(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
４０ｎｍ以上の厚さを有する少なくとも１つのＭｏＮ層を備えるコーティングでコーティングされる基板表面を備える構成要素であって、
前記基板表面と前記少なくとも１つのＭｏＮ層との間に、
i）基板表面の硬化層が備えられ、前記基板表面の硬化層は硬化された窒素を含む基板表面層であり、前記基板表面層は前記基板表面で実施される窒化処理の結果であり、１０μｍ以上、好ましくは２０μｍ以上１５０μｍ以下の厚さを有し、
および／または
ii）２以上のＭｏＮ層および２以上のＣｒＮ層からなる層系が備えられ、前記層系を形成する前記ＭｏＮ層および前記ＣｒＮ層は、互いに交互に堆積されて多層ＭｏＮ／ＣｒＮコーティング膜を形成する個別の層であり、
前記少なくとも１つのＭｏＮ層は、相の混合物を含む窒化モリブデンからなり、前記混合物は、
−六方晶相δ−ＭｏＮおよび立方晶相γ−Ｍｏ2Ｎ、または
−六方晶相δ−ＭｏＮおよび過飽和立方晶相ζ−ＭｏＮ、または
−六方晶相δ−ＭｏＮおよび立方晶相γ−Ｍｏ2Ｎおよび過飽和立方晶相ζ−ＭｏＮ
を含む、構成要素。
【請求項２】
多層ＭｏＮ／ＣｒＮコーティング膜が前記基板表面と前記少なくとも１つのＭｏＮ層との間に備えられず、前記少なくとも１つのＭｏＮ層は５００ｎｍ以上の厚さを有する、請求項１に記載の構成要素。
【請求項３】
硬化された窒素を含む基板表面が前記基板表面と前記少なくとも１つのＭｏＮ層との間に備えられず、前記多層ＭｏＮ／ＣｒＮコーティング膜は４６０ｎｍ以上の厚さを有する、請求項１に記載の構成要素。
【請求項４】
少なくとも、１つの個別のＭｏＮ層と１つの個別のＣｒＮ層との間に、Ｍｏ、ＣｒおよびＮを含む個別の中間層が備えられる、請求項３に記載の構成要素。
【請求項５】
前記個別の中間層は、１０ｎｍ以上、かつ、前記個別の中間層の隣にある前記個別のＣｒＮ層の厚さまたは前記個別のＭｏＮ層の厚さ以下の厚さを有する、請求項４に記載の構成要素。
【請求項６】
前記個別のＭｏＮ層の少なくとも大部分は、４０ｎｍ以上、好ましくは５００ｎｍ以下の個別の層の厚さを有する、請求項５に記載の構成要素。
【請求項７】
前記個別のＣｒＮ層の少なくとも大部分は、２０ｎｍ以上、好ましくは５００ｎｍ以下の個別の層の厚さを有する、請求項５または６に記載の構成要素。
【請求項８】
４０ｎｍ以上の厚さを有する少なくとも１つのＭｏＮ層の表面上に、第２の多層ＭｏＮ／ＣｒＮコーティング層が堆積され、好ましくは多層ＭｏＮ／ＣｒＮコーティング膜および前記少なくとも１つのＭｏＮ層の両方の厚さの合計が、１μｍ以上１５μｍ以下、好ましくは１．５μｍ以上１０μｍ以下である、先行する請求項３〜７の少なくとも１つに記載の構成要素。
【請求項９】
前記少なくとも１つのＭｏＮ層の厚さは、１μｍ以上１５μｍ以下、好ましくは１．５μｍ以上１０μｍ以下である、請求項２に記載の構成要素。
【請求項１０】
前記少なくとも１つのＭｏＮ層は、少なくとも大部分で六方晶相δ−ＭｏＮを含む、または六方晶相δ−ＭｏＮのみを含む窒化モリブデンからなる、請求項２または９に記載の構成要素。
【請求項１１】
前記構成要素は自転車構成要素または精密構成要素であり、前記構成要素の前記基板表面は好ましくは６５ＨＲＣ以下の硬度を有する、先行する請求項１〜１０の少なくとも１つに記載の構成要素。
【請求項１２】
前記少なくとも１つのＭｏＮ層または前記個別のＭｏＮ層の少なくとも１つは、反応性ＰＶＤプロセスによって堆積される、先行する請求項１〜１１の少なくとも１つに記載の構成要素を製造する方法。
【請求項１３】
前記反応性ＰＶＤプロセスは、反応性アークＰＶＤプロセスであり、前記ＭｏＮ層または前記ＭｏＮの個別の層の堆積の間に、Ｍｏの少なくとも１つのターゲットがカソードとして作動され、この方法では反応性ガスとして窒素を含む雰囲気でアークＰＶＤ技術を用いることによって蒸着されることを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、構成要素の表面上の摩耗の低減または摩擦の低減を達成するためのコーティングに関する。このような構成要素は、たとえば自動車部門または精密構成要素（すなわち、高度に工学的な構成要素）部門において用いられ得る。この観点では、構成要素は、たとえばピストンピン、カムフォロワーまたはピストンリングまたはノズル針であり得る。
【背景技術】
【０００２】
モリブデンコーティングまたはモリブデンを含むコーティングの使用がよく知られる。構成要素の表面上の摩耗低減コーティングとしての窒化モリブデンの使用が特によく知られる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、構成要素の基板表面と窒化モリブデンコーティングとの間の接触面の作用は、そのようにコーティングされた構成要素の利用の間、現在の工業的な要求を満たすためには今日でも不満足および不十分である。
【０００４】
これは、コーティングされるべき基板材料が十分に硬くないとき、特に観察される。この文脈において、基板材料は、たとえば５０〜６５ＨＲＣの間、いかなる場合でも６５ＨＲＣ未満の硬度を有することを意味する。
【０００５】
図１は、ロックウェル押し込み（Rockwell indentation1）ＨＲＣ後のコーティングされた表面の画像を示す。基板の硬度は、５０〜６５ＨＲＣの間であり、基板はＭｏＮでコーティングされる。ＭｏＮコーティングのリング形状の破断が、ＨＲＣロックウェル押し込みの周囲にはっきりと観察され得る。
【０００６】
観察されたリング形状の破断は、ＭｏＮコーティングの硬度およびヤング率と基板材料の硬度およびヤング率との間の大きな差異の結果として生み出された可能性がある。実際に窒化モリブデンコーティングの硬度およびヤング率は基板と比較して非常に高いため、結果として基板が押し込み負荷の印加の間に大きく変形し、一方でＭｏＮコーティングはより小さく変形し、したがってＭｏＮコーティングが割れた可能性があると考えられる。
【０００７】
この理由のために、これは変化可能な負荷（中断された負荷）が構成要素のコーティングされた基板上に印加されたとき、特に大きな問題になり得る。
【０００８】
本質的には、この問題は、たとえば超硬合金からなる基板などの、より高い硬度を有する基板を用いることによって回避され得る。しかしながら、多くの自動車用途で用いられる構成要素は、６５ＨＲＣ未満のロックウェル硬度を有する材料からなる。
【０００９】
本発明の目的は、窒化モリブデンコーティングおよび／またはコーティングされるべき基板表面を修正することであり、基板が６５ＨＲＣまたはそれ以下の硬度を示し、コーティングされた基板が負荷または特に中断された負荷を受けるときの、基板表面とＭｏＮコーティングとの間の接触を改善する。
【００１０】
特に、本発明の解決策は、基板硬度が６５ＨＲＣ未満またはそれと等しいときに、ＭｏＮ系コーティングでコーティングされた基板におけるＨＲＣロックウェルテストの実行によって、リング形状の破断線がロックウェル押し込みの間に生み出されないことを可能にすることが意図される。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の目的は、基板表面と請求項１に従う少なくとも１つのＭｏＮ層を備えるコーティングとの間に、層または層系を有する構成要素を提供することによって、達成される。
【００１２】
発明者らは、驚くべきことに、ＭｏＮコーティングでコーティングされるべき基板に窒化プロセスを受けさせることによって、リング形状の破断線を回避することが可能であることを発見した。基板表面硬度は、ＭｏＮコーティングを堆積する前に増加される。その後、ＭｏＮコーティングが、上記に述べたような窒化によって予め硬化された構成要素表面上に施される。
【００１３】
本発明の文脈におけるＭｏＮコーティングは、反応性ＰＶＤプロセスを用いることによって堆積された。
【００１４】
特に、反応性アークＰＶＤプロセスは、上記で示唆されたように硬化される構成要素表面上のＭｏＮコーティングを堆積するために好適であるように実施される。
【００１５】
基板の窒化プロセスおよびコーティングプロセスは、コーティング機の同様の真空室においてなされ得ることは、用いられた方法の特別な利点である。
【００１６】
この方法では、窒化層と、白層の形成のないコーティングとの間の良好な接着が保障された。
【００１７】
ＭｏＮコーティングは、六方晶相または立方晶相または六方晶相と立方晶相との混合物を示して堆積され得る。
【００１８】
図２は、標準的なＨＲＣロックウェルテストに従ってその後テストされた上記に述べられた発明の解決策に従ってコーティングされた表面の画像を示す。この画像では、ロックウェル押し込みの周囲のリング形状の破断線が観察され得ないことがはっきり分かるはずである。
【００１９】
発明者らは、驚くべきことに、修正されたＭｏＮコーティングで構成要素の基板表面をコーティングさせることによって、リング形状の破断線を回避することが可能であることも発見した。この場合、コーティングされるべき構成要素表面を予め修正する必要はなかった。これは、先行する窒化ステップは必要とされないことを意味する。
【００２０】
具体的には、発明者らは、多層構造のＭｏＮ／ＣｒＮコーティングを施すことを提案する。多層構造のＭｏＮ／ＣｒＮコーティングは、交互に堆積されたＭｏＮの個別の層およびＣｒＮの個別の層を備える。特に良好な結果、すなわち、リング形状の破断線またはさらなる接着不良のないロックウェル押し込みが、多層コーティングの厚さが約４〜５μｍであったとき、この第２の発明の解決策を用いることによって特に観察された。
【００２１】
この場合、ＭｏＮ層はまた、六方晶相または立方晶相または六角形と立方晶相との混合物を示して堆積され得る。
【００２２】
上記に述べられたように、この第２の発明の解決策を用いて、約４〜５μｍの多層構造のＭｏＮ／ＣｒＮコーティングの厚さが、ＨＲＣロックウェルテスト後の画像を得るために要求された。ＨＲＣロックウェルテスト後の画像は、リング形状の破断線を示さず、さらなる接着不良の兆候も示さなかった。しかしながら、このような種類のＭｏＮ／ＣｒＮ多層コーティングであるが４μｍ未満の厚さを有するものが、特定の用途のために好適であり得る。なぜなら、実際の用途における負荷は、おそらくＨＲＣロックウェルテストにおける負荷ほど高くはないためである。この場合、たとえば２μｍの厚さは、実際の自動車用途において用いられる構成要素上に施されるＭｏＮ／ＣｒＮ多層コーティングのために十分であり得る。
【００２３】
ＭｏＮおよびＣｒＮの個別の層は、たとえば反応性ＰＶＤプロセスを用いることによって堆積され得る。第２の本発明の解決策の好ましい実施形態に従えば、反応性アークＰＶＤプロセスは、多層コーティングのＭｏＮおよびＣｒＮの個別の層を堆積するために用いられる。
【００２４】
説明されたように、第１の発明の解決策では、ＭｏＮコーティングでコーティングされるべき構成要素表面は、予め窒化されなければならず、標準的な窒化プロセスは４５０℃以上の温度で実行されるため、このような温度に耐えることができる材料からなる構成要素のみがこの方法で処理されることができる。
【００２５】
この観点では、第２の発明の解決策（ＭｏＮ／ＣｒＮ多層コーティングを用いること）は、コーティングプロセスが４５０℃未満の温度、たとえば２００℃の温度で実施されることができるという利点を含む。既に述べられたように、窒化ステップは必要でないため、温度に敏感な材料からなる構成要素は、たとえばピストンピンのように、処理されることができる。
【００２６】
いくつかの場合において、本発明の文脈におけるさらなる改良された接触が、ＣｒＮからなる接着層を設けることによって達成されたことが観察された。この接着層は、たとえば、第１の発明の解決策に従うＭｏＮコーティングを堆積する前、または第２の発明の解決策に従う修正されたＭｏＮコーティングを堆積する前に、それぞれ堆積された。ＣｒＮ接着層は、好ましくは、少なくとも３０ｎｍの層厚さを有して設けられる。ＣｒＮ接着層の厚さは、好ましくは０．０５μｍ〜１μｍの間である。
【００２７】
特に、ピストンピン、カムフォロワー、ピストンリングおよびノズル針のタイプの構成要素は、本発明に関する実験の文脈における、第１の発明の解決策および第２の発明の解決策で処理された。
【００２８】
第１の発明の解決策に従って処理されたカムフォロワーが窒化ステップ後にダメージを示さなかったことは、特に非常に驚くべきことであった。しかしながら、本発明に従って処理され得る構成要素は、この記載に限定されない。
【００２９】
さらに、本発明に従って（第１の発明の解決策および第２の発明の解決策に従って）処理される構成要素の表面は、特に耐摩耗性の増加に関して、非常に優れた摩擦学的性質を示す。
【００３０】
実施例：異なる自動構成要素および精密構成要素は、本発明に従って処理され、耐摩耗性の増加に関する素晴らしい改善が達成された。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明はカムフォロワーの実施例を用いてより詳細に説明される。いくつかのカムフォロワーは従来技術に従って処理され、他のものは本発明のいくつかの好ましい実施形態に従って処理された。その後、全ての処理されたカムフォロワーが、異なる分析およびテストを受けた。
【００３２】
鋼鉄表面を有するテスト片である、コーティング前に硬度６４ＨＲＣを有する１．２８４２  １９ＭｎＣｒＶ８からなる適格な参照サンプル（qualified reference sample）（以下、ＱＲＳと呼ばれる）および少なくとも１つのカムフォロワーが、以下の処理を受けた。
【００３３】
処理Ａ（従来技術）：テストされるべきＱＲＳおよびカムフォロワーの表面が、ＱＲＳ上に約２．５μｍの厚さを有するＭｏＮ層でコーティングされ、カムフォロワー上に４．５μｍの厚さを有するＭｏＮ層でコーティングされた。ＭｏＮ層とカムフォロワーの表面との間に、約５０ｎｍの厚さを有する薄いＣｒＮ層が接着層として堆積された。ＭｏＮ層は、反応性アークＰＶＤ技術を用いることによって堆積された。ＭｏＮ層の堆積によって、Ｍｏターゲットは反応性ガスとして窒素を含む真空雰囲気でアーク蒸着された。窒素の分圧は３Ｐａで維持され、基板温度（すなわち、処理されているカムフォロワーの表面の温度）は約２００℃であった。ＭｏＮ層は、基本的に窒化モリブデンの六方晶相のみを備えて形成された。
【００３４】
処理Ｂ（発明）：テストされるべきＱＲＳおよびカムフォロワーの表面は、処理Ａで説明されたものと同様のコーティングでコーティングされたが、カムフォロワー表面は、予め窒素を含む真空室で実施されたプラズマ窒化プロセスからなる硬化ステップを受けた。基板温度（処理を受けている表面において測定された構成要素の温度）は、約４８０℃であった。この方法では、約５０μｍの厚さを有する、硬化された窒素を含む表面層が形成された。その後、ＭｏＮ層が反応性アークＰＶＤ技術を用いることによって堆積された。ＭｏＮ層の堆積によって、Ｍｏターゲットは反応性ガスとして窒素を含む真空雰囲気でアーク蒸着された。窒素の分圧は３Ｐａで維持され、基板温度（すなわち、処理されているカムフォロワーの表面の温度）は、約４８０℃であった。ＭｏＮ層は、窒化モリブデンの六方晶相と少なくとも１つの立方晶相との混合物を備えて形成された。いくつかの実験のために、約５０ｎｍの厚さを有する薄いＣｒＮ層が、接着層として、ＭｏＮ層と硬化された窒素を含む表面層との間に堆積された。
【００３５】
処理Ｃ（発明）：テストされるべきＱＲＳおよびカムフォロワーの表面は処理Ｂで説明されたものと同様に処理されたが、硬化ステップの後に、コーティングされるべき基板が約２００℃の温度に達するまで、コーティング室は冷却された。その後、ＭｏＮ層が、３Ｐａの窒素分圧だが約２００℃の基板温度を用いることによって堆積された。この方法では、ＭｏＮ層は、基本的に窒化モリブデンの六方晶相のみを備えて形成された。硬化された窒素を含む表面層の厚さは約５０μｍであった。ＭｏＮ層の厚さは、ＱＲＳ上で約２．５μｍ、カムフォロワー上で４．５μｍであった。いくつかの実験のために、約５０ｎｍの厚さを有する薄いＣｒＮ層が、接着層として、ＭｏＮ層と硬化された窒素を含む表面層との間に堆積された。
【００３６】
処理Ｄ（発明）：テストされるべきＱＲＳおよびカムフォロワーの表面は、ＱＲＳおよびカムフォロワーの両方の上に約４μｍの厚さを有する多層ＭｏＮ／ＣｒＮコーティング膜でコーティングされた。多層ＭｏＮ／ＣｒＮコーティング膜は、反応性アークＰＶＤ技術を用いることによって堆積された。多層ＭｏＮ／ＣｒＮコーティング膜の堆積によって、１つのＭｏターゲットおよび１つのＣｒターゲットが、反応性ガスとして窒素を含む真空雰囲気でアーク蒸着された。窒素の分圧は３Ｐａで維持され、基板温度は約２００℃であった。ＭｏＮの個別の層およびＣｒＮの個別の層は、図３に示されるように互いに交互に堆積された。いくつかの実験のために、約５０ｎｍの厚さを有する薄いＣｒＮ層が、接着層として多層ＭｏＮ／ＣｒＮコーティング膜とコーティングされるべき表面との間に堆積された。この場合では、ＱＲＳおよびカムフォロワー表面は、処理Ｂおよび処理Ｃにおいて説明されたような硬化ステップを受けることによって修正されなかった。
【００３７】
図３は、本発明に従うカムフォロワー上に堆積される多層ＭｏＮ／ＣｒＮコーティング膜の一部に対応する断面図の画像を示す。
【００３８】
多層およびＭｏＮの個別の層の堆積の間、Ｍｏターゲットのみがアーク蒸着され、同様にＣｒＮの個別の層の堆積の間、Ｃｒターゲットのみがアーク蒸着された。ＭｏＮの個別の層とＣｒＮの個別の層との間には、中間層が堆積された。中間層の堆積の間、ＭｏターゲットおよびＣｒＮターゲットの両方が同時にアーク蒸着された。この方法では、ＭｏＣｒＮの中間層（すなわち、Ｃｒ、ＭｏおよびＮを含む中間層）が形成された。
【００３９】
この方法で堆積された多層ＭｏＮ／ＣｒＮコーティング膜に含まれる個別のＭｏＮ層は、窒化モリブデンの六方晶相と少なくとも１つの立方晶相との混合物を備えた。
【００４０】
処理されたＱＲＳはＨＲＣロックウェルテストを用いることによってテストされ、カムフォロワーは２００時間までの間、異なる回転速度でエンジンバルブテストを用いることによってテストされた。
【００４１】
発明者らは、従来技術に従う処理Ａで処理されたカムフォロワーの全ての表面が、不連続な機械的負荷テストの後、強い摩耗を提示し、実際に全ての場合において、コーティングは２時間後に完全に除去され、カムフォロワー自体は深い摩耗溝を示したことを観察した。
【００４２】
これに反して、本発明に従う処理Ｂ，ＣおよびＤで処理されたカムフォロワーの全ての表面は、驚くべきことに、実際上、エンジンテストの２００時間後に摩耗は示さなかった。これらの場合において観察された最も高い摩耗は、０．３５μｍであった。これは、最悪の場合でも、コーティング厚さ全体からわずか０．３５μｍが除去されたことを意味する。
【００４３】
ＱＲＳの処理された表面は、上記に述べられたようなＨＲＣロックウェルテストを用いることによってテストされた。従来技術に従う処理Ａで処理されたＱＲＳの全ての表面は、ＨＲＣロックウェルテスト後、リング形状の破断を提示した。これに反して、本発明に従う処理Ｂ、ＣおよびＤで処理されたＱＲＳの全ての表面は、驚くべきことに、ＨＲＣロックウェルテスト後、リング形状の破断は提示しなかった。
【００４４】
具体的に、本発明は以下に関する。
−４０ｎｍ以上の厚さを有する少なくとも１つのＭｏＮ層を備えるコーティングでコーティングされる基板表面を備える構成要素であって、基板表面と少なくとも１つのＭｏＮ層との間に、基板表面の硬化層が備えられ、基板表面の硬化層は硬化された窒素を含む基板表面層であり、基板表面層は基板表面で実施される窒化処理の結果であり、１０μｍ以上、好ましくは２０μｍ以上１５０μｍ以下の厚さを有する。
または、
−４０ｎｍ以上の厚さを有する少なくとも１つのＭｏＮ層を含むコーティングでコーティングされる基板表面を備える構成要素であって、基板表面と少なくとも１つのＭｏＮ層との間に、
基板表面の硬化層が備えられ、基板表面の硬化層は硬化された窒素を含む基板表面層であり、基板表面層は基板表面で実施される窒化処理の結果であり、１０μｍ以上、好ましくは２０μｍ以上１５０μｍ以下の厚さを有し、
および
２以上のＭｏＮ層および２以上のＣｒＮ層からなる層系が備えられ、層系を形成するＭｏＮ層およびＣｒＮ層は、互いに交互に堆積されて多層ＭｏＮ／ＣｒＮコーティング膜を形成する個別の層である。
または
−４０ｎｍ以上の厚さを有する少なくとも１つのＭｏＮ層を含むコーティングでコーティングされる基板表面を備える構成要素であって、基板表面と少なくとも１つのＭｏＮ層との間に、２以上のＭｏＮ層および２以上のＣｒＮ層からなる層系が備えられ、層系を形成するＭｏＮ層およびＣｒＮ層は、互いに交互に堆積されて多層ＭｏＮ／ＣｒＮコーティング膜を形成する個別の層である。
【００４５】
本発明の好ましい実施形態に従えば、多層ＭｏＮ／ＣｒＮコーティング層が基板表面と少なくとも１つのＭｏＮ層との間に備えられない場合、前記少なくとも１つのＭｏＮ層は、５００ｎｍ以上の厚さを有する。この場合、少なくとも１つのＭｏＮ層は、少なくとも大部分で六方晶相δ−ＭｏＮを含む、または六方晶相δ−ＭｏＮのみを含む窒化モリブデンからなるように堆積され得る。しかしながら、構成要素の使用のために有利である場合、このような場合において、窒化モリブデンからなる少なくとも１つのＭｏＮ層を堆積することも可能になる。ここでは、相の混合物を含み、混合物は、
−六方晶相δ−ＭｏＮおよび立方晶相γ−Ｍｏ2Ｎ、または
−六方晶相δ−ＭｏＮおよび過飽和立方晶相ζ−ＭｏＮ、または
−六方晶相δ−ＭｏＮおよび立方晶相γ−Ｍｏ2Ｎおよび過飽和立方晶相ζ−ＭｏＮ
を含む。
【００４６】
好ましくは、前記少なくとも１つのＭｏＮ層の全体の厚さは、１μｍ以上１５μｍ以下、より好ましくは１．５μｍ以上１０μｍ以下である。
【００４７】
本発明のさらなる好ましい実施形態に従えば、硬化された窒素を含む基板表面層が基板表面と少なくとも１つのＭｏＮ層との間に備えられない場合、前記多層ＭｏＮ／ＣｒＮコーティング膜は４６０ｎｍ以上の厚さを有する。この場合、上記に述べられた、４０ｎｍ以上の厚さを有する少なくとも１つのＭｏＮ層は、２つの多層ＭｏＮ／ＣｒＮコーティング膜間に備えられ得る。ここでは、それぞれの多層ＭｏＮ／ＣｒＮコーティング膜は、好ましくは、４６０ｎｍ以上の厚さの膜を有する。
【００４８】
好ましくは、多層ＭｏＮ／ＣｒＮコーティング膜および前記少なくとも１つのＭｏＮ層の両方の厚さの合計は、１μｍ以上１５μｍ以下、好ましくは１．５μｍ以上１０μ以下である。
【００４９】
本発明のさらなる好ましい実施形態に従えば、少なくとも、１つの個別のＭｏＮ層と１つの個別のＣｒＮ層との間に、Ｍｏ、ＣおよびＮを含む個別の中間層が備えられる。
【００５０】
本発明のさらに好ましい実施形態に従えば、個別の中間層は、１０ｎｍ以上、かつ、前記個別の中間層の隣にある個別のＣｒＮ層の厚さまたは個別のＭｏＮ層の厚さ以下の厚さを有する。
【００５１】
本発明のさらなる好ましい実施形態に従えば、個別のＭｏＮ層の少なくとも大部分は、４０ｎｍ以上、好ましくは５００ｎｍ以下の厚さを有する。
【００５２】
本発明のさらなる好ましい実施形態に従えば、個別のＣｒＮ層の少なくとも大部分は、２０ｎｍ以上、かつ好ましくは５００ｎｍ以下の厚さを有する。
【００５３】
本発明のさらなる好ましい実施形態に従えば、前記多層ＭｏＮ／ＣｒＮコーティング膜の全体の厚さは、１μｍ以上１５μｍ以下、好ましくは１．５μｍ以上１０μｍ以下である。
【００５４】
本発明のさらなる好ましい実施形態に従えば、個別のＭｏＮ層は、相の混合物を含む窒化モリブデンからなり、混合物は、
−六方晶相δ−ＭｏＮおよび立方晶相γ−Ｍｏ2Ｎ、または
−六方晶相δ−ＭｏＮおよび過飽和立方晶相ζ−ＭｏＮ、または
−六方晶相δ−ＭｏＮおよび立方晶相γ−Ｍｏ2Ｎおよび過飽和立方晶相ζ−ＭｏＮ
を含む。
【００５５】
本発明に従う処理は、構成要素が自動車用途または精密構成要素であるとき、さらに特に構成要素の基板表面が６５ＨＲＣ以下の硬度を有する場合、特に有利である。
【００５６】
本発明の実施形態のうち少なくとも１つに従う構成要素を製造するための好ましい方法は、反応性ＰＶＤプロセスによる、前記少なくとも１つのＭｏＮ層の堆積または個別のＭｏＮ層のうちの少なくとも１つの堆積を含む。
【００５７】
好ましくは、本方法は、反応性ＰＶＤプロセスとして反応性アークＰＶＤプロセスの使用を含む。ＭｏＮ層またはＭｏＮの個別の層の堆積の間、Ｍｏの少なくとも１つのターゲットはカソードとして作動され、この方法では反応性ガスとして窒素を含む雰囲気でアークＰＶＤ技術を用いることによって蒸着される。
【図１】
0006741690.tif 000002
【図２】
0006741690.tif 000003
【図３】
0006741690.tif 000004