(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化グラフェンに硫黄原子がドープした硫黄含有酸化グラフェンであって、前記硫黄原子が、前記酸化グラフェンを構成する炭素原子と化学結合しているとともに、前記硫黄原子の原子割合が、前記酸化グラフェンを構成する炭素原子に対して２〜５％である硫黄含有酸化グラフェン。
【請求項２】
表面抵抗が１０７Ω／□以下である請求項１記載の硫黄含有酸化グラフェン。
【請求項３】
酸化グラフェン及び硫黄含有化合物を含み、かつ前記硫黄含有化合物の割合が前記酸化グラフェン１重量部に対して１重量部以上であるスラリーを液中プラズマ処理して酸化グラフェンに硫黄原子をドープするドープ工程を含む請求項１又は２記載の硫黄含有酸化グラフェンの製造方法。
【請求項４】
硫黄含有化合物が低分子硫黄含有化合物である請求項３記載の製造方法。
【請求項５】
スラリーが水を含む請求項３又は４記載の製造方法。
【請求項６】
硫黄原子がドープした酸化グラフェンを還元する還元工程をさらに含む請求項３〜５のいずれかに記載の製造方法。
【請求項７】
還元工程において、不活性ガス雰囲気下、硫黄原子がドープした酸化グラフェンを加熱して還元する請求項６記載の製造方法。
【請求項８】
グラフェンに硫黄原子がドープした硫黄含有グラフェンであり、かつ前記硫黄原子が、前記グラフェンを構成する炭素原子と化学結合しているとともに、表面抵抗が５０Ω／□以下の導電性グラフェンである硫黄含有グラフェンの製造方法であって、
酸化グラフェン及び硫黄含有化合物を含み、かつ前記硫黄含有化合物の割合が前記酸化グラフェン１重量部に対して１重量部以上であるスラリーを液中プラズマ処理して酸化グラフェンに硫黄原子をドープするドープ工程及び硫黄原子がドープした酸化グラフェンを還元する還元工程を含む硫黄含有グラフェンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化グラフェン又はグラフェンに硫黄原子がドープされた硫黄含有酸化グラフェン又は硫黄含有グラフェン及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
グラフェンは、ベンゼン環が平面状（又は２次元状）に連なった構造を有しており、その構造に由来して、機械的特性、電気的特性、熱的特性などの種々の特性が優れているため、電気デバイスなどの様々な分野への利用が検討されている。一方、グラフェンは溶媒に対して均一に分散させることが困難であるため、部分的に酸化され、溶媒に対する分散性を改善して利用されることが多い。しかし、酸化グラフェンは、絶縁性であるため、導電性を必要とされる用途では、還元してグラフェンに戻して利用されている。また、近年、キャパシタや二次電池の電極材料、センサーの構成部材では、高度な電気特性が要求されており、高い理論容量を有する硫黄などの原子をドープした炭素材料も求められている。
【０００３】
ＷＯ２０１３／０８９０２６号パンフレット（特許文献１）には、金属原子と、窒素原子、ホウ素原子、硫黄原子及びリン原子から選択される少なくとも一種の非金属原子とがドープされているグラフェンからなり、ＣｕＫα線を用いてＸ線回折測定して得られる回折強度曲線における（００２）面のピーク強度に対する不活性金属化合物及び金属結晶に由来する最大のピークの強度比が０．１以下である炭素系材料が開示されている。この文献の実施例では、酸化グラフェンに、塩化鉄及びペンタエチレンヘキサミンを担持させた後、アルゴンガス雰囲気下、９００℃で加熱することにより、酸化グラフェンを還元し、窒素及び鉄をドープしている。
【０００４】
しかし、この文献の方法では、７００℃以上の高温での焼成が必要となる。さらに、窒素以外の原子をドープする方法については記載されていない。
【０００５】
特開２０１３−１３９３７７号公報（特許文献２）には、グラフェン分散液を提供する第一ステップと、硫黄源化合物を前記グラフェン分散液に溶解して混合液を形成する第二ステップと、前記混合液に反応物を添加して、酸化還元反応によって、前記グラフェンの表面に硫黄単体を生成し、硫黄−グラフェン複合材料を形成する第三ステップと、硫黄−グラフェン複合材料を混合液から分離させる第四ステップとを含む硫黄−グラフェン複合材料の製造方法が開示されている。
【０００６】
しかし、この文献の方法で得られた複合材料では、硫黄単体をグラフェン表面析出させて担持しているため、表面がナノレベルで不均一であり、成形過程などにおいて担持状態も変化する。
【０００７】
特開２０１１−１２６７４２号公報（特許文献３）には、分散媒中に酸化黒鉛が分散してなる第一分散液中の前記酸化黒鉛を薄片化し、薄片化酸化黒鉛が分散してなる第二分散液を製造する工程と、第二分散液に液中プラズマ照射処理を施して薄片化酸化黒鉛を還元する工程とを含む薄片化黒鉛分散液の製造方法が開示されている。
【０００８】
しかし、この方法では、還元により酸化黒鉛の導電性は向上するものの、十分ではない。さらに、この文献には、硫黄原子のドープについて記載されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】ＷＯ２０１３／０８９０２６号パンフレット（請求項１、段落［００６８］、実施例）
【特許文献２】特開２０１３−１３９３７７号公報（請求項１）
【特許文献３】特開２０１１−１２６７４２号公報（請求項１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従って、本発明の目的は、硫黄原子が化学結合した状態でドープされ、かつ導電性も高い酸化グラフェン又はグラフェン及びその製造方法を提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、低温で簡便に硫黄原子を酸化グラフェンの表面に均一にドープできる方法を提供することにある。
【００１２】
本発明のさらに他の目的は、硫黄原子の脱離を抑制でき、長期間に亘り導電性を維持できる酸化グラフェン又はグラフェン及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、前記課題を達成するため鋭意検討した結果、酸化グラフェン及び硫黄含有化合物を含むスラリーを液中プラズマ処理することにより、酸化グラフェンに硫黄原子が化学結合（Ｃ−Ｓ−Ｃ結合、Ｃ−ＳＯＸ−Ｃ結合（式中、Ｘは１又は２である））した状態でドープされ、かつ導電性も高い硫黄含有酸化グラフェンが得られ、さらに還元処理することにより、導電性を向上できることを見出し、本発明を完成した。
【００１４】
すなわち、本発明の硫黄含有酸化グラフェンは、酸化グラフェンに硫黄原子がドープした硫黄含有酸化グラフェンであって、前記硫黄原子は、前記酸化グラフェンを構成する炭素原子と化学結合している。前記硫黄原子の原子割合は、前記酸化グラフェンを構成する炭素原子に対して１〜３０％程度である。本発明の硫黄含有酸化グラフェンは、表面抵抗が１０７Ω／□以下であってもよく、特に、表面抵抗が５０Ω／□以下の導電性グラフェンであってもよい。
【００１５】
本発明には、酸化グラフェン及び硫黄含有化合物を含むスラリーを液中プラズマ処理して酸化グラフェンに硫黄原子をドープするドープ工程を含む前記硫黄含有酸化グラフェンの製造方法も含まれる。前記硫黄含有化合物は低分子硫黄含有化合物であってもよい。前記スラリーは水を含んでいてもよい。本発明の製造方法は、硫黄原子がドープした酸化グラフェンを還元する還元工程をさらに含んでいてもよい。前記還元工程において、不活性ガス雰囲気下、硫黄原子がドープした酸化グラフェンを加熱して還元してもよい。
【００１６】
また、本発明には、グラフェンに硫黄原子がドープした硫黄含有グラフェンであって、前記硫黄原子が、前記グラフェンを構成する炭素原子と化学結合している硫黄含有グラフェンも含まれる。さらに、本発明には、酸化グラフェン及び硫黄含有化合物を含むスラリーを液中プラズマ処理して酸化グラフェンに硫黄原子をドープするドープ工程及び硫黄原子がドープした酸化グラフェンを還元する還元工程を含む前記硫黄含有グラフェンの製造方法も含まれる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明では、酸化グラフェン及び硫黄含有化合物を含むスラリーを液中プラズマ処理して硫黄含有酸化グラフェンを製造しているため、酸化グラフェンに硫黄原子が化学結合（Ｃ−Ｓ−Ｃ結合、Ｃ−ＳＯＸ−Ｃ結合）してドープでき、導電性も向上できる。この方法によると、低温で簡便に硫黄原子を酸化グラフェンの表面に均一にドープできる。さらに、得られた硫黄含有酸化グラフェンを還元することにより、部分的に還元された硫黄含有酸化グラフェン（硫黄含有部分酸化グラフェン）又は硫黄含有グラフェン（以下「硫黄含有（酸化）グラフェン又は導電性グラフェン」と称することもある）を調製でき、さらに導電性を向上できる。これらの硫黄含有（酸化）グラフェンでは、硫黄原子の脱離も抑制でき、長期間に亘り導電性を維持できる。特に、これらの硫黄含有（酸化）グラフェンは、硫黄の導入により、キャパシタや二次電池の電極材料、センサーの構成部材として有効に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、比較例１で得られた導電性グラフェンのＸＰＳナロースペクトルである。
【図２】図２は、実施例１で得られた導電性グラフェンのＸＰＳナロースペクトルである。
【図３】図３は、実施例２で得られた導電性グラフェンのＸＰＳナロースペクトルである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
［硫黄含有酸化グラフェン］
本発明の硫黄含有酸化グラフェンは、酸化グラフェンを含む。酸化グラフェンは、天然又は人工グラファイトを酸化し、単層又は多層に剥離させ、単層酸化グラフェン又は多層酸化グラフェンの形態で調製できる。
【００２０】
グラファイトの酸化は、慣用の方法、例えば、水性媒体中、酸化剤を用いて行うことができる。酸化剤としては、慣用の酸化剤、例えば、硫酸、過マンガン酸塩（過マンガン酸カリウムなど）、クロム酸又は重クロム酸塩（重クロム酸ナトリウムなど）、硝酸塩（硝酸ナトリウムなど）、過酸化物（過酸化水素など）、過硫酸塩（過硫酸アンモニウムなど）、有機過酸（過蟻酸、過酢酸、過安息香酸など）などが例示できる。これらの酸化剤は単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。
【００２１】
水性溶媒は、水単独、水と水溶性溶媒との混合溶媒であってもよく、水溶性溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類、アセトンなどのケトン類、ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル類、セロソルブ類、セロソルブアセテート類、カルビトール類、カルビトールアセテート類、ニトリル類（アセトニトリルなど）、アミド類（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなど）などが例示できる。なお、水性溶媒は、水を主成分（例えば、水含有量５０〜１００重量％程度）とする溶媒であってもよい。
【００２２】
これらの酸化剤のうち、酸化能の高い酸化剤、例えば、過マンガン酸塩、過硫酸塩などを用いる場合が多い。
【００２３】
酸化剤の使用量は、グラファイトの酸化度に応じて選択でき、例えば、グラファイトの炭素原子１モルに対して、０．５〜５モル、好ましくは０．７〜２モル、さらに好ましくは０．９〜１．５モル（例えば、１〜１．２モル）程度であってもよい。
【００２４】
酸化反応は、酸化剤の存在下、グラファイトが分散した水性媒体中、例えば２０〜１００℃、好ましくは３０〜７５℃、さらに好ましくは４０〜６０℃程度の温度で行うことができる。なお、反応は撹拌下で行うことができ、通常、大気又は空気中、必要であれば、不活性雰囲気中で行ってもよい。
【００２５】
酸化反応の後、生成した水性分散液を超音波処理して単層又は多層に剥離させ、単層酸化グラフェン又は多層酸化グラフェンを調製できる。なお、必要であれば、遠心分離により、単層酸化グラフェンを多層酸化グラフェン（２層酸化グラフェン、３層酸化グラフェンなどの多層酸化グラフェン）と分離してもよい。
【００２６】
前記酸化反応により、酸化グラフェンには、カルボニル基、ホルミル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、エポキシ基などの酸素含有官能基が生成してもよい。
【００２７】
本発明の硫黄含有酸化グラフェンにおいて、酸化グラフェンは、後述するように、還元処理により部分的に還元されたグラフェン（部分酸化グラフェン）であってもよい。酸化グラフェンを還元することにより、導電性をさらに向上でき、導電性グラフェンを調製できる。
【００２８】
本発明の硫黄含有酸化グラフェンにおいて、酸化グラフェンには、硫黄原子がドープされている。特に、本発明の硫黄含有酸化グラフェンにおいて、硫黄原子は、前記酸化グラフェンを構成する炭素原子と化学結合又は共有結合（Ｃ−Ｓ−Ｃ結合、Ｃ−ＳＯＸ−Ｃ結合）しているため、前記酸化グラフェンの表面に均一に硫黄原子をドープでき、導電性を向上できるとともに、硫黄原子の脱離も抑制できる。
【００２９】
［硫黄含有グラフェン］
本発明の硫黄含有グラフェンは、還元処理により完全に還元されており、グラフェンに硫黄原子がドープされている。硫黄含有グラフェンにおいても、硫黄原子は、前記グラフェンを構成する炭素原子と化学結合又は共有結合（Ｃ−Ｓ−Ｃ結合、Ｃ−ＳＯＸ−Ｃ結合）しているため、前記グラフェンの表面に均一に硫黄原子をドープでき、導電性を向上できるとともに、硫黄原子の脱離も抑制できる。
【００３０】
［硫黄含有（酸化）グラフェンの特性］
本発明の硫黄含有酸化グラフェンのうち、還元処理されていない硫黄含有酸化グラフェンにおいて、硫黄原子の原子割合は、酸化グラフェンを構成する炭素原子に対して１〜１５％であってもよく、例えば１．５〜１０％、好ましくは２〜５％、さらに好ましくは３〜５％程度である。硫黄原子の割合が少なすぎると、導電性が低下する虞があり、多すぎると、製造が困難となる虞がある。
【００３１】
還元処理された硫黄含有（酸化）グラフェン（導電性グラフェン）において、硫黄原子の原子割合は、酸化グラフェン（又はグラフェン）を構成する炭素原子に対して１〜３０％であってもよく、例えば２〜２５％、好ましくは３〜２０％、さらに好ましくは３．５〜１５％（特に４〜１０％）程度である。硫黄原子の割合が少なすぎると、導電性が低下する虞があり、多すぎると、製造が困難となる虞がある。
【００３２】
なお、本発明では、硫黄原子の割合は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ：X-ray Photoelectron Spectroscopy）や元素分析（ＣＨＮＯ）により測定された硫黄元素の含有量で規定される。
【００３３】
本発明の硫黄含有（酸化）グラフェンは、硫黄原子がドープされていればよく、還元処理されていない硫黄含有酸化グラフェンであってもよいが、導電性を向上できる点から、還元処理された硫黄含有（酸化）グラフェンが好ましい。還元処理されていない硫黄含有（酸化）グラフェンの酸化度は７０重量％以下であればよく、例えば１〜６０重量％（例えば５〜６０重量％）、好ましくは１〜４０重量％、さらに好ましくは１〜３０重量％程度である。酸化度が大きすぎると、導電性が低下する虞がある。
【００３４】
本発明の硫黄含有（酸化）グラフェンの表面抵抗は１×１０７Ω／□以下（例えば５Ω／□〜１×１０７Ω／□）であり、特に還元処理されていない硫黄含有酸化グラフェンの表面抵抗は１×１０６Ω／□以下（例えば５Ω／□〜１×１０６Ω／□）であってもよく、例えば１×１０５Ω／□以下、好ましくは５×１０４Ω／□以下、さらに好ましくは１×１０４Ω／□以下（特に５×１０３Ω／□以下）であってもよい。
【００３５】
還元処理された硫黄含有（酸化）グラフェンの表面抵抗は５０Ω／□以下であってもよく、例えば１〜４０Ω／□、好ましくは２〜３０Ω／□、さらに好ましくは３〜２０Ω／□（特に５〜１０Ω／□）程度であってもよい。
【００３６】
硫黄含有（酸化）グラフェンの厚みは、ナノメータサイズ、例えば１〜１００ｎｍ、好ましくは１．５〜５０ｎｍ（例えば１．８〜３０ｎｍ）、さらに好ましくは１．５〜１０ｎｍ（例えば１．８〜５ｎｍ）程度であってもよく、原子１層の厚み又は複数層（例えば２〜１０層、特に２〜５層程度）の厚みを有していてもよい。硫黄含有（酸化）グラフェンは、炭素原子１個の厚みを有する単層構造であってもよく、複数の単層硫黄含有（酸化）グラフェンが所定の間隔で重なり合った多層（例えば２〜１０層、好ましくは２〜５層）構造であってもよい。
【００３７】
硫黄含有（酸化）グラフェンの面方向の平均径は、０．１〜１０００μｍ程度の範囲から選択してもよく、例えば１〜５００μｍ（例えば５〜３００μｍ）、好ましくは５〜１００μｍ（例えば１０〜１００μｍ）程度であり、５〜５０μｍ（例えば１０〜３０μｍ）程度であってもよい。なお、硫黄含有（酸化）グラフェンの厚みの測定には、電子顕微鏡、顕微ラマン分光器、原子間力顕微鏡などが利用でき、硫黄含有（酸化）グラフェンの平均径の測定には、電子顕微鏡、光学顕微鏡などが利用できる。なお、異形の硫黄含有（酸化）グラフェンにおいて、平均径は、各導電性グラフェンについて長軸径と短軸径との平均値を算出し、１００個程度の導電性グラフェンの平均値について加算平均することにより算出できる。
【００３８】
［硫黄含有（酸化）グラフェンの製造方法］
本発明の硫黄含有酸化グラフェンは、酸化グラフェン及び硫黄含有化合物を含むスラリーを液中プラズマ（ソリューションプラズマ）処理して酸化グラフェンに硫黄原子をドープするドープ工程を経て得られる。
【００３９】
ドープ工程において、硫黄含有化合物としては、高分子化合物であってもよいが、硫黄原子のドープのし易さの点から、低分子化合物が好ましい。
【００４０】
低分子硫黄含有化合物としては、例えば、無機硫黄含有化合物（硫酸、硫化水素、二酸化硫黄など）、有機硫黄含有化合物（メタンチオールなどのチオール類、ジメチルスルフィドやメチオニンなどのスルフィド類、メルカプト酢酸などのメルカプトカルボン酸、メタンスルホン酸などのアルカンスルホン酸、トルエンスルホン酸などのアリールスルホン酸、ジメチルスルホキシドなどのアルキルスルホキシド類、チオ尿素などのチオ尿素類など）などが挙げられる。これらの低分子硫黄含有化合物は、単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。
【００４１】
これらの低分子硫黄含有化合物のうち、取り扱い性などの点から、アルキルスルホキシド類が好ましい。アルキルスルホキシド類としては、例えば、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、メチルエチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのジＣ１−４アルキルスルホキシドなどが挙げられる。これらのアルキルスルホキシド類のうち、硫黄含量が多く、硫黄をドープし易い点から、ＤＭＳＯなどのジＣ１−２アルキルスルホキシド（特にＤＭＳＯ）が特に好ましい。
【００４２】
硫黄含有化合物の割合は、酸化グラフェン１重量部に対して１重量部以上（例えば１〜１０００重量部）であってもよく、例えば５〜５００重量部、好ましくは１０〜３００重量部、さらに好ましくは１５〜１００重量部（特に２０〜５０重量部）程度である。硫黄含有化合物の割合が少なすぎると、酸化グラフェンにドープできる硫黄原子の割合が低下する虞がある。
【００４３】
スラリーに含まれる溶媒の割合は、硫黄含有化合物１００重量部に対して１０重量部以上（例えば１０〜１００００重量部）であってもよく、例えば１００〜５０００重量部、好ましくは１５０〜１０００重量部、さらに好ましくは２００〜８００重量部（特に３００〜５００重量部）程度である。溶媒の割合が少なすぎると、酸化グラフェンにドープできる硫黄原子の割合が低下する虞がある。
【００４４】
溶媒は、水、有機溶媒のいずれでもよいが、硫黄原子のドープのし易さ、取り扱い性などの点から、水性媒体（例えば、前述のグラファイトの酸化工程で例示された水性媒体など）が好ましく、水が特に好ましい。スラリーは、酸化グラフェンの調製過程で得られた水性分散液であってもよい。
【００４５】
酸化グラフェンの割合は、スラリー全体に対して０．０１重量％以上であればよく、例えば０．０１〜１０重量％、好ましくは０．１〜５重量％、さらに好ましくは０．３〜３重量％（特に０．５〜１重量％）程度である。酸化グラフェンの割合が少なすぎると、生産性が低下する虞がある。
【００４６】
スラリーの液中プラズマ処理としては、慣用の液中プラズマ法（ソリューションプラズマ法）に基づく処理を利用でき、グロー放電によって液体中の気泡の中にプラズマを発生できる方法であれば特に限定ないが、通常、液中パルスプラズマ電源装置から高電圧パルス出力を電極に印加し、電極付近で沸騰した気泡内に液体の沸点以下のプラズマを発生させ、液体からラジカル種を生成する方法を利用できる。液中プラズマ法としては、例えば、特開２０１４−１５２０９５号公報に記載の方法を利用できる。
【００４７】
液中プラズマ法は、市販の液中プラズマ装置を用いることができ、端子間距離、端子間印加電圧、周波数、パルス幅などを調整することにより、硫黄原子のドープ率を調整できる。これらの条件は、硫黄含有化合物の種類や割合などに応じて適宜選択できるが、端子間距離は、例えば０．１〜１ｍｍ、好ましくは０．１５〜０．５ｍｍ、さらに好ましくは０．２〜０．４ｍｍ程度であってもよい。端子間印加電圧は、端子間に印加されるプラズマが発生する前の電圧で、例えば２０００〜１００００Ｖ、好ましくは３０００〜９０００Ｖ、さらに好ましくは４０００〜８０００Ｖ程度である。周波数は、例えば１〜３０ｋＨｚ、好ましくは１０〜３０ｋＨｚ、さらに好ましくは２０〜３０ｋＨｚ程度である。パルス幅は、例えば０．１〜４μｓ、好ましくは０．５〜４μｓ、さらに好ましくは１〜４μｓ程度である。処理時間は１分以上（例えば５〜１８０分）であってもよく、通常１０分以上（例えば１０〜２４０分）程度であるが、好ましくは２０分以上（例えば２０〜１８０分）、さらに好ましくは６０分以上（例えば６０〜１２０分）程度あってもよい。
【００４８】
このようにして生成した硫黄含有酸化グラフェン（硫黄原子がドープした酸化グラフェン）は、分離精製（例えば、洗浄、遠心分離など）により、回収できる。
【００４９】
ドープ工程を経て得られた硫黄含有酸化グラフェンは、さらに還元工程に供して導電性を向上させ、導電性グラフェン（硫黄含有部分酸化グラフェン又は硫黄含有グラフェン）を調製してもよい。
【００５０】
還元工程では、得られた硫黄含有酸化グラフェンに水性媒体（特に水）を添加してスラリーを調製し、キャストした後、乾燥した薄膜を還元処理に供してもよい。スラリーの濃度は、例えば０．１〜１０重量％（特に１〜５重量％）程度であってもよい。乾燥は、例えば３５〜６０℃（特に４０〜５０℃）程度の温度で加熱してもよく、さらに真空下で加熱してもよい。
【００５１】
還元工程において、還元方法としては、公知の還元方法、例えば、熱還元法、光還元法、還元剤（ヒドラジン水和物など）を用いる方法、電気化学的還元法などを利用できる。これらの還元方法のうち、熱還元法、光還元法などが汎用され、簡便性などの点から、熱還元法が好ましい。熱還元法では、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気下、１００℃以上温度、例えば１００〜３００℃、好ましくは１２０〜２８０℃、さらに好ましくは１５０〜２５０℃（特に１８０〜２２０℃）程度の温度で加熱して還元してもよい。
【実施例】
【００５２】
以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。なお、実施例及び比較例で得られた導電性グラフェンを以下の項目で評価した。
【００５３】
［硫黄原子の含有量及び結合状態、酸素原子含有量］
実施例及び比較例で得られた硫黄含有酸化グラフェンの硫黄原子の含有量及び結合状態、酸素原子の含有量については、以下の測定装置を用いて、以下の測定条件で測定した。
【００５４】
測定装置：Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｅｃｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  ＰＨＩ  ５８００  ＥＳＣＡ  Ｓｙｓｔｅｍ（アルバックファイ社製）
測定条件：Ａｌ  Ｍｏｎｏｃｈｒｏｌａｔｅｄ  ７ｍｍ  ｆｉｌａｍｅｎｔ  Ｋα線、絞り８００μｍφ、Ｘ線出力  ３５０Ｗ。
【００５５】
［表面抵抗］
評価用サンプルをロレスターＧＰ（（株）三菱アナリテック製）を用いて測定した。プローブとしては薄膜測定用のＰＳＰを用いた。
【００５６】
比較例１
（液中プラズマ処理）
イオン交換水２０ｇを、１重量％酸化グラフェンスラリー（（株）ＮＩＳＨＩＮＡ  ｍａｔｅｒｉａｌｓ製「ＲａｐＧＯ−１０」）８０ｇと混合攪拌し、液中パルスプラズマ装置（（株）栗田製作所製「ＭＰＰＨＶ０４」）を用いて、表１に示す条件で液中プラズマ処理を行った。反応後の温度は６１℃であった。
【００５７】
（精製スラリーの調製）
得られたプラズマ処理溶液を、遠心分離機（日立工機（株）製「ＣＲ２２Ｎ」）を用いて１０，０００Ｇで５分間遠心処理を行った後、上澄みを除去した。沈殿物にイオン交換水を添加して、再度、遠心処理した。この操作を３回繰り返し、精製スラリーを得た。
【００５８】
（評価用サンプル作成（還元前／後））
精製スラリーを約２重量％になるように稀釈し、ガラス基板にキャストし、ホットプレートを用いて４５℃で１時間乾燥させた。乾燥後、真空乾燥機を用いて４０℃で１２時間乾燥させた後、さらに窒素雰囲気下で室温から２００℃まで１時間かけて昇温し、還元サンプルを得た。
【００５９】
実施例１
イオン交換水の代わりに、同量のＤＭＳＯ（（株）和光純薬製）を用いて液中プラズマ処理（反応後の温度７１℃）する以外は比較例１と同様にして還元サンプルを得た。
【００６０】
実施例２
反応時間を３０分から９０分に変更して液中プラズマ処理（反応後の温度８４℃）する以外は実施例１と同様にして還元サンプルを得た。
【００６１】
実施例及び比較例で得られた還元前／後のサンプルを評価した結果を表１に示す。
【００６２】
【表１】
0006691782.tif 000002
【００６３】
表１の結果から明らかなように、比較例に比べて、実施例のサンプルは、硫黄ドープ量が多く、導電性も高い。
【００６４】
さらに、図１〜３に、比較例１及び実施例１〜２で得られた酸化グラフェン（還元前）のＸＰＳナロースペクトルを示し、さらに表２〜４に、それぞれの酸化グラフェン（還元前）について、このスペクトルから算出した原子割合及びＳ含有量を示すが、実施例１及び２のサンプルでは、Ｃ−Ｓ−Ｃ結合、Ｃ−ＳＯＸ−Ｃ結合の増加が確認できた。
【００６５】
【表２】
0006691782.tif 000003
【００６６】
【表３】
0006691782.tif 000004
【００６７】
【表４】
0006691782.tif 000005
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明の硫黄含有（酸化）グラフェンは、導電材料などのエレクトロニクス材料、リチウムイオン二次電池やキャパシタなどの電極材料（例えば、スーパーキャパシタ、燃料電池用電解質や電極など）、センサー構成部材、導電性断熱体、電磁場シールド材料、プリンター用導電ロール、超伝導電流リードなどの種々の分野に利用できる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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