(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁石ブロックと、
可動鉄片と、前記可動鉄片の両側のうち、少なくとも片側に並設され、かつ、前記可動鉄片に連動する可動接触片と、を備え、前記電磁石ブロックの励磁，消磁に基づいて回動する可動ブロックと、
前記可動接触片の両端にそれぞれ設けた第１，第２可動接点が交互に接離する第１，第２固定接点を、備えたリレー本体と、
前記リレー本体を被覆する形状を備えたシールド体と、
を有する高周波リレーであって、
前記第１固定接点を設けた第１固定接点端子の第１接点部と前記シールド体との対向面積が、
前記第２固定接点を設けた第２固定接点端子の第２接点部と前記シールド体との対向面積よりも大きい場合に、
前記第２接点部と前記シールド体との対向距離が前記第１接点部と前記シールド体との対向距離よりも小さい第１段差部を、前記シールド体に設けたことを特徴とする高周波リレー。
【請求項２】
前記可動接触片の回動中心となるヒンジ部と前記第１段差部との間に、前記第１段差部よりも一段高い第２段差部を、設けたことを特徴とする請求項１に記載の高周波リレー。
【請求項３】
前記第２段差部が、前記ヒンジ部から前記第２接点部までを被覆する平面形状を有していることを特徴とする請求項２に記載の高周波リレー。
【請求項４】
前記第１段差部が、前記第２固定接点を設けた前記第２接点部を被覆する平面形状を有していることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の高周波リレー。
【請求項５】
前記シールド体が少なくとも１枚の金属板で形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の高周波リレー。
【請求項６】
前記シールド体が、樹脂製箱形カバーの内向面に形成した金属メッキ膜であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の高周波リレー。
【請求項７】
前記シールド体が、金属製箱形カバーであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の高周波リレー。
【請求項８】
前記可動ブロックが、前記可動鉄片と前記可動接触片とを一体成形した形状を有することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の高周波リレー。
【請求項９】
板状ベースに箱形カバーを嵌合した形成した内部空間に、前記リレー本体および前記シールド体を、配置した構造を有することを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の高周波リレー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高周波リレー、特に、高周波信号の漏れが少ない高周波リレーに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、高周波リレーとしては、例えば、特許文献１の図２７に示すように、リレー本体１ａと、前記リレー本体１ａを覆う金属製のカバー３４とで構成されたものがある。前記リレー本体１ａは、特許文献１の図８に示すように、鉄心２ａにコイル２ｂを巻回した電磁石部２と、接点部３とで構成されている。前記接点部３は、可動接点部４と、前記可動接点部４の両側にそれぞれ設けられたメーク固定接点部５およびブレーク固定接点部６と、を有している。前記可動接点部４は、永久磁石４ａと、接極子４ｂと、可動ばね４ｃとで形成されている。前記可動ばね４ｃは、その両端にメーク可動接点４ｄおよびブレーク可動接点４ｅを設けてある。
一方、前記メーク固定接点部５は、前記メーク可動接点４ｄに接離可能に対向するメーク固定接点５ａと、メーク端子５ｂとで形成されている。また、前記ブレーク固定接点部６は、前記ブレーク可動接点４ｅに接離可能に対向するブレーク固定接点６ａと、ブレーク端子６ｂとで形成されている。
そして、前記コイル２ｂに電圧を印加して前記可動接点部４を回動させると、前記メーク可動接点４ｄおよびブレーク可動接点４ｅが、メーク固定接点５ａおよびブレーク固定接点６ａに交互に接離する。
また、前述のようなリレー本体１ａでは、インピーダンスを調整するため、カバー３４の天井面を一様に上下動させることにより、高さ調整を行うことが考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１３２７７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前記リレー本体１ａでは、前記メーク固定接点５ａを設けたメーク端子５ｂの接点部と前記カバー３４との対向面積と、前記ブレーク固定接点６ａを設けたブレーク端子６ｂの接点部と前記カバー３４との対向面積とが、異なっている場合がある。このような場合に、天井面が平坦な前記カバー３４を一様に上下動させ、対向面間距離を調整しても、インピーダンスは一様に変化するだけである。このため、インピーダンスのばらつきを縮小できず、高周波信号の漏れを効果的に減少させることができないという問題点がある。
本発明は、前記問題点に鑑み、インピーダンスのばらつきを小さくすることにより、高周波信号の漏れが少なく、優れた高周波特性を有する高周波リレーを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る高周波リレーは、前記課題を解決すべく、
電磁石ブロックと、
可動鉄片と、前記可動鉄片の両側のうち、少なくとも片側に並設され、かつ、前記可動鉄片に連動する可動接触片と、を備え、前記電磁石ブロックの励磁，消磁に基づいて回動する可動ブロックと、
前記可動接触片の両端にそれぞれ設けた第１，第２可動接点が交互に接離する第１，第２固定接点を、備えたリレー本体と、
前記リレー本体を被覆する形状を備えたシールド体と、
を有する高周波リレーであって、
前記第１固定接点を設けた第１固定接点端子の第１接点部と前記シールド体との対向面積が、
前記第２固定接点を設けた第２固定接点端子の第２接点部と前記シールド体との対向面積よりも大きい場合に、
前記第２接点部と前記シールド体との対向距離が前記第１接点部と前記シールド体との対向距離よりも小さい第１段差部を、前記シールド体に設けた構成としてある。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、第２接点部との対向距離が小さい第１段差部を、前記シールド体に設けてある。このため、第１段差部周辺のキャパシタンスが大きくなるので、インピーダンスが低下する。この結果、第１固定接点周辺のインピーダンスと第２固定接点周辺のインピーダンスとの差が縮小し、高周波信号が漏れにくくなり、高周波特性に優れた高周波リレーが得られる。
【０００７】
本発明の実施形態としては、前記可動接触片の回動中心となるヒンジ部と前記第１段差部との間に、前記第１段差部よりも一段高い第２段差部を、設けておいてもよい。
本実施形態によれば、可動接触片の中間部と前記可動接触片の一端部との間に存在するインピーダンスの差が、より一層縮小する。このため、高周波信号の漏れがより一層減少し、高周波特性に優れた高周波リレーが得られる。
【０００８】
本発明の他の実施形態としては、前記第２段差部が、前記ヒンジ部から前記第２接点部までを被覆する平面形状を有していてもよい。
本実施形態によれば、第２段差部を設けることにより、ヒンジ部から第２接点部までの間のキャパシタンスが大きくなり、インピーダンスが低下する。このため、第１固定接点周辺のインピーダンスと第２固定接点周辺のインピーダンスとの差が縮小し、高周波信号が漏れにくくなり、高周波特性に優れた高周波リレーが得られる。
【０００９】
本発明の別の実施形態としては、前記第１段差部が、前記第２固定接点を設けた前記第２接点部を被覆する平面形状を有していてもよい。
本実施形態によれば、第１段差部と第２固定接点を設けた第２接点部との間のキャパシタンスが大きくなり、インピーダンスが低下する。このため、第１固定接点周辺のインピーダンスと第２固定接点周辺のインピーダンスとの差が縮小し、高周波信号が漏れにくくなり、高周波特性に優れた高周波リレーが得られる。
【００１０】
本発明の異なる実施形態としては、前記シールド体を少なくとも１枚の金属板で形成しておいてもよい。
本実施形態によれば、シールド体を少なくとも１枚の金属板で形成してある。このため、第１固定接点周辺のインピーダンスと第２固定接点のインピーダンスとの差がより一層、縮小し、高周波信号の漏れが減少し、高周波特性に優れた高周波リレーが得られる。
【００１１】
本発明の他の実施形態としては、前記シールド体が、樹脂製箱形カバーの内向面に形成した金属メッキ膜であってもよい。
本実施形態によれば、部品点数，組立工数が少なく、生産性の高い高周波リレーが得られる。
【００１２】
本発明の別の実施形態としては、前記シールド体が、金属製箱形カバーであってもよい。
本実施形態によれば、部品点数，組立工数が少なく、生産性の高い高周波リレーが得られる。
【００１３】
本発明の異なる実施形態としては、前記可動ブロックが、前記可動鉄片と前記可動接触片とを一体成形した形状を有していてもよい。
本実施形態によれば、部品点数，組立工数が少なく、生産性が向上する。また、組立誤差が小さくなり、部品精度が向上するので、優れた動作特性を高周波リレーが得られる。
【００１４】
本発明の他の実施形態としては、樹脂製板状ベースに樹脂製箱形カバーを嵌合した形成した内部空間に、前記リレー本体および前記シールド体を、配置してもよい。
本実施形態によれば、リレー本体が樹脂製ハウジング内に収納されるので、密閉性の高い高周波リレーが得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係る高周波リレーの第１実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１に示した高周波リレーの分解斜視図である。
【図３】図１で示した高周波リレーの異なる視点から見た分解斜視図である。
【図４】図１の高周波リレーから箱形カバーを除いた状態を示す斜視図である。
【図５】図２で示した高周波リレーのＸ−Ｚ軸に沿って切断した断面図である。
【図６】図４で示した高周波リレーからシールドケース，板状ベースを除いた状態を示す斜視図である。
【図７】図６で示した高周波リレーから可動ブロックの一部を除いた状態を示す斜視図である。
【図８】図７で示した高周波リレーから箱形ベースおよび電磁石ブロックを除いた状態を示す斜視図である。
【図９】図２で示したシールドケースの斜視図である。
【図１０】図９で示したシールドケースのＸ−Ｚ軸に沿って切断した断面図である。
【図１１】図９で示したシールドケースのＹ−Ｚ軸に沿って切断した断面図である。
【図１２】図９で示したシールドケースの要部斜視図である。
【図１３】本発明に係る高周波リレーの要部斜視図である。
【図１４】本発明に係る高周波リレーの動作前を示す概略図である。
【図１５】本発明に係る高周波リレーの動作途中を示す概略図である。
【図１６】本発明に係る高周波リレーの第２実施形態の箱形カバーを示す斜視図である。
【図１７】図１６に示した箱形カバーのＸ−Ｚ軸に沿って切断した断面図である。
【図１８】本発明に係る高周波リレーの第３実施形態の箱形カバーを示す斜視図である。
【図１９】図１８に示した箱形カバーのＸ−Ｚ軸に沿って切断した断面図である。
【図２０】本発明に係る高周波リレーの第４実施形態の箱形カバーを示す斜視図である。
【図２１】図２０に示した箱形カバーのＸ−Ｚ軸に沿って切断した断面図である。
【図２２】第１実施形態に準じた高周波リレーの常開固定接点および常閉固定接点をオンしたときの両端部におけるインピーダンスを示すグラフ図である。
【図２３】第１実施形態に準じた高周波リレーの常開固定接点および常閉固定接点をオンしたときの中央部におけるインピーダンスを示すグラフ図である。
【図２４】比較例に係る高周波リレーの常開固定接点および常閉固定接点をオンしたときの両端部におけるインピーダンスを示すグラフ図である。
【図２５】比較例に係る高周波リレーの常開固定接点および常閉固定接点をオンしたときの中央部におけるインピーダンスを示すグラフ図である。
【図２６】第１実施形態に即した高周波リレーの固定接点におけるリターンロスを示すグラフ図である。
【図２７】第１実施形態に即した高周波リレーの固定接点におけるインサーションロスを示すグラフ図である。
【図２８】比較例に係る高周波リレーの固定接点におけるリターンロスを示すグラフ図である。
【図２９】比較例に係る高周波リレーの固定接点におけるインサーションロスを示すグラフ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明に係る高周波リレーの実施形態を図１ないし図２１の添付図面に従って説明する。
第１実施形態に係る高周波リレーは、図１ないし図１５に示すように、板状ベース１０と、リレー本体２０と、シールドケース５０と、箱形カバー６０と、で構成されている。
【００１７】
前記板状ベース１０は、図２に示すように、平面長方形の樹脂成形板である。そして、前記板状ベース１０は、図３に示すように、その底面の外周縁部に沿って環状の浅溝１１を形成してある。そして、前記板状ベース１０は、前記浅溝１１の対向する長辺の内側縁部に、端子孔１２，切り欠き部１３を一直線上にそれぞれ設けてある。また、前記板状ベース１０は、前記浅溝１１の対向する長辺の外側縁部に、長孔１４を所定のピッチで一直線上にそれぞれ設けてある（図３）。
【００１８】
前記リレー本体２０は、箱形ベース２１の中央に電磁石ブロック２２（図５）を一体成形したものである。そして、前記電磁石ブロック２２の上面に可動ブロック３０を回動可能に支持してある。また、前記箱形ベース２１は、対向する長辺縁部に沿って接点機構部４０をそれぞれ配置してある。
【００１９】
前記電磁石ブロック２２は、図５に示すように、断面コ字形状の鉄芯２３の両端部にスプール２４，２４をそれぞれ一体成形してある。そして、前記スプール２４，２４から磁極部２３ａ，２３ｂがＺ１方向に向いてそれぞれ露出している。また、前記鉄芯２３にはコイル２５が巻回されている。前記コイル２５は、前記スプール２４にインサート成形された中継端子２６（図８）に絡げて半田付けされている。そして、前記中継端子２６にコイル端子２７を電気接続することにより、前記コイル２５は前記コイル端子２７に電気接続されている。前記コイル端子２７は、Ｚ２方向に端子部２７ａを延在している。
【００２０】
前記可動ブロック３０は、図６に示すように、短冊状の可動鉄片３１と、前記可動鉄片３１を間にして平行に並設した一対の可動接触片３３，３３と、を一体成形したものである。前記可動鉄片３１の下面には永久磁石３２を配置してある（図５）。
なお、本実施形態では、前記可動鉄片３１の両側に一対の可動接触片３３，３３を平行にそれぞれ並設する場合について説明したが、必ずしもこれに限らない。例えば、前記可動鉄片３１の片側だけに１本の可動接触片３３を平行に並設してもよい。
【００２１】
前記可動接触片３３は、図１３に示すように、Ｘ２方向の端部にスリットをＸ１−Ｘ２方向に沿って設けることにより、２分割された常閉分割片３４，３４を有している。前記常閉分割片３４，３４は、Ｚ２方向を向いた下向き面に常閉可動接点３５，３５をそれぞれ固着してある。
同様に、前記可動接触片３３は、Ｘ１方向の端部にスリットをＸ１−Ｘ２方向に沿って設けることにより、２分割された常開分割片３６，３６を有している。前記常開分割片３６，３６は、Ｚ２方向を向いた下向き面に常開可動接点３７，３７をそれぞれ固着してある。
また、前記可動接触片３３は、その中央部から平面Ｔ字形状のヒンジ部３８をＹ１−Ｙ２方向に沿って外側に延在している。
【００２２】
前記接点機構部４０は、箱形ベース２１にインサート成形された常閉固定接点端子４１、共通端子４４および常開固定接点端子４６で構成されている。前記常閉固定接点端子４１は、その上端に設けた常閉接点部４２に常閉固定接点４３を固定してある。前記共通端子４４は、その上端に接続舌片４５を設けてある。そして、前記常開固定接点端子４６は、その上端に設けた常開接点部４７に常開固定接点４８を固定してある。このため、前記箱形ベース２１の上面の両側縁部に沿って、常閉接点部４２、接続舌片４５および常開接点部４７が露出している（図６，７）。
また、常閉固定接点端子４１、共通端子４４および常開固定接点端子４６は、Ｚ２方向に延在する端子部４１ａ，４４ａ，４６ａを有している。
【００２３】
そして、前記箱形ベース２１の上面縁部から露出する共通端子４４の接続舌片４５に、可動ブロック３０のヒンジ部３８をそれぞれ固着一体化する。これにより、前記可動ブロック３０が電磁石ブロック２２上で回動可能に支持される。特に、前記接続舌片４５は、常閉固定接点４３に近付くにつれて低くなるように傾斜している（図１４）。このため、前記接続舌片４５に可動ブロック３０のヒンジ部３８を溶接一体化することにより、可動ブロック３０も傾斜する。この結果、常閉可動接点３５が常閉固定接点４３に所定の接点圧で接触する。特に、前記永久磁石３２の磁力線に基づいて磁気回路が形成されるので、自己復帰型の高周波リレーが得られる。
【００２４】
前記シールドケース５０は、図９ないし図１２に示すように、前記リレー本体２０全体を被覆可能な箱形状を有している。特に、前記シールドケース５０は、図９および図１０に示すように、１枚の金属板から平面部５１、左側面部５５および右側面部５６を一体成形してあるとともに、別体の金属板で正面部５７および背面部５８を形成してある。
【００２５】
前記平面部５１は、図１２に示すように、その左側縁部から略中央に向け、かつ、両側縁部に沿って第１段差部５２および第２段差部５３を、Ｘ１−Ｘ２方向に沿って切り出してある。なお、第１段差部５２および第１段差部５２の間には、左側面部５５からＺ１方向に延在する略逆Ｌ字形状の支持部５５ｂを設けてある。また、第２段差部５３と第２段差部５３との間には、遮蔽舌片５４がＸ１方向に向けて延在している。
特に、前記第１段差部５２は、常開接点部４７を被覆する平面形状を有している。また、前記第２段差部５３は、前記ヒンジ部３８から常開接点部４７までを被覆する平面形状を有している。
【００２６】
前記第１段差部５２と前記第２段差部５３とは、前記平面部５１に必ずしも連続一体化している必要はない。
例えば、前記第１段差部５２と、第２段差部５３とは不連続とする。そして、前記第１段差部５２が左側面部５５に連続一体化している一方、前記第２段差部５３が平面部５１に連続一体化していてもよい。
また、連続一体化した前記第１段差部５２と前記第２段差部５３とが、左側面部５５に一体化している一方、平面部５１と不連続となっていてもよい。
さらに、連続一体化した前記第１段差部５２と前記第２段差部５３とが、平面部５１に連続一体化している一方、左側面部５５と不連続になっていてもよい。
【００２７】
前記左側面部５５および前記右側面部５６は、図１２に示すように、その両側縁部から一対の端子部５５ａ，５６ａをＺ２方向に向けて延在している。
【００２８】
前記正面部５７および背面部５８は、図９および図１０に示すように、その下方縁部から端子部５７ａ，５８ａを所定のピッチでＺ２方向に向けて延在している。さらに、前記正面部５７および背面部５８は、その下方縁部から位置決めリブ５７ｂ，５８ｂを所定のピッチでＺ２方向に向けて延在している。また、前記正面部５７および背面部５８は、内向面から突出するように位置決め突部５７ｃ，５８ｃを突き出し加工で形成してある。
【００２９】
前記シールドケース５０は、前述ように複数枚の金属板を組み合わせて形成してもよい。また、前記シールドケース５０は、１枚の金属板からプレス加工で一体成形してもよい。さらに、前記シールドケース５０は、例えば、ＭＩＤ(Molded Interconnect Device)工法、あるいは、ＭＩＭ(Metal Injection Molding)工法で形成してもよい。
【００３０】
前記箱形カバー６０は、図２に示すように、前記板状ベース１０を被覆可能な平面形状を有し、上面片隅にガス抜き孔６１を設けてある。また、前記箱形カバー６０は、図３に示すように、その内周面に位置規制リブ６２をＺ１，Ｚ２方向に沿って突設してある。
【００３１】
前述の構成部材からなる高周波リレーの組立方法について説明する。
まず、図２に示すように、板状ベース１０の端子孔１２にリレー本体２０の端子部２７ａ，４１ａ，４４ａ，４６ａをそれぞれ挿入し、位置決めする。
そして、前記板状ベース１０の切り欠き部１３，１３にシールドケース５０の端子部５５ａ，５６ａをそれぞれ挿入する。これと同時に、前記板状ベース１０の端子孔１２にシールドケース５０の端子部５７ａ，５８ａを挿入する。ついで、前記板状ベース１０の長孔１４（図３）に前記シールドケース５０の位置決めリブ５７ｂ，５８ｂをそれぞれ挿入する。このとき、正面部５７の位置決め突部５７ｃおよび背面部５８の位置決め突部５８ｃが、リレー本体２０の外周面に当接するので、正確に位置決めできる。
ついで、前記板状ベース１０に箱形カバー６０を被せる。このとき、シールドケース５０の支持部５５ｂが箱形カバー６０の隅部に当接して位置決めする。また、箱形カバー６０の位置規制リブ６２が、シールドケース５０の外周面に当接して位置決めする。そして、前記板状ベース１０の環状の浅溝１１にシール材（図示せず）を注入，固化して密封する。ついで、前記箱形カバー６０のガス抜き孔６１から内部空気を吸引した後、前記ガス抜き孔６１を熱溶着して封止する。
【００３２】
本実施形態では、図１３に示すように、前記常閉固定接点４３を設けた常閉接点部４２と前記シールドケース５０との対向面積は、前記常開固定接点４８を設けた常開接点部４７と前記シールドケース５０との対向面積よりも大きい。
しかし、前記常開接点部４７と前記シールドケース５０との対向距離が、前記常閉接点部４２と前記シールドケース５０との対向距離よりも小さくなるように、第１段差部５２を前記シールドケース５０に設けてある。このため、第１段差部５２と常開接点部４７との間のキャパシタンスが大きくなり、第１段差部５２と常開接点部４７とのインピーダンスが小さくなる。この結果、常開接点部４７を含む領域のインピーダンスと、常閉接点部４２を含む領域のインピーダンスとの差が小さくなり、高周波信号の漏れが生じにくくなる。
【００３３】
次に、前記高周波リレーの使用方法について説明する。
図１４に示すように、接続舌片４５が常閉固定接点４３側に傾斜していることから、可動ブロック３０も常閉固定接点４３側に傾いている。このため、コイル２５に電圧が印加されていない場合には、常閉可動接点３５が常閉固定接点４３に所定の接点圧で接触している。さらに、永久磁石３２の磁力によって可動鉄片３１の一端部３１ａが鉄芯２３の磁極部２３ａに吸着している（図５）。
【００３４】
そして、図５において、前記可動ブロック３０が反時計回りに回動するように前記コイル２５に電圧を印加する。これにより、可動ブロック３０が反時計回りに回動し、可動鉄片３１の一端部３１ａが鉄芯２３の磁極部２３ａから開離し、ついで、常閉可動接点３５が常閉固定接点４３から開離する。そして、常開可動接点３７が常開固定接点４８に接触した後、可動鉄片３１の他端部３１ｂが鉄芯２３の磁極部２３ｂに吸着する。
【００３５】
ついで、前記コイル２５への電圧の印加を停止すると、可動接触片３３のヒンジ部３８の捩じり力で可動ブロック３０が逆回転する。このため、可動鉄片３１の他端部３１ｂが鉄芯２３の磁極部２３ｂから開離した後、常開可動接点３７が常開固定接点４８から開離する。そして、常閉可動接点３５が常閉固定接点４３に接触した後、可動鉄片３１の一端部３１ａが鉄芯２３の磁極部２３ａに吸着し、元の状態に復帰する。
【００３６】
なお、前述の実施形態では、プリント基板のスルーホールに端子部を挿入して電気接続する高周波リレーを説明した。しかし、プリント基板に表面実装で電気接続する端子部を備えた高周波リレーに適用してもよいことは勿論である。
【００３７】
前述の実施形態では、箱形ベースに収納した電磁石ブロックの上面に、可動鉄片を回動可能に支持した高周波リレーについて説明したが、必ずしもこれに限らない。例えば、ベースと電磁石ブロックとの間に、可動鉄片を回動可能に支持する。そして、電磁石ブロックの励磁，消磁に基づいて回動する可動鉄片で、接点機構を駆動する高周波リレーに適用してもよい。特に、接点機構を構成する可動接触片は回動するものに限らず、往復移動することにより、接点を開閉するものであってもよい。
【００３８】
第２実施形態は、図１６および図１７に示すように、プリント基板に表面実装する高周波リレーに適用した場合であり、シールドケースと箱形カバーとを兼用している。
すなわち、均一の肉厚を有する箱形カバー６０の天井面に、第１段差部６３および第２段差部６４を形成してある。また、前記箱形カバー６０の外周面の開口側の縁部から端子部６５をＹ１−Ｙ２方向に沿って所定のピッチで突出している。そして、前記箱形カバー６０の対向する開口縁部に沿って所定のピッチで、図示しない高周波リレーの端子部を配置する切り欠き部６６を所定のピッチで形成してある。
そして、前記箱形カバー６０の内向面および前記端子部６５の底面には、例えば、ＭＩＤ(Molded Interconnect Device)工法で、金属メッキ膜６７が連続するように設けてある。
本実施形態によれば、部品点数，組立工数が少なく、生産性の高い高周波リレーが得られる。
他は前述の第１実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【００３９】
第３実施形態は、図１８および図１９に示すように、第２実施形態と同様、プリント基板に表面実装する高周波リレーに適用した場合であり、シールドケースと箱形カバーとを兼用している。
すなわち、均一の肉厚を有する箱形カバー６０の天井面に、第１段差部６３および第２段差部６４を形成してある。また、前記箱形カバー６０の外周面の開口側の縁部から端子部６５がＹ１−Ｙ２方向に所定のピッチで突出している。さらに、前記箱形カバー６０の対向する開口縁部に沿って所定のピッチで、図示しない高周波リレーの端子部を配置する切り欠き部６６を形成してある。
そして、前記箱形カバー６０は、例えば、ＭＩＭ(Metal Injection Molding)工法で形成してもよい。
本実施形態によれば、部品点数，組立工数が少なく、生産性の高い高周波リレーが得られる。
【００４０】
第４実施形態は、図２０および図２１に示すように、箱形カバー６０の天井面の内側に第１段差部６８および第２段差部６９を設けた場合である。
すなわち、箱形カバー６０の天井面に、第１段差部６８および第２段差部６９を形成してある。また、前記箱形カバー６０の外周面の開口側の縁部から端子部６５がＹ１−Ｙ２方向に沿って所定のピッチで突出している。さらに、前記箱形カバー６０の対向する開口縁部に沿って所定のピッチで、図示しない高周波リレーの端子部を配置するための切り欠き部６６を形成してある。
そして、前記箱形カバーは、例えば、ＭＩＤ(Molded Interconnect Device)工法で内周面に金属メッキ膜（図示せず）を形成してもよく、あるいは、ＭＩＭ(Metal Injection Molding)工法で形成してもよい。
本実施形態によれば、部品点数，組立工数が少なくなり、生産性の高い高周波リレーが得られる。
【実施例１】
【００４１】
実施形態１に準じた高周波リレーについて、常閉固定接点，常開固定接点周辺におけるインピーダンスおよびヒンジ部周辺におけるインピーダンスを解析した。
解析条件としては、常閉固定接点を設けた常閉接点部とシールドケースとの対向面間距離を一定とした。そして、常開固定接点を設けた常開接点部とシールドケースの第１段差部との対向面間距離を変化させた場合に、常閉固定接点および常開固定接点を配置した位置におけるインピーダンス、および、可動接触片のヒンジ部を設けた位置におけるインピーダンスの変化をそれぞれ解析した。
なお、第１段差部は可動接触片の中央部から常開接点端子の常開接点部を被覆するように延在した形状であり、第２段差部は設けられていない。また、常閉固定接点，常開固定接点については、接点閉成（オン）時のインピーダンスを基準とした。解析結果を図２２および図２３に示す。
【比較例１】
【００４２】
シールドケースに第１段差を設けず、平面部が平坦である点を除き、他は前述の実施例１と同一の条件でインピーダンスを解析した。
解析結果を図２４および図２５に示す。
【００４３】
比較例１の解析結果を示す図２４によれば、常閉固定接点を配置した領域のインピーダンスと、常開固定接点を配置した領域のインピーダンスとの差が大きく、高周波信号が漏れやすいことが判った。これに対し、実施例１の解析結果を示す図２２によれば、常閉固定接点を配置した領域のインピーダンスと、常開固定接点を配置した領域のインピーダンスとの差が比較例１よりも小さく、高周波信号が漏れにくいことが判った。
【００４４】
また、比較例１の解析結果を示す図２５は、可動接触片の中央部に位置する領域のインピーダンスを解析した場合である。常閉固定接点および常開固定接点の閉成時におけるインピーダンスの差が大きく、高周波信号が漏れやすいことが判った。
これに対し、実施例１の解析結果を示す図２３によれば、常閉固定接点と常開固定接点との間のインピーダンスの差が、比較例１よりも縮小している。このため、実施例１は比較例１よりも、高周波信号の漏れが少ないことが判った。
【００４５】
以上の解析結果より、シールドケースの平面部に第１段差部を設ければ、インピーダンスの差が小さくなり、高周波信号が漏れにくいことが判った。
【実施例２】
【００４６】
実施形態１に即した高周波リレーのリターンロスとインサーションロスとを測定した。測定結果を図２６および図２７に示す。
【比較例２】
【００４７】
シールドケースに第１，第２段差を設けない点を除き、他は前述の実施例２と同一の条件で、高周波リレーのリターンロスとインサーションロスとを測定した。測定結果を図２８および図２９に示す。
【００４８】
比較例２の測定結果を示す図２８によれば、常閉固定接点と常開固定接点とのリターンロスが、基準値である１０ｄＢを周波数５ＧＨｚで上回っている。これに対し、実施例２の測定結果を示す図２６によれば、常閉固定接点と常開固定接点とのリターンロスが、基準値である１０ｄＢを周波数９ＧＨｚで上回っている。このため、実施例２は比較例２よりも、リターンロスにおいて優れていることが判った。
【００４９】
比較例２の測定結果を示す図２９によれば、常閉固定接点と常開固定接点とのインサーションロスが、基準値である１ｄＢを周波数５ＧＨｚで下回っている。これに対し、実施例２の測定結果を示す図２７によれば、常閉固定接点と常開固定接点とのインサーションロスが、基準値である１ｄＢを周波数８．５ＧＨｚで下回っている。このため、実施例２は比較例２よりも、インサーションロスにおいて優れていることが判った。
【００５０】
以上の測定結果から、シールドケースの平面部に第１，第２段差部を設けることにより、リターンロスおよびインサーションロスのいずれをも改善できることを確認できた。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
前述の実施形態では、自己復帰型の高周波リレーに適用する場合について説明したが、自己保持型の高周波リレーに適用してもよいことは勿論である。
【符号の説明】
【００５２】
１０  板状ベース
１１  浅溝
１２  端子孔
１３  切り欠き部
１４  長孔
２０  リレー本体
２１  箱形ベース
２２  電磁石ブロック
２３  鉄芯
２３ａ，２３ｂ  磁極部
２４  スプール
２５  コイル
２６  中継端子
２７  コイル端子
３０  可動ブロック
３１  可動鉄片
３２  永久磁石
３３  可動接触片
３４  常閉分割片
３５  常閉可動接点（第１可動接点）
３６  常開分割片
３７  常開可動接点（第２可動接点）
３８  ヒンジ部
４１  常閉固定接点端子（第１固定接点端子）
４２  常閉接点部（第１接点部）
４３  常閉固定接点（第１固定接点）
４４  共通端子
４５  接続舌片
４６  常開固定接点端子（第２固定接点端子）
４７  常開接点部（第２接点部）
４８  常開固定接点（第２固定接点）
５０  シールドケース（シールド体）
５１  平面部
５２  第１段差部
５３  第２段差部
５４  遮蔽舌片
５５  左側面部
５５ａ  端子部
５６  右側面部
５６ａ  端子部
５７  正面部
５７ａ  端子部
５８  背面部
５８ａ  端子部
６０  箱形カバー
６１  ガス抜き孔
６２  位置規制リブ
６３  第１段差部
６４  第２段差部
６５  端子部
６６  切り欠き部
６７  金属メッキ膜
６８  第１段差部
６９  第２段差部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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