁膜を備え、
前記絶縁膜は、前記第１貫通部と重なる位置に第２貫通部を有する請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記絶縁膜は、無機絶縁膜である請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記絶縁膜は、少なくとも第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、を備え、
前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜とは互いに異なる材料で形成される請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２領域の前記絶縁基板の厚さは０μｍより大きく、１μｍ以下である請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１基板は、さらに、支持基板を備え、
前記支持基板は、前記第１領域に配置される請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記支持基板は、ガラスによって形成される請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１基板の上方に位置し前記第１基板に対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、を備え、
前記シール材は、前記第１貫通部と重なる位置に形成される請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記絶縁基板は、ポリイミドで形成される、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記パッド電極は、前記導電材料に接する第１電極を備え、
前記第１電極は、透明導電層である、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記パッド電極は、前記第１電極の上に配置された第２電極を備え、
前記第２電極は、金属材料を用いて形成される、請求項７に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１領域における前記絶縁基板の第１下面より前記第２領域における前記絶縁基板の第２下面が上方に位置する、請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やＰＤＡ（ｐｅｒｓｏｎａｌ  ｄｉｇｉｔａｌ  ａｓｓｉｓｔａｎｔ）等の携帯情報端末機器では性能面や、デザイン性等の観点から、表示面に占める表示領域の割合がより大きい表示装置の要求が高まっている。例えば、より一層の狭額縁化を実現する表示装置が提案されている。
【０００３】
従来、電極を有する基板の表示領域周辺に駆動部が実装される構造が知られている。このような駆動部を搭載する実装方式を有する表示装置においては、入力信号や電圧を駆動部に入力するための配線基板としてフレキシブル・プリント基板（ＦＰＣ）が用いられることがある。しかし、歩留まりの向上や狭額縁化を考慮し、ＦＰＣを用いずに、アレイ基板の下面側に形成された配線部を、アレイ基板を貫通するコンタクトホールを通して、アレイ基板の上面側に形成された駆動部と電気的に接続する方法が検討されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１０４６５１号公報
【特許文献２】特開２００９−２３７４１０号公報
【特許文献３】特開平１０−１８９８６３号公報
【特許文献４】特開２０１４−２３６２０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本実施形態の目的は、小型化及び狭額縁化が可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１領域と、前記第１領域に隣接する第２領域と、前記第１領域及び前記第２領域に配置され前記第２領域に形成された第１貫通部を有する絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に形成されたパッド電極と、前記パッド電極と電気的に接続された信号配線と、を有する第１基板と、接続配線を有し、前記絶縁基板の下方に位置する配線基板と、前記第１貫通部内に設けられ、前記パッド電極と前記接続配線とを電気的に接続する導電材料と、を備え、前記第２領域の前記絶縁基板は、前記第１領域の前記絶縁基板よりも薄い表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本実施形態に係る表示装置の構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示した表示装置の第１基板を示す概略平面図である。
【図３】図３は、図１に示した表示装置の表示領域を示す断面図である。
【図４】図４は、図１に示した表示装置の非表示領域を含んだ断面図である。
【図５】図５は、図４に示した表示装置の一部を拡大して示す断面図であり、配線基板、異方性導電膜、第１絶縁基板、層間絶縁膜、及びパッド電極の構成を示す図である。
【図６】図６は、上記実施形態に係る第１基板を示す平面図であり、第１領域及び第２領域の位置関係等を示す図である。
【図７】図７は、上記実施形態に係る第１基板と第２基板とを貼り合わせる第１の工程を説明するための断面図である。
【図８】図８は、図７の第１の工程に続く、支持基板を第１絶縁基板から部分的に剥離し、第１絶縁基板に第１コンタクトホールを形成する第２の工程を説明するための断面図である。
【図９】図９は、図８の第２の工程に続く、第２領域において第１絶縁基板を薄膜化しつつ、層間絶縁膜に第２コンタクトホールを形成する第３の工程を説明するための断面図である。
【図１０】図１０は、図９の第３の工程に続く、配線基板を液晶表示パネルに圧着する第４の工程を説明するための断面図である。
【図１１】図１１は、上記実施形態に係る表示装置の変形例１の一部を拡大して示す断面図であり、配線基板、異方性導電膜、第１絶縁基板、層間絶縁膜、及びパッド電極の構成を示す図である。
【図１２】図１２は、上記実施形態に係る表示装置の変形例２を示す断面図である。
【図１３】図１３は、上記実施形態の表示装置の比較例を示す断面図であり、配線基板、異方性導電膜、第１絶縁基板、層間絶縁膜、及びパッド電極の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
まず、本実施形態に係る表示装置について詳細に説明する。図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成を概略的に示す斜視図である。図１は、第１方向Ｘと、第１方向Ｘに垂直な第２方向Ｙと、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに垂直な第３方向Ｚによって規定される三次元空間を示している。なお、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに直交しているが、９０°以外の角度で交差していてもよい。また、本実施形態において、表示装置が液晶表示装置である場合について説明する。
【００１０】
図１に示すように、表示装置ＤＳＰは、アクティブマトリクス型の液晶表示パネルＰＮＬと、配線基板１とを備えている。液晶表示パネルＰＮＬは、平板状の第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向配置された平板状の第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に挟持された液晶層（後述する液晶層ＬＱ）と、を備えている。なお、本実施形態に係る液晶表示パネルＰＮＬは、反射型の液晶表示パネルである。
【００１１】
本実施形態においては、第３方向Ｚの正の向き、あるいは、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上又は上方と定義し、第３方向Ｚの負の向き、あるいは、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下又は下方と定義する。
【００１２】
液晶表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡを囲む額縁状の非表示領域ＮＤＡと、を備えている。液晶表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに並べられ、マトリクス状に設けられている。
【００１３】
一例では、第１基板ＳＵＢ１の第１方向Ｘに平行な側縁の長さは、第２基板ＳＵＢ２の第１方向Ｘに平行な側縁の長さと略等しい。また、第１基板ＳＵＢ１の第２方向Ｙに平行な側縁の長さは、第２基板ＳＵＢ２の第２方向Ｙに平行な側縁の長さと略等しい。つまり、第１基板ＳＵＢ１のＸ−Ｙ平面に平行な面積は、第２基板ＳＵＢ２のＸ−Ｙ平面に平行な面積と略等しい。本実施形態において、第１基板ＳＵＢ１の各側縁は、第３方向Ｚにおいて、第２基板ＳＵＢ２の各側縁と揃っている。
【００１４】
配線基板１は、液晶表示パネルＰＮＬの下方に配置されている。一例では、配線基板１の第１方向Ｘに平行な側縁の長さは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の第１方向Ｘに平行な側縁の長さより短い、もしくは同等である。また、配線基板１の第２方向Ｙに平行な側縁の長さは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の第２方向Ｙに平行な側縁の長さより短い、もしくは同等である。配線基板１は、非表示領域ＮＤＡ及び表示領域ＤＡに位置している。本実施形態において、配線基板１の第１方向Ｘに平行な一側縁は、第３方向Ｚにおいて、液晶表示パネルＰＮＬの一端と揃っている。なお、配線基板１は、液晶表示パネルＰＮＬと対向する領域よりも外側にはみ出すことはない。液晶表示パネルＰＮＬ及び配線基板１は、互いに電気的に接続されている。
【００１５】
図２は、図１に示した表示装置ＤＳＰの第１基板ＳＵＢ１を示す概略平面図である。  
図２に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、表示領域ＤＡにおいて、第１方向Ｘに延出し第２方向Ｙに並んだ複数のゲート配線Ｇ、第２方向Ｙに延出し第１方向Ｘに並んだ複数のソース配線Ｓ、各画素ＰＸにおいてゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓと電気的に接続された薄膜トランジスタＴｒ等を備えている。各画素ＰＸは、例えば、隣り合う２本のゲート配線Ｇと隣り合う２本のソース配線Ｓとによって区画されている。薄膜トランジスタＴｒは、スイッチング素子として機能する。
【００１６】
非表示領域ＮＤＡに位置する第１基板ＳＵＢ１の一端部ＳＵＢ１ｅには、複数のパッド電極ＰＤと、複数のコンタクトホールＣＨａと、が形成されている。パッド電極ＰＤの各々は、コンタクトホールＣＨａと重なる位置に形成されている。各ソース配線Ｓ及びゲート配線Ｇは、非表示領域ＮＤＡに引き出され、それぞれパッド電極ＰＤと電気的に接続されている。配線基板１の少なくとも一部は、図中に破線で示したように、第１基板ＳＵＢ１の一端部ＳＵＢ１ｅに重なって配置されている。配線基板１は、後述するように、コンタクトホールＣＨａ内の図示されない導電材料を通じて、パッド電極ＰＤと電気的に接続される。
【００１７】
図３は、図１に示した表示装置ＤＳＰの表示領域ＤＡを示す断面図である。なお、図３は、一例として、Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ（ＴＮ）モードを用いた反射型の液晶表示装置を示している。
【００１８】
図３に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、支持基板５、遮光マスク（遮光体）ＬＳ、第１絶縁基板１０、薄膜トランジスタＴｒ、反射層４、画素電極ＰＥ、第１配向膜ＡＬ１等を備えている。支持基板５は、例えば、ガラス基板である。遮光マスクＬＳは、支持基板５の上に配置されている。遮光マスクＬＳは、レーザー光を遮蔽する。本実施形態において、遮光マスクＬＳは、レーザー光を反射する材料を用いて形成され、例えば、エキシマレーザー光を反射する材料で形成されている。第１絶縁基板１０は、支持基板５及び遮光マスクＬＳの上方に配置されている。すなわち、遮光マスクＬＳは、支持基板５と第１絶縁基板１０との間に位置している。第１絶縁基板１０は、有機絶縁材料を用いて形成され、例えばポリイミドを用いて形成される。第１絶縁基板１０は、第１絶縁膜１１によって覆われている。
【００１９】
薄膜トランジスタＴｒは、第１絶縁膜１１の上方に形成されている。図示した例では、薄膜トランジスタＴｒはトップゲート型に構成されているが、ボトムゲート型であっても良い。薄膜トランジスタＴｒは、第１絶縁膜１１の上に形成された半導体層ＳＣを備えている。半導体層ＳＣは、第２絶縁膜１２によって覆われている。また、第２絶縁膜１２は、第１絶縁膜１１の上にも配置されている。
【００２０】
薄膜トランジスタＴｒのゲート電極ＷＧは、第２絶縁膜１２の上に形成され、半導体層ＳＣの直上に位置している。ゲート電極ＷＧは、ゲート配線Ｇに電気的に接続され（あるいは、ゲート配線Ｇと一体的に形成され）、第３絶縁膜１３によって覆われている。また、第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２の上にも配置されている。
【００２１】
このような第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、及び、第３絶縁膜１３は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物等の無機系材料によって形成されている。
【００２２】
薄膜トランジスタＴｒのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、第３絶縁膜１３の上に形成されている。また、ソース配線Ｓも同様に第３絶縁膜１３の上に形成されている。ソース電極ＷＳは、ソース配線Ｓに電気的に接続されている（あるいは、ソース配線Ｓと一体的に形成されている）。ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、それぞれ第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３を貫通するコンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２を通して半導体層ＳＣと電気的に接続されている。薄膜トランジスタＴｒは、第４絶縁膜１４によって覆われている。第４絶縁膜１４は、第３絶縁膜１３の上にも配置されている。このような第４絶縁膜１４は、例えば、透明な樹脂等の有機系材料によって形成されている。
【００２３】
反射層４は、例えば、第４絶縁膜１４の上に形成されている。反射層４は、アルミニウムや銀等の反射率が高い金属材料で形成される。なお、反射層４の表面（つまり、第２基板ＳＵＢ２側の面）は、光散乱性を付与するための凹凸面であることが望ましい。
【００２４】
画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１４の上に形成されるが、図示した例では、反射層４に重なっている。なお、反射層４は、画素電極ＰＥと対向する位置に形成されていれば良く、画素電極ＰＥと反射層４との間に他の絶縁膜が介在していても良い。画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１４を貫通するコンタクトホールＣＨ３を通して薄膜トランジスタＴｒのドレイン電極ＷＤにコンタクトしている。画素電極ＰＥは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）等の透明な導電材料によって形成されている。画素電極ＰＥは、第１配向膜ＡＬ１によって覆われている。
【００２５】
一方、第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１の上方に位置し、第１基板ＳＵＢ１に対向配置されている。第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板３０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、共通電極ＣＥ、第２配向膜ＡＬ２等を備えている。第２絶縁基板３０は、ガラス基板や樹脂基板等の光透過性を有する材料を用いて形成されている。
【００２６】
遮光層ＢＭは、第２絶縁基板３０の第１基板ＳＵＢ１に対向する側に形成されている。遮光層ＢＭは、各画素ＰＸを区画するように形成されており、第１基板ＳＵＢ１に設けられたゲート配線Ｇやソース配線Ｓ、さらには薄膜トランジスタＴｒ等の配線部やコンタクトホールＣＨ３等に対向するように形成されている。遮光層ＢＭは、遮光性の金属材料や黒色の樹脂材料によって形成されている。
【００２７】
カラーフィルタＣＦは、第２絶縁基板３０の第１基板ＳＵＢ１に対向する側に形成され、その一部が遮光層ＢＭに重なっている。カラーフィルタＣＦは、互いに異なる複数の色、例えば赤色、青色、緑色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。赤色のカラーフィルタは赤色画素に対応して配置され、緑色のカラーフィルタは緑色画素に対応して配置され、青色のカラーフィルタは青色画素に対応して配置されている。なお、カラーフィルタＣＦは、さらに、白色あるいは透明のカラーフィルタを含んでいても良い。異なる色のカラーフィルタＣＦ間の境界は、遮光層ＢＭと対向している。
【００２８】
オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、透明な樹脂材料によって形成されている。
【００２９】
共通電極ＣＥは、オーバーコート層ＯＣの第１基板ＳＵＢ１と対向する側に形成されている。このような共通電極ＣＥは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電材料によって形成されている。共通電極ＣＥは、第２配向膜ＡＬ２によって覆われている。
【００３０】
上述したような第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２において、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２は、互いに対向して配置されている。このとき、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２の間には、図示しないスペーサにより、所定のセルギャップが形成される。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは、セルギャップが形成された状態で図示しないシール材によって貼り合わせられている。液晶層ＬＱは第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２の間に封入されている。第２絶縁基板３０の外面３０Ｂには、偏光板ＰＬを含む光学素子ＯＤが配置されている。このような光学素子ＯＤは、表示面側に位置している。
【００３１】
図４は、図１に示した表示装置ＤＳＰの非表示領域ＮＤＡを含んだ断面図である。なお、ここでは、第２基板ＳＵＢ２は、図３に示した第２基板ＳＵＢ２の構造と略同一であるため、その詳細な構造についての説明は省略する。また、本実施形態においては、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１を見ることを平面視と定義する。
【００３２】
図４に示すように、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、シール材ＳＬによって貼り合わせられている。液晶層ＬＱは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２と、シール材ＳＬによって囲まれた領域内に備えられている。シール材ＳＬは、非表示領域ＮＤＡに形成されている。
【００３３】
支持基板５及び遮光マスクＬＳは、非表示領域ＮＤＡにおいて、第１基板ＳＵＢ１の端部まで延在しておらず途切れている。つまり、支持基板５及び遮光マスクＬＳは、図２に示したような、第１基板ＳＵＢ１の一端部ＳＵＢ１ｅ側の側縁まで延在して形成されていない。ここで、第１基板ＳＵＢ１は、第１領域ＡＲ１及び第２領域ＡＲ２を有している。第１領域ＡＲ１は、平面視で、支持基板５及び遮光マスクＬＳが配置されている領域に相当し、第２領域ＡＲ２は、平面視で、支持基板５及び遮光マスクＬＳが配置されていない領域に相当する。支持基板５及び遮光マスクＬＳは、平面視で、シール材ＳＬの一部と重なっている。シール材ＳＬは、第１領域ＡＲ１と第２領域ＡＲ２との境界を跨いで形成されている。
【００３４】
第１絶縁基板１０は、第１領域ＡＲ１において厚さＷ１を有しており、第２領域ＡＲ２において厚さＷ２を有している。厚さＷ２は、厚さＷ１よりも小さい。本実施形態においては、例えば、厚さＷ１は約１０μｍであり、厚さＷ２は、０μｍより大きく、１μｍ以下である。
【００３５】
パッド電極ＰＤは、第１絶縁基板１０の上方に形成されている。図示した例では、パッド電極ＰＤと第１絶縁基板１０の層間に、第１絶縁膜１１と、第２絶縁膜１２と、第３絶縁膜１３と、が配置されている。ここで、第１絶縁基板１０とパッド電極ＰＤとの間に配置される絶縁膜を絶縁膜ＩＬとする。図示した例では、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、及び第３絶縁膜１３は、絶縁膜ＩＬに相当する。また、図示した例では、パッド電極ＰＤは、電極Ｐ１及びＰ２が積層されることによって構成されている。電極Ｐ１は、例えば、透明導電材料としてのＩＴＯを用いて形成される。電極Ｐ２は、例えば、金属材料等の導電材料を用いて形成される。電極Ｐ２は、例えば、島状に形成されている。第１絶縁基板１０及び絶縁膜ＩＬには、パッド電極ＰＤまで貫通するコンタクトホールＣＨａが形成されている。パッド電極ＰＤは、コンタクトホールＣＨａと対向する位置に形成されている。パッド電極ＰＤ及びコンタクトホールＣＨａは、平面視で、第１基板ＳＵＢ１の第２領域ＡＲ２に形成されている。また、コンタクトホールＣＨａは、平面視で、シール材ＳＬと重なる位置に形成されている。なお、本実施形態においては、コンタクトホールＣＨａは、第１絶縁基板１０及び絶縁膜ＩＬを、パッド電極ＰＤまで貫通する貫通部に相当する。
【００３６】
信号配線６は、図示した例では、第３絶縁膜１３の上に形成され、パッド電極ＰＤと同層に形成されている。信号配線６は、パッド電極ＰＤと電気的に接続されている。信号配線６及びパッド電極ＰＤは、それぞれ別々に形成されていても良いし、一体的に形成されていても良い。図示した例では、信号配線６は、パッド電極ＰＤの電極Ｐ２と一体的に形成されている。信号配線６は、図２に示したゲート配線Ｇやソース配線Ｓ、電源線や各種制御用配線等に相当する。第４絶縁膜１４は、信号配線６、パッド電極ＰＤ、第３絶縁膜１３を覆っている。
【００３７】
なお、図示した例では、信号配線６及びパッド電極ＰＤは、ソース配線Ｓと同層に配置されているが、他の層に配置されていても良い。また、信号配線６及びパッド電極ＰＤが互いに異なる層に配置され、信号配線６及びパッド電極ＰＤの間の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して両者が電気的に接続されていても良い。
【００３８】
配線基板１は、コア基板２００と、コア基板２００の液晶表示パネルＰＮＬと対向する側の面に配置された接続配線１００と、コア基板２００の液晶表示パネルＰＮＬと対向する側の面とは反対側の面に配置された駆動部２と、を備えている。
【００３９】
駆動部２は、コア基板２００に形成されたスルーホール１１０を介して接続配線１００と電気的に接続されている。駆動部２は、液晶表示パネルＰＮＬを駆動するのに必要な信号を供給する信号供給源等として機能する。なお、駆動部２の位置は、特に制限されるものではなく、コア基板２００の液晶表示パネルＰＮＬと対向する側の面に配置されていても良い。
【００４０】
液晶表示パネルＰＮＬ及び配線基板１は、導電材料である異方性導電膜３を介して互いに電気的に接続されると共に接着されている。すなわち、異方性導電膜３は、接着剤中に分散された導電粒子（後述する導電粒子ＣＰ）を含んでいる。このため、配線基板１と液晶表示パネルＰＮＬとの間に異方性導電膜３を介在させた状態で、配線基板１及び液晶表示パネルＰＮＬを第３方向Ｚに上下から加圧し、加熱することによって、両者が電気的及び物理的に接続される。異方性導電膜３は、液晶表示パネルＰＮＬと配線基板１との間で、第１絶縁基板１０の下面からコンタクトホールＣＨａの内部に亘って充填され、パッド電極ＰＤと接し、電気的に接続されている。また、異方性導電膜３は、接続配線１００と接し、電気的に接続されている。これにより、接続配線１００は、異方性導電膜３を介して、パッド電極ＰＤ及び信号配線６と電気的に接続されている。なお、本実施形態において、接続配線１００の異方性導電膜３に接する側の面は、平坦である。
【００４１】
また、シール材ＳＬは、平面視で、コンタクトホールＣＨａと重なる位置に形成されている。このため、上記のように位置するシール材ＳＬは、配線基板１と液晶表示パネルＰＮＬとの良好な接続に寄与することができる。
【００４２】
図５は、図４に示した表示装置ＤＳＰの一部を拡大して示す断面図であり、配線基板１、異方性導電膜３、第１絶縁基板１０、絶縁膜ＩＬ、及びパッド電極ＰＤの構成を示す図である。  
図５に示すように、異方性導電膜３に含まれる導電粒子ＣＰ１は、コンタクトホールＣＨａにおいて、パッド電極ＰＤと接続配線１００との間に介在している。配線基板１が液晶表示パネルＰＮＬに圧着される際に、導電粒子ＣＰ１が接続配線１００とパッド電極ＰＤとの間で押しつぶされ、両者を電気的に接続することができる。このとき、接続配線１００とパッド電極ＰＤとの間の高さｈは、導電粒子ＣＰ１を十分に押しつぶす程に小さくなる。また、図示した例では、第２領域ＡＲ２のうち、異方性導電膜３に含まれる導電粒子ＣＰ２は、コンタクトホールＣＨａの外側において、第１絶縁基板１０と接続配線１００との間に介在している。このとき、導電粒子ＣＰ２は、第１絶縁基板１０と接続配線１００との間に噛みこんでいても良い。本実施形態において、導電粒子ＣＰ２が噛みこむとは、配線基板１と液晶表示パネルＰＮＬとが圧着される際に、導電粒子ＣＰ２にかかる圧力に対して、導電粒子ＣＰ２がそれ以上押しつぶされない状態を指す。導電粒子ＣＰ１及びＣＰ２は、例えば、全体が金属製であってもよく、樹脂材料をニッケルや金等の金属材料でコーティングしたものであっても良い。
【００４３】
なお、導電粒子ＣＰは、配線基板１と液晶表示パネルＰＮＬとの間において、第３方向Ｚに２個以上が重なって導通することはない。また、例えば、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙについては、隣り合う導電粒子ＣＰの間に異方性導電膜３を形成する接着剤（絶縁体）が入り込むため、導電粒子ＣＰ同士が第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで互いに導通することはほとんどない。
【００４４】
本実施形態によれば、第２領域ＡＲ２における第１絶縁基板１０は、第１領域ＡＲ１における第１絶縁基板１０より薄い。このため、導電粒子ＣＰ２が、接続配線１００と第１絶縁基板１０との間に介在し押しつぶされていても、コンタクトホールＣＨ１ａと対向する位置でのパッド電極ＰＤと接続配線１００との間の高さｈは、導電粒子ＣＰ１を十分に押しつぶす程に小さくなる。つまり、接続配線１００とパッド電極ＰＤとの間の導電粒子ＣＰ１は、導電粒子ＣＰ２が接続配線１００と第１絶縁基板１０との間に噛みこむ以前に押しつぶされる。したがって、接続配線１００とパッド電極ＰＤの接続の歩留りを向上することが可能となる。
【００４５】
また、本実施形態によれば、表示装置ＤＳＰにおいて、配線基板１が、液晶表示パネルＰＮＬの下方（表示面とは反対の背面側）に配置され、配線基板１及び液晶表示パネルＰＮＬは、コンタクトホールＣＨａ内の導電材料（上記の例では異方性導電膜３）を介して電気的に接続されている。また、駆動部２は、液晶表示パネルＰＮＬの下方に配置されている。そのため、駆動部２や配線基板１を配置するために、第１基板ＳＵＢ１の実装部の面積を拡大する必要がなく、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを略同等の面積で形成することが可能となる。また、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが対向する領域内で、アクティブエリアＡＣＴを拡大することが可能となる。つまり、本実施形態の表示装置ＤＳＰの表示面において、アクティブエリアＡＣＴに寄与する面積の割合が向上し、狭額縁化することが可能である。
【００４６】
また、第１基板ＳＵＢ１の第２基板ＳＵＢ２と対向する側から配線基板１までを電気的に接続するための長尺のフレキシブル・プリント回路基板が不要であり、折り曲げたフレキシブル・プリント回路基板を収容するためのスペースも不要となる。このため、表示装置ＤＳＰを小型化することが可能となる。さらには、表示装置ＤＳＰを組み込んだ電子機器を小型化することも可能となる。  
さらに、フレキシブル・プリント回路基板を折り曲げて収容した際の配線の断線を回避することができるため、表示装置ＤＳＰの信頼性を向上することが可能となる。
【００４７】
さらに、コンタクトホールＣＨａは、シール材ＳＬと対向する位置に形成される。シール材ＳＬは、ファイバー等の固形物を含んでいるため、シール材ＳＬが介在する額縁領域ＰＲＰにおいては、アクティブエリアＡＣＴと比較して、液晶表示パネルＰＮＬの第３方向Ｚにかかる力に対して強度を向上することができる。つまり、配線基板１を液晶表示パネルＰＮＬに圧着する際に、第３方向Ｚにかかる力による液晶表示パネルＰＮＬの破損を抑制することが可能である。
【００４８】
図６は、上記実施形態に係る第１基板ＳＵＢ１を示す平面図であり、第１領域ＡＲ１及び第２領域ＡＲ２の位置関係等を示す図である。  
図６において、第１領域ＡＲ１は、斜線で示されている。支持基板５及び遮光マスクＬＳは、第１領域ＡＲ１の全面に亘って配置されている。第２領域ＡＲ２は、第１領域ＡＲ１に隣接し、第１基板ＳＵＢ１の一端部ＳＵＢ１ｅ側の非表示領域ＮＤＡにおいて、第１方向Ｘに延出している。複数のパッド電極ＰＤ及びコンタクトホールＣＨａは、第２領域ＡＲ２において、第１方向Ｘに並んで配置されている。
【００４９】
なお、図４に示したような第１絶縁基板１０は、液晶表示パネルＰＮＬの全面に亘って配置されている。また、上述したように、厚さＷ２は、厚さＷ１より小さい。すなわち、パッド電極ＰＤ及びコンタクトホールＣＨａは、上記第１絶縁基板１０のうち厚みの小さい領域に位置している。
【００５０】
次に、本実施形態の表示装置ＤＳＰの製造工程について、図７から図１０を用いて説明する。図７乃至図１０は、本実施形態の配線基板１の液晶表示パネルＰＮＬへの圧着方法を説明するための概略断面図である。図７乃至図１０に示されるパッド電極ＰＤより上層の構造は、図４に示した液晶表示パネルＰＮＬにおける、パッド電極ＰＤより上層の構造と等しい。
【００５１】
図７は、上記実施形態に係る第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを貼り合わせる第１の工程を説明するための断面図である。  
図７に示すように、まず、支持基板５上に遮光マスクＬＳが形成される。遮光マスクＬＳは、第１基板ＳＵＢ１の第１領域ＡＲ１に形成される。支持基板５及び遮光マスクＬＳ上に有機絶縁膜を成膜することによって第１絶縁基板１０が形成される。その後、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、パッド電極ＰＤ、信号配線６、第４絶縁膜１４、第１配向膜ＡＬ１等を順次形成して、第１基板ＳＵＢ１が形成される。一方で、第２基板ＳＵＢ２が形成される。
【００５２】
その後、第１基板ＳＵＢ１又は第２基板ＳＵＢ２にシール材ＳＬを形成し、シール材ＳＬによって囲まれた内側に液晶材料を滴下した後に、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを貼り合わせる。
【００５３】
次に、第１絶縁基板１０から支持基板５を部分的に剥離するために、支持基板５の背面側からレーザー光ＬＬを照射する。ここで、本実施形態においては、例えば、支持基板５はガラスによって形成され、第１絶縁基板１０はポリイミドによって形成されている。支持基板５の背面側からレーザー光ＬＬが照射されると、第２領域ＡＲ２において、レーザー光ＬＬは、第１絶縁基板１０の面１０Ａに到達する。第１絶縁基板１０は、支持基板５と第１絶縁基板１０との間の界面で、レーザー光ＬＬを吸収して分解する。これにより、支持基板５及び第１絶縁基板１０の界面に空間が生じる。この時、第１領域ＡＲ１においては、遮光マスクＬＳが配置されており、レーザー光ＬＬが第１絶縁基板１０の面１０Ａに到達しないため、第１絶縁基板１０と遮光マスクＬＳとの界面は剥離しない。
【００５４】
図８は、図７の第１の工程に続く、支持基板５を第１絶縁基板１０から部分的に剥離し、第１絶縁基板１０に第１コンタクトホールＣＨａ１を形成する第２の工程を説明するための断面図である。  
図８に示すように、レーザー光が照射された後、第１領域ＡＲ１においては、支持基板５は、遮光マスクＬＳを介して第１絶縁基板１０に固定されているが、第２領域ＡＲ２においては、支持基板５は、第１絶縁基板１０から浮いた状態である。その後、第１領域ＡＲ１及び第２領域ＡＲ２の境界で支持基板５を切断することにより、第２領域ＡＲ２において支持基板５が取り除かれる。なお、支持基板５を切断する位置は、遮光マスクＬＳの端と対向する位置に限定されるものではない。例えば、支持基板５を切断する位置は、遮光マスクＬＳの端から距離を置いた位置であって、遮光マスクＬＳと対向しない位置であってもよい。
【００５５】
第２領域ＡＲ２において、支持基板５が第１絶縁基板１０から剥離された後、第１絶縁基板１０に第１コンタクトホールＣＨａ１を形成する工程が行われる。すなわち、第１基板ＳＵＢ１の下方側から、シール材ＳＬと重なる領域に向けてレーザー光が照射されることによって、第１絶縁基板１０に絶縁膜ＩＬまで貫通した第１コンタクトホールＣＨａ１が形成される。本実施形態においては、例えば、２５８ｎｍ以下の波長域を有するレーザー光を用いるのが好ましい。第１コンタクトホールＣＨａ１は、第１貫通部として機能している。
【００５６】
図９は、図８の第２の工程に続く、第２領域ＡＲ２において第１絶縁基板１０を薄膜化しつつ、絶縁膜ＩＬに第２コンタクトホールＣＨａ２を形成する第３の工程を説明するための断面図である。  
次いで、絶縁膜ＩＬに第２コンタクトホールＣＨａ２を形成する工程が行われる。絶縁膜ＩＬが第１コンタクトホールＣＨａ１の内部でアッシング処理によって削られることにより、第２コンタクトホールＣＨａ２が形成される。第２コンタクトホールＣＨａ２は、第１コンタクトホールＣＨａ１に重なる位置に形成されている。第２コンタクトホールＣＨａ２は、第１コンタクトホールＣＨａ１につながっている。第２コンタクトホールＣＨａ２は、第２貫通部として機能している。すなわち、コンタクトホールＣＨａは、第１絶縁基板１０に形成された第１コンタクトホールＣＨａ１と絶縁膜ＩＬに形成された第２コンタクトホールＣＨａ２とによって構成されている。アッシング処理に用いられるガスとしては、例えば、六フッ化硫黄（ＳＦ６）が用いられる。
【００５７】
また、第２コンタクトホールＣＨａ２が形成される工程と同一工程で、第２領域ＡＲ２において第１絶縁基板１０が薄膜化される。つまり、第２コンタクトホールＣＨａ２を形成するためのアッシング処理により、第２領域ＡＲ２において露出した第１絶縁基板１０も削られる。第１絶縁基板１０は、第１領域ＡＲ１においては、支持基板５及び遮光マスクＬＳによって覆われているため削られない。そのため、第１領域ＡＲ１における第１絶縁基板１０の厚さＷ１より、第２領域ＡＲ２における第２絶縁基板１０の厚さＷ２が小さくなる。
【００５８】
ここで、絶縁膜ＩＬがアッシング処理のガスに対して反応する速度と、第１絶縁基板１０がアッシング処理のガスに対して反応する速度は異なっている。また、例えば、絶縁膜ＩＬと第１絶縁基板１０とでは、第１絶縁基板１０の方がアッシング処理による削れ始めの時間が遅い。そのため、絶縁膜ＩＬ及び第１絶縁基板１０のそれぞれのアッシング処理に対する反応速度を考慮し、両者のアッシング処理前の膜厚を設定することにより、第２領域ＡＲ２において、絶縁膜ＩＬがパッド電極ＰＤまで貫通して削られる時間に、第１絶縁基板１０を所望の厚さＷ２まで削ることが可能となる。
【００５９】
本実施形態では、上記のように、絶縁膜ＩＬの第２コンタクトホールＣＨａ２を形成する工程と、第１絶縁基板１０の薄膜化の工程が同時に行われる。これにより、レーザー光による第１絶縁基板１０の薄膜化の工程を必要とせず、製造工程を増やさずに第１絶縁基板１０を薄膜化することが可能である。また、これにより製造コストを抑制することができる。
【００６０】
図１０は、図９の第３の工程に続く、配線基板１を液晶表示パネルＰＮＬに圧着する第４の工程を説明するための断面図である。  
図１０に示すように、第１基板ＳＵＢ１に、コンタクトホールＣＨａが形成された後、異方性導電膜３を用いて、配線基板１を液晶表示パネルＰＮＬに圧着する工程が行われる。すなわち、配線基板１と液晶表示パネルＰＮＬとの間であってコンタクトホールＣＨａと対向する位置に、異方性導電膜３を配置し、配線基板１の下方及び液晶表示パネルＰＮＬの上方から、図９に示した矢印の方向に圧力を加え加熱する。これにより、異方性導電膜３が溶融してコンタクトホールＣＨａ内に浸潤するとともに、異方性導電膜３に含まれる導電粒子がパッド電極ＰＤに接触し、配線基板１及び液晶表示パネルＰＮＬが電気的及び物理的に接続される。  
以上の工程により、配線基板１が液晶表示パネルＰＮＬに圧着される。  
以上説明したように、本実施形態によれば、小型化及び狭額縁化が可能な表示装置を得ることができる。
【００６１】
次に、上記実施形態の変形例１について説明する。
図１１は、上記実施形態に係る表示装置ＤＳＰの変形例１の一部を拡大して示す断面図であり、配線基板１、異方性導電膜３、第１絶縁基板１０、絶縁膜ＩＬ、及びパッド電極ＰＤの構成を示す図である。図１１に示した構成は、図５と比較して、接続配線１００が、凸部Ｔを有している点で相違している。
【００６２】
接続配線１００は、凸部Ｔを有している。接続配線１００の凸部Ｔは、コンタクトホールＣＨａと平面視で重なる位置に形成されている。凸部Ｔは、第１基板ＳＵＢ１側に突出している。凸部Ｔは、少なくとも一部がコンタクトホールＣＨａ内に設けられている。凸部Ｔは、例えば、接続配線１００の上にメッキ等の手法を用いて形成される。
【００６３】
導電粒子ＣＰ１は、コンタクトホールＣＨａにおいて、パッド電極ＰＤ及び凸部Ｔとの間に介在している。上記のように、接続配線１００が凸部Ｔを有することにより、コンタクトホールＣＨ１１において、接続配線１００の凸部Ｔがパッド電極ＰＤとの間に設けられているより多くの数の導電粒子ＣＰ１を押しつぶすことが可能となる。このため、小さい圧着力で、接続配線１００とパッド電極ＰＤとをより確実に電気的に接続することができる。したがって、製品歩留まり、製造歩留まり及び信頼性を向上することが可能となる。  
このような変形例１においても、上記した実施形態と同様の効果が得られる。
【００６４】
図１２は、上記実施形態に係る表示装置ＤＳＰの変形例２を示す断面図である。図１２に示した例では、表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置を示している。  
まず、表示素子部１２０における表示装置の構造を説明する。なお、上記の構成例と同一の構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。
【００６５】
図１２に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、支持基板５、遮光マスクＬＳ、第１絶縁基板１０、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３等を備えている。遮光マスクＬＳは、支持基板５及び第１絶縁基板１０との間に位置している。スイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３は、第１絶縁膜１１の上に形成されている。反射層４は、第４絶縁膜１４の上に形成されている。
【００６６】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、第４絶縁膜１４の上に形成されている。図示した例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１はスイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２はスイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３はスイッチング素子ＳＷ３と電気的に接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、いずれも第２基板ＳＵＢ２の側に向かって白色光を放射するトップエミッションタイプとして構成されている。このような有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、いずれも同一構造である。
【００６７】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、反射層４の上に形成された陽極ＰＥ１を備えている。陽極ＰＥ１は、スイッチング素子ＳＷ１のドレイン電極ＷＤとコンタクトし、スイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続されている。同様に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２はスイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続された陽極ＰＥ２を備え、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３はスイッチング素子ＳＷ３と電気的に接続された陽極ＰＥ３を備えている。
【００６８】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、さらに、有機発光層ＯＲＧ及び共通電極（陰極）ＣＥを備えている。有機発光層ＯＲＧは、陽極ＰＥ１乃至ＰＥ３の上にそれぞれ位置している。共通電極ＣＥは、有機発光層ＯＲＧの上に位置している。図示した例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、それぞれリブ１５によって区画されている。なお、図示しないが、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、透明な封止膜によって封止されていることが望ましい。  
表示素子部１２０とは、第１基板ＳＵＢ１のうち、複数のスイッチング素子及び有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが並んだ領域に相当し、実質的に画像を表示する表示領域である。
【００６９】
第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板３０の内面３０Ａ側に、カラーフィルタ層２２０等を備えている。カラーフィルタ層２２０は、カラーフィルタＣＦ１、カラーフィルタＣＦ２、及び、カラーフィルタＣＦ３を備えている。カラーフィルタＣＦ１は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と対向し、白色のうちの青色波長の光を透過する青色カラーフィルタである。カラーフィルタＣＦ２は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と対向し、白色のうちの緑色波長の光を透過する緑色カラーフィルタである。カラーフィルタＣＦ３は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と対向し、白色のうちの赤色波長の光を透過する赤色カラーフィルタである。  
このような第１基板ＳＵＢ１の表示素子部１２０と第２基板ＳＵＢ２とは、透明な接着剤４１によって接着されている。
【００７０】
このような表示装置においては、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３のそれぞれが発光した際、それぞれの放射光（白色光）は、カラーフィルタＣＦ１、カラーフィルタＣＦ２、カラーフィルタＣＦ３を介してそれぞれ外部に出射される。このとき、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１から放射された白色光のうち、青色波長の光がカラーフィルタＣＦ１を透過する。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２から放射された白色光のうち、緑色波長の光がカラーフィルタＣＦ２を透過する。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３から放射された白色光のうち、赤色波長の光がカラーフィルタＣＦ３を透過する。これにより、カラー表示が実現される。
【００７１】
次に、額縁領域ＰＲＰにおける表示装置の構造を説明する。  
第１基板ＳＵＢ１は、支持基板５、遮光マスクＬＳ、第１絶縁基板１０、パッド電極ＰＤ、信号配線６等を備えている。第１絶縁基板１０は、第１領域ＡＲ１において、厚さＷ１を有しており、第２領域ＡＲ２において、厚さＷ２を有している。厚さＷ２は、厚さＷ１よりも小さい。第１絶縁基板１０、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、及び第３絶縁膜１３には、パッド電極ＰＤまで貫通したコンタクトホールＣＨｂが形成されている。コンタクトホールＣＨｂは、上述した第１貫通部及び第２貫通部を有する貫通部に相当する。信号配線６は、第３絶縁膜１３の上に配置され、パッド電極ＰＤと同層に配置されている。配線基板１は、第１基板ＳＵＢ１の背面側に位置している。パッド電極ＰＤ及び配線基板１の接続配線１００は、異方性導電膜３を介して互いに電気的に接続されている。  
このような表示装置の変形例２である有機ＥＬ表示装置においても、上記したのと同様の効果が得られる。
【００７２】
次に、比較例の表示装置について説明する。  
図１３は、上記実施形態の表示装置ＤＳＰの比較例を示す断面図であり、配線基板１、異方性導電膜３、第１絶縁基板１０、絶縁膜ＩＬ、及びパッド電極ＰＤの構成を示す図である。
【００７３】
図１３に示すように、比較例の表示装置は、図５に示した実施形態と比較して、第２領域ＡＲ２における第１絶縁基板１０の厚さＷ２が、第２領域ＡＲ１における第１絶縁基板１０の厚さＷ１と同等の大きさである点で相違している。
【００７４】
具体的には、導電粒子ＣＰ２が接続配線１００と第１絶縁基板１０との間に噛みこんだ際に、パッド電極ＰＤと接続配線１００との間の高さhは、図５に示した高さhよりも大きい。この時、導電粒子ＣＰ１は、パッド電極ＰＤ及び接続配線１００に接していない。つまり、図１３に示した比較例においては、高さhは、導電粒子ＣＰ１を押しつぶす程十分に小さくなっていない。また、このとき、パッド電極ＰＤの周辺で、導電粒子ＣＰ１が流動し、導電粒子ＣＰ１の密度が低下している。このため、厚さＷ１と厚さＷ２が等しい比較例では、接続配線１００とパッド電極ＰＤの接続の歩留りを向上が可能な表示装置ＤＳＰを得ることは困難なものである。
【００７５】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００７６】
例えば、上記絶縁膜ＩＬは、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３で形成されているが、これに限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、絶縁膜ＩＬは、単一層の絶縁膜、２層の絶縁膜、又は４層以上の絶縁膜で形成されていてもよい。  
また、上記絶縁膜ＩＬは、第１絶縁基板１０とパッド電極ＰＤとの間に介在していなくともよい。この場合、パッド電極ＰＤは第１絶縁基板１０の上に形成される。
【符号の説明】
【００７７】
ＤＳＰ…表示装置、ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、
ＬＱ…液晶層、ＳＬ…シール材、
ＣＨａ１…第１コンタクトホール、ＣＨａ２…第２コンタクトホール、
ＡＲ１…第１領域、ＡＲ２…第２領域、
１０…第１絶縁基板、ＰＤ…パッド電極、６…信号配線、
１００…接続配線、１…配線基板、３…異方性導電膜、
Ｗ１、Ｗ２…厚さ、１１…第１絶縁膜、１２…第２絶縁膜、１３…第３絶縁膜、
ＩＬ…層間絶縁膜、５…支持基板、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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