(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式：Ｍ（ＯＲ）４（式中、Ｍはチタン又はジルコニウム、Ｒは炭化水素基を示す）で表される金属化合物（Ａ）と、ポリシラン（Ｂ）と、有機溶媒（Ｃ）とを含む組成物であって、前記金属化合物（Ａ）を構成するＭと、前記ポリシラン（Ｂ）を構成するケイ素との割合が、原子比（前者／後者）で０．９〜４である組成物。
【請求項２】
Ｍが、チタンである請求項１記載の組成物。
【請求項３】
Ｒが、直鎖状又は分岐鎖状Ｃ１−６アルキル基である請求項１又は２記載の組成物。
【請求項４】
ポリシラン（Ｂ）が、下記式（ｂ１）で表されるシラン単位及び／又は下記式（ｂ２）で表されるシラン単位を含む請求項１〜３のいずれかに記載の組成物。
【化１】
0006662682.tif 000008
（式中、Ｒ１及びＲ２は、直鎖状又は分岐鎖状アルキル基又は置換基を有してもよいアリール基を示し、Ｒ３は、置換基を有してもよいアリール基を示す。）
【請求項５】
Ｒ１が、メチル基又はエチル基であり、Ｒ２及びＲ３が、フェニル基である請求項４記載の組成物。
【請求項６】
式（ｂ１）で表されるシラン単位と式（ｂ２）で表されるシラン単位との割合が、前者／後者（モル比）＝９０／１０〜０／１００である請求項４又は５記載の組成物。
【請求項７】
有機溶媒（Ｃ）が、芳香族炭化水素類である請求項１〜６のいずれかに記載の組成物。
【請求項８】
金属化合物（Ａ）とポリシラン（Ｂ）との反応物である複合ポリシランと、有機溶媒（Ｃ）とを含むコーティング組成物であって、前記金属化合物（Ａ）、前記ポリシラン（Ｂ）及び前記有機溶媒（Ｃ）が、それぞれ、請求項１〜７のいずれかに記載の金属化合物（Ａ）、ポリシラン（Ｂ）及び有機溶媒（Ｃ）であり、前記金属化合物（Ａ）を構成するＭと、前記ポリシラン（Ｂ）を構成するケイ素との割合が、原子比（前者／後者）で０．９〜４であるコーティング組成物。
【請求項９】
金属化合物（Ａ）とポリシラン（Ｂ）とを有機溶媒（Ｃ）中で活性光線に照射して請求項８記載のコーティング組成物を製造する方法であって、前記金属化合物（Ａ）、前記ポリシラン（Ｂ）及び前記有機溶媒（Ｃ）が、それぞれ、請求項１〜７のいずれかに記載の金属化合物（Ａ）、ポリシラン（Ｂ）及び有機溶媒（Ｃ）である製造方法。
【請求項１０】
活性光線が紫外線である請求項９記載の製造方法。
【請求項１１】
活性光線を照射した後、マイクロ波を照射する請求項９又は１０記載の製造方法。
【請求項１２】
請求項８記載の複合ポリシランで形成された薄膜。
【請求項１３】
薄膜の屈折率（２５℃、５８９ｎｍ）が、１．７〜１．８５である請求項１２記載の薄膜。
【請求項１４】
請求項９〜１１のいずれかに記載の方法により製造したコーティング組成物を基材に塗布し、乾燥させて薄膜を製造する方法。
【請求項１５】
乾燥させた後、焼成する請求項１４記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、屈折率及び透明性の高い薄膜を形成するのに有用なコーティング組成物とその前駆体組成物及び薄膜並びにこれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ポリシランは、ケイ素−ケイ素結合を主鎖とする高分子化合物であり、高屈折率、耐熱性、光反応性、正孔輸送性、発光性、耐エッチング性、低誘電率などの様々な物性を有する材料である。ポリシランは、このような優れた物性を生かして、セラミックス前駆体、層間絶縁膜、光電子材料（例えば、フォトレジスト、有機感光体などの光電子写真材料、光導波路などの光伝送材料、光メモリなどの光記録材料、エレクトロルミネッセンス素子用材料など）などとして注目されている。特に、ポリシランは、通常、薄膜形態で使用又は適用され、光電子材料（特に液晶ディスプレイ、透明封止材、フォトレジスト、光写真材料、エレクトロルミネッセンス素子用材料など）、電子部品又は電子機器（プリント配線基板、電子材料封止材）などの保護膜などに利用される場合が多く、高い屈折率及び高い透明性が要求されている。
【０００３】
特開２００５−７８００１号公報（特許文献１）には、ポリシラン化合物と無機化合物からなるハイブリッド材料にマスクを介して活性エネルギー線を照射し、この照射部分のポリシラン分解物を除去した後に、ハイブリッド材料全体を加熱硬化させ、屈折率差を有するパターンを形成することが開示されている。この文献の実施例５では、ポリ（メチルフェニルシラン）（ＰＭＰＳ）と３−メタクリロイルオキシプロピルトリエトキシシラン（ＭＰＴＥＳ）とのブロック共重合体（Ｐ（ＭＰＳ−ｃｏ−ＭＰＴＥＳ））、テトラ（ｎ−ブトキシ）チタニウムとの混合物に塩酸を添加してゾルゲルを形成し、基板に塗布した薄膜の一部に紫外線照射し、照射部分のポリシラン分解物を除去し、薄膜全体に紫外線照射して加熱すると、最初の照射部分、未照射部分の屈折率がそれぞれ１．６９５と１．６８８となり、屈折率差０．００７のパターンを形成したことが開示されている。
【０００４】
しかし、この文献では、ブロック共重合体にトリアルコキシシリル基を導入し、チタンアルコキシドとのゾルゲル反応によりチタンを導入しているため、屈折率を高めることが困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−７８００１号公報（特許請求の範囲、実施例）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、本発明の目的は、屈折率の高い薄膜を形成可能なコーティング組成物とその前駆体組成物（又は原料組成物）及び薄膜並びにこれらの製造方法を提供することにある。
【０００７】
本発明の他の目的は、透明性の高い薄膜を形成可能なコーティング組成物及び薄膜並びにこれらの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、前記課題を達成するため鋭意検討した結果、有機溶媒中で所定の金属化合物とポリシランとを反応させると、加水分解縮合を利用したゾルゲル反応を利用することなく、高濃度でチタン又はジルコニウムを有する複合ポリシラン（例えば、ネットワーク構造を有する複合ポリシランなど）が形成されるためか、この複合ポリシランを用いて、屈折率及び透明性の高い薄膜を形成できることを見いだし、本発明を完成した。
【０００９】
すなわち、本発明の組成物（前駆体組成物又は原料組成物）は、式：Ｍ（ＯＲ）４（式中、Ｍはチタン又はジルコニウム、Ｒは炭化水素基を示す。）で表される金属化合物（チタン化合物又はジルコニウム化合物）（Ａ）と、ポリシラン（Ｂ）と、有機溶媒（Ｃ）とを含む。
【００１０】
金属化合物（Ａ）において、Ｍは、チタンであってもよく、Ｒは、直鎖状又は分岐鎖状Ｃ１−６アルキル基であってもよい。
【００１１】
ポリシラン（Ｂ）は、下記式（ｂ１）で表されるシラン単位及び／又は下記式（ｂ２）で表されるシラン単位を含んでもよい。
【００１２】
【化１】
0006662682.tif 000002
【００１３】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、直鎖状又は分岐鎖状アルキル基、又は置換基を有してもよいアリール基を示し、Ｒ３は、置換基を有してもよいアリール基を示す。）
【００１４】
Ｒ１は、メチル基又はエチル基であり、Ｒ２及びＲ３は、フェニル基であってもよい。ポリシラン中の式（ｂ１）で表されるシラン単位と式（ｂ２）で表されるシラン単位との割合が、前者／後者（モル比）＝９０／１０〜０／１００であってもよい。
【００１５】
本発明では、金属化合物（例えば、金属アルコキシド）の金属Ｍを比較的多くの割合で複合ポリシランに導入できる。そのため、金属化合物（チタン化合物又はジルコニウム化合物）（Ａ）を構成するＭ（チタン又はジルコニウム）と、ポリシラン（Ｂ）を構成するケイ素との割合は、原子比（前者／後者）で０．９〜４であってもよい。
【００１６】
有機溶媒（Ｃ）は、芳香族炭化水素類であってもよい。
【００１７】
本発明は、金属化合物（チタン化合物又はジルコニウム化合物）（Ａ）とポリシラン（Ｂ）との反応物である複合ポリシランと、有機溶媒（Ｃ）とを有するコーティング組成物を含む。複合ポリシランは、金属化合物（Ａ）とポリシラン（Ｂ）とに活性光線を照射して得られる反応物であってもよい。
【００１８】
本発明は、複合ポリシランで形成された薄膜を含む。前記薄膜の屈折率（２５℃、５８９ｎｍ）は、１．７〜１．８５であってもよい。
【００１９】
本発明は、金属化合物（チタン化合物又はジルコニウム化合物）（Ａ）とポリシラン（Ｂ）とを有機溶媒（Ｃ）中で活性光線を照射してコーティング組成物を製造する方法を含む。前記活性光線は、紫外線であってもよい。前記活性光線を照射した後、マイクロ波を照射してもよい。
【００２０】
本発明は、コーティング組成物を基材に塗布し、乾燥させて薄膜を製造する方法を含む。前記方法では、乾燥させた後、焼成してもよい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のコーティング組成物は、有機溶媒中で所定の金属化合物（Ａ）とポリシラン（Ｂ）とを反応させることにより複合ポリシランを形成でき、この複合ポリシランを用いて、屈折率の高い薄膜を形成できる。さらに、複合ポリシランに大きな割合で金属化合物（Ａ）の金属Ｍを導入できるため、高い透明性を維持しつつ屈折率を大きく高めることができる。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
［組成物（前駆体組成物）］
（Ａ）金属化合物
金属化合物（チタン化合物又はジルコニウム化合物）（Ａ）は、式：Ｍ（ＯＲ）４（式中、Ｍはチタン又はジルコニウム、Ｒは炭化水素基を示す。）で表される。Ｍは、屈折率を高める観点からチタンであるのが好ましい。
【００２３】
炭化水素基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基（例えば、シクロヘキシル基などのＣ５−８シクロアルキル基など）、アリール基（例えば、フェニル、ナフチル基などのＣ６−１０アリール基など）、アラルキル基（例えば、ベンジル、フェネチル基などのＣ６−１０アリール−Ｃ１−６アルキル基など）などが例示でき、好ましくはアルキル基であってもよい。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基などの直鎖状又は分岐鎖状Ｃ１−１０アルキル基、好ましくはＣ１−６アルキル基、特にＣ１−４アルキル基であってもよい。
【００２４】
代表的なチタン化合物としては、チタニウムアルコキシド、例えば、テトラメトキシチタニウム、テトラエトキシチタニウム、テトラ（ｎ−プロポキシ）チタニウム、テトラ（イソプロポキシ）チタニウム、テトラ（ｎ−ブトキシ）チタニウム、テトラ（イソブトキシ）チタニウム、テトラ（ｔ−ブトキシ）チタニウムなどのテトラＣ１−６アルコキシチタニウムが例示できる。代表的なジルコニウム化合物としては、ジルコニウムアルコキシド、例えば、テトラメトキシジルコニウム、テトラエトキシジルコニウム、テトラ（ｎ−プロポキシ）ジルコニウム、テトラ（イソプロポキシ）ジルコニウム、テトラ（ｎ−ブトキシ）ジルコニウム、テトラ（イソブトキシ）ジルコニウム、テトラ（ｔ−ブトキシ）ジルコニウム）などのテトラＣ１−６アルコキシジルコニウムが例示できる。これらの金属化合物（Ａ）は、単独で又は２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００２５】
好ましい金属化合物（Ａ）は、テトラＣ１−４アルコキシチタニウム（特にテトラＣ２−４アルコキシチタニウム）、テトラＣ１−４アルコキシジルコニウム（特にテトラＣ２−４アルコキシジルコニウム）であってもよい。
【００２６】
これらの金属化合物（チタン化合物又はジルコニウム化合物）（Ａ）は、市販品を用いてもよく、合成したものを用いてもよい。
【００２７】
（Ｂ）ポリシラン
ポリシランは、主鎖がＳｉ−Ｓｉ結合で構成された重合体を意味し、直鎖状、分岐鎖状、ネットワーク状（網目状）、環状などの種々のポリシラン、これらを組み合わせたポリシラン（例えば、直鎖状とネットワーク状とを組み合わせたポリシラン）などが例示できる。ポリシランは、主鎖に炭化水素骨格を有してもよいが、有さないのが好ましい。これらのポリシランの中でも、広範な有機溶媒に可溶であり、Ｓｉ−Ｓｉ結合が開裂して、反応が進行し易い観点から、直鎖状、分岐鎖状、ネットワーク状、これらを組み合わせたポリシランであるのが好ましく、屈折率を高める観点からネットワーク状のポリシラン、直鎖状とネットワーク状とを組み合わせたポリシランであるのが好ましい。
【００２８】
これらのポリシランは、通常、下記式（ｂ１）〜（ｂ２）で表されるシラン単位（ｂ１）〜（ｂ２）の少なくとも１つを有していることが多い。
【００２９】
【化２】
0006662682.tif 000003
【００３０】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３は、同一又は異なって、水素原子又は炭化水素基を示す。）
【００３１】
前記式（ｂ１）〜（ｂ２）において、基Ｒ１〜Ｒ３は、炭化水素基であるのが好ましい。
【００３２】
炭化水素基としては、アルキル基、アリール基、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル、シクロヘキシル基などのＣ５−１０シクロアルキル基など）、アラルキル基（例えば、ベンジル基、フェネチル基などのＣ６−１２アリール−Ｃ１−４アルキル基など）、アルケニル基（例えば、ビニル、アリル基などのＣ２−６アルケニル基など）、シクロアルケニル基（例えば、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基などのＣ５−１０シクロアルケニル基など）などが例示でき、アルキル基又はアリール基であるのが好ましい。
【００３３】
アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基などの直鎖状又は分岐鎖状Ｃ１−１０アルキル基などが例示でき、好ましくはＣ１−６アルキル基、さらに好ましくはＣ１−４アルキル基、特にメチル基又はエチル基であってもよい。
【００３４】
アリール基としては、フェニル基、ナフチル基などのＣ６−１２アリール基などが例示でき、好ましくはＣ６−１０アリール基、さらに好ましくはフェニル基であってもよい。アリール基は、置換基を有していてもよい。置換基の個数は、特に限定されず、例えば、１又は複数（例えば、２〜４個）であってもよく、複数の場合は、置換基の種類が異なってもよい。このような置換基を有するアリール基としては、例えば、トリル基、キシリル基、エチルフェニル基、メチルナフチル基などのＣ１−６アルキルＣ６−１０アリール基（例えば、モノ乃至トリＣ１−４アルキルＣ６−１０アリール基、特にモノ又はジＣ１−４アルキルフェニル基など）などであってもよい。
【００３５】
これらの炭化水素基の中でも、アルキル基（特にメチル基、エチル基などの炭素数が小さいＣ１−４アルキル基）、アリール基（特にフェニル基などの炭素数が小さいアリール基）であれば、焼成時に脱離して金属Ｍの含有率を高めることができ、屈折率を高めることができるので有利である。
【００３６】
前記式（ｂ１）において、Ｒ１とＲ２との組み合わせは、例えば、アルキル基同士［例えば、Ｃ１−４アルキル基（特にエチル基又はメチル基）］、アリール基（特にフェニル基）同士、アルキル基及びアリール基であってもよい。特に、Ｒ１とＲ２との組み合わせは、有機溶媒に対する溶解性と屈折率とを向上させる観点からアルキル基［例えば、Ｃ１−４アルキル基（特にメチル基）］とアリール基（特にフェニル基）との組み合わせが好ましく、特に、メチル基又はエチル基（特にメチル基）とフェニル基との組み合わせが好ましい。
【００３７】
前記式（ｂ２）において、Ｒ３はＣ１−４アルキル基（特にメチル基などのＣ１−２アルキル基）又はアリール基（特にフェニル基）であるのが好ましく、屈折率を向上させる観点からアリール基（特にフェニル基）であるのが好ましい。
【００３８】
ポリシランは、シラン単位（ｂ１）及びシラン単位（ｂ２）を含むのが好ましい。シラン単位（ｂ１）とシラン単位（ｂ２）との組み合わせとしては、例えば、アルキル−アリールシラン単位（ｂ１）（Ｒ１が直鎖状又は分岐鎖状アルキル基、Ｒ２が置換基を有してもよいアリール基）とモノアリールシラン単位（ｂ２）（Ｒ３が置換基を有してもよいアリール基）との組み合わせが例示でき、好ましくは直鎖状Ｃ１−１０アルキル−Ｃ６−１２アリールシラン単位（例えば、Ｃ１−６アルキル−Ｃ６−１０アリールシラン単位、好ましくはＣ１−４アルキル−フェニルシラン単位（例えば、Ｃ１−２アルキル−フェニルシラン単位、特にメチル−フェニルシラン単位））とモノＣ６−１２アリールシラン単位（例えば、モノＣ６−１０アリールシラン単位、好ましくはフェニルシラン単位）との組み合わせであってもよい。
【００３９】
ポリシラン全体に対するシラン単位（ｂ１）及びシラン単位（ｂ２）の合計割合は、例えば、１０〜１００モル％の広い範囲から選択でき、好ましくは３０モル％以上（例えば、４０〜９０モル％）、さらに好ましくは５０モル％以上（例えば、６０〜８５モル％）、特に７０モル％以上（例えば、７５〜８０モル）、通常、９０モル％以上である。
【００４０】
シラン単位（ｂ１）とシラン単位（ｂ２）との割合は、例えば、前者／後者（モル比）＝１００／０〜０／１００の広い範囲から選択でき、好ましくは９０／１０〜０／１００（例えば、８０／２０〜５／９５）、さらに好ましくは７０／３０〜０／１００（例えば、６０／４０〜１０／９０）、特に５０／５０〜０／１００（例えば、４０／６０〜２５／８５）、通常、３０／７０〜０／１００程度であってもよい。
【００４１】
ポリシランは、少なくとも一部の末端基を置換基Ｒ１〜Ｒ３のいずれかで形成してもよく、シリル基（ｂ３）、（Ｒ４）３−Ｓｉ−基（式中、Ｒ４は、同一又は異なって、Ｒ１〜Ｒ３の炭化水素基として例示した炭化水素基を示す。）などの非加水分解性縮合基で形成（封鎖）してもよく、トリアルコキシシリル基などの加水分解性縮合基で形成してもよい。ポリシランの末端基は、通常、非加水分解性縮合基で形成されることが多い。なお、ポリシランの少なくとも一部の末端基は、不可避的に生成する加水分解性縮合基で形成してもよく、ポリシランの末端基全体に対する加水分解性縮合基の割合は、例えば、１５モル％以下、好ましくは１０モル％以下、さらに好ましくは５モル％以下、特に３モル％以下、通常、１モル％以下であってもよい。
【００４２】
ポリシランの重合形態は、特に限定されず、単独重合体、または共重合体（例えば、ランダム共重合体、グラフト共重合体、ブロック共重合体など）であってもよい。共重合体では、シラン単位（ｂ１）〜（ｂ２）、シリル基（ｂ３）で構成されてもよく、シラン単位（ｂ１）〜（ｂ２）の少なくとも１つ（例えば、少なくともシラン単位（ｂ１）及び／又はシラン単位（ｂ２））と、シラン単位以外の共重合性単位とで構成されてもよい。シラン単位以外の共重合性単位を形成する重合成分としては、例えば、重合性不飽和結合を有し、かつトリアルコキシシリル基などの加水分解性縮合基を有する化合物が例示できる。
【００４３】
ポリシラン全体に対する、シラン単位（ｂ１）〜（ｂ２）及びシリル基（ｂ３）の合計割合は、例えば、８５〜１００モル％、好ましくは９０モル％以上（例えば、９０〜９９モル％）、さらに好ましくは９５モル％以上（例えば、９５〜９７モル％）である。ポリシラン全体に対するシラン単位、シリル基以外の共重合性単位の割合は、例えば、０〜１５モル％、好ましくは１０モル％以下、さらに好ましくは５モル％以下、特に３モル％以下、通常、１モル％以下であってもよい。
【００４４】
ポリシラン中のケイ素と炭素との原子比（Ｓｉ／Ｃ）は、例えば、０．０１〜１の広い範囲から選択でき、好ましくは０．０５〜０．９、さらに好ましくは０．１〜０．８、特に０．１５〜０．７、通常、０．２〜０．６程度である。
【００４５】
ポリシランは、シロキサン結合（−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−）を有さないのが好ましいが、不可避的に微量のシロキサン結合を有する場合がある。
【００４６】
これらのポリシランは、市販品を用いてもよく、調製してもよい。調製する場合、前記式（ｂ１）〜（ｂ２）で表される単位を有するハロシラン類を用いた種々の調製方法、例えば、マグネシウムを還元剤としてハロシラン類を脱ハロゲン縮重合させる方法（「マグネシウム還元法」）などにより調製できる。
【００４７】
ポリシランの平均重合度は、特に限定されず、例えば、２〜２００、好ましくは３〜１５０、さらに好ましくは５〜１２０、特に７〜１００、特に８〜５０（例えば、９〜２０、好ましくは１０〜１２）程度であってもよい。
【００４８】
また、ポリシランの重量平均分子量（Ｍｗ）は、特に限定されず、例えば、３００〜５００００、好ましくは４００〜３００００、さらに好ましくは５００〜２００００、特に１０００〜１８０００程度であってもよい。なお、Ｍｗはゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）などで測定でき、標準ポリスチレン換算の値であってもよい。
【００４９】
（Ｃ）有機溶媒
有機溶媒としては、金属化合物（チタン化合物又はジルコニウム化合物）（Ａ）及びポリシラン（Ｂ）が溶解可能であればよく、例えば、炭化水素類［例えば、芳香族炭化水素類（例えば、ベンゼン、トルエン、キシレンなど）、脂環族炭化水素類（例えば、シクロヘキサンなど）、ハロゲン化炭化水素類（例えば、塩化メチレン、クロロホルムなど）］、エーテル類（例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテルなどの鎖状エーテル、ジオキサン、テトラヒドロフランなどの環状エーテルなど）、ケトン類（例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）などのジＣ１−４ジアルキルケトン、シクロヘキサノンなどのシクロアルカノンなど）、エステル類（ギ酸エチル、酢酸メチルなどのＣ１−４アルキルエステル、エトキシエチルプロピオネート、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテル−２−アセテート（ＰＧＭＥＡ）など）、グリコールエーテル類（プロピレングリコールモノエチルエーテルなど）、アミド類（例えば、ジメチルホルムアミドなど）、スルホキシド類（例えば、ジメチルスルホキシドなど）、ニトリル類（例えば、アセトニトリル、ベンゾニトリルなど）などがであってもよい。これらの有機溶媒は、単独で又は混合溶媒として使用できる。好ましい有機溶媒は、芳香族炭化水素類、エーテル類、ケトン類、エステル類であってもよい。特に、マイクロ波を照射して金属化合物（チタン化合物又はジルコニウム化合物）（Ａ）とポリシラン（Ｂ）とを反応させる場合、有機溶媒（Ｃ）として芳香族炭化水素類を用いると、有機溶媒の過度な加熱及びゲル化を抑制でき、反応を効率よく進行できる。
【００５０】
組成物（前駆体組成物）中の金属Ｍ（チタン又はジルコニウム）と、ケイ素との原子比（Ｍ／Ｓｉ）は、例えば、０．５〜１０程度であり、好ましくは０．６〜８、さらに好ましくは０．７〜７、特に０．８〜５程度、通常、０．９〜４（例えば、１〜３．５、好ましくは１．２〜３、さらに好ましくは１．５〜２．５）程度であってもよい。複合ポリシランで形成された薄膜は、ケイ素に対する金属Ｍ（チタン又はジルコニウム）の割合を大きくでき、高い屈折率を有する。なお、金属Ｍの割合が少なすぎると、屈折率が向上しない虞があり、金属Ｍの割合が多すぎると、均一な薄膜が形成できない虞がある。
【００５１】
組成物（前駆体組成物）の固形分（有機溶媒を除く成分）濃度は、例えば、０．５〜６０重量％、好ましくは１〜４０重量％、さらに好ましくは２〜２０重量％程度であってもよい。
【００５２】
組成物（前駆体組成物）は、必要であれば、種々の添加剤を含んでもよい。添加剤としては、例えば、消泡剤、塗布性改良剤、増粘剤、滑剤、安定剤（例えば、抗酸化剤、熱安定剤、耐光安定剤など）、可塑剤、界面活性剤、溶解促進剤、着色剤、充填剤、耐電防止剤、シランカップリング剤、レベリング剤、分散剤、分散助剤などであってもよい。添加剤は、単独で又は２種以上組み合わせてもよい。
【００５３】
組成物（前駆体組成物）は、金属化合物（チタン化合物又はジルコニウム化合物）（Ａ）、ポリシラン（Ｂ）、有機溶媒（Ｃ）及び必要に応じて添加剤を配合し、溶解、分散などで均一に混合することによって得られる。
【００５４】
［コーティング組成物］
本発明のコーティング組成物は、複合ポリシラン（Ｄ）と前記有機溶媒（Ｃ）とを含む。
【００５５】
（Ｄ）複合ポリシラン
複合ポリシラン（Ｄ）は、金属化合物（Ａ）とポリシラン（Ｂ）とを反応させることにより得られる。複合ポリシラン（Ｄ）の詳細な構造を特定することは分析上困難であるが、ポリシランのＳｉ−Ｓｉ結合が開裂し、≡Ｍ−Ｏ−Ｓｉ≡結合の形態で、金属Ｍがポリシランに導入されていると推定される。また、複合ポリシランの形態は、繊維状、三次元状などであってもよく、ネットワーク状（三次元網目状）などであってもよい。通常、ネットワーク状であると推定される。なお、≡Ｍ−Ｏ−Ｓｉ≡結合の形成は、例えば、赤外スペクトルにてＭ−Ｏ結合、Ｓｉ−Ｏ結合由来のピークの有無を観測することにより確認できる。
【００５６】
複合ポリシラン（Ｄ）には、高濃度で金属Ｍをポリシランに導入できるためか、複合ポリシランは、高い屈折率を有する薄膜を形成でき、高濃度で金属Ｍを導入しても、ポリシランと複合しているためポリシランの高い透明性を維持できる。
【００５７】
本発明のコーティング組成物は、有機溶媒中で、活性光線照射によるポリシランのＳｉ−Ｓｉ結合開裂を利用して、ポリシラン（Ｂ）と金属化合物（チタン化合物又はジルコニウム化合物）（Ａ）とをカップリング反応させて形成できる。このため、本発明のコーティング組成物では、加水分解縮合によるゾルゲル反応を利用しなくてもよいため、水及び酸触媒を含まなくてもよく、水と混和性のない有機溶媒が好適に使用できる。
【００５８】
本発明のコーティング組成物は、例えば、ゾル状の形態であってもよく、流動性を有するゲル状の形態であってもよい。
【００５９】
コーティング組成物は、金属化合物（Ａ）とポリシラン（Ｂ）とを有機溶媒（Ｃ）中で活性光線に照射することにより製造できる。
【００６０】
活性光線は、ポリシラン（Ｂ）を分解又は開裂可能であればよく、例えば、紫外線などが例示できる。紫外線を照射する手段としては、例えば、Ｄｅｅｐ  ＵＶ  ランプ、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、重水素ランプ、ハロゲンランプ、レーザー光（例えば、ヘリウム−カドミウムレーザー、エキシマレーザーなど）などを用いることができる。
【００６１】
活性光線の照射条件（出力、照射時間など）は、特に限定されない。出力は、例えば、１００〜５００Ｗ程度であってもよく、活性光線の照射時間は、例えば、１０〜１８０分、好ましくは２０〜１２０分、さらに好ましくは３０〜１００分、特に６０〜９０分程度であってもよい。照射時間が短すぎると、均一な膜が得られにくい虞があり、照射時間が長すぎると、有機溶媒が加熱されてゲル化し易くなるため反応が十分に進行しにくくなり、薄膜の屈折率が向上しない虞がある。
【００６２】
本発明の製造方法では、空気をバブリングしながらコーティング組成物に活性光線を照射してもよい。空気をバブリングするとコーティング組成物から水分を除去できる。一方、ゲル化を効率よく抑制する観点からは空気をバブリングしないのが有利である。
【００６３】
バブリングの条件（例えば、空気の流量など）は、特に限定されない。空気の流量は、例えば、０．１〜１０Ｌ／分、好ましくは０．５〜１Ｌ／分程度であってもよい。
【００６４】
本発明の製造方法では、活性光線を照射した後、マイクロ波を照射してもよい。マイクロ波を照射すると、原料（特に有機溶媒（Ｃ））の加熱が抑制され、ゲル化を抑制し、反応を効率よく進行できる。特に、マイクロ波を照射する場合には、有機溶媒（Ｃ）として芳香族炭化水素（例えば、トルエン、キシレンなど）を用いるのが好ましい。
【００６５】
マイクロ波照射条件（例えば、出力、周波数、照射時間、照射温度）は、特に限定されず、出力は、例えば、１００〜１０００Ｗ、好ましくは３００〜７００Ｗ程度であってもよい。周波数は、例えば、１〜３ＧＨｚであってもよく、照射時間は、例えば、０．５〜１２０分、好ましくは１〜６０分程度であってもよく、照射温度は、例えば、３０〜８０℃、好ましくは４０〜７０℃程度であってもよい。
【００６６】
マイクロ波を照射する手段としては、特に限定されず、市販の製品を利用でき、例えば、電子レンジ型のマイクロ波発生装置などであってもよい。
【００６７】
［薄膜］
前記のように、前記複合ポリシラン（Ｄ）で形成された薄膜は、高い屈折率及び高い透明性を有している。
【００６８】
薄膜の屈折率は、波長３６５ｎｍ（２５℃）において、例えば、１．７〜２．０であり、好ましくは１．７５〜１．９９、さらに好ましくは１．７６〜１．９８程度であってもよく、波長５８９ｎｍ（２５℃）では、１．７０〜１．８５、好ましくは１．７１〜１．８４、さらに好ましくは１．７２〜１．８３、特に１．７３〜１．８２程度であってもよい。
【００６９】
薄膜の透過率は、波長５８９ｎｍ（２５℃）において、例えば、８０〜１００％、好ましくは８２％以上（例えば、８２〜９９％）、さらに好ましくは８５％以上（例えば、８７〜９５％）程度であってもよい。
【００７０】
薄膜のヘイズ値は、波長領域３８０〜７８０ｎｍにおいて、例えば、０．１〜０．５、好ましくは０．２〜０．４程度である。本発明の薄膜のヘイズ値は、比較的小さいため、表面の荒れが小さい。
【００７１】
薄膜の厚み（膜厚）は、例えば、１ｎｍ〜１０μｍの広い範囲から選択でき、好ましくは１０ｎｍ〜１μｍ、さらに好ましくは２０〜５００ｎｍ、特に５０〜３００ｎｍ、通常、８０〜２５０ｎｍ程度であってもよい。
【００７２】
なお、これらの物性値（屈折率、透過率、ヘイズ値、膜厚）は、それぞれ後述する実施例に記載の方法により測定できる。
【００７３】
本発明の薄膜の製造方法では、例えば、コーティング組成物を慣用のコーティング方法で基材にコーティングして乾燥させて薄膜を製造してもよい。
【００７４】
基材は、例えば、ガラス、石英などのセラミック、アルミニウム、銅などの金属、シリコン、ガリウム砒素などの半導体、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネートなどのプラスチックなどで形成してもよい。コーティング方法は、特に限定されず、例えば、スピンコーティング法、フローコーティング法、スプレーコーティング法、スクリーン印刷法、キャスト法、バーコーティング法、カーティンコーティング法、ロールコーティング法、グラビアコーティング法などが例示できる。
【００７５】
乾燥温度は、例えば、５０〜２５０℃、好ましくは６０〜２００℃、さらに好ましくは７０〜１８０℃程度であってもよい。乾燥時間は、例えば、０．５〜１２０分、好ましくは１〜６０分程度であってもよい。
【００７６】
乾燥後（焼成前）の薄膜の金属Ｍの原子比率は、１〜５０％の広い範囲から選択でき、好ましくは２〜３０％、さらに好ましくは３〜２５％、特に５〜２０％（例えば、８〜２０％）、通常、１０〜１５％程度であってもよい。金属Ｍの原子比率は、後述する実施例に記載の方法によりＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）分析を用いて測定してもよいし、原料（金属化合物（Ａ）及びポリシラン（Ｂ））の仕込量から算出してもよい。
【００７７】
本発明の製造方法では、乾燥させた後、焼成するのが好ましい。焼成させると、ポリシランの置換基（例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基など）、アリール基（例えば、フェニル基など）など）が脱離して、複合ポリシラン中のＴｉ含有率が増大するためか、屈折率を向上でき有利である。また、焼成することは、膜の強度を向上する観点からも有利である。
【００７８】
焼成温度は、例えば、２５０〜１０００℃の広い範囲から選択でき、好ましくは３００〜８００℃（例えば、３５０〜７００℃）、さらに好ましくは４００〜６００℃程度であってもよい。焼成時間は、例えば、３０〜１８０分、好ましくは５０〜１２０分程度であってもよい。
【００７９】
焼成後の薄膜の金属Ｍの含有率（重量％）は、５〜８０％の広い範囲から選択でき、好ましくは１０〜６０％、さらに好ましくは１５〜５０％、特に２０〜４５％、通常、３０〜４０％程度である。なお、金属Ｍの含有率（重量％）は、後述する実施例に記載の方法により原料（金属化合物（Ａ）及びポリシラン（Ｂ））の仕込量から算出してもよい。
【実施例】
【００８０】
以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
【００８１】
（測定方法）
（赤外スペクトル）
フーリエ変換赤外分光光度計（Ｔｈｅｒｍｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製、「Ｎｉｃｏｌｅｔ  ４７００」）及びダイヤモンドＡＴＲ装置（Ｓｍｉｔｈｓ  ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ製、「ＤｕｒａＳａｍｐｌＩＲ  ＩＩ」）を用い、ＡＴＲ法にて測定した。
【００８２】
（Ｘ線光電子分光）
ＵＬＶＡＣ−ＰＨＩ（株）製、「５７００ＭＣ」を用いて膜のＸ線光電子分光（ＸＰＳ）分析を行い、Ｃ／Ｏ／Ｓｉ／Ｔｉ元素のスペクトルを得た。
【００８３】
（膜厚及び屈折率）
反射分光膜厚計（大塚電子（株）製、「ＦＥ−３０００」）を用いて膜厚及び膜の屈折率（波長３６５ｎｍ及び５８９ｎｍ、測定温度２５℃）をそれぞれ５回測定し、平均値を測定値とした。
【００８４】
（透過率及び透明性）
紫外可視分光光度計（日本分光（株）製、「Ｖ−５６０」）を用いて波長５８９ｎｍ（２５℃）にて透過率を測定した。また、目視にて膜の透明性を以下の基準により評価した。
【００８５】
○  透明である
×  白濁する。
【００８６】
（ヘイズ値）
紫外可視分光光度計（日本分光（株）製、「Ｖ−５６０」）に付属の積分球及びヘイズ測定ソフトウェアを使用して波長領域３８０−７８０ｎｍにてヘイズ値を測定した。
【００８７】
（成分）
用いたポリシランは以下のとおりである。
【００８８】
ポリシランａ：大阪ガスケミカル（株）製「ＯＧＳＯＬ  ＳＩ−１０−１０（メチルフェニルシラン単位（シラン単位（ｂ１）において、Ｒ１がメチル基、Ｒ２がフェニル基）で構成され、重量平均分子量（Ｍｗ）が、１６３００であるポリシラン）」
ポリシランｂ：大阪ガスケミカル（株）製「ＯＧＳＯＬ  ＳＩ−１０−１０（メチルフェニルシラン単位（シラン単位（ｂ１）において、Ｒ１がメチル基、Ｒ２がフェニル基）で構成され、Ｍｗが１２７００であるポリシラン）」
ポリシランｃ：大阪ガスケミカル（株）製「ＯＧＳＯＬ  ＳＩ−１０−２０（メチルフェニルシラン単位（シラン単位（ｂ１）において、Ｒ１がメチル基、Ｒ２がフェニル基）で構成され、Ｍｗが１６００であるポリシラン）」
ポリシランｄ：大阪ガスケミカル（株）製「ＯＧＳＯＬ  ＳＩ−２０−１０（フェニルシラン単位（シラン単位（ｂ２）において、Ｒ３がフェニル基）で構成され、Ｍｗが１６００であるポリシラン）」
ポリシランｅ：大阪ガスケミカル（株）製「ＯＧＳＯＬ  ＳＩ−２０−１０改（フェニルシラン単位（シラン単位（ｂ２）において、Ｒ３がフェニル基）で構成され、Ｍｗが１３００であるポリシラン）」。
【００８９】
実施例１〜１０及び参考例１〜９では、金属化合物として、テトラ（ｎ−ブトキシ）チタニウム（Ｔｉ（ＯＢｕ）４）を用いた。
【００９０】
実施例１
表１に記載の組成にてコーティング組成物を調製し、流速０．５〜１Ｌ／分で空気をバブリングしながらＵＶ照射装置（ウシオ電機（株）製、「ＳＰ  ９−２５０ＤＢ」を用いて、出力２５０Ｗ、照射時間３０分でこのコーティング組成物に紫外線照射した。照射後のコーティング組成物をガラス基板に滴下し、スピンコーター（ミカサ（株）製、「１Ｈ−Ｄ７」）にてスピンコートし、ホットプレート（（アズワン（株）製）、「ＮＤ−１」）にて１５０℃で１０分間乾燥させて薄膜を作製した。この薄膜をＸＰＳ分析したところ、Ｃ、Ｏ、Ｓｉ、Ｔｉの原子比率はそれぞれ４２．３％、３８％、６．１％、１３．６％であった。
【００９１】
実施例２
表１に記載の組成にてコーティング組成物を調製し、流速０．５〜１Ｌ／分で空気をバブリングしながらＵＶ照射装置（ウシオ電機（株）製、「ＳＰ  ９−２５０ＤＢ」を用いて、出力２５０Ｗ、照射時間１０分でこのコーティング組成物に紫外線を照射した。その後、マイクロ波発生装置（四国計測（株）製、「μＲｅａｃｔｅｒ」）を用いて、出力７００Ｗ、周波数２．４５ＧＨｚ、温度６０℃、照射時間３分で、このコーティング組成物にマイクロ波を照射した。照射後のコーティング組成物をガラス基板に滴下し、スピンコーター（ミカサ（株）製、「１Ｈ−Ｄ７」）にてスピンコートし、ホットプレート（アズワン（株）製、「ＮＤ−１」）にて１５０℃で１０分間乾燥させて薄膜を作製した。
【００９２】
実施例３
表１に記載の組成にてコーティング組成物を調製し、ＵＶ照射装置（ウシオ電機（株）製、「ＳＰ  ９−２５０ＤＢ」を用いて、出力２５０Ｗ、照射時間９０分でこのコーティング組成物に紫外線を照射した。照射後のコーティング組成物をガラス基板に滴下し、スピンコーター（ミカサ（株）製、「１Ｈ−Ｄ７」）にてスピンコートし、ホットプレート（（アズワン（株）製）、「ＮＤ−１」）にて８０℃で１０分間乾燥させて薄膜を作製した。この薄膜を５００℃で１時間焼成した。焼成前後のＳｉ−フェニル基のピーク（１４３０ｃｍ−１）、Ｓｉ−メチル基のピーク（１２５０ｃｍ−１）の有無を赤外スペクトルにて確認したところ、焼成後では、焼成前に存在したＳｉ−フェニル基由来のピークは完全に消失し、Ｓｉ−メチル基のピークはほぼ消失していることを確認した。焼成後の薄膜のＴｉ含有量（重量％）は、３４．２％であった。なお、Ｔｉ含有量は、フェニル基及びメチル基が全て消失したものとして、原料（金属化合物（Ａ）及びポリシラン（Ｂ））の仕込量から算出した。以下の実施例４〜実施例１０における焼成後の薄膜のＴｉ含有量も同様にして算出した。
【００９３】
実施例４
表１に記載の組成にてコーティング組成物を調製する以外は、実施例３と同様に薄膜を作製した。焼成前後のＳｉ−フェニル基のピーク（１４３０ｃｍ−１）、Ｓｉ−メチル基のピーク（１２５０ｃｍ−１）の有無を赤外スペクトルにて確認したところ、焼成後では、焼成前に存在したＳｉ−フェニル基由来のピークは完全に消失し、Ｓｉ−メチル基のピークはほぼ消失していることを確認した。焼成後の薄膜のＴｉ含有量（重量％）は、３８．０％であった。
【００９４】
実施例５
表１に記載の組成にてコーティング組成物を調製する以外は、実施例３と同様に薄膜を作製した。焼成前後のＳｉ−フェニル基のピーク（１４３０ｃｍ−１）、Ｓｉ−メチル基のピーク（１２５０ｃｍ−１）の有無を赤外スペクトルにて確認したところ、焼成後では、焼成前に存在したＳｉ−フェニル基由来のピークは完全に消失し、Ｓｉ−メチル基のピークはほぼ消失していることを確認した。焼成後の薄膜のＴｉ含有量（重量％）は、３３．９％であった。
【００９５】
実施例６
表１に記載の組成にてコーティング組成物を調製する以外は、実施例３と同様に薄膜を作製した。焼成前後のＳｉ−フェニル基のピーク（１４３０ｃｍ−１）、Ｓｉ−メチル基のピーク（１２５０ｃｍ−１）の有無を赤外スペクトルにて確認したところ、焼成後では、焼成前に存在したＳｉ−フェニル基由来のピークは完全に消失し、Ｓｉ−メチル基のピークはほぼ消失していることを確認した。焼成後の薄膜のＴｉ含有量（重量％）は、３７．８％であった。また、膜表面を目視にて観察したところ、膜表面の荒れがほぼ見られなかった。
【００９６】
実施例７
表１に記載の組成にてコーティング組成物を調製する以外は、実施例３と同様に薄膜を作製した。焼成前後のＳｉ−フェニル基のピーク（１４３０ｃｍ−１）、Ｓｉ−メチル基のピーク（１２５０ｃｍ−１）の有無を赤外スペクトルにて確認したところ、焼成後では、焼成前に存在したＳｉ−フェニル基由来のピークは完全に消失し、Ｓｉ−メチル基のピークはほぼ消失していることを確認した。焼成後の薄膜のＴｉ含有量（重量％）は、３４．３％であった。
【００９７】
実施例８
表１に記載の組成にてコーティング組成物を調製する以外は、実施例３と同様に薄膜を作製した。焼成前後のＳｉ−フェニル基のピーク（１４３０ｃｍ−１）、Ｓｉ−メチル基のピーク（１２５０ｃｍ−１）の有無を赤外スペクトルにて確認したところ、焼成後では、焼成前に存在したＳｉ−フェニル基由来のピークは完全に消失し、Ｓｉ−メチル基のピークはほぼ消失していることを確認した。焼成後の薄膜のＴｉ含有量（重量％）は、３８．１％であった。また、膜表面を目視にて観察したところ、膜表面の荒れがほぼ見られなかった。
【００９８】
実施例９
表１に記載の組成にてコーティング組成物を調製する以外は、実施例３と同様に薄膜を作製した。焼成前後のＳｉ−フェニル基のピーク（１４３０ｃｍ−１）、Ｓｉ−メチル基のピーク（１２５０ｃｍ−１）の有無を赤外スペクトルにて確認したところ、焼成後では、焼成前に存在したＳｉ−フェニル基由来のピークは完全に消失し、Ｓｉ−メチル基のピークはほぼ消失していることを確認した。焼成後の薄膜のＴｉ含有量（重量％）は、３４．３％であった。また、膜表面を目視にて観察したところ、膜表面の荒れがほぼ見られなかった。
【００９９】
実施例１０
表１に記載の組成にてコーティング組成物を調製する以外は、実施例３と同様に薄膜を作製した。焼成前後のＳｉ−フェニル基のピーク（１４３０ｃｍ−１）、Ｓｉ−メチル基のピーク（１２５０ｃｍ−１）の有無を赤外スペクトルにて確認したところ、焼成後では、焼成前に存在したＳｉ−フェニル基由来のピークは完全に消失し、Ｓｉ−メチル基のピークはほぼ消失していることを確認した。焼成後の薄膜のＴｉ含有量（重量％）は、３８．１％であった。また、膜表面を目視にて観察したところ、膜表面の荒れがほぼ見られなかった。
【０１００】
比較例１
表１に記載の組成にてコーティング組成物を調製し、このコーティング組成物をガラス基板に滴下し、スピンコーター（ミカサ（株）製、「１Ｈ−Ｄ７」）にてスピンコートし、ホットプレート（（アズワン（株）製）、「ＮＤ−１」）にて１５０℃で１０分間乾燥させて薄膜を作製した。
【０１０１】
比較例２
表１に記載の組成にてコーティング組成物を調製する以外は、実施例１と同様に薄膜を作製した。
【０１０２】
【表１】
0006662682.tif 000004
【０１０３】
参考例１
表２に記載の組成にてコーティング組成物（実施例１と同一の組成）を調製し、このコーティング組成物をガラス基板に滴下し、スピンコーター（ミカサ（株）製、「１Ｈ−Ｄ７」）にてスピンコートし、ホットプレート（アズワン（株）製、「ＮＤ−１」）にて１５０℃で１０分間乾燥させて薄膜を作製した。
【０１０４】
参考例２
表２に記載の組成にてコーティング組成物（実施例３と同一の組成）を調製する以外は、参考例１と同様に薄膜を作製した。
【０１０５】
参考例３
表２に記載の組成にてコーティング組成物（実施例４と同一の組成）を調製する以外は、参考例１と同様に薄膜を作製した。
【０１０６】
参考例４
表２に記載の組成にてコーティング組成物（実施例５と同一の組成）を調製する以外は、参考例１と同様に薄膜を作製した。
【０１０７】
参考例５
表２に記載の組成にてコーティング組成物（実施例６と同一の組成）を調製する以外は、参考例１と同様に薄膜を作製した。
【０１０８】
参考例６
表２に記載の組成にてコーティング組成物（実施例７と同一の組成）を調製する以外は、参考例１と同様に薄膜を作製した。
【０１０９】
参考例７
表２に記載の組成にてコーティング組成物（実施例８と同一の組成）を調製する以外は、参考例１と同様に薄膜を作製した。
【０１１０】
参考例８
表２に記載の組成にてコーティング組成物（実施例９と同一の組成）を調製する以外は、参考例１と同様に薄膜を作製した。
【０１１１】
参考例９
表２に記載の組成にてコーティング組成物（実施例１０と同一の組成）を調製する以外は、参考例１と同様に薄膜を作製した。
【０１１２】
【表２】
0006662682.tif 000005
【０１１３】
実施例１〜１０、比較例１〜２及び参考例１〜９の各測定結果を表３及び表４に示す。
【０１１４】
【表３】
0006662682.tif 000006
【０１１５】
【表４】
0006662682.tif 000007
【０１１６】
表３〜表４に示すように、コーティング組成物に紫外線照射して反応させると、屈折率が向上することを確認した。また、金属化合物（Ａ）とポリシラン（Ｂ）とを反応させても、ポリシランの高い透明性を維持できることを確認した。
【産業上の利用可能性】
【０１１７】
本発明のコーティング組成物は、高い屈折率及び高い透明性を有する薄膜（例えば、保護膜、絶縁膜など）を形成するのに有用である。より詳細には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の保護膜（パッシベーション膜）又は絶縁膜（絶縁保護膜）、表示装置の表示素子又はエレメント（例えば、液晶表示素子、有機ＥＬ素子、カラーフィルタなど）、ＩＣチップの層間絶縁膜、ＩＣチップの層間保護膜、センサの絶縁層などの種々の絶縁保護膜を形成するのに有効である。例えば、保護膜は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の保護膜（オーバーコート層）であってもよい。