(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上方に形成され、複数層からなるレジストと、
前記レジストの上に、接着剤を介して実装されたＬＥＤ素子とを有し、
前記接着剤は、付加反応型のシリコーン樹脂によって構成されており、
前記レジストは、最下層となる第１の層と最上層となる第２の層とを含み、
前記基板は、基材と、前記基材の表面に形成された金属層とを有し、
前記レジストは、前記金属層の表面に形成され、
前記金属層は、前記ＬＥＤ素子と電気的に接続されて電流が流れる第１の金属配線と、前記ＬＥＤ素子と電気的に接続されずに前記ＬＥＤ素子を発光させるための電流が流れない第２の金属配線とを有し、
前記第２の金属配線は、前記レジストを介して前記ＬＥＤ素子の下に形成されており、
前記レジストに含まれる、硫黄、リン及び窒素の少なくとも一つの含有量は、当該レジストの上層ほど少ない
ＬＥＤモジュール。
【請求項２】
前記第２の層の厚みは、前記第１の層の厚みよりも厚い
請求項１に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項３】
前記接着剤は、白金系触媒を含む
請求項１又は２に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項４】
前記レジストの最上層は、熱硬化型のレジスト材料によって構成される
請求項１〜３のいずれか１項に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項５】
前記レジスト材料は、エポキシ樹脂である
請求項４に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項６】
前記レジストの最下層は、現像型のレジスト材料によって構成される
請求項１〜５のいずれか１項に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項７】
前記レジストは、３層以上によって構成される
請求項１〜６のいずれか１項に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項８】
前記基材は、樹脂基材である
請求項１〜７のいずれか１項に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項９】
前記ＬＥＤ素子は、ＬＥＤチップであり、
前記ＬＥＤチップは、ワイヤボンディングによって前記金属層に接続される
請求項１〜８のいずれか１項に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１０】
さらに、前記ＬＥＤ素子を封止する封止部材を有する
請求項９に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１１】
基板と、
前記基板の上方に形成され、複数層からなるレジストと、
前記レジストの上に、接着剤を介して実装されたＬＥＤ素子とを有し、
前記接着剤は、付加反応型のシリコーン樹脂によって構成されており、
前記レジストは、最下層となる第１の層と最上層となる第２の層とを含み、
前記第１の層は、現像型のレジスト材料によって構成され、
前記第２の層は、熱硬化型のレジスト材料によって構成され、
前記第１の層は、硫黄、リン及び窒素の全てを含む光硬化剤を有し、
硫黄、リン及び窒素の全ての含有量は、前記第１の層よりも前記第２の層の方が少ない、
ＬＥＤモジュール。
【請求項１２】
基板と、
前記基板の上方に形成され、複数層からなるレジストと、
前記レジストの上に、接着剤を介して実装されたＬＥＤ素子とを有し、
前記接着剤は、付加反応型のシリコーン樹脂によって構成されており、
前記レジストは、最下層となる第１の層と最上層となる第２の層とを含み、
前記第２の層の厚みは、前記第１の層の厚みよりも厚く、
前記レジストに含まれる、硫黄、リン及び窒素の少なくとも一つの含有量は、当該レジストの上層ほど少なく、
前記第１の層と前記第２の層とは、同じレジスト材料によって構成されている
ＬＥＤモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を有するＬＥＤモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ等の半導体発光素子は、高効率及び高寿命であるので、種々の機器の光源として広く利用されている。例えば、ＬＥＤは、ランプや照明装置等において照明用光源として用いられたり、液晶表示装置においてバックライト光源として用いられたりしている。
【０００３】
一般的に、ＬＥＤは、ＬＥＤモジュールとして、ユニット化されて各種機器に内蔵されている。例えば、ＬＥＤモジュールは、基板と、基板の上に実装された１つ以上のＬＥＤ素子とを備える。
【０００４】
具体的には、１つ又は複数のＬＥＤチップ（ＬＥＤ素子）を直接基板に実装することによって構成されたＣＯＢ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｂｏａｒｄ）構造のＬＥＤモジュールが知られている（特許文献１）。また、ＬＥＤチップを容器に収容することでパッケージ化されたＳＭＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｏｕｎｔ  Ｄｅｖｉｃｅ）型のＬＥＤ素子を基板上に１個又は複数個実装することによって構成されたＬＥＤモジュールも知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１７６０１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＬＥＤ素子（ＬＥＤチップ）を実装するための基板の表面には、レジストが形成されていることがある。ＬＥＤチップは、例えば、ダイアタッチ剤（接着剤）によってレジストの上にダイボンド実装される。つまり、ＬＥＤ素子は、ダイアタッチ剤を介してレジストの上に接着される。
【０００７】
一般的に、レジストは、樹脂材料によって構成される。例えば、ＣＯＢ構造のＬＥＤモジュールに用いられる樹脂基板には、光硬化剤を含むエポキシ系樹脂からなる現像タイプのレジストが用いられる。また、ＬＥＤ素子をダイボンドするためのダイアタッチ剤としては、例えば、シリコーン樹脂からなる付加反応型のものが用いられる。
【０００８】
しかしながら、この場合、レジストの光硬化剤に含まれる、硫黄（Ｓ）、リン（Ｐ）及び窒素（Ｎ）の各成分の影響によって、ダイアタッチ剤の硬化阻害が発生し、ＬＥＤ素子とレジストとの密着強度が低下することが分かった。ＬＥＤ素子とレジストとの密着強度が低下すると、ＬＥＤモジュールの信頼性が低下するという問題がある。
【０００９】
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、信頼性の高いＬＥＤモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明に係るＬＥＤモジュールの一態様は、基板と、前記基板の上方に形成され、複数層からなるレジストと、前記レジストの上に、接着剤を介して実装されたＬＥＤ素子とを有し、前記接着剤は、付加反応型のシリコーン樹脂によって構成されており、前記レジストに含まれる、硫黄、リン及び窒素の少なくとも一つの含有量は、当該レジストの上層ほど少ないＬＥＤモジュールである。
【発明の効果】
【００１１】
ＬＥＤ素子とレジストの密着強度を確保できるので、信頼性の高いＬＥＤモジュールを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態に係るＬＥＤモジュールの一部断面図である。
【図２】変形例１に係るＬＥＤモジュールの一部断面図である。
【図３】変形例２に係るＬＥＤモジュールの一部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、並びに、工程（ステップ）及び工程の順序等は、一例であって本発明を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
【００１４】
また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。なお、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。
【００１５】
（実施の形態）
まず、実施の形態に係るＬＥＤモジュール１の構成について、図１を用いて説明する。
【００１６】
図１は、実施の形態に係るＬＥＤモジュール１の一部断面図である。
【００１７】
図１に示すように、ＬＥＤモジュール１は、基板１０と、レジスト２０と、ＬＥＤ素子３０と、接着剤４０とを有する。本実施の形態において、ＬＥＤモジュール１は、さらに、封止部材５０を有する。ＬＥＤモジュール１は、例えば、白色光を出射する。
【００１８】
基板１０は、ＬＥＤ素子３０を実装するための実装基板である。本実施の形態において、基板１０は、樹脂をベースとする樹脂基板であり、樹脂基材１１（樹脂層）と、樹脂基材１１の表面に形成された金属層１２とを有する。
【００１９】
樹脂基材１１は、例えば、ガラス繊維とエポキシ樹脂とからなるガラスエポキシによって構成されたガラスエポキシ基材（ＦＲ−４）やガラスコンポジット基材（ＣＥＭ−３）、クラフト紙等とフェノール樹脂とによって構成された紙フェノール基材（ＦＲ−１、ＦＲ−２）、紙とエポキシ樹脂とによって構成された紙エポキシ基材（ＦＲ−３）、又は、ポリイミド等からなる可撓性を有するフレキシブル基材等を用いることができる。樹脂基材１１の厚みは、例えば１ｍｍである。
【００２０】
金属層１２（金属膜）は、例えば、樹脂基材１１の上面に所定形状のパターンで形成された金属配線である。金属層１２は、例えば、銅（Ｃｕ）によって構成された銅配線（銅層）である。なお、金属層１２の材料は、銅に限るものではなく、銅以外の金属材料、又はその他の導電材料を用いることができる。
【００２１】
本実施の形態において、金属層１２は、ＬＥＤ素子３０と電気的に接続されて電流が流れる第１の金属配線１２ａと、ＬＥＤ素子３０と電気的に接続されずに電流が流れない第２の金属配線１２ｂとを有する。つまり、第２の金属配線１２ｂは電気的に浮いた状態（フローティング状態）であり、ＬＥＤ素子３０を発光させるための電流が流れない。
【００２２】
本実施の形態において、第２の金属配線１２ｂは、ＬＥＤ素子３０の下方に形成されている。つまり、第２の金属配線１２ｂは、ＬＥＤ素子３０から発生する熱を放熱させるための放熱部材として機能する。なお、第１の金属配線１２ａも放熱部材として機能する。また、ＬＥＤ素子３０直下の第２の金属配線１２ｂは設けられていなくてもよい。
【００２３】
金属層１２は、印刷等によって所定形状に形成されてもよいし、樹脂基材１１の全面に形成された金属膜（例えば銅箔）の一部をエッチングすることで所定形状に形成されてもよい。金属層１２の厚みは、例えば、３５μｍである。
【００２４】
なお、このように構成される基板１０の形状は、特に限定されるものではないが、基板１０としては、例えば長尺矩形状の基板、又は、正方形等の正多角形等の基板を用いることができる。また、基板１０は、樹脂基板に限るものではなく、金属をベースとするメタルベース基板、アルミナ等のセラミック材料からなるセラミック基板、又は、ガラス材料からなるガラス基板等であってもよい。
【００２５】
レジスト２０（レジスト層）は、基板１０の上方に形成される。本実施の形態において、レジスト２０は、基板１０の表面に形成される。具体的には、レジスト２０は、基板１０の金属層１２を覆うように金属層１２の表面に形成される。
【００２６】
レジスト２０は、複数層からなる積層構造となっている。本実施の形態において、レジスト２０は、最下層となる第１の層２１（第１のレジスト層）と、最上層となる第２の層２２（第２のレジスト層）との２層によって構成されている。
【００２７】
レジスト２０（第１の層２１、第２の層２２）は、絶縁性を有する樹脂材料によって構成された絶縁膜である。金属層１２をレジスト２０で被覆することによって、基板１０の絶縁性（絶縁耐圧）を向上させることができるとともに、金属層１２が酸化してしまうことを抑制できる。
【００２８】
また、本実施の形態において、レジスト２０（第１の層２１、第２の層２２）は、ＬＥＤ素子３０から出射した光が基板１０に戻ってきたときに、当該光を基板１０で反射させるために、反射性を有する材料によって構成されている。このため、レジスト２０（第１の層２１、第２の層２２）は、高反射率となるように白色顔料（チタニア、シリカ等）が含有された白色樹脂材料からなる白レジストである。このように、レジスト２０として白レジストを用いることによって、ＬＥＤモジュール１の光取り出し効率を向上させることができる。
【００２９】
具体的には、第１の層２１（本実施の形態では、レジスト２０の最下層）は、現像型のレジスト材料によって構成されている。このため、第１の層２１には、光硬化剤が含まれている。現像型のレジスト材料を用いることによって、第１の層２１をパターン精度よく形成することができる。
【００３０】
この場合、第１の層２１のレジスト材料は、例えば、エポキシ樹脂である。本実施の形態において、第１の層２１のレジスト材料は、ノボラック型エポキシ樹脂である。第１の層２１の厚みは、例えば２０μｍである。
【００３１】
一方、第２の層２２（本実施の形態では、レジスト２０の最上層）は、熱硬化型のレジスト材料によって構成されている。熱硬化型のレジスト材料を用いることによって、耐熱性及び耐光性に優れた第２の層２２を低コストでパターン形成することができる。
【００３２】
この場合、第２の層２２のレジスト材料も、エポキシ樹脂である。本実施の形態において、第２の層２２のレジスト材料も、第１の層２１と同様に、ノボラック型エポキシ樹脂である。第２の層２２の厚みは、例えば２０μｍである。つまり、本実施の形態において、第１の層２１の厚みと第２の層２２の厚みとは同じである。ただし、第２の層２２の厚みは、第１の層２１の厚みよりも厚い方がよい。
【００３３】
このように構成されるレジスト２０では、レジスト２０に含まれる、硫黄（Ｓ）、リン（Ｐ）及び窒素（Ｎ）の少なくとも一つの含有量は、当該レジスト２０の上層ほど少なくなっている。
【００３４】
本実施の形態では、最上層の第２の層２２に含まれる、硫黄、リン及び窒素の少なくとも一つの含有量が、最下層の第１の層２１に含まれる、硫黄、リン及び窒素の少なくとも一つの含有量よりも少なくなっている。この場合、硫黄、リン及び窒素の全ての含有量が、第１の層２１よりも第２の層２２の方が少なくなっているとよい。
【００３５】
ここで、現像型のレジスト材料には、光硬化剤が含まれている。光硬化剤には、硫黄、リン及び窒素が含まれている。光硬化剤において、硫黄及びリンは、光重合開始剤として機能し、窒素は、アミン系化合物として存在し、硬化剤として機能する。一方、熱硬化型のレジスト材料には光硬化剤が含まれていない。このため、熱硬化型のレジスト材料には、硫黄及びリンは含まれていないが、硬化剤として窒素は含まれている。
【００３６】
本実施の形態では、レジスト２０の第２の層２２が熱硬化型のレジスト材料によって構成されているので、第２の層２２には光硬化剤が含まれていない。したがって、第２の層２２には、窒素は含まれているが、硫黄及びリンは含まれていない。一方、第１の層２１は現像型のレジスト材料によって構成されているので、第１の層２１には光硬化剤が含まれている。したがって、第１の層２１には、硫黄、リン及び窒素の全てが含まれている。
【００３７】
ＬＥＤ素子３０は、レジスト２０の上に、接着剤４０を介して実装されている。具体的には、ＬＥＤ素子３０は、レジスト２０の最上層（本実施の形態では、第２の層２２）の上に実装されている。
【００３８】
本実施の形態において、ＬＥＤ素子３０は、単色の可視光を発するＬＥＤチップ（ベアチップ）である。一例として、ＬＥＤ素子３０は、通電されると青色光を発光する青色ＬＥＤチップであり、ピーク波長が４４０ｎｍ〜４７０ｎｍの窒化ガリウム（ＧａＮ）系の半導体発光素子である。また、ＬＥＤ素子３０は、サファイア基板に形成された窒化物半導体層の上面にｐ側電極及びｎ側電極の両電極が形成された片面電極構造である。
【００３９】
また、接着剤４０は、例えば、ダイアタッチ剤（ダイボンド剤）である。したがって、ＬＥＤ素子３０は、接着剤４０によってレジスト２０の上にダイボンド実装されている。接着剤４０は、例えば、付加反応型のシリコーン樹脂によって構成されている。本実施の形態において、接着剤４０は、白金系触媒を含んでいる。
【００４０】
また、ＬＥＤ素子３０（ＬＥＤチップ）は、ワイヤボンディングによって基板１０の金属層１２に接続されている。具体的には、ＬＥＤ素子３０と金属層１２の第１の金属配線１２ａとはワイヤ６０によって接続されている。ワイヤ６０は、例えば金ワイヤである。
【００４１】
なお、基板１０に実装するＬＥＤ素子３０の個数は、１つであってもよいし、複数であってもよい。また、複数のＬＥＤ素子３０を実装する場合、マトリクス状等の２次元状に配置してもよいし、１本又は複数本の一直線状（１次元状）に配置してもよい。
【００４２】
封止部材５０は、ＬＥＤチップであるＬＥＤ素子３０を封止する。封止部材５０は、ＬＥＤ素子３０の光によって励起されてＬＥＤ素子３０の光の波長とは異なる波長の光を放射する波長変換材と、この波長変換材を含む透光性材料とによって構成されている。
【００４３】
封止部材５０を構成する透光性材料としては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂又はフッソ系樹脂等の透光性の絶縁樹脂材料を用いることができる。透光性材料としては、必ずしも樹脂材料等の有機材に限るものではなく、低融点ガラスやゾルゲルガラス等の無機材を用いてもよい。
【００４４】
また、封止部材５０を構成する波長変換材は、例えば蛍光体である。蛍光体は、透光性材料に含有されており、ＬＥＤ素子３０が発する光を励起光として励起されて蛍光発光し、所望の色（波長）の光を放出する。
【００４５】
本実施の形態では、ＬＥＤ素子３０が青色ＬＥＤチップであるので、白色光を得るために、蛍光体としては、例えばイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系の黄色蛍光体を用いることができる。これにより、青色ＬＥＤチップが発した青色光の一部は、黄色蛍光体に吸収されて黄色光に波長変換される。つまり、黄色蛍光体は、青色ＬＥＤチップの青色光によって励起されて黄色光を放出する。この黄色蛍光体による黄色光と黄色蛍光体に吸収されなかった青色光とが混ざった合成光として白色光が生成され、封止部材５０からはこの白色光が出射する。
【００４６】
なお、演色性を高めるために、封止部材５０には、さらに赤色蛍光体が含まれていてもよい。また、封止部材５０には、光拡散性を高めるためにシリカ等の光拡散材、又は、蛍光体の沈降を抑制するためにフィラー等が分散されていてもよい。
【００４７】
本実施の形態における封止部材５０は、シリコーン樹脂に黄色蛍光体を分散させた蛍光体含有樹脂である。封止部材５０は、例えば基板１０に実装されたＬＥＤ素子３０を覆うようにディスペンサーによって基板１０に塗布され、硬化することで所定形状に形成される。このようにして形成された封止部材５０は、断面形状は略半円形となる。
【００４８】
なお、基板１０に複数のＬＥＤ素子３０を実装する場合、封止部材５０は、複数のＬＥＤ素子３０を一括封止してもよい。この場合、封止部材５０は、ＬＥＤ素子３０の配列に沿って、ライン状に形成されていてもよいし、円形状に形成されていてもよい。また、封止部材５０は、ポッティングによって複数のＬＥＤ素子３０の各々を個別に封止してもよい。
【００４９】
このように構成されるＬＥＤモジュール１は、基板１０にＬＥＤチップであるＬＥＤ素子３０が直接実装された構成であるＣＯＢ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｂｏａｒｄ）構造の発光モジュールである。
【００５０】
なお、図示しないが、基板１０には、ＬＥＤ素子３０を発光させるための直流電力を、ＬＥＤモジュール１の外部から受電するための電極端子が設けられていてもよい。この電極端子が金属電極である場合、金属電極の少なくとも一部は、レジスト２０で覆われておらずレジスト２０から露出している。
【００５１】
以上、本実施の形態におけるＬＥＤモジュール１では、ＬＥＤ素子３０は、付加反応型のシリコーン樹脂によって構成された接着剤４０を用いて、レジスト２０の上に実装されている。そして、ＬＥＤモジュール１では、レジスト２０に含まれる、硫黄、リン及び窒素の少なくとも一つの含有量がレジスト２０の上層ほど少なくなっている。
【００５２】
硫黄、リン及び窒素は、付加反応型のシリコーン樹脂によって構成された接着剤４０に対して硬化阻害となる。したがって、接着剤４０が接着されるレジスト２０の上層ほど、硫黄、リン及び窒素の各成分の含有量を少なくすることによって、接着剤４０の硬化阻害を抑制することができる。これにより、ＬＥＤ素子３０とレジスト２０との密着強度を確保できるので、信頼性の高いＬＥＤモジュールを実現できる。
【００５３】
また、本実施の形態において、ＬＥＤ素子３０をレジスト２０に接着する接着剤４０は、白金系触媒を含んでいる。
【００５４】
付加反応型の接着剤４０は、白金系触媒によって硬化が促される。例えば、付加反応型のシリコーン樹脂からなる接着剤４０では、ビニル基をもつシリコーンポリマー（主剤）とＨ基をもつシリコーンポリマー（硬化剤）とが白金系触媒のもとにヒドロキシル反応により硬化する。
【００５５】
本願発明者らの実験結果によれば、接着剤４０に白金系触媒が含まれていると、硫黄、リン及び窒素による硬化阻害がより発生しやすいことが分かった。これは、硫黄、リン及び窒素によって白金系触媒が失活し、触媒効果が低下して硬化反応が進みにくくなったからであると考えられる。
【００５６】
したがって、接着剤４０に白金系触媒を含んでいる場合に、レジスト２０の上層ほど、硫黄、リン及び窒素の含有量を少なくすることによって、接着剤４０の硬化阻害を抑制できる効果がより顕著に得られる。
【００５７】
また、本実施の形態において、レジスト２０の最上層（第２の層２２）は、熱硬化型のレジスト材料によって構成されているとよい。
【００５８】
熱硬化型のレジスト材料には、硫黄及びリンが含まれていない。したがって、レジスト２０の最上層の材料として熱硬化型のレジスト材料を用いることによって、最上層の硫黄及びリンの含有量を下層よりも容易に少なくすることができる。具体的には、第２の層２２の硫黄及びリンの含有量を第１の層２１よりも少なくすることができる。これにより、接着剤４０の硬化阻害を容易に抑制することができるので、信頼性の高いＬＥＤモジュールを容易に実現できる。
【００５９】
また、本実施の形態において、レジスト２０の最上層（第２の層２２）のレジスト材料は、エポキシ樹脂であるとよい。
【００６０】
これにより、レジスト２０の最上層の硬度を容易に大きくすることができるので、ＬＥＤ素子３０をレジスト２０の上に実装する際に下地となるレジスト２０の最上層を固くできる。したがって、ＬＥＤ素子３０をレジスト２０の上に配置する際に、レジスト２０が凹むことを抑制できるので、ＬＥＤ素子３０が傾いて実装されることを抑制できる。この結果、さらに信頼性の高いＬＥＤモジュールを実現できる。
【００６１】
また、本実施の形態において、レジスト２０の最下層は、現像型のレジスト材料によって構成されるとよい。
【００６２】
レジスト２０の最下層は、上層に比べてパターン精度が要求される。したがって、レジスト２０の最下層の材料として現像型のレジスト材料を採用することで、最下層のパターン精度を容易に向上させることができる。これにより、さらに信頼性の高いＬＥＤモジュールを実現できる。
【００６３】
また、本実施の形態において、レジスト２０は、最下層となる第１の層２１と最上層となる第２の層２２との２層によって構成される。
【００６４】
この構成により、第１の層２１と第２の層２２とに別々の役割を担わせることができる。例えば、本実施の形態のように、第１の層２１（最下層）を現像型のレジスト材料によって構成し、第２の層２２（最上層）を熱硬化型のレジスト材料によって構成することができる。これにより、第１の層２１でパターン精度を確保しつつ、第２の層２２で耐熱性及び耐光性を確保することができる。したがって、レジスト２０をパターン精度良く形成できるとともに耐熱性及び耐光性に優れたＬＥＤモジュールを実現できる。この結果、さらに信頼性の高いＬＥＤモジュールを実現できる。
【００６５】
この場合、最上層となる第２の層２２の厚みは、最下層となる第１の層２１の厚みよりも厚い方がよい。
【００６６】
これにより、ＬＥＤモジュール１の耐熱性を向上させることができるとともに、光特性を容易に維持することができる。また、第１の層２１を第２の層２２で保護することができる。したがって、さらに信頼性の高いＬＥＤモジュールを実現できる。
【００６７】
また、本実施の形態において、基板１０は、樹脂基材１１を有する。
【００６８】
これにより、基板１０が樹脂基板であるＬＥＤモジュールを実現することができる。
【００６９】
また、本実施の形態において、基板１０は、樹脂基材１１の表面に形成された金属層１２を有し、レジスト２０は、金属層１２の表面に形成されている。
【００７０】
これにより、基板１０の絶縁性（絶縁耐圧）を向上させることができるとともに、金属層１２が酸化してしまうことを抑制できる。したがって、さらに信頼性の高いＬＥＤモジュールを実現できる。
【００７１】
また、本実施の形態において、ＬＥＤ素子３０は、ＬＥＤチップであり、このＬＥＤチップは、ワイヤボンディングによって金属層１２に接続されている。
【００７２】
これにより、ＣＯＢ構造のＬＥＤモジュールを実現することができる。また、ＬＥＤ素子３０を発光させるための電力を金属層１２を介してＬＥＤ素子３０に供給することができる。
【００７３】
また、本実施の形態において、ＬＥＤモジュール１は、さらに、ＬＥＤ素子３０を封止する封止部材５０を有する。
【００７４】
これにより、封止部材５０によってＬＥＤ素子３０を保護することができる。また、封止部材５０に蛍光体等の波長変換材を含有させることで、ＬＥＤ素子３０の発光光とは異なる色の光を出射するＬＥＤモジュールを実現できる。
【００７５】
（変形例１）
図２は、変形例１に係るＬＥＤモジュール１Ａの一部断面図である。
【００７６】
上記実施の形態におけるＬＥＤモジュール１では、レジスト２０の第１の層２１と第２の層２２とは異なるレジスト材料によって構成されていたが、本変形例におけるＬＥＤモジュール１Ａでは、レジスト２０Ａの第１の層２１と第２の層２２Ａとは同じレジスト材料によって構成されている。
【００７７】
具体的には、本変形例において、第１の層２１及び第２の層２２Ａは、いずれも現像型のレジスト材料によって構成されている。例えば、第１の層２１及び第２の層２２Ａのレジスト材料としては、ノボラック型エポキシ樹脂を用いることができる。
【００７８】
また、本変形例でも、上記実施の形態と同様に、最上層の第２の層２２Ａに含まれる、硫黄、リン及び窒素の少なくとも一つの含有量は、最下層の第１の層２１に含まれる、硫黄、リン及び窒素の少なくとも一つの含有量よりも少なくなっている。
【００７９】
これにより、本変形例におけるＬＥＤモジュール１Ａにおいても、硫黄、リン及び窒素による接着剤４０の硬化阻害を抑制することができる。したがって、ＬＥＤ素子３０とレジスト２０Ａの密着強度を確保できるので、信頼性の高いＬＥＤモジュールを実現できる。
【００８０】
さらに、本変形例では、レジスト２０Ａの第１の層２１及び第２の層２２Ａはいずれも現像型のレジスト材料によって構成されている。
【００８１】
これにより、上記実施の形態と比べて、レジスト２０のパターン精度をさらに向上させることができる。
【００８２】
（変形例２）
図３は、変形例２に係るＬＥＤモジュール１Ｂの一部断面図である。
【００８３】
上記実施の形態におけるＬＥＤモジュール１では、レジスト２０は、第１の層２１と第２の層２２との２層構造であったが、本変形例におけるＬＥＤモジュール１Ｂでは、レジスト２０Ｂは、最下層の第１の層２１と中間層の第３の層２３と最上層の第２の層２２との３層構造となっている。つまり、本変形例におけるレジスト２０Ｂは、上記実施の形態におけるレジスト２０に、第１の層２１と第２の層２２との間に中間層として第３の層２３が挿入された構成となっている。
【００８４】
本変形例において、第１の層２１及び第２の層２２のレジスト材料は、上記実施の形態と同様である。例えば、第１の層２１は、現像型のレジスト材料によって構成されており、第２の層２２は、熱硬化型のレジスト材料によって構成されている。また、第１の層２１及び第２の層２２のレジスト材料は、いずれもノボラック型エポキシ樹脂である。
【００８５】
また、本変形例において、第３の層２３は、現像型のレジスト材料によって構成されている。具体的には、第３の層２３のレジスト材料は、ノボラック型エポキシ樹脂である。なお、第３の層２３は、熱硬化型のレジスト材料によって構成されていてもよい。
【００８６】
本変形例でも、上記実施の形態と同様に、最上層の第２の層２２に含まれる、硫黄、リン及び窒素の少なくとも一つの含有量は、最下層の第１の層２１に含まれる、硫黄、リン及び窒素の少なくとも一つの含有量よりも少なくなっている。
【００８７】
これにより、本変形例におけるＬＥＤモジュール１Ｂにおいても、硫黄、リン及び窒素による接着剤４０の硬化阻害を抑制することができる。したがって、ＬＥＤ素子３０とレジスト２０の密着強度を確保できるので、信頼性の高いＬＥＤモジュールを実現できる。
【００８８】
なお、本変形例では、最上層の第２の層２２に含まれる、硫黄、リン及び窒素の含有量は、中間層の第３の層２３に含まれる、硫黄、リン及び窒素の含有量よりも少なくなっている。また、中間層の第３の層２３に含まれる、硫黄、リン及び窒素の含有量は、最下層の第１の層２１に含まれる、硫黄、リン及び窒素の含有量よりも少なくなっている。
【００８９】
（その他）
以上、本発明に係るＬＥＤモジュールについて、実施の形態及び変形例に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態及び変形例に限定されるものではない。
【００９０】
例えば、上記実施の形態及び変形例において、レジスト２０（第１の層２１、第２の層２２）の材料としては、ノボラック型エポキシ樹脂を用いたが、これに限るものではない。例えば、レジスト２０の材料として、ビスフェノールＡ型のエポキシ樹脂を用いることもできる。
【００９１】
また、上記実施の形態及び変形例において、レジスト２０、２０Ａを２層構造とし、レジスト２０Ｂを３層構造としたが、これに限るものではない。例えば、レジストは、４層以上の複数層を有していてもよい。
【００９２】
また、上記実施の形態及び変形例では、ＬＥＤ素子３０をＬＥＤチップとして基板１０に直接実装したＣＯＢ構造のＬＥＤモジュールを例示したが、これに限らない。例えば、ＬＥＤチップが個々にパッケージ化されたＳＭＤ型のＬＥＤ素子をＬＥＤ素子３０として用いて、このＬＥＤ素子３０を基板１０上に１個又は複数個実装することによって構成されたＬＥＤモジュールとしてもよい。この場合、ＳＭＤ型であるＬＥＤ素子３０は、例えば凹部を有する白色樹脂からなる容器と、容器の凹部に実装されたＬＥＤチップ（例えば青色ＬＥＤチップ）と、容器の凹部に封入された封止部材（例えば黄色蛍光体含有樹脂）とからなる。
【００９３】
また、上記の実施の形態及び変形例において、ＬＥＤモジュール１（ＬＥＤ素子３０）は、青色ＬＥＤチップと黄色蛍光体とによって白色光を放出するように構成したが、これに限らない。例えば、赤色蛍光体及び緑色蛍光体を含有する蛍光体含有樹脂を用いて、これと青色ＬＥＤチップと組み合わせることによりに白色光を放出するように構成しても構わない。また、青色以外の色を発光するＬＥＤチップを用いても構わない。あるいは、青色ＬＥＤチップよりも短波長である紫外光を出射する紫外ＬＥＤチップと、主に紫外光により励起されて三原色（赤色、緑色、青色）に発光する各色蛍光体とを組み合わせて白色光を生成してもよい。
【００９４】
また、上記の実施の形態及び変形例において、波長変換材として蛍光体を用いたが、これに限らない。例えば、波長変換材として、半導体、金属錯体、有機染料、顔料など、ある波長の光を吸収し、吸収した光とは異なる波長の光を発する物質を含んでいる材料を用いることができる。
【００９５】
また、上記の実施の形態及び変形例におけるＬＥＤモジュールは、ダウンライト、スポットライト、又は、ベースライト等の照明器具（照明装置）の照明光源として利用することができる。その他に、ＬＥＤモジュールは、液晶表示装置等のバックライト光源、複写機等のランプ光源、又は、誘導灯や看板装置等の光源等、照明用途以外の光源としても利用してもよい。
【００９６】
その他、上記実施の形態及び変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で上記実施の形態及び変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
【符号の説明】
【００９７】
１、１Ａ、１Ｂ  ＬＥＤモジュール
１０  基板
１１  樹脂基材
１２  金属層
２０、２０Ａ、２０Ｂ  レジスト
２１  第１の層
２２、２２Ａ  第２の層
３０  ＬＥＤ素子
４０  接着剤
５０  封止部材
【図１】
0006704189.tif 000002
【図２】
0006704189.tif 000003
【図３】
0006704189.tif 000004