(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材と、
前記絶縁基材上に設けられたリードフレームと、
前記リードフレームに搭載された半導体素子と、
前記絶縁基材、前記リードフレーム、及び前記半導体素子を一体的に封止する封止樹脂と、
一端が前記封止樹脂内で前記リードフレームに接合され、他端が前記封止樹脂から露出されて外部配線と接続される端子部材、及び一部が前記封止樹脂と接し前記端子部材を支持する基台を具備する端子台とを
備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基台は、水平部と前記水平部の一端が立ち上った隔壁部を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
端子部材は、嵌込口が形成され、前記嵌込口にリードフレームが挿入されて接続されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
基台は、切込部が形成され、前記切込部には、封止樹脂が充填されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
端子台は、複数の端子部材を備え、前記複数の端子部材は、仕切板によって少なくとも１つが仕切られたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
リードフレームは、封止樹脂の上面から突出するように設けられたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
端子部材の外部配線と接続される他端は、封止樹脂の側面から露出するように設けられたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
リードフレームは、封止樹脂から取り出され、半導体素子が搭載された面に対向して設けられた制御回路基板に接続されることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の半導体装置の半導体素子が搭載された面の反対面には、ヒートシンクが取り付けられたことを特徴とする半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止樹脂を形成した半導体装置及び半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に半導体装置は、半導体素子の保護及び配線回路の絶縁のために樹脂封止されている。従来から、金型を用いて半導体素子及び配線回路を一体的に樹脂封止したモールド型半導体装置が知られている。モールド型半導体装置は、ケース内に樹脂を充填して半導体素子を保護するケース型半導体装置に比べ、生産性に優れ、小型化が可能となる。しかし、モールド型半導体装置では、封止の際に配線回路を形成するリードフレーム等の端子を金型で挟みこむため、端子が封止樹脂の側面から水平に突出した構造となる。このような構造では、端子と半導体装置に外付けされる放熱板との間に沿面放電が生じる問題があった。これを解決するため、端子を封止樹脂の上面から取り出す方法が検討されている。特許文献１では、半導体素子が搭載された面に対向して設けられた回路基板に、封止樹脂内で端子を接続することにより、端子と放熱板との間の絶縁性を確保している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−７６４８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、大電流が流れる複数の端子を封止樹脂の上面から取り出す場合、端子間の絶縁性を確保するために、複数の端子を隣接して配置することができず、半導体装置が大型化するという課題があった。【０００５】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、端子間の絶縁性を確保しつつ、小型化が可能なモールド型半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る半導体装置は、絶縁基材と、前記絶縁基材上に設けられたリードフレームと、前記リードフレームに搭載された半導体素子と、前記絶縁基材、前記リードフレーム、前記半導体素子を一体的に封止する封止樹脂と、一端が前記封止樹脂内で前記リードフレームに接合され、他端が前記封止樹脂から露出されて外部配線と接続される端子部材、及び一部が前記封止樹脂と接し前記端子部材を支持する基台を具備する端子台とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明に係る半導体装置によれば、リードフレームに接合された端子台が、封止樹脂で半導体素子と一体的に封止されることで、端子間の絶縁性を確保しながら半導体装置の小型化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の一部を拡大した概略構成を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の端子台に金型を取り付けた状態の概略構成を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の端子台に金型を取り付けた状態の概略構成を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の概略構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る半導体装置に制御回路基板を取り付けた状態の概略構成を示す斜視図である。
【図７】本発明の実施の形態３に係る半導体装置の一部を拡大した概略構成を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態４に係る半導体装置の一部を拡大した概略構成を示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態５に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態６に係る半導体装置の概略構成を示す斜視図である。
【図１１】本発明の実施の形態６に係る半導体装置を製造する一工程を示す斜視図である。
【図１２】本発明の実施の形態７に係る半導体モジュールの概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１に係る半導体装置について、図１から図５を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の断面図である。図１に示すように、半導体装置１００は、リードフレーム１と、絶縁基材２と、半導体素子３と、端子台６と、封止樹脂１０とを備える。
【００１０】
絶縁基材２上には、配線回路が形成されたリードフレーム１が設けられている。リードフレーム１の配線回路上には、半導体素子３の裏面電極が半田４１を介して接合されており、リードフレーム１と半導体素子３の表面電極は、ワイヤ５により電気的に接続されている。また、リードフレーム１は、封止樹脂１０に内包された端子１ａと、封止樹脂１０から露出された端子１ｂとを有しており、端子１ａには、端子台６が半田４２を介して接合されている。封止樹脂１０は、リードフレーム１、絶縁基材２、半導体素子３、及び端子台６が一体的に封止されるように形成されている。
【００１１】
図２は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の一部を拡大した断面図である。図２に示すように、端子台６は、導電性の端子部材７と、端子部材７を支持する絶縁性の基台８とから構成される。
【００１２】
端子部材７は、リードフレーム１に接続される一次端子７ａ側と、外部配線に接続される二次端子７ｂ側とを有しており、その間が基台８によって固定されている。一次端子７ａ側は、封止樹脂１０に内包された状態で、リードフレーム１の端子１ａに半田４２を介して接合されている。また、二次端子７ｂ側は、外部配線と接続される凹部が形成されており、封止樹脂１０の上面から露出されている。二次端子７ｂの凹部には、取り外し可能なネジ等の接続具９が挿入されており、外部配線を固定して接続することができる。
【００１３】
基台８は、端子部材７が設けられた水平部８１と、水平部８１の一方の端部が立ち上った隔壁部８２を有する。基台８は、水平部８１の一次端子７ａ側の面で封止樹脂１０と接しており、反対面が封止樹脂１０から露出されている。また隔壁部８２は、水平部８１が設けられた面の反対面で封止樹脂１０と接しており、隔壁部８２の上面が、封止樹脂１０から露出するように設けられている。
【００１４】
上述した端子部材７と基台８から構成される端子台６は、図３に示すように金型１８を用いて封止される。端子台６は、端子部材７がリードフレーム１の端子１ａに接合された状態で、金型１８に設置される。また、端子台６は、基台８の水平部８１の先端が、金型１８に設けられた挿入部１８１に挿入されて支持される。また、基台８の隔壁部８２の上面は、金型１８に密着された状態で設置される。このように、金型１８に端子台６を設置することによって、高い成形圧においても、封止樹脂１０が端子部材７の二次端子７ｂに漏れ出すのを防ぐことができる。
【００１５】
また、図４に示すように、金型１９を用いて、隔壁部８２の上面、隔壁部８２の封止樹脂１０が充填される面の反対面、及び水平部８１の上面が、金型１９に密着するように端子台６を設置しても良い。このように、金型１９に端子台６を設置することで、封止樹脂１０が端子部材７の二次端子７ｂに漏れ出すのをより防ぐことができる。
【００１６】
図５は、端子台６が封止樹脂１０で半導体素子３と一体的に封止された半導体装置の斜視図である。図５に示すように、端子台６は、平面略矩形状に形成された封止樹脂１０の一辺に設けられており、端子台６には、外部配線と接続される複数の端子部材７が隣接して配列されている。ここで、図５では、半導体装置１００が、図示しない電源と負荷装置との間を接続する三相電力用のインバータ回路を構成する場合を例示し、端子台６には、電源側と負荷装置側の６個の端子部材７が配列されている。
【００１７】
複数の端子部材７は、各々が端子台６に設けられた絶縁性の仕切板１５によって仕切られている。このとき、仕切板１５の高さは、端子部材７の接続具９が締結された面より高くなるように設けられる。これによって、端子台６に複数の端子部材７が一列に隣接して配列された場合でも、端子部材７に接続された外部配線同士が接触するのを防ぐことができる。
【００１８】
上述のとおり、半導体装置１００は、端子台６が、外部配線と接続される端子部材７と、端子部材７を支持する絶縁性の基台８とを有し、封止樹脂１０でリードフレーム１、絶縁基材２、及び半導体素子３と一体的に封止される構成とした。複数の端子部材７が絶縁性の基台８によって隔てられて配列されることで、絶縁性を確保しながら、封止樹脂１０から複数の端子を隣接して取り出すことが可能となり、半導体装置１００の小型化が実現できる。
【００１９】
絶縁基材２は、絶縁層２１と金属箔２２が積層された絶縁シートである。絶縁基材２の絶縁層２１側には、リードフレーム１が設けられ、金属箔２２側は、封止樹脂１０から露出するように設けられている。絶縁基材２の絶縁層２１は、熱伝導性に優れた絶縁材料から形成されており、例えば充填材を含有したエポキシ樹脂を用いることができる。また金属箔２２としては、例えば銅箔、アルミニウム箔等を用いることができる。
【００２０】
半導体素子３には、例えば、交流電力を直流電力に変換するコンバータ部に用いるダイオード、直流電力を交流電力に変換するインバータ部に用いるバイポーラトランジスタ、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＧＴＯ（Ｇａｔｅ  Ｔｕｒｎ−Ｏｆｆ  ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）等を用いることができる。
【００２１】
リードフレーム１は、例えば、厚さ約０．６ｍｍの銅板がプレス成形されることにより、配線回路が形成される。リードフレーム１の配線回路には、絶縁基材２の端部での絶縁性を確保するため、段差部１１が形成されている。段差部１１は、絶縁基材２の端部より内側に位置するように設けられる。
【００２２】
リードフレーム１の段差部１１は、例えば、半抜き加工を行うことによって形成される。リードフレーム１の段差部１１の高さは、例えば０．１ｍｍ以上かつ、リードフレームの厚みの半分の０．３ｍｍ以下とする。０．１ｍｍ以上とすることで、絶縁基材２とリードフレーム１との間に充填される封止樹脂１０内にボイドが発生するのを抑制できる。さらにリードフレーム１の厚みの半分の０．３ｍｍ以下とすることで強度を確保することができる。
【００２３】
ワイヤ５には、例えば、アルミニウム線、銅線等を用いることができる。また、リードフレーム１と、半導体素子３及び端子台６との接合材として、半田４１、４２を用いた例を示したが、半田に限らず、例えば銀ペーストを用いることができる。
【００２４】
封止樹脂１０は、封止した部材間の絶縁性を確保するとともに、半導体装置１００のケースとして機能する。封止樹脂１０の成形方法として、例えば、トランスファー成形、射出成形、コンプレッション成形等を用いることができる。また、封止樹脂１０の材料としては、例えば、充填材を含有したエポキシ樹脂、フェノール樹脂等を用いることができる。
【００２５】
端子部材７には、導電性の高い金属、例えば銅を用いることができる。また、端子部材７の表面には、ニッケル等のメッキがされているとより好ましい。
【００２６】
基台８は、絶縁性の高い材料で形成されており、例えば、ポリエステル樹脂、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ポリエチレンテレフタレートやポリブチレンテレフタレート等の直鎖ポリエステル、ポリフェニレンオキサイド、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンサルファイド、ポリウレタン、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、及びポリエステル樹脂等を用いることができる。
【００２７】
また、基台８には封止樹脂１０との密着性が高くなるように、成形前にプラズマ照射やＵＶ照射等の表面処理が施される。また、物理的なアンカー効果を出すために表面にブラスト処理が施されるとより好ましい。
【００２８】
実施の形態２．
本発明を実施するための実施の形態２に係る半導体装置について、図６を参照して説明する。図６は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置の概略構成を示す斜視図である。である。図６中、図１と同一符号は同一又は相当部分を示す。本実施の形態における半導体装置１００は、制御回路基板１２が設けられた点が実施の形態１と異なり、その他の構成は同じである。
【００２９】
本実施の形態では、図６に示すように、半導体素子３が搭載された面に対向するように制御回路基板１２が設けられている。制御回路基板１２には、半導体素子３の動作制御を行う制御回路が配設されている。
【００３０】
平面略矩形状に形成された封止樹脂１０の一辺には、リードフレーム１の端子１ａに接続された端子台６が設けられており、他辺にはリードフレーム１の端子１ｂが、封止樹脂１０の側面から屈曲して取り出される。リードフレーム１の端子１ｂは、制御回路基板１２のスルーホール部１２１に挿入されて半田等で接合される。
【００３１】
このような構成においても、実施の形態１と同様に、端子台６が半導体素子３と一体的に封止されることで、端子間の絶縁性を確保しながら、半導体装置１００の小型化が可能となる。さらに本実施の形態では、制御回路基板１２を半導体素子３が搭載された面に対向するように設けたことで、制御回路と大電流が流れる主回路とを分離して配置することができる。これによって、配線回路の引き回しが容易となり、半導体装置１００を小型化することができる。
【００３２】
実施の形態３．
本発明を実施するための実施の形態３に係る半導体装置について、図７を参照して説明する。図７は、本実施の形態３に係る半導体装置の一部を拡大した概略構成を示す断面図である。図７中、図１と同一符号は同一又は相当部分を示す。本実施の形態における半導体装置１００は、端子台６の端子部材７の構造が実施の形態１と異なっており、その他の構成は同じである。
【００３３】
本実施の形態では、図７に示すように、端子部材７の一次端子７ａ側に嵌込口７１が形成され、リードフレーム１の端子１ａが嵌込口７１に挿入されている。嵌込口７１は、リードフレーム１の寸法に合わせて適宜設計されており、圧接されることによってリードフレーム１と端子部材７が電気的に接続される。
【００３４】
このような構成においても、実施の形態１と同様に、端子台６が半導体素子３と一体的に封止されることで、端子間の絶縁性を確保しながら、半導体装置１００の小型化が可能となる。さらに本実施の形態では、リードフレーム１の端子１ａを端子部材７に形成された嵌込口７１に挿入後、圧接して接続する構成とした。これにより、半田等の異種金属で接合する必要がないために、取り付けが容易となり、生産性を高めることができる。また、嵌込口７１を封止樹脂１０で内包することで、外部からの振動に対する強度を確保することができる。
【００３５】
実施の形態４．
本発明を実施するための実施の形態４に係る半導体装置について、図８を参照して説明する。図８は、本実施の形態４に係る半導体装置の一部を拡大した概略構成を示す断面図である。である。図８中、図１と同一符号は同一又は相当部分を示す。本実施の形態における半導体装置１００は、端子台６の基台８の構造が実施の形態１と異なっており、その他の構成は同じである。
【００３６】
本実施の形態では、図８に示すように、基台８の隔壁部８２は、封止樹脂１０側の内側隔壁部８２１と、外側隔壁部８２２に分けられて構成されている。内側隔壁部８２１と外側隔壁部８２２の間には、切込部８２０が形成されている。内側隔壁部８２１は、外側隔壁部８２２より上面が低くなるように設けられている。封止樹脂１０を成形する際、金型を外側隔壁部８２２の上面に密着するように設けることで、端子台６の二次端子７ｂに樹脂が漏れ出すのを防ぎながら、切込部８２０に樹脂を充填することができる。
【００３７】
このような構成においても、実施の形態１と同様に、端子台６が半導体素子３と一体的に封止されることで、端子間の絶縁性を確保しながら、半導体装置１００の小型化が可能となる。半導体装置１００の小型化が可能となる。さらに、本実施の形態では、隔壁部８２に切込部８２０を設けることで、封止樹脂１０と隔壁部８２との間の接触面積を増大させることができ、封止樹脂１０と隔壁部８２との間の剥離を防ぐことができる。すなわち、封止樹脂１０と端子台６との密着性を向上させることができる。
【００３８】
実施の形態５.
本発明を実施するための実施の形態５に係る半導体装置について、図９を参照して説明する。図９は、本実施の形態５に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。図９中、図１と同一符号は同一又は相当部分を示す。本実施の形態における半導体装置１００は、端子台６の構造が実施の形態１と異なるだけであり、その他の構成は同じである。
【００３９】
本実施の形態では、図９に示すように、端子部材７は、一次端子７ａ側と二次端子７ｂ側とが９０度に位置するように設けられている。このとき、接続具９が取り付けられる二次端子７ｂ側は、封止樹脂１０の側面から露出されている。また、基台８には、短絡等から保護されるように、二次端子７ｂの上部を覆う突出部８３が設けられている。
【００４０】
このような構成においても、実施の形態１と同様に、端子台６が半導体素子３と一体的に封止されることで、端子間の絶縁性を確保しながら、半導体装置１００の小型化が可能となる。さらに、端子台６側の封止樹脂１０の側面を上部とするように半導体装置１００が設置された場合にも、接続具９を取り付ける二次端子７ｂ側が上部にあることで、外部配線を接続することが容易となり、作業性が向上する。なお、基台８は、突出部８３を設けた構成としたが、二次端子７ｂの絶縁性が確保されていれば、突出部８３を設けなくても良い。
【００４１】
実施の形態６.
本発明を実施するための実施の形態６に係る半導体装置について、図１０、図１１を参照して説明する。図１０は、実施の形態６に係る半導体装置を示す斜視図である。図１１は、実施の形態６に係る半導体装置を製造する一工程を示す斜視図である。図１０、図１１中、図１と同一符号は同一又は相当部分を示す。実施の形態１において、端子１ｂを形成したリードフレーム１を封止樹脂１０から取り出す際、封止樹脂１０の側面から屈曲させて取り出していたのに対し、本実施の形態では、封止樹脂１０の上面から取り出す点が異なっている。
【００４２】
本実施の形態では、図１０に示すように、封止樹脂１０の一辺にリードフレームの端子１ａに接合された端子台６が設けられ、他辺にリードフレーム１の端子１ｂが、封止樹脂１０の上面から取り出される。ここで、リードフレーム１の端子１ａが高電圧となる主回路に接続される主端子、端子１ｂが低電圧となる制御回路に接続される制御端子となるように、配線回路が形成されている。
【００４３】
図１１に、図１０のリードフレーム１を備えた半導体装置を製造する一工程を示す。図１１に示すように、リードフレーム１は樹脂封止の前にコの字状に屈曲される。この状態で、半導体素子３及び端子台６がリードフレーム１に接合される。その後、金型を用いて封止樹脂１０が形成された後、リードフレーム１の封止樹脂１０の上面から延出された部分が切除されることで、リードフレーム１の端子１ｂを形成することができる。
【００４４】
このような構成においても、実施の形態１と同様に、端子台６が半導体素子３と一体的に封止されることで、端子間の絶縁性を確保しながら、半導体装置１００の小型化が可能となる。さらに本実施の形態では、端子台６に接合されていないリードフレーム１の端子１ｂを、制御回路に接続される端子とすることで、封止樹脂１０の上面に隣接して配列される構成とした。これによって、封止樹脂１０の側面から端子１ｂが取り出された場合よりも、半導体装置を小型化することができる。ここで、リードフレーム１の端子１ｂは、半導体素子３搭載面に対向して設けられた制御回路基板１２に接続されても良い。
【００４５】
実施の形態７.
本発明を実施するための実施の形態７に係る半導体装置について、図１２を参照して説明する。図１２は、実施の形態７に係る半導体モジュールを示す断面図である。図１２中、図１と同一符号は同一又は相当部分を示す。本実施の形態では、実施の形態１の半導体装置１００にヒートシンク１６を取り付け、半導体モジュール２００とした。
【００４６】
本実施の形態では、図１２に示すように、半導体モジュール２００は、半導体装置１００の絶縁基材２の金属箔２２側に、図示しないシリコーングリースを介して、ヒートシンク１６が取り付けられることにより構成される。
【００４７】
封止樹脂１０の一辺には、リードフレーム１の端子１ａに接合された端子台６が設けられ、他辺からは、リードフレーム１の端子１ｂが取り出されている。端子台６は、端子部材７の二次端子７ｂが、封止樹脂１０の上部から露出されるように設けられている。ここで、端子１ａが高電圧となる主回路に接続される主端子、端子１ｂが低電圧となる制御回路に接続される制御端子となるように、配線回路が形成されている。
【００４８】
このような構成においても、実施の形態１と同様に、端子間の絶縁性を確保しながら、端子台６が半導体素子３と一体的に封止されることで、半導体装置１００の小型化が可能となる。さらに、主回路に接続されるリードフレーム１の端子１ａに接合された端子台６は、端子部材７の二次端子７ｂが、封止樹脂１０の上部から露出されるように設けられる構成とした。これによって、封止樹脂１０の側面から高電圧となる主端子を取り出した場合よりも、端子とヒートシンク１６との間に沿面放電が生じにくくなる。そのため、絶縁性の確保のために、端子とヒートシンク１６間の距離を大きくする必要がなくなり、半導体モジュール２００の小型化を実現できる。
【００４９】
なお、実施の形態１から７において、絶縁基材２として、絶縁層２１と金属箔２２が積層された絶縁シートを用いた例を示したが、絶縁基材２として、セラミックに配線パターンが形成された絶縁基板を用いても良い。このとき、リードフレーム１の端子と絶縁基板の配線パターンは、超音波接合、レーザー照射等により接合される。また、半田リフロー等で接合されてもよい。絶縁基板を用いることで、半導体装置１００の放熱性を向上させることができる。絶縁基板のセラミックは、例えば、二酸化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素等を用いることができる。
【００５０】
また、実施の形態１から７において、端子台６を封止樹脂１０の一辺に設けた例を示したが、複数個の端子台６を設けても良く、例えば対向する二辺にそれぞれ端子台６を設けても良い。
【００５１】
また、実施の形態１から７において、端子台６に仕切板１５を設けた例を示したが、絶縁性を確保できれば、仕切板１５の一部又は全部を省略することができる。
【符号の説明】
【００５２】
１００  半導体装置、２００  半導体モジュール、１  リードフレーム、１ａ，1ｂ  端子、２  絶縁基材、２１  絶縁層、２２  金属箔、３  半導体素子、４１，４２  半田、５  ワイヤ、６  端子台、７  端子部材、７ａ  一次端子、７ｂ  二次端子、  ８  基台、８１  水平部、８２  隔壁部、９  接続具、１０  封止樹脂、１１  段差部、１２  制御回路基板、１５  仕切板  、１６  ヒートシンク、１８，１９  金型
【図１】
0006769556.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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