(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の信号光を波長多重した波長多重光を受信し、それぞれの信号光に含まれる情報を電気的に取り出す光受信モジュールであって、
前記複数の信号光それぞれを受光し対応する電気信号を出力する複数の受光素子と、
該複数の受光素子が出力する複数の電気信号を増幅する増幅器と、
前記複数の受光素子を搭載するサブマウントと、を備え、
該サブマウントは、前記複数の受光素子と前記増幅器とを接続する複数の配線と、グランド電位に接続された金属層を有し、
前記複数の配線の前記受光素子側の間隔と前記増幅器側の間隔は異なっており、
前記配線から前記サブマウントの厚さ方向に関して最も近い前記金属層までの距離及び前記配線の幅は、当該配線の配線長に応じて互いに異なり、
前記複数の配線間の特性インピーダンスは一様である、光受信モジュール。
【請求項２】
前記サブマウントは、前記複数の配線が形成された面とは反対側の面に凹部を有し、前記金属層は、前記凹部を含む前記反対側の面に形成されている、請求項１に記載の光受信モジュール。
【請求項３】
前記サブマウントを搭載するベースを備え、該ベースは、前記サブマウントの前記凹部に対応した形状の凸部を有する、請求項２に記載の光受信モジュール。
【請求項４】
前記サブマウントは、前記複数の配線が形成された面と、当該面と反対側の面を有し、
前記金属層は、前記反対側の面、及び、前記複数の配線が形成された面と前記反対側の面との間の層に形成されている、請求項１に記載の光受信モジュール。
【請求項５】
前記サブマウントを搭載するベースをさらに備え、
前記ベースは、前記増幅器を搭載する領域を有し、前記サブマウントの前記複数の配線が形成された面の高さと前記増幅器の電気接続用のパッドが形成された面との高さが一様である、請求項４に記載の光受信モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光受信モジュールに関し、特に、複数の信号光を波長多重した波長多重光を受信し、それぞれの信号光に含まれる情報を電気的に取り出す光受信モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信速度の高速化が進んでおり、光トランシーバ等に用いられる光受信モジュールには４０Ｇｂｐｓや１００Ｇｂｐｓの伝送速度に対応することが求められる。このような高速伝送では、単一波長の信号光ではなく互いに異なる波長を有する複数の信号光を波長多重した波長多重光が用いられることが多い。
【０００３】
複数の波長の信号光を多重化した波長多重光を受信する光受信器として、例えば特許文献１に示されるものがある。特許文献１の光受信器において、波長多重光が各波長に光分波された後、それぞれの信号光を受光素子で受光する際、各受光素子間の物理的間隔（ピッチ）は等しく設定されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１９８９５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、受光素子であるフォトダイオード（ＰＤ：Photo Diode）の後段に配置される増幅器（ＴＩＡ：Trans-Impedance Amplifier）も光モジュール内に収納する場合、ＰＤの配置ピッチとＴＩＡの入力パッドの配設ピッチとが相違するため問題が生ずることがある。
【０００６】
ＰＤの配置ピッチとＴＩＡの入力パッドの配設ピッチが相違する場合、ＰＤ−ＴＩＡ間を直接ワイヤリングするか、ＰＤを搭載するサブマウント上に設けられる配線パターンでピッチを変換してＰＤとＴＩＡを電気的に接続する方法が考えられる。前者の場合、外側に配置されたＰＤほどワイヤ長が長くなり、特性劣化を引き起こす他、配置箇所に依存してＰＤの特性差が生じてしまう。また、ピッチの差が大きいとワイヤリングできない場合も生じる。後者のピッチの差が大きい場合、やはり、配置箇所に依存してサブマウント上の配線パターンの長さ、隣接パターンとの物理的位置関係が異なるため、配線パターンに起因するインダクタンス成分や容量成分に差が生まれ、各ＰＤとＴＩＡとの接続に時間差（スキュー）が生じてしまう。
【０００７】
本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなされたもので、複数の信号光を波長多重化した波長多重光を受信し、それぞれの信号光に含まれる情報を複数の受光素子を用いて電気的に取り出す受光モジュールに関し、受光素子を搭載するサブマウントを介して複数の受光素子と増幅器とを電気的に接続するとき、各受光素子と増幅器間でスキューを生じさせないことをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る光受信モジュールは、複数の信号光を波長多重した波長多重光を受信し、それぞれの信号光に含まれる情報を電気的に取り出すものであって、上記複数の信号光それぞれを受光し対応する電気信号を出力する複数の受光素子と、該複数の受光素子が出力する複数の電気信号を増幅する増幅器と、複数の受光素子を搭載するサブマウントと、を備え、該サブマウントは、複数の受光素子と増幅器とを接続する複数の配線と、グランド電位に接続された金属層、を有し、複数の配線の受光素子側の間隔と増幅器側の間隔は異なっており、配線からサブマウントの厚さ方向に関して最も近い禁則層までの距離及び配線の幅は、当該配線の配線長に応じて異なり、複数の配線間の特性インピーダンスは一様である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、複数の信号光を波長多重化した波長多重光を受信し、それぞれの信号光に含まれる情報を複数の受光素子を用いて電気的に取り出す受光モジュールにおいて、受光素子を搭載するサブマウントを介して複数の受光素子と増幅器とを電気的に接続した際、各受光素子と増幅器の間でスキューが生じない。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光受信モジュールの一例を示す図である。
【図２】図１の光受信モジュールを説明するための図である。
【図３】レンズアレイとＰＤを説明する図である。
【図４】図１の光モジュールにおける光学系を模式的に示した図である。
【図５】サブマウントを説明するための図である。
【図６】ベースを説明するための図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る光受信モジュールの一例を説明するため図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る光受信モジュールの好適な実施の形態について説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内ですべての変更が含まれることを意図する。また、以下の説明において、異なる図面においても同じ符号を付した構成は同様のものであるとして、その説明を省略する場合がある。
【００１２】
（第１の実施形態）
図１及び図２は、本発明の第１の実施形態に係る光受信モジュールの一例を示す図である。図１は説明を容易にするためにパッケージの蓋を外し、フレームの一部を破断した状態で示す斜視図、図２（Ａ）は図１（Ａ）の光受信モジュールの断面図、図２（Ｂ）は光受信部分の構成を説明するための模式図である。
【００１３】
図１の光受信モジュール（以下、光モジュール）１０は、互いに異なる波長を有する複数の信号光を波長多重化した波長多重光を受信し、それぞれの信号光に含まれる情報を電気的に取り出すモジュールである。この光モジュール１０は、外部のシングルモードファイバが接続されるレセプタクル１１と、受光素子や光学部品等が収容されるパッケージ１２と、外部回路とこの光モジュール１０を電気的に接続するための端子部１３とを備えている。レセプタクル１１は、シングルモードファイバの先端に備えられるフェルールが挿入されるスリーブ１４と、レセプタクル１１をパッケージ１２に接合させるためのホルダ１６と、スリーブ１４とホルダ１６とを連結するジョイントスリーブ１５とを有する。以下では、光モジュール１０においてレセプタクル１１が備わる側を前側、反対側を後側として説明する。
【００１４】
パッケージ１２は、略直方体形状であり、例えば、角状のフレーム２０と、底壁２１と、上方に向けたフレーム２０の開口を塞ぐ蓋２２（図２（Ａ）参照）とを有する。以下では、光モジュール１０において、蓋２２が備わる側を上側、反対側を下側として説明する。フレーム２０の前壁には、円筒状のブッシュ２３が設けられている。底壁２１は、銅モリブデンや銅タングステン等の材料を用いることができ、また、熱伝導性のよい材料を用いることにより放熱性を高めることができる。蓋２２は、フレーム２０に対してシームシールされ、フレーム２０内部に搭載された素子や部品を気密封止する。端子部１３は、例えば、複数のセラミック基板を積層して形成され、フレーム２０の後壁に組み付けられ、さらに、パッケージ１２内の素子と外部の回路とを電気的に接続する高周波ライン及び電源ラインが形成されている。
【００１５】
スリーブ１４、ジョイントスリーブ１５、およびホルダ１６は全て円筒形の部材である。ホルダ１６は、図２（Ａ）に示すように、フレーム２０の前面側に設けたブッシュ２３を介してパッケージ１２に固定される。ホルダ１６には、ジョイントスリーブ１５を介してスリーブ１４が結合され、ジョイントスリーブ１５によりスリーブ１４とパッケージ１２内に搭載されている光学素子の間の、軸方向と径方向に対する調芯が行われる。スリーブ１４内には、該スリーブ１４に挿入された外部ファイバとの間の光結合を可能とするスタブ１７が配され、ホルダ１６にはスタブ１７の中心に配された結合ファイバ（シングルモードファイバ）から出射された波長多重光をコリメート光に変換する第１のレンズ１８が配される。第１のレンズ１８を出射した波長多重光は、ブッシュ２３内に設けられた光学窓１９を経て、パッケージ１２内に導かれる。
【００１６】
パッケージ１２内には、第１のレンズ１８から出射されたコリメート光を波長に依存してそれぞれの信号光に分波する光分波器（以下、Optical De-Multiplexer: O-DeMux）２６が収容される。また、パッケージ１２内には、O-DeMux２６により分離／分波された信号光（以下、分波信号光という）の光軸を９０°曲げ、レンズアレイ２８等が実装される底壁２１側に向けて反射するミラー２７が収容される。O-DeMux２６とミラー２７は、支持部材２４により底壁２１から離間して配置されたキャリア２５上に底壁２１に向き合って実装される。すなわち、O-DeMux２６とミラー２７はキャリアの２５の裏面に搭載される。
【００１７】
また、パッケージ１２内には、レンズアレイ２８と、複数のＰＤ２９とが収容される。レンズアレイ２８及び複数のＰＤ２９は、サブマウント３０及びベース３１を介して底壁２１上に実装される。
【００１８】
図３は、レンズアレイ２８とＰＤ２９を説明する図である。レンズアレイ２８は、図３に示すように、複数のレンズ２８ａが透明なガラス基板２８ｂと一体に形成されたものである。各レンズ２８ａにはミラー２７（図２参照）で反射された分波信号光が入射する。
【００１９】
各ＰＤ２９は、レンズアレイ２８のレンズ２８ａが出射する分波信号光を受光する。ＰＤ２９は、所謂裏面入射型のＰＤであり、入力光をＰＤ内に形成されている受光層（不図示）に結合するモノリシックレンズ２９ａをその裏面に有し、その他に上記受光層や不図示の反射層、電極を表面側に有している。
【００２０】
サブマウント３０は、各ＰＤ２９の電極に対応する配線３０ａ、３０ｂ（後述の図５参照）を有する。上記配線３０ａ、３０ｂ上にＰＤ２９が固定される。すなわち、ＰＤ２９は電極等が設けられている表面側をサブマウント３０に対向させ、サブマウント２９上に配線３０ａ、３０ｂに対して、いわゆるフリップチップボンディングにて搭載されている。レンズアレイ２８は、不図示の支持柱を介してＰＤ２９の上方に支持される。支持柱は、例えばサブマウント３０上に固定される。
【００２１】
図２の説明に戻る。
上述のような部品から構成される光モジュール１０は、図２（Ｂ）に示すように、O-DeMux２６とミラー２７が、底壁２１から高さ方向に平行に離間したキャリア２５の裏面に実装される。そして、レンズアレイ２８とＰＤ２９は、キャリア２５の下方に形成される空間を利用して、上下方向に配列される。すなわち、ミラー２７とレンズアレイ２８とＰＤ２９は、パッケージ１２内の上下方向に重なっており、底壁２１上に部品搭載スペースを齎す。このスペースに、ＰＤ２９から出力された電気信号を増幅する増幅器としてＴＩＡ３２をＰＤ２９に近接して配置することが可能となる。
【００２２】
図４は、光モジュール１０における光学系を模式的に示した図である。O-DeMux２６は、図示するように、単一の反射部材２６ａと、波長透過帯域が互いに異なる複数の波長分割フィルタ２６ｂとを、透明光学部材２６ｃにより一体化したものである。波長分割フィルタ２６ｂは、例えば、誘電多層膜で構成することができる。O-DeMux２６はキャリア２５の中央に搭載される。ミラー２７は、O-DeMux２６により分波された複数の分波信号光をＰＤ２９（図２参照）に向けてその光軸を９０°曲げるものであり、例えば、三角プリズムを採用することができ、その反射面をO-DeMux２６に向けてキャリア２５の後端部に搭載される。入射した波長多重光を順次それぞれの波長分割フィルタ２６ｂに導くため、O-DeMux２６はキャリア２５の前端に対して有意な角度をもって搭載される。
【００２３】
光モジュール１０における光学系では、互いに異なる複数の波長（λ１、λ２、λ３、λ４）の信号光を含む入力光がO-DeMux２６に入射すると、まず１番目に配列された波長分割フィルタ２６ｂに入射し、波長λ１の信号光はこの第１の波長分割フィルタを透過するが、その他の波長の信号光（λ２、λ３、λ４）は反射される。反射した信号光は、反射部材２６ａにより２番目の波長分割フィルタ２６ｂに入射し、波長λ２の信号光は透過し、その他の波長の信号光（λ３、λ４）は反射される。以下、同様に透過と反射を繰り返して、入力波長多重光は、波長が異なる複数の信号光に分波される。分波信号光は、ミラー２７の反射面２７ａにより反射されて、レンズアレイ２８を経てＰＤ２９で受光される。
【００２４】
以上のような光モジュール１０はサブマウント３０の構造に特徴がある。図５はサブマウント３０を説明する図であり、図５（Ａ）は上面図、図５（Ｂ）は前面図、図５（Ｃ）は斜視図である。
【００２５】
サブマウント３０は、例えば窒化アルミニウム製であり、図５（Ａ）に示すように、表面すなわち上面に、ＰＤと接続するアノード配線３０ｂと、該配線３０ｂを取り囲むカソード配線３０ａとを有する。ＰＤは、裏面入射型のＰＤであり、レンズが形成されているその裏面を上側にした状態で、アノード配線３０ｂとカソード配線３０ａ上にフリップチップ搭載される。また、サブマウント３０は、図示は省略するが、グランド電位に電気的に接続される裏面金属をその下面に有する。サブマウント３０において、後述の凹部３０ｃの形成部分にも裏面金属は形成されている。
【００２６】
アノード配線３０ｂは、ＴＩＡの信号入力端子とワイヤリングされるパッド３０ｂ１を後端に有する。カソード配線３０ａは、ＴＩＡのＰＤバイアス端子またはキャパシタを介してＴＩＡのグランド端子とワイヤリングされるパッド３０ａ１を後端に有する。
【００２７】
本発明に係る光受信モジュールにおいても、従来と同様、ＰＤの配置ピッチとＴＩＡのパッドの配設ピッチとは相違する。ＰＤ間の配置ピッチを大きくしてＴＩＡのパッドのピッチと等しくするには、O-DeMux２６（図４参照）を、該O-DeMux２６に入力される波長多重光の光軸に対してより傾けて搭載する必要がある。図４を参照すると、O-DeMux２８のキャリア２５の前縁に対する角度を大きくすると分波信号光のピッチは大きくなる。しかし、O-DeMux２６の傾きを大きくするとO-DeMuxの性能（波長分別の性能）が低下するので、この形態には限界がある。また、ＴＩＡのパッドのピッチは、小さくし過ぎるとこれらパッドへのワイヤボンディングが困難／不可能となるので、その最小値には自ずと限界が生ずる。
【００２８】
上述のＰＤの配置ピッチとＴＩＡのパッドの配設ピッチとの差を吸収するべく、サブマウント３０のアノード配線３０ｂはＰｄに対向する前側のピッチＰ１よりＴＩＡに対向する後側のピッチＰ２が大きい。そのため、外側左右のアノード配線３０ｂ、およびカソード配線３０ａの配線長は、内側の配線より長い。
【００２９】
また、サブマウント３０では、後述する理由により、内側のアノード配線３０ｂの幅Ｗ１に比べ左右外側のアノード配線３０ｂの幅Ｗ２が広く形成されている。
【００３０】
そして、サブマウント３０は、図５（Ｂ）及び図５（Ｃ）に示すように、その裏面に凹部３０ｃを有する。凹部３０ｃの形成位置の直上領域に内側のアノード配線３０ｂが形成されている。凹部３０ｃの存在により、４本のアノード配線３０ｂのなかで、外側左右２本のアノード配線３０ｂの直下のサブマウント厚Ｔ１が、内側２本のアノード配線３０ｂの直下のサブマウント厚Ｔ２に比べ厚い。
【００３１】
サブマウント３０においては、アノード配線３０ｂは外側の方が長く、このため、インダクタンスの増加による伝送損失の差を補うため、上述のように内側のアノード配線３０ｂの幅Ｗ１に比べ外側のアノード配線３０ｂの幅Ｗ２の方を広くしている。一方、配線幅を広くしたことによる伝送線路の伝送インピーダンスの乱れを補償するため、外側アノード配線３０ｂ直下のサブマウント厚Ｔ１を、内側アノード配線３０ｂ直下のサブマウント厚Ｔ２より厚くすることで、幅を広めた外側アノード配線３０ｂの特性インピーダンスと、内側アノード配線３０ｂの特性インピーダンスをいずれも所定の値（例えば１００Ω）に設定している。
【００３２】
以上のように外側アノード配線３０ｂと内側アノード配線３０ｂとで特性インピーダンスが所定の値で等しくなっているため、本発明に係る光モジュールではスキューは発生しない。
【００３３】
言い換えると、サブマウント３０は、アノード配線３０ｂの前側のピッチＰ１と後側のピッチＰ２との差すなわちアノード配線３０ｂのＰＤ側のピッチとＴＩＡ側のピッチとの差に依存する複数の厚みと複数のアノード配線３０ｂの幅を有する。したがってスキューは発生しない。
【００３４】
図６は、ベース３１を説明するための図であり、図６（Ａ）はサブマウント３０を搭載した状態のベース３１の前方斜視図、図６（Ｂ）はベース３１のみの前方斜視図である。
【００３５】
ベース３１は、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すように、サブマウント３０の凹部３０ｃに対応した形状の凸部３１ａを前側に有する。言い換えると、ベース３１は、サブマウント３０の複数の厚みを補填する複数の厚みを有する。
【００３６】
ベース３１に凸部３１ａがない場合、ベース３１とサブマウント３０との間に隙間が形成される。このような隙間があると、隙間の直上のパッド３０ａ１，３０ｂ１（図５参照）にワイヤボンディングすることが容易でなくなる。ワイヤボンディングとしては、熱圧着ボンディング、超音波ボンディングが主に利用されるが、上述のような隙間があると熱や超音波がボンディング対象に伝わりにくいからである。本発明に係る光モジュールでは、ベース３１に凸部３１ａを有し、ベース３１とサブマウント３０との間に隙間がないため、内側のパッド３０ａ１，３０ｂ１にも容易にワイヤボンディングすることができる。
【００３７】
なお、サブマウント３０をベース３１に搭載した状態で、ベース３１の下面からサブマウント３０の上面までの距離が一様であることが好ましい。また、サブマウント３０の下面の裏面金属とベース３１とは、導電性樹脂を塗布／固化することで導通が確保されている。
【００３８】
さらに、ベース３１は、ＴＩＡ３２を実装する平面部分を上部に有するＴＩＡ実装部３１ｂを後側に有する。ベース３１の形状は、ＴＩＡ実装部３１ｂにＴＩＡ３２を実装した状態で、ＴＩＡ３２の上面３２ａの水平レベルとサブマウント３０の上面３０ｄの水平レベルとが実質同等となる形状が好ましい。すなわち、ベース３１はＴＩＡ実装部３１ｂにＴＩＡ３２を実装した状態において、サブマウント３０の配線の形成面である上面３０ｄのベース３１の下面からの高さと、ＴＩＡ３２のパッドの形成面である上面３２ａのベース３１の下面からの高さが一致する形状を有することが好ましい。サブマウント３０上の配線とＴＩＡ３２のパッドを電気的に接続するボンディングワイヤ長を最短にし、高周波特性の劣化を抑制するためである。
【００３９】
また、ＴＩＡ３２の上面３２ａの水平レベルと、光モジュールのパッケージのフィードスルー（図１の端子部１３）の前端部上面の水平レベルとが実質同等であることが好ましい。同様に両者を電気的に接続するボンディングワイヤの長さを短くし、高周波特性の劣化を抑制するためである。
【００４０】
サブマウント３０とベース３１の寸法等を図５及び図６を参照して以下に例示する。サブマウント３０は、例えば窒化アルミニウム製であり、裏面金属はＴｉ／Ａｕ多層膜またはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ多層膜である。ＰＤの配置ピッチと等しいアノード配線３０ｂの前側のピッチＰ１は０．５ｍｍ、ＴＩＡのパッドの配設ピッチと等しいアノード配線３０ｂの後側のピッチＰ２は、０．７５ｍｍである。外側のアノード配線３０ｂの長さは、０．５ｍｍ、内側のアノード配線３０ｂの長さは０．３ｍｍである。
【００４１】
凹部３０ｃの幅は、１．２ｍｍである。サブマウント３０の内側部分の厚みＴ１は０．２ｍｍ、外側部分の厚みＴ２は０．５ｍｍである。内側のアノード配線３０ｂの幅Ｗ１は２０μｍ、外側のアノード配線３０ｂの幅Ｗ２は６０μｍである。このような寸法にすることにより、アノード配線３０ｂの特性インピーダンスが一様となる。
【００４２】
ベース３１は例えば銅タングステン製または銅モリブデン製である。ベース３１の前方部の高さＴ１１は０．４ｍｍ、ベース３１の下面から凸部３１ａの上面までの高さＴ１２は０．７ｍｍである。このような寸法にすることにより、サブマウント３０とベース３１との間に隙間が形成されることなく、ベース３１の下面からサブマウント３０の上面までの高さが０．９ｍｍで一様となる。
【００４３】
なお、以上の例では、ベース３１の凸部３１ａとＴＩＡ実装部３１ｂとが連続しているが、凸部３１ａの加工精度を維持するために、両者の間に溝を設けてもよい。また、以上の例では、ベース３１に凸部３１ａを設けているが、凸部３１ａを設けずに、その代わりに、凹部３０ｃによって形成されたサブマウント３０とベース３１との間の隙間を導電性樹脂で充填するようにしてもよい。
【００４４】
（第２の実施形態）
図７は、本発明の第２の実施形態に係る光受信モジュールの一例を説明するため図であり、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）はそれぞれ本実施形態に係る光受信モジュールのサブマウントの上面及び内部の様子を示す図である。
【００４５】
図７に示すサブマウント３０´は、図５に示すサブマウント３０と同様に、アノード配線３０ｂとカソード配線３０ａを上面に有し、グランド電位に電気的に接続される裏面金属である第１のグランド金属層３０ａ´を下面に有する。しかし、サブマウント３０´は、図５に示すサブマウント３０とは異なり、内側より外側のサブマウント厚を大きくするための凹部３０ｃは形成されていない。凹部に代えて、サブマウント３０´は、第１のグランド金属層３０ａ´と配線３０ａ，３０ｂとの間の層の一部、より具体的には、第１のグランド金属層３０ａ´と配線３０ａ，３０ｂとの間の層における内側の配線３０ａ，３０ｂの直下の位置に、グランド電位に接続される第２のグランド金属層３０ｂ´を有する。
【００４６】
図５のサブマウント３０においてサブマウント厚を内側と外側とで異ならせることに替えて、サブマウント３０´では内側２レーンのアノード配線３０ｂから第２のグランド金属層３０ａ´までの距離Ｔ２１と外側２レーンのアノード配線３０ｂから第１のグランド金属層までの距離Ｔ２２とを異ならせる。これに加えて、アノード配線３０ｂの幅を内側のＰＤに対するものと外側のＰＤに対するものとで異ならせることで、サブマウント３０´では両者の特性インピーダンスが所定の値で等しく設定される。
【００４７】
言い換えると、サブマウント３０´において、第１のグランド金属層３０ａ´と第２のグランド金属層３０ｂ´のうちアノード配線３０ｂの直下のものから当該配線３０ｂまでの距離及び当該アノード配線３０ｂの幅は、ＰＤの配置ピッチとＴＩＡのパッドの配設ピッチとの差に依存する。したがって、サブマウント３０´では外側の配線と内側配線とで特性インピーダンスが所定の値で等しくなり、本発明に係る光モジュールではスキューは発生しない。
【００４８】
なお、第１のグランド金属層３０ａ´と第２のグランド金属層３０ｂ´とは、中間のグランド金属層３０ｄ´及び複数のビア３０ｃ´，３０ｅ´を介して電気的に接続される。第１のグランド金属層３０ａ´と第２のグランド金属層３０ｂ´との距離が近い場合は、中間のグランド金属層３０ｄ´を介さず、直接複数のビア３０ｃ´，３０ｅ´によって両金属層を直接接続してもよい。
【００４９】
以上の第１及び第２の実施形態において示したように、本発明に係る光受信モジュールでは、サブマウントにおいて、アノード配線から当該サブマウントの厚さ方向に関して最も近いグランド電位層までの距離及びアノード配線の幅が、アノード配線のＰＤ側の接続パッドからＴＩＡ側の接続パッドまでの距離に応じて異なる。したがって、サブマウントの外側に設けられた配線と内側に設けられた配線とで特性インピーダンスを所定の値で等しくし、スキューを抑制することができる。
【符号の説明】
【００５０】
１０…光モジュール、１１…レセプタクル、１２…パッケージ、１３…端子部、１４…スリーブ、１５…ジョイントスリーブ、１６…ホルダ、１７…スタブ、１８…レンズ、１９…光学窓、２０…フレーム、２１…底壁、２２…蓋、２３…ブッシュ、２４…支持部材、２５…キャリア、２６…O-DeMux、２６ａ…反射部材、２６ｂ…波長分割フィルタ、２６ｃ…透明光学部材、２７…ミラー、２７ａ…反射面、２８…レンズアレイ、２８ａ…レンズ、２８ａ…各レンズ、２８ｂ…ガラス基板、２９…ＰＤ、３０…サブマウント、３１…ベース、３２…ＴＩＡ、３０ａ…カソード配線、３０ａ１…パッド、３０ｂ…アノード配線、３０ｂ１…パッド、３０ｃ…凹部、３０ｄ…上面、３１ａ…凸部、３１ｂ…ＴＩＡ実装部、３２ａ…上面、３０ａ´…第１のグランド金属層、３０ｂ´…第２のグランド金属層。
【図１】
0006651868.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0006651868.tif 000008