(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハが載置されるステージと、
前記ステージに設けられて、前記ステージの載置面上に載置されたウェハを加熱するヒータとを備えるヒータ付きウェハ載置機構であって、
前記ステージは、前記載置面を形成するトッププレートを有し、
前記ヒータは、前記トッププレートの前記載置面とは反対側の面に配置された複数の第１のヒータコイルと、前記複数の第１のヒータコイルと電気的に接続されると共に、前記トッププレートの外周に沿って並んで配置された複数の電極部と、前記第１のヒータコイルよりも外周側に配置された第２のヒータコイルとを有し、
前記複数の第１のヒータコイルは、前記複数の電極部を介して電力が供給されることによって、前記載置面の面内における発熱分布が均一となるように発熱し、
前記第２のヒータコイルは、前記複数の電極部の各間よりも前記複数の電極部が配置された位置の発熱量が相対的に高くなるように発熱することによって、前記複数の電極部の配置に応じて、その周方向における発熱分布が異なることを特徴とするヒータ付きウェハ載置機構。
【請求項２】
前記第２のヒータコイルは、その周方向に沿って配置された線状の発熱抵抗体であり、前記複数の電極部の各間よりも前記複数の電極部が配置された各位置に対応した部分の断面積が小さくなる形状を有することを特徴とする請求項１に記載のヒータ付きウェハ載置機構。
【請求項３】
前記ステージは、前記トッププレートの周囲から前記載置面とは反対側に向けて延長されたサイドスカートを有し、
前記第２のヒータコイルは、前記サイドスカートの内周面に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のヒータ付きウェハ載置機構。
【請求項４】
前記トッププレートの外周部は、前記複数の電極部の各間に対応した位置に開口部又は切欠部を有することを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載のヒータ付きウェハ載置機構。
【請求項５】
前記サイドスカートは、前記複数の電極部の各間に対応した位置に開口部又は切欠部を有することを特徴とする請求項３に記載のヒータ付きウェハ載置機構。
【請求項６】
前記複数の第１のヒータコイルは、前記トッププレートの径方向に並んで配置された同心円状又は螺旋状の発熱抵抗体であり、前記トッププレートの内周側から外周側に向かって漸次間隔が狭くなる又は断面積が小さくなる形状を有することを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載のヒータ付きウェハ載置機構。
【請求項７】
前記ヒータは、前記ステージの載置面上に載置されたウェハを６００〜２０００℃で加熱することを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載のヒータ付きウェハ載置機構。
【請求項８】
ウェハに対して成膜処理を行う成膜装置であって、
請求項１〜７の何れか一項に記載のヒータ付きウェハ載置機構を備えることを特徴とする成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヒータ付きウェハ載置機構及び成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体ウェハ（以下、単にウェハという。）に対して成膜処理を行う成膜装置では、化学気相成長（ＣＶＤ）法やエピタキシャル成長法などを用いて、ウェハの面上に薄膜を形成する。成膜装置は、減圧可能なチャンバ（成膜室）内に、ウェハが載置されるステージと、ステージの載置面上に載置されたウェハを加熱するヒータとが一体化されたヒータ付きウェハ載置機構（サセプタ）を備えている。
【０００３】
ヒータ付きウェハ載置機構では、ステージの裏面に複数のヒータコイル（発熱抵抗体）をステージの径方向に同心円状又は螺旋状に並べて配置し、ウェハを均一に加熱することが行われている。しかしながら、従来のヒータ付きウェハ載置機構では、ステージの外周部（側面）からの放熱によって、ウェハの内周側よりも外周側の温度が低下してしまい、ウェハの面内における温度分布が不均一となるといった問題があった。
【０００４】
そこで、ステージの外周部にヒータコイルを追加し、この追加したヒータコイルによりステージの外周側を加熱することによって、ウェハの面内における温度分布を均一化することが提案されている（特許文献１を参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−０６０２４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来のヒータ付きウェハ載置機構では、複数のヒータコイルに電力を供給する電極部を通して熱が放熱されてしまうため、ステージの外周部にヒータコイルを追加するだけでは、上述したウェハの面内における温度分布が不均一となるといった問題を解決することが困難であった。
【０００７】
本発明の一つの態様は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、ウェハの面内における温度分布をより均一化できるヒータ付きウェハ載置機構、並びに、そのようなヒータ付きウェハ載置機構を備えた成膜装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
〔１〕  本発明の一つの態様に係るヒータ付きウェハ載置機構は、ウェハが載置されるステージと、前記ステージに設けられて、前記ステージの載置面上に載置されたウェハを加熱するヒータとを備えるヒータ付きウェハ載置機構であって、前記ステージは、前記載置面を形成するトッププレートを有し、前記ヒータは、前記トッププレートの前記載置面とは反対側の面に配置された複数の第１のヒータコイルと、前記複数の第１のヒータコイルと電気的に接続されると共に、前記サイドスカートの内周面に沿って並んで配置された複数の電極部と、前記第１のヒータコイルよりも外周側に配置された第２のヒータコイルとを有し、前記複数の第１のヒータコイルは、前記複数の電極部を介して電力が供給されることによって、前記載置面の面内における発熱分布が均一となるように発熱し、前記第２のヒータコイルは、前記複数の電極部の各間よりも前記複数の電極部が配置された位置の発熱量が相対的に高くなるように発熱することによって、前記複数の電極部の配置に応じて、その周方向における発熱分布が異なることを特徴とする。
【００１０】
〔２〕  前記〔１〕に記載のヒータ付きウェハ載置機構において、前記第２のヒータコイルは、その周方向に沿って配置された線状の発熱抵抗体であり、前記複数の電極部の各間よりも前記複数の電極部が配置された各位置に対応した部分の断面積が小さくなる形状を有することを特徴とする。
【００１１】
〔３〕  前記〔１〕又は〔２〕に記載のヒータ付きウェハ載置機構において、前記ステージは、前記トッププレートの周囲から前記載置面とは反対側に向けて延長されたサイドスカートを有し、前記第２のヒータコイルは、前記サイドスカートの内周面に配置されていることを特徴とする。
【００１２】
〔４〕  前記〔１〕〜〔３〕の何れか一項に記載のヒータ付きウェハ載置機構において、前記トッププレートの外周部は、前記複数の電極部の各間に対応した位置に開口部又は切欠部を有することを特徴とする。
〔５〕  前記〔３〕に記載のヒータ付きウェハ載置機構において、前記サイドスカートは、前記複数の電極部の各間に対応した位置に開口部又は切欠部を有することを特徴とする。
【００１３】
〔６〕  前記〔１〕〜〔５〕の何れか一項に記載のヒータ付きウェハ載置機構において、前記複数の第１のヒータコイルは、前記トッププレートの径方向に並んで配置された同心円状又は螺旋状の発熱抵抗体であり、前記トッププレートの内周側から外周側に向かって漸次間隔が狭くなる又は断面積が小さくなる形状を有することを特徴とする。
【００１４】
〔７〕  前記〔１〕〜〔６〕の何れか一項に記載のヒータ付きウェハ載置機構において、前記ヒータは、前記ステージの載置面上に載置されたウェハを６００〜２０００℃で加熱することを特徴とする。
【００１５】
〔８〕  本発明の一つの態様に係る成膜装置は、ウェハに対して成膜処理を行う成膜装置であって、前記〔１〕〜〔７〕の何れか一項に記載のヒータ付きウェハ載置機構を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
以上のように、本発明の一つの態様によれば、ウェハの面内における温度分布をより均一化できるヒータ付きウェハ載置機構、並びに、そのようなヒータ付きウェハ載置機構を備えた成膜装置を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態に係るヒータ付きウェハ載置機構を備えた成膜装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】図１に示すヒータ付きウェハ載置機構の構成を示す斜視図である。
【図３】図１中に示す線分Ｘ−Ｘ’による回転シャフトの断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るヒータ付きウェハ載置機構の別の構成例を示す斜視図である。
【図５】本発明の一実施形態に係るヒータ付きウェハ載置機構の別の構成例を示す斜
【図６】第１の実施例として、ヒータ付きウェハ載置機構におけるウェハの面内温度分布を測定した結果を示すグラフである。
【図７】第２の実施例として、ヒータ付きウェハ載置機構におけるウェハの外周温度分布を測定した結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面においては、各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがあり、各構成要素の数や寸法比率などが実際と同じであるとは限らないものとする。
【００１９】
本発明の一実施形態として、例えば図１〜図３に示すヒータ付きウェハ載置機構１を備えた成膜装置１００について説明する。なお、図１は、ヒータ付きウェハ載置機構１を備えた成膜装置１００の概略構成を示す断面図である。図２は、ヒータ付きウェハ載置機構１の構成を示す斜視図である。図３は、図１中に示す線分Ｘ−Ｘ’による回転シャフト１２の断面図である。
【００２０】
本実施形態の成膜装置１００は、例えばＣＶＤ法やエピタキシャル成長法などを用いて、半導体ウェハ（以下、単にウェハという。）Ｗに対して成膜処理を行い、ウェハＷの面上に薄膜を形成するものである。
【００２１】
具体的に、この成膜装置１００は、減圧可能なチャンバ（成膜室）１０１内に、本実施形態のヒータ付きウェハ載置機構１を備えている。ヒータ付きウェハ載置機構１は、サセプタと呼ばれるものであり、ウェハＷが載置される回転ステージ２と、回転ステージ２の載置面２ａ上に載置されたウェハＷを加熱するヒータ３と、回転ステージ２の載置面２ａ上に載置されたウェハＷを吸着する静電チャック４と、ヒータ３及び静電チャック４に電力を供給する電力供給部５と、回転ステージ２の載置面２ａ上に載置されたウェハＷの温度を測定する温度測定部６と、温度測定部６が測定した温度に基づいて、電力供給部５からヒータ３に供給される電力を制御する電力制御部７とを概略備えている。
【００２２】
回転ステージ２は、載置面２ａを形成する円板状のトッププレート８と、トッププレート８の周囲から載置面２ａとは反対側（下方）に向けて延長された円筒状のサイドスカート９と、サイドスカート９のトッププレート２とは反対側（下面）を閉塞する円板状のボトムプレート１０とを有している。
【００２３】
トッププレート８、サイドスカート９及びボトムプレート１０には、例えば、アルミナセラミックス、窒化アルミセラミックス、カーボン系セラミックス、石英などの耐熱性及び耐腐蝕性に優れた絶縁部材が用いられている。具体的に、本実施形態では、一体に形成されたトッププレート８及びサイドスカート９にカーボン系セラミックスであるグラファイトが用いられ、ボトムプレート１０に石英が用いられている。また、ボトムプレート１０の上面には、例えば石英などからなる円板状の断熱材１１が配置されている。
【００２４】
なお、サイドスカート９及びボトムプレート１０については、一体に形成されたものに限らず、別体に形成されたものであってもよい。また、サイドスカート９の形状については、上述した円筒状に限らず、下方に向けて漸次拡径されたテーパー形状を有していてもよい。
【００２５】
回転ステージ２は、軸線方向に貫通する複数の貫通孔１２ａ〜１２ｃが形成された中空円筒状の回転シャフト１２を有している。回転シャフト１２は、ボトムプレート１０の下面中央から下方に突出されると共に、チャンバ１０１を貫通した状態で、チャンバ１０１の下面に配置された回転真空シール１３を介して回転自在に支持されている。回転真空シール１３には、磁性流体シールが用いられている。また、回転シャフト１２は、その下端部に取り付けられた真空フランジ１４を介して駆動モータ１５と接続されている。真空フランジ１４には、セラミックスなどの絶縁材が用いられている。これにより、回転ステージ２は、成膜時に駆動モータ１５が回転シャフト１２を回転駆動することによって、周方向に回転可能となっている。
【００２６】
回転ステージ２の載置面２ａ上に載置されたウェハＷは、成膜時にヒータ３により６００〜２０００℃の温度で加熱される。回転シャフト１２には、このような高温に耐え得るように、且つ、Ｈ２、ＨＣｌ、Ｃｌ２などの反応性ガスに腐蝕されないように、例えばセラミックスやガラスなどの耐熱性及び耐腐蝕性に優れた絶縁部材が用いられている。
【００２７】
具体的に、ガラスとしては、例えば、石英(ＳｉＯ２)ガラスやサファイア(Ａｌ２Ｏ３)ガラスなどを用いることができる。一方、セラミックスとしては、例えば、アルミナ(Ａｌ２Ｏ３)や、ジルコニア(ＺｒＯ２)などの酸化物系セラミックスや、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素(Ｓｉ３Ｎ４)、炭化ケイ素(ＳｉＣ)、窒化ホウ素(ＢＮ)、、カーボン系セラミックスなどの非酸化物系セラミックス等を用いることができる。
【００２８】
回転シャフト１２には、その中でも石英又は窒化ケイ素を主剤として含むものを用いることが好ましい。なお、本実施形態では、回転シャフト１２に窒化ケイ素が用いられている。
【００２９】
さらに、チャンバ１０１の外側には、回転シャフト１２を冷却する冷却機構１６が設けられている。冷却機構１６には、チャンバ１０１の下方に配置されて、成膜時に回転シャフト１２に向けて送風を行う冷却ファンが用いられている。なお、冷却機構１６については、上述した冷却ファンのような空冷式の冷却機構に限らず、水冷式の冷却機構を用いてもよい。また、ピエゾ（ペルチェ）素子などの冷却機構を用いることも可能である。
【００３０】
ヒータ３は、トッププレート８の載置面２ａとは反対側の面（下面）に配置された複数の第１のヒータコイル１７と、サイドスカート９の内周面に配置された第２のヒータコイル１８と、サイドスカート９の内周面に沿って並んで配置された複数の電極部１９とを有している。
【００３１】
複数の第１のヒータコイル１７は、同心円状又は螺旋状の発熱抵抗体であり、トッププレート８の径方向に所定の間隔で並んで配置されている。第２のヒータコイル１８は、線状の発熱抵抗体であり、サイドスカート９の周方向に沿ってリング状に配置されている。第１のヒータコイル１７及び第２のヒータコイル１８を形成する発熱抵抗体には、例えば、ＣＶＤ法により窒化ホウ素(ＰＢＮ)又は熱分解グラファイト(ＰＧ)の薄膜が表面に成膜された炭素材(Ｃ)などの耐熱性に優れた導電部材が用いられている。また、発熱抵抗体には、体積抵抗率が４．８〜１１μΩｍである低抵抗率の炭素材(Ｃ)が用いられている。
【００３２】
複数の電極部１９は、複数の第１のヒータコイル１７と電気的に接続された状態で、サイドスカート９の周方向に所定の間隔で並んで配置されている。また、各電極部１９は、回転シャフト１２側へと引き延ばされている。
【００３３】
ヒータ３では、成膜時に複数の電極部１９を介して複数の第１のヒータコイル１７及び第２のヒータコイル１８に電力が供給される。これにより、これらのヒータコイル１７，１８を発熱させながら、載置面２ａの載置されたウェハＷを加熱する。
【００３４】
静電チャック４は、トッププレート８の上面（載置面２ａ）にある誘電体層に埋設された一対の内部電極２０ａ，２０ｂと、一対の内部電極２０ａ，２０ｂと電気的に接続された状態で、回転シャフト１２側へと引き延ばされた一対の電極部２１ａ，２１ｂとを有している。
【００３５】
静電チャック４では、成膜時に一対の電極部２１ａ，２１ｂを介して一対の内部電極２０ａ，２０ｂの間に電圧が印加される。これにより、ウェハＷの表面に逆電圧を誘導し、両者の間に働くクーロン力やジョンソン・ラーベック力、グラジエント力などによってウェハＷを吸着する。
【００３６】
電力供給部５は、ヒータ３に電力を供給するヒータ用電源２２と、静電チャック４に電力を供給する静電チャック用電源２３とを有している。ヒータ用電源２２は、回転シャフト１２の貫通孔１２ａを通してチャンバ１０１の外側へと引き延ばされた複数の第１の配線２４ａを介してヒータ３（具体的には複数の電極部１９）と電気的に接続されている。静電チャック用電源２３は、回転シャフト１２の貫通孔１２ｂを通してチャンバ１０１の外側へと引き延ばされた一対の第２の配線２４ｂを介して静電チャック４（具体的には一対の電極部２１ａ，２１ｂ）と電気的に接続されている。
【００３７】
温度測定部６は、回転シャフト１２の貫通孔１２ｃを通してチャンバ１０１の外側へと引き延ばされた一対の第３の配線２４ｃと電気的に接続された熱電対２５を有している。熱電対２５は、回転シャフト１２の貫通孔１２ｃを通してトッププレート８と接する位置まで延長して設けられている。温度測定部６は、熱電対２５により載置面２ａ上に載置されたウェハＷの温度（微小信号）を測定し、その測定結果を電力制御部７へと供給する。
【００３８】
電力制御部７は、温度測定部６が測定した温度に基づいて、ウェハＷが所望の温度となるように、ヒータ用電源２２からヒータ３に供給される電力を制御する。
【００３９】
ところで、本実施形態のヒータ付きウェハ載置機構１において、複数の第１のヒータコイル１７は、トッププレート８の内周側から外周側に向かって漸次間隔が狭くなる又は断面積が小さくなる形状を有している。これにより、複数の第１のヒータコイル１７は、載置面２ａの面内における発熱分布が均一となるように発熱する。
【００４０】
一方、第２のヒータコイル１８は、複数の電極部１９の各間よりも複数の電極部１９が配置された各位置に対応する部分の断面積（幅又は厚み）が小さくなる形状を有している。具体的に、本実施形態では、第２のヒータコイル１８の厚みを一定とし、複数の電極部１９の各間よりも複数の電極部１９が配置された各位置に対応する部分の幅が小さくなっている。これにより、第２のヒータコイル１８は、複数の電極部１９の各間よりも複数の電極部１９が配置された位置の発熱量が相対的に高くなるように発熱する。
【００４１】
以上のように、本実施形態のヒータ付きウェハ載置機構１では、複数の電極部１９の配置に応じて、サイドスカート９の周方向における発熱分布が異なる第２のヒータコイル１８が配置された構成となっている。
【００４２】
この構成の場合、複数の電極部１９の各間よりも複数の電極部１９が配置された位置の発熱量が相対的に高くなるように、第２のヒータコイル１８が発熱するため、上述した回転ステージ２の外周部（側面）からの放熱される分と、複数の電極部１９を通して熱が放熱される分との熱量を補いながら、載置面２ａの面内における発熱分布の均一性を高めることが可能である。
【００４３】
したがって、本実施形態のヒータ付きウェハ載置機構１では、ウェハＷの内周側よりも外周側の温度が低下するのを防ぎつつ、載置面２ａに載置されたウェハＷの面内における温度分布をより均一化することが可能である。
【００４４】
また、本実施形態のヒータ付きウェハ載置機構１では、載置面２ａの面内における発熱分布を均一化するため、上記構成に加えて、サイドスカート９に複数の開口部又は切欠部（本実施形態では開口部）２６を設けた構成となっている。開口部２６は、複数の電極部１９の各間に対応した位置に設けられている。
【００４５】
この構成の場合、サイドスカート９では、複数の開口部２６の各間よりも複数の開口部２６が設けられた各位置からの熱の放熱を相対的に低く抑えることができる。これにより、上述した第２のヒータコイル１８と共に、載置面２ａの面内における発熱分布を調整しながら、この発熱分布の均一性を高めることが可能である。
【００４６】
したがって、本実施形態のヒータ付きウェハ載置機構１では、このような複数の開口部（又は切欠部）２６をサイドスカート９に設けることによって、ウェハＷの面内における温度分布を更に均一化することが可能である。
【００４７】
なお、本発明は、上記実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記ヒータ付きウェハ載置機構１では、図４に示すように、上述した開口部２６（又は切欠部）を省略した構成とすることも可能である。
【００４８】
また、上記ヒータ付きウェハ載置機構１では、図５に示すように、回転ステージ２を構成するサイドスカート９を省略した構成とすることも可能である。この場合、第２のヒータコイル１８は、トッププレート８の下面に配置された第１のヒータコイル１７よりも外周側に配置された構成となっている。
【００４９】
この構成の場合も、複数の電極部１９の各間よりも複数の電極部１９が配置された位置の発熱量が相対的に高くなるように、第２のヒータコイル１８が発熱するため、上述した回転ステージ２の外周部からの放熱される分と、複数の電極部１９を通して熱が放熱される分との熱量を補いながら、載置面２ａの面内における発熱分布の均一性を高めることが可能である。
【実施例】
【００５０】
以下、実施例により本発明の効果をより明らかなものとする。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することができる。
【００５１】
（第１の実施例）
第１の実施例では、実施例として、上記ヒータ付きウェハ載置機構１と同様の構成を有するヒータ付きウェハ載置機構と、比較例として、上記ヒータ付きウェハ載置機構１の構成から開口部２６を省略し、上記第２のヒータコイル１８の代わりに、サイドスカート９の周方向に沿って一定の断面積（幅及び厚み）を有する第２のヒータコイルを配置したヒータ付きウェハ載置機構とを準備した。
【００５２】
これら実施例のヒータ付きウェハ載置機構と、比較例のヒータ付きウェハ載置機構について、ヒータによりステージを加熱しながら載置面に載置されたウェハの面内における温度分布（面内温度分布）をシミュレーションにより測定した。その測定結果を図６（ａ），（ｂ）に示す。なお、図６（ａ）は、実施例のヒータ付きウェハ載置機構におけるウェハの面内温度分布を測定した結果を示すグラフである。図６（ｂ）は、比較例のヒータ付きウェハ載置機構におけるウェハの面内温度分布を測定した結果を示すグラフである。
【００５３】
図６（ａ），（ｂ）に示すように、実施例のヒータ付きウェハ載置機構は、比較例のヒータ付きウェハ載置機構に比べて、ウェハの内周側と外周側との温度差が小さく、ウェハの面内温度分布がより均一化されていることがわかる。
【００５４】
（第２の実施例）
第２の実施例では、上記実施例のヒータ付きウェハ載置機構と、上記比較例のヒータ付きウェハ載置機構について、ヒータによりステージを加熱しながら、このステージの載置面に載置されたウェハの外周部における温度分布（外周温度分布）をシミュレーションにより測定した。その測定結果を図７（ａ），（ｂ）に示す。なお、図７（ａ）は、実施例のヒータ付きウェハ載置機構におけるウェハの外周温度分布を測定した結果を示すグラフである。図７（ｂ）は、比較例のヒータ付きウェハ載置機構におけるウェハの外周温度分布を測定した結果を示すグラフである。
【００５５】
図７（ａ），（ｂ）に示すように、実施例のヒータ付きウェハ載置機構は、比較例のヒータ付きウェハ載置機構に比べて、ウェハの外周部における周方向の温度差が小さく、ウェハの外周温度分布がより均一化されていることがわかる。
【００５６】
また、参考例として、第２のヒータコイルの最大幅と最小幅との比を３：１としたウェハ載置機構について、ヒータによりステージを加熱しながら載置面に載置されたウェハの外周温度分布をシミュレーションにより測定した。その測定結果を図７（ｃ）に示す。
【００５７】
なお、実施例のヒータ付きウェハ載置機構において、第２のヒータコイルの最大幅と最小幅との比は２：１である。また、比較例のヒータ付きウェハ載置機構において、第２のヒータコイルの最大幅と最小幅との比は１：１である。
【００５８】
図７（ｃ）に示すように、参考例のヒータ付きウェハ載置機構では、ウェハの外周部における周方向の温度差が大きく、図７（ａ），（ｂ）に示すグラフに対して、高温部と低温部との位置が逆転していることわかる。
【００５９】
このことから、第２のヒータコイルの最大幅と最小幅との比（断面積の比率）を変更することによって、ウェハの外周温度分布を調整できることがわかる。そして、このような調整を行うことによって、ウェハの面内温度分布及び外周温度分布における均一性を十分高めることが可能なことが明らかとなった。
【符号の説明】
【００６０】
１…ヒータ付きウェハ載置機構  ２…ステージ  ２ａ…載置面  ３…ヒータ  ４…静電チャック  ５…電力供給部  ６…温度測定部  ７…電力制御部  ８…トッププレート  ９…サイドプレート  １０…ボトムプレート  １１…断熱材  １２…回転シャフト  １２ａ〜１２ｃ…貫通孔  １３…回転真空シール  １４…真空フランジ  １５…駆動モータ  １６…冷却ファン  １７…第１のヒータコイル  １８…第２のヒータコイル  １９…電極部  ２０ａ，２０ｂ…内部電極  ２１ａ，２１ｂ…電極部  ２２…ヒータ用電源  ２３…静電チャック用電源  ２４ａ…第１の配線  ２４ｂ…第２の配線  ２４ｃ…第３の配線  ２５…熱電対  ２６…開口部  １００…成膜装置  １０１…チャンバ  Ｗ…ウェハ
【図１】
0006799393.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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