(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソード電極とアノード電極との間における電流に基づいて発光する発光層を含む有機発光素子および前記電流を制御する制御素子を有する複数の画素回路を備える矩形の表示部と、
映像信号に基づく電位を前記画素回路に印加する映像信号線と、
前記有機発光素子の閾値電圧以下の電圧を前記画素回路に印加する付与電源線と、
前記映像信号線と、前記付与電源線とを切り替えて前記画素回路に接続する切替器と、
前記切替器が前記映像信号線と前記画素回路とを接続する第１の期間に、映像信号に基づく電位を前記画素回路に印加し、前記第１の期間に連続する第２の期間に前記電位に基づいて前記制御素子を介して前記有機発光素子の発光輝度を制御する制御部と、
複数の前記有機発光素子の各々に共通して設けられた共通層とを備え、
前記カソード電極と前記発光層と前記共通層と前記アノード電極とが積層され、
前記共通層は、前記アノード電極を介して供給される正孔を前記発光層に注入し、
前記カソード電極は、複数の前記有機発光素子の各々に共通して設けられた電極であり、
前記アノード電極は、前記制御素子に接続された電極であり、
前記有機発光素子は、所定の間隔を置いて行列状に配置されており、
前記付与電源線と前記画素回路とが接続された場合に、前記画素回路は前記付与電源線から印加された電圧を前記アノード電極に付与し、
前記有機発光素子は、前記制御部の制御により非発光状態である場合には前記表示部が一画面を表示する期間、前記付与電源線から印加された前記カソード電極と前記アノード電極との間の電位差を所定の値以上に保持する自己容量を有し、
前記有機発光素子の自己容量は、前記表示部が一画面を表示する期間を該有機発光素子と該有機発光素子に隣接する一個の有機発光素子との間に挟まれた部分の前記共通層の抵抗値で除した値よりも大きく、
前記切替器は、前記表示部の一辺に沿った一本の走査線を構成する有機発光素子群に接続された画素回路と前記映像信号線とを接続することにより、映像信号に基づく電位が前記画素回路に印加された後、次の走査線を構成する有機発光素子群に接続された画素回路と前記映像信号線とを接続する前に、前記画素回路と前記付与電源線とを接続する
表示装置。
【請求項２】
前記付与電源線は、前記カソード電極の電位よりも低い電圧を前記画素回路に印加する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記切替器は、前記第１の期間の前の期間に、前記付与電源線と前記画素回路とを接続する
請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記有機発光素子の自己容量は、前記表示部が一画面を表示する期間を該有機発光素子と該有機発光素子に隣接する複数の有機発光素子のそれぞれとの間に挟まれた部分の前記共通層の抵抗値を合成した合成抵抗値で除した値よりも大きい
請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の表示装置。
【請求項５】
前記有機発光素子の形状は、少なくとも四辺を有し、
前記有機発光素子の配置、前記共通層の厚さおよび前記自己容量は式（１）を満たす
請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の表示装置。
【数１】
0006738037.tif 000008
ρは、共通層の比抵抗。
Ｔは、第１の有機発光素子と、該有機発光素子に隣接する第２の有機発光素子との間の共通層の厚さ。
Ｄは、前記第１の有機発光素子と、前記第２の有機発光素子との間の距離。
Ｗは、前記第１の有機発光素子の前記第２の有機発光素子に対向する一辺と、前記第２の有機発光素子の該一辺に対向する辺とが対向する部分の長さ。
Ｃoledは、前記第１の有機発光素子の自己容量。
Ｆrは、表示部が一画面を表示する期間。
【請求項６】
前記有機発光素子の形状は、少なくとも四辺を有し、
前記有機発光素子の配置、前記共通層の厚さおよび前記自己容量は式（２）を満たす
請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の表示装置。
【数２】
0006738037.tif 000009
ｎは１から４までの整数。
ρnは、第１の有機発光素子と、該有機発光素子の第ｎ辺側で該有機発光素子に隣接する第ｎの有機発光素子との間の共通層の比抵抗。
Ｔnは、前記第１の有機発光素子と、前記第ｎの有機発光素子との間の共通層の厚さ。
Ｄnは、前記第１の有機発光素子の第ｎ辺と、前記第ｎの有機発光素子との間の距離。
Ｗnは、前記第１の有機発光素子の第ｎ辺と、前記第ｎの有機発光素子の該第ｎ辺に対向する辺とが対向する部分の長さ。
Ｃoledは、前記第１の有機発光素子の自己容量。
Ｆrは、表示部が一画面を表示する期間。
【請求項７】
前記有機発光素子の形状は、少なくとも四辺を有し、
前記有機発光素子の配置、前記共通層の厚さおよび前記自己容量は式（３）を満たす
請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の表示装置。
【数３】
0006738037.tif 000010
ρnは、第１の有機発光素子と、該有機発光素子の第ｎ辺側で該有機発光素子に隣接する第ｎの有機発光素子との間の共通層の比抵抗。
Ｔnは、前記第１の有機発光素子と、前記第ｎの有機発光素子との間の共通層の厚さ。
Ｄnは、前記第１の有機発光素子の第ｎ辺と、前記第ｎの有機発光素子との間の距離。
Ｗnは、前記第１の有機発光素子の第ｎ辺と、前記第ｎの有機発光素子の該第ｎ辺に対向する辺とが対向する部分の長さ。
Ｃoledは、有機発光素子の自己容量。
Ｆrは、表示部が一画面を表示する期間。
【請求項８】
前記表示部は、格子状に配列された前記有機発光素子を有し、
前記有機発光素子の形状は長方形であり、
前記有機発光素子の配置、前記共通層の厚さおよび前記自己容量は式（４）を満たす
請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の表示装置。
【数４】
0006738037.tif 000011
ρnは、第１の有機発光素子と、該有機発光素子の第ｎの長辺側で該有機発光素子に隣接する第ｎの有機発光素子との間の共通層の比抵抗。
Ｔnは、前記第１の有機発光素子と、前記第ｎの有機発光素子との間の共通層の厚さ。
Ｄnは、前記第１の有機発光素子の第ｎの長辺と、前記第ｎの有機発光素子との間の距離。
Ｗnは、前記第１の有機発光素子の第ｎの長辺と、前記第ｎの有機発光素子の該長辺に対向する辺とが対向する部分の長さ。
Ｃoledは、前記第１の有機発光素子の自己容量。
Ｆrは、表示部が一画面を表示する期間。
【請求項９】
前記制御部は、前記表示部の一辺に沿った走査線ごとに前記有機発光素子の輝度を制御し、
前記走査線を切り替える第１切替部と、
前記第１切替部と同期して、前記制御部が前記有機発光素子に信号を入力していない期間に前記有機発光素子と前記付与電源線との間を接続させる第２切替部と
を備える請求項１から請求項８のいずれか一つに記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１切替部は、前記有機発光素子と前記付与電源線との間が接続されている間および該接続が遮断された後の所定の時間は、前記有機発光素子と前記制御部との間の接続を遮断し、
前記第２切替部は、前記有機発光素子と前記制御部との間が接続されている間および該接続が遮断された後の所定の期間は、前記有機発光素子と前記付与電源線との間の接続を遮断する
請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記表示部は、格子状に配列された複数の画素を有し、
前記画素は、３色の前記有機発光素子を含み、
前記制御部は、前記格子に沿った走査線ごとに前記有機発光素子の輝度を制御する信号を出力し、
前記信号を前記画素に含まれる各有機発光素子に分配して入力する分配器と、
前記走査線を切り替える第１切替部と、
前記第１切替部と同期して、前記分配器が前記有機発光素子に前記信号を入力していない期間に前記有機発光素子と前記付与電源線との間を接続する第２切替部と
を備える請求項１から請求項８のいずれか一つに記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１切替部は、前記有機発光素子と前記付与電源線との間が接続されている間および該接続が遮断された後の所定の期間は、前記有機発光素子と前記分配器との間の接続を遮断し、
前記第２切替部は、前記有機発光素子と前記分配器との間が接続されている間および該接続が遮断された後の所定の期間は、前記有機発光素子と前記付与電源線との間の接続を遮断する
請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記付与電源線と前記切替器とは、前記有機発光素子の輝度を制御する信号を外部から補償する外部補償回路の機能を備える
請求項１から請求項１２のいずれか一つに記載の表示装置。
【請求項１４】
カソード電極とアノード電極との間における電流に基づいて発光する発光層を含む有機発光素子と、
前記電流を制御する制御素子を有する複数の画素回路を備える矩形の発光部と、
発光信号に基づく電位を前記画素回路に印加する発光信号線と、
前記有機発光素子の閾値電圧以下の電圧を前記画素回路に印加する付与電源線と、
前記発光信号線と、前記付与電源線とを切り替えて前記画素回路に接続する切替器と、
前記切替器が前記発光信号線と前記画素回路とを接続する第１の期間に、発光信号に基づく電位を前記画素回路に印加し、前記第１の期間に連続する第２の期間に前記電位に基づいて前記制御素子を介して前記有機発光素子の発光輝度を制御する制御部と、
複数の前記有機発光素子の各々に共通して設けられた共通層とを備え、
前記カソード電極と前記発光層と前記共通層と前記アノード電極とが積層され、
前記共通層は、前記アノード電極を介して供給される正孔を前記発光層に注入し、
前記カソード電極は、複数の前記有機発光素子の各々に共通して設けられた電極であり、
前記アノード電極は、前記制御素子に接続された電極であり、
前記有機発光素子は、所定の間隔を置いて行列状に配置されており、
前記付与電源線と前記画素回路とが接続された場合に、前記画素回路は前記付与電源線から印加された電圧を前記アノード電極に付与し、
前記有機発光素子は、前記制御部の制御により非発光状態である場合には所定の期間、前記付与電源線から印加された前記カソード電極と前記アノード電極との間の電位差を所定の値以上に保持する自己容量を有し、
前記有機発光素子の自己容量は、前記発光部が一画面を表示する期間を該有機発光素子と該有機発光素子に隣接する一個の有機発光素子との間に挟まれた部分の前記共通層の抵抗値で除した値よりも大きく、
前記切替器は、前記発光部の一辺に沿った一本の走査線を構成する有機発光素子群に接続された画素回路と前記発光信号線とを接続することにより、発光信号に基づく電位が前記画素回路に印加された後、次の走査線を構成する有機発光素子群に接続された画素回路と前記発光信号線とを接続する前に、前記画素回路と前記付与電源線とを接続する
有機発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及び有機発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
赤色、緑色および青色の３色の有機発光素子を使用してカラーの映像を表示する有機電界発光表示装置が使用されている。なお、以下の説明では、有機電界発光を有機ＥＬ（Electro Luminescence）と記載する。
【０００３】
本来は非発光状態であるべき有機発光素子が光るクロストーク現象が生じる場合がある。以下の説明では、このクロストーク現象をクロストークと記載する。クロストークが生じた場合には、有機ＥＬ表示装置に表示される映像がぼやけて解像度が低下したり、表示すべき色とは異なる色に見えたり、コントラスト比が低下したりという問題を生じる。クロストークは黒表示データの非発光状態のみでなく、黒に近い表示データによる低輝度発光状態の有機発光素子でも起こり得る。
【０００４】
低い電位に設定したクロストーク防止用の電極を各有機発光素子の周囲に設けることにより、クロストークを防止する有機ＥＬ表示装置が開示されている（特許文献１、特許文献２、特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１５５９５３号公報
【特許文献２】特開２０１３−１１８１８２号公報
【特許文献３】特開２０１４−１９７４６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１から特許文献３に開示された有機ＥＬ表示装置は、それぞれの有機発光素子の周囲にクロストーク防止用の電極を有する。この電極により、各有機発光素子の構造が複雑になる。
【０００７】
一つの側面では、単純な構造でクロストークの発生を防止した表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
表示装置の一つの側面は、カソード電極とアノード電極との間における電流に基づいて発光する発光層を含む有機発光素子および前記電流を制御する制御素子を有する複数の画素回路を備える矩形の表示部と、映像信号に基づく電位を前記画素回路に印加する映像信号線と、前記有機発光素子の閾値電圧以下の電圧を前記画素回路に印加する付与電源線と、前記映像信号線と、前記付与電源線とを切り替えて前記画素回路に接続する切替器と、前記切替器が前記映像信号線と前記画素回路とを接続する第１の期間に、映像信号に基づく電位を前記画素回路に印加し、前記第１の期間に連続する第２の期間に前記電位に基づいて前記制御素子を介して前記有機発光素子の発光輝度を制御する制御部と、複数の前記有機発光素子の各々に共通して設けられた共通層とを備え、前記カソード電極と前記発光層と前記共通層と前記アノード電極とが積層され、前記共通層は、前記アノード電極を介して供給される正孔を前記発光層に注入し、前記カソード電極は、複数の前記有機発光素子の各々に共通して設けられた電極であり、前記アノード電極は、前記制御素子に接続された電極であり、前記有機発光素子は、所定の間隔を置いて行列状に配置されており、前記付与電源線と前記画素回路とが接続された場合に、前記画素回路は前記付与電源線から印加された電圧を前記アノード電極に付与し、前記有機発光素子は、前記制御部の制御により非発光状態である場合には前記表示部が一画面を表示する期間、前記付与電源線から印加された前記カソード電極と前記アノード電極との間の電位差を所定の値以上に保持する自己容量を有し、前記有機発光素子の自己容量は、前記表示部が一画面を表示する期間を該有機発光素子と該有機発光素子に隣接する一個の有機発光素子との間に挟まれた部分の前記共通層の抵抗値で除した値よりも大きく、前記切替器は、前記表示部の一辺に沿った一本の走査線を構成する有機発光素子群に接続された画素回路と前記映像信号線とを接続することにより、映像信号に基づく電位が前記画素回路に印加された後、次の走査線を構成する有機発光素子群に接続された画素回路と前記映像信号線とを接続する前に、前記画素回路と前記付与電源線とを接続する。
【発明の効果】
【０００９】
一つの側面では、単純な構造でクロストークの発生を防止した表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】表示装置の外観図である。
【図２】表示装置のハードウェア構成図である。
【図３】ドライバＩＣの構成図である。
【図４】有機発光素子の配置を示す説明図である。
【図５】表示装置の模式断面図である。
【図６】有機ＥＬ表示パネルの製造工程を示すフローチャートである。
【図７】有機ＥＬ表示パネルの製造工程を示す説明図である。
【図８】有機ＥＬ表示パネルの製造工程を示す説明図である。
【図９】有機ＥＬ表示パネルの製造工程を示す説明図である。
【図１０】有機ＥＬ表示パネルの製造工程を示す説明図である。
【図１１】有機ＥＬ表示パネルの製造工程を示す説明図である。
【図１２】有機ＥＬ表示パネルの製造工程を示す説明図である。
【図１３】有機ＥＬ表示パネルの製造工程を示す説明図である。
【図１４】有機ＥＬ表示パネルの製造工程を示す説明図である。
【図１５】有機ＥＬ表示パネルの製造工程を示す説明図である。
【図１６】有機ＥＬ表示パネルの製造工程を示す説明図である。
【図１７】有機ＥＬ表示パネルの製造工程を示す説明図である。
【図１８】１個の有機発光素子を発光させる回路を示す回路図である。
【図１９】駆動ＴＦＴの出力特性を示す説明図である。
【図２０】画素回路および付与部の動作を示すタイムチャートである。
【図２１】付与部の作用を説明する模式断面図である。
【図２２】実施の形態２の有機発光素子の配置を示す説明図である。
【図２３】実施の形態３の有機発光素子の配置を示す説明図である。
【図２４】実施の形態４の有機発光素子の配置を示す説明図である。
【図２５】実施の形態５の有機発光素子の配置を示す説明図である。
【図２６】実施の形態６の一個の有機発光素子を発光させる回路を示す回路図である。
【図２７】実施の形態７の一個の有機発光素子を発光させる回路を示す回路図である。
【図２８】実施の形態８の一個の有機発光素子を発光させる回路を示す回路図である。
【図２９】実施の形態８の画素回路および付与部の動作を示すタイムチャートである。
【図３０】実施の形態９の表示装置の構成図である。
【図３１】実施の形態９のドライバＩＣの構成図である。
【図３２】実施の形態１０の表示装置１０の模式断面図である。
【図３３】実施の形態１１の電子機器の外観図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［実施の形態１］
以下、表示装置の実施の形態を、図を適宜参照しながら説明する。なお、明細書、特許請求の範囲における“第１”、“第２”等の序数は、要素間の関係を明確にするため、および要素間の混同を防ぐために付している。したがって、これらの序数は、要素を数的に限定しているものではない。
【００１２】
図１は、表示装置１０の外観図である。図１は、表示装置１０を前側、すなわち映像を表示する面の側から見た図である。表示装置１０は、静止画および動画を表示する装置である。表示装置１０は、電子機器に組み込まれる。電子機器は、たとえばスマートフォン、携帯電話器、タブレット端末、パソコン、テレビ等である。以下の説明では、各図中に矢印で示す前、後、左、右、上および下のそれぞれの向きを使用する。本実施の形態の表示装置１０は、有機ＥＬ表示パネルである。本実施の形態の表示装置１０は、上下方向に長い矩形であり、左右方向の走査線を上下方向に走査することにより映像を表示する。
【００１３】
表示装置１０は、矩形のＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板１１およびＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）１２を備える。ＴＦＴ基板１１は、ガラス製の基板である。この基板の片面に、半導体の製造工程により各種回路および接続端子が形成されている。
【００１４】
ここで、半導体の製造工程の特徴について説明する。ＩＣ（Integrated Circuit）等の半導体集積回路は、ガラス基板、シリコン基板等の平板の表面に、製膜、現像、微量元素注入等の処理を繰り返すことにより製造される。各処理に適した製造装置が市販されており、ナノミクロンレベルの位置精度および寸法精度でそれぞれの工程を実行することができる。製造装置は、膜質改善やデバイス性能を制御するための熱アニール工程、弗酸等の反応性の高い液体への浸漬や腐食性ガスによる加工工程を繰り返す。このような特徴を備える半導体の製造工程を、以下の説明では半導体プロセスと呼ぶ。
【００１５】
ＦＰＣ１２は、ＴＦＴ基板１１に形成された接続端子に接続された軟性の基板である。ＦＰＣ１２には、電子機器の制御装置に接続される図示しないコネクタが搭載されている。表示装置１０は、ＦＰＣ１２に搭載されたコネクタを介して電子機器の制御装置から映像信号を取得する。
【００１６】
ＴＦＴ基板１１の中央部には、矩形の表示部３０が設けられている。表示部３０には多数の有機発光素子３１（図４参照）が規則的に配列されている。表示部３０の構造の詳細については後述する。表示部３０の上面を覆うように共通のカソード電極１９が設けられている。カソード電極１９は、たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）製、透明導電性インク製またはグラフェン製等の透明電極である。
【００１７】
ＴＦＴ基板１１の四辺に沿って、半導体プロセスにより、エミッション制御ドライバ１４、付与部１５、走査ドライバ１６および保護回路１７が形成されている。以下にこれらの半導体回路の概略を説明する。
【００１８】
エミッション制御ドライバ１４は、ＴＦＴ基板１１の右辺に沿って形成されている。エミッション制御ドライバ１４は、ＦＰＣ１２を介して取得した映像信号に基づいて、表示部３０内の各有機発光素子３１の発光時間を制御する回路である。
【００１９】
付与部１５は、ＴＦＴ基板１１の下辺に沿って形成されている。付与部１５の詳細については後述する。
【００２０】
走査ドライバ１６は、ＴＦＴ基板１１の左辺に沿って形成されている。走査ドライバ１６は、ＦＰＣ１２を介して取得した映像信号に基づいて、表示部３０の走査線を選択して駆動する回路である。保護回路１７は、静電気放電等による表示パネルの破損を防ぐ回路である。
【００２１】
表示部３０、エミッション制御ドライバ１４、走査ドライバ１６および保護回路１７の前側は、封止板２１で覆われている。封止板２１は、矩形の透明なガラス板である。封止板２１の四辺に沿って密閉部２５が設けられている。密閉部２５は、ＴＦＴ基板１１と封止板２１との間を気密に接続する部分である。密閉部２５は、たとえば低融点ガラス粉体を融解したガラスフリット接合等により形成されている。
【００２２】
付与部１５の下側には、ドライバＩＣ１８が実装されている。ドライバＩＣ１８は、ＦＰＣ１２を介して取得した映像信号を処理して、エミッション制御ドライバ１４、付与部１５および走査ドライバ１６を制御する集積回路である。ドライバＩＣ１８の各端子は、ＴＦＴ基板１１に設けられた接続端子に、たとえば図示しない異方性導電膜を介して接続されている。ドライバＩＣ１８は、有機発光素子３１の発光輝度を制御する本実施の形態の制御部の一例である。
【００２３】
図１の上下方向の太線矢印は、走査方向を示す。図１の左右方向の太線矢印は、走査線方向を示す。走査線方向は、走査信号線（図１８参照）の配置方向を示す。画素３３（図４参照）を走査する順は、図１の上側の画素３３から下に向けて順次走査しても良いし、その逆でも良い。
【００２４】
図２は、表示装置１０のハードウェア構成図である。表示装置１０は、前述のＦＰＣ１２およびＴＦＴ基板１１に加えて記憶部５６を有する。記憶部５６はＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、フラッシュメモリ等の記憶装置である。
【００２５】
ＦＰＣ１２とＴＦＴ基板１１との間にドライバＩＣ１８が接続されている。ドライバＩＣ１８には、記憶部５６が接続されている。なお、記憶部５６は、ドライバＩＣ１８の内部に設けられていても良い。
【００２６】
ドライバＩＣ１８は、ＦＰＣ１２を介して取得した映像信号を処理して、ＴＦＴ基板１１のエミッション制御ドライバ１４、付与部１５および走査ドライバ１６に出力する。エミッション制御ドライバ１４、付与部１５および走査ドライバ１６が、表示部３０を制御する。ドライバＩＣ１８から出力する信号と、エミッション制御ドライバ１４、付与部１５および走査ドライバ１６に入力する信号との対応については後述する。
【００２７】
図３は、ドライバＩＣ１８の構成図である。ドライバＩＣ１８は、調整部５１、受信部６０、高電圧ロジック部５５、アナログ制御部５８、アナログ出力部５９およびＤＣ／ＤＣコンバータ５０を有する。調整部５１は、高速で動作可能な低電圧ロジック回路である。調整部５１は、明るさ調整部５２、色調調整部５３およびガンマ調整部５４を有する。明るさ調整部５２、色調調整部５３およびガンマ調整部５４は、それぞれ明るさ調整回路、色調調整回路およびガンマ調整回路により実現される。
【００２８】
調整部５１はドライバＩＣ１８内に実装されたプロセッサであっても良い。このようにする場合には、調整部５１は、記憶部５６またはドライバＩＣ１８内に設けられた図示しない不揮発性記憶装置から制御プログラムを読み出して、ドライバＩＣ１８内に実装された図示しないＤＲＡＭ等に展開して実行する。以上により、明るさ調整部５２、色調調整部５３およびガンマ調整部５４が実現される。
【００２９】
ドライバＩＣ１８には、ＦＰＣ１２を介して制御信号、映像信号および入力電源が供給される。映像信号は、たとえばＭＩＰＩ（Mobile Industry Processor Interface）アライアンスで定められた規格に準拠した信号である。
【００３０】
受信部６０は、映像信号を受信して調整部５１に出力する。明るさ調整部５２、色調調整部５３およびガンマ調整部５４が制御信号に基づいて映像信号を順次処理して、表示装置１０の特性に合わせた信号になるように調整する。
【００３１】
調整部５１が処理した映像信号に基づいて、高電圧ロジック部５５が表示パネル制御信号を生成する。表示パネル制御信号は、高電圧デジタル信号である。高電圧ロジック部５５は、ＴＦＴ基板１１上の配線を介してエミッション制御ドライバ１４、付与部１５および走査ドライバ１６に表示パネル制御信号を出力する。エミッション制御ドライバ１４および走査ドライバ１６に送られた信号は、両ドライバの入力信号として作用する。付与部１５に送られた信号は、付与部１５のタイミング制御信号として作用する。
【００３２】
調整部５１のうち、走査ドライバ１６を制御する信号を生成する部分は、本実施の形態の第１切替部の一例である。調整部５１のうち、付与部１５を制御する信号を生成する部分は、本実施の形態の第２切替部の一例である。
【００３３】
調整部５１が処理した映像信号をアナログ制御部５８およびアナログ出力部５９が処理して、出力端子信号を出力する。出力端子信号は、アナログ信号である。アナログ出力部５９は、ＴＦＴ基板１１上の配線および付与部１５を介して表示部３０に出力端子信号を出力する。出力端子信号は、表示部３０のアナログ入力信号として作用する。
【００３４】
調整部５１により処理された映像信号および入力電源に基づいてＤＣ／ＤＣコンバータ５０が表示パネル駆動電源を生成してＴＦＴ基板１１上の各回路に供給する。各回路は、供給された表示パネル駆動電源により動作する。
【００３５】
エミッション制御ドライバ１４、付与部１５および走査ドライバ１６が、それぞれの有機発光素子３１の輝度を制御する。表示部３０は、この制御により、映像を表示する。
【００３６】
図４は、有機発光素子３１の配置を示す説明図である。図４は、表示部３０を前側から見た部分拡大図を示す。表示部３０には、３種類の有機発光素子３１が規則的に配列されている。以下の説明では、実線で示す角状の図形が有機発光素子３１の発光する部分を模式的に示している。
【００３７】
第１色有機発光素子３１１は、第１色で発光する有機発光素子３１である。第２色有機発光素子３１２は、第２色で発光する有機発光素子３１である。第３色有機発光素子３１３は、第３色で発光する有機発光素子３１である。本実施の形態の表示装置１０においては、たとえば、第１色は青色、第２色は緑色、第３色は赤色である。
【００３８】
第１色有機発光素子３１１は、上下方向に列状に配置されている。第１色有機発光素子３１１は、上下方向に二個が近接して一組になっている。各第１色有機発光素子３１１の形状は、上下方向に沿う左側の長辺に、へこみ有する略Ｕ字型の形状である。このへこみは、略正方形である。また、このへこみは、第１色有機発光素子３１１の内部に向けてへこんでいる。
【００３９】
第２色有機発光素子３１２および第３色有機発光素子３１３は、左右方向に沿って長辺を、上下方向に沿って短辺を有し、長辺と短辺の寸法が近い長方形である。第２色有機発光素子３１２と第３色有機発光素子３１３とは、同一寸法である。第２色有機発光素子３１２と第３色有機発光素子３１３とは、上下方向に交互に配置されている。
【００４０】
第１色有機発光素子３１１が配置された列と、第２色有機発光素子３１２および第３色有機発光素子３１３とが配置された列とは、左右方向に交互にならんでいる。第２色有機発光素子３１２と第３色有機発光素子３１３とが配置された列だけをみると、第２色有機発光素子３１２同士および第３色有機発光素子３１３同士がそれぞれの有機発光素子３１の長辺方向に沿ってならんでいる。
【００４１】
隣接する第１色有機発光素子３１１、第２色有機発光素子３１２および第３色有機発光素子３１３の三個の有機発光素子３１の組が、一個の画素３３である。画素３３の境界を格子状の二点鎖線で示す。画素３３は、行列状の配置を有する。したがって、各画素３３内に１個ずつ存在する第１色有機発光素子３１１、第２色有機発光素子３１２および第３色有機発光素子３１３も、それぞれ行列状の配置を有する。また、各有機発光素子３１の間には、所定の間隔が空いている。所定の間隔とは、たとえば有機発光素子３１の一つの辺の長さよりも短い間隔である。
【００４２】
第１色有機発光素子３１１、第２色有機発光素子３１２および第３色有機発光素子３１３のそれぞれの輝度の組み合わせにより、画素３３の色および輝度が定まる。たとえば、すべての有機発光素子３１の輝度が最大値である場合には、その画素３３の色は白色になる。また、すべての有機発光素子３１が非発光状態である場合には、その画素３３の色は黒色になる。
【００４３】
なお、図４中に二点鎖線で示す画素３３の境界線は、隣接する画素３３間の中央を通る線である。画素３３の境界線は、説明のための仮想的な線であり、表示部３０には画素３３間の境界を示す部材は存在しない。一個の画素３３に含まれる有機発光素子３１の組み合わせは、ドライバＩＣ１８の制御により定まる。
【００４４】
ここで、図４に示したように有機発光素子３１を配置する理由を説明する。まず、有機発光素子３１の構造の概略を説明する。図５は、表示装置１０の模式断面図である。
【００４５】
図５は、表示装置１０のうちの一個の有機発光素子３１を含む部分を、映像を表示する面に対して垂直な面で切断した断面図を模式的に示す。前述の通り、表示装置１０は、ＴＦＴ基板１１および封止板２１を有する。ＴＦＴ基板１１と封止板２１との間には乾燥空気２４が封止されている。封止板２１の前側には、１／４波長位相差板２２および偏光板２３が設けられている。
【００４６】
ＴＦＴ基板１１は、配線部４１および画素配列部４９を備える。配線部４１には、エミッション制御ドライバ１４、付与部１５、走査ドライバ１６、保護回路１７、および電気回路が半導体プロセスにより形成されている。電気回路は、ＴＦＴ回路出力接続部４２を含む。電気回路は、エミッション制御ドライバ１４、付与部１５、走査ドライバ１６、保護回路１７を接続し、電荷を所定の期間維持する。ＴＦＴ回路出力接続部４２は、電気回路と各有機発光素子３１とを接続している。
【００４７】
配線部４１は、ガラス基板等の透光性基板９１、下地絶縁膜９２、ポリシリコン層９３、ゲート絶縁膜９４、第１金属層９５、層間絶縁膜９６、第２金属層９７および平坦化層７５を含む。配線部４１の構造の詳細については後述する。
【００４８】
配線部４１と画素配列部４９とは、ＴＦＴ回路出力接続部４２により接続されている。ＴＦＴ回路出力接続部４２は、一個の有機発光素子３１について一個設けられている。
【００４９】
画素配列部４９は、アノード電極４３、共通層４７、発光層４４、カソード下層４８、カソード電極１９、キャップ層４５および分離部４６を備える。一個のアノード電極４３は一個のＴＦＴ回路出力接続部４２に接続されている。
【００５０】
アノード電極４３は、有機発光素子３１ごとに分離して設けられた電極層である。アノード電極４３の前側に、分離部４６が設けられている。分離部４６は、矩形の孔を有する絶縁性の層である。分離部４６は、ＴＦＴ回路出力接続部４２およびアノード電極４３の縁を覆い、アノード電極４３の中央部を覆わない。有機発光素子３１は、アノード電極４３の分離部４６に覆われていない部分およびその前側に積層された部分の共通層４７、発光層４４、カソード下層４８、カソード電極１９およびキャップ層４５である。
【００５１】
分離部４６に設けられた孔から露出するアノード電極４３および分離部４６は、共通層４７で覆われている。共通層４７は有機化合物の層であり、たとえば正孔注入層と正孔輸送層の二層構造である。共通層４７は、隣接する有機発光素子３１間で連続している。すなわち、共通層４７は隣接する有機発光素子３１の各々に共通して設けられた層である。
【００５２】
アノード電極４３の中央部および分離部４６に設けられた孔の縁の前側は、発光層４４で覆われている。発光層４４は、電圧が印加されると第１色、第２色または第３色のいずれかの色で発光する有機化合物の層、すなわち有機ＥＬ層である。
【００５３】
有機ＥＬ層および共通層４７の前側は、カソード下層４８で覆われている。カソード下層４８は、有機化合物の層であり、たとえば一層の電子輸送層である。
【００５４】
カソード下層４８の前側にカソード電極１９が設けられている。前述の通り、カソード電極１９は表示部３０に含まれる各有機発光素子３１を連続して覆う透明電極である。すなわち、カソード電極１９は隣接する有機発光素子３１の各々に共通して設けられた電極である。
【００５５】
カソード電極１９の前側に、キャップ層４５が設けられている。キャップ層４５は、カソード電極１９と同様に各有機発光素子３１を連続して覆う層である。キャップ層４５は、屈折率の高い透明な材料製の層である。
【００５６】
有機発光素子３１の動作について説明する。付与部１５および走査ドライバ１６の作用により、有機発光素子３１に接続されたＴＦＴ回路出力接続部４２を介して、アノード電極４３に電圧が印加される。アノード電極４３とカソード電極１９との間の電位差により、共通層４７からは正孔が、カソード下層４８からは電子がそれぞれ発光層４４に注入される。
【００５７】
発光層４４の内部で、正孔と電子との再結合によって生じた励起子（エキシトン）が基底状態に戻る際に光を発生する。すなわち、発光層４４は、カソード電極とアノード電極との間における電流に基づいて発光する。この光は、アノード電極４３では反射し、カソード電極１９では透過して、表示装置１０の前側に出射する。表示部３０に配列したそれぞれの有機発光素子３１が外部から入力した映像信号に基づいて光を出射することにより、表示装置１０は映像を表示する。
【００５８】
分離部４６の穴の側面および分離部４６の前側の発光層４４では、アノード電極４３から遠いため正孔と電子との結合が生じにくく発光しにくい。そのため、分離部４６に設けられた穴の部分と一致する形状で発光が生じる。
【００５９】
キャップ層４５、乾燥空気２４および封止板２１は、発光層４４、共通層４７およびカソード下層４８が湿気等により劣化する事および外力により破損する事を防ぐ保護層の役割を果たす。
【００６０】
図６は、有機ＥＬ表示パネルの製造工程を示すフローチャートである。図７から図１７は、有機ＥＬ表示パネルの製造工程を示す説明図である。図６から図１７を使用して、本実施の形態の表示装置１０の製造方法の概略を説明する。なお、表示装置１０の製造に使用される蒸着装置、スパッタリング装置、スピンコート装置、露光装置、現像装置、エッチング装置、封止装置、切断装置およびこれらの装置間を接続する搬送装置等の製造装置については図示しない。これらの装置は、所定のプログラムに従って動作する。
【００６１】
表示装置１０の製造業者は、ガラス基板等の透光性基板９１の前側に、半導体プロセスを用いて配線部４１を製作する（ステップＳ５０１）。この際、表示装置１０の製造業者は、エミッション制御ドライバ１４、付与部１５、走査ドライバ１６および保護回路１７も製作される。
【００６２】
ステップ５０１の工程の概要について説明する。なお、以下では、一個の有機発光素子３１を例として説明する。エミッション制御ドライバ１４、付与部１５、走査ドライバ１６および保護回路１７については、従来から使用されている集積回路と同様の製造工程であるので説明を省略する。
【００６３】
まず、図７および図８を使用して説明する。図７は、製造工程の途中の表示装置１０の模式断面図である。図８は、図７に示す段階の表示装置１０を前側から見た図である。なお、本実施の形態の表示装置１０は、一個の有機発光素子３１について三個のＦＥＴ（Field effect transistor）を備えるが、模式断面図においては一個の有機発光素子３１について一個のＦＥＴを示す。
【００６４】
製造装置は、透光性基板９１の片面にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等によって、たとえばシリコン窒化膜等を堆積して下地絶縁膜９２を形成する。次に、製造装置は、下地絶縁膜９２の上にＣＶＤ法等によってアモルファスシリコンを堆積し、ＥＬＡ（Excimer Laser Annealing）により結晶化して所定の形状のポリシリコン層９３を形成する。
【００６５】
図８に示す二点鎖線は、一個の有機発光素子３１に対応する配線部４１の区切りを示す。この二点鎖線は説明のための仮想的な線であり、配線部４１には境界を示す部材は存在しない。以後の説明では一個の有機発光素子３１に対応する配線部４１の一個の区画を配線区画３２と呼ぶ。
【００６６】
図９および図１０を使用して説明を続ける。図９は、製造工程の途中の表示装置１０の模式断面図である。図１０は、図９に示す段階の表示装置１０を前側から見た図である。製造装置は、ポリシリコン層９３上にＣＶＤ法等によって、たとえばシリコン酸化膜等を堆積してゲート絶縁膜９４を形成する。製造装置は、ゲート絶縁膜９４の上からポリシリコン層９３に不純物を添加するドーピング処理により、所定の形状の高濃度不純物層９３１を形成する。製造装置は、スパッタ法等により所定の形状の第１金属層９５を積層する。第１金属層９５は、ＴＦＴゲート電極９５１および保持容量電極９５２を含む。
【００６７】
左右方向に隣接する配線区画３２同士は、左右方向に伸びる直線状の二本のＴＦＴゲート電極９５１により接続されている。二本のＴＦＴゲート電極９５１走査ドライバ１６に接続されている。
【００６８】
製造装置は、第１金属層９５をマスクとしてポリシリコン層９３に追加の不純物を添加する追加ドーピング処理を行って、所定の形状の低濃度不純物層９３２を形成する。不純物が添加されていない部位は、アンドープ層９３３である。
【００６９】
図１１および図１２を使用して説明を続ける。図１１は、製造工程の途中の表示装置１０の模式断面図である。図１２は、図１１に示す段階の表示装置１０を前側から見た図である。製造装置は、ＣＶＤ法等によって、たとえばシリコン酸化膜等を堆積して層間絶縁膜９６を形成する。製造装置は、層間絶縁膜９６およびゲート絶縁膜９４に異方性エッチングを行い、ポリシリコン層９３まで貫通する穴を作成する。製造装置は、スパッタ法等によって、所定の形状の第２金属層９７を積層する。この際、ポリシリコン層９３まで貫通する孔の部分には、ポリシリコン層９３と第２金属層９７とを接続する層間接続部９７１が形成される。
【００７０】
上下方向に隣接する配線区画３２同士は、上下方向に伸びる直線状の二本の第２金属層９７により接続されている。二本の第２金属層９７のうちの左側の一本は付与部１５に、右側の一本は正電源ＶＤＤに接続されている。
【００７１】
図８、図１０および図１２に示すように、ここまでの工程では表示部３０には、ほぼ同一の構造の配線区画３２が格子状に配列されている。
【００７２】
図１３および図１４を使用して説明を続ける。図１３は、製造工程の途中の表示装置１０の模式断面図である。図１４は、図１３に示す段階の表示装置１０を前側から見た図である。製造装置は、スピンコート法等によって感光性の有機材料を堆積して平坦化膜７５を形成する。製造装置は、異方性エッチング等によって第２金属層９７まで貫通する穴を作成する。以上で、配線部４１の製造工程は終了し、ＴＦＴ部９８および保持容量部９９が完成する。
【００７３】
図１３、図１４および図６に示すフローチャートを使用して説明を続ける。製造装置は、ＴＦＴ回路出力接続部４２およびアノード電極４３を製作する（ステップＳ５０２）。具体的には、たとえば蒸着装置が平坦化層７５の前面および第２金属層９７まで貫通する穴の内面に金属薄膜を堆積させる。スピンコート装置、露光装置、現像装置およびエッチング装置が所定の形状で金属薄膜を除去して、アノード電極４３および第２金属層９７とアノード電極４３とを接続するＴＦＴ回路出力接続部４２を製作する。
【００７４】
アノード電極４３の形状を説明する。アノード電極４３は、第１色アノード電極４３１、第２色アノード電極４３２、第３色アノード電極４３３を含む。第１色アノード電極４３１は、第１色有機発光素子３１１のアノード電極４３である。第１色アノード電極４３１は長方形である。第１色アノード電極４３１は、中心から斜め左上の場所でＴＦＴ回路出力接続部４２を介して第２金属層９７に接続されている。第２色アノード電極４３２は、第２色有機発光素子３１２のアノード電極４３である。第２色アノード電極４３２は矩形の左下の角に小さい矩形が連続した形状である。第２色アノード電極４３２は、小さい矩形の部分でＴＦＴ回路出力接続部４２を介して第２金属層９７に接続されている。第３色アノード電極４３３は、第３色有機発光素子３１３のアノード電極４３である。第３色アノード電極４３３は矩形の上辺に小さい矩形が連続した形状である。第３色アノード電極４３３は、小さい矩形の部分でＴＦＴ回路出力接続部４２を介して第２金属層９７に接続されている。
【００７５】
図１５、図１６および図６に示すフローチャートを使用して説明を続ける。図１５は、製造工程の途中の表示装置１０の模式断面図である。図１６は、図１５に示す段階の表示装置１０を前側から見た図である。
【００７６】
製造装置は、分離部４６を製作する（ステップＳ５０３）。具体的には、たとえばスピンコート装置が感光性の有機樹脂膜を堆積した後に、露光装置が所定のパターンを露光し、現像装置およびエッチング装置が不要な部分を除去することにより、分離部４６を製作する。
【００７７】
分離部４６に設けられる穴の形状について説明する。第１色アノード電極４３１の前側に設けられる分離部４６の穴は、ＴＦＴ回路出力接続部４２を囲む略Ｕ字形状である。第２色アノード電極４３２および第３色アノード電極４３３の前側に設けられる分離部４６の穴は矩形である。
【００７８】
前述の通り、アノード電極４３の分離部４６に覆われていない部分の形状は、図４を使用して説明した有機発光素子３１の形状と一致する。
【００７９】
製造装置は、共通層４７を製作する（ステップＳ５０４）。具体的には、たとえば蒸着装置が正孔注入層と正孔輸送層の二層の有機材料層をアノード電極４３および分離部４６の前側に堆積させる。なお、共通層４７は、後で共通層４７の前側に製作する発光層４４の発光色により異なる厚さに製作する。具体的には、赤色の発光層４４を形成する場所の共通層４７は厚く、青色の発光層４４を形成する場所の共通層４７は薄くする。このようにすることにより、発光層４４で発生して共通層４７に入った光を反射させて効率良く前面に放射することができる。
【００８０】
図１７および図６に示すフローチャートを使用して説明を続ける。図１６は、製造工程の途中の表示装置１０を前側から見た図である。なお、図１７は、図１６とは異なる縮尺であり、図１６よりも広い範囲を示している。
【００８１】
製造装置は、発光層４４を製作する（ステップＳ５０５）。発光層４４は、第１色発光層４４１、第２色発光層４４２および第３色発光層４４３の三種類を含む。第１色発光層４４１は第１色で発光する発光層４４である。第２色発光層４４２は第２色で発光する発光層４４である。第３色発光層４４３は第３色で発光する発光層４４である。
【００８２】
発光層４４の材料は耐久性が低いため、熱アニール工程、反応性の高い液体への浸漬、腐食性ガスによる加工等を含む半導体プロセスで形成することは困難である。そのため、製造装置は金属製のマスクを使用して所定の位置のみに選択的に発光層４４を堆積させる。
【００８３】
発光層４４の製作方法について説明する。図１７に示す第１色発光層４４１の形状の孔を有する金属製マスクを使用して、蒸着装置が所定の形状の第１色発光層４４１を蒸着する。その後、第２色発光層４４２の形状の孔を有する金属製マスクを使用して、蒸着装置が所定の形状の第２色発光層４４２を蒸着する。さらに、第３色発光層４４３の形状の孔を有する金属製マスクを使用して、蒸着装置が所定の形状の第３色発光層４４３を蒸着する。
【００８４】
なお、第１色発光層４４１は、上下に隣接する二個の第１色有機発光素子３１１にまたがって形成されている。第２色発光層４４２は、一個の第２色有機発光素子３１２について１か所形成されている。同様に第３色発光層４４３は、一個の第３色有機発光素子３１３について１か所形成されている。
【００８５】
なお、第１色発光層４４１、第２色発光層４４２および第３色発光層４４３の製作順序は入れ替えられても良い。
【００８６】
蒸着装置は、カソード下層４８を製作する（ステップＳ５０６）。蒸着装置は、カソード電極１９およびキャップ層４５を順次製作する（ステップＳ５０７）。カソード下層４８、カソード電極１９およびキャップ層４５は、表示部３０全体にまたがる層なので、高い精度で製作する必要は無い。
【００８７】
封止装置は、封止板２１の縁を気密に封止する（ステップＳ５０８）。その後、製造装置は封止板２１の前側に１／４波長位相差板２２および偏光板２３を張り付ける。以上の工程により、有機ＥＬ表示パネルが完成する。
【００８８】
なお、表示装置１０の製造業者は、各製造工程に使用する装置および装置間を結ぶ搬送装置を自動制御して一連の製造工程を実施する、自動製造装置を使用しても良い。このようにする場合には、前述の各ステップの判断および実行は、自動製造装置の制御装置が行う。
【００８９】
１／４波長位相差板２２および偏光板２３は、ステップＳ５０６の後で封止板２１の表面に取り付けられても良い。また、１枚の大きなガラス製基板に形成された複数のＴＦＴ基板１１を、ステップＳ５０７とステップＳ５０８との間、またはステップＳ５０８の後で切断装置が所定の寸法に切断しても良い。
【００９０】
ステップＳ５０５では発光層４４を作成する際に使用される金属製マスクの形状について説明する。前述の通り、ステップＳ５０５の工程では半導体プロセスを使用することは困難であるため、金属マスクの寸法精度および位置決め精度はステップＳ５０１からステップＳ５０３に比べて大幅に低い精度である。したがって、分離部４６に設けた孔を発光層４４で確実に覆うためには、本工程で使用するマスクには十分に大きいサイズの孔が設けられている必要がある。一方、隣の色の発光層４４との混合を避けるため、分離部４６に設ける穴同士は、十分に離されている必要がある。
【００９１】
ところで、明るい表示装置１０を得るためには、各有機発光素子３１は大きい事が望ましい。また有機ＥＬ表示パネルの寿命を長くするためにも、有機発光素子３１は大きい事が望ましい。その一方、表示装置１０を高精細度化するためには、多数の小さい有機発光素子３１を密に配列する必要がある。
【００９２】
ここで、図４に戻り、本実施の形態の有機発光素子３１の配置について説明する。図４に示した有機発光素子３１の配置は、小さい有機発光素子３１が配列された表示装置１０において、有機発光素子３１の面積を大きくすることが可能な配置である。この点について、図１７を参照して、さらに詳しく説明する。隣り合う二個の第１色有機発光素子３１１に対応する分離部４６の穴を、金属マスクの一つの孔で作成することにより、これらの二個の分離部４６の幅を狭くすることができる。分離部４６の幅を狭くする分、第１色有機発光素子３１１を大きくすることができる。
【００９３】
有機発光素子３１を発光させる回路の例について説明する。図１８は、一個の有機発光素子３１を発光させる回路を示す回路図である。図１８では、一個の有機発光素子３１を、有機発光ダイオードを意味するＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）の図記号を使用して記載する。
【００９４】
図１８の回路は、画素回路１３と付与部１５とを含む。画素回路１３は、有機発光素子３１および有機発光素子３１に接続された周辺回路である。図１８には、画素回路１３のうちの一個の有機発光素子３１に対応するブロックを示す。画素回路１３には、有機発光素子３１と同数のブロックが格子状に配列されている。表示装置１０の表示部３０は、複数の画素回路１３を備えている。
【００９５】
付与部１５は、隣接する有機発光素子３１からの漏れ電流により有機発光素子３１が発光するクロストークを防止する回路である。図１８には、付与部１５のうち走査方向に二列の有機発光素子３１に対応するブロックを示す。付与部１５には、表示部３０の走査線方向に配列された有機発光素子３１と同数のブロックが一列に配置されている。
【００９６】
画素回路１３は、有機発光素子３１に加えてスイッチＴＦＴ２６、駆動ＴＦＴ２７、付与ＴＦＴ２８および保持容量部９９を含む。駆動ＴＦＴ２７は、本実施の形態のアノード電極４２とカソード電極１９との間の電流を制御する制御素子の一例である。なお、本明細書、図面では、ＴＦＴの一例としてＰチャネル型のＴＦＴを例示したが、本明細書で説明した表示装置１０の構成を実現できれば、Ｎチャネル型のＴＦＴでも良い。
【００９７】
画素回路１３には、正電源ＶＤＤ、負電源ＶＳＳ、ｎ番目の走査信号線Ｙｎ、ｎ番目の付与信号線Ｙｎ＿ｒおよびｍ番目の付与出力線Ｘｍが接続されている。ここでｎは１以上、走査信号線の本数以下の整数である。ｍは１以上、後述する映像信号線Ｖｄａｔａ＿ｍの本数以下の整数である。走査信号線Ｙｎおよび付与信号線Ｙｎ＿ｒには、走査ドライバ１６からデジタル信号が供給される。以後の説明では走査信号線Ｙｎから画素回路１３に供給されるデジタル信号を、走査信号Ｙｎと記載する。同様に、付与信号線Ｙｎ＿ｒから画素回路１３に供給されるデジタル信号を付与信号Ｙｎ＿ｒと記載する。付与出力線Ｘｍには、付与部１５のアナログ出力が供給される。以後の説明では、付与部１５から付与出力線Ｘｍを介して画素回路１３に供給されるアナログ信号を付与出力Ｘｍと記載する。
【００９８】
走査信号線Ｙｎおよび付与信号線Ｙｎ＿ｒは、走査線方向に配列された複数の画素３３に含まれる有機発光素子３１の画素回路１３に接続されている。付与出力線Ｘｍは、表示部３０の走査方向に配列された複数の画素３３に含まれる有機発光素子３１の画素回路１３に接続されている。
【００９９】
正電源ＶＤＤは保持容量９９の一方の電極および駆動ＴＦＴ２７のソース電極に接続されている。負電源ＶＳＳは、有機発光素子３１のカソード電極１９に接続されている。走査信号線Ｙｎは、スイッチＴＦＴ２６のゲート電極に接続されている。付与信号線Ｙｎ＿ｒは、付与ＴＦＴ２８のゲート電極に接続されている。付与出力線Ｘｍは、スイッチＴＦＴ２６および付与ＴＦＴ２８のソース電極に接続されている。
【０１００】
スイッチＴＦＴ２６のドレイン電極は、保持容量Ｃ１の他方の電極および駆動ＴＦＴ２７のゲート電極に接続されている。駆動ＴＦＴ２７のドレイン電極は、ＴＦＴ回路出力接続部４２を介して有機発光素子３１のアノード電極４３および付与ＴＦＴ２８のドレイン電極に接続されている。すなわち、アノード電極４３は、本実施の形態の制御素子の一例に接続されている。
【０１０１】
付与部１５は、１本の付与出力線Ｘｍに対して第１切替器２９１および第２切替器２９２の二個の切替器２９を有する。第１切替器２９１と第２切替器２９２との間に付与出力線Ｘｍが接続されている。第２切替器２９２の他端には、付与電源線Ｖｒｅｆが接続されている。
【０１０２】
第１切替器２９１は、付与出力線Ｘｍとｍ番目の映像信号線Ｖｄａｔａ＿ｍとの間の接続の有無を切り替える。第１切替器２９１はドライバＩＣ１８から映像選択信号線Ｖｓｅｌを介して供給されるデジタル信号により制御される。以後の説明では映像選択信号線Ｖｓｅｌから画素回路１３に供給されるデジタル信号を、映像選択信号Ｖｓｅｌと記載する。
【０１０３】
映像信号線Ｖｄａｔａ＿ｍには、ドライバＩＣ１８からアナログの映像信号が供給される。以後の説明では、映像信号線Ｖｄａｔａ＿ｍから画素回路１３に供給されるアナログ信号を映像信号Ｖｄａｔａ＿ｍと記載する。映像信号Ｖｄａｔａ＿ｍは、各有機発光素子３１の輝度を制御する信号である。
【０１０４】
第２切替器２９２は、付与出力線Ｘｍと付与電源線Ｖｒｅｆとの間の接続の有無を切り替える。第２切替器２９２はドライバＩＣ１８から付与選択信号線Ｖｒｓｔを介して供給されるデジタル信号により制御される。以後の説明では付与選択信号線Ｖｒｓｔから画素回路１３に供給されるデジタル信号を、付与選択信号Ｖｒｓｔと記載する。
【０１０５】
付与部１５は、所定の電位のアナログ直流電源を付与電源線Ｖｒｅｆを介して画素回路１３に供給する。所定の電位は、たとえば、カソード電極１９の電位に有機発光素子３１の閾値電圧を加えた電位以下の電位である。
【０１０６】
ここで有機発光素子３１の閾値電圧は、有機発光素子３１の発光、非発光に関する電圧である。有機発光素子３１の閾値電圧は、たとえば、カソード電極１９の電位に比べてアノード電極４３の電位を閾値電圧の分高くしても、有機発光素子３１が発光しない最大の電圧を意味する。換言すれば、有機発光素子３１は、アノード電極４３とカソード電極１９との電位差が、有機発光素子３１の閾値電圧を超えると発光を開始する。また、所定の電位は、たとえば、カソード電極１９の電位よりも低い電位（たとえば、負電源ＶＳＳ）であってもよい。
【０１０７】
以後の説明では、付与電源線Ｖｒｅｆから画素回路１３に供給されるアナログ電源を付与電源Ｖｒｅｆと記載する。
【０１０８】
図１９は、駆動ＴＦＴ２７の出力特性を示す説明図である。図１８および図１９を使用して、画素回路１３の動作について説明する。
【０１０９】
図１９の横軸は、駆動ＴＦＴ２７の出力電圧Ｖｄｓを示す。図１９の縦軸は、駆動ＴＦＴ２７の出力電流Ｉｄｓを示す。図１９中の実線は、駆動ＴＦＴ２７のゲート電極とソース電極との間の電位差Ｖｇｓが−１．５Ｖ、−２．０Ｖ、−２．５Ｖ、−３．０Ｖおよび−３．５Ｖのそれぞれである場合の駆動ＴＦＴ２７の出力電圧Ｖｄｓと出力電流Ｉｄｓとの間の関係を示す。図１９中の破線は、ＯＬＥＤのアノード電極４３とカソード電極１９との間の電流と電圧の関係であるＩ−Ｖ特性を示す
【０１１０】
図２０は、画素回路１３および付与部１５の動作を示すタイムチャートである。図２０の横軸は時間を示す。図２０の上側のタイムチャートは、ｎ番目の走査信号Ｙｎ、ｎ番目の付与信号Ｙｎ＿ｒ、ｎ＋１番目の走査信号Ｙｎ＋１、ｎ＋１番目の付与信号Ｙｎ＋１＿ｒ、付与選択信号Ｖｒｓｔおよび映像選択信号Ｖｓｅｌの状態を示す。図２０の上側のタイムチャートの縦軸は、上側がＯＦＦ状態、下側がＯＮ状態であることを示す。ＯＦＦ状態の信号は、いわゆるハイレベルの信号である。オン状態の信号は、いわゆるローレベルの信号である。
【０１１１】
図２０の下側のタイムチャートは、ｋ番目の有機発光素子３１のアノード電極４３の電位Ｖｋおよびｋ＋１番目の有機発光素子３１のアノード電極４３の電位Ｖｋ＋１を示す。ここで、ｋ番目の有機発光素子３１は、任意の有機発光素子３１である。ｋは２以上有機発光素子３１の総数よりも小さい整数である。ｋ＋１番目の有機発光素子３１は、ｋ番目の有機発光素子３１に隣接する他の有機発光素子３１である。ｋ番目の有機発光素子３１とｋ＋１番目の有機発光素子３１とは、同一の付与出力線Ｘｍに接続されている。ｋ番目の有機発光素子３１は、ｎ番目の走査信号線Ｙｎおよびｎ番目の付与信号線Ｙｎ＿ｒに接続されている。ｋ＋１番目の有機発光素子３１は、ｎ＋１番目の走査信号線Ｙｎ＋１およびｎ＋１番目の付与信号線Ｙｎ＋１＿ｒに接続されている。図２０の下側のタイムチャートの縦軸は電位を示す。図２０の下側のタイムチャートには、付与電源Ｖｒｅｆおよび負電源ＶＳＳを破線で示す。
【０１１２】
ｎ番目の走査信号Ｙｎ、ｎ番目の付与信号Ｙｎ＿ｒ、ｎ＋１番目の走査信号Ｙｎ＋１、ｎ＋１番目の付与信号Ｙｎ＋１＿ｒ、付与選択信号Ｖｒｓｔおよび映像選択信号ＶｓｅｌがすべてＯＦＦであり、ｋ番目およびｋ＋１番目の有機発光素子３１が発光していない状態から説明を開始する。また、ｋ番目の有機発光素子３１には非発光状態、ｋ＋１番目の有機発光素子３１には発光状態をそれぞれ意味する映像信号Ｖｄａｔａ＿ｍが入力される場合を例にして説明する。
【０１１３】
時刻ｔ１に、ドライバＩＣ１８がｎ番目の付与信号Ｙｎ＿ｒおよび付与選択信号ＶｒｓｔをＯＮにする。付与選択信号ＶｒｓｔがＯＮになった場合には、第２切替器２９２は、付与出力線Ｘｍと付与電源線Ｖｒｅｆとを接続する。付与信号線Ｙｎ＿ｒがＯＮになった場合には、付与ＴＦＴ２８は、付与出力線ＸｍをＴＦＴ回路出力接続部４２を介してｋ番目の有機発光素子３１のアノード電極４３に接続する。そのため、ｋ番目の有機発光素子３１のアノード電極４３の電位Ｖｋが付与電源Ｖｒｅｆと同じ電位になる。
【０１１４】
このように、付与出力線Ｘｍを介してアノード電極４３の電位Ｖｋを付与電源Ｖｒｅｆと同じ電位にすることを、アノード電極４３に付与電源Ｖｒｅｆと同じ電位を付与するという。前述のとおり、付与電源Ｖｒｅｆは、有機発光素子３１の閾値電圧以下の電位や、負電源ＶＳＳよりも低い電位のアナログ直流電源である。有機発光素子３１のカソード電極１９は、負電源ＶＳＳと同じ電位である。したがって、時刻ｔ１においてｋ番目の有機発光素子３１のアノード電極４３には、有機発光素子３１の閾値電圧以下の電位や、カソード電極１９の電位よりも低い電位が付与される。
【０１１５】
時刻ｔ２に、ドライバＩＣ１８がｎ番目の付与信号Ｙｎ＿ｒおよび付与選択信号ＶｒｓｔをＯＦＦにする。付与選択信号ＶｒｓｔがＯＦＦになった場合には、第２切替器２９２は、付与出力線Ｘｍを付与電源線Ｖｒｅｆから遮断する。付与信号線Ｙｎ＿ｒがＯＮになった場合には、付与ＴＦＴ２８は、付与出力線ＸｍをＴＦＴ回路出力接続部４２から遮断する。
【０１１６】
時刻ｔ３に、ドライバＩＣ１８がｎ番目の走査信号Ｙｎおよび映像選択信号ＶｓｅｌをＯＮにする。時刻ｔ２と時刻ｔ３との間には、０．５マイクロ秒程度の間隔を空けることが望ましい。ドライバＩＣ１８の出力端子に付与電源Ｖｒｅｆが印加された場合には、ドライバＩＣ１８が破損する可能性があるからである。
【０１１７】
映像選択信号ＶｓｅｌがＯＮになった場合には、第１切替器２９１は、付与出力線Ｘｍをｍ番目の映像信号線Ｖｄａｔａ＿ｍに接続する。走査信号ＹｎがＯＮになった場合には、スイッチＴＦＴ２６は、付与出力線Ｘｍを駆動ＴＦＴ２７のゲート電極および保持容量９９に接続する。
【０１１８】
前述の通り、図２０に示すタイムチャートでは、ｋ番目の有機発光素子３１には非発光状態を意味する映像信号Ｖｄａｔａ＿ｍが入力される。駆動ＴＦＴ２７のゲート電極とソース電極との間の電位差Ｖｇｓは小さく、駆動ＴＦＴ２７のソース電極とドレイン電極との間の出力電流Ｉｄｓは流れない。そのため、ｋ番目の有機発光素子３１は発光しない。
【０１１９】
時刻ｔ４に、ドライバＩＣ１８がｎ番目の走査信号ＹｎをＯＦＦにする。走査信号ＹｎがＯＦＦになった場合には、スイッチＴＦＴ２６は、付与出力線Ｘｍを駆動ＴＦＴ２７のゲート電極および保持容量９９から遮断する。
【０１２０】
時刻ｔ３から時刻ｔ４までの期間は、本実施の形態の第１の期間の一例である。本実施の形態の制御部は、第１の期間内に、ｋ番目の有機発光素子３１の画素回路１３に映像信号に基づく電位を印加する。
【０１２１】
時刻ｔ５に、ドライバＩＣ１８が映像選択信号ＶｓｅｌをＯＦＦにする。映像選択信号ＶｓｅｌがＯＦＦになった場合には、第１切替器２９１は、付与出力線Ｘｍをｍ番目の映像信号線Ｖｄａｔａ＿ｍから遮断する。
【０１２２】
ドライバＩＣ１８は、時刻ｔ１から時刻ｔ５までで、ｎ番目の走査線に含まれる複数の有機発光素子３１に対する映像信号の入力を完了する。
【０１２３】
時刻ｔ６に、ドライバＩＣ１８がｎ＋１番目の付与信号Ｙｎ＋１＿ｒおよび付与選択信号ＶｒｓｔをＯＮにする。付与選択信号ＶｒｓｔがＯＮになった場合には、第２切替器２９２は、付与出力線Ｘｍを付与電源線Ｖｒｅｆに接続する。付与信号Ｙｎ＋１＿ｒがＯＮになった場合にはｎ＋１番目の付与ＴＦＴ２８は、付与出力線ＸｍをＴＦＴ回路出力接続部４２を介してｋ＋１番目の有機発光素子３１のアノード電極４３に接続する。そのため、ｋ＋１番目の有機発光素子３１のアノード電極４３の電位Ｖｋ＋１がＶｒｅｆになる。
【０１２４】
時刻ｔ７に、ドライバＩＣ１８がｎ＋１番目の付与信号Ｙｎ＋１＿ｒおよび付与選択信号ＶｒｓｔをＯＦＦにする。付与選択信号ＶｒｓｔがＯＦＦになった場合には、第２切替器２９２は、付与出力線Ｘｍを付与電源線Ｖｒｅｆから遮断する。付与信号Ｙｎ＋１＿ｒがＯＦＦになった場合には、付与ＴＦＴ２８は、付与出力線ＸｍをＴＦＴ回路出力接続部４２から遮断する。
【０１２５】
時刻ｔ８に、ドライバＩＣ１８がｎ＋１番目の走査信号Ｙｎ＋１および映像選択信号ＶｓｅｌをＯＮにする。映像選択信号ＶｓｅｌがＯＮになった場合には、第１切替器２９１は、付与出力線Ｘｍをｍ番目の映像信号線Ｖｄａｔａ＿ｍに接続する。走査信号Ｙｎ＋１がＯＮになった場合には、スイッチＴＦＴ２６は、付与出力線Ｘｍを駆動ＴＦＴ２７のゲート電極および保持容量９９に接続する。
【０１２６】
図１８を使用して説明したように、駆動ＴＦＴ２７のゲート電極とソース電極との間の電位差Ｖｇｓに応じて駆動ＴＦＴ２７のソース電極とドレイン電極との間に出力電流Ｉｄｓが流れる。出力電流Ｉｄｓにより、有機発光素子３１が発光する。以後の説明では、ｋ＋１番目の有機発光素子３１のアノード電極４３に印加される電位をαと記載する。αは、正電源ＶＤＤと負電源ＶＳＳとの間の電位であり、付与出力線Ｘｍの電位に応じて定まる。また、付与出力線Ｘｍの電位に応じて保持容量９９に電荷が蓄えられる。
【０１２７】
時刻ｔ９に、ドライバＩＣ１８がｎ＋１番目の走査信号Ｙｎ＋１をＯＦＦにする。時刻ｔ８と時刻ｔ９の間には、保持容量９９に十分な電荷が蓄えられる時間を空ける。ｎ＋１番目の走査信号Ｙｎ＋１がＯＦＦになった場合には、スイッチＴＦＴ２６は、付与出力線Ｘｍを駆動ＴＦＴ２７のゲート電極および保持容量９９から遮断する。
【０１２８】
時刻ｔ８から時刻ｔ９までの期間は、本実施の形態の第１の期間の一例である。本実施の形態の制御部は、第１の期間内に、ｋ＋１番目の有機発光素子３１の画素回路１３に映像信号に基づく電位を印加する。
【０１２９】
時刻ｔ１０に、ドライバＩＣ１８が映像選択信号ＶｓｅｌをＯＦＦにする。映像選択信号ＶｓｅｌがＯＦＦになった場合には、第１切替器２９１は、付与出力線Ｘｍをｍ番目の映像信号線Ｖｄａｔａ＿ｍから遮断する。
【０１３０】
時刻ｔ１０以後、ｋ＋１番目の有機発光素子３１のアノード電極４３は、保持容量９９に蓄積された電荷により電位が維持される。これにより、ｋ＋１番目の有機発光素子３１は発光を継続する。
【０１３１】
ドライバＩＣ１８は、時刻ｔ６から時刻ｔ１０までで、ｎ＋１番目の走査線に含まれる複数の有機発光素子３１に対する映像信号の入力を完了する。以後、ドライバＩＣ１８は、一画面分の走査線の対して同様の操作を繰り返し、表示部３０に一画面分の映像を表示する。
【０１３２】
時刻ｔ２１に、ドライバＩＣ１８がｎ番目の付与信号Ｙｎ＿ｒおよび付与選択信号ＶｒｓｔをＯＮにする。付与選択信号ＶｒｓｔがＯＮになった場合には、第２切替器２９２は、付与出力線Ｘｍを付与電源線Ｖｒｅｆに接続する。付与信号Ｙｎ＿ｒがＯＮになった場合には、付与ＴＦＴ２８は、付与出力線Ｘｍを、ＴＦＴ回路出力接続部４２を介してｋ番目の有機発光素子３１のアノード電極４３に接続する。そのため、ｋ番目の有機発光素子３１のアノード電極４３の電位ＶｋがＶｒｅｆになる。
【０１３３】
時刻ｔ４から時刻ｔ２１までの期間は、本実施の形態の第２の期間の一例である。本実施の形態の制御部は、第２の期間内に、第１の期間に画素回路１３に印加された電位に基づいて、本発明の制御素子を介してｋ番目の有機発光素子３１の発光輝度を制御する。すなわち、ドライバＩＣ１８はｋ番目の有機発光素子３１を、時刻ｔ４に開始し時刻ｔ２１に終了する第２の期間、非発光状態に制御する。
【０１３４】
前述の通り付与部１５は、第２の期間の開始前である時刻ｔ１から時刻ｔ２までの期間に、カソード電極１９の電位である負電源ＶＳＳよりも低い付与電源Ｖｒｅｆを、ｋ番目の有機発光素子３１のアノード電極４３に付与している。
【０１３５】
以後、ドライバＩＣ１８は時刻ｔ２以降と同様の操作を繰り返して、表示部３０に次の一画面分の映像を表示する。
【０１３６】
図２１は、付与部１５の作用を説明する模式断面図である。図２１は、三個の有機発光素子３１を含む部分の表示装置１０の模式断面図である。なお、図２１では、有機発光素子３１の部分の断面構成を簡略化して図示し、ＴＦＴの部分の断面構成についてはさらに簡略化して図示している。図２０および図２１を使用して、本実施の形態の付与部１５の作用について説明する。
【０１３７】
図２１に示すように、ｋ番目の有機発光素子３１とｋ＋１番目の有機発光素子３１との間の距離Ｄは、分離部４６とアノード電極４３との境界面における、分離部４６の長さＤである。
【０１３８】
ｋ−１番目、ｋ番目およびｋ＋１番目の有機発光素子３１は、走査方向に隣接する３個の有機発光素子３１である。ｋ番目の有機発光素子３１は、任意の有機発光素子３１である。ｋ番目の有機発光素子３１は、ｎ番目の走査信号線Ｙｎおよび付与信号線Ｙｎ＿ｒに接続されている。ｋ＋１番目の有機発光素子３１は、ｎ＋１番目の走査信号線Ｙｎ＋１および付与信号線Ｙｎ＋１＿ｒに接続されている。
【０１３９】
ｋ番目の有機発光素子３１のアノード電極４３は、時刻ｔ４から時刻ｔ２０までの間は他の回路から遮断されている。しかしながら、隣接する有機発光素子３１同士は共通層４７により接続されている。タイムチャートの記載は省略するが、反対側で隣接するｋ−１番目の有機発光素子３１は非発光状態であり、付与出力線Ｘｍに接続される時のほかは、他の回路から遮断されている。
【０１４０】
黒丸は、ｋ番目の有機発光素子３１のアノード電極４３側に保持された負の電荷、すなわち電子を模式的に示す。前述のように、電子はアノード電極４３、カソード電極１９および両者の間に介在する有機膜の層により構成されるコンデンサにより保持されている。
【０１４１】
ｋ＋１番目の有機発光素子３１の発光期間中は、保持容量９９からアノード電極４３を介して共通層４７に供給される正孔の一部が漏れ電流Ａとなり、ｋ番目の有機発光素子３１の共通層４７に流れ込む。しかし、漏れ電流Ａは有機発光素子３１に流れる電流と比較して遥かに少ない。そのため、有機発光素子３１の発光状態に対する漏れ電流Ａの影響はほとんど無視できる。
【０１４２】
前述の通り、ｋ番目の有機発光素子３１のアノード電極４３には、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの間に付与電源Ｖｒｅｆの電位を与えられた後、他の回路から遮断されている。図５を使用して説明したように、有機発光素子３１は、複数の有機膜の層がアノード電極４３とカソード電極１９との間に介在する構造である。したがって、他の回路から遮断されている場合にはコンデンサと同様に電荷および電位差を保持する性質を有する。以下の説明では、有機発光素子３１をコンデンサとして扱う場合の静電容量を自己容量と記載する。
【０１４３】
図２０に示すように、時刻ｔ２においては、ｋ番目の有機発光素子３１のアノード電極４３の電位Ｖｋは、たとえば、カソード電極１９の電位である負電源ＶＳＳよりも低い電位である。したがって、ｋ番目の有機発光素子３１のアノード電極４３は電子を保持する。アノード電極４３が保持する電子の量は、アノード電極４３とカソード電極１９との間の電位差および有機発光素子３１の自己容量に比例する。
【０１４４】
漏れ電流Ａにより共通層４７に流れ込んだ正孔は、アノード電極４３に保持されている電子と結合して消滅する。そのため、漏れ電流Ａにより共通層４７に流れ込んだ正孔は発光層４４に到達しない。すなわち、アノード電極４３に保持されている逆バイアスが、漏れ電流をキャンセルする。したがってｋ番目の有機発光素子３１が漏れ電流により発光するクロストークが発生しない。
【０１４５】
ｋ番目の有機発光素子３１において、時刻ｔ２から時刻ｔ２１にかけて、漏れ電流Ａによりアノード電極４３に流れ込んだ正孔が消滅する。この正孔の消滅により、図２０に示すように、ｋ番目の有機発光素子３１のアノード電極４３の電位Ｖｋは徐々に上昇する。しかしｋ番目の有機発光素子３１のアノード電極４３の電位Ｖｋは負電圧ＶＳＳよりも低い電位を維持しているため、発光層４４に正孔が流れ込み発光することは無い。
【０１４６】
以上に説明した通り、ｋ番目の有機発光素子３１は、表示部が一画面を表示する期間、カソード電極１９の電位とアノード電極４３の電位との間の電位差を、有機ＥＬ素子が発光しないための値、すなわち有機ＥＬ素子の閾値電圧以下に保持する自己容量を有する。共通層のリーク電流による影響を抑えるためには、付与電源Ｖｒｅｆの電位がカソード電極電位以下であることが望ましいが、条件が満たされれば必ずしもカソード電極電位以下である必然性は無く、少なくとも有機ＥＬ素子の閾値以下の電圧であればよい。
【０１４７】
本実施の形態の表示装置１０は、表示部３０と、制御部と、付与部１５とを有する。なお、制御部は、たとえば、ドライバＩＣ１８である。
【０１４８】
表示部３０は、有機発光素子３１および制御素子を有する複数の画素回路１３を備える。有機発光素子３１は、カソード電極１９とアノード電極４３との間における電流に基づいて発光する発光層４４を含む。制御素子は、この電流を制御する。制御素子は、たとえば、駆動ＴＦＴ２７である。
【０１４９】
ドライバＩＣ１８は、第１の期間に映像信号に基づく電位を画素回路１３に印加し、第１の期間の後の第２の期間に、印可した電位に基づいて、駆動ＴＦＴ２７を介して有機発光素子３１の発光輝度を制御する。有機発光素子３１は、第２の期間中、前記した印可された電位に応じて、発光状態または非発光状態に移行する。一般的に、第２の期間は、発光期間とも呼ばれる。
【０１５０】
第１の期間は、この発光期間の前の期間である。第１の期間は、データ電圧の書き込み期間とも呼ばれる。データ電圧は、映像信号に基づく電位（換言すれば、電圧）である。なお、たとえば、ドライバＩＣ１８が、このデータ電圧を決定する。
【０１５１】
付与部１５は、第２の期間の開始前に、有機発光素子３１の閾値電圧以下の電圧をアノード電極４３に付与する。この付与された電圧（バイアス電圧とも呼ぶ）により、リーク電流による有機発光素子３１の発光（クロストークとも呼ぶ）が防止される。
【０１５２】
有機発光素子３１は、表示部３０が一画面を表示する期間、カソード電極１９とアノード電極４３との間の電位差を所定の値以上に保持する自己容量を有する。より詳しくは、有機発光素子３１の自己容量は、有機発光素子３１がドライバＩＣ１８の制御により非発光状態である場合には、この電位差を所定の値以上に保持する。なお、この電位差は、付与部１５により付与された電位差である。
【０１５３】
一画面を表示する期間は、たとえば、１／３０秒、１／６０秒であるが、これに限るものではない。自己容量は、たとえば、以下の実施の形態で説明するＣoledである。
【０１５４】
本実施の形態によると、単純な構造でクロストークの発生を防止した有機ＥＬ表示装置１０を提供することができる。
【０１５５】
なお、本実施の形態では表示装置１０に配線部４１と反対側の面に光を放射するトップエミッション型の有機ＥＬ表示パネルを使用する場合を例として説明した。表示装置１０に、配線部４１の側に光を放射するボトムエミッション型の有機ＥＬ表示パネルを使用しても良い。
【０１５６】
有機発光素子３１の形状は、図４に限定しない。たとえば、第１色有機発光素子３１１の形状は長方形でも良い。第１色有機発光素子３１１が長方形である場合には、配線部４１の配線を変更して、ＴＦＴ回路出力接続部４２と第１色有機発光素子３１１とが重畳しないようにすることが望ましい。第１色有機発光素子３１１の形状には、様々な形状を採用することができる。たとえば、第１色有機発光素子３１１の形状は、少なくとも四辺を有する形状である。少なくとも四辺を有する形状は、たとえば四角形である。また、少なくとも四辺を有する形状は、たとえば、前記の四角形の角を丸くした形状である。また、第１色有機発光素子３１１の形状は、長円形または楕円形でも良い。また、第１色有機発光素子３１１の形状は、中央にＴＦＴ回路出力接続部４２が配置された環状でも良い。
【０１５７】
第２色有機発光素子３１２および第３色有機発光素子３１３の形状には、様々な形状を採用することができる。たとえば、第２色有機発光素子３１２および第３色有機発光素子３１３の形状は、少なくとも四辺を有する形状である。少なくとも四辺を有する形状は、たとえば四角形である。また、少なくとも四辺を有する形状は、たとえば、前記の四角形の角を丸くした形状である。また、第２色有機発光素子３１２および第３色有機発光素子３１３の形状は、長円形または楕円形でも良い。第２色有機発光素子３１２と第３色有機発光素子３１３との寸法および形状が異なっていても良い。
【０１５８】
表示部３０は、上下方向よりも左右方向に長い横長の長方形でも良い。表示部３０は、正方形でも良い。
【０１５９】
表示部３０には、１色の有機発光素子３１のみが配列されていても良い。たとえば、白色の有機発光素子３１のみを表示部３０に配列することにより、白黒の表示装置１０を実現することができる。また、表示部３０には、４色以上の有機発光素子３１が配列されていても良い。
【０１６０】
表示部３０の全体を白色その他の任意の色で発光させることにより、表示装置１０を照明用の有機発光装置として使用することができる。
【０１６１】
［実施の形態２］
本実施の形態は、隣接する二個の有機発光素子３１間の寸法を規定した表示装置１０に関する。図２２は、実施の形態２の有機発光素子３１の配置を示す説明図である。図２２を使用して、本実施の形態の表示装置１０について説明する。なお、実施の形態１と共通する部分については、説明を省略する。
【０１６２】
第２色有機発光素子３１２の上辺が第３色有機発光素子３１３の下辺と対向する部分の長さはＷである。第２色有機発光素子３１２の上辺と第３色有機発光素子３１３の下辺との間の距離はＤである。なお、Ｗは開口幅、開口長または発光幅とも呼ぶ。Ｄは隣接画素間の間隔または隣接画素間の距離とも呼ぶ
【０１６３】
分離部４６を製作する際の装置の特性および製作条件によっては、分離部４６の穴の縁が前側に斜めに開いた形状になる。このような形状である場合には、分離部４６とアノード電極４３との境界面において、第２色有機発光素子３１２の上辺が第３色有機発光素子３１３の下辺と対向する部分の長さがＷである。また、分離部４６とアノード電極４３との境界面における、第２色有機発光素子３１２の上辺と第３色有機発光素子３１３の下辺との間の距離がＤである。
【０１６４】
図示を省略するが、共通層４７の厚さはＴである。共通層４７の厚さが均一でない場合には、Ｔは第２色有機発光素子３１２の上辺と第３色有機発光素子３１３の下辺との間に挟まれた領域内の共通層４７の平均厚さによりＴを定義する。
【０１６５】
本実施の形態の表示部３０は、式（１）を満たす。
【数１】
0006738037.tif 000002
ρは、共通層４７の比抵抗。
Ｔは、第２色有機発光素子３１２と、隣接する第３色有機発光素子３１３との間の共通層４７の厚さ。
Ｄは、第２色有機発光素子３１２の上辺と、第３色有機発光素子３１３の下辺との間の距離
Ｗは、第２色有機発光素子３１２の上辺と、第３色有機発光素子３１３の下辺とが対向する部分の長さ
Ｃoledは、第２色有機発光素子３１２の自己容量。
Ｆrは、表示部３０が一画面を表示する期間。
【０１６６】
以下の説明では表示部３０が一画面を表示する期間Ｆｒを１フレームと呼ぶ。式（１）によると、共通層４７のうち第２色有機発光素子３１２の上辺と第３色有機発光素子３１３の下辺との間に挟まれた領域内の部分の抵抗値であるリーク抵抗値と、第２色有機発光素子３１２の自己容量との積が、１フレームよりも小さい。したがって、第２色有機発光素子３１２が非発光状態である１フレームの間に、この二個の有機発光素子３１間の漏れ電流により上昇する第２色有機発光素子３１２のアノード電極４３の電位は、負電源ＶＳＳ以下に維持される。そのため、クロストークの発生を防止することができる。
【０１６７】
本実施の形態によると、式（１）を満たすように有機発光素子３１を設計することにより、クロストークを防止した表示装置１０を提供することができる。
【０１６８】
本実施の形態において、第２色有機発光素子３１２は緑色の有機発光素子３１であることが望ましい。この理由を説明する。赤色、緑色、青色の３色の有機発光素子３１を比較した場合には、緑色の有機発光素子３１は他の色の有機発光素子３１よりも低い電位差Ｖｇｓで発光する。さらに緑色は視感度が高いため、弱いクロストークによるわずかな発光でも使用者は映像の質が低いと感じやすい。したがって、緑色の有機発光素子３１のクロストークの発生のみを防止することにより、クロストークによる表示装置１０の画質の低下を防止することができる。
【０１６９】
本実施の形態では、第３色有機発光素子３１３から流れ込む漏れ電流による第２色有機発光素子３１２のクロストークの防止について説明した。第２色有機発光素子３１２から流れ込む漏れ電流による第３色有機発光素子３１３のクロストークを防止する場合についても、同様の式を使用することができる。
【０１７０】
式（１）のρ、Ｄ、Ｔ、Ｗが有機発光素子３１の辺によって異なる場合には、本実施の形態の表示部３０は、式（２）を満たすことが望ましい。
【数２】
0006738037.tif 000003
ｎは１から４までの整数。
ρnは、有機発光素子３１の第ｎ辺と、第ｎ辺側で隣接する有機発光素子３１との間の共通層４７の比抵抗。
Ｔnは、有機発光素子３１の第ｎ辺と、第ｎ辺側で隣接する有機発光素子３１との間の共通層４７の厚さ。
Ｄnは、有機発光素子３１の第ｎ辺と、第ｎ辺側で隣接する有機発光素子３１との間の距離。
Ｗnは、有機発光素子３１の第ｎ辺と、第ｎ辺側で隣接する有機発光素子３１の辺とが対向する部分の長さ。
Ｃoledは、有機発光素子３１の自己容量。
Ｆrは、表示部３０が一画面を表示する期間。
【０１７１】
［実施の形態３］
本実施の形態は、一個の画素３３内に含まれる三個の有機発光素子３１間の寸法を規定した表示装置１０に関する。図２３は、実施の形態３の有機発光素子３１の配置を示す説明図である。図２３を使用して、本実施の形態の表示装置１０について説明する。なお、実施の形態２と共通する部分については、説明を省略する。
【０１７２】
図２３は、４個の画素３３を示す。画素３３には、第１色有機発光素子３１１が下側に寄っている第１画素３３１と、第１色有機発光素子３１１が上側に寄っている第２画素３３２の二種類がある。第１色有機発光素子３１１の右辺と第２色有機発光素子３１２の左辺とが対向する部分の長さは、第１画素３３１の方が長い。本実施の形態においては、第１画素３３１に含まれる三個の有機発光素子３１間の寸法を規定する。
【０１７３】
第２色有機発光素子３１２の上辺が第３色有機発光素子３１３の下辺と対向する部分の長さはＷ１である。第２色有機発光素子３１２の上辺と第３色有機発光素子３１３の下辺との間の距離はＤ１である。図示を省略するが、第２色有機発光素子３１２の上辺と第３色有機発光素子３１３の下辺との間に挟まれた領域内の共通層４７の厚さはＴ１、この部分の共通層４７の比抵抗はρ１である。
【０１７４】
第２色有機発光素子３１２の右辺が第１色有機発光素子３１１の左辺と対向する部分の長さはＷ２である。第２色有機発光素子３１２の右辺と第１色有機発光素子３１１の左辺との間の距離はＤ２である。図示を省略するが、第２色有機発光素子３１２の右辺と第１色有機発光素子３１１の左辺との間に挟まれた領域内の共通層４７の厚さはＴ２、この部分の共通層４７の比抵抗はρ２である。
【０１７５】
本実施の形態の表示部３０は、式（３）を満たす。
【数３】
0006738037.tif 000004
ρ1は、第２色有機発光素子３１２の上辺と、第３色有機発光素子３１３の下辺との間の共通層４７の比抵抗。
Ｔ1は、第２色有機発光素子３１２の上辺と、３色有機発光素子３１３の下辺との間の共通層４７の厚さ。
Ｄ1は、第２色有機発光素子３１２の上辺と、第３色有機発光素子３１３の下辺との間の距離。
Ｗ1は、第２色有機発光素子３１２の上辺と、第３色有機発光素子３１３の下辺とが対向する部分の長さ。
Ｃoledは、第２色有機発光素子３１２の自己容量。
ρ２は、第２色有機発光素子３１２の右辺と、第１色有機発光素子３１１との間の共通層４７の比抵抗。
Ｔ２は、第２色有機発光素子３１２の右辺と、第１色有機発光素子３１１との間の共通層４７の厚さ。
Ｄ２は、第２色有機発光素子３１２の右辺と、第１色有機発光素子３１１の左辺との間の距離。
Ｗ２は、第２色有機発光素子３１２の右辺と、第１色有機発光素子３１１の左辺とが対向する部分の長さ。
Ｆrは、表示部３０が一画面を表示する期間。
【０１７６】
式（３）によると、共通層４７のうち第２色有機発光素子３１２の上辺と第３色有機発光素子３１３の下辺との間に挟まれた領域内の部分の抵抗値と、第２色有機発光素子３１２の右辺と第１色有機発光素子３１１の左辺との間に挟まれた領域内の部分の抵抗値とを並列接続して合成したリーク抵抗値と第２色有機発光素子３１２の自己容量との積が、１フレームよりも小さい。したがって、第２色有機発光素子３１２が非発光状態である１フレームの間に、第１色有機発光素子３１１および第３色有機発光素子３１３からの漏れ電流により上昇する第２色有機発光素子３１２のアノード電極４３の電位は、負電源ＶＳＳ以下に維持される。そのため、クロストークの発生を防止することができる。
【０１７７】
本実施の形態によると、式（３）を満たすように有機発光素子３１を設計することにより、隣接する二個の有機発光素子３１に起因するクロストークを防止した表示装置１０を提供することができる。
【０１７８】
本実施の形態では、同一画素３３内の他の二個の有機発光素子３１から流れ込む漏れ電流による第２色有機発光素子３１２のクロストークの防止について説明した。第１色有機発光素子３１１のクロストークの防止、および第３色有機発光素子３１３のクロストークの防止についても、同様の式を使用することができる。
【０１７９】
［実施の形態４］
本実施の形態は、一個の有機発光素子３１の四辺に隣接する有機発光素子３１間の寸法を規定した表示装置１０に関する。図２４は、実施の形態４の有機発光素子３１の配置を示す説明図である。図２４を使用して、本実施の形態の表示装置１０について説明する。なお、実施の形態２と共通する部分については、説明を省略する。
【０１８０】
第２色有機発光素子３１２の上辺が第３色有機発光素子３１３の下辺と対向する部分の長さはＷ１である。第２色有機発光素子３１２の上辺と第３色有機発光素子３１３の下辺との間の距離はＤ１である。図示を省略するが、第２色有機発光素子３１２の上辺と第３色有機発光素子３１３の下辺との間に挟まれた領域内の共通層４７の厚さはＴ１、この部分の共通層４７の比抵抗はρ１である。
【０１８１】
第２色有機発光素子３１２の右辺が第１色有機発光素子３１１の左辺と対向する部分の長さはＷ２である。第２色有機発光素子３１２の右辺と第１色有機発光素子３１１の左辺との間の距離はＤ２である。図示を省略するが、第２色有機発光素子３１２の右辺と第１色有機発光素子３１１の左辺との間に挟まれた領域内の共通層４７の厚さはＴ２、この部分の共通層４７の比抵抗はρ２である。
【０１８２】
第２色有機発光素子３１２の下辺が第３色有機発光素子３１３の上辺と対向する部分の長さはＷ３である。第２色有機発光素子３１２の下辺と第３色有機発光素子３１３の上辺との間の距離はＤ３である。図示を省略するが、第２色有機発光素子３１２の下辺と第３色有機発光素子３１３の上辺との間に挟まれた領域内の共通層４７の厚さはＴ３、この部分の共通層４７の比抵抗はρ３である。
【０１８３】
第２色有機発光素子３１２の左辺が第１色有機発光素子３１１の右辺と対向する部分の長さはＷ４である。第２色有機発光素子３１２の左辺と第１色有機発光素子３１１の右辺との間の距離はＤ４である。図示を省略するが、第２色有機発光素子３１２の左辺と第１色有機発光素子３１１の右辺との間に挟まれた領域内の共通層４７の厚さはＴ４、この部分の共通層４７の比抵抗はρ４である。
【０１８４】
以上に説明した関係を一般化して、任意の有機発光素子３１のクロストークを防止する配置について説明する。以下の説明ではクロストークを防止する有機発光素子３１を対象有機発光素子３１ｔと記載する。対象有機発光素子３１ｔの第ｎ辺が隣接する他の有機発光素子３１と対向する部分の長さをＷｎと記載する。同様に、対象有機発光素子３１ｔの第ｎ辺と隣接する他の有機発光素子３１との間の距離をＤｎと記載する。対象有機発光素子３１ｔの第ｎ辺と隣接する他の有機発光素子３１との間に挟まれた領域内の共通層４７の厚さをＴｎ、この部分の共通層４７の比抵抗をρｎと記載する。
【０１８５】
本実施の形態の表示部３０は、式（４）を満たす。
【数４】
0006738037.tif 000005
Ｍは、対象有機発光素子３１ｔの辺の数。
ρｎは、対象有機発光素子３１ｔと、対象有機発光素子３１ｔの第ｎ辺側で隣接する他の有機発光素子３１との間の共通層４７の比抵抗。
Ｔｎは、対象有機発光素子３１ｔと、対象有機発光素子３１ｔの第ｎ辺側で隣接する他の有機発光素子３１との間の共通層４７の厚さ。
Ｄｎは、対象有機発光素子３１ｔと、対象有機発光素子３１ｔの第ｎ辺側で隣接する他の有機発光素子３１との間の距離。
Ｗｎは、対象有機発光素子３１ｔの第ｎ辺と、対象有機発光素子３１ｔの第ｎ辺側で隣接する他の有機発光素子３１の辺とが対向する部分の長さ。
Ｃoledは、対象有機発光素子３１ｔの自己容量。
Ｆrは、表示部３０が一画面を表示する期間。
【０１８６】
本実施の形態によると、式（４）を満たすように有機発光素子３１を設計することにより、隣接するすべての有機発光素子３１が発光する場合であってもクロストークを防止することができる表示装置１０を提供することができる。
【０１８７】
［実施の形態５］
本実施の形態は、長方形の有機発光素子３１が格子状に配列された表示装置１０に関する。図２５は、実施の形態５の有機発光素子３１の配置を示す説明図である。図２５を使用して、本実施の形態の表示装置１０について説明する。なお、実施の形態２と共通する部分については、説明を省略する。
【０１８８】
第１色有機発光素子３１１、第２色有機発光素子３１２および第３色有機発光素子３１３は、上下方向に長辺を、左右方向に短辺をそれぞれ有する、同一寸法の長方形である。三個の有機発光素子３１の組が、二点鎖線で示す画素３３である。上下方向には、同一の色の有機発光素子３１が配列されている。
【０１８９】
第２色有機発光素子３１２の第１の長辺である右辺が第３色有機発光素子３１３の左辺と対向する部分の長さはＷ１である。第２色有機発光素子３１２の第１の長辺である右辺と第３色有機発光素子３１３の左辺との間の距離はＤ１である。図示を省略するが、第２色有機発光素子３１２の第１の長辺である右辺と第３色有機発光素子３１３の左辺との間に挟まれた領域内の共通層４７の厚さはＴ１、この部分の共通層４７の比抵抗はρ１である。
【０１９０】
第２色有機発光素子３１２の第２の長辺である左辺が第１色有機発光素子３１１の右辺と対向する部分の長さはＷ２である。第２色有機発光素子３１２の第２の長辺である左辺と第１色有機発光素子３１１の右辺との間の距離はＤ２である。図示を省略するが、第２色有機発光素子３１２の第２の長辺である左辺と第１色有機発光素子３１１の右辺との間に挟まれた領域内の共通層４７の厚さはＴ２、この部分の共通層４７の比抵抗はρ２である。
【０１９１】
本実施の形態の表示部３０は、式（５）を満たす。
【数５】
0006738037.tif 000006
ρnは、有機発光素子３１と、有機発光素子３１の第ｎの長辺側で隣接する他の有機発光素子３１との間の共通層４７の比抵抗。
Ｔnは、有機発光素子３１と、有機発光素子３１の第ｎの長辺側で隣接する他の有機発光素子３１との間の共通層４７の厚さ。
Ｄnは、有機発光素子３１と、有機発光素子３１の第ｎの長辺側で隣接する他の有機発光素子３１との間の距離。
Ｗnは、有機発光素子３１の第ｎの長辺と、該第ｎの長辺側で該有機発光素子３１に隣接する他の有機発光素子３１の辺とが対向する部分の長さ。
Ｃoledは、有機発光素子３１の自己容量。
Ｆrは、表示部３０が一画面を表示する期間。
【０１９２】
なお、図２５において、長さＷ１と長さＷ２とは同じであるが、式（５）においてＷ１とＷ２とを明確に区別するため、同じ長さについて異なる符号を付して図示している。
【０１９３】
本実施の形態では、左右方向からの漏れ電流の影響について着目し、上下方向からの漏れ電流の影響については考慮に入れていない。なお、左右方向からの漏れ電流は、第２色有機発光素子３１２に着目する場合には、第１色有機発光素子３１１から第２色有機発光素子３１２に流れる漏れ電流および第３色有機発光素子３１３から第２色有機発光素子３１２に流れる漏れ電流である。そして、縦方向からの漏れ電流は、第２色有機発光素子３１２に着目する場合には、上下方向に位置する２つの第２色有機発光素子３１２からの漏れ電流である。
【０１９４】
このように、上下方向からの漏れ電流の影響について考慮に入れないのは、上下方向に位置する２つの第２色有機発光素子３１２の間の距離Ｘは、Ｄ１およびＤ２に比べて長いからである。なお、距離Ｘは、換言すれば、上下方向に位置する、１つの第２色有機発光素子３１２と他の第２色有機発光素子３１２との間における共通層４７の距離である。
【０１９５】
本実施の形態によると、有機発光素子３１を格子状に配列した単純な構造の表示装置１０のクロストークを防止することができる。
【０１９６】
［実施の形態６］
本実施の形態は、スイッチＴＦＴ２６および付与ＴＦＴ２８にデュアルゲートＦＥＴを使用した表示装置１０に関する。図２６は、実施の形態６の一個の有機発光素子３１を発光させる回路を示す回路図である。図２６を使用して、本実施の形態の表示装置１０について説明する。なお、実施の形態１と共通する部分については、説明を省略する。
【０１９７】
スイッチＴＦＴ２６および付与ＴＦＴ２８は、２個のゲート電極を有するデュアルゲートＦＥＴである。画素回路１３には、正電源ＶＤＤ、負電源ＶＳＳ、ｎ番目の走査信号線Ｙｎ、ｎ番目の付与信号線Ｙｎ＿ｒおよび付与出力線Ｘｍが接続されている。
【０１９８】
正電源ＶＤＤは保持容量９９の一方の電極および駆動ＴＦＴ２７のソース電極に接続されている。負電源ＶＳＳは、有機発光素子３１のカソード電極１９に接続されている。走査信号線Ｙｎは、スイッチＴＦＴ２６の二個のゲート電極に接続されている。付与信号線Ｙｎ＿ｒは、付与ＴＦＴ２８の二個のゲート電極に接続されている。付与出力線Ｘｍは、スイッチＴＦＴ２６および付与ＴＦＴ２８のソース電極に接続されている。
【０１９９】
スイッチＴＦＴ２６のドレイン電極は、保持容量Ｃ１の他方の電極および駆動ＴＦＴ２７のゲート電極に接続されている。駆動ＴＦＴ２７のドレイン電極は、ＴＦＴ出力回路接続部４２を介して有機発光素子３１のアノード電極４３および付与ＴＦＴ２８のドレイン電極に接続されている。
【０２００】
以上の構成により、スイッチＴＦＴ２６および付与ＴＦＴ２８は、実施の形態１のスイッチＴＦＴ２６および付与ＴＦＴ２８と同様に動作する。スイッチＴＦＴ２６および付与ＴＦＴ２８にデュアルゲートＦＥＴを使用することにより、実施の形態１よりも高周波の入力信号を有機発光素子３１の輝度に正確に反映させることができる。
【０２０１】
本実施の形態によると、ハイビジョン、４Ｋまたは８Ｋ等の高精細な映像信号を表示するのに適した表示装置１０を提供することができる。
【０２０２】
［実施の形態７］
本実施の形態は、有機発光素子３１を自己容量と可変抵抗値とで表現した表示装置１０に関する。図２７は、実施の形態７の一個の有機発光素子３１を発光させる回路を示す回路図である。なお、実施の形態１と共通する部分については、説明を省略する。
【０２０３】
図２７においては、有機発光素子３１は並列接続された自己容量ＣｏｌｅｄとＲｏｌｅｄにより表現されている。有機発光素子３１に接続されたスイッチＦＥＴ２６、付与ＦＥＴ２８、付与部１５および各信号線は、図２７では記載を省略する。
【０２０４】
第２色有機発光素子３１２のクロストークを防止する構造を例にして説明する。Ｒ１は、第２色有機発光素子３１２のＴＦＴ回路出力接続部４２と、上側で隣接する第３色有機発光素子３１３のＴＦＴ回路出力接続部４２との間の抵抗値である。Ｒ２は、第２色有機発光素子３１２のＴＦＴ回路出力接続部４２と、右側で隣接する第１色有機発光素子３１１のＴＦＴ回路出力接続部４２との間の抵抗値である。Ｒ３は、第２色有機発光素子３１２のＴＦＴ回路出力接続部４２と、下側で隣接する第３色有機発光素子３１３のＴＦＴ回路出力接続部４２との間の抵抗値である。Ｒ４は、第２色有機発光素子３１２のＴＦＴ回路出力接続部４２と、左側で隣接する第１色有機発光素子３１１のＴＦＴ回路出力接続部４２との間の抵抗値である。
【０２０５】
本実施の形態の表示部３０は、式（６）を満たす。なお、以下の説明ではクロストークを防止する有機発光素子３１を対象有機発光素子３１ｔと記載する。
【数６】
0006738037.tif 000007
Ｍは、対象有機発光素子３１ｔに隣接する他の有機発光素子３１の数。
Ｃｏｌｅｄは、対象有機発光素子３１ｔの自己容量。
Ｆｒは、表示部３０が一画面を表示する期間。
【０２０６】
式（６）において、Ｒは隣接する有機発光素子３１のＴＦＴ回路出力接続部４２間の抵抗値を並列接続した場合の合成抵抗値を意味している。
【０２０７】
本実施の形態によると、円形、楕円形等の矩形以外の形状を有する有機発光素子３１を使用する場合であっても、クロストークを防止した表示装置１０を提供することができる。
【０２０８】
なお、たとえばハニカム上に有機発光素子３１が配列されている場合には、一個の有機発光素子３１に隣接する有機発光素子３１は６個である。したがって、式（６）のＲには６個の抵抗値を合成した抵抗値を用いることが望ましい。
【０２０９】
［実施の形態８］
本実施の形態は、付与部１５がマルチプレクサの機能を備える表示装置１０に関する。図２８は、実施の形態８の一個の有機発光素子３１を発光させる回路を示す回路図である。図２８を使用して、本実施の形態の表示装置１０について説明する。なお、実施の形態１と共通する部分については、説明を省略する。また、実施の形態１と同様に信号線とその信号線を流れる信号とに同一の記号を使用する。
【０２１０】
図２８では、一個の有機発光素子３１を、有機発光ダイオードを意味するＯＬＥＤの図記号を使用して記載する。図２８の回路は、画素回路１３と付与部１５とを含む。図２８には、画素回路１３のうちの二個の有機発光素子３１に対応するブロックを示す。
【０２１１】
付与部１５は、スイッチング部１５１とデマルチプレクサ部１５２とを含む。スイッチング部１５１は、隣接する有機発光素子３１からの漏れ電流により有機発光素子３１が発光するクロストークを防止する回路である。デマルチプレクサ部１５２は、ドライバＩＣ１８から出力された一個の画素３３の輝度を示す信号を、第１色有機発光素子３１１、第２色有機発光素子３１２および第３色有機発光素子３１３の輝度を示す信号に分割して、各有機発光素子３１に分配する分配器の一例である。
【０２１２】
デマルチプレクサ部１５２は、第１色選択信号線Ｖｓｅｌ＿Ｂ、第２色選択信号線Ｖｓｅｌ＿Ｇおよび第３色選択信号線Ｖｓｅｌ＿Ｒに接続されている。
【０２１３】
スイッチング部１５１は、第１色切替器２９Ｂ、第２色切替器２９Ｇおよび第３色切替器２９Ｒの３組の切替器２９を有する。第１色切替器２９Ｂは、第１切替器２９１Ｂおよび第２切替器２９２Ｂの二個の切替器２９Ｂを有する。第２色切替器２９Ｇは、第１切替器２９１Ｇおよび第２切替器２９２Ｇの二個の切替器２９Ｇを有する。第３色切替器２９Ｒは、第１切替器２９１Ｒおよび第２切替器２９２Ｒの二個の切替器２９Ｒを有する。以後の説明では、第１切替器２９１Ｂ、第１切替器２９１Ｇおよび第１切替器２９１Ｒをまとめて第１切替器２９１と記載する場合がある。同様に第２切替器２９２Ｂ、第２切替器２９２Ｇおよび第２切替器２９２Ｒをまとめて第２切替器２９２と記載する場合がある。
【０２１４】
三個の第１切替器２９１の一端は、ドライバＩＣ１８の一本の映像信号線Ｖｄａｔａに接続されている。以後の説明では、ｍ本目の映像信号線Ｖｄａｔａ＿ｍを例にして説明する。ｍは１以上、映像信号線Ｖｄａｔａ＿ｍの本数以下の整数である。映像信号線Ｖｄａｔａ＿ｍには、ドライバＩＣ１８からアナログの映像信号Ｖｄａｔａ＿ｍが供給される。映像信号Ｖｄａｔａ＿ｍには、第１色、第２色および第３色の映像信号が順番に含まれている。
【０２１５】
第１切替器２９１と第２切替器２９２との間に付与出力線ＸｍＢ、付与出力線ＸｍＧまたは付与出力線ＸｍＲのいずれか一本が接続されている。付与出力線ＸｍＢは、第１色有機発光素子３１１に接続されている。付与出力線ＸｍＧは、第２色有機発光素子３１２に接続されている。付与出力線ＸｍＲは、第３色有機発光素子３１３に接続されている。第２切替器２９２の他端は、付与電源線Ｖｒｅｆに接続されている。以後の説明では、付与出力線ＸｍＢ、付与出力線ＸｍＧおよび付与出力線ＸｍＲをまとめて付与出力線Ｘｍと記載する場合がある。
【０２１６】
第１切替器２９１Ｂは、付与出力線ＸｍＢとｍ番目の映像信号線Ｖｄａｔａ＿ｍとの間の接続の有無を切り替える。第１切替器２９１ＢはドライバＩＣ１８から色選択信号線Ｖｓｅｌ＿Ｂを介して供給される色選択信号Ｖｓｅｌ＿Ｂにより制御される。
【０２１７】
第１切替器２９１Ｇは、付与出力線ＸｍＧとｍ番目の映像信号線Ｖｄａｔａ＿ｍとの間の接続の有無を切り替える。第１切替器２９１ＧはドライバＩＣ１８から色選択信号線Ｖｓｅｌ＿Ｇを介して供給される色選択信号Ｖｓｅｌ＿Ｇにより制御される。
【０２１８】
第１切替器２９１Ｒは、付与出力線ＸｍＲとｍ番目の映像信号線Ｖｄａｔａ＿ｍとの間の接続の有無を切り替える。第１切替器２９１ＲはドライバＩＣ１８から色選択信号線Ｖｓｅｌ＿Ｒを介して供給される色選択信号Ｖｓｅｌ＿Ｒにより制御される。
【０２１９】
第２切替器２９２は、付与出力線ＸｍＢ、付与出力線ＸｍＧまたは付与出力線ＸｍＲと付与電源線Ｖｒｅｆとの間の接続の有無を切り替える。第２切替器２９２はドライバＩＣ１８から付与選択信号線Ｖｒｓｔを介して供給される付与選択信号Ｖｒｓｔにより制御される。
【０２２０】
図２９は、実施の形態８の画素回路１３および付与部１５の動作を示すタイムチャートである。図２９の横軸は時間を示す。図２９の上側のタイムチャートは、ｎ番目の走査信号Ｙｎ、ｎ番目の付与信号Ｙｎ＿ｒ、付与選択信号Ｖｒｓｔ、第１色選択信号Ｖｓｅｌ＿Ｂ、第２色選択信号Ｖｓｅｌ＿Ｇおよび第３色選択信号Ｖｓｅｌ＿Ｒの状態を示す。ｎは１以上、走査信号線の本数以下の整数である。図２９の上側のタイムチャートの縦軸は、上側がＯＦＦ状態、下側がＯＮ状態であることを示す。
【０２２１】
図２９の下側のタイムチャートは、ｋ番目の第１色有機発光素子３１１のアノード電極４３の電位ＶｋＲおよびｋ番目の第２色有機発光素子３１２のアノード電極４３の電位ＶｋＧを示す。ｋは１以上画素３３の総数以下の整数である。ｋ番目の第１色有機発光素子３１１とｋ番目の第２色有機発光素子３１２とは、同一の画素３３に含まれる有機発光素子３１であり、同一の付与出力線Ｘｍおよび付与選択信号線Ｖｒｓｔに接続されている。図２９の下側のタイムチャートの縦軸は電位を示す。図２９の下側のタイムチャートには、付与電源Ｖｒｅｆおよび負電源ＶＳＳを破線で示す。
【０２２２】
ｎ番目の走査信号Ｙｎ、ｎ番目の付与信号Ｙｎ＿ｒ、付与選択信号Ｖｒｓｔおよび映像選択信号ＶｓｅｌがすべてＯＦＦであり、ｋ番目の画素３３に含まれる有機発光素子３１が発光していない状態から説明を開始する。また、ｋ番目の第１色有機発光素子３１１には発光状態、ｋ番目の第２色有機発光素子３１２には非発光状態をそれぞれ意味する映像信号Ｖｄａｔａ＿ｍが入力される場合を例にして説明する。
【０２２３】
時刻ｔ１に、ドライバＩＣ１８がｎ番目の付与信号Ｙｎ＿ｒおよび付与選択信号ＶｒｓｔをＯＮにする。付与選択信号ＶｒｓｔがＯＮになった場合には、第２切替器２９２は、付与出力線Ｘｍを付与電源線Ｖｒｅｆに接続する。付与信号Ｙｎ＿ｒがＯＮになった場合には、一本の付与信号線Ｙｎ＿ｒに接続された走査回路１３の付与ＴＦＴ２８は、付与出力線ＸｍをＴＦＴ回路出力接続部４２を介してｋ番目の有機発光素子３１のアノード電極４３に接続する。そのため、ｋ番目の第１色有機発光素子３１１のアノード電極４３の電位ＶｋＢおよびｋ番目の第２色有機発光素子３１２のアノード電極４３の電位ＶｋＧが付与電源Ｖｒｅｆになる。
【０２２４】
時刻ｔ２に、ドライバＩＣ１８がｎ番目の付与信号Ｙｎ＿ｒおよび付与選択信号ＶｒｓｔをＯＦＦにする。付与選択信号ＶｒｓｔがＯＦＦになった場合には、第２切替器２９２は、付与出力線Ｘｍを付与電源線Ｖｒｅｆから遮断する。付与信号Ｙｎ＿ｒがＯＦＦになった場合には、付与ＴＦＴ２８は、付与出力線ＸｍをＴＦＴ回路出力接続部４２から遮断する。
【０２２５】
時刻ｔ３に、ドライバＩＣ１８がｎ番目の走査信号Ｙｎおよび第１色選択信号Ｖｓｅｌ＿ＢをＯＮにする。時刻ｔ２と時刻ｔ３との間には、０．５マイクロ秒程度の間隔を空けることが望ましい。ドライバＩＣ１８の出力端子に付与電源Ｖｒｅｆが印加された場合には、ドライバＩＣ１８が破損する可能性があるからである。
【０２２６】
第１色選択信号Ｖｓｅｌ＿ＢがＯＮになった場合には、第１切替器２９１Ｂは、付与出力線ＸｍＢをｍ番目の映像信号線Ｖｄａｔａ＿ｍに接続する。走査信号ＹｎがＯＮになった場合には、１本の走査信号線Ｙｎに接続された走査回路１３のスイッチＴＦＴ２６は、付与出力線ＸｍＢをｋ番目の第１色有機発光素子３１１の駆動回路１３内の駆動ＴＦＴ２７のゲート電極および保持容量９９に接続する。
【０２２７】
前述の通り、図２９に示すタイムチャートでは、ｋ番目の第１色有機発光素子３１１には発光状態を意味する映像信号Ｖｄａｔａ＿ｍが入力される。駆動ＴＦＴ２７のゲート電極とソース電極との間の電位差Ｖｇｓに応じて駆動ＴＦＴ２７のソース電極とドレイン電極との間に出力電流Ｉｄｓが流れる。出力電流Ｉｄｓにより、ｋ番目の第１色有機発光素子３１１が発光する。以後の説明では、ｋ番目の第１色有機発光素子３１１のアノード電極４３に印加される電位をαと記載する。αは、正電源ＶＤＤと負電源ＶＳＳとの間の電位であり、付与出力線Ｘｍの電位に応じて定まる。また、付与出力線ＸｍＢの電位に応じて保持容量９９に電荷が蓄えられる。
【０２２８】
時刻ｔ４に、ドライバＩＣ１８が第１色選択信号Ｖｓｅｌ＿ＢをＯＦＦにする。第１色選択信号Ｖｓｅｌ＿ＢがＯＦＦになった場合には、第１切替器２９１Ｂは、付与出力線ＸｍＢとｍ番目の映像信号線Ｖｄａｔａ＿ｍとを遮断する。
【０２２９】
時刻ｔ５に、ドライバＩＣ１８が第２色選択信号Ｖｓｅｌ＿ＧをＯＮにする。時刻ｔ４と時刻ｔ５との間には、０．５マイクロ秒程度の間隔を空けることが望ましい。第１色有機発光素子３１１と第２色有機発光素子３１２との間で色が混ざることを避けるためである。
【０２３０】
第２色選択信号Ｖｓｅｌ＿ＧがＯＮになった場合には、第１切替器２９１Ｇは、付与出力線ＸｍＧをｍ番目の映像信号線Ｖｄａｔａ＿ｍに接続する。前述の通り、図２９に示すタイムチャートでは、ｋ番目の第２色有機発光素子３１２には非発光状態を意味する映像信号Ｖｄａｔａ＿ｍが入力される。駆動ＴＦＴ２７のゲート電極とソース電極との間の電位差Ｖｇｓは小さく、駆動ＴＦＴ２７のソース電極とドレイン電極との間の出力電流Ｉｄｓは流れない。そのため、ｋ番目の第２色有機発光素子３１２は発光しない。
【０２３１】
時刻ｔ６に、ドライバＩＣ１８が第２色選択信号Ｖｓｅｌ＿ＧをＯＦＦにする。第２色選択信号Ｖｓｅｌ＿ＧがＯＦＦになった場合には、第１切替器２９１Ｇは、付与出力線ＸｍＧとｍ番目の映像信号線Ｖｄａｔａ＿ｍとを遮断する。
【０２３２】
時刻ｔ７に、ドライバＩＣ１８が第３色選択信号Ｖｓｅｌ＿ＲをＯＮにする。時刻ｔ６と時刻ｔ７との間には、０．５マイクロ秒程度の間隔を空けることが望ましい。第２色有機発光素子３１２と第３色有機発光素子３１３との間で色が混ざることを避けるためである。
【０２３３】
第３色選択信号Ｖｓｅｌ＿ＲがＯＮになった場合には、第１切替器２９１Ｒは、付与出力線ＸｍＲをｍ番目の映像信号線Ｖｄａｔａ＿ｍに接続する。映像信号Ｖｄａｔａ＿ｍに従って、ｋ番目の第３色有機発光素子３１３は発光状態または非発光状態になる。
【０２３４】
時刻ｔ８に、ドライバＩＣ１８が第３色選択信号Ｖｓｅｌ＿ＲをＯＦＦにする。第３色選択信号Ｖｓｅｌ＿ＲがＯＦＦになった場合には、第１切替器２９１Ｒは、付与出力線ＸｍＲとｍ番目の映像信号線Ｖｄａｔａ＿ｍとを遮断する。
【０２３５】
時刻ｔ３から時刻ｔ４までの期間は、ｋ番目の第１色有機発光素子３１１の画素回路１３に映像信号に基づく電位を印加する本実施の形態の第１の期間の例示である。時刻ｔ５から時刻ｔ６までの期間も、ｋ番目の第２色有機発光素子３１２の画素回路１３に映像信号に基づく電位を印加する本実施の形態の第１の期間の例示である。時刻ｔ７から時刻ｔ８までの期間も、ｋ番目の第３色有機発光素子３１３の画素回路１３に映像信号に基づく電位を印加する本実施の形態の第１の期間の例示である。
【０２３６】
時刻ｔ９に、ドライバＩＣ１８が走査信号ＹｎをＯＦＦにする。時刻ｔ８と時刻ｔ９との間には、１．６マイクロ秒程度の間隔を空けることが望ましい。デマルチプレクサ部１５２の出力が安定するのを待つためである。
【０２３７】
走査信号ＹｎがＯＦＦになった場合には、一本の走査信号線Ｙｎに接続された走査回路１３のスイッチＴＦＴ２６が動作する。スイッチＴＦＴ２６が動作することにより、付与出力線ＸｍＢとｋ番目の第１色有機発光素子３１１の駆動回路１３内の駆動ＴＦＴ２７のゲート電極および保持容量９９とを遮断する。同様に、スイッチＴＦＴ２６が動作することにより、付与出力線ＸｍＧとｋ番目の第２色有機発光素子３１２の駆動回路１３内の駆動ＴＦＴ２７のゲート電極および保持容量９９とも遮断する。回路図およびタイムチャートを省略するが、同様にスイッチＴＦＴ２６が動作することにより、付与出力線ＸｍＲとｋ番目の第３色有機発光素子３１３の駆動回路１３内の駆動ＴＦＴ２７のゲート電極および保持容量９９とを遮断する。
【０２３８】
ドライバＩＣ１８は、時刻ｔ１から時刻ｔ９までで、ｎ番目の走査線に含まれる複数の有機発光素子３１に対する映像信号の入力を完了する。以後、ドライバＩＣ１８は、一画面分の走査線の対して同様の操作を繰り返し、表示部３０に一画面分の映像を表示する。
【０２３９】
時刻ｔ２１に、ドライバＩＣ１８がｎ番目の付与信号Ｙｎ＿ｒおよび付与選択信号ＶｒｓｔをＯＮにする。付与選択信号ＶｒｓｔがＯＮになった場合には、第２切替器２９２は、付与出力線Ｘｍを付与電源線Ｖｒｅｆに接続する。一本の付与信号線Ｙｎ＿ｒに接続された走査回路１３の付与ＴＦＴ２８は、付与出力線ＸｍをＴＦＴ回路出力接続部４２を介してｋ番目の有機発光素子３１のアノード電極４３に接続する。そのため、ｋ番目の第１色有機発光素子３１１のアノード電極４３の電位ＶｋＲおよびｋ番目の第２色有機発光素子３１２のアノード電極４３の電位ＶｋＧがＶｒｅｆになる。
【０２４０】
時刻ｔ４から時刻ｔ２１までの期間は、本実施の形態の第２の期間の一例である。本実施の形態の制御部は、第２の期間内に、第１の期間に画素回路１３に印加された電位に基づいて、本発明の制御素子を介してｋ番目の第１色有機発光素子３１１の発光輝度を制御する。
【０２４１】
すなわち、ドライバＩＣ１８は、時刻ｔ４に開始し時刻ｔ２１に終了する第２の期間、ｋ番目の第１色有機発光素子３１１を発光状態に制御する。
【０２４２】
時刻ｔ６から時刻ｔ２１までの期間も、本実施の形態の第２の期間の一例である。本実施の形態の制御部は、第２の期間内に、第１の期間に画素回路１３に印加された電位に基づいて、本発明の制御素子を介してｋ番目の第２色有機発光素子３１２の発光輝度を制御する。
【０２４３】
時刻ｔ９から時刻ｔ２１までの期間も、本実施の形態の第２の期間の一例である。本実施の形態の制御部は、第２の期間内に、第１の期間に画素回路１３に印加された電位に基づいて、本発明の制御素子を介してｋ番目の第３色有機発光素子３１３の発光輝度を制御する。
【０２４４】
付与部１５は、第２の期間の開始前である時刻ｔ１から時刻ｔ２までの期間に、カソード電極１９の電位である負電源ＶＳＳよりも低い付与電源Ｖｒｅｆを、アノード電極４３に付与している。
【０２４５】
以後、ドライバＩＣ１８は時刻ｔ２以降と同様の操作を繰り返して、表示部３０に次の一画面分の映像を表示する。
【０２４６】
時刻ｔ２から時刻ｔ２１までの期間、ｋ番目の第１色有機発光素子３１１のアノード電極４３は、保持容量９９に蓄積された電荷により電位が維持される。これにより、ｋ番目の第１色有機発光素子３１１は発光を継続する。発光期間中は、保持容量９９からアノード電極４３を介して共通層４７に供給される正孔の一部が漏れ電流Ａとなり、ｋ番目の第２色の有機発光素子３１２の共通層４７に流れ込む。しかし、漏れ電流Ａはｋ番目の第１色の有機発光素子３１１に流れる電流と比較して遥かに少ない。そのため、ｋ番目の第１色の有機発光素子３１１の発光状態に対する漏れ電流Ａの影響はほとんど無視できる。
【０２４７】
ｋ番目の第２色有機発光素子３１２のアノード電極４３には、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの間に付与電源Ｖｒｅｆの電位を与えられた後、時刻ｔ２１までの期間は他の回路から遮断されている。漏れ電流Ａにより共通層４７に流れ込んだ正孔は、アノード電極４３に保持されている電子と結合して消滅する。そのため、漏れ電流Ａにより共通層４７に流れ込んだ正孔は発光層４４に到達しない。したがってｋ番目の第２色有機発光素子３１２が漏れ電流により発光するクロストークが発生しない。
【０２４８】
図２９のＶｋＧに示すように、時刻ｔ２から時刻ｔ２１にかけて、漏れ電流Ａにより流れ込んだ正孔を消滅させることにより、非発光状態であるｋ番目の第２色有機発光素子３１２のアノード電極４３の電位ＶｋＧは徐々に上昇する。しかしＶｋＧは負電圧ＶＳＳよりも低い電位を維持しているため、発光層４４に正孔が流れ込み発光することは無い。
【０２４９】
ｋ番目の第２色有機発光素子３１２に黒に近い低輝度の表示データが入力する場合について説明する。なお、図２１を使用して説明した場合と同様に、隣接する有機発光素子からｋ番目の第２色有機発光素子３１２に漏れ電流Ａが流れ込む場合を例にして説明する。発光させるためにｋ番目の第２色有機発光素子３１２のアノード電極４３に流れる電流と比べて漏れ電流Ａが無視できない程に大きい場合には、本来表示すべき輝度より高い輝度で発光するクロストークが生じる。しかし本実施の形態の場合には、少なくとも発光を開始する時点ではｋ番目の第２色有機発光素子３１２は漏れ電流Ａの影響を受けずに正しい輝度で発光する。このように、本実施の形態の表示装置１０は、黒以外の低輝度表示データに対してもクロストークの抑制効果がある。
【０２５０】
本実施の形態によると、ドライバＩＣ１８からの出力線の数を三分の一に減らすことができる。
【０２５１】
［実施の形態９］
本実施の形態は、外部補償機能を有する表示装置１０に関する。外部補償機能とは、表示のムラ、有機発光素子３１の劣化等を補償する信号を使用して、表示部３０に表示する映像を補償する機能である。
【０２５２】
図３０は、実施の形態９の表示装置１０の構成図である。  図３０を使用して、本実施の形態の表示装置１０について説明する。なお、実施の形態１と共通する部分については、説明を省略する。
【０２５３】
表示装置１０は、ＦＰＣ１２、ＴＦＴ基板１１、ドライバＩＣ１８および記憶部５６を有する。ドライバＩＣ１８は、外部補償部５７を有する。ＦＰＣ１２とＴＦＴ基板１１との間にドライバＩＣ１８が接続されている。ドライバＩＣ１８には、記憶部５６が接続されている。
【０２５４】
ドライバＩＣ１８は、配線部４１を介してＴＦＴ基板１１の状態を取得する。ＴＦＴ基板１１の状態は、たとえば付与ＴＦＴ２８により取得した画素回路１３の特性である。画素回路１３の特性は、たとえば有機発光素子３１の特性のばらつき、有機発光素子３１の劣化状態等を反映している。
【０２５５】
ドライバＩＣ１８は、ＦＰＣ１２を介して映像信号を取得する。ドライバＩＣ１８は、
取得した映像信号を処理して、ＴＦＴ基板１１のエミッション制御ドライバ１４、付与部１５および走査ドライバ１６に出力する。この際、ドライバＩＣ１８はＴＦＴ基板１１の状態に応じて、ＴＦＴ基板１１に出力する信号を調整する。エミッション制御ドライバ１４、付与部１５および走査ドライバ１６が、表示部３０を制御する。
【０２５６】
図３１は、実施の形態９のドライバＩＣ１８の構成図である。図３１を使用して、ドライバＩＣ１８の構成をさらに詳しく説明する。ドライバＩＣ１８は、調整部５１、受信部６０、高電圧ロジック部５５、アナログ制御部５８、アナログ出力部５９およびＤＣ／ＤＣコンバータ５０を有する。調整部５１は、高速で動作可能な低電圧ロジック回路である。調整部５１は、明るさ調整部５２、色調調整部５３、ガンマ調整部５４および外部補償部５７を有する。明るさ調整部５２、色調調整部５３、ガンマ調整部５４および外部補償部５７は、それぞれ明るさ調整回路、色調調整回路、ガンマ調整回路および外部補償回路により実現される。
【０２５７】
ドライバＩＣ１８の動作について、さらに詳しく説明する。
受信部６０は、映像信号を受信して調整部５１に出力する。明るさ調整部５２、色調調整部５３およびガンマ調整部５４が制御信号に基づいて映像信号を順次処理して、表示装置１０の特性に合わせた信号になるように調整する。
【０２５８】
外部補償部５７は、ＴＦＴ基板１１の状態および図示しないテーブル等に基づいて、ガンマ調整部５４が出力した信号を調整する。テーブルは、記憶部５６またはドライバＩＣ１８内の図示しないメモリに記憶されている。外部補償部５７は、たとえば駆動ＴＦＴ２７の閾値電圧Ｖｔｈを補償するように、信号を調整する。
【０２５９】
調整部５１は、外部補償部５７が調整した映像信号を高電圧ロジック部５５、アナログ制御部５８およびアナログ出力部５９に出力する。
【０２６０】
本実施の形態によると、付与ＴＦＴ２８を使用して取得した画素回路１３の特性を使用して、映像のムラ、有機発光素子３１の劣化等を補償することが可能な表示装置１０を提供することができる。
【０２６１】
［実施の形態１０］
本実施の形態は、屈曲させることが可能な表示装置１０に関する。図３２は、実施の形態１０の表示装置１０の模式断面図である。図３２を使用して、本実施の形態の表示装置１０について説明する。なお、実施の形態１と共通する部分については説明を省略する。
【０２６２】
図３２は、製作途中の表示装置１０のうちの一個の有機発光素子３１を含む部分を、映像を表示する面に対して垂直な面で切断した断面図を模式的に示す。表示装置１０は、支持部３５、配線部４１、発光部３６および保護部３７を有する。支持部３５の後方には、剥離層７２を介してガラス製の支持基板７３が固定されている。剥離層７２および支持基板７３は、表示装置１０が完成する前に支持部３５から取り外される。
【０２６３】
支持部３５は、フレキシブル基板７１、有機膜７７および無機薄膜７６を有する。支持部３５の一番後ろにフレキシブル基板７１があり、その前側に有機膜７７、無機薄膜７６、有機膜７７、無機薄膜７６、有機膜７７、無機薄膜７６が順次積層されている。フレキシブル基板７１は、ポリイミド等の絶縁膜と、銅製の回路パターンとを積層した、柔軟な配線部材である。フレキシブル基板７１は、ＦＰＣ１２と一体になっていても良い。無機薄膜７６は、たとえばシリコン薄膜である。有機膜７７は、たとえばポリイミドである。
【０２６４】
配線部４１は、下地絶縁膜９２、ポリシリコン層９３、ゲート絶縁膜９４、第１金属層９５、層間絶縁膜９６、第２金属層９７および平坦化層７５を含む。発光部３６は、アノード電極４３、分離部４６、共通層４７、発光層４４、カソード下層４８およびカソード電極１９を含む。
【０２６５】
保護部３７は、有機膜７７、無機薄膜７６、１／４波長位相差板２２および変更板２３を含む。保護部３７は、カソード電極１９の前側に有機膜７７、無機薄膜７６、有機膜７７、無機薄膜７６、有機膜７７、無機薄膜７６、有機膜７７が順次積層され、その前側に１／４波長位相差板２２および変更板２３が積層されている。
【０２６６】
前側および後ろ側にそれぞれ積層されている有機膜７７および無機薄膜７６は、水分および酸素の透過による発光層４４の劣化を防止する。
【０２６７】
本実施の形態によると、屈曲させて表示部３０を曲面にすることが可能な表示装置１０を提供することができる。
【０２６８】
［実施の形態１１］
本実施の形態は、表示装置１０が組み込まれた電子機器に関する。図３３は、実施の形態１１の電子機器の外観図である。図３３を使用して、本実施の形態の構成を説明する。なお、実施の形態１と共通する部分の説明は省略する。
【０２６９】
本実施の形態の電子機器は、スマートフォン８１である。スマートフォン８１は矩形の平板状であり、一方の広面に表示部３０を備える。表示部３０の周囲には、入力ボタン８５が設けられている。また表示部３０にはユーザによる走査を受け付けるタッチパネルが設けられている。スマートフォン８１は、各種情報処理機能を有する。たとえば、スマートフォン８１は、無線通信または有線通信により接続された図示しないネットワークを介して得た情報およびユーザによる入力に基づいて処理した情報を、表示部３０に表示する。
図３３のスマートフォンは、表示装置１０が組み込まれた電子機器の一例である。表示装置１０は、映像を表示する機能を備える任意の電子機器に組み込むことができる。
【０２７０】
各実施例で記載されている技術的特徴（構成要件）はお互いに組み合わせ可能であり、組み合わせすることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものでは無いと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した意味では無く、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０２７１】
１０  表示装置
１１  ＴＦＴ基板
１２  ＦＰＣ
１３  画素回路
１４  エミッション制御ドライバ
１５  付与部
１５１  スイッチング部
１５２  デマルチプレクサ部
１６  走査ドライバ
１７  保護回路
１８  ドライバＩＣ
１９  カソード電極
２１  封止板
２２  １／４波長位相差板
２３  偏光板
２４  乾燥空気
２５  密閉部
２６  スイッチＴＦＴ
２７  駆動ＴＦＴ
２８  付与ＴＦＴ
２９  切替器
２９１  第１切替器
２９２  第２切替器
３０  表示部
３１  有機発光素子
３１１  第１色有機発光素子
３１２  第２色有機発光素子
３１３  第３色有機発光素子
３２  配線区画
３３  画素
３５  支持部
３６  発光部
３７  保護部
４１  配線部
４２  ＴＦＴ回路出力接続部
４２１  第１色ＴＦＴ回路出力接続部
４２２  第２色ＴＦＴ回路出力接続部
４２３  第３色ＴＦＴ回路出力接続部
４３  アノード電極
４３１  第１色アノード電極
４３２  第２色アノード電極
４３３  第３色アノード電極
４４  発光層
４４１  第１色発光層
４４２  第２色発光層
４４３  第３色発光層
４５  キャップ層
４６  分離部
４７  共通層
４８  カソード下層
４９  画素配列部
５０  ＤＣ／ＤＣコンバータ
５１  調整部
５２  明るさ調整部
５３  色調調整部
５４  ガンマ調整部
５５  高電圧ロジック部
５６  記憶部
５７  外部補償部
５８  アナログ制御部
５９  アナログ出力部
６０  受信部
７１  フレキシブル基板
７２  剥離層
７３  支持基板
７５  平坦化層
７６  無機薄膜
７７  有機膜
９１  透光性基板
９２  下地絶縁膜
９３  ポリシリコン層
９３１  高濃度不純物層
９３２  低濃度不純物層
９３３  アンドープ層
９４  ゲート絶縁膜
９５  第１金属層
９５１  ＴＦＴゲート電極
９５２  保持容量電極
９６  層間絶縁膜
９７  第２金属層
９７１  層間接続部
９８  ＴＦＴ部
９９  保持容量部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
0006738037.tif 000024
【図１４】
0006738037.tif 000025
【図１５】
0006738037.tif 000026
【図１６】
0006738037.tif 000027
【図１７】
0006738037.tif 000028
【図１８】
0006738037.tif 000029
【図１９】
0006738037.tif 000030
【図２０】
0006738037.tif 000031
【図２１】
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【図２２】
0006738037.tif 000033
【図２３】
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【図２４】
0006738037.tif 000035
【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
0006738037.tif 000039
【図２９】
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【図３０】
0006738037.tif 000041
【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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