(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の荷電粒子ビーム（２３）を使用して、複数のビームリソグラフィによってターゲット（３０）上にパターンを露光するための露光データ（４０）を処理するための方法であって、各荷電粒子ビームが、前記ターゲットのサブエリア（３４）を走査し、ここにおいて、隣接サブエリア（３４；３４ａ、３４ｂ）は、重複エリア（３６）において重複し、前記露光データが、前記荷電粒子ビームの露光線量（７０、７０ａ、７０ｂ）を表す露光線量データ（５２）と、前記ターゲット（３０）上に描画されることになる１つまたは複数のフィーチャ（５０）を表すパターンデータ（４２）とを含む方法において、
前記パターンデータ（４２）を複数のサブセクション（４４）に分割し、前記サブセクションの各々は、対応する荷電粒子ビームによって、前記ターゲット（３０）の対応するサブエリア（３４）内で描画されることになる前記パターンの一部を表すパターンデータを含み、ここにおいて、前記パターンデータ（４２）は、隣接サブエリア（３４）が重複する、前記ターゲットの対応する重複エリア（３６）内に描画されることになる前記パターンの一部を表す重複パターンデータ（４６）を含むことと、
前記ターゲットの重複エリア（３６）内の位置に対応する線量値の合計が、隣接サブエリア（３４）が重複しない、前記ターゲットの非重複エリア（３８）に対する最大線量値を超えるように、前記露光線量データ（５２）の１つまたは複数の線量値を設定することと、
ここにおいて、重複エリアにおいて描画する前記荷電粒子ビームのうちの少なくとも１つに対する前記露光線量の線量値は、前記重複エリア内の前記位置によって変化するように設定され、
前記重複パターンデータによって表される１つまたは複数のフィーチャのサイズを減少させるように、前記重複パターンデータ（４６）を処理し、ここにおいて、前記重複エリア内のより高い露光線量は、前記重複エリア内のフィーチャのサイズの減少によって補償されることとを含む方法。
【請求項２】
パターンデータの前記サブセクションの第１のサブセクション（４４ａ）が前記サブエリアの第１のサブエリア（３４ａ）に対応し、パターンデータの前記サブセクションの第２のサブセクション（４４ｂ）が前記サブエリアの第２のサブエリア（３４ｂ）に対応し、前記第１のサブセクションおよび前記第２のサブセクション（４４ａ、４４ｂ）の各々が、前記第１のサブエリアおよび前記第２のサブエリア（３４ａ、３４ｂ）の重複エリア（３６）に対応する重複パターンデータ（４６）を含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記パターンデータ（４２）が、幅を有するフィーチャを表し、前記フィーチャは、部分的には前記重複パターンデータ（４６）で、部分的には非重複パターンデータ（４８）で構成され、ここにおいて、前記重複パターンデータ（４６）の前記処理は、前記非重複パターンデータ（４８）内の前記フィーチャの前記幅に対して、前記重複パターンデータ（４６）内の前記フィーチャの前記幅を減少させることをもたらす請求項１または請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記重複パターンデータ（４６）の前記処理は、前記１つまたは複数のフィーチャの寸法が、前記パターンデータ（４２）の非重複パターンデータ（４８）内よりも、前記重複パターンデータ（４６）内で小さいことをもたらす請求項１から３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記露光線量データ（５２）の前記線量値のうちの１つまたは複数を設定するステップは、前記ターゲットの各重複エリア（３６）に対する線量値（５６ａ、５６ｂ）の２つのセットを生成させることを含み、一方のセット内の各線量値が、他方のセット内の対応する線量値を有し、ここにおいて、前記線量値のうちの少なくともいくつかに対する前記２つのセット内の対応する線量値の前記合計が、隣接サブエリア（３４）が重複しない、前記ターゲットの前記非重複エリア（３８）に対する最大線量値を超える請求項１から４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記重複パターンデータ（４６）によって表される前記１つまたは複数のフィーチャのサイズの減少は、前記ターゲットの重複エリア（３６）内の位置に対応する露光線量値の合計が、前記ターゲットの前記非重複エリア（３８）に対する最大露光線量値を超える量に関連する請求項１から５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記重複パターンデータ（４６）によって表される前記１つまたは複数のフィーチャのサイズの前記減少は、前記ターゲットの重複エリア（３６）内の位置に対応する露光線量値の合計が、前記ターゲットの前記非重複エリア（３８）に対する最大露光線量値を超える前記量に比例する請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記重複パターンデータ（４６）によって表される前記１つまたは複数のフィーチャのサイズの前記減少は、前記ターゲット上に存在し前記荷電粒子ビームによって露光されることになるレジストの現像後の前記フィーチャの所望のサイズと組み合わせて、前記重複エリア内の前記対応する線量値の合計（７２）から計算される請求項１から７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
前記露光線量データ（５２）が複数のサブ部分（５４）に分割され、前記サブ部分の各々は、前記ターゲット（３０）の対応するサブエリア（３４）を露光するための露光線量値を含み、ここにおいて、前記露光線量データ（５２）は、隣接サブエリア（３４）が重複する、前記ターゲットの対応する重複エリア（３６）に対する露光線量を表す重複線量値（５６）と、隣接サブエリア（３４）が重複しない、前記ターゲットの対応する非重複エリア（３８）に対する露光線量を表す非重複線量値（５８）とを含む請求項１から８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
露光線量データの第１のサブ部分（５４ａ）が前記サブエリアの第１のサブエリア（３４ａ）に対応し、露光線量データの第２のサブ部分（５４ｂ）が前記サブエリアの第２のサブエリア（３４ｂ）に対応し、前記第１のサブ部分および前記第２のサブ部分（５４ａ、５４ｂ）の各々は、前記第１のサブエリアおよび前記第２のサブエリア（３４ａ、３４ｂ）の重複エリア（３６ａ）に対応する重複線量値（５６ａ、５６ｂ）を含む請求項１から９のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
前記ターゲットの前記サブエリアの第１のサブエリア（３４ａ）に対応する前記露光線量データ（５２）の第１のサブ部分（５４ａ）を識別することと、
前記ターゲットの前記サブエリアの第２のサブエリア（３４ｂ）に対応する前記露光線量データ（５２）の第２のサブ部分（５４ｂ）を識別することと、
前記第１のサブエリアと前記第２のサブエリア（３４ａ、３４ｂ）が重複する、前記ターゲットの重複エリア（３６）内の描画位置に各々対応する複数の線量値を有する第１の重複線量データ（５６ａ）を生成させ、ここにおいて、前記線量値の少なくとも一部分は、前記重複エリア内の対応する描画位置に応じて変化し、前記線量値は、前記重複エリア（３６）の外部の前記第１のサブエリア（３４ａ）の一部からの対応する描画位置の距離が増加するにつれて、大きさが減少することと、
前記ターゲットの前記重複エリア（３６）内の描画位置に各々対応する複数の線量値を有する第２の重複線量データ（５６ｂ）を生成させ、ここにおいて、前記線量値の少なくとも一部分は、前記重複エリア内の対応する描画位置に応じて変化し、前記線量値は、前記重複エリア（３６）の外部の前記第２のサブエリア（３４ｂ）の一部からの対応する描画位置の距離が増加するにつれて、大きさが減少することをさらに含む請求項１から１０のいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の重複線量データおよび前記第２の重複線量データ（５６ａ、５６ｂ）の前記線量値の変動は、前記描画位置の少なくとも一部分にわたる前記線量値の対応する描画位置に応じた線形変動である請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の重複線量データおよび前記第２の重複線量データ（５６ａ、５６ｂ）の前記線量値の変動は、前記描画位置の少なくとも一部分にわたる前記線量値の対応する描画位置に応じた正弦波状変動である請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
前記露光線量データ（５２）の前記線量値は、前記ビームをディザリングするためのディザリング値を含む請求項１から１３のいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
前記方法は、前記ターゲット（３０）にわたって前記複数の荷電粒子ビーム（２３）をラスタ走査することによってターゲット（３０）上にパターンを露光するための露光データ（４０）を処理するように適合されている請求項１から１４のいずれか１項記載の方法。
【請求項１６】
露光データ（４０）にしたがって、複数の荷電粒子ビーム（２３）を使用して、ターゲット（３０）を露光するための方法であって、前記露光データは、前記ターゲット上に描画されることになる１つまたは複数のフィーチャを表すパターンデータ（４２）と、前記荷電粒子ビームの露光線量を表す露光線量データ（５２）とを含む方法において、
請求項１から１５のいずれか１項記載の方法にしたがって前記露光データ（４０）を処理することと、
前記処理された露光データにしたがって制御される前記荷電粒子ビームを使用して、前記ターゲットを露光し、ここで、各荷電粒子ビームは、前記ターゲットのサブエリア（３４）を走査することとを含む方法。
【請求項１７】
前記ターゲットの第１のサブエリア（３４ａ）を露光するために、前記荷電粒子ビームの第１の荷電粒子ビームを割り当て、前記ターゲットの第２のサブエリア（３４ｂ）を露光するために、前記荷電粒子ビームの第２の荷電粒子ビームを割り当て、ここにおいて、前記第１のサブエリアと前記第２のサブエリアは隣接し、重複エリア（３６）内で重複することと、
前記処理された露光データの第１の部分にしたがって、前記第１の荷電粒子ビームを使用して、前記ターゲットの前記第１のサブエリア（３４ａ）を露光することと、
前記処理された露光データの第２の部分にしたがって、前記第２の荷電粒子ビームを使用して、前記ターゲットの前記第２のサブエリア（３４ｂ）を露光することとをさらに含む請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
複数の荷電粒子ビーム（２３）を使用して、複数のビームリソグラフィによってターゲット（３０）上にパターンを露光するための方法であって、各荷電粒子ビームが、前記ターゲットのサブエリア（３４）を走査する方法において、
前記ターゲット（３０）上に描画されることになる１つまたは複数のフィーチャ（６０）を表すパターンデータ（４２）と、前記荷電粒子ビームの各々の露光線量を表す露光線量データ（５２）とにしたがって、前記荷電粒子ビームを制御することと、
前記荷電粒子ビームの第１の荷電粒子ビーム（２３ａ）を使用して、第１のサブエリア（３４ａ）が前記ターゲットの第２のサブエリア（３４ｂ）と重複する重複エリア（３６）を含む、前記ターゲットの前記第１のサブエリア（３４ａ）を露光することと、
前記荷電粒子ビームの第２の荷電粒子ビーム（２３ｂ）を使用して、前記重複エリア（３６）を含む、前記ターゲットの前記第２のサブエリア（３４ｂ）を露光することと、
ここにおいて、前記重複エリア（３６）の少なくとも一部分内の露光線量は、前記重複エリア（３６）の外部の前記第１のサブエリアおよび前記第２のサブエリア（３４ａ、３４ｂ）内の最大露光線量よりも高く、
前記荷電粒子ビームが前記重複エリアを走査するとき、前記重複エリア内のその描画位置に応じて変化するように、前記荷電粒子ビーム（２３ａ、２３ｂ）の少なくとも１つに対する前記露光線量（７０ａ、７０ｂ）を制御することと、
前記重複エリア（３６）の外部の前記第１のサブエリアおよび前記第２のサブエリア（３４ａ、３４ｂ）内で描画されることになるフィーチャに対して、前記重複エリア（３６）内で描画されることになる１つまたは複数のフィーチャのサイズを減少させるように、前記重複エリア（３６）において描画されることになる前記パターンの一部を表す重複パターンデータ（４６）を処理することとを含む方法。
【請求項１９】
前記重複エリア（３６）の少なくとも一部分の中で描画するときの前記第１の荷電粒子ビームと前記第２の荷電粒子ビームの合成露光線量が、前記重複エリア（３６）の外部の前記第１のサブエリア（３４ａ）の中で描画するときの前記第１の荷電粒子ビーム（２３ａ）の最大露光線量よりも高く、前記重複エリア（３６）の外部の前記第２のサブエリア（３４ｂ）の中で描画するときの前記第２の荷電粒子ビーム（２３ｂ）の最大露光線量よりも高い請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記重複エリア（３６）の少なくとも一部分に対して、前記第１の荷電粒子ビーム（２３ａ）の露光線量（７０ａ）が、前記重複エリア内のその描画位置に応じて変化し、ここにおいて、前記重複エリア（３６）の外部の前記第１のサブエリア（３４ａ）の一部からの距離が増加するにつれて、前記第１の荷電粒子ビームの前記露光線量が減少する請求項１８または１９記載の方法。
【請求項２１】
前記重複エリア（３６）の少なくとも一部分に対して、前記第２の荷電粒子ビーム（２３ｂ）の露光線量（７０ｂ）が、前記重複エリア内のその描画位置に応じて変化し、ここにおいて、前記重複エリア（３６）の外部の前記第２のサブエリア（３４ｂ）の一部からの距離が増加するにつれて、前記第２の荷電粒子ビームの前記露光線量が減少する請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
前記第１の荷電粒子ビームおよび前記第２の荷電粒子ビーム（２３ａ、２３ｂ）の前記露光線量の変動は、描画位置に応じた線形変動である請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記第１の荷電粒子ビームおよび前記第２の荷電粒子ビーム（２３ａ、２３ｂ）の前記露光線量の変動は、描画位置に応じた正弦波状変動である請求項２１記載の方法。
【請求項２４】
前記重複パターンデータ（４６）によって表される前記１つまたは複数のフィーチャのサイズの前記減少は、前記重複エリア（３６）内の露光線量が前記重複エリア（３６）の外部の前記第１のサブエリアおよび前記第２のサブエリア（３４ａ、３４ｂ）内の最大露光線量よりも高い前記量に比例する請求項１８から２３のいずれか１項記載の方法。
【請求項２５】
前記重複パターンデータ（４６）によって表される前記１つまたは複数のフィーチャのサイズの前記減少は、前記ターゲット上に存在し前記荷電粒子ビームによって露光されることになるレジストの現像後の前記フィーチャの所望のサイズと組み合わせて、前記重複エリア内の総露光線量（７２）から計算される請求項１８から２４のいずれか１項記載の方法。
【請求項２６】
前記パターンは、ラスタ走査の形で前記ターゲット（３０）上に露光される請求項１８から２５のいずれか１項記載の方法。
【請求項２７】
複数の荷電粒子ビーム（２４）を使用して、ターゲット（３０）を露光する荷電粒子リソグラフィシステムにおいて、
前記荷電粒子ビームを生成させるように適合されている荷電粒子生成器（１、３、４、６）と、
露光データ（４０）にしたがって、前記荷電粒子ビームを変調するように適合されている変調システム（７）と、
前記ターゲットの表面にわたって前記ビームを走査するために前記荷電粒子ビームを偏向するように適合されている偏向システム（９）と、
前記荷電粒子ビーム（２４）を前記ターゲット上に投影するように適合されている投影レンズシステム（１０）と、
前記ターゲットを保持する可動ステージ（１６）と、
前記変調システムと前記偏向システムと前記ステージとを制御するように適合されている１つまたは複数の制御ユニット（１０４、１０６、１０８、１１０）とを具備し、
ここにおいて、前記リソグラフィシステムは、請求項１６から２６のいずれか１項記載の方法にしたがって、前記ターゲットを露光するように適合されているシステム。
【請求項２８】
前記変調システムは、前記複数の荷電粒子ビーム（２４）の個々のビームのオンとオフとを切り換えるためのビームレットブランカアレイ（７）とビームストップアレイ（８）とを備える請求項２７記載のシステム。
【請求項２９】
前記変調システムは、露光線量データ（５２）にしたがって、前記荷電粒子ビーム（２４）の露光線量を調整するように適合されている請求項２７または２８記載のシステム。
【請求項３０】
前記変調システムは、前記露光線量データ（５２）にしたがって、前記荷電粒子ビームをディザリングすることによって、前記荷電粒子ビーム（２４）の露光線量を調整するように適合されている請求項２７から２９のいずれか１項記載のシステム。
【請求項３１】
前記変調システムは、パターンデータ（４２）にしたがって、前記荷電粒子ビームのオンとオフとを切り換えるように適合されている請求項２７から３０のいずれか１項記載のシステム。
【請求項３２】
露光データ（４０）を記憶するメモリ手段（１２２）と、
請求項１から１５のいずれか１項記載の方法にしたがって、前記露光データを処理する,ように適合されている処理手段（１２４）とを具備するデータ処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子を使用してターゲットを露光させるための方法およびシステム、ならびに荷電粒子リソグラフィにおいて使用するために露光データを処理するための方法およびシステムに関し、より詳細には、ターゲットの露光中にステッチング（stitching）を実行するための方法およびシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
マルチビームリソグラフィシステムでは、複数のビームが、レジストが塗布されたシリコンウェハなどのターゲットを露光するために使用される。通常、電子ビームなどの荷電粒子ビームが使用される。ターゲットの表面全体にわたって複数のビームが走査され、各ビームは、パターンの一部分をターゲットの一部分の上に同時に描画する。満足の行くスループットで必要とされる精度を提供するために、非常に多数のビーム、たとえば数万もしくは数十万、さらには数百万のビームが使用されることがある。そのようなシステムの一例は、Ｍ．Ｊ．Ｗｉｅｌａｎｄら、「Ｔｈｒｏｕｇｈｐｕｔ  ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ  ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ  ｆｏｒ  ＭＡＰＰＥＲ  ｍａｓｋｌｅｓｓ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ」、Ｐｒｏｃ．  ｏｆ  ＳＰＩＥ、第７６３７巻、７６３７１Ｚ（２０１０年）に記載されている。
【０００３】
単一露光中、リソグラフィシステムは通常、ターゲットの一エリア、たとえば、単一の２６ｍｍ×３３ｍｍのフィールドを露光する。各ビームは、ターゲット上の特定の割り振られたサブエリアを走査するために使用される。非常に多数のビームが使用される場合、これらのサブエリアは非常に小さい。
【０００４】
各ビームがターゲットの表面全体にわたって走査するので、各ビームは、ターゲット上で露光されることになる必要とされるパターンを再現するために何らかのやり方で変調される。マスクレスリソグラフィシステムでは、露光データは、ビームを変調するために使用される。露光データは通常、ターゲット上に露光されることになる形状（フィーチャと呼ばれる）を表すパターンデータを含む。各ビームは、ターゲットの表面の特定のパートの上を走査するので、パターンデータは、リソグラフィシステムに流され、ターゲットを走査するとき各ビームの強度を調整するために使用され得る。たとえば、パターンデータは、ビームによってたどられる走査線に沿って、フィーチャがターゲット上に形成されることになるターゲットの特定の一部を露光し、他の一部を露光しないように、各ビームのオンとオフとを切り換えるために使用され得る。
【０００５】
露光データは、露光線量（exposure dose）値も含み、ビームが走査するときビームの強度のさらなる変調を提供する。たとえば、パターンデータが、その走査経路の特定の一部の上でビームをオンに切り換えるために使用される場合、露光線量値は、リソグラフィシステムに、その走査経路のその部分の間にビームの強度をゼロパーセントと百パーセントの間の何らかの値に、たとえば７０％に、設定するように指示することができる。ラスタ走査リソグラフィシステムでは、この露光線量変調は、ビームをディザリング（dithering）する、たとえば特定のマーク対スペース比（mark-space ratio）でビームのオンとオフを切り換えて所望のビーム強度を達成することによって達成され得る。露光線量値はまた、オフに切り換えられるべきであるとパターンデータが示すビームの強度を設定するために使用され得ることに留意されたい。マスクレスリソグラフィ機械において使用するための露光データの処理の一例が、Ｅ．Ａ．Ｈａｋｋｅｎｎｅｓａらの、「Ｄｅｍｏｎｓｔｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｒｅａｌ  Ｔｉｍｅ  ｐａｔｔｅｒｎ  ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ  ｆｏｒ  ｈｉｇｈ  ｔｈｒｏｕｇｈｐｕｔ  ｍａｓｋｌｅｓｓ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ、Ｐｒｏｃ．  ｏｆ  ＳＰＩＥ、第７９７０巻、７９７０１Ａ−１（２０１１年）」に記載されている。
【０００６】
ビームを生成するリソグラフィシステムは、その製造および動作中に生じるさまざまな誤差と不確実性とを必ず経験し、ターゲットを走査する他のビームと比較して、ターゲットを走査する各ビームの正確な位置の誤差および不確実性を招く。ターゲットは通常、露光中に移動するステージに取り付けられ、ステージ移動の、およびリソグラフィシステム内のターゲットの正確な位置の誤差および不確実性も存在する。その結果、あるビームによって走査されるターゲットのサブエリアは、別のビームによって走査されるターゲットの隣接サブエリアと完全にアライメントされないことがある。
【０００７】
サブエリア間の間隙などのこのミスアラインメントまたは隣接サブエリア内で露光されたフィーチャの不完全なアラインメントによって引き起こされる露光誤差を回避するために、リソグラフィシステムは、隣接サブエリアが重複するように設計され得る。隣接サブエリアが重複するエリア内で、複数のビームが、いわゆるステッチング領域内のターゲットの上に描画し得る。この文脈におけるステッチングは、ビームが、隣接サブエリア間のインターフェースにあるターゲットの上に描画することを指す。重複エリア内で描画するために、さまざまなステッチング技法が可能である。
【０００８】
１つの手法では、重複エリア内で走査するときにビームのうちの１つがオフに切り換えられ、したがって、ビームのうちの１つのみが、重複エリアを実際に露光するために使用される。この手法が、露光されることになるパターンに関係なく使用される場合、重複を除去し、サブエリア間の露光されていない間隙（gap）という課題を再び持ち込むに過ぎない。１つのビームのみによってパターンの重要な一部が露光され、パターンの重要でない一部の中で間隙が生じることを保証するために、重複エリア内で描画するビームは重複エリア内で露光されることになるフィーチャに基づいて選択される「スマート境界（smart boundary）」法が使用され得る。別の手法では、減少した露光線量を使用して重複エリアを露光するために、両方のビームが使用される。１つのビームが重複エリア全体にわたって走査するにつれて、そのビームはフェードアウトし得るが、第２のビームは、ソフトエッジを生じさせるためにフェードインする。露光されることになるフィーチャのトポロジに応じて、これらの２つの手法の組み合わせも使用され得る。
【０００９】
これらの技法は、隣接したサブエリア間の不完全なアラインメントの影響を減少させることができるが、露光されることになるフィーチャのトポロジに応じた複雑な計算を必要とし、依然として、ターゲットの他の領域内よりもステッチング領域内で限界寸法（ＣＤ）の著しく高い変動を招くことがある。
【００１０】
セル（またはキャラクタ）プロジェクション電子ビームリソグラフィとして知られる異なる電子ビームリソグラフィ技法では、隣接したショットエリア間でステッチング欠陥が生じることがある。ＵＳ２００４／０１９１６４３Ａ１およびＨｉｒｏｓｈｉ  Ｙａｍａｓｈｉｔａら、「Ｒｅｃｅｎｔ  Ｐｒｏｇｒｅｓｓ  ｉｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｂｅａｍ  Ｃｅｌｌ  Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．第３５巻（１９９６年）６４０４〜６４１４ページは、重複パターンまたは結合パターンを使用することによって、重複しない隣接ショットエリア間の誤差を減少させるために追加パターンを使用することによって、この問題に取り組んでいる。しかしながら、これは、成形ビームを形成するために使用されるセルプロジェクションステンシルを適合させることによって実現されるルールベースの機械的手法である。
【００１１】
セルプロジェクション技術では、システム内の精度誤差を平均化するためにターゲット表面上の複数の通過を実行することは、さらに一般的である。しかしながら、これは、そのようなシステムのスループットを減少させる。ＵＳ２０１０／００５５５８７Ａ１は、セルプロジェクション技術を使用してパターンを形成するために必要なショットの数を減少させるために重複ショットと可変線量とを使用することを開示している。
【００１２】
しかしながら、これらの開示は、複数の荷電粒子ビーム直接描画リソグラフィにおいてステッチング誤差を減少させる解決策を提供していない。
【００１３】
ＵＳ２００５／０２１１９２１Ａ１および本出願人に譲渡されたＵＳ２０１２／０２８６１７０Ａ１は、部分的に重複する描画エリアを使用することによって複数のビームリソグラフィにおいてビーム偏向誤差を減少させることを開示している。
【発明の概要】
【００１４】
本発明は、ターゲット上の重複エリア内の改善されたステッチングを提供するように露光データを処理するための方法とシステムとを提供することによって、上記の問題に取り組む。
【００１５】
本発明は、重複エリア内の限界寸法均一性（ＣＤｕ）を改善するように露光ラチチュード（exposure latitude）を増加させるために重複エリア内でより高い露光線量を利用する。複数のビームは、重複エリア内で描画するために利用可能であるので、より高い露光線量は、スループットの不利益を招くことなく重複エリア内で付与可能である。このようにして、ステッチングは、ステッチングのない非重複エリア内のＣＤｕに匹敵するまたはこれよりも良い重複エリア内のＣＤｕを維持しながらリソグラフィシステム内でミスアラインメントを扱うために実行可能である。
【００１６】
一態様では、本発明は、複数の荷電粒子ビームを使用してターゲット上のパターンを露光するために露光データを処理するための方法を提供し、この露光データは、ターゲット上で描画されることになる１つまたは複数のフィーチャを表すパターンデータを備え、方法は、パターンデータを複数のサブセクションに分割することと、このサブセクションの各々は、ターゲットの対応するサブエリア内で描画されることになるパターンの一部を表すパターンデータを備え、ここにおいて、パターンデータは、隣接サブエリアが重複する、ターゲットの対応する重複エリア内に描画されることになるパターンの一部を表す重複パターンデータを備える、重複パターンデータによって表される１つまたは複数のフィーチャのサイズを減少させるように重複パターンデータを処理することとを備える。処理は、非重複パターンデータすなわち重複パターンデータの一部でないパターンデータによって表されるフィーチャのサイズに対して、重複パターンデータによって表されるフィーチャのサイズを減少させる。
【００１７】
露光データは、荷電粒子ビームの露光線量を表す露光線量値をさらに備え、方法は、露光線量値を複数のサブ部分に分割することと、サブ部分の各々は、ターゲットの対応するサブエリアを露光するための露光線量値を含み、ここにおいて、露光線量値は、隣接サブエリアが重複する、ターゲットの対応する重複エリアのための露光線量を表す重複線量値と、隣接サブエリアが重複しない、ターゲットの対応する非重複エリアための露光線量を表す非重複線量値とを備える、重複エリア内の位置に対応する露光線量値の合計が非重複エリアのための最大露光線量値を超えるように、露光線量のうちの１つまたは複数を設定することとを備える。
【００１８】
露光データは、パターンデータと露光線量データの両方を含んでよい。露光線量データは、露光データ内のパターンデータと別個に表されてよく、たとえば、露光データファイルの一部分がパターンデータを備えてよく、データファイルの別個の部分が露光線量データを備えてよい。別法として、露光線量データおよびパターンデータは、両方のタイプのデータを包含する合成データによって表されてよい。露光データを処理するための方法は、パターンデータと露光線量データの両方を処理することを、本明細書で説明される方法に備えてよい。
【００１９】
重複エリア内の１つまたは複数のフィーチャの寸法の減少を定義する重複パターンデータは、ターゲット上に存在するレジスト層の現像後のフィーチャの所望のサイズと組み合わせた露光線量データから計算され得る。それによって、フィーチャを形成するために荷電粒子ビームによって露光されるエリアは減少されるが、レジストの現像後で結果として得られる重複領域内のフィーチャは、パターンデータによって定義された意図されたフィーチャ寸法に適合するように、重複領域のための露光線量データと重複パターンデータは一致させられる。
【００２０】
通常はレジストを塗布されたウェハであるターゲットは、複数の荷電粒子ビームによって露光され、各ビームは、ターゲットの別個のサブエリア内で描画する。このようにして、露光されることになるターゲットの表面は、サブエリアに分割される。パターンデータのサブセクションは各々、ターゲットの対応するサブエリアを露光するために使用されることになるデータを備える。ターゲットの隣接サブエリアが重複する場合、この隣接サブエリアは、ターゲット上で重複エリアを作製する。重複エリアを露光するために使用されることになるパターンデータの部分は、重複パターンデータと呼ばれる。同様に、露光線量データのサブ部分は各々、ターゲットの対応するサブエリアを露光するために使用されることになるデータを備える。重複エリアを露光するために使用されることになる露光線量データの部分は、重複線量データと呼ばれる。
【００２１】
一実施形態では、パターンデータのサブセクションは、ターゲットの特定のサブエリアを露光するために、単一荷電粒子ビームの制御に使用される。重複パターンデータは、パターンデータの複数のサブセクションの一部を形成し、複数のビームによるターゲット上の重複エリアの露光の目的で複数の荷電粒子ビームを制御するために使用され得る。同様に、露光線量データのサブ部分は、ターゲットの特定のサブエリアを露光するために単一の荷電粒子ビームの制御に使用され得る。重複線量データは、露光線量データの複数のサブ部分を形成し、複数のビームによるターゲット上の重複エリアの露光の目的で複数の荷電粒子ビームを制御するために使用され得る。
【００２２】
パターンデータによって表される、ターゲットで露光されることになるフィーチャは、重複パターンデータの中に部分的または全体的にあり、ターゲット上の重複エリアの中に部分的または全体的に形成されることになるフィーチャを表してよい。ターゲットを露光する前に、重複エリア内で形成されることになるこれらのフィーチャまたはフィーチャの一部分を表すパターンデータは、ターゲット上で非重複エリア内において形成されることになるフィーチャまたはフィーチャの一部分に対して、重複エリア内において形成されることになるフィーチャのサイズまたはその一部分を減少させるように処理される。たとえば、この処理は、データが、重複エリア内では減少した幅を有するが非重複エリア内での幅の減少がないフィーチャを表すように重複パターンデータを変えることをもたらすことがある。
【００２３】
パターンデータのサブセクションの第１のサブセクションはサブエリアの第１のサブセクションに対応してよく、パターンデータのサブセクションの第２のサブセクションはサブエリアの第２のサブセクションに対応してよく、第１のサブセクションと第２のサブセクションの各々は、第１のサブエリアおよび第２のサブエリアの重複エリアに対応する重複パターンデータを含んでよい。パターンデータは、重複パターンデータが、ターゲットの重複サブエリアに対応するパターンデータのサブセクションの各々の一部を形成するように構成されてよい。たとえば、ターゲットの２つのサブエリアが、重複エリアを形成するために重複する場合、２つのサブエリアを露光するためのパターンデータを有する２つのサブセクションは各々、重複エリアを露光するための重複パターンデータを含んでよい。
【００２４】
パターンデータのサブセクションは、重複パターンデータと非重複パターンデータの両方を含んでよく、重複パターンデータは、ターゲット上の対応する重複エリア（ターゲットの１つまたは複数のサブエリアが重複する）内に描画されることになるパターンの一部分を表すパターンデータを含み、非重複パターンデータは、ターゲット上の対応する非重複エリア（ターゲットの他の任意のサブエリアと重複しないサブエリアの一部である）内で描画されることになるパターンの一部分を表すパターンデータを含む。
【００２５】
パターンデータは、形状の方形部分の形をとるフィーチャを含んでよく、この形状は、部分的には重複パターンデータ内に、部分的には非重複パターンデータ内に備えられ、重複パターンデータの処理は、非重複パターンデータ内の方形部分の幅に対して重複パターンデータ内の方形部分の幅を減少させることをもたらし得る。たとえば、線などの形状の方形部分は、パターンデータによって表されてよく、部分的には重複パターンデータ内に、部分的には非重複パターンデータにあってよく、部分的にはターゲット上の重複エリア内で、部分的にはターゲット上の非重複エリア内で形成されることになる形状を表す。形状を表すパターンデータは、重複エリア内で形成されることになる方形部分の一部の幅を減少させるように処理される。たとえば、この処理は、パターンデータが、重複エリア内でより狭い幅と非重複エリア内でより広い幅とを有する方形部分を表すように、重複パターンデータを変えることをもたらすことがある。
【００２６】
重複パターンデータによって表されるフィーチャのサイズの減少は、減少したフィーチャの寸法が非重複パターンデータ内よりも重複パターンデータ内で小さいことをもたらすことがある。フィーチャのサイズの減少は、重複エリアを形成する隣接サブエリア間の交差の方向に垂直な方向におけるフィーチャの幅の減少であってもよいし、サイズの減少は、フィーチャの任意の寸法の減少であってもよい。
【００２７】
露光線量データの線量値の設定が、ターゲットの各重複エリアのための線量値の２つのセットを生成することを備えてよく、一方のセット内の各線量値は、他方のセット内の対応する線量値を有し、ここにおいて、線量値のうちの少なくともいくつかのための２つのセット内の対応する線量値の合計が、隣接サブエリアが重複しないターゲットの非重複エリアのための最大線量値を超える。
【００２８】
ターゲットの重複エリアのための露光線量データは、複数の荷電粒子ビームの露光線量の制御のために使用され得る。２つのビームが、重複エリアを露光するために使用される場合、露光線量データは、露光線量値の２つの異なるセットを生成するために使用されてよく、線量値の一方のセットは１つのビームを制御するために使用され、線量値の他方のセットは別のビームを制御するために使用される。線量値の２つのセットは、線量制御が２つのビームに対して異なるように修正可能である。両方のビームは同じ重複エリア内に描画されており、したがって、重複エリア内のターゲットに付与される実際の線量は、２つのビームからの線量の合計である。線量値の２つのセットは、２つのセット内の対応する線量値の合計が非重複エリアのための線量値よりも大きいように修正され得る。このようにして、重複エリア内の線量は、重複エリアの少なくともいくつかの部分に対して、非重複エリア内の線量よりも高い。
【００２９】
露光線量値データは、複数のサブ部分に分割されてよく、このサブ部分の各々は、ターゲットの対応するサブエリアを露光するための露光線量値を含み、ここにおいて、露光線量値は、隣接サブエリアが重複する、ターゲットの対応する重複エリアのための露光線量を表す重複線量値と、隣接サブエリアが重複しない、ターゲットの対応する非重複エリアための露光線量を表す非重複線量値とを備える。露光線量データの第１のサブ部分はサブエリアの第１のサブエリアに対応してよく、露光線量データの第２のサブ部分はサブエリアの第２のサブエリアに対応してよく、第１のサブ部分および第２のサブ部分の各々は、第１のサブエリアおよび第２のサブエリアの重複エリアに対応する重複線量値を含んでよい。
【００３０】
方法は、ターゲットのサブエリアの第１のサブエリアに対応する露光線量データの第１のサブ部分を識別することと、ターゲットのサブエリアの第２のサブエリアに対応する露光線量データの第２のサブ部分を識別することと、第１のサブエリアと第２のサブエリアが重複するターゲットの重複エリア内の描画位置に各々対応する複数の線量値を有する第１の重複線量データを生成することと、ここにおいて、線量値の少なくとも一部分は、重複エリア内の対応する描画位置に応じて変化し、線量値は、重複エリアの外部の第１のサブエリアの一部からの対応する描画位置の距離を増加させるにつれて大きさが減少する、ターゲットの重複エリア内の描画位置に各々対応する複数の線量値を有する第２の重複線量データを生成することと、ここにおいて、線量値の少なくとも一部分は重複エリア内の対応する描画位置に応じて変化し、線量値は、重複エリアの外部の第２のサブエリアの一部からの対応する描画位置の距離を増加させるにつれて、大きさが減少する、をさらに備えてよい。
【００３１】
このようにして、ビームが重複エリア全体にわたってサブエリアの縁の方へ走査するにつれて、露光線量は減少し得（フェードアウトし得）、サブエリアの縁から始まる重複エリア全体にわたってビームが走査するにつれて、第２のビームの露光線量は増加し得る（フェードインし得る）。第１の重複線量データおよび第２の重複線量データの線量値の変動は、線量値の対応する描画位置に応じて、線形変動または正弦波状変動であってよい。線量値のすべてが、重複エリア内で減少される必要があるとは限らず、たとえば重複エリア内の非重複エリアに近い線量値、の一部分は、前の値を保ってよい。
【００３２】
第１の重複線量データの線量値のうちの少なくともいくつかの減少は、ターゲットの第１のサブエリアからの距離に対して線形であってよく、第２の重複線量データの線量値のうちの少なくともいくつかの減少は、ターゲットの第２のサブエリアからの距離に対して線形であってよい。別の構成では、第１の重複線量データの線量値のうちの少なくともいくつかの減少は、ターゲットの第１のサブエリアからの距離に対して正弦波状であってよく、第２の重複線量データの線量値のうちの少なくともいくつかの減少は、ターゲットの第２のサブエリアからの距離に対して正弦波状であってよい。
【００３３】
露光線量データの線量値は、ディザリング値を備える。これらのディザリング値は、ビームの露光線量の変動を達成するために個々のビームのオンとオフとを切り換えるために使用され得る。
【００３４】
重複パターンデータによって表されるフィーチャのサイズの減少は、ターゲットの重複エリア内の位置に対応する露光線量値の合計がターゲットの非重複エリアのための最大露光線量値を超える量に関連し得る。フィーチャのサイズのこの減少は、ターゲットの重複エリア内の位置に対応する露光線量値の合計が、ターゲットの非重複エリアのための最大露光線量値を超える量の関数であってよく、ターゲットの重複エリア内の位置に対応する露光線量値の合計が、ターゲットの非重複エリアのための最大露光線量値を超える量に比例し得る。重複エリア内のより高い露光線量は、重複エリア内のフィーチャのサイズの減少によって補償される。露光データのこれらの２つの調整は、好ましくは、レジストの現像後の重複エリア内の解像（ｒｅｓｏｌｖｅ）されたパターンが重複エリア内のフィーチャの所望の寸法を示すように実施される。重複エリア内のレジストにおいて描画されるフィーチャの寸法は、重複線量データと、レジストの現像後の、結果として得られるフィーチャの所望の寸法に基づいて、計算され得る。
【００３５】
さらなる態様では、本発明は、複数の荷電粒子ビームを使用してターゲット上のパターンを露光するための露光データファイルであって、露光データは、ターゲット上で描画されることになる１つまたは複数のフィーチャを表すパターンデータと、ターゲット上のパターンを露光するための荷電粒子ビームの露光線量を表す露光線量データとを備え、ここにおいて、露光データは、本明細書で説明される方法のいずれかにより処理される、露光データファイルを備える。別の態様では、本発明は、露光データファイルを含むデータキャリアを備える。
【００３６】
さらなる態様では、本発明は、露光データを記憶するためのメモリ手段と、特許請求の範囲のいずれか一項に記載の方法により露光データを処理するための処理手段とを備える、データ処理システムを備える。
【００３７】
データ処理システムは、処理された露光データを記憶するためのメモリ手段をさらに備えてよい。
【００３８】
さらに別の態様では、本発明は、露光データに従って複数の荷電粒子ビームを使用してターゲットを露光するための方法であって、露光データは、ターゲット上で描画されることになる１つまたは複数のフィーチャを表すパターンデータと、荷電粒子ビームの露光線量を表す露光線量データとを備える、方法を備え、この方法は、本明細書で説明される方法のいずれかにより露光データを処理することと、この処理された露光データに従って制御された荷電粒子ビームを使用してターゲットを露光することとを備える。方法は、ターゲットの第１のサブエリアを露光するための荷電粒子ビームの第１の荷電粒子ビームを割り当てることと、ターゲットの第２のサブエリアを露光するための荷電粒子ビームの第２の荷電粒子ビームを割り当てることと、ここにおいて、第１のサブエリアと第２のサブエリアは隣接し、重複エリア内で重複する、本明細書で説明される方法のいずれかに記載の方法により露光データを処理することと、処理された露光データの第１の部分に従って第１の荷電粒子ビームを使用してターゲットの第１のサブエリアを露光することと、処理された露光データの第２の部分に従って第２の荷電粒子ビームを使用してターゲットの第２のサブエリアを露光することとを備える。
【００３９】
さらに別の態様では、本発明は、複数の荷電粒子ビームを使用してターゲット上のパターンを露光するための方法であって、第１のサブエリアがターゲットの第２のサブエリアと重複する重複エリアを含めて、荷電粒子ビームの第１の荷電粒子ビームを使用してターゲットの第１のサブエリアを露光することと、重複エリアを含めて、荷電粒子ビームの第２の荷電粒子ビームを使用してターゲットの第２のサブエリアを露光することとを備え、ここにおいて、重複エリアの少なくとも一部分内の露光線量は、重複エリアの外部の第１のサブエリアおよび第２のサブエリア内の最大露光線量よりも高い、方法を備える。
【００４０】
方法は、重複エリアの外部の第１のサブエリアの中で描画するときの第１の荷電粒子ビームの最大露光線量よりも高く、重複エリアの外部の第２のサブエリアの中で描画するときの第２の荷電粒子ビームの最大露光線量よりも高い、重複エリアの少なくとも一部分の中で描画するときの第１の荷電粒子ビームと第２の荷電粒子ビームの合成露光線量を適用することとを備える。重複エリアの少なくとも一部分に対して、第１の荷電粒子ビームの露光線量は、重複エリア内のその描画位置に応じて変化し、ここにおいて、重複エリアの外部の第１のサブエリアの一部からの距離を増加させるにつれて、第１の荷電粒子ビームの露光線量が減少される。また、第２の荷電粒子ビームの露光線量は、重複エリア内のその描画位置に応じて変化してよく、ここにおいて、重複エリアの外部の第２のサブエリアの一部からの距離を増加させるにつれて、第２の荷電粒子ビームの露光線量が減少される。第１の荷電粒子ビームおよび第２の荷電粒子ビームの露光線量の変動は、描画位置に応じて、線形変動または正弦波状変動であってよい。
【００４１】
荷電粒子ビームは、ターゲット上で描画されることになる１つまたは複数のフィーチャを表すパターンデータに従って制御され、方法は、重複エリアの外部の第１のサブエリアおよび第２のサブエリア内で描画されることになるフィーチャに対して重複エリア内で描画されることになる１つまたは複数のフィーチャのサイズを減少させるように重複パターンデータを処理することを備える。重複パターンデータによって表されるフィーチャのサイズの減少は、重複エリア内の露光線量が重複エリアの外部の第１のサブエリアおよび第２のサブエリア内の最大露光線量よりも高い量の関数であってよく、これに比例してよい。
【００４２】
本発明のさらに別の態様は、複数の荷電粒子ビームを使用してターゲットを露光するための荷電粒子リソグラフィシステムであって、荷電粒子ビームを生成するために適合された荷電粒子生成器と、露光データに従って荷電粒子ビームを変調するように適合された変調システムと、ターゲットの表面にわたってビームを走査するために荷電粒子ビームを偏向するように適合された偏向システムと、荷電粒子ビームをターゲット上に投影するように適合された投影レンズシステムと、ターゲットを保持するための可動ステージと、変調システムと偏向システムとステージとを制御するように適合された１つまたは複数の制御ユニットとを備え、ここにおいて、リソグラフィシステムは、本明細書で説明される、ターゲットを露光するための方法により、ターゲットを露光するために適合される、システムを備える。
【００４３】
変調システムは、複数の荷電粒子ビームのうちの個々のビームのオンとオフとを切り換えるためのビームレットブランカアレイとビームストップアレイとを備えてよい。変調システムは、露光線量データに従って荷電粒子ビームの露光線量を調整するように適合されてよい。この露光線量の調整は、荷電粒子ビームをディザリングすることによって達成されてよい。変調システムは、パターンデータに従って荷電粒子ビームのオンとオフとを切り換えるように適合されてよい。
【００４４】
本発明のさまざまな態様は、図面に示される実施形態を参照しながら、さらに説明される。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】荷電粒子マルチビームレットリソグラフィシステムの一例の簡略化された概要図。
【図２】図１のリソグラフィシステムのエンドモジュールの、側面図の形をした、簡略化された概要図。
【図３】露光データ処理システムの簡略化されたブロック図。
【図４】フィールドに分割されたウェハの一例の図。
【図５】ウェハのフィールドを描画するための荷電粒子サブビーム描画パスの構成の図。
【図６】ウェハのフィールドのストライプを描画するためのビームレット描画パスの構成の図。
【図７】ターゲットの表面上のサブエリアの構成を示す図。
【図８】ターゲットの表面上のビーム露光サブエリアを示す図。
【図９】ステッチング領域内の露光線量の一例の図。
【図１０】露光ラチチュードを示すプロット。
【図１１】パターンデータと露光線量データとを含む露光データファイルの表示を示す図。
【図１２】サブ部分に分割された露光線量データの一例の図。
【図１３】パターンデータによって表されるフィーチャの表示を示す図。
【図１４Ａ】第１の実施形態における処理後のパターンデータによって表されるフィーチャの表示を示す図。
【図１４Ｂ】第１の実施形態における処理後の露光線量データによって表される露光線量値の表示を示す図。
【図１４Ｃ】フィーチャが、図１４Ａおよび図１４Ｂによる修正されたパターンデータおよび露光線量データに従ってターゲットの表面上のレジスト内で解像されることを示す図。
【図１５Ａ】第２の実施形態における処理後のパターンデータによって表されるフィーチャの表示を示す図。
【図１５Ｂ】第２の実施形態における処理後の露光線量データによって表される露光線量値の表示を示す図。
【図１５Ｃ】フィーチャが、図１５Ａおよび図１５Ｂによる修正されたパターンデータおよび露光線量データに従ってターゲットの表面上のレジスト内で解像されることを示す図。
【発明を実施するための形態】
【００４６】
以下は、単なる例として与えられ、図面を参照した、本発明のさまざまな実施形態の説明である。特に記載のない限り、図面は、原寸に比例して描かれたものではない。
【００４７】
図１は、荷電粒子マルチビームレットリソグラフィシステムの一実施形態の簡略化された略図を示す。図示の実施形態は、たとえば米国特許第６，８９７，４５８号、第６，９５８，８０４号、第７，０１９，９０８号、第７，０８４，４１４号、第７，１２９，５０２号、第７，７０９，８１５号、および第７，８４２，９３６号に記載されているものなどの全電子ビームの共通クロスオーバを持たない電子ビーム光学システムに基づき、これらの特許は、すべて本発明の権利者に譲渡され、すべてその全体が参照により本明細書に組み込まれる。図示の実施形態は、複数のサブビームから複数のビームレットを形成する。
【００４８】
電子源１は、均一な広がる電子ビーム２０を生じさせ、電子ビーム２０は、平行化された電子ビーム２１を生じさせるためにコリメータシステム３を通過し、次いで、サブビームアパーチャアレイ４に当たる。アパーチャアレイ４は、ビームの一部を遮蔽し、複数のサブビーム２２を発する。システムは、多数のサブビーム２２、たとえば１０，０００から１００，０００のサブビームを生成し得る。
【００４９】
サブビームは集光レンズアレイ５を通過し、集光レンズアレイ５は、ビームストップアレイ８の平面内で、ビームストップアレイ８内の対応する開口に向けてサブビームをほぼ集束させる。サブビーム２２は複数アパーチャアレイ６によって妨害され、複数アパーチャアレイ６は、各サブビームの（すなわち、これに対応する）パスに複数のアパーチャを含み、各サブビーム２２からビームレット２３のグループを生じさせる。ビームレットの各グループは、ビームストップアレイ８内の対応する開口の方へ向けられる。
【００５０】
次いで、ビームレット２３が、ビームレットブランカアレイ７を通過する。ビームレットブランカアレイ７は、ビームレットをブランキングするために、ビームレットのグループ内の個々のビームレット２３を特定の回数、偏向させ得る。偏向された（ブランキングされた）ビームレットはビームストップアレイ８によって遮蔽されるが、偏向されていない（ブランキングされていない）ビームレットは、ビームストップアレイ８の中の対応する開口を通過し、その後、ビーム偏向器アレイ９の中で偏向され、投影レンズ構成１０によってターゲット上に投影される。ビーム偏向器アレイ９は、ターゲットの表面全体にわたってビームレットを走査するために、偏向されていないビームレット２３の方向に略垂直な方向における各ビームレット２３の偏向を提供する。リソグラフィ適用例では、ターゲットは通常、荷電粒子感受性層すなわちレジスト層を備えるウェハを備える。
【００５１】
図１に示される例では、アパーチャアレイ６が、各サブビーム２２から、３つのビームレット２３のグループを生じさせる。実際の一実施形態では、はるかに大きい数、たとえば５０のビームレットまたはそれ以上が、単一投影レンズシステムを通って向けられることがある。
【００５２】
図２は、エンドモジュールの一実施形態をより詳細に示し、ターゲット３０上に電子ビームレットを投影させる、ビームストップアレイ８と偏向アレイ９と投影レンズ構成１０とを示す。ビームレット２３は、ターゲット３０上に投影され、好ましくは、直径が約１０〜３０ナノメートルの幾何学的スポットサイズをもたらす。投影レンズ構成１０は、静電レンズのアレイを形成するために使用される、順に構成された３つのプレート１２と１３と１４とを有する。
【００５３】
図２は、図２では左から右へのビームレットの偏向として示される、Ｙ方向における偏向アレイ９によるビームレット２３の偏向を示す。図２の実施形態では、１つまたは複数のビームレットが通過する偏向アレイ９の中のアパーチャが示されており、電極がアパーチャの両側に設けられ、これらの電極は、電圧＋Ｖおよび−Ｖを備える。電極にわたる電位差によって、アパーチャを通過するビームレットの偏向が生じる。電圧（または電圧の符号）を動的に変更することによって、ビームレットが、走査するようにターゲットの表面上で掃引される。
【００５４】
図１に戻ると、制御ユニット１０４は、ビームレット変調データを受信して、個々のビームレットのブランキングの制御のために、このデータをブランカアレイ７に供給し、制御ユニット１０６は、タイミングデータを受信して、ビームレットの走査偏向を制御するために、偏向アレイ９に信号を送信し、制御ユニット１０８は、制御データを受信して、ステージ上で支持されたターゲット３０の移動を制御するために、可動ステージ１６に信号を送信する。この移動は、Ｙ方向または機械走査方向と呼ばれる。Ｙ方向の移動は通常、ステージ１６の機械的運動によって達成されるが、別法として、システムの残りの移動、ビームレットの偏向、または上記の技法の任意の組み合わせによって達成されてもよい。ビームレットは、以下で説明されるように、通常Ｙ方向に略垂直な、すなわちほぼ垂直であるが正確には垂直でない、Ｘ方向または偏向走査方向に、偏向器アレイ９によってターゲット３０の表面全体にわたって走査される。
【００５５】
ブランカアレイ７によるビームレットのブランキング、偏向器アレイ９によるビームレットの走査偏向、およびステージ１６によるターゲット３０の移動は、ターゲット上のパターンの適切な露光を可能にするように協調されるべきである。制御ユニット１１０は、これらの動作を協調させるために使用されてよい。
【００５６】
ビームレット２４は、ターゲット３０の表面全体にわたって走査されるので、ビームは、ターゲット上に露光されることになる必要とされるパターンを再現するように変調される。マスクレスリソグラフィシステムでは、露光データは、ビームを変調するために使用される。露光データは通常、ターゲット上に露光されることになる形状（フィーチャと呼ばれる）を表すパターンデータを含む。各ビームレット２４は、ターゲットの表面の特定の一部の上を走査するので、パターンデータは、リソグラフィシステムに流され、ターゲットを走査するとき各ビームレットの強度を調整するために使用され得る。図１のシステムでは、パターンデータは、ビームレットによってたどられる走査線に沿ってターゲットの特定の一部を露光し、他の一部を露光しないように、各ビームレットのオンとオフとを切り換えるために、ブランカアレイ７に流される。たとえば、パターンデータは、ターゲット上にフィーチャが形成されることになるその走査経路の一部の上ではオンに切り換えられるようにビームレットに指示し、フィーチャが存在しないことになるその走査経路の他の一部の上ではオフに切り換えられるようにビームレットに指示することがある。
【００５７】
露光データは、ビームレットが走査するにつれてビームレットの強度をさらに変調させるために使用される、すなわちパターンデータによるビーム変調に加えて、露光線量値も含み得る。たとえば、パターンデータが、その走査経路の特定の一部の上でビームレットをオンに切り換えるために使用される場合、露光線量値は、リソグラフィシステムに、その走査経路のその位置の間にビームの強度をゼロパーセントと百パーセントの間の何らかの値に、たとえば７０％に、設定するように指示することができる。露光線量値はまた、オフに切り換えられるべきであるとパターンデータが示すビームの強度を設定するために使用され得ることに留意されたい。
【００５８】
パターンデータは通常、最初は、ＧＤＳ−ＩＩ形式またはＯＡＳＩＳ形式などのベクトル形式で生成される。露光線量情報は、たとえば線量マップとして、またはパターンデータ内の各フィーチャに関連付けられた線量タグを使用することによって、記憶され得る。図３は、露光データを記憶するためのデータ記憶ユニット１２２と、リソグラフィシステムたとえば制御ユニット１０４および制御ユニット１１０に流れるように露光データを準備するように露光データを処理するための処理ユニット１２４とを含むリソグラフィシステムに露光データを供給するための基本システムのブロック図を示す。データ記憶ユニット１２２は、大量のデータを記憶するのに適した１つまたは複数のハードディスク記憶デバイスまたは他のタイプの記憶媒体もしくは記憶デバイスを備えてよく、処理ユニット１２４は、露光データを処理するのに適したソフトウェアを有する１つまたは複数のコンピュータプロセッサを備えてよい。
【００５９】
露光データは一般に、限界寸法均一性（ＣＤｕ）と呼ばれる、ターゲット上のレジスト上に描画されるフィーチャの均一性に影響を与え得る特定の要因を補正するために処理を受ける。補正は通常、そのような不均一性を作り出すプロセスを補償するために、パターンデータに適用される。補正可能な一般的な効果は、エッチングローディング効果、荷電粒子ビーム近接効果、およびレジスト加熱効果である。これらの効果は、パターンの形状を変更すること（ＣＤバイアス）によって、またはパターンの局所的な線量を変更すること（線量補正）によって、または線量補正と形状補正の組み合わせによって、補正可能である。次いで、露光データは、特定のサブビームまたはビームレットに割り振られたセクションに分割される。次いで、ベクトルベースのデータは通常、ビームレットを変調するためにビットマップ形式に変換される。
【００６０】
先に言及されたように、リソグラフィ適用例では、ターゲットは通常、荷電粒子感受性レジスト層を備えるウェハを備える。現在の業界標準は３００ｍｍウェハであるが、４５０ｍｍウェハに対応する新しいシステムが設計されているところである。ウェハは一般に、２６ｍｍ×３３ｍｍの最大寸法を有する固定サイズのフィールドに分割されるが、他のサイズのフィールドも使用されてよい。各フィールドは、複数の集積回路を生じさせるために処理され得る（すなわち、複数のチップのためのレイアウトが単一フィールドに描画され得る）が、ＩＣは通常、フィールド境界線と交差しない。図４（寸法に比例して描かれていない）は、フィールドを描画する方向２７を伴う、フィールド３２に分割されたウェハ３０を示す。
【００６１】
リソグラフィ機械の一実施形態では、機械は１３，２６０のサブビームを生成し、各サブビームは、７×７アレイに構成された４９のビームレットに分割され、６４９，７４０のビームレットをもたらす。この構成が図１の機械において適用されるとき、アパーチャアレイ４は１３，２６０の穴を含み、アパーチャアレイ６およびビームレットブランカアレイ７は６４９，７４０の穴を含み、これによって、２６×２６ｍｍのエリア（すなわち、ウェハ上に投影されるビームレットの完全なアレイのサイズ）の中に電子光学（ＥＯ）スリット２６を形成する。４９のビームレットを備える各サブビームは、Ｙ方向に各フィールド内で単一ストライプを描画するために使用され得る。
【００６２】
図５は、ウェハ３０のフィールド３２を描画するためのビームの構成の一例を示す。この構成では、単一ビーム（たとえば、図１のアパーチャアレイ４によって形成されるサブビーム２２）は、フィールド３２の１つのサブエリア３４（本明細書ではストライプと呼ばれる）を描画するために使用される。この実施形態では、ウェハ３０がＹ方向に移動される間、各サブビームがストライプの幅全体にわたってＸ方向に走査され、各ストライプ３４が、フィールド３２の長さに沿って描画経路２８に沿って露光されることになる。この例では、サブビームは、Ｘ方向にフィールドの幅にわたって（たとえば、２６ｍｍにわたって）均等に分散された描画経路２８とともに構成され、（Ｙ方向に略垂直な）Ｘ方向に幅３５のストライプ（たとえば２μｍ）と、Ｙ方向にフィールドと同じストライプ長（たとえば、図４の例では３３ｍｍ）になる。
【００６３】
ウェハは、好ましくは、図４に示されるように前後両方のＹ方向にリソグラフィ機械によって描画される（露光される）。便宜上、図面は、垂直であるようにＸ方向とＹ方向とを示す。しかしながら、いくつかの実施形態では、２つの方向は略垂直であり（しかし、正確には垂直でない）、たとえば、Ｘ方向は、Ｘ方向に描画するためのサブビームの移動（走査）がＹ方向におけるターゲットの同時移動と協調されるようにやや傾斜されてよく、サブビームのための露光走査線の終端が、そのサブビームのための走査線の始端とウェハ上のほぼ同じＹ方向位置にある。
【００６４】
図６は、ビームレットの複数のグループが生成される一実施形態を示し、ビームレットの各グループは、ウェハ３０のフィールド３２の１つのストライプ３４を描画することに割り当てられる。この構成では、ビームレット（たとえば、図１のアパーチャアレイ６によって単一のサブビーム２２から形成されるビームレット２４）の各グループは、フィールド３２の１つのサブエリア３４（ストライプ）を描画するために使用される。サブビームは、一方向に（たとえば、図５に示されるように、フィールド３２の幅全体にわたってＸ方向に）均等に離間および分散された描画経路２８とともに構成され、サブビームのうちのそれぞれ１つから形成された複数のビームレットは、異なる方向に（たとえば、フィールド３２の長さに沿ったＹ方向に）均等に離間および分散された描画経路２９とともに構成される。２つの方向は、好ましくは、互いに正確に垂直であるまたはほぼ垂直である。
【００６５】
以下の説明では、サブビーム、ビームレット（たとえば、図１に示される単一のサブビーム２２から形成されるビームレット２４）のグループ、または単一のビームレット２４と呼ばれることがある、「ビーム」という用語が使用される。
【００６６】
各ビームがターゲットの表面全体にわたって走査するので、各ビームは、ターゲット上で露光されることになる必要とされるパターンを再現するために露光データに従って変調される。ビームを生成するリソグラフィシステムは、その製造および動作中に生じるさまざまな誤差と不確実性とを必ず経験し、ターゲットを走査する他のビームと比較して、ターゲットを走査する各ビームの正確な位置の誤差および不確実性を招く。ターゲットは通常、露光中に移動するステージに取り付けられ、ステージ移動の、およびリソグラフィシステム内のターゲットの正確な位置の誤差および不確実性も存在する。その結果、あるビームによって走査されるターゲットのサブエリアは、別のビームによって走査されるターゲットの隣接サブエリアと完全にアライメントされないことがある。
【００６７】
ターゲット上でのサブエリアのこのミスアラインメントの悪影響を減少させるために、リソグラフィシステムは、隣接サブエリアが重複するように設計され得る。一例が、Ｘ方向とＹ方向の両方でややアライメント不良の３つのサブエリア３４ａと３４ｂと３４ｃとを示す図８に示されている。サブエリアのうちの隣接サブエリアが重複する。隣接サブエリア３４ａと３４ｂは、重複エリア３６ａｂを形成するように互いに重複し、サブエリア３４ｂと３４ｃは、重複エリア３６ｂｃを形成するように重複する。サブエリア３４ａ、３４ｂ、３４ｃは、サブエリアが他の任意のサブエリアと重複しない非重複エリア３８ａと３８ｂと３８ｃも含む。サブエリアは、そのサブエリアが非重複エリアを持たないように他のサブエリアと完全に重複してもよいし、サブエリアは、１つ、２つ、またはそれより多くの他のサブエリアと重複してもよいし、サブエリアは、Ｘ方向とＹ方向の両方で重複してもよいことに留意されたい。
【００６８】
図８は、サブエリア３４ａ、３４ｂ、３４ｃの中で荷電粒子ビーム２４ａと２４ｂと２４ｃとを走査するための構成を示す。この構成では、第１のビーム２４ａは、描画経路２８ａに沿ってターゲットの第１のサブエリア３４ａを走査するように構成され、第２のビーム２４ｂは、描画経路２８ｂに沿って、第１のサブエリアに隣接し、これと重複する第２のサブエリア３４ｂを走査するよう構成される。リソグラフィシステム内で、サブエリア３４ａ、３４ｂは互いに隣接しているが、ビーム２４ａ、２４ｂは、必ずしも互いに隣接していないことに留意されたい。第１のビーム２４ａは、第１のサブエリア３４ａ内で露光されることになるフィーチャを表すパターンデータを用いて変調され、第２のビーム２４ｂは、第２のサブエリア３４ｂ内で露光されることになるフィーチャを表すパターンデータを用いて変調される。
【００６９】
第１のビーム２４ａおよび第２のビーム２４ｂは両方とも、２つの隣接サブエリア３４ａ、３４ｂが互いに重複する重複エリア３６ａｂを走査する。図８は、ビーム２４ａが描画経路２８ａに沿ってターゲットを走査し、ビーム２４ｂが描画経路２８ｂに沿って走査する、重複エリア３６ａｂを示す。２つのビームの描画経路は、重複エリア３６ａｂの中で重複する。この描画経路の重複は「ステッチング」と呼ばれ、隣接サブエリア間に露光されていない間隙が存在するリスクを減少させ、サブエリア間の移行を滑らかにすることを可能にする。
【００７０】
両方のビームが調整なしで使用される場合、重複エリアは、１つのビームのみによって露光されるターゲットの非重複エリア内で使用される露光線量に対して２倍の露光線量で露光される。このより高い露光線量は、重複エリア内で描画されるフィーチャが意図されたよりも大きいことを招く。たとえば、非重複エリアから重複エリアへと交差する、均一な幅の線の形をしたフィーチャは、重複エリア内で、非重複エリア内よりも大きい幅で露光される。この問題に対処するために重複エリア内で描画するためのさまざまな手法が可能である。
【００７１】
１つの手法では、重複エリア内で走査するときにビームのうちの１つがオフに切り換えられ、したがって、ビームのうちの１つのみが、重複エリアを実際に露光するために使用される。この手法が、露光されるパターンに関係なく使用される場合、重複を除去し、サブエリア間の露光されていない間隙という課題を再び持ち込むに過ぎない。重複エリア内で描画するビームが、重複エリア内で露光されるフィーチャに基づいて選択される「スマート境界」法が使用され得る。たとえば、露光されるフィーチャが、第１の非重複エリア３８ａと重複エリア３６ａｂとの間のスマート境界と交差するが、フィーチャが露光される間、重複エリアを露光する重複エリア３６ａｂおよび第２の非重複エリア３８ｂ間のスマート境界と交差しない場合、第１のビーム２４ａは、フィーチャを露光させることになる重複エリアを露光させるために使用される。これによって、境界と交差するフィーチャを非重複エリア３８ａと重複エリア３６ａｂの両方において１つのビームによって露光されることが可能になり、フィーチャのより均一な露光がもたらされる。
【００７２】
図９に示される別の手法では、両方のビームは重複エリアを露光するために使用されるが、各ビームが「ソフトエッジ」法を使って重複エリア内で描画するにつれて、各ビームの露光線量は次第に小さくされる。たとえば、第１のビーム２４ａが重複エリア３６ａｂ全体にわたって第１のサブエリア３４ａのエッジの方へ走査するにつれて、第１のビーム２４ａの露光線量７０ａが徐々に減少されることがあり、第２のビーム２４ｂが重複エリア３６ａｂ全体にわたって第２のサブエリア３４ｂのエッジから離れて走査するにつれて、第２のビーム２４ｂの露光線量７０ｂが、それに対応して増加することがある。これは、第１のビーム２４ａの露光線量７０ａを第１の非重複エリア３８ａとの境界における相対的１００％線量から第１のサブエリア３４ａの縁（第２の非重複エリア３８ｂとの境界）における０％線量に減少させことによって達成可能であり、第２のビーム２４ｂの露光線量７０ｂは、第２のサブエリア３４ｂの縁（第１の非重複エリア３８ａとの境界）における０％線量から第２の非重複エリア３８ｂとの境界における相対的１００％線量増加されることがある。両方のビーム２４ａ、２４ｂ走査から得られる合成線量７２は、重複エリア３６ａｂ内で１００％である。
【００７３】
露光されることになるフィーチャのトポロジに応じて、これらの２つの手法の組み合わせも使用されてよい。これらの技法の一例は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる、本出願人の米国特許出願公開第２０１２−０２８６１７０号に記載されている。
【００７４】
上記の手法のすべては、ステッチングの結果として露光線量の不均一性を持ち込むことを回避する、すなわち、ステッチングは、ターゲットの非重複エリアおよび重複エリア全体にわたって線量の変動を引き起こさない。以下で説明されるように、露光線量は、近接効果を補正するためなどのさまざまな理由で変化され得ることに留意されたい。上記の手法はまた、システムの公称１００％線量に露光線量を制限する。荷電粒子ビームがラスタでターゲットの表面を走査するラスタ走査リソグラフィシステムでは、この１００％線量が、ビームが十分にオンに切り換えられることに対応する。
【００７５】
対照的に、本発明は、露光線量がステッチングの結果として不均一であるように、重複エリア内での過剰露光の使用に依拠する。複数のビームによって描画することから生じる、重複エリア内で使用される累積露光線量は、公称１００％露光線量、たとえば、ターゲットの非重複エリア内での各単一ビーム描画からの露光線量よりも大きい。たとえば、重複エリア３６ａｂを走査するときの第１のビーム２４ａおよび第２のビーム２４ｂの露光線量が、重複エリアの少なくとも一部分にわたって、両方のビームからの合成線量が、それぞれの非重複エリア３８ａ、３８ｂを走査するときの各個々のビーム２４ａ、２４ｂの線量を超えるように設定される。
【００７６】
ステッチング領域（重複エリア）内のこのより高い線量が、ステッチング領域内の露光ラチチュードを改善する。露光ラチチュードは、線量の変化対限界寸法の変化との関係を指す。図１０は、幅３２ｎｍの線のレジストにより覆われたターゲット上の荷電粒子ビームによる第１の露光を示す。第１の露光は、２５ｎｍ  ＦＷ５０のスポットサイズを有するガウシアン電子ビームを使用して３０ｕＣ／ｃｍ２の線量で作製される、すなわち、ビーム電流の５０％が直径２５ｎｍ以内にあり、線量プロファイル８０をもたらす。ビームは、３２ｎｍの線を露光するために、その走査経路の３２ｎｍにわたってオンに切り換えられる。レジストは、１５μＣ／ｃｍ2（平方ｃｍあたりマイクロクーロン）の８４をクリアするために線量を有する、すなわち、１５μＣ／ｃｍ2で、レジストは、未露光から露光への移行を受ける。したがって、線量プロファイル８０は、レジスト表面上の幅３２ｎｍの線を解像する。スポットサイズは、描画される線の幅程度であるので、線量プロファイル８０の最大値は３０μＣ／ｃｍ２よりも低いことに留意されたい。線がより広い場合、線量プロファイルは３０μＣ／ｃｍ２レベルに達する。
【００７７】
２５ｎｍ  ＦＷ５０のスポットサイズを有するガウシアン電子ビームを使用した４３μＣ／ｃｍ２の線量における幅２４ｎｍの線の第２の露光は、線量プロファイル８２になる。ビームは、線を露光するために、その走査経路の２４ｎｍにわたってオンに切り換えられる。示されるように、線量プロファイル８２も、幅３２ｎｍ、すなわち、８４をクリアするために線量プロファイル８２が線量に達する幅の線を解像する。
【００７８】
線量が増加される場合に線がどれほど広くなるかを表す露光ラチチュードは、露光ラチチュードが（Δ線量／ΔＣＤ）／線量に等しいという式、すなわち、
【００７９】
【数１】
0006688738.tif 000002
【００８０】
によって計算されてよく、ここで、ＣＤは、限界寸法、この例では線の幅を指し、ΔＤは線量の変化を指し、Ｄは公称線量を指す。両方の線量プロファイル８０、８２では、線縁における線量は同じ（すなわち、１５μＣ／ｃｍ２）である。しかしながら、線量プロファイル８２の傾き（ΔＣＤ／Δｄｏｓｅ）ははるかに大きく、したがって、露光ラチチュードの方が大きく、ＣＤの所与の誤差に対してより大きな線量誤差が容認され得る。
【００８１】
より高い線量では、線量プロファイルはより急であり、レジスト内で形成される形状のより鋭い分離と、フィーチャのより正確な形成がもたらされ、より良い限界寸法均一性（ＣＤｕ）を生じることになる。したがって、より高い露光線量は（特定の点まで）好ましい。
【００８２】
ラスタ走査リソグラフィシステムでは、荷電粒子ビームは、走査線の規則正しいパターンでターゲット表面を露光するためにターゲットにわたって走査され、ビームの最大線量は、供給源の明るさおよび走査の速度によって決定される。供給源の出力が増加可能でない限り、より高い線量は、ターゲットに線量を送達するようにより多くの時間を提供するためにより遅い走査を必要とし、したがって、システムのより低いスループットを招く。ベクトル走査リソグラフィシステムでは、荷電粒子ビームの走査速度、したがって線量は、より柔軟に制御され得るが、より複雑なビーム走査システムを犠牲にすることがある。
【００８３】
ターゲットの重複エリア３６内で描画するための複数のビームの使用は、ビームが完全にアライメントされていない場合、重複エリア３６内のステッチング誤差をもたらす。これらのステッチング誤差は、重複エリア３６が非重複エリア３８よりも高いＣＤｕを有することになるために、他のタイプの誤差を増加させる。本発明の基礎となる洞察は、より高い露光線量を重複エリア内で使用することが露光ラチチュードを増加させ、それにより重複エリア内でＣＤｕが改善するであろうということである。そのうえ、重複エリアを露光するために利用可能な複数のビームが存在するので、露光線量は、スループットの不利益を招くことなく重複エリア内で増加可能である。このようにして、ステッチングは、ステッチングのない非重複エリア内のＣＤｕに匹敵するまたはこれよりも良い重複エリア内のＣＤｕを維持しながらサブエリアのミスアラインメントを扱うために実行可能である。
【００８４】
上記で述べられたように、露光データは、パターンデータと露光線量データの両方を含んでよい。図１１は、パターンデータ４２と露光線量データ５２とを含む、露光データ４０のデータファイルを示す。露光線量データ５２は、パターンデータ４２と別個に表されてよく、たとえば線量マップでは、たとえば、露光データファイル４０の一部分がパターンデータ４２を備えてよく、データファイルの別個の部分が露光線量データ５２を備えてよい。別法として、パターンデータ４２および露光線量データ５２は、両方のタイプのデータを包含する合成データによって表されてよく、たとえば、パターンデータ４２内で表される各フィーチャは、線量値を含んでよい。パターンデータ４２は、ターゲット３０上に描画されることになるフィーチャの形状を表すデータを備え、露光データ５２は、ターゲット３０上のフィーチャを露光するための荷電粒子ビームのための露光線量を表す露光線量値を備える。
【００８５】
パターンデータ４２は複数のサブセクション４４に分割され、各サブセクション４４は、ターゲット３０の対応するサブエリア３４内で露光されることになるフィーチャを表すデータを備える。パターンデータ４２は、ターゲット上の重複エリア３６内で露光されることになるフィーチャを表す重複パターンデータ４６を含み、ターゲット上の非重複エリア３８内で露光されることになるフィーチャを表す非重複パターンデータ４８も含んでよい。パターンデータの各サブセクション４４は、重複パターンデータ４６と非重複パターンデータ４８とを含んでよい。
【００８６】
露光線量データ５２は同様に複数のサブ部分５４に分割され、各サブ部分５４は、ターゲット３０の対応するサブエリア３４を露光するために使用されることになる露光線量値を備える。露光線量データ５２は、ターゲット上の重複エリア３６を露光するために使用されることになる露光線量値を備える重複線量データ５６を含み、ターゲット上の非重複エリア３８を露光するために使用されることになる露光線量値を備える非重複線量データ５８も含んでよい。露光線量データの各サブ部分５４は、重複線量データ５６と非重複線量データ５８とを含んでよい。
【００８７】
一実施形態では、パターンデータ４２のサブセクション４４は、ターゲット３０の特定のサブエリア３４を露光するために、単一荷電粒子ビーム２４の制御に使用される。重複パターンデータ４６は、パターンデータ４２の複数のサブセクション４４の一部を形成し、ターゲット上の重複エリア３６の露光の目的で複数の荷電粒子ビーム２４を制御するために使用され得る。同様に、露光線量データ５２のサブ部分５４は、ターゲット３０の特定のサブエリア３４を露光するために、単一荷電粒子ビーム２４の制御に使用され得る。重複線量データ５６は、露光線量データ５２の複数のサブ部分５４の一部を形成し、ターゲット上の重複エリア３６の露光の目的で複数の荷電粒子ビーム２４を制御するために使用され得る。パターンデータ４２のサブセクション４４および露光線量データ５２のサブ部分５４は、代わりに、特定のサブエリア３４を露光するために荷電粒子ビーム２４のグループの制御に使用されてよく、本明細書で説明される同じ原理および詳細は、ビームのグループにも適用されることに留意されたい。
【００８８】
パターンデータ４２によって表される、ターゲット３０上で露光されることになるフィーチャ６０のうちの１つまたは複数は、重複パターンデータ４６の中に部分的または全体的にあり、ターゲット３０上の重複エリア３６の中に部分的または全体的に形成されることになるフィーチャを表してよい。ターゲット３０を露光する前に、重複エリア３６内で形成されることになるこれらのフィーチャまたはフィーチャの一部分を表すパターンデータ４２は、重複エリア３６内で形成されることになるフィーチャのサイズを減少させるように処理されてよい。たとえば、この処理は、データが、減少した幅を有するフィーチャ６０を表すように、重複パターンデータ４６を変えることになってよい。
【００８９】
図１３は、ターゲット３０上に露光されることになるパターンデータ４２によって表されるフィーチャ６０の表示である。フィーチャ６０は、ターゲットのサブエリア３４ａおよび３４ｂそれぞれの中で露光されることになるパターンデータ４２のサブセクション４４ａおよび４４ｂ内で表される方形形状の形をとる。フィーチャ６０の第１の部分は、ターゲットの非重複エリア３８ａ内で露光されることになる非重複パターンデータ４８ａにおいて表され、第２の部分は、ターゲットの重複エリア３６ａｂ内で露光されることになる重複パターンデータ４６ａｂにおいて表され、第３の部分は、ターゲットの非重複エリア３８ｂ内で露光されることになる非重複パターンデータ４８ｂにおいて表される。
【００９０】
図１４Ａは、一実施形態による、ターゲット３０の露光の準備をするように重複パターンデータを処理した後の、パターンデータ４２によって表されるフィーチャ６０の表示である。重複パターンデータ４６ａｂの処理は、データが、非重複パターンデータ４８ａおよび４８ｂ内のフィーチャの幅に対して重複パターンデータ４６ａｂ内の減少した幅を有するフィーチャ６０を表すように、データを修正することをもたらす。重複パターンデータ４６ａｂ内のフィーチャ６０の幅の減少は、データの一部分にわたっての線形減少であり、重複エリア内のフィーチャの一部分のフィーチャの幅の漸減をもたらす。
【００９１】
図１４Ｂは、一実施形態による、ターゲット３０の露光の準備をするように重複線量データを処理した後の、露光線量データ５２によって表される露光線量値の表示である。重複線量データ５６ａｂの処理は、重複エリア３６ａｂの少なくとも一部分にわたって露光線量がターゲットの隣接する非重複エリア３８ａ、３８ｂ内の最大露光線量を超えるように、データが、ターゲットの対応する重複エリア３６ａｂの露光のための露光線量値を表すように、データを修正することをもたらす。
【００９２】
上記で述べられたように、重複線量データ５６は、ターゲット上の対応する重複エリア３６の露光の目的で複数の荷電粒子ビーム２４を制御するために使用され得る。重複エリア３６内の結果として生じる実際の線量は、重複エリア内で描画するによって付与された各ビーム線量の合計である。２つのビーム２４ａ、２４ｂが、ターゲット上の重複エリア３６ａｂを形成するために重複するターゲット上の隣接サブエリア３４ａ、３４ｂ内で描画する場合、露光データは、重複エリア３６ａｂを露光するための２つのビーム２４ａ、２４ｂの各々に対する露光線量値を表す重複線量データ５６ａｂを含み得る。
【００９３】
図１２は、この状況における露光線量データの処理の一例を示す。露光線量データ５２は、非重複線量データ５８ａと重複線量データ５６ａｂと非重複線量データ５８ｂとを含む、ターゲット３０を露光するための露光線量値を含む。露光線量データ５２は、ビーム２４ａがサブエリア３６ａを露光する露光線量を表すサブ部分５４ａとビーム２４ｂがサブエリア３６ｂを露光する露光線量を表すサブ部分５４ｂとを含むサブ部分に分割される。重複線量データ５６ａｂは、ビーム２４ａが重複エリア３６ａｂを露光する露光線量値を表す重複線量データ５６ａと、ビーム２４ｂが重複エリア３６ａｂを露光する露光線量値を表す重複線量データ５６ｂに分割される。
【００９４】
重複線量データの処理は、データの２つのセット内の対応する露光線量値の合計が非重複線量データ５８ａおよび５８ｂのための露光線量値よりも大きいように重複線量データ５６ａおよび５６ｂの２つのセットを修正することをもたらす。このようにして、ターゲット上の重複エリア３６ａｂの少なくともいくつかの部分における結果として得られる実際の線量は、非重複エリア３６ａおよび３６ｂにおける線量よりも高く、すなわち、重複エリア３６ａｂの一少なくとも部分にわたっての露光線量は、ターゲットの隣接する非重複エリア３８ａ、３８ｂにおける最大露光線量を超える。
【００９５】
図１４Ｂに戻ると、ターゲット上のサブエリア３６ａを露光するためにビーム２４ａに使用されることになる露光線量値７０ａが示されており、ターゲット上のサブエリア３６ｂを露光するためにビーム２４ｂに使用されることになる露光線量値７０ｂが示されている。水平軸は、露光線量データ５２が露光値を表す、ターゲット上のサブエリア３６ａおよび３６ｂを通る線に沿った位置を表し、垂直軸は、露光線量値の大きさを表す。
【００９６】
図１４Ｂの実施形態では、各ビームの露光線量が、相補的変動における重複エリアの線形変動において減少される。ビーム２４ａの露光線量７０ａは、非重複エリア３８ａにおいては公称１００％に設定され、重複エリア３６ａｂの第１の一部においては１００％に保たれ、次いで、第１のサブエリア３４ａの縁における、すなわち、重複エリア３６ａｂの終わりにおけるゼロ線量まで、線形的に減少される。ビーム２４ｂの露光線量７０ｂは、この変動の鏡像に追従し、重複エリア３６ａｂの第１の一部の中の１００％線量であり、第２のサブエリア３４ｂの縁においてゼロ線量まで線形的に減少される。重複エリア３６ａｂ内の各点における合成線量７０ａおよび７０ｂから生じる、重複３６ａｂ内の結果として生じる合成線量７２は、非重複エリア３８ａ、３８ｂ内で使用される公称１００％線量を越える。
【００９７】
重複線量データ５６ａ内の線量値の少なくとも一部分は、重複エリア３６ａｂ内の対応する描画位置に応じて変化し、非重複エリア３８ａの隣の重複エリア３６ａｂの縁からの対応する描画位置の距離を増加させるにつれて、大きさが減少する。この変動の鏡像で、重複線量データ５６ｂ内の線量値の少なくとも一部分は、重複エリア３６ａｂ内の対応する描画位置に応じて変化し、非重複エリア３８ｂの隣の重複エリア３６ａｂの縁から対応する描画位置の距離を減少させるにつれて、大きさが増加する。
【００９８】
このようにして、ビーム２４ａが重複エリア３６ａｂ全体にわたってサブエリア３４ａの縁の方へ走査するにつれて、露光線量７０ａは減少する（フェードアウトする）が、隣接サブエリア３４ｂの縁から始まる重複エリア３６ａｂ全体にわたってビーム２４ｂが走査するにつれて、ビーム２４ｂの露光線量は増加する（フェードインする）。重複線量データ５６ａおよび５６ｂ内の線量値のすべてが減少されるとは限らないことに留意されたい。この実施形態では、線量値７０ａ、７０ｂの変動およびフィーチャサイズ６２の変動は、重複エリアの少なくとも一部分にわたって重複エリア３６ａｂ内の描画位置に対して線形的であるが、重複エリアの別の部分にわたって線量値の変動はない。以下で説明されるように、他の変動も使用されてよい。
【００９９】
ターゲットの重複エリア３６ａｂ内の各位置において、重複パターンデータ４６ａｂによって表されるフィーチャ６０の減少した幅は、露光線量値７０ａ、７０ｂの合計７２がターゲットの非重複エリア３８ａ、３８ｂ内で使用される最大露光線量値を超える量に関連する（たとえば、幅は、この量に比例してよい）。合成露光線量７２が増加するにつれて、フィーチャ６０の幅が減少され、合成露光線量７２が一定を保つとき、フィーチャ６０の幅も一定を保ち、合成露光線量７２が減少されるにつれて、フィーチャ６０の幅が増加する。減少したフィーチャサイズと重複エリア内の増加された露光線量は、所望のサイズを有するが改善された露光ラチチュードを有するフィーチャを解像するために互いにバランスをとる。
【０１００】
図１４Ｃは、図１４Ａおよび図１４Ｂによる修正されたパターンデータおよび露光線量データによりビーム２４ａ、２４ｂによるターゲットの表面上のレジスト内で解像されるときのフィーチャ９０を示す。重複エリア３６ａｂ内のフィーチャ９０の部分９２は、ターゲットの非重複エリア３８ａ、３８ｂ内と同じ幅を有して解像される。パターンデータ４２内で表される重複エリア内のフィーチャ６０の減少したサイズは、露光線量データ５２内で表される重複エリア内のより高い露光線量７２によって補償される。露光データ４０のこれらの２つの調整は、好ましくは、レジストの現像後の重複エリア内の解像されたパターンが重複エリア内のフィーチャの所望の寸法を示すように実施される。
【０１０１】
重複パターンデータ４６および重複線量データ５６によって表される露光線量値の対応する増加によって表される１つまたは複数のフィーチャ６０のサイズを減少させる露光データ４０の処理は、所望の寸法であるが増加された露光ラチチュードを有するフィーチャの露光をもたらす。重複エリア３６内のステッチングは、ステッチング内の誤差によりＣＤｕ誤差を引き起こし、これらのステッチング誤差は、ステッチングのない非重複エリア３８内に存在しない。しかしながら、重複エリア３６内の改善された露光ラチチュードは、最終結果は、重複エリア３６内のＣＤｕが非重複エリア３８内のＣＤｕに匹敵するまたはこれよりも良いことであるような、ＣＤｕ誤差のすべての改善をもたらす。
【０１０２】
図１５Ａ〜図１５Ｃは、図１４Ａ〜図１４Ｃに示される実施形態に類似するがパターンデータの正弦波状変動と対応する露光線量値の正弦波状変動とを有する別の実施形態を示す。図１５Ａおよび図１５Ｂは、ターゲット３０の露光の準備をするように重複線量データを処理した後の、パターンデータ４２によって表されるフィーチャ６０および露光線量データ５２によって表される露光線量値の表示である。図１５Ｃは、図１５Ａおよび図１５Ｂによる修正されたパターンデータおよび露光線量データによりビーム２４ａ、２４ｂによるターゲットの表面上のレジスト内で解像されるときのフィーチャ９０を示す。
【０１０３】
この実施形態では、線量値７０ａ、７０ｂの変動およびフィーチャサイズ６２の変動は、重複エリアの少なくとも一部分にわたって重複エリア３６ａｂ内の描画位置に対して正弦波状である。他の変動も可能であり、好ましくは、線量値７０ａ、７０ｂおよびフィーチャサイズ６２は、重複エリアの少なくとも一部分にわたる重複エリア３６ａｂ内の描画位置に対して変化する。
【０１０４】
合成露光線量値７２が、ゼロに近い傾き（図１５Ｂなどの線量対位置プロットにおいて）を有して重複エリア内で増加し、徐々に増加する（パターンデータ内のフィーチャ寸法の対応する修正を有する）ことが好ましい。図１５Ｂに示される正弦波状変動は、このことを示し、類似の性質を有する他の関数も良好な結果を達成し得る。線量７２が重複エリア内で増加するにつれて、露光ラチチュードも増加し、線量対位置プロットの傾きによって得られるステッチ誤差は、より良く補償可能である。
【０１０５】
上記で図１４Ａ〜図１４Ｃの実施形態について説明したように、フィーチャサイズを線形的に減少させ重複エリアのための露光線量を増加させる露光データ４０の処理は、所望の寸法であるが増加された露光ラチチュードを有するフィーチャの露光をもたらす。フィーチャサイズおよび露光線量の正弦波状変動または類似の変動は、露光線量が重複エリア内でＣＤｕをより良く提供するために増加するにつれて、改善された露光ラチチュードを提供する。
【０１０６】
露光線量データの線量値は、各荷電粒子ビームによってターゲット上のレジストに付与される露光線量を変化させるために使用される。リソグラフィシステムは、可変強度荷電粒子源などの、露光線量を変化させるための手段を含んでよい。しかしながら、露光線量は、好ましくは、ビームのための所望の露光線量をもたらす特定のマーク対スペース比を達成するために個々のビームのオンとオフとを切り換えることによって変化させられる。この切り換えは、たとえば、図１に示されるなどのブランカアレイおよびビームストップアレイによって達成され得る。ディザリングの一例は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる、本出願人の米国特許出願公開第２０１２−０２８６１６９号および第２０１２−０２８６１７０号に記載されている。
【０１０７】
したがって、これらの実施形態は、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、さまざまな修正形態および代替形態が可能であることが認識されよう。したがって、特定の実施形態が説明されてきたが、これらは例にすぎず、本発明の範囲を制限するものではない。本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲において定義される。
以下に、本願出願時の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］複数の荷電粒子ビーム（２３）を使用してターゲット（３０）上のパターンを露光するために露光データ（４０）を処理するための方法であって、前記露光データが、前記荷電粒子ビームの露光線量を表す露光線量データ（５２）と、前記ターゲット（３０）上に描画されることになる１つまたは複数のフィーチャ（５０）を表すパターンデータ（４２）とを備える方法において、
前記ターゲットの重複エリア（３６）内の位置に対応する線量値の合計が、隣接サブエリア（３４）が重複しない前記ターゲットの非重複エリア（３８）のための最大線量値を超えるように、前記露光線量データ（５２）の１つまたは複数の線量値を設定することと、
前記パターンデータ（４２）を複数のサブセクション（４４）に分割することと、前記サブセクションの各々が、前記ターゲット（３０）の対応するサブエリア（３４）内で描画されることになる前記パターンの一部を表すパターンデータを備え、ここにおいて、前記パターンデータ（４２）が、隣接サブエリア（３４）が重複する、前記ターゲットの対応する重複エリア（３６）内に描画されることになる前記パターンの一部を表す重複パターンデータ（４６）を備える、
前記重複パターンデータによって表される１つまたは複数のフィーチャのサイズを減少させるように前記重複パターンデータ（４６）を処理することと
を備える方法。
［２］パターンデータの前記サブセクション（４４ａ）の第１のサブセクションが前記サブエリア（３４ａ）の第１のサブセクションに対応し、パターンデータの前記サブセクション（４４ｂ）の第２のサブセクションが前記サブエリア（３４ｂ）の第２のサブセクションに対応し、前記第１のサブセクションおよび前記第２のサブセクション（４４ａ、４６ｂ）の各々が、前記第１のサブエリアおよび前記第２のサブエリア（３４ａ、３４ｂ）の重複エリア（３６）に対応する重複パターンデータ（４６）を含む、［１］に記載の方法。
［３］前記パターンデータ（４２）が、幅を有するフィーチャを表し、前記フィーチャが、部分的には前記重複パターンデータ（４６）内に、部分的には非重複パターンデータ（４８）内に備えられ、ここにおいて、前記重複パターンデータ（４６）の前記処理が、前記非重複パターンデータ（４８）内の前記フィーチャの前記幅に対して前記重複パターンデータ（４６）内の前記フィーチャの前記幅を減少させることをもたらす、［１］または［２］に記載の方法。
［４］前記重複パターンデータ（４６）の前記処理が、前記１つまたは複数のフィーチャの寸法が前記パターンデータ（４２）の非重複パターンデータ（４８）内よりも前記重複パターンデータ（４６）内で小さいことをもたらす、［１］から［３］のいずれか一項に記載の方法。
［５］前記露光線量データ（５２）の前記線量値のうちの１つまたは複数を設定する前記ステップが、前記ターゲットの各重複エリア（３６）のための線量値（５６ａ、５６ｂ）の２つのセットを生成することを備え、一方のセット内の各線量値が、他方のセット内の対応する線量値を有し、ここにおいて、前記線量値のうちの少なくともいくつかのための前記２つのセット内の対応する線量値の前記合計が、隣接サブエリア（３４）が重複しない前記ターゲットの前記非重複エリア（３８）のための最大線量値を超える、［１］から［４］のいずれか一項に記載の方法。
［６］前記重複パターンデータ（４６）によって表される前記１つまたは複数のフィーチャのサイズの減少が、前記ターゲットの重複エリア（３６）内の位置に対応する露光線量値の合計が前記ターゲットの前記非重複エリア（３８）のための最大露光線量値を超える量に関連する、［５］に記載の方法。
［７］前記重複パターンデータ（４６）によって表される前記１つまたは複数のフィーチャのサイズの減少が、前記ターゲットの重複エリア（３６）内の位置に対応する露光線量値の合計が前記ターゲットの前記非重複エリア（３８）のための最大露光線量値を超える前記量の関数である、［５］または［６］のいずれか一項に記載の方法。
［８］前記重複パターンデータ（４６）によって表される前記１つまたは複数のフィーチャのサイズの前記減少が、前記ターゲットの重複エリア（３６）内の位置に対応する露光線量値の合計が前記ターゲットの前記非重複エリア（３８）のための最大露光線量値を超える前記量に比例する、［５］から［７］のいずれか一項に記載の方法。
［９］前記重複パターンデータ（４６）によって表される前記１つまたは複数のフィーチャのサイズの前記減少が、前記ターゲット上に存在し前記荷電粒子ビームによって露光されることになるレジストの現像後の前記フィーチャの所望のサイズと組み合わせて前記重複エリア内の前記対応する線量値の合計（７２）から計算される、［５］から［９］のいずれか一項に記載の方法。
［１０］前記露光線量データ（５２）が複数のサブ部分（５４）に分割され、前記サブ部分の各々が、前記ターゲット（３０）の対応するサブエリア（３４）を露光するための露光線量値を含み、ここにおいて、前記露光線量データ（５２）が、隣接サブエリア（３４）が重複する、前記ターゲットの対応する重複エリア（３６）のための露光線量を表す重複線量値（５６）と、隣接サブエリア（３４）が重複しない、前記ターゲットの対応する非重複エリア（３８）のための露光線量を表す非重複線量値（５８）とを備える、［１］から［９］のいずれか一項に記載の方法。
［１１］露光線量データの第１のサブ部分（５４ａ）が前記サブエリア（３４ａ）の第１のサブエリアに対応し、露光線量データの第２のサブ部分（５４ｂ）が前記サブエリア（３４ｂ）の第２のサブエリアに対応し、前記第１のサブ部分および前記第２のサブ部分（５４ａ、５４ｂ）の各々が、前記第１のサブエリアおよび前記第２のサブエリア（３４ａ、３４ｂ）の重複エリア（３６ａ）に対応する重複線量値（５６ａ、５６ｂ）を含む、［１］から［１０］のいずれか一項に記載の方法。
［１２］前記ターゲットの前記サブエリア（３４ａ）の第１のサブエリアに対応する前記露光線量データ（５２）の第１のサブ部分（５４ａ）を識別することと、
前記ターゲットの前記サブエリア（３４ｂ）の第２のサブエリアに対応する前記露光線量データ（５２）の第２のサブ部分（５４ｂ）を識別することと、
前記第１のサブエリアと前記第２のサブエリア（３４ａ、３４ｂ）が重複する、前記ターゲットの重複エリア（３６）内の描画位置に各々対応する複数の線量値を有する第１の重複線量データ（５６ａ）を生成することと、ここにおいて、前記線量値の少なくとも一部分が、前記重複エリア内の対応する描画位置に応じて変化し、前記線量値は、前記重複エリア（３６）の外部の前記第１のサブエリア（３４ａ）の一部からの対応する描画位置の距離を増加させるにつれて、大きさが減少する、
前記ターゲットの前記重複エリア（３６）内の描画位置に各々対応する複数の線量値を有する第２の重複線量データ（５６ｂ）を生成することと、ここにおいて、前記線量値の少なくとも一部分が前記重複エリア内の対応する描画位置に応じて変化し、前記線量値は、前記重複エリア（３６）の外部の前記第２のサブエリア（３４ｂ）の一部からの対応する描画位置の距離を増加させるにつれて、大きさが減少する、
をさらに備える、［１］から［１１］のいずれか一項に記載の方法。
［１３］前記第１の重複線量データおよび前記第２の重複線量データ（５６ａ、５６ｂ）の前記線量値の前記変動が、前記描画位置の少なくとも一部分にわたる前記線量値の対応する描画位置に応じた線形変動である、［１２］に記載の方法。
［１４］前記第１の重複線量データおよび前記第２の重複線量データ（５６ａ、５６ｂ）の前記線量値の前記変動が、前記描画位置の少なくとも一部分にわたる前記線量値の対応する描画位置に応じた正弦波状変動である、［１２］に記載の方法。
［１５］前記露光線量データ（５２）の前記線量値が、前記ビームをディザリングするためのディザリング値を備える、［１］から［１４］のいずれか一項に記載の方法。
［１６］前記ターゲット（３０）にわたって前記複数の荷電粒子ビーム（２３）をラスタ走査することによってターゲット（３０）上のパターンを露光するための露光データ（４０）を処理するために適合される、［１］から［１５］のいずれか一項に記載の方法。
［１７］露光データ（４０）に従って複数の荷電粒子ビーム（２３）を使用してターゲット（３０）を露光するための方法であって、前記露光データが、前記ターゲット上で描画されることになる１つまたは複数のフィーチャを表すパターンデータ（４２）と、前記荷電粒子ビームの露光線量を表す露光線量データ（５２）とを備える方法において、
［１］から［１６］のいずれか一項に記載の方法により前記露光データ（４０）を処理することと、
前記処理された露光データに従って制御された前記荷電粒子ビームを使用して前記ターゲットを露光することと
を備える方法。
［１８］前記ターゲットの第１のサブエリア（３４ａ）を露光するための前記荷電粒子ビームの第１の荷電粒子ビームを割り当て、前記ターゲットの第２のサブエリア（３４ｂ）を露光するための前記荷電粒子ビームの第２の荷電粒子ビームを割り当てることと、ここにおいて、前記第１のサブエリアと前記第２のサブエリアが隣接し、重複エリア（３６）内で重複する、
前記処理された露光データの第１の部分に従って前記第１の荷電粒子ビームを使用して前記ターゲットの前記第１のサブエリア（３４ａ）を露光することと、
前記処理された露光データの第２の部分に従って前記第２の荷電粒子ビームを使用して前記ターゲットの前記第２のサブエリア（３４ｂ）を露光することと
をさらに備える、［１７］に記載の方法。
［１９］複数の荷電粒子ビーム（２３）を使用してターゲット（３０）上のパターンを露光するための方法であって、
第１のサブエリア（３４ａ）が前記ターゲットの第２のサブエリア（３４ｂ）と重複する重複エリア（３６）を含めて、前記荷電粒子ビームの第１の荷電粒子ビーム（２３ａ）を使用して前記ターゲットの前記第１のサブエリア（３４ａ）を露光することと、
前記重複エリア（３６）を含めて、前記荷電粒子ビームの第２の荷電粒子ビーム（２３ｂ）前記ターゲットの第２のサブエリア（３４ｂ）を露光することと
を備え、
ここにおいて、前記荷電粒子ビームが、前記ターゲット（３０）上で描画されることになる１つまたは複数のフィーチャ（６０）を表すパターンデータ（４２）に従って制御され、前記方法が、前記重複エリア（３６）の外部の前記第１のサブエリアおよび前記第２のサブエリア（３４ａ、３４ｂ）内で描画されることになるフィーチャに対して前記重複エリア（３６）内で描画されることになる１つまたは複数のフィーチャのサイズを減少させるように前記重複パターンデータ（４６）を処理することを備える、
ここにおいて、前記重複エリア（３６）の少なくとも一部分内の露光線量が、前記重複エリア（３６）の外部の前記第１のサブエリアおよび前記第２のサブエリア（３４ａ、３４ｂ）内の最大露光線量よりも高い、方法。
［２０］前記重複エリア（３６）の少なくとも一部分の中で描画するときの前記第１の荷電粒子ビームと前記第２の荷電粒子ビームの合成露光線量が、前記重複エリア（３６）の外部の前記第１のサブエリア（３４ａ）の中で描画するときの前記第１の荷電粒子ビーム（２３ａ）の最大露光線量よりも高く、前記重複エリア（３６）の外部の前記第２のサブエリア（３４ｂ）の中で描画するときの前記第２の荷電粒子ビーム（２３ｂ）の最大露光線量よりも高い、［１９］に記載の方法。
［２１］前記重複エリア（３６）の少なくとも一部分に対して、前記第１の荷電粒子ビーム（２３ａ）の露光線量（７０ａ）が、前記重複エリア内のその描画位置に応じて変化し、ここにおいて、前記重複エリア（３６）の外部の前記第１のサブエリア（３４ａ）の一部からの距離を増加させるにつれて、前記第１の荷電粒子ビームの前記露光線量が減少する、［１９］または［２０］に記載の方法。
［２２］前記重複エリア（３６）の少なくとも一部分に対して、前記第２の荷電粒子ビーム（２３ｂ）の露光線量（７０ｂ）が、前記重複エリア内のその描画位置に応じて変化し、ここにおいて、前記重複エリア（３６）の外部の前記第２のサブエリア（３４ｂ）の一部からの距離を増加させるにつれて、前記第２の荷電粒子ビームの前記露光線量が減少する、［２１］に記載の方法。
［２３］前記第１の荷電粒子ビームおよび前記第２の荷電粒子ビーム（２３ａ、２３ｂ）の前記露光線量の変動が、描画位置に応じた線形変動である、［２２］に記載の方法。
［２４］前記第１の荷電粒子ビームおよび前記第２の荷電粒子ビーム（２３ａ、２３ｂ）の前記露光線量の変動が、描画位置に応じた正弦波状変動である、［２２］に記載の方法。
［２５］前記重複パターンデータ（４６）によって表される前記１つまたは複数のフィーチャのサイズの減少が、前記重複エリア（３６）内の露光線量が前記重複エリア（３６）の外部の前記第１のサブエリアおよび前記第２のサブエリア（３４ａ、３４ｂ）内の最大露光線量よりも高い量の関数である、［２２］から［２４］のいずれか一項に記載の方法。
［２６］前記重複パターンデータ（４６）によって表される前記１つまたは複数のフィーチャのサイズの前記減少が、前記重複エリア（３６）内の露光線量が前記重複エリア（３６）の外部の前記第１のサブエリアおよび前記第２のサブエリア（３４ａ、３４ｂ）内の最大露光線量よりも高い前記量に比例する、［２５］に記載の方法。
［２７］前記重複パターンデータ（４６）によって表される前記１つまたは複数のフィーチャのサイズの前記減少が、前記ターゲット上に存在し前記荷電粒子ビームによって露光されることになるレジストの現像後の前記フィーチャの所望のサイズと組み合わせた前記重複エリア内の総露光線量（７２）から計算される、［１９］から［２６］のいずれか一項に記載の方法。
［２８］前記パターンがラスタ走査の形で前記ターゲット（３０）上で露光される、［１９］から［２７］のいずれか一項に記載の方法。
［２９］複数の荷電粒子ビーム（２４）を使用してターゲット（３０）を露光するための荷電粒子リソグラフィシステムであって、
前記荷電粒子ビームを生成するために適合された荷電粒子生成器（１、３、４、６）と、
露光データ（４０）に従って前記荷電粒子ビームを変調するように適合された変調システム（７）と、
前記ターゲットの表面にわたって前記ビームを走査するために前記荷電粒子ビームを偏向するように適合された偏向システム（９）と、
前記荷電粒子ビーム（２４）を前記ターゲット上に投影するように適合された投影レンズシステム（１０）と、
前記ターゲットを保持するための可動ステージ（１６）と、
前記変調システムと前記偏向システムと前記ステージとを制御するように適合された１つまたは複数の制御ユニット（１０４、１０６、１０８、１１０）と
を備え、
ここにおいて、前記リソグラフィシステムが、［１７］から［２８］のいずれか一項に記載の方法により前記ターゲットを露光するために適合される、システム。
［３０］前記変調システムが、前記複数の荷電粒子ビーム（２４）のうちの個々のビームのオンとオフとを切り換えるためのビームレットブランカアレイ（７）とビームストップアレイ（８）とを備える、［２９］に記載のシステム。
［３１］前記変調システムが、露光線量データ（５２）に従って前記荷電粒子ビーム（２４）の露光線量を調整するように適合される、［２９］または［３０］に記載のシステム。
［３２］前記変調システムが、前記露光線量データ（５２）に従って前記荷電粒子ビームをディザリングすることによって前記荷電粒子ビーム（２４）の露光線量を調整するように適合される、［２９］から［３１］のいずれか一項に記載のシステム。
［３３］前記変調システムが、パターンデータ（４２）に従って前記荷電粒子ビームのオンとオフとを切り換えるように適合される、［２９］から［３２］のいずれか一項に記載のシステム。
［３４］複数の荷電粒子ビーム（２３）を使用してターゲット（３０）上のパターンを露光するための露光データ（４０）ファイルであって、前記露光データが、前記ターゲット（３０）上で描画されることになる１つまたは複数のフィーチャ（５０）を表すパターンデータ（４２）と、前記ターゲット上の前記パターンを露光するための前記荷電粒子ビームの露光線量を表す露光線量データ（５２）とを備え、ここにおいて、前記露光データが、［１］から［１６］のいずれか一項に記載の方法により処理される、露光データ（４０）ファイル。
［３５］［３４］に記載の露光データ（４０）ファイルを含むデータキャリア。
［３６］露光データ（４０）を記憶するためのメモリ手段（１２２）と、
［１］から［１６］のいずれか一項に記載の方法により前記露光データを処理するために適合された処理手段（１２４）と
を備えるデータ処理システム。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１５Ｃ】
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