(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成され、電流を流す少なくとも２つの第１のランドと、
前記第１のランドにボンディングされ、前記第１のランド間を接続する抵抗体用の金属材料からなるワイヤ状の抵抗体とを有し、
前記ワイヤ状の抵抗体の延在方向の表面に、該抵抗体とは異なる金属材料からなる金属膜が形成されており、
前記ワイヤ状の抵抗体の導体抵抗に対して、前記金属膜の導体抵抗が２０倍以上であることを特徴とするシャント抵抗器。
【請求項２】
前記抵抗体用の金属材料は、ＮｉＣｒ系合金、ＣｕＮｉ系合金、ＣｕＭｎ系合金、ＣｕＴｉ系合金、ＣｕＮｉＴｉ系合金、ＣｕＮｉＳｉ系合金のうちのいずれかである請求項１に記載のシャント抵抗器。
【請求項３】
前記金属膜は、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕのいずれか又はこれらを含む合金である請求項１に記載のシャント抵抗器。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか１項に記載のシャント抵抗器と、
前記第１のランドより引き出した電圧検出用の端子と
を備えた、電流検出装置。
【請求項５】
基板上に、前記第１のランドとは異なる少なくとも２つの第２のランドを備え、
前記第１のランドと前記第２のランドとが、ワイヤ状の配線により接続されている請求項４に記載の電流検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はシャント抵抗器等に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路の電流を検出するためのシャント抵抗器は、従来、例えば板状の金属合金に電極を形成して、基板上にはんだ実装することで製造していた。このようにすると、ヒートサイクル等による繰り返し応力によって、実装部のはんだにクラックが発生する場合があった。特に、セラミック製の基板上に、板状の金属合金を母材とするシャント抵抗器を実装する場合は、両者の線膨張差が大きいため、はんだ実装部にクラックが生じやすかった。
【０００３】
はんだを用いないシャント抵抗器として、特許文献１には、アルミワイヤを抵抗体として用いた技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】実開平４−４２７０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１において示されたアルミワイヤの材料であるアルミニウムは、抵抗率が低く、抵抗温度係数（ＴＣＲ）が高い等、高精度の電流検出には不向きであるという問題がある。
【０００６】
本発明は、抵抗体と電極との接合部の信頼性を高め、高精度の電流検出に適したシャント抵抗器およびそれを用いた電流検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によれば、基板上に形成され、電流を流す少なくとも２つの第１のランドと、前記第１のランド間を接続する抵抗体用の金属材料からなるワイヤ状の抵抗体と、を有することを特徴とするシャント抵抗器が提供される。
【０００８】
前記ワイヤ状の抵抗体の側面に前記金属材料とは異なる金属材料からなる金属膜が形成されていることが好ましい。前記金属材料とは異なる金属材料とは、例えば前記第１のランドに対する熱膨張係数などの特性が近い電極材料である。このようにすると、第１のランドへのワイヤ状の抵抗体の接続が容易になるとともに、経時変化に対する信頼性が増す。
【０００９】
前記ワイヤ状の抵抗体の導体抵抗に対して、前記金属膜の導体抵抗が２０倍以上であることが好ましい。金属膜の抵抗率は低い場合が一般的であるが、金属膜の厚さを薄くして、導体抵抗を２０倍以上にしておけば、抵抗体の抵抗値変動を抑制することができる。
【００１０】
前記金属膜は、前記ワイヤ状の抵抗体に沿って間欠的に形成されているようにしても良い。例えば、前記金属膜を、ワイヤーボンディング予定領域のみに行うことで、前記金属膜の導体抵抗の影響をより低減することができる。
【００１１】
前記抵抗体用の金属材料は、ＮｉＣｒ系合金、ＣｕＮｉ系合金、ＣｕＭｎ系合金、ＣｕＴｉ系合金、ＣｕＮｉＴｉ系合金、ＣｕＮｉＳｉ系合金のうちのいずれかであることが好ましい。一方、前記金属膜は、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕのいずれか又はこれらを含む合金であることが好ましい。
【００１２】
また、本発明は、上記に記載のシャント抵抗器と、前記第１のランドより引き出した電圧検出用の端子と、を備えた電流検出装置である。
【００１３】
ここで、基板上に、前記第１のランドとは異なる少なくとも２つの第２のランドを備え、前記第１のランドと前記第２のランドとが、前記電圧検出用の端子としてのワイヤ状の配線により接続されているようにすることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、シャント抵抗器における、抵抗体とランドとの接合部の信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施の形態によるシャント抵抗器の一構成例を示す図であり、図１（ａ）は断面図、図１（ｂ）は、ワイヤーボンディング位置を示す平面図であり、図１（ｃ）はシャント抵抗器の平面図である。
【図２】図２（ａ）は、本発明の第１の実施の形態によるシャント抵抗器の製造工程例を示すフローチャート図である。図２（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態によるシャント抵抗器の製造工程例（要部）を示すフローチャート図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態によるシャント抵抗器技術を利用した電流検出装置の一構成例を示す斜視図である。
【図４】図３の配線に変えて、Ａｌワイヤにより電極から電圧引出を行う四端子の電流検出装置の一例を示す図である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｃ）までは、本実施の形態のシャント抵抗器の変形例を示す斜視図である。
【図６】ワイヤ状の抵抗体の断面形状の変形例を示す図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態によるシャント抵抗器に用いるワイヤ状の抵抗体の一構成例を示す図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態によるシャント抵抗器に用いるワイヤ状の抵抗体の一構成例を示す図である。
【図９】本発明の第３の実施の形態によるワイヤ状の抵抗体を電極にワイヤーボンディングする様子を示す図である。
【図１０】本発明の第４の実施の形態であって、ワイヤ状の抵抗体を用いたワイヤーシャント抵抗器の応用形態の一例を示す図である。図１０（ａ）は表面側からみた斜視図であり、図１０（ｂ）は裏面側からみた斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の発明者は、抵抗体（抵抗合金）用の金属材料をワイヤ状にしてシャント抵抗器の抵抗体とすることを検討した。以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１７】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態によるシャント抵抗器の一構成例を示す図であり、図１（ａ）はシャント抵抗器の断面図、図１（ｂ）は、ワイヤーボンディング位置を示す平面図であり、図１（ｃ）はシャント抵抗器の平面図である。図２（ａ）は、シャント抵抗器の製造工程例を示すフローチャート図である。
【００１８】
図１（ａ）に示すシャント抵抗器は、基板１上に形成されたＣｕ、Ａｌなどからなる一対の電極（ランド）３、５と、電極３、５間にワイヤーボンディングなどにより形成された、電極３、５間に懸架された、抵抗体用の金属材料（抵抗合金等）からなるワイヤ状の抵抗体７と、を有している。基板１は、ＦＲ４などのプリント基板、セラミック基板、メタル基板などであり、これに電極３、５を含む配線パターンが形成されている。図１（ｃ）に示すように、ワイヤ状の抵抗体７の両端は、それぞれ、電極３上の位置Ｐ１と電極５上の位置Ｐ２とにおいて電極３、５と接続されている。ワイヤ状の抵抗体７の両端と、電極３、５表面とは、圧接、超音波などにより接続（ボンディング）し、電気的に導通させることができる。抵抗合金は、ニクロム系合金、銅ニッケル系合金、銅マンガン系合金、銅チタン系合金、銅ニッケルシリコン系合金などを用いることができる。
【００１９】
図１（ｂ）に示すように、ワイヤ状の抵抗体７の両端と電極３、５との接続位置、例えばＰ１２をＰ１２ｘに変更することで、ワイヤ状の抵抗体７の長さを、電極３、５の配置方向に長くするように調整し、抵抗器の抵抗値を調整することができる。
【００２０】
図２（ａ）に示すように、製造工程が開始され（ステップＳ１：  Ｓｔａｒｔ）、ステップＳ２において、基板１を準備する。ステップＳ３において、基板１に、電極３、５を形成する。ステップＳ４において、例えば、ワイヤーボンディング技術を利用して、ワイヤ状の抵抗体７により、電極３、５間を接続し、シャント抵抗器が完成する（Ｅｎｄ：  ステップＳ５）。
【００２１】
ワイヤーボンディングは、例えば、公知のウェッジボンディング装置を応用して行うことができる。例えば、ウェッジボンディング装置のウェッジの先端を超音波振動させ、被接合物（電極）にボンディングワイヤを押し付け超音波と荷重の少なくともいずれか一方により接合する。ウェッジボンディング装置は、通常、回転台(ワイヤを張る方向と超音波振動の方向を合せる)とＸ−Ｙテーブル(ツールの上下動及びワイヤのコントロールを行うボンディング ヘッド又は試料の移動を行う)などにより構成される。その他の公知の装置を利用してワイヤーボンディングを行っても良い。
【００２２】
図３は、上記のシャント抵抗器技術を利用した四端子の電流検出装置の一構成例を示す斜視図である。図３に示すように、基板１上には、図１に示す構成に加えて、電極３、５にそれぞれ配線により接続する接続用バッド３ａ、５ａが設けられている。接続用バッド３ａ、５ａにおいて例えばプローブ測定により、ワイヤ状の抵抗体７を介した電極３、５間の電流を検出することができる。
【００２３】
このように、ワイヤ状の抵抗体７を電極３、５にワイヤーボンディングし、シャント抵抗器とする。そして、電極３ａ、５ａから配線により電圧引出を行うことによって、四端子の電流検出装置を形成することができる。
【００２４】
尚、図４に示すように、配線に代えて、Ａｌワイヤ１１ａ、１１ｂにより電極３ａ、５ａへ電圧引出を行うことによって、シャント抵抗器を利用した四端子の電流検出装置を実現するようにしても良い。
【００２５】
また、図４の構造では、ワイヤ状の抵抗体７と、Ａｌワイヤ１１ａ、１１ｂとは、異なる材料としているが、ワイヤ１１ａ、１１ｂをワイヤ状の抵抗体７と同じ材料で形成しても良い。その場合には、電極３、５と接続用パッド３ａ、５ａとの距離、すなわちワイヤ長さを短くしたり、ワイヤ太さを太くしたり、後述する金属メッキ膜により低抵抗化したワイヤを用いたりしても良い。また、図３、４では、基板に電極３、５を形成してボンディングを行っているが、他の部品上に電極３、５を形成してボンディングを行ってもよい。
【００２６】
この際、ボンディングを行う電極３、５は、電位差が均一になるように、できるだけ厚い電極（例えば厚さ２００μｍの銅箔など）を使用するのが好ましい。
【００２７】
以上に説明したように、本発明の実施の形態によれば、はんだ実装を用いないシャント抵抗器およびシャント抵抗器を利用した電流検出装置を提供することができる。
【００２８】
図５は、本実施の形態のシャント抵抗器の変形例を示す斜視図である。ワイヤ状の抵抗体７の材質、太さ、本数を変数として、様々な所望の抵抗値を得ることができる。また、ワイヤ状の抵抗体７を電極３、５に接続する位置を変更したり、高さを変更したりして、シャント抵抗器の抵抗値を微調整することが可能である。
【００２９】
図５（ａ）は、ワイヤ状の抵抗体７を並列に複数本形成することで、低抵抗化を行った例である。図５（ｂ）は、ワイヤーボンディングの位置をＰ２、Ｐ３のように、電極３、５の配置方向と直交する方向にずらして微調整することで、ワイヤの長さを微調整し、抵抗値を変更する例を示す図である。図５（ｃ）は、ワイヤ状の抵抗体７の太さを調整して抵抗値を調整する例を示しており、図では、例示的にワイヤ状の抵抗体７の径を小さくする細線化により高抵抗化を行った例を示す図である。そのほか、懸架するワイヤの高さを変えることで、ボンディング位置間のワイヤの長さを調整するようにしても良い。
【００３０】
図６は、ワイヤ状の抵抗体の断面形状を変更する例を示す図である。シャント抵抗器においては、抵抗体の抵抗値を低くして多くの電流を流す必要が生じる場合が多い。ワイヤ状のシャント抵抗では、大電流によって溶断してしまう可能性がある。そこで、大電流を流しても問題が生じないように、同じ直径でも電流密度低くする（断面積を大きくする）と良い。
【００３１】
例えば、断面の形状を必要に応じて変化させて対応することができる。種々の断面形状は、抵抗材料を、ダイスと呼ばれる金型を通して材料を引き抜く加工（異形加工）方法により作製することができる。
【００３２】
図６（ａ）は、ワイヤ状の抵抗体７の断面７ｃが円形であり、図６（ｂ）では、ワイヤ状の抵抗体７の断面７ｄが矩形である。同じ径であれば、円形の断面よりも矩形の断面の方が多くの電流を流すことができる。
【００３３】
このように、断面の異なるワイヤ状の抵抗体７を選定することで、シャント抵抗器の抵抗値を変更したり、電流密度を調整したりすることができる。抵抗線の断面は必要に応じて（許容電流量によって選定）、丸形、四角形、六角形以上の多角形などの断面形状に加工することができる。
【００３４】
以上に説明したように、本実施の形態によれば、高精度の電流検出に適したシャント抵抗器における、抵抗体と電極との接合部の信頼性を高めることができる。電極にワイヤーボンディングをする工程においてワイヤの形状やワイヤーボンディングの位置等を工夫することで、様々な抵抗値に対応しやすいという利点がある。
【００３５】
ワイヤ状の合金シャント抵抗は、通常のシャント抵抗とは異なり、はんだ付けをして使用するのでなく、直接ボンディング加工で接続しているため、はんだ接合部にクラックが入って壊れるという従来の問題を解消できる。
【００３６】
従って、高い信頼性を有する抵抗器又はそれを含む電子部品を提供することができる。特に、金属合金との線膨張差の大きい、アルミ基板、セラミック基板で使用されるシャント抵抗器であっても接続の信頼性を高めることができるという効果を有する。
【００３７】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態においては、ワイヤ状の抵抗体の表面（ワイヤの側面）に加工を行った例を示す。一般的には、抵抗体材料はボンディングし難い。そこで、実装性を確保するために、以下のような工夫を施した。
【００３８】
本実施の形態では、図７に示すように、接続するＣｕやＡｌなどの金属電極（３、５）に対してワイヤーボンディング（電極への接続）がしやすいように、ワイヤ状の抵抗体７の延在方向の側面（表面）に、接続する電極（３、５）と熱膨張係数などの特性が近い電極材料による金属膜を、例えば、メッキ加工を施してメッキ膜（メッキ皮膜）２１として形成している。以下、金属膜としてメッキ膜２１を用いた場合を例として説明するが、形成方法はメッキに限定されない。形成方法は、電解メッキ、無電解メッキ、スパッタリング、蒸着、電着などを用いることができる。
【００３９】
メッキ膜２１としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕなどの易ボンディング材料をメッキすることができる。これらを含む合金でもよく、Ｎｉ−Ｐなどでもよい。膜厚は、０．１μｍ、もしくはそれ以下であることが好ましい。
【００４０】
メッキ工程の例である図２（ｂ）に示すように、処理を開始し（ステップＳ１１：  Ｓｔａｒｔ）、ステップＳ１２において、ワイヤ状の抵抗体（抵抗材料ワイヤー）７を準備する。ステップＳ１３において、ワイヤ状の抵抗体７の表面に、Ａｕなどのメッキ膜２１を施し、図１（ａ）のステップＳ４に進む（ステップＳ１４、ｅｎｄ）。
【００４１】
メッキ膜２１の形成を行う場合には、その材料の抵抗がワイヤ状の抵抗体７を構成する抵抗材料（抵抗合金）の抵抗より１０倍以上高くなるように、メッキ膜２１の厚を薄くするように調整することが好ましい。
【００４２】
メッキ膜２１による抵抗材料の被膜部分の比抵抗が高くなるように薄くすることで、メッキ膜２１による抵抗値の変動を抑制することができる。メッキ膜２１の膜厚は、例えば、０．１μｍもしくはそれ以下の膜厚であることが好ましい。
【００４３】
【表１】
0006652393.tif 000002
【００４４】
【表２】
0006652393.tif 000003
【００４５】
以下に、メッキの膜厚についての検討結果を示す。表１は、メッキ材の比抵抗率ρと、ＴＣＲの値を示し、表２は、抵抗材料の例として、Ｃｕ−Ｍｎ−Ｎｉ系、例えば商標名マンガニン（ＣｕＭｎ１２Ｎｉ）と、Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ系、例えば商標名ゼラニン（ＣｕＭｎ７Ｓｎ）との比抵抗率ρと、ＴＣＲの値を示す。
【００４６】
【表３】
0006652393.tif 000004
【００４７】
表３は、抵抗体であるマンガニンのワイヤ（０．１ｍｍφ）に金属の被膜を形成した場合の、被膜（メッキ膜）２１の厚みと、導体抵抗倍率、合成抵抗率、合成ＴＣＲの計算値を示す表である。被膜（メッキ膜）２１として、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇとした場合について、算出している。導体抵抗倍率は、芯材（抵抗体）に対して被膜（メッキ膜）２１が何倍の抵抗値であるかを示す。合成導体抵抗は、芯材（抵抗体）と被膜（メッキ膜）２１とからなるワイヤの抵抗値を示す。合成ＴＣＲは、当該ワイヤのＴＣＲである。
【００４８】
表３より、ハッチで示した領域において、即ち、導体抵抗倍率が２０以上となる被膜（メッキ膜）２１の厚み領域において、電流検出に用いるのに好適な、合成ＴＣＲが２００ｐｐｍ／℃以下の良好な値が得られることがわかる。
【００４９】
【表４】
0006652393.tif 000005
【００５０】
抵抗体であるゼラニンのワイヤ７（０．１ｍｍφ）の表面に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇをそれぞれメッキした場合の導体抵抗倍率、合成抵抗率、合成ＴＣＲを計算した値を表４に示す。表４より、ハッチで示した領域、即ち、導体抵抗倍率が２０以上となる被膜（メッキ膜）２１の厚み領域において、電流検出に用いるのに好適な、合成ＴＣＲが２００ｐｐｍ／℃以下のメッキの影響が抑制された良好な値を有するメッキ付きワイヤ状抵抗材料を得ることができる。
【００５１】
表１にも示されているように、メッキ膜２１の金属材料の抵抗率は、抵抗体７の金属材料の抵抗率に比べて低いため、抵抗体の特性を十分に生かすためには、抵抗率の値が低いメッキ膜２１の厚さは薄い方が好ましい。尚、表１に示すように、抵抗率の高いＮｉであれば、ある程度の厚さがあっても、高精度の電流検出装置用の抵抗器として利用することができる。
【００５２】
【表５】
0006652393.tif 000006
【００５３】
【表６】
0006652393.tif 000007
【００５４】
表５、表６は、マンガニンのワイヤ７の表面にＣｕメッキを施した場合の、マンガニンのワイヤ７の径依存性を示す表である。表５は、０．５ｍｍφ、表６は１．０ｍｍφの場合のＴＣＲ等の値を示す表である。これらの表より、マンガニンのワイヤ７の表面にＣｕメッキを施した場合に、ワイヤ状の抵抗体の導体抵抗に対して、金属膜の導体抵抗が２０倍以上であることが好ましいことがわかる。ワイヤ状の抵抗体の抵抗に対する薄い金属膜の抵抗の倍率（導体抵抗倍率）が２０倍以上であれば（０．５ｍｍφの場合はメッキ厚みが０．２μｍ以下の厚み。１．０ｍｍφの場合は０．４μｍ以下の厚み。）、合成ＴＣＲが２００ｐｐｍ／℃以下の値が得られるため、抵抗値およびＴＣＲ値に関する金属膜（メッキ材料）の影響は抑制できる。さらに温度特性が必要な場合は、導体抵抗倍率は４０倍以上とし、合成ＴＣＲが１００ｐｐｍ／℃程度以下が得られるメッキ厚み０．１μｍ以下、もしくは０．２μｍ以下が好適である。
【００５５】
尚、ワイヤ状の抵抗体７の径が太いほど、厚いメッキ膜２１でも合成ＴＣＲが２００ｐｐｍ／℃以下の良好な値が得られることもわかる。また、メッキ膜２１の厚さは薄い程、特性的には良い値が得られるが、あまり薄くなると、ワイヤーボンディングがしやすいという効果が得にくくなるため、ある程度の厚さは必要である。例えば、０．００５μｍ以上のメッキ厚さであれば、ワイヤーボンディングがしやすいという効果が得られる。
【００５６】
本実施の形態によれば、ワイヤ状の抵抗体の表面に金属膜を形成することで、ワイヤーボンディングをしやすくすることができる。また、耐環境特性を向上させることができる。
【００５７】
尚、ワイヤ状の抵抗体の表面のメッキの領域は、必ずしもワイヤ状の抵抗体の表面全周の領域でなくても良く、例えば、半周の領域、１／４周の領域であっても良い。例えば、全周にわたってメッキ処理を行った後に半周の領域のメッキ膜を除去したりしても良い。
【００５８】
（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態は、第２の実施の形態におけるワイヤ状の抵抗体の表面（ワイヤに沿った表面）に加工を行った例において、線状の抵抗体のうち、例えば、ワイヤーボンディングにより電極と接続するための領域にのみ低抵抗率の金属膜を形成しておく例である。
【００５９】
図８は、本実施の形態によるワイヤ状の抵抗体の一構成例を示す側面図である。図８に示すように、例えば、ワイヤ状の抵抗体７の表面のうち、ワイヤーボンディングを行う予定領域にのみメッキ加工を行ってメッキ膜２１を形成している。それ以外の領域には、抵抗材の表面が露出している。このメッキ膜２１は、ワイヤーボンディングを行う前に電極に接続する領域を決定する際の目印とすることもできる。
【００６０】
図８は、メッキ膜２１を間欠的に形成する例である。メッキ膜２１を施して電極と接続するための領域は、ある程度の余裕を持たせて広めに取るのが好ましい。メッキ膜２１を形成する位置は、必ずしも等間隔でなくても良い。例えば、ワイヤーボンディングを行う電極の位置に応じて、調整するようにしても良い。電極間距離とメッキ膜形成位置との調整により、抵抗体の長さを調整し、抵抗値を調整できるようにすることもできる。
【００６１】
図９は、本実施の形態によるワイヤ状の抵抗体を電極にワイヤーボンディングした様子を示す図である。図９に示すように、ウェッジボンディング装置のウェッジツールの先端部３１を、基板１上の電極５に接触させ、メッキ膜２１により被覆された領域を電極５に接着させる。メッキ膜２１が形成される位置は、電極３、５間の距離等を考慮して予め決めておいても良いし、メッキ膜２１が形成される位置で電極３に接着できるように、ワイヤーボンディングを行うようにしても良い。余裕を持って、メッキ領域を長めに形成しても良い。
【００６２】
以上に説明したように、線状の抵抗体のうち、ワイヤーボンディングを行う領域にのみ金属によるメッキを行うようにすることで、第２の実施の形態において検討した導体合成抵抗と合成ＴＣＲに対するメッキ膜による影響を、より一層低減することができる。従って、メッキ膜２１を厚めにして、電極３、５との接続性を良好にすることができる。
【００６３】
尚、表面メッキを形成した領域は、必ずしもワイヤ状の抵抗体の表面のうちメッキ加工を行う予定領域のみに行うのではなく、全周にわたってメッキ処理を行った後にメッキ加工予定領域以外の領域におけるメッキを除去するようにしても良い。
【００６４】
（第４の実施の形態）
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。
図１０は、本発明の第４の実施の形態であって、ワイヤ状の抵抗体を用いたシャント抵抗器の応用形態の一例を示す図である。図１０は、大電流検出装置の利用例を示す図であり、図１０（ａ）は表面構造、図１０（ｂ）は裏面構造の一例を示す斜視図である。
【００６５】
図１０に示すように、本実施の形態による大電流検出装置は、例えば、１０ｍｍ角程度の無機質の高熱伝導基材（セラミック基板等）１と、高熱伝導基材１に形成された一対の電極からなる電流端子（ランド）３、５と、電流端子３、５間に形成された少なくとも１本のワイヤ状の抵抗体７（図では３本）と、を有する抵抗器を含む。さらに、本実施の形態による大電流検出装置は、高熱伝導基材１に形成された電圧検出用の端子３ａ、５ａと、電圧信号を増幅するアンプ６１と、アンプ６１の出力に接続される電圧信号端子５１と、を有している。電圧信号端子５１は、電源電圧供給端子５１ａ（Ｖｃｃ）、信号出力端子５１ｂ（Ｖｏｕｔ）、接地端子５１ｃ（ＧＮＤ）を有する。
【００６６】
尚、電流端子３、５と、電圧信号端子５１とは、基板１の表面から基板１の裏面まで形成されているブロック状の端子として大電流に対応できるようにすることが好ましい。
【００６７】
このように、本実施の形態によれば、集積化に適した大電流検出装置を安価に提供することができる。
【００６８】
また、シャント抵抗器のシャントをワイヤーボンディング工程により形成することで、線膨張差を吸収することができる。はんだ付けでなくワイヤーボンディングでシャントを形成することで、信頼性が高くなる。尚、ワイヤーボンディング時のワイヤの長さ調整を行うことで、抵抗値を微調整することも可能である。
【００６９】
以上のように、電極部に抵抗線をボンディング加工してシャント抵抗器を作製する際に、部品形状に用意された電極にボンディングを行っても良いし、使用する基板のランドパターンに直接ボンディングを行っても良い。この際、ボンディングを行う電極は電位差が均一になる様ななるべく厚い電極（例えば２００μｍの銅箔など）を使用するのが好ましい。
【００７０】
抵抗体をボンディングした電極から、直接、アルミ等のワイヤで電圧引出のボンディング加工を行うことによって四端子のシャント抵抗器を実現することができる。
本発明には、シャント抵抗器等を製造するための製造方法も含まれる。
【００７１】
上記の実施の形態において、添付図面に図示されている構成等については、これらに限定されるものではなく、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【００７２】
また、本発明の各構成要素は、任意に取捨選択することができ、取捨選択した構成を具備する発明も本発明に含まれるものである。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明は、抵抗器に利用可能である。
【符号の説明】
【００７４】
１…基板、３、５…電極（第１のランド）、３ａ、５ａ…四端子構造の電極（接続用パッド：  第２のランド）、７…ワイヤ状の抵抗体、２１…メッキ膜（メッキ皮膜）。
【図１】
0006652393.tif 000008
【図２】
0006652393.tif 000009
【図３】
0006652393.tif 000010
【図４】
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【図５】
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【図６】
0006652393.tif 000013
【図７】
0006652393.tif 000014
【図８】
0006652393.tif 000015
【図９】
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【図１０】
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