(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央に素子搭載部を、該素子搭載部の周囲に表裏に端子部が形成されたリードを備える単位リードフレームが、縦、横、又は、縦横に複数配置され、しかも、隣り合う前記単位リードフレームの前記リードがコネクティングバーを介して接続されるリードフレームにおいて、
前記コネクティングバーのコネクティングバー本体の裏面側及び表面側のいずれか一方又は双方には、
前記リードの前記コネクティングバーへの接続側端部が接続される第１の補強部と、
前記コネクティングバー本体の長手方向に隣り合う前記第１の補強部同士を連結し、前記コネクティングバー本体よりも幅狭となった第２の補強部とが、一体的に設けられ、
前記第１の補強部が形成された前記コネクティングバーの厚み方向片側又は両側でその中央部に凹部が設けられることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
請求項１記載のリードフレームにおいて、前記リードの前記コネクティングバーへの接続側端部が有する接続部本体の表面側には、該接続部本体よりも幅狭となって、しかも、前記第１の補強部又は前記コネクティングバー本体に連続した第３の補強部が、一体的に設けられたことを特徴とするリードフレーム。
【請求項３】
請求項２記載のリードフレームにおいて、前記第１の補強部及び前記第２の補強部は、前記コネクティングバー本体の裏面側に設けられ、
前記第３の補強部は、前記コネクティングバー本体に連続して一体的に設けられたことを特徴とするリードフレーム。
【請求項４】
請求項２又は３記載のリードフレームにおいて、前記第３の補強部の幅は、０．０２ｍｍ以上０．０８ｍｍ以下であることを特徴とするリードフレーム。
【請求項５】
請求項２〜４のいずれか１項に記載のリードフレームにおいて、前記第３の補強部は、ダイシングする際のダイシング領域の端面が位置する部分であり、前記第３の補強部の長さは、前記ダイシング領域の端面の位置を基準として両側にそれぞれ０．０５ｍｍ以上であることを特徴とするリードフレーム。
【請求項６】
中央に素子搭載部を、該素子搭載部の周囲に表裏に端子部が形成されたリードを備える単位リードフレームを、リードフレーム材に、前記リードが接続されるコネクティングバーを介して、縦、横、又は、縦横に複数配置して形成するリードフレームの製造方法において、
前記リードフレーム材のうち、前記コネクティングバーの形成領域の裏面側及び表面側のいずれか一方又は双方をハーフエッチングして、
コネクティングバー本体を形成すると共に、
前記リードの前記コネクティングバーへの接続側端部が接続される領域に、第１の補強部を、前記コネクティングバー本体の長手方向に隣り合う前記第１の補強部間の領域に、隣り合う前記第１の補強部同士を連結する、前記コネクティングバー本体よりも幅狭の第２の補強部を、それぞれ形成し、
更に、前記第１の補強部が形成される領域の厚み方向片側又は両側でその中央部に凹部を形成することを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項７】
請求項６記載のリードフレームの製造方法において、前記リードフレーム材のうち、前記リードの前記コネクティングバーへの接続側端部の表面側をハーフエッチングして、接続部本体を形成すると共に、該接続部本体よりも幅狭となって、しかも、前記第１の補強部又は前記コネクティングバー本体に連続する第３の補強部を形成することを特徴とするリードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造に用いられるリードフレーム及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置には、複数の半導体装置が一括して樹脂封止されるＭＡＰ（Ｍｏｌｄ  Ａｌｌｅｙ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）タイプのＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ）型半導体装置がある。このＱＦＮ型半導体装置に用いるリードフレームは、複数の単位リードフレームが、縦、横、又は、縦横に複数配置され、隣り合う単位リードフレームのリードがコネクティングバーを介して接続されたものである。
なお、一括して樹脂封止されたＱＦＮ型半導体装置は、樹脂封止後に、隣り合うＱＦＮ型半導体装置を、回転刃物によってダイシングすることで個片化される。
【０００３】
しかし、ダイシングの際には、コネクティングバーの除去時に切断バリや回転刃物の磨耗が生じることから、これを抑制するため、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、コネクティングバー８０の裏面側（表面側でもよい）をハーフエッチングして薄肉にしている（例えば、特許文献１参照）。なお、符号８１は単位リードフレーム、符号８２はリードであり、図２（Ｂ）中のハッチングで描いている部分はハーフエッチングされた箇所を示し、二点鎖線は回転刃物で切断されるダイシングラインを示し、このダイシングラインで挟まれた部位がダイシングによって除去される部位である（他の図も同様）。
【０００４】
また、ＱＦＮ型半導体装置に用いるリードフレームとしては、図３（Ａ）に示す通常のＱＦＮ型半導体装置に用いるリードフレーム８３と比較して、図３（Ｂ）に示すように、インナーリード８４が長いロングリードタイプのリードフレーム８５がある。なお、図３（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれリードフレーム８３、８５の裏面側を示しており、図３（Ａ）中の符号８６は、リードフレーム８３を構成する単位リードフレームのインナーリードであり、また、インナーリード８６、８４は共に、ハーフエッチングによって薄肉となっている。
【０００５】
リードフレーム８５（単位リードフレーム）においては、ＩＣチップ（半導体素子）を載置するパッド（素子搭載部）８７とインナーリード８４の距離が短くなるため、ＩＣチップとインナーリード８４を電気的に接合するボンディングワイヤー（図示しない）を短くすることができる。
これにより、樹脂封止の際のワイヤー流れによる短絡の防止や、ボンディングワイヤーの使用量の減少に伴う材料コストの削減が可能となる利点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−３２０００７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ロングリードタイプのリードフレーム８５においては、切断バリの発生抑制のため、コネクティングバー８８を薄肉にしてしまうと、インナーリード８４が長いため、図４（Ａ）に示すように、コネクティングバー８８を基点として板厚方向に変形したり、また、図４（Ｂ）に示すように、コネクティングバー８８が水平面内で湾曲したりしてしまい、リードフレーム８５が変形し易い状況となってしまう。
なお、コネクティングバーを薄肉にすることなく、切断バリの発生抑制のためにダイシング速度を落して生産するという対策を採用することも考えられるが、この場合、ＱＦＮ型半導体装置の生産性が低下する。
【０００８】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、コネクティングバーの変形を防止しながら、ダイシングによる切断バリと回転刃物の磨耗を抑制でき、良好な品質の半導体装置を生産性よく経済的に製造可能なリードフレーム及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的に沿う第１の発明に係るリードフレームは、中央に素子搭載部を、該素子搭載部の周囲に表裏に端子部が形成されたリードを備える単位リードフレームが、縦、横、又は、縦横に複数配置され、しかも、隣り合う前記単位リードフレームの前記リードがコネクティングバーを介して接続されるリードフレームにおいて、
前記コネクティングバーのコネクティングバー本体の裏面側及び表面側のいずれか一方又は双方には、
前記リードの前記コネクティングバーへの接続側端部が接続される第１の補強部と、
前記コネクティングバー本体の長手方向に隣り合う前記第１の補強部同士を連結し、前記コネクティングバー本体よりも幅狭となった第２の補強部とが、一体的に設けられ、
前記第１の補強部が形成された前記コネクティングバーの厚み方向片側又は両側でその中央部に凹部が設けられている。
【００１０】
第１の発明に係るリードフレームにおいて、前記リードの前記コネクティングバーへの接続側端部が有する接続部本体の表面側に、該接続部本体よりも幅狭となって、しかも、前記第１の補強部又は前記コネクティングバー本体に連続した第３の補強部を、一体的に設けることができる。
ここで、前記第３の補強部の幅は、０．０２ｍｍ以上０．０８ｍｍ以下であるのがよい。
また、前記第３の補強部は、ダイシングする際のダイシング領域の端面が位置する部分であり、前記第３の補強部の長さは、前記ダイシング領域の端面の位置を基準として両側にそれぞれ０．０５ｍｍ以上であるのがよい。
【００１１】
第１の発明に係るリードフレームにおいて、前記凹部の幅は、前記コネクティングバー本体の幅以下であることが好ましい。
【００１２】
前記目的に沿う第２の発明に係るリードフレームの製造方法は、中央に素子搭載部を、該素子搭載部の周囲に表裏に端子部が形成されたリードを備える単位リードフレームを、リードフレーム材に、前記リードが接続されるコネクティングバーを介して、縦、横、又は、縦横に複数配置して形成するリードフレームの製造方法において、
前記リードフレーム材のうち、前記コネクティングバーの形成領域の裏面側及び表面側のいずれか一方又は双方をハーフエッチングして、
コネクティングバー本体を形成すると共に、
前記リードの前記コネクティングバーへの接続側端部が接続される領域に、第１の補強部を、前記コネクティングバー本体の長手方向に隣り合う前記第１の補強部間の領域に、隣り合う前記第１の補強部同士を連結する、前記コネクティングバー本体よりも幅狭の第２の補強部を、それぞれ形成し、
更に、前記第１の補強部が形成される領域の厚み方向片側又は両側でその中央部に凹部を形成する。
【００１３】
第２の発明に係るリードフレームの製造方法において、前記リードフレーム材のうち、前記リードの前記コネクティングバーへの接続側端部の表面側をハーフエッチングして、接続部本体を形成すると共に、該接続部本体よりも幅狭となって、しかも、前記第１の補強部又は前記コネクティングバー本体に連続する第３の補強部を形成することもできる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係るリードフレーム及びその製造方法は、コネクティングバー本体に、その長手方向に隣り合う第１の補強部同士を連結する、コネクティングバー本体よりも幅狭の第２の補強部が設けられているので、コネクティングバーの強度を維持しながら、ダイシングによって除去するコネクティングバー量（金属量）を減らすことができる。
更に、第１の補強部が形成されたコネクティングバーの厚み方向片側又は両側に凹部を形成するので、凹部の形成部分の厚みを薄くできるため、ダイシングによって除去するコネクティングバー量を更に減らすことができる。
従って、コネクティングバーの変形を防止しながら、ダイシングによる切断バリと回転刃物の磨耗を抑制でき、良好な品質の半導体装置を生産性よく経済的に製造できる。
【００１５】
また、リードのコネクティングバーへの接続側端部が有する接続部本体の表面側に、第１の補強部又はコネクティングバー本体に連続する、接続部本体よりも幅狭の第３の補強部を設ける場合、ダイシングによって除去する部分を更に減らすことができるため、切断バリと回転刃物の磨耗の抑制効果を、更に高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係るリードフレームのコネクティングバー近傍の表面側を示す平面図、裏面側を示す底面図、（Ｃ）は（Ａ）のＸ１−Ｘ１矢視断面図、（Ｄ）、（Ｅ）はそれぞれ（Ｂ）のＸ２−Ｘ２矢視断面図、Ｘ３−Ｘ３矢視断面図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ第１の従来例に係るリードフレームのコネクティングバー近傍の表面側を示す平面図、裏面側を示す底面図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ第２、第３の従来例に係るリードフレームの裏面側を示す底面図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ第３の従来例に係るリードフレームのコネクティングバー近傍の変形状態を示す側断面図、裏面側を示す底面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発明の理解に供する。
図１（Ａ）〜（Ｅ）に示すように、本発明の一実施の形態に係るリードフレーム１０は、ＱＦＮ型半導体装置（以下、単に半導体装置ともいう）を製造するために用いられ、半導体素子（ＩＣチップ）が搭載される素子搭載部を中央に、リード（導体接続端子）１１を素子搭載部の周囲に備える単位リードフレーム１２が、複数配置されたものである（図３（Ａ）、（Ｂ）参照）。以下、詳しく説明する。
【００１８】
リードフレーム１０は、銅、銅合金、又は、銅めっきが施された鉄系合金を素材とする板状のリードフレーム材に、エッチング加工等を施して形成されたものである。
このリードフレーム１０には、半導体素子がそれぞれ搭載される複数の単位リードフレーム１２が、縦、横、又は、縦横に配置され、隣り合う単位リードフレーム１２のリード１１が、コネクティングバー（枠リード）１３を介して接続されている。
【００１９】
複数のリード１１は、素子搭載部の周囲に間隔を有して配置されている。
このリード１１の表裏には端子部１４、１５が形成され、半導体装置においては、素子搭載部の表面側に搭載された半導体素子と表面側の端子部１４とを、ボンディングワイヤーによって電気的に接合し、裏面側の端子部１５と外部とを、電気的に接合する。
また、コネクティングバー１３は、素子搭載部とは間隔を有して配置されている。このコネクティングバー１３には、素子搭載部を支持する支持リード（図示しない）も連結されている（図３（Ａ）、（Ｂ）参照）。
【００２０】
なお、単位リードフレーム１２は、上記した素子搭載部、リード１１、コネクティングバー１３、及び、支持リード、を除いた部分が、表面側から裏面側まで貫通した状態になっている。
このリード１１の端子部１５を除いた部分と支持リード（以下、リード１１等ともいう）は、リードフレーム材の裏面側をハーフエッチングすることで形成されている。なお、ハーフエッチング後のリード１１等の厚みは、例えば、リードフレーム材の厚みの３０〜７０％（更には、下限が４０％、上限が６０％）程度である。
【００２１】
通常リードは、その幅が、例えば、０．２ｍｍ程度であり、薄肉にした部分の長手方向の長さが、０．３ｍｍ程度のもの（図３（Ａ）参照）である。しかし、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、薄肉にした部分の長さＬを、例えば、０．５ｍｍ以上としたロングリードタイプのリードフレーム１０においては、前記したように、リードフレームに変形が発生し易い状況となる（図３（Ｂ）、図４（Ａ）、（Ｂ）参照）。なお、長さＬは、リードフレームの種類に応じて種々変更でき、その上限は、特に限定されるものではないが、例えば、１〜２ｍｍ程度である。
そこで、図１（Ｂ）、（Ｄ）、（Ｅ）に示すように、コネクティングバー１３のコネクティングバー本体１３ａの裏面側に、第１、第２の補強部１６、１７を一体的に設けている（即ち、コネクティングバー１３のうち、第１、第２の補強部１６、１７を除いた部分がコネクティングバー本体１３ａとなる）。
【００２２】
第１の補強部１６は、リード１１のコネクティングバー１３への接続側端部（端子部１５を含む）１８を接続する部分に設けられている。この接続する部分とは、コネクティングバー１３（コネクティングバー本体１３ａ）の長手方向とリード１１の長手方向とが交差する領域である。また、第１の補強部１６が設けられた部分のコネクティングバー１３（第１の補強部１６とコネクティングバー本体１３ａ）の断面形状は、長方形状（正方形状や台形状でもよい）となっている。
第１の補強部１６とコネクティングバー本体１３ａの合計厚みは、リードフレーム材の厚みと同等（フルメタル部）である。この第１の補強部１６は、上記したリード１１等の形成に際し、リードフレーム材をハーフエッチングしないことで形成できる。
【００２３】
第２の補強部１７は、コネクティングバー本体１３ａの長手方向に隣り合う第１の補強部１６、１６同士を連結するものである。この第２の補強部１７が設けられた部分のコネクティングバー１３（第２の補強部１７とコネクティングバー本体１３ａ）の断面形状は、図１（Ｅ）に示すように、凸状となっている。
第２の補強部１７は、コネクティングバー１３の幅方向両側に形成されたハーフエッチング部（第１の薄肉部）１９、２０により、コネクティングバー本体１３ａの幅Ｗ１（第１の補強部１６の幅）よりも幅狭（例えば、幅Ｗ１の０．１〜０．３倍程度）となって、しかも、コネクティングバー本体１３ａの幅方向中央部に設けられている。なお、第２の補強部は、コネクティングバー本体の幅方向片側に設けることもできる。
【００２４】
第２の補強部１７の厚みは、上記した第１の補強部１６の厚みと同等であり、第２の補強部１７とコネクティングバー本体１３ａの合計厚みが、リードフレーム材の厚みと同等（フルメタル部）である。
この第２の補強部１７は、上記したリード１１等の形成に際し、リードフレーム材のうち、コネクティングバー１３の幅方向両側に該当する領域をハーフエッチングして、ハーフエッチング部１９、２０を形成することで設けることができる。
【００２５】
第２の補強部１７は、コネクティングバー１３の強度を維持すると共に、ダイシングによって除去するコネクティングバー１３量を減らすためのものであるため、形成位置は特に限定されるものではない。
従って、本実施の形態においては、複数の第２の補強部１７を、コネクティングバー１３の長手方向に一直線状に形成しているが、コネクティングバー１３の幅方向一方側又は他方側に、部分的にずらしてもよい。
【００２６】
このように、コネクティングバー１３にハーフエッチング部１９、２０を形成して、コネクティングバー本体１３ａに第１、第２の補強部１６、１７を設けることで、コネクティングバー１３の強度を維持すると共に、除去するコネクティングバー１３量を減らすことができる。しかし、第１、第２の補強部１６、１７を設けることで、設けない場合（図２（Ｂ）参照）と比較して、除去するコネクティングバー１３量が増加する。
そこで、除去するコネクティングバー１３量を減らすため、第１の補強部１６の厚み方向（第１の補強部１６が形成されたコネクティングバー１３の裏面側（厚み方向片側））に凹部２１を形成する。この凹部２１が形成された部分のコネクティングバー１３（凹部２１が形成された第１の補強部１６とコネクティングバー本体１３ａ）の断面形状は、図１（Ｄ）に示すように、凹状となっている。
【００２７】
凹部２１は、上記したハーフエッチングをすることで、リード１１等の形成と共に形成できる。即ち、凹部２１の深さは、第１、第２の補強部１６、１７の厚みと同等か、僅かに浅くなっている。また、凹部２１の幅（コネクティングバー１３の幅方向の幅）は、コネクティングバー１３の幅Ｗ１（例えば、０．１〜０．２ｍｍ程度）以下である。
なお、凹部は、第１の補強部が形成されたコネクティングバーの表面側、即ちコネクティングバー本体（厚み方向片側）のみに形成することもでき、第１の補強部が形成されたコネクティングバーの裏面側と表面側の両側（厚み方向両側）に形成することもできる。
【００２８】
また、凹部２１は、ダイシングによって除去するコネクティングバー量を減らすためのものであるため、その形状は特に限定されるものではない。
従って、本実施の形態においては、平面視して円形（断面円形）にしているが、これに限定されるものではなく、例えば、楕円形や卵形、多角形等にすることもできる。
【００２９】
図１（Ａ）、（Ｃ）に示すように、リード１１のコネクティングバー１３への接続側端部１８が有する接続部本体１８ａの表面側には、第３の補強部２２が一体的に設けられている（即ち、接続側端部１８のうち、第３の補強部２２を除いた部分が接続部本体１８ａとなる）。この第３の補強部２２が設けられた部分の接続側端部１８（第３の補強部２２と接続部本体１８ａ）の断面形状は、凸状となっている。
第３の補強部２２は、リード１１の接続側端部１８の幅方向両側に形成されたハーフエッチング部（第２の薄肉部）２３、２４により、接続部本体１８ａの幅Ｗ２よりも幅狭となって、しかも、接続部本体１８ａの幅方向中央部に設けられている。なお、第３の補強部は、接続部本体の幅方向片側に設けることもできる。
【００３０】
従って、第３の補強部２２が位置する接続側端部１８の厚みは、リードフレーム材の厚みと同等（フルメタル部）であり、上記した第１の補強部１６とコネクティングバー本体１３ａの合計厚み、また、第２の補強部１７とコネクティングバー本体１３ａの合計厚みと、同等である。
なお、第３の補強部２２は、コネクティングバー１３に対するリード１１の曲がりを防止するため、コネクティングバー本体１３ａに連続して設けられている。このため、第３の補強部２２の幅Ｗ３は、例えば、０．０２ｍｍ以上０．０８ｍｍ以下（更には、下限を０．０４ｍｍ、上限を０．０６ｍｍ）であるのがよい。
【００３１】
第３の補強部２２（ハーフエッチング部２３、２４）は、ダイシングする際のダイシング領域２５（二点鎖線で挟まれた領域）の端面（二点鎖線の位置）が位置する部分である。
なお、第３の補強部２２（ハーフエッチング部２３、２４）の長さは、スムーズにダイシングするため、リード１１及びコネクティングバー１３と、ダイシングする際の回転刃物との位置関係を考慮して決定する。
【００３２】
即ち、ダイシング領域２５の端面の位置を基準として両側に、具体的には、端面からコネクティングバー１３（コネクティングバー本体１３ａ）までの距離Ｌ１と、端面からリード１１の薄肉部（接続側端部１８を除く）までの距離Ｌ２を、それぞれ０．０５ｍｍ以上（合計０．１ｍｍ以上）にするのがよい。
なお、距離Ｌ１、Ｌ２の各上限値は、特に限定するものではないが、例えば、０．２ｍｍ程度である。
【００３３】
続いて、本発明の一実施の形態に係るリードフレームの製造方法について、図１（Ａ）〜（Ｅ）を参照しながら説明する。
前記したように、製造するリードフレーム１０は、ＱＦＮ型半導体装置を製造するために用いられ、半導体素子が搭載される素子搭載部を中央に、リード１１を素子搭載部の周囲に備える単位リードフレーム１２が、縦、横、又は、縦横に複数配置されたものである。以下、説明する。
【００３４】
リードフレーム材に対し、エッチング処理を行う。
このエッチング処理に際しては、リードフレーム材の表面側と裏面側のエッチングを行わない領域に対してレジスト膜（所定パターンのレジスト膜）を、予め形成しておく。
ここで、リードフレーム材のうち、前記した素子搭載部、リード１１、コネクティングバー１３、及び、支持リードの形成領域を除いた部分については、リードフレーム材の表面側と裏面側の双方にレジスト膜を形成していない。これにより、リードフレーム材は、表面側と裏面側の双方からエッチングされ、貫通した状態になる。
【００３５】
また、リードフレーム材のうち、コネクティングバー１３の形成領域については、リードフレーム材の表面側と裏面側の一部にレジスト膜を形成している。このため、リードフレーム材は、裏面側のレジスト膜を形成していない部分がハーフエッチングされ、ハーフエッチング部１９、２０が形成される。
これにより、コネクティングバー本体１３ａを形成できると共に、リード１１の接続側端部１８が接続される領域に、第１の補強部１６を、隣り合う第１の補強部１６、１６間の領域に、隣り合う第１の補強部１６、１６同士を連結する、コネクティングバー本体１３ａよりも幅狭の第２の補強部１７を、それぞれコネクティングバー本体１３ａに一体的に形成できる。更に、第１の補強部１６（第１の補強部１６が形成される領域）の厚み方向に凹部２１も形成できる。
このとき、素子搭載部及びリード１１の各薄肉部と支持リードも形成できる。
【００３６】
そして、リードフレーム材のうち、リード１１のコネクティングバー１３への接続側端部１８の形成領域については、リードフレーム材の表面側の一部と裏面側にレジスト膜を形成している。このため、リードフレーム材は、表面側のレジスト膜を形成していない部分がハーフエッチングされ、ハーフエッチング部２３、２４が形成される。
これにより、接続部本体１８ａを形成すると共に、コネクティングバー本体１３ａに連続する、接続部本体１８ａよりも幅狭の第３の補強部２１を形成できる。
以上の方法により、リードフレーム１０が完成する。
【００３７】
このリードフレーム１０の使用にあっては、半導体素子を素子搭載部に搭載し、ボンディングワイヤーによって半導体素子とリード１１の端子部１４を電気的に接続する。
そして、リードフレーム１０の表面側から樹脂封止を行い、半導体素子等を樹脂によって封止する。このとき、素子搭載部の裏面とリード１１の端子部１５は、外部に露出した状態にする。
【００３８】
この樹脂封止されたリードフレームを、その裏面側（又は表面側）から、回転刃物でダイシングすることにより、一体となった複数のＱＦＮ型半導体装置を個片化する。
以上のことから、本発明のリードフレーム及びその製造方法を用いることで、コネクティングバーの変形を防止しながら、ダイシングによる切断バリと回転刃物の磨耗を抑制でき、良好な品質の半導体装置を生産性よく経済的に製造できる。
【００３９】
以上、本発明を、実施の形態を参照して説明してきたが、本発明は何ら上記した実施の形態に記載の構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載されている事項の範囲内で考えられるその他の実施の形態や変形例も含むものである。例えば、前記したそれぞれの実施の形態や変形例の一部又は全部を組合せて本発明のリードフレーム及びその製造方法を構成する場合も本発明の権利範囲に含まれる。
前記実施の形態においては、第１、第２の補強部の形成に際し、コネクティングバーの裏面側のみをハーフエッチングした場合（第１、第２の補強部をコネクティングバーの裏面側のみに突出させた場合）について説明した。しかし、ハーフエッチングを、コネクティングバーの表面側のみにしても（第１、第２の補強部をコネクティングバーの表面側のみに突出させても）よく、コネクティングバーの裏面側と表面側の両方にしても（第１、第２の補強部をコネクティングバーの裏面側と表面側の両方に突出させても）よい。なお、ハーフエッチングをコネクティングバーの表面側に行った（即ち、第１、第２の補強部をコネクティングバー本体の表面側に形成した）場合は、第３の補強部が第１の補強部に連続することになる。
【００４０】
また、前記実施の形態においては、リードの接続側端部の表面側に、第３の補強部を設けた場合について説明したが、必要に応じて設けなくてもよい。この場合、第１、第２の補強部をリードフレームの裏面側のみに設けることで、リードフレーム材の表面側へのハーフエッチングが不要となる。
そして、前記実施の形態においては、ダイシングを回転刃物を用いて行った場合について説明したが、例えば、レーザ等を用いてもよい。
更に、前記実施の形態においては、リードフレーム（単位リードフレーム）を模式的に示しているため、リードフレームの形状は、前記した実施の形態に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００４１】
１０：リードフレーム、１１：リード、１２：単位リードフレーム、１３：コネクティングバー、１３ａ：コネクティングバー本体、１４、１５：端子部、１６：第１の補強部、１７：第２の補強部、１８：接続側端部、１８ａ：接続部本体、１９、２０：ハーフエッチング部、２１：凹部、２２：第３の補強部、２３、２４：ハーフエッチング部、２５：ダイシング領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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