(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面と、側面とを有し、
前記第１の主面の上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極と前記第１の主面との間に配されたゲート絶縁膜と、前記第２の主面の上と前記側面に設けられたポリシリコン膜と、を有する基板を準備する第１工程と、
前記第１工程の後に、前記第１の主面と前記第２の主面と前記側面に第１の絶縁膜を形成する第２工程と、
前記第２工程の後に、前記第１の絶縁膜の前記第２の主面の上に形成された部分と、前記第１の絶縁膜の前記基板の側面に形成された部分を除去することにより、前記第２の主面の上と前記基板の側面に設けられた前記ポリシリコン膜を露出する第３工程と、
前記第３工程の後に、前記第１の主面の上に、プラズマＣＶＤ法で第２の絶縁膜を形成する第４工程と、を備えたことを特徴とする撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記第３工程において、前記第１の絶縁膜の一部が前記第２の主面の上に残存するように、前記第１の絶縁膜を除去することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の絶縁膜は、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜を有する積層膜であり、前記第２の絶縁膜は、酸化シリコン膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１工程において、前記基板に光電変換部を形成する工程を有し、
前記第２工程の後に、前記第１の絶縁膜の前記第１の主面の上に形成された部分の一部を除去し、前記第１の絶縁膜の前記第１の主面の上であって前記光電変換部の上に設けられた部分を残す第５工程を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記第５工程において、前記ゲート電極の側壁に前記第１の絶縁膜を残すことを特徴とする請求項４に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１工程において、前記基板は、光電変換部と複数のトランジスタが形成される画素領域と、複数のトランジスタが形成され、且つ前記画素領域の外側である周辺回路領域と、を有し、
前記第２工程の後に、前記第１の絶縁膜の前記第１の主面の上に形成された一部分を除去することによって、前記第１の絶縁膜の前記画素領域の前記光電変換部の上に設けられた部分と、前記第１の絶縁膜の前記周辺回路領域における前記複数のトランジスタの前記ゲート電極の側壁に設けられた部分を残す第６工程を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記画素領域において、前記第１の絶縁膜は、前記複数のトランジスタのゲート電極と、ソース領域と、ドレイン領域の上を覆うように設けられていることを特徴とする請求項６
に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２の絶縁膜は、３００ｎｍ〜９００ｎｍの厚みを有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＭＯＳセンサー等の撮像装置の基板には、撮像装置を製造する工程で、鉄やニッケルなどの金属不純物が混入することがある。金属不純物、特に、重金属不純物がシリコン基板内で電気的に活性化されると、その固定電荷により撮像装置の特性の一つである白傷を生じさせることがある。
【０００３】
特許文献１には、基板裏面に直接にポリシリコン膜を形成することが開示されている。シリコン基板裏面に形成されたポリシリコン膜は、撮像装置の製造工程で混入する金属不純物を活性領域から離れた領域に補足（ゲッタリング）するための膜として機能する。
【０００４】
また、特許文献１には、基板表面に形成されたポリシリコン膜を除去する工程において、基板裏面に形成されたポリシリコン膜までもが除去されないように、基板裏面に形成されているポリシリコン膜の上に保護膜を形成することが記載されている。ここで、ポリシリコン膜を保護する保護膜は、例えば熱酸化法や減圧熱ＣＶＤ法（ＬＰＣＶＤ法）により形成された酸化シリコン膜などの絶縁膜からなる膜である。
【０００５】
一方、特許文献２には、画素領域では光電変換部に入射する光の反射防止膜として機能する絶縁膜を形成するとともに、同時に周辺回路領域に配されているトランジスタのゲート電極の側壁に絶縁膜を形成することが開示されている。この場合、基板表面側のみならず、基板裏面側にも絶縁膜が形成されることとなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−１２９３１２号公報
【特許文献２】特開２０１２−１８２４２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明者らは、基板裏面側にゲッタリング用のポリシリコン膜と絶縁膜が設けられた撮像装置について、基板表面側にプラズマＣＶＤ法により層間絶縁膜などを形成する場合、トランジスタのゲート絶縁膜で絶縁破壊が生じることを見出した。この結果、信頼性や製造歩留まりが低くなるおそれがある。そこで、本発明は、信頼性や歩留まりの向上に寄与する撮像装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る製造装置の製造方法は、複数のトランジスタが形成される第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面を有する基板を準備する工程と、前記第１の主面の上と、前記第２の主面の上と、前記基板の側面にポリシリコン膜を形成する工程と、前記第１の主面の上と、前記第２の主面の上と、前記基板の側面に形成されたポリシリコン膜の上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜の前記第２の主面の上に形成された部分と、前記第１の絶縁膜の前記基板の側面に形成された部分を除去することにより、前記第２の主面の上と前記基板の側面に形成された前記ポリシリコン膜を露出する工程と、前記ポリシリコン膜を露出する工程の後に、前記第１の主面の上に、プラズマＣＶＤ法で第２の絶縁膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、信頼性や歩留まりの向上に寄与する撮像装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る撮像装置の製造方法を示す工程断面図。
【図２】本発明の第１実施形態に係る撮像装置の製造方法を示す工程断面図。
【図３】本発明の第１実施形態に係る撮像装置の製造方法を示す工程断面図。
【図４】本発明の第１実施形態に係る撮像装置の製造方法を示す工程断面図。
【図５】本発明の第１実施形態に係る撮像装置の製造方法を示す工程断面図。
【図６】本発明の第１実施形態に係る撮像装置の製造方法を示す工程断面図。
【図７】本発明の第１実施形態に係る撮像装置の製造方法を示す工程断面図。
【図８】本発明の第２実施形態に係る撮像装置の製造方法を示す工程断面図。
【図９】本発明の第３実施形態に係る撮像装置の製造方法を示す工程断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明に係る撮像装置の製造方法の実施形態について、図を参照しながら詳細に説明する。
【００１２】
（第１の実施形態）
本実施形態に係る撮像装置の製造方法を図１から図７を用いて説明する。
【００１３】
図１において、符号１０００は、光電変換部や、転送トランジスタ、増幅トランジスタ、選択トランジスタを含む複数のトランジスタが配される画素領域を模式的に示したものである。また、符号２０００は、画素領域の外側に設けられ、画素領域から出力された信号を処理する複数のトランジスタ等が配された周辺回路領域を模式的に示したものである。
【００１４】
まず、図１（Ａ）に示す工程において、第１の主面１０１１（表面１０１１）と第２の主面１０１２（裏面１０１２）を有するシリコンからなる基板１０１を準備する。ここで、表面１０１１は複数のトランジスタが配される側の面であり、裏面１０１２は表面１０１１とは反対側の面である。次に、基板１０１上に酸化シリコン膜１０２を形成する。酸化シリコン膜１０２は、表面１０１１、裏面１０１２、基板１０１の側面を覆うように形成される。酸化シリコン膜１０２は、例えば、酸化炉中において、酸化雰囲気で８００℃〜１０００℃で加熱することによって形成される。酸化シリコン膜１０２は、例えば１０ｎｍ〜５０ｎｍの厚さとする。なお、本明細書において、「上」とは、ある膜が積層される方向を意味する場合がある。また、各面を「覆う」とは、ある膜が基板１０１に直接接する場合のみならず、基板１０１とある膜の間に絶縁膜を挟む場合も含むときがある。さらに、「側面」とは、表面１０１１や裏面１０１２とは異なる面を意味する場合がある。
【００１５】
次に、図１（Ｂ）に示す工程において、基板１０１の裏面側の酸化シリコン膜１０２を除去して、基板１０１の裏面１０１２および側面を露出させる。この酸化シリコン膜１０２の除去工程では、例えば、枚様式洗浄装置を使用し、室温において、１００：１程度の希釈ＨＦ水溶液によって処理する。裏面側に形成されている膜のみを除去するためには、例えば、溶液をノズルから基板１０１の裏面側にのみ吐出させるような構成とすればよい。また、表面側に形成されている膜を残存させるためには、例えば、Ｎ２ガスや純水を用いて、表面側が溶液に晒されないような構成とすればよい。
【００１６】
次に、図１（Ｃ）に示す工程において、基板１０１の表面１０１１、裏面１０１２、基板１０１の側面を覆うようにポリシリコン膜１０３を形成する。ポリシリコン膜１０３は、例えば、減圧熱ＣＶＤ装置を使用し、ＳｉＨ４ガス雰囲気中で、５３０℃〜６５０℃の範囲内の温度、１０Ｐａ〜１５０Ｐａの範囲内の圧力で形成される。ポリシリコン膜１０３は、例えば、２０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内の厚さとする。ポリシリコン膜１０３は、この後の工程で素子分離用の溝の内壁を酸化する際に生じうるバーズビークの抑制等に用いられる。
【００１７】
次に、図２（Ａ）に示す工程において、基板１０１の表面１０１１、裏面１０１２、基板１０１の側面を覆うように酸化シリコン膜１０４を形成する。酸化シリコン膜１０４は、例えば、酸化炉を使用し、酸化雰囲気中で、８００℃〜１０００℃の範囲内の温度において形成される。酸化シリコン膜１０４は、例えば、５０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内の厚さを有する。酸化シリコン膜１０４は、減圧熱ＣＶＤ装置を使用して形成されてもよい。酸化シリコン膜１０４は、ポリシリコン膜１０３を保護する保護膜として機能する。次に、図２（Ｂ）に示す工程において、基板１０１の表面１０１１の側の酸化シリコン膜１０４を除去する。これにより、表面１０１１の側のポリシリコン膜１０３が露出し、裏面１０１２側と側面には酸化シリコン膜１０４が残存する。表面１０１１の側の酸化シリコン膜１０４は、例えば、ウエットエッチング法によって除去される。例えば、枚様式洗浄装置を使用し、室温で、１００：１程度の希釈ＨＦ水溶液によって酸化シリコン膜１０４を除去する。
【００１８】
次に、図２（Ｃ）に示す工程において、基板１０１の表面１０１１、裏面１０１２、基板１０１の側面を覆うように窒化シリコン膜１０５を形成する。窒化シリコン膜１０５は、例えば、減圧熱ＣＶＤ装置を使用し、ＳｉＨ２Ｃｌ２及びＮＨ３の混合ガス雰囲気中で、６５０℃〜８５０℃の範囲内の温度、１０Ｐａ〜１５０Ｐａの範囲内の圧力で形成される。窒化シリコン膜１０５は、例えば、１００ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内の厚さを有する。
【００１９】
次に、図３（Ａ）に示す工程において、基板１０１の表面１０１１の側の窒化シリコン膜１０５の上にフォトレジストパターン等のマスクＭを形成する。そして、マスクＭの開口ＯＰを通して、表面１０１１の側の窒化シリコン膜１０５、ポリシリコン膜１０３、酸化シリコン膜１０２、基板１０１をエッチングする。これによって、基板１０１の表面１０１１に溝１０６が形成される。このエッチングは、例えば、ドライエッチング法を用いる。溝１０６の深さは、例えば、１００ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内である。また、溝１０６を形成した後に、酸化工程を行い、溝１０６の内壁に酸化シリコン膜を形成してもよい。
【００２０】
次に、図３（Ｂ）に示す工程において、溝１０６の内部を充填するように、基板１０１の表面側（窒化シリコン膜１０５の表面）に酸化シリコン膜１０２を形成する。酸化シリコン膜１０２は、例えば、Ａｒ、Ｏ２及びＳｉＨ４の混合ガスを処理ガスとして、３００℃〜８００℃の範囲内の温度でＨＤＰ（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｐｌａｓｍａ）ＣＶＤ装置を使用して形成される。酸化シリコン膜１０２は、例えば、３００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内の厚さを有する。続いて、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈ）法により、酸化シリコン膜１０２を除去及び研磨する。この工程では、溝１０６の内部の酸化シリコン膜１０２を残しつつ、窒化シリコン膜１０５の表面を露出させる。これにより、活性領域を画定する素子分離領域１０７’が形成される。このように素子分離を形成する工程は、ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ  Ｔｒｅｎｃｈ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）法と呼ばれる。
【００２１】
次に、図３（Ｃ）に示す工程において、素子分離領域１０７’の厚さを調整する。この処理は、例えば、ウエットエッチング法によって実施されうる。この処理は、例えば、バッチ式洗浄装置を使用し、室温で、１００：１程度の希釈ＨＦ水溶液を処理液として用いて実施される。
【００２２】
次に、図４（Ａ）に示す工程において、基板１０１の表面１０１１、側面及び裏面１０１２側の窒化シリコン膜１０５を除去することにより、表面１０１１側のポリシリコン膜１０３と、側面及び裏面１０１２側の酸化シリコン膜１０４を露出させる。窒化シリコン膜１０５は、例えば、バッチ式洗浄装置を使用し、１５０℃〜１７０℃の範囲内の温度に調整されたリン酸によって除去される。
【００２３】
次に、図４（Ｂ）に示す工程において、基板１０１の表面１０１１の側のポリシリコン膜１０３を除去する。この際、裏面側の酸化シリコン膜１０４は、裏面側のポリシリコン膜１０３を保護する保護膜として機能する。ポリシリコン膜１０３は、例えば、バッチ式洗浄装置を使用し、５０℃〜１００℃の範囲内の温度で、アンモニア、過酸化水素及び純水の混合液によって除去される。このような条件を用いることにより、ポリシリコン膜１０３と酸化シリコン膜１０４との間に高いエッチング選択比が得られる。
【００２４】
以上の工程によって、基板１０１の裏面側にポリシリコン膜１０３を残存させることが可能となる。ポリシリコン膜１０３はゲッタリング効果を有するため、金属不純物の汚染による撮像装置の白傷の発生を抑制することができる。
【００２５】
次に、基板１０１の表面１０１１上にフォトレジスト膜を適宜形成し、フォトレジスト膜をマスクとして不純物を基板１０１内に導入することにより、画素領域１０のウエルや周辺回路領域２０のウエルを適宜形成する（不図示）。
【００２６】
次に、図４（Ｃ）に示す工程において、基板１０１の表面１０１１の側の酸化シリコン膜１０２を除去して、基板１０１の表面１０１１を露出させる。酸化シリコン膜１０２は、例えば、枚様式洗浄装置を使用し、室温において、１００：１程度の希釈ＨＦ水溶液によって除去する。続いて、基板１０１の表面１０１１、裏面１０１２、側面を覆うように酸化シリコン膜１０８を形成する。この酸化シリコン膜１０８はトランジスタのゲート絶縁膜となる。酸化シリコン膜１０８は、例えば、酸化炉を使用し、酸化雰囲気中で、８００℃〜１０００℃の範囲内の温度とすることにより形成される。酸化シリコン膜１０８は、例えば、２ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内の厚さを有する。次に、基板１０１の表面１０１１、裏面１０１２、側面を覆うようにポリシリコン膜１０９を形成する。後の工程で、このポリシリコン膜１０９はトランジスタのゲート電極となる。ポリシリコン膜１０９は、例えば、減圧熱ＣＶＤ装置を使用し、ＳｉＨ４ガス雰囲気中で、５３０℃〜６５０℃の範囲内の温度、１０Ｐａ〜１５０Ｐａの範囲内の圧力で形成されうる。ポリシリコン膜１０９は、例えば、１００ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内の厚さを有する。
【００２７】
次に、図５（Ａ）に示す工程において、基板１０１の表面１０１１上にフォトレジスト膜を適宜形成し、ポリシリコン膜１０９をパターニングする。これにより、ポリシリコン膜よりなるゲート電極１１０が形成される。次に、基板１０１の表面１０１１上にフォトレジスト膜を適宜形成し、フォトレジスト膜をマスクとして不純物を基板１０１内に導入する。これにより、画素領域１０００において、光電変換部１１１、光電変換部１１１を埋め込み構造とするための表面領域１１２、フローティングディフュージョン（ＦＤ）１１３を適宜形成する。また、周辺回路領域２０００において、ＬＬＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造となる領域１１４を適宜形成する。
【００２８】
次に、図５（Ｂ）に示す工程において、基板１０１の表面１０１１、裏面１０１２、側面の上に酸化シリコン膜１１５を形成する。これにより、酸化シリコン膜１１５とゲート電極１１０が接することになる。酸化シリコン膜１１５は、例えば、減圧熱ＣＶＤ装置を使用し、Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４とＯ２の混合ガス雰囲気中で、６００℃〜８００℃の範囲内の温度、１０Ｐａ〜１５０Ｐａの範囲内の圧力で形成される。酸化シリコン膜１１５は、例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内の厚さを有する。次に、基板１０１の表面１０１１、裏面１０１２、側面に形成された酸化シリコン膜１１５の上に窒化シリコン膜１１６を形成する。窒化シリコン膜１１６は、例えば、減圧熱ＣＶＤ装置を使用し、ＳｉＨ２Ｃｌ２及びＮＨ３の混合ガス雰囲気中で、６５０℃〜８５０℃の範囲内の温度、１０Ｐａ〜１５０Ｐａの範囲内の圧力で形成される。窒化シリコン膜１１６は、例えば、１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内の厚さを有する。この工程により、酸化シリコン膜１１５と窒化シリコン膜１１６とを有する積層膜（第１の絶縁膜）が形成される。
【００２９】
次に、図５（Ｃ）に示す工程において、基板１０１の表面１０１１上にフォトレジスト膜を適宜形成し、フォトレジスト膜をマスクとして、酸化シリコン膜１１５と窒化シリコン膜１１６からなる積層膜を異方性エッチングする。これにより、周辺回路領域２０００においては、ゲート電極１１０の側壁部に酸化シリコン膜１１５と窒化シリコン膜１１６が形成される。また、画素領域１０００においては、酸化シリコン膜１１５と窒化シリコン膜１１６からなる積層膜が、トランジスタのゲート電極、ソース領域、ドレイン領域の上を覆うように形成される。転送トランジスタのソース領域となる光電変換部においては、この積層膜が反射防止膜として機能する。この工程において、基板１０１の裏面側の酸化シリコン膜１１５と窒化シリコン膜１１６は、エッチングされることなく残存する。
【００３０】
次に、図６（Ａ）に示す工程において、基板１０１の表面１０１１上にフォトレジスト膜を適宜形成し、フォトレジスト膜をマスクとして不純物を基板１０１内に導入する。これにより、周辺回路領域２０００においては、ソース・ドレイン領域１１８が適宜形成される。
【００３１】
次に、図６（Ｂ）に示す工程において、基板１０１の裏面側及び側面を覆うように形成されていた窒化シリコン膜１１６、酸化シリコン膜１１５を除去する。これにより、裏面側に形成されているポリシリコン膜１０９の一部分と、側面に形成されているポリシリコン膜１０９の一部分を露出させる。裏面側及び側面の窒化シリコン膜１１６と酸化シリコン膜１１５は、例えば、ウエットエッチング法によって除去される。窒化シリコン膜１１６と酸化シリコン膜１１５は、例えば、枚様式洗浄装置を使用し、室温で、ＨＦ原液によって除去される。図６（Ｂ）に示す工程により、裏面側及び側面にポリシリコン膜１０９が露出した基板が得られる。
【００３２】
本発明者らが鋭意検討した結果、このようにポリシリコン膜１０９を露出させることにより、後の工程でプラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜を形成したとしても、ゲート絶縁膜が絶縁破壊される割合が低下することが分かった。この効果に係るメカニズムは以下のように推測している。すなわち、プラズマＣＶＤ法により層間絶縁膜を形成する際には、ゲート電極１１０に電荷が大量に蓄積される。このような場合であっても、基板の裏面側および基板の側面に形成されているポリシリコン膜１０９が露出していれば、基板裏面側に形成されているポリシリコン膜１０９に電荷を逃がすことが可能となる。基板はプラズマＣＶＤ装置のステージによって支持されているため、成膜時に蓄積される電荷はステージ側に逃がすことができる。
【００３３】
プラズマＣＶＤ装置のステージとしては、メカクランプや真空チャックなどの方式を適宜採用することができるが、電荷を逃がす効果を高めるためには、静電チャック（ＥＳＣ：Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｓｔａｔｉｃ  Ｃｈｕｃｋ）方式を用いてもよい。
【００３４】
また、基板の周辺部に形成されているポリシリコン膜１０９は、プラズマＣＶＤ工程中に電荷を基板側に逃がす程度に形成されていればよく、基板の側面を全て覆っている必要はない。例えば、基板上面からの平面視において、ポリシリコン膜１０９と基板１０１とが重複しない領域を有する程度にポリシリコン膜１０９が基板の側面に形成されていればよい。
【００３５】
さらに、基板１０１の裏面１０１２に形成したポリシリコン膜１０３は、図６（Ｂ）に示す工程により、エッチングされることなく残存する。このため、撮像装置の製造工程で混入する金属不純物を除去するゲッタリングのための膜としても機能する。このため、撮像装置の白傷の発生を抑制することが可能となる。
【００３６】
次に、図６（Ｃ）に示す工程において、基板１０１の表面１０１１上全面に、例えばスパッタリング法により、高融点金属膜（不図示）を形成する。高融点金属膜の材料としては、例えば、コバルト膜を用いる。高融点金属膜は、例えば、５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内の厚さを有するように形成されうる。次に、熱処理を行うことにより、高融点金属膜中のＣｏ原子と基板１０１中のＳｉ原子とを反応させ、コバルトシリサイドよりなる金属シリサイド膜１１９を形成する。また、高融点金属膜中のＣｏ原子とゲート電極１１０中のＳｉ原子とを反応させ、コバルトシリサイドよりなる金属シリサイド膜１２０を形成する。次に、未反応の高融点金属膜をエッチング除去する。高融点金属膜は、例えば、バッチ式洗浄装置を使用し、１００℃〜１５０℃の範囲内の温度で、硫酸／過酸化水素の混合液を処理液としてエッチング除去されうる。一方で、画素領域１０００には、酸化シリコン膜１１５及び窒化シリコン膜１１６からなる積層膜が形成されているため、金属シリサイド膜は形成されない。
【００３７】
次に、図７（Ａ）に示す工程において、酸化シリコン膜よりなる層間絶縁膜１２１（第２の絶縁膜）を形成する。層間絶縁膜１２１は、例えば、Ａｒ、Ｏ２、ＳｉＨ４の混合ガスを処理ガスとして、３００℃〜８００℃の範囲内の温度でＨＤＰＣＶＤ装置を使用して形成される。層間絶縁膜１２１は、例えば、３００ｎｍ〜９００ｎｍの範囲内の厚さを有する。この工程はゲート絶縁膜１０８を形成した後にプラズマを使用する成膜工程となる。しかし、上述したように、図６（Ｂ）に示す工程において、基板１０１の裏面側及び側面にポリシリコン膜１０９が露出しているため、ゲート絶縁膜１０８の絶縁破壊を抑制することが可能となる。
【００３８】
次に、図７（Ｂ）に示す工程において、層間絶縁膜１２１上にフォトレジスト膜を適宜形成し、フォトレジスト膜をマスクとして、層間絶縁膜１２１を異方性エッチングし、コンタクトホール１２２を形成する。またこのとき、画素領域１０００におけるコンタクトホール１２２の底部に接触する部分は金属配線による電気的な接続が可能な不純物濃度を確保することが望ましいため、コンタクトホール１２２開口部からの不純物イオン注入を行ってもよい。続いて、コンタクトホール１２２の中に導電体を充填して電極を形成する。その後、金属配線形成、カラーフィルタ、マイクロレンズなどを形成する。また、金属配線形成工程の最終工程にＭＯＳトランジスタへの水素供給を促進させるための水素アニール工程を追加してもよい。
【００３９】
（第２の実施形態）
本実施形態は、基本的には第１の実施形態と同じであるが、図６（Ｂ）に示した工程の代わりに、図８に示す工程が実施される点が異なる。
【００４０】
図６（Ａ）の工程の後に行われる図８に示す工程では、基板１０１の周縁部１２３に形成されているポリシリコン膜１０９を露出する工程において、窒化シリコン膜１１６と酸化シリコン膜１１５からなる積層膜の一部を基板１０１の裏面側に残存させる。すなわち、基板の側面に形成されている積層膜と、基板の裏面側に形成されている積層膜の一部のみを除去する。積層膜は、例えば、枚様式洗浄装置を使用し、基板１０１の周縁部１２３のみを処理できるノズルを使用し、室温で、濃厚ＨＦ原液によって除去する。
【００４１】
図８に示す工程により、第１の実施形態と同様に、基板１０１の周縁部１２３でポリシリコン膜１０９が露出した基板が得られる。このため、後工程でプラズマＣＶＤ法により層間絶縁膜を形成する際に、装置処理ステージ側に電荷を逃がすことが可能となり、信頼性や歩留まりの向上に寄与する撮像装置の製造方法を提供することができる。
【００４２】
（第３の実施形態）
本実施形態は、第１の実施形態である図４（Ｂ）に示した工程の代わりに、図９（Ａ）に示す工程が実施される点が特徴である。すなわち、図４（Ｂ）に示すように、第１の実施形態では、酸化シリコン膜１０４が基板１０１の裏面側および側面に残存している。しかし、本実施形態では、図９（Ａ）に示すように、酸化シリコン膜１０４が基板１０１の裏面側および側面から除去される。この工程により、基板１０１の裏面側及び側面のポリシリコン膜１０３が露出される。この後の工程で、ポリシリコン膜１０９を形成する際に、第１の実施形態のように酸化シリコン膜１０４が存在しないため、ポリシリコン膜１０３の直上にはポリシリコン膜１０９が形成され、積層体が構成されることになる。２層のポリシリコン膜の間に酸化シリコンが設けられないため、プラズマＣＶＤ法により層間絶縁膜を形成する際に、より容易に電荷をステージ側に逃がすことができる。また、積層体となることにより、撮像装置の製造工程で混入する金属不純物を除去するゲッタリング効果も向上する。
【００４３】
裏面側及び基板１０１の側面の酸化シリコン膜１０４は、例えば、枚様式洗浄装置を使用し、室温において、１００：１程度の希釈ＨＦ水溶液によって除去することができる。
【００４４】
次に、図９（Ｂ）に示す工程において、基板１０１の表面１０１１、裏面１０１２、基板１０１の側面を覆うようにゲート絶縁膜１０８を形成する。ゲート絶縁膜１０８は、例えば、酸化炉を使用し、酸化雰囲気中で、８００℃〜１０００℃の範囲内の温度において形成される。ゲート絶縁膜１０８は、例えば、２ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内の厚さを有する。続いて、基板１０１の裏面側及び側面を覆うように形成されていたゲート絶縁膜１０８のうち、裏面側及び側面のゲート絶縁膜１０８を除去する。そして、基板１０１の裏面側および側面のポリシリコン膜１０３を露出させる。ゲート絶縁膜１０８は、例えば、枚様式洗浄装置を使用し、室温において、１００：１程度の希釈ＨＦ水溶液によって除去することができる。
【００４５】
次に、図９（Ｃ）に示す工程において、基板１０１の表面、裏面、側面を覆うようにポリシリコン膜１０９を形成する。ポリシリコン膜１０９は、例えば、減圧熱ＣＶＤ装置を使用し、ＳｉＨ４ガス雰囲気中で、５３０℃〜６５０℃の範囲内の温度、１０Ｐａ〜１５０Ｐａの範囲内の圧力で形成される。ポリシリコン膜１０９は、例えば、１００ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内の厚さを有する。
【００４６】
次に、第１の実施形態で説明した図５（Ａ）以降の工程を行う。
【００４７】
本実施形態によれば、第１の実施形態と同様に、基板１０１の周縁部１２３でポリシリコン膜１０９が露出した基板が得られる。このため、後工程でプラズマＣＶＤ法により層間絶縁膜を形成する際に、装置処理ステージ側に電荷を逃がすことが可能となり、信頼性や歩留まりの向上に寄与する撮像装置の製造方法を提供することができる。また、ポリシリコンからなる積層体が形成されることから、信頼性や歩留まりをより向上するとともに、ゲッタリング効果を高めることができる。
【００４８】
なお、本発明は上記で説明した実施形態に限定されるものではなく、各実施形態は適宜変更、組み合わせが可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１０３  ポリシリコン膜
１０４  酸化シリコン膜
１０８  酸化シリコン膜
１０９  ポリシリコン膜
１１５  酸化シリコン膜
１１６  窒化シリコン膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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