(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理チャンバ向けのターゲットアセンブリであって、
中心部分および支持部分を含む第１の面を備える板であって、前記中心部分がターゲットソース材料を支持するように構成される板と、
前記支持部分内に形成された複数の凹みと、
前記複数の凹み内に部分的に配置された複数のパッドとを備え、
前記複数のパッドがそれぞれ、前記パッドを通って配置された締め具を介して前記支持部分に固定され、
前記複数のパッドがそれぞれ、支承表面と、前記パッドの本体内へ部分的に延びる第１の直径を有する皿穴付き凹みと、前記第１の直径より小さい第２の直径を有する貫通孔とを含み、
前記締め具のヘッドが、前記支承表面の下で前記パッドの前記皿穴付き凹み内に配置されたものであり、
前記複数のパッドが、前記複数の凹みの対応する１つの中へ圧入されて、前記凹みとの干渉を提供し、
前記凹みとの干渉の部分が、前記凹みのエッジに沿って０．１５ｍｍである、ターゲットアセンブリ。
【請求項２】
前記複数の凹みが、前記板の周りで円周方向に隔置される、請求項１に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項３】
前記複数の凹みは、互いに同じサイズである、請求項１に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項４】
前記締め具が、前記皿穴付き凹みおよび貫通孔内に配置される、請求項１に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項５】
前記締め具のシャフトが、前記パッドを前記板に固定するように前記貫通孔を通って配置される、請求項４に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項６】
前記複数のパッドがそれぞれ、設置表面および支承表面を備え、前記設置表面が凹みの底面上に支持されるとき、前記支承表面が、前記板の前記第１の面の上に隔置される、請求項１から５までのいずれか１項に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項７】
前記支承表面が、前記第１の面の上に０．０５ｍｍ〜１ｍｍだけ隔置される、請求項６に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項８】
前記板が、溝を含み、
前記溝は、前記支持部分を前記溝から径方向に外向きの大気側および前記溝から径方向に内向きの真空側に分離する、請求項１から５までのいずれか１項に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項９】
基板処理チャンバ向けのターゲットアセンブリであって、
中心部分および支持部分を含む第１の面を備える板であって、前記中心部分がターゲットソース材料を支持するように構成される板と、
前記板内に形成された溝であって、前記支持部分を前記溝から径方向に外向きの大気側および前記溝から径方向に内向きの真空側に分離する溝と、
前記支持部分の前記大気側内に形成され、前記板の周りで円周方向に隔置された複数の凹みと、
前記板の前記第１の面の上に支承表面が隔置されるように前記複数の凹み内に部分的に配置された複数の摩擦低減パッドとを備え、
前記複数の摩擦低減パッドがそれぞれ、前記摩擦低減パッドを通って配置された締め具を介して前記支持部分に固定され、
前記複数の摩擦低減パッドがそれぞれ、支承表面と、前記摩擦低減パッドの本体内へ部分的に延びる第１の直径を有する皿穴付き凹みと、前記第１の直径より小さい第２の直径を有する貫通孔とを含み、
前記締め具のヘッドが、前記支承表面の下で前記パッドの前記皿穴付き凹み内に配置されたものであり、
前記複数のパッドが、前記複数の凹みの対応する１つの中へ圧入されて、前記凹みとの干渉を提供し、
前記凹みとの干渉の部分が、前記凹みのエッジに沿って０．１５ｍｍである、ターゲットアセンブリ。
【請求項１０】
前記複数の摩擦低減パッドが、前記複数の凹みの対応する１つの中へ圧入されたもの、または前記摩擦低減パッドを通って配置された締め具を介して各凹み内で前記支持部分に固定されたものの少なくとも１つである、請求項９に記載のターゲットアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、一般に、半導体処理機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
物理的気相堆積（ＰＶＤ）は、基板、たとえば半導体基板上に、薄い材料層を形成するために一般に利用される。通常はバッキング板を含むスパッタリングターゲットは、適当なチャンバ内で基板近傍に設けられ、ＰＶＤスパッタチャンバの上部部分を形成する。バッキング板は、セラミックの絶縁リング上に載置されることが多い。いくつかのプロセスでは、処理中にターゲットおよびチャンバの温度が上昇し、ターゲットバッキング板およびチャンバ壁の熱膨張を引き起こす。ターゲットバッキング板およびチャンバ壁の熱膨張は異なることがあり、それによりターゲットバッキング板および絶縁リングが互いに対して動き、摩擦を引き起こすことが、本発明者らによって観察された。摩擦により、バッキング板および絶縁リングが摩砕し合い、その接触面でバッキング板の一部分が摩耗することが観察された。摩耗した材料は、チャンバを汚染することがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
したがって、本発明者らは、ターゲットとＰＶＤチャンバとの間の接触面で摩擦を有利に低減させることができるターゲットアセンブリを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
基板処理チャンバ内で使用するためのターゲットアセンブリの実施形態が本明細書に提供される。いくつかの実施形態では、ターゲットアセンブリは、中心部分および支持部分を含む第１の面を備える板と、中心部分上に配置されたターゲットと、支持部分内に形成された複数の凹みと、複数の凹み内に部分的に配置された複数のパッドとを含む。
【０００５】
いくつかの実施形態では、基板処理チャンバ向けのターゲットアセンブリは、中心部分および支持部分を含む第１の面を備える板と、板内に形成された溝であって、支持部分を溝から径方向に外向きの大気側および溝から径方向に内向きの真空側に分離する溝と、中心部分上に配置され、中心位置から第１の径方向位置へ延びるスパッタリング表面と、支持部分の大気側内に形成され、板の周りで円周方向に隔置された複数の凹みと、板の第１の面の上に支承表面が隔置されるように複数の凹み内に部分的に配置された複数の摩擦低減パッドとを含む。
【０００６】
いくつかの実施形態では、基板処理装置は、チャンバ本体と、チャンバ本体の上に配置されたリッドと、リッドに結合されたターゲットアセンブリであって、第１の面および反対側の第２の面を有するバッキング板、バッキング板の第１の面に接合されたターゲット材料、バッキング板内に形成された複数の凹み、ならびに複数の凹み内に部分的に配置された複数のパッドを含み、各パッドが支承表面を有する、ターゲットアセンブリと、支持部材であって、支持部材の外端部近傍でリッドに結合され、径方向に内向きに延びる支持部材と、バッキング板と支持部材との間に配置された密封リングとを含むことができ、密封リングは、支持部材によって密封リングの底面に沿って支持され、密封リングの頂面は、複数のパッドの支承表面に沿ってターゲットアセンブリに接触する。
【０００７】
本発明の他のさらなる実施形態について、以下に説明する。
【０００８】
上記で簡単に要約し、以下でより詳細に論じる本発明の実施形態は、添付の図面に示す本発明の例示的な実施形態を参照することによって理解することができる。しかし、本発明の実施形態は、他の等しく有効な実施形態も許容することができるため、添付の図面は本発明の典型的な実施形態のみを示し、したがって本発明の範囲を限定すると見なされるべきではないことに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明のいくつかの実施形態によるターゲットアセンブリの底面図である。
【図２Ａ】線Ａ−Ａに沿って切り取った図１のターゲットアセンブリの断面図である。
【図２Ｂ】本発明のいくつかの実施形態によるターゲットアセンブリの部分底面図である。
【図２Ｃ】本発明のいくつかの実施形態によるターゲットアセンブリの例示的な接触パッドの上面図である。
【図２Ｄ】線Ｄ−Ｄに沿った図２Ｃの接触パッドの側面図である。
【図３】本発明のいくつかの実施形態によるターゲットアセンブリの一部分の概略図である。
【図４】本発明のいくつかの実施形態によるターゲットアセンブリを有するプロセスチャンバを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
理解を容易にするため、可能な場合、図に共通の同一の要素を指すために、同一の参照番号を使用した。図は原寸に比例して描かれたものではなく、見やすいように簡略化されていることがある。一実施形態の要素および特徴は、さらなる記載がなくても、他の実施形態に有益に組み込むことができることが企図される。
【００１１】
物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバなどの基板処理チャンバ内で使用するためのターゲットアセンブリの実施形態が本明細書に提供される。本発明のターゲットアセンブリは、ターゲットアセンブリとターゲットアセンブリを支持するプロセスチャンバの支持部材との間の摩擦を有利に低減させることができる。摩擦の低減は、支持部材またはターゲットアセンブリの摩耗を有益に低減させることができ、有利には、摩耗した材料によるチャンバの汚染を低減させることができる。
【００１２】
本発明の実施形態は、図１および図２を同時に参照することでよりよく理解することができ、図１は底面図であり、図２は側面断面図である。
【００１３】
図１は、本発明の実施形態によるターゲットアセンブリ１００の底面図を示す。ターゲットアセンブリ１００は、任意の適した基板処理チャンバ、たとえばカリフォルニア州サンタクララのＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から入手可能な物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバのＥＮＤＵＲＡ（登録商標）モデルのいずれかとともに使用することができる。ターゲットアセンブリ１００を含む例示的なＰＶＤチャンバについて、図４に関して以下に説明する。本明細書に記載する装置はまた、他のプロセスチャンバでも有益に使用することができる。ターゲットアセンブリ１００は、有利には、直径２００ｍｍ、３００ｍｍ、または４５０ｍｍの基板を処理するように構成されたチャンバとともに使用することができるが、他のサイズの基板を処理するように構成されたチャンバも同様に利益となることができる。
【００１４】
ターゲットアセンブリ１００は、中心部分１０６および支持部分１１２を備える第１の面１０４を有するターゲットバッキング板１０２を含む。ターゲットアセンブリ１００は、基板上に堆積させるべきソース材料１０８を含む。ソース材料１０８は、バッキング板１０２上で中心に配置され、中心点１１６に対応する中心位置から第１の径方向位置１１７まで延びる。ソース材料１０８は、スパッタリング表面１１０を含み、スパッタリング表面１１０は、バッキング板１０２から突起し（外向きに段を作る）、バッキング板１０２から離れる方に向けられる。いくつかの実施形態では、ソース材料１０８は、適当な接合プロセス、たとえば拡散接合を使用して第１の面１０４に付着させることができ、またはバッキング板１０２に機械的に取り付けることができる。アセンブリと呼ぶが、ターゲットアセンブリ１００は、一体部材とすることができる。たとえば、いくつかの実施形態では、ソース材料１０８およびバッキング板１０２は、同じ材料から一体形成することができる。
【００１５】
支持部分１１２は、中心部分１０６から径方向に外向きに配置され、バッキング板１０２の中心点１１６から距離Ｒ１をあけて、いくつかの実施形態では外周１１４まで、外向きに延びる。支持部分１１２は、チャネルまたはＯリング溝、溝１１８を含むことができ、溝１１８は、中心部分１０６の回りに線を描き、中心点１１６を通って中心軸２０４から距離Ｒ２をあけて中心に位置する。溝１１８は、チャンバの一部分、たとえばＰＶＤチャンバの絶縁リングとの密封の形成を容易にするために、Ｏリングまたはガスケットなどの密封要素（図４の密封要素４９０）を保持するように構成される。溝１１８は、図示のように正方形の溝とすることができ、または非限定的な例として半円形もしくは鳩尾形（すなわち、溝の側壁が散開し、基部は開口部より大きい）を含む任意の他の形状とすることができる。
【００１６】
溝１１８は、支持部分１１２を、溝１１８から径方向に外向きの大気側２０６と、溝１１８から径方向に内向きの真空側２０８とに分離する。真空部分は、中心軸２０４まで延びることができ、バッキング板１０２およびソース材料１０８の中心部分１０６を含む。
【００１７】
支持部分１１２の大気側２０６内には複数の凹み１２０が、第１の面１０４を通って、またバッキング板１０２の厚さＴを部分的に通って形成される。図１に示すように、３６個の凹み１２０がバッキング板１０２内に形成されるが、より多くの数またはより少ない数を形成することもできる。
【００１８】
凹み１２０は、図を簡単にすることのみを目的として、類似のサイズおよび同じまたは類似の方形の横断面であることが示されている。凹み１２０が方形である実施形態では、凹み１２０は、方形の凹みのそれぞれの長手方向軸１２２が軸１２２の中間点１２４で円形の経路１２６に接するように、板の周りで角度方向に均一に隔置することができ、中心軸２０４で中心合わせされた円形の経路１２６（破線として示す）に沿って位置合わせすることができる。長手方向軸１２２は、長軸、すなわち凹み１２０の長い方の面に平行な軸とすることができる。凹みのサイズおよび数は、複数の凹みの各長手方向軸１２２の軸方向の長さの和、すなわち全体的な軸方向の長さが、凹み１２０が位置合わせされる円形の経路の長さの約２５％〜約７５％、たとえば約５０％になるように選択することができる。
【００１９】
いくつかの実施形態では、図３に示すように、これらの凹みは、Ｒ３に対応する内側半径とＲ４に対応する外側半径とを有する弓形の凹み３０２とすることができる（すなわち、弓形の横断面を有する）。弓形の凹みは、約２．５度〜約７．５度、たとえば約５度の角度３１０を含む径方向の線によって接合することができる。
【００２０】
いくつかの実施形態では、弓形の凹み３０２は、弓形の凹み３０２のそれぞれの内側半径Ｒ３と外側半径Ｒ４との間に位置し、内側半径Ｒ３および外側半径Ｒ４に平行な中間半径３０４が、バッキング板１０２の中心点１１６で中心合わせされた円形の経路３０６（破線として示す）に沿って位置するように位置合わせされる。弓形の凹み３０２のサイズおよび数は、中間半径３０４が弧長３０８を有し、複数の弓形の凹み３０２のそれぞれの弧長３０８の和、すなわち全体的な弧長が、円形の経路の長さの約２５％〜約７５％、たとえば約５０％になるように選択することができる。
【００２１】
非限定的な例として、円形、楕円形、五角形、または他の曲線もしくは多角形の形状を含む他の横断面形状を、凹み１２０に使用することもできる。
【００２２】
図２Ａに示すように、凹み１２０内にパッド２１０が部分的に配置され、それにより、パッド２１０の支承表面２１２は、第１の面１０４の上に隔置され（すなわち、第１の面１０４から突出する）、パッド２１０の設置表面２１４は、バッキング板１０２内へさらに変位しないように、凹み１２０の底面２０２によって支持される。見やすいように１つのパッド２１０のみを示すが、本明細書に記載するようにターゲットアセンブリ１００を支持するのに十分な数のパッド２１０が、ターゲットアセンブリ１００の周りに配置される。いくつかの実施形態では、複数の凹み１２０のそれぞれの中に、パッド２１０が部分的に配置される。他の実施形態では、パッド２１０は、凹み１２０の一部の中、たとえば交互の凹みの中、または何らかの他のパターンの凹みの中に配置される。本発明のいくつかの実施形態では、支承表面２１２は、第１の面１０４の上に約０．０５ｍｍ〜約１ｍｍ、たとえば約０．７５ｍｍだけ隔置される。
【００２３】
いくつかの実施形態では、パッドはそれぞれ、図２Ｂに示すように、締め具２４０を使用して、対応する凹み１２０の中に固定することができる。締め具は、パッド２１０を通って配置されたボルト、ねじ、リベット、または他のタイプの締め具とすることができる。図２Ｂに示すように、１つまたは複数のパッド２１０は、バッキング板締め具２４２近傍に配置することができ、バッキング板締め具２４２は、いくつかの実施形態では、たとえばバッキング板締め具２４２の両側で、バッキング板をプロセスチャンバに固定する。他の実施形態では、パッド２１０をバッキング板１０２に固定するために使用される締め具２４０はまた、バッキング板１０２をプロセスチャンバに固定するように、バッキング板１０２を通って延びることができる。パッド２１０は、別法としてまたは組み合わせて、バッキング板１０２に沿って他の位置に配置することができる。
【００２４】
図２Ｃおよび図２Ｄはそれぞれ、締め具２４０を介してバッキング板１０２に固定することができる例示的なパッド２１０の上面図および横断面（線Ｄ−Ｄに沿って）側面図である。図２Ｃに示すように、パッド２１０は、支承表面２１２と、パッド２１０の本体内へ部分的に延びる第１の直径を有する皿穴付き凹み２５０と、第１の直径より小さい第２の直径を有する貫通孔２５２とを含む。締め具２４０は、締め具２４０のヘッドが、支承表面２１２の下で皿穴に埋められるように（すなわち、締め具２４０のヘッドが、図４に関して以下で論じる密封リング４８１に接触しないように）、または締め具２４０のヘッドが、支承表面２１２と平面になるように、皿穴付き凹み２５０および貫通孔２５２内に配置することができる。締め具２４０のヘッドは、パッド２１０の表面２５６と接触する。締め具２４０のシャフトは、パッド２１０をバッキング板１０２に固定するように、貫通孔２５２を通して配置される。パッド２１０の設置表面２１４は、凹み１２０の底面２０２と接触する。
【００２５】
いくつかの実施形態では、パッド２１０および凹み１２０は、パッド２１０が凹み１２０内に部分的に配置されたときに締まり嵌めが確立されるようなサイズを有する。パッド２１０はそれぞれ、凹みの少なくとも１つの寸法との干渉を提供するように、凹みの１つの中へ圧入することができる。非限定的な例では、干渉は、凹み１２０のエッジに沿って約０．１５ｍｍであり、すなわち、パッド２１０の寸法は、凹み１２０の対応する寸法より約０．１５ｍｍ長い。形状が方形のパッド２１０を有するいくつかの実施形態では、支承表面２１２は、約１０ｍｍ×約２８ｍｍの寸法および約８ｍｍの支承表面に直交する深さを有することができる。チャンバ構成、ターゲットサイズ、パッド形状寸法などに応じて、他の寸法を使用することもできる。
【００２６】
いくつかの実施形態では、パッド２１０は、たとえば損傷したパッドを交換するため、凹み１２０から個々に取り外し可能である。取り外されたパッドは、パッド２１０と同じ構成の交換パッドと低コストで容易に交換することができ、手動を含む任意の適当な方法を使用して、凹み１２０内へ圧入することができる。
【００２７】
パッド２１０は、真空力または他の基板処理環境負荷に耐えるために、低い摩擦係数および高い降伏強度を有するプロセス適合材料から形成される。パッドに使用することができる材料のいくつかの非限定的な例には、超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷＰＥ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ＤＥＬＲＩＮ（登録商標）などのアセタールホモポリマー樹脂などが含まれる。
【００２８】
本発明者らは、従来のＰＶＤチャンバにおける絶縁リングとターゲットとの間の材料の移動を観察した。材料の移動は、図４に関して以下に説明する密封リング４８１などのプロセスチャンバの支持部材と、ターゲットアセンブリ１００との間で、とりわけ熱負荷および真空負荷に起因する２つの構成要素間の動きのために生じる摩擦、およびその結果生じる摩砕の結果であると理解される。摩砕はまた、これらの構成要素の一方または両方から材料を摩滅させることが観察された。摩滅された材料は、処理中にチャンバに入ってチャンバを汚染することがある。汚染は、とりわけチャンバ内のアークの発生および関連する処理結果への悪影響を引き起こすことが観察された。
【００２９】
本発明者らは、ターゲットと絶縁体リングとの間の摩擦の低減が材料の摩耗および移動を低減させることができることを観察した。本発明の実施形態によるターゲットアセンブリは、２つの構成要素間の摩擦を複数の方法で低減させる。互いから隔置された個々のパッドは、絶縁体リングとターゲットとの間に個別の接点を提供する。パッドに選択される材料は、たとえば熱抵抗、摩擦係数、および使用強さを含む適当な機械特性を有する任意の材料とすることができる。この用途に適当な使用強さおよび低い摩擦係数を有する材料（ＵＨＭＷＰＥ、ＰＥＥＫ、ＰＴＦＥ、およびアセタールホモポリマー樹脂など）から形成されたパッドを含むターゲットは、本発明のパッドを含まないターゲットと比較して摩擦力を低減させることが観察された。
【００３０】
本発明のパッドは、制限された点で接触を提供し、摩擦の原因をそれらの接点のみに低減させる。ターゲットの支持部分のうち本発明のパッドを含まない領域では、ターゲットおよび絶縁体リングは、隔置されたままであり、摩擦力を提供しない。個々のパッドへの接触を最小にすることによって、たとえば支持部材とターゲットアセンブリとを分離するリングと比較して、摩擦が低減される。
【００３１】
本発明者らはまた、完全なリングと比較して、個々の本発明のパッドを用いると小さい公差を維持することがより容易であることを観察した。小さい公差を維持することで、チャンバへのターゲットアセンブリ１００の改善された密封を容易にすることができる。本発明者らはまた、凹み１２０およびパッド２１０が、現在のチャンバサイズ（すなわち、直径２００、３００、および４５０ｍｍの基板を処理するチャンバ）にとって一貫したサイズを有することができることに注目した。個々のパッドはまた、将来のサイズのチャンバに適合させることができる。加えて、個々のパッドは、リングと比較して、設置および維持するのがより容易である。
【００３２】
図４は、本発明の実施形態によるターゲットアセンブリ１００を有する物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ４００の簡略化された概略横断面図を示す。
【００３３】
本発明のいくつかの実施形態では、ＰＶＤチャンバ４００は、プロセスチャンバ４０４の上に配置され、プロセスチャンバ４０４から取り外し可能なチャンバリッド４０１を含む。チャンバリッド４０１は、内側アセンブリ４０２および外側接地アセンブリ４０３を含むことができる。プロセスチャンバ４０４は、基板４０８を受け取るための基板支持体４０６を収容する。基板支持体４０６は、下部接地密閉壁４１０内に位置することができ、下部接地密閉壁４１０は、プロセスチャンバ４０４のチャンバ壁とすることができる。下部接地密閉壁４１０は、チャンバリッド４０１の上に配置されたＲＦ電源４８２へのＲＦリターン経路が設けられるように、チャンバリッド４０１の接地アセンブリ４０３に電気的に結合することができる。
【００３４】
チャンバリッド４０１は、概して、内側アセンブリ４０２の周りに配置された接地アセンブリ４０３を含む。接地アセンブリ４０３は、第１の表面４５７を有する接地板４５６を含むことができ、第１の表面４５７は、内側アセンブリ４０２の裏面に略平行とすることができ、内側アセンブリ４０２の裏面の反対側に位置することができる。接地板４５６の第１の表面４５７から接地シールド４１２が延びて、内側アセンブリ４０２を取り囲むことができる。接地アセンブリ４０３は、接地アセンブリ４０３内に内側アセンブリ４０２を支持するために、支持部材４７５を含むことができる。
【００３５】
内側アセンブリ４０２は、ターゲットアセンブリ１００の裏面の反対側にソース分散板４５８を含むことができ、ソース分散板４５８は、ターゲットアセンブリ１００の周辺エッジに沿ってターゲットアセンブリ１００に電気的に結合される。上記で論じたように、ターゲットアセンブリ１００は、スパッタリング中に基板４０８などの基板上に堆積させるべきソース材料１０８を備えることができる。ソース材料１０８は、金属、金属酸化物、金属合金などから構成することができる。いくつかの実施形態では、ターゲットアセンブリ１００は、ソース材料１０８を支持するために、バッキング板１０２を含む。ソース材料１０８は、図４に示すように、バッキング板１０２の基板支持体向きの面に配置することができる。バッキング板１０２は、バッキング板１０２を介してソース材料１０８にＲＦおよびＤＣ電力を結合することができるように、銅、銅−亜鉛、銅−クロム、またはターゲットと同じ材料などの導電性材料を備えることができる。別法として、バッキング板１０２は、非導電性とすることができ、電気貫通接続などの導電性要素（図示せず）を含むことができる。バッキング板１０２は、密封要素４９０を保持するための溝１１８と、パッド２１０を保持するための１つまたは複数の凹み１２０とを含む。
【００３６】
いくつかの実施形態では、支持部材４７５は、支持部材４７５の外周エッジ近傍で接地シールド４１２の下端部に結合することができ、密封リング４８１および内側アセンブリ４０２を支持するように径方向に内向きに延びる。密封リング４８１は、所望の横断面を有するリングまたは他の環状形状とすることができる。密封リング４８１は、密封リング４８１の第１の面上で内側アセンブリ４０２のターゲットアセンブリ１００のバッキング板１０２と接触し、密封リング４８１の第２の面上で支持部材４７５と接触することを容易にするために、２つの反対側の平面かつ略平行の表面を含むことができる。密封リング４８１は、セラミックなどの誘電体材料から作製することができる。密封リング４８１は、内側アセンブリ４０２を接地アセンブリ４０３から絶縁することができる。密封リング４８１は、パッド２１０の支承表面２１２を介してバッキング板１０２と接触する。加えて、バッキング板１０２の溝１１８内に配置された密封要素４９０はまた、密封リング４８１に接触して、バッキング板１０２と密封リング４８１との間に真空シールを形成する。
【００３７】
ソース分散板からターゲットアセンブリ１００の周辺エッジへＲＦエネルギーを伝えるために、ソース分散板４５８とターゲットアセンブリ１００の裏面との間に導電性部材４６４を配置することができる。導電性部材４６４は、円筒形とすることができ、第１の端部４６６が、ソース分散板４５８の周辺エッジ近傍でソース分散板４５８のターゲット向きの表面に結合され、第２の端部４６８が、ターゲットアセンブリ１００の周辺エッジ近傍でターゲットアセンブリ１００のソース分散板向きの表面に結合される。いくつかの実施形態では、第２の端部４６８は、バッキング板１０２の周辺エッジ近傍でバッキング板１０２のソース分散板向きの表面に結合される。いくつかの実施形態では、バッキング板１０２は、１つまたは複数の締め具を介して導電性部材４６４の第２の端部４６８に結合することができる。
【００３８】
内側アセンブリ４０２は、ターゲットアセンブリ１００の裏面とソース分散板４５８との間に配置された空胴４７０を含むことができる。空胴４７０は、マグネトロンアセンブリを少なくとも部分的に収納することができる。空胴４７０は、導電性部材４６４の内面、ソース分散板４５８のターゲット向きの表面、およびターゲットアセンブリ１００（またはバッキング板１０２）のソース分散板向きの表面（たとえば、裏面）によって少なくとも部分的に画定される。いくつかの実施形態では、空胴４７０は、水（Ｈ2Ｏ）などの冷却流体で少なくとも部分的に充填することができる。
【００３９】
上記は、本発明の実施形態を対象とするが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明の他のさらなる実施形態を考案することができる。
【図１】
0006662780.tif 000002
【図２Ａ】
0006662780.tif 000003
【図２Ｂ】
0006662780.tif 000004
【図２Ｃ】
0006662780.tif 000005
【図２Ｄ】
0006662780.tif 000006
【図３】
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【図４】
0006662780.tif 000008