(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を出力する光源と、
前記光源から出力される光を観察対象物の表面または内部における複数の照射領域に集光照射する照射光学系と、
前記照射光学系による前記観察対象物への光照射の方向の光軸に交差する方向に前記複数の照射領域を走査する走査部と、
前記照射光学系による前記観察対象物への光照射に伴って前記複数の照射領域それぞれで発生する光を導いて結像する結像光学系と、
前記複数の照射領域が前記結像光学系により結像される受光面を有し、その受光面上に１次元状または２次元状に複数の画素が配列されており、前記複数の画素それぞれにおける受光量に応じた値の検出信号を出力する検出部と、
前記検出部から出力される検出信号に基づいて前記観察対象物の画像を作成する画像作成部と、
を備え、
前記検出部は、前記受光面上において、前記観察対象物における前記複数の照射領域に対して前記結像光学系による結像関係にある複数の結像領域を有し、前記複数の結像領域それぞれが１または２以上の画素に対応し、前記複数の結像領域の何れにも対応しない画素が各結像領域の隣に存在し、
前記画像作成部は、前記複数の結像領域それぞれに対応する画素の検出信号を、各結像領域の隣にあって前記複数の結像領域の何れにも対応しない１または２以上の画素の検出信号に基づいて補正し、その補正後の検出信号に基づいて前記観察対象物の画像を作成する、
画像取得装置。
【請求項２】
前記検出部は、前記受光面上において前記複数の結像領域の何れにも対応しない画素が各結像領域の両隣に存在し、
前記画像作成部は、前記複数の結像領域それぞれに対応する画素の検出信号を、各結像領域の両隣にあって前記複数の結像領域の何れにも対応しない２つの画素の検出信号に基づいて補正し、その補正後の検出信号に基づいて前記観察対象物の画像を作成する、
請求項１に記載の画像取得装置。
【請求項３】
前記検出部は、前記受光面上において、前記複数の結像領域が２次元配列され、各結像領域の四方の隣に前記複数の結像領域の何れにも対応しない４つの画素が存在し、
前記画像作成部は、前記複数の結像領域それぞれに対応する画素の検出信号を、各結像領域の四方の隣であって前記複数の結像領域の何れにも対応しない４つの画素の検出信号に基づいて補正し、その補正後の検出信号に基づいて前記観察対象物の画像を作成する、
請求項１または２に記載の画像取得装置。
【請求項４】
前記検出部は、前記受光面上において、前記複数の結像領域のうち隣り合う２つの結像領域の間に、前記複数の結像領域の何れにも対応しない２以上の画素が存在する、
請求項１〜３の何れか１項に記載の画像取得装置。
【請求項５】
前記照射光学系は、前記光源から出力される光を空間的に変調する空間光変調器を含み、前記空間光変調器に変調パターンを呈示することにより当該変調後の光を前記複数の照射領域に集光照射する、
請求項１〜４の何れか１項に記載の画像取得装置。
【請求項６】
前記照射光学系は、前記光源から出力される光を回折させる回折光学素子を含み、前記回折光学素子による回折後の光を前記複数の照射領域に集光照射する、
請求項１〜４の何れか１項に記載の画像取得装置。
【請求項７】
前記走査部は、前記照射光学系の光路上に設けられた光スキャナを含み、この光スキャナを駆動することにより前記複数の照射領域を走査する、
請求項１〜６の何れか１項に記載の画像取得装置。
【請求項８】
前記走査部は、前記照射光学系による前記観察対象物への光照射の方向にも前記複数の照射領域を走査する、
請求項１〜７の何れか１項に記載の画像取得装置。
【請求項９】
前記結像光学系の結像倍率が可変である、
請求項１〜８の何れか１項に記載の画像取得装置。
【請求項１０】
前記検出部は、前記複数の画素として複数のアノードを有するマルチアノード光電子増倍管を含む、
請求項１〜９の何れか１項に記載の画像取得装置。
【請求項１１】
前記検出部は、前記複数の画素として複数のアバランシェフォトダイオードが配列されたものを含む、
請求項１〜９の何れか１項に記載の画像取得装置。
【請求項１２】
光を出力する光源と、
前記光源から出力される光を観察対象物の表面または内部における複数の照射領域に集光照射する照射光学系と、
前記照射光学系による前記観察対象物への光照射の方向の光軸に交差する方向に前記複数の照射領域を走査する走査部と、
前記照射光学系による前記観察対象物への光照射に伴って前記複数の照射領域それぞれで発生する光を導いて結像する結像光学系と、
前記複数の照射領域が前記結像光学系により結像される受光面を有し、その受光面上に１次元状または２次元状に複数の画素が配列されており、前記複数の画素それぞれにおける受光量に応じた値の検出信号を出力する検出部と、
を用いて、前記検出部から出力される検出信号に基づいて前記観察対象物の画像を作成する画像取得方法であって、
前記検出部の前記受光面上において、前記観察対象物における前記複数の照射領域に対して前記結像光学系による結像関係にある複数の結像領域を有し、前記複数の結像領域それぞれが１または２以上の画素に対応し、前記複数の結像領域の何れにも対応しない画素が各結像領域の隣に存在する構成とし、
前記複数の結像領域それぞれに対応する画素の検出信号を、各結像領域の隣にあって前記複数の結像領域の何れにも対応しない１または２以上の画素の検出信号に基づいて補正し、その補正後の検出信号に基づいて前記観察対象物の画像を作成する、
画像取得方法。
【請求項１３】
前記検出部の前記受光面上において、前記複数の結像領域の何れにも対応しない画素が各結像領域の両隣に存在する構成とし、
前記複数の結像領域それぞれに対応する画素の検出信号を、各結像領域の両隣にあって前記複数の結像領域の何れにも対応しない２つの画素の検出信号に基づいて補正し、その補正後の検出信号に基づいて前記観察対象物の画像を作成する、
請求項１２に記載の画像取得方法。
【請求項１４】
前記検出部の前記受光面上において、前記複数の結像領域が２次元配列され、各結像領域の四方の隣に前記複数の結像領域の何れにも対応しない４つの画素が存在する構成とし、
前記複数の結像領域それぞれに対応する画素の検出信号を、各結像領域の四方の隣であって前記複数の結像領域の何れにも対応しない４つの画素の検出信号に基づいて補正し、その補正後の検出信号に基づいて前記観察対象物の画像を作成する、
請求項１２または１３に記載の画像取得方法。
【請求項１５】
前記検出部の前記受光面上において、前記複数の結像領域のうち隣り合う２つの結像領域の間に、前記複数の結像領域の何れにも対応しない２以上の画素が存在する構成とする、
請求項１２〜１４の何れか１項に記載の画像取得方法。
【請求項１６】
前記照射光学系は、前記光源から出力される光を空間的に変調する空間光変調器を含む構成とし、前記空間光変調器に変調パターンを呈示することにより当該変調後の光を前記複数の照射領域に集光照射する、
請求項１２〜１５の何れか１項に記載の画像取得方法。
【請求項１７】
前記照射光学系は、前記光源から出力される光を回折させる回折光学素子を含む構成とし、前記回折光学素子による回折後の光を前記複数の照射領域に集光照射する、
請求項１２〜１５の何れか１項に記載の画像取得方法。
【請求項１８】
前記走査部は、前記照射光学系の光路上に設けられた光スキャナを含む構成とし、この光スキャナを駆動することにより前記複数の照射領域を走査する、
請求項１２〜１７の何れか１項に記載の画像取得方法。
【請求項１９】
前記走査部により、前記照射光学系による前記観察対象物への光照射の方向にも前記複数の照射領域を走査する、
請求項１２〜１８の何れか１項に記載の画像取得方法。
【請求項２０】
前記結像光学系の結像倍率が可変である、
請求項１２〜１９の何れか１項に記載の画像取得方法。
【請求項２１】
前記検出部は、前記複数の画素として複数のアノードを有するマルチアノード光電子増倍管を含む、
請求項１２〜２０の何れか１項に記載の画像取得方法。
【請求項２２】
前記検出部は、前記複数の画素として複数のアバランシェフォトダイオードが配列されたものを含む、
請求項１２〜２０の何れか１項に記載の画像取得方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一側面は、観察対象物の表面または内部における複数の照射領域に光を集光照射するとともに、これら複数の照射領域を走査し、これら複数の照射領域それぞれで発生する光を検出して、観察対象物の画像を作成する装置および方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
非特許文献１，２に記載された画像取得装置は、観察対象物の表面または内部における複数の照射領域に光を集光照射するとともに、これら複数の照射領域を走査し、これら複数の照射領域それぞれで発生する光（例えば、蛍光、高調波光、反射散乱光など）を検出して、観察対象物の画像を作成することができる。単一の照射光ビームにより単一の照射領域を走査する場合（以下「単点走査」という。）と比べて、Ｎ個の照射光ビームによりＮ個の照射領域を同時に走査する場合（以下「多点走査」または「Ｎ点走査」という。）には、各照射領域の走査範囲の大きさを１／Ｎにすることができるので、観察対象物の画像を作成するためのデータの収集に要する計測時間を１／Ｎに短縮することができる。ここで、Ｎは２以上の整数である。
【０００３】
観察対象物への光照射の方向をｚ方向とするｘｙｚ直交座標系を想定する。ｚ方向の或る１点におけるｘｙ平面の画像を取得する場合、例えば、単点走査に要する時間が０.２４秒であれば、４点走査に要する時間は０.０６秒でよい。また、ｚ方向の１０００点それぞれにおいてｘｙ平面の画像を取得する場合（すなわち、３次元画像を取得する場合）、単点走査に要する時間は２４０秒であり、４点走査に要する時間は６０秒となる。このように、単点走査と比べて多点走査では、短時間にデータ収集をして観察対象物の画像を作成することができる。
【０００４】
また、Ｎ点走査において、単点走査に要する時間と同じ時間を要してもかまわないのであれば、各照射領域で発生する光を受光する時間（露光時間）をＮ倍にすることができ、観察対象物への光照射量を低減することができる。このことは、観察対象物や蛍光分子に与えるダメージの軽減につながり、また、タイムラプスなどの繰り返しの測定を行う際に有効である。
【０００５】
多点走査の場合には、複数の照射領域それぞれで発生する光を個別に検出する検出部を用いる必要がある。すなわち、観察対象物の各照射領域で発生する光を検出部の受光面において対応する結像領域に結像して、各結像領域から個別に検出信号を取り出す。観察対象物の複数の照射領域が互いに別個のものであるのと同様に、検出部の受光面における複数の結像領域も互いに別個のものとして区切られる。
【０００６】
観察対象物の或る照射領域で発生した光は、検出部の受光面において該照射領域に対応する結像領域で受光されるべきであるが、観察対象物の内部における散乱や収差の影響に因り、他の結像領域で一部がノイズ光として受光される場合がある。このノイズ光は、生成される観察対象物の画像におけるバックグラウンドノイズとなったり、その画像において本来の像の位置と異なる位置にゴースト像を生じさせたりして、ＳＮ（Signal-to-noise）比を低下させる。観測対象物における照射領域が表面から深くなると、このような現象は顕著になる。
【０００７】
非特許文献１，２には、観察対象物の画像のＳＮ比の改善を図る技術が記載されている。非特許文献１に記載されたＳＮ比改善技術は、単一の蛍光発生領域が存在する観察対象物に対して単点走査を行なって検出部の受光面上における光の広がりを求め、多点走査により取得された観察対象物の画像と上記の光の広がりとのデコンボリューションを計算することで、観察対象物の画像のＳＮ比を改善することを意図する。非特許文献２に記載されたＳＮ比改善技術は、多点走査により取得された観察対象物の画像に基づいて最尤推定法による推定を行って、ＳＮ比が改善された観察対象物の画像を求めることを意図している。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】K. H. Kim et al., “Multifocalmultiphoton microscopy based on multianode photomultiplier tubes,”optics express, vol.15, No.18, 11658-11678 (2007).
【非特許文献２】J. W. Cha et al., “Reassignmentof Scattered Emission Photons in Multifocal Multiphoton Microscopy,”scientific report 4：5153 (2014).
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
非特許文献１に記載されたＳＮ比改善技術は、検出部の受光面上における光の広がりを求めるために単点走査を行なう必要がある。検出部の受光面上における光の広がりの程度は、観察対象物における照射領域の深さ（ｚ方向の位置）によって異なるので、ｚ方向の各位置に照射領域を設定して求める必要がある。多点走査は計測時間の短縮を目的とするにも拘らず、多点走査の他に単点走査も行う必要があることがら、この目的に反して計測時間が長くなる。そもそも単点走査を行うのであれば多点走査をする必要がない。非特許文献２に記載されたＳＮ比改善技術は、最尤推定法による推定を行う際に計算を繰り返して行う必要があり、その繰り返し計算に長時間を要する。
【００１０】
本発明の一側面は、上記問題点を解消する為になされたものであり、多点走査により生成される観察対象物の画像のＳＮ比を容易に改善することができる画像取得装置および画像取得方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一側面による画像取得装置は、(1) 光を出力する光源と、(2) 光源から出力される光を観察対象物の表面または内部における複数の照射領域に集光照射する照射光学系と、(3) 照射光学系による観察対象物への光照射の方向の光軸に交差する方向に複数の照射領域を走査する走査部と、(4) 照射光学系による観察対象物への光照射に伴って複数の照射領域それぞれで発生する光を導いて結像する結像光学系と、(5) 複数の照射領域が結像光学系により結像される受光面を有し、その受光面上に１次元状または２次元状に複数の画素が配列されており、複数の画素それぞれにおける受光量に応じた値の検出信号を出力する検出部と、(6) 検出部から出力される検出信号に基づいて観察対象物の画像を作成する画像作成部と、を備える。
【００１２】
さらに、上記構成において、(a) 検出部は、受光面上において、観察対象物における複数の照射領域に対して結像光学系による結像関係にある複数の結像領域を有し、複数の結像領域それぞれが１または２以上の画素に対応し、複数の結像領域の何れにも対応しない画素が各結像領域の隣に存在し、(b) 画像作成部は、複数の結像領域それぞれに対応する画素の検出信号を、各結像領域の隣にあって複数の結像領域の何れにも対応しない１または２以上の画素の検出信号に基づいて補正し、その補正後の検出信号に基づいて観察対象物の画像を作成する。
【００１３】
検出部は、受光面上において複数の結像領域の何れにも対応しない画素が各結像領域の両隣に存在し、画像作成部は、複数の結像領域それぞれに対応する画素の検出信号を、各結像領域の両隣にあって複数の結像領域の何れにも対応しない２つの画素の検出信号に基づいて補正し、その補正後の検出信号に基づいて観察対象物の画像を作成するのが好適である。
【００１４】
検出部は、受光面上において、複数の結像領域が２次元配列され、各結像領域の四方の隣に複数の結像領域の何れにも対応しない４つの画素が存在し、画像作成部は、複数の結像領域それぞれに対応する画素の検出信号を、各結像領域の四方の隣であって複数の結像領域の何れにも対応しない４つの画素の検出信号に基づいて補正し、その補正後の検出信号に基づいて観察対象物の画像を作成するのも好適である。
【００１５】
検出部は、受光面上において、複数の結像領域のうち隣り合う２つの結像領域の間に、複数の結像領域の何れにも対応しない２以上の画素が存在するのも好適である。
【００１６】
照射光学系は、光源から出力される光を空間的に変調する空間光変調器を含み、空間光変調器に変調パターンを呈示することにより当該変調後の光を複数の照射領域に集光照射するのが好適である。また、照射光学系は、光源から出力される光を回折させる回折光学素子を含み、回折光学素子による回折後の光を複数の照射領域に集光照射するのも好適である。
【００１７】
走査部は、照射光学系の光路上に設けられた光スキャナを含み、この光スキャナを駆動することにより複数の照射領域を走査するのが好適である。また、走査部は、照射光学系による観察対象物への光照射の方向にも複数の照射領域を走査するのが好適である。
【００１８】
結像光学系の結像倍率が可変であるのが好適である。検出部は、複数の画素として複数のアノードを有するマルチアノード光電子増倍管を含むのが好適であり、また、複数の画素として複数のアバランシェフォトダイオードが配列されたものを含むのも好適である。
【００１９】
本発明の一側面による画像取得方法は、上記の光源、照射光学系、走査部、結像光学系および検出部を用いて、検出部から出力される検出信号に基づいて観察対象物の画像を作成する画像取得方法であって、(a) 検出部の受光面上において、観察対象物における複数の照射領域に対して結像光学系による結像関係にある複数の結像領域を有し、複数の結像領域それぞれが１または２以上の画素に対応し、複数の結像領域の何れにも対応しない画素が各結像領域の隣に存在する構成とし、(b) 複数の結像領域それぞれに対応する画素の検出信号を、各結像領域の隣にあって複数の結像領域の何れにも対応しない１または２以上の画素の検出信号に基づいて補正し、その補正後の検出信号に基づいて観察対象物の画像を作成する。また、上記構成において、上記の画像取得装置の好適な態様と同様の態様とすることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の一側面によれば、多点走査により生成される観察対象物の画像のＳＮ比を容易に改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、画像取得装置１の構成を示す図である。
【図２】図２は、画像取得装置２の構成を示す図である。
【図３】図３は、単点走査および多点走査について説明する図である。
【図４】図４は、観察対象物Ｓにおける照射領域Ａ１〜Ａ４および検出部３２の受光面における結像領域Ｂ１〜Ｂ４について説明する図である。
【図５】図５は、観察対象物Ｓにおける照射領域Ａ１〜Ａ４および蛍光ビーズの分布を示す図である。
【図６】図６は、検出部３２の受光面における受光領域の広がりについて説明する図である。
【図７】図７は、単点走査の場合の検出部３２の各画素での蛍光強度を示すグラフである。
【図８】図８は、２点走査の場合の検出部３２の各画素での蛍光強度を示すグラフである。
【図９】図９は、単点走査および４点走査それぞれの場合の観察対象物の蛍光画像を示す図である。
【図１０】図１０は、検出部３２の受光面における画素構造と結像領域との間の関係を説明する図である。
【図１１】図１１は、検出部３２から出力される検出信号と観察対象物Ｓの画像との関係を説明する図である。
【図１２】図１２は、検出信号の補正の効果を確認するシミュレーションの結果を示すグラフである。
【図１３】図１３は、検出信号の補正の効果を確認するシミュレーションの結果を示すグラフである。
【図１４】図１４は、第１実施例によるＳＮ比改善の効果を示す観察対象物の蛍光画像である。
【図１５】図１５は、第２実施例によるＳＮ比改善の効果を示す観察対象物の蛍光画像である。
【図１６】図１６は、第２実施例によるＳＮ比改善の効果を示す観察対象物の蛍光画像である。
【図１７】図１７は、第２実施例によるＳＮ比改善の効果を示す観察対象物の蛍光画像である。
【図１８】図１８は、第３実施例によるＳＮ比改善の効果を示す観察対象物の蛍光画像である。
【図１９】図１９は、第３実施例と対比される比較例による観察対象物の蛍光画像である。
【図２０】図２０は、受光面において複数の画素が２次元配列された検出部を用いる場合の画素構造と結像領域との間の関係を説明する図である。
【図２１】図２１は、受光面において複数の画素が２次元配列された検出部を用いる場合の画素構造と結像領域との間の関係を説明する図である。
【図２２】図２２は、受光面において複数の画素が２次元配列された検出部を用いる場合の画素構造と結像領域との間の関係を説明する図である。
【図２３】図２３は、検出部の受光面における画素構造と結像領域との間の関係を説明する図である。
【図２４】図２４は、可変焦点レンズの構成例を示す図である。
【図２５】図２５は、他の多点走査の例について説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。本発明は、これらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００２３】
本実施形態の画像取得装置および画像取得方法は観察対象物の表面または内部で発生する蛍光、高調波光、反射散乱光などの像を取得することができるが、以下では観察対象物の蛍光画像を取得する実施形態について主に説明する。また、各図において、観察対象物と光照射方向との関係等を説明する便宜のためにｘｙｚ直交座標系が示されている。
【００２４】
図１は、画像取得装置１の構成を示す図である。画像取得装置１は、光源１０、空間光変調器１１、ダイクロイックミラー１３、光スキャナ１４、対物レンズ２１、ステージ２３、結像レンズ３１、検出部３２および制御部７０等を備える。
【００２５】
光源１０は、観察対象物Ｓに含まれる蛍光標識を励起し得る波長の励起光を出力するものであり、好適にはレーザ光源である。観察対象物Ｓにおいて多光子吸収による蛍光を発生させるには、光源１０は、フェムト秒、ピコ秒、ナノ秒などの短パルスのレーザ光を励起光として出力するレーザ光源が好適である。
【００２６】
光源１０から出力された励起光を入力するレンズ４１，４２は、ビーム径を調整して励起光を出力するビームエキスパンダを構成している。ビームエキスパンダは、一般に複数枚のレンズで構成される。ビームエキスパンダから出力される励起光のビーム径は、対物レンズ２１の瞳径に応じて適切に設定される。
【００２７】
空間光変調器１１は、光源１０から出力されビームエキスパンダ（レンズ４１，４２）を経てミラー５１で反射された励起光を入力し、その入力した励起光を空間的に変調して出力する。空間光変調器１１は、位相変調型のものであってもよいし、振幅変調型のものであってもよい。空間光変調器１１は、図１では反射型のものとして示されているが、透過型のものであってもよい。空間光変調器１１は、呈示される変調パターンに応じて、出力光のビーム断面において空間的に位相または振幅を変調することができる。
【００２８】
空間光変調器１１は、所定の変調パターンが呈示されることにより、変調後の励起光を観察対象物Ｓの表面または内部における複数の照射領域に集光照射することができる。この場合、空間光変調器１１は、光源１０から出力される単一の光ビームから複数の光ビームを生成する多点生成素子として用いられる。多点生成素子として用いられる空間光変調器１１は、光ビームの本数、光ビームの間隔、各光ビームの集光位置の深さ（ｚ方向位置）等を、制御部７０から与えられる電気的制御信号により呈示される変調パターンに応じて自由に設定することができる。これらは、観察対象物Ｓのうちの観察すべき領域を複数の部分領域に区分した際の部分領域の個数や各部分領域の大きさに応じて設定される。なお、多点生成素子として、空間光変調器以外に、回折光学素子、マイクロレンズアレイ、ビームスプリッタなども用いられ得る。
【００２９】
また、空間光変調器１１は、呈示される変調パターンを変化させることにより、観察対象物Ｓにおける複数の照射領域を走査する走査部としても用いられ得る。さらに、空間光変調器１１は、所定の変調パターンが呈示されることにより、観察対象物Ｓにおける複数の照射領域に至るまでの光路の収差を補正して、各照射領域を小さくすることができ、取得される画像の分解能を高めることができる。
【００３０】
ダイクロイックミラー１３は、励起光および蛍光のうち励起光を選択的に透過させ、蛍光を選択的に反射させる。すなわち、ダイクロイックミラー１３は、空間光変調器１１から到達した励起光を入力し、その励起光をレンズ４３へ透過させる。また、ダイクロイックミラー１３は、レンズ４３から到達した蛍光を入力し、その蛍光をズームレンズ４７へ反射させる。
【００３１】
ダイクロイックミラー１３から出力された励起光を入力するレンズ４３，４４は、テレセントリックリレーレンズ系を構成している。
【００３２】
光スキャナ１４は、ダイクロイックミラー１３から出力されテレセントリックリレーレンズ系（レンズ４３，４４）を経た励起光を入力して、観察対象物Ｓへの励起光照射の方向（ｚ方向）に交差する方向に照射領域を走査する走査部として用いられる。また、光スキャナ１４は、観察対象物Ｓの照射領域で発生した蛍光を入力してデスキャンすることで、ダイクロイックミラー１３と光スキャナ１４との間における励起光および蛍光それぞれの主光線を互いに一致させることができる。光スキャナ１４は、例えば、ガルバノミラー、ポリゴンミラー、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）ミラー、ジンバル（Gimbal）ミラーを含む。
【００３３】
光スキャナ１４から出力されてミラー５２により反射された励起光を入力するレンズ４５，４６は、テレセントリックリレーレンズ系を構成している。テレセントリックリレーレンズ系（レンズ４３，４４）およびテレセントリックリレーレンズ系（レンズ４５，４６）は、空間光変調器１１により変調されて生成された励起光の波面を対物レンズ２１の後側焦点面へ転送する。
【００３４】
なお、多点生成素子としてマイクロレンズアレイを用いる場合には、これらのテレセントリックリレーレンズ系は、マイクロレンズアレイ近傍の集光点を対物レンズ２１の後側焦点面へ転送する。多点生成素子と対物レンズ２１とが互いに極めて近い場合には、これらのテレセントリックリレーレンズ系は設けられなくてもよい。
【００３５】
対物レンズ２１は、ステージ２３上の観察対象物Ｓに対峙するように配置される。対物レンズ２１は、テレセントリックリレーレンズ系（レンズ４５，４６）から出力されミラー５３により反射された励起光を入力し、ステージ２３上の観察対象物Ｓの表面または内部における複数の照射領域に励起光を集光照射する。また、対物レンズ２１は、観察対象物Ｓの何れかの照射領域で蛍光が発生した場合に該蛍光を入力し、その蛍光をミラー５３へ出力する。
【００３６】
対物レンズ２１は、対物レンズ移動機構２２の作用により、光軸方向すなわち観察対象物Ｓの深さ方向（ｚ方向）に移動可能である。ステージ２３は、ステージ移動機構２４の作用により、対物レンズ２１の光軸方向と交差する方向（好適にはｘｙ面に平行な方向）に移動可能であり、また、光軸方向すなわち観察対象物Ｓの深さ方向（ｚ方向）に移動可能である。対物レンズ移動機構２２およびステージ移動機構２４も、観察対象物Ｓにおける複数の照射領域を走査する走査部として用いられる。対物レンズ移動機構２２およびステージ移動機構２４それぞれは、例えばステッピングモータやピエゾアクチュエータなどを含む。
【００３７】
図１に示される構成では単一の対物レンズ２１が励起光照射用および蛍光観察用の双方を兼ねているが、励起光照射用の対物レンズと蛍光観察用の対物レンズとが別個に設けられてもよい。励起光照射用の対物レンズとして高ＮＡのものを用いることで、収差の影響を低減して局所的に集光することができる。蛍光観察用の対物レンズとして瞳径が大きいものを用いることで、より多くの蛍光を入力することができる。
【００３８】
図１では対物レンズ２１を含む顕微鏡は倒立型の構成であるが、正立型の顕微鏡の構成であってもよい。
【００３９】
観察対象物Ｓの照射領域で発生して対物レンズ２１に入力された蛍光は、励起光の経路と同じ経路を逆方向に辿ってダイクロイックミラー１３に到達し、ダイクロイックミラー１３で反射される。ダイクロイックミラー１３で反射された蛍光を入力するズームレンズ４７および結像レンズ３１は、観察対象物Ｓの照射領域で発生する蛍光を検出部３２の受光面に導いて、受光面上に蛍光画像を形成する。フィルタ５４は、ダイクロイックミラー１３と検出部３２との間の光路上に設けられ、励起光および蛍光のうち蛍光を選択的に透過させ励起光を選択的に遮断する。フィルタ５４は、観察対象物Ｓ等で散乱または反射された励起光のうちダイクロイックミラー１３で一部反射された励起光を検出部３２が受光することを抑制することができる。
【００４０】
なお、光源１０から観察対象物Ｓに至るまでの励起光の光路上にある要素群は、光源１０から出力される励起光を観察対象物Ｓの表面または内部における複数の照射領域に集光照射する照射光学系を構成している。観察対象物Ｓから検出部３２に至るまでの蛍光の光路上にある要素群は、照射光学系による観察対象物Ｓへの励起光照射に伴って複数の照射領域それぞれで発生する光を導いて結像する結像光学系を構成している。
【００４１】
検出部３２は、観察対象物Ｓにおける複数の照射領域が結像光学系により結像される受光面を有し、その受光面上に１次元状または２次元状に複数の画素が配列されており、これら複数の画素それぞれにおける受光量に応じた値の検出信号を出力する。検出部３２は、例えばマルチアノード光電子増倍管、ＭＰＰＣ（登録商標）、フォトダイオードアレイ、アバランシェフォトダイオードアレイ、ＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサなどの光検出器を含む。
【００４２】
マルチアノード光電子増倍管（multi-anode  photo  multiplier  tube、以下「ｍＰＭＴ」という。）は、複数の画素として複数のアノードを有し、各アノードの受光量に応じた検出信号を出力することができる。ＭＰＰＣ（Multi-Pixel  Photon  Counter）は、ガイガーモードで動作するアバランシェフォトダイオードにクエンチング抵抗が接続されたものを１つの画素として、複数の画素が２次元配列されたものである。これらは高速・高感度の光検出をすることができる。
【００４３】
検出部３２の受光面の前にピンホールアレイを配置して、観察対象物Ｓの照射領域とピンホールとの間の光学系を共焦点光学系としてもよい。ピンホールアレイは、検出部３２の受光面の直前に配置されてもよいし、検出部３２の受光面に対してリレーレンズ系を介した位置に配置されてもよい。これは、単光子励起による蛍光を検出する場合や、反射散乱光を検出する場合に有効である。
【００４４】
制御部７０は、画像取得装置１の全体の動作を制御する。具体的には、制御部７０は、光源１０による光出力動作を制御し、また、空間光変調器１１に与える変調パターンを生成して、その変調パターンを空間光変調器１１に与える。制御部７０は、光スキャナ１４を駆動し、また、対物レンズ移動機構２２を駆動することにより対物レンズ２１を移動させることで、観察対象物Ｓにおける照射領域を走査する。制御部７０は、ステージ移動機構２４を駆動することによりステージ２３を移動させることでも、観察対象物Ｓにおける照射領域を走査することができる。
【００４５】
さらに、制御部７０は、検出部３２による光検出動作を制御する。制御部７０は、検出部３２から出力される検出信号を受け取り、この検出信号に基づいて観察対象物Ｓの画像を作成する画像作成部としても用いられる。これについては後述する。
【００４６】
制御部７０は、例えばコンピュータであり、少なくとも画像処理回路を有する。制御部７０は、入力部７１および表示部７２とともに用いられる。入力部７１は、例えば、キーボードやマウスであり、計測開始の指示や計測条件に関する指示等を入力する。表示部７２は、例えば、ディスプレイであり、計測条件を表示したり、観察対象物Ｓの画像を表示したりする。
【００４７】
この画像取得装置１の概略動作は以下のとおりである。光源１０から出力された励起光は、照射光学系により、観察対象物Ｓの表面または内部における複数の照射領域に集光照射される。すなわち、光源１０から出力された励起光は、ビームエキスパンダ（レンズ４１，４２）によりビーム径が調整され、ミラー５１で反射されて、空間光変調器１１に入力される。制御部７０から与えられた変調パターンが呈示された空間光変調器１１により、励起光のビーム断面において空間的に位相または振幅が変調され、その変調後の励起光が空間光変調器１１から出力される。
【００４８】
空間光変調器１１から出力された励起光は、ダイクロイックミラー１３を透過し、テレセントリックリレーレンズ系（レンズ４３，４４）を経て、光スキャナ１４に入力される。光スキャナ１４により、光スキャナ１４からの励起光の出力方向が変化する。光スキャナ１４から出力された励起光は、ミラー５２で反射され、テレセントリックリレーレンズ系（レンズ４５，４６）を経て、ミラー５３で反射されて、対物レンズ２１に入力される。
【００４９】
対物レンズ２１に入力された励起光は、ステージ２３上の観察対象物Ｓの表面または内部に集光照射される。このとき、観察対象物Ｓにおける照射領域の個数や間隔などは、制御部７０により空間光変調器１１に呈示された変調パターンに応じて設定される。観察対象物Ｓにおける照射領域のｘｙ面上の位置は、制御部７０により駆動された光スキャナ１４により走査される。観察対象物Ｓにおける照射領域のｚ方向の位置は、制御部７０により駆動された対物レンズ移動機構２２により対物レンズ２１がｚ方向に移動することで走査され、または、制御部７０により駆動されたステージ移動機構２４によりステージ２３がｚ方向に移動することで走査される。
【００５０】
観察対象物Ｓの照射領域で発生して対物レンズ２１に入力された蛍光は、結像光学系により、検出部３２の受光面に結像される。すなわち、この蛍光は、対物レンズ２１、ミラー５３、テレセントリックリレーレンズ系（レンズ４６，４５）、ミラー５２、光スキャナ１４およびテレセントリックリレーレンズ系（レンズ４４，４３）を経て、ダイクロイックミラー１３で反射される。蛍光に対する光スキャナ１４のデスキャン作用により、ダイクロイックミラー１３と光スキャナ１４との間における励起光および蛍光それぞれの主光線は互いに一致する。ダイクロイックミラー１３で反射された蛍光は、ズームレンズ４７、フィルタ５４および結像レンズ３１を経て、検出部３２の受光面に到達する。観察対象物Ｓにおける照射領域が検出部３２の受光面上に結像される。
【００５１】
そして、検出部３２の受光面上に配列された複数の画素それぞれにおける受光量に応じた値の検出信号が検出部３２から出力される。検出部３２から出力された検出信号は制御部７０に入力される。画像作成部としての制御部７０により、検出部３２から出力される検出信号に基づいて観察対象物Ｓの画像が作成される。その画像は表示部７２により表示される。
【００５２】
図１に示された画像取得装置１は反射型の空間光変調器を備えるものであったが、図２に示されるように透過型の空間光変調器を備える画像取得装置２の構成としてもよい。図２は、画像取得装置２の構成を示す図である。この図は、透過型の空間光変調器１２から観察対象物Ｓまでの励起光の照射光学系、および、観察対象物Ｓから検出部３２までの蛍光の結像光学系を示す。
【００５３】
図２に示される画像取得装置２に含まれるダイクロイックミラー１３、対物レンズ２１、ステージ２３、結像レンズ３１および検出部３２それぞれは、図１に示される画像取得装置１に含まれるそれらと同様のものである。画像取得装置２は、画像取得装置１の構成と同様に、光源、ビームエキスパンダ、対物レンズ駆動機構、ステージ駆動機構および制御部等を備えるが、これらについては図２では図示が省略されている。
【００５４】
空間光変調器１２は、励起光を透過させる際に、励起光のビーム断面において空間的に位相または振幅を変調することができる。透過型の空間光変調器１２は、反射型の空間光変調器１１と同様に、変調後の励起光を観察対象物Ｓの表面または内部における複数の照射領域に集光照射することができ、観察対象物Ｓにおける複数の照射領域を走査する走査部としても用いることができ、また、観察対象物Ｓにおける複数の照射領域に至るまでの光路の収差を補正することができる。
【００５５】
観察対象物Ｓへの励起光照射の方向に交差する方向に照射領域を走査する走査部として、光スキャナ１４ａ，１４ｂが設けられている。一方の光スキャナ１４ａは、空間光変調器１２からダイクロイックミラー１３およびテレセントリックリレーレンズ系（レンズ６１，６２）を経て到達した励起光を入力し、観察対象物Ｓへの励起光照射の方向に交差する第１方向に照射領域を走査する。他方の光スキャナ１４ｂは、光スキャナ１４ａからテレセントリックリレーレンズ系（レンズ６３，６４）を経て到達した励起光を入力し、観察対象物Ｓへの励起光照射の方向に交差する第２方向に照射領域を走査する。例えば、第１方向および第２方向のうち一方はｘ方向であり、他方はｙ方向である。
【００５６】
この画像取得装置２の概略動作は以下のとおりである。光源から出力された励起光は、照射光学系により、観察対象物Ｓの表面または内部における複数の照射領域に集光照射される。すなわち、光源から出力された励起光は、ビームエキスパンダによりビーム径が調整され、空間光変調器１２に入力される。所定の変調パターンが呈示された空間光変調器１２により、励起光のビーム断面において空間的に位相または振幅が変調され、その変調後の励起光が空間光変調器１２から出力される。
【００５７】
空間光変調器１２から出力された励起光は、ダイクロイックミラー１３を透過し、テレセントリックリレーレンズ系（レンズ６１，６２）を経て、光スキャナ１４ａに入力される。光スキャナ１４ａにより、光スキャナ１４ａからの励起光の出力方向が変化する。光スキャナ１４ａから出力された励起光は、テレセントリックリレーレンズ系（レンズ６３，６４）を経て、光スキャナ１４ｂに入力される。光スキャナ１４ｂにより、光スキャナ１４ｂからの励起光の出力方向が変化する。光スキャナ１４ｂから出力された励起光は、テレセントリックリレーレンズ系（レンズ６５，６６）を経て、対物レンズ２１に入力される。
【００５８】
対物レンズ２１に入力された励起光は、ステージ２３上の観察対象物Ｓの表面または内部に集光照射される。このとき、観察対象物Ｓにおける照射領域の個数や間隔などは、空間光変調器１２に呈示された変調パターンに応じて設定される。観察対象物Ｓにおける照射領域のｘｙ面上の位置は、光スキャナ１４ａ，１４ｂにより走査される。観察対象物Ｓにおける照射領域のｚ方向の位置は、対物レンズ移動機構により対物レンズ２１がｚ方向に移動することで走査され、または、ステージ移動機構によりステージ２３がｚ方向に移動することで走査される。
【００５９】
観察対象物Ｓの照射領域で発生して対物レンズ２１に入力された蛍光は、結像光学系により、検出部３２の受光面に結像される。すなわち、この蛍光は、対物レンズ２１、テレセントリックリレーレンズ系（レンズ６６，６５）、光スキャナ１４ｂ、テレセントリックリレーレンズ系（レンズ６４，６３）、光スキャナ１４ａ、テレセントリックリレーレンズ系（レンズ６２，６１）を経て、ダイクロイックミラー１３で反射される。蛍光に対する光スキャナ１４ａ，１４ｂのデスキャン作用により、ダイクロイックミラー１３と光スキャナ１４ｂとの間における励起光および蛍光それぞれの主光線は互いに一致する。ダイクロイックミラー１３で反射された蛍光は、結像レンズ３１を経て、検出部３２の受光面に到達する。観察対象物Ｓにおける照射領域が検出部３２の受光面上に結像される。
【００６０】
そして、検出部３２の受光面上に配列された複数の画素それぞれにおける受光量に応じた値の検出信号が検出部３２から出力される。画像作成部としての制御部により、検出部３２から出力される検出信号に基づいて観察対象物Ｓの画像が作成される。その画像は表示部により表示される。
【００６１】
図１および図２に示された２つの構成の何れに対しても本発明の適用が可能である。本実施形態の画像取得装置および画像取得方法は、主として、観察対象物Ｓにおける複数の照射領域ならびに検出部３２の受光面における画素構造と結像領域との間の関係に関するものであり、また、この関係に基づいて観察対象物Ｓの画像のＳＮ比の改善を図るものである。
【００６２】
画像取得装置１，２は、多点走査を行うレーザ走査型蛍光顕微鏡（Laser  scanning  fluorescence  microscopy、以下「ＬＳＦＭ」という。）として好適に用いられる。また、多点走査を行うＬＳＦＭのうち、短パルスレーザ光を励起光として観察対象物Ｓに照射して多光子励起による蛍光を検出するものは、多焦点多光子励起蛍光顕微鏡（multifocal  multiphoton  microscopy、以下「ＭＭＭ」という。）と呼ばれる。画像取得装置１，２は、ＭＭＭとしても好適に用いられ得る。
【００６３】
単光子励起の場合と比べて、多光子励起の場合には、励起光の波長が長く、観察対象物において励起光の光子密度が高い限定された領域のみで蛍光が発生する。したがって、多光子励起の場合には、励起光の散乱や吸収の影響が小さく、観察対象物の特に深部の蛍光画像の取得に好適である。また、空間光変調器により励起光の波面を制御することにより、観察対象物と周囲の媒体（例えば、水、空気、オイルなど）との間の屈折率差に因る収差を補正して、観察対象物の内部の局所的な照射領域に励起光を集光照射することができる。これらのことから、多光子励起の場合には、観察対象物の深い位置でも蛍光強度および解像度の双方が高い画像を得ることができ、また、多点走査と収差補正とを組み合わせることで観察対象物の深部の蛍光画像をも高速に取得することができる。
【００６４】
観察対象物Ｓに含まれる蛍光分子を励起して蛍光を発生させるのに必要な励起光強度に対して、光源１０から出力される励起光の強度が十分な余裕を有していて、かつ、多点走査をしても観察対象物Ｓへのダメージが少ない場合には、多点走査を行うＬＳＦＭまたはＭＭＭは高速化に極めて有効である。例えば、２光子励起蛍光顕微鏡では、フェムト秒ないしピコ秒のパルス幅を有するパルスレーザ光を出力するレーザ光源が用いられるが、そのレーザ光源において安定した出力を得るためにレーザ光出力は３Ｗ程度と極めて大きい。一方で、観察対象物において蛍光を発生させるために照射する励起光の光量は、観察対象物の表面に近い浅い位置では１０ｍＷ程度でよい。このように、蛍光発生に必要な励起光強度に対してレーザ光出力は３００倍程度の余裕がある。また、隣り合う２つの照射位置が極端に近接していない限りは熱の蓄積が小さい。
【００６５】
図３は、単点走査および多点走査について説明する図である。この図は、ｚ方向に平行に見たときの観察対象物Ｓにおける照射領域の走査の様子を示している。図３（ａ）に示される単点走査では、観察対象物Ｓのうちの観察すべき領域の全体において１つの照射領域Ａをラスタスキャンする。図３（ｂ）に示される４点走査では、観察対象物Ｓのうちの観察すべき領域を４等分して部分領域Ｓ１〜Ｓ４として、各部分領域Ｓｎにおいて照射領域Ａｎをラスタスキャンする。４点走査では４つの照射領域Ａ１〜Ａ４を同時に走査する。したがって、単点走査と比べて４点走査では計測時間を１／４に短縮することができる。
【００６６】
図２５は、他の多点走査の例について説明する図である。この図も、ｚ方向に平行に見たときの観察対象物Ｓにおける照射領域Ａ１〜Ａ４の走査の様子を示している。この例では、図２５（ａ）に示されるように、照射領域Ａ１〜Ａ４は、ラスタスキャンの際の高速軸に平行な直線上に配列されている。このような多点走査では、計測時間を短縮することができないが、図２５（ｂ）に示されるハッチング領域（照射領域Ａ１〜Ａ４の走査範囲が重なる領域）内の各位置を短い時間間隔で照射領域Ａ１〜Ａ４が順次に通過する。したがって、例えば蛍光を発するタンパク質などの移動を容易に確認することができる。この多点走査では、観察対象物Ｓにおける或る観測点において時刻が異なる複数枚の画像がそれぞれ出力される。この場合も、結局は、多点について同時に計測をしているので、他の励起光によって励起された蛍光の散乱も別の画像に含まれる。
【００６７】
図４は、４点走査の場合の観察対象物Ｓにおける照射領域Ａ１〜Ａ４および検出部３２の受光面における結像領域Ｂ１〜Ｂ４について説明する図である。図４（ａ）は、対物レンズ２１および観察対象物Ｓを示し、また、観察対象物Ｓにおける４つの照射領域Ａ１〜Ａ４を模式的に示す。図４（ｂ）は、結像レンズ３１および検出部３２を示し、また、検出部３２の受光面における４つの画素Ｐ１〜Ｐ４および４つの結像領域Ｂ１〜Ｂ４を模式的に示す。
【００６８】
検出部３２の受光面における各結像領域Ｂｎは、観察対象物Ｓにおける照射領域Ａｎに対して結像光学系による結像関係にある。観察対象物Ｓにおいて４つの照射領域Ａ１〜Ａ４は互いに分離しており、また、検出部３２の受光面において４つの結像領域Ｂ１〜Ｂ４も互いに分離している。各画素Ｐｎは、結像領域Ｂｎに対応しており、この結像領域Ｂｎにおける受光量に応じた値の検出信号を出力する。
【００６９】
図５は、４点走査の場合の観察対象物Ｓにおける照射領域Ａ１〜Ａ４および蛍光ビーズの分布を示す図である。この図では、観察対象物Ｓとして、各々実線の円で示された複数の蛍光ビーズがエポキシ樹脂中に分散されたものを想定している。また、この図では、照射領域Ａ２，Ａ４それぞれには蛍光ビーズが存在するとし、各々破線の円で示された照射領域Ａ１，Ａ３には蛍光ビーズが存在しないとしている。この図に示された例の場合、検出部３２の受光面における４つの結像領域Ｂ１〜Ｂ４のうち、結像領域Ｂ２，Ｂ４それぞれには蛍光が到達し、結像領域Ｂ１，Ｂ３には蛍光が到達しない。
【００７０】
しかし、対物レンズ２１と観察対象物Ｓ中の各照射領域との間の励起光および蛍光の光路には、散乱、回折および収差の要因となる蛍光ビーズが存在する。このことから、検出部３２の受光面において実際に蛍光が到達する受光領域は、観察対象物Ｓにおける照射領域に対する結像光学系による結像関係に基づく結像領域より広くなる。その広がりの程度は、観察対象物Ｓでの散乱や収差の大きさによる。一般的に、照射領域が観察対象物の表面付近にある場合に、受光領域の広がりの程度は最も小さい。照射領域が観察対象物の内部において深くなるほど、受光領域の広がりの程度は大きくなる。このことは、実際の観察対象物である生体等についても当て嵌まる。
【００７１】
図６は、４点走査の場合の検出部３２の受光面における受光領域の広がりについて説明する図である。この図では、実際に蛍光が到達する受光領域の広さを、円の大きさで示している。図６（ａ）は、照射領域が観察対象物の表面付近にある場合を示す。図６（ｂ）は、照射領域が観察対象物の内部の浅い位置にある場合を示す。また、図６（ｃ）は、照射領域が観察対象物の内部の深い位置にある場合を示す。
【００７２】
図６（ａ）に示されるように、照射領域が観察対象物の表面付近にある場合には、受光領域Ｃｎは、結像領域Ｂｎと同程度の広がりであり、本来対応する画素Ｐｎのみに収まっている。しかし、照射領域が観察対象物の内部において深くなるほど、受光領域Ｃｎの広がりの程度は結像領域Ｂｎより大きくなっていく。図６（ｃ）に示されるように、受光領域Ｃｎは、本来対応する画素Ｐｎだけでなく、隣の画素Ｐｎ−１，Ｐｎ＋１まで及ぶことになる。すなわち、本来は画素Ｐｎから出力されるべき検出信号の一部は、隣の画素Ｐｎ−１，Ｐｎ＋１から出力される検出信号に加えられてしまう。その結果、検出信号に基づいて生成される観察対象物Ｓの蛍光画像のＳＮ比が悪くなる。
【００７３】
図７は、単点走査の場合の検出部３２の各画素での蛍光強度を示すグラフである。ここでは、観察対象物Ｓとして蛍光ビーズがエポキシ樹脂中に分散されたものを用い、検出部３２としてｍＰＭＴを用いた。観察対象物Ｓの表面または内部において単一の照射領域を走査することができるように、空間光変調器に所定の変調パターンを呈示させた。この図は、観察対象物Ｓの表面（深さ０μｍ）、深さ２５０μｍ、深さ５００μｍおよび深さ１２５０μｍそれぞれに単一の照射領域を設定したときの検出部３２の受光面における受光領域の広がりを示す。横軸は、検出部３２としてのｍＰＭＴのアノード番号（画素位置）を表す。
【００７４】
観察対象物Ｓの表面（深さ０μｍ）に単一の照射領域を設定したとき、ｍＰＭＴの９個のアノード１〜９のうち単一のアノード６のみに蛍光が到達した。このことは、観察対象物Ｓにおける照射領域に対して結像関係にある受光面上の結像領域にあるのはアノード６のみであることを示している。観察対象物Ｓの表面（深さ０μｍ）では散乱の影響がないので、蛍光はアノード６のみに到達する。
【００７５】
観察対象物Ｓの内部における単一の照射領域の位置が深くなるに従って、アノード６の隣にあるアノード５，７等に到達する蛍光の量が増えていき、検出部３２の受光面における受光領域が広がっていった。アノード５，７等は、観察対象物Ｓにおける照射領域に対して結像関係にある結像領域にない。このような受光面における受光領域の広がりは、観察対象物Ｓにおける散乱や収差の影響により生じたものである。
【００７６】
単点走査の場合には、全てのアノード１〜９から出力される検出信号の総和を求めることで、検出部３２の受光面の全体に到達する蛍光の総量を求めればよい。或いは、単点走査の場合には、受光面において複数の画素が配列された検出部３２に替えて、単一チャネル（単一画素）の検出部を用いて、蛍光の総量を求めればよい。特に多光子励起の場合には、光子密度が高い集光点近傍においてのみ励起確率が高くなって蛍光が生じるので、励起光に対して収差や散乱の影響がなければ、観察したい位置（すなわち、励起光が集光した位置の近傍）のみから蛍光が生じる。このことから、或る局所的な照射領域から生じた蛍光が検出部の受光面で広がっていたとしても、その蛍光の総量を検出すればよい。そのときに検出部から出力される検出信号は、吸収の影響を無視すれば、局所的な照射領域から生じた蛍光を全て集めたものといえる。
【００７７】
これに対して、多点走査の場合には、観察対象物Ｓにおいて互いに区分された複数の照射領域に対して、結像光学系による結像関係により、検出部３２の受光面において互いに区分された複数の結像領域が存在する。観察対象物Ｓにおける複数の照射領域のうち何れかの照射領域で蛍光が発生すれば、検出部３２の受光面上では、蛍光が発生した照射領域に対し結像関係にある結像領域に蛍光が到達し、また、散乱や収差の影響があると実際の受光領域は結像領域より広がることになる。
【００７８】
図８は、２点走査の場合の検出部３２の各画素での蛍光強度を示すグラフである。この図は、図７に示された実測結果を用いて行った２点走査の場合のシミュレーションの結果を示すものである。この図は、観察対象物Ｓの表面（深さ０μｍ）、深さ２５０μｍ、深さ５００μｍおよび深さ１２５０μｍそれぞれに２つの照射領域を設定したときの検出部３２の受光面における受光領域の広がりを示す。
【００７９】
観察対象物Ｓの表面（深さ０μｍ）に２つの照射領域を設定したとき、ｍＰＭＴの９個のアノード１〜９のうち２つのアノード５，７のみに蛍光が到達する。このことは、観察対象物Ｓにおける一方の照射領域に対して結像関係にある受光面上の結像領域にあるのはアノード５であること、および、観察対象物Ｓにおける他方の照射領域に対して結像関係にある受光面上の結像領域にあるのはアノード７であることを示している。
【００８０】
観察対象物Ｓの内部における２つの照射領域の位置が深くなるに従って、アノード５，７以外のアノード４，６，８等に到達する蛍光の量が増えていく。アノード４，６，８等は、観察対象物Ｓにおける２つの照射領域に対して結像関係にある２つの結像領域にない。アノード４，６，８等により検出される蛍光は、これらのアノードにより本来は検出されるべきものではない。アノード５，７以外のアノード４，６，８等から出力される検出信号は、観察対象物Ｓの蛍光画像の作成に際してノイズとなる。
【００８１】
このノイズの影響により、作成される観察対象物Ｓの蛍光画像において、ゴースト像が発生したり、バックグラウンドノイズが増加したりする。ゴースト像およびバックグラウンドノイズは、本来は検出すべきでない蛍光を検出した画素から出力される検出信号（ノイズ）に起因する。しかし、観察対象物Ｓの蛍光画像において、或る場合にはノイズの影響がゴースト像として現れ、他の或る場合にはノイズの影響がバックグラウンドノイズとして現れる。
【００８２】
ゴースト像は、観察対象物Ｓの広い範囲において蛍光発生領域が比較的まばらであるときや、蛍光の信号のＳＮ比が高い場合に生じる。例えば、観察対象物Ｓとして蛍光ビーズがエポキシ樹脂中に分散されたものを用いて多点走査する場合を想定する。蛍光ビーズの分散密度が比較的小さい場合には、蛍光が発生し得る領域は少なく、多点走査の場合に複数の照射領域のうちの或る１つの照射領域のみにおいて蛍光が生じることがある。また、蛍光強度が強いことからＳＮ比が比較的高い。このとき、前述のように検出部３２の受光面上において実際の受光領域が広がることで、ノイズとして他の画素で観測される。この画素において本来生じる暗電流や読み出しノイズなどのノイズに比べて実際の受光領域の広がりによるノイズが比較的強く、また、この画素に他の蛍光が到達しなければ、この画素により、本来ないはずのビーズ、つまりゴースト像が観測されることになる。
【００８３】
図９は、単点走査および４点走査それぞれの場合の観察対象物の蛍光画像を示す図である。ここでは、観察対象物Ｓとして蛍光ビーズがエポキシ樹脂中に分散されたものを用いた。図９（ａ）は、単点走査の場合の観察対象物の蛍光画像を示す。図９（ｂ）は、４点走査の場合の観察対象物の蛍光画像を示す。また、図９（ｂ）は、観察対象物Ｓのうちの観察すべき領域を４等分して４つの部分領域Ｓ１〜Ｓ４としたときの各部分領域での走査（ラスタスキャン）の開始位置を矢印で示している。４点走査の場合の蛍光画像（図９（ｂ））の部分領域Ｓ３において、単点走査の場合の蛍光画像（図９（ａ））における蛍光ビーズの位置と同じ位置に蛍光ビーズの存在が認められる。加えて、４点走査の場合の蛍光画像（図９（ｂ））の部分領域Ｓ２，Ｓ４において、破線の円で囲った範囲に、ゴーストの発生により蛍光ビーズが存在しているように観察されている。
【００８４】
一方、観察対象物Ｓの全体の観察領域において蛍光発生領域が比較的まばらでない場合であって、蛍光の信号のＳＮ比が低い場合に、散乱による蛍光はバックグランドノイズとして観測される。例えば、検出部３２の各画素において２以上の蛍光信号が混合したり、観測される蛍光が画像において広範囲にわたっていたりする場合である。
【００８５】
いずれにしても、ゴースト像であれば、観測されないはずの像が観測されてしまい、バックグランドノイズであれば、ＳＮ比の低下が生じる。その結果、観察対象物Ｓにおける観測深さが制限されてしまうことになる。本実施形態は、このようなノイズの影響を低減して、多点走査により生成される観察対象物の画像のＳＮ比を改善することを図るものである。
【００８６】
図１０は、検出部３２の受光面における画素構造と結像領域との間の関係を説明する図である。この図では、検出部３２の受光面において１次元配列された１０個の画素Ｐ１〜Ｐ１０が示されている。
【００８７】
図１０（ａ）の例では、画素Ｐ４は結像領域Ｂ１に対応し、画素Ｐ５は結像領域Ｂ２に対応し、画素Ｐ６は結像領域Ｂ３に対応し、画素Ｐ７は結像領域Ｂ４に対応する。画素Ｐ１〜Ｐ３，Ｐ８〜Ｐ１０は何れの結像領域にも対応しない。
【００８８】
図１０（ｂ）の例では、画素Ｐ２は結像領域Ｂ１に対応し、画素Ｐ４は結像領域Ｂ２に対応し、画素Ｐ６は結像領域Ｂ３に対応し、画素Ｐ８は結像領域Ｂ４に対応する。画素Ｐ１，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ７，Ｐ９，Ｐ１０は何れの結像領域にも対応しない。
【００８９】
図１０（ｃ）の例では、画素Ｐ２は結像領域Ｂ１に対応し、画素Ｐ５は結像領域Ｂ２に対応し、画素Ｐ８は結像領域Ｂ３に対応する。画素Ｐ１，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ６，Ｐ７，Ｐ９，Ｐ１０は何れの結像領域にも対応しない。
【００９０】
図１０（ｄ）の例では、画素Ｐ４およびＰ５は結像領域Ｂ１に対応し、画素Ｐ８およびＰ９は結像領域Ｂ２に対応する。画素Ｐ１〜Ｐ３，Ｐ６，Ｐ７，Ｐ１０は何れの結像領域にも対応しない。
【００９１】
なお、画素と結像領域とが対応するとは、該画素の光電変換領域と該結像領域とが少なくとも一部で互いに重なることを意味する。
【００９２】
図１０（ｂ）〜（ｄ）の例では、検出部３２の受光面において何れの結像領域にも対応しない画素が各結像領域の両隣に存在する。図１０（ｂ）の例では、隣り合う２つの結像領域の間に、何れの結像領域にも対応しない画素が１つ存在する。図１０（ｃ），（ｄ）の例では、隣り合う２つの結像領域の間に、何れの結像領域にも対応しない画素が２つ存在する。図１０（ｄ）の例では、各結像領域に２つの画素が対応するので、画素Ｐ４およびＰ５それぞれの検出信号値の和を結像領域Ｂ１に到達する光の強度とし、画素Ｐ８およびＰ９それぞれの検出信号値の和を結像領域Ｂ２に到達する光の強度とすればよい。
【００９３】
本実施形態では、検出部３２は、受光面上において、観察対象物Ｓにおける複数の照射領域に対して結像光学系による結像関係にある複数の結像領域を有し、複数の結像領域それぞれが１以上の画素に対応し、複数の結像領域の何れにも対応しない画素が各結像領域の少なくとも一方側の隣に存在する。本実施形態では、このような関係が満たされるように、観察対象物Ｓにおける複数の照射領域の間隔や結像光学系の結像倍率が調整される。
【００９４】
図１１は、検出部３２から出力される検出信号と観察対象物Ｓの画像との関係を説明する図である。図１０（ｂ）に示される例において検出部３２の受光面における受光領域が結像領域より広がらない場合、検出部３２から出力される検出信号は、図１１（ａ）に示されるように、何れかの結像領域に対応する画素Ｐ２，Ｐ４，Ｐ６，Ｐ８それぞれについては各画素の受光量に応じた値となり、他の画素Ｐ１，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ７，Ｐ９，Ｐ１０それぞれについては暗電流ノイズレベルとなる。
【００９５】
一般に検出部から出力される検出信号は電流信号であるので、この電流信号は電流-電圧変換回路により電圧信号に変換される。その後、図１１（ｂ）に示されるように、画像作成部としての制御部７０により、観察対象物Ｓにおける各照射領域の位置に対応する画像上の位置に電圧信号値が記憶される。また、この際に、必要に応じて電圧信号に対してオフセット補正等が施される。
【００９６】
観察対象物Ｓの表面付近に照射領域があって検出部３２の受光面において受光領域が結像領域より広がらない場合には上記のとおりでよい。一方、観察対象物Ｓの内部の深い位置に照射領域があって検出部３２の受光面において受光領域が結像領域より広がる場合、作成される観察対象物Ｓの画像のＳＮ比を改善するために、画像作成部としての制御部７０は、各結像領域に対応する画素の検出信号を、該結像領域の隣にあって何れの結像領域にも対応しない１または２以上の画素の検出信号に基づいて補正し、その補正後の検出信号に基づいて観察対象物Ｓの画像を作成する。具体的には以下のとおりである。
【００９７】
結像領域に対応する画素Ｐｎの検出信号値をＶsignal_nとし、該結像領域の両隣にある画素Ｐｎ−１，Ｐｎ＋１の検出信号値をＶsample_n-1，Ｖsample_n+1とする。制御部７０は、該結像領域に対応する画素Ｐｎの補正後の検出信号値Ｖoutput_nを下記（１）式で求める。ただし、αは係数であり通常は１程度でよい。
【００９８】
【数１】
0006722883.tif 000002
【００９９】
図１２は、検出信号の補正の効果を確認するシミュレーションの結果を示すグラフである。この図は、４点走査を行った場合において観察対象物における４つの照射領域のうち１つの照射領域で蛍光が発生し、その蛍光が発生した照射領域に対応する検出部３２の受光面上の結像領域が画素Ｐ６（アノード番号６）に対応する場合を示す。図１２（ａ）は、シミュレーション条件を示すものであって、図７に示された観察対象物Ｓの深さ５００μｍに単一の照射領域を設定したときの検出部３２の受光面における受光領域の広がりを示す。図１２（ｂ）は、実施例（上記（１）式による補正をした場合）および比較例（補正をしない場合）それぞれについて、何れかの結像領域に対応する画素Ｐ２，Ｐ４，Ｐ６，Ｐ８の各検出信号を示す。
【０１００】
図１２（ａ）および図１２（ｂ）の比較例を見ると、検出部３２の受光面において受光領域が結像領域より広がったことにより、該結像領域に対応する画素Ｐ６から検出信号が出力されるだけでなく、他の結像領域に対応する画素Ｐ４，Ｐ８等からノイズが出力されている。これら画素Ｐ４，Ｐ８等のノイズを低減することで、観察対象物Ｓの画像のＳＮ比を改善することができる。画素Ｐ６を中心とする画素Ｐ３〜Ｐ９それぞれの検出信号値に注目すると、画素Ｐ６の検出信号値が最も大きく、この画素Ｐ６から遠くなるに従って画素の出力値が小さくなっていくことが分かる。また、画素Ｐ４の出力値は、両隣の画素Ｐ３，Ｐ５それぞれの出力値の略平均の値である。そこで、上記（１）式においてｎ＝４として画素Ｐ４の補正後の検出信号値Ｖoutput_4を求めればよい。画素Ｐ２，Ｐ６，Ｐ８についても同様である。このような補正をした結果が図１２（ｂ）の実施例のグラフである。比較例と比べて実施例では、画素Ｐ４，Ｐ８それぞれのノイズレベルが補正により１／２以下に低減されている。
【０１０１】
図１３も、検出信号の補正の効果を確認するシミュレーションの結果を示すグラフである。この図は、４点走査を行った場合において観察対象物における４つの照射領域のうち２つの照射領域で蛍光が発生し、その蛍光が発生した照射領域に対応する検出部３２の受光面上の一方の結像領域が画素Ｐ２（アノード番号２）に対応し、他方の結像領域が画素Ｐ６（アノード番号６）に対応する場合を示す。図１２（ａ）は、シミュレーション条件を示すものであって、図７に示された観察対象物Ｓの表面（深さ０μｍ）および深さ５００μｍそれぞれに２つの照射領域を設定したときの検出部３２の受光面における受光領域の広がりを示す。図１２（ｂ）は、実施例（上記（１）式による補正をした場合）および比較例（補正をしない場合）それぞれについて、何れかの結像領域に対応する画素Ｐ２，Ｐ４，Ｐ６，Ｐ８の各検出信号を示す。
【０１０２】
図１３（ａ）および図１３（ｂ）の比較例を見ると、観察対象物Ｓの表面（深さ０μｍ）に２つの照射領域を設定した場合、検出部３２の受光面において結像領域と比べて受光領域の広がりが殆どなく、画素Ｐ２，Ｐ６から検出信号が出力されるのみで、他の画素Ｐ４，Ｐ８からノイズが殆ど出力されていない。これに対して、観察対象物Ｓの深さ５００μｍに２つの照射領域を設定した場合、検出部３２の受光面において受光領域が結像領域より広がったことにより、画素Ｐ２，Ｐ６から検出信号が出力されるだけでなく、他の画素Ｐ４，Ｐ８からノイズが出力されている。上記と同様にして、これら画素Ｐ４，Ｐ８等のノイズを低減することで、観察対象物Ｓの画像のＳＮ比を改善することができる。画素Ｐ２，Ｐ６についても同様である。このような補正をした結果が図１３（ｂ）の実施例のグラフである。この場合にも、比較例と比べて実施例では、画素Ｐ４，Ｐ８それぞれのノイズレベルが補正により１／２以下に低減されている。
【０１０３】
このような補正は、画素Ｐ４，Ｐ８の出力値についてだけでなく、画素Ｐ２，Ｐ６の出力値についても行われる。画素Ｐ１，Ｐ３の出力値には画素Ｐ２の出力値の影響が及んでいるので、画素Ｐ２の出力値について上記の補正をすると、画素Ｐ２の出力値を過剰に低減することになる。同様に、画素Ｐ５，Ｐ７の出力値には画素Ｐ６の出力値の影響が及んでいるので、画素Ｐ６の出力値について上記の補正をすると、画素Ｐ６の出力値を過剰に低減することになる。しかし、画素Ｐ２，Ｐ６の出力値は元々大きいのに対して、補正による低減量は小さい。したがって、観察対象物Ｓの画像のＳＮ比を改善する為に、画素Ｐ２，Ｐ６の出力値を僅かに犠牲にしても問題は殆どない。
【０１０４】
次に、非特許文献１，２に記載された従来のＳＮ比改善技術と対比して、本実施形態の効果について説明する。これらの従来のＳＮ比改善技術では、検出部の受光面において、複数の結像領域の間に、何れの結像領域にも対応しない画素は設けられていない。
【０１０５】
非特許文献１に記載されたＳＮ比改善技術では、単一の蛍光発生領域が存在する観察対象物に対して単点走査を行なって検出部の受光面上に広がった受光量分布（図１２（ａ）に相当）を求め、多点走査により取得された観察対象物の画像と上記の受光量分布とのデコンボリューションを計算する。このＳＮ比改善技術は、多点走査とは別に単点走査を行なって検出部の受光面上に広がった受光量分布を求める必要がある。また、この受光量分布は、観察対象物における蛍光発生領域の深さ（ｚ方向の位置）によって異なるので、ｚ方向の各位置に照射領域を設定して求める必要があり、データ取得に長時間を要する。
【０１０６】
非特許文献２に記載されたＳＮ比改善技術では、多点走査により取得された観察対象物の画像に基づいて最尤推定法による推定を行うことから、その最尤推定法による推定を行う際に計算を繰り返して行う必要があり、その繰り返し計算に長時間を要する。
【０１０７】
これらの従来のＳＮ比改善技術は、データ取得または計算に長時間を要し、リアルタイム処理が困難である。そもそも、多点走査は計測時間の短縮を目的とするにも拘らず、これらの従来のＳＮ比改善技術は、データ取得または計算に長時間を要することから、却って単点走査の場合より長時間を要する場合がある。
【０１０８】
これに対して、本実施形態では、補正を行う上で必要な信号を多点走査により取得することができ、しかも、簡単な計算処理で補正を行うことができるので、補正を行わない場合と比較して所要時間が殆ど異ならない。このように、本実施形態では、多点走査により生成される観察対象物の画像のＳＮ比を容易に改善することができる。
【０１０９】
次に、本実施形態のＳＮ比改善技術を適用した実施例について説明する。
図１４は、第１実施例によるＳＮ比改善の効果を示す観察対象物の蛍光画像である。第１実施例では、蛍光ビーズがエポキシ樹脂中に分散されたものを観察対象物として用いて、４点走査を行った。この図では、観察対象物のうちの観察すべき領域を４等分して４つの部分領域としたときの各部分領域での走査（ラスタスキャン）の開始位置を矢印で示している。図１４（ａ）は、図９（ｂ）と同じであり、補正前の蛍光画像である。この補正前の蛍光画像では、破線の円で囲った範囲に、ゴーストの発生により蛍光ビーズが存在しているように観察されている。図１４（ｂ）は、上記（１）式による補正後の蛍光画像である。この補正後の蛍光画像では、ゴースト像は認められない。補正前の蛍光画像（図１４（ａ））と比較して、補正後の蛍光画像（図１４（ｂ））ではＳＮ比が改善されていることが分かる。補正前の蛍光画像（図１４（ａ））に対して上記（１）式の簡単な計算処理による補正を行うだけで、ＳＮ比が改善された蛍光画像（図１４（ｂ））を容易かつ短時間に得ることができる。
【０１１０】
図１５〜図１７は、第２実施例によるＳＮ比改善の効果を示す観察対象物の蛍光画像である。第２実施例で用いた観察対象物は、第１実施例で用いたものと比べてエポキシ樹脂中における蛍光ビーズの分散密度が高いものであった。観察対象物の表面をｚ＝０として、ｚ＝１０００μｍ〜１０３０μｍの範囲を０.６μｍピッチで対物レンズを移動させて、３次元画像を取得した。なお、観察対象物中の深さ方向の実際の移動量は、対物レンズ移動量に観察対象物の屈折率を乗じたものとなる。また、観察対象物への光照射の際に収差補正を行った。
【０１１１】
図１５（ａ）は、単点走査を行なった場合のｙｚ平面の画像であり、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）中の破線で示した深さにおけるｘｙ平面画像である。図１６（ａ）は、４点走査を行い且つ上記（１）式による補正を行った場合のｙｚ平面画像であり、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）中の破線で示した深さにおけるｘｙ平面画像である。図１７（ａ）は、４点走査を行い且つ上記（１）式による補正を行わなかった場合のｙｚ平面画像であり、図１７（ｂ）は、図１７（ａ）中の破線で示した深さにおけるｘｙ平面画像である。図１６および図１７には、観察対象物のうちの観察すべき領域を４等分して４つの部分領域としたときの各部分領域での走査（ラスタスキャン）の開始位置を矢印で示している。
【０１１２】
図１５中の矢印は、注目すべきポイントを指し示している。図１５〜図１７を対比すると、４点走査を行い且つ上記（１）式による補正を行った実施例（図１６）のＳＮ比は、４点走査を行い且つ上記（１）式による補正を行わなかった比較例（図１７）と比べて改善されており、単点走査を行なった場合（図１５）のＳＮ比と同程度であることが分かる。
【０１１３】
図１８は、第３実施例によるＳＮ比改善の効果を示す観察対象物の蛍光画像である。第３実施例では、潅流固定により血管内にFluorescein Isothiocyanate-Dextranを固定したラットの脳を観察対象物として用い、深さ１００μｍ程度に照射領域を設定して４点走査を行った。図１８は、上記（１）式による補正を行った場合（実施例）の蛍光画像である。図１９は、上記（１）式による補正を行わなかった場合（比較例）の蛍光画像である。図１８の蛍光画像（実施例）では、観察対象物Ｓの部分領域Ｓ１〜Ｓ４のうちの部分領域Ｓ３に、手前から奥行方向に光軸に平行に伸びる血管像が認められる。これに対して、図１９の蛍光画像（比較例）では、部分領域Ｓ２，Ｓ４に血管像のゴーストが認められる。図１８の蛍光画像（実施例）では、ゴースト像はノイズレベル程度に抑えられている。
【０１１４】
次に、変形例について説明する。例えば、以下のような様々な変形例の構成とすることができる。
補正式は上記（１）式に限られない。例えば、制御部７０は、検出部３２の受光面における結像領域に対応する画素Ｐｎの補正後の検出信号値Ｖoutput_nを下記（２）式で求めてもよい。この（２）式は、結像領域に対応する画素Ｐｎの検出信号値Ｖsignal_nから補正後の検出信号値Ｖoutput_nを求めるに際して、該結像領域の両隣にある画素Ｐｎ−１，Ｐｎ＋１の検出信号値Ｖsample_n-1，Ｖsample_n+1だけでなく、更に隣にある画素Ｐｎ−２，Ｐｎ＋２の検出信号値Ｖsignal_n-2，Ｖsignal_n+2をも考慮して、重みづけを行うものである。他にも様々な補正式が有り得るが、基本的には、何れの結像領域にも対応しない画素の検出信号を用いて、結像領域に対応する画素の検出信号を補正すればよい。
【０１１５】
【数２】
0006722883.tif 000003
【０１１６】
上記の実施形態では、受光面において複数の画素が１次元配列された検出部を用いた場合を説明したが、受光面において複数の画素が２次元配列された検出部を用いてもよい。図２０〜図２２は、受光面において複数の画素が２次元配列された検出部を用いる場合の画素構造と結像領域との間の関係を説明する図である。これらの図において、矩形枠は画素を表し、円領域は結像領域を表す。
【０１１７】
図２０の例では、検出部の受光面において、各結像領域の四方の隣に、何れの結像領域にも対応しない４つの画素が存在する。この場合、結像領域に対応する画素Ｐm,nの検出信号値Ｖsignal_m,nから補正後の検出信号値Ｖoutput_m,nを例えば下記（３）式で求めることができる。Ｖsample_m-1,n，Ｖsample_m+1,n，Ｖsample_m,n-1，Ｖsample_m,n+1 は、それぞれ、結像領域の四方の隣にある画素Ｐm-1,n，Ｐm+1,n，Ｐm,n-1，Ｐm,n+1 の検出信号値である。
【０１１８】
【数３】
0006722883.tif 000004
【０１１９】
図２１の例では、検出部の受光面において、各結像領域の両隣に、何れの結像領域にも対応しない２つの画素が存在する。この場合、結像領域に対応する画素Ｐm,nの検出信号値Ｖsignal_m,nから補正後の検出信号値Ｖoutput_m,nを例えば下記（４）式で求めることができる。Ｖsignal_m-1,n，Ｖsignale_m+1,n，Ｖsample_m,n-1，Ｖsample_m,n+1 は、それぞれ、結像領域の四方の隣にある画素Ｐm-1,n，Ｐm+1,n，Ｐm,n-1，Ｐm,n+1 の検出信号値である。
【０１２０】
【数４】
0006722883.tif 000005
【０１２１】
図２２の例では、検出部の受光面において、各結像領域の一方側の隣に、何れの結像領域にも対応しない１つの画素が存在する。この場合、結像領域に対応する画素Ｐm,nの検出信号値Ｖsignal_m,nから補正後の検出信号値Ｖoutput_m,nを例えば下記（５）式で求めることができる。Ｖsignal_m-1,n，Ｖsignale_m+1,n，Ｖsample_m,n-1，Ｖsignal_m,n+1 は、それぞれ、結像領域の四方の隣にある画素Ｐm-1,n，Ｐm+1,n，Ｐm,n-1，Ｐm,n+1 の検出信号値である。
【０１２２】
【数５】
0006722883.tif 000006
【０１２３】
なお、図２１および図２２の例では、補正によるＳＮ比改善の程度は小さいものの、補正前の画像のＳＮ比が非常に低い場合には補正によるＳＮ比改善効果が十分に認められる。
【０１２４】
上記（１）〜（５）の各式における係数αは、通常は１程度でよいが、検出部の各画素の検出信号値に基づいて設定することができる。例えば、検出部の受光面において何れの結像領域にも対応しない画素の検出信号値は本来は０になるべきであるので、この画素の検出信号値に対して補正をした結果が０となるように、係数αの値を設定すればよい。
【０１２５】
上記の実施形態では主に観察対象物の蛍光画像を作成する場合について説明したが、観察対象物の高調波光や反射散乱光の蛍光画像を作成する場合にも適用可能である。蛍光画像を作成する場合、単光子励起であってもよいし、多光子励起であってもよい。また、自家蛍光の画像を作成することもできる。
【０１２６】
上記の実施形態では主に空間光変調器を用いて観察対象物における複数の照射領域に光を照射する場合について説明したが、セグメントタイプのデフォーマブルミラー、回折光学素子、マイクロレンズアレイ、ビームスプリッタなどを用いて、観察対象物における複数の照射領域に光を照射してもよい。また、観察対象物において複数の照射領域は深さが異なっていてもよい。
【０１２７】
上記の実施形態では主に検出部としてｍＰＭＴを用いる場合について説明したが、ＭＰＰＣ（登録商標）、フォトダイオードアレイ、アバランシェフォトダイオードアレイ、ＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサなどを検出部として用いることもできる。
【０１２８】
観察対象物における照射領域で発生する光を導いて検出部の受光面上の結像領域に結像する結像光学系の結像倍率は、可変であるのが好適である。例えば、図１に示される画像取得装置１の構成において検出部３２の前段に設けられた結像レンズ３１もしくはズームレンズ４７、または、図２に示される画像取得装置２の構成において検出部３２の前段に設けられた結像レンズ３１は、可変焦点レンズであるのが好適である。ズーム倍率は、制御部から与えられる電気信号により制御されるのが好適である。可変焦点レンズは、電気信号により制御される素子単体でもよく、あるいは、ＢＫ７などのガラス材料などで構成される固定焦点距離のレンズを１枚以上組み合わせた構成でもよい。
【０１２９】
画像取得装置１，２では、走査部（光スキャナ１４，１４ａ，１４ｂ）の走査範囲、検出部３２の受光面における結像領域の間隔および数、ならびに、観察対象物における照射領域の大きさによって、視野範囲および分解能がほぼ決まる。例えば、広い視野範囲を観察したい場合には走査範囲を広く設定して走査させる。逆に、狭い視野範囲を観察したい場合には走査範囲を狭く設定して走査させる。
【０１３０】
多点走査を行う場合、空間光変調器に呈示する変調パターンによって観察対象物における複数の照射領域の間隔を変更することができ、視野範囲を変更することができる。一方、検出部の受光面において配列されている複数の画素の間隔は固定である。したがって、観察対象物における複数の照射領域の間隔を変更すると、検出部の受光面における結像領域と画素との間の対応関係が異なってしまう。
【０１３１】
例えば、観察対象物における複数の照射領域が或る一定間隔で配置されているとき、図２３（ａ）に示されるように、隣り合う２つの結像領域の間に、何れの結像領域にも対応しない画素が存在していたとする。しかし、観察対象物における複数の照射領域が別の間隔で配置されると、図２３（ｂ）に示されるように、隣り合う２つの結像領域の間に、何れの結像領域にも対応しない画素が存在しない事態が生じる場合がある。このような事態の発生を回避するために、検出部３２の前段に配置された可変焦点レンズを調整することで、観察対象物における複数の照射領域の間隔を変更した場合であっても、図２３（ａ）に示されるような画素構造と結像領域との間の好適な関係を満たすようにすることができる。
【０１３２】
空間光変調器を用いて光を回折させて複数の照射領域を形成する場合には、回折格子や複数の照射領域を生成するための変調パターン（ホログラムパターン）を空間光変調器に呈示させる。これらホログラムパターンの最大回折角θmaxは、空間光変調器で表現できる最も空間周波数の高い回折格子パターン（２値２画素周期）の格子間隔ａおよび被変調光の波長λから、次式で求められる。
【０１３３】
【数６】
0006722883.tif 000007
【０１３４】
また、観察対象物における＋１次回折光と０次回折光（回折格子を表示しないときの集光位置）との間の間隔Ｌは、対物レンズの焦点距離ｆobjおよびθmaxを用いて、次式で求められる。したがって、空間光変調器は、観察対象物において光軸を中心に２Ｌ×２Ｌだけ離れた範囲内に照射領域を形成することができる。
【０１３５】
【数７】
0006722883.tif 000008
【０１３６】
ここで、光の波長を８００ｎｍとし、格子間隔ａを４０μｍとし、対物レンズの焦点距離ｆobjを４.５ｍｍとすると、Ｌ＝９０μｍが得られる。
【０１３７】
観察対象物において複数の照射領域を形成するには、その為のホログラムパターンを空間光変調器に呈示する。ここで、観察対象物において一定間隔で配置された４つの照射領域を形成して走査するものとし、その間隔については次の３とおりを想定して、以下に説明する。
（a）５μｍ、          （b）１０μｍ、        （c）１５μｍ
観察対象物において照射領域を走査する場合、走査可能範囲は例えば次のようになる。
（a）２０×２０μｍ、  （b）４０×４０μｍ、   （c）６０×６０μｍ
このとき、隣り合う２つの照射範囲で構成される回折角度θはそれぞれ次のようになる。
（a）０.００１１[rad]、 （b）０.００２２[rad]、 （c）０.００３３[rad]
【０１３８】
検出部の前段に設けられる可変焦点レンズの焦点距離f１を２００ｍｍとする。検出部の受光面における隣り合う２つの結像領域の間の間隔Ｌ１は、回折角度θおよび焦点距離f１から下記（８）式で表され、次のようになる。
（a）２２２μｍ、      （b）４４４μｍ、      （c）６６６μｍ
【０１３９】
【数８】
0006722883.tif 000009
【０１４０】
検出部の受光面において配列された複数の画素の間隔を４００μｍとする。このとき、（a）の条件では、１つの画素に複数の結像領域が対応する恐れがあり、（c）の条件では、蛍光が入射しない画素が生じることになる。
【０１４１】
このような問題を解決するために可変焦点レンズを採用する。そして、電気制御のズームレンズを用いて、検出部の受光面における隣り合う２つの結像領域の間の間隔を次のように拡大または縮小する。
（a）３.６倍、          （b）１.８倍、         （c）１.２倍
このようにすることで、隣り合う２つの結像領域の間の間隔を８００μｍとすることができ、隣り合う２つの結像領域の間に、何れの結像領域にも対応しない画素が存在することになる。
【０１４２】
以上より、検出部の複数の画素の間隔ｐ、空間光変調器により形成される複数の照射領域のうちの隣り合う２つの照射領域で構成される回折角度θ、および、検出部の直前に配置されたレンズの焦点距離ｆ１がわかると、次式より、可変焦点レンズが拡大または縮小すべき倍率Ｍを決定することができ、これに基づいて自動的に調整が実施される。
【０１４３】
【数９】
0006722883.tif 000010
【０１４４】
このＭは、実際の実験では理論値と異なる場合がある。まず初めにキャリブレーションを行い理論値と実測とのズレ量を計測し、その実測値も記憶しておく。その後に形成される照射領域の間隔が変化した場合には、ズームレンズの理論値と実測とのズレを考慮して自動的に倍率を変更する。例えば、照射領域の間隔が理論値において１／２に変化した場合には、実測値から１／２となるように倍率を変更すればよい。
【０１４５】
可変焦点レンズは、複数枚のレンズを組み合わせた構成とする場合、図２４に示されるように固定レンズ１０１および可変レンズ１０２により構成することができる。この場合の可変焦点レンズの合成焦点距離ｆ１は、固定レンズ１０１の焦点距離ｆsta、可変レンズ１０２の焦点距離ｆeleおよび両レンズ間の間隔ｄから、次式で表される。必要な合成焦点距離ｆ１を上記の方法により求めた後、次式から、可変レンズ１０２の焦点距離ｆeleを求めればよい。
【０１４６】
【数１０】
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【０１４７】
何れにしても、空間光変調器によって生成される複数の照射領域の間隔に応じて、可変焦点レンズの焦点距離を自動的に決めることができる。
【０１４８】
なお、励起光および蛍光それぞれのテレセントリックリレーレンズ系の結像倍率が互いに異なる場合には、その結像倍率も考慮する必要がある。例えば、励起光の光学系が３つのリレーレンズ系で構成され、一方、蛍光の光学系が２つのリレーレンズ系で構成される場合に、特に考慮する必要がある。また、レンズに色収差（レンズの焦点距離が波長によって異なる現象）が存在する場合には、その補正が必要となるので、調整のためのフィードバックなどを含めるのが好ましい。
【０１４９】
また、可変レンズの倍率が変わっても集光位置が変化しない構成とすることが望ましい。集光位置が変化する場合は、検出器を移動させる構成とすることが望ましい。
【符号の説明】
【０１５０】
１，２…画像取得装置、１０…光源、１１，１２…空間光変調器、１３…ダイクロイックミラー、１４，１４ａ，１４ｂ…光スキャナ、２１…対物レンズ、２２…対物レンズ移動機構、２３…ステージ、２４…ステージ移動機構、３１…結像レンズ、３２…検出部、４１〜４６…レンズ、４７…ズームレンズ、５１〜５３…ミラー、５４…フィルタ、６１〜６６…レンズ、７０…制御部、７１…入力部、７２…表示部、Ｓ…観察対象物。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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