(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の上面に銅から成る複数の半導体素子接続パッドが形成されているとともに前記絶縁基板の下面に銅から成る複数の外部接続パッドが形成されており、前記半導体素子接続パッドの表面に半田バンプが形成されているとともに前記外部接続パッドの表面に錫を含有する被覆層が形成されて成る配線基板であって、前記被覆層は、平坦な表面を有し、該表面に形成された錫の酸化層と、該酸化層の下に形成された厚みが均一な錫の溶融固化層とを含むことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
上面に銅から成る複数の半導体素子接続パッドが形成されているとともに、下面に銅から成る複数の外部接続パッドが形成されている絶縁基板を準備する工程と、前記半導体素子接続パッドの表面および前記外部接続パッドの表面に平坦な表面の錫めっき層を被着させる工程と、前記外部接続パッドに被着させた前記錫めっき層の表面に熱処理により錫の酸化層を形成する工程と、
前記半導体素子接続パッドの前記錫めっき層上に半田を供給した後、前記錫めっき層および前記半田を溶融固化させて、前記半導体素子接続パッドの錫めっき層および半田が一体となった半田バンプを形成するとともに、前記外部接続パッドにおける前記酸化層の下に厚みが均一な錫の溶融固化層を形成する工程と、を行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を搭載するために用いられる配線基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図５に、半導体集積回路素子等の半導体素子Ｓを搭載するために用いられる従来の配線基板２０を示す。配線基板２０は、コア用の絶縁層１１ａの上下面にビルドアップ用の絶縁層１１ｂを複数積層して形成した絶縁基板１１と、この絶縁基板１１の内部および上下面に配設された銅から成る配線導体１２と、絶縁基板１１の上下面およびその上の配線導体１２上に被着されたソルダーレジスト層１３とを備えている。
【０００３】
配線基板２０の上面中央部には、搭載部２０Ａが設けられている。搭載部２０Ａは、半導体素子Ｓを搭載するための四角形状の領域である。搭載部２０Ａには、多数の半導体素子接続パッド１４が二次元的な並びに配列されている。半導体素子接続パッド１４は、絶縁基板１１の上面に被着させた配線導体１２の一部を、上面側のソルダーレジスト層１３に設けた開口部から露出させることにより形成されている。半導体素子接続パッド１４上には、半田バンプ１５が溶着されている。半導体素子接続パッド１４には、半導体素子Ｓの電極Ｔが半田バンプ１５を介して接続される。
【０００４】
配線基板２０の下面は、外部電気回路基板との接続面となっている。配線基板２０の下面には、その略全領域にわたり多数の外部接続パッド１６が二次元的な並びに配列されている。外部接続パッド１６は、絶縁基板１１の下面に被着させた配線導体１２の一部を、下面側のソルダーレジスト層１３に設けた開口部から露出させることにより形成されている。外部接続パッド１６には、外部電気回路基板の配線導体に接続するための半田ボール１８Ｂが接続される。なお、外部接続パッド１６の表面には、半田ボール１８Ｂとの接続を良好とするために厚みが１〜２μｍ程度の錫から成る被覆層１７が被着されている。
【０００５】
そして、この配線基板２０によれば、図６に示すように、半導体素子Ｓの電極Ｔを半導体素子接続パッド１４に半田バンプ１５を介して接続するとともに半導体素子Ｓと配線基板２０との間に熱硬化性樹脂から成る封止樹脂Ｕを充填して半導体素子Ｓを搭載し、最後に被覆層１７と半田ボール１８Ｂとを溶融一体化させて外部接続パッド１６に半田端子１８を形成することによって製品としての半導体装置が完成する。
【０００６】
ここで、配線基板２０において、半田バンプ１５および被覆層１７を形成するとともに、これを用いた半導体装置において半田端子１８を形成する方法を説明する。
【０００７】
まず、図７Ａに要部拡大断面図で示すように、上面に配線導体１２の一部を半導体素子接続パッド１４として露出させるソルダーレジスト層１３が被着されており、下面に配線導体１２の一部を外部接続パッド１６として露出させるソルダーレジスト層１３が被着された絶縁基板１１を準備する。
【０００８】
次に、図７Ｂに示すように、半導体素子接続パッド１４の表面および外部接続パッド１６の表面に錫めっき層１７Ｐを無電解錫めっきにより形成する。このとき、無電解錫めっきと銅との置換反応により半導体素子接続パッド１４用および外部接続パッド１６用の配線導体１２の一部がその表面側から若干抉られた状態となる。
【０００９】
次に、図７Ｃに示すように、半導体素子接続パッド１４に被着された錫めっき層１７Ｐ上にフラックスＦを介して半田ボール１５Ｂを載置する。
【００１０】
次に、図７Ｄに示すように、半田ボール１５Ｂを錫めっき層１７Ｐとともに加熱溶融することにより半導体素子接続パッド１４上に半田バンプ１５を形成する。このとき、外部接続パッド１６に被着された錫めっき層１７Ｐも溶融する。外部接続パッド１６上で溶融した錫めっき層１７Ｐは、厚みが１〜２μｍ程度と薄いことから、その表面張力により部分的に凝集塊が形成されて不均一な厚みとなる。このようにして、半導体素子接続パッド１４に半田バンプ１５が形成されているとともに外部接続パッド１６に錫めっき層１７Ｐが溶融固化した被覆層１７が被着した配線基板２０が形成される。
【００１１】
そして、図７Ｅに示すように、配線基板２０に半導体素子Ｓを搭載した後、外部接続パッド１６に被着させた被覆層１７上にフラックスＦを介して半田ボール１８Ｂを載置し、最後に、被覆層１７および半田ボール１８Ｂを溶融固化させて図６で示したような半田端子１８を形成する。
【００１２】
しかしながら、図７Ｆに示すように、被覆層１７と半田ボール１８Ｂとが溶融一体化せずに半田端子１８が形成されない場合がある。このような事象は、外部接続パッド１６上の溶融固化した被覆層１７に半田ボール１８Ｂを載置した際に、半田ボール１８Ｂが接触する部位の被覆層１７の厚みが薄い場合に発生しやすい傾向にある。被覆層１７の厚みが薄い部分では、錫めっき層１７Ｐが溶融した際に形成される錫と銅との金属間化合物が表面に露出しやすく、この金属間化合物と半田ボール１８Ｂとの濡れ性が良好でないことから、被覆層１７と半田ボール１８Ｂとが溶融一体化しにくいものと考えられる。
【００１３】
なお、外部接続パッドに錫めっき層を被着させた後、その上に半田ペーストを印刷し、錫めっき層と半田ペーストとを共に溶融させることにより、外部接続パッドに均一な半田層を形成することが提案されているが、この場合、錫めっき層を被着するのに加えて半田ペーストを印刷する必要があり、配線基板の製造が煩雑なものとなってしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００６−１７３１４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明が解決しようとする課題は、外部接続パッド上に半田端子を確実に形成することが可能な配線基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明側の配線基板は、絶縁基板の上面に銅から成る複数の半導体素子接続パッドが形成されているとともに前記絶縁基板の下面に銅から成る複数の外部接続パッドが形成されており、前記半導体素子接続パッドの表面に半田バンプが形成されているとともに前記外部接続パッドの表面に錫を含有する被覆層が形成されて成る配線基板であって、前記被覆層は、平坦な表面を有し、該表面に形成された錫の酸化層と、該酸化層の下に形成された厚みが均一な錫の溶融固化層とを含むことを特徴とするものである。
【００１７】
本発明の配線基板の製造方法は、上面に銅から成る複数の半導体素子接続パッドが形成されているとともに、下面に銅から成る複数の外部接続パッドが形成されている絶縁基板を準備する工程と、前記半導体素子接続パッドの表面および前記外部接続パッドの表面に平坦な表面の錫めっき層を被着させる工程と、前記外部接続パッドに被着させた前記錫めっき層の表面に熱処理により錫の酸化層を形成する工程と、前記半導体素子接続パッドの前記錫めっき層上に半田を供給した後、前記錫めっき層および前記半田を溶融固化させて、前記半導体素子接続パッドの錫めっき層および半田が一体となった半田バンプを形成するとともに、前記外部接続パッドにおける前記酸化層の下に厚みが均一な錫の溶融固化層を形成する工程と、を行うことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の配線基板によれば、外部接続パッドの表面に形成された被覆層は、表面が平坦であり、その表面に形成された錫の酸化層と、この錫の酸化層の下に形成された錫の溶融固化層とから成ることから、錫の溶融固化層の厚みが均一なものとなる。その結果、錫の溶融固化層が部分的に薄くなることがなく、銅と錫との金属間化合物が錫の溶融固化層の表面に露出することがない。したがって、外部接続パッドの被覆層上にフラックスを介して半田ボールを載置し、溶融固化層および半田ボールを溶融させると、フラックスにより錫の酸化層が除去されるとともに溶融した溶融固化層と半田ボールとが良好に濡れて両者が溶融一体化した半田端子を確実に形成することが可能となる。
【００１９】
また、本発明の配線基板の製造方法によれば、外部接続パッドに被着させた錫めっき層の平坦な表面に熱処理により錫の酸化層を形成した後、半導体素子接続パッドの錫めっき層上に半田を供給し、次に錫めっき層および半田を溶融固化させて、半導体素子接続パッドの錫めっき層および半田が一体となった半田バンプを形成するとともに、外部接続パッドにおける被覆層の酸化層の下に錫の溶融固化層を形成することから、外部接続パッドの錫めっき層を溶融固化させる際に、錫めっき層の表面に形成された錫の酸化層は融点が高いので溶融することはなく、平坦な状態を維持したままでその下の錫めっき層を溶融固化させることができる。その結果、錫の溶融固化層が部分的に薄くなることがなく、銅と錫との金属間化合物が錫の溶融固化層の表面に露出することがない。したがって、外部接続パッドの被覆層上にフラックスを介して半田ボールを載置し、錫の溶融固化層および半田ボールを溶融させると、フラックスにより錫の酸化層が除去されるとともに溶融した錫の溶融固化層と半田ボールとが良好に濡れて両者が溶融一体化した半田端子を確実に形成することが可能な配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明の配線基板の実施形態例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、図１に示す配線基板に半導体素子を搭載するとともに半田端子を形成した半導体装置を示す概略断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明の配線基板の製造方法の実施形態例における工程を説明するための概略断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本発明の配線基板の製造方法の実施形態例における工程を説明するための概略断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、本発明の配線基板の製造方法の実施形態例における工程を説明するための概略断面図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、本発明の配線基板の製造方法の実施形態例における工程を説明するための概略断面図である。
【図３Ｅ】図３Ｅは、本発明の配線基板の製造方法の実施形態例における工程を説明するための概略断面図である。
【図３Ｆ】図３Ｆは、半導体素子が搭載された本発明の配線基板の実施形態例に半田端子を形成する方法を説明するための概略断面図である。
【図３Ｇ】図３Ｇは、半導体素子が搭載された本発明の配線基板の実施形態例に半田端子を形成する方法を説明するための概略断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、本発明による評価用試料における外部接続パッドの錫めっき層の溶融固化後の表面を示す写真である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、比較のための評価用試料における外部接続パッドの錫めっき層の溶融固化後の表面を示す写真である。
【図５】図５は、従来の配線基板を示す概略断面図である。
【図６】図６は、従来の配線基板に半導体素子を搭載するとともに半田端子を形成した半導体装置を示す概略断面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、従来の配線基板の製造方法における工程を説明するための概略断面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、従来の配線基板の製造方法における工程を説明するための概略断面図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、従来の配線基板の製造方法における工程を説明するための概略断面図である。
【図７Ｄ】図７Ｄは、従来の配線基板の製造方法における工程を説明するための概略断面図である。
【図７Ｅ】図７Ｅは、半導体素子が搭載された従来の配線基板に半田端子を形成する方法を説明するための概略断面図である。
【図７Ｆ】図７Ｆは、半導体素子が搭載された従来の配線基板に半田端子を形成する方法を説明するための概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
次に、本発明の配線基板の実施形態例を添付の図１を参照して説明する。図１に示す配線基板１０は、コア用の絶縁層１ａの上下面にビルドアップ用の絶縁層１ｂを複数積層して形成した絶縁基板１と、この絶縁基板１の内部および上下面に配設された銅から成る配線導体２と、絶縁基板１の上下面およびその上の配線導体２上に被着されたソルダーレジスト層３とを備えている。
【００２２】
コア用の絶縁層１ａは、ガラスクロス入りの熱硬化性樹脂から成る。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等が用いられている。絶縁層１ａの厚みは、１００〜８００μｍ程度である。絶縁層１ａには、複数のスルーホール１ｃが形成されている。スルーホール１ｃの直径は、１００〜２００μｍ程度である。絶縁層１ａの上下面およびスルーホール１ｃの内壁には、配線導体２が被着されている。
【００２３】
ビルドアップ用の絶縁層１ｂは、ガラスクロス無しの熱硬化性樹脂から成る。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂等が用いられている。各絶縁層１ｂの厚みは、１０〜５０μｍ程度である。各絶縁層１ｂには、複数のビアホール１ｄが形成されている。ビアホール１ｄの直径は、３０〜１００μｍ程度である。各絶縁層１ｂの表面およびビアホール１ｄ内には、配線導体２が被着されている。
【００２４】
配線導体２は、絶縁層１ａの上下面においては、銅箔および銅めっき層から成り、それ以外においては、銅めっき層から成る。配線導体２の厚みは、５〜５０μｍ程度である。
【００２５】
ソルダーレジスト層３は、感光性の熱硬化性樹脂から成る。感光性の熱硬化性樹脂としては、アクリル変性エポキシ樹脂等が用いられる。
【００２６】
配線基板１０の上面中央部には、搭載部１０Ａが設けられている。搭載部１０Ａは、半導体素子Ｓを搭載するための四角形状の領域である。搭載部１０Ａには、多数の半導体素子接続パッド４が二次元的な並びに配列されている。半導体素子接続パッド４は、絶縁基板１の上面に被着させた配線導体２の一部を、上面側のソルダーレジスト層３に設けた開口部から露出させることにより形成されている。半導体素子接続パッド４の直径は、５０〜１００μｍ程度である。半導体素子接続パッド４上には、半田バンプ５が溶着されている。半導体素子接続パッド４には、半導体素子Ｓの電極Ｔが半田バンプ５を介して接続される。
【００２７】
配線基板１０の下面は、外部電気回路基板との接続面となっている。配線基板１０の下面には、その略全領域にわたり多数の外部接続パッド６が二次元的な並びに配列されている。外部接続パッド６は、絶縁基板１の下面に被着させた配線導体２の一部を、下面側のソルダーレジスト層３に設けた開口部から露出させることにより形成されている。外部接続パッド６の直径は、２５０〜６５０μｍ程度である。外部接続パッド６には、外部電気回路基板の配線導体に接続するための半田ボール８Ｂが接続される。なお、外部接続パッド６の表面には、半田ボール８Ｂとの接続を良好とするために錫を含有する厚みが１〜２μｍ程度の被覆層７が形成されている。
【００２８】
外部接続パッド６の表面に形成された被覆層７は、平坦な表面を有している。その平坦な表面には、錫の酸化層７ａが形成されている。酸化層７ａの厚みは、３〜５ｎｍ程度である。酸化層７ａの下には、錫の溶融固化層７ｂが形成されている。溶融固化層７ｂの厚みは、１〜２μｍ程度である。
【００２９】
このように、本例の配線基板１０においては、外部接続パッド６の表面に形成された被覆層７は、表面が平坦であり、その表面に形成された錫の酸化層７ａと、この錫の酸化層７ａの下に形成された錫の溶融固化層７ｂとから成ることから、錫の溶融固化層７ｂの厚みが均一なものとなる。その結果、錫の溶融固化層７ｂが部分的に薄くなることがなく、銅と錫との金属間化合物が錫の溶融固化層７ｂの表面に露出することがない。
【００３０】
そして、本例の配線基板１０によれば、図２に示すように、半導体素子Ｓの電極Ｔを半導体素子接続パッド４に半田バンプ５を介して接続するとともに半導体素子Ｓと配線基板１０との間に熱硬化性樹脂から成る封止樹脂Ｕを充填して半導体素子Ｓを搭載し、最後に外部接続パッド６の被覆層７上にフラックスを介して半田ボール８Ｂを搭載するとともに被覆層７と半田ボール８Ｂとを溶融一体化させて外部接続パッド６に半田端子８を形成することによって製品としての半導体装置が完成する。
【００３１】
このとき、外部接続パッド６に形成された被覆層７における錫の酸化層７ａの下の錫の溶融固化層７ｂの厚みが均一であり、錫の溶融固化層７ｂの表面に銅と錫との金属間化合物が露出することがないことから、外部接続パッド６の被覆層７上にフラックスを介して半田ボール８Ｂを載置し、溶融固化層７ｂおよび半田ボール８Ｂの溶融温度以上に加熱すると、フラックスにより錫の酸化層７ａが除去されるとともに、溶融固化層７ｂと半田ボール８Ｂとが良好に濡れて両者が溶融一体化した半田端子８が確実に形成される。
【００３２】
次に、上述した配線基板１０において、半田バンプ５および被覆層７を形成する本発明の配線基板の製造方法の実施形態例を説明する。
【００３３】
まず、図３Ａに要部拡大断面図で示すように、上面に配線導体２の一部を半導体素子接続パッド４として露出させるソルダーレジスト層３が被着されており、下面に配線導体２の一部を外部接続パッド６として露出させるソルダーレジスト層３が被着された絶縁基板１を準備する。
【００３４】
次に、図３Ｂに示すように、半導体素子接続パッド４の表面および外部接続パッド６の表面に平坦な表面の錫めっき層７Ｐを無電解錫めっき法により被着する。このとき、無電解錫めっきと銅との置換反応により半導体素子接続パッド４用および外部接続パッド６用の配線導体２の一部がその表面側から若干抉られた状態となる。錫めっき層７Ｐの厚みは１〜２μｍ程度とする。
【００３５】
次に、図３Ｃに示すように、錫めっき層７Ｐの表面に熱処理により錫の酸化層７ａを形成する。酸化層７ａの厚みは、３〜５ｎｍ程度とする。このような酸化層７ａは、例えば空気中において１５０〜２００℃の温度で１〜３時間程度熱処理することにより形成することができる。
【００３６】
次に、図３Ｄに示すように、半導体素子接続パッド４に被着された錫めっき層７Ｐ上にフラックスＦを介して半田ボール５Ｂを載置する。
【００３７】
次に、図３Ｅに示すように、半田ボール５Ｂおよび錫めっき層７Ｐの溶融温度以上に加熱して半導体素子接続パッド４の錫めっき層７Ｐと半田ボール５Ｂとが溶融一体化した半田バンプ５を形成する。このとき、半導体素子接続パッド４の錫めっき層７Ｐ上の酸化層７ａはフラックスにより除去される。同時に、外部接続パッド６に被着された錫めっき層７Ｐも酸化層７ａの下で溶融して溶融固化層７ｂとなる。このとき、外部接続パッド６においては、錫の酸化層７ａは融点が高いので溶融することはなく、平坦な状態が維持され、その下の錫めっき層７Ｐのみが溶融する。したがって、外部接続パッド６における錫の溶融固化層７ｂの厚みが均一なものとなる。その結果、錫の溶融固化層７ｂが部分的に薄くなることがなく、銅と錫との金属間化合物が錫の溶融固化層７ｂの表面に露出することがない。
【００３８】
このようにして、半導体素子接続パッド４に半田バンプ５が形成されているとともに外部接続パッド６に被覆層７が形成された配線基板１０が形成される。
【００３９】
そして、図３Ｆに示すように、配線基板１０に半導体素子Ｓを搭載した後、外部接続パッド６に被着させた被覆層７上にフラックスＦを介して半田ボール８Ｂを載置する。
【００４０】
最後に、図３Ｇに示すように、半田ボール８Ｂおよび錫の溶融固化層７ｂの溶融温度以上に加熱して両者を溶融させる。このとき、酸化層７ａはフラックスＦにより除去される。また、錫の溶融固化層７ｂの表面には銅と錫との金属間化合物が露出していないことから、この溶融固化層７ｂと半田ボール８Ｂとが良好に濡れて両者が溶融一体化した半田端子８が確実に形成される。
【実施例１】
【００４１】
四角平板状の絶縁基板の上面に４７４９個の半導体素子接続パッドが形成されているとともに、この絶縁基板の下面に７７３個の外部接続パッドが形成された評価用の配線基板を１００００個準備した。
【００４２】
絶縁基板には、厚みが４００μｍのコア用の絶縁層の上下面に厚みが３０μｍのビルドアップ用の絶縁層をそれぞれ２層ずつ積層したものを用いた。絶縁基板の１辺の長さは２３ｍｍとした。
【００４３】
コア用の絶縁層は、ガラスクロス入りのエポキシ樹脂により形成した。ビルドアップ用の絶縁層はガラスクロス無しのエポキシ樹脂により形成した。
【００４４】
各絶縁層の表面には銅から成る配線導体を配置した。配線導体の厚みは、コア用の絶縁層上で２０μｍ、ビルドアップ用の絶縁層上で１５μｍとした。
【００４５】
最表層の絶縁層および最表層の配線導体の上には、ソルダーレジスト層を形成した。ソルダーレジスト層は感光性のエポキシ樹脂により形成した。ソルダーレジスト層の厚みは２０μｍとした。
【００４６】
半導体素子接続パッドは、上面側の最表層の配線導体の一部をソルダーレジスト層に設けた開口部から露出させることにより形成した。半導体素子接続パッドの直径は、８５μｍとした。半導体素子接続パッドの縦横の配列ピッチは１６０μｍとした。
【００４７】
外部接続パッドは、下面側の最表層の配線導体の一部をソルダーレジスト層に設けた開口部から露出させることにより形成した。外部接続パッドの直径は、３５０μｍとした。外部接続パッドの縦横の配列ピッチは８００μｍとした。
【００４８】
半導体素子接続パッドおよび外部接続パッドの表面には、無電解錫めっき層を形成した。錫めっき層の厚みは、１．５μｍとした。
【００４９】
この評価用の配線基板１００００個のうち半数を本発明による評価用として使い、残りの半数を比較のための評価用として使った。
【００５０】
（本発明による評価用試料の作製）
本発明による評価用の配線基板を、空気雰囲気のオーブンに入れ、１６５℃の温度で２時間、熱処理した。このとき、錫めっき層の表面に厚みが３〜５ｎｍの錫の酸化層が形成された。
【００５１】
次に、評価用の配線基板を酸素濃度８２ｐｐｍの窒素雰囲気中のトンネル炉を用いてピーク温度２３８℃でリフロー処理して錫めっき層を溶融固化させた。
【００５２】
（比較のための評価用試料の作製）
評価用の配線基板に熱処理を施さない以外は、本発明による評価用試料と同様にして比較のための評価用試料を作成した。比較のための評価用試料においては、錫めっき層の表面に酸化層は見られなかった。
【００５３】
次に、これらの評価用試料の外部接続パッドにおける錫めっき層の表面を観察した。その結果、本発明による評価用試料では、図４Ａに示すように、溶融した錫めっきによる凝集塊は見られず、平坦な表面を有していた。これに対し、比較のための評価用試料では、図４Ｂに示すように、溶融した錫めっきによる凝集塊（黒く見える部分）が部分的に形成されていた。
【００５４】
次に、これらの評価用試料の外部接続パッドにフラックスを介して半田ボールを搭載した。半田ボールは、直径が４００μｍの錫−銀−銅合金とした。フラックスは、ＲＭＡタイプを用いた。
【００５５】
次に、これらの評価用試料を酸素濃度８２ｐｐｍの窒素雰囲気中のトンネル炉を用いてピーク温度２３８℃でリフロー処理して外部接続パッドに半田端子を形成した。
【００５６】
次に、これらの評価用試料における半田端子の有無を確認した。その結果、本発明による評価用試料においては、半田端子無しの発生が５０００個中０個（発生率０％）であったのに対し、比較のための評価用試料においては、半田端子無しの発生が５０００個中３５個（発生率０．７％）であった。
【００５７】
以上の結果より、本発明の評価用試料においては、外部接続パッドに半田端子を確実に形成できることが分かる。
【符号の説明】
【００５８】
１    絶縁基板
４    半導体素子接続パッド
５    半田バンプ
６    外部接続パッド
７    被覆層
７ａ  錫の酸化層
７ｂ  錫の溶融固化層
７Ｐ  錫めっき層
【図１】
0006680608.tif 000002
【図２】
0006680608.tif 000003
【図３Ａ】
0006680608.tif 000004
【図３Ｂ】
0006680608.tif 000005
【図３Ｃ】
0006680608.tif 000006
【図３Ｄ】
0006680608.tif 000007
【図３Ｅ】
0006680608.tif 000008
【図３Ｆ】
0006680608.tif 000009
【図３Ｇ】
0006680608.tif 000010
【図４Ａ】
0006680608.tif 000011
【図４Ｂ】
0006680608.tif 000012
【図５】
0006680608.tif 000013
【図６】
0006680608.tif 000014
【図７Ａ】
0006680608.tif 000015
【図７Ｂ】
0006680608.tif 000016
【図７Ｃ】
0006680608.tif 000017
【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図７Ｆ】
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