(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷と当該負荷に電流を供給するドライバとの間に設けられた検出抵抗と、
前記検出抵抗に流れる電流の値と、前記検出抵抗の抵抗値と、に基づいて生成された検出電圧を増幅する増幅部と、
基準電流及び基準抵抗に基づいて生成された基準電圧によって駆動され、前記増幅部の出力電圧をデジタル値に変換して検出電流値として出力するＡＤコンバータと、
前記検出電流値に対して補正を行う補正部と、を備え、
前記補正部は、
温度センサと、
２つ以上の異なる温度領域のそれぞれにおける、前記基準電流の温度特性に起因して発生する前記検出電流値の温度特性の情報、を記憶する記憶部と、
前記温度センサの検知結果と、前記記憶部に記憶された前記検出電流値の温度特性の情報と、に基づいて算出された第１補正係数を、前記検出電流値に対して適用する演算部と、を有する、
電流検出回路。
【請求項２】
前記記憶部は、
前記増幅部のオフセット電圧の温度特性の情報をさらに記憶し、
前記演算部は、前記温度センサの検知結果と、前記記憶部に記憶された前記増幅部のオフセット電圧の温度特性の情報と、に基づいて算出された補正値を、前記検出電流値に加算又は減算したうえで、当該補正値が加算又は減算された前記検出電流値に対して前記第１補正係数を適用する、
請求項１に記載の電流検出回路。
【請求項３】
前記補正部は、前記ドライバによって高電位側電圧に応じた電流が前記負荷に供給されるか、前記ドライバによって低電位側電圧に応じた電流が前記負荷に供給されるか、に応じて、前記検出電流値に対して加算又は減算する補正値を切り替える、
請求項１に記載の電流検出回路。
【請求項４】
前記検出抵抗は、
並列接続された複数の第１の抵抗素子を備え、
前記複数の第１の抵抗素子のそれぞれに流れる電流の測定結果又は算出結果に基づいて予め選択された一部の複数の第１の抵抗素子のそれぞれの検出電圧を出力し、
前記増幅部は、前記複数の検出電圧の平均電圧を増幅する、
請求項１に記載の電流検出回路。
【請求項５】
前記検出抵抗において選択された前記一部の複数の第１の抵抗素子のそれぞれと、前記増幅部と、の間に設けられた複数の第２の抵抗素子からなる平均化抵抗をさらに備えた、
請求項４に記載の電流検出回路。
【請求項６】
前記負荷は、ソレノイドバルブである、
請求項１に記載の電流検出回路。
【請求項７】
前記ドライバと、
請求項１に記載の電流検出回路と、
を備えた半導体装置。
【請求項８】
前記ドライバは、
高電位側電圧が供給される第１電源端子と出力端子との間に設けられたＰチャネルＭＯＳトランジスタと、
低電位側電圧が供給される第２電源端子と前記出力端子との間に設けられたＮチャネルＭＯＳトランジスタと、
を有する、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
負荷と当該負荷に電流を供給するドライバとの間に設けられた検出抵抗と、
前記検出抵抗に流れる電流の値と、前記検出抵抗の抵抗値と、に基づいて生成された検出電圧を増幅する増幅部と、
前記増幅部の出力電圧をデジタル値に変換して検出電流値として出力するＡＤコンバータと、
前記検出電流値に対して補正を行う補正部と、を備え、
前記補正部は、前記ドライバによって高電位側電圧に応じた電流が前記負荷に供給されるか、前記ドライバによって低電位側電圧に応じた電流が前記負荷に供給されるか、に応じて前記検出電流値に加算又は減算する補正値を切り替える、
電流検出回路。
【請求項１０】
前記負荷は、ソレノイドバルブである、
請求項９に記載の電流検出回路。
【請求項１１】
前記ドライバと、
請求項９に記載の電流検出回路と、
を備えた半導体装置。
【請求項１２】
前記ドライバは、
高電位側電圧が供給される第１電源端子と出力端子との間に設けられたＰチャネルＭＯＳトランジスタと、
低電位側電圧が供給される第２電源端子と前記出力端子との間に設けられたＮチャネルＭＯＳトランジスタと、
を有する、請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
負荷と当該負荷に電流を供給するドライバとの間に設けられた検出抵抗と、
前記検出抵抗に流れる電流の値と、前記検出抵抗の抵抗値と、に基づいて生成された検出電圧を増幅する増幅部と、
前記増幅部の出力電圧をデジタル値に変換して検出電流値として出力するＡＤコンバータと、を備え、
前記検出抵抗は、
並列接続された複数の第１の抵抗素子を備え、
前記複数の第１の抵抗素子のそれぞれに流れる電流の測定結果又は算出結果に基づいて予め選択された一部の複数の第１の抵抗素子のそれぞれの検出電圧を出力し、
前記増幅部は、前記複数の検出電圧の平均電圧を増幅する、
電流検出回路。
【請求項１４】
前記検出抵抗は、前記ドライバによって高電位側電圧に応じた電流が前記負荷に供給された場合に前記複数の第１の抵抗素子のそれぞれに流れる電流の値と、前記ドライバによって低電位側電圧に応じた電流が前記負荷に供給される場合に前記複数の第１の抵抗素子のそれぞれに流れる電流の値と、に基づいて予め選択された前記一部の複数の第１の抵抗素子のそれぞれの検出電圧を出力する、
請求項１３に記載の電流検出回路。
【請求項１５】
前記検出抵抗において選択された前記一部の複数の第１の抵抗素子のそれぞれと、前記増幅部と、の間に設けられた複数の第２の抵抗素子からなる平均化抵抗をさらに備えた、
請求項１３に記載の電流検出回路。
【請求項１６】
前記負荷は、ソレノイドバルブである、
請求項１３に記載の電流検出回路。
【請求項１７】
前記ドライバと、
請求項１３に記載の電流検出回路と、
を備えた半導体装置。
【請求項１８】
前記ドライバは、
高電位側電圧が供給される第１電源端子と出力端子との間に設けられたＰチャネルＭＯＳトランジスタと、
低電位側電圧が供給される第２電源端子と前記出力端子との間に設けられたＮチャネルＭＯＳトランジスタと、
を有する、請求項１７に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電流検出回路及びそれを備えた半導体装置に関し、例えば高精度の電流検出が可能な電流検出回路及びそれを備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
自動車には、クラッチの開閉を制御するソレノイドバルブに対する電流の供給を制御する電子制御ユニット（半導体装置）が搭載されている。電子制御ユニットは、ソレノイドバルブに対する電流の供給を制御してクラッチの開閉を制御することにより、自動車の発進、停止、変速時にエンジンの駆動力をトランスミッションに伝えたり遮断したりしている。ここで、電子制御ユニットは、ソレノイドバルブに対する電流の供給を精度良く制御することにより、クラッチの開閉を正確に行う必要がある。
【０００３】
そのため、電子制御ユニットには、ソレノイドドライバから出力される電流の値が正常値を示しているか否かを検出する電流検出回路が設けられている。当然ながら、電流検出回路には、電流検出精度の高精度化が求められている。
【０００４】
関連する技術が特許文献１に開示されている。特許文献１には、電流検出回路のゲイン及びオフセットの変動を補正する構成が開示されている。それにより、電流検出回路による電流検出精度を向上させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−９７４３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１に開示された電流検出回路では、近年の自動車等に搭載される電流検出回路としては、電流検出精度が不十分であった。その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施の形態によれば、電流検出回路は、負荷と当該負荷に電流を供給するドライバとの間に設けられた検出抵抗と、前記検出抵抗に流れる電流の値と、前記検出抵抗の抵抗値と、に基づいて生成された検出電圧を増幅する増幅部と、基準電流及び基準抵抗に基づいて生成された基準電圧によって駆動され、前記増幅部の出力電圧をデジタル値に変換して検出電流値として出力するＡＤコンバータと、前記検出電流値に対して補正を行う補正部と、を備え、前記補正部は、温度センサと、２つ以上の異なる温度領域のそれぞれにおける、前記基準電流の温度特性に起因して発生する前記検出電流値の温度特性の情報、を記憶する記憶部と、前記温度センサの検知結果と、前記記憶部に記憶された前記検出電流値の温度特性の情報と、に基づいて算出された第１補正係数を、前記検出電流値に対して適用する演算部と、を有する。
【０００８】
また、一実施の形態によれば、電流検出回路は、負荷と当該負荷に電流を供給するドライバとの間に設けられた検出抵抗と、前記検出抵抗に流れる電流の値と、前記検出抵抗の抵抗値と、に基づいて生成された検出電圧を増幅する増幅部と、前記増幅部の出力電圧をデジタル値に変換して検出電流値として出力するＡＤコンバータと、前記検出電流値に対して補正を行う補正部と、を備え、前記補正部は、前記ドライバによって高電位側電圧に応じた電流が前記負荷に供給されるか、前記ドライバによって低電位側電圧に応じた電流が前記負荷に供給されるか、に応じて前記検出電流値に対して付与する補正値を切り替える。
【０００９】
また、一実施の形態によれば、電流検出回路は、負荷と当該負荷に電流を供給するドライバとの間に設けられた検出抵抗と、前記検出抵抗に流れる電流の値と、前記検出抵抗の抵抗値と、に基づいて生成された検出電圧を増幅する増幅部と、前記増幅部の出力電圧をデジタル値に変換して検出電流値として出力するＡＤコンバータと、を備え、前記検出抵抗は、並列接続された複数の抵抗素子を備え、前記複数の抵抗素子のそれぞれに流れる電流の測定結果又は算出結果に基づいて予め選択された一部の複数の抵抗素子のそれぞれの検出電圧を出力し、前記増幅部は、前記複数の検出電圧の平均電圧を増幅する。
【発明の効果】
【００１０】
前記一実施の形態によれば、高精度の電流検出が可能な電流検出回路及びそれを備えた半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施の形態１にかかる電子制御ユニットを搭載した自動車の外観図である。
【図２】図１に示す電子制御ユニットの構成例を示すブロック図である。
【図３】図１に示す電子制御ユニットの具体的な構成例を示す図である。
【図４】基準電流値の温度特性に起因して発生する検出電流値の温度特性の補正方法を説明するための図である。
【図５】基準電流値の温度特性に起因して発生する検出電流値の温度特性の補正方法を説明するための図である。
【図６】基準電流値の温度特性に起因して発生する検出電流値の温度特性の補正方法を説明するための図である。
【図７】オフセット電圧の温度特性に起因して発生する検出電流値の温度特性の補正方法を説明するための図である。
【図８】実施の形態２にかかる電子制御ユニットの具体的な構成例を示す図である。
【図９】ハイサイドドライバ動作時及びローサイドドライバ動作時のそれぞれにおける、オフセット電圧による検出電流値の誤差を示す図である。
【図１０】ドライバの動作状態に応じて変化する増幅部のオフセット電圧の算出方法を説明するための図である。
【図１１】実施の形態３にかかる電子制御ユニットの具体的な構成例を示す図である。
【図１２】図１１に示す電子制御ユニットの一部を模式的に示す平面図である。
【図１３】実施の形態１に至る前の構想に係る電子制御ユニットの具体的な構成例を示す図である。
【図１４】一次温度特性の補正前後の基準電流の温度特性を示す図である。
【図１５】実施の形態３に至る前の構想に係る電子制御ユニットの一部を模式的に示す平面図である。
【図１６】検出抵抗における高電流密度領域を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について説明する。なお、図面は簡略的なものであるから、この図面の記載を根拠として実施の形態の技術的範囲を狭く解釈してはならない。また、同一の要素には、同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１３】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、応用例、詳細説明、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。
【００１４】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（動作ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数等（個数、数値、量、範囲等を含む）についても同様である。
【００１５】
＜実施の形態１＞
図１は、実施の形態１にかかる電子制御ユニット（ＥＣＵ；Electronic Control Unit）が搭載された自動車の外観図である。
【００１６】
図１に示すように、自動車には、例えば、エンジン１０１、クラッチ１０２、トランスミッション１０３、ディファレンシャルギア１０４、タイヤ１０５、ソレノイドバルブ（負荷）１０６、及び、電子制御ユニット（半導体装置）１が搭載されている。
【００１７】
例えば、電子制御ユニット１は、ソレノイドバルブ１０６に対する電流の供給を制御する。ソレノイドバルブ１０６は、供給電流をインダクタＬ１等を用いて電磁力に変換した後、その電磁力を用いてクラッチ１０２の開閉を制御する。それにより、自動車の発進、停止、変速時におけるエンジン１０１の駆動力のトランスミッション１０３への伝達が制御される。トランスミッション１０３は、エンジン１０１の駆動力を、走行状態に応じた回転数及びトルクに変化させた後、ディファレンシャルギア１０４に伝達し、タイヤ１０５を回転させる。
【００１８】
図２は、電子制御ユニット１の構成例を示すブロック図である。
図２に示すように、電子制御ユニット１は、ソレノイドドライバ１１と、電流検出回路１２と、ＭＣＵ（Micro Control Unit）１３と、を備える。
【００１９】
ソレノイドドライバ１１は、ソレノイドバルブ１０６に対して電流を出力する。電流検出回路１２は、ソレノイドドライバ１１から出力される電流の値を検出する。ＭＣＵ１３は、電流検出回路１２により検出された検出電流値に基づいてソレノイドドライバ１１の出力電流の値が正常値の範囲内であるか否かを判断し、所定の処理を行う。例えば、ＭＣＵ１３は、ソレノイドドライバ１１の出力電流の値が正常値の範囲外である場合、当該出力電流の値が正常値の範囲内となるようにソレノイドドライバ１１の出力電流を制御する。
【００２０】
ここで、ソレノイドバルブ１０６に対する電流供給精度を向上させてクラッチ１０２の開閉を正確に行うために、電流検出回路１２には、電流検出精度の高精度化が求められている。
【００２１】
（発明者らによる事前検討）
上述した自動車に搭載された電流検出回路１２及びそれを備えた電子制御ユニット１の詳細について説明する前に、まず、本発明者らが事前検討した電子制御ユニット５０について、図１３を用いて説明する。
【００２２】
図１３は、実施の形態１に至る前の構想に係る電子制御ユニット５０の具体的な構成例を示す図である。なお、図１３には、電子制御ユニット５０によって供給電流が制御されるソレノイドバルブ（負荷）１０６も示されている。
【００２３】
図１３に示すように、電子制御ユニット５０は、ソレノイドドライバ１１と、電流検出回路５２と、ＭＣＵ１３（不図示）と、を備える。
【００２４】
ソレノイドドライバ１１は、プリドライバＰＤ１と、ハイサイドドライバＭＰ１と、ローサイドドライバＭＮ１と、を有する。プリドライバＰＤ１は、ＭＣＵ１３等からの制御信号Ｓ１に基づきハイサイドドライバＭＰ１及びローサイドドライバＭＮ１を交互に駆動する。ハイサイドドライバＭＰ１は、例えばＰチャネルＭＯＳトランジスタであって、ゲートに供給されるプリドライバＰＤ１からの駆動信号に基づいて、バッテリ電圧Ｖｂａｔが供給されるソース（高電位側電圧端子）と、ドレイン（ソレノイドドライバ１１の出力端子）と、の間に流れる電流が制御される。ローサイドドライバＭＮ１は、例えばＮチャネルＭＯＳトランジスタであって、ゲートに供給されるプリドライバＰＤ１からの駆動信号に基づいて、接地電圧ＧＮＤが供給されるソース（低電位側電圧端子）と、ドレイン（ソレノイドドライバ１１の出力端子）と、の間に流れる電流が制御される。
【００２５】
ソレノイドバルブ１０６は、例えばインダクタＬ１を有し、ソレノイドドライバ１１から供給される電流を、電磁力に変換する。ソレノイドバルブ１０６は、その電磁力を用いて油圧を制御し、これによりクラッチ１０２の開閉を制御する。
【００２６】
電流検出回路５２は、基準電流発生回路５２０と、基準抵抗Ｒｒｅｆと、検出抵抗Ｒｓと、増幅部５２１と、ＡＤコンバータ５２２と、記憶部５２５と、加減算器５２８と、を備える。なお、記憶部５２５及び加減算器５２８により補正部が構成される。
【００２７】
基準抵抗Ｒｒｅｆには、基準電流発生回路５２０により生成された基準電流Ｉｒｅｆが流れる。基準抵抗Ｒｒｅｆは、基準抵抗Ｒｒｅｆの抵抗値と、基準電流Ｉｒｅｆの電流値と、に基づいて決定された電圧レベルの基準電圧Ｖｒｅｆを生成する。基準電圧Ｖｒｅｆは、駆動電圧Ｖｒｅｆｈとして、接地電圧ＧＮＤは、駆動電圧Ｖｒｅｆｌとして、それぞれＡＤコンバータ５２２に供給される。
【００２８】
検出抵抗Ｒｓは、ソレノイドドライバ１１とソレノイドバルブ１０６との間に設けられ、両端の電圧を検出電圧として出力する。なお、検出電圧の値は、検出抵抗Ｒｓに流れる電流の値（ソレノイドドライバ１１の出力電流値）と、検出抵抗Ｒｓの抵抗値と、に基づいて求められる。
【００２９】
ここで、検出抵抗Ｒｓは、基準抵抗Ｒｒｅｆと略同一の温度となるように基準抵抗Ｒｒｅｆの近傍に設けられている。それにより、検出抵抗Ｒｓ及び基準抵抗Ｒｒｅｆのそれぞれの温度を略同一にすることができるため、検出抵抗Ｒｓ及び基準抵抗Ｒｒｅｆのそれぞれの温度特性による抵抗値の変動分が相殺される。また、検出抵抗Ｒｓは、電流検出回路５２の他の構成要素とともに同一のチップ上に設けられている。
【００３０】
増幅部５２１は、抵抗素子Ｒ５１〜Ｒ５４と、アンプＡＰ５１と、を有する。抵抗素子Ｒ５１は、検出抵抗Ｒｓの一端（ソレノイドドライバ１１の出力端子側の端子；ノードＮ５１）と、アンプＡＰ５１の非反転入力端子と、の間に設けられる。抵抗素子Ｒ５３は、検出抵抗Ｒｓの他端（ソレノイドバルブ１０６側の端子；ノードＮ５３）と、アンプＡＰ５１の反転入力端子と、の間に設けられる。抵抗素子Ｒ５２は、アンプＡＰ５１の反転出力端子（ノードＮ５２）及び非反転入力端子間に設けられる。抵抗素子Ｒ５４は、アンプＡＰ５１の非反転出力端子（ノードＮ５４）及び反転入力端子間に設けられる。
【００３１】
増幅部５２１は、検出抵抗Ｒｓから出力された検出電圧をＡＤコンバータ５２２の入力電圧の範囲に適したレベルにまで増幅する。
【００３２】
ＡＤコンバータ５２２は、基準電圧Ｖｒｅｆが駆動電圧Ｖｒｅｆｈとして供給され、かつ、接地電圧ＧＮＤが駆動電圧Ｖｒｅｆｌとして供給されることにより駆動され、増幅部５２１の出力電圧をデジタル値に変換して検出電流値Ｄ１として出力する。
【００３３】
ここで、基準電流発生回路５２０により生成される基準電流Ｉｒｅｆは、温度特性を有する。ＡＤコンバータ５２２は、基準電流Ｉｒｅｆに応じた基準電圧Ｖｒｅｆによって駆動されているため、基準電流Ｉｒｅｆが温度特性を有すると、ＡＤコンバータ５２２の出力である検出電流値Ｄ１も温度特性を有することになる。つまり、温度変化による基準電流Ｉｒｅｆの変動の影響により、ＡＤコンバータ５２２のＡＤ変換精度が低下してしまう。その結果、電流検出回路５２の電流検出精度が低下してしまう。
【００３４】
そこで、電流検出回路５２では、基準電流発生回路５２０が、正の温度依存性を持つ電圧を生成する電圧生成回路と、負の温度依存性を持つ電圧を生成する電圧生成回路と、を有し、これらの電圧を適当な重み付けで足し合わせたうえで基準電流Ｉｒｅｆに変換して出力している。この重み付けの最適値は、製造バラつきにより異なるため、出荷前に１サンプルごとに測定された後、記憶部５２５に記憶される。例えば、低温時及び高温時の２点の基準電流値が測定され、これら基準電流値が所望の値を示すような重み付けの値が決定された後、記憶部５２５に記憶される。
【００３５】
また、電流検出回路５２では、出荷前に１サンプルごとに所定温度（１点）で測定された増幅部５２１のオフセット電圧の情報（電流値換算したもの）が記憶部５２５にさらに記憶される。
【００３６】
そして、電流検出回路５２の実動作では、基準電流発生回路５２０が、記憶部５２５に記憶された重み付けの情報に基づいて最適化された基準電流Ｉｒｅｆを生成するとともに、加減算器５２８が、記憶部５２５に記憶されたオフセット電圧相当分を、ＡＤコンバータ５２２から出力された検出電流値Ｄ１から差し引いている。
【００３７】
しかしながら、電流検出回路５２の構成では、近年の自動車等に搭載される電流検出回路としては、電流検出精度が不十分であった。
【００３８】
図１４は、一次温度特性の補正前後における基準電流値の温度特性を示す図である。なお、図１４の例では、ソレノイドバルブ１０６に実際に供給される電流（被測定電流とも称す）の値を１．０Ａに固定した場合における基準電流値の温度特性が示されている。
【００３９】
図１４に示すように、一次温度特性を補正する前の基準電流値は、２５℃での基準電流値を基準にすると、−４０℃から１５０℃の範囲において１．４％も変動する。それに対し、一次温度特性を補正した後の基準電流値は、２５℃での基準電流値を基準にすると、−４０℃から１５０℃の範囲において０．６％の変動にとどまる。しかしながら、補正により基準電流値の変動を０．５％以下に抑えて電流検出精度をさらに向上させたい場合には、基準電流値の一次温度特性の補正のみでは不十分である。
【００４０】
そこで、基準電流値の一次の温度特性だけでなく二次以上の高次の温度特性に起因して発生する検出電流値Ｄ１の温度特性を補正することによって電流検出精度を向上させた、実施の形態１にかかる電流検出回路１２及びそれを備えた電子制御ユニット１が見出された。
【００４１】
（実施の形態１に係る電流検出回路１２及びそれ備えた電子制御ユニット１）
図３は、電子制御ユニット１の具体的な構成例を示す図である。なお、図３には、電子制御ユニット１によって電流が供給されるソレノイドバルブ（負荷）１０６も示されている。
【００４２】
図３に示すように、電子制御ユニット１は、ソレノイドドライバ１１と、電流検出回路１２と、ＭＣＵ１３（不図示）と、を備える。電子制御ユニット１に設けられた構成要素のうち、電流検出回路１２以外の構成要素については既に説明したため、以下では、主に電流検出回路１２について説明する。
【００４３】
電流検出回路１２は、基準電流発生回路１２０と、基準抵抗Ｒｒｅｆと、検出抵抗Ｒｓと、増幅部１２１と、ＡＤコンバータ１２２と、温度センサ１２３と、ＡＤコンバータ１２４と、記憶部１２５と、オフセット補正項演算回路１２６と、ゲイン補正項演算回路１２７と、加減算器１２８と、乗算器１２９と、を備える。なお、温度センサ１２３、ＡＤコンバータ１２４、記憶部１２５、オフセット補正項演算回路１２６、ゲイン補正項演算回路１２７、加減算器１２８及び乗算器１２９により補正部が構成される。
【００４４】
基準抵抗Ｒｒｅｆには、基準電流発生回路１２０により生成された基準電流Ｉｒｅｆが流れる。基準抵抗Ｒｒｅｆは、基準抵抗Ｒｒｅｆの抵抗値と、基準電流Ｉｒｅｆの電流値と、に基づいて決定された電圧レベルの基準電圧Ｖｒｅｆを生成する。基準電圧Ｖｒｅｆは、駆動電圧Ｖｒｅｆｈとして、接地電圧ＧＮＤは、駆動電圧Ｖｒｅｆｌとして、それぞれＡＤコンバータ１２２に供給される。
【００４５】
検出抵抗Ｒｓは、ソレノイドドライバ１１とソレノイドバルブ１０６との間に設けられ、両端の電圧を検出電圧として出力する。なお、検出電圧の値は、検出抵抗Ｒｓに流れる電流の値（ソレノイドドライバ１１の出力電流の値）と、検出抵抗Ｒｓの抵抗値と、に基づいて求められる。
【００４６】
ここで、検出抵抗Ｒｓは、基準抵抗Ｒｒｅｆと略同一の温度となるように基準抵抗Ｒｒｅｆの近傍に設けられている。それにより、検出抵抗Ｒｓ及び基準抵抗Ｒｒｅｆのそれぞれの温度を略同一にすることができるため、検出抵抗Ｒｓ及び基準抵抗Ｒｒｅｆのそれぞれの温度特性による抵抗値の変動分が相殺される。また、検出抵抗Ｒｓは、電流検出回路１２の他の構成要素とともに同一のチップ上に設けられている。
【００４７】
増幅部１２１は、抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４と、アンプＡＰ１と、を有する。抵抗素子Ｒ１は、検出抵抗Ｒｓの一端（ソレノイドドライバ１１の出力端子側の端子；ノードＮ１）と、アンプＡＰ１の非反転入力端子と、の間に設けられる。抵抗素子Ｒ３は、検出抵抗Ｒｓの他端（ソレノイドバルブ１０６側の端子；ノードＮ３）と、アンプＡＰ１の反転入力端子と、の間に設けられる。抵抗素子Ｒ２は、アンプＡＰ１の反転出力端子（ノードＮ２）及び非反転入力端子間に設けられる。抵抗素子Ｒ４は、アンプＡＰ１の非反転出力端子（ノードＮ４）及び反転入力端子間に設けられる。
【００４８】
増幅部１２１は、検出抵抗Ｒｓから出力された検出電圧をＡＤコンバータ１２２の入力電圧の範囲に適したレベルにまで増幅する。
【００４９】
ＡＤコンバータ１２２は、基準電圧Ｖｒｅｆが駆動電圧Ｖｒｅｆｈとして供給され、かつ、接地電圧ＧＮＤが駆動電圧Ｖｒｅｆｌとして供給されることにより駆動され、増幅部１２１の出力電圧をデジタル値に変換して検出電流値Ｄ１として出力する。
【００５０】
ここで、基準電流発生回路１２０により生成される基準電流Ｉｒｅｆは、温度特性を有する。ＡＤコンバータ１２２は、基準電流Ｉｒｅｆに応じた基準電圧Ｖｒｅｆによって駆動されているため、基準電流Ｉｒｅｆが温度特性を有すると、ＡＤコンバータ１２２の出力である検出電流値Ｄ１も温度特性を有することになる。
【００５１】
そこで、電流検出回路１２は、基準電流値と増幅部１２１のゲインとが比例関係にあることを利用して、補正部を構成する温度センサ１２３、ＡＤコンバータ１２４、記憶部１２５、ゲイン補正項演算回路１２７及び乗算器１２９を用いて、基準電流値の温度特性に起因して発生する検出電流値Ｄ１の温度特性を補正するための補正係数を算出し、検出電流値Ｄ１に対して適用することにより、電流検出精度を向上させている。
【００５２】
具体的には、電流検出回路１２の出荷前に、記憶部１２５には、２つ以上の異なる温度領域のそれぞれにおいての、温度変化に比例して変動する検出電流値Ｄ１の情報（温度変化に対する検出電流値Ｄ１の変動量、及び、温度０℃での検出電流値Ｄ１）、が記憶される。換言すると、検出電流値Ｄ１の高次の温度特性の情報が記憶される。
【００５３】
そして、電流検出回路１２の実動作では、ゲイン補正項演算回路１２７は、温度センサ１２３により検知された基準抵抗Ｒｒｅｆの周辺温度をＡＤコンバータ１２４によりデジタル値化したものと、記憶部１２５に記憶された、基準抵抗Ｒｒｅｆの周辺温度が属する温度領域における検出電流値Ｄ１の温度特性の情報と、に基づいて検出電流値Ｄ１を算出する。その後、ゲイン補正項演算回路１２７は、基準電流Ｉｒｅｆの理想値（理想電流値）を、算出された検出電流値Ｄ１で割った値を補正係数として出力する。乗算器１２９は、ＡＤコンバータ１２２から出力された検出電流値Ｄ１を、ゲイン補正項演算回路１２７から出力された補正係数で割ることにより、算出された検出電流値Ｄ１の変動分を検出電流値Ｄ１から取り除いている。
【００５４】
続いて、基準電流値の温度特性に起因して発生する検出電流値Ｄ１の温度特性の補正方法について、図４〜図６を用いて詳細に説明する。図４〜図６は、基準電流値の温度特性に起因して発生する検出電流値Ｄ１の温度特性の補正方法を説明するための図である。なお、ここでは、説明をわかりやすくするため、後述する増幅部１２１のオフセット電圧の温度特性については考慮されていない。
【００５５】
まず、製品出荷時などの実動作開始前に電流検出回路１２の初期測定が行われる。
図４の例では、検出電流値Ｄ１が、４つの異なる温度で、被測定電流値を固定した状態で測定されている。より具体的には、検出電流値Ｄ１は、測定温度領域の下限端（温度Ｔ１）及び上限端（温度Ｔ４）、並びに、検出電流値Ｄ１が最高値付近で安定する温度領域の下限端（温度Ｔ２）及び上限端（温度Ｔ３）で、被測定電流値を固定した状態で測定されている。
【００５６】
ここで、検出電流値Ｄ１の４つの測定値は、被測定電流値を固定した状態で測定された場合、理想的には一定の値を示すが、実際には、基準電流値の温度特性の影響により温度特性を持つ。なお、測定点は４点に限られず２点以上であればよい。
【００５７】
その後、測定温度領域は複数の異なる温度領域によって区分される。図５の例では、測定温度領域が、温度Ｔ１〜Ｔ２の温度領域Ｔａ、温度Ｔ２〜Ｔ３の温度領域Ｔｂ、及び、温度Ｔ３〜Ｔ４の温度領域Ｔｃの３つの異なる温度領域に区分される。これら３つの異なる温度領域のそれぞれにおいて、温度変化に比例して変動する検出電流値Ｄ１の近似式が規定される。なお、温度領域は、３つに限られず２つ以上であればよい。区分される温度領域を増やすほど、電流検出精度は向上する。また、測定点を温度領域の境界とすることは必須ではない。
【００５８】
例えば、温度領域Ｔａでは、温度Ｔ１から温度Ｔ２に変化した場合の検出電流値の変動量Ａ１と、温度０℃での検出電流値Ｂ１と、により、検出電流値＝温度×Ａ１＋Ｂ１、の近似式が規定される。温度領域Ｔｂでは、温度Ｔ２から温度Ｔ３に変化した場合の検出電流値の変動量Ａ２と、温度０℃での検出電流値Ｂ２と、により、検出電流値＝温度×Ａ２＋Ｂ２、の近似式が規定される。温度領域Ｔｃでは、温度Ｔ３から温度Ｔ４に変化した場合の検出電流値の変動量Ａ３と、温度０℃での検出電流値Ｂ３と、により、検出電流値＝温度×Ａ３＋Ｂ３、の近似式が規定される。各温度領域Ｔａ，Ｔｂ，Ｔｃにおける、温度変化に対する検出電流値の変動量Ａ１，Ａ２，Ａ３、及び、温度０℃での検出電流値Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３の情報は、記憶部１２５に記憶される。
【００５９】
その後の電流検出回路１２の実動作では、まず、温度センサ１２３により検知された基準抵抗Ｒｒｅｆの周辺温度が温度領域Ｔａ，Ｔｂ，Ｔｃのどの温度領域に属するが判断される。そして、検知された周辺温度が属する温度領域の近似式を用いて、検出電流値Ｄ１が算出される。その後、基準電流Ｉｒｅｆの理想値（理想電流値）を、算出された検出電流値Ｄ１で割ることにより、補正係数が算出される。その後、ＡＤコンバータ１２２から出力された検出電流値Ｄ１を、ゲイン補正項演算回路１２７から出力された補正係数で割ることにより、算出された検出電流値Ｄ１の変動分が検出電流値Ｄ１から取り除かれる（図６参照）。
【００６０】
それにより、電流検出回路１２及びそれを備えた電子制御ユニット１は、電流検出回路５２及び電子制御ユニット５０と比較して、基準電流値の一次の温度特性のみならず二次以上の高次の温度特性に起因して発生する検出電流値Ｄ１の温度特性を補正することができるため、電流検出精度をさらに向上させることができる。
【００６１】
なお、例えば、温度領域Ｔｂにおいて算出される検出電流値は、基準電流Ｉｒｅｆの理想値Ｉｒｅｆと略同一の値になるように調整されることが好ましい。それにより、温度領域Ｔｂでの検出電流値Ｄ１の補正は不要になる。
【００６２】
また、電流検出回路１２は、増幅部１２１のオフセット電圧の温度特性に起因して発生する検出電流値Ｄ１の温度特性についても補正を行うことが好ましい。実際に、電流検出回路１２は、増幅部１２１のオフセット電圧の温度特性に起因して発生する検出電流値Ｄ１の温度特性についても補正を行っている。以下、具体的に説明する。
【００６３】
増幅部１２１のオフセット電圧の温度特性に起因して発生する検出電流値Ｄ１の変動は、−４０℃から１５０℃の測定温度領域において、３σで０．１〜０．２％程度である。電流検出回路１２は、この変動分も補正することにより、検出電流値Ｄ１の温度特性がさらに小さくなるため、電流検出精度をさらに向上させることができる。
【００６４】
そこで、電流検出回路１２は、補正部を構成する温度センサ１２３、ＡＤコンバータ１２４、記憶部１２５、オフセット補正項演算回路１２６及び加減算器１２８を用いて、オフセット電圧の温度特性に起因して発生する検出電流値Ｄ１の温度特性を補正するための補正値を算出し、検出電流値Ｄ１に付与することにより、電流検出精度を向上させている。
【００６５】
具体的には、電流検出回路１２の出荷前に、記憶部１２５には、温度変化に比例して変動する増幅部１２１のオフセット電圧の情報（温度変化に対するオフセット電圧の変動量、及び、温度０℃でのオフセット電圧の値）が記憶される。
【００６６】
そして、電流検出回路１２の実動作では、オフセット補正項演算回路１２６は、温度センサ１２３により検知された基準抵抗Ｒｒｅｆの周辺温度をＡＤコンバータ１２４によりデジタル値化したものと、記憶部１２５に記憶されたオフセット電圧の温度特性の情報と、に基づいてオフセット電圧を電流に換算した値を算出して出力する。加減算器１２８は、ＡＤコンバータ１２２から出力された検出電流値Ｄ１から、オフセット補正項演算回路１２６から出力されたオフセット電圧相当分を差し引くことで、検出電流値Ｄ１を補正している。換言すると、オフセット補正項演算回路１２６及び加減算器１２８からなる演算部は、温度センサ１２３の検知結果と、記憶部１２５に記憶されたオフセット電圧の温度特性の情報と、に基づいて算出された補正値を、ＡＤコンバータ１２２から出力された検出電流値Ｄ１に対して付与することで、検出電流値Ｄ１を補正している。
【００６７】
続いて、オフセット電圧の温度特性に起因して発生する検出電流値Ｄ１の温度特性の補正方法について、図７を用いて詳細に説明する。図７は、オフセット電圧の温度特性に起因して発生する検出電流値Ｄ１の温度特性の補正方法を説明するための図である。
【００６８】
ここで、オフセット電圧は、基準電流の場合と同様に正の温度特性を有する温度領域と負の温度特性を有する温度領域を持つ。しかしながら、オフセット電圧の温度特性の補正については、基準電流の場合と異なり、測定温度領域を複数の温度領域に区分した後、それぞれの温度領域において個別に補正を行うことが難しい。そのため、アナログ的な補正よりは、デジタルの検出電流値Ｄ１に対して補正値を加減算する方が効率的である。
【００６９】
まず、製品出荷時などの実動作開始前に電流検出回路１２の初期測定が行われる。
図７の例では、検出電流値Ｄ１が、２つの異なる温度（例えば常温及び高温）で、被測定電流値をゼロに固定した状態で測定されている。それにより、検出電流値Ｄ１にはオフセット電圧による変動成分のみが現れる。なお、測定点は２点に限られず、３点以上であってもよい。
【００７０】
その後、温度変化に比例して変動する検出電流値Ｄ１の近似式が規定される。
例えば、常温から高温に変化した場合の検出電流値の変動量Ａ０（オフセット電圧の変動量に相当）、及び、温度０℃での検出電流値Ｂ０（温度０℃におけるオフセット電圧に相当）と、により、検出電流値（オフセット電圧に相当）＝温度×Ａ０＋Ｂ０、の近似式が規定される。温度変化に対する検出電流値の変動量Ａ０及び温度０℃での検出電流値Ｂ０の情報は、記憶部１２５に記憶される。
【００７１】
その後の電流検出回路１２の実動作では、まず、温度センサ１２３により検知された基準抵抗Ｒｒｅｆの周辺温度を上記近似式に代入することにより、オフセット電圧を電流値に換算した値が算出される。その後、ＡＤコンバータ１２２から出力された検出電流値Ｄ１から、オフセット補正項演算回路１２６から出力されたオフセット電圧相当分を差し引くことで、検出電流値Ｄ１が補正される。
【００７２】
それにより、電流検出回路１２及びそれを備えた電子制御ユニット１は、基準電流値の温度特性に起因して発生する検出電流値Ｄ１の温度特性を補正するだけでなく、増幅部１２１のオフセット電圧の温度特性に起因して発生する検出電流値Ｄ１の温度特性を補正することができるため、電流検出精度をさらに向上させることができる。
【００７３】
なお、実際には、オフセット電圧の温度特性に起因して発生する検出電流値Ｄ１の温度特性が補正された後に、基準電流値の温度特性に起因して発生する検出電流値Ｄ１の温度特性が補正される。
【００７４】
＜実施の形態２＞
図８は、実施の形態２に係る電子制御ユニット１ａの具体的な構成例を示す図である。なお、図８には、電子制御ユニット１ａによって電流が供給されるソレノイドバルブ（負荷）１０６も示されている。
【００７５】
電子制御ユニット１ａは、電子制御ユニット１と比較して、電流検出回路１２に代えて電流検出回路１２ａを備える。電流検出回路１２ａでは、電流検出回路１２と比較して、補正部の構成が異なる。
【００７６】
ここで、増幅部１２１のオフセット電圧は、差動入力信号の中心電位（非反転入力端子に入力される電位と、反転入力端子に入力される電位と、の平均値）に応じて変動する場合がある。
【００７７】
図９は、ハイサイドドライバ動作時及びローサイドドライバ動作時のそれぞれにおける、オフセット電圧による検出電流値の誤差を示す図である。図９を参照すると、ハイサイドドライバＭＰ１動作時とローサイドドライバＭＮ１動作時とでは、オフセット電圧による検出電流値Ｄ１の誤差に１％程度の違いがある。これは、つまり、ハイサイドドライバＭＰ１が動作することによって増幅部１２１の差動入力信号の中心電位が高電位になった場合と、ローサイドドライバＭＮ１が動作することによって増幅部１２１の差動入力信号の中心電位が低電位になった場合とでは、増幅部１２１のオフセット電圧が異なるということである。そこで、電流検出回路１２ａに設けられた補正部は、ソレノイドドライバ１１の動作状態に応じて変動するオフセット電圧を考慮して検出電流値Ｄ１の補正を行っている。
【００７８】
具体的には、補正部は、分圧回路２２３と、ＡＤコンバータ２２４と、記憶部２２５と、オフセット補正項演算回路２２６と、加減算器２２８と、により構成される。
【００７９】
まず、電流検出回路１２ａの出荷前に、記憶部２２５には、ハイサイドドライバＭＰ１動作時におけるオフセット電圧の情報と、ローサイドドライバＭＮ１動作時におけるオフセット電圧の情報と、が記憶される。そのほか、記憶部２２５には、増幅部１２１内に設けられた抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４の抵抗値等の情報が記憶される。
【００８０】
分圧回路２２３は、バッテリ電圧Ｖｂａｔを分圧して出力する。ＡＤコンバータ２２４は、分圧回路２２３の出力電圧をデジタル化して出力する。ＡＤコンバータ１２２の出力値からバッテリ電圧Ｖｂａｔの値が測定される。
【００８１】
オフセット補正項演算回路２２６は、制御信号Ｓ１に基づいてハイサイドドライバＭＰ１及びローサイドドライバＭＮ１の何れが動作しているのかを判定し、判定結果に応じた中心電位Ｖｉｃを図１０の計算式に代入することで、増幅部１２１のオフセット電圧を算出する。
【００８２】
なお、図１０に示す計算式において、
Ｒ１〜Ｒ１４は、それぞれ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４の抵抗値、
Ａは、アンプＡＰ１の裸利得、
Ｖｏｆｓは、アンプＡＰ１のオフセット電圧（入力換算）、
Ｖｉｄは、差動入力電圧（Ｖｉｄ＝Ｖｉｎｐ−Ｖｉｎｍ）、
Ｖｉｃは、同相入力電圧（Ｖｉｃ＝（Ｖｉｎｐ＋Ｖｉｎｍ）／２）、
Ｖｏｄは、差動出力電圧（Ｖｏｄ＝Ｖｏｕｔｐ−Ｖｏｕｔｍ）、
Ｖｏｃは、同相出力電圧（Ｖｏｃ＝（Ｖｏｕｔｐ＋Ｖｏｕｔｍ）／２）、
を表している。
【００８３】
図１０に示す計算式の分子第２項は、差動入力電圧Ｖｉｄに係数が掛かった項であり、本来の増幅動作を表す項である。分子第３項は、アンプＡＰ１のオフセット電圧を表す項であり、例えば実施の形態１で説明した補正方法により補正される。分子第１項は、差動出力信号の中心電位Ｖｏｃと、差動入力信号の中心電位Ｖｉｃと、の差電圧に比例するオフセット電圧を表す項である。
【００８４】
ここで、差動出力信号の中心電位Ｖｏｃは一定に保たれるが、差動入力信号の中心電位Ｖｉｃは、ソレノイドドライバ１１の動作状態によって異なる。具体的には、差動入力信号の中心電位Ｖｉｃは、ハイサイドドライバＭＰ１動作時にはバッテリ電圧Ｖｂａｔ付近のレベルを示し、ローサイドドライバＭＮ１動作時には接地電圧ＧＮＤ付近のレベルを示す。そのため、例えば、差動入力信号の中心電位Ｖｉｃには、ハイサイドドライバＭＰ１動作時にはバッテリ電圧Ｖｂａｔの測定値が代入され、ローサイドドライバＭＮ１動作には値０が代入される。つまり、分子第１項は、ソレノイドドライバ１１の動作状態に応じて変動するオフセット電圧の項である。
【００８５】
なお、バッテリ電圧Ｖｂａｔは、例えば１２Ｖであるが、負荷や充電の状態によって変動するため、リアルタイムで測定されたバッテリ電圧Ｖｂａｔの値を用いることにより、より正確なオフセット電圧の算出が可能となる。
【００８６】
そして、加減算器２２８は、ＡＤコンバータ１２２から出力された検出電流値Ｄ１から、オフセット補正項演算回路２２６により算出されたオフセット電圧の電流換算値を差し引くことで、検出電流値Ｄ１を補正している。換言すると、オフセット補正項演算回路２２６及び加減算器２２８からなる演算部は、ソレノイドドライバ１１の動作状態に応じて切り替わる補正値を、ＡＤコンバータ１２２から出力された検出電流値Ｄ１に対して付与することで、検出電流値Ｄ１を補正している。
【００８７】
このように、本実施の形態に係る電流検出回路１２ａ及びそれを備えた電子制御ユニット１ａは、ソレノイドドライバ１１の動作状態に応じて、検出電流値Ｄ１に対して付与する補正値を切り替えることにより、ソレノイドドライバ１１の動作状態に応じて変動するオフセット電圧の影響を抑制することができるため、電流検出精度を向上させることができる。
【００８８】
特にハイサイドドライバＭＰ１動作時には、増幅部１２１には１２Ｖ前後のバッテリ電圧Ｖｂａｔが供給されるため、オフセット電圧は絶対値としても大きくなり、結果的に、電流検出精度への影響が大きくなる。したがって、ソレノイドドライバ１１の動作状態に応じて検出電流値Ｄ１の補正を行うことは、ハイサイドドライバＭＰ１動作時の精度改善に特に有効である。
【００８９】
なお、電流検出回路１２，１２ａのそれぞれの補正部は、単独で用いられてもよいし、組み合わせて用いられてもよい。
【００９０】
＜実施の形態３＞
図１１は、実施の形態３に係る電子制御ユニット１ｂの具体的な構成例の一部を示す図である。なお、図１１には、電子制御ユニット１ｂによって電流が供給されるソレノイドバルブ（負荷）１０６も示されている。
【００９１】
図１１に示すように、電子制御ユニット１ｂでは、検出抵抗Ｒｓの具体的な構成が示されるとともに、複数の抵抗素子Ｒａ１〜ＲａＭ，Ｒｂ１〜Ｒｂ１Ｍ（Ｍは２以上の任意の整数）からなる平均化抵抗Ｒａｖｅがさらに設けられている。電子制御ユニット１ｂのその他の構成については、基本的には電子制御ユニット１，１ａ等と同様であるため、その説明を省略する。
【００９２】
検出抵抗Ｒｓは、数アンペアという大きな値を示す検出電流に対応するために、並列接続された多数の単位抵抗Ｒｓ１〜ＲｓＮ（Ｎは２以上の任意の整数）により構成される。
【００９３】
例えば検出抵抗Ｒｓが最大で１．０Ａの電流を検出する必要がある場合、各単位抵抗Ｒｓ１〜ＲｓＮに流れる電流は信頼性を考慮して１００ｕＡ程度に抑制されるため、検出抵抗Ｒｓを構成する単位抵抗の数は１万個となる。このとき、１万個の単位抵抗の全てから検出電圧を抽出してその平均電圧を増幅部１２１に供給することは現実的ではないため、１万個の単位抵抗のうちの一部の単位抵抗から検出電圧を抽出してその平均電圧を増幅部１２１に供給している。
【００９４】
図１５は、実施の形態３に至る前の構想に係る電子制御ユニットの一部を模式的に示す平面図である。図１５を参照すると、チップ上の左上方にはローサイドドライバＭＮ１が配置され、右上方にはハイサイドドライバＭＰ１が配置され、下方には、行列状に配置された複数の単位抵抗Ｒｓ１〜ＲｓＮからなる検出抵抗Ｒｓが配置されている。ここで、図１５の例では、行列状に配置された複数の単位抵抗のうち、中央の一列に配置された複数の単位抵抗が検出電圧の抽出対象として選択されている。それにより、検出電圧の抽出対象として選択された複数の単位抵抗と、アンプＡＰ１と、の距離がそれぞれ同程度となる。換言すると、検出電圧の抽出対象として選択された複数の単位抵抗と、アンプＡＰ１と、を結ぶ配線の長さがそれぞれ同程度となる。
【００９５】
しかしながら、図１６を参照すると、ハイサイドドライバＭＰ１及びローサイドドライバＭＮ１の位置関係等が影響して、検出抵抗Ｒｓでは電流密度が必ずしも均一にならない。また、ハイサイドドライバＭＰ１動作時とローサイドドライバＭＮ１動作時とでは、高い電流密度が分布する領域が異なる。そのため、単純に中央の一列に配置された複数の単位抵抗を検出電圧の抽出対象として選択することは、例えば高電流密度領域の単位抵抗ばかりを選択する可能性があり、その場合の平均電圧は、検出抵抗Ｒｓを構成する全ての単位抵抗から抽出された検出電圧の平均値から大きくずれたものとなってしまう。
【００９６】
そこで、本実施の形態では、電流検出回路１２ｂの出荷前に、複数の単位抵抗Ｒｓ１〜ＲｓＮのそれぞれに流れる電流の値を測定又は算出し、その測定結果又は算出結果に基づいて、検出電圧の抽出対象の単位抵抗を選択している（図１２参照）。なお、このとき、ソレノイドドライバ１１の動作状態が変化しても検出電圧の変動が小さい単位抵抗を選択することが好ましい。
【００９７】
より具体的には、例えば、配線寄生抵抗分が付加されたネットリストを用いて回路シミュレーションを実行し、その結果に基づいて、検出抵抗Ｒｓの検出電流の平均値と被測定電流値とが一致するような単位抵抗を検出電圧の抽出対象として選択する。
【００９８】
また、検出電圧の抽出対象として選択された複数の単位抵抗と、アンプＡＰ１と、の間のそれぞれの配線経路上には、配線の寄生抵抗を平均化するための平均化抵抗Ｒａｖｅが設けられている。より具体的には、検出電圧の抽出対象として選択された複数の単位抵抗と、アンプＡＰ１と、の間のそれぞれの配線経路上には、配線の寄生抵抗を無視できる程度に十分に大きな抵抗値の抵抗素子Ｒａ１〜ＲａＭが設けられている。それにより、配線の寄生抵抗の影響が抑制され、また、選択された単位抵抗における電流密度の不均一さも平均化される。それにより、電流検出精度の劣化が抑制される。これは、アンプＡＰ１の入力抵抗が小さい場合に特に効果的である。
【００９９】
このように、本実施の形態に係る電流検出回路１２ｂ及びそれを備えた電子制御ユニット１ｂは、検出抵抗Ｒｓを構成する複数の単位抵抗Ｒｓ１〜ＲｓＮのそれぞれに流れる電流の測定結果又は算出結果に基づいて、一部の単位抵抗を検出電圧の抽出対象として選択する。それにより、選択された単位抵抗から抽出された検出電圧の平均値を、検出抵抗Ｒｓを構成する全ての単位抵抗から抽出された検出電圧の平均値に近づけることができるため、電流検出精度が向上する。また、選択された単位抵抗とアンプＡＰ１との間のそれぞれの配線経路上には平均化抵抗Ｒａｖｅが設けられる。それにより、配線の寄生抵抗が平均化されるため、電流検出精度の劣化が抑制される。
【０１００】
なお、電流検出回路１２ｂの検出抵抗Ｒｓ及び平均化抵抗Ｒａｖｅの構成は、電流検出回路１２，１２ａに組み入れられてもよい。
【０１０１】
以上のように、上記実施の形態１〜３に係る電流検出回路及びそれを備えた電子制御ユニットは、基準電流値の高次の温度特性に起因して発生する検出電流値Ｄ１の温度特性を補正したり、ソレノイドドライバ１１の動作状態に応じて変動するオフセット電圧を補正したり、検出抵抗Ｒｓを構成する複数の単位抵抗の中から検出電圧の抽出対象として選択される単位抵抗の選択の仕方を工夫することにより、電流検出精度を向上させることができる。
【０１０２】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は既に述べた実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることはいうまでもない。
【０１０３】
例えば、上記の実施の形態に係る電流検出回路及びそれを備えた電子制御ユニットでは、半導体基板、半導体層、拡散層（拡散領域）などの導電型（ｐ型もしくはｎ型）を反転させた構成としてもよい。そのため、ｎ型、及びｐ型の一方の導電型を第１の導電型とし、他方の導電型を第２の導電型とした場合、第１の導電型をｐ型、第２の導電型をｎ型とすることもできるし、反対に第１の導電型をｎ型、第２の導電型をｐ型とすることもできる。
【符号の説明】
【０１０４】
１  電子制御ユニット
１ａ  電子制御ユニット
１ｂ  電子制御ユニット
１１  ソレノイドドライバ
１２  電流検出回路
１２ａ  電流検出回路
１３  ＭＣＵ
１０１  エンジン
１０２  クラッチ
１０３  トランスミッション
１０４  ディファレンシャルギア
１０５  タイヤ
１０６  ソレノイドバルブ
１２０  基準電流発生回路
１２１  増幅部
１２２  ＡＤコンバータ
１２３  温度センサ
１２４  ＡＤコンバータ
１２５  記憶部
１２６  オフセット補正項演算回路
１２７  ゲイン補正項演算回路
１２８  加減算器
１２９  乗算器
２２３  分圧回路
２２４  ＡＤコンバータ
２２５  記憶部
２２６  オフセット補正項演算回路
２２８  加減算器
ＡＰ１  アンプ
Ｌ１  インダクタ
ＭＰ１  ハイサイドドライバ
ＭＮ１  ローサイドドライバ
ＰＤ１  プリドライバ
Ｒａｖｅ  平均化抵抗
Ｒｓ  検出抵抗
Ｒｓ１〜ＲａＮ  単位抵抗素子
Ｒｒｅｆ  基準抵抗
Ｒ１〜Ｒ４  抵抗素子
Ｒａ１〜ＲａＭ  抵抗素子
【図１】
0006667300.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0006667300.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
0006667300.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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