(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
分割予定ラインで区画してデバイスを形成するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの裏面にＤＡＦと紫外線の照射によって硬化する糊層を有するダイシングテープを貼着させるテープ貼着工程と、
該テープ貼着工程を実施した後、該テープ貼着工程を実施した貼着装置で、ダイシングテープ側からウエーハを撮像した撮像画から、ＤＡＦとウエーハとの間が未接着となった接着不良箇所の不良チップ位置を記憶する記憶工程と、
該記憶工程を実施した後、ウエーハを該分割予定ラインに沿って個々のチップに分割すると共にＤＡＦを分割装置で分割する分割工程と、
該分割工程を実施した後、ダイシングテープに紫外線を照射させ該糊層を硬化させ粘着力を低下させる紫外線照射工程と、
該紫外線照射工程の後、該貼着装置により該記憶工程で記憶した該不良チップ位置を避けてＤＡＦ接着良好なチップを該糊層とＤＡＦとの境で離間させ該ＤＡＦ接着良好なチップを該ＤＡＦと共にピックアップ装置でピックアップするピックアップ工程と、
を備えるウエーハの加工方法。
【請求項２】
分割予定ラインで区画してデバイスを形成するウエーハの加工方法であって、
ウエーハを該分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するウエーハ分割工程と、
該ウエーハ分割工程を実施した後、分割されたウエーハの裏面にＤＡＦと紫外線の照射によって硬化する糊層を有するエキスパンドテープを貼着するテープ貼着工程と、
該テープ貼着工程を実施した後、該テープ貼着工程を実施した貼着装置で、エキスパンドテープ側から分割後のウエーハを撮像した撮像画から、チップ間の分割ラインを除去すると共に、ＤＡＦとウエーハとの間が未接着となった接着不良箇所の不良チップ位置を記憶する記憶工程と、
該記憶工程を実施した後、個々のチップ毎にＤＡＦを分割するＤＡＦ分割工程と、
該ＤＡＦ分割工程を実施した後、エキスパンドテープに紫外線を照射させ該糊層を硬化させ粘着力を低下させる紫外線照射工程と、
該紫外線照射工程の後、該貼着装置により該記憶工程で記憶した該不良チップ位置を避けてＤＡＦ接着良好なチップを該糊層とＤＡＦとの境で離間させ該ＤＡＦ接着良好なチップを該ＤＡＦと共にピックアップ装置でピックアップするピックアップ工程と、
を備えるウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハを個々のチップに分割し、ＤＡＦ（Die  Attach  Film）を貼着したチップを形成するウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイボンディングでは、ＤＡＦと呼ばれる接着テープを介して個々のチップが基板等に接着される（例えば、特許文献１参照）。近年、紫外線硬化する粘着層を介してダイシングテープとＤＡＦを一体化させたテープが開発されている。このテープのＤＡＦ側の一面がウエーハの裏面に貼着されて、ウエーハの分割時のダイシングテープとして使用される。そして、ダイシングによってウエーハが個々のチップに分割された後、紫外線照射によって粘着層が硬化されることでダイシングテープからＤＡＦが離間され、個々のチップの裏面にＤＡＦだけが接着された状態でピックアップされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−００７３３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、チップの裏面に傷や屑が存在していると、チップの裏面とＤＡＦとの間に気泡が残ってＤＡＦの接着不良が生じる。このため、通常のダイボンディングでは、ＤＡＦが接着されたチップをピックアップして基板等に実装した後、チップが正常に接着されているかを確認している。しかしながら、チップを基板等に実装した後にチップの接着状態を確認しているため、ＤＡＦの接着不良が確認されると基板等に対するチップの実装作業及びチップが無駄になるという問題があった。
【０００５】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、ＤＡＦの接着不良があるチップの実装作業をなくして作業効率を向上させることができるウエーハの加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のウエーハの加工方法は、分割予定ラインで区画してデバイスを形成するウエーハの加工方法であって、ウエーハの裏面にＤＡＦと紫外線の照射によって硬化する糊層を有するダイシングテープを貼着させるテープ貼着工程と、該テープ貼着工程を実施した後、該テープ貼着工程を実施した貼着装置で、ダイシングテープ側からウエーハを撮像した撮像画から、ＤＡＦとウエーハとの間が未接着となった接着不良箇所の不良チップ位置を記憶する記憶工程と、該記憶工程を実施した後、ウエーハを該分割予定ラインに沿って個々のチップに分割すると共にＤＡＦを分割装置で分割する分割工程と、該分割工程を実施した後、ダイシングテープに紫外線を照射させ該糊層を硬化させ粘着力を低下させる紫外線照射工程と、該紫外線照射工程の後、該貼着装置により該記憶工程で記憶した該不良チップ位置を避けてＤＡＦ接着良好なチップを該糊層とＤＡＦとの境で離間させ該ＤＡＦ接着良好なチップを該ＤＡＦと共にピックアップ装置でピックアップするピックアップ工程と、を備える。
【０００７】
この構成によれば、ＤＡＦと糊層を有するダイシングテープがウエーハの裏面に貼着され、ダイシングテープ側のウエーハの撮像画からＤＡＦとウエーハとの間が未接着になった接着不良箇所の位置が記憶される。そして、ウエーハの分割後にＤＡＦの接着が良好なチップだけがＤＡＦと糊層との境で離間されて、ＤＡＦが接着されたチップがピックアップされる。ＤＡＦの接着不良があるチップが基板等に実装されることがないため、チップの実装作業及びチップが無駄になることがなく作業効率を向上させることができる。
【０００８】
本発明のウエーハの他の加工方法は、分割予定ラインで区画してデバイスを形成するウエーハの加工方法であって、ウエーハを該分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するウエーハ分割工程と、該ウエーハ分割工程を実施した後、分割されたウエーハの裏面にＤＡＦと紫外線の照射によって硬化する糊層を有するエキスパンドテープを貼着するテープ貼着工程と、該テープ貼着工程を実施した後、該テープ貼着工程を実施した貼着装置で、エキスパンドテープ側から分割後のウエーハを撮像した撮像画から、チップ間の分割ラインを除去すると共に、ＤＡＦとウエーハとの間が未接着となった接着不良箇所の不良チップ位置を記憶する記憶工程と、該記憶工程を実施した後、個々のチップ毎にＤＡＦを分割するＤＡＦ分割工程と、該ＤＡＦ分割工程を実施した後、エキスパンドテープに紫外線を照射させ該糊層を硬化させ粘着力を低下させる紫外線照射工程と、該紫外線照射工程の後、該貼着装置により該記憶工程で記憶した該不良チップ位置を避けてＤＡＦ接着良好なチップを該糊層とＤＡＦとの境で離間させＤＡＦと共にピックアップ装置でピックアップするピックアップ工程と、を備える。
【０００９】
この構成によれば、ＤＡＦと糊層を有するエキスパンドテープが分割後のウエーハの裏面に貼着され、エキスパンドテープ側のウエーハの撮像画からチップ間の分割ラインが除去されると共に、ＤＡＦとウエーハとの間が未接着になった接着不良箇所の位置が記憶される。このため、分割ラインが接着不良個所として誤認識されることがなく、接着不良箇所の位置だけを記憶させることができる。そして、ＤＡＦが分割された後にＤＡＦの接着が良好なチップだけがＤＡＦと糊層との境で離間されて、ＤＡＦが接着されたチップがピックアップされる。ＤＡＦの接着不良があるチップが基板等に実装されることがないため、チップの実装作業及びチップが無駄になることがなく作業効率を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ＤＡＦの接着不良箇所の位置に基づいて、ＤＡＦの接着が良好なチップだけをピックアップすることで、ＤＡＦの接着不良があるチップの実装をなくして作業効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施の形態のダイシングテープが貼着されたウエーハの説明図である。
【図２】第１の実施の形態の研削工程の一例を示す図である。
【図３】第１の実施の形態のテープ貼着工程の一例を示す図である。
【図４】第１の実施の形態の記憶工程の一例を示す図である。
【図５】第１の実施の形態の接着不良箇所の検出方法の一例を示す図である。
【図６】第１の実施の形態の保護テープ剥離工程の一例を示す図である。
【図７】第１の実施の形態の分割工程の一例を示す図である。
【図８】第１の実施の形態の紫外線照射工程の一例を示す図である。
【図９】第１の実施の形態のピックアップ工程の一例を示す図である。
【図１０】第２の実施の形態の分割起点形成工程の一例を示す図である。
【図１１】第２の実施の形態のウエーハ分割工程の一例を示す図である。
【図１２】第２の実施の形態のテープ貼着工程の一例を示す図である。
【図１３】第２の実施の形態の記憶工程の一例を示す図である。
【図１４】第２の実施の形態の保護テープ剥離工程の一例を示す図である。
【図１５】第２の実施の形態のＤＡＦ分割工程の一例を示す図である。
【図１６】第２の実施の形態の紫外線照射工程の一例を示す図である。
【図１７】第２の実施の形態のピックアップ工程の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
添付図面を参照して、第１の実施の形態のＤＡＦ付きのダイシングテープについて説明する。図１は、第１の実施の形態のダイシングテープが貼着されたウエーハの説明図である。なお、図１Ａはダイシングテープが貼着されたウエーハの斜視図、図１Ｂはダイシングテープが貼着されたウエーハの断面模式図をそれぞれ示している。
【００１３】
図１Ａ及び図１Ｂに示すように、ウエーハＷは、略円板状に形成されており、ダイシングテープ１０を介してリングフレーム１４に支持された状態で搬送されている。ウエーハＷの表面には格子状に分割予定ラインが形成されており、分割予定ラインに区画された各領域にデバイス１５が形成されている。また、ウエーハＷの外周縁には結晶方位を示すノッチ１６が形成されている。なお、ウエーハＷは、例えば、半導体基板に半導体デバイスが形成された半導体ウエーハでもよいし、無機材料基板に光デバイスが形成された光デバイスウエーハでもよい。
【００１４】
ダイシングテープ１０は、ダイシング用のテープとダイボンディング用の接着剤の機能を持ち合わせており、基材テープ１１に糊層１２を介してＤＡＦ１３を積層して構成されている。糊層１２は、紫外線の照射によって硬化する紫外線硬化樹脂であり、樹脂の硬化によって基材テープ１１からＤＡＦ１３を離間し易くしている。ＤＡＦ１３は、ウエーハＷの分割後のチップＣ（図８参照）に貼着された状態で糊層１２から離間され、チップＣのダイボンディング（実装）時の接着剤として機能する。このように、ダイシングテープとＤＡＦとが一体形成されるため、ウエーハＷに対するＤＡＦの貼着作業が省略される。
【００１５】
ダイシングテープ１０のＤＡＦ１３側がウエーハＷの裏面に貼着されると、ウエーハＷの裏面の傷や屑等によってはＤＡＦ１３の貼着面とウエーハＷの裏面との間には少なからず気泡Ｂが残る。このため、ウエーハＷの分割後のチップＣ（図８参照）をボンディングする際に、チップＣとＤＡＦ１３との間の気泡Ｂによって接着不良が生じてしまうという問題がある。そこで、本実施の形態では、チップＣのボンディング前にウエーハＷとＤＡＦ１３との未接着箇所を検査している（図４参照）。これにより、接着不良が生じるチップＣを使用しないようにして、ボンディング不良を無くして作業効率を向上させている。
【００１６】
以下、第１の実施の形態のウエーハの加工方法について説明する。図２は研削工程、図３はテープ貼着工程、図４は記憶工程、図５は接着不良箇所の検出方法、図６は保護テープ剥離工程、図７は分割工程、図８は紫外線照射工程、図９はピックアップ工程のそれぞれ一例を示す図である。
【００１７】
図２に示すように、先ず研削工程が実施される。研削工程では、ウエーハＷの表面にデバイス保護の保護テープ１７が貼着されており、ウエーハＷの保護テープ１７側が研削装置のチャックテーブル２１に保持される。研削ユニット２２が回転しながらチャックテーブル２１に近づけられ、研削ホイール２３とウエーハＷの裏面とが回転接触することでウエーハＷの裏面が研削される。研削加工中はハイトゲージ（不図示）によってウエーハＷの厚みがリアルタイムに測定され、ハイトゲージの測定結果が目標の仕上げ厚みに近づくように研削量が調整されている。
【００１８】
なお、保護テープ１７は紫外線硬化樹脂によってウエーハＷの表面に貼着されており、ウエーハＷが仕上げ厚みまで研削されて研削加工が完了すると、保護テープ１７に対して紫外線が照射される。このように、ウエーハＷにダイシングテープ１０が貼着される前に、保護テープ１７の糊層を硬化させて、ウエーハＷから保護テープ１７を剥がし易くしている。また、本実施の形態では研削工程についてのみ説明したが、研削工程後に研磨工程が実施されていてもよい。また、研削工程は、ウエーハＷに対して粗研削及び仕上げ研削が実施されていてもよい。
【００１９】
図３に示すように、研削工程の後にはテープ貼着工程が実施される。テープ貼着工程では、テープ貼着装置の中央テーブル３１上にウエーハＷの保護テープ１７側が載置され、中央テーブル３１を囲む外周テーブル３２上にリングフレーム１４が載置される。そして、テープローラー３３によってウエーハＷの裏面とリングフレーム１４の裏面にダイシングテープ１０が貼着される。なお、テープ貼着工程は、ウエーハＷに対してダイシングテープ１０が貼着可能であれば、貼着方法は限定されない。例えば、テープ貼着工程は、オペレータによって手動で実施されてもよい。
【００２０】
図４に示すように、テープ貼着工程の後には記憶工程が実施される。記憶工程では、テープ貼着装置の中央テーブル３１上のウエーハＷにイメージセンサ３６が近づけられ、イメージセンサ３６によってダイシングテープ１０側からウエーハＷが撮像される。イメージセンサ３６から検出部３７にウエーハＷの撮像画が出力され、検出部３７によってＤＡＦ１３とウエーハＷとの間が未接着となった接着不良箇所（気泡Ｂ）の位置が検出される。そして、検出部３７から記憶部３８に接着不良箇所の位置が出力され、ＤＡＦ１３の接着不良箇所の位置が記憶部３８に記憶される。これにより、ウエーハＷの分割後のチップＣ（図８参照）に接着不良箇所があるか否かが判断される。
【００２１】
図５Ａに示すように、ＤＡＦ１３（図４参照）の接着不良箇所は、ＤＡＦ１３とウエーハＷとの間に気泡Ｂが入り込むことによってウエーハＷの撮像画上で白く現れる。このとき、ウエーハＷのノッチ１６を原点位置とした座標系で、所定輝度以上の画素が探索されて、白くなった接着不良箇所の画素の座標位置が検出される。また、記憶部３８（図４参照）には座標系の各画素がウエーハＷの分割後のどのチップＣ（図８参照）に属するかを示す対応関係が予め記憶されている。よって、記憶部３８では、ＤＡＦ１３の接着不良箇所を示す各画素とウエーハＷの分割後のチップＣとが関連付けられて記憶される。
【００２２】
なお、図５Ｂに示すように、記憶工程では、気泡Ｂの大きさに応じて接着不良箇所か否かが判断されてもよい。例えば、１チップ内で所定画素数以上の画素が白い場合には接着不良箇所として判断され、１チップ内で所定画素数を下回る画素が白い場合には接着不良の影響がないとして無視される。また、図５Ｃに示すように、記憶工程では気泡Ｂの発生位置に応じて接着不良箇所か否かが判断されてもよい。例えば、１チップ内の中央領域Ａ１の画素が白い場合には接着不良箇所として判断され、１チップ内の外周領域Ａ２の画素が白い場合にはチップＣの実装時に気泡Ｂが外側に押し出されて接着不良の影響がないとして無視される。
【００２３】
なお、ウエーハＷの撮像には、イメージセンサ３６として、撮像素子を縦横に並べたエリアセンサを用いて、ウエーハＷの上方からウエーハＷ全面を撮像してもよい。また、イメージセンサ３６として、撮像素子を１列に並べてウエーハの径以上の長さにしたラインセンサを用いて、ラインセンサとウエーハＷとを相対的に走査させてウエーハＷ全面を撮像してもよい。また、ウエーハＷの撮像は、イメージセンサ３６を用いる構成に限らず、ウエーハＷの全面を撮像可能な撮像装置が用いられればよい。
【００２４】
例えば、ウエーハＷの撮像には、投光部と受光部を備えたフォトセンサ（フォトリフレクタ）を用いてもよい。この場合、投光部からウエーハＷの表面に測定光を投光し、ウエーハＷの表面からの反射光を受光部で受光する。ウエーハＷと気泡Ｂとで反射した反射光を受光部が受光する受光量が異なる。例えばウエーハＷより気泡Ｂで反射した反射光を受光部が受光する受光量が大きくなるため、フォトセンサをウエーハＷに対して走査させて反射光の差が発生した受光位置が記憶部３８に記憶される。フォトセンサを用いた方法では、走査手段が別途必要になるがフォトセンサの受光部が受光した受光量を電圧値としてデータ化させることで、撮像画を用いるよりも処理を速くすることができる。
【００２５】
図６に示すように、記憶工程の後には保護テープ剥離工程が実施される。保護テープ剥離工程では、テープ剥離装置のチャックテーブル４１上にダイシングテープ１０側が保持され、保護テープ１７が上方に向けられている。そして、保護テープ１７の外縁側の一部に剥離テープ４２が貼着されて、剥離テープ４２を介してウエーハＷから保護テープ１７が引き剥がされる。このとき、上記したように保護テープ１７の糊層（不図示）だけが事前に硬化されて粘着力が低下しているため、ダイシングテープ１０からウエーハＷが剥がれることなく、ウエーハＷから保護テープ１７だけが剥がされる。
【００２６】
図７に示すように、記憶工程の後には分割工程が実施される。分割工程では、分割装置の一例である切削装置のチャックテーブル４６上にダイシングテープ１０を介してウエーハＷが保持される。また、切削ブレード４７がウエーハＷの分割予定ラインに位置付けられ、切削ブレード４７の高さがダイシングテープ１０のＤＡＦ１３を分割可能な深さまで降ろされる。そして、高速回転した切削ブレード４７に対してチャックテーブル４６が相対移動されることで、切削ブレード４７によってウエーハＷが分割予定ラインに沿って個々のチップＣに分割されると共にＤＡＦ１３が分割される。
【００２７】
これにより、ダイシングテープ１０上でウエーハＷがＤＡＦ１３付きの個々のチップＣに分割される。なお、分割工程は、ウエーハＷと共にＤＡＦ１３を分割予定ラインに沿って分割可能であればよい。例えば、分割加工は、レーザー加工によってウエーハＷ内に改質層と呼ばれる分割起点を分割予定ラインに沿って形成して、エキスパンド等によって分割起点に外力を付与することで個々のチップＣに分割してもよい。また、分割加工は、アブレーション加工によってウエーハＷに分割予定ラインに沿って加工溝を形成することで個々のチップＣに分割してもよい。
【００２８】
なお、改質層はレーザー光線の照射によってウエーハＷの内部の密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲と異なる状態となり、周囲よりも強度が低下する領域のことをいう。改質層は、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域であり、これらが混在した領域でもよい。また、アブレーションとは、レーザビームの照射強度が所定の加工閾値以上になると、固体表面で電子、熱的、光科学的及び力学的エネルギーに変換され、その結果、中性原子、分子、正負のイオン、ラジカル、クラスタ、電子、光が爆発的に放出され、固体表面がエッチングされる現象をいう。
【００２９】
図８に示すように、分割工程の後には紫外線照射工程が実施される。紫外線照射工程では、ガラス等の紫外線を透過する支持テーブル５１上にダイシングテープ１０を介してウエーハＷが支持される。そして、支持テーブル５１の下方に設けられた紫外線照射ランプ５２からダイシングテープ１０に対して紫外線が照射される。ダイシングテープ１０の基材テープ１１とＤＡＦ１３の間の糊層１２が硬化されて粘着力が低下される。これにより、基材テープ１１に対するＤＡＦ１３の粘着力よりも、チップＣに対するＤＡＦ１３の粘着力が高くなって、ＤＡＦ１３と共にチップＣがダイシングテープ１０から剥がし易くなっている。
【００３０】
図９に示すように、紫外線照射工程の後にはピックアップ工程が実施される。ピックアップ工程では、ダイシングテープ１０上の個々のチップＣの上方にピックアップ装置の吸着ノズル５６が位置付けられる。このとき、記憶部３８（図４参照）に記憶された位置に基づいて、ＤＡＦ１３の接着不良箇所（気泡Ｂ）のチップＣを除くＤＡＦ接着良好なチップＣが検出され、ＤＡＦ接着良好なチップＣの真上に吸着ノズル５６が位置付けられている。そして、ＤＡＦ接着良好なチップＣだけが糊層１２とＤＡＦ１３との境で離間されて、吸着ノズル５６によってＤＡＦ１３と共にチップＣがピックアップされる。
【００３１】
以上のように、第１の実施の形態のウエーハＷの加工方法によれば、ＤＡＦ１３と糊層１２を有するダイシングテープ１０がウエーハＷの裏面に貼着され、ダイシングテープ１０側のウエーハＷの撮像画からＤＡＦ１３とウエーハＷとの間が未接着になった接着不良箇所の位置が記憶される。そして、ウエーハＷの分割後にＤＡＦ１３の接着が良好なチップＣだけがＤＡＦ１３と糊層１２との境で離間されて、ＤＡＦ１３が接着されたチップＣがピックアップされる。ＤＡＦ１３の接着不良があるチップＣが基板等に実装されることがないため、チップＣの実装作業及びチップＣが無駄になることがなく作業効率を向上させることができる。
【００３２】
なお、第１の実施の形態では、ウエーハＷの分割前にＤＡＦ１３の接着不良箇所を検出する構成にしたが、この構成に限定されない。第２の実施の形態に示すように、ウエーハＷの分割後にＤＡＦ１３の接着不良箇所を検出する構成にしてもよい。この場合、ウエーハＷの分割後のチップＣにＤＡＦ７３付きのエキスパンドテープ７０が貼着されて、ＤＡＦ７３とチップＣの接着不良箇所が検査されるが（図１３参照）、気泡ＢだけでなくチップＣ間の隙間を示す分割ライン７５もウエーハＷの撮像画上で白く表れる。そこで、第２の実施の形態では、分割ライン７５が接着不良箇所として誤認識されないように撮像画から分割ライン７５を示す画素を除去することで、接着不良箇所を示す気泡Ｂだけを検出している。
【００３３】
以下、第２の実施の形態のウエーハＷの加工方法について説明する。なお、以下の説明では、ＳＤＢＧ（Stealth  Dicing  Before  Grinding）を例示して説明するが、ＤＢＧ（Dicing  Before  Grinding）についても、同様な方法でＤＡＦの接着不良箇所を検出することが可能である。図１０は分割起点形成工程、図１１はウエーハ分割工程、図１２はテープ貼着工程、図１３は記憶工程、図１４は保護テープ剥離工程、図１５はＤＡＦ分割工程、図１６は紫外線照射工程、図１７はピックアップ工程のそれぞれ一例を示す図である。なお、第２の実施の形態では、第１の実施の形態と同様な構成は極力省略して説明する。
【００３４】
図１０に示すように、先ず分割起点形成工程が実施される。分割起点形成工程では、レーザー加工装置のチャックテーブル６１上に保護テープ１７を介してウエーハＷが保持される。また、加工ヘッド６２の射出口がウエーハＷの分割予定ラインに位置付けられ、加工ヘッド６２によってウエーハＷの裏面側からレーザー光線が照射される。レーザー光線は、ウエーハＷに対して透過性を有する波長であり、ウエーハＷの内部に集光するように調整される。そして、ウエーハＷに対して加工ヘッド６２が相対移動されることで、ウエーハＷの内部に分割予定ラインに沿った改質層１９が分割起点として形成される。なお、レーザー光線は、ウエーハの表面側から照射させてもよい。
【００３５】
図１１に示すように、分割起点形成工程の後にはウエーハ分割工程が実施される。ウエーハ分割工程では、研削装置のチャックテーブル２１上に保護テープ１７を介してウエーハＷが保持される。研削ユニット２２が回転しながらチャックテーブル２１に近づけられ、研削ホイール２３とウエーハＷの裏面とが回転接触することでウエーハＷの裏面が研削される。この研削動作によって改質層１９に対して研削ホイール２３から研削負荷が強く作用し、改質層１９を分割起点としてウエーハＷが個々のチップＣに分割される。そして、研削加工中のハイトゲージの測定結果が仕上げ厚みになるまでウエーハＷが研削される。
【００３６】
なお、第１の実施の形態と同様に、保護テープ１７は紫外線硬化樹脂によってウエーハＷの表面に貼着されており、研削加工が完了すると、保護テープ１７に対して紫外線が照射される。このように、ウエーハＷにエキスパンドテープ７０（図１２参照）が貼着される前に、保護テープ１７の糊層を硬化させて、ウエーハＷから保護テープ１７を剥がし易くしている。
【００３７】
図１２に示すように、ウエーハ分割工程の後にはテープ貼着工程が実施される。テープ貼着工程では、テープ貼着装置の中央テーブル３１上にウエーハＷの保護テープ１７側が載置され、中央テーブル３１を囲む外周テーブル３２上にリングフレーム１４が載置される。そして、テープローラー３３によってウエーハＷの裏面とリングフレーム１４の裏面にエキスパンドテープ７０が貼着される。なお、テープ貼着工程は、ウエーハＷに対してエキスパンドテープ７０が貼着可能であれば、貼着方法は限定されない。例えば、テープ貼着工程は、オペレータによって手動で実施されてもよい。
【００３８】
このように、第２の実施の形態のウエーハＷの加工方法では、第１の実施の形態で使用したダイシングテープ１０（図１Ｂ参照）の代わりにエキスパンドテープ７０が使用される。エキスパンドテープ７０は、エキスパンド用のテープとダイボンディング用の接着剤の機能を持ち合わせており、伸展性のある基材テープ７１に糊層７２を介してＤＡＦ７３を積層して構成されている。糊層７２は、紫外線の照射によって硬化する紫外線硬化樹脂であり、樹脂の硬化によって基材テープ７１からＤＡＦ７３を離間し易くしている。エキスパンドテープとＤＡＦとが一体形成されるため、ウエーハＷに対するＤＡＦの貼着作業が省略される。
【００３９】
図１３に示すように、テープ貼着工程の後には記憶工程が実施される。記憶工程では、テープ貼着装置の中央テーブル３１上のウエーハＷにイメージセンサ３６が近づけられ、イメージセンサ３６によってエキスパンドテープ７０側からウエーハＷが撮像される。イメージセンサ３６から検出部３７にウエーハＷの撮像画が出力され、撮像画から検出部３７によってＤＡＦ７３とウエーハＷとの間が未接着となった接着不良箇所（気泡Ｂ）の位置が検出される。このとき、上記したようにＤＡＦ７３の接着不良箇所はウエーハＷの撮像画上で白く現れるが、チップＣ間の隙間を示す分割ライン７５も隙間（空間）であるためウエーハＷの撮像画上で白く現れる。
【００４０】
そこで、検出部３７では、分割ライン７５が気泡Ｂとして誤認識されないように撮像画から分割ライン７５を除去した後に、撮像画上の白色画素で示される気泡ＢからＤＡＦ７３の接着不良箇所を検出している。そして、検出部３７から記憶部３８に接着不良箇所の位置が出力され、ＤＡＦ７３の接着不良箇所の位置が記憶部３８に記憶される。これにより、ウエーハＷの分割後のチップＣに接着不良箇所があるか否かが判断される。なお、第１の実施の形態と同様に、気泡Ｂの大きさに応じて接着不良箇所か否かが判断されてもよいし（図５Ｂ参照）、気泡Ｂの発生位置に応じて接着不良箇所か否かが判断されてもよい（図５Ｃ参照）。
【００４１】
なお、撮像画から分割ライン７５を除去する方法としては、予め加工装置に設定されたウエーハサイズとインデックス量から分割ライン７５の位置を算出して、撮像画から分割ライン７５を除去するようにしてもよい。この方法は、算出処理によって分割ライン７５を除去するため容易である。また、ウエーハの結晶方位を示すオリエンテーションフラットまたはノッチを用いてＸ方向、Ｙ方向を特定する。
【００４２】
また、撮像画から分割ライン７５を除去する方法としては、撮像画をフィルタ処理して分割ライン７５を抽出して、撮像画から分割ライン７５を除去するようにしてもよい。例えば、微分フィルタやラプラシアンフィルタを用いて分割ライン７５及び気泡Ｂの境界（エッジ）を際立たせて、直線的な境界を分割ライン７５として撮像画から除去することができる。このため、チップＣが矩形に限らず、三角形、五角形、六角形等の多角形であっても分割ライン７５を適切に除去することができる。
【００４３】
また、撮像画から分割ライン７５を除去する方法としては、輝度に基づいて分割ライン７５を抽出して、撮像画から分割ライン７５を除去するようにしてもよい。この場合、撮像画のＸ、Ｙ方向の輝度の変化をグラフ化させ、輝度が予め設定した閾値以上の箇所を分割ライン７５と気泡Ｂとして判断させる。さらに、閾値以上の輝度が周期的（略等間隔）に配置された箇所を分割ライン７５とし、閾値以上の輝度がランダムに配置された箇所を気泡Ｂとして判断させる。Ｘ方向とＹ方向で輝度の変化を検出する必要があるが、輝度のみを確認するため処理を高速化させることができる。
【００４４】
なお、ウエーハＷの撮像には、イメージセンサ３６として、撮像素子を縦横に並べたエリアセンサを用いて、ウエーハＷの上方からウエーハＷ全面を撮像してもよい。また、イメージセンサ３６として、撮像素子を１列に並べてウエーハの径以上の長さにしたラインセンサを用いて、ラインセンサとウエーハＷとを相対的に走査させてウエーハＷ全面を撮像してもよい。また、ウエーハＷの撮像は、イメージセンサ３６を用いる構成に限らず、ウエーハＷの全面を撮像可能な撮像装置が用いられればよい。
【００４５】
例えば、ウエーハＷの撮像には、投光部と受光部を備えたフォトセンサ（フォトリフレクタ）を用いてもよい。この場合、投光部からウエーハＷの表面に測定光を投光し、ウエーハＷの表面からの反射光を受光部で受光する。ウエーハＷと気泡Ｂとで反射した反射光を受光部が受光する受光量が異なる。例えばウエーハＷより気泡Ｂで反射した反射光を受光部が受光する受光量が大きくなるため、フォトセンサをウエーハＷに対して走査させて反射光の差が発生した受光位置が記憶部３８に記憶される。フォトセンサを用いた方法では、走査手段が別途必要になるがフォトセンサの受光部が受光した受光量を電圧値としてデータ化させることで、撮像画を用いるよりも処理を速くすることができる。
【００４６】
図１４に示すように、記憶工程の後には保護テープ剥離工程が実施される。保護テープ剥離工程では、テープ剥離装置のチャックテーブル４１上にエキスパンドテープ７０側が保持され、保護テープ１７が上方に向けられている。そして、保護テープ１７の外縁側の一部に剥離テープ４２が貼着されて、剥離テープ４２を介してウエーハＷから保護テープ１７が引き剥がされる。このとき、保護テープ１７の糊層（不図示）だけが事前に硬化されて粘着力が低下しているため、エキスパンドテープ７０からウエーハＷが剥がれることなく、ウエーハＷから保護テープ１７だけが剥がされる。
【００４７】
図１５に示すように、保護テープ剥離工程の後にはＤＡＦ分割工程が実施される。ＤＡＦ分割工程では、エキスパンド装置の環状テーブル８１上にリングフレーム１４が保持され、ウエーハＷとリングフレーム１４の間に拡張ドラム８２の上端が位置付けられる。そして、環状テーブル８１と共にリングフレーム１４が下降することで、拡張ドラム８２が環状テーブル８１に対して相対的に突き上げられ、エキスパンドテープ７０が放射方向に拡張される。このとき、ＤＡＦ７３のチップＣに貼着された箇所の拡張は抑えられ、ＤＡＦ７３のチップＣに貼着されていない箇所だけが拡張されて、チップＣ間でＤＡＦ７３が分割される。
【００４８】
図１６に示すように、ＤＡＦ分割工程の後には紫外線照射工程が実施される。紫外線照射工程では、ガラス等の紫外線を透過する支持テーブル５１上にエキスパンドテープ７０を介してウエーハＷが支持される。そして、支持テーブル５１の下方に設けられた紫外線照射ランプ５２からエキスパンドテープ７０に対して紫外線が照射される。エキスパンドテープ７０の基材テープ７１とＤＡＦ７３の間の糊層７２が硬化されて粘着力が低下される。これにより、基材テープ７１に対するＤＡＦ７３の粘着力よりも、チップＣに対するＤＡＦ７３の粘着力が高くなって、ＤＡＦ７３と共にチップＣがエキスパンドテープ７０から剥がし易くなっている。
【００４９】
図１７に示すように、紫外線照射工程の後にはピックアップ工程が実施される。ピックアップ工程では、エキスパンドテープ７０上の個々のチップＣの上方にピックアップ装置の吸着ノズル５６が位置付けられる。このとき、記憶部３８（図１３参照）に記憶された位置に基づいて、ＤＡＦ７３の接着不良箇所（気泡Ｂ）のチップＣを除くＤＡＦ接着良好なチップＣが検出され、ＤＡＦ接着良好なチップＣの真上に吸着ノズル５６が位置付けられる。そして、ＤＡＦ接着良好なチップＣだけが糊層７２とＤＡＦ７３との境で離間されて、吸着ノズル５６によってＤＡＦ７３と共にチップＣがピックアップされる。
【００５０】
以上のように、第２の実施の形態のウエーハＷの加工方法によれば、ＤＡＦ７３と糊層７２を有するエキスパンドテープ７０が分割後のウエーハＷの裏面に貼着され、エキスパンドテープ７０側のウエーハＷの撮像画からチップＣ間の分割ライン７５が除去されると共に、ＤＡＦ７３とウエーハＷとの間が未接着になった接着不良箇所の位置が記憶される。このため、分割ライン７５が接着不良個所として誤認識されることがなく、接着不良箇所の位置だけを記憶させることができる。そして、ＤＡＦ７３が分割された後にＤＡＦ７３の接着が良好なチップＣだけがＤＡＦ７３と糊層７２との境で離間されて、ＤＡＦ７３が接着されたチップＣがピックアップされる。ＤＡＦ７３の接着不良があるチップＣが基板等に搭載されることがないため、チップＣの実装作業及びチップＣが無駄になることがなく作業効率を向上させることができる。
【００５１】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【００５２】
例えば、上記第１、第２の実施の形態においては、各工程が別々の装置で実施されてもよいし、同一の装置で実施されてもよい。また、ピックアップ工程において、ＤＡＦ接着良好なチップだけをピックアップ可能であれば、各工程の実施順序は適宜変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
以上説明したように、本発明は、ＤＡＦの接着不良があるチップの実装をなくして作業効率を向上させることができるという効果を有し、特に、ブレードダイシング、ＳＤＢＧ、ＤＢＧ等によってウエーハを分割するウエーハの加工方法に有用である。
【符号の説明】
【００５４】
１０  ダイシングテープ
１１  基材テープ
１２  糊層
１３  ＤＡＦ
１５  デバイス
１７  保護テープ
３８  記憶部
７０  エキスパンドテープ
７１  基材テープ
７２  糊層
７３  ＤＡＦ
７５  分割ライン
Ｃ  チップ
Ｗ  ウエーハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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