(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
赤外線センサ素子を含み、赤外線を検出して検出信号を外部検出回路に出力する赤外線検出回路において、
前記赤外線センサ素子のグランドと、前記外部検出回路のグランドとの間に接続されたインピーダンス素子であって、抵抗性と誘導性の少なくとも一方を有するインピーダンス素子を備えることを特徴とする赤外線検出回路。
【請求項２】
前記インピーダンス素子は外部からのイミュニティ信号を阻止することを特徴とする請求項１記載の赤外線検出回路。
【請求項３】
前記赤外線センサ素子のグランドは前記赤外線検出回路の内部基板のグランドを介して前記インピーダンス素子に接続されることを特徴とする請求項１又は２記載の赤外線検出回路。
【請求項４】
前記赤外線検出回路は、前記赤外線センサ素子からの検出信号に対してインピーダンス変換して検出信号を出力するインピーダンス変換回路をさらに備えることを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか１つに記載の赤外線検出回路。
【請求項５】
前記インピーダンス変換回路は、電界効果トランジスタ、オペアンプを用いたボルテージフォロア回路、もしくは、集積回路のインピーダンス変換回路であることを特徴とする請求項４記載の赤外線検出回路。
【請求項６】
前記赤外線検出回路は、
（１）前記赤外線センサ素子と並列に接続される抵抗素子と、
（２）前記インピーダンス変換回路の電源端子と前記赤外線検出回路の電源端子との間に接続されるインピーダンス素子と、
（３）前記インピーダンス変換回路の信号出力端子と前記外部検出回路の信号処理回路との間に接続されるインピーダンス素子と
のうちの少なくとも１つをさらに備えたことを特徴とする請求項４又は５記載の赤外線検出回路。
【請求項７】
前記赤外線検出回路は、
（１）前記赤外線検出回路の電源端子と、前記赤外線センサ素子のグランド又は前記外部検出回路のグランドとの間に接続されるバイパスコンデンサと、
（２）前記赤外線検出回路の信号出力端子と、前記赤外線センサ素子のグランド又は前記外部検出回路のグランドとの間に接続されるバイパスコンデンサと
のうちの少なくとも１つをさらに備えたことを特徴とする請求項６記載の赤外線検出回路。
【請求項８】
赤外線センサ素子を含み、赤外線を検出して検出信号を外部検出回路に出力する赤外線センサにおいて、
前記赤外線センサ素子のグランドと、前記外部検出回路のグランドとの間に接続されたインピーダンス素子であって、抵抗性と誘導性の少なくとも一方を有するインピーダンス素子を備えることを特徴とする赤外線センサ。
【請求項９】
前記インピーダンス素子は外部からのイミュニティ信号を阻止することを特徴とする請求項８記載の赤外線センサ。
【請求項１０】
前記インピーダンス素子は前記赤外線センサのパッケージの内部に設けられたことを特徴とする請求項８又は９記載の赤外線センサ。
【請求項１１】
前記インピーダンス素子は前記赤外線センサのパッケージの外部に設けられたことを特徴とする請求項８又は９記載の赤外線センサ。
【請求項１２】
前記赤外線センサ素子のグランドは前記赤外線センサの内部基板のグランドを介して前記インピーダンス素子に接続されることを特徴とする請求項８〜１１のうちのいずれか１つに記載の赤外線センサ。
【請求項１３】
前記赤外線センサは、前記赤外線センサ素子からの検出信号に対してインピーダンス変換して検出信号を出力するインピーダンス変換回路をさらに備えることを特徴とする請求項８〜１２のうちのいずれか１つに記載の赤外線センサ。
【請求項１４】
前記インピーダンス変換回路は、電界効果トランジスタ、オペアンプを用いたボルテージフォロア回路、もしくは、集積回路のインピーダンス変換回路であることを特徴とする請求項１３記載の赤外線センサ。
【請求項１５】
前記赤外線センサは、
（１）前記赤外線センサ素子と並列に接続される抵抗素子と、
（２）前記インピーダンス変換回路の電源端子と前記赤外線センサの電源端子との間に接続されるインピーダンス素子と、
（３）前記インピーダンス変換回路の信号出力端子と前記外部検出回路の信号処理回路との間に接続されるインピーダンス素子と
のうちの少なくとも１つをさらに備えたことを特徴とする請求項１３又は１４記載の赤外線センサ。
【請求項１６】
前記赤外線センサは、
（１）前記赤外線センサの電源端子と、前記赤外線センサ素子のグランド又は前記外部検出回路のグランドとの間に接続されるバイパスコンデンサと、
（２）前記赤外線センサの信号出力端子と、前記赤外線センサ素子のグランド又は前記外部検出回路のグランドとの間に接続されるバイパスコンデンサと
のうちの少なくとも１つをさらに備えたことを特徴とする請求項１５記載の赤外線センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば焦電素子を用いた赤外線検出回路及び赤外線センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
図７Ａは特許文献１において開示された従来例に係る赤外線センサ１０９の構成を示す斜視図である。また、図７Ｂは図７Ａの赤外線センサ１０９の側面図である。図７Ａ及び図７Ｂの赤外線センサ１０９は、赤外線センサ１０９のシールドに導電性テープ１３２を用いたことを特徴としており、図７Ｂには赤外線センサ１０９を装着したプリント基板１１０を示している。【０００３】
図７Ａにおいて、プリント基板１１０の赤外線センサ１０９の取付部分には、プリント基板１１０のグランドに接地された矩形の枠形状を持ったランド１２９を形成している。このランド１２９に対し赤外線センサ１０９の金属製ケースであるキャン１３０の下端部が接触配置される。ここで、キャン１３０とランド１２９の間には僅かではあるが隙間が生じている部分があり、当該従来例では、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、赤外線センサ１０９のキャン１３０とプリント基板１１０のランド１２９との接触部分の周りを導電性テープ１３２の接着で完全に囲むようにしたシールド構造を設けている。【０００４】
当該赤外線センサ１０９のキャン１３０とプリント基板１１０の接地されたランド１２９との接触部分の周りを導電性テープ１３２で完全に囲んで覆うことで、キャン１３０とランド１２９の間に隙間が存在しても、その周囲を囲んで接着した導電性テープ１３２により隙間が電気的に塞がれて、電気的な密閉性を確保することができる。このように導電性テープ１３２によりキャン１３０とランド１２９の隙間を電気的に密閉したシールド構造を持たせたことで、外部から放射性ノイズが入ってきても、キャン１３０とランド１２９の隙間を通って赤外線センサ１０９のピン（リード線）に放射性ノイズが乗ってしまうことを確実に防止できることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１２２４７３号公報（図５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述の従来例では、赤外線センサ１０９の金属製ケースであるキャン１３０をグランドＧＮＤに接続しかつ導電性テープ１３２を用いてシールド構造とすることで、外部のイミュニティ信号からの影響を軽減させている。しかしながら、赤外線センサ１０９のグランドピンとシールドケースであるキャン１３０とを共通化しているので、外部のグランドから入力されるイミュニティ信号には耐性がなく、赤外線センサ１０９において誤動作が発生してしまうという問題があった。【０００７】
本発明の目的は以上の問題点を解決し、外部のグランドから入力されるイミュニティ信号に対して耐性があり、赤外線センサにおいて誤動作が発生しない赤外線検出回路及び赤外線センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様に係る赤外線検出回路は、赤外線センサ素子を含み、赤外線を検出して検出信号を外部検出回路に出力する赤外線検出回路において、
前記赤外線センサ素子のグランドと、前記外部検出回路のグランドとの間に接続されたインピーダンス素子であって、抵抗性と誘導性の少なくとも一方を有するインピーダンス素子を備えることを特徴とする。【０００９】
前記赤外線検出回路において、前記インピーダンス素子は外部からのイミュニティ信号を阻止することを特徴とする。【００１０】
また、前記赤外線検出回路において、前記赤外線センサ素子のグランドは前記赤外線検出回路の内部基板のグランドを介して前記インピーダンス素子に接続されることを特徴とする。【００１１】
さらに、前記赤外線検出回路において、前記赤外線検出回路は、前記赤外線センサ素子からの検出信号に対してインピーダンス変換して検出信号を出力するインピーダンス変換回路をさらに備えることを特徴とする。【００１２】
またさらに、前記赤外線検出回路において、前記インピーダンス変換回路は、電界効果トランジスタ、オペアンプを用いたボルテージフォロア回路、もしくは、集積回路のインピーダンス変換回路であることを特徴とする。【００１３】
ここで、前記赤外線検出回路において、前記赤外線検出回路は、
（１）前記赤外線センサ素子と並列に接続される抵抗素子と、
（２）前記インピーダンス変換回路の電源端子と前記赤外線検出回路の電源端子との間に接続されるインピーダンス素子と、
（３）前記インピーダンス変換回路の信号出力端子と前記外部検出回路の信号処理回路との間に接続されるインピーダンス素子と
のうちの少なくとも１つをさらに備えたことを特徴とする。【００１４】
ここで、前記赤外線検出回路において、前記赤外線検出回路は、
（１）前記赤外線検出回路の電源端子と、前記赤外線センサ素子のグランド又は前記外部検出回路のグランドとの間に接続されるバイパスコンデンサと、
（２）前記赤外線検出回路の信号出力端子と、前記赤外線センサ素子のグランド又は前記外部検出回路のグランドとの間に接続されるバイパスコンデンサと
のうちの少なくとも１つをさらに備えたことを特徴とする。【００１５】
本発明の第２の態様に係る赤外線センサは、赤外線センサ素子を含み、赤外線を検出して検出信号を外部検出回路に出力する赤外線センサにおいて、
前記赤外線センサ素子のグランドと、前記外部検出回路のグランドとの間に接続されたインピーダンス素子であって、抵抗性と誘導性の少なくとも一方を有するインピーダンス素子を備えることを特徴とする。【００１６】
前記赤外線センサにおいて、前記インピーダンス素子は外部からのイミュニティ信号を阻止することを特徴とする。【００１７】
また、前記赤外線センサにおいて、前記インピーダンス素子は前記赤外線センサのパッケージの内部に設けられたことを特徴とする。【００１８】
さらに、前記赤外線センサにおいて、前記インピーダンス素子は前記赤外線センサのパッケージの外部に設けられたことを特徴とする。【００１９】
またさらに、前記赤外線センサにおいて、前記赤外線センサ素子のグランドは前記赤外線センサの内部基板のグランドを介して前記インピーダンス素子に接続されることを特徴とする。【００２０】
またさらに、前記赤外線センサにおいて、前記赤外線センサは、前記赤外線センサ素子からの検出信号に対してインピーダンス変換して検出信号を出力するインピーダンス変換回路をさらに備えることを特徴とする。【００２１】
また、前記赤外線センサにおいて、前記インピーダンス変換回路は、電界効果トランジスタ、オペアンプを用いたボルテージフォロア回路、もしくは、集積回路のインピーダンス変換回路であることを特徴とする。【００２２】
ここで、前記赤外線センサにおいて、前記赤外線センサは、
（１）前記赤外線センサ素子と並列に接続される抵抗素子と、
（２）前記インピーダンス変換回路の電源端子と前記赤外線センサの電源端子との間に接続されるインピーダンス素子と、
（３）前記インピーダンス変換回路の信号出力端子と前記外部検出回路の信号処理回路との間に接続されるインピーダンス素子と
のうちの少なくとも１つをさらに備えたことを特徴とする。【００２３】
ここで、前記赤外線センサにおいて、前記赤外線センサは、
（１）前記赤外線センサの電源端子と、前記赤外線センサ素子のグランド又は前記外部検出回路のグランドとの間に接続されるバイパスコンデンサと、
（２）前記赤外線センサの信号出力端子と、前記赤外線センサ素子のグランド又は前記外部検出回路のグランドとの間に接続されるバイパスコンデンサと
のうちの少なくとも１つをさらに備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明に係る赤外線検出回路及び赤外線センサによれば、外部のグランドから入力されるイミュニティ信号が赤外線検出回路又は赤外線センサのグランドに流れないため、赤外線センサでの誤動作を防ぐことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】実施形態１に係る赤外線検出回路１０の構成例を示す回路図である。
【図２Ａ】実施形態２に係る赤外線検出回路１０Ａの構成例を示す回路図である。
【図２Ｂ】実施形態２の変形例１に係る赤外線検出回路１０Ｂの構成例を示す回路図である。
【図２Ｃ】実施形態２の変形例２に係る赤外線検出回路１０Ｃの構成例を示す回路図である。
【図３Ａ】実施形態３に係る赤外線センサ２０の構成例を示す回路図である。
【図３Ｂ】実施形態３の変形例１に係る赤外線センサ２０Ａの構成例を示す回路図である。
【図３Ｃ】実施形態３の変形例２に係る赤外線センサ２０Ｂの構成例を示す回路図である。
【図３Ｄ】実施形態３の変形例３に係る赤外線センサ２０Ｃの構成例を示す回路図である。
【図４Ａ】実施形態４に係る赤外線センサ２０Ｄの構成例を示す回路図である。
【図４Ｂ】実施形態４の変形例１に係る赤外線センサ２０Ｅ及び外部回路の構成例を示す回路図である。
【図４Ｃ】実施形態４の変形例２に係る赤外線センサ２０Ｅ及び外部回路の構成例を示す回路図である。
【図４Ｄ】実施形態４の変形例３に係る赤外線センサ２０Ｅ及び外部回路の構成例を示す回路図である。
【図５】変形例１に係るインピーダンス変換回路７の構成例を示す回路図である。
【図６】変形例２に係るインピーダンス変換回路７を備えた集積回路８の構成例を示す回路図である。
【図７Ａ】従来例に係る赤外線センサ１０９の構成を示す斜視図である。
【図７Ｂ】図７Ａの赤外線センサ１０９の側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明に係る実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各実施形態において、同様の構成要素については同一の符号を付している。
【００２７】
実施形態１．
図１は実施形態１に係る赤外線検出回路１０の構成例を示す回路図である。図１において、赤外線検出回路１０は、赤外線センサ素子である焦電素子１と、抵抗性と誘導性のうちの少なくとも一方のインピーダンスＺ１を有する受動素子であるインピーダンス素子２と、インピーダンス変換回路を構成する電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴという。）Ｑ１とを備えて構成される。実施形態１に係る赤外線検出回路１０は特に、インピーダンス素子２を備えることを特徴とする。
【００２８】
図１において、赤外線センサ素子である焦電素子１は信号出力端子１ａと、グランド端子１ｂとを有する。信号出力端子１ａはＦＥＴＱ１のゲートに接続され、ＦＥＴＱ１のドレイン（電源端子）には赤外線検出回路１０の電源端子から電源電圧ＶＤＤが印加される。また、ＦＥＴＱ１のソースは検出信号の信号出力端子であり、外部基板の外部検出回路（図示せず）に接続される。一方、グランド端子１ｂは赤外線検出回路１０の内部基板の接続点Ｐ１及びインピーダンス素子２を介して前記外部基板のグランドＧＮＤに接続される。焦電素子１及びＦＥＴＱ１は例えば、赤外線検出回路１０の内部基板に形成される。ＦＥＴＱ１は、所定の第１のインピーダンスから、前記第１のインピーダンスよりも低い所定の第２のインピーダンスにインピーダンス変換を行う。焦電素子１から出力される赤外線検出信号は、インピーダンス変換を行うＦＥＴＱ１を介して、赤外線検出電圧信号Ｖｓとして前記外部検出回路に出力される。
【００２９】
ここで、インピーダンス素子２は以下のいずれかのインピーダンスＺ１を有し、外部から放射又は侵入する所定のイミュニティ信号を阻止するフィルタ素子として動作する。
【００３０】
Ｚ１＝Ｒ１                （１）
Ｚ１＝ｊωＬ１            （２）
Ｚ１＝Ｒ１＋ｊωＬ１      （３）
【００３１】
ここで、ωは角周波数である。従って、式（１）〜式（３）から明らかなように、インピーダンス素子２は、抵抗素子のみ、インダクタンス素子のみ、抵抗素子とインダクタンス素子との直列回路のいずれかで構成される。
【００３２】
ここで、
（Ａ）インピーダンス素子２が抵抗素子のみで構成されるときは、前記外部からのイミュニティ信号が外部基板のグランドＧＮＤから焦電素子１のグランド端子１ｂに対して入力することを抵抗素子の抵抗性損失で阻止できるように、抵抗値Ｒ１が設定される。
（Ｂ）インピーダンス素子２がインダクタンス素子のみで構成されるときは、前記外部からのイミュニティ信号が外部基板のグランドＧＮＤから焦電素子１のグランド端子１ｂに対して入力することをインダクタンス素子の誘導性損失で阻止できるように、インダクタンス値Ｌ１が設定される。
（Ｃ）インピーダンス素子２が抵抗素子とインダクタンス素子の直列回路で構成されるときは、前記外部からのイミュニティ信号が外部基板のグランドＧＮＤから焦電素子１のグランド端子１ｂに対して入力することを抵抗素子の抵抗性損失及びインダクタンス素子の誘導性損失で阻止できるように、抵抗値Ｒ１及びインダクタンス値Ｌ１が設定される。
【００３３】
ここで、前記外部からのイミュニティ信号は、例えば、数十ＭＨｚから数ＧＨｚ程度の周波数を有するイミュニティ信号であって、特に例えば無線ＬＡＮで用いるＷｉ−Ｆｉ信号、携帯電話方式で用いる無線信号などである。また、インピーダンス素子２は寄生素子ではなく、受動素子として前記イミュニティ信号が焦電素子１に入力されることを阻止するために設けるものである。
【００３４】
以上のように構成された赤外線検出回路１０においては、焦電素子１のグランド端子１ｂに接続された内部基板の接続点Ｐ１と、外部検出回路のグランド端子との間に、インピーダンス素子２を挿入することで、外部から赤外線検出回路１０に対して放射された放射イミュニティ信号が焦電素子１のグランド端子１ｂ又はそれに接続された接続点Ｐ１に伝播しないため、赤外線検出回路１０内の焦電素子１での誤動作を防ぐことが可能となる。
【００３５】
以上の実施形態において、インピーダンス素子２は内部基板の接続点Ｐ１と外部基板のグランドとの間に接続されているが、本発明はこれに限らず、焦電素子１のグランド端子１ｂを直接にインピーダンス素子２を介して外部基板のグランドに接続してもよい。すなわち、インピーダンス素子２の一端は直接的に又は間接的に焦電素子１のグランド端子１ｂに接続される。これについては以下の実施形態及び変形例においても同様である。
【００３６】
実施形態２．
図２Ａは実施形態２に係る赤外線検出回路１０Ａの構成例を示す回路図である。実施形態２に係る赤外線検出回路１０Ａは、図２Ａに示すように、図１の実施形態１に係る赤外線検出回路１０に比較して、以下の素子をさらに挿入したことを特徴としている。
（１）焦電素子１に両端に並列に、抵抗値Ｒを有する抵抗素子３を接続した。
（２）ＦＥＴＱ１のドレインと電源電圧ＶＤＤの電源端子（赤外線検出回路１０Ａの電源端子）との間に、抵抗性と誘導性のうちの少なくとも一方のインピーダンスＺ２を有する受動素子であるインピーダンス素子４を接続した。
（３）ＦＥＴＱ１のソースと、赤外線検出電圧信号Ｖｓを出力する信号出力端子との間に、抵抗性と誘導性のうちの少なくとも一方のインピーダンスＺ３を有する受動素子であるインピーダンス素子５を接続した。
【００３７】
以上のように構成された赤外線検出回路１０Ａにおいても、図１の赤外線検出回路１０と同様に、インピーダンス素子２を備えているので、外部から赤外線検出回路１０に対して放射された放射イミュニティ信号が焦電素子１のグランド端子１ｂ又はそれに接続された接続点Ｐ１に流れないため、赤外線検出回路１０内の焦電素子１での誤動作を防ぐことが可能となる。
【００３８】
なお、実施形態２において、抵抗素子２及びインピーダンス素子４，５を備えているが、本発明はこれに限らず、これら３個の素子２，４，５のうちの少なくとも１つの素子を備えてもよい。これについては、後述する実施形態及び変形例においても同様である。
【００３９】
実施形態２の変形例１．
図２Ｂは実施形態２の変形例１に係る赤外線検出回路１０Ｂの構成例を示す回路図である。実施形態２の変形例１に係る赤外線検出回路１０Ｂは、図２Ｂに示すように、図２Ａの実施形態２に係る赤外線検出回路１０Ａに比較して、以下の素子をさらに挿入したことを特徴としている。
（１）電源電圧ＶＤＤの電源端子とグランドＧＮＤとの間に、前記放射イミュニティ信号をグランドＧＮＤにバイパスするための容量Ｃ１のバイパスコンデンサ３１を接続した。
（２）赤外線検出電圧信号Ｖｓを出力する信号出力端子とグランドＧＮＤとの間に、前記放射イミュニティ信号をグランドＧＮＤにバイパスするための容量Ｃ２のバイパスコンデンサ３２を接続した。
【００４０】
以上のように構成された赤外線検出回路１０Ｂによれば、赤外線検出回路１０Ａの作用効果に加えて、バイパスコンデンサ３１，３２により前記放射イミュニティ信号をグランドＧＮＤにバイパスさせることができ、赤外線検出回路１０内の焦電素子１での誤動作を防ぐことが可能となる。
【００４１】
なお、バイパスコンデンサ３１，３２のうちの少なくとも１つを備えるように構成してもよい。これについては、後述する実施形態及び変形例においても同様である。
【００４２】
実施形態２の変形例２．
図２Ｃは実施形態２の変形例２に係る赤外線検出回路１０Ｃの構成例を示す回路図である。実施形態２の変形例２に係る赤外線検出回路１０Ｂは、図２Ｃに示すように、図２Ａの実施形態２に係る赤外線検出回路１０Ａに比較して、以下の素子をさらに挿入したことを特徴としている。
（１）電源電圧ＶＤＤの電源端子と接続点Ｐ１との間に、前記放射イミュニティ信号をグランドＧＮＤにバイパスするための容量Ｃ１のバイパスコンデンサ３１を接続した。
（２）赤外線検出電圧信号Ｖｓを出力する信号出力端子と接続点Ｐ１との間に、前記放射イミュニティ信号をグランドＧＮＤにバイパスするための容量Ｃ２のバイパスコンデンサ３２を接続した。
【００４３】
以上のように構成された赤外線検出回路１０Ｃによれば、赤外線検出回路１０Ａの作用効果に加えて、バイパスコンデンサ３１，３２により前記放射イミュニティ信号をインピーダンス素子２を介してグランドＧＮＤにバイパスさせることができ、赤外線検出回路１０内の焦電素子１での誤動作を防ぐことが可能となる。
【００４４】
実施形態３．
図３Ａは実施形態３に係る赤外線センサ２０の構成例を示す回路図である。実施形態３に係る赤外線センサ２０のパッケージ２１は、図３Ａに示すように、図１の実施形態１に係る赤外線検出回路１０に比較して、当該パッケージ２１内に、焦電素子１と、ＦＥＴＱ１と、インピーダンス素子２とを内蔵したことを特徴としている。
【００４５】
以上のように構成された赤外線センサ２０のパッケージ２１においても、図１の赤外線検出回路１０と同様に、インピーダンス素子２を備えているので、外部から赤外線検出回路１０に対して放射された放射イミュニティ信号が焦電素子１のグランド端子１ｂ又はそれに接続された接続点Ｐ１に流れないため、赤外線センサ２０内の焦電素子１での誤動作を防ぐことが可能となる。
【００４６】
実施形態３においては、焦電素子１がパッケージ２１内に載置されて焦電素子１自身には比較的強いシールド効果を有するが、図３Ａのごとく、焦電素子１を有する赤外線センサ２０内部でイミュニティ信号の影響を防ぐことでより強く安定した効果が期待できる。
【００４７】
実施形態３の変形例１．
図３Ｂは実施形態３の変形例１に係る赤外線センサ２０Ａの構成例を示す回路図である。実施形態３の変形例１に係る赤外線センサ２０Ａは、図３Ｂに示すように、図３Ａの実施形態３に係る赤外線センサ２０に比較して、図２Ａの実施形態２に係る赤外線検出回路１０Ａと同様に、抵抗素子３及びインピーダンス素子４，５を赤外線センサ２０Ａのパッケージ２１Ｂ内にさらに備えたことを特徴とする。以上のように構成された赤外線センサ２０Ａによれば、図２Ａの実施形態２に係る赤外線検出回路１０Ａと同様の作用効果を有する。
【００４８】
実施形態３の変形例２．
図３Ｃは実施形態３の変形例２に係る赤外線センサ２０Ｂの構成例を示す回路図である。実施形態３の変形例２に係る赤外線センサ２０Ｂは、図３Ｃに示すように、図３Ｂの実施形態３の変形例１に係る赤外線センサ２０Ａに比較して、図２Ｂの実施形態２の変形例１に係る赤外線検出回路１０Ｂと同様に、バイパスコンデンサ３１，３２を赤外線センサ２０Ａのパッケージ２１Ｃ内にさらに備えたことを特徴とする。以上のように構成された赤外線センサ２０Ｂによれば、図２Ｂの実施形態２の変形例１に係る赤外線検出回路１０Ｂと同様の作用効果を有する。
【００４９】
実施形態３の変形例３．
図３Ｄは実施形態３の変形例３に係る赤外線センサ２０Ｃの構成例を示す回路図である。実施形態３の変形例３に係る赤外線センサ２０Ｃは、図３Ｄに示すように、図３Ｃの実施形態３の変形例２に係る赤外線センサ２０Ａに比較して、図２Ｃの実施形態２の変形例２に係る赤外線検出回路１０Ｃと同様に、バイパスコンデンサ３１，３２を赤外線センサ２０Ａのパッケージ２１Ｃ内にさらに備えたことを特徴とする。以上のように構成された赤外線センサ２０Ｃによれば、図２Ｃの実施形態２の変形例２に係る赤外線検出回路１０Ｂと同様の作用効果を有する。
【００５０】
実施形態４．
図４Ａは実施形態４に係る赤外線センサ２０Ｄの構成例を示す回路図である。実施形態３に係る赤外線センサ２０Ｄのパッケージ２１Ａは、図４Ａに示すように、図１の実施形態１に係る赤外線検出回路１０に比較して、当該パッケージ２１Ａ内に、焦電素子１と、ＦＥＴＱ１とを内蔵する一方、インピーダンス素子２を内蔵せずに外部検出回路との間に接続したことを特徴としている。
【００５１】
以上のように構成された赤外線センサ２０Ｄのパッケージ２１Ａにおいても、図１の赤外線検出回路１０と同様に、インピーダンス素子２を備えているので、外部から赤外線検出回路１０に対して放射された放射イミュニティ信号が焦電素子１のグランド端子１ｂ又はそれに接続された接続点Ｐ１に流れないため、赤外線センサ２０Ｄ内の焦電素子１での誤動作を防ぐことが可能となる。
【００５２】
実施形態４においては、実施形態３と同様に、焦電素子１がパッケージ２１Ａ内に載置されて焦電素子１自身には比較的強いシールド効果を有するが、図４Ａのごとく、焦電素子１を有する赤外線センサ２０Ｄ外部でイミュニティ信号の影響を防ぐことでより強く安定した効果が期待できる。
【００５３】
実施形態４の変形例１．
図４Ｂは実施形態４の変形例１に係る赤外線センサ２０Ｅ及び外部回路の構成例を示す回路図である。実施形態４の変形例１に係る赤外線センサ２０Ｅ及び外部回路は、図４Ｂに示すように、図４Ａの実施形態３に係る赤外線センサ２０Ｄ及び外部回路に比較して、図２Ａの実施形態２に係る赤外線検出回路１０Ａと同様に、抵抗素子３を赤外線センサ２０Ｅのパッケージ２１Ｅ内に備えるとともに、インピーダンス素子４，５を赤外線センサ２０Ｅのパッケージ２１Ｅの外側の外部回路に備えたことを特徴とする。以上のように構成された赤外線センサ２０Ｅ及び外部回路によれば、図２Ａの実施形態２に係る赤外線検出回路１０Ａと同様の作用効果を有する。
【００５４】
実施形態４の変形例２．
図４Ｃは実施形態４の変形例２に係る赤外線センサ２０Ｅ及び外部回路の構成例を示す回路図である。実施形態４の変形例２に係る赤外線センサ２０Ｅ及び外部回路は、図４Ｃに示すように、図４Ｂの実施形態４の変形例１に係る赤外線センサ２０Ｅ及び外部回路に比較して、図２Ｂの実施形態２の変形例１に係る赤外線検出回路１０Ｂと同様に、バイパスコンデンサ３１，３２を赤外線センサ２０Ｅのパッケージ２１Ｅの外側の外部回路にさらに備えたことを特徴とする。以上のように構成された赤外線センサ２０Ｅ及び外部回路によれば、図２Ｂの実施形態２の変形例１に係る赤外線検出回路１０Ｂと同様の作用効果を有する。
【００５５】
実施形態４の変形例３．
図４Ｄは実施形態４の変形例３に係る赤外線センサ２０Ｅ及び外部回路の構成例を示す回路図である。実施形態４の変形例３に係る赤外線センサ２０Ｅ及び外部回路は、図４Ｄに示すように、図４Ｃの実施形態４の変形例２に係る赤外線センサ２０Ｅ及び外部回路に比較して、図２Ｃの実施形態２の変形例２に係る赤外線検出回路１０Ｃと同様に、バイパスコンデンサ３１，３２を赤外線センサ２０Ｅのパッケージ２１Ｅの外側の外部回路にさらに備えたことを特徴とする。以上のように構成された赤外線センサ２０Ｅ及び外部回路によれば、図２Ｃの実施形態２の変形例２に係る赤外線検出回路１０Ｂと同様の作用効果を有する。
【００５６】
変形例１．
図５は変形例１に係るインピーダンス変換回路７の構成例を示す回路図である。実施形態１〜４及びその変形例においては、インピーダンス変換回路としてＦＥＴＱ１を備えている。しかし、本発明はこれに限らず、図５の変形例１のように、オペアンプ６を用いたボルテージフォロア回路をインピーダンス変換回路７として構成してもよい。図５において、オペアンプ６は例えば差動増幅器であり、オペアンプ６の非反転入力端子は焦電素子１の信号出力端子１ａに接続され、オペアンプ６の反転入力端子はオペアンプ６の出力端子に接続される。オペアンプ６には電源電圧ＶＤＤの電源端子（赤外線検出回路１０，１０Ａ又は赤外線センサ２０〜２０Ｅの電源端子）及びグランドＧＮＤが接続される。
【００５７】
以上のように構成された変形例１に係るインピーダンス変換回路７は、ＦＥＲＱ１と同様に、所定の第１のインピーダンスから、前記第１のインピーダンスよりも低い所定の第２のインピーダンスに変換する。
【００５８】
変形例２．
図６は変形例２に係るインピーダンス変換回路７を備えた集積回路８の構成例を示す回路図である。図６に示すように、例えば図５のインピーダンス変換回路７は集積回路８で構成してもよい。なお、インピーダンス変換回路７は図１〜図４ＤのＦＥＴＱ１であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
以上詳述したように、本発明に係る赤外線検出回路及び赤外線センサによれば、外部から印加されるイミュニティ信号が赤外線検出回路又は赤外線センサのグランドに流れないため、誤動作を防ぐことが可能となる。【００６０】
なお、本実施形態等に係るインピーダンス素子２により侵入を阻止するイミュニティ信号としては、例えば、数十ＭＨｚから数ＧＨｚ程度の周波数を有するイミュニティ信号であって、特に例えば無線ＬＡＮで用いるＷｉ−Ｆｉ信号、携帯電話方式で用いる無線信号などである。
【符号の説明】
【００６１】
１…焦電素子、
１ａ…信号出力端子、
１ｂ…グランド端子、
２，４，５…インピーダンス素子、
３…抵抗素子、
６…オペアンプ、
７…インピーダンス変換回路、
８…集積回路、
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ…赤外線検出回路、
２０，２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ，２０Ｅ…赤外線センサ、
２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅ…パッケージ、
３１，３２…バイパスコンデンサ、
Ｐ１…内部基板のグランド端子、
Ｑ１…電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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