(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒートスプレッダ（１）上に搭載された半導体素子（３）と、
接合材（２ｂ，１２，２２）を介して前記半導体素子（３）の電極（３ａ）と接合されたリードフレーム（６）と、
前記電極（３ａ）の表面に形成された金属膜（４）と、
前記金属膜（４）の表面に形成された酸化防止膜（５）と、
前記酸化防止膜（５）の周縁部の全周に渡って配置された金属製のワイヤ（２５）と、
を備えた、半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置（３０Ｄ）を有し、かつ、入力された電力を変換して出力する主変換回路（４０）と、
前記主変換回路（４０）を制御する制御信号を前記主変換回路（４０）に出力する制御回路（５０）と、
を備えた、電力変換装置。
【請求項３】
ヒートスプレッダ（１）上に搭載された半導体素子（３）と、
接合材（２ｂ，１２，２２）を介して前記半導体素子（３）の電極（３ａ）と接合されたリードフレーム（６）と、
前記電極（３ａ）の表面に形成された金属膜（４）と、
前記金属膜（４）の表面に形成された酸化防止膜（５）と、
を備え、
前記金属膜（４）の周縁部は、全周に渡って前記酸化防止膜（５）から露出しており、全周に渡って酸化した状態である、半導体装置（３０，３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ，３０Ｅ）を製造する製造方法であって、
前記金属膜（４）の前記周縁部にヒーター（３０）を接触させた状態で前記周縁部の全周に渡って前記ヒーター（３０）を動かして前記金属膜（４）の接触部分を酸化させることではんだ濡れ性を低下させた、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
ヒートスプレッダ（１）上に搭載された半導体素子（３）と、
接合材（２ｂ，１２，２２）を介して前記半導体素子（３）の電極（３ａ）と接合されたリードフレーム（６）と、
前記電極（３ａ）の表面に形成された金属膜（４）と、
前記金属膜（４）の表面に形成された酸化防止膜（５）と、
を備え、
前記金属膜（４）の周縁部は、全周に渡って前記酸化防止膜（５）から露出しており、全周に渡って酸化した状態である、半導体装置（３０，３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ，３０Ｅ）を製造する製造方法であって、
前記金属膜（４）の前記周縁部の全周に渡って同時に枠形状のヒーター（３１）を接触させて前記金属膜（４）の接触部分を酸化させることではんだ濡れ性を低下させた、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば電力制御用半導体装置に搭載された半導体素子のリードフレームへの接合構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置では、熱ストレスの繰り返しにより、半導体装置に搭載された半導体素子のエミッタ電極におけるリードフレームの接合部の周縁部に応力が集中し、エミッタ電極がダメージを受けるという問題がある。従来は、接合部の周縁部に生じる応力を緩和するために、被覆膜が当該接合部を覆うように形成されていた。【０００３】
また、特許文献１には、基板上に形成された酸化性の高い第１の金属皮膜と、第１の金属皮膜上に選択的に形成された耐酸化性の高い第２の金属皮膜と、第１の金属皮膜が露出した部分が酸化されることで生成された酸化皮膜とを有する薄膜回路基板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−３０２４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、エミッタ電極におけるリードフレームの接合部を覆うように被覆膜を形成するためには、エミッタ電極の表面に形成される金属膜の形成のための装置とは異なる別の装置への段取り替えが必要となる。また、工程間搬送時に異物が付着する可能性がある。さらに、被覆膜形成後の被覆膜の位置、寸法、およびかすれなどの検査が必要となり工数が増加する。【０００６】
また、特許文献１に記載の技術のように、ソルダマスクとして酸化防止膜の厚みを一部除去する技術は従来から提案されているが、隣接する電子部品間の一部の酸化防止膜を除去しており、エミッタ電極におけるリードフレームの接合部に生じる応力を緩和するものではなかった。【０００７】
そこで、本発明は、工数の増加を抑制し、かつ、半導体素子の電極におけるリードフレームの接合部の周縁部に生じる応力を緩和することが可能な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る半導体装置は、ヒートスプレッダ上に搭載された半導体素子と、接合材を介して前記半導体素子の電極と接合されたリードフレームと、前記電極の表面に形成された金属膜と、前記金属膜の表面に形成された酸化防止膜と、前記酸化防止膜の周縁部の全周に渡って配置された金属製のワイヤとを備えたものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、半導体装置は、ヒートスプレッダ上に搭載された半導体素子と、接合材を介して半導体素子の電極と接合されたリードフレームと、電極の表面に形成された金属膜と、金属膜の表面に形成された酸化防止膜とを備え、金属膜の周縁部は、全周に渡って酸化防止膜から露出している。【００１０】
接合材が濡れ広がることを抑制できるため、電極とリードフレームとの接合強度の低下を抑制できる。これにより、半導体素子の電極におけるリードフレームの接合部の周縁部に生じる応力を緩和することができる。【００１１】
また、従来行われていた被覆膜形成の工程をなくすことができるため、工程間搬送時に異物が付着する可能性を減らすことができる。これにより、被覆膜形成後の被覆膜の位置、寸法、およびかすれなどの検査が不要となり工数を削減できる。【００１２】
この発明の目的、特徴、局面、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施の形態１に係る電力変換装置の概略構成図である。
【図２】実施の形態１に係る半導体装置におけるリードフレームを接合する前の状態を示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】実施の形態１に係る半導体装置の平面図である。
【図５】図４のＢ−Ｂ線断面図である。
【図６】実施の形態１に係る半導体装置における溶融はんだを用いた接合工程を説明するための説明図である。
【図７】実施の形態１に係る半導体装置における溶融はんだを用いた接合工程を説明するための説明図である。
【図８】実施の形態２に係る半導体装置におけるリードフレームを接合する前の状態を示す平面図である。
【図９】実施の形態２に係る半導体装置の図３相当図である。
【図１０】実施の形態２に係る半導体装置における金属膜の酸化工程を説明するための説明図である。
【図１１】実施の形態２に係る半導体装置における金属膜の酸化工程を説明するための別の説明図である。
【図１２】実施の形態３に係る半導体装置におけるリードフレームを接合する前の状態を示す平面図である。
【図１３】実施の形態３の変形例に係る半導体装置におけるリードフレームを接合する前の状態を示す平面図である。
【図１４】実施の形態４に係る半導体装置におけるリードフレームを接合する前の状態を示す平面図である。
【図１５】実施の形態４に係る半導体装置の図３相当図である。
【図１６】実施の形態４に係る半導体装置の断面図である。
【図１７】実施の形態５に係る半導体装置におけるリードフレームを接合する前の状態を示す平面図である。
【図１８】実施の形態５に係る半導体装置の図３相当図である。
【図１９】実施の形態５に係る半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
＜実施の形態１＞
本発明の実施の形態１について、図面を用いて以下に説明する。図１は、実施の形態１に係る電力変換装置１００の概略構成図である。
【００１５】
最初に、実施の形態１に係る電力変換装置１００について簡単に説明する。電力変換装置１００は、例えば、直流電源と電力系統との間に接続され、太陽電池または燃料電池等から出力される直流電力を交流電力に変換し、当該交流電力を電力系統などの外部に供給するパワーコンディショナーである。電力変換装置１００は、主変換回路４０および制御回路５０を備えている。主変換回路４０は、半導体装置３０を備え、外部から入力された電力を変換して出力する。制御回路５０は、主変換回路４０を制御する制御信号を主変換回路４０に出力する。
【００１６】
次に、実施の形態１に係る半導体装置３０について説明する。図２は、実施の形態１に係る半導体装置３０におけるリードフレーム６を接合する前の状態を示す平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ線断面図である。
【００１７】
図２と図３に示すように、半導体装置３０は、ヒートスプレッダ１、半導体素子３、金属膜４、酸化防止膜５、およびリードフレーム６を備えている。半導体素子３は、ヒートスプレッダ１の表面に接合材としてのはんだ２ａにより接合されることで、ヒートスプレッダ１に搭載されている。リードフレーム６は、接合材としてのはんだ２ｂにより半導体素子３のエミッタ電極３ａに接合されている。より具体的には、リードフレーム６は、エミッタ電極３ａの表面に形成された酸化防止膜５の表面に接合されている。
【００１８】
次に、エミッタ電極３ａの表面に形成される金属膜４および酸化防止膜５について説明する。金属膜４は、エミッタ電極３ａの接合部３ｂの表面に形成されている。酸化防止膜５は、金属膜４の表面のうち金属膜４の周縁部を除く領域に形成されている。そのため、金属膜４の周縁部は、全周に渡って酸化防止膜５から露出しており、金属膜４よりもエミッタ電極３ａの接合部３ｂの中央側に位置する酸化防止膜５の領域に、はんだ２ｂが濡れ広がる。なお、金属膜４の周縁部が酸化防止膜５から露出する幅ａは、全周に渡って同じである。
【００１９】
次に、半導体装置３０の製造方法について説明する。図４は、実施の形態１に係る半導体装置３０の平面図である。図５は、図４のＢ−Ｂ線断面図である。
【００２０】
ヒートスプレッダ１の表面に半導体素子３をはんだ２ａにより接合することで搭載する。そして、半導体素子３のエミッタ電極３ａの接合部３ｂにスパッタ法、蒸着法またはめっき法にて金属膜４を形成する。金属膜４の表面のうち周縁部の全周を除く領域にＳＵＳマスク等を用いたスパッタ法、蒸着法またはめっき法にて酸化防止膜５を形成する。
【００２１】
エミッタ電極３ａはＡｌなどで構成されている。エミッタ電極３ａの表面の積層膜は、半導体素子３側から順に、Ｎｉ／Ａｕなどであり、金属膜４はＮｉ、酸化防止膜５はＡｕなどで構成されている。酸化防止膜５は、Ｎｉで構成された金属膜４が酸化されて、はんだ濡れ性が低下することを抑制するために設けられている。
【００２２】
エミッタ電極３ａの表面の積層膜の厚みは、金属膜４＞酸化防止膜５の関係である。具体的には、金属膜４の厚みは０．５μｍ以上５μｍ以下、酸化防止膜５の厚みは０．０５μｍ以上０．２μｍ以下である。金属膜４の周縁部が酸化防止膜５から露出する幅ａは、５０μｍ以上５００μｍ以下である。金属膜４の厚みを厚くし、金属膜４の周縁部が酸化防止膜５から露出する幅ａを大きくするほど、はんだが濡れ広がりにくくなり接合部３ｂの強度の低下を抑制できるため、接合部３ｂの周縁部に生じる応力を緩和することができる。
【００２３】
次に、図４と図５に示すように、接合材として板はんだ１２を用い、酸化防止膜５の表面に板はんだ１２を配置し、板はんだ１２を用いてリードフレーム６をエミッタ電極３ａに接合する。このとき、板はんだ１２の平面視寸法を酸化防止膜５の平面視寸法と同じ大きさにすることで、半導体素子３の表面にはんだフィレットを形成することができる。板はんだ１２のサイズを変更することで、はんだの濡れ領域とはんだの量を制御することができるため、半導体装置３０の組立性が向上する。
【００２４】
または、図６と図７に示すように、接合材として溶融はんだ２２を用い、ノズル２１からリードフレーム６の穴部６ａを介して酸化防止膜５の表面に溶融はんだ２２を滴下し、溶融はんだ２２を用いてリードフレーム６をエミッタ電極３ａに接合することも可能である。このとき、溶融はんだ２２の濡れ広がり作用にて半導体素子３の表面にはんだフィレットを形成することができる。溶融はんだ２２の濡れ広がりにより、はんだの濡れ領域を制御することができるため、半導体装置３０の組立性が向上する。
【００２５】
以上のように、実施の形態１に係る半導体装置３０は、ヒートスプレッダ１上に搭載された半導体素子３と、はんだ２を介して半導体素子３のエミッタ電極３ａと接合されたリードフレーム６と、エミッタ電極３ａの表面に形成された金属膜４と、金属膜４の表面に形成された酸化防止膜５とを備え、金属膜４の周縁部は、全周に渡って酸化防止膜５から露出している。
【００２６】
したがって、はんだ２ｂが濡れ広がることを抑制できるため、エミッタ電極３ａとリードフレーム６との接合強度の低下を抑制できる。これにより、半導体素子３のエミッタ電極３ａにおけるリードフレーム６の接合部３ｂの周縁部に生じる応力を緩和することができる。
【００２７】
このようにすることで、熱サイクルによる応力で金属膜４が変形しエミッタ電極３ａが坐屈したり引き剥がされたりして表面電極に亀裂が広がることを抑制できる。
【００２８】
また、従来行われていた被覆膜形成の工程をなくすことができるため、工程間搬送時に異物が付着する可能性を減らすことができる。これにより、被覆膜形成後の被覆膜の位置、寸法、およびかすれなどの検査が不要となり工数を削減できる。
【００２９】
また、酸化防止膜５から露出する金属膜４の周縁部を大気中に室温放置することにより、金属膜４の周縁部には自然酸化膜が形成されるため、従来の酸化防止膜の表面の外周部を被覆膜で覆う必要がなくなり、工数および部品点数を削減できる。
【００３０】
電力変換装置１００は、半導体装置３０を有し、かつ、入力された電力を変換して出力する主変換回路４０と、主変換回路４０を制御する制御信号を主変換回路４０に出力する制御回路５０とを備えたため、信頼性および品質の高い電力変換装置１００を実現することができる。
【００３１】
半導体装置３０の製造方法では、接合材として板はんだ１２を用い、酸化防止膜５の表面に板はんだ１２を配置し、板はんだ１２を用いてリードフレーム６をエミッタ電極３ａに接合した。
【００３２】
したがって、板はんだ１２の平面視寸法を酸化防止膜５の平面視寸法と同じ大きさにすることで、半導体素子３の表面にはんだフィレットを形成することができる。また、板はんだ１２のサイズを変更することで、はんだの濡れ領域とはんだの量を制御することができるため、半導体装置３０の組立性が向上する。
【００３３】
半導体装置３０の製造方法では、接合材として溶融はんだ２２を用い、酸化防止膜５の表面に溶融はんだ２２を滴下し、溶融はんだ２２を用いてリードフレーム６をエミッタ電極３ａに接合した。
【００３４】
したがって、溶融はんだ２２の濡れ広がり作用にて半導体素子３の表面にはんだフィレットを形成することができる。溶融はんだ２２の濡れ広がりにより、はんだの濡れ領域を制御することができるため、半導体装置３０の組立性が向上する。
【００３５】
＜実施の形態２＞
次に、実施の形態２に係る半導体装置３０Ａについて説明する。図８は、実施の形態２に係る半導体装置３０Ａにおけるリードフレーム６を接合する前の状態を示す平面図である。図９は、半導体装置３０Ａの図３相当図である。図１０は、半導体装置３０Ａにおける金属膜４の酸化工程を説明するための説明図である。図１１は、半導体装置における金属膜４の酸化工程を説明するための別の説明図である。なお、実施の形態２において、実施の形態１で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
【００３６】
図８と図９に示すように、実施の形態２では、金属膜４の周縁部は、全周に渡って酸化した状態である。換言すると、金属膜４の周縁部には、全周に渡って酸化部７が設けられている。酸化部７が設けられたことで、実施の形態１の場合よりもさらにはんだの濡れ領域を制御することができるため、半導体装置３０の組立性がさらに向上する。
【００３７】
次に、酸化部７の形成方法について説明する。実施の形態１で説明した方法により酸化防止膜５を形成した後、図１０に示すように、例えば平面視にて矩形形状のヒーター３１を用いる。金属膜４の周縁部にヒーター３１を接触させた状態で周縁部の全周に渡ってヒーター３１を動かす。これにより、金属膜４の接触部分を酸化させて酸化部７を形成することができる。
【００３８】
または、図１１に示すように、例えば枠形状のヒーター３２を用い、金属膜４の周縁部の全周に渡って同時にヒーター３２を接触させて金属膜４の接触部分を酸化させて酸化部７を形成することも可能である。
【００３９】
以上のように、実施の形態２に係る半導体装置３０Ａでは、金属膜４の周縁部は、全周に渡って酸化した状態であるため、実施の形態１の場合よりもさらにはんだの濡れ領域を制御することができる。これにより、半導体装置３０の組立性がさらに向上する。
【００４０】
図１０に示すように、半導体装置３０Ａの製造方法では、金属膜４の周縁部にヒーター３１を接触させた状態で周縁部の全周に渡ってヒーター３１を動かして金属膜４の接触部分を酸化させたため、簡単な方法で酸化工程を行うことができる。
【００４１】
また、図１１に示すように、半導体装置３０Ａの製造方法では、金属膜４の周縁部の全周に渡って同時に枠形状のヒーター３２を接触させて金属膜４の接触部分を酸化させたため、図１０の場合よりも簡単かつ時間をかけずに酸化工程を行うことができる。
【００４２】
または、酸化防止膜５から露出する金属膜４の周縁部を大気中に室温放置することにより、金属膜４の周縁部に自然酸化膜を形成してもよい。この場合、図１０と図１２の場合よりも簡単に酸化工程を行うことができる。
【００４３】
＜実施の形態３＞
次に、実施の形態３に係る半導体装置３０Ｂについて説明する。図１２は、実施の形態３に係る半導体装置３０Ｂにおけるリードフレーム６を接合する前の状態を示す平面図である。なお、実施の形態３において、実施の形態１，２で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
【００４４】
図１２に示すように、実施の形態３では、酸化防止膜５の角部５ａの半径Ｒ１は、金属膜４の角部４ａの半径Ｒ２よりも大きい。エミッタ電極３ａ上におけるはんだ２ｂが配置される酸化防止膜５の角部５ａは、特に応力が集中しやすい。そのため、酸化防止膜５の角部５ａの半径Ｒ１を金属膜４の角部４ａの半径Ｒ２よりも大きくすることで、酸化防止膜５の角部５ａへの応力集中を緩和することができる。なお、配線抵抗を抑えるため、エミッタ電極３ａ上の酸化防止膜５はできるだけ広い範囲に設けられる。
【００４５】
この場合に、図１３に示すように、酸化防止膜５は、平面視にて円形状または楕円形状であってもよい。図１３は、実施の形態３の変形例に係る半導体装置３０Ｃにおけるリードフレーム６を接合する前の状態を示す平面図である。
【００４６】
以上のように、実施の形態３に係る半導体装置３０Ｂでは、酸化防止膜５の角部５ａの半径Ｒ１は、金属膜４の角部４ａの半径Ｒ２よりも大きい。実施の形態３の変形例に係る半導体装置３０Ｃでは、酸化防止膜５は、平面視にて円形状または楕円形状である。したがって、酸化防止膜５の角部５ａへの応力集中を緩和することができる。
【００４７】
＜実施の形態４＞
次に、実施の形態４に係る半導体装置３０Ｄについて説明する。図１４は、実施の形態４に係る半導体装置３０Ｄにおけるリードフレーム６を接合する前の状態を示す平面図である。図１５は、半導体装置３０Ｄの図３相当図である。図１６は、半導体装置３０Ｄの断面図である。なお、実施の形態４において、実施の形態１〜３で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
【００４８】
図１４〜図１６に示すように、実施の形態４では、半導体装置３０Ｄは、金属膜４の周縁部は、全周に渡って酸化防止膜５から露出しておらず、酸化防止膜５の周縁部の全周に渡って配置された金属製のワイヤ２５をさらに備えている。ワイヤ２５は、半導体素子３を制御する信号ワイヤと同じ部材であり、例えばアルミニウムにより構成されている。半導体装置３０Ｄでは、複数の短いワイヤ２５が互いに所定間隔をあけて配置されている。
【００４９】
ワイヤ２５を信号ワイヤと同じ部材とすることで、従来のＷ／Ｂ工程内および同じ装置内でワイヤ２５を配置することができ、段取り替えが不要となる。なお、ワイヤ２５はアルミ線径Φ５０μｍ以上５００μｍ以下とし、ステッチ状にボンディングされてもよい。
【００５０】
または、ワイヤ２５は１つの長いワイヤであってもよく、１つの長いワイヤ２５が酸化防止膜５の周縁部の全周に渡って連続的に配置されてもよい。
【００５１】
以上のように、実施の形態４に係る半導体装置３０Ｄでは、酸化防止膜５の周縁部の全周に渡って配置された金属製のワイヤ２５を備えた。
【００５２】
したがって、金属製のワイヤ２５によりはんだ２ｂが濡れ広がることを抑制できるため、エミッタ電極３ａとリードフレーム６との接合強度の低下を抑制できる。これにより、半導体素子３のエミッタ電極３ａにおけるリードフレーム６の接合部３ｂの周縁部に生じる応力を緩和することができる。
【００５３】
このようにすることで、熱サイクルによる応力で金属膜４が変形しエミッタ電極３ａが坐屈したり引き剥がされたりして表面電極に亀裂が広がることを抑制できる。
【００５４】
また、従来行われていた被覆膜形成の工程をなくすことができるため、工程間搬送時に異物が付着する可能性を減らすことができる。これにより、被覆膜形成後の被覆膜の位置、寸法、およびかすれなどの検査が不要となり工数を削減できる。
【００５５】
また、ワイヤ２５を信号ワイヤと同じ部材とすることで、従来のＷ／Ｂ工程内および同じ装置内でワイヤ２５を配置することができ、段取り替えが不要となる。
【００５６】
＜実施の形態５＞
次に、実施の形態５に係る半導体装置３０Ｅについて説明する。図１７は、実施の形態５に係る半導体装置３０Ｅにおけるリードフレーム６を接合する前の状態を示す平面図である。図１８は、半導体装置３０Ｅの図３相当図である。図１９は、半導体装置３０Ｅの断面図である。なお、実施の形態５において、実施の形態１〜４で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
【００５７】
図１７〜図１９に示すように、実施の形態５では、半導体装置３０Ｅは、金属膜４の周縁部は、全周に渡って酸化防止膜５から露出しておらず、酸化防止膜５および金属膜４の周縁部の全周に渡って上側に凸状の段差部５ｂおよび段差部４ｂがそれぞれ設けられている。これにより、はんだの濡れ領域を制御することができ、かつ、半導体装置３０Ｅの組立性が向上する。
【００５８】
次に、段差部４ｂの形成方法について簡単に説明する。金属膜４を一度形成した後、金属膜４の周縁部を除く領域を覆うことが可能なサイズのＳＵＳマスク等を用いて、金属膜４の周縁部だけ金属膜４を重ねることで段差部４ｂを形成することができる。または、金属膜４を一度形成した後、はんだ２ｂが接合される領域をエッチングすることで段差部４ｂを形成することが可能である。
【００５９】
以上のように、実施の形態５に係る半導体装置３０Ｅでは、酸化防止膜５および金属膜４の周縁部の全周に渡って上側に凸状の段差部５ｂおよび段差部４ｂがそれぞれ設けられた。
【００６０】
したがって、段差部５ｂおよび段差部４ｂによりはんだ２ｂが濡れ広がることを抑制できるため、エミッタ電極３ａとリードフレーム６との接合強度の低下を抑制できる。これにより、半導体素子３のエミッタ電極３ａにおけるリードフレーム６の接合部３ｂの周縁部に生じる応力を緩和することができる。
【００６１】
このようにすることで、熱サイクルによる応力で金属膜４が変形しエミッタ電極３ａが坐屈したり引き剥がされたりして表面電極に亀裂が広がることを抑制できる。
【００６２】
また、従来行われていた被覆膜形成の工程をなくすことができるため、工程間搬送時に異物が付着する可能性を減らすことができる。これにより、被覆膜形成後の被覆膜の位置、寸法、およびかすれなどの検査が不要となり工数を削減できる。
【００６３】
この発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
【００６４】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【００６５】
１  ヒートスプレッダ、２ｂ  はんだ、３  半導体素子、３ａ  エミッタ電極、４  金属膜、４ａ  角部、４ｂ  段差部、５  酸化防止膜、５ａ  角部、５ｂ  段差部、６  リードフレーム、２５  ワイヤ、３０，３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ，３０Ｅ  半導体装置、３１，３２  ヒーター、４０  主変換回路、５０  制御回路。
【図１】
0006641526.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
0006641526.tif 000018
【図１８】
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【図１９】
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