(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液吐出部から基板に処理液を吐出することにより基板を処理する基板処理装置に使用される処理液供給装置であって、
処理液供給部と、
前記処理液供給部から供給された処理液を貯留する第１貯留部と、
前記第１貯留部内に貯留された処理液を加熱するための第１加熱部と、
前記第１貯留部内の処理液を外部に送液した後、再度、前記第１貯留部に戻すとともに、その内部を流通する処理液と前記処理液供給部における処理液との間で熱交換を実行するための排熱用循環路と、
前記第１貯留部内の処理液を前記処理液吐出部と前記排熱用循環路のいずれかに選択的に送液する送液切替機構と、
前記排熱用循環路から前記第１貯留部に処理液を送液する管路と、
前記排熱用循環路を循環することにより前記処理液供給部における処理液との間で熱交換を実行する処理液と、前記処理液供給部における処理液との間で熱交換を実行することなく前記第１貯留部に戻る処理液との流量を調整する流量調整機構と、
を備えたことを特徴とする処理液供給装置。
【請求項２】
請求項１に記載の処理液供給装置において、
前記処理液供給部は、
処理液を貯留する第２貯留部と、
前記第２貯留部内に貯留された処理液を前記第１貯留部内の処理液の温度より低い温度まで加熱するための第２加熱部と、
を備え、
前記排熱用循環路は、前記第２貯留部に貯留された処理液中にその一部が浸漬され、前記第２貯留部に貯留された処理液と接触することにより、その内部を流通する処理液と前記第２貯留部に貯留された処理液との間で熱交換を実行する処理液供給装置。
【請求項３】
請求項１に記載の処理液供給装置において、
前記処理液供給部は、
処理液を貯留する第２貯留部と、
前記第２貯留部内の処理液を循環させる加熱用循環路と、当該加熱用循環路内を循環する処理液を加熱するためのヒータとから構成され、前記第２貯留部内に貯留された処理液を前記第１貯留部内に貯留された処理液の温度より低い温度まで加熱するための第２加熱部と、
を備え、
前記排熱用循環路を循環する処理液と、前記加熱用循環路を循環する処理液との間で熱交換を実行する処理液供給装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の処理液供給装置において、
前記処理液供給部は、
前記第２貯留部と前記第１貯留部との間に配設され、前記第２貯留部内の処理液を受けとるとともに、前記第１貯留部に処理液を送液する第３貯留部と、
前記第３貯留部内の処理液を前記第１貯留部内に貯留された処理液の温度より低く、前記第２貯留部内に貯留された処理液の温度より高い温度まで加熱するための第３加熱部と、
を備える処理液供給装置。
【請求項５】
請求項１に記載の処理液供給装置において、
前記排熱用循環路から前記第１貯留部に戻る処理液の温度、または、前記第１貯留部内の処理液の温度を測定する温度センサをさらに備え、
前記流量調整機構は、前記温度センサにより検出した処理液の温度に基づいて、前記排熱用循環路を循環することにより前記処理液供給部における処理液との間で熱交換を実行する処理液と、前記処理液供給部における処理液との間で熱交換を実行することなく前記第１貯留部に戻る処理液との流量を調整する処理液供給装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、処理液吐出部から基板に処理液を吐出することにより基板を処理する基板処理装置に使用される処理液供給装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、太陽電池用パネル基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、半導体ウエハ等の基板を処理する基板処理装置においては、処理液吐出部から基板に供給される処理液は、高い温度で温度調節されている。特許文献１には、処理液を貯留するタンクと、タンク内の処理液を循環させる第１循環路と、この第１循環路に接続された基板に処理液を供給するための複数のノズルと、タンク内の処理液を流体加熱ユニットを介して循環させる第２循環路とを備え、基板に供給する処理液を流体加熱ユニットにより加熱する基板処理システムが開示されている。
【０００３】
なお、特許文献２には、半導体ウエハをプローブカードと接触させて検査する検査装置において、循環配管から冷媒の一部を取り出して迂回させる迂回配管と、この迂回配管に設けられ且つ冷凍機の廃熱を利用して迂回配管を流れる冷媒を加熱する第２熱交換器と、この熱交換器の下流側に配置され且つ冷媒中に混入した水分を吸着する水分吸着体と、を備えた水分除去機構を備える構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−９００７８号公報
【特許文献２】特開２００７−５１８６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１に記載されたように基板に供給する処理液を温度調整する場合において、処理液を例えば摂氏２００度程度の高い温度まで昇温するためには、複数の加熱機構により段階的に処理液の温度を昇温させることが好ましい。
【０００６】
図６は、このような要請に対応することを目的に作成された、基板に供給する処理液を複数の加熱機構により段階的に昇温する構成の処理液供給装置を備えた基板処理装置の概要図である。
【０００７】
この基板処理装置は、スピンチャック２０により支持された状態で回転する半導体ウエハ等の基板Ｗの表面に対して加熱された処理液を供給することによりこの基板Ｗを処理するものであり、新しい処理液を供給する処理液の供給源１０から管路４０を介して送液された処理液を貯留する上流側貯留部１１と、この上流側貯留部１１から送液された処理液を貯留する中央貯留部１２と、この中央貯留部１２から送液された処理液を貯留する下流側貯留部１３とを備える。
【０００８】
上流側貯留部１１の底部には、ヒータ１４と循環ポンプ１７とを備えた循環管路３１が接続されている。この循環管路３１は、開閉弁２３を備えた管路３２と、開閉弁２４を備えた管路３３とに接続されている。開閉弁２３が開放され開閉弁２４が閉止された状態においては、上流側貯留部１１内の処理液は、循環ポンプ１７の作用により、上流側貯留部１１からヒータ１４、循環ポンプ１７および開閉弁２３を介して上流側貯留部１１に至る循環路を循環することにより、例えば、摂氏５０度程度の温度まで昇温される。一方、開閉弁２３が閉止され開閉弁２４が開放された状態においては、上流側貯留部１１内の処理液は、循環ポンプ１７の作用により、上流側貯留部１１から開閉弁２４を介して中央貯留部１２に送液される。
【０００９】
中央貯留部１２の底部には、ヒータ１５と循環ポンプ１８とを備えた循環管路３４が接続されている。この循環管路３４は、開閉弁２５を備えた管路３５と、開閉弁２６を備えた管路３６とに接続されている。開閉弁２５が開放され開閉弁２６が閉止された状態においては、中央貯留部１２内の処理液は、循環ポンプ１８の作用により、中央貯留部１２からヒータ１５、循環ポンプ１８および開閉弁２５を介して中央貯留部１２に至る循環路を循環することにより、例えば、摂氏１００度程度の温度まで昇温される。一方、開閉弁２５が閉止され開閉弁２６が開放された状態においては、中央貯留部１２内の処理液は、循環ポンプ１８の作用により、中央貯留部１２から開閉弁２６を介して下流側貯留部１３に送液される。
【００１０】
下流側貯留部１３の底部には、ヒータ１６と循環ポンプ１９とを備えた循環管路３７が接続されている。この循環管路３７は、開閉弁２７を備えた管路３８と、開閉弁２８を備えた管路３９とに接続されている。開閉弁２７が開放され開閉弁２８が閉止された状態においては、下流側貯留部１３内の処理液は、循環ポンプ１９の作用により、下流側貯留部１３からヒータ１６、循環ポンプ１９および開閉弁２７を介して下流側貯留部１３に至る循環路を循環することにより、例えば、摂氏１５０度程度の温度まで昇温される。一方、開閉弁２７が閉止され開閉弁２８が開放された状態においては、下流側貯留部１３内の処理液は、循環ポンプ１９の作用により、下流側貯留部１３から開閉弁２８および管路３９を介して処理液吐出部２１に送液され、この処理液吐出部２１からスピンチャック２０により支持された状態で回転する基板Ｗの表面に供給される。
【００１１】
ここで、下流側貯留部１３に貯留された処理液は、摂氏１５０度程度となっている。このとき、ヒータ１６は配管３７を通過する処理液を摂氏２００度まで昇温している。その処理液が循環して下流貯留部１３に戻る間に自然放熱され、また、中央貯留部１２からの処理液と混合されることにより、結果的に下流貯留部１３では処理液が摂氏１５０度となっている。
【００１２】
一方、下流側貯留部１３やそれに付随する部品の耐熱性を考慮した場合、下流側貯留部１３に貯留される処理液の温度を摂氏１５０度よりも高く昇温することは難しい。
【００１３】
このため、基板Ｗに対してさらに高温の処理液を供給する場合、処理液の供給を終了するため、開閉弁２８を閉止するとともに開閉弁２７を開放して、処理液を下流側貯留部１３に回収したときには、下流側貯留部１３には、摂氏２００度以上に昇温された処理液が送液されることになる。このため、下流側貯留部１３内の処理液の温度が耐熱温度以上に上昇するという問題が生ずる。このような問題を解消するためには、管路３８に冷却装置等を配設する必要が生じ、装置が複雑化し、また、高価となるという問題が生ずる。
【００１４】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、基板への処理液の供給を停止したときにも、第１貯留部に貯留された処理液の温度を所定の温度に維持することができ、また、処理液を加熱するためのエネルギーの無駄を排除することが可能な処理液供給装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
請求項１に記載の発明は、処理液吐出部から基板に処理液を吐出することにより基板を処理する基板処理装置に使用される処理液供給装置であって、処理液供給部と、前記処理液供給部から供給された処理液を貯留する第１貯留部と、前記第１貯留部内に貯留された処理液を加熱するための第１加熱部と、前記第１貯留部内の処理液を外部に送液した後、再度、前記第１貯留部に戻すとともに、その内部を流通する処理液と前記処理液供給部における処理液との間で熱交換を実行するための排熱用循環路と、前記第１貯留部内の処理液を前記処理液吐出部と前記排熱用循環路のいずれかに選択的に送液する送液切替機構と、前記排熱用循環路から前記第１貯留部に処理液を送液する管路と、前記排熱用循環路を循環することにより前記処理液供給部における処理液との間で熱交換を実行する処理液と、前記処理液供給部における処理液との間で熱交換を実行することなく前記第１貯留部に戻る処理液との流量を調整する流量調整機構と、を備えたことを特徴とする。
【００１６】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記処理液供給部は、処理液を貯留する第２貯留部と、前記第２貯留部内に貯留された処理液を前記第１貯留部内の処理液の温度より低い温度まで加熱するための第２加熱部と、を備え、前記排熱用循環路は、前記第２貯留部に貯留された処理液中にその一部が浸漬され、前記第２貯留部に貯留された処理液と接触することにより、その内部を流通する処理液と前記第２貯留部に貯留された処理液との間で熱交換を実行する。
【００１７】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記処理液供給部は、処理液を貯留する第２貯留部と、前記第２貯留部内の処理液を循環させる加熱用循環路と、当該加熱用循環路内を循環する処理液を加熱するためのヒータとから構成され、前記第２貯留部内に貯留された処理液を前記第１貯留部内に貯留された処理液の温度より低い温度まで加熱するための第２加熱部と、を備え、前記排熱用循環路を循環する処理液と、前記加熱用循環路を循環する処理液との間で熱交換を実行する。
【００１８】
請求項４に記載の発明は、請求項２または請求項３に記載の発明において、前記処理液供給部は、前記第２貯留部と前記第１貯留部との間に配設され、前記第２貯留部内の処理液を受けとるとともに、前記第１貯留部に処理液を送液する第３貯留部と、前記第３貯留部内の処理液を前記第１貯留部内に貯留された処理液の温度より低く、前記第２貯留部内に貯留された処理液の温度より高い温度まで加熱するための第３加熱部と、を備える。
【００１９】
請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記排熱用循環路から前記第１貯留部に戻る処理液の温度、または、前記第１貯留部内の処理液の温度を測定する温度センサをさらに備え、前記流量調整機構は、前記温度センサにより検出した処理液の温度に基づいて、前記排熱用循環路を循環することにより前記処理液供給部における処理液との間で熱交換を実行する処理液と、前記処理液供給部における処理液との間で熱交換を実行することなく前記第１貯留部に戻る処理液との流量を調整する。
【発明の効果】
【００２０】
請求項１に記載の発明によれば、基板への処理液の供給を停止したときにも、第１貯留部内の処理液の温度を所定の温度に維持することが可能となる。このとき、排熱用循環路の作用により、その内部を流通する処理液と処理液供給部における処理液との間で熱交換を実行することから、処理液を加熱するためのエネルギーを効率的に使用することができ、エネルギーの無駄を排除することが可能となる。また、排熱用循環路を流れる処理液を、処理液供給部における処理液との間で熱交換を実行する処理液と、処理液供給部における処理液との間で熱交換を実行することなく第１貯留部に戻る処理液とに分離することにより、第１貯留部内の処理液の温度を適正な温度に維持することが可能となる。また、処理液供給部における処理液との間で熱交換を実行する処理液と、処理液供給部における処理液との間で熱交換を実行することなく第１貯留部に戻る処理液との流量を調整することにより、第１貯留部内の処理液の温度を適正な温度に維持することが可能となる。
【００２１】
請求項２に記載の発明によれば、排熱用循環路中の処理液を第２貯留部内に貯留された処理液により冷却することができる。これにより、第２貯留部内の処理液を昇温することが可能となる。
【００２２】
請求項３に記載の発明によれば、排熱用循環路中の処理液を、加熱用循環路を循環する処理液により冷却することができる。これにより、第２貯留部内の処理液を昇温することが可能となる。
【００２３】
請求項４に記載の発明によれば、第１、第２、第３貯留部により三段階で段階的に処理液を昇温することが可能となる。
【００２４】
請求項５に記載の発明によれば、温度センサにより検出した処理液の温度に基づいて、排熱用循環路を循環することにより処理液供給部における処理液との間で熱交換を実行する処理液と、処理液供給部における処理液との間で熱交換を実行することなく第１貯留部に戻る処理液との流量を調整することから、第１貯留部内の処理液の温度を、自動的に、適正な温度に維持することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】この発明の第１実施形態に係る処理液供給装置を備えた基板処理装置の概要図である。
【図２】この発明の第２実施形態に係る処理液供給装置を備えた基板処理装置の概要図である。
【図３】この発明の第３実施形態に係る処理液供給装置を備えた基板処理装置の概要図である。
【図４】この発明の第４実施形態に係る処理液供給装置を備えた基板処理装置の概要図である。
【図５】熱交換部４２の概要図である。
【図６】基板に供給する処理液を複数の加熱機構により段階的に昇温する構成の処理液供給装置を備えた基板処理装置の概要図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、この発明の第１実施形態に係る処理液供給装置を備えた基板処理装置の概要図である。
【００２７】
この基板処理装置は、スピンチャック２０により支持された状態で回転する半導体ウエハ等の基板Ｗの表面に対して処理液吐出部２１より加熱された処理液を供給することによりこの基板Ｗを処理するものであり、新しい処理液を供給する処理液の供給源１０から管路４０を介して送液された処理液を貯留する上流側貯留部１１と、この上流側貯留部１１から送液された処理液を貯留する中央貯留部１２と、この中央貯留部１２から送液された処理液を貯留する下流側貯留部１３とを備える。なお、上流側貯留部１１はこの発明に係る第２貯留部を構成し、中央貯留部１２はこの発明に係る第３貯留部を構成し、下流側貯留部１３はこの発明に係る第１貯留部を構成する。
【００２８】
ここで、この図において、スピンチャック２０および処理液吐出部２１以外の構成が、この発明に係る処理液供給装置を構成する。この発明に係る処理液供給装置は、図１に示すように、基板処理装置と一体化して基板処理装置の内部に配置されるものでもよく、また、基板処理装置とは別置きで設置されるものでもよい。この点については、後述する他の実施形態についても同様である。
【００２９】
上流側貯留部１１の底部には、ヒータ１４と循環ポンプ１７とを備えた循環管路３１が接続されている。この循環管路３１は、開閉弁２３を備えた管路３２と、開閉弁２４を備えた管路３３とに接続されている。開閉弁２３が開放され開閉弁２４が閉止された状態においては、上流側貯留部１１内の処理液は、循環ポンプ１７の作用により、上流側貯留部１１からヒータ１４、循環ポンプ１７および開閉弁２３を介して上流側貯留部１１に至る循環路を循環することにより、例えば、摂氏５０度程度の温度まで昇温される。一方、開閉弁２３が閉止され開閉弁２４が開放された状態においては、上流側貯留部１１内の処理液は、循環ポンプ１７の作用により、上流側貯留部１１から開閉弁２４を介して中央貯留部１２に送液される。なお、ヒータ１４は、この発明に係る第２加熱部を構成する。
【００３０】
中央貯留部１２の底部には、ヒータ１５と循環ポンプ１８とを備えた循環管路３４が接続されている。この循環管路３４は、開閉弁２５を備えた管路３５と、開閉弁２６を備えた管路３６とに接続されている。開閉弁２５が開放され開閉弁２６が閉止された状態にお
いては、中央貯留部１２内の処理液は、循環ポンプ１８の作用により、中央貯留部１２からヒータ１５、循環ポンプ１８および開閉弁２５を介して中央貯留部１２に至る循環路を循環することにより、例えば、摂氏１００度程度の温度まで昇温される。一方、開閉弁２５が閉止され開閉弁２６が開放された状態においては、中央貯留部１２内の処理液は、循環ポンプ１８の作用により、中央貯留部１２から開閉弁２６を介して下流側貯留部１３に送液される。なお、ヒータ１５は、この発明に係る第３加熱部を構成する。
【００３１】
下流側貯留部１３の底部には、ヒータ１６と循環ポンプ１９とを備えた循環管路３７が接続されている。この循環管路３７は、開閉弁２７を備えた排熱用循環路４１と、開閉弁２８を備えた管路３９とに接続されている。開閉弁２７が開放され開閉弁２８が閉止された状態においては、下流側貯留部１３内の処理液は、循環ポンプ１９の作用により、下流側貯留部１３からヒータ１６、循環ポンプ１９、開閉弁２７および排熱用循環路４１を介して下流側貯留部１３に至る循環路を循環することにより、例えば、摂氏１５０度程度の温度まで昇温される。一方、開閉弁２７が閉止され開閉弁２８が開放された状態においては、下流側貯留部１３内の処理液は、循環ポンプ１９の作用により、下流側貯留部１３から開閉弁２８および管路３９を介して処理液吐出部２１に送液され、スピンチャック２０により支持された状態で回転する基板Ｗの表面に供給される。このときには、処理液吐出部２１に向けて送液される処理液は、ヒータ１６の作用により、下流側貯留部１３に貯留されている処理液の温度より高い温度であって、基板Ｗの処理に適した温度まで昇温される。なお、ヒータ１６は、この発明に係る第１加熱部を構成する。
【００３２】
上述した排熱用循環路４１の一部の領域は、上流側貯留部１１に貯留された処理液中に浸漬されている。このため、上流側貯留部１１に貯留された処理液中に浸漬された排熱用循環路４１を流通する処理液は、排熱用循環路４１を構成する管路を介して、上流側貯留部１１に貯留された処理液と接触する。これにより、排熱用循環路４１を循環する処理液と上流側貯留部１１に貯留された処理液との間で熱交換が実行される。
【００３３】
このような構成を有する基板処理装置において、スピンチャック２０に保持されて回転する基板Ｗに対して加熱された処理液を供給するときには、開閉弁２７を閉止するとともに開閉弁２８を開放し、循環ポンプ１９の作用により、下流側貯留部１３に貯留された摂氏１５０度程度の処理液を、ヒータ１６の作用により摂氏２５０度程度まで昇温させた後に、処理液吐出部２１によりスピンチャック２０に保持されて回転する基板Ｗの表面に供給する。この処理液は、基板Ｗの回転に伴う遠心力により、基板Ｗの表面に吐出される。
【００３４】
基板Ｗに対する処理液の供給が終了したときには、開閉弁２７を開放するとともに開閉弁２８を閉止する。これにより摂氏２５０度程度まで昇温された処理液は排熱用循環路４１に送液される。そして、この処理液は、排熱用循環路４１における上流側貯留部１１に貯留された処理液中に浸漬された領域において、排熱用循環路４１を構成する管路を介して上流側貯留部１１に貯留された処理液と接触する。これにより、排熱用循環路４１を循環する摂氏２５０度程度の処理液と上流側貯留部１１に貯留された摂氏５０度程度の処理液との間で熱交換が実行される。
【００３５】
この熱交換により、排熱用循環路４１を循環する処理液が降温する。このため、この処理液が排熱用循環路４１から下流側貯留部１３に戻ったとしても、下流側貯留部１３内の処理液の温度が上昇するという問題が生ずることを防止することができる。これにより、処理液を摂氏２５０度程度まで昇温させた場合であっても、下流側貯留部１３に戻る高温の処理液を冷却するための特別な冷却装置等を配設する必要はない。また、下流側貯留部１３等を高温の処理液に対する耐熱性を有する高価な部品で構成する必要もない。
【００３６】
一方、上述した熱交換により、上流側貯留部１１に貯留された処理液は昇温することに
なる。このため、この熱交換によりヒータ１４による上流側貯留部１１に貯留された処理液の加熱作用を補助することが可能となる。これにより、処理液供給装置全体において、処理液を加熱するためのエネルギーを効率的に使用することができ、エネルギーの無駄を排除することが可能となる。
【００３７】
なお、図１に示す実施形態においては、排熱用循環路４１における上流側貯留部１１に貯留された処理液に浸漬された領域を、直線状の管路により構成している。しかしながら、この領域の管路をコイル状に構成することにより、上流側貯留部１１に貯留された処理液との接触面積を増加させ、熱交換効率を向上させてもよい。
【００３８】
次に、この発明の他の実施形態について説明する。図２は、この発明の第２実施形態に係る処理液供給装置を備えた基板処理装置の概要図である。なお、図１に示す第１実施形態と同様の部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００３９】
この第２実施形態に係る処理液供給装置は、排熱用循環路４１の開閉弁２７の直後において、排熱用循環路４１から下流側貯留部１３に処理液を送液する管路４６を配設するとともに、この管路４６中に流量調整弁４５を配設している。また、この第２実施形態に係る処理液供給装置は、排熱用循環路４１における上流側貯留部１１に貯留された処理液中に浸漬された領域から下流側貯留部１３に至る位置に、排熱用循環路４１から下流側貯留部に戻る処理液の温度を測定する温度センサ４３を配設するとともに、排熱用循環路４１における温度センサ４３と下流側貯留部１３との間の領域に流量調整弁４４を配設している。
【００４０】
この第２実施形態に係る処理液供給装置においては、温度センサ４３により排熱用循環路４１から下流側貯留部１３に戻る処理液の温度を測定する。そして、温度センサ４３により測定された温度に基づいて、流量調整弁４４と流量調整弁４５との開度を調整することにより、排熱用循環路４１を循環することにより上流側貯留部１１に貯留された処理液との間で熱交換を実行する処理液と、上流側貯留部１１における処理液との間で熱交換を実行することなく下流側貯留部１３に戻る処理液との流量を調整する。これにより、下流側貯留部１３内の処理液の温度が十分降温されなかったり、過度に低くなったりすることを防止することが可能となる。ここで、温度センサ４３により排熱用循環路４１から下流側貯留部１３に戻る処理液の温度を測定するだけではなく、排熱用循環路４１から下流側貯留部１３に処理液を送液する管路４６内の処理液の温度も、併せて測定してもよい。なお、流量調整弁４４と流量調整弁４５は、この発明に係る流量調整機構を構成する。
【００４１】
次に、この発明のさらに他の実施形態について説明する。図３は、この発明の第３実施形態に係る処理液供給装置を備えた基板処理装置の概要図である。なお、図２に示す第２実施形態と同様の部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４２】
上述した第２実施形態においては、温度センサ４３を排熱用循環路４１に配設し、温度センサ４３により排熱用循環路４１から下流側貯留部１３に戻る処理液の温度を測定している。これに対して、この第３実施形態においては、下流側貯留部１３内の処理液の温度を、直接、温度センサ４９により測定する構成を採用している。なお、温度センサ４９は下流側貯留部１３内に配設してもよく、下流側貯留部１３の外部から下流側貯留部１３に貯留された処理液の温度を測定するようにしてもよい。
【００４３】
この第３実施形態に係る処理液供給装置においては、温度センサ４９により測定された下流側貯留部１３内の処理液の温度に基づいて、流量調整弁４４と流量調整弁４５との開度を調整することにより、排熱用循環路４１を循環することにより上流側貯留部１１に貯留された処理液との間で熱交換を実行する処理液と、上流側貯留部１１における処理液と
の間で熱交換を実行することなく下流側貯留部１３に戻る処理液との流量を調整する。これにより、下流側貯留部１３内の処理液の温度が十分降温されなかったり、過度に低くなったりすることを防止することが可能となる。このとき、下流側貯留部１３に貯留された処理液の温度を温度センサ４９により直接測定することで、下流側貯留部１３の温度をより正確に制御することが可能となる。
【００４４】
次に、この発明のさらに他の実施形態について説明する。図４は、この発明の第４実施形態に係る処理液供給装置を備えた基板処理装置の概要図である。また、図５は、熱交換部４２の概要図である。なお、図１、図２、図３に示す第１、第２、第３実施形態と同様の部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４５】
上述した第１、第２、第３実施形態においては、いずれも、排熱用循環路４１を循環する処理液と上流側貯留部１１に貯留された処理液との間で熱交換を実行している。これに対して、この第４実施形態においては、排熱用循環路４１を循環する処理液と、上流側貯留部１１に貯留される処理液を加熱するための加熱用の循環路中を循環する処理液との間で熱交換を実行する構成を採用している。
【００４６】
すなわち、この第４実施形態に係る処理液供給装置においては、図４に示すように、管路３２における開閉弁２３と上流側貯留部１１との間の領域に熱交換部４２を配設している。この熱交換部４２は、図５に示すように、管路３２を循環する摂氏５０度程度の処理液中に排熱用循環路４１を通過させることにより、排熱用循環路４１を循環する処理液と管路３２中を循環する処理液との間で熱交換を実行する構成を採用している。
【００４７】
なお、図５に示す熱交換部４２においては、管路３２を循環する処理液中に排熱用循環路４１を通過させることにより、排熱用循環路４１を循環する処理液と管路３２中を循環する処理液との間で熱交換を実行しているが、排熱用循環路４１を循環する処理液中に管路３２を通過させることにより、排熱用循環路４１を循環する処理液と管路３２中を循環する処理液との間で熱交換を実行する構成を採用してもよい。
【００４８】
なお、この第４実施形態においては、排熱用循環路４１を循環する処理液と管路３２中を循環する処理液との間で熱交換を実行しているが、例えば、排熱用循環路４１を循環する処理液と、供給源１０から管路４０により送液される処理液との間で熱交換を実行してもよい。但し、熱交換を実行する領域は、熱交換の効率を高いものとするため、処理液が循環（存在）する時間帯がより長い領域とすることが好ましい。
【００４９】
上述した第１から第４実施形態においては、排熱用循環路４１と上流側貯留部１１における処理液との間で熱交換を実行しているが、排熱用循環路４１と中央貯留部１２における処理液との間で熱交換を実行してもよい。但し、排熱用循環路４１中を循環する処理液との温度差が大きな処理液を利用する方が、より効率的に熱交換を実行することが可能となる。
【００５０】
また、上述した第１から第４実施形態においては、上流側貯留部１１、中央貯留部１２および下流側貯留部１３において、処理液を循環しながら温度調節しているが、各貯留部１１、１２、１３内にヒータ等を配置することにより処理液の温度調節を行うようにしてもよい。
【００５１】
また、上述した第１から第４実施形態においては、上流側貯留部１１、中央貯留部１２および下流側貯留部１２の底部に処理液を循環させるための配管が接続されているが、これに限るものではない。この配管は、上流側貯留部１１、中央貯留部１２および下流側貯留部１２底部に近い側面に接続されてもよく、また、配管が上流側貯留部１１、中央貯留
部１２および下流側貯留部１２の処理液中に浸漬されていてもよい。
【００５２】
さらに、上述した第１から第４実施形態においては、上流側貯留部１１、中央貯留部１２および下流側貯留部１３を利用して三段階で処理液の温度を昇温しているが、中央貯留部１２を省略して２段階で処理液を昇温するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１０      処理液の供給源
１１      上流側貯留部
１２      中央貯留部
１３      下流側貯留部
１４      ヒータ
１５      ヒータ
１６      ヒータ
１７      ポンプ
１８      ポンプ
１９      ポンプ
２０      スピンチャック
２１      処理液吐出部
４１      排熱用循環路
４２      熱交換部
４３      温度センサ
４４      流量調整弁
４５      流量調整弁
４６      管路
４９      温度センサ
Ｗ        基板
【図１】
0006688135.tif 000002
【図２】
0006688135.tif 000003
【図３】
0006688135.tif 000004
【図４】
0006688135.tif 000005
【図５】
0006688135.tif 000006
【図６】
0006688135.tif 000007