(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層の下面に形成された回路層と、
前記回路層に接続され、前記絶縁層の下面から上面に延長して形成された金属ポストと、を含み、
前記金属ポストは、第１金属層と、前記第１金属層の一面に形成された第２金属層とを含み、
前記第１金属層は、上面から下面に行くほど直径が減少するテーパ形状を有し、前記第２金属層は、上面から下面に行くほど直径が広くなるテーパ形状を有する、
プリント回路基板。
【請求項２】
前記絶縁層の上面は、前記金属ポストの側面の一部及び上面が露出するようにディンプル形状に形成された請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項３】
前記第１金属層の下面の直径は、前記第２金属層の上面の直径よりも大きい請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項４】
前記金属ポストは、銅または銅を含む合金で形成された請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項５】
前記絶縁層上に、前記第１金属層が形成された領域と前記回路層とを露出させる開口部を有するソルダレジスト層をさらに形成する請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項６】
前記回路層上に、ビルドアップ絶縁層及びビルドアップ回路層を含むビルドアップ層をさらに形成する請求項１から５のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項７】
絶縁層、前記絶縁層の下面に形成された回路層、及び前記回路層に接続され、前記絶縁層の下面から上面に延長して形成された金属ポストを含み、
前記金属ポストは、第１金属層と、前記第１金属層の一面に形成された第２金属層とを含み、
前記第１金属層は、上面から下面に行くほど直径が減少するテーパ形状を有し、前記第２金属層は、上面から下面に行くほど直径が広くなるテーパ形状を有する、プリント回路基板と、
前記プリント回路基板の上部に実装された素子と、
を含む半導体パッケージ。
【請求項８】
前記素子は、外部接続端子を媒介にして前記金属ポストと接続する請求項７に記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
キャリア部材の両面に金属物質層を形成するステップと、
前記金属物質層をエッチングして第１金属層を形成するステップと、
前記第１金属層が埋め込まれるように絶縁層を形成するステップと、
前記キャリア部材を分離するステップと、
前記キャリア部材から分離された絶縁層の一面に、前記第１金属層と電気的に接続するように第２金属層を形成するステップと、
前記第１金属層の側面の一部が露出するように、前記絶縁層をディンプル形状に加工するステップと、
を含むプリント回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記キャリア部材から分離された絶縁層の一面に、前記第１金属層と電気的に接続するように第２金属層を形成するステップは、
前記第２金属層が形成された前記絶縁層の一面に回路パターンを形成するステップと、
前記回路パターンが形成された絶縁層上に化学銅メッキを施すステップと、
前記化学銅メッキ上にドライフィルムを形成してエッチングするステップと、を含む請求項９に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記回路パターンを形成するステップは、前記絶縁層を貫通するビアを含んで形成する請求項１０に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第２金属層を形成するステップの後に、
前記絶縁層に、前記第１金属層が形成された領域と前記第２金属層とを露出させる開口部を有するソルダレジスト層を形成するステップをさらに含む請求項９から１１のいずれか一項に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第２金属層を形成するステップの後に、
前記第２金属層上に、ビルドアップ回路層及びビルドアップ絶縁層を含むビルドアップ層を形成するステップをさらに含む請求項９から１２のいずれか一項に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第１金属層は、上面から下面に行くほど直径が減少するテーパ形状を有し、前記第２金属層は、上面から下面に行くほど直径が広くなるテーパ形状を有する請求項９から１３のいずれか一項に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１５】
前記第１金属層の下面の直径は、前記第２金属層の上面の直径よりも大きい請求項１４に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１６】
前記第１金属層及び前記第２金属層は、銅または銅を含む合金で形成された請求項９から１５のいずれか一項に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１７】
前記絶縁層をディンプル形状に加工するステップの後に、
前記露出された金属層上に表面処理工程を行うステップをさらに含む請求項９から１６のいずれか一項に記載のプリント回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント回路基板、半導体パッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話を始めとするＩＴ分野の電子機器に対して多機能が要求され、さらに軽薄短小化されることにより、これに関する技術的要求に応えるために、ＩＣ、半導体チップまたは能動素子や受動素子などの電子部品を基板内に挿入する技術が要求されており、近年には多様な方式で基板内に部品を内蔵する技術が開発されている。
【０００３】
一般のプリント回路基板（ＰＣＢ；Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ）は、電気絶縁性基板に銅のような伝導性材料で回路ラインパターンを印刷して形成したものであって、電子部品を搭載する直前の基板（Ｂｏａｒｄ）をいう。すなわち、様々な電子素子を平板の上に多く密集して搭載するために、各部品の装着位置を確定し、部品を接続する回路パターンを平板の表面に印刷して固定した回路基板を意味する。
【０００４】
このようなプリント回路基板がＰＯＰ用基板である場合、ダイ（ｄｉｅ）との接続のために、基板にソルダオンパッド（ＳＯＰ；Ｓｏｌｄｅｒ  Ｏｎ  Ｐａｄ）を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００８／００９９２３０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の一側面（または観点）は、プリント回路基板において、ダイ（ｄｉｅ）との接続のための金属ポストを、高さの公差を確保し、基板内に挿入された構造に形成することにより、素子実装の際にソルダブリッジによるショートの発生を防止できるプリント回路基板を提供する。
【０００７】
本発明の他の側面は、プリント回路基板においてダイ（ｄｉｅ）との接続のための金属ポストを、高さの公差を確保し、基板内に挿入された構造に形成することにより、素子実装の際にソルダブリッジによるショートの発生を防止できるプリント回路基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施例に係るプリント回路基板は、絶縁層と、上記絶縁層の下面に形成された回路層と、上記回路層に接続し、上記絶縁層の下面から上面に延長して形成された金属ポストと、を含む。
【０００９】
また、本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法は、キャリア部材の両面に金属物質層を形成するステップと、上記金属物質層をエッチングして第１金属層を形成するステップと、上記第１金属層が埋め込まれるように絶縁層を形成するステップと、上記キャリア部材を分離するステップと、上記キャリア部材から分離された絶縁層の一面に、上記第１金属層に電気的に接続するように第２金属層を形成するステップと、上記第１金属層の側面のうちの一部が露出するように上記絶縁層をディンプル形状に加工するステップと、を含む。
【００１０】
本発明の特徴及び利点は、添付図面に基づいた下記の詳細な説明により、より明らかになるであろう。
【００１１】
これに先だち、本明細書及び特許請求の範囲で使用した用語や単語は、通常的で辞書的な意味に解釈されてはいけなく、発明者が自分の発明を最も最善の方法で説明するために用語の概念を適宜定義できるという原則に基づいて、発明の技術的思想に符合する意味や概念として解釈されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１実施例に係るプリント回路基板を示す断面図である。
【図２】本発明の第２実施例に係るプリント回路基板を示す断面図である。
【図３】本発明の半導体パッケージの構造を示す断面図である。
【図４】本発明に係る金属ポストの形状を具体的に示す図である。
【図５】本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す一工程の断面図である。
【図６】図５に示した工程の次の工程を示す断面図である。
【図７】図６に示した工程の次の工程を示す断面図である。
【図８】図７に示した工程の次の工程を示す断面図である。
【図９】図８に示した工程の次の工程を示す断面図である。
【図１０】図９に示した工程の次の工程を示す断面図である。
【図１１】図１０に示した工程の次の工程を示す断面図である。
【図１２】図１１に示した工程の次の工程を示す断面図である。
【図１３】図１２に示した工程の次の工程を示す断面図である。
【図１４】図１３に示した工程の次の工程を示す断面図である。
【図１５】図１４に示した工程の次の工程を示す断面図である。
【図１６】図１５に示した工程の次の工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の目的、特定の利点及び新規な特徴等は、添付された図面及び連関する以下の詳細な説明及び実施例からより明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付するに当たって、同じ構成要素に限っては、たとえ他の図面上に表示されてもできるだけ同じ番号を有するようにしていることに留意しなければならない。また、本発明を説明するにあたり、係わる公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨をかえって不明にすると判断される場合、その詳細な説明を省略する。本明細書において、「第１」、「第２」等の用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するために使用され、上記構成要素が上記用語によって限定されるものではない。添付図面において、一部の構成要素は、誇張されたり、省略されたり、または概略的に図示されており、各構成要素の大きさが実際の大きさを全面的に反映したものではない。
【００１４】
以下、添付された図面に基づいて本発明の実施例を詳細に説明する。
【００１５】
＜プリント回路基板＞
先ず、本発明の第１実施例に係るプリント回路基板について、図面を参照して具体的に説明する。ここで、参照図面に記載されなかった図面符号は、同じ構成を示す他の図面での図面符号であり得る。
【００１６】
図１は、本発明の第１実施例に係るプリント回路基板を示す断面図であり、図４は、本発明に係る金属ポストの形状を具体的に示す図である。
【００１７】
図１に示すように、プリント回路基板は、絶縁層１２０と、上記絶縁層１２０の下面に形成された回路層１３１と、上記回路層１３１に接続し、上記絶縁層１２０の下面から上面に延長して形成された金属ポスト１７０と、上記絶縁層１２０上に形成され、上記回路層１３１が露出するように開口部を有するソルダレジスト層１５０と、を含む。
【００１８】
上記絶縁層１２０の上面は、上記金属ポスト１７０の側面のうちの一部及び上面が露出するように、ディンプル形状１６０に形成される。ここで、上記絶縁層１２０は、上記金属ポスト１７０が絶縁層の上面と同じ高さで埋め込まれるように形成され、ＹＡＧレーザーまたはＣＯ２レーザーを用いて、上記金属ポストの側面のうちの一部が露出するようにディンプル形状に加工される。また、上記絶縁層１２０には、ＹＡＧレーザーまたはＣＯ２レーザーを用いて、厚さ方向に貫通するビア１４０を形成し、上記上部回路層と下部回路層１３１とが電気的に接続することにする。
【００１９】
ここで、上記絶縁層１２０は、熱硬化性絶縁物質、セラミック、有機-無機複合素材、またはガラス繊維含浸であってもよく、高分子樹脂を含む場合、ＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ  Ｔｒｉａｚｉｎｅ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ  ｕｐ  Ｆｉｌｍ）などのエポキシ系絶縁樹脂を含むことができ、これとは異なって、ポリイミド系樹脂を含むことができるが、特にこれに限定されるものではない。
【００２０】
図４に示すように、上記金属ポスト１７０は、第１金属層１１０と、上記第１金属層１１０の一面に形成された第２金属層１３０とで形成される。
【００２１】
具体的に、上記第１金属層１１０は、上面（Ｃ）から下面（Ｂ）に行くほど直径が漸次減少するテーパ形状を有し（Ｃ＞Ｂ）、上記第２金属層１３０は、上面（Ａ）から下面に行くほど直径が広くなるテーパ形状に形成される。ここで、上記第１金属層１１０の下面の直径は、上記第２金属層１３０の上面の直径よりも大きく形成される（Ｂ＞Ａ）。このような上記金属ポスト１７０は、銅または銅を含む合金で形成される。
【００２２】
一方、上記第１金属層１１０の上面と下面の大きさは、同一に形成されてもよく、上記第１金属層１１０の下面の直径と第２金属層１３０の上面の直径とを同一に形成してもよい。
【００２３】
上記第１金属層１１０は、上記絶縁層１２０の一面に露出するように埋め込まれ、上記第２金属層１３０は、上記絶縁層１２０の他面から上記第１金属層１１０が露出するように形成されたパターンにメッキを充填して形成される。
【００２４】
このような金属ポストは、ダイ（ｄｉｅ）との接続のための高さ公差を確保しながら、基板内に挿入された構造に形成することで、素子実装の際にソルダブリッジ（ｓｏｌｄｅｒ  ｂｒｉｄｇｅ）によるショートの発生を防止することができる。
【００２５】
上記回路層１３１は、上記第２金属層１３０に電気的に接続するように形成され、金属物質層を積層した後にエッチングレジストを用いて選択的に金属物質層を除去するサブトラックティブ（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）法と無電解銅メッキ及び電解銅メッキを用いるアディティブ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ）法、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）及びＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ  Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）及びＳＡＰ（Ｓｅｍｉ  Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）法などで形成可能であり、ここでは詳細な説明を省略する。
【００２６】
上記ソルダレジスト層１５０は、上記絶縁層１２０の両面に、上記第１金属層１１０が形成された領域と上記回路層１３１とが露出するように開口部が形成される。これは、通常製品領域の回路パターンを外部と絶縁させて基板を保護するためである。
【００２７】
より好ましくは、ソルダレジスト層１５０上に開口部を形成するためのドライフィルムを形成し、その後、上記ドライフィルムをパターニングして、露光及び現像する工程を含む。具体的には、次の通りである。すなわち、ドライフィルムの密着性を高めた後、ラミネートにより形成され、その後、光に露出させる露光工程を介してドライフィルムを選択的に硬化させ、現像液により硬化されていない部分のみを溶解させて開口部をパターニングすることができる。
【００２８】
図２は、本発明の第２実施例に係るプリント回路基板を示す断面図である。
【００２９】
図２に示すように、本発明のプリント回路基板は、絶縁層２２０と、上記絶縁層２２０の下面に形成された回路層２３１と、上記回路層２３１に接続され、上記絶縁層２２０の下面から上面に延長して形成された金属ポスト２８０と、上記回路層２３１上にビルドアップ絶縁層２５０及びビルドアップ回路層２６１を含むビルドアップ層と、上記第１金属層２１０が形成された領域と上記ビルドアップ回路層２６１とを露出させる開口部を有するソルダレジスト層２７０と、を含む。
【００３０】
ここで、図２は、上記第１実施例のプリント回路基板に、さらにビルドアップ層の構成による拡張を示している。すなわち、２Ｌの基本構造に、第１絶縁層及び第２絶縁層及び回路層をさらに形成して、２Ｌ→４Ｌ→６Ｌ→８Ｌ→１０Ｌにビルドアップすることができる。また、ビルドアップ層は、実施例に限定されず、必要によって、さらに形成することができる。そして、上記ビルドアップ層の最外層の回路層上にソルダレジスト物質で形成されたソルダレジスト層をさらに形成することが好ましい。
【００３１】
ここで、上記の図１の実施例と重複する説明は、図１を参照することにし、ここでは省略する。
【００３２】
図３は、本発明の半導体パッケージの構造を示す断面図である。
【００３３】
図３に示すように、本発明の半導体パッケージは、絶縁層３２０、上記絶縁層３２０の下面に形成された回路層３３１、及び上記回路層３３１に接続され、上記絶縁層３２０の下面から上面に延長して形成された金属ポスト３９０を含むプリント回路基板と、上記プリント回路基板の上部に実装された素子３７０と、上記素子３７０と上記金属ポスト３９０とを電気的に接続させる外部接続端子３８０と、を含むことができる。
【００３４】
ここで、上記素子の下部面に形成された金属パッド３７５と、外部接続端子３８０を媒介にして上記プリント回路基板に埋め込まれて形成された上記金属ポスト３９０とが接続して実装されることになる。
【００３５】
このとき、上記金属ポスト３９０は、側面の一部が露出するように形成されたディンプル形状３６０のために、上記外部接続端子３８０がソルダリングされて接合するとき、ソルダブリッジ（ｓｏｌｄｅｒ  ｂｒｉｄｇｅ）によるショート発生を防止することができる。
【００３６】
＜プリント回路基板の製造方法＞
以下に、製造方法の順に詳細に説明する。ここでは、上述したプリント回路基板及び図１を参照し、重複する説明を省略する。
【００３７】
図５から図１６は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す工程断面図である。
【００３８】
先ず、図５に示すように、キャリア部材１００の両面に金属物質層１０１を形成する。ここで、上記キャリア部材１００としてはデタッチ（ｄｅｔａｃｈ）用ダミー基板を使用し、上記キャリア部材１００の両面に所定の高さの金属物質層１０１を形成する。このような金属物質層１０１は、後に形成される金属ポストの高さを考慮し、銅（Ｃｕ）を用いた銅箔を最小３５μｍ以上の高さを確保して形成する。
【００３９】
その後、図６及び図７に示すように、上記金属物質層１０１をエッチングして第１金属層１１０を形成する。
【００４０】
より具体的には、上記金属物質層１０１上にドライフィルム形態のエッチングレジスト１０２を形成し、その後、上記金属物質層１０１を選択的に除去することにより、第１金属層１１０を形成することができる。ここで、第１金属層１１０は、サブトラックティブ（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）法と無電解銅メッキ及び電解銅メッキを用いるアディティブ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ）法、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）法を用いて形成することが好ましい。このとき、上記のエッチングされた第１金属層は、上面から下面に行くほど直径が広くなるテーパ形状に形成される。
【００４１】
その後、図８に示すように、上記第１金属層１１０が埋め込まれるように絶縁層１２０を形成する。
【００４２】
より具体的には、上記絶縁層１２０は、プリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）層で形成されることが好ましく、ラミネーション工程により積層することができる。ここで、上記絶縁層１２０は、熱硬化性または熱可塑性高分子物質、セラミック、有機−無機複合素材、またはガラス繊維含浸で形成されてもよく、高分子樹脂を含む場合、ＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ  Ｔｒｉａｚｉｎｅ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ  ｕｐ  Ｆｉｌｍ）などのエポキシ系絶縁樹脂を含むことができ、これと異なってポリイミド系樹脂を含むこともできるが、特にこれに限定されることはない。
【００４３】
そして、図９に示すように、上記絶縁層１２０が形成されたキャリア部材１００を分離する。すなわち、上記キャリア部材１００の両面に形成された絶縁層１２０を分離し、それぞれを用いることができる。
【００４４】
その後、図１０及び図１１に示すように、上記第１金属層１１０が埋め込まれた絶縁層１２０の一面に回路パターンを形成する。
【００４５】
より具体的には、上記絶縁層１２０は、上記第１金属層１１０が埋め込まれた一面と、上記キャリア部材１００から分離され、上記第１金属層１１０が露出している他面とに区分される。ここで、上記第１絶縁層１２０の一面に、埋め込まれた上記第１金属層１１０との接続のために回路パターンを形成することができる。
【００４６】
このように、回路パターンを形成するために、上記絶縁層１２０をドリル加工し、上記第１金属層が露出するようにビアホール１３０ａ及び貫通ビアホール１４０ａを形成することができる。ここで、上記絶縁層１１０は、ＹＡＧレーザーまたはＣＯ２レーザーを用いてビアホールを形成することが好ましい。このようにレーザードリルを用いてビアホールを加工すると、直径が同一に加工されなく、上部から下部に行くほど直径が減少するテーパ形状のビアホールが加工される。これにより、上記ビアホール１３０ａは、上記第１金属層が露出された部分に行くほど直径が減少する。
【００４７】
一方、上記貫通ビアホールの加工は、一回のドリル加工により形成されず、上記絶縁層の両面からそれぞれ行った二回のドリル加工により貫通ホールを形成することができる。これにより、上記貫通ビアホールは、中心に行くほどテーパされた形状を有する。
【００４８】
次に、図１２及び図１３に示すように、上記ビアホール及び貫通ビアホールを含む回路パターンが形成された絶縁層上に化学銅メッキを施した後、回路パターン上に第２金属層を形成するためのドライフィルムをパターニングして形成する。
【００４９】
そして、図１４に示すように、上記第１金属層１１０と電気的に接続するように、第２金属層１３０及び回路層１３１を形成する。
【００５０】
より具体的には、上記のビアホール１３０ａ及び貫通ビアホール１４０ａに金属物質を充填して第２金属層１３０を形成し、外層の回路層１３１を形成することになる。ここで、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）またはＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）などを行って形成することができる。しかし、上記の方法に限定されず、当業界に公知のサブトラックティブ、ＳＡＰ、ＭＡＳＰなどを含む通常の回路形成工程を適用することができる。
【００５１】
上述したように、上記第１金属層１１０は、上面Ｃから下面Ｂに行くほど直径が減少するテーパ形状を有し（Ｃ＞Ｂ）、上記第２金属層１３０は、上面Ａから下面に行くほど直径が広くなるテーパ形状を有することができる。ここで、上記第１金属層１１０の下面の直径は、上記第２金属層１３０の上面の直径よりも大きく形成される（Ｂ＞Ａ）。このような上記金属ポスト１７０は、銅または銅を含む合金で形成される。
【００５２】
一方、上記第１金属層１１０の上面と下面との大きさは、同一に形成されてもよく、上記第１金属層１１０の下面の直径は、第２金属層１３０の上面の直径と同一に形成されてもよい。
【００５３】
その後、図１５に示すように、上記ソルダレジスト層１５０を、上記絶縁層１２０の両面に、上記第１金属層１１０の形成された領域と上記回路層１３１とが露出される開口部を有するように形成する。これは、通常製品領域の回路パターンを外部と絶縁させて基板を保護するために形成される。
【００５４】
より好ましくは、ソルダレジスト層１５０上に開口部の形成のためのドライフィルムを形成した後に、上記ドライフィルムをパターニングして露光及び現像する工程を含む。具体的には、次の通りである。すなわち、ドライフィルムの密着性を高めた後、ラミネートにより形成され、その後光に露出させる露光工程によりドライフィルムを選択的に硬化させ、現像液により硬化されていない部分のみを溶解させて開口部をパターニングすることができる。
【００５５】
そして、図１６に示すように、上記第１金属層１１０の側面の一部が露出するように、上記絶縁層１２０をディンプル形状１６０に加工する。すなわち、ＹＡＧレーザーまたはＣＯ２レーザーを用いて上記金属ポスト１７０の側面の一部が露出するようにディンプル形状１６０に加工する。
【００５６】
これにより、上記第１金属層１１０と上記第２金属層１３０とで形成された金属ポスト１７０は、側面の一部が露出するように形成されたディンプル形状３６０のために、半導体素子を実装するために外部接続端子がソルダリングされて接合されるときに、ソルダブリッジ（ｓｏｌｄｅｒ  ｂｒｉｄｇｅ）によるショート発生を防止することができる。
【００５７】
一方、上記絶縁層１２０をディンプル形状１６０に加工するステップの後に、上記露出された第１金属層１１０上に表面処理工程を行うことができる。
【００５８】
また、上記第２金属層の回路層１３１上に、ビルドアップ絶縁層とビルドアップ回路層とを含むビルドアップ層をさらに形成することができる。すなわち、２Ｌの基本構造に、第１絶縁層及び第２絶縁層及び回路層をさらに形成して、２Ｌ→４Ｌ→６Ｌ→８Ｌ→１０Ｌにビルドアップすることができる。また、ビルドアップ層は、これに限定されず、必要によってさらに形成することができる。そして、上記ビルドアップ層の最外層の回路層上にソルダレジスト物質で形成されたソルダレジスト層をさらに形成することが好ましい。
【００５９】
以上のように、本発明を具体的な実施例を介して詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明はこれに限定されず、本発明の技術的思想内で当分野の通常の知識を有する者によってその変形や改良が可能であることは明らかである。
【００６０】
本発明の単純変形及び変更は、すべて本発明の範囲に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は添付の特許請求範囲により、より明確になるであろう。
【符号の説明】
【００６１】
１１０、２１０        第１金属層
１２０、２２０、３２０        絶縁層
１３０        第２金属層
１３１、２３１、３３１        回路層
１５０、２７０        ソルダレジスト層
１６０        ディンプル形状
１７０、２８０、３９０        金属ポスト
【図１】
0006711509.tif 000002
【図２】
0006711509.tif 000003
【図３】
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【図４】
0006711509.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
0006711509.tif 000008
【図８】
0006711509.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0006711509.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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