(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法であって、
水性液体媒体を流路および少なくとも１つの出口スリットを通して被処理基板上に流すことと、
前記水性液体媒体を特定波長の紫外線に暴露することであって、該暴露を、前記少なくとも１つの出口スリットに直接隣接する前記流路の少なくとも一部で、かつ前記水性液体媒体が出口開口部を通して前記基板に向かって流れた後に前記水性液体媒体を前記被処理基板の表面に適用する前および適用する間に行うことと、
前記水性液体媒体に添加剤を添加することによって、前記水性液体媒体の電気伝導力を２０〜２０００μＳの範囲に調整すること
とを含み、前記添加剤を添加する前の前記水性液体媒体は、前記水性液体媒体を前記紫外線に暴露する前または暴露する間に２０μＳ未満の電気伝導力を有し、
前記水性液体媒体のｐＨを、前記紫外線に前記水性液体媒体を暴露する前または暴露する間に前記水性液体媒体に前記添加剤を添加することによって８〜１１の範囲にシフトさせることをさらに含み、前記添加剤を添加する前の前記水性液体媒体は、６〜８の範囲のｐＨを有し、前記添加剤は、塩基を含む、方法。
【請求項２】
前記水性液体媒体を、２０〜５００μＳの範囲の電気伝導力を有するように調整する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記水性液体媒体を、９．５〜１０．５の範囲のｐＨ値および７０〜１５０μＳの範囲の電気伝導力を有するように調整する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記塩基が、ＴＭＡＨである、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記塩基が、前記基板の表面の金属と直接結合を確立することができる利用可能な外部電子を有していない非配位化合物である、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記水性液体媒体が、特定波長の紫外線に対して実質的に非吸収性の媒体である水性液体媒体と、特定波長で実質的に吸収性の媒体５〜１００ｐｐｍとの混合物である、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記実質的に吸収性の媒体が、前記電気伝導力を調整するための前記添加剤である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記方法が、暴露された金属層を有する基板の最終洗浄に関する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記基板が、ＥＵＶマスクである、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＥＵＶマスクが、暴露されたルテニウム層を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記液体媒体が前記少なくとも１つの出口スリットから出て行く前に前記流路内で前記紫外線に暴露される時間を調整するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記電気伝導力を、前記水性液体媒体が前記少なくとも１つの出口スリットから出て行く前に前記流路内で前記紫外線に暴露される時間の量に従って調整する、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
前記ｐＨを、前記水性液体媒体が前記少なくとも１つの出口スリットから出て行く前に前記流路内で前記紫外線に暴露される時間の量に従って調整する、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記水性液体媒体の皮膜を前記被処理基板の表面に適用する直前および適用する間に特定波長の紫外線に前記水性液体媒体を暴露するステップで使用されるものとは異なる特定波長の紫外線に前記水性液体媒体を暴露するステップを、前記ステップの前にさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項１５】
前記水性液体媒体の皮膜を前記被処理基板の表面に適用する直前および適用する間に特定波長の紫外線に前記水性液体媒体を暴露する前記ステップでは、前記特定波長は、２００〜３００ｎｍの範囲にあり、好ましくは約２５４ｎｍである、請求項１記載の方法。
【請求項１６】
前記異なる特定波長が、２００ｎｍ未満、好ましくは約１８５ｎｍである、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記水性液体媒体に、２５〜３４０ｍＷ／ｃｍ２の強度の紫外線を照射する、請求項１記載の方法。
【請求項１８】
紫外線源と前記被処理基板の表面との距離が、１〜５ｍｍ、特に１〜２ｍｍの範囲にある、請求項１記載の方法。
【請求項１９】
前記処理が、前記基板の表面エネルギーの調整に関し、前記水性液体媒体の組成物は、７０〜１５０μＳの範囲の電気伝導力を有するように調整され、前記水性液体媒体は、前記特定波長の紫外線に対して実質的に非吸収性の媒体である水性液体媒体と、前記特定波長で実質的に吸収性の媒体５〜１０ｐｐｍとの混合物である、請求項１記載の方法。
【請求項２０】
前記方法のステップを、同じ基板上で数回繰り返し、異なる吸収性媒体を、少なくとも２つの異なる繰り返しサイクルで使用する、請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
前記少なくとも１種の吸収性媒体を、Ｏ３およびＴＭＡＨから選択する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記処理が、前記基板からのフォトレジスト剥離に関し、前記水性液体媒体の組成物は、２０〜５００μＳの範囲の電気伝導力を有するように調整され、前記水性液体媒体は、前記特定波長の紫外線に対して実質的に非吸収性の媒体である水性液体媒体と、前記特定波長で実質的に吸収性の媒体５〜１００ｐｐｍとの混合物である、請求項１記載の方法。
【請求項２３】
前記少なくとも１種の吸収性媒体を、Ｏ３、Ｈ２Ｏ２およびＴＭＡＨを含む群から選択する、請求項２２記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、紫外線（ＵＶ−ｒａｄｉａｔｉｏｎ）に暴露された水性液体媒体で基板を処理する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体を製造する分野では、典型的にはウェハと呼ばれる半導体基板上でいくつかの加工ステップが行われる。これらのステップの１つには、フォトマスクを使用してウェハ上のフォトレジストを強い光のパターンに露光するフォトリソグラフィが含まれる。露光すると化学変化が起こり、パターンに従ってフォトレジストの一部を特殊溶液で除去することができる。
【０００３】
半導体の製造、特にフォトリソグラフィの分野では、例えばウェハおよびフォトマスクなどのすべての構成要素が非常に清浄であり、好ましくは、その上に異物を有していないことが重要である。そのような要件は、表面処理および／または汚染物質、特にレジストなどの有機汚染物質の除去が重要である他の技術にも存在し、それゆえ、フォトリソグラフィに使用されるフォトマスクなどの基板に具体的に言及していても、本発明は、他の基板、例えば半導体基板、ウェハ、インプリントテンプレート、パネル、特にフラットパネル基板および多層セラミック基板にも適用可能である。
【０００４】
本出願は、主に、処理を行うための基板としてのフォトマスクの処理に焦点を当てているが、本明細書に記載される原理は、上記で指摘しているように、ウェハ自体または他の基板にも適用可能である。
【０００５】
従来はフォトマスクからフォトレジストを除去するために種々の方法が用いられてきた。本発明の譲受人に譲渡された独国特許出願公開第１０２００９０５８９６２号明細書（ＤＥ１０２００９０５８９６２Ａ１）に記載されているそのような方法の１つでは、水性媒体が使用され、これは被処理基板の表面に適用する直前および適用する間に紫外線に暴露される。
【０００６】
そのような除去プロセスは、表面処理、剥離（ｓｔｒｉｐ）および最終洗浄などのいくつかの個々のステップに分けることができる。表面処理では、表面エネルギーを調整することで、例えば親水性表面を達成することができる。剥離では、水性液体媒体中で生成されたラジカルによってフォトレジストの主要部分が除去される。最終洗浄では、残りのレジストおよび他の粒子が除去される。最終洗浄では、基板自体の表面をエッチングのように変化させるのではなく、基板の表面を変化させずに粒子を除去することに注意しなければならない。処理のタイプおよび例えば初期表面状態に応じて、上記シーケンスのステップのすべてを用いる必要はないと理解されたい。例えば、特に、処理を始める際に表面が十分に親水性である場合には、表面処理は必ずしも必要ではない。それに、レジストを上に有していない新しいマスクまたは貯蔵スペースから出てくる時間的に少し遡って剥離されていたマスクは、剥離を必要とせず、（場合によっては表面処理が先行する）最終洗浄のみを必要とする。用途に応じて、（場合によっては表面処理が先行する）剥離のみが必要である。
【０００７】
独国特許出願公開第１０２００９０５８９６２号明細書（ＤＥ１０２００９０５８９６２Ａ１）の開示は、既にこれらのステップを示しており、媒体および／または放射線の変化を伴うすべてのステップに対して使用することができる単一のツールを記載している。しかしながら、この開示は、個々のステップで使用される水性液体媒体の組成に関する詳細は示していない。
【０００８】
ここで、本発明の発明者は、特定のステップで使用される媒体の一定のパラメーターがそれぞれのプロセスに有益であり得ることを見出した。
【０００９】
本発明の概要
本発明によれば、請求項１または８に記載される方法が提供される。とりわけ、更なる実施形態が、従属請求項に開示される。
【００１０】
１つの態様によれば、基板を処理する方法は、水性液体媒体を流路および少なくとも１つの出口スリットを通して被処理基板上に流すことと、水性液体媒体を特定波長の紫外線に暴露することであって、該暴露を、少なくとも１つの出口スリットに直接隣接する流路の少なくとも一部で、かつ水性液体媒体が出口開口部を通して基板に向かって流れた後に水性液体媒体を被処理基板の表面に適用する前および適用する間に行うこととを含む。この方法は、水性液体媒体を紫外線に暴露する前または暴露する間に添加剤をこれに添加することによって、水性液体媒体の電気伝導度（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅ）を２０〜２０００μＳの範囲に調整するステップをさらに含み、水性液体媒体は、添加剤の添加前に２０μＳ未満の電気伝導度を有する。電気伝導度を調整することで、紫外線による水性液体媒体中で生成された反応種の平衡に影響を及ぼし、ひいては平衡を好ましい種にシフトさせることができる。特に、平衡は、水性液体媒体が出口スリットを通して流れるときに、反応種の一定の濃度／比が存在するようにシフトさせることができる。
【００１１】
１つの用途では、添加剤は、水性液体媒体のｐＨを実質的に変化させない添加剤であり、実質的ではないという言い回しは、０．５未満のｐＨシフトを引き起こすことを意図したものである。使用することができるそのような添加剤の非限定的な例は、塩、例えば塩化ナトリウムまたは塩化カリウムである。
【００１２】
別の用途では、方法は、添加剤の添加によって水性液体媒体のｐＨを８〜１１または３〜６の範囲にシフトさせることをさらに含み、添加剤の添加前の水性液体媒体は、６〜８の範囲のｐＨを有し、添加剤は、塩基または酸を含む。ｐＨのシフトも反応種の平衡に影響を及ぼし、ひいては紫外線による水性液体媒体中で生成された反応種の好ましい種への平衡のシフトを達成することができる。そのようなｐＨのシフトは、紫外線によって引き起こされる液体媒体内の一定の反応を加速または減速させることができ、ひいては水性液体媒体中の反応種の平衡をシフトさせることができる。特に、平衡は、水性液体媒体が出口スリットを通して流れるときに、反応種の一定の濃度／比が存在するようにシフトさせることができる。例として、オゾン水中で最初にヒドロキシルラジカルが作り出され、次いで、より低い酸化力および同じ有機物除去能力を有するＯ−などの更なる種が作り出される。アルカリ性ｐＨは、水性液体媒体中のラジカルの寿命を延ばし、それによって種の平衡のシフト／安定化を達成することができる。さらに、アルカリ性媒体は、金属表面の電位を変化させ、したがって、この表面は酸化に対してあまり敏感ではなくなる。酸性媒体は、例えば、オゾンの分解を減速させ、他方で、アルカリ性媒体は、オゾンの分解、ひいては更なる種の生成を加速させる。したがって、本発明は、液体媒体のｐＨをシフトさせることによって出口スリットにおける種の濃度／比の調整を可能にする。したがって、本プロセスは、特定の用途および要件に合わせて調整することができる。
【００１３】
水性液体媒体は、特に、８〜１１の範囲のｐＨ値および２０〜５００μＳの範囲の電気伝導度を有するように調整することができ、添加剤は、塩基を含む。媒体電気伝導度は、塩基の有利な低濃度を示す。媒体を流路に挿入する前に混合することによってのみ、そのような低濃度を使用して所望の効果を達成することができる。
【００１４】
本発明の別の態様によれば、水性液体媒体は、９．５〜１０．５の範囲のｐＨ値および７０〜１５０μＳの範囲の電気伝導度を有するように調整される。塩基を使用してｐＨをシフトさせる場合、好ましい物質はＴＭＡＨであり、これは低濃度のときでさえ、必要とされるシフトを達成することができ、さらには非配位化合物である。
【００１５】
塩基は、好ましくは、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）または水酸化カリウム（ＫＯＨ）などの、基板の表面の金属と直接結合を確立することができる利用可能な外部電子を有していない非配位化合物である。水性塩基媒体は、好ましくはＤＩ水を含む。
【００１６】
１つの態様によれば、水性液体媒体は、特定波長の紫外線に対して実質的に非吸収性の媒体である水性液体媒体と、特定波長で実質的に吸収性の媒体５〜１００ｐｐｍとの混合物である。したがって、全体的な媒体のうちの少量のみが特定波長で紫外線を吸収し、それによって反応種の量を良好に調整することが可能になる。実質的に吸収性の媒体は、電気伝導度を調整するための添加剤であってもよいが、吸収性媒体は、異なる媒体であることも可能である。
【００１７】
１つの用途では、方法は、ＥＵＶマスクなどの露出した金属層を有する基板の最終洗浄に関する。そのような最終洗浄は、例えば、フォトレジスト剥離後に行うことができる。
【００１８】
この方法は、液体媒体が少なくとも１つの出口スリットを出て行く前に流路内で紫外線に暴露される時間を調整するステップをさらに含み、これにより種の平衡をさらにシフトさせることが可能になる。これに関連して、電気伝導度およびｐＨのうちの少なくとも１つを、水性液体媒体が少なくとも１つの出口スリットを出て行く前に流路内で紫外線に暴露される時間量に従って調整することができる。
【００１９】
上記方法は、水性液体媒体の皮膜を被処理基板の表面に適用する直前および適用する間に特定波長の紫外線に前記水性液体媒体を暴露するステップで使用されるものとは異なる特定波長の紫外線に水性液体媒体を暴露するステップを、前記ステップの前にさらに含むことができる。これにより、特定のラジカル生成のために水性液体を処理することが可能となり、基板に到達しないと考えられるＯ３などの液体中の一定の成分をさらに分解させることができる。
【００２０】
水性液体媒体は、７０〜１５０μＳの範囲の電気伝導度を有するように調整することができ、２０〜７０℃の範囲、特に２０〜４０℃の範囲の温度を有するように調整することもできる。
【００２１】
好ましい実施形態によれば、水性液体媒体は、２５〜３４０ｍＷ／ｃｍ２の強度の紫外線で照射される。紫外線源と被処理基板の表面との距離は、１〜５ｍｍ、特に１〜２ｍｍの範囲にあるよう調整することができる。水性液体媒体は、１８５〜６００ｎｍ、特に１８５〜３００ｎｍの範囲の波長の紫外線に暴露することができる。水性液体媒体の皮膜を被処理基板の表面に適用する直前および適用する間に特定波長の紫外線に前記水性液体媒体を暴露するステップでは、特定波長は、好ましくは、ラジカルを生成するために２００〜３００ｎｍの範囲にあり、好ましくは約２５４ｎｍである。異なる特定波長は、２００ｎｍ未満、好ましくは約１８５ｎｍであってよく、これは液体の処理／分解のためにより適切であり得る。
【００２２】
方法は、具体的には、基板からのフォトレジスト剥離に関し、水性液体媒体の組成物は、２０〜５００μＳ、特に７０〜１５０μＳの範囲の電気伝導度を有するように調整され、水性液体媒体は、特定波長の紫外線に対して実質的に非吸収性の媒体である水性液体媒体と、特定波長で実質的に吸収性の媒体５〜１００ｐｐｍとの混合物である。この用途では、少なくとも１種の吸収性媒体は、例えば、Ｏ３、Ｈ２Ｏ２およびＴＭＡＨを含む群から選択することができる。
【００２３】
方法は、一例として、基板の表面エネルギーの調整に関し、水性液体媒体の組成物は、７０〜１５０μＳの範囲の電気伝導力を有するように調整され、水性液体媒体は、特定波長の紫外線に対して実質的に非吸収性の媒体である水性液体媒体と、特定波長で実質的に吸収性の媒体５〜１０ｐｐｍとの混合物である。この方法のステップは、所望の効果を達成するために同じ基板上で数回繰り返すことができ、異なる吸収性媒体を、異なる繰り返しサイクルで使用することができる。好ましくは、少なくとも１種の吸収性媒体は、Ｏ３およびＴＭＡＨから選択される。
【００２４】
方法は、具体的には、基板からのフォトレジスト剥離に関し、水性液体媒体の組成物は、２０〜５００μＳ、特に７０〜１５０μＳの範囲の電気伝導度を有するように調整され、水性液体媒体は、特定波長の紫外線に対して実質的に非吸収性の媒体である水性液体媒体と、特定波長で実質的に吸収性の媒体５〜１００ｐｐｍとの混合物である。この用途では、少なくとも１種の吸収性媒体は、例えば、Ｏ３、Ｈ２Ｏ２およびＴＭＡＨを含む群から選択することができる。
【００２５】
１つの用途では、表面エネルギーの調整、フォトレジスト剥離および最終洗浄に関する上記方法の少なくとも２つが上記順序で行われる。
【００２６】
本発明を、本明細書の以下で図面を参照してより詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の方法において使用することができる処理装置の概略上面図である。
【図２】図１の装置のＩ−Ｉ線に沿った概略断面図である。
【図３】装置の選択的な実施形態による図２と同様の概略断面図である。
【図４】特定の液体への紫外線の照射が接触角値に及ぼす影響を示すグラフである（図４ａおよび図４ｂ）。
【図５】異なるプロセスパラメーターについての（正規化された）剥離速度の結果の概要を示す図である。
【図６】異なる波長についての（正規化された）剥離速度の結果の概要を示す図である。
【図７】紫外線と一緒にＤＩ−ＣＯ２水で１００回洗浄した後の、ルテニウムキャップ層を有するＥＵＶマスクのＡＦＭ画像を示す図である。
【図８】紫外線と一緒にＤＩ水中のＴＭＡＨで１００回洗浄した後の、ルテニウムキャップ層を有するＥＵＶマスクのＡＦＭ画像を示す図である。
【００２８】
実施形態の詳細な説明
以下の説明で使用される、上、下、左または右などの向きについて言及しているものはすべて図面を参照するものであり、好ましい配置を指すことはあっても、用途を限定するものとして解釈されるべきではない。本発明は方法に関するものであるが、そのような方法を実施するための例示的な装置を最初に説明する。この装置および方法は、フォトマスク、特にＥＵＶマスクと一緒に説明するが、本発明の原理は、他の基板、特にその加工中の半導体基板、ウェハ、インプリントテンプレート、パネル、特定のフラットパネル基板および多層セラミック基板にも適用することができる。
【００２９】
図１は、基板２を処理するための装置１の概略上面図を示し、他方で、図２は、装置１のＩ−Ｉ線に沿った概略断面図を示す。
【００３０】
装置１は、基本的には、基板の収容台から構成されており、これは適用ユニット６の基板ホルダーと呼ぶ。基板ホルダー４および適用ユニット６は、図示されていない圧力チャンバーに配置されていてよく、そこで適切な手段によって正圧または負圧を発生させることができる。
【００３１】
基板ホルダー４は、図面で見ることができるように、矩形の基板２も収容する平坦な矩形プレートである。基板ホルダー４は、被処理基板２の形状に沿うことができる他の形状を有することができる。基板ホルダー４は、適用ユニット６を介して基板２上に適用され得る液体用の図示されていない排流器を有する。
【００３２】
適用ユニット６は、主要部８と、両方向の矢印ＡおよびＢによって示されるように主要部８を可動する形で支持する支持部１０とから構成されている。特に、支持部１０は、支持アーム１２を有し、その一端は主要部８に接続されている。支持アーム１２の他端は、図示されていない駆動機構に接続されている。両方向の矢印ＡおよびＢによって示されているように、駆動機構は、例えば、支持アーム１０、ひいては主要部８のピボット運動および／または直線運動を提供することができる。このようにして、主要部８は、基板２の部分領域または全表面の処理を可能にするために、前記基板ホルダー４に収容される基板２全体にわたって移動することができる。さらに、支持アーム１０は、主要部８と基板ホルダー４に収容された基板２の表面との間の距離を調整するためにリフト運動を提供することも可能である。
【００３３】
選択的に、または追加的に、基板２と主要部８との間の相対運動を提供するために、基板ホルダーのための移動機構を設けることも可能である。
【００３４】
主要部８は、ハウジング１４、液体ポート１６および放射線源１８を有する。ハウジング１４は、細長い立方体形状の本体２０を有し、これは、その長手方向の延在部で、実質的に本体２０の全長にわたって延在するフローチャンバー２２を画定する。フローチャンバー２２は、本明細書の以下でより詳細に説明するように、基板にその全幅にわたって液体を適用することができるように、基板２の幅の延在部よりも長い長手方向の延在部を有する。しかしながら、フローチャンバーがより小さい寸法を有していることも可能である。フローチャンバー２２の内面２３は、特に紫外線に対して高い反射率を有し、他方で、赤外線を実質的に吸収することができるように設計することができる。
【００３５】
フローチャンバー２２は、実質的に円形の断面形状を有する。フローチャンバー２２は、被処理基板２の方に向けられた出口開口部２１を本体が画定するように、本体２０の底側に向かって開口している。フローチャンバー２２の上部には、フローチャンバー２２と実質的に平行に延在する導管２４が本体２０内に設けられている。導管２４は、液体ポート１６に流体接続されている。導管２４も、複数の位置で複数の導管またはボア２５を介してフローチャンバー２２に接続されている。このようにして、液体ポート１６、導管２４および複数の導管２５を介して流体をフローチャンバー２２内に導くことが可能である。これに関して、導管２４は導管２５と一緒になることで、流体をフローチャンバー２２内に実質的にその全長にわたって導くことが可能になると理解される。
【００３６】
液体ポート１６は、図示されていない外部導管にそれぞれ接続されており、この外部導管を介して１つ以上の流体を液体ポート１６に導くことができる。この外部導管を介して複数の流体を同時にまたは連続して液体ポートに導くことが可能である。複数の外部導管を設けることも可能であり、これらの外部導管を介して、例えば異なる液体を液体ポートに導くことができる。流体として、例えば液体を考慮に入れることができるが、液体ポート１６に気体を導くことも可能であり、これらの気体は、例えば、液体ポート１６および導管２４内の液体と混合され、その後にそれらはフローチャンバー２２に導かれることができる。図２には、液体ポート１６から導管２４を介してフローチャンバー２２の中に入りハウジング１４から出て行く液体の流れを示す矢印が示されている。３つの液体ポート１６が示されているが、それより多いまたは少ない液体ポート１６を設けることもでき、それらは同じまたは異なる流体源を導管２４に接続することができると理解されたい。選択された液体ポート１６は、導管２４と同様に、フローチャンバー２２に直接的にまたは第２の導管（図示せず）を介して間接的に接続されていてもよい。
【００３７】
そのような配置は、当業者が十分に理解するように、異なる流体をフローチャンバー２２内に至らせる種々の可能性を可能にする。特に、そのような配置は、異なる流体を、導管２４における（複数の）液体ポート１６の上流またはその下流で、フローチャンバー２２内に注入する前に混合することを可能にする。別の可能性は、異なる流体を、それらがフローチャンバー２２内で混合されるように、別個の液体ポート１６（および場合によっては別個の導管２４）を介して別々にフローチャンバー２２内に至らせることである。
【００３８】
放射線源１８は、長手方向に延在する形状を有し、全フローチャンバー２２に沿って、実質的にその中央で広がっている。放射線源１８は、ロッド形状のランプ３０を有し、これはカバー３２によって取り囲まれており、これはランプ３０の放射線に対して実質的に透過性である。ロッド形状のランプは、少なくとも所定の波長範囲で紫外線を放射するタイプのランプである。ロッド形状のランプ３０が広範囲の波長スペクトルにわたって放射線を放射し、特に紫外線および赤外線を放射することも可能である。
【００３９】
カバー３２は、例えば石英ガラスから構成されていてよく、ロッド形状のランプ３０をフローチャンバー２２内に完全に取り囲み、ランプ３０をフローチャンバー２２内の流体に対して隔離する。カバー３２は、例えば、フローチャンバー２２の端壁を通して本体２０の外に延在することができる。これにより、フローチャンバー２２にアクセスする必要なく、例えば交換またはメンテナンスの目的でロッド形状のランプ３０にアクセスすることが可能になる。フローチャンバー２２におけるその配置により、カバー３２はフローチャンバー２２の内壁と共に、導管２４または別個の入口（図示せず）を介してフローチャンバー２２内に導かれる流体の流路を形成する。流路は２つの分岐路（図２の左右）に分割され、本体２０の出口開口部２１では、本体２０とカバー３２との間で出口スリット３７が形成される。カバー３２の中央は、流路の分岐路が出口スリット３７に向かって狭くなるように、フローチャンバー２２の中央に対して下方にずらされている。そのような狭窄は、フローチャンバー２２における流体流の均質化を達成することを意図する。
【００４０】
そのような流体は、カバー３２の周りを、ひいては放射線源１８の周りを全体として流れる。したがって、ロッド形状のランプ３０によって放射された放射線は、流路に沿って流れる任意の液体に導入される。さらに、カバー３２は、本体２０の底面を越えて延在し、本体２０の出口開口部２１内および出口開口部２１を越えて部分的に延在する。したがって、ロッド形状のランプから放射された放射線も、フローチャンバー２２から基板ホルダー４に向かってまたはその上に置かれた基板２上に出て行くことが可能である。特に、放射線は、基板２の液膜内に導入することができ、この液膜は、例えば、フローチャンバー２２を通って出口スリット３７から出て行って基板上に流れる液体によって形成されている。図示されていないが、部分的なカバーを、例えば、紫外線に対して流路２２の一定の領域を遮光するためにカバー３２の上または中に設けることができる。特に、流路内への液体の入口領域は、流れがここで乱れる可能性があり、ひいては液体の照射が均質ではなくなる可能性があり、または紫外線がまだ所望されていない可能性があることから遮光されていてよい。そのような遮光カバーは、固定して設けられていてよく、または流路の遮光部を変化させることができるように可動式に設けられていてよい。例えば、第１の位置では紫外線を通過させ、第２の位置では紫外線を阻止する可動式シャッターが設けられていてよい。そのような遮光部を設けることによって、流路を通して流れる流体の紫外線への暴露時間を調整することができる。そのような時間は、例えば、流路を通して流れる流体の流速を介して少なくとも部分的に調整することもできる。
【００４１】
図３は、基板２を処理するための装置１の選択的な実施形態の図２と同様の概略側面図を示す。この実施形態を説明するとき、同じまたは同様の要素が提供される限り、前出のものと同じ参照符号が使用される。
【００４２】
装置１はまた、基板を収容するための基板ホルダー４と適用ユニット６とから実質的に構成されている。基板ホルダーは、図１および図２に関して前述したものと同じように設計されていてよい。
【００４３】
適用ユニット６はまた、主要部８と、図３には示されていない支持部とを有し、しかしながら、支持部は、図１および図２に関して既述したものと同じ設計を有することができる。主要部８はまた、ハウジング１４、液体ポート１６および放射線源１８から実質的に構成されており、ハウジング１４および液体ポート１６は、図１および図２に関して既述したものと同じ設計を有することができる。
【００４４】
放射線源１８はまた、細長い形状を有し、フローチャンバー２２を通って実質的に中央で広がっている。この実施形態における放射線源１８は、ロッド形状のランプ３０，３０’を有し、これらはカバー３２によって取り囲まれており、これはランプ３０，３０’の放射線に対して実質的に透過性であり、既出したものと同じように配置されている。ロッド形状のランプ３０，３０’は、図３で重なり合って示されているが、それらは異なる形でカバー３２内に配置されていてもよく、または２つ以上のランプが設けられていてよい。ロッド形状のランプは、同じタイプまたは異なるタイプのものであってよく、それらのうちの少なくとも１つは、所定の波長範囲の紫外線を放射する。特に、両方のロッド形状のランプ３０，３０’は、異なる波長範囲の紫外線を放射することが可能である。ロッド形状の上部ランプ３０’は、例えば、２００ｎｍ未満、好ましくは約１８５ｎｍの波長範囲の紫外線を少なくとも部分的にまたは主として放射し、他方で、ロッド形状の下部ランプ３０は、２００〜３００ｎｍの波長範囲、好ましくは約２５４ｎｍの紫外線を少なくとも部分的にまたは主として放射する。ロッド形状のランプ３０，３０’のうちの一方または両方が、ある量の紫外線または他の放射線を放射してもよい。図示されていないが、ミラーなどの放射線ガイド要素をロッド形状のランプの間に配置して、上部ランプの放射線がフローチャンバー２２内に放射され、下部ランプの放射線がハウジング１４の外側に放射されるようにランプのそれぞれの放射線をガイドすることができ、ただし、下部ランプの放射線の一部は、流路２２の出口開口部に隣接するその端部領域内にも放射される。
【００４５】
カバー３２は、フローチャンバー２２内のロッド形状のランプ３０，３０’を完全に取り囲み、ランプ３０，３０’を前記フローチャンバー２２内の流体に対して隔離する。これに関して、カバー３２は、図１および図２に関して既述したものと同じ設計を有することができる。さらに、カバー３２内には更なるロッド形状のランプが収容されていることも可能であり、これらはそれぞれ異なる放射線または同じ放射線を放射することもできる。ロッド形状のランプ３０，３０’の配置および選択によって、（放射された波長およびその空間分布に関する）所望の放射線プロファイルを、フローチャンバー２２内および同チャンバー２２を越えて本体２０の出口開口部を介して生成することができる。また、フローチャンバーを紫外線から遮光するための（部分的な）カバーが設けられていてよい。
【００４６】
以下では、装置１の一般的な操作を、図面に関してより詳細に説明する。
【００４７】
基板２の表面を処理するために、適用ユニット６の主要部８は、基板ホルダー４の基板２の上を移動する。基板の全表面を処理すべき場合には、基板を完全にカバーすることができる図５による実施形態が用いられない限り、本明細書の以下に記載される処理中に主要部８を基板全体にわたって移動させてよい。
【００４８】
次いで、液体ポート１６、導管２４，２５およびフローチャンバー２２を介して、少なくとも被処理基板の表面に液体が適用される。前記液体の皮膜を被処理基板の表面に適用する少なくとも直前および適用する間に、第１の放射線源１８を介して前記液体中に放射線が導入される。放射線は、基板を処理するためにそれが基板に直接作用するように、かつ／または所望の処理を行うために基板の特性を変化させる液体に作用するように選択される。そうすることで、基板の表面に対する種々の処理可能性が与えられ、これらは局所的に限定したり、基板の全表面で行ったりすることができる。
【００４９】
以下では、液体、特に液体の特定の組成物に対して紫外線が作用するそのような処理の具体例をより詳細に説明する。ＥＵＶフォトマスクの処理を例として挙げ、上記で指摘したように、同様の処理プロセスは、他の基板上でも行うことができる。
【００５０】
実施例１：
この実施例では、とりわけ、非吸収性媒体中で少量の吸収性媒体を使用し、その間で切り替えて基板の表面エネルギーを調整する。従来、独国特許出願公開第１０２００９０５８９６２号明細書（ＤＥ１０２００９０５８９６２）に記載されているように、ＤＩ水などの非吸収性液体を通した基板の現場ＵＶ暴露を用いて表面エネルギーを調節し、それによって親水接触角値（ｈｙｄｒｏｐｈｉｌｉｃ  ｗａｔｅｒ  ｃｏｎｔａｃｔ  ａｎｇｌｅ  ｖａｌｕｅｓ）を得ていた。
【００５１】
この実施例では、ＥＵＶフォトマスクの初期準備ステップを記載している。この処理ステップは、最適な媒体分布（表面コンディショニング）のために表面エネルギーを調整するために行う。処理ステップにより、＜１０°の水接触角を処理後にもたらすことができる。
【００５２】
表面コンディショニングは、ＣＯ２水中でしばしば行われる。２５４ｎｍの放射の場合、これは非吸収性媒体である。ここで、本発明の発明者は、低濃度の吸収性媒体（例えばオゾン水）を選択することにより、より良好で迅速な表面コンディショニングステップがもたらされ、アルカリ性媒体の導入により表面完全性が維持され得ることを見出した。したがって、複数の媒体を用いたアプローチを設計したのであって、これは表面エネルギー調整に関してより良好な性能をもたらす。
【００５３】
導入説明：
上述のとおり、現場ＵＶ暴露を用いて、表面エネルギーを親水接触角値に調整することができる。しかしながら、この処理ステップは、非吸収性媒体（例えばＤＩ−ＣＯ２水）と一緒に２５４ｎｍの放射ＵＶ光源を使用した場合には不十分な結果をもたらすことが分かった。図４ａは、ＤＩ−ＣＯ２水＋２５４ｎｍのＵＶ光への表面の反復暴露がどのようにして接触角値の約３０°への改善をもたらすかを示しているが、これらはすべての用途にとって満足できるものではない。特に＜１０°の接触角への改善が望まれ得る。
【００５４】
吸収性媒体を非吸収性媒体に少量で添加することで、より良好な結果がもたらされることが分かった。特に、異なる吸収性媒体を処理において交互に用いる方法を試験した。第１の媒体として、約１５０μＳの電気伝導度および１０．２のｐＨをもたらす濃度のＤＩ水中のＴＭＡＨを吸収性媒体として選択した。ここでの低い電気伝導度は、使用されるＴＭＡＨの濃度が低いことを示し、この化合物（強塩基）の苛性の性質によるダメージから表面を保護することに役立つ。第２の媒体として、２０ｐｐｍ濃度のＯ３−ＤＩ水を吸収性媒体として選択した。
【００５５】
媒体に対して数回の発振を行った（ＵＶ装置が、それぞれの媒体をフォトマスク上に分配しながら、上記のようにそれを紫外線に露光する）。特に、ＤＩ水中のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドＴＭＡＨに対して数回の発振（ここでは５回）を行い、続けてＯ３−ＤＩ水を１回発振させ、次いでＤＩ水中のＴＭＡＨを数回発振させた。そのようなサイクルは、必要に応じて数回用いることができ、図４ｂに示されるように、第１のサイクル（または運転）後に、＜２０°の接触角が得られ、第２のサイクル後に、＜１０°の接触角が得られた。
【００５６】
この場合、いくつかの媒体、すなわち、オゾンまたはそこから生成された他の種からのダメージに対して表面を保護するＴＭＡＨと、ひいては２０ｐｐｍのオゾン濃度を使用することができる。
【００５７】
非吸収性媒体から吸収性媒体への切り替えにより、接触角が有意に改善された。アルカリ性媒体を使用することは、基板の表面完全性を維持するのに有益であると考えられていた。上記の実施例では、特定の媒体および特定の発振を記載しているが、当業者であれば、他の吸収性媒体および他の発振を使用することができることを理解するであろう。
【００５８】
実施例２：
異なる吸収性媒体濃度と、場合によっては、光源と表面との間の異なる距離の少なくとも１つと、異なる放射波長とを用いることによるフォトレジスト剥離の改善
導入説明：
フォトレジスト剥離は、ＳＰＭ（硫酸＋過酸化水素の混合物）により過去数年間にわたり行われてきた；相応の洗浄能力にもかかわらず、この混合物は、表面に残った多量の残留イオンに起因するいくつかの欠点を有する。
【００５９】
ＳＰＭレジスト剥離は、現場ＵＶプロセス、例えば上記で参照した独国特許出願公開第１０２００９０５８９６２号明細書（ＤＥ１０２００９０５８９６２）に記載されているようなプロセスに置き換えることができる。典型的な手順では、吸収性媒体をＵＶ光で処理して、表面の有機層（レジスト）と順次反応する光生成物（主としてラジカル）を生成させる：使用される吸収性媒体は、異なる濃度のオゾン水、可溶化酸素または水自体（これは、例えば１８５ｎｍで吸収する）であり得る。以下では、光分解プロセスのいくつかを例として示す：
【表１】
0006738414.tif 000002
【００６０】
本発明者は、剥離速度を、異なる吸収性媒体濃度により、処理中に１種以上の媒体を加熱することによって、および光源と基板との間の距離によって調整することができることを示すためにいくつかの実験を行った。図５は、結果および使用した条件をまとめている。
【００６１】
特に、図５は、オゾン濃度を高い値（６０ｐｐｍ）に調整することによって、マスクの走査領域と非走査領域との良好な比だけでなく良好な剥離速度ももたらすことを示している。光源と基板との間の距離を調整することにより、性能をさらに改善することができる（条件１１および１２）。
【００６２】
放射波長も剥離速度性能に影響を与え、図６は、１８５ｎｍの放射波長を液体媒体中に導入したときの実験結果を示している。特に、図６は、２５４ｎｍの波長と比較して１８５ｎｍの放射波長を液体媒体中に導入した場合に約３倍高い剥離速度が達成され得ることを示している。
【００６３】
これに関連して、媒体の電気伝導度は、紫外線放射によって生成された反応種の平衡に影響を及ぼすことが分かった。特に、液体媒体に添加剤を添加することによって引き起こされる、少なくとも２０μＳの増加した電気伝導度が有益であることが分かった。ｐＨシフトと電気伝導度のシフトとを一緒に引き起こす添加剤を使用する場合、２０〜５００μＳの範囲の電気伝導度が有益であることが分かった。ｐＨに関して実質的に中性である添加剤の場合、２０００μＳまでのさらに高い電気伝導度が有益であり得る。実質的にｐＨに変化を起こさせない、すなわち０．５未満の値だけ変化を起こす適切な添加剤は、例えば、塩化ナトリウムおよび塩化カリウムである。少なくとも２０μＳの下限値が電気伝導度に与えられているが、ほとんどの用途では、少なくとも５０μＳ、さらには少なくとも７０μＳの下限値が好ましい。
【００６４】
この実施例では、吸収性媒体の濃度を変化させることによって、光源と基板との間の距離の変化、および光源の放射波長の変化によって、フォトレジスト剥離速度がどのように最適化され得るのかを示している。
【００６５】
実施例３：
ｐＨおよび電気伝導度の調整が表面保護につながり得る、吸収性および非吸収性媒体におけるｐＨおよび電気伝導度の調整を用いた最終洗浄による改善。
【００６６】
この実施例では、ＥＵＶフォトマスクの最終洗浄における改善について説明する。この処理ステップは、通常、フォトレジスト剥離後に行うことで、残留するすべての有機（または無機）不純物および粒子をフォトマスク表面から除去する。
【００６７】
最終洗浄は、ＣＯ２水中でしばしば行われる。ここでは、ｐＨをアルカリ性値（＞８．５）にシフトさせることにより表面がどのように保護されるのかを示す。
【００６８】
導入説明：
ＥＵＶフォトマスク表面は、通常、タンタルホウ素窒化物ＴａＢＮおよび金属ルテニウムキャップ層でできた吸収体によって構成されている；ルテニウムキャップ層は、湿式洗浄ステップ中に劣化する可能性がある。このダメージの根本原因は、直接的または間接的な金属酸化である：
Ｒｕ（金属）＋ＵＶ光＋酸化剤＝＝＝Ｒｕ（酸化）
【００６９】
ルテニウムが完全に酸化されると（酸化状態＝＋８）、それは揮発性化合物を形成し、結果として金属層が剥離する。
【００７０】
酸化剤は、通常、水と酸素をＵＶ光に暴露すると生成される：
酸素＋ＵＶ光：Ｏ２→Ｏ・（１Ｄ）＋Ｏ・（１Ｄ）
Ｏ・（１Ｄ）＋Ｈ２Ｏ→ＨＯ・＋ＨＯ・
水＋ＵＶ光：Ｈ２Ｏ→Ｈ・＋ＨＯ・
Ｏ・およびＯＨ・は、典型的な酸化剤である。
【００７１】
金属ダメージの第２の根本原因は、例えば、Ｙ．Ｊａｎｇ，Ａ．Ｊｏｈｎ，Ｆ．Ｇｏｏｄｗｉｎ，Ｓ．Ｙ．Ｌｅｅ，Ｓ．Ｓ．Ｋｉｍ「Ｕｎｄｅｒｓｔａｎｄｉｎｇ  ｔｈｅ  ｍｅｃｈａｎｉｓｍ  ｏｆ  ｃａｐｐｉｎｇ  ｌａｙｅｒ  ｄａｍａｇｅ  ａｎｄ  ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  ｏｆ  ａ  ｒｏｂｕｓｔ  ｃａｐｐｉｎｇ  ｍａｔｅｒｉａｌ  ｆｏｒ  １６  ｎｍ  ＨＰ  ＥＵＶ  ｍａｓｋ」，２０１３  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ｏｎ  Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ，Ｔｏｙａｍａ，Ｊａｐａｎ  ６−１０  Ｏｃｔｏｂｅｒ  ２０１３に報告されているように、下位にあるＭｏ／Ｓｉ二重層への酸素相互拡散であり、これが二酸化ケイ素の形成をもたらし得る。非晶質二酸化ケイ素の形成は、体積増加をもたらし、これがまた金属層を破壊して剥離をもたらす。
【００７２】
電気化学は以下のルテニウムおよび媒体の特性を示すことが分かった：
１）金属ルテニウムだけでなく安定なルテニウム酸化物の酸化電位も、ｐＨが増加するにつれて減少する。
２）アルカリ性環境では、ＯＨ・ラジカルは、酸化力がより低く、還元能力がより高い。ＯＨ・ラジカルは、アルカリ性ｐＨでＯ−に変換される；Ｏ−は、炭化水素と同様の反応を与えることができるが、ＯＨ・よりも低い酸化力を有する。
３）アルカリ性媒体中では、ＲｕＯ４は、ＲｕＯ４−およびＲｕＯ４２−に容易に還元される。
４）Ｏ３は、アルカリ性ｐＨでは、ＯＨラジカルに変換される。したがって、金属表面を劣化させると報告されている、分解されていないオゾンが発生するリスクが、このｐＨ範囲でさらに最小限に抑えられる。
【００７３】
さらに、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）などのＳｉ−Ｏ−Ｓｉ寸法と比較して分子寸法がはるかに大きい有機強塩基を使用した場合、表面材料層を通した相互拡散がより少なくなる。
【００７４】
図７には、ＤＩ−ＣＯ２などの従来使用されてきた媒体で得られた典型的なダメージの結果が示されている。図７は、ＣＯ２水溶液（測定ｐＨ＝５．５）などの弱酸性媒体中で１００回洗浄した後のＥＵＶマスクのルテニウム層のＡＦＭ画像を示している。ＤＩ水（ｐＨ＝６．０）中で行った実験でも同様の結果が得られた。
【００７５】
この同じ実験をＴＭＡＨ塩基の希釈溶液中で行った；希釈は、溶液の最終電気伝導度が約５０μＳとなり、得られる測定ｐＨが１０．２となるように行った。図８に示されるような同様のＡＦＭ画像は、１００回の洗浄後にダメージを示さない。
【００７６】
したがって、アルカリ性値へのｐＨシフトが、現場ＵＶ剥離または最終洗浄中にＥＵＶフォトマスクの表面完全性にどのように良い影響を与えるのかを示すことができる。
【００７７】
上記の実施例は、非吸収性媒体中での吸収性媒体の使用および水性液体媒体中でのアルカリ性値へのシフトが、基板の現場ＵＶ湿式処理の結果にどのように影響を及ぼし得るのかを示す。特に、本発明者が行った実験結果から、基板の現場湿式処理について以下の一般的なパラメーターセットが導き出された。
【００７８】
【表２】
0006738414.tif 000003
【００７９】
表面処理、剥離、最終洗浄などの異なる処理のために、すべてのパラメーターを満足させる必要はない。むしろ、特定のパラメーターは、異なるプロセスにおける他のパラメーターよりも重要性が高い。各プロセスにおいて、液体媒体の電気伝導度の増加は、生成される反応種の平衡の調整を可能にすることから有益である。さらに、表面コンディショニングでは、非吸収性媒体濃度における吸収性媒体濃度が重要である。特に、２０ｐｐｍ以下、好ましくは５ｐｐｍ以下の低濃度が使用されるべきである。レジスト剥離では、吸収性媒体濃度がまた重要なパラメーターである。ここでも、放射波長は、プロセスの結果に有意な影響を及ぼすことが示されている。最終洗浄では、ｐＨ値を電気伝導度と組み合わせることが重要である。
【００８０】
本発明を、ＥＵＶフォトマスクの洗浄の特定の用途に関して説明してきたが、上記の原理の多くに加えて上記の範囲も、基板表面の高い清浄度が必要とされる他の基板にも適用される。
【００８１】
本発明の重要な態様は、水性液体媒体を基板の表面に適用する直前にそれを紫外線に照射することである。そうすることで、媒体は早くも分解し／液体を基板に加える前にラジカル種が生成される。媒体の組成に応じて、反応種の一定の平衡が、媒体を基板上に適用するときに、換言すると、媒体が上述の出口スリットを通って出て行くときに媒体中に存在し得る。この平衡には、紫外線への暴露継続（時間）および放射強度などの他の因子が関与している可能性がある。
【００８２】
しかしながら、本発明者は、媒体を被処理基板に適用する前にそれを紫外線に暴露して電気伝導度を調整することによって、反応種の平衡をシフトさせることができ、所望の平衡を調整することができることを初めて見出した。所与の電気伝導度の範囲は、活性種の平衡を試薬または生成物に向けて促しているそれぞれの添加物の濃度が低いことを示す。追加な効果は、電荷の量に応じた一定のラジカルの安定化であり得る。そのような平衡のシフトは、（アルカリ性条件への）ｐＨの増加だけでなく（酸性条件への）ｐＨの低下も伴って起こる。両方の条件は、他の一定の有益な効果を有している可能性がある。例えば、アルカリ性媒体は、上述のとおり、剥離または最終洗浄プロセス中にフォトマスク上の金属層の完全性を保護することができる。
【００８３】
他の用途では、酸性条件へのｐＨのシフトが好ましい場合がある。例えば、紫外線と組み合わせた（僅かに酸性である）ＣＯ２水洗浄は、光学フォトマスク用の効率的な洗浄媒体であることが実証されている。それに、水性媒体に関わる特定の用途では、媒体の酸性化を行うことで、例えば、アルカリ媒体中ではダメージを受ける酸化ゲルマニウムなどの安定したパッシベーション酸化物を保護するのと同時に、反応種を、例えば洗浄のために提供することができる。そのような場合には、吸収性の低い酸を使用することが好ましい。ゲルマニウム化学は、ＩＣの製造に広く使用されており、上記のような現場ＵＶプロセスの使用は、ウェハ洗浄にも首尾よく適用することができる。金属ゲルマニウムは自然酸化されて、保護パッシベーション層として作用するＧｅＯ２になる。
【００８４】
アルカリ性媒体により、これは可溶化されてＨＧｅＯ３−になる。
【００８５】
ＧｅＯ２（ｓ）＋ＯＨ−→ＨＧｅＯ３−
【００８６】
ここで、酸性媒体にシフトすると、この可溶化プロセスは回避され、したがって表面完全性に良い影響を与える。
【００８７】
したがって、本発明は、電気伝導度を２０〜２０００μＳの範囲に調整するだけでなく、ｐＨを８〜１１の範囲にすることも、ｐＨを３〜６の範囲に調整することも考慮し、中性からの実質的なシフトが、媒体が基板に適用されるとき（例えば、媒体が上述の装置の出口スリットを通って出て行くとき）に、種の平衡について所望のシフトを達成するために必要であると考えられる。そのようなシフトはまた、紫外線によって引き起こされる一定の反応を加速／遅延させる。平衡に影響を及ぼし得る他の要因は、紫外線の強度および紫外線に媒体を暴露する継続時間である。これらの両方は、媒体のｐＨに従って調整することもでき、逆もまた同様である。特に、暴露の継続時間は、媒体の流速によって調整することができるが、一定の最小および最大の流量がプロセスには必要とされ得る。別の選択肢は、流路内の紫外線への暴露の長さ（距離）を、例えば、上記のシャッターなどの遮光カバーによって変えることである。
【００８８】
本発明は、特定の実施形態に限定されることなく、いくつかの実施形態に関して本明細書の上記で説明した。特に、上述の現場ＵＶ湿式処理は、他の基板、特に半導体ウェハと一緒に使用することもできる。それに、記載および本出願で特許請求の範囲とされる異なる特徴は、任意の適切な方法で組み合わせることができる。したがって、本発明は、開示された特定の実施形態に限定されるものではなく、本発明は、以下の請求項の範囲および精神に含まれるすべての実施形態を含むことを意図する。
【符号の説明】
【００８９】
１  装置、  ２  被処理基板、  ４  基板ホルダー、  ６  適用ユニット、  ８  主要部、  １０  支持部、  １２  支持アーム、  １４  ハウジング、  １６  液体ポート、  １８  放射線源、  ２０  本体、  ２１  出口開口部、  ２２  フローチャンバー、  ２３  内面、  ２４  導管、  ２５  導管、  ３０，３０’  ロッド形状のランプ、  ３２  カバー、  ３７  出口スリット
【図１】
0006738414.tif 000004
【図２】
0006738414.tif 000005
【図３】
0006738414.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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