(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のバッテリの直列接続を含むバッテリ部と、
前記バッテリ部の正極及び負極からそれぞれ導出された第１及び第２のラインと、
前記第１のラインに挿入された第１及び第２の半導体スイッチ素子と、
保護動作が必要な場合に前記第１及び第２の半導体スイッチ素子の一方をＯＦＦするドライブ信号を生成するドライバと、
前記第１及び第２の半導体スイッチ素子の少なくとも一方のゲート及び前記バッテリ部の中間電圧点の間に挿入された第３の半導体スイッチ素子と、
前記第１及び第２の半導体スイッチ素子の一方をＯＦＦする前記ドライブ信号を検出した時に、前記第３の半導体スイッチ素子をＯＮさせる検出回路を有し、前記中間電圧点から前記第３の半導体スイッチ素子を通じて前記第１及び第２の半導体スイッチ素子の一方のゲートに対して、ソース電位よりも小さい電位を与えることが可能な半導体スイッチ制御回路と
を備えるバッテリ装置。
【請求項２】
前記第１及び第２の半導体スイッチ素子の一方の出力側と前記中間電圧点の間に接続され、前記第１及び第２の半導体スイッチ素子の一方のＯＮ時に充電されるコンデンサを備える請求項１に記載のバッテリ装置。
【請求項３】
前記バッテリ部の正極側と前記中間電圧点の間の電圧値が前記第１及び第２の半導体スイッチ素子のゲート耐圧を超えないようにされた請求項１に記載のバッテリ装置。
【請求項４】
前記第１及び第２の半導体スイッチ素子の少なくとも一方のゲート及び前記バッテリ部の中間電圧点の間に前記第３の半導体スイッチ素子とダイオードが接続され、前記ダイオードのカソードは前記中間電圧点と電気的に接続されている請求項１に記載のバッテリ装置。
【請求項５】
複数のバッテリの直列接続を含むバッテリ部の正極及び負極からそれぞれ第１及び第２のラインが導出され、前記第１のラインに第１及び第２の半導体スイッチ素子が挿入された構成に付加されるバッテリ管理装置であって、
保護動作が必要な場合に前記第１及び第２の半導体スイッチ素子の一方をＯＦＦするドライブ信号を生成するドライバと、
前記第１及び第２の半導体スイッチ素子の少なくとも一方のゲート及び前記バッテリ部の中間電圧点の間に挿入された第３の半導体スイッチ素子と、
前記第１及び第２の半導体スイッチ素子の一方をＯＦＦする前記ドライブ信号を検出した時に、前記第３の半導体スイッチ素子をＯＮさせる検出回路を有し、前記中間電圧点から前記第３の半導体スイッチ素子を通じて前記第１及び第２の半導体スイッチ素子の一方のゲートに対して、ソース電位よりも小さい電位を与えることが可能な半導体スイッチ制御回路と
を備えるバッテリ管理装置。
【請求項６】
前記第１及び第２の半導体スイッチ素子の一方の出力側と前記中間電圧点の間に接続され、前記第１及び第２の半導体スイッチ素子の一方のＯＮ時に充電されるコンデンサを備える請求項５に記載のバッテリ管理装置。
【請求項７】
請求項１に記載のバッテリ装置から電力の供給を受ける電子機器。
【請求項８】
請求項１に記載のバッテリ装置から電力の供給を受けて車両の駆動力に変換する変換装置と、
バッテリ装置に関する情報に基づいて車両制御に関する情報処理を行う制御装置と
を有する電動車両。
【請求項９】
請求項１に記載のバッテリ装置を有し、前記バッテリ装置に接続される電子機器に電力を供給する蓄電装置。
【請求項１０】
他の機器とネットワークを介して信号を送受信する電力情報制御装置を有し、
前記電力情報制御装置が受信した情報に基づき、前記バッテリ装置の充放電制御を行う請求項９に記載の蓄電装置。
【請求項１１】
請求項１に記載のバッテリ装置から電力の供給を受ける電力システム。
【請求項１２】
発電装置又は電力網から前記バッテリ装置に電力が供給される請求項１１に記載の電力システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、例えばリチウムイオン二次電池を使用したバッテリ装置、バッテリ管理装置、電子機器、電動車両及び蓄電システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
複数のバッテリの直列接続からなるバッテリ部と、バッテリ部と直列に接続され、バッテリ部の充電電流をＯＮ／ＯＦＦする充電用ＭＯＳ(Metal Oxide Semiconductor)ＦＥＴ（Field Effect Transistor)（以下、充電ＦＥＴという）と、バッテリ部の放電電流をＯＮ／ＯＦＦする放電用ＭＯＳＦＥＴ（以下、放電ＦＥＴという）と、充電ＦＥＴ及び放電ＦＥＴを制御する保護回路を内蔵したバッテリパックが知られている。保護回路は、過充電を検出する時に、充電ＦＥＴによってバッテリ部に対する充電経路をＯＦＦさせ、また、過放電を検出する時に、放電ＦＥＴによってバッテリ部の放電経路をＯＦＦさせる。【０００３】
特許文献１に記載されている、「バッテリパックのためのゲートドライバ」回路のように、バッテリ部の正極側に接続したＮチャンネルＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）を高速に遮断するためには、ゲート端子に負電圧を与えればよい。例えば放電ＦＥＴの遮断を高速化するには、放電ＦＥＴのゲート端子をグランド（接地）に接続する方法がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００９−５２９７６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、かかる従来の回路構成には、二つの問題がある。まず、第１に、多数のバッテリセルを直列接続したバッテリパックにおいて、かかる構成を採用した場合、放電ＦＥＴをＯＦＦすると、そのゲートに大きな負電圧が印加されることである。電動工具、電動バイク等では、比較的高電圧を必要とするので、バッテリパックの出力電圧も高くなる。例えば図１の場合、バッテリセルが１０直列のため、満充電電圧が４．２Ｖのリチウムイオン電池の場合、満充電時に放電ＦＥＴをＯＦＦした瞬間のゲート電圧は−４２Ｖとなる。そのためにゲート耐圧が大きなＦＥＴを採用する必要がある。実際には、ＦＥＴのゲート耐圧は通常±２５〜３０Ｖのものが多く、部品の選択の幅が狭くなることになる。【０００６】
第２の問題点は、放電ＦＥＴがＯＦＦになる動作を開始してからＯＦＦになるまでの過程において、放電ＦＥＴのドレイン・ソース間の抵抗値は徐々に上昇することになる。この時、ドレイン・ソース間の抵抗と負荷の抵抗の分圧でＦＥＴのソース端子電圧がバッテリ負極電圧に近づいて行くので、遮断動作開始後はＦＥＴのゲート・ソース間の電圧差が小さくなっていき遮断時間が延びてしまうことである。【０００７】
したがって、本技術は、かかる問題点が解決されたバッテリ装置、バッテリ管理装置、電子機器、電動車両、蓄電装置及び電力システムを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本技術は、複数のバッテリの直列接続を含むバッテリ部と、
バッテリ部の正極及び負極からそれぞれ導出された第１及び第２のラインと、
第１のラインに挿入された第１及び第２の半導体スイッチ素子と、
保護動作が必要な場合に第１及び第２の半導体スイッチ素子の一方をＯＦＦするドライブ信号を生成するドライバと、
第１及び第２の半導体スイッチ素子の少なくとも一方のゲート及びバッテリ部の中間電圧点の間に挿入された第３の半導体スイッチ素子と、
第１及び第２の半導体スイッチ素子の一方をＯＦＦするドライブ信号を検出した時に、第３の半導体スイッチ素子をＯＮさせる検出回路を有し、中間電圧点から第３の半導体スイッチ素子を通じて第１及び第２の半導体スイッチ素子の一方のゲートに対して、ソース電位よりも小さい電位を与えることが可能な半導体スイッチ制御回路と
を備えるバッテリ装置である。【０００９】
また、本技術は、複数のバッテリの直列接続を含むバッテリ部の正極及び負極からそれぞれ第１及び第２のラインが導出され、第１のラインに第１及び第２の半導体スイッチ素子が挿入された構成に付加されるバッテリ管理装置であって、
保護動作が必要な場合に第１及び第２の半導体スイッチ素子の一方をＯＦＦするドライブ信号を生成するドライバと、
第１及び第２の半導体スイッチ素子の少なくとも一方のゲート及びバッテリ部の中間電圧点の間に挿入された第３の半導体スイッチ素子と、
第１及び第２の半導体スイッチ素子の一方をＯＦＦするドライブ信号を検出した時に、第３の半導体スイッチ素子をＯＮさせる検出回路を有し、中間電圧点から第３の半導体スイッチ素子を通じて第１及び第２の半導体スイッチ素子の一方のゲートに対して、ソース電位よりも小さい電位を与えることが可能な半導体スイッチ制御回路と
を備えるバッテリ管理装置である。【００１０】
本技術は、上述したバッテリ装置から電力の供給を受ける電子機器である。
本技術は、上述したバッテリ装置から電力の供給を受けて車両の駆動力に変換する変換装置と、
バッテリに関する情報に基づいて車両制御に関する情報処理を行う制御装置と
を有する電動車両である。
本技術は、上述したバッテリ装置を有し、バッテリ装置に接続される電子機器に電力を供給する蓄電装置である。
本技術は、上述したバッテリ装置から電力の供給を受ける電力システムである。
【発明の効果】
【００１１】
少なくとも一つの実施形態によれば、バッテリブロックの中間電圧を半導体スイッチ素子のゲートに供給するので、半導体スイッチ素子として耐圧の低いものを使用できる。また、高速で半導体スイッチ素子を遮断することができる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本技術中に記載されたいずれかの効果又はそれらと異質な効果であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本技術を適用できるバッテリパックの一例の接続図である。
【図２】従来のバッテリパックの構成を示す接続図である。
【図３】ＦＥＴの安全動作領域ＡＳＯの説明のためのグラフである。
【図４】本技術によるバッテリパックの第１の実施の形態のブロック図である。
【図５】本技術によるバッテリパックの第１の実施の形態の接続図である。
【図６】従来のバッテリパック及び第１の実施の形態の遮断時の各部波形図である。
【図７】本技術によるバッテリパックの第２の実施の形態のブロック図である。
【図８】本技術によるバッテリパックの第３の実施の形態のブロック図である。
【図９】本技術が適用されたシリーズハイブリッドシステムを採用するハイブリッド車両の構成の一例を概略的に示す概略図である。
【図１０】本技術が適用された住宅用の蓄電システムを示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本技術の実施形態等について図面を参照しながら説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
＜１．バッテリパックの一例＞
＜２．第１の実施の形態＞
＜３．第２の実施の形態＞
＜４．第３の実施の形態＞
＜５．応用例＞
＜６．変形例＞
以下に説明する実施の形態等は本技術の好適な具体例であり、本技術の内容がこれらの実施形態等に限定されるものではない。
【００１４】
＜１．バッテリパックの一例＞
例えば１０個のリチウムイオン二次電池のバッテリセルが直列接続されたバッテリブロック（組電池ともいう）ＢＬが設けられる。バッテリブロックＢＬによって例えば４２Ｖ程度の電圧が出力可能とされている。電池ブロックＢＬの正極側から電力ラインＰＬ１が導出され、その負極側から電力ラインＰＬ２が導出されている。電力ラインＰＬ２に負極端子１０１ｂが接続されている。電力ラインＰＬ１に対して充電ＦＥＴ（図ではＣ−ＦＥＴ）Ｑｃ及び放電ＦＥＴ（図ではＤ−ＦＥＴ）Ｑｄが接続され、放電ＦＥＴＱｄに正極端子１０１ａが接続されている。充電ＦＥＴＱｃと並列に放電電流に対して順方向の極性でダイオード１１０が接続され、放電ＦＥＴＱｄと並列に充電電流に対して順方向の極性でダイオード１１１が接続されている。
【００１５】
モニタＩＣ(Integrated Circuit)１２０が設けられ、モニタＩＣ１２０によって、バッテリブロックＢＬの各バッテリセルの電圧、温度センサ１３０によって検出された各バッテリセルの温度及び検出抵抗１３１によって検出された電流が監視される。モニタＩＣ１２０の検出出力が制御ＩＣ１４０に供給される。制御ＩＣ１４０は、出力電圧をモニタしている。さらに、制御ＩＣ１４０が充電ＦＥＴドライバ１１５を介して充電ＦＥＴＱｃのＯＮ／ＯＦＦを制御し、放電ＦＥＴドライバ１１６を介して放電ＦＥＴＱｄのＯＮ／ＯＦＦを制御する。なお、モニタＩＣ１２０及び制御ＩＣ１４０が一体構成とされる場合もある。
【００１６】
制御ＩＣ１４０は、例えばＭＰＵ（Micro-processing unit）によって構成されている。制御ＩＣ１４０は、通信端子１０１ｃを介して負荷や上位のコントローラ等の外部機器と通信を行う。通信は、例えば、ＣＡＮ(Controller Area Network)の規格等任意の通信規格を使用できる。また、通信は、有線でもよいし、無線でもよい。制御ＩＣ１４０は、上述した通信により、バッテリブロックＢＬの電圧情報、温度情報、電流情報等をデジタル化して送信する。
【００１７】
通常動作では、充電ＦＥＴＱｃ及び放電ＦＥＴＱｄが共にＯＮ状態とされる。充電時には、正極端子１０１ａ及び負極端子１０１ｂに対して充電回路が接続され、バッテリブロックＢＬが充電される。放電時には、正極端子１０１ａ及び負極端子１０１ｂに対して負荷が接続される。ここで、過充電が検出される場合には、充電ＦＥＴＱｃがＯＦＦとされ、バッテリブロックＢＬに対して充電電流の供給が阻止される。また、過放電若しくは過電流が検出される場合には、放電ＦＥＴＱｄがＯＦＦとされ、放電電流が流れることが阻止される。
【００１８】
図２は、従来の充電ＦＥＴＱｃ及び放電ＦＥＴＱｄの周辺の具体回路の構成を示す。なお、各ＦＥＴに並列のダイオードなどについては省略している。充電ＦＥＴＱｃ及び放電ＦＥＴＱｄは、Ｎチャンネル型のものである。充電ＦＥＴＱｃ及び放電ＦＥＴＱｄのドレイン同士が共通接続され、充電ＦＥＴＱｃのゲートに対して充電ＦＥＴドライバ１１５から端子１５を通じてドライブ信号が供給され、放電ＦＥＴＱｄのゲートに対して放電ＦＥＴドライバ１１６から端子１６を通じてドライブ信号が供給される。正極端子１０１ａ及び負極端子１０１ｂに対して負荷抵抗ＲＬが接続されている。
【００１９】
放電ＦＥＴドライバ１１６からの制御信号がインバータ１１及び抵抗１２を介してＮチャンネルＭＯＳＦＥＴＱ１のゲートに供給される。このゲートとバッテリブロックＢＬの負極側の電力ラインＰＬ２の間に抵抗１３が接続される。放電ＦＥＴＱｄをＯＦＦさせる場合、放電ＦＥＴドライバ１１６からの制御信号によってＭＯＳＦＥＴＱ１がＯＮとされる。その結果、放電ＦＥＴＱｄのゲートが電力ラインＰＬ２の負電位まで下げられ、放電ＦＥＴＱｄがＯＦＦする。
【００２０】
かかる従来の構成では、上述したように、放電ＦＥＴＱｄのゲート及びソース間に、バッテリブロックＢＬの正負極間の電圧（例えば４２Ｖ）が印加されることになる。ゲート・ソース間の耐圧は、通常、２５〜３０Ｖ程度のものが多く、放電ＦＥＴＱｄとして選択できる素子が限られる問題がある。
【００２１】
第２の問題点は、放電ＦＥＴがＯＦＦになる動作を開始してからＯＦＦになるまでの過程において、放電ＦＥＴのドレイン・ソース間の抵抗値は徐々に上昇することである。この時、ドレイン・ソース間の抵抗と負荷の抵抗の分圧でＦＥＴのソース端子電圧がバッテリ負極電圧に近づいて行くので、遮断動作開始後はＦＥＴのゲート・ソース間の電圧差が小さくなっていき遮断時間が延びてしまうことである。
【００２２】
放電ＦＥＴを高速で遮断することの重要性について説明する。
・ＭＯＳＦＥＴのＯＮ／ＯＦＦ速度によるドレイン電流量の影響
一般的にＭＯＳＦＥＴに流せる電流は、仕様書のＩｄ(max)によって規定される。しかしながら、ＭＯＳＦＥＴのゲート端子によりドレイン電流をＯＮ／ＯＦＦする場合には、ＭＯＳＦＥＴの仕様書上で定められている安全動作領域ＡＳＯ(Area of Safe Operation)内で使用する必要がある。安全動作領域とは「ドレイン・ソース間電圧」と「ＯＮ遷移時間・ＯＦＦ遷移時間」によりＯＮできる電流、ＯＦＦできる電流を定めたものである。一般にＯＦＦ→ＯＮ／ＯＮ→ＯＦＦの遷移時間が短い方が大きなドレイン電流を扱うことが可能であり、ＯＦＦ→ＯＮ／ＯＮ→ＯＦＦの遷移時間を短くするためにはＭＯＳＦＥＴのゲート端子を高速に動作させる必要がある。ＯＦＦ→ＯＮ／ＯＮ→ＯＦＦの遷移時間が短くできない場合はＦＥＴを並列にし、ＦＥＴ１つ当たりの電流量を安全動作領域の範囲内に収める必要がある。
【００２３】
図３は、ＦＥＴ（Ｑ１）の安全動作領域ＡＳＯの一例（東芝社製のＭＯＳＦＥＴ TK160F10N）の安全動作領域を示す。横軸がドレイン・ソース電圧ＶDSを示し、縦軸がドレイン電流ＩDを示す。単パルスの幅（遷移時間）毎に安全動作領域ＡＳＯが求められている。図３の各線の内側の範囲が安全動作領域ＡＳＯである。遷移時間が１００μsec以内であれば、ＶDS＝４０Ｖの時ドレイン電流は１００Ａ迄扱えるが、遷移時間が１ｍsecまで遅くなると、同じＶDS＝４０Ｖの時でも扱えるドレイン電流は１０Ａ程度に制約される。
【００２４】
・バッテリパックでＭＯＳＦＥＴを使用する場合における安全動作領域の影響
バッテリパックで使用されるＭＯＳＦＥＴは充電の停止・放電の停止を行う保護素子として用いられる。つまり通常、ＭＯＳＦＥＴはＯＮの状態で使用され異常発生時にＯＦＦとなる。特に外部ショート等により発生する異常な大電流を遮断する機能は重要である。大電流を遮断するため、安全動作領域を考慮すると多くのＭＯＳＦＥＴを並列に接続する必要がある。しかしながら、上述の安全動作領域を考慮すると「ＭＯＳＦＥＴの高速な遮断（短い遷移時間）は、ＭＯＳＦＥＴ一つ当たりの扱える電流の増加」を実現し、ＭＯＳＦＥＴの並列数を削減する効果がある。
【００２５】
・まとめ
１．ＭＯＳＦＥＴは安全動作領域の制約によりＯＮ／ＯＦＦの遷移時間が遅いとドレインに流せる電流が減る。
２．バッテリパックでのＦＥＴは保護の為に設置されているので、ＯＦＦ→ＯＮの遷移よりＯＮ→ＯＦＦの遷移が重要となる。（ＯＮの遷移時間はＯＦＦの遷移時間よりゆっくりで構わない。）
３．ＦＥＴの遮断時間を短縮することは１つ当たりのＦＥＴに流せる電流が増やせることを意味するのでＦＥＴの並列数を削減できコストダウンの効果がある。
【００２６】
＜２．第１の実施の形態＞
図４、図５及び図６を参照して本技術の第１の実施の形態について説明する。図４は、第１の実施の形態のブロック図であり、図５が具体的接続を示す回路図である。充電ＦＥＴドライバ１１５からドライブ信号が端子１５を通じて第１の半導体スイッチ素子としての充電ＦＥＴＱｃのゲートに供給されることによって充電ＦＥＴＱｃがＯＮ／ＯＦＦされる。放電ＦＥＴドライバ１１６からドライブ信号が端子１６を通じて第２の半導体スイッチ素子としての放電ＦＥＴＱｄのゲートに供給されることによって放電ＦＥＴＱｄがＯＮ／ＯＦＦされる。
【００２７】
放電ＦＥＴＱｄのゲートに対して抵抗Ｒ３を介して第３の半導体スイッチ素子としてのＮチャンネルＭＯＳＦＥＴＱ２のドレインが接続される。ＭＯＳＦＥＴＱ２のソースがダイオードＤ１のアノードに接続され、ダイオードＤ１のカソードが抵抗Ｒ１を介してバッテリブロックＢＬの中間電圧点に接続される。ここで、中間電圧点とは、バッテリブロックＢＬの全体の電圧より低い電圧を発生する接続点のことであり、バッテリブロックＢＬの直列数がＮの場合、バッテリブロックＢＬの負極側から数えた個数が（１，２，・・・、又は（Ｎ−１））の正極側の接続点を意味する。例えばバッテリブロックＢＬの正極側に対してバッテリセルの２個分（例えば８．４Ｖ）低い電位の点にダイオードＤ１のカソードが抵抗Ｒ１を介して接続される。なお、バッテリブロックＢＬとしては、バッテリセルの直列構成に限らず、複数例えば２個のバッテリセルを並列接続したものを複数個直列に接続する構成であってもよい。
【００２８】
ＭＯＳＦＥＴＱ２のゲートに対してＦＥＴＯＦＦ検出回路２１から検出信号が出力される。ＦＥＴＯＦＦ検出回路２１には、放電ＦＥＴドライバのドライブ信号が端子１６から供給される。さらに、放電ＦＥＴＱｄのソースとＭＯＳＦＥＴＱ２のソースの間に、抵抗Ｒ２及びコンデンサＣ１の直列回路が接続されている。上述したＦＥＴＯＦＦ検出回路２１、ＭＯＳＦＥＴＱ２、抵抗Ｒ３、ダイオードＤ１及び抵抗Ｒ１は、破線で囲んで示すように、半導体スイッチ制御回路を構成する。
【００２９】
ＦＥＴＯＦＦ検出回路２１の具体例が図５に示されている。放電ＦＥＴドライバからのドライブ信号が供給される端子１６と放電ＦＥＴＱｄのゲートの間に、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴＱ３のソース及びドレイン間と抵抗Ｒ４が接続されている。ＭＯＳＦＥＴＱ３のゲートが抵抗Ｒ５を介して正極側端子１０１ａに接続される。
【００３０】
放電ＦＥＴドライバからのドライブ信号が供給される端子１６がダイオードＤ２のアノードに接続され、ダイオードＤ２のカソードがコンデンサＣ２及び抵抗Ｒ６を介して正極側端子１０１ａに接続される。このダイオードＤ２のカソード及びコンデンサＣ２の接続点がＰチャンネルＭＯＳＦＥＴＱ４のドレインに接続される。ＭＯＳＦＥＴＱ４のゲートが抵抗Ｒ７を介して放電ＦＥＴドライバからのドライブ信号が供給される端子１６と接続される。ＭＯＳＦＥＴＱ４のドレインが抵抗Ｒ８を介してＭＯＳＦＥＴＱ２のソースと接続される。ＭＯＳＦＥＴＱ４のドレイン及び抵抗Ｒ８の接続点が抵抗Ｒ９を介してＭＯＳＦＥＴＱ２のゲートに接続される。
【００３１】
上述した第１の実施の形態は、従来技術の二つの問題点（ゲート耐圧を超える負電圧の印加・ＦＥＴ遮断開始後にゲート負電圧が縮小してしまう）を解決することができる。すなわち、
１）多直列バッテリセルからなるバッテリブロックＢＬの中間電圧を使用し、高速遮断用の負電圧を作ることにより放電ＦＥＴＱｄのゲート耐圧を超えない範囲でのゲート遮断用負電圧を発生することができる。
２）このように発生させたゲート遮断用負電圧をコンデンサＣ１に蓄え、またダイオードＤ１の逆流阻止の働きにより、正極側端子電圧が低下しても正極側端子１０１ａに対する負電圧をコンデンサＣ１の電荷を使いきる迄保持する。これにより正極側端子１０１ａが負極側端子１０１ｂと同電位になってもＦＥＴ遮断のための負電圧を確保でき放電ＦＥＴＱｄの確実な遮断を可能とした。
さらに、これらの効果以外の付加的な効果として中間電圧を利用しているが、コンデンサに電荷を蓄える以上には電池からの放電は行わないため、中間電圧を利用してもセルバランスを狂わせる要因を最小限に抑えることができる。
【００３２】
上述した第１の実施の形態（図４の構成）の動作を順に説明する。通常、充電ＦＥＴＱｃ及び放電ＦＥＴＱｄがＯＮしている。
１）放電ＦＥＴドライバから端子１６に対してゲートＯＮ電圧のドライブ信号が供給されると、放電ＦＥＴＱｄがＯＮする。放電ＦＥＴＱｄがＯＮすると、正極側端子１０１ａ及び負極側端子１０１ｂから負荷に電力の供給を開始する。並行してコンデンサＣ１が充電される。コンデンサＣ１は、中間電圧（バッテリセル２個分）まで充電される。
【００３３】
２）この状態で、放電ＦＥＴドライバからのドライブ信号がＯＦＦ電圧となると、放電ＦＥＴＯＦＦ検出回路２１がＯＦＦ電圧を検出し、ＭＯＳＦＥＴＱ２をＯＮにする。
【００３４】
３）ＭＯＳＦＥＴＱ２がＯＮ状態となり、放電ＦＥＴゲート端子とコンデンサＣ１が接続される。コンデンサＣ１には、順序１）の状態で、中間電圧までの負の電圧が保持されているので、負の電圧が放電ＦＥＴＱｄのゲート及びソース間に供給され、急速に放電ＦＥＴＱｄのゲートの電荷を引き抜く。この時、ＯＮからＯＦＦに遷移する放電ＦＥＴＱｄのドレイン・ソース間抵抗は徐々に上昇し、それに伴い放電ＦＥＴＱｄのソース側電圧は徐々に低下するが、コンデンサＣ１の両端電位はダイオードＤ１の働きによりバッテリブロックＢＬからの電荷で減少することを阻止する。すなわち、放電ＦＥＴＱｄがターンＯＦＦした後、負荷接続状態が継続している場合に、コンデンサＣ１が負極端子１０１ｂから中間電圧までの電圧で充電されることが阻止される。
【００３５】
４）放電ＦＥＴＱｄのゲート電圧が低下し、放電ＦＥＴＱｄがＯＦＦとなり、正極側端子１０１ａ及び負極側端子１０１ｂから負荷への電力供給が停止される。
【００３６】
図５に示す具体回路構成も上述したのと同様の動作を行う。図５の構成について説明する。ダイオードＤ２、コンデンサＣ２及び抵抗Ｒ６の直列回路がドライブ信号の供給される端子１６と正極側端子１０１ａの間に接続されている。ダイオードＤ２のカソード及びコンデンサＣ２の接続点がＰチャンネルＭＯＳＦＥＴＱ４のソース及びドレインを通じてＭＯＳＦＥＴＱ２のゲートに接続されている。
【００３７】
コンデンサＣ２には、ドライブ信号の電圧が保持されているので、ドライブ信号が停止した場合、ＭＯＳＦＥＴＱ４がＯＮする。ＭＯＳＦＥＴＱ４がＯＮした後は、ＭＯＳＦＥＴＱ４を通じてＭＯＳＦＥＴＱ２をＯＮさせる電圧を供給する。このように、ダイオードＤ２、コンデンサＣ２及び抵抗Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９並びにＭＯＳＦＥＴＱ４が図４中の放電ＦＥＴＯＦＦ検出回路２１を構成する。
【００３８】
さらに、図５の具体構成においては、ドライブ信号の供給端子１６とＭＯＳＦＥＴＱ２のドレイン間にＭＯＳＦＥＴＱ３、抵抗Ｒ４及び抵抗Ｒ３が接続され、ＭＯＳＦＥＴＱ３のゲート及び正極側端子１０１ａの間に抵抗Ｒ５が挿入されている。ＭＯＳＦＥＴＱ３は、ドライブ信号の供給端子１６が正極側端子１０１ａの電圧以下の入力に耐えられない場合に設けられる。
【００３９】
図６Ａ及び図６Ｂを参照して図２に示す従来の構成と本技術の第１の実施の形態の構成を比較して説明する。図６Ａは、従来の構成の各部波形図である。電圧波形Ｖ１は、放電ＦＥＴＱｄのゲート電圧波形である。電圧波形Ｖ２は、放電ＦＥＴＱｄのドレイン及びソース間電圧波形である。ドレイン及びソース間電圧が立ち上がるまで、すなわち、放電ＦＥＴＱｄが遮断されるまでに約１msecを要している。
【００４０】
図６Ｂは、本技術の第１の実施の形態の各部波形図である。電圧波形Ｖ１１が放電ＦＥＴＱｄのゲート電圧波形であり、電圧波形Ｖ１２が放電ＦＥＴＱｄのドレイン及びソース間の電圧波形である。電流波形Ｉが放電ＦＥＴＱｄのドレイン電流波形である。ドレイン及びソース間電圧が立ち上がり、ドレイン電流が立ち下がるまで、すなわち、放電ＦＥＴＱｄが遮断されるまでの時間が約４２μsecである。したがって、従来の構成に比して遮断時間を約（１／２４）とすることができる。
【００４１】
上述した本技術の第１の実施の形態は、下記の効果を奏する。
放電ＦＥＴＱｄを高速に遮断できる。
直列電池の中間電圧を利用することにより放電ＦＥＴのゲート電圧を多直列でも耐圧以内に抑えることができる。同様の回路を、中間電圧を使用しないで実現する場合、別途電源や分圧抵抗が必要となり、回路損失が増える。
配線材のような低抵抗の導体を介した短絡でもコンデンサＣ１及びダイオードＤ１の働きにより遮断時にゲート端子に負の電位を与えることができる。
【００４２】
＜３．第２の実施の形態＞
図７を参照して本技術の第２の実施の形態について説明する。第２の実施の形態は、充電ＦＥＴＱｃを高速に遮断するようにしたものである。充電ＦＥＴＱｃのゲートが抵抗Ｒ２３を介してＭＯＳＦＥＴＱ２１のドレインに接続される。ＭＯＳＦＥＴＱ２１のソースに抵抗Ｒ２１を介してバッテリブロックＢＬの中間電圧（例えば正極側電位から２個のバッテリセルの分、電位が低い点）が供給される。また、バッテリブロックＢＬの正極側端子と中間電圧の箇所に抵抗Ｒ２２及びコンデンサＣ２１の直列回路が挿入される。
【００４３】
さらに、ドライブ信号が供給される端子１５に対してＦＥＴＯＦＦ検出回路２２が接続され、ＦＥＴＯＦＦ検出回路２２の出力がＭＯＳＦＥＴＱ２１のゲートに対して供給される。ＦＥＴＯＦＦ検出回路２２は、充電ＦＥＴＱｃを遮断する時にのみ、ＭＯＳＦＥＴＱ２１をＯＮさせる単発の出力を発生する。もし、ＦＥＴＯＦＦ検出回路２２がＭＯＳＦＥＴＱ２１を常時ＯＮさせるならば、バッテリブロックＢＬの正極側と中間電圧の間の２個のバッテリセルが常時放電状態となる問題が発生する。
【００４４】
なお、ＭＯＳＦＥＴのドレイン側を共通にした双方向スイッチ回路構成では、充電ＦＥＴＱｃのソース端子はバッテリブロックＢＬに接続されている。したがって、放電ＦＥＴＱｄにおける次のような問題が生じない。
「放電ＦＥＴＱｄがＯＦＦになる動作を開始しＯＦＦになるまでの過程において、放電ＦＥＴＱｄのドレイン・ソース間の抵抗値は徐々に上昇することになる。この時、ドレイン・ソース間の抵抗と負荷の抵抗の分圧で放電ＦＥＴＱｄのソース端子電圧がバッテリ負極電圧に近づいて行くので、遮断動作開始後は放電ＦＥＴＱｄのゲート・ソース間の電圧差が小さくなっていき遮断時間が延びてしまう。」
【００４５】
よって、充電用ＭＯＳＦＥＴＱｃのソース端子に加えられた電圧とバッテリブロックＢＬの中間電圧の電圧差の変化は発生しないため、コンデンサＣ１（第１の実施の形態）が原理的に不要である。しかしながら、実際にはコンデンサＣ１はバッテリブロックに比べると配置の制約は少ない、ＭＯＳＦＥＴＱ２１と共に充電ＦＥＴＱｃの直近や同一基板上に配置すれば配線抵抗を下げることができる。そのため同様の回路を用いることにより高速遮断が可能となる。
【００４６】
＜４．第３の実施の形態＞
以上の説明では、充電ＦＥＴＱｃ及び放電ＦＥＴＱｄがドレイン同士を結合した構成としている。しかしながら、実際のＭＯＳＦＥＴなどの双方向スイッチはソース同士の接続でも構成可能であり、本技術による高速遮断回路についても有効に働く。
【００４７】
これは放電ＦＥＴＱｄがＯＦＦ時に発生する次の問題は、ソース同士を接続した場合に同様に発生するからである。
「放電ＦＥＴがＯＦＦになる動作を開始しＯＦＦになるまでの過程において、放電ＦＥＴのドレイン・ソース間の抵抗値は徐々に上昇することになる。この時、ドレイン・ソース間の抵抗と負荷の抵抗の分圧でＦＥＴのソース端子電圧がバッテリ負極電圧に近づいて行くので、遮断動作開始後はＦＥＴのゲート・ソース間の電圧差が小さくなっていき遮断時間が延びてしまう。」
【００４８】
図８は、本技術の第３の実施の形態の構成を示す。放電ＦＥＴＱｄ及び充電ＦＥＴＱｃの互いのソース同士が接続されている。放電ＦＥＴＱｄのドレインがバッテリブロックＢＬの正極側と接続される。充電ＦＥＴＱｃのドレインが正極側端子１０１ａと接続される。ソース同士の接続点とバッテリブロックＢＬの中間電圧点の間に抵抗Ｒ３２及びコンデンサＣ３１の直列回路が挿入される。
【００４９】
放電ＦＥＴＱｄのゲートが抵抗Ｒ３３を介してＭＯＳＦＥＴＱ３１のドレインに接続される。ＭＯＳＦＥＴＱ３１のソースがダイオードＤ３１及び抵抗Ｒ３１を介して中間電圧点に接続される。ＭＯＳＦＥＴＱ３１のゲートに対して放電ＦＥＴＯＦＦ検出回路２３の出力信号が供給される。端子１６からのドライブ信号が放電ＦＥＴＱｄをＯＦＦさせる電圧の場合に、放電ＦＥＴＯＦＦ検出回路２３がＭＯＳＦＥＴＱ３１をＯＮとする。その結果、コンデンサＣ３１に貯えられていた負電位が放電ＦＥＴＱｄのゲートに供給され、放電ＦＥＴＱｄを高速に遮断できる。
【００５０】
放電ＦＥＴＱｄと同様に、充電ＦＥＴＱｃに関しても、ＭＯＳＦＥＴＱ４１、充電ＦＥＴＯＦＦ検出回路２４及び抵抗Ｒ４３が接続されている。したがって、充電ＦＥＴＱｃがＯＦＦ時に、コンデンサＣ３１に貯えられていた負電位を充電ＦＥＴＱｃのゲートに供給することによって、充電ＦＥＴＱｃの高速遮断を行うことができる。なお、原理的にはダイオードＤ３１の両端電圧が（カソード電位＞アノード電位）の場合、ＦＥＴの高速遮断は動作しないが、この状態では充電・放電も行われていないので問題にならない。
【００５１】
＜５．応用例＞
次に、本技術の応用例について説明する。
「応用例としての車両における蓄電システム」
本技術を車両用の蓄電システムに適用した例について、図９を参照して説明する。図９に、本技術が適用されるシリーズハイブリッドシステムを採用するハイブリッド車両の構成の一例を概略的に示す。シリーズハイブリッドシステムはエンジンで動かす発電機で発電された電力、あるいはそれをバッテリに一旦貯めておいた電力を用いて、電力駆動力変換装置で走行する車である。
【００５２】
このハイブリッド車両７２００には、エンジン７２０１、発電機７２０２、電力駆動力変換装置７２０３、駆動輪７２０４ａ、駆動輪７２０４ｂ、車輪７２０５ａ、車輪７２０５ｂ、バッテリ７２０８、車両制御装置７２０９、各種センサ７２１０、充電口７２１１が搭載されている。バッテリ７２０８に対して、上述した本技術のバッテリ装置が適用される。
【００５３】
ハイブリッド車両７２００は、電力駆動力変換装置７２０３を動力源として走行する。電力駆動力変換装置７２０３の一例は、モータである。バッテリ７２０８の電力によって電力駆動力変換装置７２０３が作動し、この電力駆動力変換装置７２０３の回転力が駆動輪７２０４ａ、７２０４ｂに伝達される。なお、必要な個所に直流−交流（ＤＣ−ＡＣ）あるいは逆変換（ＡＣ−ＤＣ変換）を用いることによって、電力駆動力変換装置７２０３が交流モータでも直流モータでも適用可能である。各種センサ７２１０は、車両制御装置７２０９を介してエンジン回転数を制御したり、図示しないスロットルバルブの開度（スロットル開度）を制御したりする。各種センサ７２１０には、速度センサ、加速度センサ、エンジン回転数センサなどが含まれる。
【００５４】
エンジン７２０１の回転力は発電機７２０２に伝えられ、その回転力によって発電機７２０２により生成された電力をバッテリ７２０８に蓄積することが可能である。
【００５５】
図示しない制動機構によりハイブリッド車両が減速すると、その減速時の抵抗力が電力駆動力変換装置７２０３に回転力として加わり、この回転力によって電力駆動力変換装置７２０３により生成された回生電力がバッテリ７２０８に蓄積される。
【００５６】
バッテリ７２０８は、ハイブリッド車両の外部の電源に接続されることで、その外部電源から充電口７２１１を入力口として電力供給を受け、受けた電力を蓄積することも可能である。
【００５７】
図示しないが、二次電池に関する情報に基づいて車両制御に関する情報処理を行なう情報処理装置を備えていても良い。このような情報処理装置としては、例えば、電池の残量に関する情報に基づき、電池残量表示を行う情報処理装置などがある。
【００５８】
なお、以上は、エンジンで動かす発電機で発電された電力、或いはそれをバッテリに一旦貯めておいた電力を用いて、モータで走行するシリーズハイブリッド車を例として説明した。しかしながら、エンジンとモータの出力がいずれも駆動源とし、エンジンのみで走行、モータのみで走行、エンジンとモータ走行という３つの方式を適宜切り替えて使用するパラレルハイブリッド車に対しても本技術は有効に適用可能である。さらに、エンジンを用いず駆動モータのみによる駆動で走行する所謂、電動車両に対しても本技術は有効に適用可能である。
【００５９】
以上、本技術に係る技術が適用され得るハイブリッド車両７２００の一例について説明した。本技術に係る技術は、以上説明した構成のうち、例えば、車両制御装置７２０９及びバッテリ７２０８に好適に適用され得る。
【００６０】
「応用例としての住宅における蓄電システム」
本技術を住宅用の蓄電システムに適用した例について、図１０を参照して説明する。例えば住宅９００１用の蓄電システム９１００においては、火力発電９００２ａ、原子力発電９００２ｂ、水力発電９００２ｃ等の集中型電力系統９００２から電力網９００９、情報網９０１２、スマートメータ９００７、パワーハブ９００８等を介し、電力が蓄電装置９００３に供給される。これと共に、家庭内発電装置９００４等の独立電源から電力が蓄電装置９００３に供給される。蓄電装置９００３に供給された電力が蓄電される。蓄電装置９００３を使用して、住宅９００１で使用する電力が給電される。住宅９００１に限らずビルに関しても同様の蓄電システムを使用できる。
【００６１】
住宅９００１には、発電装置９００４、電力消費装置９００５、蓄電装置９００３、各装置を制御する制御装置９０１０、スマートメータ９００７、各種情報を取得するセンサ９０１１が設けられている。各装置は、電力網９００９及び情報網９０１２によって接続されている。発電装置９００４として、太陽電池、燃料電池等が利用され、発電した電力が電力消費装置９００５及び／又は蓄電装置９００３に供給される。電力消費装置９００５は、冷蔵庫９００５ａ、空調装置９００５ｂ、テレビジョン受信機９００５ｃ、風呂９００５ｄ等である。さらに、電力消費装置９００５には、電動車両９００６が含まれる。電動車両９００６は、電気自動車９００６ａ、ハイブリッドカー９００６ｂ、電気バイク９００６ｃである。
【００６２】
蓄電装置９００３に対して、上述した本技術のバッテリユニットが適用される。蓄電装置９００３は、二次電池又はキャパシタから構成されている。例えば、リチウムイオン電池によって構成されている。リチウムイオン電池は、定置型であっても、電動車両９００６で使用されるものでも良い。スマートメータ９００７は、商用電力の使用量を測定し、測定された使用量を、電力会社に送信する機能を備えている。電力網９００９は、直流給電、交流給電、非接触給電の何れか一つ又は複数を組み合わせても良い。
【００６３】
各種のセンサ９０１１は、例えば人感センサ、照度センサ、物体検知センサ、消費電力センサ、振動センサ、接触センサ、温度センサ、赤外線センサ等である。各種センサ９０１１により取得された情報は、制御装置９０１０に送信される。センサ９０１１からの情報によって、気象の状態、人の状態等が把握されて電力消費装置９００５を自動的に制御してエネルギー消費を最小とすることができる。さらに、制御装置９０１０は、住宅９００１に関する情報を、インターネットを介して外部の電力会社等に送信することができる。
【００６４】
パワーハブ９００８によって、電力線の分岐、直流交流変換等の処理がなされる。制御装置９０１０と接続される情報網９０１２の通信方式としては、ＵＡＲＴ(Universal Asynchronous Receiver-Transmitter:非同期シリアル通信用送受信回路）等の通信インターフェースを使う方法、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＺｉｇＢｅｅ（登録商標）、Ｗｉ−Ｆｉ（登録商標）等の無線通信規格によるセンサネットワークを利用する方法がある。Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）方式は、マルチメディア通信に適用され、一対多接続の通信を行うことができる。ＺｉｇＢｅｅ（登録商標）は、ＩＥＥＥ(Institute of Electrical and Electronics Engineers)８０２．１５．４の物理層を使用するものである。ＩＥＥＥ８０２．１５．４は、ＰＡＮ(Personal Area Network)又はＷ(Wireless)ＰＡＮと呼ばれる短距離無線ネットワーク規格の名称である。
【００６５】
制御装置９０１０は、外部のサーバ９０１３と接続されている。このサーバ９０１３は、住宅９００１、電力会社、サービスプロバイダーの何れかによって管理されていても良い。サーバ９０１３が送受信する情報は、たとえば、消費電力情報、生活パターン情報、電力料金、天気情報、天災情報、電力取引に関する情報である。これらの情報は、家庭内の電力消費装置（たとえばテレビジョン受信機）から送受信しても良いが、家庭外の装置（たとえば、携帯電話機等）から送受信しても良い。これらの情報は、表示機能を持つ機器、たとえば、テレビジョン受信機、携帯電話機、ＰＤＡ(Personal Digital Assistants)等に、表示されても良い。
【００６６】
各部を制御する制御装置９０１０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）等で構成され、この例では、蓄電装置９００３に格納されている。制御装置９０１０は、蓄電装置９００３、家庭内発電装置９００４、電力消費装置９００５、各種センサ９０１１、サーバ９０１３と情報網９０１２により接続され、例えば、商用電力の使用量と、発電量とを調整する機能を有している。なお、その他にも、電力市場で電力取引を行う機能等を備えていても良い。
【００６７】
以上のように、電力が火力９００２ａ、原子力９００２ｂ、水力９００２ｃ等の集中型電力系統９００２のみならず、家庭内発電装置９００４（太陽光発電、風力発電）の発電電力を蓄電装置９００３に蓄えることができる。したがって、家庭内発電装置９００４の発電電力が変動しても、外部に送出する電力量を一定にしたり、又は、必要なだけ放電したりするといった制御を行うことができる。例えば、太陽光発電で得られた電力を蓄電装置９００３に蓄えると共に、夜間は料金が安い深夜電力を蓄電装置９００３に蓄え、昼間の料金が高い時間帯に蓄電装置９００３によって蓄電した電力を放電して利用するといった使い方もできる。
【００６８】
なお、この例では、制御装置９０１０が蓄電装置９００３内に格納される例を説明したが、スマートメータ９００７内に格納されても良いし、単独で構成されていても良い。さらに、蓄電システム９１００は、集合住宅における複数の家庭を対象として用いられてもよいし、複数の戸建て住宅を対象として用いられてもよい。
【００６９】
以上、本技術が適用され得る蓄電システム９１００の一例について説明した。本技術は、以上説明した構成のうち、蓄電装置９００３に好適に適用され得る。
【００７０】
「その他の応用例」
本技術は、航空機にも適用可能である。航空機は、高度の上空を飛行するため、電池モジュールの使用環境温度が０℃以下になり得る。このような場合でも上述した可変電流放電制御を行うことにより対応することができる。また、本技術は、大型の電動車両や航空機に限らず、電動バイク、電動自転車、電動三輪車、電動小型飛行体（ドローン等とも称される）等にも応用可能である。
【００７１】
また、本技術は、二次電池が使用され得る電子機器（ＰＣ、スマートフォン、携帯電話、電動工具、おもちゃ等）にも応用可能であり、上述した電池装置から電力の供給を受ける電子機器として本技術を実現することも可能である。
【００７２】
＜６．変形例＞
以上、本技術の一実施の形態について具体的に説明したが、本技術は、上述の一実施の形態に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、ＭＯＳＦＥＴに限らず、スイッチ素子としてＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor)を使用する構成に対しても同様に本技術を適用することができる。また、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料及び数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料及び数値などを用いてもよい。
【００７３】
なお、本技術は、以下のような構成も取ることができる。
（１）
複数のバッテリの直列接続を含むバッテリ部と、
前記バッテリ部の正極及び負極からそれぞれ導出された第１及び第２のラインと、
前記第１のラインに挿入された第１及び第２の半導体スイッチ素子と、
保護動作が必要な場合に前記第１及び第２の半導体スイッチ素子の一方をＯＦＦするドライブ信号を生成するドライバと、
前記第１及び第２の半導体スイッチ素子の少なくとも一方のゲート及び前記バッテリ部の中間電圧点の間に挿入された第３の半導体スイッチ素子と、
前記第１及び第２の半導体スイッチ素子の一方をＯＦＦする前記ドライブ信号を検出した時に、前記第３の半導体スイッチ素子をＯＮさせる検出回路を有し、前記中間電圧点から前記第３の半導体スイッチ素子を通じて前記第１及び第２の半導体スイッチ素子の一方のゲートに対して、ソース電位よりも小さい電位を与えることが可能な半導体スイッチ制御回路と
を備えるバッテリ装置。
（２）
前記第１及び第２の半導体スイッチ素子の一方の出力側と前記中間電圧点の間に接続され、前記第１及び第２の半導体スイッチ素子の一方のＯＮ時に充電されるコンデンサを備える（１）に記載のバッテリ装置。
（３）
前記バッテリ部の正極側と前記中間電圧点の間の電圧値が前記第１及び第２の半導体スイッチ素子のゲート耐圧を超えないようにされた（１）又は（２）に記載のバッテリ装置。
（４）
前記第１及び第２の半導体スイッチ素子の少なくとも一方のゲート及び前記バッテリ部の中間電圧点の間に前記第３の半導体スイッチ素子とダイオードが接続され、前記ダイオードのカソードは前記中間電圧点と電気的に接続されている（１）から（３）までのいずれかに記載のバッテリ装置。
（５）
複数のバッテリの直列接続を含むバッテリ部の正極及び負極からそれぞれ第１及び第２のラインが導出され、前記第１のラインに第１及び第２の半導体スイッチ素子が挿入された構成に付加されるバッテリ管理装置であって、
保護動作が必要な場合に前記第１及び第２の半導体スイッチ素子の一方をＯＦＦするドライブ信号を生成するドライバと、
前記第１及び第２の半導体スイッチ素子の少なくとも一方のゲート及び前記バッテリ部の中間電圧点の間に挿入された第３の半導体スイッチ素子と、
前記第１及び第２の半導体スイッチ素子の一方をＯＦＦする前記ドライブ信号を検出した時に、前記第３の半導体スイッチ素子をＯＮさせる検出回路を有し、前記中間電圧点から前記第３の半導体スイッチ素子を通じて前記第１及び第２の半導体スイッチ素子の一方のゲートに対して、ソース電位よりも小さい電位を与えることが可能な半導体スイッチ制御回路と
を備えるバッテリ管理装置。
（６）
前記第１及び第２の半導体スイッチ素子の一方の出力側と前記中間電圧点の間に接続され、前記第１及び第２の半導体スイッチ素子の一方のＯＮ時に充電されるコンデンサを備える（５）に記載のバッテリ管理装置。
（７）
（１）に記載のバッテリ装置から電力の供給を受ける電子機器。
（８）
（１）に記載のバッテリ装置から電力の供給を受けて車両の駆動力に変換する変換装置と、
バッテリ装置に関する情報に基づいて車両制御に関する情報処理を行う制御装置と
を有する電動車両。
（９）
（１）に記載のバッテリ装置を有し、前記バッテリ装置に接続される電子機器に電力を供給する蓄電装置。
（１０）
他の機器とネットワークを介して信号を送受信する電力情報制御装置を有し、
前記電力情報制御装置が受信した情報に基づき、前記バッテリ装置の充放電制御を行う（９）に記載の蓄電装置。
（１１）
（１）に記載のバッテリ装置から電力の供給を受ける電力システム。
（１２）
発電装置又は電力網から前記バッテリ装置に電力が供給される（１１）に記載の電力システム。
【符号の説明】
【００７４】
ＢＬ・・・バッテリブロック、Ｑｃ・・・充電ＦＥＴ、Ｑｄ・・・放電ＦＥＴ、
Ｑ２，Ｑ２１，Ｑ３１，Ｑ４１・・・第３の半導体スイッチ素子としてのＦＥＴ、
Ｄ１・・・ダイオード、２１，２２，２３，２４・・・ＦＥＴＯＦＦ検出回路
【図１】
0006787476.tif 000002
【図２】
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【図３】
0006787476.tif 000004
【図４】
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【図５】
0006787476.tif 000006
【図６】
0006787476.tif 000007
【図７】
0006787476.tif 000008
【図８】
0006787476.tif 000009
【図９】
0006787476.tif 000010
【図１０】
0006787476.tif 000011