(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を製造する方法であって、
前記電極を含むシステムの使用中に少なくとも１つのトリプルジャンクションを生じさせるように構成された少なくとも１つのジオメトリック特徴部を含む前記電極の表面を製造するステップを含み、
前記ジオメトリック特徴部は、
特定の方向から方向性を有する絶縁粒子を受けて蓄積させるように構成された前記電極の表面の第１面部分であって、蓄積された前記絶縁粒子は、前記第１面部分に絶縁層を形成する、第１面部分と、
前記第１面部分によって前記特定の方向から前記絶縁粒子を受けることから遮蔽されるように構成される前記電極の表面の影面部分と、を含む
電極を製造する方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記少なくとも１つのジオメトリック特徴部は、ジオメトリック特徴部のアレイであり、各前記ジオメトリック特徴部は、前記特定の方向から方向性を有する絶縁粒子を堰き止めて蓄積させ、前記電極の表面の前記第１面部分に絶縁層を形成させるように構成された前記第１面部分と、前記第１面部分によって前記特定の方向から前記絶縁粒子を受けることから遮蔽されるように構成される前記電極の表面の影面部分とを含む、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記電極が使用される環境において前記絶縁粒子の前記方向性を決定するステップと、
前記決定した方向からの前記絶縁粒子を受けるように前記第１面部分を構成するステップと、をさらに含む、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、
前記第１面部分によって、前記決定された方向からの前記絶縁粒子から遮蔽されるように前記影面部分を構成するステップをさらに含む、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記第１面部分は、前記電極を含むシステムの使用中に前記絶縁粒子への露出から前記影面部分を遮蔽するように構成される、方法。
【請求項６】
表面を有する電極であって、
前記電極を含むシステムの使用中に少なくとも１つのトリプルジャンクションを生じさせるように構成された少なくとも１つのジオメトリック特徴部を備え、
前記ジオメトリック特徴部は、
特定の方向から方向性を有する絶縁粒子を受けて蓄積させるように構成された前記電極の表面の第１面部分であって、蓄積された前記絶縁粒子は、前記第１面部分に絶縁層を形成する、第１面部分と、
前記第１面部分によって前記特定の方向から前記絶縁粒子を受けることから遮蔽されるように構成される前記電極の表面の影面部分と、を含む、電極。
【請求項７】
請求項６に記載の電極であって、前記第１面部分は、前記電極を含むシステムの使用中に前記絶縁粒子への露出から前記影面部分を遮蔽するように構成される、電極。
【請求項８】
請求項６に記載の電極であって、前記第１面部分は、第１方向を有する前記絶縁粒子を受けるように構成される、電極。
【請求項９】
請求項８に記載の電極であって、前記影面部分は、前記第１方向を有する前記絶縁粒子から遮蔽させるように構成される、電極。
【請求項１０】
請求項６に記載の電極であって、前記ジオメトリック特徴部は、前記第１面部分が前記影面部分に影を投げる、突出部として構成される、電極。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電極であって、前記ジオメトリック特徴部は、前記システムの通常操作において２つのトリプルジャンクションを生じさせるように構成され、前記２つのトリプルジャンクションのうちの第１トリプルジャンクションは、前記第１面部分及び前記影面部分の交差によって形成される前記突出部の先端部の下に形成され、前記２つのトリプルジャンクションのうちの第２トリプルジャンクションは、前記先端部の下面上に形成される、電極。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電極であって、前記ジオメトリック特徴部は、前記２つのトリプルジャンクションの低いレベルの放電活性化を高めるように、前記第１トリプルジャンクションが前記第２トリプルジャンクションに近接して配置されるように構成される、電極。
【請求項１３】
請求項１０に記載の電極であって、前記少なくとも１つのジオメトリック特徴部は、前記少なくとも１つのジオメトリック特徴のアレイである、電極。
【請求項１４】
請求項６に記載の電極において、前記少なくとも１つのジオメトリック特徴部は、前記電極を含むシステムの使用中に絶縁粒子の方向に直交する電極から延在するように構成された、少なくとも１つの電極フィンである、電極。
【請求項１５】
請求項１４に記載の電極であって、前記少なくとも１つの電極フィンは、電極フィンのアレイである、電極。
【請求項１６】
電極の表面に形成した堆積物の局所的破壊を生じさせる方法であって、
前記電極を含む高電圧システムの使用中に少なくとも１つのトリプルジャンクションを生じさせるように構成された少なくとも１つのジオメトリック特徴部を含む表面を有する電極を設けるステップであって、
前記ジオメトリック特徴部は、
特定の方向から方向性を有する絶縁粒子を受けて蓄積させるように構成された前記電極の表面の第１面部分であって、蓄積された前記絶縁粒子は、前記第１面部分に絶縁層を形成する、第１面部分と、
前記第１面部分によって前記特定の方向から前記絶縁粒子を受けることから遮蔽されるように構成された前記電極の表面の影面部分と、を含む、電極を設けるステップと、
前記高電圧システムの通常操作における前記絶縁粒子の方向性に基づき、前記特定の方向からの前記絶縁粒子に曝されるために位置する前記第１面部分と、前記特定の方向からの前記絶縁粒子への露出から遮蔽された前記影面部分とによって、前記高電圧システムにおいて前記電極を配向するステップと、
前記電極を含む前記高電圧システムの使用中に前記第１面部分に堆積物を形成するステップであって、前記堆積物は、前記第１面部分と前記影面部分の前記電極の表面との間に少なくとも１つのトリプルジャンクションを生じさせる、形成するステップと、
前記高電圧システムが、前記電極を含む前記高電圧システムにて使用中であるときに、前記少なくとも１つのトリプルジャンクションが、前記電極上の前記堆積物の少なくとも一部を破壊する局所的な放電活性化を生じさせるステップと、を含む、方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、前記少なくとも１つのジオメトリック特徴部は、前記少なくとも１つのジオメトリック特徴部のアレイである、方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の方法であって、前記ジオメトリック特徴部は、前記電極を含む前記高電圧システムの使用中に２つのトリプルジャンクションを生じさせるように構成され、前記２つのトリプルジャンクションのうちの第１トリプルジャンクションは、前記第１面部分と前記影面部分との交差によって形成される突出部の先端部の下に形成され、前記２つのトリプルジャンクションのうちの第２トリプルジャンクションは、前記先端部の下面に形成される、方法。
【請求項１９】
請求項１６に記載の方法であって、前記少なくとも１つのジオメトリック特徴部は、前記電極を含む前記高電圧システムの使用中に絶縁粒子の方向に直交する前記電極から延在するように構成された少なくとも１つの電極フィンである、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願へのクロスリファレンス］
本出願は、米国仮特許出願第６２／０６７，６９３号（２０１４年１０月２３日出願）の優先権を主張するものであり、当該出願の開示全体を、ここに参照のために取り込む。
【０００２】
［技術分野］
本発明は、局所的電界増強の利用に関するものであり、より詳細には、通常操作の一部として絶縁堆積物が形成されるシステムにて、イン・サイチュ  トリプルジャンクションを形成するために設計された機能の導入に関する。
【背景技術】
【０００３】
伝導体となり得るものは、通常、クリーンで理想的な状態において、放電破壊をもたらす限界値以下で動作する。これは、通常操作にて予期される汚染に伴う電圧保持の悪化を許容する。堆積物は、ほこりのような、緩くて束縛されない材料の堆積物であり得る。堆積物は、付属層の形を採ることもあり、又は、化学反応によって形成されることもあり得る。例えば、形成される可能性がある絶縁堆積物は、コロナリング、絶縁体勾配リング、及び、スパークプラグのような汚染に曝されるスパークギャップを含む。荷電粒子加速器及びプラズマツールのような真空システムにおいて電極には、特に、注意が払われる。
【０００４】
液体、気体又は真空環境では、電極の汚染物質によって、メンテナンスが必要になったり、又は、高電圧破壊が生じたりすることがある。プラズマ及びイオンビームのような製造ツールに基づく半導体真空では、絶縁破壊によって、粒子の発生が増加することがある。電源が投入された電極にて、ハード電源供給の絶縁破壊（「グリッチ」ともいう）は、粒子の発生を大幅に増加させることがある。これは望ましくない。なぜなら、粒子は、半導体製造において歩留り損失をもたらすことがあるためである。従って、粒子数は、定期的に監視される。ツールの条件及び継続的な操作には、粒子の数が最大許容範囲を下回るように維持することが要求される。要求されるものは、耐用年数を向上させて経済的に望まれる限界数に粒子を維持することによって、耐用年数を向上させ得る技術である。
【０００５】
電極、絶縁体及びトリプルジャンクション：
絶縁体は、電気システムの重要な構成要素である。そのため、絶縁体の故障を引き起こすメカニズムが広く研究されている。真空、気体又は非導電性液体システムでは、媒質−金属−絶縁体の合流点は、「トリプルジャンクション」（又は「トリプルポイント」）と呼ばれている。真空では、トリプルジャンクションにおける電界増強によって、絶縁体破壊が発生してしまうことがある。例えば、次を参照されたい；Schacter著、「Analytic expression for triple-point electron emission from an ideal edge」、Appl. Phys. Lett. 72(4)、１９９８年１月２６日；Chungら著、「Configuration-dependent enhancements of electric fields near the quadruple and the triple junction」、J. Vac. Sci. Tech. B28、C2A94、２０１０；Stygarら著、「Improved design of a high-voltage vacuum insulator interface」、Phys. Rev. STAccel Beams 8, 050401(2005)。
【０００６】
真空では、絶縁体と真空側のカソードとの間の鋭角は、トリプルジャンクションのカソードに数学的電場特異性をもたらすことがある。また、電子電界放出は、絶縁体表面に沿った、沿面放電を引き起こすことがあり、結果として故障につながることがある。絶縁体とアノードとの間の鈍角は、トリプルジャンクションのアノードに数学的特異性をもたらすことがあり、これは、バルク絶縁体の破壊につながることがある。ここで、米国特許出願公開第２０１４／０１８４０５５に係る図１を参照すると、研究及び開発の１つのゴールは、トリプルジャンクションのカソード１２に、真空側の鈍角１０及びトリプルジャンクションのアノード１４による鋭角θの設定によって、絶縁体の耐用年数を増加させることである。トリプルジャンクションの電界増強による破壊への懸念は、マクロからサブミクロンフィーチャサイズにまで及ぶ。例えば、Takadaの米国特許第５，７３９，６２８号を参照されたい。
【０００７】
真空のトリプルジャンクション破壊の実験は、自由電荷もイオン放射もない、クリーンな真空でよく行われる。そのため、ビーム又はプラズマ環境における堆積物の影響の実験は、比較的制限される。しかしながら、イオンビームの電極の導電性堆積物でさえ、クリーンな電極のそれに比べて、破壊電圧を低減させることができる。例えば、Vanderbergら著、「Evaluation of electrode materials for ion implanters」、IEEE 0-7803-X/99,pp. 207-210を参照されたい。
【０００８】
プラズマの存在は、クリーンな真空と比較すると、複数の問題をもたらす。プラズマは、自由電荷（ほとんど電子）及び放射線（特にＵＶ）をもたらし、これは、イオン化に十分なエネルギーを有する。拡散プラズマでさえ、０．０１ｃｍよりも大きい特性を成すデバイ遮蔽を伴う。自由電荷及びＵＶ放射線は、絶縁体を完全な状態に保つことに対して明らかに有害であるが、デバイ遮蔽の影響は、明らかに少ない。プラズマシースは、動的であり、非常に高い変動電場を小距離にわたり有する。さらに重要なことは、シースのコンフォーマルな性質によって、時間平均したシース電界が、事実上、材料の境界に対して直交することである。例えば、正プラズマ又はビーム電位のケースでは、接地された境界は、コールドカソードの電位となり、プラズマがアノードとなる。トリプルジャンクションで、これは、事実上、トリプルジャンクションの絶縁体の長い不要なジオメトリを、アノードに対して９０度に再構築する。
【０００９】
半導体プラズマ及びビームシステムでは、ＤＣ、ＲＦ及び／又はパルス電源が用いられることがある。これらは、エッチング、洗浄、ドーピング及び材料堆積に使用される。半導体プロセスは、特に厳しいものであり、時には、同時耐火温度、酸化性化学物質及びエネルギー粒子衝突が起こる。電極は、プロセス副産物として堆積物を蓄積させることがある。絶縁堆積物は、とりわけ自由電荷又は電離放射線の存在において、特に厄介である。
【００１０】
多くのシステムは、固有の方向性を有する。大気圧に曝される大規模高電圧システムの場合、固有の方向性は、単純に重力となり得る。プラズマ及びイオンビームプロセスは、度々、エネルギー粒子に依拠する。この場合、堆積物の形状は、エネルギー粒子又はエネルギー粒子の衝撃から後方散乱した材料の何れかによる、方向性を有し得る。
【００１１】
一時的な低電流による電気的破壊の活性は、高電界を有するシステムでは、日常的に起こる。空気又は真空では、これは、コロナと呼ばれる。コロナ洗浄又はプラズマ放電洗浄は、公知であり、高電圧電極用のコンディショニングプロセスとしてよく使用される。一時的な活性は、電極電流又は電圧の高速トラッキングによって監視され得る。「破壊」の定義は、主観的であり、システム要件に応じて異なる。あるシステムは、絶縁体が完全に故障するまで、単に実行される。他の場合、限界電流又は限界電圧を超える一時的な放電は、損傷を抑えるための電源供給の中断をトリガする。
【００１２】
[関連技術の説明]
工業製品の全分類、シーメンス（Siemens）誘電体バリア放電は、プラズマの電極上の絶縁体の特徴を生産的に利用する（例えば、非特許文献１を参照）。
【００１３】
トリプルジャンクション電界増強は、誘電体バリア放電プロセスに生産的に及ぶ（例えば、特許文献１を参照）。
【００１４】
要求されるものは、システムが破壊する限界を避けつつ、局所的な電極表面の導電性及び電極全体の機能を維持するためのシステム、デバイス及び方法である。さらに要求されるものは、電極表面部分の局所的なプラズマ洗浄をもたらす、トリプルジャンクションの形成を促進する、ジオメトリック電極の特徴部におけるシステムである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】国際公開第２００４／０２６４６１号
【非特許文献】
【００１６】
【非特許文献１】Kogelschatzら著、「Dielectric-Barrier Discharges. Principle and Application」、Journal de Physique IV, 1997,07(C4), pp. C4-47-C4-66
【発明の概要】
【００１７】
従って本発明の趣旨は、通常操作中に絶縁堆積物の形成を促進してイン・サイチュ  トリプルジャンクションを生じさせるような電極の特徴部を形付けることである。トリプルジャンクション周囲の放電の活性化は、局所的なプラズマ洗浄を生じさせ、これにより、局所的な電極表面の導電性及び電極全体の機能性を維持する。粒子の発生が問題となる、半導体製造のようなアプリケーションでは、耐用年数にわたり正味の粒子の発生が低減されるという別の効果が期待される。
【００１８】
本明細書では、本発明を、電極の導電性を維持するためのイン・サイチュ  トリプルジャンクションを形成する実施形態として図示及び説明するが、本発明が、図示の詳細に限定されることを意味するものではない。本発明の趣旨から逸脱することなく、特許請求の範囲の均等物の範囲及び範囲内で様々な改変及び構造的変更が実施され得る。
【００１９】
けれども、本発明の構成及び操作方法は、それらの付加的な目的及び効果とともに、添付の図面に関連して読まれる特定の実施形態に従う説明から、最もよく理解されるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】先行技術に係る、アノードとカソードとの間に堆積した誘電体を有するデバイスの断面図である。
【図２】本発明の特定の一実施形態に係る、幾何学的に電場増強される上部の影に重力堆積する絶縁体堆積物によって形成されたトリプルジャンクションの簡略図である。
【図３Ａ】特定の一実施形態に係る電極の特徴部のアレイを示す簡略図であり、特徴部のアレイは、絶縁体コーティングが蓄積するにつれて影トリプルジャンクションが形成されるよう設計される。
【図３Ｂ】図３Ａのような特徴部のアレイへの最小限の影響を示すグラフであり、特徴部のアレイは、影トリプルジャンクションが形成されるよう設計され、２つの電極間のシミュレーション静電ポテンシャルの輪郭を有する。
【図４】本発明の理解に有用な影トリプルジャンクションを形成するために、エネルギー荷電粒子によって方向付けられた絶縁粒子に直交するシングル電極フィンの簡略図である。
【図５】本発明の特定の一実施形態に係る、プロセス表面から後方散乱された絶縁材料によって形成された影トリプルジャンクションを示す、シングル電極フィンの簡略図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る、幾何学的に増強された電場の影に重力で蓄積する絶縁堆積物によって形成された２つの近接するトリプルジャンクションの簡略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の１つのゴールは、通常操作中に形成された絶縁堆積物がイン・サイチュ  トリプルジャンクションを生成するように、電極の特徴部を形成する、システム及び方法を提供することである。トリプルジャンクションにおける放電の活性化は、トリプルジャンクションエリアにおける局所的なプラズマ洗浄を成し遂げ、これにより、局所的な電極表面の導電性及び電極全体の機能を維持する。慎重に設計することによって、カソード境界に対して鋭角となる角度を絶縁堆積物に作ることができる。このジオメトリは、Lauerらによる米国特許公開第２０１４／０１８４０５５にて説明したように、絶縁体に損傷を与える。しかしながら、このような絶縁体損傷は、電極表面上に自然に形成される絶縁体の堆積物の局所的な洗浄又は除去を実行する、本発明の目的において望ましい。半導体アプリケーションにおいて、別の具体的な利点は、デバイスの耐用年数サイクルにわたり正味の粒子の発生を低減させることを意味する。
【００２２】
ここで図２を参照すると、電極１００の表面に形成され得る、電極の特徴部１０５の特定の一実施形態の図示があり、これは、重力の方向性を利用して設計される。落下している、堆積物形成粒子１１０は、電極の特徴部１０５の露出部分に蓄積するが、特徴部１０５ａの影部分には蓄積しない。より詳細には、特徴部１０５は、電極表面に形成される２つのトリプルジャンクション１２０，１３０を形成するように構成され、特徴部１０５は、幾何学的に電場増強される頂上の部分１０５ａを含むよう形付けられる。言い換えれば、特徴部１０５は、部分１０５ａとは別部分の電極表面の一部分に突き出る又は影を投げる、１つの部分１０５ａを有するように形成される。結果として、１つの部分１０５ａの上面は、堆積物形成粒子１１０に曝されるように形成され、１つの部分１０５ａの残りは、落下する堆積物形成種１１０から電極表面の部分を遮蔽するように形成される。従って、絶縁堆積物の層１１０ｃは、１つの部分１０５ａの上面に形成されるが、１つの部分１０５ａの影となる電極面には形成されない。
【００２３】
図２の実施形態では、第１トリプルジャンクション１２０が、特徴部１０５ａの電場増強された先端部１０５ｂの近くに形成される。一方で、第２トリプルジャンクション１３０が、先端部１０５ｂの下面に形成される。絶縁体１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃの厚さは、特徴部の大きさと比較して小さくなり得ることに留意されたい。つまり、図２に図示される厚さは、説明目的であり、縮尺ではない。また、絶縁体１１０ｂは、特徴部１０５の底１０５ｃと、反対極性の電極、ビーム又は電極１００の上方のプラズマとの間の電界に対して鋭角となることに留意されたい。トリプルジャンクション１２０，１３０は、トリプルジャンクション１２０，１３０の領域内の電極１００の表面上に形成された堆積物に局所的な破壊を引き起こす、局所的な放電活性を生じさせる。これにより、局所的な電極表面の導電性が維持される。加えて、トリプルジャンクションは、使用前には形成されない。本発明は、むしろ、通常使用中の結果物として電極表面に生じた堆積物を利用して、イン・サイチュ  トリプルジャンクションを形成する。
【００２４】
ここに記載されるジオメトリック特徴の全てと同様に、特徴部１０５は、成形、切断、スライス加工、機械加工、３Ｄ印刷等によって電極に形成されてもよい。本開示の目的において、用語「影」は、特徴部の形及び堆積物を形成する粒子の方向性によって、その上に堆積物が形成されることが防止される特徴部の領域を意味するように使用される。例えば、図２の実施形態において、特徴部１０５の影部分は、頂部の特徴部１０５ａによって重力で（すなわち、下方向に）蓄積する堆積物を受けることが防止される領域である。同様に、ここに記載される他の実施形態において、特徴部の「影」領域は、パス内の特徴部の別部分によって、堆積物形成粒子が流れる方向から遮蔽される特徴部の部分として生成される。例えば、図４及び図５の実施形態を参照されたい。このように、影トリプルジャンクションは、絶縁堆積物が形成される上の領域と交差する遮蔽された領域又は影領域における、電極表面上のポイントに形成される。
【００２５】
ここで図３Ａを参照すると、電極の通常使用中に絶縁体コーティングを蓄積するようにして影トリプルジャンクションを形成するように設計された、電極の特徴部１０５のアレイ（すなわち、これは、図２のジオメトリック特徴部１０５のアレイであってもよい。）の図示がある。相対的なスケールでは、同様の特徴部１０５が、任意の電極に埋め込まれてもよい。図３Ｂは、図３Ａの電極の２Ｄ静電シミュレーションを示す。ここでは、ジオメトリック特徴部１０５のアレイがギャップ内の電場に及ぼす影響が無視できることを示すために、１０ｋＶ、１ｃｍプレーナ電極ギャップを使用した。図示のシミュレーションにおいて、電界強度の名目上の増加は、わずか２０％であり、その現象は、ギャップへの距離の１０％で消える。ジオメトリックの電場増強と同様に、重要な物理的影響は、絶対的スケースに対して敏感であるが、特徴部の相対的スケーリングは、静電界においては重要である。
【００２６】
ここで図４を参照すると、図示された、シングル電極フィン２００の一実施形態がある。シングル電極フィン２００は、絶縁体粒子２２０に対して直交する電極２１０の表面に形成される。絶縁体粒子２２０は、エネルギー荷電粒子２３０によって方向付けられる。シングル電極フィン２００が図示されているが、このようなフィンのアレイが本発明の目的において電極上に形成され得ることに留意されたい。より詳細には、方向性のエネルギーイオンを有するシステムでは、それらのイオンは、角度及びエネルギー分散を有する。バックグランドの気体との衝突又は周囲の壁からのノックオフによって、エネルギーイオンは、同一方向に、荷電粒子２３０及び中性粒子２２０の分散を生じさせる。エネルギーイオンがシリコン又はボロン等の元素の少ない導体である場合、イン・サイチュ  トリプルジャンクションは、この目的において設計されたジオメトリック特徴部２００の影（すなわち、この場合、傾斜面２０５）に形成され得る。この場合、粒子の方向は、フィン２００に対して直交に現われる。さらに、トリプルジャンクション２３５は、フィン２００自身によって生成されるジオメトリの電場増強に起因してコロナを活性化させ、コロナの活性化によって放電を活性化させる。これにより、その上に形成される堆積物の局所的な破壊を生じさせる。フィン２００の面２０５の相対的な角度は、最適化の必要に応じて調整されてもよく、上述のように、着想はアレイまで及ぶ。
【００２７】
図５は、エネルギー粒子の衝撃からの後方散乱が、この目的のために設計されたジオメトリック特徴部２５０上に影トリプルジャンクションを生成するために使用され得ることを説明する。図示の実施形態では、詳細には、ジオメトリック特徴部２５０は、電極２４０の表面に設けられる、フィン２５０又はフィン２５０のアレイである。改めて、前述の実施形態と同様に、形成された絶縁層２６０の説明目的であり、特徴部は、縮尺ではない。この場合、フィン２５０は、プロセス表面２７０に対して平行に図示されているが、相対的な角度は、効果を最大限にするように明らかに調整されてもよく、着想はフィン２５０のアレイまで及ぶ。従って、プロセス表面２７０から後方散乱された絶縁材料は、特徴部２５０の傾斜面２５５上にビルドアップされるが、他サイド（すなわち、影サイド）にはビルドアップされず、このようにして、トリプルジャンクション２８０が形成される。トリプルジャンクション２８０は、特徴部２５０の先端部から堆積物を洗浄する放電活性化を促進する。加えて、ジオメトリック特徴部は、それ自体、先端部のコロナを活性化させるジオメトリック電場増強を生成し、従って、その上に形成される堆積物の局所的な破壊をもたらす。
【００２８】
方向性を有するシステムでは、トリプルジャンクションの特徴部は、図６にて概略的に示されるように、放電の活性化を相互に高めるために、他のトリプルジャンクションに近接して配置され得る。この場合、表面に対して垂直な方向は、例えば、重力である。電極３００は、一以上のジオメトリック特徴部３０５を含むように形成され、特徴部３０５の頂部の特徴部３０５aは、堆積粒子１１０から特徴部３０５の一部を保護する影を生成する。このように、堆積物３１０ａ，３１０ｂ及び３１０ｃは、電極の表面上、及び、頂部の特徴部３５０ａによる影が投げられない特徴部の一部に形成される。堆積物が絶縁層３１０ｃを形成するため、影トリプルジャンクション３２０は、頂部の特徴部３０５ａの後サイドに形成され、一部のジオメトリック電場増強を有する。同様に、堆積物１１０は、絶縁層３１０ｂを形成するため、第２影プレーナトリプルジャンクション３３０は、第１影トリプルジャンクション３２０の下に形成される。２つのトリプルジャンクション３２０，３３０は、局所的な放電活性化を向上させるよう互いに十分近くに位置する。
【００２９】
汚染を予期して、局所的な洗浄放電活性化を生じさせるために、電極が、イン・サイチュ  トリプルジャンクションの形成を促進する特徴部を伴うように製造され得る。さらなる利点は、誘電率及び材料特性が制御された既知の絶縁体を使用して得られる。
【００３０】
従って、本発明の本実施形態は、とりわけ、通常操作中に絶縁堆積物が形成されるシステムにおけるイン・サイチュ  トリプルジャンクションの意図的な投入に関する。このようにして生成されたトリプルジャンクションは、電極の導電性を維持するために、電極上の堆積物の局所的な破壊を容易にする低レベルの放電活性化を高める。半導体製造ツールにおいて、予期される効果は、正未の粒子の低減である。
【００３１】
本明細書では、本発明の好適な実施形態を示して説明したが、本発明は、本明細書に具体的に図示又は記載された以外の態様で実装されてもよく、同様に、添付の特許請求の範囲によって規定される本発明の原理から逸脱することなく、構成要素が再配置され得る。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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