(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ共振器（ＢＡＷＲ）であって、
２つの電極とその間に配置された圧電層を有する電気音響アクティブ領域と、
支持基板と、
前記電気音響アクティブ領域と前記支持基板との間に配置され、低熱伝導層と前記低熱伝導層よりも高い熱伝導性を有する高熱伝導層とを備える音響ミラー、ここにおいて、前記低熱伝導層は、前記電気音響アクティブ領域から前記支持基板への熱流を低減する、と、
前記支持基板および前記電気音響アクティブ領域に結合されたヒートブリッジ、ここにおいて、前記ヒートブリッジは、少なくとも１つの前記低熱伝導層に配置され、少なくとも１つの前記高熱伝導層と前記電気音響アクティブ領域又は前記支持基板とを直接接続する領域を備え、前記電気音響アクティブ領域から前記支持基板への前記熱流を増加させる、と
を備える、ＢＡＷＲ。
【請求項２】
前記音響ミラーは、複数の低熱伝導層と、前記低熱伝導層よりも高い熱伝導性を有する複数の高熱伝導層と、を備える、請求項１に記載のＢＡＷＲ。
【請求項３】
前記低熱伝導層は、低音響インピーダンスを有し、前記高熱伝導層は、高音響インピーダンスを有する、請求項２に記載のＢＡＷＲ。
【請求項４】
前記低熱伝導層は、誘電材料を備え、前記高熱伝導層は、金属を備える、請求項２に記載のＢＡＷＲ。
【請求項５】
前記ヒートブリッジは、前記低熱伝導層よりも高い熱伝導性を有する、請求項１に記載のＢＡＷＲ。
【請求項６】
前記ヒートブリッジと前記電気音響アクティブ領域との距離は、前記電気音響アクティブ領域と前記支持基板との距離よりも短く、
前記ヒートブリッジと前記支持基板との距離は、前記電気音響アクティブ領域と前記支持基板との距離よりも短い、請求項１に記載のＢＡＷＲ。
【請求項７】
前記ヒートブリッジは、前記電気音響アクティブ領域を水平方向において取り囲む領域を備える、請求項１に記載のＢＡＷＲ。
【請求項８】
前記ヒートブリッジは、少なくとも１つの前記低熱伝導層に配置され、２つの前記高熱伝導層を互いに結合する領域を備える、請求項２に記載のＢＡＷＲ。
【請求項９】
請求項１に記載のＢｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ共振器（ＢＡＷＲ）を備える、高周波フィルタ。
【請求項１０】
請求項１に記載のＢｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ共振器（ＢＡＷＲ）を有する高周波フィルタを備える、デュプレクサ。
【請求項１１】
Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ共振器（ＢＡＷＲ）の製造方法であって、
支持基板上に交互に高熱伝導層と低熱伝導層を有する音響ミラーを形成すること、ここにおいて、前記高熱伝導層は、前記低熱伝導層よりも高い熱伝導性を有する、と、
２つの電極層間に圧電層を有する電気音響アクティブ領域を前記音響ミラー上に形成することと、
熱を前記電気音響アクティブ領域から前記支持基板へ伝達するように構成され、前記支持基板および前記電気音響アクティブ領域に結合された、ヒートブリッジを形成すること、ここにおいて、前記ヒートブリッジは、少なくとも１つの前記低熱伝導層に配置され、少なくとも１つの前記高熱伝導層と前記電気音響アクティブ領域又は前記支持基板とを直接接続する領域を備える、と、
を備える、製造方法。
【請求項１２】
前記ヒートブリッジは、前記低熱伝導層よりも高い熱伝導材料を備えかつ前記電気音響アクティブ領域を側方から取り囲む領域を備える、請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記ヒートブリッジは、前記低熱伝導層よりも高い熱伝導材料を備えかつ前記低熱伝導層の内部に構成される領域を備える、請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記ヒートブリッジを形成することは、前記ヒートブリッジの材料を前記低熱伝導層においてリソグラフィ工程を介して積層することを備える、請求項１３に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気音響特性が稼働時の自己発熱の低減により改善された、ＢＡＷ共振器に関する。本発明は、更に、高周波フィルタ又は対応して構成された共振器を備えるデュプレクサ、及びそのような共振器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＢＡＷ（Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）共振器は２つの電極層間に圧電材料を有する。高周波信号を与えることで弾性波が励起されて反転される。圧電層の厚さは高周波信号に関する周波数の略半分の波長λ／２に対応する。
【０００３】
そのような共振器は、特に高周波フィルタや移動通信機器のデュプレクサにおいて用いられる。ＢＡＷ共振器の熱変化により、その音響特性とともにその電気特性が変化する。
【０００４】
対応して構成されたフィルタは、従って、中心周波数及び帯域幅の変化による温度変化に反応する。フィルタは厳密な仕様を必要とするため、温度変化は望ましくない。温度変化に関わりなく電気特性の変化を補整することは確かに可能である。しかし、自己発熱が低減されたＢＡＷ共振器は、やはりいずれにしても望ましい。
【０００５】
ＢＡＷ共振器の自己発熱を低減するため、共振器表面を拡大する場合がある。そうして、共振器を直列にカスケード接続してよい。インピーダンスを維持するため、カスケード接続した共振器の両方はそれぞれ最初の表面の２倍を必要とする結果、全体で正味４倍の必要面積が生じる。
【０００６】
よって、本発明の課題は、自己発熱が低減されたＢＡＷ共振器を提供することにある。
【０００７】
この課題は独立請求項１に記載のＢＡＷ共振器により解決される。従属請求項は共振器又はフィルタ若しくはデュプレクサにおけるその使用の有利な形態を記載する。同様に、自己発熱が低減されたＢＡＷ共振器の製造方法が記載される。
【発明の概要】
【０００８】
自己発熱が低減されたＢＡＷ共振器は従来の共振器とは、放熱損失により電気音響領域で発生した熱を例えば支持基板等のヒートシンクに放散する、ヒートブリッジの点で異なる。
【０００９】
そのため、対応する共振器は、２つの電極とその間に配置された圧電層を有する電気音響アクティブ領域を備える。共振器は、ヒートシンクとしての支持基板と、アクティブ領域と支持基板との間に配置された音響ミラーとを更に備える。音響ミラーは少なくとも低熱伝導層と高熱伝導層とを有する。熱伝導性に関する「低」及び「高」の特性は相対的に解釈されるものであって、すなわち、高熱伝導層は、低熱伝導層よりも高い熱伝導性を有する。更に、共振器はヒートブリッジを備える。低熱伝導層は、アクティブ領域から支持基板への熱流を低減するのに好適であり、つまり稼働時に電気音響アクティブ領域において熱を発生させる。対応する層の比較的低い熱伝導性により、アクティブ領域から支持基板への熱流は低減される。低熱伝導層を省略すると、確かに電気音響領域と支持基板との良好な熱結合がもたらされるが、その場合音響ミラーはもはや適切に機能しなくなり、共振器は使用不能になる。低熱伝導性を有する絶縁層に関わりなく自己発熱を低減するため、ヒートブリッジが存在する。ヒートブリッジは、アクティブ領域から支持基板への熱流を増加させるために備えられる。
【００１０】
言い換えると：従来のＢＡＷ共振器と比較すると、電気音響アクティブ領域で発生した熱に対して支持基板への低抵抗の追加のパスが提供されている。電気音響アクティブ領域から支持基板への熱流に関して、低抵抗の短絡が起こる。
【００１１】
その上、ヒートブリッジ自体は主として熱伝導に関するものであるが、電気音響的又は電気的にアクティブではない。そのため、ＢＡＷ共振器の電気及び音響特性の劣化はせいぜい二次的である。このことは、ミラーの低熱伝導層を高熱伝導層で置き換える試みとは逆である。ミラーには、交互に高低の音響インピーダンス層が使用される。周知の材料は、主に、高音響インピーダンスで高熱伝導性を有するか又は低音響インピーダンスで低熱伝導性を有するかのどちらかである。低熱伝導層を高熱伝導層で置き換えると、その場合同時に低音響インピーダンス層が高音響インピーダンス層で置き換えられることになり、それにより、ミラーの音響特性は著しく劣化してしまう。
【００１２】
音響ミラーは、その上、低熱伝導層に関して、１又は複数の更なる低熱伝導層を有してよい。同様のことが、高熱伝導層に当てはまる。その場合、層の数は主としてその音響要件に関連して決定される。その場合：層数が多くなるほど、電気音響アクティブ領域と支持基板の熱結合は原則的に劣化することになり、つまり、ミラーが多くの層を有するほど、自己発熱の低減に対するヒートブリッジによる影響は大きくなる。
【００１３】
特に、低熱伝導層は低音響インピーダンスを有し、高熱伝導層は、高音響インピーダンスを有することが可能である。
【００１４】
その場合、特に、低熱伝導層は誘電材料を有してよい一方、高熱伝導層は金属を有するか、金属又は合金からなってよい。その場合、二酸化ケイ素等の普通の材料を低音響インピーダンスの低熱伝導層に使用することができ、又はタングステン等の重金属を高音響インピーダンスの高熱伝導層に使用することができる。
【００１５】
特に、ヒートブリッジは低熱伝導層よりも高い熱伝導性を有することが可能である。その場合、ヒートブリッジの熱伝導性は高熱伝導層の熱伝導性よりも低いか、同じか、高くてよい。
【００１６】
ヒートブリッジは音響的にはほぼアクティブではないため、ヒートブリッジの材料の選択において、ただ熱伝導性能が考慮されてよい一方、ミラーの高熱伝導層の材料の選択においては、その音響特性も考慮される必要がある。
【００１７】
ヒートブリッジとアクティブ領域との距離はアクティブ領域と支持基板との距離よりも短くてよい。更に、ヒートブリッジと支持基板との距離はアクティブ領域と支持基板との距離よりも短くてよい。
【００１８】
その場合、２つの構成要素間の距離はこれら２つの構成要素間の最短結合距離である。
【００１９】
ヒートブリッジがアクティブ領域又は支持基板に対して短い距離を有することで、熱を良好にアクティブ領域から放散し、及び／又は支持基板に導くことが可能になる。その場合、ヒートブリッジ自体の熱伝導性は比較的高い。ブリッジと対応する領域との間の材料が低熱伝導の材料により分離されている場合でも、ヒートブリッジと対応する領域との間の短い距離によって十分な熱流も可能である。
【００２０】
好ましくは、ヒートブリッジは直接アクティブ領域と同様に支持基板とも結合し、熱流に関してアクティブ領域と支持基板を短絡する。
【００２１】
ヒートブリッジは、アクティブ領域を水平方向において取り囲む領域を有することができる。
【００２２】
つまり、電気音響アクティブ領域はヒートブリッジの領域の内部にある。その場合、ヒートブリッジは水平方向において、共振器の音響を妨げないのに十分な距離を維持することができる。垂直方向においては、ヒートブリッジはアクティブ領域の層から下方に支持基板まで到達することができる。
【００２３】
共振器は単独又は低自己発熱の他の共振器とともに支持基板上に、例えばラダー型構造で配置されれば、特に、異なる共振器の異なる積層を並設することができる。その場合、支持基板の表面は全体として、異なる共振器の電気音響領域の表面の合計よりも多少大きい。よって、電気音響領域の周囲には、熱を共振器の異なる電気音響領域から支持基板に伝達できるヒートブリッジの材料を配置することができる。
【００２４】
その場合、支持基板は従来の共振器又はフィルタよりも大きい必要はない。更に負特性を必要とすることなく、共振器又はフィルタの自己発熱は改善される。
【００２５】
代替的に又は追加的に、ヒートブリッジは、少なくとも１つの低熱伝導層に配置される領域を有することが可能である。この領域は少なくとも１つの高熱伝導層とアクティブ領域又は支持基板とを結合する。
【００２６】
代替的に又は追加的に、ヒートブリッジは、少なくとも１つの低熱伝導層に配置され、２つの高熱伝導層を互いに結合する領域を有することが可能である。
【００２７】
例えば対応する層の表面を十分に小さく選択して、積層の音響を妨げることなく、低熱伝導層は、熱流に関して高熱伝導積層を短絡する、例えば角柱又は円柱部等を有する場合がある。
【００２８】
その場合、低熱伝導層内部の対応する領域は、例えばフォノニックグリッドとして作用し、ミラーの音響を向上させるセグメントを含んでよい。例えば、いくつか又は１つのモードで水平方向の振動を制限することができる。そのために、ヒートブリッジの材料は、例えばその音響インピーダンスに関して対応して選択することができる。
【００２９】
特に、１又は複数の対応して構成されたＢＡＷ共振器は高周波フィルタと接続し、例えば共通の支持基板上に配置されることができる。
【００３０】
そのようなフィルタ又は自己発熱が低減された個々の共振器はデュプレクサ、例えば移動通信機器のフロントエンド回路と接続されることが可能である。
【００３１】
ヒートブリッジの異なる領域のセグメントは、特に、２又は３次元の周期的グリッド、例えば上記フォノニックグリッドを構成してよい。グリッドのセグメントはその大きさ、形、及び位置について、望ましくないモードの周波数に関してブラッグ条件を満たし、このモードの更なる自由な伝搬を制限するように構成してよい。セグメントは望ましくないモードに対してλ／４の幅を有してよい。水平方向のセグメントの間隔も同様にλ／４であってよい。有利には、パターン化工程を簡略化するため、４分の１波長の整数倍、特に奇数倍であってよい。セグメント及び水平方向の間隔の幅は同一又は異なってよい。このように、幅はｎ  λ／４で幅はｍ  λ／４であって、ｍ＞ｎであってよい。特に、ｍはｎよりも大幅に大きく、例えば２，５，１０，２０又は１００倍の大きさであってよい。ｍがｎに対して大きければ大きいほど、垂直方向の伝搬（長手方向）メインモードへの影響は小さくなる。
【００３２】
より多くの望ましくないモード、例えば異なる水平方向のモード等を同時に取り込むため、セグメントの幅と猶予を異なる電気音響アクティブ領域で区別して選択し、λ／４の異なる値に同調させてよい。
【００３３】
ヒートブリッジは異なる材料を有してよい。好適には、特に最上層について、例えばダイヤモンド、カーボンナノチューブ若しくはグラファイト等の異なる炭素の修飾物、サファイア、ルビー又は酸化アルミニウム、ケイ素（Ｓｉ）若しくはゲルマニウム（Ｇｅ）の他の修飾物がある。しかし、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、カリウム（Ｋ）、モリブデン（Ｍｏ）、黄銅、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、タングステン（Ｗ）、ナトリウム（Ｎａ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、プラチナ（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タンタル（Ｔａ）、鉛（Ｐｂ）、若しくはチタン（Ｔｉ）等の金属の酸化物等又は１又は複数のこれらの金属を含む酸化物セラミックス等の他の材料であってよい。
【００３４】
最上層の下の層においては、上記金属又はこれらの金属を含む合金をヒートブリッジに含んでよい。
【００３５】
確かに、ヒートブリッジの最上層は金属を含んでもよい。しかし、有利には、共振器の電気特性を防止するため、誘電材料が最上層に含まれる。
【００３６】
自己発熱を低減したＢＡＷ共振器の製造方法は以下のステップを備える。
−支持基板を供給するステップと、
−交互に高熱伝導層と低熱伝導層を有する音響ミラーを配置するステップと、
−２つの電極間に圧電層を有する電気音響アクティブ領域をミラー上に構成するステップ。
【００３７】
更に、方法は、熱をアクティブ領域から支持基板へ伝達するために備えられ、好適である、ヒートブリッジを構成するステップを備える。
【００３８】
その場合、ヒートブリッジの構成ステップは、主に、積層及び／又は例えばレジスト層や露光工程を有するリソグラフィ工程等の構成のための通常のステップを含んでよい。
【００３９】
方法がこのように行われることで、ヒートブリッジが低熱伝導層よりも高い熱伝導材料を有する領域を有することが可能である。その場合、ヒートブリッジがこのように構成されることで、その領域の１つはアクティブ領域を側方から取り囲むことになる。
【００４０】
このように、ヒートブリッジの領域はフレーム構造を電気音響アクティブ領域の周りに構成し、熱を側方においてミラーをアクティブ領域から支持基板へと通り過ぎるように導くことができる。
【００４１】
方法は、低熱伝導層よりも高い熱伝導材料を有して低熱伝導層の内部に構成される、ヒートブリッジの領域が構成されるステップを備えることができる。
【００４２】
その場合、低熱伝導層の内部のこの領域は、望ましいモードを選択し、それにより共振器の接続を向上させるのに好適な、周期的に配置された領域のアレイを有してよい。
【００４３】
特に、共振器の製造方法は、ヒートブリッジの材料を、例えば、低熱伝導層又はフレーム構造においてミラーの周囲に積層するためのリソグラフィ工程を含んでよい。
【００４４】
以下、自己発熱が低減されたＢＡＷ共振器又はその製造方法を、概略的であって限定的でない図面を参照して更に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】熱源からヒートシンクへの熱伝導に関する短絡としてのヒートブリッジの操作方法、
【図２】支持基板上での異なるＢＡＷ共振器の配置図、
【図３】共振器のある積層の断面図、
【図４】ヒートブリッジがフレーム形状の構造により構成された積層の断面図、
【図５】ヒートブリッジが高熱伝導ミラー層間に高熱伝導セグメントを有する領域を含む積層の断面図、
【図６】ヒートブリッジのセグメントが配置された低熱伝導層の水平方向断面図、
【図７】ヒートブリッジのセグメントが縞状に配置された低熱伝導層の水平方向断面図、
【図８】ヒートブリッジが一方で低熱伝導層の内部でセグメントを有する領域と、他方で低熱伝導層を取り囲むフレームを含む、低熱伝導層の水平方向断面図。
【発明を実施するための形態】
【００４６】
図１は、ヒートブリッジの機能を示す。例えばＢＡＷ共振器稼働時の電気音響アクティブ領域等の熱源ＷＱにおいて、例えば放熱損失により熱が発生する。ヒートシンクＷＳとして、例えばＢＡＷ共振器の支持基板が働く。熱源ＷＱとヒートシンクＷＳとの間には、交互に高熱伝導層ＷＬと本質的には断熱する層ＷＩが配列される、音響ミラーが配置される。熱源ＷＱとヒートシンクＷＳとの間の熱伝導性は、特に断熱層ＷＩにより制限される。熱源ＷＱとヒートシンクＷＳとの間の熱伝導性を得るため、熱流に関して熱源ＷＱとヒートシンクＷＳとの間の短絡を起こすヒートブリッジＷＢの領域が備えられる。ヒートブリッジＷＢの領域がこのように配置及び構成されるため、電気音響領域（熱源）とヒートシンク（支持基板）との間の音響は妨げられない。このように、良好な電気及び音響特性を有すると同時に自己発熱が少ないＢＡＷ共振器ＢＡＷＲが、改善された熱管理により得られる。
【００４７】
図２は、支持基板ＴＳ上に配置された複数のＢＡＷ共振器ＢＡＷＲを含む高周波フィルタＦの断面図を示す。その場合、電気音響アクティブ領域と電気接続領域は黒塗りで示される。通常の領域（斜線で示される）は、共振器の音響を妨げることなく、１又は複数のヒートブリッジＷＢを受容するために用いられる。
【００４８】
図３は、ＢＡＷ共振器ＢＡＷＲの積層の水平方向断面図を示す。積層は、ヒートシンクＷＳとして働く支持基板ＴＳ上に配置される。例えば、支持基板は、熱を電気音響領域ＥＡＢから受容し周囲に放散するのに十分に高い熱伝導性を供給する、例えば結晶性シリコンなどのケイ素を含んでよい。
【００４９】
電気音響アクティブ領域ＥＡＢは下電極ＥＬと、上電極ＥＬと、その間の圧電材料とを備える。下電極ＥＬの下には交互に配置された低熱伝導層ＷＩと高熱伝導層ＷＬからなる積層が配置される。ミラーの材料は主に積層の音響に関して選択される。電極ＥＬ間の圧電材料は低熱伝導層ＷＩの材料よりも高い熱伝導性を有する。従って、圧電層の材料は同時にヒートブリッジＷＢの材料として働くことができ、直接的なパスにより熱を電気音響領域ＥＡＢから支持基板ＴＳに伝達できる。その時、圧電層は、共振器ＢＡＷＲの音響を妨げることなく、ミラー層の積層を完全に覆い、電気音響領域を直接支持基板ＴＳと結合するように広がる。
【００５０】
図４は、図３の形態と同様に、２つの上電極層とその間に配置された圧電層が電気音響領域ＥＡＢを構成する形態を示す。その下には、交互の熱伝導性及び対応する交互の音響インピーダンスを有するミラー層が配置される。他方、ＢＡＷ共振器ＢＡＷＲの積層はヒートシンクＷＳとしての支持基板ＴＳ上に配置される。それに加えて、支持基板、つまりヒートシンクＷＳと圧電層の材料との間には、ミラーの積層の側面に並ぶ、比較的高い熱伝導性を有するフレーム構造が構成される。これらの層は、熱を電気音響領域ＥＡＢから圧電層の材料を通ってヒートシンクＷＳに伝達するヒートブリッジを構成する。
【００５１】
図３の積層と比較すると、ここでのヒートブリッジＷＢは更に良好に音響的に減結合されている。
【００５２】
図５は、ヒートブリッジＷＢが低熱伝導層に領域を有する、１つの実施形態を示す。その場合、領域は、熱伝達として、個々の高熱伝導層間の熱を電気音響領域からヒートシンクに放散する、複数の個々のセグメントを異なる層に有する。ここで、ヒートブリッジＷＢの領域のセグメントは、弾性波が仮に下方に強度が低下しても伝搬する、共振器の領域に原則的に配置される。しかし、セグメントが対応して大きさが定められ、その音響インピーダンスに関連して選択されると、更に音響及び／又は特に結合の向上を得ることができる。従って、ヒートブリッジＷＢのセグメントはフォノニックグリッドを構成することができ、望ましくない振動モードの構成を減少又は回避することができる。強度が減少した回避不可能な望ましくないモードを取り込むことができ、その影響を低減することができる。
【００５３】
図６は、ヒートブリッジＷＢのセグメントがグリッド構造に配置され、フォノニックグリッドを構成する、低熱伝導層ＷＩの水平方向断面図を示す。その場合、個々のセグメントの断面は四角形、長方形、楕円形、円形であることができ、又は例えば異なる多角形等の複雑な構造を有することができる。有利には、断面の形状及び断面の表面は垂直方向において一定であって、それにより簡略化された製造方法が可能になる。
【００５４】
図７は、ヒートブリッジＷＢのセグメントを低熱伝導層ＷＩに配置する、更なる可能性を示す。対応して、セグメントは十字に交差する縞状に配置される、従って、熱は垂直方向だけでなく水平方向においても伝達されることにより、電気音響領域での熱発生が不均質であっても、熱伝達が容易になる。
【００５５】
図８は、ヒートブリッジが、フレーム形状に共振器の積層の周りに配置された第１領域ＷＢ１を含む、低熱伝導層の断面図を示す。更なる領域ＷＢ２は低伝導層の内部のセグメントを含む。
【００５６】
ヒートブリッジが個々の領域に限定されないことは明らかである。ヒートブリッジの個々の記載された領域は組み合わせることができ、それにより更に高い伝導性を有するヒートブリッジとすることができる。
以下に本願の出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［Ｃ１］
ＢＡＷ共振器（ＢＡＷＲ）は以下を備える：
２つの電極（ＥＬ）とその間に配置された圧電層を有する電気音響アクティブ領域（ＥＡＢ）と、
支持基板（ＴＳ）と、
前記アクティブ領域（ＥＡＢ）と前記支持基板（ＴＳ）との間に配置され、低熱伝導層（ＷＩ）と高熱伝導層（ＷＬ）とを有する、音響ミラーと、
ヒートブリッジ（ＷＢ）、
以下を特徴とする、
前記低熱伝導層（ＷＩ）は、前記アクティブ領域（ＥＡＢ）から前記支持基板（ＴＳ）への熱流を低減するのに好適であり、
前記ヒートブリッジ（ＷＢ）は、前記アクティブ領域（ＴＳ）から前記支持基板（ＴＳ）への前記熱流を増加させるために備えられる。
［Ｃ２］
Ｃ１に記載のＢＡＷ共振器において、前記音響ミラーは、
２以上の低熱伝導層（ＷＩ）と、
２以上の高熱伝導層（ＷＬ）と、を有する。
［Ｃ３］
前記低熱伝導層（ＷＩ）は低音響インピーダンスを有し、前記高熱伝導層（ＷＬ）は、高音響インピーダンスを有する、Ｃ１又は２に記載のＢＡＷ共振器。
［Ｃ４］
前記低熱伝導層（ＷＩ）は誘電材料を有し、前記高熱伝導層（ＷＬ）は金属を有する、Ｃ１乃至３の何れか１項に記載のＢＡＷ共振器。
［Ｃ５］
前記ヒートブリッジ（ＷＢ）は前記低熱伝導層（ＷＩ）よりも高い熱伝導性を有する、Ｃ１乃至４の何れか１項に記載のＢＡＷ共振器。
［Ｃ６］
Ｃ１乃至５の何れか１項に記載のＢＡＷ共振器において、
前記ヒートブリッジ（ＷＢ）と前記アクティブ領域（ＥＡＢ）との距離は前記アクティブ領域（ＥＡＢ）と前記支持基板（ＴＳ）との距離よりも短く、
前記ヒートブリッジ（ＷＢ）と前記支持基板（ＴＳ）との距離は前記アクティブ領域（ＥＡＢ）と前記支持基板（ＴＳ）との距離よりも短い。
［Ｃ７］
前記ヒートブリッジ（ＷＢ）は、前記アクティブ領域（ＥＡＢ）を水平方向において取り囲む領域（ＷＢ１）を有する、Ｃ１乃至６の何れか１項に記載のＢＡＷ共振器。
［Ｃ８］
前記ヒートブリッジ（ＷＢ）は、少なくとも１つの低熱伝導層（ＷＩ）に配置され、少なくとも１つの高熱伝導層（ＷＬ）と前記アクティブ領域（ＥＡＢ）又は前記支持基板（ＴＳ）とを結合する領域（ＷＢ２）を有する、Ｃ１乃至７の何れか１項に記載のＢＡＷ共振器。
［Ｃ９］
前記ヒートブリッジ（ＷＢ）は、少なくとも１つの低熱伝導層（ＷＩ）に配置され、２つの高熱伝導層（ＷＬ）を互いに結合する領域（ＷＢ２）を有する、Ｃ１乃至８の何れか１項に記載のＢＡＷ共振器。
［Ｃ１０］
Ｃ１乃至９の何れか１項に記載のＢＡＷ共振器を備える高周波フィルタ。
［Ｃ１１］
Ｃ１０に記載の高周波フィルタを備えるデュプレクサ。
［Ｃ１２］
ＢＡＷ共振器（ＢＡＷＲ）の製造方法は以下のステップを備える。
支持基板（ＴＳ）を供給するステップと、
交互に高熱伝導層（ＷＬ）と低熱伝導層（ＷＩ）を有する音響ミラーを配置するステップと、
２つの電極（ＥＬ）間に圧電層を有する電気音響アクティブ領域（ＥＡＢ）を前記ミラー上に構成するステップ、
更に、熱を前記アクティブ領域（ＥＡＢ）から前記支持基板（ＴＳ）へ伝達するために備えられたヒートブリッジ（ＷＢ）が構成されることを特徴とする。
［Ｃ１３］
前記ヒートブリッジ（ＷＢ）が、前記低熱伝導層（ＷＩ）よりも高い熱伝導材料を有して前記アクティブ領域（ＥＡＢ）を側方から取り囲む領域（ＷＢ１）を含む、Ｃ１２に記載の方法。
［Ｃ１４］
前記ヒートブリッジ（ＷＢ）は、前記低熱伝導層（ＷＩ）よりも高い熱伝導材料を有して前記低熱伝導層（ＷＩ）の内部に構成される領域（ＷＢ２）を含む、Ｃ１２又は１３に記載の方法。
［Ｃ１５］
前記ヒートブリッジ（ＷＢ）の材料は前記低熱伝導層（ＷＩ）においてリソグラフィ工程により積層される、Ｃ１４に記載の方法。
【００５７】
【表１】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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