(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液滴を提供する液滴生成器と、
ターゲット液滴を生成するように液滴を照射するための、先行パルス焦点面に関連付けられた先行パルスを提供し、前記ターゲット液滴を照射してプラズマ状態にするための、メインパルス焦点面に関連付けられたメインパルスを提供する、少なくとも１つのレーザ源と、
前記先行パルス及び前記メインパルスを集束させ、少なくとも１つの可変半径ミラーを備えるダイクロイックスプリッタモジュールと、
前記先行パルス焦点面と前記メインパルスの前記メインパルス焦点面との間の距離を調整すべく、前記少なくとも１つの可変半径ミラーの曲率半径を調整するために、前記少なくとも１つの可変半径ミラーに連結されたコントローラと、
を備える極端紫外線放射源であって、
前記極端紫外線放射源は、前記ダイクロイックスプリッタモジュールを通じて、チャンバに向かって、前記先行パルス焦点面から特定距離においてビーム直径を有するメインパルスを伝播させるように構成され、
前記極端紫外線放射源は、前記ビーム直径を示す値セット、及び、前記可変半径ミラーの前記曲率半径を示す値セットを示し、前記可変半径ミラーの前記曲率半径を示す前記値セットに対する前記ビーム直径を示す前記値セットの１対１マッピングを提供するデータ構造を記憶するメモリをさらに備え、
前記コントローラは、前記メモリ内の前記１対１マッピングに基づいて前記曲率半径を調整する、極端紫外線放射源。
【請求項２】
前記コントローラは、さらに、前記先行パルス焦点面からの特定距離において、前記メインパルスのビーム直径についての所望の値に基づき、前記少なくとも１つの可変半径ミラーの前記曲率半径を初期値に設定する、請求項１に記載の極端紫外線放射源。
【請求項３】
前記コントローラは、さらに、
前記初期値に設定された前記曲率半径に基づく前記メインパルスを提供するために、前記少なくとも１つのレーザ源を動作させ、
前記先行パルス焦点面からの前記特定距離において、前記メインパルスの前記ビーム直径に対応する測定値を提供するために、波面センサで前記メインパルスを測定し、
前記初期値及び前記測定値に基づき、前記少なくとも１つの可変半径ミラーの前記曲率半径を調整する、請求項２に記載の極端紫外線放射源。
【請求項４】
前記少なくとも１つの可変半径ミラーの前記曲率半径を設定することは、前記少なくとも１つの可変半径ミラーに付与される流体の圧力を設定することを含む、請求項２に記載の極端紫外線放射源。
【請求項５】
前記少なくとも１つのレーザ源は、前記先行パルスを提供する第１のレーザ源と、前記メインパルスを提供する第２のレーザ源と、を備える、請求項１に記載の極端紫外線放射源。
【請求項６】
前記ダイクロイックスプリッタモジュールは、さらに、
前記メインパルスを前記少なくとも１つの可変半径ミラーに反射させる第１のダイクロイックスプリッタと、
前記メインパルスが前記少なくとも１つの可変半径ミラーに反射された後、前記メインパルスを前記ターゲット液滴に向かって反射する第２のダイクロイックスプリッタと、
を備える、請求項１に記載の極端紫外線放射源。
【請求項７】
ＥＵＶ光を生成するように構成されたチャンバへのレーザビームの提供方法であって、
第１のダイクロイックスプリッタ、第２のダイクロイックスプリッタ、及び曲率半径を有する可変半径ミラーを備えたダイクロイックスプリッタモジュールを通じて、前記チャンバに向かって、前記チャンバ内に先行パルス焦点面を有する先行パルスを伝播させることと、
前記ダイクロイックスプリッタモジュールを通じて、前記チャンバに向かって、前記先行パルス焦点面から特定距離においてビーム直径を有するメインパルスを伝播させることであって、前記可変半径ミラーで前記メインパルスを反射すること、及び、前記第２のダイクロイックスプリッタで前記メインパルスを反射することを備えることと、
前記可変半径ミラーの前記曲率半径を示す値セットのために、前記特定距離における前記ビーム直径を示す値セットを提供すべく、前記メインパルスを測定することと、
メモリ内に、前記ビーム直径を示す値セット、及び、前記可変半径ミラーの前記曲率半径を示す値セットを示し、前記可変半径ミラーの前記曲率半径を示す前記値セットに対する前記ビーム直径を示す前記値セットの１対１マッピングを提供するデータ構造を記憶することと、
を含む、方法。
【請求項８】
前記データ構造に基づき、前記可変半径ミラーの前記曲率半径を初期値に設定することをさらに備える、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ビーム直径に対する所望の値に基づき、前記可変半径ミラーの前記曲率半径を前記初期値に設定することをさらに備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
極端紫外線放射を提供するために前記チャンバ内のターゲット液滴をプラズマ状態に変換するときの所望のパワーノードに基づき、前記可変半径ミラーの前記曲率半径を前記初期値に設定することをさらに備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記チャンバ内の複数のターゲット液滴に、前記可変半径ミラーの前記曲率半径設定後に発生する種々の時間インスタンスにおける前記メインパルスを提供することをさらに備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記先行パルス焦点面からの前記特定距離における前記メインパルスの前記ビーム直径に対応する測定値を提供するために、波面センサで前記メインパルスを測定することと、
前記曲率半径の前記初期値及び前記測定値に基づき、前記少なくとも１つの可変半径ミラーの前記曲率半径を調整することと、
をさらに備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記チャンバ内の前記複数のターゲット液滴に、前記少なくとも１つの可変半径ミラーの前記曲率半径を調整した後に発生する種々の時間インスタンスにおける前記メインパルスを提供することをさらに備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ＥＵＶ光を生成するように構成されたチャンバへのレーザビームの提供方法であって、
第１のダイクロイックスプリッタ、第２のダイクロイックスプリッタ、第１の曲率半径を有する第１の可変半径ミラー、及び第２の曲率半径を有する第２の可変半径ミラーを備えたダイクロイックスプリッタモジュールを通じて、前記チャンバに向かって、前記チャンバ内に先行パルス焦点面を有する先行パルスを伝播させることと、
前記ダイクロイックスプリッタモジュールを通じて、前記チャンバに向かって、前記先行パルス焦点面から特定距離においてビーム直径を有するメインパルスを伝播させることであって、前記第１のダイクロイックスプリッタで前記メインパルスを反射すること、第１の可変半径ミラー及び第２の可変半径ミラーで前記メインパルスを反射すること、及び、前記第２のダイクロイックスプリッタで前記チャンバに向かって前記メインパルスを反射することを備えることと、
前記第１の可変半径ミラーの前記第１の曲率半径を示す値セットの群に対して、前記特定距離における前記ビーム直径を示す値セットの群を提供するために、前記メインパルスを測定することであって、前記ビーム直径を示す各値セット及び前記第１の曲率半径を示す各値セットは、前記第２の可変半径ミラーの前記第２の曲率半径を示す値セットによってインデックス化することと、
メモリ内に、前記ビーム直径を示す値セット、及び、前記第１の可変半径ミラーの前記第１の曲率半径を示す値セットの群を示すデータ構造を記憶することと、
を含む、方法。
【請求項１５】
前記第１の可変半径ミラーの前記第１の曲率半径を示す値セットの群は、前記第１の可変半径ミラーの前記第１の曲率半径を示す値の１セットからなる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記データ構造は、各１対１マッピングの群を示し、前記ビーム直径を示す値セットの群における値セットと、前記第１の可変半径ミラーの前記第１の曲率半径を示す値セットの群における値セットと、の間の１対１マッピングの群における各１対１マッピングは、前記第２の可変半径ミラーの前記第２の曲率半径を示す値のセットによってインデックス化される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記データ構造に基づき、前記第１の可変半径ミラーの前記第１の曲率半径を第１の初期値に設定することと、
前記データ構造に基づき、前記第２の可変半径ミラーの前記第２の曲率半径を第２の初期値に設定することと、
をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記ビーム直径に対する所望の値に基づき、前記第１の可変半径ミラーの前記第１の曲率半径を前記第１の初期値に設定することと、
前記ビーム直径に対する前記所望の値に基づき、前記第２の可変半径ミラーの前記第２の曲率半径を前記第２の初期値に設定することと、
をさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記チャンバ内のターゲット液滴をプラズマ状態に変換して極端紫外線放射を提供するときの所望のパワーノードに基づき、前記第１の可変半径ミラーの前記第１の曲率半径を前記第１の初期値に設定し、前記第２の可変半径ミラーの前記第２の曲率半径を前記第２の初期値に設定することをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１の可変半径ミラーの前記第１の曲率半径の設定後に発生する種々の時間インスタンスにおける前記メインパルスを、前記チャンバ内の複数のターゲット液滴に提供することをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記先行パルス焦点面からの前記特定距離における前記メインパルスの前記ビーム直径に対応する測定値を提供するために、波面センサで前記メインパルスを測定することと、
前記曲率半径の前記第１の初期値及び前記測定値に基づき、前記第１の可変半径ミラーの前記第１の曲率半径を調整することと、
を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
前記第１の可変半径ミラーの前記第１の曲率半径の調整後に発生する種々の時間インスタンスにおける前記メインパルスを、前記チャンバ内の複数のターゲット液滴に提供することをさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本願は、２０１４年１２月１６日に米国特許庁に出願された米国出願番号６２／０９２４９３の、共通所有者の仮特許出願である表題「Ｖａｒｉａｂｌｅ  Ｒａｄｉｕｓ  Ｍｉｒｒｏｒ  Ｄｉｃｈｒｏｉｃ  Ｂｅａｍ  Ｓｐｌｉｔｔｅｒ  Ｍｏｄｕｌｅ  ｆｏｒ  Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  Ｓｏｕｒｃｅ」の米国特許法第１１９条（ｅ）に基づく優先権を主張するものであり、その内容が参照としてここに組み込まれる。
【０００２】
[0001]  本開示の実施形態は、光学システム及びレーザ光源に関連し、特に、レーザ光源の光学調整に関連する。
【背景技術】
【０００３】
[0002]  半導体リソグラフィのための効率的且つ信頼性のあるＥＵＶ（極端紫外線）放射源の開発は、活気のある研究領域である。１つのアプローチにおいて、ＣＯ２レーザ等のレーザ源は、各液滴がプラズマ状態に加熱されるように、スズ（Ｓｎ）の液滴を照射する。スズプラズマによって生成される放射には、約１３．５ｎｍの波長の放射が含まれる。その他の波長の放射が濾過によって除去されることにより、種々のリソグラフィステップが１３．５ｎｍの波長で実施されてもよいように、ＥＵＶ光源を提供してもよい。このような光源は、ＬＰＰ（レーザ生成プラズマ）ＥＵＶ放射源と称される。
【０００４】
[0003]  図１は、ＬＰＰ  ＥＵＶ放射源１００のコンポーネントの一部を示す簡略図である。液滴生成器１０２は、放射の先行パルスによって照射された溶融スズ滴を提供するが、これは先行パルス１０６内のスズ液滴１０４として図示されている。実施形態は、照射材料として、スズに限定されるものでないことが理解されなければならない。先行パルス１０６は、ターゲットが放射のメインパルスエネルギーをより良好に吸収し、メインパルスでスズをプラズマ状態に加熱するように、スズ液滴がターゲットとなるように成形及び拡大するか、又は先行パルス１０６がスズのうちの一部又は全部をプラズマ状態に加熱するのに十分である場合には、スズをプラズマ状態に変換する。
【０００５】
[0004]  例えば、先行パルス１０６によって成形された後のスズ液滴１０４は、参照座標系１１０のｚ軸に対して傾斜した平坦化ディスクとして示される、スズターゲット１０８で表される。スズターゲット１０８は、スズターゲット１０８の照射を図示するために、メインパルス１１２内に示されている。コレクタ１１４は、スズプラズマによって生成されたＥＵＶ放射を、ＥＵＶ放射がリソグラフィツール（図示せず）に提供される何らかの中間焦点に集束させる。
【０００６】
[0005]  図１の特定の例において、先行パルス１０６は、先行パルスレーザ１１６と称される、レーザ発振器によって生成される。先行パルスレーザ１１６の出力は、１つ以上のミラー１２０と１つ以上のダイクロイックスプリッタ１２２とにより、１つ以上のパワーアンプ１１８に提供される。メインパルス１１２は、メインパルスレーザ１２４と称されるレーザ発振器によって生成される。メインパルスレーザ１２４の出力も、１つ以上のパワーアンプ１１８に提供される。
【０００７】
[0006]  図１の特定例において、先行パルスレーザ１１６の波長は、メインパルスレーザ１２４の波長とは異なり、１つ以上のダイクロイックスプリッタ１２２により、先行パルスレーザ１１６及びメインパルスレーザ１２４の出力を１つ以上のパワーアンプ１１８に適正に供給できるようにする。先行パルス１０６及びメインパルス１１２は、各々、コレクタ１１４における開口を通じて、スズ液滴１０４及びスズターゲット１０８に誘導される。ｚ軸に対するスズターゲット１０８の傾斜により、スズターゲット１０８から出てコレクタ１１４の開口を通じて１つ以上のパワーアンプ１１８に戻る、メインパルス１１２の反射を緩和するのを助ける。パワーアンプ１１８の出力の一部は、パワーアンプ１１８の出力が測定されてもよいように、スプリッタ１１５を出てパワーメータ１１７に反射される。
【０００８】
[0007]  スズプラズマによって生成されるＥＵＶ放射の吸収を緩和するには、スズ液滴の照射を低圧力に保持されたチャンバ１１９内で生じさせるが、低圧とは真空と称されてもよい。従って、真空中で、最終焦点モジュール１２１等、先行パルス１０６及びメインパルス１１２をスズに提供するためのいくつかのモジュールが利用されるため、チャンバ１１９内に示される。その他のモジュールが通常の大気圧下で利用されてもよい。チャンバ１１９のウィンドウ１２３は、通常の大気圧下で、チャンバ１１９とその他のモジュールとの間の光インタフェースとして機能し、最終焦点モジュール１２１に提供される先行パルス１０６及びメインパルス１１２が通常の大気圧下でモジュールを動作させることによって生成されてもよいようにする。
【０００９】
[0008]  図示を簡易化するため、先行パルス１０６及びメインパルス１１２を集束させ、且つ、進行させるためのチャンバ１１９外部のモジュールを、ビーム進行及び集束モジュール１２６としてまとめて示す。１つ以上のレーザ発振器のその他の構造及び配置を利用して、先行パルス１０６及びメインパルス１１２をスズに提供してもよい。例えば、先行パルス１０６及びメインパルス１１２の生成には、単一のシードレーザが使用されてもよい。ＥＵＶ放射の生成に重要なすべてのコンポーネントは示されていない。例えば、図１中、チャンバ１１９からガスを退避させるポンプ、レーザ発振器の制御部、照射されたスズからの残渣の影響を緩和するためのモジュールは示されていない。
【００１０】
[0009]  ビーム進行及び集束モジュール１２６には、矢印１２９により、拡張形態で示されたダイクロイックスプリッタモジュール１２８が含まれる。ラベル「ＭＰ」は、メインパルスを指し、ラベル「ＰＰ」は、先行パルスを指す。２つのダイクロイックスプリッタ１３０及び１３２により、先行パルス１０６を、ダイクロイックスプリッタモジュール１２８を通じてスズ液滴１０４に通過させる。ダイクロイックスプリッタ１３０、ミラー１３４、ミラー１３６、及びダイクロイックスプリッタ１３２の組み合わせにより、メインパルス１１２をスズターゲット１０８に向かって反射する。ミラー１３６のダイクロイックスプリッタ１３２への相対的配向により、メインパルス１１２を、先行パルス１０６とは異なる方向に進行させる。ミラー１３４及び１３６の一方又は双方は、スズ液滴１０４に対するスズターゲット１０８の変位を考慮に入れるため、メインパルス１１２の焦点が先行パルス１０６とは異なる焦点面にくるように屈曲してもよい。
【００１１】
[0010]  ビーム進行及び集束モジュール１２６には、最終焦点計測モジュール１３１が含まれる。先行パルス１０６及びメインパルス１１２の端数部分は、ウィンドウ１２３から出るように反射され、先行パルス１０６及びメインパルス１１２の種々の計測機能及び診断機能が実施されてもよいように、ミラー１３３によって最終焦点計測モジュール１３１に誘導される。最終焦点計測モジュール１３１には、メインパルス１１２の波面内の種々の点における強度及び位相を測定するための波面センサ１３５が含まれる。ビーム進行及び集束モジュール１２６は、その他の光学機器を含んでもよいが、簡易さのため、ダイクロイックスプリッタモジュール１２８、最終焦点計測モジュール１３１、及びミラー１３３のみを示す。
【００１２】
[0011]  図２は、図１のスズ液滴１０４及びスズターゲット１０８の図をさらに詳しく示すものである。効率的な使用が照射パワーからなり、且つ、結果として得られるプラズマの温度が所望の変換効率を維持する何らか特定の最適温度に近くなるように、スズ液滴１０４及びスズターゲット１０８を照射することが望ましいこともある。変換効率は、スズプラズマによって生成されるＥＵＶ放射エネルギーの、メインパルス１１２の生成のために要求されるエネルギーに対する比率として規定されてもよい。
【００１３】
[0012]  変換効率を何らかの特定レベルに維持するために、メインパルス１１２が何らかの特定の一定の（又は、ほぼ一定の）放射照度でスズターゲット１０８を照射しなければならないと予期される。それ故、前記スズ液滴１０８の位置におけるメインパルス１１２のビーム直径は、メインパルス１１２に表されるスズ液滴１０８の表面積と同等でなければならないと予期され、放射照度は、何らかの特定レベルである。（何らかの位置におけるビーム直径も、その位置におけるコースティック直径、又は、単にコースティックとも称されることがある）。従って、先行パルス焦点面２０２は、先行パルス１０６のビームウェストに交差する面とみなされてもよいが、スズ液滴１０４が照射される位置と合致しなくてもよい。同様に、メインパルス焦点面２０４は、メインパルス１１２のビームウェストに交差する面とみなされてもよいが、スズターゲット１０８が照射される位置と合致しなくてもよい。
【００１４】
[0013]  図２に示される通り、スズ液滴１０４が照射される箇所からスズターゲット１０８が照射される箇所まで、ｘ軸に沿う変位Δｘが存在する。変位Δｘは、時間経過で変動してもよく、スズ液滴１０４のサイズと、ｘ軸に沿ったその加工速度とに応じて決まってもよい。スズ液滴１０４は、液滴生成器１０２から放出される多数のより小さな液滴で形成されてもよく、これらのより小さな液滴のうちの１つ以上がスズ液滴１０４と合体する。スズ液滴１０４が照射される箇所からスズターゲット１０８が照射される箇所まで、ｚ軸に沿う変位Δｚも存在する。変位Δｚは、部分的に、スズ液滴１０４を照射及び加熱することにより、スズ液滴１０４のサイズ及びその下降速度によって決まってもよい。それ故、変位Δｚは、時間経過で変動してもよい。
【００１５】
[0014]  図２は、ビームがスズ液滴１０４又はスズターゲット１０８のサイズに完璧に合致した有限プロファイルを有するものとして示されて理想化されている。実際には、ビームは、放射照度の大部分がスズ液滴１０４又はスズターゲット１０８で妨害されるプロフファイルを有する。
【００１６】
[0015]  スズターゲット１０８を照射することによって形成されたスズプラズマの結果として得られるＥＵＶ放射パワーは、多くの変数の中でも、スズ液滴１０４及びスズターゲット１０８のサイズ、スズ液滴生成率を含んでもよい変数によって決まってもよい。従って、変位Δｘ及びΔｚは、ＬＰＰ  ＥＵＶ放射源１００のパワー動作ノードによって決まり、先行パルス焦点面２０２及びメインパルス焦点面２０４の位置がパワー動作ノードに応じて調整される必要があってもよい。しかしながら、現在利用可能なＬＰＰ  ＥＵＢ光源では、焦点面を再配置するように光学調整するのは、高価であり、時間が掛かってしまう。
【発明の概要】
【００１７】
[0028]  １つ以上の実施形態において、本発明は、液滴を提供する液滴生成器と、ターゲット液滴に提供するように液滴を照射するために、焦点面を有する先行パルスを提供し、ターゲット液滴をプラズマ状態に照射するために、焦点面を有するメインパルスを提供する少なくとも１つのレーザ源と、先行パルス及びメインパルスを集束させ、少なくとも１つの可変半径ミラーを備えるダイクロイックスプリッタモジュールと、先行パルスの焦点面及びメインパルスの焦点面の間の距離を調整するために、少なくとも１つの可変半径ミラーの曲率半径を調整すべく、少なくとも１つの可変半径ミラーに連結されたコントローラと、を備える極端紫外線放射源に関する。
【００１８】
[0029]  他の実施形態において、本発明は、レーザビームをＥＵＶ光生成チャンバに提供する方法であって、第１のダイクロイックスプリッタ、第２のダイクロイックスプリッタ、及び曲率半径を有する可変半径ミラーを備えるダイクロイックスプリッタモジュールを通じて、チャンバに向かって、チャンバ内に焦点面を有する先行パルスを伝播することと、ダイクロイックスプリッタモジュールを通じて、チャンバに向かって、先行パルスの焦点面から特定距離においてビーム直径を有するメインパルスを伝播させることであって、メインパルスを可変半径ミラーで反射すること、及び、メインパルスを第２のダイクロイックスプリッタでチャンバに向かって反射することを備えることと、可変半径ミラーの曲率半径を示す値セットに対して、特定距離におけるビーム直径を示す値セットを提供するために、メインパルスを測定することと、メモリ内に、ビーム直径を示す値セット及び可変半径ミラーの曲率半径を示す値セットを示し、可変半径ミラーの曲率半径を示す値セットにビーム直径を示す値セットの１対１マッピングを提供するデータ構造を記憶することと、を備える方法に関する。
【００１９】
[0030]  さらに他の実施形態において、本発明は、ＥＵＶ光生成チャンバにレーザビームを提供する方法であって、第１のダイクロイックスプリッタ、第２のダイクロイックスプリッタ、第１の曲率半径を有する第１の可変半径ミラー、及び第２の曲率半径を有する第２の可変半径ミラーを備えるダイクロイックスプリッタモジュールを通じて、チャンバに向かって、チャンバ内に焦点面を有する先行パルスを伝播させることと、ダイクロイックスプリッタモジュールを通じて、チャンバに向かって、先行パルスの焦点面からの特定距離においてビーム直径を有するメインパルスを伝播させることであって、第１のダイクロイックスプリッタでメインパルスを反射すること、第１の可変半径ミラー及び第２の可変半径ミラーでメインパルスを反射すること、及び第２のダイクロイックスプリッタでチャンバに向かってメインパルスを反射することを備えることと、第１の可変半径ミラーの第１の曲率半径を示す値セットの群のために、特定距離におけるビーム直径を示す値セットの群を提供すべく、メインパルスを測定することであって、ビーム直径を示す各値セット及び第１の曲率半径を示す各値セットは、第２の可変半径ミラーの第２の曲率半径を示す値セットによってインデックス化されることと、メモリ内に、ビーム直径を示す値セットの群及び第１の可変半径ミラーの第１の曲率半径を示す値セットの群を示すデータ構造を記憶することと、を備える方法に関する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
[0016]  本発明を、添付の図面における図において例示として説明するが、限定を意図するものでなく、同様の参照符号は同様の要素を示す。
【００２１】
【図１】[0017]  極端紫外線放射源の種々のコンポーネントを示す。
【図２】[0018]  図１の極端紫外線放射源の一部をより詳細に示す。
【図３】[0019]  一実施形態に係るビーム進行及び集束モジュールを示す。
【図４】[0020]  一実施形態に係る可変半径ミラーを設定するためのフロー図を示す。
【図５】[0021]  何らかの特定光学モデル及びＶＲＭの較正曲線及びテーブルを示す。
【図６】[0022]  可変半径ミラーの曲率半径の微調整を示す。
【図７】[0023]  一実施形態に係る２つの可変半径ミラーを設定するためのフロー図を示す。
【図８】[0024]  何らかの特定光学モデルと２つのＶＲＭとの較正曲線及びテーブルの群を示す。
【図９Ａ】[0025]  ＣＯ２駆動レーザへの順方向パワー、拒絶（又は反射）パワー、及び４１０ミクロンの分離距離に対する結果としてのＵＶ生成の一例としてのグラフを示す。
【図９Ｂ】[0026]  ＣＯ２駆動レーザへの順方向パワー、拒絶（又は反射）パワー、及び４９５ミクロンの分離距離に対する結果としてのＵＶ生成の一例としてのグラフを示す。
【図１０Ａ】[0027]  本発明の実施形態に係る、ＥＵＶ生成のための最適ターゲットサイズの判定を行うための手順を示す。
【図１０Ｂ】[0027]  本発明の実施形態に係る、ＥＵＶ生成のための最適ターゲットサイズの判定を行うための手順を示す。
【００２２】
[0031]  以降、添付の図面に示されるいくつかの実施形態を参照して、本発明を詳細に説明する。以下の説明では、本発明を完全に理解させるために、多数の特定の詳細について記載する。しかしながら、当業者にとって、本発明は、これらの特定の詳細の一部又は全部を伴うことなく実施されてもよいことが明らかであろう。場合によっては、本発明を不要に曖昧にしてしまうことを防ぐため、周知のプロセスステップ及び／又は構造は詳細に説明を行っていない。
【００２３】
[0032]  以下の説明において、「いくつかの実施形態」という用語の範囲は、１つを上回る数の実施形態を意味することに限定されず、むしろ、その範囲には、１つの実施形態、１つを上回る数の実施形態、又は恐らく、すべての実施形態が含まれてもよい。
【００２４】
[0033]  例えば、８０Ｗ、１２５Ｗ、及び３５０Ｗのパワーノード等、いくつかのパワーノードにおいてＬＰＰ  ＥＵＶ放射源を動作させることが望ましいこともあり、変換効率は、各パワーノードで特定の値に、又は特定の値付近に維持される。特定のパワーノードで動作させることは、スズターゲット１０８のサイズ（これは、スズ液滴１０４のサイズによって決まる）を適正に調整し、スズターゲット１０８の放射照度を何らかの特定値に維持しつつ、メインパルス１１２のパワー及びパルス形状を適正に調整することにより、実現されてもよい。しかしながら、図２を参照して検討する通り、スズターゲット１０８の相対位置は、そのサイズと動作パワーノードによって決まる。
【００２５】
[0034]  さらに、いくつかの適用においては、時として、メインパルスパワーを低減した低減パワーノードでＬＰＰ  ＥＵＶ放射源を動作させることが望ましいこともある。例えば、ＬＰＰ  ＥＵＶ放射源が自己持続を経験するか、ＣＯ２メインパルスレーザに使用される無線周波数生成に関する問題を示すか、又は冷却効率の低減を示す期間が存在することもある。いくつかの実施形態では、ＬＰＰ  ＥＵＶ放射源が、あるピーク及び平均のメインパルス放射照度要件を満たすことが望ましい。不安定さを低減するには、スズターゲット１０８を出て１つ以上のパワーアンプ１１８に戻るメインパルス１１２の反射を緩和することも望ましい。
【００２６】
[0035]  上述の問題に照らすと、一実施形態では、経済効率の高いロバストな方法で、メインパルス１１２のメインパルス焦点面２０４及びビーム直径（又はコースティック）を調整することが望ましい。
【００２７】
[0036]  図３は、一実施形態に係るダイクロイックスプリッタモジュール３０２を示している。以前のように、ダイクロイックスプリッタ１３０及び１３２は、先行パルスからメインパルスを分離させるが、ミラー３０４及び３０６のうちの一方又は双方は、可変半径ミラーである。図３の特定実施形態においては、ミラー３０４及び３０６は、各々、可変半径ミラー（ＶＲＭ）として示されている。他の実施形態では、ミラー３０４及び３０６のうちの一方のみがＶＲＭであってもよい。例えば、一実施形態において、ミラー３０６がＶＲＭであってもよく、ミラー３０４が固定ミラーであってもよい。実施形態は、特定種別のＶＲＭに限定されるものでないが、例として、ペンシルバニア州サクソンバーグに本社を構えるＩＩ−ＶＩ社（登録商標）のＩＩ−ＶＩ赤外線部門から入手可能である。
【００２８】
[0037]  図３の実施形態において、アクチュエータ３０８は、圧力を付与することにより、ミラー３０４の曲率半径を調整する。アクチュエータ３０８は、水等の流体を受容する流路を備えてもよく、水圧により、ミラー３０４の曲率半径を判定する。同様の言及がミラー３０６とそれに対応するアクチュエータ３１０とにも適用される。アクチュエータ３０８及び３１０は、コントローラ３１２によって制御される。センサは、図示されていないが、ミラー３０４及びミラー３０６に含まれて、コントローラ３１２にフィードバックを提供してもよい。コントローラ３１２は、ソフトウェアプログラムの制御下にあるコンピュータを備えてもよい。
【００２９】
[0038]  ミラー３０４及び３０６のうちの一方又は双方について曲率半径を変動させることにより、効率的且つコスト効果の高い方法で、先行パルス焦点面２０２及びメインパルス焦点面２０４のうちの一方又は双方の位置を変動させる。以上に検討した通り、ビーム焦点を変動させることは、変換効率の安定性を向上し、種々のパワーノードを実施するのに有用である。さらに、先行パルス焦点面２０２及びメインパルス焦点面２０４の軸分離を変動させることにより、スズターゲット１０８を出て１つ以上のパワーアンプ１１８に戻るように反射されるレーザ放射を緩和して、ＥＵＶ安定性を向上する助けとなることもある。
【００３０】
[0039]  図４は、ＶＲＭの曲率半径を設定するためのフロー図を示しており、図４においては、簡易さのために、「ＶＲＭの半径」として参照されてもよい。まず、ステップ４０２、４０４、及び４０６は、較正テーブル（又は曲線）を生成するために以下のように使用されるが、この較正テーブルは、何らか特定の公称照射位置におけるＶＲＭの半径とメインパルスのビーム直径（コースティック）との間の関係を提供するものである。ステップ４０２において、ＶＲＭの曲率半径は、ミラー３０４又はミラー３０６のいずれのものであってもよいが、何らかの公称値に設定される。ステップ４０４において、メインパルスレーザ１２４は、図４中、駆動レーザと称されるが、スズ液滴を照射することなく動作される。例えば、液滴生成器１０２は、ステップ４０４中、オフにされてもよく、又はスズ液滴は、公称照射位置から十分に離れるように誘導されてもよい。ステップ４０６において、波面センサ１３５は、最終焦点モジュール１２１の適切な光学モデルとともに使用されて、先行パルス焦点面２０２に対する何らか特定の照射位置において、メインパルス１１２のビーム直径を得る。例えば、この位置は、先行パルス焦点面２０２から１５０ミクロンの距離と特定されてもよい。
【００３１】
[0040]  ステップ４０２、４０４、及び４０６は、ＶＲＭの半径の異なる値で多数回、実施され、ステップ４０８で較正テーブルを生成する。一旦較正テーブルが生成されると、先行パルス焦点面２０２から何らか特定の距離におけるＶＲＭの半径の値とメインパルス１１２の結果的なビーム直径との間で、マッピングが得られる。ＬＰＰ  ＥＵＶ放射源１００が何らか所望のパワーノードで動作される場合、所望のパワーノードに関連付けられたメインパルスのビーム直径が較正テーブルとともに使用されて、ＶＲＭの半径の初期値を提供する。
【００３２】
[0041]  所望のパワーノードに関連付けられたメインパルスビーム横断面直径の計算は、スズを照射し、パワーメータ１１７を使用してパワーアンプ１１８の出力のピークパワーを測定することなく、ＬＰＰ  ＥＵＶ放射源１００を動作させることによって実施されてもよい。メインパルスレーザ１２４のデューティサイクル及びメインパルス１１２のパルス持続時間を把握していれば、ビーム直径は、所望のパワーノードに関連付けられた、何らか既知の放射照度に基づいて計算されてもよい。例えば、何らか所望のパワーノードを提供するための実験により、Ｉ０ＧＷ／ｃｍ２の放射照度が既知である場合、所望の横断面直径は、断面積がＩ０ＧＷ／ｃｍ２で分割されるピークパワーに等しい場合の直径とみなされてもよい。この演算は、ＬＰＰ  ＥＵＶ放射源１００の現場作業に先立って実施されてもよい。特に、種々のパワーノードについて多数の演算が実施されてもよく、演算結果は、ルックアップテーブルに記憶されて、種々のパワーノードに対する所望のビーム直径を提供する。
【００３３】
[0042]  一旦較正テーブルが利用可能になると、ステップ４１０において、所望のパワーノードに対するＶＲＭの半径の初期値が得られてもよい。この初期値を微調整するために、ステップ４１２において、ＬＰＰ  ＥＵＶ放射源１００は、スズを照射することなく動作され、メインパルスの直径が測定される。ステップ４１４において、測定された直径と所望の直径とに基づき、ＶＲＭの半径が調整される。
【００３４】
[0043]  より一般的には、較正テーブル曲線は、先行パルス焦点面２０２からの何らかの特定距離（例えば、１５０ミクロン）におけるメインパルス１１２の横断面直径を、ＶＲＭのうちの一方又は双方の曲率半径を表す変数の関数として提供する。この変数は、ＶＲＭにその曲率半径を設定するために付与される圧力を表す、正規化圧力であってもよい。他の例として、この変数は、コントローラ３１２によってアクチュエータ３０８に提供される電圧であってもよい。あるいは、この変数は、コントローラ３１２内のレジスタに記憶された何らかの寸法を伴わない数であってもよく、ＶＲＭのうちの一方の曲率半径に対するレジスタ値の１対１マッピングが存在する。
【００３５】
[0044]  図５は、何らか特定の光学モデルとＶＲＭに対する理想化データ構造又は較正曲線５００を示しており、ＶＲＭの曲率半径を設定するためにＶＲＭに水圧が付与される。図５のｘ軸は、正規化圧力であり、図５のｙ軸は、メインパルスビーム横断面直径を提供する。例えば、何らかのパワーノードについて、メインパルスビーム１１２の所望の直径が３００ミクロンである場合、ｘ縦座標５０１で示される値は、所望の正規化圧力を提供する。較正曲線５００は、例えば、ルックアップテーブル等、先行パルス焦点面２０２から何らかの特定距離における、正規化圧力値（又は、それを示す何らかの変数）とビーム直径（又は、それを示す何らかの変数）とのセットをマッピングするデータ構造によって表されてもよい。
【００３６】
[0045]  ビームの所望の直径は、所望のパワーノードの関数である。テーブル（又は、その他のデータ構造）は、所望のメインパルスビーム直径に対する放射照度のマッピングを記憶してもよい。例えば、Ｉ０ＧＷ／ｃｍ２の放射照度に対するテーブル５０２の入力は、メインパルスビームの直径に対して３００ミクロンのサイズを示している。実際には、テーブル５０２と較正曲線５００が１つのテーブル（又は、その他のデータ構造）に組み合わせられて、ＶＲＭの曲率を示す何らかの変数に対する放射照度（又は、パワーノード）のマッピングを提供してもよい。
【００３７】
[0046]  ＶＲＭに関連付けられた曲率半径又は圧力に対する種々の値にてステップ４０２〜４２２を実施することにより、結果として、原則的に、較正曲線５００及びテーブル５０２が得られる。所望のパワーノードを得るために、メインビーム横断面直径の何らかの所望の値について、一旦曲率半径が較正曲線５００によって直接又は間接に提供されると、この曲率半径は、図４のステップ４２４に示される通り、微調整されてもよい。図６のフロー図は、ＶＲＭの曲率半径を微調整するための図４のステップ４２４を示している。図６の例において、関心対象変数は、ＶＲＭに関連付けられた正規化圧力であるが、以上に検討した通り、この変数は、代わりに、コントローラ３１２によって提供される信号又は寸法を伴わない変数であってもよく、このような信号又は寸法を伴わない変数と曲率半径との間に１対１マッピングが存在する。
【００３８】
[0047]  図６を参照すると、ステップ６０２は、初期正規化圧力Ｐが何らかの所望のメインパルス横断面直径Ｄから得られることを示している。例えば、何らかの所望のパワーノードについて、テーブル５０２及び較正曲線５００にアクセスし、その正規化圧力に対する初期値が得られてもよい。ＬＰＰ  ＥＵＶ放射源１００は、ＶＲＭの曲率半径を設定するためにこの正規化圧力を使用して、ターゲット液滴を照射することなく動作され、波面センサ１３５が、メインパルスの測定直径を得るのに適した光学モデルとともに使用される。この動作は、ステップ６０４で表されるが、Ｍ｛Ｐ｝は、正規化圧力Ｐを利用した上述の測定値を表し、ＤＭは、測定直径を表す。
【００３９】
[0048]  ステップ６０６は、補正値Δを提供し、関数|は、ビーム直径値Ｄ−ＤＭの差から補正値Δまでのマッピングを示す。例えば、マッピングは、単純な乗算であってもよく、補正値Δがビーム直径（所望のビーム直径Ｄで評価）に対する正規化圧力の導関数によって乗算した差Ｄ−ＤＭに比例し、比例定数は、補正のオーバーシュートを回避するため、１未満から選択されてもよい。すなわち、Δ＝α（∂Ｐ／∂Ｄ）（Ｄ−ＤＭ）である。この導関数は、較正曲線５００から推定されてもよい。
【００４０】
[0049]  ステップ６０８において、微調整が実施されるが、ここで補正値Δが正規化圧力の現在値に加算されて、正規化圧力の新たな値が提供される。図６のステップは、その後、正規化圧力に対する新たな値で矢印６１０に示される通り、反復されてもよい。
【００４１】
[0050]  いくつかの実施形態では、ミラー３０４及び３０６の双方がＶＲＭであってもよい。このような実施形態では、図４に示されるフロー図は、較正曲線又はテーブルの群を提供するように修正されてもよく、この群のうちの各曲線又はテーブルは、ミラー３０４及び３０６のうちの一方に付与される圧力（又は、曲率半径を示すその他の変数）に応じてインデックス化される。
【００４２】
[0051]  例えば、図７は、一実施形態に係るフロー図を提供する。ステップ７０２において、第１の曲率半径ｒ１は、ミラー３０４及び３０６のうちの一方に対して設定され、ＶＲＭ１と称され、第２の曲率半径ｒ２は、ミラー３０４及び３０６のうちの他方に対して設定され、ＶＲＭ２と称される。図７のステップ４０４及び４０６は、図４と同様である。ステップ７０４は、曲率半径のうちの他方、例えばｒ２を変動させつつ、較正曲線又はテーブルが生成される間、曲率半径のうちの一方、例えば、ｒ２が、固定されることを除いて、ステップ４０８と同様である。これにより、結果として、ｒ２でインデックス化された較正曲線又はテーブルが得られる。例えば、結果として得られるデータ構造は、Ｔａｂｌｅ（ｒ２）として示されてもよい。ステップ７０６において、曲率半径ｒ２が変動され、ステップ４０４、４０６、及び７０４は、曲率半径ｒ２の新たな値以外に対して再び実施される。このループを反復することにより、テーブルの群を生成し、各テーブルは、ｒ２でインデックス化される。すなわち、テーブルＴａｂｌｅ（ｒ２）の群を表すデータ構造が、種々のｒ２について生成される。
【００４３】
[0052]  図８は、何らかの特定の光学モデルと２つのＶＲＭについて４つの較正曲線８０１、８０２、８０３、及び８０４の群のデータ構造８００を示しており、水圧がＶＲＭに付与されてそれらの曲率半径を設定する。図８のｘ軸は、ミラー３０４及び３０６のうちの一方に付与される正規化圧力であり、図７中でＶＲＭ１と称されている。図８のｙ軸は、メインパルスビーム横断面直径を提供する。図５と同様に、何らかのパワーノードについては、メインパルスビーム１１２の所望の直径が３００ミクロンである場合、ｘ座標８０１ｘ、８０２ｘ、８０３ｘ、及び８０４ｘによって示される値セットが正規化圧力のセットを提供する。この正規化圧力のセットから、図７中、ＶＲＭ２と称される、ミラー３０４及び３０６のうちの２つ目について圧力を選択する。選択された圧力に対する特定値は、本開示の実施形態の材料でなく、因子及び考慮に応じて決まってもよい。例えば、圧力セットにおいて最低圧力が選択されてもよい。あるいは、圧力は、ＶＲＭに付与される圧力の差の絶対値を最小化するように選択されてもよい。
【００４４】
[0053]  較正曲線８００の群と、圧力セット中の圧力が選択される方法とが、例えば、ルックアップテーブル等、先行パルス焦点面２０２からの何らかの特定距離における正規化圧力値（又は、それらを示す何らかの変数）とビーム直径とのセットをマッピングした単一のデータ構造によって表されてもよい。図５を参照して検討した通り、ビームの所望の直径は、所望のパワーノードの関数である。テーブル（又は、その他のデータ構造）は、所望のメインパルスビーム直径に対する放射照度のマッピングを記憶してもよい。例えば、Ｉ０ＧＷ／ｃｍ２の放射照度に対するテーブル８０６の入力は、メインパルスビームの直径に対して３００ミクロンのサイズを示している。実際には、テーブル８０６と較正曲線８００の群は、圧力セットから所望の圧力を選択する方法とともに、１つのテーブル（又は、その他のデータ構造）に組み合わせられて、ＶＲＭの曲率半径を示す２つのタプルに対する放射照度（又は、パワーノード）のマッピングを提供する。
【００４５】
[0054]  ２つのＶＲＭのケースに対する微調整は、図６を参照して検討した通り、実施されてもよく、図６は、ＶＲＭのうちの一方に適用される。
【００４６】
[0055]  曲線８０１、８０２、８０３、及び８０４は、各々、異なる縦座標のセットを有してもよい。すなわち、ｒ１に対する値のセット（又は、曲率半径を示す圧力）が、異なる曲線について変動してもよい。この場合、メインパルス直径に対する値セットの群と、ｒ１に対する値セットの群（又は、例えば、圧力）が存在し、メインパルス直径に対する値セットの群における各セットと、ｒ１に対する値セットの群における各セット（又は、例えば、圧力）がｒ２の値でインデックス化される。いくつかの実施形態では、ｒ１に対する値セットの群（又は、例えば、圧力）が、ｒ１に対してちょうど１つの値セットの群（又は、例えば、圧力）であってもよい。すなわち、各曲線８０１、８０２、８０３、及び８０４は、同一セットの縦座標を有する。
【００４７】
[0056]  以上の検討において、ｒ１及びｒ２の値は、例えば、圧力等、曲率半径を示す他の量に置き換えられてもよく、ビーム直径の値が、ビーム直径の値を示す他の量に置き換えられてもよい。従って、図８の各曲線（又は、各曲線に対する代表的データ構造）は、メインパルスビーム直径を示す値セットから、可変半径ミラーのうちの１つに対する曲率半径を示す値セットまで、１対１マッピングを表す。各１対１マッピングは、可変半径ミラーのうちの他方に対する曲率半径を示す値でインデックス化される。
【００４８】
[0057]  以上の検討においては、１つの先行パルス又は１つのメインパルスを参照した。実際には、多数の先行パルス又は多数のメインパルスが生成されることを理解しなければならない。従って、文脈に応じて、１つの穿孔パルスについての言及は、何らか特定の時間インスタンスにおける一連の先行パルスのうちの多数の先行パルスのうちのいずれか１つを言及していてもよく、各時間インスタンスで特定の先行パルスについて言及している。同様の言及がメインパルスにも適用される。
【００４９】
[0058]  ステップ４〜８に示されるステップのうちの一部又は全部は、１つ以上の特殊用途用集積回路（ＡＳＩＣ）、１つ以上のプログラマブルプロセッサ、又はそれらの組み合わせで実施されてもよい。例えば、図３の実施形態においては、マイクロプロセッサ３２０がコントローラ３１２の一部として示されており、メモリ３２２に記憶された指示及びデータにアクセスしてもよい。従って、メモリ３２２は、マイクロプロセッサ３２０による実行時、図４に示されるステップのうちの一部又は全部を実施する指示を記憶するための持続性記憶媒体とみなされてもよい。図５を参照して検討したテーブルは、メモリ３２２に記憶されてもよい。
【００５０】
[0059]  一実施形態において、メインパルス焦点面がその場で移動可能である一方で、先行パルス焦点面は、固定して維持される。他の実施形態において、先行パルス焦点面がその場で移動可能である一方で、メインパルス焦点面が固定される。さらに他の実施形態において、先行パルス焦点面及びメインパルス焦点面の双方が、その場で移動可能であってもよい。
【００５１】
[0060]  図９Ａ及び図９Ｂは、ＣＯ２駆動レーザへの順方向パワー、拒絶（又は反射）パワー、及び各々、４１０ミクロン及び４９５ミクロンという２つの分離距離に対して結果として得られるＵＶ生成の２つの例を示すグラフである。図９Ａ及び図９Ｂは、先行パルス焦点面及びメインパルス焦点面の間の分離距離が、ＥＵＶ生成及び／又はＥＵＶ安定性に影響を及ぼし、引いては、制御ノブとして使用可能であることを説明するものとして示されている。本発明の文脈において、先行パルス焦点面とメインパルス焦点面の間のこの分離距離は、ダイクロイックスプリッタモジュールにおけるＶＲＭの曲率を変更することにより、修正又は変更することができる。
【００５２】
[0061]  見てわかる通り、図９Ｂにおいて、４９５ミクロンの分離距離において、図９Ｂの線９０２の逆結合パワー（すなわち、反射パワー）が、ｘ軸のｚ＝０付近で４１０ミクロンの逆結合パワー（図９Ａの線９０４）に対して減少する。実際には、４９５ミクロンの分離距離において、逆結合パワー線９０２のピーク９１０は、ピークＥＵＶ生成９１２の左にあり、４１０ミクロンの分離におけるＥＵＶ安定性に対して、４９５ミクロンの分離でＥＵＶ安定性の改善を提示する。
【００５３】
[0062]  １つ以上の実施形態において、ＥＵＶ光生成システムは、種々の分離距離におけるテストランを経験してもよい。各分離距離において、反射パワー及び／又はＥＵＶ光がモニタされる。このようなデータにより、ＥＵＶ生成及び／又はＥＵＶ安定性のための最適分離距離を通知する。生成中、このようなデータが採用され、例えば、所望のＥＵＶ生成及び／又はＥＵＶ安定性を得るための最適分離距離を選択してもよい。
【００５４】
[0063]  一般的に述べると、一定放射照度モデルでは、最適放射照度に対するメインパルスコースティックサイズ（直径）を判定し、合致するようにターゲットサイズが選択される。しかしながら、何らかのＥＵＶシステム及び／又はターゲット材料組成に対して、任意の与えられたＣＯ２パワー／ピークパワーに対する最適ターゲットサイズが存在してもよい。例えば、最適ＣＥ（変換効率）では、（通常、スズ原子に対する過剰量のＣＯ２フォトンに対する露出燃料、例えば、スズ原子の増加により）到来するＣＯ２フォトンをより効率的に利用するために大きなターゲットを優先することができる。
【００５５】
[0064]  しかしながら、例えばプラズマが所望の放出（例えば、１３．５ｎｍ）に対する理想温度に到達することを防いでもよい熱搬送効果により、ターゲットサイズを無限に増加させることができないこともある。代替又は追加として、ターゲットサイズが不当に増加される場合、ターゲット材料は薄くなり過ぎることもある。さらに、この最適ターゲットサイズはＣＯ２パワー／ピークパワーの変化に合わせて変化してもよい。最大ターゲットが、必ずしも最適ＣＥにとって最も望ましいターゲットでなくてもよい。代替又は追加の考慮事項として、あるターゲットサイズを好むＥＵＶシステムがあってもよい。
【００５６】
[0065]  これらの場合、最適変換効率を達成するために、ＶＲＭを使用して、メインパルスコースティックを調整し、この最適ターゲットサイズに合致させることができる。さらに、図１０Ａ及び図１０Ｂとの関連で検討する通り、ＶＲＭを使用して、メインパルス焦点面及び先行パルス焦点面の間の軸方向分離距離を設定し、ＥＵＶ安定性を最適化することができる。
【００５７】
[0066]  図１０Ａは、本発明の一実施形態に係る、与えられたＥＵＶシステムにおけるＥＵＶ生成のための最適ターゲットサイズを判定する手順を示している。較正（例えば、図４を参照のこと）実施後、図１０Ａの手順を使用して、最適化ターゲットサイズが判定されてもよい。
【００５８】
[0067]  一般的に述べると、最適ターゲットサイズは、与えられた範囲（これは、現場経験、専門家意見、又は理論的憶測に基づいて得られてもよい）内にあることが知られている。２つのアンカーポイント（最小許容可能ターゲットサイズ及び最大許容可能ターゲットサイズ）が推定可能である限り、最適ターゲットサイズの正確な値は、図１０Ａの手順を開始するのに必要でない。一例において、円盤状ターゲットのＥＵＶ生成には、１００ミクロンから４００ミクロンの間のターゲット直径の範囲が有用となる傾向にある。
【００５９】
[0068]  ステップ１００２〜１００８では、可能なターゲットサイズの範囲内の各ターゲットサイズを通じて反復され、考慮される各ターゲットサイズについてＥＵＶパワー及び変換効率（及び、所望の場合には、拒絶パワー等のその他のパラメータ）を測定するであろう。一旦測定が行われると、最適ＥＵＶパワー／変換効率／拒絶パワーポイントが（何らかの規定の指標に基づいて）判定されてもよく、その後、対応するターゲットサイズがそのシステムのＥＵＶ生成に最適なターゲットサイズであるとみなされる。
【００６０】
[0069]  ステップ１００２において、初期ターゲットサイズが選択される。初期ターゲットサイズは、単なる開始であり、最小ターゲットサイズであってもよく、又は最大ターゲットサイズであってもよく、又はその他何らかのターゲットサイズであってもよい。そして、この方法では、そのターゲットサイズについてステップ１００４〜１００８を使用し、最適ＥＵＶパワー及び／又はＣＥ変換率を測定する。
【００６１】
[0070]  ステップ１００４において、メインパルスコースティック直径が反復されている（すなわち、現在この反復中にあると考えられる）ターゲットサイズに合致するように設定される。実際には、メインパルスコースティック直径がターゲットサイズ直径より僅かに大きい（例えば、直径にして、約０〜２０％大きいか、好ましくは約１０％大きい）ことが多い（が、これは要求されるものでない）。例えば、考慮中のターゲットサイズが直径にして１００ミクロンである場合、メインパルスコースティックは、直径にして１００ミクロンから１１０ミクロンの間であってもよい。
【００６２】
[0071]  このコースティック直径サイズは、その後、図５の較正曲線（較正曲線は、図４の手順で判定される）又は類似の較正テーブルに対して比較され、ＶＲＭの設定のために採用されたパラメータを判定する。このようなパラメータは、例えば、以上に検討した通り、水圧を表してもよい。
【００６３】
[0072]  ステップ１００６において、先行パルスレーザエネルギーもターゲットサイズを達成するようになる。例えば、先行パルスレーザエネルギーは、考慮するターゲットサイズを達成するために増減されてもよい。
【００６４】
[0073]  ステップ１００８において、ＥＵＶパワー及びＣＥ変換エネルギーは、システムがステップ１００４及び１００６において取得されたパラメータを使用して動作する間、考慮するターゲットサイズについて測定されてもよい。
【００６５】
[0074]  その後、ターゲットサイズが変更され、新たなターゲットサイズについてステップ１００４〜１００８が再び反復される（線１０１０で表される）。この反復は、実施形態によっては、範囲内のすべてのターゲットサイズが試験されるまで実施されてもよく、また他の実施形態によっては、ＥＵＶパワーについて極大値が見出されるまで実施されてもよい。これは、ＥＵＶパワーがＥＵＶ生成において優勢な所望のパラメータとなる傾向にあるためである。しかしながら、ＥＵＶ安定性（例えば、拒絶パワーを検査することによって判定される）又はＣＥ因子等、その他の考慮事項が追加又は代替の考慮事項となり得る。ＥＵＶパワー／ＣＥ変換／ＥＵＶ安定性の最適な組み合わせが、例えば、メーカ又は消費者によって事前規定されてもよく、又はＥＵＶパワー／ＣＥ変換／ＥＵＶ安定性の組み合わせが異なって測定されると、プロセスエンジニアによって選択されてもよい。
【００６６】
[0075]  ＥＵＶ生成のための最適なターゲットサイズを見つけるためにターゲットサイズを通じて反復を行う際、ターゲットサイズの変化は線的（例えば、最小から最大へ、又は最大から最小への段階的）であってもよく、又は、いくつかの実施形態においては、ＥＵＶパワー及びＣＥ変換のための極大値を見出すためのある探索型アルゴリズム（例えば、２分探索）に応じて変化してもよい。
【００６７】
[0076]  図１０Ｂは、実施形態に係る、ＥＵＶパワー／ＣＥ比を測定するために、複数のターゲットサイズが一旦反復された場合のＥＵＶ生成の最適ターゲットサイズを選択する技術を示している。図１０Ｂの例において、ＥＵＶパワー（単位はワット）対ターゲットサイズと、変換効率（単位は％）対ターゲットサイズのプロットが単一プロット内に重複されている。本例において、ＥＵＶパワー曲線１０５４における最大値ポイント１０５２が選択され、３５０ミクロンの直径に対応するターゲットサイズがＥＵＶ生成の最適ターゲットサイズとみなされる。図１０Ｂの例でも、ＣＥ値（線１０５６）は、図らずも３５０ミクロンでほぼ最大化される。本例において、ＥＵＶパワーが優勢な考慮事項である場合、３５０ミクロンが、ＥＵＶパワーを最大化してＣＥをほぼ最大化するため、最適ターゲットサイズとみなされる。
【００６８】
[0077]  本発明をいくつかの好適な実施形態について説明したが、代替、再配列、及び同等物が存在し、これらも本発明の範囲内である。本発明は、これらの代替、再配列、及び同等物も網羅するものと理解されなければならない。本発明の方法及び装置を実施する多数の代替の方法があることにも留意しなければならない。本明細書中、種々の実施例を提供したが、これらの実施例は例示であり、本発明に対する限定を意図するものでない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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