(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ化水素および金属成分を含む、ＣｌＦ、ＣｌＦ３、ＩＦ５、ＩＦ７、ＢｒＦ３、ＢｒＦ５、ＮＦ３、ＷＦ６、ＳｉＦ４、ＣＦ４、ＳＦ６、ＢＦ３からなる群より選ばれる少なくとも一種のフッ素化合物ガスから金属成分を除去する精製方法であって、
前記フッ素化合物ガスを、精製装置の充填部に充填した固体の金属フッ化物に接触させ、フッ化水素および金属成分を前記金属フッ化物に吸着させて除去する除去工程を含む、フッ素化合物ガスの精製方法。
【請求項２】
前記除去工程の前に、前記フッ素化合物ガス中のフッ化水素の含有量を、フッ素化合物、フッ化水素および金属成分の合計体積に対して５０体積ｐｐｍ以上、１体積％以下に調整する濃度調整工程を行う、請求項１に記載のフッ素化合物ガスの精製方法。
【請求項３】
前記濃度調整工程が、前記フッ素化合物ガスにフッ化水素を添加する添加工程である、請求項２に記載のフッ素化合物ガスの精製方法。
【請求項４】
前記金属フッ化物が、アルカリ金属フッ化物およびアルカリ土類金属フッ化物からなる群より選ばれる少なくとも１種である、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のフッ素化合物ガスの精製方法。
【請求項５】
前記金属フッ化物が、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウムおよびフッ化バリウムからなる群より選ばれる少なくとも１種である、請求項４に記載のフッ素化合物ガスの精製方法。
【請求項６】
前記除去工程において、前記フッ素化合物ガスを固体の金属フッ化物に接触させる温度が、前記フッ素化合物ガスに含まれるフッ素化合物の沸点以上、５０℃以下である、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のフッ素化合物ガスの精製方法。
【請求項７】
前記除去工程前の前記フッ素化合物ガスに含まれる金属成分が、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＣｕおよびＮｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属を含む、請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のフッ素化合物ガスの精製方法。
【請求項８】
前記除去工程後のフッ素化合物ガスに含まれる、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｉのそれぞれの含有量が、いずれも１０質量ｐｐｂ以下である、請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載のフッ素化合物ガスの精製方法。
【請求項９】
フッ化水素および、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＣｕおよびＮｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属成分を含む、ＣｌＦ、ＣｌＦ３、ＩＦ５、ＩＦ７、ＢｒＦ３、ＢｒＦ５、ＮＦ３、ＷＦ６、ＳｉＦ４、ＣＦ４、ＳＦ６、ＢＦ３からなる群より選ばれる少なくとも一種のフッ素化合物ガスから、金属成分を除去する精製方法であって、
前記フッ素化合物ガスを、精製装置の充填部に充填したフッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウムおよびフッ化バリウムからなる群より選ばれる少なくとも１種の固体の金属フッ化物に接触させ、フッ化水素および金属成分を前記金属フッ化物に吸着させて除去する、除去工程を含み、
除去工程後のフッ素化化合物ガスに含まれる、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｉのそれぞれの含有量が、いずれも１０質量ｐｐｂ以下である、フッ素化合物ガスの精製方法。
【請求項１０】
フッ素化合物ガスに含まれる金属成分を除去する精製フッ素化合物ガスの製造方法であって、
フッ化水素と金属成分を含む、ＣｌＦ、ＣｌＦ３、ＩＦ５、ＩＦ７、ＢｒＦ３、ＢｒＦ５、ＮＦ３、ＷＦ６、ＳｉＦ４、ＣＦ４、ＳＦ６、ＢＦ３からなる群より選ばれる少なくとも一種のフッ素化合物ガスを、精製装置の充填部に充填した固体の金属フッ化物に接触させ、フッ化水素および金属成分を前記金属フッ化物に吸着させて除去する除去工程を含む精製フッ素化合物ガスの製造方法。
【請求項１１】
前記精製フッ素化合物に含まれる、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｉのそれぞれの含有量が、いずれも１０質量ｐｐｂ以下である、請求項１０に記載の精製フッ素化合物ガスの製造方法。
【請求項１２】
前記精製フッ素化合物ガス中のフッ化水素の含有量が、フッ素化合物、フッ化水素および金属成分の合計体積に対して５０体積ｐｐｍ以下である、請求項１０または請求項１１に記載の精製フッ素化合物ガスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不純物として金属成分を含むフッ素化合物ガスから金属成分を除去しフッ素化合物ガスを精製する、フッ素化合物ガスの精製方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フッ素化合物ガスは、半導体デバイス、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）デバイス、液晶用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）パネルおよび太陽電池などの製造工程における、基板のエッチングもしくはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などの薄膜形成におけるクリーニングガス、またはフッ素化学品合成のためのフッ素化剤などに、広く使用されている。
【０００３】
半導体デバイスの製造においては、微細化および高集積化技術の発展により、加工の技術的難易度は年々高くなっている。このような状況の中で半導体デバイスの材料に含まれる不純物は、半導体デバイスの製造工程において、製品の歩留まりを低下させるなどの問題を引き起こす懸念がある。そこで、クリーニングガスなどとして使用されるフッ素化合物ガスについても、その高純度化が要求され、特に、半導体デバイスの電気特性へ与える影響が大きい金属不純物については、１０質量ｐｐｂ未満に低減することなど、非常に高い純度が要求されている。
【０００４】
こうしたガスの高純度化を狙いとする精製方法としては、ガスと不純物を含む混合ガスを低温に冷却して液化させ、混合ガス中でのそれぞれのガスが凝縮する際の温度の違いにより、蒸留または部分凝縮によって分離回収する方法である、深冷精製法が知られている。例えば、特許文献１において、フッ素化合物にエネルギーを付与しフッ素化合物を反応させフッ素ガス成分とフッ素ガス以外の成分とを生成し、生成されたフッ素ガス成分とフッ素ガス成分以外のガス成分とを液体窒素などを用い冷却し、双方の沸点の違いにより、フッ素ガスを分離する深冷精製法が開示されている。
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の方法は、精製する目的のフッ素化合物ガスとそれに含まれる不純物との沸点や融点の差が小さい場合には適用できない。また、不純物が金属不純物である場合、金属不純物は、通常、金属もしくは金属化合物の微粒子またはクラスター、あるいは比較的高い蒸気圧を持つ金属ハロゲン化物または金属錯体の気体として、ガス中に含有されている。しかしながら、金属不純物は昇華性が非常に高く、さらにフッ素化合物ガスに不純物として含まれる量も微量であることから、深冷精製法による除去は困難であるという問題がある。また、深冷精製法を用いると、その設備は複雑で大きく、フッ素化合物ガスの製造工場には設備を設置可能であるが、少量のガスを処理する際は設備を設置し難く不向きであるという問題もある。
【０００６】
簡単な構造の装置を用いガスを処理する方法として、固形充填剤と接触させる乾式処理方法が知られている。例えば、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）などの吸着剤を充填した処理塔を有する精製装置において、処理塔にフッ素ガスと不純物を含む混合ガスを流通し不純物であるフッ化水素を除去する方法が、特許文献２に開示されている。また、特許文献３には、ＭｎＦ４を加熱して生成したフッ素ガスに含まれる、昇華したフッ化マンガンを除去する方法が開示されている、具体的には、フッ化マンガンとフッ化ナトリウムとを接触させて、反応させ、式  ＭｎＦ４＋２ＮａＦ→Ｎａ２ＭｎＦ６により、複合フッ化物を形成し除去することができると記載されている。
【０００７】
特許文献２に記載の方法は、不純物がフッ化水素の場合は有効な方法である。しかしながら、フッ化水素以外の不純物に対しては効果がほとんどない。特許文献２には、フッ素ガスに含まれるフッ化水素を除去する方法については記載されているが、不純物が金属不純物である場合の除去方法については記載されていない。
【０００８】
特許文献３に記載の方法は、フッ化ナトリウムとフッ化マンガンを反応させて複合フッ化物を形成するため、１００℃以上の高温に加熱することが開示されている。しかしながら、１００℃以上の高温に加熱すると、複合フッ化物ガスとフッ化ナトリウムを充填する金属容器との反応も生じ、容器の金属成分が複合フッ化物ガス中に混入して新たな不純物となってしまうといった問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−３９７４０号公報
【特許文献２】特開２００９−２１５５８８号公報
【特許文献３】特開２００６−１１７５０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、簡単な構造の装置でフッ素化合物ガスに不純物として含まれる微量金属成分を除去しフッ素化合物ガスを精製する、フッ素化合物ガスの精製方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、不純物としての金属成分を含むフッ素化合物ガスに微量のフッ化水素を共存させると、フッ素化合物ガスに含まれる金属成分がフッ化水素とともに固体の金属フッ化物に吸着し除去され、フッ素化合物ガスを精製できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１２】
本発明のフッ素化合物ガスの精製方法において、フッ素化合物ガスにフッ化水素ガスを添加しフッ化水素ガスを共存させることで、これら金属不純物を金属フッ化物に吸着させることが可能となる。
【００１３】
すなわち、本発明は発明１〜１２を含む。
［発明１］
フッ化水素および金属成分を含む、ＣｌＦ、ＣｌＦ３、ＩＦ５、ＩＦ７、ＢｒＦ３、ＢｒＦ５、ＮＦ３、ＷＦ６、ＳｉＦ４、ＣＦ４、ＳＦ６、ＢＦ３からなる群より選ばれる少なくとも一種のフッ素化合物ガスから金属成分を除去する精製方法であって、
前記フッ素化合物ガスを、精製装置の充填部に充填した固体の金属フッ化物に接触させ、フッ化水素および金属成分を前記金属フッ化物に吸着させて除去する除去工程を含む、フッ素化合物ガスの精製方法。
［発明２］
前記除去工程の前に、前記フッ素化合物ガス中のフッ化水素の含有量を、フッ素化合物、フッ化水素および金属成分の合計体積に対して５０体積ｐｐｍ以上、１体積％以下に調整する濃度調整工程を行う、発明１のフッ素化合物ガスの精製方法。
［発明３］
前記濃度調整工程が、前記フッ素化合物ガスにフッ化水素を添加する添加工程である、発明２のフッ素化合物ガスの精製方法。
［発明４］
前記金属フッ化物が、アルカリ金属フッ化物およびアルカリ土類金属フッ化物からなる群より選ばれる少なくとも１種である、発明１〜３のフッ素化合物ガスの精製方法。
［発明５］
前記金属フッ化物が、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウムおよびフッ化バリウムからなる群より選ばれる少なくとも１種である、発明４のフッ素化合物ガスの精製方法。
［発明６］
前記除去工程において、前記フッ素化合物ガスを固体の金属フッ化物に接触させる温度が、前記フッ素化合物ガスに含まれるフッ素化合物の沸点以上、５０℃以下である、発明１〜５のフッ素化合物ガスの精製方法。
［発明７］
前記除去工程前の前記フッ素化合物ガスに含まれる金属成分が、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＣｕおよびＮｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属を含む、発明１〜６のフッ素化合物ガスの精製方法。
［発明８］
前記除去工程後のフッ素化合物ガスに含まれる、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｉのそれぞれの含有量が、いずれも１０質量ｐｐｂ以下である、発明１〜７のフッ素化合物ガスの精製方法。
［発明９］
フッ化水素および、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＣｕおよびＮｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属成分を含む、ＣｌＦ、ＣｌＦ３、ＩＦ５、ＩＦ７、ＢｒＦ３、ＢｒＦ５、ＮＦ３、ＷＦ６、ＳｉＦ４、ＣＦ４、ＳＦ６、ＢＦ３からなる群より選ばれる少なくとも一種のフッ素化合物ガスから、金属成分を除去する精製方法であって、
前記フッ素化合物ガスを、精製装置の充填部に充填したフッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウムおよびフッ化バリウムからなる群より選ばれる少なくとも１種の固体の金属フッ化物に接触させ、フッ化水素および金属成分を前記金属フッ化物に吸着させて除去する、除去工程を含み、
除去工程後のフッ素化化合物ガスに含まれる、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｉのそれぞれの含有量が、いずれも１０質量ｐｐｂ以下である、フッ素化合物ガスの精製方法。
［発明１０］
フッ素化合物ガスに含まれる金属成分を除去する精製フッ素化合物ガスの製造方法であって、
フッ化水素と金属成分を含む、ＣｌＦ、ＣｌＦ３、ＩＦ５、ＩＦ７、ＢｒＦ３、ＢｒＦ５、ＮＦ３、ＷＦ６、ＳｉＦ４、ＣＦ４、ＳＦ６、ＢＦ３からなる群より選ばれる少なくとも一種のフッ素化合物ガスを、精製装置の充填部に充填した固体の金属フッ化物に接触させ、フッ化水素および金属成分を前記金属フッ化物に吸着させて除去する除去工程を含む、精製フッ素化合物ガスの製造方法。
［発明１１］
前記精製フッ素化合物に含まれる、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｉのそれぞれの含有量が、いずれも１０質量ｐｐｂ以下である、発明１０に記載の精製フッ素化合物ガスの製造方法。
［発明１２］
前記精製フッ素化合物ガス中のフッ化水素の含有量が、フッ素化合物、フッ化水素および金属成分の合計体積に対して５０体積ｐｐｍ以下である、発明１０または発明１１に記載の精製フッ素化合物ガスの製造方法。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、簡単な構造の装置で不純物として金属成分を含むフッ素化合物ガスから金属成分を容易に除去することができ、半導体分野における微細化に対応したエッチングなどの用途に使用可能なガスを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態の一例を示す概念図である。
【図２】本発明の別の実施形態の一例を示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施方法について、図面を参照して本発明を詳述する。
【００１７】
なお、図１、２は本発明を実施する方法の一例を示したに過ぎず、本形態以外の方法でも本発明の実施は可能である。
【００１８】
＜精製装置１０＞
本発明に係る精製装置１０は、フッ素化合物ガス供給部２０からフッ素化合物ガスが供給され、出口ガスを外部装置３０に供給する。精製装置１０は、少なくとも金属フッ化物充填部１００を備え、必要によりフッ化水素濃度調整部１１０とフッ化水素供給部１２０を備える。
【００１９】
＜金属フッ化物充填部１００＞
金属フッ化物充填部１００は金属フッ化物を含む薬剤を充填した容器で、流通するガスの純度や流速によって適宜設計される。例えば、底網上に金属フッ化物のペレットを充填し、下部から処理対象ガスを導入し、上部から排出する除害設備などを使用できる。充填する薬剤は、金属フッ化物を含んでいれば、粉末状でも粒状でもペレット状でもよく、金属フッ化物の含有量も特に限定されないが、通常は純度９０質量％以上であり、好ましくは、純度９５質量％以上である。使用する金属フッ化物としては、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属フッ化物を挙げることができ、具体的には、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウムを例示することができる。これらの金属フッ化物は、フッ素化合物との反応性が低いが、フッ化水素ガスを吸着可能であるため、好ましい。
【００２０】
また、金属フッ化物充填部１００の容器に使用する材質は、フッ素化合物、フッ素、またはフッ化水素に対し耐食性のある金属が使用される。具体的には、ニッケル、ニッケル基合金であるハステロイ（登録商標）、モネル（登録商標）もしくはインコネル（登録商標）、アルミニウム、アルミニウム合金、またはステンレス鋼などを選択することができる。なお、ステンレス鋼については、材質に含まれるＦｅまたはＣｒとフッ素化合物が反応し、金属不純物の発生源となる可能性があるため、使用する前に、フッ素化合物ガスやフッ素ガスを流通し、表面に不動態皮膜を形成するなどの処理を行う必要がある。
【００２１】
また、金属フッ化物充填部１００の使用温度、すなわち、フッ素化合物ガスを固体の金属フッ化物に接触させる温度は、フッ素化合物ガスに含まれるフッ素化合物の沸点以上、５０℃以下である。使用温度が、金属フッ化物充填部１００での圧力におけるフッ素化合物の沸点未満では、金属フッ化物充填部１００内でガスが凝縮する問題が発生する。また５０℃より高い温度では、フッ素化合物ガスと金属フッ化物充填部１００の容器の反応が促進され、容器由来の金属不純物が発生し、金属成分の濃度が増加する可能性があるため、好ましくない。なお、金属フッ化物充填部１００は可能な限り低温で使用する方が、より精製効果が得られるが、別途冷却設備などが必要となるため、通常は室温（約２０℃）付近で使用される。なお、フッ素化合物の常圧での沸点が５０℃を超える場合は、金属フッ化物充填部１００などの装置の内部を減圧し、５０℃以下で気体になるようにして使用するとよい。
【００２２】
金属フッ化物充填部１００に供給されるフッ素化合物ガスには、後述の通り、フッ化水素が５０体積ｐｐｍ以上、１体積％以下含まれることが好ましい。また、フッ素化合物ガスに含まれる各金属成分（Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｉ）のそれぞれの含有量については、金属フッ化物充填部１００の出口では、半導体デバイスの製造工程において使用できるよう、いずれも１０質量ｐｐｂ以下であることが好ましい。
【００２３】
なお、金属フッ化物充填部１００の入口でのフッ素化合物ガスに含まれる各金属成分（Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｉ）のそれぞれの含有量については、１０質量ｐｐｂ以上、１０００質量ｐｐｂ以下であることが好ましく、２０質量ｐｐｂ以上、５００質量ｐｐｂ以下であることが好ましい。金属成分の量が多すぎる場合、金属成分を除去しきれない恐れがあり、少なすぎる場合、本発明を適用する必要性がなくなる。各金属成分は、金属や金属化合物の微粒子またはクラスターや、比較的高い蒸気圧を持つ金属ハロゲン化物または金属錯体の気体として、ガス中に含有されている。但し、各金属成分の含有量は、金属化合物や金属錯体の含有量ではなく、金属単体の含有量として評価する。
【００２４】
金属成分は、フッ素化合物ガスの製造工程における反応器または配管などの部材、またはボンベに使用される材質として使用される金属がフッ素化合物ガスにより腐食するなどして、前述の金属不純物の状態で、フッ素化合物ガスに混入する。その含有量は、部材およびボンベなどに前述の耐食性の金属を用いることで１０００質量ｐｐｂ以下に抑えることができる。
【００２５】
また、金属フッ化物充填部１００からの出口でのフッ素化合物ガスに含まれるフッ化水素の量が、フッ素化合物ガス、フッ化水素、および、金属成分の合計体積に対して、５０体積ｐｐｍ以下となることが好ましい。
【００２６】
＜フッ素化合物ガス供給部２０＞
フッ素化合物ガス供給部２０は、フッ素化合物ガスの製造設備で製造されたフッ素化合物ガスの貯蔵部や、フッ素化合物ガスを充填したボンベなどである。供給するフッ素化合物ガスは、金属フッ化物充填部１００に充填された金属フッ化物と直接反応しない限り特に限定されないが、例えば、ＣｌＦ、ＣｌＦ３、ＩＦ５、ＩＦ７、ＢｒＦ３、ＢｒＦ５、ＮＦ３、ＷＦ６、ＳｉＦ４、ＣＦ４、ＳＦ６、ＢＦ３が挙げられる。供給するガスの純度などに制約は無いが、低濃度のガスを使用した場合、下流側に設置する金属フッ化物充填部１００の負荷が大きくなり、装置の大型化や、薬剤交換頻度が高くなるなどの支障をきたすため、予め、蒸留や深冷精製法で不純物を除去したガスを使用することが好ましい。具体的には純度が９０体積％以上のものを使用するのが好ましく、さらに好ましくは９９体積％以上のものを使用するのが好ましい。
【００２７】
＜外部装置３０＞
精製装置１０の下流には、外部装置３０が接続される。外部装置３０には、例えば、本発明の方法をフッ素化合物ガスの製造工程で使用する場合は、フッ素化合物ガスの充填設備が相当する。また、本発明の方法をエッチング工程のガス供給ラインに使用する場合は、エッチング装置が外部装置３０に相当する。なお、一つの筐体に精製装置１０と外部装置３０の両方を備えていてもよい。例えば、エッチング装置のガス受入口や配管の途中に本発明の精製装置１０を設け、精製装置１０の出口ガスをエッチングチャンバーに供給することで、金属成分を除去したガスを用いて半導体素子をエッチングすることができる。
【００２８】
＜フッ化水素濃度調整部１１０＞
フッ化水素濃度調整部１１０は、精製装置１０に供給されたフッ素化合物ガスに含まれるフッ化水素の量を、金属フッ化物充填部１００に供給するのに適した量に調整する。金属フッ化物充填部１００に供給されるフッ素化合物ガス中のフッ化水素の含有量が、フッ素化合物ガス、フッ化水素、および、金属成分の合計体積に対して、５０体積ｐｐｍ以上、１体積％以下であることが好ましく、１００体積ｐｐｍ以上、２０００体積ｐｐｍ以下であることがより好ましく、２００体積ｐｐｍ以上、１０００ｐｐｍ以下であってもよい。フッ化水素含有量が５０ｐｐｍ未満であると、フッ化水素の量が少なすぎて、金属成分の量を十分に低減するのが難しい場合が多い。フッ素化合物ガス供給部２０から供給されるフッ素化合物ガスに、あらかじめ５０体積ｐｐｍ以上のフッ化水素が含まれる場合は、そのまま金属フッ化物充填部１００に供給するが、フッ化水素含有量が５０体積ｐｐｍ未満の場合は、フッ化水素供給部１２０よりフッ化水素を供給することが好ましい。
【００２９】
一方、フッ化水素含有量が１体積％を超える場合は、金属フッ化物充填部１００の薬剤を頻繁に交換する必要があるため、経済的でないうえに、金属フッ化物充填部１００の薬剤の量によってはフッ化水素を除去しきれずに、金属成分を十分に低減することができない場合もある。そのため、フッ化水素含有量が１体積％を超えるフッ素化合物ガスが供給された場合、フッ化水素濃度調整部１１０は、フッ化水素含有量がより少ない同種のフッ素化合物ガスで希釈するか、金属フッ化物などの薬剤でフッ化水素を粗取りしてもよい。
【００３０】
＜フッ化水素供給部１２０＞
フッ化水素供給部１２０は、金属フッ化物充填部１００の上流部分で配管などによって接続され、フッ素化合物ガスにフッ化水素を添加可能である。フッ化水素供給部１２０にはフッ化水素を充填した容器やボンベが接続される。接続するフッ化水素の純度は高純度のものを使用するのが好ましく、純度が９９．５質量％以上、より好ましくは９９．９質量％以上のものを使用するのが好ましい。さらに金属不純物については、混入したＦｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｉの各金属成分の濃度が、いずれも１０質量ｐｐｂ以下であることが好ましい。
【００３１】
＜精製装置１０の効果＞
本発明を利用した精製装置１０では、薬剤を充填しただけの簡易な構造の装置で、金属成分の濃度を非常に低いレベルまで低減可能である。そのため、小規模な工場でも本発明を利用して金属不純物の少ないガスを得ることができる。また、フッ素化合物ガスを使用する直前に精製装置１０を設けることができるため、配管などに由来した金属成分の混入を防ぐことができ、外部装置３０は金属不純物の少ないガスを利用することができる。
【実施例】
【００３２】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
【００３３】
［実施例］
図２に示す系統図に従い、フッ素化合物ガス供給部２０としてＣｌＦ、ＣｌＦ３、ＩＦ７、ＢｒＦ５、ＮＦ３、ＷＦ６それぞれを充填したボンベ（純度９９体積％以上、９９．９９体積％以下）を用い、フッ化水素供給部１２０にはＨＦを充填したボンベ（ＨＦ純度：９９．９９体積％）を接続した。なお、図２には図示していないが、それぞれのボンベの下流側に流量制御装置として、マスフローコントローラー（株式会社堀場エステック製）を使用して、各ガスの供給量を制御した。また、金属フッ化物充填部１００には、径１インチ（２５．４ｍｍ）×２００ｍｍのＮｉ管にＮａＦペレット（森田化学工業株式会社製）１００ｇを充填したものを使用した。なお、金属フッ化物充填部１００は、室温や、所定の温度に加熱または冷却して使用した。そして、金属フッ化物充填部１００の入口と出口に相当する部分のガスを捕集し、誘導結合プラズマ質量分析計（ＩＣＰ−ＭＳ）により、金属成分の含有量を測定した。
【００３４】
尚、金属成分は、フッ素化合物ガスの製造工程における反応器または配管などの部材、またはボンベに使用される材質として使用される金属がフッ素化合物ガスにより腐食するなどして、前述の状態で、フッ素化合物ガスに混入したものである。
【００３５】
実施例および比較例の結果については表１にまとめた。
【００３６】
【表１】
0006792158.tif 000002
【００３７】
実施例１では、所定量のフッ化水素を含むＩＦ７を、２５℃でＮａＦと接触させることで、金属濃度を低減可能であった。また、実施例２と実施例３では、ＮａＦと接触させる温度が４５℃または０℃であっても十分に金属濃度を低減可能であったが、４５℃で接触させる実施例２では、実施例１と実施例３に比べて金属濃度が高くなった。これは、ＩＦ７が装置を構成する金属材料と多少反応したためと推測される。実施例４では、ＩＦ７ガスに含まれるフッ化水素の濃度が５８体積ｐｐｍであったが、金属成分の除去効果が確認された。但し、フッ化水素の濃度が低いためか、一部金属成分が実施例１に比べると多く含まれることとなった。
【００３８】
他に、実施例５〜９においては、ＣｌＦ、ＣｌＦ３、ＢｒＦ５、ＮＦ３、ＷＦ６についても、本発明の精製方法を用いて、金属成分の除去効果が確認された。一方で、フッ化水素の濃度が低い実施例１０でも、ある程度の金属成分を除去することができたが、フッ化水素の量が少ないため、一部の金属成分について、１０質量ｐｐｂ未満にまで低減することが難しかった。
【００３９】
また、表２に示すように、実施例１１〜１３において、金属フッ化物充填部１００に充填する薬剤を、ＫＦペレット、ＭｇＦ２ペレット、ＢａＦ２ペレットに変更する以外は実施例１と同様にした実施した結果、実施例１と同様に、金属成分の除去効果が確認できた。
【００４０】
【表２】
0006792158.tif 000003
【００４１】
なお、比較例１のように充填剤にアルミナを使用した場合、フッ化水素や七フッ化ヨウ素とアルミナが反応して反応熱が生じ、その反応熱によって、金属フッ化物充填部１００や、その下流側に設置された接続のためのステンレス管と七フッ化ヨウ素が反応したため、金属成分を除去するどころか、金属成分が増える結果となった。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明により、フッ素化合物ガスに含まれる金属成分を容易に除去することができ、半導体分野における微細化に対応したエッチングなどの用途に使用可能なガスを提供できる。
【符号の説明】
【００４３】
１０    精製装置
１００  金属フッ化物充填部
１１０  フッ化水素濃度調整部
１２０  フッ化水素供給部
２０    フッ素化合物ガス供給部
３０    外部装置
【図１】
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【図２】
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