(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
３級ポリアミン化合物として、テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，３−ジアミノブタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’−ペンタメチルジエチレントリアミン、２−［［２−（ジメチルアミノ）エチル］メチルアミノ］エタノールから選ばれる少なくとも一種を含み、
直鎖アミドとしてＮ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミドから選ばれる少なくとも一種と、２−ピロリドンおよび水からなる極性溶媒と、
ベンゾトリアゾール、５−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプト−５−メチルベンゾイミダゾール、１−［Ｎ，Ｎ−ビス（２−エチルヘキシル）アミノメチル］−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、２，２’−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イル−メチルイミノビス−エタノールから選ばれる少なくとも一種の金属表面保護剤を０．０００１〜０．０１質量％含み、
前記直鎖アミドの含有量は前記２−ピロリドンの含有量より多いことを特徴とするレジスト剥離液。
【請求項２】
前記３級ポリアミン化合物を３〜６質量％、水を１０〜３０質量％、２−ピロリドンを８〜１２質量％、残りは他の極性溶媒であることを特徴とする請求項１に記載されたレジスト剥離液。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフォトリソグラフィの際に用いるフォトレジストを剥離する際に用いるレジスト剥離液に関する。
【背景技術】
【０００２】
放送の伝送フォーマットは４Ｋ、８Ｋといった高画質を提供できるものが提案されており、また試験放送も始まっている。それに応じてテレビも大型画面が提供されつつある。現在のテレビは液晶テレビが主流であり、画素に対応したトランジスタが、大画面用の透明基板（ガラス）上に形成される。この形成には、フォトリソグラフィ技術が利用されている。【０００３】
大画面上にフォトリソグラフィで素子を形成する場合は、１素子の失敗も許されない厳しい生産管理が行われる。したがって、エッチングミスに直結する塗布したフォトレジスト膜の剥離は、発生しないことが求められる。その結果、露光前のフォトレジストのベイク処理（焼成処理とも呼ぶ）の温度は上昇する傾向になる。【０００４】
特許文献１には、一種以上のアミン化合物；非プロトン性極性溶媒、アルキレングリコールモノアルキルエーテル系溶媒、またはこれらの混合物；ビス（２−ヒドロキシエチル）エーテル、アルキレングリコールビス（ヒドロキシエチル）エーテル、および［２−（２−ヒドロキシエトキシ）エトキシ］エタノールからなるグループより選択された一種以上の溶媒；およびトリアゾール系化合物、テトラゾール系化合物、または構造が特定された２種の化合物を含む腐食防止剤を含み、前記アミン化合物は、一種以上の鎖状アミン化合物および一種以上の環状アミン化合物を含むことを特徴とする、フォトレジスト除去用ストリッパー組成物が開示されている。【０００５】
このストリッパー組成物は、１６５℃で１０分間ハードベイクしたフォトレジストを、剥離残りが生じることなく除去することができるとされている。【０００６】
フォトリソグラフィの工程では、フォトレジストによるエッチングが行われ、エッチングが終了した後のフォトレジストは、剥離しなければならない。したがって、フォトレジストの剥離液は、大量に消費されることとなる。ある試算によれば、レジスト剥離液の使用量は１０００ｔ／月を超える場合が多く、レジスト剥離液の購入コストもさることながら、使用後のレジスト剥離液の廃棄コストや、分解できずにそのまま廃棄された場合の環境負荷といった課題がある。そこで、大画面テレビを製造する工場では、フォトレジスト剥離液の再生使用が行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特表２０１６−５１１８４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記のように、レジスト剥離液は再生使用されるが、最も効率的に再生するには蒸留再生のプロセスに材料が適合していることが望ましい。つまり、使用する材料の大部分を占める材料が１５０〜２００℃程度の温度範囲にある必要がある。したがって、ハードベイクされたフォトレジストを完全に剥離するという剥離能力だけでなく、蒸留再生プロセスにうまく適合する材料で構成されることが必要となる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は上記課題に鑑みて想到されたものであり、ハードベイクされたフォトレジストを十分に剥離しつつ、剥離液の大部分を占める極性溶媒の沸点が２００℃以下に設定できるレジスト剥離液を提供する。【００１０】
具体的に本発明に係るレジスト剥離液は、
３級ポリアミン化合物として、テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，３−ジアミノブタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’−ペンタメチルジエチレントリアミン、２−［［２−（ジメチルアミノ）エチル］メチルアミノ］エタノールから選ばれる少なくとも一種を含み、
直鎖アミドとしてＮ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミドから選ばれる少なくとも一種と、２−ピロリドンおよび水からなる極性溶媒と、
ベンゾトリアゾール、５−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプト−５−メチルベンゾイミダゾール、１−［Ｎ，Ｎ−ビス（２−エチルヘキシル）アミノメチル］−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、２，２’−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イル−メチルイミノビス−エタノールから選ばれる少なくとも一種の金属表面保護剤を０．０００１〜０．０１質量％含み、
前記直鎖アミドの含有量は前記２−ピロリドンの含有量より多いことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係るレジスト剥離液は、沸点が２００℃以下の極性溶媒であるジメチルホルムアミドと２−ピロリドンおよび水を利用しつつ、レジスト剥離力の強いアミン類と、アミン類による金属表面腐食のバランスをとった組成になっている。したがって、ハードベイクしたレジスト膜を十分に剥離できるとともに、最も使用割合の多い極性溶媒の大部分を蒸留再生することができ、生産コストの低下にも寄与するものである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に本発明に係るレジスト剥離液について図面および実施例を示し説明を行う。なお、以下の説明は、本発明の一実施形態および一実施例を例示するものであり、本発明が以下の説明に限定されるものではない。以下の説明は本発明の趣旨を逸脱しない範囲で改変することができる。また、以下の説明で範囲を表す場合に「〜」を使用する場合があるが、これは「以上（その値を含めてその値より大きい）から以下（その値を含めてその値より小さい）」を意味するものである。
【００１３】
本発明に係るレジスト剥離液は、アミン化合物と、極性溶媒および金属表面保護剤を含有する。アミン化合物は、３級ポリアミン化合物を用いる。
【００１４】
３級ポリアミン化合物は、３級アミンが複数ある化合物である。具体的には、テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，３−ジアミノブタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’−ペンタメチルジエチレントリアミン、トリメチルアミノメチルエタノールアミンの化合物から選ばれる少なくとも一種が好適に利用できる。３級ポリアミン化合物は、剥離液全体の３．０〜６．０質量％、好ましくは３．５〜５．５質量％含有しているのが好適である。
【００１５】
極性溶媒は最も使用量が多いので、蒸留再生が可能で、上記のアミン化合物をよく溶かすものが好適である。特に有機極性溶媒のアミド類と水の混合物が望ましい。また、アミド類の中でも直鎖アミドであって、沸点２００℃以下のものが好ましい。具体的には、Ｎ−メチルホルムアミド（１８３℃）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１５３℃）、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド（１７７℃）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（１６５℃）、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド（１８５℃）の化合物から選ばれる少なくとも一種が好適に利用できる。なお、括弧の数字は沸点の温度である。
【００１６】
また、本発明に係るレジスト剥離液のアミン類と極性溶媒の組み合わせでは、後述する金属表面保護剤を用いても、金属表面の腐食を抑制することができなかった。そこで、直鎖アミドより少ない量（より具体的には剥離液全体の８質量％〜１２質量％程度）の２−ピロリドンを混合することで、ハードベイクされたレジストの剥離と金属表面の腐食を抑制させた。
【００１７】
２−ピロリドンの沸点は２４５℃と非常に高いが、レジスト剥離液全体では１０質量％程度になるため、レジスト剥離液の再生という点では、十分に効果がある。
【００１８】
水は、剥離液全体の１０〜３０質量％であるのが好適である。また、２−ピロリドン以外の有機極性溶媒（直鎖アミド）は、上述のアミン化合物と、水と、２−ピロリドンと、後述する金属表面保護剤の残りであってよい。
【００１９】
金属表面保護剤は、アミン類によるレジストの剥離の際に銅層、モリブデン層、アルミニウム層といった金属表面を腐食させない物質である。金属表面の腐食のメカニズムは解明されているわけではない。したがって、試行錯誤によって効果のある物質を探す必要がある。本発明の発明者は、上記のアミン類と極性溶媒の組み合わせにおいては、以下の物質が効果を奏することを確認できた。
【００２０】
具体的に、ベンゾトリアゾール、５−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプト−５−メチルベンゾイミダゾール、１−［Ｎ，Ｎ−ビス（２−エチルヘキシル）アミノメチル］−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、２，２’−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イル−メチルイミノビス−エタノールである。したがって、これらの化合物群から選ばれる少なくとも１の物質を金属表面保護剤として用いる。
【００２１】
金属表面保護剤は、剥離液全体の０．０００１〜０．１５質量％が好適である。金属表面保護剤は非常に微量で効果を示す。したがって、多すぎると剥離できなくなる。しかし、少なすぎると剥離液によって金属表面が腐食される。
【００２２】
本発明に係るレジスト剥離液は、上記のように、アミン化合物と、極性溶媒および金属表面保護剤を含むが、各成分量は全量で１００質量％になるように調整されるのは言うまでもない。
【実施例】
【００２３】
以下に本発明に係るレジスト剥離液についての実施例を示す。以下に示す組成の実施例および比較例のサンプル剥離液を作製し、レジスト剥離用試験片に対するレジスト剥離試験を行った。【００２４】
＜レジスト剥離用試験片＞
シリコン基板上に、モリブデン（Ｍｏ）を３０ｎｍの厚みで堆積させ、その上に銅（Ｃｕ）を５００ｎｍの厚みで積層させた。その上に二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を３００ｎｍの厚みで積層させた。これをシリコン積層片と呼ぶ。【００２５】
シリコン積層片上のＳｉＯ２層の所定の箇所に直径１μｍのコンタクトホールを形成した。そして、さらにモリブデン（Ｍｏ）を３０ｎｍの厚みで積層させ、その上に銅（Ｃｕ）を５００ｎｍの厚みで積層させた。【００２６】
次に最上層の銅層に対してポジタイプのレジストを塗布し、所定の温度で焼成（ベイク）した。なお、通常ベイクは１５０℃で２分程度行われるが、レジスト剥離液の剥離力を確認するために、１７０℃で５分間のベイクを行った。これによって、レジスト膜は強固に焼成処理されたことになる。ベイク後、ゲート線のパターンで露光し、現像した後に、上層の銅層およびモリブデン層をエッチングし、レジスト剥離用試験片を得た。【００２７】
すなわち、レジスト剥離用銅試験片には、ゲート線のパターンがエッチングされたモリブデン層および銅層があり、その上には焼成処理されたレジスト膜が堆積されている。また、このレジスト膜は、コンタクトホール部分も覆っている。【００２８】
＜評価＞
レジストを剥離する能力（以下「剥離力」と呼ぶ。）として、試験片を所定の温度４０℃に加温した各サンプル剥離液で８０秒間処理し、光学顕微鏡でレジストの残留状態を確認した。そして、明らかに表面にレジストが残留している場合は評価を「×」（不合格若しくは失敗の意味である。）とし、レジストが問題ない状態まで剥離していれば「〇」（合格若しくは成功の意味である。）とした。【００２９】
また、金属表面の腐食を抑制する能力（以下「金属ダメージ」と呼ぶ）として、所定温度（４０℃〜５０℃）のサンプル剥離液中に４分間浸漬し処理した後の試験片の金属膜の腐食状態をＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観察した。この観察では、コンタクトホール部分の表面を観察した。コンタクトホール部分は、コンタクトホールの縁と、上層の銅／モリブデン層に段差ができ、腐食の影響を最も受けやすいからである。【００３０】
そして、観察に結果、製造上適格でないと判断される状態の評価を「×」（不合格若しくは失敗の意味である。）とし、製造上適格と判断される状態の評価を「〇」（合格若しくは成功の意味である。）とした。【００３１】
＜サンプル剥離液＞
各サンプル剥離液の組成を示す。以下各化合物を示すのに、以下の略語も用いる場合がある。トリメチルアミノメチルエタノールアミン（２−［［２−（Ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｅｔｈｙｌ］ｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ］ｅｔｈａｎｏｌ）：ＴＭＥＤＡ（ＣＡＳ番号：２２１２−３２−０）、
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’−ペンタメチルジエチレントリアミン（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’−Ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅｔｒｉａｍｉｎｅ）：ＰＭＤＥＴＡ（ＣＡＳ番号：３０３０−４７−５）、
ジエチルホルムアミド（Ｎ，Ｎ−Ｄｉｅｔｈｙｌｆｏｒｍａｍｉｄｅ）：ＤＥＦ（ＣＡＳ番号：６１７−８４−５）、
２−ピロリドン（２−Ｐｙｒｒｏｌｉｄｉｎｏｎｅ）：２Ｐ（ＣＡＳ番号：６１６−４５−５）、
ジエチレントリアミン（Ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅｔｒｉａｍｉｎｅ）：ＤＥＴＡ（ＣＡＳ番号：１１１−４０−０）、
ベンゾトリアゾール（１Ｈ−Ｂｅｎｚｏｔｒｉａｚｏｌｅ）：ＢＴＡ（ＣＡＳ番号：９５−１４−７）、
ベンゾイミダゾール（Ｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）：ＢＩＺ（ＣＡＳ番号：５１−１７−２）、
５−メチル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（５−Ｍｅｔｈｙｌｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）：５Ｍ１Ｈ−ＢＩＺ（ＣＡＳ番号：６１４−９７−１）、
モノエタノールアミン（Ｅｔｈａｎｏｌａｍｉｎｅ）：ＭＥＡ（ＣＡＳ番号：１４１−４３−５）、
γ−ブチロラクトン（ｇａｍｍａ−Ｂｕｔｙｒｏｌａｃｔｏｎｅ）：γ−ＢＬ（ＣＡＳ番号：９６−４８−０）。【００３２】
（実施例１）
実施例１のサンプル剥離液を以下の組成で調製した。
３級ポリアミン化合物としてＴＭＥＤＡを４．５ｇ、
極性溶媒としてＤＥＦを５８．５０ｇ、
２Ｐを１０．０ｇ
水を２７．０ｇ、
金属表面保護剤としてＢＴＡ０．００１ｇを混合して実施例１のサンプル剥離液とした。なお、金属表面保護剤の分量はわずかなため、金属表面保護剤以外の成分の合計が１００ｇと表示した。【００３３】
（実施例２）
実施例２のサンプル剥離液を以下の組成で調製した。
３級ポリアミン化合物としてＰＭＤＥＴＡを４．５ｇ、
極性溶媒としてＤＥＦを５８．５０ｇ、
２Ｐを１０．０ｇ
水を２７．０ｇ、
金属表面保護剤としてＢＴＡ０．００１ｇを混合して実施例２のサンプル剥離液とした。なお、金属表面保護剤の分量はわずかなため、金属表面保護剤以外の成分の合計が１００ｇと表示した。【００３４】
（比較例１）
比較例１のサンプル剥離液を以下の組成で調製した。
３級ポリアミン化合物としてＴＭＥＤＡを４．５ｇ、
極性溶媒としてＢＤＧを５８．５０ｇ、
２Ｐを１０．０ｇ
水を２７．０ｇ
金属表面保護剤としてＢＴＡ０．００１ｇを混合して比較例１のサンプル剥離液とした。なお、金属表面保護剤の分量はわずかなため、金属表面保護剤以外の成分の合計が１００ｇと表示した。【００３５】
（比較例２）
比較例２のサンプル剥離液を以下の組成で調製した。
３級ポリアミン化合物としてＴＭＥＤＡを４．５ｇ、
極性溶媒としてＤＥＦを５８．４９ｇ、
２Ｐを１０．０ｇ
水を２７．０ｇ
金属表面保護剤としてＢＩＺ０．０１０ｇを混合して比較例２のサンプル剥離液とした。【００３６】
（比較例３）
比較例３のサンプル剥離液を以下の組成で調製した。
３級ポリアミン化合物としてＴＭＥＤＡを４．５ｇ、
極性溶媒としてＤＥＦを５８．４９ｇ、
２Ｐを１０．０ｇ
水を２７．０ｇ
金属表面保護剤として５Ｍ１Ｈ−ＢＩＺ０．０１０ｇを混合して比較例３のサンプル剥離液とした。【００３７】
（比較例４）
比較例４のサンプル剥離液を以下の組成で調製した。
３級ポリアミン化合物としてＴＭＥＤＡを４．５ｇ、
極性溶媒としてＤＥＦを５８．４９ｇ、
２Ｐを１０．０ｇ
水を２７．０ｇ
金属表面保護剤として尿酸０．０１０ｇを混合して比較例４のサンプル剥離液とした。
（比較例５）
比較例５のサンプル剥離液を以下の組成で調製した。
３級ポリアミン化合物としてＴＭＥＤＡを４．５ｇ、
極性溶媒としてＤＥＦを５８．５０ｇ、
２Ｐを１０．０ｇ
水２７．０ｇを混合して比較例５のサンプル剥離液とした。比較例４のサンプル剥離液は、金属表面保護剤を使用しなかった。
（比較例６）
比較例６のサンプル剥離液を以下の組成で調製した。
３級ポリアミン化合物としてＴＭＥＤＡを４．５ｇ、
極性溶媒としてＤＥＦを６８．５０ｇ、
水を２７．０ｇ、
金属表面保護剤としてＢＴＡ０．００１ｇを混合して比較例６のサンプル剥離液とした。なお、金属表面保護剤の分量はわずかなため、金属表面保護剤以外の成分の合計が１００ｇと表示した。また、比較例６のサンプル剥離液には、２Ｐが含まれていない。【００３８】
（比較例７）
比較例７のサンプル剥離液を以下の組成で調製した。
３級ポリアミン化合物としてＰＭＤＥＴＡを５．００ｇと、
ＤＥＴＡを１０．０ｇ、
極性溶媒としてＭＥＡを５．０ｇ、
γ−ＢＬを８０．０ｇ、
を混合して比較例７のサンプル剥離液とした。なお、比較例７には、金属表面保護剤は含まれていない。【００３９】
以上のサンプル剥離液を用意し、剥離試験を行った。各サンプル剥離液の組成および剥離試験の結果を表１に示す。【００４０】
【表１】
0006688978.tif 000002
【００４１】
表１を参照して、本発明の組成である実施例１および２では、５０℃８０秒の処理条件で、１７０℃５分の条件の熱処理をかけたレジスト膜を剥離させることができた。したがって、光学顕微鏡での評価は「〇」であった。また、ＳＥＭによる観察においても、コンタクトホールにおける銅膜の状態の評価も「〇」であった。【００４２】
実施例１および実施例２の剥離液は、水、ＤＥＦおよびＰＭＤＥＴＡ、ＴＭＥＤＡがこの温度順で蒸留分離することができた。また、蒸留分離する際に蒸留塔の温度は２００℃程度で十分であり、ほぼすべての水、ＤＥＦおよびＰＭＤＥＴＡ、ＴＭＥＤＡを回収することができた。【００４３】
一方、比較例１は、溶剤を直鎖エーテルにしたものである。剥離力の評価は「〇」であったが、コンタクトホールでの腐食が大きく金属ダメージの評価が「×」であった。【００４４】
比較例２〜４は、金属表面保護剤の種類を変更したものである。これらのものは、レジスト剥離力の評価は「〇」であったが、コンタクトホールでの腐食が大きく金属ダメージの評価は「×」であった。【００４５】
比較例５は金属表面保護剤がない場合である。比較例１〜３同様に、レジスト剥離力の評価は「〇」であったが、コンタクトホールでの腐食が大きく金属ダメージの評価は「×」であった。【００４６】
比較例６は、極性溶媒の内２Ｐが含まれていない場合である。３級ポリアミンのＴＭＥＤＡと金属表面保護剤であるＢＴＡは所定量含まれているため、剥離力の項目での評価は「〇」であったが、コンタクトホールでの腐食が大きく金属ダメージの評価が「×」であった。このことより、極性溶媒中に直鎖のアミドだけではなく、環状アミンである２Ｐを入れておく必要があることがわかる。【００４７】
比較例７はアミン化合物の組み合わせが異なるもので、極性溶媒も異なる。比較例７は、そもそもレジストが剥離せず、剥離力での評価が「×」であった。したがって、金属ダメージの項目は評価をしていない。【００４８】
以上のように本発明に係るレジスト剥離液は、沸点が比較的低く、蒸留リサイクルができる材料を使用しながら、高温で焼成されたレジスト膜を十分に剥離することができ、さらに、金属膜表面の腐食を抑制することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明は、大面積の表示デバイスの製造工程におけるレジスト剥離工程に好適に利用することができる。
【要約】
４Ｋ、８Ｋといった高精細度の放送フォーマットが実施されるので、テレビの画面が大きくなる。そのため素子形成時に失敗がないように、フォトレジストの焼成温度が上昇し、フォトレジストは剥離しにくくなる。また、大量のレジスト剥離液を使用するため、そのコスト低下のため、再生率の高いレジスト剥離液が求められている。
３級ポリアミン化合物と、直鎖アミドとしてＮ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミドから選ばれる少なくとも一種と、２−ピロリドンおよび水からなる極性溶媒と、０．０００１〜０．０１質量％の金属表面保護剤を含み、前記直鎖アミドの含有量は前記２−ピロリドンの含有量より多いことを特徴とするレジスト剥離液は、ハードベイクされたレジストを剥離でき、蒸留再生も可能なレジスト剥離液を提供する。