(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶の炭化珪素半導体基板上にコンタクト電極を形成する炭化珪素半導体素子の製造方法において、
前記炭化珪素半導体基板上の層間絶縁膜に開口したコンタクトホールの側壁を含む前記コンタクトホール外の領域に位置する前記層間絶縁膜をバリアメタルで覆う工程と、
前記炭化珪素半導体基板上から前記バリアメタル上にかけてニッケルシリサイドの電極材料である、チタンを１５〜３０ａｔ％混合したニッケル合金で覆う工程と、
前記炭化珪素半導体基板を１０００℃以上１４５５℃未満の温度で熱アニールし、前記コンタクトホールの内部にのみニッケルシリサイド層を形成し、かつ、前記コンタクトホール外の領域に、長径２００〜６００ｎｍ、厚さ５０〜１００ｎｍの粒状のニッケル金属の凝集体を点在させる工程と、
その後、前記炭化珪素半導体基板をニッケルに対し溶解性を有する薬液に浸透させて、前記ニッケル金属の凝集体を溶解除去する工程と、
前記バリアメタル上を金属電極で覆う工程と、
をこの順で行うことを特徴とする炭化珪素半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記薬液は、硝酸、塩酸、硫酸のいずれかを含むことを特徴とする、請求項１に記載の炭化珪素半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、単結晶炭化珪素半導体素子に関し、特に、高耐圧縦型の炭化珪素半導体素子および炭化珪素半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
単結晶炭化珪素は、単結晶シリコンを大幅に上回るバンドギャップや破壊電界強度を有し、より低損失な素子、あるいは単体で耐圧１０ｋＶを超える超高耐圧半導体スイッチング素子を実現することができると期待されている。
【０００３】
炭化珪素半導体素子の製造プロセスでは、ウエハの表側にコンタクト（オーミック）電極を形成する際、金属薄膜を堆積し、アルゴンなどの不活性ガス中で、１０００℃程度の熱アニールを行うのが、最も簡便であるとされている。上記金属の材料としては、現在のところニッケル系が一般的である（例えば、下記非特許文献１参照。）。
【０００４】
熱アニールの際、層間絶縁膜に開口したコンタクトホール内の領域では、炭化珪素とニッケルが直接接触しており、炭化珪素に含まれるシリコンとニッケルが反応して、ニッケルシリサイドが生成され、低抵抗のコンタクト電極となる。
【０００５】
ニッケルの膜厚は、下地の炭化珪素に含まれるドーパントの濃度や、熱アニールの条件にもよるが、一般的には５０〜１００ｎｍ程度で充分とされる。しかし、このような範囲の膜厚でニッケルを堆積した場合、密度の低い、いわゆる「鬆が入った」状態になり易い特性がある。この場合、コンタクトホール内にのみコンタクト電極パターンを形成しようとしても、ウェットエッチング方式ではニッケル層のサイドエッチング量が膜厚の数倍に達し、仕上がり寸法の制御が難しい。また、ドライエッチング方式では、エッチング自体が極めて困難である。
【０００６】
このようなニッケルの特性を回避し、コンタクトホール内にのみ制御性良くコンタクト電極パターンを形成する手段としては、自己整合プロセスが有効である。簡易的な手法としては、コンタクトホール形成に用いたレジストパターンを、ニッケル堆積時のマスクとして再利用する、いわゆるリフトオフ法を用いることが多い（例えば、下記非特許文献２参照。）。
【０００７】
一方、大量生産で高度なプロセス安定性が要求される場合には、コンタクトホール形成後、基板表側の全面にニッケルを堆積し、熱アニールを行ってから、層間絶縁膜上の余分なニッケルを薬液で除去し、更に層間絶縁膜の最表面を薄くエッチングする、といった方式が用いられる（例えば、下記特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許３８８８３３０号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】佐治他：「金属−ＳｉＣの界面物性と接合特性」、電機学会研究会資料、電機材料研究会、ＥＦＭ−９０−２０、１９９０年
【非特許文献２】谷本智、「ＳｉＣパワーデバイスのためのオーミックコンタクト形成技術」、表面技術、Ｖｏｌ．５５、Ｎｏ．１、ｐ．２９（２００４年）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、層間絶縁膜が薄いと、ニッケルとの反応量が無視できなくなり、最悪の場合、ニッケルが炭化珪素領域まで突き抜けてしまう異常（スパイク現象）が発生する。このため、層間絶縁膜の膜厚を一定値以下に抑えることは難しく、素子構造にゲート電極などの凹凸を含む場合、層間絶縁膜の巨視スケール（概ね高さ３００ｎｍ以上）の段差が強調される方へ向かうことを避けられない。配線層としてＡｌ−Ｓｉ合金などを堆積する際、こうした段差は結晶粒の異常成長やボイドの発生をもたらし、半導体素子の信頼性の低下に繋がる。
【００１１】
逆に、層間絶縁膜の膜厚を抑えたままで、上記スパイク現象を防ぐには、窒化チタンなどのバリアメタルを併用するのが効果的である。この点について、発明者が実際に素子構造を作製してみたところ、上記バリアメタルの直上で、本来のニッケルの融点（１４５５℃）より低いアニール温度でも、コンタクトホール内の炭化珪素と反応できなかった含ニッケル金属が流動体となった。
【００１２】
含ニッケル金属の流動体がバリアメタル上の全域に渡って点在すると、長径で２００〜６００ｎｍ程度、厚さで５０〜１００ｎｍ程度の粒状の凝集体が無数に生成され、表面構造の平坦性が悪化する。そして、配線層としてＡｌ−Ｓｉ合金などを堆積する際、結晶粒の異常成長やボイドの発生をもたらし、半導体素子の信頼性を低下させる、という新たな問題が確認された。
【００１３】
この問題は、高温環境下に置かれたニッケルが、バリアメタル中に含まれるチタンを取り込み、融点降下を起こすことが原因だと考えられる。そして、上記含ニッケル金属の凝集体が、バリアメタル上の全域に渡って点在すると、上記の巨視スケールの段差以外に、表面構造の微視スケール（概ね高さ１００ｎｍ以下）の平坦性を悪化させ、やはりＡｌ−Ｓｉ合金などを堆積する際、結晶粒の異常成長やボイドの発生をもたらすことになる。
【００１４】
本発明は、上記課題を解決するため、バリアメタル上にニッケルの微細な凝集体が存在せず、バリアメタルの平坦性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
また、この発明にかかる炭化珪素半導体素子の製造方法は、単結晶の炭化珪素半導体基板上にコンタクト電極を形成する炭化珪素半導体素子の製造方法において、前記炭化珪素半導体基板上の層間絶縁膜に開口したコンタクトホールの側壁を含む前記コンタクトホール外の領域に位置する前記層間絶縁膜をバリアメタルで覆う工程と、前記炭化珪素半導体基板上から前記バリアメタル上にかけてニッケルシリサイドの電極材料である、チタンを１５〜３０ａｔ％混合したニッケル合金で覆う工程と、前記炭化珪素半導体基板を１０００℃以上１４５５℃未満の温度で熱アニールし、前記コンタクトホールの内部にのみニッケルシリサイド層を形成し、かつ、前記コンタクトホール外の領域に、長径２００〜６００ｎｍ、厚さ５０〜１００ｎｍの粒状のニッケル金属の凝集体を点在させる工程と、その後、前記炭化珪素半導体基板をニッケルに対し溶解性を有する薬液に浸透させて、前記ニッケル金属の凝集体を溶解除去する工程と、前記バリアメタル上を金属電極で覆う工程と、をこの順で行うことを特徴とする。
【００２０】
また、この発明にかかる炭化珪素半導体素子の製造方法は、上述した発明において、前記薬液は、硝酸、塩酸、硫酸のいずれかを含むことを特徴とする。
【００２１】
上述した発明によれば、炭化珪素基板上に熱アニールでオーミック接合を形成した後、炭化珪素基板をリン硝酢酸などの薬液に浸漬し、バリアメタル上に残存していた含ニッケル金属の凝集体を除去する。この際、コンタクトホール内に形成されたニッケルシリサイドは、上記薬液に溶解せず、バリアメタル上に残存していた含ニッケル金属の凝集体のみを除去できる。これにより、コンタクト電極を残したまま、表面構造の平坦性を回復させることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、バリアメタル上にニッケルの微細な凝集体が存在せず、バリアメタルの平坦性を向上できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、実施の形態にかかる炭化珪素半導体素子の各製造工程を示す断面図である。（その１）
【図２】図２は、実施の形態にかかる炭化珪素半導体素子の各製造工程を示す断面図である。（その２）
【図３】図３は、実施の形態にかかる炭化珪素半導体素子の各製造工程を示す断面図である。（その３）
【図４】図４は、実施の形態にかかる炭化珪素半導体素子の各製造工程を示す断面図である。（その４）
【図５】図５は、実施の形態にかかる炭化珪素半導体素子の各製造工程を示す断面図である。（その５）
【図６】図６は、本発明の適用例として複雑なＭＯＳゲート構造を有する半導体装置の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
（実施の形態）
以下、本発明による炭化珪素半導体素子の好適な実施の形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。ここではコンタクト電極の材料として純ニッケルを、バリアメタルの材料として窒化チタンを用いるものとする。
【００２５】
図１〜図５は、実施の形態にかかる炭化珪素半導体素子の各製造工程を示す断面図である。ｎ型炭化珪素基板１上に形成した表面構造を各製造工程で断面方向から見た模式図を示す。また、下記の手順１〜手順５はそれぞれ、図１〜図５の各番号と対応している。
【００２６】
〔手順１〕
図１には、ｎ型炭化珪素基板１にデバイス構造を形成し、高濃度イオン注入領域の直上にコンタクトホール５を形成した状態を示す。図１に示すように、薬液洗浄やプラズマエッチングなどの方法で清浄化された単結晶ｎ型炭化珪素基板１の上に、ｎ型ドリフト層２、高濃度イオン注入領域３を順次形成し、層間絶縁膜４で密封した後、高濃度イオン注入領域３の直上にコンタクトホール５を開口する。パターン形成やマスク合わせの手法は自明であるため、説明および図示を省略する。
【００２７】
〔手順２〕
図２には、コンタクトホール５の側壁を含む、コンタクトホール５外の領域に、窒化チタン層６を形成した状態を示す。図２に示すように、コンタクトホール５の側壁を含む、コンタクトホール５よりも外側の領域（層間絶縁膜４の表面を含む）を、バリアメタルとして好適な窒化チタン層６で保護する。コンタクトホール５内の領域は、ドライエッチングなどの手法で開口し、高濃度イオン注入領域３を露出させておく。パターン形成やマスク合わせの手法については、手順１と同様、説明および図示を省略する。バリアメタルとしては、チタンの他に、ジルコニウム、タンタルおよびタングステンの内、いずれか１種類以上を含む窒化物とする。
【００２８】
〔手順３〕
図３には、表面構造全域にニッケル層７を堆積した状態を示す。図３に示すように、コンタクトホール５と窒化チタン層６の表面を含む表面構造全域に、ニッケル層７を堆積する。ニッケル層７の堆積の手法としては、蒸着やスパッタを用いることができ、特にスパッタ法が膜厚均一性に優れるため好適である。ニッケル層７としては、純ニッケルに限らず、例えば、遊離カーボンの発生を抑える目的で、チタンを１５〜３０ａｔ％程度混合したニッケル合金としても良い。
【００２９】
なお、図示しないが、縦型半導体素子の場合は、基板裏面側にもコンタクト電極が必要となるため、表面側と同様、この段階でｎ型炭化珪素基板１の裏面側にもニッケルなどの金属を堆積する。
【００３０】
〔手順４〕
手順３までの表面構造を形成したｎ型炭化珪素基板１をアニール炉に導入し、アルゴンや窒素などの不活性ガス雰囲気中で熱アニールを行う。このアニールにより、コンタクトホール５の内部では、ニッケル層７と炭化珪素中に含まれるシリコンとが反応し、ニッケルシリサイド層８が生成される。
【００３１】
一方、コンタクトホール５の外側では、ニッケル層７が窒化チタン層６によって層間絶縁膜４と隔てられているため、シリサイド化は起こらない。但し、本来のニッケルの融点（１４５５℃）より低い、１０００℃程度で熱アニールを行っても、窒化チタン層６の直上ではニッケルの流動化が起こり、含ニッケル金属凝集体９が点在した状態へと変化する。
【００３２】
図４には、熱アニールを行い、コンタクトホール５内ではニッケルシリサイド層８が形成され、コンタクトホール５外では含ニッケル金属の凝集体９が点在している状態を示す。図４に示すように、含ニッケル金属凝集体９の大きさは、熱アニールの条件や表面構造の巨視スケールの段差の有無によって多少変動するが、長径２００〜６００ｎｍ程度、厚さ５０〜１００ｎｍ程度の粒状となる。また、凝集体同士の間隔は、凝集体それ自身の長径とほぼ同程度である。
【００３３】
〔手順５〕
次に、熱アニール後のｎ型炭化珪素基板１を、硝酸、塩酸、硫酸のいずれかを含む薬液に浸漬する。ニッケルの溶解が可能な薬液であれば、上記成分以外には特に制限を設けないが、処理槽の共通化という観点からは、Ａｌ−Ｓｉ合金のパターン抜きに用いられるリン硝酸やリン硝酢酸が好適である。
【００３４】
図５は、硝酸、塩酸、硫酸のいずれかを含む薬液によるウェットエッチングを行い、含ニッケル金属凝集体のみを除去した直後の状態を示す。図５に示すように、ｎ型炭化珪素基板１を薬剤へ浸漬処理することで、ニッケルシリサイド層８は殆ど反応しないが、窒化チタン層６の直上に存在していた含ニッケル金属凝集体９は速やかに溶解除去される。これにより、表面構造の微視スケールの平坦性を、手順２の窒化チタン層６を堆積した直後と同等の水準まで回復させることができる。
【００３５】
従来のコンタクト電極形成工程では、１）熱アニール後に余剰ニッケルおよび層間絶縁膜最表層の除去を行う手法、あるいは２）窒化チタンなどのバリアメタルを併用する方法が採られていた。しかし、１）の手法では層間絶縁膜４を薄くすることができず、２）の手法ではバリアメタル（窒化チタン層６）上に含ニッケル金属凝集体９が多数点在する。そして、いずれも配線層（金属電極）としてＡｌ−Ｓｉ合金を堆積する際に、結晶粒の異常成長やボイドの発生を招くという問題があった。
【００３６】
これに対し、上述した本実施の形態によるコンタクト電極形成では、層間絶縁膜４の膜厚を抑えつつ、自己整合的なプロセスを実現し、かつ、含ニッケル金属凝集体９を除去してバリアメタルの表面構造の平坦性を回復させることが可能となる。
【００３７】
図５において、ニッケルシリサイド層８はコンタクトホール５内の炭化珪素基板（ｎ型ドリフト層２）上のみに形成されている。層間絶縁膜４上は、窒化チタン層６を介して、図示しないＡｌ−Ｓｉ合金などの金属電極で覆う。そして、コンタクトホール５内の領域でのみ、ニッケルシリサイドで構成された電極が炭化珪素基板（ｎ型ドリフト層２）上に設けられ、コンタクトホール５の側壁を含むコンタクトホール５外の領域では、層間絶縁膜４をバリアメタル（窒化チタン層６）とバリアメタル上を金属電極が覆い、バリアメタルと金属電極の間にニッケル金属凝集体９が介在しない構成とすることができた。
【００３８】
図５以降、炭化珪素基板１上には各種素子構造を構成することができ、これら各種の素子構造を有する炭化珪素半導体素子において、バリアメタル上の表面構造の平坦性を保持できる。これにより、例えば、バリアメタル上に配線層（金属電極）としてＡｌ−Ｓｉ合金を堆積する際に、結晶粒の異常成長やボイドの発生を招くことがなく、半導体素子の信頼性を向上させることができるようになる。
【００３９】
図６は、本発明の適用例としてプレーナＭＯＳゲート構造を有する半導体装置の一例を示す断面図である。図６に示す例は、縦型のＭＯＳＦＥＴであり、ｎ+型炭化珪素基板３１のおもて面にはｎ型エピタキシャル層３２が形成される。ｎ型エピタキシャル層３２の不純物濃度は、ｎ+型炭化珪素基板３１の不純物濃度よりも低い。ｎ型エピタキシャル層３２の内部には、複数のｐ型領域３６が選択的に形成される。ｐ型領域３６は、ｎ型エピタキシャル層３２のｎ+型炭化珪素基板３１側に対して反対側の面に露出する。
【００４０】
ｎ型エピタキシャル層３２およびｐ型領域３６の表面にわたってｐ型領域３６より低濃度のｐ型ＳｉＣ層３７が形成される。ｐ型領域３６が形成されていないｎ型エピタキシャル層３２上のｐ型ＳｉＣ層３７に、深さ方向にｐ型ＳｉＣ層３７を貫通し、ｎ型エピタキシャル層３２に達するｎ型領域３３が形成される。ｎ型エピタキシャル層３２およびｎ型領域３３は、ｎ型ドリフト領域である。ｎ型領域３３の不純物濃度は、ｎ型エピタキシャル層３２よりも高いのが望ましい。
【００４１】
ｐ型ＳｉＣ層３７の内部には、互いに接するようにｎ+ソース領域３４およびｐ+型コンタクト領域３５が形成される。ｎ+ソース領域３４およびｐ+型コンタクト領域３５は、ｐ型ＳｉＣ層３７のｐ型領域３６側に対して反対側の面に露出する。ｎ+ソース領域３４は、ｎ型領域３３と離れて形成される。ｐ+型コンタクト領域３５は、ｎ+ソース領域３４のｎ型領域３３側に対して反対側に位置する。ｐ+型コンタクト領域３５の不純物濃度は、ｐ型ＳｉＣ層３７の不純物濃度よりも高い。
【００４２】
ｐ型ＳｉＣ層３７のｎ+ソース領域３４、ｐ+型コンタクト領域３５およびｎ型領域３３を除く部分は、ｐ型領域３６と共にｐ型ベース領域となる。ｎ+ソース領域３４とｐ+型コンタクト領域３５との表面には、ソース電極３８が形成される。隣り合うｎ+ソース領域３４の間のｐ型ＳｉＣ層３７とｎ型領域３３との表面には、ゲート絶縁膜１２を介してゲート電極１３が形成される。ゲート電極１３は、図示省略する層間絶縁膜によって、ソース電極３８と電気的に絶縁される。また、ｎ+型炭化珪素基板３１の裏面には、ｎ+型炭化珪素基板３１に接するドレイン電極３９が形成される。
【００４３】
図６に示したプレーナＭＯＳゲート構造を有する半導体装置においても、ｎ+ソース領域３４およびｐ+型コンタクト領域３５に接するＮｉ等のソース電極３８部分にコンタクトホールが形成され、ソース電極３８の側部に層間絶縁膜が設けられる。そして、コンタクトホールの側壁を含むコンタクトホール外の領域では、層間絶縁膜をバリアメタル（上記窒化チタン層６）とバリアメタル上を金属電極が覆い、バリアメタルと金属電極の間に上記ニッケル金属凝集体９が介在しない構成にできる。
【００４４】
本発明は、縦型のＭＯＳＦＥＴの素子構造以外にも横型のＭＯＳＦＥＴ等各種半導体装置に同様に適用することができる。
【００４５】
以上の実施の形態によれば、炭化珪素基板上に熱アニールでオーミック接合を形成した後、炭化珪素基板をリン硝酢酸などの薬液に浸漬し、バリアメタル上に残存していた含ニッケル金属の凝集体を除去する。この際、コンタクトホール内に形成されたニッケルシリサイドは、上記薬液に溶解せず、バリアメタル上に残存していた含ニッケル金属の凝集体のみを除去できる。これにより、コンタクト電極を残したまま、表面構造の平坦性を回復させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
以上のように、本発明にかかる炭化珪素半導体素子および炭化珪素半導体素子の製造方法は、半導体材料として炭化珪素を用いた炭化珪素半導体素子に有用である。
【符号の説明】
【００４７】
１  ｎ型炭化珪素基板
２  ｎ型ドリフト層
３  高濃度イオン注入領域
４  層間絶縁膜
５  コンタクトホール
６  窒化チタン層
７  ニッケル層
８  ニッケルシリサイド層
９  含ニッケル金属凝集体
【図１】
0006801200.tif 000002
【図２】
0006801200.tif 000003
【図３】
0006801200.tif 000004
【図４】
0006801200.tif 000005
【図５】
0006801200.tif 000006
【図６】
0006801200.tif 000007