(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
進行波と反射波とを検出する方向性結合器と、
入力端子と、出力端子と、一端が第１の伝送線路を介して前記入力端子に接続され他端が接地された第１の可変容量コンデンサと、一端が第２の伝送線路を介して前記出力端子に接続され他端が接地された第２の可変容量コンデンサと、一端が前記第１の可変容量コンデンサの前記一端に接続され他端が前記第２の可変容量コンデンサの前記一端に接続されたインダクタンスと、を有する整合回路と、
前記方向性結合器で検出した進行波と反射波とに基づき、前記第１の可変容量コンデンサの容量値と前記第２の可変容量コンデンサの容量値とを取得し、制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記方向性結合器で検出した進行波と反射波とに基づき、反射係数を算出し、
前記算出される反射係数が小さくなるように、その時点で取得している可変容量コンデンサの容量値に基づき、前記第１の可変容量コンデンサの容量値および前記第２の可変容量コンデンサの容量値の設定値を演算して変更し、
前記第１の可変容量コンデンサの容量値および前記第２の可変容量コンデンサの容量値の設定値を演算する周期は前記第１の可変容量コンデンサの容量値および前記第２の可変容量コンデンサの容量値を取得する周期よりも短くすることを特徴とする整合器。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１および第２の可変容量コンデンサはそれぞれステッピングモータを用いて容量値の変更制御を行い、前記ステッピングモータの制御端子用インタフェースとしてはシリアルインタフェースを用いることを特徴とする整合器。
【請求項３】
請求項２において、
前記ステッピングモータは等加速度で加減速し、最高速度に到達後は定速度動作する速度パターンモデルを用いて、前記第１および第２の可変容量コンデンサの過渡状態における容量値を推測して補間することを特徴とする整合器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は整合器に関し、例えば高周波電源装置の出力を負荷に整合させる整合器に適用可能である。
【背景技術】
【０００２】
エッチングや薄膜形成を行う半導体製造工程では、プラズマ処理装置が用いられる。このプラズマ処理装置の電力供給源として、高周波電源装置が用いられる。高周波電源装置からプラズマ処理装置に対し、効率良く電力を供給するには、高周波電源装置とプラズマ処理装置（負荷）との間でインピーダンスを整合させる必要がある。インピーダンスを整合させる手段として、例えば特許文献１に示されるように、高周波電源装置とプラズマ処理装置との間に整合器が挿入される。整合器は高周波電源装置とプラズマ処理装置との間でインピーダンスを整合させる整合素子を有する整合回路を含むように構成されている。整合回路は、可変容量コンデンサ、インダクタンス、伝送線路を含むように構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】ＷＯ２０１５／１２９６７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
可変容量コンデンサはステッピングモータを用いて容量値の変更制御を行い、その制御端子用インタフェースとしてはシリアルインタフェースを用いる。シリアルインタフェースの応答時間（コマンドの送受信をしてから、次のコマンドの送受信を開始するまでの時間）が長い場合には、時間的誤差により演算誤差が生じやすくなる。  本開示の課題は、可変容量コンデンサへの送受信に時間がかかる場合でも演算誤差を低減する整合器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。  すなわち、整合器は、進行波と反射波とを検出する方向性結合器と、入力端子と、出力端子と、一端が第１の伝送線路を介して前記入力端子に接続され他端が接地された第１の可変容量コンデンサと、一端が第２の伝送線路を介して前記出力端子に接続され他端が接地された第２の可変容量コンデンサと、一端が前記第１の可変容量コンデンサの前記一端に接続され他端が前記第２の可変容量コンデンサの前記一端に接続されたインダクタンスと、を有する整合回路と、前記方向性結合器で検出した進行波と反射波とに基づき、前記第１の可変容量コンデンサの容量値と前記第２の可変容量コンデンサの容量値とを制御する制御部と、を備える。前記制御部は、前記方向性結合器で検出した進行波と反射波とに基づき、反射係数を算出し、前記算出される反射係数が小さくなるように、前記第１の可変容量コンデンサの容量値および前記第２の可変容量コンデンサの容量値を変更し、前記第１の可変容量コンデンサの容量値および前記第２の可変容量コンデンサの容量値の設定値を演算する周期は前記第１の可変容量コンデンサの容量値および前記第２の可変容量コンデンサの容量値を取得する周期よりも短くする。
【発明の効果】
【０００６】
上記構成によれば、演算誤差を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施例に係る整合器の機能ブロック図
【図２】実施例に係る整合回路の構成図
【図３】可変容量コンデンサの容量を変えたときの反射係数の軌跡の一例を説明する図
【図４】可変容量コンデンサの容量を変えたときの反射係数の軌跡の他の例を説明する図
【図５】実施例に係る反射係数の軌跡を示す図
【図６】実施例に係るインピーダンス整合の処理フローチャート
【図７】ステッピングモータの動作モデルを示す図
【図８】比較例に係る整合動作のフローチャート
【図９】実施例に係る整合動作のフローチャート
【図１０】実施例に係るＶＣ動作モデルの処理フローチャート
【図１１】（Ａ）比較例に係るＶＣ動作モデルの位置補正を説明する図、（Ｂ）実施例に係るＶＣ動作モデルの位置補正を説明する図
【図１２】実施例に係るＶＣ動作モデルのモータの速度補正を説明する図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、実施例および比較例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。
【０００９】
図１は、実施例に係る整合器の機能ブロック図である。図１では、高周波電源装置２とプラズマ処理装置３との間に、整合器１０が挿入されている。高周波電源装置２から出力した高周波電力を、整合器１０を介してプラズマ処理装置３に供給することで、プラズマ処理装置３でプラズマを発生させる。高周波電源装置２からプラズマ処理装置３に効率よく電力を供給するためには、高周波電源装置２とプラズマ処理装置３との間でインピーダンスを整合させる必要がある。高周波電源装置２の出力インピーダンスは通常５０Ωであるため、プラズマ処理装置３の入力インピーダンスを、整合器１０によって変換し、整合器１０の入力インピーダンスを５０Ωにすればよい。
【００１０】
プラズマ処理装置３の入力インピーダンスは、プラズマ処理装置３に入力されるガスの種類や流量、圧力、温度等によって変化する。よって、整合器１０は、時間的に変化するプラズマ処理装置３の入力インピーダンスに合わせて、適応的に整合する必要がある。
【００１１】
図１の整合器１０は、進行波と反射波とを検出する方向性結合器１１と、高周波電源装置２とプラズマ処理装置３との間でインピーダンスを整合させる整合素子を有する整合回路３０と、整合回路３０の整合素子の回路定数を制御するための制御部２０と、記憶部２５と、を含むように構成される。
【００１２】
方向性結合器１１の動作を説明する。ＲＦin端子からＲＦout端子に向かって進む高周波電力（進行波：Ｐｆ）は、方向性結合器１１で検出され、ＦＯＲＷＡＲＤ端子に出力される。ＲＦout端子からＲＦin端子に向かって進む高周波電力（反射波：Ｐｒ）は、方向性結合器１１で検出され、ＲＥＦＬＥＣＴ端子に出力される。また、ＲＦin端子からＲＦout端子に向かって進む高周波電力（Ｐｆ）は、ＲＥＦＬＥＣT端子では検出されず、もし検出されても僅かである。同様に、ＲＦout端子からＲＦin端子に向かって進む高周波電力（Ｐｒ）は、ＦＯＲＷＡＲＤ端子では検出されず、もし検出されても僅かである。
【００１３】
制御部２０は、反射係数演算部２１と、容量演算部２２と、容量設定部２３とを含むように構成される。
【００１４】
方向性結合器１１で検出された進行波（Ｐｆ）と反射波（Ｐｒ）は、制御部２０の反射係数演算部２１に入力される。反射係数（Γ）は、進行波（Ｐｆ）に対する反射波（Ｐｒ）の振幅比（ｒ）と位相差（θ）から、式（１）のように定義される。      Γ＝ｒ・exp（ｊ・θ） (ｊ：虚数単位)・・・（１）   よって、進行波（Ｐｆ）に対する反射波（Ｐｒ）の振幅比（ｒ）と位相差（θ）が分かれば、反射係数（Γ）を求めることが出来る。反射係数演算部２１では、進行波（Ｐｆ）と反射波（Ｐｒ）とに基づき、上記振幅比（ｒ）と位相差（θ）を計算し、反射係数（Γ）を算出する。具体的な方法としては、進行波（Ｐｆ）と反射波（Ｐｒ）をＦＦＴ（高速フーリエ変換）によって周波数領域に変換し、高周波電源装置２が出力している高周波電力と同じ周波数について、進行波（Ｐｆ）と反射波（Ｐｒ）の振幅と位相を比較し、振幅比（ｒ）と位相差（θ）を計算すればよい。
【００１５】
容量演算部２２は、反射係数演算部２１で計算された反射係数（Γ）に基づき、反射係数（Γ）をゼロに近づけるためのコンデンサ容量を計算する。コンデンサ容量の計算方法につては後述する。容量設定部２３は、容量演算部２２で算出したコンデンサの容量に基づき、整合回路３０内の可変容量コンデンサの容量を設定、変更する。
【００１６】
図２は実施例に係る整合回路の構成図である。整合回路３０は、負荷となるプラズマ処理装置３の入力インピーダンスが変動する範囲によって回路構成が決まるが、ここでは、π型の整合回路を例にして説明する。この整合回路３０は、可変容量コンデンサ３１、可変容量コンデンサ３２、インダクタンス３３、伝送線路３５、伝送線路３６を含むように構成されている。この伝送線路３５と伝送線路３６は、同軸ケーブルや金属板などで構成することができ、また、インダクタやコンデンサの集中定数回路を含むように構成することもできる。
【００１７】
伝送線路３５は、整合回路３０の入力端子３０ａと可変容量コンデンサ３１の一端を接続する。可変容量コンデンサ３１の他端は接地されている。伝送線路３６は、整合回路３０の出力端子３０ｂと可変容量コンデンサ３２の一端を接続する。可変容量コンデンサ３２の他端は接地されている。
【００１８】
可変容量コンデンサ３１、可変容量コンデンサ３２、インダクタンス３３は、高周波電源装置２とプラズマ処理装置３との間のインピーダンス整合を行うための整合素子である。また、整合回路３０は、可変容量コンデンサ３１の容量を制御するための可変容量コンデンサ制御端子３１ａと、可変容量コンデンサ３２の容量を制御するための可変容量コンデンサ制御端子３２ａとを備える。
【００１９】
整合回路３０の可変容量コンデンサの制御は、方向性結合器１１で検波した進行波（Ｐｆ）と反射波（Ｐｒ）から計算される反射係数（Γ）の大きさが小さくなるように制御される。
【００２０】
前述したように、制御部２０は、方向性結合器１１で検出した進行波と反射波とに基づき、反射係数を算出し、該反射係数を用いて、第１の可変容量コンデンサ３１の容量値（ＶＣ１）と第２の可変容量コンデンサ３２の容量値（ＶＣ２）とを制御する。記憶部２５は、後述する円の情報等を記憶する。
【００２１】
ここで、円の情報とは、スミスチャート上で整合点（反射係数（Γ）の実部と虚部がゼロの点）を通過する反射係数（Γ）の軌跡が描く円の情報であって、円の位置や大きさに関する情報である。この円の情報は、伝送線路３５の条件、つまり伝送線路３５の特性インピーダンス（ＺＬ）や線路長（Ｌ）に基づき、決定されることが知られている。
【００２２】
容量演算部２２は、反射係数演算部２１で算出された反射係数（Γ）と、記憶部２５に記憶している円の情報とに基づき、算出された反射係数（Γ）に対応する整合回路３０の可変容量コンデンサ３１の容量値（ＶＣ１）および変容量コンデンサ３２の容量値（ＶＣ２）を算出する。つまり、算出された反射係数（Γ）を小さくするようなＶＣ１とＶＣ２を算出する。
【００２３】
詳しくは、容量演算部２２は、反射係数演算部２１で算出される反射係数（Γ）が、記憶部２５に記憶している円に接近するように、整合回路３０の可変容量コンデンサ３２の容量値（ＶＣ２）を算出する。そして、容量設定部２３は、上記算出した容量になるよう、可変容量コンデンサ３２の容量値（ＶＣ２）を変更する。これにより、容量設定部２３は、反射係数Γを、前記円上に位置させる。
【００２４】
その後、容量演算部２２は、反射係数演算部２１で算出される反射係数Γが小さくなるように、整合回路３０の可変容量コンデンサ３１の容量値（ＶＣ１）を算出する。そして、容量設定部２３は、上記算出した容量になるよう、可変容量コンデンサ３１の容量値（ＶＣ１）を変更する。これにより、容量設定部２３は、反射係数（Γ）を、整合点（反射係数（Γ）が０の点）に位置させる。
【００２５】
記憶部２５には、伝送線路３５に応じた円の情報が、予め記憶されている。この円の情報（位置と大きさ）は、前述したように、伝送線路３５の条件、つまり伝送線路３５の性インピーダンス（ＺＬ）や線路長（Ｌ）に基づき決定される。例えば、伝送線路３５が、無視できるほどに短い場合は、円は、後述する図３に示す円Ｒ１となる。また、伝送線路３５が、特性インピーダンスが５０Ωで、線路長がλ／４である場合は、円は、後述する図４に示す円Ｒ２や、図５に示す円Ｒ３となる。
【００２６】
ここで、本実施形態の整合アルゴリズムの考え方を説明する。あるプラズマ負荷のときに、高周波電源装置２とプラズマ処理装置３との間のインピーダンスが整合する（つまり反射係数（Γ）が０）ときのＶＣ１とＶＣ２の値を、ＶＣ１＝Ｘ、ＶＣ２＝Ｙとする。説明を解り易くするために、整合する条件であるＶＣ１＝Ｘ、ＶＣ２＝Ｙの状態から、ＶＣ１を変えたときの、整合回路３０の入力インピーダンスの軌跡、つまり、反射係数（Γ）の軌跡を図３のスミスチャートに示す。この場合、伝送線路３５は、進行波や反射波の波長（λ）に比べ、無視できるほど短いものとする。
【００２７】
図３において、ＶＣ１を変えると、反射係数（Γ）の軌跡は、整合がとれている状態であるＦ点と、Ｇ点とを結ぶ線分を直径とする円Ｒ１を描く。Ｆ点における反射係数（Γ）は、その虚部（Γｉ）がゼロであり、その実部（Γｒ）がゼロである（整合器１０の入力インピーダンスは５０Ω）。Ｇ点における反射係数（Γ）は、その虚部がゼロであり、その実部が−１である。
【００２８】
詳しくは、図３において、整合がとれている状態（Ｆ点）でＶＣ１を増やすと、反射係数（Γ）は、円Ｒ１上をＦ点からＡ点の方向に動く。また、ＶＣ１を減らすと、円Ｒ１上をＦ点からＢ点の方向に動く。このことは、可変容量コンデンサ３１，３２とインダクタンス３３とを含む図２のπ型整合回路３０において、可変容量コンデンサ３１がグランドに接続（接地）されているときのインピーダンス軌跡として、一般的に知られているため、詳細な説明は割愛する。
【００２９】
図３では、伝送線路３５が無視できる場合を示したが、現実には無視できないこともある。図４のスミスチャートに、伝送線路３５の特性インピーダンスが５０Ωで線路長がλ／４の場合の、反射係数（Γ）の軌跡を示す。図４において、反射係数（Γ）の軌跡は、整合がとれている状態であるＦ点と、Ｈ点とを結ぶ線分を直径とする円Ｒ２を描くことが知られている。Ｈ点における反射係数（Γ）は、その虚部がゼロであり、その実部が１である（整合器１０の入力インピーダンスは無限大）。
【００３０】
図２の整合回路３０において、伝送線路３５の右端から見た入力インピーダンスをＺ１とし、伝送線路３５の左端から見た入力インピーダンスをＺ２とすると、Ｚ２は、次の式（２）により決まる。式（２）において、Ｚ１は、伝送線路３５が無視できる場合（図３）の入力インピーダンスであり、Ｚ２は、伝送線路３５が無視できない場合（図４）の入力インピーダンスである。伝送線路３５が無視できない場合（図４）、図３の円Ｒ１は、図４の円Ｒ２になる。
【００３１】
【数１】
0006711900.tif 000002
【００３２】
このように、図４の軌跡は、特性インピーダンスが５０Ωで線路長がλ／４の伝送線路３５を挿入しているため、図３の軌跡において、反射係数（Γ）の実部と虚部がゼロの点（Ｆ点）を中心にして、１８０°回転した状態になる。よって、図４において、整合がとれている状態（Ｆ点）でＶＣ１を増やすと、反射係数（Γ）は、円Ｒ２上をＡ´点の方向（反射係数（Γ）の虚部が正の方向）に動く。また、ＶＣ１を減らすと、反射係数（Γ）は、円Ｒ２上をＢ´点の方向（反射係数（Γ）の虚部が負の方向）に動く。すなわち、図４の円Ｒ２上において、反射係数（Γ）の虚部が正の場合は、ＶＣ１が整合値Ｘよりも大きく、反射係数（Γ）の虚部が負の場合は、ＶＣ１が整合値Ｘよりも小さい。
【００３３】
このように、図４では、整合点（Ｆ点）において、ＶＣ１を増加、又は減少させると、反射係数（Γ）は、円Ｒ２を描くような軌跡をたどる。このことは、ＶＣ２が整合値にある状態で、ＶＣ１を変えると、反射係数（Γ）は、図４で示した円Ｒ２上を移動することを示している。従って、まず、反射係数（Γ）が図４の円Ｒ２上にのるようにＶＣ２を制御し、その後、反射係数（Γ）が０になるように、ＶＣ１を制御すればよいことが解る。
【００３４】
図５は、図４と同様の整合回路３０の場合、つまり、伝送線路３５の特性インピーダンスが５０Ωで線路長がλ／４の場合において、実施例に係るインピーダンス整合を行う際における、反射係数（Γ）の軌跡を示すスミスチャートである。Ｃ点は、プラズマ負荷がある入力インピーダンス値にある場合において、ＶＣ１とＶＣ２が初期値（例えば、可変容量コンデンサの最小値）のときの、反射係数（Γ）、つまり、整合器１０の入力インピーダンスである。
【００３５】
まず、制御部２０は、反射係数（Γ）が、ＶＣ１とＶＣ２の初期値のＣ点から、円Ｒ３に接するＤ点に達するまで、ＶＣ２のみを増やす。円Ｒ３は、図４の円Ｒ２と同じである。円Ｒ３の情報は、記憶部２５に記憶されている。反射係数（Γ）が、円Ｒ３に接するＤ点に到達すると、ＶＣ２は、整合時の容量であるＹとなる。この状態では、ＶＣ２は、整合値に制御されているが、ＶＣ１は初期値のままである。そこで、制御部２０は、次にＶＣ１を増やしていく。ＶＣ１を増やすと、前述したように、反射係数（Γ）は、円Ｒ３上を移動する。したがって、ＶＣ１を増やしていき、反射係数（Γ）が０になるところで、ＶＣ１の増加を止めればよい。そのときのＶＣ１は、整合時の容量であるＸとなる。
【００３６】
図５の軌跡は、プラズマ負荷の入力インピーダンスがある値にある場合の一例であるが、プラズマ負荷の入力インピーダンスが変われば、当然、Ｃ点やＤ点の位置は変化する。ただし、ＶＣ２が整合時の容量である場合に、反射係数（Γ）が円Ｒ３上にあることは変わらない。
【００３７】
また、図５のＣ点の場合は、ＶＣ１とＶＣ２の初期値として、可変容量コンデンサの最小値を選んでいるが、可変容量コンデンサの最大値でもよく、また、その他の値でもよい。その場合、当然、Ｃ点の位置は変わる。しかし、ＶＣ１とＶＣ２の初期値が何れの値であっても、ＶＣ２が整合時の値になっていれば、ＶＣ１を変えたときに、反射係数（Γ）が円Ｒ３上を移動するという現象は変わらない。
【００３８】
よって、反射係数（Γ）が円Ｒ３に接するまで、ＶＣ２のみを制御し、円Ｒ３に接した後は、ＶＣ１のみを制御するという、制御部２０の動作は変わらない。ＶＣ２の制御において、ＶＣ２が整合値であるＹよりも大きいときは、反射係数（Γ）が円Ｒ３の外にあるので、ＶＣ２を減らすことにより、反射係数（Γ）が円Ｒ３に接するように制御する。逆に、ＶＣ２が整合値であるＹよりも小さいときは、反射係数（Γ）が円Ｒ３の内にあるので、ＶＣ２を増やすことにより、反射係数（Γ）が円Ｒ３に接するように制御する。
【００３９】
そして、反射係数（Γ）が円Ｒ３に接するようにＶＣ２を制御した後、ＶＣ１を次のように制御する。すなわち、反射係数（Γ）の虚数部が正の場合は、ＶＣ１が整合値であるＸよりも大きい値の場合であるので、ＶＣ１を減らすことにより、反射係数（Γ）が０になるよう制御する。逆に、反射係数（Γ）の虚数部が負の場合は、ＶＣ１がＸよりも小さい場合なので、ＶＣ１を増やすことにより、反射係数（Γ）が０になるよう制御する。
【００４０】
また、プラズマ負荷の入力インピーダンスが、ＶＣ１とＶＣ２を制御している途中に変化した場合においても、上述したようにＶＣ２とＶＣ１を制御する。すなわち、反射係数（Γ）が円Ｒ３に接するようにＶＣ２を制御した後、ＶＣ１を制御する。
【００４１】
なお、図４や図５の説明では、図２の整合回路３０において、伝送線路３５の特性インピーダンスが５０Ωで、線路長がλ／４の条件である場合を例として説明したが、これらの条件である場合に限られない。伝送線路３５の条件が上記の条件と異なれば、ＶＣ２が整合時の容量であるという条件下においてＶＣ１を変えた場合の円の軌跡は、図４や図５で示した円Ｒ３の軌跡とは異なるので、前述した式（２）により、伝送線路３５の条件に合わせた円の軌跡を設定すればよい。
【００４２】
図６は、実施例に係るインピーダンス整合の処理フローチャートである。この処理は、制御部２０において実行される。先ず、初期設定として、図４や図５で示した円の情報（スミスチャート上の位置と大きさ）を、記憶部２５に記憶し保存する（図６のステップＳ１）。上述したように、この円の情報は、伝送線路３５によって決まるため、整合回路３０に応じた情報を与える必要がある。また、ステップＳ１では、ＶＣ１とＶＣ２の初期値も設定する。
【００４３】
次に、そのときの反射係数（Γ）を、方向性結合器１１から得られた進行波（Ｐｆ）と反射波（Ｐｒ）から演算する（ステップＳ２）。次に、反射係数（Γ）の絶対値と所定値（Ｌ）とを比較する（ステップＳ３）。反射係数（Γ）の絶対値がＬ以下である場合は（ステップＳ３でＹｅｓ）、ステップＳ２に戻り、方向性結合器１１から進行波（Ｐｆ）と反射波（Ｐｒ）を取得して、再度、そのときの反射係数（Γ）を演算する。
【００４４】
反射係数（Γ）の絶対値がＬよりも大きい場合は（ステップＳ３でＮｏ）、ステップＳ４に進む。このＬは、整合がとれたことを判断するための閾値であり、理想的には０であるが、現実的には、反射係数（Γ）を０にするのは困難であるため、ある閾値（Ｌ）を設けて判断する。このＬは、高周波電源装置２の耐反射電力や、高周波電源装置２を使うプラズマ処理装置３の要求仕様によって決定される値である。
【００４５】
ステップＳ４では、初期設定（ステップＳ１）で定義した円上に反射係数（Γ）があるか否かを判定するため、記憶部２５から円の情報を取得し、反射係数（Γ）と円との距離の最小値（Ｐ）を演算する。この値（Ｐ）が所定の閾値（Ｍ）よりも大きい場合は（ステップＳ５でＹｅｓ）、ＶＣ２が整合値でないので、ＶＣ２を変更するように制御する。具体的には、反射係数（Γ）が円上にないと判定し、ステップＳ６に進む。このＭも、理想的には０であるが、現実には０にするのは困難であるため、所定の値に設定する。
【００４６】
Ｐが所定の閾値（Ｍ）以下の場合は（ステップＳ５でＮｏ）、ＶＣ２が整合値であるので、ＶＣ２を変更する必要はない。そこで、ＶＣ１（つまり可変容量コンデンサ３１）の制御動作へ進む。すなわち、反射係数（Γ）が円上にあると判定し、ステップＳ１０に進む。
【００４７】
ステップＳ６では、ＶＣ２（つまり可変容量コンデンサ３２）を制御する方向を判断するため、反射係数（Γ）が円よりも内側にあるか否かを判定する。反射係数（Γ）が円の内側にある場合は（ステップＳ６でＹｅｓ）、ＶＣ２がＹよりも小さいので、ＶＣ２を増やす（ステップＳ７）。反射係数Γが円の外側にある場合は（ステップＳ６でＮｏ）、ＶＣ２がＹよりも大きいので、ＶＣ２を減らす（ステップＳ８）。このとき、減らす量、増やす量は予め設定しておけばよい。
【００４８】
こうして、ステップＳ２からステップＳ７又はＳ８までの処理を繰り返すことにより、Ｐを所定の閾値（Ｍ）以下とすることができる、つまり、ほぼ円上に反射係数（Γ）をのせることができる。こうして、ステップＳ５において、ＰがＭ以下であると判定されると、ステップＳ１０に進み、ＶＣ１（つまり可変容量コンデンサ３１）の制御動作を行う。
【００４９】
ステップＳ１０では、反射係数（Γ）の虚部が負であるか否かを判定、つまり、ＶＣ１がＸより小さいか否かを判定する。前述したように、反射係数（Γ）の虚部が負の場合は、ＶＣ１がＸよりも小さく、反射係数（Γ）の虚部が正の場合は、ＶＣ１がＸよりも大きい。したがって、反射係数（Γ）の虚部が負である場合は（ステップＳ１０でＹｅｓ）、ＶＣ１を増やす。反射係数（Γ）の虚部が正である場合は（ステップＳ１０でＮｏ）、ＶＣ１を減らす。こうして、ＶＣ１を変更することにより、反射係数（Γ）をゼロに近づける。このときの増減の量も予め設定しておく。
【００５０】
以上説明したように、制御部２０は、方向性結合器１１で検出した進行波と反射波とに基づき、反射係数を算出し、スミスチャート上で整合点を通過する反射係数の軌跡が描く円と、前記算出された反射係数との間の距離が所定値より大きい場合は、第２の可変容量コンデンサ３２の容量値を変更し、前記算出される反射係数を変更することにより、前記距離を前記所定値以内とし、前記距離が前記所定値以内になると、第１の可変容量コンデンサ３１の容量値を変更し、前記距離を変えることなく、前記算出される反射係数を小さくする。すなわち、制御部２０は、方向性結合器１１で検出した進行波と反射波とに基づき、反射係数を算出し、前記算出される反射係数が小さくなるように、第１の可変容量コンデンサ３１の容量値および前記第２の可変容量コンデンサ３２の容量値を変更する。
【００５１】
図７は実施例に係る整合のための容量演算の処理フローである。
【００５２】
ステップＳ２１：制御部２０は初期値／固定値の設定（図６のステップＳ１の処理）を行う。
【００５３】
ステップＳ２２：制御部２０はＶＣ１にＰＲＥＳＥＴ値を設定する（ＶＣ１＿ＰＲＥＳＥＴ＝６００）。
【００５４】
ステップＳ２３：制御部２０はエリア判定を行う。
【００５５】
ステップＳ２４：制御部２０は可変容量コンデンサ３１、３２から容量値（ＶＣ１、ＶＣ２）を取得する周期（例えば１６ｍｓ周期）になったかどうかを判断する。この判断は１６ｍｓ周期のタイマに基づいて行われる。ＹＥＳの場合はステップＳ２５に移動し、ＮＯの場合はステップＳ２６に移動する。以下、ＶＣ１、ＶＣ２の総称をＶＣとする。
【００５６】
ステップＳ２５：制御部２０は可変容量コンデンサ３１、３２からＲＳ２３２Ｃ通信経由で容量値（ＶＣ）を取得する。制御部２０は取得した容量値をＶＣ動作モデル（関数：演算モデル）に与え、演算の誤差補正に使用する。
【００５７】
ステップＳ２６：制御部２０は容量演算を行う周期（例えば４ｍｓ周期）になったかどうかを判断する。この判断は４ｍｓ周期のタイマに基づいて行われる。ＹＥＳの場合はステップＳ２７に移動し、ＮＯの場合はステップＳ２８に移動する。
【００５８】
ステップＳ２７：制御部２０（容量演算部２２）はＶＣ動作モデルから出力されるＶＣ容量値に基づいて容量演算を行う。
【００５９】
ステップＳ２８：制御部２０は可変容量コンデンサ３１、３２に容量値（ＶＣ）を設定する周期（例えば１６ｍｓ周期）になったかどうかを判断する。この判断は１６ｍｓ周期のタイマの出力を８ｍｓ送られたタイミングに基づいて行われる。ＹＥＳの場合はステップＳ２９に移動し、ＮＯの場合はステップＳ２３に移動する。
【００６０】
ステップＳ２９：制御部２０はステップＳ２７で求めた容量値（ＶＣ設定容量演算値）を可変容量コンデンサ３１、３２へＲＳ２３２Ｃ通信経由で送信する。
【００６１】
すなわち、実施例では、容量演算を４ｍｓ周期で実施する。可変容量コンデンサ３１、３２に対するＲＳ２３２Ｃ通信を介した容量値の取得および設定は１６ｍｓ周期で実施しており、取得した容量値はそのまま容量演算に使用するのではなく、ＶＣ動作モデル（関数：演算モデル）に与え演算の誤差補正に使用する。そしてＶＣ動作モデルが４ｍｓ周期でＶＣ量値（１６ｍｓに１回は誤差補正されるため可変容量コンデンサから取得した値となる）を出力し、容量演算が４ｍｓ周期で実行できるようにしている。
【００６２】
次に、発明者らが本願発明に先立って検討した技術（以下、比較例という。）について図８を用いて説明する。図８は比較例に係る整合のための容量演算の処理フローである。
【００６３】
ステップＳ３１：制御部２０は初期値／固定値の設定（図６のステップＳ１の処理）を行う。
【００６４】
ステップＳ３２：制御部２０はＶＣ１にＰＲＥＳＥＴ値を設定する（ＶＣ１＿ＰＲＥＳＥＴ＝６００）。
【００６５】
ステップＳ３３：制御部２０はエリア判定を行う。
【００６６】
ステップＳ３４：制御部２０は可変容量コンデンサ３１、３２から容量値（ＶＣ１、ＶＣ２）を取得する周期（例えば１６ｍｓ周期）になったかどうかを判断する。この判断は１６ｍｓ周期のタイマに基づいて行われる。ＹＥＳの場合はステップＳ３５に移動し、ＮＯの場合はステップＳ３８に移動する。
【００６７】
ステップＳ３５：制御部２０は可変容量コンデンサ３１、３２からＲＳ２３２Ｃ通信経由で容量値（ＶＣ）を取得する。
【００６８】
ステップＳ３７：制御部２０（容量演算部２２）はステップＳ３５で取得した容量値（ＶＣ容量値）に基づいて容量演算を行う。
【００６９】
ステップＳ２８：制御部２０は可変容量コンデンサ３１、３２に容量値（ＶＣ）を設定する周期（例えば１６ｍｓ周期）になったかどうかを判断する。この判断は１６ｍｓ周期のタイマの出力を８ｍｓ送られたタイミングに基づいて行われる。ＹＥＳの場合はステップＳ３９に移動し、ＮＯの場合はステップＳ３３に移動する。
【００７０】
ステップＳ３９：制御部２０はステップＳ３７で求めた容量値（ＶＣ設定容量演算値）を可変容量コンデンサ３１、３２へＲＳ２３２Ｃ通信経由で送信する。
【００７１】
すなわち、比較例では、１６ｍ周期で可変容量コンデンサ３１、３２からＲＳ２３２Ｃ通信経由で容量値（ＶＣ）を取得し、容量演算後に新たな設定容量値を可変容量コンデンサ３１、３２にＲＳ２３２Ｃ通信経由で伝達している。この場合、容量演算は１６ｍｓに１回実施し、その演算に使用する容量値（ＶＣ）も１６ｍｓに１回値が更新される。
【００７２】
可変容量コンデンサ３１、３２はステッピングモータを用いて容量値の変更制御を行い、その可変容量コンデンサ制御端子３１ａ、３２ａ用Ｉ／Ｆ（インタフェース）としてはＲＳ２３２Ｃ／ＲＳ４８５等のシリアルＩ／Ｆを用いる。シリアルＩ／Ｆの応答時間はボーレートにもよるが約１０ｍｓ程度（コマンドの送受信をしてから、次のコマンドの送受信を開始するまで）を要する。この１０ｍｓという時間は、プラズマ負荷インピーダンスの変動スピードが速い場合には、整合器の本来機能である追従機能に影響が発生し、また、時間的誤差により演算誤差が生じやすくなる。
【００７３】
よって、比較例のように、シリアルＩ／Ｆの応答時間よりも周期で容量値を取得でないので、１６ｍｓ周期で容量値を取得し容量演算を行うと、上述したようにプラズマ負荷インピーダンスの変動スピードが速い場合には、整合器の本来機能である追従機能に影響が発生し、また、時間的誤差により演算誤差が生じやすくなる。
【００７４】
実施例のように容量演算の周期が短くなることで以下の効果がある。（１）演算の精度が向上する。予測演算の精度が向上し、結果的に可変容量コンデンサ３１、３２の目標容量値の演算精度が向上する。そのため、目標容量値への到達時間が短縮する。また、インピーダンスの悪化によるプラズマ消失のリスクが低減する。（２）可変容量コンデンサ３１、３２の設定間隔を短縮化し、より高速な制御が可能となる。比較例のように１６ｍｓ周期で容量値を取得せずとも、例えば３２ｍｓ周期で可変容量コンデンサの容量値を取得し、可変容量コンデンサの目標値（容量演算値）の設定周期の短縮（または回数の増加）するシーケンスにすると、ステッピングモータへの制御周期が短くなることから、整合動作時間が短縮できる（より適正な時間で整合動作が可能となる）。
【００７５】
ここまで説明した、具体的な時間（周期）はあくまで一例であって、これに限定されるものではない。
【００７６】
実施例では、可変容量コンデンサ３１、３２の容量値を演算により補間して応答時間の短縮化を行い、整合回路３０の容量演算の精度を向上している。以下のその方法について述べる。
【００７７】
ステッピングモータの動作原理はパルス入力（パルス数）で駆動し、回転角度は入力パルス数に比例するという特徴がある。ステッピングモータに入力するパルス周波数には、起動時においては「最大自起動周波数」、連続回転時においては「最大連続応答周波数」を超えると、追従できなくなるという制約があるため、図９に示すような速度パターンで動作するのが一般的である。
【００７８】
図９は等加速度で加減速し、最高速度に到達後は定速度動作する速度パターンである。実際の動作により近い三角関数、指数関数を使用した近似があり、それらに比較すると実際のモータ動作との誤差は大きいが、処理（演算量）が少ないという利点があるので、等加速度による速度パターンを採用する前提で説明する。
【００７９】
ここでは動作原理の詳細説明については省略し、速度パターンモデルを用いて、可変容量真空コンデンサの過渡状態における容量値を推測する方法について記載する。
【００８０】
次に、図７内のＶＣ動作モデル（関数）の詳細について図１０を用いて説明する。図１０は、ＶＣ動作モデルの演算フローであり、４ｍｓ周期で動作することとする。入力データとしては、容量演算部２２からの出力である、目標容量設定値である。初期値としてモータは停止しているとすると、ＳＴＡＴＵＳはＳＴＯＰ（停止）であり、モータ速度（変数をＶとする）は０である。
【００８１】
ステップＳ４１：制御部２０は４ｍｓ周期で処理開始し、容量設定値を可変容量コンデンサのポジション値（ステップ値）に変換する。
【００８２】
ステップＳ４２：制御部２０は現在のモータ速度に対するモータ停止に必要なステップ数を算出する。停止時はＶ＝０のため、モータ停止に必要なステップ数は０である。
【００８３】
ステップＳ４３：制御部２０は現在のポジションから目標とするポジションまでのステップ数を算出する。
【００８４】
ステップＳ４４：制御部２０はＳＴＡＴＵＳにより処理を分岐する。ＳＴＡＴＵＳがSＳＴＯＰ（停止）の場合はステップＳ４５に移動し、ＳＴＡＴＵＳがＦＷＤ（ステップ増加方向）の場合はステップＳ４９に移動し、ＳＴＡＴＵＳがＲＥＶ（ステップ減少方向）の場合はステップＳ５６に移動する。
【００８５】
ステップＳ４５：制御部２０は現在のポジションと目標のポジションを比較する。現在のポジションと目標のポジションが同じ場合はステップＳ４６に移動し、現在のポジションが目標のポジションより小さい場合はステップＳ４７に移動し、現在のポジションが目標のポジションより大きい場合はステップＳ４８に移動する。
【００８６】
ステップＳ４６：モータは停止しているままであるので、制御部２０はＳＴＡＴＵＳをＳＴＯＰのままにする。
【００８７】
ステップＳ４７：制御部２０はＳＴＡＴＵＳをＳＴＯＰからＦＷＤに変更する。
【００８８】
ステップＳ４８：制御部２０はＳＴＡＴＵＳをＳＴＯＰからＲＥＶに変更する。
【００８９】
ステップＳ４９：制御部２０はステップ数比較を行う。比較対象は、そのとき（現在）のモータ速度Ｖ（ｔ）から算出するモータ停止までに必要なステップ数（現在から減速しても回転するステップ数）と、現在の位置（ステップ）から目標までのステップ数である。モータ停止までに必要なステップ数が目標までのステップ数より小さければステップＳ５０に移動し、モータ停止までに必要なステップ数が大きければステップＳ５２に移動する。
【００９０】
ステップＳ５０：制御部２０はステッピングモータを加速する。その際、図９の等加速モデルと仮定し、次の式（３）に基づいて加速（速度増加）する。
【００９１】
Ｖ（ｔ）＝Ｖ（ｔ−１）＋ΔＶ  ・・・（３）なお、速度には上限値がある。
【００９２】
ステップＳ５１：制御部２０はＳＴＡＴＵＳをＦＷＤのままにする。
【００９３】
ステップＳ５２：制御部２０は目標地点に停止するためにステッピングモータの減速を開始する。その際、図９の等加速モデルと仮定し、次の式（４）に基づいて減速（速度減少）する。
【００９４】
Ｖ（ｔ）＝Ｖ（ｔ−１）−ΔＶ  ・・・（４）なお、下限値は０である。
【００９５】
ステップＳ５３：制御部２０は速度が０かどうかを判定し、ＹＥＳの場合はステップＳ５４に移動し、ＮＯの場合はステップＳ５１に移動する。
【００９６】
ステップＳ５４：制御部２０はＳＴＡＴＵＳをＦＷＤからＳＴＯＰに変更する。
【００９７】
ステップＳ５５：制御部２０は現在のポジションを算出する。
【００９８】
ステップＳ５６：ＳＴＡＴＵＳがＲＥＶの場合、制御部２０はステップＳ４９と同様にステップ数の比較を行い、モータ回転の方向が逆であることを除き、同様の処理を実行する。モータ停止までに必要なステップ数が目標までのステップ数より小さければステップＳ５７に移動し、モータ停止までに必要なステップ数が大きければステップＳ５９に移動する。
【００９９】
ステップＳ５７：制御部２０はステッピングモータを加速する。その際、式（３）に基づいて加速（速度増加）する。なお、速度には上限値がある。
【０１００】
ステップＳ５８：制御部２０はＳＴＡＴＵＳをＲＥＶのままにする。
【０１０１】
ステップＳ５９：制御部２０は目標地点に停止するためにステッピングモータの減速を開始する。その際、式（４）に基づいて減速（速度減少）する。なお、下限値は０である。
【０１０２】
ステップＳ６０：制御部２０は速度が０かどうかを判定し、ＹＥＳの場合はステップＳ６１に移動し、ＮＯの場合はステップＳ５１に移動する。
【０１０３】
ステップＳ６１：制御部２０はＳＴＡＴＵＳをＲＥＶからＳＴＯＰに変更する。
【０１０４】
ステップＳ６２：制御部２０は現在のポジションを算出する。
【０１０５】
ステップＳ６３：制御部２０はポジション値（ステップ値）を容量設定値に変換する。
【０１０６】
ステップＳ６４：制御部２０は現在の速度を維持する。
【０１０７】
以上のように現在速度を管理することにより、モータの速度モデルに近似した動作を実現する。
【０１０８】
演算については、一例として具体的な数値を入れて説明する。
【０１０９】
図９のステッピングモータの最高速度が３６０ｒｏｔ／分の場合、すなわち６ｒｏｔ／秒であるので、１ｒｏｔ＝４００ステップのモータであれば、４ｍｓ毎に０．６ステップ移動する。
【０１１０】
加速時は、図９のステッピングモータの速度パターンにおいて、停止状態から最高速度（６ｒｏｔ／秒）に到達するまで１００ｍｓ要する、また、最高速度（６ｒｏｔ／秒）から停止状態に達するまで１００ｍｓ要すると仮定すると、１００ｍｓは４ｍの２５回分であり、４ｍｓあたりの増加速度は６[ｒｏｔ／秒]／２５＝０．２４[ｒｏｔ／秒]となる。
【０１１１】
加速度ａ[ｒｏｔ／秒２]を算出すると、
ａ＝６[ｒｏｔ／秒]／０．１[秒]＝６０[ｒｏｔ／秒２]となる。
【０１１２】
順方向加速時、現在速度（ｖ（ｔ））は、４ｍｓ前の速度（ｖ（ｔ−１））より     ｖ（ｔ）＝ｖ（ｔ−１）＋０．２４[ｒｏｔ／秒]   現在速度（ｖ（ｔ）[ｒｏｔ／ｓｅｃ]）から停止するまでに要するステップ数は公式である式（５）を使用し算出する。    ｖ２− ｖ０２＝２＊ａ＊Ｘ  ・・・（５）  停止するまでに要するステップ数＝（ｖ（ｔ）２−０）／(２*ａ)       ＝ｖ（ｔ）２／(２*６０[ｒｏｔ／秒２])       ＝（１／１２０）＊ｖ（ｔ）２[ｒｏｔ]       ＝４００[ステップ／ｒｏｔ]＊(１／１２０)＊ｖ（ｔ）２[ステップ]       ＝(２０／６)＊ｖ（ｔ）２
以上の演算を含め図１０のＶＣ動作モデルの演算フローを実施することで、可変容量コンデンサの容量値を補間することが可能となる。補間して得られた容量値と、リアルタイムで取得可能な反射係数を用いて、図７に示すように４ｍｓ周期（比較例より短い周期）で容量演算が可能となる。
【０１１３】
以上は、ＶＣモデルの演算についてであるが、少なからず誤差が発生する問題がある。本モデル演算に対して誤差の補正機能を付加して精度を向上させているので、それについて以下に説明する。
【０１１４】
実際容量値との誤差について補正する機能について説明する。
【０１１５】
図９の等加速度モデルはあくまで簡易的なモデルであり、実際の可変容量コンデンサとの動きとの差は発生する。そのため、定期的に実際に取得する容量値をもとに補正をしなければならない。
【０１１６】
図１１はモデルの容量値（ステップ）補正について説明する図である。
【０１１７】
図１１（Ａ）は比較例のもので、１６ｍｓ周期で容量値を取得し、１６ｍｓ周期で整合処理を実施している。一方、図１１（Ｂ）は、実施例のもので、１６ｍｓ周期で容量値を取得する処理と、４ｍｓ周期でモデルにより容量値を算出する処理を行い、補正は１６ｍｓ周期で実施する。それを繰り返してモデルの容量値を補正する処理を繰り返し、実データとの乖離を少なくする。
【０１１８】
また、図１２はモデルの速度補正について説明する図である。１６ｍｓごとに、実データをもとに速度の補正を実施する。
【０１１９】
その方法は、例をあげると、１６ｍｓごとに取得する可変容量コンデンサの容量値から、１６ｍｓ区間における平均速度「Vave_vc」を算出する。そしてモデルにおいても４ｍｓ周期の４回分（１６ｍｓ相当）の区間平均速度「Vave_model」を算出する。Vave_vcとVave_modelの差「ΔVave＝Vave_vc−Vave_model」を求め、補正量はΔVave×２とし、一番新しい速度に補正値を加算（または減算）する。
【０１２０】
補正のポイントは、速度と位置を補正することである。位置のみを補正してもモデルで管理している速度が乖離していると、誤差が発生し続けることとなるため、速度の補正も実施する必要がある。
【０１２１】
この補正機能により高精度な可変コンデンサの過渡状態における容量値の補間が可能となり、整合演算の精度向上し整合動作、整合時間の安定性に寄与することができる。
【０１２２】
実施例に係る整合器はプラズマ発生用のマイクロ波電源などに好適であり、１３．５６ＭＨｚ、９１５ＭＨｚ、２．４５ＧＨｚ、５．８ＧＨｚ等のＩＳＭバンドを含む広い周波数で利用できる。
【０１２３】
本明細書には、本発明に関する少なくとも次の構成が含まれる。
【０１２４】
第１の構成は、
進行波と反射波とを検出する方向性結合器と、
入力端子と、出力端子と、一端が第１の伝送線路を介して前記入力端子に接続され他端が接地された第１の可変容量コンデンサと、一端が第２の伝送線路を介して前記出力端子に接続され他端が接地された第２の可変容量コンデンサと、一端が前記第１の可変容量コンデンサの前記一端に接続され他端が前記第２の可変容量コンデンサの前記一端に接続されたインダクタンスと、を有する整合回路と、
前記方向性結合器で検出した進行波と反射波とに基づき、前記第１の可変容量コンデンサの容量値と前記第２の可変容量コンデンサの容量値とを制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記方向性結合器で検出した進行波と反射波とに基づき、反射係数を算出し、
前記算出される反射係数が小さくなるように、前記第１の可変容量コンデンサの容量値および前記第２の可変容量コンデンサの容量値を変更し、
前記第１の可変容量コンデンサの容量値および前記第２の可変容量コンデンサの容量値の設定値を演算する周期は前記第１の可変容量コンデンサの容量値および前記第２の可変容量コンデンサの容量値を取得する周期よりも短くする整合器。
【０１２５】
第２の構成は、第１の構成に整合器において、
前記第１および第２の可変容量コンデンサはそれぞれステッピングモータを用いて容量値の変更制御を行い、前記ステッピングモータの制御端子用インタフェースとしてはシリアルインタフェースを用いる。
【０１２６】
第３の構成は、第２の構成の整合器において、
前記ステッピングモータは等加速度で加減速し、最高速度に到達後は定速度動作する速度パターンモデルを用いて、前記第１および第２の可変容量真空コンデンサの過渡状態における容量値を推測して補間する。
【０１２７】
第４の構成は、第２の構成の整合器において、
前記第１の可変容量コンデンサの容量値および前記第２の可変容量コンデンサの容量値の設定値を演算する周期は前記シリアルインタフェースの応答時間よりも短くし、
前記第１の可変容量コンデンサの容量値および前記第２の可変容量コンデンサの容量値を取得する周期は前記シリアルインタフェースの応答時間よりもよりも長くする。
【０１２８】
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【０１２９】
本発明は整合器に適用でき、また整合器を用いる高周波電源装置に適用することができる。また、エッチングや薄膜形成を行う半導体製造工程におけるプラズマ処理装置に適用できるものである。この出願は、２０１６年３月１８日に出願された日本出願特願２０１６−０５５３５５を基礎として優先権の利益を主張するものであり、その開示の全てを引用によってここに取り込む。
【符号の説明】
【０１３０】
２…高周波電源装置、３…プラズマ処理装置、１０…整合器、１１…方向性結合器、２０…制御部、２１…反射係数演算部、２２…容量演算部、２３…容量設定部、２５…記憶部、３０…整合回路、３０ａ…入力端子、３０ｂ…出力端子、３１，３２…可変容量コンデンサ、３１ａ…制御端子、３２ａ…制御端子、３３…インダクタンス、３５，３６…伝送線路。
【図１】
0006711900.tif 000003
【図２】
0006711900.tif 000004
【図３】
0006711900.tif 000005
【図４】
0006711900.tif 000006
【図５】
0006711900.tif 000007
【図６】
0006711900.tif 000008
【図７】
0006711900.tif 000009
【図８】
0006711900.tif 000010
【図９】
0006711900.tif 000011
【図１０】
0006711900.tif 000012
【図１１】
0006711900.tif 000013
【図１２】
0006711900.tif 000014