(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に基材セラミック層を有する電子部品本体と、前記電子部品本体の表面に設けられた表面電極と、前記表面電極の外周部を被覆する被覆セラミック層とを備えるセラミック電子部品であって、
前記被覆セラミック層によって被覆された前記表面電極の外周部は、開口を有することを特徴とするセラミック電子部品。
【請求項２】
前記開口は、前記表面電極を貫通する請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項３】
前記開口は、穴又はスリットである請求項１又は２に記載のセラミック電子部品。
【請求項４】
表面に基材セラミック層を有する電子部品本体と、前記基材セラミック層の主面に突出するように前記電子部品本体の表面に設けられた表面電極と、前記表面電極の外周部を被覆する被覆セラミック層とを備えるセラミック電子部品であって、
前記被覆セラミック層によって被覆された前記表面電極の外周部において、前記表面電極の周縁側に、前記表面電極の中央部よりも厚みが薄い薄肉部が存在し、
前記薄肉部の幅は、前記被覆セラミック層によって被覆された前記表面電極の外周部の幅の５０％以上であることを特徴とするセラミック電子部品。
【請求項５】
表面に基材セラミック層を有する電子部品本体と、前記電子部品本体の表面に設けられた表面電極と、前記表面電極の外周部を被覆する被覆セラミック層とを備えるセラミック電子部品であって、
前記被覆セラミック層によって被覆された上記表面電極の外周部において、前記表面電極の中央部側に、前記表面電極の中央部よりも厚みが薄い薄肉部が存在し、
前記薄肉部の幅は、前記被覆セラミック層によって被覆された前記表面電極の外周部の幅の２０％以上であることを特徴とするセラミック電子部品。
【請求項６】
前記薄肉部の幅は、１５μｍ以上である請求項４又は５に記載のセラミック電子部品。
【請求項７】
前記薄肉部の厚みは、１０μｍ以下である請求項４〜６のいずれか１項に記載のセラミック電子部品。
【請求項８】
前記表面電極は、前記基材セラミック層の上面に設けられた第１焼結層と、前記第１焼結層の上面に設けられた第２焼結層と、前記第２焼結層の上面に設けられためっき層とを含む請求項１〜７のいずれか１項に記載のセラミック電子部品。
【請求項９】
前記第１焼結層は、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｉ及びＭｇからなる群より選択される少なくとも１種の金属元素を含む金属酸化物を含有する請求項８に記載のセラミック電子部品。
【請求項１０】
前記第２焼結層は、前記第１焼結層よりも少ない前記金属酸化物を含有する請求項９に記載のセラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品本体の表面に表面電極が設けられたセラミック電子部品として、例えば、多層セラミック基板のような積層型セラミック電子部品が挙げられる。【０００３】
このようなセラミック電子部品においては、表面電極の高周波特性の劣化を防止するために、いわゆるフレーミング層と呼ばれる被覆セラミック層を表面電極の外周部に設けることが行われている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１８６２６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記被覆セラミック層は、表面電極の外周部に加えて、電子部品本体のセラミック層（以下、基材セラミック層という）上にも設けられる。
通常、被覆セラミック層は、被覆セラミック層形成用のセラミックグリーンシートを所定箇所に載置して焼成するか、又は、被覆セラミック層形成用のセラミックペーストを所定箇所に塗布して焼成することにより形成され、電子部品本体及び表面電極を得るための焼成と同時に焼成することによって形成されることが好ましいとされている。【０００６】
しかし、表面電極上と基材セラミック層上とでは、セラミックグリーンシート又はセラミックペーストの焼結性が異なるため、焼成後に得られる被覆セラミック層の強度に差が生じるという問題があった。具体的には、表面電極上の被覆セラミック層の強度が基材セラミック層上の被覆セラミック層の強度よりも低くなり、その結果、セラミック電子部品に対してブラスト処理等の表面処理を行った場合、被覆セラミック層が表面電極から剥がれてしまうという問題があった。【０００７】
本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、被覆セラミック層と表面電極との間の接合強度が高く、表面電極からの被覆セラミック層の剥がれを防止することができるセラミック電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
電子部品本体及び表面電極を得るための焼成と同時に焼成することによって被覆セラミック層を形成する場合、焼成時、基材セラミック層を構成するセラミック成分又はガラス成分が液相となって被覆セラミック層へ供給され、その結果、被覆セラミック層の焼結性が向上すると考えられる。本発明者は、基材セラミック層から被覆セラミック層へ供給される液相の量の違いによって、表面電極上と基材セラミック層上とで被覆セラミック層の焼結性に違いが生じるのではないかと考えた。すなわち、本発明者は、表面電極上の被覆セラミック層は、基材セラミック層上の被覆セラミック層に比べて、液相が供給されにくいために焼結性が劣り、被覆セラミック層と表面電極との間の接合強度が低くなるのではないかと考えた。【０００９】
そこで、本発明者は、基材セラミック層から表面電極上の被覆セラミック層へ液相を供給するための経路を表面電極に形成することにより、表面電極からの被覆セラミック層の剥がれを防止することができることを見出し、本発明を完成した。【００１０】
本発明の第１実施形態に係るセラミック電子部品は、表面に基材セラミック層を有する電子部品本体と、上記電子部品本体の表面に設けられた表面電極と、上記表面電極の外周部を被覆する被覆セラミック層とを備えるセラミック電子部品であって、上記被覆セラミック層によって被覆された上記表面電極の外周部は、開口を有することを特徴とする。【００１１】
本発明の第１実施形態では、被覆セラミック層によって被覆された表面電極の外周部に開口を形成することにより、開口を通して基材セラミック層から被覆セラミック層へ液相が供給されると考えられる。その結果、表面電極上の被覆セラミック層の焼結性が向上し、被覆セラミック層と表面電極との間の接合強度が高くなるため、セラミック電子部品に対してブラスト処理等の表面処理を行った場合であっても、被覆セラミック層が表面電極から剥がれにくくなる。【００１２】
このように、開口を通して基材セラミック層から被覆セラミック層へ液相が供給されるため、焼結性が低い組成の被覆セラミック層（例えば、Ａｌ２Ｏ３等の金属酸化物の含有量が多い被覆セラミック層）を形成する場合であっても、被覆セラミック層と表面電極との間の接合強度が高くなる。【００１３】
また、被覆セラミック層と表面電極との間の接合強度が高いと、被覆セラミック層を形成した後にめっき層を形成する場合であっても、めっき層を形成する前の表面電極と被覆セラミック層との界面にめっき液が侵入しにくくなるため、異常析出のリスクが低下する。【００１４】
さらに、表面電極の外周部に開口を形成することにより、被覆セラミック層と表面電極との接触面積が増大するため、アンカー効果が高まり、被覆セラミック層と表面電極との間の接合強度が高くなる。【００１５】
本発明の第１実施形態において、上記開口は、上記表面電極を貫通することが好ましい。
表面電極を貫通する開口を表面電極の外周部に形成することにより、表面電極上の被覆セラミック層への液相の供給が促進される。【００１６】
本発明の第１実施形態において、上記開口は、穴又はスリットであることが好ましい。
穴又はスリットからなる開口は、開口を有するスクリーン版を用いてスクリーン印刷を行う方法やレーザ又はメカパンチャー等を用いた加工方法等によって容易に形成することができるため、基材セラミック層から表面電極上の被覆セラミック層へ液相を供給するための経路を容易に形成することができる。【００１７】
本発明の第２実施形態に係るセラミック電子部品は、表面に基材セラミック層を有する電子部品本体と、上記電子部品本体の表面に設けられた表面電極と、上記表面電極の外周部を被覆する被覆セラミック層とを備えるセラミック電子部品であって、上記被覆セラミック層によって被覆された上記表面電極の外周部において、上記表面電極の周縁側に、上記表面電極の中央部よりも厚みが薄い薄肉部が存在し、上記薄肉部の幅は、上記被覆セラミック層によって被覆された上記表面電極の外周部の幅の５０％以上であることを特徴とする。【００１８】
本発明の第３実施形態に係るセラミック電子部品は、表面に基材セラミック層を有する電子部品本体と、上記電子部品本体の表面に設けられた表面電極と、上記表面電極の外周部を被覆する被覆セラミック層とを備えるセラミック電子部品であって、上記被覆セラミック層によって被覆された上記表面電極の外周部において、上記表面電極の中央部側に、上記表面電極の中央部よりも厚みが薄い薄肉部が存在し、上記薄肉部の幅は、上記被覆セラミック層によって被覆された上記表面電極の外周部の幅の２０％以上であることを特徴とする。【００１９】
本発明の第２実施形態では、被覆セラミック層によって被覆された表面電極の外周部のうち、表面電極の周縁側に、表面電極の中央部よりも厚みの薄い薄肉部を形成し、薄肉部の幅を表面電極の外周部の幅の５０％以上とすることにより、薄肉部を通して基材セラミック層から被覆セラミック層へ液相が供給されやすくなると考えられる。その結果、表面電極上の被覆セラミック層の焼結性が向上し、被覆セラミック層と表面電極との間の接合強度が高くなるため、セラミック電子部品に対してブラスト処理等の表面処理を行った場合であっても、被覆セラミック層が表面電極から剥がれにくくなる。【００２０】
本発明の第３実施形態では、被覆セラミック層によって被覆された表面電極の外周部のうち、表面電極の中央部側に、表面電極の中央部よりも厚みの薄い薄肉部を形成し、薄肉部の幅を表面電極の外周部の幅の２０％以上とすることにより、第２実施形態と同様に、薄肉部を通して基材セラミック層から被覆セラミック層へ液相が供給されやすくなると考えられる。特に、本発明の第３実施形態では、第２実施形態と比べて、最も剥がれが生じやすい被覆セラミック層の端部に、液相が選択的に供給されやすくなると考えられる。その結果、表面電極上の被覆セラミック層の焼結性が向上し、被覆セラミック層と表面電極との間の接合強度が高くなるため、セラミック電子部品に対してブラスト処理等の表面処理を行った場合であっても、被覆セラミック層が表面電極から剥がれにくくなる。【００２１】
このように、本発明の第２実施形態及び第３実施形態では、薄肉部を通して基材セラミック層から被覆セラミック層へ液相が供給されやすくなるため、焼結性が低い組成の被覆セラミック層（例えば、Ａｌ２Ｏ３等の金属酸化物の含有量が多い被覆セラミック層）を形成する場合であっても、被覆セラミック層と表面電極との間の接合強度が高くなる。【００２２】
また、被覆セラミック層と表面電極との間の接合強度が高いと、被覆セラミック層を形成した後にめっき層を形成する場合であっても、めっき層を形成する前の表面電極と被覆セラミック層との界面にめっき液が侵入しにくくなるため、異常析出のリスクが低下する。【００２３】
本発明の第２実施形態及び第３実施形態において、上記薄肉部の幅は、１５μｍ以上であることが好ましい。また、上記薄肉部の厚みは、１０μｍ以下であることが好ましい。
薄肉部の幅及び薄肉部の厚みをそれぞれ上記範囲にすることにより、表面電極上の被覆セラミック層への液相の供給が促進される。【００２４】
以下、本発明の第１実施形態に係るセラミック電子部品、本発明の第２実施形態に係るセラミック電子部品、及び、本発明の第３実施形態に係るセラミック電子部品を区別しない場合、単に本発明のセラミック電子部品という。【００２５】
本発明のセラミック電子部品において、上記表面電極は、上記基材セラミック層の上面に設けられた第１焼結層と、上記第１焼結層の上面に設けられた第２焼結層と、上記第２焼結層の上面に設けられためっき層とを含むことが好ましい。
この場合、表面電極を、基材セラミック層との接合強度を高くするための第１焼結層と、めっき層を設けるための第２焼結層とからなる複層構造にすることができるため、表面電極と基材セラミック層との間の接合強度を高くすることができる。【００２６】
本発明のセラミック電子部品において、上記第１焼結層は、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｉ及びＭｇからなる群より選択される少なくとも１種の金属元素を含む金属酸化物を含有することが好ましい。
第１焼結層が上記金属酸化物を含有していると、これらの金属酸化物が基材セラミック層を構成するセラミック成分又はガラス成分と結合することができるため、第１焼結層と基材セラミック層との間の接合強度を高くすることができる。【００２７】
本発明のセラミック電子部品において、上記第２焼結層は、上記第１焼結層よりも少ない上記金属酸化物を含有することが好ましい。
この場合、第２焼結層の上面をめっきが付着しやすい状態にすることができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、被覆セラミック層と表面電極との間の接合強度が高く、表面電極からの被覆セラミック層の剥がれを防止することができるセラミック電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係るセラミック電子部品の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】図２Ａ〜図２Ｃは、図１に示すセラミック電子部品１の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の第２実施形態に係るセラミック電子部品の一例を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の第２実施形態に係るセラミック電子部品の別の一例を模式的に示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の第２実施形態に係るセラミック電子部品のさらに別の一例を模式的に示す断面図である。
【図６】図６Ａ〜図６Ｃは、図３に示すセラミック電子部品２の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図７】図７は、本発明の第３実施形態に係るセラミック電子部品の一例を模式的に示す断面図である。
【図８】図８は、セラミック電子部品１−１における表面電極の外周部に形成した開口の形状を模式的に示す平面図である。
【図９】図９は、セラミック電子部品１−２における表面電極の外周部に形成した開口の形状を模式的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明のセラミック電子部品の実施形態について説明する。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。
以下において記載する個々の実施形態の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
【００３１】
以下に示す各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもない。第２実施形態以降では、第１実施形態と共通の事項についての記述は省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については、実施形態毎には逐次言及しない。
【００３２】
以下の実施形態では、セラミック電子部品が、多層セラミック基板等の積層型セラミック電子部品である場合、すなわち、電子部品本体が、複数のセラミック層が積層された積層構造を有する場合について説明する。しかし、本発明は、積層型セラミック電子部品に限らず、電子部品本体が表面に基材セラミック層を有し、電子部品本体の表面に表面電極が設けられた種々のセラミック電子部品に対して適用することが可能である。
【００３３】
［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態に係るセラミック電子部品の一例を模式的に示す断面図である。
図１には全体的な構成が示されていないが、セラミック電子部品１は、表面に基材セラミック層１１を有する電子部品本体１０と、電子部品本体１０の表面に設けられた表面電極２０と、表面電極２０の外周部を被覆する被覆セラミック層３０とを備えている。
そして、被覆セラミック層３０によって被覆された表面電極２０の外周部は、開口４０を有している。図１では示していないが、開口４０は、基材セラミック層１１に含有されるセラミック成分又はガラス成分で充填されていることが好ましい。
【００３４】
図１では、電子部品本体１０は、複数の基材セラミック層１１が積層された積層構造を有しており、電子部品本体１０の内部には、内部配線導体としての内部導体膜１２及びビアホール導体１３が設けられている。内部導体膜１２はビアホール導体１３と電気的に接続されており、ビアホール導体１３は表面電極２０と電気的に接続されている。また、表面電極２０は、３層構造を有しており、電子部品本体１０の表面に位置する基材セラミック層１１の上面に設けられた第１焼結層２１と、第１焼結層２１の上面に設けられた第２焼結層２２と、第２焼結層２２の上面に設けられためっき層２３とを含んでいる。
【００３５】
本明細書においては、表面電極のうち、被覆セラミック層によって被覆されている部分を表面電極の外周部といい、被覆セラミック層によって被覆されていない部分を表面電極の中央部という。以下、被覆セラミック層によって被覆された表面電極の外周部を、単に表面電極の外周部ともいう。
また、表面電極が複層構造を有する場合も同様に、被覆セラミック層によって被覆されている部分を各層の外周部といい、被覆セラミック層によって被覆されていない部分を各層の中央部という。
【００３６】
図１に示すセラミック電子部品１では、表面電極２０の外周部は、基材セラミック層１１上及び第２焼結層２２上に設けられた被覆セラミック層３０によって被覆されており、さらに、第１焼結層２１及び第２焼結層２２を貫通する開口４０を有している。一方、表面電極２０の中央部には、めっき層２３が設けられており、めっき層２３は被覆セラミック層３０によって被覆されていない。
【００３７】
電子部品本体を構成する基材セラミック層は、低温焼結セラミック材料を含有することが好ましい。
低温焼結セラミック材料とは、セラミック材料のうち、１０００℃以下の焼成温度で焼結可能であり、ＡｇやＣｕとの同時焼成が可能である材料を意味する。
【００３８】
基材セラミック層に含有される低温焼結セラミック材料としては、例えば、クオーツやアルミナ、フォルステライト等のセラミック材料にホウ珪酸ガラスを混合してなるガラス複合系低温焼結セラミック材料、ＺｎＯ−ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系の結晶化ガラスを用いた結晶化ガラス系低温焼結セラミック材料、ＢａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系セラミック材料やＡｌ２Ｏ３−ＣａＯ−ＳｉＯ２−ＭｇＯ−Ｂ２Ｏ３系セラミック材料等を用いた非ガラス系低温焼結セラミック材料等が挙げられる。
【００３９】
電子部品本体の内部に設けられる内部配線導体（内部導体膜及びビアホール導体）は、導電成分を含有する。内部配線導体に含有される導電成分としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｒｕ及びこれらの金属の１種を主成分とする合金等が挙げられる。内部配線導体は、導電成分として、Ａｕ、Ａｇ又はＣｕを含有することが好ましく、Ａｇ又はＣｕを含有することがより好ましい。Ａｕ、Ａｇ及びＣｕは低抵抗であるため、特に、セラミック電子部品が高周波用途である場合に適している。
【００４０】
表面電極の外周部を被覆する被覆セラミック層は、電子部品本体の表面に位置する基材セラミック層上と表面電極上とに設けられている。
【００４１】
被覆セラミック層は、低温焼結セラミック材料を含有することが好ましい。この場合、被覆セラミック層に含有される低温焼結セラミック材料は、基材セラミック層に含有される低温焼結セラミック材料と同一であっても異なっていてもよいが、基材セラミック層に含有される低温焼結セラミック材料と同一であることが好ましい。
【００４２】
被覆セラミック層は、後述する表面電極の第１焼結層に含有される金属酸化物と同じ金属酸化物を含有してもよいが、上記金属酸化物を実質的に含有しないことが好ましい。被覆セラミック層が上記金属酸化物を含有する場合、被覆セラミック層中の上記金属酸化物の含有量は、５０重量％未満であることが好ましい。
【００４３】
被覆セラミック層の厚みは特に限定されないが、０．５μｍ以上、４０μｍ以下であることが好ましい。
【００４４】
電子部品本体の表面に設けられた表面電極は、配線基板又は搭載部品のような他の電子部品と接続されるためのものである。表面電極と他の電子部品とは、半田付け等によって接続される。
【００４５】
表面電極に含有される導電成分としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｒｕ及びこれらの金属の１種を主成分とする合金等が挙げられる。表面電極は、内部配線導体と同じ導電成分を含有することが好ましく、具体的には、導電成分として、Ａｕ、Ａｇ又はＣｕを含有することが好ましく、Ａｇ又はＣｕを含有することがより好ましい。
【００４６】
表面電極の外周部の幅（図１中、Ｗ１で表される長さ）は特に限定されないが、１５μｍ以上、１ｍｍ以下であることが好ましい。
本明細書において、表面電極の外周部の幅とは、表面電極の周縁から被覆セラミック層の内周縁までの距離を意味する。
【００４７】
本発明の第１実施形態では、被覆セラミック層によって被覆された表面電極の外周部が、開口を有することを特徴としている。上記開口は、基材セラミック層に含有されるセラミック成分又はガラス成分で充填されていることが好ましい。
【００４８】
表面電極の外周部には、１つの開口が設けられていてもよいが、複数の開口が設けられていることが好ましい。
【００４９】
表面電極の外周部に設けられる開口は、表面電極を貫通していてもよいし、表面電極を貫通せず、表面電極の一方の主面のみが開口していてもよいが、表面電極を貫通していることが好ましい。上記開口が表面電極を貫通しない場合、開口していない側の表面電極の主面から開口までの距離は１０μｍ以下であることが好ましい。
表面電極の外周部が複数の開口を有する場合、すべての開口が表面電極を貫通していることが好ましいが、表面電極を貫通する開口と表面電極を貫通しない開口とが混在していてもよい。
【００５０】
開口が設けられる位置は、表面電極の外周部であれば特に限定されないが、表面電極の外周部に一様に開口が設けられていることが好ましい。
【００５１】
表面電極の外周部に設けられる開口は、穴又はスリットであることが好ましい。
穴の平面形状は、実質的に円形又は正多角形であることが好ましく、実質的に円形又は正方形であることがより好ましい。スリットの平面形状は、実質的に楕円又は長方形であることが好ましい。
【００５２】
表面電極の外周部に穴又はスリットが設けられる場合、１又は複数の穴のみが設けられていてもよく、１又は複数のスリットのみが設けられていてもよく、穴とスリットとが混在していてもよい。複数の穴が設けられている場合、穴の形状は、それぞれ異なっていてもよいが、すべて同じであることが好ましい。スリットの場合も同様である。
【００５３】
表面電極は、１層構造を有していてもよいし、複層構造を有していてもよいが、複層構造を有していることが好ましい。
表面電極が１層構造を有する場合、焼結層のみからなることが好ましい。
表面電極が複層構造を有する場合、電子部品本体の表面に位置する基材セラミック層の上面に設けられた焼結層と、焼結層の上面に設けられためっき層とを含む少なくとも２層構造を有していることが好ましく、電子部品本体の表面に位置する基材セラミック層の上面に設けられた第１焼結層と、第１焼結層の上面に設けられた第２焼結層と、第２焼結層の上面に設けられためっき層とを含む少なくとも３層構造を有していることがより好ましい。
焼結層は、導電性ペーストを焼き付けることによって形成されたものであり、めっき層は、焼結層を形成した後に電解めっき又は無電解めっきを施すことによって形成されたものである。
なお、表面電極が複層構造を有する場合、最表面にめっき層を含むことが好ましいが、めっき層を含まず、焼結層のみを含んでいてもよい。また、表面電極が最表面にめっき層を含む場合、めっき層は、通常、焼結層及び被覆セラミック層を形成した後に形成されるため、めっき層は被覆セラミック層によって被覆されていない。
【００５４】
以下、表面電極の第１焼結層、第２焼結層及びめっき層について説明する。
表面電極を構成する第１焼結層は、導電成分を含有する。電子部品本体との接合強度を高くするため、第１焼結層は、金属酸化物をさらに含有することが好ましい。
【００５５】
第１焼結層に含有される導電成分としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｒｕ及びこれらの金属の１種を主成分とする合金等が挙げられる。第１焼結層は、内部配線導体と同じ導電成分を含有することが好ましく、具体的には、導電成分として、Ａｕ、Ａｇ又はＣｕを含有することが好ましく、Ａｇ又はＣｕを含有することがより好ましい。
【００５６】
第１焼結層に含有される金属酸化物としては、例えば、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｉ及びＭｇからなる群より選択される少なくとも１種の金属元素を含む金属酸化物が挙げられる。上記金属酸化物は、１種でもよく、２種以上でもよい。これらの中では、Ａｌ、Ｚｒ及びＴｉからなる群より選択される少なくとも１種の金属元素を含む金属酸化物が好ましく、Ａｌ元素を含む金属酸化物がより好ましい。
【００５７】
第１焼結層中の金属酸化物の含有量は特に限定されないが、第２焼結層中の金属酸化物の含有量よりも多いことが好ましい。具体的には、第１焼結層中の金属酸化物の含有量は、１重量％以上が好ましく、３重量％以上がより好ましい。一方、第１焼結層中の金属酸化物の含有量は、１０重量％未満が好ましく、５重量％未満がより好ましい。
【００５８】
第１焼結層が金属酸化物を含有する場合、導電成分を構成する金属の粒子と金属酸化物の粒子とが分散して存在していてもよく、金属の粒子の周囲に金属酸化物が被覆されていてもよいが、金属の粒子の周囲に金属酸化物が被覆されていることが好ましい。金属の粒子の周囲に金属酸化物が被覆されている場合、金属酸化物の含有量が少なくても、電子部品本体との接合強度を高くすることができる。
【００５９】
第１焼結層の平面視形状は特に限定されず、例えば、矩形をはじめとする四角形のほか、四角形以外の多角形、円形、楕円形等が挙げられる。
【００６０】
表面電極を構成する第２焼結層は、導電成分を含有する。第２焼結層に含有される導電成分は、第１焼結層に含有される導電成分と同じであることが好ましい。
【００６１】
第２焼結層は、第１焼結層に含有される金属酸化物と同じ金属酸化物を含有していてもよいが、金属酸化物の含有量が多くなると、第２焼結層の上面にめっきが付着しにくくなる。そのため、第２焼結層は、第１焼結層よりも少ない金属酸化物を含有することが好ましく、上記金属酸化物を実質的に含有しないことがより好ましい。第２焼結層が金属酸化物を含有する場合において、第１焼結層中の金属酸化物の含有量が１重量％以上１０重量％未満であるときは、第２焼結層中の金属酸化物の含有量は、１重量％未満であることが好ましい。また、第１焼結層中の金属酸化物の含有量が３重量％以上５重量％未満であるときは、第２焼結層中の金属酸化物の含有量は、３重量％未満であることが好ましく、１重量％未満であることがより好ましい。
【００６２】
第２焼結層の上面の面積は、第１焼結層の上面の面積と実質的に同じであることが好ましい。すなわち、第２焼結層の平面視形状は、第１焼結層の平面視形状と実質的に同じであることが好ましい。
【００６３】
なお、焼結層の数は２層に限定されず、基材セラミック層の上面に設けられた第１焼結層と、上面にめっき層が設けられる第２焼結層との間に他の焼結層が設けられていてもよい。
【００６４】
表面電極を構成するめっき層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｓｎ又はこれらの金属を含む合金からなることが好ましい。また、表面電極を構成するめっき層は、第２焼結層側から１層目がＮｉ、２層目がＡｕであるＮｉ／Ａｕめっき層、第２焼結層側から１層目がＮｉ、２層目がＳｎであるＮｉ／Ｓｎめっき層、第２焼結層側から１層目がＮｉ、２層目がＰｄ、３層目がＡｕであるＮｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき層等の複数層からなるめっき層であってもよい。
【００６５】
被覆セラミック層が設けられている部分にはめっき層が設けられないため、めっき層の上面の面積は、第２焼結層の上面の面積よりも小さいことが好ましい。
【００６６】
めっき層の厚みは特に限定されないが、１μｍ以上、１０μｍ以下であることが好ましい。
【００６７】
図１に示すセラミック電子部品１は、好ましくは以下のように製造される。
図２Ａ〜図２Ｃは、図１に示すセラミック電子部品１の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【００６８】
まず、図２Ａに示す未焼結の積層体１００を作製する。
未焼結の積層体１００を作製するため、複数の基材セラミックグリーンシート１１１を準備する。基材セラミックグリーンシート１１１は、焼成後に基材セラミック層１１となるものである。
【００６９】
基材セラミックグリーンシートは、例えば低温焼結セラミック材料のようなセラミック原料の粉末と、有機バインダと溶剤とを含有するスラリーを、ドクターブレード法等によってシート状に成形したものである。上記スラリーには、分散剤、可塑剤等の種々の添加剤が含有されていてもよい。
【００７０】
上記スラリーに含有される有機バインダとしては、例えば、ブチラール樹脂（ポリビニルブチラール）、アクリル樹脂、メタクリル樹脂等を用いることができる。溶剤としては、例えば、トルエン、イソプロピルアルコール等のアルコール等を用いることができる。可塑剤としては、例えば、ジ−ｎ−ブチルフタレート等を用いることができる。
【００７１】
次に、特定の基材セラミックグリーンシート１１１に、ビアホール導体１３のための貫通孔を形成する。該貫通孔に、例えばＡｇ又はＣｕを導電成分として含有する導電性ペーストを充填することにより、ビアホール導体１３となるべき導電性ペースト体１１３を形成する。
【００７２】
また、上記導電性ペーストと同じ組成の導電性ペーストを用いて、例えばスクリーン印刷等の方法によって、特定の基材セラミックグリーンシート１１１に、内部導体膜１２となるべき導電性ペースト膜１１２を形成する。
【００７３】
さらに、積層後に表面に配置される基材セラミックグリーンシート１１１上に、第１焼結層２１となるべき導電性ペースト膜１２１を形成し、導電性ペースト膜１２１上に、第２焼結層２２となるべき導電性ペースト膜１２２を形成する。第１焼結層２１となるべき導電性ペースト膜１２１は、例えばＡｇ又はＣｕを導電成分として含有し、Ａｌ２Ｏ３を金属酸化物として含有する導電性ペーストを用いて、スクリーン印刷等の方法によって形成することができ、第２焼結層２２となるべき導電性ペースト膜１２２は、例えばＡｇ又はＣｕを導電成分として含有する導電性ペーストを用いて、スクリーン印刷等の方法によって形成することができる。この際、第１焼結層２１となるべき導電性ペースト膜１２１及び第２焼結層２２となるべき導電性ペースト膜１２２を貫通する開口１４０が形成されるように、開口を有する導電性ペースト膜１２１及び導電性ペースト膜１２２を形成するか、又は、導電性ペースト膜１２１及び導電性ペースト膜１２２を形成した後に開口を形成する。なお、第１焼結層２１となるべき導電性ペースト膜１２１及び第２焼結層２２となるべき導電性ペースト膜１２２は、基材セラミックグリーンシート１１１を積層した後、焼成する前に形成してもよい。上記導電性ペーストに含有される金属酸化物としては、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＭｇＯ等を用いることができ、これらの中ではＡｌ２Ｏ３を用いることが好ましい。
【００７４】
開口を有する導電性ペースト膜を形成する方法としては、例えば、開口を有するスクリーン版を用いてスクリーン印刷を行う方法、ＰＥＴフィルム等の転写フィルム上に導電性ペースト膜を形成し、メカパンチャー等を用いて転写フィルム上の導電性ペースト膜に開口を形成した後、導電性ペースト膜を基材セラミックグリーンシートに転写する方法等が挙げられる。導電性ペーストを形成した後に開口を形成する方法としては、例えば、基材セラミックグリーンシート上に導電性ペースト膜を形成した後、レーザ等を用いて導電性ペースト膜のみに開口を形成する方法等が挙げられる。
【００７５】
別途、被覆セラミックグリーンシート１３０を準備する。被覆セラミックグリーンシート１３０は、焼成後に被覆セラミック層３０となるものである。
【００７６】
被覆セラミックグリーンシートは、例えば低温焼結セラミック材料のようなセラミック原料の粉末と、有機バインダと溶剤とを含有するスラリーを、ドクターブレード法等によってシート状に成形したものである。上記スラリーには、分散剤、可塑剤等の種々の添加剤が含有されていてもよい。なお、被覆セラミックグリーンシートを作製するためのスラリーとして、基材セラミックグリーンシートを作製するためのスラリーを使用することもできる。
【００７７】
続いて、ビアホール導体１３となるべき導電性ペースト体１１３又は内部導体膜１２となるべき導電性ペースト膜１１２が形成された基材セラミックグリーンシート１１１と、第１焼結層２１となるべき導電性ペースト膜１２１及び第２焼結層２２となるべき導電性ペースト膜１２２が形成された基材セラミックグリーンシート１１１と、被覆セラミックグリーンシート１３０とを積層し、圧着することにより、未焼結の積層体１００を作製する。被覆セラミックグリーンシート１３０は、開口１４０が形成された領域を被覆するように、積層後に表面に配置される基材セラミックグリーンシート１１１上と第２焼結層２２となるべき導電性ペースト膜１２２上とに配置する。
【００７８】
なお、被覆セラミックグリーンシート１３０に代えて、ペースト状組成物を、未焼結の積層体１００の表面に位置する基材セラミックグリーンシート１１１上と第２焼結層２２となるべき導電性ペースト膜１２２上とに塗布することによっても、未焼結の積層体１００を作製することができる。この場合、積層する前の基材セラミックグリーンシート１１１上と第２焼結層２２となるべき導電性ペースト膜１２２上とにペースト状組成物を塗布してもよい。
【００７９】
その後、未焼結の積層体１００を焼成する。これによって、図２Ｂに示すように、表面に基材セラミック層１１を有する電子部品本体１０と、基材セラミック層１１の上面に設けられた第１焼結層２１と、第１焼結層２１の上面に設けられた第２焼結層２２と、基材セラミック層１１上及び第２焼結層２２上に設けられた被覆セラミック層３０とを備える積層体が得られる。被覆セラミック層３０によって被覆された第１焼結層２１及び第２焼結層２２の外周部には、開口４０が形成されている。図２Ｂでは示していないが、焼成時、基材セラミック層１１を構成するセラミック成分又はガラス成分が液相となり、この液相が、開口４０を通して基材セラミック層１１（基材セラミックグリーンシート１１１）から被覆セラミック層３０（被覆セラミックグリーンシート１３０）へ供給される。そのため、開口４０は、基材セラミック層１１を構成するセラミック成分又はガラス成分で充填されることが好ましい。
【００８０】
なお、第１焼結層及び第２焼結層は、焼結後の電子部品本体の表面に各導電性ペースト膜を形成し、これらの導電性ペースト膜を焼成することによっても形成することができ、また、被覆セラミック層は、焼結後の第１焼結層及び第２焼結層の周縁に被覆セラミックグリーンシートを配置し、この被覆セラミックグリーンシートを焼成することによっても形成することができるが、上記のように、電子部品本体を得るための焼成と同時に焼成することによって形成することが好ましい。第１焼結層、第２焼結層及び被覆セラミック層を同時焼成によって形成する方が、製造工程の効率化及び低コスト化にとって有利であり、また、電子部品本体と第１焼結層との間の接合強度、及び、電子部品本体と被覆セラミック層との間の接合強度を高くすることができる。第１焼結層、第２焼結層及び被覆セラミック層を同時焼成によって形成する場合には、電子部品本体を構成する基材セラミック層は、上述したように低温焼結セラミック材料を含有することが好ましい。
【００８１】
また、未焼結の積層体１００の焼結温度では実質的に焼結しない金属酸化物（Ａｌ２Ｏ３等）を主成分とする拘束グリーンシートを準備し、未焼結の積層体１００の最表面に拘束グリーンシートを配置した状態で未焼結の積層体１００を焼成してもよい。この場合、拘束グリーンシートは、焼成時において実質的に焼結しないので収縮が生じず、積層体に対して主面方向での収縮を抑制するように作用する。
【００８２】
未焼結の積層体１００の焼成後、電解めっき又は無電解めっきを施すことによって、図２Ｃに示すように、第２焼結層２２の上面にめっき層２３を形成する。めっき層２３として、第２焼結層２２上にＮｉめっき膜を形成し、その上にＡｕ又はＳｎめっき膜を形成することが好ましい。
以上により、第１焼結層２１、第２焼結層２２及びめっき層２３を含む表面電極２０が電子部品本体１０の表面に設けられ、表面電極２０の外周部を被覆セラミック層３０が被覆するセラミック電子部品１が得られる。
【００８３】
本発明の第１実施形態では、被覆セラミック層によって被覆された表面電極の外周部に開口を形成することにより、開口を通して基材セラミック層から被覆セラミック層へ液相が供給されると考えられる。その結果、表面電極上の被覆セラミック層の焼結性が向上し、被覆セラミック層と表面電極との間の接合強度が高くなるため、セラミック電子部品に対してブラスト処理等の表面処理を行った場合であっても、被覆セラミック層が表面電極から剥がれにくくなる。
【００８４】
さらに、表面電極の外周部に開口を形成することにより、被覆セラミック層と表面電極との接触面積が増大するため、アンカー効果が高まり、被覆セラミック層と表面電極との間の接合強度が高くなる。
【００８５】
［第２実施形態］
図３は、本発明の第２実施形態に係るセラミック電子部品の一例を模式的に示す断面図である。
図３には全体的な構成が示されていないが、セラミック電子部品２は、表面に基材セラミック層１１を有する電子部品本体１０と、電子部品本体１０の表面に設けられた表面電極２０と、表面電極２０の外周部を被覆する被覆セラミック層３０とを備えている。
そして、被覆セラミック層３０によって被覆された表面電極２０の外周部において、表面電極２０の周縁側には、表面電極２０の中央部よりも厚みが薄い薄肉部５０が存在する。
【００８６】
図３では、電子部品本体１０は、複数の基材セラミック層１１が積層された積層構造を有しており、電子部品本体１０の内部には、内部配線導体としての内部導体膜１２及びビアホール導体１３が設けられている。内部導体膜１２はビアホール導体１３と電気的に接続されており、ビアホール導体１３は表面電極２０と電気的に接続されている。また、表面電極２０は、３層構造を有しており、電子部品本体１０の表面に位置する基材セラミック層１１の上面に設けられた第１焼結層２１と、第１焼結層２１の上面に設けられた第２焼結層２２と、第２焼結層２２の上面に設けられためっき層２３とを含んでいる。
【００８７】
上述のとおり、本明細書においては、表面電極のうち、被覆セラミック層によって被覆されている部分を表面電極の外周部といい、被覆セラミック層によって被覆されていない部分を表面電極の中央部という。
【００８８】
図３に示すセラミック電子部品２では、表面電極２０の外周部は、基材セラミック層１１上及び第２焼結層２２上に設けられた被覆セラミック層３０によって被覆されており、さらに、表面電極２０の外周部の全体が、表面電極２０の中央部よりも厚みが薄い薄肉部５０となっている。一方、表面電極２０の中央部には、めっき層２３が設けられており、めっき層２３は被覆セラミック層３０によって被覆されていない。
【００８９】
図４は、本発明の第２実施形態に係るセラミック電子部品の別の一例を模式的に示す断面図である。
図４に示すセラミック電子部品３では、表面電極２０の外周部の一部が、表面電極２０の中央部よりも厚みが薄い薄肉部５０となっている。
【００９０】
電子部品本体を構成する基材セラミック層の材料、電子部品本体の内部に設けられる内部配線導体の導電成分等は、第１実施形態と同じである。
【００９１】
表面電極の外周部を被覆する被覆セラミック層は、電子部品本体の表面に位置する基材セラミック層上と表面電極上とに設けられている。
【００９２】
被覆セラミック層に含有される材料、被覆セラミック層の厚み等は、第１実施形態と同じである。
【００９３】
電子部品本体の表面に設けられた表面電極は、配線基板又は搭載部品のような他の電子部品と接続されるためのものである。表面電極と他の電子部品とは、半田付け等によって接続される。
【００９４】
表面電極に含有される導電成分は、第１実施形態と同じである。
【００９５】
本発明の第２実施形態では、被覆セラミック層によって被覆された表面電極の外周部において、表面電極の周縁側に、表面電極の中央部よりも厚みが薄い薄肉部が存在する。換言すると、本発明の第２実施形態では、表面電極の周縁を周縁側の端部として、表面電極の周縁側から中央部側に所定の幅を有する薄肉部が存在する。
【００９６】
表面電極の外周部の幅（図３及び図４中、Ｗ１で表される長さ）は特に限定されないが、１５μｍ以上、１ｍｍ以下であることが好ましい。
上述のとおり、本明細書において、表面電極の外周部の幅とは、表面電極の周縁から被覆セラミック層の内周縁までの距離を意味する。
【００９７】
薄肉部の幅（図３及び図４中、Ｗ２で表される長さ）は、１０μｍ以上が好ましく、１５μｍ以上がより好ましく、２０μｍ以上がさらに好ましい。
本発明の第２実施形態において、薄肉部の幅とは、表面電極の周縁から中央部の厚みと同じ厚みになるまでの距離を意味する。
【００９８】
なお、表面電極の外周部の幅、及び、薄肉部の幅は、いずれも、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた断面観察により測定することができる。
【００９９】
本発明の第２実施形態では、薄肉部の幅が、被覆セラミック層によって被覆された表面電極の外周部の幅の５０％以上であることを特徴としている。すなわち、図３及び図４に示すように、表面電極の外周部の幅Ｗ１に対する薄肉部の幅Ｗ２の割合（Ｗ２／Ｗ１）が５０％以上であることを特徴としている。例えば、図３では、薄肉部の幅Ｗ２が表面電極の外周部の幅Ｗ１と同じであるため、薄肉部の幅は表面電極の外周部の幅の１００％である。
【０１００】
薄肉部の幅は、被覆セラミック層によって被覆された表面電極の外周部の幅の７０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましく、１００％であることが特に好ましい。薄肉部の幅の上記割合が１００％である場合、本発明の第３実施形態にも該当する。
また、薄肉部の幅は、被覆セラミック層によって被覆された表面電極の外周部の幅の１００％を超えてもよい。この場合、被覆セラミック層によって被覆されていない表面電極の中央部にも薄肉部が存在することになる。このように、被覆セラミック層によって被覆されていない表面電極の中央部にも薄肉部が存在してもよいが、表面電極の外周部のみに薄肉部が存在することが好ましい。
【０１０１】
薄肉部の厚みは、１０μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がより好ましい。
薄肉部の厚みは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた断面観察により測定することができる。
【０１０２】
薄肉部の厚みは、図３及び図４に示すように、薄肉部全体で一定であることが好ましいが、表面電極の中央部から外周部に向かって段階的に厚みが薄くなっていってもよいし、連続的に厚みが薄くなっていってもよい。
【０１０３】
表面電極の外周部には、薄肉部が表面電極の周縁を取り囲むように、表面電極の周縁を含む領域の全体に薄肉部が存在することが好ましいが、表面電極の周縁を含む領域の一部に、中央部の厚みと同じ厚みの部分が存在してもよい。また、表面電極の外周部には、複数の薄肉部が存在してもよい。
【０１０４】
表面電極は、１層構造を有していてもよいし、複層構造を有していてもよいが、複層構造を有していることが好ましい。
表面電極が１層構造を有する場合、焼結層のみからなることが好ましい。
表面電極が複層構造を有する場合、電子部品本体の表面に位置する基材セラミック層の上面に設けられた焼結層と、焼結層の上面に設けられためっき層とを含む少なくとも２層構造を有していることが好ましく、電子部品本体の表面に位置する基材セラミック層の上面に設けられた第１焼結層と、第１焼結層の上面に設けられた第２焼結層と、第２焼結層の上面に設けられためっき層とを含む少なくとも３層構造を有していることがより好ましい。
第１焼結層及び第２焼結層等の焼結層、並びに、めっき層の構成は、第１実施形態と同じであるため、その詳細な説明は省略する。
【０１０５】
図５は、本発明の第２実施形態に係るセラミック電子部品のさらに別の一例を模式的に示す断面図である。
図５に示すセラミック電子部品４では、第１焼結層２１の外周部に、第２焼結層２２及びめっき層２３が上面に設けられていない露出面が存在する。この露出面は、電子部品本体１０の表面に位置する基材セラミック層１１上と第１焼結層２１上とに設けられた被覆セラミック層３０によって被覆されている。したがって、被覆セラミック層３０によって被覆された第１焼結層２１の外周部が、表面電極２０の中央部よりも厚みが薄い薄肉部５０となっている。
このように、表面電極が複層構造を有する場合、薄肉部を構成する層の数が表面電極を構成する層の数と異なっていてもよい。
【０１０６】
図３に示すセラミック電子部品２は、好ましくは以下のように製造される。
図６Ａ〜図６Ｃは、図３に示すセラミック電子部品２の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
図６Ａ〜図６Ｃに示す製造方法は、表面電極２０を形成する方法を除いて、図２Ａ〜図２Ｃに示す製造方法と同じであるため、共通する事項についての説明は省略する。
【０１０７】
まず、図６Ａに示す未焼結の積層体２００を作製する。
未焼結の積層体２００を作製するため、第１実施形態と同様に、複数の基材セラミックグリーンシート１１１を準備し、その後、特定の基材セラミックグリーンシート１１１に、ビアホール導体１３となるべき導電性ペースト体１１３又は内部導体膜１２となるべき導電性ペースト膜１１２を形成する。別途、被覆セラミックグリーンシート１３０を準備する。
【０１０８】
さらに、積層後に表面に配置される基材セラミックグリーンシート１１１上に、第１焼結層２１となるべき導電性ペースト膜１２１を形成し、導電性ペースト膜１２１上に、第２焼結層２２となるべき導電性ペースト膜１２２を形成する。この際、導電性ペーストを塗布する量を変更することによって、中央部の厚みよりも外周部の厚みが薄い薄肉部１５０が形成されるように、導電性ペースト膜１２１及び導電性ペースト膜１２２を形成する。
【０１０９】
続いて、ビアホール導体１３となるべき導電性ペースト体１１３又は内部導体膜１２となるべき導電性ペースト膜１１２が形成された基材セラミックグリーンシート１１１と、第１焼結層２１となるべき導電性ペースト膜１２１及び第２焼結層２２となるべき導電性ペースト膜１２２が形成された基材セラミックグリーンシート１１１と、被覆セラミックグリーンシート１３０とを積層し、圧着することにより、未焼結の積層体２００を作製する。被覆セラミックグリーンシート１３０は、導電性ペースト膜１２１及び導電性ペースト膜１２２の厚みが薄くなっている外周部を被覆するように、積層後に表面に配置される基材セラミックグリーンシート１１１上と第２焼結層２２となるべき導電性ペースト膜１２２上とに配置する。
【０１１０】
その後、未焼結の積層体２００を焼成する。これによって、図６Ｂに示すように、表面に基材セラミック層１１を有する電子部品本体１０と、基材セラミック層１１の上面に設けられた第１焼結層２１と、第１焼結層２１の上面に設けられた第２焼結層２２と、基材セラミック層１１上及び第２焼結層２２上に設けられた被覆セラミック層３０とを備える積層体が得られる。被覆セラミック層３０によって被覆された第１焼結層２１及び第２焼結層２２の外周部には、薄肉部５０が形成されている。
【０１１１】
未焼結の積層体２００の焼成後、電解めっき又は無電解めっきを施すことによって、図６Ｃに示すように、第２焼結層２２の上面にめっき層２３を形成する。
以上により、第１焼結層２１、第２焼結層２２及びめっき層２３を含む表面電極２０が電子部品本体１０の表面に設けられ、表面電極２０の外周部を被覆セラミック層３０が被覆するセラミック電子部品２が得られる。
【０１１２】
本発明の第２実施形態では、被覆セラミック層によって被覆された表面電極の外周部のうち、表面電極の周縁側に、表面電極の中央部よりも厚みの薄い薄肉部を形成し、薄肉部の幅を表面電極の外周部の幅の５０％以上とすることにより、薄肉部を通して基材セラミック層から被覆セラミック層へ液相が供給されやすくなると考えられる。その結果、表面電極上の被覆セラミック層の焼結性が向上し、被覆セラミック層と表面電極との間の接合強度が高くなるため、セラミック電子部品に対してブラスト処理等の表面処理を行った場合であっても、被覆セラミック層が表面電極から剥がれにくくなる。
【０１１３】
［第３実施形態］
図７は、本発明の第３実施形態に係るセラミック電子部品の一例を模式的に示す断面図である。
図７には全体的な構成が示されていないが、セラミック電子部品５は、表面に基材セラミック層１１を有する電子部品本体１０と、電子部品本体１０の表面に設けられた表面電極２０と、表面電極２０の外周部を被覆する被覆セラミック層３０とを備えている。
そして、被覆セラミック層３０によって被覆された表面電極２０の外周部において、表面電極２０の中央部側には、表面電極２０の中央部よりも厚みが薄い薄肉部５０が存在する。
【０１１４】
本発明の第３実施形態では、被覆セラミック層によって被覆された表面電極の外周部において、表面電極の中央部側に、表面電極の中央部よりも厚みが薄い薄肉部が存在する。換言すると、本発明の第３実施形態では、表面電極の中央部側から周縁側に所定の幅を有する薄肉部が存在する。表面電極の中央部側に位置する薄肉部の端部は、図７に示すように、被覆セラミック層の内周縁の位置と一致することが好ましい。
【０１１５】
表面電極の外周部において、薄肉部以外の部分の厚みは、表面電極の中央部と同じ厚みであることが好ましい。
【０１１６】
表面電極の外周部の幅（図７中、Ｗ１で表される長さ）は特に限定されないが、１５μｍ以上、１ｍｍ以下であることが好ましい。
【０１１７】
薄肉部の幅（図７中、Ｗ３で表される長さ）は、１０μｍ以上が好ましく、１５μｍ以上がより好ましく、２０μｍ以上がさらに好ましい。
本発明の第３実施形態において、薄肉部の幅とは、表面電極の中央部側の端部（好ましくは被覆セラミック層の内周縁）から、表面電極の周縁側で中央部と同じ厚みとなるまでの距離を意味する。
【０１１８】
本発明の第３実施形態では、薄肉部の幅が、被覆セラミック層によって被覆された表面電極の外周部の幅の２０％以上であることを特徴としている。すなわち、図７に示すように、表面電極の外周部の幅Ｗ１に対する薄肉部の幅Ｗ３の割合（Ｗ３／Ｗ１）が２０％以上であることを特徴としている。
【０１１９】
薄肉部の幅は、被覆セラミック層によって被覆された表面電極の外周部の幅の５０％以上であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることがさらに好ましく、１００％であることが特に好ましい。薄肉部の幅の上記割合が１００％である場合、本発明の第２実施形態にも該当する。
また、被覆セラミック層によって被覆されていない表面電極の中央部にも薄肉部が存在してもよいが、表面電極の外周部のみに薄肉部が存在することが好ましい。
【０１２０】
薄肉部の厚みは、１０μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がより好ましい。
【０１２１】
上述のとおり、本発明の第３実施形態においては、薄肉部が存在する位置、及び、薄肉部の幅が第２実施形態と異なっている。セラミック電子部品の他の構成は、第２実施形態と同じである。
【０１２２】
本発明の第３実施形態では、被覆セラミック層によって被覆された表面電極の外周部のうち、表面電極の中央部側に、表面電極の中央部よりも厚みの薄い薄肉部を形成し、薄肉部の幅を表面電極の外周部の幅の２０％以上とすることにより、第２実施形態と同様に、薄肉部を通して基材セラミック層から被覆セラミック層へ液相が供給されやすくなると考えられる。特に、本発明の第３実施形態では、第２実施形態と比べて、最も剥がれが生じやすい被覆セラミック層の端部に、液相が選択的に供給されやすくなると考えられる。その結果、表面電極上の被覆セラミック層の焼結性が向上し、被覆セラミック層と表面電極との間の接合強度が高くなるため、セラミック電子部品に対してブラスト処理等の表面処理を行った場合であっても、被覆セラミック層が表面電極から剥がれにくくなる。
【実施例】
【０１２３】
以下、本発明のセラミック電子部品をより具体的に開示した実施例を示す。なお、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。【０１２４】
［開口による効果の確認］
第１実施形態で説明した方法により、基材セラミック層の表面に設けられた表面電極と、上記表面電極の外周部を被覆する被覆セラミック層とを備え、被覆セラミック層によって被覆された表面電極の外周部が開口を有するセラミック電子部品１−１〜１−４を作製した。【０１２５】
図８は、セラミック電子部品１−１における表面電極の外周部に形成した開口の形状を模式的に示す平面図である。
セラミック電子部品１−１では、幅０．０５ｍｍの隙間が０．０５ｍｍ間隔で設けられたスクリーン版を用いてスクリーン印刷を行うことにより、サイズが２ｍｍ角であり、周縁から内側０．１ｍｍの外周部に複数のスリット４１が設けられた表面電極２０を基材セラミック層１１上に形成した。【０１２６】
図９は、セラミック電子部品１−２における表面電極の外周部に形成した開口の形状を模式的に示す平面図である。
セラミック電子部品１−２では、０．０２ｍｍ角の穴が０．０２ｍｍ間隔で設けられたスクリーン版を用いてスクリーン印刷を行うことにより、サイズが２ｍｍ角であり、周縁から内側０．１ｍｍの外周部に複数の穴４２が設けられた表面電極２０を基材セラミック層１１上に形成した。【０１２７】
セラミック電子部品１−３では、サイズが２ｍｍ角の電極を形成した後、電極のみを貫通するようにレーザを照射することにより、周縁から内側０．１ｍｍの外周部に、直径０．０１５ｍｍの穴が０．０１５ｍｍ間隔で設けられた表面電極を基材セラミック層上に形成した。【０１２８】
セラミック電子部品１−４では、サイズが２ｍｍ角の電極をＰＥＴフィルム上に形成し、電極の周縁から内側０．１ｍｍの外周部に、パンチャーを用いて直径０．０１ｍｍの穴を０．０１ｍｍ間隔で形成した後、穴が形成された電極を基材セラミックグリーンシートに転写することにより、外周部に複数の穴が設けられた表面電極を基材セラミック層上に形成した。【０１２９】
セラミック電子部品１−１〜１−４とは別に、表面電極の外周部に開口を有しないセラミック電子部品１−５を作製した。【０１３０】
セラミック電子部品１−１〜１−５に対して、表面の汚れを除去するためのブラスト処理を行った。ブラスト処理の後、各セラミック電子部品に対して１０個ずつ断面研磨を行い、被覆セラミック層と表面電極との界面に剥がれが発生していないかを確認し、被覆セラミック層と表面電極との間の接合強度を評価した。
被覆セラミック層と表面電極との間の接合強度は、被覆セラミック層と表面電極との界面での剥がれが１個も発生していないものを◎（優）、１個以上９個未満に剥がれが発生したものを○（良）、１０個すべてに剥がれが発生したものを×（不良）として評価した。結果を表１に示す。【０１３１】
【表１】
0006696567.tif 000002
【０１３２】
表１において、＊を付したセラミック電子部品１−５は、本発明の範囲外のものである。【０１３３】
表１より、表面電極の外周部に開口を有しないセラミック電子部品１−５では、被覆セラミック層と表面電極との界面に剥がれが発生するのに対し、表面電極の外周部に開口（スリット又は穴）を有するセラミック電子部品１−１〜１−４では、被覆セラミック層と表面電極との界面に剥がれが発生せず、被覆セラミック層と表面電極との間の接合強度が高いことが確認された。
また、セラミック電子部品１−１〜１−４では、焼成後の開口が基材セラミック層からの液相で充填されていた。
以上の結果から、表面電極の外周部に開口を形成することにより、開口を通して基材セラミック層から被覆セラミック層へ液相が供給され、被覆セラミック層と表面電極との間の接合強度が高くなると考えられる。【０１３４】
［薄肉部による効果の確認］
第２実施形態で説明した方法により、基材セラミック層の表面に設けられた表面電極と、上記表面電極の外周部を被覆する被覆セラミック層とを備え、被覆セラミック層によって被覆された表面電極の外周部に薄肉部が存在するセラミック電子部品２−１〜２−４を作製した。
セラミック電子部品２−１〜２−４においては、薄肉部の幅を表面電極の幅の１００％で固定し、薄肉部の厚みを表２に示す値に変化させた。【０１３５】
セラミック電子部品２−１〜２−４に対して、上記と同様の方法により、被覆セラミック層と表面電極との間の接合強度を評価した。結果を表２に示す。【０１３６】
【表２】
0006696567.tif 000003
【０１３７】
表２より、表面電極の外周部に薄肉部が存在するセラミック電子部品２−１〜２−４では、被覆セラミック層と表面電極との界面に発生する剥がれを防止できることが確認された。特に、薄肉部の厚みが１０μｍ以下であるセラミック電子部品２−３及び２−４では、被覆セラミック層と表面電極との界面に剥がれが発生せず、被覆セラミック層と表面電極との間の接合強度が高いことが確認された。
以上の結果から、表面電極の外周部に薄肉部を形成することにより、薄肉部を通して基材セラミック層から被覆セラミック層へ液相が供給されやすくなり、被覆セラミック層と表面電極との間の接合強度が高くなると考えられる。
【符号の説明】
【０１３８】
１，２，３，４，５  セラミック電子部品
１０  電子部品本体
１１  基材セラミック層
２０  表面電極
２１  第１焼結層
２２  第２焼結層
２３  めっき層
３０  被覆セラミック層
４０  開口
４１  スリット
４２  穴
５０  薄肉部
Ｗ１  表面電極の外周部の幅
Ｗ２，Ｗ３  薄肉部の幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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