(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（メタ）アクリロイル基を持つ化合物、熱ラジカル重合開始剤、有機酸、及び有機酸を捕捉する機能を有する化合物を含有し、
前記有機酸を捕捉する機能を有する化合物は、Ｚｒ−Ｂｉ系イオン捕捉剤、Ｚｒ−Ｍｇ−Ａｌ系イオン捕捉剤、及びＺｒ系イオン捕捉剤からなる群から選択される一種以上の成分を含有する封止用アクリル樹脂組成物。
【請求項２】
前記有機酸を捕捉する機能を有する化合物は、イオン化した前記有機酸を捕捉する機能を有する請求項１に記載の封止用アクリル樹脂組成物。
【請求項３】
シリカとアルミナのうち少なくとも一方を含む無機フィラーを含有する請求項１又は２に記載の封止用アクリル樹脂組成物。
【請求項４】
前記有機酸を捕捉する機能を有する化合物は、前記封止用アクリル樹脂組成物全体に対して０．０１〜１５質量％の範囲内である請求項１ないし３のいずれか一項に記載の封止用アクリル樹脂組成物。
【請求項５】
前記有機酸は、前記封止用アクリル樹脂組成物全体に対して０．１〜１０質量％の範囲内である請求項１ないし４のいずれか一項に記載の封止用アクリル樹脂組成物。
【請求項６】
常温で液状である請求項１ないし５のいずれか一項に記載の封止用アクリル樹脂組成物。
【請求項７】
基材と、前記基材にフェイスダウンで実装されている半導体チップと、前記基材と前記半導体チップとの間の隙間を封止する封止材とを備え、前記封止材が請求項１ないし６のいずれか一項に記載の封止用アクリル樹脂組成物の硬化物からなる半導体装置。
【請求項８】
導体配線を備える基材と、バンプ電極を備える半導体チップとを用意し、
前記基材上に請求項１ないし６のいずれか一項に記載の封止用アクリル樹脂組成物を配置し、
前記基材上の前記封止用アクリル樹脂組成物が配置されている位置に前記半導体チップを配置するとともに、前記導体配線上に前記バンプ電極を配置し、
前記封止用アクリル樹脂組成物及び前記バンプ電極を加熱することで、前記封止用アクリル樹脂組成物を硬化させて封止材を形成するとともに前記バンプ電極と前記導体配線とを電気的に接続することを含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は封止用アクリル樹脂組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関し、詳しくは先供給方式のアンダーフィリングによって基材と半導体チップとの間の隙間を封止するために好適な封止用アクリル樹脂組成物、この封止用アクリル樹脂組成物を用いたアンダーフィリングによって封止された半導体装置及びこの封止用アクリル樹脂組成物を用いて先供給方式のアンダーフィリングによって基材と半導体チップとの間の隙間を封止する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フリップチップ型の半導体チップ３を基材上にフェイスダウンで実装する場合、半導体チップ３として、従来、例えばＦＣ−ＢＧＡ(フリップ・チップ−ボール・グリッド・アレイ)が用いられている。ＦＣ−ＢＧＡにおけるバンプ電極３３の間隔は１５０μｍ以上である（図３Ｂ参照）。基材へ半導体チップ３を実装した後、基材と半導体チップ３との間の隙間に樹脂組成物を充填することでこの隙間を封止するアンダーフィリング技術も、広く採用されている。
【０００３】
近年、電子部品の高集積化のために、半導体チップ３におけるバンプ電極３３間のピッチを狭くすることが要請されている。そのために、半導体チップ３として、図３Ａに示すようなＦＣ−ＣＳＰ（フリップ・チップ−チップ・サイズ・パッケージ）が提案されている。この図３Ａに示す半導体チップ３におけるバンプ電極３３は、銅製のピラー３１とその先端に設けられたはんだバンプ３２とで構成されている。これにより、バンプ電極３３間のピッチを１００μｍ以下にすることが可能である。またピラー３１が銅製であると、バンプ電極３３における通電量の増大、及びバンプ電極３３の熱伝導性の向上を実現できる。またバンプ電極３３がピラー３１を備えることでバンプ電極３３におけるはんだの量を抑制できる。更にピラー３１はリフロー処理時に融解しないため、はんだの広がりによる短絡を抑制できる。
【０００４】
バンプ電極の狭ピッチ化に伴い、アンダーフィリング技術として、先供給方式が注目を集めている。この先供給方式では、例えば導体配線を備える基材と、バンプ電極を備える半導体チップと、常温で液状の熱硬化性の封止用アクリル樹脂組成物とを用意する。基材上に封止用アクリル樹脂組成物を配置し、基材上の封止用アクリル樹脂組成物が配置されている位置に半導体チップを配置するとともに、導体配線上にバンプ電極を配置する。この状態で、封止用アクリル樹脂組成物及びバンプ電極を加熱することで、封止用アクリル樹脂組成物を硬化させて封止材を形成するとともにバンプ電極と導体配線とを電気的に接続する。これにより、基材への半導体チップの実装と、半導体チップと基材との間の隙間の封止とを、同時に行うことができる。しかも、バンプ電極間のピッチが狭くても、半導体チップと基材との間の隙間に封止材の未充填が生じにくい。
【０００５】
先供給方式の封止を行う場合、はんだバンプにおける酸化膜を除去して導体配線との接続信頼性を確保するため、封止用アクリル樹脂組成物に有機酸等を含む活性剤（フラックス）を含有させることが行われている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−２４３７８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、バンプ電極を備える半導体チップと基材との間を、有機酸を含有するアクリル樹脂組成物を用いて封止する場合、アクリル樹脂組成物から形成された封止材中の有機酸が移動することでバンプ電極間に短絡が生じることがある。特に近年のようにバンプ電極間のピッチが狭くなると、バンプ電極間における電位勾配が大きくなることで有機酸が移動しやすくなるため、短絡が生じる危険性が高くなってしまう。
【０００８】
本発明は上記事由に鑑みてなされたものであり、有機酸を含有する封止用アクリル樹脂組成物で半導体チップと基材との間の隙間を封止した場合に、封止用アクリル樹脂組成物から形成された封止材中の有機酸の移動による短絡を抑制することができる封止用アクリル樹脂組成物、この封止用アクリル樹脂組成物を用いて封止された半導体装置、及びこの封止用アクリル樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る封止用アクリル樹脂組成物は、（メタ）アクリロイル基を持つ化合物、熱ラジカル重合開始剤、有機酸、及び有機酸を捕捉する機能を有する化合物を含有する。
【００１０】
本発明に係る半導体装置は、基材と、前記基材にフェイスダウンで実装されている半導体チップと、前記基材と前記半導体チップとの間の隙間を封止する封止材とを備え、前記封止材が前記封止用アクリル樹脂組成物の硬化物からなる。
【００１１】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、導体配線を備える基材と、バンプ電極を備える半導体チップとを用意し、前記基材上に前記封止用アクリル樹脂組成物を配置し、前記基材上の前記封止用アクリル樹脂組成物が配置されている位置に前記半導体チップを配置するとともに、前記導体配線上に前記バンプ電極を配置し、前記封止用アクリル樹脂組成物及び前記バンプ電極を加熱することで、前記封止用アクリル樹脂組成物を硬化させて封止材を形成するとともに前記バンプ電極と前記導体配線とを電気的に接続することを含む。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、有機酸を含有する封止用アクリル樹脂組成物で半導体チップと基材との間の隙間を封止した場合に、封止用アクリル樹脂組成物から形成された封止材中の有機酸の移動による短絡を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１Ａないし図１Ｄの各々は、本発明の一実施形態における半導体装置を製造する工程を示す概略的な断面図である。
【図２】図２Ａないし図２Ｃは、本実施形態において推定されている封止材中での有機酸の移動抑制の機序を示す概念図である。
【図３】図３Ａ及び図３Ｂの各々は、半導体チップの例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本実施形態に係る封止用アクリル樹脂組成物について説明する。
【００１５】
本実施形態に係る封止用アクリル樹脂組成物は、特に先供給方式のアンダーフィリングによって基材２と半導体チップ３との間の隙間を封止するために好適である（図１Ａないし図１Ｄ参照）。
【００１６】
本実施形態に係る封止用アクリル樹脂組成物は、好ましくは、常温で液状である。本実施形態に係る封止用アクリル樹脂組成物は、常温で液状でなくてもよい。「常温で液状」とは、大気圧下、１８℃で流動性を有することを意味する。特に封止用アクリル樹脂組成物は、大気圧下、５〜２８℃の範囲内のいかなる温度でも流動性を有することが好ましい。
【００１７】
封止用アクリル樹脂組成物は、アクリル樹脂、熱ラジカル重合開始剤、有機酸、及び有機酸を捕捉する機能を有する化合物（以下、有機酸捕捉剤という）を含有する。封止用アクリル樹脂組成物は、更に無機フィラーを含有することが好ましい。
【００１８】
アクリル樹脂は、熱硬化性を有し、常温で液状であることが好ましい。特にアクリル樹脂組は、大気圧下、５〜２８℃の範囲内のいかなる温度でも流動性を有することが好ましい。封止用アクリル樹脂組成物がアクリル樹脂を含有すると、封止用アクリル樹脂組成物から形成される封止材４２中にボイドが生じにくくなる。これは、アクリル樹脂がラジカル重合反応によって硬化する際の初期段階で封止用アクリル樹脂組成物が増粘するためであると考えられる。
【００１９】
アクリル樹脂は、封止材４２の耐熱性を確保するためには、１分子あたり２個以上の（メタ）アクリロイル基を持つ化合物を含むことが好ましく、１分子あたり２〜６個の（メタ）アクリロイル基を持つ化合物を含むことがより好ましく、１分子あたり２個の（メタ）アクリロイル基を持つ化合物を含むことが更に好ましい。
【００２０】
１分子あたり２個の（メタ）アクリロイル基を持つ化合物としては、例えば、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、１，３−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ダイマージオールジ（メタ）アクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、ジンクジ（メタ）アクリレート、シクロヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、シクロヘキサンジメタノールジ（メタ）アクリレート、シクロヘキサンジエタノールジ（メタ）アクリレート、シクロヘキサンジアルキルアルコールジ（メタ）アクリレート、及びジメタノールトリシクロデカンジ（メタ）アクリレートが挙げられる。
【００２１】
１分子あたり２個の（メタ）アクリロイル基を持つ化合物として、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェノールＡＤ１モルとグリシジルアクリレート２モルとの反応物、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェノールＡＤ１モルとグリシジルメタクリレート２モルとの反応物も挙げられる。
【００２２】
１分子あたり２個以上の（メタ）アクリロイル基を持つ化合物として、架橋多環構造を有する（メタ）アクリレートが挙げられる。具体的には、１分子あたり２個以上の（メタ）アクリロイル基を持つ化合物として、例えば下記式（Ｉ）で示される化合物及び下記式（II）で示される化合物が挙げられる。この場合、封止材４２の耐熱性が特に向上する。
【００２３】
【化１】
0006767698.tif 000002
【００２４】
式（Ｉ）中、Ｒ1及びＲ2の各々は水素原子又はメチル基を示し、ａは１又は２であり、ｂは０又は１である。
【００２５】
【化２】
0006767698.tif 000003
【００２６】
式(II)中、Ｒ3及びＲ4の各々は水素原子又はメチル基を示し、Ｘは水素原子、メチル基、メチロール基、アミノ基、又は（メタ）アクリロイルオキシメチル基を示し、ｃは０又は１である。
【００２７】
架橋多環構造を有する（メタ）アクリレートの、より具体的な例としては、例えば、式（Ｉ）におけるａが１、ｂが０であるジシクロペンタジエン骨格を有する（メタ）アクリレート、式（II）におけるｃが１であるパーヒドロ−１，４：５，８−ジメタノナフタレン骨格を有する（メタ）アクリレート、式（II）におけるｃが０であるノルボルナン骨格を有する（メタ）アクリレート、式（Ｉ）におけるＲ1及びＲ2が水素原子、ａ＝１、ｂ＝０であるジシクロペンタジエニルジアクリレート（トリシクロデカンジメタノールジアクリレート）、式（II）におけるＸがアクリロイルオキシメチル基、Ｒ3及びＲ4が水素原子、ｃが１であるパーヒドロ−１，４：５，８−ジメタノナフタレン−２，３，７−トリメチロールトリアクリレート、式（II）におけるＸ、Ｒ3及びＲ4が水素原子、ｃが０であるノルボルナンジメチロールジアクリレート、並びに式（II）におけるＸ、Ｒ3及びＲ4が水素原子、ｃが１であるパーヒドロ−１，４：５，８−ジメタノナフタレン−２，３−ジメチロールジアクリレートが挙げられる。特に架橋多環構造を有する（メタ）アクリレートが、ジシクロペンタジエニルジアクリレート及びノルボルナンジメチロールジアクリレートのうち少なくとも一方を含むことが好ましい。
【００２８】
２個以上の（メタ）アクリロイル基を持つ化合物として、ビスフェノール骨格にアルキレンオキサイドが付加された構造を有するジ（メタ）アクリレートが挙げられる。具体的には、２個以上の（メタ）アクリロイル基を持つ化合物として、例えば式（III）で示される化合物及び式（IV）で表される化合物が挙げられる。この場合、封止材４２と半導体チップ３及び基材２との密着性が向上する。
【００２９】
【化３】
0006767698.tif 000004
【００３０】
式（III）中、Ｒ5は水素、メチル基、又はエチル基を示し、Ｒ6は２価の有機基を示し、ｍ及びｎの各々は１〜２０の整数を示す。
【００３１】
【化４】
0006767698.tif 000005
【００３２】
式（IV）中、Ｒ5は水素、メチル基、又はエチル基を示し、Ｒ6は２価の有機基を示し、ｍ及びｎの各々は１〜２０の整数を示す。
【００３３】
ビスフェノール骨格にアルキレンオキサイドが付加された構造を有するジ（メタ）アクリレートの、より具体的な例としては、アロニックスＭ−２１０、Ｍ−２１１Ｂ（東亞合成製）、ＮＫエステルＡＢＥ−３００、Ａ−ＢＰＥ−４、Ａ−ＢＰＥ−６、Ａ−ＢＰＥ−１０、Ａ−ＢＰＥ−２０、Ａ−ＢＰＥ−３０、ＢＰＥ−１００、ＢＰＥ−２００、ＢＰＥ−５００、ＢＰＥ−９００、ＢＰＥ−１３００Ｎ（新中村化学製）などのＥＯ変性ビスフェノールＡ型ジ(メタ)アクリレート（ｎ＝２〜２０）；アロニックスＭ−２０８（東亞合成製）などのＥＯ変性ビスフェノールＦ型ジ(メタ)アクリレート（ｎ＝２〜２０）；デナコールアクリレートＤＡ−２５０（ナガセ化成製）、ビスコート５４０（大阪有機化学工業製）などのＰＯ変性ビスフェノールＡ型ジ(メタ)アクリレート（ｎ＝２〜２０）；並びにデナコールアクリレートＤＡ−７２１（ナガセ化成製）などのＰＯ変性フタル酸ジアクリレートが挙げられる。
【００３４】
２個以上の（メタ）アクリロイル基を持つ化合物としては、エポキシ（メタ）アクリレートが好ましい。この場合、特に封止用アクリル樹脂組成物がエポキシ樹脂を含有する場合に、封止用アクリル樹脂組成物の反応性が向上するとともに、封止材４２の耐熱性及び密着性が向上する。
【００３５】
エポキシ（メタ）アクリレートは、例えばエポキシ樹脂と、アクリル酸、メタクリル酸などの不飽和一塩基酸との付加反応物であるオリゴマーである。
【００３６】
エポキシ（メタ）アクリレートの原料であるエポキシ樹脂は、例えばビスフェノールＡ、ビスフェノールＦなどのビスフェノールに代表されるビスフェノール類とエピハロヒドリンとの縮合によって得られるジグリシジル化合物（ビスフェノール型エポキシ樹脂）を含む。エポキシ樹脂は、フェノール骨格を有するエポキシ樹脂を含んでもよい。フェノール骨格を有するエポキシ樹脂としては、フェノール又はクレゾールとホルマリンに代表されるアルデヒドとの縮合物であるフェノールノボラック類とエピハロヒドリンとの縮合によって得られる多価グリシジルエーテル（フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）が挙げられる。エポキシ樹脂は、シクロヘキシル環を有するエポキシ樹脂を含んでもよい。
【００３７】
エポキシ（メタ）アクリレートは、例えば、２５℃で固体又は粘度１０Ｐａ・ｓ以上の液体であるビスフェノールＡ型エポキシアクリレートを含むことが好ましい。ビスフェノールＡ型エポキシアクリレートは、例えば下記式（Ｖ）で表される。
【００３８】
【化５】
0006767698.tif 000006
【００３９】
式（Ｖ）中、ｎは正の整数を示す。
【００４０】
ビスフェノールＡ型エポキシアクリレートの市販品としては、デナコールアクリレートＤＡ−２５０（ナガセ化成、２５℃で６０Ｐａ・ｓ）、デナコールアクリレートＤＡ−７２１（ナガセ化成、２５℃で１００Ｐａ・ｓ）、リポキシＶＲ−６０（昭和高分子、常温固体）、及びリポキシＶＲ−７７（昭和高分子、２５℃で１００Ｐａ・ｓ）が挙げられる。
【００４１】
アクリル樹脂が３個以上の（メタ）アクリロイル基を持つ化合物を含む場合、３個以上の（メタ）アクリロイル基を持つ化合物としては、例えば、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールペンタアクリレート、エトキシ化（３）トリメチロールプロパントリアクリレート、エトキシ化（６）トリメチロールプロパントリアクリレート、エトキシ化（９）トリメチロールプロパントリアクリレート、プロポキシ化（６）トリメチロールプロパントリアクリレート、プロポキシ化（３）グリセリルトリアクリレート、高プロポキシ化（５５）グリセリルトリアクリレート、エトキシ化（１５）トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジメチロールプロパンテトラアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ペンタアクリレートエステル、１，３−アダマンタンジオールジメタクリレート、１，３−アダマンタンジオールジアクリレート、１，３−アダマンタンジメタノールジメタクリレート、及び１，３−アダマンタンジメタノールジアクリレートが挙げられる。
【００４２】
アクリル樹脂は、例えば１０〜５０質量％の架橋多環構造を有する（メタ）アクリレート、３〜２０質量％のビスフェノール骨格にアルキレンオキサイドが付加された構造を有するジ（メタ）アクリレート、及び５〜３０質量％のエポキシ（メタ）アクリレートを含むことができる。
【００４３】
アクリル樹脂は、前記の成分以外の各種のビニルモノマー、例えば、単官能ビニルモノマーを含有してもよい。
【００４４】
封止用アクリル樹脂組成物は、アクリル樹脂以外の熱硬化性樹脂を更に含有してもよい。このような熱硬化性樹脂としては、アクリル樹脂と熱硬化反応を起こす樹脂が挙げられる。このような熱硬化性樹脂の具体例として、ビスマレイミド樹脂が挙げられる。
【００４５】
封止用アクリル樹脂組成物は、エラストマーを含有してもよい。エラストマーとしては、例えばイソプレン重合物の無水マレイン酸付加物が挙げられる。
【００４６】
熱ラジカル重合開始剤は、例えば有機過酸化物を含有する。有機過酸化物の１分間半減期温度は１２０〜１９５℃の範囲内であることが好ましく、１５０〜１９０℃の範囲内であれば更に好ましい。この場合、封止用アクリル樹脂組成物を加熱硬化させる工程における初期段階でバンプ電極３３と導体配線２１との濡れ性を阻害しない程度に速やかに封止用アクリル樹脂組成物が増粘することで、ボイドの生成が抑制される。また、硬化反応が十分に速く進行することで、半導体チップ３と封止材４２との間の剥離を抑制することができる。
【００４７】
有機過酸化物の具体例として、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート（１分間半減期温度１６１．４℃）、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート（１分間半減期温度１６６．８℃）、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド（１分間半減期温度１７３．３℃）、ジクミルパーオキサイド（１分間半減期温度１７５．２℃）、α，α’−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン（１分間半減期温度１７５．４℃）、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン（１分間半減期温度１７９．８℃）、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド（１分間半減期温度１８５．９℃）、及び２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン（１分間半減期温度１９４．３℃）が挙げられる。
【００４８】
アクリル樹脂１００質量部に対して、有機過酸化物は０．２〜２質量部の範囲内であることが好ましい。この場合、封止用アクリル樹脂組成物の粘度安定性が良く、また密着性の低下が抑制できる。
【００４９】
有機酸は、封止用アクリル樹脂組成物に活性剤として含有される。この場合、有機酸の作用によって、リフロー時にバンプ電極の表面の酸化膜が除去され、半導体チップ３と基材２との間の良好な接続信頼性が確保される。
【００５０】
有機酸は、例えば、アビエチン酸、グルタル酸、コハク酸、マロン酸、シュウ酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、ジグリコール酸、チオジグリコール酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、プロパントリカルボン酸、クエン酸、安息香酸及び酒石酸からなる群から選択される一種以上の化合物を含有することができる。特に、バンプ電極３３と導体配線２１との濡れ性を特に向上させるためには、有機酸はアビエチン酸、グルタル酸、シュウ酸及び安息香酸からなる群から選ばれる一種以上の化合物を含有することが好ましい。
【００５１】
有機酸は、封止用アクリル樹脂組成物全体に対して０．１〜２０質量％の範囲内であることが好ましく、０．１〜１０質量％の範囲内であればより好ましい。この場合、有機酸がフラックス活性を特に発揮し、バンプ電極と導体配線２１との間の濡れ性が特に高くなる。更に、有機酸が封止材４２を脆くしたり、封止材４２の絶縁信頼性を損ねたりすることを抑制することができ、封止材４２からの有機酸のブリードも抑制することができる。
【００５２】
有機酸捕捉剤は、イオン化した有機酸と帯電した有機酸とのうち少なくとも一方を捕捉する機能を有することが好ましい。この場合、封止材４２中でのイオン化した有機酸又は帯電した有機酸の移動による短絡が、効果的に抑制される。
【００５３】
有機酸捕捉剤は、例えばイオン捕捉剤を含有することができる。この場合、有機酸捕捉剤は、イオン化した有機酸又は帯電した有機酸を効果的に捕捉することができ、これにより封止材４２中の有機酸の移動による短絡が、より効果的に抑制される。イオン捕捉剤は、イオンキャッチャーとも呼ばれ、例えばイオン交換体からなる。より具体的には、有機酸捕捉剤は、Ｚｒ系イオン捕捉剤（例えば東亞合成株式会社製のＩＸＥ−１００及びＩＸＥ−８００）、Ｓｂ系イオン捕捉剤（例えば東亞合成株式会社製のＩＸＥ−３００）、Ｂｉ系イオン捕捉剤（例えば東亞合成株式会社製のＩＸＥ−５００）、Ｍｇ−Ａｌ系イオン捕捉剤（例えば東亞合成株式会社製のＩＸＥ−７００Ｆ及びＩＸＥ−７７０Ｄ）、Ｓｂ−Ｂｉ系イオン捕捉剤（例えば東亞合成株式会社製のＩＸＥ−６００）、Ｚｒ−Ｂｉ系イオン捕捉剤（例えば東亞合成株式会社製のＩＸＥ−６１０７及びＩＸＥ  ＰＬＡＳ−Ｂ１）、Ｚｒ−Ｍｇ−Ａｌ系イオン捕捉剤（例えば東亞合成株式会社製のＩＸＥ  ＰＬＡＳ−Ａ１及びＩＸＥ  ＰＬＡＳ−Ａ２）、酸化ビスマス系イオン捕捉剤、酸化アンチモン系イオン捕捉剤、リン酸チタン系イオン捕捉剤、リン酸ジルコニウム系イオン捕捉剤及びハイドロタルサイト系イオン捕捉剤からなる群から選ばれる一種以上の成分を含有することができる。特に有機酸捕捉剤は、Ｍｇ−Ａｌ系イオン捕捉剤、Ｚｒ−Ｂｉ系イオン捕捉剤、Ｚｒ−Ｍｇ−Ａｌ系イオン捕捉剤、Ｂｉ系イオン捕捉剤、Ｍｇ−Ａｌ系イオン捕捉剤及びＺｒ系イオン捕捉剤からなる群から選択される一種以上の成分を含有することが好ましい。この場合、封止材４２中の有機酸の移動による短絡が、より効果的に抑制される。
【００５４】
有機酸捕捉剤は、封止用アクリル樹脂組成物全体に対して０．０１〜１５質量％の範囲内であることが好ましい。有機酸捕捉剤が０．０１質量％以上であることで封止材４２中の有機酸の移動による短絡が、より効果的に抑制される。有機酸捕捉剤が１５質量％以下であることで、封止用アクリル樹脂組成物中で有機酸が有機酸捕捉剤によって過度に捕捉されることが抑制され、有機酸によるフラックス作用が安定して確保される。有機酸捕捉剤が０．５〜２．０質量％の範囲内であれば更に好ましい。
【００５５】
封止用アクリル樹脂組成物は無機フィラーを含有することが好ましい。この場合、封止材４２の熱膨張係数を調整することができる。また、無機フィラーが封止材４２の熱伝導性を向上させることができ、これにより半導体チップ３から発せられた熱を封止材４２を通じて効率良く放熱することができる。
【００５６】
無機フィラーは、例えば、溶融シリカ、合成シリカ、結晶シリカなどのシリカ粉末；アルミナ、酸化チタンなどの酸化物；タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩；炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物；硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩又は亜硫酸塩；ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩；並びに窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素などの窒化物からなる群から選択される一種以上の材料を含有することができる。溶融シリカは、溶融球状シリカと溶融破砕シリカとのうちいずれでもよい。特に無機フィラーがシリカとアルミナのうち少なくとも一方を含むことが好ましい。
【００５７】
無機フィラーの形状は、破砕状、針状、鱗片状、球状など特に限定されないが、封止用アクリル樹脂組成物中での無機フィラーの分散性向上、並びに封止用アクリル樹脂組成物の粘度制御のためには、無機フィラーは球状であることが好ましい。
【００５８】
無機フィラーは、基材２とこれに実装されている半導体チップ３との間の寸法よりも小さい平均粒径を有することが好ましい。
【００５９】
また、封止用アクリル樹脂組成物及び封止材４２における無機フィラーの充填密度の向上、並びに封止用アクリル樹脂組成物の粘度調整のためには、無機フィラーの平均粒径は１０μｍ以下であるいことが好ましく、５μｍ以下であればより好ましく、３μｍ以下であれば更に好ましく、０．５〜２μｍの範囲内であれば特に好ましい。
【００６０】
尚、本実施形態における平均粒径は、レーザー光回折法による粒度分布測定の結果から算出されるメジアン径である。
【００６１】
封止用アクリル樹脂組成物の粘度調整又は封止材４２の物性の調整のためには、無機フィラーが互いに異なる平均粒径を有する２種以上の成分を含有してもよい。
【００６２】
封止用アクリル樹脂組成物全体に対し、無機フィラーは例えば２５〜７０質量％の範囲内である。封止材４２による半導体チップ３の放熱性向上のためには、封止用アクリル樹脂組成物全体に対し、無機フィラーは６０〜８０質量％の範囲内であることが好ましい。
【００６３】
封止用アクリル樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない範囲内において、上記成分以外の添加剤を含有してもよい。添加剤としては、例えば、シランカップリング剤、消泡剤、レベリング剤、低応力剤、及び顔料が挙げられる。ただし、封止用アクリル樹脂組成物は溶剤は含有しないことが好ましい。
【００６４】
封止用アクリル樹脂組成物は、例えば次の方法で調製される。
【００６５】
まず封止用アクリル樹脂組成物の無機フィラー以外の成分を同時に又は別々に配合することで、混合物を得る。この混合物を、必要に応じて加熱処理や冷却処理を行いながら撹拌して混合する。次に、この混合物に無機フィラーを加える。次にこの混合物を、必要に応じて加熱処理や冷却処理を行いながら、再度撹拌して混合する。これにより、封止用アクリル樹脂組成物を得ることができる。混合物の攪拌のためには、例えばディスパー、プラネタリーミキサー、ボールミル、３本ロールなどを組み合わせて用いることができる。
【００６６】
封止用アクリル樹脂組成物は、アンダーフィルとして好適である。封止用アクリル樹脂組成物を用いた先供給方式のアンダーフィリングによって基材２と半導体チップ３との間の隙間を封止することで半導体装置１を得る方法の例について、図１Ａないし図１Ｄを参照して説明する。
【００６７】
基材２は、例えばマザー基板、パッケージ基板又はインターポーザー基板である。例えば基材２は、ガラスエポキシ製、ポリイミド製、ポリエステル製、セラミック製などの絶縁基板と、その表面上に形成された銅などの導体製の導体配線２１とを備える。導体配線２１は例えば電極パッド２２を備える。
【００６８】
半導体チップ３は、例えばＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）、ＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）、ＣＳＰ（チップ・サイズ・パッケージ）などのフリップチップ型のチップである。また、半導体チップ３は、ＰｏＰ（パッケージ・オン・パッケージ）型のチップであってもよい。
【００６９】
半導体チップ３は、複数のバンプ電極３３を備える。バンプ電極３３は、例えば図３Ａに示すように、ピラー３１と、ピラー３１の先端に設けられたはんだバンプ３２とを備える。この場合、隣り合うバンプ電極３３間のピッチを狭くすることが容易である。ピラー３１は例えば銅製である。銅製のピラー３１は銅ピラーとも呼ばれる。ピラー３１の高さは例えば１５〜５０μｍの範囲内である。はんだバンプ３２は、例えばＳｎ−３．５Ａｇ（融点２２１℃）、Ｓｎ−２．５Ａｇ−０．５Ｃｕ−１Ｂｉ（融点２１４℃）、Ｓｎ−０．７Ｃｕ（融点２２７℃）、Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ（融点２１７℃）などの、融点２１０℃以上の鉛フリーはんだ製である。
【００７０】
本実施形態において、隣り合うバンプ電極３３間のピッチは、１００μｍ以下であることが好ましく、７０μｍ以下であればより好ましく、５０μｍ以下であれば更に好ましい。この場合、電子部品の高集積化に対応できる。また、隣り合うバンプ電極３３間のピッチは、例えば３０μｍ以上であるが、これに制限されない。
【００７１】
尚、本実施形態において、半導体チップ３は、図３Ｂに示すようにはんだボールからなるバンプ電極３３を備えてもよい。
【００７２】
本方法では、ボンディングヘッド５１とステージ５２とを備えるフリップチップボンダー５０を用いて、基材２に半導体チップ３をフェイスダウンで実装することができる。
【００７３】
本方法では、まず図１Ａに示すように、基材２における導体配線２１を備える面上に、アンダーフィル４１として封止用アクリル樹脂組成物を配置する。封止用アクリル樹脂組成物を配置する方法として、例えばディスペンサーを用いる方法、スクリーン印刷法、及びインクジェット法が挙げられる。
【００７４】
次に、基材２をステージ５２に支持させるとともに、半導体チップ３をボンディングヘッド５１に保持させる。この状態で、図１Ｂに示すようにボンディングヘッド５１をステージ５２へ向けて移動させる。これにより、基材２における封止用アクリル樹脂組成物が配置されている位置に、半導体チップ３を配置する。このとき、半導体チップ３におけるバンプ電極３３と基材２の導体配線２１における電極パッド２２とが重なるように、半導体チップ３と基材２とを位置合わせした状態で、半導体チップ３を配置する。
【００７５】
この状態で、ボンディングヘッド５１とステージ５２を通じて、半導体チップ３及び基材２を加熱することにより、バンプ電極３３及び封止用アクリル樹脂組成物を加熱する。そうすると、はんだバンプ３２が融解することで、バンプ電極３３と電極パッド２２とが電気的に接続される。また、封止用アクリル樹脂組成物が熱硬化することで図１Ｃに示すように封止材４２が形成され、これにより、半導体チップ３と基材２との間が封止材４２で封止される。続いて図１Ｄに示すようにボンディングヘッド５１を上方に移動させて半導体チップ３から離す。以上のようにして、基材２に半導体チップ３が実装され、基材２、基材２にフェイスダウンで実装されている半導体チップ３、及び基材２と半導体チップ３との間の隙間を封止する封止材４２を備える半導体装置１が得られる。
【００７６】
バンプ電極３３及び封止用アクリル樹脂組成物の加熱温度は、はんだバンプ３２の組成及び封止用アクリル樹脂組成物の組成に応じて適宜設定されるが、例えば最高加熱温度が１８０〜３００℃の範囲内である。
【００７７】
このようにして基材２に半導体チップ３が実装されるとともに基材２と半導体チップ３との間が封止されると、封止用アクリル樹脂組成物中に有機酸が含まれているため、有機酸の作用によりはんだバンプ３２における酸化膜が除去され、これにより半導体チップ３と基材２との間の接続信頼性が確保される。
【００７８】
封止材４２中には、酸化膜の除去のために消費されなかった余剰の有機酸が残留する。しかし、封止材４２中には有機酸捕捉剤が含有されるため、封止材４２中に電位勾配が発生しても、有機酸の移動が抑制される。このため、有機酸の移動に起因する短絡が抑制される。
【００７９】
本実施形態において推定される、有機酸の移動抑制の機序を、図２Ａないし図２Ｃに示す。図２Ａは、隣り合うバンプ電極３３間が封止材４２で満たされ、この封止材４２内に有機酸２２０と有機酸捕捉剤１９０が分散している様子を示す。隣り合うバンプ電極３３間に電位勾配が生じると、図２Ｂの矢印で示すように有機酸２００が移動する。このとき、例えばイオン化しあるいは帯電することで負の電荷を有することになった有機酸２００が移動する。そのまま有機酸２００が移動し続けると隣り合うバンプ電極３３間に短絡が生じてしまう。しかし、本実施形態では、図２Ｃに示すように封止材４２中の有機酸捕捉剤１９０が有機酸２００を捕捉することで、有機酸２００の移動が阻害され、これにより短絡が抑制されると、推定される。
【００８０】
本実施形態では、有機酸捕捉剤は３００℃以下で固体であることが好ましい。有機酸捕捉剤は封止用アクリル樹脂組成物中で溶解しないことも好ましい。有機酸捕捉剤が３００℃未満で液状であり、又は３００℃未満で揮発あるいはガス化する場合、有機酸捕捉剤がリフロー処理等の熱の影響を受けやすくなる場合がある。また、有機酸捕捉剤は封止用アクリル樹脂組成物中で溶解しないのであれば、封止材４２中で有機酸捕捉剤の位置が固定されることで、有機酸捕捉剤による有機酸の捕捉機能を長期間にわたって維持させることができる。更に、有機酸捕捉剤が溶解しなければ、有機酸を捕捉した後の有機酸捕捉剤が封止材４２中で移動しにくいため、優れた信頼性を発現する。
【００８１】
尚、一つの半導体チップ３におけるバンプ電極３３の数が数千個と多い場合に、基材２に半導体チップ３を実装してから封止用の組成物で基材２と半導体チップ３との間の隙間を封止すると、フラックス洗浄性や充填性に起因する課題が生じることがある。これは、数千個のバンプ電極３３の周囲に残留するフラックス成分を完全に除去してから封止用の組成物を基材２と半導体チップ３との間に均等に充填することが難しい場合があるからである。
【００８２】
一方、本実施形態による封止用アクリル樹脂組成物を用いて、基材２に半導体チップ３を実装すると同時に基材２と半導体チップ３との間の隙間を封止すると、半導体チップ３におけるバンプ電極３３の数が数千個と多い場合であっても、バンプ電極３３に発生する応力を緩和できる。
【００８３】
尚、封止用の組成物にエポキシ樹脂が含まれる場合、エポキシ樹脂の製造時にエポキシ樹脂中にハロゲン成分が残留しやすく、このため、封止用の組成物にハロゲン成分が混入することが問題になる。しかし本願実施形態では、封止用アクリル樹脂組成物は製造時におけるハロゲン成分の残留がないアクリル樹脂を含有するため、封止用アクリル樹脂組成物にハロゲン成分が混入しにくい。このため、封止材４２中でハロゲン成分が有機酸捕捉剤の有機酸を捕捉する機能を阻害することが、抑制される。封止用アクリル樹脂組成物は、樹脂中の残留するハロゲン成分以外のハロゲン成分も含有しないことが好ましい。封止材４２中の有機酸捕捉剤の機能を良好に維持させるためには、封止用アクリル樹脂組成物全体に対するハロゲン原子の含有率は５０質量ｐｐｍ以下であることが好ましく、１０質量ｐｐｍ以下であれば更に好ましい。
【００８４】
本実施形態では封止用アクリル樹脂組成物がイオン捕捉剤などの有機酸捕捉剤を含有するが、イオン捕捉剤は、従来、エポキシ樹脂を含有するソルダーレジスト等内におけるハロゲンイオンを捕捉するために用いられている。ハロゲンイオンは、エポキシ樹脂に、その製造過程で不可避的に混入する。一方、本実施形態に係る封止用アクリル樹脂組成物は、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂ではなく熱硬化性アクリル樹脂を含有するため、エポキシ樹脂に由来するハロゲンイオンを捕捉する必要はない。しかし、本実施形態では、有機酸に起因する有機酸を含有する封止用アクリル樹脂組成物から形成された封止材中の有機酸が移動することによる短絡を抑制するという新たな課題を解決すべく、封止用アクリル樹脂組成物にイオン捕捉剤などの有機酸捕捉剤を含有させた。このような着想は、イオン捕捉剤が従来知られていることからは容易には得られない。
【００８５】
また、本実施形態では、上述のとおり、封止材４２中でイオン化したあるいは負に帯電した有機酸が、電位勾配の存在下で移動する際に、有機酸捕捉剤で捕捉される。このような有機酸捕捉剤による有機酸を捕捉する作用は、硬化前の封止用アクリル樹脂組成物中では働きにくい。このため、有機酸捕捉剤は、封止用アクリル樹脂組成物の保存安定性を損ないにくい。
【実施例】
【００８６】
［組成物の調製］
各実施例及び比較例につき、表１〜３に示す成分をホモディスパーを用いて撹拌することで、溶解させるとともに混合し、更にプラネタリーミキサー及び三本ロールを用いて混練することで、液状の封止用アクリル樹脂組成物を得た。尚、実施例１７及び実施例２２では三本ロールを用いた混練を２回行い、それ以外では１回行った。
・アクリル樹脂１：ビスフェノールＦ型エポキシアクリレート、ケーエスエム社製、品番ＢＦＥＡ−５０。
・アクリル樹脂２：トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、新中村化学工業社製、品番Ａ−ＤＣＰ。
・アクリル樹脂３：ビスフェノールＡ型エポキシアクリレート、昭和高分子社製、品番ＶＲ−７７。
・アクリル樹脂４：エトキシ化ビスフェノールＡジアクリレート、新中村化学工業社製、品番ＡＢＥ３００。
・ビスマレイミド樹脂：ＢＭＩ１５００。
・エラストマー：イソプレン重合物の無水マレイン酸付加物、株式会社クラレ製、品番ＬＩＲ４０３。
・有機過酸化物：日油社製、品名パーブチルＺ。
・合成シリカ：扶桑化学社製、品番ＳＰ４Ｂ。
・溶融シリカ：株式会社トクヤマ製、品番ＳＳ１０、平均粒径１．０μｍ。
・アルミナ：株式会社アドマテックス製、品番ＡＯ−５０２、平均粒径０．６μｍ。
・有機酸１：安息香酸。
・有機酸２：シュウ酸。
・有機酸３：グルタル酸。
・有機酸４：アビエチン酸。
・有機酸捕捉剤Ａ：Ｚｒ−Ｂｉ系イオン捕捉剤、両イオン交換型、メジアン径１．５μｍ、東亞合成社製、品番ＩＸＥ−６１０７。
・有機酸捕捉剤Ｂ：Ｍｇ−Ａｌ系イオン捕捉剤、メジアン径６．０μｍ、東亞合成社製、品番ＩＸＥ−７７０Ｄ。
・有機酸捕捉剤Ｃ：Ｚｒ−Ｂｉ系イオン捕捉剤、メジアン径０．４μｍ、東亞合成社製、品番ＩＸＥ  ＰＬＡＳ−Ｂ１。
・有機酸捕捉剤Ｄ：Ｚｒ−Ｍｇ−Ａｌ系イオン捕捉剤、メジアン径０．２μｍ、東亞合成社製、品番ＩＸＥ  ＰＬＡＳ  Ａ２。
・有機酸捕捉剤Ｅ：Ｂｉ系イオン捕捉剤、メジアン径１．５μｍ、東亞合成社製、品番ＩＸＥ−５００。
・有機酸捕捉剤Ｆ：Ｍｇ−Ａｌ系イオン捕捉剤、メジアン径１．５μｍ、東亞合成社製、品番ＩＸＥ−７００Ｆ。
・有機酸捕捉剤Ｇ：Ｚｒ系イオン捕捉剤、メジアン径２．０μｍ、東亞合成社製、品番ＩＸＥ−８００。
【００８７】
［評価試験］
各実施例及び比較例で得られた封止用アクリル樹脂組成物に対し、次の評価試験を行った。これらの評価試験の結果は、表１〜３に示す。
【００８８】
（１）ボイド評価
半導体装置としてテストチップ（Ｗａｌｔｓ社製のＴＥＧチップ、ＣＣ８０（ｍｏｄｅｌ  Ｉ）、チップサイズ７．３ｍｍ×７．３ｍｍ、バンプ数１０４８）を用意した。基材としては、銅製の導体配線を備えるプリント配線板を用意した。フリップチップボンダーとしては、東レエンジニアリング株式会社製の型番ＦＣ３０００Ｓを用いた。
【００８９】
フリップチップボンダーのステージを６０〜１００℃の範囲に加熱した状態で、このステージ上に基材を固定した。この基材上に、各実施例及び比較例の封止用アクリル樹脂組成物３．０〜４.０ｍｇをディスペンサーで塗布した。半導体チップをフリップチップボンダーのボンディングヘッドに保持させ、ボンディングヘッドを１３０℃に加熱した状態でボンディングヘッドをステージに近づけて、半導体チップを基材における封止用アクリル樹脂組成物が塗布されている位置に、半導体チップのバンプ電極と基材の電極パッドとを位置合わせしながら配置した。半導体チップを基材に０．５秒間押しつけた。続いて、ボンディングヘッドから半導体チップへ６０Ｎの荷重をかけながら、ボンディングヘッドの温度を１．５秒間かけて２６０℃の最高到達温度まで上昇させた。続いて、ボンディングヘッドの温度を最高到達温度に２秒間保持してから、ボンディングヘッドによる半導体チップの保持を解除し、ボンディングヘッドをステージから離した。半導体チップを基材上に配置してからボンディングヘッドをステージから離すまでの時間を約４秒とした。これにより、試験用の半導体装置を得た。
【００９０】
この半導体装置における硬化物中のボイドの有無を、超音波探傷装置（ＳＡＴ）を用いて調査した。その結果を次のように評価した。
Ａ：ボイド０個。
Ｂ：ボイド１〜５個。
【００９１】
（２）はんだ濡れ評価
半導体装置として、上記ボイド評価の場合よりもバンプ数が少ないテストチップ（Ｗａｌｔｓ社製のＴＥＧチップ、ＭＢ５０（Ｔｙｐｅ−Ｂ）、チップサイズ７．３ｍｍ×７．３ｍｍ、バンプ数５４４）を用い、実装時の荷重を半導体装置のバンプ数に応じて３０Ｎに変更した以外は、ボイド評価の場合と同じ方法で、試験用の半導体装置を得た。この半導体装置を、半導体チップのバンプ電極と基材の電極パッドとの接続部分を含む面で切断してから、断面を研磨した。この断面をＳＥＭで観察し、その結果を次のように評価した。
Ａ：バンプ電極におけるピラーの先端と電極パッドとの間は５μｍ以下の間隙があき、この間隙がはんだバンプで埋められている。電極パッドの側面がはんだバンプで濡れている。電極パッドとはんだバンプとの間には無機フィラーの粒子の噛み込みは認められない。Ｂ：バンプ電極におけるピラーの先端と電極パッドとの間は５μｍ以下の間隙があき、この間隙がはんだバンプで埋められている。電極パッドの側面ははんだバンプで濡れていない。電極パッドとはんだバンプとの間には無機フィラーの粒子の噛み込みは認められない。
Ｃ：バンプ電極におけるピラーの先端と電極パッドとの間は５μｍ以下の間隙があき、この間隙がはんだバンプで埋められている。電極パッドとはんだバンプとの間に無機フィラーの粒子の噛み込みが認められる。
Ｃ〜Ｂ：バンプ電極におけるピラーの先端と電極パッドとの間は５μｍを超える間隙があき、この間隙がはんだバンプで埋められている。電極パッドの側面ははんだバンプで濡れていない。電極パッドとはんだバンプとの間には無機フィラーの粒子の噛み込みは認められない。
【００９２】
（３）密着性評価
セラミック基板の上に各実施例及び比較例で得られた封止用アクリル樹脂組成物を塗布し、その上に窒化ケイ素膜コートを施した２ｍｍ角のシリコンチップを配置した、この状態で、封止用アクリル樹脂組成物を１５０℃で２時間加熱することで硬化させた。これにより得られたサンプルについて、アークテック社製ボンドテスターシリーズ４０００を用いて２６０℃におけるシリコンチップとセラミック基板との間の接合強度の測定するとともに、シリコンチップがセラミック基板から剥離した場合の破壊モードを確認した。その結果を次のように評価した。
Ａ：接合強度２０ＭＰａ以上、破壊モードは凝集破壊。
Ｂ：接合強度１０ＭＰａ以上２０ＭＰａ、破壊モードは凝集破壊。
Ｃ：接合強度１０ＭＰａ未満。
【００９３】
尚、接合強度１０ＭＰａ以上２０ＭＰａ未満であり、破壊モードが窒化ケイ素膜の界面での破壊の場合はＣ〜Ｂと評価した。
【００９４】
（４）信頼性評価
各実施例及び比較例の封止用アクリル樹脂組成物を用い、ボイド評価の場合と同じ方法で試験用の半導体装置を得た。この半導体装置をＭＳＬ  Ｌｖ２ａＡの吸湿処理条件（６０℃、６０％ＲＨ、１２０時間）で処理した後、ピーク温度２６０℃のリフロー炉に３回通した。続いて、半導体装置における硬化物と半導体チップ及び基材との界面の剥離の有無を、超音波探傷装置（ＳＡＴ）を用いて調査した。各実施例及び比較例について、同じ試験を四回行った。その結果を次のように評価した。
Ａ：四回の試験全てで剥離が認められない。
Ｂ：一回の試験でのみ剥離が認められた。
Ｃ：二回以上の試験で剥離が認められた。
【００９５】
（５）マイグレーション耐性評価
線幅５０μｍ、線間５０μｍの銅製くし形電極を備える評価用基板にくし形電極を覆うように、各実施例及び比較例の封止用アクリル樹脂組成物を塗布して、厚み５００μｍの膜を形成した。この膜を１２５℃で２時間加熱することで硬化させた。続いて、評価用基板のくし形電極に絶縁抵抗測定装置（ＥＴＡＣ社製、型番ＳＩＲ１３）で５０Ｖの電圧を印加しながら、評価用基板を高度加速寿命試験装置（ＥＳＰＥＣ社製、型番ＥＨＳ−２１１Ｍ）で８５℃８５％ＲＨの雰囲気に曝露した。この評価用基板について、高度加速寿命試験装置で５００時間処理した場合及び１０００時間処理した場合での、マイグレーションの発生の有無を確認した。各実施例及び比較例について、同じ試験を三回行った。その結果を次のように評価した。
Ａ：５００時間処理した場合と１０００時間処理した場合のいずれでも、顕著なマイグレーションは認められなかった。
Ｂ：５００時間処理した場合にはマイグレーションは認められなかったが、１０００時間処理した場合にはくし形電極全体にわたる多数箇所でマイグレーションが発生した。
Ｃ：５００時間処理した場合にくし形電極全体にわたる多数箇所でマイグレーションが発生した。
【００９６】
なお、５００時間処理した場合にはマイグレーションは認められず、１０００時間処理した場合にくし形電極における一部の箇所に限ってマイグレーションが認められた場合は、Ｂ〜Ａと評価した。
【００９７】
（５）絶縁抵抗劣化耐性評価
線幅１００μｍ、線間１００μｍの銅製くし形電極を備える評価用基板に、くし形電極を覆うように各実施例及び比較例の封止用アクリル樹脂組成物を塗布して、厚み５００μｍの膜を形成した。この膜を１２５℃で２時間加熱することで硬化させた。続いて、評価用基板のくし形電極に絶縁抵抗測定装置（ＥＴＡＣ社製、型番ＳＩＲ１３）で１００Ｖの電圧を印加しながら、評価用基板を高度加速寿命試験装置（ＥＳＰＥＣ社製、型番ＥＨＳ−２１１Ｍ）で１３０℃８５％ＲＨの雰囲気に曝露した。この間、絶縁抵抗測定装置で測定される電気抵抗値をモニタリングし、電気抵抗値が１０6Ωに低下するまでに要する高度加速寿命試験装置での処理時間を確認した。各実施例及び比較例につき、同じ試験を三回行い、得られた処理時間の平均値を算出した。その結果を次のように評価した。
Ａ：処理時間の平均値が２００時間以上。
Ｂ：処理時間の平均値が１００時間以上２００時間未満。
Ｃ：処理時間の平均値が１００時間未満。
【００９８】
なお、処理時間の平均値が２００時間以上であっても、処理時間の最大値と最小値との差が５０時間以上の場合はＢ〜Ａと評価した。
【００９９】
（６）凝集物有無評価
５０μｍグラインドゲージを用いて、各実施例及び比較例の封止用アクリル樹脂組成物中の凝集物の有無、数及びサイズを確認した。各実施例及び比較例において、同じ試験を三回行った。その結果を次のように評価した。
Ａ：三回の試験において、１０μｍ以上の凝集物が認められなかった。
Ｂ：１０μｍ以上３０μｍ未満の凝集物のみが観察され、この凝集物の、三回の試験での平均個数が５個未満。
【０１００】
尚、３０μｍ以上の凝集物が平均個数で１個以上観察された場合、又は１０μｍ以上３０μｍ未満の凝集物のみが観察され、その平均個数が５個以上１０個未満であった場合はＢ〜Ａと評価した。
【０１０１】
【表１】
0006767698.tif 000007
【０１０２】
【表２】
0006767698.tif 000008
【０１０３】
【表３】
0006767698.tif 000009
【符号の説明】
【０１０４】
１    半導体装置
２    基材
２１  導体配線
３    半導体チップ
３３  バンプ電極
４２  封止材
【図１】
0006767698.tif 000010
【図２】
0006767698.tif 000011
【図３】
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