(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、前記発光素子を駆動するトランジスターと、を有する複数の画素が配列された表示部と、前記表示部の周辺に設けられた周辺回路を含む周辺回路部と、を有する素子基板を備え、
前記表示部は、
前記発光素子と前記トランジスターとの間に配置された光反射層と、
前記発光素子と前記光反射層との間に配置され、前記画素の表示色ごとに異なる膜厚を有する絶縁層と、を有し、
前記絶縁層は、前記光反射層が配置された面を覆うと共に、隣り合う前記光反射層の間隙の内側に形成された凹部を有する絶縁膜と、前記凹部に埋め込まれた埋め込み絶縁膜と、を含み、
前記周辺回路部は、
前記画素の表示色ごとに異なる膜厚を有する絶縁層のうち、膜厚が最も大きな絶縁層と同一の層構成を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記周辺回路は、前記発光素子の陰極に接続される遮光性の引廻し配線を含み、
前記引廻し配線は、前記凹部を有する絶縁膜の上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記絶縁層は、材料構成が異なる複数層を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置として、表示領域に配列された複数の画素ごとに、発光素子を備える発光装置が知られている。このような発光装置では、発光素子を発光させるために、発光素子を構成する電極に電流を流すための配線が接続される。例えば、特許文献１には、発光素子の第２電極（陰極）と電流を流すための配線とを充分に導通させるために、第２電極と、表示領域の周囲に形成された周辺配線とを接続させた発光装置が提案されている。
【０００３】
また、特許文献１の発光装置では、光共振構造を構成する第１電源導電体と第２電極との間の光路長を、光路長調整層の膜厚に応じて適宜調整することで、各画素の出射光の共振波長が表示色ごとに設定される構成となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−７６３００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の発光装置では、周辺配線を覆う光路長調整層が薄い場合に、周辺配線と画素部の電極（陽極）などとの間で短絡が発生することがあった。詳しくは、上記発光装置の製造工程において、成膜時などに微細な異物やゴミが光路長調整層に混入することによって、配線間に短絡が発生する場合があった。短絡の発生により、発光装置の発光機能が阻害されるため、発光装置の発光品質に影響を及ぼすと共に、歩留まりが低下しやすいという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例］本適用例に係わる電気光学装置においては、複数の画素が配列された表示部と、表示部の周辺に設けられた周辺回路を含む周辺回路部と、を有する素子基板を備え、表示部は、画素ごとに、発光素子と、発光素子を駆動するトランジスターとを有し、発光素子は、トランジスター上に光反射層と絶縁層とを介して配置され、絶縁層は、画素の表示色ごとに異なる膜厚を有し、周辺回路部の絶縁層は、表示部のうち、膜厚が最も大きな絶縁層と同一の層構成を有することを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、周辺回路部の絶縁層の膜厚が大きく（厚く）なるため、表示部周辺の周辺回路と表示部の画素電極などとの間における、短絡の発生を抑制することができる。詳しくは、発光素子に形成されている絶縁層は、発光素子の発光による出射光の光路長調整層として機能する。例えば、赤色、緑色、青色といった画素の表示色に応じて、光共振構造の共振波長（表示色）を設定するために、上記絶縁層の膜厚を変えて、光路長が調整されている。そのため、周辺回路部の絶縁層を、上記絶縁層の膜厚が最も大きい画素と、同一の層構成とすることが容易に可能である。したがって、このような構成とすることにより、製造工程において、成膜時などに微細な異物などが絶縁層に混入しても、周辺回路部における配線間の短絡の発生が抑制される。これによって、発光素子の発光機能が安定し、発光品質および製造工程における歩留まりが向上した電気光学装置を提供することができる。
【０００９】
上記適用例に記載の電気光学装置においては、光反射層は画素ごとに分割して配置され、絶縁層は、光反射層が配置された面上を覆うと共に、隣り合う光反射層の間隙の内側に形成された凹部を有する絶縁膜と、凹部に埋め込まれた埋め込み絶縁膜と、を有することが好ましい。
【００１０】
これによれば、表示部において、隣り合う光反射層を覆う絶縁層が平坦となる。そのため、光反射層を覆う絶縁層を平滑にして、散乱光の発生を抑え、画素の発光効率を高めることができる。また、平坦な絶縁層によって、画素ごとに正確に光路長の調整を行うことが可能となる。これによって、発光の色再現性を向上させることができる。
【００１１】
上記適用例に記載の電気光学装置においては、周辺回路は、発光素子の陰極に接続される遮光性の引廻し配線を含み、引廻し配線は、凹部を有する絶縁膜の上に形成されていることが好ましい。
【００１２】
これによれば、遮光性の引廻し配線が、光反射層を覆う絶縁膜の膜厚分だけ、光反射層から離れて配置される。そのため、引廻し配線が、発光素子の発光による光反射層からの散乱光を、遮って低減することができる。これにより、発光素子のコントラストが向上する。
【００１３】
上記適用例に記載の電気光学装置においては、絶縁層は、材料構成が異なる複数層を含むことが好ましい。
【００１４】
これによれば、表示部の絶縁層に、屈折率や絶縁性が高い形成材料を用いて、組み込むことができる。これにより、膜厚を厚くせずに、光路長調整や絶縁性付与することが容易になる。
【００１５】
本適用例に記載の電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。
【００１６】
本適用例によれば、発光素子の発光品質が向上した電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施形態１に係る有機ＥＬ装置の構成を示す平面図。
【図２】有機ＥＬ装置における画素の等価回路図。
【図３】図１中に示す線分Ａ−Ａ’に沿った有機ＥＬ装置の断面図。
【図４】光反射層および第２配線の配置を示す平面図。
【図５】図３の一部を拡大した断面図。
【図６】実施形態２に係るヘッドマウンテッドディスプレイの光学的な構成を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。
【００１９】
（実施形態１）
＜電気光学装置＞
本実施形態に係る電気光学装置について、図１を参照して説明する。本実施形態では、電気光学装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置を例に挙げて説明する。図１は、実施形態１に係る有機ＥＬ装置の構成を示す平面図である。
【００２０】
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０および対向基板９０を有している。素子基板１０と対向基板９０とは、互いに対向した状態で、後述する充填剤層によって接合されている。
【００２１】
素子基板１０は、表示部１２と周辺回路部１４（図３参照）とを備えている。表示部１２には、複数の画素２０が配列されている。画素２０ごとに、発光素子としての有機ＥＬ素子３０が設けられている。具体的には、素子基板１０は、青色（Ｂ）光が得られる画素２０Ｂと、緑色（Ｇ）光が得られる画素２０Ｇと、赤色（Ｒ）光が得られる画素２０Ｒと、を有している。表示部１２には、画素２０Ｂ、画素２０Ｇおよび画素２０Ｒがマトリックス状に配列されている。画素２０Ｂ、画素２０Ｇおよび画素２０Ｒは、いずれも平面視（素子基板１０の表面に垂直な方向から見た状態）で矩形に形成されている。
【００２２】
有機ＥＬ装置１００では、画素２０Ｂと画素２０Ｇと画素２０Ｒとが表示単位となってフルカラーの表示が提供される。なお、以降の説明では、画素２０Ｂ、画素２０Ｇおよび画素２０Ｒをまとめて画素２０としていう場合がある。また、画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれに配置された有機ＥＬ素子３０を、有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒとし、これらをまとめて有機ＥＬ素子３０としていう場合がある。
【００２３】
表示部１２には、カラーフィルター層５０が設けられている。カラーフィルター層５０のうち、画素２０Ｂの有機ＥＬ素子３０Ｂの上には、青色のカラーフィルター層５０Ｂが配置され、画素２０Ｇの有機ＥＬ素子３０Ｇの上には、緑色のカラーフィルター層５０Ｇが配置され、画素２０Ｒの有機ＥＬ素子３０Ｒの上には、赤色のカラーフィルター層５０Ｒが配置されている。
【００２４】
本実施形態においては、同色の発光が得られる画素２０が第１の方向（図面上の縦方向）に配列され、異なる色の発光が得られる画素２０が、第１の方向と略直交する第２の方向（図面上では横方向）に配列されている。そのため、画素２０の配置は、いわゆるストライプ方式となっている。この画素の配列に応じて、青色のカラーフィルター層５０Ｂ、緑色のカラーフィルター層５０Ｇおよび赤色のカラーフィルター層５０Ｒもまた、ストライプ状に配置されている。なお、画素２０の配置は、上述したストライプ状に限定されず、モザイク方式、デルタ方式であってもよい。
【００２５】
有機ＥＬ装置１００は、トップエミッション構造を有している。そのため、有機ＥＬ素子３０で発せられた白色光は、素子基板１０のカラーフィルター層５０を透過して対向基板９０側から表示光（出射光）として出射される。有機ＥＬ装置１００がこのようなトップエミッション構造であることから、素子基板１０の基材には、透明な石英基板やガラス基板などの他、不透明なセラミック基板や半導体基板なども用いることができる。本実施形態では、素子基板１０の基材として、シリコン基板（半導体基板）を用いている。
【００２６】
周辺回路部１４は、対向基板９０と素子基板１０とが対向する領域において、表示部１２の周辺に配置されている。
【００２７】
周辺回路部１４の外側には、素子基板１０の長辺側の一辺に沿って、複数の外部接続用端子１０３が設けられている。複数の外部接続用端子１０３と表示部１２との間の周辺回路部１４には、データ線駆動回路１０１が設けられている。素子基板１０の短辺側の二辺と表示部１２との間の周辺回路部１４には、走査線駆動回路１０２が設けられている。なお、以降の説明では、素子基板１０の長辺に沿った第２の方向をＸ方向とし、素子基板１０の短辺に沿った第１の方向をＹ方向とし、対向基板９０から素子基板１０に向かう方向をＺ（＋）方向とする。
【００２８】
対向基板９０は、素子基板１０よりも小さく、外部接続用端子１０３が露出されるように素子基板１０と対向して配置されている。また、対向基板９０は、表示部１２に配置された有機ＥＬ素子３０が傷つかないように保護する機能を有し、表示部１２よりも広く設けられている。対向基板９０としては、透光性を有する板状部材を用いることが可能で、具体的には、石英基板やガラス基板などを採用することができる。
【００２９】
外部接続用端子１０３は、フレキシブル配線基板（図示せず）と接続されている。有機ＥＬ装置１００は、フレキシブル配線基板を介して、外部回路（図示せず）と電気的に接続可能となっている。
【００３０】
＜画素回路＞
図２は、有機ＥＬ装置における画素の等価回路図である。上述した表示部１２内の画素２０は、画素回路１１０を有している。画素回路１１０は、図２に示すように、有機ＥＬ素子３０、有機ＥＬ素子３０を駆動する駆動トランジスターＴDR、発光制御トランジスターＴEL、選択トランジスターＴSL、容量素子Ｃを有している。本実施形態では、画素２０の各トランジスターＴ（ＴDR、ＴEL、ＴSL）をＰチャネル型としたが、Ｎチャネル型のトランジスターを用いてもよい。
【００３１】
有機ＥＬ素子３０は、陽極（画素電極）としての第１電極Ｅ１と、陰極（対向電極）としての第２電極Ｅ２とが、発光機能層３２を挟んで形成されている。第１電極Ｅ１は画素２０ごとに形成され、第２電極Ｅ２は複数の画素２０にわたって形成されている。有機ＥＬ素子３０は、第１配線４１と第２配線４２とを連結する電流経路上に配置されている。第１配線４１は、高位側の電源電位（第１電位）ＶELが供給される電源配線であり、第２配線４２は、低位側の電源電位（第２電位）ＶCTが供給される電源配線である。
【００３２】
駆動トランジスターＴDRと発光制御トランジスターＴELとは、第１配線４１と第２配線４２とを連結する電流経路上で、有機ＥＬ素子３０に対して直列に配置される。具体的には、駆動トランジスターＴDRの一対の電流端のうちの一方（ソース）は、第１配線４１に接続されている。発光制御トランジスターＴELは、駆動トランジスターＴDRの一対の電流端のうちの他方（ドレイン）と有機ＥＬ素子３０の第１電極Ｅ１との導通状態（導通または非導通）を制御するスイッチとして機能する。駆動トランジスターＴDRは、自身のゲート・ソース間の電圧に応じた電流量の駆動電流を生成する。発光制御トランジスターＴELが、オン状態に制御されると、駆動電流が駆動トランジスターＴDRから発光制御トランジスターＴELを経由して、有機ＥＬ素子３０に供給され、有機ＥＬ素子３０が駆動電流の電流量に応じた輝度にて発光する。発光制御トランジスターＴELが、オフ状態に制御されると、有機ＥＬ素子３０に対する駆動電流の供給が遮断され、有機ＥＬ素子３０は消灯する。発光制御トランジスターＴELのゲートは制御線２４に接続されている。
【００３３】
選択トランジスターＴSLは、信号線２６と駆動トランジスターＴDRのゲートとの導通状態（導通または非導通）を制御するスイッチとして機能する。選択トランジスターＴSLのゲートは走査線２２に接続されている。また、容量素子Ｃは、第１電極Ｃ１と第２電極Ｃ２との間に誘電体を介在させた静電容量である。第１電極Ｃ１は駆動トランジスターＴDRのゲートに接続され、第２電極Ｃ２は第１配線４１（駆動トランジスターＴDRのソース）に接続されている。したがって、容量素子Ｃにより、駆動トランジスターＴDRのゲート・ソース間の電圧が保持される。
【００３４】
上述したデータ線駆動回路１０１（図１参照）は、外部回路から供給される画像信号が画素２０（図１参照）ごとに指定する階調に応じた階調電位（データ信号）を、書込期間（水平走査期間）ごとに複数の信号線２６に対して供給する。また、各走査線駆動回路１０２（図１参照）は、各走査線２２に走査信号を供給することにより、複数の走査線２２のおのおのを書込期間ごとに順次選択する。走査線駆動回路１０２が選択した走査線２２に対応する画素２０の選択トランジスターＴSLが、オン状態に遷移する。したがって、各画素２０の駆動トランジスターＴDRのゲートには、信号線２６と選択トランジスターＴSLとを経由して階調電位が供給され、容量素子Ｃによって階調電位に応じた電圧が保持される。また、書込期間における走査線２２の選択が終了すると、各走査線駆動回路１０２が各制御線２４に制御信号を供給して、制御線２４に対応する各画素２０の発光制御トランジスターＴELがオン状態に制御される。したがって、直前の書込期間で容量素子Ｃに保持された電圧に応じた駆動電流が、駆動トランジスターＴDRから発光制御トランジスターＴELを経由して、有機ＥＬ素子３０に供給される。以上のように、各有機ＥＬ素子３０が階調電位に応じた輝度で発光することによって、画像信号が指定する任意の画像が表示部１２に表示される。
【００３５】
＜有機ＥＬ装置の構造＞
次に、有機ＥＬ装置１００における表示部１２の構造について、図３を参照して説明する。図３は、図１中に示す線分Ａ−Ａ’に沿った有機ＥＬ装置の断面図である。
【００３６】
図３に示すように、有機ＥＬ装置１００には、素子基板１０および対向基板９０の間に、複数の絶縁層および電極配線、有機ＥＬ素子３０、カラーフィルター層５０などが形成されている。ここで、説明の便宜上、有機ＥＬ装置１００の断面において、Ｚ方向（＋）を下方、Ｚ方向（−）を上方とする。
【００３７】
表示部１２に配置された各画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒは、それぞれ有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒを有している。各有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒの間には、画素定義層２９が設けられている。画素定義層２９は、絶縁材料を含み、隣り合う有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒの間を電気的に絶縁している。本実施形態では、画素定義層２９として、例えば、膜厚２５ｎｍの酸化シリコン（ＳｉＯ2）を形成している。画素定義層２９は、各有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒにおける、第１電極Ｅ１の周辺部を覆うように設けられている。すなわち、画素定義層２９には、各画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの第１電極Ｅ１の一部を露出させる開口２９ＣＴが設けられている。開口２９ＣＴは、平面視で矩形状に形成され、各画素２０の発光領域を規定している。
【００３８】
画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒは、画素回路１１０を構成するトランジスターＴ（ＴDR、ＴEL、ＴSL）やトランジスターＴ（ＴDR、ＴEL、ＴSL）に接続された配線などを覆う層間絶縁層３４上に、光反射層３５、増反射層３６、絶縁層３８、光透過性の第１電極Ｅ１、発光機能層３２、半透過反射性の第２電極Ｅ２が積層されてなる光共振構造（キャビティ構造）を有している。
【００３９】
光共振構造では、光反射層３５と第２電極Ｅ２の間の光路長（光学的な距離）を調整することによって、発光機能層３２が発した光を、光反射層３５と第２電極Ｅ２との間で繰り返し反射させ、特定波長（共振波長）の光の強度を増強させて出射することができる。光路長の調整手段については後述する。
【００４０】
層間絶縁層３４は、光反射層３５の下方の面に形成されている。さらに下方の、層間絶縁層３４と素子基板１０との間には、多層配線層が形成されている。多層配線層は、複数の配線層Ｗ（ＷＡ、ＷＢ、ＷＣ）と、これらのＷ（ＷＡ、ＷＢ、ＷＣ）を互いに絶縁するための複数の絶縁層Ｌ（Ｌ０、ＬＡ、ＬＢ、ＬＣ）とを有している。絶縁層Ｌ０は素子基板１０の面上に位置している。層間絶縁層３４および複数の絶縁層Ｌの形成材料には、窒化シリコン、酸化シリコンに代表される珪素化合物などの絶縁性の無機材料が用いられる。複数の配線層Ｗの形成材料には、アルミニウムや銀などを含む、低抵抗な導電材料が用いられる。なお、以降の説明においては、導電層（単層または複数層）の選択的な除去により、複数の要素が同一工程で一括的に形成される関係を、「同層から形成されている」という。
【００４１】
素子基板１０には、画素２０の各トランジスターＴ（ＴDR、ＴEL、ＴSL）が形成されている。図３においては、選択トランジスターＴSLが図示されている。また、各トランジスターＴの能動領域１０Ａ（ソース・ドレイン領域）も形成されている。能動領域１０Ａにはイオンが注入される。画素２０の各トランジスターＴ（ＴDR、ＴEL、ＴSL）のアクティブ層はソース領域とドレイン領域との間に存在し、能動領域１０Ａとは別種類のイオンが注入されるが、図示は便宜的に省略している。能動領域１０Ａが形成された素子基板１０の表面は、絶縁膜Ｌ０（ゲート絶縁膜）によって被覆されている。絶縁膜Ｌ０の面上（上方の面）には、各トランジスターＴのゲートＧ（ＧDR、ＧEL、ＧSL）が形成されている。図３においては、ゲートＧSLが図示されている。各トランジスターＴのゲートＧは、絶縁膜Ｌ０を挟んでアクティブ層に対向している。
【００４２】
絶縁層ＬＡは、各トランジスターＴのゲートＧが形成された絶縁膜Ｌ０の面上に配置されている。絶縁層ＬＡの面上には、走査線２２（図示せず）、制御線２４（図示せず）、中継電極ＱＡ１などを含む導電パターンが同層（配線層ＷＡ）から形成されている。中継電極ＱＡ１は、選択トランジスターＴSLの能動領域１０Ａと、駆動トランジスターＴDR（図示せず）のゲートＧDR（図示せず）とを接続する配線である。
【００４３】
絶縁層ＬＢは、配線層ＷＡが形成された絶縁層ＬＡの面上に形成されている。絶縁層ＬＢの面上には、第１電極Ｃ１などが配置されている。また、絶縁層ＬＢの面上には、図３では図示されないが、信号線、中継電極ＱＡ１以外の中継電極などを含む導電パターンが同層（配線層ＷＢ）から形成されている。
【００４４】
絶縁層ＬＣは、配線層ＷＢが形成された絶縁層ＬＢの面上に形成されている。絶縁層ＬＣの面上には、第２電極Ｃ２を含む導電パターンが同層（配線層ＷＣ）から形成されている。第２電極Ｃ２は、平面視にて第１電極Ｃ１に重複する形状および位置に配置されている。第１電極Ｃ１および第２電極Ｃ２と、絶縁層ＬＣとによって容量素子Ｃが構成されている。
【００４５】
層間絶縁層３４は、配線層ＷＣが形成された絶縁層ＬＣの面上に形成されている。層間絶縁層３４の上方の表面には、平坦化処理を施すことが好ましい。平坦化処理としては、化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）などの公知の表面化処理技術を用いることができる。平坦化処理によって高度に平坦化された、層間絶縁層３４の上方の表面に、光反射層３５、第２配線４２などを含む導電パターンが形成されている。また、層間絶縁層３４には、層間絶縁層３４を貫通する、第１のコンタクト電極２８が画素２０ごとに形成されている。第１のコンタクト電極２８の形成材料としては、例えば、タングステンやチタン、窒化チタンなどの導電材料を用いることができる。
【００４６】
光反射層３５は、画素２０ごとに分割され、画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれに設けられている。すなわち、上述したように、有機ＥＬ素子３０は対応するトランジスターＴの上方に、光反射層３５および絶縁層３８および複数の絶縁層Ｌを介して配置されている。また、隣り合う光反射層３５の間には、間隙３５ＣＴが設けられ、画素２０ごとに電気的に分離されて、異なる電位を印加することを可能としている。
【００４７】
光反射層３５は、光反射性を有する導電性材料を含み、平面視で矩形状に形成されている。光反射層３５は、第１電極Ｅ１よりも形成面積が大きく、各画素２０の反射領域を規定している。本実施形態においては、光反射層３５は、下方の第１層３５ａと上方の第２層３５ｂとの２層構造となっている。第１層３５ａとして膜厚３０ｎｍのチタン膜を形成し、その面上に第２層３５ｂとして膜厚１００ｎｍのアルミニウムと銅との合金膜を形成している。
【００４８】
本実施形態において、光反射層３５は、上述した第１配線４１（図２参照）として機能するように形成されており、層間絶縁層３４を貫通する第１のコンタクト電極２８を介して、第２電極Ｃ２と電気的に接続されている。詳しくは、光反射層３５の第１層３５ａが、第１のコンタクト電極２８と接続されている。
【００４９】
増反射層３６は、光反射層３５による反射特性を高める機能を有している。増反射層３６は、光反射層３５の面上を覆うように配置されている。増反射層３６としては、光透過性を有する絶縁材料を用いることができる。本実施形態においては、増反射層３６として、膜厚４０ｎｍの酸化シリコン膜を形成している。
【００５０】
絶縁層３８は、層間絶縁層３４の一部および増反射層３６の面上を覆うように配置されている。また、絶縁層３８の面上には第１電極Ｅ１が形成されている。絶縁層３８は、埋め込み絶縁膜３８ａ、光路長調整層３８ｂ、光路長調整層３８ｃ、光路長調整層３８ｄを有している。
【００５１】
凹部を有する絶縁膜としての光路長調整層３８ｂは、層間絶縁層３４の一部および増反射層３６の面上に設けられて、また間隙３５ＣＴの内面に沿っても形成されている。したがって、光路長調整層３８ｂは、間隙３５ＣＴに対応した凹部３９を有している。埋め込み絶縁膜３８ａは、凹部３９を埋めるように形成されている。この構成により、光路長調整層３８ｂおよび埋め込み絶縁膜３８ａが、光路長調整層３８ｃと接する側の面上（表面）は平坦化されている。
【００５２】
光路長調整層３８ｃおよび光路長調整層３８ｄは、光路長調整層３８ｂおよび埋め込み絶縁膜３８ａの面上に形成されている。絶縁層３８の一部である光路長調整層３８ｂ，３８ｃ，３８ｄによって、画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに、光反射層３５と第２電極Ｅ２との間の、上述した光路長の調整を行う構成としている。
【００５３】
上記光路長は、画素２０Ｂ、画素２０Ｇ、画素２０Ｒの順に長くなっている。画素２０Ｂでは、共振波長（輝度が最大となるピーク波長）が例えば４７０ｎｍとなるように、光路長調整層３８ｃ，３８ｄが省略され、光路長調整層３８ｂのみが設けられている。画素２０Ｇでは、共振波長が例えば５４０ｎｍとなるように、光路長調整層３８ｂ，３８ｄが設けられている。画素２０Ｒでは、共振波長が例えば６１０ｎｍとなるように、光路長調整層３８ｂ，３８ｃ，３８ｄが設けられている。したがって、本実施形態においては、画素２０Ｒの光路長が最も長く、絶縁層３８の膜厚が最も大きく（厚く）形成されている。このように、光路長調整層３８ｂ，３８ｃ，３８ｄの有無により、画素２０の表示色に応じて絶縁層３８の膜厚を異なる構成とし、上記光路長を調整している。なお、光路長の調整には、増反射層３６の膜厚も影響するため、上述した共振波長の数値は増反射層３６の膜厚も加味して設定されている。
【００５４】
これによって、画素２０Ｂからは４７０ｎｍをピーク波長とする青色（Ｂ）の光が発せられ、画素２０Ｇからは５４０ｎｍをピーク波長とする緑色（Ｇ）の光が発せられ、画素２０Ｒからは６１０ｎｍをピーク波長とする赤色（Ｒ）の光が発せられる。有機ＥＬ装置１００では、以上の光共振構造を有する有機ＥＬ素子３０によって、各画素２０から発せられる表示色（出射光）の色純度が高められ、色再現性を向上させることができる。
【００５５】
本実施形態においては、絶縁層３８のうち、光路長調整層３８ｂ以外は同じ形成材料を用いている。具体的には、光路長調整層３８ｂには窒化シリコン（膜厚が例えば８０ｎｍ）を用い、埋め込み絶縁膜３８ａ、光路長調整層３８ｃおよび光路長調整層３８ｄには酸化シリコンを用いている。光路長調整層３８ｃを膜厚が例えば４０ｎｍ、光路長調整層３８ｄを膜厚が例えば５０ｎｍとなるように形成している。
【００５６】
窒化シリコンは酸化シリコンに比べてエッチングレートが低い（小さい）ため、フッ素ガスなどによるドライエッチングにおいて、窒化シリコンに対し、酸化シリコンを選択的にエッチングすることができる。そのため、光路長調整層３８ｂの面上に、光路長調整層３８ｃまたは光路長調整層３８ｄの少なくとも一部の端部が、位置するように配置している。そのため、光路長調整層３８ｂを、光路長調整層３８ｃまたは光路長調整層３８ｄのエッチングストッパーとして機能させることが可能となる。
【００５７】
発光機能層３２は、第１電極Ｅ１および画素定義層２９の面上を覆うように形成されている。発光機能層３２は、有機ＥＬ材料で形成された発光領域を含み、電流の供給によって発光する。発光機能層３２のうち、画素定義層２９の各開口２９ＣＴの内側における、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２とに挟まれた領域が発光領域となる。換言すれば、上記発光領域が有機ＥＬ素子３０として機能し、第１電極Ｅ１は陽極、第２電極Ｅ２は陰極に該当する。
【００５８】
第１電極Ｅ１は導電材料で形成され、光透過性を備えている。第２電極Ｅ２は、表面に到達した光の一部を透過すると共に、残りを反射する半透過反射性を備えている。これらの特性は、上述した光共振構造に必要な特性である。第１電極Ｅ１の形成材料としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などを用いることができる。第２電極Ｅ２としては、例えば、銀やマグネシウムを含む合金などの光反射性の導電材料を、薄膜として形成して用いることができる。
【００５９】
第２電極Ｅ２の面上には、光透過性を有する封止層７０が形成されている。封止層７０は、第２電極Ｅ２の全面を覆って面上を平坦化すると共に、パッシベーション膜としての機能により、有機ＥＬ素子３０への水分や酸素などの侵入を抑制する。封止層７０は、第１封止層７１、第２封止層７２、第３封止層７３を有し、第２電極Ｅ２の面上から上方へ向かって、第３封止層７３、第１封止層７１、第２封止層７２の順に積層されている。
【００６０】
第３封止層７３は、第２電極Ｅ２の上方の表面に接して、表示部１２から周辺回路部１４までの全域に形成されている。第３封止層７３は、珪素化合物などの絶縁性の無機材料を用いて、２００ｎｍから４００ｎｍ程度の膜厚に形成されている。第３封止層７３の形成には、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、またはＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）プラズマスパッタ法やイオンプレーティング法などの高密度プラズマ成膜技術を用いることができる。また、第３封止層７３の形成材料として、酸化チタンなどの金属酸化物を含めた無機酸化物を用いてもよい。
【００６１】
第１封止層７１は、第３封止層７３の面上において、発光機能層３２が形成された領域よりも広く、連続して形成されている。第１封止層７１の層の厚さは、およそ２から３μｍ程度に形成され、第３封止層７３および第２封止層７２よりも厚くされている。第１封止層７１は、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの光透過性を有する高分子化合物を形成材料として用い、公知の塗布技術によって形成することができる。
【００６２】
第２封止層７２は、表示部１２および周辺回路部１４を含む領域を被覆している。第２封止層７２は、耐水性や耐熱性に優れた無機材料を用い、層の厚さが３００ｎｍから７００ｎｍ程度となるように形成されている。第２封止層７２の形成材料としては、珪素窒化物、珪素酸化物、珪素酸窒化物などが挙げられる。第２封止層７２の形成方法は、上述した第３封止層７３と同様な方法を用いることができる。
【００６３】
封止層７０の面上には、カラーフィルター層５０が形成されている。カラーフィルター層５０は、上述したカラーフィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒに加えて、バンク５２、保護部５６を有している。バンク５２は、透光性を有する材料を用いて形成されており、対応する画素２０ごとに、カラーフィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒのそれぞれを分離して、区画を形成している。
【００６４】
カラーフィルター層５０は、特定の波長の光を透過させる機能を備えている。カラーフィルター層５０Ｂは、波長が約４７０ｎｍの青色光を透過させ、カラーフィルター層５０Ｇは、波長が約５４０ｎｍの緑色光を透過させ、カラーフィルター層５０Ｒは、波長が約６１０ｎｍの赤色光を透過させる。
【００６５】
バンク５２の一部および保護部５６は、平面視で表示部１２を全周にわたって包囲するように周辺回路部１４内に額縁状に形成され、保護部５６はバンク５２の上方に配置されている。保護部５６は、保護層５６Ｇ，５６Ｒ，５６Ｂの３層を有している。保護層５６Ｇの形成材料はカラーフィルター層５０Ｇと同一であり、保護層５６Ｒの形成材料はカラーフィルター層５０Ｒと同一であり、保護層５６Ｂの形成材料はカラーフィルター層５０Ｂと同一である。これによって、周辺回路部１４に外光が照射された場合に、外光の進入が低減され、後述する引廻し配線による外光の反射光を、観察者に知覚されにくくすることができる。なお、本実施形態では、保護部５６がバンク５２から上方に向かって、保護層５６Ｇ，５６Ｒ，５６Ｂの順に積層された構成としたが、この構成に限定されない。保護層５６Ｇ，５６Ｒ，５６Ｂのうち、少なくとも１層を用いて保護部５６を形成してもよく、また上述した積層の順番を変更することも可能である。
【００６６】
カラーフィルター層５０の面上には、充填剤層８０によって上述した対向基板９０が接合されている。充填剤層８０は、カラーフィルター層５０の表面に、接着剤などの硬化性を有する樹脂を塗布して形成される。接着剤の塗布には、公知の技術が採用可能であり、中でもスピンコート法を用いることが好ましい。なお、接着剤としては、熱硬化性、電子線硬化性、紫外線硬化性などを有した、公知の接着剤を用いることが可能である。そのような接着剤としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などが挙げられる。
【００６７】
図４は、光反射層および第２配線の配置を示す平面図である。図４に示した光反射層３５は、上述した通り、光共振構造を担うと共に、第１電位ＶELが供給される第１配線４１でもある。光反射層３５は、間隙３５ＣＴ（図３参照）によって略矩形状に分割され、表示部１２の全域にわたって配置されている。第２配線４２は、周辺回路部１４に配置され、第２電位ＶCTが供給される電源配線である。図４に示すように、第２配線４２は、平面視で光反射層３５（表示部１２）を包囲する矩形枠状に形成されている。第２配線４２の幅（内周縁から外周縁までの距離）は、例えば、１．５ｍｍである。また、平面視において、表示部１２の周縁と第２配線４２の内周縁とによって囲まれる領域に、表示部１２と周辺回路部１４との境界が位置する。
【００６８】
また、図４に示すように、第２配線４２と略一致する領域に、第２導電体５８が配置されている。第２導電体５８（第１配線）は、光反射層３５および第２配線４２の面上に形成されている。図４では、第２導電体５８の一部が実線で図示され、他の一部の外形が鎖線で表現されている。第２導電体５８は、平面視において、第２配線４２と類似する環状（矩形枠状）に形成されている。第２導電体５８の内周縁は、第２配線４２の内周縁に対して僅かに外側にオフセットされ、第２導電体５８の外周縁は、第２配線４２の外周縁に対して僅かに外側にオフセットされている。
【００６９】
＜周辺回路部の構造＞
次に、有機ＥＬ装置１００における周辺回路部１４の構造について、図５を参照して説明する。図５は、図３の一部を拡大した断面図である。なお、図５に示した有機ＥＬ装置１００は、Ｚ方向において、第２配線４２から第２電極Ｅ２までの間以外の構成を省略し、Ｘ方向において、周辺回路部１４および周辺回路部１４に隣接する表示部１２の画素２０Ｒを図示している。
【００７０】
周辺回路部１４は、引廻し配線として、第１導電体６３、第２導電体５８、第２配線４２などの周辺回路を有している。また、これら周辺回路のうち、第２配線４２より上方には、表示部１２と同様に、増反射層３６、絶縁層３８、画素定義層２９が形成されている。周辺回路部１４の絶縁層３８は、表示部１２のうち、膜厚が最も大きな画素２０Ｒの絶縁層３８と同一の層構成を有している。すなわち、周辺回路部１４の絶縁層３８も、光路長調整層３８ｂ，３８ｃ，３８ｄを備えている。
【００７１】
表示部１２に設けられた第２電極Ｅ２は、周辺回路部１４まで延伸して配置されている。第２電極Ｅ２下層の発光機能層３２は、表示部１２と周辺回路部１４との境界をおおよその起点として、層厚が次第に小さくなるよう形成されている。そのため、第２電極Ｅ２は、Ｘ方向に対し傾斜して形成されている。第２電極Ｅ２は、発光機能層３２の層厚がなくなった位置にて、発光機能層３２の下層の画素定義層２９の面上に接している。
【００７２】
第２電極Ｅ２と画素定義層２９とが接する領域には、画素定義層２９を貫通する導通孔ＨＧが形成されている。第２電極Ｅ２は、導通孔ＨＧの内面に沿って画素定義層２９の下層まで延伸している。画素定義層２９の下方の、導通孔ＨＧが設けられた領域には、第１導電体６３が形成されている。これにより、第２電極Ｅ２は、導通孔ＨＧを介して第１導電体６３と電気的に接続されている。
【００７３】
第１導電体６３は、第１電極Ｅ１と同様な形成材料、方法により形成することができる。第１導電体６３の下方（下層）には、光路長調整層３８ｃ，３８ｄが配置されている。光路長調整層３８ｃ，３８ｄには、導通孔ＨＧと重ならない位置に、導通孔ＨＦが形成されている。第１導電体６３は、導通孔ＨＦの内面に沿って光路長調整層３８ｃ，３８ｄの下層まで延伸している。光路長調整層３８ｃ，３８ｄの下層には、第２導電体５８が形成されている。これによって、第１導電体６３は、導通孔ＨＦを介して第２導電体５８と電気的に接続されている。
【００７４】
第２導電体５８は、光路長調整層３８ｃの下層であって、凹部を有する絶縁膜としての光路長調整層３８ｂの上に形成されている。すなわち、第２導電体５８の上方には、光路長調整層３８ｃ，３８ｄが配置されている。第２導電体５８の形成材料としては、アルミニウムや銀などを含む低抵抗の導電材料を用いることができる。好ましくは、遮光性を有する形成材料を採用するか、遮蔽性が発現する膜厚とすることが好ましい。第２導電体５８が遮光性を有することによって、有機ＥＬ素子３０の発光が光反射層３５に反射されて生じる散乱光を、遮って低減することができる。
【００７５】
第２導電体５８と第２配線４２との間には、第２導電体５８の下方の表面に光路長調整層３８ｂ、その下方に増反射層３６が配置されている。光路長調整層３８ｂおよび増反射層３６は、表示部１２から延在して形成されたものである。また、周辺回路部１４と表示部１２との間にも、間隙３５ＣＴが設けられ、第２配線４２と光反射層３５とを電気的に分離している。
【００７６】
光路長調整層３８ｂおよび増反射層３６には、導通孔ＨＦと重ならない位置に、導通孔ＨＥが形成されている。第２導電体５８は、導通孔ＨＥの内面に沿って下層の第２配線４２まで達して形成されている。これにより、第２導電体５８は、導通孔ＨＥを介して第２配線４２と電気的に接続されている。上述した構成により、第２電極Ｅ２は、第１導電体６３、第２導電体５８、第２配線４２と電気的に接続され、周辺回路の一部を構成している。
【００７７】
第２配線４２は、光反射層３５と同一の形成材料、方法により形成することができる。本実施形態においては、第２配線４２は、光反射層３５と同様に、層間絶縁層３４（図３参照）の面上に形成され、第１層４２ａ、第２層４２ｂの二層構成として、それぞれ光反射層３５の第１層３５ａ、第２層３５ｂと同一の形成材料を用いている。
【００７８】
以上に述べたように、本実施形態に係る電気光学装置によれば、以下の効果を得ることができる。
（１）本実施形態の有機ＥＬ装置１００によれば、周辺回路部１４において、絶縁層３８を、光路長調整層３８ｂ，３８ｃ，３８ｄのいずれか一層で構成する場合と比べて、絶縁層３８の膜厚を大きく形成できる。そのため、周辺回路部１４における第１導電体６３、第２導電体５８、第２配線４２などの周辺回路と、表示部１２の第１電極Ｅ１などとの間における、短絡の発生を抑制することができる。詳しくは、画素２０に光共振構造を設定したため、画素２０Ｒにおいては、光反射層３５と第１電極Ｅ１との間の絶縁層３８の膜厚を、他の画素２０Ｂ，２０Ｇよりも大きくしている。この画素２０Ｒの絶縁層３８の構成を、周辺回路部１４にも導入することによって、上記の周辺回路と第１電極Ｅ１などとの距離を、従来よりも離すことができる。したがって、製造工程において、微細な異物などが絶縁層３８などに混入しても、配線間の短絡の発生が抑制される。これにより、発光素子の発光機能が安定し、発光品質および製造工程における歩留まりが向上した有機ＥＬ装置１００を提供することができる。
【００７９】
（２）画素２０に光共振構造を設定したことにより、光反射層３５上の絶縁層３８の膜厚が調整可能となる。そのため、有機ＥＬ素子３０の発光による出射光の光路長の調整が可能となり、出射光の波長を調節することができる。
【００８０】
（３）光路長調整層３８ｂおよび埋め込み絶縁膜３８ａによって、光反射層３５を覆う絶縁層３８を平坦に形成されるため、光反射層３５がより平滑となり、反射効率が向上する。また、有機ＥＬ素子３０の発光による出射光を、画素２０ごとに正確に光路長の調整を行うことが可能となる。これによって、表示部１２の発光の色再現性を向上させることができる。
【００８１】
（４）遮光性を有する第２導電体５８が、光反射層３５を覆う絶縁層３８の膜厚分だけ、光反射層３５から離れて配置されるため、光反射層３５からの散乱光が遮られて低減され、発光のコントラストが向上する。また、周辺回路部１４の絶縁層３８は、表示部１２の絶縁層３８と同一の構成とすることにより、製造工程における成膜工程の増加が抑えられ、簡略化が可能となる。
【００８２】
（実施形態２）
＜電子機器＞
本実施形態に係わる電子機器について、図６を参照して説明する。本実施形態では、電子機器として、有機ＥＬ装置を備えたヘッドマウンテッドディスプレイ（以降、ＨＭＤ：Head Mounted Displayともいう）を例に挙げて説明する。図６は、実施形態２に係るヘッドマウンテッドディスプレイの光学的な構成を示す模式図である。
【００８３】
ＨＭＤ２００は、図６に示すように、ＨＭＤ２００の表示および外界の双方が視認可能な透過型（シースルー型）である。ＨＭＤ２００は、情報を表示するための一対の光学ユニット２１４ａ，２１４ｂ、頭部に装着されるためのテンプル部（図示せず）、電源および制御部（図示せず）などを有している。ＨＭＤ２００は、光学ユニット２１４ａ，２１４ｂによって、眼前に様々な情報が表示され、それらが外界（景観）と同時に視認可能となっている。ここで、光学ユニット２１４ａ，２１４ｂは左右対称の構成であるため、右側の光学ユニット２１４ａを例として説明する。
【００８４】
光学ユニット２１４ａは、有機ＥＬ装置（パネル）１００ａ、集光光学部２１０ａ、導光体２１１ａ、ハーフミラー層２１８ａを有しており、この順序で互いに隣り合って設けられている。光学ユニット２１４ａによって、有機ＥＬ装置１００ａの出射光を、右眼１ａ前に配置されたハーフミラー層２１８ａへ投写する、プロジェクターが形成されている。
【００８５】
導光体２１１ａは四角柱状のレンズ（ロッドレンズ）であって、ロッドインテグレーターを形成している。この導光体２１１ａは、集光光学部２１０ａの隣に配置されている。この配置によって、集光光学部２１０ａから投写される光束を、上記ロッドレンズが受光する構成となっている。また、導光体２１１ａに内蔵されるハーフミラー層２１８ａは、右眼１ａに対向する位置にあって、斜めに設置されている。詳しくは、ハーフミラー層２１８ａは、集光光学部２１０ａから投写され、ロッドレンズ内の屈折反射によって到達した光束を、右眼１ａに向って反射する角度を有している。
【００８６】
有機ＥＬ装置１００ａは、制御部（図示せず）から伝送された表示信号を、情報として表示する。表示された情報は、集光光学部２１０ａへ、出射光として投映される。集光光学部２１０ａは、有機ＥＬ装置１００ａの出射光（実像）から虚像を形成し、導光体２１１ａの端部に情報光３００ａとして投写させる。
【００８７】
導光体２１１ａでは、投写された情報光３００ａ（光束）が内表面にて全反射されて、ハーフミラー層２１８ａへ伝送される。
【００８８】
ハーフミラー層２１８ａは情報光３００ａを右眼１ａ（瞳孔）へ向かって反射して導くと同時に、外界光４００ａを透過して右眼１ａへ到達させる。これにより、外界とＨＭＤ２００に表示された情報とを、重ねて視認可能な構成となっている。
なお、上述した通り、左眼１ｂ用の光学ユニット２１４ｂについても、有機ＥＬ装置１００ｂを有し、構成、機能は上記右側の光学ユニット２１４ａと同様である。
【００８９】
以上に述べたように、本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
本実施形態によれば、情報などの表示品質に優れた電子機器を提供することができる。詳しくは、発光素子の発光品質が安定し、製造工程における歩留まりが向上した有機ＥＬ装置１００ａ，１００ｂを備えることにより、電子機器の情報表示機能における信頼性を向上させることができる。
【００９０】
なお、本実施形態の有機ＥＬ装置１００が適用されたＨＭＤ２００は、両眼に対応した一対の光学ユニット２１４ａ，２１４ｂを備える構成に限定されず、例えば、片方の光学ユニット２１４ａを備える構成であってもよい。また、シースルー型に限定されず、外光を遮光した状態で表示を視認する没入型であってもよい。
【００９１】
本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。以下に変形例を挙げて説明する。
【００９２】
（変形例１）
上記実施形態の有機ＥＬ素子３０は、白色発光が得られるものとして説明したが、発光色は白色に限定されない。例えば、画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに所望の発光色が得られる有機ＥＬ素子を備える構成としてもよい。これによれば、上記実施形態における効果に加えて、カラーフィルター層５０を削除することができる。
【００９３】
（変形例２）
上記実施形態の光反射層３５は、第１配線４１を用いて形成されるものとして説明したが、この構成に限定されない。例えば、素子基板１０と第１電極Ｅ１との間に、第１配線４１とは別に、電気的に独立した光反射層を設けてもよい。これによれば、光反射層を画素ごとに分割することなく、表示部１２の略全域にわたって面状（連続的）に形成することができる。
【００９４】
（変形例３）
上記実施形態の電子機器はＨＭＤを例に説明したが、その他の分野においても本発明の電子光学装置を搭載した電子部品、および電子機器を適用することができる。
例えば、電子部品として、電子ビューファインダーが挙げられる。電子ビューファインダーに、本発明の電気光学装置を適用することにより、映像などの表示機能が安定する。これにより、電子ビューファインダーが搭載された電子機器において、情報表示機能における信頼性を向上させることができる。
【符号の説明】
【００９５】
１０…素子基板、１２…表示部、１４…周辺回路部、２０，２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ…画素、３０，３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒ…有機ＥＬ素子、３５…光反射層、３５ＣＴ…間隙、３８…絶縁層、３８ａ…埋め込み絶縁膜、３８ｂ，３８ｃ，３８ｄ…光路長調整層、５８…第２導電体、１００，１００ａ，１００ｂ…有機ＥＬ装置、２００…ＨＭＤ、Ｅ１…第１電極、Ｅ２…第２電極、Ｔ…トランジスター。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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