(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電振動片を収容可能な圧電デバイス用の平面視矩形状のパッケージであって、
半導体デバイスが実装される実装部と、前記圧電振動片を保持する保持部と、を備え、
前記保持部は、凹形状の段差が形成され、
前記保持部の上段は、大きいサイズの前記圧電振動片を保持可能であると共に、大きいサイズの前記圧電振動片の励振電極と電気的に接続される一対の第１接続電極を有し、
前記保持部の下段は、小さいサイズの前記圧電振動片を保持可能であると共に、小さいサイズの前記圧電振動片の励振電極と電気的に接続される一対の第２接続電極を有し、
前記第１接続電極と前記第２接続電極の各対は、それぞれ接続され、
前記一対の第１接続電極は、前記矩形状の短手方向において前記一対の第２接続電極を挟む位置に配置され、
前記一対の第２接続電極は、前記短手方向においてそれぞれ前記第１接続電極と並ぶように配置され、
前記保持部の下段と前記実装部の底面は、同一又は略同一の高さであることを特徴とする圧電デバイス用のパッケージ。
【請求項２】
請求項１記載の圧電デバイス用のパッケージと、前記パッケージの前記保持部に保持された圧電振動片と、前記パッケージの前記実装部に実装された半導体デバイスと、を備える圧電デバイスであって、
前記保持部の上段にて前記大きいサイズの前記圧電振動片が保持され、前記半導体デバイスと前記第２接続電極がワイヤボンディングされたことを特徴とする圧電デバイス。
【請求項３】
前記大きいサイズの前記圧電振動片は前記半導体デバイスの上方に位置することを特徴とする請求項２記載の圧電デバイス。
【請求項４】
請求項１記載の圧電デバイス用のパッケージと、前記パッケージの前記保持部に保持された圧電振動片と、前記パッケージの前記実装部に実装された半導体デバイスと、を備える圧電デバイスであって、
前記保持部の下段にて前記小さいサイズの前記圧電振動片が保持され、前記半導体デバイスと前記第１接続電極がワイヤボンディングされたことを特徴とする圧電デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電デバイス用のパッケージ及び圧電デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯端末や携帯電話などの電子機器では、圧電振動子や発振器などの圧電デバイスが搭載されている。圧電デバイスとしては、リッドやベースで構成されたパッケージ内のキャビティ（収容空間）に水晶振動片などの圧電振動片や半導体デバイス（ＩＣチップ）などが収容されて構成される。このような圧電デバイスとして、半導体デバイス上の電極（端子）とベースに形成された電極（端子）とをワイヤボンディングし、その電極と圧電振動片を保持する接続電極（接続端子）とをビアを介して電気的に接続することで、半導体デバイスと圧電振動片とを電気的に接続したものがある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−３７４４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記した特許文献１に記載された圧電デバイスでは、半導体デバイスとの間でワイヤボンディングされる電極と接続電極とがビアを介して電気的に接続されているので、ベースの中で電極間をつなぐ配線を引き回す必要があり、ベースを成形する手間がかかってしまう。特に、同じサイズのパッケージ内に異なるサイズの圧電振動片を収容可能な構成とする場合、異なるサイズの圧電振動片を保持する複数の接続電極と、半導体デバイスとワイヤボンディングされる電極とをつなぐ配線をそれぞれ引き回す必要があり、余計に手間がかかってしまう。
【０００５】
本発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであり、手間をかけずに成形することができる圧電デバイス用のパッケージ及び圧電デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以上の目的を達成するため、本発明では、圧電振動片を収容可能な圧電デバイス用の平面視矩形状のパッケージであって、半導体デバイスが実装される実装部と、圧電振動片を保持する保持部と、を備え、保持部は、凹形状の段差が形成され、保持部の上段は、大きいサイズの圧電振動片を保持可能であると共に、大きいサイズの圧電振動片の励振電極と電気的に接続される一対の第１接続電極を有し、保持部の下段は、小さいサイズの圧電振動片を保持可能であると共に、小さいサイズの圧電振動片の励振電極と電気的に接続される一対の第２接続電極を有し、第１接続電極と第２接続電極の各対は、それぞれ接続され、一対の第１接続電極は、矩形状の短手方向において一対の第２接続電極を挟む位置に配置され、一対の第２接続電極は、短手方向においてそれぞれ第１接続電極と並ぶように配置され、保持部の下段と実装部の底面は、同一又は略同一の高さであることを特徴とする圧電デバイス用のパッケージを提供する。
【０００７】
また、本発明は、上記した圧電デバイス用のパッケージと、パッケージの保持部に保持された圧電振動片と、パッケージの実装部に実装された半導体デバイスと、を備える圧電デバイスであって、保持部の上段にて大きいサイズの圧電振動片が保持され、半導体デバイスと第２接続電極がワイヤボンディングされたことを特徴とする圧電デバイスを提供する。また、この圧電デバイスにおいて、大きいサイズの圧電振動片は半導体デバイスの上方に位置してもよい。
【０００８】
また、本発明は、上記した圧電デバイス用のパッケージと、パッケージの保持部に保持された圧電振動片と、パッケージの実装部に実装された半導体デバイスと、を備える圧電デバイスであって、保持部の下段にて小さいサイズの圧電振動片が保持され、半導体デバイスと第１接続電極がワイヤボンディングされたことを特徴とする圧電デバイスを提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、第１接続電極と第２接続電極の各対がそれぞれ接続され、保持部の上段にて大きいサイズの圧電振動片が保持される場合、半導体デバイスと第２接続電極がワイヤボンディングされ、保持部の下段にて小さいサイズの圧電振動片が保持される場合、半導体デバイスと第１接続電極がワイヤボンディングされるので、異なるサイズの圧電振動片を保持することができるとともに、パッケージ内で配線を引き回す必要がなくなり、パッケージを成形する手間を軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態に係る圧電デバイスの構成を示す斜視図である。
【図２】大きいサイズの圧電振動片を搭載した圧電デバイスの平面図、ａ１−ａ１線に沿った断面図、ｂ１−ｂ１線に沿った断面図である。
【図３】小さいサイズの圧電振動片を搭載した圧電デバイスの平面図、ａ２−ａ２線に沿った断面図、ｂ２−ｂ２線に沿った断面図である。
【図４】圧電振動片の構成を示す平面図である。
【図５】圧電デバイスの断面図であって、（ａ）は図２のＭ−Ｍ線に沿った断面図、（ｂ）は図３のＮ−Ｎ線に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。また、図面においては、実施形態を説明するため、一部分を大きく又は強調して記載するなど適宜縮尺を変更して表現する場合がある。以下の各図において、ＸＹＺ座標系を用いて図中の方向を説明する。このＸＹＺ座標系においては、圧電振動片の表面に平行な平面をＸＺ平面とする。このＸＺ平面において圧電デバイスの長手方向をＸ方向と表記し、Ｘ方向に直交する方向をＺ方向と表記する。ＸＺ平面に垂直な方向（圧電振動片の厚さ方向）はＹ方向と表記する。Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が＋方向であり、矢印の方向とは反対の方向が−方向であるものとして説明する。
【００１２】
図１は、実施形態に係る圧電デバイス１００の構成を示す斜視図である。また、図２は、大きいサイズの圧電振動片１６１を搭載した圧電デバイス１００の平面図、ａ１−ａ１線に沿った断面図、ｂ１−ｂ１線に沿った断面図である。また、図３は、小さいサイズの圧電振動片１６２を搭載した圧電デバイス１００の平面図、ａ２−ａ２線に沿った断面図、ｂ２−ｂ２線に沿った断面図である。なお、図１〜図３は、リッド（蓋材）１１０を外して圧電デバイス１００の内部を見たときの構成を示している。また、図１〜図３は、パッケージ内における圧電振動片１６１及び１６２の搭載位置を点線で示している。
【００１３】
図１〜図３に示すように、圧電デバイス１００は、リッド１１０と、ベース（基材）１２０と、圧電振動片１６１又は１６２とを備えている。リッド１１０とベース１２０とでパッケージが構成される。本実施形態では、パッケージは、異なるサイズの圧電振動片が収容可能であって、大きいサイズの圧電振動片１６１と小さいサイズの圧電振動片１６２のいずれか一方が収容される。圧電振動片１６１，１６２という表記は、特記しない限り、圧電振動片１６１又は１６２のことをいう。
【００１４】
一般に、パッケージに収容される圧電振動片のサイズに応じて、パッケージのサイズが変更される。一方、同じサイズのパッケージに異なるサイズの圧電振動片を収容することも行われる。すなわち、所定サイズの圧電振動片を収容可能なパッケージに、その所定サイズよりも小さいサイズの圧電振動片が収容されることもある。この場合、圧電振動片のサイズに応じた異なるサイズのパッケージを用意する必要がなくなる。
【００１５】
圧電デバイス１００としては、例えば、温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）が用いられている。この圧電デバイス１００は、水晶の温度特性を補償する温度補償回路が内蔵されており、広い温度範囲にわたって良好な温度特性が得られるものである。
【００１６】
リッド１１０は、圧電振動片１６１，１６２の＋Ｙ側に配置されている。リッド１１０は、矩形の板状に形成されており、裏面（−Ｙ側の面）が接合面となっている。なお、リッド１１０の裏面は、圧電振動片１６１，１６２の表面（＋Ｙ側の面）と対向する。
【００１７】
ベース１２０は、圧電振動片１６１，１６２の−Ｙ側に配置されるとともに、この圧電振動片１６１，１６２を保持している。ベース１２０は、矩形の板状に形成されており、表面１２１側に凹部１２２が形成されている。表面１２１の外周部は、リッド１１０の裏面と対向する。
【００１８】
リッド１１０及びベース１２０は、圧電振動片１６１，１６２をＹ方向に挟むように配置されている。リッド１１０の裏面は、接合材１８０を介してベース１２０の表面１２１の外周部に接合されている。接合材１８０としては、例えば、非電導性を有する低融点ガラスが用いられるが、これに代えて、ポリイミド等の樹脂を用いることもできる。リッド１１０及びベース１２０は、例えばセラミックス、ガラス、水晶片などによって形成されている。なお、リッド１１０とベース１２０とが接合されることにより、圧電振動片１６１，１６２を収容するキャビティが形成される。
【００１９】
圧電振動片１６１，１６２としては、例えばＡＴカットの水晶振動片が用いられている。ＡＴカットは、水晶振動子や水晶発振器等の圧電デバイスが常温付近で使用されるにあたって良好な周波数特性が得られる等の利点があり、人工水晶の３つの結晶軸である電気軸、機械軸及び光学軸のうち、光学軸に対して結晶軸周りに３５°１５′だけ傾いた角度で切り出す加工手法である。なお、圧電振動片１６１，１６２としては、水晶振動片に限定されるものではなく、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムなどを用いたものでもよい。
【００２０】
図４は、圧電振動片１６１の構成を示す平面図である。図４に示すように、圧電振動片１６１は、Ｙ方向から見たときに、Ｘ方向に長辺、Ｚ軸方向に短辺を有する矩形の板状に形成されている。圧電振動片１６１の表面（＋Ｙ側の面）には、励振電極１６１ａ及び引出電極１６１ｃが形成されている。圧電振動片１６１の裏面（−Ｙ側の面）には、励振電極１６１ｂ及び引出電極１６１ｄが形成されている。励振電極１６１ａ，１６１ｂは、それぞれ矩形状に形成されており、Ｙ方向視で重なる位置及び寸法に形成されている。引出電極１６１ｃ，１６１ｄは、励振電極１６１ａ，１６１ｂから圧電振動片１６１の−Ｘ側の端辺に向けて−Ｘ方向に延びている。圧電振動片１６１の表面における励振電極１６１ａ及び引出電極１６１ｃが形成されていない領域を周辺領域１６１ｍといい、圧電振動片１６１の裏面における励振電極１６１ｂ及び引出電極１６１ｄが形成されていない領域を周辺領域１６１ｎという。なお、図２では、圧電振動片１６１の構成を示していたが、圧電振動片１６２の構成についても同様である。ただし、圧電振動片１６２は、圧電振動片１６１よりもＸ方向及びＺ方向の辺の長さが短い圧電振動片である。
【００２１】
図１〜図３の説明に戻り、ベース１２０の凹部１２２内における−Ｘ側端部（長手方向の一方の端部）には、圧電振動片１６１，１６２の一端（固定端）を保持する保持部１２３が凹部１２２の内壁面（凹部１２２の内側のＹＺ平面）に沿って形成されている。この保持部１２３は、凹形状の段差が形成され、凹形状の段差の上段部１２３ａ，１２３ｂと、凹形状の段差の下段部１２３ｃとを有している。
【００２２】
上段部１２３ａ，１２３ｂは、それぞれ、凹部１２２の底面から＋Ｙ方向に所定量上がった段部であり、大きいサイズの圧電振動片１６１の一端を保持する部分である。上段部１２３ａ，１２３ｂには、一対の第１接続電極１３０ａ，１３０ｂが形成されている。下段部１２３ｃは、凹部１２２の底面と同一又は略同一の高さであり、小さいサイズの圧電振動片１６２の一端を保持する部分である。下段部１２３ｃには、一対の第２接続電極１３１ａ，１３１ｂが形成されている。
【００２３】
第１接続電極１３０ａ，１３０ｂと第２接続電極１３１ａ，１３１ｂの各対は、それぞれ、導電性の電極である連結部１３２ａ，１３２ｂで連結（接続）されている。第１接続電極１３０ａと第２接続電極１３１ａと連結部１３２ａが一体形成された１つの電極を構成し、第１接続電極１３０ｂと第２接続電極１３１ｂと連結部１３２ｂも一体形成された１つの電極を構成する。
【００２４】
第１接続電極１３０ａ，１３０ｂは、図２のｂ１−ｂ１線に沿った断面図に示すように、パッケージに大きいサイズの圧電振動片１６１が収容される場合、導電性接着剤１３３ａ，１３３ｂによって圧電振動片１６１の引出電極１６１ｃ，１６１ｄと電気的に接続される。また、第２接続電極１３１ａ，１３１ｂは、図３のｂ２−ｂ２線に沿った断面図に示すように、パッケージに小さいサイズの圧電振動片１６２が収容される場合、導電性接着剤１３４ａ，１３４ｂによって圧電振動片１６２の引出電極と電気的に接続される。図１〜図３において、ベース１２０に対する圧電振動片１６１，１６２の保持方法は、圧電振動片１６１，１６２の一端（一辺）が導電性接着剤によってベース１２０（保持部１２３）に保持される片持ちタイプの方法である。
【００２５】
凹部１２２内におけるＺ方向の両側の端部（つまり−Ｚ側の端部と＋Ｚ側の端部）には、その凹部１２２の底面から＋Ｙ方向に所定量上がった段部１２４ａ，１２４ｂがそれぞれ凹部１２２の内壁面（凹部１２２の内側のＸＹ平面）に沿って形成されている。なお、図１に示す例では、段部１２４ａ，１２４ｂは、それぞれ、保持部１２３の上段部１２３ａよりも低く、保持部１２３の上段部１２３ｂよりも高くなっている。また、段部１２４ａと段部１２４ｂは、同じ高さに形成されている。
【００２６】
また、凹部１２２内における＋Ｘ側端部（長手方向の他方の端部）には、圧電振動片１６１，１６２の他端（自由端）を下方（−Ｙ方向）に下がらない（落ちない）ように規制（支持）する枕部としての段部１２４ｃが凹部１２２の内壁面（凹部１２２の内側のＹＺ平面）に沿って形成されている。なお、図１に示す例では、段部１２４ｃは、段部１２４ａ，１２４ｂよりも高くなっている。
【００２７】
凹部１２２の底面であって段部１２４ａ，１２４ｂ，１２４ｃに囲まれた領域は、半導体デバイス２００が実装される実装部１２５である。半導体デバイス２００には、発振回路や温度補償回路等が組み込まれている。発振回路が圧電振動片１６１，１６２の駆動を制御することで、圧電振動片１６１，１６２から所定周波数の信号を得ることができる。半導体デバイス２００は、Ｙ方向視において実装部１２５のほぼ中央に配置されている。半導体デバイス２００は、表面（＋Ｙ側の面）に８つの端子（電極パッド）２０１〜２０８が形成されている。
【００２８】
保持部１２３の上段部１２３ａ，１２３ｂにおいて大きいサイズの圧電振動片１６１が保持される場合、半導体デバイス２００の端子２０１と第２接続電極１３１ａがワイヤ１７１ａで接続（ワイヤボンディング）され、半導体デバイス２００の端子２０２と第２接続電極１３１ｂがワイヤ１７１ｂで接続（ワイヤボンディング）される。また、保持部１２３の下段部１２３ｃにおいて小さいサイズの圧電振動片１６１が保持される場合、半導体デバイス２００の端子２０１と第１接続電極１３０ａがワイヤ１７２ａで接続（ワイヤボンディング）され、半導体デバイス２００の端子２０２と第１接続電極１３０ｂがワイヤ１７２ｂで接続（ワイヤボンディング）される。ワイヤボンディングとは、例えば直径十数マイクロメートルから数百マイクロメートルの金、アルミニウム、銅などのワイヤを用いて、端子間を電気的に接続する方法である。
【００２９】
これにより、大きいサイズの圧電振動片１６１が第１接続電極１３０ａ，１３０ｂと接続される場合及び小さいサイズの圧電振動片１６２が第２接続電極１３１ａ，１３１ｂと接続される場合のいずれにおいても、圧電振動片が接続されていない方の接続電極と半導体デバイス２００とがワイヤボンディングされることで、半導体デバイス２００と圧電振動片とが接続電極を通じて電気的に接続されることとなる。このように、本実施形態における接続電極（第１接続電極１３０ａと第２接続電極１３１ａと連結部１３２ａとからなる電極、第１接続電極１３０ｂと第２接続電極１３１ｂと連結部１３２ｂとからなる電極）は、圧電振動片と接続される電極という機能と、半導体デバイス２００と接続される電極（端子）という機能とを兼ね備えた電極である。
【００３０】
段部１２４ａには、Ｘ方向に所定間隔おいて３つの端子（電極）１４１ａ，１４２ａ，１４３ａが形成されている。同様に、段部１２４ｂには、Ｘ方向に所定間隔おいて３つの端子（電極）１４１ｂ，１４２ｂ，１４３ｂが形成されている。段部１２４ａにおける３つの端子１４１ａ，１４２ａ，１４３ａ及び段部１２４ｂにおける３つの端子１４１ｂ，１４２ｂ，１４３ｂは、それぞれ、半導体デバイス２００の表面（＋Ｙ側の面）に形成された端子２０３〜２０８と接続（ワイヤボンディング）するための端子である。なお、図１〜図３においては、６つの端子１４１ａ，１４２ａ，１４３ａ，１４１ｂ，１４２ｂ，１４３ｂと半導体デバイス２００上の端子２０３〜２０８とを接続するワイヤは図示していない。
【００３１】
上記した各電極や各端子、すなわち、圧電振動片１６１の励振電極１６１ａ，１６１ｂや引出電極１６１ｃ，１６１ｄ、並びに接続電極１３０ａ，１３０ｂ，１３１ａ，１３１ｂや連結部１３２ａ，１３２ｂ、端子１４１ａ，１４２ａ，１４３ａ，１４１ｂ，１４２ｂ，１４３ｂは、例えばメタルマスク等を用いたスパッタ法や真空蒸着法により導電性の金属膜が成膜されることで形成されている。また、これら電極や端子は、クロム（Ｃｒ）や、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、あるいはニッケルクロム（ＮｉＣｒ）やニッケルチタン（ＮｉＴｉ）、ニッケルタングステン（ＮｉＷ）合金が下地膜として成膜され、この上に金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）が主電極膜として成膜されて形成される。
【００３２】
なお、図１には示していないが、ベース１２０の裏面（−Ｙ側の面）には、実装端子としての外部電極がそれぞれ設けられている。外部電極は、不図示の貫通電極等を介し端子１４１ａ，１４２ａ，１４３ａ，１４１ｂ，１４２ｂ，１４３ｂなどと電気的に接続されている。外部電極も上記した各電極や各端子と同様の方法で成形可能である。
【００３３】
次に、圧電デバイス１００用のパッケージにおける各部（保持部１２３、半導体デバイス２００、ワイヤ１７１ａ，１７１ｂ，１７２ａ，１７２ｂ等）の位置について説明する。
【００３４】
図５は、圧電デバイスの断面図であって、（ａ）は図２のＭ−Ｍ線に沿った断面図、（ｂ）は図３のＮ−Ｎ線に沿った断面図である。なお、図５（ａ）において、上段部１２３ａ、第１接続電極１３０ａ、及び導電性接着剤１３３ａの位置を点線で示し、図５（ｂ）において、下段部１２３ｃ、第２接続電極１３１ａ、導電性接着剤１３４ａ、圧電振動片１６２の位置を点線で示している。
【００３５】
図５（ａ）に示すように、半導体デバイス２００が凹部１２２の底面の実装部１２５に実装される。半導体デバイス２００の端子２０１と第２接続電極１３１ａがワイヤ１７１ａで接続される。図５（ａ）に示していないが、半導体デバイス２００の端子２０２と第２接続電極１３１ｂもワイヤ１７１ｂで接続される。そして、大きいサイズの圧電振動片１６１の一端（一辺）が導電性接着剤１３３ａによって保持部１２３の上段部１２３ａにおける第１接続電極１３０ａに保持される。図５（ａ）には示していないが、圧電振動片１６１の一端が導電性接着剤１３３ｂによって保持部１２３の上段部１２３ｂにおける第１接続電極１３０ｂに保持される。
【００３６】
圧電振動片１６１は、その他端が段部１２４ｃで下方に落ちないように支持される。なお、段部１２４ｃは、圧電振動片１６１が下がった場合に、圧電振動片１６１の周辺領域１６１ｎ（裏面側の周辺領域）の＋Ｘ方向側端部と接触する位置に設けられている。凹部１２２の底面の実装部１２５に実装された半導体デバイス２００は、圧電振動片１６１の裏面の下方に位置する。このとき、ワイヤ１７１ａ，１７１ｂも、圧電振動片１６１の下方の空間に位置しているため、圧電振動片１６１の裏面（励振電極１６１ｂ）と接触しない。これにより、ワイヤ１７１ａ，１７１ｂと圧電振動片１６１の励振電極１６１ｂとの接触がなくなり、圧電振動片１６１の特性の変動を抑制し、動作の安定化を図ることができる。
【００３７】
図５（ｂ）に示すように、図５（ａ）の場合と同様に、半導体デバイス２００が凹部１２２の底面の実装部１２５に実装される。小さいサイズの圧電振動片１６２の一端（一辺）が導電性接着剤１３４ａによって保持部１２３の下段部１２３ｃにおける第２接続電極１３１ａに保持される。図５（ｂ）には示していないが、圧電振動片１６２の一端が導電性接着剤１３４ｂによって保持部１２３の下段部１２３ｃにおける第２接続電極１３１ｂに保持される。そして、半導体デバイス２００の端子２０１と第１接続電極１３０ａがワイヤ１７２ａで接続される。図５（ｂ）に示していないが、半導体デバイス２００の端子２０２と第１接続電極１３０ｂもワイヤ１７２ｂで接続される。
【００３８】
下段部１２３ｃは、凹部１２２（実装部１２５）の底面と同一又は略同一の高さに形成されているので、圧電振動片１６２は、その他端が凹部１２２の底面で下方に落ちないように支持される。実装部１２５に実装された半導体デバイス２００の端子２０１，２０２は、圧電振動片１６１の表面の上方に位置する。このとき、ワイヤ１７２ａ，１７２ｂも、圧電振動片１６２の上方の空間に位置しているため、圧電振動片１６２の表面（励振電極１６２ａ）と接触しない。これにより、ワイヤ１７２ａ，１７２ｂと圧電振動片１６２の励振電極１６２ａとの接触がなくなり、圧電振動片１６２の特性の変動を抑制し、動作の安定化を図ることができる。
【００３９】
なお、端子１４１ａ，１４２ａ，１４３ａ，１４１ｂ，１４２ｂ，１４３ｂと半導体デバイス２００の端子２０３〜２０８との間に接続されるワイヤ（図示せず）が圧電振動片１６１，１６２と接触しないように調整しておくことが望ましい。これを実現するために、例えば、端子１４１ａ，１４２ａ，１４３ａ，１４１ｂ，１４２ｂ，１４３ｂの高さ（凹部１２２の底面からの高さ）を、上段部１２３ａ，１２３ｂの高さよりも低くしてもよい。
【００４０】
以上に説明したように、本実施形態では、圧電振動片１６１，１６２を収容可能な圧電デバイス１００用のパッケージであって、半導体デバイス２００が実装される実装部１２５と、圧電振動片１６１，１６２を保持する保持部１２３と、を備え、保持部１２３は、凹形状の段差が形成され、上段１２３ａ，１２３ｂには大きいサイズの圧電振動片１６１の励振電極１６１ａ，１６１ｂと電気的に接続される一対の第１接続電極１３０ａ，１３０ｂが設けられ、下段１２３ｃには小さいサイズの圧電振動片１６２の励振電極１６２ａ，１６２ｂと電気的に接続される一対の第２接続電極１３１ａ，１３１ｂが設けられ、第１接続電極１３０ａ，１３０ｂと第２接続電極１３１ａ，１３１ｂの各対は、それぞれ接続され、保持部１２３の上段１２３ａ，１２３ｂにて大きいサイズの圧電振動片１６１が保持される場合、半導体デバイス２００と第２接続電極１３１ａ，１３１ｂがワイヤボンディングされ、保持部１２３の下段１２３ｃにて小さいサイズの圧電振動片１６２が保持される場合、半導体デバイス２００と第１接続電極１３０ａ，１３０ｂがワイヤボンディングされる。このような構成によれば、異なるサイズの圧電振動片１６１，１６２を保持することができるとともに、パッケージ内で配線を引き回す必要がなくなり、パッケージを成形する手間を軽減することができる。また、圧電振動片が保持されていない方の接続電極と半導体デバイス２００とをワイヤボンディングするだけで半導体デバイス２００と圧電振動片とを電気的に接続することができるので、大きな手間をかけずに半導体デバイス２００と圧電振動片との接続を実現することができる。
【００４１】
また、本実施形態では、保持部１２３の下段１２３ｃと実装部１２５の底面は、同一又は略同一の高さである。このような構成によれば、圧電デバイス１００に振動や衝撃等が加わった場合でも、小さいサイズの圧電振動片１６２が実装部１２５の底面（パッケージ内のキャビティの底面）で支持され、圧電振動片１６２が下に落ちてしまうことがない。なお、大きいサイズの圧電振動片１６１は、段部１２４ｃによって下に落ちることが防止される。
【００４２】
また、本実施形態では、保持部１２３の上段１２３ａにて大きいサイズの圧電振動片１６１が保持される場合、大きいサイズの圧電振動片１６１は半導体デバイス２００の上方に位置する。このような構成によれば、半導体デバイス２００と第２接続電極とをワイヤボンディングしても、ワイヤが大きいサイズの圧電振動片１６１と接触しない。従って、圧電振動片１６１の特性の変動を抑制し、動作の安定化を図ることができる。
【００４３】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は、上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能である。また、上記の実施の形態で説明した要件の１つ以上は、省略されることがある。そのような変更又は改良、省略した形態も本発明の技術的範囲に含まれる。また、上記した実施の形態や変形例の構成を適宜組み合わせて適用することも可能である。
【００４４】
例えば、上記実施形態では、圧電デバイス１００として、温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、電圧制御水晶発振器（ＶＣＸＯ）やパッケージ水晶発振器（ＳＰＸＯ）など、他の種類の水晶発振器であってもよい。
【００４５】
また、圧電デバイス１００は上記した実施形態に限定されず、例えば、リッド１１０に圧電振動片等を収容する凹部を形成してもよい。
【００４６】
また、上記した実施形態では、保持部１２３は、上段部１２３ａ，１２３ｂと下段部１２３ｃの２つの段部が設けられているが、３つ以上の段部が設けられてもよい。この場合、３種類以上の異なるサイズの圧電振動片を搭載することが可能となる。
【符号の説明】
【００４７】
１００…圧電デバイス
１１０…リッド（パッケージ）
１２０…ベース（パッケージ）
１２３…保持部
１２３ａ，１２３ｂ…上段部（上段）
１２３ｃ…下段部（下段）
１２５…実装部
１３０ａ，１３０ｂ…第１接続電極
１３１ａ，１３１ｂ…第２接続電極
１３２ａ，１３２ｂ…連結部
１６１，１６２…圧電振動片
１６１ａ，１６１ｂ…励振電極
１７１ａ，１７１ｂ，１７２ａ，１７２ｂ…ワイヤ
２００…半導体デバイス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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