(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
４層以上の絶縁基材に導体パターンを形成する工程と、
プリプレグ層を介して前記導体パターン同士が対向する状態で、前記絶縁基材を一括積層して積層体を形成する工程と、
前記積層体を加熱加圧する工程と、
を備え、
前記プリプレグ層のうち最外層のプリプレグ層の両面に接する前記導体パターンは、前記絶縁基材および前記プリプレグ層の積層方向から見て同一位置で重なる部分を有し、
前記加熱加圧前の状態で、前記最外層のプリプレグ層の厚みを、前記最外層以外のプリプレグ層である内層のプリプレグ層の厚みより厚くしておくことを特徴とする多層基板の製造方法。
【請求項２】
４層以上の絶縁基材と、前記絶縁基材に形成された導体パターンと、前記絶縁基材同士の接合層である複数のプリプレグ層と、を有し、
前記導体パターンは、前記複数のプリプレグ層のうち最外層のプリプレグ層の両面に接する、前記絶縁基材の面にそれぞれ形成されていて、
前記最外層のプリプレグ層の厚みは、前記最外層以外のプリプレグ層である内層のプリプレグ層の厚みより厚く、
前記最外層のプリプレグ層の両面に接する前記導体パターンは、前記絶縁基材および前記プリプレグ層の積層方向から見て同一位置で重なる部分を有する、
多層基板。
【請求項３】
前記プリプレグ層に接する前記導体パターンは、前記絶縁基材および前記プリプレグ層の積層方向にコイル軸を有するコイルを構成する、請求項２に記載の多層基板。
【請求項４】
前記プリプレグ層の比誘電率は前記絶縁基材の比誘電率よりも小さい、請求項２または３に記載の多層基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体パターンが形成された絶縁基材が積層されて構成される多層基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリプレグの硬化物で形成された絶縁層を介して複数種の回路基板が積層された多層プリント配線板が特許文献１に示されている。この特許文献１には、プリプレグから形成される層毎の絶縁層の厚みがほぼ一定な多層プリント配線板を得るために、同一基材で樹脂量の異なる二種類以上のプリプレグを用いること、また、隣接する回路基板の間に介在させるプリプレグに関して、そのプリプレグが接触する回路基板の回路を埋めるために必要な樹脂量を考慮することが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２１２８２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に示されているように、回路基板がプリプレグ層を介して積層された多層基板においては、プリプレグ層は回路形成基板（基材）よりも加熱加圧時に変形しやすい。そのため、多層基板製造時の一括積層時のプリプレグ層の厚み変動は制御し難い。【０００５】
本発明の発明者等は、上記多層基板製造時の一括積層時に、積層体の表面付近で応力が加わりやすく、積層体の最外層のプリプレグ層が薄くなって、対向する導体パターン間で短絡が発生するおそれがあることを見出した。その例については、発明を実施するための形態の中で比較例として示す。【０００６】
本発明の目的は、プリプレグ層の不均一な厚み変動による、導体パターン同士の短絡等の悪影響を抑制した多層基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明の多層基板の製造方法は、
４層以上の絶縁基材に導体パターンを形成する工程と、
前記絶縁基材を、プリプレグ層を介して前記導体パターン同士が対向し、かつ前記プリプレグ層を挟んで対向する前記導体パターンが前記絶縁基材および前記プリプレグ層の積層方向から見て同一位置で重なる部分を有する状態で一括積層して積層体を形成する工程と、
前記積層体を加熱加圧する工程と、
を備え、
前記加熱加圧前の状態で、前記複数のプリプレグ層のうち、最外層のプリプレグ層の厚みを、それ以外のプリプレグ層の厚みより厚くしておくことを特徴とする。
【０００８】
上記製造方法によれば、積層体の加熱加圧時に最外層のプリプレグ層の厚みが薄くなり過ぎることがなく、導体パターン同士の短絡等が防止される。【０００９】
（２）本発明の多層基板は、
４層以上の絶縁基材と、前記絶縁基材に形成された導体パターンと、前記絶縁基材同士の接合層である複数のプリプレグ層と、を有し、
前記導体パターンは、前記複数のプリプレグ層のうち最外層のプリプレグ層の両面に接する、前記絶縁基材の面に形成されていて、
前記複数のプリプレグ層のうち、最外層のプリプレグ層の厚みは、前記最外層以外のプリプレグ層である内層のプリプレグ層の厚みより厚く、
前記最外層のプリプレグ層の両面に接する前記導体パターンは、前記最外層のプリプレグ層を挟んで対向し、
前記内層のプリプレグ層の両面に接する前記導体パターンは、前記内層のプリプレグ層を挟んで対向し、
前記最外層のプリプレグ層を挟んで対向する導体パターンと、前記内層のプリプレグ層を挟んで対向する導体パターンとは、前記絶縁基材および前記プリプレグ層の積層方向から見て同一位置で重なる部分を有する、ことを特徴とする。
【００１０】
上記構成により、最外層のプリプレグ層の厚みが薄くなり過ぎることがなく、導体パターン同士の短絡等が防止される。【００１１】
また、この構造の多層基板においては、プリプレグ層の薄層化にともない、導体パターン同士が近接しやすいが、最外層のプリプレグ層の薄層化が効果的に回避されて、導体パターン同士の短絡等が防止される。
【００１２】
（３）前記プリプレグ層に接する前記導体パターンは、例えば前記絶縁基材および前記プリプレグ層の積層方向にコイル軸を有するコイルを構成する。これにより、導体パターン間の積層間隔が狭くなりやすいヘリカル状のコイルでありながら、導体パターン同士の短絡等が防止される。
【００１３】
（４）前記プリプレグ層の比誘電率は前記絶縁基材の比誘電率よりも小さいことが好ましい。このことにより、プリプレグ層の厚み変動によって導体パターンの積層間距離が変動しても、その導体パターンの積層間距離変動に対する、導体パターン間に生じる容量の変化は小さい。そのため、電気的特性のばらつきの少ない部品（多層基板）が得られる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、プリプレグ層の不均一な厚み変動による悪影響が抑制された多層基板が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は第１の実施形態に係る多層基板の積層前の断面図である。
【図２】図２は、第１の実施形態に係る多層基板の各絶縁基材に形成された導体パターンの平面図である。
【図３】図３は第１の実施形態に係る多層基板１０１の断面図である。
【図４】図４は第２の実施形態に係る多層基板の積層前の断面図である。
【図５】図５は第２の実施形態に係る多層基板１０２の断面図である。
【図６】図６は比較例に係る多層基板の積層前の断面図である。
【図７】図７（Ａ）、図７（Ｂ）は比較例に係る多層基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係る多層基板の積層前の断面図である。図２は、各絶縁基材に形成された導体パターンの平面図である。図３は本実施形態に係る多層基板１０１の断面図である。
【００１７】
多層基板１０１は、絶縁基材１１，１２，１３，１４と、プリプレグ層３１，３２，３３を有する。絶縁基材１１の下面には導体パターン２１Ｕａ，２１Ｕｂ、上面には導体パターン２１Ｔがそれぞれ形成されている。絶縁基材１２の下面には導体パターン２２Ｕ、上面には導体パターン２２Ｔがそれぞれ形成されている。絶縁基材１３の下面には導体パターン２３Ｕ、上面には導体パターン２３Ｔがそれぞれ形成されている。また、絶縁基材１４の下面には導体パターン２４Ｕが形成されている。
【００１８】
図２に表れているように、絶縁基材１１には、下面の導体パターン２１Ｕｂと上面の導体パターン２１Ｔとを層間接続するビアホールＶ１が形成されている。また、絶縁基材１２には、下面の導体パターン２２Ｕと上面の導体パターン２２Ｔとを層間接続するビアホールＶ３が形成されていて、絶縁基材１３には、下面の導体パターン２３Ｕと上面の導体パターン２３Ｔとを層間接続するビアホールＶ５が形成されている。
【００１９】
図２にはプリプレグ層を図示していないが、プリプレグ層３１にはビアホールＶ２、プリプレグ層３２にはビアホールＶ４、プリプレグ層３３にはビアホールＶ６がそれぞれ形成されている。また、絶縁基材１３，１２，１１、プリプレグ層３３，３２，３１にはビアホールＶ７がそれぞれ形成されている。
【００２０】
図１に表れているように、複数のプリプレグ層３１，３２，３３のうち最外層のプリプレグ層の両面に導体パターンが接する。この例では、最外層のプリプレグ層３１に導体パターン２１Ｔ，２２Ｕが接し、もう一つの最外層のプリプレグ層３３に導体パターン２３Ｔ，２４Ｕが接する。そして、複数のプリプレグ層３１，３２，３３のうち、最外層のプリプレグ層３１，３３の厚みは、それ以外のプリプレグ層３２の厚みより厚い。
【００２１】
本実施形態の多層基板１０１の製造方法は次のとおりである。
【００２２】
［導体パターン形成工程］
例えばＦＲ−４（Flame Retardant Type 4）タイプの絶縁基材１１，１２，１３，１４に例えばＣｕ箔を貼付し、このＣｕ箔をフォトリソグラフィによりパターンニングすることで導体パターンをそれぞれ形成する。また、絶縁基材１１，１２，１３にビアホールＶ１，Ｖ３，Ｖ５，Ｖ７を形成する。さらに、プリプレグ層３１，３２，３３にビアホールＶ２，Ｖ４，Ｖ６，Ｖ７を形成する。
【００２３】
なお、図１、図２、図３では、一単位のコイル部について図示したが、実際には、複数の素子形成部を含む集合基板状態で各工程の処理がなされ（大判プロセスによって製造され）、最後に個片に分離される。
【００２４】
［積層工程］
図１に示すように、絶縁基材１１，１２，１３，１４を、プリプレグ層３１，３２，３３を介して導体パターン同士が対向する状態で積層して積層体を形成する。プリプレグ層３１，３２，３３は例えばフッ素樹脂を含む熱硬化性接着剤である。絶縁基材１１，１２，１３，１４の比誘電率が３．０以上４．０以下であるのに対し、プリプレグ層３１，３２，３３の比誘電率は２．０以上２．５以下、と低い。
【００２５】
［加熱加圧工程］
上記積層体を、例えば１５０℃以上３００℃未満の温度範囲で加熱し、４ＭＰａ以上１０ＭＰａ未満の圧力で加圧する。
【００２６】
上記加熱加圧工程前の状態で、複数のプリプレグ層３１，３２，３３のうち、最外層のプリプレグ層３１，３３の厚みを、プリプレグ層３２の厚みより厚くしておく。このことにより、上記加熱加圧工程の後、図３に示すように、最外層のプリプレグ層３１，３３の厚みは、内層のプリプレグ層３２の厚みより薄くなることがなく、プリプレグ層の不均一な厚み変動による悪影響が抑制された多層基板が得られる。
【００２７】
仮に、全てのプリプレグ層を予め厚くしておくと、多層基板の厚み寸法が大きくなってしまう。また、積層体全体が厚くなり、加熱加圧時の流動性が不必要に大きくなって、積層体内における導体パターンの位置のばらつきが大きくなってしまう。
【００２８】
上記絶縁基材１１の下面に形成された導体パターン２１Ｕａ，２１Ｕｂは端子電極であり、導体パターン２１Ｕｂ→ビアホールＶ１→導体パターン２１Ｔ→ビアホールＶ２→導体パターン２２Ｕ→ビアホールＶ３→導体パターン２２Ｔ→ビアホールＶ４→導体パターン２３Ｕ→ビアホールＶ５→導体パターン２３Ｔ→ビアホールＶ６→導体パターン２４Ｕ→ビアホールＶ７→導体パターン２１Ｕａの経路で１つの矩形ヘリカル状コイルが構成されている。
【００２９】
ここで、比較例の多層基板について、図６、図７（Ａ）、図７（Ｂ）を参照して示す。図６は比較例に係る多層基板の積層前の断面図である。図７（Ａ）、図７（Ｂ）は比較例に係る多層基板の断面図である。図１に示した本実施形態の多層基板とは異なり、加熱加圧前のプリプレグ層３１，３２，３３の厚み寸法は等しい。図６に示した絶縁基材１１，１２，１３，１４およびプリプレグ層３１，３２，３３を積層し、加熱加圧したとき、特に最外層のプリプレグが先に加熱され流動するので、プリプレグ層３１，３３の厚み寸法は条件によって変動しやすい。図７（Ａ）に示す例では導体パターン同士の短絡は生じていないが、図７（Ｂ）に示す例では、導体パターン２３Ｔと導体パターン２４Ｕとが短絡している。
【００３０】
このように、従来の多層基板およびその製造方法では、プリプレグ層の不均一な厚み変動によって、導体パターン間の積層方向の間隔がばらつきやすく、導体パターン同士の短絡等が生じるおそれがある。これに対し、本実施形態によれば、既に示したとおり、最外層のプリプレグ層３１，３３の厚みは、プリプレグ層３２の厚みより薄くなることがなく、プリプレグ層の不均一な厚み変動による悪影響が抑制された多層基板が得られる。
【００３１】
本実施形態によれば、上記作用効果以外に次のような作用効果を奏する。導体パターン間の積層間隔が狭くなりやすいヘリカル状のコイルでありながら、すなわち、導体パターンの平面視での重なり部に応力集中が起こりやすい導体パターンを備えながら、導体パターン同士の短絡等が防止される。また、プリプレグ層３１，３２，３３の比誘電率は絶縁基材１１，１２，１３，１４の比誘電率よりも小さいので、プリプレグ層の厚み変動による導体パターンの積層間距離変動に対する、導体パターン間に生じる容量の変化は小さい。そのため、電気的特性のばらつきの少ない部品（多層基板）が得られる。また、各プリプレグ層の厚み寸法が均一化されやすく、導体パターンの積層間隔が均等になって、コイルのインダクタンス等のばらつきの少ない、安定した電気的特性が得られる。
【００３２】
《第２の実施形態》
第２の実施形態では、複数の絶縁基材と、それらに形成される導体パターンの構成が第１の実施形態とは異なる例を示す。
【００３３】
図４は第２の実施形態に係る多層基板の積層前の断面図である。図５は本発明の実施形態に係る多層基板１０２の断面図である。
【００３４】
多層基板１０２は、絶縁基材１１，１２，１３，１４，１５と、プリプレグ層３１，３２，３３，３４を有する。絶縁基材１１の下面には導体パターン２１Ｕａ，２１Ｕｂ、上面には導体パターン２１Ｔがそれぞれ形成されている。絶縁基材１２の下面には導体パターン２２Ｕが形成されている。絶縁基材１３の下面には導体パターン２３Ｕ、上面には導体パターン２３Ｔがそれぞれ形成されている。絶縁基材１４の上面には導体パターン２４Ｔが形成されている。また、絶縁基材１５の下面には導体パターン２５Ｕが形成されている。
【００３５】
図５に表れているように、複数のプリプレグ層３１，３２，３３，３４のうち最外層のプリプレグ層３１，３４の両面に導体パターンが接する。この例では、最外層のプリプレグ層３１の両面に導体パターン２１Ｔ，２２Ｕが接し、もう一つの最外層のプリプレグ層３４の両面に導体パターン２４Ｔ，２５Ｕが接する。そして、複数のプリプレグ層３１，３２，３３，３４のうち、最外層のプリプレグ層３１，３４の厚みは、それ以外のプリプレグ層３２，３３の厚みより厚い。
【００３６】
本実施形態の場合も、第１の実施形態で示した［導体パターン形成工程］［積層工程］［加熱加圧工程］によって、図５に示した多層基板１０２が製造される。
【００３７】
上記加熱加圧工程によって最外層のプリプレグ層３１，３４の厚みは薄くなるが、図５に示すように、最外層のプリプレグ層３１，３４の厚みは、内層のプリプレグ層３２，３３の厚みより薄くなることがなく、プリプレグ層の不均一な厚み変動による悪影響が抑制された多層基板が得られる。
【００３８】
なお、本実施形態のように、片面にのみ導体パターンが接するプリプレグ層３２，３３は絶縁基材同士の接合に要する厚さがあればよく、両面に導体パターンが接する最外層のプリプレグ層３１，３４に比べて充分に薄くできる。
【００３９】
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。
【符号の説明】
【００４０】
Ｖ１〜Ｖ７…ビアホール
１１，１２，１３，１４，１５…絶縁基材
２１Ｔ，２２Ｕ，２２Ｔ，２３Ｕ，２３Ｔ，２４Ｕ，２４Ｔ，２５Ｕ…導体パターン
２１Ｕａ，２１Ｕｂ…導体パターン
３１，３２，３３，３４…プリプレグ層
１０１，１０２…多層基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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