(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１０）、前記基板に実装された複数の発熱部品（２０〜２５）、前記発熱部品に対し前記基板とは反対側に設けられたヒートシンク（３０）、前記発熱部品と前記ヒートシンクとの間に充填された熱伝導材（３３）、前記基板に前記熱伝導材が充填された面（１１）とは反対側の面（１２）で複数の前記発熱部品のうち発熱温度が比較的高い前記発熱部品（２１，２２）の近くに設けられた温度検出素子（５０）、および、前記温度検出素子の出力により温度を検出可能な検出部（４０）を備えた電子装置（１）が備える前記熱伝導材の放熱機能を検査することの可能な検査方法であって、
前記電子装置の構成を備えた第１の基準製品において、前記発熱部品に所定の電流パターンで電力を供給したときに前記検出部が検出した温度を取得する第１温度取得ステップ（Ｓ２）と、
前記電子装置の構成から前記熱伝導材を除いた第２の基準製品において、前記発熱部品に所定の電流パターンで電力を供給したときに前記検出部が検出した温度を取得する第２温度取得ステップ（Ｓ３）と、
前記第１温度取得ステップで取得した温度と前記第２温度取得ステップで取得した温度との差（Ｍ，Ｎ）が、所定の閾値（α）より大きいか否かを判定する判定ステップ（Ｓ４）と、
前記第１温度取得ステップで取得した温度と前記第２温度取得ステップで取得した温度との差が前記所定の閾値より大きいとき、前記第１温度取得ステップで検出された温度と前記第２温度取得ステップで検出された温度との間の温度で上限閾値（Ｔｔｈ＿ｍａｘ）を設定する上限閾値設定ステップ（Ｓ６）と、
前記電子装置の構成を備えた検査品において、前記発熱部品に前記所定の電流パターンで電力を供給し、前記検査品が備える前記検出部が検出した温度が、前記上限閾値より低いか否かを検査する検査ステップ（Ｓ１１）と、を含む電子装置の検査方法。
【請求項２】
前記第１温度取得ステップで取得した温度と前記第２温度取得ステップで取得した温度との差が、前記所定の閾値より小さいとき、前記第１温度取得ステップおよび前記第２温度取得ステップにおいて前記電子装置の前記発熱部品に供給する電流パターンを変更する電流パターン変更ステップ（Ｓ７）をさらに含む請求項１に記載の電子装置の検査方法。
【請求項３】
前記電子装置の前記基板は、発熱温度が比較的高い前記発熱部品が実装された面とは反対側の面に、前記温度検出素子が実装される受熱用配線パターン（５１）を備える請求項１または２に記載の電子装置の検査方法。
【請求項４】
前記電子装置の前記受熱用配線パターンは、発熱温度が比較的高い前記発熱部品が有するドレイン端子（２１１，２２１）またはソース端子（２１２，２２２）が接続する電力配線パターン（１４）に対向する位置に設けられるものである請求項３に記載の電子装置の検査方法。
【請求項５】
前記電子装置の前記受熱用配線パターンは、発熱温度の高い複数の前記発熱部品のドレイン端子またはソース端子が接続する複数の電力配線パターンに対向する位置において、複数の前記電力配線パターンに跨るようにして設けられるものである請求項３または４に記載の電子装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発熱部品の温度を検出可能な電子装置が備える熱伝導材の放熱機能を検査する検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板に対し、スイッチング素子等の発熱素子と、その発熱素子が発熱する温度を測定するためのサーミスタ等が実装された電子装置が知られている。
特許文献１に記載の電子装置は、サーミスタを用いて発熱部品の温度を検出し、発熱部品が許容温度を超えて加熱することの無いように、発熱部品に供給される電流量を制限している。
また、この電子装置は、発熱部品に対して基板とは反対側に設けられたヒートシンクと発熱部品との間に、熱伝導材としての放熱ゲルが充填されている。これにより、発熱部品が発する熱は、放熱ゲルを経由してヒートシンクに放熱される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１２６０８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１には、基板に複数の発熱部品を実装する場合にサーミスタを取り付ける位置に関する記載がされていない。仮に、複数の発熱部品のうち発熱温度が比較的低い発熱部品の近傍にサーミスタを実装した場合、その発熱部品よりも発熱温度が高い発熱部品の温度を正確に検出することが困難になることが懸念される。
【０００５】
また、この電子装置は、基板とヒートシンクとを組付けた後、ヒートシンクと発熱部品との間に放熱ゲルが確実に充填されているか否かを視認することができない。そのため、仮に、ヒートシンクと発熱部品との間に放熱ゲルが充填されていないか、または、そこに充填された放熱ゲルの放熱機能が不十分な場合、発熱部品が発する熱がヒートシンクに適切に放熱されないことが懸念される。
【０００６】
本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、発熱部品の温度を正確に検出可能な電子装置、及び、その電子装置が備える熱伝導材の放熱機能を検査する検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、電子装置が備える熱伝導材の放熱機能を検査する検査方法である。この検査方法は、第１温度取得ステップ、第２温度取得ステップ、判定ステップ、上限閾値設定ステップ、および検査ステップを含む。第１温度取得ステップでは、電子装置の構成を備えた第１の基準製品において、発熱部品に所定の電流パターンで電力を供給したときに検出部が検出した温度を取得する。第２温度取得ステップでは、電子装置の構成から熱伝導材を除いた第２の基準製品において、発熱部品に所定の電流パターンで電力を供給したときに検出部が検出した温度を取得する。判定ステップでは、第１温度取得ステップで取得した温度と第２温度取得ステップで取得した温度との差が、所定の閾値より大きいか否かを判定する。上限閾値設定ステップでは、第１温度取得ステップで取得した温度と第２温度取得ステップで取得した温度との差が所定の閾値より大きいとき、第１温度取得ステップで検出された温度と第２温度取得ステップで検出された温度との間の温度で上限閾値を設定する。検査ステップでは、検査品の発熱部品に所定の電流パターンで電力を供給し、その検査品が備える検出部が検出した温度が、上限閾値より低いか否かを検査する。
【００１０】
これにより、第１温度取得ステップで検出された温度と第２温度取得ステップで検出された温度との間の温度で上限閾値を設定したので、検査ステップで検査品の温度特性に公差がある場合でも、第１温度取得ステップで取得した温度と上限閾値との温度差により、その公差を吸収することが可能である。したがって、この検査方法により、検査品が備える熱伝導材の放熱機能の検査に関し、誤検出を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１実施形態による電子装置の断面図である。
【図２】図１のＩＩ方向の平面図である。
【図３】図２のＩＩＩ部分の拡大図である。
【図４】第１実施形態による電子装置の回路構成図である。
【図５】第１実施形態による電子装置の検査方法のフローチャートである。
【図６】第１実施形態による電子装置の検査方法で用いる電流パターンの例示である。
【図７】第１実施形態による電子装置の温度特性の一例を示すグラフである。
【図８】第１実施形態による電子装置の温度特性の一例を示すグラフである。
【図９】第１実施形態による電子装置の検査方法のフローチャートである。
【図１０】第２実施形態による電子装置の平面図である。
【図１１】第３実施形態による電子装置の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の複数の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、図面は、いずれも模式図であり、適宜、縦横比等を変更したり、一部の部品の記載を省略したりしている。
【００１３】
〔第１実施形態〕
本発明の第１実施形態を図１〜図９に示す。本実施形態の電子装置１は、種々の製品の制御等に適用することが可能なものである。ここでは、その一例として、車両の電動パワーステアリング装置において運転者による操舵を補助するためのアシストトルクを発生するモータ２を駆動制御する電子装置１について説明する。
【００１４】
（制御装置の構成）
まず、電子装置１の構成について説明する。
図１および図２に示すように、電子装置１は、基板１０、複数のスイッチング素子２０、ヒートシンク３０、マイコン４０およびサーミスタ５０等を備えている。
【００１５】
基板１０は、例えばＦＲ−４等のプリント配線板であり、略矩形に形成されている。基板１０は、４隅および中央に設けられた孔に挿入されるねじ３１により、ヒートシンク３０に固定されている。
ヒートシンク３０は、アルミ等の熱伝導性のよい材料により形成され、所定の熱マスを有する。また、ヒートシンク３０は、基板１０等を支持する筐体としても機能するものである。
以下の説明において、基板１０のヒートシンク３０側の面を第１面１１と称し、ヒートシンク３０と反対側の面を第２面１２と称することとする。すなわち、ヒートシンク３０は、基板１０の第１面１１側に位置している。
【００１６】
基板１０の第１面１１には、４個のスイッチング素子２０、シャント抵抗２５、コンデンサ２６、リレー２７およびコネクタ２８などが実装されている。
スイッチング素子２０は、例えばＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）である。なお、スイッチング素子２０として、ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）等を適用してもよい。４個のスイッチング素子２０およびシャント抵抗２５は、「発熱部品」の一例に相当する。
【００１７】
４個のスイッチング素子２０とシャント抵抗２５とは、ヒートシンク３０に設けられた凹部３２に収容されている。スイッチング素子２０、シャント抵抗２５及びそれらが実装された基板１０の第１面１１と、ヒートシンク３０の凹部３２の内壁との間には、熱伝導材としての放熱ゲル３３が充填されている。放熱ゲル３３は、通電等によりスイッチング素子２０およびシャント抵抗２５が発する熱を、ヒートシンク３０へ伝熱する機能を有するものである。
【００１８】
コンデンサ２６およびリレー２７などの大型の電子部品は、ヒートシンク３０に設けられた収容室３４に収容されている。なお、上述したスイッチング素子２０等を収容するヒートシンク３０の凹部３２は、大型の電子部品を収容する収容室３４よりも浅く形成されている。これにより、ヒートシンク３０は、スイッチング素子２０等を収容する凹部３２が形成された箇所の熱マスを大きく確保し、スイッチング素子２０等の放熱効率を高めている。
コネクタ２８は、モータ２、バッテリ３（図４参照）および車両の各種センサ等との電気的接続に用いられる。
【００１９】
基板１０の第２面１２には、マイコン４０、カスタムＩＣ４１、および、温度検出素子としてのサーミスタ５０などが実装されている。マイコン４０およびカスタムＩＣ４１は、いずれもＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭおよびＩ／Ｏ等を有する半導体パッケージである。マイコン４０およびカスタムＩＣ４１は、車両の各部に設けられたセンサ類からの信号に基づき、スイッチング素子２０の作動を制御することにより、モータ２の回転駆動を制御する。
マイコン４０およびカスタムＩＣ４１は、スイッチング素子２０、シャント抵抗２５、コンデンサ２６およびリレー２７などの比較的大電流が流れる電子部品に対し、基板１０の長手方向に離れた位置に設けられている。これにより、スイッチング素子２０等に大電流が流れることによるノイズの影響を低減することが可能である。
【００２０】
サーミスタ５０は、４個のスイッチング素子２０のうち発熱温度が比較的高いスイッチング素子２１，２２に近い位置で、基板１０を挟んで第２面１２に実装されている。なお、サーミスタ５０は、４個のスイッチング素子２０のうち温度上昇が最も高いスイッチング素子２１，２２に近い位置に実装することがより好ましい。
サーミスタ５０は、例えばＮＴＣまたはＰＴＣサーミスタであり、サーミスタ５０自身の温度変化により、抵抗値が変化する。なお、基板１０の第２面１２にサーミスタ５０を設けることで、サーミスタ５０自身の熱が放熱ゲル３３を経由してヒートシンク３０へ伝わることが防がれる。
サーミスタ５０からの出力は、マイコン４０に入力される。マイコン４０は、サーミスタ５０の出力によりサーミスタ５０の温度を検出する検出部として機能する。検出部としてのマイコン４０が検出する温度はサーミスタ５０の温度であるが、その温度はスイッチング素子２０の発熱温度、またはサーミスタ５０が設けられた位置の基板１０の温度に相当するものである。
【００２１】
次に、本実施形態の電子装置１の回路構成の一例について、図４を参照して説明する。なお、図４では便宜上、電子装置１の中にモータ２が記載されているが、このモータ２は電子装置１の外部において、電子装置１とは別個に設けられるものである。
４個のスイッチング素子２０は、例えばＨブリッジ回路を構成している。以下の説明において、適宜、電源側に接続される２個のスイッチング素子２０をそれぞれ第１スイッチング素子２１、第２スイッチング素子２２と称し、グランド側に接続される２個のスイッチング素子２０をそれぞれ第３スイッチング素子２３、第４スイッチング素子２４と称することとする。
【００２２】
このＨブリッジ回路では、第１、第３スイッチング素子２１，２３が直列に接続され、第２、第４スイッチング素子２２，２４が直列に接続されている。また、直列に接続された第１、第３スイッチング素子２１，２３と、直列に接続された第２、第４スイッチング素子２２，２４とが並列に接続されている。
第１、第２スイッチング素子２１、２２の接続点は、リレー２７およびチョークコイル２９を経由して、バッテリ３の正極と接続される。チョークコイル２９は、ノイズを低減する。
バッテリ３と並列に接続されたコンデンサ２６は、電荷を蓄えることにより、スイッチング素子２０への電力供給を補助したり、サージ電圧などのノイズ成分を抑制したりする。
第３、第４スイッチング素子２３、２４の接続点は、シャント抵抗２５を経由してバッテリ３の負極と接続される。シャント抵抗２５は、モータ２に通電される電流の検出に用いられる。
第１、第３スイッチング素子２１，２３の接続点と、第２、第４スイッチング素子２２，２４の接続点の間に直流モータ２が接続される。
【００２３】
ここで、Ｈブリッジ回路の動作について説明する。Ｈブリッジ回路は、マイコン４０およびカスタムＩＣ４１などで構成される制御部４２からの制御信号により駆動制御される。
まず、制御部４２が第３スイッチング素子２３のオフ、第２スイッチング素子２２のオフ、第１スイッチング素子２１のオン、第４スイッチング素子２４のオンをこの順で瞬時に行うと、バッテリ３の正極から電流が、チョークコイル２９、リレー２７、第１スイッチング素子２１、モータ２、第４スイッチング素子２４、シャント抵抗２５、バッテリ３の負極に、この順で流れる。これにより、モータ２は、所定の方向（以下「正方向」という）に回転する。
【００２４】
次に、制御部４２が第４スイッチング素子２４のオフ、第１スイッチング素子２１のオフ、第２スイッチング素子２２のオン、第３スイッチング素子２３のオンをこの順で瞬時に行うと、バッテリ３の正極から電流が、チョークコイル２９、リレー２７、第２スイッチング素子２２、モータ２、第３スイッチング素子２３、シャント抵抗２５、バッテリ３の負極に、この順で流れる。これにより、モータ２は、正方向とは反対方向（以下「逆方向」という）に回転する。
ところで、上述したように制御部４２がモータ２の回転方向を正方向から逆方向に変えるとき、制御部４２が第４スイッチング素子２４のオフを行うと、それまで第１スイッチング素子２１、モータ２、第４スイッチング素子２４の順に流れていた電流は、一瞬のみ、第１スイッチング素子２１、モータ２、第２スイッチング素子２２の順に回流する。
【００２５】
このような電流の回流は、モータ２の回転方向を逆方向から正方向に変えるときにも、同様に発生する。すなわち、制御部４２が第３スイッチング素子２３のオフを行うと、それまで第２スイッチング素子２２、モータ２、第３スイッチング素子２３の順に流れていた電流は、一瞬のみ、第２スイッチング素子２２、モータ２、第１スイッチング素子２１の順に流れる。したがって、Ｈブリッジ回路においては、電源側に接続される第１スイッチング素子２１と第２スイッチング素子２２の発熱温度が、グランド側に接続される第３スイッチング素子２３と第４スイッチング素子２４の発熱温度よりも高いものとなる。
【００２６】
そこで、本実施形態では、図３に示すように、サーミスタ５０を実装する位置を、４個のスイッチング素子２０のうち発熱温度が比較的高いスイッチング素子２１，２２に近い位置としている。なお、図３では、基板１０の第１面１１に実装されている第１スイッチング素子２１と第２スイッチング素子２２を破線で示し、基板１０の第２面１２に実装されているサーミスタ５０とそのサーミスタ５０が実装されている基板１０の配線パターン５１を実線で示している。以下、サーミスタ５０が実装されている基板１０の配線パターン５１を、受熱用配線パターン５１と称する。
【００２７】
基板１０の第１面１１に実装されている第１スイッチング素子２１と第２スイッチング素子２２は、それぞれドレイン端子２１１，２２１、ソース端子２１２，２２２、ゲート端子２１３，２２３を有する。図３では、第１スイッチング素子２１と第２スイッチング素子２２のドレイン端子２１１，２２１、ソース端子２１２，２２２が接続する配線パターンが基板１０の第１面１１に設けられ、且つ、その配線パターンの発熱が大きくなる領域を二点鎖線Ｆで示している。以下、第１スイッチング素子２１および第２スイッチング素子２２が有するドレイン端子２１１，２２１およびソース端子２１２，２２２が接続する基板１０の配線パターンを、電力配線パターン１４と称する。
【００２８】
ここで、第２面１２に設けられた受熱用配線パターン５１は、第１面１１に設けられた電力配線パターン１４に対向する位置に設けられている。これにより、第１スイッチング素子２１および第２スイッチング素子２２からドレイン端子２１１，２２１およびソース端子２１２，２２２を経由して電力配線パターン１４に伝わった熱は、それに対向する受熱用配線パターン５１に伝わる。
また、この受熱用配線パターン５１は、第１スイッチング素子２１および第２スイッチング素子２２が有するドレイン端子２１１，２２１およびソース端子２１２，２２２がそれぞれ接続する複数の電力配線パターン１４に跨るようにして設けられている。これにより、１個のサーミスタ５０を用いて、第１スイッチング素子２１と第２スイッチング素子２２の両方の発熱温度を検出することが可能である。
【００２９】
しかしながら、上述した電子装置１の構成では、基板１０とヒートシンク３０とを組付けた後、ヒートシンク３０とスイッチング素子２０との間に放熱ゲル３３が確実に充填されているか否かを視認することができない。仮に、基板１０に孔を開けるなどして、放熱ゲル３３が充填されていることを確認できたとしても、その放熱ゲル３３が確実に放熱機能を発揮するか否かを保証することは困難である。そこで、本実施形態では、電子装置１が備える放熱ゲル３３が放熱機能を発揮するか否かを、次に説明する検査方法により検査する。
【００３０】
（検査方法）
電子装置１における放熱ゲル３３の放熱機能に関する検査方法について、図５〜図９を参照して説明する。
この検査方法では、先ず、２個の基準製品を用いて、複数の電子装置１を検査する際に使用する上限閾値Ｔｔｈ＿ｍａｘを設定する。次に、その上限閾値Ｔｔｈ＿ｍａｘを用いて、複数の電子装置１が備える放熱ゲル３３の放熱機能を検査する。
【００３１】
上述した上限閾値Ｔｔｈ＿ｍａｘを設定する方法を、図５のフローチャートに示す。
まず、電流パターン選択ステップ（Ｓ１）として、検査に使用する電流パターンを選択する。その電流パターンとして、図６（Ａ）〜（Ｄ）に示すものが例示される。最初の電流パターン選択ステップ（Ｓ１）では、ｎ番目の電流パターンとして、例えば図６（Ａ）に示すものを選択したものとする。
【００３２】
次に、第１温度取得ステップ（Ｓ２）として、上述した電子装置１の構成と同一の構成を備えた第１の基準製品を用意する。そして、その第１の基準製品のスイッチング素子２０に対し、図６（Ａ）に示す電流パターンを印加する。このとき、サーミスタ５０の出力に基づいてマイコン４０が検出した温度を、検査機５（図１，図２参照）により取得する。図７（Ａ）の実線Ｐは、その検査機５により取得された温度変化の一例である。
【００３３】
続いて、第２温度取得ステップ（Ｓ３）として、上述した電子装置１の構成から放熱ゲル３３を除いた構成を備えた第２の基準製品（図示していない）を用意する。すなわち、第２の基準製品は、放熱ゲル３３を備えていないものである。そして、その第２の基準製品のスイッチング素子２０に対し、第１温度取得ステップ（Ｓ２）と同じ電流パターンを印加する。このとき、サーミスタ５０の出力に基づいてマイコン４０が検出した温度を、検査機５により取得する。図７（Ａ）の実線Ｑは、その検査機５により取得された温度変化の一例である。
【００３４】
次に、判定ステップ（Ｓ４）として、先ず、第１温度取得ステップ（Ｓ２）の際に電流パターンを印加してから一定時間Ｋ秒経過後に取得した温度（以下「第１取得温度」という）Ａと、第２温度取得ステップ（Ｓ３）の際に電流パターンを印加してから一定時間Ｋ秒経過後に取得した温度（以下「第２取得温度」という）Ｂとの差Ｍを求める。そして、その温度の差Ｍが、所定の閾値αより大きいか否かを判定する。なお、所定の閾値αは、複数の電子装置１の温度特性の公差に応じて適宜設定されるものである。温度の差Ｍが、所定の閾値αより大きいとき、処理は、電流パターン決定ステップ（Ｓ５）に移行する。
【００３５】
電流パターン決定ステップ（Ｓ５）では、上述した第１温度取得ステップ（Ｓ２）、第１温度取得ステップ（Ｓ３）および判定ステップ（Ｓ４）で使用した電流パターンを、複数の電子装置１が備える放熱ゲル３３の放熱機能を検査する際の電流パターンとして決定する。
続いて、上限閾値設定ステップ（Ｓ６）では、複数の電子装置１が備える放熱ゲル３３の放熱機能を検査する際に使用する上限閾値Ｔｔｈ＿ｍａｘを設定する。図７（Ａ）に示したように、この上限閾値Ｔｔｈ＿ｍａｘは、第１取得温度Ａと取得温度Ｂとの間の温度に設定する。
【００３６】
一方、図７（Ｂ）に示したように、上述した第１温度取得ステップ（Ｓ２）においてサーミスタ５０の温度が実線Ｒのように変化し、上述した第２温度取得ステップ（Ｓ３）においてサーミスタ５０の温度が実線Ｓのように変化する場合が考えられる。この場合、判定ステップ（Ｓ４）において、第１取得温度Ｃと第２取得温度Ｄとの差Ｎは、所定の閾値αより小さいことがある。温度の差Ｎが、所定の閾値αより大きいとき、処理は、電流パターン変更ステップ（Ｓ７）に移行する。
【００３７】
電流パターン変更ステップ（Ｓ７）では、検査に使用するｎ番目の電流パターンを１繰り上げ、ｎ＝ｎ＋１とする。その後、処理は、再び、電流パターン選択ステップ（Ｓ１）に戻る。次の電流パターン選択ステップ（Ｓ１）では、ｎ番目の電流パターンとして、例えば図６（Ｂ）に示すものを選択する。このようにして、第１温度取得ステップ（Ｓ２）および第２温度取得ステップ（Ｓ３）において電子装置１の発熱部品に供給する電流パターンが変更される。
【００３８】
その後、処理は、判定ステップ（Ｓ４）において第１取得温度と第２取得温度との差が所定の閾値αより大きいものとなるまで、図６（Ａ）〜（Ｄ）に例示したような種々の電流パターンを用いて、各ステップ（Ｓ１〜Ｓ４およびＳ７）を繰り返し実行する。
これにより、複数の電子装置１を検査する際に使用する上限閾値Ｔｔｈ＿ｍａｘと、その際の電流パターンが設定される。
なお、図８に示したように、複数の電子装置１を検査する際に使用する上限閾値Ｔｔｈ＿ｍａｘと共に、下限閾値Ｔｔｈ＿ｍｉｎを設定してもよい。
【００３９】
続いて、複数の電子装置１が備える放熱ゲル３３の放熱機能を検査する方法を、図９のフローチャートを参照して説明する。
まず、電流パターン選択ステップ（Ｓ１０）として、上述した電流パターン決定ステップ（Ｓ５）で決定した電流パターンを、この検査に使用する電流パターンとして選択する。
【００４０】
次に、検査ステップ（Ｓ１１）として、所定の電子装置１のスイッチング素子２０に対し、電流パターン選択ステップ（Ｓ１０）で選択した電流パターンを印加する。そして、その電流パターンを印加してから一定時間Ｋ秒経過後に取得した温度（以下「検査温度」という）が、上限閾値設定ステップ（Ｓ６）で設定した上限閾値Ｔｔｈ＿ｍａｘより小さいか否かを判定する。
【００４１】
検査温度が上限閾値Ｔｔｈ＿ｍａｘより小さいとき、その所定の電子装置１が備える放熱ゲル３３の放熱機能は有効に機能しているものと判定し（Ｓ１２）、その所定の電子装置１の検査を終了する。
一方、検査温度が上限閾値Ｔｔｈ＿ｍａｘより大きいとき、その所定の電子装置１が放熱ゲル３３を備えていないか、または、放熱ゲル３３を備えていたとしてもその放熱機能が有効に機能していないものと判定し（Ｓ１３）、その所定の電子装置１の検査を終了する。
続いて、Ｓ１０からＳ１３の処理により、複数の電子装置１の検査を順次行ってゆく。
【００４２】
（作用効果）
本実施形態の電子装置１は、次の作用効果を奏する。
（１）本実施形態では、サーミスタ５０が、基板１０に放熱ゲル３３が塗布された第１面１１とは反対側の第２面１２に設けられるので、サーミスタ５０自身の熱が放熱ゲル３３を経由してヒートシンク３０に放熱されることが防がれる。また、サーミスタ５０は、複数のスイッチング素子２０のうち発熱温度が比較的高いスイッチング素子２１，２２の温度変化によりサーミスタ５０自身の温度が変化する。したがって、電子装置１は、サーミスタ５０の出力により、そのスイッチング素子２１，２２の温度を正確に検出可能である。その結果、電子装置１は、全てのスイッチング素子２１〜２４に供給する電流量を適切に制限することができる。
なお、サーミスタ５０は、複数のスイッチング素子２０のうち温度上昇が最も高いスイッチング素子２１，２２に近い位置に実装することがより好ましい。
【００４３】
（２）本実施形態では、基板１０はスイッチング素子２０が実装された第１面１１とは反対側となる第２面１２に、サーミスタ５０が実装される受熱用配線パターン５１を備える。
これにより、スイッチング素子２０が発する熱を受熱用配線パターン５１に受熱させ、その熱によりサーミスタ５０の温度を変化させることが可能である。したがって、電子装置１は、サーミスタ５０により、スイッチング素子２０の急峻な温度上昇を敏感に測定することができる。
【００４４】
（３）本実施形態では、受熱用配線パターン５１は、発熱温度が比較的高いスイッチング素子２１，２２のドレイン端子２１１，２２１またはソース端子２１２，２２２が接続する電力配線パターン１４に対向する位置に設けられる。
これにより、スイッチング素子２０が発する熱を電力配線パターン１４から受熱用配線パターン５１に伝熱させ、その熱によりサーミスタ５０の温度を変化させることが可能である。したがって、電子装置１は、サーミスタ５０により、スイッチング素子２０の急峻な温度上昇を敏感に測定することができる。
【００４５】
（４）本実施形態では、受熱用配線パターン５１は、複数のスイッチング素子２０が接続する複数の電力配線パターン１４に対向する位置において、複数の電力配線パターン１４に跨るようにして設けられる。
これにより、１個のサーミスタ５０を用いて、複数のスイッチング素子２０の温度を検出することが可能である。
【００４６】
（５）本実施形態では、発熱温度が比較的高いスイッチング素子２１，２２は、Ｈブリッジ回路を構成している複数のスイッチング素子２０のうち、電源側に接続されるスイッチング素子２１，２２である。
これにより、複数のスイッチング素子２０の中で、発熱温度が比較的高いスイッチング素子２１，２２を容易に特定することが可能である。
【００４７】
本実施形態の電子装置１を検査する検査方法は、次の作用効果を奏する。
（６）本実施形態では、上限閾値設定ステップにおいて、第１取得温度と第２取得温度との差が所定の閾値αより大きいとき、検査ステップで使用する上限閾値Ｔｔｈ＿ｍａｘを設定する。
これにより、第１取得温度と上限閾値Ｔｔｈ＿ｍａｘとの温度差を大きく確保することが可能である。したがって、検査ステップで検査する所定の電子装置１の温度特性に公差がある場合でも、第１取得温度と上限閾値Ｔｔｈ＿ｍａｘとの温度差により、その交差を吸収することが可能である。したがって、この検査方法により、所定の電子装置１が備える放熱ゲル３３の放熱機能の検査に関し、誤検出を抑制することができる。
【００４８】
（７）本実施形態では、電流パターン変更ステップにおいて、第１取得温度と第２取得温度との差が、所定の閾値αより小さいとき、電子装置１のスイッチング素子２０に供給する電流パターンを変更する。
これにより、第１取得温度と第２取得温度との差が所定の閾値αより大きいものとなる電流パターン、すなわち検査に用いる適切な電流パターンを選択することが可能である。
【００４９】
〔第２実施形態〕
本発明の第２実施形態を図１０に示す。以下の説明において、上述した第１実施形態と実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
第２実施形態では、４個のスイッチング素子２０のうち発熱温度が比較的高い２個のスイッチング素子２１，２２が、コネクタ２８とは反対側で基板１０の長手方向に並んで配置されている。そのため、サーミスタ５０は、その２個のスイッチング素子２１，２２に近い位置で、基板１０を挟んで実装されている。これにより、第２実施形態の電子装置１も、第１実施形態と同様に、サーミスタ５０の出力により、スイッチング素子２１，２２の温度を正確に検出し、全てのスイッチング素子２０に供給する電流量を適切に制限することができる。
【００５０】
〔第３実施形態〕
本発明の第３実施形態を図１１に示す。第３実施形態では、４個のスイッチング素子２０のうち発熱温度が比較的高い２個のスイッチング素子２１，２２が、基板１０の長手方向中央付近において、基板１０の短手方向に並んで配置されている。そのため、サーミスタ５０は、その２個のスイッチング素子２１，２２に近い位置で、基板１０を挟んで実装されている。これにより、第３実施形態の電子装置１も、第１、第２実施形態と同様に、サーミスタ５０の出力により、スイッチング素子２１，２２の温度を正確に検出し、全てのスイッチング素子２０に供給する電流量を適切に制限することができる。
【００５１】
（他の実施形態）
（１）上述した実施形態では、車両の電動パワーステアリング装置に使用されるモータ２を駆動制御する電子装置１を例にして説明した。これに対し、他の実施形態では、電子装置１は、モータ２の駆動に限らず、種々の製品の制御等に適用可能なものである。
【００５２】
（２）上述した実施形態では、スイッチング素子２０は、Ｈブリッジ回路を構成しているものを例に説明した。これに対し、他の実施形態では、スイッチング素子２０は、例えば三相インバータ回路など種々の回路を構成するものでもよく、または、単に通電のオン、オフを行うものでもよい。
【００５３】
（３）上述した実施形態では、複数の発熱部品としての複数のスイッチング素子２０やシャント抵抗２５を基板１０の一部に纏めて配置した。これに対し、他の実施形態では、複数の発熱部品としての複数のスイッチング素子２０やシャント抵抗２５は、基板１０のどの位置に配置してもよいし、基板１０に分散して配置してもよい。また、複数の発熱部品のうち、その一部の発熱部品を基板１０の第１面１１に配置し、残りの発熱部品を基板１０の第２面１２に配置してもよい。すなわち、本発明は、複数の発熱部品を基板に配置する位置に限定は無い。
この場合でも、本発明は、基板に設置された複数の発熱部品のうち発熱温度が比較的高い発熱部品の近くに温度検出素子が設けられるという位置関係が成立していれば良い。
【００５４】
（４）上述した実施形態では、温度検出素子としてサーミスタ５０を例に説明した。これに対し、他の実施形態では、温度検出素子は、例えば白金測温抵抗体など種々の素子用いることが可能である。
【００５５】
（５）上述した実施形態では、発熱部品としてＭＯＳＦＥＴまたはＩＧＢＴなどのスイッチング素子２０およびシャント抵抗２５を例に説明した。これに対し、他の実施形態では、発熱部品は、例えばコンデンサ２６またはコイル２９などとしてもよい。
【００５６】
（６）上述した実施形態では、熱伝導材として放熱ゲル３３を例に説明した。これに対し、他の実施形態では、熱伝導材は、例えば放熱シートまたは放熱グリスなどでもよい。
このように、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の形態で実施可能である。
【符号の説明】
【００５７】
１  ・・・電子装置
１０・・・基板
２０・・・スイッチング素子（発熱部品）
３０・・・ヒートシンク
３３・・・放熱ゲル（熱伝導材）
４０・・・マイコン（検出部）
５０・・・サーミスタ（温度検出素子）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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