(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビティ及び前記キャビティの周りに段差構造を有する胴体と、
前記キャビティ内に配置された複数の電極と、
前記キャビティ内に配置された発光チップと、
前記キャビティの上をカバーし、外側が前記段差構造の上に配置された透明ウィンドウと、
前記透明ウィンドウの外側と前記胴体との間に配置された接着部材とを含み、
前記段差構造は、前記胴体の上面より低い底、及び前記底の外側に前記底より低い深さを有する溝を含み、
前記透明ウィンドウは外側下部に前記溝に突出した突起を含み、
前記接着部材は、前記溝に配置されて前記透明ウィンドウの突起と接着された第１接着部材と、及び前記透明ウィンドウの外側と前記胴体との間に接着された第２接着部材と、を含むことを特徴とする、発光素子。
【請求項２】
前記透明ウィンドウの下であるキャビティの領域は空いている空間または化学元素で満ちていることを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第２接着部材は、前記透明ウィンドウの外側上面と前記胴体の上面に延長され、
前記第２接着部材の上部表面は、前記透明ウィンドウの上面より上に配置されることを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記胴体は、前記段差構造と前記胴体の上面との間に配置された傾斜した構造を含み、
前記第２接着部材は、前記透明ウィンドウの外側と前記胴体の傾斜した構造の上に接着されることを特徴とする、請求項１乃至３のうち、いずれか一項に記載の発光素子。
【請求項５】
前記透明ウィンドウの外側の周りに前記透明ウィンドウの上面より低い第１リセスを含み、
前記第２接着部材は、前記第１リセス及び前記胴体に接着されることを特徴とする、請求項１乃至４のうち、いずれか一項に記載の発光素子。
【請求項６】
前記胴体には前記段差構造と前記胴体の上面との間に配置された第２リセスを含み、
前記第２接着部材は、前記第１及び第２リセスの上に配置されたことを特徴とする、請求項５に記載の発光素子。
【請求項７】
前記透明ウィンドウ及び前記胴体の上に配置された防水層を含むことを特徴とする、請求項１乃至６のうち、いずれか一項に記載の発光素子。
【請求項８】
前記防水層は、前記第２接着部材の上に配置されることを特徴とする、請求項７に記載の発光素子。
【請求項９】
前記第１及び第２接着部材は、互いに異なる材質を含むことを特徴とする、請求項１乃至８のうち、いずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記透明ウィンドウの上面及び下面のうちの少なくとも１つに曲面を含むことを特徴とする、請求項１乃至９のうち、いずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記透明ウィンドウの上面に凹凸パターンを含むことを特徴とする、請求項１乃至１０のうち、いずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記胴体は、セラミックス材質を含み、
前記透明ウィンドウは、ガラス材質を含み、
前記発光チップは、紫外線光を発光することを特徴とする、請求項１乃至１１のうち、いずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記複数の電極は、第１電極と第２電極を含み、
前記胴体の下面に配置された第１及び第２リード電極と、前記胴体の内に配置され、前記第１電極及び第１リード電極に連結された第１連結電極と、及び前記第２電極及び第２リード電極に連結された第２連結電極と、をさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至１２のうち、いずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記透明ウィンドウは紫外線波長を透過する透過部、及び紫外線波長を遮断し、前記透過部の縁部に位置した遮断部を含み、前記遮断部は前記第１接着部材上に位置することを特徴とする、請求項１乃至１３のうち、いずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記透過部及び前記遮断部は、同一平面上に並んで位置することを特徴とする、請求項１４に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記第１接着部材は、前記透過部から一定間隔離隔したことを特徴とする、請求項１４または１５に記載の発光素子。
【請求項１７】
前記第１接着部材の幅は、前記遮断部の幅より小さいことを特徴とする、請求項１４乃至１６のうち、いずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記遮断部は、前記透過部の下部面上に位置することを特徴とする、請求項１４乃至１７のうち、いずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１９】
前記遮断部は、前記キャビティの内側方向に延長されたことを特徴とする、請求項１４乃至１８のうち、いずれか一項に記載の発光素子。
【請求項２０】
前記透過部は、クォーツを含み、前記遮断部は、ガラスまたはＩＴＯを含むことを特徴とする、請求項１４乃至１９のうち、いずれか一項に記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子及び照明システムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、窒素（Ｎ）のようなＶ族ソースと、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはインジウム（Ｉｎ）のようなIII族ソースを含む窒化物半導体素材は熱的安定性に優れて、直接遷移型のエネルギーバンド（band）構造を有しているので、窒化物系半導体素子、例えば紫外線領域の窒化物系半導体発光素子及び太陽電池用物質に多く使用されている。
【０００３】
窒化物系物質は、０．７ｅＶから６．２ｅＶの幅広いエネルギーバンドギャップを有しているので、太陽光スペクトル領域と一致する特性によって太陽電池素子用物質に多く使われている。特に、紫外線発光素子は、硬化機装置、医療分析機、及び治療機器及び殺菌、浄水、浄化システムなど、多様な産業分野で活用されており、今後、半導体照明光源として一般照明に使用可能な物質として注目を受けている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、透明ウィンドウのシーリング構造を有する発光素子を提供するためのものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に従う発光素子は、キャビティ及び前記キャビティの周りに段差構造を有する胴体と、前記キャビティ内に配置された複数の電極と、前記キャビティ内に配置された発光チップと、前記キャビティの上をカバーし、外側が前記段差構造上に配置された透明ウィンドウと、前記透明ウィンドウと前記胴体との間に配置された接着部材を含み、前記接着部材は、前記透明ウィンドウの外側下面と前記段差構造の底との間に配置された第１接着部材と、及び前記透明ウィンドウの外側と前記胴体との間に接着された第２接着部材と、を含むことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る発光素子を示す図である。
【図２】図１の発光素子の部分拡大図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る発光素子を示す図である。
【図４】図３の発光素子の部分拡大図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る発光素子を示す図である。
【図６】本発明の第４実施形態に係る発光素子を示す図である。
【図７】図６の発光素子の部分拡大図である。
【図８】本発明の第５実施形態に係る発光素子を示す図である。
【図９】本発明の第６実施形態に係る発光素子を示す図である。
【図１０】本発明の第７実施形態に係る発光素子を示す図である。
【図１１】本発明の第８実施形態に係る発光素子を示す図である。
【図１２】本発明の第９実施形態に係る発光素子を示す斜視図である。
【図１３】図１２のＩ−Ｉ'ラインに沿って切断した発光素子を示す断面図である。
【図１４】本発明の第１０実施形態に係る発光素子を示す断面図である。
【図１５】本発明の第１１実施形態に係る発光素子を示す断面図である。
【図１６】本発明の実施形態に係る発光チップの一例を示す図である。
【図１７】本発明の実施形態に係る発光素子の発光チップの他の例を示す図である。
【図１８】本発明の実施形態に係る発光素子を含む照明装置を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
本発明を説明するに当たって、各層（膜）、領域、パターン、または構造物が、基板、各層（膜）、領域、パッド、またはパターンの“上／の上（on）”に、または“下／の下（under）”に形成されることと記載される場合において、“上／の上（on）”と“下／の下（under）”は、“直接（directly）”または“他の層を介して（indirectly）”形成されることを全て含む。また、各層の上／の上または下／の下に対する基準は、図面を基準として説明する。
【０００８】
図１は本発明の第１実施形態に係る発光素子の断面図であり、図２は図１の発光素子の部分拡大図である。
【０００９】
図１及び図２を参照すると、発光素子１００は、上部が開放されたキャビティ１１１を有する胴体１１０、前記キャビティ１１１の内に配置された複数の電極１４１、１４３、前記キャビティ１１１に配置されて複数の電極１４１、１４３と電気的に連結された発光チップ１３１、前記胴体１１０の下面に配置された複数のリード電極１４５、１４７、前記キャビティ１１１の上に透明ウィンドウ１６１、及び前記透明ウィンドウ１６１の外側と前記胴体１１０との間に接着部材１２１、１２３を含む。
【００１０】
前記胴体１１０はセラミックス材質を含み、前記セラミックス材質は同時塑性される低温塑性セラミックス（ＬＴＣＣ：low temperature co-fired ceramic）または高温塑性セラミックス（ＨＴＣＣ：high temperature co-fired ceramic）を含む。他の例として、前記胴体１１０は窒化物または酸化物のような絶縁性部材を含むことができ、好ましくは熱伝導度が酸化物または窒化物より高い金属窒化物を含むことができる。前記胴体１１０の材質は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、またはＡｌＮであり、熱伝導度が１４０Ｗ／ｍＫ以上の金属窒化物に形成することができる。
【００１１】
前記胴体１１０は反射部１１５を含み、前記反射部１１５はキャビティ１１１の周りに配置され、発光チップ１３１から放出された光を反射するようになる。
【００１２】
前記キャビティ１１１は、前記胴体１１０の上部に前記胴体１１０の上面１１より低い深さを有する領域であって、上部が開放される。ここで、前記キャビティ１１１の上方は、発光チップ１３１から放出された光が抽出される方向になることができる。
【００１３】
前記キャビティ１１１は、トップビュー形状が円形、楕円形、または多角形状を含むことができる。前記多角形状のキャビティ１１１は、隅部分が面取り処理された形状、例えば曲面形状でありうる。
【００１４】
前記キャビティ１１１は、上部の幅が下部の幅より広い幅を有することができる。他の例として、前記キャビティ１１１は上部及び下部の幅が互いに同一な幅でありうる。前記キャビティ１１１の側壁１１６は前記キャビティ１１１の底（Bottom）に対し傾斜するか、または垂直に配置されることができ、これに対して限定するものではない。
【００１５】
前記キャビティ１１１の側壁１１６には金属層が配置されることができ、前記金属層は反射金属であるか、または熱伝導性の高い金属がコーティングできる。前記金属層は前記キャビティ１１１の内での光抽出効率を改善させ、放熱特性を改善させることができる。
【００１６】
前記透明ウィンドウ１６１は、前記発光チップ１３１から離隔できる。前記透明ウィンドウ１６１が前記発光チップ１３１から離隔されることによって、前記発光チップ１３１により発生した熱による膨脹を防止することができる。前記透明ウィンドウ１６１の下であるキャビティ１１１の領域は空いている空間であるか、または非金属または金属材質の化学元素で満たされる。
【００１７】
段差構造１２は前記胴体１１０の上部、例えば前記反射部１１５の内側に配置される。前記段差構造１２は、前記キャビティ１１１の上部の周りに配置できる。
【００１８】
前記段差構造１２は前記胴体１１０の上面１１より低い領域に配置され、底１３及び側面１５を含む。前記段差構造１２の側面１５は前記底１３から垂直な面、または傾斜した面でありうる。前記段差構造１２は、前記キャビティ１１１の側壁１１６と前記胴体１１０の上面１１との間の領域に配置できる。
【００１９】
前記胴体１１０には複数の電極１４１、１４２、１４３、１４４、１４５、１４７が結合できる。前記複数の電極１４１、１４２、１４３、１４４、１４５、１４７は前記キャビティ１１１に配置された第１及び第２電極１４１、１４３、前記胴体１１０の下面に配置された第１及び第２リード電極１４５、１４７、前記胴体１１０の内に配置され、前記第１電極１４１と第１リード電極１４５とを連結する第１連結電極１４２と、及び前記第２電極１４３と第２リード電極１４７とを連結する第２連結電極１４４と、を含むことができる。
【００２０】
前記第１及び第２電極１４１、１４３は、前記キャビティ１１１の底から胴体１１０の内部に延長できる。前記第１電極１４１は、前記第１連結電極１４２を通じて第１リード電極１４５と連結されることができ、前記第２電極１４３は前記第２連結電極１４４を通じて第２リード電極１４７と連結できる。
【００２１】
前記第１及び第２リード電極１４５、１４７は胴体１１０の下面に配置され、電源を供給し、前記胴体１１０から伝導された熱を放熱することができる。このような第１または第２リード電極１４５、１４７の下面の面積は前記第１または第２電極１４１、１４３の上面の面積より広いことがある。前記第１及び第２リード電極１４５、１４７のうち、少なくとも１つは複数個に配置できる。
【００２２】
前記第１及び第２連結電極１４２、１４４のうちの少なくとも１つは複数個に配置できる。前記第１及び第２連結電極１４２、１４４はビア構造であって、胴体１１０の内部の回路パターンと電気的に連結できる。
【００２３】
前記複数の電極１４１、１４２、１４３、１４４、１４５、１４７は金属層、例えば白金（Ｐｔ）、チタニウム（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）を選択的に含むことができる。前記電極１４１、１４２、１４３、１４４、１４５、１４７の各々は単層または多層に形成できる。ここで、多層の電極構造は最上層にはボンディングの良い金（Ａｕ）材質が配置されることができ、最下層には接着性の良いチタニウム（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）の材質が配置されることができ、中間層には白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）などが配置できる。このような電極の積層構造に限定するものではない。
【００２４】
前記発光チップ１３１はキャビティ１１１の内に配置できる。前記発光チップ１３１は、前記第１及び第２電極１４１、１４３のうちの少なくとも１つの上に配置できる。前記発光チップ１３１は、第１電極１４１の上に配置された場合、ボンディング部材１３０は第１電極１４１と発光チップ１３１との間をボンディングさせることができる。前記発光チップ１３１は、キャビティ１１１の内でフリップチップボンディングされることができ、これに対して限定するものではない。
【００２５】
前記発光チップ１３１は、他の例として、第１及び２電極１４１、１４３の上に配置できる。他の例として、前記発光チップ１３１は、前記第１及び第２電極１４１、１４３でない胴体１１０の上に配置できる。他の例として、前記発光チップ１３１は第１及び２電極１４１、１４３から電気的に分離された金属材質の放熱プレートの上に配置されることができ、これに対して限定するものではない。
【００２６】
前記発光チップ１３１は、第１及び第２電極１４１、１４３と連結部材１３３、１３５により連結できる。前記連結部材１３３、１３５は、伝導性材質のワイヤーを含む。
【００２７】
前記発光チップ１３１は紫外線発光ダイオードであって、２００ｎｍから４０５ｎｍ帯の波長を有する紫外線発光ダイオードでありうる。即ち、発光チップ１３１は２００ｎｍから２８９波長を放出したり、２９０ｎｍから３１９ｎｍ波長を放出したり、３２０ｎｍから４０５ｎｍ波長を放出したりすることができる。前記キャビティ１１１の内には保護素子がさらに配置されることができ、これに対して限定するものではない。
【００２８】
前記透明ウィンドウ１６１は、前記胴体１１０の上に配置される。前記透明ウィンドウ１６１は前記キャビティ１１１をカバーし、前記胴体１１０に結合できる。前記透明ウィンドウ１６１の上面は、平坦な面または凹な面でありうる。前記透明ウィンドウ１６１の下面は、平坦な面、凹な面、または凸な面でありうる。
【００２９】
前記透明ウィンドウ１６１は、ガラス系列材質を含むことができる。前記透明ウィンドウ１６１は、例えばＬｉＦ、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＢａＦ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、または光学ガラス（Ｎ−ＢＫ７）の透明な物質で形成されることができ、ＳｉＯ２の場合、クォーツ（Quartz）結晶またはUV不透明石英ガラス（Fused Silica）でありうる。また、前記透明ウィンドウ１６１は低鉄分ガラス（low iron glass）でありうる。
【００３０】
前記透明ウィンドウ１６１と胴体１１０との間の領域は、二重接着構造または二重シーリング構造が配置できる。
【００３１】
前記透明ウィンドウ１６１の外側は、前記胴体１１０の段差構造１２の上に配置される。前記段差構造１２の底１３の深さ（ＴＯ）は、前記透明ウィンドウ１６１の厚さと同一であるか、または前記胴体１１０の上面１１から前記透明ウィンドウ１６１の下面より低く配置されることができ、これに対して限定するものではない。
【００３２】
接着部材１２１、１２３は、前記透明ウィンドウ１６１の下面と前記段差構造１２の底１３との間に配置された第１接着部材１２１と、前記透明ウィンドウ１６１と胴体１１０の上面に配置された第２接着部材１２３を含む。前記第１接着部材１２１は、透明ウィンドウ１６１の外側下面を段差構造１２に接着させ、第２接着部材１２３は前記透明ウィンドウ１６１の外側上面と胴体１１０の上面１１に付着できる。
【００３３】
前記第２接着部材１２３は、前記透明ウィンドウ１６１の外側上面と胴体１１０の上面１１との間の間隔より大きい幅を有し、前記透明ウィンドウ１６１と胴体１１０との間の隙間をカバーすることができる。前記第２接着部材１２３は、前記透明ウィンドウ１６１の各側面に沿って配置されることができ、前記胴体１１０の上面１１より上に突出できる。前記第２接着部材１２３のうち、前記胴体１１０の上面１１の上に突出した形状は半球形状、楕円形状、または多角形状であり、これに対して限定するものではない。
【００３４】
前記第２接着部材１２３の一部１２４は前記透明ウィンドウ１６１の側面と前記段差構造１２の側面１５との間に配置されて接着できる。前記第２接着部材１２３の一部１２４は前記第１接着部材１２１に接触できる。
【００３５】
前記第１及び第２接着部材１２１、１２３は透明ウィンドウ１６１を胴体１１０に接着させることによって、前記透明ウィンドウ１６１と胴体１１０との間の領域を通じて侵入する湿気を遮断することができる。また、前記第１接着部材１２１及び第２接着部材１２３は、湿気の侵入経路に長く設置されるので、湿気侵入を抑制させることができる。このような第１及び第２接着部材１２１、１２３は前記透明ウィンドウ１６１を固定させ、湿気侵入を遮断することができる。
【００３６】
前記第１及び第２接着部材１２１、１２３は、シリコン、テフロン（Teflon）フィルム、Ａｇペースト、ＵＶ接着剤、Ｐｂ−ｆｒｅｅ低温ガラス、アクリル接着剤、またはセラミックス接着剤などでありうる。前記第１及び第２接着部材１２１、１２３は互いに異なる材質、例えば前記第１接着部材１２１はテフロンフィルムで、第２接着部材１２３はシリコンでありうる。前記第１及び第２接着部材１２１、１２３が異なる物質の場合、２つ接着部材１２１、１２３の間の界面領域により湿気侵入を効果的に抑制することができる。
【００３７】
図３は本発明の第２実施形態に係る発光素子を示す図であり、図４は図３の発光素子の部分拡大図である。第２実施形態を説明するに当たって、第１実施形態と同一な構成は第１実施形態の説明を参照する。
【００３８】
図３及び図４を参照すると、発光素子は、キャビティ１１１を有する胴体１１０、前記胴体１１０に結合された複数の電極１４１、１４３、前記胴体１１０の下面に配置された複数のリード電極１４５、１４７、前記キャビティ１１１の内に配置された発光チップ１３１、前記キャビティ１１１の上に透明ウィンドウ１６１、前記透明ウィンドウ１６１の外側と前記胴体１１０との間に配置された接着部材１２１、１２３を含む。
【００３９】
前記胴体１１０は、前記透明ウィンドウ１６１が安着する段差構造１２、及び前記段差構造１２と前記胴体１１０の上面との間に配置された第２リセス１４を含む。
【００４０】
前記透明ウィンドウ１６１は、外側の周りに前記透明ウィンドウ１６１の上面より低い第１リセス１６６を含む。前記第１リセス１６６は、前記胴体１１０の第２リセス１４の底の深さと同一な深さ（Ｔ１）、またはより深い深さに配置できる。前記第２リセス１４は、前記透明ウィンドウ１６１の外側下部の厚さと同一な深さ、またはより小さい深さを有することができる。前記第２リセス１４の深さ（Ｔ１）が深過ぎる場合、前記透明ウィンドウ１６１の外側剛性が弱くなることがあり、浅過ぎる場合、接着力改善効果がないことがある。
【００４１】
前記第１接着部材１２１は、前記段差構造１２に配置された第１接着部材１２１、及び前記透明ウィンドウ１６１の第１リセス１６６の上に配置された第２接着部材１２３を含む。
【００４２】
前記第１接着部材１２１は前記透明ウィンドウ１６１の外側下面と前記段差構造１２の底１３との間に接着される。前記第２接着部材１２３は、前記透明ウィンドウ１６１の第１リセス１６６と前記胴体１１０の第２リセス１４の上に配置される。
【００４３】
前記第１リセス１６６及び前記第２リセス１４の幅（Ｗ１、Ｗ２）は互いに同一であるか、または互いに異なることがある。例えば、第２リセス１４の幅（Ｗ２）が第１リセス１６６の幅（Ｗ１）より広く配置されることができ、これは透明ウィンドウ１６１の外側部の剛性を維持させ、接着面積を増加させることができる。前記第２リセス１４は形成しないことがある。
【００４４】
前記第２接着部材１２３の一部１２６は、前記透明ウィンドウ１６１の側面と前記段差構造１２の側面との間の領域に延びて接着できる。前記第２接着部材１２３の一部１２６は、第１接着部材１２１の上に接触できる。
【００４５】
前記第２接着部材１２３の上面は前記胴体１１０の上面または前記透明ウィンドウ１６１の上面より突出することがあり、曲面または平面でありうる。他の例として、前記第２接着部材１２３は、前記胴体１１０の上面及び前記透明ウィンドウ１６１の外側上面に延長できる。
【００４６】
前記第１及び第２接着部材１２１、１２３は、シリコン、テフロンフィルム、Ａｇペースト、ＵＶ接着剤、Ｐｂ−ｆｒｅｅ低温ガラス、アクリル接着剤、またはセラミックス接着剤などでありうる。前記第１及び第２接着部材１２１、１２３は相異する物質で形成されることができ、これに対して限定するものではない。
【００４７】
図５は、本発明の第３実施形態に係る発光素子を示す図である。第３実施形態を説明するに当たって、前記に開示された実施形態と同一な構成は前記に開示された実施形態の説明を参照する。
【００４８】
図５を参照すると、発光素子は、キャビティ１１１を有する胴体１１０、前記胴体１１０に結合された複数の電極１４１、１４３、前記胴体の下面に配置された複数のリード電極１４５、１４７、前記キャビティ１１１内に配置された発光チップ１３１、前記キャビティ１１１の上に透明ウィンドウ１６１、及び前記透明ウィンドウ１６１の外側と前記胴体１１０との間に配置された接着部材１２１、１２３を含む。
【００４９】
前記胴体１１０は、前記透明ウィンドウ１６１が安着する段差構造１２、及び前記段差構造１２と前記胴体１１０の上面１１との間に傾斜した傾斜構造１７を含む。
【００５０】
前記傾斜構造１７は、前記段差構造１２の側面１５から胴体１１０の上面１１に延長された傾斜した面を含む。前記傾斜構造１７は、前記胴体１１０の上面１１から１５度以上６０度未満の角度（θ１）に傾斜するようになり、このような角度（θ１）が前記範囲より小さい場合、接着効果が大きくなくなり、前記範囲より大きい場合、胴体１１０の上部外側部の剛性が弱くなる問題がある。
【００５１】
前記接着部材１２１、１２３は、前記透明ウィンドウ１６１の外側下面と前記段差構造１２の底１３との間に配置された第１接着部材１２１と、前記透明ウィンドウ１６１の外側と前記傾斜構造１７との間に配置された第２接着部材１２３を含む。
【００５２】
前記第２接着部材１２３は、前記透明ウィンドウ１６１の外側と傾斜構造１７に配置されるので、前記透明ウィンドウ１６１の外側面との接着力が強化できる。前記第２接着部材１２３は、前記胴体１１０の上面及び前記透明ウィンドウ１６１の外側上面に延長できる。
【００５３】
前記第１及び第２接着部材１２１、１２３は、前記胴体１１０と透明ウィンドウ１６１との間の領域に侵入する湿気を遮断することができる。また、前記第２接着部材１２３は前記傾斜構造１７により胴体１１０の表面に侵入する湿気の侵入経路に長く設置されるので、湿気を効果的に遮断することができる。
【００５４】
前記第１及び第２接着部材１２１、１２３はシリコン、テフロンフィルム、Ａｇペースト、ＵＶ接着剤、Ｐｂ−ｆｒｅｅ低温ガラス、アクリル接着剤、またはセラミックス接着剤などでありうる。前記第１及び第２接着部材１２１、１２３は相異する物質で形成されることができ、これに対して限定するものではない。
【００５５】
図６は本発明の第４実施形態に係る発光素子を示す図であり、図７は図６の発光素子の部分拡大図である。第４実施形態を説明するに当たって、前記に開示された実施形態と同一な構成は前記に開示された実施形態の説明を参照することにする。
【００５６】
図６及び図７を参照すると、発光素子は、キャビティ１１１を有する胴体１１０、前記胴体１１０に結合された複数の電極１４１、１４３、前記胴体１１０の下面に配置された複数のリード電極１４５、１４７、前記キャビティ１１１の内に配置された発光チップ１３１、前記キャビティ１１１の上に透明ウィンドウ１６１、及び前記透明ウィンドウ１６１の外側と前記胴体１１０との間に配置された接着部材１２１、１２３を含む。
【００５７】
前記胴体１１０は、キャビティ１１１の上部の周りに配置された段差構造１２、及び前記段差構造１２の内に配置された溝１１２を含む。前記段差構造１２は、前記溝１１２を含むことができる。前記溝１１２は、前記胴体１１０の上部の周りに沿って配置できる。前記溝１１２は、前記段差構造１２の底１３より外側に配置できる。この場合、段差構造１２の側面１５は溝１１２の内側まで垂直に延長できるので、透明ウィンドウ１６１の外側面をガイドすることができる。
【００５８】
前記溝１１２は、前記胴体１１０の上面から前記キャビティ１１１の深さ（Ｄ２）より深い深さ（Ｄ１）に配置できる。前記溝１１２は、前記段差構造１２の底１３より深い深さ（Ｄ１）を有し、前記キャビティ１１１の側壁１１６から離隔する。前記段差構造１２の底１３は前記溝１１２と前記キャビティ１１１の側壁１１６との間に配置できる。
【００５９】
前記透明ウィンドウ１６１は、外側下部に前記胴体１１０の下方に突出した突起１６５を含む。前記突起１６５は、前記透明ウィンドウ１６１の外側下面の周りに１つ、または複数で配置できる。前記突起１６５が１つの場合、ループ形状に配置されることができ、前記突起１６５が複数の場合、キャビティ１１１の側壁１１６の各々に１つずつ配置できる。
【００６０】
前記突起１６５の高さ（Ｄ３）は、前記透明ウィンドウ１６１の厚さと等しいか薄い厚さであり、これに対して限定するものではない。前記突起１６５の高さ（Ｄ３）が前記透明ウィンドウ１６１の厚さより高く配置された場合、キャビティ１１１の深さ及び段差構造１２の深さがより深くなって、前記発光素子の厚さが増加する問題がある。
【００６１】
前記透明ウィンドウ１６１の突起１６５のうち、前記キャビティ１１１の互いに反対側に配置された突起間の距離は、前記キャビティ１１１の底幅より長く配置できる。
【００６２】
前記接着部材１２１、１２３は前記溝１１２に配置され、前記透明ウィンドウ１６１の突起１６５に接着された第１接着部材１２１、前記透明ウィンドウ１６１の外側上面と前記胴体１１０の上面との間に配置された第２接着部材１２３を含む。
【００６３】
前記第１接着部材１２１は、前記溝１１２に配置されて前記突起１６５の周りに接着できる。前記第１接着部材１２１の一部は前記透明ウィンドウ１６１の外側下面と前記段差構造１２の底１３との間に延びて接着できる。
【００６４】
前記第２接着部材１２３は、前記透明ウィンドウ１６１の外側上面と前記胴体１１０の上面との間に接着されて、前記透明ウィンドウ１６１と胴体１１０の上面との間の領域への湿気の侵入を遮断することができる。
【００６５】
また、前記第２接着部材１２３の一部１２４は、前記透明ウィンドウ１６１の外側面と前記段差構造１２の側面との間に接着されて、湿気の侵入を遮断することができる。また、前記第２接着部材１２３の一部１２４は、前記第１接着部材１２１に接着できるので、湿気遮断効果を改善させることができる。前記段差構造１２と胴体１１０の上面１１との間に傾斜した構造をさらに配置する場合、第２接着部材１２３の接着面積が改善されることができ、これに対して限定するものではない。
【００６６】
前記第１及び第２接着部材１２１、１２３は、シリコン、テフロンフィルム、Ａｇペースト、ＵＶ接着剤、Ｐｂ−ｆｒｅｅ低温ガラス、アクリル接着剤、またはセラミックス接着剤などでありうる。前記第１及び第２接着部材１２１、１２３は相異する物質で形成されることができ、これに対して限定するものではない。
【００６７】
図８は、本発明の第５実施形態に係る発光素子を示す側断面図である。第５実施形態を説明するに当たって、前記に開示された実施形態と同一な構成は前記に開示された実施形態の説明を参照することにする。
【００６８】
図８を参照すると、発光素子は、キャビティ１１１を有する胴体１１０、前記胴体１１０に結合された複数の電極１４１、１４３、前記胴体１１０の下面に配置された複数のリード電極１４５、１４７、前記キャビティ１１１の内に配置された発光チップ１３１、前記キャビティ１１１の上に透明ウィンドウ１６１、前記透明ウィンドウ１６１の外側と前記胴体１１０との間に配置された接着部材１２１、１２３を含む。
【００６９】
前記透明ウィンドウ１６１の上面１６４及び下面のうちの少なくとも１つは曲面を含むことができる。例えば、前記透明ウィンドウ１６１の上面１６４が曲面に配置されることができ、このような曲面は光の所定領域にガイドすることができ、光の抽出効率を改善させることができる。前記曲面の形状は半球形状または楕円形状を含むことができる。
【００７０】
前記透明ウィンドウ１６１は、曲面形状により前記透明ウィンドウ１６１の中心部から外側に行くほど徐々に薄い厚さで提供できる。
【００７１】
前記接着部材１２１、１２３は、前記透明ウィンドウ１６１の外側下面と胴体１１０の段差構造１２との間に配置された第１接着部材１２１、及び前記透明ウィンドウ１６１の外側と前記胴体１１０との間に配置された第２接着部材１２３を含む。前記第２接着部材１２３は、前記透明ウィンドウ１６１の上面１６４である曲面上に接着できる。これによって、前記第２接着部材１２３は、前記透明ウィンドウ１６１の上面１６４との接着面積が改善できる。
【００７２】
前記透明ウィンドウ１６１の突起１６５は、胴体１１０の段差構造１２の溝１１２に満たされた第１接着部材１２１で接着できる。前記溝１１２及び突起１６５は、形成しないことがあり、前記段差構造１２の上に傾斜した構造をさらに配置することができ、これに対して限定するものではない。
【００７３】
前記第１及び第２接着部材１２１、１２３は、シリコン、テフロンフィルム、Ａｇペースト、ＵＶ接着剤、Ｐｂ−ｆｒｅｅ低温ガラス、アクリル接着剤、またはセラミックス接着剤などでありうる。前記第１及び第２接着部材１２１、１２３は相異する物質で形成されることができ、これに対して限定するものではない。
【００７４】
図９は、本発明の第６実施形態に係る発光素子を示す側断面図である。第６実施形態を説明するに当たって、前記に開示された実施形態と同一な構成は前記に開示された実施形態の説明を参照することにする。
【００７５】
図９を参照すると、発光素子は、キャビティ１１１を有する胴体１１０、前記胴体１１０に結合された複数の電極、前記キャビティ１１１の内に配置された発光チップ１３１、前記キャビティ１１１の上に透明ウィンドウ１６１、及び前記透明ウィンドウ１６１の外側と前記胴体１１０との間に配置された接着部材１２１、１２３を含む。
【００７６】
前記透明ウィンドウ１６１は、上面及び下面１６２のうちの少なくとも１つが曲面である形状を含む。例えば、前記透明ウィンドウ１６１の下面１６２は曲面形状を含む。前記曲面の直線距離（Ｄ３）は前記キャビティ１１１の底幅（Ｄ４）と等しいか狭いことがある。
【００７７】
前記透明ウィンドウ１６１は、前記下面１６２の曲面形状により中心部が最も薄く、前記中心部から外側に行くほど徐々に厚くなる。前記透明ウィンドウ１６１の下面１６２が曲面形状であるので、前記曲面に入射される光は臨界角が変化できるので、抽出効率が改善できる。
【００７８】
前記透明ウィンドウ１６１は、外側下面は平坦な面で配置されて、段差構造１２に第１接着部材１２１で接着できる。前記透明ウィンドウ１６１の外側と前記胴体１１０の上面との間に第２接着部材１２３が接着できる。
【００７９】
前記第１及び第２接着部材１２１、１２３は、シリコン、テフロンフィルム、Ａｇペースト、ＵＶ接着剤、Ｐｂ−ｆｒｅｅ低温ガラス、アクリル接着剤、またはセラミックス接着剤などでありうる。前記第１及び第２接着部材１２１、１２３は相異する物質で形成されることができ、これに対して限定するものではない。
【００８０】
図１０は、本発明の第７実施形態に係る発光素子を示す側断面図である。第７実施形態を説明するに当たって、前記に開示された実施形態と同一な構成は前記に開示された実施形態の説明を参照することにする。
【００８１】
図１０を参照すると、発光素子は、キャビティ１１１を有する胴体１１０、前記胴体１１０に結合された複数の電極１４１、１４３、前記胴体１１０の下面に配置された複数のリード電極１４５、１４７、前記キャビティ１１１の内に配置された発光チップ１３１、前記キャビティ１１１の上に透明ウィンドウ１６１、及び前記透明ウィンドウ１６１の外側と前記胴体１１０との間に配置された接着部材１２１、１２３を含む。
【００８２】
前記透明ウィンドウ１６１は、上面及び下面１６２のうちの少なくとも１つまたは全てが曲面である形状を含む。例えば、前記透明ウィンドウ１６１の下面１６２は平坦な面または曲面であり、上面は平坦な面または曲面でありうる。
【００８３】
前記透明ウィンドウ１６１の上面には凹凸パターン１６３Ａが配置されることができ、前記凹凸パターン１６３Ａは前記透明ウィンドウ１６１の上面全領域に配置されて、抽出される光の経路を変更させることができる。
【００８４】
前記接着部材１２１、１２３は、第１及び第２接着部材１２１、１２３を含む。前記第１接着部材１２１は前記透明ウィンドウ１６１の外側下面を段差構造１２の上に接着させ、第２接着部材１２３は透明ウィンドウ１６１の外側上面と胴体１１０の上面の上に接着できる。このような第１及び第２接着部材１２１、１２３は、前記透明ウィンドウ１６１を固定させ、湿気侵入を遮断することができる。
【００８５】
前記第１及び第２接着部材１２１、１２３は、シリコン、テフロンフィルム、Ａｇペースト、ＵＶ接着剤、Ｐｂ−ｆｒｅｅ低温ガラス、アクリル接着剤、またはセラミックス接着剤などでありうる。前記第１及び第２接着部材１２１、１２３は相異する物質で形成されることができ、これに対して限定するものではない。
【００８６】
図１１は、本発明の第８実施形態に係る発光素子を示す側断面図である。第８実施形態を説明するに当たって、前記に開示された実施形態と同一な構成は前記に開示された実施形態の説明を参照することにする。
【００８７】
図１１を参照すると、発光素子は、キャビティ１１１を有する胴体１１０、前記胴体１１０に結合された複数の電極１４１、１４３、前記胴体１１０の下面に配置された複数のリード電極１４５、１４７、前記キャビティ１１１の内に配置された発光チップ１３１、前記キャビティ１１１の上に透明ウィンドウ１６１、前記透明ウィンドウ１６１の外側と前記胴体１１０との間に配置された接着部材１２１、１２３、及び防水層１７１を含む。
【００８８】
前記胴体１１０は、段差構造１２及び傾斜構造１７を含む。前記接着部材１２１、１２３は、第１及び第２接着部材１２１、１２３を含む。前記第１接着部材１２１は、前記透明ウィンドウ１６１と胴体１１０の段差構造１２との間に配置されて前記透明ウィンドウ１６１を接着させる。
【００８９】
前記第１接着部材１２１は前記透明ウィンドウ１６１の側面と前記胴体１１０の傾斜構造１７に配置されて、前記透明ウィンドウ１６１の外側を傾斜構造１７に接着させることができる。このような第１及び第２接着部材１２１、１２３は、前記透明ウィンドウ１６１を固定させ、湿気侵入を防止することができる。前記傾斜構造１７は形成しないことがあり、これに対して限定するものではない。
【００９０】
また、前記透明ウィンドウ１６１の上には防水層１７１が配置できる。前記防水層１７１は、前記透明ウィンドウ１６１の上面から前記胴体１１０の上面まで延長できる。前記防水層１７１は、前記第２接着部材１２３の上に接着できる。前記第１及び第２接着部材１２１、１２３は、シリコン、テフロンフィルム、Ａｇペースト、ＵＶ接着剤、Ｐｂ−ｆｒｅｅ低温ガラス、アクリル接着剤、またはセラミックス接着剤などでありうる。前記第１及び第２接着部材１２１、１２３は相異する物質で形成されることができ、これに対して限定するものではない。
【００９１】
前記防水層１７１は、シリコン材質またはテフロン（Teflon）フィルムを含み、前記第１または第２接着部材１２１、１２３と同一な物質、または相異する物質を含むことができる。前記防水層１７１は、前記透明ウィンドウ１６１、前記第２接着部材１２３、及び前記胴体１１０の上面に接着されて、水や湿気を効果的に遮断することができる。前記防水層は前記胴体１１０の側面及び下面に延びて、胴体１１０を防水させることができる。
【００９２】
図１２は本発明の実施形態に係る発光素子を示す斜視図であり、図１３は図１２のＩ−Ｉ'ラインに沿って切断した発光チップパッケージを示す断面図である。
【００９３】
図１２及び図１３を参照すると、第９実施形態に係る発光チップパッケージ２００は、胴体２３０、発光チップ１３１、及び透明ウィンドウ２１０を含む。
【００９４】
前記発光チップ１３１はＵＶ−Ｃ波長、即ち１３１ｎｍ〜２８０ｎｍ範囲の紫外線波長を発光することができる。前記発光チップ１３１の波長はこれに限定するものではなく、可視光線、赤外線波長のうち、少なくとも１つの波長を発光することもできる。
【００９５】
前記発光チップ１３１は、サブフレーム１３９の上に実装され、前記サブフレーム１３９は前記胴体２３０と直接接触できる。前記サブフレーム１３９は放熱機能を含むことができ、発光チップ１３１の電極と接続されてパッド機能を含むことができる。
【００９６】
図面に図示してはいないが、前記発光チップ１３１は種類によって少なくとも１つ以上のワイヤを介して前記胴体２３０と電気的に接続できる。
【００９７】
前記胴体２３０は上部が開放されたキャビティ２３１を含み、前記キャビティ２３１の底面に前記発光チップ１３１が実装できる。
【００９８】
前記胴体２３０は、複数の絶縁層の積層構造で形成できる。
【００９９】
前記胴体２３０の材質は、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、またはＡｌＮであり、複数のセラミックス層の積層構造を含むことができる。
【０１００】
図面に図示してはいないが、前記胴体２３０が電気伝導性材質で形成された場合、前記胴体２３０は表面に絶縁層を含むことができる。
【０１０１】
前記絶縁層は発光チップ１３１の相異する電極の間のショート（Short）を防止することができる。
【０１０２】
前記胴体２３０は、複数のリード電極（図示せず）を含むことができる。
【０１０３】
前記リード電極は、チタニウム（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）などを少なくとも１つ含む金属で形成できる。また、前記複数のリード電極は、メッキ方式、蒸着方式、フォトリソグラフィなどを用いて選択的に形成されることができ、これに対して限定するものではない。
【０１０４】
前記発光ダイオードパッケージ２００は、前記透明ウィンドウ２１０と本体とを結合する接着剤２４０を含む。
【０１０５】
前記接着剤２４０は、前記透明ウィンドウ２１０の縁部の下部面に沿って絶えず延長できる。
【０１０６】
前記接着剤２４０は、前記キャビティ２３１の縁部に沿って形成される段差部２３３の上に位置できる。
【０１０７】
即ち、前記接着剤２４０の上部面は、前記透明ウィンドウ２１０の縁部下部面と直接接触されることができ、前記接着剤２４０の下部面は前記段差部２３３の表面と直接接触できる。
【０１０８】
前記透明ウィンドウ２１０は、紫外線波長を透過する透過部２１１、及び紫外線波長を遮断する遮断部２１３を含む。
【０１０９】
前記透過部２１１は、前記発光チップ１３１からの紫外線波長透過率の高い光学材料を含む。例えば、前記透過部２１１はクォーツ（Quartz）を含むことができるが、これに限定するものではない。前記遮断部２１３に露出した透過部２１１の下部面は前記キャビティ２３１より狭い幅を有することができる。
【０１１０】
前記遮断部２１３は前記透過部２１１の外側面を覆いかぶせて、前記透過部２１１の外側面から外側方向に延長できる。
【０１１１】
前記遮断部２１３は、前記透過部２１１と並んで位置することができる。
【０１１２】
即ち、前記遮断部２１３は前記透過部２１１と同一平面上に位置することができる。前記遮断部２１３は、前記透過部２１１と一体形成できる。
【０１１３】
前記遮断部２１３は透明であり、紫外線波長が透過できないガラスでありうるが、これに限定するものではない。
【０１１４】
前記遮断部２１３は、前記発光チップ１３１からの紫外線波長の光子が前記透過部２１１を通じて前記接着剤２４０に伝達される経路を遮断する機能を含む。
【０１１５】
即ち、前記遮断部２１３は前記紫外線波長の光子により前記接着剤２４０が損傷される結合不良を改善することができる。
【０１１６】
前記遮断部２１３は、前記接着剤２４０と重畳した領域を含むことができる。具体的に、前記遮断部２１３の幅（Ｗ１）は前記接着剤２４０の幅（Ｗ２）以上でありうる。
【０１１７】
前記遮断部２１３の一部は前記接着剤２４０と接着して重畳され、前記遮断部２１３の他の一部はキャビティ２３１の内側に延長できるが、これに限定するものではない。例えば、前記遮断部２１３と前記接着剤２４０とは互いに同一な幅を有し、全体が重畳されることもできる。
【０１１８】
ここで、前記接着剤２４０は前記透過部２１１から一定間隔離隔できる。
【０１１９】
第９実施形態の発光チップパッケージ２００は、紫外線波長を透過する前記透過部２１１の縁部に紫外線波長を遮断する遮断部２１３が位置し、前記接着剤２４０が前記遮断部２１３に接着されて紫外線波長の光子により接着剤２４０の損傷を改善することができる長所を有する。
【０１２０】
したがって、第９実施形態の発光チップパッケージ２００は、前記接着剤２４０の損傷を改善して胴体２３０と透明ウィンドウ２１０との結合信頼度を向上させることができ、歩留まりを向上させることができる長所を有する。
【０１２１】
図１４は、本発明の第１０実施形態に係る発光素子を示す断面図である。
【０１２２】
図１４を参照すると、第１０実施形態に係る発光素子３００は、透明ウィンドウ３１０、胴体２３０、発光チップ１３１、及びサブフレーム１３９を含む。
【０１２３】
前記胴体２３０、発光チップ１３１、及びサブフレーム１３９は、図１２の実施形態の技術的特徴を採用することができる。
【０１２４】
前記透明ウィンドウ３１０は、紫外線波長を透過する透過部３１１、及び紫外線波長を遮断する遮断部３１３を含む。
【０１２５】
前記透過部３１１は、前記発光チップ１３１からの紫外線波長透過率の高い光学材料を含む。例えば、前記透過部３１１はクォーツ（Quartz）を含むことができるが、これに限定するものではない。前記遮断部３１３に露出した透過部３１１の下部面はキャビティ２３１より狭い幅を有することができる。
【０１２６】
前記遮断部３１３は、前記透過部３１１の縁部の下部面に位置できる。前記遮断部３１３は、前記透過部３１１の縁部の下部面に沿って絶えず延長できる。前記遮断部３１３は、前記透過部３１１と一体形成できる。前記遮断部３１３は、前記透過部３１１と接着体２４０との間に位置する。
【０１２７】
前記遮断部３１３は透明であり、紫外線波長が透過できないガラスでありうるが、これに限定するものではない。
【０１２８】
前記遮断部３１３は、前記発光チップ１３１からの紫外線波長の光子が前記透過部３１１を通じて前記接着剤２４０に伝達される経路を遮断する機能を含む。即ち、前記遮断部３１３は前記紫外線波長の光子により前記接着剤２４０が損傷される結合不良を改善することができる。
【０１２９】
前記遮断部３１３は、前記透過部３１１及び前記接着剤２４０と重畳した領域を含むことができる。具体的に、前記遮断部３１３の幅（Ｗ１）は前記接着剤２４０の幅（Ｗ２）以上でありうる。
【０１３０】
前記遮断部３１３の上部面は、前記透過部３１１の下部面と直接接着され、前記遮断部３１３の下部面は前記接着剤２４０と直接接着できる。
【０１３１】
前記遮断部３１３の一部はキャビティ２３１の内側に延長できるが、これに限定するものではない。例えば、前記遮断部３１３と前記接着剤２４０は互いに同一な幅を有し、全体が重畳されることもできる。
【０１３２】
ここで、前記接着剤２４０は前記透過部３１１から一定間隔離隔できる。
【０１３３】
第１０実施形態の発光素子３００は、紫外線波長を透過する前記透過部３１１の縁部の下部面に紫外線波長を遮断する遮断部３１３が位置し、前記接着剤２４０が前記遮断部３１３に接着されて紫外線波長の光子により接着剤２４０の損傷を改善することができる長所を有する。
【０１３４】
したがって、実施形態の発光素子３００は前記接着剤２４０の損傷を改善して胴体２３０と透明ウィンドウ３１０との結合信頼度を向上させることができ、歩留まりを向上させることができる長所を有する。
【０１３５】
図１５は、本発明の第１１実施形態に係る発光素子を示す断面図である。
【０１３６】
図１５を参照すると、第１１実施形態に係る発光素子４００は、透明ウィンドウ４１０、胴体２３０、発光チップ１３１、及びサブフレーム１３９を含む。
【０１３７】
前記胴体２３０、発光チップ１３１、及びサブフレーム１３９は、図１２の実施形態の技術的特徴を採用することができる。
【０１３８】
前記透明ウィンドウ４１０は、紫外線波長を透過する透過部４１１、及び紫外線波長を遮断する遮断部４１３を含む。
【０１３９】
前記透過部４１１は、前記発光チップ１３１からの紫外線波長透過率の高い光学材料を含む。例えば、前記透過部４１１はクォーツ（Quartz）を含むことができるが、これに限定するものではない。前記遮断部４１３に露出した透過部４１１の下部面は前記キャビティ２３１より狭い幅を有することができる。
【０１４０】
前記遮断部４１３は、前記透過部４１１の縁部の下部面に位置できる。前記遮断部４１３は、前記透過部４１１の縁部下部面に沿って絶えず延長できる。前記遮断部４１３は前記透過部４１１と一体形成できる。前記遮断部４１３は、前記透過部４１１と接着体２４０との間に位置する。
【０１４１】
前記遮断部４１３は透明であり、紫外線波長が透過できないＩＴＯでありうるが、これに限定するものではない。前記遮断部４１３は、前記第１透過部４１１の下部面の上にフォトレジストを用いたエッチング工程、印刷工程などにより形成できる。
【０１４２】
前記遮断部４１３は、前記発光チップ１３１からの紫外線波長の光子が前記透過部４１１を通じて前記接着剤２４０に伝達される経路を遮断する機能を含む。即ち、前記遮断部４１３は、前記紫外線波長の光子により前記接着剤２４０が損傷される結合不良を改善することができる。
【０１４３】
前記遮断部４１３は、前記透過部４１１及び前記接着剤２４０と重畳した領域を含むことができる。具体的には、前記遮断部４１３の幅（Ｗ１）は、前記接着剤２４０の幅（Ｗ２）以上でありうる。
【０１４４】
前記遮断部４１３の上部面は前記透過部４１１の下部面と直接接着され、前記遮断部４１３の下部面は前記接着剤２４０と直接接着できる。
【０１４５】
前記遮断部４１３の一部はキャビティ２３１の内側に延長できるが、これに限定するものではない。例えば、前記遮断部４１３と前記接着剤２４０とは互いに同一な幅を有し、全体が重畳されることもできる。
【０１４６】
ここで、前記接着剤２４０は前記透過部４１１から一定間隔離隔できる。
【０１４７】
また、第１１実施形態の発光素子４００は紫外線波長を透過する前記透過部４１１の縁部の下部面に紫外線波長を遮断する遮断部４１３が位置し、前記接着剤２４０が前記遮断部４１３に接着されて紫外線波長の光子により接着剤２４０の損傷を改善することができる長所を有する。
【０１４８】
したがって、実施形態の発光素子４００は、前記接着剤２４０の損傷を改善して胴体２３０と透明ウィンドウ４１０との結合信頼度を向上させることができ、歩留まりを向上させることができる長所を有する。
【０１４９】
図１６は、本発明の実施形態に係る発光チップの一例を示す図である。。
【０１５０】
図１６を参照すると、発光チップ１３１は、第１導電型半導体層４１、前記第１導電型半導体層４１の上に配置された活性層５１、前記活性層５１の上に配置された電子遮断構造層６０、及び前記電子遮断構造層６０の上に配置された第２導電型半導体層７３を含むことができる。
【０１５１】
前記発光チップ１３１は、第１導電型半導体層４１の下に低伝導層３３、バッファ層３１、及び基板２１のうちの１つ以上または全てを含むことができる。
【０１５２】
前記発光チップ１３１は、前記第１導電型半導体層４１と活性層５１との間に第１クラッド層４３、及び前記活性層５１と第２導電型半導体層７３との間に第２クラッド層７１のうち、少なくとも１つまたは全てを含むことができる。
【０１５３】
前記発光チップ１３１は、２００ｎｍから４０５ｎｍ帯の波長を有する紫外線発光ダイオードでありうる。即ち、発光チップ１３１は２００ｎｍから２８９波長を放出したり、２９０ｎｍから３１９ｎｍ波長を放出したり、３２０ｎｍから４０５ｎｍ波長を放出したりすることができる。
【０１５４】
前記基板２１は、例えば、透光性、伝導性基板、または絶縁性基板でありうる。例えば、前記基板２１は、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＺｎＯ、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｇｅ、及びＧａ２Ｏ３のうち、少なくとも１つを含むことができる。前記基板２１の上面及び／又は下面には複数の突出部（図示せず）が形成されることができ、前記複数の突出部の各々は側断面が半球形状、多角形状、楕円形状のうちの少なくとも１つを含み、ストライプ形態またはマトリックス形態に配列できる。前記突出部は、光抽出効率を改善させることができる。
【０１５５】
前記基板２１の上には複数の化合物半導体層が成長されることができ、前記複数の化合物半導体層の成長装備は電子ビーム蒸着機、ＰＶＤ（physical vapor deposition）、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）、ＰＬＤ（plasma laser deposition）、二重型の熱蒸着機（dual-type thermal evaporator）スパッタリング（sputtering）、ＭＯＣＶＤ（metal organic chemical vapor deposition）などにより形成することができ、これに対して限定するものではない。
【０１５６】
前記基板２１と前記第１導電型半導体層４１との間にはバッファ層３１が形成できる。前記バッファ層３１はII族乃至VI族化合物半導体を用いて少なくとも１層に形成できる。前記バッファ層３１はIII族−V族化合物半導体を用いた半導体層を含み、例えば、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料で具現できる。前記バッファ層３１は、例えばＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎN、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎN、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＺｎＯのような材料のうち、少なくとも１つを含む。
【０１５７】
前記バッファ層３１は互いに異なる半導体層を交互に配置して超格子（super lattice）構造で形成できる。前記バッファ層３１は、前記基板２１と窒化物系列の半導体層との格子定数の差を緩和させるために形成されることができ、欠陥制御層と定義できる。前記バッファ層３１は、前記基板２１と窒化物系列の半導体層との間の格子定数値を有することができる。前記バッファ層３１は形成しないことがあり、これに対して限定するものではない。
【０１５８】
前記低伝導層３３は、前記バッファ層３１と前記第１導電型半導体層４１との間に配置できる。前記低伝導層３３はアンドープド半導体層であって、第１導電型半導体層４１より低い電気伝導性を有する。
【０１５９】
前記低伝導層３３はII族乃至VI族化合物半導体、例えばIII族−V族化合物半導体で具現されることができ、このようなアンドープド半導体層は意図的に導電型ドーパントをドーピングしなくても第１導電型の特性を有するようになる。前記アンドープド半導体層は形成しないことがあり、これに対して限定するものではない。前記低伝導層３３は、例えばＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰのうち、少なくとも１つを含むことができる。前記低伝導層３３は形成しないことがあり、これに対して限定するものではない。
【０１６０】
前記第１導電型半導体層４１は、前記基板２１、前記バッファ層３１、前記低伝導層３３のうちの少なくとも１つと前記活性層５１との間に配置できる。前記第１導電型半導体層４１は、第１導電型のドーパントがドーピングされたIII族−V族及びII族−VI族の化合物半導体のうち、少なくとも１つで具現できる。
【０１６１】
前記第１導電型半導体層４１は、例えばＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料で形成できる。前記第１導電型半導体層４１は、例えばＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎN、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎN、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰのうちの少なくとも１つを含むことができ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅなどのｎ型ドーパントがドーピングされたｎ型半導体層になることができる。
【０１６２】
前記第１導電型半導体層４１は単層または多層に配置できる。前記第１導電型半導体層４１は互いに異なる少なくとも２層が交互に配置された超格子構造で形成できる。前記第１導電型半導体層４１は電極接触層になることができる。
【０１６３】
前記第１クラッド層４３は、ＡｌＧａＮ系半導体を含むことができる。前記第１クラッド層４３は第１導電型のドーパント、例えばｎ型ドーパントを有するｎ型半導体層でありうる。前記第１クラッド層４３は、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰのうちの少なくとも１つを含むことができ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅなどのｎ型ドーパントがドーピングされたｎ型半導体層になることができる。
【０１６４】
前記第１導電型半導体層４１及び前記第１クラッド層４３は、紫外線波長の吸収を防止するために、ＡｌＧａＮ系半導体で配置できる。
【０１６５】
前記活性層５１は、単一井戸、単一量子井戸、多重井戸、多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Multi Quantum Well）、量子線（Quantum-Wire）構造、または量子点（Quantum Dot）構造のうち、少なくとも１つで形成できる。
【０１６６】
前記活性層５１は前記第１導電型半導体層４１を通じて注入される電子（または、正孔）と前記第２導電型半導体層７３を通じて注入される正孔（または、電子）が互いに合って、前記活性層５１の形成物質に従うエネルギーバンド（Energy Band）のバンドギャップ（Band Gap）差により光を放出する層である。
【０１６７】
前記活性層５１は化合物半導体で具現できる。前記活性層５１は、例としてII族−VI族及びIII族−V族化合物半導体のうち、少なくとも１つで具現できる。
【０１６８】
前記活性層５１が多重井戸構造で具現された場合、前記活性層５１は複数の井戸層と複数の障壁層を含む。前記活性層５１は井戸層と障壁層が交互に配置される。前記井戸層と前記障壁層のペアは２〜３０周期で形成できる。
【０１６９】
前記井戸層は、例えば、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料で配置できる。前記障壁層は、例えばＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料で形成できる。
【０１７０】
前記井戸層／障壁層の周期は、例えばＩｎＧａＮ／ＧａＮ、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ、ＩｎＧａＰ／ＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＰ、ＩｎＰ／ＧａＡｓのペアのうち、少なくとも１つを含む。
【０１７１】
実施形態に係る活性層５１の井戸層はＡｌＧａＮで具現されることができ、前記障壁層はＡｌＧａＮで具現できる。前記活性層５１は、紫外線波長を発光することができる。前記障壁層のアルミニウム組成は、前記井戸層のアルミニウムの組成より高い組成を有する。前記井戸層のアルミニウム組成は２０％から５０％範囲であり、前記障壁層のアルミニウム組成は４０％から９５％範囲でありうる。
【０１７２】
一方、前記電子遮断構造層６０は多層構造を含む。前記電子遮断構造層６０はアルミニウムの組成が５０％以上の材料であるか、または前記障壁層のアルミニウムの組成と等しいか高い組成を有する材料を含むことができる。電子遮断構造層６０は単層または多層のＡｌＧａＮ半導体で配置されることができ、ｐ型ドーパントを含むことができる。
【０１７３】
前記第２クラッド層７１は、前記電子遮断構造層６０の上に配置される。前記第２クラッド層７１は、前記電子遮断構造層６０と前記第２導電型半導体層７３との間に配置される。
【０１７４】
前記第２クラッド層７１は、ＡｌＧａＮ系半導体を含むことができる。前記第２クラッド層７１は第２導電型のドーパント、例えばｐ型ドーパントを有するｐ型半導体層でありうる。前記第２クラッド層７１は、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、またはＡｌＧａＩｎＰのうちの少なくとも１つを含むことができ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのようなｐ型ドーパントを含むことができる。
【０１７５】
前記第２クラッド層７１の上に第２導電型半導体層７３が配置できる。前記第２導電型半導体層７３は、例えばＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料で形成できる。前記第２導電型半導体層７３は、例えばＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、またはＡｌＧａＩｎＰのうちの少なくとも１つを含むことができ、ｐ型ドーパントがドーピングされたｐ型半導体層になることができる。
【０１７６】
前記第２導電型半導体層７３は、単層または多層に配置できる。前記第２導電型半導体層７３は互いに異なる少なくとも２層が交互に配置された超格子構造で形成できる。前記第２導電型半導体層７３は、電極接触層になることができる。前記第２導電型半導体層７３及び前記第２クラッド層７１は、紫外線波長の吸収を防止するために、ＡｌＧａＮ系半導体で配置できる。
【０１７７】
発光構造物は第１導電型半導体層４１から第２導電型半導体層７３までを含むことができる。他の例として、発光構造物は第１導電型半導体層４１及び第１クラッド層４３がｐ型半導体層、前記第２クラッド層７１及び第２導電型半導体層７３はｎ型半導体層で具現できる。このような発光構造物はｎ−ｐ接合構造、ｐ−ｎ接合構造、ｎ−ｐ−ｎ接合構造、ｐ−ｎ−ｐ接合構造のうち、いずれか１つの構造で具現できる。
【０１７８】
前記第１導電型半導体層４１に第１電極９１が電気的に連結され、前記第２導電型半導体層７３に第２電極９５が電気的に連結できる。前記第１電極９１は前記第１導電型半導体層４１の上に配置されることができ、前記第２電極９５は第２導電型半導体層７３の上に配置できる。
【０１７９】
前記第１電極９１及び前記第２電極９５はアーム（arm）構造またはフィンガー（finger）構造の電流拡散パターンがさらに形成できる。前記第１電極９１及び第２電極９５は、オーミック接触、接着層、ボンディング層の特性を有する金属で非透光性でなされることができ、これに対して限定するものではない。前記第１電極９３及び第２電極９５は、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｇ、及びＡｕと、これらの選択的な合金のうちから選択できる。
【０１８０】
前記第２電極９５と前記第２導電型半導体層７３との間には電極層９３が配置されることができ、前記電極層９３は７０％以上の光を透過する透光性物質、または７０％以上の光を反射する反射性特性を有する物質で形成されることができ、例えば金属または金属酸化物で形成できる。前記電極層９３は、ＩＴＯ（indium tin oxide）、ＩＺＯ（indium zinc oxide）、ＩＺＴＯ（indium zinc tin oxide）、ＩＡＺＯ（indium aluminum zinc oxide）、ＩＧＺＯ（indium gallium zinc oxide）、ＩＧＴＯ（indium gallium tin oxide）、ＡＺＯ（aluminum zinc oxide）、ＡＴＯ（antimony tin oxide）、ＧＺＯ（gallium zinc oxide）、ＺｎＯ、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＮｉＯ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒのうちから選択的に形成できる。
【０１８１】
前記電極層９３の上に絶縁層８１が配置できる。前記絶縁層８１は、前記電極層９３の上面及び半導体層の側面に配置されることができ、第１及び２電極９１、９５と選択的に接触できる。前記絶縁層８１は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒのうちの少なくとも１つを有する酸化物、窒化物、弗化物、及び硫化物のうちの少なくとも１つで形成された絶縁物質または絶縁性樹脂を含む。前記絶縁層８１は、例えばＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２のうちから選択的に形成できる。前記絶縁層８１は単層または多層に形成されることができ、これに対して限定するものではない。
【０１８２】
図１７は、本発明の実施形態に係る発光チップの他の例を示す側断面図である。図１７を説明するに当たって、図１６と同一な構成は図１６の説明を参照することにする。
【０１８３】
図１７の発光チップ１０２は、第１導電型半導体層４１の上に第１電極９１、及び第２導電型半導体層７３の下に複数の前途層９６、９７、９８、９９を有する第２電極を含む。
【０１８４】
前記第２電極は前記第２導電型半導体層７３の下に配置され、接触層９６、反射層９７、ボンディング層９８、及び支持部材９９を含む。前記接触層９６は半導体層、例えば第２導電型半導体層７３と接触する。前記接触層９６は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＺＴＯ、ＩＡＺＯ、ＩＧＺＯ、ＩＧＴＯ、ＡＺＯ、ＡＴＯなどの低伝導性物質、またはＮｉ、Ａｇの金属を用いることができる。前記接触層９６の下に反射層９７が配置され、前記反射層９７はＡｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆ、及びその組合せにより構成されたグループから選択された物質からなる少なくとも１つの層を含む構造で形成できる。前記反射層９７は前記第２導電型半導体層７３の下に接触されることができ、これに対して限定するものではない。
【０１８５】
前記反射層９７の下にはボンディング層９８が配置され、前記ボンディング層９８はバリア金属またはボンディング金属に使われることができ、その物質は、例えばＴｉ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ａｇ、及びＴａと選択的な合金のうちの少なくとも１つを含むことができる。
【０１８６】
前記第２導電型半導体層７３と第２電極との間にチャンネル層８３及び電流ブロッキング層８５が配置される。
【０１８７】
前記チャンネル層８３は前記第２導電型半導体層７３の下面エッジに沿って形成され、リング形状、ループ形状、またはフレーム形状に形成できる。前記チャンネル層８３は透明な伝導性物質または絶縁性物質を含み、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＺＴＯ、ＩＡＺＯ、ＩＧＺＯ、ＩＧＴＯ、ＡＺＯ、ＡＴＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２のうち、少なくとも１つを含むことができる。前記チャンネル層８３の内側部は前記第２導電型半導体層７３の下に配置され、外側部は前記発光構造物の側面より外側に配置される。
【０１８８】
前記電流ブロッキング層８５は、第２導電型半導体層７３と接触層９６または反射層９７の間に配置できる。前記電流ブロッキング層８５は絶縁物質を含み、例えばＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２のうち、少なくとも１つを含むことができる。他の例として、前記電流ブロッキング層８５はショットキー接触のための金属でも形成できる。
【０１８９】
前記電流ブロッキング層８５は前記発光構造物の上に配置された第１電極９１と前記発光構造物の厚さ方向に対応するように配置される。前記電流ブロッキング層８５は前記第２電極９５から供給される電流を遮断して、他の経路に拡散させることができる。前記電流ブロッキング層８５は１つまたは複数で配置されることができ、第１電極９１と垂直方向に少なくとも一部または全領域がオーバーラップできる。
【０１９０】
前記ボンディング層９８の下には支持部材９９が形成され、前記支持部材９９は伝導性部材で形成されることができ、その物質は銅（Ｃｕ−copper）、金（Ａｕ−gold）、ニッケル（Ｎｉ−nickel）、モリブデン（Ｍｏ）、銅−タングステン（Ｃｕ−Ｗ）、キャリアウエハ（例：Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、ＳｉＣなど）のような伝導性物質で形成できる。前記支持部材９９は他の例として、伝導性シートで具現できる。
【０１９１】
ここで、前記図１６の基板は除去するようになる。前記成長基板の除去方法は物理的方法（例：Laser lift off）又は／及び化学的方法（湿式エッチングなど）により除去することができ、前記第１導電型半導体層４１を露出させてくれる。前記基板が除去された方向を通じてアイソレーションエッチングを遂行して、前記第１導電型半導体層４１の上に第１電極９１を形成するようになる。
【０１９２】
前記第１導電型半導体層４１の上面にはラフネスのような光抽出構造（図示せず）で形成できる。前記半導体層の表面には絶縁層（図示せず）がさらに配置されることができ、これに対して限定するものではない。これによって、発光構造物の上に第１電極９１及び下に支持部材９９を有する垂直型電極構造を有する発光素子１０２が製造できる。
【０１９３】
実施形態に係る発光素子は、ライトユニットに適用できる。前記ライトユニットは１つまたは複数の発光素子または発光素子パッケージを有するアセンブリであって、紫外線ランプを含むことができる。
【０１９４】
図１８は、本発明の実施形態に係る発光素子を含む照明装置を示す斜視図である。
【０１９５】
図１８を参照すると、実施形態に係る照明装置は、カバー２１００、光源モジュール２２００、放熱体２４００、電源提供部２６００、内部ケース２７００、及びソケット２８００を含むことができる。また、実施形態に係る照明装置は部材２３００とホルダー２５００のうちのいずれか１つ以上をさらに含むことができる。前記光源モジュール２２００は、実施形態に係る発光素子を含むことができる。
【０１９６】
例えば、前記カバー２１００はバルブ（bulb）または半球の形状を有し、中空のものであり、一部分が開口された形状を提供できる。前記カバー２１００は、前記光源モジュール２２００と光学的に結合できる。例えば、前記カバー２１００は前記光源モジュール２２００から提供される光を拡散、散乱、または励起させることができる。前記カバー２１００は一種の光学部材でありうる。前記カバー２１００は、前記放熱体２４００と結合できる。前記カバー２１００は、前記放熱体２４００と結合する結合部を有することができる。
【０１９７】
前記カバー２１００の内面には乳白色塗料がコーティングできる。乳白色の塗料は光を拡散させる拡散材を含むことができる。前記カバー２１００の内面の表面粗度は前記カバー２１００の外面の表面粗度より大きく形成できる。これは、前記光源モジュール２２００からの光が十分に散乱及び拡散されて外部に放出させるためである。
【０１９８】
前記カバー２１００の材質はガラス（glass）、プラスチック、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリカーボネート（ＰＣ）などでありうる。ここで、ポリカーボネートは耐光性、耐熱性、強度に優れる。前記カバー２１００は外部から前記光源モジュール２２００が見えるように透明であるか、または不透明でありうる。前記カバー２１００はブロー（blow）成形により形成できる。
【０１９９】
前記光源モジュール２２００は、前記放熱体２４００の一面に配置できる。したがって、前記光源モジュール２２００からの熱は前記放熱体２４００に伝導される。前記光源モジュール２２００は、光源部２２１０、連結プレート２２３０、及びコネクタ２２５０を含むことができる。
【０２００】
前記部材２３００は前記放熱体２４００の上面の上に配置され、複数の光源部２２１０とコネクタ２２５０が挿入されるガイド溝２３１０を有する。前記ガイド溝２３１０は、前記光源部２２１０の基板及びコネクタ２２５０と対応する。
【０２０１】
前記部材２３００の表面は光反射物質で塗布またはコーティングされたものでありうる。例えば、前記部材２３００の表面は白色の塗料で塗布またはコーティングされたものでありうる。このような前記部材２３００は、前記カバー２１００の内面に反射されて前記光源モジュール２２００側方向に戻る光をまた前記カバー２１００方向に反射する。したがって、実施形態に係る照明装置の光効率を向上させることができる。
【０２０２】
前記部材２３００は、例として絶縁物質からなることができる。前記光源モジュール２２００の連結プレート２２３０は、電気伝導性の物質を含むことができる。したがって、前記放熱体２４００と前記連結プレート２２３０との間に電気的な接触がなされることができる。前記部材２３００は絶縁物質で構成されて前記連結プレート２２３０と前記放熱体２４００との電気的短絡を遮断することができる。前記放熱体２４００は、前記光源モジュール２２００からの熱と前記電源提供部２６００からの熱の伝達を受けて放熱する。
【０２０３】
前記ホルダー２５００は、内部ケース２７００の絶縁部２７１０の収納溝２７１９を塞ぐ。したがって、前記内部ケース２７００の前記絶縁部２７１０に収納される前記電源提供部２６００は密閉される。前記ホルダー２５００は、ガイド突出部２５１０を有する。前記ガイド突出部２５１０は、前記電源提供部２６００の突出部２６１０が貫通するホールを有する。
【０２０４】
前記電源提供部２６００は、外部から提供を受けた電気的信号を処理または変換して前記光源モジュール２２００に提供する。前記電源提供部２６００は、前記内部ケース２７００の収納溝２７１９に収納され、前記ホルダー２５００により前記内部ケース２７００の内部に密閉される。前記電源提供部２６００は、突出部２６１０、ガイド部２６３０、ベース２６５０、及び延長部２６７０を含むことができる。
【０２０５】
前記ガイド部２６３０は、前記ベース２６５０の一側から外部に突出した形状を有する。前記ガイド部２６３０は、前記ホルダー２５００に挿入できる。前記ベース２６５０の一面の上に多数の部品が配置できる。多数の部品は、例えば外部電源から提供される交流電源を直流電源に変換する直流変換装置、前記光源モジュール２２００の駆動を制御する駆動チップ、前記光源モジュール２２００を保護するためのＥＳＤ（Electro Static discharge）保護素子などを含むことができるが、これに対して限定するものではない。
【０２０６】
前記延長部２６７０は、前記ベース２６５０の他の一側から外部に突出した形状を有する。前記延長部２６７０は、前記内部ケース２７００の連結部２７５０の内部に挿入され、外部からの電気的信号の提供を受ける。例えば、前記延長部２６７０は前記内部ケース２７００の連結部２７５０の幅と等しいか小さく提供できる。前記延長部２６７０には、“＋電線”と“−電線”の各一端が電気的に連結され、“＋電線”と“−電線”の他の一端はソケット２８００に電気的に連結できる。
【０２０７】
以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも１つの実施形態に含まれ、必ず１つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。
【０２０８】
以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するものでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、以上に例示していない多様な変形及び応用が可能であることが分かる。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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