(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
抵抗率が１０６Ω・ｃｍ以上である直方体形状の磁性体部と、
一軸まわりに第１の間隔をおいて巻回された第１の多重周回部を有する第１の導体層と、前記一軸まわりに前記第１の間隔をおいて巻回された第２の多重周回部を有し、前記第１の導体層と対向する第２の導体層と、前記第１の多重周回部の内周側端部と前記第２の多重周回部の内周側端部とを相互に接続する層間接続部とを有し、前記磁性体部の内部に設けられたターン数Ｎ（Ｎは２以上の正数）のコイル部と、
前記磁性体部の内部に設けられ、前記第１の導体層と前記第２の導体層との間に前記第１の間隔と（Ｎ−１）との積以下の厚みに相当する第２の間隔を有し、抵抗率が１０８Ω・ｃｍ以上であり、平均粒径が１０ｎｍ〜５００ｎｍの酸化物粒子を含む、前記磁性体部よりも高抵抗の材料で構成された絶縁性中間部と、
前記磁性体部に設けられ、前記第１及び第２の多重周回部の外周側端部にそれぞれ接続される外部電極と
を具備するコイル部品。
【請求項２】
請求項１に記載のコイル部品であって、
前記コイル部は、
前記第１の導体層に設けられ、前記第１の多重周回部の間に位置し、前記磁性体部より高抵抗である第１の絶縁部と、
前記第２の導体層に設けられ、前記第２の多重周回部の間に位置し、前記磁性体部より高抵抗である第２の絶縁部と、をさらに有する
コイル部品。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のコイル部品であって、
前記絶縁性中間部は、前記第１の多重周回部と前記第２の多重周回部との対向領域に配置され中心孔を有する非磁性材で構成され、
前記磁性体部は、前記非磁性材の中心孔に設けられたコア部を有する
コイル部品。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載のコイル部品であって、
前記磁性体部は、金属磁性材料と酸化物材料とで構成される
コイル部品。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか１つに記載のコイル部品であって、
前記磁性体部は、金属磁性材料と合成樹脂材料との複合材料で構成される
コイル部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性材料で構成される周回部が磁性材料によって覆われた構造を有するコイル部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯機器の多機能化や自動車の電子化などにより、チップタイプと呼ばれる小型のコイル部品が広く用いられている。中でも、積層型のコイル部品は、薄型化に対応できるという利点を有する。積層型のコイル部品は、所定形状のコイルパターンが形成された複数の磁性シートの積層体で構成され、各層のコイルパターンをビアで接続することでコイル部が構成される。例えば特許文献１には、２層構造を有する渦巻き型のコイルパターンを磁性体部に内蔵したチップ電子部品が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】２０１５−１７０８４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、電子機器の小型化、薄型化に伴い、当該電子機器に搭載される電子部品の更なる小型化、薄型化が進められている。積層型のコイル部品において導体層の間に配置される絶縁性中間部の薄厚化は、絶縁耐圧の低下を招くおそれがある。
【０００５】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、薄型化を図りつつ、絶縁耐圧を確保することができるコイル部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るコイル部品は、直方体形状の磁性体部と、上記磁性体部の内部に設けられたターン数Ｎ（Ｎは２以上の正数）のコイル部と、絶縁性中間部と、外部電極とを具備する。
上記コイル部は、第１の導体層と、第２の導体層と、層間接続部とを有する。上記第１の導体層は、一軸まわりに第１の間隔をおいて巻回された第１の多重周回部を有する。上記第２の導体層は、上記一軸まわりに第１の間隔をおいて巻回された第２の多重周回部を有し、上記第１の導体層と対向する。上記層間接続部は、上記第１の多重周回部の内周側端部と上記第２の多重周回部の内周側端部とを相互に接続する。
上記絶縁性中間部は、上記磁性体部の内部に設けられ、上記第１の導体層と上記第２の導体層との間に上記第１の間隔と（Ｎ−１）との積以下の厚みに相当する第２の間隔を形成する。
上記外部電極は、上記磁性体部に設けられ、上記第１及び第２の多重周回部の外周側端部にそれぞれ接続される。
【０００７】
上記コイル部は、第１の絶縁部と、第２の絶縁部とをさらに有してもよい。上記第１の絶縁部は、上記第１の導体部に設けられ、上記第１の多重周回部の間に位置し、上記磁性体部より高抵抗である。上記第２の絶縁部は、上記第２の導体部に設けられ、上記第２の多重周回部の間に位置し、上記磁性体部より高抵抗である。
【０００８】
上記絶縁性中間部は、上記第１の多重周回部と上記第２の多重周回部との対向領域に配置され中心孔を有する非磁性材で構成されてもよく、上記磁性体部は、上記非磁性材の中心孔に設けられたコア部を有してもよい。
【０００９】
上記磁性体部は、金属磁性材料と酸化物材料とで構成されてもよい。
【００１０】
上記磁性体部は、金属磁性材料と合成樹脂材料との複合材料で構成されてもよい。
【発明の効果】
【００１１】
以上述べたように、本発明によれば、薄型化を図りつつ、絶縁耐圧を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るコイル部品の全体斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線方向の概略断面図である。
【図３】上記コイル部品におけるコイル部を模式的に示す透過断面斜視図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係るコイル部品を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
【００１４】
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態に係るコイル部品の全体斜視図である。図２は、図１のＡ−Ａ線方向の概略断面図である。図３は、コイル部品内部のコイル部を模式的に示す透過断面斜視図である。
【００１５】
本実施形態のコイル部品１０は、図１に示すように、部品本体１１と、一対の外部電極１４，１５とを有する。部品本体１１は、Ｘ軸方向に幅Ｗ、Ｙ軸方向の長さＬ、Ｚ軸方向に高さＨを有する直方体形状に形成される。一対の外部電極１４，１５は、部品本体１１の長辺方向（Ｙ軸方向）に対向する２つの端面に設けられる。
【００１６】
部品本体１１の各部の寸法は特に限定されず、本実施形態では、長さ２ｍｍ、幅１．２ｍｍ、高さ０．７ｍｍとされる。
【００１７】
部品本体１１は、図２に示すように、磁性体部１２と、コイル部１３と、絶縁性中間部１６とを有する。
［磁性体部］
【００１８】
磁性体部１２は、第１の磁性体層１２１と、第２の磁性体層１２２とを有する。第１及び第２の磁性体層１２１，１２２は、コイル部１３及び絶縁性中間部１６を挟んでＺ軸方向に相互に対向するように配置される。第１及び第２の磁性体層１２１，１２２は、同一の構成を有するため、以下個別に説明する場合を除き磁性体部１２と総称する。
【００１９】
磁性体部１２は、軟磁気特性を有する磁性材料と酸化物材料とで構成される。磁性材料としては、金属磁性粒子を主体とする磁性材料が用いられる。金属磁性粒子として本実施形態では、ＦｅＣｒＳｉ合金粒子が採用され、その組成は、例えば、Ｃｒが１．５〜５ｗｔ％、Ｓｉが３〜１０ｗｔ％であり、不純物を除き、残りをＦｅとし、全体で１００％とする。
【００２０】
磁性体部１２を構成するＦｅＣｒＳｉ合金粒子としては、体積基準の粒子径として見た場合の平均粒径（メディアン径）が例えば１０μｍのものが用いられる。平均粒径は、２〜２０μｍの範囲でもよく、または平均粒径の異なる合金粒子を組み合わせてもよい。
【００２１】
酸化物材料としては、ＦｅＣｒＳｉ合金粒子それぞれの表面に形成された酸化物膜で構成される。酸化物膜は、ＦｅＣｒＳｉ合金粒子の酸化物膜で、絶縁膜として存在している。磁性体部１２内のＦｅＣｒＳｉ合金粒子は、上記酸化物膜を介して相互に結合し、コイル部１３近傍のＦｅＣｒＳｉ合金粒子は、上記酸化物膜を介してコイル部１３と密着している。上記酸化物膜は、典型的には、磁性体に属するＦｅ３Ｏ４、非磁性体に属するＦｅ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｉＯ２の少なくとも１つを含む。
【００２２】
また、上記酸化膜は、金属磁性粒子の表面から外側に向かって、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｆｅの順で成分のピークが存在する性質を合わせ持っている。ＦｅＣｒＳｉ以外としては、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＳｉＴｉなどが挙げられ、Ｆｅを主成分とし、Ｓｉと、Ｓｉ以外のＦｅより酸化しやすい元素を含むものであれば良い。好ましくは、Ｆｅが８５〜９５．５ｗｔ％であって、ＦｅとＳｉ以外の成分ＭはＦｅより酸化しやすい元素を含んでおり、成分Ｍに対するＳｉの割合Ｓｉ／Ｍは１より大きい金属磁性材料である。このような磁性材料を用いることで、上記の酸化膜は安定的に形成され、特に低温度での熱処理を行う場合でも、絶縁性を高くできる。
【００２３】
磁性体部１２の透磁率は特に限定されず、コイル部品１０に求められる特性に応じて適宜調整可能であり、本実施形態では、室温での透磁率（μ）は約２５［Ｈ／ｍ］である。
【００２４】
［コイル部］
コイル部１３は、導電性材料で構成され、外部電極１４と電気的に接続される引出端部１３ｅ１と、外部電極１５と電気的に接続される引出端部１３ｅ２とを有する。コイル部１３は、導電ペーストの焼成体で構成され、例えば、銀（Ａｇ）ペーストや銅（Ｃｕ）ペーストの焼成体で構成される。
【００２５】
コイル部１３は、磁性体部１２の内部に設けられ、第１の多重周回部１３１と、第２の多重周回部１３２と、第１の多重周回部１３１の内周側端部と第２の多重周回部１３２の内周側端部とを相互に接続する層間接続部１３３とを有する。
【００２６】
第１の多重周回部１３１は、Ｚ軸まわりに第１の間隔をおいて巻回された平面コイル部を構成する。
【００２７】
第１の多重周回部１３１を構成する複数の周回部Ｃ１〜Ｃ４は、それぞれ同一の幅（導体幅ｗ）及び厚み（導体厚みｔ）を有し、上記第１の間隔は、隣接する周回部間の最小間隔（導体間距離ｇ）をいう。第１の多重周回部１３１は、引出端部１３ｅ１とともに第１の導体層Ｌ１を構成し、第１の磁性体層１２１に埋設されている。つまり、第１の導体層Ｌ１は、第１の多重周回部１３１と引出し端部１３ｅ１と上記第１の間隔の部分とを含むことになる。
【００２８】
一方、第２の多重周回部１３２は、第１の多重周回部１３１とＺ軸方向に対向し、Ｚ軸まわりに巻回された平面コイル部を構成する。第１の多重周回部１３１と第２の多重周回部１３２は、Ｚ軸まわりに同一方向に巻回している。
【００２９】
第２の多重周回部１３２を構成する複数の周回部Ｃ５〜Ｃ８は、それぞれ同一の幅（導体幅ｗ）及び厚み（導体厚みｔ）を有するとともに、第１の周回部１３１と同一の導体間距離（ｇ）で形成される。第１の多重周回部１３１は、引出端部１３ｅ２とともに第２の導体層Ｌ２を構成し、第２の磁性体層１２２に埋設されている。つまり、第２の導体層Ｌ２は、第２の多重周回部１３２と引出し端部１３ｅ２と上記第１の間隔の部分とを含むことになる。
【００３０】
第１の多重周回部１３１と第２の多重周回部１３２とは、層間接続部１３３を介して相互に電気的に接続される。コイル部１３のターン数Ｎ（Ｎは２以上の正数）は、第１及び第２の多重周回部１３１，１３２の周回部の数で定まり、本実施形態ではターン数Ｎ＝７．５のコイル部１３が構成される（図３参照）。
【００３１】
［絶縁性中間部］
絶縁性中間部１６は、磁性体部１２の内部に設けられ、第１の導体層Ｌ１と第２の導体層Ｌ２との間に配置される。
【００３２】
絶縁性中間部１６は、第１の多重周回部１３１と第２の多重周回部１３２との間の印加される電位による磁性体部１２の絶縁破壊を防ぐためのものである。典型的には、各周回部Ｃ１〜Ｃ８を構成する導体間には１ターン分の電位差が生じ、２つの引出端部１３ｅ１，１３ｅ２に接続される周回部Ｃ１及びＣ８間には最大で（Ｎ−１）ターン分の電位差が生じる。
【００３３】
ここで、上記第１の間隔（導体間距離ｇ）が相隣接する周回部間の絶縁耐圧を確保できる大きさであれば、上下に対向配置された第１及び第２の多重周回部１３１，１３２間の絶縁耐圧を確保できる間隔は、上記第１の間隔（導体間距離ｇ）と（Ｎ−１）との積に相当する大きさとなる。
【００３４】
そこで本実施形態では、絶縁性中間部１６は、磁性体部１２よりも高抵抗の材料で構成され、かつ、上記第１の間隔（導体間距離ｇ）と（Ｎ−１）との積以下である第２の間隔（絶縁性中間部厚みＴ）に相当する厚みを有する。つまり絶縁性中間部１６は、第１の導体層Ｌ１と第２の導体層Ｌ２との間に上記第２の間隔を形成する。これにより、部品本体１１の薄型化を図りつつ、多重周回部１３１，１３２間の絶縁耐圧を確保することが可能となる。また、多重周回部１３１，１３２間の間隔が小さくなることで、コイル部１３全体のコイル長が短くなり、これによりコイル部１３の直流抵抗の低減を図ることが可能となる。
【００３５】
本実施形態において絶縁性中間部１６は、第１の多重周回部１３１と第２の多重周回部１３２との対向領域に配置された非磁性材で構成される。絶縁性中間部は、第１及び第２の多重周回部１３１，１３２の内外周のコイル部Ｃ１〜Ｃ８を共通に支持する枠状のベタ膜で構成され、多重周回部１３１，１３２の巻き芯に対応する領域に中心孔１６ａを有する。中心孔１６ａには層間接続部１３３が設けられるとともに、磁性体部１２の一部として構成されたコア部１２３が充填される。
【００３６】
絶縁性中間部１６は、磁性体部１２よりも高抵抗の非磁性材料で構成される。このような材料として、本実施形態ではジルコニア粒子やシリカ粒子、アルミナ粒子等の酸化物粒子を含む絶縁性ペーストから作られる。
【００３７】
上記酸化物粒子の平均粒径は特に限定されず、例えば、１０〜５００ｎｍで、球形のものが用いられる。なお、酸化物粒子の平均粒径の小さいものほど、コイル部１３（多重周回部１３１，１３２）を構成する導電材の侵入が抑えられるため、導体間距離ｇを小さくすることができる。また、非磁性領域１６１の厚み（絶縁性中間部厚みＴ）を小さくすることも可能となり、薄型化に対応できる。このとき、酸化物粒子どうしは結合していることが好ましいが、絶縁性に影響しない範囲であればこれに限られない。
【００３８】
一方、絶縁性中間部１６の内周側及び外周側は、磁性体部１２を構成する磁性材料で覆われる。これにより、多重周回部１３１，１３２への電流印加により形成される磁場の透磁率が高まるため、コイル部品１０のインダクタンスの向上が図れるようになる。
【００３９】
以上のように構成される本実施形態のコイル部品１０は、絶縁性中間部１６の形成後、その両面に第１及び第２の多重周回部１３１，１３２及び第１及び第２の磁性体層１２１，１２２が形成されることで作製される。
【００４０】
各層の形成方法は特に限定されず、典型的には印刷法が用いられる。すなわち、絶縁性中間部１６、第１及び第２の多重周回部１３１，１３２、第１及び第２の磁性体層１２１，１２２（コア部１２３）の印刷工程が繰り返される。各層の印刷形成後、所定温度での熱処理が行われることで部品本体１１が作製される。この熱処理は、各層の形成後に個別に行ってもよいし、全ての層の形成後に一括して行ってもよい。部品本体１１の作製後、ペースト塗布あるいは、めっき法等により外部電極１４，１５が形成される。
【００４１】
ここで、絶縁性中間部１６に用いられるジルコニア粒子は、磁性体部１２の熱処理温度では反応を起こさず、それぞれ独立した粒子として存在する。磁性体部１２は熱処理してもほとんど収縮することがない。このため、ジルコニア粒子が存在しても、熱処理後でも磁性体部１２に欠陥などが生じることはない。
【００４２】
なお絶縁性中間部１６がジルコニア粒子を含む場合、これにガラスをさらに含ませてもよい。例えばガラスを５ｗｔ％程度添加することで、ジルコニア粒子をガラスで結合させることができる。さらに、部品本体１１（コイル部品１０）の強度を高くすることができ、したがって薄型化がより一層可能となる。しかも、仮に部品が破損したとしても、ジルコニア粒子が飛散することもない。絶縁性中間部１６にガラスが含まれる場合、形状の安定性と機械的強度を考慮すると、絶縁性中間部１６の厚みは３μｍ以上であることが望ましい。
【００４３】
＜第２の実施形態＞
図４は、本発明の第２の実施形態に係るコイル部品を示す概略断面図である。以下、第１の実施形態と異なる構成について主に説明し、第１の実施形態と同様の構成については同様の符号を付しその説明を省略または簡略化する。
【００４４】
本実施形態のコイル部品２０は、磁性体部２２と、コイル部２３及び絶縁性中間部２６の構成が上述の第１の実施形態と異なる。
【００４５】
本実施形態において、磁性体部２２は、金属磁性材料と合成樹脂材料との複合材料で構成される。金属磁性材料としては上述の第１の実施形態で説明した磁性材料、例えば、ＦｅＣｒＳｉ合金磁性粒子が用いられる。樹脂材料としては、熱、光、化学反応等により硬化する樹脂が用いられ、例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、液晶ポリマ等が挙げられる。一方、天面部１２は、上記材料のほか、樹脂フィルム等で構成される。
【００４６】
コイル部２３は、第１の実施形態と同様に、第１の多重周回部１３１と、第２の多重周回部１３２と、これらの間を接続する層間接続部１３３とを有する。コイル部２３はさらに、第１の絶縁部２１と、第２の絶縁部２２とを有する。
【００４７】
第１の絶縁部２１は、第１の多重周回部１３１の周回部間に位置し、磁性体部１２より高抵抗の材料で構成される。第２の絶縁部２２は、第２の多重周回部１３２の周回部間に位置し、磁性体部１２より高抵抗の材料で構成される。第１及び第２の絶縁部２１，２２は、典型的には樹脂材料で構成され、例えば、磁性体部２２の構成材料あるいは磁性体部２２の樹脂成分を構成する材料が用いられる。
【００４８】
絶縁性中間部２６は、中心孔を有する非磁性材で構成される点で第１の実施形態と共通するが、絶縁性中間部２６の構成材料が第１の実施形態と異なる。本実施形態において絶縁性中間部２６は、樹脂基板で構成され、その材料は磁性体部１２よりも高抵抗であれば特に限定されず、ここでは、ポリイミド樹脂基板が用いられる。絶縁性中間部２６に樹脂基板を用いることで、厚みを薄くすることができる。なお工程内でのハンドリング性や機械的強度等を考慮すると、絶縁性中間部２６の厚みは１０μｍ以上であることが望ましい。
【００４９】
絶縁性中間部２６を構成するポリイミド基板の厚みは、第１の実施形態と同様に、第１の間隔（導体間距離ｇ）と（Ｎ−１）との積以下の大きさで形成される。これにより、第１及び第２の多重周回部１３１，１３２間の絶縁耐圧を確保できる絶縁性中間部厚み（Ｔ）が確保される。
【００５０】
本実施形態においても上述の第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。特に本実施形態によれば、コイル部２３が第１及び第２の絶縁部２１，２２を有するため、各周回部Ｃ１〜Ｃ８の間隔（導体間距離ｇ）を狭めることができ、その分、各周回部Ｃ１〜Ｃ８の幅（導体幅ｗ）を大きくして抵抗値の低減を図ることが可能となる。また、導体間距離（ｇ）が狭くなることで、絶縁性中間部厚み（Ｔ）を小さくできるため、コイル部品２０のより一層の薄型化を図ることが可能となる。
【００５１】
本実施形態のコイル部品２０は、めっき技術を用いて作製することができる。まず、絶縁性中間部２６を構成するポリイミド基板の両面に対し、図示しないめっきレジストを介して、電気めっき法で第１及び第２の多重周回部１３１，１３２を形成する。ポリイミド基板に層間接続部１３３を形成するための貫通孔を形成しておくことで、層間接続部１３３も電気めっき法により形成することができる。
【００５２】
続いて、この基板の両面を合金磁性粒子と樹脂を含む磁性シートで挟み込み、加熱しながら全体の厚みが均一となるように荷重を加え、磁性シートの樹脂成分により接着、一体化させる。この後、個片化のためのカッティングを行い、各多重周回部と電気的な導通をとるため、外部端子を形成する部分に導体膜をスパッタリングし、あるいは導電性ペーストを塗布、硬化させ、最後にめっきを行う。
【００５３】
周回部間に位置する絶縁部２１，２２の形成は、周回部の形成前でも形成後でもよい。周回部の形成前であれば、周回部形成用のめっきレジストをそのまま絶縁部２１，２２としてもよい。周回部の形成後であれば樹脂を流し込むことで形成してもよい。
【００５４】
磁性体部１２、絶縁性中間部２６及び絶縁部２１，２２の抵抗率の値は特に限定されず、例えば、磁性体部１２が１０６Ω・ｃｍ以上、絶縁性中間部２６及び絶縁部２１，２２がそれぞれ１０８Ω・ｃｍ以上である。
【００５５】
＜実験例＞
以下、本発明者らにより行われた実験例について説明する。
【００５６】
（実験例１）
ターン数が７．５、導体幅ｗが１５μｍ、導体厚みｔが１５μｍ、導体間距離ｇが２０μｍであるＡｇペースト製の多重周回部１３１，１３２を有するコイル部１３と、絶縁性中間部厚みＴが３０μｍであるジルコニア粒子（平均粒径５μｍ）の焼成体からなる絶縁性中間部１６とを備えた第１の実施形態に係るコイル部品サンプル（図２参照）を作製した。
【００５７】
（実験例２）
ジルコニア粒子の平均粒径を１μｍ、絶縁性中間部厚みＴを５μｍとした以外は、実験例１と同一の構成のコイル部品サンプルを作製した。
【００５８】
（実験例３）
ジルコニア粒子の平均粒径を０．１μｍ、絶縁性中間部厚みＴを３μｍとした以外は、実験例１と同一の構成のコイル部品サンプルを作製した。
【００５９】
（実験例４）
絶縁性中間部１６をシリカ粒子（平均粒径０．１μｍ）、絶縁性中間部厚みＴを３μｍとした以外は、実験例１と同一の構成のコイル部品サンプルを作製した。
【００６０】
（実験例５）
ターン数が７．５、導体幅ｗが１５μｍ、導体厚みｔが１５μｍ、導体間距離ｇが２０μｍであるＣｕペースト製の多重周回部１３１，１３２を有するコイル部２３と、絶縁性中間部厚みＴが５５μｍであるポリイミド基板からなる絶縁性中間部２６とを備え、絶縁部２１，２２が磁性体部１２と同一の材料で構成された第２の実施形態に係るコイル部品サンプル（図４参照）を作製した。
【００６１】
（実験例６）
導体幅ｗを２３μｍ、導体間距離ｇを９μｍ、絶縁性中間部厚みＴを３０μｍとし、磁性体部２２を構成する樹脂成分（エポキシ樹脂）で絶縁部２１，２２を構成した以外は、実験例５と同一の構成のコイル部品サンプルを作製した。
【００６２】
（実験例７）
導体幅ｗを２６μｍ、導体厚みｔを２０μｍ、導体間距離ｇを５μｍ、絶縁性中間部厚みＴを２５μｍとし、磁性体部２２を構成する樹脂成分（エポキシ樹脂）で絶縁部２１，２２を樹脂材料で構成した以外は、実験例５と同一の構成のコイル部品サンプルを作製した。
【００６３】
（比較例１）
絶縁性中間部厚みＴが１６０μｍであり、磁性体部１２と同一の材料で絶縁性中間部を構成した以外は、実験例１と同一の構成のコイル部品サンプルを作製した。
【００６４】
上述の実験例１〜７及び比較例１の各サンプルの構成条件を表１及び表２に示す。
【００６５】
【表１】
0006738635.tif 000002
【００６６】
【表２】
0006738635.tif 000003
【００６７】
実験例１〜７及び比較例１の各サンプルについて同一の条件で、インダクタンス、直流抵抗及び耐電圧をそれぞれ評価した。表３にその結果を示す。
【００６８】
【表３】
0006738635.tif 000004
【００６９】
インダクタンス及び直流抵抗については、比較例１に係るサンプルのインダクタンス値及び直流抵抗値からの変化量を百分率で評価した。実験例１〜７に係るサンプルはいずれも、比較例１よりもインダクタンスが大きく、直流抵抗が低かった。また、比較例１で不良となった耐電圧条件が、実験例１〜７ではいずれも良好であった。
【００７０】
以上のように、絶縁性中間部厚みＴが、導体間距離ｇと（Ｎ（ターン数）−１）との積以下の大きさである実験例１〜７によれば、上記積よりも大きな比較例１と比較して、良好な耐電圧を示すことが確認された。
【００７１】
また、絶縁性中間部厚みＴをターン数で割った値（Ｔ／Ｎ）が小さいサンプル（実験例２〜４）ほど、インダクタンス特性及び直流抵抗特性がいずれも向上することが確認された。
【００７２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。
【００７３】
例えば以上の実施形態では、ターン数７．５のコイル部品を例に挙げて説明したが、ターン数はこれに限られず、要求される仕様や特性に応じて適宜設定可能である。
【００７４】
また以上の第１の実施形態では、絶縁性中間部１６の非磁性領域１６１をジルコニア粒子又はシリカ粒子の焼成体で構成した例について説明したが、この非磁性領域１６１を第２の実施形態と同様に樹脂基板で構成することも可能である。
【００７５】
同様に、第１の実施形態で説明したコイル部品に、第２の実施形態で説明した絶縁部２１，２２を適用してもよい。
【符号の説明】
【００７６】
１０，２０…コイル部品
１２，２２…磁性体部
１３，２３…コイル部
１４，１５…外部電極
１６，２６…絶縁性中間部
２１，２２…絶縁部
１３１，１３２…多重周回部
１６１，２６１…非磁性領域
１６２…磁性領域
【図１】
0006738635.tif 000005
【図２】
0006738635.tif 000006
【図３】
0006738635.tif 000007
【図４】
0006738635.tif 000008