(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
砥粒を含む研磨用組成物であって、
前記砥粒はシリカ砥粒であり、
前記砥粒は、下記の方法で測定される動的散乱法による検出角３０°での散乱強度分布に基づく粒子径の標準偏差（Ｓtdev３０）が３００〜２０００ｎｍの範囲内である、研磨用組成物。
［粒子径の標準偏差］
前記砥粒の粒子径の標準偏差は、イオン交換水中に前記砥粒０．１重量％、硫酸０．２重量％、過酸化水素０．２重量％を含む測定用スラリーを用いて、動的散乱法により、検出角３０°での散乱強度分布に基づき測定される。
【請求項２】
下記の方法で測定される前記砥粒の動的散乱法による平均粒子径は１００〜５００ｎｍの範囲内である、請求項１に記載の研磨用組成物。
［砥粒の動的散乱法による平均粒子径］
前記砥粒の動的散乱法による平均粒子径は、イオン交換水中に前記砥粒０．１重量％、硫酸０．２重量％、過酸化水素０．２重量％を含む測定用スラリーを用いて、動的散乱法による検出角９０°での散乱強度分布に基づき測定される。
【請求項３】
前記砥粒は、下記の方法で測定されるΔＣＶが１２０以上を示す、請求項１または２に記載の研磨用組成物。
［ΔＣＶの測定方法］
イオン交換水中に前記砥粒０．１重量％、硫酸０．２重量％、過酸化水素０．２重量％を含む測定用スラリーを用いて、動的散乱法による検出角３０°での散乱強度分布に基づく粒子径の標準偏差（Ｓtdev３０）と、該散乱強度分布に基づく平均粒子径（Ｄave３０）とを測定し、
式（１）：ＣＶ３０（％）＝Ｓtdev３０／Ｄave３０×１００
より、検出角３０°における変動係数（ＣＶ３０）を求める。
イオン交換水中に前記砥粒０．１重量％、硫酸０．２重量％、過酸化水素０．２重量％を含む測定用スラリーを用いて、動的散乱法による検出角９０°での散乱強度分布に基づく粒子径の標準偏差（Ｓtdev９０）と、該散乱強度分布に基づく平均粒子径（Ｄave９０）とを測定し、
式（２）：ＣＶ９０（％）＝Ｓtdev９０／Ｄave９０×１００
より、検出角９０°における変動係数（ＣＶ９０）を求める。
式（３）：ΔＣＶ＝ＣＶ３０−ＣＶ９０
より、ΔＣＶを求める。
【請求項４】
前記砥粒を含むＡ液と、該砥粒以外の成分を含むＢ液と、含む多剤型研磨用組成物として構成されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
【請求項５】
仕上げ研磨工程の前工程で用いられる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
【請求項６】
磁気ディスク基板の研磨に用いられる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の研磨用組成物を研磨対象基板に供給して該研磨対象基板を研磨する工程（１）を含む、基板の研磨方法。
【請求項８】
前記工程（１）の後に、仕上げ研磨用組成物を前記研磨対象基板に供給して該研磨対象基板を研磨する工程（２）をさらに含み、
前記仕上げ研磨用組成物は、前記工程（１）に用いられる砥粒Ａ１よりも平均アスペクト比が小さい砥粒Ａ２を含む、請求項７に記載の研磨方法。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて研磨対象基板を研磨する工程（１）を含む、基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、研磨用組成物、基板の研磨方法および基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、金属や半金属、非金属、その酸化物等の材料表面に対して、研磨用組成物を用いた研磨加工が行われている。例えば、高精度な表面が要求される研磨物の製造プロセスにおいては、一般に、最終製品の表面精度に仕上げるために行う最終研磨工程（仕上げ研磨工程）の前に、より研磨効率を重視した研磨（予備研磨）が行われている。このような研磨プロセスでは、例えば上記の予備研磨のように最終研磨工程より前に行われる研磨においても、最終研磨工程における表面精度向上に寄与するため、良好な表面状態を実現することが望ましい。砥粒を用いる研磨技術に関する技術文献として、特許文献１〜３が挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１７０６５０号公報
【特許文献２】特開２０１４−１３０６６３号公報
【特許文献３】特開２０１２−１５５７８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
研磨対象物の表面精度を左右する要素の一つとして、研磨液に含まれる砥粒の材質や性状が挙げられる。例えば、砥粒としてシリカを用いる研磨液によると、より硬度が高いアルミナ等の砥粒を用いる研磨液に比べて、研磨対象面の表面品質（例えば、スクラッチや窪み（ピット）等の表面欠陥）が改善する傾向がある。しかし、アルミナに代えてシリカ等の砥粒を用いた研磨液は、一般に研磨効率（典型的には研磨レート）に劣る傾向があり、例えばニッケルリンめっきが施された磁気ディスク基板（以下「Ｎｉ−Ｐ基板」ともいう。）の一次研磨のように高い研磨レートが要求される研磨において使用される場合に、かかる要求に充分に応えることができないおそれがあった。表面欠陥の発生を抑制し、かつ高い研磨レートを実現することができる研磨用組成物が提供されれば有益である。
【０００５】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、表面欠陥の発生を抑制しつつ、高い研磨レートを実現し得る研磨用組成物を提供することを目的とする。関連する他の目的は、上記研磨用組成物を用いた基板の研磨方法および基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によると、砥粒を含む研磨用組成物が提供される。上記砥粒は、動的散乱法による検出角３０°での散乱強度分布に基づく粒子径の標準偏差（Ｓtdev３０）が３００〜２０００ｎｍの範囲内である。上記の特性を満足する砥粒を含む研磨用組成物を使用することにより、表面欠陥の発生を抑制しつつ、高い研磨レートを実現することができる。
【０００７】
ここに開示される技術（研磨用組成物、基板の研磨方法および基板の製造方法を包含する。以下同じ。）の好ましい一態様では、前記砥粒の動的散乱法による平均粒子径は１００〜５００ｎｍの範囲内である。上記平均粒子径を有する砥粒は、高い研磨レートを得やすく、また組成物中における分散性が良好であり得る。
【０００８】
ここに開示される技術の好ましい一態様では、前記砥粒は、下記の方法で測定されるΔＣＶが１２０以上を示す。上記ΔＣＶを示す砥粒を使用することにより、高い研磨レートを好ましく実現することができる。
［ΔＣＶの測定方法］
動的散乱法による検出角３０°での散乱強度分布に基づく粒子径の標準偏差（Ｓtdev３０）と、該散乱強度分布に基づく平均粒子径（Ｄave３０）とを測定し、
式（１）：ＣＶ３０（％）＝Ｓtdev３０／Ｄave３０×１００
より、検出角３０°における変動係数（ＣＶ（Coefficient of Variation）３０）を求める。
動的散乱法による検出角９０°での散乱強度分布に基づく粒子径の標準偏差（Ｓtdev９０）と、該散乱強度分布に基づく平均粒子径（Ｄave９０）とを測定し、
式（２）：ＣＶ９０（％）＝Ｓtdev９０／Ｄave９０×１００
より、検出角９０°における変動係数（ＣＶ９０）を求める。
式（３）：ΔＣＶ＝ＣＶ３０−ＣＶ９０
より、ΔＣＶを求める。
【０００９】
ここに開示される技術の好ましい一態様では、前記砥粒はシリカ砥粒を含む。砥粒としてシリカを使用することにより、上記Ｓtdev３０やΔＣＶ等の粒子特性を好適な範囲に調節しやすくなり、本発明による効果が好ましく発揮される。
【００１０】
ここに開示される技術の好ましい一態様では、研磨用組成物は、仕上げ研磨工程の前工程で用いられる研磨用組成物として好適である。例えば、上記研磨用組成物は、研磨対象物の一次研磨に好適に用いられ得る。ここに開示される研磨用組成物は、高い研磨レートを示し得るため、上記一次研磨のような高い研磨効率が要求される研磨プロセスにおいて好ましく用いられる。
【００１１】
ここに開示される研磨用組成物の好ましい適用対象として、磁気ディスク基板が例示される。なかでも好ましい研磨対象物として、Ｎｉ−Ｐ基板が挙げられる。上記研磨用組成物を上記磁気ディスク基板に適用すると、研磨後の上記磁気ディスク基板の表面欠陥が抑制され、かつ高い研磨レートが達成される。ここに開示される研磨用組成物は、特に、磁気ディスク基板の一次研磨に好適である。
【００１２】
ここに開示される技術の好ましい一態様では、研磨用組成物は、前記砥粒を含むＡ液と、該砥粒以外の成分を含むＢ液と、含む多剤型研磨用組成物として構成されている。例えば、該研磨用組成物の構成成分のうち一部の成分を含むＡ液（例えば砥粒分散液）と、残りの成分を含むＢ液（例えば、酸含有液）とを分けて保管し、使用時（研磨対象基板の研磨時）に混合することで、研磨用組成物は良好な保存安定性を得つつ、使用時には所望の性能を発揮することができる。
【００１３】
また、本発明によると、基板の研磨方法が提供される。その研磨方法は、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を研磨対象基板に供給して該研磨対象基板を研磨する工程（１）を含む。かかる研磨方法によると、研磨物の表面品質を効率よく高めることができる。好ましい一態様では、上記基板の研磨方法は、前記工程（１）の後に、仕上げ研磨用組成物を前記研磨対象基板に供給して該研磨対象基板を研磨する工程（２）をさらに含む。前記仕上げ研磨用組成物は、前記工程（１）に用いられる砥粒Ａ１よりも平均アスペクト比が小さい砥粒Ａ２を含むことが好ましい。上記工程（１）の後に上記工程（２）を実施することにより、より高品位な基板表面が得られる。
【００１４】
また、本発明によると、基板の製造方法が提供される。その製造方法は、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を用いて研磨対象基板を研磨する工程（１）を含む。かかる製造方法によると、高品位な表面を有する基板を生産性よく製造することができる。好ましい一態様では、上記基板の製造方法は、前記工程（１）の後に、仕上げ研磨用組成物を用いて前記研磨対象基板を研磨する工程（２）をさらに含む。前記仕上げ研磨用組成物は、前記工程（１）に用いられる砥粒Ａ１よりも平均アスペクト比が小さい砥粒Ａ２を含むことが好ましい。上記工程（１）の後に上記工程（２）を実施することにより、より高品位な表面を有する基板が生産性よく製造される。
【００１５】
ここに開示される基板の製造方法の他の側面として、上記方法により製造された基板が提供される。上記基板は、高品位な表面を有し、かつ生産コストの面で有利なものとなり得るので好ましい。なお、ここに開示される基板の研磨方法および製造方法で使用される研磨対象基板の好適例は磁気ディスク基板であり、なかでも好ましい研磨対象基板は、Ｎｉ−Ｐ基板である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の好適な実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。
【００１７】
＜砥粒＞
（粒子特性）
ここに開示される研磨用組成物は砥粒を含む。この砥粒は、Ｓtdev３０が３００〜２０００ｎｍの範囲内である。ここでＳtdev３０とは、動的散乱法による検出角３０°での散乱強度分布に基づく粒子径の標準偏差（単位：ｎｍ）のことをいう。動的散乱法による散乱強度分布に基づく標準偏差は、高研磨レートと表面欠陥低減に貢献する砥粒を評価するにあたって、信頼性の高い指標となり得る。具体的には、上記標準偏差は、砥粒の平均粒子径よりも研磨レートとの相関が高い。また、標準偏差を平均粒子径や散乱分布強度の検出角依存性等で補正した場合よりも、標準偏差そのものの値が研磨レートと表面欠陥の発現の有無に直接的に影響する。上記標準偏差を指標とする粒子径のばらつきが、研磨レート向上と高い正の相関を示していると考えられる。なかでも、検出角３０°での測定によって得られる粒子径は、３０°よりも大きい検出角（例えば検出角９０°）の場合と比べて、ブロードな分布となる傾向があるため、その標準偏差（Stdev３０）の影響も判別しやすい。上記標準偏差（Stdev３０）は、研磨レートと表面品質との両立に寄与する砥粒の非球形の程度（非球形度）をよく反映していると考えられる。上記Ｓtdev３０が３００〜２０００ｎｍの範囲内である砥粒を使用することにより、表面欠陥の発生が抑制され、かつ高い研磨レートが実現される。なお、ここに開示される技術は、上記の解釈に限定されるものではない。また、当業者であれば、使用する砥粒の形状等に基づき、Ｓtdev３０が所定範囲内の砥粒を判別し、入手することができる。例えば、Ｓtdev３０の異なる２種以上の砥粒を適当な比率でブレンドすることにより、Ｓtdev３０を所望の値に調節することができる。後述のＳtdev９０、Ｓtdev３０−Ｓtdev９０、ＣＶ３０、ＣＶ９０、ΔＣＶ（以下、Ｓtdev３０も含めてまとめて粒子特性ということがある。）についても同様である。上記Ｓtdev３０は、具体的には後述の実施例に記載の方法で測定される。
【００１８】
なお、本明細書において「砥粒の非球形度」とは、特に限定的に解釈されるものではないが、砥粒粒子が、研磨レートを向上する程度に凹凸を有したり変形して、球形とは異なっている（球形から離れている）が、その凹凸や変形の程度が表面欠陥を生じない範囲内での非球形を意味し、さらには、そのような非球形粒子と球形粒子との混合比率を包含する概念である。したがって、極端にいびつな粒子形状は、ここに開示される技術における非球形の意図するところではない。上記Ｓtdev３０は、上記のような非球形度の判別に適していると考えられる。
【００１９】
ここに開示される砥粒のＳtdev３０は、研磨レート等の観点から、好ましくは４５０ｎｍ以上、より好ましくは６５０ｎｍ以上、さらに好ましくは１０００ｎｍ以上、特に好ましくは１５００ｎｍ以上（例えば１６００ｎｍ以上）である。また、表面欠陥低減の観点から、上記Ｓtdev３０は１７００ｎｍ以下（例えば８００ｎｍ以下）であってもよい。
【００２０】
ここに開示される砥粒につき、動的散乱法による検出角９０°での散乱強度分布に基づく粒子径の標準偏差（Ｓtdev９０、単位：ｎｍ）は特に限定されない。研磨レート等の観点から、上記Ｓtdev９０は、通常は３０ｎｍ以上であることが適当であり、好ましくは４５ｎｍ以上、より好ましくは６０ｎｍ以上、さらに好ましくは１００ｎｍ以上、特に好ましくは２００ｎｍ以上（例えば２５０ｎｍ以上）である。また、表面欠陥低減の観点から、上記Ｓtdev９０は、通常は５００ｎｍ以下であることが適当であり、好ましくは４００ｎｍ以下（例えば１００ｎｍ以下）である。上記Ｓtdev９０は、具体的には後述の実施例に記載の方法で測定される。
【００２１】
ここに開示される技術で使用される砥粒において、Ｓtdev３０とＳtdev９０との差（Ｓtdev３０−Ｓtdev９０）は特に限定されない。Ｓtdev３０−Ｓtdev９０は、動的散乱強度分布の標準偏差の検出角依存性を示す指標であり、砥粒の粒子径のばらつきだけでなく、形状（例えば非球形度）の指標となり得る。研磨レート等の観点から、上記Ｓtdev３０−Ｓtdev９０は、通常は２００以上であることが適当であり、好ましくは３００以上、より好ましくは４００以上、さらに好ましくは５００以上、特に好ましくは１０００以上（例えば１２５０以上）である。また、表面欠陥低減の観点から、上記Ｓtdev３０−Ｓtdev９０は、通常は２０００以下であることが適当であり、好ましくは１８００以下、より好ましくは１６００以下である。
【００２２】
ここに開示される砥粒のΔＣＶは特に限定されない。砥粒のΔＣＶは、通常は１０以上であり、２０以上（例えば３０以上、さらには５０以上）であることが適当である。好ましい一態様では、上記ΔＣＶは１２０以上を示す。ΔＣＶが大きいことは、動的散乱法における変動係数の検出角依存性が大きいことを意味し、一般的に、砥粒の非球形度が高いことを示していると考えられる。砥粒の形状が球形から離れ、例えば凹凸を有するほど、砥粒による機械的研磨の効率は向上する傾向があることから、ΔＣＶの増大により、研磨レートの向上が期待される。ΔＣＶは、より好ましくは１００以上（例えば２５０以上）である。ΔＣＶの上限は、特に限定されず、通常は凡そ５００以下であることが適当であり、好ましくは３５０以下であり得る。ΔＣＶは、上述の方法で測定することができ、具体的には後述の実施例に記載の方法で測定される。
【００２３】
ここに開示される砥粒について、式（１）：ＣＶ３０（％）＝Ｓtdev３０／Ｄave３０×１００；から求められる検出角３０°での変動係数（ＣＶ３０）は特に限定されない。上記式（１）において、Ｓtdev３０は上記のとおりであり、Ｄave３０は、動的散乱法による検出角３０°での散乱強度分布に基づく平均粒子径（Ｄave３０、単位ｎｍ）である。ここでいう平均粒子径（Ｄave３０）とは、体積基準の粒度分布における積算値５０％での粒子径（体積平均粒子径）とする。上記ＣＶ３０は、通常は４０％以上であり、７０％以上であることが適当である。研磨レート等の観点から、上記ＣＶ３０は、好ましくは１４０％以上、より好ましくは２００％以上、さらに好ましくは２５０％以上、特に好ましくは３００％以上である。ＣＶ３０の上限は、特に限定されず、通常は凡そ７００％以下であることが適当であり、好ましくは５００％以下、より好ましくは３５０％以下（例えば３２０％以下）であり得る。ＣＶ３０は、具体的には後述の実施例に記載の方法で測定される。
【００２４】
ここに開示される砥粒について、式（２）：ＣＶ９０（％）＝Ｓtdev９０／Ｄave９０×１００；から求められる検出角９０°における変動係数（ＣＶ９０）は特に限定されない。上記式（２）において、Ｓtdev９０は上記のとおりであり、Ｄave９０は、動的散乱法による検出角９０°での散乱強度分布に基づく平均粒子径（Ｄave９０、単位ｎｍ）である。ここでいう平均粒子径（Ｄave９０）は、体積基準の粒度分布における積算値５０％での粒子径（体積平均粒子径）である。上記ＣＶ９０は、通常は１０％以上であり、２０％以上であることが適当である。研磨レート等の観点から、上記ＣＶ９０は、好ましくは３０％以上、より好ましくは４０％以上、さらに好ましくは５０％以上、特に好ましくは８０％以上（例えば１００％以上）である。ＣＶ９０の上限は、特に限定されず、通常は凡そ２５０％以下であることが適当であり、好ましくは２００％以下、より好ましくは１５０％以下（例えば９０％以下）であり得る。ＣＶ９０は、具体的には後述の実施例に記載の方法で測定される。
【００２５】
ここに開示される砥粒の動的散乱法による平均粒子径は、７０ｎｍ以上であることが好ましい。上記平均粒子径は、研磨レート等の観点から、好ましくは８０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上、さらに好ましくは１２０ｎｍ以上、特に好ましくは１５０ｎｍ以上（典型的には２００ｎｍ以上、例えば２５０ｎｍ以上）である。また、上記平均粒子径は、例えば６００ｎｍ以下であり得る。より高品質な表面を得るという観点から、上記平均粒子径は、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは４５０ｎｍ以下、さらに好ましくは４００ｎｍ以下、特に好ましくは３５０ｎｍ以下（例えば２２０ｎｍ以下）である。ここに開示される技術は、例えば、上記平均粒子径が１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下（より好ましくは１２０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、例えば２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下）の砥粒を用いる態様で好ましく実施され得る。砥粒の動的散乱法による平均粒子径は、上記平均粒子径（Ｄave９０）である。後述の実施例についても同様である。
【００２６】
（砥粒種）
ここに開示される砥粒は、上記Ｓtdev３０が所定の範囲内である限りにおいて、その材質や性状は特に限定されず、研磨用組成物の使用目的や使用態様等に応じて適宜選択することができる。砥粒の例としては、無機粒子、有機粒子、および有機無機複合粒子のいずれも利用可能である。無機粒子の具体例としては、シリカ粒子、アルミナ粒子、酸化セリウム粒子、酸化クロム粒子、二酸化チタン粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化マグネシウム粒子、二酸化マンガン粒子、酸化亜鉛粒子、ベンガラ粒子等の酸化物粒子；窒化ケイ素粒子、窒化ホウ素粒子等の窒化物粒子；炭化ケイ素粒子、炭化ホウ素粒子等の炭化物粒子；ダイヤモンド粒子；炭酸カルシウムや炭酸バリウム等の炭酸塩；等が挙げられる。上記アルミナ粒子としては、α−アルミナ、α−アルミナ以外の中間アルミナおよびこれらの複合物が挙げられる。中間アルミナとは、α−アルミナ以外のアルミナ粒子の総称であり、具体例としてはγ−アルミナ、δ−アルミナ、θ−アルミナ、η−アルミナ、κ−アルミナおよびこれらの複合物が挙げられる。有機粒子の具体例としては、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子やポリ（メタ）アクリル酸粒子（ここで（メタ）アクリル酸とは、アクリル酸およびメタクリル酸を包括的に指す意味である。）、ポリアクリロニトリル粒子等が挙げられる。上記砥粒は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２７】
（シリカ砥粒）
好ましい一態様に係る研磨用組成物はシリカ砥粒を含む。上記シリカ砥粒を構成するシリカ粒子は、シリカを主成分とする各種のシリカ粒子であり得る。ここで、シリカを主成分とするシリカ粒子とは、該粒子の９０重量％以上（通常は９５重量％以上、典型的には９８重量％以上）がシリカである粒子をいう。使用し得るシリカ粒子の例としては、特に限定されないが、コロイダルシリカ、沈降シリカ、ケイ酸ソーダ法シリカ、アルコキシド法シリカ、フュームドシリカ、乾燥シリカ、爆発法シリカ等が挙げられる。使用し得るシリカ粒子の例には、さらに、上記シリカ粒子（すなわち、コロイダルシリカ、沈降シリカ、ケイ酸ソーダ法シリカ、アルコキシド法シリカ、フュームドシリカ、乾燥シリカ、爆発法シリカ等）を原材料として得られたシリカ粒子が挙げられる。そのようなシリカ粒子の例には、上記原材料のシリカ粒子（以下「原料シリカ」ともいう。）に、加温、乾燥、焼成等の熱処理、オートクレーブ処理等の加圧処理、解砕や粉砕（破砕）等の機械的処理、表面改質（例えば、官能基の導入、金属修飾等の化学的修飾）等から選択される１または２以上の処理を適用して得られたシリカ粒子が含まれ得る。シリカ砥粒は、上記のようなシリカ粒子の１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて含むものであり得る。
【００２８】
シリカ粒子としては、例えば、原料シリカに対して熱処理を施して得られたシリカ粒子（以下「熱処理シリカ」ともいう。）、具体的には加温されたシリカ粒子、乾燥されたシリカ粒子、焼成されたシリカ粒子等が挙げられる。ここで、加温されたシリカ粒子とは、典型的には、６０℃以上１１０℃未満の環境下に一定時間以上（例えば１５分以上、典型的には３０分以上）保持する処理を経て得られたシリカ粒子をいう。また、乾燥されたシリカ粒子とは、典型的には、１１０℃以上５００℃未満（好ましくは３００℃以上５００℃未満）の環境下に一定時間以上（例えば１５分以上、典型的には３０分以上）保持する処理を経て得られたシリカ粒子をいう。そして、焼成されたシリカ粒子（以下「焼成シリカ」ともいう。）とは、詳細は後述するが、典型的には、５００℃以上の環境下に一定時間以上（例えば１５分以上、典型的には３０分以上）保持する処理（以下「焼成」ともいう。）を経て得られたシリカ粒子をいう。上述したいずれかの原料シリカ（コロイダルシリカ、沈降シリカ、ケイ酸ソーダ法シリカ、アルコキシド法シリカ、フュームドシリカ、乾燥シリカ、爆発法シリカ等）を熱処理する過程を経て得られたシリカ粒子は、ここでいう熱処理シリカの概念に包含される典型例である。シリカ砥粒が熱処理シリカを含む場合、該シリカ砥粒に含まれる熱処理シリカは、１種であってもよく、製造条件および／または物性の異なる２種以上であってもよい。また、上記シリカ砥粒は、１種または２種以上の熱処理シリカからなる構成であってもよく、熱処理シリカと他のシリカ粒子（すなわち、熱処理されていないシリカ粒子）とを組み合わせて含む構成であってもよい。
【００２９】
ここに開示される技術におけるシリカ砥粒の構成成分として使用し得るシリカ粒子の他の一好適例として、コロイダルシリカが挙げられる。なかでも、ケイ酸ソーダ法シリカやアルコキシド法シリカのように、水相での粒子成長を経て合成されたコロイダルシリカの使用が好ましい。この種のコロイダルシリカを含むシリカ砥粒によると、高い研磨レートと良好な面精度とが好適に達成され得る。ここに開示されるシリカ砥粒がコロイダルシリカを含む場合、該シリカ砥粒に含まれるコロイダルシリカは、１種であってもよく、製造条件および／または物性の異なる２種以上であってもよい。また、上記シリカ砥粒は、１種または２種以上のコロイダルシリカからなる構成であってもよく、コロイダルシリカと他のシリカ粒子（すなわち、コロイダルシリカ以外のシリカ粒子）とを組み合わせて含む構成であってもよい。
【００３０】
コロイダルシリカの粒子形状は特に限定されず、例えば球形であってもよく、非球形であってもよい。非球形の具体例としては、ピーナッツ形状（すなわち、落花生の殻の形状）、繭形状、突起付き形状（例えば金平糖形状）、ラグビーボール形状等が挙げられる。特に限定するものではないが、コロイダルシリカの長径／短径比の平均値（平均アスペクト比）は、好ましくは１．０１以上、さらに好ましくは１．０５以上（例えば１．１以上）である。平均アスペクト比の増大によって、より高い研磨レートが実現され得る。また、コロイダルシリカの平均アスペクト比は、表面粗さ低減等の観点から、好ましくは３．０以下であり、より好ましくは２．０以下、さらに好ましくは１．５以下である。ここに開示される技術は、平均アスペクト比が１．２５未満（例えば１．２０以下、典型的には１．１５未満）のコロイダルシリカを用いる態様でも好ましく実施され得る。
【００３１】
コロイダルシリカの形状（外形）や平均アスペクト比は、例えば次の方法で測定される。具体的には、走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：ＳＥＭ）を用いて、測定対象の砥粒（１種類の砥粒粒子であってもよく、２種類以上の砥粒粒子の混合物であってもよい。）に含まれる１０００個以上の粒子を、１視野内に１００個以上の粒子を含むＳＥＭ画像で観察する。観察倍率は５００００倍とする。上記観察画像中の砥粒粒子について、各々の粒子画像に外接する最小の長方形を描く。そして、各粒子画像に対して描かれた長方形について、その長辺の長さ（長径の値）を短辺の長さ（短径の値）で除した値を長径／短径比（アスペクト比）として算出する。上記所定個数の粒子のアスペクト比を算術平均することにより、平均アスペクト比を求めることができる。上記平均アスペクト比は、一般的な画像解析ソフトウエアを用いて求めることができる。
【００３２】
ここに開示される技術は、研磨用組成物に含まれるシリカ砥粒が、熱処理シリカを単独で含むか、熱処理シリカと他のシリカ粒子とを組み合わせて含む態様で好ましく実施することができる。このようにシリカ砥粒が少なくとも熱処理シリカを含む態様において、シリカ砥粒における熱処理シリカの含有量は、特に限定されない。上記熱処理シリカの含有量は、研磨レートの観点から、シリカ砥粒の１０重量％以上であることが好ましく、より好ましくは２０重量％以上（例えば２５重量％以上）、さらに好ましくは４０重量％以上である。シリカ砥粒における熱処理シリカの含有量の上限は特に限定されず、実質的に１００重量％（典型的には９９重量％以上）であってもよい。各種性能（例えば研磨レート、表面欠陥低減等）のバランスをとる観点から、シリカ砥粒における熱処理シリカの含有量は、９０重量％以下であることが好ましく、より好ましくは８０重量％以下（例えば７５重量％以下）、さらに好ましくは６０重量％以下である。
【００３３】
ここに開示される技術は、研磨用組成物に含まれるシリカ砥粒が、熱処理シリカとコロイダルシリカとを組み合わせて含む態様で好ましく実施することができる。熱処理シリカに加えてコロイダルシリカを用いることにより、より高い面精度が実現され得る。かかる態様において、シリカ砥粒に含まれる熱処理シリカ（シリカ粒子Ａ）の重量（ＷＡ）とコロイダルシリカ（シリカ粒子Ｂ）の重量（ＷＢ）との比（ＷＡ／ＷＢ）は、特に限定されないが、研磨レートの観点から、０．２０以上であることが好ましく、より好ましくは０．３０以上、さらに好ましくは０．５０以上、特に好ましくは１．０以上（例えば１．５以上）である。より高い研磨レートを得る観点から、ＷＡ／ＷＢを１０以上とすることができ、３０以上としてもよい。各種性能（例えば研磨レート、研磨後における研磨対象面の面精度等）のバランスをとる観点からは、ＷＡ／ＷＢは、５０以下（例えば１５以下、典型的には５．０以下）とすることが有利である。
【００３４】
ここに開示される研磨用組成物において、該研磨用組成物に含まれる固形分に占めるシリカ粒子の含有量は、特に限定されない。上記シリカ粒子の含有量は、本発明による効果を発揮しやすくする観点から、上記固形分全体の４０重量％以上であることが好ましく、より好ましくは５０重量％以上、さらに好ましくは６０重量％以上（例えば８０重量％以上）である。あるいは、各種性能（例えば研磨レート、研磨対象面の表面品質等）のバランスをとりやすくする観点から、上記シリカ粒子の含有量は、上記固形分全体の９０重量％以下（例えば８０重量％以下）であってもよい。なお、本明細書において研磨用組成物に含まれる固形分とは、結合水が除去されない程度の温度（例えば６０℃）で研磨用組成物から水分を蒸発させた後の残留分（不揮発分）をいう。
【００３５】
ここに開示される研磨用組成物は、α−アルミナ砥粒を実質的に含まない態様で好ましく実施され得る。かかる研磨用組成物によると、α−アルミナ砥粒の使用に起因する品質低下（例えば、スクラッチや窪みの発生、アルミナの残留等）が防止される。なお、本明細書において、所定の砥粒（例えばα−アルミナ砥粒）を実質的に含まないとは、研磨用組成物に含まれる固形分全量のうち当該砥粒の割合が１重量％以下（より好ましくは０．５重量％以下、典型的には０．１重量％以下）であることをいう。α−アルミナ砥粒の割合が０重量％である研磨用組成物、すなわちα−アルミナ砥粒を含まない研磨用組成物が特に好ましい。また、ここに開示される研磨用組成物は、α−アルミナ砥粒に限らず、アルミナ砥粒を実質的に含まない態様で好ましく実施され得る。
【００３６】
ここに開示される研磨用組成物は、シリカ粒子以外の粒子（非シリカ粒子）を実質的に含まない態様でも好ましく実施され得る。ここで、非シリカ粒子を実質的に含まないとは、研磨用組成物に含まれる固形分全量のうち非シリカ粒子の割合が１重量％以下（より好ましくは０．５重量％以下、典型的には０．１重量％以下）であることをいう。このような態様において、ここに開示される技術の適用効果が好適に発揮され得る。
【００３７】
＜研磨用組成物＞
（水）
ここに開示される研磨用組成物は、典型的には、上述のような砥粒の他に、該砥粒を分散させる水を含有する。水としては、イオン交換水（脱イオン水）、純水、超純水、蒸留水等を好ましく用いることができる。
【００３８】
ここに開示される研磨用組成物（典型的にはスラリー状の組成物）は、例えば、その固形分含量が５ｇ／Ｌ〜３００ｇ／Ｌである形態で好ましく実施され得る。上記固形分含量が１０ｇ／Ｌ〜２００ｇ／Ｌである形態がより好ましい。
【００３９】
（酸）
ここに開示される研磨用組成物は、研磨促進剤として酸を含む態様で好ましく実施され得る。好適に使用され得る酸の例としては、無機酸や有機酸（例えば、炭素原子数が１〜１０程度の有機カルボン酸、有機ホスホン酸、有機スルホン酸、アミノ酸等）が挙げられるが、これらに限定されない。酸は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４０】
無機酸の具体例としては、硝酸、硫酸、塩酸、リン酸、次亜リン酸、ホスホン酸、ホウ
酸、スルファミン酸等が挙げられる。
【００４１】
有機酸の具体例としては、クエン酸、マレイン酸、リンゴ酸、グリコール酸、コハク酸、イタコン酸、マロン酸、イミノ二酢酸、グルコン酸、乳酸、マンデル酸、酒石酸、クロトン酸、ニコチン酸、酢酸、アジピン酸、ギ酸、シュウ酸、プロピオン酸、吉草酸、カプロン酸、カプリル酸、カプリン酸、シクロヘキサンカルボン酸、フェニル酢酸、安息香酸、クロトン酸、メタクリル酸、グルタル酸、フマル酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、グリコール酸、タルトロン酸、グリセリン酸、ヒドロキシ酪酸、ヒドロキシ酢酸、ヒドロキシ安息香酸、サリチル酸、イソクエン酸、メチレンコハク酸、没食子酸、アスコルビン酸、ニトロ酢酸、オキサロ酢酸、グリシン、アラニン、グルタミン酸、アスパラギン酸、バリン、ロイシン、イソロイシン、セリン、トレオニン、システイン、メチオニン、フェニルアラニン、トリプトファン、チロシン、プロリン、シスチン、グルタミン、アスパラギン、リシン、アルギニン、ニコチン酸、ピコリン酸、メチルアシッドホスフェート、エチルアシッドホスフェート、エチルグリコールアシッドホスフェート、イソプロピルアシッドホスフェート、フィチン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１−ジホスホン酸、エタンヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸、α−メチルホスホノコハク酸、アミノポリ（メチレンホスホン酸）、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、アミノエタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、２−ナフタレンスルホン酸等が挙げられる。
【００４２】
研磨効率の観点から好ましい酸として、硝酸、硫酸、リン酸、スルファミン酸、フィチン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、メタンスルホン酸等が例示される。なかでも硝酸、硫酸、リン酸、スルファミン酸、メタンスルホン酸が好ましい。
【００４３】
研磨用組成物中に酸を含む場合、その含有量は特に限定されない。酸の含有量は、通常、１ｇ／Ｌ以上が適当であり、３ｇ／Ｌ以上が好ましく、５ｇ／Ｌ以上がより好ましい。酸の含有量が少なすぎると、研磨レートが不足しやすくなり、実用上好ましくない場合がある。酸の含有量は、通常、２００ｇ／Ｌ以下が適当であり、１００ｇ／Ｌ以下が好ましく、５０ｇ／Ｌ以下（例えば３０ｇ／Ｌ以下）がより好ましい。酸の含有量が多すぎると、研磨対象物の面精度が低下しやすくなり、実用上好ましくない場合がある。
【００４４】
酸は、該酸の塩の形態で用いられてもよい。塩の例としては、上述した無機酸や有機酸の、金属塩（例えば、リチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩）、アンモニウム塩（例えば、テトラメチルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩等の第四級アンモニウム塩）、アルカノールアミン塩（例えば、モノエタノールアミン塩、ジエタノールアミン塩、トリエタノールアミン塩）等が挙げられる。
塩の具体例としては、リン酸三カリウム、リン酸水素二カリウム、リン酸二水素カリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸二水素ナトリウム等のアルカリ金属リン酸塩およびアルカリ金属リン酸水素塩；上記で例示した有機酸のアルカリ金属塩；その他、グルタミン酸二酢酸のアルカリ金属塩、ジエチレントリアミン五酢酸のアルカリ金属塩、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸のアルカリ金属塩、トリエチレンテトラミン六酢酸のアルカリ金属塩；等が挙げられる。これらのアルカリ金属塩におけるアルカリ金属は、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム等であり得る。
【００４５】
ここに開示される研磨用組成物に含まれ得る塩としては、無機酸の塩（例えば、アルカリ金属塩やアンモニウム塩）を好ましく採用し得る。例えば、塩化カリウム、塩化ナトリウム、塩化アンモニウム、硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、硝酸アンモニウム、リン酸カリウム等を好ましく使用し得る。
【００４６】
（酸化剤）
ここに開示される研磨用組成物には、必要に応じて酸化剤を含有させることができる。酸化剤の例としては、過酸化物、硝酸またはその塩、過ヨウ素酸またはその塩、ペルオキソ酸またはその塩、過マンガン酸またはその塩、クロム酸またはその塩、酸素酸またはその塩、金属塩類、硫酸類等が挙げられるが、これらに限定されない。酸化剤は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。酸化剤の具体例としては、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化バリウム、硝酸、硝酸鉄、硝酸アルミニウム、硝酸アンモニウム、ペルオキソ一硫酸、ペルオキソ一硫酸アンモニウム、ペルオキソ一硫酸金属塩、ペルオキソ二硫酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸金属塩、ペルオキソリン酸、ペルオキソ硫酸、ペルオキソホウ酸ナトリウム、過ギ酸、過酢酸、過安息香酸、過フタル酸、次亜臭素酸、次亜ヨウ素酸、塩素酸、臭素酸、ヨウ素酸、過ヨウ素酸、過塩素酸、次亜塩素酸、次亜塩素酸ナトリウム、次亜塩素酸カルシウム、過マンガン酸カリウム、クロム酸金属塩、重クロム酸金属塩、塩化鉄、硫酸鉄、クエン酸鉄、硫酸アンモニウム鉄等が挙げられる。好ましい酸化剤として、過酸化水素、硝酸鉄、過ヨウ素酸、ペルオキソ一硫酸、ペルオキソ二硫酸および硝酸が例示される。少なくとも過酸化水素を含むことが好ましく、過酸化水素からなることがより好ましい。
【００４７】
研磨用組成物中に酸化剤を含む場合、その含有量は、有効成分量基準で１ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、より好ましくは３ｇ／Ｌ以上、さらに好ましくは４ｇ／Ｌ以上である。酸化剤の含有量が少なすぎると、研磨対象物を酸化する速度が遅くなり、研磨レートが低下するため、実用上好ましくない場合がある。また、研磨用組成物中に酸化剤を含む場合、その含有量は、有効成分量基準で３０ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、より好ましくは１５ｇ／Ｌ以下である。酸化剤の含有量が多すぎると、研磨対象物の面精度が低下しやすくなり、実用上好ましくない場合がある。
【００４８】
（塩基性化合物）
研磨用組成物には、必要に応じて塩基性化合物を含有させることができる。ここで塩基性化合物とは、研磨用組成物に添加されることによって該組成物のｐＨを上昇させる機能を有する化合物を指す。塩基性化合物の例としては、アルカリ金属水酸化物、炭酸塩や炭酸水素塩、第四級アンモニウムまたはその塩、アンモニア、アミン、リン酸塩やリン酸水素塩、有機酸塩等が挙げられる。塩基性化合物は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４９】
アルカリ金属水酸化物の具体例としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等が挙げられる。
炭酸塩や炭酸水素塩の具体例としては、炭酸水素アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム等が挙げられる。
第四級アンモニウムまたはその塩の具体例としては、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の水酸化第四級アンモニウム；このような水酸化第四級アンモニウムのアルカリ金属塩（例えばナトリウム塩、カリウム塩）；等が挙げられる。
アミンの具体例としては、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、モノエタノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）エタノールアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、無水ピペラジン、ピペラジン六水和物、１−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−メチルピペラジン、グアニジン、イミダゾールやトリアゾール等のアゾール類、等が挙げられる。
リン酸塩やリン酸水素塩の具体例としては、リン酸三カリウム、リン酸水素二カリウム、リン酸二水素カリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸二水素ナトリウム等のアルカリ金属塩が挙げられる。
有機酸塩の具体例としては、クエン酸カリウム、シュウ酸カリウム、酒石酸カリウム、酒石酸カリウムナトリウム、酒石酸アンモニウム等が挙げられる。
【００５０】
（その他の成分）
ここに開示される研磨用組成物は、本発明の効果が著しく妨げられない範囲で、界面活性剤、水溶性高分子、分散剤、キレート剤、防腐剤、防カビ剤等の、研磨用組成物（例えば、Ｎｉ−Ｐ基板等のような磁気ディスク基板用の研磨用組成物）に使用され得る公知の添加剤を、必要に応じてさらに含有してもよい。
【００５１】
界面活性剤としては、特に限定されず、アニオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、両性界面活性剤のいずれも使用可能である。界面活性剤（典型的には、分子量１×１０４未満の水溶性有機化合物）の使用により、研磨用組成物の分散安定性が向上し得る。界面活性剤は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
アニオン性界面活性剤の具体例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸、ポリオキシエチレンアルキル硫酸エステル、アルキル硫酸エステル、ポリオキシエチレンアルキル硫酸、アルキル硫酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルリン酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルリン酸エステル、ポリオキシエチレンスルホコハク酸、アルキルスルホコハク酸、アルキルナフタレンスルホン酸、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸、ポリアクリル酸、ラウリル硫酸ナトリウム、ラウリル硫酸アンモニウム、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸アンモニウム、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸ナトリウム、およびこれらの塩等が挙げられる。
アニオン性界面活性剤の他の具体例としては、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ベンゼンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等のポリアルキルアリールスルホン酸系化合物；メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等のメラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物；リグニンスルホン酸、変成リグニンスルホン酸等のリグニンスルホン酸系化合物；アミノアリールスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等の芳香族アミノスルホン酸系化合物；その他、ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリイソアミレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸；およびこれらの塩等が挙げられる。塩としては、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩が好ましい。
ノニオン性界面活性剤の具体例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、アルキルアルカノールアミド等が挙げられる。
カチオン性界面活性剤の具体例としては、アルキルトリメチルアンモニウム塩、アルキルジメチルアンモニウム塩、アルキルベンジルジメチルアンモニウム塩、アルキルアミン塩等が挙げられる。
両性界面活性剤の具体例としては、アルキルベタイン、アルキルアミンオキシド等が挙げられる。
【００５２】
界面活性剤を含む態様の研磨用組成物では、界面活性剤の含有量を、例えば０．００５ｇ／Ｌ以上とすることが適当である。上記含有量は、研磨後の表面の平滑性等の観点から、好ましくは０．０１ｇ／Ｌ以上、より好ましくは０．１ｇ／Ｌ以上である。また、研磨レート等の観点から、上記含有量は、１００ｇ／Ｌ以下とすることが適当であり、好ましくは５０ｇ／Ｌ以下、例えば１０ｇ／Ｌ以下である。
【００５３】
ここに開示される研磨用組成物には、水溶性高分子を含有させてもよい。水溶性高分子を含有させることにより、研磨後の面精度が向上し得る。水溶性高分子の例としては、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド等のポリアルキルアリールスルホン酸系化合物；メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等のメラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物；リグニンスルホン酸、変成リグニンスルホン酸等のリグニンスルホン酸系化合物；アミノアリールスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等の芳香族アミノスルホン酸系化合物；その他、ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリイソアミレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸塩、ポリアクリル酸塩、ポリ酢酸ビニル、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリビニルアルコール、ポリグリセリン、ポリビニルピロリドン、イソプレンスルホン酸とアクリル酸の共重合体、ポリビニルピロリドンポリアクリル酸共重合体、ポリビニルピロリドン酢酸ビニル共重合体、ジアリルアミン塩酸塩二酸化硫黄共重合体、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルセルロースの塩、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、プルラン、キトサン、キトサン塩類等が挙げられる。水溶性高分子は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５４】
水溶性高分子を含む態様の研磨用組成物では、研磨液中における該水溶性高分子の含有量（複数の水溶性高分子を含む態様では、それらの合計含有量）を、例えば０．０１ｇ／Ｌ以上とすることが適当である。上記含有量は、研磨後の研磨対象物（例えば磁気ディスク基板）の表面平滑性等の観点から、好ましくは０．０５ｇ／Ｌ以上、より好ましくは０．０８ｇ／Ｌ以上、さらに好ましくは０．１ｇ／Ｌ以上である。また、研磨レート等の観点から、上記含有量は、１０ｇ／Ｌ以下とすることが適当であり、好ましくは５ｇ／Ｌ以下、例えば１ｇ／Ｌ以下である。なお、ここに開示される技術は、研磨用組成物が水溶性高分子を実質的に含まない態様でも好ましく実施され得る。
【００５５】
分散剤の例としては、ポリカルボン酸ナトリウム塩、ポリカルボン酸アンモニウム塩等のポリカルボン酸系分散剤；ナフタレンスルホン酸ナトリウム塩、ナフタレンスルホン酸アンモニウム塩等のナフタレンスルホン酸系分散剤；アルキルスルホン酸系分散剤；ポリリン酸系分散剤；ポリアルキレンポリアミン系分散剤；第四級アンモニウム系分散剤；アルキルポリアミン系分散剤；アルキレンオキサイド系分散剤；多価アルコールエステル系分散剤；等が挙げられる。
【００５６】
キレート剤の例としては、アミノカルボン酸系キレート剤および有機ホスホン酸系キレート剤が挙げられる。アミノカルボン酸系キレート剤の例には、エチレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸、ニトリロ三酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸アンモニウム、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸ナトリウム、ジエチレントリアミン五酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸ナトリウム、トリエチレンテトラミン六酢酸およびトリエチレンテトラミン六酢酸ナトリウムが含まれる。有機ホスホン酸系キレート剤の例には、２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１−ジホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸およびα−メチルホスホノコハク酸が含まれる。これらのうち有機ホスホン酸系キレート剤がより好ましく、なかでも好ましいものとしてエチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）およびジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）が挙げられる。特に好ましいキレート剤として、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）が挙げられる。
【００５７】
防腐剤および防カビ剤の例としては、２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン、５−クロロ−２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン等のイソチアゾリン系防腐剤、パラオキシ安息香酸エステル類、フェノキシエタノール等が挙げられる。
【００５８】
（研磨液）
ここに開示される研磨用組成物は、典型的には該研磨用組成物を含む研磨液の形態で研磨対象物（例えば磁気ディスク基板）に供給されて、該研磨対象物の研磨に用いられる。上記研磨液は、例えば、研磨用組成物を希釈（典型的には、水により希釈）して調製されたものであり得る。あるいは、研磨用組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。すなわち、ここに開示される技術における研磨用組成物の概念には、研磨対象物に供給されて該研磨対象物の研磨に用いられる研磨液（ワーキングスラリー）と、希釈して研磨液として用いられる濃縮液との双方が包含される。このような濃縮液の形態の研磨用組成物は、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から有利である。濃縮倍率は、例えば１．５倍〜５０倍程度とすることができる。濃縮液の貯蔵安定性等の観点から、通常は２倍〜２０倍（典型的には２倍〜１０倍）程度の濃縮倍率が適当である。
【００５９】
研磨液における砥粒の含有量（複数種類の砥粒を含む場合には、それらの合計含有量）は特に制限されないが、典型的には５ｇ／Ｌ以上であり、１０ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、２０ｇ／Ｌ以上であることがより好ましい。砥粒の含有量の増大によって、より高い研磨レートが実現される傾向にある。研磨後の基板の表面平滑性や研磨の安定性の観点から、通常、上記含有量は、２５０ｇ／Ｌ以下が適当であり、好ましくは２００ｇ／Ｌ以下、より好ましくは１５０ｇ／Ｌ以下、さらに好ましくは１００ｇ／Ｌ以下である。
【００６０】
（ｐＨ）
ここに開示される研磨用組成物のｐＨは特に制限されない。研磨用組成物のｐＨは、例えば、ｐＨ１２．０以下（典型的にはｐＨ０．５〜１２．０）とすることができ、ｐＨ１０．０以下（典型的にはｐＨ０．５〜１０．０）としてもよい。好ましい一態様において、研磨用組成物のｐＨは、ｐＨ７．０以下（例えばｐＨ０．５〜７．０）とすることができ、ｐＨ５．０以下（典型的にはｐＨ１．０〜５．０）とすることがより好ましく、ｐＨ４．０以下（例えばｐＨ１．０〜４．０）とすることがさらに好ましい。研磨用組成物のｐＨは、例えばｐＨ３．０以下（典型的にはｐＨ１．０〜３．０、好ましくはｐＨ１．０〜２．０、より好ましくはｐＨ１．０〜１．８）とすることができる。研磨液において上記ｐＨが実現されるように、必要に応じて有機酸、無機酸、塩基性化合物等のｐＨ調整剤を含有させることができる。上記ｐＨは、例えば、Ｎｉ−Ｐ基板等の磁気ディスク基板の研磨用（特に一次研磨用）の研磨用組成物に好ましく適用され得る。
【００６１】
（多剤型研磨用組成物）
なお、ここに開示される研磨用組成物は、一剤型であってもよいし、二剤型を始めとする多剤型であってもよい。例えば、該研磨用組成物の構成成分（典型的には、水以外の成分）のうち一部の成分を含むＡ液と、残りの成分を含むＢ液とが混合されて研磨対象物の研磨に用いられるように構成されていてもよい。好ましい一態様に係る多剤型研磨用組成物は、砥粒を含むＡ液（典型的には、分散剤を含んでもよい砥粒分散液）と、砥粒以外の成分（例えば、酸、水溶性高分子その他の添加剤）を含むＢ液とから構成されている。通常、これらは、使用前は分けて保管されており、使用時（研磨対象基板の研磨時）に混合され得る。混合時には、例えば過酸化水素等の酸化剤がさらに混合され得る。例えば、上記酸化剤（例えば過酸化水素）が水溶液（例えば過酸化水素水）の形態で供給される場合、当該水溶液は、多剤型研磨用組成物を構成するＣ液となり得る。
【００６２】
（用途）
ここに開示される技術の適用対象は特に限定されない。ここに開示される技術は、砥粒を含む研磨用組成物により研磨可能な種々の研磨対象物の研磨や、上記研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨することを含む研磨物の製造に適用することができる。研磨対象物の材質は、シリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン、ステンレス鋼等の金属もしくは半金属またはこれらの合金、およびそれらの材料を使用した半導体配線に使用される薄膜；石英ガラス、アルミノシリケートガラス、ガラス状カーボン等のガラス状物質；アルミナ、シリカ、サファイア、窒化ケイ素、窒化タンタル、炭化チタン等のセラミック材料；炭化ケイ素、窒化ガリウム、ヒ化ガリウム等の化合物半導体基板材料；ポリカーボネート系樹脂、アクリル系樹脂、アリル系樹脂、ウレタン系樹脂、エピチオ系樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂材料；等であり得るが、これらに限定されない。また、これらのうち複数の材質により構成された研磨対象物であってもよい。
【００６３】
ここに開示される研磨用組成物は、例えば、磁気ディスク基板、シリコンウエハ等の半導体基板、レンズや反射ミラー等の光学材料等、高精度な表面が要求される各種研磨対象物を研磨する用途に好ましく使用され得る。例えば、Ｎｉ−Ｐ基板の研磨に好ましく適用され得る。上記基材ディスクは、例えば、アルミニウム合金製、ガラス製、ガラス状カーボン製等であり得る。このような基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層以外の金属層または金属化合物層を備えたディスク基板であってもよい。なかでも、アルミニウム合金製の基材ディスク上にニッケルリンめっき層を有するＮｉ−Ｐ基板用の研磨用組成物として好適である。かかる用途では、ここに開示される技術を適用することが特に有意義である。
【００６４】
ここに開示される研磨用組成物は、仕上げ研磨工程後において高精度な表面が要求される研磨物（例えば磁気ディスク基板）の製造プロセスにおける予備研磨工程のように、面精度を考慮しつつ高い研磨効率が要求される用途において特に有意義に使用され得る。仕上げ研磨工程の前工程として複数の予備研磨工程を有する場合は、いずれの予備研磨工程にも使用可能であり、これらの予備研磨工程において同一のまたは異なる研磨用組成物を用いることができる。ここに開示される研磨用組成物は、例えば、研磨対象物の一次研磨工程（最初のポリシング工程）に用いられる研磨用組成物として好適である。なかでも、Ｎｉ−Ｐ基板の製造プロセスにおいて、ニッケルリンめっき後の最初の研磨工程（一次研磨工程）において好ましく使用され得る。
【００６５】
ここに開示される研磨用組成物は、例えば、Schmitt Measurement System Inc.社製レーザースキャン式表面粗さ計「ＴＭＳ−３０００ＷＲＣ」により測定される表面粗さ（算術平均粗さ（Ｒａ））が２０Å〜３００Å程度の磁気ディスク基板を研磨（典型的には一次研磨）して、該磁気ディスク基板を１０Å以下の表面粗さ（算術平均粗さ（Ｒａ））に調整する用途に好適である。かかる用途では、ここに開示される技術を適用することが特に有意義である。
【００６６】
＜研磨プロセス＞
ここに開示される研磨用組成物は、例えば以下の操作を含む態様で、研磨対象物（例えば磁気ディスク基板）の研磨に好適に使用することができる。以下、ここに開示される研磨用組成物を用いて研磨対象物（典型的には研磨対象基板）を研磨する方法の好適な一態様につき説明する。
すなわち、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を含む研磨液（ワーキングスラリー）を用意する。上記研磨液を用意することには、研磨用組成物に濃度調整（例えば希釈）やｐＨ調整等の操作を加えて研磨液を調製することが含まれ得る。あるいは、研磨用組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。
【００６７】
次いで、その研磨液を研磨対象物に供給し、常法により研磨する。例えば、一般的な研磨装置に研磨対象物をセットし、該研磨装置の研磨パッドを通じて上記研磨対象物の表面（研磨対象面）に研磨液を供給する。典型的には、上記研磨液を連続的に供給しつつ、研磨対象物の表面に研磨パッドを押しつけて両者を相対的に移動（例えば回転移動）させる。かかる研磨工程を経て研磨対象物の研磨が完了する。
【００６８】
上述のような研磨工程は、基板（例えば磁気ディスク基板、典型的にはＮｉ−Ｐ基板）の製造プロセスの一部であり得る。したがって、この明細書によると、上記研磨工程を含む基板の製造方法および研磨方法が提供される。
【００６９】
ここに開示される研磨用組成物は、研磨対象物の予備研磨工程（例えば一次研磨工程）に好ましく使用され得る。この明細書によると、上述したいずれかの研磨用組成物（予備研磨用組成物）を用いて予備研磨を行う工程を含む、研磨物（基板）の製造方法および研磨方法が提供される。上記方法は、ここに開示される研磨用組成物を研磨対象物に供給して研磨対象物を研磨する工程（１）を含む。上記方法は、上記予備研磨工程の後に仕上げ研磨工程を含み得る。仕上げ研磨工程に使用する研磨用組成物（仕上げ研磨用組成物）は特に限定されない。したがって、この明細書により開示される事項には、Ｓtdev３０が所定範囲内の砥粒を含む研磨用組成物で研磨対象物を研磨する工程（１）と、工程（１）で用いられる研磨用組成物とは異なる研磨用組成物で研磨対象物を研磨する工程（２）とをこの順で含む、研磨物（基板）の製造方法および研磨方法が含まれる。上記研磨物の製造方法は、磁気ディスク基板（例えばＮｉ−Ｐ基板）その他の研磨物の製造に好ましく適用され得る。
【００７０】
工程（２）で使用される砥粒としては、特に限定されず、典型的には、工程（１）で用いられる砥粒（工程（２）で使用される砥粒Ａ２と区別する目的で、以下「砥粒Ａ１」という。）として例示した各種砥粒であって砥粒Ａ１とは異なる種類の砥粒Ａ２が用いられる。工程（２）では、工程（１）に用いられる砥粒Ａ１よりも平均アスペクト比が小さい砥粒Ａ２を含む仕上げ研磨用組成物を使用することが好ましい。砥粒Ａ２の平均アスペクト比（長径／短径比の平均値）としては、砥粒Ａ１の平均アスペクト比Ａspect１と砥粒Ａ２の平均アスペクト比Ａspect２との比（Ａspect２／Ａspect１）が１未満（より好ましくは０．９以下、さらに好ましくは０．８以下、例えば０．６以下）のものが好ましく使用される。より具体的には、砥粒Ａ２の平均アスペクト比は、好ましくは１．０１以上、さらに好ましくは１．０５以上（例えば１．１以上）である。平均アスペクト比の増大によって、より高い研磨レートが実現され得る。また、上記平均アスペクト比は、表面粗さ低減等の観点から、好ましくは３．０以下であり、より好ましくは２．０以下、さらに好ましくは１．５以下である。ここに開示される技術は、平均アスペクト比が１．２５未満（例えば１．２０以下、典型的には１．１５未満）の砥粒Ａ２を用いる態様でも好ましく実施され得る。なお、砥粒Ａ２の平均アスペクト比は、上述の砥粒Ａ１の平均アスペクト比と同様の方法で測定することができる。
【００７１】
また、砥粒Ａ２は、表面品質の観点から、上述の方法で測定されるＳtdev３０が３００ｎｍ未満（例えば２００ｎｍ未満、さらには１００ｎｍ未満）であることが好ましい。同様の観点から、砥粒Ａ２は、上述の方法で測定されるΔＣＶが１２０未満（例えば１００未満、典型的には５０未満）であることが好ましい。より好ましい一態様に係る砥粒Ａ２は、上記Ｓtdev３０が３００ｎｍ未満（例えば２００ｎｍ未満、さらには１００ｎｍ未満）であり、かつ上記ΔＣＶが１２０未満（例えば１００未満、典型的には５０未満）である。なお、砥粒Ａ２のＳtdev３０およびΔＣＶは、上述の砥粒Ａ１のＳtdev３０およびΔＣＶとそれぞれ同様の方法で測定することができる。
【００７２】
砥粒Ａ２の好適例としては、コロイダルシリカが挙げられる。コロイダルシリカを用いることにより、面精度の高い研磨物を効率よく製造することができる。砥粒Ａ２として用いられるコロイダルシリカの粒子形状は特に限定されず、例えば球形であってもよく、非球形であってもよいが、球形のコロイダルシリカが好ましく用いられる。
【００７３】
砥粒Ａ２（例えばシリカ砥粒、典型的にはコロイダルシリカ）を含む仕上げ研磨用組成物において、該仕上げ研磨用組成物に含まれる砥粒Ａ２の平均一次粒子径は特に限定されない。仕上げ研磨後における面精度の観点から、仕上げ研磨用組成物に含まれる砥粒Ａ２の平均一次粒子径は、上記予備研磨用組成物に含まれる砥粒Ａ１の平均一次粒子径よりも小さいことが好ましい。仕上げ研磨用組成物に含まれる砥粒Ａ２の平均一次粒子径は、例えば７０ｎｍ以下（典型的には５ｎｍ以上７０ｎｍ未満）とすることができ、６５ｎｍ以下（典型的には５ｎｍ〜６５ｎｍ、例えば１０ｎｍ〜５０ｎｍ）とすることが好ましい。好ましい一態様において、仕上げ研磨用組成物に含まれる砥粒Ａ２の平均一次粒子径は、例えば４０ｎｍ未満（典型的には５ｎｍ以上４０ｎｍ未満）とすることができ、３５ｎｍ以下（典型的には５ｎｍ〜３５ｎｍ、例えば１０ｎｍ〜３０ｎｍ）とすることが好ましい。なお、上記平均一次粒子径とは、ＢＥＴ法に基づいて求められる平均粒子径をいう。比表面積の測定は、例えば、マイクロメリテックス社製の表面積測定装置、商品名「Ｆｌｏｗ  Ｓｏｒｂ  ＩＩ  ２３００」を用いて行うことができる。
【００７４】
砥粒Ａ２（例えばシリカ砥粒、典型的にはコロイダルシリカ）を含む仕上げ研磨用組成物において、砥粒Ａ２の含有量は、仕上げ研磨用組成物に含まれる固形分全体の４０重量％以上であることが好ましく、より好ましくは５０重量％以上、さらに好ましくは６０重量％以上（例えば８０重量％以上）である。
【００７５】
仕上げ研磨用組成物は、典型的には砥粒Ａ２の他に水を含む。その他、仕上げ研磨用組成物には、上述した研磨用組成物と同様の成分（酸、酸化剤、塩基性化合物、各種添加剤等）を必要に応じて含有させることができる。特に限定するものではないが、仕上げ研磨用組成物のｐＨは、例えばｐＨ１２．０以下（典型的にはｐＨ０．５〜１２．０）とすることができ、好ましくはｐＨ７．０以下（例えばｐＨ０．５〜７．０）、より好ましくはｐＨ５．０以下（典型的にはｐＨ１．０〜５．０）、さらに好ましくはｐＨ４．０以下（例えばｐＨ１．０〜４．０）である。好ましい一態様において、仕上げ研磨用組成物のｐＨを３．０以下（典型的にはｐＨ１．０〜３．５、好ましくはｐＨ１．０〜３．０）とすることができる。
【実施例】
【００７６】
以下、本発明に関するいくつかの実施例を説明するが、本発明をかかる実施例に示すものに限定することを意図したものではない。
【００７７】
＜砥粒の粒子特性の測定方法＞
イオン交換水中に砥粒０．１重量％、硫酸０．２重量％、過酸化水素０．２重量％を含む測定用スラリーを用意した。この測定用スラリーを市販の動的光散乱装置（大塚電子社製、型式「ＤＬＳ−８０００」）を用いて、表１に示す条件で、検出角３０°で平均粒子径（Ｄave３０、単位ｎｍ）と、粒子径の標準偏差（Ｓtdev３０、単位ｎｍ）とを測定した。また、下式（１）から、検出角３０°における変動係数（ＣＶ３０）を求めた。
ＣＶ３０（％）＝Ｓtdev３０／Ｄave３０×１００          （１）
また、上記測定用スラリーにつき、検出角を変更し、上記と同様にして、表１に示す条件で検出角９０°での散乱強度分布を測定し、得られたデータに基づき、平均粒子径（Ｄave９０、単位ｎｍ）と、粒子径の標準偏差（Ｓtdev９０、単位ｎｍ）とを求め、下式（２）から、検出角９０°における変動係数（ＣＶ９０）を求めた。
ＣＶ９０（％）＝Ｓtdev９０／Ｄave９０×１００          （２）
さらに、下式（３）から、ΔＣＶを求めた。
ΔＣＶ＝ＣＶ３０−ＣＶ９０          （３）
なお、測定に使用する動的光散乱装置は、上記「ＤＬＳ−８０００」に限定されず、その相当品（例えば、大塚電子社製の型式「ＤＬＳ−６５００」）を使用することができる。また、測定用スラリーには、上記含有成分以外にも少量の添加剤（例えば、０．１重量％以下程度の分散剤）が含まれていてもよい。
【００７８】
【表１】
0006637816.tif 000002
【００７９】
＜例１〜１１＞
［研磨用組成物の調製］
粒子特性の異なる複数種類のシリカ粒子（コロイダルシリカＡ〜Ｇ、熱処理シリカＡ〜Ｂ）を用意した。これらのシリカ粒子を単独でまたは組み合わせて含む砥粒と、リン酸と、３１％過酸化水素水と、脱イオン水とを混合して、砥粒を４５ｇ／Ｌ、リン酸を１２．５ｇ／Ｌ、３１％過酸化水素水を４０ｇ／Ｌの割合で含む例１〜１１の研磨用組成物を調製した。各例に係る研磨用組成物のｐＨは１．５であった。各例で使用した砥粒の種類、粒子特性を表２に示す。
【００８０】
［ディスクの研磨］
各例に係る研磨用組成物をそのまま研磨液に使用して、下記の条件で、研磨対象物の研磨を行った。研磨対象物としては、表面に無電解ニッケルリンめっき層を備えたハードディスク用アルミニウム基板を使用した。上記研磨対象物（研磨対象基板）の直径は３．５インチ（外径約９５ｍｍ、内径約２５ｍｍのドーナツ型）、厚さは１．７５ｍｍであり、研磨前における表面粗さＲａ（Schmitt Measurement System Inc.社製レーザースキャン式表面粗さ計「ＴＭＳ−３０００ＷＲＣ」により測定したニッケルリンめっき層の算術平均粗さ）は１３０Åであった。
【００８１】
（研磨条件）
研磨装置：システム精工社製の両面研磨機、型式「９．５Ｂ−５Ｐ」
研磨パッド：ＦＩＬＷＥＬ社製のポリウレタンパッド、商品名「ＣＲ２００」
研磨対象基板の投入枚数：１５枚（３枚／キャリア  ×５キャリア）
研磨液の供給レート：１３５ｍＬ／分
研磨荷重：１２０ｇ／ｃｍ２
上定盤回転数：２７ｒｐｍ
下定盤回転数：３６ｒｐｍ
サンギヤ（太陽ギヤ）回転数：８ｒｐｍ
研磨量：各基板の両面の合計で約２．２μｍの厚さ
【００８２】
［研磨レート］
各例に係る研磨用組成物を用いて上記研磨条件で研磨対象基板を研磨したときの研磨レートを算出した。研磨レートは、次の計算式に基づいて求めた。結果を表２に示す。
研磨レート［μｍ／ｍｉｎ］＝研磨による基板の重量減少量［ｇ］／（基板の面積［ｃｍ２］×ニッケルリンめっきの密度［ｇ／ｃｍ３］×研磨時間［ｍｉｎ］）×１０４
【００８３】
［ピット］
各例に係る研磨後の基板につき、ＫＬＡ  Ｔｅｎｃｏｒ社（米国）製の「Ｏｐｔｉｆｌａｔ  ＩＩＩ」を使用して、研磨後の基板の中心から半径２０ｍｍ〜４４ｍｍの範囲についてカットオフ値５ｍｍの条件で測定を実施した。測定画像を確認し、測定画面にてピット発生の有無を確認し、ピットの発生が認められなかったものを「○」、ピットの発生が認められたものを「×」と評価した。結果を表２に示す。
【００８４】
【表２】
0006637816.tif 000003
【００８５】
表２に示されるように、Ｓtdev３０が３００〜２０００ｎｍの範囲内である砥粒を使用した例１〜６では、Ｓtdev３０が３００〜２０００ｎｍの範囲外である例７〜１１と比べて、研磨レートが高く、またピットが生じず表面品質も良好であった。この結果から、Ｓtdev３０が３００〜２０００ｎｍの範囲内である砥粒を含む研磨用組成物を使用することにより、表面欠陥の発生を抑制しつつ、高い研磨レートを実現し得ることがわかる。
【００８６】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。