(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
粉体を収容した容器を分散装置本体にセットして、前記分散装置本体により前記容器内の前記粉体を分散させる分散工程と、
前記分散装置本体より取り出された前記容器をガス導入及び排気可能な状態でＡＬＤ装置本体にセットして、前記容器内でＡＬＤサイクルを実施するためのガスを導入して前記容器内に充満させ、その後前記ガスを排気して、前記粉体の表面を成膜するＡＬＤ工程と、
を有することを特徴とする粉体の成膜方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記粉体を強制加熱することなく前記ＡＬＤサイクルを実施することを特徴とする粉体の成膜方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の粉体の成膜方法に用いられる容器であって、
前記粉体を収容する容器本体と、
前記容器本体内にガスを導入するガス導入口と、
前記容器本体内を排気する排気口と、
前記容器本体内に配置され、前記ガスの通過を許容する一方で、前記粉体が前記ガス導入口に向けて通過するのを阻止する第１フィルターと、
前記容器本体内に配置され、前記ガスの通過を許容する一方で、前記粉体が前記排気口に向けて通過するのを阻止する第２フィルターと、
を有し、
前記容器本体、前記第１フィルター及び前記第２フィルターで仕切られる粉体収容室に粉体が出し入れ可能に収容され、
前記容器本体は、
第１蓋部と、
第２蓋部と、
本体部と、
を含み、
前記本体部の一端に前記第１蓋部が気密に装着され、前記第１蓋部が取り外し可能であり、
前記本体部の他端に前記第２蓋部が気密に装着され、前記第２蓋部が取り外し可能であることを特徴とする容器。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１蓋部は、前記ガス導入口及び前記第１フィルターを含み、
前記第２蓋部は、前記排気口及び前記第２フィルターを含むことを特徴とする容器。
【請求項５】
請求項３または４に記載された容器と、
前記容器内でＡＬＤサイクルを実施するためのガスを導入して前記容器内に充満させ、その後前記ガスを排気して、前記粉体の表面を成膜するＡＬＤ装置本体と、
を有することを特徴とするＡＬＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、粉体の成膜方法、粉体成膜用容器及びＡＬＤ装置等に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造技術は、基板上に成膜するだけでなく、粉体の表面に成膜することにも利用されている。その際、粉体は凝縮し易い。特許文献１には、真空容器内の炭素担体を攪拌あるいは回転させて分散させながらスパッタリングを行うことで、炭素担体の表面に成膜することが開示されている。【０００３】
特許文献２には、真空容器自体は回転させず、真空容器内に配置された筒状の容器を真空容器に対して回転または搖動させて、粉体の表面にドライプロセスによりコーティングする技術が開示されている。【０００４】
特許文献３には、成膜対象に酸化物薄膜を室温で形成することができる原子層堆積法（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）が開示されている。つまり、成膜時に強制加熱する必要がない。このことは、湿気等によって凝集し易い粉体への成膜にとっては、成膜中に凝縮を維持し易い点で不利である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−３８２１８号公報
【特許文献２】特開２０１４−１５９６２３号公報
【特許文献３】特許第５７６１７２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
成膜対象である粉体に特許文献３等に開示されたＡＬＤを応用するにあたり、特許文献１または２に開示された装置を利用することが考えられる。しかし、特許文献１及び２では、粉体への成膜動作中に、回転または揺動による粉体の分散動作を同時に実施しなければならない。成膜と同時に実施される分散のための回転速度には制約がある。そのため、比較的低い回転速度では、特に非加熱で成膜される粉体を十分に分散させることができない。さらに、回転または揺動機構を有する成膜装置が、大型化、複雑化するという課題もある。【０００７】
本発明は、分散装置と成膜装置とに分けて成膜装置の小型化、簡易化を図りながら、成膜対象の粉体を両装置間で移し替えるハンドリングを簡便にでき、分散された粉体の表面に確実に成膜することができる粉体の成膜方法、粉体成膜用容器及びＡＬＤ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）本発明の一態様は、
粉体を収容した容器を分散装置本体にセットして、前記分散装置本体により前記容器内の前記粉体を分散させる分散工程と、
前記分散装置本体より取り出された前記容器をガス導入及び排気可能な状態でＡＬＤ装置本体にセットして、前記容器内でＡＬＤサイクルを実施するためのガスを導入して前記容器内に充満させ、その後前記ガスを排気して、前記粉体の表面を成膜するＡＬＤ工程と、
を有する粉体の成膜方法に関する。【０００９】
本発明の一態様（１）によれば、分散装置と成膜装置とに分けことで、成膜装置は回転または揺動による粉体（微粒子とも言う）の分散動作を同時に実施しなくて済み、その分、成膜装置が小型化、簡易化される。成膜装置では、ＡＬＤサイクルを実施するために容器内に導入されるガスが、予め分散されている粉体間に浸透する。それにより、粉体の表面を原子層レベルの薄さで成膜することができる。ここで、粉体は、主として分子間力（ファンデルワールス力）により凝縮する。つまり、粉体サイズが小さいほど凝集し易い。また、粉体は湿気等によっても凝集する。ＡＬＤ工程の前に分散工程を実施することで、凝集している容器内の粉体を、予め攪拌等により十分に分散させておくことができる。そして、分散工程とＡＬＤ工程とに容器が共用されるので、成膜対象の粉体を両工程間で移し替えるハンドリングを簡便にできる。【００１０】
（２）本発明の一態様（１）では、前記粉体を強制加熱することなく前記ＡＬＤサイクルを実施することができる。非加熱の粉体は湿気によって凝集し易いが、ＡＬＤ工程の前に分散工程を実施することで、凝集している容器内の粉体を、予め攪拌して十分に分散させておくことができる。【００１１】
（３）本発明の他の態様は、
本発明の一態様（１）または（２）の粉体の成膜方法に用いられる容器であって、
前記粉体を収容する容器本体と、
前記容器本体内にガスを導入するガス導入口と、
前記容器本体内を排気する排気口と、
前記容器本体内に配置され、前記ガスの通過を許容する一方で、前記粉体が前記ガス導入口に向けて通過するのを阻止する第１フィルターと、
前記容器本体内に配置され、前記ガスの通過を許容する一方で、前記粉体が前記排気口に向けて通過するのを阻止する第２フィルターと、
を有し、
前記容器本体、前記第１フィルター及び前記第２フィルターで仕切られる粉体収容室に粉体が出し入れ可能に収容される容器に関する。【００１２】
本発明の一態様（３）によれば、容器本体、第１フィルター及び第２フィルターで仕切られる粉体収容室に粉体を収容した容器を分散装置にセットして、容器を回転または揺動等させることで、例えば湿気等により凝集している容器内の粉体を、予め攪拌して分散させておくことができる。この分散工程では、必ずしもガス導入口及び排気口を閉鎖しなくても、第１、第２フィルターにより粉体が漏出することを防止できる。また、分散時に容器が密閉状態ではなく、ガス導入口及び排気口を介して空気が容器に出入りされるため、容器内部の粉体を十分に分散することができる。この容器をＡＬＤ装置にセットし、容器のガス導入口からガスを導入し、容器の排気口から排気することで、ＡＬＤサイクルを実施して、粉体の表面を原子層レベルの薄さで成膜することができる。【００１３】
（４）本発明の他の態様（３）では、前記容器本体は、蓋部と、前記蓋部が気密に装着され、前記蓋部が取り外し可能な本体部と、を含むことができる。こうすると、本体部から蓋を取り外すことで粉体収容室が開放され、粉体収容室に粉体を出し入れすることができる。粉体収容後に本体部に蓋部が気密に装着されることで、分散工程時に粉体が漏れることがなく、しかもガスが導入・排気されるＡＬＤ工程を実施することができる。【００１４】
（５）本発明の他の態様（４）では、前記蓋部は、前記ガス導入口及び前記第１フィルターを含むことができ、前記本体部は、前記排気口及び前記第２フィルターを含むことができる。こうすると、本体部から蓋を取り外すことで、第１フィルターが切り離されて粉体収容室が開放され、粉体収容室に粉体を出し入れすることができる。また、異なる粒径粉体へのロット交換時やメインテナンス時に第１フィルターを交換するには、蓋に対して第１フィルターを交換すればよい。あるいは、第１フィルターの種別ごとに用意された蓋に交換しても良い。【００１５】
（６）本発明の他の態様（４）では、前記本体部は、前記ガス導入口及び前記第１フィルターを含むことができ、前記蓋部は、前記排気口及び前記第２フィルターを含むことができる。こうすると、本体部から蓋を取り外すことで、第２フィルターが切り離されて粉体収容室が開放され、粉体収容室に粉体を出し入れすることができる。また、異なる粒径粉体へのロット交換時やメインテナンス時に第２フィルターを交換するには、蓋に対して第２フィルターを交換すればよい。あるいは、第２フィルターの種別ごとに用意された蓋に交換しても良い。【００１６】
（７）本発明の他の態様（３）では、
前記容器本体は、
第１蓋部と、
第２蓋部と、
本体部と、
を含み、
前記本体部の一端に前記第１蓋部が気密に装着され、前記第１蓋部が取り外し可能であり、
前記本体部の他端に前記第２蓋部が気密に装着され、前記第１蓋部が取り外し可能とすることができる。
こうすると、異なる粒径粉体へのロット交換時やメインテナンス時に第１及び第２フィルターの交換が容易となる。つまり、第１蓋に対して第１フィルターを交換するか、第１フィルターの種別ごとに用意された第１蓋に交換することがすることができる。同様に、第２蓋に対して第２フィルターを交換するか、第２フィルターの種別ごとに用意された第２蓋に交換することがすることができる。【００１７】
（８）本発明のさらに他の態様は、
本発明の他の態様（３）〜（７）のいずれかの容器と、
前記容器内でＡＬＤサイクルを実施するためのガスを導入して前記容器内に充満させ、その後前記ガスを排気して、前記粉体の表面を成膜するＡＬＤ装置本体と、
を有するＡＬＤ装置に関する。【００１８】
本発明のさらに他の態様（８）によれば、容器をＡＬＤ装置にセットし、ＡＬＤサイクルを実施するためのガスをガス導入口から導入して容器内に充満させ、容器の排気口からガスを排気することで、ＡＬＤサイクルを実施して、原子層レベルの薄さで成膜することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１（Ａ）は本発明方法の一実施形態の分散工程を示し、図１（Ｂ）は本発明方法の一実施形態のＡＬＤ工程を示す図である。
【図２】本発明方法の一実施形態を示すフローチャートである。
【図３】ＡＬＤサイクルを説明するための図である。
【図４】活性化装置の一例を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態である容器の断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態である容器の断面図である。
【図７】本発明のさらに他の実施形態である容器の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下の開示において、提示された主題の異なる特徴を実施するための多くの異なる実施形態や実施例を提供する。もちろんこれらは単なる例であり、限定的であることを意図するものではない。さらに、本開示では、様々な例において参照番号および／または文字を反復している場合がある。このように反復するのは、簡潔明瞭にするためであり、それ自体が様々な実施形態および／または説明されている構成との間に関係があることを必要とするものではない。さらに、第１の要素が第２の要素に「接続されている」または「連結されている」と記述するとき、そのような記述は、第１の要素と第２の要素とが一体的であるもの、あるいは第１の要素と第２の要素とが互いに直接的に接続または連結されている実施形態を含むとともに、第１の要素と第２の要素とが、その間に介在する１以上の他の要素を有して互いに間接的に接続または連結されている実施形態も含む。また、第１の要素が第２の要素に対して「移動する」と記述するとき、そのような記述は、第１の要素及び第２の要素の少なくとも一方が他方に対して移動する相対的な移動の実施形態を含む。
【００２１】
本発明の成膜方法の一実施形態は、図１（Ａ）に示す分散工程と、図１（Ｂ）にＡＬＤ工程とを含む。
【００２２】
１．分散工程及び分散装置
図１（Ａ）に示す分散工程では、粉体Ｐが収容された容器１０が分散装置本体１００にセットされる。容器１０と分散装置本体１００とで分散装置が構成される。ここで、粉体Ｐはサイズが例えばミクロン、サブミクロン又はナノオーダーの微粒子とすることができ、材質は問わない。粉体Ｐのサイズが小さいほど凝縮し易いので、成膜前に分散させる必要性が高くなる。また、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）の作図の便宜上、粉体収容室７０内の粉体Ｐは散在しているが、１バッチ処理分の例えば総重量１０ｋｇの粉体Ｐが容器１０の粉体収容室７０に満載されても良い。ただし、凝集されている粉体Ｐが攪拌により分散される程度に、粉体収容室７０には余剰のスペースは確保される。
【００２３】
容器１０は、粉体Ｐを収容する容器本体２０と、容器本体２０内にガスを導入するガス導入口３０と、容器本体２０内に設けられる第１フィルター４０と、容器本体２０内を排気する排気口５０と、容器本体２０内に設けられる第２フィルター６０とを含むことができる。第１フィルター４０は、ガスの通過を許容する一方で、粉体Ｐがガス導入口３０に向けて通過するのを阻止する。第２フィルター６０は、ガスの通過を許容する一方で、粉体Ｐが排気口５０に向けて通過するのを阻止する。そして、容器本体２０、第１フィルター４０及び第２フィルター６０で仕切られる粉体収容室７０に、粉体Ｐが出し入れ可能に収容される。なお、図１（Ａ）には、粉体収容室７０の一部を開放させ、かつ、容器本体２０に気密に装着される蓋部は省略されている。
【００２４】
図１（Ａ）に示す分散装置本体１００は、第１保持部材１１０及び第２保持部材１２０を含み、容器１０は第１、第２保持部材１１０、１２０間に押圧されて挟持固定される。遠心力に抗するように、容器１０を第１、第２保持部材１１０、１２０の一方に位置決めする位置決め部を設けても良い。分散装置本体１００は、自転軸Ａ１の廻りに容器１０を回転駆動する自転駆動部を含むことができる。分散装置本体１００は、さらに、公転軸Ａ２の廻りに容器１０を回転駆動する公転駆動部を含むことができる。自転軸Ａ１と公転軸Ａ２とは、平行または交差する方向に延びる。なお、容器１０内の粉体Ｐを撹拌して分散させるための駆動部は、自転及び／又は公転に限らず、揺動、振動等であっても良い。
【００２５】
図２に示すステップ１において、先ず、図示しない蓋部を開放して容器１０内に粉体Ｐを収容する。その後、蓋部を気密に装着して容器１０内に粉体Ｐを封止する。この際、容器１０のガス導入口３０及び排気口５０は開放されているが、第１、第２フィルター４０、６０により内部の粉体Ｐが外部に漏出することは阻止される。また、分散時に容器１０が密閉状態ではなく、ガス導入口３０及び排気口５０を介して空気が容器１０に出入りされるため、容器１０内部の粉体Ｐを十分に分散することができる。
【００２６】
次に、図２に示すステップ２において、容器１０が分散装置本体１００に図１（Ａ）に示すようにしてセットされる。その後、図２に示すステップ３において、分散工程が時視される。分散工程では、第１、第２保持部材１１０、１２０間に押圧されて挟持固定される容器１０が、自転軸Ａ１及び／又は公転軸Ａ２の廻りに回転駆動される。それにより、容器１０内の粉体Ｐが攪拌されて分散される。特に、例えば湿気等により粉体Ｐが凝集していたとしても、分散工程の実施により容器１０内の粉体Ｐは分散される。
【００２７】
分散工程が終了したら、図２に示すステップ４において、容器１０が分散装置本体１００からＡＬＤ装置本体２０１に移し換えられる。このために、分散装置本体１００では第１、第２保持部材１１０、１２０間の押圧力が解除されることで容器１０が取り出される。この容器１０は、そのままの状態で、図１（Ｂ）に示すＡＬＤ装置本体２０１に移し換えられる。従って、容器１０が分散工程とＡＬＤ工程とに共用されるので、成膜対象の粉体Ｐを両工程間で移し替えるハンドリングを簡便にすることができる。
【００２８】
２．ＡＬＤ工程及びＡＬＤ装置
図１（Ｂ）に、容器１０とＡＬＤ装置本体２０１とを含むＡＬＤ装置２００の一例が示されている。ＡＬＤ装置本体２０１は、容器１０のガス導入口３０に気密に接続されるガス導入管２０２と、容器１０の排気口５０に気密に接続される排気管２０３とを有する。
【００２９】
ガス導入管２０２には、有機金属ガス容器２１０が、流量制御器２２０を介して接続されている。ガス導入管２０２には、オゾン容器２３０が、流量制御器２４０を介して接続されている。また、ガス導入管２０２には、不活性ガス容器２５０が、活性化装置２６０を介して接続されている。なお、図１（Ｂ）には図示していないが、ガス導入管２０２にはパージガスとして不活性ガスが流量制御されて供給可能である。排気管２０３には排気ポンプ２７０が接続され、容器１０内を真空引き可能である。なお、パージガスは容器１０内の原料ガスを排気するために用いられるが、パージガスの導入に代えて、真空ポンプ２７０により容器１０内を排気しても良い。
【００３０】
図１（Ｂ）に示すように容器１０をＡＬＤ装置本体２０１にセットして、図２に示すステップ６において、ＡＬＤサイクルを実施する。図３に示すように、ＡＬＤサイクルとは、原料ガスの投入→排気（パージを含む）→反応ガスの投入→排気（パージを含む）の最小４ステップを一サイクルとする。粉体Ｐ成膜される膜の厚さはＡＬＤサイクルの数Ｎに比例する。よって、図２に示すステップ７において、カウントアップされるサイクル数が設定値に達したかが判断され、ステップ６のＡＬＤサイクルが必要数だけ繰り返し実施される。
【００３１】
ＡＬＤ装置２００で成膜される膜種は、酸化膜または窒化膜であり、以下、酸化膜の一例としてＡｌ２Ｏ３を成膜する一例を説明する。この場合、２種類のプリカーサー（前駆体）として、例えばトリメチルアルミニウムＡｌ（ＣＨ３）３とＯＨラジカル（ＯＨ＊）とが用いられる。原料ガスであるトリメチルアルミニウムは、有機金属ガス容器２１０から供給される。反応ガスを活性化して得られるＯＨラジカルは、活性化装置２６０で生成される。
【００３２】
このため、不活性ガス容器２５０からの不活性ガス例えばアルゴンＡｒが、活性化装置２６０に供給される。活性化装置２６０は、図４に示すように、水１が蓄えられた加湿器２６１と、ガス導入管２０２に連通されるプラズマ生成室２６２とを含む。加湿器２６１には、不活性ガス容器２５０からの不活性ガス例えばアルゴンＡｒが導入される。アルゴンＡｒによりバブリングされた水１が水蒸気ガスとなって、プラズマ生成室２６２に供給される。例えば石英製のプラズマ生成室２６２の周囲には誘導コイル２６３が設けられる。誘導コイル２６３には、図示しない高周波電源が接続される。例えば、誘導コイル２６３によって加えられる電磁エネルギーは２０Ｗで、周波数は１３．５６ＭＨｚである。誘導コイル２６３によってプラズマ生成室２６２内には反応ガスの誘導結合プラズマ２が生成される。それにより、Ａｒ＋Ｈ２Ｏ→Ａｒ＊＋ＯＨ＊＋Ｈ＊となり、ＯＨラジカル（ＯＨ＊）を生成できる。ＯＨラジカル（ＯＨ＊）をガス導入管２０２を介して容器１０に供給することにより、後述する通り、粉体Ｐを強制加熱することなく低温で、例えば、室温で成膜することができる。
【００３３】
ＡＬＤサイクルを実施するにあたり、先ず、排気ポンプ２７０により容器１０内が真空引きされ、例えば１０−４Ｐａに設定される。次に、ＡＬＤサイクルの１ステップ目として、トリメチルアルミニウムＡｌ（ＣＨ３）３が容器１０内に所定の圧力例えば１〜１０Ｐａで充満される。ＡＬＤサイクルの１ステップ目で、粉体Ｐ間にトリメチルアルミニウムＡｌ（ＣＨ３）３が浸透する。所定時間経過後、ＡＬＤサイクルの２ステップ目として、容器１０内にパージガスが導入され、容器１０内のトリメチルアルミニウムＡｌ（ＣＨ３）３がパージガスに置換される。
【００３４】
次に、ＡＬＤサイクルの３ステップ目として、ＯＨラジカル（ＯＨ＊）が容器１０内に所定の圧力例えば１〜１０Ｐａで充満される。ＡＬＤサイクルの３ステップ目で、粉体Ｐ間にＯＨラジカル（ＯＨ＊）が浸透する。その結果、粉体Ｐの表面では、トリメチルアルミニウムＡｌ（ＣＨ３）３がＯＨラジカル（ＯＨ＊）と反応して、酸化アルミニウムＡｌ２Ｏ３が生成される。それにより、粉体Ｐの表面は酸化膜により被覆される。特に、粉体Ｐの表面のヒドロキシ基（−ＯＨ）上には、有機金属ガスは室温でも飽和吸着が可能である。よって、成膜中に粉体Ｐを強制加熱する必要がない。所定時間経過後、ＡＬＤサイクルの４ステップ目として、容器１０内にパージガスが導入され、容器１０内のＯＨラジカル（ＯＨ＊）がパージガスに置換される。Ａｌ２Ｏ３膜は１サイクルでおよそ１オングストローム＝０．１ｎｍずつ成膜ができるので、例えば１０ｎｍの膜厚にするにはＡＬＤサイクルを１００回繰り返せばよい。成膜は単層または多層とすることができる。多層の場合、成膜種に応じた原料に切り換えられる。ＡＬＤサイクルの変形例として、ＯＨラジカル（ＯＨ＊）を容器１０内に導入する前に、オゾン容器２３０及び流量制御器２４０を介して、容器１０内に所定の圧力例えば１〜１０Ｐａでオゾンを充満させ、その後パージガスで排出しても良い。オゾンを導入することによって、未反応の炭素が膜中に混入されるのを防止することが可能である。
【００３５】
３．容器
図５〜図７は、蓋部２１Ａ及び／又は蓋部２１Ｂにより開放可能な容器１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ示す。図５は、ガス導入口３０を有する蓋部２１Ａが、気密シール材２３を介して本体部２２Ａと着脱可能である。蓋部２１Ａを取り外すことで、粉体Ｐを容器１０Ａの粉体収容室７０Ａに出し入れすることができる。図６は、排気口５０を有する蓋部２１Ｂが、気密シール材２３を介して本体部２２Ｂと着脱可能である。蓋部２１Ｂを取り外すことで、粉体Ｐを容器１０Ｂの粉体収容室７０Ｂに出し入れすることができる。図７は、ガス導入口３０を有する蓋部２１Ａと排気口５０を有する蓋部２１Ｂとが、気密シール材２３を介して本体部２２Ｃと着脱可能である。蓋部２１Ａ及び蓋部２１Ｂの少なくとも一方を取り外すことで、粉体Ｐを容器１０Ｃの粉体収容室７０Ｃに出し入れすることができる。蓋部２１Ａ及び／又は蓋部２１Ｂと、本体部２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃとの固定は、周知の螺合結合、ボルトや締め付けリング等の締結手段等を利用することができる。
【００３６】
ここで、第１、第２フィルター４０、６０は、成膜対象の粉体Ｐのサイズに応じてメッシュのサイズが異なる複数種を用意しておくことができる。この場合、第１又は第２フィルター４０、６０は、蓋部２１Ａ又は蓋部２１Ｂと一体で、あるいは蓋部２１Ａ又は蓋部２１Ｂに着脱可能に配置することができる。成膜対象の粉体Ｐのサイズに応じてメッシュのサイズが異なる第１、第２フィルター４０、６０の交換が容易だからである。
【００３７】
なお、原料ガスとしてＴＤＭＡＳ（ＳｉＨ［Ｎ（ＣＨ３）２］３）を用い、活性化された反応ガス（酸化ガス）としてＯＨラジカル（ＯＨ＊）を用いれば、粉体Ｐの表面にＳｉＮを成膜することができ。この場合も、粉体Ｐの表面のヒドロキシ基（−ＯＨ）上には、有機金属ガスは室温でも飽和吸着が可能である。
【００３８】
また、金属酸化膜を成膜する場合に用いられる反応ガスである酸化ガスに代えて、例えば窒化ガスを用いれば、金属窒化膜を成膜することが可能である。この場合、反応ガスである窒化ガスとして例えばＮＨラジカルが生成されるＮＨ３を用いることができる。原料ガスとして例えばＴＤＭＡＳ（ＳｉＨ［Ｎ（ＣＨ３）２］３）を用いると、粉体Ｐの表面にＳｉＮを成膜することができる。原料ガスとして例えばＴＤＭＡＴ（Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］４）を用いると、粉体Ｐの表面にＴｉＮを成膜することができる。いずれの場合も、ＮＨラジカルの存在により、低温プロセスを実現することができる。
【符号の説明】
【００３９】
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ…容器、２０…容器本体、２１Ａ…蓋部（第１蓋部）、２１Ｂ…蓋部（第２蓋部）、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ…本体部、２３…気密シール材、３０…ガス導入口、４０…第１フィルター、５０…排気口、６０…第２フィルター、７０、７０Ａ、７０Ｂ、７０Ｃ  粉体収容室、１００…分散装置本体、１１０…第１保持部材、１２０…第２保持部材、２００…ＡＬＤ装置、２０１…ＡＬＤ装置本体、２０２…ガス導入管、２０３…排気管、２１０…有機金属ガス容器、２２０…流量制御器、２３０…オゾンガス容器、２４０…流量制御器、２５０…不活性ガス容器、２６０…活性化装置、２７０…排気ポンプ、Ａ１…自転軸、Ａ２…公転軸、Ｐ…粉体
【要約】
粉体の成膜方法は、粉体Ｐを収容した容器（１０）を分散装置本体（１１０）にセットして、分散装置本体（１１０）により容器（１０）内の粉体（Ｐ）を分散させる分散工程と、分散装置本体（１００）より取り出された容器（１０）をガス導入及び排気可能な状態でＡＬＤ装置本体（２０１）にセットして、容器（１０）内でＡＬＤサイクルを実施するためのガスを導入して容器（１０）内に充満させ、その後前記ガスを排気して、粉体（Ｐ）の表面を成膜するＡＬＤ工程と、を有する。【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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