(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光装置と、
受光素子と、
を備え、
前記発光装置は、
第１面及び前記第１面の反対側の第２面を有する基板と、
前記基板の前記第１面側に位置し、第１電極と、有機層と、遮光性、光反射性及び光吸収性の少なくともいずれかを有する第２電極と、をそれぞれ含む複数の発光素子と、
隣り合う前記第２電極の間にそれぞれ位置する複数の透光部と、
を備え、
前記受光素子は、
前記基板の前記第１面の斜め前と、
前記基板の前記第１面の正面と、
前記基板の前記第１面と前記第２面との間の側方と、
のいずれかに位置しており、
前記基板の前記第２面側には、前記基板よりも低い屈折率を有する媒質が位置し、
各発光素子の配光分布は、前記基板と前記媒質の臨界角方向において、前記基板に垂直な方向における光度の０．３６倍以下の光度を有する光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光装置において、
各発光素子は、共振器構造を有する光装置。
【請求項３】
請求項２に記載の光装置において、
前記共振器構造は、互いに積層された複数の誘電体膜を含む光装置。
【請求項４】
請求項１に記載の光装置において、
前記発光素子と前記基板の前記第２面の間に位置しており、前記発光素子から発せられた光を反射する反射部を有し、
前記反射部は、前記第２面側に近づくにつれて前記発光素子の外側に向けて傾く反射面を有する光装置。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか一項に記載の光装置において、
前記第２面側における配光分布は、前記第２面に垂直な方向において、前記第２面に垂直な方向から傾いた方向における光度よりも小さい光度を有する光装置。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか一項に記載の光装置において、
前記第２電極は遮光性を有している光装置。
【請求項７】
発光装置と、
受光素子と、
を備え、
前記発光装置は、
第１面及び前記第１面の反対側の第２面を有する基板と、
前記基板の前記第１面側に位置し、第１電極と、有機層と、遮光性、光反射性及び光吸収性の少なくともいずれかを有する第２電極と、をそれぞれ含む複数の発光素子と、
隣り合う前記第２電極の間にそれぞれ位置する複数の透光部と、
を備え、
前記受光素子は、
前記基板の前記第１面の斜め前と、
前記基板の前記第１面の正面と、
前記基板の前記第１面と前記第２面との間の側方と、
のいずれかに位置しており、
前記基板の前記第２面は、前記基板よりも低い屈折率を有する媒質側に位置しており、
前記第２面側における配光分布は、前記第２面に垂直な方向において、前記第２面に垂直な方向から傾いた方向における光度よりも小さい光度を有する光装置。
【請求項８】
発光装置と、
受光素子と、
を備え、
前記発光装置は、
第１面及び前記第１面の反対側の第２面を有する基板と、
前記基板の前記第１面側に位置し、第１電極と、有機層と、遮光性、光反射性及び光吸収性の少なくともいずれかを有する第２電極と、をそれぞれ含む複数の発光素子と、
隣り合う前記第２電極の間にそれぞれ位置する複数の透光部と、
を備え、
前記受光素子は、
前記基板の前記第１面の斜め前と、
前記基板の前記第１面の正面と、
前記基板の前記第１面と前記第２面との間の側方と、
のいずれかに位置しており、
各発光素子の発光の指向性半値角は６６度以下である光装置。
【請求項９】
請求項８に記載の光装置において、
前記第１面側での発光光度の最大値は、前記第２面側での発光光度の最大値の２％以下である光装置。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の光装置において、
各発光素子は、共振器構造を有する光装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の光装置において、
前記共振器構造は、互いに積層された複数の誘電体膜を含む光装置。
【請求項１２】
請求項８又は９に記載の光装置において、
前記発光素子と前記基板の前記第２面の間に位置しており、前記発光素子から発せられた光を反射する反射部を有し、
前記反射部は、前記第２面側に近づくにつれて前記発光素子の外側に向けて傾く反射面を有する光装置。
【請求項１３】
請求項７から１２までのいずれか一項に記載の光装置において、
前記第２電極は遮光性を有する光装置。
【請求項１４】
請求項１から１３までのいずれか一項に記載の光装置において、
前記受光素子を含む測距センサを備える光装置。
【請求項１５】
請求項１から１３までのいずれか一項に記載の光装置において、
前記受光素子を含む撮像センサを備える光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、透光性を有する有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が、照明用途や表示、ディスプレイ用途など発光装置として開発されている。特許文献１には、透光性ＯＬＥＤの一例について記載されている。このＯＬＥＤは、基板、第１電極、有機層及び複数の第２電極を備えている。第１電極及び有機層は、基板上で順に積層されている。複数の第２電極は、有機層上でストライプ状に配置されている。ＯＬＥＤの外部からの光は、基板上の領域、例えば隣り合う第１電極の間を透過することができる。これにより、ＯＬＥＤは、透光性を有している。【０００３】
さらに、特許文献２には、透光性ＯＬＥＤを自動車のリアウインドウに取り付けることが記載されている。このような透光性ＯＬＥＤは、自動車の標識灯、例えば、ハイマウントストップランプとして機能することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１４９３７６号公報
【特許文献２】特開２０１５−１９５１７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したように、近年、透光性を有するＯＬＥＤが発光装置として開発されている。一定の用途（例えば、自動車のテールランプ）においては、このような発光装置が、受光素子（例えば、フォトダイオード（ＰＤ））を有する装置（例えば、光センサ又は撮像装置）と一緒に用いられる場合がある。この場合、発光装置から発せられる光による受光素子の誤検出を可能な限り抑える必要がある。【０００６】
本発明が解決しようとする課題としては、発光装置から発せられる光による受光素子の誤検出を抑えることが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、
第１面及び前記第１面の反対側の第２面を有する基板と、
前記基板の前記第１面側に位置し、第１電極、有機層及び第２電極をそれぞれ含む複数の発光素子と、
隣り合う発光素子の間にそれぞれ位置する複数の透光部と、
受光素子と、
を備え、
前記基板の前記第２面側には、前記基板よりも低い屈折率を有する媒質が位置し、
各発光素子の配光分布は、前記基板と前記媒質の臨界角方向において、前記基板に垂直な方向における光度の０．３６倍以下の光度を有する光装置である。【０００８】
請求項７に記載の発明は、
第１面及び前記第１面の反対側の第２面を有する基板と、
前記基板の前記第１面側に位置し、第１電極、有機層及び遮光性の第２電極をそれぞれ含む複数の発光素子と、
隣り合う発光素子の間にそれぞれ位置する複数の透光部と、
受光素子と、
を備え、
前記基板の前記第２面は、前記基板よりも低い屈折率を有する媒質側に位置しており、
前記第２面側における配光分布は、前記第２面に垂直な方向において、前記第２面に垂直な方向から傾いた方向における光度よりも小さい光度を有する光装置である。【０００９】
請求項８に記載の発明は、
第１面及び前記第１面の反対側の第２面を有する基板と、
前記基板の前記第１面側に位置し、第１電極、有機層及び遮光性の第２電極をそれぞれ含む複数の発光素子と、
隣り合う発光素子の間にそれぞれ位置する複数の透光部と、
受光素子と、
を備え、
各発光素子の発光の指向性半値角は６６度以下である光装置である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。【００１１】
【図１】実施形態１に係る光装置を説明するための図である。
【図２】実施形態２に係る光装置を説明するための図である。
【図３】実施形態３に係る発光装置を示す平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ断面図である。
【図５】ガラスから空気に入射する光の反射率を示すグラフである。
【図６】図３及び図４に示した発光装置の発光面の反対側へ漏れる光の方向を説明するための図である。
【図７】シミュレーションで用いた各発光素子の配光分布を説明するための図である。
【図８】発光装置の発光面の反対側へ漏れる光の量のシミュレーション結果の第１例を示す図である。
【図９】正面光度に対する臨界角光度の光度比と図８に示した光度比の最大値との関係を示すグラフである。
【図１０】発光装置の発光面の反対側へ漏れる光の量のシミュレーション結果の第２例を示す図である。
【図１１】正面光度に対する臨界角光度の光度比と図１０に示した光度比の最大値との関係を示すグラフである。
【図１２】発光装置の発光面の反対側へ漏れる光の量のシミュレーション結果の第３例を示す図である。
【図１３】発光装置の発光面の反対側へ漏れる光の量のシミュレーション結果の第４例を示す図である。
【図１４】発光装置の発光面の反対側へ漏れる光の量が基板の厚みに依存して変化する理由を説明するための図である。
【図１５】発光素子の配光分布を測定する方法の第１例を説明するための図である。
【図１６】発光素子の配光分布を測定する方法の第２例を説明するための図である。
【図１７】実施例に係る発光装置を示す平面図である。
【図１８】図１７から有機層及び第２電極を取り除いた図である。
【図１９】図１８から絶縁層を取り除いた図である。
【図２０】図１７のＰ−Ｐ断面図である。
【図２１】正面光度に対する臨界角光度の光度比を小さくするための構造の第１例を示す図である。
【図２２】正面光度に対する臨界角光度の光度比を小さくするための構造の第２例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１３】
（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る光装置３０を説明するための図である。
【００１４】
光装置３０は、発光装置１０及びセンサ装置２０（受光素子２２０）を備えている。
【００１５】
発光装置１０は、基板１００、複数の発光素子１４０及び複数の透光部１５４を備えている。基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にある。複数の発光素子１４０は、基板１００の第１面１０２側に位置している。複数の透光部１５４のそれぞれは、隣り合う発光素子１４０の間に位置している。発光装置１０は、複数の透光部１５４によって透光性を有している。
【００１６】
図１に示す発光装置１０は、図３以降の図を用いて詳細を後述する発光装置１０と同様の構成を有している。図３以降の図を用いて詳細を後述するように、複数の発光素子１４０からの光は、基板１００の第２面１０４から主に出力される。特に本実施形態では、各発光素子１４０から発せられて基板１００の第１面１０２側から漏れる光の量が抑えられている。
【００１７】
センサ装置２０は、発光装置１０の周囲に設けられている。図１に示す例では、センサ装置２０は、基板１００の第１面１０２の斜め前にあり、具体的には、基板１００に平行な方向から見たときの第１面１０２側かつ、基板１００に垂直な方向から見たときの第１面１０２又は第２面１０４と重ならない位置に位置している。他の例において、センサ装置２０は、基板１００の第１面１０２の正面にあってもよいし、又は基板１００の第１面１０２と第２面１０４の間の側方にあってもよい。さらに他の例において、センサ装置２０は、基板１００の第２面１０４の斜め前にあってもよく、具体的には、基板１００に平行な方向から見たときの基板１００の第２面１０４側かつ、基板１００に垂直な方向から見たときの第１面１０２又は第２面１０４と重ならない位置に位置していてもよい。
【００１８】
センサ装置２０は、光装置３０の周囲の情報を取得するための光センシングを行う。図１に示す例において、センサ装置２０は、発光素子２１０及び受光素子２２０を含んでいる。一例において、センサ装置２０は、測距センサ、特にＬｉＤＡＲ（Ｌｉｇｈｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ  Ａｎｄ  Ｒａｎｇｉｎｇ）にすることができる。この例において、発光素子２１０は、センサ装置２０の外部に向けて光を発し、受光素子２２０は、発光素子２１０から発せられて対象物によって反射された光を受ける。一例において、発光素子２１０は、電気的エネルギーを光エネルギーに変換可能な素子、例えばレーザダイオード（ＬＤ）にすることができ、受光素子２２０は、光エネルギーを電気的エネルギーに変換可能な素子、例えばフォトダイオード（ＰＤ）にすることができる。センサ装置２０は、光が発光素子２１０から発せられてから受光素子２２０によって受けられるまでの時間に基づいて、センサ装置２０から対象物までの距離を検出することができる。
【００１９】
センサ装置２０の受光素子２２０は、センサ装置２０の外部からの光を検出する。したがって、受光素子２２０の誤検出を防ぐため、発光装置１０から発せられた光が受光素子２２０に入射されることを可能な限り抑えることが望ましい。
【００２０】
光装置３０は、発光及び光センシングを行うための用途、例えば、自動車の、測距センサ付きテールランプに用いることができる。この例においては、発光装置１０が発光の機能を実現し、センサ装置２０が光センシングの機能を実現する。
【００２１】
上述した構成によれば、発光装置１０から発せられる光による受光素子２２０の誤検出を抑えることができる。具体的には、上述したように、本実施形態では、各発光素子１４０から発せられて基板１００の第１面１０２側から漏れる光の量が抑えられている。したがって、発光装置１０から発せられる光が装置２０（受光素子２２０）へ入射されることを抑えることができる。したがって、発光装置１０から発せられる光による受光素子２２０の誤検出を抑えることができる。
【００２２】
特に本実施形態においては、装置２０（受光素子２２０）が基板１００の第１面１０２の正面又は斜め前にあっても、発光装置１０から発せられる光による受光素子２２０の誤検出を抑えることができる。上述したように、本実施形態では、各発光素子１４０から発せられて基板１００の第１面１０２側から漏れる光の量が抑えられている。したがって、発光装置１０から発せられた光の基板１００の第１面１０２の正面又は斜め前への漏れを抑えることができる。したがって、装置２０（受光素子２２０）が基板１００の第１面１０２の正面又は斜め前にあっても、発光装置１０から発せられる光による受光素子２２０の誤検出を抑えることができる。
【００２３】
（実施形態２）
図２は、実施形態２に係る光装置３０を説明するための図であり、実施形態１の図１に対応する。本実施形態に係る光装置３０は、以下の点を除いて、実施形態１に係る光装置３０と同様である。
【００２４】
センサ装置２０は、光装置３０の周囲の情報を取得するための光センシングを行う。図２に示す例において、センサ装置２０は、複数の受光素子２２０を含んでいる。一例において、センサ装置２０は、撮像センサにすることができる。この例において、複数の受光素子２２０は、画像を電気信号に変換可能な素子、例えば、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサ又はＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサにすることができる。一例において、各受光素子２２０は、光エネルギーを電気的エネルギーに変換可能な素子、例えばフォトダイオード（ＰＤ）にすることができる。センサ装置２０は、複数の受光素子２２０によって、センサ装置２０の外部の対象物の像を検出することができる。
【００２５】
センサ装置２０の受光素子２２０は、センサ装置２０の外部からの光を検出する。したがって、受光素子２２０の誤検出を防ぐため、発光装置１０から発せられて受光素子２２０に入射される光の量を可能な限り抑えることが望ましい。
【００２６】
光装置３０は、発光及び光センシングを行うための用途、例えば、自動車の、撮像センサ付きテールランプに用いることができる。この例においては、発光装置１０が発光の機能を実現し、センサ装置２０が光センシングの機能を実現する。
【００２７】
本実施形態においても、実施形態１と同様にして、発光装置１０から発せられる光による受光素子２２０の誤検出を抑えることができる。
【００２８】
（実施形態３）
図３は、実施形態３に係る発光装置１０を示す平面図である。図４は、図３のＡ−Ａ断面図である。
【００２９】
図４を用いて発光装置１０の概要について説明する。発光装置１０は、基板１００、複数の発光素子１４０及び複数の透光部１５４を備えている。基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にある。複数の発光素子１４０は、基板１００の第１面１０２側に位置している。複数の発光素子１４０のそれぞれは、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を含んでいる。第２電極１３０は、遮光性を有している。複数の透光部１５４のそれぞれは、隣り合う発光素子１４０の間に位置している。基板１００の第２面１０４側には、基板１００よりも低い屈折率を有する媒質（例えば、空気）が位置している。特に図４に示す例では、基板１００の第２面１０４は、当該媒質に接している。ただし、基板１００の第２面１０４は、当該媒質に接していなくてもよく、基板１００の第２面１０４と上述した媒質の間には、基板１００及び当該媒質とは異なる領域（例えば、光取り出しフィルム）が位置していてもよい。
【００３０】
本発明者は、各発光素子１４０の配光分布を調整することによって、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができることを見出した。具体的には、図５を用いて後述するように、高屈折率媒質（図５に示す例では、ガラス）から低屈折率媒質（図５に示す例では、空気）に入射する光の反射率は、フレネル反射によって、高屈折率媒質と低屈折率媒質の臨界角（図５に示す例では、おおよそ４１°）の近傍において急激に上昇する。本発明者は、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光は、基板１００（上述した高屈折率媒質に相当）と上記媒質（上述した低屈折率媒質に相当）の界面でフレネル反射によって反射した光に主に起因することを見出した。さらに、図８から図１３を用いて後述するように、本発明者は、各発光素子１４０の配光分布につき発光素子１４０の正面における光度（正面光度ｌｆ）及び基板１００と上記媒質の臨界角方向における光度（臨界角光度ｌｃ）を調整することで正面光度ｌｆに対する臨界角光度ｌｃの光度比Ｒｃが小さくなるほど発光面（第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量をより抑えることができることを見出した。これらの知見に基づいて、発光面（第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を一定の値以下に抑えることができる。
【００３１】
なお、基板１００と上記媒質の臨界角は、基板１００と当該媒質が接している場合だけでなく、基板１００と当該媒質の間に他の領域がある場合であっても、決定することができる。特に、基板１００と当該媒質の間に他の領域がある場合、上述した臨界角は、スネルの法則に基づいて、当該他の領域の屈折率を考慮することなく、基板１００の屈折率及び上記媒質の屈折率のみによって決定することができる。つまり、基板１００の第２面１０４は、上記媒質に接していてもよいし、又は接していなくてもよい。以下では、基板１００の第２面１０４が上記媒質に接するとして説明を行う。
【００３２】
さらに、各発光素子１４０の配光分布とは、基板１００の内部における配光分布である。図１５及び図１６を用いて後述するように、基板１００の内部における配光分布は、基材Ｂを用いて測定することができる。
【００３３】
次に、図３を用いて、発光装置１０の平面レイアウトの詳細について説明する。図３では、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）側から発光装置１０を見ている。発光装置１０は、基板１００、複数の発光部１５２及び複数の透光部１５４を備えている。
【００３４】
図３に示す例において、基板１００の形状は、矩形である。ただし、基板１００の形状は矩形に限定されるものではなく、例えば、矩形以外の多角形であってもよい。
【００３５】
複数の発光素子１４０（発光部１５２）及び複数の透光部１５４は、交互に並んでおり、ストライプ状に配置されている。各発光素子１４０（発光部１５２）及び各透光部１５４は、基板１００の一対の辺に沿って延伸しており、複数の発光素子１４０（発光部１５２）及び複数の透光部１５４は、基板１００の他のもう一対の辺に沿って並んでいる。
【００３６】
次に、図４を用いて、発光装置１０の断面構造の詳細について説明する。発光装置１０は、基板１００、複数の発光素子１４０及び複数の透光部１５４を備えている。
【００３７】
基板１００は、透光性を有している。このため、各発光素子１４０からの光は、基板１００を透過することができる。さらに、発光装置１０の外部からの光も基板１００を透過することができる。特に、基板１００は、遮光性部材（例えば、第２電極１３０）によって覆われていない領域においては、透光部１５４として機能することができる。発光装置１０の外部からの光は、透光部１５４を透過することができる。
【００３８】
基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にある。第２面１０４は、発光装置１０の発光面として機能しており、具体的には、複数の発光素子１４０からの光は、主に第２面１０４から出力される。
【００３９】
複数の発光素子１４０は、基板１００の第１面１０２上に位置している。各発光素子１４０は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を有している。第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０は、基板１００の第１面１０２から順に積層されている。
【００４０】
第１電極１１０は、透光性を有している。このため、有機層１２０から発せられた光は、第１電極１１０を透過することができ、これにより、基板１００に入射することができる。
【００４１】
有機層１２０は、有機エレクトロルミネッセンスによって光を発する発光層を含んでいる。有機層１２０の発光層は、第１電極１１０と第２電極１３０の間の電圧によって光を発することができる。
【００４２】
第２電極１３０は、第１電極１１０と向かい合って位置している。例えば、遮光性、光反射性、光吸収性の少なくともいずれかを有している場合は、有機層１２０から発せられた光は、第２電極１３０を透過することなく、第２電極１３０によって反射する。一方で、第２電極１３０が透光性を有していた場合は発光装置１０としての全体の透過率が向上する。発光装置１０において、第２電極１３０の透光性が異なっていてもよい。
【００４３】
各発光素子１４０は、発光部１５２を有している。発光素子１４０は、発光部１５２から光を発することができる。
【００４４】
各第２電極１３０は、２つのギャップ部１３１を有している。一方のギャップ部１３１は、発光部１５２の一方の端部の外側にあり、もう一方のギャップ部１３１は、発光部１５２のもう一方の端部の外側にある。
【００４５】
透光部１５４は、遮光性部材、具体的には第２電極１３０と重なっておらず、このため、発光装置１０の外部からの光は、透光部１５４を透過することができる。光線透過率を高く維持する観点からすると、透光部１５４の幅は、第２電極１３０の幅よりも広いことが好ましい。ただし、透光部１５４の幅は、第２電極１３０の幅と等しくてもよいし、又は第２電極１３０の幅よりも狭くてもよい。
【００４６】
図５は、ガラスから空気に入射する光の反射率を示すグラフである。図５には、ｐ波の反射率、ｓ波の反射率及びこれらの平均の反射率が示されている。図５に示すように、ｐ波の反射率、ｓ波の反射率及びこれらの平均の反射率は、いずれも、ガラスと空気の臨界角（おおよそ４１°）の近傍において急激に上昇する。これは、ガラスと空気の界面におけるフレネル反射に起因するものである。
【００４７】
図５に示す結果から、基板１００から上記媒質に入射する光の反射率も、基板１００と上記媒質の臨界角の近傍において急激に上昇するといえる。
【００４８】
図６は、図３及び図４に示した発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の方向を説明するための図である。図６に示す例では、複数の発光部１５２から光が発せられており、基板１００の第１面１０２側及び基板１００の第２面１０４側のそれぞれに配光分布が生成されている。
【００４９】
基板１００の第２面１０４（発光装置１０の発光面）側における配光分布は、第２面１０４に垂直な方向において第１光度Ｌ１を有しており、さらに、基板１００の第１面１０２（発光装置１０の発光面とは反対側の面）側における配光分布は、第１面１０２に垂直な方向から複数の発光素子１４０（複数の発光部１５２）の配列方向に沿って角度φ傾いた方向において第２光度Ｌ２を有している。特に図６に示す例では、第２光度Ｌ２は、２つの直線ｌ１及びｌ２を含む円Ｃの周上における光度である。直線ｌ１は、複数の発光部１５２の配列方向に沿って基板１００の中心を通過する直線であり、直線ｌ２は、基板１００の法線方向に沿って基板１００の中心を通過する直線である。
【００５０】
次に、図３及び図４に示した発光装置１０の測定結果について説明する。
【００５１】
基板１００は、ガラス基板（屈折率：１．５２）とした。基板１００の厚みＴは、０．１ｍｍとした。基板１００の形状は、９ｍｍ×１０ｍｍの矩形とした。基板１００の第２面１０４は、空気（屈折率：１）に接するようにした。１４個の発光素子１４０を基板１００の長辺（１０ｍｍの長さを有する辺）に沿って等間隔に並べた。
【００５２】
各発光部１５２の幅は、０．２ｍｍとした。隣り合う発光部１５２の中心間距離（言い換えると、発光部１５２のピッチ）は、０．７１４ｍｍとした。第２電極１３０の幅は、０．２７ｍｍとした。言い換えると、ギャップ部１３１の幅Ｇは、０．０３５ｍｍとした。
【００５３】
有機層１２０の厚みは、０．０００１ｍｍとした。第２電極１３０の厚みは、０．０００１ｍｍとした。なお、この測定では、第１電極１１０は考慮しなかった。言い換えると、第１電極１１０の厚みはゼロとみなした。
【００５４】
図７は、シミュレーションで用いた各発光素子１４０の配光分布を説明するための図である。このシミュレーションでは、１０種類の発光素子１４０、すなわち、配光分布がｃｏｓθに従う発光素子１４０、配光分布がｃｏｓ２θに従う発光素子１４０、配光分布がｃｏｓ３θに従う発光素子１４０、配光分布がｃｏｓ４θに従う発光素子１４０、配光分布がｃｏｓ５θに従う発光素子１４０、配光分布がｃｏｓ６θに従う発光素子１４０、配光分布がｃｏｓ７θに従う発光素子１４０、配光分布がｃｏｓ８θに従う発光素子１４０、配光分布がｃｏｓ９θに従う発光素子１４０及び配光分布がｃｏｓ１０θに従う発光素子１４０のそれぞれを用いた。
【００５５】
図７に示すように、ｃｏｓθからｃｏｓ１０θに向かうにつれて、発光素子１４０の正面方向（角度θ＝０°）における配光分布のピークが急峻になる。言い換えると、ｃｏｓθからｃｏｓ１０θに向かうにつれて正面光度ｌｆに対する臨界角光度ｌｃの光度比Ｒｃが小さくなる。このｃｏｓθのような配光分布を有する発光素子１４０あるいは発光装置１０をランバーシアン光源とよぶ。ｃｏｓθの場合、指向性半値角（あるいは単に半値角）は１２０度となる。一方でｃｏｓ１０θのような配光分布は指向性の高い光源（高指向性光源）である。この場合、配光分布は、特定の方向（図６における第２面１０４に垂直な方向）に発光強度のピークを有し、その配光分布の指向性半値角は５０度以下である。また、例えばｃｏｓ４θに従う発光素子１４０の半値角は６６度であり、ｃｏｓθの乗数が増えるにつれて指向性半値角は減少する。
【００５６】
図８は、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量のシミュレーション結果の第１例を示す図である。このシミュレーションでは、図７に示した１０種類の発光素子１４０のそれぞれについて光度比Ｒを算出した。ただし、説明のため、図８には、６種類の発光素子１４０、すなわち、配光分布がｃｏｓθに従う発光素子１４０、配光分布がｃｏｓ２θに従う発光素子１４０、配光分布がｃｏｓ４θに従う発光素子１４０、配光分布がｃｏｓ６θに従う発光素子１４０、配光分布がｃｏｓ８θに従う発光素子１４０及び配光分布がｃｏｓ１０θに従う発光素子１４０についてのみ光度比Ｒを示している。光度比Ｒは、第１光度Ｌ１に対する第２光度Ｌ２の光度比Ｌ２／Ｌ１である。図６を用いて説明したように、第１光度Ｌ１は、第２面１０４に垂直な方向における光度であり、第２光度Ｌ２は、第１面１０２に垂直な方向から複数の発光素子１４０（複数の発光部１５２）の配列方向に沿って角度φ傾いた方向における光度である。
【００５７】
図８に示すように、ｃｏｓθからｃｏｓ１０θに向かうにつれて、角度φにつき０°から９０°のほぼ全域に亘って光度比Ｒが減少している。言い換えると、正面光度ｌｆに対する臨界角光度ｌｃの光度比Ｒｃが小さくなるにつれて、角度φにつき０°から９０°のほぼ全域に亘って、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量が減少している。なお、図８に示す例において、基板１００と上記媒質の臨界角は、４１．１４°である。
【００５８】
図９は、正面光度ｌｆに対する臨界角光度ｌｃの光度比Ｒｃと図８に示した光度比Ｒの最大値Ｒｍａｘとの関係を示すグラフである。図９に示すように、最大光度比Ｒｍａｘは、光度比Ｒｃが減少するにつれて減少している。このことは、光度比Ｒｃが小さくなるほど発光面（第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量をより抑えることができることを示唆する。
【００５９】
本発明者は、図８及び図９の結果に基づいて、光度比Ｒｍａｘが２％以下となる条件を検討した。本発明者が検討したところ、光度比Ｒｍａｘが２％以下である場合、発光面（第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量が十分に抑えられていることが明らかとなった。すなわち、光度比Ｒｍａｘの許容値は２％とみなすことができる。
【００６０】
図９に示す例において、光度比Ｒｃと最大光度比Ｒｍａｘの関係は、Ｒｍａｘ＝５Ｒｃ＋０．２と近似することができる。この結果より、光度比Ｒｃが０．３６以下であるとき、最大光度比Ｒｍａｘは２％以下となる。言い換えると、各発光素子１４０の配光分布が、基板１００と上記媒質の臨界角方向において、発光素子１４０の正面方向における光度の０．３６倍以下の光度を有するとき、発光面（第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を十分に抑えることができる。ここで、光度比Ｒｃが０．３６以下となる発光素子１４０は、ｃｏｓ４θに従う発光素子１４０よりもｃｏｓθの乗数が大きい発光素子であり、言い換えると、半値角が６６度以下の発光素子１４０である。
【００６１】
図１０は、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量のシミュレーション結果の第２例を示す図である。図１０に示す第２例は、基板１００がＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）（屈折率：１．６）からなる点を除いて、図８に示した第１例と同様である。
【００６２】
図１０に示すように、ｃｏｓθからｃｏｓ１０θに向かうにつれて、角度φにつき０°から９０°のほぼ全域に亘って光度比Ｒが減少している。言い換えると、正面光度ｌｆに対する臨界角光度ｌｃの光度比Ｒｃが小さくなるにつれて、角度φにつき０°から９０°のほぼ全域に亘って、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量が減少している。なお、図１０に示す例において、基板１００と上記媒質の臨界角は、３８．６８°である。
【００６３】
図１１は、正面光度ｌｆに対する臨界角光度ｌｃの光度比Ｒｃと図１０に示した光度比Ｒの最大値Ｒｍａｘとの関係を示すグラフである。図１１に示すように、最大光度比Ｒｍａｘは、光度比Ｒｃが減少するにつれて減少している。このことは、光度比Ｒｃが小さくなるほど発光面（第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量をより抑えることができることを示唆する。
【００６４】
図１１に示す例において、光度比Ｒｃと最大光度比Ｒｍａｘの関係は、Ｒｍａｘ＝５Ｒｃ＋０．２と近似することができる。この結果より、光度比Ｒｃが０．３６以下であるとき、最大光度比Ｒｍａｘは２％以下となる。言い換えると、各発光素子１４０の配光分布が、基板１００と上記媒質の臨界角方向において、発光素子１４０の正面方向における光度の０．３６倍以下の光度を有するとき、発光面（第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を十分に抑えることができる。
【００６５】
図８及び図９に示す第１例及び図１０及び図１１に示す第２例のいずれにおいても、各発光素子１４０の配光分布が、基板１００と上記媒質の臨界角方向において、発光素子１４０の正面方向における光度の０．３６倍以下の光度を有するとき、発光面（第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を十分に抑えることができる。このことは、各発光素子１４０の配光分布を調整することによって、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を基板１００の材料に依存せず抑えることができることを示唆する。
【００６６】
図１２は、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量のシミュレーション結果の第３例を示す図である。図１２に示す第３例は、基板１００の厚みＴが０．０５ｍｍである点を除いて、図８に示した第１例と同様である。言い換えると、図１２に示す例における基板１００の厚みＴ（０．０５ｍｍ）は、図８に示した例における基板１００の厚みＴ（０．１ｍｍ）よりも薄くなっている。
【００６７】
図１２に示すように、ｃｏｓθからｃｏｓ１０θに向かうにつれて、角度φにつき０°から９０°のほぼ全域に亘って光度比Ｒが減少している。言い換えると、正面光度ｌｆに対する臨界角光度ｌｃの光度比Ｒｃが小さくなるにつれて、角度φにつき０°から９０°のほぼ全域に亘って、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量が減少している。
【００６８】
さらに、ｃｏｓθからｃｏｓ１０θまでのいずれについても、図１２における光度比Ｒは、図８における光度比Ｒよりも小さくなっている（基板１００の厚みＴが薄いほど光度比Ｒが小さくなる理由は、図１４を用いて後述する。）。このため、図１２において最大光度比Ｒｍａｘを２％以下にするために必要な光度比Ｒｃは、図８において最大光度比Ｒｍａｘを２％以下にするために必要な光度比Ｒｃ（０．３６）よりも大きくすることができる。このため、図１２においては、各発光素子１４０の配光分布が、基板１００と上記媒質の臨界角方向において、発光素子１４０の正面方向における光度の０．３６倍以下の光度を有するとき、発光面（第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を十分に抑えることができる。
【００６９】
図１３は、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量のシミュレーション結果の第４例を示す図である。図１３に示す第４例は、基板１００の厚みＴが０．２ｍｍである点を除いて、図８に示した第１例と同様である。言い換えると、図１３に示す例における基板１００の厚みＴ（０．２ｍｍ）は、図８に示した例における基板１００の厚みＴ（０．１ｍｍ）よりも厚くなっている。
【００７０】
図１３に示すように、ｃｏｓθからｃｏｓ１０θに向かうにつれて、角度φにつき０°から９０°のほぼ全域に亘って光度比Ｒが減少している。言い換えると、正面光度ｌｆに対する臨界角光度ｌｃの光度比Ｒｃが小さくなるにつれて、角度φにつき０°から９０°のほぼ全域に亘って、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量が減少している。
【００７１】
さらに、ｃｏｓθからｃｏｓ１０θまでのいずれについても、図１３における光度比Ｒは、図８における光度比Ｒよりも大きくなっている（基板１００の厚みＴが厚いほど光度比Ｒが大きくなる理由は、図１４を用いて後述する。）。このため、図１３において最大光度比Ｒｍａｘを２％以下にするために必要な光度比Ｒｃは、図８において最大光度比Ｒｍａｘを２％以下にするために必要な光度比Ｒｃ（０．３６）よりも小さくする必要がある。具体的には、本発明者は、最大光度比Ｒｍａｘが２％以下となる条件を、図９及び図１１を用いて説明した方法と同様にして検討した。その結果、各発光素子１４０の配光分布は、基板１００と上記媒質の臨界角方向において、発光素子１４０の正面方向における光度の０．２０倍以下の光度を有する必要があることが明らかとなった。
【００７２】
図１４は、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量が基板１００の厚みＴに依存して変化する理由を説明するための図である。図１４（ａ）に示す例及び図１４（ｂ）に示す例では、いずれも、発光部１５２の同一位置から同一の方向に光が発せられている。図１４（ａ）に示す例と図１４（ｂ）に示す例は、図１４（ｂ）における基板１００の厚みＴが図１４（ａ）における基板１００の厚みＴよりも薄い点を除いて、互いに共通している。
【００７３】
図１４（ａ）及び図１４（ｂ）の双方に示すように、発光部１５２から発せられた光は、フレネル反射によって、基板１００の第２面１０４で反射することがある。図１４（ａ）に示す例では、基板１００の厚みＴが厚く、このため、基板１００の第２面１０４で反射した光が基板１００の第２面１０４の反対側へ漏れている。これに対して、図１４（ｂ）に示す例では、基板１００の厚みＴが薄く、このため、基板１００の第２面１０４で反射した光がギャップ部１３１によって遮られ、基板１００の第２面１０４の反対側へ漏れていない。このようにして、基板１００の厚みＴが薄いほど光度比Ｒが小さくなり、基板１００の厚みＴが厚いほど光度比Ｒが大きくなる。
【００７４】
図１５は、発光素子１４０の配光分布を測定する方法の第１例を説明するための図である。
【００７５】
図１５に示す例では、基材Ｂを用いて配光分布を測定している。基材Ｂの屈折率は、基板１００の屈折率と等しくなっている。基材Ｂの形状は、半球又は半円柱となっている。発光装置１０の中心は、基材Ｂの中心上に位置している。特に図１５に示す例では、基材Ｂの大きさは、発光装置１０の大きさよりも十分に大きく、複数の発光素子１４０は、いずれも、基材Ｂの中心上に位置するとみなすことができる。
【００７６】
図１５に示す例では、複数の発光部１５２がいずれも光を発している。上述したように、複数の発光部１５２（複数の発光素子１４０）は、いずれも、基材Ｂの中心上に位置するとみなすことができるため、複数の発光部１５２から発せられた光は、基材Ｂの球面又は円柱面で屈折することなく、基材Ｂの球面又は円柱面から出射される。したがって、基材Ｂの球面又は円柱面から出射された光を測定することで、発光素子１４０の配光分布を測定することができる。
【００７７】
図１６は、発光素子１４０の配光分布を測定する方法の第２例を説明するための図である。
【００７８】
図１６に示す例では、基材Ｂを用いて配光分布を測定している。基材Ｂの屈折率は、基板１００の屈折率と等しくなっている。基材Ｂの形状は、半球又は半円柱となっている。発光装置１０の中心は、基材Ｂの中心上に位置している。特に図１６に示す例では、発光装置１０は、複数の発光部１５２のうちの発光部１５２ａが基材Ｂの中心上に位置している。
【００７９】
図１６に示す例では、発光部１５２ａが光を発しており、発光部１５２ａ以外の発光部、すなわち、発光部１５２ｂ及び発光部１５２ｃは、光を発していない。発光部１５２ｂ及び発光部１５２ｃは、発光部１５２ｂ及び発光部１５２ｃに電流を流さないことにより、又は発光部１５２ｂ及び発光部１５２ｃを遮光することにより、光を発しないようにすることができる。上述したように、発光部１５２ａは、基材Ｂの中心上に位置しているため、発光部１５２ａから発せられた光は、基材Ｂの球面又は円柱面で屈折することなく、基材Ｂの球面又は円柱面から出射される。したがって、基材Ｂの球面又は円柱面から出射された光を測定することで、発光素子１４０（発光部１５２ａ）の配光分布を測定することができる。なお、図１６に示す例では、測定器Ｍを用いて、基材Ｂの球面又は円柱面から出射された光を測定している。
【００８０】
以上、本実施形態によれば、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。
【００８１】
なお、図８、図１０、図１２及び図１３のいずれにおいても、発光装置１０につき第２面１０４側における配光分布は、第２面１０４に垂直な方向（角度φ＝０°）において、第２面１０４に垂直な方向から傾いた方向（角度φ＞０°）における光度よりも小さい光度を有していてもよい。発光装置１０の通常の使用においては、第２面１０４の正面から発光装置１０を見る機会が多くある。一方で、発光装置１０自体が水平方向から傾いて使用される場合もある。その場合は発光装置１０の第２面１０４での発光光度のピークを第２面１０４に垂直な方向から傾いた方向（角度φ＞０°）とすることで対応することができる。
【実施例】
【００８２】
図１７は、実施例に係る発光装置１０を示す平面図である。図１８は、図１７から有機層１２０及び第２電極１３０を取り除いた図である。図１９は、図１８から絶縁層１６０を取り除いた図である。図２０は、図１７のＰ−Ｐ断面図である。【００８３】
図２０を用いて発光装置１０の概要について説明する。実施形態３と同様にして、発光装置１０は、基板１００、複数の発光素子１４０及び複数の透光部１５４を備えている。基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にある。複数の発光素子１４０は、基板１００の第１面１０２側に位置している。複数の発光素子１４０のそれぞれは、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を含んでいる。第２電極１３０は、遮光性を有している。複数の透光部１５４のそれぞれは、隣り合う発光素子１４０の間に位置している。実施形態３と同様にして、各発光素子１４０の配光分布を調整することによって、発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。【００８４】
次に、図１７から図１９を用いて、発光装置１０の平面レイアウトの詳細について説明する。発光装置１０は、基板１００、複数の第１接続部１１２、第１配線１１４、複数の第２接続部１３２、第２配線１３４、複数の発光素子１４０及び複数の絶縁層１６０を備えている。複数の発光素子１４０のそれぞれは、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を含んでいる。【００８５】
基板１００の形状は、第１面１０２に垂直な方向から見た場合、一対の長辺及び一対の短辺を有する矩形である。ただし、基板１００の形状は、矩形に限定されるものではない。基板１００の形状は、第１面１０２に垂直な方向から見た場合、例えば円でもよいし、又は矩形以外の多角形であってもよい。【００８６】
複数の第１電極１１０は、互いに離間して位置しており、具体的には、基板１００の長辺に沿って一列に並んでいる。複数の第１電極１１０のそれぞれは、基板１００の短辺に沿って延伸している。【００８７】
複数の第１電極１１０のそれぞれは、複数の第１接続部１１２のそれぞれを介して、第１配線１１４に接続している。第１配線１１４は、基板１００の一対の長辺の一方に沿って延伸している。外部からの電圧は、第１配線１１４及び第１接続部１１２を介して第１電極１１０に供給される。なお、図１９に示す例において、第１電極１１０及び第１接続部１１２は、互いに一体となっている。言い換えると、発光装置１０は、第１電極１１０として機能する領域及び第１接続部１１２として機能する領域を有する導電層を備えている。【００８８】
複数の第２電極１３０のそれぞれは、複数の第１電極１１０のそれぞれに重なっている。複数の第２電極１３０は、互いに離間して位置しており、具体的には、基板１００の長辺に沿って一列に並んでいる。複数の第２電極１３０のそれぞれは、基板１００の短辺に沿って延伸しており、具体的には、基板１００の短辺に沿って延伸する一対の長辺及び基板１００の長辺に沿って延伸する一対の短辺を有している。【００８９】
複数の第２電極１３０のそれぞれは、複数の第２接続部１３２のそれぞれを介して、第２配線１３４に接続している。第２配線１３４は、基板１００の一対の長辺の他方に沿って延伸している。外部からの電圧は、第２配線１３４及び第２接続部１３２を介して第２電極１３０に供給される。【００９０】
複数の絶縁層１６０のそれぞれは、複数の第１電極１１０のそれぞれに重なっている。複数の絶縁層１６０は、互いに離間して位置しており、具体的には、基板１００の長辺に沿って一列に並んでいる。複数の絶縁層１６０のそれぞれは、基板１００の短辺に沿って延伸しており、具体的には、基板１００の短辺に沿って延伸する一対の長辺及び基板１００の長辺に沿って延伸する一対の短辺を有している。【００９１】
複数の絶縁層１６０のそれぞれは、開口１６２を有している。図２０を用いて後述するように、開口１６２内において、発光素子１４０は、発光部１５２として機能する領域を有している。言い換えると、絶縁層１６０は、発光部１５２を画定している。発光部１５２（開口１６２）は、基板１００の短辺に沿って延伸しており、具体的には、基板１００の短辺に沿って延伸する一対の長辺及び基板１００の長辺に沿って延伸する一対の短辺を有している。【００９２】
次に、図２０を用いて、発光装置１０の断面の詳細を説明する。発光装置１０は、基板１００、発光素子１４０及び絶縁層１６０を備えている。基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にある。発光素子１４０は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を含んでいる。発光素子１４０及び絶縁層１６０は、基板１００の第１面１０２上にある。絶縁層１６０の開口１６２内において、発光素子１４０は、発光部１５２として機能する領域を有している。【００９３】
基板１００は、透光性を有している。一例において、基板１００は、ガラスを含んでいる。他の例において、基板１００は、樹脂を含んでいてもよい。【００９４】
第１電極１１０は、透光性及び導電性を有している。具体的には、第１電極１１０は、透光性及び導電性を有する材料を含んでおり、例えば金属酸化物、具体的には例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）の少なくとも１つを含んでいる。これにより、有機層１２０からの光は、第１電極１１０を透過することができる。【００９５】
有機層１２０は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層を含んでいる。正孔注入層及び正孔輸送層は、第１電極１１０に接続している。電子輸送層及び電子注入層は、第２電極１３０に接続している。発光層は、第１電極１１０と第２電極１３０の間の電圧によって光を発する。【００９６】
本実施例では第２電極１３０は、遮光性、または光反射性を有し、さらに、導電性を有している。具体的には、第２電極１３０は、光反射性及び導電性を有する材料を含んでおり、例えば金属、具体的には例えば、Ａｌ、Ａｇ及びＭｇＡｇの少なくとも１つを含んでいる。これにより、有機層１２０からの光は、第２電極１３０をほとんど透過することなく、第２電極１３０で反射される。【００９７】
第２電極１３０は、２つのギャップ部１３１を有している。一方のギャップ部１３１は、発光部１５２の一方の端部の外側にあり、もう一方のギャップ部１３１は、発光部１５２のもう一方の端部の外側にある。【００９８】
絶縁層１６０は、透光性を有している。一例において、絶縁層１６０は、有機絶縁材料、具体的には例えばポリイミドを含んでいる。他の例において、絶縁層１６０は、無機絶縁材料、具体的には例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）又はシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）を含んでいてもよい。【００９９】
第２電極１３０は端部１３０ａ及び端部１３０ｂを有し、絶縁層１６０は端部１６０ａ及び端部１６０ｂを有している。端部１３０ａ及び端部１６０ａは、互いに同じ方向を向いている。端部１３０ｂ及び端部１６０ｂは、互いに同じ方向を向いており、それぞれ、端部１３０ａ及び端部１６０ａの反対側にある。【０１００】
第１面１０２に垂直な方向から見た場合、基板１００の第１面１０２は、複数の領域１０２ａ、複数の領域１０２ｂ複数の領域１０２ｃを有している。複数の領域１０２ａのそれぞれは、第２電極１３０の端部１３０ａと重なる位置から端部１３０ｂと重なる位置まで広がっている。複数の領域１０２ｂのそれぞれは、第２電極１３０の端部１３０ａと重なる位置から絶縁層１６０の端部１６０ａと重なる位置まで（又は第２電極１３０の端部１３０ｂと重なる位置から絶縁層１６０の端部１６０ｂと重なる位置まで）広がっている。複数の領域１０２ｃのそれぞれは、互いに隣接する２つの絶縁層１６０のうちの一方の絶縁層１６０の端部１６０ａと重なる位置から他方の絶縁層１６０の端部１６０ｂと重なる位置まで広がっている。【０１０１】
領域１０２ａは、第２電極１３０と重なっており、このため、発光装置１０は、領域１０２ａ、領域１０２ｂ及び領域１０２ｃと重なる領域のうち、領域１０２ａと重なる領域で最も低い光線透過率を有している。領域１０２ｃは、第２電極１３０及び絶縁層１６０のいずれとも重なっておらず、このため、発光装置１０は、領域１０２ａ、領域１０２ｂ及び領域１０２ｃと重なる領域のうち、領域１０２ｃと重なる領域で最も高い光線透過率を有している。領域１０２ｂは、第２電極１３０と重ならず絶縁層１６０と重なっており、このため、発光装置１０は、領域１０２ｂと重なる領域においては、領域１０２ａと重なる領域における光線透過率よりも高く、かつ領域１０２ｃと重なる領域における光線透過率よりも低い光線透過率を有している。【０１０２】
上述した構成においては、発光装置１０の全体としての光線透過率が高いものとなっている。詳細には、光線透過率の高い領域の幅、すなわち、領域１０２ｃの幅ｄ３が広くなっており、具体的には、領域１０２ｃの幅ｄ３は、領域１０２ｂの幅ｄ２よりも広くなっている（ｄ３＞ｄ２）。このようにして、発光装置１０の全体としての光線透過率は、高いものとなっている。【０１０３】
上述した構成においては、発光装置１０が特定の波長の光を多く吸収することが防止されている。詳細には、光が絶縁層１６０を透過する領域の幅、すなわち、領域１０２ｂの幅ｄ２が狭くなっており、具体的には、領域１０２ｂの幅ｄ２は、領域１０２ｃの幅ｄ３よりも狭くなっている（ｄ２＜ｄ３）。絶縁層１６０は、特定の波長の光を吸収することがある。このような場合においても、上述した構成においては、絶縁層１６０を透過する光の量を少なくすることができる。このようにして、発光装置１０が特定の波長の光を多く吸収することが防止されている。【０１０４】
なお、領域１０２ｃの幅ｄ３は、領域１０２ａの幅ｄ１よりも広くてもよいし（ｄ３＞ｄ１）、領域１０２ａの幅ｄ１よりも狭くてもよいし（ｄ３＜ｄ１）、又は領域１０２ａの幅ｄ１と等しくてもよい（ｄ３＝ｄ１）。【０１０５】
一例において、領域１０２ａの幅ｄ１に対する領域１０２ｂの幅ｄ２の比ｄ２／ｄ１は、０以上０．２以下であり（０≦ｄ２／ｄ１≦０．２）、領域１０２ａの幅ｄ１に対する領域１０２ｃの幅ｄ３の比ｄ３／ｄ１は、０．３以上２以下である（０．３≦ｄ３／ｄ１≦２）。より具体的には、一例において、領域１０２ａの幅ｄ１は、５０μｍ以上５００μｍ以下であり、領域１０２ｂの幅ｄ２は、０μｍ以上１００μｍ以下であり、領域１０２ｃの幅ｄ３は、１５μｍ以上１０００μｍ以下である。【０１０６】
発光装置１０は、半透過ＯＬＥＤとして機能している。具体的には、第２電極１３０と重ならない領域は、透光部１５４として機能している。このようにして、発光装置１０では、複数の発光部１５２及び複数の透光部１５４が交互に並んでいる。複数の発光部１５２から光が発せられていない場合、人間の視覚では、第１面１０２側の物体が第２面１０４側から透けて見え、第２面１０４側の物体が第１面１０２側から透けて見える。さらに、複数の発光部１５２からの光は、第２面１０４側から主に出力され、第１面１０２側からはほとんど出力されない。複数の発光部１５２から光が発せられている場合、人間の視覚では、第２面１０４側の物体が第１面１０２側から透けて見える。【０１０７】
一例において、発光装置１０は、自動車のハイマウントストップランプとして用いることができる。この場合、発光装置１０は、自動車のリアウインドウに貼り付けることができる。さらに、この場合、発光装置１０は、例えば、赤色の光を発する。【０１０８】
次に、図１７から図２０に示した発光装置１０の製造方法について説明する。【０１０９】
まず、基板１００の第１面１０２上に、第１電極１１０、第１接続部１１２及び第２接続部１３２を形成する。一例において、第１電極１１０、第１接続部１１２及び第２接続部１３２は、スパッタリングにより形成された導電層をパターニングすることにより形成される。【０１１０】
次いで、絶縁層１６０を形成する。一例において、絶縁層１６０は、基板１００の第１面１０２上に塗布された感光性樹脂をパターニングすることにより形成される。【０１１１】
次いで、有機層１２０を形成する。一例において、有機層１２０は、蒸着により形成される。他の例において、有機層１２０は、塗布により形成されてもよい。この場合、絶縁層１６０の開口１６２内に有機層１２０の材料を塗布する。【０１１２】
次いで、第２電極１３０を形成する。一例において、第２電極１３０は、マスクを用いた真空蒸着により形成される。【０１１３】
このようにして、図１７から図２０に示した発光装置１０が製造される。【０１１４】
図２１は、正面光度ｌｆに対する臨界角光度ｌｃの光度比Ｒｃを小さくするための構造の第１例を示す図である。【０１１５】
発光素子１４０は、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０及び半透過反射層１７０を有している。第２電極１３０は、反射層として機能している。このようにして、発光素子１４０は、共振器構造（マイクロキャビティ）を有している。具体的には、有機層１２０から発せられた光は、第２電極１３０（反射層）と半透過反射層１７０の間で反射し、半透過反射層１７０から出力される。このようなマイクロキャビティにおいては、発光素子１４０の配光分布は、発光素子１４０の正面方向において急峻なピークを有するようになり、これにより、正面光度ｌｆに対する臨界角光度ｌｃの光度比Ｒｃを小さくすることができる。【０１１６】
一例において、半透過反射層１７０は、互いに積層された複数の誘電体膜を含んでいる。このような複数の誘電体膜は、ハーフミラー、すなわち、半透過反射層１７０として機能することができる。他の例において、半透過反射層１７０は、金属薄膜（例えば、Ａｇ薄膜）であってもよい。この例においては、金属薄膜の厚みは薄く、光の一部が金属薄膜を透過することができる。このため、金属薄膜は、ハーフミラー、すなわち、半透過反射層１７０として機能することができる。【０１１７】
図２２は、正面光度ｌｆに対する臨界角光度ｌｃの光度比Ｒｃを小さくするための構造の第２例を示す図である。【０１１８】
発光装置１０は、反射部１８０を有している。反射部１８０は、発光素子１４０と基板１００の第２面１０４の間に位置しており、特に図２２に示す例では、基板１００の内部に埋め込まれている。反射部１８０は、反射面１８２を有している。反射面１８２は、第２面１０４側に近づくにつれて発光素子１４０の外側に向けて傾いている。【０１１９】
図２２に示す例では、発光素子１４０から発せられた光が反射部１８０の反射面１８２によって反射している。反射面１８２は、第２面１０４側に近づくにつれて発光素子１４０の外側に向けて傾いているため、第２面１０４に垂直な方向に対する光軸の傾きは、反射面１８２で反射した後において反射面１８２で反射する前よりも緩やかにすることができる。このため、第２面１０４に大きな入射角で入射する光の量を抑えることができ、これにより、正面光度ｌｆに対する臨界角光度ｌｃの光度比Ｒｃを小さくすることができる。【０１２０】
本実施例によれば、実施形態と同様にして、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。【０１２１】
（他の実施例）
以下に他の実施例について記載する。他の実施例では第２電極１３０は透光性を有していてもよい。この場合、第２電極１３０は前述した第１電極１１０の材料や前述した第２電極の材料を１００ｎｍ以下の膜厚とすることで達成できる。このような構成にすることで発光装置１０は全体として高い透光性を有することができる。また、このような構成にすることで主発光の面を基板１００の第１面１０２側としてもよい。【０１２２】
ただしその場合には発光が基板１００を通過しないため、第２電極１３０と基板１００の第１面１０２側の最終的に出射される低屈折率媒質との臨界角度において、光源の第２電極１３０内配光が実施例と同様の特徴(正面に対して臨界角度の光度が０．３６倍以下)を満たす必要がある。これにより電極１３０の出射面側表面でのフレネル反射が低減し、基板１００の第２面１０４側へ主発光が漏れるのを防ぐことができる。【０１２３】
この場合、発光素子１４０の第２電極１３０を介して取り出された光が封止等で反射散乱した光が基板１００を介して第２面１０４側へ取り出されるのを防ぐことができる。【０１２４】
他の実施例によれば、実施例と同様にして、発光装置１０として高い透光率を持たせたまま、発光装置１０で主発光と副発光と発光し分けることができる。つまり、副発光の大きさ、換言すれば、発光面（基板１００の第２面１０４または第１面１０２）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。特に、発光装置１０をディスプレイなどの表示装置として用いた場合、発光装置１０の表示内容が認識できる主発光側と、左右が反転することにより、表示内容が認識できなくなる側の副発光側という課題が発生するが、副発光側への発光強度を下げることができるため、違和感を減らすことができる。【０１２５】
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。【０１２６】
以下、参考形態の例を付記する。
１．  第１面及び前記第１面の反対側の第２面を有する基板と、
前記基板の前記第１面側に位置し、第１電極、有機層及び第２電極をそれぞれ含む複数の発光素子と、
隣り合う発光素子の間にそれぞれ位置する複数の透光部と、
を備え、
前記基板の前記第２面側には、前記基板よりも低い屈折率を有する媒質が位置し、
各発光素子の配光分布は、前記基板と前記媒質の臨界角方向において、前記基板に垂直な方向における光度の０．３６倍以下の光度を有する発光装置。
２．  １．に記載の発光装置において、
各発光素子は、共振器構造を有する発光装置。
３．  ２．に記載の発光装置において、
前記共振器構造は、互いに積層された複数の誘電体膜を含む発光装置。
４．  １．に記載の発光装置において、
前記発光素子と前記基板の前記第２面の間に位置しており、前記発光素子から発せられた光を反射する反射部を有し、
前記反射部は、前記第２面側に近づくにつれて前記発光素子の外側に向けて傾く反射面を有する発光装置。
５．  １．から４までのいずれか一つに記載の発光装置において、
前記第２面側における配光分布は、前記第２面に垂直な方向において、前記第２面に垂直な方向から傾いた方向における光度よりも小さい光度を有する発光装置。
６．  １．から５までのいずれか一つに記載の発光装置において、
前記第２電極は遮光性を有している発光装置。
７．  第１面及び前記第１面の反対側の第２面を有する基板と、
前記基板の前記第１面側に位置し、第１電極、有機層及び遮光性の第２電極をそれぞれ含む複数の発光素子と、
隣り合う発光素子の間にそれぞれ位置する複数の透光部と、
を備え、
前記基板の前記第２面は、前記基板よりも低い屈折率を有する媒質側に位置しており、
前記第２面側における配光分布は、前記第２面に垂直な方向において、前記第２面に垂直な方向から傾いた方向における光度よりも小さい光度を有する発光装置。
８．  第１面及び前記第１面の反対側の第２面を有する基板と、
前記基板の前記第１面側に位置し、第１電極、有機層及び第２電極をそれぞれ含む複数の発光素子と、
隣り合う発光素子の間にそれぞれ位置する複数の透光部と、
を備え、
各発光素子の発光の指向性半値角は６６度以下である発光装置。
９．  ８．に記載の発光装置において、
前記第１面側での発光光度の最大値は、前記第２面側での発光光度の最大値の２％以下である発光装置。
１０．  ８．又は９．に記載の発光装置において、
各発光素子は、共振器構造を有する発光装置。
１１．  １０．に記載の発光装置において、
前記共振器構造は、互いに積層された複数の誘電体膜を含む発光装置。
１２．  ８．又は９．に記載の発光装置において、
前記発光素子と前記基板の前記第２面の間に位置しており、前記発光素子から発せられた光を反射する反射部を有し、
前記反射部は、前記第２面側に近づくにつれて前記発光素子の外側に向けて傾く反射面を有する発光装置。
１３．  ７．から１２までのいずれか一つに記載の発光装置において、
前記第２電極は遮光性を有する発光装置。【０１２７】
この出願は、２０１７年１月１８日に出願された日本出願特願２０１７−００６７７４号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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