(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
モリブデンと珪素の少なくとも一方を含む２種以上の屈折率の異なる材料を交互に積層してなる多層反射膜を有する多層膜が基板上に形成された多層膜付き基板を、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウムから選ばれる少なくとも一つと過酸化水素とを含む水溶液からなる剥離液、又はアンモニア水と過酸化水素水とを混合してなる剥離液に接触させて、前記基板から前記多層膜を剥離除去し、基板を再生することを特徴とする多層膜付き基板の再生方法。
【請求項２】
前記剥離液は、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウムから選ばれる少なくとも一つと過酸化水素とを含む水溶液からなることを特徴とする請求項１記載の多層膜付き基板の再生方法。
【請求項３】
前記剥離液には、キレート剤がさらに含まれていることを特徴とする請求項１又は２記載の多層膜付き基板の再生方法。
【請求項４】
前記キレート剤は、アミノカルボン酸系キレート剤、又はホスホン酸系キレート剤であることを特徴とする請求項３記載の多層膜付き基板の再生方法。
【請求項５】
前記多層膜は、前記多層反射膜上に形成されたルテニウムを含有する保護膜、タンタルを含有する吸収体膜、前記基板を挟んで前記多層反射膜と反対側に形成されたタンタルを含有する導電膜の少なくとも何れかを含むことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一に記載の多層膜付き基板の再生方法。
【請求項６】
前記吸収体膜には、転写パターンが形成されていることを特徴とする請求項５記載の多層膜付き基板の再生方法。
【請求項７】
前記基板から多層膜を剥離除去した後、前記基板の表面を精密研磨することを特徴とする請求項１乃至６の何れか一に記載の多層膜付き基板の再生方法。
【請求項８】
前記剥離液の温度を５０℃以上１００℃以下とすることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一に記載の多層膜付き基板の再生方法。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れかに記載の多層膜付き基板の再生方法により再生された基板上に、露光光を反射する多層反射膜を形成することを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至８の何れかに記載の多層膜付き基板の再生方法により再生された基板上に、少なくとも、露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に設けられる露光光を吸収する吸収体膜とを形成することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外（Extreme UltraViolet、以下ＥＵＶと称する）光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィーシステムにおいて使用する多層反射膜ミラーや、露光用反射型マスクブランクの製造に用いる多層反射膜付き基板における多層反射膜を基板から剥離除去し、基板を再生する多層反射膜付き基板の再生方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体産業において、半導体デバイスの微細化に伴い、ＥＵＶ光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィーが有望視されている。なお、ここで、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２〜１００ｎｍ程度の光のことである。このＥＵＶリソグラフィーにおいて用いられる露光用マスクとしては、例えば下記特許文献１に記載されたような露光用反射型マスクが提案されている。
【０００３】
すなわち、この露光用反射型マスクは、基板上に、屈折率の異なる２種類の層を交互に積層した多層膜構造を有する反射膜と、パターンを形成する軟Ｘ線又は真空紫外線を吸収する吸収体膜とが形成された反射型マスクである。このような反射型マスクを搭載した露光機（パターン転写装置）において、反射型マスクに入射した露光光は、吸収体膜パターンのある部分では吸収され、吸収体膜パターンのない部分では反射膜により反射された光像が反射光学系を通して半導体基板（例えばレジスト付きシリコンウエハ）上に転写される。
【０００４】
上記反射膜、すなわち多層膜構造の反射膜（多層反射膜）としては、相対的に屈折率の高い物質と相対的に屈折率の低い物質が、数ｎｍオーダーで交互に積層された多層膜が通常使用される。例えば、短波長の１３〜１４ｎｍのＥＵＶ光に対する反射率の高いものとして、ＳｉとＭｏの薄膜を交互に積層した多層膜が知られている。
【０００５】
ところで、このような反射型マスクにおいては、その反射面、特にパターン近傍に凹凸が存在すると、反射光にはその凹凸に起因した位相の変化が起こり、この位相の変化は転写されるパターンの位置精度やコントラストを悪化させる原因となる。ＥＵＶ光のような短波長の光を露光光として用いる場合は、このような凹凸に対して位相の変化が非常に敏感になるため、転写像への影響が大きくなり、小さな凹凸に由来する位相の変化が無視できない。例えば、１３ｎｍ程度の短波長のＥＵＶ光を露光光として用いる場合、２ｎｍ程度の微細な凹凸でさえ位相欠陥となりうる。従って、基板上に多層反射膜を形成した後、表面欠陥検査により、例えば基板と多層反射膜との間に異物が介在したことによる凸状の膜下欠陥などが発見された多層反射膜付き基板は、反射型マスクを製造する反射型マスクブランク用の基板として用いることが出来ない。
【０００６】
しかし、最近の半導体デバイス等の電子部品の低価格化競争は厳しくなる一方であり、露光用マスクの製造コストの抑制も重要な課題となっている。このような背景から、基板上に多層反射膜を形成後、表面欠陥が発見された多層反射膜付き基板を不良品としてそのまま廃棄せずに、基板から多層反射膜を剥離除去して基板を再生する方法が要望されている。例えば、下記特許文献２には、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射コーティングを超磨き光学支持体から除去する方法が開示され、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜を、塩素含有ガスを用いた反応性イオンエッチングによる乾式エッチングで除去することが記載されている。また、この特許文献２には、従来の技術として、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜を、フェロシアン化カリウム／アルカリ水酸化物およびフッ化水素酸／硝酸の双方のエッチング剤を使用した湿式エッチングで除去する方法が記載されている。また、下記特許文献３には、弗化水素酸、珪弗化水素酸、弗化水素アンモニウムから選ばれる少なくとも一つの弗素化合物と、過酸化水素からなる酸化剤とを含む水溶液、又は、弗化カリウム、弗化ナトリウム、弗化ヨウ素から選ばれる少なくとも一つの弗素化合物と、硫酸、硝酸、過酸化水素から選ばれる少なくとも一つの酸化剤とを含む水溶液からなる剥離液に、Ｍｏ／Ｓｉの多層反射膜を接触させて多層反射膜を剥離除去する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第２１４００６０号公報
【特許文献２】特表２０００−５０６２１７号公報
【特許文献３】特開２００５−１９１３５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、前記特許文献２に開示された乾式エッチングによるＭｏ／Ｓｉ多層膜除去は次のような問題点がある。
即ち、反応性イオンエッチングを行うための大掛かりで且つ複雑な構造のエッチング装置を使用するため、ランニングコストが高くなる。また、エッチング装置のチャンバー内に付着したＭｏ／Ｓｉ多層膜成分の付着物の掃除が困難である。さらに、多層膜除去を反応性イオンエッチングによって行うため、多層膜除去後に基板に変質層が形成されたり、或いは基板の厚さ方向にダメージが発生してしまう。このような変質層やダメージを完全に除去して基板を再生するには、研磨取代を多くとる必要があり、再研磨加工に長時間を要するので、工程上の負荷が大きく、コストが高くなる。
【０００９】
一方、同じく前記特許文献２に記載された特定溶液による湿式エッチングによるＭｏ／Ｓｉ多層膜除去についても次のような問題点がある。
即ち、基板と多層膜の間に耐腐食性バリヤー層がないと、エッチングによる基板のダメージが大きく、再研磨して基板を再生するにしても、再研磨の工程負荷が大きく、コストが高くなる。ＥＵＶ反射型マスク用の基板として用いられる例えばＳｉＯ２−ＴｉＯ２系の低膨張ガラスでは、上記エッチングによる基板表面の荒れが特に大きく、基板のダメージが大きい。このような基板のダメージを減らすには、基板と多層膜の間に耐腐食性バリヤー層（例えば耐腐食性アモルファス炭素バリヤー層）を設ける必要があるが、その結果として、多層反射膜付き基板の製造工程が増えるだけでなく、基板を再生する際にはこの耐腐食性バリヤー層を除去する必要があり、何れにしても工程の追加によりコストが高くなる。
また、前記特許文献３に記載された剥離液は、弗素化合物と酸化剤を含むエッチング液を使用しているため、作業者の安全性の確保が必要であるという課題があった。
【００１０】
本発明は、上述した従来技術の問題点に鑑みなされたものであり、大掛かりで複雑な構造の装置を必要とせず、多層膜の剥離除去による基板のダメージが少なく、再研磨の工程負荷も少ないことにより、基板の再生コストを低減できる多層反射膜付き基板の再生方法を提供することを目的とする。また、この再生方法により再生された基板を使用する多層反射膜付き基板の製造方法及び反射型マスクブランクの製造方法を提供することを他の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
（構成１）モリブデン（Ｍｏ）と珪素（Ｓｉ）の少なくとも一方を含む２種以上の屈折率の異なる材料を交互に積層してなる多層反射膜を有する多層膜が基板上に形成された多層膜付き基板を、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニアから選ばれる少なくとも一つと過酸化水素とを含む水溶液からなる剥離液に接触させて、前記基板から前記多層反射膜を剥離除去し、基板を再生することを特徴とする多層膜付き基板の再生方法。
構成１によれば、モリブデン（Ｍｏ）と珪素（Ｓｉ）の少なくとも一方を含む２種以上の屈折率の異なる材料を交互に積層してなる多層反射膜を有する多層膜が形成された多層膜付き基板を、弗素化合物を含有しない特定の水溶液（水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニアから選ばれる少なくとも一つと、過酸化水素とを含む水溶液）からなる剥離液に接触させることで、基板上から多層膜を剥離除去して基板を再生することが出来る。本発明による多層膜付き基板の再生方法は、弗素化合物を含有しない特定の水溶液からなる剥離液を使用するので、多層膜の剥離除去による基板のダメージを少なくできる。また、多層膜付き基板を剥離液と接触させることが可能な容器（例えば処理槽）を用いて実施でき、大掛かりで構造の複雑な装置は必要としない。
上記ＭｏとＳｉの少なくとも一方を含む２種以上の屈折率の異なる材料を交互に積層してなる多層反射膜は、例えば１３〜１４ｎｍの短波長のＥＵＶ光に対する反射率が高い、ＭｏとＳｉの数ｎｍの薄膜を交互に積層したＭｏ／Ｓｉ多層反射膜である。
上記多層膜付き基板は、例えばＥＵＶ反射型マスクブランク或いはＥＵＶ反射型マスクの製造に使用する多層反射膜付き基板、又は、ＥＵＶリソグラフィーシステムにおける多層反射膜ミラーとして使用する多層反射膜付き基板である。
【００１２】
（構成２）前記剥離液には、キレート剤が含まれていることを特徴とする構成１記載の多層膜付き基板の再生方法。
構成２によれば、前記剥離液にキレート剤を含まれていることにより、前記多層膜のエッチング速度を高めることができ、多層膜の剥離時間を大幅に短縮することができる。
【００１３】
（構成３）前記キレート剤は、アミノカルボン酸系キレート剤、又はホスホン酸系キレート剤であることを特徴とする構成２記載の多層膜付き基板の再生方法。
構成３によれば、前記キレート剤として、アミノカルボン酸系キレート剤、又はホスホン酸系キレート剤を使用することができる。
【００１４】
（構成４）前記多層膜は、前記多層反射膜上に形成されたルテニウム（Ｒｕ）を含有する保護膜、タンタル（Ｔａ）を含有する吸収体膜、前記基板を挟んで前記多層反射膜と反対側に形成されたタンタル（Ｔａ）を含有する導電膜の少なくとも何れかを含むことを特徴とする構成１乃至３の何れか一に記載の多層膜付き基板の再生方法。
構成４によれば、前記多層膜付き基板として、前記基板上に前記多層反射膜が形成された多層反射膜付き基板以外に、前記多層反射膜上に形成された保護膜、吸収体膜、導電膜の少なくとも何れかが形成された多層膜付き基板であっても、剥離液を交換することなく同一の剥離液で多層膜付き基板に形成されている全ての膜を剥離除去し、基板を再生することができる。
【００１５】
（構成５）前記基板から多層反射膜を剥離除去した後、前記基板の表面を精密研磨することを特徴とする構成１乃至４の何れか一に記載の多層膜付き基板の再生方法。
構成５によれば、前記多層膜を剥離除去した基板表面を、例えば表面粗さ（二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ））で０．１５ｎｍＲｍｓ以下に回復することができる。ＥＵＶ反射型マスク用のガラス基板の場合、表面粗さがＲＭＳで０．１５ｎｍＲｍｓ以下になるよう精密研磨（鏡面研磨）する。本発明による多層膜付き基板の再生方法は、多層膜の剥離除去による基板のダメージが少なく、再精密研磨の工程負荷が少ないので、基板の再生コストを低減でき、高品質の基板を再生することができる。
【００１６】
（構成６）前記剥離液の温度を５０℃以上１００℃以下とすることを特徴とする構成１乃至５の何れか一に記載の多層反射膜付き基板の再生方法。
構成６のように、剥離液の温度を上記範囲とすることにより、さらに短い処理時間で前記多層膜を基板から剥離除去することができ、基板のダメージも少なくできる。
【００１７】
（構成７）構成１乃至６の何れかに記載の多層膜付き基板の再生方法により再生された基板上に、露光光を反射する多層反射膜を形成することを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。
構成７のように、本発明により再生された基板を使用した多層反射膜付き基板を製造することができる。
【００１８】
（構成８）構成１乃至６の何れかに記載の多層膜付き基板の再生方法により再生された基板上に、少なくとも、露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に設けられる露光光を吸収する吸収体膜とを形成することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
構成８のように、本発明により再生された基板を使用した反射型マスクブランクを製造することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、基板から多層反射膜を剥離除去するのに、大掛かりで複雑な構造の装置は必要とせず、多層膜の剥離除去による基板のダメージが少なく、再研磨の工程負荷も少ないので、基板の再生コストを低減でき、しかも高品質の基板を再生することができる。また、再生された高品質の基板上に多層反射膜、吸収体膜等を成膜することにより、多層反射膜付き基板或いは反射型マスクブランクを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施例における浸漬法の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
次に、本発明の実施の形態について説明する。
本発明の一実施の形態は、基板上に、ＭｏとＳｉの少なくとも一方を含む２種以上の屈折率の異なる材料を交互に積層してなる多層反射膜とを有する多層膜が形成された多層膜付き基板を、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニアから選ばれる少なくとも一つと、過酸化水素とを含む水溶液からなる剥離液と接触させて、前記基板から多層膜を剥離除去し、基板を再生する。
【００２２】
本発明が適用される上記ＭｏとＳｉの少なくとも一方を含む２種以上の屈折率の異なる材料を交互に積層してなる多層反射膜としては、例えば１３〜１４ｎｍの短波長のＥＵＶ光に対する反射率が高い、ＭｏとＳｉを交互に４０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が挙げられる。ＥＵＶ光の領域で使用されるその他の多層反射膜の例としては、Ｒｕ／Ｓｉ周期多層反射膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物周期多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層反射膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層反射膜などが挙げられる。これらの多層反射膜を有する多層膜を基板上に形成した多層膜付き基板は、例えばＥＵＶ反射型マスクブランク又はＥＵＶ反射型マスクにおける多層反射膜付き基板、或いはＥＵＶリソグラフィーシステムにおける多層反射膜ミラーとして使用される。
【００２３】
本発明では、多層膜付き基板における基板を再生するため、この多層膜付き基板を上記剥離液と接触させる。多層反射膜付き基板を剥離液と接触させる方法としては、例えば剥離液を入れた処理槽内に多層膜付き基板を浸漬させる方法（浸漬法）が挙げられる。他の方法としては、多層膜付き基板の表面（多層膜表面）にスプレー等で剥離液を直接噴き付ける方法が挙げられる。特に前者の多層膜付き基板を剥離液に浸漬させる方法は、多層膜全面に略均一に剥離液が供給され、また基板端面からも剥離液が浸透するので、剥離が促進され、本発明にとって好適である。また、この際に超音波を印加することも好適である。また、この浸漬法による処理中、基板を剥離液中で揺動することが好ましい。剥離液が基板の多層膜近傍で停滞しないので、多層膜成分と剥離液との化学反応が促進され、多層膜の剥離が好ましく進行するからである。基板を揺動する手段としては、基板を剥離液中で保持するためのホルダーを例えば上下方向に揺動する方法が例示される。また、基板を揺動する代わりに、或いは基板を揺動することに加えて、剥離液を撹拌するようにしてもよい。なお、使用済みの剥離液は適宜交換することが望ましい。
【００２４】
多層反射膜を剥離液と接触させる場合の処理条件、例えば剥離液の濃度、温度、処理時間については特に制約する必要はないが、本発明の作用を好ましく得る観点からは、多層反射膜の材料や層数（膜厚）、基板材料によって適宜選定するのが望ましい。
前記剥離液は、アルカリ水溶液（水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、アンモニア水）と過酸化水素水とを混合して使用することができる。アルカリ水溶液としては、濃度が５〜２０％が好ましく、さらに好ましくは、５〜１０％が望ましい。過酸化水素水としては、濃度が２０〜４０％が好ましく、さらに好ましくは、２５〜３５％が望ましい。そして、アルカリ水溶液と過酸化水素水の比率は、アルカリ水溶液：過酸化水素水＝１：１〜５：１とすることが好ましい。アルカリ水溶液：過酸化水素水の比率が１：１未満であると、前記多層膜の剥離の進行が遅くなり、結果として処理時間が長くなり、剥離しづらくなる。一方、アルカリ水溶液：過酸化水素水＝５：１超であると、剥離が早く進行し、処理時間は短縮できるものの、基板ダメージが大きい（表面が粗くなる）。
剥離液の温度については、５０℃以上１００℃以下の範囲内とするのが好ましい。
また、処理時間については、多層膜が基板から剥離除去されるのに十分な時間であればよい。本発明の剥離液の場合、上述の剥離液の濃度や温度によっても、或いは多層膜の構成や膜厚にもよるが、概ね６０〜３００分の範囲で本発明の作用が好ましく得られる。
【００２５】
本発明に用いる剥離液としては、前記多層膜のエッチング速度を高めるために、さらにキレート剤を含有することが好ましい。キレート剤としては、アミノカルボン酸系キレート剤、又はホスホン酸系キレート剤を使用することができる。代表的なアミノカルボン酸系キレート剤としては、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）、エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’ジコハク酸（ＥＤＤＳ）、エチレンジアミン−Ｎ−モノ酢酸（ＥＤＭＡ）、プロピレンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸（ＰＤＴＡ）、エチレンジアミン（ｅｎ）、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）、ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）を使用することができる。
また代表的なホスホン酸系キレート剤としては、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸（ＨＥＤＰ：Ｈｙｄｒｏｘｙｅｔｈｌｉｄｅｎｅ  Ｄｉｐｈｏｓｐｈｏｎｉｃ  Ａｃｉｄ）を使用することができる。
前記キレート剤は、アルカリ水溶液に含有するのが良く、キレート剤の濃度は、０．１〜５％が好ましく、さらに好ましくは１〜３％が望ましい。
【００２６】
多層膜付き基板における基板材料としては、低熱膨張係数を有するアモルファスガラス（例えばＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス等）、合成石英ガラス、β石英固溶体を析出した結晶化ガラス、シリコンなどが挙げられる。前述の従来技術の方法によると多層膜除去後の基板表面のダメージが特に大きい低熱膨張係数を有するガラスであっても、本発明によれば多層膜除去後の基板ダメージを少なくできるので、本発明が好適である。
【００２７】
また、多層膜付き基板における多層膜としては、前記多層反射膜上に形成されたルテニウム（Ｒｕ）を含有する保護膜、タンタル（Ｔａ）を含有する吸収体膜、前記基板を挟んで前記多層反射膜と反対側に形成されたタンタル（Ｔａ）を含有する裏面膜の少なくとも何れかを備えていても良い。
前記保護膜は、吸収体膜に転写パターンを形成する際に、エッチング停止層として下層の多層反射膜を保護する機能を有し、通常、多層反射膜と吸収体膜との間に形成される。保護膜としては、ルテニウム（Ｒｕ）単体以外に、ルテニウム（Ｒｕ）に、ニオブ（Ｎｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、イットリウム（Ｙ）、ホウ素（Ｂ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、レニウム（Ｒｅ）を含有させたルテニウム合金を使用することができる。また、ルテニウムやルテニウム合金に、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）などを含むルテニウム化合物やルテニウム合金化合物を使用することができる。
【００２８】
また、前記吸収体膜は、露光光の吸収率が高く、吸収体膜の下側に位置する膜（通常、保護膜或いは多層反射膜）とのエッチング選択比が十分大きいものが選択される。前記剥離液で除去できる材料として、タンタル（Ｔａ）を含有する材料が好ましい。タンタル（Ｔａ）を含有する材料としては、タンタル（Ｔａ）単体以外に、タンタル（Ｔａ）に、ホウ素（Ｂ）を含有したＴａＢ合金を使用することができる。また、前記タンタル（Ｔａ）やＴａＢ合金に、窒素（Ｎ）や酸素（Ｏ）を含有するＴａＮ、ＴａＯ、ＴａＯＮ、ＴａＢＮ、ＴａＢＯ、ＴａＢＯＮ等のタンタル化合物を使用することができる。
【００２９】
また、前記導電膜は、反射型マスクを使用して半導体基板等の被転写体にパターン転写を行う際に、反射型マスクを静電チャックで保持するのに必要な導電性を有する材料が選択される。前記剥離液で除去できる材料として、タンタル（Ｔａ）を含有する材料が好ましい。タンタル（Ｔａ）を含有する材料としては、タンタル（Ｔａ）単体以外に、タンタル（Ｔａ）に、ホウ素（Ｂ）を含有したＴａＢ合金を使用することができる。また、前記タンタル（Ｔａ）やＴａＢ合金に、窒素（Ｎ）や酸素（Ｏ）を含有するＴａＮ、ＴａＯ、ＴａＯＮ、ＴａＢＮ、ＴａＢＯ、ＴａＢＯＮ等のタンタル化合物を使用することができる。
尚、上記説明した保護膜、吸収体膜及び、裏面膜は、単層、複数層どちらでも構わない。
【００３０】
また、前記多層膜付き基板としては、前記基板上に前記多層反射膜が形成された多層反射膜付き基板以外に、該多層反射膜付き基板の前記多層反射膜上に保護膜が形成された保護膜付きの多層反射膜付き基板や、前記多層反射膜付き基板の前記多層反射膜や前記保護膜上に吸収体膜が形成された多層膜付き基板（反射型マスクブランク）、前記多層反射膜付き基板の基板を挟んで反対側に導電膜が形成された導電膜付きの多層反射膜付き基板、前記多層反射膜付き基板の前記多層反射膜や前記保護膜上に吸収体膜と、基板を挟んで反対側に導電膜が形成された多層膜付き基板（反射型マスクブランク）であっても良い。前記剥離液を交換することなく同一の剥離液で、これらの多層膜付き基板、多層反射膜付き基板に形成されている全ての膜を剥離除去し、基板を再生することができる。
また、前記多層膜付き基板としては、前記多層反射膜付き基板の前記多層反射膜や前記保護膜上に吸収体膜パターンが形成された、いわゆる反射型マスクであっても構わない。
【００３１】
このようにして、多層膜付き基板から多層反射膜を剥離除去した後、基板の表面を精密研磨することにより、多層反射膜剥離前の基板の表面粗さに回復することができる。例えばＥＵＶ反射型マスク用のガラス基板の場合、精密研磨により、表面粗さをＲＭＳ（二乗平均平方根粗さ）で０．１５ｎｍＲｍｓ以下にする。
精密研磨は、通常、基板主表面に、酸化セリウム、コロイダルシリカ等の遊離砥粒を含有する研磨液を供給しながら、研磨パッドを用いて行う。この際、基板の片面ずつ研磨する片面研磨方法、基板の両面を同時に研磨する両面研磨方法の何れを用いてもよい。本発明による多層膜付き基板の再生方法は、多層反射膜の剥離除去による基板のダメージが少ないので、再精密研磨の工程負荷が少なくて済む。従って、基板の再生コストを低減でき、しかも高品質の基板を再生することができる。
【００３２】
本発明による多層膜付き基板の再生方法により再生された基板上に、使用する光（例えばＥＵＶ光）を反射する多層反射膜を形成することにより、多層膜付き基板を製造することができる。製造した多層膜付き基板は、例えばＥＵＶリソグラフィーシステムにおいて多層反射膜ミラーとして用いられ、勿論、露光用反射型マスクブランクの製造にも用いられる。
また、本発明による多層膜付き基板の再生方法により再生された基板上に、少なくとも、露光光（例えばＥＵＶ光）を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に設けられる露光光を吸収する吸収体膜とを形成することにより、露光用反射型マスクブランクを製造することが出来る。必要に応じて、多層反射膜と吸収体膜の間に、吸収体膜へのパターン形成時のエッチング環境に耐性を有し、多層反射膜を保護するための保護を有していてもよい。
【００３３】
多層反射膜は、基板上に例えば、ＤＣマグネトロンスパッタ法により形成できる。Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の場合、Ａｒガス雰囲気下で、ＳｉターゲットとＭｏターゲットを交互に用いて、３０〜６０周期、好ましくは４０周期程度積層し、最後に保護膜としてＳｉ膜を成膜する。他の成膜方法としては、ＩＢＤ（多層反射膜成膜用ターゲットにイオンビームを照射しイオンビームスパッタリングして成膜するイオン・ビーム・デポジション（或いはイオンビームスパッタリングともいう））法等が使用できる。
【００３４】
以上のようにして、再生された基板を使用した反射型マスクブランクが得られる。反射型マスクは、この反射型マスクブランクの吸収体膜にフォトリソ法により所定の転写パターンを形成することで製造できる。
次に、実施例により本発明の実施の形態を更に具体的に説明する。
【００３５】
（実施例１）  
実施例１として、ＥＵＶ反射型マスクブランクの製造に用いる多層反射膜付き基板の再生方法を例に取り説明する。
基板の表面粗さが二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ：Ｒｏｏｔ  Ｍｅａｎ  Ｓｑｕａｒｅ）で０．１５ｎｍ以下に鏡面研磨されたＳｉＯ２−ＴｉＯ２ガラス基板上に、イオンビームスパッタリング法により、Ｓｉ膜を４．２ｎｍ成膜、Ｍｏ膜を２．８ｎｍ成膜し、これを１周期として、４０周期積層した後、最後にＳｉ膜を４ｎｍ成膜して、多層反射膜付き基板を作製した。
この得られた多層反射膜付き基板を、表面欠陥検査装置にて検査したところ、基板と多層反射膜との間に異物が介在したと思われる凸状の膜下欠陥を発見した。
【００３６】
そこで、このような表面欠陥を有する多層反射膜付き基板の多層反射膜を剥離して基板の再生を行った。図１に示すように、処理槽１に収容された剥離液２中に、複数枚の多層反射膜付き基板４を保持したホルダー３を所定時間浸漬し、多層反射膜を基板から剥離した。剥離液として、水酸化カリウム水溶液（濃度：１０％）と過酸化水素水（濃度：２５％）の混合水溶液を用いた。尚、このときの剥離液の温度は５５℃、処理時間は２００分とした。また、処理中は、上記ホルダー３を動かすことにより、基板を上下方向に揺動して行った。
【００３７】
こうしてＭｏ／Ｓｉ膜からなる多層反射膜を剥離した基板の表面を電子顕微鏡にて観察したところ、Ｍｏ／Ｓｉ膜の残滓は確認されなかった。また、多層反射膜を剥離した基板の表面は、若干表面粗さは粗くなったものの鏡面状態が保たれており、基板表面を再精密研磨することによって容易に表面粗さ（ＲＭＳ）を０．１５ｎｍＲｍｓ以下に回復することができ、平坦度も１００ｎｍ以下にすることができた。尚、ここでいう平坦度とは、ＴＩＲ(total indicated reading)で表わされる表面の反り（変形量）を表わす値で、次のように定義したものとした。基板表面を基に最小二乗法で定められる平面を焦平面とし、この焦平面を基準として焦平面より上にある基板表面の最も高い位置と、焦平面より下にある最も低い位置との間にある高低差の絶対値を平坦度とした。
本実施例による多層反射膜剥離の場合、従来のような弗素化合物を含む剥離液を使用しないので、多層反射膜の剥離後の基板ダメージが少なくすることができ、再研磨の工程負荷も少ないことにより、基板の再生コストを従来よりも低減することができる。また、多層反射膜を剥離するのに大掛かりな乾式エッチング（ドライエッチング）を必要とせず、再生コストが安いという利点もある。
【００３８】
（実施例２）
実施例１により再生された基板を使用して再度、イオンビームスパッタリング法によりＭｏ／Ｓｉ膜の多層反射膜を形成し、多層反射膜付き基板を作製した。
この得られた多層反射膜付き基板を、表面欠陥検査装置にて検査したところ、上述の凸状の膜下欠陥は確認されなかった。
この多層反射膜付き基板を使用して、ＥＵＶ反射型マスクブランク、及びＥＵＶ反射型マスクの製造方法を以下に説明する。
【００３９】
多層反射膜付き基板の多層反射膜上に保護膜として、ルテニウムニオブ（ＲｕＮｂ）膜（膜厚：２．５ｎｍ）を形成した。成膜は、ＲｕＮｂターゲットを用いて、スパッタガスとして、Ａｒを用いてＤＣマグネトロンスパッタ法によって行った。
次に、保護膜上に、吸収体膜として、タンタルとホウ素と窒素からなるＴａＢＮ膜（膜厚：７０ｎｍ）を形成した。成膜は、Ｔａ及びＢを含むターゲットを用いて、ＴａＢＮ膜はＡｒとＮ２の混合ガスの反応性スパッタリングにより行った。
最後に、多層反射膜が形成された基板と反対側の裏面に、タンタル（Ｔａ）膜（膜厚：７０ｎｍ）を形成した。成膜は、Ｔａターゲットを用いて、スパッタガスとして、Ａｒを用いてＤＣマグネトロンスパッタ方によって行った。
以上のようにして、本実施例のＥＵＶ反射型マスクブランクを得た。
【００４０】
次に、このＥＵＶ反射型マスクブランクを用いて、ＥＵＶ反射型マスクを以下の方法により作製した。
まず、上記ＥＵＶ反射型マスクブランク上に電子線描画用レジストを塗布し、１３５℃でベーク処理してレジスト膜を形成し、電子線により描画して、現像を行い、レジストパターンを形成した。
このレジストパターンをマスクとして、ＴａＢＮ膜からなる吸収体膜を、塩素を用いてドライエッチングし、吸収体膜パターンを形成した。
更に吸収体膜パターン上に残ったレジストパターンを１００℃の熱硫酸で除去し、ＥＵＶ反射型マスクを作製した。この反射型マスクを用いて、半導体基板上へのパターン転写を行ったところ、高精度のパターン転写を行うことができた。
【００４１】
（実施例３）
実施例３として、ＥＵＶ反射型マスクブランクの再生方法を例に取り説明する。
実施例２と同じ膜構成のＥＵＶ反射型マスクブランクを準備した。つまり、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２ガラス基板上に、多層反射膜（Ｓｉ膜：４．２ｎｍ、Ｍｏ：２．８ｎｍ、４０周期積層膜）と、ＲｕＮｂからなる保護膜（膜厚：２．５ｎｍ）と、ＴａＢＮ膜（膜厚：７０ｎｍ）からなる吸収体膜とを有し、裏面にＴａ膜（膜厚：７０ｎｍ）の導電膜が形成されたＥＵＶ反射型マスクブランクである。
【００４２】
実施例１と同様に、図１に示す処理槽１に収容された剥離液２中に、上述のＥＵＶ反射型マスクブランクを保持したホルダー３を所定時間浸漬し、多層膜付き基板であるＥＵＶ反射型マスクブランクから、導電膜、多層反射膜、保護膜、吸収体膜を剥離した。剥離液として、水酸化カリウム水溶液（濃度：１０％）と過酸化水素水（濃度：２５％）の混合水溶液を用いた。尚、このときの剥離液の温度は５５℃、処理時間は２７０分とした。また、処理中は、上記ホルダー３を動かすことにより、基板を上下方向に揺動して行った。
【００４３】
こうして導電膜、多層反射膜、保護膜、吸収体膜を剥離した基板の電子顕微鏡にて観察したところ、これらの膜の残滓は確認されなかった。また、実施例１と同様に、導電膜、多層反射膜等を剥離した基板の表面及び裏面は、若干表面粗さは粗くなったものの鏡面状態が保たれており、基板表面を再精密研磨することによって容易に表面粗さ（ＲＭＳ）を０．１５ｎｍＲｍｓ以下に回復することができ、平坦度も１００ｎｍ以下にすることができた。
【００４４】
以上のように、本発明の多層膜付き基板の再生方法（ＥＵＶ反射型マスクブランクの再生方法）によれば、一回のウェットエッチング処理により、ＥＵＶ反射型マスクブランクの導電膜、多層反射膜、保護膜、吸収体膜の全ての膜を剥離することができるので、基板の再生コストを従来よりも大幅に低減することができる。また、従来のような弗素化合物を含む剥離液を使用しないので、多層反射膜の剥離後の基板ダメージが少なくすることができ、再研磨の工程負荷も少ないことにより、基板の再生コストを従来よりも低減することができる。
【００４５】
（実施例４）
実施例４として、ＥＵＶ反射型マスクの再生方法を例にとり説明する。
実施例２と同じ構造のＥＵＶ反射型マスクを準備した。つまり、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２ガラス基板上に、多層反射膜（Ｓｉ膜：４．２ｎｍ、Ｍｏ：２．８ｎｍ、４０周期積層膜）と、ＲｕＮｂからなる保護膜（膜厚：２．５ｎｍ）と、ＴａＢＮ膜（膜厚：７０ｎｍ）からなる吸収体膜パターンを有し、裏面にＴａ膜（膜厚：７０ｎｍ）の導電膜が形成されたＥＵＶ反射型マスクである。
【００４６】
実施例１と同様に、図容された剥離液２中に、上述のＥＵＶ反射型マスクから、導電膜、多層反射膜、保護膜、吸収体膜パターンを剥離した。剥離液、及び剥離条件は実施例３と同じとした。
こうして導電膜、多層反射膜、保護膜、吸収体膜パターンを剥離した基板の電子顕微鏡にて観察したところ、これらの膜の残滓は確認されなかった。また、実施例１と同様に、導電膜、多層反射膜等を剥離した基板の表面及び裏面は、若干表面粗さは粗くなったものの鏡面状態が保たれており、基板表面を再精密研磨することによって容易に表面粗さ（ＲＭＳ）を０．１５ｎｍＲｍｓ以下に回復することができ、平坦度も１００ｎｍ以下にすることができた。
【００４７】
以上のように、本発明の多層膜付き基板の再生方法（ＥＵＶ反射型マスクの再生方法）によれば、一回のウェットエッチング処理により、ＥＵＶ反射型マスクの導電膜、多層反射膜、保護膜、吸収体膜パターンの全ての膜を剥離することができるので、基板の再生コストを従来よりも大幅に低減することができる。また、従来のような弗素化合物を含む剥離液を使用しないので、多層反射膜の剥離後の基板ダメージが少なくすることができ、再研磨の工程負荷も少ないことにより、基板の再生コストを従来よりも低減することができる。
【００４８】
（実施例５）
実施例２と同様に、上述の実施例３及び実施例４により再生された基板を使用して再度、イオンビームスパッタリング法によりＭｏ／Ｓｉ膜の多層反射膜を形成し、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、ＲｕＮｂ膜の保護膜、ＴａＢＮ膜からなる吸収体膜、及び裏面にＴａ膜の導電膜を形成してＥＵＶ反射型マスクブランクを得た。さらに、このＥＵＶ反射型マスクブランクを用いて、ＥＵＶ反射型マスクを作製した。この反射型マスクを用いて、半導体基板上へのパターン転写を行ったところ、高精度のパターン転写を行うことができた。
【００４９】
（実施例６）
実施例６として、実施例１における多層反射膜付き基板の再生方法、実施例３におけるＥＵＶ反射型マスクブランクの再生方法、及び実施例４におけるＥＵＶ反射型マスクの再生方法で使用した剥離液を、ＥＤＴＡ（エチレンジアミン四酢酸）（濃度：１％）のキレート剤を含有した水酸化カリウム水溶液（濃度：１０％）と過酸化水素水（濃度：２５％）の混合水溶液を用いた以外は実施例１、３、４と同様に基板再生を行った。
剥離液としてキレート剤を添加することにより、処理時間は約１５〜２０％短縮することができた。
【００５０】
また、導電膜、多層反射膜、保護膜、吸収体膜を剥離した基板の電子顕微鏡にて観察したところ、これらの膜の残滓は確認されなかった。また、実施例１と同様に、導電膜、多層反射膜等を剥離した基板の表面及び裏面は、若干表面粗さは粗くなったものの鏡面状態が保たれており、基板表面を再精密研磨することによって容易に表面粗さ（ＲＭＳ）を０．１５ｎｍＲｍｓ以下に回復することができ、平坦度も１００ｎｍ以下にすることができた。
【００５１】
以上のように、一回のウェットエッチング処理により、基板上に形成された導電膜、多層反射膜、保護膜、吸収体膜の全ての膜を剥離することができるので、基板の再生コストを従来よりも大幅に低減することができる。また、従来のような弗素化合物を含む剥離液を使用しないので、多層反射膜の剥離後の基板ダメージが少なくすることができ、再研磨の工程負荷も少ないことにより、基板の再生コストを従来よりも低減することができる。
次に、上述の実施例に対する比較例を説明する。
【００５２】
（比較例）
前記特許文献２に記載された塩素含有ガスを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）（特許文献２に記載されたエッチング条件）により、実施例１と同じ多層反射膜付き基板におけるＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を剥離した。その結果、３０分程度でＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を剥離することができた。しかし、剥離した基板の表面には、反応性イオンエッチングによる深さ方向に基板ダメージや変質層が確認された。基板表面を再精密研磨することでそれらを除去した。
また、このような反応性イオンエッチングによる多層反射膜剥離の場合、反応性イオンエッチング装置のチャンバー内に付着した多層反射膜成分の付着物の掃除が困難であること、装置が大掛かりであることから、再生コストが高くなるという欠点がある。
【００５３】
以上のように、本発明によれば、大掛かりな装置を特に必要とせず、簡便な装置を用いて、多層反射膜、Ｒｕを含有する保護膜、Ｔａを含有する吸収体膜、Ｔａを含有する導電膜を一回のウェットエッチング処理により基板から剥離することが出来、しかも剥離による基板ダメージが少ないので、再研磨の工程負荷が少なくて済み、基板の再生コストを低減することが可能である。なお、本発明の実施の形態について、実施例を用いて説明したが、実施例に挙げた剥離液にかかわらず、例えば、アルカリ水溶液として水酸化ナトリウム水溶液やアンモニア水を使用した場合でも、上述の実施例と同様の効果が得られる。また、剥離液に含有するキレート剤としては、アルモオンカルボン酸キレート剤に限らず、例えば、ＨＥＤＰ（ヒドロキシエチリデンジホスホン酸）等のホスホン酸系キレート剤を使用した場合でも、上述の実施例と同様の効果が得られる。
【符号の説明】
【００５４】
１  処理槽
２  剥離液
３  ホルダー
４  多層膜付き基板（多層反射膜付き基板）
【図１】
0006716316.tif 000002