(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と受光素子とを有する光センサであって、
可撓性を有する基板と、
前記基板の上面に形成され、前記発光素子と前記受光素子がそれぞれ搭載された素子搭載部と、
前記基板の上面に形成され、前記発光素子と前記受光素子とにそれぞれワイヤを介して接続された素子接続部と、
前記基板を貫通する貫通孔に形成され、前記素子接続部に接続された貫通配線と、
前記発光素子の直下の前記基板を貫通する貫通孔に形成され、前記発光素子が搭載された素子搭載部に接続された放熱用の貫通配線と、
前記受光素子と前記発光素子をそれぞれ囲む枠状に形成された遮光材と、
前記遮光材の内側に配置され、前記発光素子と前記受光素子をそれぞれ封止する封止樹脂と、を有し、
前記素子搭載部又は前記素子接続部の側の前記貫通孔の端部において、前記基板の縁部は、丸みを帯びて形成され、
前記貫通配線は、前記素子搭載部又は前記素子接続部と前記基板の縁部との間の鍔部を有することを特徴とする光センサ。
【請求項２】
前記発光素子は上面に複数の電極を有するものであり、
前記発光素子は接続部材により前記素子搭載部に熱的に接続され、
前記発光素子に接続される素子接続部及びワイヤは、前記発光素子の電極に対応して複数設けられていること、を特徴とする請求項１に記載の光センサ。
【請求項３】
前記基板は、前記遮光材の外側に形成された複数の貫通孔を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の光センサ。
【請求項４】
前記基板を貫通し、前記受光素子が搭載された素子搭載部と接続された複数の貫通配線を有すること、を特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光センサ。
【請求項５】
前記遮光材の内側には、複数の発光素子が搭載されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光センサ。
【請求項６】
発光素子と受光素子とを有する光センサの製造方法であって、
可撓性を有する基板に貫通孔を形成する工程と、
前記基板の上面に前記貫通孔を被覆する金属層を設ける工程と、
前記貫通孔に貫通配線を形成する工程と、
前記金属層をパターニングして素子搭載部と素子接続部とを形成する工程と、
前記素子搭載部に前記受光素子と前記発光素子とをそれぞれ搭載する工程と、
前記受光素子と前記発光素子とをそれぞれワイヤにて前記素子接続部と接続する工程と、
前記受光素子と前記発光素子をそれぞれ囲む遮光材を形成する工程と、
前記受光素子と前記発光素子とをそれぞれ封止する封止樹脂を形成する工程と、
を有し、
前記貫通配線のうちの少なくとも１つは、前記発光素子の直下に形成されるとともに前記発光素子が搭載された素子搭載部に接続され、
前記貫通孔を前記基板の上面側から行う打ち抜き加工により形成し、前記基板の上面側の前記貫通孔の端部において、前記基板の縁部を、丸みを帯びた形状とし、
前記貫通配線を、前記素子搭載部又は前記素子接続部と前記基板の縁部との間の鍔部を有する形状とすること、を特徴とする光センサの製造方法。
【請求項７】
前記貫通配線を、前記金属層を給電電極とする電解めっき法により形成することを特徴とする請求項６に記載の光センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光センサ、光センサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光素子と受光素子とを備えた光センサは、受光素子の出力信号に基づいて、各種の物理量を測定するために用いられている。近年、局所血中酸素濃度（動脈血酸素飽和度：ＳｐＯ２）や脈波（ＰＰＧ）等の測定に用いられる生体信号を得るために光センサが用いられている（例えば、特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１２−５０８６３１号公報
【特許文献２】特表２０１１−５１３０３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記のように生体信号を得るために用いられる光センサは、被測定物として人体表面のような柔らかいものや湾曲した箇所に設置される。このため、光センサには、このような箇所に密着させることが要求されている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一観点によれば、発光素子と受光素子とを有する光センサであって、可撓性を有する基板と、前記基板の上面に形成され、前記発光素子と前記受光素子がそれぞれ搭載された素子搭載部と、前記基板の上面に形成され、前記発光素子と前記受光素子とにそれぞれワイヤを介して接続された素子接続部と、前記基板を貫通する貫通孔に形成され、前記素子接続部に接続された貫通配線と、前記発光素子の直下の前記基板を貫通する貫通孔に形成され、前記発光素子が搭載された素子搭載部に接続された放熱用の貫通配線と、前記受光素子と前記発光素子をそれぞれ囲む枠状に形成された遮光材と、前記遮光材の内側に配置され、前記発光素子と前記受光素子をそれぞれ封止する封止樹脂と、を有し、前記素子搭載部又は前記素子接続部の側の前記貫通孔の端部において、前記基板の縁部は、丸みを帯びて形成され、前記貫通配線は、前記素子搭載部又は前記素子接続部と前記基板の縁部との間の鍔部を有する。
【０００６】
この方法は、発光素子と受光素子とを有する光センサの製造方法であって、可撓性を有する基板に貫通孔を形成する工程と、前記基板の上面に前記貫通孔を被覆する金属層を設ける工程と、前記貫通孔に貫通配線を形成する工程と、前記金属層をパターニングして素子搭載部と素子接続部とを形成する工程と、前記素子搭載部に前記受光素子と前記発光素子とをそれぞれ搭載する工程と、前記受光素子と前記発光素子とをそれぞれワイヤにて前記素子接続部と接続する工程と、前記受光素子と前記発光素子をそれぞれ囲む遮光材を形成する工程と、前記受光素子と前記発光素子とをそれぞれ封止する封止樹脂を形成する工程と、を有し、前記貫通配線のうちの少なくとも１つは、前記発光素子の直下に形成されるとともに前記発光素子が搭載された素子搭載部に接続され、前記貫通孔を前記基板の上面側から行う打ち抜き加工により形成し、前記基板の上面側の前記貫通孔の端部において、前記基板の縁部を、丸みを帯びた形状とし、前記貫通配線を、前記素子搭載部又は前記素子接続部と前記基板の縁部との間の鍔部を有する形状とすること、を要件とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一観点によれば、被測定物に対して光センサを密着させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】（ａ）は第１実施形態の光センサの概略平面図、（ｂ）は第１実施形態の光センサの概略断面図。
【図２】図１（ｂ）の光センサの一部を拡大した概略断面図。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は光センサの製造方法を示す概略断面図。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は光センサの製造方法を示す概略断面図。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は光センサの製造方法を示す概略断面図。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は光センサの製造方法を示す概略断面図。
【図７】（ａ）〜（ｅ）は光センサの製造方法を示す概略断面図。
【図８】（ａ）は第２実施形態の光センサの概略平面図、（ｂ）は第２実施形態の光センサの概略断面図。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は光センサの製造方法を示す概略断面図。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は光センサの製造方法を示す概略断面図。
【図１１】（ａ）は第３実施形態の光センサの概略平面図、（ｂ）は第３実施形態の光センサの概略断面図。
【図１２】（ａ）は第４実施形態の光センサの概略平面図、（ｂ）は第４実施形態の光センサの概略断面図。
【図１３】変形例の光センサの一部を示す概略断面図。
【図１４】変形例の光センサの一部を示す概略断面図。
【図１５】変形例の光センサの一部を示す概略断面図。
【図１６】（ａ）は変形例の光センサの一部を示す概略断面図、（ｂ）は光センサの製造方法を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、各形態を説明する。
なお、添付図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、または別の図面中のものと異なる場合がある。また、断面図では、理解を容易にするために、一部の構成要素のハッチングを省略している場合がある。
【００１０】
（第１実施形態）
以下、第１実施形態を説明する。
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、光センサ１は、配線基板１０と、配線基板１０に搭載された発光素子７１及び受光素子７４を有している。
【００１１】
配線基板１０は、可撓性を有する基板２０と、基板２０の一方の面（図１（ａ）において上面）に形成された配線層４０及び保護膜６１を有している。基板２０は、基材３１と、基材３１の上面に形成された接着剤層３２とを有している。
【００１２】
基材３１は、可撓性を有し、例えば平面視において矩形状に形成されている。基材３１としては、例えば、ポリイミド樹脂やポリエステル樹脂等の樹脂、液晶ポリマ、等を用いたフレキシブルなフィルム状基板を用いることができる。基材３１の厚さは、例えば２５〜１００μｍ（ミクロン）である。接着剤層３２は、基材３１の上面に形成され、配線層４０を基材３１に接着している。接着剤層３２の材料としては、例えばエポキシ系、ポリイミド系やシリコーン系等の接着剤を用いることができる。
【００１３】
配線層４０は、発光素子７１が搭載される素子搭載部４１と、発光素子７１に接続される素子接続部４２とを有している。また、配線層４０は、受光素子７４が搭載される素子搭載部４３と、受光素子７４に接続される素子接続部４４とを有している。配線層４０の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）又は銅合金を用いることができる。
【００１４】
図１（ａ）に示すように、本実施形態の配線基板１０には、２つの発光素子７１が搭載される。このため、配線基板１０は、各発光素子７１に対応してそれぞれ２つの素子搭載部４１及び素子接続部４２を有している。例えば、２つの発光素子７１は互いに異なる周波数の光を出射するものである。受光素子７４は、２つの発光素子７１から出射される光に応じた受光特性を有している。なお、同じ周波数の光を出射する２つの発光素子７１が搭載されてもよい。
【００１５】
図１（ｂ）に示すように、接着剤層３２の上面は、保護膜６１により覆われている。また、この保護膜６１は、配線層４０の一部（素子搭載部４１，４３と素子接続部４２，４４の一部）を覆うように形成されている。保護膜６１の開口部から露出する素子搭載部４１，４３及び素子接続部４２，４４の表面には、図示しない表面処理層が形成されている。表面処理層としては、例えば金（Ａｕ）層や、ニッケル（Ｎｉ）／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／パラジウム（Ｐｄ）／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。また、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理などの酸化防止処理を施して表面処理層を形成するようにしてもよい。例えば、ＯＳＰ処理を施した場合には、アゾール化合物やイミダゾール化合物等の有機被膜による表面処理層が形成される。
【００１６】
基板２０には、基材３１及び接着剤層３２を貫通する貫通孔２１，２２が形成されている。貫通孔２１は、素子搭載部４１の下面の一部を露出し、貫通孔２２は素子接続部４２の下面の一部を露出する。図１（ａ）に示すように、貫通孔２１は、素子搭載部４１に搭載される発光素子７１と平面視において重ならない位置に形成されている。
【００１７】
貫通孔２１，２２には、貫通配線５１，５２が形成されている。貫通配線５１は、素子搭載部４１と接続され、貫通配線５２は、素子接続部４２と接続されている。貫通配線５１，５２は、基板２０の下面において露出している。その露出した面は、外部接続端子Ｐ１ａ，Ｐ１ｂとして機能する。貫通配線５１，５２の材料としては、銅または銅合金を用いることができる。貫通配線５１，５２は、例えば、貫通孔２１，２２に形成されためっき金属（例えば銅めっき）、貫通孔２１，２２に充填された導電性ペースト（例えば銅ペースト）により形成される。
【００１８】
貫通配線５１，５２において、露出する面（外部接続端子Ｐ１ａ，Ｐ１ｂ）に表面処理層が形成されてもよい。表面処理層の材料としては、Ａｕ又はＡｕ合金、Ｎｉ又はＮｉ合金、Ｐｄ又はＰｄ合金が用いられる。表面処理層の例としては、Ａｕ層、Ｎｉ層／Ａｕ層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層などを挙げることができる。また、ＯＳＰ処理などの酸化防止処理を施して表面処理層を形成するようにしてもよい。なお、貫通配線５１，５２の下面に表面処理層が形成されている場合には、その表面処理層が外部接続端子として機能する。
【００１９】
また、基板２０には、発光素子７１の直下に、基材３１及び接着剤層３２を貫通する貫通孔２３が形成されている。貫通孔２３は、素子搭載部４１において、発光素子７１が搭載される部分の下面を露出するように形成されている。つまり、図１（ａ）に示すように、貫通孔２３は、発光素子７１と平面視において重なる位置に形成されている。
【００２０】
貫通孔２３には、貫通配線５３が形成されている。貫通配線５３は、素子搭載部４１と接続されている。そして、貫通配線５３は、基板２０の下面において露出している。貫通配線５３には、その直上の発光素子７１の熱が素子搭載部４１を介して伝達される。その熱は、貫通配線５３において露出した面、つまり下面から放熱される。つまり、貫通配線５３の露出した面は、素子搭載部４１に搭載された発光素子７１の熱を放熱する放熱面として機能する。つまり、貫通配線５３は、発光素子７１の熱を放熱する熱伝達部材（放熱用の貫通配線：サーマルビア）として機能する。放熱用の貫通配線５３の材料としては、銅または銅合金を用いることができる。放熱用の貫通配線５３において、上記貫通配線５１，５２と同様に、露出する面に表面処理層が形成されていてもよい。
【００２１】
基板２０には、基材３１及び接着剤層３２を貫通する貫通孔２４，２５が形成されている。貫通孔２４は、素子搭載部４３の下面の一部を露出し、貫通孔２５は素子接続部４４の下面の一部を露出する。図１（ａ）に示すように、貫通孔２４は、素子搭載部４３に搭載される受光素子７４と平面視において重ならない位置に形成されている。
【００２２】
貫通孔２４，２５には、貫通配線５４，５５が形成されている。貫通配線５４は、素子搭載部４３と接続され、貫通配線５５は、素子接続部４４と接続されている。貫通配線５４，５５は、基板２０の下面において露出している。その露出した面は、外部接続端子Ｐ２ａ，Ｐ２ｂとして機能する。貫通配線５４，５５の材料としては、銅または銅合金を用いることができる。なお、貫通配線５４，５５において、上記貫通配線５１，５２と同様に、露出する面に表面処理層が形成されていてもよい。
【００２３】
発光素子７１は、接続部材７２により素子搭載部４１の上面に接続されている。本実施形態において、発光素子７１は、上面と下面とに電極を有している。この接続部材７２は、導電性を有する接着剤である。接続部材７２としては、例えば銀ペーストが用いられる。発光素子７１の下面に形成された電極は、接続部材７２を介して素子搭載部４１に接続される。そして、発光素子７１の上面に形成された電極は、ワイヤ７３を介して素子接続部４２に接続されている。ワイヤ７３は、例えばＡｕ線である。
【００２４】
受光素子７４は、接続部材７５により素子搭載部４３の上面に接続されている。本実施形態において、受光素子７４は、上面と下面とに電極を有している。この接続部材７５は、導電性を有する接着剤である。接続部材７５としては、例えば銀ペーストが用いられる。受光素子７４の下面に形成された電極は、接続部材７５を介して素子搭載部４３に接続される。そして、受光素子７４の上面に形成された電極は、ワイヤ７６を介して素子接続部４４に接続されている。ワイヤ７６は、例えばＡｕ線である。
【００２５】
配線基板１０の上には遮光材８１，８３が配設されている。遮光材８１，８３は、配線基板１０の保護膜６１の上面に固定されている。
遮光材８１は、発光素子７１を囲むように矩形枠状に形成されている。遮光材８１は、遮光性を有している。遮光材８１の材料としては、例えば黒色等に着色された絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの絶縁性樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。また、絶縁性樹脂としては、例えば遮光性の黒色樹脂に感光材を混入させた遮光性の黒色レジストを用いることができる。なお、絶縁性樹脂に混入させる着色剤として数種類の顔料を混合したもの、カーボンブラックやチタンブラックなどの黒色顔料を用いることができる。
【００２６】
遮光材８１の内側には、発光素子７１を封止する封止樹脂８２が形成されている。封止樹脂８２は、発光素子７１の発光特性に応じた光を透過する透光性を有している。封止樹脂８２の材料としては、例えばシリコーン樹脂を用いることができる。
【００２７】
遮光材８３は、受光素子７４を囲むように矩形枠状に形成されている。遮光材８３は、遮光性を有している。遮光材８３の材料としては、前述の遮光材８１と同様の材料を用いることができる。遮光材８３の内側には、受光素子７４を封止する封止樹脂８４が形成されている。封止樹脂８４は、受光素子７４の受光特性に応じた光を透過する透光性を有している。封止樹脂８４の材料としては、例えばシリコーン樹脂を用いることができる。
【００２８】
図２に示すように、基板２０には、基材３１及び接着剤層３２を貫通する貫通孔２３が形成されている。貫通孔２３には、放熱用の貫通配線５３が形成されている。貫通孔２３の平面形状は、例えば円形とすることができる。
【００２９】
貫通孔２３は、基材３１及び接着剤層３２に対して、基板２０の上面側、つまり接着剤層３２側から金型等による打ち抜き加工により形成される。そのため、基材３１及び接着剤層３２において、放熱用の貫通配線５３の側面５３ａと接する部分は、図２において上側から下側に垂れ下がるように変形している。
【００３０】
すなわち、基材３１の上面側の縁部３１ａは、曲面状に丸みを帯びている（打ち抜き方向側に、所謂「だれ」が生じている）。同様に、接着剤層３２の縁部３２ａは、曲面状に丸みを帯びている。従って、配線層４０側（素子搭載部４１側）の貫通孔２３の端部において、基板２０の上面側の縁部２０ａは、丸みを帯びている。そして、貫通配線５３は、配線層４０（素子搭載部４１）と基板２０の縁部２０ａとの間に形成された鍔部５３ｂを有している。この鍔部５３ｂは、貫通配線５３の側面５３ａから、基板２０の縁部２０ａに沿って拡径するように形成されている。従って、鍔部５３ｂは、貫通孔２３の開口部よりも大きく形成されている。
【００３１】
配線層４０は、基板２０の上面、つまり接着剤層３２によって基材３１の上面に貼付した金属箔（例えば銅箔）により形成される。つまり、配線層４０は、基板２０の上面に配設され、貫通孔２３の上側を閉塞する。そして、貫通配線５３は、基材３１に形成された貫通孔２３に対して、基板２０の下面側から所定の処理（めっき処理やペーストの充填処理）などによって形成される。このため、貫通配線５３の鍔部５３ｂは、基板２０の縁部２０ａ（接着剤層３２の縁部３２ａ）と配線層４０（素子搭載部４１）の下面４０ｕとの間の隙間を埋めるように形成されている。このように形成された放熱用の貫通配線５３は、基板２０において、貫通孔２３から下方への脱落が低減される。
【００３２】
電解めっき法により貫通配線５３を形成した場合、貫通配線５３の端部は、配線層４０（素子搭載部４１）に接合される。この際、貫通配線５３の側面５３ａは、貫通孔２３の内面と接触しているだけとなる。このため、基板２０に対して曲げなどの力が加わったとき、基板２０（基材３１及び接着剤層３２）における応力は貫通配線５３の側面５３ａに伝達し難い。
【００３３】
なお、図１（ｂ）に示す貫通孔２１，２２，２４，２５は、図２に示す貫通孔２３と同様に形成される。従って、図１（ｂ）では詳細に示していないが、配線層４０側（素子搭載部４１、素子接続部４２、素子搭載部４３、素子接続部４４）の貫通孔２１，２２，２４，２５の端部において、基板２０の縁部は曲面状に丸みを帯びている。そして、図１（ｂ）に示す貫通配線５１，５２，５４，５５は、前述の放熱用の貫通配線５３と同様に形成されている。従って、前述の放熱用の貫通配線５３と同様に、貫通配線５１，５２，５４，５５について貫通孔２１，２２，２４，２５からの脱落が低減される。また、基板２０（基材３１及び接着剤層３２）における応力が貫通配線５１，５２，５４，５５の側面に伝達し難い。
【００３４】
次に、前述の光センサ１の製造方法を説明する。
なお、各図の説明に必要な部材について符号を付し、説明しない部材については符号を省略する場合がある。また、説明の便宜上、最終的に半導体装置の各構成要素となる部分には、最終的な構成要素の符号を付して説明する。
【００３５】
先ず、配線基板１０を形成する工程について説明する。
図３（ａ）に示すように、基材３１を用意する。基材３１として、厚さが２５μｍ〜１００μｍの絶縁樹脂からなるフィルム（例えば、ポリイミドフィルム）が用いられる。
【００３６】
図３（ｂ）に示すように、基材３１の上面に接着剤層３２及び保護膜１０１を形成する。接着剤層３２は、例えばエポキシ系の接着剤である。保護膜１０１の材料としては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム等を用いることができる。
【００３７】
図３（ｃ）に示すように、保護膜１０１の側から金型による打ち抜き加工を行うことにより、基材３１、接着剤層３２、及び保護膜１０１を貫通する貫通孔２１〜２５を形成する。
【００３８】
図３（ｄ）に示すように、保護膜１０１（図３（ｃ）参照）を剥離し、接着剤層３２の上面に金属層１０２を形成する。金属層１０２は、例えば、接着剤層３２の上面に金属箔（例えば銅箔）をラミネートすることにより形成できる。
【００３９】
図４（ａ）に示すように、金属層１０２をめっき給電層に使用する電解めっき法（例えば電解銅めっき法）を施し、貫通孔２１〜２５に、貫通配線５１〜５５を形成する。なお、金属層１０２の上面は、図示しない保護膜（例えばレジスト膜）により被覆され、めっき液から保護される。
【００４０】
図４（ｂ）に示すように、図４（ａ）に示す金属層１０２をパターニングし、配線層４０を形成する。詳述すると、先ず、図４（ａ）に示す金属層１０２の上面に、所望の位置に開口部を有するエッチングマスク（図示略）を形成する。エッチングマスクの材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば、図４（ａ）に示す金属層１０２の上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングして上記のエッチングマスクを形成する。次に、エッチングマスクの開口部から金属層１０２にエッチングを施し、図４（ｂ）に示す配線層４０を形成する。そして、エッチングマスクを例えばアルカリ性の剥離液により除去する。なお、このエッチング処理において、基板２０の下面は、図示しない保護層（例えばレジスト膜）により被覆され、貫通配線５１〜５５がエッチング処理から保護される。
【００４１】
図４（ｃ）に示すように、接着剤層３２の上面及び配線層４０の一部を覆う保護膜６１を形成する。保護膜６１は、接着剤層３２及び配線層４０に、例えば感光性のソルダレジストを塗布し、当該レジストをフォトリソグラフィ法によりパターニングして得られる。必要に応じて、保護膜６１から露出する配線層４０（素子搭載部４１，４３及び素子接続部４２，４４）の表面と、基板２０の下面に露出する貫通配線５１〜５５の表面に、表面処理層が形成される。表面処理層は、例えば電解めっき法又は無電解めっき法により、Ｎｉ層／Ａｕ層を形成することにより得られる。
【００４２】
次に、配線基板１０に対して素子を搭載する工程を説明する。
図５（ａ）に示すように、前述のように形成された配線基板１０を用意する。
図５（ｂ）に示すように、素子搭載部４１，４３の上面に、接続部材７２，７５を形成する。接続部材７２，７５としては、例えば銀ペーストが用いられる。接続部材７２，７５は、例えばディスペンサを用いて素子搭載部４１，４３の上面に塗布される。
【００４３】
図５（ｃ）に示すように、接続部材７２，７５の上に発光素子７１と受光素子７４を搭載し、接続部材７２，７５を例えば熱処理によって硬化する。本実施形態において、発光素子７１及び受光素子７４は、上面と下面とにそれぞれ電極を有している。この工程により、発光素子７１及び受光素子７４を素子搭載部４１，４３に対して機械的に固定するとともに、発光素子７１と素子搭載部４１、及び受光素子７４と素子搭載部４３とを電気的に接続する。
【００４４】
図６（ａ）に示すように、発光素子７１と素子接続部４２とをワイヤ７３により接続し、受光素子７４と素子接続部４４とをワイヤ７６により接続する。
図６（ｂ）に示すように、遮光材８１，８３を形成する。遮光材８１，８３は、例えば、枠状に形成された半硬化状態のエポキシ樹脂等の遮光材８１，８３を保護膜６１の上面に配置し、熱硬化処理して得られる。
【００４５】
図６（ｃ）に示すように、遮光材８１の内側に封止樹脂８２を充填し、発光素子７１を樹脂封止する。また、遮光材８３の内側に封止樹脂８４を充填し、受光素子７４を樹脂封止する。
【００４６】
次に、貫通孔と貫通配線の形成について説明する。
図７（ａ）に示すように、基材３１の上面に接着剤層３２が形成されている。なお、この図では、図３（ｂ）に示す保護膜１０１が省略されている。
【００４７】
図７（ｂ）に示すように、接着剤層３２側から金型を用いた打ち抜き加工を行うことにより、接着剤層３２と基材３１を貫通する貫通孔２３を形成する。打ち抜き加工により、基材３１及び接着剤層３２において、貫通孔２３の側壁を構成する部分（最終的に貫通配線５３の側面５３ａ（図２参照）と接する部分）は、上側から下側に垂れ下がるように変形する。すなわち、接着剤層３２の上面の縁部３２ａは、曲面状に丸みを帯びる（打ち抜き方向側に、所謂「だれ」が生じる）。同様に、基材３１の上面の縁部３１ａは、曲面状に丸みを帯びる。
【００４８】
図７（ｃ）に示すように、接着剤層３２の上面に金属層１０２を形成する。金属層１０２は、例えば、接着剤層３２の上面に金属箔（例えば銅箔）をラミネートすることにより形成できる。
【００４９】
図７（ｄ）に示すように、金属層１０２をめっき給電層に使用する電解めっき法（例えば電解銅めっき法）を施し、貫通孔２３に、貫通配線５３を形成する。なお、金属層１０２の上面は、保護膜（例えばレジスト膜）により被覆され、めっき液から保護される。
【００５０】
この工程において、貫通配線５３を形成するめっき金属は、貫通孔２３内において、金属層１０２の下面１０２ａから徐々に析出成長する。このため、金属層１０２と基板２０の縁部２０ａ（接着剤層３２の縁部３２ａ）との間の隙間は、析出するめっき金属により充填される。そして、めっき金属を貫通孔２３に充填して貫通配線５３を形成する。
【００５１】
図７（ｅ）に示すように、図４（ａ）に示す金属層１０２をパターニングし、配線層４０（素子搭載部４１及び素子接続部４２）を形成する。
このように、素子搭載部４１は、接着剤層３２により基材３１に接着される金属層１０２（図７（ｃ）参照）により形成される。このため、素子搭載部４１の上面は、平面となる。
【００５２】
貫通配線５３は、金属層１０２と基板２０の縁部２０ａ（接着剤層３２の縁部３２ａ）を充填しためっき金属を含む。つまり、貫通配線５３は、基板２０の上面側において、貫通孔２３の表面に沿って拡開（拡径）した形状の鍔部５３ｂを有する。
【００５３】
次に、上記の光センサ１の作用を説明する。
光センサ１は、配線基板１０に搭載された発光素子７１及び受光素子７４を有している。この光センサ１は、発光素子７１及び受光素子７４が搭載された側、つまり図１（ｂ）において上側を被測定物（例えば人体表面）に向かって取着される。発光素子７１及び受光素子７４が搭載された配線基板１０は、可撓性を有している。このため、被測定物の形状に応じて配線基板１０が曲がることで、この光センサ１が被測定物に密着する。
【００５４】
発光素子７１と受光素子７４は、それぞれ遮光材８１，８３により囲まれている。遮光材８１，８３は、配線基板１０の撓みによって、遮光材８１，８３間の角度が容易に変化する。このため、被測定物において、膨らんでいる箇所や、へこんでいる箇所であっても、遮光材８１，８３がそれぞれ密着する。このため、発光素子７１からの光が直接的に受光素子７４に入射し難い。また、受光素子７４において、被測定物以外からの光が入射し難い。このように、遮光材８１，８３によって、被測定物における信号（例えば生体信号）に、発光素子７１から直接入射する光や、光センサ１（発光素子７１）以外から入射する光によるノイズ等が混入し難い。
【００５５】
基板２０の下面（基材３１の下面）において露出する貫通配線５１，５２，５４，５５の面は、外部接続端子Ｐ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ２ａ，Ｐ２ｂとして機能する。これらの外部接続端子Ｐ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ２ａ，Ｐ２ｂには、この光センサ１を利用する、つまり発光素子７１を駆動し、受光素子７４の出力信号を処理する処理装置に光センサ１を接続する配線が接続される。このような外部接続端子Ｐ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ２ａ，Ｐ２ｂは、配線基板１０において、発光素子７１及び受光素子７４が配設された面（図１（ｂ）において上面）とは反対側の面（図１（ｂ）において下面）に設けられている。このため、光センサ１を処理装置に接続する配線の接続部分は、被測定物に接触しないため、例えば人体表面に光センサ１を取着した場合に、その配線による違和感は生じ難い。
【００５６】
図２に示すように、配線層４０側（素子搭載部４１側）の貫通孔２３の端部において、基板２０の上面側の縁部２０ａは、曲面状に丸みを帯びている（打ち抜き方向側に、所謂「だれ」が生じている）。そして、放熱用の貫通配線５３は、基板２０に形成された貫通孔２３に対して、基板２０の下面側から所定の処理（めっき処理やペーストの充填処理）などによって形成される。このように形成された放熱用の貫通配線５３は、基板２０において、貫通孔２３から下方への脱落が低減される。同様に、図１（ｂ）に示す貫通配線５１，５２，５４，５５は、前述の貫通配線５３と同様に形成される。従って、前述の貫通配線５３と同様に、貫通配線５１，５２，５４，５５について貫通孔２１，２２，２４，２５からの脱落が低減される。
【００５７】
電解めっき法で貫通配線５３を形成した場合、貫通配線５３の端部は、配線層４０（素子搭載部４１）に接合される。この際、貫通配線５３の側面５３ａは、貫通孔２３の内面と接触しているだけとなる。同様に、電解めっき法により形成される貫通配線５１，５２，５４，５５は配線層４０（素子搭載部４１、素子接続部４２、素子搭載部４３、素子接続部４４）に接合される。そして、貫通配線５１，５２，５４，５５の側面は、貫通孔２１，２２，２４，２５の内面と接触しているだけとなる。このため、基板２０に対して曲げなどの力が加わったとき、基板２０における応力は貫通配線５１〜５５の側面に伝達し難い。このため、貫通配線５１〜５５にクラック等が生じ難い。
【００５８】
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１−１）光センサ１は、配線基板１０に搭載された発光素子７１及び受光素子７４を有している。この光センサ１は、発光素子７１及び受光素子７４が搭載された側、つまり図１（ｂ）において上側を被測定物（例えば人体表面）に向かって取着される。発光素子７１及び受光素子７４が搭載された配線基板１０は、可撓性を有している。このため、被測定物の形状に応じて配線基板１０が曲がることで、この光センサ１を被測定物に密着させることができる。
【００５９】
（１−２）発光素子７１と受光素子７４は、それぞれ遮光材８１，８３により囲まれている。遮光材８１，８３は、配線基板１０の撓みによって、遮光材８１，８３間の角度が容易に変化する。このため、被測定物において、膨らんでいる箇所や、へこんでいる箇所であっても、遮光材８１，８３がそれぞれ密着する。このため、発光素子７１からの光が直接的に受光素子７４に入射し難い。また、受光素子７４において、被測定物以外からの光が入射し難い。このように、遮光材８１，８３によって、被測定物における信号（例えば生体信号）に、発光素子７１から直接入射する光や、光センサ１（発光素子７１）以外から入射する光によるノイズ等が混入を抑制することができる。
【００６０】
（１−３）配線層４０側（素子搭載部４１側）の貫通孔２３の端部において、基板２０の上面側の縁部２０ａは、曲面状に丸みを帯びている（打ち抜き方向側に、所謂「だれ」が生じている）。同様に、配線層４０側（素子搭載部４１、素子接続部４２、素子搭載部４３、素子接続部４４）の貫通孔２１，２２，２４，２５の端部において、基板２０の上面側の端部は曲面状に丸みを帯びている。そして、貫通配線５１〜５５は、基板２０に形成された貫通孔２１〜２５に対して、基材３１の下面側から所定の処理（めっき処理やペーストの充填処理）などによって形成される。このため、基板２０と配線層４０（素子搭載部４１，４３、素子接続部４２，４４）との間に形成される縁部のアンカー効果により貫通配線５１〜５５の脱落を低減することができる。
【００６１】
（１−４）電解めっき法により貫通配線５１〜５５を形成した場合、各貫通配線５１〜５５は配線層４０（素子搭載部４１，４３、素子接続部４２，４４）に接合される。この際、貫通配線５１〜５５の側面は、貫通孔２１〜２５の内面と接触しているだけとなる。このため、基板２０に対して曲げなどの力が加わったとき、基板２０における応力は貫通配線５１〜５５の側面に伝達し難い。このため、貫通配線５１〜５５にクラック等が生じ難く、貫通配線５１〜５５の破損を低減することができる。
【００６２】
（１−５）基材３１及び接着剤層３２を貫通する貫通孔２１〜２５を形成し、接着剤層３２の上面に、貫通孔２１〜２５を被覆するように金属層１０２を形成する。そして、金属層１０２を給電電極に利用した電解めっき法によって貫通孔２１〜２５にめっき金属を充填し、貫通配線５１〜５５を形成する。めっき金属は、金属層１０２の下面１０２ａから徐々に析出成長し、貫通配線５１〜５５を形成する。このため、素子搭載部４１，４３、素子接続部４２，４４の上面は、平面となる。このため、素子搭載部４１，４３に対する発光素子７１、受光素子７４の搭載を確実に行うことができる。また、素子接続部４２，４４に対するワイヤ７３，７６の接続を確実に行うことができる。
【００６３】
（第２実施形態）
以下、第２実施形態を説明する。
なお、この実施形態において、上記実施形態と同じ構成部材については同じ符号を付す。同じ構成部材についてはその説明を省略する場合がある。
【００６４】
図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、光センサ１ａは、配線基板１０ａと、配線基板１０ａに搭載された発光素子７１ａ及び受光素子７４を有している。なお、図８（ａ）では、貫通孔と貫通配線について符号を省略している。
【００６５】
配線基板１０ａは、基板２０と、基板２０の一方の面（図８（ａ）において上面）に形成された配線層４０ａ及び保護膜６１を有している。基板２０は、基材３１と、基材３１の上面に形成された接着剤層３２とを有している。
【００６６】
基材３１は、可撓性を有し、例えば平面視において矩形状に形成されている。基材３１としては、例えば、ポリイミド樹脂やポリエステル樹脂等の樹脂、液晶ポリマ、等を用いたフレキシブルなフィルム状基板を用いることができる。基材３１の厚さは、例えば２５〜１００μｍ（ミクロン）である。接着剤層３２は、基材３１の上面に形成され、配線層４０ａを基材３１に接着している。接着剤層３２の材料としては、例えばエポキシ系、ポリイミド系やシリコーン系等の接着剤を用いることができる。
【００６７】
本実施形態において、発光素子７１ａは、上面に２つの電極を有している。このため、配線層４０ａは、発光素子７１ａが搭載される素子搭載部４１ａと、発光素子７１ａに接続される２つの素子接続部４２ａ，４２ｂとを有している。２つの素子接続部４２ａ，４２ｂは、素子搭載部４１ａを挟んで素子搭載部４１ａの両側に配置されている。配線層４０ａの材料としては、例えば銅又は銅合金を用いることができる。
【００６８】
図８（ａ）に示すように、本実施形態の配線基板１０ａには、２つの発光素子７１ａが搭載される。このため、配線基板１０ａは、各発光素子７１ａに対応して２つの素子搭載部４１ａを有している。そして、各素子搭載部４１ａの両側に素子接続部４２ａ，４２ｂが配設されている。例えば、２つの発光素子７１ａは互いに異なる周波数の光を出射するものである。受光素子７４は、２つの発光素子７１ａから出射される光に応じた受光特性を有している。なお、同じ周波数の光を出射する２つの発光素子７１ａが搭載されてもよい。
【００６９】
図８（ｂ）に示すように、接着剤層３２の上面は、保護膜６１により覆われている。また、この保護膜６１は、配線層４０ａの一部（素子搭載部４１ａ，４３と素子接続部４２ａ，４２ｂ，４４の一部）を覆うように形成されている。保護膜６１の開口部から露出する素子搭載部４１ａ，４３及び素子接続部４２ａ，４２ｂ，４４の表面には、図示しない表面処理層が形成されている。表面処理層としては、例えばＡｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。また、ＯＳＰ処理などの酸化防止処理を施して表面処理層を形成するようにしてもよい。例えば、ＯＳＰ処理を施した場合には、アゾール化合物やイミダゾール化合物等の有機被膜による表面処理層が形成される。
【００７０】
基板２０には、基材３１及び接着剤層３２を貫通する貫通孔２１，２２が形成されている。貫通孔２１は、素子接続部４２ａの下面の一部を露出し、貫通孔２２は、素子接続部４２ｂの下面の一部を露出する。
【００７１】
貫通孔２１，２２には、貫通配線５１，５２が形成されている。貫通配線５１は、素子接続部４２ａと接続され、貫通配線５２は、素子接続部４２ｂと接続されている。貫通配線５１，５２は、基板２０の下面において露出している。その露出した面は、外部接続端子Ｐ１ａ，Ｐ１ｂとして機能する。貫通配線５１，５２の材料としては、銅または銅合金を用いることができる。貫通配線５１，５２は、例えば、貫通孔２１，２２に形成されためっき金属（例えば銅めっき）、貫通孔２１，２２に充填された導電性ペースト（例えば銅ペースト）により形成される。
【００７２】
貫通配線５１，５２において、露出する面（外部接続端子Ｐ１ａ，Ｐ１ｂ）に表面処理層が形成されてもよい。表面処理層の材料としては、Ａｕ又はＡｕ合金、Ｎｉ又はＮｉ合金、Ｐｄ又はＰｄ合金が用いられる。表面処理層の例としては、Ａｕ層、Ｎｉ層／Ａｕ層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層などを挙げることができる。また、ＯＳＰ処理などの酸化防止処理を施して表面処理層を形成するようにしてもよい。なお、貫通配線５１，５２の下面に表面処理層が形成されている場合には、その表面処理層が外部接続端子として機能する。
【００７３】
また、基板２０には、発光素子７１ａの直下に、基材３１及び接着剤層３２を貫通する貫通孔２３が形成されている。貫通孔２３は、素子搭載部４１ａの下面の一部を露出するように形成されている。つまり、図８（ａ）に示すように、貫通孔２３は、発光素子７１ａと平面視において重なる位置に形成されている。
【００７４】
貫通孔２３には、貫通配線５３が形成されている。貫通配線５３は、素子搭載部４１ａと接続されている。そして、貫通配線５３は、基板２０の下面において露出している。貫通配線５３には、その直上の発光素子７１ａの熱が素子搭載部４１ａを介して伝達される。その熱は、貫通配線５３において露出した面、つまり下面から放熱される。つまり、貫通配線５３の露出した面は、素子搭載部４１ａに搭載された発光素子７１ａの熱を放熱する放熱面として機能する。つまり、貫通配線５３は、発光素子７１ａの熱を放熱する熱伝達部材（放熱用の貫通配線：サーマルビア）として機能する。放熱用の貫通配線５３の材料としては、銅または銅合金を用いることができる。放熱用の貫通配線５３において、上記貫通配線５１，５２と同様に、露出する面に表面処理層が形成されていてもよい。
【００７５】
基板２０には、基材３１及び接着剤層３２を貫通する貫通孔２４，２５が形成されている。貫通孔２４は、素子搭載部４３の下面の一部を露出し、貫通孔２５は素子接続部４４の下面の一部を露出する。図８（ａ）に示すように、貫通孔２４は、素子搭載部４３に搭載される受光素子７４と平面視において重ならない位置に形成されている。
【００７６】
貫通孔２４，２５には、貫通配線５４，５５が形成されている。貫通配線５４は、素子搭載部４３と接続され、貫通配線５５は、素子接続部４４と接続されている。貫通配線５４，５５は、基板２０の下面において露出している。その露出した面は、外部接続端子Ｐ２ａ，Ｐ２ｂとして機能する。貫通配線５４，５５の材料としては、銅または銅合金を用いることができる。なお、貫通配線５４，５５において、上記貫通配線５１，５２と同様に、露出する面に表面処理層が形成されていてもよい。
【００７７】
発光素子７１ａは、接続部材７２ａにより素子搭載部４１ａの上面に接続されている。この接続部材７２ａは、高い熱伝導性を有する接着剤である。接続部材７２ａとしては、例えば熱伝導部材（Thermal Interface Material：ＴＩＭ）等の高熱伝導性を有する部材を用いることができる。熱伝導部材の材料としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、銀（Ａｇ）等の軟質金属、シリコンゲル、或いは金属フィラー、グラファイト等を含有した有機系の樹脂バインダー等を用いることができる。
【００７８】
発光素子７１ａは、上面に２つの電極を有している。発光素子７１ａの上面に形成された２つの電極は、それぞれワイヤ７３ａ，７３ｂを介して素子接続部４２ａ，４２ｂに接続されている。ワイヤ７３ａ，７３ｂは、例えばＡｕ線である。
【００７９】
受光素子７４は、接続部材７５により素子搭載部４３の上面に接続されている。本実施形態において、受光素子７４は、上面と下面とに電極を有している。この接続部材７５は、導電性を有する接着剤である。接続部材７５としては、例えば銀ペーストが用いられる。受光素子７４の下面に形成された電極は、接続部材７５を介して素子搭載部４３に接続される。そして、受光素子７４の上面に形成された電極は、ワイヤ７６を介して素子接続部４４に接続されている。ワイヤ７６は、例えばＡｕ線である。
【００８０】
配線基板１０ａの上には遮光材８１，８３が配設されている。遮光材８１，８３は、配線基板１０ａの保護膜６１の上面に固定されている。
遮光材８１は、発光素子７１ａを囲むように矩形枠状に形成されている。遮光材８１は、遮光性を有している。遮光材８１の材料としては、例えば黒色等に着色された絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの絶縁性樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。また、絶縁性樹脂としては、例えば遮光性の黒色樹脂に感光材を混入させた遮光性の黒色レジストを用いることができる。なお、絶縁性樹脂に混入させる着色剤として数種類の顔料を混合したもの、カーボンブラックやチタンブラックなどの黒色顔料を用いることができる。
【００８１】
遮光材８１の内側には、発光素子７１ａを封止する封止樹脂８２が形成されている。封止樹脂８２は、発光素子７１ａの発光特性に応じた光を透過する透光性を有している。封止樹脂８２の材料としては、例えばシリコーン樹脂を用いることができる。
【００８２】
遮光材８３は、受光素子７４を囲むように矩形枠状に形成されている。遮光材８３は、遮光性を有している。遮光材８３の材料としては、前述の遮光材８１と同様の材料を用いることができる。
【００８３】
遮光材８３の内側には、受光素子７４を封止する封止樹脂８４が形成されている。封止樹脂８４は、受光素子７４の受光特性に応じた光を透過する透光性を有している。封止樹脂８４の材料としては、例えばシリコーン樹脂を用いることができる。
【００８４】
次に、配線基板１０ａに対して素子を搭載する工程を説明する。
図９（ａ）に示すように、配線基板１０ａを用意する。この配線基板１０ａの配線層４０ａは、素子搭載部４１ａ、素子接続部４２ａ，４２ｂ、素子搭載部４３、素子接続部４４を含む。配線基板１０ａは、前述した配線基板１０と同様の工程（図３（ａ）〜図４（ｃ）参照）により作成される。
【００８５】
図９（ｂ）に示すように、素子搭載部４１ａ，４３の上面に、接続部材７２ａ，７５が形成される。素子搭載部４１ａに形成される接続部材７２ａとしては、例えば熱伝導部材（ＴＩＭ）等の高熱伝導性を有する部材を用いることができる。接続部材７２ａは、例えばディスペンサを用いて素子搭載部４１ａの上面に塗布される。素子搭載部４３に形成される接続部材７５としては、例えば銀ペーストが用いられる。接続部材７５は、例えばディスペンサを用いて素子搭載部４３の上面に塗布される。
【００８６】
図９（ｃ）に示すように、接続部材７２ａ，７５の上に発光素子７１ａと受光素子７４を搭載し、接続部材７２ａ，７５を例えば熱処理によって硬化する。本実施形態において、発光素子７１ａは、上面に複数の電極を有する。受光素子７４は、上面と下面とにそれぞれ電極を有している。この工程により、発光素子７１ａ及び受光素子７４を素子搭載部４１ａ，４３に対して機械的に固定する。また、受光素子７４と素子搭載部４３とを電気的に接続する。
【００８７】
図９（ｄ）に示すように、発光素子７１ａと素子接続部４２ａ，４２ｂとをワイヤ７３ａ，７３ｂにより接続し、受光素子７４と素子接続部４４とをワイヤ７６により接続する。
【００８８】
図１０（ａ）に示すように、保護膜６１の上面に、接着剤１１１を塗布する。接着剤１１１は、図８（ａ）に示す遮光材８１，８３に対応し、例えばディスペンサによって枠状に塗布される。接着剤１１１としては、例えばエポキシ系の接着剤を用いることができる。
【００８９】
図１０（ｂ）に示すように、遮光材８１，８３を接続する。遮光材８１，８３は、例えば、枠状に形成された硬化状態の絶縁性樹脂からなる遮光材８１，８３を保護膜６１の上面に配置し、図１０（ａ）に示す接着剤１１１を熱硬化処理する。このようにして、遮光材８１，８３が保護膜６１の上面に固定される。
【００９０】
図１０（ｃ）に示すように、遮光材８１の内側に封止樹脂８２を充填し、発光素子７１ａを樹脂封止する。また、遮光材８３の内側に封止樹脂８４を充填し、受光素子７４を樹脂封止する。
【００９１】
以上記述したように、本実施形態によれば、上記第１実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
（２−１）上面に２つの電極が形成された発光素子７１ａを搭載した光センサ１ａを得ることができる。
【００９２】
（２−２）発光素子７１ａを素子搭載部４１ａに搭載する接続部材７２ａを、熱の伝達特性に応じて調整することにより、導電性を考慮したものと比べてより熱伝達を高くすることが可能となり、発光素子７１ａの熱を効率よく放熱することができる。
【００９３】
（２−３）遮光材８１，８３を接着剤１１１により配線基板１０ａに接続した。このため、例えば遮光材８１，８３を配線基板１０ａと並行して作成することにより、光センサ１ａの製造にかかる時間を短縮することができる。また、接着剤１１１を用いて遮光材８１，８３を接続することにより、遮光材８１，８３の材料として、例えばアルミニウム等の金属やゴム等を用いることができる。
【００９４】
（第３実施形態）
以下、第３実施形態を説明する。
なお、この実施形態において、上記実施形態と同じ構成部材については同じ符号を付す。同じ構成部材についてはその説明を省略する場合がある。
【００９５】
図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、光センサ１ｂは、配線基板１０ｂと、配線基板１０ｂに搭載された発光素子７１及び受光素子７４を有している。
配線基板１０ｂは、基板２０と、基板２０の一方の面（図１１（ａ）において上面）に形成された配線層４０及び保護膜６１を有している。基板２０は、基材３１と、基材３１の上面に形成された接着剤層３２とを有している。基材３１は、可撓性を有し、例えば平面視において矩形状に形成されている。接着剤層３２は、基材３１の上面に形成され、配線層４０を基材３１に接着している。
【００９６】
配線層４０は、発光素子７１が搭載される素子搭載部４１と、発光素子７１に接続される素子接続部４２とを有している。また、配線層４０は、受光素子７４が搭載される素子搭載部４３ａと、受光素子７４に接続される素子接続部４４ａとを有している。
【００９７】
基板２０には、基材３１及び接着剤層３２を貫通する貫通孔２１，２２が形成されている。貫通孔２１，２２には、貫通配線５１，５２が形成されている。貫通配線５１は、素子搭載部４１と接続され、貫通配線５２は、素子接続部４２と接続されている。なお、図１１（ａ）において、各貫通配線の符号は省略されている。
【００９８】
また、基板２０には、発光素子７１の直下に、基材３１及び接着剤層３２を貫通する貫通孔２３が形成されている。貫通孔２３は、素子搭載部４１において、発光素子７１が搭載される部分の下面を露出するように形成されている。つまり、図１１（ａ）に示すように、貫通孔２３は、発光素子７１と平面視において重なる位置に形成されている。
【００９９】
貫通孔２３には、貫通配線５３が形成されている。貫通配線５３は、素子搭載部４１と接続されている。そして、貫通配線５３は、基板２０の下面において露出している。貫通配線５３には、その直上の発光素子７１の熱が素子搭載部４１を介して伝達される。その熱は、貫通配線５３において露出した面、つまり下面から放熱される。つまり、貫通配線５３の露出した面は、素子搭載部４１に搭載された発光素子７１の熱を放熱する放熱面として機能する。つまり、貫通配線５３は、発光素子７１の熱を放熱する熱伝達部材（放熱用の貫通配線：サーマルビア）として機能する。放熱用の貫通配線５３の材料としては、銅または銅合金を用いることができる。放熱用の貫通配線５３において、上記貫通配線５１，５２と同様に、露出する面に表面処理層が形成されていてもよい。
【０１００】
基板２０には、基材３１及び接着剤層３２を貫通する貫通孔２４，２５が形成されている。図１１（ａ）に示すように、素子搭載部４３ａに対して複数の貫通孔２４が形成されている。複数の貫通孔２４は、例えばマトリックス状に配設されている。同様に、素子接続部４４ａに対して複数の貫通孔２５が形成されている。本実施形態において、貫通孔２５は、素子接続部４４ａに対して１列状に配設されている。
【０１０１】
各貫通孔２４，２５には、貫通配線５４，５５が形成されている。貫通配線５４は、素子搭載部４３ａと接続され、貫通配線５５は、素子接続部４４ａと接続されている。貫通配線５４，５５は、基板２０の下面において露出している。複数の貫通配線５４のうちの１つの露出した面は、外部接続端子Ｐ２ａとして利用される。同様に、複数の貫通配線５５のうちの１つの露出した面は、外部接続端子Ｐ２ｂとして利用される。貫通配線５４，５５の材料としては、銅または銅合金を用いることができる。
【０１０２】
発光素子７１は、接続部材７２により素子搭載部４１の上面に接続されている。この接続部材７２は、導電性を有する接着剤である。発光素子７１の下面に形成された電極は、接続部材７２を介して素子搭載部４１に接続される。そして、発光素子７１は、ワイヤ７３を介して素子接続部４２に接続されている。
【０１０３】
受光素子７４は、接続部材７５により素子搭載部４３ａの上面に接続されている。この接続部材７５は、導電性を有する接着剤である。受光素子７４の下面に形成された電極は、接続部材７５を介して素子搭載部４３ａに接続される。そして、受光素子７４は、ワイヤ７６を介して素子接続部４４ａに接続されている。
【０１０４】
遮光材８１は、発光素子７１を囲むように矩形枠状に形成されている。遮光材８１は、遮光性を有している。遮光材８１の内側には、発光素子７１を封止する封止樹脂８２が形成されている。封止樹脂８２は、発光素子７１の発光特性に応じた光を透過する透光性を有している。
【０１０５】
遮光材８３は、受光素子７４を囲むように矩形枠状に形成されている。遮光材８３は、遮光性を有している。遮光材８３の内側には、受光素子７４を封止する封止樹脂８４が形成されている。封止樹脂８４は、受光素子７４の受光特性に応じた光を透過する透光性を有している。
【０１０６】
以上記述したように、本実施形態によれば、上記第１実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
（３−１）配線基板１０ｂは、基板２０（基材３１及び接着剤層３２）を貫通する複数の貫通孔２４に形成された貫通配線５４を有し、貫通配線５４は素子搭載部４３ａに接続されている。このように形成された複数の貫通配線５４は、素子搭載部４３ａが形成された部分の剛性を増加させる。同様に、素子接続部４４ａには、複数の貫通配線５５が接続されている。貫通配線５５は、素子接続部４４ａが形成された部分の剛性を増加させる。このため、受光素子７４を搭載する際や、ワイヤ７６を接続する際において、接続装置（ダイボンダ、ワイヤボンダ）による力を素子搭載部４３ａや素子接続部４４ａにて受け止めることができ、素子搭載性を向上することができる。
【０１０７】
（第４実施形態）
以下、第４実施形態を説明する。
なお、この実施形態において、上記実施形態と同じ構成部材については同じ符号を付す。同じ構成部材についてはその説明を省略する場合がある。
【０１０８】
図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、光センサ１ｃは、配線基板１０ｃと、配線基板１０ｃに搭載された発光素子７１及び受光素子７４を有している。
配線基板１０ｃは、基板２０と、基板２０の一方の面（図１２（ａ）において上面）に形成された配線層４０及び保護膜６１を有している。基板２０は、基材３１と、基材３１の上面に形成された接着剤層３２とを有している。基材３１は、可撓性を有し、例えば平面視において矩形状に形成されている。接着剤層３２は、基材３１の上面に形成され、配線層４０を基材３１に接着している。
【０１０９】
配線層４０は、発光素子７１が搭載される素子搭載部４１と、発光素子７１に接続される素子接続部４２とを有している。また、配線層４０は、受光素子７４が搭載される素子搭載部４３と、受光素子７４に接続される素子接続部４４とを有している。
【０１１０】
基板２０には、基材３１及び接着剤層３２を貫通する貫通孔２１，２２が形成されている。貫通孔２１，２２には、貫通配線５１，５２が形成されている。貫通配線５１は、素子搭載部４１と接続され、貫通配線５２は、素子接続部４２と接続されている。
【０１１１】
また、基板２０には、発光素子７１の直下に、基材３１及び接着剤層３２を貫通する貫通孔２３が形成されている。その貫通孔２３には、放熱用の貫通配線５３（サーマルビア）が形成されている。放熱用の貫通配線５３は、素子搭載部４１と接続されている。
【０１１２】
基板２０には、基材３１及び接着剤層３２を貫通する貫通孔２４，２５が形成されている。貫通孔２４，２５には、貫通配線５４，５５が形成されている。貫通配線５４は、素子搭載部４３と接続され、貫通配線５５は、素子接続部４４と接続されている。
【０１１３】
遮光材８１は、発光素子７１を囲むように矩形枠状に形成されている。遮光材８１は、遮光性を有している。遮光材８１の内側には、発光素子７１を封止する封止樹脂８２が形成されている。封止樹脂８２は、発光素子７１の発光特性に応じた光を透過する透光性を有している。
【０１１４】
遮光材８３は、受光素子７４を囲むように矩形枠状に形成されている。遮光材８３は、遮光性を有している。遮光材８３の内側には、受光素子７４を封止する封止樹脂８４が形成されている。封止樹脂８４は、受光素子７４の受光特性に応じた光を透過する透光性を有している。
【０１１５】
そして、本実施形態の配線基板１０ｃには、遮光材８１，８３の外側に、貫通孔２６ａ，２６ｂが形成されている。図１２（ｂ）に示すように、貫通孔２６ａ，２６ｂは、基板２０に含まれる基材３１と接着剤層３２、及び保護膜６１を貫通して形成されている。
【０１１６】
図１２（ａ）に示すように、遮光材８１，８３の間に形成された貫通孔２６ａは、遮光材８１，８３に沿って、配線基板１０ｃの幅方向（図１２（ａ）において上下方向）に延びるように形成されている。また、配線基板１０ｃの周縁に形成された貫通孔２６ｂは、その配線基板１０ｃの周縁に沿って延びるように形成されている。
【０１１７】
以上記述したように、本実施形態によれば、上記第１実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
（４−１）配線基板１０ｃには、遮光材８１，８３の外側に、基板２０の基材３１、接着剤層３２及び保護膜６１を貫通する貫通孔２６ａ，２６ｂが形成されている。このような貫通孔２６ａ，２６ｂは、配線基板１０ｃの変形（撓み）を容易にする。このため、光センサ１ｃの密着性を向上することができる。
【０１１８】
尚、上記各実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記実施形態において、基板２０の下面において露出する貫通配線の形状を適宜変更してもよい。
【０１１９】
図１３に示すように、貫通配線２０１が基板２０（基材３１）の下面から突出するように形成してもよい。貫通配線２０１は、基板２０（基材３１）の下面から断面円弧状に突出している。なお、突出する部分の表面に、上記各実施形態と同様に表面処理層が形成されていてもよい。
【０１２０】
図１４に示すように、貫通配線２０２の下面２０２ａは、外周側よりも中央側が上方（基材３１の中心側）に位置する凹状（円弧状）に形成されている。
これらの貫通配線２０１，２０２は、基材３１の下面において露出する面の面積を、平面状の端面よりも大きくする。このため、貫通配線２０１，２０２に外部配線を接続する場合に、その接続面積が大きくなり、接続をより確実にすることができる。
【０１２１】
・上記各実施形態において、貫通配線の形成位置、形状等を適宜変更してもよい。
図１５に示すように、素子接続部４２ｃは、遮光材８１（破線にて示す）よりも配線基板２１０の端部に向かって延びるように形成されている。そして、配線基板２１０には、遮光材８１の外側（図では右側）に貫通孔２１１が形成され、その貫通孔２１１に貫通配線２１２が形成されている。なお、図１５では、貫通配線２１２等の表面に形成された表面処理層２１３が示されている。
【０１２２】
図１６（ａ）に示すように、素子接続部４２ｄは、配線基板２２０の端部まで延びるように形成されている。そして、配線基板２２０の端部に貫通配線２２２が形成されている。貫通配線２２２の下面及び側面には、表面処理層２２３が形成されている。この表面処理層２２３は、配線基板２２０の端部から露出する素子接続部４２ｄの表面にも形成されている。
【０１２３】
このような貫通配線２２２は、図１６（ｂ）に示すように、基板２３０を一点鎖線に沿って切断して２つの配線基板２２０に個片化することによって得られる。基板２３０には、複数の配線基板が形成された構造とされている。つまり、基板２３０は、個片化される前の複数の配線基板の集合体である。
【０１２４】
・上記各実施形態では、貫通配線５１〜５５の形状を平面視において円形（例えば図１（ａ）参照）としたが、矩形状、多角形状などの形状を採用してもよい。
・上記各実施形態では、遮光材８１，８３を平面視において矩形の枠状（例えば図１（ａ）参照）としたが、円形や多角形の枠状としてもよい。
【０１２５】
・上記各実施形態では、配線基板１０，１０ａ〜１０ｃの形状を平面視において矩形状（例えば図１（ａ）参照）としたが、円形や多角形としてもよい。
・上記各実施形態において、第２実施形態の発光素子７１ａと同様に、上面に２つの電極を有する受光素子を用いてもよい。この場合、第２実施形態の素子接続部４２ａ，４２ｂと同様に、受光素子に接続される２つの素子接続部が形成される。
【符号の説明】
【０１２６】
１，１ａ〜１ｃ  光センサ
２０  基板
２１〜２５  貫通孔
４０，４０ａ  配線層
４１，４３，４３ａ  素子搭載部
４２，４２ａ，４２ｂ，４４，４４ａ  素子接続部
５１〜５５  貫通配線
５３ｂ  鍔部
７１，７１ａ  発光素子
７４  受光素子
８１，８３  遮光材
８２，８４  封止樹脂
【図１】
0006662716.tif 000002
【図２】
0006662716.tif 000003
【図３】
0006662716.tif 000004
【図４】
0006662716.tif 000005
【図５】
0006662716.tif 000006
【図６】
0006662716.tif 000007
【図７】
0006662716.tif 000008
【図８】
0006662716.tif 000009
【図９】
0006662716.tif 000010
【図１０】
0006662716.tif 000011
【図１１】
0006662716.tif 000012
【図１２】
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【図１３】
0006662716.tif 000014
【図１４】
0006662716.tif 000015
【図１５】
0006662716.tif 000016
【図１６】
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