(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
自己発熱素子と、
温度に応じて変化する所定の物理量を有する複数の温度検出素子と、
前記複数の温度検出素子それぞれの前記所定の物理量に基づいて実装不良の有無を判定する判定部とを備え、
前記複数の温度検出素子には、前記自己発熱素子からの距離が互いに異なる第１の温度検出素子及び第２の温度検出素子並びに前記自己発熱素子からの距離が前記第１の温度検出素子及び第２の温度検出素子よりも長い第３の温度検出素子が含まれ、
前記判定部は、前記第１の温度検出素子の前記所定の物理量と前記第２の温度検出素子の前記所定の物理量との差及び前記第１の温度検出素子の前記所定の物理量と前記第３の温度検出素子の前記所定の物理量との差に少なくとも基づいて実装不良の有無を判定することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の温度検出素子は前記自己発熱素子の近傍に配置される請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記自己発熱素子、前記複数の温度検出素子、及び前記判定部が集積化されている半導体集積回路装置である請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記自己発熱素子、前記複数の温度検出素子、及び前記判定部が同一の半導体チップに集積化されている請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
プリント回路基板に実装されて使用される請求項３または請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記複数の温度検出素子それぞれはバイポーラトランジスタであり、
前記所定の物理量は前記バイポーラトランジスタの順方向電圧である請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体装置を備える電源装置であって、前記自己発熱素子が前記電源装置のパワー素子である、電源装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電源装置と、
前記電源装置から供給される電力を消費する負荷とを備えることを特徴とする車両。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自己発熱素子を備える半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
自己発熱素子を備える半導体装置には過熱保護回路が通常設けられている。過熱保護回路による保護の一形態として、半導体装置の実装不良が原因となって異常発熱が生じた際に過熱保護回路が保護をかけることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平２−１２０４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、半導体装置の実装不良がかなり進行しなければ過熱保護回路が保護をかける迄に至らない。すなわち、自己発熱素子を備える半導体装置に単に過熱保護回路を設けるだけでは、半導体装置の実装不良を早期に検出することができなかった。
【０００５】
また、過熱保護回路によって保護がかかったときに、半導体装置の実装不良が原因で保護がかかったのか、それとも他の原因で保護がかかったのかを判別することもできなかった。
【０００６】
なお、特許文献１で開示されている温度分布検査方法は、過熱保護回路によって保護がかかったか否かを判定基準とするのではなく、プリント基板の各部の発熱量を判定基準として、部品が実装されたプリント基板の良否判定を行っている。しかしながら、特許文献１で開示されている温度分布検査方法では、部品が実装されたプリント基板にとって外部装置となる赤外線ランプが必要であり、部品が実装されたプリント基板が電子機器等に組み込まれた後は検査を実施することができなかった。すなわち、特許文献１で開示されている温度分布検査方法は、部品が実装されたプリント基板の初期不良しか検出することができなかった。
【０００７】
本発明は、上記の状況に鑑み、外部装置を用いることなく実装不良を検出することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本明細書中に開示されている半導体装置は、自己発熱素子と、温度に応じて変化する所定の物理量を有する複数の温度検出素子と、前記複数の温度検出素子それぞれの前記所定の物理量に基づいて実装不良の有無を判定する判定部とを備え、前記複数の温度検出素子には、前記自己発熱素子からの距離が互いに異なる第１の温度検出素子及び第２の温度検出素子が含まれる構成（第１の構成）である。
【０００９】
また上記第１の構成の半導体装置において、前記判定部は、前記第１の温度検出素子の前記所定の物理量と前記第２の温度検出素子の前記所定の物理量との差に少なくとも基づいて実装不良の有無を判定する構成（第２の構成）にしてもよい。
【００１０】
また上記第２の構成の半導体装置において、前記複数の温度検出素子には、前記自己発熱素子からの距離が前記第１の温度検出素子及び第２の温度検出素子よりも長い第３の温度検出素子が含まれ、前記判定部は、前記第１の温度検出素子の前記所定の物理量と前記第２の温度検出素子の前記所定の物理量との差及び前記第１の温度検出素子の前記所定の物理量と前記第３の温度検出素子の前記所定の物理量との差に少なくとも基づいて実装不良の有無を判定する構成（第３の構成）にしてもよい。
【００１１】
また上記第１〜第３いずれかの構成の半導体装置において、前記第１の温度検出素子は前記自己発熱素子の近傍に配置される構成（第４の構成）にしてもよい。
【００１２】
また上記第１〜第４いずれかの構成の半導体装置において、前記自己発熱素子、前記複数の温度検出素子、及び前記判定部が集積化されている半導体集積回路装置である構成（第５の構成）にしてもよい。
【００１３】
また上記第第５の構成の半導体装置において、前記自己発熱素子、前記複数の温度検出素子、及び前記判定部が同一の半導体チップに集積化されている構成（第６の構成）にしてもよい。
【００１４】
また上記第第５または第６の構成の半導体装置において、プリント回路基板に実装されて使用される構成（第７の構成）にしてもよい。
【００１５】
また上記第１〜第７いずれかの構成の半導体装置において、前記複数の温度検出素子それぞれはバイポーラトランジスタであり、前記所定の物理量は前記バイポーラトランジスタの順方向電圧である構成（第８の構成）にしてもよい。
【００１６】
本明細書中に開示されている電源装置は、上記第１〜第８いずれかの構成の半導体装置を備える電源装置であって、前記自己発熱素子が前記電源装置のパワー素子である構成（第９の構成）である。
【００１７】
本明細書中に開示されている車両は、上記第９の構成の電源装置と、前記電源装置から供給される電力を消費する負荷とを備える構成（第１０の構成）である。
【発明の効果】
【００１８】
本明細書中に開示されている半導体装置によれば、外部装置を用いることなく実装不良を検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】スイッチング電源装置の一構成例を示す図
【図２】判定回路の一構成例を示す図
【図３】電源ＩＣ及びディスクリート素子の実装例を示す図
【図４】複数のバイポーラトランジスタの配置例を示す図
【図５】実装が良好である場合における半導体チップの温度分布を示す図
【図６】実装が不良である場合における半導体チップの温度分布を示す図
【図７】複数のバイポーラトランジスタの他の配置例を示す図
【図８】車載機器を搭載した車両の一構成例を示す外観図
【発明を実施するための形態】
【００２０】
＜スイッチング電源装置＞
図１は、半導体装置の一例であるスイッチング電源装置の一構成例を示す図である。本構成例のスイッチング電源装置１００は、電源ＩＣ１０１と、その外部に各々ディスクリート素子として設けられるコンデンサＣIN、発振周波数設定用の抵抗ＲRT、発振周波数設定用のコンデンサＣRT、ショットキーバリアダイオードであるダイオードＤ１、インダクタＬ１、コンデンサＣOUT、抵抗Ｒ１、及び抵抗Ｒ２を備える。
【００２１】
また、電源ＩＣ１０１は外部端子Ｔ１〜Ｔ７を有する。外部端子Ｔ１及びＴ２にはコンデンサＣINの一端が接続される。コンデンサＣINの他端は接地される。外部端子Ｔ３からは判定回路１４によって生成される実装不良検出信号が出力される。外部端子Ｔ４には抵抗ＲRT及びコンデンサＣRTの各一端が接続される。抵抗ＲRT及びコンデンサＣRTの各他端が接続される。外部端子Ｔ５にはダイオードＤ１のカソード及びインダクタＬ１の一端が接続される。ダイオードＤ１のアノードは接地される。インダクタＬ１の他端はコンデンサＣ１及び抵抗Ｒ１の各一端に接続される。コンデンサＣ１の他端は接地され、抵抗Ｒ１の他端は抵抗Ｒ２を介して接地される。外部端子Ｔ６には、出力電圧ＶOUTが抵抗Ｒ１及びＲ２によって分圧されて生成される帰還電圧ＶFBが印加される。外部端子Ｔ７は接地される。
【００２２】
続いて、電源ＩＣ１０１の内部構成について説明する。電源ＩＣ１０１は、基準電圧生成回路１と、定電圧生成回路２と、エラーアンプ３と、発振回路４と、スロープ電圧生成回路５と、合成部６と、電流検出部７と、コンパレータ８と、ＲＳフリップフロップ９と、ドライバ１０と、過熱保護回路１１と、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２と、複数のバイポーラトランジスタ１３と、判定回路１４とを集積化したシリコンモノリシック半導体集積回路である。Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２は、パワー素子であるため自己発熱素子である。また、バイポーラトランジスタ１３のベース−エミッタ間順方向電圧Ｖｆは負の温度特性を有している。
【００２３】
基準電圧生成回路１は外部端子Ｔ１に印加される入力電圧ＶINから基準電圧ＶREFを生成し、定電圧生成回路２は外部端子Ｔ１に印加される入力電圧ＶINから定電圧ＶREGを生成する。基準電圧ＶREFはエラーアンプ３等で用いられる。定電圧ＶREGは電源ＩＣ１０１の内部電源電圧として電源ＩＣ１０１内の各回路で用いられる。また、電源ＩＣ１０１内の各回路は外部端子Ｔ７に接続される。
【００２４】
エラーアンプ３は、帰還電圧ＶFBと基準電圧ＶREFとの差分に応じた誤差信号を生成する。発振器４は抵抗ＲRTの抵抗値及びコンデンサＣRTの容量から定まる所定周波数のクロック信号を生成する。スロープ電圧生成回路５は、発振器４から出力されるクロック信号に基づいて鋸波信号であるスロープ電圧を生成する。合成部６は、スロープ電圧と、電流検出部７によって検出されたインダクタＬ１の電流情報とを合成した合成鋸波信号を生成する。
【００２５】
コンパレータ８は、誤差信号と合成鋸波信号とを比較して比較信号であるリセット信号を生成する。スロープ電圧生成回路５によって生成されるスロープ電圧が固定周期であるため、リセット信号はＰＷＭ(Pulse Width Modulation)信号となる。
【００２６】
ＲＳフリップフロップ９のセット端子（Ｓ）には、発振回路４から出力されるクロック信号が供給される。ＲＳフリップフロップ９のリセット端子（Ｒ）には、コンパレータ８から出力されるリセット信号が供給される。ＲＳフリップフロップ９は、リセット端子とセット端子への入力に応じてＱ端子からＰＷＭ信号を出力する。
【００２７】
ドライバ１０は、ＲＳフリップフロップ９から出力されるＰＷＭ信号に応じてゲート信号を生成し、これをＰチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２に供給することで、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２をスイッチング制御する。
【００２８】
過熱保護回路１１は、電源ＩＣ１０１の過熱保護用温度検出位置の温度が閾値（例えば１７５℃）以上になると、ドライバ１０の動作を停止させ、ＲＳフリップフロップ９から出力されるＰＷＭ信号にかかわらずＰチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２をオフ状態にする。
【００２９】
複数のバイポーラトランジスタ１３はそれぞれ判定回路１４に接続される。判定回路１４は、図２に示す通り、複数のバイポーラトランジスタ１３それぞれを駆動させる駆動部１４１と、複数のバイポーラトランジスタ１３それぞれの順方向電圧Ｖｆを検出する検出部１４２と、検出部１４２によって検出された複数のバイポーラトランジスタ１３それぞれの順方向電圧Ｖｆ（アナログデータ）をデジタルデータに変換して出力するＡ／Ｄ変換器１４３と、Ａ／Ｄ変換器１４３に基づいて実装不良検出信号を生成する信号生成部１４４とを備える。
【００３０】
図３は、電源ＩＣ１０１及びディスクリート素子のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装例を示す概略上面図である。なお、図３においてプリント回路基板ＰＣＢ１のプリント配線の図示は省略している。電源ＩＣ１０１は例えばＳＯＰ（Small Outline Package）の形態で半導体パッケージ１０２に収容される。半導体パッケージ１０２の外部ピン端子Ｐ１〜Ｐ７はそれぞれ半導体パッケージ１０２内で電源ＩＣ１０１の外部端子Ｔ１〜Ｔ７に接続される。
【００３１】
外部ピンＰ４、Ｐ５、及びＰ７は半導体パッケージ１０２の底部の第１辺ＳＤ１に設けられ、外部ピンＰ１〜Ｐ３及びＰ６は半導体パッケージ１０２の底部の第２辺ＳＤ２に設けられる。第１辺ＳＤ１と第２辺ＳＤ２とは互いに対向している。コンデンサＣRT、抵抗ＲRT、ダイオードＤ１、インダクタＬ１、コンデンサＣOUT、抵抗Ｒ１、及び抵抗Ｒ２は、第１辺ＳＤ１及び第２辺ＳＤ２の線対称の中心線ＬＮ１よりも第１辺ＳＤ１側に配置される。コンデンサＣINは、第１辺ＳＤ１及び第２辺ＳＤ２の線対称の中心線ＬＮ１よりも第２辺ＳＤ２側に配置される。
【００３２】
スイッチング電源装置１００では、製造時の作業不良のみならず使用開始後の経時劣化によっても電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装が不良になることがある。なお、電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装が不良である形態としては、電源ＩＣ１０１と外部ピン端子Ｐ１〜Ｐ７とのワイヤを介した接続が不良になる形態、外部ピン端子Ｐ１〜Ｐ７とプリント回路基板ＰＣＢ１との半田を介した接続が不良になる形態などがある。
【００３３】
図４に示すように本構成例では、電源ＩＣ１０１が形成されている半導体チップＣＰ１に、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の中心からの距離がＬ１である２個のバイポーラトランジスタ１３と、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の中心からの距離がＬ２（＞Ｌ２）である３個のバイポーラトランジスタ１３と、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の中心からの距離がＬ３（＞Ｌ２）である４個のバイポーラトランジスタ１３とが形成されている。このようなバイポーラトランジスタ１３の配置により、判定回路１４は、複数のバイポーラトランジスタ１３それぞれの順方向電圧Ｖｆに基づいて、電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装が不良であるか否かを判定することができる。
【００３４】
電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装が良好である場合、スイッチング電源装置が正常な出力電流状態で動作している最中の半導体チップＣＰ１は図５に示す温度分布となる。図５中の領域ＲＧ１は１４７℃以上１５０℃未満の領域であり、図５中の領域ＲＧ２は１４４℃以上１４７℃未満の領域であり、図５中の領域ＲＧ３は１４１℃以上１４４℃未満の領域である。電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装が良好である場合は、半導体チップＣＰ１における熱伝達がスムーズであるため、図５のように半導体チップＣＰ１内の温度勾配が小さくなる。
【００３５】
一方、電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装が不良である場合、スイッチング電源装置が正常な出力電流状態で動作している最中の半導体チップＣＰ１は図６に示す温度分布となる。図６中の領域ＲＧ４は１４１℃以上１５０℃未満の領域であり、図６中の領域ＲＧ５は１３２℃以上１４１℃未満の領域であり、図６中の領域ＲＧ６は１２９℃以上１３２℃未満の領域であり、図６中の領域ＲＧ７は１２６℃以上１２９℃未満の領域である。電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装が不良である場合は、半導体チップＣＰ１における熱伝達がスムーズでないため、図６のように半導体チップＣＰ１内の温度勾配が大きくなる。
【００３６】
そのため、判定回路１４は、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の中心からの距離がＬ１であるバイポーラトランジスタ１３の順方向電圧Ｖｆの代表値と、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の中心からの距離がＬ２であるバイポーラトランジスタ１３の順方向電圧Ｖｆの代表値との差が第１の所定値よりも大きい場合に、電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装が不良であると判定する。また、判定回路１４は、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の中心からの距離がＬ１であるバイポーラトランジスタ１３の順方向電圧Ｖｆの代表値と、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の中心からの距離がＬ３であるバイポーラトランジスタ１３の順方向電圧Ｖｆの代表値との差が第２の所定値よりも大きい場合に、電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装が不良であると判定する。第１の所定値と第２の所定値は同一の値であってもよく互いに異なる値であってもよい。また、各代表値は、対応する複数の順方向電圧Ｖｆの例えば平均値、最大値、最小値などのいずれであってもよい。
【００３７】
なお、図４に示すように本構成例では、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の中心からの距離がＬ１である２個のバイポーラトランジスタ１３は、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の近傍に配置されている。これにより、電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装が不良である場合、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の中心からの距離がＬ１であるバイポーラトランジスタ１３の順方向電圧の代表値と、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の中心からの距離がＬ２であるバイポーラトランジスタ１３の順方向電圧の代表値との差が大きくなる。Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の中心からの距離がＬ１であるバイポーラトランジスタ１３の順方向電圧の代表値と、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の中心からの距離がＬ３であるバイポーラトランジスタ１３の順方向電圧の代表値との差も同様に大きくなる。したがって、電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装が不良である場合に、電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装が不良であることを検出し易くなる。
【００３８】
また、９個のＰチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の順方向電圧Ｖｆによって大まかに把握することができる半導体チップＣＰ１の温度分布パターンにより、電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装がどのような不良のモードであるかを判定回路１４が判定するようにしてもよい。この場合、判定回路１４は、半導体チップＣＰ１の温度分布パターンと実装不良のモードとの対応関係を予め記憶しておくとよい。
【００３９】
また、例えば図７に示すように、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の中心からの距離が互いに異なる２個のバイポーラトランジスタ１３を設けるだけでも、判定回路１４は、２個のバイポーラトランジスタ１３それぞれの順方向電圧Ｖｆに基づいて、電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装が不良であるか否かを判定することができる。
【００４０】
半導体装置である電源ＩＣ１０１は、上記のようなバイポーラトランジスタ１３及び判定回路１４を備えるので、外部装置を用いることなく実装不良を検出することができる。また、判定回路１４は、熱保護回路１１による保護がかからないような程度の実装不良であっても検出が可能であり、外部端子Ｔ３から実装不良検出信号を出力することで実装不良を早期に外部に知らせることができる。これにより、過熱に至らない実装不良の初期段階で半導体装置の実装に関する点検或いは修理を使用者等に促すことができ、半導体装置の安全性が向上する。
【００４１】
＜用途＞
次に、先に説明したスイッチング電源装置の用途例について説明する。図８は、車載機器を搭載した車両の一構成例を示す外観図である。本構成例の車両Ｘは、バッテリ（不図示）と、バッテリから供給される直流電圧ＶINを入力するスイッチング電源装置（不図示）と、車載機器Ｘ１１〜Ｘ１７と、を搭載している。
【００４２】
車載機器Ｘ１１〜Ｘ１７はそれぞれスイッチング電源装置の出力電圧及び当該スイッチング電源装置の出力電圧を更に電圧変換して得られる電圧のいずれかを電源電圧として用いる。
【００４３】
車載機器Ｘ１１は、エンジンに関連する制御（インジェクション制御、電子スロットル制御、アイドリング制御、酸素センサヒータ制御、及び、オートクルーズ制御など）を行うエンジンコントロールユニットである。
【００４４】
車載機器Ｘ１２は、ＨＩＤ［high intensity discharged lamp］やＤＲＬ［daytime running lamp］などの点消灯制御を行うランプコントロールユニットである。
【００４５】
車載機器Ｘ１３は、トランスミッションに関連する制御を行うトランスミッションコントロールユニットである。
【００４６】
車載機器Ｘ１４は、車両Ｘの運動に関連する制御（ＡＢＳ［anti-lock brake system］制御、ＥＰＳ［electric power Steering］制御、電子サスペンション制御など）を行うボディコントロールユニットである。
【００４７】
車載機器Ｘ１５は、ドアロックや防犯アラームなどの駆動制御を行うセキュリティコントロールユニットである。
【００４８】
車載機器Ｘ１６は、ワイパー、電動ドアミラー、パワーウィンドウ、電動サンルーフ、電動シート、及び、エアコンなど、標準装備品やメーカーオプション品として、工場出荷段階で車両Ｘに組み込まれている電子機器である。
【００４９】
車載機器Ｘ１７は、車載Ａ／Ｖ［audio/visual］機器、カーナビゲーションシステム、及び、ＥＴＣ［Electronic Toll Collection System］など、ユーザの任意で車両Ｘに装着される電子機器である。
【００５０】
＜その他の変形例＞
なお、本発明の構成は、上記実施形態のほか、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。
【００５１】
上述した実施形態では、半導体装置は電源ＩＣ１０１すなわち電源用の半導体集積回路装置であったが、半導体装置は半導体集積回路装置でなくてもよい。つまり半導体装置は、ダイオード、トランジスタ等のディスクリート半導体素子を備える装置であってもよい。しかしながら、半導体集積回路装置であれば、サイズが小さく且つパッケージされているので、半導体装置外部の熱源或いは冷却源が半導体装置の温度勾配に与える影響が小さくなる。したがって、半導体装置は半導体集積回路装置であることが好ましい。
【００５２】
また上述した実施形態では、スイッチング電源装置の一部を搭載した半導体装置を例に挙げて説明したが、スイッチング電源装置の全部を搭載した半導体装置、シリーズレギュレータの一部を搭載した半導体装置、シリーズレギュレータの全部を搭載した半導体装置であってもよい。また、電源用の半導体装置に限らず、自己発熱素子を備える半導体装置であればよい。
【００５３】
また上述した実施形態では、自己発熱素子を一つだけ有する半導体装置を例に挙げて説明したが、自己発熱素子を複数有する半導体装置であってもよい。
【００５４】
また上述した実施形態では、温度に応じて変化する所定の物理量を有する温度検出素子としてバイポーラトランジスタを用いたが、例えばバイポーラトランジスタの代わりに抵抗を用い、当該抵抗の正の温度特性を有する抵抗値に基づいて判定部が実装不良の有無を判定するようにしてもよい。
【００５５】
このように、上記実施形態は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示されるものであり、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明は、あらゆる分野（家電分野、自動車分野、産業機械分野など）で用いられる半導体装置に利用することが可能である。
【符号の説明】
【００５７】
１  基準電圧生成回路
２  定電圧生成回路
３  エラーアンプ
４  発振回路
５  スロープ電圧生成回路
６  合成部
７  電流検出部
８  コンパレータ
９  ＲＳフリップフロップ
１０  ドライバ
１１  過熱保護回路
１２  Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ
１３  バイポーラトランジスタ
１４  判定回路
１００  スイッチング電源装置
１０１  電源ＩＣ
１０２  半導体パッケージ
１４１  駆動部
１４２  検出部
１４３  Ａ／Ｄ変換器
１４４  信号生成部
ＣIN、ＣOUT、ＣRT  コンデンサ
ＣＰ１  半導体チップ
Ｄ１  ダイオード
Ｌ１  インダクタ
Ｐ１〜Ｐ７  外部ピン端子
ＰＣＢ１  プリント回路基板
Ｒ１、Ｒ２、ＲRT  抵抗
Ｔ１〜Ｔ７  外部端子
Ｘ  車両
Ｘ１１〜Ｘ１７  車載機器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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