(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数の絶縁基材および前記複数の絶縁基材に形成された導体パターンをそれぞれ含む第１多層基板および第２多層基板と、熱硬化性樹脂に微細な導電性粒子を分散させた異方性導電膜と、を備え、
前記第１多層基板および前記第２多層基板は、前記絶縁基材の積層数の相違により形成され複数の前記導体パターンの一部を露出する段差部をそれぞれ有し、
前記第１多層基板の前記段差部に露出する前記複数の導体パターンは、前記複数の絶縁基材の積層方向のそれぞれ異なる位置に配置された複数の導体パターンであり、前記段差部の縁端部には達せず、かつ、前記積層方向において前記段差部の表面から部分的に突出し、
前記第２多層基板の前記段差部に露出する前記複数の導体パターンは、前記積層方向のそれぞれ異なる位置に配置された複数の導体パターンであり、前記段差部の縁端部には達せず、かつ、前記積層方向において前記段差部の表面から部分的に突出し、
前記異方性導電膜は、前記第１多層基板の前記段差部と前記第２多層基板の前記段差部との間に配置され、当該異方性導電膜の複数箇所で、前記段差部にそれぞれ露出する前記複数の導体パターンの一部同士を導通させ、
前記第１多層基板の前記段差部、および前記第２多層基板の前記段差部にそれぞれ露出する前記複数の導体パターン同士が、それぞれ対向している領域でのみ導通している、
多層基板接続体。
【請求項２】
前記異方性導電膜を間に挟んで固定された前記第１多層基板の前記段差部、および前記第２多層基板の前記段差部は、前記複数の絶縁基材の積層方向における間隔が一定となるような階段形状である、請求項１に記載の多層基板接続体。
【請求項３】
積層された複数の絶縁基材および前記複数の絶縁基材に形成された導体パターンをそれぞれ含む第１多層基板および第２多層基板と、異方性導電膜と、を備え、
前記第１多層基板および前記第２多層基板は、前記絶縁基材の積層数の相違により形成され複数の前記導体パターンの一部を露出する段差部をそれぞれ有し、
前記第１多層基板の前記段差部に露出する前記複数の導体パターンは、前記複数の絶縁基材の積層方向のそれぞれ異なる位置に配置された複数の導体パターンであり、前記段差部の縁端部には達せず、かつ、前記積層方向において前記段差部の表面から部分的に突出し、
前記第２多層基板の前記段差部に露出する前記複数の導体パターンは、前記積層方向のそれぞれ異なる位置に配置された複数の導体パターンであり、前記段差部の縁端部には達せず、かつ、前記積層方向において前記段差部の表面から部分的に突出し、
前記異方性導電膜は、前記第１多層基板の前記段差部と前記第２多層基板の前記段差部との間に配置され、当該異方性導電膜の複数箇所で、前記段差部にそれぞれ露出する前記複数の導体パターンの一部同士を導通させ、
前記第１多層基板の前記段差部、および前記第２多層基板の前記段差部にそれぞれ露出する前記複数の導体パターン同士が、それぞれ対向している領域でのみ導通し、
前記異方性導電膜を間に挟んで固定された前記第１多層基板の前記段差部、および前記第２多層基板の前記段差部は、前記複数の絶縁基材の積層方向における間隔が一定となるような階段形状である、
多層基板接続体。
【請求項４】
前記異方性導電膜が接する前記絶縁基材および前記導体パターンの合計厚さよりも、前記異方性導電膜の厚さが薄い、請求項１から３のいずれかに記載の多層基板接続体。
【請求項５】
前記異方性導電膜が接する前記絶縁基材および前記導体パターンの合計厚さよりも、前記段差部に露出する前記導体パターンの前記絶縁基材の面方向への突出長さが長い、請求項１から４のいずれかに記載の多層基板接続体。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の多層基板接続体を備え、
前記第１多層基板が有する前記導体パターンは第１伝送線路を構成する第１信号導体パターンおよび第１グランド導体パターンを含み、
前記第２多層基板が有する前記導体パターンは第２伝送線路を構成する第２信号導体パターンおよび第２グランド導体パターンを含み、
前記段差部で、前記第１信号導体パターンと前記第２信号導体パターンとが導通し、前記第１グランド導体パターンと前記第２グランド導体パターンとが導通する、
伝送線路デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の多層基板が接続された多層基板接続体、およびそれを備える伝送線路デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波信号を伝送する伝送線路の一つとして、積層数の相違により段差部を有する複数の多層基板をそれらの段差部で接合させたものが特許文献１に示されている。【０００３】
図８は、特許文献１に示される伝送線路ケーブルの要素である第１伝送線路１４１および第２伝送線路２４１の断面図である。【０００４】
第１伝送線路１４１は、複数の絶縁体層１１１，１１２，１１３，１１４，１１５，１１６が積層された第１積層絶縁体と、この第１積層絶縁体の内部に絶縁体層に沿って配置される第１導体パターン１２１，１３０，１２２とを備える。第２伝送線路２４１は、複数の絶縁体層２１１，２１２，２１３，２１４，２１５，２１６が積層された第２積層絶縁体と、この第２積層絶縁体の内部に絶縁体層に沿って配置される第２導体パターン２２１，２３０，２２２とを備える。【０００５】
第１伝送線路１４１は、第２伝送線路２４１に対する接続部である第１接続部１５０を備え、第２伝送線路２４１は、第１伝送線路１４１に対する接続部である第２接続部２５０を備える。【０００６】
第１接続部１５０において、第１グランド導体パターン１２１、第２グランド導体パターン１２２および第１信号導体パターン１３０の露出部には、それぞれ低融点金属粉末を含む導電性接合材やはんだペーストが塗布される。同様に、第２接続部２５０において、第３グランド導体パターン２２１、第４グランド導体パターン２２２および第２信号導体パターン２３０の露出部にはそれぞれ低融点金属粉末を含む導電性接合材のペーストが塗布される。【０００７】
第１伝送線路１４１と第２伝送線路２４１とは、加熱により、それらの導体パターンの端部が上記導電性接合材を介して導通接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】国際公開第２０１６／０７２３３８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところが、段差部に露出する導体パターンの端部同士をはんだ等の低融点金属で導通接続する場合、接続時にはんだ等が流れて不要な導通部が形成されることがあり、工程管理の難易度が高い。そのため、良品率の維持および低コスト化が困難である。【００１０】
本発明の目的は、容易に製造できるようにするとともに導通接続部の不要な導通部の形成を無くした多層基板接続体およびそれを備える伝送線路デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
（１）本発明の多層基板接続体は、
積層された複数の絶縁基材および前記複数の絶縁基材に形成された導体パターンをそれぞれ含む第１多層基板および第２多層基板、ならびに異方性導電膜を備え、
前記第１多層基板および前記第２多層基板は、前記絶縁基材の積層数の相違により形成され複数の前記導体パターンの一部を露出する段差部をそれぞれ有し、
絶縁異方性導電膜は、前記第１多層基板の前記段差部と前記第２多層基板の前記段差部との間に配置され、当該異方性導電膜の複数箇所で、前記段差部に露出する複数の前記導体パターンの一部同士を導通させる、ことを特徴とする。【００１２】
上記構成により、段差部に露出する導体パターンの一部同士は異方性導電膜のうち圧力の掛かった部分を介して導通されるので、従来のような導電性接合材の流動がなく、導通接続部の不要な導通部が形成されない。【００１３】
（２）前記異方性導電膜が接する前記絶縁基材および前記導体パターンの合計厚さよりも、前記異方性導電膜の厚さが薄いことが好ましい。これにより、異方性導電膜が変形しやすく、段差部の段差に追随して変形しやすい。そのため、気泡が介在すること等による接合不良が発生しにくい。【００１４】
（３）前記異方性導電膜が接する前記絶縁基材および前記導体パターンの合計厚さよりも、前記段差部に露出する前記導体パターンの前記絶縁基材の面方向への突出長さが長い、ことが好ましい。これにより、異方性導電膜が捩れにくく、均等に加圧されるようになり、接合不良が起こりにくい。【００１５】
（４）本発明の伝送線路デバイスは、
上記（１）から（３）のいずれかに記載の多層基板接続体を備え、
前記第１多層基板が有する前記導体パターンは第１伝送線路を構成する第１信号導体パターンおよび第１グランド導体パターンを含み、
前記第２多層基板が有する前記導体パターンは第２伝送線路を構成する第２信号導体パターンおよび第２グランド導体パターンを含み、
前記段差部で、前記第１信号導体パターンと前記第２信号導体パターンとが導通し、前記第１グランド導体パターンと前記第２グランド導体パターンとが導通する、ことを特徴とする。【００１６】
上記構成により、複数の多層基板が繋がって信号が伝送される伝送線路が構成されるので、複雑な平面形状の伝送線路デバイスが容易に得られる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、容易に製造できるとともに導通接続部の不要な導通部の形成を無くした多層基板接続体およびそれを備える伝送線路デバイスが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は第１の実施形態に係る多層基板接続体１０１の主要部の断面図である。
【図２】図２は多層基板接続体１０１の接続前の状態における主要部の断面図である。
【図３】図３（Ａ）は多層基板接続体１０１の一部である第１多層基板１０の主要部の断面図である。図３（Ｂ）は第１多層基板１０の分解断面図である。
【図４】図４は第２の実施形態に係る伝送線路デバイス２０１の主要部の断面図である。
【図５】図５は伝送線路デバイス２０１を構成する各絶縁基材に形成されている導体パターンの平面形状を示す図である。
【図６】図６は第３の実施形態に係る多層基板接続体１０２の主要部の断面図である。
【図７】図７（Ａ）は第４の実施形態に係る多層基板接続体１０３の主要部の断面図であり、図７（Ｂ）は第１多層基板１０と第２多層基板２０との接続前の状態での断面図である。
【図８】図８は、特許文献１に示される伝送線路ケーブルの要素である、第１伝送線路１４１および第２伝送線路２４１の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせは可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
【００２０】
《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係る多層基板接続体１０１の主要部の断面図である。図２は多層基板接続体１０１の接続前の状態における主要部の断面図である。図３（Ａ）は多層基板接続体１０１の一部である第１多層基板１０の主要部の断面図である。図３（Ｂ）は第１多層基板１０の分解断面図である。
【００２１】
多層基板接続体１０１は第１多層基板１０および第２多層基板２０を備える。図２に表れているように、第１多層基板１０は、絶縁基材の積層数の相違により、一部に階段状の段差部１５を有する。同様に、第２多層基板２０は、絶縁基材の積層数の相違により、一部に階段状の段差部２５を有する。
【００２２】
第１多層基板１０は、積層された複数の絶縁基材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃおよび複数の絶縁基材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃにそれぞれ形成された導体パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃを含む。同様に、第２多層基板２０は、積層された複数の絶縁基材２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃおよび複数の絶縁基材２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃにそれぞれ形成された導体パターン２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃを含む。また、本実施形態では、絶縁基材１１Ｃおよび導体パターン１２Ｃの表面にレジスト膜１３が形成されていて、絶縁基材２１Ａおよび導体パターン２２Ａの表面にレジスト膜２３が形成されている。
【００２３】
図３（Ａ）に表れているように、第１多層基板１０の段差部１５に、導体パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃの端部が露出している。また、図２に表れているように、第２多層基板２０の段差部２５に、導体パターン２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃの端部が露出している。
【００２４】
図１に表れているように、多層基板接続体１０１は、第１多層基板１０の段差部１５と第２多層基板２０の段差部２５との間に異方性導電膜１が配置されていて、この異方性導電膜１を介して段差部１５に露出する導体パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃの一部と段差部２５に露出する導体パターン２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃの一部とがそれぞれ導通している。
【００２５】
異方性導電膜１は、熱硬化性樹脂に微細な導電性粒子を分散させたものを、膜状に成型した導電性フィルム(Anisotropic Conductive Film : ACF)である。この異方性導電膜１は、熱圧着時に所定圧力以上の圧力が掛かった箇所の膜厚が薄くなることで、その箇所で厚み方向に導電性を示す。図１において、異方性導電膜１のうち、導体パターン１２Ａと導体パターン２２Ａとで挟まれて部分的に加圧される部分である導通部ＣＰａを介して、導体パターン１２Ａと導体パターン２２Ａとは導通する。同様に、異方性導電膜１のうち、導体パターン１２Ｂと導体パターン２２Ｂとで挟まれて部分的に加圧される部分である導通部ＣＰｂを介して、導体パターン１２Ｂと導体パターン２２Ｂとは導通する。さらに、異方性導電膜１のうち、導体パターン１２Ｃと導体パターン２２Ｃとで挟まれて部分的に加圧される部分である導通部ＣＰｃを介して、導体パターン１２Ｃと導体パターン２２Ｃとは導通する。このように、単一の異方性導電膜１でありながら、その複数箇所で、積層方向に対向する導体パターン同士を導通させる。
【００２６】
上記異方性導電膜１は、元からフィルム状のものを貼付または載置したものであってもよいし、ペースト状のものを塗布し、乾燥させることによって形成したものであってもよい。
【００２７】
第１多層基板１０は、図３（Ｂ）に示すように、導体パターン１２Ａが形成された絶縁基材１１Ａ、導体パターン１２Ｂが形成された絶縁基材１１Ｂ、および導体パターン１２Ｃが形成された絶縁基材１１Ｃを含む。絶縁基材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃは液晶ポリマー（ＬＣＰ）等の熱可塑性樹脂であり、導体パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃは銅箔の張り付けおよびフォトリソグラフィによるパターンニングで構成されたものである。これら絶縁基材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃが積層されて、例えば約３００℃で加熱プレスされることで形成される。その後、必要に応じてレジスト膜１３が印刷により、または貼付により、形成される。第２多層基板２０についても同様である。
【００２８】
異方性導電膜１は、接合前では熱硬化性接着剤の半硬化（半乾燥）状態のシートである。図２に示すように、異方性導電膜１は、接合前に第１多層基板１０の段差部１５または第２多層基板２０の段差部２５に貼付される。この図２に示す状態から、第１多層基板１０の段差部１５と第２多層基板２０の段差部２５とが重ね合わされて、多層基板１０，２０の積層方向に加圧・加熱される。これにより、第１多層基板１０の段差部１５と第２多層基板２０の段差部２５とが熱圧着される。この熱圧着時の温度は例えば１５０℃から２００℃の範囲内であり、多層基板１０，２０の加熱プレス時の温度（例えば３００℃）より低いので、上記熱圧着時に多層基板１０，２０が押しつぶされて大きく変形するようなことはない。
【００２９】
多層基板接続体１０１は、異方性導電膜１が接する絶縁基材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃの厚さの代表値と導体パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃの厚さの代表値との合計よりも、異方性導電膜１の厚さが薄いことが好ましい。例えば絶縁基材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃの厚さはそれぞれ２５μｍ、導体パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃの厚さはそれぞれ２５μｍであり、異方性導電膜１の熱圧着後の厚さは１０μｍである。図１に示すように、絶縁基材１１Ｂの厚さをｄ１１、導体パターン１２Ｂの厚さをｄ１２、異方性導電膜１の厚さをｄ１で示すと、ｄ１＜（ｄ１１＋ｄ１２）である。このことにより、異方性導電膜１は変形しやすく、段差部１５，２５の段差に追随して変形しやすい。そのため、気泡が介在すること等による接合不良が発生しにくい。
【００３０】
また、多層基板接続体１０１は、異方性導電膜１が接する絶縁基材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃの厚さの代表値と導体パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃの厚さの代表値との合計値よりも、段差部１５，２５に露出する導体パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃの絶縁基材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃの面方向へ突出する長さの代表値が長いことが好ましい。例えば、導体パターン１２Ｂの露出部の長さＬは５００μｍであり、Ｌ＞（ｄ１１＋ｄ１２）である。このことにより、異方性導電膜が捩れにくく、均等に加圧されるようになり、接合不良が起こりにくい。
【００３１】
なお、上記各絶縁基材の厚さ、各導体パターンの厚さ、各導体パターンの長さにはそれぞればらつきがあるので、上記「代表値」は、いずれも平均（相加平均、相乗平均、調和平均）値、最頻値、中央値などの統計的代表値である。
【００３２】
《第２の実施形態》
図４は第２の実施形態に係る伝送線路デバイス２０１の主要部の断面図である。図５は伝送線路デバイス２０１を構成する各絶縁基材に形成されている導体パターンの平面形状を示す図である。
【００３３】
伝送線路デバイス２０１は、第１多層基板１０および第２多層基板２０を備える。図４に表れているように、第１多層基板１０は、絶縁基材の積層数の相違により、一部に階段状の段差部１５を有する。同様に、第２多層基板２０は、絶縁基材の積層数の相違により、一部に階段状の段差部２５を有する。この伝送線路デバイス２０１の断面形状は、第１の実施形態で示した多層基板接続体１０１の断面形状と同じである。
【００３４】
図５に示すように、絶縁基材１１Ａに形成されている導体パターン１２Ａおよび絶縁基材１１Ｃに形成されている導体パターン１２Ｃは、第１グランド導体パターンであり、絶縁基材１１Ｂに形成されている導体パターン１２Ｂは第１信号導体パターンである。この第１グランド導体パターン１２Ａ，１２Ｃ、第１信号導体パターン１２Ｂおよび絶縁基材１１Ｂによってストリップライン構造の第１伝送線路ＳＬ１が構成される。同様に、絶縁基材２１Ａに形成されている導体パターン２２Ａおよび絶縁基材２１Ｃに形成されている導体パターン２２Ｃは、第２グランド導体パターンであり、絶縁基材２１Ｂに形成されている導体パターン２２Ｂは第２信号導体パターンである。この第２グランド導体パターン２２Ａ，２２Ｃ、第２信号導体パターン２２Ｂおよび絶縁基材２１Ｂによってストリップライン構造の第２伝送線路ＳＬ２が構成される。第１伝送線路、第２伝送線路の特性インピーダンスはいずれも同じ、例えば５０Ωである。
【００３５】
図４に表れているように、第１多層基板１０と第２多層基板２０とが接続されることによって、第１グランド導体パターン１２Ａ，１２Ｃと第２グランド導体パターン２２Ａ，２２Ｃとがそれぞれ接続され、第１信号導体パターン１２Ｂと第２信号導体パターン２２Ｂとが接続される。したがって、第１伝送線路と第２伝送線路とがインピーダンス整合する状態で接続される。
【００３６】
《第３の実施形態》
図６は第３の実施形態に係る多層基板接続体１０２の主要部の断面図である。
【００３７】
多層基板接続体１０２は、第１多層基板１０および第２多層基板２０を備える。図６に表れているように、第１多層基板１０は、絶縁基材の積層数の相違により、一部に階段状の段差部を有する。同様に、第２多層基板２０は、絶縁基材の積層数の相違により、一部に階段状の段差部を有する。
【００３８】
多層基板接続体１０２の異方性導電膜１は、第１多層基板１０の段差部と第２多層基板２０の段差部との間に充填されている。その他の構成は図１に示した多層基板接続体１０１と同じである。
【００３９】
図２に示したように、第１多層基板１０の段差部と第２多層基板２０の段差部との間に異方性導電膜１を配置（貼付）し、段差部を重ねて圧着することにより、異方性導電膜１は薄くなって、第１多層基板１０の段差部と第２多層基板２０の段差部との間に生じる空間に異方性導電膜１が充填される。すなわち、熱圧着前には、異方性導電膜１の厚み寸法より厚い部分も、熱圧着後には、異方性導電膜１で充填される。したがって、第１多層基板１０の段差部と第２多層基板２０の段差部とが、その対向面の全面で異方性導電膜１を介して接合される。そのため、第１多層基板１０と第２多層基板２０との接合強度が高い。また、第１多層基板１０の段差部と第２多層基板２０の段差部との間に気泡が介在することによる接合不良が発生し難い。
【００４０】
なお、異方性導電膜１はレジスト膜１３にまで達していることが好ましい。このことにより、第１多層基板１０、第２多層基板２０の端部が補強され、端部からの剥離が防止される。
【００４１】
《第４の実施形態》
図７（Ａ）は第４の実施形態に係る多層基板接続体１０３の主要部の断面図であり、図７（Ｂ）は第１多層基板１０と第２多層基板２０との接続前の状態での断面図である。
【００４２】
多層基板接続体１０３は、第１多層基板１０および第２多層基板２０を備える。第１多層基板１０は、絶縁基材の積層数の相違により、階段状の段差部１５Ａ，１５Ｂを有する。同様に、第２多層基板２０は、絶縁基材の積層数の相違により、階段状の段差部２５Ａ，２５Ｂを有する。
【００４３】
第１多層基板１０は、積層された複数の絶縁基材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃおよび複数の絶縁基材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃにそれぞれ形成された導体パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃを含む。同様に、第２多層基板２０は、積層された複数の絶縁基材２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃおよび複数の絶縁基材２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃにそれぞれ形成された導体パターン２２Ａ１，２２Ａ２，２２Ｂ１，２２Ｂ２，２２Ｃを含む。絶縁基材２１Ａおよび導体パターン２２Ａ１，２２Ａ２の表面にはレジスト膜２３が形成されている。
【００４４】
多層基板接続体１０３は、第１多層基板１０の段差部１５Ａ，１５Ｂと第２多層基板２０の段差部２５Ａ，２５Ｂとの間に異方性導電膜１が配置されていて、この異方性導電膜１を介して、段差部１５Ａに露出する導体パターン１２Ａの一端と段差部２５Ａに露出する導体パターン２２Ａ１とが導通部ＣＰａ１を介して導通し、段差部１５Ｂに露出する導体パターン１２Ａの他端と段差部２５Ｂに露出する導体パターン２２Ａ２とが導通部ＣＰａ２を介して導通する。同様に、異方性導電膜１を介して、段差部１５Ａに露出する導体パターン１２Ｂの一端と段差部２５Ａに露出する導体パターン２２Ｂ１とが導通部ＣＰｂ１を介して導通し、段差部１５Ｂに露出する導体パターン１２Ｂの他端と段差部２５Ｂに露出する導体パターン２２Ｂ２とが導通部ＣＰｂ２を介して導通する。また、異方性導電膜１を介して、導体パターン１２Ｃと導体パターン２２Ｃとが導通部ＣＰｃを介して導通する。
【００４５】
本実施形態で示す導体パターン１２Ａ，１２Ｂのように、導体パターンの複数箇所が相手側の導体パターンに接続される場合にも本発明は適用できる。また、導体パターン１２Ｃのように、導体パターンの全体が相手側の導体パターン（導体パターン２２Ｃ）に接続される場合にも、本発明は適用できる。
【００４６】
本実施形態によれば、第１多層基板１０の段差部１５Ａ，１５Ｂが第２多層基板２０の段差部２５Ａ，２５Ｂに嵌まる構造であるので、第１多層基板１０と第２多層基板２０とのＸ軸方向の位置決めが容易である。また、第１多層基板１０と第２多層基板２０とのＸ軸方向の相対的な位置ずれを防止できる。
【００４７】
なお、本実施形態では、図７（Ａ）（Ｂ）に示したＸ−Ｚ断面で、第１多層基板１０の段差部が山型であり、第２多層基板２０の段差部が谷型である例を示したが、別の断面、例えばＹ−Ｚ断面においても山型と谷型となっている構造（例えば第１多層基板１０の段差部がピラミッド型である構造）にも、本発明は適用できる。
【００４８】
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。
【符号の説明】
【００４９】
ＣＰａ，ＣＰｂ，ＣＰｃ…導通部
ＳＬ１…第１伝送線路
ＳＬ２…第２伝送線路
１…異方性導電膜
１０…第１多層基板
１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ…絶縁基材
１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ…導体パターン
１２Ａ，１２Ｃ…第１グランド導体パターン
１２Ｂ…第１信号導体パターン
１３…レジスト膜
１５，１５Ａ，１５Ｂ…段差部
２０…第２多層基板
２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ…絶縁基材
２２Ａ，２２Ａ１，２２Ａ２，２２Ｂ，２２Ｂ１，２２Ｂ２，２２Ｃ…導体パターン
２２Ａ，２２Ｃ…第２グランド導体パターン
２２Ｂ…第２信号導体パターン
２３…レジスト膜
２５，２５Ａ，２５Ｂ…段差部
１０１，１０２，１０３…多層基板接続体
１４１…第１伝送線路
１５０…第１接続部
２０１…伝送線路デバイス
２４１…第２伝送線路
２５０…第２接続部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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