(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に材料組成が異なる、第１のセラミック基材の層と、第２のセラミック基材の層とを有する、一定の積層方向に積層されたセラミック積層体であって、
前記第１のセラミック基材からなる外部層と、
前記外部層よりも内側に形成された中空である中空部と、
前記第２のセラミック基材からなり、前記中空部よりも内側に形成された中間層と、
前記中間層の両主面を、それぞれ、前記外部層に繋ぐ１対の接続部と、を備え、
前記外部層と前記中間層との間には、前記接続部を除き、前記中空部による空隙が形成され、
前記接続部は、前記第２のセラミック基材を含み、
前記積層方向に透視したとき、
１対の前記接続部は、相互に少なくとも一部分が重なっており、
１対の前記接続部の面積は、それぞれ、前記中間層の面積よりも小さい、セラミック積層体。
【請求項２】
相互に材料組成が異なる、第１のセラミック基材の層と、第２のセラミック基材の層と を有する、一定の積層方向に積層されたセラミック積層体であって、
前記第１のセラミック基材からなる外部層と、
前記外部層よりも内側に形成された中空である中空部と、
前記第２のセラミック基材からなり、前記中空部よりも内側に形成された中間層と、
前記中間層の両主面を、それぞれ、前記外部層に繋ぐ１対の接続部と、を備え、
前記外部層と前記中間層との間には、前記接続部を除き、前記中空部による空隙が形成され、
前記接続部は、前記第１のセラミック基材を含み、
前記積層方向に透視したとき、
１対の前記接続部は、相互に少なくとも一部分が重なっており、
１対の前記接続部の面積は、それぞれ、前記中間層の面積よりも小さい、セラミック積層体。
【請求項３】
前記接続部の少なくとも一部分に、金属を含む、請求項１または２に記載されたセラミック積層体。
【請求項４】
内部にコイル導体パターンを備え、
前記コイル導体パターンが、前記積層方向を巻回軸として巻回され、
前記コイル導体パターンがコイルを構成した、請求項１ないし３のいずれか１項に記載されたセラミック積層体。
【請求項５】
内部に配線導体パターンを備え、
前記配線導体パターンが、前記中間層を挟んだ両側の前記外部層にそれぞれ形成され、
当該配線導体パターンが、前記中間層に形成された接続導体によって相互に電気的に接続された、請求項１ないし４のいずれか１項に記載されたセラミック積層体。
【請求項６】
前記第２のセラミック基材が磁性体である、請求項１ないし５のいずれか１項に記載されたセラミック積層体。
【請求項７】
前記第２のセラミック基材が圧電体である、請求項１ないし５のいずれか１項に記載されたセラミック積層体。
【請求項８】
前記積層方向に透視したとき、
前記接続部が円形または楕円形である、請求項１ないし７のいずれか１項に記載されたセラミック積層体。
【請求項９】
前記積層方向に透視したとき、
前記接続部が前記中間層の重心と重なる位置に形成された、請求項１ないし８のいずれか１項に記載されたセラミック積層体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はセラミック積層体に関し、さらに詳しくは、相互に材料組成が異なる、第１のセラミック基材の層と、第２のセラミック基材の層とを有するセラミック積層体に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミック積層基板などのセラミック積層体において、高機能化をはかる等の目的で、相互に材料組成が異なる複数のセラミック基材の層を積層させる場合がある。特許文献１（特開２０１２-１３８４９６号公報）に、複数のセラミック基材の層が積層されたセラミック積層体が開示されている。図１６に、特許文献１に開示されたセラミック積層体（コイル内蔵基板）１５００を示す。【０００３】
セラミック積層体１５００は、相互に材料組成が異なる、非磁性体層１０１と、磁性体層１０２と、強磁性体層（透磁率の高い磁性体層）１０３とが積層されている。セラミック積層体１５００の内部には、配線導体パターン（面内配線導体）１０４、接続導体（層間接続導体）１０５、コイル導体パターン（コイル導体）１０６が形成されている。セラミック積層体１５００の上側主面には、電子部品１０７が実装されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２-１３８４９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
セラミック積層体１５００は、相互に材料組成が異なり、通常、熱収縮率が異なっている、非磁性体層１０１と、磁性体層１０２と、強磁性体層１０３とが積層されているため、焼成の際や、焼成後の冷却の際に、層間にクラックや剥離が発生する虞があった。【０００６】
また、非磁性体層１０１、磁性体層１０２、強磁性体層１０３は、通常、焼結温度が異なっている。そのため、いずれかの層の過焼結を避けようとすると、他の層の焼結が不完全になってしまう場合があった。そして、セラミック積層体１５００は、端面１０８に、非磁性体層１０１、磁性体層１０２、強磁性体層１０３がそれぞれ露出しているため、いずれかの層の焼結が不完全であると、端面１０８に露出した、焼結した層と焼結が不完全な層との界面を起点として、クラックや剥離が発生する虞があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述した従来の課題を解決するためになされたものであり、その手段として本発明のセラミック積層体は、相互に材料組成が異なる、第１のセラミック基材の層と、第２のセラミック基材の層とを有する、一定の積層方向に積層されたセラミック積層体であって、第１のセラミック基材からなる外部層と、外部層よりも内側に形成された中空である中空部と、第２のセラミック基材からなり、中空部よりも内側に形成された中間層と、中間層の両主面を、それぞれ、外部層に繋ぐ１対の接続部と、を備え、外部層と中間層との間には、接続部を除き、中空部による空隙が形成され、積層方向に透視したとき、１対の接続部は、相互に少なくとも一部分が重なっており、１対の接続部の面積は、それぞれ、中間層の面積よりも小さいものとする。接続部は、第２のセラミック基材を含むものとする。あるいは、接続部は、第１のセラミック基材を含むものとする。
【０００８】
なお、材料組成が異なるとは、含まれている元素が異なっている場合だけではなく、含まれている元素は同じであるが、配合比率が異なっている場合を含む。【００１０】
接続部の少なくとも一部分が、金属を含むことも好ましい。金属はセラミックに比べて軟らかい場合が多いため、この場合には、外部層と中間層との間の熱収縮率の差を金属によって緩和し、外部層と中間層とを良好に繋ぐことができる。また、金属を、接続導体として利用することもできる。【００１１】
また、内部にコイル導体パターンを備え、コイル導体パターンが、積層方向を巻回軸として巻回され、コイル導体パターンがコイルを構成することも好ましい。この場合には、コイルを備えたセラミック積層体を得ることができる。【００１２】
また、内部に配線導体パターンを備え、配線導体パターンが、中間層を挟んだ両側の外部層にそれぞれ形成され、それらの配線導体パターンが、中間層に形成された接続導体によって相互に接続されることも好ましい。この場合には、高機能化されたセラミック積層体を得ることができる。【００１３】
また、第２のセラミック基材が磁性体であることも好ましい。なお、磁性体である第２のセラミック基材の中間層に接続導体を通せば、磁性ビーズインダクタ（磁性体がフェライトである場合はフェライトビーズインダクタ）を構成することができ、接続導体を流れる信号に含まれるノイズ成分の通過を抑制することができる。【００１４】
また、第２のセラミック基材が圧電体であることも好ましい。この場合には、セラミック積層体の内部に圧電振動部品を構成することができる。【００１５】
積層方向に透視したとき、接続部が円形または楕円形であることも好ましい。積層方向に透視した形状が円形や楕円形の接続部は、角部を有する矩形等の接続部に比べて、外部層と中間層との間の熱収縮率の差を良好に緩和し、外部層と中間層とを良好に繋ぐことができる。【００１６】
積層方向に透視したとき、接続部が中間層の重心と重なる位置に形成されることも好ましい。この場合には、中間層が、外部層の内部に形成された中空部の内部において、安定して支持される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のセラミック積層体は、外部層と中間層との間に、接続部を除き、空隙が形成されているため、外部層を構成する第１のセラミック基材の材料組成と、中間層を構成する第２のセラミック基材の材料組成とが異なっていても、焼成の際や、焼成後の冷却の際に、外部層と中間層との間で、クラックや剥離が発生しにくい。【００１８】
また、本発明のセラミック積層体は、外部層と中間層とのいずれか一方の焼結が不完全であっても、端面に、外部層のみが露出しており、外部層と中間層との界面が存在しないため、当該界面を起点としてクラックや剥離が発生することがない。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ、第１実施形態にかかるセラミック積層体１００の断面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の一点鎖線で示すＸ-Ｘ部分を示している。
【図２】図２（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ、セラミック積層体１００の製造方法の一例において実施する工程を示す断面図である。
【図３】図３（Ｄ）〜（Ｆ）は、図２（Ｃ）の続きであり、それぞれ、セラミック積層体１００の製造方法の一例において実施する工程を示す断面図である。
【図４】図４（Ｇ）〜（Ｉ）は、図３（Ｆ）の続きであり、それぞれ、セラミック積層体１００の製造方法の一例において実施する工程を示す断面図である。
【図５】第２実施形態にかかるセラミック積層体２００の断面図である。
【図６】第３実施形態にかかるセラミック積層体３００の断面図である。
【図７】第４実施形態にかかるセラミック積層体４００の断面図である。
【図８】第５実施形態にかかるセラミック積層体５００の断面図である。
【図９】第６実施形態にかかるセラミック積層体６００の断面図である。
【図１０】第７実施形態にかかるセラミック積層体７００の断面図である。
【図１１】第８実施形態にかかるセラミック積層体８００の断面図である。
【図１２】第９実施形態にかかるセラミック積層体９００の断面図である。
【図１３】第１０実施形態にかかるセラミック積層体１０００の断面図である。
【図１４】第１１実施形態にかかるセラミック積層体１１００の断面図である。
【図１５】第１２実施形態にかかるセラミック積層体１２００の断面図である。
【図１６】特許文献１に開示されたセラミック積層体１５００の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。
【００２１】
なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、異なる実施形態に記載された内容を組合せて実施することも可能であり、その場合の実施内容も本発明に含まれる。また、図面は、明細書の理解を助けるためのものであって、模式的に描画されている場合があり、描画された構成要素または構成要素間の寸法の比率が、明細書に記載されたそれらの寸法の比率と一致していない場合がある。また、明細書に記載されている構成要素が、図面において省略されている場合や、個数を省略して描画されている場合などがある。
【００２２】
［第１実施形態］
図１（Ａ）、（Ｂ）に、第１実施形態にかかるセラミック積層体１００を示す。ただし、図１（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ、セラミック積層体１００の断面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の一点鎖線で示すＸ-Ｘ部分を示している。
【００２３】
セラミック積層体１００は、第１のセラミック基材である非磁性体で作製された外部層１を備えている。非磁性体の材料組成は任意であるが、たとえば、アルミナ、または非磁性フェライト等の非磁性セラミックなどを使用することができる。なお、当該非磁性体は、絶縁性であるため、絶縁体ということもできる。外部層１は、第１のセラミック基材である非磁性体のセラミック粉末を含むグリーンシートを複数枚積層し、圧着させたうえで焼成して一体化させたものである。なお、焼成後に、層と層の界面が残る場合もあれば、残らない場合もある。
【００２４】
本実施形態においては、外部層１の形状を直方体形状とした。ただし、外部層１の形状は任意である。
【００２５】
外部層１の内側に、中空部２が形成されている。本実施形態においては、中空部２は直方体形状の空洞である。ただし、中空部２の形状は任意である。
【００２６】
中空部２の内側に、第２のセラミック基材である磁性体で作製された中間層３が形成されている。磁性体の材料組成は任意であるが、たとえば、磁性セラミックを使用することができる。具体的には、たとえば、酸化鉄を主成分とし、亜鉛、ニッケルおよび銅のうち少なくとも１つ以上を含むフェライトを使用することができる。なお、当該磁性体は、絶縁性であるため、絶縁体ということもできる。
【００２７】
本実施形態においては、中間層３の形状を直方体形状とした。ただし、中間層３の形状は任意である。
【００２８】
中間層３の上下両主面が、接続部４ａ、４ｂによって、外部層１に繋がれている。本実施形態においては、接続部４ａ、４ｂは、中間層３と同じく、第２のセラミック基材である磁性体で作製されている。ただし、接続部４ａ、４ｂの材料組成は任意である。
【００２９】
本実施形態においては、接続部４ａ、４ｂの形状を、それぞれ、円柱形状とした。ただし、接続部４ａ、４ｂの形状は任意であり、たとえば、楕円柱形状であっても良い。あるいは、接続部４ａ、４ｂの形状は、直方体形状などであっても良い。
【００３０】
外部層１と中間層３との間には、接続部４ａ、４ｂを除き、空隙５が形成されている。
【００３１】
セラミック積層体１００を、外部層１、中間層３の積層方向に透視したとき、接続部４ａと接続部４ｂとが重なっている。また、接続部４ａ、４ｂの面積は、それぞれ、中間層３の面積よりも小さい。また、接続部４ａ、４ｂは、それぞれ、中間層３の重心に形成されている。
【００３２】
セラミック積層体１００の底面に、複数の外部電極６が形成されている。
【００３３】
中空部２の外側の外部層１の層間に、コイル導体パターン７が、環状に形成されている。すなわち、積層方向に透視したとき、コイル導体パターン７は、中間層３と中空部２の外側に形成されている。そして、コイル導体パターン７は積層方向において、中間層３および中空部２が設けられている高さ位置に形成されている。コイル導体パターン７は、外部層１、中間層３の積層方向に巻回軸を有し、本実施形態においては１ターン巻回されてコイル８が構成されている。ただし、コイル８のターン数は任意であり、異なる層間に形成されたコイル導体パターン７を、接続導体（ビア導体）で接続することによって、複数ターン数巻回するようにしても良い。
【００３４】
コイル８の一端が、接続導体９によって、外部電極６に接続されている。また、図示されていないが、コイル８の他端が、接続導体９によって、別の外部電極６に接続されている。
【００３５】
外部電極６、コイル導体パターン７、接続導体９の材質は任意であるが、たとえば、銀を主成分として形成することができる。
【００３６】
第１実施形態にかかるセラミック積層体１００は、次のような特長を備えている。
【００３７】
セラミック積層体１００は、内部に構成されたコイル８の巻回軸の部分に、第２のセラミック基材である磁性体によって中間層３が形成されており、中間層３が磁性体コアとして機能する。そのため、セラミック積層体１００は、コイル８のインダクタンス値が大きい。
【００３８】
セラミック積層体１００は、外部層１と中間層３との間に、接続部４ａ、４ｂを除き、空隙５が形成されているため、外部層１を構成する第１のセラミック基材の材料組成と、中間層３を構成する第２のセラミック基材の材料組成とが異なっており、両者の熱収縮率が異なっているにもかかわらず、製造工程における、焼成工程や、焼成後の冷却工程において、外部層１と中間層３との間にクラックや剥離が発生しにくい。
【００３９】
すなわち、外部層１と中間層３とが、大きな面積で接触していると、焼成工程や、焼成後の冷却工程において、外部層１と中間層３との間にクラックや剥離が発生しやすいが、セラミック積層体１００は、外部層１と中間層３とが、接続部４ａ、４ｂのみで繋がっているため、外部層１と中間層３との間にクラックや剥離が発生しにくい。
【００４０】
セラミック積層体１００は、外部層１と中間層３とのいずれか一方の焼結が不完全であっても、端面に、外部層１のみが露出しており、外部層１と中間層３との界面が存在しないため、当該界面を起点とするクラックや剥離が発生しない。
【００４１】
セラミック積層体１００は、積層方向に透視したとき、接続部４ａと接続部４ｂとが重なっているため、中間層３が、中空部２の内部に、良好に支持されている。なお、接続部４ａと接続部４ｂは、完全に重なっている必要はないが、少なくとも一部分が重なっている必要がある。
【００４２】
また、セラミック積層体１００は、積層方向に透視したとき、接続部４ａ、４ｂの面積が、それぞれ、中間層３の面積よりも小さいため、外部層１と中間層３とが小さな面積で繋がれており、製造工程における、焼成工程や、焼成後の冷却工程において、外部層１と中間層３との間にクラックや剥離が発生しにくい。
【００４３】
また、セラミック積層体１００は、積層方向に透視したとき、接続部４ａ、４ｂが、それぞれ、中間層３の重心に形成されているため、中間層３が、外部層１に形成された中空部２の内部に、安定して支持されている。
【００４４】
セラミック積層体１００は、たとえば、次の方法で製造することができる。
【００４５】
まず、図２（Ａ）に示すように、外部層１を形成するためのセラミックのグリーンシート１１ａ〜１１ｈを作製する。
【００４６】
グリーンシート１１ａ〜１１ｈは、第１のセラミック基材である非磁性体のセラミック粉末に、バインダー、溶剤を添加してスラリーを作製し、作製されたスラリーを、たとえばドクターブレード法によって膜状にすることによって作製する。
【００４７】
次に、図２（Ｂ）に示すように、グリーンシート１１ａ〜１１ｄに、接続導体９を形成するための貫通孔を、たとえばレーザー光の照射によって形成する。続いて、形成された貫通孔に、接続導体９を形成するための導電性ペースト１９を充填する。また、グリーンシート１１ａの下側主面に、外部電極６を形成するために導電性ペースト１６を所定の形状に塗布するとともに、グリーンシート１１ｄの上側主面に、コイル導体パターン７を形成するために導電性ペースト１７を所定の形状に塗布する。
【００４８】
次に、図２（Ｃ）に示すように、グリーンシート１１ａ〜１１ｄを積層する。
【００４９】
次に、図３（Ｄ）に示すように、グリーンシート１１ｄの上側主面に、焼成により消失する焼成消失シート１２ａを積層する。焼成消失シート１２ａの材質は任意であるが、たとえば、樹脂に、所定量のカーボンの粉末が添加されたものからなる。焼成消失シート１２ａは、中央部分に、接続部４ｂを形成するための円形の開口Ｙが形成されている。
【００５０】
次に、図３（Ｅ）に示すように、開口Ｙを含む、焼成消失シート１２ａの上側主面に、第２のセラミック基材である磁性体のセラミック粉末に、バインダー、溶剤を添加して作製したセラミックペースト１３を塗布する。
【００５１】
次に、図３（Ｆ）に示すように、塗布されたセラミックペースト１３上に、焼成消失シート１２ｂを積層する。焼成消失シート１２ｂは、中央部分に、接続部４ａを形成するための円形の開口Ｚが形成されている。なお、このとき、焼成消失シート１２ｂの縁の部分を焼成消失シート１２ａに接触させることによって、塗布されたセラミックペースト１３を、焼成消失シート１２ａ、１２ｂで囲む。
【００５２】
次に、図４（Ｇ）に示すように、焼成消失シート１２ａ、セラミックペースト１３、焼成消失シート１２ｂが形成されたグリーンシート１１ｄの上側主面に、グリーンシート１１ｅ〜１１ｈを積層する。
【００５３】
次に、図４（Ｈ）に示すように、上下方向から圧力を加え、全体を一体化させる。この結果、グリーンシート１１ａ〜１１ｄが、焼成消失シート１２ａ、セラミックペースト１３、焼成消失シート１２ｂに押されて、下方向に圧縮される。また、グリーンシート１１ｅ〜１１ｈが、焼成消失シート１２ａ、セラミックペースト１３、焼成消失シート１２ｂに押されて、上方向に圧縮される。また、焼成消失シート１２ｂの開口Ｚにおいて、セラミックペースト１３がグリーンシート１１ｅの下側主面に接触する。
【００５４】
次に、全体を所定のプロファイルで焼成する。この結果、図４（Ｉ）に示すように、グリーンシート１１ａ〜１１ｈが焼結して外部層１が形成される。また、セラミックペースト１３が焼結して中間層３および接続部４ａ、４ｂが形成される。一方、焼成消失シート１２ａ、１２ｂは消失して、中空部２が形成される。
【００５５】
上述したように、セラミック積層体１００は、焼成消失シート１２ａ、１２ｂが消失して中空部２が形成され、空隙５が形成されるため、焼成や、焼成後の冷却において、外部層１と中間層３との間にクラックや剥離が発生しない。
【００５６】
以上により、第１実施形態にかかるセラミック積層体１００が完成する。
【００５７】
［第２実施形態］
図５に、第２実施形態にかかるセラミック積層体２００を示す。ただし、図５は、セラミック積層体２００の断面図である。
【００５８】
セラミック積層体２００は、第１実施形態にかかるセラミック積層体１００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、セラミック積層体１００では、接続部４ａ、４ｂを、中間層３と同じく、第２のセラミック基材である磁性体で作製していた。これに対し、セラミック積層体２００では、接続部２４ａ、２４ｂを、外部層１と同じ、第１のセラミック基材である非磁性体で作製した。セラミック積層体２００の他の構成は、セラミック積層体１００と同じにした。
【００５９】
このように、接続部２４ａ、２４ｂを、外部層１と同じ、第１のセラミック基材である非磁性体で作製しても良い。
【００６０】
［第３実施形態］
図６に、第３実施形態にかかるセラミック積層体３００を示す。ただし、図６は、セラミック積層体３００の断面図である。
【００６１】
セラミック積層体３００も、第１実施形態にかかるセラミック積層体１００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、セラミック積層体１００では、外部層１、中間層３の積層方向に透視したとき、接続部４ａの大きさと接続部４ｂの大きさとが同じであった。これに対し、セラミック積層体３００では、接続部３４ａの大きさと接続部３４ｂの大きさとを異ならせ、接続部３４ｂを接続部３４ａよりも大きくした。セラミック積層体３００の他の構成は、セラミック積層体１００と同じにした。
【００６２】
このように、接続部３４ａの大きさと、接続部３４ｂの大きさとは、異なっていても良い。
【００６３】
［第４実施形態］
図７に、第４実施形態にかかるセラミック積層体４００を示す。ただし、図７は、セラミック積層体４００の断面図である。
【００６４】
セラミック積層体４００も、第１実施形態にかかるセラミック積層体１００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、セラミック積層体１００では、積層方向に透視したとき、接続部４ａと接続部４ｂとが同じ位置に形成されていた。これに対し、セラミック積層体４００では、接続部４４ａの形成位置と接続部４４ｂの形成位置とを異ならせた。ただし、積層方向に透視したとき、接続部４４ａと接続部４４ｂは、少なくとも一部分が重なっている必要がある。接続部４４ａと接続部４４ｂが全く重なっていないと、中空部２の内部における中間層３の支持が極めて不安定になってしまうからである。セラミック積層体４００の他の構成は、セラミック積層体１００と同じにした。
【００６５】
このように、積層方向に透視したとき、接続部４４ａの形成位置と接続部４４ｂの形成位置とは、異なっていても良い。
【００６６】
［第５実施形態］
図８に、第５実施形態にかかるセラミック積層体５００を示す。ただし、図８は、セラミック積層体５００の断面図である。
【００６７】
セラミック積層体５００も、第１実施形態にかかるセラミック積層体１００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、セラミック積層体１００では、積層方向に透視したとき、接続部４ａ、４ｂが、中間層３の重心と重なる位置に形成されていた。これに対し、セラミック積層体５００では、接続部５４ａ、５４ｂを中間層３の一方側に偏在させて形成した。セラミック積層体５００の他の構成は、セラミック積層体１００と同じにした。
【００６８】
このように、積層方向に透視してみた接続部５４ａ、５４ｂの形成位置は、中空部２の一方側に偏在されていても良い。
【００６９】
［第６実施形態］
図９に、第６実施形態にかかるセラミック積層体６００を示す。ただし、図９は、セラミック積層体６００の断面図である。
【００７０】
セラミック積層体６００も、第１実施形態にかかるセラミック積層体１００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、セラミック積層体１００では、中間層３の厚みが均一であった。これに対し、セラミック積層体６００では、中間層６３の厚みを、外縁に近づくにつれて小さくなるようにした。セラミック積層体６００の他の構成は、セラミック積層体１００と同じにした。
【００７１】
このように、中間層６３の厚みは、均一でなくても良い。
【００７２】
［第７実施形態］
図１０に、第７実施形態にかかるセラミック積層体７００を示す。ただし、図１０は、セラミック積層体７００の断面図である。
【００７３】
セラミック積層体７００も、第１実施形態にかかるセラミック積層体１００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、セラミック積層体１００では、積層方向に透視したとき、中間層３の形状は矩形であった。これに対し、セラミック積層体７００では、中間層７３の形状を円形にした。セラミック積層体７００の他の構成は、セラミック積層体１００と同じにした。
【００７４】
このように、積層方向に透視してみた中間層の形状は任意であり、中間層７３のように円形であっても良い。
【００７５】
［第８実施形態］
図１１に、第８実施形態にかかるセラミック積層体８００を示す。ただし、図１１は、セラミック積層体８００の断面図である。
【００７６】
第１実施形態にかかるセラミック積層体１００は、１つの中間層３を備えていた。これに対し、セラミック積層体８００では、外部層１の内部に３つの中間層３を形成した。
【００７７】
このように、外部層１の内部に複数の中間層３を形成しても良い。
【００７８】
［第９実施形態］
図１２に、第９実施形態にかかるセラミック積層体９００を示す。ただし、図１２は、セラミック積層体９００の断面図である。
【００７９】
第１実施形態にかかるセラミック積層体１００は、積層方向に透視したとき、コイル８が、中空部２の外側の外部層１に設けられていた。これに対し、セラミック積層体９００では、積層方向に透視したとき、コイル８と中空部２とが重なっている。そしてコイル８は、積層方向において、中空部２とは異なる高さの位置に形成されている。ここでは、中空部２の下側の外部層１にコイル８を形成した。
【００８０】
このように、コイル８の形成位置など、外部層１や中間層３の内部の構成は任意であり、自由に設計することができる。
【００８１】
［第１０実施形態］
図１３に、第１０実施形態にかかるセラミック積層体１０００を示す。ただし、図１３は、セラミック積層体１０００の断面図である。
【００８２】
セラミック積層体１０００は、第９実施形態にかかるセラミック積層体９００に、さらに構成を追加した。具体的には、セラミック積層体１０００では、中空部２の上下に、それぞれ、配線導体パターン５１を形成した。そして、上下の配線導体パターン５１を、中間層３を上下方向に貫通して形成した接続導体（ビア導体）５９によって接続した。
【００８３】
セラミック積層体１０００は、接続導体５９が、磁性体である第２のセラミック基材の中間層３を貫通して形成されているため、磁性ビーズインダクタ（フェライトビーズインダクタ）としての機能を備えている。すなわち、接続導体５９を流れる信号に含まれるノイズ成分は、磁性ビーズインダクタの機能により通過が抑制されている。また、接続導体５９は、一般に外部層１および中間層３よりも軟らかいため、外部層１と中間層３との間の熱収縮率の差を緩和する役割も果たしている。
【００８４】
［第１１実施形態］
図１４に、第１１実施形態にかかるセラミック積層体１１００を示す。ただし、図１４は、セラミック積層体１１００の断面図である。
【００８５】
セラミック積層体１１００は、第１０実施形態にかかるセラミック積層体１０００に、さらに変更を加えた。具体的には、セラミック積層体１１００では、中間層３を上下方向に貫通して、セラミック積層体１０００の接続導体５９よりも断面積の大きい接続導体６９を形成した。そして、接続導体６９によって、上下の配線導体パターン５１を接続した。また、セラミック積層体１１００は、断面積の大きい接続導体６９に接続部としての機能をもたせ、接続導体６９によって外部層１と中間層３とを接続した。
【００８６】
このように、接続導体６９に接続部としての機能をもたせても良い。
【００８７】
［第１２実施形態］
図１５に、第１２実施形態にかかるセラミック積層体１２００を示す。ただし、図１５は、セラミック積層体１２００の断面図である。
【００８８】
上述した第１実施形態〜第１１実施形態では、第２のセラミック基材である磁性体によって、中間層３（６３、７３）を作製した。第１２実施形態にかかるセラミック積層体１２００では、これに代えて、中間層８３を圧電体によって作製した。すなわち、第２のセラミック基材として、圧電体を使用した。
【００８９】
圧電体からなる中間層８３の両主面には、電極８３ａ、８３ｂが形成されている。そして、電極８３ａ、８３ｂは、それぞれ、配線導体パターン８１および接続導体８９によって、外部電極６に接続されている。
【００９０】
この結果、セラミック積層体１２００は、中空部２の内部に、圧電振動部品８８が構成されている。圧電振動部品８８は、接続部８４ａ、８４ｂを除き、周囲が空隙５によって囲まれているため、自由な振動が妨げられない。
【００９１】
なお、セラミック積層体１２００では、接続部８４ａ、８４ｂが、外部層１と同じく、第１のセラミック基材である非磁性体で作製されている。
【００９２】
このように、中間層８３を圧電体によって作製しても良い。
【００９３】
以上、第１実施形態〜第１２実施形態について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更をなすことができる。
【００９４】
たとえば、第１実施形態〜第１１実施形態では、外部層１を第１のセラミック基材である非磁性体で作製し、中間層３（６３、７３）を第２のセラミック基材である磁性体で作製した。また、第１２実施形態では、外部層１を第１のセラミック基材である非磁性体で作製し、中間層８３を第２のセラミック基材である圧電体で作製した。しかしながら、第１のセラミック基材の材質および第２のセラミック基材の材質は、それぞれ任意であり、種々の材質を組み合わせて使用することができる。
【００９５】
また、第１実施形態〜第１１実施形態では、コイル８を外部層１の内部に形成したが、これに代えて、コイル８を中間層３（６３、７３）の内部に形成しても良い。また、コイル８のターン数も任意であり、上述したターン数には限られない。
【符号の説明】
【００９６】
１・・・外部層
２・・・中空部
３、６３、７３、８３・・・中間層
４ａ、４ｂ、２４ａ、２４ｂ、３４ａ、３４ｂ、５４ａ、５４ｂ、８４ａ、８４ｂ・・・接続部
５・・・空隙
６・・・外部電極
７・・・コイル導体パターン
８・・・コイル
９、５９、６９、８９・・・接続導体
１１ａ〜１１ｈ・・・セラミックのグリーンシート（非磁性体）
１２ａ、１２ｂ・・・焼成消失シート
Ｙ、Ｚ・・・開口
１３・・・セラミックペースト（磁性体）
１６、１７、１９・・・導電性ペースト
５１、８１・・・配線導体パターン
８３ａ、８３ｂ・・・電極
８８・・・圧電振動部品
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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