(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動領域を備え、当該駆動領域に第１の電極層、誘電体層、及び第２の電極層がこの順に積層された第１の基板と、
前記第１の基板の前記誘電体層が積層された面に対向して配置された第２の基板と、を備え、
前記第１の電極層及び前記誘電体層は、前記駆動領域から外れた非駆動領域に向けて前記第２の電極層よりも外側まで延在され、
弾性を有する第１の樹脂が、前記誘電体層の延在方向における前記第２の電極層の端を含む領域に形成され、
前記第１の基板と前記第２の基板とは、弾性変形した前記第１の樹脂を間に挟んだ状態で、接着剤により固定され、
前記第１の樹脂の表面を覆う第１の導電層が、前記第１の電極層と電気的に絶縁された状態に形成されたことを特徴とするＭＥＭＳデバイス。
【請求項２】
前記第２の基板は、バンプ電極を介して前記第１の電極層と導通する第３の電極層を備え、
前記バンプ電極は、弾性を有する第２の樹脂と、当該第２の樹脂の表面を覆った第２の導電層と、を備え、
前記第１の樹脂及び前記第２の樹脂は、前記第１の基板又は前記第２の基板の何れか一方の基板であって、同一の基板に形成されたことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項３】
前記第２の基板は、バンプ電極を介して前記第１の電極層と導通する第３の電極層を備え、
前記バンプ電極は、弾性を有する第２の樹脂と、当該第２の樹脂の表面を覆った第２の導電層と、を備え、
前記第１の樹脂は、前記第１の基板又は前記第２の基板の何れか一方の基板に形成され、前記第２の樹脂は、前記第１の基板又は前記第２の基板の何れか他方の基板に形成されたことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項４】
請求項１から請求項３の何れか一項に記載のＭＥＭＳデバイスの一種である液体噴射ヘッドであって、
前記駆動領域により少なくとも一部が区画された圧力室と、前記圧力室に連通するノズルと、を備えたことを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項５】
請求項４に記載の液体噴射ヘッドを備えたことを特徴とする液体噴射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体の噴射等に使用されるＭＥＭＳデバイス、液体噴射ヘッド、および液体噴射装置に関するものであり、特に、駆動領域に第１の電極層、誘電体層、及び、第２の電極層が順次積層されたＭＥＭＳデバイス、液体噴射ヘッド、および液体噴射装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）デバイスは、各種の装置に応用されている。例えば、ＭＥＭＳデバイスの一種である液体噴射ヘッドは、インクジェット式プリンターやインクジェット式プロッター等の画像記録に用いられる液体噴射装置の他に、各種の製造に用いられる液体噴射装置に応用されている。具体的には、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターを製造するディスプレイ製造装置、有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイやＦＥＤ（面発光ディスプレイ）等の電極を形成する電極形成装置、バイオチップ（生物化学素子）を製造するチップ製造装置等に応用されている。そして、画像記録装置用の記録ヘッドでは液状のインクを噴射し、ディスプレイ製造装置用の色材噴射ヘッドではＲ（Red）・Ｇ（Green）・Ｂ（Blue）の各色材の溶液を噴射する。また、電極形成装置用の電極材噴射ヘッドでは液状の電極材料を噴射し、チップ製造装置用の生体有機物噴射ヘッドでは生体有機物の溶液を噴射する。
【０００３】
上記した液体噴射ヘッドは、ノズルに連通する圧力室と、この圧力室を区画する面に第１の電極層、誘電体層の一種である圧電体層、及び、第２の電極層がこの順に積層されてなる圧電素子と、圧電素子を保護する保護部材の一種である封止板と、を備えている。そして、液体噴射ヘッドは、両電極層への電圧（電気信号）の印加により圧電体層が変形することを利用して圧力室内の液体に圧力変動を生じさせ、ノズルから液体を噴射する。また、液体噴射ヘッドとしては、圧電体層及び第１の電極層が、第２の電極層よりも外側まで延在され、封止板が第２の電極層の端部に接着固定されたものがある（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４―７９９３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記した特許文献１のような構成において、封止板を圧電素子が形成された基板に接着する際に、接着剤の硬化収縮に伴って応力が発生し、第２の電極層との界面で接着剤が剥離したり、第２の電極層の端部が圧電体層から剥離したりする虞があった。一方で、第２の電極層の端は、両電極層への電圧の印加により変形しようとする部分と変形しない部分との境界（換言すると、圧電体層が両電極層に挟まれて圧電素子として機能する部分と、圧電体層が両電極層に挟まれていない部分との境界）にあたるため、圧電素子を変形させる際に応力が集中する。この応力により第２の電極層の端における圧電体層にクラック等の損傷が生じる虞があった。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、圧電体層等の誘電体層やこれに積層された電極層の損傷が抑制されたＭＥＭＳデバイス、液体噴射ヘッド、及び、液体噴射装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のＭＥＭＳデバイスは、上記目的を達成するために提案されたものであり、駆動領域を備え、当該駆動領域に第１の電極層、誘電体層、及び第２の電極層がこの順に積層された第１の基板と、
前記第１の基板の前記誘電体層が積層された面に対向して配置された第２の基板と、を備え、
前記第１の電極層及び前記誘電体層は、前記駆動領域から外れた非駆動領域に向けて前記第２の電極層よりも外側まで延在され、
弾性を有する第１の樹脂が、前記誘電体層の延在方向における前記第２の電極層の端を含む領域に形成され、
前記第１の基板と前記第２の基板とは、弾性変形した前記第１の樹脂を間に挟んだ状態で、接着剤により固定されたことを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、第１の樹脂により第２の電極層の端が押圧されるため、第２の電極層の端が剥がれることを抑制できる。また、第２の電極層の端部における圧電体層の変形を抑制できるため、第２の電極層の端における圧電体層に応力が集中することを抑制できる。その結果、圧電体層にクラック等が発生することを抑制できる。
【０００９】
上記構成において、前記第１の樹脂の表面を覆う第１の導電層が、前記第１の電極層と電気的に離間された状態に形成された構成を採用することが望ましい。
【００１０】
この構成によれば、第１の基板と前記第２の基板との間に樹脂と導電層からなるバンプ電極を設けた構成において、第１の樹脂と第１の導電層とを合わせた高さをバンプ電極の高さに揃えることができる。これにより、第２の電極層の端をより確実に押圧することができる。
【００１１】
また、上記各構成の何れかにおいて、前記第２の基板は、バンプ電極を介して前記第１の電極層と導通する第３の電極層を備え、
前記バンプ電極は、弾性を有する第２の樹脂と、当該第２の樹脂の表面を覆った第２の導電層と、を備え、
前記第１の樹脂及び前記第２の樹脂は、前記第１の基板又は前記第２の基板の何れか一方の基板であって、同一の基板に形成された構成を採用することが望ましい。
【００１２】
この構成によれば、第１の樹脂及び第２の樹脂を同じ工程で作成することができるため、製造コストを抑えることができる。
【００１３】
さらに、上記各構成の何れかにおいて、前記第２の基板は、バンプ電極を介して前記第１の電極層と導通する第３の電極層を備え、
前記バンプ電極は、弾性を有する第２の樹脂と、当該第２の樹脂の表面を覆った第２の導電層と、を備え、
前記第１の樹脂は、前記第１の基板又は前記第２の基板の何れか一方の基板に形成され、前記第２の樹脂は、前記第１の基板又は前記第２の基板の何れか他方の基板に形成された構成を採用することが望ましい。
【００１４】
この構成によれば、第１の樹脂と第２の樹脂とが異なる基板に作成されるため、第１の樹脂と第２の樹脂との間隔を狭めることができる。その結果、ＭＥＭＳデバイスを小型化できる。
【００１５】
また、本発明の液体噴射ヘッドは、上記各構成の何れかのＭＥＭＳデバイスの一種であって、
前記駆動領域により少なくとも一部が区画された圧力室と、前記圧力室に連通するノズルと、を備えたことを特徴とする。
【００１６】
この構成によれば、圧電体層の破壊を抑制でき、液体噴射ヘッドの信頼性を向上させることができる。
【００１７】
そして、本発明の液体噴射装置は、上記構成の液体噴射ヘッドを備えたことを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】プリンターの構成を説明する斜視図である。
【図２】記録ヘッドの構成を説明する断面図である。
【図３】記録ヘッドの要部を拡大した断面図である。
【図４】記録ヘッドの要部を拡大した平面図である。
【図５】アクチュエーターユニットの製造方法を説明する模式図である。
【図６】アクチュエーターユニットの製造方法を説明する模式図である。
【図７】第２の実施形態における記録ヘッドの要部を拡大した断面図である。
【図８】第３の実施形態における記録ヘッドの要部を拡大した断面図である。
【図９】第４の実施形態における記録ヘッドの要部を拡大した断面図である。
【図１０】第５の実施形態における記録ヘッドの要部を拡大した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を実施するための形態を、添付図面を参照して説明する。なお、以下に述べる実施の形態では、本発明の好適な具体例として種々の限定がされているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。また、以下においては、ＭＥＭＳデバイスの一つのカテゴリーである液体噴射ヘッドの中でも、特に、液体噴射装置の一種であるインクジェット式プリンター（以下、プリンター）１に搭載された液体噴射ヘッドの一種であるインクジェット式記録ヘッド（以下、記録ヘッド）３を例に挙げて説明する。
【００２０】
図１は、プリンター１の構成を説明する斜視図である。プリンター１は、記録紙等の記録媒体２（着弾対象の一種）の表面に対してインク（液体の一種）を噴射して画像等の記録を行う装置である。このプリンター１は、記録ヘッド３、この記録ヘッド３が取り付けられるキャリッジ４、キャリッジ４を主走査方向に移動させるキャリッジ移動機構５、記録媒体２を副走査方向に移送する搬送機構６等を備えている。ここで、上記のインクは、液体供給源としてのインクカートリッジ７に貯留されている。このインクカートリッジ７は、記録ヘッド３に対して着脱可能に装着される。なお、インクカートリッジがプリンターの本体側に配置され、当該インクカートリッジからインク供給チューブを通じて記録ヘッドに供給される構成を採用することもできる。
【００２１】
上記のキャリッジ移動機構５はタイミングベルト８を備えている。そして、このタイミングベルト８はＤＣモーター等のパルスモーター９により駆動される。したがってパルスモーター９が作動すると、キャリッジ４は、プリンター１に架設されたガイドロッド１０に案内されて、主走査方向（記録媒体２の幅方向）に往復移動する。キャリッジ４の主走査方向の位置は、位置情報検出手段の一種であるリニアエンコーダー（図示せず）によって検出される。リニアエンコーダーは、その検出信号、即ち、エンコーダーパルス（位置情報の一種）をプリンター１の制御部に送信する。
【００２２】
次に記録ヘッド３について説明する。図２は、記録ヘッド３の構成を説明する断面図である。図３は、記録ヘッド３の要部を拡大した断面図、具体的にはアクチュエーターユニット１４の一側の端部を拡大した断面図である。図４は、アクチュエーターユニット１４の一側の端部を模式的に表した平面図である。なお、便宜上、アクチュエーターユニット１４を構成する各部材の積層方向を上下方向として説明する。本実施形態における記録ヘッド３は、図２に示すように、アクチュエーターユニット１４及び流路ユニット１５が積層された状態でヘッドケース１６に取り付けられている。
【００２３】
ヘッドケース１６は、合成樹脂製の箱体状部材であり、その内部には各圧力室３０にインクを供給する液体導入路１８が形成されている。この液体導入路１８は、後述する共通液室２５と共に、複数形成された圧力室３０に共通なインクが貯留される空間である。本実施形態においては、２列に形成された共通液室２５に対応して液体導入路１８が２つ形成されている。また、ヘッドケース１６の下面側には、当該下面からヘッドケース１６の高さ方向の途中まで直方体状に窪んだ収容空間１７が形成されている。後述する流路ユニット１５がヘッドケース１６の下面に位置決めされた状態で接合されると、連通基板２４に積層されたアクチュエーターユニット１４が収容空間１７内に収容されるように構成されている。
【００２４】
ヘッドケース１６の下面に接合される流路ユニット１５は、複数のノズル２２が列状に開設されたノズルプレート２１、及び共通液室２５等が設けられた連通基板２４を有している。本実施形態では、列状に開設された複数のノズル２２（ノズル列）が２列に形成されている。このノズル列を構成するノズル２２は、一端側のノズル２２から他端側のノズル２２までドット形成密度に対応したピッチで等間隔に配置されている。共通液室２５は、複数の圧力室３０に共通の流路として圧力室３０の並設方向（ノズル列方向）に沿って長尺に形成されている。本実施形態における共通液室２５は、２列に形成された圧力室３０の列に対応して２列に形成されている。各圧力室３０と共通液室２５とは、連通基板２４に形成された個別連通路２６を介して連通する。すなわち、共通液室２５内のインクが、個別連通路２６を介して各圧力室３０に分配される。また、ノズル２２とこれに対応する圧力室３０とは、連通基板２４を板厚方向に貫通したノズル連通路２７を介して連通する。
【００２５】
アクチュエーターユニット１４は、図２及び図３に示すように、圧力室形成基板２９、振動板３１、圧電素子３２、封止板３３及び駆動ＩＣ３４がこの順に積層され、ユニット化された状態で、収容空間１７内に収容されている。なお、一方のノズル列に対応する圧電素子３２等と、他方のノズル列に対応する圧電素子３２等は、略左右対称に形成されているため、以下における圧電素子３２等の説明においては、一方のノズル列に対応する圧電素子３２等に着目して説明する。
【００２６】
圧力室形成基板２９は、シリコン製の硬質な板材であり、例えば、表面（上面および下面）を（１１０）面としたシリコン単結晶基板から作製されている。この圧力室形成基板２９には、エッチングにより一部が板厚方向に除去されて、圧力室３０となるべき空間が各ノズル２２に対応してノズル列方向に沿って複数形成されている。この空間は、下側が連通基板２４により区画され、上側が振動板３１により区画されて、圧力室３０を構成する。また、この空間、すなわち圧力室３０は、２列に形成されたノズル列に対応して２列に形成されている。各圧力室３０は、ノズル列方向に直交する方向に長尺に形成され、長手方向の一側の端部に個別連通路２６が連通し、他側の端部にノズル連通路２７が連通する。なお、本実施形態における圧力室３０の側壁は、シリコン単結晶基板の結晶性に起因して、圧力室形成基板２９の上面（或いは下面）に対して傾斜している。
【００２７】
振動板３１は、弾性を有する薄膜状の部材であり、圧力室形成基板２９の上面（連通基板２４とは反対側の面）に積層されている。この振動板３１によって、圧力室３０となるべき空間の上部開口が封止されている。換言すると、振動板３１によって、圧力室３０の一部である上面が区画されている。この振動板３１における圧力室３０の上面を区画する領域は、圧電素子３２の撓み変形に伴ってノズル２２から遠ざかる方向あるいは近接する方向に変形（変位）する変位部として機能する。すなわち、振動板３１における圧力室３０の一部、具体的には上面を区画する領域が、撓み変形が許容される駆動領域３５となる。一方、振動板３１における圧力室３０となる空間の上部開口から外れた領域（駆動領域３５から外れた領域）は撓み変形が阻害される非駆動領域３６となる。なお、振動板３１及び圧力室形成基板２９（換言すると、振動板３１が積層された圧力室形成基板２９）が本発明における第１の基板に相当する。また、振動板３１は、例えば、圧力室形成基板２９の上面に形成された二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる弾性膜と、この弾性膜上に形成された二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）からなる絶縁膜と、により形成される。そして、この絶縁膜上（振動板３１の圧力室３０側とは反対側の面）における駆動領域３５に対応する位置に圧電素子３２がそれぞれ積層されている。
【００２８】
本実施形態の圧電素子３２は、所謂撓みモードの圧電素子である。この圧電素子３２は、２列に形成された圧力室３０の列に対応して２列に形成されている。各圧電素子３２は、図３に示すように、振動板３１上に、下電極層３７、誘電体（絶縁体）の一種である圧電体層３８、上電極層３９が順次積層されてなる。本実施形態では、下電極層３７が圧電素子３２毎に独立して形成された個別電極となっており、上電極層３９が複数の圧電素子３２に亘って連続して形成された共通電極となっている。すなわち、下電極層３７及び圧電体層３８は、ノズル列方向において圧力室３０毎に個別に形成されている。一方、上電極層３９は、ノズル列方向において複数の圧力室３０に亘って形成されている。また、本実施形態における下電極層３７及び圧電体層３８は、２列に形成された圧力室３０の列に対応して２列に形成されている。さらに、本実施形態における上電極層３９は、一方の圧力室３０の列に対応する位置から他方の圧力室３０の列に対応する位置に亘って形成されている。そして、この上電極層３９上には、後述する金属層４０が積層されている。なお、下電極層３７が本発明における第１の電極層に相当し、圧電体層３８が本発明における誘電体層に相当する。また、上電極層３９及びこれに積層された金属層４０が本発明における第２の電極層に相当する。
【００２９】
ここで、下電極層３７及び圧電体層３８は、ノズル列方向に直交する方向（換言すると圧力室３０の長手方向）において、駆動領域３５から一側（アクチュエーターユニット１４の外側；図３における左側）の非駆動領域３６に向けて下電極層３７よりも外側まで延在されている。具体的に説明すると、本実施形態における下電極層３７の両端は、図３及び図４に示すように、圧力室３０の長手方向に沿って、圧力室３０と重なる領域、すなわち駆動領域３５から、圧力室３０の外側の領域、すなわち非駆動領域３６まで延在されている。より詳しくは、下電極層３７の一側（図３における左側）の端は、同側における圧電体層３８の端よりも外側まで延在されている。この圧電体層３８の端よりも外側の下電極層３７には、後述する第１の金属層４０ａが積層されている。また、下電極層３７の延在方向における他側（図３における右側）の端は、同側における駆動領域３５の端と圧電体層３８の端との間の非駆動領域３６まで延在されている。
【００３０】
本実施形態における圧電体層３８の両端は、下電極層３７と同様に、圧力室３０の長手方向に沿って、圧力室３０と重なる領域から圧力室３０の外側の領域まで延在されている。具体的には、本実施形態における圧電体層３８の一側の端は、同側における上電極層３９の端と下電極層３７の端との間の非駆動領域３６まで延在されている。すなわち、圧電素子３２の長手方向における一側において下電極層３７及び駆動領域３５は、上電極層３９よりも外側まで延在されている。そして、この非駆動領域３６であって上電極層３９よりも外側の圧電体層３８の端部には、下電極層３７と重なる位置から延在された第１の金属層４０ａが積層されている。また、圧電体層３８の延在方向における他側の端は、同側における下電極層３７の端よりも外側まで延在されている。さらに、図４に示すように、本実施形態においては、ノズル列方向における圧電素子３２間の非駆動領域３６（ノズル列方向に隣り合う圧電素子３２の間の領域）が、圧電体層３８が除去された圧電体開口部５５となっている。すなわち、この圧電体開口部５５によって、圧電体層３８が個々の圧電素子３２毎に分割されている。この圧電体開口部５５の長手方向（ノズル列方向に直交する方向）における寸法は、圧力室３０の長手方向における寸法よりも短く形成されている。
【００３１】
本実施形態における上電極層３９は、圧力室３０の長手方向において、一方（図２における左側）の圧力室３０よりも外側に形成された非駆動領域３６から他方（図２における右側）の圧力室３０よりも外側に形成された非駆動領域３６に亘って形成されている。具体的には、上電極層３９の延在方向における一側の端は、図３に示すように、２列に形成された圧電体層３８のうち一方の圧電体層３８と重なる領域であって、一方の駆動領域３５よりも外側の非駆動領域３６まで延在されている。より詳しくは、上電極層３９の延在方向における一側の端は、一方の駆動領域３５の外側の端と一方の圧電体層３８の外側の端との間の領域まで延在されている。また、上電極層３９の延在方向における他側の端は、図示を省略するが、同様に、他方の駆動領域３５の外側の端と他方の圧電体層３８の外側の端との間の領域まで延在されている。
【００３２】
そして、下電極層３７、圧電体層３８及び上電極層３９の全てが積層された領域、換言すると下電極層３７と上電極層３９との間に圧電体層３８が挟まれた領域が、圧電素子３２として機能することになる。したがって、下電極層３７と上電極層３９との間に両電極の電位差に応じた電界が付与されると、駆動領域３５における圧電体層３８がノズル２２から遠ざかる方向あるいは近接する方向に撓み変形し、駆動領域３５の振動板３１が変形する。なお、圧電素子３２のうち非駆動領域３６と重なる部分は、圧力室形成基板２９により変形（変位）が阻害される。そして、本実施形態における圧電素子３２の長手方向における一側の端、すなわち上電極層３９の一側の端には、後述する押圧樹脂４１が当接されている。なお、この点に関しては、後で詳しく述べる。
【００３３】
また、図２及び図３に示すように、圧電素子３２の長手方向の一側の端における各圧電素子３２上、あるいは各圧電素子３２から延在した圧電体層３８上には、金属層４０が形成されている。本実施形態においては、圧電素子３２の長手方向における一側の圧電体層３８の端を跨ぐ領域に第１の金属層４０ａが積層され、圧電素子３２の長手方向における圧力室３０の一側の端を跨ぐ領域（すなわち、一側の駆動領域３５と非駆動領域３６との境界を覆う領域）に第２の金属層４０ｂが積層され、圧電素子３２の長手方向における圧力室３０の他側の端を跨ぐ領域（すなわち、他側の駆動領域３５と非駆動領域３６との境界を覆う領域）に第３の金属層４０ｃが積層されている。
【００３４】
具体的には、第１の金属層４０ａは、下電極層３７と同電位となる電極層であり、圧電素子３２の長手方向における圧電体層３８の端部と重なる領域から当該圧電体層３８の端を越えて、同方向における下電極層３７の他側の端部と重なる領域まで延在されている。換言すると、第１の金属層４０ａは、下電極層３７の端部から圧電体層３８の端部に亘って積層されている。また、この第１の金属層４０ａは、圧電体層３８に積層された上電極層３９から離れて形成されている。第２の金属層４０ｂは、上電極層３９と同電位となる電極層であり、圧電素子３２の長手方向における圧力室３０の一側の端部と重なる領域から当該圧力室３０の一側の端を越えて上電極層３９の一側の端部と重なる領域まで延在されている。本実施形態における第２の金属層４０ｂの一側の端は、上電極層３９の一側の端よりも内側（圧力室３０側）に形成されている。要するに、第２の金属層４０ｂは、圧電素子３２の長手方向における上電極層３９の一側の端部に積層されている。第３の金属層４０ｃは、上電極層３９と同電位となる電極層であり、圧電素子３２の長手方向における圧力室３０の他側の端部と重なる領域から当該圧力室３０の他側の端及び圧電体層３８の他側の端を越えて振動板３１上に上電極層３９のみが積層された領域まで延在されている。なお、第２の金属層４０ｂ及び第３の金属層４０ｃは、上電極層３９と同様に、ノズル列方向において複数の圧力室３０に亘って形成されている。
【００３５】
なお、上記した下電極層３７及び上電極層３９としては、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）等の各種金属、及び、これらの合金やＬａＮｉＯ３等の合金等が用いられる。また、圧電体層３８としては、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電性圧電性材料や、これにニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ビスマス（Ｂｉ）又はイットリウム（Ｙ）等の金属を添加したリラクサ強誘電体等が用いられる。その他、チタン酸バリウムなどの非鉛材料も用いることができる。さらに、金属層４０としては、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、及び、これらの合金等が用いられる。なお、金属層が金（Ａｕ）等からなる場合には、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、及び、これらの合金等からなる密着層を金属層の下方に設けても良い。この場合、上電極層、密着層及び金属層が本発明における第２の電極層に相当する。
【００３６】
封止板３３（本発明における第２の基板に相当）は、振動板３１との間に圧電素子３２の変形を阻害しない程度の間隔を空けて配置された平板状の基板である。本実施形態における封止板３３は、図２及び図３に示すように、圧電素子３２に対向する側の面に押圧樹脂４１（本発明における第１の樹脂に相当）及びバンプ電極４２が形成されている。封止板３３は、この押圧樹脂４１及びバンプ電極４２を間に介在させた状態で、圧力室形成基板２９（詳しくは、圧力室形成基板２９に積層された振動板３１）の上面（すなわち、圧電素子３２が積層された面）に接合されている。なお、本実施形態においては、封止板３３と圧力室形成基板２９とは、熱硬化性及び感光性の両方の特性を有する接着剤４８により接合されている。バンプ電極４２は、図２に示すように、上電極層３９に導通する共通バンプ電極４２ａと、下電極層３７に導通する個別バンプ電極４２ｂとの２種類あり、それぞれ弾性変形した状態で対応する電極層に接続されている。いずれのバンプ電極４２ａ、４２ｂも、図３に示すように、弾性を有する合成樹脂からなる内部樹脂４３（本発明における第２の樹脂に相当）と、当該内部樹脂４３の表面を覆った金属からなる導電層４４（本発明における第２の導電層に相当）とが積層されてなる。
【００３７】
本実施形態においては、図２に示すように、２列に形成された圧電素子３２の列の間に対応する位置に、両側の圧電素子３２に共通な電圧を供給する共通バンプ電極４２ａが１列形成され、一側の圧電素子３２の列の外側（具体的には、圧電素子３２を挟んで共通バンプ電極４２ａとは反対側）に対応する位置及び他側の圧電素子３２の列の外側に対応する位置に、各圧電素子３２に個別な電圧を供給する個別バンプ電極４２ｂがそれぞれ１列ずつ形成されている。共通バンプ電極４２ａは、圧電素子３２から延在された上電極層３９に接続されている。すなわち、共通バンプ電極４２ａの導電層４４が上電極層３９に当接されている。また、この導電層４４は、封止板３３板厚方向に貫通する貫通配線４６を介して、封止板３３の上面（駆動ＩＣ３４側の面）に形成された対応する駆動ＩＣ側端子５０に接続されている。
【００３８】
個別バンプ電極４２ｂは、圧電体層３８に重なる位置における第１の金属層４０ａに接続されている。すなわち、図３及び図４に示すように、個別バンプ電極４２ｂの導電層４４が第１の金属層４０ａに当接されている。本実施形態における個別バンプ電極４２ｂの内部樹脂４３は、封止板３３の下面において、ノズル列方向に沿って突条に形成されている。一方、個別バンプ電極４２ｂの導電層４４は、ノズル列方向に沿って並設された圧電素子３２に対応して、ノズル列方向に沿って複数形成されている。すなわち、個別バンプ電極４２ｂは、ノズル列方向に沿って複数形成されている。また、各個別バンプ電極４２ｂの導電層４４は、封止板３３の下面（圧電素子３２側の面）において、内部樹脂４３よりも外側まで延在されて圧電素子側電極層４９（本発明における第３の電極層に相当）を構成する。そして、この圧電素子側電極層４９の個別バンプ電極４２ｂと反対側の端部は、貫通配線４６と接続されている。換言すると、貫通配線４６と個別バンプ電極４２ｂとを接続する圧電素子側電極層４９は、内部樹脂４３と重なる位置まで引き回されて個別バンプ電極４２ｂの導電層４４となっている。すなわち、圧電素子側電極層４９は、個別バンプ電極４２ｂを介して第１の金属層４０ａ（すなわち、下電極層３７）と導通する。そして、圧電素子側電極層４９は、貫通配線４６を介して、封止板３３の上面に形成された対応する駆動ＩＣ側端子５０に接続されている。
【００３９】
押圧樹脂４１は、図２に示すように、２列に形成された圧電素子３２の列に対応して、２列に形成されている。この押圧樹脂４１は、図３及び図４に示すように、封止板３３の下面において、圧電素子３２の長手方向（すなわち、圧電体層３８の延在方向）における外側（個別バンプ電極４２ｂ側）の上電極層３９の端に対応する位置に、ノズル列方向に沿って突条に形成されている。より詳しくは、押圧樹脂４１は、圧電素子３２の長手方向において、第２の金属層４０ｂの端部から第２の金属層４０ｂと第１の金属層４０ａとの間の圧電体層３８に亘った領域（すなわち、上電極層３９の端を含む領域）に対向する封止板３３の下面の領域に突設されている。そして、この押圧樹脂４１は、弾性変形した状態で上電極層３９の端部に当接されている。すなわち、押圧樹脂４１は、封止板３３と圧力室形成基板２９との間に挟まれて高さ方向に潰れた状態で上電極層３９の端部に当接されている。要するに、封止板３３と圧力室形成基板２９とは、押圧樹脂４１及びバンプ電極４２を間に挟んで弾性変形させた状態で、接着剤４８により固定されている。なお、内部樹脂４３および押圧樹脂４１としては、例えば、ポリイミド樹脂等の弾性を有する樹脂が用いられる。
【００４０】
そして、上記のように構成することで、押圧樹脂４１により上電極層３９の端及び第２の電極層４０ｂの端が押圧されるため、上電極層３９及び第２の電極層４０ｂが剥がれることを抑制できる。また、上電極層３９の端部における圧電体層３８の変形を抑制できるため、上電極層３９の端における圧電体層３８に応力が集中することを抑制できる。これにより、圧電体層３８にクラック等が発生することを抑制できる。その結果、記録ヘッド３の信頼性を向上させることができ、ひいてはプリンター１の信頼性を向上させることができる。
【００４１】
なお、本実施形態における接着剤４８は、図３に示すように、圧電素子３２の長手方向において、圧力室３０の一側の端部における駆動領域３５と非駆動領域３６との境界を含む領域、圧力室３０の他側の端部における駆動領域３５と非駆動領域３６との境界を含む領域、及び、個別バンプ電極４２ｂより外側の非駆動領域３６に配置され、当該各領域で封止板３３と圧力室形成基板２９とを接着固定している。また、これらの接着剤４８は、バンプ電極４２及び押圧樹脂４１に接着しないように、これらから離間した位置に配置されている。
【００４２】
駆動ＩＣ３４は、圧電素子３２を駆動するための信号を出力するＩＣチップであり、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）等の接着剤（図示せず）を介して封止板３３の上面に積層されている。図３に示すように、この駆動ＩＣ３４の封止板３３側の面には、駆動ＩＣ側端子５０に接続されるＩＣバンプ電極５１が形成されている。各ＩＣバンプ電極５１は、駆動ＩＣ３４の下面から封止板３３側に向けて突設されている。
【００４３】
そして、上記のような構成の記録ヘッド３では、インクカートリッジ７からのインクを液体導入路１８、共通液室２５、個別連通路２６等を介して圧力室３０に導入する。この状態で、駆動ＩＣ３４からの駆動信号を、封止板３３に形成された配線等を介して圧電素子３２に供給することで、圧電素子３２を駆動させて圧力室３０に圧力変動を生じさせる。この圧力変動を利用することで、記録ヘッド３はノズル連通路２７を介してノズル２２からインク滴を噴射する。
【００４４】
次に、上記した記録ヘッド３、特にアクチュエーターユニット１４の製造方法について説明する。図５及び図６は、アクチュエーターユニット１４の製造方法を説明する模式図である。封止板３３となるシリコン単結晶基板（以下、単に封止板３３という。）では、まず、エッチングやレーザー等を用いて封止板３３を貫通する貫通孔を形成し、その後、電解めっき法等により貫通孔内に貫通配線４６を形成する。また、半導体プロセス（即ち、成膜工程、フォトリソグラフィー工程及びエッチング工程など）を用いて、封止板３３の上面にＩＣバンプ電極５１等を形成する。さらに、半導体プロセスを用いて、封止板３３の下面に樹脂コアバンプ及び押圧樹脂４１を形成する。より詳しくは、封止板３３の下面に樹脂膜を製膜し、フォトリソグラフィー工程及びエッチング工程により、所定の位置に樹脂を形成した後、加熱により溶融してその角を丸めることで内部樹脂４３及び押圧樹脂４１を形成する。その後、蒸着やスパッタリング等により表面に金属膜を成膜し、フォトリソグラフィー工程及びエッチング工程により、導電膜４４を形成する。これにより、図５に示すように、所定の位置にバンプ電極４２が形成される。なお、その後、アッシングや薬液を用いた方法により、内部樹脂４３の露出した部分及び押圧樹脂４１の表面の一部を削り取ることもできる。
【００４５】
一方、圧力室形成基板２９となるシリコン単結晶基板（以下、単に圧力室形成基板２９という。）では、まず、上面に振動板３１を積層する。次に、半導体プロセスにより、振動板３１上に下電極層３７、圧電体層３８、上電極層３９及び金属層４０を順次パターニングし、圧電素子３２等を形成する。その後、表面に接着剤層を製膜し、フォトリソグラフィー工程により、所定の位置に接着剤４８を形成する。具体的には、感光性および熱硬化性を有する液体状の接着剤を、スピンコーター等を用いて振動板３１上に塗布し、加熱することで弾性を有する接着剤層を形成する。そして、露光及び現像することで、図５に示すように、所定の位置に接着剤４８の形状をパターニングする。本実施形態では、接着剤４８が感光性を有するため、フォトリソグラフィー工程により、接着剤４８を精度よくパターニングすることができる。なお、接着剤４８は、圧力室形成基板２９側に形成せずに、封止板３３側に形成することもできる。
【００４６】
接着剤４８が形成されたならば、封止板３３と圧力室形成基板２９を接合する。具体的には、図６に示すように、何れか一方の基板（本実施形態では封止板３３）を他方の基板側に向けて相対的に移動させて（図６における矢印参照）、接着剤４８を両基板の間に挟んで張り合わせる。この状態で、バンプ電極４２及び押圧樹脂４１の弾性復元力に抗して、封止板３３及び圧力室形成基板２９を上下方向に加圧する。これにより、図６に示すように、バンプ電極４２及び押圧樹脂４１が押し潰された状態になる。そして、加圧しながら、接着剤４８の硬化温度まで加熱する。その結果、バンプ電極４２及び押圧樹脂４１が押し潰された状態（すなわち、弾性変形した状態）で、接着剤４８が硬化し、封止板３３と圧力室形成基板２９とが接合される。すなわち、押圧樹脂４１により上電極層３９の端及び第２の金属層４０ｂの端が押圧された状態で、封止板３３と圧力室形成基板２９とが固定される。
【００４７】
封止板３３と圧力室形成基板２９とが接合されたならば、フォトリソグラフィー工程及びエッチング工程により、圧力室形成基板２９に圧力室３０を形成する。このようにして、上記のようなアクチュエーターユニット１４が形成される。アクチュエーターユニット１４が形成されたならば、接着剤等を用いてアクチュエーターユニット１４と流路ユニット１５とを位置決め固定する。そして、アクチュエーターユニット１４をヘッドケース１６の収容空間１７に収容した状態で、ヘッドケース１６と流路ユニット１５とを接合することで、上記の記録ヘッド３が製造される。
【００４８】
このように、本実施形態では、バンプ電極４２及び押圧樹脂４１が同一の基板（本実施形態では封止板３３）に形成されたので、内部樹脂４３及び押圧樹脂４１を同じ工程で作成することができる。このため、内部樹脂４３及び押圧樹脂４１を異なる工程で作成する場合と比較して、製造コストを抑えることができる。なお、上電極層３９上に金属層４０を積層しない構成を採用することもできる。この場合、上電極層３９のみが本発明における第２の電極層に相当する。
【００４９】
ところで、上記した第１の実施形態では、バンプ電極４２の高さと押圧樹脂４１の高さとは導電層４４の高さの分だけ異なっているため、封止板３３と圧力室形成基板２９との加圧を十分に行わないと、押圧樹脂４１が上電極層３９の端を十分に押圧できない虞がある。特に、バンプ電極４２が形成された後、アッシング等により、内部樹脂４３の露出した部分及び押圧樹脂４１の表面の一部を削り取る場合、バンプ電極４２の高さと押圧樹脂４１の高さとの差が一層広がる虞がある。このため、図７に示す第２の実施形態では、バンプ電極４２の高さと押圧樹脂４１の高さとを揃える目的で、押圧樹脂４１の表面に押圧導電層５３（本発明における第１の導電層に相当）を形成している。
【００５０】
具体的には、図７に示すように、押圧導電層５３は、押圧樹脂４１の表面を覆うように、形成されている。この押圧導電層５３は、下電極層３７と導通する個別バンプ電極４２ｂの導電層４４や図示しないその他の電極層と離間して形成されている。すなわち、押圧導電層５３は、下電極層３７と電気的に絶縁された状態に形成される。なお、本実施形態における押圧樹脂４１は、第１の実施形態と同様に、封止板３３の下面において、ノズル列方向に沿って突条に形成されている。また、押圧導電層５３は、個別バンプ電極４２ｂの導電層４４と同様に、ノズル列方向に沿って並設された圧電素子３２に対応して、ノズル列方向に沿って複数形成されている。すなわち、押圧導電層５３は、圧電素子３２毎に形成されている。なお、押圧導電層５３を、押圧樹脂４１と同様に、複数の圧電素子３２に亘って、すなわちノズル列方向に沿って連続して設けることもできる。
【００５１】
そして、本実施形態における押圧導電層５３は、これより内側の押圧樹脂４１が弾性変形した状態で上電極層３９の端を含む領域に当接されている。このように、押圧導電層５３を介して押圧樹脂４１が上電極層３９の端を押圧するため、押圧導電層５３が無い場合と比較して、押圧樹脂４１が弾性変形する量を多くすることができる。要するに、押圧樹脂４１と押圧導電層５３とを合わせた高さをバンプ電極４２の高さに揃えることができる。このため、上電極層３９の端及び第２の電極層４０ｂの端をより確実に押圧することができる。その結果、上電極層３９及び第２の電極層４０ｂが剥がれることを抑制でき、また、圧電体層３８にクラック等が発生することを抑制できる。さらに、バンプ電極４２が形成された後、アッシング等により、内部樹脂４３の露出した部分及び押圧樹脂４１の表面の一部を削り取る場合でも、押圧樹脂４１が押圧導電層５３により保護されるため、押圧樹脂４１と押圧導電層５３とを合わせた高さをバンプ電極４２の高さに揃えることができる。なお、その他の構成は第１の実施形態と同じであるため、説明を省略する。また、本実施形態における製造方法に関し、押圧導電層５３は導電膜４４を形成する工程と同じ工程で作製され、その他の工程は上記した第１の実施形態と同じであるため、説明を省略する。
【００５２】
また、上記した第１の実施形態では、バンプ電極４２と押圧樹脂４１との両方が封止板３３に形成されていたが、これには限られない。図８〜図１０に示す第３〜第５の実施形態では、バンプ電極４２及び押圧樹脂４１の何れか一方、又は、両方が、圧力室形成基板２９に形成されている。
【００５３】
具体的に説明すると、図８に示す第３の実施形態では、バンプ電極４２が第１の実施形態と同様に封止板３３側に形成される一方、押圧樹脂４１が第１の実施形態と異なり圧力室形成基板２９側に形成されている。本実施形態における押圧樹脂４１は、圧力室形成基板２９の上面であって、圧電素子３２の長手方向における外側の上電極層３９の端に対応する位置に、ノズル列方向に沿って突条に形成されている。より詳しくは、押圧樹脂４１は、圧電素子３２の長手方向において、第２の金属層４０ｂの端部から第２の金属層４０ｂと第１の金属層４０ａとの間の圧電体層３８に亘った領域（すなわち、上電極層３９の端を含む領域）に積層されている。そして、本実施形態における押圧樹脂４１も、弾性変形した状態で封止板３３の下面に当接されている。これにより、本実施形態でも、押圧樹脂４１により上電極層３９の端及び第２の電極層４０ｂの端を押圧することができ、上電極層３９及び第２の電極層４０ｂの剥がれや圧電体層３８のクラック等の不具合が発生することを抑制できる。また、本実施形態では、押圧樹脂４１が上電極層３９の端を含む領域に形成されているため、製造誤差等により圧力室形成基板２９と封止板３３との相対位置がずれたとしても、確実に上電極層３９の端を押圧することができる。さらに、バンプ電極４２と押圧樹脂４１とが異なる基板に作成されるため、バンプ電極４２と押圧樹脂４１との間隔を可及的に狭めることができる。その結果、アクチュエーターユニット１４を小型化でき、ひいては記録ヘッド３を小型化できる。なお、その他の構成は第１の実施形態と同じであるため、説明を省略する。
【００５４】
本実施形態におけるアクチュエーターユニット１４の製造方法について説明する。本実施形態では、封止板３３の下面に樹脂コアバンプの内部樹脂４３を形成する工程において、押圧樹脂４１を形成しない一方で、圧力室形成基板２９に圧電素子３２等を形成した後に、内部樹脂４３を形成する工程を追加している。具体的には、半導体プロセスにより圧力室形成基板２９に圧電素子３２等を形成した後、圧力室形成基板２９の上面に樹脂膜を製膜する。そして、フォトリソグラフィー工程及びエッチング工程により、所定の位置に樹脂を形成した後、加熱によりその角を丸めて内部樹脂４３を形成する。なお、封止板３３側については、樹脂の形成パターンを変更するだけであるため、説明を省略する。また、その他の製造方法についても、上記した第１の実施形態と同じであるため、説明を省略する。
【００５５】
また、図９に示す第４の実施形態では、押圧樹脂４１が第１の実施形態と同様に封止板３３に形成される一方、バンプ電極４２が第１の実施形態と異なり圧力室形成基板２９側に形成されている。本実施形態における個別バンプ電極４２ｂの内部樹脂４３は、図９に示すように、圧電素子３２の長手方向における圧電体層３８の一側の端部において、ノズル列方向に沿って突条に形成されている。個別バンプ電極４２ｂの導電層４４は、この内部樹脂４３上において、ノズル列方向に沿って複数形成されている。また、各個別バンプ電極４２ｂの導電層４４は、内部樹脂４３よりも外側まで延在されて第１の金属層４０ａを構成する。換言すると、下電極層３７に積層された第１の金属層４０ａは、内部樹脂４３と重なる位置まで引き回されて個別バンプ電極４２ｂの導電層４４となっている。一方、本実施形態における圧電素子側電極層４９は、封止板３３の下面において、貫通配線４６と重なる位置から押圧樹脂４１から外れた位置であって個別バンプ電極４２ｂが当接する位置まで延在されている。そして、各個別バンプ電極４２ｂは、弾性変形した状態で対応する圧電素子側電極層４９に当接されている。これにより、圧電素子側電極層４９は、個別バンプ電極４２ｂを介して下電極層３７と導通する。なお、図示を省略するが、本実施形態における共通バンプ電極は、圧電素子３２の列間において、上電極層３９上に積層された内部樹脂と、この内部樹脂を覆うと共に上電極層に導通された導電膜とからなり、弾性変形した状態で貫通配線４６と導通する圧電素子側電極層に接続されている。このように、本実施形態でもバンプ電極４２と押圧樹脂４１とが異なる基板に作成されるため、バンプ電極４２と押圧樹脂４１との間隔を可及的に狭めることができる。その結果、アクチュエーターユニット１４を小型化でき、ひいては記録ヘッド３を小型化できる。なお、その他の構成は第１の実施形態と同じであるため、説明を省略する。
【００５６】
本実施形態におけるアクチュエーターユニット１４の製造方法について説明する。本実施形態では、封止板３３の下面に押圧樹脂４１を形成する工程において、バンプ電極４２の内部樹脂４３を形成しない一方で、圧力室形成基板２９に圧電素子３２を形成した後に、バンプ電極４２の内部樹脂４３を形成する工程を追加している。具体的には、半導体プロセスにより圧力室形成基板２９に圧電素子３２を形成した後であって金属層４０を形成する前に、圧力室形成基板２９の上面に樹脂膜を製膜する。そして、フォトリソグラフィー工程及びエッチング工程により、所定の位置に樹脂を形成した後、加熱によりその角を丸めて内部樹脂４３を形成する。その後、半導体プロセスにより、金属層４０を形成することで、バンプ電極４２を形成する。なお、封止板３３側については、樹脂の形成パターンを変更するだけであるため、説明を省略する。また、その他の製造方法についても、上記した第１の実施形態と同じであるため、説明を省略する。
【００５７】
さらに、図１０に示す第５の実施形態では、第１の実施形態と異なり、バンプ電極４２及び押圧樹脂４１が圧力室形成基板２９側に形成されている。本実施形態における個別バンプ電極４２ｂの内部樹脂４３は、第４の実施形態と同様に、圧電素子３２の長手方向における圧電体層３８の一側の端部において、ノズル列方向に沿って突条に形成されている。また、個別バンプ電極４２ｂの導電層４４は、第４の実施形態と同様に、下電極層３７に積層された第１の金属層４０ａが、内部樹脂４３と重なる位置まで引き回されてなる。さらに、押圧樹脂４１は、第３の実施形態と同様に、圧力室形成基板２９の上面であって、圧電素子３２の長手方向における外側の上電極層３９の端に対応する位置に、ノズル列方向に沿って突条に形成されている。
【００５８】
本実施形態におけるアクチュエーターユニット１４の製造方法について説明する。本実施形態では、封止板３３の下面に樹脂（内部樹脂４３及び押圧樹脂４１）を形成する工程がない一方で、圧力室形成基板２９に圧電素子３２等を形成した後に、バンプ電極４２の内部樹脂４３及び押圧樹脂４１を形成する工程を追加している。具体的には、半導体プロセスにより圧力室形成基板２９に圧電素子３２を形成し、第２の金属層４０ｂ及び第３の金属層４０ｃを形成した後に、圧力室形成基板２９の上面に樹脂膜を製膜する。そして、フォトリソグラフィー工程及びエッチング工程により、所定の位置に樹脂を形成した後、加熱によりその角を丸めて内部樹脂４３及び押圧樹脂４１を形成する。その後、半導体プロセスにより、第１の金属層４０ａを形成することで、バンプ電極４２を形成する。なお、封止板３３側については、樹脂のパターニング工程が無いだけであるため、説明を省略する。また、その他の製造方法についても、上記した第１の実施形態と同じであるため、説明を省略する。このように、本実施形態でも、バンプ電極４２及び押圧樹脂４１が同一の基板（本実施形態では圧力室形成基板２９）に形成されたので、内部樹脂４３及び押圧樹脂４１を同じ工程で作成することができる。このため、内部樹脂４３及び押圧樹脂４１を異なる工程で作成する場合と比較して、製造コストを抑えることができる。また、本実施形態では、押圧樹脂４１が上電極層３９の端を含む領域に形成されているため、製造誤差等により圧力室形成基板２９と封止板３３との相対位置がずれたとしても、確実に上電極層３９の端を押圧することができる。なお、第３〜第５の実施形態において、第２の実施形態と同様に、押圧樹脂の表面に押圧導電層を設けて、高さを調整することもできる。
【００５９】
なお、以上においては、圧電素子３２の駆動により当該圧電素子３２が形成された駆動領域３５が変位することでノズル２２から液体の一種であるインクを噴射する構成を例示したが、これには限られず、駆動領域に第１の電極層、誘電体層、及び、第２の電極層がこの順に積層された第１の基板と、これに対向配置された第２の基板とを備えたＭＥＭＳデバイスであれば、本発明を適用することが可能である。例えば、駆動領域の圧力変化、振動、あるいは変位等を検出するセンサー等にも本発明を適用することができる。なお、一面が駆動領域で区画される空間は、液体が流通するものには限られない。
【００６０】
また、上記実施形態においては、液体噴射ヘッドとしてインクジェット式記録ヘッド３を例に挙げて説明したが、本発明は他の液体噴射ヘッドにも適用することができる。例えば、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイ、ＦＥＤ（面発光ディスプレイ）等の電極形成に用いられる電極材噴射ヘッド、バイオチップ（生物化学素子）の製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等にも本発明を適用することができる。ディスプレイ製造装置用の色材噴射ヘッドでは液体の一種としてＲ（Red）・Ｇ（Green）・Ｂ（Blue）の各色材の溶液を噴射する。また、電極形成装置用の電極材噴射ヘッドでは液体の一種として液状の電極材料を噴射し、チップ製造装置用の生体有機物噴射ヘッドでは液体の一種として生体有機物の溶液を噴射する。
【符号の説明】
【００６１】
１…プリンター，２…記録媒体，３…記録ヘッド，４…キャリッジ，５…キャリッジ移動機構，６…搬送機構，７…インクカートリッジ，８…タイミングベルト，９…パルスモーター，１０…ガイドロッド，１４…アクチュエーターユニット，１５…流路ユニット，１６…ヘッドケース，１７…収容空間，１８…液体導入路，２１…ノズルプレート，２２…ノズル，２４…連通基板，２５…共通液室，２６…個別連通路，２７…ノズル連通路，２９…圧力室形成基板，３０…圧力室，３１…振動板，３２…圧電素子，３３…封止板，３４…駆動ＩＣ，３５…駆動領域，３６…非駆動領域，３７…下電極層，３８…圧電体層，３９…上電極層，４０…金属層，４０ａ…第１の金属層，４０ｂ…第２の金属層，４０ｃ…第３の金属層，４２…バンプ電極，４２ａ…共通バンプ電極，４２ｂ…個別バンプ電極，４３…内部樹脂，４４…導電層，４６…貫通配線，４８…接着剤，４９…圧電素子側電極層，５０…駆動ＩＣ側端子，５１…ＩＣバンプ電極，５３…押圧導電層，５５…圧電体開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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