(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光電変換素子が設けられた基板と、
前記複数の光電変換素子が設けられた有効画素領域の上、および前記有効画素領域の外側の上に設けられ、放射線を蛍光に変換するシンチレータ層と、
前記シンチレータ層の上に設けられ、前記蛍光を前記有効画素領域側に反射する反射層と、
を備え、
前記シンチレータ層は、複数の柱状結晶の集合体であり、
前記有効画素領域の外側の上に設けられた前記シンチレータ層の周端面は、前記シンチレータ層の外側に向かうに従い、前記基板との間の距離が小さくなるように傾斜し、
前記反射層の前記シンチレータ層側は、前記有効画素領域の上方において、前記複数の柱状結晶同士の間に入り込み、
前記反射層の周端部は、前記シンチレータ層の前記周端面の上に設けられている放射線検出器用モジュール。
【請求項２】
平面視において、前記シンチレータ層の前記周端面は、前記有効画素領域の外側に設けられている請求項１記載の放射線検出器用モジュール。
【請求項３】
前記反射層の前記シンチレータ層側は、前記シンチレータ層の前記周端面においても、前記複数の柱状結晶同士の間に入り込んでいる請求項１または２に記載の放射線検出器用モジュール。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の放射線検出器用モジュールと、
前記放射線検出器用モジュールに設けられた複数の光電変換素子からの画像データ信号をデジタル信号に変換する信号処理部と、
前記デジタル信号に基づいて、放射線画像を合成する画像伝送部と、
を備えた放射線検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、放射線検出器用モジュール、および放射線検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線検出器に組み込まれる放射線検出器用モジュールには、ガラスなどの透光性材料から形成された基板と、基板の上にマトリクス状に設けられた複数の光電変換部と、複数の光電変換部を覆い、放射線を可視光すなわち蛍光に変換するシンチレータ層と、シンチレータ層の上に設けられた反射層と、シンチレータ層および反射層を覆う防湿体などが設けられている。  
シンチレータ層は、複数の光電変換部が設けられた領域（有効画素領域）を覆うように設けられている。  
ここで、真空蒸着法を用いてシンチレータ層を形成すると、シンチレータ層の周縁部分に、傾斜部が形成される。傾斜部の厚み寸法は、シンチレータ層の外側に向かうに従い漸減している。そのため、傾斜部は、シンチレータ層の中央領域にある部分に比べて厚みが薄くなる。そのため、有効画素領域の上方、あるいは、有効画素領域に近接した位置に傾斜部があると感度特性が悪化するおそれがある。  
この場合、有効画素領域から外側に離れた位置に傾斜部を設ければ、感度特性が悪化するのを抑制することができる。しかしながら、有効画素領域から外側に離れた位置に傾斜部を設けるようにすると、放射線検出器用モジュールが大きくなり放射線検出器の小型化が図れなくなるおそれがある。  
また、シンチレータ層全体を覆うように反射層を設ければ、反射層を形成する際に、シンチレータ層の傾斜部を超えて基板の表面にまで反射層が形成されてしまうおそれがある。基板の表面にまで反射層が形成されると、防湿体を基板に接着した際の接着強度が低下するおそれがある。この場合、基板の表面にまで反射層が形成されることを考慮して防湿体の接着位置を外側に設定すると、放射線検出器用モジュールが大きくなり放射線検出器の小型化が図れなくなるおそれがある。  
そのため、有効画素領域に近接した位置にシンチレータ層の傾斜部があっても感度特性を向上させることができ、且つ、放射線検出器用モジュールの小型化、ひいては放射線検出器の小型化を図ることができる放射線検出器用モジュール、および放射線検出器の開発が望まれていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第５３１７６７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、有効画素領域に近接した位置にシンチレータ層の傾斜部があっても感度特性を向上させることができ、且つ、小型化を図ることができる放射線検出器用モジュール、および放射線検出器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る放射線検出器用モジュールは、複数の光電変換素子が設けられた基板と、前記複数の光電変換素子が設けられた有効画素領域の上、および前記有効画素領域の外側の上に設けられ、放射線を蛍光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層の上に設けられ、前記蛍光を前記有効画素領域側に反射する反射層と、を備えている。
前記シンチレータ層は、複数の柱状結晶の集合体である。前記有効画素領域の外側の上に設けられた前記シンチレータ層の周端面は、前記シンチレータ層の外側に向かうに従い、前記基板との間の距離が小さくなるように傾斜している。前記反射層の前記シンチレータ層側は、前記有効画素領域の上方において、前記複数の柱状結晶同士の間に入り込んでいる。前記反射層の周端部は、前記シンチレータ層の前記周端面の上に設けられている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本実施の形態に係るＸ線検出器用モジュール１１、およびＸ線検出器１を例示するための模式斜視図である。
【図２】Ｘ線検出器１のブロック図である。
【図３】本実施の形態に係るＸ線検出器用モジュール１１の周端部近傍を例示するための模式断面図である。
【図４】Ｘ線検出器用モジュール１１の回路図である。
【図５】（ａ）は、防湿体７を例示するための模式平面図である。（ｂ）は、防湿体７を例示するための模式側面図である。
【図６】比較例に係るＸ線検出器用モジュール１１０の周端部近傍を例示するための模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。  
本実施の形態に係る放射線検出器用モジュール、および放射線検出器は、Ｘ線のほかにもγ線などの各種放射線に適用させることができる。ここでは、一例として、放射線の中の代表的なものとしてＸ線に係る場合を例にとり説明をする。したがって、以下の実施形態の「Ｘ線」を「他の放射線」に置き換えることにより、他の放射線にも適用させることができる。
【０００８】
また、放射線検出器であるＸ線検出器１は、例えば、一般医療用途などに用いることができるが、放射線検出（Ｘ線検出）を行うものであれば用途に限定はない。  
また、各図中の矢印Ｘ、Ｙ、Ｚは互いに直交する三方向を表している。例えば、基板２ａの主面に対して垂直な方向をＺ方向としている。また、基板２ａの主面に対して平行な平面内の１つの方向をＹ方向とし、Ｚ方向とＹ方向とに垂直な方向をＸ方向としている。
【０００９】
図１は、本実施の形態に係るＸ線検出器用モジュール１１、およびＸ線検出器１を例示するための模式斜視図である。  
なお、図１においては、煩雑となるのを避けるために反射層６、防湿体７などを省いて描いている。  
図２は、Ｘ線検出器１のブロック図である。  
図３は、本実施の形態に係るＸ線検出器用モジュール１１の周端部近傍を例示するための模式断面図である。  
図４は、Ｘ線検出器用モジュール１１の回路図である。  
図５（ａ）は、防湿体７を例示するための模式平面図である。図５（ｂ）は、防湿体７を例示するための模式側面図である。
【００１０】
まず、本実施の形態に係るＸ線検出器用モジュール１１について説明する。  
図３に示すように、Ｘ線検出器用モジュール１１には、アレイ基板２、シンチレータ層５、反射層６、防湿体７、および接着部８が設けられている。
【００１１】
アレイ基板２は、シンチレータ層５によりＸ線から変換された蛍光（可視光）を電気信号に変換する。  
アレイ基板２は、基板２ａ、光電変換部２ｂ、制御ライン（又はゲートライン）２ｃ１、データライン（又はシグナルライン）２ｃ２、配線パッド２ｄ１、配線パッド２ｄ２、および保護層２ｆを有する。
【００１２】
基板２ａは、板状を呈し、ガラスなどの透光性材料から形成されている。  
光電変換部２ｂは、基板２ａの一方の表面に複数設けられている。  
光電変換部２ｂは、矩形状を呈し、複数の制御ライン２ｃ１と複数のデータライン２ｃ２とにより画された複数の領域のそれぞれに設けられている。複数の光電変換部２ｂは、マトリクス状に並べられている。  
なお、１つの光電変換部２ｂは、１つの画素（pixel）に対応する。  
複数の光電変換部２ｂが設けられた領域が、有効画素領域Ａとなる。（図３を参照）
【００１３】
複数の光電変換部２ｂのそれぞれには、光電変換素子２ｂ１と、スイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）２ｂ２が設けられている。  
また、図４に示すように、光電変換素子２ｂ１において変換した信号電荷を蓄積する蓄積キャパシタ２ｂ３を設けることができる。蓄積キャパシタ２ｂ３は、例えば、矩形平板状を呈し、各薄膜トランジスタ２ｂ２のそれぞれの下に設けることができる。ただし、光電変換素子２ｂ１の容量によっては、光電変換素子２ｂ１が蓄積キャパシタ２ｂ３を兼ねることができる。
【００１４】
光電変換素子２ｂ１は、例えば、フォトダイオードなどとすることができる。  
薄膜トランジスタ２ｂ２は、蛍光が光電変換素子２ｂ１に入射することで生じた電荷の蓄積および放出のスイッチングを行う。薄膜トランジスタ２ｂ２は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン（Ｐ−Ｓｉ）などの半導体材料を含むものとすることができる。薄膜トランジスタ２ｂ２は、ゲート電極２ｂ２ａ、ソース電極２ｂ２ｂ及びドレイン電極２ｂ２ｃを有している。薄膜トランジスタ２ｂ２のゲート電極２ｂ２ａは、対応する制御ライン２ｃ１と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のソース電極２ｂ２ｂは、対応するデータライン２ｃ２と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のドレイン電極２ｂ２ｃは、対応する光電変換素子２ｂ１と蓄積キャパシタ２ｂ３とに電気的に接続される。
【００１５】
制御ライン２ｃ１は、所定の間隔を開けて互いに平行に複数設けられている。制御ライン２ｃ１は、Ｘ方向（例えば、行方向）に延びている。  
複数の制御ライン２ｃ１は、基板２ａの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド２ｄ１のそれぞれと電気的に接続されている。複数の配線パッド２ｄ１には、フレキシブルプリント基板１２ａに設けられた複数の配線の一端がそれぞれ電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板１２ａに設けられた複数の配線の他端は、信号処理部３に設けられた制御回路３１とそれぞれ電気的に接続されている。
【００１６】
データライン２ｃ２は、所定の間隔を開けて互いに平行に複数設けられている。データライン２ｃ２は、Ｘ方向に直交するＹ方向（例えば、列方向）に延びている。  
複数のデータライン２ｃ２は、基板２ａの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド２ｄ２とそれぞれ電気的に接続されている。複数の配線パッド２ｄ２には、フレキシブルプリント基板１２ｂに設けられた複数の配線の一端がそれぞれ電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板１２ｂに設けられた複数の配線の他端は、信号処理部３に設けられた増幅・変換回路３２とそれぞれ電気的に接続されている。  
制御ライン２ｃ１とデータライン２ｃ２は、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属を用いて形成することができる。
【００１７】
また、複数の光電変換素子２ｂ１と電気的に接続される図示しないバイアスラインを設けることもできる。  
図示しないバイアスラインは、例えば、データライン２ｃ２と同じ方向に延びるものとすることができる。
【００１８】
保護層２ｆは、光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、およびデータライン２ｃ２などを覆っている。  
保護層２ｆは、例えば、酸化物絶縁材料、窒化物絶縁材料、酸窒化物絶縁材料、および樹脂材料の少なくとも１種を含む。  
酸化物絶縁材料は、例えば、酸化シリコン、酸化アルミニウムなどである。  
窒化物絶縁材料は、例えば、窒化シリコン、窒化アルミニウムなどである。  
酸窒化物絶縁材料は、例えば、酸窒化シリコンなどである。  
樹脂材料は、例えば、アクリル系樹脂などである。
【００１９】
シンチレータ層５は、複数の光電変換部２ｂ（有効画素領域Ａ）の上に設けられ、入射したＸ線を蛍光すなわち可視光に変換する。  
シンチレータ層５は、例えば、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）：タリウム（Ｔｌ）、あるいはヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）：タリウム（Ｔｌ）などを用いて形成することができる。この場合、真空蒸着法などを用いて、シンチレータ層５を形成すれば、複数の柱状結晶の集合体からなるシンチレータ層５が形成される。  
ここで、真空蒸着法などを用いてシンチレータ層５を形成すると、図３に示すように、シンチレータ層５の周縁部分に、傾斜部５ａが形成される。傾斜部５ａの厚み寸法は、シンチレータ層５の外側に向かうに従い漸減している。そのため、傾斜部５ａは、シンチレータ層５の中央領域にある部分に比べて厚みが薄くなる。  
傾斜部５ａの側面、すなわち、シンチレータ層５の周端面５ａ１は、シンチレータ層５の外側に向かうに従いシンチレータ層５の中心から離れる方向に傾斜している。  
平面視において（Ｚ方向から見て）、シンチレータ層５の周端面５ａ１は、有効画素領域Ａの外側に設けられている。
【００２０】
反射層６は、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために設けられている。すなわち、反射層６は、シンチレータ層５において生じた蛍光のうち、有効画素領域Ａ側とは反対側に向かう光を反射させて、有効画素領域Ａ側に向かうようにする。  
反射層６は、シンチレータ層５の表面側（Ｘ線の入射面側）に設けられている。  
この場合、反射層６の周端部６ａは、シンチレータ層５の周端面５ａ１の上に設けられている。反射層６の周端部６ａは、周端面５ａ１の基板２ａ側の端部５ａ１ａと、周端面５ａ１の基板２ａ側とは反対側の端部５ａ１ｂとの間に設けられている。  
なお、傾斜部５ａと有効画素領域Ａの位置関係と、傾斜部５ａと反射層６の位置関係に関する詳細は後述する。
【００２１】
反射層６は、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ２）などの光散乱性粒子を含む樹脂をシンチレータ層５上に塗布することで形成することができる。  
この場合、反射層６は、酸化チタンからなるサブミクロン粉体と、バインダ樹脂と、溶媒を混合して作成した材料をシンチレータ層５上に塗布し、これを乾燥させることで形成することができる。
【００２２】
防湿体７は、空気中に含まれる水蒸気により、シンチレータ層５および反射層６の特性が劣化するのを抑制するために設けられている。  
図５（ａ）、（ｂ）に示すように、防湿体７は、ハット形状を呈し、表面部７ａ、周面部７ｂ、および、つば（鍔）部７ｃを有する。  
防湿体７は、表面部７ａ、周面部７ｂ、および、つば部７ｃが一体成形されたものとすることができる。
【００２３】
防湿体７は、透湿係数の小さい材料から形成することができる。  
防湿体７は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、樹脂層と無機材料（アルミニウムなどの軽金属、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３などのセラミック系材料）層が積層された低透湿防湿材料などから形成することができる。  
また、防湿体７の厚み寸法は、Ｘ線の吸収や剛性などを考慮して決定することができる。この場合、防湿体７の厚み寸法を大きくしすぎるとＸ線の吸収が多くなりすぎる。防湿体７の厚み寸法を小さくしすぎると剛性が低下して破損しやすくなる。  
防湿体７は、例えば、厚み寸法が０．１ｍｍのアルミニウム箔をプレス成形して形成することができる。
【００２４】
表面部７ａは、シンチレータ層５の表面側（Ｘ線の入射面側）に対峙している。  
周面部７ｂは、表面部７ａの周縁を囲むように設けられている。周面部７ｂは、表面部７ａの周縁から基板２ａ側に延びている。    
表面部７ａおよび周面部７ｂにより形成された空間の内部には、シンチレータ層５と反射層６が設けられる。表面部７ａおよび周面部７ｂと、反射層６またはシンチレータ層５との間には隙間があってもよいし、表面部７ａおよび周面部７ｂと、反射層６またはシンチレータ層５とが接触していてもよい。
【００２５】
つば部７ｃは、周面部７ｂの表面部７ａ側とは反対側の端部を囲むように設けられている。つば部７ｃは、周面部７ｂの端部から外側に向けて延びている。つば部７ｃは、環状を呈し、基板２ａの光電変換部２ｂが設けられる側の面と平行となるように設けられている。  
つば部７ｃは、接着層８を介して、アレイ基板２の周縁領域（有効画素領域Ａの外側）に接着されている。  
ハット形状の防湿体７を用いるものとすれば、高い防湿性能を得ることが可能となる。この場合、防湿体７はアルミニウムなどから形成されるため、水蒸気の透過は極めて少ないものとなる。
【００２６】
接着層８は、つば部７ｃと、アレイ基板２との間に設けられている。接着層８は、例えば、紫外線硬化型の接着剤が硬化することで形成されたものである。  
また、接着層８の透湿率（水蒸気の透過率）は、できるだけ小さくなるようにすることが好ましい。この場合、紫外線硬化型の樹脂に無機材質のタルク（滑石：Ｍｇ３Ｓｉ４Ｏ１０（ＯＨ）２）を７０重量％以上添加すれば、接着層８の透湿係数を大幅に低減させることができる。
【００２７】
次に、傾斜部５ａと有効画素領域Ａの位置関係と、傾斜部５ａと反射層６の位置関係についてさらに説明する。  
図６は、比較例に係るＸ線検出器用モジュール１１０の周端部近傍を例示するための模式断面図である。  
図６に示すように、比較例に係るＸ線検出器用モジュール１１０にも、アレイ基板２、シンチレータ層１１５、反射層１１６、防湿体７、および接着部８が設けられている。
【００２８】
ただし、シンチレータ層１１５の傾斜部１１５ａの一部は、有効画素領域Ａの上に設けられている。  
傾斜部１１５ａは、シンチレータ層１１５の外側に向かうに従い厚み寸法が漸減している。すなわち、傾斜部１１５ａは、シンチレータ層１１５の中央領域にある部分に比べて厚みが薄くなる。シンチレータ層１１５の厚みが薄くなると、蛍光の量が減る。  
そのため、有効画素領域Ａの上方、あるいは、有効画素領域Ａに近接した位置に傾斜部１１５ａがあると、感度特性が悪化するおそれがある。
【００２９】
この場合、有効画素領域Ａから外側に離れた位置に傾斜部１１５ａを設ければ、感度特性が悪化するのを抑制することができる。しかしながら、有効画素領域Ａから外側に離れた位置に傾斜部１１５ａを設けるようにすると、Ｘ線検出器用モジュール１１０が大きくなりＸ線検出器の小型化が図れなくなるおそれがある。
【００３０】
また、シンチレータ層１１５全体を覆うように反射層１１６を設ければ、傾斜部１１５ａの周端面に向かう光を反射させることができるので、感度特性の悪化を抑制することができる。  
しかしながら、反射層１１６は、光散乱性粒子とバインダ樹脂と溶媒を混合して作成した材料をシンチレータ層１１５上に塗布し、これを乾燥させることで形成する。すなわち、反射層１１６の材料は流動性を有する。そのため、反射層１１６を形成する際に、シンチレータ層１１５の傾斜部１１５ａを超えて基板２ａの表面にまで反射層１１６の材料が流出するおそれがある。基板２ａの表面にまで反射層１１６が形成されると、接着層８が反射層１１６の上に形成されることになるので、接着層８における接着強度が低下するおそれがある。この場合、基板２ａの表面にまで反射層１１６の材料が流出することを考慮して防湿体７の接着位置を外側に設定すると、基板２ａ、ひいてはＸ線検出器用モジュール１１０が大きくなりＸ線検出器の小型化が図れなくなるおそれがある。
【００３１】
そこで、本実施の形態に係るＸ線検出器用モジュール１１においては、シンチレータ層５の周端面５ａ１を有効画素領域Ａの外側に設け、反射層６の周端部６ａを、周端面５ａ１の上に設けるようにしている。  
Ｘ線検出器モジュール１１の小型化のためには、シンチレータ層５の周端面５ａ１が、有効画素領域Ａに近接し、かつ、周端面５ａ１の幅寸法(平面視における端部５ａ１ｂと端部５ａ１ａとの間の距離)を小さくする事が望ましい。
前述したように、シンチレータ層５は、複数の柱状結晶の集合体となっている。そして、柱状結晶同士の間には隙間がある。この場合、流動性を有する反射層６の材料を周端面５ａ１の上に塗布すると、塗布された反射層６の材料の一部は、柱状結晶同士の間に入り込む。そのため、反射層６は、シンチレータ層５の周端面５ａ１において、複数の柱状結晶同士の間にも設けられている。  
シンチレータ層５の周端面５ａ１において、流動性を有する反射層６の材料に対する流出抵抗が高くなるので、反射層６の周端部６ａを、周端面５ａ１の上に設けるようにしても、塗布された反射層６の材料がシンチレータ層５の傾斜部５ａを超えて基板２ａの表面にまで流出するのを抑制することができる。  
その結果、シンチレータ層５と接着層８との間の距離が長くなるのを抑制することができる。
【００３２】
そして、反射層６の周端部６ａが、周端面５ａ１の上に設けられていれば、周端面５ａ１に向かう光を有効画素領域Ａ側に反射させることができる。  
そのため、有効画素領域Ａに近接した位置に傾斜部５ａがあっても、感度特性が悪化するのを抑制することができる。  
その結果、有効画素領域Ａに近接した位置にシンチレータ層５の傾斜部５ａがあっても感度特性を向上させることができ、且つ、Ｘ線検出器用モジュール１１の小型化、ひいてはＸ線検出器１の小型化を図ることができる。
【００３３】
次に、図１、図２に戻って、本実施の形態に係るＸ線検出器１について説明する。  
図１に示すように、Ｘ線検出器１には、Ｘ線検出器用モジュール１１、信号処理部３、および画像伝送部４が設けられている。  
信号処理部３は、基板２ａの光電変換部２ｂが設けられる側とは反対側に設けられている。  
信号処理部３は、Ｘ線検出器用モジュール１１に設けられた複数の光電変換素子２ｂ１からの画像データ信号をデジタル信号に変換する。
【００３４】
信号処理部３には、制御回路３１と、増幅・変換回路３２とが設けられている。  
図２に示すように、制御回路３１は、複数のゲートドライバ３１ａと行選択回路３１ｂとを有する。  
ゲートドライバ３１ａは、対応する制御ライン２ｃ１に制御信号Ｓ１を印加する。  
行選択回路３１ｂは、Ｘ線画像の走査方向に従って、対応するゲートドライバ３１ａに外部からの制御信号Ｓ１を送る。  
例えば、制御回路３１は、フレキシブルプリント基板１２ａと制御ライン２ｃ１とを介して、制御信号Ｓ１を各制御ライン２ｃ１毎に順次印加する。制御ライン２ｃ１に印加された制御信号Ｓ１により薄膜トランジスタ２ｂ２がオン状態となり、光電変換素子２ｂ１からの信号電荷（画像データ信号Ｓ２）が受信できるようになる。
【００３５】
増幅・変換回路３２は、複数の積分増幅器３２ａと、複数のＡ／Ｄ変換器３２ｂを有する。  
積分増幅器３２ａは、データライン２ｃ２と配線パッド２ｄ２とフレキシブルプリント基板１２ｂとを介して、各光電変換素子２ｂ１からの画像データ信号Ｓ２を増幅し出力する。積分増幅器３２ａから出力された画像データ信号Ｓ２は、並列／直列変換されてＡ／Ｄ変換器３２ｂに入力される。  
Ａ／Ｄ変換器３２ｂは、入力された画像データ信号Ｓ２（アナログ信号）をデジタル信号に変換する。
【００３６】
図１に示すように、画像伝送部４は、配線４ａを介して、信号処理部３の増幅・変換回路３２と電気的に接続されている。なお、画像伝送部４は、信号処理部３と一体化されていてもよい。  
画像伝送部４は、複数のＡ／Ｄ変換器３２ｂによりデジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２に基づいて、Ｘ線画像を合成する。合成されたＸ線画像のデータは、画像伝送部４から外部の機器に向けて出力される。  
その他、Ｘ線検出器１は、Ｘ線検出器用モジュール１１、信号処理部３、および画像伝送部４を収納する図示しない筐体などを備えることができる。
【００３７】
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【００３８】
１  Ｘ線検出器、２  アレイ基板、２ａ  基板、２ｂ  光電変換部、２ｂ１  光電変換素子、２ｃ１  制御ライン、２ｃ２  データライン、２ｄ１  配線パッド、２ｄ２  配線パッド、３  信号処理部、４  画像伝送部、５  シンチレータ層、５ａ  傾斜部、５ａ１  周端面、５ａ１ａ  端部、５ａ１ｂ  端部、６  反射層、６ａ  周端部、７  防湿体、８  接着部、１１  Ｘ線検出器用モジュール
【図１】
0006704672.tif 000002
【図２】
0006704672.tif 000003
【図３】
0006704672.tif 000004
【図４】
0006704672.tif 000005
【図５】
0006704672.tif 000006
【図６】
0006704672.tif 000007