(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタを用いた２次元イメージセンサアレイと、
前記２次元イメージセンサアレイのデータ線に接続されたプリチャージ及びディスチャージ回路であって、前記データ線とソース又はドレインの一方が接続された複数の第１の薄膜トランジスタと、前記複数の第１の薄膜トランジスタのゲート−ソース又はドレイン間に接続された容量と、前記第１の薄膜トランジスタのソース又はドレインの他方とソース又はドレインの一方とが並列接続され、かつソース又はドレインの他方がディスチャージ電圧源に接続された第２の薄膜トランジスタと、前記複数の第１の薄膜トランジスタのソース又はドレインの他方とソース又はドレインの一方とが並列接続され、かつソース又はドレインの他方がプリチャージ電圧源に接続された第３の薄膜トランジスタと、前記複数の第１の薄膜トランジスタのゲートに接続されたデータ線間接続・非接続制御線と、前記第２の薄膜トランジスタのゲートに接続されたディスチャージ制御線と、前記第３の薄膜トランジスタのゲートに接続されたプリチャージ制御線と、を有する前記プリチャージ及びディスチャージ回路と、
データドライバと、
走査ドライバと、
を備えたことを特徴する画像読取装置。
【請求項２】
前記プリチャージ及びディスチャージ回路は、前記データドライバと前記２次元イメージセンサアレイを挟んで対向する側に形成されていることを特徴する請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項３】
前記プリチャージ及びディスチャージ回路は、前記２次元イメージセンサアレイに対し前記データドライバが接続されている側に形成されていることを特徴する請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項４】
前記２次元イメージセンサアレイと前記プリチャージ及びディスチャージ回路は、同一基板上に形成されたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の画像読取装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２次元の接触型の画像読取装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
画像読取装置は、文字や画像が記載された紙等の被読取媒体（以下、原稿とも呼ぶ）上の文字や画像を読み取る装置である。画像を読み取る装置には、光学文字読取装置（ＯＣＲ）で読み取った文字や画像を認識し、所定の処理を施して表示する装置もある（特許文献１、２、３参照）。
【０００３】
近年、画像データの文字認識技術が発達し、その文字認識処理と共に構文解析等の技術によって言語翻訳も可能となっている。一般に、翻訳処理は、原稿画像を据え置き型のイメージスキャナーで読み取り、必要に応じて、輪郭補正、コントラスト補正等の前処理を行った後、文字認識を行い、次いで構文解析、翻訳という手順を踏む。
【０００４】
同様にスマートフォンカメラで画像を取得し、取得した画像データと該画像データからの翻訳結果とを同時にスマートフォンのディスプレイに比較表示する翻訳アプリ等が開発されている。この様に、原稿と翻訳結果等を同時に確認できる、画像読取装置と、読み取った画像データや翻訳結果等を表示するディスプレイとの両方を具備する、携帯型入出力一体型装置は非常に有用である。
【０００５】
近年、高速通信ネットワークの整備により、画像データの前処理や、文字認識、構文解析・翻訳といった高度な演算処理は、クラウドコンピューティングで実現することも可能であり、更にはワールドワイドなビッグデータ解析による高度な学習機能の活用も可能である。ネットワークインターフェイスを有し且つ通信環境にあるスマートフォンやタブレット端末等の携帯型入出力一体型画像読取装置は、自身が高度な処理や大きなメモリを有せずとも、良質な翻訳サービスを提供する事ができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−８８４３号公報
【特許文献２】特許第３２３４７３６号公報
【特許文献３】特許第２７３５６９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、スマートフォンやタブレット端末等は、読取装置としてカメラを用いており、撮像に際し、ピントのずれや手ぶれ等の振動による画像ボケが生じ易く、また環境照度に対する最適露光条件設定（絞り、シャッター速度）が必要である。またカメラによる撮像では、室内環境で書類の画像を取り込む際、撮影装置自身の影や照明の映り込みが生じ易いといった問題もあり、これらの問題は文字や画像の認識精度の低下や、簡便性を損なう。そのため、撮影者はこれら諸条件をある一定の水準で満たすように撮影しなければならないといった課題がある。
【０００８】
また、タブレット端末等は撮像している画像と、撮像した画像から読み取った文字や画像情報に所定の変換処理を施した画像（例えば翻訳結果等）とを同時にリアルタイムでディスプレイに表示して比較する場合、撮像中は端末をユーザーが手に持つなどによって端末を固定しておかなければならず、読み取る量が多い場合には不便であった。
【０００９】
そこで接触型固定焦点２次元画像読取装置を薄型シート状に形成し、スマートフォンやタブレット端末に組み合わせることでこれらの課題を解決することが出来る。図１〜３にその概要を示す。
【００１０】
図１（ａ）〜（ｅ）に、スマートフォンケース内蔵型の画像読取装置およびスマートフォンケースを取り付けるスマートフォンの概略図を示す。図１（ｅ）に示す様に、画像読取装置１０１は、原稿を読み取る画像読取部２０２、画像読み取りの際に使用する光源部２０３および制御部２０１を備える。また、画像読取部２０２と光源部２０３とは積層されており、光源部２０３は画像読取部２０２とスマートフォンケース２１２との間に配置されている。本実施形態のように、画像読取装置１０１がスマートフォンケース２１２に内蔵される場合、画像読取部２０２は、その読取面がスマートフォンを取り付ける面と対向する面に、スマートフォンケース２１２の外部に露出するように配置される。
【００１１】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、この装置は被読み取り媒体の上に載せて撮像することが可能であり、前述したカメラ読み取りの問題点が解消される。薄型シート状の画像読取装置を実現するためには、機械走査メカニズムや、光学集光系を用いることは困難である。この問題は図２（ａ）〜（ｃ）に示す電子走査型の透明画像読取装置と薄型バックライトを用いることが有用である。
【００１２】
電子走査型透明画像読取装置としては、多結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ（ｐｏｌｙＳｉＴＦＴ）技術を用いフォトダイオードアレイを電子走査する装置や、アモルファスＳｉ薄膜トランジスタ（ａ−ＳｉＴＦＴ）を用いたダブルゲート方式薄膜トランジスタ（ＤＧＴｒ）を電子走査する装置がある。ａ−ＳｉＴＦＴは大型ＴＶ用として量産されており、より大面積の接触型２次元画像読取装置の実現に有利である。
【００１３】
電子走査型画像読取装置において代表的な駆動方法が線順次走査であり、ｍ行の走査線とｎ列のデータ線をもつ格子状構造をとり、走査線とデータ線の交点にｍ×ｎ個のセンサーが配置される。線順次走査においてデータは走査行毎にｎ列分のデータが同時に読み出される。各列にはｍ−１個の非読出しセンサも接続されている。
【００１４】
画像読取装置において、画像データをデータ線上の電圧や電流といったアナログ値として読み出す場合、ｋ行（ｋ＜ｍ）の読出し時には、ｋ−１行のデータに依存して生じた列毎に異なる電位を、共通の電位に一致（リセット）させる事が好ましい。この様なリセット回路はデータドライバの機能として構成される、即ちリセット回路には走査行選択期間のデータ読出し前の通常短期間に電荷のディスチャージもしくはチャージを達成する駆動能力が必要である。
【００１５】
通常、画像読取装置の大面積化や走査線の増加に際してはデータ線上の寄生容量が増加する。画面の読込時間を一定とすれば、走査線の増加によりリセットに許容される時間は短くなる。即ち、画面のフォーマットによりリセット回路に必要な駆動能力は変化する。リセット回路の駆動能力増加にはトランジスタの大型化が必要であるが、ドライバ回路の高コスト化に繋がる為、必要以上に駆動能力を上げることは好ましくない。
【００１６】
しかしながら、必要最小限に適正化してリセット回路を構成すると、画面サイズや走査線数毎に専用データドライバが必要となり、異なる複数のデータドライバを用意しなくてはならない。そのため、ドライバＬＳＩに関るイニシャルコストが増加するという課題がある。
【００１７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、薄膜トランジスタを用いた接触型２次元イメージセンサシステムにおいて、リセット回路（プリチャージ及びディスチャージ回路）がドライバ外のＴＦＴ上で形成された画像読取装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記の課題を解決するために、本発明は、画像読取装置であって、薄膜トランジスタを用いた２次元イメージセンサアレイと、前記２次元イメージセンサアレイのデータ線に接続されたプリチャージ及びディスチャージ回路であって、前記データ線とソース又はドレインの一方が接続された複数の第１の薄膜トランジスタと、前記複数の第１の薄膜トランジスタのゲート−ソース又はドレイン間に接続された容量と、前記第１の薄膜トランジスタのソース又はドレインの他方とソース又はドレインの一方とが並列接続され、かつソース又はドレインの他方がディスチャージ電圧源に接続された第２の薄膜トランジスタと、前記複数の第１の薄膜トランジスタのソース又はドレインの他方とソース又はドレインの一方とが並列接続され、かつソース又はドレインの他方がプリチャージ電圧源に接続された第３の薄膜トランジスタと、前記複数の第１の薄膜トランジスタのゲートに接続されたデータ線間接続・非接続制御線と、前記第２の薄膜トランジスタのゲートに接続されたディスチャージ制御線と、前記第３の薄膜トランジスタのゲートに接続されたプリチャージ制御線と、を有する前記プリチャージ及びディスチャージ回路と、データドライバと、走査ドライバと、を備えたことを特徴する。
【００１９】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の画像読取装置において、前記プリチャージ及びディスチャージ回路は、前記データドライバと前記２次元イメージセンサアレイを挟んで対向する側に形成されていることを特徴する。
【００２０】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の画像読取装置において、前記プリチャージ及びディスチャージ回路は、前記２次元イメージセンサアレイに対し前記データドライバが接続されている側に形成されていることを特徴する。
【００２１】
請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載の画像読取装置において、前記２次元イメージセンサアレイと前記プリチャージ及びディスチャージ回路は、同一基板上に形成されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
多様な画面サイズや走査線数の画像読取装置を共通のデータドライバで実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施形態に係る画像読取装置を内蔵したスマートフォンもしくはタブレットＰＣケースの、嵌合部側から見た、スマートフォンもしくはタブレットＰＣケース未実装状態の概略図であり、（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係る画像読取装置の画像読取側からみた概略図であり、（ｃ）はスマートフォンもしくはタブレットＰＣの概略図であり、（ｄ）は本発明の第１の実施形態に係る画像読取装置を内蔵したスマートフォンもしくはタブレットＰＣケースがスマートフォンもしくはタブレットＰＣと嵌合した状態であり、スマートフォンもしくはタブレットＰＣの表示側から見た概略図であり、（ｅ）は（ｄ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図２】（ａ）本発明の第１の実施形態に係る画像読取装置の光源部側から見た概略図であり、（ｂ）はその側面図であり、（ｃ）はその読取部側から見た概略図である。
【図３】（ａ）は本発明の第１の実施形態に係る画像読取装置が被読取媒体上画像を読取っている状態を示す図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図４】トップ読込型読取部の詳細な断面図である。
【図５】受光素子の一例であるダブルゲートトランジスタの等価回路図である。
【図６】トップ読込型読取部のトップ読込受光素子の詳細な構造を示す図である。
【図７】ダブルゲートトランジスタを用いた４行×４列のイメージセンサの概略回路図である。
【図８】読出しゲート周期内で繰り返すデータドライバのシークエンス図である。
【図９】４８列データ×４８行走査のセンサアレイエリアを有する従来の画像読取装置の構成を示す図である。
【図１０】本発明の第１の実施形態に係る画像読取装置の構成を示す図である。
【図１１】本発明の第１の実施形態に係る画像読取装置のプリチャージ及びディスチャージ回路２１３のＴＦＴ回路構成例を示す図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係る画像読取装置の構成を示す図である。
【図１３】本発明の第２の実施形態に係る画像読取装置のプリチャージ及びディスチャージ回路２１３のＴＦＴ回路構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
＜第１の実施形態＞
以下に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００２５】
［画像読取方法］
図４に、トップ読込型読取部２０２のより詳細な断面構造を示す。３０３は透明薄型基板であり、基板との接合面を光入射面とする受光素子３０２が、透明薄型基板３０３を挟んで被読取媒体２０４に対向している。３０１は読取部の一部である透明な保護層であり、光源部２０３に接している。光源から出射した光３０４は、透明保護層３０１を透過し、受光素子３０２を含む基板上の遮光物の間隙を通過し、被読取媒体２０４表面に到達後、被読取媒体２０４表面の描画物に起因した反射光３０５を生じ検出光として受光素子３０２に入射する。
【００２６】
［ダブルゲート方式薄膜トランジスタ（ＤＧＴｒ）の等価回路］
図４に示す受光素子３０２はＤＧＴｒであり、図５にその等価回路図を示す。ＤＧＴｒは４端子素子であり、トップゲート端子４１０、ボトムゲート端子４１３、ソースまたはドレイン端子４１１、４１２から構成される。ソースとドレインの属性は相対的な電位で決まり、ゲート電流を構成する主たるキャリアが電子の場合、相対的に負電位の端子がソースとなり、ゲート電流を構成する主たるキャリアが正孔の場合、相対的に正電位の端子がソースとなる。図４に示すＤＧＴｒはアモルファスＳｉＴＦＴを用いており、主たるキャリアは電子であり、ｎｃｈ型トランジスタとなる。
【００２７】
［トップ読込ＤＧＴｒの構造］
図６に、トップ読込型読取部のトップ読込ＤＧＴｒの構造を説明する。チャンネルを構成するａ−Ｓｉ半導体層４０３を挟んで基板側にボトムゲート電極４０１と対向してトップゲート電極４０８を有する。ａ−Ｓｉ半導体層４０３とブロッキングレイヤー絶縁膜４０４の界面領域は、受光素子が光検出状態においてトップゲート電極が加える負電界が形成する感光部となる。ａ−Ｓｉ半導体層４０３のボトムゲート絶縁膜４０２の界面領域は、受光素子がデータ読出し状態において時ボトムゲート電極から加える正電界が形成するチャンネル部となる。
【００２８】
４０６はソースまたはドレイン電極であり、オーミックコンタクト層４０５を介しａ−Ｓｉ半導体層４０３に接続している。読出し状態において形成されるチャンネル部は、ソースとドレイン電極を電気的に接続する。
【００２９】
トップゲート電極４０９及び、透明薄型基板３０３、ボトムゲート絶縁膜４０２、オーバーコート絶縁膜４０７、保護膜４０９、ブロッキングレイヤー絶縁膜４０４は透明であり、ボトムゲート電極４０１は不透明であり、光源部２０３から入射した光は被読取媒体２０４の反射光として感光部に入射する。
【００３０】
［アルゴリズム：ゲートドライバ動作］
図７に、ＤＧＴｒを用いた、４行×４列のイメージセンサの概略回路図を示す。
【００３１】
図７において、４１４はデータドライバ、４１５はボトムゲートドライバ、４１６はトップゲートドライバ、４１７はデータ線、４１８はボトムゲート制御線、４１９はトップゲート制御線、４２０はソース線、４２１は蓄積容量を示す。
【００３２】
イメージセンサは以下に説明するように動作する。イメージセンサは、ボトムゲート制御線４１８とトップゲート制御線４１９を有し、同一方向に異なるタイミングで走査を行なう。ボトムゲート制御線４１８、トップゲート制御線４１９とも１行当たりの占有時間は等しく、この値をゲート周期と呼ぶ。
【００３３】
ボトムゲート制御線４１８は受光素子の行列に対し第１行から第４行に向って読出し状態を走査し、読出後は逐次非読出し状態に移行する。トップゲート制御線４１９は受光素子の行列に対し第１行から第４行に向って初期化状態を走査し、初期化後は逐次検出状態に移行する。初期化状態と読出し状態の設定周期は同一であり、行選択周期と呼ぶ。故に４行のイメージセンサの走査は、７行選択周期の時間で終了する。
【００３４】
図７では、ボトムゲート制御線４１８はトップゲート制御線４１９に３行遅れて走査を開始している。この時、各受光素子には３行選択周期分の検出状態が与えられており、周期の合計期間を蓄積時間と呼ぶ。そのため、ボトムゲート走査からトップゲート走査の遅れ行数分が蓄積時間となり、蓄積時間を長く取ることで受光素子の感度を高める事ができる。
【００３５】
走査中に受光素子３０２は、読出し／検出状態３０２ａ，非読出し／検出状態３０２ｂ，非読出し／初期化状態３０２ｃの３状態を経る。
【００３６】
次に、半導体層４０３にａ−Ｓｉを用いたｎｃｈ型ＴＦＴ受光素子の動作原理を説明する。非読出し／検出状態３０２ｂにおいて、受光素子にはトップゲート−１５Ｖ、ボトムゲート０Ｖがバイアスされている。トップゲートの−１５Ｖは半導体部４０３にブロッキングレイヤー絶縁膜４０４からボトムゲート絶縁膜４０２に向かって空乏層を生じる。同時に露光量に応じてａ−Ｓｉ半導体層４０３内部には光励起した電子・正孔対が生じ、直ちに正電荷を有する正孔はトップゲート−１５Ｖに引かれ、ブロッキングレイヤー絶縁膜４０４内に捕獲され、同絶縁膜中に正の固定電荷を生じる。同時に正の固定電荷はトップゲート−１５Ｖを相殺し、空乏層を縮小する。空乏層のサイズは露光量の増大に伴い縮小する。
【００３７】
読出し／検出状態３０２ａにおいて、受光素子３０２にはトップゲート−１５Ｖ，ボトムゲート＋１５Ｖがバイアスされている。ボトムゲート＋１５Ｖは半導体層のボトムゲート絶縁膜界面にチャンネル部形成し、ソースとドレインを電気的に接続する。よってボトムゲート制御線から＋１５Ｖが与えられた行の各画素は受光素子が検出値をデータドライバに送る事ができる。
【００３８】
この時形成するチャンネル部のサイズは、トップゲート−１５Ｖが生成する空乏層の影響を受ける。即ち、露光増大に従いトップゲート電界が形成する空乏層は縮小し、ボトムゲート電界が形成するチャンネルは広がり、ソースとドレイン間の抵抗は減少する。この抵抗値変化がイメージセンサの出力値となる。
【００３９】
非読出し／初期化状態３０２ｃにおいて、受光素子３０２にはトップゲート＋１５Ｖ，ボトムゲート０Ｖがバイアスされている。この時トップゲート＋１５Ｖにより、ブロッキングレイヤー絶縁膜４０４内の正の固定電荷が掃き出される。
【００４０】
［アルゴリズム：データドライバ動作］
図８に、読出しゲート周期内で繰り返すデータドライバのシークエンスを説明する図を示す。
【００４１】
データドライバ入出力端子は、読出しゲート周期で、ディスチャージ０Ｖ設定、ハイインピーダンス（Ｈｉ−ｚ）プリチャージ５Ｖ設定、プリチャージ、Ｈｉ−ｚおよびサンプルホールド（電圧取得）シークエンスを繰り返す。
【００４２】
データドライバ入出力端子は、読出し状態の直前に蓄積容量４２１へ５Ｖのプリチャージを行ない、続いて読出し状態の開始に同期しプリチャージを終了し、Ｈｉ−ｚとなる。同時に受光素子３０２のチャンネルが開かれる為、蓄積容量４２１に蓄えられた５Ｖの電荷はソース線に向かいディスチャージを始める。ディスチャージの速度はチャンネルの抵抗値に依存する為、サンプルホールド期間では露光量の違い依存した電圧が取得される。
【００４３】
［ドライバによるディスチャージ及びプリチャージ］
図９に、４８列データ×４８行走査のセンサアレイエリアを有する従来の画像読取装置の構成を示す。ここでは、図８で説明したドライバから行なうデータラインへのディスチャージ及びプリチャージ動作を示している。データドライバ４１４は、センサアレイエリア２０７からデータを読み出すと共に、センサアレイエリア２０７に対しディスチャージ、プリチャージを行なう。この為データドライバ４１４とセンサエリア間の信号線は双方向の矢印で示されている。
【００４４】
［ドライバ対向側からのディスチャージ及びプリチャージ］
図１０に、本発明の第１の実施形態に係る画像読取装置の構成を示す。センサアレイエリア２０７形成と同時に形成するＴＦＴにより構成するプリチャージ及びディスチャージ回路２１３は、データドライバ４１４とセンサアレイエリア２０７を挟んで対向する側に形成されている。
【００４５】
図１１に、本発明の第１の実施形態に係る画像読取装置のプリチャージ及びディスチャージ回路２１３のＴＦＴ回路構成例を示す。プリチャージ及びディスチャージ回路２１３の制御入力線２１４は、データライン間接続・非接続（ハイインピーダンス：Ｈｉ−ｚ）制御線２１４−１、ディスチャージ制御線２１４−２、プリチャージ制御線２１４−３から構成されている。
【００４６】
データライン間接続・非接続（ハイインピーダンス：Ｈｉ−ｚ）制御線２１４−１は、各データ線にソースまたはドレインの一方が接続された第１のＴＦＴのゲート、およびその第１のＴＦＴのゲート−他方のソースまたはドレイン間に設けられた蓄積容量に接続されている。
【００４７】
複数の第１のＴＦＴの他方のソースまたはドレインには、ディスチャージ電圧源、プリチャージ電圧源が第２および第３のＴＦＴを介して並列接続されており、ディスチャージ電圧源に接続された第２のＴＦＴのゲートにはディスチャージ制御線２１４−２が接続されており、プリチャージ電圧源に接続された第２のＴＦＴのゲートにはプリチャージ制御線２１４−３が接続されている。
【００４８】
データライン間接続・非接続（ハイインピーダンス：Ｈｉ−ｚ）制御線２１４−１はプリチャージ及びディスチャージ回路２１３の各ＴＦＴのゲートに接続され、ディスチャージ制御線２１４−２およびプリチャージ制御線２１４−３は各ＴＦＴのソースまたはドレインに接続されたＴＦＴのゲートに接続されている。
【００４９】
図８に示す様に、読出しゲート期間においてデータラインの状態は、ディスチャージ、Ｈｉ−ｚ、プリチャージ、Ｈｉ−ｚ（放電期間、サンプルホールド）の順に遷移しなければならない。データライン間接続・非接続（ハイインピーダンス：Ｈｉ−ｚ）制御線２１４−１、ディスチャージ制御線２１４−２、プリチャージ制御線２１４−３は、各々その状態遷移に合わせて制御入力される。
【００５０】
このように、センサアレイと共通の製造プロセスを用いたＴＦＴによりリセット回路（プリチャージ、ディスチャージ等）を一体形成する事が出来るため、センサアレイエリアの仕様に合わせてリセット回路を内蔵したドライバＬＳＩが不要になり、様々なセンサアレイエリア仕様の画像読取装置においてデータドライバの共通化が可能になる。
【００５１】
＜第２の実施形態＞
図１２に、本発明の第２の実施形態に係る画像読取装置の構成を示す。また、図１３に、本発明の第２の実施形態に係る画像読取装置のプリチャージ及びディスチャージ回路２１３のＴＦＴ回路構成例を示す。
【００５２】
第２の実施形態では、第１の実施形態と同じＴＦＴによるプリチャージ及びディスチャージ回路２１３が、センサアレイエリアに対しデータドライバ４１４が接続されている側に形成されている。そのため、図１３に示すように、プリチャージ及びディスチャージ回路２１３の各々の出力は、個々にデータドライバ４１４のドライバ端子に割り込み接続しており、プリチャージ及びディスチャージ回路２１３とデータドライバ４１４がセンサアレイに対して並列接続されている。
【００５３】
このような配置をとることにより、センサ基板のドライバ接続端側にＴＦＴ回路を集約することが出来る為、対向側の額縁サイズを縮小できると共に、プリチャージ及びディスチャージ回路２１３に関るセンサ基板上での引き回し配線を簡略化できる。また、ドライバ接続側の基板端でのセンサ基板と外部回路との接続も簡略化できる。
【００５４】
以上、本発明の実施形態を詳述してきたが、実際には、上記の実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の変更があっても本発明に含まれる。
【符号の説明】
【００５５】
１０１  画像読取装置
２０１  制御部
２０２  画像読取部
２０３  光源部
２０４  被読取媒体
２０５  ＴＦＴによるエリア切り替え回路
２０６  ＴＦＴエリア切り替え制御線
２０７  センサアレイエリア
２０９  表示部
２１１  スマートフォン又はタブレットＰＣなどの携帯端末
２１２  スマートフォン又はタブレットＰＣのケース
２１３  ＴＦＴによるディスチャージ、プリチャージ、未接続３状態切り替え回路
２１４  ＴＦＴ状態切り替え回路制御線
２１４−１  データライン間接続・非接続（ハイインピーダンス：Ｈｉ−ｚ）制御線
２１４−２  ディスチャージ制御線
２１４−３  プリチャージ制御線
３０１  透明保護層
３０２  受光素子
３０２ａ  受光素子  読出し／検出状態
３０２ｂ  受光素子  非読出し／検出状態
３０２ｃ  受光素子  非読出し／初期化状態
３０３  透明薄型基板
３０４  光源出射光
３０５  媒体反射光
４０１  ボトムゲート電極
４０２  ボトムゲート絶縁膜
４０３  半導体層
４０４  ブロッキングレイヤー絶縁膜
４０５  オーミックコンタクト層
４０６  ソース又はドレイン電極
４０７  オーバーコート絶縁膜
４０８  トップゲート電極
４０９  保護膜
４１０  トップゲート端子
４１１  ソース又はドレイン端子
４１２  ソース又はドレイン端子
４１３  ボトムゲート端子
４１４  データドライバ
４１５  ボトムゲートドライバ
４１６  トップゲートドライバ
４１７  データ線
４１８  ボトムゲート制御線
４１９  トップゲート制御線
４２０  ソース線
４２１  蓄積容量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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