(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン源の電極をクリーニングする方法であって、
鏡の第１の反射面で、汚染物材料がイオン源の表面から脱離されるように、イオン源の表面上に第１の波長帯に波長を有する光を反射すること、
鏡の第２の反射面で、第２の波長帯に波長を有し、イオン源の表面から来る光をイオン源の表面の画像を生成するための画像装置に向けて反射し、第２の波長帯に波長を有する光は、鏡の第２の反射面で反射される前に鏡の第１の反射面を通ること、を含む方法。
【請求項２】
イオン源は、サンプル材料に光を発射することによりサンプル材料をイオン化するためのレーザーを含み、第１の波長帯に波長を有する光がサンプル材料をイオン化するためのレーザーによって生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１の波長帯に波長を有する光は紫外線光である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
鏡は、第１の波長帯に波長を有する光に対して９９％以上の反射率を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
イオン源はサンプルの画像を生成するための画像装置を含み、サンプルの画像を生成するための画像装置はイオン源の表面の画像を生成するための画像装置としても使用される、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
イオン源の表面はイオン源の電極の表面である、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
方法は、画像装置で、第２の波長帯に波長を有する光を使用して、イオン源の表面の画像を生成することを含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
第１の波長帯に波長を有する光は鏡の第１の反射面で反射されると同時に、第２の波長帯に波長を有する光は鏡の第２の反射面で反射される、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
方法は、鏡を移動させてイオン源の表面にわたって第１の波長帯に波長を有する光を走査することを含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
鏡の第１および第２の反射面はサンプル材料をイオン化するためのレーザーに対して凹面である、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
第１および第２の反射面は同じ曲率を有する、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
第１および第２の反射面は異なる曲率を有する、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
鏡は、イオン源によってイオン化されるサンプル材料を保持するためのサンプルホルダーに取り付けられ、ここで鏡は、第１および第２の反射面がサンプルホルダーによって保持されたサンプルと比較してサンプル材料をイオン化するためのレーザーとは異なる距離にあるようにサンプルホルダーに取り付けられる、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
イオン化されたサンプル材料を生成するためのイオン源であって、
イオン源は第１の反射面および第２の反射面を含む鏡を含み、
鏡の第１の反射面で、汚染物材料がイオン源の表面から脱離されるように、イオン源の表面上に第１の波長帯に波長を有する光を反射すること、
鏡の第２の反射面で、第２の波長帯に波長を有し、イオン源の表面から来る光をイオン源の表面の画像を生成するための画像装置に向けて反射し、第２の波長帯に波長を有する光は、鏡の第２の反射面で反射される前に鏡の第１の反射面を通ること、を含む方法によって、イオン源の電極がクリーニングされるように構成される、イオン源。
【請求項１５】
イオン源で使用される鏡であって、
鏡は第１の反射面および第２の反射面を含み、
鏡の第１の反射面で、汚染物材料がイオン源の表面から脱離されるように、イオン源の表面上に第１の波長帯に波長を有する光を反射すること、
鏡の第２の反射面で、第２の波長帯に波長を有し、イオン源の表面から来る光をイオン源の表面の画像を生成するための画像装置に向けて反射し、第２の波長帯に波長を有する光は、鏡の第２の反射面で反射される前に鏡の第１の反射面を通ること、を含む方法によってイオン源の電極をクリーニングする際に使用されるように構成される、鏡。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イオン源のクリーニングに関する方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
飛行時間（「ＴＯＦ」）質量分析は、イオンを加速し、イオン検出器までのそれの飛行時間を測定することでイオンの質量／電荷比を測定する分析技術である。
【０００３】
「ＭＡＬＤＩ」と称される場合が多いマトリックス支援レーザー脱離／イオン化は、レーザーを用いてサンプル材料および光吸収性マトリックスの（通常は結晶化した）混合物で発光させてサンプル材料をイオン化するイオン化技術である。ＭＡＬＤＩで用いられるサンプル材料には代表的には、生体分子（例えば、タンパク質）、大型の有機分子および／またはポリマーなどの分子などがある。一般には、光吸収性マトリックスを用いて、そのような分子をレーザーからの光による損傷または破壊から保護する。次に、代表的には数千ダルトンの質量を有する得られたイオンを、高運動エネルギー、代表的にはほぼ２０ｋｅＶまで加速する。一般に、ＭＡＬＤＩによってイオンを発生させるよう構成されたイオン源は「ＭＡＬＤＩイオン源」と称される。ＭＡＬＤＩイオン源には代表的には、サンプル材料および光吸収性マトリックスの混合物に光を発射することによりサンプル材料をイオン化するためのレーザーなどがある。
【０００４】
概して、ＭＡＬＤＩイオン源が使用中の際には、ＭＡＬＤＩイオン源のレーザーがサンプルスポットに入ったサンプル材料および光吸収性マトリックスの混合物で光（例えば、ＵＶ）のパルスを発することで、サンプルスポットからイオン化および非イオン化（すなわち、中性）サンプル材料（「分析物」）および光吸収性マトリックスのプルームを噴出させる。このプルームに含まれるイオン化材料（ほとんど、サンプル材料のイオンおよび光吸収性マトリックスの少量のイオン）は、ＭＡＬＤＩイオン源の一つ以上の電極によって生じる電場によって案内／加速されて、電極における開口部を通って、例えば次にイオン検出器によって検出される。しかし、このプルームで得られた非イオン化材料（ほとんど、非イオン化光吸収性マトリックスおよび少量の非イオン化サンプル材料）は、一般にイオン源近傍の表面、例えばＭＡＬＤＩイオン源の電極の表面上に堆積するまで、サンプルスポットから広がり続ける。
【０００５】
時間をかけて、非イオン化材料はサンプルスポット近傍の表面上、特にはＭＡＬＤＩイオン源の電極の表面上に蓄積して汚染物材料の絶縁層が形成され、それが時間経過とともに堆積して、ＭＡＬＤＩイオン源の操作に悪影響を与え得る。特に、電極上の汚染物材料の絶縁層は、電極によって形成される電場を歪ませて、ＭＡＬＤＩイオン源を用いる質量分析計の感度または分解能が低下し得る。この時点で、ＭＡＬＤＩイオン源の電極には一般にクリーニングが必要である。
【０００６】
長年にわたり、ＭＡＬＤＩイオン源の電極の主要なクリーニング方法は、電極の入った排気された筐体を通気および開放することで、電極を原位置でクリーニングすることができるか、取り出して徹底したクリーニングを行うことができるようにするものであった。いずれの場合も、クリーニング時間に加えて、ＭＡＬＤＩイオン源の筐体（一旦閉じたもの）に対する真空を回復し、ＭＡＬＤＩイオン源を質量分析で使用するのに一般に必要な高電圧コンディショニング、装置調整および質量較正手順を行うのに数時間が必要であった。
【０００７】
多くの利用分野（例えば、生化学）において、より高スループットの質量分析計の必要性が増しており、それは今や１ｋＨｚ以上の繰り返し速さで動作することができるＭＡＬＤＩイオン源を導入することで実現することができる。これによって、ＭＡＬＤＩイオン源の電極上に蓄積された汚染物の蓄積の速度およびそれをクリーニングしなければならない回数が増えたことで、その電極がクリーニングを必要とする都度、ＭＡＬＤＩイオン源を換気することが一般に実用的意味を持たなくなっている。
【０００８】
これらを考慮すると、ＭＡＬＤＩイオン源の排気された筐体を換気する必要なしに、ＭＡＬＤＩイオン源の電極をクリーニングする効果的な方法を見出すことが望ましい。
【０００９】
ＭＡＬＤＩイオン源の排気された筐体を換気する必要なく、ＭＡＬＤＩイオン源の電極をクリーニングするのに、各種方法が検討されている。いくつかのそのような方法が、例えば、ＧＢ２４８６６２８の背景セクションに記載されている。
【００１０】
ＧＢ２４８６６２８の主なセクションには、汚染物材料が表面から脱離されるように、表面上にＵＶ光を向けることによって、イオン源の少なくとも１つの表面をクリーニングする方法が提案されている。このように、イオン源の少なくとも１つの表面は、表面をほとんど加熱する必要なしに、およびイオン源の排気された筐体を換気する必要なしに、単純な方法でクリーニングされることができる。
【００１１】
本発明者らは、ＧＢ２４８６６２８で提案された方法が十分に機能する一方、ＧＢ２４８６６２８で提案されたクリーニング方法の有効性が比較的少ないクリーニングサイクル後に低下し始める場合があることが分かった。この問題はより詳細に以下に記載される（図２および図３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】英国特許出願公開第２４８６６２８号明細書
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１３】
したがって、発明者らは、繰り返されるクリーニングサイクルに対してより弾力的な方法でイオン源の表面をクリーニングする方法を見つけることが望ましいと考える。
【００１４】
本発明は上記検討を考慮して考え出された。
【００１５】
本発明の第１の態様は以下方法を提供し得る：イオン源をクリーニングする方法であって、鏡の第１の反射面で、汚染物材料がイオン源の表面から脱離されるように、イオン源の表面上に第１の波長帯に波長を有する光を反射すること、鏡の第２の反射面で、第２の波長帯に波長を有し、イオン源の表面から来る光をイオン源の表面の画像を生成するための画像装置に向けて反射し、第２の波長帯に波長を有する光は、鏡の第２の反射面で反射される前に鏡の第１の反射面を通ること、を含む方法。
【００１６】
このように、第１の反射面は最適化されて第１の波長帯に波長を有する光（例えば、イオン源の表面の有効なクリーニングのための）を反射することができ、第２の反射面は最適化されて第２の波長帯に波長を有する光（例えば、イオン源の表面の画像を形成するための）を反射することができる。したがって、例えば、第１の反射面は最適化されて第１の波長帯に波長を有する光によって引き起こされる鏡の劣化を抑制することができ、第２の反射面は最適化されて、イオン源の表面の合焦画像が、第２の波長帯に波長を有する光を使用して画像装置によって生成されることを可能にできる。
【００１７】
好ましくは、イオン源は、サンプル材料に光を発射することによってサンプル材料をイオン化するためのレーザーを含む。好ましくは、レーザーは、サンプル材料に光のパルスを発射することによってサンプル材料をイオン化するためのものである。レーザーによって生成される光はＵＶ光であることが好ましい。
【００１８】
サンプル材料をイオン化するためのレーザーはレーザーによって生成される光の焦点を調節するための焦点調整機構を含んでいてもよい。代替的には、サンプル材料をイオン化するためのレーザーは、固定（無調整式）焦点を有していてもよい。
【００１９】
好ましくは、第１の波長帯に波長を有する光はサンプル材料をイオン化するためのレーザーによって生成される。これは、例えば、ＧＢ２４８６６２８で検討されるように、サンプル材料をイオン化するためのレーザーが、一般にイオン源の表面からサンプル材料を脱離することができる光を既に生成し、それによって第１の波長帯に波長を有する光を生成するための別個の光源を組み込むことを不要にするので、非常に好ましい。
【００２０】
それにもかかわらず、他の実施形態では、第１の波長帯に波長を有する光は、例えば、サンプル材料をイオン化するためのレーザーに付加的な別個の光源（例えば、レーザー）によって生成されてもよい。
【００２１】
好ましくは、第１の波長帯に波長を有する光は紫外線（「ＵＶ」）光である。紫外線光は１０ｎｍから４００ｎｍの範囲に波長を有する光として定義され得る。したがって、本明細書では、用語「第１の波長帯に波長を有する光」は、用語「１０ｎｍから４００ｎｍの範囲に波長を有するＵＶ光」と置き換えられてもよい。
【００２２】
ＧＢ２４８６２８で検討されるように、ＵＶ光は、イオン源の表面をほとんど加熱する必要なしに、イオン源の表面から汚染物材料を脱離することに特に役立つことが分かった。
【００２３】
好ましくは、第１の波長帯に波長を有する光は３００ｎｍから４００ｎｍの範囲に波長を有する。これは、ＭＡＬＤＩイオン源のための最も有用な波長領域であり、これは、代表的なＭＡＬＤＩマトリックスが実際に光を吸収する波長領域であるからである。
【００２４】
好ましくは、鏡の第１の反射面は、第１の波長帯に波長を有する光に対して９０％以上、より好ましくは９９％以上、より好ましくは９９．９％以上の反射率を有する。これは、そのような光から鏡に吸収されるエネルギー量を低減することに役立ち、したがって、そのような光の吸収によって引き起こされる鏡の劣化を抑制することに役立つ。
【００２５】
第１の反射面は、第２の波長帯に波長を有する光に対して１０％以下、あるいはさらに５％以下の反射率を有していてもよい。
【００２６】
イオン源の表面の画像を生成するための画像装置はカメラであってもよく、それは可視光を使用してイオン源の表面の画像を生成するように構成されてもよい。
【００２７】
イオン源が、サンプルの画像を生成するための画像装置（例えば、カメラ）を含むことは一般的である。代表的には、そのような画像装置は可視光を使用してサンプルの画像を生成するように構成される。代表的には、そのような画像装置には、可視光（例えば、白色ＬＥＤ）をサンプルに当てるための光源を伴う。代表的には、そのような画像装置はサンプル平面内にあるサンプルの合焦画像を生成するように構成される。
【００２８】
好ましくは、サンプルの画像を生成するための画像装置は、イオン源の表面の画像を生成するための画像装置としても使用される。このように、単に１つの画像装置を、サンプルの画像（例えば、サンプル材料がビーム軸にある場合）およびイオン源の表面の画像（例えば、鏡がビーム軸にある場合）の両方を生成するために使用することができる。
【００２９】
それにもかかわらず、他の実施形態では、イオン源の表面の画像を生成するための画像装置は、サンプルの画像を生成するための画像装置から分離されていてもよい（つまり、付加的であってよい）。これは、例えば、第１の波長帯に波長を有する光がサンプル材料をイオン化するためのレーザーに付加的な光源（例えば、レーザー）によって生成されるなら適切になり得る。
【００３０】
イオン源は、例えば、第２の波長帯に波長を有する光をイオン源の表面に当てるための光源を含んでいてもよく、したがって、この光はイオン源の表面によって反射され、それによって第２の波長帯に波長を有し、イオン源の表面から来る光をもたらす。
【００３１】
好ましくは、可視光をサンプルに当てるための光源（例えば、白色ＬＥＤ）は、第２の波長帯に波長を有する光をイオン源の表面に当てるための光源としても使用される。このように、単に１つの光源を、第２の波長帯の光をサンプルおよびイオン源の表面の両方に当てるために使用することができる。しかし、別個の光源がこれらの目的で使用されてもよい。
【００３２】
サンプルの画像を生成するための画像装置は、画像装置が合焦画像を生成する平面を調節するための焦点調整機構を含んでいてもよい。代替的には、サンプルの画像を生成するための画像装置は固定焦点を有していてもよく、つまり、その結果、画像装置が合焦画像を生成する平面は固定される。
【００３３】
焦点調整機構（レーザーによって生成される光の焦点を調節するための、あるいは画像装置が合焦画像を生成する平面を調節するための）は、例えば、適切な光軸に沿って光学素子を移動するための機構、あるいは適切な光軸から要素を挿入／除去するための機構を含んでいてもよい。これらの代替手段のうち、適切な光軸に沿って光学素子を移動するための機構を含む焦点調整機構が好ましい。
【００３４】
好ましくは、第２の反射面は、第２の波長帯に波長を有する光に対して５０％以上、より好ましくは８０％以上の反射率を有する。
【００３５】
好ましくは、第２の波長帯に波長を有する光は可視光である。可視光は、３９０ｎｍから７００ｎｍの範囲の波長を有する光として定義され得る。したがって、用語「第２の波長帯に波長を有する光」は、本明細書で用語「３９０ｎｍから７００ｎｍの範囲に波長を有する可視光」と置き換えられてもよい。
【００３６】
疑義を回避するためのために、第２の反射面は、第２の波長帯に複数の波長を有する光、例えば、複数の波長を有する可視光を反射し得る。したがって、方法は、鏡の第２の反射面で、第２の波長帯に複数の波長を有し、イオン源の表面から来る光をイオン源の表面の画像を生成するための画像装置に向けて反射することを含み、第２の波長帯に複数の波長を有する光は、鏡の第２の反射面で反射される前に鏡の第１の反射面を通ってもよい。
【００３７】
好ましくは、イオン源は一つ以上の電極、例えば、第１の電極および第２の電極を含む。イオン源の電極または各電極は環状（リング状）であってもよく、開口部を画定し得る。
【００３８】
イオン源の表面は、イオン源の電極（例えば、上記第１または第２の電極）の表面であることが好ましい。
【００３９】
イオン源の一つ以上の電極は、イオン軸に沿ってイオン化されたサンプル材料を加速および／または案内するように構成されてもよい。
【００４０】
サンプル材料をイオン化するためのレーザー（存在する場合）は、ビーム軸を通る光を生成するように構成されることが好ましい。
【００４１】
サンプルの画像を生成するための画像装置（存在する場合）は、光軸を通る光を使用して画像を生成するように構成されることが好ましい。
【００４２】
イオン軸は、イオン源の一つ以上の電極によって画定された一つ以上の開口部を通ってもよい。この場合、サンプル材料をイオン化するためのレーザー（存在する場合）は、イオン源の一つ以上の電極によって画定された一つ以上の開口部に及ぶビーム軸を通る光を生成するように構成されることが好ましい。同様に、サンプルの画像を生成するための画像装置（存在する場合）は、イオン源の一つ以上の電極によって画定された一つ以上の開口部に至る光軸を通る光を使用して画像を生成するように構成されることが好ましい。
【００４３】
好ましくは、ビーム軸（サンプル材料をイオン化するためのレーザーが存在する場合）は、サンプルプレート（サンプルプレートがイオン軸にある場合）でイオン軸と交差する。好ましくは、ビーム軸（サンプル材料をイオン化するためのレーザーが存在する場合）は、イオン軸から、例えば、小さな角度（好ましくは、１０°以下、より好ましくは、５°以下）だけオフセットされて、ビーム軸にある任意の光学／ビームステアリング構成要素（例えば、鏡）がイオン軸に沿って進むイオン化されたサンプル材料を妨げる（例えば、ブロックする）ことを防止する。好ましくは、ビーム軸にある光学／ビームステアリング構成要素（例えば、鏡）でビーム軸とイオン軸との間に少なくとも３ｍｍの間隙があるように、オフセット角が選択される。
【００４４】
好ましくは、光軸（サンプル材料をイオン化するためのレーザーが存在する場合）は、サンプルプレート（サンプルプレートがイオン軸にある場合）でイオン軸と交差する。好ましくは、光軸（サンプルの画像を生成するための画像装置が存在する場合）は、イオン軸から、例えば、小さな角度（好ましくは、１０°以下、より好ましくは、５°以下）だけオフセットされて、光軸にある任意の光学／ビームステアリング構成要素（例えば、鏡）がイオン軸に沿って進むイオン化されたサンプル材料を妨げる（例えば、ブロックする）ことを防止する。好ましくは、ビーム軸にある光学／ビームステアリング構成要素（例えば、鏡）で光軸とイオン軸との間に少なくとも３ｍｍの間隙があるように、オフセット角が選択される。
【００４５】
好ましくは、ビーム軸（サンプル材料をイオン化するためのレーザーが存在する場合）および光軸（サンプルの画像を生成するための画像装置が存在する場合）は、例えば、小さな角度（好ましくは、１０°以下、より好ましくは、５°以下）および／または短い距離だけ互いからオフセットされて、例えば、一つ以上の光学／ビームステアリング構成要素（例えば、鏡）を使用してレーザーによって生成される光が画像装置が受ける光から分離されることを可能にする。
【００４６】
好ましくは、方法は、画像装置で、第２の波長帯に波長を有する光を使用してイオン源の表面の画像を生成することを含む。
【００４７】
好ましくは、第１の波長帯に波長を有する光が、鏡の第１の反射面で（イオン源の表面上に）反射されると同時に、第２の波長帯に波長を有する光が、鏡の第２の反射面で（画像装置に向けて）反射される。このように、汚染物材料がイオン源の同じ表面から脱離されると同時に、イオン源の表面の画像が生成されることができる（画像装置で）。画像デバイス（動画が好ましく、「リアルタイム」で生成されることが好ましい）で生成される画像が、下記のように、観察者が鏡を移動して、表面にわたって第１の波長帯に波長を有する光を走査することに役立つことに有用であり得る。
【００４８】
好ましくは、方法は、鏡を移動させてイオン源の表面（任意選択で表面を含む複数の表面）にわたって第１の波長帯に波長を有する光を走査することを含む。
【００４９】
好ましくは、鏡の第１および第２の反射面は、サンプル材料をイオン化するためのレーザーに対して凹面である。このように、第１の波長帯に波長を有する光は、単に平面で鏡を移動することによってイオン源の表面（あるいは複数の表面）にわたって走査することができる。
【００５０】
好ましくは、第１および第２の反射面は球面曲率を有し、それは球状の反射面が一般に他の曲面より製造するのが安価であるからである。しかし、他の曲率（例えば、放物面）が可能である。
【００５１】
好ましくは、第１の反射面は鏡の第２の反射面の上にある。
【００５２】
好ましくは、第１の反射面は、光がイオン源の表面で所定のエネルギー密度を有するように、第１の波長帯に波長を有する光を集めるように構成される（例えば、適切な曲率を有することによって）。
【００５３】
第１の波長帯に波長を有する光のパルス当たりのイオン源の表面での所定のエネルギー密度は、１μＪ／ｍｍ２以上、１０μＪ／ｍｍ２以上、１００μＪ／ｍｍ２以上、２００μＪ／ｍｍ２以上、４００μＪ／ｍｍ２以上、または５００μＪ／ｍｍ２以上；および／または２０００μＪ／ｍｍ２以下、１０００μＪ／ｍｍ２以下、８００μＪ／ｍｍ２以下、または６００μＪ／ｍｍ２以下であってもよい。これらの値は、任意の組み合わせで組み合わせることが可能である。例えば、ＵＶ光の各パルスは、イオン源の少なくとも一つの表面の表面で４００μＪ／ｍｍ２から８００μＪ／ｍｍ２の範囲のエネルギー密度を有してもよい。そのようなエネルギー密度（パルス当たり）汚染物材料を効果的に脱離することが認められている。
【００５４】
一部の実施形態において、第１および第２の反射面は同じ曲率を有する。より詳細に以下に検討されるように、これは、例えば、サンプル材料をイオン化するためのレーザーが焦点調整機構を含むおよび／またはサンプルの画像を生成するための画像装置が焦点調整機構を含む場合、適切であり得る。
【００５５】
一部の実施形態において、第１および第２の反射面は異なる曲率を有する。より詳細に以下に検討されるように、これは、例えば、サンプル材料をイオン化するためのレーザーが固定焦点であり、サンプルの画像を生成するための画像装置が固定焦点である場合、適切であり得る。
【００５６】
サンプル材料をイオン化するためのレーザーが固定焦点で、サンプルの画像を生成するための画像装置が固定焦点である場合、第１の反射面は、イオン源の表面でサンプルをイオン化するためのレーザーによって生成される光を所定のエネルギー密度に集めるように（例えば、適切な曲率を有することによって）構成されることが好ましく、第２の反射面は、（イオン源の表面の）合焦画像がサンプルの画像を生成するための画像装置によって生成することができるようにイオン源の表面から光を集めるように（例えば、適切な曲率を有することによって）構成されることが好ましい。
【００５７】
サンプル材料をイオン化するためのレーザーが焦点調整機構を含むおよび／またはサンプルの画像を生成するための画像装置が焦点調整機構を含む場合、第１の反射面は、それでもなお、さらに、サンプルをイオン化するためのレーザーによって生成される光をイオン源の表面で所定のエネルギー密度に集めるように（例えば、適切な曲率を有することによって）構成されてもよく、第２の反射面は、合焦画像がサンプルの画像を生成するための画像装置によって生成することができるように、イオン源の表面から光を集めるように（例えば、適切な曲率を有することによって）構成されてもよい。しかし、これは、上記固定焦点シナリオほど重要ではなく、それは、必要な焦点調整がその代わりに焦点調整機構によってもたらされることができるからである。
【００５８】
好ましくは、鏡は、イオン源によってイオン化されるサンプル材料を保持するためのサンプルホルダーに取り付けられる。このように、鏡、およびサンプルホルダーによって保持されたサンプル材料の両方は、単にサンプルホルダーを移動させることによって、サンプル材料をイオン化するためのレーザーによって生成される光に（およびから）移動させることができる。
【００５９】
好ましくは、第１および第２の反射面が、サンプルホルダーによって保持されたサンプルと比較して、サンプル材料をイオン化するためのレーザーから異なる距離にあるように、鏡はサンプルホルダーに取り付けられる。これは、第１の反射面がレーザーから光を集めてイオン源の表面で所定のエネルギー密度を有することを可能にする上で有効であり得る。
【００６０】
サンプルホルダーは、一つ以上の「サンプルスポット」にサンプル材料を保持するためのサンプルプレートを含んでいてもよい。サンプルホルダーは、サンプルプレートを運搬するためのサンプルプレートキャリアを含んでいてもよい。
【００６１】
イオン源はＭＡＬＤＩイオン源であることができる。ＭＡＬＤＩイオン源の場合、サンプル材料には、生体分子（例えば、タンパク質）、有機分子および／またはポリマーなどがあり得る。サンプル材料は、サンプル材料および光吸収性マトリックスの混合物（好ましくは、結晶化した）に含まれていることができる。電極のクリーニングは、ＭＡＬＤＩイオン源において特に懸案の事項であることが認められている。しかし、他の種類のイオン源の表面（例えば、電極）もクリーニングする必要があり得る。
【００６２】
汚染物材料は例えば、非イオン化サンプル材料および／またはＤＣＴＢ（Ｔ−２−（３−（４−ｔ−ブチル−フェニル）−２−メチル−２−プロペニリデン）マロノニトリル）、ＤＨＢ（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、ＳＡ（シナピン酸）、ＤＴＬ（１，８，９−アントレセントリオール（ジトラノール））またはＣＨＣＡ（α−シアノ−４−ヒドロキシ桂皮酸）などの光吸収性マトリックスを含むかそれらであることができる。例えば、非イオン化サンプル材料および／または非イオン化光吸収性マトリックスは、以前にイオン源で使用されたサンプル材料および光吸収性マトリックスの混合物から来るものである。
【００６３】
イオン源を質量分析計、好ましくはＴＯＦ質量分析計、より好ましくはＭＡＬＤＩ  ＴＯＦ質量分析計に含めることができる。質量分析計は、イオン、例えばイオン源によって発生するイオンのパルスを検出するイオン検出器を含むことができる。
【００６４】
イオン源は質量分析計で使用されるイオン化されたサンプル材料を生成するためのものであってもよい。
【００６５】
本発明の第２の態様は、イオン化されたサンプル材料を生成するためのイオン源を提供することができ、イオン源は、第１の反射面および第２の反射面を含む鏡を含む。
【００６６】
イオン源は、本発明の第１の態様で示されるような方法によってクリーニングされるように構成されてもよい。
【００６７】
イオン源は、本発明の第１の態様に関連して上記のいずれかの任意選択の機能を含んでいてもよい。
【００６８】
本発明の第３の態様は、イオン源で使用される鏡を提供し得、鏡は、第１の反射面および第２の反射面を含む。
【００６９】
鏡は、本発明の第１の態様で示されるような方法によってイオン源のクリーニングに使用されるように構成されてもよい。
【００７０】
イオン源は、本発明の第１および／または第２の態様に関連して上記のいずれかの任意選択の機能を含んでいてもよい。
【００７１】
本発明はまた、上記の態様および好ましい特徴の任意の組み合わせも含むが、そのような組み合わせが明瞭に許容されないか、明らかに回避される場合を除く。
【００７２】
本発明はまた、ＧＢ２４８６６２８に記載されたいずれかの任意選択の特徴を含んでいてもよいが、そのような包含が明瞭に許容されないか、明らかに回避される場合を除く。
【００７３】
本願の文脈において、「光」は好ましくは、電磁波を意味するものと解釈される。表面からの物質の「脱離」は好ましくは、表面からのその物質の解放／除去を意味する。
【００７４】
添付の図面を参照して、発明者の提案の例について下記で検討する。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】（ａ）本発明の実施形態でないが、本発明のより良好な理解の目的で含められている、ＭＡＬＤＩイオン源１００を示す。（ｂ）図１（ａ）のビーム軸１３０とイオン軸１２２との好ましい関係を概略的に説明する。
【図２】本発明の実施形態でないが、本発明のより良好な理解の目的で含められている、他のＭＡＬＤＩイオン源２００を示す。
【図３】金属被覆光学素子についての代表的な反射率値を示す。
【図４】３５５ｎｍの波長について最適化された誘電体コーティング鏡、金属被覆鏡、および広帯域誘電体被覆鏡についての代表的な反射率値を示す。
【図５】図２の鏡２５０と比較して、第１のクリーニング方法で使用される鏡３５０を示す。
【図６】第１のクリーニング方法を使用するイオン源クリーニング前後の電極の画像を示す。
【図７】図２の鏡２５０と比較して、第２のクリーニング方法で使用される鏡４５０を示す。
【図８】カスタム凹面鏡４５０が使用される第２のクリーニング方法を使用するイオン源を示す。
【発明を実施するための形態】
【００７６】
１．既存のクリーニング方法の分析
図１（ａ）は、本発明の実施形態でないが、本発明のより良好な理解の目的で含められている、ＭＡＬＤＩイオン源１００を示す。
【００７７】
図１（ａ）に示したＭＡＬＤＩイオン源１００は、ＭＡＬＤＩイオン源１００によってイオン化されるサンプル材料を保持するためのサンプルホルダーを有する。サンプルホルダーは、サンプルスポット１２０にサンプル材料および光吸収性マトリックスの結晶化混合物を保持するためのＭＡＬＤＩイオン源１００から着脱可能なサンプルプレート１１０、並びにサンプルプレート１１０を運搬するためのＭＡＬＤＩイオン源１００から取り出せないサンプルプレートキャリア１１２を備える。
【００７８】
ＭＡＬＤＩイオン源１００は、サンプル材料に光のパルス、本例ではビーム軸１３０を通るパルス化レーザービームの形でのＵＶ光のパルスを発することでサンプル材料をイオン化するレーザー（不図示）も有する。図１（ａ）に示したように、レーザーによって発生させたＵＶ光を、サンプルスポット１２０と位置が一致する焦点に集光する。
【００７９】
ＭＡＬＤＩイオン源１００はまた、電場を発生させてレーザーによって発生したイオンを所定の運動エネルギー、例えば２０ｋｅＶまで加速するための第１の電極１４０および第２の電極１４２も有する。第１および第２の電極１４０、１４２はそれぞれ、レーザーによって発生させたイオンが第１および第２の電極１４０、１４２によって案内／加速されながら通過することができ、イオン軸１２２に沿って通過する開口部を画定する形状を有している。
【００８０】
ＭＡＬＤＩイオン源１００は、電極１４０、１４２およびサンプルホルダーを入れるための筐体（不図示）も備える。筐体は好ましくは、ＭＡＬＤＩイオン源１００を用いる前に排気する。
【００８１】
使用において、レーザーがサンプルスポット１２０に入っているサンプル材料および光吸収性マトリックスの混合物で光のパルスを発することで、イオン化および非イオン化（すなわち中性）サンプル材料（「分析物」）および光吸収性マトリックスのプルームが噴出する。このプルームに含まれるイオン化材料（ほとんどサンプル材料のイオンおよび光吸収性マトリックスの少量のイオン）が、第１および第２の電極１４０、１４２によって発生する電場によって一般に案内／加速されて、第１および第２の電極１４０、１４２によって画定された開口部を通過するイオン軸１２２に沿って通過して、例えばその次にイオン検出器によって検出される。しかし、このプルームに含まれる非イオン化材料１２４（ほとんど非イオン化光吸収性マトリックスおよび少量の非イオン化サンプル材料）は、サンプルスポット近傍の表面、例えば第１および第２の電極１４０、１４２の表面上に堆積するまで、サンプルスポット１２０から一般に広がり続ける。概して、非イオン化材料１２４の多くの部分は第１の電極１４０の表面上に堆積するが、一部の非イオン化材料１２４は第１の電極１４０にある開口部を通過して、第２の電極１４２の表面上に堆積する可能性もある。
【００８２】
時間をかけて、非イオン化材料はサンプルスポット近傍の表面上、特には第１および第２の電極１４０、１４２の表面上に蓄積して汚染物材料の絶縁層が形成され、それが時間経過とともに堆積して、ＭＡＬＤＩイオン源１００の操作に悪影響を与え得る。特に、第１および第２の電極１４０、１４２上の汚染物材料の絶縁層は、第１および第２の電極１４０、１４２によって形成される電場を歪ませて、ＭＡＬＤＩイオン源１００を用いる質量分析計の感度または分解能が低下する。この時点で、ＭＡＬＤＩイオン源の第１および第２の電極１４０、１４２には一般にクリーニングが必要である。
【００８３】
このように、ＵＶレーザーからのＵＶ光はサンプルプレート１１０上に集められ、サンプルを脱離しイオン化して質量分析計で分析する。
【００８４】
図１（ｂ）は、図１（ａ）のビーム軸１３０とイオン軸１２２との好ましい関係を概略的に説明する。
【００８５】
ビーム軸１３０およびイオン軸１２２は、図１（ａ）で平行に表されるが、好ましくは、図１（ｂ）に示したように、ビーム軸１３０は、小さな角度（この例では３°）だけイオン軸１２２からオフセットされて、ビーム軸１３０にあるいずれかの光学／ビームステアリング構成要素（この例では、鏡１３２）が、イオン軸１２２に沿って進むイオン化されたサンプル材料を妨げる（例えば、ブロックする）ことを防止する。好ましくは、光学／ビームステアリング構成要素でビーム軸１３０とイオン軸２２との間に少なくとも３ｍｍの間隙があるように、オフセット角が選択される。図１（ｂ）に示したように、好ましくは、ビーム軸１３０はサンプルスポット１２０でイオン軸１２２と交差し、そこで、これらの軸が集束する。
【００８６】
ＭＡＬＤＩイオン源は、サンプルに光を当てるための可視光の光源（例えば、白色ＬＥＤ）、および第１、第２の電極１４０、１４２によって画定された開口部を通って延在する光軸を通る可視光を使用してサンプルの画像を生成するための画像装置（例えば、カメラ）を含むことが好ましい。画像装置は、サンプル平面１２１（サンプルプレート１１０の平面であってもよい）にあるサンプルの合焦画像を生成するように構成されることが好ましい。
【００８７】
光軸は、小さな角度（例えば、３°）だけイオン軸１２２からオフセットされて、ビーム軸１３０にあるいずれかの光学／ビームステアリング構成要素（例えば、鏡）が、イオン軸１２２に沿って進むイオン化されたサンプル材料を妨げる（例えば、ブロックする）ことを防止することが好ましい。これは、もちろん、ビーム軸１３０および光軸が互いからオフセットされるべきであるが、レーザーによって生成される光が画像装置が受ける光から分離されることを可能にするように、図１（ｂ）にビーム軸１３０について示されるものと類似した方法で達成することができる。
【００８８】
図２は、本発明の実施形態でないが、本発明のより良好な理解の目的で含められている、他のＭＡＬＤＩイオン源２００を示す。
【００８９】
ＭＡＬＤＩイオン源２００は、ＧＢ２４８６６２８の教示を実行する。
【００９０】
図２に示されるＭＡＬＤＩイオン源２００の多くの特徴は、図１（ａ）に示されたＭＡＬＤＩイオン源１００のものと同じである。
【００９１】
この明細書の全体にわたって適切な場合には、相当する特徴には、相当する参照番号を付してあり、それ以上詳細に説明する必要はない。
【００９２】
図２から分かる通り、サンプルホルダーには、サンプルプレート２１０が取り付けられた第１のレベルおよびＵＶ鏡２５０によって提供される凹面反射面がある第２のレベルの両方を有する異なる形状のサンプルプレートキャリア２１２がある。従って、その鏡は反射面がサンプル材料をイオン化するためのレーザーから異なった距離にあるようにサンプルプレートキャリア２１２上に取り付けられている。この例では、鏡２５０の凹面反射面は、ほぼ球形の曲率および中心軸２５２を有する。
【００９３】
サンプルプレートキャリアは、サンプル材料をイオン化するためのレーザーのビーム軸２３２（すなわち、レーザービームの軸）に対して実質的に垂直な（例えば、垂直の１０°以内）平面に移動して、サンプルプレート２１０および鏡２５０の両方がビーム軸２３２から出入りできるように構成されている。
【００９４】
イオン発生に用いる場合、サンプルプレート２１０上のサンプルスポット２２０をレーザーのビーム軸２３２に移動させて、レーザーからのＵＶ光が集まって、サンプルスポット２２０と一致する位置にある第１の焦点２３４に集光するようにする。
【００９５】
電極２４０、２４２の一つのクリーニングに用いる場合、鏡２５０をレーザーのビーム軸２３２に移動させて、レーザーからのＵＶ光がレーザーからのＵＶ光を反射する鏡２５０を介して電極２４０、２４２の一つの表面上に当たるようにする。有利には、ＵＶ光は、電極の表面上の汚染物材料に直接エネルギーを加えて、電極をほとんど加熱する必要がなく、そしてＭＡＬＤＩイオン源２００の排気された筐体を換気する必要もなく、電極の表面からの汚染物材料の脱離を起こさせることができる。
【００９６】
レーザーのビーム軸２３２に配置したら、鏡２５０を好ましくは、レーザーのビーム軸２３２に対して実質的に垂直な（例えば、垂直の１０°以内）平面に例えば連続的に移動させて、レーザーからのＵＶ光が好ましくは二次元で電極２４０、２４２のいずれかまたは両方の表面にわたって走査されるようにする。
【００９７】
図２に示したように、最初にレーザーからのＵＶ光をレーザー（不図示）に連繋させた一つ以上のレンズによって最初に集光して第１の焦点２３４で集光させ、次に鏡２５０によって再集光して、第２の焦点２３６（「再集光されたレーザースポット」）で集光させる。図２に示したように、第２の焦点２３６の位置は第１の電極２４０の表面にある。しかし、第２の焦点２３６の位置を、電極の表面以外とするように選択することで、例えば電極の表面で所定のエネルギー密度を得ることができる。
【００９８】
したがって、イオン源２００のクリーニングは、イオン源の電極を照射し、それらの表面上に堆積された汚染物材料（イオン化残骸）を脱離するために、そうでなければサンプル材料をイオン化するために使用される、ＵＶレーザーによって生成させるＵＶ光を使用することによって達成されることが好ましい。
【００９９】
上記検討されるように、鏡２５０の凹面反射面は、サンプルプレート２１０の平面の下に位置し、サンプルプレートキャリア２１２をレーザービーム軸から取り除くまたは移動することによってアクセスされる（図２参照）。レーザービームに実質的に垂直な（例えば、垂直の１０°以内）平面内で鏡２５０を移動することは、クリーニングされる電極表面にわたって、再集光されたレーザービームを走査する。
【０１００】
したがって、単一の表面凹面鏡２５０は、ＵＶレーザービームを反射しイオン源の電極上で再集光するために使用されて汚染物材料を脱離する。
【０１０１】
ＧＢ２４８６６２８は、また、電極上に存在する汚染物材料の量を視覚的に評価するために鏡２５０の同じ表面を使用することができることを教示した。
【０１０２】
本発明者らは、実際上、サンプルの画像を提供する目的で、イオン源に既に存在する画像装置および光源を使用して、鏡２５０の表面を使用して電極上に存在する汚染物材料の視覚的な評価を達成することができることに言及する。
【０１０３】
図１を参照して上記検討されるように、ＭＡＬＤＩイオン源は、サンプルに光を当てるための可視光（例えば、白色ＬＥＤ）の光源およびサンプルの画像を生成するための画像装置（例えば、カメラ）を含んでいてもよい。光源および画像装置は、また、イオン源２００（下記検討される他のイオン源と同様に）内に存在する。
【０１０４】
発明者らは、例えば、光源およびサンプルの画像を生成するための画像装置を使用してクリーニングされる電極の画像を提供することもでき、クリーニングされる電極上の汚染物材料がクリーニングされるときに可視化されることが可能であることを観察した。
【０１０５】
より詳細には、光源（サンプルの照明をもたらすために代表的にセットアップされるが）は、電極の適切な照明をもたらし、それによって、画像装置が電極の表面をクリーニングしながら電極の表面の画像をもたらすことができるように、鏡２５０が画像装置に向けて電極から可視光を反射することを可能にする。
【０１０６】
本発明者らは、ＧＢ２４８６６２８の教示に基づくさらなる実験を行い、それは以下に説明される。
【０１０７】
ＧＢ２４８６６２８の方法を実行するために本発明者らによって最初に選択された鏡２５０は、コストを最小限にするために、（容易に利用可能な）既成のカタログ品目と選択され、これは、この構成要素が有限の寿命を有し、周期的に変化することを必要とすると見込まれるからである。クリーニング工程の間に電極表面から脱離された汚染物材料がどこかに行かなければならないと既に本発明者らによって考えられ、その材料の一部が鏡面上に堆積され、最終的にその性能に悪影響し、鏡がクリーニングまたは交換される必要があることが予測された。
【０１０８】
本発明者らは、多くのコーティングが鏡に利用可能であり、所定の用途向けの適切なコーティングが、関心のある波長帯（例えば、ＩＲ、可視、ＵＶ）、要求される反射率、入射光のパワー密度、さらに環境条件など多くの要因に依存すると言及する。ＧＢ２４８６６２８の方法について、クリーニング工程が効率的に機能するために、十分なＵＶレーザー光を反射することが必要であり、一方、十分な可視光（電極表面からの）を反射してソース電極が撮像されることを可能にすることが好ましいと考えられた。
【０１０９】
金属鏡コーティングが広く使用され、一般に使用される金属アルミニウム、銀、および金についての性能曲線が図３に示され、それは、金属被覆光学素子についての代表的な反射率値を示す。
【０１１０】
図３によって示されるように、アルミニウムの性能は、アルミニウム上に誘電体の多層膜を被覆することによって改善されて、可視または紫外領域での反射率を高めることができる（これは、図３で参照される「強化アルミニウム」である）。
【０１１１】
したがって、ＧＢ２４８６６２８の方法を実行するために、ＵＶ強化アルミニウムコーティングが、関心のあるレーザー波長領域で最大の反射率を達成するように、鏡２５０について選択されたが、これはＭＡＬＤＩイオン源でサンプル材料をイオン化するために使用される代表的なＵＶレーザーが、３３７ｎｍから３５５ｎｍの範囲の単一波長を有するＵＶ光を代表的に生成するからである。より詳細には、最も一般に使用されるレーザーは、３３７ｎｍの波長を有するＵＶ光を生成する窒素レーザー、および３５５ｎｍの波長を有するＵＶ光を生成するＮｄ：ＹＡＧレーザーであるが、他のタイプのレーザーが利用可能である。窒素レーザーは、繰り返し率が劣っている傾向があり、したがって、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーは近代的機械においてより一般的である。
【０１１２】
鏡２５０にＵＶ強化アルミニウムコーティングを選択することによって、好ましいレーザー波長（３５５ｎｍ）の反射率が８７％を超え比較的高く、可視領域（３９０ｎｍから７００ｎｍ）の反射率が、イオン源を撮像するのにまだ十分である（＞８５％）ことに留意されたい。
【０１１３】
鏡２５０に対するこのコーティング材料の選択を使用するＧＢ２４８６６２８のイオン源クリーニング方法の初期評価は、方法が２つの電極表面がおよそ１５分で有効にクリーニングされて達成できることが分かった。
【０１１４】
しかし、本発明者らは、クリーニング工程の有効性がおよそ１０クリーニングサイクルのみ後に低下し始めることが分かった。鏡２５０の検査は、レーザービームによって走査される領域全体での鏡２５０の表面の可視的な低下を示し、また、反射率が著しく低下することが分かった。
【０１１５】
上記検討されるように、本発明者らは鏡２５０が周期的にクリーニングまたは交換される必要があると予測したが、これは毎年の保守手順と一致することが望まれた。イオン源がクリーニングを必要とする頻度は大きく変化し、イオン源の構成（例えば、電極開口部の内径、電極間隔）、分析されるサンプルの種類、およびもちろん使用頻度に依存する。一年にわたって必要とされるクリーニング作業の数を確定することが可能でない一方、本発明者らはこの数が多少１０を超える可能性があり、実際上、ユーザがイオン源を実際に必要とされるよりかなり多くクリーニングすることを防ぐことは困難であることを観察した。
【０１１６】
安価な既成の鏡の使用可能性は、複数の鏡がこの問題の解決策として適合されることを潜在的に可能にするが、これをすると、システムの機械的および制御複雑性を増大させ、装置のサイズを潜在的に増大させた。
【０１１７】
２．新しいクリーニング手順
一般に、次の検討は、イオン源の少なくとも１つの表面をクリーニングすることに関する方法および装置に関する本発明者らの提案の例について記載する。
【０１１８】
これらの例は、的確な解決法に基づく上記言及された鏡の劣化の問題であり（別個の鏡を使用するより的確な）、方法の耐久性を向上させる役目をするだけでなくＧＢ２４８６６２８の方法に比較してクリーニングおよび撮像態様の両方の柔軟性を向上した鏡を組み込むことによって達成された。
【０１１９】
一部の実施形態において、ソース電極をクリーニングするために低コストおよび有効なプロセスを達成するために既成の光学素子が利用される。他の実施形態では、カスタム鏡が使用されて実行の耐久性および柔軟性を改善する。カスタム鏡の使用コストは、既成の鏡の使用に比較してわずかに高い（例えば、２０１４年の価格で既成の構成要素の５０ポンドに比較してカスタム鏡の１３０ポンド）が、カスタム鏡は、例えば、ＧＢ２４８６６２８の背景セクションに記載されるように、他のクリーニング方式より実施するには高価ではない。
【０１２０】
本発明者らによって考え出された新しいクリーニング手順の２つの実施が、ここで述べられる。以下のセクション２．１は、等しい曲率を備えた２面鏡を使用する第１のクリーニング方法について記載し、以下のセクション２．２は、また、２つの表面曲率が等しくなく、その代りイオン源配置のために最適化される第２のクリーニング方法について記載する。
【０１２１】
２．１  第１のクリーニング方法：誘電体被覆第１の表面およびアルミニウム被覆第２の表面を含む２面鏡（等しい曲率を有する表面）
予め記載されたＵＶ強化アルミニウム鏡コーティングは、ＵＶで約８７％の反射率を有した。この反射率がクリーニング工程に適切と分かった一方、それは鏡によって反射も散乱もされないエネルギーのかなりの部分（〜１３％）を残す。理論に拘泥するものではないが、本発明者らは、このエネルギーがコーティングに最も吸収される可能性があり、このように鏡面の劣化の一因になると考える。したがって、本発明者らは、ＵＶレーザー波長で１００％に非常に近い反射率を備えた鏡上により強固なコーティングを使用することが好ましいと考えた。
【０１２２】
図４は、３５５ｎｍの波長について最適化された誘電体コーティング鏡、金属被覆鏡、および広帯域誘電体被覆鏡についての代表的な反射率値を示し、それは、本発明者らによって設計されたイオン源でサンプル材料をイオン化するためのレーザーによって生成される光の波長である（誘電体コーティングが所有者規定から作製され、製造間に変化することに留意されたい）。
【０１２３】
高い反射率を備え、広く用いられる強固で安価な鏡コーティングが、誘電体コーティングであり、それは誘電体材料の複数の薄層からなり、鏡基板上に堆積される。誘電体層の種類および厚さは、光の異なる波長で指定された反射率を備えた光コーティングを付与するように設計されることができる。
【０１２４】
図４によって説明されるように、誘電体コーティングは特定の波長（狭帯域）で非常に高い反射率を生成するように設計されることができ、代替的には、それらは広域スペクトル（広帯域）の光を反射するようになされることができる。誘電体コーティングのさらなる利点は、誘電体コーティングがレーザー光によって破損されるしきい値が金属コーティングについてのもののおよそ１０倍高いということである。
【０１２５】
ＧＢ２４８６６２８の方法で誘電体コーティングを利用するための最も直接的な方法は、撮像のためのＵＶレーザー光および可視光の両方を反射するために広帯域誘電体コーティングを使用することであった。しかし、検討されるように、鏡から反射されないレーザー光が鏡面の劣化の一因であると思われるので、本発明者らは、レーザー波長の反射率はできるだけ高いことがより重要であると決定した。これは、広帯域誘電体コーティングよりはむしろレーザー波長について最適化された狭帯域誘電体コーティングで一貫して達成される可能性がより高く、したがって、狭帯域コーティングが、コーティング劣化を最小限にし、寿命を最大限にするように鏡について選択された。この選択に関する問題は、ＵＶ狭帯域誘電体コーティングによる可視光の反射率が非常に低く（＜５％）、電極表面の撮像に適切でないということである。好ましくは、レーザー波長での鏡の反射率は９９．９％以上である。
【０１２６】
第１のクリーニング方法は、カメラに電極の高品質画像を伝えるために、アルミニウムコーティングを鏡の第２の表面に塗布して狭帯域誘電体コーティングを通る可視光を反射する第２の反射面をもたらすことによってこの問題を解決する。以下に検討された代替の実施では、鏡の第２の表面の曲率はカメラで電極の合焦画像をもたらすように修正される。
【０１２７】
図５は、図２の鏡２５０と比較して、第１のクリーニング方法で使用される鏡３５０を示す。
【０１２８】
図５に示したように、図２の鏡２５０は、〜８７％のＵＶ反射率および〜８５％の可視光反射率を有するＵＶ強化アルミニウムコーティングで被覆された第１の（上側）表面２５０ａを有する。鏡３５０は、研磨された第２の（下側）表面（つまり、未加工の非光学的表面）も有する。
【０１２９】
さらに図５に示したように、第１のクリーニング方法で使用される鏡３５０は、９９．９％より高いＵＶ反射率であるが５％未満の可視光反射率を有する狭帯域ＵＶ誘電体コーティングで被覆された第１の（上側）表面３５０ａを有する。鏡３５０はアルミニウムで被覆され、８５％より高い可視光反射率を有する第２の（下側）表面も有する。
【０１３０】
第１のクリーニング方法は次のステップを含む：鏡３５０の第１の反射面３５０ａで、汚染物材料がイオン源の表面から脱離されるように、イオン源の電極の表面上にサンプル材料をイオン化するためのレーザーによって生成されるＵＶ光（この例においては、３５５ｎｍの波長を有する）を反射すること；鏡３５０の第２の反射面３５０ｂで、イオン源の電極の表面から来る可視光（３９０ｎｍから７００ｎｍの範囲に複数の波長を有する）をイオン源の電極の表面の画像を生成するための画像装置に向けて反射し、可視光は、鏡３５０の第２の反射３５０ｂ面で反射される前に鏡３５０の第１の反射面３５０ａを通ること；画像装置（不図示）で、可視光（第２の反射面３５０ｂで反射された）を使用して、イオン源の電極の表面の画像を生成すること。
【０１３１】
サンプル材料をイオン化するためのレーザーによって生成されるＵＶ光が鏡３５０の第１の反射面３５０ａで反射されると同時に、可視光が鏡の第２の反射面３５０ｂで反射されることに留意されたい。このように、イオン源の電極の表面の画像は、汚染物材料がイオン源の表面から脱離されると同時に、（画像装置で）生成されることができる。
【０１３２】
第１のクリーニング方法では、鏡３５０の第２の表面３５０ｂの曲率は、第１の表面３５０ｂの曲率に等しくされ、それは、光学経路の他の場所に光学部品を移動することによって、鏡３５０が使用されるイオン源は、レーザーおよび撮像光学システムの両方の焦点を自動的に調節する能力を有するので、そうでなければ、所定の鏡の曲率値を補償することに特別の利点はなかったからであった。
【０１３３】
この新しいクリーニング方法の評価は、鏡が１０クリーニングサイクル後にさらに有効で劣化の兆候を示さなかったことを確認した（実際の寿命を決定するのに必要なさらなる検査）。しかし、第１のクリーニング方法によって電極から脱離された材料の多少の蓄積が、鏡のまわりの領域に堆積されているのを見ることができ、直ちに明らかでないとはいえ、鏡上にもあるに違いなく、最終的にはクリーニングまたは交換されないならある時点で第１のクリーニング方法の効果を下げる。
【０１３４】
図６は、第１のクリーニング方法を使用するイオン源のクリーニング前後の電極の画像を示す。
【０１３５】
図６では、環状の電極の内側および外側表面の両方は前後画像に見ることができる。これらの表面は、表面から反射する可視光が可視光源の位置よって異なるので異なるように見える（上記留意されるように、この可視光源は電極よりはむしろサンプルの照明をもたらすために代表的に設置される）。言いかえれば、電極の均一な照明はない。
【０１３６】
余談として、図６の前後画像の両方は、不鮮明でわずかに明るい環状の領域（テキスト「ソース電極表面」の後ろに位置する）を含み、それは、鏡３５０の第１の表面３５０ａから反射する少量の可視光（＜５％、上記参照）によって形成される電極の第２の焦点外の画像である（このわずかに明るい環状の領域は、前画像と比較して後画像からはっきり見ることができる）。
【０１３７】
図６によって示されるように、この方法を使用して、汚染された電極上の残骸をどのように効率的に取り除くことができるかを明瞭に示す電極の良好な品質画像が達成された。
【０１３８】
２．２  第２のクリーニング方法：誘電体被覆第１の表面およびアルミニウム被覆第２の表面を含む２面鏡（異なる曲率を有する表面）
第２のクリーニング方法は、サンプルをイオン化するためのレーザー、およびサンプルの画像をもたらすための画像装置の両方が固定焦点を有するイオン源を作製することが望ましい可能性があるという本発明者らの洞察に基づく。
【０１３９】
そのようなイオン源を作製することは、レーザーおよび光学素子の焦点が調整可能なイオン源を作製するよりも最高１０００ポンドから１５００ポンド安価にすることができる（２０１４年の価格）。
【０１４０】
通常動作については、レーザーおよびそのようなイオン源の表示光学素子は、サンプルの有効なイオン化をもたらすように、サンプルサンプルプレートの平面内、およびサンプルの焦点撮像において集光される。しかし、もし第１のクリーニング方法を使用してそのようなイオン源がクリーニングされれば、ＵＶおよび可視光をクリーニング鏡上を通し、第１および第２の表面からそれぞれ反射させる場合に、可視光がＵＶ光よりわずかに進まなければならないという点で問題がある。第１のクリーニング方法では、第１および第２の表面の曲率が同じであるので、第１および第２の表面が、クリーニング鏡の有限の厚さにより、電極表面で同一の集光をもたらすことは可能でない。
【０１４１】
これは、イオン源クリーニング方法のこの繰り返しを使用する機器が、レーザーおよび／または表示光学素子の焦点を自動的に調節する能力を有する場合に問題ではないが、第１のクリーニング方法は、固定焦点光学素子を備えたシステムについてより制限された適用可能性を有する。この第２のクリーニング方法は、鏡の前後面の曲率が、方法が使用されるイオン源の配置と一致するように、必要とされる平面内でレーザーおよび表示光学素子の焦点を合わせるように独立して最適化されることを可能にすることによって、この問題への解決策をもたらす（可視光については、必要な平面は画像センサーの平面であり、ＵＶ光については、ちょうどクリーニングされる電極の平面である）。もちろん、この方法の繰り返しは、さらに等しく可変光学素子を有さない機器でよく利用することができる。
【０１４２】
図７は、図２の鏡２５０と比較して、第２のクリーニング方法で使用される鏡４５０を示す。
【０１４３】
ここで、鏡コーティングは、第１の繰り返しと同じであるが、表面４５０ａおよび４５０ｂの曲率は任意のイオン源と一致するように独立して選択される。特に、鏡４５０の第１、第２の表面４５０ａ、４５０ｂの曲率は最適化されて、例えば、電極の表面上にレーザーおよび表示光学素子の焦点をそれぞれ合わせることができる。
【０１４４】
図８は、カスタム凹面鏡４５０が使用される第２のクリーニング方法を使用するイオン源を示す。
【０１４５】
第２のクリーニング方法は次のステップを含む：鏡４５０の第１の反射面４５０ａで、汚染物材料がイオン源の電極の表面から脱離されるように、サンプル材料をイオン化するためのレーザーによって生成されるＵＶ光（この例において、３５５ｎｍの波長を有する）をイオン源の電極４４０の表面上に反射すること；鏡４５０の第２の反射面４５０ｂで、イオン源の電極４４０の表面から来る可視光（３９０ｎｍから７００ｎｍの範囲に複数の波長を有する）をイオン源の電極の表面の画像を生成するための画像装置に向けて反射し、可視光は、鏡４５０の第２の反射４５０ｂ面で反射される前に鏡４５０の第１の反射面４５０ａを通ること；画像装置（不図示）で、可視光（第２の反射面４５０ｂで反射された）を使用してイオン源の電極の表面の画像を生成すること。
【０１４６】
図８の左の図面では、ＵＶレーザー光は、第１の鏡面４５０ａによって第１の電極４４０の表面に再集光されたレーザースポット４３６ａに集められるように示される。レーザー光の進む方向は破線矢印によって示される。
【０１４７】
図８の右の図面では、第１の電極４４０の表面の領域４３６ｂ（画像装置によって撮像される）からの可視光は、鏡４５０の第２の表面４５０ｂで反射される一方、鏡４５０の第１の表面４５０ａを通るように示される。可視光の進む方向は破線矢印によって示される。可視光の進む方向がレーザー光のそれと反対であることに留意されたい。
【０１４８】
第１の反射面４５０ａは、レーザー波長および電極表面でレーザービームを再集光するために計算された表面曲率について最適化された狭帯域誘電体コーティングで被覆される。可視光はこのコーティングを通り、第２の反射面４５０ｂ上のアルミニウムコーティングによって反射され、その曲率は、画像装置（この例では、カメラ）で電極の合焦画像を形成するように計算される。
【０１４９】
したがって、狭帯域誘電体被覆第１の反射面４５０ａコーティングは、レーザーからのＵＶ光を反射し、可視光を通過させ、一方、アルミニウム被覆第２の反射面４５０ｂは可視光を反射する。
【０１５０】
各鏡面４５０ａ、４５０ｂの好ましい曲率半径（Ｒ）は、図８を参照してＲ＝２ＩＯ／（Ｉ＋Ｏ）によって与えられ得る。最適のクリーニング配置は、クリーニング効率（エネルギー密度と密接に関係がある）とレーザーパルスあたりクリーニングされる領域との間の最良のバランスを与えるために最良のレーザー焦点からわずかに離れる可能性があることに留意されるべきである。
【０１５１】
ある範囲の表面曲率が可能であり、ここで記載された方法で使用される値は、３０ｍｍから５０ｍｍの範囲であるが、より大きい値が可能であり、例えば、２００ｍｍ以内を容易に予測することができるが、より大きな曲率値は、イオン源クリーニング機構を含む筐体がより大きいことを必要とし、これよりはるかに大きな値は実際的である可能性はない。
【０１５２】
ここで使用される鏡３５０、４５０の直径は２５ｍｍであったが、約１０ｍｍの鏡のみが実際に使用され、再びより大きな直径の鏡を使用することができるが、実際的な利点はあるようには見えず、したがって、方法は、５ｍｍから５０ｍｍの範囲の直径の鏡を使用することが好ましい。
【０１５３】
上記検討されるように、レーザーのビーム軸およびカメラの光軸は、ともに接近しているべきであるが、例えば、小さな角度（好ましくは、１０°以下、より好ましくは、５°以下）だけ互いからオフセットされるべきであり、レーザーによって生成される光が、例えば、一つ以上の光学／ビームステアリング構成要素（例えば、鏡）を使用する画像装置が受ける光から分離されることを可能にする。
【０１５４】
ビーム軸も光軸も電極の中心軸と正確には一致するべきでないことが好ましいことが留意されるべきであり、これは、イオン源の使用中に、サンプルによって生成されるイオンについての好ましい進行経路であるからである（例えば、上記図１（ｂ）参照）。
【０１５５】
イオン源が設けられる機器の複雑性に依存する多くの配置で第２のクリーニング方法に記載された鏡４５０を利用することができる：
（ｉ）固定焦点レーザーおよび／またはカメラ（例えば、レーザー焦点および／またはカメラ焦点を自動的に調節する能力はない）を備えた単純な機器では、鏡の曲率は、単一の指定された電極表面、恐らく汚染物の蓄積を受ける可能性が最も高い表面にレーザーおよびカメラの焦点を合わせるように規定されることが好ましく、それは第１の電極表面４４０であってもよい。
【０１５６】
（ｉｉ）やはり固定焦点レーザーおよび／またはカメラ（例えば、レーザーおよび／またはカメラを自動的に調節する能力はない）備えているが、互いに接近する電極表面（例えば、５ｍｍ以下）を備えた単純な機器では、それらがイオン源クリーニング方法に適切な等しいパワー密度を受けるように、２つの電極表面間の中途にレーザー焦点で鏡を規定することができる。
【０１５７】
（ｉｉｉ）やはり固定焦点レーザーおよび／またはカメラ（例えば、レーザーおよび／またはカメラを自動的に調節する能力はない）を備えているが、互いに接近していない（例えば、５ｍｍより大きい）電極表面を備えた単純な機器では、イオン源は複数の鏡を含むことができ、各鏡は第１および第２反射面を有し、第１および／または第２の反射面の曲率は、鏡間で異なり、各鏡がイオン源のそれぞれの表面（あるいは表面の組み合わせ）に適切な集光をもたらすように構成される。複数の鏡は、同じ平面に設けられることが好ましい。
【０１５８】
（ｉｖ）やはり固定焦点レーザーおよび／またはカメラ（例えば、レーザーおよび／またはカメラを自動的に調節する能力はない）を備えるが、互いに接近していない（例えば、５ｍｍより大きい）電極表面を備えた単純な機器では、イオン源は、クリーニングされる表面に適切な、異なる高さで設けられる一方、同一の曲率を有する複数の鏡を含むことができる。
【０１５９】
（ｖ）焦点調整可能なレーザーおよび／または焦点調整可能なカメラ（発明者によって好まれる軸に沿って光学素子を移動することによって、あるいは適切な機構を用いて光学系から要素を挿入する／取り除くことによって）を備えた機器では、鏡の曲率は、レーザー／カメラ焦点調整機構がレーザー／カメラをさらなる電極上で再び焦点をあわせるように調節されて、少なくとも１つの表面をクリーニングするように規定することができる。第２のクリーニング方法の主な利益はレーザーおよびカメラが固定焦点である場合なので、これはわずかな利益のみである。
【０１６０】
上記方法は、球面曲率（実際上、クリーニングと画像を提供する目的で適切であると分かった）を有する第１および第２の反射面を使用することが好ましい一方、他の反射体の形状を代わりに使用することができる。例えば、放物面の反射面が可能であるが、製造のコストは単純な球状の形態よりかなり高い可能性がある。
【０１６１】
好まれることではないが、イオン源でのレーザー光および可視光の両方の集光をもたらすことができる可能な焦点調整機構は、それがなければイオン源がレーザーおよび／またはカメラ焦点を調節する能力を有さないであろうが、鏡から反射する場合に、ＵＶ光と比較して可視光が進む余分な距離を光学的に補正するように、電極表面から画像装置まで進む可視光の経路に移動可能な光学レンズを持たせることである。そのような変形は、例えば、レーザーおよび／またはカメラを自動的に調節する能力を有さないイオン源で鏡３５０が使用されることを可能にする。
【０１６２】
本明細書および特許請求の範囲で使用される場合、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、および「包含する（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」という用語並びにそれらの変形表現は、記載されている特徴、段階または整数が含まれることを意味する。それらの用語は、他の特徴、段階または整数の存在の可能性を排除するものと解釈すべきではない。
【０１６３】
上記の説明または以下の特許請求の範囲または添付の図面に開示され、特定の形態でまたは開示の機能を行うための手段または開示の結果を得るための方法若しくは工程に関して記載されている特徴を適宜に、別個にまたはそのような特徴のいずれかの組み合わせで利用して、多様な形態で本発明を実現することができる。
【０１６４】
上記の例示的な実施形態との関連で本発明について説明してきたが、多くの等価な変更および変形形態は、本開示を考慮すれば当業者には明らかであろう。従って、上記発明の例示的な実施形態は例証であり、限定ではないとみなされる。記載された実施形態の様々な変更は、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなくなされてもよい。
【０１６５】
疑義を回避するために、本明細書に提供されるいかなる理論的な説明も、読者の理解を改善する目的で提供される。発明者らは、これらの理論的な説明のいずれかによっても制限されることを望まない。
【０１６６】
上記参照したすべての参考文献は参照によって組み込まれる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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