(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶方位を示すマークを備え表面に分割予定ラインで区画されてデバイスが形成されたウエーハの裏面を研削砥石で研削する研削工程と、該研削工程の後にウエーハを該分割予定ラインに沿って分割しチップにする分割工程と、を備えるデバイスの製造方法であって、
該研削工程の後から該分割工程の前までにチップ毎の厚みを測定し測定したチップの位置データとチップの厚み値とを関連づけて記憶する記憶工程と、該分割工程の後に該記憶工程で記憶したチップの厚み値と該位置データとに基づき予め設定された許容厚み範囲内のチップを選択してピックアップするピックアップ工程と、を含むデバイスの製造方法。
【請求項２】
結晶方位を示すマークを備え表面に分割予定ラインで区画されてデバイスが形成されたウエーハの該表面に、該分割予定ラインに沿って該裏面まで貫通しない溝を形成する溝形成工程と、
ウエーハの該裏面を研削する研削工程と、
該裏面の研削によって該溝を該裏面側から表出させてウエーハをチップに分割する分割工程と、
チップに分割されたウエーハを面方向に拡張してチップ間隔を拡げるエキスパンド工程と、
を備えるデバイスの製造方法であって、
該分割工程の後から該エキスパンド工程の前までにチップ毎の厚みを測定し測定したチップの位置データとチップの厚み値とを関連づけて記憶する記憶工程を実施し、
該エキスパンド工程の後に、該記憶工程で記憶したチップの厚み値と該位置データとに基づき、予め設定された許容厚み範囲内のチップを選択してピックアップするピックアップ工程と、
を含むデバイスの製造方法。
【請求項３】
結晶方位を示すマークを備え表面に分割予定ラインで区画されてデバイスが形成されたウエーハの内部に、該分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、
ウエーハの該裏面を研削する研削工程と、
該裏面の研削によって該改質層を起点とするクラックを該表面に向けて生じさせてウエーハをチップに分割する分割工程と、
チップに分割されたウエーハを面方向に拡張してチップ間隔を拡げるエキスパンド工程と、
を備えるデバイスの製造方法であって、
該分割工程の後から該エキスパンド工程の前までにチップ毎の厚みを測定し測定したチップの位置データとチップの厚み値とを関連づけて記憶する記憶工程を実施し、
該エキスパンド工程の後に、該記憶工程で記憶したチップの厚み値と該位置データとに基づき、予め設定された許容厚み範囲内のチップを選択してピックアップするピックアップ工程と、
を含むデバイスの製造方法。
【請求項４】
結晶方位を示すマークを備え表面に分割予定ラインで区画されてデバイスが形成されたウエーハの表面を保護部材を介して保持する保持手段と、ウエーハの裏面を研削する研削手段と、ウエーハの厚みを非接触で測定する厚み測定手段と、該厚み測定手段が取得したデータを処理するデータ処理手段と、を備える研削装置であって、
該保持手段は、
ウエーハの裏面を上にして保護部材で保護されたウエーハの表面を保持する保持テーブルと、該保持テーブルの中心を軸に該保持テーブルを回転させる回転手段と、該回転手段が回転させる該保持テーブルの回転角度を認識する角度認識部とを備え、
該厚み測定手段は、
該保持テーブルに保持されるウエーハの上方から測定光を投光する投光部と該測定光がウエーハで反射した反射光を受光する受光部とを備え該受光部が受光するウエーハの裏面で反射した反射光とウエーハの表面で反射した反射光との光路差からウエーハの厚みを測定する厚み測定器と、該厚み測定器を少なくともウエーハの径方向に移動させる移動手段と、該厚み測定器の位置を認識する径方向位置認識部とを備え、
該データ処理手段は、
該厚み測定器で測定した測定点における該角度認識部が認識した該保持テーブルの回転角度と径方向位置認識部が認識した該厚み測定器の径方向位置とからウエーハに形成されたマークを基準とした該測定点についてのウエーハの面方向の位置データを算出する算出部と、該算出部が算出した該各位置データと該厚み測定器が測定した各測定点におけるチップの厚み値とを関連づけて記憶する記憶部とを備え、該記憶部で関連づけて記憶したチップの該位置データと該厚み値とを分割工程後に使用する加工装置に受け渡すことを可能にした研削装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハからデバイスを製造する製造方法、及びウエーハを研削する研削装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体ウエーハの表面に分割予定ラインによって区画された各領域にＩＣやＬＳＩ等のデバイスが形成される。そして、ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに至るまで薄化した後、分割予定ラインに沿って半導体ウエーハを切削しチップに分割することで、個々の半導体デバイスが製造される。このようにして製造された半導体デバイスは各種電気機器に広く利用されている。
【０００３】
切削が完了したウエーハの中から厚みが許容範値内にある良品チップのみを選択するために、ウエーハがチップに分割された後、各チップの厚みが測定される。例えば、複数の半導体デバイスチップが三次元方向に積層された積層デバイスは、許容値内の厚みを備えるチップがウエーハ上に積層された積層ウエーハが形成され、この積層ウエーハをさらに個々のチップに分割することで製造される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１４５９２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
分割されたチップの厚み測定は、デバイス製造プロセスにおいて重要な工程の１つであるが、各チップの厚みを測定するために、チップ毎に測定器でチップを上下方向から挟み込んで厚み測定を行っていくため、良品チップを得るためのチップの厚み測定に多くの時間を取られるという問題がある。
【０００６】
したがって、ウエーハを分割してチップを製造する際には、製造された各チップの厚みを短時間で把握し、良品チップを効率よく得るという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するための第１の発明は、結晶方位を示すマークを備え表面に分割予定ラインで区画されてデバイスが形成されたウエーハの裏面を研削砥石で研削する研削工程と、該研削工程の後にウエーハを該分割予定ラインに沿って分割しチップにする分割工程と、を備えるデバイスの製造方法であって、該研削工程の後から該分割工程の前までにチップ毎の厚みを測定し測定したチップの位置データとチップの厚み値とを関連づけて記憶する記憶工程と、該分割工程の後に該記憶工程で記憶したチップの厚み値と該位置データとに基づき予め設定された許容厚み範囲内のチップを選択してピックアップするピックアップ工程と、を含むデバイスの製造方法である。
【０００８】
第２の発明は、結晶方位を示すマークを備え表面に分割予定ラインで区画されてデバイスが形成されたウエーハの該表面に、該分割予定ラインに沿って該裏面まで貫通しない溝を形成する溝形成工程と、ウエーハの該裏面を研削する研削工程と、該裏面の研削によって該溝を該裏面側から表出させてウエーハをチップに分割する分割工程と、チップに分割されたウエーハを面方向に拡張してチップ間隔を拡げるエキスパンド工程と、を備えるデバイスの製造方法であって、該分割工程の後から該エキスパンド工程の前までにチップ毎の厚みを測定し測定したチップの位置データとチップの厚み値とを関連づけて記憶する記憶工程を実施し、該エキスパンド工程の後に、該記憶工程で記憶したチップの厚み値と該位置データとに基づき、予め設定された許容厚み範囲内のチップを選択してピックアップするピックアップ工程と、を含むデバイスの製造方法である。
【０００９】
第３の発明は、結晶方位を示すマークを備え表面に分割予定ラインで区画されてデバイスが形成されたウエーハの内部に、該分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、ウエーハの該裏面を研削する研削工程と、該裏面の研削によって該改質層を起点とするクラックを該表面に向けて生じさせてウエーハをチップに分割する分割工程と、チップに分割されたウエーハを面方向に拡張してチップ間隔を拡げるエキスパンド工程と、を備えるデバイスの製造方法であって、該分割工程の後から該エキスパンド工程の前までにチップ毎の厚みを測定し測定したチップの位置データとチップの厚み値とを関連づけて記憶する記憶工程を実施し、該エキスパンド工程の後に、該記憶工程で記憶したチップの厚み値と該位置データとに基づき、予め設定された許容厚み範囲内のチップを選択してピックアップするピックアップ工程と、を含むデバイスの製造方法である。
【００１０】
第４の発明は、結晶方位を示すマークを備え表面に分割予定ラインで区画されてデバイスが形成されたウエーハの表面を保護部材を介して保持する保持手段と、ウエーハの裏面を研削する研削手段と、ウエーハの厚みを非接触で測定する厚み測定手段と、該厚み測定手段が取得したデータを処理するデータ処理手段と、を備える研削装置であって、該保持手段は、ウエーハの裏面を上にして保護部材で保護されたウエーハの表面を保持する保持テーブルと、該保持テーブルの中心を軸に該保持テーブルを回転させる回転手段と、該回転手段が回転させる該保持テーブルの回転角度を認識する角度認識部とを備え、該厚み測定手段は、該保持テーブルに保持されるウエーハの上方から測定光を投光する投光部と該測定光がウエーハで反射した反射光を受光する受光部とを備え該受光部が受光するウエーハの裏面で反射した反射光とウエーハの表面で反射した反射光との光路差からウエーハの厚みを測定する厚み測定器と、該厚み測定器を少なくともウエーハの径方向に移動させる移動手段と、該厚み測定器の位置を認識する径方向位置認識部とを備え、該データ処理手段は、該厚み測定器で測定した測定点における該角度認識部が認識した該保持テーブルの回転角度と径方向位置認識部が認識した該厚み測定器の径方向位置とからウエーハに形成されたマークを基準とした該測定点についてのウエーハの面方向の位置データを算出する算出部と、該算出部が算出した該各位置データと該厚み測定器が測定した各測定点におけるチップの厚み値とを関連づけて記憶する記憶部とを備え、該記憶部で関連づけて記憶したチップの該位置データと該厚み値とを分割工程後に使用する加工装置に受け渡すことを可能にした研削装置である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係るデバイスの製造方法は、研削工程の後から分割工程の前まで、又は分割工程の後からエキスパンド工程の前までに、チップ毎の厚みを測定し測定したチップの位置データとチップの厚み値とを関連づけて記憶する記憶工程を行い、ウエーハレベルでのチップの位置を記憶する。そして、記憶工程で記憶したチップの厚み値と位置データとに基づき予め設定された許容厚み範囲内のチップを選択してピックアップするピックアップ工程を行うことで、無駄にチップをピックアップする必要がなくなり、かつ、チップ毎に測定器でチップを上下方向から挟み込んで厚みの測定する必要がなくなるので、厚み測定に時間を多く取られることなく各チップの厚みを短時間で把握し、良品チップを効率よく得ることが可能となる。
【００１２】
また、本発明にかかる研削装置は、保持手段は、ウエーハの裏面を上にして保護部材で保護されたウエーハの表面を保持する保持テーブルと、保持テーブルの中心を軸に保持テーブルを回転させる回転手段と、回転手段が回転させる保持テーブルの回転角度を認識する角度認識部とを備え、厚み測定手段は、保持テーブルに保持されるウエーハの上方から測定光を投光する投光部と測定光がウエーハで反射した反射光を受光する受光部とを備え受光部が受光するウエーハの裏面で反射した反射光とウエーハの表面で反射した反射光との光路差からウエーハの厚みを測定する厚み測定器と、厚み測定器を少なくともウエーハの径方向に移動させる移動手段と、厚み測定器の位置を認識する径方向位置認識部とを備え、データ処理手段は、厚み測定器で測定した測定点における角度認識部が認識した保持テーブルの回転角度と径方向位置認識部が認識した厚み測定器の径方向位置とからウエーハに形成されたマークを基準とした測定点についてのウエーハの面方向の位置データを算出する算出部と、算出部が算出した各位置データと厚み測定器が測定した各測定点におけるチップの厚み値とを関連づけて記憶する記憶部とを備え、記憶部で関連づけて記憶したチップの位置データと厚み値とを分割工程後に使用する加工装置に受け渡すことができるため、本発明に係るデバイスの製造方法を実施する際に用いることで、無駄にチップをピックアップする必要がなくなり、各チップの厚みを短時間で把握し、良品チップを効率よく得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】研削装置の一例を示す斜視図である。
【図２】ウエーハの裏面に対して研削ホイールを位置付けた状態を示す側面図である。
【図３】ウエーハの裏面を研削砥石で研削している状態を示す側面図である。
【図４】ウエーハの厚みを厚み測定手段で測定している状態を示す側面図である。
【図５】ウエーハの厚みを厚み測定器で測定した場合の測定点の軌跡を示す平面図である。
【図６】角度認識部が認識した保持テーブルの回転角度と径方向位置認識部が認識した厚み測定器の径方向位置とから測定点の座標位置に対応するチップを判断する状態を示す平面図である。
【図７】切削装置によってウエーハを分割する状態を示す斜視図である。
【図８】チップをピックアップ装置によってピックアップする状態を示す側面図である。
【図９】洗浄手段の近傍に厚み測定手段を配設した研削装置の一例を示す斜視図である。
【図１０】本発明の第２実施形態を工程別に示す模式図である。
【図１１】本発明の第３実施形態を工程別に示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
１  第１実施形態
図１に示す研削装置１は、ウエーハＷを保持する保持手段３と、ウエーハＷの裏面Ｗｂを研削する研削手段７と、ウエーハＷの厚みを非接触で測定する厚み測定手段４と、厚み測定手段４が取得したデータを処理するデータ処理手段８と、少なくともを備えている。
【００１５】
ウエーハＷは、例えば、その外形が円板形状であり、ウエーハＷの表面Ｗａは、格子状に配列された分割予定ラインＳで複数の領域に区画されており、各領域には分割後にチップとなるＩＣ等のデバイスＤがそれぞれ形成されている。ウエーハＷの外周縁Ｗｄには、結晶方位を示すマークであるノッチＮが、ウエーハＷの中心Ｗｏに向けて径方向内側に窪んだ状態で形成されている。なお、ウエーハＷは、結晶方位を示すマークであるオリエンテーションフラットが、外周縁Ｗｄの一部をフラットに切欠くことで形成されているものでもよい。
【００１６】
ウエーハＷは、研削装置１によって研削される際に、例えば、図１に示すデバイス保護用の保護部材ＰがウエーハＷの表面Ｗａに貼着されることで保護された状態になる。保護部材Ｐは、例えば、ウエーハＷと同等の外径を有する円板状のフィルムテープである。なお、ウエーハＷの表面Ｗａを保護する保護部材Ｐは、フィルムテープに限定されるものではなく、液状樹脂がウエーハＷの表面Ｗａに滴下され押し広げられることで形成される樹脂部材等であってもよい。
【００１７】
研削装置１のベース１０上の前方（−Ｘ方向側）は、保持手段３に備える保持テーブル３０に対してウエーハＷの着脱が行われる領域である着脱領域Ａとなっており、ベース１０上の後方（＋Ｘ方向側）は、研削手段７によって保持テーブル３０上に保持されたウエーハＷの研削が行われる領域である研削領域Ｂとなっている
【００１８】
ベース１０の正面側（−Ｘ方向側）には、例えば、第１のカセット載置部１１０及び第２のカセット載置部１１１が並んで設けられており、第１のカセット載置部１１０には加工前のウエーハＷが収容される第１のカセット１１０ａが載置され、第２のカセット載置部１１１には加工後のウエーハＷを収容する第２のカセット１１１ａが載置される。
【００１９】
第１のカセット載置部１１０の後方（＋Ｘ方向側）には、第１のカセット１１０ａから加工前のウエーハＷを搬出するとともに加工後のウエーハＷを第２のカセット１１１ａに搬入するロボット１２が配設されている。ロボット１２に隣接する位置には、ウエーハＷのノッチＮを検出するノッチ検出手段１４が配設されている。
【００２０】
ノッチ検出手段１４は、例えば、ウエーハＷを吸引保持した状態で回転可能な検出用テーブル１４０と、検出用テーブル１４０の回転動作を制御する図示しない回転手段と、検出用テーブル１４０によって保持されたウエーハＷの上方に位置付けられＣＭＯＳイメージセンサ等を備える高速度カメラ１４１と、高速度カメラ１４１によって撮像された画像を基に画像処理等を行う画像処理部１４２とを備えている。
【００２１】
ノッチ検出手段１４に隣接する位置には、ウエーハＷを保持した状態で旋回するローディングアーム１５が配置されている。ローディングアーム１５は、ノッチ検出手段１４においてノッチＮが検出されたウエーハＷを吸引パッドで吸引保持し、加工領域Ｂ内に配設されている保持テーブル３０へ搬送する。ローディングアーム１５の隣には、加工後のウエーハＷを保持した状態で旋回するアンローディングアーム１６が設けられている。アンローディングアーム１６に近接する位置には、アンローディングアーム１６により搬送された加工後のウエーハＷを洗浄する洗浄手段１７が配設されている。洗浄手段１７により洗浄されたウエーハＷは、ロボット１２により第２のカセット１１１ａに搬入される。
【００２２】
図１に示す保持手段３は、ウエーハＷを保持する保持テーブル３０と、保持テーブル３０の中心３０ｃを軸に回転させる回転手段３１と、回転手段３１が回転させる保持テーブル３０の回転角度を認識する角度認識部３２とを備える。なお、図１において、回転手段３１及び角度認識部３２の各構成は模式的に示している。
【００２３】
研削装置１のベース１０上に配設されウエーハＷを保持する保持テーブル３０は、例えば、その外形が円形状であり、ポーラス部材等からなりウエーハＷを吸着する吸着部３００と、吸着部３００を支持する枠体３０１とを備える。吸着部３００は図示しない吸引源に連通し、吸引源が吸引することで生み出された吸引力が、吸着部３００の露出面である保持面３００ａに伝達されることで、保持テーブル３０は保持面３００ａ上でウエーハＷを吸引保持する。保持テーブル３０は、研削領域Ｂ内においてベース１０上をＸ軸方向に往復移動可能となっている。
【００２４】
保持テーブル３０の下側に配設された回転手段３１は、保持テーブル３０の底面側にその上端が固定された回転軸３１０と、回転３１０を回転させるモータ３１１とを備えている。回転軸３１０の軸方向はＺ軸方向であり、回転軸３１０の軸中心の延長線上に、保持テーブル３０の中心３０ｃが位置している。
【００２５】
回転軸３１０の下端側には、角度認識部３２が配設されている。角度認識部３２は、例えば、外形が円板状で周方向に等間隔に目盛りが形成されたスケール３２０と、スケール３２０の目盛りを読み取る読み取り部３２１とを備えており、円板状のスケール３２０は、回転軸３１０の下端側に回転軸３１０の軸心と中心とを一致させて固定されている。したがって、回転軸３１０が回転することに伴って、保持テーブル３０及びスケール３２０が、回転軸３１０と同方向に同一の角度分だけ回転する。
【００２６】
スケール３２０の下側に配設された読み取り部３２１は、例えば、スケール３２０に形成された目盛りの反射光を読み取る光学式のものであり、読み取り部３２１には、読み取った情報を送信するためのケーブル３２１ａが接続されている。このケーブル３２１ａのもう一端は、データ処理手段８に接続されている。そして、角度認識部３２は、読み取り部３２１がスケール３２０から読み取った情報に基づいて、保持テーブル３０の回転角度を認識することができる。なお、角度認識部３２は、モータ３１１の回転角度をエンコーダが認識してデータ処理手段８に通知する構成としてもよい。
【００２７】
研削領域Ｂのベース１０上の後方（＋Ｘ方向側）には、コラム１９が立設されており、コラム１９の−Ｘ方向側の側面には研削送り手段５が配設されている。研削送り手段５は、鉛直方向（Ｚ軸方向）の軸心を有するボールネジ５０と、ボールネジ５０と平行に配設された一対のガイドレール５１と、ボールネジ５０の上端に連結しボールネジ５０を回動させるモータ５２と、内部のナットがボールネジ５０に螺合し側部がガイドレール５１に摺接する昇降板５３と、昇降板５３に連結され研削手段７を保持するホルダ５４と、から構成され、モータ５２がボールネジ５０を回動させると、これに伴い昇降板５３がガイドレール５１にガイドされてＺ軸方向に往復移動し、ホルダ５４に保持された研削手段７が保持テーブル３０に接近又は離間するＺ軸方向に研削送りされる。
【００２８】
研削手段７は、軸方向が鉛直方向（Ｚ軸方向）であるスピンドル７０と、スピンドル７０を回転可能に支持するスピンドルハウジング７１と、スピンドル７０を回転駆動するスピンドルモータ７２と、スピンドル７０の下端に接続された円環状のマウント７３と、マウント７３の下面に着脱可能に接続された研削ホイール７４とを備える。
【００２９】
研削ホイール７４は、環状のホイール基台７４１と、ホイール基台７４１の底面に環状に配設された略直方体形状の複数の研削砥石７４０とを備える。研削砥石７４０は、例えば、レジンボンドやメタルボンド等でダイヤモンド砥粒等が固着されて成形されている。なお、研削砥石７４０の形状は、環状に一体に形成されているものでもよい。研削手段７の内部には、研削水の通り道となる図示しない流路が形成されており、この流路はホイール基台７４１の底面において研削砥石７４０に向かって研削水を噴出できるように開口している。
【００３０】
研削領域Ｂ内にある保持テーブル３０に隣接する−Ｙ方向側の位置には、厚み測定手段４が配設されている。厚み測定手段４は、厚み測定器４０と、厚み測定器４０を少なくともウエーハＷの径方向（図示の例においては、Ｙ軸方向）に移動させる移動手段４１と、厚み測定器４０の位置を認識する径方向位置認識部４２とを備えている。
【００３１】
移動手段４１は、例えば、保持テーブル３０の進行方向（Ｘ軸方向）に水平方向に直交する方向（Ｙ軸方向）の軸心を有するボールネジ４１０と、ボールネジ４１０の両端を中空において支持するブリッジ状の基部４１１と、内部のナットがボールネジ４１０に螺合しボールネジ４１０上をＹ軸方向に向かって往復移動するアーム部４１２と、ボールネジ４１０の一端に連結しボールネジ４１０を回動させる図示しないモータとを備えている。アーム部４１２は＋Ｙ方向側に向かって延在しており、アーム部４１２の＋Ｙ方向側の先端には厚み測定器４０が配設されている。図示しないモータがボールネジ４１０を回動させると、これに伴いアーム部４１２がボールネジ４１０上をＹ軸方向に往復移動し、厚み測定器４０が、研削手段７の下方に位置付けられた保持テーブル３０の上方をＹ軸方向に往復移動する。なお、厚み測定手段４に、移動手段４１に加えてＸ軸方向への移動を可能にする移動手段を備えることで、厚み測定器４０がＸ軸方向へも移動可能になるようにしてもよい。
【００３２】
径方向位置認識部４２は、例えば、基部４１１の上面にアーム部４１２の移動方向（Ｙ軸方向）に沿って延びるように形成されたスケール４２０と、スケール４２０の位置情報（目盛り）を読み取る読み取り部４２１とを備えた構成となっている。読み取り部４２１は、アーム部４１２に固定されアーム部４１２とともにＹ軸方向に移動する。読み取り部４２１は、例えば、スケール４２０の目盛りの反射光を読み取る光学式のものであり、アーム部４１２の＋Ｙ方向側の先端に配設された厚み測定器４０の径方向位置、すなわち、Ｙ軸方向の位置を認識することができる。
【００３３】
研削領域Ｂ内にある保持テーブル３０に隣接する＋Ｙ方向側の位置には、例えば、ウエーハＷの厚みを接触式にて測定する一対のハイトゲージ１８が配設されている。一対のハイトゲージ１８は、保持テーブル３０の保持面３００ａの高さ位置測定用の第１のハイトゲージ１８１と、ウエーハＷの裏面Ｗｂの高さ位置測定用の第２のハイトゲージ１８２とを備えており、第１のハイトゲージ１８１及び第２のハイトゲージ１８２は、その先端に、上下方向に昇降するコンタクトを備えている。第１のハイトゲージ１８１により、基準面となる枠体３０１の上面の高さ位置が検出され、第２のハイトゲージ１８２により、研削されるウエーハＷの裏面Ｗｂの高さ位置が検出され、両者の検出値の差を算出することで、ウエーハＷの厚みを研削中に随時測定することができる。
【００３４】
データ処理手段８は、厚み測定手段４及び角度認識部３２に接続されており、ＣＰＵ等からなる算出部８０と、記憶素子等からなる記憶部８１とを備えている。
【００３５】
以下に、図１〜８を用いて、研削装置１を使用して本発明に係るデバイスの製造方法を実施する場合の、研削装置１の動作、及びデバイスの製造方法の各工程について説明する。
【００３６】
（１）研削工程
まず、ウエーハＷの裏面Ｗｂを研削砥石７４０で研削する研削工程を実施する。例えば、研削されるウエーハＷは、図１に示すように、保護部材ＰによりウエーハＷの表面Ｗａが保護された状態で、第１のカセット１１０ａの内部に収容されている。ロボット１２が旋回移動し、第１のカセット１１０ａ内部へ進入し、研削前のウエーハＷを吸引保持する。次いで、ロボット１２が、ウエーハＷを第１のカセット１１０ａ内部から搬出し、ウエーハＷを検査用テーブル１４０上に載置する。この際、ウエーハＷは、例えば被研削面となる裏面Ｗｂが上側になるようにする。検査用テーブル１４０がウエーハＷを吸引保持し、また、ロボット１２が検査用テーブル１４０上から退避する。
【００３７】
ウエーハＷを吸引保持した検査用テーブル１４０上に高速度カメラ１４１が移動し、高速度カメラ１４１の撮像領域内にウエーハＷが納まるように高速度カメラ１４１が位置付けられる。次いで、図示しない回転手段によって、検査用テーブル１４０がＺ軸方向の軸心を軸に回転し、高速度カメラ１４１が、回転しているウエーハＷの外周縁Ｗｄを高速で連続撮影し、画像処理部１４２が、例えば、撮像画中のウエーハＷの外周縁Ｗｄが有する固有の色情報を持つ画素によって、ウエーハＷの外周縁ＷｄのノッチＮを検出する。例えば、ウエーハＷの中心ＷｏとノッチＮとを通る仮想線がＸ軸方向に対して平行になり、かつ、ノッチＮが−Ｘ方向側に位置するように、ウエーハＷを保持する検査用テーブル１４０が回転する。
【００３８】
ローディングアーム１５が検査用テーブル１４０上に位置するように旋回し、ウエーハＷを吸引保持する。ウエーハＷを吸引保持したローディングアーム１５が、ウエーハＷを保持テーブル３０の上方に位置付ける。この際、ローディングアーム１５は、保持テーブル３０の中心３０ｃとウエーハＷの中心Ｗｏとが上方から見て重なる位置に位置するように調整する。次いで、ウエーハＷが裏面Ｗｂが上側になるように保持テーブル３０の保持面３００ａ上に載置され、保持テーブル３０が保持面３００ａ上でウエーハＷを吸引保持し、また、ローディングアーム１５が保持テーブル３０上から退避する。
【００３９】
ウエーハＷは、例えば、ウエーハＷの中心ＷｏとノッチＮとを通る仮想線がＹ軸方向と平行で、かつ、ノッチＮが−Ｙ方向側に位置した状態、すなわち、保持テーブル３０上においてノッチＮの位置が把握された状態で吸引保持される。
【００４０】
次に、図２に示すように、ウエーハＷを保持した保持テーブル３０が、研削手段７の下まで＋Ｘ方向へ移動して、保持テーブル３０が研削手段７の研削ホイール７４に対して位置付けられる。スピンドルモータ７２によりスピンドル７０が回転駆動されるのに伴って、研削ホイール７４が、＋Ｚ方向側からみて反時計周り方向に所定の速度で回転する。また、研削手段７が研削送り手段５により−Ｚ方向へと送られ、研削手段７に備える研削ホイール７４が−Ｚ方向へと降下していき、研削砥石７４０がウエーハＷの裏面Ｗｂに当接することで研削加工が行われる。さらに、研削中は、回転手段３１が保持テーブル３０を＋Ｚ方向側からみて反時計周り方向に回転させるのに伴って、保持テーブル３０上に保持されたウエーハＷも回転するので、研削砥石７４０がウエーハＷの裏面Ｗｂの全面の研削加工を行う。図３に示すように、ウエーハＷを所定の厚みになるまで研削した後、図１に示す研削送り手段５により研削手段７を＋Ｚ方向へと移動させて研削加工済みのウエーハＷから離間させる。
【００４１】
（２）記憶工程
例えば、図１に示す回転手段３１が保持テーブル３０を所要角度分だけ回転させて、所定の初期位置、例えばウエーハＷの中心ＷｏとノッチＮとを通る仮想線がＹ軸方向と平行で、かつ、ノッチＮが−Ｙ方向側に位置した状態になる位置にセッティングされる。次いで、図４に示すように、図示しないモータがボールネジ４１０を回動させ、アーム部４１２がボールネジ４１０上を＋Ｙ方向側に向かって移動する。アーム部４１２の移動に伴って、厚み測定器４０もウエーハＷの上方を、ウエーハＷの−Ｙ方向側の外周縁ＷｄからウエーハＷの中心Ｗｏに向かって径方向、すなわち＋Ｙ方向に移動していく。なお、厚み測定器４０が−Ｙ方向側の外周縁ＷｄからウエーハＷの中心Ｗｏに向かうにつれて、移動手段４１による厚み測定器４０を送る速度を速める。
【００４２】
ウエーハＷの上方を移動する厚み測定器４０の投光部４００が、測定光（例えば、レーザー光）をウエーハＷに対して照射し、受光部４０１が受光するウエーハＷの裏面Ｗｂで反射した反射光とウエーハＷの表面Ｗａで反射した反射光との光路差から、厚み測定器４０がウエーハＷの厚みを測定する。
【００４３】
移動手段４１が厚み測定器４０を移動させるとともに、回転手段３１が保持テーブル３０を＋Ｚ方向側からみて反時計周り方向に、ウエーハＷの初期位置の回転角度（０度）を基準として回転させることで、保持テーブル３０上に保持されたウエーハＷも回転するため、図５に示すように、ウエーハＷの外周縁Ｗｄから中心Ｗｏに向けて測定点が裏面Ｗｂ上で＋Ｚ方向からみて時計回り方向のスパイラル状の軌跡を描くように、厚み測定器４０がウエーハＷの裏面Ｗｂ上の全面の各測定点Ｑ１、測定点Ｑ２、測定点Ｑ３、・・・、測定点Ｑｋ・・・、測定点Ｑｍ（ｋ、ｍは自然数）における各厚みＴ１、厚みＴ２、厚みＴ３、・・・、厚みＴｋ・・・、厚みＴｍ（ｋ、ｍは自然数）を測定していく。なお、厚み測定手段４を、移動手段４１に加えてＸ軸方向への移動を可能にする移動手段を備える構成とした場合には、保持テーブル３０を回転させずに、厚み測定器４０をＹ軸方向及びＸ軸方向に移動させるようにしてもよい。
【００４４】
厚み測定器４０が、各測定点Ｑ１、測定点Ｑ２、測定点Ｑ３、・・・、測定点Ｑｋ・・・、測定点ＱｍにおけるウエーハＷの厚みＴ１、厚みＴ２、厚みＴ３、・・・、厚みＴｋ・・・、厚みＴｍを測定するごとに、図１、４に示すスケール３２０の目盛りを読み取り部３２１が読み取ることで、角度認識部３２が保持テーブル３０の回転角度θ１、回転角度θ２、回転角度θ３、・・・、回転角度θｋ・・・、回転角度θｍ（ｋ、ｍは自然数）を認識し、読み取った保持テーブル３０の各回転角度（回転角度θ１、回転角度θ２、回転角度θ３、・・・、回転角度θｋ・・・、回転角度θｍ）についての情報が、角度認識部３２からデータ処理手段８に対して出力される。また、厚み測定器４０が、各測定点Ｑ１、測定点Ｑ２、測定点Ｑ３、・・・、測定点Ｑｋ・・・、測定点ＱｍにおけるウエーハＷの厚みＴ１、厚みＴ２、厚みＴ３、・・・、厚みＴｋ・・・、厚みＴｍを測定するごとに、スケール４２０の位置情報を読み取り部４２１が読み取ることで、径方向位置認識部４２が厚み測定器４０の径方向位置、すなわち、図５に示すＹ軸方向における各径方向位置ｙ１、径方向位置ｙ２、径方向位置ｙ３、・・・径方向位置ｙｋ・・・、径方向位置ｙｍ（ｋ、ｍは自然数）を認識し、読み取った厚み測定器４０の径方向位置（ｙ１、ｙ２、ｙ３、・・・ｙｋ・・・、ｙｍ）についての情報が、径方向位置認識部４２からデータ処理手段８に対して出力される。
【００４５】
図１に示すデータ処理手段８の算出部８０は、厚み測定器４０がウエーハＷの厚み（厚みＴ１、厚みＴ２、厚みＴ３、・・・、厚みＴｋ・・・、厚みＴｍ）を測定した各測定点Ｑ１、測定点Ｑ２、測定点Ｑ３、・・・、測定点Ｑｋ、・・・、測定点Ｑｍにおける角度認識部３２が認識した保持テーブル３０の回転角度（回転角度θ１、回転角度θ２、回転角度θ３、・・・、回転角度θｋ・・・、回転角度θｍ）と径方向位置認識部４２が認識した厚み測定器４０の径方向位置（ｙ１、ｙ２、ｙ３、・・・、ｙｋ・・・、ｙｍ）とから、ウエーハＷのノッチＮを基準とした各測定点についての面方向の位置を、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の各位置データとして算出する。
【００４６】
ウエーハＷのノッチＮを基準としたＸ軸方向及びＹ軸方向の各位置データの算出については、例えば、ウエーハＷの中心Ｗｏの座標位置を原点位置（０、０）として定める。そして、例えば、図６に示す測定点ＱｋのＸ軸方向及びＹ軸方向の位置データを算出するには、図６に示すように、原点位置（０、０）から−Ｙ方向の径方向位置ｙｋまで仮想線Ｌ１が引かれる。また、原点位置（０、０）から回転角度θｋ方向に向かう仮想線Ｌ２が引かれる。さらに、仮想線Ｌ１の先端から−Ｘ方向に向かって仮想線Ｌ３が引かれ、仮想線Ｌ３と仮想線Ｌ２との交点が測定点Ｑｋとなる。そして、仮想線Ｌ１から測定点ＱｋまでのＸ軸方向における距離が測定されることで、測定点ＱｋのＸ軸方向及びＹ軸方向の位置データ、すなわち、座標位置（ｘｋ、ｙｋ）が算出される。そして、測定点Ｑｋの座標位置（ｘｋ、ｙｋ）から、ウエーハＷの表面Ｗａに形成されたデバイス、すなわち分割後のチップＣｋを測定していると判断する。
【００４７】
記憶部８１は、算出部８０が算出したＸ軸Ｙ軸平面上における測定点ＱｋにおけるチップＣｋの座標位置（ｘｋ、ｙｋ）と、厚み測定器４０が測定した厚みＴｋとを関連づけて記憶していく。なお、図６に示すように、チップＣｋのように複数の測定点がチップ上に存在する場合（図示の例においては、４つの測定点が存在している）には、各測定点における各厚みの平均値をチップＣｋの厚みとする。このようにして、記憶部８１が、図６に示すチップＣ１、チップＣ２、チップＣ３、・・・、チップＣｋ、・・・チップＣｍの各座標位置と厚み測定器４０が測定した各厚みとを関連づけてデータとして順次記憶していく。さらに、データ処理手段８が、例えば、後述する分割工程後に用いられる図８に示すピックアップ装置６に対して、記憶部８１が記憶したデータを送信する。
【００４８】
（３）分割工程
記憶工程を実施した後に、図７に示すように、ウエーハＷを分割予定ラインＳに沿って分割しチップＣにする分割工程を実施する。ウエーハＷの分割は、例えば、切削装置２を用いて実施される。なお、ウエーハＷは、切削装置２に搬送される前に、図１に示す研削装置１の洗浄手段１７により洗浄され、次いで、図示しないテープマウンタへと搬送される。テープマウンタにおいて、ウエーハＷは、図７に示すように、ウエーハの裏面ＷｂにダイシングテープＰ１が貼着され、ダイシングテープＰ１を介して環状フレームＦに支持された状態となる。また、ウエーハＷの表面Ｗａから、図１に示す保護部材Ｐが剥離される。
【００４９】
図７に示す切削装置２は、ウエーハＷを保持するチャックテーブル２１と、チャックテーブル２１上に保持されたウエーハＷを切削する切削ブレード２２０を備えた切削手段２２と、チャックテーブル２１上に保持されたウエーハＷの切削すべき分割予定ラインＳを検出するアライメント手段２３とを少なくとも備える。
【００５０】
アライメント手段２３は、カメラ２３０により取得した画像に基づいて、分割予定ラインＳを検出することができる。アライメント手段２３と切削手段２２とは一体となって構成されており、両者は連動してＹ軸方向及びＺ軸方向へと移動する。
【００５１】
チャックテーブル２１は、保持面２１ａ上でウエーハＷを吸引保持でき、回転手段２１ｂにより回転可能に支持されており、かつ、図示しない切削送り手段によってＸ軸方向での移動が可能となっている。また、チャックテーブル２１の周囲には、環状フレームＦを固定する固定クランプ２１ｃが配設されている。
【００５２】
切削手段２２は、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に移動可能となっている。切削手段２２に備える切削ブレード２２０は、例えば、スピンドルハウジング２２１中に回転可能に収容され軸方向がＸ軸方向に対し水平方向に直交する方向（Ｙ軸方向）であるスピンドル２２２に、回転可能に装着される。そして、図示しないモータによりスピンドル２２２が回転駆動されることに伴って、切削ブレード２２０も高速回転する。
【００５３】
まず、ダイシングテープＰ１を介して環状フレームＦに支持されたウエーハＷを、ウエーハＷの表面Ｗａが上側となるようにチャックテーブル２１上に載置する。そして、固定クランプ２１ｃにより環状フレームＦを固定し、チャックテーブル２１の保持面２１ａ上でウエーハＷを吸引保持する。
【００５４】
チャックテーブル２１に保持されたウエーハＷが−Ｘ方向に送られるとともに、アライメント手段２３により、切削ブレード２２０を切り込ませる分割予定ラインＳの位置が検出される。分割予定ラインＳが検出されるのに伴って、切削手段２２がＹ軸方向に移動し、切削すべき分割予定ラインＳと切削ブレード２２０とのＹ軸方向における位置合わせがなされる。
【００５５】
ウエーハＷを保持するチャックテーブル２１がさらに−Ｘ方向に送り出されるとともに、切削手段２２が−Ｚ方向に降下していく。また、スピンドル２２２が回転し、切削ブレード２２０がスピンドル２２２の回転に伴って回転をしながらウエーハＷに切り込み、分割予定ラインＳを切削していく。
【００５６】
切削ブレード２２０が分割予定ラインＳを切削し終えるＸ軸方向の所定の位置までウエーハＷが送られると、ウエーハＷの切削送りを一度停止し、切削ブレード２２０をウエーハＷから＋Ｚ方向に離間させ、次いで、ウエーハＷを＋Ｘ方向に移動させて元の位置に戻す。そして、隣り合う分割予定ラインＳの間隔ずつ切削ブレード２２０をＹ軸方向（図示の例においては、−Ｙ方向）に割り出し送りしながら順次同様の切削を行い、さらに、ウエーハＷを回転手段２１ｂによって９０度回転させてから同様の切削を行うことで、ウエーハＷの全ての分割予定ラインＳに沿って切削し、ウエーハＷをチップＣに分割する。
【００５７】
なお、分割工程は、以下のいずれかの方法によってもよい。
（ア）ウエーハＷに対して吸収性を有する波長のレーザ光を分割予定ラインＳに沿って照射してアブレーション加工することにより分割予定ラインＳを完全切断してチップＣに分割する方法。
（イ）ウエーハＷに対して吸収性を有する波長のレーザ光を分割予定ラインＳに沿って照射してアブレーション加工することにより分割予定ラインＳにアブレーション溝を形成した後、そのウエーハＷを面方向にエキスパンドしてチップＣに分割する方法。
（ウ）ウエーハＷに対して透過性を有する波長のレーザ光を分割予定ラインＳに沿って照射して内部に改質層を形成した後、そのウエーハＷを面方向にエキスパンドしてチップＣに分割する方法。
【００５８】
（４）ピックアップ工程
ダイシングテープＰ１を介して環状フレームＦに支持された状態のチップＣは、図８に示すピックアップ装置６に搬送される。ピックアップ装置６は、図示しないクランプ等で環状フレームＦを固定し、例えば、Ｚ軸方向に昇降可能なニードル６０で、チップＣを下側からダイシングテープＰ１を介して突き上げ、チップＣがダイシングテープＰ１から浮き上がったところを吸引パッド６１で吸引保持してピックアップする装置である。
【００５９】
ここで、ピックアップ装置６には、予め、データ処理手段８からチップＣの各座標位置と厚み測定器４０が測定した各厚みとを関連づけたデータが送られている。ピックアップ装置６は、送られたデータから予め設定された許容厚み範囲内のチップＣを選択してピックアップする。そのため、数多くのチップＣのうち、良品のみをピックアップすることができ、無駄にチップＣをピックアップする必要がなくなり、かつ、チップＣ毎に測定器でチップＣを上下方向から挟み込んで厚みの測定する必要がなくなるので、厚み測定に時間を多く取られることなく、良品チップを効率よく得ることが可能となる。
【００６０】
なお、本発明に係る研削装置１は上記実施形態に限定されるものではなく、また、添付図面に図示されている各構成の大きさや形状等についても、これに限定されず、本発明の効果を発揮できる範囲内で適宜変更可能である。
【００６１】
例えば、図９に示す研削装置１Ａは、図１に示す研削装置１の構成の一部を変更した装置である。研削装置１Ａの洗浄手段１７は、例えば、枚葉スピン式の洗浄手段であり、回転可能なスピンナーテーブルである保持テーブル１７０を備えた保持手段１７ａを有している。そして、保持テーブル１７０の下側に回転手段３１及び角度認識部３２が配設されている。そして、角度認識部３２は、データ処理手段８に接続されている。
【００６２】
研削装置１Ａにおいて、厚み測定手段４Ａは、保持テーブル１７０に隣接する位置に配設されている。厚み測定手段４Ａは、厚み測定器４０と、厚み測定器４０を少なくともウエーハＷの径方向に移動させる移動手段４９と、厚み測定器４０の位置を認識する径方向位置認識部４２とを備えている。
【００６３】
移動手段４９は、Ｙ軸方向の軸心を有するボールネジ４９０と、ボールネジ４９０の両端を中空において支持するブリッジ状の基部４９１と、内部のナットがボールネジ４９０に螺合しボールネジ４９０上をＹ軸方向に向かって往復移動する可動部４９２と、ボールネジ４９０の一端に連結しボールネジ４９０を回動させる図示しないモータとを備えている。可動部４９２の−Ｘ方向側の側面には、厚み測定器４０が配設されており、図示しないモータがボールネジ４１０を回動させると、これに伴い可動部４９２がボールネジ４９０上をＹ軸方向に往復移動し、厚み測定器４０が、保持テーブル１７０の上方をＹ軸方向に往復移動する。なお、厚み測定手段４Ａを、移動手段４９に加えてＸ軸方向への移動を可能にする移動手段を備えることで、厚み測定器４０がＸ軸方向へも移動可能となるようにしてもよい。径方向位置認識部４２は、例えば、可動部４９２の移動方向（Ｙ軸方向）に沿って延びる基部４１１の上面に形成されたスケール４２０の位置情報（目盛り）を、可動部４９２上に配設された読み取り部４２１によって読み取る構成となっている。そして、厚み測定手段４Ａは、データ処理手段８に接続されている。
【００６４】
研削装置１Ａを使用して本発明に係るデバイスの製造方法を実施する場合、（１）研削工程を実施した後、研削されたウエーハＷがアンローディングアーム１６により洗浄手段１７に搬送され、保持手段１７ａと厚み測定手段４Ａとによって、（２）記憶工程が実施される。
【００６５】
例えば、本発明に係るデバイスの製造方法を実施するために、研削装置１と（１）研削工程後にウエーハＷが搬送されるテープマウンタとを並べて、研削装置１とテープマウンタとの装置間に、厚み測定手段と保持手段とを独立して配設するものとしてもよい。または、テープマウンタの装置内に厚み測定手段と保持手段とを備える構成としてもよい。そして、研削装置１とテープマウンタとの間に独立して配設された厚み測定手段と保持手段とで（２）記憶工程を行う、または、テープマウンタの装置内に備えられた厚み測定手段と保持手段とで（２）記憶工程を行うものとしてもよい。
【００６６】
２  第２実施形態
（１）溝形成工程
例えば図１０（ａ）に示すように、図７に示した切削装置２のチャックテーブル２１においてダイシングテープＰ１側を保持し、ウエーハＷの表面Ｗａを露出させる。そして、回転する切削ブレード２２０を分割予定ラインＳの上方に位置付けるとともに、切削ブレード２２０の下端がウエーハＷの表面Ｗａよりも下方に位置するように位置付け、その状態で、チャックテーブル２１と切削手段２２とをＸ軸方向に相対移動させることにより、分割予定ラインＳに沿って所定深さの溝Ｇを形成する。このような切削を、すべての分割予定ラインＳについて縦横に行う。
【００６７】
なお、溝Ｇは、レーザ光の照射によるアブレーション加工によって形成してもよい。例えば、図１０（ｂ）に示すように、レーザ加工装置のチャックテーブル９０にウエーハＷの裏面Ｗｂ側を保持する。そして、ウエーハＷに対して吸収性を有する波長のレーザ光９１０を照射ヘッド９１から照射し、照射ヘッド９１をウエーハＷに対して分割予定ラインＳに沿ってＸ軸方向に相対移動させることにより、分割予定ラインＳをアブレーション加工して溝Ｇを形成する。このようなレーザ加工を、すべての分割予定ラインＳについて縦横に行う。
【００６８】
(２)研削工程
次に、裏面ＷｂからダイシングテープＰ１を剥離するとともに、図１０（ｃ）に示すように、溝Ｇを形成した表面Ｗａに保護部材Ｐを貼着し、保護部材Ｐ側を、例えば図１に示した研削装置１の保持テーブル３０において保持する。そして、ウエーハＷを保持した保持テーブル３０が所定の速度で回転するとともに、研削ホイール７４が所定の速度で回転し、研削手段７が降下することにより、回転する研削砥石７４０が裏面Ｗｂを研削し、ウエーハＷを薄化していく。
【００６９】
（３）分割工程
研削工程を続行することによりウエーハＷの薄化を進めていくと、やがて、図１０（ｄ）に示すように、被研削面側から溝Ｇが表出し、ウエーハＷがチップＣに分割される。その後も必要に応じて研削を行うことにより、個々のチップＣを所定の厚みに形成する。なお、ウエーハＷがチップＣに分割された後も、すべてのチップＣが保護部材Ｐに貼着された状態であるため、全体としてウエーハＷの形状が維持されている。
【００７０】
（４）記憶工程
分割工程の後に、例えば図１に示した厚み測定手段４を用いて、個々のチップＣの厚みを求める。そして、記憶部８１が、各チップの座標位置と厚み測定器４０が測定した各厚みとを関連づけてデータとして順次記憶していく。本工程は、第１実施形態と同様に実施される。なお、溝Ｇの位置において厚み測定を行うと、適正な値を得ることができないため、測定により求めた厚みの値が所定のしきい値より小さい値であった場合は、その値を無視する。
【００７１】
（５）エキスパンド工程
記憶工程の後、図１０（ｅ）に示すように、チップＣの裏面側にエキスパンドテープＰ２を貼着し、エキスパンドテープＰ２を環状フレームＦ１で支持する。また、チップＣの表面から保護部材Ｐを剥離する。そして、エキスパンド装置において、エキスパンドテープＰ２側をテーブル９３に載置するとともに、環状フレームＦ１をフレーム保持部９４において保持し、フレーム保持部９４をテーブル９３に対して下方向に相対移動させることにより、エキスパンドテープＰ２を面方向に放射状に伸張させる。そうすると、隣接するチップＣのチップ間隔が拡がる。エキスパンド装置は、エキスパンドテープＰ２の拡張量を定量的に把握し、その拡張量の値を、後のピックアップ工程で使用するピックアップ装置に転送する。
【００７２】
（６）ピックアップ工程
エキスパンド工程によってチップ間隔が拡げられた後、個々のチップＣをエキスパンドテープＰ２からピックアップしていく。チップＣのピックアップは、第１実施形態と同様に行われるが、エキスパンド工程によって各チップＣが径方向に移動しているため、エキスパンドテープＰ２のエキスパンド量に基づいてピックアップ位置を調節する。例えば、エキスパンド量を分割予定ラインＳの数で割ることにより、エキスパンド工程における個々のチップＣのずれ量を算出し、そのずれ量分だけピックアップ位置を調整すれば、所望のチップＣをピックアップすることができる。
【００７３】
以上の手順によって実施される第２実施形態においては、ウエーハＷがチップＣに分割され後にチップＣの厚みが測定されるが、記憶工程ではチップＣが全体としてウエーハＷの形状を維持した状態でチップＣの厚さが測定されるため、効率的である。
【００７４】
３  第３実施形態
（１）改質層形成工程（レーザで内部に改質層形成）
図１１（ａ）に示すように、ウエーハＷの裏面ＷｂにダイシングテープＰ１を貼着し、ダイシングテープＰ１側をレーザ加工装置のチャックテーブル９０において保持する。そして、ウエーハＷに対して透過性を有する波長のレーザ光９１１を照射ヘッド９１から照射し、照射ヘッド９１をウエーハＷに対して分割予定ラインＳに沿ってＸ軸方向に相対移動させることにより、分割予定ラインＳに沿ってウエーハＷの内部に改質層Ｇ１を形成する。このような改質層形成加工を、すべての分割予定ラインＳに沿って縦横に行う。
【００７５】
（２）研削工程
次に、図１１（ｂ）に示すように、改質層Ｇ１が形成されたウエーハＷの表面Ｗａに保護部材Ｐを貼着するとともに、裏面Ｗｂ側からダイシングテープＰ１を剥離する。そして、保護部材Ｐ側を、例えば図１に示した研削装置１の保持テーブル３０において保持する。そして、ウエーハＷを保持した保持テーブル３０が所定の速度で回転するとともに、研削ホイール７４が所定の速度で回転し、研削手段７が降下することにより、回転する研削砥石７４０が裏面Ｗｂを研削し、ウエーハＷを薄化していく。
【００７６】
（３）分割工程
研削工程を続行することによりウエーハＷの薄化を進めていくと、やがて、図１１（ｃ）に示すように、改質層Ｇ１を起点にして表面Ｗａ側にクラックＣＲが形成され、改質層Ｇ１及びクラックＣＲによって、ウエーハＷが分割予定ラインＳに沿って個々のチップＣに分割される。また、その後も必要に応じて研削を行うことにより、個々のチップＣを所定の厚みに形成する。なお、ウエーハＷがチップＣに分割された後も、すべてのチップＣが保護部材Ｐに貼着された状態であるため、全体としてウエーハＷの形状が維持されている。
【００７７】
（４）記憶工程
分割工程の後に、例えば図１に示した厚み測定手段４を用いて、個々のチップＣの厚みを求める。そして、記憶部８１が、各チップの座標位置と厚み測定器４０が測定した各厚みとを関連づけてデータとして順次記憶していく。本工程は、第１実施形態及び第２実施形態と同様に実施される。
【００７８】
（５）エキスパンド工程
記憶工程の後、図１１（ｄ）に示すように、チップＣの裏面側にエキスパンドテープＰ２を貼着し、エキスパンドテープＰ２を環状フレームＦ１で支持する。また、チップＣの表面から保護部材Ｐを剥離する。そして、エキスパンド装置において、エキスパンドテープＰ２側をテーブル９３に載置するとともに、環状フレームＦ１をフレーム保持部９４において保持し、フレーム保持部９４をテーブル９３に対して下方向に相対移動させることにより、エキスパンドテープＰ２を面方向に放射状に伸張させる。そうすると、隣接するチップＣのチップ間隔が拡がる。エキスパンド装置は、エキスパンドテープＰ２の拡張量を定量的に把握し、その拡張量の値を、後のピックアップ工程で使用するピックアップ装置に転送する。
【００７９】
（６）ピックアップ工程
エキスパンド工程によってチップ間隔が拡げられた後、個々のチップＣをエキスパンドテープＰ２からピックアップしていく。チップＣのピックアップは、第１実施形態と同様に行われるが、エキスパンド工程によって各チップＣが径方向に移動するため、エキスパンドテープＰ２のエキスパンド量に基づいてピックアップ位置を調節する。例えば、エキスパンド量を分割予定ラインＳの数で割ることにより、エキスパンド工程における個々のチップＣのずれ量を算出し、そのずれ量分だけピックアップ位置を調整すれば、所望のチップＣをピックアップすることができる。
【００８０】
以上の手順によって実施される第３実施形態においては、ウエーハＷがチップＣに分割され後にチップＣの厚みが測定されるが、記憶工程ではチップＣが全体としてウエーハＷの形状を維持した状態でチップＣの厚さが測定されるため、効率的である。
【符号の説明】
【００８１】
１：研削装置  １０：ベース  Ａ：着脱領域  Ｂ：研削領域  
１１０：第１のカセット載置部  １１０ａ：第１のカセット  
１１１：第２のカセット載置部  １１１ａ：第２のカセット  １２：ロボット  
１４：ノッチ検出手段  １４０：検出用テーブル  １４１：高速度カメラ  
１４２：画像処理部  
１５：ローディングアーム  １６：アンローディングアーム  
１７：洗浄手段  １８：一対のハイトゲージ  
１９：コラム
２：切削装置  ２１：チャックテーブル  ２２：切削手段  ２３：アライメント手段
３０：保持テーブル  ３００：吸着部  ３００ａ：保持面  ３０１：枠体  
３０ｃ：チャックテーブルの中心
３１：回転手段  ３１０：回転軸  ３１１：モータ  
３２：角度認識部  ３２０：スケール  ３２１：読み取り部  ３２１ａ：ケーブル
４：厚み測定手段  ４０：厚み測定器  ４００：投光部  ４０１：受光部
４１：移動手段  ４１０：ボールネジ  ４１１：基部  ４１２：アーム部  
４２：径方向位置認識部  ４２０：スケール  ４２１：読み取り部
５：研削送り手段  ５０：ボールネジ  ５１：ガイドレール  ５２：モータ  
５３：昇降板  ５４：ホルダ
７：研削手段  ７０：スピンドル  ７１：スピンドルハウジング  
７２：スピンドルモータ  ７３：マウント  
７４：研削ホイール  ７４０：研削砥石  ７４１：ホイール基台
８：データ処理手段  ８０：算出部  ８１：記憶部
Ｗ：ウエーハ  Ｗａ：ウエーハの表面  Ｗｂ：ウエーハの裏面  Ｗｄ：ウエーハの外周縁Ｗｏ：ウエーハの中心  Ｎ：ノッチ  Ｓ：分割予定ライン  Ｄ：デバイス  Ｃ：チップ
Ｐ：保護部材  
Ｐ１：ダイシングテープ  Ｆ：環状フレーム
６：ピックアップ装置  ６０：ニードル  ６１：吸引パッド
１Ａ：研削装置  ４Ａ：厚み測定手段  ４９：移動手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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