(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のはんだ粒子とバインダーとを含む導電ペーストが用いられ、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材が用いられ、かつ、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材が用いられ、
前記第１の接続対象部材の表面上に、前記導電ペーストを配置する工程と、
前記導電ペーストの硬化を進行させて、Ｂステージ層を形成するＢステージ化工程と、
前記Ｂステージ層の前記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に、前記第２の接続対象部材を、前記第１の電極と前記第２の電極とが対向するように配置する工程と、
前記はんだ粒子の融点以上に加熱することで、前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部を、前記Ｂステージ層により形成し、かつ、前記第１の電極と前記第２の電極とを、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続する加熱工程とを備え、
前記第２の接続対象部材の配置時に、前記Ｂステージ層の粘度が８００Ｐａ・ｓ以上、３０００Ｐａ・ｓ以下であり、
前記第１の電極と前記接続部と前記第２の電極との積層方向に前記第１の電極と前記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、前記第１の電極と前記第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の５０％以上に、前記接続部中のはんだ部が配置されている接続構造体を得る、接続構造体の製造方法。
【請求項２】
前記加熱工程において、前記第１の電極と前記第２の電極との間に位置していないはんだ粒子を、前記第１の電極と前記第２の電極との間に向かって移動させる、請求項１に記載の接続構造体の製造方法。
【請求項３】
前記第１の電極と前記接続部と前記第２の電極との積層方向と直交する方向に得られる接続構造体をみたときに、前記第１の電極と前記第２の電極との対向し合う部分に、前記接続部中の前記はんだ部１００％中の７０％以上が配置されている接続構造体を得る、請求項１又は２に記載の接続構造体の製造方法。
【請求項４】
前記第２の接続対象部材の配置時に、前記Ｂステージ層に、前記第２の接続対象部材の重量を超える力を加える、請求項１〜３のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法。
【請求項５】
前記バインダーが、熱硬化性成分を含むか、又は光硬化性成分と熱硬化性成分とを含み、
前記Ｂステージ化工程において、光の照射又は加熱を行うことで、前記導電ペーストの硬化を進行させ、
前記加熱工程において、加熱によって、前記Ｂステージ層を硬化させる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法。
【請求項６】
前記バインダーが、光硬化性成分と熱硬化性成分とを含み、
前記Ｂステージ化工程において、光の照射を行うことで、前記導電ペーストの硬化を進行させ、
前記加熱工程において、加熱によって、前記Ｂステージ層を硬化させる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法。
【請求項７】
得られる接続構造体における前記第１の電極と前記第２の電極との間隔の、前記導電ペーストに含まれる前記はんだ粒子の粒子径に対する比が１を超える、請求項１〜６のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法。
【請求項８】
前記第２の接続対象部材が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のはんだ粒子を含む導電ペーストを用いる接続構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料では、バインダー中に導電性粒子が分散されている。
【０００３】
上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｂｏａｒｄ））等に使用されている。
【０００４】
上記異方性導電材料により、例えば、フレキシブルプリント基板の電極とガラスエポキシ基板の電極とを電気的に接続する際には、ガラスエポキシ基板上に、導電性粒子を含む異方性導電材料を配置する。次に、フレキシブルプリント基板を積層して、加熱及び加圧する。これにより、異方性導電材料を硬化させて、導電性粒子を介して電極間を電気的に接続して、接続構造体を得る。
【０００５】
上記異方性導電材料の一例として、下記の特許文献１には、導電性粒子と、該導電性粒子の融点で硬化が完了しない樹脂成分とを含む異方性導電材料が記載されている。上記導電性粒子としては、具体的には、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、鉛（Ｐｂ）、カドミウム（Ｃｄ）、ガリウム（Ｇａ）、銀（Ａｇ）及びタリウム（Ｔｌ）等の金属や、これらの金属の合金が挙げられている。
【０００６】
特許文献１では、上記導電性粒子の融点よりも高く、かつ上記樹脂成分の硬化が完了しない温度に、異方性導電樹脂を加熱する樹脂加熱ステップと、上記樹脂成分を硬化させる樹脂成分硬化ステップとを経て、電極間を電気的に接続することが記載されている。また、特許文献１には、特許文献１の図８に示された温度プロファイルで実装を行うことが記載されている。特許文献１では、異方性導電樹脂が加熱される温度にて硬化が完了しない樹脂成分内で、導電性粒子が溶融する。
【０００７】
下記の特許文献２には、熱硬化性樹脂を含む樹脂層と、はんだ粉と、硬化剤とを含み、上記はんだ粉と上記硬化剤とが上記樹脂層中に存在する接着テープが開示されている。この接着テープは、フィルム状であり、ペースト状ではない。
【０００８】
また、特許文献２では、上記接着テープを用いた接着方法が開示されている。具体的には、第一基板、接着テープ、第二基板、接着テープ、及び第三基板を下からこの順に積層して、積層体を得る。このとき、第一基板の表面に設けられた第一電極と、第二基板の表面に設けられた第二電極とを対向させる。また、第二基板の表面に設けられた第二電極と第三基板の表面に設けられた第三電極とを対向させる。そして、積層体を所定の温度で加熱して接着する。これにより、接続構造体を得る。
【０００９】
また、下記の特許文献３には、複数の電極端子を有する配線基板と対向させて、複数の接続端子を有する半導体チップを配設し、上記配線基板の上記電極端子と、上記半導体チップの上記接続端子とを電気的に接続するフリップチップ実装方法が開示されている。このフリップチップ実装方法は、（１）上記配線基板の上記電極端子を有する表面上に、はんだ粉及び対流添加剤を含有する樹脂を供給する工程と、（２）上記樹脂表面に、上記半導体チップを当接させる工程と、（３）上記配線基板を、上記はんだ粉が溶融する温度に加熱する工程と、（４）上記加熱工程後、上記樹脂を硬化させる工程とを含む。上記配線基板の加熱工程（３）において、上記電極端子と上記接続端子とを電気的に接続する接続体を形成し、また、上記樹脂の硬化工程（４）において、上記半導体チップを上記配線基板に固定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−２６０１３１号公報
【特許文献２】ＷＯ２００８／０２３４５２Ａ１
【特許文献３】特開２００６−１１４８６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
はんだ粉や、はんだ層を表面に有する導電性粒子を含む異方性導電ペーストを用いた従来の接続構造体の製造方法では、導電接続時に、導電ペースト層に荷重が加わると、導電ペーストが流出することがあり、汚染が生じることがある。さらに、従来の接続構造体の製造方法では、はんだ粉又は導電性粒子が電極（ライン）上に十分に配置されず、導通信頼性が低くなることがある。
【００１２】
また、特許文献１に記載の異方性導電材料を用いて、特許文献１に記載の方法で電極間を電気的に接続すると、はんだを含む導電性粒子が電極（ライン）上に効率的に配置されないことがある。また、特許文献１の実施例では、はんだの融点以上の温度で、はんだを十分に移動させるために、一定温度に保持しており、接続構造体の製造効率が低くなる。特許文献１の図８に示された温度プロファイルで実装を行うと、接続構造体の製造効率が低くなる。
【００１３】
また、特許文献２に記載の接着テープは、フィルム状であり、ペースト状ではない。このため、ボイドが発生し易い。さらに、接続部の厚みを変更したり、調整したりするためには、異なる厚みの導電フィルムを用意したり、所定の厚みの導電フィルムを用意したりしなければならないという問題がある。
【００１４】
また、特許文献３では、はんだ粉を含む導電ペースト中に、対流添加剤を添加している。しかしながら、特許文献３に記載のような対流添加剤を添加した場合には、導電ペーストの硬化物に、対流添加剤が異物として残留することがある。また、対流添加剤の添加によって、導電ペーストの性質が変わることもある。さらに、導電ペーストの硬化物にボイドが生じやすい。結果として、電極間の導通信頼性が低くなることがある。また、用いることができる導電ペーストが制約される。
【００１５】
本発明の目的は、汚染が防止されており、更にはんだが、接続されるべき電極間に十分に配置されており、かつ、電極間の導通信頼性に優れる接続構造体を得ることができる接続構造体の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の広い局面によれば、複数のはんだ粒子とバインダーとを含む導電ペーストが用いられ、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材が用いられ、かつ、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材が用いられ、前記第１の接続対象部材の表面上に、前記導電ペーストを配置する工程と、前記導電ペーストの硬化を進行させて、Ｂステージ層を形成するＢステージ化工程と、前記Ｂステージ層の前記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に、前記第２の接続対象部材を、前記第１の電極と前記第２の電極とが対向するように配置する工程と、前記はんだ粒子の融点以上に加熱することで、前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部を、前記Ｂステージ層により形成し、かつ、前記第１の電極と前記第２の電極とを、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続する加熱工程とを備え、前記第１の電極と前記接続部と前記第２の電極との積層方向に前記第１の電極と前記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、前記第１の電極と前記第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の５０％以上に、前記接続部中のはんだ部が配置されている接続構造体を得る、接続構造体の製造方法が提供される。
【００１７】
本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、前記加熱工程において、前記第１の電極と前記第２の電極との間に位置していないはんだ粒子を、前記第１の電極と前記第２の電極との間に向かって移動させる。
【００１８】
本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、前記第１の電極と前記接続部と前記第２の電極との積層方向と直交する方向に得られる接続構造体をみたときに、前記第１の電極と前記第２の電極との対向し合う部分に、前記接続部中の前記はんだ部１００％中の７０％以上が配置されている接続構造体を得る。
【００１９】
本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、前記第２の接続対象部材の配置時に、前記Ｂステージ層に、前記第２の接続対象部材の重量を超える力を加える。
【００２０】
本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、前記バインダーが、熱硬化性成分を含むか、又は光硬化性成分と熱硬化性成分とを含み、前記Ｂステージ化工程において、光の照射又は加熱を行うことで、前記導電ペーストの硬化を進行させ、前記加熱工程において、加熱によって、前記Ｂステージ層を硬化させる。
【００２１】
本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、前記バインダーが、光硬化性成分と熱硬化性成分とを含み、前記Ｂステージ化工程において、光の照射を行うことで、前記導電ペーストの硬化を進行させ、前記加熱工程において、加熱によって、前記Ｂステージ層を硬化させる。
【００２２】
本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、前記第２の接続対象部材の配置時に、前記Ｂステージ層の粘度が８００Ｐａ・ｓ以上、３０００Ｐａ・ｓ以下である。
【００２３】
本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、得られる接続構造体における前記第１の電極との前記第２の電極との間隔の、前記導電ペーストに含まれる前記はんだ粒子の粒子径に対する比が１を超える。
【００２４】
本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、前記第２の接続対象部材が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明に係る接続構造体の製造方法では、複数のはんだ粒子とバインダーとを含む導電ペーストが用いられ、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材が用いられ、かつ、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材が用いられる。本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記第１の接続対象部材の表面上に、上記導電ペーストを配置する工程と、上記導電ペーストの硬化を進行させて、Ｂステージ層を形成するＢステージ化工程と、上記Ｂステージ層の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に、上記第２の接続対象部材を、上記第１の電極と上記第２の電極とが対向するように配置する工程と、上記はんだ粒子の融点以上に加熱することで、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材とを接続している接続部を、上記Ｂステージ層により形成し、かつ、上記第１の電極と上記第２の電極とを、上記接続部中のはんだ部により電気的に接続する加熱工程とを備え、上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向に上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の５０％以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されている接続構造体を得るので、汚染が防止されており、更にはんだが、接続されるべき電極間に十分に配置されており、かつ、電極間の導通信頼性に優れる接続構造体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る接続構造体の製造方法により得られる接続構造体を模式的に示す部分切欠正面断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る接続構造体の製造方法の各工程を説明するための図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態に係る接続構造体の製造方法の各工程を説明するための図である。
【図４】図４は、接続構造体の変形例を示す部分切欠正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００２８】
本発明に係る接続構造体の製造方法では、複数のはんだ粒子と、バインダーとを含む導電ペーストが用いられる。本発明に係る接続構造体の製造方法では、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材が用いられる。本発明に係る接続構造体の製造方法では、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材が用いられる。
【００２９】
本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記はんだ粒子は、はんだを導電部の外表面に有する。上記はんだ粒子は、中心部分及び導電性の外表面のいずれもがはんだにより形成されている。上記はんだ粒子は、上記はんだ粒子の中心部分及び導電性の外表面のいずれもがはんだである粒子である。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記バインダーが、上記はんだ粒子の融点で硬化が完了しないことが好ましい。なお、はんだ粒子の融点で硬化が完了しないとは、はんだ粒子の融点で、バインダーが流動性を有する状態であることを意味する。
【００３０】
本発明に係る接続構造体の製造方法は、（１）上記第１の接続対象部材の表面上に、上記導電ペーストを配置する工程と、（２）上記導電ペーストの硬化を進行させて、Ｂステージ層を形成するＢステージ化工程と、（３）上記Ｂステージ層の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に、上記第２の接続対象部材を、上記第１の電極と上記第２の電極とが対向するように配置する工程と、（４）上記はんだ粒子の融点以上に加熱することで、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材とを接続している接続部を、上記Ｂステージ層により形成し、かつ、上記第１の電極と上記第２の電極とを、上記接続部中のはんだ部により電気的に接続する加熱工程とを備える。本発明では、第２の接続対象部材の配置前に、Ｂステージ層を形成している。
【００３１】
本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向に上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに（例えば、図１の上側から下側にみたとき）、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の５０％以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されている接続構造体を得る。はんだ部の面積は、上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向に上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、はんだ部の輪郭により囲まれた部分の面積として算出される。
【００３２】
本発明では、上記の構成が備えられているので、第２の接続対象部材の配置時に、導電ペーストがＢステージ層に変化しているので、Ｂステージ層が過度に流れ出しにくく、汚染を防止することができる。
【００３３】
さらに、本発明では、上記の構成が備えられているので、得られる接続構造体において、はんだが、上下の対向した電極間、即ち接続されるべき電極間に集まっており、はんだが電極（ライン）上に十分に配置されている。また、電極が形成されていない領域（スペース）に配置されたはんだの量が少ない。従って、電極間の導通信頼性を高めることができる。また、汚染を防止することによっても、電極間の導通信頼性を高めることができる。しかも、接続されてはならない横方向に隣接する電極間の電気的な接続を防ぐことができ、絶縁信頼性を高めることができる。本発明では、上記加熱工程において、上記第１の電極と上記第２の電極との間に位置していないはんだ粒子を、上記第１の電極と上記第２の電極との間に向かって移動させることが好ましい。
【００３４】
本発明では、第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の５０％以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されているが、このように電極間に導電性成分を十分に配置するためには、はんだ粒子を用いることには大きな意味がある。例えば、導電部の外表面部分がはんだではない導電性粒子を用いたり、基材粒子と基材粒子の表面上に配置されたはんだ部とを有する導電性粒子を用いたりした場合には、電極間に配置される導電性成分の量を十分に多くできないことがあり、結果として導通信頼性が低くなる傾向があり、更に接続信頼性が低くなる傾向がある。
【００３５】
また、導電フィルムではなく導電ペーストを用いることにより、ボイドの発生を抑え、複数のはんだ粒子を電極上に効率的に配置し、かつ電極が形成されていない領域に配置されるはんだ粒子の量をかなり少なくすることができる。
【００３６】
導通信頼性をより一層高める観点からは、上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向と直交する方向に得られる接続構造体をみたときに（例えば図１の手前から奥側にみたときに）、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分に、上記接続部中の上記はんだ部１００％（面積）中の７０％以上が配置されている接続構造体を得ることが好ましく、上記接続部中の上記はんだ部１００％（面積）中の９０％以上が配置されている接続構造体を得ることがより好ましい。
【００３７】
導通信頼性及び接続信頼性をより一層高める観点からは、得られる接続構造体における第１の電極との第２の電極との間隔の、導電ペーストに含まれるはんだ粒子の粒子径に対する比は、好ましくは０．５を超え、より好ましくは１以上、更に好ましくは１を超え、好ましくは３以下、より好ましくは２以下である。上記加熱工程において、上記第１の電極と上記第２の電極との間に位置していないはんだ粒子を、上記第１の電極と上記第２の電極との間に向かって移動させることで、第１の電極との第２の電極の間に配置されるはんだの量を多くすることができ、結果として第１の電極と第２の電極との間隔を広くすることができる。
【００３８】
また、本発明では、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いている。導電フィルムではなく、導電ペーストを用いれば、導電ペーストの塗布量によって、接続部及びはんだ部の厚みを調整することが容易になる。一方で、導電フィルムでは、接続部の厚みを変更したり、調整したりするためには、異なる厚みの導電フィルムを用意したり、所定の厚みの導電フィルムを用意したりしなければならないという問題がある。また、導電フィルムでは、はんだの溶融温度で、導電フィルムの溶融粘度を十分に下げることができず、はんだ粒子の凝集が阻害されやすい傾向があるという問題がある。
【００３９】
本発明では、第２の接続対象部材の配置前に、Ｂステージ層を形成するので、上記第２の接続対象部材の配置時に、上記Ｂステージ層に、上記第２の接続対象部材の重量を超える力を加えてもよい。このような力を加えることで、接続部の形成前に、仮接着性を高めることができ、第１の電極と第２の電極との位置ずれを防ぐことができる。このような力を加えても、Ｂステージ層が過度に流れ出しにくく、汚染を十分に防ぐことができる。但し、本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第２の接続対象部材の配置時に、加圧を行わず、上記導電ペーストには、上記第２の接続対象部材の重量が加わってもよい。
【００４０】
また、導電ペーストは、対流添加剤を含まないことが好ましい。導電ペーストに対流添加剤などを添加しないことによって、対流添加剤に起因する導電ペーストの品質の低下を抑えることができ、対流添加剤に起因する電極間の接続抵抗の低下を抑えることができる。また、導電ペーストの基本性能が、対流添加剤により低下することを抑えることができる。
【００４１】
第１の電極と第２の電極との間隔を精度よく確保するために、例えば、導電ペーストは、スペーサーを含んでいてもよく、所望の電極間の間隔に相当するスペーサーを用いてもよい。この場合に、例えば、１つの第１の電極と１つの第２の電極との間に、少なくとも１個、好ましくは３個以上のスペーサーが電極間に配置されるようにすればよい。スペーサーとしては、無機粒子、有機粒子が挙げられる。スペーサーは絶縁性粒子であることが好ましい。
【００４２】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００４３】
先ず、図１に、本発明の一実施形態に係る接続構造体の製造方法により得られる接続構造体を模式的に部分切欠正面断面図で示す。
【００４４】
図１に示す接続構造体１は、第１の接続対象部材２と、第２の接続対象部材３と、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材３とを接続している接続部４とを備える。接続部４は、複数のはんだ粒子と、バインダーとを含む導電ペーストにより形成されている。本実施形態では、上記バインダーは、熱硬化性成分を含む。
【００４５】
接続部４は、複数のはんだ粒子が集まり互いに接合したはんだ部４Ａと、熱硬化性成分が熱硬化された硬化物部４Ｂとを有する。本実施形態では、はんだ部４Ａを形成するために、導電性粒子として、はんだ粒子を用いている。はんだ粒子は、中心部分及び導電部の外表面部分のいずれもが、はんだにより形成されている。
【００４６】
第１の接続対象部材２は表面（上面）に、複数の第１の電極２ａを有する。第２の接続対象部材３は表面（下面）に、複数の第２の電極３ａを有する。第１の電極２ａと第２の電極３ａとが、はんだ部４Ａにより電気的に接続されている。従って、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材３とが、はんだ部４Ａにより電気的に接続されている。なお、接続部４において、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に集まったはんだ部４Ａとは異なる領域（硬化物部４Ｂ部分）では、はんだは存在しない。はんだ部４Ａとは異なる領域（硬化物部４Ｂ部分）では、はんだ部４Ａと離れたはんだは存在しない。なお、少量であれば、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に集まったはんだ部４Ａとは異なる領域（硬化物部４Ｂ部分）に、はんだが存在していてもよい。
【００４７】
図１に示すように、接続構造体１では、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に、複数のはんだ粒子が集まり、複数のはんだ粒子が溶融した後、はんだ粒子の溶融物が電極の表面を濡れ拡がった後に固化して、はんだ部４Ａが形成されている。このため、はんだ部４Ａと第１の電極２ａ、並びにはんだ部４Ａと第２の電極３ａとの接続面積が大きくなる。すなわち、はんだ粒子を用いることにより、導電部の外表面部分がニッケル、金又は銅等の金属である導電性粒子を用いた場合と比較して、はんだ部４Ａと第１の電極２ａ、並びにはんだ部４Ａと第２の電極３ａとの接触面積が大きくなる。このことによっても、接続構造体１における導通信頼性及び接続信頼性が高くなる。なお、導電ペーストにフラックスが含まれる場合に、フラックスは、一般に、加熱により次第に失活する。
【００４８】
なお、図１に示す接続構造体１では、はんだ部４Ａの全てが、第１，第２の電極２ａ，３ａ間の対向している領域に位置している。図４に示す変形例の接続構造体１Ｘは、接続部４Ｘのみが、図１に示す接続構造体１と異なる。接続部４Ｘは、はんだ部４ＸＡと硬化物部４ＸＢとを有する。接続構造体１Ｘのように、はんだ部４ＸＡの多くが、第１，第２の電極２ａ，３ａの対向している領域に位置しており、はんだ部４ＸＡの一部が第１，第２の電極２ａ，３ａの対向している領域から側方にはみ出していてもよい。第１，第２の電極２ａ，３ａの対向している領域から側方にはみ出しているはんだ部４ＸＡは、はんだ部４ＸＡの一部であり、はんだ部４ＸＡから離れたはんだではない。なお、本実施形態では、はんだ部から離れたはんだの量を少なくすることができるが、はんだ部から離れたはんだが硬化物部中に存在していてもよい。
【００４９】
はんだ粒子の使用量を少なくすれば、接続構造体１を得ることが容易になる。はんだ粒子の使用量を多くすれば、接続構造体１Ｘを得ることが容易になる。
【００５０】
はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置するために、上記導電ペーストの２５℃での粘度（η２５）は好ましくは１０Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは２０Ｐａ・ｓ以上、更に好ましくは５０Ｐａ・ｓ以上であり、好ましくは８００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは８００Ｐａ・ｓ未満、より一層好ましくは６００Ｐａ・ｓ以下、更に好ましくは５００Ｐａ・ｓ以下である。上記粘度（η２５）が上記下限以上であると、導電ペーストが塗布直後に過度に流れ出しにくくなる。上記粘度（η２５）が上記上限以下であると、はんだがより一層効率的に凝集する。
【００５１】
上記粘度（η２５）は、配合成分の種類及び配合量により適宜調整可能である。また、フィラーの使用により、粘度を比較的高くすることができる。
【００５２】
上記粘度（η２５）は、例えば、Ｅ型粘度計（東機産業社製「ＴＶＥ２２Ｌ」）等を用いて、２５℃及び５ｒｐｍの条件で測定可能である。
【００５３】
次に、本発明の一実施形態に係る接続構造体の製造方法を説明する。
【００５４】
先ず、第１の電極２ａを表面（上面）に有する第１の接続対象部材２を用意する。次に、図２（ａ）に示すように、第１の接続対象部材２の表面上に、複数のはんだ粒子１１Ａとバインダーとを含む導電ペースト１１を配置する（第１の配置工程）。本実施形態では、導電ペースト１１は、バインダーとして、熱硬化性成分１１Ｂを含む。第１の接続対象部材２の第１の電極２ａが設けられた表面上に、導電ペースト１１を配置する。導電ペースト１１の配置の後に、はんだ粒子１１Ａは、第１の電極２ａ（ライン）上と、第１の電極２ａが形成されていない領域（スペース）上との双方に配置されている。
【００５５】
導電ペースト１１の配置方法としては、特に限定されないが、ディスペンサーによる塗布、スクリーン印刷、及びインクジェット装置による吐出等が挙げられる。
【００５６】
次に、図２（ｂ）に示すように、導電ペースト１１の硬化を進行させて、Ｂステージ層１１Ｘを形成する（Ｂステージ化工程）。本実施形態では、導電ペースト１１は、熱硬化性成分１１Ｂを含むので、加熱によって、Ｂステージ層１１Ｘを形成している。導電ペーストが光硬化性成分を含む場合には、光の照射によって、Ｂステージ層を形成してもよい。
【００５７】
上記バインダーが、熱硬化性成分を含むか、又は光硬化性成分と熱硬化性成分とを含み、上記Ｂステージ化工程において、光の照射又は加熱を行うことで、上記導電ペーストの硬化を進行させてもよく、上記バインダーが、光硬化性成分と熱硬化性成分とを含み、上記Ｂステージ化工程において、光の照射を行うことで、上記導電ペーストの硬化を進行させてもよい。Ｂステージ層の粘度を容易に調整できるので、上記バインダーが、光硬化性成分と熱硬化性成分とを含み、上記Ｂステージ化工程において、光の照射を行うことで、上記導電ペーストの硬化を進行させることが好ましい。
【００５８】
上記Ｂステージ化工程においては、上記第２の接続対象部材の配置時に、上記Ｂステージ層の粘度が適度になるように、光の照射条件及び加熱条件は適宜設定される。
【００５９】
光の照射によってＢステージ層を形成する場合に、上記導電ペーストの硬化を適度に進行させるための光照射量は、好ましくは５００〜５０００ｍＪ／ｃｍ２程度であり、より好ましくは８００ｍＪ／ｃｍ２以上、更に好ましくは１０００ｍＪ／ｃｍ２以上であり、より好ましくは３０００ｍＪ／ｃｍ２以下、更に好ましくは２０００ｍＪ／ｃｍ２以下である。
【００６０】
光の照射によってＢステージ層を形成する場合に、光照射時に用いる光源は特に限定されない。該光源としては、例えば、波長４２０ｎｍ以下に十分な発光分布を有する光源や、波長４２０ｎｍ以下の特定波長に強い発光を有する光源等が挙げられる。波長４２０ｎｍ以下に十分な発光分布を有する光源の具体例としては、例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ケミカルランプ、ブラックライトランプ、マイクロウェーブ励起水銀灯、及びメタルハライドランプ等が挙げられる。また、波長４２０ｎｍ以下の特定波長に強い発光を有する光源の具体例としては、ＬＥＤランプ等が挙げられる。ＬＥＤランプが好ましい。ＬＥＤランプを用いた場合には、被照射物自身の発熱が非常に少なくなり、発熱による導電ペーストの過度の熱劣化を防ぐことができる。
【００６１】
加熱によってＢステージ層を形成する場合に、上記導電ペーストの硬化を適度に進行させるための加熱温度は好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃以上であり、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。
【００６２】
また、第２の電極３ａを表面（下面）に有する第２の接続対象部材３を用意する。次に、図２（ｃ）に示すように、第１の接続対象部材２の表面上のＢステージ層１１Ｘにおいて、Ｂステージ層１１Ｘの第１の接続対象部材２側とは反対側の表面上に、第２の接続対象部材３を配置する（第２の配置工程）。Ｂステージ層１１Ｘの表面上に、第２の電極３ａ側から、第２の接続対象部材３を配置する。このとき、第１の電極２ａと第２の電極３ａとを対向させる。
【００６３】
上記第２の接続対象部材の配置時に、上記Ｂステージ層の粘度は好ましくは８００Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは１０００Ｐａ・ｓ以上であり、好ましくは３０００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは１９００Ｐａ・ｓ以下である。
【００６４】
上記粘度は、例えば、Ｅ型粘度計（東機産業社製「ＴＶＥ２２Ｌ」）等を用いて、上記第２の接続対象部材の配置時のＢステージ層の温度及び５ｒｐｍの条件で測定可能である。
【００６５】
次に、はんだ粒子１１Ａの融点以上に、Ｂステージ層１１Ｘを加熱する（加熱工程）。好ましくは、熱硬化性成分１１Ｂの硬化温度以上に加熱する。加熱によって、Ｂステージ層１１Ｘを硬化させる。はんだ粒子１１Ａの融点以上に加熱すると、はんだ粒子１１Ａは溶融変形する。また、本実施形態では、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に向かって、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に位置していないはんだを移動させる。
【００６６】
上記加熱工程では、好ましくは、バインダーの硬化を完了させる。この結果、図３に示すように、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材３とを接続している接続部４を、導電ペースト１１によって形成し、具体的にはＢステージ層１１Ｘの状態を経て形成する。複数のはんだ粒子１１Ａが接合することによってはんだ部４Ａが形成され、熱硬化性成分１１Ｂが熱硬化することによって硬化物部４Ｂが形成される。はんだ粒子１１Ａが十分に移動すれば、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に位置していないはんだ粒子１１Ａの移動が開始してから、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間にはんだ粒子１１Ａの移動が完了するまでに、温度を一定に保持しなくてもよい。
【００６７】
上記加熱工程における加熱方法としては、はんだ粒子の融点以上及び熱硬化性成分の硬化温度以上に、接続構造体全体を、リフロー炉を用いて又はオーブンを用いて加熱する方法や、接続構造体の接続部のみを局所的に加熱する方法が挙げられる。
【００６８】
局所的に加熱する方法に用いる器具としては、ホットプレート、熱風を付与するヒートガン、はんだゴテ、及び赤外線ヒーター等が挙げられる。
【００６９】
また、ホットプレートにて局所的に加熱する際、接続部直下は、熱伝導性の高い金属にて、その他の加熱することが好ましくない個所は、フッ素樹脂等の熱伝導性の低い材質にて、ホットプレート上面を形成することが好ましい。
【００７０】
はんだの融点温度でのＢステージ層の粘度は、好ましくは５０Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは１０Ｐａ・ｓ以下、更に好ましくは１Ｐａ・ｓ以下であり、好ましくは０．１Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは０．２Ｐａ・ｓ以上である。上記粘度が上記上限以下であれば、はんだ粒子を効率的に凝集させることができ、上記粘度が上記下限以上であれば、接続部でのボイドを抑制し、接続部以外への導電ペーストのはみだしを抑制し、並びに、複数のはんだ部において、はんだ量の均一性をより一層高めることができる。
【００７１】
なお、上記加熱工程の後に、位置の修正や製造のやり直しを目的として、第１の接続対象部材又は第２の接続対象部材を、接続部から剥離することができる。この剥離を行うための加熱温度は、好ましくははんだ粒子の融点以上、より好ましくははんだ粒子の融点（℃）＋１０℃以上である。この剥離を行うための加熱温度は、はんだ粒子の融点（℃）＋１００℃以下であってもよい。
【００７２】
上記第１，第２の接続対象部材は、特に限定されない。上記第１，第２の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、半導体パッケージ、ＬＥＤチップ、ＬＥＤパッケージ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びに樹脂フィルム、プリント基板、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル、リジッドフレキシブル基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。上記第１，第２の接続対象部材は、電子部品であることが好ましい。
【００７３】
上記第１の接続対象部材及び上記第２の接続対象部材の内の少なくとも一方が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板であることが好ましい。上記第２の接続対象部材が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板であることが好ましい。樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル及びリジッドフレキシブル基板は、柔軟性が高く、比較的軽量であるという性質を有する。このような接続対象部材の接続に導電フィルムを用いた場合には、はんだ粒子が電極上に集まりにくい傾向がある。これに対して、導電ペーストを用いることで、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板を用いたとしても、はんだ粒子を電極上に効率的に集めることで、電極間の導通信頼性を充分に高めることができる。樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板を用いる場合に、半導体チップなどの他の接続対象部材を用いた場合と比べて、加圧を行わないことによる電極間の導通信頼性の向上効果がより一層効果的に得られる。
【００７４】
上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極、ＳＵＳ電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極、銀電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、３価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び３価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記３価の金属元素としては、Ｓｎ、Ａｌ及びＧａ等が挙げられる。
【００７５】
上記導電ペースト及び上記バインダーは、熱可塑性成分又は熱硬化性成分を含むことが好ましい。上記導電ペースト及び上記バインダーは、熱可塑性成分を含んでいてもよく、熱硬化性成分を含んでいてもよい。上記導電ペースト及び上記バインダーは、熱硬化性成分を含むことが好ましい。上記導電ペースト及び上記バインダーは、熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含むことが好ましい。
【００７６】
以下、本発明の他の詳細を説明する。
【００７７】
（はんだ粒子）
上記はんだ粒子は、中心部分及び外表面のいずれもはんだにより形成されている。上記はんだ粒子は、中心部分及び導電性の外表面のいずれもがはんだである粒子である。
【００７８】
接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制する観点からは、上記はんだ粒子の外表面（はんだの外表面）に、カルボキシル基又はアミノ基が存在することが好ましく、カルボキシル基が存在することが好ましく、アミノ基が存在することが好ましい。上記はんだ粒子の外表面（はんだの外表面）に、Ｓｉ−Ｏ結合、エーテル結合、エステル結合又は下記式（Ｘ）で表される基を介して、カルボキシル基又はアミノ基を含む基が共有結合していることが好ましい。カルボキシル基又はアミノ基を含む基は、カルボキシル基とアミノ基との双方を含んでいてもよい。なお、下記式（Ｘ）において、右端部及び左端部は結合部位を表す。
【００７９】
【化１】
0006769740.tif 000002
【００８０】
はんだの表面に水酸基が存在する。この水酸基とカルボキシル基を含む基とを共有結合させることにより、他の配位結合（キレート配位）等にて結合させる場合よりも強い結合を形成できるため、電極間の接続抵抗を低くし、かつボイドの発生を抑えることが可能なはんだ粒子が得られる。
【００８１】
上記はんだ粒子では、はんだの表面と、カルボキシル基を含む基との結合形態に、配位結合が含まれていなくてもよく、キレート配位による結合が含まれていなくてもよい。
【００８２】
接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制する観点からは、上記はんだ粒子は、水酸基と反応可能な官能基とカルボキシル基又はアミノ基とを有する化合物（以下、化合物Ｘと記載することがある）を用いて、はんだの表面の水酸基に、上記水酸基と反応可能な官能基を反応させることにより得られることが好ましい。上記反応では、共有結合を形成させる。はんだの表面の水酸基と上記化合物Ｘにおける上記水酸基と反応可能な官能基とを反応させることで、はんだの表面にカルボキシル基又はアミノ基を含む基が共有結合しているはんだ粒子を容易に得ることができ、はんだの表面にエーテル結合又はエステル結合を介してカルボキシル基又はアミノ基を含む基が共有結合しているはんだ粒子を得ることもできる。上記はんだの表面の水酸基に上記水酸基と反応可能な官能基を反応させることで、はんだの表面に、上記化合物Ｘを共有結合の形態で化学結合させることができる。
【００８３】
上記水酸基と反応可能な官能基としては、水酸基、カルボキシル基、エステル基及びカルボニル基等が挙げられる。水酸基又はカルボキシル基が好ましい。上記水酸基と反応可能な官能基は、水酸基であってもよく、カルボキシル基であってもよい。
【００８４】
水酸基と反応可能な官能基を有する化合物としては、レブリン酸、グルタル酸、グリコール酸、コハク酸、リンゴ酸、シュウ酸、マロン酸、アジピン酸、５−ケトヘキサン酸、３−ヒドロキシプロピオン酸、４−アミノ酪酸、３−メルカプトプロピオン酸、３−メルカプトイソブチル酸、３−メチルチオプロピオン酸、３−フェニルプロピオン酸、３−フェニルイソブチル酸、４−フェニル酪酸、デカン酸、ドデカン酸、テトラデカン酸、ペンタデカン酸、ヘキサデカン酸、９−ヘキサデセン酸、ヘプタデカン酸、ステアリン酸、オレイン酸、バクセン酸、リノール酸、（９，１２，１５）−リノレン酸、ノナデカン酸、アラキジン酸、デカン二酸及びドデカン二酸等が挙げられる。グルタル酸又はグリコール酸が好ましい。上記水酸基と反応可能な官能基を有する化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。上記水酸基と反応可能な官能基を有する化合物は、カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物であることが好ましい。
【００８５】
上記化合物Ｘは、フラックス作用を有することが好ましく、上記化合物Ｘははんだの表面に結合した状態でフラックス作用を有することが好ましい。フラックス作用を有する化合物は、はんだの表面の酸化膜及び電極の表面の酸化膜を除去可能である。カルボキシル基はフラックス作用を有する。
【００８６】
フラックス作用を有する化合物としては、レブリン酸、グルタル酸、グリコール酸、コハク酸、５−ケトヘキサン酸、３−ヒドロキシプロピオン酸、４−アミノ酪酸、３−メルカプトプロピオン酸、３−メルカプトイソブチル酸、３−メチルチオプロピオン酸、３−フェニルプロピオン酸、３−フェニルイソブチル酸及び４−フェニル酪酸等が挙げられる。グルタル酸又はグリコール酸が好ましい。上記フラックス作用を有する化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００８７】
接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制する観点からは、上記化合物Ｘにおける上記水酸基と反応可能な官能基が、水酸基又はカルボキシル基であることが好ましい。上記化合物Ｘにおける上記水酸基と反応可能な官能基は、水酸基であってもよく、カルボキシル基であってもよい。上記水酸基と反応可能な官能基がカルボキシル基である場合には、上記化合物Ｘは、カルボキシル基を少なくとも２個有することが好ましい。カルボキシル基を少なくとも２個有する化合物の一部のカルボキシル基を、はんだの表面の水酸基に反応させることで、はんだの表面にカルボキシル基を含む基が共有結合しているはんだ粒子が得られる。
【００８８】
上記はんだ粒子の製造方法は、例えば、はんだ粒子を用いて、該はんだ粒子、水酸基と反応可能な官能基とカルボキシル基とを有する化合物、触媒及び溶媒を混合する工程を備える。上記はんだ粒子の製造方法では、上記混合工程により、はんだの表面に、カルボキシル基を含む基が共有結合しているはんだ粒子を容易に得ることができる。
【００８９】
また、上記はんだ粒子の製造方法では、はんだ粒子を用いて、該はんだ粒子、上記水酸基と反応可能な官能基とカルボキシル基とを有する化合物、上記触媒及び上記溶媒を混合し、加熱することが好ましい。混合及び加熱工程により、はんだの表面に、カルボキシル基を含む基が共有結合しているはんだ粒子をより一層容易に得ることができる。
【００９０】
上記溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール溶媒や、アセトン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、トルエン及びキシレン等が挙げられる。上記溶媒は有機溶媒であることが好ましく、トルエンであることがより好ましい。上記溶媒は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００９１】
上記触媒としては、ｐ−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸及び１０−カンファースルホン酸等が挙げられる。上記触媒は、ｐ−トルエンスルホン酸であることが好ましい。上記触媒は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００９２】
上記混合時に加熱することが好ましい。加熱温度は好ましくは９０℃以上、より好ましくは１００℃以上であり、好ましくは１３０℃以下、より好ましくは１１０℃以下である。
【００９３】
接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制する観点からは、上記はんだ粒子は、イソシアネート化合物を用いて、はんだの表面の水酸基に、上記イソシアネート化合物を反応させる工程を経て得られることが好ましい。上記反応では、共有結合を形成させる。はんだの表面の水酸基と上記イソシアネート化合物とを反応させることで、はんだの表面に、イソシアネート基に由来する基の窒素原子が共有結合しているはんだ粒子を容易に得ることができる。上記はんだの表面の水酸基に上記イソシアネート化合物を反応させることで、はんだの表面に、イソシアネート基に由来する基を共有結合の形態で化学結合させることができる。
【００９４】
また、イソシアネート基に由来する基には、シランカップリング剤を容易に反応させることができる。上記はんだ粒子を容易に得ることができるので、上記カルボキシル基を含む基が、カルボキシル基を有するシランカップリング剤を用いた反応により導入されているか、又は、シランカップリング剤を用いた反応の後に、シランカップリング剤に由来する基にカルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物を反応させることで導入されていることが好ましい。上記はんだ粒子は、上記イソシアネート化合物を用いて、はんだの表面の水酸基に、上記イソシアネート化合物を反応させた後、カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物を反応させることにより得られることが好ましい。
【００９５】
接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制する観点からは、上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物が、カルボキシル基を複数有することが好ましい。
【００９６】
上記イソシアネート化合物としては、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート（ＭＤＩ）、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）、トルエンジイソシアネート（ＴＤＩ）及びイソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）等が挙げられる。これら以外のイソシアネート化合物を用いてもよい。この化合物をはんだの表面に反応させた後、残イソシアネート基と、その残イソシアネート基と反応性を有し、かつカルボキシル基を有する化合物を反応させることで、はんだの表面に式（Ｘ）で表される基を介して、カルボキシル基を導入することができる。
【００９７】
上記イソシアネート化合物としては、不飽和二重結合を有し、かつイソシアネート基を有する化合物を用いてもよい。例えば、２−アクリロイルオキシエチルイソシアネート及び２−イソシアナトエチルメタクリレートが挙げられる。この化合物のイソシアネート基をはんだの表面に反応させた後、残存している不飽和二重結合に対し反応性を有する官能基を有し、かつカルボキシル基を有する化合物を反応させることで、はんだの表面に式（Ｘ）で表される基を介して、カルボキシル基を導入することができる。
【００９８】
上記シランカップリング剤としては、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン（信越シリコーン社製「ＫＢＥ−９００７」）、及び３−イソシアネートプロピルトリメトキシシラン（ＭＯＭＥＮＴＩＶＥ社製「Ｙ−５１８７」）等が挙げられる。上記シランカップリング剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００９９】
上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物としては、レブリン酸、グルタル酸、グリコール酸、コハク酸、リンゴ酸、シュウ酸、マロン酸、アジピン酸、５−ケトヘキサン酸、３−ヒドロキシプロピオン酸、４−アミノ酪酸、３−メルカプトプロピオン酸、３−メルカプトイソブチル酸、３−メチルチオプロピオン酸、３−フェニルプロピオン酸、３−フェニルイソブチル酸、４−フェニル酪酸、デカン酸、ドデカン酸、テトラデカン酸、ペンタデカン酸、ヘキサデカン酸、９−ヘキサデセン酸、ヘプタデカン酸、ステアリン酸、オレイン酸、バクセン酸、リノール酸、（９，１２，１５）−リノレン酸、ノナデカン酸、アラキジン酸、デカン二酸及びドデカン二酸等が挙げられる。グルタル酸、アジピン酸又はグリコール酸が好ましい。上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１００】
上記イソシアネート化合物を用いて、はんだの表面の水酸基に、上記イソシアネート化合物を反応させた後、カルボキシル基を複数有する化合物の一部のカルボキシル基を、はんだの表面の水酸基と反応させることで、カルボキシル基を含む基を残存させることができる。
【０１０１】
上記はんだ粒子の製造方法では、はんだ粒子を用いて、かつ、イソシアネート化合物を用いて、はんだの表面の水酸基に、上記イソシアネート化合物を反応させた後、カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物を反応させて、はんだの表面に、上記式（Ｘ）で表される基を介して、カルボキシル基を含む基が結合しているはんだ粒子を得る。上記はんだ粒子の製造方法では、上記の工程により、はんだの表面に、カルボキシル基を含む基が導入されたはんだ粒子を容易に得ることができる。
【０１０２】
上記はんだ粒子の具体的な製造方法としては、以下の方法が挙げられる。有機溶媒にはんだ粒子を分散させ、イソシアネート基を有するシランカップリング剤を添加する。その後、はんだ粒子のはんだの表面の水酸基とイソシアネート基との反応触媒を用い、はんだの表面にシランカップリング剤を共有結合させる。次に、シランカップリング剤のケイ素原子に結合しているアルコキシ基を加水分解することで、水酸基を生成させる。生成した水酸基に、カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物のカルボキシル基を反応させる。
【０１０３】
また、上記はんだ粒子の具体的な製造方法としては、以下の方法が挙げられる。有機溶媒にはんだ粒子を分散させ、イソシアネート基と不飽和二重結合を有する化合物を添加する。その後、はんだ粒子のはんだ表面の水酸基とイソシアネート基との反応触媒を用い、共有結合を形成させる。その後、導入された不飽和二重結合に対して、不飽和二重結合、及びカルボキシル基を有する化合物を反応させる。
【０１０４】
はんだ粒子のはんだ表面の水酸基とイソシアネート基との反応触媒としては、錫系触媒（ジブチル錫ジラウレート等）、アミン系触媒（トリエチレンジアミン等）、カルボキシレート触媒（ナフテン酸鉛、酢酸カリウム等）、及びトリアルキルホスフィン触媒（トリエチルホスフィン等）等が挙げられる。
【０１０５】
接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制する観点からは、上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物は、下記式（１）で表される化合物であることが好ましい。下記式（１）で表される化合物は、フラックス作用を有する。また、下記式（１）で表される化合物は、はんだの表面に導入された状態でフラックス作用を有する。
【０１０６】
【化２】
0006769740.tif 000003
【０１０７】
上記式（１）中、Ｘは、水酸基と反応可能な官能基を表し、Ｒは、炭素数１〜５の２価の有機基を表す。該有機基は、炭素原子と水素原子と酸素原子とを含んでいてもよい。該有機基は炭素数１〜５の２価の炭化水素基であってもよい。上記有機基の主鎖は２価の炭化水素基であることが好ましい。該有機基では、２価の炭化水素基にカルボキシル基や水酸基が結合していてもよい。上記式（１）で表される化合物には、例えばクエン酸が含まれる。
【０１０８】
上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物は、下記式（１Ａ）又は下記式（１Ｂ）で表される化合物であることが好ましい。上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物は、下記式（１Ａ）で表される化合物であることが好ましく、下記式（１Ｂ）で表される化合物であることがより好ましい。
【０１０９】
【化３】
0006769740.tif 000004
【０１１０】
上記式（１Ａ）中、Ｒは、炭素数１〜５の２価の有機基を表す。上記式（１Ａ）中のＲは上記式（１）中のＲと同様である。
【０１１１】
【化４】
0006769740.tif 000005
【０１１２】
上記式（１Ｂ）中、Ｒは、炭素数１〜５の２価の有機基を表す。上記式（１Ｂ）中のＲは上記式（１）中のＲと同様である。
【０１１３】
はんだの表面に、下記式（２Ａ）又は下記式（２Ｂ）で表される基が結合していることが好ましい。はんだの表面に、下記式（２Ａ）で表される基が結合していることが好ましく、下記式（２Ｂ）で表される基が結合していることがより好ましい。なお、下記式（２Ａ）及び下記式（２Ｂ）において、左端部は結合部位を表す。
【０１１４】
【化５】
0006769740.tif 000006
【０１１５】
上記式（２Ａ）中、Ｒは、炭素数１〜５の２価の有機基を表す。上記式（２Ａ）中のＲは上記式（１）中のＲと同様である。
【０１１６】
【化６】
0006769740.tif 000007
【０１１７】
上記式（２Ｂ）中、Ｒは、炭素数１〜５の２価の有機基を表す。上記式（２Ｂ）中のＲは上記式（１）中のＲと同様である。
【０１１８】
はんだの表面の濡れ性を高める観点からは、上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物の分子量は、好ましくは１００００以下、より好ましくは１０００以下、更に好ましくは５００以下である。
【０１１９】
上記分子量は、上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物が重合体ではない場合、及び上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物の構造式が特定できる場合は、当該構造式から算出できる分子量を意味する。また、上記カルボキシル基を少なくとも１つ有する化合物が重合体である場合は、重量平均分子量を意味する。
【０１２０】
電極間の導通信頼性を効果的に高める観点からは、上記はんだ粒子は、はんだ粒子本体と、上記はんだ粒子本体の表面上に配置されたアニオンポリマーとを有することが好ましい。上記はんだ粒子は、はんだ粒子本体をアニオンポリマー又はアニオンポリマーとなる化合物で表面処理することにより得られることが好ましい。上記はんだ粒子は、アニオンポリマー又はアニオンポリマーとなる化合物による表面処理物であることが好ましい。上記アニオンポリマー及び上記アニオンポリマーとなる化合物はそれぞれ、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。上記アニオンポリマーは、酸性基を有するポリマーである。
【０１２１】
はんだ粒子本体をアニオンポリマーで表面処理する方法としては、アニオンポリマーとして、例えば（メタ）アクリル酸を共重合した（メタ）アクリルポリマー、ジカルボン酸とジオールとから合成されかつ両末端にカルボキシル基を有するポリエステルポリマー、ジカルボン酸の分子間脱水縮合反応により得られかつ両末端にカルボキシル基を有するポリマー、ジカルボン酸とジアミンから合成されかつ両末端にカルボキシル基を有するポリエステルポリマー、並びにカルボキシル基を有する変性ポバール（日本合成化学社製「ゴーセネックスＴ」）等を用いて、アニオンポリマーのカルボキシル基と、はんだ粒子本体の表面の水酸基とを反応させる方法が挙げられる。
【０１２２】
上記アニオンポリマーのアニオン部分としては、上記カルボキシル基が挙げられ、それ以外には、トシル基（ｐ−Ｈ３ＣＣ６Ｈ４Ｓ（＝Ｏ）２−）、スルホン酸イオン基（−ＳＯ３−）、及びリン酸イオン基（−ＰＯ４−）等が挙げられる。
【０１２３】
また、表面処理の他の方法としては、はんだ粒子本体の表面の水酸基と反応する官能基を有し、さらに、付加、縮合反応により重合可能な官能基を有する化合物を用いて、この化合物をはんだ粒子本体の表面上にてポリマー化する方法が挙げられる。はんだ粒子本体の表面の水酸基と反応する官能基としては、カルボキシル基、及びイソシアネート基等が挙げられ、付加、縮合反応により重合する官能基としては、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、及び（メタ）アクリロイル基が挙げられる。
【０１２４】
上記アニオンポリマーの重量平均分子量は好ましくは２０００以上、より好ましくは３０００以上であり、好ましくは１００００以下、より好ましくは８０００以下である。上記重量平均分子量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子の表面に十分な量の電荷、及びフラックス性を導入することができる。これにより、はんだ粒子の表面のゼータ電位を好適な範囲に制御することが容易であり、かつ、接続対象部材の接続時に、電極の表面の酸化膜を効果的に除去することができる。
【０１２５】
上記重量平均分子量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子本体の表面上にアニオンポリマーを配置することが容易であり、はんだ粒子の表面のゼータ電位をプラスにすることが容易であり、電極上にはんだ粒子をより一層効率的に配置することができる。
【０１２６】
上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定されたポリスチレン換算での重量平均分子量を示す。
【０１２７】
はんだ粒子本体をアニオンポリマーとなる化合物で表面処理することにより得られたポリマーの重量平均分子量は、はんだ粒子中のはんだを溶解し、ポリマーの分解を起こさない希塩酸等により、はんだ粒子を除去した後、残存しているポリマーの重量平均分子量を測定することで求めることができる。
【０１２８】
アニオンポリマーのはんだ粒子の表面における導入量に関しては、はんだ粒子１ｇあたりの酸価が、好ましくは１ｍｇＫＯＨ以上、より好ましくは２ｍｇＫＯＨ以上であり、好ましくは１０ｍｇＫＯＨ以下、より好ましくは６ｍｇＫＯＨ以下である。
【０１２９】
上記酸価は以下のようにして測定可能である。はんだ粒子１ｇを、アセトン３６ｇに添加し、超音波にて１分間分散させる。その後、指示薬として、フェノールフタレインを用い、０．１ｍｏｌ／Ｌの水酸化カリウムエタノール溶液にて滴定する。
【０１３０】
上記はんだは、融点が４５０℃以下である金属（低融点金属）であることが好ましい。上記はんだ粒子は、融点が４５０℃以下である金属粒子（低融点金属粒子）であることが好ましい。上記低融点金属粒子は、低融点金属を含む粒子である。該低融点金属とは、融点が４５０℃以下の金属を示す。低融点金属の融点は好ましくは３００℃以下、より好ましくは１６０℃以下である。また、上記はんだ粒子は錫を含む。上記はんだ粒子に含まれる金属１００重量％中、錫の含有量は好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上、更に好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上である。上記はんだ粒子における錫の含有量が上記下限以上であると、はんだ部と電極との接続信頼性がより一層高くなる。
【０１３１】
なお、上記錫の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置（堀場製作所社製「ＩＣＰ−ＡＥＳ」）、又は蛍光Ｘ線分析装置（島津製作所社製「ＥＤＸ−８００ＨＳ」）等を用いて測定可能である。
【０１３２】
上記はんだ粒子を用いることで、はんだが溶融して電極に接合し、はんだ部が電極間を導通させる。例えば、はんだ部と電極とが点接触ではなく面接触しやすいため、接続抵抗が低くなる。また、はんだ粒子の使用により、はんだ部と電極との接合強度が高くなる結果、はんだ部と電極との剥離がより一層生じ難くなり、導通信頼性及び接続信頼性が効果的に高くなる。
【０１３３】
上記はんだ粒子を構成する低融点金属は特に限定されない。該低融点金属は、錫、又は錫を含む合金であることが好ましい。該合金は、錫−銀合金、錫−銅合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−亜鉛合金、錫−インジウム合金等が挙げられる。電極に対する濡れ性に優れることから、上記低融点金属は、錫、錫−銀合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることが好ましい。錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることがより好ましい。
【０１３４】
上記はんだ粒子は、ＪＩＳ  Ｚ３００１：溶接用語に基づき、液相線が４５０℃以下である溶加材であることが好ましい。上記はんだ粒子の組成としては、例えば亜鉛、金、銀、鉛、銅、錫、ビスマス、インジウムなどを含む金属組成が挙げられる。低融点で鉛フリーである錫−インジウム系（１１７℃共晶）、又は錫−ビスマス系（１３９℃共晶）が好ましい。すなわち、上記はんだ粒子は、鉛を含まないことが好ましく、錫とインジウムとを含むか、又は錫とビスマスとを含むことが好ましい。
【０１３５】
上記はんだ部と電極との接合強度をより一層高めるために、上記はんだ粒子は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、鉄、金、チタン、リン、ゲルマニウム、テルル、コバルト、ビスマス、マンガン、クロム、モリブデン、パラジウム等の金属を含んでいてもよい。また、はんだ部と電極との接合強度をさらに一層高める観点からは、上記はんだ粒子は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム又は亜鉛を含むことが好ましい。はんだ部と電極との接合強度をより一層高める観点からは、接合強度を高めるためのこれらの金属の含有量は、はんだ粒子１００重量％中、好ましくは０．０００１重量％以上、好ましくは１重量％以下である。
【０１３６】
上記はんだ粒子の平均粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、更に好ましくは３μｍ以上、特に好ましくは５μｍ以上であり、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは４０μｍ以下、より一層好ましくは３０μｍ以下、更に好ましくは２０μｍ以下、特に好ましくは１５μｍ以下、最も好ましくは１０μｍ以下である。上記はんだ粒子の平均粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置することができる。上記はんだ粒子の平均粒子径は、３μｍ以上、３０μｍ以下であることが特に好ましい。
【０１３７】
上記はんだ粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。はんだ粒子の平均粒子径は、例えば、任意のはんだ粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することや、レーザー回折式粒度分布測定を行うことにより求められる。
【０１３８】
上記はんだ粒子の粒子径の変動係数は、好ましくは５％以上、より好ましくは１０％以上であり、好ましくは４０％以下、より好ましくは３０％以下である。上記粒子径の変動係数が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだ粒子をより一層効率的に配置することができる。但し、上記はんだ粒子の粒子径の変動係数は、５％未満であってもよい。
【０１３９】
上記変動係数（ＣＶ値）は下記式で表される。
【０１４０】
ＣＶ値（％）＝（ρ／Ｄｎ）×１００
ρ：はんだ粒子の粒子径の標準偏差
Ｄｎ：はんだ粒子の粒子径の平均値
【０１４１】
上記はんだ粒子の形状は特に限定されない。上記はんだ粒子の形状は、球状であってもよく、扁平状などの球形状以外の形状であってもよい。
【０１４２】
上記導電ペースト１００重量％中、上記はんだ粒子の含有量は好ましくは１重量％以上、より好ましくは２重量％以上、更に好ましくは１０重量％以上、特に好ましくは２０重量％以上、最も好ましくは３０重量％以上であり、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下、更に好ましくは５０重量％以下である。上記はんだ粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだ粒子をより一層効率的に配置することができ、電極間にはんだ粒子を多く配置することが容易であり、導通信頼性がより一層高くなる。導通信頼性をより一層高める観点からは、上記はんだ粒子の含有量は多い方が好ましい。
【０１４３】
（熱可塑性成分）
上記熱可塑性成分は、熱可塑性化合物であることが好ましい。上記熱可塑性化合物としては、フェノキシ樹脂、ウレタン樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１４４】
上記導電ペースト１００重量％中、上記熱可塑性化合物の含有量は、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上、更に好ましくは５０重量％以上であり、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９８重量％以下、更に好ましくは９０重量％以下、特に好ましくは８０重量％以下である。耐衝撃性をより一層高める観点からは、上記熱可塑性化合物の含有量は多い方が好ましい。
【０１４５】
（熱硬化性化合物：熱硬化性成分）
上記熱硬化性化合物は、加熱により硬化可能な化合物である。上記熱硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、（メタ）アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。なかでも、導電ペーストの硬化性及び粘度をより一層良好にし、接続信頼性をより一層高める観点から、エポキシ化合物又はエピスルフィド化合物が好ましい。上記熱硬化性化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１４６】
上記エポキシ化合物としては、芳香族エポキシ化合物が挙げられる。レゾルシノール型エポキシ化合物、ナフタレン型エポキシ化合物、ビフェニル型エポキシ化合物、ベンゾフェノン型エポキシ化合物等の結晶性エポキシ化合物が好ましい。常温（２３℃）で固体であり、かつ溶融温度がはんだの融点以下であるエポキシ化合物が好ましい。溶融温度は好ましくは１００℃以下、より好ましくは８０℃以下であり、好ましくは４０℃以上である。上記の好ましいエポキシ化合物を用いることで、接続対象部材を貼り合わせた段階では、粘度が高く、搬送等の衝撃により加速度が付与された際に、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材との位置ずれを抑制することができ、なおかつ、硬化時の熱により、粘度を大きく低下させることができ、はんだ粒子の凝集を効率よく進行させることができる。
【０１４７】
上記導電ペースト１００重量％中、上記熱硬化性化合物の含有量は、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上、更に好ましくは５０重量％以上であり、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９８重量％以下、更に好ましくは９０重量％以下、特に好ましくは８０重量％以下である。耐衝撃性をより一層高める観点からは、上記熱硬化性化合物の含有量は多い方が好ましい。
【０１４８】
（熱硬化剤：熱硬化性成分）
上記熱硬化剤は、上記熱硬化性化合物を熱硬化させる。上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、ポリチオール硬化剤等のチオール硬化剤、酸無水物硬化剤、熱カチオン開始剤（熱カチオン硬化剤）及び熱ラジカル発生剤等が挙げられる。上記熱硬化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１４９】
なかでも、導電ペーストを低温でより一層速やかに硬化可能であるので、イミダゾール硬化剤、チオール硬化剤又はアミン硬化剤が好ましい。また、加熱により硬化可能な硬化性化合物と上記熱硬化剤とを混合したときに保存安定性が高くなるので、潜在性の硬化剤が好ましい。潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性チオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。なお、上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。
【０１５０】
上記イミダゾール硬化剤としては、特に限定されず、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン及び２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。
【０１５１】
上記チオール硬化剤としては、特に限定されず、トリメチロールプロパントリス−３−メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス−３−メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトールヘキサ−３−メルカプトプロピオネート等が挙げられる。
【０１５２】
上記アミン硬化剤としては、特に限定されず、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，４，８，１０−テトラスピロ［５．５］ウンデカン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。
【０１５３】
上記熱カチオン開始剤（熱カチオン硬化剤）としては、ヨードニウム系カチオン硬化剤、オキソニウム系カチオン硬化剤及びスルホニウム系カチオン硬化剤等が挙げられる。上記ヨードニウム系カチオン硬化剤としては、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。上記オキソニウム系カチオン硬化剤としては、トリメチルオキソニウムテトラフルオロボラート等が挙げられる。上記スルホニウム系カチオン硬化剤としては、トリ−ｐ−トリルスルホニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。
【０１５４】
上記熱ラジカル発生剤としては、特に限定されず、アゾ化合物及び有機過酸化物等が挙げられる。上記アゾ化合物としては、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）等が挙げられる。上記有機過酸化物としては、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシド及びメチルエチルケトンペルオキシド等が挙げられる。
【０１５５】
上記熱硬化剤の反応開始温度は、好ましくは５０℃以上、より好ましくは７０℃以上、更に好ましくは８０℃以上であり、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは２００℃以下、更に好ましくは１５０℃以下、特に好ましくは１４０℃以下である。上記熱硬化剤の反応開始温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子が電極上により一層効率的に配置される。上記熱硬化剤の反応開始温度は８０℃以上、１４０℃以下であることが特に好ましい。
【０１５６】
はんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記熱硬化剤の反応開始温度は、上記はんだ粒子におけるはんだの融点よりも、高いことが好ましく、５℃以上高いことがより好ましく、１０℃以上高いことが更に好ましい。
【０１５７】
上記熱硬化剤の反応開始温度は、ＤＳＣでの発熱ピークの立ち上がり開始の温度を意味する。
【０１５８】
上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記熱硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは１重量部以上であり、好ましくは２００重量部以下、より好ましくは１００重量部以下、更に好ましくは７５重量部以下である。熱硬化剤の含有量が上記下限以上であると、導電ペーストを充分に硬化させることが容易である。熱硬化剤の含有量が上記上限以下であると、硬化後に硬化に関与しなかった余剰の熱硬化剤が残存し難くなり、かつ硬化物の耐熱性がより一層高くなる。
【０１５９】
（フラックス）
上記導電ペーストは、フラックスを含むことが好ましい。フラックスの使用により、はんだを電極上により一層効果的に配置することができる。該フラックスは特に限定されない。フラックスとして、はんだ接合等に一般的に用いられているフラックスを使用できる。
【０１６０】
上記フラックスとしては、例えば、塩化亜鉛、塩化亜鉛と無機ハロゲン化物との混合物、塩化亜鉛と無機酸との混合物、溶融塩、リン酸、リン酸の誘導体、有機ハロゲン化物、ヒドラジン、有機酸及び松脂等が挙げられる。上記フラックスは１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１６１】
上記溶融塩としては、塩化アンモニウム等が挙げられる。上記有機酸としては、乳酸、クエン酸、ステアリン酸、グルタミン酸及びグルタル酸等が挙げられる。上記松脂としては、活性化松脂及び非活性化松脂等が挙げられる。上記フラックスは、カルボキシル基を２個以上有する有機酸、松脂であることが好ましい。上記フラックスは、カルボキシル基を２個以上有する有機酸であってもよく、松脂であってもよい。カルボキシル基を２個以上有する有機酸、松脂の使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
【０１６２】
上記松脂はアビエチン酸を主成分とするロジン類である。フラックスは、ロジン類であることが好ましく、アビエチン酸であることがより好ましい。この好ましいフラックスの使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
【０１６３】
上記フラックスの活性温度（融点）は、好ましくは５０℃以上、より好ましくは７０℃以上、更に好ましくは８０℃以上であり、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１９０℃以下、より一層好ましくは１６０℃以下、更に好ましくは１５０℃以下、更に一層好ましくは１４０℃以下である。上記フラックスの活性温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、フラックス効果がより一層効果的に発揮され、はんだ粒子が電極上により一層効率的に配置される。上記フラックスの活性温度（融点）は８０℃以上、１９０℃以下であることが好ましい。上記フラックスの活性温度（融点）は８０℃以上、１４０℃以下であることが特に好ましい。
【０１６４】
フラックスの活性温度（融点）が８０℃以上、１９０℃以下である上記フラックスとしては、コハク酸（融点１８６℃）、グルタル酸（融点９６℃）、アジピン酸（融点１５２℃）、ピメリン酸（融点１０４℃）、スベリン酸（融点１４２℃）等のジカルボン酸、安息香酸（融点１２２℃）、リンゴ酸（融点１３０℃）等が挙げられる。
【０１６５】
また、上記フラックスの沸点は２００℃以下であることが好ましい。
【０１６６】
はんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記フラックスの融点は、上記はんだ粒子におけるはんだの融点よりも、高いことが好ましく、５℃以上高いことがより好ましく、１０℃以上高いことが更に好ましい。
【０１６７】
はんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記フラックスの融点は、上記熱硬化剤の反応開始温度よりも、高いことが好ましく、５℃以上高いことがより好ましく、１０℃以上高いことが更に好ましい。
【０１６８】
上記フラックスは、導電ペースト中に分散されていてもよく、はんだ粒子の表面上に付着していてもよい。
【０１６９】
フラックスの融点が、はんだの融点より高いことにより、電極部分にはんだ粒子を効率的に凝集させることができる。これは、接合時に熱を付与した場合、接続対象部材上に形成された電極と、電極周辺の接続対象部材の部分とを比較すると、電極部分の熱伝導率が電極周辺の接続対象部材部分の熱伝導率よりも高いことにより、電極部分の昇温が速いことに起因する。はんだ粒子の融点を超えた段階では、はんだ粒子の内部は溶解するが、表面に形成された酸化被膜は、フラックスの融点（活性温度）に達していないので、除去されない。この状態で、電極部分の温度が先に、フラックスの融点（活性温度）に達するため、優先的に電極上に来たはんだ粒子の表面の酸化被膜が除去され、はんだ粒子が電極の表面上に濡れ拡がることができる。これにより、電極上に効率的にはんだ粒子を凝集させることができる。
【０１７０】
上記フラックスは、加熱によりカチオンを放出するフラックスであることが好ましい。加熱によりカチオンを放出するフラックスの使用により、はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置することができる。
【０１７１】
上記加熱によりカチオンを放出するフラックスとしては、上記熱カチオン開始剤（熱カチオン硬化剤）が挙げられる。
【０１７２】
上記導電ペースト１００重量％中、上記フラックスの含有量は好ましくは０．５重量％以上であり、好ましくは３０重量％以下、より好ましくは２５重量％以下である。上記導電ペーストは、フラックスを含んでいなくてもよい。フラックスの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ及び電極の表面に酸化被膜がより一層形成され難くなり、さらに、はんだ及び電極の表面に形成された酸化被膜をより一層効果的に除去できる。
【０１７３】
（フィラー）
上記導電ペーストには、フィラーを添加してもよい。フィラーは、有機フィラーであってもよく、無機フィラーであってもよい。フィラーの添加により、基板の全電極上に対して、はんだ粒子を均一に凝集させることができる。
【０１７４】
上記導電ペーストは、上記フィラーを含まないか、又は上記フィラーを５重量％以下で含むことが好ましい。結晶性熱硬化性化合物を用いている場合には、フィラーの含有量が少ないほど、電極上にはんだが移動しやすくなる。
【０１７５】
上記導電ペースト１００重量％中、上記フィラーの含有量は好ましくは０重量％（未含有）以上であり、好ましくは５重量％以下、より好ましくは２重量％以下、更に好ましくは１重量％以下である。上記フィラーの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子が電極上により一層効率的に配置される。
【０１７６】
（他の成分）
上記導電ペーストは、必要に応じて、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
【０１７７】
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
【０１７８】
ポリマーＡ：
（１）ビスフェノールＦと１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との第１の反応物の合成：
ビスフェノールＦ（４，４’−メチレンビスフェノールと２，４’−メチレンビスフェノールと２，２’−メチレンビスフェノールとを重量比で２：３：１で含む）７２重量部、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル２７０重量部、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＥＸＡ−８３０ＣＲＰ」）３０重量部を、３つ口フラスコに入れ、窒素フロー下にて、１００℃で溶解させた。その後、水酸基とエポキシ基との付加反応触媒であるテトラーｎ−ブチルスルホニウムブロミド０．１重量部を添加し、窒素フロー下にて、１３０℃で６時間、付加重合反応させることにより第１の反応物を得た。
【０１７９】
ＮＭＲにより、付加重合反応が進行したことを確認して、第１の反応物が、ビスフェノールＦに由来する水酸基と１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂のエポキシ基とが結合した構造単位を主鎖に有し、かつエポキシ基を両末端に有することを確認した。
【０１８０】
（２）ポリマーＡの合成
上記第１の反応物１００重量部とアクリル酸４重量部とを配合し、８０℃まで昇温した。昇温後、触媒であるジメシチルアンモニウムペンタフルオロベンゼンスルホナート１重量部を入れ、４時間縮合反応させることにより、両末端にエポキシ基を有し、かつ側鎖にビニル基を有するエポキシ化合物（ポリマーＡ）を得た。
【０１８１】
熱硬化性化合物１：レゾルシノール型エポキシ化合物、共栄社化学社製「エポライトＴＤＣ−ＬＣ」、エポキシ当量１２０ｇ／ｅｑ
【０１８２】
熱硬化性化合物２：エポキシ化合物、ＡＤＥＫＡ社製「ＥＰ−３３００」エポキシ当量、１６０ｇ／ｅｑ
【０１８３】
光重合開始剤１：アシルホスフィンオキサイド系化合物、チバ・ジャパン社製「ＤＡＲＯＣＵＲ  ＴＰＯ」
【０１８４】
潜在性エポキシ熱硬化剤１：旭化成イーマテリアルズ社製「ノバキュアＨＸＡ−３９２２ＨＰ」
【０１８５】
連鎖移動剤：ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトブチレート）、昭和電工社製「カレンズＭＴ  ＰＥ１」
【０１８６】
フラックス１：グルタル酸、和光純薬工業社製、融点９６℃
【０１８７】
はんだ粒子１〜４：
はんだ粒子１の作製方法：
ＳｎＢｉはんだ粒子（三井金属社製「ＳＴ−３」、平均粒子径（メディアン径）４μｍ）２００ｇを、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業社製「ＫＢＥ−４３０」）４０ｇで処理した後、３つ口フラスコに入れ、ベンジルアミン３０ｇとアセトン７０ｇとを３つ口フラスコに入れた。次に、エポキシ基の反応触媒であるブチルトリフェニルホスホニウムボロミド０．３ｇを添加し、８０℃で反応させることで、表面処理されたはんだ粒子１を作製した。
【０１８８】
はんだ粒子２の作製方法：
処理前のはんだ粒子を、ＳｎＢｉはんだ粒子（三井金属社製「ＤＳ−１０」、平均粒子径（メディアン径）１２μｍ）に変更したこと以外ははんだ粒子１と同様にして、はんだ粒子２を作製した。
【０１８９】
はんだ粒子３の作製方法：
処理前のはんだ粒子を、ＳｎＢｉはんだ粒子（三井金属社製「１０−２５」、平均粒子径（メディアン径）２５μｍ）に変更したこと以外ははんだ粒子１と同様にして、はんだ粒子３を得た。
【０１９０】
はんだ粒子４の作製方法：
処理前のはんだ粒子を、ＳｎＢｉはんだ粒子（三井金属社製「２５−４５」、平均粒子径（メディアン径）３０μｍ）に変更したこと以外ははんだ粒子１と同様にして、はんだ粒子４を得た。
【０１９１】
はんだ粒子Ａ（ＳｎＢｉはんだ粒子、融点１３９℃、三井金属社製「ＤＳ−１０」平均粒子径（メディアン径）１２μｍ）
【０１９２】
はんだ粒子Ｂ（ＳｎＢｉはんだ粒子、融点１３９℃、三井金属社製「２５−４５」平均粒子径（メディアン径）３０μｍ）
【０１９３】
（実施例１〜４及び比較例１）
（１）異方性導電ペーストの作製
下記の表１に示す成分を下記の表１に示す配合量で配合して、異方性導電ペーストを得た。
【０１９４】
実施例１〜４及び比較例１では、下記の表１に示す種類の接続構造体を下記のようにして作製した。
【０１９５】
（２）第１の接続構造体（Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍ）の作製
Ｌ／Ｓが５０μｍ／５０μｍ、電極長さ３ｍｍの銅電極パターン（銅電極の厚み１２μｍ）を上面に有するガラスエポキシ基板（ＦＲ−４基板、厚み０．６ｍｍ）（第１の接続対象部材）を用意した。また、Ｌ／Ｓが５０μｍ／５０μｍ、電極長さ３ｍｍの銅電極パターン（銅電極の厚み１２μｍ）を下面に有するフレキシブルプリント基板（ポリイミドにより形成されている、第２の接続対象部材、厚み０．１ｍｍ）を用意した。
【０１９６】
ガラスエポキシ基板とフレキシブルプリント基板との重ね合わせ面積は、１．５ｃｍ×３ｍｍとし、接続した電極数は７５対とした。
【０１９７】
上記ガラスエポキシ基板の上面に、作製直後の異方性導電ペーストを、ガラスエポキシ基板の電極上で厚さ１００μｍとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。
【０１９８】
次に、異方性導電ペースト層に、３６５ｎｍの紫外線照射ランプを用いて紫外線を１５００ｍＪ／ｃｍ２で照射し、光重合によって異方性導電ペースト層を半硬化させ、Ｂステージ化し、Ｂステージ層を形成した。
【０１９９】
次に、Ｂステージ層上に上記フレキシブルプリント基板を、電極同士が対向するように積層し、フレキシブルプリント基板の上面に加熱ヘッドを載せ、室温（２５℃）から１８０℃まで昇温する間に、横方向の電極間のはんだ粒子を凝集させ、さらに上下の電極間にはんだ粒子を凝集させかつ溶融させた後、さらに１８０℃で１０秒加熱して、Ｂステージ層を硬化させて、第１の接続構造体を得た。このとき、Ｂステージ層には、上記フレキシブルプリント基板の重量と、フレキシブルプリント基板が反らない程度の圧力が加わる。
【０２００】
なお、比較例１では、紫外線照射は行わなかった。
【０２０１】
（３）第２の接続構造体（Ｌ／Ｓ＝７５μｍ／７５μｍ）の作製
Ｌ／Ｓが７５μｍ／７５μｍ、電極長さ３ｍｍの銅電極パターン（銅電極の厚み１２μｍ）を上面に有するガラスエポキシ基板（ＦＲ−４基板、厚み０．６ｍｍ）（第１の接続対象部材）を用意した。また、Ｌ／Ｓが７５μｍ／７５μｍ、電極長さ３ｍｍの銅電極パターン（銅電極の厚み１２μｍ）を下面に有するフレキシブルプリント基板（ポリイミドにより形成されている、第２の接続対象部材、厚み０．１ｍｍ）を用意した。
【０２０２】
Ｌ／Ｓが異なる第１，第２の接続対象部材を用いたこと以外、第１の接続構造体と同様にして、第２の接続構造体を得た。
【０２０３】
（４）第３の接続構造体（Ｌ／Ｓ＝１００μｍ／１００μｍ）の作製
Ｌ／Ｓが１００μｍ／１００μｍ、電極長さ３ｍｍの銅電極パターン（銅電極の厚み１２μｍ）を上面に有するガラスエポキシ基板（ＦＲ−４基板、厚み０．６ｍｍ）（第１の接続対象部材）を用意した。また、Ｌ／Ｓが１００μｍ／１００μｍ、電極長さ３ｍｍの銅電極パターン（銅電極の厚み１２μｍ）を下面に有するフレキシブルプリント基板（ポリイミドにより形成されている、第２の接続対象部材、厚み０．１ｍｍ）を用意した。
【０２０４】
Ｌ／Ｓが異なる第１，第２の接続対象部材を用いたこと以外、第１の接続構造体と同様にして、第３の接続構造体を得た。
【０２０５】
（５）第４の接続構造体（Ｌ／Ｓ＝１５０μｍ／１５０μｍ）の作製
Ｌ／Ｓが１５０μｍ／１５０μｍ、電極長さ３ｍｍの銅電極パターン（銅電極の厚み１２μｍ）を上面に有するガラスエポキシ基板（ＦＲ−４基板、厚み０．６ｍｍ）（第１の接続対象部材）を用意した。また、Ｌ／Ｓが１５０μｍ／１５０μｍ、電極長さ３ｍｍの銅電極パターン（銅電極の厚み１２μｍ）を下面に有するフレキシブルプリント基板（ポリイミドにより形成されている、第２の接続対象部材、厚み０．１ｍｍ）を用意した。
【０２０６】
Ｌ／Ｓが異なる第１，第２の接続対象部材を用いたこと以外、第１の接続構造体と同様にして、第４の接続構造体を得た。
【０２０７】
（実施例５及び比較例２）
（１）異方性導電ペーストの作製
下記の表２に示す成分を下記の表２に示す配合量で配合して、異方性導電ペーストを得た。
【０２０８】
実施例５及び比較例２では、下記の表２に示す種類の接続構造体を下記のようにして作製した。
【０２０９】
（２）第５の接続構造体の作製
電極間の中心ピッチが２００μｍ、電極サイズがφ１００μｍの銅電極パターン（銅電極の厚み１２μｍ）を縦方向に５個、横方向に５個、合計２５個で上面に有するガラスエポキシ基板（ＦＲ−４基板、厚み０．６ｍｍ）（第１の接続対象部材）を用意した。また、電極間の中心ピッチが２００μｍ、電極サイズがφ１００μｍの銅電極パターン（銅電極の厚み１２μｍ）を縦方向に５個、横方向に５個、合計２５個で下面に有する半導体チップ（第２の接続対象部材、厚み０．５ｍｍ）を用意した。
【０２１０】
ガラスエポキシ基板と半導体チップとの重ね合わせ面積は、１．５ｃｍ×１．５ｍｍとし、接続した電極数は２５対とした。
【０２１１】
上記ガラスエポキシ基板の上面に、作製直後の異方性導電ペーストを、ガラスエポキシ基板の電極上で厚さ１００μｍとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。
【０２１２】
次に、異方性導電ペースト層に、３６５ｎｍの紫外線照射ランプを用いて紫外線を１５００ｍＪ／ｃｍ２で照射し、光重合によって異方性導電ペースト層を半硬化させ、Ｂステージ化し、Ｂステージ層を形成した。
【０２１３】
次に、Ｂステージ層上に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層し、半導体チップの上面に加熱ヘッドを載せ、室温（２５℃）から１８０℃まで昇温する間に、横方向の電極間のはんだ粒子を凝集させ、さらに上下の電極間にはんだ粒子を凝集させかつ溶融させた後、さらに１８０℃で１０秒加熱して、Ｂステージ層を硬化させて、第１の接続構造体を得た。このとき、Ｂステージ層には、上記半導体チップの重量と、極々小さな圧力が加わる。
【０２１４】
なお、比較例２では、紫外線照射は行わなかった。
【０２１５】
（評価）
（１）導電ペーストの粘度
異方性導電ペーストの２５℃での粘度を、Ｅ型粘度計（東機産業社製「ＴＶＥ２２Ｌ」）を用いて、２５℃及び５ｒｐｍの条件で測定した。
【０２１６】
（２）Ｂステージ層の粘度
第２の接続対象部材の配置時のＢステージ層の粘度を、Ｅ型粘度計（東機産業社製「ＴＶＥ２２Ｌ」）を用いて、第２の接続対象部材の配置時の温度（２５℃）及び５ｒｐｍの条件で測定した。
【０２１７】
（３）はんだ部の厚み
得られた接続構造体を断面観察することにより、上下の電極間に位置しているはんだ部の厚みを評価した。
【０２１８】
（４）電極上のはんだの配置精度１
得られた接続構造体において、第１の電極と接続部と第２の電極との積層方向に第１の電極と第２の電極との対向し合う部分をみたときに、第１の電極と第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の、接続部中のはんだ部が配置されている面積の割合Ｘを評価した。電極上のはんだの配置精度１を下記の基準で判定した。
【０２１９】
［電極上のはんだの配置精度１の判定基準］
○○：割合Ｘが７０％以上
○：割合Ｘが６０％以上、７０％未満
△：割合Ｘが５０％以上、６０％未満
×：割合Ｘが５０％未満
【０２２０】
（５）電極上のはんだの配置精度２
得られた接続構造体において、第１の電極と接続部と第２の電極との積層方向と直交する方向に接続構造体をみたときに、接続部中のはんだ部１００％中、第１の電極と第２の電極との対向し合う部分に配置されている接続部中のはんだ部の割合Ｙを評価した。電極上のはんだの配置精度２を下記の基準で判定した。
【０２２１】
［電極上のはんだの配置精度２の判定基準］
○○：割合Ｙが９９％以上
○：割合Ｙが９０％以上、９９％未満
△：割合Ｙが７０％以上、９０％未満
×：割合Ｙが７０％未満
【０２２２】
（６）上下の電極間の導通信頼性
得られた接続構造体（ｎ＝１５個）において、上下の電極間の１接続箇所当たりの接続抵抗をそれぞれ、４端子法により、測定した。接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。導通信頼性を下記の基準で判定した。
【０２２３】
［導通信頼性の判定基準］
○○：接続抵抗の平均値が５０ｍΩ以下
○：接続抵抗の平均値が５０ｍΩを超え、７０ｍΩ以下
△：接続抵抗の平均値が７０ｍΩを超え、１００ｍΩ以下
×：接続抵抗の平均値が１００ｍΩを超える、又は接続不良が生じている
【０２２４】
（７）横方向に隣接する電極間の絶縁信頼性
得られた接続構造体（ｎ＝１５個）において、８５℃、湿度８５％の雰囲気中に１００時間放置後、横方向に隣接する電極間に、５Ｖを印加し、抵抗値を２５箇所で測定した。絶縁信頼性を下記の基準で判定した。
【０２２５】
［絶縁信頼性の判定基準］
○○：接続抵抗の平均値が１０７Ω以上
○：接続抵抗の平均値が１０６Ω以上、１０７Ω未満
△：接続抵抗の平均値が１０５Ω以上、１０６Ω未満
×：接続抵抗の平均値が１０５Ω未満
【０２２６】
（８）上下の電極間の位置ずれ
得られた接続構造体において、第１の電極と接続部と第２の電極との積層方向に第１の電極と第２の電極との対向し合う部分をみたときに、第１の電極の中心線と第２の電極の中心線とが揃っているか否か、並びに位置ずれの距離を評価した。上下の電極間の位置ずれを下記の基準で判定した。
【０２２７】
［上下の電極間の位置ずれの判定基準］
○○：位置ずれが１５μｍ未満
○：位置ずれが１５μｍ以上、２５μｍ未満
△：位置ずれが２５μｍ以上、４０μｍ未満
×：位置ずれが４０μｍ以上
【０２２８】
（９）汚染の有無
得られた接続構造体における接続部を観察して、該接続部が第２の接続対象部材の外周より５００μｍ外側の位置にあるか否かにより、汚染の有無を評価した。汚染の有無を以下の基準で判定した。
【０２２９】
［汚染の有無の判定基準］
○：接続部が第２の接続対象部材の外周より５００μｍ外側まで濡れ拡がらずに硬化している
×：接続部が第２の接続対象部材の外周より５００μｍ外側まで濡れ拡がって硬化しており、汚染が生じている
【０２３０】
詳細及び結果を下記の表１及び表２に示す。
【０２３１】
【表１】
0006769740.tif 000008
【０２３２】
【表２】
0006769740.tif 000009
【０２３３】
フレキシブルプリント基板にかえて、樹脂フィルム、フレキシブルフラットケーブル及びリジッドフレキシブル基板を用いた場合でも、同様の傾向が見られた。
【符号の説明】
【０２３４】
１，１Ｘ…接続構造体
２…第１の接続対象部材
２ａ…第１の電極
３…第２の接続対象部材
３ａ…第２の電極
４，４Ｘ…接続部
４Ａ，４ＸＡ…はんだ部
４Ｂ，４ＸＢ…硬化物部
１１…導電ペースト
１１Ａ…はんだ粒子
１１Ｂ…熱硬化性成分
１１Ｘ…Ｂステージ層
【図１】
0006769740.tif 000010
【図２】
0006769740.tif 000011
【図３】
0006769740.tif 000012
【図４】
0006769740.tif 000013