(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つ貫通孔の間に形成された梁部を有するリードフレームと、
前記リードフレームとの接合面に凹部を有し、前記凹部の互いに向かい合う側壁が前記梁部を挟んだ状態で前記リードフレームに接合されている電子部品と、
を含み、
前記梁部は、前記電子部品との接合面に凹状の段差部を有し、
前記電子部品は、前記凹部の前記側壁が前記梁部を挟む方向と交差する方向において、前記段差部の互いに向かい合う側面によって挟まれた状態で前記リードフレームに接合されている
半導体装置。
【請求項２】
２つ貫通孔の間に形成された梁部を有するリードフレームと、
前記リードフレームとの接合面に凹部を有し、前記凹部の互いに向かい合う側壁が前記梁部を挟んだ状態で前記リードフレームに接合されている電子部品と、
を含み、
前記梁部は、前記電子部品との接合面に凸部を有し、
前記電子部品は、前記凹部の底面が前記凸部に対応する形状を有し、前記凹部の底面に前記凸部が嵌合された状態で前記リードフレームに接合されている
半導体装置。
【請求項３】
前記電子部品は、前記リードフレームとの接合面に一対の電極を有し、前記電極が前記貫通孔の各々を介して前記リードフレームの前記電子部品との接合面とは反対側の面に露出している
請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記リードフレームの前記電子部品との接合面とは反対側の面に設けられた半導体チップを更に含み、
前記半導体チップと前記電子部品の前記電極とがボンディングワイヤで接続されている
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記電子部品は発振子である
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
２つ貫通孔の間に形成された梁部を有するリードフレームと、前記リードフレームとの接合面に凹部を有する電子部品と、を含み、前記梁部が、前記電子部品との接合面に凹状の段差部を有する半導体装置の製造方法であって、
前記凹部の互いに向かい合う側壁が前記梁部を挟み且つ前記凹部の前記側壁が前記梁部を挟む方向と交差する方向において、前記段差部の互いに向かい合う側面によって前記電子部品が挟まれた状態となるように、前記電子部品を前記リードフレームに接合する
半導体装置の製造方法。
【請求項７】
２つ貫通孔の間に形成された梁部を有するリードフレームと、前記リードフレームとの接合面に凹部を有する電子部品と、を含み、前記梁部が、前記電子部品との接合面に凸部を有し、前記凹部の底面が前記凸部に対応する形状を有する半導体装置の製造方法であって、
前記凹部の互いに向かい合う側壁が前記梁部を挟み且つ前記凹部の底面に前記凸部が嵌合された状態となるように、前記電子部品を前記リードフレームに接合する
半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１に記載されているように、計時回路を有する半導体チップと、発振子とをモールド樹脂で封止した半導体装置が知られている。
【０００３】
また、リードフレーム上に搭載される電子部品の実装技術として、以下の技術が知られている。例えば、特許文献２には、リードフレームに設けられた凹部に導電性接着剤を介して電子部品を接合する技術が記載されている。また、特許文献３には、リードフレームのリード部に設けられた凹部に電子部品を埋設し、電子部品の電極と凹部の壁面との間に半田を充填することにより、電子部品とリード部との接合を行う技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−２３２５５０号公報
【特許文献２】特開２００６−３２７７５号公報
【特許文献３】特開２００６−２８６９２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
例えば、特許文献１に記載のような樹脂封止パッケージにおいては、樹脂封止工程において、発振子等の電子部品が搭載されたリードフレームがモールド金型に収容され、その後、モールド金型の内部にモールド樹脂が流し込まれる。発振子等の比較的高さの高い電子部品がリードフレームに搭載された場合には、モールド樹脂の流入時に電子部品に加わる圧力が大きくなり、電子部品が位置ずれを起こす場合がある。電子部品に位置ずれが生じると、電子部品の電極がリードフレームに接触し、動作不良を起こすおそれがある。また、電子部品の電極に接続されたワイヤが、他のワイヤと接触したり、ワイヤにストレスが加わってワイヤが断線に至るおそれがある。
【０００６】
本発明は、上記した点に鑑みてなされたものであり、リードフレームに搭載された電子部品の位置ずれを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る半導体装置は、２つ貫通孔の間に形成された梁部を有するリードフレームと、前記リードフレームとの接合面に凹部を有し、前記凹部の互いに向かい合う側壁が前記梁部を挟んだ状態で前記リードフレームに接合されている電子部品と、を含み、前記梁部は、前記電子部品との接合面に凹状の段差部を有し、前記電子部品は、前記凹部の前記側壁が前記梁部を挟む方向と交差する方向において、前記段差部の互いに向かい合う側面によって挟まれた状態で前記リードフレームに接合されている。
また、本発明に係る半導体装置は、２つ貫通孔の間に形成された梁部を有するリードフレームと、前記リードフレームとの接合面に凹部を有し、前記凹部の互いに向かい合う側壁が前記梁部を挟んだ状態で前記リードフレームに接合されている電子部品と、を含み、前記梁部は、前記電子部品との接合面に凸部を有し、前記電子部品は、前記凹部の底面が前記凸部に対応する形状を有し、前記凹部の底面に前記凸部が嵌合された状態で前記リードフレームに接合されている。
【０００８】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、２つ貫通孔の間に形成された梁部を有するリードフレームと、前記リードフレームとの接合面に凹部を有する電子部品と、を含み、前記梁部が、前記電子部品との接合面に凹状の段差部を有する半導体装置の製造方法であって、前記凹部の互いに向かい合う側壁が前記梁部を挟み且つ前記凹部の前記側壁が前記梁部を挟む方向と交差する方向において、前記段差部の互いに向かい合う側面によって前記電子部品が挟まれた状態となるように、前記電子部品を前記リードフレームに接合する工程を含む。また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、２つ貫通孔の間に形成された梁部を有するリードフレームと、前記リードフレームとの接合面に凹部を有する電子部品と、を含み、前記梁部が、前記電子部品との接合面に凸部を有し、前記凹部の底面が前記凸部に対応する形状を有する半導体装置の製造方法であって、前記凹部の互いに向かい合う側壁が前記梁部を挟み且つ前記凹部の底面に前記凸部が嵌合された状態となるように、前記電子部品を前記リードフレームに接合する工程を含む。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、リードフレームに搭載された電子部品の位置ずれを防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置の内部構成を示す断面図である。
【図２】図２（ａ）および図２（ｂ）は、それぞれ、本実施形態に係るリードフレームおよびこれに搭載された電子部品を、図１に示す矢印Ａおよび矢印Ｂの方向から眺めた平面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る発振子の構成の一例を示す斜視図である。
【図４】本発明の実施形態に係る発振子のリードフレーム２６との接合面の構成を示す斜視図である。
【図５】本発明の実施形態に係る発振子が、梁部に搭載された状態を示す斜視図である。
【図６】本発明の実施形態に係る半導体装置の回路ブロック図である。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｃ）本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図８】図８（ａ）〜図８（ｃ）本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図９】発振子の位置ずれの様子を示す平面図である。
【図１０】図１０（ａ）は、本発明の実施形態に係る梁部の構造を示す斜視図である。図１０（ｂ）は、本発明の実施形態に係る発振子梁部に搭載された状態を示す斜視図である。
【図１１】図１１（ａ）は、本発明の実施形態に係る梁部の構造を示す斜視図である。図１１（ｂ）は、本発明の実施形態に係る発振子が、梁部に搭載された状態を示す斜視図である。
【図１２】本発明の実施形態に係る発振子のリードフレームとの接合面の構成を示す斜視図である。
【図１３】本発明の実施形態に係る半導体装置の内部構成を示す断面図である。
【図１４】図１４（ａ）は、本実施形態に係るリードフレームの発振子との接合部周辺の構成を示す斜視図である。図１４（ｂ）は、本発明の実施形態に係る発振子が、リードフレーム２６に搭載された状態を示す斜視図である。
【図１５】本発明の実施形態に係る発振子のリードフレームとの接合面の構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態の一例を図面を参照しつつ説明する。なお、各図面において同一または等価な構成要素および部分には同一の参照符号を付与し、重複する説明は適宜省略する。
【００１２】
[第１の実施形態]
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１の内部構成を示す断面図である。図２（ａ）は、半導体装置１を構成するリードフレーム２６およびこれに搭載された電子部品を、図１に示す矢印Ａの方向から眺めた平面図であり、図２（ｂ）は、リードフレーム２６およびこれに搭載された電子部品を図１に示す矢印Ｂの方向から眺めた平面図である。
【００１３】
半導体装置１の外形形状は、平面視にて矩形状であり、骨格となるリードフレーム２６と、リードフレーム２６を構成するダイパッド２６Ａの第１の主面２５Ａに搭載された発振子２８と、ダイパッド２６Ａの第１の主面２５Ａとは反対側の第２の主面２５Ｂに搭載された半導体チップ３０と、ダイパッド２６Ａに搭載されたこれらの電子部品を封止するモールド樹脂３２と、を含んで構成されている。
【００１４】
リードフレーム２６は、銅（Ｃｕ）または鉄（Ｆｅ）とニッケル（Ｎｉ）の合金などの金属からなる平板をプレス機で打ち抜いて形成され、ダイパッド２６Ａおよび複数のリード端子３８を含んで構成されている。
【００１５】
リード端子３８は、モールド樹脂３２内に埋設されるインナーリード３８Ａと、モールド樹脂３２から露出しているアウターリード３８Ｂと、を含んで構成されている。インナーリード３８Ａは、図１に示すように、ダイパッド２６Ａより下方に位置するように、プレス機で押し下げられ、ダイパッド２６Ａと平行に延びている。インナーリード３８Ａの先端部は、銀（Ａｇ）などからなるめっき膜で被覆されていてもよい。
【００１６】
アウターリード３８Ｂは、中間部が下方に向けて屈曲され、先端部がインナーリード３８Ａと平行となるよう屈曲された所謂ガルウィング型にフォーミングされている。アウターリード３８Ｂは、半田めっき膜により被覆されていてもよい。
【００１７】
ダイパッド２６Ａは、図２（ａ）、図２（ｂ）に示すように、平面視にて矩形状に形成された平板状の部位であり、第１の主面２５Ａから第２の主面２５Ｂに貫通する矩形形状の貫通孔２６Ｃ、２６Ｄを有する。貫通孔２６Ｃおよび２６Ｄは並置されており、貫通孔２６Ｃと２６Ｄとの間には、発振子２８の搭載領域である帯状の梁部４２が形成されている。
【００１８】
発振子２８は、ダイパッド２６Ａの第１の主面２５Ａ側において梁部４２に接合されている。発振子２８は、一例として、発振周波数が３２．７６８ｋＨｚの面実装タイプの水晶発振子である。
【００１９】
図３は、発振子２８の構成の一例を示す斜視図である。図３には、発振子２８の搭載領域となるダイパッド２６Ａの梁部４２の周辺部分が発振子２８とともに示されている。図４は、発振子２８のリードフレーム２６との接合面の構成を示す斜視図である。
【００２０】
発振子２８は、振動片２８１と、振動片２８１を収容する直方体のケース２８２と、ケース２８２の開口端を覆う蓋体２８３と、を含んで構成されている。振動片２８１は、音叉型の水晶片の表面に励起電極２８１Ａを成膜した水晶振動片であり、励起電極２８１Ａに電流を流すと、圧電効果により振動片２８１が振動する。ここで、振動片２８１として、ＡＴカットの水晶片を用いてもよい。また、振動片２８１として、水晶振動片の他に、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）やニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）で形成した振動片を用いてもよいし、シリコンで形成されたＭＥＭＳ振動片を用いてもよい。
【００２１】
ケース２８２は、上面が開口した箱体であり、その内部の底面には、振動片２８１が固定される台座２８４が設けられている。台座２８４に振動片２８１が固定され、ケース２８２と蓋体２８３とを接合することで、振動片２８１が気密封止される。また、ケース２８２のリードフレーム２６との接合面の両端には、励起電極２８１Ａと電気的に接続された一対の電極２８５が所定の距離Ｌ１だけ離間して設けられている。電極２８５間の距離Ｌ１は、ダイパッド２６Ａに形成された梁部４２の幅Ｌ３よりも大きいものとされている。
【００２２】
図４に示すように、発振子２８のリードフレーム２６との接合面には、蓋体２８３側に向けて凹んだ矩形形状の凹部（溝）２８６が設けられている。凹部２８６は、電極２８５の内側に設けられている。電極２８５の表面に対して陥没した凹部２８６の底面２８６Ｂは、平坦面とされており、電極２８５が並ぶ方向と交差する方向において、同じ高さの平面が発振子２８の端部まで連続的に延在している。底面２８６Ｂの電極２８５が並ぶ方向における両端には、底面２８６Ｂに対して略垂直な側壁２８６Ｓが設けられている。電極２８５が並ぶ方向における凹部２８６の幅Ｌ２は、電極２８５間の距離Ｌ１よりも小さく且つダイパッド２６Ａに形成された梁部４２の幅Ｌ３よりも僅かに大きいものとされている。
【００２３】
図５は、発振子２８が、ダイパッド２６Ａの梁部４２に搭載された状態を示す斜視図である。発振子２８は、リードフレーム２６との接合面に形成された凹部２８６に、梁部４２が嵌合された状態でリードフレーム２６に接合される。換言すれば、発振子２８は、凹部２８６の互いに向かい合う側壁２８６Ｓで梁部４２を挟んだ状態でリードフレーム２６に接合される。発振子２８は、凹部２８６の底面２８６Ｂと梁部４２の表面との間に介在する接着剤によって梁部４２に接着される。このように、発振子２８は、梁部４２を跨いだ状態でダイパッド２６Ａの第１の主面２５Ａに接合される。これにより、図２（ｂ）に示すように、発振子２８のリードフレーム２６との接合面の両端に形成された一対の電極２８５は、それぞれ貫通孔２６Ｃおよび２６Ｄを介してダイパッド２６Ａの第２の主面２５Ｂ側に露出する。
【００２４】
図２（ｂ）に示すように、ダイパッド２６Ａの第２の主面２５Ｂに搭載された半導体チップ３０は、貫通孔２６Ｃおよび２６Ｄを介してダイパッド２６Ａの第２の主面２５Ｂ側に露出している発振子２８の電極２８５とボンディングワイヤ５２を介して電気的に接続されている。また、半導体チップ３０は、ボンディングワイヤ５２を介してリード端子３８と電気的に接続されている。
【００２５】
発振子２８、半導体チップ３０、及びリードフレーム２６は、モールド樹脂３２により封止されている。モールド樹脂３２として、シリカ系の充填材を含有した熱硬化性のエポキシ樹脂を用いることが可能である。なお、モールド樹脂３２として、熱可塑性の樹脂を用いてもよい。
【００２６】
図６は、半導体装置１の回路ブロック図である。半導体チップ３０には、発振回路６１、分周回路６２、計時回路６３および制御回路６０が内蔵されている。発振回路６１は、発振子２８とボンディングワイヤ５２を介して電気的に接続されており、発振子２８とともに共振回路を構成するキャパシタおよび発振を持続させるためのアンプ等（図示せず）を含み、周波数３２．７６８ｋＨｚの発振信号を生成する。分周回路６２は、発振回路６１から出力された発振信号を例えば１５分周することにより１Ｈｚのクロック信号を生成する。計時回路６３は、制御回路６０から供給される周波数補正量に基づいて分周回路６２から出力されるクロック信号の周囲温度変化等に伴う周波数ずれを補正し、補正後のクロック信号を計時信号として出力する。
【００２７】
以下に、本発明の実施形態に係る半導体装置１の製造方法について説明する。図７（ａ）〜図７（ｃ）および図８（ａ）〜図８（ｃ）は、半導体装置１の製造方法を示す断面図である。
【００２８】
初めに、図７（ａ）に示すように、リードフレーム２６を、ダイパッド２６Ａの第１の主面２５Ａが上方に向くようにボンディング装置の載置台２に載置する。発振子２８は、電極２８５を下方に向けた状態でテープ状のパッケージ９９に封入されて搬送されてくる。
【００２９】
次に、ダイパッド２６Ａの第１の主面２５Ａ側の梁部４２の表面に接着剤を塗布する。その後、図７（ｂ）に示すように、ピッカー４で発振子２８をピックアップし、ダイパッド２６Ａの梁部４２に発振子２８を搭載する。発振子２８は、リードフレーム２６との接合面に形成された凹部２８６に梁部４２を嵌め込む形で梁部４２上に搭載される。
【００３０】
次に、図７（ｃ）に示すように、リードフレーム２６を、表裏を反転させて載置台２に載置する。すなわち、リードフレーム２６は、ダイパッド２６Ａの第２の主面２５Ｂが上方を向くように載置台２に載置される。このとき、発振子２８は、載置台２に形成された凹陥部３に収容される。発振子２８の電極２８５は、貫通孔２６Ｃおよび２６Ｄを介してダイパッド２６Ａの第２の主面２５Ｂ側に露出する。
【００３１】
次に、ダイパッド２６Ａの第２の主面２５Ｂの半導体チップ３０の搭載領域に接着剤を塗布する。その後、図８（ａ）に示すように、ダイパッド２６Ａの第２の主面２５Ｂの接着剤が塗布された部分に半導体チップ３０を搭載する。
【００３２】
次に、図８（ｂ）に示すように、半導体チップ３０とリード端子３８とをボンディングワイヤ５２で接続する。更に、半導体チップ３０と発振子２８の電極２８５とをボンディングワイヤ５２で接続する。
【００３３】
次に、図８（ｃ）に示すように、リードフレーム２６を、ダイパッド２６Ａの第１の主面２５Ａが上方を向くように、モールド金型５のキャビティ６内部に収容する。リードフレーム２６は、アウターリード３８Ｂがモールド金型５の外側に突出するように、キャビティ６内部に収容される。その後、モールド金型５の注入口７からモールド樹脂３２を注入する。その後、モールド金型を加熱してモールド樹脂３２を硬化させる。
【００３４】
本発明の実施形態に係る半導体装置１およびその製造方法によれば、図５に示すように、発振子２８は、リードフレーム２６との接合面に凹部２８６を有し、リードフレーム２６の梁部４２が凹部２８６に嵌合された状態でリードフレーム２６に接合される。換言すれば、発振子２８は、凹部２８６の互いに向かい合う側壁２８６Ｓで梁部４２を挟んだ状態でリードフレーム２６に接合される。従って、モールド樹脂３２をモールド金型５の内部に流し込んだときに、発振子２８に対して圧力が加わっても、発振子２８の、凹部２８６の側壁２８６Ｓが梁部４２を挟む方向（図５に示すＹ方向）および回転方向の移動が拘束される。これにより、発振子２８の位置ずれを防止することができる。
【００３５】
ここで、図９は、発振子２８のリードフレーム２６との接合面に凹部２８６が形成されておらず、発振子２８と梁部４２とが嵌合する構造が形成されていない場合に生じ得る発振子２８の位置ずれの様子を例示する平面図である。貫通孔２６Ｃと貫通孔２６Ｄとの間に設けられた梁部４２を発振子２８が跨ぐ構成とした場合には、発振子２８とリードフレーム２６との接合面積が制限されるので、発振子２８とリードフレーム２６との接合強度を確保することが困難となる。従って、モールド樹脂３２をモールド金型５に流し込んだときに発振子２８に加わる圧力によって、図９に示すように、発振子２８が回転して位置ずれを生じる場合がある。このような発振子２８の位置ずれによって、発振子２８の電極２８５がリードフレーム２６と接触した場合には、発振不良が生じ、計時回路６３（図６参照）において適正な周波数の計時信号を出力することができなくなる。また、発振子２８の位置ずれによって、発振子２８と半導体チップ３０とを繋ぐボンディングワイヤ５２にストレスが加わってワイヤはがれやワイヤ断線が生じるおそれがある。
【００３６】
一方、本発明の実施形態に係る半導体装置１およびその製造方法によれば、凹部２８６の側壁２８６Ｓが梁部４２を挟む方向（図５に示すＹ方向）および回転方向への発振子２８の位置ずれを防止することができるので、発振子２８の電極２８５とリードフレーム２６との接触を防止することができ、発振不良を防止することができる。また、発振子２８の位置ずれに伴うボンディングワイヤ５２に加わるストレスを軽減することができる。
【００３７】
［第２の実施形態］
図１０（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置のリードフレーム２６に形成される梁部４２Ａの構造を示す斜視図である。図１０（ａ）には、リードフレーム２６とともに、梁部４２Ａに搭載される発振子２８が併せて示されている。第２の実施形態に係る半導体装置において、発振子２８の構造は、第１の実施形態に係る発振子２８と同様であり、リードフレーム２６との接合面に凹部２８６を有する。
【００３８】
梁部４２Ａには、発振子２８の凹部２８６の側壁２８６Ｓが梁部４２Ａを挟む方向（図１０（ａ）に示すＹ方向）と交差する方向（図１０（ａ）に示すＸ方向）の中央に凹状の段差部４２１が設けられている。すなわち、梁部４２Ａは、ダイパッド２６Ａの第１の主面２５Ａと同じ高さ位置に延在する第１の面Ｓ１と、第１の主面２５Ａよりも下方側（第２の主面２５Ｂ側）に延在する第２の面Ｓ２と、第１の面Ｓ１と第２の面Ｓ２とを繋ぐ側面Ｓ３とを有する。第２の面Ｓ２は、梁部４２ＡのＸ方向中央に配置されており、第１の面Ｓ１および側面Ｓ３は、第２の面Ｓ２を挟む位置に配置されている。第２の面Ｓ２のＸ方向における幅Ｗ２は、発振子２８のＸ方向における幅Ｗ１と同じかこれよりも僅かに大きいものとされている。第２の面Ｓ２の両端に配置される側面Ｓ３は、Ｘ方向において互いに向かい合うように配置されている。
【００３９】
図１０（ｂ）は、発振子２８が、梁部４２Ａに搭載された状態を示す斜視図である。発振子２８は、リードフレーム２６との接合面に形成された凹部２８６に梁部４２Ａが嵌合された状態でリードフレーム２６に接合される。より具体的には、発振子２８は、凹部２８６の側壁２８６ＳでＹ方向において梁部４２Ａを挟み、且つ梁部４２Ａの側面Ｓ３によってＸ方向において挟まれた状態でリードフレーム２６に接合される。すなわち、発振子２８は、凹部２８６と、梁部４２Ａに形成された段差部４２１とが噛み合った状態で梁部４２に接合される。発振子２８は、凹部２８６の底面と梁部４２Ａの第２の面Ｓ２との間に介在する接着剤によって梁部４２Ａに接着される。
【００４０】
本実施形態に係る半導体装置によれば、第１の実施形態と同様、モールド樹脂３２をモールド金型５の内部に流し込んだときに、発振子２８に対して圧力が加わっても、発振子２８に設けられた凹部２８６によって、発振子２８のＹ方向および回転方向の移動が拘束される。さらに、本実施形態に係る半導体装置によれば、梁部４２Ａに形成された段差部４２１の側面Ｓ３に発振子２８が挟まれるので、発振子２８のＸ方向の移動も拘束される。すなわち、本実施形態に係る半導体装置によれば、発振子２８のＸ方向、Ｙ方向および回転方向の位置ずれを防止することが可能となる。
【００４１】
［第３の実施形態］
図１１（ａ）は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置のリードフレーム２６に形成される梁部４２Ｂの構造を示す斜視図である。図１１（ａ）には、リードフレーム２６とともに、梁部４２Ｂに搭載される発振子２８Ａが併せて示されている。図１１（ｂ）は、発振子２８Ａが、梁部４２Ｂに搭載された状態を示す斜視図である。図１２は、本発明の第３の実施形態に係る発振子２８Ａのリードフレーム２６との接合面の構成を示す斜視図である。
【００４２】
図１１（ａ）に示すように、梁部４２Ｂの表面には、ダイパッド２６Ａの第１の主面２５Ａから上方に向けて突出した凸部４２２が設けられている。凸部４２２は、発振子２８Ａに設けられた凹部２８６の側壁２８６Ｓが梁部４２Ｂを挟む方向（図１１（ａ）に示すＹ方向）と交差する方向（図１１（ａ）に示すＸ方向）の中央に配置されている。凸部４２２は、ダイパッド２６Ａの第１の主面２５Ａから梁部４２ＢのＸ方向中央に位置する頂部Ｔに向けて徐々に高さが増すように傾斜した傾斜面Ｐ１を含んで構成されている。すなわち、凸部４２２はＸ方向に沿った断面で見た場合にＶ字型を呈している。
【００４３】
図１２に示すように、本実施形態に係る発振子２８Ａは、第１の実施形態に係る発振子２８と同様、リードフレーム２６との接合面に凹部２８６を有する。発振子２８Ａは、凹部２８６の底面の形状が、梁部４２Ｂに形成された凸部４２２に対応している点において第１の実施形態に係る発振子２８と異なる。すなわち、発振子２８Ａの凹部２８６の底面は、梁部４２Ｂの傾斜面Ｐ１に対応するＶ字型の傾斜面２８６Ｃを有する。
【００４４】
１１（ｂ）に示すように、発振子２８Ａは、リードフレーム２６との接合面に形成された凹部２８６に梁部４２Ｂが嵌合された状態でリードフレーム２６に接合される。より具体的には、発振子２８Ａは、凹部２８６の側壁２８６Ｓで梁部４２Ｂを挟み、且つ凹部２８６の底面に梁部４２Ｂに形成された凸部４２２が嵌合された状態でリードフレーム２６に接合される。すなわち、梁部４２Ｂに形成された凸部４２２の傾斜面Ｐ１と、発振子２８Ａの凹部２８６の底面に形成された傾斜面２８６Ｃとが密着する。
【００４５】
本実施形態に係る半導体装置によれば、第１の実施形態と同様、モールド樹脂３２をモールド金型５の内部に流し込んだときに、発振子２８Ａに対して圧力が加わっても、発振子２８Ａに設けられた凹部２８６によって、発振子２８のＹ方向および回転方向の移動が拘束される。さらに、本実施形態に係る半導体装置によれば、凹部２８６の底面に梁部４２Ｂに形成された凸部４２２が嵌合されることで、発振子２８ＡのＸ方向の移動も拘束される。すなわち、本実施形態に係る半導体装置によれば、発振子２８ＡのＸ方向、Ｙ方向および回転方向の位置ずれを防止することが可能となる。
【００４６】
なお、本実施形態では、梁部４２Ｂに形成される凸部４２２の形状および発振子２８Ａに形成される凹部２８６の底面の形状をＶ字型としたが、これに限定されるものではない。すなわち、発振子２８Ａおよび梁部４２Ｂにおいて、発振子２８ＡのＸ方向への移動を拘束し得る凹凸構造が発振子２８Ａおよび梁部４２の接合面に形成されていればよい。
【００４７】
［第４の実施形態］
図１３は、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置１Ａの内部構成を示す断面図である。本実施形態に係る半導体装置１Ａは、半導体チップ３０および発振子２８Ｂが共にリードフレーム２６（ダイパッド２６Ａ）の第１の主面２５Ａに搭載されており、ダイパッド２６Ａに貫通孔および梁部が設けられていない点が、上記した第１〜第３の実施形態に係る半導体装置と異なる。
【００４８】
図１４（ａ）は、本実施形態に係るリードフレーム２６の発振子２８Ｂとの接合部周辺の構成を示す斜視図である。図１４（ｂ）は、発振子２８Ｂが、リードフレーム２６（ダイパッド２６Ａ）に搭載された状態を示す斜視図である。図１５は、本発明の第４の実施形態に係る発振子２８Ｂのリードフレーム２６との接合面の構成を示す斜視図である。
【００４９】
図１４（ａ）に示すように、リードフレーム２６のダイパッド２６Ａは、半導体チップ３０および発振子２８Ｂが搭載される第１の主面２５Ａに、第１の主面２５Ａから突出した角柱形状または角錐台形状の突起部２９を有する。
【００５０】
図１５に示すように、発振子２８Ｂは、リードフレーム２６との接合面となる蓋体２８３の表面の中央部に、リードフレーム２６に設けられた突起部２９に対応する角柱形状または角錐台形状の陥没部２８７が設けられている。陥没部２８７の縦方向、横方向および深さ方向のサイズは、突起部２９の各方向のサイズよりもわずかに大きいものとされている。
【００５１】
１４（ｂ）に示すように、発振子２８Ｂは、リードフレーム２６との接合面とは反対側に設けられた電極２８５が上方に向けられた状態でリードフレーム２６上に搭載される。発振子２８Ｂは、リードフレーム２６との接合面に形成された陥没部２８７に、リードフレーム２６に形成された突起部２９が嵌合された状態でリードフレーム２６に接合される。
【００５２】
本実施形態に係る半導体装置によれば、モールド樹脂３２をモールド金型５の内部に流し込んだときに、発振子２８Ａに対して圧力が加わっても、発振子２８Ａに設けられた陥没部２８７にリードフレーム２６に設けられた突起部２９が嵌合されることにより、発振子２８ＢのＸ方向、Ｙ方向の位置ずれを防止することが可能となる。また、突起部２９および陥没部２８７の形状を角柱形状または角錐台形状とすることで、発振子２８Ｂの回転方向の位置ずれをも防止することが可能となる。なお、本実施形態では、陥没部２８７および突起部２９を１つずつ設ける場合を例示したが、発振子２８Ａに複数の陥没部２８７を設け、リードフレーム２６に複数の突起部２９を設けてもよい。
【００５３】
なお、発振子２８Ｂに突起部を設け、リードフレーム２６に陥没部を設けることも可能である。しかしながら、リードフレーム２６に陥没部を設けた場合には、リードフレーム２６の底面が非平坦面となるので、リードフレーム２６上に発振子２８Ｂおよび半導体チップ３０を搭載する工程において、リードフレーム２６をボンディング装置の載置台２に安定的に固定することが困難となる。一方、本実施形態のように、発振子２８Ｂに陥没部２８７を設け、リードフレーム２６に突起部２９を設ける構成によれば、リードフレーム２６の底面を平坦面とすることができるので、リードフレーム２６上に発振子２８Ｂおよび半導体チップ３０を搭載する工程において、リードフレーム２６をボンディング装置の載置台２に安定的に固定することが可能となる。
【符号の説明】
【００５４】
１、１Ａ  半導体装置
２６  リードフレーム
２６Ｃ、２６Ｄ  貫通孔
２８、２８Ａ、２８Ｂ  発振子
２９  突起部
３０  半導体チップ
４２、４２Ａ、４２Ｂ  梁部
５２  ボンディングワイヤ
２８５  電極
２８６  凹部
２８６Ｂ  底面
２８６Ｓ  側壁
２８７  陥没部
４２１  段差部
４２２  凸部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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