(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の強磁性体のそれぞれに対して、いずれか一つの加熱配線が最近接するように複数の加熱配線を配設する配設工程と、
外部磁場を印加しながら、前記複数の加熱配線のうち１又は複数の加熱配線を加熱し、前記複数の強磁性体のうち加熱された加熱配線に近接する強磁性体の磁化を固定する磁化固定工程と、を有し、
前記磁化固定工程を印加する前記外部磁場を変えながら複数回行い、前記複数の強磁性体の磁化を複数の方向に固定した後、加熱配線を除去する磁化固定方法。
【請求項２】
前記複数の強磁性体のうち同一の方向に磁化を固定する強磁性体に対し、１本の加熱配線を配設する請求項１に記載の磁化固定方法。
【請求項３】
前記複数の強磁性体に対して、いずれか一つの加熱配線を接触させる請求項１又は２のいずれかに記載の磁化固定方法。
【請求項４】
隣接する強磁性体の間に、遮熱体を設ける請求項１から３のいずれか一項に記載の磁化固定方法。
【請求項５】
前記強磁性体と積層方向重なる位置において、前記複数の加熱配線を交差させない請求項１から４のいずれか一項に記載の磁化固定方法。
【請求項６】
前記強磁性体と積層方向重なる位置において、前記加熱配線が狭窄する請求項１から５のいずれか一項に記載の磁化固定方法。
【請求項７】
加熱した加熱配線の抵抗値を測定する工程をさらに有する請求項１から６のいずれか一項に記載の磁化固定方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の磁化固定方法を用いた強磁性素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁化固定方法及び強磁性素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
強磁性層と非磁性層の多層膜からなる巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子、及び、非磁性層に絶縁層（トンネルバリア層、バリア層）を用いたトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）素子が知られている。一般に、ＴＭＲ素子は、ＧＭＲ素子と比較して素子抵抗が高いものの、ＴＭＲ素子の磁気抵抗（ＭＲ）比は、ＧＭＲ素子のＭＲ比より大きい。そのため、磁気センサ、高周波部品、磁気ヘッド及び不揮発性ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）用の素子として、ＴＭＲ素子に注目が集まっている。
【０００３】
ＭＲＡＭは、絶縁層を挟む二つの強磁性層の互いの磁化の相対角が変化するとＴＭＲ素子の素子抵抗が変化するという特性を利用してデータの読み書きを行う。安定した読み書きのためには、基準となる強磁性層（固定層）の保磁力は大きいことが好ましく、固定層の磁化は一方向に固定される。
【０００４】
固定層の磁化は、一般にアニールしながら外部磁場を印加することで一方向に固定される。強磁性転移温度（キュリー温度）に近づくにつれて固定層の磁化の熱揺らぎは大きくなり、飽和磁化が減少する。そのため、強磁性体への外部磁場の影響が大きくなり、常温で外部磁場を印加するよりも大きな保磁力が得られる。
【０００５】
しかしながら、１つのウェハ上に複数の磁気抵抗効果素子を形成し、加熱した場合、全ての磁気抵抗効果素子が一律に加熱される。そのため、いずれの固定層の磁化も同一の方向に固定される。素子の汎用性を高めるためには、磁化が固定される方向の自由度は高い方が好ましい。そのため、複数の磁気抵抗効果素子の固定層の磁化の方向を、複数の方向固定できる方法が求められ、検討が行われている。
【０００６】
例えば、キュリー温度が異なる強磁性体を用いて、異なる温度領域で磁化を固定する方法がある。まず、すべての強磁性体のキュリー温度以上の温度領域で、一の方向の外部磁場を印加し、固定層の磁化を一の方向に固定する。その後、一部の強磁性体のキュリー温度以上でその他の強磁性体のキュリー温度以下の温度領域で、一の方向と異なる方向の外部磁場を印加する。キュリー温度が高い強磁性体の磁化は一の方向のまま固定され、キュリー温度が低い強磁性体の磁化は、一の方向と異なる方向に固定される。つまり、複数の強磁性体の磁化の向きを異なる方向に固定できる。
【０００７】
また例えば、レーザー光を用いて磁化を固定する方法も検討されている（例えば、特許文献１及び２）。レーザー光により一つの強磁性体を局所的に加熱し、外部磁場を印加する。局所的に加熱された強磁性体の磁化のみが固定されるため、それぞれの磁化の向きを自由に固定できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平４−２３２９３号公報
【特許文献２】特開２００１−６７６６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、強磁性体のキュリー温度の違いを利用する場合は、キュリー温度の充分異なる強磁性体を用いる必要がある。選択できる強磁性体の自由度は低く、多数の方向に磁化を固定することは現実的に難しい。また精密な温度制御が必要であり、容易に複数の方向に磁化を固定することができない。
【００１０】
またレーザーを用いた場合は、局所的な点で加熱がされるため、複数の強磁性体の磁化をすべて固定するのに時間がかかる。またレーザーが照射された箇所が十分加熱されているかを工程中で確認することが難しく、製品を作製する最終段階まで素子に問題があるか確認することができない。
【００１１】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、複数の強磁性体の磁化を複数の方向に容易に固定できる磁化反転方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、複数の強磁性体に対して複数の加熱配線を所定の配置で配設し、加熱する加熱配線を選択することで、複数の強磁性体の磁化を複数の方向に容易に固定できる新たな磁化固定方法を見出した。
すなわち、本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を提供する。
【００１３】
（１）第１の態様にかかる磁化固定方法は、複数の強磁性体のそれぞれに対して、いずれか一つの加熱配線が最近接するように複数の加熱配線を配設する配設工程と、外部磁場を印加しながら、前記複数の加熱配線のうち１又は複数の加熱配線を加熱し、前記複数の強磁性体のうち加熱された加熱配線に近接する強磁性体の磁化を固定する磁化固定工程と、を有し、前記磁化固定工程を印加する前記外部磁場を変えながら複数回行い、前記複数の強磁性体の磁化を複数の方向に固定する。
【００１４】
（２）上記態様にかかる磁化固定方法において、前記複数の強磁性体のうち同一の方向に磁化を固定する強磁性体に対し、１本の加熱配線を配設してもよい。
【００１５】
（３）上記態様にかかる磁化固定方法において、前記複数の強磁性体に対して、いずれか一つの加熱配線を接触させてもよい。
【００１６】
（４）上記態様にかかる磁化固定方法において、隣接する強磁性体の間に、遮熱体を設けてもよい。
【００１７】
（５）上記態様にかかる磁化固定方法における前記強磁性体と積層方向重なる位置において、前記複数の加熱配線を交差させない構成にしてもよい。
【００１８】
（６）上記態様にかかる磁化固定方法における前記強磁性体と積層方向重なる位置において、前記加熱配線を狭窄させてもよい。
【００１９】
（７）上記態様にかかる磁化固定方法において、加熱した加熱配線の抵抗値を測定する工程をさらに有してもよい。
【００２０】
（８）第１の態様にかかる強磁性素子の製造方法は、上記態様にかかる磁化固定方法を用いる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の一態様に係る磁化固定方法によれば、複数の強磁性体の磁化を複数の方向に容易に固定できる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本実施形態にかかる磁化固定方法を説明するための斜視模式図である。
【図２】配設工程における複数の加熱配線の配置を説明するための模式図である。
【図３】本実施形態にかかる磁化固定方法において、加熱配線の間に遮熱体を設けた例を示す断面模式図である。
【図４】本実施形態にかかる磁化固定方法において、加熱配線の一部が狭窄する例を示す断面模式図である。
【図５】磁壁駆動型ＭＲＡＭの一例の断面模式図である。
【図６】本実施形態にかかる強磁性素子の製造方法の一例を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図を適宜参照しながら詳細に説明する。以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際とは異なっていることがある。以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
【００２４】
「磁化固定方法」
図１は、本実施形態にかかる磁化固定方法を説明するための斜視模式図である。
図１に示すように、本実施形態にかかる磁化固定方法は、複数の加熱配線１を複数の強磁性体２に対して配設する配設工程と、外部磁場を印加しながら所定の加熱配線１を加熱し、所定の強磁性体２の磁化を固定する磁化固定工程と、を有する。磁化固定工程は、加熱する加熱配線１を変えながら複数回行われる。図１では、加熱配線１の両端には、電極パッド３を設けている。
【００２５】
（配設工程）
配設工程では、複数の加熱配線１を複数の強磁性体２に対して所定の配置で配設する。図２は、配設工程における複数の加熱配線の配置を説明するための模式図である。図２は、図示略の基板に対して強磁性体２が積層されている積層方向から加熱配線１及び強磁性体２を平面視した図である。
【００２６】
配設工程では、まず各強磁性体の磁化を固定したい方向を決定する。図２では、強磁性体ごとに固定したい磁化方向を矢印で図示した。図２では、磁化を固定する方向を４方向として、それぞれ第１磁化方向Ｍａ、第２磁化方向Ｍｂ、第３磁化方向Ｍｃ、第４磁化方向Ｍｄとして図示した。磁化を固定する方向は、図２に示す４方向には限られず、２以上の複数の方向であれば、任意に選択できる。
【００２７】
以下、図２を例に説明するが、第１磁化方向Ｍａに磁化を固定する強磁性体を第１強磁性体２Ａ、第２磁化方向Ｍｂに磁化を固定する強磁性体を第２強磁性体２Ｂ、第３磁化方向Ｍｃに磁化を固定する強磁性体を第３強磁性体２Ｃ、第４磁化方向Ｍｄに磁化を固定する強磁性体を第４強磁性体２Ｄという。
【００２８】
次いで、各強磁性体２に対して複数の加熱配線１を配設する。加熱配線１は、１つの強磁性体２に対して、最近接する加熱配線１が一つとなるように配設する。
【００２９】
例えば、まず図２に示すように、第１磁化方向Ｍａに磁化を固定したい第１強磁性体２Ａに対して第１加熱配線１Ａを配設する。
【００３０】
１本の第１加熱配線１Ａを、複数の第１強磁性体２Ａにわたって配設してもよい。加熱配線１の本数を減らすことで、加熱手段を簡素化できる。また後述する磁化固定工程において、１本の加熱配線１を加熱するだけで、複数の強磁性体２の磁化を一度に同一の方向に配向させることができる。図１のように、同一の方向に磁化が固定される強磁性体２の配置が複雑でなければ、同一の方向に磁化を固定する強磁性体２に対し、１本の加熱配線１を配設することが好ましい。
【００３１】
また加熱配線１と強磁性体２とは、接触させることが好ましい。加熱配線１と強磁性体２とが接触すれば、強磁性体２の加熱効率を高めることができる。また複数の加熱配線１を配設する際に、強磁性体２に対して最近接する加熱配線１をより明確に決定することができる。
【００３２】
次いで、第２強磁性体２Ｂに対して第２加熱配線１Ｂを、第３強磁性体２Ｃに対して第３加熱配線１Ｃを、第４強磁性体２Ｄに対して第４加熱配線１Ｄを、順に配設する。
【００３３】
例えば、第２加熱配線１Ｂは、第２強磁性体２Ｂに対しては最近接し、第２強磁性体２Ｂ以外の強磁性体２に対しては、第１加熱配線１Ａ、第３加熱配線１Ｃ、第４加熱配線１Ｄのいずれかより近接しないように配設する。
【００３４】
第３加熱配線１Ｃ及び第４加熱配線１Ｄについても、第２加熱配線１Ｂと同様に、所定の強磁性体２に対しては最近接となり、その他の強磁性体２に対しては最近接とならないように配置する。
【００３５】
このように加熱配線１を配設すると、第１強磁性体２Ａに対して最近接する加熱配線１は第１加熱配線１Ａ、第２強磁性体２Ｂに対して最近接する加熱配線１は第２加熱配線１Ｂ、第３強磁性体２Ｃに対して最近接する加熱配線１は第３加熱配線１Ｃ、第４強磁性体２Ｄに対して最近接する加熱配線１は第４加熱配線１Ｄとなる。
【００３６】
なお、上記では、第１加熱配線１Ａを配設した後に、第２加熱配線１Ｂ、第３加熱配線１Ｃ及び第４加熱配線１Ｄを配設したが、上述の配設ルールを満たせば、一度にこれらを配設してもよい。
【００３７】
（磁化固定工程）
磁化固定工程では、外部磁場を印加しながら所定の加熱配線１を加熱し、所定の強磁性体２の磁化を固定する。加熱配線１の加熱は、例えば、電極パッド３を介した加熱配線１への電流印加により行うことができる。
【００３８】
例えば、図２においては、まず第１加熱配線１Ａを加熱する。第１加熱配線１Ａを加熱すると、第１加熱配線１Ａに近接する第１強磁性体２Ａが加熱され、第１強磁性体２Ａの磁化が不安定になる。これに対し、第１強磁性体２Ａ以外の強磁性体２は、第１強磁性体２Ａに比べて充分加熱されないため、磁化が固定されたままとなる。
【００３９】
この状態で外部磁場を印加すると、加熱されて不安定となった第１強磁性体２Ａの磁化は、外部磁場の影響を受けて第１磁化方向Ｍａを向く。これに対し、第１強磁性体２Ａ以外の強磁性体２の磁化は固定されているため、第１磁化方向Ｍａを向かない。
【００４０】
次いで、第１加熱配線１Ａの加熱を止め、十分に冷却した後、第２加熱配線１Ｂを加熱する。第２加熱配線１Ｂを加熱すると、第１加熱配線１Ａと同様に、第２加熱配線１Ｂに近接する第２強磁性体２Ｂが加熱され、第２強磁性体２Ｂの磁化が不安定になる。これに対し、第２強磁性体２Ｂ以外の強磁性体２は、第２強磁性体２Ｂに比べて充分加熱されないため、磁化は固定されたままとなる。
【００４１】
この状態で、第１磁化方向Ｍａを固定した際に用いた外部磁場と異なる磁場を印加すると、加熱された第２強磁性体２Ｂの磁化は、第２磁化方向Ｍｂを向く。これに対し、第２強磁性体２Ｂ以外の強磁性体２の磁化は固定されているため、第２磁化方向Ｍｂを向かない。そのため、第１磁化方向Ｍａに固定された第１強磁性体２Ａの磁化の向きは変動しない。
【００４２】
同様に、第３加熱配線１Ｃを加熱し外部磁場を印加すると、第３強磁性体２Ｃの磁化の向きが第３磁化方向Ｍｃに固定され、第４加熱配線１Ｄを加熱し外部磁場を印加すると、第４強磁性体２Ｄの磁化の向きが第４磁化方向Ｍｄに固定される。なお、外部磁場は、それぞれ異なる磁場を印加する。
【００４３】
上述のように、複数の加熱配線１を用いると、加熱配線１に近接する所定の強磁性体２のみを加熱することができ、所定の強磁性体２のみの磁化を所定の方向に固定できる。そして、加熱する加熱配線１を順に変更することで、複数の強磁性体２の磁化方向を任意の方向に固定することができる。
【００４４】
加熱配線１により加熱した際の強磁性体２の温度は、強磁性体２のキュリー温度以上であることが好ましい。強磁性体２のキュリー温度以上に強磁性体２を加熱し、外部磁場を印可した状態で冷却すると、磁化方向の固定が容易になり、固定後の強磁性体の保磁力も高まる。
【００４５】
また所定の加熱配線１を加熱した際に、所定の強磁性体以外の強磁性体２への加熱の影響を少なくすることが好ましい。例えば、第１加熱配線１Ａを加熱した際に、第１加熱配線１Ａで発生した熱が、第２強磁性体２Ｂ、第３強磁性体２Ｃ及び第４強磁性体２Ｄへ与える影響を少なくすることが好ましい。
【００４６】
例えば、図３に示すように、強磁性体２の間に遮熱体４を挿入してもよい。強磁性体２の間に遮熱体４を設けることで、所定の加熱配線１を加熱した際に、加熱しない強磁性体２に熱が伝達することを抑制する。また遮熱体４に絶縁性を有する材料を用いると、遮熱体４を強磁性素子の層間絶縁膜として機能させることもできる。
【００４７】
また例えば、複数の加熱配線１が、強磁性体２と積層方向重なる位置において交差しないように配設してもよい。このように加熱配線１を配設することで、一度固定された磁化の向きが後工程で変動することを避け、安定的な磁化固定を行うことができる。
【００４８】
例えば、第１加熱配線１Ａと第２加熱配線１Ｂが第１強磁性体２Ａ上で交差している場合を例に説明する。第１加熱配線１Ａを加熱し、第１強磁性体２Ａの磁化を第１磁化方向Ｍａに固定した後、第２加熱配線１Ｂを加熱する。この際、第２加熱配線１Ｂで生じた熱は、第１加熱配線１Ａへ伝達し、第１加熱配線１Ａを発熱させる。その結果、第１加熱配線１Ａに近接する第１強磁性体２Ａの磁化が不安定になり、外部磁場の影響を受けて第２磁化方向Ｍｂに向く可能性がある。
【００４９】
それぞれの加熱配線１が、他の加熱配線１へ影響を及ぼすことを避けるためには、いずれの位置においても加熱配線１同士は積層方向から見て交差しないことが好ましく、互いに交点（接点）を有さないことがより好ましい。
【００５０】
また加熱配線１を加熱する順番を考慮して、複数の加熱配線１の配置を検討してもよい。例えば、後に加熱される加熱配線１は、先に加熱される加熱配線１により磁化が固定される強磁性体２へ加熱の影響を及ぼさない位置に、配設することが好ましい。
【００５１】
例えば、図２において、第１加熱配線１Ａ、第２加熱配線１Ｂ、第３加熱配線１Ｃ，第４加熱配線１Ｄの順に加熱する場合を例に説明する。
第２加熱配線１Ｂは、第１加熱配線１Ａにより第１磁化方向Ｍａに磁化固定された第１強磁性体２Ａへ加熱の影響を及ぼさない位置であれば、いずれの位置に配設されていてもよい。第２加熱配線１Ｂを加熱することにより、第３強磁性体２Ｃまたは第４強磁性体２Ｄの磁化が第２磁化方向Ｍｂに固定されたとしても、第３強磁性体２Ｃまたは第４強磁性体２Ｄを加熱する後工程で、磁化を上書きできる。
【００５２】
また、加熱効率を高めるために、加熱配線１の形状を変えてもよい。例えば、図４に示すように、強磁性体と積層方向重なる位置において、加熱配線１を狭窄させてもよい。
【００５３】
例えば、加熱配線１の加熱を電流印加により行う場合、加熱配線１を狭窄すると狭窄部ｓに電流集中が生じる。そのため、加熱配線１において狭窄部ｓが最も発熱し、その他の部分の発熱が抑制される。すなわち、加熱配線１を狭窄させることで、所定の強磁性体２近傍のみを加熱し、その他の強磁性体２への熱の影響を抑制できる。
【００５４】
（抵抗測定工程）
加熱配線１を加熱する際は、加熱配線１の抵抗値を測定する抵抗測定工程をさらに有することが好ましい。加熱配線１の抵抗値を測定しておくことで、加熱配線１が充分発熱しているかを工程の途中で確認することができる。
【００５５】
例えば、レーザーによるアニールの場合、レーザー照射された強磁性体２が充分発熱しているかを確認することが難しい。そのため、強磁性体２の磁化が所定の方向に固定されているかは、強磁性体素子を組みあがった後の特性で確認するしかない。すなわち、後工程を全て流す必要があり、歩留りが低下する。
【００５６】
これに対し、加熱配線１の抵抗値変化は、極めて簡単に測定できる。電流印加により加熱配線１の加熱を行う場合は、電流印加と共に、抵抗値を測定すればよい。加熱配線１の抵抗値と温度の関係は、較正曲線を事前に得ることで、簡単に確認できる。そのため、加熱配線１の抵抗値変化を測定することで、強磁性体２が充分加熱されているかを判断することができる。
【００５７】
上述のように、本実施形態にかかる磁化固定方法によれば、複数の強磁性体の磁化方向を任意の方向に、容易に固定することができる。
【００５８】
「強磁性素子の製造方法」
強磁性素子は、強磁性体を用いた素子である。例えば、磁気センサは、外部から印加される磁場の角度を正確に求めるために、２つ以上の方向に磁化が固定された磁化固定層が必要になる。また例えば、磁壁駆動型又は磁壁移動型と呼ばれるＭＲＡＭは、磁壁が駆動する磁壁駆動層に対して磁壁を供給する反平行な２つの磁化固定層が必要となる。
【００５９】
例えば、図５は、磁壁駆動型ＭＲＡＭの一例の断面模式図である。図５に示す磁壁駆動型ＭＲＡＭ２０の断面模式図である。磁壁駆動型ＭＲＡＭ２０は、磁壁駆動層１１と、第１磁化固定層１２と、第２磁化固定層１３と、第３磁化固定層１４と、非磁性層１５とを有する。
【００６０】
磁壁駆動層１１の磁壁ＤＷの位置が変化することで、第３磁化固定層１４の磁化Ｍ１に対して平行な磁化Ｍ５と反平行な磁化Ｍ４の割合が変化する。その結果、“０”状態と“１”状態との間での情報の書き換えが可能である。磁化Ｍ５と磁化Ｍ４の比率は、第１磁化固定層１２の磁化Ｍ２及び第２磁化固定層１３の磁化Ｍ３から供給されるスピンの量によって変化する。
【００６１】
図５にも示すように、磁化Ｍ２と磁化Ｍ３は、異なる方向に磁化が固定されている。以下、図５に示す磁壁駆動型ＭＲＡＭの例を基に、強磁性素子の製造方法について説明する。
【００６２】
図６は、図５に示す磁壁駆動型ＭＲＡＭの製造方法を模式的に示した図である。図６（ａ）に示すように、まず図６（ａ）に示すように、基板２１上に第１磁化固定層１２と第２磁化固定層１３とを積層する。積層方法は、公知の方法を用いることができ、例えばスパッタ等を用いることができる。
【００６３】
第１磁化固定層１２及び第２磁化固定層１３は、図１における強磁性体２に対応する。第１磁化固定層１２及び第２磁化固定層１３は、公知の強磁性体を用いることができる。例えば、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｆｅ及びＮｉからなる群から選択される金属及びこれらの金属を１種以上含み強磁性を示す合金を用いることができる。またこれらの金属と、Ｂ、Ｃ、及びＮの少なくとも１種以上の元素とを含む合金を用いることもできる。具体的には、Ｃｏ−ＦｅやＣｏ−Ｆｅ−Ｂが挙げられる。
【００６４】
また、より高い出力を得るためにはＣｏ２ＦｅＳｉなどのホイスラー合金を用いることが好ましい。ホイスラー合金は、Ｘ２ＹＺの化学組成をもつ金属間化合物を含み、Ｘは、周期表上でＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、あるいはＣｕ族の遷移金属元素または貴金属元素であり、Ｙは、Ｍｎ、Ｖ、ＣｒあるいはＴｉ族の遷移金属でありＸの元素種をとることもでき、Ｚは、ＩＩＩ族からＶ族の典型元素である。例えば、Ｃｏ２ＦｅＳｉ、Ｃｏ２ＭｎＳｉやＣｏ２Ｍｎ１−ａＦｅａＡｌｂＳｉ１−ｂなどが挙げられる。
【００６５】
第１磁化固定層１２及び第２磁化固定層１３は、複数の積層構造であってもよい。例えば、反強磁性層、第一強磁性層、磁気結合層、第二強磁性層の順に積層された構造が挙げられる。反強磁性層はＭｎＰｔやＭｎＩｒなどが挙げられる。第一強磁性層及び第二強磁性層はＣｏ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ、Ｃｏ２ＦｅＳｉ、Ｃｏ２ＭｎＳｉやＣｏ２Ｍｎ１−ａＦｅａＡｌｂＳｉ１−ｂなどが挙げられる。磁気結合層はＲｕが挙げられる。
【００６６】
次いで、図６（ｂ）に示すように、第１磁化固定層１２と第２磁化固定層１３の間に、層間絶縁膜１６を形成する。層間絶縁膜１６は、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法（化学気相成長法）等の公知の方法で得ることができる。層間絶縁膜１６には、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等を用いることができる。いずれも遮熱性が高く、図３における遮熱体４に対応する。
【００６７】
また図６（ｃ）に示すように、第１磁化固定層１２及び第２磁化固定層１３のそれぞれに対応する部分に、加熱配線１を形成する。加熱配線１も公知の方法で作製できる。加熱配線１には、高抵抗率を有し、耐火金属であるタングステン等を用いることが好ましい。
【００６８】
そして形成された加熱配線１のうち一方の第１加熱配線１Ａを加熱する。第１加熱配線１Ａの加熱により、第１磁化固定層１２の磁化が不安定になる。この状態で、外部磁場を印加することにより第１磁化固定層１２の磁化Ｍ２が一の方向に固定される。
【００６９】
次いで、残りの第２加熱配線１Ｂを加熱しながら外部磁場を印加することで、第２磁化固定層１３の磁化Ｍ３を、第１磁化固定層１２の磁化Ｍ２と異なる方向に固定する。すなわち、上述の磁化固定方法を用いることで、強磁性素子に異なる方向に磁化が固定された磁化固定層を形成することができる。
【００７０】
次いで、図６（ｄ）に示すように、加熱配線１を除去する。加熱配線１の除去は、例えば、化学機械研磨（ＣＭＰ）等を用いて行うことができる。
【００７１】
最後に、図６（ｅ）に示すように、磁壁駆動層１１、非磁性層１５、第３磁化固定層１４を順に積層し、磁壁駆動型ＭＲＡＭ２０を作製することができる。
【００７２】
ここで、加熱配線１はその他の部分と比較して硬く、ＣＭＰ研磨を用いて除去しても削りムラ等の履歴が残る。この履歴は、磁壁駆動型ＭＲＡＭ２０を作製した後においても評価できる。例えば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）等で素子の断面の連続性を確認すると、研磨を行った部分に連続性の破れが確認される。すなわち、界面に連続性の破れ等が確認される場合は、本実施形態にかかる強磁性素子の製造方法を利用したと推認できる。
【００７３】
上述のように、本実施形態にかかる強磁性素子の製造方法によれば、任意の方向に磁化が固定された磁化固定層を有する強磁性素子を容易に得ることができる。
【００７４】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、各実施形態における各構成及びそれらの組み合わせ等は一例であり、本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で、構成の付加、省略、置換、及びその他の変更が可能である。
【符号の説明】
【００７５】
１…加熱配線、１Ａ…第１加熱配線、１Ｂ…第２加熱配線、１Ｃ…第３加熱配線、１Ｄ…第４加熱配線、２…強磁性体、２Ａ…第１強磁性体、２Ｂ…第２強磁性体、２Ｃ…第３強磁性体、２Ｄ…第４強磁性体、３…電極パッド、４…遮熱体、ｓ…狭窄部、２０…磁壁駆動型ＭＲＡＭ、１１…磁壁駆動層、１２…第１磁化固定層、１３…第２磁化固定層、１４…第３磁化固定層、１５…非磁性層、Ｍａ…第１磁化方向、Ｍｂ…第２磁化方向、Ｍｃ…第３磁化方向、Ｍｄ…第４磁化方向、Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５…磁化
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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