(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１磁性層、第１非磁性層、及び第２磁性層を積層してなる積層体を含む応力検出層を有し、
前記第１磁性層及び前記第２磁性層は互いに異なる磁気弾性結合定数を有し、
前記第１磁性層及び前記第２磁性層のうちの一方は、磁気弾性結合定数の絶対値が０．５ＭＪ／ｍ3以下である歪鈍感層であり、他方は磁気弾性結合定数の絶対値が前記歪鈍感層の値よりも大きい歪敏感層であり、
前記第１磁性層及び前記第２磁性層の磁化の相対角度は外部から加えた応力に依存して変化し、前記相対角度に依存し、前記外部から加えた応力の方向に応じた電気抵抗の変化によって、歪み方向を検出する、
応力センサ。
【請求項２】
前記第１磁性層及び前記第２磁性層のうちの一方は、磁気弾性結合定数の絶対値が０．１ＭＪ／ｍ3以下である歪鈍感層である、請求項１に記載の応力センサ。
【請求項３】
前記歪敏感層の磁気弾性結合定数の絶対値は１ＭＪ／ｍ3以上である、請求項１または２に記載の応力センサ。
【請求項４】
前記第１磁性層及び前記第２磁性層は、応力が加えられていない初期状態において、磁化方向が互いに平行あるいは反平行配列している、
請求項１〜３記載の応力センサ。
【請求項５】
前記応力検出層は、前記積層体に加えて、第２非磁性層及び第３磁性層からなる構造を１以上積層した積層体をさらに含む、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の応力センサ。
【請求項６】
前記応力検出層を支持する基板を有する、
請求項１〜５のいずれか一項に記載の応力センサ。
【請求項７】
前記基板は、フレキシブル基板である、
請求項６に記載の応力センサ。
【請求項８】
前記第１、第２及び第３磁性層は、金属の磁性体からなる、
請求項１〜７のいずれか一項に記載の応力センサ。
【請求項９】
前記第１、第２及び第３磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ及びそれらを含む合金からなる群より選択される１種を含む、請求項８に記載の応力センサ。
【請求項１０】
前記第１及び第２非磁性層は、金属又は絶縁体である、
請求項１〜９のいずれか一項に記載の応力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、応力センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の応力センサとしては、例えば、センサセグメントとして一定方向に延びるように配置した抵抗体を用い、応力によってこの抵抗体がその長手方向に変形した場合の抵抗値変化をもって応力を検出する手法がよく知られている（例えば、特許文献１参照）。【０００３】
特許文献１には、上記の手法を用いた応力センサの一例であって、温度の影響を受けることなく、正確に目的の応力演算値を得ることを企図した応力センサが開示されている。具体的には、特許文献１には、基板と、この基板上に形成されたセンサ素子用抵抗体と、を備え、上記センサ素子抵抗体は、他の３つの抵抗素子と組み合わされてブリッジ回路が構成される応力センサが開示されている。また、特許文献１には、上記基板には、上記他の３つの抵抗素子のうちの１つの抵抗素子が、温度補償用抵抗として、上記センサ素子用抵抗体と同一もしくは略同一の抵抗温度係数をもつ材質によって形成されることが開示されている（要約書参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−３３３４０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このような従来の応力センサは１つの素子で応力の大きさを検出することはできるが、検出できる応力の方向が限定されるという問題があった。このため、応力センサの面内における任意の方向の応力を検出できるようにするためには複数のセンサを併用する必要があった。【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、１つの素子で面内の任意の方向の応力を検出することができる応力センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するため、応力センサの一態様は、第１磁性層、第１非磁性層、及び第２磁性層を積層してなる積層体を含む応力検出層を有し、第１磁性層及び第２磁性層は互いに異なる磁気弾性結合定数を有し、外部から加えた応力に依存して変化する第１磁性層及び第２磁性層の磁化の相対角度に依存した電気抵抗によって応力を検出するものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、１つの素子で面内の任意の方向の応力を検出することができる応力センサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１及び第２実施形態に係る応力センサの概略断面図である。
【図２】本実施形態に係る応力センサにおける、磁化の相対角度と電気抵抗の関係について説明するための図である。
【図３】第１実施形態に係る応力センサの作用を説明する図である。
【図４】第２実施形態に係る応力センサの作用を説明する図である。
【図５】第３実施形態に係る応力センサの概略断面図である。
【図６】第４実施形態に係る応力センサの概略断面図である。
【図７】Ｃｏ膜を各種非磁性層で挟んだときの磁気弾性結合定数を示す図である。
【図８】実施例３の応力センサの構成を示す図である。
【図９】実施例３の応力センサの作用を示す図である。
【図１０】実施例３の応力センサの歪方向と抵抗変化の関係を示す図である。
【図１１】実施例４の応力センサの構成を示す図である。
【図１２】実施例４の応力センサの作用を示す図である。
【図１３】実施例４の応力センサに与えた磁場と抵抗変化の関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る応力センサの概略断面図である。
図１に示すとおり、応力センサ１０は、基板１と、基板１上に形成された下地層２と、下地層２上に形成された応力検出層３と、応力検出層３上に形成された保護層４と、保護層４上に形成された電極５ａ，５ｂとを備える。
【００１１】
基板１は、樹脂基板からなり、中でも、可撓性や伸縮性を有するフレキシブル基板を用いると、人体の動きを感知するセンサ等の用途に用いることができる。このようなフレキシブル基板として、例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミドからなる基板が用いられる。
【００１２】
下地層２は、応力検出層３の結晶配向性を決め、また応力検出層３中の磁性層と基板１との接着性を高めるものであり、非磁性体であればよい。例えば、下地層２は、３ｄ，４ｄ，５ｄ遷移金属非磁性体である、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕなどからなる。また、下地層２は絶縁体により構成されていてもよく、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムや酸化マグネシウムであってもよい。
【００１３】
応力検出層３は、上層から順に、第１磁性層３１、第１非磁性層３０、及び第２磁性層３２からなる積層体を備える。なお、図示しないが、応力検出層３は、上記積層体の上層または下層に、第２非磁性層及び第３磁性層からなる構造を１以上積層した積層体をさらに含んでいてもよい。追加の第２非磁性層及び第３磁性層からなる構造の積層数の上限に限定はないが、例えば５０程度である。第２非磁性層及び第３磁性層とは材料や厚さが異なる非磁性層及び磁性層からなる構造を１以上積層した積層体をさらに含んでもよい。このように、応力検出層３は、非磁性層を挟んだ状態で、複数の磁性層が積層された構造となっている。
【００１４】
第１磁性層３１及び第２磁性層３２は互いに異なる磁気弾性結合定数Ｂを有する。第１磁性層３１及び第２磁性層３２の磁化方向（磁気モーメント）は、応力が加えられていない初期状態で平行、あるいは反平行配列している。初期状態で磁化を平行、あるいは反平行にするためには、例えば応力検出層３を磁界中で製膜することや、素子を細長く加工することによる形状効果により、一軸磁気異方性を付与することで実現することができる。
【００１５】
第１磁性層３１及び第２磁性層３２のうちの一方は歪鈍感層であり、他方は歪敏感層である。歪鈍感層とは、応力（歪）が加わった場合でも歪鈍感層の磁化方向が実質的に変化しない層であり、歪敏感層とは、応力（歪）が加わった場合に歪敏感層の磁化方向が歪方向に対して平行または垂直に向く層をいう。Ｂ＞０の場合には歪敏感層の磁化方向が歪方向に対して平行に向き、Ｂ＜０の場合には歪敏感層の磁化方向が歪方向に対して垂直に向くこととなる。歪敏感層との相対値から定義すると、歪鈍感層は、歪敏感層よりもその磁気弾性結合定数Ｂが十分に小さく、好ましくは、歪鈍感層の磁気弾性結合定数の絶対値は、歪敏感層の磁気弾性結合定数の１／５以下と定義される。また、磁気弾性結合定数の絶対値から定義すると、歪鈍感層の磁気弾性結合定数の絶対値は実質的に０であることが好ましく、具体的には、０．５ＭＪ／ｍ３以下、０．４ＭＪ／ｍ３以下、０．３ＭＪ／ｍ３以下、０．２ＭＪ／ｍ３以下、０．１ＭＪ／ｍ３以下であり、できる限り０に近いことが好ましい。また好ましくは、歪敏感層の磁気弾性結合定数の絶対値は、１ＭＪ／ｍ３以上である。なお、応力（歪）とは、引張、圧縮、たわみ等の各種応力を含む。
【００１６】
磁性層は、金属（合金を含む）の磁性体からなり、好ましくは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの３ｄ遷移金属強磁性体及びそれらを含む合金からなる。
【００１７】
第１磁性層３１及び第２磁性層３２は、同一の磁性材料で構成されていても異なる磁性材料で構成されていてもよい。また、第１磁性層３１及び第２磁性層３２は、同一の厚さであっても異なる厚さであってもよい。第１磁性層３１及び第２磁性層３２の材料が同じであっても膜厚が異なれば、第１磁性層３１及び第２磁性層３２は互いに異なる磁気弾性結合定数Ｂを有することとなる。また、第１磁性層３１及び第２磁性層３２の材料及び膜厚が同一であったとしても、第１磁性層３１及び第２磁性層３２の上下に接する非磁性層（保護層又は下地層を含む）の材料が異なることにより、第１磁性層３１及び第２磁性層３２は互いに異なる磁気弾性結合定数Ｂを有することになる。また、第３磁性層を備える場合、第３磁性層は第１磁性層及び第２磁性層と同一材料で構成されていても異なる材料であってもよいし、同じ厚さであっても異なる厚さであってもよい。
【００１８】
第１磁性層３１及び第２磁性層３２を含めた磁性層の膜厚は、３０ｎｍ以下に設定される。このように磁性層の膜厚を３０ｎｍ以下と薄くすることにより、磁性層は、応力の存在により伸縮し、応力がなくなれば元に復元する特性を発揮することができる。
なお、第１磁性層及び第２磁性層は、種類の異なる金属磁性層を積層したものでもよい。
また、歪鈍感層を第１磁性層とする場合は第一磁性層と保護層の間に、歪鈍感層を第２磁性層とする場合は第２磁性層と下地層の間に、ＮｉＦｅなどからなる反強磁性層を配置してもよい。反強磁性層を配置することにより、鈍感層の磁化を単磁区状態のまま一方向に固定することが容易となる（交換バイアス式）。反強磁性層の厚みは３ｎｍ以上３０ｎｍ以下が好ましい。
【００１９】
第１非磁性層３０は、非磁性体であればよく、３ｄ，４ｄ，５ｄ遷移金属非磁性体、例えば、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕなどからなる。また、第１非磁性層３０は絶縁体であってもよく、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムや酸化マグネシウム等をからなる。第１非磁性層３０の厚さは１０ｎｍ以下である。また、第２非磁性層を備える場合、第２非磁性層は第１非磁性層と同一材料で構成されていても異なる材料であってもよいし、同じ厚さであっても異なる厚さであってもよい。
【００２０】
保護層４は、応力検出層３を保護するものであり、非磁性体であればよい。例えば、保護層４は、３ｄ，４ｄ，５ｄ遷移金属非磁性体である、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕなどからなる。
【００２１】
電極５ａ，５ｂの材料に限定はなく、例えばＰｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ等からなる金属又はこれらの金属を含む導電体が使用される。電極５ａ，５ｂを通じて応力検出層３に電流が供給され、応力検出層３の電気抵抗値が検出される。本実施形態では、応力検出層３の上部に電極５ａ，５ｂが形成されている。電極５ａと電極５ｂの間に電圧を印加すると結果的に応力検出層３の全層に電流が流れ込むことから、後述する巨大磁気抵抗効果を検出可能である。
【００２２】
図２は、本実施形態に係る応力センサにおける、磁化の相対角度と電気抵抗の関係について説明するための図である。図２（ａ）は基本素子構造を示し、図２（ｂ）は磁化の相対角度が０°の場合（低抵抗状態）、図２（ｃ）は磁化の相対角度（Ｍ１とＭ２の角度）が９０°の場合（中間抵抗状態）、図２（ｄ）は磁化の相対角度が１８０°の場合を図解している。第１磁性層３１の磁化方向（磁化モーメント）をＭ１とし、第２磁性層３２の磁化方向をＭ２とする。
【００２３】
本実施形態に係る応力センサでは、面内に電流を流した場合に検出される電気抵抗の値が、第１磁性層３１と第２磁性層３２の磁化の相対角度に応じて変化する（図２（ｂ）−（ｄ））。図２（ｂ）に示すように磁化の相対角度が０℃の場合には応力検出層３の電気抵抗値が低抵抗状態となり、図２（ｃ）に示すように磁化の相対角度が０°を超え１８０°未満の場合（図２（ｃ）では一例として９０°の場合を図解）には応力検出層３の電気抵抗値は中間状態（低抵抗状態と高抵抗状態の間）となり、図２（ｄ）に示すように磁化の相対角度が１８０℃の場合には応力検出層３が高抵抗状態となる。このように、磁化の相対角度に応じて、応力検出層３の電気抵抗値は異なる値となる。これはいわゆる巨大磁気抵抗効果（２００７年ノーベル物理学賞）であり、磁性層／非磁性層の積層回数を増やすと、一般的に磁気抵抗変化率が上昇することが知られている。本実施形態に係る応力センサは、この巨大磁気抵抗効果を利用したものである。
【００２４】
次に、図３を参照して、本実施形態に係る応力センサを用いた応力の検出方法について説明する。
【００２５】
例えば第１磁性層３１が歪鈍感層であり、第２磁性層３２が歪敏感層であり、第１磁性層３１及び第２磁性層３２の磁化方向（磁気モーメント）は初期状態で平行（図２（ｂ）の低抵抗状態）、あるいは反平行配列（図２（ｄ）の高抵抗状態）となるように設計されている。この状態で、応力センサ１０の面内に応力が作用すると、歪鈍感層である第１磁性層３１は歪みに対して鈍感であり磁化方向が変化しないのに対し、歪敏感層である第２磁性層３２は歪みに対して敏感に反応し、その磁化方向を歪み方向（応力方向）に対して（Ｂ＞０の場合）平行もしくは（Ｂ＜０の場合）垂直に向ける。
【００２６】
例えば、図３に示すように、ｘ軸から３０°の方向に引張応力が加えられると、歪敏感層である第２磁性層３２の磁気弾性結合定数Ｂが正の場合、第２磁性層３２の磁化方向が応力方向に平行となり、第１磁性層３１及び第２磁性層３２の磁化の相対角度が３０°に変化する。これにより、歪みの方向に応じて、第１磁性層３１と第２磁性層３２の磁化方向軸の間には有限の角度が生まれ、巨大磁気抵抗効果により相対角度に応じた電気抵抗値を示すこととなる。この電気抵抗値を電極５ａ，５ｂにより検知することにより、磁化の相対角度を検出でき、歪みのベクトル方向を検出することができる。
【００２７】
以上のように、第１実施形態に係る応力センサによれば、１つの素子で面内の任意の方向の応力を検出することができる。特に、第１実施系形態に係る応力センサによれば、１つの素子で応力ベクトル方向を検出することができる。
【００２８】
（第２実施形態）
第２実施形態では第１実施形態と共通の事項についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。第２実施形態に係る応力センサの概略断面図は図１に示すものである。
【００２９】
第２実施形態では、第１磁性層３１及び第２磁性層３２のうちの一方は、正の磁気弾性結合定数を有し、他方は負の磁気弾性結合定数を有する。例えば、第１磁性層３１の磁気弾性結合定数が負であり、第２磁性層３２の磁気弾性結合定数が正である。すなわち、応力センサ１０に応力（歪）が作用した場合、第１磁性層３１（Ｂ＜０）はその磁化方向が歪方向に対して垂直に向き、第２磁性層３２（Ｂ＞０）はその磁化方向が歪方向に対して平行に向くように構成されている。第１磁性層３１及び第２磁性層３２の磁気弾性結合定数の絶対値は、１ＭＪ／ｍ３以上であることが好ましい。
【００３０】
次に、図４を参照して、本実施形態に係る応力センサを用いた応力の検出方法について説明する。
【００３１】
まず、第１磁性層３１及び第２磁性層３２の磁化方向（磁気モーメント）は、応力が加えられていない初期状態で平行（図２（ｂ）の低抵抗状態）、あるいは反平行配列（図２（ｄ）の高抵抗状態）となるように設計されている。この状態で、応力センサ１０の面内に応力が作用すると、磁気弾性結合定数Ｂが負である第１磁性層３１はその磁化方向を歪み方向（応力方向）に対して垂直に向け、磁気弾性結合定数Ｂが正である第２磁性層３２はその磁化方向を歪み方向（応力方向）に対して平行に向ける。
【００３２】
図４に示すように、例えば、任意の方向に引張応力が加えられると、第１磁性層３１の磁化方向が応力方向に垂直となり、第２磁性層３２の磁化方向が応力方向に平行となり、第１磁性層３１及び第２磁性層３２の磁化の相対角度が９０°に変化する。このように、任意の方向に応力が作用した場合に、第１磁性層３１と第２磁性層３２の磁化の相対角度が９０°となり、巨大磁気抵抗効果により相対角度に応じた電気抵抗値を示すこととなる。この電気抵抗値を電極５ａ，５ｂにより検知することにより、応力の有無を検出できる。
【００３３】
以上のように、第２実施形態に係る応力センサによれば、１つの素子で面内の任意の方向の応力を検出することができる。
【００３４】
（第３実施形態）
第３実施形態では第１実施形態と共通の事項についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。
【００３５】
図５は、第３実施形態に係る応力センサの概略断面図である。図５に示すように、第３実施形態では、応力検出層３の側部に電極５ａ，５ｂが配置されている。電極５ａ，５ｂの配置及び、保護層４として絶縁体を用いることができること以外の点については、第１及び第２実施形態と同様である。保護層４として絶縁体を用いる場合は、例えば酸化シリコン、や窒化シリコン、酸化アルミニウムや酸化マグネシウムを用いることができる。
【００３６】
図５に示す電極５ａ，５ｂの配置によっても、電極５ａと電極５ｂの間に電圧を印加すると結果的に応力検出層３の全層に電流が流れ込むことから、上述した巨大磁気抵抗効果を検出することができる。
【００３７】
よって、図５に示す電極５ａ，５ｂの配置によっても、第１実施形態及び第２実施形態と同様の効果を奏することができる。なお、素子の面内方向のサイズが金属層の合計の膜厚（１０ｎｍ−３００ｎｍ）に近づく場合には、図１に示す電極５ａ，５ｂの配置の構成では、応力検出層３の膜面垂直方向に電流密度分布ができやすいが、図５に示す電極５ａ，５ｂの配置の構成では均一に電流を流すことができる。
【００３８】
（第４実施形態）
第４実施形態では第１実施形態と共通の事項についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。
【００３９】
図６は、第４実施形態に係る応力センサの概略断面図である。図６に示すように、第４実施形態では、保護層４上に電極５ａが配置され、下地層２の一部が露出しており、この露出した下地層２上に電極５ｂが配置されている。電極５ａ，５ｂの配置、及び非磁性層３０として絶縁体を用いることができること以外の点については、第１及び第２実施形態と同様である。非磁性層３０は絶縁体により構成されていてもよく、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムや酸化マグネシウムを用いることができる。なお、絶縁体である非磁性層３０の厚さはトンネル電流が流れる程度に薄いことが好ましく、５ｎｍ以下に設定されるのが好ましい。
【００４０】
図６に示す電極５ａ，５ｂの配置は、応力検出層３に垂直に電流を流すことができるような構造となっている。図６に示す電極５ａ，５ｂの配置によっても、電極５ａと電極５ｂの間に電圧を印加すると結果的に応力検出層３の全層に電流が流れ込むことから、上述した巨大磁気抵抗効果を検出することができる。また、図６に示す配置は、非磁性層３０に絶縁体を用いることにより、電極５ａ，５ｂの配置によって巨大磁気抵抗効果と同様に磁化の相対角度が抵抗に反映されるトンネル磁気抵抗効果を検出可能である。
【００４１】
以上のように、図６に示す電極５ａ，５ｂの配置によっても、第１実施形態及び第２実施形態と同様の効果を奏することができる。なお、図６に示す電極５ａ，５ｂの配置にすることにより、第１実施形態及び第２実施形態に比べ、特に高い磁気抵抗変化率を得ることができ、感度の良いセンサを作製することができる。
【００４２】
（実施例）
以下、本発明を実施例によってさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４３】
図７は、強磁性Ｃｏ（コバルト）膜を非磁性体である各種非磁性金属で挟んだときの磁気弾性結合定数の測定結果を示すグラフである。図７の縦軸はＣｏ膜厚（ｎｍ）、縦軸は磁気弾性結合定数Ｂ（ＭＪ／ｍ３）を示す。図７では、基板側からＰｔ／Ｃｏ／Ｐｔ、Ｐｔ／Ｃｏ／Ｃｕ、Ｃｕ／Ｃｏ／Ｃｕ、Ｃｕ／Ｃｏ／Ｐｔと積層した４種類の膜構成をもつ試料における、磁気弾性結合定数のＣｏ膜厚依存性を示している。
【００４４】
バルクの磁性体の磁気弾性結合定数Ｂは材料によって決まったものであるものの、図７に示すグラフから、積層する非磁性体との組み合わせ、もしくは磁性層自身の膜厚に、磁気弾性結合定数Ｂが依存することが判明している。これにより、積層する非磁性体との組合せ又は磁性層の膜厚を選択することにより、第１実施形態及び第２実施形態で説明した磁気弾性結合定数をもつ第１磁性層３１及び第２磁性層３２を得ることができる。
【００４５】
（実施例１）
実施例１の応力センサは、基板上に、下層から順に、Ｔａ層（下地層）、２ｎｍのＣｕ層（非磁性層）、４ｎｍのＣｏ層（歪鈍感層）、４ｎｍのＣｕ層（非磁性層）、２ｎｍのＣｏ層（歪敏感層）、２ｎｍのＰｔ層（非磁性層又は保護層）が積層されてなるものである。図７に示すグラフによれば、このような積層構造では、下層のＣｕ／Ｃｏ（４ｎｍ）／Ｃｕ積層体においてＣｏの磁気弾性結合定数Ｂ＝０となり、上層のＣｕ／Ｃｏ（２ｎｍ）／Ｐｔ積層体においてＣｏの磁気弾性結合定数Ｂ＞０となり、第１実施形態における歪敏感層と歪鈍感層の組合せが実現される。実施例１によれば、応力ベクトル方向を検出可能なタイプの素子構造を実現できる。
【００４６】
（実施例２）
実施例２の応力センサは、基板上に、下層から順に、Ｔａ層（下地層）、２ｎｍのＣｕ層（非磁性層）、２ｎｍのＣｏ層（歪敏感層）、４ｎｍのＣｕ層（非磁性層）、２ｎｍのＣｏ層（歪敏感層）、２ｎｍのＰｔ層（非磁性層又は保護層）が積層されてなるものである。図７に示すグラフによれば、このような積層構造では、下層のＣｕ／Ｃｏ（２ｎｍ）／Ｃｕ積層体においてＣｏの磁気弾性結合定数Ｂ＜０となり、上層のＣｕ／Ｃｏ（２ｎｍ）／Ｐｔ積層体においてＣｏの磁気弾性結合定数Ｂ＞０となり、第２実施形態における磁気弾性結合定数の正負の符号が異なる組合せが実現される。実施例２によれば、面内のどの方向に引っ張っても抵抗が上昇するタイプの素子構造を実現できる。
【００４７】
（実施例３）
図８は、実施例３の応力センサの構成を示す図である。
図８に示す応力センサを構成する各層の材料及び膜厚は、以下の通りである。
基板１：ポリエチレンナフタレート
下地層２ａ：２．５ｎｍ  Ｔａ  
下地層２ｂ：２．０ｎｍ  Ｐｔ  
第２磁性層３２：３．５ｎｍ  Ｃｏ（歪敏感層）
第１非磁性層３０：４．０ｎｍ  Ｃｕ
追加第１磁性層３１ａ：０．４ｎｍ  Ｃｏ
第１磁性層３１：３．８ｎｍ  ＮｉＦｅ（歪鈍感層）
保護層４：２．０ｎｍ  Ｃｕ
電極５ａ、５ｂ：導電性エポキシ樹脂
【００４８】
実施例３の応力センサに対して、ε＝１．０％の引張歪を与えたときの抵抗変化を測定した。本実施例においては、図９に示すように、歪鈍感層であるＮｉＦｅ層は応力が加わっても磁化方向が変化せず、一方、歪敏感層であるＣｏ層は応力方向に対して平行に向く。
【００４９】
図１０に引張歪の方向（歪方向）と抵抗変化の関係を示す。図１０に示すように、敏感層であるＣｏ層の磁化方向が変化することにより、歪方向に応じた抵抗変化が起こるため、歪方向を検出することができた。
【００５０】
（実施例４）
図１１は、実施例４の応力センサの構成を示す図である。
図１１に示す応力センサを構成する各層の材料及び膜厚は、以下の通りである。
基板１：ポリエチレンナフタレート
下地層２ａ：２．５ｎｍ  Ｔａ  
下地層２ｂ：１．７ｎｍ  Ｐｔ  
第２磁性層３２：３．５ｎｍ  Ｃｏ（歪敏感層  Ｂ＞０）
第１非磁性層３０：４．０ｎｍ  Ｃｕ
第１磁性層３１：４．０ｎｍ  Ｎｉ（歪敏感層  Ｂ＜０）
保護層４：１．７  ｎｍ  Ｐｔ
電極５ａ、５ｂ：導電性エポキシ樹脂
【００５１】
本実施例においては、歪敏感層であるＣｏ層の磁気弾性結合定数ＢはＢ＞０であり、歪敏感層であるＮｉ層の磁気弾性結合定数ＢはＢ＜０である。図１２に示すように、応力が加わると、Ｂ＞０であるＣｏ層はその磁化方向を歪方向に対して平行に向き、Ｂ＜０であるＮｉ層はその磁化方向を歪方向に対して垂直に向く。
【００５２】
図１３は、実施例４の応力センサに対して、外部から磁場を与えた上で、ε＝１．２％の引張歪を与えたときの抵抗変化を測定した結果を示す。引張歪は図１２のｘ軸に対して平行に与えた。図１３の横軸は外部から与えた磁場を示し、縦軸は応力センサの抵抗変化を示す。図１３のグラフＧ１は、引張歪を与えない場合の測定結果を示し、グラフＧ２は引張歪を与えた場合の測定結果を示す。
【００５３】
図１３に示すように、引張歪が加わる状態（グラフＧ２）と加わらない状態（グラフＧ１）との間に抵抗変化が生じるため、歪を検出することができた。図１３に示す測定結果から、外部から磁場を与えても歪を検出することができるが、外部から磁場を与えない状態（０ｍＴ）のときにも引張歪の有無による抵抗変化が生じることから歪の検出ができ、応力センサとして実用的である。
【００５４】
以上、本発明の例示的な実施形態および実施例について説明した。
【００５５】
本実施形態に係る応力センサ１０は、第１磁性層３１、第１非磁性層３０、及び第２磁性層３２を積層してなる積層体を含む応力検出層３を有し、第１磁性層３１及び第２磁性層３２は互いに異なる磁気弾性結合定数を有し、外部から加えた応力に依存して変化する第１磁性層３１及び第２磁性層３２の磁化の相対角度に依存した電気抵抗によって応力を検出するものである。上記構成によれば、外部から加えた応力に依存して変化する第１磁性層３１及び第２磁性層３２の磁化の相対角度に依存した電気抵抗を検出することによって応力が検出される。
【００５６】
第１磁性層３１及び第２磁性層３２のうちの一方は、外部から加えた応力に依存して磁化方向が変化しない歪鈍感層であり、他方は外部から加えた応力に依存して磁化方向が変化する歪敏感層である。これにより、外部から加えた応力に依存して歪敏感層の磁化方向のみが変化し、その結果、電気抵抗値に基づいて第１磁性層３１及び第２磁性層３２の磁化の相対角度を検出できることから、最終的に応力ベクトル方向を検出することができる。
【００５７】
第１磁性層３１及び第２磁性層３２のうちの一方は、正の磁気弾性結合定数を有し、他方は負の磁気弾性結合定数を有する。これにより、外部から加えた任意の応力が加わると、第１磁性層３１及び第２磁性層３２の磁化の相対角度が９０°に変化することから、面内応力の有無を検出することができる。
【００５８】
第１磁性層３１及び第２磁性層３２は、応力が加えられていない初期状態において、磁化方向が互いに平行あるいは反平行配列している。このように初期状態における磁化方向を平行あるいは反平行に揃えておくことにより、応力が加えられた場合との電気抵抗の差異が明確となる。
【００５９】
応力検出層３は、積層体に加えて、第２非磁性層及び第３磁性層からなる構造を１以上積層した積層体をさらに含む。これにより、巨大磁気抵抗効果に基づく磁気抵抗変化率を上昇させることができ、応力の有無に基づく抵抗の変化の検出が容易となる。
【００６０】
応力検出層３を支持する基板１を有する。好ましくは、基板１は、フレキシブル基板である。これにより応力センサ１０に応力が加わった場合に第１磁性層３１及び第２磁性層３２が引張応力ないし圧縮応力を受けやすくなり、応力の検出が可能となる。
【００６１】
第１、第２及び第３磁性層は、金属の磁性体からなる。第１、第２及び第３磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ及びそれらを含む合金からなる群より選択される１種を含む。このような３ｄ遷移金属強磁性体やそれらを含む合金を用いることにより、巨大磁気抵抗効果を利用した応力センサを実現できる。
【００６２】
第１及び第２非磁性層は、金属又は絶縁体である。これにより、巨大磁気抵抗効果を利用した応力センサを実現できる。
【００６３】
なお、以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素及びその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。さらに、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。また、各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもなく、これらも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００６４】
１…基板、２…下地層、３…応力検出層、４…保護層、５ａ，５ｂ…電極、１０…応力センサ、３０…第１非磁性層、３１…第１磁性層、３２…第２磁性層、Ｍ１…第１磁性層の磁化方向、Ｍ２…第２磁性層の磁化方向。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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