(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に配置された電子部品と、前記電子部品を封止する封止部とを有する電子部品封止体に適用される電磁波シールド用フィルムであって、
前記電磁波シールド用フィルムは、基材層と、該基材層の一方の面側に積層されたノイズ抑制層とを備え、
前記封止部は、エポキシ樹脂を主材料として含有し、
前記基材層は、第１の層と、第２の層と、第３の層とがこの順で積層された３層構成をなす積層体であり、前記第３の層が前記ノイズ抑制層に接合され、前記第３の層は、ポリメチルペンテンで構成されており、
前記ノイズ抑制層は、前記封止部の上面および側面を被覆するように構成されており、粒子状をなす導電性材料と、バインダー樹脂としてのエポキシ樹脂とを含有し、前記ノイズ抑制層における前記エポキシ樹脂の含有量を、６重量％以上２４重量％以下に設定することで、
ＪＩＳ  Ｇ  ３４６９に準拠して、板状をなす前記封止部上に、幅２５ｍｍの前記ノイズ抑制層を貼付し、次いで、前記ノイズ抑制層を、その一端から、２５℃において９０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定されるピール強度をＡ［Ｎ／ｍｍ］とし、ＪＩＳ  Ｇ  ３４６９に準拠して、板状をなす前記基材層上に、幅２５ｍｍの前記ノイズ抑制層を貼付し、次いで、前記ノイズ抑制層を、その一端から、２５℃において９０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定されるピール強度をＢ［Ｎ／ｍｍ］としたとき、４．０＜Ａ／Ｂ≦６．０なる関係を満足することを特徴とする電磁波シールド用フィルム。
【請求項２】
前記導電性材料は、金属材料、金属酸化物材料、導電性高分子材料または導電性セラミックス材料のうちの少なくとも１種である請求項１に記載の電磁波シールド用フィルム。
【請求項３】
前記第１の層は、１００℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０５Ｐａ以上１．０Ｅ＋１１Ｐａ以下である請求項１または２に記載の電磁波シールド用フィルム。
【請求項４】
前記第２の層は、１００℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０４Ｐａ以上１．０Ｅ＋１０Ｐａ以下である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波シールド用フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話、医療機器のように電磁波の影響を受けやすい電子部品や、半導体素子等の半導体電子部品、さらにはコンデンサー、コイル等の各種電子部品、またはこれらの電子部品が回路基板に実装された電子装置に対する、電磁波によるノイズの影響を軽減することが試みられてきた。例えば、これら電子部品または電子装置を、アルミやＳＵＳのような金属カンシールドで封止するシールド方法が実施されてきた。【０００３】
しかしながら、この金属カンシールドは、種類別に回路基板に配置された電子部品の集合体（部品集合体）に対して施され、その影響で回路基板上の各電子部品の配置には制約がある。このため、回路基板の設計自由度は、機能面からは必ずしも最良というわけではない。さらに、金属カンシールドにより部品集合体を封止することから、金属カンシールドと部品集合体との間に空間が生じるため、かかる部品集合体を備える電子機器の大型化を招くという問題があった。【０００４】
かかる問題点を解消するために、回路基板上に配置された電子部品を封止材により封止することにより電子部品封止体を形成し、電子部品封止体の上面および側面を、金属薄膜層等で構成されるノイズ抑制層で被覆する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。【０００５】
しかしながら、電子部品封止体にノイズ抑制層を形成して電磁波によるノイズの影響を軽減する方法では、このノイズ抑制層が、主として、スパッタリング法を用いて製造される。この場合、スパッタリング法に用いる装置が、その操作が煩雑かつ高価であったり、生産性が低いと言った問題があった。【０００６】
また、導電性粒子を含有する金属ペーストを用いたり、メッキ法を用いることによりノイズ抑制層を形成することも考えられるが、これらの方法によっても、種々の問題を有しているのが実情であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１５−１３０４８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、電子部品を備える電子部品封止体にノイズ抑制層を、比較的容易に、かつ、優れた生産性をもって形成することができる電磁波シールド用フィルムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的は、下記（１）〜（４）に記載の本発明により達成される。
（１）  基板と、該基板上に配置された電子部品と、前記電子部品を封止する封止部とを有する電子部品封止体に適用される電磁波シールド用フィルムであって、
前記電磁波シールド用フィルムは、基材層と、該基材層の一方の面側に積層されたノイズ抑制層とを備え、
前記封止部は、エポキシ樹脂を主材料として含有し、
前記基材層は、第１の層と、第２の層と、第３の層とがこの順で積層された３層構成をなす積層体であり、前記第３の層が前記ノイズ抑制層に接合され、前記第３の層は、ポリメチルペンテンで構成されており、
前記ノイズ抑制層は、前記封止部の上面および側面を被覆するように構成されており、粒子状をなす導電性材料と、バインダー樹脂としてのエポキシ樹脂とを含有し、前記ノイズ抑制層における前記エポキシ樹脂の含有量を、６重量％以上２４重量％以下に設定することで、
ＪＩＳ  Ｇ  ３４６９に準拠して、板状をなす前記封止部上に、幅２５ｍｍの前記ノイズ抑制層を貼付し、次いで、前記ノイズ抑制層を、その一端から、２５℃において９０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定されるピール強度をＡ［Ｎ／ｍｍ］とし、ＪＩＳ  Ｇ  ３４６９に準拠して、板状をなす前記基材層上に、幅２５ｍｍの前記ノイズ抑制層を貼付し、次いで、前記ノイズ抑制層を、その一端から、２５℃において９０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定されるピール強度をＢ［Ｎ／ｍｍ］としたとき、４．０＜Ａ／Ｂ≦６．０なる関係を満足することを特徴とする電磁波シールド用フィルム。
【００１１】
（２）  前記導電性材料は、金属材料、金属酸化物材料、導電性高分子材料または導電性セラミックス材料のうちの少なくとも１種である上記（１）に記載の電磁波シールド用フィルム。
【００１４】
（３）  前記第１の層は、１００℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０５Ｐａ以上１．０Ｅ＋１１Ｐａ以下である上記（１）または（２）に記載の電磁波シールド用フィルム。
【００１５】
（４）  前記第２の層は、１００℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０４Ｐａ以上１．０Ｅ＋１０Ｐａ以下である上記（１）ないし（３）のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、電子部品封止体の上面側に、基材層と、この基材層に積層されたノイズ抑制層とを有する電磁波シールド用フィルムを貼付し、その後、ノイズ抑制層から基材層を剥離すると言う、比較的容易な方法で電子部品封止体にノイズ抑制層を設けることが可能な、電磁波シールド用フィルムを提供することができる。【００１７】
さらに、電磁波シールド用フィルムを電子部品封止連結体に適用することにより、１つの電子部品封止連結体から複数の電子部品封止体を一括して製造することができるので、電子部品封止体および電子装置の生産性の向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明の電磁波シールド用フィルムを用いて製造された半導体装置の実施形態を示す縦断面図である。
【図２】図２は、図１に示す半導体装置を製造する製造方法を説明するための縦断面図である。
【図３】図３は、図１に示す半導体装置を製造する製造方法を説明するための縦断面図である。
【図４】図４は、図１に示す半導体装置を製造するのに用いられる本発明の電磁波シールド用フィルムの縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の電磁波シールド用フィルムを添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２０】
以下では、本発明の電磁波シールド用フィルムを説明するのに先立って、まず、本発明の電磁波シールド用フィルムを用いて製造された半導体装置について説明する。
【００２１】
＜半導体装置＞
図１は、本発明の電磁波シールド用フィルムを用いて製造された半導体装置の実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２２】
図１に示す半導体装置２０は、厚さ方向に貫通して配置された導体ポスト（図示せず）を備えるインターポーザー（基板）２５と、インターポーザー２５上に配置された半導体素子２６ならびにコンデンサー、コイルのような電子素子２８と、半導体素子２６および電子素子２８を封止する封止部２７（モールド部）と、封止部２７およびインターポーザー２５を被覆するノイズ抑制層３と、導体ポストに電気的に接続された配線２３と、配線２３に電気的に接続されたバンプ２１（端子）と、配線２３を被覆し、かつバンプ２１を露出させるように設けられた被覆部２２とを有している。
【００２３】
インターポーザー２５は、半導体素子２６および電子素子２８を支持する基板であり、その平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。このインターポーザー２５には、その厚さ方向に貫通する複数の貫通孔（図示せず）が形成され、この貫通孔に対応して導体ポストが設けられている。
【００２４】
半導体素子２６および電子素子２８は、それぞれ、半導体素子２６および電子素子２８がその下面側に有する電極パッドが導体ポストに対応するように、インターポーザー２５上に配置されている。本実施形態では、半導体素子２６が１つ、電子素子２８が２つそれぞれインターポーザー２５上に配置されている。なお、本実施形態では、これら半導体素子２６および電子素子２８が、半導体装置２０が備える電子部品を構成する。
【００２５】
かかる位置に半導体素子２６および電子素子２８が配置された状態で、封止部２７は、半導体素子２６、電子素子２８およびインターポーザー２５の上面側を覆うように形成される。
【００２６】
インターポーザー２５の貫通孔に対応して形成された導体ポストは、その上側の端部で、半導体素子２６または電子素子２８が備える電極パッド（端子）と電気的に接続される。
【００２７】
また、インターポーザー２５の下面には、所定形状に形成された配線２３が設けられ、その一部が導体ポストの下側の端部と電気的に接続される。
【００２８】
さらに、配線２３の下面には、球状体をなすバンプ２１が電気的に接続されており、これにより、半導体素子２６または電子素子２８とバンプ２１とが、電極パッド（端子）、導体ポストおよび配線２３を介して電気的に接続される。また、バンプ２１をその下側から露出させるための開口部２２１を備える被覆部２２が配線２３を被覆するように設けられている。
【００２９】
そして、ノイズ抑制層３は、封止部２７の上面、封止部２７の側面およびインターポーザー２５の側面を被覆して設けられている。このノイズ抑制層３により、電磁波を遮断（シールド）して、電磁波によるノイズが抑制される。具体的には、このノイズ抑制層３により、インターポーザー２５上に設けられた半導体素子２６および電子素子２８と、ノイズ抑制層３を介して、半導体素子２６および電子素子２８の外側すなわち半導体装置２０の外側に位置する他の電子部品等との少なくとも一方から生じる電磁波を遮断（シールド）して、電磁波によるノイズが抑制される。なお、このノイズ抑制層３は、インターポーザー２５の側面側において、図示しない配線を介して電気的に接地される。
【００３０】
なお、本実施形態では、電子部品を構成する半導体素子２６および電子素子２８を、それぞれ、１つおよび２つずつ半導体装置２０が備えるが、かかる構成に限定されず、半導体装置（電子装置）は、いずれか１つを備えてもよく、上記以上の半導体素子２６および電子素子２８を備えてもよいし、さらに、半導体素子２６および電子素子２８とは異なる電子部品を備えてもよい。
【００３１】
（半導体装置２０の製造方法）
以上のような構成をなす半導体装置２０が、本発明の電磁波シールド用フィルムを用いた、以下に示す半導体装置２０の製造方法により製造される。
【００３２】
本発明の電磁波シールド用フィルムを用いた半導体装置２０の製造方法は、平板状をなすシート材を用意し、複数の電子部品をシート材上に配置する配置工程と、電子部品が配置されているシート材の上面側に、シート材と電子部品とを覆うように封止して封止部を形成することで電子部品封止連結体を得る封止部形成工程と、電子部品封止連結体の下面側に、基材と、基材に積層された粘着層とを有する粘着テープを、粘着層を電子部品封止連結体側にして貼付する第１貼付工程と、形成すべき電子部品封止体毎に対応するように、電子部品封止連結体を厚さ方向に切断して、凹部を形成することで、粘着テープに貼付された電子部品封止体を得る切断工程と、電子部品封止体の上面側に、剥離層と、剥離層に積層されたノイズ抑制層とを有する電磁波シールド用フィルムを、ノイズ抑制層を電子部品封止体側にして貼付して、凹部の形状に対応してノイズ抑制層を押し込むことで、ノイズ抑制層により電子部品封止体の上面および側面を被覆する第２貼付工程と、電磁波シールド用フィルムから、剥離層を剥離することで、粘着テープに貼付された状態で、ノイズ抑制層が設けられた電子部品封止体を得る第１剥離工程と、電子部品封止体から粘着テープを剥離することで、ノイズ抑制層が設けられた複数の電子部品封止体を一括して得る第２剥離工程と、インターポーザー（基板）の下面側に、配線を形成する配線形成工程と、インターポーザー（基板）の下面側に、配線の一部が露出するように、開口部を備える被覆部を形成する被覆部形成工程と、開口部で露出する配線に、バンプを電気的に接続するバンプ接続工程とを有する。
【００３３】
以下、これらの各工程について詳述する。
図２〜図３は、図１に示す半導体装置を製造する製造方法を説明するための縦断面図、図４は、図１に示す半導体装置を製造するのに用いられる本発明の電磁波シールド用フィルムの縦断面図である。なお、以下の説明では、図２〜図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００３４】
［１］まず、図２（ａ）に示すような、平板状をなすシート材２５’を用意する。その後、このシート材２５’上に複数の半導体素子２６および電子素子２８を配置（載置）する（図２（ｂ）参照。；配置工程）。
【００３５】
なお、このシート材２５’は、予め形成された複数の貫通孔（図示せず）を備え、さらに、これら貫通孔に対応して埋設された導体ポスト（図示せず）を備える。この導体ポストは、半導体素子２６および電子素子２８をシート材２５’上に配置させた際に、半導体素子２６および電子素子２８が備える電極パッド（端子）が対応する位置に形成されている。すなわち、シート材２５’は、貫通孔に対応して設けられた導体ポストの数と、シート材２５’上に配置される複数の半導体素子２６および電子素子２８が備える電極パッド（端子）の総数とが同じになるように形成されている。
【００３６】
また、シート材２５’は、その厚さ方向に切断して個片化することにより、半導体装置２０が有するインターポーザー２５（基板）となり、半導体素子２６および電子素子２８を支持する機能を発揮する。
【００３７】
このシート材２５’は、半導体素子２６および電子素子２８を支持し得る程度の硬度を有していればよく、特に限定されない。例えば、シート材２５’は、コア材で構成されるコア基板、ビルドアップ材で構成されるビルドアップ基板のようなリジット基板（硬性基板）またはフレキシブル基板（可撓性基板）の何れであってもよい。これらの中でも、特に、ビルドアップ基板が好ましい。ビルドアップ基板は、特に、加工性に優れることから好ましく用いられる。
【００３８】
ビルドアップ材料は、特に限定されないが、例えば、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを含有する樹脂組成物等の硬化物を主材料として構成される。
【００３９】
なお、コア基板は、特に限定されないが、例えば、主として、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂のような熱硬化性樹脂等で構成される。
【００４０】
さらに、フレキシブル基板は、特に限定されないが、例えば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリイミドベンゾオキサゾール（ＰＩＢＯ）、液晶ポリマーのような熱可塑性樹脂等で構成される。
【００４１】
また、シート材２５’上に半導体素子２６および電子素子２８を配置する際、半導体素子２６および電子素子２８は、シート材２５’が備える導体ポストの位置に、それぞれ、半導体素子２６および電子素子２８が有する電極パッドが対応するように、シート材２５’上に配置される。そして、このような配置により、形成すべき半導体装置２０が備える半導体素子２６および電子素子２８が配置されるべき位置に、半導体素子２６および電子素子２８がシート材２５’上において配置されることとなる。
【００４２】
なお、半導体素子２６および電子素子２８（特に半導体素子２６）は、シート材２５’上に固定されていても固定されていなくてもよいが、エポキシ系接着剤等の接着剤（アンダーフィル材）により固定されているのが好ましい。これにより、次工程［２］において、半導体素子２６および電子素子２８を封止部２７で封止する際に、半導体素子２６および電子素子２８の位置ずれが生じてしまうのを効果的に防止することができる。
【００４３】
［２］次に、シート材２５’の上面側の面（半導体素子２６および電子素子２８が配置されている側の面）に、シート材２５’、半導体素子２６および電子素子２８を覆うように封止部２７を形成する（図２（ｃ）参照。；封止部形成工程）。
【００４４】
これにより、シート材２５’、半導体素子２６および電子素子２８がシート材２５’の上面側で封止部２７により封止された電子部品封止連結体２７０が得られる。
【００４５】
封止部２７は、エポキシ樹脂を主材料として含有する。このような封止部２７を形成する方法としては、特に限定されないが、例えば、次のような方法が挙げられる。まず、顆粒状のエポキシ樹脂組成物のような熱硬化性樹脂組成物を溶融させ、この状態の熱硬化性樹脂組成物を、シート材２５’、半導体素子２６および電子素子２８を覆うようにシート材２５’の上面に供給する。その後、この溶融状態の熱硬化性樹脂組成物を圧縮成形する。これにより、封止部２７が形成される。かかる方法によれば、半導体素子２６および電子素子２８をシート材２５’上において容易かつ高密度に封止部２７で封止することができる。
【００４６】
［３］次に、基材４と、基材４に積層された粘着層２とを有する粘着テープ１００を用意し、図２（ｄ）に示すように、シート材２５’の半導体素子２６等が載置されていない面側（下面側）で、粘着テープ１００を、粘着層２を電子部品封止連結体２７０側にして、電子部品封止連結体２７０に積層（貼付）する（第１貼付工程）。
【００４７】
この電子部品封止連結体２７０への粘着テープ１００の貼付は、例えば、次のようにして行うことができる。まず、図示しないダイサーテーブルの上に、粘着テープ１００を設置する。シート材２５’の半導体素子２６等と反対側の面と、粘着層２とが対向するように電子部品封止連結体２７０を粘着層２の上に設置する。この状態で、電子部品封止連結体２７０を軽く押圧する。これにより、電子部品封止連結体２７０が粘着テープ１００に貼付される。なお、粘着テープ１００に電子部品封止連結体２７０を予め貼着した後に、ダイサーテーブルに設置しても良い。
【００４８】
粘着テープ１００（ダイシングテープ）は、粘着層２を介して基材４により電子部品封止連結体２７０を支持するとともに、粘着層２にエネルギーを付与することで、粘着層２の電子部品封止連結体２７０に対する粘着性が低下する機能を有する。
【００４９】
かかる構成の粘着テープ１００において、基材４は、主として樹脂材料から成り、粘着層２を介して基材４上に貼付された電子部品封止連結体２７０を支持し得る程度の硬度を有する。この樹脂材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリオレフィン系樹脂、アイオノマー、オレフィン系共重合体、ポリエステル系樹脂、ポリエーテルケトン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５０】
粘着層２は、次工程［４］において、電子部品封止連結体２７０をダイシングして個片化することで電子部品封止体２９０を得る際に、電子部品封止連結体２７０（電子部品封止体２９０）に粘着して支持する機能を有している。また、この粘着層２は、粘着層２に対するエネルギーの付与により電子部品封止体２９０への粘着性が低下する。これにより、粘着層２は、粘着層２と電子部品封止体２９０との間で容易に剥離を生じさせ得る状態となる。
【００５１】
かかる機能を備える粘着層２は、例えば、（１）粘着性を有するベース樹脂と、（２）粘着層２を硬化させる硬化性樹脂とを主材料として含有する樹脂組成物で構成される。
【００５２】
このようなベース樹脂（１）としては、例えば、アクリル系樹脂（粘着剤）、シリコーン系樹脂（粘着剤）、ポリエステル系樹脂（粘着剤）、ポリ酢酸ビニル系樹脂（粘着剤）、ポリビニルエーテル系樹脂（粘着剤）またはウレタン系樹脂（粘着剤）のような粘着層成分として用いられる公知のベース樹脂が挙げられる。
【００５３】
また、硬化性樹脂（２）は、例えば、エネルギーの付与により硬化する硬化性を備える。この硬化によってベース樹脂が硬化性樹脂の架橋構造に取り込まれた結果、粘着層２の粘着力が低下する。
【００５４】
このような硬化性樹脂（２）としては、例えば、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって三次元架橋可能な重合性炭素−炭素二重結合を、官能基として少なくとも２個以上分子内に有する低分子量化合物が用いられる。
【００５５】
また、粘着層２を構成する樹脂組成物には、上述した各成分（１）、（２）の他に他の成分として、光重合開始剤、架橋剤、帯電防止剤、粘着付与剤、老化防止剤、粘着調整剤、充填剤、着色剤、難燃剤、軟化剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等のうちの少なくとも１種が含まれていてもよい。
【００５６】
［４］次に、粘着テープ１００が貼付された電子部品封止連結体２７０を、例えば、ウエハリング等を用いて固定する。その後、ダイシングソー（ブレード）を用いて、形成すべき半導体装置２０（電子部品封止体２９０）毎に対応する位置、すなわち、半導体装置２０が備えるべき１つの半導体素子２６と２つの電子素子２８とが封止部２７で封止される領域毎に対応して、電子部品封止連結体２７０を厚さ方向に切断（ダイシング）して、凹部６２を形成する（切断工程（ダイシング工程）；図２（ｅ）参照）。
【００５７】
これにより、電子部品封止連結体２７０が、１つの半導体素子２６と２つの電子素子２８との組み合わせ毎に対応して個片化された電子部品封止体２９０が粘着テープ１００上に貼付された状態で得られる。
【００５８】
この際、粘着テープ１００は、緩衝作用を有しており、電子部品封止連結体２７０を切断する際の割れ、欠け等を防止する機能を発揮する。
【００５９】
また、ダイシングブレードを用いた電子部品封止連結体２７０の切断は、本実施形態では、図２（ｅ）に示すように、基材４の厚さ方向に、基材４の途中に到達するまで実施される。これにより、電子部品封止連結体２７０の個片化を確実に実施することができる。また、電子部品封止体２９０を粘着テープ１００上に貼付させた状態で、個片化により形成される電子部品封止体２９０の側面、すなわち封止部２７およびインターポーザー２５の側面を凹部６２において確実に露出させることができる。
【００６０】
［５］次に、剥離層１（基材層）と、剥離層１に積層されたノイズ抑制層３とを有する電磁波シールド用フィルム３００を用意し、個片化で得られた電子部品封止体２９０の封止部２７が形成されている面側（上面側）で、電子部品封止体２９０に、電磁波シールド用フィルム３００を、ノイズ抑制層３を電子部品封止体２９０側にして、積層（貼付）する（第２貼付工程）。
【００６１】
この電子部品封止体２９０に電磁波シールド用フィルム３００を貼付する方法としては、特に限定されないが、例えば、真空圧空成形またはプレス成型法が挙げられる。
【００６２】
真空圧空成形とは、例えば、真空加圧式ラミネーターを用いて、電磁波シールド用フィルム３００で、個片化で得られた電子部品封止体２９０の上面および側面を被覆する方法である。まず、図２（ｆ）に示すように、真空雰囲気下とし得る閉空間内に、電子部品封止体２９０の粘着テープ１００と反対側の面と、電磁波シールド用フィルム３００のノイズ抑制層３側の面とが対向するように、電子部品封止体２９０と電磁波シールド用フィルム３００とを重ね合わせた状態でセットする。その後、これらを加熱下において、電磁波シールド用フィルム３００側から均一に電磁波シールド用フィルム３００と電子部品封止体２９０とが互いに接近するように、前記閉空間を真空雰囲気下にし、その後加圧する。このようにして、真空圧空成形が実施される。
【００６３】
このように、電磁波シールド用フィルム３００側から均一に加圧しつつ、前記閉空間を真空雰囲気下とすることで、剥離層１が凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３を押し込み、この押し込みに併せて、剥離層１よりも電子部品封止体２９０側に位置する、ノイズ抑制層３が凹部６２の形状に対応して変形する。これにより、図３（ａ）に示すように、凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３が押し込まれた状態で、ノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面が被覆される。
【００６４】
このような第２貼付工程において、貼付する温度は、特に限定されないが、１５℃以上２２０℃以下であることが好ましく、より好ましくは２０℃以上２１０℃以下、さらに好ましくは１５０℃以上２００℃以下である。
【００６５】
また、貼付する圧力は、特に限定されないが、０．１ＭＰａ以上２０．０ＭＰａ以下であることが好ましく、より好ましくは０．５ＭＰａ以上１５．０ＭＰａ以下である。
【００６６】
さらに、貼付する時間は、特に限定されないが、５秒以上９０分以下であることが好ましく、より好ましくは３０秒以上１０分以下である。
【００６７】
第２貼付工程における条件を上記範囲内に設定することにより、隣接する電子部品封止体２９０同士間の凹部６２に対してノイズ抑制層３を押し込んだ状態で、このノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面を確実に被覆することができる。
【００６８】
また、プレス成型法とは、例えば、次のような方法である。まず、粘着テープ１００上に貼付された電子部品封止体２９０上に電磁波シールド用フィルム３００を配置する。さらに、この電磁波シールド用フィルム３００上に、クッション材を配置する。この状態で、これらを、その上面側および下面側から、２つの平板で挾持する。その後、２つの平板を接近させて、加圧する。このようにして、プレス成型法が実施される。
【００６９】
このように、電磁波シールド用フィルム３００上に、クッション材を配置した状態で、電磁波シールド用フィルム３００と電子部品封止体２９０とを接近させることによっても、剥離層１が凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３を押し込み、この押し込みに併せて、剥離層１よりも電子部品封止体２９０側に位置する、ノイズ抑制層３を凹部６２の形状に対応して変形させることができる。そのため、図３（ａ）に示すように、凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３が押し込まれた状態で、ノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面を被覆することができる。
【００７０】
ここで、本工程［５］において用いられる電磁波シールド用フィルム３００は、隣接する電子部品封止体２９０同士間の凹部６２に対してノイズ抑制層３を押し込んだ状態で、電子部品封止体２９０にノイズ抑制層３を被覆するために用いられる。すなわち、電磁波シールド用フィルム３００は、電子部品封止体２９０に、封止部２７の上面および側面ならびにインターポーザー２５の側面を被覆する、ノイズ抑制層３を形成するように構成されている。電磁波シールド用フィルム３００は、剥離層１（基材層）と、剥離層１の一方の面側に積層されたノイズ抑制層３とを有し、ノイズ抑制層３と電子部品封止体２９０とが対向するように、電子部品封止体２９０側に配置される（図２（ｆ）、図４参照）。
【００７１】
このような電磁波シールド用フィルム３００において、剥離層１は、凹部６２の形状に追従してノイズ抑制層３を押し込むことで、電子部品封止体２９０の上面および側面を被覆する際に、押し込まれたノイズ抑制層３が破断するのを防止する保護（緩衝）材として機能する。また、剥離層１は、次工程［６］において、ノイズ抑制層３から剥離される。
【００７２】
また、剥離層１の１００℃における貯蔵弾性率は、１．０Ｅ＋０４Ｐａ以上１．０Ｅ＋１１Ｐａ以下であるのが好ましく、１．０Ｅ＋０５Ｐａ以上１．０Ｅ＋１０Ｐａ以下であるのがより好ましく、１．０Ｅ＋０６Ｐａ以上１．０Ｅ＋０９Ｐａ以下であるのがさらに好ましい。このように、剥離層１の１００℃における貯蔵弾性率を、前記範囲内に設定することにより、剥離層１は可撓性を有すると言うことができる。このため、電磁波シールド用フィルム３００を用いて、電子部品封止体２９０の上面および側面を被覆する際に、ノイズ抑制層３に破断を生じさせることなくノイズ抑制層３を凹部６２の形状に対応した状態で押し込むことができる。これにより、凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３が押し込まれた状態で、ノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面が被覆される。その結果、電子部品封止体２９０の上面および側面が、破断の発生が防止されたノイズ抑制層３をもって、被覆されるようになるため、このノイズ抑制層３による電磁波シールド（遮断）性が向上することとなる。
【００７３】
本実施形態では、剥離層１は、第３の層１３と、第２の層１２と、第１の層１１とで構成され、これら各層が剥離層１のノイズ抑制層３が積層されている面側から、この順で積層される。上述した剥離層１の特性が発揮されるように、これら各層１１〜１３の種類、および厚さ等が適宜組み合わされる（図４参照）。
【００７４】
以下、これら各層１１〜１３について、それぞれ、説明する。
第１の層１１は、第２貼付工程において、凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３を、例えば、真空加圧式ラミネーター等を用いて押し込む際に、真空加圧式ラミネーター等が有する押圧部との離型性の機能を発揮する。また、第１の層１１は、第２の層１２側に押圧部からの押圧力を伝播する。
【００７５】
この第１の層（第１離型層）１１の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーンのような樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、ポリメチルペンテンを用いることが好ましい。このように、ポリメチルペンテンを有する第１の層１１を用いることにより、第１の層１１の装置との離型性、さらには耐熱性および形状追従性を向上させることができる。
【００７６】
第１の層１１にポリメチルペンテンを用いる場合、その含有量は、特に限定されないが、６０重量％以上であることが好ましく、７０重量％以上９５重量％以下であることがより好ましい。ポリメチルペンテンの含有量が前記下限値未満である場合、第１の層１１の離型性が低下するおそれがある。また、ポリメチルペンテンの含有量が前記上限値を超える場合、第１の層１１の形状追従性が不足するおそれがある。
【００７７】
なお、第１の層１１は、ポリメチルペンテンのみで構成されていても構わない。また、第１の層１１は、ポリメチルペンテンの他に、さらにスチレン系エラストマー、ポリエチレンまたはポリプロピレン等を含有していてもよい。
【００７８】
第１の層１１の平均厚さは、特に限定されないが、５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上６５μｍ以下であることがより好ましい。第１の層１１の平均厚さが前記下限値未満である場合、第１の層１１が破断し、その離型性が低下するおそれがある。また、第１の層１１の平均厚さが前記上限値を超える場合、剥離層１の形状追従性が低下し、ノイズ抑制層３の形状追従性が低下するおそれがある。
【００７９】
また、第１の層１１の１００℃における貯蔵弾性率は、１．０Ｅ＋０５Ｐａ以上１．０Ｅ＋１１Ｐａ以下であるのが好ましく、５．０Ｅ＋０６Ｐａ以上１．０Ｅ＋１０Ｐａ以下であるのがより好ましい。第１の層１１の貯蔵弾性率をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム３００の加熱時において、第１の層１１は、優れた伸縮性を有するため、ノイズ抑制層３の凹部６２に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。また、剥離層１全体としての貯蔵弾性率を前述した範囲内に比較的容易に設定することができる。
【００８０】
さらに、第１の層１１の表面張力は、２０〜４０［ｍＮ／ｍ］であるのが好ましく、２５〜３５［ｍＮ／ｍ］であるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を有する第１の層１１を優れた離型性を備えると言うことができる。このため、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、押圧部から第１の層１１を剥離させることができる。
【００８１】
第３の層１３は、第２貼付工程［５］において、凹部６２に対するノイズ抑制層３の押し込みを、真空加圧式ラミネーター等を用いて実施した後に、第１剥離工程［６］において、剥離層１をノイズ抑制層３から剥離する際に、剥離層１に剥離性の機能を付与する。また、第３の層１３は、凹部６２の形状に追従する追従性の機能を有し、かつ、ノイズ抑制層３側に、押圧部からの押圧力を伝播する機能を併せ持つ。
【００８２】
この第３の層（第２離型層）１３の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーンのような樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、ポリメチルペンテンを用いることが好ましい。このように、ポリメチルペンテンを用いることにより、第３の層１３のノイズ抑制層３との離型性、さらには耐熱性および形状追従性を向上させることができる。
【００８３】
第３の層１３におけるポリメチルペンテンの含有量は、特に限定されないが、６０重量％以上であることが好ましく、７０重量％以上９５重量％以下であることがより好ましい。ポリメチルペンテンの含有量が前記下限値未満である場合、第３の層１３の離型性が低下するおそれがある。また、ポリメチルペンテンの含有量が前記上限値を超える場合、第３の層１３の形状追従性が不足するおそれがある。
【００８４】
なお、第３の層１３は、ポリメチルペンテンのみで構成されていても構わないが、前記ポリメチルペンテンの他に、さらにスチレン系エラストマー、ポリエチレンまたはポリプロピレン等を含有していてもよい。また、第３の層１３と、第１の層１１とを構成する樹脂材料は、同じであっても異なっていても構わない。
【００８５】
第３の層１３の平均厚さは、特に限定されないが、５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上６５μｍ以下であることがより好ましい。第３の層１３の平均厚さが前記下限値未満である場合、耐熱性が不足し、第２貼付工程［５］で基材層の耐熱性が不足し、変形が発生し、ノイズ抑制層３が変形するおそれがある。また、第３の層１３の平均厚さが前記上限値を超える場合、電磁波シールド用フィルム全体の総厚さが厚くなり、カット等の作業性が低下するおそれがあり、また、コスト面でも経済的ではない。
【００８６】
なお、第１の層１１と、第３の層１３の厚さは、同じであっても異なっていても構わない。
【００８７】
また、第３の層１３の１００℃における貯蔵弾性率は、１．０Ｅ＋０５Ｐａ以上１．０Ｅ＋１１Ｐａ以下であるのが好ましく、５．０Ｅ＋０６Ｐａ以上１．０Ｅ＋１０Ｐａ以下であるのがより好ましい。第３の層１３の貯蔵弾性率をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム３００の加熱時において、第３の層１３は、優れた伸縮性を有する。このため、第３の層１３、さらにはノイズ抑制層３の凹部６２に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。
【００８８】
さらに、第３の層１３の表面張力は、２０〜４０［ｍＮ／ｍ］であるのが好ましく、２５〜３５［ｍＮ／ｍ］であるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を有する第３の層１３を優れた離型性を備えると言うことができる。このため、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、剥離層１をノイズ抑制層３から剥離する際に、第３の層１３とノイズ抑制層３との界面において、剥離層１を確実に剥離させることができる。
【００８９】
第２の層１２は、第２貼付工程［５］において、剥離層１を押し込み用の基材として用いて凹部６２に対してノイズ抑制層３を押し込む際に、第３の層１３を、凹部６２に対して押し込む（埋め込む）ためのクッション機能を有する。また、第２の層１２は、この押し込む力を、第３の層１３、さらには、この第３の層１３を介してノイズ抑制層３に、均一に作用させる機能を有している。これにより、ノイズ抑制層３と凹部６２との間にボイドを発生させることなく、ノイズ抑制層３を凹部６２に対して優れた密閉性（追従性）をもって押し込むことができる。
【００９０】
この第２の層１２（クッション層）の構成材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロプレン等のαオレフィン系重合体、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン、ヘキセン、メチルペンテン等を共重合体成分として有するαオレフィン系共重合体、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド等のエンジニアリングプラスチックス系樹脂が挙げられ、これらを単独あるいは複数併用してもよい。これらの中でも、αオレフィン系共重合体を用いることが好ましい。具体的には、エチレン等のαオレフィンと、（メタ）アクリル酸エステルとの共重合体、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体、エチレンと（メタ）アクリル酸との共重合体（ＥＭＭＡ）、およびそれらの部分イオン架橋物等が挙げられる。αオレフィン系共重合体は、形状追従性に優れ、さらに、第１の層１１の構成材料と比較して柔軟性に優れる。このことから、かかる構成材料で構成される第２の層１２に、第１の層１１を凹部６２に対して押し込む（埋め込む）ためのクッション機能を確実に付与することができる。
【００９１】
なお、第２の層１２は、前述した第１の層１１および第３の層１３で挙げた構成材料と、第２の層１２の構成材料とのブレンド体であってもよい。
【００９２】
第２の層１２の平均厚さは、特に限定されないが、２０μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以上４００μｍ以下であることがより好ましい。第２の層１２の平均厚さが前記下限値未満である場合、第２の層１２の形状追従性が不足し、第２貼付工程［５］で凹部６２への追従性が不足するというおそれがある。また、第２の層１２の平均厚さが前記上限値を超える場合、第２貼付工程［５］において、第２の層１２からの樹脂のシミ出しが多くなる。このため、シミ出した樹脂が、圧着装置の熱盤に付着し、作業性が低下するというおそれがある。
【００９３】
また、第２の層１２の１００℃における貯蔵弾性率は、１．０Ｅ＋０４Ｐａ以上１．０Ｅ＋１０Ｐａ以下であるのが好ましく、１．０Ｅ＋０５Ｐａ以上１．０Ｅ＋０９Ｐａ以下であるのがより好ましい。第２の層１２の貯蔵弾性率をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム３００の加熱時において、第２の層１２に、第１の層１１と比較してより優れた伸縮性を容易に付与することができる。そのため、第２の層１２、さらには第３の層１３およびノイズ抑制層３の凹部６２に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。
【００９４】
なお、各層１１〜１３の貯蔵弾性率を、それぞれ、前述した範囲内において適宜設定することで、剥離層１の１００℃における貯蔵弾性率を１．０Ｅ＋０４Ｐａ以上１．０Ｅ＋１１Ｐａ以下の範囲内に容易に設定することができる。また、各層１１〜１３の構成材料を適宜選択することで、ポリメチルペンテンを主材料として含有する剥離層（基材層）１を調製することができる。
【００９５】
剥離層１の全体の厚さは、特に限定されないが、２０μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましく、７０μｍ以上５００μｍ以下であることがより好ましい。剥離層１の全体の平均厚さが前記下限値未満である場合、第３の層１３が破断し、剥離層１の離型性が低下するというおそれがある。また、剥離層１の全体の平均厚さが前記上限値を超える場合、剥離層１の形状追従性が低下し、ノイズ抑制層３の凹部６２に対する形状追従性が低下するというおそれがある。
【００９６】
なお、この剥離層１の構成層数は、特に限定されず、上述したような３層構成を含む２層以上の多層構成であっても良いし、単層構成であっても良い。
【００９７】
また、剥離層１を単層構成とする場合、この剥離層１の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、無軸延伸ポリプロピレンおよび二軸延伸ポリプロピレン等のポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーン、スチレンエラストマー樹脂、スチレンブタジエンゴム、アクリルゴム、エポキシ樹脂、ポリフェノール、ポリウレタンのような樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、ポリメチルペンテンを用いることが好ましい。これにより、剥離層１のノイズ抑制層３に対する押込み性、さらには耐熱性を向上させることができ、かつ、後述する第１剥離工程［６］時にノイズ抑制層３から離型性よく剥離層１を剥がすことができる。
【００９８】
さらに、この場合の剥離層１の厚さは、特に限定されないが、３μｍ以上２０００μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上５００μｍ以下であることがより好ましい。剥離層１の平均厚さが前記下限値未満である場合、剥離層１ひいてはノイズ抑制層３が破断し、その電磁波シールド性が低下するおそれがある。また、剥離層１の平均厚さが前記上限値を超える場合、剥離層１からノイズ抑制層３に対する押し込む力が十分に伝達されず、ノイズ抑制層３の凹部６２に対する押し込み性が十分に得られないおそれがある。
【００９９】
ノイズ抑制層３は、電子部品封止体２９０が備える半導体素子２６および電子素子２８と、このノイズ抑制層３を介して、電子部品封止体２９０と反対側に位置する他の電子部品等とを、これらの少なくとも一方から生じる電磁波を遮断（シールド）する機能を有する。
【０１００】
このノイズ抑制層３（電磁波遮断層）は、特に限定されず、如何なる形態で電磁波を遮断してもよい。ノイズ抑制層３の形態としては、例えば、ノイズ抑制層３に入射した電磁波を反射させることにより遮断（遮蔽）する反射層と、ノイズ抑制層３に入射した電磁波を吸収することにより遮断（遮蔽）する吸収層とが挙げられる。
【０１０１】
これら反射層および吸収層は、ともに、粒子状をなす導電性材料と、バインダー樹脂とを含有する構成をなすことが好ましい。また、導電性材料としては、金属材料、金属酸化物材料、導電性高分子材料または導電性セラミックス材料のうちの少なくとも１種を含有することが好ましい。以下、これら反射層および吸収層について、それぞれ、説明する。
【０１０２】
反射層は、反射層に入射した電磁波を反射させることにより電磁波シールド性を発揮する。この反射層としては、例えば、導電性接着剤層、金属薄膜層、金属メッシュ、ＩＴＯなどの導電性材料の表面処理等が挙げられる。これらを単独あるいは併用してもよい。これらの中でも、導電性接着剤層を用いることが好ましい。導電性接着剤層は、その膜厚（平均厚さ）を比較的薄く設定したとしても、優れた電磁波シールド性を発揮するため、反射層として好ましく用いられる。
【０１０３】
前記導電性接着剤層は、金属粉（金属材料）とバインダー樹脂とを含むように構成される。金属粉は例えば、金、銀、銅または銀コート銅、ニッケル等が挙げられる。これらの中でも、電磁波シールド性に優れているという理由から、銀を用いることが好ましい。また、バインダー樹脂としては、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂などの各種樹脂材料を用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹脂などのフェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、アクリルゴムなどのアクリル系エラストマー、スチレン系エラストマー、オレフィン系エラストマーのようなエラストマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、バインダー樹脂としては、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂およびアクリルゴムなどのアクリル系エラストマーを組み合わせて用いることが好ましい。バインダー樹脂が、熱硬化性樹脂およびアクリル系エラストマーを含む場合、バインダー樹脂の構成比率は、重量比で、熱硬化性樹脂：アクリル系エラストマー＝３：２であることがより好ましい。
【０１０４】
前記導電性接着剤層における金属粉とバインダー樹脂との含有比率は、特に限定されないが、重量比で２０：８０〜９５：５であることが好ましく、４０：６０〜８５：１５であることがより好ましい。換言すれば、導電性接着剤層（ノイズ抑制層）におけるバインダー樹脂の含有量は、５−８０重量％が好ましく、１５−６０重量％がより好ましい。
【０１０５】
導電性接着剤層は、前記金属粉とバインダー樹脂との他に、さらに難燃剤、レベリング剤、粘度調整剤等を含有しても良い。
【０１０６】
反射層の平均厚さ（Ｅ１）は、特に限定されないが、１００ｎｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上２０μｍ以下であることがより好ましい。
【０１０７】
吸収層は、吸収層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することにより電磁波シールド性を発揮する。
【０１０８】
この吸収層としては、例えば、金属粉（金属材料）および導電性高分子材料等の導電吸収材料を主材料として構成される導電吸収層、炭素系材料および導電性高分子材料等の誘電吸収材料を主材料として構成される誘電吸収層、軟磁性金属等の磁性吸収材料を主材料として構成される磁性吸収層等が挙げられ、これらを単独あるいは併用してもよい。なお、この吸収層は、前記主材料の他に、上述したバインダー樹脂を含有することが好ましい。
【０１０９】
なお、導電吸収層は、電界を印加した際に材料内部に流れる電流により、電磁エネルギーを熱エネルギーに変換することで、電磁波を吸収する。また、誘電吸収層は、電磁波を誘電損失により熱エネルギーに変換することで、電磁波を吸収する。また、磁性吸収層は、過電流損、ヒステリシス損、磁気共鳴等の磁性損失により、電波のエネルギーを熱に変換して消費することで、電磁波を吸収する。
【０１１０】
これらの中でも、誘電吸収層、導電吸収層を用いることが好ましい。誘電吸収層および導電吸収層は、その膜厚（平均厚さ）を比較的薄く設定したとしても、特に優れた電磁波シールド性を発揮するため、吸収層として好ましく用いられる。また、その層中に含まれる材料の粒子径が小さいことやその添加量も少なくできることから、その膜厚を比較的容易に薄く設定することができ、また軽量化も可能である。
【０１１１】
なお、導電吸収材料としては、例えば、導電性高分子材料、ＡＴＯ等の金属酸化物材料、導電性セラミックス材料が挙げられる。
【０１１２】
また、導電性高分子材料としては、例えば、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１１３】
誘電吸収材料としては、炭素系材料、導電性高分子材料、セラミック材料等が挙げられる。
また、炭素系材料としては、例えば、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブのようなカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、ＣＮナノチューブ、ＣＮナノファイバー、ＢＣＮナノチューブ、ＢＣＮナノファイバー、グラフェンや、カーボンマイクロコイル、カーボンナノコイル、カーボンナノホーン、カーボンナノウォールのような炭素等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１１４】
セラミック材料としては、チタン酸バリウム、ペロブスカイト型チタン酸ジルコン酸バリウムカルシウム結晶粒子、チタニア、アルミナ、ジルコニア、炭化ケイ素および窒化アルミニウム等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１１５】
さらに、磁性吸収材料としては、例えば、鉄、ケイ素鋼、磁性ステンレス（Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉ合金）、センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、ケイ素銅（Ｆｅ−Ｃｕ−Ｓｉ合金）、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ（−Ｃｕ−Ｎｂ）合金のような軟磁性金属、フェライト等が挙げられる。
【０１１６】
吸収層の平均厚さ（Ｅ２）は、特に限定されないが、１μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上１００μｍ以下であることがより好ましい。
【０１１７】
また、本発明では、封止部２７は、エポキシ樹脂を主材料として含有し、剥離層（基材層）１は、ポリメチルペンテンを主材料として含有する。さらに、ＪＩＳ  Ｇ  ３４６９に準拠して、板状をなす封止部２７上に、幅２５ｍｍのノイズ抑制層３を１００℃にて貼付し、次いで、ノイズ抑制層３を、その一端から、２５℃において９０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定されるピール強度をＡ［Ｎ／ｍｍ］とし、ＪＩＳ  Ｇ  ３４６９に準拠して、板状をなす剥離層１（基材層）上に、幅２５ｍｍのノイズ抑制層３を１００℃にて貼付し、次いで、ノイズ抑制層３を、その一端から、２５℃において９０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定されるピール強度をＢ［Ｎ／ｍｍ］としたとき、１＜Ａ／Ｂなる関係を満足するように、ノイズ抑制層３の構成材料、および厚さ等が適宜組み合わされる。これにより、次工程［６］において、電子部品封止体２９０（封止部２７の上面および側面）に貼付された電磁波シールド用フィルム３００から、剥離層１を、確実に剥離させることができる。
このような観点から、ノイズ抑制層３のバインダー樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂およびアクリル系エラストマーを組み合わせて用いることが特に好ましい。また、ノイズ抑制層３のバインダー樹脂が、エポキシ樹脂、フェノール樹脂およびアクリル系エラストマーを含む場合、バインダー樹脂におけるこれら３種の樹脂材料の含有比率（バインダー樹脂の構成比率）が、重量比で、エポキシ樹脂：フェノール樹脂：アクリル系エラストマー＝２：１：２であることがさらに好ましい。これにより、ノイズ抑制層３と、エポキシ樹脂を主材料とする封止部２７との密着性を向上させることができる。その結果、ノイズ抑制層３と封止部２７との間のピール強度（ピール強度Ａ）は、ノイズ抑制層３と剥離層１との間のピール強度（ピール強度Ｂ）に比べて、高くなる。このため、剥離層１をノイズ抑制層３から剥離する際に、ノイズ抑制層３が、封止部２７側に留まり易く、剥離層１側にノイズ抑制層３に由来する樹脂残りが発生し難くなると考えられる。なお、ノイズ抑制層３におけるエポキシ樹脂の含有量は、２重量％以上３２重量％以下であることが好ましく、６重量％以上２４重量％以下であることがより好ましい。これにより、剥離層１側へのノイズ抑制層３に由来する樹脂残りの発生を、より確実に防止することができる。
【０１１８】
なお、ピール強度Ａとピール強度Ｂとは、１＜Ａ／Ｂなる関係を満足すればよいが、１．５＜Ａ／Ｂなる関係を満足するのが好ましく、２＜Ａ／Ｂなる関係を満足するのがより好ましく、３．０＜Ａ／Ｂなる関係を満足するのがさらに好ましく、４．０＜Ａ／Ｂ＜６．０なる関係を満足するのが特に好ましい。これにより、次工程［６］において、電磁波シールド用フィルム３００から、剥離層１を、より確実に剥離させることができ、かつ、本工程［５］において、凹部６２に対してノイズ抑制層３を押し込む際に、第３の層１３とノイズ抑制層３との間で位置ずれが生じるのを的確に抑制または防止することができる。
【０１１９】
なお、ピール強度Ａ［Ｎ／ｍｍ］およびピール強度Ｂ［Ｎ／ｍｍ］は、それぞれ、例えば、引張試験機（エー・アンド・デイ社製、「ＴＥＮＳＩＬＯＮ  ＲＴＧ−１３１０」）を用いて測定することができる。
【０１２０】
［６］次に、図３（ｂ）に示すように、電子部品封止体２９０に貼付された電磁波シールド用フィルム３００から、剥離層１を剥離する（第１剥離工程）。
【０１２１】
この第１剥離工程により、電磁波シールド用フィルム３００における剥離層１とノイズ抑制層３との界面において、剥離が生じ、その結果、ノイズ抑制層３から剥離層１が剥離される。これにより、ノイズ抑制層３から剥離層１を剥離した状態で、ノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面が被覆される。
【０１２２】
すなわち、電子部品封止体２９０が、粘着テープ１００上に貼付された状態で、ノイズ抑制層３が電子部品封止体２９０の上面および側面に設けられる。このような状態の電子部品封止体２９０が一括して複数形成される。
【０１２３】
また、剥離層１を剥離する方法としては、特に限定されないが、例えば、手作業による剥離が挙げられる。
【０１２４】
この手作業による剥離では、例えば、まず、剥離層１の一方の端部を把持し、この把持した端部から剥離層１をノイズ抑制層３から引き剥がす。次いで、この端部から剥離層１の中央部へさらには他方の端部へと順次剥離層１を引き剥がすことにより、ノイズ抑制層３から剥離層１が剥離される。
【０１２５】
この剥離層１の剥離の際に、本発明では、前述の通り、ピール強度Ａとピール強度Ｂとが１＜Ａ／Ｂなる関係を満足する。そのため、本工程において、剥離層１にノイズ抑制層３を残存させることなく、比較的容易に剥離層１をノイズ抑制層３から剥離させることができる。すなわち、剥離層１から電子部品封止体２９０（封止部２７）の上面および側面に、ノイズ抑制層３を転写することができる。
【０１２６】
なお、剥離する温度は、１８０℃以下であることが好ましく、より好ましくは１６５℃以下、さらに好ましくは２０℃以上１５０℃以下である。
【０１２７】
以上のような工程を経ることにより、ノイズ抑制層３から剥離層１を剥離した状態で、ノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面を被覆することができる。
【０１２８】
このように、本発明では、比較的容易な方法で電子部品封止体２９０にノイズ抑制層３を設けることができる。具体的には、電子部品封止体２９０にスパッタリング法を用いてノイズ抑制層３を形成する場合、用いる装置の操作が煩雑となったり、装置が高価となる問題がある。本発明では、このような問題がなく、電子部品封止体２９０側に、剥離層１とノイズ抑制層３とを有する電磁波シールド用フィルム３００を貼付した後に、剥離層１を剥離すると言う、比較的容易な方法で電子部品封止体２９０にノイズ抑制層３を設けることができる。
【０１２９】
［７］次に、図３（ｃ）に示すように、電子部品封止体２９０から粘着テープ１００を剥離する（第２剥離工程）。
【０１３０】
この第２剥離工程では、粘着テープ１００が備える粘着層２にエネルギーを付与することで、粘着層２の電子部品封止体２９０に対する粘着性を低下させる。これにより、粘着層２と電子部品封止体２９０との間で剥離が生じる状態とする。その後、電子部品封止体２９０から粘着テープ１００を剥離する。
【０１３１】
これにより、ノイズ抑制層３により上面および側面が被覆された電子部品封止体２９０を一括して複数形成することができることから、電子部品封止体２９０の生産性の向上が図られる。
【０１３２】
粘着層２にエネルギーを付与する方法としては、特に限定されないが、例えば、粘着層２にエネルギー線を照射する方法、粘着層２を加熱する方法等が挙げられる。これらの中でも、粘着層２にエネルギー線を粘着テープ１００の基材４側から照射する方法を用いるのが好ましい。
【０１３３】
かかる方法は、半導体素子２６および電子素子２８が不要な熱履歴を経る必要がなく、また、粘着層２に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。
【０１３４】
また、エネルギー線としては、例えば、紫外線、電子線、イオンビームのような粒子線等が挙げられる。なお、これらのエネルギー線を２種以上組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、特に、紫外線を用いるのが好ましい。紫外線によれば、粘着層２の電子部品封止体２９０に対する粘着性を効率よく低下させることができる。
【０１３５】
［８］次に、図３（ｄ）に示すように、電子部品封止体２９０のインターポーザー２５側、すなわちインターポーザー２５の半導体素子２６および電子素子２８とは反対の面側（下面側）に、導体ポストに電気的に接続するように、所定形状にパターニングされた配線２３を形成する（配線形成工程）。
【０１３６】
この配線２３を形成する方法としては、特に限定されず、例えば、Ｉ：電解メッキ法、無電解メッキ法のようなメッキ法を用いて配線２３を形成する方法、II：導電性材料を含有する液状材料を電子部品封止体２９０のインターポーザー２５側の面に供給し乾燥・固化することにより配線２３を形成する方法等が挙げられる。これらの中でも、Ｉの方法、特に電解メッキ法を用いて配線２３を形成するのが好ましい。電解メッキ法によれば、導体ポストに対して、優れた密着性を発揮する配線２３を容易かつ確実に形成することができる。
【０１３７】
［９］次に、図３（ｅ）に示すように、電子部品封止体２９０のインターポーザー２５側、すなわちインターポーザー２５の半導体素子２６および電子素子２８とは反対の面側（下面側）に、配線２３の一部が露出するように、開口部２２１を備える被覆部２２を形成する（被覆部形成工程）。
【０１３８】
なお、この開口部２２１は、次工程［１０］において、バンプ２１を形成する位置に対応するように形成される。
【０１３９】
このような被覆部（被覆層）２２は、通常、主としてＮｉで構成される下層上に、主としてＡｕで構成される上層を積層した積層体で構成され、例えば、無電解メッキ法を用いて形成される。
【０１４０】
［１０］次に、図３（ｆ）に示すように、開口部２２１から露出する配線２３に電気的に接続するようにバンプ２１を形成する（バンプ接続工程）。
【０１４１】
ここで、本実施形態のように、導体ポストとバンプ２１との接続を、配線２３を介して行う構成とすることにより、バンプ２１を、インターポーザー２５の面方向において、導体ポストとは異なる位置に配置することができる。換言すれば、バンプ２１と導体ポストとの中心部が重ならないように、これらを配置することができる。したがって、得られる半導体装置２０における下面の所望の位置にバンプ２１を形成することができる。
【０１４２】
このバンプ２１を配線２３に接合する方法としては、特に限定されないが、例えば、バンプ２１と配線２３との間に、粘性を有するフラックスを介在させることにより行われる。
【０１４３】
また、バンプ２１の構成材料としては、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材等が挙げられる。
以上のような工程を経て、半導体装置２０が製造される。
【０１４４】
このような半導体装置２０の製造方法によれば、電子部品封止体２９０にスパッタリング法を用いてノイズ抑制層３を形成する場合のように、用いる装置の操作が煩雑となったり、装置が高価となることなく、前記工程［５］において、電子部品封止体２９０側に、剥離層１とノイズ抑制層３とを有する電磁波シールド用フィルム３００を貼付した後に、前記工程［６］において、剥離層１を剥離すると言う、比較的容易な方法で電子部品封止体２９０にノイズ抑制層３を設けることができる。
【０１４５】
さらに、前記工程［２］において得られた１つの電子部品封止連結体２７０から、前記工程［３］〜［７］を経ることで、複数の電子部品封止体２９０を一括して製造することができるので、電子部品封止体２９０ひいては、この電子部品封止体２９０から得られる半導体装置２０の生産性の向上が図られる。
【０１４６】
なお、本実施形態では、電子部品封止体２９０が備える封止部２７の上面、封止部２７の側面およびインターポーザー２５の側面に、ノイズ抑制層３を設ける場合について、説明した。これに関して、ノイズ抑制層３は、少なくとも封止部２７の上面および封止部２７の側面に形成されていればよい。したがって、インターポーザー２５の側面へのノイズ抑制層３の形成は省略することもできる。
【０１４７】
また、本発明の電磁波シールド用フィルムを適用して製造される半導体装置２０は、例えば、携帯電話、医療機器、デジタルカメラ、ビデオカメラ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ゲーム機、液晶テレビ、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、プリンタ等に広く用いることができる。
【０１４８】
以上本発明の電磁波シールド用フィルムについて説明したが、本発明は、これらに限定されない。
【０１４９】
例えば、前記実施形態では、上述した構成の半導体装置２０の製造に、本発明の電磁波シールド用フィルムを用いる電子装置の製造方法を適用する場合について説明した。本発明の電磁波シールド用フィルムは、かかる構成の装置の製造に適用されるばかりでなく、例えば、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置、コンデンサー、コイルのような電子部品を単独で備える電子装置等の製造に用いることもできる。
【０１５０】
また、前記実施形態では、本発明の電磁波シールド用フィルム３００は、剥離層１（基材層）とノイズ抑制層３との積層体で構成される場合について説明したが、これに限定されない。例えば、電磁波シールド用フィルム３００は、剥離層１（基材層）およびノイズ抑制層３とは異なる他の層を備えてもよい。
【０１５１】
さらに、前記実施形態では、ノイズ抑制層３は、インターポーザー２５の側面にも設けられるが、これに限定されず、少なくとも封止部２７の上面および封止部２７の側面に設けられていればよく、ノイズ抑制層３のインターポーザー２５の側面への形成は省略してもよい。
【０１５２】
さらに、電子部品封止体の製造方法および電子装置の製造方法には、任意の目的の工程が１または２以上追加されてもよい。
【実施例】
【０１５３】
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されない。【０１５４】
１．電磁波シールド用フィルムの製造
（実施例１Ａ）
電磁波シールド用フィルムを得るために、第１の層を形成するための樹脂材料としてポリメチルペンテン（三井化学社製、商品名：ＴＰＸ  ＤＸ２３１）を用意した。第３の層を形成するための樹脂材料として、ポリメチルペンテン（三井化学社製、商品名：ＴＰＸ  ＤＸ２３１）を用意した。また、第２の層を形成するための樹脂材料として、エチレン−メチルアクリレート共重合体（三井・デュポンポリケミカル社製、商品名：ニュクレルＡＮ４２１４Ｃ）を３５ｗｔ％、ポリプロピレン（プライムポリマー社製、商品名：Ｅ−２０３ＧＰ）を３０ｗｔ％、ポリメチルペンテン（三井化学社製、商品名：ＴＰＸ  ＤＸ２３１）を３５ｗｔ％含む混合物を用意した。【０１５５】
さらに、ノイズ抑制層を形成するための樹脂材料（液状材料）を用意した。具体的に、粒子状をなす金属材料として銀粒子（福田金属箔粉工業社製、商品名：Ａｇ−ＸＦ３０１）を含み、バインダー樹脂としてエポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、商品名：ＥＰＩＣＲＯＮ  Ｎ−６７０）、アクリルゴム（ナガセケムテックス社製、商品名：ＳＧ−７０８−６）およびフェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、商品名：ＰＲ−ＨＦ−３）を含み、さらに、溶媒としてメチルエチルケトンを含む樹脂材料を用意した。【０１５６】
次いで、上述した第１の層を形成するための樹脂材料と、第２の層を形成するための樹脂材料と、第３の層を形成するための樹脂材料とを、フィードブロックおよびマルチマニホールドダイに投入し、これらの樹脂材料を共押出することにより、フィルム化された剥離層を得た。その後、ノイズ抑制層を形成するための樹脂材料を、剥離層に塗布した後に乾燥させることでノイズ抑制層を形成して電磁波シールド用フィルムを作製した。【０１５７】
なお、実施例１Ａの電磁波シールド用フィルムの全体の平均厚さは、２４０μｍであり、第１の層の平均厚さは２０μｍ、第３の層の平均厚さは２０μｍ、第２の層の平均厚さは１８０μｍ、ノイズ抑制層の平均厚さは２０μｍであった。【０１５８】
また、実施例１Ａの電磁波シールド用フィルムにおける、第１の層、第２の層および第３の層の１００℃における貯蔵弾性率は、それぞれ、２．０Ｅ＋０８Ｐａ、５．０Ｅ＋０７Ｐａおよび２．０Ｅ＋０８Ｐａであった。【０１５９】
さらに、剥離層およびノイズ抑制層の１００℃における貯蔵弾性率は、それぞれ、１．０Ｅ＋０８Ｐａおよび５．０Ｅ＋０７Ｐａであった。
（実施例２Ａ〜６Ａ）
ノイズ抑制層を形成するための樹脂材料を、表１に示すように変更した以外は、実施例１Ａと同様にして、電磁波シールド用フィルムを作製した。【０１６０】
（比較例１Ａ）
ノイズ抑制層を形成するための樹脂材料（液状材料）について、粒子状をなす金属材料として銀粒子（福田金属箔粉工業社製、商品名：Ａｇ−ＸＦ３０１）を含み、バインダー樹脂としてフッ素樹脂（ＡＧＣコーテック社製  オブリガードＰＳ３２５Ｒ  固形分１０％）を含む樹脂材料を用意したこと以外は、実施例１Ａと同様にして、電磁波シールド用フィルムを作製した。【０１６１】
２．評価
実施例１Ａ〜６Ａおよび比較例１Ａで作製した電磁波シールド用フィルムについて、以下の評価を行った。【０１６２】
＜ピール強度Ａ＞
実施例１Ａ〜６Ａおよび比較例１Ａの電磁波シールド用フィルムを作製する際に用意した、ノイズ抑制層を形成するための樹脂材料を用いて幅を２５ｍｍとしたノイズ抑制層を形成した。そして、これらノイズ抑制層を、それぞれ、エポキシ樹脂を主材料とするエポキシ樹脂組成物（住友ベークライト社製、「ＸＦ８６８０」）からなる、板状をなす封止部上に１００℃にて貼付した。次いで、ＪＩＳ  Ｇ  ３４６９に準拠して、ノイズ抑制層を、その一端から、２５℃において９０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定されるピール強度Ａを、引張試験機（エー・アンド・デイ社製、「ＴＥＮＳＩＬＯＮ  ＲＴＧ−１３１０」）を用いて測定した。その測定結果を、表１に示す。【０１６３】
＜ピール強度Ｂ＞
実施例１Ａ〜６Ａおよび比較例１Ａの電磁波シールド用フィルムを作製する際に用意した、ノイズ抑制層を形成するための樹脂材料を用いて幅を２５ｍｍとしたノイズ抑制層を形成した。そして、これらノイズ抑制層を、それぞれ、ポリメチルペンテン（三井化学社製、「ＴＰＸ  ＤＸ２３１」）からなる、板状をなす剥離層上に１００℃にて貼付した。次いで、ＪＩＳ  Ｇ  ３４６９に準拠して、ノイズ抑制層を、その一端から、２５℃において９０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定されるピール強度Ｂを、引張試験機（エー・アンド・デイ社製、「ＴＥＮＳＩＬＯＮ  ＲＴＧ−１３１０」）を用いて測定した。その測定結果を、表１に示す。【０１６４】
＜半導体封止連結体からの剥離層の剥離性＞
半導体封止連結体からの剥離層の剥離性は、次のようにして評価した。【０１６５】
すなわち、まず、ＦＲ４基板（ガラス繊維の布をエポキシ樹脂の硬化物で封止して形成された基板）上に、縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×厚さ０．７ｍｍのＳｉ基板（擬似半導体素子）を搭載した。その後、Ｓｉ基板に対して１９０℃／１５０Ｎ／２０ｓｅｃの条件で加熱・圧縮処理を施した。【０１６６】
次に、Ｓｉ基板が搭載されたＦＲ４基板上に、顆粒状のエポキシ樹脂組成物（住友ベークライト社製、「ＸＦ８６８０」）を供給した後、圧縮成形することで、Ｓｉ基板が封止部により封止された半導体封止連結体を形成した。
なお、圧縮成形する際の条件は、１７５℃／５ＭＰａ／５ｍｉｎとした。【０１６７】
そして、２２０℃／１ｈｒの条件で封止部を硬化させた後に、ダイシングソーを用いて、封止部に対して、溝幅０．２ｍｍ、溝間隔１０ｍｍ、溝深さ１．０ｍｍの溝を格子状に形成することで、溝が形成された半導体封止連結体を得た。【０１６８】
次に、実施例１Ａ〜６Ａおよび比較例１Ａの電磁波シールド用フィルムを、それぞれ、溝が形成された半導体封止連結体上に配置した。その後、真空加圧式ラミネーターを用いて、真空雰囲気下において、電磁波シールド用フィルムと電子部品封止体とが互いに接近するように、圧力２ＭＰａ、温度１７０℃、時間２４０秒の条件で加圧することで、電磁波シールド用フィルムを半導体封止連結体に貼付した。【０１６９】
次に、半導体封止連結体に貼付された電磁波シールド用フィルムから剥離層を、剥離層の一端を持って剥離させ、この際の剥離層の剥がれ易さについて、下記に示す評価基準に基づいて評価した。その評価結果を表１に示す。【０１７０】
［評価基準］
Ａ：剥離層にノイズ抑制層に由来する樹脂残りもなく、容易に剥離できる
Ｂ：剥離層にノイズ抑制層に由来する樹脂残りはないが、剥離が若干重い
Ｃ：剥離層にノイズ抑制層に由来する樹脂残りはないが、剥離が重い
Ｄ：剥離層にノイズ抑制層に由来する樹脂残りが発生している【０１７１】
【表１】
0006711423.tif 000002
【０１７２】
表１に示すように、実施例１Ａ〜６Ａでは、ピール強度Ａ、Ｂが１＜Ａ／Ｂなる関係を満足していた。これにより、半導体封止連結体に貼付された電磁波シールド用フィルムから剥離層を、剥離層にノイズ抑制層に由来する樹脂残りを発生させることなく、剥離させることができ、電子部品封止体にノイズ抑制層を形成することができた。【０１７３】
これに対して、比較例１Ａでは、ピール強度Ａ、Ｂが１＜Ａ／Ｂなる関係を満足しておらず、これに起因して、半導体封止連結体に貼付された電磁波シールド用フィルムからの剥離層の剥離の際に、剥離層にノイズ抑制層に由来する樹脂残りが発生し、電子部品封止体に均一な膜厚を備えるノイズ抑制層を形成することができなかった。
【符号の説明】
【０１７４】
１          剥離層
２          粘着層
３          ノイズ抑制層
４          基材
１１        第１の層
１２        第２の層
１３        第３の層
２０        半導体装置
２１        バンプ
２２        被覆部
２３        配線
２５        インターポーザー
２５’      シート材
２６        半導体素子
２７        封止部
２８        電子素子
６２        凹部
１００      粘着テープ
２２１      開口部
２７０      電子部品封止連結体
２９０      電子部品封止体
３００      電磁波シールド用フィルム
【産業上の利用可能性】
【０１７５】
本発明によれば、比較的容易な方法で電子部品封止体にノイズ抑制層を設けることが可能な、電磁波シールド用フィルムを提供することができる。さらに、電磁波シールド用フィルムを用いることにより、１つの電子部品封止連結体から複数の電子部品封止体を一括して製造することができる。その結果、電子部品封止体および電子装置の生産性の向上が図られる。したがって、本発明は、産業上の利用可能性を有する。
【図１】
0006711423.tif 000003
【図２】
0006711423.tif 000004
【図３】
0006711423.tif 000005
【図４】
0006711423.tif 000006