(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された複数のパッドと、
少なくとも１つの前記パッドに電気的に接続され、当該パッド外の領域に引き回された再配線と、
前記再配線上に形成された樹脂層と、
前記樹脂層を介して前記再配線に電気的に接続された外部端子とを含み、
前記樹脂層は、前記再配線における前記外部端子の周囲に沿う領域に形成されたスリット内に入り込んでおり、
前記外部端子は、平面視円形状であり、
前記スリットは、平面視で前記外部端子の周縁部と接する四角形を描いたときに、当該四角形の４つの角部に位置する４つのスリットを含み、
各前記スリットは、平面視直角二等辺三角形状をなしている、半導体装置。
【請求項２】
前記４つのスリットは、それぞれ、平面視直角二等辺三角形状の底辺の両端部および２
つの等辺の端部で区画される両端部領域が除かれて平面視五角形状をなしている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
共通の前記再配線が、複数の前記パッドを覆うように形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記樹脂層には、前記再配線を露出させる開口が形成されており、
前記外部端子は、前記開口を介して前記再配線と接続されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記スリットは、平面視における前記外部端子の大きさを１００％とした場合、前記外部端子の平面視の大きさに対して、１５０％以内の領域に形成されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記再配線は、銅配線を含み、
前記樹脂層は、ポリイミド層を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記スリットは、１５μｍ以上の幅を有している、請求項１〜６のいずれか一項に記載
の半導体装置。
【請求項８】
前記樹脂層上に形成され、前記再配線に電気的に接続された第２再配線と、
前記樹脂層上に形成された第２樹脂層とをさらに含み、
前記外部端子は、前記第２再配線に電気的に接続され、
前記第２樹脂層は、前記第２再配線における前記外部端子の周囲に沿う領域に形成された第２スリット内に入り込んでいる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
半導体基板上に複数のパッドを形成する工程と、
少なくとも１つの前記パッドに電気的に接続され、当該パッド外の領域に引き回すように再配線を形成する工程と、
前記再配線上に、樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層を介して前記再配線に電気的に接続されるように外部端子を形成する工程とを含み、
前記再配線を形成する工程は、当該再配線における前記外部端子の周囲に沿う領域にスリットを形成する工程を含み、
前記外部端子を形成する工程では、前記外部端子は、平面視円形状に形成され、
前記スリットを形成する工程は、平面視で前記外部端子の周縁部と接する四角形を描いたときに、当該四角形の４つの角部にそれぞれスリットが位置するように、４つのスリットを形成する工程を含み、
前記樹脂層は、前記スリット内に入り込むように形成される、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
共通の前記再配線が、複数の前記パッドを覆うように形成される、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記樹脂層に、前記再配線を選択的に露出させる開口を形成する工程を含み、
前記外部端子は、前記樹脂層の開口を介して前記再配線に電気的に接続されるように形成される、請求項９または１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記スリットは、平面視における前記外部端子の大きさを１００％とした場合、当該外部端子の平面視の大きさに対して、１５０％以内の領域に形成される、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記再配線を形成する工程は、
前記スリットを形成すべき領域を選択的に覆い、１５μｍ以上の幅を有するスリット用マスクを含むマスクを形成する工程と、
前記マスクを介して導電材料を成膜することにより、前記スリットを備えた前記再配線を形成する工程とを含む、請求項９〜１２のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
銅配線を含む前記再配線が形成され、
ポリイミド層を含む前記樹脂層が形成される、請求項９〜１３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体基板と、半導体基板上に形成された電極パッドと、電極パッドに接続された外部端子と、当該外部端子を露出させる樹脂封止膜とを含むＣＳＰ・ＩＣが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１５０５５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、再配線から樹脂層が剥離することを抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するための半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたパッドと、前記パッドに電気的に接続され、当該パッド外の領域に引き回された再配線と、前記再配線上に形成された樹脂層と、前記樹脂層を介して前記再配線に電気的に接続された外部端子とを含み、前記樹脂層は、前記再配線における前記外部端子の周囲に沿う領域に形成されたスリット内に入り込むように形成されている。
【０００６】
ＣＳＰ（Chip Size Package）構造を有する半導体装置において、半導体基板上に形成されたパッドからさらに当該パッド外の領域に再配線を引き回す構造が提案されている。再配線が形成される場合、当該再配線を覆うように、樹脂層が形成される。外部端子は、樹脂層を介して再配線に接続される。
ここで、半導体装置に熱が加えられると、当該熱は、異なる熱膨張率を有する再配線と樹脂層とに伝達される。冷却時における再配線の体積収縮率は、樹脂層の体積収縮率と異なっている。そのため、冷却時において、再配線に応力が生じる結果、再配線から樹脂層が剥離する場合がある。この問題は、とりわけ熱の影響を受けやすい外部端子の周囲で発生し易い。
【０００７】
本発明の構成によれば、再配線における外部端子の周囲に沿う領域に、スリットが形成されている。再配線上に形成された樹脂層は、スリット内に入り込むように形成されている。これにより、再配線と樹脂層との密着性が高められている。すなわち、スリット内に入り込んだ樹脂層によって、アンカー効果を得ることができる。これにより、樹脂層の剥離を抑制できる。
【０００８】
前記半導体装置において、共通の前記再配線が、複数の前記パッドを覆うように形成されていることが好ましい。
本発明の構成によれば、複数のパッドを覆うように共通の再配線としての太配線が形成されている。ここで、スリットを有さない再配線（太配線）を形成する場合、樹脂層は、再配線との間で、比較的に大きな接触面積を有している一方で、樹脂層と再配線との密着性は、当該樹脂層の剥離を抑制できるほど高くない。そのため、再配線に生じた応力によって、樹脂層が広い範囲で再配線から剥離する恐れがある。
【０００９】
これに対して、本発明の構成によれば、太配線が形成される場合であっても、スリット内に入り込んだ樹脂層によってアンカー効果を得ることができるので、樹脂層の剥離を抑制できる。また、再配線の面積を拡大できるので、比較的に大きな電流を流す場合に、再配線における抵抗値の増加を抑制できる。これにより、樹脂層の剥離を抑制しつつ、低抵抗化を図ることができる。
【００１０】
前記半導体装置において、前記樹脂層には、前記再配線を露出させる開口が形成されており、前記外部端子は、前記開口を介して前記再配線と接続されている。
再配線で生じる応力は、とりわけ樹脂層に形成された開口の開口端に集中し易く、当該開口端におけるクラック（ひび割れ）の発生原因になる。
本発明の構成によれば、外部端子が形成される樹脂層の開口の周囲にスリットが形成されているので、再配線で生じる応力をスリットで緩和できる。これにより、樹脂層に形成された開口の開口端で、クラックが発生することを抑制できる。その結果、外部端子の接続不良等を抑制できる。
【００１１】
前記半導体装置において、前記スリットは、平面視における前記外部端子の大きさを１００％とした場合、前記外部端子の平面視の大きさに対して、１５０％以内の領域に形成されていることが好ましい。
前記半導体装置において、前記外部端子は、平面視円形状であり、前記１５０％以内の領域において、前記外部端子を収容する四角形を描いた場合、当該外部端子の周縁部と前記四角形の周縁部との間に、前記スリットが形成されていることが好ましい。
【００１２】
前記半導体装置において、前記スリットを複数含むことが好ましい。この構成によれば、複数のスリットに樹脂層が入り込むように形成される。これにより、複数のスリットに入り込んだ樹脂層によるアンカー効果をより一層高めることができるので、再配線と樹脂層との密着性をより一層高めることができる。その結果、樹脂層の剥離を効果的に抑制できる。
【００１３】
前記半導体装置において、前記スリットは、平面視三角形状のスリットを含んでいてもよいし、平面視直角二等辺三角形状のスリットを含んでいてもよい。また、前記半導体装置において、前記再配線は、銅配線を含み、前記樹脂層は、ポリイミド層を含んでいてもよい。
前記半導体装置において、前記スリットは、１５μｍ以上の幅を有していることが好ま
しい。
【００１４】
上記目的を達成するための半導体装置の製造方法は、半導体基板上にパッドを形成する工程と、前記パッドに電気的に接続され、当該パッド外の領域に引き回すように再配線を形成する工程と、前記再配線上に、樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層を介して前記再配線に電気的に接続されるように外部端子を形成する工程とを含み、前記再配線を形成する工程は、当該再配線における前記外部端子の周囲に沿う領域にスリットを形成する工程を含み、前記樹脂層は、前記スリット内に入り込むように形成される、半導体装置の製造方法である。
【００１５】
この方法によれば、再配線における外部端子の周囲に沿う領域に、スリットが形成される。再配線上に形成される樹脂層は、このスリット内に入り込むように形成される。これにより、再配線と樹脂層との密着性が高められている。すなわち、スリット内に入り込んだ樹脂層によって、アンカー効果を得ることができる。その結果、樹脂層の剥離を抑制できる半導体装置を提供できる。
【００１６】
前記半導体装置の製造方法において、共通の前記再配線が、複数の前記パッドを覆うように形成されることが好ましい。この方法によれば、複数のパッドを覆うように共通の再配線としての太配線が形成される。太配線が形成される場合であっても、スリット内に入り込んだ樹脂層によってアンカー効果を得ることができるので、樹脂層の剥離を抑制できる。また、再配線の面積を拡大できるので、比較的に大きな電流を流す場合に、再配線における抵抗値の増加を抑制できる。これにより、樹脂層の剥離を抑制しつつ、低抵抗化を図ることができる半導体装置を提供できる。
【００１７】
前記半導体装置の製造方法において、前記樹脂層に、前記再配線を選択的に露出させる開口を形成する工程を含み、前記外部端子は、前記樹脂層の開口を介して前記再配線に電気的に接続されるように形成されることが好ましい。
この方法によれば、外部端子が形成される樹脂層の開口の周囲にスリットが形成されるので、再配線で生じる応力をスリットで緩和できる。これにより、樹脂層に形成された開口の開口端におけるクラックの発生を抑制できる。その結果、外部端子の接続不良等を抑制できる半導体装置を提供できる。
【００１８】
前記半導体装置の製造方法において、前記スリットは、平面視における前記外部端子の大きさを１００％とした場合、当該外部端子の平面視の大きさに対して、１５０％以内の領域に形成されることが好ましい。
前記半導体装置の製造方法において、前記外部端子は、平面視円形状に形成され、前記１５０％以内の領域において、前記外部端子を収容する四角形を描いた場合、当該外部端子の周縁部と前記四角形の周縁部との間に、前記スリットが形成されることが好ましい。
【００１９】
前記半導体装置の製造方法において、前記スリットが複数形成されることが好ましい。この方法によれば、複数のスリットに入り込む樹脂層によるアンカー効果をより一層高めることができるので、再配線と樹脂層との密着性をより一層高めることができる。その結果、樹脂層の剥離を効果的に抑制できる半導体装置を提供できる。
前記半導体装置の製造方法において、前記再配線を形成する工程は、前記スリットを形成すべき領域を選択的に覆い、１５μｍ以上の幅を有するスリット用マスクを含むマスクを形成する工程と、前記マスクを介して導電材料を成膜することにより、前記スリットを備えた前記再配線を形成する工程とを含むことが好ましい。
【００２０】
マスク形成時においてスリット用マスクの幅が狭すぎると、当該スリット用マスクが倒壊する場合がある。そこで、本発明の方法のように、スリット用マスクの幅を１５μｍ以上に設定することにより、当該スリット用マスクの倒壊を効果的に抑制できる。これにより、スリットを有する再配線を確実に形成できる。
前記半導体装置の製造方法において、銅配線を含む前記再配線が形成され、ポリイミド層を含む前記樹脂層が形成されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の模式的な平面図である。
【図２】図２は、スリットの配置を説明するための模式的な平面図である。
【図３】図３は、スリットの形状を説明するための模式的な平面図である。
【図４】図４は、図１に示す半導体装置に係る電力制御領域の断面構造を説明するための模式的な断面図である。
【図５】図５は、図４に示す電力制御領域の部分拡大断面図である。
【図６Ａ】図６Ａは、図１に示す半導体装置の製造工程の一例を説明するための断面図であって、図４に対応する断面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図６Ａの次の工程を示す断面図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、図６Ｂの次の工程を示す断面図である。
【図６Ｄ】図６Ｄは、図６Ｃの次の工程を示す断面図である。
【図６Ｅ】図６Ｅは、図６Ｄの次の工程を示す断面図である。
【図６Ｆ】図６Ｆは、図６Ｅの次の工程を示す断面図である。
【図６Ｇ】図６Ｇは、図６Ｆの次の工程を示す断面図である。
【図６Ｈ】図６Ｈは、図６Ｇの次の工程を示す断面図である。
【図６Ｉ】図６Ｉは、図６Ｈの次の工程を示す断面図である。
【図６Ｊ】図６Ｊは、図６Ｉの次の工程を示す断面図である。
【図６Ｋ】図６Ｋは、図６Ｊの次の工程を示す断面図である。
【図７】図７は、参考例に係る半導体装置の構造を説明するための断面図であって、図５に対応する断面図である。
【図８】図８は、図１に示す半導体装置の第１変形例を示す模式的な断面図である。
【図９】図９は、図１に示す半導体装置の第２変形例を示す模式的な断面図である。
【図１０】図１０は、スリットの第１変形例を示す模式的な断面図である。
【図１１】図１１は、スリットの第２変形例を示す模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置１の模式的な平面図である。
半導体装置１は、たとえば、ＳＳＩ（Small Scale Integration），ＬＳＩ（Large Scale Integration），ＭＳＩ（Medium Scale Integration），ＶＬＳＩ（Very Large Scale Integration），ＵＬＳＩ（Ultra-Very Large Scale Integration）等を含むＣＳＰ（Chip Size Package）構造を有している。
【００２３】
図１に示すように、半導体装置１は、平面視略矩形状（本実施形態では、平面視略長方形状）の半導体基板２を含む。半導体基板２は、たとえばシリコン基板であってもよい。半導体基板２には、ロジック回路が形成されたロジック回路領域３と、比較的に高い電力が供給される集積回路が形成された電力制御領域４とが設定されている。
ロジック回路領域３および電力制御領域４には、複数の外部端子５が規則的に配列されている。各外部端子５は、半導体基板２の最表面に露出しており、接続対象物（たとえば、ＰＣＢ：Printed-Circuit-Board）との間で電気的接続を達成するための接続端子を構成している。外部端子５は、たとえば半田ボールであってもよい。
【００２４】
ロジック回路領域３は、半導体基板２の一端部側（紙面左側の端部）に設定されている。ロジック回路領域３には、半導体基板２の短手方向に沿って複数（本実施形態では、４個）の外部端子５が配置されている。各外部端子５の周囲には、平面視略矩形状の入力パッド６（図１の破線部参照）が複数形成されている。
各入力パッド６は、ロジック回路に電気的に接続されている。各入力パッド６は、再配線７（図１の破線部参照）を介して外部端子５に電気的に接続されている。各再配線７は、入力パッド６および外部端子５を１対１対応で接続している。各再配線７は、外部端子５よりも小さい幅を有している。図１に示すように、全ての入力パッド６が再配線７を介して各外部端子５と接続されている必要はなく、その一部が外部端子５に接続されていてもよい。各外部端子５に入力された電力は、再配線７および入力パッド６を介してロジック回路に供給される。
【００２５】
他方、電力制御領域４は、電気的に分離されるように、ロジック回路領域３と間隔を隔てて形成されている。電力制御領域４には、半導体基板２の長手方向および短手方向に沿って複数の外部端子５が正方行列状（本実施形態では、４個×４個の行列状）に配置されている。複数の外部端子５は、行方向および列方向において１列おきに行方向の位置をずらした千鳥状に配置されていてもよい。電力制御領域４には、平面視略矩形状の電極パッド９（図１の破線部参照）が複数形成されている。
【００２６】
各電極パッド９は、集積回路に電気的に接続されている。電極パッド９は、平面視において、外部端子５が形成された領域の内側および外側のいずれにも形成されている。電極パッド９は、再配線１０（図１の破線部参照）を介して外部端子５に電気的に接続されている。
再配線１０は、電極パッド９が形成された領域外に引き回されている。図１に示すように、再配線１０は、平面視において、各外部端子５よりも大きい面積で外部端子５を取り囲む太配線パターンを含む。また、再配線１０は、複数の外部端子５に沿って、行方向および／または列方向に連続して延びる線状パターンを含む。線状パターンは、複数の外部端子５を横切っていてもよい。さらに、再配線１０は、太配線パターンと線状パターンとを組み合わせたパターンを含む。
【００２７】
本実施形態では、再配線１０が、複数の再配線１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅを含む例を示している。再配線１０Ａには、８つの外部端子５が接続されている。また、再配線１０Ｂには、２つの外部端子５が接続されている。また、再配線１０Ｃには、３つの外部端子５が接続されている。また、再配線１０Ｄには、１つの外部端子５が接続されている。また、再配線１０Ｅには、２つの外部端子５が接続されている。複数の電極パッド９は、共通の再配線１０Ａ〜１０Ｅによって一括して覆われている。
【００２８】
各再配線１０Ａ〜１０Ｅは、電気的に分離されるように、隙間Ｓを挟んで、互いに間隔を空けて形成されている。つまり、各再配線１０Ａ〜１０Ｅは、互いに異なる電力が入力されるグループを形成している。同一のグループに属する1つまたは複数の外部端子５は、対応する各再配線１０Ａ〜１０Ｅとの間で同電位を形成している。各外部端子５に入力された電力は、各再配線１０Ａ〜１０Ｅおよび電極パッド９を介して集積回路に入力される。
【００２９】
再配線１０には、再配線１０の一部が取り除かれた除去部１１が形成されていてもよい（図１の破線部参照）。除去部１１は、再配線１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｅ内において、各外部端子５を取り囲む各外部端子形成領域Ｃ（図１の二点鎖線部参照）間の領域に選択的に形成されている。外部端子形成領域Ｃについては、後述する。除去部１１は、再配線１０の再配線材料で取り囲まれて周囲が閉塞された島状の領域である。除去部１１は、平面視において、電極パッド９よりも大きい面積を有しており、再配線１０が電極パッド９と対向しない領域に形成されている。除去部１１は、たとえば、２５μｍ〜５００μｍの幅を有する長手状であってもよい。本実施形態では、列方向に沿って長手状に延びるように形成された除去部１１の例を示している。除去部１１の一部は、平面視において、外部端子５の周縁部と外部端子形成領域Ｃとの間の領域を横切っていてもよい。
【００３０】
再配線１０における、外部端子５の周囲に沿う領域には、複数のスリット１２が形成されている。各スリット１２は、外部端子形成領域Ｃ内に形成されている。各スリット１２は、再配線１０が除去されて、当該再配線１０の再配線材料で取り囲まれて周囲が閉塞された島状の領域である。各スリット１２は、外部端子５の周縁部と除去部１１との間の領域に形成されており、平面視において、除去部１１の面積よりも小さい面積を有している。図２および図３を参照して、スリット１２の配置および形状についてより具体的に説明する。
【００３１】
図２は、スリット１２の配置を説明するための模式的な平面図である。図３は、スリット１２の形状の一例を説明するための模式的な平面図である。図２では、外部端子５の平面形状を実線で示し、スリット１２が形成された部分をクロスハッチングを付して示している。
外部端子形成領域Ｃは、外部端子５の平面形状の大きさを１００％とした場合、当該外部端子５の平面形状に対して１５０％の大きさを有する円形状の領域である。各スリット１２は、外部端子５の平面形状に対して１５０％以内の領域に形成されている。より具体的には、図２に示すように、各スリット１２は、平面視において、外部端子５の周縁部と、外部端子形成領域Ｃとの間の領域に形成されている。外部端子５の直径Ｄ１は、たとえば２００μｍ〜３００μｍであってもよい（本実施形態では、２７０μｍ）。外部端子形成領域Ｃの直径Ｄ２は、たとえば３００μｍ〜４５０μｍであってもよい（本実施形態では、４０５μｍ）。
【００３２】
また、図２の平面視において、外部端子形成領域Ｃ内に外部端子５を収容する四角形Ｒを描いた場合、各スリット１２は、外部端子５の周縁部と四角形Ｒの周縁部との間に形成されている。四角形Ｒは、正方形であってもよい。つまり、外部端子５の周縁部と接する四角形Ｒを描いた場合、各スリット１２は、直径Ｄ１の２１／２倍の直径を有する円形状の領域内（外部端子５の平面形状に対して１４２％以内の領域）に配置されていてもよい。各スリット１２は、当該四角形Ｒの四隅に形成されていてもよい。各スリット１２は、四角形Ｒの四隅に形成された平面視三角形状のスリットを含んでいてもよい。この場合、各スリット１２の各辺は、１５μｍ以上の幅を有していることが好ましい。
【００３３】
また、各スリット１２は、図３（ａ）に示すように、平面視直角三角形状のスリットを含んでいてもよい。この場合、各スリット１２は、底辺Ｂが２５μｍ〜５０μｍ、等辺Ｅが１７μｍ〜３６μｍの平面視直角二等辺三角形状のスリットを含んでいてもよい。また、各スリット１２は、底角θを形成する底辺Ｂおよび等辺Ｅの一部を含む平面視三角形状の領域Ｔが取り除かれた構成を有していてもよい。領域Ｔは、たとえば、等辺が５μｍ程度の二等辺三角形であってもよい。
【００３４】
また、図３（ｂ）に示すように、各スリット１２は、平面視略矩形状のスリットを含んでいてもよい。この場合、各スリット１２は、幅Ｗが１５μｍ以上、長さＬが１５μｍ〜３０μｍの平面視略長方形状のスリットを含んでいてもよい。むろん、各スリットは、幅Ｗおよび長さＬが等しい（１５μｍ以上）の平面正方形状のスリットを含んでいてもよい。
【００３５】
図４は、図１に示す半導体装置１に係る電力制御領域４の断面構造を説明するための模式的な断面図である。図５は、図４に示す電力制御領域４の部分拡大断面図である。
図４に示すように、半導体基板２の表面部には、ＬＳＩ等の一部を構成する不純物領域１３が選択的に形成されている。本実施形態では、複数の不純物領域１３が互いに間隔を空けて形成されている例を示しているが、各不純物領域１３は、互いに一体的に連なるように形成されていてもよい。
【００３６】
各不純物領域１３上には、当該不純物領域１３に電気的に接続されるように、電極膜１４が形成されている。電極膜１４の導電材料としては、たとえばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、またはこれらの合金（ＡｌＣｕ）を例示できる（本実施形態では、アルミニウム）。半導体基板２上には、パッシベーション膜１５が形成されている。
パッシベーション膜１５は、電極膜１４の周縁部を覆い、電極膜１４の一部を露出させるように形成されている。これにより、電極膜１４の一部は、パッシベーション膜１５から露出している。パッシベーション膜１５は、たとえば酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）等の絶縁材料からなる。パッシベーション膜１５上には、第１樹脂層１６が形成されている。
【００３７】
第１樹脂層１６は、たとえば感光性樹脂であってもよい。より具体的には、第１樹脂層１６は、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等であってもよい。
第１樹脂層１６は、電極膜１４の一部を電極パッド９として露出させるパッド開口１７を有している。パッド開口１７は、平面視略矩形状に形成されている。これにより、平面視略矩形状の電極パッド９が形成されている（図１も併せて参照）。図４に示すように、全ての電極膜１４に対してパッド開口１７が形成されている必要はなく、複数の電極膜１４が第１樹脂層１６によって覆われていてもよい。また、図４の断面視において第１樹脂層１６によって覆われている複数の電極膜１４は、他の領域において電極パッド９を構成していてもよい。電極パッド９上には、第１樹脂層１６上に引き回された再配線１０が形成されている。
【００３８】
再配線１０は、第１樹脂層１６の表面からパッド開口１７内に入り込むように形成されている。再配線１０は、パッド開口１７内において電極パッド９に電気的に接続されている。図４および図５に示すように、本実施形態では、再配線１０は、ＵＢＭ（アンダーバンプメタル）膜１８と、ＵＢＭ膜１８上に形成された配線膜１９とを含む再配線層である。
【００３９】
ＵＢＭ膜１８は、表面および裏面（半導体基板２側の面）が、第１樹脂層１６の表面、パッド開口１７の内面、および電極パッド９の表面に沿って形成されている。ＵＢＭ膜１８は、パッド開口１７内において電極パッド９に電気的に接続されている。ＵＢＭ膜１８は、異なる導電材料からなる２層構造を有していてもよい。この場合、ＵＢＭ膜１８は、チタン（Ｔｉ）膜と、当該チタン膜上に形成された銅膜とを含んでいてもよい。
【００４０】
配線膜１９は、ＵＢＭ膜１８がパッド開口１７内に入り込んで形成された凹状の空間に入り込むように、ＵＢＭ膜１８の表面に沿って形成されている。配線膜１９は、ＵＢＭ膜１８を介して電極パッド９に電気的に接続されている。再配線１０に対する配線膜１９の含有率は、再配線１０に対するＵＢＭ膜１８の含有率よりも大きいことが好ましい。配線膜１９は、ＵＢＭ膜１８よりも厚く形成されていることが好ましい。配線膜１９は、銅配線膜またはアルミニウム配線膜であってもよい（本実施形態では、銅配線膜）。
【００４１】
再配線１０には、第１樹脂層１６の表面を露出させる除去部１１が形成されている（図１も併せて参照）。また、再配線１０における外部端子５の周囲に沿う領域には、複数のスリット１２が形成されている（図１も併せて参照）。除去部１１および各スリット１２から第１樹脂層１６の表面が露出している。再配線１０を覆うように、第２樹脂層２０が形成されている。
【００４２】
第２樹脂層２０は、たとえば感光性樹脂であってもよい。より具体的には、第２樹脂層２０は、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等であってもよい。第２樹脂層２０は、第１樹脂層１６と同一の材料により形成されていることが好ましい。
第２樹脂層２０は、再配線１０に形成された除去部１１および各スリット１２内に入り込み、除去部１１および各スリット１２を埋め戻すように形成されている。第２樹脂層２０は、除去部１１および各スリット１２内において、第１樹脂層１６の表面と接している。第２樹脂層２０は、除去部１１および各スリット１２内において、第１樹脂層１６と密着していることが好ましい。
【００４３】
第２樹脂層２０は、再配線１０の一部を再配線パッド２２として露出させる再配線パッド開口２１を有している。再配線パッド開口２１は、平面視略矩形状であってもよいし、平面視略円形状であってもよい。
図４および図５を参照して、再配線パッド開口２１は、第２樹脂層２０の外方へ向かう湾曲状の開口端２１ａを有している。再配線パッド開口２１の周囲に沿う領域に各スリット１２が配置されている。再配線パッド２２（第２樹脂層２０の再配線パッド開口２１）と、各スリット１２との間の最端距離Ｄ３は、１５μｍ〜５０μｍであることが好ましい。再配線パッド２２上には、第２樹脂層２０の表面から突出する電極ポスト２３が形成されている。
【００４４】
電極ポスト２３は、第２樹脂層２０の表面から再配線パッド開口２１内に入り込むように形成されている。電極ポスト２３の周縁部は、第２樹脂層２０の再配線パッド開口２１と各スリット１２との間の領域に位置している。電極ポスト２３は、再配線パッド開口２１内において、再配線パッド２２に電気的に接続されている。電極ポスト２３は、平面視略円形状に形成されていてもよい。電極ポスト２３は、ＵＢＭ膜２４と、ＵＢＭ膜２４上に形成された配線膜２５とを含む。
【００４５】
ＵＢＭ膜２４は、表面および裏面（半導体基板２側の面）が、第２樹脂層２０の表面、再配線パッド開口２１の内面、および再配線パッド２２の表面に沿って形成されている。ＵＢＭ膜２４は、再配線パッド開口２１内において再配線パッド２２に電気的に接続されている。ＵＢＭ膜２４は、異なる導電材料からなる２層構造を有していてもよい。この場合、ＵＢＭ膜２４は、チタン膜と、当該チタン膜上に形成された銅膜とを含んでいてもよい。
【００４６】
配線膜２５は、ＵＢＭ膜２４が再配線パッド開口２１内に入り込んで形成された凹状の空間に入り込むように、ＵＢＭ膜２４の表面に沿って形成されている。配線膜２５は、ＵＢＭ膜２４を介して再配線パッド２２に電気的に接続されている。配線膜２５は、銅配線膜またはアルミニウム配線膜であってもよい（本実施形態では、銅配線膜）。
外部端子５は、電極ポスト２３上に形成されており、半導体基板２の最表面に露出している。外部端子５は、第２樹脂層２０から露出する電極ポスト２３の側部の一部を覆うように形成されていてもよいし、図４および図５に示すように、電極ポスト２３の側部の全部を覆うように形成されていてもよい。また、外部端子５は、電極ポスト２３外の領域で第２樹脂層２０と接していてもよい。
【００４７】
半導体基板２の裏面（外部端子５が形成されている側と反対側の面）には、バックコート層２６が形成されている。バックコート層２６は、半導体基板２の裏面を覆うように形成されている。バックコート層２６は、たとえば、Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＺｒＯ２，ＴｉＯ２，ＳｉＣ，ＭｇＯ，ゼオライト，ＡｌＮ及びＢＮからなる群より選択される少なくとも１種を含む無機フィラーを含んでいてもよい。また、バックコート層２６は、たとえば、シリコーンゴム等の有機フィラーを含んでいてもよい。
【００４８】
ロジック回路領域３における入力パッド６は、電力制御領域４における電極パッド９と同様の構成を有している。また、ロジック回路領域３における再配線７は、電力制御領域４における再配線１０と同様の構成を有している。その他、ロジック回路領域３の主たる構成は、電力制御領域４の構成と同様であるので、その説明を省略する。
図６Ａ〜図６Ｋは、図１の半導体装置１の製造工程の一例を説明するための断面図であって、図４に対応する断面図である。
【００４９】
まず、図６Ａに示すように、ＬＳＩ等が形成された半導体基板２が用意される。図６Ａでは、ＬＳＩ等の一部を構成する不純物領域１３のみを示している。次に、不純物領域１３が形成された領域を選択的に覆う電極膜１４が形成される。
次に、図６Ｂに示すように、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、電極膜１４を覆うように窒化シリコンが堆積されて、パッシベーション膜１５が形成される。次に、電極膜１４の一部がパッシベーション膜１５から露出するように、パッシベーション膜１５の不要な部分がエッチングされる。
【００５０】
次に、図６Ｃに示すように、感光性ポリイミド等を塗布することにより第１樹脂層１６が形成される。次に、パッド開口１７に対応するパターンで第１樹脂層１６が露光される。次に、第１樹脂層１６が現像される。これにより、第１樹脂層１６に、電極膜１４の一部を電極パッド９として露出させるパッド開口１７が形成される。現像後、必要に応じて、第１樹脂層１６をキュアするための熱処理を行ってもよい。
【００５１】
次に、図６Ｄに示すように、第１樹脂層１６、パッド開口１７の内面、および電極パッド９の表面に沿ってＵＢＭ膜１８が形成される。ＵＢＭ膜１８は、たとえばスパッタ法によって、チタン膜および銅膜が順に成膜されることによって形成される。
次に、ＵＢＭ膜１８上に、レジストマスク３０が形成される。次に、再配線１０の最終形状（各再配線１０Ａ〜１０Ｅの各平面形状）に対応した領域を選択的に露出させるように、レジストマスク３０が露光される。次に、レジストマスク３０が現像される。これにより、レジストマスク３０から、再配線１０の最終形状（各再配線１０Ａ〜１０Ｅの各平面形状）に対応した領域が露出する。このとき、レジストマスク３０は、除去部１１を形成すべき領域を覆う除去部用マスク３１と、複数のスリット１２を形成すべき領域を覆うスリット用マスク３２とを含むように形成される。スリット用マスク３２は、１５μｍ〜５０μｍの厚さで、かつ１５μｍ以上の幅で形成されていることが好ましい。
【００５２】
ここで、スリット用マスク３２の幅が狭すぎると、当該スリット用マスク３２が倒壊する場合がある。したがって、１５μｍ以上の幅を有するスリット用マスク３２を形成することによって、当該スリット用マスク３２の倒壊を効果的に抑制できる。これにより、再配線１０にスリット１２を確実に形成できる。
次に、図６Ｅに示すように、レジストマスク３０から露出するＵＢＭ膜１８上に、たとえば銅がめっき成膜される。これにより、ＵＢＭ膜１８上に配線膜１９が形成される。ＵＢＭ膜１８が形成された後、レジストマスク３０が除去される。
【００５３】
次に、図６Ｆに示すように、配線膜１９をエッチングマスクとするウェットエッチングにより、ＵＢＭ膜１８の不要な部分が除去される。これにより、除去部１１および各スリット１２を有する再配線１０（再配線１０Ａ〜１０Ｅ）が形成される。
次に、図６Ｇに示すように、感光性ポリイミド等を塗布することにより第２樹脂層２０が形成される。このとき、第２樹脂層２０は、再配線１０に形成された各スリット１２内に入り込み、各スリット１２を埋め戻すように形成される。第２樹脂層２０は、各スリット１２内において、第１樹脂層１６の表面と接するように形成される。各スリット１２内において、第２樹脂層２０は、第１樹脂層１６と密着するように形成されることが好ましい。
【００５４】
次に、再配線パッド開口２１に対応するパターンで第２樹脂層２０が露光される。次に、第２樹脂層２０が現像される。これにより、第２樹脂層２０に、再配線１０の一部を再配線パッド２２として露出させる再配線パッド開口２１が形成される。現像後、必要に応じて、第２樹脂層２０をキュアするための熱処理を行ってもよい。
次に、図６Ｈに示すように、第２樹脂層２０、再配線パッド開口２１の内面、および再配線パッド２２の表面に沿ってＵＢＭ膜２４が形成される。ＵＢＭ膜２４は、たとえばスパッタ法によって、チタン膜および銅膜が順に成膜されることによって形成される。次に、配線膜２５（電極ポスト２３）を形成すべき領域を選択的に露出させる開口を有するレジストマスク３３がＵＢＭ膜２４上に形成される。
【００５５】
次に、図６Ｉに示すように、レジストマスク３３から露出するＵＢＭ膜２４上に、たとえば銅がめっき成膜される。これにより、ＵＢＭ膜２４上に配線膜２５が形成される。次に、レジストマスク３３が除去される。次に、図６Ｊに示すように、配線膜２５をエッチングマスクとするウェットエッチングにより、ＵＢＭ膜２４の不要な部分が除去される。これにより、第２樹脂層２０から電極ポスト２３が形成される。
【００５６】
次に、図６Ｋに示すように、半導体基板２の裏面が選択的に研削される。次に、半導体基板２の裏面に、無機フィラーまたは有機フィラーからなるバックコート層２６が形成される。次に、電極ポスト２３に半田ボールからなる外部端子５が形成される。以上の工程を経て、半導体装置１が形成される。
次に、図７を参照して、参考例に係る半導体装置４１の構成について説明する。図７は参考例に係る半導体装置４１の構造を説明するための断面図であって、図５に対応する断面図である。
【００５７】
図７に示すように、参考例に係る半導体装置４１が、半導体装置１と異なる点は、再配線１０にスリット１２が形成されていない点である。図７において、図１〜図６Ｋに対応する構成については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
参考例に係る半導体装置４１は、たとえば外部端子５が加熱されることにより、接続対象物（たとえば、ＰＣＢ）に接続される。参考例に係る半導体装置４１では、外部端子５に加えられた熱が、異なる熱膨張率を有する再配線１０と第２樹脂層２０とに伝達される。冷却時における再配線１０の体積収縮率は、第２樹脂層２０の体積収縮率と異なっている。そのため、冷却時において、再配線１０に応力が生じる結果、再配線１０から第２樹脂層２０が剥離する場合がある。この問題は、とりわけ熱の影響を受けやすい外部端子５の周囲で発生し易い。
【００５８】
また、参考例に係る半導体装置４１は、複数の電極パッド９を共通の再配線１０（再配線１０Ａ〜１０Ｅ（太配線））で覆う構成を有している。第２樹脂層２０は、再配線１０との間で、比較的に大きな接触面積を有している一方で、第２樹脂層２０と再配線１０との間の密着性は、当該第２樹脂層２０の剥離を抑制できるほど高くない。そのため、再配線１０に生じた応力によって、第２樹脂層２０が広い範囲で再配線１０から剥離する恐れがある。
【００５９】
また、再配線１０で生じる応力は、とりわけ第２樹脂層２０に形成された再配線パッド開口２１の開口端２１ａに集中し易く、当該開口端２１ａにおけるクラック（ひび割れ）の発生原因にもなる。
これに対して、本発明の半導体装置１によれば、再配線１０が、外部端子５の周囲に沿う領域にスリット１２を有している。再配線１０上に形成された第２樹脂層２０は、スリット１２内に入り込むように形成されている。これにより、再配線１０と第２樹脂層２０との密着性が高められている。すなわち、スリット１２内に入り込んだ第２樹脂層２０によって、アンカー効果を得ることができる。しかも、本実施形態では、このようなスリット１２が複数形成されている。したがって、複数のスリット１２に入り込んだ第２樹脂層２０によるアンカー効果をより一層高めることができる。これにより、再配線１０と第２樹脂層２０との密着性をより一層高めることができるので、第２樹脂層２０の剥離を効果的に抑制できる。
【００６０】
また、本発明の半導体装置１によれば、太配線（再配線１０）が形成される場合であっても、アンカー効果によって第２樹脂層２０の剥離を効果的に抑制できるので、再配線１０の面積を効果的に拡大できる。これにより、比較的に大きな電流を流す場合に、再配線１０における抵抗値の増加を抑制できる。その結果、第２樹脂層２０の剥離を抑制しつつ、低抵抗化を図ることができる。
【００６１】
さらに、本発明の半導体装置１によれば、再配線パッド開口２１の周囲に沿う領域に複数のスリット１２が形成されているので、再配線１０に生じる応力を各スリット１２で緩和できる。これにより、第２樹脂層２０に形成された再配線パッド開口２１の開口端２１ａにおけるクラックの発生を効果的に抑制できる。その結果、外部端子５の接続不良等を効果的に抑制できる。
【００６２】
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。
たとえば、前述の実施形態では、ＬＳＩ等の一部を構成する不純物領域１３に電極膜１４が直接接続されている例について説明したが、図８に示す構成を採用してもよい。
図８は、図１に示す半導体装置１の第１変形例を示す模式的な断面図であって、図４に対応する断面図である。図８に示す半導体装置５１が、前述の半導体装置１と異なる点は、不純物領域１３と電極膜１４との間に多層配線構造５２が形成されている点、および電極膜１４が当該多層配線構造５２の最上層配線５３として形成されている点である。その他の構成は、前述の半導体装置１と同等である。図８において、図１〜図７に対応する構成については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
【００６３】
図８に示すように、多層配線構造５２は、複数の絶縁層５４（第１〜第４絶縁層５４Ａ〜５４Ｄ）と、複数の絶縁層５４に選択的に形成された配線膜５６およびコンタクト５７を含む。
各絶縁層５４Ａ〜５４Ｄは、たとえばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）、窒化膜（ＳｉＮ膜）等を含んでいてもよい。また、各絶縁層５４Ａ〜５４Ｄは、複数の絶縁層が積層された積層構造を有していてもよい。
【００６４】
図８では、第１および第３絶縁層５４Ａ，５４Ｃに配線膜５６が形成され、第２および第３絶縁層５４Ｂ，５４Ｄにコンタクト５７が形成されている例を示している。第１および第３絶縁層５４Ａ，５４Ｃに形成された配線膜５６と、最上層配線５３（電極膜１４）とは、第２および第３絶縁層５４Ｂ，５４Ｄに形成されたコンタクト５７を介して互いに電気的に接続されている。これにより、外部端子５に入力された電力は、再配線１０、最上層配線５３（電極膜１４）および多層配線構造５２を介して集積回路に入力される。このような構成によっても、前述の半導体装置と同様の効果を奏することができる。
【００６５】
半導体装置５１では、４層からなる多層配線構造５２が形成された例について説明したが、２層以上の層からなる多層配線構造５２が形成されてもよい。
また、前述の実施形態では、１層からなる再配線１０が形成された例について説明したが、２層以上からなる再配線が形成されてもよい。この場合、図９に示す例を採用してもよい。
【００６６】
図９は、図１に示す半導体装置１の第２変形例を示す模式的な断面図であって、図４に対応する断面図である。図９に示す半導体装置６１が、前述の半導体装置１と異なる点は、再配線１０（以下、「第１再配線１０」という。）を覆う第２樹脂層２０上に、さらに第２の再配線６２（以下、「第２再配線６２」という。）が形成されている点、および外部端子５が、第２再配線６２に電気的に接続されている点である。その他の構成は、前述の半導体装置１と同等である。図９において、図１〜図８に対応する構成については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
【００６７】
図９に示すように、再配線パッド２２上には、第２樹脂層２０上に引き回された第２再配線６２が形成されている。第２再配線６２は、第２樹脂層２０の表面から再配線パッド開口２１内に入り込むように形成されている。第２再配線６２は、再配線パッド開口２１内において第１再配線１０に電気的に接続されている。第２再配線６２は、たとえば、第１再配線１０と同一の平面形状（各再配線１０Ａ〜１０Ｅ。図１参照）を有していてもよいし、異なる平面形状を有していてもよい。第２再配線６２は、ＵＢＭ膜６３と、当該ＵＢＭ膜６３上に形成された配線膜６４とを含む再配線層である。
【００６８】
ＵＢＭ膜６３は、表面および裏面（半導体基板側の面）が、第２樹脂層２０の表面、再配線パッド開口２１の内面、および再配線パッド２２の表面に沿って形成されている。ＵＢＭ膜６３は、再配線パッド開口２１内において再配線パッド２２に電気的に接続されている。ＵＢＭ膜６３は、異なる導電材料からなる２層構造を有していてもよい。この場合、ＵＢＭ膜６３は、チタン膜と、当該チタン膜上に形成された銅膜とを含んでいてもよい。
【００６９】
配線膜６４は、ＵＢＭ膜６３が再配線パッド開口２１内に入り込んで形成された凹状の空間にさらに入り込むように、ＵＢＭ膜６３の表面に沿って形成されている。配線膜６４は、ＵＢＭ膜６３を介して再配線パッド２２に電気的に接続されている。再配線１０に対する配線膜６４の含有率は、再配線１０に対するＵＢＭ膜６３の含有率よりも大きいことが好ましい。配線膜６４は、ＵＢＭ膜６３よりも厚く形成されていることが好ましい。配線膜６４は、銅配線膜またはアルミニウム配線膜であってもよい（本変形例では、銅配線膜）。
【００７０】
第２再配線６２における外部端子５の周囲に沿う領域には、複数のスリット６５と、除去部６６とが形成されている。各スリット６５および除去部６６は、第２再配線６２が除去された領域である。各スリット６５および除去部６６から第２樹脂層２０の表面が露出している。各スリット６５および除去部６６の配置および形状は、前述の半導体装置１に係るスリット１２および除去部１１と同様である。第２再配線６２を覆うように、第３樹脂層６７が形成されている。
【００７１】
第３樹脂層６７は、第３樹脂層６７は、たとえば感光性樹脂であってもよい。より具体的には、第３樹脂層６７は、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等であってもよい。第３樹脂層６７は、第１樹脂層１６および第２樹脂層２０と同一の材料により形成されていることが好ましい。
第３樹脂層６７は、第２再配線６２に形成された複数のスリット６５および除去部６６内に入り込み、各スリット６５および除去部６６を埋め戻すように形成されている。第３樹脂層６７は、各スリット６５および除去部６６内において、第２樹脂層２０の表面と接している。各スリット６５および除去部６６内において、第３樹脂層６７は、第２樹脂層２０と密着していることが好ましい。
【００７２】
第３樹脂層６７は、第２再配線６２の一部を第２再配線パッド６９として露出させる第２再配線パッド開口６８を有している。第２再配線パッド開口６８は、平面視略矩形状であってもよいし、平面視略円形状であってもよい。第２再配線パッド６９上には、第３樹脂層６７の表面から突出するように電極ポスト２３が形成されている。電極ポスト２３に外部端子５が接続されている。
【００７３】
このような構成によっても、前述の半導体装置１と同様の効果を奏することができる。さらに、この構成によれば、第２再配線６２の各スリット６５に入り込んだ第３樹脂層６７によってアンカー効果を得ることができる。これにより、第３樹脂層６７が第２再配線６２から剥離することを抑制できる。また、第２再配線６２で生じた応力を、各スリット６５で緩和できるので、第２再配線パッド開口６８の開口端におけるクラックの発生を抑制できる。
【００７４】
また、前述の実施形態では、再配線１０における外部端子５の周囲に沿う領域に４つのスリット１２が形成された例について説明したが、再配線１０に、４つ以上のスリット１２が形成されていてもよい。
また、前述の実施形態において、図１０および図１１に示す例を採用してもよい。図１０および図１１は、スリット１２の第１変形例および第２変形例を示す模式的な断面図である。図１０および図１１では、外部端子５の平面形状を実線で示し、スリット１２が形成された部分をクロスハッチングを付して示している。
【００７５】
図１０に示すように、各スリット１２は、平面視略円形状に形成されていてもよい。また、各スリット１２は、再配線１０における外部端子５の周囲に沿って複数（４つ以上、本変形例では、８つ。）形成されていてもよい。各スリット６５は、１５μｍ以上の直径を有していることが好ましい。また、各スリット１２は、平面視略円形状に代えて、平面視略楕円形状、平面視略六角形状や平面視略八角形状等の平面視略多角形状に形成されていてもよい。
【００７６】
また、図１１に示すように、外部端子５の周囲を取り囲む平面視略円環状の領域に沿って複数のスリット１２が形成されていてもよい。閉環状のスリット１２を形成した場合、外部端子５と再配線１０との電気的接続が不可能になるため、各スリット１２は、互いに間隔を空けて形成されている。各スリット１２は、１５μｍ以上の幅を有していることが好ましい。また、複数のスリット１２は、平面視略円環状の領域に代えて、平面視略四角環状の領域に沿って形成されていてもよい。
【００７７】
また、前述の実施形態において、再配線７にもスリット１２が形成されていてもよい。また、前述の実施形態において、除去部１１は、電極パッド９と対向する領域に形成されていてもよい。同様に、複数のスリット１２は、電極パッド９と対向する領域に形成されていてもよい。
また、前述の実施形態では、外部端子５が接続対象物との接続端子を構成する例について説明したが、外部端子５を形成せず、電極ポスト２３が、直接または外部端子５以外の接合部材（たとえば、半田ペーストやボンディングワイヤー等の接合部材）を介して接続対象物に接続される構成としてもよい。この場合、電極ポスト２３を外部端子とみなしてもよい。
【００７８】
また、前述の実施形態では、レジストマスク３０（スリット用マスク３２）を介するめっき成膜により再配線１０を形成する工程の例について説明したが、これに代えて、次の製法を採用してもよい。
すなわち、ＵＢＭ膜１８上に配線膜１９を形成した後、再配線１０の最終形状（つまり再配線１０Ａ〜１０Ｅの形状）に対応したレジストマスクを当該配線膜１９上に形成する。レジストマスクは、除去部１１を形成すべき領域、およびスリット１２を形成すべき領域に選択的に開口を有している。レジストマスクを介するエッチングにより、配線膜１９およびＵＢＭ膜１８の不要な部分が除去される。これにより、再配線１０が形成される。このような方法によっても、除去部１１およびスリット１２を有する再配線１０が形成される。
【００７９】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００８０】
１    半導体装置
２    半導体基板
５    外部端子
１０  再配線
１２  スリット
１６  第１樹脂層
２０  第２樹脂層
３０  レジストマスク
３２  スリット用マスク
４１  半導体装置
５１  半導体装置
６１  半導体装置
６２  第２再配線
６５  スリット
６７  第３樹脂層
【図１】
0006635328.tif 000002
【図２】
0006635328.tif 000003
【図３】
0006635328.tif 000004
【図４】
0006635328.tif 000005
【図５】
0006635328.tif 000006
【図６Ａ】
0006635328.tif 000007
【図６Ｂ】
0006635328.tif 000008
【図６Ｃ】
0006635328.tif 000009
【図６Ｄ】
0006635328.tif 000010
【図６Ｅ】
0006635328.tif 000011
【図６Ｆ】
0006635328.tif 000012
【図６Ｇ】
0006635328.tif 000013
【図６Ｈ】
0006635328.tif 000014
【図６Ｉ】
0006635328.tif 000015
【図６Ｊ】
0006635328.tif 000016
【図６Ｋ】
0006635328.tif 000017
【図７】
0006635328.tif 000018
【図８】
0006635328.tif 000019
【図９】
0006635328.tif 000020
【図１０】
0006635328.tif 000021
【図１１】
0006635328.tif 000022