(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＵＶ放射が照射される液状の媒質を基板に塗布するための装置であって、
細長いチャンバと、当該チャンバに向かう方向に開いている少なくとも１つの供給口と、当該少なくとも１つの供給口とは反対側にある、前記チャンバの長さにわたって延在するスリット形の排出口とを有するハウジング、
前記チャンバ内を長手方向に延在する、少なくとも部分的にＵＶ放射に対して透過性である管部材であって、当該管部材は丸形の横断面を有し、当該管部材と前記チャンバの壁との間に、前記排出口の中心と交差する前記チャンバの長手方向中心平面を基準として対称的である流れ空間が形成されるように、かつ、当該管部材が前記ハウジングのスリット形の前記排出口内まで延在して、長手方向に延在する２つの排出スリットを当該管部材と前記ハウジングとの間に形成するように、前記チャンバ内に配置された管部材、および
前記液体中にラジカルを生成して前記基板の表面に届けるため、前記流れ空間の方向にＵＶ放射を前記排出口に通して前記ハウジングから外部へ放出するように前記管部材内に配置された少なくとも１つのＵＶ放射源
を備えた装置において、
前記装置は、
前記排出口の少なくとも５０％の範囲の下方の領域において前記基板の表面上にラジカルの実質的に一様な空間的分布を生じさせるように、前記少なくとも１つのＵＶ放射源から放出されて前記排出口から出射する放射を操作するために適した手段
を備えており、
前記手段は複数の少なくとも３つのＵＶ放射源を備えており、前記ＵＶ放射源は、前記管部材内部に配置されており、かつ、互いに隣り合って、当該管部材の、前記排出口内または前記チャンバ外部に位置する領域と隣り合って位置しており、隣り合った前記ＵＶ放射源はＵＶ放射をそれぞれ異なる放射強度で放出することを特徴とする、装置。
【請求項２】
隣り合った前記ＵＶ放射源はＵＶ放射を、放射強度が前記チャンバの前記長手方向中心平面に向かう方向に減少していくように、特に連続的に減少していくように、それぞれ異なる放射強度で放出する、
請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記手段は少なくとも１つのミラー要素を備えており、
前記ミラー要素は、少なくとも１つの前記放射源の、前記基板とは反対側に、および／または当該放射源と隣り合って配置されており、放射を前記排出口の方向に反射させる、
請求項１または２記載の装置。
【請求項４】
前記ミラー要素は前記チャンバの前記長手方向中心平面を基準として対称的である、
請求項３記載の装置。
【請求項５】
前記装置はさらに、前記流れ空間の方向への複数の前記ＵＶ放射源の放射を実質的に遮蔽する少なくとも１つの分離部材を、前記管部材内に備えている、
請求項１記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理するために、ＵＶ放射が照射される液状の媒質を基板に塗布するための装置に関し、当該液体は、装置の領域において局所的に基板の部分領域に塗布され、ＵＶ放射はこの液体に入射される。
【０００２】
半導体技術では、たとえばフォトマスクの製造中および使用中のいずれにおいても、フォトマスクに複数の異なる処理工程を施すこと、特に洗浄工程を施すことを要することが知られている。たとえば、液体膜を基板上に少なくとも局所的に形成してこの液体膜にＵＶ放射を入射させるウェット洗浄をフォトマスクに施すことが知られている。半導体ウェハの製造中においても、同様の洗浄工程が知られている。かかる洗浄工程では、洗浄を促進するラジカルを液体膜中に生成するためにＵＶ放射の大半が液体膜に吸収されるように、液体とＵＶ放射とを互いに合わせて調整する。とりわけ、たとえば希釈化された過酸化水素水またはオゾン水Ｏ３‐Ｈ２Ｏ中にてヒドロキシルラジカルを生成することが知られている。かかるヒドロキシルラジカルは、基板表面に金属層がある場合にはこの金属層を攻撃することなく、基板表面からの有機物質の選択的な剥離を引き起こす。通常、このウェット処理では、液体を基板全体に塗布するため、ＵＶ放射も液体に入射させる液体用の塗布ユニットを基板上にて移動させる。塗布ユニットをさらに移動させ、ＵＶ放射が照射されたばかりの領域にＵＶ放射をこれ以上照射しない場合、ラジカルの崩壊は速いので、ラジカルによる処理は主に塗布ユニットの下方において行われる。
【０００３】
そのために適した装置は、たとえば本願出願人による独国特許出願公開第１０２００９０５８９６２号明細書（DE 10 2009 058 962 A1）から公知である。同出願は特に、本願請求項１の上位概念に記載の装置を開示している。この公知の構造では、塗布ユニットの排出口の下方の長手方向中間領域に高いラジカル濃度が発生するが、この濃度は排出口に対して横方向において迅速に低下していく。
【０００４】
上記刊行物の装置を背景として、本発明の基礎となる課題は、基板の表面において良好なラジカル分布を達成することである。本発明は、上掲の独国特許出願公開第１０２００９０５８９６２号明細書の装置に対して、請求項１の特徴部の追加の発明特定事項を特徴とする。
【０００５】
本願では特に、ＵＶ放射が照射される液状の媒質を基板に塗布するための装置であって、
細長いチャンバと、チャンバに向かう方向に開いている少なくとも１つの供給口と、当該少なくとも１つの供給口とは反対側にある、チャンバの長さにわたって延在するスリット形の排出口とを有するハウジング、
チャンバ内を長手方向に通って延在する、少なくとも部分的にＵＶ放射に対して透過性である管部材であって、当該管部材とチャンバの壁との間に、排出口の中心と交差するチャンバの長手方向中心平面を基準として対称的である流れ空間が形成されるように、かつ、当該管部材がハウジングのスリット形の排出口内まで延在して、長手方向に延在する２つの排出スリットを当該管部材とハウジングとの間に形成するように、チャンバ内に配置された管部材、および
流れ空間の方向にＵＶ放射を排出口に通してハウジングから外部へ放出するように管部材内に配置された少なくとも１つのＵＶ放射源
を備えた装置に関するものである。本装置は、排出口の少なくとも５０％の範囲の下方の領域において基板の表面上にラジカルの実質的に一様な空間的分布を生じさせるように、少なくとも１つのＵＶ放射源から放出されて排出口から出射する放射を操作するために適した手段を特徴とする。上記にて述べたように、公知の構造では、排出口の中央の下方の領域に高いラジカル濃度が発生し、この濃度は排出口に対して横方向において迅速に低下していく。この領域は上述の手段によって、排出口の少なくとも５０％の下方にラジカルの実質的に一様な空間的分布を生じさせるように、排出口に対して横方向に拡大することができる。ラジカル濃度の偏差が、上述の領域の平均ラジカル濃度に対して局所的に最大２０％である場合、上述の領域における空間的分布は一様とみなされる。
【０００６】
一実施形態では前記手段は、管部材の、基板の表面の方を向いた平坦部を有し、この平坦部は基板表面に対して平行に配置することができ、平坦部の面積は、排出口の面積の少なくとも５０％に相当する。このような構成により、基板上に形成される液体膜の厚さを均一化することができ、この厚さの均一化によって、液体膜にラジカルを生成する放射、特に液体膜の界面領域にラジカルを生成する放射の強度分布をより一様にすることができる。このことによって、基板表面上のこの領域において生じるラジカル濃度を一様にすることができる。有利には、前記手段は少なくとも１つの光学素子を備えており、この光学素子は、平坦部を透過する放射の強度を当該平坦部の領域にわたって一様化するように配置されている。
【０００７】
代替的な一構成では、管部材は丸形の横断面を有し、前記手段は少なくとも１つの光学素子を備えており、この光学素子は、排出口および管部材を通って出射する放射の強度がチャンバの長手方向中心平面に向かう方向に減少していき、特に連続的に減少していくように、当該強度を変化させるように配置されている。かかる構成により、層厚が異なっていてチャンバの長手方向中心平面の領域において最小になる場合であっても、一様なラジカル分布を達成することができる。その際には、この少なくとも１つの光学手段は少なくとも１つのミラー要素を備えることができ、このミラー要素は、少なくとも１つの上述の放射源の、基板とは反対側に、および／または当該放射源と隣り合って配置されており、強度の上述の分布を達成するように放射を排出口の方向に反射させる。有利には、ミラー要素はチャンバの長手方向中心平面を基準として対称的である。
【０００８】
一実施形態では、少なくとも１つの光学手段は管部材内部の少なくとも１つのフィルム部材またはコーティングとすることができ、このフィルム部材／コーティングは、管部材の、排出口内またはチャンバ外部に位置する領域に接触して、または当該領域と隣り合って位置しており、フィルム部材／コーティングのＵＶ放射に対する透過率は空間的に変化する。
【０００９】
少なくとも１つの光学手段は、管部材の、排出口内またはチャンバ外部に位置する少なくとも１つの領域を有することができ、当該領域のＵＶ放射に対する透過率は空間的に変化する。管部材自体のかかる材料によって、放射強度分布の適切な操作を達成することができる。
【００１０】
とりわけ、フィルム部材、コーティングおよび／または管部材の透過率は、長手方向中心平面から排出スリットに向かう方向に増加していくことができ、しかも特に連続的に増加していくことができる。
【００１１】
他の一実施形態の装置では、少なくとも１つの光学手段は複数の少なくとも３つのＵＶ放射源を備えており、これら少なくとも３つのＵＶ放射源は管部材内部において互いに隣り合って、かつ、管部材の、排出口内またはチャンバ外部に位置する領域と隣り合って位置しており、これらの隣り合った放射源はＵＶ放射をそれぞれ異なる放射強度で放出し、特に、放射強度がチャンバの長手方向中心平面に向かう方向に減少していくように放出する。本実施形態ではさらに、流れ空間の方向に複数のＵＶ放射源の放射を実質的に遮蔽する、特に反射性の少なくとも１つの分離部材を、管部材内に設けることができる。ここで「実質的」とは、流れ空間の方向に複数のＵＶ放射源の放射の少なくとも９０％を遮蔽することを意味することとする。
【００１２】
以下、図面を参照して本発明を詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】ＵＶ放射が照射される液状の媒質を基板に塗布するための本発明の装置を備えた基板処理装置の概略的な平面図である。
【図２】本発明の装置の、図１の線 II‐II に沿った概略的な断面図である。
【図３】図２と類似するが代替的な実施形態を示す図４中の線 III‐III に沿った概略的な断面図である。
【図４】図３の本発明の代替的な実施形態のハウジングの、図３の線 IV‐IV に沿った概略的な縦断面図である。
【図５】図４のハウジングの概略的な斜視図である。
【図６】図４のハウジングの概略的な平面図である。
【図７】クランプ嵌め具の概略的な正面図である。
【図８】クランプ嵌め具の作用を説明する、本発明の装置の排出スリットの領域の概略的な水平断面図である。
【図９】本発明の装置の複数の異なる構成の放射部の概略的な断面図であり、図９ａは通常構成を示しており、図９ｂおよび図９ｃは代替的な構成を示している。
【図１０】他の代替的な実施態様の概略的な断面図である。
【図１１】他の代替的な構成の放射部の概略的な断面図である。
【図１２】他の構成の放射部の、図１１に類似する概略的な断面図である。
【００１４】
以下の説明において使用される、たとえば「上」または「下」、「左」または「右」等の方向についての記載は、各図の図示を基準としており、有利な配置となり得る場合であっても何ら限定するものではない。以下の説明において「孔」との用語は、製造の態様にかかわらず縦に延在する止まり穴または貫通口を指す。すなわち「孔」とは、穿孔プロセスによって作製されることを要せず、任意の適切な手法で作製されることができる。
【００１５】
図１は、ＵＶ放射によってアシストされる、基板２のウェット処理用、特にチップ製造用のマスクまたは半導体ウェハのウェット処理用の装置１の概略的な平面図であり、ここで基板は、半導体ウェハの製造用のフォトマスク、半導体ウェハ、特にＳｉウェハ、Ｇｅウェハ、ＧａＡｓウェハ、ＩｎＰウェハ、フラットパネル基板、多層セラミック基板のうちいずれか１つとすることもできる。図２は、装置１の、線 II‐II に沿った概略的な断面図である。装置１は基本的に、基板受け部４と塗布ユニット６とから構成されている。基板受け部４と塗布ユニット６とは、適切な手段を用いて正圧または負圧も生成できる、同図に示されていない圧力チャンバ内に収容することができる。
【００１６】
ここで、ウェット処理の際には、たとえば希釈化された過酸化水素水もしくはオゾン水Ｏ３‐Ｈ２Ｏまたは他の特に水含有の液体等の液体を、基板に塗布できることに留意すべきである。液体へのＵＶ照射の際には複雑な反応が発生し、液体として水を使用する場合だけでも、たとえば１４の異なる種が生成され、たとえばＨ２Ｏ，Ｈ●，ＨＯ●，ｅ‐ａｑ，ＨＯ２●，Ｏ２●−，Ｈ２，Ｏ２，Ｈ２Ｏ２，Ｈ２Ｏ−，Ｈ３Ｏ＋，ＨＯ−，Ｏ３●−およびＨＯ３●が生成される。かかる反応は、ＵＶ放射が照射されるガス中での反応より格段に複雑であり、かつ、ラジカルは格段に短い寿命を有するので、ウェット処理装置は、ガスを使用する処理装置と簡単に比較することはできない。発生する反応は波長に依存し、波長選択によって特定の方向に影響され得る。
【００１７】
基板受け部４は図１に示されているように、平坦な矩形のプレートとして示されており、このプレートは、同様に矩形の基板２を受けるためのものである。また、基板受け部４は異なる形状をとることもでき、処理対象の基板２の形状に合わせることができる。基板受け部４は、液状の媒質を排出するための少なくとも１つの図示されていない排出部を有し、この排出部は塗布ユニット６を介して基板２に取り付けることができる。
【００１８】
塗布ユニット６は本体部８と支持部１０とから構成されており、支持部１０は、双方向矢印ＡおよびＢによって示されているように可動に本体部８を支持する。特に、支持部１０は支持アーム１２から構成されており、支持アーム１２の一端は本体部８に接続されており、当該支持アーム１２の他端は、図示されていない駆動装置に接続されている。双方向矢印ＡおよびＢによって示されているように、駆動装置はたとえば支持アーム１０の旋回運動を行うことによって本体部８の旋回運動を行うこと、および／または、直線運動を行うことができる。これによって、基板２の部分領域の処理または表面全体の処理を行えるようにするために、基板受け部４に受けられた基板２にわたって本体部８を所望の通りに移動させることができる。さらに、本体部８から基板受け部４上にある基板２の表面までの距離を調整できるようにするため、支持アーム１０が往復運動を行うことも可能である。
【００１９】
さらに、代替的または追加的に、基板２と本体部８との間で相対運動を行えるようにするため、基板受け部４のための移動機構を設けることも可能である。
【００２０】
本体部８は基本的に、ハウジング１４と、媒質接続部１６と、放射部１８とから構成されている。ハウジング１４は細長い直方体形のボディ２０を有し、このボディ２０は適切なプラスチックから、たとえばＴＦＭ、変性ＰＴＦＥ等から成る。また、ハウジングは他の適切な材料から成ることも可能である。この材料は、使用される温度および媒質において耐久性を有するように選定される。ボディ２０内部には、長手方向に延在するチャンバ２２が画定されており、このチャンバ２２は全長にわたってボディ２０を貫いて延在している。チャンバ２２を長手方向において区切るため、ボディ２０の長手方向端部に、図示されていないカバー部材を取り付けることができる。ボディ２０ひいてはチャンバ２２は、以下詳細に説明するように、基板２の全幅にわたって液状の媒質を塗布できるようにするため、基板２の幅寸法より大きい長さを有する。また、ボディ２０またはチャンバ２２が、より小さい寸法を有することも可能である。チャンバの内壁２３は、特にＵＶ放射に対して高い反射率を示し、それに対してＩＲ放射の大部分を吸収するように構成することができる。
【００２１】
チャンバ２２は基本的に丸形の横断面を有し、チャンバ２２はボディ２０の下側に向かって開いていることにより、ボディ２０はここでは下方向に（基板２に向かって）向いている開口部２１を画定する。よって、チャンバ２２の内壁２３は本断面図では、半円より大きい部分円を形成しており、有利には２５０°〜３００°の範囲、特に２７０°超かつ２９０°未満の範囲に位置する。
【００２２】
チャンバ２２の上部分において、ボディ２０に、接続部１６と流れ連通している少なくとも１つの供給路２４が設けられており、これは排出口としての開口部２１と完全に反対側に位置する。供給路２４は、以下詳細に説明するように、液状の媒質をチャンバ２２内へ送ることができるようにするため、チャンバ２２と流れ連通している。
【００２３】
図１の平面図では３つの接続部１６が示されており、これらはそれぞれ、対応する供給路２４を介してチャンバ２２と流れ連通することができる。また、より多数またはより少数の接続部を設けることも可能である。これらの接続部１６を介して単一の液状の媒質をチャンバ２２内に送ることができ、または、複数の媒質を同時または順次導入することも可能である。とりわけ、複数の異なる媒質源を接続部１６に接続させて、現場で混合を生じさせるために、接続部１６を介してたとえば同時に複数の異なる媒質を各接続部１６へ送れるようにすることが可能である。媒質としてはたとえば液体を使用することができるが、たとえば、チャンバ２２内に導入される前に接続部１６内および供給路２４内において液体と混合されるガスを供給することも可能である。
【００２４】
放射部１８は基本的に、管部材３０と少なくとも１つの放射源３２とによって構成されている。管部材３０は細長い形状を有し、チャンバ２２全体に沿って延在しており、場合によっては、ボディ２０の端部にある図示されていないカバー部材内を通って（またはカバー部材内まで）延在することができる。管部材３０は、ＵＶ放射に対して実質的に透過性の材料から成り、丸形の横断面を有する。横断面が丸形の管部材３０の中心点は、チャンバ２２の内壁２３の部分円の中心点から排出口としての開口部２１の方向にずれており、図２に示されているように、部分的に当該開口部２１を通ってハウジング１４内から外部に出るように延在している。
【００２５】
このようにして、管部材３０とチャンバ２２の内壁２３との間に流れ空間が形成される。流れ空間は、排出口２１および供給路２４の中央と交差する、チャンバ２２の長手方向中心平面Ｃ（図３の線 IV‐IV を参照のこと）を基準として対称的になっており、図２の横断面図を見ると分かるように、右側および左側の部分を成している。各部分は、下端部に排出スリット３７を有し、この排出スリット３７は開口部２１の領域において管部材３０と内壁２３の各端部との間に形成される。流れ空間の各部分は、供給路２４から各排出スリット３７に向かって漸減していく流れ横断面を有する。特に、流れ空間の流れ横断面はいずれの部分においても、各排出スリット３７の方向に連続的に漸減していく。少なくとも１つの供給路２４と隣り合った領域における流れ空間の流れ横断面と排出スリット３７における流れ空間の流れ横断面との比は、１０：１〜４０：１の範囲内であり、有利には１５：１〜２５：１の範囲内である。よって、排出スリット３７の方向に流れる媒質は顕著に加速される。媒質の適切な加速によって、流れの一様化がなされ、かつ、排出スリット３７における流速が速くなる。これによって、開口部２１の下方における液状の媒質の実質的に連続したカーテンの形成が促進され、このカーテンは、その下方に配置された基板２上に液体膜を形成するために使用することができる。
【００２６】
図２には、接続部１６から供給路２４およびチャンバ２２を経由してハウジング１４内から出て行く液状の媒質の流れを示す流れ矢印が示されている。
【００２７】
放射源３２は、図示の構成では棒形のランプであり、このランプは管部材３０内部の中央に配置されている。棒形のランプ３２も、チャンバ２２の長さにわたって一様な放射分布を生じさせるため、チャンバ２２の全長にわたって延在している。放射源３２は主に、所望のスペクトル領域のＵＶ放射を放出し、放出された放射は、チャンバ２２の流れ空間内へ放出され、また、開口部２１を通ってハウジング１４内から外部へも放出される。その際には、以下詳細に説明するように、放射を特定の目的のために特別に選択することができる。開口部２１から外部に放出する放射とは異なる放射を流れ空間内に放出するように、放射を制御することもできる。
【００２８】
上述の管形の放射源に代えて、または管形の放射源と共に、他の放射源を設けることも可能である。その一部については、以下の実施例に開示されている。特に、管部材３０の内部に１つより多くの放射源３２を設けることができる。放射源３２としてはたとえば、気体放電ランプを使用することができ、また、ＬＥＤ、または、所望のスペクトル領域を（少なくともＵＶ領域も）放出する他の適切な光源を使用することもできる。
【００２９】
部材の過熱を回避するため、管部材３０と放射源３２との間に生じた空間４０に冷媒を、特に気体の冷媒を通流させることができる。この冷媒は、実質的にＵＶ放射を吸収しないように選定される。
【００３０】
図３〜８を参照して、図１の装置で使用できる塗布ユニット６の他の実施形態、特に代替的な本体部１０８の他の実施形態について説明する。本体部１０８は基本的に、ハウジング１１４と、媒質導路１１６と、放射部１１８とから構成されている。
【００３１】
ハウジング１１４も、細長い直方体形のボディ１２０を備えており、このボディ２０は適切な材料（たとえばＴＦＭ）から成り、長手方向に延在するチャンバ１２２を有し、チャンバ１２２はボディ１２０の全長にわたって延在している。チャンバ１２２を長手方向において区切るため、ボディ１２０の長手方向端部に、図示されていないカバー部材を、たとえば、取り外し可能な結合を成すねじ部品によって取り付けることができる。また、他の有利に取り外し可能な結合も可能である。チャンバ１２２も、液状の媒質の供給を受けるべき基板２の幅寸法より大きい長さを有することができる。
【００３２】
チャンバ１２２も実質的に丸形の横断面を有し、チャンバ１２２はボディ１２０の下側１２４に向かって開いていることにより、下方向に向いている開口部１２１が画定される。このようにして、チャンバ１２２の内壁１２３も部分円を形成しているが、この部分円は半円より大きい。この開口部１２１の開口角は有利には６０°〜１２０°の間の範囲であり、特に７０°〜９０°の間の範囲である。
【００３３】
ボディ１２０の下側１２４は、当該ボディ１２０の側壁１２８に向かって上昇していく勾配を成すように構成されている。この勾配と開口部１２１との間には実質的に平坦な領域が形成されており、ボディ１２０は開口部１２１と直接隣り合う部分に丸み部１２６を有する。この丸み部は、下側１２４の実質的に平坦な部分とチャンバ１２２の丸形の内壁１２３とを接続し、その高さ位置においてボディ１２０の本来的な開口部１２１を画定している。
【００３４】
ボディ１２０の下側１２４と側壁１２８との間の移行部分に、複数の斜めの切欠部１３０が（たとえば、図示されているように各側に５つずつ）設けられている。これらの切欠部１３０の各領域に、ボディ１２０はチャンバ１２２までの貫通孔１３２を有する。貫通孔１３２は段付きで形成されており、切欠部１３０の方を向いているより広幅の領域と、チャンバ１２２の方を向いているより狭幅の領域とを有する。切欠部１３０の方を向いているより広幅の領域では、貫通孔１３２に雌ねじ部が設けられている。各貫通孔１３２は調整部材１３４を受容するために使用され、調整部材１３４は、頭部１３６と調整部１３８とを有する、貫通孔１３２に対応した段付きの形状を有する。頭部１３６の寸法は、当該頭部１３６が貫通口１３２の狭幅の領域に通されて嵌められてチャンバ１２２内に突出できるように定められている。調整部１３８は雄ねじ部を有し、この雄ねじ部は貫通口１３２の広幅部分内の雌ねじ部と係合して、ここでねじ留めされる。調整部１３８のねじ挿入深さが、調整部材１３４の頭部１３６がチャンバ１２２内に突出する距離を決定する。調整部材１３４は、使用される温度および媒質において耐久性を有し、かつある程度の弾性を有する適切な材料から、作製されている。特に、ＰＦＡ材料（ポリフルオロアルコキシルポリマー材料）が適していることが判明している。また、他の材料、特に他のプラスチックを使用することもできる。
【００３５】
ボディ１２０の上側１４０は、多数の（当該ボディ１２０の長手方向に対して横方向に延在する）切欠部１４２を有し、この切欠部１４２は、ボディ１２０の長手方向において切欠部１３０と整合している。各切欠部１４２の領域にはそれぞれ、さらなる切欠部１４４およびねじ付き孔１４６が設けられている。ねじ付き孔１４６は、切欠部１４２を塞ぐためのカバープレート１４７を固定するために使用されるねじ部品を受容するために使用される。
【００３６】
切欠部１４４は、切欠部１４２の底部においてボディ１２０の長手方向に対して横方向に延在する第１の部分を有する。切欠部１４４はさらに、各側壁１２８に直接隣接してそれぞれ、当該側壁１２８に対して平行に延在する、深さ方向の部分も有する。よって切欠部１４４は、図３を見ると最も良く分かるように、実質的にＵ字形を成している。
【００３７】
この切欠部１４４は、図３を見ると最も良く分かるように、クリップ部材１５０を受容するために使用される。図７は、取り付けられていないため弛緩した状態にあるクリップ部材１５０の斜視図である。クリップ部材１５０は実質的にＵ字形を有し、（弛緩した状態では）このＵ字形のクリップ部材１５０の脚部１５２が当該クリップ部材１５０のベース部１５４から互いに接触することなく互いに対向して延在している。換言すると、両脚部１５２の自由端部の距離は、ベース部１５４における両脚部の距離より小さい。よって、クリップ部材１５０の脚部１５２がＵ字形の切欠部１４４に挿入されると、両脚部１５２は互いに僅かに離反するように曲がらなければならず、このようにして、ボディ１２０の、当該脚部を基準として内側の部分に、内側に向かう付勢力を及ぼす。特に、内側に向かう付勢力は調整部材１３４の領域に及ぼされる。
【００３８】
上記にて述べた媒質導路１１６は、ボディ１２０と一体で構成されており、この媒質導路１１６については以下詳細に説明する。媒質導路１１６は基本的に、供給部材１６０と、媒質分配流路１６２と、導入流路１６４とに分かれる。
【００３９】
図示の実施形態では４つの供給部材１６０が設けられており、これらの供給部材１６０はボディ１２０の長手方向に互いに離隔されている。本実施形態では、供給部材１６０は等間隔には離隔していない。むしろ、中央の供給部材１６０間の距離は、当該供給部材１６０からそれぞれ外側にある供給部材１６０間の距離より小さくなっている。供給部材１６０はそれぞれボディ１２０の上側１４０に設けられており、それぞれ、上側１４０から上方向に延在する実質的に円錐台形の部分１６６を有する。円錐台形部分１６６の上方には環状の接続部分１６８が設けられており、この接続部分１６８は、外部の供給路と連通するために適したものとすることが適切である。円錐台形部分１６６には、鉛直方向に延在する貫通孔１７０が形成されている。この貫通孔１７０は供給部材１６０の円錐台形部分１６６を完全に貫通して媒質分配流路１６２まで達しており、以下、この媒質分配流路１６２について詳細に説明する。
【００４０】
媒質分配流路１６２は、ボディ１２０の横方向において中間に位置する長手方向孔１７４によって構成されている。長手方向孔１７４はボディ１２０を完全に貫通しており、上側１４０とチャンバ１２２との間に配置されている。長手方向孔１７４の両端部にはそれぞれ幅拡大部分１７６が設けられており、この幅拡大部分１７６は、詳細には図示されていない適切なエンドキャップによって封止することができる。媒質分配流路１６２の本体は、長手方向孔１７４の中央の、封止されていない部分のみによって構成されている。当業者であれば分かるように、もちろん、長手方向孔１７４がボディ１２０の一方の端までのみ達して開いており、この一端のみが幅拡大部１７６を有し、これを適切に封止できるようにすることも可能である。
【００４１】
特に図４を見ると分かるように、媒質分配流路１６２を構成する長手方向孔１７４の４箇所が、孔１７０と流れ連通している。よって、供給部材１６０を介して導入された媒質を複数の箇所において媒質分配流路１６２に導入し、その後、この媒質を媒質分配流路１６２の中でボディ１２０の長手方向に分配することができる。
【００４２】
媒質分配流路１６２とチャンバ１２２との間の壁部材１７７に多数の貫通孔が形成されており、これらの貫通孔は媒質分配流路１６２とチャンバ１２２とを流体接続していることにより、導入流路１６４となっている。図示の実施形態では、１２個の導入流路１６４が設けられている。これらの導入流路１６４は、孔１７０からボディ１２０の長手方向にずらされて配置されている。もちろん、設ける導入流路１６４の数を別の数にすることも可能である。供給流路１６４はボディ１２０の長手方向に有利には等間隔に離隔されており、チャンバ１２２内での流れの一様性を促進するためには、３／１００ｍｍ〜１２／１００ｍｍの範囲の密度、特に４／１００ｍｍ〜１０／１００ｍｍの密度が現在のところは有利となる。
【００４３】
壁部材１７７の、チャンバ１２２の方を向いた側には、２つの止まり穴１７８（図４参照）が設けられており、これらの止まり穴１７８はそれぞれ、スペーサ１７９（図３参照）を受容するために使用される。スペーサ１７９は、使用される温度および媒質において耐久性を有し、かつある程度の弾性を有する適切な材料から作製されている。特に、このスペーサ１７９についても、調整部材１３４で使用されるものと同様のＰＦＡを使用することができる。スペーサ１７９はそれぞれ、各１つの止まり穴１７８に受容されるための図示されていない脚部と、図３に示されている円錐台状の本体部とを有する。
【００４４】
以下、本実施形態の放射部１１８について詳細に説明する。放射部１１８は、管部材１８０と少なくとも１つの放射源１８２とを有する。これらの構成は、第１の実施形態の管部材３０および少なくとも１つの放射源３２の構成と実質的に同一である。管部材１８０は、丸形の横断面を有する細長い形状を有し、ＵＶ放射に対して実質的に透過性の材料から成る。管部材１８０はチャンバ１２２内に、その全長にわたって延在するように収容されており、横断面が丸い管部材１８０の中心点は、チャンバ１２２の内壁１２３の部分円の中心点から開口部１２１の方向にずれている。この丸形の管部材１８０も、部分的に開口部１２１を通ってハウジング１１４から出るように延在している。ここでも、管部材１８０とチャンバ１２２の内壁１２３との間に流れ空間１８４が形成されており、この流れ空間１８４は、開口部１２１および供給部材１６０の中央と交差する、チャンバ１２２の長手方向中心平面Ｃを基準として対称的となっている。図３の横断面図を見ると分かるように、流れ空間１８４は右側および左側の部分を成している。各部分の下端部には、排出スリット１８６が設けられている。流れ空間の各部分は、導入流路１６４から各排出スリット１８６に向かって漸減していく流れ横断面を有する。この流れ横断面は、第１の実施形態と同様に漸減していく。
【００４５】
図３の断面図を見ると分かるように、管部材１８０は各調整部材１３４の頭部１３６に載置されており、管部材１８０の上側はスペーサ１７９と接触している。よって、これらは３点接触方式をとっており、この３点接触方式により、調整部材１３４とスペーサ１７９とは、チャンバ１２２内における管部材１８０の正確な位置を決定する。図から分かるように、調整部材１３４を介してある程度の範囲内で、排出スリット１８６の幅を調整することができる。調整部材１３４の各頭部１３６は点載置部を成しており、この点載置部は、頭部の周囲における媒質の流れをほとんど阻害しないので、排出スリット１８６の領域において実質的に連続した媒質カーテンを形成することができる。放射源１３２は、第１の実施形態と同様に管部材１８０内部に配置することができる。
【００４６】
図２の実施形態の本体部８と図３〜７の第２の実施形態の本体部１０８との主な相違点は、媒質導路の領域である。第１の実施形態では供給路２４を介して媒質をチャンバ１２２内に直接導入するのに対し、第２の実施形態では、チャンバ内への媒質は供給部材１６０を介して媒質分配流路１６２内へ導入されてから、その後に導入流路１６４を介してチャンバ１２２へ導入される。このことによって、ボディ１２０の長手方向における液状の媒質の分布がより一様になる。よって、チャンバ１２２の領域では流れ空間１８４内の流れがより一様になる。特に、流れ空間１８４の横断面が漸減していくことと相俟って、一様な液体カーテンを形成するために排出スリット１８６において一様な流れを達成することができる。
【００４７】
もう１つの相違点は、クリップ１５０、調整部材１３４およびスペーサ１７９の領域であるが、これらは第１の実施形態でも同様に設けることができる。チャンバ１２２の領域において内側に向かう付勢力を生じさせるクリップ１５０の機能については、図８ａおよび図８ｂを参照して詳細に説明する。媒質導路１１６を介して液状の媒質をチャンバ１２２内に導入すると、チャンバの内壁１２３に、外側に向かう圧力が生じる。とりわけ、チャンバ１２２の幅が最も大きくボディ１２０の横断面が小さくなる領域において、そのような圧力によってボディ１２０の変形が生じて、排出スリット１８６における距離が拡大し得る。このことは特に、ボディ１２０の長手方向において中間の領域に当てはまる。というのも端部では、図示されていないカバーキャップがその変形を阻止するからである。
【００４８】
とりわけ図８ａでは、たとえば排出スリット１８６の幅が中間領域において格段に拡大し得ることが示されており、この拡大によってもちろん、排出スリット１８６からの媒質排出が相応に変化し得る。このことによって、一様な媒質分布が阻害される可能性がある。クリップ１５０を使用することによって、図８ｂに示されているように、一様な媒質分布が阻害されることを回避することができる。
【００４９】
クリップ１５０は、特に調整部材１３４と組み合わせることで、排出スリット１８６の均一な幅を保証することができる。クリップ１５０はまた、特に調整部材１３４と組み合わせることで、流れチャンバの流れ横断面の変化に依存することもなく、排出スリット１８６の一定の幅を保証するために有利となり得る。
【００５０】
以下、図９〜１２を参照して、第１の実施形態の放射部１８の複数の異なる構成を詳細に説明する。しかしこれらの構成は、第２の実施形態にも同様に使用することができる。
【００５１】
図９ａは、丸形の横断面の管部材３０の中央に棒形の放射源３２を配置したものから構成された、図２に類似する通常の構成を示している。以下では、適切である限りにおいて、第１の実施形態において使用されているものと同一の符号を使用しており、これら複数の異なる構成はもちろん、第２の実施形態でも使用することができる。
【００５２】
チャンバ２２および供給路２４を有するハウジング１４は、概略的にのみ示されている。このユニットの下方に、基板２が概略的に示されている。
【００５３】
この構成の概略図の下方に、２つのグラフを示しており、上方のグラフは、供給路２４を介してたとえばＨ２Ｏ２等の液状の媒質を基板上に送って放射源３２を動作させた場合の、基板２の表面上におけるラジカルの濃度の分布を示している。下方のグラフは、このラジカルによって促進される洗浄過程の際の、基板上のレジスト層厚の達成可能な変化を示しており、同グラフでは定常のプロセス制御を前提としている。すなわち、ユニットは基板上を移動せずに静止状態となっている。両分布は、正規化された図で示されている。
【００５４】
同図からまず分かるように、ラジカル濃度は、除去されたレジスト層に直接影響を及ぼす。ラジカル濃度はチャンバ２２の長手方向中心平面の領域（破線参照）において最大となり、外側に向かうにつれて大きく減少していく。よって、基板２の表面上におけるラジカル濃度は、チャンバ２２に対して横方向において大きく異なってくる。一様の（高い）ラジカル濃度の領域を拡大するため、放射部１８の複数の異なる構成を提案する。
【００５５】
たとえば、図９ｂの構成は、放射源３２を備えた管部材３０を示している。放射源３２は上述のものと一致する。それに対して管部材３０は、メインボディ２０の開口部２１の下方に平坦部を有する。この平坦部は、通常の向きの場合に水平方向に延在し、かつ、メインボディの下側に対して実質的に平行に延在するように配置されている。この平坦部によって、管部材３０の平坦な下側を基板２の表面に対して平行に配置することができる。このように平行に配置できることにより、この領域における距離が均一になることが保証される。このことによって、管部材３０と基板２の表面との間に一様の液体膜を形成することができ、しかも、平坦部の幅にわたって、基板２の表面上におけるラジカル濃度が実質的に一様になるように形成することができる。かかる場合、ラジカル濃度は、入射して基板２の表面に到達した光強度に実質的に比例する。
【００５６】
したがって、一定の高さのラジカル濃度を有する領域は図９ａの構成に比して格段に拡大し、また、レジスト層厚の変化が大きい領域も拡大し、これにより、当該構成の効率が改善される。
【００５７】
図９ｃは、上述の構成に代わる代替的な構成を示す。本構成でも、丸形の横断面を有する管部材３０を使用する。放射源３２も、上述のものと同一である。管部材３０は、異なる領域ごとにそれぞれ異なる透過率を有するように変更されている。よって、管部材３０の、チャンバ２２内部に位置する領域は、第１の透過率を示し、チャンバ２２外部の場所は、別の第２の透過率を示す。とりわけ、第１の領域はたとえば、ＵＶ放射に対して可能な限り高い透過率を示す。すなわち流れチャンバ内では、放射源３２によって出力されたほぼ全部のＵＶ放射を、チャンバ２２に導入することができる。
【００５８】
それに対して、管部材３０の、チャンバ外部に位置する領域の透過率は、ＵＶ放射に対する吸収率または反射がより高いことに起因して、低くなっている。特に、管部材３０の透過率は長手方向中心平面の領域において最小になり、この領域から、透過率は排出スリット３６の方向に漸増していく。このことによって、図９ｃのグラフに示されているように、メインボディ２０の開口部２１の幅にわたって実質的に均一のラジカル濃度が生じるように、基板２の表面上の液体中におけるＵＶ光の放射強度を調整することができる。このことに応じて、レジスト厚を均一の高さで除去する幅も拡大する。
【００５９】
管部材自体の材料によっても、同様の作用を達成することができ、また、管部材の適切な領域に、または当該領域に隣り合った場所に、コーティングまたはフィルムを設けることによっても達成することができる。液体の異物混入を回避し、また、使用される媒質に対するコーティングの耐久性を無視できるようにもするためには、コーティングまたはフィルムを管部材内部に配置するのが有利となり得る。
【００６０】
図１０ａ〜１０ｃには、放射部１８の他の構成が示されており、各図でもそれぞれ、チャンバ２２および供給路２４を備えたハウジング１４が概略的にのみ示されている。また、同図でも基板２が概略的に示されている。図９ａ〜９ｃのようなグラフは、図１０では示されていない。
【００６１】
図１０ａの構成でも、放射源３２は１つ設けられており、これは管部材３０に収容されている。本構成では、管部材３０の、チャンバ２２内にある部分に、鏡面加工部が設けられている。この鏡面加工部はたとえば、管部材のたとえば内部または外部に設けられた層またはフィルムとして構成することができる。この鏡面加工部は、放射源３２から来た放射に対して完全に反射性とすることができ、または、特定の波長領域でのみ反射性とすることもできる。鏡面加工部の形状は、使用時すなわち媒質供給時に、放射源から出射した放射が開口部２１の幅にわたって基板に実質的に一様に入射し、これによって基板表面上における媒質のラジカル濃度が実質的に一様となるように、構成されている。こうするためには、管部材３０から出射した放射の強度は、長手方向中心平面Ｃの領域よりも排出スリット３６と隣り合った領域において高くなる必要がある。
【００６２】
図１０ｂは、鏡面加工部の他の一構成を示しており、本構成では、上部分が平坦であり断面が管部材の丸形の形状に対して弓弦を成している、他の形状の鏡面加工部が示されている。かかる形状によって、特に管部材３０の上部分（鏡面加工部の上方）に他の放射源（図示されていない）を設けることが可能になる。この他の放射源は、流れ流路の領域において、排出スリット３６の領域および基板２の方向とは異なる放射を行うため、放射源３２とは異なるスペクトル領域を放出することができる。ラジカル濃度の一様化の他、同図では波長選択（装置の複数の異なる領域において、特にチャンバ２２内部とボディ２０外部とにおいて、それぞれ異なる１次スペクトル領域を有する放射を行うこと）も達成することができる。
【００６３】
このことは、鏡面加工部の選択的な反射特性によっても達成することができ、この選択的な反射特性はたとえば、２００ｎｍ未満の領域のＵＶ放射を透過させ、かつ２００ｎｍ超のＵＶ放射を実質的に反射させるというものである。このことはもちろん、図１０ａの実施形態にも同様に当てはまる。
【００６４】
いずれの場合においても、すなわち図１０ａおよび図１０ｂの構成では、波長選択のためにボディ２０内部に追加の放射源を、外部からチャンバ２２内へ放出するように配置することも可能である。かかる場合、チャンバ２２内に放出される放射は、とりわけ主に２００ｎｍ未満の範囲、たとえば約１８５ｎｍ付近とすることができる。チャンバ２２から開口部２１を介して外部へ放出される放射は、とりわけ主に２００ｎｍ超の範囲、たとえば約２５４ｎｍ付近とすることができる。２００ｎｍ未満の放射は、主に流れ流路内の媒質の分解に用いるべきものである一方、２００ｎｍ超の放射は、主にラジカルを生成するために用いるべきものである。
【００６５】
上述の構成では、放射強度の所定の空間的分布の他、流れチャンバ内では、チャンバ内から外部へ基板２の方向に放出される放射とは異なる放射を行う波長選択も、容易に追加して行うことができる。
【００６６】
図１０ｃの実施形態も同様に見ることができる。本実施形態でも、放射部１８は管部材３０を備えている。管部材内部には第１の放射源３２が設けられており、この第１の放射源３２は上述の形式とすることができる。この第１の放射源の下方に、上方向に凹形に湾曲しているミラー要素２００が設けられており、このミラー要素２００は、放射源３２から出た放射を実質的に上方向に反射し戻す。ミラー要素２００の下方に、複数の第２の放射源２１０の配置が設けられている。とりわけ、７つの放射源２１０が示されている。これらの放射源２１０は、それぞれ少なくともＵＶ領域の光を放出し、しかも、それぞれ異なる強度比で放出する。とりわけ、放射源のうち中央の放射源２１０から外側の放射源２１０に向かうにつれて、強度が連続的に増加していく。すなわち、最外側にある放射源２１０が、最大強度の光を放出する、ということである。本構成でも、基板表面上における光の強度分布をより一様とすることができ、このことによってラジカル分布もより一様にすることができる。
【００６７】
特に、ボディ２０の開口部２１の幅にわたって、上掲の利点を有する実質的に一様のラジカル濃度を達成することができる。その上、本構成によって、流れ空間内に、開口部２１から出るスペクトル領域とは異なるスペクトル領域の放射を放出できるように、ある程度の波長選択を実現することもできる。
【００６８】
たとえば、第１の放射源はここでも２００ｎｍ未満の領域、たとえば約１８５ｎｍ付近を放出することができ、これに対して放射源２１０は、たとえば２００ｎｍ超の領域、特に約２５４ｎｍ付近を放出することができる。
【００６９】
図１１および図１２は、さらに他の構成の放射部１８を示している。同図でも、チャンバ２２ならびに開口部２１を備えたボディ２０および基板２は、概略的に示されている。
【００７０】
図１１の構成の放射部１８も管部材３０を備えており、この管部材３０はＵＶ放射に対して実質的に透過性である。管部材３０の内部に２つの放射源２２０および２２２が示されている。これら２つの放射源２２０，２２２は、管部材３０内部において上下に重なって配置されている。放射源２２０，２２２はそれぞれ異なる態様であり、とりわけそれぞれ異なるスペクトル領域を放出する。たとえば、上方の放射源２２０は主に２００ｎｍ未満のスペクトル領域、たとえば１８５ｎｍ付近を放出し、これに対して下方の放射源２２２は、主に２００ｎｍ超のスペクトル領域、たとえば２５４ｎｍ付近を放出する。
【００７１】
放射源２２０と２２２との間に、曲面の反射器２２６が設けられており、この反射器２２６は両面反射性である。この反射器は、流れ空間内に放出される放射と、開口部２１から外部へ放出される放射との分離を実質的に引き起こす。反射器２２６は、各流れ流路の（排出スリット３６と隣り合った）端部領域内に、上方の放射源２２０および下方の放射源２２２の双方からの放射が放出されるように配置されている。
【００７２】
上記にて述べたように、２００ｎｍ未満の放射は主に流れ流路内の媒質の分解を実質的に引き起こすものである一方、２００ｎｍ超の放射は、ラジカルを生成するために用いられる。このような生成を可能な限り流れ流路の端部領域で既に行うことが望ましいので、上述の構成は有利である。反射器２２６の、下方向を向いた領域の曲率は、ここでも、上述のように基板上における放射の強度分布が可能な限り一様になるように、特別に選択することができる。
【００７３】
図１２の実施形態では、放射源３２を１つ備えた管部材３０が設けられている。管部材３０の方は、チャンバ２２内部とチャンバ２２外部とで異なる吸収特性を有する。とりわけ、管部材３０の、チャンバ外部に位置する領域は、ＵＶ放射に対して実質的に透過性であるのに対し、管部材３０の、チャンバ２２内部に位置する領域は、ＵＶ放射の大半の割合を吸収する。とりわけ、チャンバ２２内部に位置する領域の吸収特性は、主に２００ｎｍ超の領域のＵＶ放射を吸収するように調整されている。図１２を見ると分かるように、実質的に透過性の領域の一部はチャンバ２２内まで達するので、上記のように２００ｎｍ超のＵＶ放射は、チャンバ２２の、排出スリット３６と隣り合った端部領域内にも放出され、この端部領域において既に所望のラジカル生成が達成される。
【００７４】
チャンバ２２の端部領域と管部材３０の透過性領域との適切な重なりは、管部材の中心点を基準として最大２０°の角度範囲で得ることができる（よって、両端部領域を合わせた重なりは、最大４０°）。このことは、本実施形態にのみ適用できるのではなく、流れ流路内とハウジングの外部とで選択的に異なる波長の放射を放出する他の実施形態にも、適用することができる。これは具体的には示されていないが、管部材の、流れ空間の方を向いた第３の領域では、流れ空間内へＵＶ放射を放出させない、追加の手段を設けることができる。たとえばこの第２の手段は、少なくとも１つの放射源と流れ空間との間に、ＵＶ放射に対して不透明（不透過性）の要素を備えることができる。上述の第３の領域は有利には、少なくとも１つの供給口を指向しており、長手方向中心平面を基準として対称的に配置され、管部材の周方向において６０°を超えては延在しない。
【００７５】
以下、装置１の動作について詳細に説明する。以下の説明ではまず、図１および図２の構成を前提とする。しかし、この動作のフローは異なる実施形態においても変わらない。
【００７６】
塗布ユニット６、特にその本体部８を、基板２と隣り合う位置に配置する。この位置では、開口部２１から出た液体は基板２に達しない。媒質接続部１６を介して、たとえば希釈化された過酸化水素水またはオゾン水Ｏ３‐Ｈ２Ｏ等の液状の媒質をチャンバ２２に導入しながら、同時に放射源３２をスイッチオンする。
【００７７】
管部材３０とチャンバ２２の内壁２３との間の流れチャンバ内に液体流が生じ、この液体流は排出スリット３６の方向に加速される。特に、供給路２４の端部における上方に位置する領域から排出スリット３６までの液体の流速は、適切な横断面変化によって、１０：１〜４０：１の比で、有利には１５：１〜２５：１の範囲の比で加速される。
【００７８】
本体部８の下方では水のカーテンが形成され、この水のカーテンは、本体部８の長さの大部分にわたって一様に延在する。放射源３２から放出された放射によって、流れ流路内の液体、すなわち供給部２４と排出スリット３６との間の液体は分解されて、液体中の不所望の反応種が破壊される。それと同時に、放射によってラジカルが生成される。このメカニズムは主に、放射の複数の異なるスペクトル領域で生じる。よって、分解のためには２００ｎｍ未満のスペクトル領域の放射が有利であり、それに対してラジカル生成のためには、２００ｎｍ超の放射、特に約２５４ｎｍ付近の放射が望ましい。図９〜１１に記載されているような特別な措置をとらない場合、放射源３２から出射される放射は、流れ流路の領域とボディ２０外部とでは実質的に同一であり、通常は２００ｎｍ超の放射成分と２００ｎｍ未満の放射成分との双方を含む。流れ流路内における加速流によって、流れの一様化が達成され、これによって大きな幅にわたって液体のカーテンが一様に形成される。
【００７９】
上記にて説明したように、流れ流路内では液体が分解されて不所望の反応種が破壊され、なおかつ、ラジカル、特にヒドロキシルラジカルが生成される。かかるラジカルは特に排出スリット３６の領域においても生成されるので、塗布ユニット６の本体部８を基板２にわたって移動させた場合、このラジカルは、基板２の表面上に達するために十分な時間にわたって存続することができる。
【００８０】
基板２はたとえば、レジスト残留物を洗浄除去しなければならないフォトマスクである。かかる洗浄は、マスクの面全体で行うことができ、またはマスクの特定の領域でのみ行うことも可能である。塗布ユニット６の本体部８を基板にわたって移動させることにより、液体カーテンも基板２にわたって移動する。放射源３２によって、液体中に連続的にラジカルが生成され続け、そのラジカル生成は、特に排出スリットの領域とボディ２０の開口部２１の下方とにおいて重要であり、場合によっては、実施形態において説明したような特定の措置によって、この場所に集中される。このようにして、開口部２１の下方の液体がラジカルを帯び、レジスト洗浄のために特に効果的となる。ラジカルの崩壊は速いので、開口部２１の下方以外の領域内の液体は、これほどは効果的ではなくなる。
【００８１】
全体塗布の速度は、ラジカルを帯びた液体の基板上における滞留時間を十分な長さにするために、必要とされる洗浄結果となるように調整することができる。マスクが適切に洗浄された場合、媒質供給を停止して放射源をスイッチオフすることができ、または、次の基板２を同様に処理することができる。
【００８２】
上記にて本発明を、本発明の有利な実施形態に基づいて詳細に説明したが、本発明はこれらの具体的な実施形態に限定されない。とりわけ、適切な両立性が達成される限りにおいて、各実施形態の複数の異なる発明特定事項を自由に互いに組み合わせ、または交換することができる。特に、付勢要素とスペーサピンとの組み合わせは、流れ空間の流れ横断面の変化にも依存することなく、排出スリットの一定の幅を保証するために有利となり得ることに留意すべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８（ａ）】
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【図８（ｂ）】
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【図９ａ）】
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【図９ｂ）】
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【図９ｃ）】
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【図１０ａ）】
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【図１０ｂ）】
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【図１０ｃ）】
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【図１１】
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【図１２】
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