(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
テスタとプローブとの間の配線経路上に設けられる多層配線基板であって、
複数の絶縁性合成樹脂層から成る絶縁板と、
前記絶縁板に設けられた配線回路と、
前記絶縁板に埋設して形成され、前記配線回路に電気的に接続された薄膜抵抗体と、
前記絶縁板の一方の面上に、前記複数の絶縁性合成樹脂層のうち一部を介して前記薄膜抵抗体と対向して設けられ、前記絶縁板より高い熱伝導率を有する放熱部と、
前記絶縁板に埋設して形成され、前記複数の絶縁性合成樹脂層のうち一部を介して前記放熱部と反対側で前記薄膜抵抗体と対向して設けられ、前記絶縁板より高い熱伝導率を有する台座部と、
前記放熱部と前記台座部とを前記薄膜抵抗体の側方で接続して前記絶縁板に埋設されて設けられ、前記絶縁板より高い熱伝導率を有する放熱台座接続部と、
を備えたことを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記放熱台座接続部は、前記薄膜抵抗体の長手方向に沿って設けられている
ことを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記放熱台座接続部は、前記薄膜抵抗体の両側方に前記薄膜抵抗体を挟んで複数設けられている
ことを特徴とする請求項２記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記放熱台座接続部は、前記薄膜抵抗体の少なくとも一方の側方に複数設けられた放熱台座接続部同士が接続されている
ことを特徴とする請求項３記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記薄膜抵抗体の両端にそれぞれ接続され前記絶縁板から少なくとも一部突出するように設けられた一対の接続電極と、
前記一対の接続電極の前記絶縁板から突出した部分の少なくとも一部を覆うように設けられた絶縁保護層と、をさらに備え、
前記放熱部は、前記一対の接続電極と接触することなく前記絶縁保護層上及びその間に位置する絶縁板の面上を覆うように設けられている
ことを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記薄膜抵抗体の両端にそれぞれ接続され前記絶縁板から少なくとも一部突出するように設けられた一対の接続電極と、
前記一対の接続電極の前記絶縁板から突出した部分の少なくとも一部と、前記一対の接続電極間に位置する絶縁板の面上とを覆うように設けられた絶縁保護層と、をさらに備え、
前記放熱部は、前記一対の接続電極と接触することなく前記絶縁保護層上を覆うように設けられている
ことを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【請求項７】
前記薄膜抵抗体が、複数設けられており、
前記放熱部は、前記複数の薄膜抵抗体と対向して設けられ、
前記放熱部と前記台座部とが複数の前記放熱台座接続部によって接続されている
ことを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項記載の多層配線基板を有するプローブカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被測定デバイスとテスタとの間の電気的経路上に介在させて試験に必要な信号を伝達する、薄膜抵抗体が組み込まれた多層配線基板及びこの多層配線基板を用いたプローブカードに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハ（以下、単に「ウェーハ」ともいう）上に集合的に形成された半導体集積回路（以下、「ウェーハチップ」ともいう）は、各チップに分離される前に、テスタ装置（以下、「テスタ」ともいう）を用いた電気的な検査（例えばウェーハテスト）を受ける。この電気的検査のために、一般的には、テスタと被測定デバイスである各ウェーハチップとの間に介在させて、テスタと被測定デバイス間で検査信号や応答出力等を伝達するプローブカードが用いられる。テスタに接続されたプローブカードの各プローブを被測定デバイスの対応する電極パッドに接触させることにより、被測定デバイスは電気的検査のためのテスタに接続される（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このようなプローブカードは、多層配線基板をプローブ基板として、該プローブ基板の一方の面に多数のプローブが配置されている。また、このプローブ基板すなわち多層配線基板に組み込まれた配線回路には、例えばインピーダンスマッチングのような電気的整合を目的として、あるいは各プローブへの供給電力の制御を目的として、電気抵抗体が組み込まれる。
【０００４】
このような多層配線基板に抵抗体を組み込む方法として、薄膜抵抗体を配線基板の母材となる電気絶縁材料からなる合成樹脂層に埋設して形成することが行われている。（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
このように合成樹脂層に埋設して形成される薄膜抵抗体を有するプローブカードを用いて、ウェーハに形成された各被測定デバイスの電気的検査を行う場合、薄膜抵抗体は、通電する電流値を上げていくとワット数に応じた熱量が発生することになる。薄膜抵抗体は、電気絶縁材料からなる合成樹脂層よりも小さな線膨張係数を有する金属材料からなるため、薄膜抵抗体とこれが固着された合成樹脂層との間の線膨張係数の差に応じて、その境界で応力を反復して受けることになる。このような温度変化による繰り返し応力は、薄膜抵抗体の劣化を促進し、破損を招く原因となる場合が有る。
【０００６】
そこで、薄膜抵抗体が埋設された合成樹脂層に隣接する合成樹脂層に、線膨張係数の小さい熱伸縮抑制層を前記薄膜抵抗体に沿うように埋設することにより、耐久性を向上させることが提案されている。（例えば、特許文献３参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−１５１４９７号公報
【特許文献２】特開２００８−２８３１３１号公報
【特許文献３】特開２０１４−８９０８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献３に記載のように熱伸縮抑制層を形成することにより、薄膜抵抗体と合成樹脂層との間の熱伸縮差をある程度抑制することができるが、合成樹脂層を形成する電気絶縁材料の熱伝導性は、薄膜抵抗体を形成する導電材料と比較して低いので、薄膜抵抗体により発熱した熱は絶縁材料内で籠もることになる。
【０００９】
そして、絶縁材料の温度が上昇し、耐熱温度を超えると熱破壊が発生し、電気的検査を行うことができなくなる場合が有る。
【００１０】
また、温度上昇が絶縁材料の耐熱温度に至らない場合でも、加熱による膨張および冷却による収縮の影響により、薄膜抵抗体に反復して過剰な応力を受けると薄膜抵抗体の劣化が進行し、破損を招く原因となる場合が有る。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、薄膜抵抗体が電気絶縁材料となる合成樹脂層に埋設された多層配線基板において、薄膜抵抗体から発生する熱を効率的に放熱することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る多層配線基板の第１の特徴は、
テスタとプローブとの間の配線経路上に設けられる多層配線基板であって、  複数の絶縁性合成樹脂層から成る絶縁板と、
前記絶縁板に設けられた配線回路と、
前記絶縁板に埋設して形成され、前記配線回路に電気的に接続された薄膜抵抗体と、
前記絶縁板の一方の面上に、前記複数の絶縁性合成樹脂層のうち一部を介して前記薄膜抵抗体と対向して設けられ、前記絶縁板より高い熱伝導率を有する放熱部と、
前記絶縁板に埋設して形成され、前記複数の絶縁性合成樹脂層のうち一部を介して前記放熱部と反対側で前記薄膜抵抗体と対向して設けられ、前記絶縁板より高い熱伝導率を有する台座部と、
前記放熱部と前記台座部とを前記薄膜抵抗体の側方で接続して前記絶縁板に埋設されて設けられ、前記絶縁板より高い熱伝導率を有する放熱台座接続部と、
を備えたことを特徴とすることにある。
【００１３】
本発明に係る多層配線基板の第２の特徴は、
前記放熱台座接続部は、前記薄膜抵抗体の長手方向に沿って設けられていることにある。
【００１４】
本発明に係る多層配線基板の第３の特徴は、
前記放熱台座接続部は、前記薄膜抵抗体の両側方に前記薄膜抵抗体を挟んで複数設けられていることにある。
【００１５】
本発明に係る多層配線基板の第４の特徴は、
前記放熱台座接続部は、前記薄膜抵抗体の少なくとも一方の側方に複数設けられた放熱台座接続部同士が接続されていることにある。
【００１６】
本発明に係る多層配線基板の第５の特徴は、
前記薄膜抵抗体の両端にそれぞれ接続され前記絶縁板から少なくとも一部突出するように設けられた一対の接続電極と、
前記一対の接続電極の前記絶縁板から突出した部分の少なくとも一部を覆うように設けられた絶縁保護層と、をさらに備え、
前記放熱部は、前記一対の接続電極と接触することなく前記絶縁保護層上及びその間に位置する絶縁板の面上を覆うように設けられていることにある。
【００１７】
本発明に係る多層配線基板の第６の特徴は、
前記薄膜抵抗体の両端にそれぞれ接続され前記絶縁板から少なくとも一部突出するように設けられた一対の接続電極と、
前記一対の接続電極の前記絶縁板から突出した部分の少なくとも一部と、前記一対の接続電極間に位置する絶縁板の面上とを覆うように設けられた絶縁保護層と、をさらに備え、
前記放熱部は、前記一対の接続電極と接触することなく前記絶縁保護層上を覆うように設けられていることにある。
【００１８】
本発明に係る多層配線基板の第７の特徴は、
前記薄膜抵抗体が、複数設けられており、
前記放熱部は、前記複数の薄膜抵抗体と対向して設けられていることにある。
【００１９】
本発明に係るプローブカードの第１の特徴は、上述した第１〜７の特徴のうちいずれかを有する多層配線基板を有するプローブカード。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、薄膜抵抗体が組み込まれた多層配線基板において、薄膜抵抗体から発生する熱を効率的に放熱することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態に係るプローブカードを用いた試験装置を概略的に示す断面図である。
【図２】（ａ）は、本発明の一実施形態に係るプローブカードが備える多層配線基板の一部平面図であり、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ’断面で切断したときの一部断面図であり、（ｃ）は、（ａ）におけるＢ−Ｂ’断面で切断したときの一部断面図であり、（ｄ）は、（ａ）におけるＣ−Ｃ’断面で切断したときの一部断面図である。
【図３】図２に示したプローブカードの製造工程を示す製造途中の多層配線基板の一部平面図であり、（ａ）は第１の合成樹脂層４２ａ上に台座部４８を形成する工程を示し、（ｂ）は台座部４８を覆う第２の合成樹脂層４２ｂを形成する工程を示し、（ｃ）は第２の合成樹脂層４２ｂ上に薄膜抵抗体４６を形成する工程を示し、（ｄ）は第３の合成樹脂層４２ｃを形成する工程を示し、（ｅ）は一対の接続電極４４ｃを形成する工程を示し、（ｆ）は絶縁保護層４５を形成する工程を示し、（ｇ）は放熱部４７を形成する工程を示している。
【図４】（ａ）は、本発明の変形例１に係るプローブカードが備える多層配線基板の一部平面図であり、（ｂ）は、（ａ）におけるＣ−Ｃ’断面で切断したときの一部断面図である。
【図５】（ａ）は、本発明の変形例２に係るプローブカードが備える多層配線基板の一部平面図であり、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ’断面で切断したときの一部断面図である。
【図６】（ａ）は、本発明の変形例３に係るプローブカードが備える多層配線基板の一部平面図であり、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ’断面で切断したときの一部断面図である。
【図７】（ａ）は、本発明の変形例４に係るプローブカードが備える多層配線基板の一部平面図であり、（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ’断面で切断したときの一部断面図である。
【図８】本発明の変形例５に係るプローブカードが備える多層配線基板の製造途中の一部平面図であり、第１の合成樹脂層上に台座部を形成する工程を示す図である。
【図９】本発明の変形例６に係るプローブカードが備える多層配線基板の一部平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態に係るプローブカードを、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２３】
図１は、本発明の一実施形態であるプローブカードが組み込まれた試験装置の全体構造を示した概略断面図である。
【００２４】
図１に示す本発明の一実施形態に係るプローブカード１０が組み込まれた試験装置１は、ウェーハ１２に形成された多数のＩＣ回路であるウェーハチップ（図示せず）の電気的試験に用いられる。ウェーハ１２の一方の面には、各ウェーハチップのための多数の電極１２ａが形成されており、試験装置１は、それら電極１２ａに、プローブカード１０に設けられたプローブ４０を、１回で又は複数回に分けて接触させて試験に必要な信号等を印加し各ウェーハチップの電気的試験を行う。
【００２５】
試験装置１は、被検査体であるウェーハ１２を移動可能に保持するウェーハプローバ（以下、単に「プローバ」ともいう）と、複数のプローブ４０を備える電気的接続装置、すなわちプローブカード１０と、プローブカード１０を介して被測定デバイスと接続し、被測定デバイスへ試験に必要な信号や電圧等を印加するとともに被測定デバイスの応答特性等を評価するテスタ３２とを有する。
【００２６】
プローバは、ウェーハ１２を保持する支持台１６と、この支持台１６を移動可能に支持する支持機構１４とを有している。
【００２７】
支持台１６は、ウェーハ１２の多数のウェーハチップの電極１２ａを上方に向けた状態で、ウェーハ１２を取り外し可能に保持するためのチャック機構（例えば真空チャック）を備えた台である。
【００２８】
支持機構１４は、ウェーハ１２が保持された支持台１６を移動可能に支持する機構であり、例えばｘｙｚθ機構のような支持機構１４を用いることができる。このｘｙｚθ機構のような支持機構１４は、支持台１６を垂直軸（ｚ軸）と直角な水平面（ｘｙ面）上でｘ軸及びｙ軸に沿って移動させ、また前記垂直軸（ｚ軸）に沿って上下方向へ移動させ、さらに前記垂直軸の回りに前記水平面（ｘｙ面）を回転させることができる。これによりウェーハ１２のプローブカード１０に対する位置及び姿勢が制御される。
【００２９】
プローブカード１０は、テスタ３２側へ電気的に接続するための複数のコネクタ２８と、ウェーハチップの電極１２ａへ接触させるための複数のプローブ４０と、コネクタ２８とプローブ４０間を接続する配線回路とを有している。プローブカード１０は、例えばガラス入りエポキシ樹脂材料のような電気絶縁樹脂を母材として形成された全体に円形平板状の配線基板１８（例えばリジット配線基板）と、配線基板１８の下面に固定された平板状の電気接続器２０と、電気接続器２０の下面に固定されたプローブ基板２２とを備える。図１に示す例では、さらに、配線基板１８の上面に固定された補強部材２６と、補強部材２６の上に装着された円板状のカバー３０とを備える。これら部材１８、２０、２２、２６、３０は、図示しない複数のボルト等の締結具により堅固に組み付けられている。補強部材２６及びカバー３０は不要とするように構成してもよい。
【００３０】
配線基板１８は、上面の環状周縁部には、テスタ３２の図示しないテストヘッドに配線路３４を介して取り外し可能に接続される多数のコネクタ２８が設けられている。各コネクタ２８は、プローブカード１０のテスタ３２への接続端として機能する。また、配線基板１８はコネクタ２８と接続し下面側に導く配線路を含む配線回路を備えている。配線基板１８は、その縁部がテスタ３２のテストヘッドのフレームやプローバのフレームに設けられた環状のカードホルダ２４に載せられて支持される。
【００３１】
電気接続器２０は、配線基板１８とプローブ基板２２とを電気的に接続するボードであり、例えばポゴピンを有する電気接続器を用いることができる。電気接続器２０は、従来よく知られているように、配線基板１８の配線回路の配線路と、プローブ基板２２の後述する配線回路の配線路であって配線基板１８の前記配線路に対応する配線路とを電気的に相互に接続する。
【００３２】
プローブ基板２２は、図１に示す例では、電気接続器２０の下面に固定されたセラミック板３６と、セラミック板３６の下面に固着された多層配線基板３８とを備える。
【００３３】
セラミック板３６には、配線基板１８の前記配線回路の各配線路に対応した配線路（図示せず）が形成されている。そして、電気接続器２０を介して、配線基板１８の配線路とそれに対応するセラミック板３６の配線路が相互に接続されるように、セラミック板３６はその上面が電気接続器２０の下面に接合されている。
【００３４】
また、多層配線基板３８には、セラミック板３６の前記配線路に対応した配線路を含む配線回路（図示せず）が形成されている。そして、セラミック板３６の前記配線路とそれに対応する多層配線基板３８の前記配線路が相互に接続されるように、多層配線基板３８はその上面がセラミック板３６の下面に接合されている。
【００３５】
多層配線基板３８の下面には、従来よく知られているように、多層配線基板３８の対応する前記配線路に接続され、ウェーハ１２の対応する電極１２ａに接続可能な多数のプローブ４０が設けられている。プローブ４０と前記配線路との接続は、多層配線基板３８の下面に配線金属材料の堆積によって形成された図示しないプローブパッドを介して行う。前記プローブパッドは対応する前記配線路に接続され、プローブ４０は前記プローブパッドに固着される。
【００３６】
プローブ４０としては、従来から知られているものを利用でき、例えば、片持ち梁状のプローブ、フォトリソグラフィ技術と堆積技術とを用いて製作された板状のプローブ、電気絶縁シートの一方の面に複数の配線を形成し、その配線の一部を接触子として用いるプローブ等を利用できる。
【００３７】
補強部材２６は、ステンレス板のような金属材料で製作され、前記配線基板１８の上面に接合される平坦な下面を有している。補強部材２６は、上下の両方に開放する空間を複数有した形状をしており、例えば、特開２００８−１４５２３８号公報に記載されているように、同心状に形成された径の異なる複数の環状部と、これら環状部を径方向で連結する連結部と、最も外側の環状部から径方向外方に延びる延長部とを有するように形成できる。
【００３８】
本発明に係るプローブカード１０では、従来におけると同様に、各プローブ４０がウェーハ１２の対応する電極１２ａに接続されると、多層配線基板３８、セラミック板３６、電気接続器２０及び配線基板１８の各対応する配線路を経て、各プローブ４０がテスタ３２に接続される。この接続状況下でテスタ３２から必要な電気信号や電源電圧等が所定のプローブ４０を経てウェーハ１２の各ウェーハチップに供給され、また各ウェーハチップから応答信号が所定のプローブ４０を経てテスタ３２に返される。この信号の交信によってウェーハ１２の各ウェーハチップが電気的検査を受ける。
【００３９】
次に、本発明の一実施形態に係るプローブカード１０が備える多層配線基板３８の詳細について説明する。
【００４０】
多層配線基板３８は、例えばポリイミド合成樹脂材料のような電気絶縁材料を母材とする多層構造の配線基板であり、薄膜抵抗体４６と、その薄膜抵抗体４６からの熱を放熱する構造（台座部８、放熱部４７、放熱台座接続部４９）とを備えている。図２には、後述する多層配線基板３８の製造工程を示す図３に対応して、図１に示した多層配線基板３８がその姿勢を上下に反転して示されている。このため、以下の多層配線基板３８の説明（図２〜図９を用いての説明）においては、図１における下方を上方として説明する。また、本発明の一実施形態の説明においては、一つの薄膜抵抗体４６とその周辺部分の構造について図示して説明しているが、一つの多層配線基板３８にその構造を複数設ける事が出来る（変形例１〜５についても同じ）。
【００４１】
図２（ａ）は、本発明の一実施形態に係るプローブカード１０が備える多層配線基板３８の一つの薄膜抵抗体４６及び放熱構造部分を示す平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）におけるＡ−Ａ’断面で切断したときの薄膜抵抗体４６及び放熱構造部分を示す断面図であり、図２（ｃ）は、図２（ａ）におけるＢ−Ｂ’断面で切断したときの薄膜抵抗体４６及び放熱構造部分を示す断面図であり、図２（ｄ）は、図２（ａ）におけるＣ−Ｃ’断面で切断したときの薄膜抵抗体４６及び放熱構造部分を示す断面図である。
【００４２】
多層配線基板３８は、セラミック板３６上に位置し、複数の絶縁層の積層構造体から成る絶縁板４１を備える。絶縁板４１を構成する各絶縁層は、例えばポリイミド合成樹脂材料のような電気絶縁材料や、それにＡＩＮ（aluminum nitride）や、ＢＮ（boron nitride）等をフィラーとして添加することにより熱伝導率を高めた材料を用いて形成されており、隣り合う層は相互に固着して形成されている。各絶縁層の間及び最外層（最上層及び最下層）の表面には、従来よく知られているように、必要に応じて多層配線基板３８の配線回路を構成する配線路が形成されている。
【００４３】
絶縁板４１を構成する絶縁層の内、薄膜抵抗体４６、台座部４８、及び放熱台座接続部４９が埋め込まれる層を放熱構造埋設層４２と呼ぶこととする。
【００４４】
図２（ｂ）〜（ｄ）に示した断面図は、放熱構造埋設層４２から上方の部分のみを示し、放熱構造埋設層４２より下方の部分、すなわち、放熱構造埋設層４２とセラミック板３６との間に位置する部分については省略している。図４（ｂ）、図５（ｂ）、図６（ｂ）、及び図７（ｂ）に示している断面図についても同様である。
【００４５】
本発明の一実施形態では、放熱構造埋設層４２は、図２で見て最下層に位置する第１の合成樹脂層４２ａから、第２の合成樹脂層４２ｂ、第３の合成樹脂層４２ｃに至る３層からなっている。
【００４６】
各合成樹脂層４２ａ、４２ｂ、及び４２ｃは、異なる組成あるいは異なる合成樹脂材料で形成することができる。しかしながら、説明の簡素化のために、一般的な多層配線基板で見られるように、各合成樹脂層４２ａ、４２ｂ、及び４２ｃが同一組成の合成樹脂層で形成された例に沿って説明する。
【００４７】
図２（ｂ）に示すように、多層配線基板３８の配線回路を構成する配線路の内、放熱構造埋設層４２に形成され、薄膜抵抗体４６につながる配線路としては、第１の合成樹脂層４２ａをその厚さ方向に貫通する一対のビア配線路４４ａと、第１の合成樹脂層４２ａの第２の合成樹脂層４２ｂ側の面上に形成される配線路４４ｂと、第３の合成樹脂層４２ｃをその厚さ方向に貫通する一対の接続電極４４ｃとがある。
【００４８】
各ビア配線路４４ａは、第１の合成樹脂層４２ａの下方の面（セラミック板３６側の面）で、それより下方の絶縁層の対応する配線路に接続され、その配線路を介してセラミック板３６の対応する配線路に接続されている。また、第１の合成樹脂層４２ａの上方の面（第２の合成樹脂層４２ｂ側の面）で対応する配線路４４ｂに接続され、その配線路４４ｂを介して、対応する接続電極４４ｃに接続されている。
【００４９】
一対の接続電極４４ｃは、薄膜抵抗体４６の両端にそれぞれ接続される端子であり、下端側が第２の合成樹脂層４２ｂ内に入り込んで配線路４４ｂに接続され、上端側が第３の合成樹脂層４２ｃから少なくとも一部突出している。この突出している部分は、第３の合成樹脂層４２ｃを貫通している部分より平面視で一回り大きく形成されているため、その外周下方に第３の合成樹脂層４２ｃに被さる段部５１を有する。この段部５１により、接続電極４４ｃと第３の合成樹脂層４２ｃとを確実に接合できる。
【００５０】
なお、各ビア配線路４４ａ、各配線路４４ｂ、及び各接続電極４４ｃは、必要に応じて、放熱構造埋設層を構成する絶縁性合成樹脂層４２ａ、４２ｂ、４２ｃの層間や第１の合成樹脂層４２ａの下面、第３の合成樹脂層４２ｃの上面に形成された他の配線路にそれぞれ接続されてもよい。
【００５１】
また、一対の接続電極４４ｃは、それぞれにつながる配線路が、一方はプローブ４０側につながり、他方はテスタ３２側につながるように配線回路に接続することができる。
【００５２】
一対の接続電極４４ｃ間には、第２及び第３の合成樹脂層４２ｂ及び４２ｃに埋設されるように薄膜抵抗体４６が形成されている。例えば、第２の合成樹脂層４２ｂの上面に薄膜抵抗体６を形成し、その上を第３の合成樹脂層４２ｃで被覆することができ、これにより、第２の合成樹脂層に沿って絶縁板４１に埋設して薄膜抵抗体が形成される。
【００５３】
一対の接続電極４４ｃは、互いに対向する内端側の下方に、薄膜抵抗体４６の対応する端部を受け入れる段部５０を有する。各段部５０は、薄膜抵抗体４６の全幅に渡って薄膜抵抗体４６の端部の面と接触することから、薄膜抵抗体４６の端面のみで接触する場合に比較して、広い接触面積で薄膜抵抗体４６に接触でき、これにより薄膜抵抗体４６と接続電極４４ｃとが機械的及び電気的に確実に接続される。
【００５４】
薄膜抵抗体４６は、例えばNi-Cr合金材料を後述するように第２の合成樹脂層４２ｂ上に所定の厚さで堆積させた後、この堆積材料が所定の抵抗値を示す形状にパターニングを受けることによって形成される。
【００５５】
この薄膜抵抗体４６は、通電する電流値を上げていくとワット数に応じた熱量が発生することになる。ポリイミド合成樹脂材料のような電気絶縁材料から成る絶縁板４１の熱伝導性は薄膜抵抗体４６の導電材料と比較して低いので、薄膜抵抗体４６により発生した熱は絶縁板４１内で籠もることになる。
【００５６】
そして、絶縁板４１内で籠もった熱を放熱する放熱手段を備えていないと、絶縁板４１の温度が上昇し、耐熱温度を超えると破壊が発生し、電気的検査を行うことができなくなる場合がある。
【００５７】
また、例えばNi-Cr合金材料からなる薄膜抵抗体４６の場合は２〜１３ｐｐｍ／℃程度の線膨張係数を示す。この薄膜抵抗体４６は第２の合成樹脂層４２ｂ上に固着して形成され、また薄膜抵抗体４６を埋設する第３の合成樹脂層４２ｃは薄膜抵抗体４６の上面及び側面を覆うように固着して形成されている。薄膜抵抗体４６を取り囲むこれら合成樹脂層４２ｂ及び４２ｃの線膨張係数は、例えば、ポリイミド合成樹脂又はそれにフィラー等を添加した場合、３０〜６０ｐｐｍ／℃程度の線膨張係数を示す。
【００５８】
そのため、この薄膜抵抗体４６と薄膜抵抗体４６を取り囲む第２及び第３の合成樹脂層４２ｂ及び４２ｃとの線膨張差により、プローブカード１０の環境温度が変化すると、薄膜抵抗体４６と合成樹脂層４２ｂ及び４２ｃとの界面で薄膜抵抗体４６に大きな応力が作用する。そのため、絶縁板４１内で籠もった熱を放熱する放熱手段を備えていないと、温度上昇が絶縁板４１の耐熱温度に至らない場合でも、加熱による膨張および冷却による収縮の影響により、薄膜抵抗体４６に過剰な応力を反復して受けることで薄膜抵抗体４６の劣化が進行し、破損を招く原因となる場合がある。
【００５９】
そこで、本発明の一実施形態に係るプローブカード１０では、絶縁板４１内で籠もった熱を放熱するために、さらに、放熱部４７と、台座部４８と、放熱台座接続部４９とが設けられている。
【００６０】
また、放熱部４７と接続電極４４ｃとが接触しないように、最上層の第３の合成樹脂層４２ｃから上方に突出した一対の接続電極４４ｃの一部を覆うように絶縁保護層４５が設けられている。
【００６１】
絶縁保護層４５は、合成樹脂層４２ａ、４２ｂ、及び４２ｃと同様に、例えばポリイミド合成樹脂材料のような電気絶縁材料により形成されていてもよいし、それにＡＩＮ（aluminum nitride）や、ＢＮ（boron nitride）等をフィラーとして添加することにより熱伝導率を高めた材料を用いて形成されていてもよい。
【００６２】
放熱部４７は、第３の合成樹脂層４２ｃを介して薄膜抵抗体４６と対向して、第３の合成樹脂層４２ｃを覆う部分と、絶縁保護層４５を介して接続電極４４ｃと対向して絶縁保護層４５を覆う部分と、放熱台座接続部４９ｃの上端を覆って接続されている部分とを有した一体に連なる層であり、例えばAu、Cu、NiあるいはAgのような熱伝導率の高い金属材料で構成されている。
【００６３】
放熱部４７は、本発明の一実施形態では、平面視で、薄膜抵抗体４６の長手方向、すなわち接続電極４４ｃ間の方向（以下、抵抗体長手方向ともいう）と、その抵抗体長手方向に垂直な方向(以下、抵抗体幅方向ともいう）とに沿って外辺を有する矩形形状をしている。そして、抵抗体幅方向に伸びる両外辺は、一対の接続電極４４ｃ上の絶縁保護層４５上をそれぞれ通り、抵抗体長手方向に伸びる両外辺は、薄膜抵抗体４６から最も外側に位置する両放熱台座接続部４９のさらに外側にそれぞれ位置している。放熱部４７の抵抗体幅方向に伸びる両外辺は、図２に示すように、薄膜抵抗体４６の両端より外方に位置していると放熱や熱伸縮抑制性能の点で好ましく、一対の絶縁保護層４５の両外側より内方に位置していると接続電極４４ｃと放熱部４７との短絡を防げるという点で好ましい。
【００６４】
このように、最上層の第３の合成樹脂層４２ｃから上方に突出した一対の接続電極４４ｃの上部の一部、すなわち一対の接続電極４４ｃの対向する側の部分（薄膜抵抗体４６が接続されている側の部分）の上部を覆うようにそれぞれ絶縁保護層４５が設けられている。そして、その一対の絶縁保護層４５の上部の一部、すなわち一対の絶縁保護層４５の対向する側の部分の上部と、この一対の絶縁保護層４５間に位置する第３の合成樹脂層４２ｃ上部とを覆うように放熱部４７が一体に連ねて設けられているので、接続電極４４ｃと放熱部４７とが接触してショートすることを防止しつつ、放熱部４７を抵抗体長手方向に広く形成できる。
【００６５】
なお、接続電極４４ｃの絶縁保護層４５に覆われずに露出している部分は、プローブカード１０の製造工程や製造後において、薄膜抵抗体４６の電気的特性を検査する際の検査機器との接続部分として使用できる。
【００６６】
台座部４８は、第１の合成樹脂層４２ａ上に形成されて、その上を第２の合成樹脂層４２ｂで覆われている。台座部４８は、放熱部４７とは反対側である薄膜抵抗体４６の下方に位置し、第２の合成樹脂層４２ｂを介して薄膜抵抗体４６と平行に並んで形成されている。これにより、台座部４８は、第１及び第２の合成樹脂層４２ａ及び４２ｂに取り囲まれて埋設されている。この台座部４８は、薄膜抵抗体４６を取り囲む合成樹脂層４２ｂ、４２ｃよりも線膨張係数が小さく熱伝導率の高い金属材料、例えばAu、Cu、NiあるいはAgのような金属材料で構成されている。本発明の一実施形態では、台座部４８は、ＧＮＤ層を兼ねたベタパターンで形成されており、絶縁板４１内の広い範囲、例えば、ほぼ全面に形成されている。このため、一つの台座部４８の上方に第２の合成樹脂層４２ｂを介して複数の薄膜抵抗体４６を配置することができる。また、台座部４８がベタパターンのように絶縁板４１内に広い範囲で形成されている場合は、放熱にも寄与する。
【００６７】
放熱台座接続部４９は、放熱部４７と台座部４８とを熱伝導可能に接続する部材であり、絶縁板４１、特に薄膜抵抗体４６を取り囲む第２及び第３の合成樹脂層４２ｂ及び４２ｃから台座部４８に伝わった熱を放熱部４７に伝えたり、放熱台座接続部４９自体に伝わった熱を放熱部４７や台座部４８に伝えたりする働きをする。例えばAu、Cu、NiあるいはAgのような熱伝導率の高い金属材料で構成されている。放熱台座接続部４９は、薄膜抵抗体４６の側方で、放熱部４７と台座部４８の間に位置し、第２及び第３の合成樹脂層４２ｂ及び４２ｃを上下方向に貫通して、その上端で放熱部４７の下面と連結し、下端で台座部４８の上面と連結している。
【００６８】
放熱台座接続部４９は、周囲を取り囲む第２及び第３の合成樹脂層４２ｂ及び４２ｃに固着して埋設されている。
【００６９】
各放熱台座接続部４９は、図２に示すように、平板状の形状をしており、薄膜抵抗体４６の長手方向に平行かつ絶縁板４１に垂直に配置されている。そして、薄膜抵抗体４６の両側方に１対の放熱台座接続部４９ａ，４９ｂが設けられており、そのさらに外側の両側方に、もう１対の放熱台座接続部４９ｃ，４９ｄが設けられている。本発明の一実施形態では、複数の放熱台座接続部４９は抵抗体長手方向において同じ幅に形成され、薄膜抵抗体４６を中心に等間隔に配置されている。
【００７０】
このように、放熱台座接続部４９は、薄膜抵抗体４６の長手方向に沿って設けられているので、薄膜抵抗体４６から発熱した熱を放熱部４７や台座部４８へ効率よく伝熱させることができる。また、放熱台座接続部４９は、薄膜抵抗体４６の両側に対として設けられているので、薄膜抵抗体４６から発生する熱を両側方から放熱部４７や台座部４８へ伝熱させることができ、絶縁板４１に過剰な応力が発生することを防止することができる。放熱台座接続部を薄膜抵抗体４６から両側方に等距離に設置すると両側方で均等に伝熱できるのでより好ましい。
【００７１】
このように、本発明の一実施形態に係るプローブカード１０では、放熱機構を構成する放熱部４７と、台座部４８と、放熱台座接続部４９とが薄膜抵抗体４６の側方を囲むように設けられており、それらが放熱台座接続部４９により連結されているので、薄膜抵抗体４６から発熱した熱を放熱部４７と、台座部４８と、放熱台座接続部４９に伝え、放熱台座接続部４９により連結されている放熱部４７や台座部４８から放熱することができるので、絶縁板４１内に熱が籠もることを抑制することができる。これにより、絶縁板４１の熱破壊の発生を防止し、また、温度上昇が絶縁材料の耐熱温度に至らない場合でも、加熱による膨張および冷却による収縮の影響による薄膜抵抗体４６に過剰な応力の発生を抑制し、薄膜抵抗体４６の劣化を抑えて破損を防止することができる。
【００７２】
以下、図３に沿ってプローブカード１０の製造工程を概略的に説明する。なお、ここでは、多層配線基板３８を形成する工程において、放熱構造埋設層４２を形成する工程以降について説明する。
【００７３】
図３（ａ）に示すように、上述したセラミック板３６に放熱構造埋設層４２より下方に位置する一つ又は複数の絶縁層が形成された後、その最上層の絶縁層上に例えばポリイミド樹脂材料を塗布し、熱硬化によって第１の合成樹脂層４２ａが形成されると、該第１の合成樹脂層４２ａの所定の位置に、下方の絶縁層に形成された配線路に対応するビア穴５４が形成される。その後、第１の合成樹脂層４２ａ上に配線金属材料が例えばメッキ法を用いて堆積される。
【００７４】
メッキ法により、配線金属材料は、ビア穴５４を埋め込みまた第１の合成樹脂層４２ａ上にほぼ均一な厚さで堆積される。その後、フォトリソグラフィ及びエッチング技術を用いて不要な堆積材料が除去されることにより、一対のビア配線路４４ａ及びビア配線路上の配線路４４ｂが形成され、さらに台座部４８が形成される。この時、配線路４４ｂの周囲には凹所５５が形成されている。
【００７５】
なお、エッチング技術を用いる方法に代えて、ビア配線路４４ａ、配線路４４ｂ及び台座部４８は、所定のマスクを用いたメッキ法によって所定箇所に選択的に配線金属材料を堆積させることにより、形成することができる。
【００７６】
次に、図３（ｂ）に示すように、第１の合成樹脂層４２ａ上に、第１の合成樹脂層４２ａと同様にして、凹所５５を埋め込みまた配線路４４ｂ及び台座部４８を覆って第２の合成樹脂層４２ｂが形成される。この第２の合成樹脂層４２ｂは台座部４８に固着され、下層である第１の合成樹脂層４２ａと共同して台座部４８を取り囲む。この第２の合成樹脂層４２ｂには、配線路４４ｂ上に開放する開口５６、および、台座部４８上に開放する開口５８が形成される。
【００７７】
そして、図３（ｃ）に示すように、開口５６および開口５８の形成後、第２の合成樹脂層４２ｂ上に薄膜抵抗体４６のための金属材料が堆積される。そして、エッチングマスクなどを用いて不要な金属材料を除去することにより、所定の抵抗値を示す薄膜抵抗体４６が第２の合成樹脂層４２ｂに固着して形成される。このとき、第２の合成樹脂層４２ｂの開口５６内および開口５８に堆積した金属材料も除去されることから、開口５６および開口５８は空所となる。
【００７８】
図３（ｄ）に示すように、第２の合成樹脂層４２ｂ上には、薄膜抵抗体４６を覆って第３の合成樹脂層４２ｃが形成される。この第３の合成樹脂層４２ｃには、フォトリソグラフィ及びエッチング技術を用いて一対の接続電極４４ｃのための凹所６０が形成される。凹所６０には、第２の合成樹脂層４２ｂの開口５６が開放する。また凹所６０には、薄膜抵抗体４６の端部の縁がその全幅にわたって露出する。
【００７９】
その後、第３の合成樹脂層４２ｃ上には、開口５６および凹所６０を埋め込むように、接続電極４４ｃのための配線金属材料が堆積され、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて第３の合成樹脂層４２ｃ上の不要な配線金属材料が除去されることにより、図３（ｅ）に示されるように、配線路４４ｂを介してビア配線路４４ａに結合され、支持される一対の接続電極４４ｃが形成される。この時、一対の接続電極４４ｃは、凹所６０の開口より一回り大きいサイズで第３の合成樹脂層４２ｃから上方に突出するように形成されている。
【００８０】
さらに、第３の合成樹脂層４２ｃ上に、開口５８を埋め込むように、熱伝導性が高い金属材料が堆積され、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて第３の合成樹脂層４２ｃ上の不要な金属材料が除去されることにより、図３（ｅ）に示されるように、放熱台座接続部４９が台座部４８に接続された状態で形成される。
【００８１】
なお、一対の接続電極４４ｃは、エッチング技術を用いる方法に代えて、図３（ａ）に沿って説明したと同様に、所定のマスクを用いたメッキ法によって一対の接続電極４４ｃのための金属材料を所定箇所に選択的に堆積させることによって形成することができる。
【００８２】
上述したいずれの方法によっても、凹所６０に堆積された配線材料は薄膜抵抗体４６の凹所６０に露出する端部に沿って堆積することから、一対の接続電極４４ｃには、段部５０が形成されて薄膜抵抗体４６の対応する端部に接触する。これにより、一対の接続電極４４ｃは薄膜抵抗体４６に確実に接続される。また、配線材料は凹所６０の開口の周縁に被さるように堆積することから、一対の接続電極４４ｃには、段部５１が形成されて第３の合成樹脂層４２ｃ広い面積で接合される。
【００８３】
図３（ｆ）に示すように、一対の接続電極４４ｃの両内側部分を、例えばポリイミド合成樹脂材料のような電気絶縁材料で覆うことにより絶縁保護層４５が設けられる。この時一対の接続電極４４ｃの両外側部分は、露出したままに成っている。
【００８４】
さらに、図３（ｇ）に示すように、第３の合成樹脂層４２ｃ上および絶縁保護層４５上、すなわち一対の絶縁保護層４５の両内側部分及び複数の放熱台座接続部４９上端を覆うように、放熱部４７のための熱伝導性の高い金属材料が堆積される。そして、エッチングマスクなどを用いて不要な金属を除去することにより、第３の合成樹脂層４２ｃ上および絶縁保護層４５上に放熱部４７が固着して形成される。この時、放熱台座接続部４９の上端にそこを覆う放熱部４７が固着し接続される。
【００８５】
＜変形例１＞
本発明の一実施形態では、薄膜抵抗体４６の長手方向に沿って、薄膜抵抗体４６の両側方に２対の放熱台座接続部４９（４９ａ，４９ｂ，４９ｃ，４９ｄ）が設けられているプローブカード１０を例に挙げて説明したがこれに限らない。
【００８６】
本発明の変形例１では、それぞれ片側に設けられた放熱台座接続部同士が伝熱可能に接続されている多層配線基板を備えたプローブカード１０を例に挙げて説明する。
【００８７】
図４（ａ）は、本発明の変形例１に係るプローブカード１０が備える多層配線基板３８の一つの薄膜抵抗体が設けられている部分の平面図であり、図４（ｂ）は、（ａ）におけるＣ−Ｃ’断面で切断したときの断面図である。
【００８８】
図４（ａ）〜（ｂ）に示すように、薄膜抵抗体４６の長手方向に平行でかつ絶縁板４１に垂直な放熱台座接続部４９ａ，４９ｂが薄膜抵抗体４６の両側に一対設けられており、その１対の放熱台座接続部４９ａ，４９ｂのさらに外側には、もう１対の放熱台座接続部４９ｃ，４９ｄが設けられている。
【００８９】
そして、片側、すなわち薄膜抵抗体４６を挟んで一方の側に設けられた放熱台座接続部４９ａと放熱台座接続部４９ｃとを伝熱可能に接続するように、放熱台座接続部連結部４９ｅが設けられている。
【００９０】
同様に、薄膜抵抗体４６を挟んで他方の側に設けられた放熱台座接続部４９ｂと放熱台座接続部４９ｄとを伝熱可能に接続するように、放熱台座接続部連結部４９ｆが設けられている。
【００９１】
放熱台座接続部連結部４９ｆは、例えばAu、Cu、NiあるいはAgのような熱伝導率の高い金属材料で構成されており、放熱台座接続部４９ａ、４９ｂ、４９ｃ、４９ｄと同じ材料で、その連結する放熱台座接続部と一体に形成するとより好ましい。
【００９２】
このように、放熱台座接続部４９は、薄膜抵抗体４６の長手方向に沿って、絶縁板４１と平行な平面における薄膜抵抗体４６の両側に複数対設けられており、それぞれ片側に設けられた放熱台座接続部４９同士が接続されているので、放熱台座接続部４９（４９ａ，４９ｂ，４９ｃ，４９ｄ）の温度が均一化し易くなる。そのため、絶縁板４１に過剰な応力が発生することをより防止することができる。
【００９３】
なお、図４に示した変形例では、放熱台座接続部連結部４９ｅ、４９ｆは、片側の２つの放熱台座接続部に対してそれぞれ一つ設けているが、複数設けても良い。また、放熱台座接続部連結部４９ｅ、４９ｆは絶縁板厚さ方向において、放熱台座接続部の全高さに渡って接続しているが、部分的に１つ又は複数接続されていても良い。
【００９４】
＜変形例２＞
本発明の一実施形態では、絶縁板４１から突出した一対の接続電極４４ｃの一部、すなわち対向する内側部分を覆うように設けられた絶縁保護層４５と、一対の接続電極４４ｃと接触することなくこの一対の絶縁保護層４５と、その間に設けられた第３の合成樹脂層４２ｃとを覆うように設けられている放熱部４７とを有する多層配線基板を備えたプローブカード１０を例に挙げて説明したがこれに限らない。
【００９５】
本発明の変形例２では、絶縁板４１から突出した一対の接続電極４４ｃの一部と、その間に設けられた第３の合成樹脂層４２ｃとを覆うように設けられた絶縁保護層４５Ａを設けその上に放熱板を設けた多層配線基板を備えたプローブカード１０を例に挙げて説明する。すなわち、一対の接続電極とその間の絶縁板とを連続した絶縁保護層で覆い、その上に放熱部を形成する場合の例である。
【００９６】
図５（ａ）は、本発明の変形例２に係るプローブカード１０が備える多層配線基板３８の一つの薄膜抵抗体が設けられている部分の平面図であり、図５（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ’断面で切断したときの断面図である。
【００９７】
図５（ａ）〜（ｂ）に示すように、絶縁保護層４５Ａは、絶縁板４１から突出した一対の接続電極４４ｃの対向する両内側と、その間の絶縁板４１の上部を覆うように設けられている。放熱部４７Ａは、一対の接続電極４４ｃと接触しないように、絶縁保護層４５Ａ上に設けられている。放熱台座接続部４９（４９ａ，４９ｂ，４９ｃ，４９ｄ）は、それぞれ絶縁保護層４５Ａを貫通してその上端が放熱部４７Ａと接続されている。
【００９８】
これにより、絶縁保護層４５Ａを一体成形することができるので、製造が容易となる。
【００９９】
＜変形例３＞
本発明の変形例３では、絶縁板４１から突出した一対の接続電極４４ｃの全部と、その間の絶縁板４１の上部とを覆うように設けられた絶縁保護層を有する多層配線基板を備えたプローブカード１０を例に挙げて説明する。
【０１００】
図６（ａ）は、本発明の変形例３に係るプローブカード１０が備える多層配線基板３８の一つの薄膜抵抗体が設けられている部分の平面図であり、図６（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ’断面で切断したときの断面図である。
【０１０１】
図６（ａ）〜（ｂ）に示すように、絶縁保護層４５Ｂは、絶縁板４１から突出した一対の接続電極４４ｃの全部と、その間の絶縁板４１の上部を覆うように設けられている。放熱部４７Ａは、一対の接続電極４４ｃと接触しないように、絶縁保護層４５Ｂ上に設けられている。また、絶縁保護層４５Ｂの上部には、接続電極４４ｃの検査用、例えば抵抗値測定用に開口部４５Ｂ１が設けられている。
【０１０２】
放熱台座接続部４９（４９ａ，４９ｂ，４９ｃ，４９ｄ）は、それぞれ絶縁保護層４５Ｂを貫通してその上端が放熱部４７Ａと接続されている。
【０１０３】
これにより、絶縁保護層４５Ｂを一体成形することができるので、製造が容易となる。
【０１０４】
＜変形例４＞
本発明の変形例４では、絶縁板４１の上部の全部と、絶縁板４１から突出した一対の接続電極４４ｃの全部とを覆うように設けられた絶縁保護層を有しその上に放熱板を設けた多層配線基板を備えたプローブカード１０を例に挙げて説明する。
【０１０５】
図７（ａ）は、本発明の変形例４に係るプローブカード１０が備える多層配線基板３８の平面図であり、図７（ｂ）は、（ａ）におけるＡ−Ａ’断面で切断したときの断面図である。
【０１０６】
図７（ａ）〜（ｂ）に示すように、絶縁保護層４５Ｃは、絶縁板４１の上部の全部と、絶縁板４１から突出した一対の接続電極４４ｃの全部とを覆うように設けられている。放熱部４７Ａは、一対の接続電極４４ｃと接触しないように、絶縁保護層４５Ｃ上に設けられている。また、絶縁保護層４５Ｃの上部には、接続電極４４ｃの検査用、例えば抵抗値測定用に開口部４５Ｃ１が設けられている。
【０１０７】
放熱台座接続部４９（４９ａ，４９ｂ，４９ｃ，４９ｄ）は、それぞれ絶縁保護層４５Ｃを貫通してその上端が放熱部４７Ａと接続されている。
【０１０８】
これにより、絶縁保護層４５Ｃを一体成形することができるので、製造が容易となる。
【０１０９】
＜変形例５＞
本発明の一実施形態では、第２の合成樹脂層４２ｂと第３の合成樹脂層４２ｃとの間には、ＧＮＤ（グランド）層として機能するベタパターンの台座部４８を有する多層配線基板３８を備えたプローブカード１０を例に挙げて説明し、一つの台座部に複数の薄膜抵抗体が配置されている場合を例に挙げて説明した。
【０１１０】
本発明の変形例５では、台座部が独立したパターンで埋設されて設けられた多層配線基板を備えたプローブカード１０を例に挙げて説明する。
【０１１１】
図８は、本発明の変形例５に係るプローブカード１０が備える多層配線基板３８の台座部を形成後の一部正面図である。この図は本発明の一実施の形態の製造工程における図３の（ａ）の工程に相当する部分の図である。
【０１１２】
図８に示すように、本発明の変形例５に係るプローブカード１０は、ＧＮＤ（グランド）接続されず、第２の合成樹脂層４２ｂと第３の合成樹脂層４２ｃとの間に埋設されて設けられた独立したパターンの台座部４８Ａを備えている。そして、台座部が独立パターンである以外は本発明の一実施形態と同じである。  台座部４８Ａは、薄膜抵抗体４６の下方に位置していると共に、放熱台座接続部４９と接続可能に放熱台座接続部４９の下方に位置していれば、その形状は問わないが、絶縁板４１と平行な平面における薄膜抵抗体４６の面積より広くすることにより、熱を拡散する効果が高くなるのでより好ましい。
【０１１３】
＜変形例６＞
本発明の変形例６では、複数組の薄膜抵抗体４６に対して一つの放熱部が設けられている多層配線基板３８を有するプローブカード１０を例に挙げて説明する。
【０１１４】
図９は、本発明の変形例６に係るプローブカード１０が備える多層配線基板３８の一部平面図である。
【０１１５】
図９に示すように、本発明の変形例６に係るプローブカード１０の多層配線基板３８は、図２に示した一対のビア配線路４４ａと、一対の配線路４４ｂと、一対の接続電極４４ｃと、薄膜抵抗体４６とを一組の抵抗電路部としたときに、複数組の抵抗電路部が設けられている。これら複数組の抵抗電路部は、図９においては、３つの抵抗電路部が薄膜抵抗体４６の長手方向の位置を揃えて平行に３つ並べられた列が２つ抵抗体長手方向に並べて配置されている。
【０１１６】
各列の抵抗電路部の側方には、本発明の一実施形態と同様に、薄膜抵抗体を挟んで２対の放熱台座接続部が配置されているが、隣接する抵抗電路部の間に位置する放熱台座接続部は、隣接する抵抗電路部で共用となっているため、隣接する抵抗電路部間には２つの放熱台座接続部が配置されている。
【０１１７】
そして、各列毎に、絶縁板４１および複数組の絶縁保護層４５と放熱台座接続部４９を覆うように、放熱部４７Ｂが設けられている。
【０１１８】
これにより、絶縁板４１に、一対のビア配線路４４ａと、一対の配線路４４ｂと、一対の接続電極４４ｃと、絶縁保護層４５と、薄膜抵抗体４６と、台座部４８と、放熱台座接続部４９とが複数組が設けられている場合においても、これらを跨ぐように放熱部４７Ｂが設けられているので、絶縁板４１が局所的に温度上昇することを防止し、絶縁板４１の温度を極力均一化することができる。そのため、絶縁板４１に過剰な応力が発生することをより防止することができる。
【０１１９】
なお、各列毎に設けられて放熱部４７Ｂ同士をさらに接続させても良い。
【０１２０】
本発明は上記した一実施形態及び変形例に限定されず、例えば、ビア配線路４４ａ、配線路４４ｂ、接続電極４４ｃ、台座部４８、放熱台座接続部４９等の配線金属材料として、前記した例にかかわらず種々の金属材料を用いることができ、また薄膜抵抗体は、前記したNi-Cr合金の他、Cr-Pd合金、Ti-Pd合金、酸化タンタル、窒化タンタル、Cr単体及びTi単体のような金属材料で適宜形成することができる。
【０１２１】
多層配線基板の各合成樹脂層は、前記したポリイミド合成樹脂層やポリイミド合成フィルムの他、種々の絶縁性合成樹脂材料で形成することができる。
【０１２２】
また、放熱台座接続部４９は、本発明の一実施形態及び変形例では、薄膜抵抗体４６の側方に等間隔に２対設け、それぞれ同じ幅の場合で説明したが、１対だけ形成してもよいし、３対以上形成してもよい。また、隣接する放熱台座接続部４９の間隔や薄膜抵抗体４６と放熱台座接続部４９との間隔もそれぞれ異なっていても良い。また、各放熱台座接続部の幅も異なっていても良い。薄膜抵抗体４６の両側方で、放熱台座接続部４９の数や間隔や幅が異なっていても良い。このような条件を調整することにより、放熱性能を細かく設定することが可能になる。
【０１２３】
また、本発明の一実施形態及び変形例では、放熱部４７の平面視外形状は、矩形の場合で説明したが、接続電極４４ｃと接触せずに放熱台座接続部と連結可能で薄膜抵抗体46の上方に配置可能であれば、任意の形状にする事も可能である。
【０１２４】
また、本願発明の試験装置１においては、プローブカード１０は、テスタ３２に接続されているが、プローブカード１０とテスタ３２との間にさらに別の電気的接続器（ボード）が介在していても良い。また、本願発明の多層配線基板を、テスタ３２とプローブ４０間の電気的経路上に配置するプローブカード以外の電気的接続器に適用してもよい。
【０１２５】
なお、上記実施形態の説明においては、一つの薄膜抵抗体４６とその周辺部分の構造について図示して説明したが、薄膜抵抗体４６は一つに限らず、複数備えていてももちろん良い。
【産業上の利用可能性】
【０１２６】
本発明は、薄膜抵抗体が組み込まれた多層配線基板及びこの多層配線基板を用いたプローブカードに利用できる。
【符号の説明】
【０１２７】
１０  プローブカード
２２  プローブ基板
３８  多層配線基板
４０  プローブ
４１  絶縁板
４２（４２ａ、４２ｂ、４２ｃ）  放熱構造埋設層（第１の合成樹脂層、第２の合成樹脂層、第３の合成樹脂層）
４４ａ  ビア配線路
４４ｂ  配線路
４４ｃ  接続電極
４５  絶縁保護層
４６  薄膜抵抗体
４７  放熱部
４８  台座部
４９  放熱台座接続部
【図１】
0006652443.tif 000002
【図２】
0006652443.tif 000003
【図３】
0006652443.tif 000004
【図４】
0006652443.tif 000005
【図５】
0006652443.tif 000006
【図６】
0006652443.tif 000007
【図７】
0006652443.tif 000008
【図８】
0006652443.tif 000009
【図９】
0006652443.tif 000010