(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
脂環式エポキシド、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ヒドロキシ基含有長鎖脂肪酸エチレングリコールエステル、フィラー、アンモニウム塩含有熱酸発生剤、及び光酸発生剤を含み、
該脂環式エポキシド、該ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及び該ヒドロキシ基含有長鎖脂肪酸エチレングリコールエステルの合計質量に対して、該脂環式エポキシドが、５０〜５５質量％であり、
該ヒドロキシ基含有長鎖脂肪酸エチレングリコールエステルは炭素数１２〜３０のヒドロキシ基含有長鎖脂肪酸とエチレングリコールとが反応して得られるエステルであり、
該フィラーが、五価金属の含水酸化物、四価金属リン酸塩、アパタイト、及びハイドロタルサイトからなる群から選択される１つ以上である無機イオン交換体を含む、
組成物。
【請求項２】
希釈剤を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
請求項１〜２のいずれか１項に記載の組成物を含む、絶縁コーティング剤。
【請求項４】
請求項３に記載の絶縁コーティング剤の硬化物。
【請求項５】
請求項４に記載の硬化物を含む、電子回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、組成物、絶縁コーティング剤、硬化物及び電子回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子回路基板は、温度変化の激しい過酷な環境下で、湿気、塵埃、ガス等によって、搭載部品のリードやコネクター等が腐食したり、結露したりすることがあり、正常に動作しない危険性がある。このような問題を解決するために、電気絶縁性や耐湿性等を付与する目的で、電子回路基板表面に樹脂をコーティングする絶縁コーティング処理が行われている。【０００３】
絶縁コーティング剤の中でも、紫外線又は電子線等の活性エネルギー線の照射により硬化する組成物が多く開発されており、実装回路基板の絶縁処理用途でも実用化されている（特許文献１）。活性エネルギー線硬化型コーティングは、コーティング処理工程において生産性が高く、電子回路基板への熱による損傷が少ないといった利点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１６９７５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の組成物を用いて絶縁コーティングを光硬化により行う場合、組成物の硬化物にシワが生じる、硬化物が変色する、及び／又は屈曲性が悪いといった課題があった。また従来の組成物を用いて絶縁コーティングを熱硬化により行う場合、硬化物が変色する、硬化物の密着性及び／又は屈曲性が悪いといった課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、鋭意検討した結果、樹脂、フィラー、熱酸発生剤及び光酸発生剤の種類及び含有量を適切に設定することにより上記課題を解決できることを見出した。【０００７】
本開示により以下の項目が提供される。
（項目１）
脂環式エポキシド、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、長鎖脂肪酸エチレングリコールエステル、フィラー、アンモニウム塩含有熱酸発生剤、及び光酸発生剤を含み、
該脂環式エポキシド、該ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及び該長鎖脂肪酸エチレングリコールエステルの合計質量に対して、該脂環式エポキシドが、５０〜５５質量％であり、
該フィラーが、無機イオン交換体を含む、
組成物。
（項目２）
前記長鎖脂肪酸エチレングリコールエステルが、ヒドロキシ基含有長鎖不飽和脂肪酸エチレングリコールエステルである、上記項目に記載の組成物。
（項目３）
希釈剤を含む、上記項目のいずれか１項に記載の組成物。
（項目４）
上記項目のいずれか１項に記載の組成物を含む、絶縁コーティング剤。
（項目５）
上記項目に記載の絶縁コーティング剤の硬化物。
（項目６）
上記項目に記載の硬化物を含む、電子回路基板。【０００８】
本開示において、上述した１又は複数の特徴は、明示された組み合わせに加え、さらに組み合わせて提供され得る。当業者は、必要に応じて以下の詳細な説明を読んで理解することにより、上記以外のさらなる実施形態及び利点を認識することができる。
【発明の効果】
【０００９】
本実施形態に係る組成物は、光硬化性、及び熱硬化性に優れ、かつ硬化物は屈曲性に優れ、硬化前後で変色しないという効果を奏する。具体的には、光等の活性エネルギー線により硬化した際に、組成物の硬化物にシワができず、変色もしない。そして熱により硬化させた際の硬化物の密着性が良好である。さらに硬化物を１８０°折り曲げてもクラックが入らず、変色もしない。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本開示の全体にわたり、各物性値、含有量等の数値の範囲は、適宜（例えば下記の各項目に記載の上限及び下限の値から選択して）設定され得る。具体的には、数値αについて、数値αの上限がＡ１、Ａ２、Ａ３等が例示され、数値αの下限がＢ１、Ｂ２、Ｂ３等が例示される場合、数値αの範囲は、Ａ１以下、Ａ２以下、Ａ３以下、Ｂ１以上、Ｂ２以上、Ｂ３以上、Ａ１〜Ｂ１、Ａ１〜Ｂ２、Ａ１〜Ｂ３、Ａ２〜Ｂ１、Ａ２〜Ｂ２、Ａ２〜Ｂ３、Ａ３〜Ｂ１、Ａ３〜Ｂ２、Ａ３〜Ｂ３等が例示される。
【００１１】
（１．組成物）
本開示は、（Ａ）脂環式エポキシド、（Ｂ）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、（Ｃ）長鎖脂肪酸エチレングリコールエステル、（Ｄ）フィラー、（Ｅ）アンモニウム塩含有熱酸発生剤、及び（Ｆ）光酸発生剤を含み、（Ａ）脂環式エポキシド、（Ｂ）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及び（Ｃ）長鎖脂肪酸エチレングリコールエステルの合計質量に対して、（Ａ）脂環式エポキシドが、５０〜５５質量％であり、（Ｄ）フィラーが、（ｄ１）無機イオン交換体を含む、組成物を提供する。
【００１２】
（Ａ）脂環式エポキシド（「（Ａ）成分」ともいう）
本開示において「脂環式エポキシド」は、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、シクロアルキニル基等の脂環を構成する炭素原子から選択される隣接する２つの炭素原子と酸素原子とで構成されるエポキシ基を有する化合物である。脂環式エポキシドは組成物中に１種又は２種以上含まれていてもよい。
【００１３】
「脂環式エポキシド」は、下記式（１）で表される、
【化１】
0006658923.tif 000002
（式中、Ｒ１〜Ｒ９の基はそれぞれ独立に水素又はアルキル基等が例示される）
１価の基を有する化合物等が例示される。
【００１４】
アルキル基は、直鎖アルキル基、分岐アルキル基、シクロアルキル基等が例示される。
【００１５】
アルキル基の炭素数は、特に限定されないが、その上限は、３０、２９、２５、２０、１５、１２、１０、９、８、７、６、５、４、３、２等が例示され、下限は、２９、２５、２０、１５、１２、１０、９、８、７、６、５、４、３、２、１等が例示される。１つの実施形態において、アルキル基の炭素数は、１〜３０が好ましく、１〜２０がより好ましく、１〜１６がさらに好ましく、１〜１２が特に好ましい。
【００１６】
直鎖アルキル基は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等が例示される。
【００１７】
分岐アルキル基は、イソプロピル基、イソブチル基、イソペンチル基、イソヘキシル基、イソデシル基等が例示される。
【００１８】
シクロアルキル基は、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等が例示される。なお、シクロアルキル基は、各環上の１つ以上の水素が直鎖アルキル基（前記例示の基等）又は分岐アルキル基（前記例示の基等）で置換されていてもよい。
【００１９】
式（１）で表わされる基を１個有する化合物は、３，４−エポキシ−４−メチルシクロヘキシル−２−プロピレンオキシド、ラクトン変性３’，４’−エポキシシクロヘキシルアルキル３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、４−置換−１，２−エポキシシクロヘキサン等が例示される。
【００２０】
ラクトン変性３’，４’−エポキシシクロヘキシルアルキル３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレートは、ラクトン変性３’，４’−エポキシシクロヘキシルＣ１−４アルキル３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート等が例示される。ラクトン変性３’，４’−エポキシシクロヘキシルアルキル３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレートは、ε−カプロラクトン変性３’，４’−エポキシシクロヘキシルメチル３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート（ダイセル株式会社製「セロキサイド２０８１」等）が例示される。
【００２１】
４−置換−１，２−エポキシシクロヘキサンは、４−アルケニル−１，２−エポキシシクロヘキサン等が例示される。４−アルケニル−１，２−エポキシシクロヘキサンは、１，２−エポキシ−４−ビニルシクロヘキサン（ダイセル株式会社製「セロキサイド２０００」等）等が例示される。
【００２２】
式（１）で表わされる基を２個有する化合物は、式（２）
【化２】
0006658923.tif 000003
（式（２）中、Ｒ１〜Ｒ１８は、それぞれ独立に水素又はアルキル基であり、Ｘは、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−，−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−，−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−，−Ｏ−，−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−、又はこれらが複数個連結した基である。）
で表わされる化合物等が例示される。
【００２３】
アルキレン基は、直鎖アルキレン基、分岐アルキレン基等が例示される。
【００２４】
アルキレン基の炭素数は、特に限定されないが、その上限は、３０、２９、２５、２０、１５、１２、１０、９、８、７、６、５、４、３、２等が例示され、下限は、２９、２５、２０、１５、１２、１０、９、８、７、６、５、４、３、２、１等が例示される。１つの実施形態において、アルキレン基の炭素数は、１〜３０が好ましく、１〜２０がより好ましく、１〜１６がさらに好ましく、１〜１２が特に好ましい。
【００２５】
直鎖アルキレン基は、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基等が例示される。
【００２６】
分岐アルキレン基は、イソプロピレン基、イソブチレン基、イソペンチレン基、イソヘキシレン基、イソデシレン基等が例示される。
【００２７】
シクロアルキレン基は、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基等が例示される。なお、シクロアルキレン基は、各環上の１つ以上の水素が直鎖アルキル基（前記例示の基等）又は分岐アルキル基（前記例示の基等）で置換されていてもよい。
【００２８】
式（２）で表わされる化合物は、ジカルボン酸のジ（３，４−エポキシシクロヘキシル）エステル、ジカルボン酸のジ（３，４−エポキシシクロヘキシルアルキル）エステル、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシル）エーテル、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシルアルキル）エーテル、３’，４’−エポキシシクロヘキシルアルキル３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート等が例示される。
【００２９】
ジカルボン酸のジ（３，４−エポキシシクロヘキシル）エステルは、アルカンジカルボン酸のジ（３，４−エポキシシクロヘキシル）エステルが例示される。
【００３０】
ジカルボン酸のジ（３，４−エポキシシクロヘキシル）エステルは、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシル）アジペート（ユニオン・カーバイド社製「サイラキュアＵＶＲ−６１２８」等）等が例示される。
【００３１】
ジカルボン酸のジ（３，４−エポキシシクロヘキシルアルキル）エステルは、アルカンジカルボン酸のジ（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）エステル等が例示される。
ジカルボン酸のジ（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）エステルは、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート等が例示される。
【００３２】
アルカンジカルボン酸は、Ｃ２−２０アルカンジカルボン酸、Ｃ２−１２アルカンジカルボン酸等が例示される。
【００３３】
ビス（３，４−エポキシシクロヘキシルアルキル）エーテルは、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）エーテル等が例示される。
【００３４】
３’，４’−エポキシシクロヘキシルアルキル３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレートは、３’，４’−エポキシシクロヘキシルＣ１−４アルキル  ３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート等が例示される。
３’，４’−エポキシシクロヘキシルアルキル  ３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレートは、３’，４’−エポキシシクロヘキシルメチル  ３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート（ダイセル株式会社製「セロキサイド  ２０２１Ｐ」等）等が例示される。
【００３５】
（Ａ）脂環式エポキシド、（Ｂ）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及び（Ｃ）長鎖脂肪酸エチレングリコールエステルの合計質量に対する（Ａ）脂環式エポキシドの含有量の上限は、５５、５４、５３、５２、５１質量％等が例示され、下限は、５４、５３、５２、５１、５０質量％等が例示される。１つの実施形態において、（Ａ）脂環式エポキシドは、（Ａ）脂環式エポキシド、（Ｂ）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及び（Ｃ）長鎖脂肪酸エチレングリコールエステルの合計質量に対し、５０〜５５質量％含むことが好ましい。
【００３６】
組成物に対する（Ａ）脂環式エポキシドの含有量の上限は、４５、４４、４３、４２、４１質量％等が例示され、下限は、４４、４３、４２、４１、４０質量％等が例示される。１つの実施形態において、（Ａ）脂環式エポキシドは、組成物に対し４０〜４５質量％含むことが好ましい。
【００３７】
（Ｂ）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（「（Ｂ）成分」ともいう）
本開示において、「ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂」は、エポキシ基及び式（３）
【化３】
0006658923.tif 000004
で表わされる基を構成単位として含む樹脂を意味する。ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂は組成物中に１種又は２種以上含まれていてもよい。
【００３８】
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂は、式（４）
【化４】
0006658923.tif 000005
（ｎは１以上の整数（例えば１〜２３）である。）
で表わされる樹脂等が例示される。
【００３９】
市販のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂は、ｊＥＲ８２５、ｊＥＲ８２７、ｊＥＲ８２８、ｊＥＲ８２８ＥＬ、ｊＥＲ８２８ＵＳ、ｊＥＲ８２８ＸＡ、ｊＥＲ８３４、ｊＥＲ８０１Ｎ、ｊＥＲ８０１ＰＮ、ｊＥＲ８０２、ｊＥＲ８１１、ｊＥＲ８１３、ｊＥＲ８１６Ａ、ｊＥＲ８１６Ｃ、ｊＥＲ８１９、ｊＥＲ１００１、ｊＥＲ１００２、ｊＥＲ１００３、ｊＥＲ１０５５、ｊＥＲ１００４、ｊＥＲ１００４ＡＦ、ｊＥＲ１００７、ｊＥＲ１００８、ｊＥＲ１００３Ｆ、ｊＥＲ１００４Ｆ、ｊＥＲ１００５Ｆ、ｊＥＲ１００９Ｆ、ｊＥＲ１００４ＦＳ、ｊＥＲ１００６ＦＳ、ｊＥＲ１００７ＦＳ（以上三菱ケミカル株式会社製）；ＥＰＩＣＬＯＮ８４０、ＥＰＩＣＬＯＮ８４０−Ｓ、ＥＰＩＣＬＯＮ８５０、ＥＰＩＣＬＯＮ８５０−Ｓ、ＥＰＩＣＬＯＮＥＸＡ−８５０ＣＲＰ、ＥＰＩＣＬＯＮ８５０−ＬＣ（以上ＤＩＣ株式会社製）等が例示される。
【００４０】
組成物に含まれるビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の分子量の上限は、６０００、５０００、４０００、３０００、２０００、１０００、９００、７５０、５００、４５０、３５０等が例示され、下限は、５０００、４０００、３０００、２０００、１０００、９００、７５０、５００、４５０、３５０、３００等が例示される。１つの実施形態において、組成物に含まれるビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の分子量は、３００〜６０００が好ましく、４５０〜１０００がより好ましい。
【００４１】
なお、本開示において、単に「分子量」と記載する場合、式量又は数平均分子量のどちらかを意味する。特定の化学式で一義的に化合物の構造を表現できる（すなわち分子量分布が１である）場合、上記分子量は式量を意味する。一方、特定の化学式で一義的に化合物の構造を表現できない（すなわち分子量分布が１より大きい）場合、上記分子量は数平均分子量を意味する。
【００４２】
組成物に含まれるビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のエポキシ当量の上限は、５０００、４０００、３０００、２０００、１０００、９００、７５０、５００、４５０、３５０、３００、２５０、２３０、２００ｇ／ｅｑ等が例示され、下限は、５０００、４０００、３０００、２０００、１０００、９００、８００、７５０、５００、４５０、４００、３５０、３００、２５０、２３０、２００、１８０、１５０ｇ／ｅｑ等が例示される。１つの実施形態において、組成物に含まれるビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の好ましいエポキシ当量は、１５０〜５０００ｇ／ｅｑ等が例示され、より好ましいエポキシ当量は、２００〜５００ｇ／ｅｑ、４５０〜５００ｇ／ｅｑ、２３０〜２７０ｇ／ｅｑ、１５０〜１０００ｇ／ｅｑ、１８０〜９００ｇ／ｅｑ、２００〜８００ｇ／ｅｑ、２００〜７５０ｇ／ｅｑ等が例示される。
【００４３】
なお、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を２種以上組み合わせる場合、少なくとも１つのビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が上記エポキシ当量を有していてもよく、各ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂がすべて上記エポキシ当量を有していてもよい。
【００４４】
また、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を２種以上組み合わせる場合、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂全体のエポキシ当量が、上記範囲であってもよい。
【００４５】
１つの実施形態において、（Ａ）脂環式エポキシド、（Ｂ）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及び（Ｃ）長鎖脂肪酸エチレングリコールエステルの合計質量に対し、（Ｂ）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂は、１７〜２０質量％、１７〜１９質量％、１７〜１８質量％、１８〜２０質量％、１９〜２０質量％の割合で含み得る。
【００４６】
１つの実施形態において、（Ｂ）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂は、組成物に対し、１３〜１６質量％、１３〜１５質量％、１３〜１４質量％、１４〜１６質量％、１５〜１６質量％の割合で含み得る。
【００４７】
（Ｃ）長鎖脂肪酸エチレングリコールエステル（「（Ｃ）成分」ともいう）
本開示において、「長鎖脂肪酸エチレングリコールエステル」は、炭素数が１２以上（例えば、炭素数１２〜３０、炭素数１２〜２４、炭素数１２〜２０等）の長鎖脂肪酸とエチレングリコールとが反応して得られるエステルを意味する。
なお、長鎖脂肪酸エチレングリコールエステルは、モノエステル、ジエステルのいずれであってもよく、これらの混合物であってもよい。特に、長鎖脂肪酸エチレングリコールエステルは、モノエステル（エチレングリコールと長鎖脂肪酸とのモノエステル）を少なくとも含んでいてもよい。
長鎖脂肪酸エチレングリコールエステルは組成物中に１種又は２種以上含まれていてもよい。
【００４８】
長鎖脂肪酸は、置換基非含有長鎖脂肪酸、置換基含有長鎖脂肪酸等が例示される。
【００４９】
置換基非含有長鎖脂肪酸は、置換基非含有飽和長鎖脂肪酸、置換基非含有不飽和長鎖脂肪酸等が例示される。
【００５０】
不飽和長鎖脂肪酸の不飽和結合の数の上限は、１０、９、８、７、６、５、４、３、２等が例示され、下限は、９、８、７、６、５、４、３、２、１等が例示される。１つの実施形態において、不飽和長鎖脂肪酸の不飽和結合の数は、１〜１０が好ましく、１〜６がより好ましい。
【００５１】
置換基非含有飽和長鎖脂肪酸は、ラウリル酸、トリデシル酸、ミリスチル酸、ペンタデシル酸、パルミチル酸、ヘプタデシル酸、ステアリル酸、ノナデシル酸、エイコシル酸、ヘンイコシル酸、ドコシル酸、トリコシル酸、テトラコシル酸、ペンタコシル酸、ヘキサコシル酸、ヘプタコシル酸、オクタコシル酸、イソドデシル酸、イソトリデシル酸、イソミリスチル酸、イソペンタデシル酸、イソヘキサデシル酸、イソヘプタデシル酸、イソステアリル酸等が例示される。
【００５２】
置換基非含有不飽和長鎖脂肪酸は、モノ不飽和長鎖脂肪酸、ジ不飽和長鎖脂肪酸、トリ不飽和長鎖脂肪酸、テトラ不飽和長鎖脂肪酸、ペンタ不飽和長鎖脂肪酸、ヘキサ不飽和長鎖脂肪酸等が例示される。
【００５３】
モノ不飽和長鎖脂肪酸は、ミリストレイン酸、パルミトレイン酸、サピエン酸、オレイン酸、エライジン酸、バクセン酸、ガドレイン酸、エイコセン酸、エルカ酸、ネルボン酸等が例示される。
【００５４】
ジ不飽和長鎖脂肪酸は、リノール酸、エイコサジエン酸、ドコサジエン酸等が例示される。
【００５５】
トリ不飽和長鎖脂肪酸は、リノレン酸、ピノレン酸、エレオステアリン酸、ミード酸、ジホモ−γ−リノレン酸、エイコサトリエン酸等が例示される。
【００５６】
テトラ不飽和長鎖脂肪酸は、ステアリドン酸、アラキドン酸、アドレン酸等が例示される。
【００５７】
ペンタ不飽和長鎖脂肪酸は、ボセオペンタエン酸、エイコサペンタエン酸、オズボンド酸、イワシ酸、テトラコサペンタエン酸等が例示される。
【００５８】
ヘキサ不飽和長鎖脂肪酸は、ドコサヘキサエン酸、ニシン酸等が例示される。
【００５９】
置換基含有長鎖脂肪酸は、置換基含有飽和長鎖脂肪酸、置換基含有不飽和長鎖脂肪酸等が例示される。
【００６０】
置換基含有飽和長鎖脂肪酸は、ヒドロキシ基含有飽和長鎖脂肪酸等が例示される。ヒドロキシ基含有飽和長鎖脂肪酸は、ヒドロキシラウリル酸、ヒドロキシトリデシル酸、ヒドロキシミリスチル酸、ヒドロキシペンタデシル酸、ヒドロキシパルミチル酸、ヒドロキシヘプタデシル酸、ヒドロキシステアリル酸、ヒドロキシノナデシル酸、ヒドロキシエイコシル酸、ヒドロキシヘンイコシル酸、ヒドロキシドコシル酸、ヒドロキシトリコシル酸、ヒドロキシテトラコシル酸、ヒドロキシペンタコシル酸、ヒドロキシヘキサコシル酸、ヒドロキシヘプタコシル酸、ヒドロキシオクタコシル酸、ヒドロキシイソドデシル酸、ヒドロキシイソトリデシル酸、ヒドロキシイソミリスチル酸、ヒドロキシイソペンタデシル酸、ヒドロキシイソヘキサデシル酸、ヒドロキシイソヘプタデシル酸、ヒドロキシイソステアリル酸、アロイリット酸等が例示される。
【００６１】
置換基含有不飽和長鎖脂肪酸は、ヒドロキシ基含有長鎖不飽和脂肪酸等が例示される。ヒドロキシ基含有長鎖不飽和脂肪酸は、ヒドロキシ基含有モノ不飽和長鎖脂肪酸、ヒドロキシ基含有ジ不飽和長鎖脂肪酸、ヒドロキシ基含有トリ不飽和長鎖脂肪酸、ヒドロキシ基含有テトラ不飽和長鎖脂肪酸、ヒドロキシ基含有ペンタ不飽和長鎖脂肪酸、ヒドロキシ基含有ヘキサ不飽和長鎖脂肪酸等が例示される。
【００６２】
ヒドロキシ基含有モノ不飽和長鎖脂肪酸は、リシノール酸、ヒドロキシミリストレイン酸、ヒドロキシパルミトレイン酸、ヒドロキシサピエン酸、ヒドロキシオレイン酸、ヒドロキシエライジン酸、ヒドロキシバクセン酸、ヒドロキシガドレイン酸、ヒドロキシエイコセン酸、ヒドロキシエルカ酸、ヒドロキシネルボン酸等が例示される。
【００６３】
ヒドロキシ基含有ジ不飽和長鎖脂肪酸は、ヒドロキシリノール酸、ヒドロキシエイコサジエン酸、ヒドロキシドコサジエン酸等が例示される。
【００６４】
ヒドロキシ基含有トリ不飽和長鎖脂肪酸は、ヒドロキシリノレン酸、ヒドロキシピノレン酸、ヒドロキシエレオステアリン酸、ヒドロキシミード酸、ヒドロキシエイコサトリエン酸等が例示される。
【００６５】
ヒドロキシ基含有テトラ不飽和長鎖脂肪酸は、ヒドロキシステアリドン酸、ヒドロキシアラキドン酸、ヒドロキシアドレン酸等が例示される。
【００６６】
ヒドロキシ基含有ペンタ不飽和長鎖脂肪酸は、ヒドロキシボセオペンタエン酸、ヒドロキシエイコサペンタエン酸、ヒドロキシオズボンド酸、ヒドロキシイワシ酸、ヒドロキシテトラコサペンタエン酸等が例示される。
【００６７】
ヒドロキシ基含有ヘキサ不飽和長鎖脂肪酸は、ヒドロキシドコサヘキサエン酸、ヒドロキシニシン酸等が例示される。
【００６８】
１つの実施形態において、上記長鎖脂肪酸エチレングリコールエステルのなかでも、ヒドロキシ基含有長鎖不飽和脂肪酸が好ましい。
【００６９】
１つの実施形態において、（Ｃ）長鎖脂肪酸エチレングリコールエステルは、（Ａ）脂環式エポキシド、（Ｂ）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及び（Ｃ）長鎖脂肪酸エチレングリコールエステルの合計質量に対し、２５〜３０質量％、２５〜２９質量％、２５〜２８質量％、２５〜２７質量％、２５〜２６質量％、２６〜３０質量％、２７〜３０質量％、２８〜３０質量％、２９〜３０質量％の割合で含み得る。
【００７０】
１つの実施形態において、（Ｃ）長鎖脂肪酸エチレングリコールエステルは、組成物に対し、２０〜２４質量％、２０〜２３質量％、２０〜２２質量％、２０〜２１質量％、２１〜２４質量％、２２〜２４質量％、２３〜２４質量％の割合で含み得る。
【００７１】
（Ｄ）フィラー（「（Ｄ）成分」ともいう）
本開示において「フィラー」は、例えば、７５μｍふるいを通過する鉱物質微粉末を意味する。フィラーは組成物中に１種又は２種以上含まれていてもよい。フィラーは、（ｄ１）無機イオン交換体、シリカ［例えば、（ｄ２）破砕シリカ、（ｄ３）溶融シリカ、（ｄ４）ヒュームドシリカ等］等が例示される。
【００７２】
（ｄ１）無機イオン交換体
本開示において「無機イオン交換体」は、例えば、接触している溶液中のイオンを取り込み、代わりに自らのもつイオンを放出することでイオン種の交換を行う能力（イオン交換能）を有する無機物質を意味する。無機イオン交換体はイオン捕捉剤としての役割を有する。
【００７３】
無機イオン交換体は、アンチモン酸（Ｓｂ２Ｏ５・ｎＨ２Ｏ）、ニオブ酸（Ｎｂ２Ｏ５・ｎＨ２Ｏ）、タンタル酸等の五価金属の含水酸化物、リン酸ジルコニウム等の四価金属リン酸塩、アパタイト類、ハイドロタルサイト類等が例示される。無機イオン交換体の市販品はＩＸＥ５５０Ｄ、ＩＸＥ７００Ｆ、ＩＸＥ８００、ＩＸＥ５３０（以上東亜合成株式会社製）等が例示される。
【００７４】
１つの実施形態において（Ｄ）フィラーには、（ｄ１）無機イオン交換体の他に、シリカが含まれる。シリカは、（ｄ２）破砕シリカ、（ｄ３）溶融シリカ、（ｄ４）ヒュームドシリカ等が例示される。シリカは、単独で又は２種以上組み合わせて使用してもよい。２種以上組み合わせる場合、同種又は異種のシリカを組み合わせてもよい。
【００７５】
本開示において、「破砕シリカ」は、例えば、ジェットミルやボールミル等により破砕されたシリカを意味する。破砕シリカの市販品は、「クリスタライトＶＸ−Ｓ２」（龍森株式会社製）等が例示される。
【００７６】
本開示において、「溶融シリカ」は、例えば、シリカを溶融して製造される、例えば比重が２．３以下である、シリカを意味する。溶融シリカの市販品は、「ヒューズレックスＥ−２」（龍森株式会社製）、「ＦＢ−３ＳＤＣ」（デンカ株式会社製）等が例示される。
【００７７】
本開示において、「ヒュームドシリカ」は、例えば、真空中でレーザーか抵抗加熱で蒸発させて、凝集しないように急速冷却させる方法により製造されるシリカを意味する。ヒュームドシリカの市販品は、「ＣＡＢ−Ｏ―ＳＩＬ  ＴＳ−７２０」（キャボットコーポレーション製）等が例示される。
【００７８】
１つの実施形態において、（ｄ１）無機イオン交換体は、（Ｄ）フィラーの合計質量に対して、１０〜１５質量％、１０〜１４質量％、１０〜１３質量％、１０〜１２質量％、１０〜１１質量％、１１〜１５質量％、１２〜１５質量％、１３〜１５質量％、１４〜１５質量％の割合で組成物に含まれ得る。
【００７９】
（Ｄ）フィラーとして（ｄ２）破砕シリカを用いる場合、（ｄ２）破砕シリカは、例えば（Ｄ）フィラーの合計質量に対して、６０〜８０質量％、６５〜８０質量％、７０〜８０質量％、７５〜８０質量％、６０〜７５質量％、６０〜７０質量％、６０〜６５質量％の割合で組成物に含まれ得る。
【００８０】
（Ｄ）フィラーとして（ｄ３）溶融シリカを用いる場合、（ｄ３）溶融シリカは、例えば（Ｄ）フィラーの合計質量に対して、６０〜８０質量％、６５〜８０質量％、７０〜８０質量％、７５〜８０質量％、６０〜７５質量％、６０〜７０質量％、６０〜６５質量％の割合で組成物に含まれ得る。
【００８１】
（Ｄ）フィラーとして（ｄ４）ヒュームドシリカを用いる場合、（ｄ４）ヒュームドシリカは、例えば（Ｄ）フィラーの合計質量に対して、１０〜２０質量％、１１〜２０質量％、１５〜２０質量％、１６〜２０質量％、１０〜１９質量％、１０〜１５質量％、１０〜１４質量％の割合で組成物に含まれ得る。
【００８２】
（Ｄ）フィラーとして、シリカ（例えば、（ｄ２）破砕シリカ、（ｄ３）溶融シリカ、（ｄ４）ヒュームドシリカから選択された少なくとも１種のシリカ）を使用する場合、シリカは、例えば組成物に対し、１０〜２０質量％、１１〜２０質量％、１５〜２０質量％、１６〜２０質量％、１０〜１９質量％、１０〜１５質量％、１０〜１４質量％の割合で組成物に含まれ得る。
【００８３】
また、（Ｄ）フィラーとして、シリカを使用する場合、シリカは（Ｄ）フィラーの合計質量（又は（ｄ１）無機イオン交換体及びシリカの合計質量）に対し、例えば、８０〜９５質量％、８２〜９５質量％、８４〜９５質量％、８５〜９５質量％、８０〜９３質量％、８０〜９０質量％の割合で組成物に含まれ得る。
【００８４】
また、（Ｄ）フィラーとして、シリカを使用する場合、無機イオン交換体とシリカとの質量比（無機イオン交換体／シリカ）の上限は、０．２、０．１９、０．１８、０．１７、０．１６、０．１５、０．１４、０．１３、０．１２、０．１１等が例示され、下限は、０．１９、０．１８、０．１７、０．１６、０．１５、０．１４、０．１３、０．１２、０．１１、０．１等が例示される。１つの実施形態において、無機イオン交換体とシリカとの質量比（無機イオン交換体／シリカ）は０．１〜０．２が好ましい。
【００８５】
１つの実施形態において、（Ｄ）フィラーは、例えば（Ａ）脂環式エポキシド、（Ｂ）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（Ｃ）長鎖脂肪酸エチレングリコールエステルの合計質量に対し、１４〜２５質量％、１５〜２５質量％、１６〜２５質量％、２０〜２５質量％、２１〜２５質量％、１４〜２４質量％、１４〜２０質量％、１４〜１９質量％の割合で組成物に含まれ得る。
【００８６】
１つの実施形態において、（Ｄ）フィラーは、例えば組成物に対し、１０〜２０質量％、１１〜２０質量％、１５〜２０質量％、１６〜２０質量％、１０〜１９質量％、１０〜１５質量％、１０〜１４質量％の割合で組成物に含まれ得る。
【００８７】
（Ｅ）アンモニウム塩含有熱酸発生剤（「（Ｅ）成分」ともいう）
本開示において「熱酸発生剤」は、熱により酸が発生する剤を意味し、熱重合開始剤と同義である。「アンモニウム塩含有熱酸発生剤」は、アンモニウム塩を含む熱酸発生剤を意味する。アンモニウム塩含有熱酸発生剤は組成物中に１種又は２種以上含まれていてもよい。
【００８８】
アンモニウム塩含有熱酸発生剤は、アンモニウムボレート塩含有熱酸発生剤、アンモニウムホスフェート塩含有熱酸発生剤、アンモニウムアンチモネート塩含有熱酸発生剤等が例示される。
【００８９】
アンモニウムボレート塩含有熱酸発生剤は、アルキル基、アリール基及びアラルキル基から選択された少なくとも１種の炭化水素基を有するアンモニウムのボレート、具体的には、ジアルキル−アリール−アラルキルアンモニウムボレート、ジアルキル−アリール−アルキルアラルキルアンモニウムボレート、アルキル−アリール−ジアラルキルアンモニウムボレート、アリール−トリアラルキルアンモニウムボレート等が例示される。
【００９０】
ボレートは、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、テトラフルオロボレート等が例示される。
【００９１】
ジアルキル−アリール−アラルキルアンモニウムボレートは、ジアルキル−アリール−アルコキシアラルキルアンモニウムボレート等が例示される。
ジアルキル−アリール−アルコキシアラルキルアンモニウムボレートは、ジＣ１−１０アルキル−Ｃ６−１２アリール−Ｃ１−１０アルコキシＣ６−１２アリールＣ１−４アルキルアンモニウムボレート、好ましくはジＣ１−６アルキル−Ｃ６−１０アリール−Ｃ１−６アルコキシＣ６−１０アリールＣ１−４アルキルアンモニウムボレート等が例示される。
ジＣ１−６アルキル−Ｃ６−１０アリール−Ｃ１−６アルコキシＣ６−１０アリールＣ１−４アルキルアンモニウムボレートは、ジメチルフェニル（４−メトキシベンジル）アンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等が例示される。
【００９２】
ジアルキル−アリール−アルキルアラルキルアンモニウムボレートは、ジＣ１−１０アルキル−Ｃ６−１２アリール−モノ乃至テトラＣ１−１０アルキルＣ６−１２アリールＣ１−４アルキルアンモニウムボレート、好ましくはジＣ１−６アルキル−Ｃ６−１０アリール−モノ又はジＣ１−６アルキルＣ６−１０アリールＣ１−４アルキルアンモニウムボレート等が例示される。
ジアルキル−アリール−アルキルアラルキルアンモニウムボレートは、ジメチルフェニル（４−メチルベンジル）アンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチルフェニル（３，４−ジメチルベンジル）アンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等が例示される。
【００９３】
アルキル−アリール−ジアラルキルアンモニウムボレートは、Ｃ１−１０アルキル−Ｃ６−１２アリール−ジ（Ｃ６−１２アリールＣ１−４アルキル）アンモニウムボレート、好ましくはＣ１−６アルキル−Ｃ６−１０アリール−ジ（Ｃ６−１０アリールＣ１−４アルキル）アンモニウムボレート等が例示される。
アルキル−アリール−ジアラルキルアンモニウムボレートは、メチルフェニルジベンジルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等が例示される。
【００９４】
アリール−トリアラルキルアンモニウムボレートは、Ｃ６−１２アリール−トリ（Ｃ６−１２アリールＣ１−４アルキル）アンモニウムボレート、好ましくはＣ６−１０アリール−トリ（Ｃ６−１０アリールＣ１−４アルキル）アンモニウムボレート等が例示される。
アリール−トリアラルキルアンモニウムボレートは、フェニルトリベンジルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等が例示される。
【００９５】
アンモニウムホスフェート塩含有熱酸発生剤は、アルキル基、アリール基及びアラルキル基から選択された少なくとも１種の炭化水素基を有するアンモニウムのホスフェート、具体的には、ジアルキル−アリール−アラルキルアンモニウムホスフェート、アルキル−アリール−ジアラルキルアンモニウムホスフェート等が例示される。
【００９６】
ホスフェートは、ヘキサフルオロホスフェート等が例示される。
【００９７】
ジアルキル−アリール−アラルキルアンモニウムホスフェートは、ジアルキル−アリール−アルコキシアラルキルアンモニウムホスフェート、ジアルキル−アリール−アルキルアラルキルアンモニウムホスフェート等が例示される。
ジアルキル−アリール−アルコキシアラルキルアンモニウムホスフェートは、ジＣ１−１０アルキル−Ｃ６−１２アリール−Ｃ１−１０アルコキシＣ６−１２アリールＣ１−４アルキルアンモニウムホスフェート、好ましくはジＣ１−６アルキル−Ｃ６−１０アリール−Ｃ１−６アルコキシＣ６−１０アリールＣ１−４アルキルアンモニウムホスフェート等が例示される。
ジアルキル−アリール−アルコキシアラルキルアンモニウムホスフェートは、ジメチルフェニル（４−メトキシベンジル）アンモニウムヘキサフルオロホスフェート等が例示される。
【００９８】
アルキル−アリール−ジアラルキルアンモニウムホスフェートは、Ｃ１−１０アルキル−Ｃ６−１２アリール−ジ（Ｃ６−１２アリールＣ１−４アルキル）アンモニウムホスフェート、好ましくはＣ１−６アルキル−Ｃ６−１０アリール−ジ（Ｃ６−１０アリールＣ１−４アルキル）アンモニウムホスフェート等が例示される。
アルキル−アリール−ジアラルキルアンモニウムホスフェートは、メチルフェニルジベンジルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート等が例示される。
【００９９】
アンモニウムアンチモネート塩含有熱酸発生剤は、アルキル基、アリール基及びアラルキル基から選択された少なくとも１種の炭化水素基を有するアンモニウムのアンチモネート、具体的には、ジアルキル−アリール−アラルキルアンモニウムアンチモネートが例示される。
【０１００】
アンチモネートは、ヘキサフルオロアンチモネート等が例示される。
【０１０１】
ジアルキル−アリール−アラルキルアンモニウムアンチモネートは、ジアルキル−アリール−アルコキシアラルキルアンモニウムアンチモネート、ジアルキル−アリール−アルキルアラルキルアンモニウムアンチモネート等が例示される。
【０１０２】
ジアルキル−アリール−アルコキシアラルキルアンモニウムアンチモネートは、ジＣ１−１０アルキル−Ｃ６−１２アリール−Ｃ１−１０アルコキシＣ６−１２アリールＣ１−４アルキルアンモニウムアンチモネート、好ましくはジＣ１−６アルキル−Ｃ６−１０アリール−Ｃ１−６アルコキシＣ６−１０アリールＣ１−４アルキルアンモニウムアンチモネート等が例示される。
ジアルキル−アリール−アルコキシアラルキルアンモニウムアンチモネートは、ジメチルフェニル（４−メトキシベンジル）アンモニウムヘキサフルオロアンチモネート等が例示される。
【０１０３】
ジアルキル−アリール−アルキルアラルキルアンモニウムアンチモネートは、ジＣ１−１０アルキル−Ｃ６−１２アリール−モノ乃至テトラＣ１−１０アルキルＣ６−１２アリールＣ１−４アルキルアンモニウムアンチモネート、好ましくはジＣ１−６アルキル−Ｃ６−１０アリール−モノ又はジＣ１−６アルキルＣ６−１０アリールＣ１−４アルキルアンモニウムアンチモネート等が例示される。
ジアルキル−アリール−アルキルアラルキルアンモニウムアンチモネートは、ジメチルフェニル（４−メチルベンジル）アンモニウムヘキサフルオロアンチモネート等が例示される。
【０１０４】
アンモニウム塩含有熱酸発生剤の市販品は、ＣＸＣ−１８２１（キングインダストリー製）等が例示される。
【０１０５】
１つの実施形態において、（Ｅ）アンモニウム塩含有熱酸発生剤は、例えば（Ａ）脂環式エポキシド、（Ｂ）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及び（Ｃ）長鎖脂肪酸エチレングリコールエステルの合計質量に対し、０．５〜１質量％、０．６〜１質量％、０．７〜１質量％、０．８〜１質量％、０．９〜１質量％、０．５〜０．９質量％、０．５〜０．８質量％、０．５〜０．７質量％、０．５〜０．６質量％の割合で組成物に含まれ得る。
【０１０６】
１つの実施形態において、（Ｅ）アンモニウム塩含有熱酸発生剤は、組成物に対し、０．４〜０．８質量％、０．５〜０．８質量％、０．６〜０．８質量％、０．７〜０．８質量％、０．４〜０．７質量％、０．４〜０．６質量％、０．４〜０．５質量％の割合で組成物に含まれ得る。
【０１０７】
（Ｆ）光酸発生剤（「（Ｆ）成分」ともいう）
本開示において「光酸発生剤」は、紫外線、電子線、放射線等の活性エネルギー線により酸が発生する剤を意味し、光重合開始剤と同義である。光酸発生剤は組成物中に１種又は２種以上含まれていてもよい。
【０１０８】
光酸発生剤は、スルホニウム塩含有光酸発生剤、ヨードニウム塩含有光酸発生剤、ジアゾニウム塩含有光酸発生剤、アンモニウム塩含有光酸発生剤等が例示される。
【０１０９】
スルホニウム塩含有光酸発生剤は、スルホニウムホスフェート塩含有光酸発生剤、スルホニウムボレート塩含有光酸発生剤等が例示される。
【０１１０】
スルホニウムホスフェート塩含有光酸発生剤は、アリールスルホニウム骨格を有するスルホニウムのホスフェート等が例示される。
【０１１１】
アリールスルホニウム骨格は、Ｃ６−１０アリールスルホニウム骨格、好ましくはトリフェニルスルホニウム骨格等が例示される。
アリールスルホニウム骨格を有するスルホニウムのホスフェートは、ビス（４−（ジフェニルスルホニオ）フェニル）スルフィドビスヘキサフルオロホスフェート、ジフェニル−４−（フェニルチオ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ビス（４−（ジ（４−（２−ヒドロキシエトキシ））フェニルスルホニオ）フェニル）スルフィドビスヘキサフルオロホスフェート等が例示される。
【０１１２】
スルホニウムボレート塩含有光酸発生剤は、アリールスルホニウム骨格を有するスルホニウムのボレート等が例示される。
【０１１３】
アリールスルホニウム骨格は、Ｃ６−１０アリールスルホニウム骨格、好ましくはトリフェニルスルホニウム骨格等が例示される。
【０１１４】
アリールスルホニウム骨格を有するスルホニウムのボレートは、ビス（４−（ジフェニルスルホニオ）フェニル）スルフィドビステトラフルオロボレート、ビス（４−（ジフェニルスルホニオ）フェニル）スルフィドテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジフェニル−４−（フェニルチオ）フェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、ジフェニル−４−（フェニルチオ）フェニルスルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ビス（４−（ジ（４−（２−ヒドロキシエトキシ））フェニルスルホニオ）フェニル）スルフィドビステトラフルオロボレート、ビス（４−（ジ（４−（２−ヒドロキシエトキシ））フェニルスルホニオ）フェニル）スルフィドテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等が例示される。
【０１１５】
ヨードニウム塩含有光酸発生剤は、ヨードニウムホスフェート塩含有光酸発生剤、ヨードニウムボレート塩含有光酸発生剤等が例示される。
【０１１６】
ヨードニウムホスフェート塩含有光酸発生剤は、アリールヨードニウム骨格を有するヨードニウムのホスフェート等が例示される。
【０１１７】
アリールヨードニウム骨格は、ジＣ６−１０アリールヨードニウム骨格、好ましくはジフェニルヨードニウム骨格等が例示される。
【０１１８】
アリールヨードニウム骨格を有するヨードニウムのホスフェートは、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ビス（ドデシルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、４−メチルフェニル−４−（１−メチルエチル）フェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート等が例示される。
【０１１９】
ヨードニウムボレート塩含有光酸発生剤は、アリールヨードニウム骨格を有するヨードニウムのボレート等が例示される。
【０１２０】
アリールヨードニウム骨格は、ジＣ６−１０アリールヨードニウム骨格、好ましくはジフェニルヨードニウム骨格等が例示される。
【０１２１】
アリールヨードニウム骨格を有するヨードニウムのボレートは、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ビス（ドデシルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（ドデシルフェニル）ヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、４−メチルフェニル−４−（１−メチルエチル）フェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、４−メチルフェニル−４−（１−メチルエチル）フェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等が例示される。
【０１２２】
ジアゾニウム塩含有光酸発生剤は、ジアゾニウムホスフェート塩含有光酸発生剤、ジアゾニウムボレート塩含有光酸発生剤等が例示される。
【０１２３】
ジアゾニウムホスフェート塩含有光酸発生剤は、アリールジアゾニウム骨格を有するジアゾニウムのホスフェートが例示される。
アリールジアゾニウム骨格は、Ｃ６−１０アリールジアゾニウム骨格、好ましくはフェニルジアゾニウム骨格等が例示される。
アリールジアゾニウム骨格を有するジアゾニウムのホスフェートは、フェニルジアゾニウムヘキサフルオロホスフェート等が例示される。
【０１２４】
ジアゾニウムボレート塩含有光酸発生剤は、アリールジアゾニウム骨格を有するジアゾニウムのボレート等が例示される。
アリールジアゾニウム骨格は、Ｃ６−１０アリールジアゾニウム骨格、好ましくはフェニルジアゾニウム骨格等が例示される。
アリールジアゾニウム骨格を有するジアゾニウムのボレートは、フェニルジアゾニウムテトラフルオロボレート、フェニルジアゾニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等が例示される。
【０１２５】
アンモニウム塩含有光酸発生剤は、アンモニウムホスフェート塩含有光酸発生剤、アンモニウムボレート塩含有光酸発生剤が例示される。
【０１２６】
アンモニウムホスフェート塩含有光酸発生剤は、ピリジニウム骨格を有するホスフェートが例示される。
ピリジニウム骨格を有するホスフェートは、Ｎ−置換シアノピリジニウムホスフェートヘキサフルオロホスフェート等が例示される。
ピリジニウム骨格を有するホスフェートは、１−ベンジル−２−シアノピリジニウムヘキサフルオロホスフェート、１−（ナフチルメチル）−２−シアノピリジニウムヘキサフルオロホスフェート等が例示される。
【０１２７】
アンモニウムボレート塩含有光酸発生剤は、Ｎ−置換シアノピリジニウムボレート等が例示される。Ｎ−置換シアノピリジニウムボレートは、Ｎ−置換シアノピリジニウムテトラフルオロボレート、Ｎ−置換シアノピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等が例示される。
Ｎ−置換シアノピリジニウムテトラフルオロボレートは、１−ベンジル−２−シアノピリジニウムテトラフルオロボレート、１−（ナフチルメチル）−２−シアノピリジニウムテトラフルオロボレート等が例示される。
Ｎ−置換シアノピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートは、１−ベンジル−２−シアノピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、１−（ナフチルメチル）−２−シアノピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等が例示される。
【０１２８】
光酸発生剤の市販品は、ＣＰＩ−１００Ｐ、ＣＰＩ−１０１Ａ、ＣＰＩ−１１０Ｂ、ＣＰＩ−２００Ｋ、ＣＰＩ−２１０Ｓ（以上サンアプロ株式会社製）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ２９０（以上ＢＡＳＦ社製）等が例示される。
【０１２９】
１つの実施形態において、（Ｆ）光酸発生剤は、例えば（Ａ）脂環式エポキシド、（Ｂ）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及び（Ｃ）長鎖脂肪酸エチレングリコールエステルの合計質量に対し、０．２５〜０．５質量％、０．３〜０．５質量％、０．４〜０．５質量％、０．２５〜０．４質量％、０．２５〜０．３質量％の割合で組成物に含まれ得る。
【０１３０】
１つの実施形態において、（Ｆ）光酸発生剤は、例えば組成物に対し、０．２〜０．４質量％、０．３〜０．４質量％、０．２〜０．３質量％の割合で組成物に含まれ得る。
【０１３１】
１つの実施形態において、（Ｅ）アンモニウム塩含有熱酸発生剤及び（Ｆ）光酸発生剤は、質量比（（Ｅ）アンモニウム塩含有熱酸発生剤の質量／（Ｆ）光酸発生剤の質量）が１〜２、１．１〜２、１．５〜２、１．６〜２、１〜１．９、１〜１．５、１〜１．４の割合で組成物に含まれ得る。
【０１３２】
（Ｇ）希釈剤（「（Ｇ）成分」ともいう）
１つの実施形態において、上記組成物は、（Ｅ）希釈剤を含む。希釈剤は、通常、組成物の使用温度において液状であってもよく、室温又は常温（例えば、１０〜３０℃）で液状であってもよい。希釈剤は、溶媒（溶媒成分）であってもよい。また、希釈剤（溶媒）は、非プロトン性であってもよい。
また、希釈剤は、反応性を有していてもよく（反応性希釈剤であってもよく）、非反応性（非反応性希釈剤）あってもよい。希釈剤は、前記（Ａ）〜（Ｅ）成分（例えば、（Ａ）成分や（Ｂ）成分）に対して、反応性であってもよく、非反応性であってもよい。
【０１３３】
希釈剤は、カーボネート希釈剤、エステル希釈剤、ケトン希釈剤、エーテル希釈剤、スルホキシド希釈剤、エポキシ希釈剤等が例示される。
【０１３４】
カーボネート希釈剤は、鎖状カーボネート、環状カーボネート等が例示される。
鎖状カーボネートは、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート等が例示される。
環状カーボネートは、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等が例示される。
【０１３５】
カーボネート希釈剤は、鎖状エステル希釈剤、環状エステル希釈剤等が例示される。
鎖状エステル希釈剤は、酢酸エチル等が例示される。環状エステル希釈剤は、γ−ブチルラクトン（γ−ブチロラクトン）等が例示される。
【０１３６】
ケトン希釈剤は、鎖状ケトン希釈剤、環状ケトン希釈剤等が例示される。
鎖状ケトン希釈剤は、アセトン、エチルメチルケトン等が例示される。環状ケトン希釈剤は、シクロヘキサノン等が例示される。
【０１３７】
エーテル希釈剤は、鎖状エーテル希釈剤、環状エーテル希釈剤等が例示される。
鎖状エーテル希釈剤は、ジイソプロピルエーテル等が例示される。環状エーテル希釈剤は、ジオキサン、テトラヒドロフラン等が例示される。
【０１３８】
スルホキシド希釈剤は、ジメチルスルホキシド等が例示される。
【０１３９】
エポキシ希釈剤は、単官能性エポキシ希釈剤等が例示される。単官能性エポキシ希釈剤は、フェニルグリシジルエーテル等が例示される。希釈剤は組成物中に１種又は２種以上含まれていてもよい。上記希釈剤は酸発生剤を希釈する目的で添加されてもよい。
【０１４０】
（Ｇ）希釈剤は、本実施形態に係る組成物において所望される効果が損なわれない限り、特に制限されることなく使用することができる。組成物の質量に対する（Ｇ）希釈剤の含有量の上限は、１、０．９、０．８、０．７、０．６、０．５、０．４、０．１、０．０１質量％等が例示され、下限は０．９、０．８、０．７、０．６、０．５、０．４、０．１、０．０１、０質量％等が例示される。
【０１４１】
（Ｈ）添加剤（「（Ｈ）成分」ともいう）
本実施形態に係る組成物には、上記（Ａ）成分〜（Ｇ）成分以外のものを（Ｈ）添加剤として添加することができる。添加剤は、界面活性剤、密着性向上剤、消泡剤、増感剤、蛍光剤等が例示される。添加剤は組成物中に１種又は２種以上含まれていてもよい。
【０１４２】
（Ｈ）添加剤は、本実施形態に係る組成物において所望される効果が損なわれない限り、特に制限されることなく使用することができる。１つの実施形態において、（Ｈ）添加剤は、組成物の質量に対して、例えば１質量％未満、０．５質量％未満、０．１質量％未満、０．０１質量％未満含まれ得る。別の実施形態において、（Ｈ）添加剤は、（Ａ）脂環式エポキシド、（Ｂ）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及び（Ｃ）長鎖脂肪酸エチレングリコールエステルの合計質量に対して、例えば１質量％未満、０．５質量％未満、０．１質量％未満、０．０１質量％未満含まれ得る。
【０１４３】
（２．絶縁コーティング剤）
本開示は上記組成物を含む、絶縁コーティング剤を開示する。本実施形態に係る絶縁コーティング剤は、活性エネルギー線硬化型絶縁コーティング剤であり、熱硬化型絶縁コーティング剤でもある。活性エネルギー線は、紫外線、電子線、放射線等が例示される。また絶縁コーティング剤は、電子回路基板用絶縁コーティング剤（コンフォーマルコーティング剤）としても用いることができる。
【０１４４】
（３．硬化物）
上記絶縁コーティング剤（又は上記組成物）の硬化物を開示する。上記硬化物は、本実施形態に係る絶縁コーティング剤（又は組成物）に、紫外線、電子線、放射線等の活性エネルギー線を照射することによるか、又は加熱することにより得られる。
【０１４５】
紫外線光源としては、キセノンランプ、高圧水銀灯、メタルハライド、ＬＥＤランプ等が例示される。紫外線量は硬化物の厚さに応じて適宜調整することができる。また熱源としては、熱風炉、赤外線炉等が例示される。
【０１４６】
（４．電子回路基板）
本開示は、上記硬化物を含む、電子回路基板を開示する。上記電子回路基板は、本実施形態に係る絶縁コーティング剤（又は組成物）を、電子回路基板に塗布し、紫外線や電子線等の活性エネルギー線を照射することによるか、又は加熱することにより得られる。電子回路基板は、リジットプリント回路基板や、フレキシブルプリント回路基板等が例示される。
【０１４７】
絶縁コーティング剤（又は組成物）を電子回路基板に塗布する手段は、バーコーター、メイヤーバー、エアナイフ、ディスペンサー、スプレー、グラビア、リバースグラビア、オフセット、フレキソ、スクリーン印刷、ジェット印刷、ディップコート及びカーテンコート等が例示される。
【実施例】
【０１４８】
以下、実施例及び比較例を通じて本発明を具体的に説明する。但し、上述の好ましい実施形態における説明及び以下の実施例は、例示の目的のみに提供され、本発明を限定する目的で提供するものではない。従って、本発明の範囲は、本明細書に具体的に記載された実施形態にも実施例にも限定されず、特許請求の範囲によってのみ限定される。また、各実施例及び比較例において、特に説明がない限り、部、％等の数値は質量基準である。【０１４９】
実施例１
市販の脂環式エポキシ樹脂としてε−カプロラクトン変性３',４'−エポキシシクロヘキシルメチル３,４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート（商品名「セロキサイド２０８１」、株式会社ダイセル製；分子量３６６、エポキシ当量１８０〜２２０ｇ／ｅｑ）を５０部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名「ｊＥＲ８３４」、三菱ケミカル株式会社製；分子量約４７０、エポキシ当量２３０〜２７０ｇ／ｅｑ）を２０部、長鎖脂肪酸ポリオールエステルとしてエチレングリコールモノリシノレート（商品名「ＥＧＭＲ」、伊藤製油株式会社製）を３０部、破砕シリカ（商品名「クリスタライトＶＸ−Ｓ２」、龍森株式会社製）を１７部、ヒュームドシリカ（商品名「ＣＡＢ−Ｏ−ＳＩＬ  ＴＳ−７２０」、キャボットコーポレーション製）を３部、無機イオン交換体（商品名「ＩＸＥ−７００Ｆ」、東亞合成株式会社製）を３部、熱酸発生剤としてテトラキスペンタフルオロフェニルアンモニウムボレート塩（商品名「ＣＸＣ−１８２１」、キングインダストリー製：有効成分１００％）を０．５部、光酸発生剤（商品名「ＣＰＩ−１１０Ｂ」、サンアプロ株式会社製：有効成分１００％）を０．２５部、希釈剤としてプロピレンカーボネート（商品名「プロピレンカルボナート」、キシダ化学株式会社製）を０．７５部用いて、サンプルを調製した。【０１５０】
実施例２〜２７及び比較例１〜１０
実施例２〜２７及び比較例は組成を表１〜４に記載のものに変更した以外は、実施例１と同様の手法により作成した。【０１５１】
＜光硬化性の評価＞
上記により得られた樹脂をポリイミドフィルム上に縦３ｃｍ、横１，５ｃｍ、厚さ１ｍｍに塗布し、高圧水銀灯１２０Ｗ／ｃｍ（１灯）、照射距離１０ｃｍの条件で積算照射量３００、５００、８００ｍＪ／ｃｍ２で光硬化し、タックの有無、外観異常の有無で硬化物を評価した。
○＝タックがない、かつ、外観異常がない
×＝タックがある、あるいは外観異常（シワ等）がある【０１５２】
＜熱硬化性（硬化物の密着性）の評価＞
上記により得られた樹脂をポリイミドフィルム上に縦３ｃｍ、横１，５ｃｍ、厚さ１ｍｍに塗布し、１１０、１３０、１５０℃の順風乾燥器中で１０分間乾燥し、熱硬化した。その後、ポリイミドフィルムと硬化物の界面にカッターの刃を入れ、硬化物の密着性を評価した。
○＝樹脂破壊が起こる
×＝界面剥離が起こる【０１５３】
＜硬化物の屈曲性の評価＞
上記により得られた樹脂をポリイミドフィルム上に縦３ｃｍ、横１，５ｃｍ、厚さ１ｍｍに塗布し、高圧水銀灯１２０Ｗ／ｃｍ（１灯）、照射距離１０ｃｍの条件で積算照射量７００ｍＪ／ｃｍ２で光硬化した。さらに１５０℃の順風乾燥器中で１０分間乾燥し、熱硬化した。その後、直径０．２ｃｍのマンドレルに硬化物を巻きつけ、１８０°に折り曲げ、硬化物の屈曲性を評価した。
○＝１８０°折り曲げてもクラックが入らない
×＝１８０°折り曲げるとクラックが入る【０１５４】
＜硬化物の変色の評価＞
上記により得られた樹脂をポリイミドフィルム上に縦３ｃｍ、横１，５ｃｍ、厚さ１ｍｍに塗布し、高圧水銀灯１２０Ｗ／ｃｍ（１灯）、照射距離１０ｃｍの条件で積算照射量７００ｍＪ／ｃｍ２で光硬化した。さらに１５０℃の順風乾燥器中で１０分間乾燥し、熱硬化した。その後、樹脂の変色の有無を目視にて評価した。
○＝変色なし
×＝変色あり【０１５５】
【表１】
0006658923.tif 000006
【表２】
0006658923.tif 000007
【表３】
0006658923.tif 000008
【表４】
0006658923.tif 000009
【０１５６】
表１〜４に記載されている試薬のうち、実施例１において使用されていない試薬の詳細を以下に示す。
脂環式エポキシド：ビス−（３，４−エポキシシクロヘキシル）アジペート（商品名「ＵＶＲ−６１２８」、ダウケミカル製）
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂：（商品名「ｊＥＲ１００１」、三菱ケミカル株式会社製；分子量約９００、エポキシ当量４５０〜５００ｇ／ｅｑ）
長鎖脂肪酸ポリオールエステル：プロピレングリコールモノリシノレート（商品名「ＰＧＭＲ」、伊藤製油株式会社製）
溶融シリカ（商品名「ヒューズレックスＥ−２」、龍森株式会社製）
溶融シリカ（商品名「ＦＢ−３ＳＤＣ」、デンカ株式会社製）
無機イオン交換体（商品名「ＩＸＥ−５５０Ｄ」、東亞合成株式会社製）
熱酸発生剤：テトラキスペンタフルオロフェニルスルホニウムボレート塩（商品名「サンエイド  ＳＩ−Ｂ３Ａ」、三新化学工業株式会社製：有効成分１００％）
熱酸発生剤：テトラキスペンタフルオロフェニルスルホニウムボレート塩（商品名「サンエイド  ＳＩ−Ｂ３」、三新化学工業株式会社製：有効成分１００％）
光酸発生剤：テトラキスペンタフルオロフェニルボレート塩（商品名「ＣＰＩ−３１０Ｂ」、サンアプロ株式会社製：有効成分１００％）
【産業上の利用可能性】
【０１５７】
本発明によれば、絶縁コーティング剤用等として使用可能な組成物を提供できる。