(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内の載置台に基板を載置して処理を行う基板処理装置において、
前記載置台の載置面に対して突没自在に構成され、基板の受け渡しを行うための複数のリフトピンと、
前記リフトピンを昇降させるための駆動部と、
前記載置台に載置された治具から出力される出力信号を検出したときに検出信号を出力する検出部と、
前記検出信号に基づいて前記駆動部を制御する制御部と、を備え、  
前記治具は、前記複数のリフトピンに含まれる第１のリフトピン及び第２のリフトピンの各々が当該治具の下面に接触したときに電気的に閉ループが形成されて出力信号を出力する回路を備え、
前記制御部は、前記載置台に載置された治具の下面に前記第１のリフトピンを接触させるステップと、次いで前記第２のリフトピンを上昇させるステップと、前記検出部から検出信号が出力されたときに第２のリフトピンを停止させるステップと、を実行するように構成され、
前記第１のリフトピンと第２のリフトピンとは少なくとも治具を用いて接触の検出操作を行うときには電気的に互いに接続された状態であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記第２のリフトピンを停止させるステップの後、当該第２のリフトピンを予め設定した設定量だけ下降させ、下降したときの高さ位置を記憶部に記憶するステップを実行するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記第２のリフトピンを停止させるステップの後、当該第２のリフトピンを下降させて前記治具の出力信号を停止した状態とするステップと、次に前記検出部から検出信号が出力されるまで、先に行った第２のリフトピンの上昇時の速度よりも遅い速度で当該第２のリフトピンを上昇させるステップと、次いで当該第２のリフトピンを予め設定した設定量だけ下降させ、下降したときの高さ位置を記憶部に記憶するステップと、を実行するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、治具の下面に前記第１のリフトピンを接触させるステップの後、第１のリフトピン以外の第２のリフトピンに相当する複数のリフトピンの各々に対して請求項１ないし３のいずれか一項に記載の操作を順次行うためのステップ群を実行するように構成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記制御部は、治具の下面に前記第２のリフトピンを接触させた状態で、前記第１のリフトピンに対して、前記第２のリフトピンを用いて行ったと同様のステップを実行するように構成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記治具から出力される出力信号は、光信号、音波信号及び電波信号のいずれかであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
第１のリフトピン及び第２のリフトピンの一方を治具に接触させた状態で、他方を予め設定した位置と治具に接触する位置との間の移動距離を測定し、測定した移動距離が閾値を越えているときに当該他方のリフトピンが異常であると判定する異常判定部を備えていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか一項に記載された基板処理装置に用いられるメンテナンス用治具であって、
前記複数のリフトピンに含まれる第１のリフトピン及び第２のリフトピンの各々が当該治具の下面に接触したときに電気的に閉ループが形成されて出力信号を出力する回路を備えたことを特徴とするメンテナンス用治具。
【請求項９】
基板を処理するための処理容器内に基板を載置するために設けられた載置台と、前記載置台の載置面に対して駆動部による昇降により突没自在に構成され、基板の受け渡しを行うための複数のリフトピンと、を備えた基板処理装置をメンテナンスする方法において、
前記複数のリフトピンに含まれる第１のリフトピン及び第２のリフトピンの各々がその下面に接触したときに電気的に閉ループが形成されて出力信号を出力する回路を備えた治具を前記載置台に載置する工程と、
前記載置台に載置された治具の下面に前記第１のリフトピンを接触させる工程と、
次いで前記第２のリフトピンを上昇させ、前記治具から出力される出力信号を検出部が検出したときに第２のリフトピンを停止させる工程と、を含み、
前記第１のリフトピンと第２のリフトピンとは少なくとも治具を用いて接触の検出操作を行うときには電気的に互いに接続された状態であることを特徴とする基板処理装置のメンテナンス方法。
【請求項１０】
前記第２のリフトピンを停止させる工程の後、当該第２のリフトピンを予め設定した設定量だけ下降させ、下降したときの高さ位置を記憶部に記憶する工程を行うことを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置のメンテナンス方法。
【請求項１１】
前記第２のリフトピンを停止させる工程の後、当該第２のリフトピンを下降させて前記治具の出力信号を停止した状態とする工程と、次に前記検出部から検出信号が出力されるまで、先に行った第２のリフトピンの上昇時の速度よりも遅い速度で当該第２のリフトピンを上昇させる工程と、次いで当該第２のリフトピンを予め設定した設定量だけ下降させ、下降したときの高さ位置を記憶部に記憶する工程と、を行うことを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置のメンテナンス方法。
【請求項１２】
前記治具を前記載置台に載置する工程は、基板を搬送するための搬送機構と前記リフトピンとの協働により行われることを特徴とする請求項９ないし１１のいずれか一項に記載の基板処理装置のメンテナンス方法。
【請求項１３】
基板を処理するための処理容器内に基板を載置するために設けられた載置台と、前記載置台の載置面に対して駆動部による昇降により突没自在に構成され、基板の受け渡しを行うための複数のリフトピンと、を備えた基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項９ないし１２のいずれか一項に記載の基板処理装置のメンテナンス方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理容器内の基板の載置台に対して突没自在で、基板の受け渡しを行うための複数のリフトピンを備えた基板処理装置において、リフトピンの高さ位置を検出してメンテナンスを行う技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板に対して例えばエッチング、成膜等の真空処理を行う処理容器内に設けられた基板の載置台には、基板の載置面に対し突没自在な複数のリフトピンが設けられている。載置台と外部の搬送機構との間における基板の受け渡しは、これらのリフトピンを昇降させることによって行われる。リフトピンは、基板に対する処理が行われている間、載置台に形成された貫通孔に収容されている。
【０００３】
一方、ＦＰＤ（Flat Panel Display）用のガラス基板を処理する装置においては、ガラス基板の面内の製品化領域（素子や配線などが設けられる領域）を避けてリフトピンを配置していた。しかしガラス基板は、近年、大型化が進むとともに、その厚みが薄くなる傾向にあり、大型で薄いガラス基板を安定して支持するためには、リフトピンの数を増やすことが得策であることから、今後は、ガラス基板の面内の製品化領域の下方にもリフトピンを配置する必要が生じている。
【０００４】
ところで製品化領域の下方にリフトピンを配置した場合、基板に対する処理が行われている間、リフトピンの位置が高すぎたり低すぎたりして適切でないと、リフトピンが配置される部分に対応する領域の処理条件が異なり、処理ムラが発生する原因となる。従って、リフトピンの位置を正確に把握することは、製品の信頼性を確保する上でも重要であるが、これまで、リフトピンの位置を自動的に把握する手法は確立されておらず、例えばダイヤルゲージなどの計測機器を用いて作業者がリフトピン毎の位置を測定していた。この場合、処理容器を大気に開放しなければならないため、開閉作業に伴う作業者の負担が大きく、作業時間も長く、そして処理容器内を真空引きしなければならないことから、結果として装置のダウンタイムが長期化するという問題が生じていた。さらに、この場合、作業者がリフトピンの位置を測定するときと基板に対して処理が行われるときでは処理容器内の真空度や温度が異なるため、基板に対して処理が行われるときのリフトピンの位置を正しく設定することが困難であった。
【０００５】
特許文献１には、プラズマエッチングする場合に、基板の載置台に形成された昇降ピンの挿通孔に対応する部分でシース領域の電磁界が不均一となって挿通孔の直上のエッチングレートが他の部分と異なってしまうことが記載されている。そしてこの状態を抑制するために、昇降ピンの先端を調整ネジにより基板の裏面から７０〜１３０μｍ下方になるように調整することが記載されているが、本発明を示唆する手法ではない。  
特許文献２には、載置台の３本の支持ピンを上昇させたときに、基板搬送機構に載せられた治具のドーナツ板の中央部を塞ぐ円板が突き上げられ、当該円板がその厚さ以上だけ上昇したときに、円板が載置されていた領域に光路が形成され、これにより支持ピンの上端位置が検知できる技術が記載されている。しかしながらこの技術は載置台のリフトピンの高さ位置を個々に検出することができない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４５９７８９４号公報
【特許文献２】特開２００９−５４９９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、基板の載置台に対して突没自在で、基板の受け渡しを行うための複数のリフトピンを備えた基板処理装置において、リフトピンの高さ位置の検出を速やかに行うことができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、処理容器内の載置台に基板を載置して処理を行う基板処理装置において、
前記載置台の載置面に対して突没自在に構成され、基板の受け渡しを行うための複数のリフトピンと、
前記リフトピンを昇降させるための駆動部と、
前記載置台に載置された治具から出力される出力信号を検出したときに検出信号を出力する検出部と、
前記検出信号に基づいて前記駆動部を制御する制御部と、を備え、  
前記治具は、前記複数のリフトピンに含まれる第１のリフトピン及び第２のリフトピンの各々が当該治具の下面に接触したときに電気的に閉ループが形成されて出力信号を出力する回路を備え、
前記制御部は、前記載置台に載置された治具の下面に前記第１のリフトピンを接触させるステップと、次いで前記第２のリフトピンを上昇させるステップと、前記検出部から検出信号が出力されたときに第２のリフトピンを停止させるステップと、を実行するように構成され、
前記第１のリフトピンと第２のリフトピンとは少なくとも治具を用いて接触の検出操作を行うときには電気的に互いに接続された状態であることを特徴とする。
【０００９】
他の発明は、本発明の基板処理装置に用いられるメンテナンス用治具であって、
複数のリフトピンに含まれる第１のリフトピン及び第２のリフトピンの各々が当該治具の下面に接触したときに電気的に閉ループが形成されて出力信号を出力する回路を備えたことを特徴とする。
【００１０】
更に他の発明は、基板を処理するための処理容器内に基板を載置するために設けられた載置台と、前記載置台の載置面に対して駆動部による昇降により突没自在に構成され、基板の受け渡しを行うための複数のリフトピンと、を備えた基板処理装置をメンテナンスする方法において、
前記複数のリフトピンに含まれる第１のリフトピン及び第２のリフトピンの各々がその下面に接触したときに電気的に閉ループが形成されて出力信号を出力する回路を備えた治具を前記載置台に載置する工程と、
前記載置台に載置された治具の下面に前記第１のリフトピンを接触させる工程と、
次いで前記第２のリフトピンを上昇させ、前記治具から出力される出力信号を検出部が検出したときに第２のリフトピンを停止させる工程と、を含み、
前記第１のリフトピンと第２のリフトピンとは少なくとも治具を用いて接触の検出操作を行うときには電気的に互いに接続された状態であることを特徴とする。
【００１１】
更にまた他の発明は、基板を処理するための処理容器内に基板を載置するために設けられた載置台と、前記載置台の載置面に対して駆動部による昇降により突没自在に構成され、基板の受け渡しを行うための複数のリフトピンと、を備えた基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項９ないし１２のいずれか一項に記載の基板処理装置のメンテナンス方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、治具を載置台に載置し、第１のリフトピンを治具の下面に接触した状態で第２のリフトピンが治具の下面に接触したときに電気的な閉ループが形成されて治具から出力信号が発せられ、この出力信号を検出することでリフトピンの高さ位置を検出している。従ってリフトピンの高さ位置の検出が容易であり、メンテナンスを速やかに行うことができる。そして治具を基板搬送機構を用いて処理容器内に搬入するようにすれば、処理容器を開放することなくメンテナンスを行うことができ、装置のダウンタイムを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の基板処理装置の実施形態を示す縦断面図である。
【図２】本発明の基板処理装置の治具、リフトピン及び制御系を示す構成図である。
【図３】本発明に用いられる治具の一例の内部を示す斜視図である。
【図４】本発明の基板処理装置の実施形態を含む基板処理システムを示す概略平面図である。
【図５】本発明の実施形態におけるリフトピンの高さ位置の調整作業を示すフローチャートである。
【図６】本発明の実施形態におけるリフトピンの高さ位置の調整作業の様子を示す説明図である。
【図７】本発明の実施形態におけるリフトピンの高さ位置の調整作業の様子を示す説明図である。
【図８】本発明の実施形態におけるリフトピンの高さ位置の調整作業の様子を示す説明図である。
【図９】本発明に用いられる治具の他の例を示す斜視図である。
【図１０】本発明に用いられる治具の他の例を示す縦断面図である。
【図１１】本発明の実施形態におけるリフトピンの高さ位置の検出を異常検出に適用した例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明を真空処理装置であるプラズマエッチング装置に適用した実施形態について説明する。プラズマエッチング装置１００は、ＦＰＤ用の矩形の基板Ｇに対してエッチングを行なう容量結合型の平行平板プラズマエッチング装置として構成されている。ＦＰＤとしては、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、エレクトロルミネセンス（Electro  Luminescence ；ＥＬ）ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等が例示される。
【００１５】
プラズマエッチング装置１００は、アルミニウムからなる角筒形状に形成された真空容器である処理容器１を有している。処理容器１の表面は必要に応じて陽極酸化処理（アルマイト処理）されている。処理容器１の底部には、下部電極を兼用し、基板Ｇを載置する載置台２が絶縁体１０を介して設けられている。載置台２は、例えばアルミニウムやステンレス鋼（ＳＵＳ）などの導電性材料からなる本体部２１と、本体部２１の上面に設けられた静電チャック２２とを備えている。本体部２１の上部周縁には全周に亘って段部が形成されており、当該段部の段面よりも上方側には、本体部２１上の基板Ｇを囲むように額縁状のシールドリング２３が設けられている。またシールドリング２３の下方側には、本体部２１を囲むように絶縁リング２４が設けられている。
【００１６】
静電チャック２２は、スイッチ部１１を介して直流電源１２に接続されており、スイッチ部１１をオンすることにより基板Ｇを静電吸着する。従ってこの例では静電チャック２２の表面が基板Ｇの載置面となる。  
載置台２の本体部２１には、プラズマ生成用の高周波電源１３及びバイアス印加用の高周波電源１４が夫々整合器１３ａ及び１４ａを介して接続されている。載置台２の上方には、当該載置台２と対向するようにガス供給部をなすシャワーヘッド３が設けられている。シャワーヘッド３は、上部中央付近に設けられたガス導入ポート３０から導入された処理ガスがガス拡散室３１を介して多数のガス吐出孔３２から載置台２上に処理ガスを供給するように構成されている。ガス導入ポート３０にはガス供給ライン３３を介してガス供給源３４が接続されている。シャワーヘッド３は接地されており、載置台２とともに一対の平行平板電極を構成している。
【００１７】
処理容器１内の４隅に近い底部には、排気管１５が接続され、排気管１５の下流端は、例えば合流されてターボ分子ポンプなどの真空ポンプからなる真空排気機構１６に接続されている。処理容器１の底部に接続された各排気管１５には、図示していないが圧力調整機構及びバルブが設けられている。  
処理容器１の側壁には、基板搬送口を開閉するゲートバルブ１７が設けられている。
【００１８】
載置台２には、外部の基板搬送機構との間で基板の受け渡しを行うために複数のリフトピン４が載置台２の載置面（静電チャック２２の上面）に対して突没自在に設けられている。これらリフトピン４は載置台２及び処理容器１に形成された貫通孔４１内に配置されており、処理容器１の下方側に設けられた駆動部であるサーボモータ５により各々独立して昇降できるように構成されている。５０は貫通孔４１を気密にシールするためのべローズである。リフトピン４の設置数及び配置レイアウトは、基板Ｇの面積や厚さなどに応じて決められ、設置数については例えば数個〜数十個に設定される。図１などにおいては、作図、説明の容易性から、模式的に一断面において配置された３本のリフトピン４を示している。またこれらのリフトピン４は互いに電気的に接続されており、後述の図６〜図８ではこの状態を点線を用いて表している。
【００１９】
プラズマエッチング装置１００は、各部位の動作を制御し、プロセスレシピを読み出す装置制御部６を備えており、この装置制御部６からの指令に基づいてサーボモータ５の駆動が制御される。サーボモータ５は周知であるためその詳細な構成については図示していないが、上記の指令に応じた指令パルスがサーボアンプに入力されて偏差カウンタにて積算され、その積算値(溜まりパルス)に対応する直流電圧でモータが回転され、リフトピン４を昇降駆動する。モータが回転すると、エンコーダによりモータの回転数に比例した帰還パルスがサーボアンプにフィードバックされ、偏差カウンタの溜りパルスを減算していく。
【００２０】
リフトピン４についてメンテナンスを行う時、この例では各リフトピン４の高さ位置を調整するときに治具（メンテナンス用治具）が用いられ、この治具について図２及び図３を参照して説明する。治具７は角型の容器７１を備えており、容器７１は内部が例えば大気雰囲気とされた密閉容器として構成されている。治具７の大きさについては、説明の便宜上模式的に記載しているが、実際は、ゲートバルブ１７により開閉される基板搬送口を治具７が通過できる大きさに設定されている。容器７１の底面部は例えば基板Ｇと同じ大きさの角型の例えば金属からなる導電路プレート７２により構成されている。容器７１の側面及び上面は例えば光透過性材であるアクリル板により構成されている。
【００２１】
導電路プレート７２はリフトピン４の先端が接触する部材であり、載置台２に設けられたリフトピン４のうちの１本が接触する位置に形成された第１の領域Ｐ１の周囲には、当該第１の領域Ｐ１と他の領域である第２の領域Ｐ２とを電気的に絶縁するために絶縁材７３（黒色で塗りつぶした部位）が設けられている。別の言い方をすれば、導電路プレート７２は、導電性プレートの一部に絶縁材７３が設けられたものである。当該実施形態においては、導電性部位及び絶縁材７３を含めて導電路プレート７２と呼ぶものとする。
【００２２】
治具７の容器７１内には、作動回路である点灯回路７４が設けられている。この点灯回路７４は導電線路に直流電源７５、抵抗７６、発光部であるＬＥＤ７７が接続されて構成され、一端及び他端は夫々第１の領域Ｐ１及び第２の領域Ｐ２に接続されている。点灯回路７４は、両端が電気的に接続されると閉ループが形成されてＬＥＤ７７が点灯する。  
図１に戻って、処理容器１の側壁には光透過窓１８が形成され、光透過窓１８の外側には光検出部６０が設けられている。光検出部６０は載置台２に載置された治具７のＬＥＤ７７の発光を検出するためのものであり、ＬＥＤ７７からの光を受光できるように、光検出部６０及び光透過窓１８の位置が設定されている。光検出部としてはエッチングのエンドポイントを検出する検出器や、ＰＥＭＳ（                          ）などを兼用することができる。
【００２３】
装置制御部６はコンピュータから構成され、プロセスレシピを記憶する記憶部６１、リフトピン４のメンテナンスであるリフトピン４の高さ位置の調整を行うための調整プログラムを記憶する記憶部６２、及び作業領域などを含むメモリ６３などを備えている。６４はＣＰＵ、６５はバスである。プロセスレシピは、プラズマエッチング装置１００にてプロセスを行うための手順が記憶されたソフトウエアである。調整プログラムは、リフトピン４の高さ位置の調整を行うための後述の動作を実行するように、光検出部６０からの検出信号の有無の判断やサーボモータ５に対する制御信号の出力などを含むステップ群が組まれている。例えば装置制御部６には後述のシステム制御部３００からプロセスを行うのか、リフトピンの調整を行うのかを決めるモード信号が入力され、プロセスモード信号が入力されたときにはプロセスレシピの読み出しが行われ、調整モード信号が入力されたときには調整プログラムが実行される。  
調整プログラム２１３は、ハードディスク、コンパクトディスク、光磁気ディスク、メモリカード、ＵＳＢメモリなどの記憶媒体から例えば後述のシステム制御部２００を介して装置制御部６内にインストールされる。
【００２４】
以上述べたプラズマエッチング装置１００は、例えば図４に示す基板処理システムに組み込まれている。基板処理システムに関して簡単に説明しておくと、基板Ｇを複数枚収納した搬送容器２０１が搬入出ポート２０２に搬入されると、大気搬送室２０３内の基板搬送機構２０４により搬送容器２０１内の基板Ｇが取り出される。そして基板Ｇは基板搬送機構２０４からロードロック室２０５を介して真空搬送室２０６内の基板搬送機構２０７に受け渡される。真空搬送室２０６には、プラズマエッチング装置１００及びこの例では２個の真空処理装置２０８、２０９が接続されている。真空処理装置２０８、２０９は例えば一方がエッチング後にトリートメント処理を行う装置、他方がトリートメント処理後に成膜処理を行う装置として構成され、連続処理が行われるようになっている。図４中Ｇ１〜Ｇ４はゲートバルブである。なお、基板処理システムは、真空搬送室２０６がプラズマエッチング装置１００に対して専用のものであって、真空処理装置２０８、２０９を備えていない構成であってもよい。図４に符号３００で示す部位はシステム制御部であり、基板搬送機構２０４や２０６などの搬送制御、及び各真空処理装置１００、２０８、２０９に対する指令信号の出力などを行う。
【００２５】
次に上述のプラズマエッチング装置１００について、複数のリフトピン４の各々について高さの位置調整にかかるメンテナンス作業について説明する。治具７の底面は既述のように基板Ｇと同じ大きさであることから、例えば図４に示す基板の搬送容器２０１内に治具７を収納し、この搬送容器２０１を搬入出ポート２０２に載置する。そして基板Ｇと同様に治具７を基板搬送機構２０４→ロードロック室２０５→基板搬送機構２０７→プラズマエッチング装置１００の経路で搬送し、基板搬送機構２０７とリフトピン４との協働により載置台２上に載置する。なお、プラズマエッチング装置１００の処理容器１内は真空雰囲気に維持されている。
【００２６】
図５は、メンテナンス作業の一連の動作を示すフロー図であり、既述のようにしてステップＳ１が実行される。また図６は治具７が載置台２上に載置された状態を示している。この状態において、リフトピン４のうちの１本が治具７の導電路プレート７２の領域Ｐ１の下方に位置することになり、以下の説明では、当該リフトピンを第１のリフトピンと呼び、その他のリフトピンを第２のリフトピンと呼ぶことにする。そして第１のリフトピンについては符号４Ａを割り当て、第２のリフトピンについては、符号４をそのまま割り当て、動作の対象となっているリフトピンについては符号４Ｂを割り当てることとする。
【００２７】
先ず第１のリフトピン４Ａを上昇させて図７に示すように導電路プレート７２の領域Ｐ１に接触させておく（ステップＳ２）。この場合の接触の判断については、例えば次のようにして行うことができる。サーボモータ５に加わる負荷が大きくなると、溜まりパルスのカウント値が増えるため、第１のリフトピン４Ａを駆動するサーボモータ５の溜まりパルスのカウント値を装置制御部６が監視し、カウント値の変動値が一定値を越えたときに接触したと判断される。なお、サーボモータ５のトルク値の変化を検出することで接触を判断するようにしてもよい。さらに、第１のリフトピン４Ａの位置決めは後述するステップＳ１１にて行われるので、例えば予めホーム位置から導電路プレート７２の領域Ｐ１に接触する位置までのおおまかな距離を求めておき、その距離だけ上昇させるようにしてもよい。
【００２８】
続いて第２のリフトピン４のうちの１本のリフトピン４Ｂについてサーボモータ５により速度Ｖ１、例えば１分間に数ｍｍの速度で上昇させる（ステップＳ３）。当該リフトピン４Ｂが図８に示すように、治具７の導電路プレート７２に接触すると、既述のように第１のリフトピン４Ａと第２のリフトピン４Ｂとは電気的に接続されているので、直流電源７５→抵抗７６→ＬＥＤ７７→導電路プレート７２の第１の領域Ｐ１→第１のリフトピン４Ａ→第２のリフトピン４Ｂ→導電路プレート７２の第２の領域Ｐ２→直流電源７５の閉ループが形成される。このためＬＥＤ７７が点灯（発光）し、即ち出力信号に相当する光信号が出力され、この光信号が処理容器１の外の光検出部６０により検出される。そして光検出部６０から検出信号が装置制御部６に出力されると、装置制御部６は第２のリフトピン４Ｂを駆動しているサーボモータ５に停止指令を出力して第２のリフトピン４Ｂが停止する（ステップＳ４）。
【００２９】
しかる後、装置制御部６によりパルス駆動で、数十〜数百パルス分だけサーボモータ５を駆動して第２のリフトピン４Ｂを、ＬＥＤ７７が消えるまで下降させる（ステップＳ５）。続いて装置制御部６によりパルス駆動でサーボモータ５を駆動して第２のリフトピン４Ｂを数パルスずつ上昇させる（ステップＳ６）。既述のように第２のリフトピン４Ｂが導電路プレート７２の領域Ｐ２に接触するとＬＥＤ７７が点灯し、光検出部６０から検出信号が装置制御部６に出力され、装置制御部６からサーボモータ５にさらなる駆動パルス指令が出力されないので第２のリフトピン４Ｂが停止する（ステップＳ７）。
【００３０】
このステップＳ７において第２のリフトピン４Ｂが停止した時の第２のリフトピンの先端は載置台２の載置面の高さ位置に相当する。その後、装置制御部６からの指令に基づいてサーボモータ５が駆動され、第２のリフトピン４Ｂが停止位置から予め設定した距離、即ち載置台２の載置面から予め設定した距離だけ低い位置、例えば例えば５０μｍ程度低い位置に設定される。この位置がプロセス時の第２のリフトピン４Ｂの待機位置である。
【００３１】
装置制御部６においては第２のリフトピン４Ｂの高さ位置は、エンコーダのパルスのカウント値（第２のリフトピン４Ｂが所定位置例えば最下限位置にあるときのカウント値をゼロとしたときのカウント値）で管理される一次元の座標系の座標位置に相当する。従って第２のリフトピン４Ｂの設定位置（待機位置）は、この座標系の座標位置として例えばメモリ６３に記憶される（ステップＳ８）。
【００３２】
こうして第２のリフトピン４の１本について高さ位置の調整が行われた後、他の第２のリフトピン４についても同様の調整作業が行われる（ステップＳ９→ステップＳ３）。そして全ての第２のリフトピン４について調整作業が終了すると、ステップＳ９において「Ｎ」となり、第１のリフトピン４Ａを治具から離すと共に第２のリフトピン４のうちの１本を治具７の導電路プレート７２（第２の領域Ｐ２）に接触させる（ステップＳ１０）。その後、第１のリフトピン４Ａに対して、既述の第２のリフトピン４Ｂに対して行われたと同様の作業（ステップＳ３〜Ｓ８に相当する作業）が実行される（ステップＳ１１）。以上の作業が終了した後、治具７はリフトピン４により載置台２上から持ち上げられ、図４に示す基板搬送機構２０７に受け渡され、搬入時とは逆の動作により搬入出ポート２０２に搬出される。
【００３３】
メンテナンス作業が終了した後は、基板Ｇに対してプラズマエッチング処理が行われる。この処理について簡単に述べておくと、基板Ｇが載置台２の静電チャック２２に静電吸着された状態でシャワーヘッドから処理ガスが供給された後、高周波電源１３の高周波電力により処理ガスがプラズマ化される。そして高周波電源１４により載置台２にバイアス電圧を印加し、プラズマにより基板Ｇに対してエッチングが行われる。エッチングが行われている間は、各リフトピン４は、既述のようにして調整された位置（載置面から例えば５０μｍ程度下方側の位置）に設定される。
【００３４】
上述の実施形態では、治具７を搬入出ポート２０２から基板処理システム内に搬入してプラズマエッチング装置１の載置台２に載置している。そして第１のリフトピン４Ａを治具７の下面に接触させた状態で第２のリフトピン４Ｂが治具の下面に接触したときに治具７のＬＥＤ７７が点灯（発光）し、この発光を検出することでリフトピン４の高さ位置を検出し、この検出に基づいてリフトピン４の高さ位置を調整している。従ってリフトピン４の高さ位置の調整作業を容易に行うことができ、しかも処理容器１を開放することなくメンテナンスを行うことができるので、装置のダウンタイムを抑えることができる。また、処理容器内１を実際に基板Ｇに対して処理が行われるときと同じ状態でリフトピン４の高さ位置を調整することができる。即ち、処理容器１内を真空雰囲気としたまま例えば基板Ｇの処理時と同じ圧力あるいはそれに近い圧力で、更には載置台２の温度を基板の処理時と同じ温度あるいはそれに近い温度でリフトピン４の高さ位置を調整することができる。このため、基板に対して処理が行われるときのリフトピンの位置を高い精度で設定することができる。
【００３５】
上述の実施形態では、第２のリフトピン４Ｂを速く上昇させて治具７に接触させた後、一旦僅かに下げ、その後緩やかに上昇させて再度治具７に接触させ、その接触位置を載置面と認識してこの載置面から所定距離だけ低い位置に設定している。第２のリフトピン４Ｂを速く上昇させた場合には治具７に接触した後、オーバシュートを起こすおそれがあることから、上述実施形態の手法（第２のリフトピン４Ｂと治具７との接触を２回行う手法）は、載置面を高精度に検出できかつ作業全体を速やかに行うことができる利点がある。しかし例えば第２のリフトピン４Ｂを初めから遅い速度で上昇させるなどに手法により、第２のリフトピン４Ｂと治具７との接触は１回だけにするようにしてもよい。  
また上述の実施形態では、載置面よりも下方側に所定距離だけ低い位置をリフトピン４のプロセス位置（待機位置）としているが、載置面の位置をプロセス位置としてもよく、この場合はリフトピン４が治具７に接触した位置がプロセス位置となる。
【００３６】
ここで、本発明者の知見では、プロセスが高温、例えば２００℃以上で行われる場合には、リフトピン４の位置の調整作業時における載置台２の温度をプロセス温度となるように設定しておくことが好ましいことを把握している。好ましい理由は、リフトピン４の位置（高さ位置）について調整時とプロセス時との間の変動が抑えられることによる。例えば載置台２とリフトピン４とは材料が互いに異なるため、両者の熱膨張率が異なり、常温でリフトピン４の高さを調整したとしても、プロセス温度まで加熱されると、載置面とリフトピン４との相対的高さに誤差が発生する。このため、調整作業時における載置台２の温度は、例えば載置台２に設けられた温調機構などによりプロセス温度に対して例えば±５０℃の範囲に設定しておくことが好ましく、±５℃以内であればなお好ましい。しかしながら載置台２を常温の状態で調整作業を行ってもよい。
【００３７】
図９は治具７の他の例における底面部を示している。この治具７は、底部が絶縁材からなる絶縁板７００により構成されており、第１のリフトピン４に対応する領域Ｐ１０が導電性部材により構成されている。また第２のリフトピン４（第１のリフトピン４以外の全てのリフトピン４）に対応する領域Ｐ２０についても導電性部材により構成され、各領域Ｐ２０は例えば絶縁板７００の表面に形成された導電路７０１により電気的に接続されている。そして点灯回路７４の両端が、導電路７０１に設けられた端子部７０２と領域Ｐ１０とに夫々接続されている。なお、図９において、治具７の側面部、上面部は省略してある。  
このような治具７であっても、第１のリフトピン４を治具７に接触させた状態で、第２のリフトピン４を治具７に接触させるとＬＥＤ７７が点灯し、同様の効果が得られる。
【００３８】
また図１０は治具の更に他の例を示している。この治具７は、底面部の下面における各リフトピン４に対応する位置に、貫通孔４１内に入り込むように突出部７０３が設けられている。突出部７０３の突出量ｄは、例えばリフトピン４を調整すべき位置と載置面との距離に対応する寸法、例えば５０μｍに設定されている。この場合にはリフトピン４を上昇させて治具７に接触した位置（例えば既述の実施形態のように２回接触させる）が設定位置となる。
【００３９】
治具７については、上述の例では容器７１内の雰囲気を大気雰囲気としているが、真空雰囲気としてもよい。  
またリフトピン４が治具７に接触した時に治具から出力される出力信号は、音波信号例えば超音波信号であってよく、この場合にはＬＥＤ７７に代えて超音波素子が用いられると共に例えば処理容器１の外に超音波検出器を設けてこの検出信号によりサーボモータ５が制御される。  
更にまた前記出力信号は、電波信号であってもよく、この場合には点灯回路に代えて発振回路が用いられ、発振回路に接続されたアンテナから所定の周波数の周波数信号が出力される。この周波数信号を検出部で検出し、サーボモータ５が制御される。  
なお前記出力信号は、例えばＬＥＤが点灯状態から消灯状態になる、あるいは点灯の照度が変化するなど、状態変化信号である場合も含む。  
また治具７は、例えば２本のリフトピンを１組として各組みごとに点灯回路などを設ける構成としてもよく、この場合であっても同様の効果が得られる。
【００４０】
本発明では、治具を用いてリフトピン７の位置を調整することに限らず、リフトピン４の消耗や損傷などの異常を検出することもできる。この手法について図１１を参照しながら説明する。ステップＫ１、Ｋ２は既述のステップＳ１、Ｓ２に相当し、先ず第１のリフトピン４Ａを治具７に接触させておく。そして第２のリフトピン４のうちの１本である第２のリフトピン４Ｂを最下方位置に設定し（ステップＫ３）、そこからＬＥＤ７７が点灯するまで上昇させる（ステップＫ４）。装置制御部６は、最下方位置から、光検出部６０より検出信号を受け取るまでの間のサーボモータ５のエンコーダのパルス数をカウントし、そのカウント値が閾値を越えているか否かを、即ち第２のリフトピン４Ｂの移動量が閾値を越えているか否かを判断する（ステップＫ５）。移動量が閾値を越えていれば当該第２のリフトピン４Ｂについて異常と判定し（ステップＫ６）、閾値を越えていなければ他の第２のリフトピン４について同様の作業が行われる（ステップＫ７のＹＥＳのループ）。
【００４１】
そして第２のリフトピン４の全てについて検査を終了すると、次に第１のリフトピン４Ａを最下方位置に設定し、第２のリフトピン４のうちの１本を治具７に接触させる（ステップＫ８）。その後、第２のリフトピン４について行ったと同様の作業を行って第１のリフトピン４Ａについて異常か否かを判定する（ステップＫ９〜Ｋ１１）。リフトピン４について異常と判断されたときには、装置制御部６において異常となったリフトピン４が記憶され、図示しない表示部にそのリフトピン４が（例えばリフトピンの番号あるいは位置）が表示される。その後、当該リフトピン４は交換されることになる。  
なお、この異常検出は、リフトピン４を治具７に接触した位置から所定位置例えば最下方位置まで下降させた時の下降量を移動量として閾値と比較しても同様の効果が得られる。
【００４２】
以上において、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。  
上述の実施形態では、リフトピン４を昇降させる駆動部としてサーボモータを利用しているが、これに限らず例えばステッピングモータを使用することもできる。例えば既述のステップＳ３（図５参照）において、サーボモータを利用する場合には例えば１分間に数ｍｍの速度で上昇するようにコントロールされていたが、ステッピングモータを利用する場合には、例えば数ｍｍの上昇量に対応するパルス分だけステッピングモータを駆動する動作が、ＬＥＤ７７の点灯を確認するまで繰り返される。
また例えば上述実施形態では、本発明を平行平板型プラズマエッチング装置に適用した例について説明したが、これに限らず、誘導結合型等の他のプラズマ生成手段を用いたものであってもよい。更にまた本発明の基板処理装置は、プラズマエッチングに限らず、プラズマアッシング、プラズマＣＶＤ等の他のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に適用可能である。さらにまた本発明の基板処理装置は、プラズマ処理装置に限らず、基板を載置台に載置して処理する基板処理装置全般に適用可能である。上述の実施形態では、載置台に静電チャック２２を設ける装置について説明したが、基板への処理内容によっては静電チャック２２を省略することもできる。  
また、上述実施形態ではＦＰＤ用のガラス基板に適用した例について説明したが、本発明はこれに限らず、半導体基板等、他の基板に適用可能である。
【符号の説明】
【００４３】
１００        プラズマエッチング装置
１            処理容器
１８          光透過窓
２            載置台
２１          本体部
２２          静電チャック
３            シャワーヘッド
４            リフトピン
４Ａ          第１のリフトピン
４Ｂ          第２のリフトピン
５            サーボモータ
６            装置制御部
６０          光検出部
７            治具
７１          容器
７２          導電路プレート
７３          絶縁材
７７          ＬＥＤ
Ｓ１          第１の領域
Ｓ２          第２の領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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