(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材に凸状パターンを形成するために前記基材のエッチングを行う際に、前記凸状パターンの頂部から底部に行くにつれ前記基材のエッチング量が大きくなるようにウェットエッチングを行うことで、前記凸状パターンの側面を略直立したものとし、
前記ウェットエッチングを行う際、前記ウェットエッチングに用いるエッチング液の上部を冷やして前記凸状パターンの頂部から底部に行くにつれ前記エッチング液の温度が高くなるように前記エッチング液の温度を制御し、前記凸状パターンの頂部から底部に行くにつれエッチングレートが大きくなるようにウェットエッチングを行うことを特徴とするエッチング方法。
【請求項２】
凸状パターンを有する基材であって前記凸状パターンが頂部から底部に行くにつれ外側に広がるように傾斜した側面を有する基材に対し、前記ウェットエッチングを行うことにより、前記側面を略直立したものに形状補正することを特徴とする請求項１記載のエッチング方法。
【請求項３】
前記エッチング液の上部に、接触面を少なくとも前記エッチング液および前記基材より低温としたプレートを接触させることを特徴とする請求項１または請求項２記載のエッチング方法。
【請求項４】
前記エッチング液の上部に、少なくとも前記エッチング液および前記基材より低温の気体を吹き付けることを特徴とする請求項１または請求項２記載のエッチング方法。
【請求項５】
前記エッチング液の上部に、少なくとも前記エッチング液および前記基材より低温であり、且つ前記エッチング液より比重が軽く前記エッチング液とは混ざらない液体の層を形成することを特徴とする請求項１または請求項２記載のエッチング方法。
【請求項６】
前記ウェットエッチングを行う際、前記基材の底面を温めることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載のエッチング方法。
【請求項７】
前記基材を、載置面を少なくとも前記エッチング液および前記基材より高温としたステージ上に載置することを特徴とする請求項６記載のエッチング方法。
【請求項８】
前記基材の底面にランプから熱線を放射することを特徴とする請求項６記載のエッチング方法。
【請求項９】
基材に凸状パターンを形成するために前記基材のエッチングを行うエッチング装置であって、
前記凸状パターンの頂部から底部に行くにつれ前記基材のエッチング量が大きくなるようにウェットエッチングを行うことで、前記凸状パターンの側面を略直立したものとし、
前記ウェットエッチングを行う際、前記ウェットエッチングに用いるエッチング液の上部を冷やして前記凸状パターンの頂部から底部に行くにつれ前記エッチング液の温度が高くなるように前記エッチング液の温度を制御する液温制御手段を有し、
前記凸状パターンの頂部から底部に行くにつれエッチングレートが大きくなるようにウェットエッチングを行うことを特徴とするエッチング装置。
【請求項１０】
凸状パターンを有する基材であって前記凸状パターンが頂部から底部に行くにつれ外側に広がるように傾斜した側面を有する基材に対し、前記ウェットエッチングを行うことにより、前記側面を略直立したものに形状補正することを特徴とする請求項９記載のエッチング装置。
【請求項１１】
前記液温制御手段は、前記エッチング液の上部と接触するプレートであり、前記エッチング液の上部との接触面を少なくとも前記エッチング液および前記基材より低温としたものであることを特徴とする請求項９または請求項１０記載のエッチング装置。
【請求項１２】
前記液温制御手段は、前記エッチング液の上部に、少なくとも前記エッチング液および前記基材より低温の気体を吹き付けるものであることを特徴とする請求項９または請求項１０記載のエッチング装置。
【請求項１３】
前記液温制御手段は、前記エッチング液の上部に、少なくとも前記エッチング液および前記基材より低温であり、且つ前記エッチング液より比重が軽く前記エッチング液とは混ざらない液体の層を形成するものであることを特徴とする請求項９または請求項１０記載のエッチング装置。
【請求項１４】
前記液温制御手段は、前記ウェットエッチングを行う際、前記基材の底面を温めるものであることを特徴とする請求項９から請求項１３のいずれかに記載のエッチング装置。
【請求項１５】
前記液温制御手段は、前記基材を載置するステージであり、前記基材の載置面を少なくとも前記エッチング液および前記基材より高温としたものであることを特徴とする請求項１４記載のエッチング装置。
【請求項１６】
前記液温制御手段は、前記基材の底面に熱線を放射するランプであることを特徴とする請求項１４記載のエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エッチング方法およびエッチング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
高精細なパターン形成のための技術としてナノインプリントが知られている。ナノインプリントは、レジストによるマスクパターンを、当該マスクパターンに対応する凸状パターンを有するモールドを用いて対象物上に形成し、その後、マスクパターンの下方の対象物のエッチングを行うことで、高精細なパターンを形成するものである。
【０００３】
モールドの凸状パターンは、基材上にマスクパターンを形成した後、その下方の基材のエッチングを行うことで形成できる。ナノインプリントにおいて高精細なパターンを形成するためにはモールドの凸状パターンの形状を好適に形成することが必要であり、そのための手法として特許文献１には上記のマスクパターンを実質的に厚さ方向に削ることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開2013−113999号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
モールドの凸状パターンを形成する際の問題点として、エッチング時に凸状パターンの側面が傾斜することがある。すなわち、図９（ａ）に示すように直立した側面を有する凸状パターンを基材５に形成するには、図９（ｂ）のように凸状パターン（点線で示す）に対応するマスクパターン７を基材５上に形成し、基材厚さ方向にドライエッチング（異方性エッチング）を行うが、この際、図９（ｃ）に示すようにマスクパターン７の端部が除去されるとその下方の基材５がエッチングされ、凸状パターンの側面が傾斜してしまう。その結果、モールドの凸状パターンが台形状となり、ナノインプリントによって高精細なパターンを形成する際の問題となる。
【０００６】
本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、凸状パターンの側面を略直立したものとできるエッチング方法等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前述した課題を解決するための第１の発明は、基材に凸状パターンを形成するために前記基材のエッチングを行う際に、前記凸状パターンの頂部から底部に行くにつれ前記基材のエッチング量が大きくなるようにウェットエッチングを行うことで、前記凸状パターンの側面を略直立したものとし、前記ウェットエッチングを行う際、前記ウェットエッチングに用いるエッチング液の上部を冷やして前記凸状パターンの頂部から底部に行くにつれ前記エッチング液の温度が高くなるように前記エッチング液の温度を制御し、前記凸状パターンの頂部から底部に行くにつれエッチングレートが大きくなるようにウェットエッチングを行うことを特徴とするエッチング方法である。
【０００８】
このように、本発明では凸状パターンの頂部から底部に行くにつれエッチング液による基材のエッチング量が大きくなるようにウェットエッチングを行うことで、凸状パターンの側面を略直立したものとできる。
【０００９】
凸状パターンを有する基材であって前記凸状パターンが頂部から底部に行くにつれ外側に広がるように傾斜した側面を有する基材に対し、前記ウェットエッチングを行うことにより、前記側面を略直立したものに形状補正することが望ましい。
これにより、側面が傾斜した凸状パターンを有する基材に対し形状補正を行い、側面を略直立したものとできる。
【００１０】
本発明では、前記凸状パターンの頂部から底部に行くにつれエッチングレートが大きくなるようにウェットエッチングを行い、また、前記凸状パターンの頂部から底部に行くにつれ前記ウェットエッチングに用いるエッチング液の温度が高くなるように前記エッチング液の温度を制御する。
例えば上記のようなエッチングレートの勾配を実現することにより、凸状パターンの頂部から底部に行くにつれエッチング量を大きくすることができる。エッチングレートの勾配は、上記のようなエッチング液の温度制御により容易に実現できる。
【００１１】
また本発明では、前記ウェットエッチングを行う際、前記エッチング液の上部を冷やすことにより、凸状パターンの頂部から底部に行くにつれ温度が高くなるようなエッチング液の温度勾配を好適に実現することができる。
【００１２】
前記エッチング液の上部に、接触面を少なくとも前記エッチング液および前記基材より低温としたプレートを接触させることが望ましい。また、前記エッチング液の上部に、少なくとも前記エッチング液および前記基材より低温の気体を吹き付けることも望ましい。もしくは、前記エッチング液の上部に、少なくとも前記エッチング液および前記基材より低温であり、且つ前記エッチング液より比重が軽く前記エッチング液とは混ざらない液体の層を形成することも望ましい。
具体的には、上記のような方法によりエッチング液の上部を好適に冷やすことができる。どのような方法を採用するかは、液温の制御性やコスト等を勘案して定めることができる。
【００１３】
前記ウェットエッチングを行う際、前記基材の底面を温めることが望ましい。
上記のように基材の底面を温めることでも、基材の熱伝導を介してエッチング液の下部の温度が上昇し、凸状パターンの頂部から底部に行くにつれ温度が高くなるようなエッチング液の温度勾配を好適に実現することができる。
【００１４】
前記基材を、載置面を少なくとも前記エッチング液および前記基材より高温としたステージ上に載置することが望ましい。また、前記基材の底面にランプから熱線を放射することも望ましい。
具体的には、上記のような方法により基材の底面を好適に温めることができる。前記と同様、どのような方法を採用するかは、液温の制御性やコスト等を勘案して定めることができる。
【００１５】
第２の発明は、基材に凸状パターンを形成するために前記基材のエッチングを行うエッチング装置であって、前記凸状パターンの頂部から底部に行くにつれ前記基材のエッチング量が大きくなるようにウェットエッチングを行うことで、前記凸状パターンの側面を略直立したものとし、前記ウェットエッチングを行う際、前記ウェットエッチングに用いるエッチング液の上部を冷やして前記凸状パターンの頂部から底部に行くにつれ前記エッチング液の温度が高くなるように前記エッチング液の温度を制御する液温制御手段を有し、
前記凸状パターンの頂部から底部に行くにつれエッチングレートが大きくなるようにウェットエッチングを行うことを特徴とするエッチング装置である。
【００１６】
前記エッチング装置は、凸状パターンを有する基材であって前記凸状パターンが頂部から底部に行くにつれ外側に広がるように傾斜した側面を有する基材に対し、前記ウェットエッチングを行うことにより、前記側面を略直立したものに形状補正することが望ましい。
【００１８】
例えば、前記液温制御手段は、前記エッチング液の上部と接触するプレートであり、前記エッチング液の上部との接触面を少なくとも前記エッチング液および前記基材より低温としたものである。また、前記エッチング液の上部に、少なくとも前記エッチング液および前記基材より低温の気体を吹き付けるものであってもよい。あるいは、前記エッチング液の上部に、少なくとも前記エッチング液および前記基材より低温であり、且つ前記エッチング液より比重が軽く前記エッチング液とは混ざらない液体の層を形成するものであってもよい。
【００１９】
前記液温制御手段は、前記ウェットエッチングを行う際、前記基材の底面を温めるものであることも望ましい。
例えば、前記液温制御手段は、前記基材を載置するステージであり、前記基材の載置面を少なくとも前記エッチング液および前記基材より高温としたものである。また、前記液温制御手段は、前記基材の底面に熱線を放射するランプであってもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明により、凸状パターンの側面を略直立したものとできるエッチング方法等を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】エッチング方法の手順について示すフローチャート
【図２】エッチング方法について模式的に示す図
【図３】ウェットエッチングについて模式的に示す図
【図４】エッチング装置２０を示す図
【図５】ウェットエッチング時のアンダーカットによる傾斜の形状補正について説明する図
【図６】エッチング装置２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄを示す図
【図７】エッチング液９の循環について説明する図
【図８】エッチング装置２０ｅを示す図
【図９】基材５の凸状パターンの側面の傾斜について説明する図
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面に基づいて本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００２３】
［第１の実施形態］
（１．エッチング方法）
まず図１、２を参照して本発明の実施形態に係るエッチング方法について説明する。図１はエッチング方法の手順について示すフローチャートであり、図２はエッチング方法について模式的に示す図である。
【００２４】
本実施形態のエッチング方法は、基材に凸状パターンを形成することでナノインプリントに用いるモールドを製造する際に適用するものであり、図１に示すように、従来と同様にドライエッチングを行って基材に凸状パターンを一次的に形成した後（Ｓ１）、ウェットエッチングを二次的に行い、凸状パターンの形状補正を行う（Ｓ２）ものである。これら２段階の工程によって、基材に凸状パターンが形成されることとなる。
【００２５】
すなわち、モールドを製造する際に、Ｓ１において図２（ａ）に示すように基材５の上にマスクパターン７を形成してドライエッチングを行い、基材５の凸状パターンを形成するが、前記した理由により図２（ｂ）のように基材５の凸状パターンの側面が頂部から底部に行くにつれ外側に広がるように傾斜し、台形状のパターンとなることがある。
【００２６】
この場合、本実施形態ではＳ２においてウェットエッチングを行うことで、図２（ｃ）の点線３で示すように凸状パターンの側面を略直立したものに形状補正する。なお、この例ではマスクパターン７を剥離した後でＳ２のウェットエッチングを行っているが、マスクパターン７を残したままでもよい。
【００２７】
基材５やマスクパターン７は特に限定されないが、例えば基材５には石英等を用いることができ、マスクパターン７は例えばレジストにより形成されるか、あるいはクロムによる薄膜上にレジストを積層して形成される。ドライエッチングは従来の手法で行うことができ、例えば基材５が石英の場合、フッ素を含むガスがエッチングに用いられる。
【００２８】
（２．ウェットエッチング）
図３（ａ）は、Ｓ２で行われるウェットエッチングについて模式的に示す図である。本実施形態では、基材５の凸状パターンの頂部から底部に行くにつれ、エッチング液９による基材５のエッチング量ａが大きくなるようにエッチング工程を制御する。
【００２９】
これにより、図２（ｃ）のような基材５の凸状パターンの側面の傾斜を補正して、図２（ｄ）に示すように略直立したものとできる。なお、本実施形態ではエッチング液９によるエッチングが等方性を有することから、基材５の凸状パターン以外の部分は下方へとエッチングされ、また形状補正後の基材（点線３参照）の凸状パターンの側面の立ち上がり部分は、若干の丸みを帯びている。
【００３０】
本実施形態では、図３（ｂ）のグラフＡに示すように、凸状パターンの頂部からの深さが大きくなるにつれ、すなわち凸状パターンの頂部から底部に行くにつれ、エッチング液９によるエッチングレートが大きくなるようにウェットエッチングを行う。これにより、前記のようなエッチング量ａの勾配を実現する。
【００３１】
エッチング液９としては、従来と同様、基材５の材質に応じた水溶性のエッチング液を用いることができる。エッチング液９は基材５のエッチングが可能なものであれば特に限定されないが、例えば基材５が石英の場合、フッ化水素酸を含むエッチング液を用いることができる。特に本実施形態では、エッチングの進行を遅くしてエッチング量の細かな大小を制御しやすいように、フッ化水素酸を水等で希釈した希フッ酸を用いている。
【００３２】
前記のようなエッチングレートの勾配を実現する方法としては様々なものが考えられるが、本実施形態では、一般的にエッチング液９の温度が高くなるほどエッチング液９によるエッチングレートが上昇することから、図３（ｃ）のグラフＡ１に示すように、凸状パターンの頂部から底部に行くにつれ温度が高くなるように、エッチング液９の温度を制御する。
【００３３】
（３．エッチング装置）
図４（ａ）は、Ｓ２のウェットエッチングに用いるエッチング装置２０の概略を示す図である。図４（ａ）に示すように、本実施形態のエッチング装置２０は、大きくステージ２１とプレート２３から構成され、上記のようにエッチング液９の温度を制御する液温制御手段としてこのステージ２１とプレート２３が用いられる。
【００３４】
ステージ２１は、エッチング液９を液盛り（パドル）したドライエッチング後の基材５を載置するものである。プレート２３はステージ２１の上方に配置され、アクチュエータ（不図示）等の昇降機構により上下に移動可能である。エッチング液９はスピンコーター等で基材５上に液盛りされる。
【００３５】
本実施形態では、ステージ２１およびプレート２３の温度調整がなされ、ステージ２１の上面（基材５の載置面）の温度を少なくともエッチング液９および基材５より高温とし（すなわち、エッチング液９と基材５のうち温度が高い方よりも高温とし）、ステージ２１上に載置された基材５の底面を温める。また、プレート２３の下面の温度は、少なくともエッチング液９および基材５より低温とする（すなわち、エッチング液９と基材５のうち温度が低い方よりも低温とする）。後述するように、プレート２３の下面はエッチング液９の上部に接触する接触面であり、当該接触面によってエッチング液９の上部が冷やされる。当該上部が凍結する程度まで冷却を行うことも可能である。
【００３６】
ステージ２１やプレート２３の温度調整は、ステージ２１やプレート２３の内部で流体を循環させることで行われる。すなわち、ステージ２１内では高温の流体２１１を循環させ、プレート２３内では低温の流体２３１を循環させる。これらの流体２１１、２３１には水等を用いることができ、その温度はエッチング装置２０に設けた温度調整装置（不図示）により調整できる。
【００３７】
エッチング液９による基材５のウェットエッチング時には、図４（ｂ）に示すように、基材５の凸状パターンの頂部もしくは当該頂部より若干上方の位置までプレート２３を下降させ、プレート２３の下面をエッチング液９の上部に接触させて余分なエッチング液９を除去し、そのまま静かにエッチング液９による基材５のエッチングを行う。
【００３８】
基材５の底面をステージ２１によって温めることで、基材５の熱伝導によりエッチング液９の下部が温められる。加えて、エッチング液９の上部をプレート２３により冷やすことで、エッチング液９の厚さ方向に図３（ｃ）のグラフＡ１に示したような温度勾配が確実に発生する。これにより、図３（ｂ）のグラフＡに示したようなエッチングレートの勾配が実現され、図２（ｄ）のように側面が直立した凸状パターンが得られる。
【００３９】
以上説明したように、本実施形態によれば、基材５の凸状パターンの頂部から底部に行くにつれエッチング液９による基材５のエッチング量ａが大きくなるようにウェットエッチングを行うことで、前記した凸状パターンの側面の傾斜を形状補正し、略直立したものとできる。
【００４０】
本実施形態では、凸状パターンの頂部から底部に行くにつれエッチングレートが大きくなるようにウェットエッチングを行うことにより、上記のようなエッチング量ａの勾配を好適に実現することができる。エッチングレートの勾配は、凸状パターンの頂部から底部に行くにつれエッチング液９の温度が高くなるようにエッチング液９の温度を制御することにより、容易に実現できる。
【００４１】
具体的な手法としては、エッチング装置２０によってウェットエッチングを行う際、エッチング液９の上部を冷やし、基材５の底面を温めることにより、上記の温度勾配を好適に実現できる。そのため、エッチング液９の上部に接触面を低温としたプレート２３を接触させ、載置面を高温としたステージ２１上に基材５を載置することで、上記の温度勾配を確実に実現できる。
【００４２】
しかしながら、本発明はこれに限らない。例えば本実施形態ではナノインプリント用のモールドを製造する例を説明したが、これに限らない。本発明は、その他のインプリント用途のモールドを製造する際にも適用でき、またこれら以外の各種の凸状パターンを形成する際にも適用可能である。
【００４３】
また、本実施形態ではエッチング液９の上部の冷却と基材５の底面の加熱を行っているが、いずれか一方でも構わない。基材５の底面の加熱を行うのは基材５の凸状パターン以外の部分が薄い場合（例えば凸状パターンの高さ程度の場合）に有効である。一方、エッチング液９の上部の冷却を行うのは、基材５の凸状パターン以外の部分が厚い場合にも有効であり、エッチング液９の温度が平面において一様となるように制御しやすい。
【００４４】
また本実施形態ではＳ１においてドライエッチングにより基材５の凸状パターンを形成しているが、Ｓ１ではウェットエッチングにより基材５の凸状パターンを形成してもよく、図５（ａ）のようにウェットエッチングの等方性に由来してマスクパターン７の下方のアンダーカットにより凸状パターンの側面が傾斜した場合も上記の手法により形状補正を行うことができる。
【００４５】
さらに、Ｓ１のドライエッチングを省略し、マスクパターンを形成した後上記の手法によって表面が平らな基材５のウェットエッチングを行い、側面が略直立した凸状パターンを基材５に形成することも可能である。すなわち、この場合、図５（ｂ）に示すように、凸状パターンの形成中に、当該凸状パターンの頂部から底部に行くにつれ、エッチング液９による基材５のエッチング量ａが大きくなる。従って、そのままエッチングを進めると、このエッチング量ａの違いにより、マスク下のアンダーカットによる凸状パターンの側面の傾斜（図５（ｂ）の点線参照）を打ち消して図５（ｂ）の一点鎖線のように側面を直立させた凸状パターンを形成することができる。
【００４６】
また、Ｓ２で形状補正を行った後の基材５の凸状パターンのサイズや凸状パターン以外の部分の厚みが所定値となるように、Ｓ１におけるマスクパターン７の形状やエッチング量等を制御することも可能である。
【００４７】
以下、本発明の別の例について第２〜４の実施形態として説明する。これらの実施形態は第１の実施形態と異なる点について主に説明し、同様の点については図等で同じ符号を付すなどして説明を省略する。また、第１の実施形態も含め、各実施形態で説明した構成は必要に応じて組み合わせることが可能である。
【００４８】
［第２の実施形態］
まず、第１の実施形態と同様にエッチング液９の温度勾配を発生させる別のエッチング装置の例について、図６を参照して説明する。
【００４９】
図６（ａ）のエッチング装置２０ａは、少なくともエッチング液９および基材５より低温の気体２３２を、プレート２３ａ（液温制御手段）の下面の孔（不図示）から噴出してエッチング液９の上部に吹き付け、エッチング液９の上部を冷やすものである。
【００５０】
また、図６（ｂ）のエッチング装置２０ｂは、吐出部２２（液温制御手段）からエッチング液９上に冷却液２２１を吐出し液盛りして冷却液２２１の層を形成し、これによりエッチング液９の上部を冷やすものである。冷却液２２１としては、少なくともエッチング液９および基材５より低温であり、且つエッチング液９よりも比重が軽くエッチング液９とは混ざらない液体を用いる。このような液体としては、例えばエッチング液９にフッ酸などの水溶液を用いる場合、水より比重が軽い非水溶性の液体であればよく、灯油、軽油、潤滑油、可塑剤、キシレン、スチレン、テレピン油などの石油類、アルコール類、フッ素系不活性液体などの中から、適した液体を選ぶことができる。冷却液２２１は、エッチング装置２０ｂに設けた温度調整装置（不図示）により低温に調整して吐出部２２から吐出する。
【００５１】
これらのエッチング装置２０ａ、２０ｂによっても、エッチング液９の上部を好適に冷やすことができる。第１の実施形態のようにプレート２３による冷却を行うものも含め、どのような方法を採用するかは液温の制御性やコスト等を勘案して定めることができる。なお、図６（ａ）、（ｂ）の例では、基材５上の余分なエッチング液９は取り除かれ、エッチング液９の上面が基材５の凸状パターンの頂部付近の高さにあるものとする。これは後述する図６（ｃ）、（ｄ）においても同様である。ただし、これに限ることはない。
【００５２】
図６（ｃ）のエッチング装置２０ｃは、ステージ２１ａに設けたランプ２１２（液温制御手段）から基材５の底面に向けて熱線２１３を放射し、当該底面を温めるものである。基材５の材料にもよるが、このような方法によっても基材５の底面を好適に温めることができ、基材５の熱伝導を介してエッチング液９の下部を温めることができる。第１の実施形態のようにステージ２１による加熱を行うものも含め、どのような方法を採用するかは、上記と同様、液温の制御性やコスト等を勘案して定めることができる。
【００５３】
図６（ｄ）のエッチング装置２０ｄは、エッチング液９’自体を、少なくとも基材５より低温あるいは０°以下、より好ましくはエッチング液９’の融点近傍の（極）低温に制御して吐出部２４から基材５上に吐出し、液盛りするものである。エッチング液９’の温度調整はエッチング装置２０ｄに設けた温度調整装置（不図示）により行うことができる。こうして液盛りされたエッチング液９’は、時間が経つと基材５に近い下部から温まってゆき、図３（ｃ）のグラフＡ１に示すような温度勾配が実現できる。エッチング液９’の液盛りは、例えばステージ２１を平面内で回転させながらスピンコート法により行うことができるが、これに限らない。
【００５４】
［第３の実施形態］
第１、２の実施形態では、図３（ｃ）のグラフＡ１のようなエッチング液９の温度勾配により図３（ｂ）のグラフＡのようなエッチングレートの勾配を実現させたが、同様のエッチングレートの勾配は、図７（ａ）のグラフＡ２に示すように、凸状パターンの頂部から底部に行くにつれ、基材５と反応する前のエッチング液９の濃度が大きくなるように制御することでも実現できる。
【００５５】
具体的には、エッチング装置にエッチング液９の循環機構（不図示）を設けることにより、図７（ｂ）に示すように基材５の凸状パターンの側面近傍にある反応後のエッチング液９１を上方に移動させ、これと入れ替わりに反応前のエッチング液９２が下降するようなエッチング液９の流れを発生させる。これにより図７（ａ）のグラフＡ２のような反応前のエッチング液９の濃度の勾配を生じさせ、図３（ｂ）のグラフＡのようなエッチングレートの勾配を実現することができる。
【００５６】
［第４の実施形態］
第１〜第３の実施形態では、図３（ｂ）のグラフＡのようなエッチングレートの勾配を実現することにより、図３（ａ）に示したように凸状パターンの頂部から底部に行くにつれエッチング量ａが大きくなるようにウェットエッチングを行ったが、同様のエッチング量ａの勾配は、図８（ａ）のグラフＢに示すように、凸状パターンの頂部から底部に行くにつれ、基材５に対するエッチング液９の接触時間が大きくなるように制御することでも実現できる。
【００５７】
具体的には、例えば図８（ｂ）のエッチング装置２０ｅに示すように、吐出部２５から数層に分けて段階的にエッチング液９の液盛りを行い、最初は低いレベルｂ１までエッチング液９を液盛りし、所定時間の経過後次のレベルｂ２までエッチング液９が来るようにエッチング液９または水等の希釈用液体を液盛りする。こうして順次液面を上げてゆくことで、図８（ａ）に示すようなエッチング液９と基材５の接触時間の勾配を発生させ、図３（ａ）に示したように、凸状パターンの頂部から底部に行くにつれエッチング量ａが大きくなるようにウェットエッチングを行うことができる。
【００５８】
以上、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されない。当業者であれば、本願で開示した技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００５９】
５；基材
７；マスクパターン
９、９’、９１、９２；エッチング液
２０、２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ；エッチング装置
２１、２１ａ；ステージ
２２、２４、２５；吐出部
２３、２３ａ；プレート
２１１、２３１；流体
２１２；ランプ
２２１；冷却液
２３２；気体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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