(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力によりレーザー発振して給電光を出力する半導体レーザーを含む給電装置と、前記給電装置による給電光を電力に変換する光電変換素子を含む受電装置と、前記給電装置から前記受電装置に前記給電光を伝送する光ファイバーケーブルを備えた光ファイバー給電システムであって、
前記光電変換素子の温度を検出する温度センサーと、
前記温度センサーが検出した温度が所定の閾値以上である場合に前記給電光の出力レベルを下げる処理を実行し、前記温度が所定の閾値未満である場合に前記給電光の出力レベルを上げる処理を実行する制御部と、
を備えた光ファイバー給電システム。
【請求項２】
前記給電装置を含む第１のデータ通信装置と、前記受電装置を含み前記第１のデータ通信装置と光通信する第２のデータ通信装置と、を備え、
前記制御部は、前記第２のデータ通信装置に含まれ、前記温度センサーが検出した温度情報を取得する受電側制御部と、前記第１のデータ通信装置に含まれ、前記受電側制御部が取得した前記温度情報に応じて前記半導体レーザーが出力する前記給電光の出力レベルを切り替える処理を実行する給電側制御部と、を有する請求項１に記載の光ファイバー給電システム。
【請求項３】
前記受電側制御部は、前記温度情報を光通信にて前記給電側制御部に通知する処理を実行し、
前記給電側制御部は、通知された前記温度情報に基づき前記給電光の出力レベルを下げるか上げるか判断し、前記給電光の出力レベルを切り替える処理を実行する請求項２に記載の光ファイバー給電システム。
【請求項４】
前記受電側制御部は、前記温度情報に基づき前記給電光の出力レベルを下げるか上げるか判断し、判断した出力レベルの切替情報を光通信にて前記給電側制御部に通知する処理を実行し、
前記給電側制御部は、通知された出力レベルの切替情報に基づき前記給電光の出力レベルを切り替える処理を実行する請求項２に記載の光ファイバー給電システム。
【請求項５】
前記半導体レーザーの光‐電気間の変換効果を奏する半導体領域を構成する半導体材料が、レーザー波長５００ｎｍ以下のレーザー媒体とされた請求項１から請求項４のうちいずれか一に記載の光ファイバー給電システム。
【請求項６】
前記光電変換素子の光‐電気間の変換効果を奏する半導体領域を構成する半導体材料が、レーザー波長５００ｎｍ以下のレーザー媒体とされた請求項１から請求項５のうちいずれか一に記載の光ファイバー給電システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、光給電に関する。
【背景技術】
【０００２】
近時、電力を光（給電光と呼ばれる）に変換して伝送し、当該給電光を電気エネルギーに変換して電力として利用する光給電システムが研究されている。
特許文献１には、電気信号で変調された信号光、及び電力を供給するための給電光を発信する光発信機と、上記信号光を伝送するコア、上記コアの周囲に形成され上記コアより屈折率が小さく上記給電光を伝送する第１クラッド、及び上記第１クラッドの周囲に形成され上記第１クラッドより屈折率が小さい第２クラッド、を有する光ファイバーと、上記光ファイバーの第１クラッドで伝送された上記給電光を変換した電力で動作し、上記光ファイバーのコアで伝送された上記信号光を上記電気信号に変換する光受信機と、を備えた光通信装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１３５９８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、光ファイバー給電システムにおいて光受信機に電力を供給するのに、光発信機が一定の出力で給電光を発信する場合、光受信機側の電力消費の負荷が軽くなっても、光受信機にはその給電光が供給され続けるので、過剰になった電気エネルギーが熱となって失われてしまうことがある。そのため、このようなエネルギーロスを低減することが望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の１つの態様の光ファイバー給電システムは、
電力によりレーザー発振して給電光を出力する半導体レーザーを含む給電装置と、前記給電装置による給電光を電力に変換する光電変換素子を含む受電装置と、前記給電装置から前記受電装置に前記給電光を伝送する光ファイバーケーブルを備えた光ファイバー給電システムであって、
前記光電変換素子の温度を検出する温度センサーと、
前記温度センサーが検出した温度が所定の閾値以上である場合に前記給電光の出力レベルを下げる処理を実行し、前記温度が所定の閾値未満である場合に前記給電光の出力レベルを上げる処理を実行する制御部と、を備えるようにした。
【０００６】
また、その光ファイバー給電システムは、
前記給電装置を含む第１のデータ通信装置と、前記受電装置を含み前記第１のデータ通信装置と光通信する第２のデータ通信装置と、を備え、
前記制御部は、前記第２のデータ通信装置に含まれ、前記温度センサーが検出した温度情報を取得する受電側制御部と、前記第１のデータ通信装置に含まれ、前記受電側制御部が取得した前記温度情報に応じて前記半導体レーザーが出力する前記給電光の出力レベルを切り替える処理を実行する給電側制御部と、を有するようにする。
【発明の効果】
【０００７】
本開示の１つの態様の光ファイバー給電システムによれば、給電光の過剰供給を抑え、エネルギーロスを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本開示の第１実施形態に係る光ファイバー給電システムの構成図である。
【図２】本開示の第２実施形態に係る光ファイバー給電システムの構成図である。
【図３】本開示の第２実施形態に係る光ファイバー給電システムの構成図であって、光コネクタ等を図示したものある。
【図４】本開示の他の一実施形態に係る光ファイバー給電システムの構成図である。
【図５】本開示の第２実施形態に係る光ファイバー給電システムの構成図であって、制御部（受電側制御部、給電側制御部）を加えて図示したものある。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に本開示の一実施形態につき図面を参照して説明する。
【００１０】
（１）システム概要
〔第１実施形態〕
図１に示すように本実施形態の光ファイバー給電(PoF:Power over Fiber）システム１Ａは、給電装置（PSE:Power Sourcing Equipment）１１０と、光ファイバーケーブル２００Ａと、受電装置（PD:Power Device）３１０を備える。
なお、本開示における給電装置は電力を光エネルギーに変換して供給する装置であり、受電装置は光エネルギーの供給を受け当該光エネルギーを電力に変換する装置である。
給電装置１１０は、給電用半導体レーザー１１１を含む。
光ファイバーケーブル２００Ａは、給電光の伝送路を形成する光ファイバー２５０Ａを含む。
受電装置３１０は、光電変換素子３１１を含む。
【００１１】
給電装置１１０は電源に接続され、給電用半導体レーザー１１１等が電気駆動される。
給電用半導体レーザー１１１は、上記電源からの電力によりレーザー発振して給電光１１２を出力する。
【００１２】
光ファイバーケーブル２００Ａは、一端２０１Ａが給電装置１１０に接続可能とされ、他端２０２Ａが受電装置３１０に接続可能とされ、給電光１１２を伝送する。
給電装置１１０からの給電光１１２が、光ファイバーケーブル２００Ａの一端２０１Ａに入力され、給電光１１２は光ファイバー２５０Ａ中を伝搬し、他端２０２Ａから受電装置３１０に出力される。
【００１３】
光電変換素子３１１は、光ファイバーケーブル２００Ａを通して伝送されてきた給電光１１２を電力に変換する。光電変換素子３１１により変換された電力が、受電装置３１０内で必要な駆動電力とされる。さらに受電装置３１０は光電変換素子３１１により変換された電力を外部機器用に出力可能とされる。
【００１４】
給電用半導体レーザー１１１及び光電変換素子３１１の光‐電気間の変換効果を奏する半導体領域を構成する半導体材料が５００ｎｍ以下の短波長のレーザー波長をもった半導体とされる。
短波長のレーザー波長をもった半導体は、バンドギャップが大きく光電変換効率が高いので、光給電の発電側及び受電側における光電変換効率が向上され、光給電効率が向上する。
そのためには、同半導体材料として、例えば、ダイヤモンド、酸化ガリウム、窒化アルミニウム、ＧａＮ等、レーザー波長（基本波）が２００〜５００ｎｍのレーザー媒体の半導体材料を用いてもよい。
また、同半導体材料として、２．４ｅＶ以上のバンドギャップを有した半導体が適用される。
例えば、ダイヤモンド、酸化ガリウム、窒化アルミニウム、ＧａＮ等、バンドギャップ２．４〜６．２ｅＶのレーザー媒体の半導体材料を用いてもよい。
なお、レーザー光は長波長ほど伝送効率が良く、短波長ほど光電変換効率が良い傾向にある。したがって、長距離伝送の場合には、レーザー波長（基本波）が５００ｎｍより大きいレーザー媒体の半導体材料を用いてもよい。また、光電変換効率を優先する場合には、レーザー波長（基本波）が２００ｎｍより小さいレーザー媒体の半導体材料を用いてもよい。
これらの半導体材料は、給電用半導体レーザー１１１及び光電変換素子３１１のいずれか一方に適用してもよい。給電側又は受電側における光電変換効率が向上され、光給電効率が向上する。
【００１５】
〔第２実施形態〕
図２に示すように本実施形態の光ファイバー給電(PoF:Power over Fiber）システム１は、光ファイバーを介した給電システムと光通信システムとを含むものであり、給電装置（PSE:Power Sourcing Equipment）１１０を含む第１のデータ通信装置１００と、光ファイバーケーブル２００と、受電装置（PD:Power Device）３１０を含む第２のデータ通信装置３００とを備える。
給電装置１１０は、給電用半導体レーザー１１１を含む。第１のデータ通信装置１００は、給電装置１１０のほか、データ通信を行う発信部１２０と、受信部１３０とを含む。第１のデータ通信装置１００は、データ端末装置(DTE(Date Terminal Equipment))、中継器(Repeater)等に相当する。発信部１２０は、信号用半導体レーザー１２１と、モジュレーター１２２とを含む。受信部１３０は、信号用フォトダイオード１３１を含む。
【００１６】
光ファイバーケーブル２００は、信号光の伝送路を形成するコア２１０と、コア２１０の外周に配置され、給電光の伝送路を形成するクラッド２２０と有する光ファイバー２５０を含む。
【００１７】
受電装置３１０は、光電変換素子３１１を含む。第２のデータ通信装置３００は、受電装置３１０のほか、発信部３２０と、受信部３３０と、データ処理ユニット３４０とを含む。第２のデータ通信装置３００は、パワーエンドステーション(Power End Station)等に相当する。発信部３２０は、信号用半導体レーザー３２１と、モジュレーター３２２とを含む。受信部３３０は、信号用フォトダイオード３３１を含む。データ処理ユニット３４０は、受信した信号を処理するユニットである。また、第２のデータ通信装置３００は、通信ネットワークにおけるノードである。または第２のデータ通信装置３００は、他のノードと通信するノードでもよい。
【００１８】
第１のデータ通信装置１００は電源に接続され、給電用半導体レーザー１１１、信号用半導体レーザー１２１と、モジュレーター１２２、信号用フォトダイオード１３１等が電気駆動される。また、第１のデータ通信装置１００は、通信ネットワークにおけるノードである。または第１のデータ通信装置１００は、他のノードと通信するノードでもよい。
給電用半導体レーザー１１１は、上記電源からの電力によりレーザー発振して給電光１１２を出力する。
【００１９】
光電変換素子３１１は、光ファイバーケーブル２００を通して伝送されてきた給電光１１２を電力に変換する。光電変換素子３１１により変換された電力は、発信部３２０、受信部３３０及びデータ処理ユニット３４０の駆動電力、その他の第２のデータ通信装置３００内で必要となる駆動電力とされる。さらに第２のデータ通信装置３００は、光電変換素子３１１により変換された電力を外部機器用に出力可能とされていてもよい。
【００２０】
一方、発信部１２０のモジュレーター１２２は、信号用半導体レーザー１２１からのレーザー光１２３を送信データ１２４に基づき変調して信号光１２５として出力する。
受信部３３０の信号用フォトダイオード３３１は、光ファイバーケーブル２００を通して伝送されてきた信号光１２５を電気信号に復調し、データ処理ユニット３４０に出力する。データ処理ユニット３４０は、当該電気信号によるデータをノードに送信し、その一方で当該ノードからデータを受信し、送信データ３２４としてモジュレーター３２２に出力する。
発信部３２０のモジュレーター３２２は、信号用半導体レーザー３２１からのレーザー光３２３を送信データ３２４に基づき変調して信号光３２５として出力する。
受信部１３０の信号用フォトダイオード１３１は、光ファイバーケーブル２００を通して伝送されてきた信号光３２５を電気信号に復調し出力する。当該電気信号によるデータがノードに送信され、その一方で当該ノードからデータが送信データ１２４とされる。
【００２１】
第１のデータ通信装置１００からの給電光１１２及び信号光１２５が、光ファイバーケーブル２００の一端２０１に入力され、給電光１１２はクラッド２２０を伝搬し、信号光１２５はコア２１０を伝搬し、他端２０２から第２のデータ通信装置３００に出力される。
第２のデータ通信装置３００からの信号光３２５が、光ファイバーケーブル２００の他端２０２に入力され、コア２１０を伝搬し、一端２０１から第１のデータ通信装置１００に出力される。
【００２２】
なお、図３に示すように第１のデータ通信装置１００に光入出力部１４０とこれに付設された光コネクタ１４１が設けられる。また、第２のデータ通信装置３００に光入出力部３５０とこれに付設された光コネクタ３５１が設けられる。光ファイバーケーブル２００の一端２０１に設けられた光コネクタ２３０が光コネクタ１４１に接続する。光ファイバーケーブル２００の他端２０２に設けられた光コネクタ２４０が光コネクタ３５１に接続する。光入出力部１４０は、給電光１１２をクラッド２２０に導光し、信号光１２５をコア２１０に導光し、信号光３２５を受信部１３０に導光する。光入出力部３５０は、給電光１１２を受電装置３１０に導光し、信号光１２５を受信部３３０に導光し、信号光３２５をコア２１０に導光する。
以上のように、光ファイバーケーブル２００は、一端２０１が第１のデータ通信装置１００に接続可能とされ、他端２０２が第２のデータ通信装置３００に接続可能とされ、給電光１１２を伝送する。さらに本実施形態では、光ファイバーケーブル２００は、信号光１２５，３２５を双方向伝送する。
【００２３】
給電用半導体レーザー１１１及び光電変換素子３１１の光‐電気間の変換効果を奏する半導体領域を構成する半導体材料としては上記第１実施形態と同様のものが適用され、高い光給電効率が実現される。
【００２４】
なお、図４に示す光ファイバー給電システム１Ｂの光ファイバーケーブル２００Ｂように、信号光を伝送する光ファイバー２６０と、給電光を伝送する光ファイバー２７０とを別々に設けてもよい。光ファイバーケーブル２００Ｂも複数本で構成してもよい。
【００２５】
（２）給電光の出力レベルの切り替えについて
次に、受電装置３１０の光電変換素子３１１の温度変化に応じて、給電装置１１０の給電用半導体レーザー１１１が出力する給電光１１２の出力レベルを切り替える処理について説明する。
図５に示す光ファイバー給電システム１は、給電装置１１０を含む第１のデータ通信装置１００と、受電装置３１０を含む第２のデータ通信装置３００と、第１のデータ通信装置１００と第２のデータ通信装置３００が光通信するための光ファイバーケーブル２００とを備えている。
【００２６】
図５に示すように、第２のデータ通信装置３００に含まれている受電装置３１０には、光電変換素子３１１の温度を検出する温度センサー３１２が設けられている。
また、第２のデータ通信装置３００は、給電光１１２の出力レベルを切り替える処理のため、温度センサー３１２が検出した温度情報を取得する受電側制御部３６０を備えている。
また、第１のデータ通信装置１００は、受電側制御部３６０が取得した温度情報に応じて半導体レーザー１１１が出力する給電光１１２の出力レベルを切り替える処理を実行する給電側制御部１５０を備えている。
この受電側制御部３６０と給電側制御部１５０が協働することで、温度センサー３１２が検出した温度が所定の閾値以上である場合に給電光１１２の出力レベルを下げる処理を実行し、温度センサー３１２が検出した温度が所定の閾値未満である場合に給電光１１２の出力レベルを上げる処理を実行する制御部として機能する。
なお、閾値とする温度には、光電変換素子３１１が給電光１１２を電力に効率よく変換するのに適した温度や、光電変換素子３１１がオーバーヒートせずに給電光１１２を電力に変換できる温度が設定されるものとする。
【００２７】
例えば、受電側制御部３６０は、温度センサー３１２が検出した温度情報を取得して、その取得した温度情報を給電側制御部１５０に通知する処理を実行し、給電側制御部１５０は、通知された温度情報に基づき給電光１１２の出力レベルを下げるか上げるか判断し、給電光１１２の出力レベルを切り替える処理を実行する。
具体的には、受電側制御部３６０は、取得した温度情報を発信部３２０から信号光３２５として出力し、給電側制御部１５０に通知する。
給電側制御部１５０は、受電側制御部３６０から通知された温度情報に基づき、温度センサー３１２が検出した光電変換素子３１１の温度が所定の閾値以上である場合に、半導体レーザー１１１が出力する給電光１１２の出力レベルを下げる処理を実行し、温度センサー３１２が検出した光電変換素子３１１の温度が所定の閾値未満である場合に、半導体レーザー１１１が出力する給電光１１２の出力レベルを上げる処理を実行する。
【００２８】
例えば、給電用半導体レーザー１１１は、給電側制御部１５０の制御のもと、デューティー比の異なるPWM方式の給電光１１２を出力可能であり、給電光１１２の出力レベルを下げるようにデューティー比が小さい給電光１１２を出力し、給電光１１２の出力レベルを上げるようにデューティー比が大きい給電光１１２を出力するものとする。
【００２９】
ここで、給電用半導体レーザー１１１が給電光１１２のデューティー比を0.0、0.2、0.4、0.6、0.8、1.0の６段階に切り替えて出力することができる場合に、給電装置１１０の給電用半導体レーザー１１１がデューティー比0.6の給電光１１２を出力して受電装置３１０を含む第２のデータ通信装置３００に電力を供給しているとする。
そして、温度センサー３１２が検出した光電変換素子３１１の温度が所定の閾値以上である場合、給電用半導体レーザー１１１は１段階出力レベルを下げたデューティー比0.4の給電光１１２を出力するように切り替える。
そして所定時間後も、温度センサー３１２が検出した光電変換素子３１１の温度が所定の閾値以上である場合、給電用半導体レーザー１１１は更に１段階出力レベルを下げて、デューティー比0.2の給電光１１２を出力するように切り替える。
一方所定時間後に、温度センサー３１２が検出した光電変換素子３１１の温度が所定の閾値未満であった場合、給電用半導体レーザー１１１は１段階出力レベルを上げて、デューティー比0.6の給電光１１２を出力するように切り替える。
【００３０】
また、給電装置１１０の給電用半導体レーザー１１１がデューティー比0.6の給電光１１２を出力している状態で、温度センサー３１２が検出した光電変換素子３１１の温度が所定の閾値未満である場合、給電用半導体レーザー１１１は１段階出力レベルを上げたデューティー比0.8の給電光１１２を出力するように切り替える。
そして所定時間後も、温度センサー３１２が検出した光電変換素子３１１の温度が所定の閾値未満である場合、給電用半導体レーザー１１１は更に１段階出力レベルを上げて、デューティー比1.0の給電光１１２を出力するように切り替える。
一方所定時間後に、温度センサー３１２が検出した光電変換素子３１１の温度が所定の閾値以上であった場合、給電用半導体レーザー１１１は１段階出力レベルを下げて、デューティー比0.6の給電光１１２を出力するように切り替える。
【００３１】
こうして、温度センサー３１２が検出した光電変換素子３１１の温度が所定の閾値以上である場合には給電用半導体レーザー１１１が出力する給電光１１２の出力レベルを下げて、受電装置３１０（光電変換素子３１１）への給電光１１２の供給を抑え、温度センサー３１２が検出した光電変換素子３１１の温度が所定の閾値未満である場合には給電用半導体レーザー１１１が出力する給電光１１２の出力レベルを上げて、受電装置３１０（光電変換素子３１１）への給電光１１２の供給を積極的に行うことができる。
【００３２】
このように、温度センサー３１２が検出した光電変換素子３１１の温度に応じて、給電用半導体レーザー１１１が出力する給電光１１２の出力レベルを切り替えることで、光電変換素子３１１の温度が変動し難くなり、閾値に定めた温度を維持し易くなる。
つまり、受電装置３１０の光電変換素子３１１の温度変化に応じて、給電装置１１０の給電用半導体レーザー１１１が出力する給電光１１２の出力レベルを切り替えることによって、給電光１１２の過剰供給を抑えることができ、給電光１１２の過剰供給により光電変換素子３１１が高温に発熱することはなく、給電光１１２として受電装置３１０（光電変換素子３１１）に供給された電気エネルギーが熱となって失われてしまうエネルギーロスを低減することができる。
特に、光電変換素子３１１の温度を、光電変換素子３１１が給電光１１２を電力に効率よく変換するのに適した温度に維持するようにすれば、給電装置１１０から受電装置３１０に効率よく電力供給できる。
また、光電変換素子３１１の温度が高温になり過ぎないように維持するようにすれば、光電変換素子３１１がオーバーヒートするなど損傷するのを防ぐことができる。
【００３３】
また、上記実施形態では、給電側制御部１５０が、受電側制御部３６０から通知された温度情報に基づき給電光１１２の出力レベルを下げるか上げるか判断して、給電光１１２の出力レベルを切り替える処理を実行したが、受電側制御部３６０が温度情報に基づいて給電光１１２の出力レベルを下げるか上げるか判断してもよい。
つまり、受電側制御部３６０は、取得した温度情報に基づき給電光１１２の出力レベルを下げるか上げるか判断し、判断した出力レベルの切替情報を給電側制御部１５０に通知する処理を実行し、給電側制御部１５０は、通知された出力レベルの切替情報に基づき給電光１１２の出力レベルを切り替える処理を実行する。
【００３４】
具体的には、受電側制御部３６０は、取得した温度情報に基づき、温度センサー３１２が検出した光電変換素子３１１の温度が所定の閾値以上である場合に給電光１１２の出力レベルを下げるとの判断をし、温度センサー３１２が検出した光電変換素子３１１の温度が所定の閾値未満である場合に給電光１１２の出力レベルを上げるとの判断をし、その判断した出力レベルの切替情報を発信部３２０から信号光３２５として出力し、給電側制御部１５０に通知する。
給電側制御部１５０は、受電側制御部３６０から通知された出力レベルの切替情報が、給電光１１２の出力レベルを下げる切替情報であるとき、半導体レーザー１１１が出力する給電光１１２の出力レベルを下げる処理を実行し、受電側制御部３６０から通知された出力レベルの切替情報が、給電光１１２の出力レベルを上げる切替情報であるとき、半導体レーザー１１１が出力する給電光１１２の出力レベルを上げる処理を実行する。
なお、ここでも給電用半導体レーザー１１１は、給電側制御部１５０の制御のもと、給電光１１２の出力レベルを下げるようにデューティー比が小さい給電光１１２を出力し、給電光１１２の出力レベルを上げるようにデューティー比が大きい給電光１１２を出力する。
【００３５】
このように、受電側制御部３６０が取得した温度情報に基づいて給電光１１２の出力レベルを下げるか上げるか判断し、給電装置１１０の給電用半導体レーザー１１１が出力する給電光１１２の出力レベルを切り替えるようにしても、給電光１１２の過剰供給を抑えることができ、給電光１１２として受電装置３１０（光電変換素子３１１）に供給された電気エネルギーが熱となって失われてしまうエネルギーロスを低減することができる。
【００３６】
なお、上述した給電光１１２の出力レベルの切り替え処理では、所定の閾値で１つの境界を定め、温度センサー３１２が検出した光電変換素子３１１の温度がその閾値を超えたか否かによって給電光の出力レベルを下げたり上げたり切り替えるようにしたが、所定の閾値は１つの境界を定めるものでなく、上限の閾値と下限の閾値とで２つの境界を定めるものでもよい。
その場合、温度センサー３１２が検出した光電変換素子３１１の温度が上限の閾値以上である場合に給電光１１２の出力レベルを下げるように切り替え、温度センサー３１２が検出した光電変換素子３１１の温度が下限の閾値未満である場合に給電光１１２の出力レベルを上げるように切り替えるようにすればよい。
【００３７】
以上本開示の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として示したものであり、この他の様々な形態で実施が可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の省略、置き換え、変更を行うことができる。
【符号の説明】
【００３８】
１Ａ    光ファイバー給電システム（光給電システム）
１      光ファイバー給電システム（光給電システム）
１Ｂ    光ファイバー給電システム（光給電システム）
１００  第１のデータ通信装置
１１０  給電装置
１１１  給電用半導体レーザー
１１２  給電光
１２０  発信部
１２５  信号光
１３０  受信部
１４０  光入出力部
１４１  光コネクタ
１５０  給電側制御部
２００Ａ  光ファイバーケーブル
２００  光ファイバーケーブル
２００Ｂ  光ファイバーケーブル
２１０  コア
２２０  クラッド
２５０Ａ  光ファイバー
２５０  光ファイバー
２６０  光ファイバー
２７０  光ファイバー
３００  第２のデータ通信装置
３１０  受電装置
３１１  光電変換素子
３１２  温度センサー
３２０  発信部
３２５  信号光
３３０  受信部
３５０  光入出力部
３５１  光コネクタ
３６０  受電側制御部
【要約】
【課題】光ファイバー給電システムにおいて、給電光として供給された電気エネルギーが熱となって失われてしまうエネルギーロスを低減する。
【解決手段】電力によりレーザー発振して給電光１１２を出力する半導体レーザー１１１を含む給電装置１１０と、給電装置１１０による給電光１１２を電力に変換する光電変換素子３１１を含む受電装置３１０と、給電装置１１０から受電装置３１０に給電光１１２を伝送する光ファイバーケーブル２００を備えた光ファイバー給電システム１において、光電変換素子３１１の温度を検出する温度センサー３１２を備え、その温度センサー３１２が検出した温度が所定の閾値以上である場合に給電光１１２の出力レベルを下げる処理を実行し、検出した温度が所定の閾値未満である場合に給電光１１２の出力レベルを上げる処理を実行するようにした。
【選択図】図５【図１】
0006790190.tif 000002
【図２】
0006790190.tif 000003
【図３】
0006790190.tif 000004
【図４】
0006790190.tif 000005
【図５】
0006790190.tif 000006