(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体内に設けられ、
電圧の印加によって伸縮する導電性高分子アクチュエータと、
前記筐体と、前記筐体内に挿入された外部装置との接続を検知する検知手段と、
印加する電圧の大きさと、印加時間とを記憶する記憶手段と、
前記検知に基づき、前記記憶手段を参照し、前記導電性高分子アクチュエータに電圧を印加する印加手段と、
を備え、電圧が印加された前記導電性高分子アクチュエータを用いて、前記筐体と、前記外部装置とを固定する固定機構。
【請求項２】
前記印加手段は、
前記検知に基づいて、正電圧の印加に基づいて伸長する前記導電性高分子アクチュエータに、前記筐体と前記外部装置を固定するように前記正電圧を印加する請求項１に記載の固定機構。
【請求項３】
前記検知手段が前記外部装置を前記筐体から取り外す指示を検知した場合、
前記印加手段は、該検知に基づいて、負電圧の印加に基づいて収縮する前記導電性高分子アクチュエータに、前記筐体と前記外部装置との固定を解除するまで負電圧を印加する
請求項２に記載の固定機構。
【請求項４】
前記導電性高分子アクチュエータは伸長し、前記外部装置に設けられた凹部と嵌合する
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の固定機構。
【請求項５】
前記導電性高分子アクチュエータは、前記正電圧の印加により伸長し、前記外部装置に設けられた凹部と嵌合する請求項２又は請求項３に記載の固定機構。
【請求項６】
前記検知手段が、前記外部装置の前記筐体から取り外す指示を検知した場合、
前記印加手段は、該検知に基づき、前記導電性高分子アクチュエータ全体が前記凹部に設けられる空間外に位置するまで前記導電性高分子アクチュエータに負電圧を印加する請求項５に記載の固定機構。
【請求項７】
前記筐体を備える電子機器内部に前記外部装置を固定するためのものであり、前記外部装置を前記筐体内に挿入した状態で、挿抜可能に設けられる、
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の固定機構。
【請求項８】
筐体内に設けられ、電圧の印加によって伸縮する導電性高分子アクチュエータを用いて、前記筐体と、前記筐体内に挿入される外部装置とを固定する固定機構が、前記筐体と、前記外部装置との接続を検知し、
印加する電圧の大きさと、印加時間とを記憶し、
前記検知に基づき、記憶された前記電圧の大きさと前記印加時間とを参照し、前記導電性高分子アクチュエータに電圧を印加する固定方法。
【請求項９】
筐体内に設けられ、電圧の印加によって伸縮する導電性高分子アクチュエータを用いて、前記筐体と、前記筐体内に挿入される外部装置とを固定する固定機構の前記導電性高分子アクチュエータを制御するプログラムであって、
前記筐体と、前記外部装置との接続を検知する処理と、
印加する電圧の大きさと、印加時間とを記憶する処理と、
前記検知に基づき、記憶された前記電圧の大きさと前記印加時間とを参照し、前記導電性高分子アクチュエータに電圧を印加する処理と、
をコンピュータに実行させるプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、筐体と外部装置とを固定する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報処理装置においては、可用性を高めるために外部装置を取り付け、機能を増設することがある。
【０００３】
これら外部装置と情報処理装置の固定方法として、例えば、特許文献１には、電子機器用機能拡張ユニットを、凹部と凸部による嵌合及びばねにより電子機器に固定する方法が記載されている。
【０００４】
また、外部記憶装置を備えた情報処理装置において、使用許可者か否かを判定し、判定結果に基づき、情報処理装置のロックを解除し、外部記憶装置を取り外し制御可能にする情報処理装置のセキュリティシステムが特許文献２に記載されている。
【０００５】
また、カメラレンズの駆動を制御する技術が特許文献３に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−３１６４７２号公報
【特許文献２】特開２００２−２２９６６４号公報
【特許文献３】特開２００７−０９７２５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した特許文献１に記載の固定方法では、電子機器用機能拡張ユニットを固定するためにばねを使用しているため、振動や摺動に対する耐性が低くなってしまう。
【０００８】
また、特許文献２に記載のセキュリティシステムでは、ロック手段としてソレノイドを使用するため、固定機構全体の大きさが大きくなってしまう。
【０００９】
特許文献３に記載の駆動部の固定方法では、固定対象を包むように固定部を配置するため、固定対象の大きさに比例するように固定機構全体の大きさが大きくなってしまう。
【００１０】
そこで、本発明は上記課題を鑑みて発明されたものであって、筐体と外部装置とを効率よく固定する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の固定機構は、筐体内に設けられ、電圧の印加によって伸縮する導電性高分子アクチュエータと、前記筐体と、前記筐体内に挿入された外部装置との接続を検知する検知手段と、前記検知に基づいて前記導電性高分子アクチュエータに電圧を印加する印加手段とを備え、電圧が印加された前記導電性高分子アクチュエータを用いて、前記筐体と、前記外部装置とを固定する。
【００１２】
本発明の固定方法は、筐体内に設けられ、電圧の印加によって伸縮する導電性高分子アクチュエータを用いて、前記筐体と、前記筐体内に挿入される外部装置とを固定する固定機構が、前記筐体と、前記外部装置との接続を検知し、前記検知に基づいて、前記導電性高分子アクチュエータに電圧を印加する。
【００１３】
本発明のプログラムは、筐体内に設けられ、電圧の印加によって伸縮する導電性高分子アクチュエータを用いて、前記筐体と、前記筐体内に挿入される外部装置とを固定する固定機構の前記導電性高分子アクチュエータを制御するプログラムであって、前記筐体と、前記外部装置との接続を検知する処理と、前記検知に基づいて、前記導電性高分子アクチュエータに電圧を印加する処理とをコンピュータに実行させる。
【発明の効果】
【００１４】
筐体と外部装置とを効率よく固定する技術を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態に係るストレージ装置の全体概要の一例を示す図である。
【図２】図１のストレージ装置の断面図である。
【図３】導電性高分子アクチュエータと、凹部との嵌合の一例を示す図２のＢ領域の拡大図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る制御回路の機能構成を示すブロック図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る制御回路のハードウェア構成の一例を示す図である。
【図６】図１のストレージ装置の断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る制御回路の機能構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】
＜第１実施形態＞
図１は本発明の第１実施形態に係るストレージ装置の全体概要の一例を示す図である。
【００１８】
図１において、中央及び右側に図示されている機能拡張ユニット３０がストレージ装置１に収容されている状態を示しており、左側に示す機能拡張ユニット３０は、挿入途中の状態を示している。なお、本実施形態に係る固定機構２０は、上記に限定されず、外部装置を装着可能な様々な電子機器に適用することができる。なお、本実施形態では、機能拡張ユニット３０は略直方体であるとして説明を行うが、この形体には限定されない。
【００１９】
図２は、図１に示すストレージ装置１の一点鎖線における断面図である。
【００２０】
図２において、ストレージ装置１は、筐体１０と、固定機構２０とを有する。そして、筐体１０は、機能拡張ユニット３０が挿入される開口部１１と、機能拡張ユニット３０と接続可能な第１コネクタ部１２とを有する。また、固定機構２０は、筐体１０に機能拡張ユニット３０を固定するための構造体であり、筐体１０と機能拡張ユニット３０との間に設けられる。また、固定機構２０は、筐体１０に機能拡張ユニット３０を固定するように構成された導電性高分子アクチュエータ２１を備える。なお、固定機構２０は、機能拡張ユニット３０と同様に略直方体であるとして説明を行うが、当然この形体には限定されない。
【００２１】
機能拡張ユニット３０は、筐体１０に設けられた第１コネクタ部１２と接続する第２コネクタ部３２を有する。また、機能拡張ユニット３０は、導電性高分子アクチュエータ２１と嵌合する凹部３３が設けられる。なお、好ましくは、導電性高分子アクチュエータ２１は、機能拡張ユニット３０全体を固定するように、少なくとも６か所からの固定が望ましい。例えば、導電性高分子アクチュエータ２１は、図２に示すように機能拡張ユニット３０と接する固定機構２０が有する面のうち、ＸＹ平面と平行な２つの面の夫々に一か所ずつ設ける。また、導電性高分子アクチュエータ２１は、機能拡張ユニット３０と接する第２コネクタ部３１が、図２に示すようにＸＹ平面と平行な２つの面を有している場合、この２つの面の夫々に一か所ずつ設けることが可能である。また、導電性高分子アクチュエータ２１は、図示はしないが、図２に示すようなＸＹ平面と平行な２つの面と垂直に交わる２つの面の夫々に一か所ずつ設けることが可能である。
【００２２】
ここで、導電性高分子の特性について説明する。導電性高分子は、所定の正電圧、または所定の負電圧が印加されると、加えられた電解によりイオンが導電性高分子鎖の間に挿入または、離脱することによって、膨張または収縮をする高分子化合物を示す。具体的な物質としては、ポリアセチレン、ポリチオフェン類などが挙げられる。なお、高分子とは、物質を構成する分子量が千以上または一万以上のものを示す。また、導電性高分子は、イオンが導電性高分子鎖の間に挿入または、離脱することによって、膨張または収縮をするため、全方面において伸縮が起きる。上述した特性を生かし、導電性高分子アクチュエータ２１は、膜状の導電性高分子を積層に構成することで、一定方向への伸縮が可能となる。
【００２３】
図３は、導電性高分子アクチュエータ２１と、凹部３３との嵌合の一例を示す図２のＢ領域の拡大図である。
【００２４】
導電性高分子アクチュエータ２１は、図３に示す制御回路４０から所定の正電圧が印加されると、凹部３３の方向（図３ではＺ軸正方向）に膨張する。そうすると、導電性高分子アクチュエータ２１は、機能拡張ユニット３０に設けられた凹部３３と嵌合する。その結果、機能拡張ユニット３０と、固定機構２０とが固定される。また、固定機構２０は、筐体１０の内部に設けられているため、機能拡張ユニット３０と筐体１０とが固定されているとも言える。なお、導電性アクチュエータ部２１は、所定の正電圧が印加されている間は、伸長後の一定の大きさを維持する。
【００２５】
一方で、導電性高分子アクチュエータ２１は、制御回路４０から負電圧が印加されると収縮する。この収縮により、機能拡張ユニット３０に設けられた凹部３３との嵌合が解放され、機能拡張ユニット３０の固定が解放される。以上のように構成された本実施形態に係るストレージ装置１について、ストレージ装置１に機能拡張ユニット３０を取り付ける場合の動作について説明する。
【００２６】
機能拡張ユニット３０は、第１コネクタ部１２をストレージ装置１に向けた状態で、開口部１１からストレージ装置１へ挿入する。そうすると、第１コネクタ部１２は第２コネクタ部３２と接続される。これにより、機能拡張ユニット３０は、ストレージ装置１と電気的に接続する。そして、制御回路４０はこの電気的に接続したことを検知し、導電性高分子アクチュエータ２１に対し、所定の正電圧を印加する。この印加により導電性高分子アクチュエータ２１は伸長し、機能拡張ユニット３０に設けられた凹部３３と嵌合する。これにより、機能拡張ユニット３０は、ストレージ装置１に物理的に固定される。なお、制御回路４０が印加する電圧は、当業者によって適宜設定することが可能である。なお、制御回路４０の詳細は後述する。
【００２７】
次に、ストレージ装置１から機能拡張ユニット３０を取り外す場合の動作について説明する。
【００２８】
機能拡張ユニット３０を取り外す場合、制御回路４０は、例えば、入力部（図示しない）を用いたユーザによるストレージ装置１からの機能拡張ユニット３０の取り外し指示を受け付ける。指示を受け付けた制御回路４０は、導電性高分子アクチュエータ２１に対し、所定の負電圧を印加する。なお、制御回路４０が印加する電圧は、当業者によって適宜設定することが可能である。
【００２９】
この負電圧の印加により、導電性高分子アクチュエータ２１は収縮し、機能拡張ユニット３０に設けられた凹部３３との嵌合から解放される。これにより機能拡張ユニット３０は物理的な固定から解放される。そして、機能拡張ユニット３０を開口部１１からストレージ装置１とは反対方向へ抜き出すと、ストレージ装置１に設けられた第１コネクタ部１２と、機能拡張ユニット３０に設けられた第２コネクタ部３２の嵌合が解放される。
【００３０】
次に、制御回路４０について説明を行う。制御回路４０は、例えば、固定機構２０の内部に設けられる。
【００３１】
図４は、本実施形態に係る制御回路４０の機能構成を示すブロック図である。図４に示す通り、制御回路４０は、検知部４１と、印加部４２と、記憶部４３とを有する。
【００３２】
検知部４１は、第１コネクタ部１２と第２コネクタ部３２との接続を検知し、印加部４２に対して、ストレージ装置１と機能拡張ユニット３０とを固定する通知（以下、固定通知）を送信する。また、検知部４１は、入力部（図示しない）から、ユーザによるストレージ装置１からの機能拡張ユニット３０の取り外し指示を受け付ける。そして、検知部４１は、印加部４２に対して、ストレージ装置１と機能拡張ユニット３０との固定を解放する通知（以下、解放通知）を送信する。
【００３３】
印加部４２は、検知部４１からの固定通知に基づき、記憶部４３に格納されている正電圧の大きさと、正電圧を印加する時間とを用いて、導電性アクチュエータ２１に正電圧を印加する。また、印加部４２は、検知部４１からの解放通知に基づき、記憶部４３に格納されている負電圧の大きさと、負電圧の印加時間とを用いて、導電性高分子アクチュエータ２１に負電圧を印加する。
【００３４】
記憶部４３は、正電圧の大きさと、正電圧を印加する時間と、負電圧の大きさと、負電圧を印加する時間とを記憶している。なお、正電圧の大きさと、正電圧を印加する時間と、負電圧の大きさと、負電圧を印加する時間とは、当業者によって適宜設定することが可能である。
【００３５】
なお、制御回路４０は、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙ）によって構成されてもよいし、印加部４２がＦＰＧＡによって構成されてもよい。
【００３６】
図２に示す断面図では、一か所の導電性高分子アクチュエータ２１と制御回路４０とが接続しているように構成されているが、導電性高分子アクチュエータ２１夫々に対して制御回路４０が夫々設けられてもよい。また、制御回路４０が１つに対して、導電性高分子アクチュエータ２１夫々に対応する印加部４２が夫々設けられてもよい。また、導電性高分子アクチュエータ２１の夫々に対して印加部４２が設けられる場合、例えば、近距離無線通信によって、検知部４１と、印加部４２と、記憶部４３とが夫々接続されていても良い。
＜ハードウェア構成＞
図５に示した制御回路４０のハードウェア構成について説明する。
【００３７】
検知部４１は、ネットワークインタフェース１０２と、例えば、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）１０１及び記憶装置１０４に記憶されたコンピュータプログラムをＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）１０３に書き込み、書き込まれたコンピュータプログラムを実行するＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）１００とによって構成される。
【００３８】
印加部４２は、例えば、ネットワークインタフェース１０２と、ＲＯＭ１０１及び記憶装置１０４に記憶されたコンピュータプログラムをＲＡＭ１０３に書き込み、書き込まれたコンピュータプログラムを実行するＣＰＵ１００とによって構成される。
【００３９】
記憶部４３は、例えば記憶装置１０４によって構成される。
（効果）
本実施形態に係る固定機構２０によれば、検知部４１が、筐体１０と機能拡張ユニット３０とが接続したこと検知し、この検知に基づいて、印加部４２が、導電性高分子アクチュエータ２１に正電圧を印加する。このように設定することで、機能拡張ユニット３０を筐体１０の内部に挿入するだけで、機能拡張ユニット３０が筐体１０の内部に固定されるので、筐体１０と機能拡張ユニット３０とを効率よく固定することができる。また、固定部材として導電性高分子アクチュエータ２１を使用することで、ソレノイドと比較した際に、固定機構の大きさをより小さくすることができる。
【００４０】
また、本実施形態に係る固定機構２０によれば、検知部４１が例えばユーザからの筐体１０と機能拡張ユニット３０との取り外し指示を検知し、この検知に基づき、印加部４２が、導電性高分子アクチュエータ２１に負電圧を印加する。この印加により導電性高分子アクチュエータ２１は収縮し、機能拡張ユニット３０と筐体１０との固定が解放される。このように設定することで、ユーザは、例えば入力部を使用し、取り外し指示を入力するだけで、機能拡張ユニット３０と筐体１０との固定を解放することができる。よって、筐体１０と、機能拡張ユニット３０とを効率よく固定することができる。
【００４１】
本実施形態に係る固定機構２０によれば、検知部４１が、筐体１０と機能拡張ユニット３０とが接続したこと検知し、この検知に基づき、印加部４２が、導電性高分子アクチュエータ２１に正電圧を印加する。この印加により導電性高分子アクチュエータ２１は伸長し、機能拡張ユニット３０に設けられた凹部３３と嵌合する。この嵌合により、凹部３３が無い場合と比較し、より一層固定することができる。
【００４２】
本実施形態に係る固定機構２０によれば、導電性高分子アクチュエータ２１と凹部３３とが嵌合しており、かつ前記検知部４１が、例えばユーザからの機能拡張ユニット３０の筐体１０から取り外し指示を検知した場合、印加部４２は、該検知に基づき、前記導電性高分子アクチュエータ２１に負電圧を印加する。これにより、導電性高分子アクチュエータ２１は、該印加により収縮し、前記凹部との嵌合から解放される。このように設定することで、ユーザは、例えば入力部を使用し、取り外し指示を入力するだけで、機能拡張ユニット３０と筐体１０との固定を解放することができる。よって、筐体１０と機能拡張ユニット３０とを効率よく固定することができる。
【００４３】
また、本実施形態に係る固定機構２０は、機能拡張ユニット３０に固定された状態で、筐体１０内に挿抜可能に構成されている。そのため、機能拡張ユニット３０そのものは挿抜しない。その結果、機能拡張ユニット３０に対する振動を軽減することができる。また、制御回路４０は、印加部４２が導電性高分子アクチュエータ２１に印加する電圧の大きさと、印加状態を維持す時間を保持する記憶部４３を備える。これにより、ユーザは、印加する電圧の大きさと、印加状態を維持す時間を制御回路４０に指示することなく、導電性高分子アクチュエータ２１に電圧を印加することができる。
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２の実施形態について、図６及び図７を参照して説明する。本実施の形態では、本発明の課題を解決する最小の構成である固定機構７０について説明を行う。
【００４４】
本実施形態の固定機構７０は、第１実施形態と同様にストレージ装置２に含まれる。本実施形態の固定機構７０を備えるストレージ装置２は、ストレージ装置１と同様に、図１に示すように固定装置７０及び筐体６０を備える。
【００４５】
図６は、図１に示すストレージ装置２の一点鎖線における断面図である。
【００４６】
図６において、筐体６０は、機能拡張ユニット８０が挿入される開口部６１を有する。また、固定機構７０は、電圧の印加により伸縮する導電性高分子アクチュエータ７１と、導電性高分子アクチュエータ７１を制御する制御回路９０とを有する。ここで図７を用いて、制御回路９０の構成について説明する。
【００４７】
図７は、図６に示す制御回路９０の構成の一例を示すブロック図である。制御回路９０は、検知部９１と、印加部９２を有する。検知部９１は、図６に示す機能拡張ユニット８０が開口部６１から挿入され、筐体６０と機能拡張ユニット８０とが接続されると、筐体６０と機能拡張ユニット８０との接続を検知する。この検知に基づき、印加部９２は、導電性高分子アクチュエータ７１に対して、例えば、正電圧を印加する。導電性高分子アクチュエータ７１は、正電圧の印加に基づいて伸長し、機能拡張ユニット８０を筐体６０の内部に固定する。
【００４８】
（効果）
本実施形態に係る固定機構７０によれば、検知部９１が、筐体６０と機能拡張ユニット８０とが接続したこと検知し、この検知に基づき、印加部９２が、導電性高分子アクチュエータ７１に電圧を印加する。導電性高分子アクチュエータ７１は正電圧の印加により伸長するため、例えば、印加部９２は、正電圧を印加する。これにより機能拡張ユニット８０が筐体６０の内部に固定される。このように設定することで、機能拡張ユニット８０を筐体６０の内部に挿入するだけで、機能拡張ユニット８０を筐体６０の内部に固定することができる。よって、筐体６０と機能拡張ユニット８０とを効率よく固定することができる。また、固定部材として導電性高分子アクチュエータ７１を使用することで、ソレノイドと比較した際に、固定機構の大きさをより小さくすることができる。
【００４９】
以上、実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されものではない。本発明の構成や詳細には、本発明のスコープ内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
【符号の説明】
【００５０】
１    ストレージ装置
２    ストレージ装置
１０    筐体
１１    開口部
１２    第１コネクタ部
２０    固定機構
２１    導電性高分子アクチュエータ
３０    機能拡張ユニット
３２    第２コネクタ部
３３    凹部
４０    制御回路
４１    検知部
４２    印加部
４３    記憶部
６０    筐体
６１    開口部
７０    固定機構
７１    導電性高分子アクチュエータ
８０    機能拡張ユニット
９０    制御回路
９１    検知部
９２    印加部
１００    ＣＰＵ
１０１    ＲＯＭ
１０２    ネットワークインタフェース
１０３    ＲＡＭ
１０４    記憶装置
【図１】
0006641869.tif 000002
【図２】
0006641869.tif 000003
【図３】
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【図４】
0006641869.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
0006641869.tif 000008