(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
製造装置の真空チャンバ内に収容された組立品から共形にコーティングされた物品を製造する方法であって、
前記真空チャンバは、印加された真空を含み、
前記組立品は、プリフォームされたラミネート層、及び積層を必要とする表面を有する対象物を含み、
前記プリフォームされたラミネート層は、第１の表面及び前記第１の表面の反対の第２の表面、並びに第１の温度で加熱軟化され稜線部分により囲まれた中間部分を有し、
前記対象物は、第１の表面及び前記第１の表面の反対の第２の表面を有し、前記第１の表面は、積層を必要とし、内側部分及び前記内側部分を囲む周囲部分を含み、
前記組立品は、前記プリフォームされたラミネート層の前記第１の表面が、前記対象物の前記第１の表面に面して配置されるように構成され、前記プリフォームされたラミネート層の前記稜線部分は、前記対象物の前記第１の表面の前記周囲部分に対して気密性封止を形成して、前記組立品は、前記気密性封止、前記プリフォームされたラミネート層の前記第１の表面、及び前記対象物の前記第１の表面の組み合わせにより画定される気密性内部領域を含み、前記プリフォームされたラミネート層の前記加熱軟化した中間部分は、前記気密性内部領域により前記対象物の前記第１の表面の前記内側部分から離れて間隔を置かれ、前記気密性内部領域は、低減した気体圧力を含み、
前記真空チャンバ内の前記印加された真空は、前記組立品の前記気密性内部領域内の前記低減した気体圧力に実質的に等しく、
前記方法は、
前記真空チャンバ内の気体圧力が前記気密性内部領域内の前記低減した気体圧力より大きく、それにより、前記共形にコーティングされた物品を製造するように、前記加熱軟化した中間部分を前記対象物の前記第１の表面の前記内側部分に対して共形に押すように、前記真空チャンバ内の前記気体圧力を増大することにより、前記プリフォームされたラミネート層の前記加熱軟化した中間部分を前記対象物の前記第１の表面の前記内側部分に合致させることを含み、
前記共形にコーティングされた物品は、合致したラミネート層及び前記対象物を含み、前記合致したラミネート層は、前記プリフォームされたラミネート層から形成され、第１の表面及び前記第１の表面と反対の第２の表面、並びに中間部分及び前記中間部分を囲む稜線部分を有し、前記対象物は、内側部分及び前記内側部分を囲む周囲部分を有する第１の表面を有し、前記対象物の前記第１の表面の前記内側部分は、前記合致したラミネート層の前記中間部分により共形にコーティングされ、前記合致したラミネート層の前記稜線部分は、前記対象物の前記第１の表面の前記周囲部分に対して気密性封止を形成し、
前記プリフォームされたラミネート層の前記中間部分が単一の加熱する工程のみにおいて加熱される、方法。
【請求項２】
前記合致させる工程で、前記製造装置の前記真空チャンバ内の前記印加された真空を中断して、気体が前記真空チャンバに入ることを可能にすることにより、前記気体圧力を前記真空チャンバ内で増大させる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記合致させる工程の前に、前記印加された真空下で、前記組立品の前記気密性封止及び前記気密性内部領域を形成するように、前記プリフォームされたラミネート層の前記稜線部分を前記対象物の前記第１の表面の前記周囲部分に接触させることにより、前記プリフォームされたラミネート層の前記稜線部分を前記対象物の前記第１の表面の前記周囲部分に封着することを更に含み、前記プリフォームされたラミネート層の前記稜線部分を前記接触させることは、第１の温度に加熱軟化されることにより特徴付けられる、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記封着する工程の前に、前記印加された真空下で、前記プリフォームされたラミネート層の前記加熱軟化した稜線部分を形成するために、前記プリフォームされたラミネート層の前記稜線部分を前記第１の温度に加熱することを更に含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記合致させる工程の前に、前記印加された真空下で、前記プリフォームされたラミネート層の前記加熱軟化した前記中間部分を形成するように前記プリフォームされたラミネート層の前記中間部分を軟化させるために、前記プリフォームされたラミネート層の前記中間部分を前記第１の温度に加熱することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記製造装置が、第１の加熱装置であって、前記第１の加熱装置と前記対象物の前記第２の表面との間の熱伝達状態が前記プリフォームされたラミネート層を軟化させるのに不充分であるように、前記対象物の前記第２の表面に隣接して配置された、第１の加熱装置を更に含み、
前記加熱する工程が、
前記対象物の前記第２の表面を前記第１の加熱装置との熱伝達状態に、又はその逆に、移動することと、
前記第１の加熱装置が熱を生成するように前記第１の加熱装置を作動させることと、を含み、
前記作動した第１の加熱装置は、前記対象物を加熱し、その結果として、前記プリフォームされたラミネート層の前記稜線部分及び前記中間部分を独立して軟化させるために前記第１の温度に前記プリフォームされたラミネート層を加熱し、
前記真空チャンバが、係合位置から非係合位置に移動可能な少なくとも１つの転置可能な構造体を有する外部フレームを含み、前記組立品が、装荷された転置可能な構造体を提供するように、前記少なくとも１つの転置可能な構造体上に配置され、前記装荷された転置可能な構造体は、前記係合位置に配置され、前記加熱する工程が、前記対象物の前記第２の表面を前記第１の加熱装置との熱伝達状態に移動するために、前記係合位置から前記非係合位置に前記装荷された転置可能な構造体を移動することを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記加熱する工程の前に、前記製造装置の前記真空チャンバ内に前記印加された真空を生成するように、前記プリフォームされたラミネート層の前記第１の表面と前記対象物の前記第１の表面との間からを含めて前記真空チャンバから気体を除去するために、前記真空チャンバ内に真空を印加することと、前記印加する工程の前に、前記プリフォームされたラミネート層及び前記対象物を前記製造装置の前記真空チャンバ内に投入することと、前記投入する工程の前、間、又は後に、前記プリフォームされたラミネート層の前記第１の表面が前記対象物の前記第１の表面に面して配置されるように、前記プリフォームされたラミネート層を前記対象物に対して実装することと、を更に含み、前記実装する工程で使用される前記プリフォームされたラミネート層が、支持層に結合され、前記実装する工程の後で、前記投入する工程の前に、前記プリフォームされたラミネート層の前記稜線部分の第２の副部分を前記対象物の前記第１の表面の前記周囲部分の第２の副部分に接着することなく、前記プリフォームされたラミネート層の前記稜線部分の第１の副部分を前記対象物の前記第１の表面の前記周囲部分の第１の副部分に接着することであって、前記接着する工程は、前記プリフォームされたラミネート層が前記支持層に結合されている間に実行される、ことと、前記接着する工程の後で、前記実装されたプリフォームされたラミネート層から前記支持層を除去することと、を更に含む、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記対象物が、積層を必要とする少なくとも１つの追加の特徴を更に含み、前記少なくとも１つの追加の特徴は、前記対象物の前記第１の表面の前記内側部分と動作可能な接触状態で前記組立品の前記気密性内部領域内に配置され、前記少なくとも１つの追加の特徴は、前記合致させる工程で前記共形にコーティングされた物品内の前記合致したラミネート層により共形にコーティングされ、前記対象物が、複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）及びサブマウントウェハを含み、前記サブマウントウェハが、第１の表面及び前記第１の表面の反対の第２の表面を有し、前記サブマウントウェハの前記第１の表面は、内側部分及び前記内側部分を囲む周囲部分を有し、前記ＬＥＤが、前記サブマウントウェハの前記第１の表面の前記内側部分上に、配列され、前記ＬＥＤ及び前記サブマウントウェハの前記第１の表面の前記内側部分が、共に積層を必要とする、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
真空チャンバを有する製造装置内で発光ダイオードデバイスを製造するための方法を含み、
（Ａ）サブマウントウェハの第１の面の内側部分上に配置された発光ダイオードのアレイを含む発光ダイオード（ＬＥＤ）アレイであって、前記サブマウントウェハは前記内側部分を囲む周囲部分及び前記第１の面の反対の第２の面を更に含む、ＬＥＤアレイの上に、第１の表面及び第２の表面を有するプリフォームされたラミネート層であって、前記プリフォームされたラミネート層の前記第１の表面は、前記サブマウントウェハの前記第１の面と前記プリフォームされたラミネート層の前記第２の表面との間に配置され、前記プリフォームされたラミネート層は、稜線部分により囲まれた中間部分を有する、プリフォームされたラミネート層を実装することと、
（Ｂ）前記プリフォームされたラミネート層の前記稜線部分の一部分を前記サブマウントウェハの前記第１の面の前記周囲部分に接着することと、
（Ｃ）前記ＬＥＤアレイ及び前記プリフォームされたラミネート層を前記真空チャンバに投入することと、
（Ｄ）工程（Ｃ）の後で、前記真空チャンバ内に真空を印加して、前記プリフォームされたラミネート層の前記稜線部分及び前記中間部分を軟化させるのに充分な第１の温度に前プリフォームされたラミネート層を加熱することと、
（Ｅ）間に気密性封止を生成して、それにより、前記気密性封止、前記プリフォームされたラミネート層の前記第１の表面、及び前記サブマウントウェハの前記第１の面により画定される気密性内部領域を生成するために、前記印加された真空下で前記軟化した稜線部分を前記周囲部分に封着することと、
（Ｆ）工程（Ｅ）の後で、前記気密性内部領域により画定されない区域内の前記真空チャンバ内の前記気体圧力を前記気密性内部領域内の前記気体圧力より大きな圧力に増大させることにより、前記軟化したプリフォームされたラミネート層を前記ＬＥＤアレイの上に合致させることと、を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法により調製された、前記共形にコーティングされた物品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して、共形にコーティングされた物品を形成するための方法、及び同方法から形成された共形にコーティングされた物品を提供する。より具体的には、方法は、真空積層方法を含む。
【背景技術】
【０００２】
電子機器、建物、車両、健康管理、及び民生用の用途などの様々な用途のために、様々なコーティングされた物品を真空積層により製造することができる。例示として、いくつかの電子機器の用途で、コーティングされた発光ダイオードなどのコーティングされた電子デバイスを使用する。基板に結合された発光ダイオード（ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）（ＬＥＤ）のアレイを含む発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイスは、異なる色で光を生成するように製造することができる。異なる色の光を生成する又は別の方法でＬＥＤから生成された光を制御若しくは操作するための１つの方法は、ＬＥＤのアレイの上に蛍光体材料を堆積させることである。これを行うために多くの方法がある。最も一般的な方法の１つは、蛍光体及びカプセル材料の混合物をＬＥＤの上に分配することである。別の方法は、プリフォームされたラミネート層を形成するために、蛍光体粒子を未硬化の熱硬化性バインダ材料内に混合し、次に、ＬＥＤのアレイの上に共形のコーティングを形成するために、この層をＬＥＤのアレイの上に積層することである。通常使用される積層方法は、以下で二工程真空積層技術又は方法と呼ぶ、２つの別個の加熱する工程を含む真空積層技術である。
【０００３】
この二工程真空積層技術では、プリフォームされたラミネート層は、最初に、未硬化の熱硬化性バインダ材料内での流動を実現するのに充分高い温度に加熱され、続く第２の加熱する工程で、プリフォームされたラミネート層は、再加熱されてＬＥＤアレイに共形にコーティングされる。この第１の加熱する工程では、プリフォームされたラミネート層は、硬化（すなわち、架橋）し始めて、層の流動特性が低減し、したがって、層は、それに続いて第２の最終加熱する工程中に合致させるのには硬過ぎることがあるか、あるいは合致させられるがそれに関連した重大な欠陥を有することがある。また更に、これらの二工程真空積層技術の間の硬化条件が精密に制御される場合でも、第２の加熱する工程及びそれに続くＬＥＤのアレイの上へのプリフォームされたラミネート層を合致することを包含する処理時間は、第１の加熱する工程でのバインダ材料の部分硬化のために制限される。また、第２の加熱する工程及びそれに続く合致させる工程の間の制限された処理時間によって、二工程真空積層技術を異なる高さのＬＥＤのアレイ上に使用することができず、また、この制限された処理時間に基づいて二工程真空積層技術で使用することができるバインダ材料及び蛍光体材料の選択が制限される。
【０００４】
他の電子機器の用途、建物、車両、健康管理、及び民生用の用途などの様々な用途のための他のコーティングされた物品の製造は、前述の積層の問題の多くを有する。
【０００５】
本発明は、上述の二工程真空積層技術を利用する積層技術に伴う問題の多くに対処する。
【発明の概要】
【０００６】
本発明は、民生用、健康管理、建物、車両、及び発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイスなどの電子機器の用途などの様々な用途のための、真空積層により共形にコーティングされた物品を形成するための真空積層方法を開示する。
【０００７】
ＬＥＤアレイ又は面を有する対象物に限定されない一実施形態では、本発明は、製造装置の真空チャンバ内に収容された組立品から共形にコーティングされた物品を製造する方法である。真空チャンバは、印加された真空を含む。組立品は、プリフォームされたラミネート層、及び積層を必要とする表面を有する対象物を含む。プリフォームされたラミネート層は、第１の表面及び第１の表面の反対の第２の表面、並びに第１の温度で加熱軟化され稜線部分により囲まれた中間部分を有する。対象物は、第１の表面及び第１の表面の反対の第２の表面を有し、第１の表面は、積層を必要とし、内側部分及び内側部分を囲む周囲部分を含む。組立品は、プリフォームされたラミネート層の第１の表面が、対象物の第１の表面に面して配置されるように構成され、プリフォームされたラミネート層の稜線部分は、対象物の第１の表面の周囲部分に対して気密性封止を形成して、組立品は、気密性封止、プリフォームされたラミネート層の第１の表面、及び対象物の第１の表面の組み合わせにより画定される気密性内部領域を含み、プリフォームされたラミネート層の加熱軟化した中間部分は、気密性内部領域により対象物の第１の表面の内側部分から離れて間隔を置かれ、気密性内部領域は、低減した気体圧力を含む。真空チャンバ内の印加された真空は、組立品の気密性内部領域内の低減した気体圧力に実質的に等しく、方法は、真空チャンバ内の気体圧力が気密性内部領域内の低減した気体圧力より大きく、それにより、共形にコーティングされた物品を製造するように、加熱軟化した中間部分を対象物の第１の表面の内側部分に対して共形に押すように、真空チャンバ内の気体圧力を増大することにより、プリフォームされたラミネート層の加熱軟化した中間部分を対象物の第１の表面の内側部分に合致させることを含む。共形にコーティングされた物品は、合致したラミネート層及び対象物を含み、合致したラミネート層は、プリフォームされたラミネート層から形成され、第１の表面及び第１の表面と反対の第２の表面、並びに中間部分及び中間部分を囲む稜線部分を有する。対象物は、内側部分及び内側部分を囲む周囲部分を有する第１の表面を有し、対象物の第１の表面の内側部分は、合致したラミネート層の中間部分により共形にコーティングされ、合致したラミネート層の稜線部分は、対象物の第１の表面の周囲部分に対して気密性封止を形成する。
【０００８】
例示として、複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）、及びＬＥＤアレイに共形にコーティングされたプリフォームされたラミネート層を有するＬＥＤデバイスであって、プリフォームされたラミネート層が基板、例えば、サブマウントウェハの第１の面上に配置されたＬＥＤのアレイ上に共形にコーティングされる前にプリフォームされたラミネート層の中間部分を加熱するために、単一の加熱する工程が用いられる、ＬＥＤデバイス。共形にコーティングされた物品が共形にコーティングされたＬＥＤアレイを含む別の実施形態では、対象物は、ＬＥＤ用の基板であり、対象物の第１の表面は、基板、例えば、サブマウントウェハの第１の面であり、方法は、（Ａ）第１の表面及び第２の表面を有するプリフォームされたラミネート層をＬＥＤアレイの上に実装することと、（Ｂ）プリフォームされたラミネート層の稜線部分の一部分を基板、例えば、サブマウントウェハの第１の面の周囲部分に接着することと、（Ｃ）ＬＥＤアレイ及びプリフォームされたラミネート層を真空チャンバに投入することと、（Ｄ）工程（Ｃ）の後で、真空チャンバ内に真空を印加し、プリフォームされたラミネート層の稜線部分及び中間部分を軟化させるのに充分な第１の温度にプリフォームされたラミネート層を加熱することと、（Ｅ）間に気密性封止を生成して、それにより、気密性封止、プリフォームされたラミネート層の第１の表面、及び基板、例えば、サブマウントウェハの第１の面により画定される気密性内部領域を生成するために、印加された真空下で軟化した稜線部分を周囲部分に封着することと、（Ｆ）工程（Ｅ）の後で、気密性内部領域により画定されない区域内の真空チャンバ内の気体圧力を気密性内部領域内の気体圧力より大きな圧力に増大することにより、軟化したプリフォームされたラミネート層をＬＥＤアレイの上に合致させることと、を含む。
【０００９】
別の実施形態では、方法は、（Ａ）第１の表面及び第２の表面を有するプリフォームされたラミネート層をＬＥＤアレイの上に実装することと、（Ｂ）ＬＥＤアレイ及びプリフォームされたラミネート層を真空チャンバに投入することと、（Ｃ）工程（Ｂ）の後で、真空チャンバ内に真空を印加することと、（Ｄ）間に気密性封止を生成して、それにより、気密性封止、プリフォームされたラミネート層の第１の表面、及び基板、例えば、サブマウントウェハの第１の面により画定される気密性内部領域を生成するために、印加された真空下で稜線部分を周囲部分に封着することと、（Ｅ）工程（Ｄ）の後で、プリフォームされたラミネート層の中間部分を軟化させるのに充分な第１の温度にプリフォームされたラミネート層を加熱することと、（Ｆ）気密性内部領域により画定されない区域内の真空チャンバ内の気体圧力を気密性内部領域内の気体圧力より大きな圧力に増大させることにより、軟化したプリフォームされたラミネート層をＬＥＤアレイの上に合致させることと、を含む。
【００１０】
本発明の真空積層方法は、概して、簡単で繰り返し可能なやり方で、ＬＥＤアレイ上に欠陥のない共形のコーティングを形成する。
【００１１】
加えて、プリフォームされたラミネート層の中間部分を加熱することを、この層がＬＥＤの上に共形にコーティングされる前の単一の加熱する工程に限定することにより、２つの別個の加熱する工程が用いられる従来技術での二工程真空積層技術と比較して、ラミネート層を適用して合致させるためのプロセスウィンドウ（ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｗｉｎｄｏｗ）が増大する。これにより、次に、限定されたプロセスウィンドウのために二工程真空積層技術では用いることができない同じ製造装置内で形成される、異なるレオロジー若しくは硬化速度を有する追加の又は異なるバインダ組成物と組み合わせた、異なる蛍光体レベルを有するプリフォームされたラミネート層の使用が可能になる。また更に、本発明の方法により、二工程真空積層技術では利用可能ではないこの増大したプロセスウィンドウのために、異なる高さを有するＬＥＤのアレイの上への共形のコーティングが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
本発明の他の利点及び態様は、添付の図面に関連して、以下の詳細な説明に記載されている。
【００１３】
【図１】本発明による、ＬＥＤアレイの上に共形にコーティングされたプリフォームされたラミネート層を有するＬＥＤデバイスの断面図である。
【図２】本発明の一実施形態による、サブマウントウェハ上に実装されたＬＥＤのアレイを有するＬＥＤアレイの上面図である。
【図３】線３−３における図２の側断面図である。
【図４】支持層を含むプリフォームされたラミネート層の断面図である。
【図５】プリフォームされたラミネート層の稜線部分の一部分がサブマウントウェハの周囲部分に接着され、プリフォームされたラミネート層の稜線部分の別の部分がサブマウントウェハの周囲部分に接着されていない、支持層の除去の前の、ＬＥＤアレイの上に結合されたプリフォームされたラミネート層の断面図である。
【図５Ａ】プリフォームされたラミネート層の稜線部分の一部分がサブマウントウェハの周囲部分に接着され、プリフォームされたラミネート層の稜線部分の別の部分がサブマウントウェハの周囲部分に接着されていない、支持層（図５に示す）の除去の後の、ＬＥＤアレイの上に結合されたプリフォームされたラミネート層の断面図である。
【図６】プリフォームされたラミネート層の稜線部分がサブマウントウェハの周囲部分に封着して結合された、支持層の除去の後だが、ＬＥＤアレイに共形にコーティングされる前の、ＬＥＤアレイの上に結合されたプリフォームされたラミネート層の断面図である。
【図７】本発明の一実施形態による、図１のＬＥＤデバイスを形成するための方法の論理流れ図である。
【図８】本発明の別の実施形態による、図１のＬＥＤデバイスを形成するための方法の論理流れ図である。
【図９】共形にコーティングされた物品を形成する方法の一実施形態のプロセス座標の図表である。
【図１０】方法の一実施形態により調製された組立品の平面図であり、組立品は、接着する工程により製造された、気密性封着する工程の前のものである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
要約書及び概要は、参照により本明細書に組み込まれる。プリフォームされたラミネート層の加熱軟化した中間部分は、プリフォームされたラミネート層をＬＥＤなどの対象物の上に共形にコーティングする前に、単一の加熱する工程で第１の温度にプリフォームされたラミネート層の中間部分を加熱することにより得られる。
【００１５】
プリフォームされたラミネート層は、順次、加熱軟化して、気密性内部領域を形成するように真空下で対象物の表面に封着して、対象物の表面に合致させることができる任意の材料からなることができる。いくつかの実施形態では、プリフォームされたラミネート層は、熱可塑性又は熱硬化性の材料からなる。そのような材料は、有機ポリマー又はシリコーンとすることができる。有機ポリマーは、ポリオレフィン、エチル酢酸ビニル（ｅｔｈｙｌ  ｖｉｎｙｌ  ａｃｅｔａｔｅ）（ＥＶＡ）、エポキシ、ポリアクリル酸塩、又はポリ（ビニルブチラール）などの、熱可塑性又は熱硬化性の高分子材料とすることができる。シリコーンは、熱溶解性シリコーン又は樹脂−直鎖シリコーンなどの、熱可塑性又は熱硬化性の高分子材料とすることができる。シリコーンは、縮合、ヒドロシリル化、又はフリーラジカル硬化によるなどの硬化性であってもよい。いくつかの実施形態では、プリフォームされたラミネート層の材料は、ヒドロシリル化硬化性シリコーン、あるいは縮合硬化性、あるいはフリーラジカル硬化性である。いくつかの実施形態では、プリフォームされたラミネート層の材料は、熱可塑性材料からなる。他の実施形態では、プリフォームされたラミネート層の材料は、熱硬化性材料からなる。任意の所与の用途での使用に対して、任意選択的に、プリフォームされたラミネート層の材料はまた、そのような用途に好適な１つ以上の追加の特性をその材料が有することに基づいて選択することができる。そのような追加の特性の例は、粘着性、光学的透過率、弾性係数、硬度、細かく分割された充てん剤又は蛍光体などの任意選択の成分との相溶性、耐黄変性又は耐酸化性、並びに熱及び／又は光への長期の曝露により生じる劣化に対する耐劣化性である。
【００１６】
用語「低減した気体圧力」は、真空チャンバ内に収容された容積空間若しくは領域内の気体又は蒸気質の物質により作用する力を意味し、この力は、周囲気体圧力（すなわち、真空を印加する工程の前に存在した力）より小さい。力を低下させる手段は、真空を印加すること、すなわち、真空チャンバ及び容積空間を動作している真空ポンプなどの真空発生源と流体伝達状態に置くことを含む。真空チャンバは、真空発生源又は真空チャンバの外部にある気体の発生源と流体伝達状態にある、制御可能な圧力領域を有する。気体の発生源は、空気雰囲気、気体の窒素、ヘリウム、又はアルゴンの発生源などの不活性ガス発生源、又は、所望であれば、気体の水素、酸素、モノシランなどの処理気体とすることができる。表現「真空チャンバ内に印加された真空は、組立品の気密性内部領域内の低減した気体圧力に実質的に等しい」は、いくつかの実施形態では、印加された真空は、低減した気体圧力に等しく、他の実施形態では、組立品の気密性内部領域内の低減した気体圧力は、真空チャンバ内に印加された真空より、わずかに異なる（例えば、±０．１キロパスカル）が、プリフォームされたラミネート層を隆起又は膨張させて結果としてプロセスの失敗になるほど高くはなく、共形にコーティングされるようにプリフォームされたラミネート層を対象物の第１の表面の内側部分に接触させるほど低くはないことを意味する。
【００１７】
本発明は、本発明の複数の典型的な非限定の発明の実施形態、態様、及び実施例を開示することにより、例示的に本明細書で説明されている。総合すれば、それらにより、当業者が過度の実験なしに本発明を実施し使用する方法を理解することが可能になる。「本発明（ｔｈｉｓ  ｉｎｖｅｎｔｉｏｎ）」又は同等な表現（例えば、本発明（ｔｈｅ  ｐｒｅｓｅｎｔ  ｉｎｖｅｎｔｉｏｎ）又は本発明（ｔｈｅ  ｉｎｖｅｎｔｉｏｎ））への任意の言及は、それらの典型的な発明の実施形態、態様、及び実施例を意味するものとし、その発明の範囲を過度に限定するために使用することはできないことを意味する。用語「態様」及び「実施形態」は、区別なく使用される。本明細書で参照される任意の発明の実施例は、特定の発明の実施形態に依拠し、特定の発明の実施形態に対する適切な支持を提供することができる。マーカッシュ形式の群への任意の言及は、異なる方法で同等に表現することができる。例えば、要素Ａ、Ｂ、及びＣのマーカッシュ形式の群は、「Ａ、Ｂ、及びＣから選択される要素」、「Ａ、Ｂ、及びＣからなる群から選択される要素」、又は「要素Ａ、Ｂ、又はＣ」として同等に表現することができる。マーカッシュ形式の群は、属、その亜属、及びその１つ以上の特定の要素の２つ以上を含むことができる。マーカッシュ形式の群のそれぞれは、特定の発明の実施形態に個々に又は集合的に依拠し、特定の発明の実施形態に対する適切な支持を提供することができる。本明細書で参照される、すべての米国特許出願公開及び米国特許、あるいは、一部分のみが参照されている場合にはその一部分は、組み込まれる主題が本願の説明と矛盾しない限り、参照により本明細書に組み込まれるものであり、いずれのそのような矛盾においても本願の説明が優先するものとする。
【００１８】
本発明の説明は、明示的な表明及び文脈上の指示（明白な）を目的とすることができ、以下の一般的な語句、用語及び表現のいずれか１つ以上を使用することができる。「代わりに／あるいは（ａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅｌｙ）」の任意の使用は、独立した実施形態を示すものとする。冠詞「ａ」、「ａｎ」、及び「ｔｈｅ」はそれぞれ、１つ又はそれ以上を指す。比較例におけるような「比較」への任意の言及は、例示を目的とするのみであり、従来技術からの何かを意味しないものとする。「接触する」への任意の言及は、物理的接触状態にすることを意味する。指定された個別の数より大きい（例えば、＞５０、又は≧５０）におけるような「より大きい」への任意の言及は、その上側端点として絶対最大値（例えば、１００％）、又は場合によって絶対最大値がない場合は実際的最大値（例えば、１０，０００繰り返し単位、又は１０，０００，０００ｇ／ｍｏｌ）を含む範囲又は部分的範囲を包含する。あるいは、上側端点は、絶対最大値より小さい（例えば、＜１００％）、又は実際的最大値より小さい（例えば、＜１０，０００繰り返し単位、又は＜１０，０００，０００ｇ／ｍｏｌ）場合がある。指定された個別の数より小さい（例えば、＜１０、又は≦１０）におけるような「より小さい／未満」への任意の言及は、その下側端点として絶対最小値（例えば、ゼロ（０））、又は場合によって絶対最小値がない場合は実際的最小値（例えば、ゼロより大きい（＞０））を含む範囲又は部分的範囲を包含する。例えば、実際的最小値＞０は、表現「１０重量％より小さい濃度で存在する」の文脈から明白である。あるいは、下側端点は、絶対最小値より大きい（例えば、＞０％）場合がある。「であってもよい／することがある／し得る／ことができる（ｍａｙ）」は、選択肢を与えるものであり、必須ではない。「動作可能な（ｏｐｅｒａｔｉｖｅ）」は、機能的に有効であることを意味する。例えば、「動作可能な接触」とは、機能的に有効に接触することを含み、例えば、修正、コーティング、接着、封止、又は充填に関するものである。動作可能な接触は、直接物理的に接触すること、あるいは、その意図した目的に対して有効であるならば、間接的に接触することであり得る。「任意選択的に」とは、存在しない（又は除外される）か、あるいは存在する（又は含まれる）ことを意味する。本明細書に依拠した任意の範囲は、本明細書の他の所で別に記載され又は示されない限り、範囲内の端点並びに整数及び／又は小数値を含むすべての範囲及び部分的範囲を表現し意図している。開示された範囲若しくは部分的範囲の端点の間の開示された端点又は個々の数値は、特定の発明の実施形態に依拠し、特定の発明の実施形態に対して適切な支持を提供し得る。「それの（ｔｈｅｒｅｏｆ）」への任意の言及は、言及している直前の要素、部材、特徴、限定、リスト、又は群を指すものとし、かつそれらにより置き換えて変更することができる。
【００１９】
本発明の説明はまた、以下の専門用語、用語及び表現のいずれか１つ以上を使用することができる。量、濃度、又は量の比への任意の言及は、本明細書の他の所で別に記載され又は示されない限り、重量に基づく。化学元素、化学元素の群（単数又は複数）、又は元素周期表への任意の言及は、２０１３年５月１日付けのＩＵＰＡＣ版により発行された化学元素、群（単数又は複数）、及び元素周期表を意味するものとする（ｉｕｐａｃ．ｏｒｇ／ｒｅｐｏｒｔｓ／ｐｅｒｉｏｄｉｃ＿ｔａｂｌｅ／を参照）。ＩＵＰＡＣは、国際純正応用化学連合（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｕｎｉｏｎ  ｏｆ  Ｐｕｒｅ  ａｎｄ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）（ＩＵＰＡＣ  Ｓｅｃｒｅｔａｒｉａｔ，Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｔｒｉａｎｇｌｅ  Ｐａｒｋ，Ｎｏｒｔｈ  Ｃａｒｏｌｉｎａ，ＵＳＡ）である。任意の化学用語の意図する意味は、本明細書の他の所で別に記載され又は示されない限り、ＩＵＰＡＣにより公表されたその定義である。材料特性（例えば、粘度）又は材料特性を測定するための試験方法への任意の言及は、本明細書の他の所で別に記載され又は示されない限り、摂氏２３度（℃）で、測定されたその特性又は行われたその方法であるものとする。Ｃ−Ｈ官能基を含む有機基又は分子への任意の言及は、本明細書の他の所で別に記載され又は示されない限り、独立して１つ以上の置換基で非置換又は置換され得る有機基又は分子を意味する。そのような有機基の例は、一価の基：ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル、及びｏｒｇａｎｏｈｅｔｅｒｙｌ、並びに二価の基：ヒドロカルビレン、ヘテロヒドロカルビレン、及びｏｒｇａｎｏｈｅｔｅｒｙｌｅｎｅである。ヘテロヒドロカルビル及びｏｒｇａｎｏｈｅｔｅｒｙｌのヘテロ原子の例は、Ｏ、Ｎ、Ｓ、及びＰ、あるいは、Ｏ、Ｎ、又はＳ、あるいは、Ｏ又はＮ、あるいは、Ｎ、あるいは、Ｏである。本明細書の他の所で別に記載され又は示されない限り、それぞれの置換基は、独立してＲＳであり、それぞれのＲＳは、独立してハロゲン原子、−ＮＨ２、−ＮＨＲ、−ＮＲ２、−ＮＯ２、−ＯＨ、−ＯＲ、ｏｘｏ（＝Ｏ）、−ＣＮ、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ、−ＳＨ、−ＳＲ、−ＳＳＨ、−ＳＳＲ、−ＳＣ（＝Ｏ）Ｒ、−ＳＯ２Ｒ、−ＯＳＯ２Ｒ、−ＳｉＲ３、及び−Ｓｉ（ＯＲ）３である。それぞれのＲは、独立して非置換（Ｃ１−Ｃ３０）ヒドロカルビルである。ハロゲン原子は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩ、あるいは、Ｆ、Ｃｌ、又はＢｒ、あるいは、Ｆ又はＣｌ、あるいは、Ｆ、あるいは、Ｃｌである。「シリコーン」への任意の言及は、本明細書の他の所で別に記載され又は示されない限り、直鎖ポリオルガノシロキサン高分子、分岐ポリオルガノシロキサン高分子、並びに直鎖及び分岐ポリオルガノシロキサン高分子の混合物を包含する。分岐ポリオルガノシロキサン高分子は、本明細書の他の所で別に記載され又は示されない限り、シルセスキオキサン樹脂、及び樹脂−直鎖ポリオルガノシロキサン高分子を含む。「重量％」（重量パーセント）又は部（例えば、百万分の一、又はｐｐｍ）への任意の言及は、本明細書の他の所で別に記載され又は示されない限り、組成物を製造するために使���されるすべての成分の総重量に基づき、その総重量は、１００重量％である。
【００２０】
最初に図１を参照して、本発明の方法に従って形成された発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイス１０は、上に共形にコーティングされたプリフォームされたラミネート層１２（ＰＬ層１２）を有するＬＥＤアレイ１１を含む。ＰＬ層１２は、図１で合致したラミネート層になっている。いくつかの実施形態では、共形にコーティングされた物品のＰＬ層１２及び関連する合致したラミネート層は、図１〜図６に示すように、単層の形態に構築されている。他の実施形態では、関連する合致したラミネート層は、多層積層品（図示せず）として構築され、方法は、合致したラミネート層及び対象物の多層積層形態を含む共形にコーティングされた物品を製造することを含む。合致したラミネート層の多層積層形態は、（ａ）多層積層品としてＰＬ層１２を加工して、発明の方法にＰＬ層１２の多層積層形態を使用すること、又は（ｂ）合致したラミネート層の単層積層形態を提供するために、発明の方法にＰＬ層１２の単層形態を使用して、次に、とりわけ合致したラミネート層の多層形態を含む共形にコーティングされた物品を提供するために、ＰＬ層１２の同じ又は異なる単層形態を用いて少なくとも１回発明の方法を繰り返すこと、のいずれかなどの任意の好適な方法により構築することができる。
【００２１】
図２及び図３に示すように、ＬＥＤアレイ１１は、第１の面１５及び第２の面１６を有するサブマウントウェハ１３（対象物の一例である、基板の一例）を含む。サブマウントウェハ１３の第１の面１５は、内側部分１９を囲む周囲部分１８を有する。サブマウントウェハ１３は、複数の積層された発光ダイオード（ＬＥＤ）１４の製造を可能にするように配置された複数のＬＥＤ１４を含む種類の基板であり、この基板は、次に、積層の後で、複数の個別の積層されたＬＥＤを提供するために単体化することができる。いくつかの態様では、方法は、基板としてサブマウントウェハを用い、複数の個別の積層されたＬＥＤを提供するために共形にコーティングされたＬＥＤアレイを単体化することを更に含む。
【００２２】
ＬＥＤアレイ１１はまた、サブマウントウェハ１３の第１の面１５の内側部分１９上に配置されたＬＥＤ１４のアレイを含む。それぞれの個別のＬＥＤ１４は、内側部分１９の第１の面１５に沿って隣に隣接するＬＥＤ１４から離れて間隔を置かれている。
【００２３】
図１〜図３は、サブマウントウェハの第１の面の内側部分１９上に配置されたダイオード１４の一構成を示しているが、内側部分１９内のダイオード１４の数、相対位置、及び間隔は、図１〜図３に示すものから数、相対位置、及び／又は間隔に関して変更することができることが理解される。また更に、ＬＥＤのアレイを規定する個別のダイオード１４のそれぞれのサイズ及び形状は、同じ又は異なるものとすることができる。例えば、サブマウントウェハ１３の第１の面１５を越えて延びる１つのダイオード１４の高さは、アレイ内の追加のダイオード１４の１つ以上に対して変更することができる。また、サブマウントウェハ１３のサイズに対するダイオード１４の相対的サイズもまた、図２及び図３に例示した構成により限定されない。
【００２４】
また更に、第１の面１５に沿って概して正方形として図１〜図３に示すようなサブマウントウェハ１３の形状は、任意の数の方法で変更することができる。例えば、形状は、その意図する使用に依存して、円形、矩形、規則的形状、又は不規則な形状とすることができる。加えて、サブマウントウェハ１３の内側部分１９に対する周囲部分１８のサイズもまた、図２に示すサイズから変更することができる。
【００２５】
図４に示すように、ＰＬ層１２は、第１の表面２０及び第１の表面２０の反対の第２の表面２２を含む。ＰＬ層１２は、稜線部分２８により囲まれた中間部分２６を含む。ＰＬ層１２は、独立したフィルムとすることができる。利便性のために、実装及び接着する工程の間、ＰＬ層１２は、取り扱いを容易にするために支持層２４に結合することができる。ＬＥＤアレイ１１に共形にコーティングする前に、支持層２４は、典型的に、取り扱いを容易にするために、ＰＬ層１２の第１の表面２０及び第２の表面２２の１つ又は両方に結合される（図４に示すように、支持層２４は、第２の表面２２に結合されている）。支持層（単数又は複数）２４がある場合、以下で更に説明するような気密性封止を形成する前及びＰＬ層１２をＬＥＤアレイ１１に合致させる前のＰＬ層１２の中間部分２６を加熱軟化する前に、支持層は除去される。ＰＬ層１２の加熱軟化した中間部分２６は、ＰＬ層１２をＬＥＤアレイ１１の上に共形にコーティングする前に、単一の加熱する工程で第１の温度に中間部分２６を加熱することにより得られる。ＰＬ層を適用するサブマウントウェハ１３の形状（サイズ又は輪郭）に対応するために概して成形された（サイズを合わせた又は輪郭を合わせた））ＰＬ層１２では、ＰＬ層１２の中間部分２６は、サブマウントウェハ１３の内側部分１９にサイズ及び形状が概して対応し、稜線部分２８は、サブマウントウェハ１３の周囲部分１８にサイズ及び形状が概して対応する。
【００２６】
プリフォームされたラミネート層１２は、実質的に未硬化の熱硬化性材料内に配置された、典型的には粉末形態の蛍光体材料を典型的に含む。ＰＬ層１２は、変形可能（すなわち、室温で可撓性）である。
【００２７】
用語「実質的に未硬化の」は、熱硬化性材料が、成分の混合中及び結果として生じる材料の貯蔵中に発生することがある少量の架橋以外は硬化（すなわち、架橋）しないように、約３０℃を下回る温度に調製されて保持されていることを指す。蛍光体材料を有する若しくは有しない、熱硬化性材料又はシリコーンバインダのスラリーのコーティングは、その乾燥したフィルムを提供するために、約７０℃以下で乾燥することができ、乾燥したフィルムは、実質的に未硬化で留まる。
【００２８】
特定の実施形態では、実質的に未硬化の熱硬化性材料は、シリコーンバインダである。これらの実施形態では、ＰＬ層１２は、スラリーを形成するために蛍光体材料をシリコーンバインダと混合して、次に、スラリーを支持層２４に塗布してスラリーを乾燥することにより形成することができる。スラリーは、トルエン、酢酸ブチル、メチルエチルケトン、ジオキサン、キシレンなどの有機溶剤などの、液体溶媒の助剤を用いて形成することができる。シリコーンバインダ又は実質的に未硬化の熱硬化性材料は、分散を形成するために液体溶媒内に分散させることができる。分散は、５０〜８０重量％（例えば、６５重量％、７０重量％、又は７５重量％）の不揮発性含有量を有することができる。スラリーを形成するために、蛍光体粒子を分散内に混合することができる。スラリーは、＞５０〜９０重量％（例えば、７０重量％、８０重量％、又は８５重量％）の不揮発性含有量を有することができる。不揮発性含有量は、液体溶媒を除く、すべての成分の濃度を指す。
【００２９】
図１に戻って、以下に説明する積層方法の後で、ＰＬ層１２は、ＬＥＤアレイ１１に共形にコーティングされ、それにより、合致したラミネート層になる。本明細書で規定するように、ＬＥＤアレイ１１へのＰＬ層１２の共形のコーティングは実現され、ＰＬ層１２の中間部分２６の第１の表面２０は、ダイオード１４の露出部分のそれぞれの上に封着接触状態に、及び内側部分１９内のダイオード１４のそれぞれの間でサブマウントウェハ１３の第１の面１５と接触状態になる。加えて、ＰＬ層１２の稜線部分２８は、サブマウントウェハ１３の第１の面の周囲部分１８の上に封着接触状態になる。
【００３０】
このように、ＰＬ層１２は、実質的に欠陥がないむらのない層厚さの、ＬＥＤ１４のための保護をして耐久性のあるコーティング層を提供する。均一でむらのない厚さを有するこの合致した層内に含まれる蛍光体材料により、ダイオード１４から個別に放出されて集合する光を所望の光効果を提供するように方向付けることができる。
【００３１】
上述したように、いくつかの実施形態では、本発明は、半導体素子などの電子デバイス及びオプトエレクトロニクスデバイスを形成するための真空積層方法を対象としている。いくつかの例示的な実施形態では、本発明は、以下の図７及び図８の論理流れ図について以下に説明する典型的な方法を用いて、図１に示すようなこれらのＬＥＤデバイス１０を形成するための真空積層方法を対象としている。
【００３２】
本発明によるＬＥＤデバイス１０を形成するための方法は、真空チャンバ（図６の４０として示す）を含む製造装置（図６の５０として示す）の使用を含む。
【００３３】
図７の論理流れ図に示すような本発明の第１の実施形態では、方法は、工程１００で始まり、ＰＬ層１２は、ＬＥＤアレイ１１の上に実装される。本明細書で規定される場合、用語「実装される（ｍｏｕｎｔｅｄ）」は、ＬＥＤアレイ１１に隣接するＰＬ層１２の配置を指し、ＰＬ層１２がアレイ１１に締結される若しくは他の方法で固定されることを指す又は示唆することを意図しない。
【００３４】
図５及び図６に示すような特定の実施形態では、ＰＬ層１２が共形にコーティングされる前に、ＰＬ層１２は、配置されて、ＰＬ層１２の第１の表面２０は、サブマウントウェハ１３の第１の面１５と第２の表面２２との間に配置され、サブマウントウェハ１３の第１の面１５は、第１の表面２０と第２の面１６との間に配置される。この配置では、ＰＬ層１２の中間部分２６は、アレイ１１の内側部分１９に隣接し、したがって、対応するダイオード１４のアレイに隣接すると共に、稜線部分２８は、周囲部分１８に隣接する。
【００３５】
特定の実施形態では、工程１００のＬＥＤアレイ１１へＰＬ層１２を実装することは、真空チャンバ４０内で実行され、他の実施形態では、工程１００のＬＥＤアレイ１１へＰＬ層１２を実装することは、ＰＬ層１２及びＬＥＤアレイ１１を真空チャンバ４０内に配置する前に実行される。
【００３６】
次に、工程１１０で、図５に示すように、ＰＬ層１２の稜線部分２８の一部分２９は、サブマウントウェハ１３の第１の面１５の周囲部分１８に接着される。これは、代わりに、周囲部分１８への稜線部分の一部分２９の付加又はスポット付加と呼ぶ場合もある。この配置では、稜線部分２８の別の部分３０は、周囲部分１８に接着されない。そのようにして、工程１１０では、気密性封止は、稜線部分２８と周囲部分１８との間に沿って生成されない。また、図１０も参照する。
【００３７】
この工程では、一部分２９は、一部分２９を軟化させるために（すなわち、一部分２９を流動性にするために）、第１の温度に加熱される。加えて、ＰＬ層１２の中間部分２６及び部分３０は、第１の温度を下回る温度に維持される（すなわち、中間部分２６及び部分３０は、軟化しない又は他の方法で流動性にならない）。いくつかの実施形態では、一部分２９は、ＰＬ層１２の部分３０がサブマウントウェハ１３の第１の面１５の周囲部分１８に接着されないで、ＰＬ層１２の稜線部分２８の一部分２９がサブマウントウェハ１３の第１の面１５の周囲部分１８に接着されるように、部分３０の反対の位置で支持層２４上を押圧しないで、一部分２９の反対の位置で支持層２４上を押圧することにより加熱される。
【００３８】
この第１の温度で、ＰＬ層１２の流動特性に影響を及ぼすことに加えて、ＰＬ層１２の一部分２９の実質的に未硬化の熱硬化性材料は、反応を開始し（すなわち、架橋及び硬化を開始し）、架橋の程度が増大すると経時的に一部分２９の流動特性を低減する。したがって、ＰＬ層１２の一部分２９は、第１の温度に到達すると高度に流動性になり、次に、ＰＬ層１２の一部分２９内の架橋の程度が増大すると、続いて流動性でなくなる。
【００３９】
第１の温度は、ＰＬ層１２内に使用される未硬化の熱硬化性材料の組成物のレオロジー特性及び硬化特性（すなわち、架橋）に依存する。第１の温度はまた、サブマウントウェハ１３又はダイオード１４の化学的又は物理的特性が悪影響を受ける温度を上回ることはできない。上述したように未硬化の熱硬化性材料がシリコーンバインダを含む場合、第１の温度は、流動を実現して架橋プロセスを開始するために、一般的に、１１０°〜１７０℃、あるいは１１０°〜１５０℃、あるいは１２０°〜１４０℃、あるいは１５０°〜１７０℃、あるいは後の実施例で使用される温度の範囲内であるが、第１の温度は、使用される材料の特定の化学的性質に依存して、より高い又はより低い場合がある。
【００４０】
特定の実施形態では、加熱装置（図６の３９として示す）が、ＰＬ層１２の一部分２９と熱伝達状態になるように配置される。本明細書で言及する場合、用語「熱伝達状態」は、加熱装置３９が、作動している場合に、それが向けられているＰＬ層１２の一部分の温度を増大することができることを表現している。したがって、例えば、加熱装置３９は、第１の温度にＰＬ層１２の温度を上昇させるために、ＰＬ層１２の所望の部分に熱を放射する能力がある装置とすることができる（この装置は、ＰＬ層１２と接触している又は緊密に結合している、のいずれかである）。例えば、加熱装置３９は、ＰＬ層１２上の所望の位置に直接接触する又は緊密に結合するように配置された加熱板とすることができる。代わりに、加熱装置３９は、赤外光放射ランプ又はレーザーとすることができる。
【００４１】
代わりに、加熱装置３９は、熱を放射することによる以外の方法によりＰＬ層１２を加熱することができるものとすることができる。例えば、加熱装置３９は、電磁放射をＰＬ層１２の所望の部分に向ける、レーザーあるいは赤外ランプとすることができる。
【００４２】
工程１１０が真空チャンバ４０内で行われる特定の実施形態では、加熱装置３９は、ＰＬ層１２の一部分２９に向けることができるように、真空チャンバ４０の一部分内に配置される。
【００４３】
次に、再び図５に示すように、第１の温度に加熱された軟化した一部分２９は、軟化した一部分２９の第１の表面２０と周囲部分１８との間に粘着性が得られるまで周囲部分に押圧され、粘着性は、別の部分３０と周囲部分１８との間では得られない。押圧は、機械装置の使用により手動で第２の表面２２に圧力を加えることにより、又は軟化した一部分２９と周囲部分１８との間に粘着性を得るために充分な力を生成することができる任意の他の手段により行うことができる。
【００４４】
特定の実施形態では、加熱及び押圧する工程は、同時に行われ、他の実施形態では、一部分２９は、周囲部分１８上に押圧される前に、最初に第１の温度に加熱することができる。
【００４５】
ＰＬ層１２及びＬＥＤアレイ１１が真空チャンバ４０内に投入されている特定の実施形態では、工程１１０は、真空が真空チャンバ４０内に印加されていて、実行することができる。
【００４６】
ＰＬ層１２が第２の表面２２に結合された支持層２４を含む特定の実施形態では、工程１１０は、以下の工程１２０の前に、第２の表面２２から支持層２４を除去すること（図７に示されていない）を更に含む。これらの実施形態のいくつかでは、感圧性接着剤（ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  ａｄｈｅｓｉｖｅ）（ＰＳＡ）テープを支持層２４に貼って、それを支持層２４に接着して、ＰＳＡテープ及び接着された支持層２４を第２の表面２０から引き離すことにより、支持層２４は、第２の表面２０から除去される。支持層２４を第２の表面２０から除去するために、支持層を第２の表面２０から分離するように支持層２４に機械的力を加えるために鉗子又はナイフブレードを使用することなどの、他の技術を使用することができる。
【００４７】
図５Ａは、ＰＬ層１２の稜線部分２８の一部分２９がサブマウントウェハ１３の周囲部分１８に接着され、ＰＬ層１２の稜線部分２８の別の部分３０がサブマウントウェハ１３の周囲部分１８に接着されていない、支持層２４（図示せず）の除去の後の、ＬＥＤアレイ１１の上に結合されたＰＬ層１２の断面図である。
【００４８】
次に、工程１１５で、工程１１０が真空チャンバ４０内で実行されない特定の実施形態では、一部分２９が周囲部分１８に接着されたサブマウントウェハ１３のＬＥＤアレイ１１は、製造装置５０の真空チャンバ４０内に配置される。代わりに、工程１１０が真空チャンバ４０内で実行される場合、論理は、工程１２０に進む。
【００４９】
工程１２０で、真空チャンバ４０内に真空が印加され、稜線部分２８（及び具体的には稜線部分２８の部分３０）並びに中間部分２６の両方を含むＰＬ層１２は、中間部分２６及び部分３０を軟化させる（すなわち、それらを流動性にする）ために、第１の温度に加熱される。加熱軟化した中間部分２６は、ＰＬ層１２をＬＥＤアレイ１１の上に共形にコーティングする前に、単一の加熱する工程で第１の温度にＰＬ層１２の中間部分２６を加熱することにより得られる。任意の支持層２４は、工程１２０に進む前に除去されている。加熱は、真空が完全に印加された後で行うことができる。代わりに、加熱は、中間部分２６及び稜線部分２８（具体的には稜線部分２８の部分３０）の前に真空チャンバが排気される限り、真空を印加することと同時に行うことができる。
【００５０】
特定の実施形態では、プリフォームされた層１２を第１の温度に加熱するために、工程１１０で上述した加熱装置３９と同じ又は異なる加熱装置３９を使用することができる。
【００５１】
特定の実施形態では、加熱装置３９は、真空チャンバ４０内でＬＥＤアレイ１１の第２の面１６に隣接するが熱伝達状態にない位置に配置された（すなわち、第２の面１６は、加熱装置３９とＬＥＤアレイ１１の第１の面１５との間に配置され、加熱装置３９は、作動した場合でもＬＥＤアレイ１１及び実装された層１２の温度を上昇させない）、加熱板などの加熱装置３９である。これらの実施形態では、工程１１０のようにＰＬ層１２を加熱するために、ＬＥＤアレイ１１は、加熱装置３９と熱伝達状態にない第１の位置から、加熱装置と熱伝達状態にある第２の位置に移動される（すなわち、ＬＥＤアレイ１１の第２の面１６は、加熱装置３９により近くに又は接触状態に移動される）。この第２の位置では、加熱装置３９が作動すると、上述したようにＰＬ層１２の中間部分２６及び部分３０を軟化させるように中間部分２６及び部分３０を第１の温度に加熱するために、熱がＬＥＤアレイ及び実装された層１２に伝達される。
【００５２】
これらの実施形態のいくつかでは、真空チャンバ４０は、係合位置と非係合位置との間で移動可能な、少なくとも１つの転置可能な構造体を有する外部フレームを含む。係合位置（前の段落で説明した第１の位置に対応する）では、ＬＥＤアレイ１１の第２の面１６は、加熱装置３９に隣接して吊り下げられるように、少なくとも１つの転置可能な構造体上に配置され、したがってＬＥＤアレイ１１は、加熱装置３９と熱伝達状態にない。少なくとも１つの転置可能な構造体が係合位置から非係合位置に移動すると、ＬＥＤアレイ１１は、もはや少なくとも１つの転置可能な構造体と接触せず、ＬＥＤアレイ１１が加熱装置３９との熱伝達状態に移動する（すなわち、第２の位置に移動する）ことが可能になり、したがって、加熱器部分が作動すると、ＬＥＤアレイ及びフィルムを加熱することが可能になる。
【００５３】
これらの実施形態のいくつかでは、転置可能な構造体は、係合位置で外部フレームから外側に延び、非係合位置でフレーム内に後退することができる、押しピン又はばねである。
【００５４】
工程１３０で、軟化した稜線部分２８は、印加された真空下で周囲部分１８に封着され、それにより、稜線部分２８と周囲部分１８との間の封着された周囲３３を生成する。この封着プロセス中に、上述したことと同様に、ＰＬ層１２の部分３０の実質的に未硬化の熱硬化性材料は、反応（すなわち、架橋又は硬化）を開始し、架橋の程度が増大すると部分３０の流動特性を低減する。
【００５５】
また更に、図６に示すように、軟化した中間部分２６と、サブマウントウェハ１３の第１の面１５と、封着された周囲３３との間の空間内に画定された気密性内部領域３２が生成される。換言すれば、気体の流動は、気密性部分３２から封着された周囲３３を通って、別に真空チャンバ４０の区域（図６の３５として示す）と呼ばれる真空チャンバ４０の残部に、及びその逆に、移動するのを妨げられる。
【００５６】
工程１４０で、封着された周囲３３が生成された後で、ラミネート層１２全体を、ＬＥＤアレイ１１の上に合致させる。これは、気密性内部領域３２内の気体圧力に対して真空チャンバ４０の区域３５内の気体圧力を上昇させることにより実現される。真空チャンバ４０内の印加された真空を中断して気体が真空チャンバ４０に入ることを可能にすることにより、気体圧力を区域３５内で上昇させることができる。印加された真空を中断して気体が真空チャンバ４０に入ることを可能にすることは、環境雰囲気（例えば、空気）に真空チャンバ４０を通気すること又は開放すること、及び／又は真空チャンバ４０内に気体を（積極的に）投入する（例えば、圧縮された気体の発生源から）ことを含むことができる。真空チャンバ内の気体圧力は、低減した気体圧力より高い圧力から周囲圧力より低い圧力までの圧力（例えば、＜１０１キロパスカル（ｋＰａ））、周囲圧力（約１０１ｋＰａ）、又は周囲圧力より高い圧力、例えば、最大２００ｋＰａになど、共形コーティング工程を実現するのに充分な、気密性内部領域３２内の低減した気体圧力より高い圧力に上昇させることができる。したがって、区域３５内の増大した圧力は、軟化したＰＬ層１２の第２の表面２２上に力を作用させ（図６の矢印３７により示す）、ダイオード１４のアレイのそれぞれの上、ダイオード１４の間のウェハサブマウント１３の第１の面１５の内側部分１９の上、及びウェハサブマウント１３の周囲部分１８の第１の面の上を含む、ＬＥＤアレイ１１の第１の面１５上に存在する特徴のそれぞれに第１の表面２０を封着（すなわち、共形）接触状態に押す。
【００５７】
加熱された層１２がＬＥＤアレイ１１の上に接触すると、ＰＬ層１２の中間部分２６及び部分３０の実質的に未硬化の熱硬化性材料は、反応及び硬化を継続する。経時的に、層１２全体は、ＬＥＤアレイ１１の第１の表面１５全体の上に、硬化して合致した層１２を形成する。
【００５８】
特定の実施形態では、工程１４０の気体圧力の増大は、真空チャンバ４０から真空を除去（すなわち、真空チャンバ４０を通気）して、それにより、区域３５内の真空チャンバ４０内の気体圧力を増大させることにより生成される。また更に、他の実施形態では、区域３５内の気体圧力は、真空チャンバ４０の区域３５内に追加の気体を投入することにより、工程１４０で代わりに又は更に増大させることができる。気体圧力は、周囲圧力に、あるいは１０１ｋＰａより高い圧力、例えば、最大２００ｋＰａに上昇させることができる。
【００５９】
本発明はまた、図７で提供される実施形態の代替の積層方法を提供する。この方法では、図７の論理流れ図と併せて説明したように最初に第１の工程（上記の工程１１０）で稜線部分２８の一部分２９を付加（又は接着）して、次に、続いて稜線部分２８全体を周囲部分１８に封着する（上記の工程１３０）のと反対に、図８に示す論理流れ図と併せて説明するように、ＰＬ層１２の稜線部分２８全体が、単一の工程で周囲部分１８に封着される。
【００６０】
図８を参照して、積層方法は、工程２００で始まり、ＰＬ層１２は、ＬＥＤアレイ１１の上に実装される。工程２００の方法は、実質的に図７の工程１００に関して上記で提供されたようであり、本明細書で繰り返さない。
【００６１】
工程１００と同様に、特定の実施形態では、工程２００のＬＥＤアレイ１１へＰＬ層１２を実装することは、真空チャンバ４０内で実行され、他の実施形態では、工程２００のＬＥＤアレイ１１へＰＬ層１２を実装することは、ＰＬ層１２及びＬＥＤアレイ１１を真空チャンバ４０内に配置する前に実行される。
【００６２】
次に、工程２１０で、工程２００が真空チャンバ４０内で実行されない特定の実施形態では、実装されたＰＬ層１２を有するＬＥＤアレイ１１は、製造装置５０の真空チャンバ４０内に配置される。代わりに、工程２００が真空チャンバ４０内で実行される場合、論理は、工程１２０に進む。任意の支持層（例えば、２４）は、工程２２０に進む前に除去されている。
【００６３】
工程２２０で、真空チャンバ４０内に真空が印加され、ＰＬ層１２の稜線部分２８は、稜線部分２８を軟化させる（すなわち、それらを流動性にする）ために、第１の温度に加熱される。
【００６４】
工程２３０で、軟化した稜線部分２８は、印加された真空下で周囲部分１８に封着され、それにより、稜線部分２８と周囲部分１８との間の封着された周囲３３を生成する。この封着プロセス中に、上述したことと同様に、ＰＬ層１２の稜線部分２８の実質的に未硬化の熱硬化性材料は、反応（すなわち、架橋又は硬化）を開始し、架橋の程度が増大すると稜線部分２８の流動特性を低減する。
【００６５】
また更に、中間部分２６と、サブマウントウェハ１３の第１の面１５と、封着された周囲３３との間の空間内に画定された気密性内部領域３２が生成される。換言すれば、気体の流動は、気密性部分３２から封着された周囲３３を通って、真空チャンバ４０の残部３５に、及びその逆に、移動するのを妨げられる。
【００６６】
ＰＬ層１２が第２の表面２２に結合された支持層２４を含む特定の実施形態では、工程２３０は、以下の工程２４０の前に、第２の表面２２から支持層２４を除去することを更に含む。支持層２４は、封着を開始する前（工程２３０の前）に除去することができる。これらの実施形態のいくつかでは、感圧性接着剤（ＰＳＡ）テープを支持層２４に貼って、それを支持層２４に接着して、ＰＳＡテープ及び接着された支持層２４を第２の表面２０から引き離すことにより、支持層２４は、第２の表面２０から除去される。
【００６７】
次に、工程２４０で、まだ真空下のままで、稜線部分２８及び中間部分２６の両方を含むＰＬ層１２は、中間部分２６を軟化させる（すなわち、中間部分を流動性にする）ために、第１の温度に加熱される。加熱軟化した中間部分２６は、ＰＬ層１２をＬＥＤアレイ１１の上に共形にコーティングする前に、単一の加熱する工程で第１の温度にＰＬ層１２の中間部分２６を加熱することにより得られる。
【００６８】
特定の実施形態では、プリフォームされた層１２を第１の温度に加熱するために、工程１１０、工程２３０のいずれか１つで上述した加熱装置３９と同じ又は異なる加熱装置３９を使用することができる。
【００６９】
特定の実施形態では、加熱装置３９は、真空チャンバ４０内でＬＥＤアレイ１１の第２の面１６に隣接するが熱伝達状態にない位置に配置された（すなわち、第２の面１６は、加熱装置３９とＬＥＤアレイ１１の第１の面１５との間に配置され、加熱装置３９は、作動した場合でもＬＥＤアレイ１１及び実装された層１２の温度を上昇させない）、加熱板などの加熱装置３９である。これらの実施形態では、工程１１０のようにＰＬ層１２を加熱するために、ＬＥＤアレイ１１は、加熱装置３９と熱伝達状態にない第１の位置から、加熱装置と熱伝達状態にある第２の位置に移動される（すなわち、ＬＥＤアレイ１１の第２の面１６は、加熱装置３９により近くに又は接触状態に移動される）。この第２の位置では、加熱装置３９が作動すると、上述したようにＰＬ層１２の中間部分２６及び部分３０を軟化させるように中間部分２６及び部分３０を第１の温度に加熱するために、熱がＬＥＤアレイ及び実装された層１２に伝達される。
【００７０】
これらの実施形態のいくつかでは、真空チャンバ４０は、係合位置と非係合位置との間で移動可能な、少なくとも１つの転置可能な構造体を有する外部フレームを含む。係合位置（前の段落で説明した第１の位置に対応する）では、ＬＥＤアレイ１１の第２の面１６は、加熱装置３９に隣接して吊り下げられるように、少なくとも１つの転置可能な構造体上に配置され、したがってＬＥＤアレイ１１は、加熱装置３９と熱伝達状態にない。少なくとも１つの転置可能な構造体が係合位置から非係合位置に移動すると、ＬＥＤアレイ１１は、もはや少なくとも１つの転置可能な構造体と接触せず、ＬＥＤアレイ１１が加熱装置３９との熱伝達状態に移動する（すなわち、第２の位置に移動する）ことが可能になり、したがって、加熱器部分が作動すると、ＬＥＤアレイ及びフィルムを加熱することが可能になる。特定の実施形態では、転置可能な構造体は、サブマウントウェハ１３の周囲部分１８の上にラミネート層１２の稜線部分２８を突き当て、それにより、周囲全周を気密性封着させるように移動することができる。
【００７１】
これらの実施形態のいくつかでは、転置可能な構造体は、係合位置で外部フレームから延び、非係合位置でフレーム内に後退することができる、押しピン又はばねである。
【００７２】
次に、工程２５０で、ラミネート層１２の中間部分２６が第１の温度に加熱された後で、ラミネート層１２全体を、ＬＥＤアレイ１１の上に合致させる。これは、図７の工程１４０で上述したように、気密性内部領域３２に対して区域３５内の真空チャンバ４０内の気体圧力を上昇させることにより実現される。したがって、区域３５内の増大した圧力は、図６の矢印３７により示すように軟化したＰＬ層１２の第２の表面２２上に力を作用させ、ダイオード１４のアレイのそれぞれの上、ダイオード１４の間のウェハサブマウント１３の第１の面１５の内側部分１９の上、及びウェハサブマウント１３の周囲部分１８の第１の面の上を含む、ＬＥＤアレイ１１の第１の面１５上に存在する特徴のそれぞれに第１の表面２０を封着（すなわち、共形）接触状態に押す。
【００７３】
加熱された層１２がＬＥＤアレイ１１の上に接触すると、中間部分２６の実質的に未硬化の熱硬化性材料は、反応及び硬化を継続する。経時的に、層１２全体は、ＬＥＤアレイ１１の第１の表面１５全体の上に、硬化して合致した層を形成する。
【００７４】
特定の実施形態では、工程２５０の気体圧力の増大は、真空チャンバ４０から真空を除去（すなわち、真空チャンバ４０を通気）して、それにより、気密性内部領域３２に対する区域３５内の真空チャンバ４０内の気体圧力を増大させることにより生成される。また更に、他の実施形態では、気体圧力は、真空チャンバ４０の区域３５内に追加の気体を投入することにより、工程２５０で増大させることができる。
【００７５】
図１に関して例示して説明したような、図７又は図８のいずれかに関連した論理流れ図の方法に従って形成されたような、結果としてできるＬＥＤデバイス１０は、次に、製造装置５０の真空チャンバ４０から取り出すことができ、多様な照明用途での使用のために利用することができる。本発明の方法により形成されたＬＥＤデバイス１０は、実質的に欠陥がないむらのない層厚さの、ＬＥＤ１４のための保護をして耐久性のあるコーティング層を提供する、共形にコーティングされたＰＬ層１２を含む。図１で、ＰＬ層１２は、合致したラミネート層として示されている。合致したフィルム層１２内に均一にむらなく分布した、この合致した層１２内に含まれる蛍光体材料により、個別のダイオード１４から放射された又はダイオードのアレイの２つ以上から集合した光を、その意図した使用のための所望の光効果を提供するように方向付ける又は他の方法でフィルターをかけることが可能になる。
【００７６】
本発明の真空積層方法は、２つの別個の加熱する工程を用いる二工程真空積層方法と比較して多数の利点を提供する。プリフォームされたラミネート層（例えば、１２）の中間部分（例えば、２６）を加熱することを、プリフォームされたラミネート層（例えば、１２）がＬＥＤ（例えば、１４）の上に共形にコーティングされる直前に進行する１つの加熱する工程に限定することにより、２つの別個の加熱する工程が用いられる従来技術での二工程真空積層技術に対して、プリフォームされたラミネート層（例えば、１２）を適用して合致させるためのプロセスウィンドウが増大する。
【００７７】
この増大したプロセスウィンドウにより、異なるレオロジー若しくは硬化速度を有する追加の又は異なるバインダ組成物と組み合わせた、異なる蛍光体レベルを有するプリフォームされたラミネート層（例えば、１２）の使用が可能になり、二工程真空積層技術が可能にするより長い加熱時間を必要とすることができる。結果としてできるＬＥＤデバイス（例えば、１０）は、したがって、二工程真空積層技術を用いて形成されるＬＥＤデバイスで実現することができるより、多様な光の色及び品質を有して形成することができる。
【００７８】
また更に、増大した処理時間により、最も高い高さのＬＥＤ上に均一な厚さの蛍光体層を依然実現しながら、異なる特徴高さを有するダイオード１４のアレイ（例えば、より背の低い従来のダイオード及びより背の高いサファイアダイオードを含むダイオード１４のアレイなどの）の上にＰＬ層１２を合致させることが可能になる。そのように、これらのダイオードのアレイに対する所望の照明特性は、精密に予想どおりに制御することができる。
【００７９】
図５及び図６で、ＰＬ層１２は、ダイオード１４の上部に接触しないで示されている。この構成は、ダイオード１４より高くすることができ、したがって、共形コーティング工程の前にＰＬ層１２をダイオード１４から離して保持することができる、追加の構造体（図示せず）をＬＥＤアレイが有する場合に、行うことができる。代わりに、ダイオード１４より高い追加の構造体がない場合、ＰＬ層１２を、ダイオード１４の上部に位置して接触する（図示せず）ことを可能にすることができる。
【００８０】
図９は、プリフォームされたラミネート層並びに積層を必要とする第１の表面及び第１の表面の反対の第２の表面を有する対象物を含む組立品から、共形にコーティングされた物品を形成する方法の一実施形態のプロセス座標の図表である。プロセス座標は、段階１（左端）の開始での組立品で始まり、段階３（右端）での共形にコーティングされた物品で終わる、３つの概略の継続する段階１、２、及び３に分割される。プロセス座標は、プリフォームされたラミネート層の温度（実線）及び製造装置の真空チャンバ内の圧力（破線）をグラフ化している。
【００８１】
再び図９を参照して、図７の工程１２０の「真空を印加する」部分の実施形態を独立して含み（かつ、工程１２０の「中間部分を加熱する」部分を含まない場合がある）、図８の工程２２０を含む段階１で、組立品は、作動する加熱器（図示せず）から離して間隔を置かれ、真空チャンバは、真空チャンバ及びプリフォームされたラミネート層と対象物との間から気体を除去するように印加された真空により排気される。段階１で、プロセス座標は、真空チャンバ内の圧力の実質的な減少、及び組立品のプリフォームされたラミネート層の温度のたかだかわずかな増大を示し、段階１の温度の増大は、真空チャンバを排気するのに要する時間と比較して、及びプリフォームされたラミネート層を軟化させる又は硬化させるために必要な温度と比較して、なんら重要でないしたがって、段階１で、プリフォームされたラミネート層の、最小限の加熱がある、又は加熱がない。段階１は、加熱する工程の前に行われる、真空を印加する工程を含む。真空チャンバ内に真空を印加することにより、製造装置の真空チャンバ内に印加された真空を生成するように、プリフォームされたラミネート層の第１の表面と対象物の第１の表面との間からを含めて真空チャンバから気体を除去する。
【００８２】
再び図９を参照して、図７の工程１３０並びに図８の工程２３０及び２４０の実施形態を独立して含む段階２のすべての間、真空チャンバ及びプリフォームされたラミネート層の第１の表面と対象物の第１の表面との間の空間は、印加された真空下にある。段階２の開始時に、対象物の第２の表面が作動する加熱器と熱伝達状態になるまで、組立品が作動する加熱器に向かって（又はその逆に）移動される。段階２に示すように、熱伝達状態は、結果として、対象物の温度の急激な増大となり、次に、対象物と接触するプリフォームされたラミネート層の温度の急激な増大となる。プリフォームされたラミネート層の加熱軟化した中間部分は、プリフォームされたラミネート層を対象物の上に共形にコーティングする前に、単一の加熱する工程で第１の温度に中間部分を加熱することにより得られる。段階２の最後で、プリフォームされたラミネート層の稜線部分及び中間部分の温度は、第１の温度に到達していて、プリフォームされたラミネート層の稜線部分及び中間部分は、軟化し、稜線部分は、対象物の第１の表面の周囲部分に封着し、それにより、印加された真空下で、組立品が気密性内部領域を含むように、気密性封止を形成する。気密性内部領域は、真空チャンバ内の印加された真空に実質的に等しい、低減した気体圧力を含む。段階２の最後で、真空チャンバ内の圧力の増大はなく、したがって、物品の第１の表面の内側部分へのプリフォームされたラミネート層の軟化した中間部分の接触はない。したがって、段階２は、加熱及び封着する工程を含むが、合致させる工程は含まない。
【００８３】
再び図９を参照して、図７の工程１４０及び図８の工程２５０の実施形態を独立して含む段階３の最初に、真空チャンバ内の気体圧力が増大される一方で、プリフォームされたラミネート層の温度がその軟化温度以上に維持されるように加熱が維持される。真空チャンバ内の気体圧力は、気密性内部領域内の低減した気体圧力より大きくなる。これは、合致させる工程の始まりである。気体圧力の増大により、段階３の最後までに共形にコーティングされた物品を製造するように、対象物の第１の表面の内側部分に対してプリフォームされたラミネート層の加熱軟化した中間部分が共形に押される。したがって、段階３は、合致させる工程であり、加熱及び封着する工程の後で行われる。共形にコーティングされた物品が製造されたら、その物品は、冷却されて製造装置から取り出すことができる。冷却及び取り出しは、任意の順序で行うことができる。冷却され、取り出された共形にコーティングされた物品は、独立したものとすることができ、本発明の別の態様である。
【００８４】
第１の積層温度、印加された真空工程中の排気の持続時間、及び加熱する工程に対する真空を印加する工程のタイミングは、制御するための当該技術分野の通常技術内であろう多数の要因に依存することがある。そのような要因としては、製造装置のポンプ速度（すなわち、どれほど速く所与の製造装置の真空チャンバを排気することができるか）、真空チャンバの熱的特性（すなわち、その温度及び熱伝導能力）、プリフォームされたラミネート層の粘弾性特性、並びに積層される対象物の設計及び性質（例えば、物体の第１の表面の内側部分上の表面特徴がどれほど小さく、したがって、どれほど容易にこれらの表面特徴が共形にコーティングされるか、及び共形にコーティングされた物品の使用のために高品質の共形のコーティングを実現することがどれほど重要か）が挙げられる。プリフォームされたラミネート層の加熱の前に真空チャンバの良好な排気を確実にすることは、対象物の第１の表面の周囲部分へのプリフォームされたラミネート層の稜線部分の気密性封止を形成するのに役立つことができる。プリフォームされたラミネート層の第１の温度は、プリフォームされたラミネート層の下に空気又は他の気体を閉じ込めることを回避するためのプリフォームされたラミネート層と対象物との間からの気体の除去の程度を実現する前の、早すぎる封着を引き起こすほど高すぎず、プリフォームされたラミネート層を軟化させ、気密性封止の形成及び維持を可能にするのに充分高くすることができる。プリフォームされたラミネート層が、高温に加熱すると揮発性物質を生成する材料からなる場合、プリフォームされたラミネート層の第１の温度は、揮発温度を下回って保持することができる。排気の速度は、プリフォームされたラミネート層が軟化して空気又は他の気体を閉じ込め始める前に真空チャンバ内に良好な印加された真空を実現するタイミングを実現するように、プリフォームされたラミネート層を加熱する速度より充分速くなるように調整することができる。プリフォームされたラミネート層は、印加された真空が実現する前に加熱され始めることがあるが、完全な印加された真空を実現する前のプリフォームされたラミネート層を加熱することがプリフォームされたラミネート層を軟化させるのに不充分であるように、排気の速度は制御される。いくつかの実施形態では、プリフォームされたラミネート層の稜線部分を加熱することは、印加された真空が実現されたすぐ後で開始され、加熱が開始されたすぐ後に（例えば、５分未満後に）気密性封止の形成を可能にするのに充分速い。他の実施形態では、プリフォームされたラミネート層の稜線部分を加熱することは、印加された真空が実現する前に開始されるが、加熱の速度は、印加された真空が実現した後までプリフォームされたラミネート層の稜線部分が第１の温度に到達又は軟化しないように、真空チャンバを排気する速度に対して充分遅い。
【００８５】
図１０は、方法の一実施形態により調製された組立品８の平面図であり、組立品８は、接着する工程により製造された、気密性封着する工程の前のものである。図１０で、ＰＬ層１２は、ダイオード１４のアレイ１１の上に実装されていて、ＰＬ層１２の中間部分２６は、ダイオード１４を共形にコーティングしていない。ＰＬ層１２の稜線部分２８は、１つ以上の位置２９でサブマウントウェハ１３の周囲部分１８にスポット接着されていて、１つ以上の位置３０でサブマウントウェハ１３の周囲部分１８に接着されていない。組立品８は、真空を印加する工程、又は投入する工程及び真空を印加する工程などの準備ができている。
【００８６】
いくつかの実施形態では、発明の実施形態は、以下に付番した態様１〜３３のうちのいずれか１つである。
【００８７】
態様１．真空チャンバを有する製造装置内で発光ダイオードデバイスを製造するための方法であって、この方法は、（Ａ）サブマウントウェハの第１の面の内側部分上に配置された発光ダイオードのアレイを含む発光ダイオード（ＬＥＤ）アレイであって、サブマウントウェハは内側部分を囲む周囲部分及び第１の面の反対の第２の面を更に含む、ＬＥＤアレイの上に、第１の表面及び第２の表面を有するプリフォームされたラミネート層であって、プリフォームされたラミネート層の第１の表面は、サブマウントウェハの第１の面とプリフォームされたラミネート層の第２の表面との間に配置され、プリフォームされたラミネート層は、稜線部分により囲まれた中間部分を有する、プリフォームされたラミネート層を実装することと、（Ｂ）プリフォームされたラミネート層の稜線部分の一部分をサブマウントウェハの第１の面の周囲部分に接着することと、（Ｃ）ＬＥＤアレイ及びプリフォームされたラミネート層を真空チャンバに投入することと、（Ｄ）工程（Ｃ）の後で、真空チャンバ内に真空を印加して、プリフォームされたラミネート層の稜線部分及び中間部分を軟化させるのに充分な第１の温度にプリフォームされたラミネート層を加熱することと、（Ｅ）間に気密性封止を生成して、それにより、気密性封止、プリフォームされたラミネート層の第１の表面、及びサブマウントウェハの第１の面により画定される気密性内部領域を生成するために、印加された真空下で軟化した稜線部分を周囲部分に封着することと、（Ｆ）工程（Ｅ）の後で、気密性内部領域により画定されない区域内の真空チャンバ内の気体圧力を気密性内部領域内の気体圧力より大きな圧力に増大することにより、軟化したプリフォームされたラミネート層をＬＥＤアレイの上に合致させることと、を含む。プリフォームされたラミネート層の加熱軟化した中間部分は、プリフォームされたラミネート層をＬＥＤアレイの上に共形にコーティングする前に、単一の加熱する工程で第１の温度にプリフォームされたラミネート層の中間部分を加熱することにより得られる。
【００８８】
態様２．工程（Ｃ）が、工程（Ｂ）の前に行われる、態様１による方法。
【００８９】
態様３．工程（Ｃ）が、工程（Ａ）の前に行われる、態様１又は態様２による方法。
【００９０】
態様４．工程（Ｃ）が、工程（Ａ）及び工程（Ｂ）の後に行われる、態様１による方法。
【００９１】
態様５．工程（Ｂ）が、（Ｂ１）プリフォームされたラミネート層の中間部分及び稜線部分の別の部分を第１の温度を下回る温度に維持しながら、プリフォームされたラミネート層の稜線部分の一部分を軟化させるために、稜線部分の一部分を第１の温度に加熱すること、及び（Ｂ２）プリフォームされたラミネート層の軟化した稜線部分の第１の表面と周囲部分との間で粘着性が得られるまで稜線部分の軟化した部分を周囲部分に押圧することを含み、粘着性は、気密性内側部分が生成されないように、稜線部分の別の部分との間で得られない、前述の態様のいずれか１つによる方法。
【００９２】
態様６．工程（Ｂ１）及び（Ｂ２）が、同時に実行される、態様５による方法。
【００９３】
態様７．工程（Ｅ）が、（Ｅ１）間に気密性封止を生成するために、印加された真空下で周囲部分に対して軟化した稜線部分を押圧して、それにより、気密性封止、プリフォームされたラミネート層の第１の表面、及びサブマウントウェハの第１の面により画定される気密性内部領域を生成することを含む、前述の態様のいずれか１つによる方法。
【００９４】
態様８．工程（Ｆ）が、（Ｆ１）工程（Ｅ）の後で、真空チャンバ内の印加された真空を除去することによりＬＥＤアレイの上に軟化したプリフォームされたラミネート層を合致させることを含む、前述の態様のいずれか１つによる方法。
【００９５】
態様９．製造装置が、サブマウントウェハの周囲部分と熱伝達状態にある第１の加熱装置を含み、工程（Ｂ１）が、（Ｂ−１ａ）プリフォームされたラミネート層の中間部分を第１の温度を下回る温度に維持しながら、稜線部分を軟化させるようにサブマウントウェハの周囲部分を第１の温度に加熱するために、第１の加熱装置を作動させることを含む、態様５から８のいずれか１つによる方法。
【００９６】
態様１０．製造装置が、第１の加熱装置と同じ又は異なる、プリフォームされたラミネート層と熱伝達状態にある第２の加熱装置を含み、工程（Ｅ）が、（Ｅ１）真空チャンバ内に真空を印加し、プリフォームされたラミネート層の稜線部分及び中間部分を軟化させるようにプリフォームされたラミネート層を第１の温度に加熱するために第２の加熱装置を作動させることを含む、前述の態様のいずれか１つによる方法。
【００９７】
態様１１．製造装置が、第１の加熱装置と同じ又は異なる、ＬＥＤアレイの第２の面に隣接するが熱伝達状態にない状態に配置された第２の加熱装置を含み、工程（Ｅ）が、（Ｅ１）真空チャンバ内に真空を印加することと、（Ｅ２）第２の加熱装置との熱伝達状態にＬＥＤアレイの第２の面を移動することと、（Ｅ３）ＬＥＤアレイが第２の加熱装置と熱伝達状態にある場合にＬＥＤアレイを加熱するために、第２の加熱装置を作動させることと、を含み、ＬＥＤアレイを加熱することは、稜線部分を軟化させ中間部分を軟化させるために、プリフォームされたラミネート層を第１の温度に加熱する、態様１から９のいずれか１つによる方法。
【００９８】
態様１２．真空チャンバが、係合位置と非係合位置との間で移動可能な少なくとも１つの転置可能な構造体を有する外部フレームを含み、工程（Ａ）及び（Ｃ）が、（１）サブマウントウェハの第１の面の内側部分上に配置された発光ダイオードのアレイを含むＬＥＤアレイであって、サブマウントウェハは内側部分を囲む周囲部分及び第１の面の反対の第２の面を更に含み、ＬＥＤアレイの第２の面は、第２の加熱装置に隣接するが熱伝達状態にない、ＬＥＤアレイを、少なくとも１つの転置可能な構造体上に配置すること、及び（２）第１の表面及び第２の表面を有するプリフォームされたラミネート層をＬＥＤアレイの上に実装することを含み、プリフォームされたラミネート層の第１の表面は、サブマウントウェハの第１の面とプリフォームされたラミネート層の第２の表面との間に配置され、プリフォームされたラミネート層は、稜線部分により囲まれた中間部分を有する、態様１１による方法。
【００９９】
態様１３．工程（Ｅ２）が、（Ｅ２−ａ）ＬＥＤアレイの第２の面が第２の加熱装置との熱伝達状態に移動することを可能にするために、係合位置から非係合位置に転置可能な構造体を移動することを含む、態様１２による方法。
【０１００】
態様１４．プリフォームされたラミネート層が、第２の表面に結合された支持層を含み、方法が、（Ｇ）工程（Ｂ）の後だが工程（Ｅ）の前に第２の表面から支持層を除去することを更に含む、前述の態様のいずれか１つによる方法。
【０１０１】
態様１５．（Ｈ）実質的に未硬化の熱硬化性材料内に配置された蛍光体材料を含むプリフォームされたラミネート層を形成することを更に含む、前述の態様のいずれか１つによる方法。
【０１０２】
態様１６．（Ｈ）シリコーンバインダ内に配置された蛍光体材料を含むプリフォームされたラミネート層を形成することを更に含む、態様１から１４のいずれか１つによる方法。
【０１０３】
態様１７．（Ｈ）（１）スラリーを形成するために蛍光体材料をシリコーンバインダと混合することと、（２）スラリーを支持層上に分配することと、（３）スラリーを乾燥させることと、により、支持層に結合されたプリフォームされたラミネート層を形成することを更に含む、態様１４による方法。
【０１０４】
態様１８．真空チャンバを有する製造装置内で発光ダイオードデバイスを製造するための方法であって、この方法は、（Ａ）サブマウントウェハの第１の面の内側部分上に配置された発光ダイオードのアレイを含む発光ダイオード（ＬＥＤ）アレイであって、サブマウントウェハは内側部分を囲む周囲部分及び第１の面の反対の第２の面を更に含む、発ＬＥＤアレイの上に、第１の表面及び第２の表面を有するプリフォームされたラミネート層であって、プリフォームされたラミネート層の第１の表面は、サブマウントウェハの第１の面とプリフォームされたラミネート層の第２の表面との間に配置され、プリフォームされたラミネート層は、稜線部分により囲まれた中間部分を有する、プリフォームされたラミネート層を実装することと、（Ｂ）ＬＥＤアレイ及びプリフォームされたラミネート層を真空チャンバに投入することと、（Ｃ）工程（Ｂ）の後で、真空チャンバ内に真空を印加することと、（Ｄ）間に気密性封止を生成して、それにより、気密性封止、プリフォームされたラミネート層の第１の表面、及びサブマウントウェハの第１の面により画定される気密性内部領域を生成するために、印加された真空下で稜線部分を周囲部分に封着することと、（Ｅ）工程（Ｄ）の後で、プリフォームされたラミネート層の中間部分を軟化させるのに充分な第１の温度にプリフォームされたラミネート層を加熱することと、（Ｆ）気密性内部領域により画定されない区域内の真空チャンバ内の気体圧力を気密性内部領域内の気体圧力より大きな圧力に増大させることにより、軟化したプリフォームされたラミネート層をＬＥＤアレイの上に合致させることと、を含み、あるいは、工程（Ｄ）及び（Ｅ）は、プリフォームされたラミネート層が、印加された真空が実現する前に加熱され始めるが、完全な印加された真空を実現する前のプリフォームされたラミネート層を加熱することがプリフォームされたラミネート層を軟化させるのに不充分であるように、排気の速度は制御されるように、同時にだが異なる速度で行われる。
【０１０５】
態様１９．工程（Ｂ）が、工程（Ａ）の前に行われる、態様１８による方法。
【０１０６】
態様２０．工程（Ｂ）が、工程（Ａ）の後で行われる、態様１８による方法。
【０１０７】
態様２１．工程（Ｄ）が、（Ｄ１）プリフォームされたラミネート層の中間部分を第１の温度を下回る温度に維持しながら、プリフォームされたラミネート層の稜線部分の一部分を軟化させるために、稜線部分を第１の温度に加熱すること、及び（Ｄ２）プリフォームされたラミネート層の軟化した稜線部分の第１の表面とサブマウントウェハの周囲部分との間で気密性封止が得られるまで稜線部分の軟化した部分を周囲部分に押圧して、それにより、気密性封止、プリフォームされたラミネート層の第１の表面、及びサブマウントウェハの第１の面により画定される気密性内部領域を生成することを含む、態様１８から２０のいずれか１つによる方法。
【０１０８】
態様２２．工程（Ｄ１）及び（Ｄ２）が、同時に実行される、態様２１による方法。
【０１０９】
態様２３．工程（Ｆ）が、（Ｆ１）真空チャンバ内の印加された真空を除去することによりＬＥＤアレイの上に軟化したプリフォームされたラミネート層を合致させることを含む、態様１８から２１のいずれか１つによる方法。
【０１１０】
態様２４．製造装置が、サブマウントウェハの周囲部分と熱伝達状態にある第１の加熱装置を含み、工程（Ｄ１）が、（Ｄ−１ａ）プリフォームされたラミネート層の中間部分を第１の温度を下回る温度に維持しながら、稜線部分を軟化させるようにサブマウントウェハの周囲部分を第１の温度に加熱するために、第１の加熱装置を作動させることを含む、態様２１から２３のいずれか１つによる方法。
【０１１１】
態様２５．製造装置が、第１の加熱装置と同じ又は異なる、プリフォームされたラミネート層と熱伝達状態にある第２の加熱装置を含み、工程（Ｅ）が、（Ｅ１）プリフォームされたラミネート層の中間部分を軟化させるようにプリフォームされたラミネート層を第１の温度に加熱するために第２の加熱装置を作動させることを含む、態様１８から２４のいずれか１つによる方法。
【０１１２】
態様２６．製造装置が、第１の加熱装置と同じ又は異なる、ＬＥＤアレイの第２の面に隣接するが熱伝達状態にない状態に配置された第２の加熱装置を含み、工程（Ｅ）が、（Ｅ１）第２の加熱装置との熱伝達状態にＬＥＤアレイの第２の面を移動すること、及び（Ｅ２）ＬＥＤアレイが第２の加熱装置と熱伝達状態にある場合にＬＥＤアレイを加熱するために、第２の加熱装置を作動させることを含み、ＬＥＤアレイを加熱することは、稜線部分を軟化させ中間部分を軟化させるためにプリフォームされたラミネート層を第１の温度に加熱する、態様１８から２４のいずれか１つによる方法。
【０１１３】
態様２７．真空チャンバが、係合位置と非係合位置との間で移動可能な少なくとも１つの転置可能な構造体を有する外部フレームを含み、工程（Ａ）及び（Ｂ）が、（１）サブマウントウェハの第１の面の内側部分上に配置された発光ダイオードのアレイを含むＬＥＤアレイであって、サブマウントウェハは内側部分を囲む周囲部分及び第１の面の反対の第２の面を更に含み、ＬＥＤアレイの第２の面は、第２の加熱装置に隣接するが熱伝達状態にない、ＬＥＤアレイを、少なくとも１つの転置可能な構造体上に配置すること、及び（２）第１の表面及び第２の表面を有するプリフォームされたラミネート層をＬＥＤアレイの上に実装することを含み、プリフォームされたラミネート層の第１の表面は、サブマウントウェハの第１の面とプリフォームされたラミネート層の第２の表面との間に配置され、プリフォームされたラミネート層は、稜線部分により囲まれた中間部分を有する、態様２６による方法。
【０１１４】
態様２８．工程（Ｅ１）が、（Ｅ１−ａ）ＬＥＤアレイの第２の面が第２の加熱装置との熱伝達状態に移動することを可能にするために、係合位置から非係合位置に転置可能な構造体を移動することを含む、態様２７による方法。特定の実施形態では、転置可能な構造体は、サブマウントウェハ１３の周囲部分１８の上にプリフォームされたラミネート層１２の稜線部分２８を突き当て、それにより、気密性内部領域を形成するためにサブマウントウェハ１３の周囲全周を気密性封着させるように移動することができる。
【０１１５】
態様２９．プリフォームされたラミネート層が、第２の表面に結合された支持層を含み、方法が、（Ｇ）工程（Ｄ）の後だが工程（Ｅ）の前に第２の表面から支持層を除去することを更に含む、態様１８から２８のいずれか１つによる方法。
【０１１６】
態様３０．（Ｈ）実質的に未硬化の熱硬化性材料内に配置された蛍光体材料を含むプリフォームされたラミネート層を形成することを更に含む、態様１８から２９のいずれか１つによる方法。
【０１１７】
態様３１．（Ｈ）シリコーンバインダ内に配置された蛍光体材料を含むプリフォームされたラミネート層を形成することを更に含む、態様１８から２９のいずれか１つによる方法。
【０１１８】
態様３２．（Ｉ）（１）スラリーを形成するために蛍光体材料をシリコーンバインダと混合することと、（２）スラリーを支持層上に分配することと、（３）スラリーを乾燥させることと、により、支持層に結合されたプリフォームされたラミネート層を形成することを更に含む、態様２９による方法。
【０１１９】
態様３３．前述の態様のいずれか１つの方法により形成された発光ダイオードデバイス。
【０１２０】
いくつかの実施形態では、発明の態様は、以下に付番した態様のうちのいずれか１つである。
【０１２１】
態様一．製造装置の真空チャンバ内に収容された組立品から共形にコーティングされた物品を製造する方法。真空チャンバは、印加された真空を含む。組立品は、プリフォームされたラミネート層、及び積層を必要とする表面を有する対象物を含む。プリフォームされたラミネート層は、第１の表面及び第１の表面の反対の第２の表面、並びに第１の温度で加熱軟化され稜線部分により囲まれた中間部分を有する。対象物は、第１の表面及び第１の表面の反対の第２の表面を有し、第１の表面は、積層を必要とし、内側部分及び内側部分を囲む周囲部分を含む。組立品は、プリフォームされたラミネート層の第１の表面が、対象物の第１の表面に面して配置されるように構成され、プリフォームされたラミネート層の稜線部分は、対象物の第１の表面の周囲部分に対して気密性封止を形成して、組立品は、気密性封止、プリフォームされたラミネート層の第１の表面、及び対象物の第１の表面の組み合わせにより画定される気密性内部領域を含み、プリフォームされたラミネート層の加熱軟化した中間部分は、気密性内部領域により対象物の第１の表面の内側部分から離れて間隔を置かれ、気密性内部領域は、低減した気体圧力を含む。真空チャンバ内の印加された真空は、組立品の気密性内部領域内の低減した気体圧力に実質的に等しく、方法は、真空チャンバ内の気体圧力が気密性内部領域内の低減した気体圧力より大きく、それにより、共形にコーティングされた物品を製造するように、加熱軟化した中間部分を対象物の第１の表面の内側部分に対して共形に押すように、真空チャンバ内の気体圧力を増大することにより、プリフォームされたラミネート層の加熱軟化した中間部分を対象物の第１の表面の内側部分に合致させることを含む。共形にコーティングされた物品は、合致したラミネート層及び対象物を含み、合致したラミネート層は、プリフォームされたラミネート層から形成され、第１の表面及び第１の表面と反対の第２の表面、並びに中間部分及び中間部分を囲む稜線部分を有する。対象物は、内側部分及び内側部分を囲む周囲部分を有する第１の表面を有し、対象物の第１の表面の内側部分は、合致したラミネート層の中間部分により共形にコーティングされ、合致したラミネート層の稜線部分は、対象物の第１の表面の周囲部分に対して気密性封止を形成する。プリフォームされたラミネート層の加熱軟化した中間部分は、プリフォームされたラミネート層を発光ダイオードなどの対象物の上に共形にコーティングする前に、単一の加熱する工程で第１の温度にプリフォームされたラミネート層の中間部分を加熱することにより得られる。
【０１２２】
態様二．合致させる工程で、製造装置の真空チャンバ内の印加された真空を中断して、気体が真空チャンバに入ることを可能にすることにより、気体圧力を真空チャンバ内で増大させる、態様一の方法。環境雰囲気（例えば、空気）内で真空チャンバを通気すること、及び／又は真空チャンバ内に気体を積極的に投入する（例えば、圧縮された気体の発生源から）ことにより、気体圧力は、真空チャンバ内で増大させることができる。
【０１２３】
態様三．合致させる工程の前に、印加された真空下で、組立品の気密性封止及び気密性内部領域を形成するように、プリフォームされたラミネート層の稜線部分を対象物の第１の表面の周囲部分に接触させることにより、プリフォームされたラミネート層の稜線部分を対象物の第１の表面の周囲部分に封着することを更に含み、プリフォームされたラミネート層の稜線部分を接触させることは、第２の温度に加熱軟化されることにより特徴付けられ、第１及び第２の温度は、同じ又は異なる、態様一又は二の方法。
【０１２４】
態様四．封着する工程が、プリフォームされたラミネート層の加熱軟化した稜線部分を対象物の第１の表面の周囲部分に押圧することを含む、態様三の方法。
【０１２５】
態様五．封着する工程の前に、印加された真空下で、プリフォームされたラミネート層の加熱軟化した稜線部分を形成するために、場合によってプリフォームされたラミネート層の稜線部分を第１又は第２の温度に加熱することを更に含む、態様二又は三の方法。
【０１２６】
態様六．合致させる工程の前に、印加された真空下で、プリフォームされたラミネート層の加熱軟化した中間部分を形成するようにプリフォームされたラミネート層の中間部分を軟化させるために、プリフォームされたラミネート層の中間部分を第１の温度に加熱することを更に含む、前述の態様のいずれかの方法。
【０１２７】
態様七．製造装置が、第１の加熱器と対象物の第２の表面との間の熱伝達状態がプリフォームされたラミネート層を軟化させるのに不充分であるように、対象物の第２の表面に隣接して配置された第１の加熱装置を更に含み、加熱する工程が、対象物の第２の表面を第１の加熱装置との熱伝達状態に、又はその逆に、移動することと、第１の加熱装置が熱を生成するように第１の加熱装置を作動させることとを含み、作動した第１の加熱装置は、対象物を加熱し、その結果として、プリフォームされたラミネート層の稜線部分及び中間部分を独立して軟化させるために第１の温度にプリフォームされたラミネート層を加熱する、態様六の方法。
【０１２８】
態様八．作動させる工程が、移動する工程の後で実行される、態様七の方法。
【０１２９】
態様九．真空チャンバが、係合位置から非係合位置に移動可能な少なくとも１つの転置可能な構造体を有する外部フレームを含み、組立品が、装荷された転置可能な構造体を提供するように、少なくとも１つの転置可能な構造体上に配置され、装荷された転置可能な構造体は、係合位置に配置され、加熱する工程が、対象物の第２の表面を第１の加熱装置との熱伝達状態に移動するために、係合位置から非係合位置に装荷された転置可能な構造体を移動することを含む、態様七又は八による方法。いくつかの態様では、少なくとも１つの転置可能な構造体はまた、非係合位置から係合位置に戻って移動可能である。
【０１３０】
態様十．加熱する工程の前に、製造装置の真空チャンバ内に印加された真空を生成するように、プリフォームされたラミネート層の第１の表面と対象物の第１の表面との間からを含めて真空チャンバから気体を除去するために、真空チャンバ内に真空を印加することを更に含む、態様五から九のいずれか１つの方法。
【０１３１】
態様十一．印加する工程の前に、プリフォームされたラミネート層及び対象物を製造装置の真空チャンバ内に投入することを更に含む、態様十の方法。
【０１３２】
態様十二．印加する工程の前で、かつ投入する工程の前、間、又は後に、プリフォームされたラミネート層の第１の表面が対象物の第１の表面に面して配置されるように、プリフォームされたラミネート層を対象物に対して実装することを更に含む、態様十一の方法。
【０１３３】
態様十三．実装する工程で使用されるプリフォームされたラミネート層が、支持層に結合され、実装する工程の後で、投入する工程の前に、プリフォームされたラミネート層の稜線部分の第２の副部分を対象物の第１の表面の周囲部分の第２の副部分に接着することなく、プリフォームされたラミネート層の稜線部分の第１の副部分を対象物の第１の表面の周囲部分の第１の副部分に接着することであって、プリフォームされたラミネート層が支持層に結合されている間に実行される、ことと、接着する工程の後で、実装されたプリフォームされたラミネート層から支持層を除去することと、を更に含む、態様十二の方法。いくつかの実施形態では、態様十の方法は、態様十一から十三のそれぞれのを更に含む。
【０１３４】
態様十四．接着する工程が、プリフォームされたラミネート層の中間部分及びプリフォームされたラミネート層の稜線部分の第２の副部分を第３の温度を下回る温度に維持しながら、プリフォームされたラミネート層の稜線部分の第１の副部分を軟化させるために、プリフォームされたラミネート層の稜線部分の第１の副部分を第３の温度に局所的に加熱すること、及び間に粘着性が得られるまで、プリフォームされたラミネート層の稜線部分の軟化した第１の副部分を対象物の第１の表面の周囲部分の第１の副部分に押圧することを含み、粘着性は、この工程で組立品の気密性内部領域が生成されないように、プリフォームされたラミネート層の稜線部分の第２の副部分と対象物の第１の表面の周囲部分の第２の副部分との間で得られず、第３の温度は、第１及び第２の温度のそれぞれと独立して同じ又は異なる、態様十三の方法。
【０１３５】
態様十五．対象物が、積層を必要とする少なくとも１つの追加の特徴を更に含み、少なくとも１つの追加の特徴は、対象物の第１の表面の内側部分と動作可能な接触状態で組立品の気密性内部領域内に配置され、少なくとも１つの追加の特徴は、合致させる工程で、共形にコーティングされた物品内の合致したラミネート層により、共形にコーティングされる、前述の態様のいずれかの方法。
【０１３６】
態様十六．積層を必要とする少なくとも１つの追加の特徴が、電子デバイス（例えば、プリント回路基板、又は複数の発光ダイオード）、光学デバイス、車両の構成要素、建物の構成要素（例えば、窓、扉、又は器具）、医療機器の構成要素、機械の構成要素、容器、健康管理製品（多用量パッケージを提供するために複数の固体製薬剤形（錠剤、タブレット、薬用ドロップ、カプセルなど）を積層することなど）、又は器具の構成要素を含む、態様十五の方法。
【０１３７】
態様十七．対象物が、複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）及びサブマウントウェハを含み、サブマウントウェハが、第１の表面及び第１の表面の反対の第２の表面を有し、サブマウントウェハの第１の表面は、内側部分及び内側部分を囲む周囲部分を有し、ＬＥＤが、サブマウントウェハの第１の表面の内側部分上に、配列され、ＬＥＤ及びサブマウントウェハの第１の表面の内側部分が、共に積層を必要とする、態様十六の方法。
【０１３８】
態様十八．プリフォームされたラミネート層が、シリコーンバインダ内又は実質的に未硬化の熱硬化性材料内に配置された蛍光体材料を含む、前述の態様のいずれか１つによる方法。
【０１３９】
態様十九．製造装置から共形にコーティングされた物品を取り出すことを更に含む、前述の態様のいずれかの方法。
【０１４０】
態様二十．真空チャンバを有する製造装置内で発光ダイオードデバイスを製造するための方法を含み、（Ａ）サブマウントウェハの第１の面の内側部分上に配置された発光ダイオードのアレイを含む発光ダイオード（ＬＥＤ）アレイであって、サブマウントウェハは内側部分を囲む周囲部分及び第１の面の反対の第２の面を更に含む、ＬＥＤアレイの上に、第１の表面及び第２の表面を有するプリフォームされたラミネート層であって、プリフォームされたラミネート層の第１の表面は、サブマウントウェハの第１の面とプリフォームされたラミネート層の第２の表面との間に配置され、プリフォームされたラミネート層は、稜線部分により囲まれた中間部分を有する、プリフォームされたラミネート層を実装することと、（Ｂ）プリフォームされたラミネート層の稜線部分の一部分をサブマウントウェハの第１の面の周囲部分に接着することと、（Ｃ）ＬＥＤアレイ及びプリフォームされたラミネート層を真空チャンバに投入することと、（Ｄ）工程（Ｃ）の後で、真空チャンバ内に真空を印加して、プリフォームされたラミネート層の稜線部分及び中間部分を軟化させるのに充分な第１の温度にプリフォームされたラミネート層を加熱することと、（Ｅ）間に気密性封止を生成して、それにより、気密性封止、プリフォームされたラミネート層の第１の表面、及びサブマウントウェハの第１の面により画定される気密性内部領域を生成するために、印加された真空下で軟化した稜線部分を周囲部分に封着することと、（Ｆ）工程（Ｅ）の後で、気密性内部領域により画定されない区域内の真空チャンバ内の気体圧力を気密性内部領域内の気体圧力より大きな圧力に増大することにより、軟化したプリフォームされたラミネート層をＬＥＤアレイの上に合致させることと、を含む、前述の態様のいずれかの方法。
【０１４１】
態様二十一．態様２〜３２のいずれか１つの方法による、態様二十の方法。
【０１４２】
態様二十二．前述の態様のいずれかの方法により調製された、共形にコーティングされた物品。
【０１４３】
いくつかの態様又は実施形態では、シリコーンは、樹脂−直鎖オルガノシロキサンの高分子又は高分子の集合である。樹脂−直鎖ポリオルガノシロキサン高分子は、ヒドロシリル化硬化の樹脂−直鎖ポリオルガノシロキサンブロックコポリマー（ｒｅｓｉｎ−ｌｉｎｅａｒ  ｏｒｇａｎｏｓｉｌｏｘａｎｅ  ｂｌｏｃｋ  ｃｏｐｏｌｙｍｅｒｓ）（Ｒ−ＬＯＢコポリマー）とすることができる。Ｒ−ＬＯＢコポリマーは、統計コポリマー、ランダムコポリマー、又は交互コポリマーなどの非ブロックコポリマーの単量体配列と異なる単量体配列を有する。Ｒ−ＬＯＢコポリマーは、ジブロック、トリブロック、又はより高いブロックコポリマーとすることができる。Ｒ−ＬＯＢコポリマーは、別個の直鎖ブロック及び別個の樹脂ブロックにより特徴付けられる高分子からなる。直鎖ブロックは、典型的に、大部分、実質的にすべて、又はすべてのＤ型オルガノシロキサン単位を含み、それらは、二価の直鎖重合体セグメント（例えば、それぞれ１０〜４００単位を有する）を形成するように主として一体に結合していて、その二価の直鎖重合体セグメントは、本明細書で「直鎖ブロック」と呼ばれる。樹脂ブロックは、大部分、実質的にすべて、若しくはすべてのＴ型オルガノシロキサン単位又はＱ単位を含むが、典型的にそれらはＴ型オルガノシロキサン単位である。典型的に、Ｒ−ＬＯＢコポリマー内にＱ単位（ＳｉＯ４／２）がある場合、それらは、相対的に数が少ない（全単位の５モル％未満）。（加えて、Ｒ−ＬＯＢコポリマーは、相対的に少ない数＊のＭ型オルガノシロキサン単位（Ｒ３ＳｉＯ１／２）を含むことがある。Ｒはヒドロカルビルである。＊典型的に５モル％未満のＭ型単位）Ｔ型オルガノシロキサン単位は、主に互いに結合して多価の分枝鎖重合体セグメントを形成し、これは、本明細書で「非直鎖ブロック」と呼ばれる。したがって、Ｒ−ＬＯＢコポリマーは、直鎖ブロックが非直鎖ブロックに結合している高分子からなる。Ｒ−ＬＯＢコポリマーの固体形態では、著しい数のこれらの非直鎖ブロックが、一体に集合してナノ領域を形成することがある。集合したＲ−ＬＯＢコポリマーの非直鎖ブロックは、硬い領域と呼ばれることがあり、直鎖ブロックは、柔らかい領域と呼ばれることがある。Ｒ−ＬＯＢコポリマーは、非ブロックコポリマーのガラス転位温度より高いガラス転位温度（Ｔｇ）により特徴付けることができる。これらのＲ−ＬＯＢコポリマーは、低モル量の不飽和脂肪族基を含むように設計することができ、それらにより、（光）電子デバイスの封止又はカプセル化などの下流の産業用途におけるコポリマーの架橋結合が可能になる。これらのＲ−ＬＯＢコポリマーのいくつかの実施形態は、追加の種類の反応基を更に含み、それにより、Ｒ−ＬＯＢコポリマーを二重硬化機構で使用されるように機能的にするが可能になる。一部のＲ−ＬＯＢコポリマーは、ナノ相分離型であり、主としてＤ単位からなる直鎖ブロック及び主としてＴ単位からなる樹脂ブロックのナノサイズの領域を含む。
【０１４４】
樹脂−直鎖ポリオルガノシロキサン高分子は、４０〜９０モル％のＤ型単位の化学式［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］、１０〜６０モル％のＴ型単位の化学式［Ｒ２ＳｉＯ３／２］、０．５〜３５モル％のシラノール基［Ｓｉ−ＯＨ］を含む、ヒドロシリル化硬化の樹脂−直鎖ポリオルガノシロキサンブロックコポリマーを含むことができる。それぞれのＲ１及びＲ２は、独立して、０脂肪族不飽和結合を有する（Ｃ１−Ｃ３０）ヒドロカルビル、又は少なくとも１脂肪族不飽和結合を含む（Ｃ１−Ｃ３０）ヒドロカルビルであり、樹脂−直鎖オルガノシロキサンブロックコポリマーは、少なくとも１つの脂肪族不飽和結合を含む０．５〜５モル％の（Ｃ１−Ｃ３０）ヒドロカルビルを含む。Ｄ型単位［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］は、直鎖ブロック１つ当たり平均して１００〜３００個のＤ型単位［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］を有する直鎖ブロック中に配置されており、Ｔ型単位［Ｒ２ＳｉＯ３／２］は、少なくとも５００グラム／モル（ｇ／ｍｏｌ）の分子量を有する非直鎖ブロック中に配置されており、非直鎖ブロックの少なくとも３０モル％は互いに架橋されており、各直鎖ブロックは、Ｄ型又はＴ型シロキサン単位を含む二価のリンカーを介して少なくとも１つの非直鎖ブロックに結合されている。樹脂−直鎖オルガノシロキサンブロックコポリマーは、少なくとも２０，０００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量（Ｍｗ）を有することができる。
【０１４５】
当該技術分野で既知のＲ−ＬＯＢコポリマーを含む、任意の樹脂−直鎖オルガノシロキサンブロックコポリマーが意図されている。例えば、米国特許出願公開第２０１４／０３５７８２７（Ａ１）号、米国特許出願公開第２０１３／０１６５６０２（Ａ１）号、米国特許出願公開第２０１３／０１６８７２７（Ａ１）号、米国特許出願公開第２０１３／１７１３５４（Ａ１）号、米国特許第８，９２１，４９５（Ｂ２）号として発行された米国特許出願公開第２０１３／０１７２４９６（Ａ１）号、及び米国特許出願公開第２０１３／０２４５１８７（Ａ１）号を参照されたい。
【０１４６】
積層歩留まり試験方法：総数ｘのＬＥＤダイオード及びしたがってｘ個のそれぞれの電極の対の間の隙間を含む共形にコーティングされたＬＥＤアレイで、隙間を目視検査して、共形のコーティングで完全に充填された隙間の数ｆ、及び充填されていない又は空気ポケットを有する隙間の数ｕを判定する。積層歩留まり（ＬＹ）は、パーセントで表した、隙間の総数ｘで割った充填された隙間の数ｆである。ＬＹ＝１００（ｆ／ｘ）積層歩留まりを試験するために有用ないくつかの実施形態では、ｘ＝１３２のＬＥＤを有する１１×１２のＬＥＤアレイが使用され、ｘ個の隙間のそれぞれは、幅１００マイクロメートル（μｍ）であり、ＬＹ≧８０％、あるいはＬＹ≧８５％、あるいはＬＹ≧８９％、あるいはＬＹ≧９０％、あるいはＬＹ≧９３％、あるいはＬＹ≧９５％、あるいはＬＹ≧９６％、あるいはＬＹ≧９７％、あるいはＬＹ≧９８％、あるいはＬＹ≧９９％、あるいはＬＹは１００％である。
【０１４７】
対象物（１）：ＬＥＤアレイ（１）：サブマウントウェハの第１の面の内側部分上に配置された１１×１２のＬＥＤのアレイ（合計ｎ＝１３２のＬＥＤ）。それぞれのＬＥＤは、約１００マイクロメートル（μｍ）互いに離して間隔を置かれてサブマウントウェハに取り付けられた異なる矩形パッド電極の対に結合されている。
【０１４８】
対象物（２）：窓又はテーブルの天板の構成要素として使用するための０．３ミリメートルの厚さのホウケイ酸塩ガラス板（Ｓｃｈｏｔｔ  Ｄ  ２６３  Ｔ  ｅｃｏ  ｔｈｉｎ  ｇｌａｓｓ）。
【０１４９】
プリフォームされたラミネート層（１）：４０重量％の樹脂−直鎖シリコーン及び６０重量％の内部に混合されたＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体を含む１００μｍの厚さの独立した乾燥したフィルム。
【０１５０】
プリフォームされたラミネート層（２）：４０重量％の樹脂−直鎖シリコーン及び６０重量％の内部に混合された蛍光体ブレンドを含む１００μｍの厚さの独立した乾燥したフィルム。蛍光体ブレンドはＹＡＧ：Ｃｅ（３部）及びＥｕをドープした窒化物（１部）である。
【０１５１】
プリフォームされたラミネート層（３）：２０重量％の樹脂−直鎖シリコーン及び８０重量％の内部に混合されたＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体を含む１００μｍの厚さの独立した乾燥したフィルム。
【０１５２】
プリフォームされたラミネート層（４）：２０重量％の樹脂−直鎖シリコーン及び８０重量％の内部に混合されたＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体を含む５５μｍの厚さの独立した乾燥したフィルム。
【０１５３】
プリフォームされたラミネート層（５）：樹脂−直鎖シリコーンの１００μｍの厚さの独立した乾燥したフィルム。
【０１５４】
プリフォームされたラミネート層（６）：エチレンコポリマーベースのイオノマーカプセル材料（Ｄｕ  Ｐｏｎｔ  ５４００）の１００μｍの厚さの独立した乾燥したフィルム。
【０１５５】
プリフォームされたラミネート層（７）：プリフォームされたラミネート層（５）の粘着性と比較して低減した粘着性を有する、プリフォームされたラミネート層（５）の熱処理した形態。（プリフォームされたラミネート層（５）を９０秒間１５０℃に加熱し、プリフォームされたラミネート層（７）を提供するように冷却することにより製造することができる。）
【０１５６】
支持層（１）：ＦＥＰポリ（テトラフルオロエチレン）シートは、ＤｕＰｏｎｔにより製造されＡｍｅｒｉｃａｎ  Ｄｕｒａｆｉｌｍ（Ｈｏｌｌｉｓｔｏｎ，Ｍａｓｓａｃｈｕｓｅｔｔｓ，ＵＳＡ）から「Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）ＦＥＰ  Ｆｉｌｍ」として市販されている透明な熱可塑性フィルムである。
【０１５７】
支持層（２）：Ｈｏｓｔａｐｈａｎ  ２ＳＬＫＮとしてＭｉｔｓｕｂｉｓｈｉから市販されているシリコン処理したポリ（エチレンテレフタラート）シート。
【０１５８】
真空ラミネータ（１）：空気袋及び支持ばねを含む。空気袋、１００°〜２００℃の温度目標値に加熱される能力がある加熱板、及び上に配置された対象物を保持するために、加熱板と対象物の底面との間に約０．３センチメートル（ｃｍ）の空気隙間が存在するように加熱板の上方に配置された支持ばねを含む、真空チャンバを用いて構成された製造装置。
【０１５９】
真空ラミネータ（２）：支持ばねがない以外は、真空ラミネータ（１）と同じに構成された。真空ラミネータ（２）内に配置された対象物は、加熱板と対象物の底面との間に空気隙間が存在しないように、加熱板上に直接配置されている。
【０１６０】
調製１：プリフォームされたラミネート層（１）の調製。６０部のＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体（Ｉｎｔｅｍａｔｉｘ  ＮＹＡＧ−４４５４−Ｌ）は、４０部の樹脂−直鎖シリコーン（例えば、米国特許第８，９２１，４９５（Ｂ２）号の）と、トルエンの助剤を用いて、スラリーを形成するように混合された。スラリーは、ブレードコーティング技術により支持層（１）に塗布され、結果としてできた塗布されたコーティングは、乾燥されて、支持層（１）に結合された１００μｍの厚さの乾燥したフィルムを含む積層品に調製された。乾燥したフィルムは、支持層（１）から除去されて、内部に混合された４０重量％の樹脂−直鎖シリコーン及び６０重量％のＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体を含むプリフォームされたラミネート層（１）を提供した。
【０１６１】
調製２：プリフォームされたラミネート層（２）の調製。蛍光体ブレンドは、３部のＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体（Ｉｎｔｅｍａｔｉｘ  ＮＹＡＧ−４４５４−Ｌ）を１部のユーロピウムをドープした窒化物蛍光体（Ｉｎｔｅｒｍａｔｉｘ  ＥＲ−６５３５）と混合することにより形成され、蛍光体ブレンドを提供した。６０部の蛍光体ブレンドは、４０部の樹脂−直鎖シリコーン（例えば、米国特許第８，９２１，４９５（Ｂ２）号の）と、トルエンの助剤を用いて、スラリーを形成するように混合された。スラリーは、ブレードコーティング技術により支持層（１）に塗布され、結果としてできた塗布されたコーティングは、乾燥されて、支持層（１）に結合された１００μｍの厚さの乾燥したフィルムを含む積層品に調製された。乾燥したフィルムは、支持層（１）から除去されて、内部に混合された４０重量％の樹脂−直鎖シリコーン及び６０重量％の蛍光体ブレンドを含む１００μｍの厚さのプリフォームされたラミネート層（２）を提供した。蛍光体ブレンドは、ＹＡＧ：Ｃｅ（３部）及びＥｕをドープした窒化物（１部）である。
【０１６２】
調製３：プリフォームされたラミネート層（３）の調製。６０部のＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体（Ｉｎｔｅｍａｔｉｘ  ＮＹＡＧ−４４５４−Ｌ）の代わりに８０部のＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体（Ｉｎｔｅｍａｔｉｘ  ＮＹＡＧ−４４５４−Ｌ）を使用する、及び４０部の樹脂−直鎖シリコーンの代わりに２０部の樹脂−直鎖シリコーンを使用する以外は、調製１の手順を繰り返し、内部に混合された２０重量％の樹脂−直鎖シリコーン及び８０重量％のＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体を含む１００μｍの厚さのプリフォームされたラミネート層（３）を提供する。
【０１６３】
調製４：プリフォームされたラミネート層（４）の調製。内部に混合された２０重量％の樹脂−直鎖シリコーン及び８０重量％のＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体を含む５５μｍの厚さのプリフォームされたラミネート層（４）を形成する以外は、調製３の手順を繰り返す。
【０１６４】
比較（非発明）例を、比較の目的のために本明細書に含める。
【０１６５】
比較例１は、真空ラミネータ（１）を使用して共形にコーティングされたＬＥＤアレイ（３）の調製を試みた。搬送トレイの使用を省略して代わりに組立品を加熱板上に直接配置し、空気袋とプリフォームされたラミネート層（３）との間の直接接触を回避するために組立品の上を支持層（２）で覆う以外は、以下に説明する実施例３（１４０℃）の手順を繰り返す。積層歩留まりは、０％であった。
【０１６６】
比較例２ａは、真空ラミネータ（１）を使用して共形にコーティングされたＬＥＤアレイ（４）の調製を試みた。周囲冶具を省略して代わりに装荷された搬送トレイを加熱板上に押し下げるために真空ラミネータ（１）の空気袋を使用する以外は、以下に説明する実施例４ａ（１４０℃）の手順を繰り返す。１分３０秒の合計処理時間＝排気時間６０秒、１５秒の初期加熱時間（加熱板との接触後だが、真空開放の前）、及び１５秒の追加加熱時間（真空開放後）。積層歩留まりは、０％であった。
【０１６７】
比較例２ｂは、真空ラミネータ（１）を使用して共形にコーティングされたＬＥＤアレイ（４）の調製を試みた。１４０℃の代わりに１５０℃の目標値温度、１分の代わりに３０秒の排気時間、１５秒の代わりに３０秒の初期加熱時間（加熱板との接触後だが、真空開放の前）、及び３０秒の追加加熱時間（真空開放後）を使用する以外は、比較例２ａの手順を繰り返して、共形にコーティングされたＬＥＤアレイ（４ｂ）を提供する。１分３０秒の合計処理時間＝排気時間３０秒及び２×３０秒の合計加熱時間。積層歩留まりは、０％であった。
【０１６８】
以下は本発明の実施形態の非限定実施例である。いずれの比較例も、従来技術であるとして解釈されるべきではない。
【０１６９】
実施例１ａ〜１ｅ：真空ラミネータ（１）を使用した共形にコーティングされたＬＥＤアレイ（１ａ）〜（１ｅ）の調製。５つの異なる実験のそれぞれ、ｎ回のそれぞれで、ＬＥＤアレイ（１）は、以下のように真空ラミネータ（１）を使用してプリフォームされたラミネート層（１）で共形にコーティングされた。真空ラミネータ（１）内の加熱板は、加熱板の温度が目標値（以下の表１を参照）に到達するのを可能にするように作動した。別個に、ＬＥＤアレイ（１）上にプリフォームされたラミネート層（１）が配置されて、組立品が提供され、組立品は、搬送トレイ内に配置された。加熱板の温度がその目標値に到達した後で、装荷された搬送トレイは、搬送トレイの底面が作動した加熱板の約０．３ｃｍ上方にあるように真空ラミネータ（１）内のばね上に配置された。結果としてできた装荷された真空ラミネータ（１）は、閉じられて、真空チャンバを排気して内部に印加された真空を生成するように真空が１分間印加され、その間ずっと、ばねは、装荷された搬送トレイを加熱板の上方に保持して、それにより、ＬＥＤアレイ（１）のサブマウントウェハ、ひいてはプリフォームされたラミネート層（１）を加熱することを最小化した。次に、プリフォームされたラミネート層（１）に接触することなく、真空ラミネータ（１）の空気袋は、下げられて装荷された搬送トレイを加熱板上に押して、真空ラミネータは１分３０秒の初期加熱時間の間、真空下に留まった。これにより、加熱板がサブマウントウェハを加熱することが可能になり、ひいてはプリフォームされたラミネート層（１）を加熱した。印加された真空は、次に、真空チャンバを周囲空気に通気することにより完全に開放されて、プリフォームされたラミネート層（１）を、周囲圧力で２分の追加加熱時間の間、加熱することが可能になり、共形にコーティングされたＬＥＤアレイ（１ａ）〜（１ｅ）それぞれの異なる１つを提供し、それは次に、真空チャンバから取り出された。４．５分の合計処理時間＝排気時間１分及び３．５分の合計加熱時間。実施例１ｅに関して、更に２回、実験を繰り返す。以下の表１は、１１０°〜１５０℃の範囲の各種の加熱板温度目標値での積層歩留まりを示す。
【０１７０】
【表１】
0006666340.tif 000002
【０１７１】
実施例１ｆ〜１ｊ：真空ラミネータ（２）を使用した共形にコーティングされたＬＥＤアレイ（１ｆ）〜（１ｊ）の調製。真空ラミネータ（１）の代わりに真空ラミネータ（２）を使用し、真空ラミネータ（１）の支持ばね上の代わりに加熱板上に直接装荷された搬送トレイを配置する以外は、実施例１ａ〜１ｅを繰り返し、共形にコーティングされたＬＥＤアレイ（１ｆ）〜（１ｊ）それぞれの異なる１つを提供して、それは次に、真空チャンバから取り出された。実施例１ｉ及び１ｊに関して、更に１回、実験を繰り返す。以下の表２は、１１０°〜１５０℃の範囲の各種の加熱板温度目標値での積層歩留まりを示す。
【０１７２】
【表２】
0006666340.tif 000003
【０１７３】
表１及び２の積層歩留まりを比較することにより、組立品内のプリフォームされたラミネート層（１）とＬＥＤアレイ（１ａ）〜（１ｊ）との間の空気は、プリフォームされたラミネート層（１）の加熱軟化の前に真空ラミネータ（１）又は（２）のいずれかを使用して排気することができることが示されるが、支持ばねがない真空ラミネータ（２）を使用する場合のプロセスウィンドウより、真空ラミネータ（１）を使用する場合に対応するプロセスウィンドウは広い。いくつかの実施形態では、発明の方法は、真空を印加する工程の間、組立品を作動する加熱器から離して間隔を置いて保持する。
【０１７４】
実施例２ａ〜２ｅ：真空ラミネータ（１）を使用した共形にコーティングされたＬＥＤアレイ（２ａ）〜（２ｅ）の調製。プリフォームされたラミネート層（１）の代わりにプリフォームされたラミネート層（２）を使用する以外は、実施例１ａ〜１ｅの手順を繰り返し、共形にコーティングされたＬＥＤアレイ（２ａ）〜（２ｅ）を提供する。以下の表３は、１１０°〜１５０℃の範囲の各種の加熱板温度目標値での積層歩留まりを示す。
【０１７５】
【表３】
0006666340.tif 000004
【０１７６】
表３の積層歩留まりデータにより示されるように、実施例２ｂ〜２ｅと比較して特に実施例２ａに関して、加熱板目標値温度が低すぎる場合、プリフォームされたラミネート層（２）は、１分３０秒及び追加の２分の加熱時間だけの後では充分に軟化しない。したがって、共形にコーティングされた物品を形成するようにプリフォームされたラミネート層に時間を提供するために目標値温度がそうでなければ低すぎる場合、加熱時間を増大することができる。実施例２ａでの条件は、１１０℃の目標値温度で共形のコーティングを生成するように改善することができる。いくつかの実施形態では、実施例２ａは、本発明から除外される。
【０１７７】
実施例２ｆ〜２ｊ：真空ラミネータ（２）を使用した共形にコーティングされたＬＥＤアレイ（２ｆ）〜（２ｊ）の調製。プリフォームされたラミネート層（１）の代わりにプリフォームされたラミネート層（２）を使用すること以外は、実施例１ｆ〜１ｊを繰り返し、共形にコーティングされたＬＥＤアレイ（２ｆ）〜（２ｊ）それぞれを提供して、それらは次に、真空チャンバから取り出された。以下の表４は、１１０°〜１５０℃の範囲の各種の加熱板温度目標値での積層歩留まりを示す。
【０１７８】
【表４】
0006666340.tif 000005
【０１７９】
表３及び４の積層歩留まりを比較することにより、組立品内のプリフォームされたラミネート層（２）とＬＥＤアレイ（２ａ）〜（２ｊ）との間の空気は、プリフォームされたラミネート層（２）の加熱軟化の前に真空ラミネータ（１）又は（２）のいずれかを使用して排気することができることが示されるが、支持ばねがない真空ラミネータ（２）を使用する場合のプロセスウィンドウより、真空ラミネータ（１）を使用する場合に対応するプロセスウィンドウは相当に広い。また、表４の積層歩留まりデータにより示されるように、加熱板目標値温度が高すぎる場合、プリフォームされたラミネート層（２）は、真空チャンバの排気の速度に対してあまりに急速に加熱軟化することがある。したがって、共形にコーティングされた物品を形成するために、プリフォームされたラミネート層（２）とＬＥＤアレイ２との間から空気を除去するように排気工程の時間を提供するために目標値温度がそうでなければ高すぎる場合、排気の速度を増大することができる、又は目標値温度を減少させることができる。実施例２ｆ及び２ｈ〜２ｊでの条件は、１１０、°、１３０°、１４０°、又は１５０℃の目標値温度で共形のコーティングを生成するように改善することができる。いくつかの実施形態では、実施例２ｆ及び２ｈ〜２ｊは、本発明から除外される。
【０１８０】
実施例３：真空ラミネータ（１）を使用した共形にコーティングされたＬＥＤアレイ（３）の調製。プリフォームされたラミネート層（１）の代わりにプリフォームされたラミネート層（３）を使用する以外は、実施例１ｄ（１４０℃）の手順を繰り返し、共形にコーティングされたＬＥＤアレイ（３）を提供する。積層歩留まりは、１００％であった。上記の比較例１と比較されたい。
【０１８１】
実施例４ａ：真空ラミネータ（１）を使用した共形にコーティングされたＬＥＤアレイ（４）の調製。プリフォームされたラミネート層（１）の代わりにプリフォームされたラミネート層（４）を使用し、プリフォームされたラミネート層（４）の第２の表面の稜線部分全体に接触するように構成された周囲スタンピング冶具を使用して、押圧により軟化したプリフォームされたラミネート層を断裂しないようにプリフォームされたラミネート層（４）の第１の表面の稜線部分とＬＥＤアレイ（１）のサブマウントウェハの第１の面の周囲部分との間の隙間を維持しながら、この冶具をサブマウントウェハの第１の面の周囲部分に対して押圧し、１分３０秒の代わりに１５秒の初期加熱時間（加熱板との接触後だが、真空開放の前）を使用し、２分の代わりに１５秒の追加加熱時間（真空開放の後）を使用する以外は、実施例１ｄ（１４０℃）の手順を繰り返し、共形にコーティングされたＬＥＤアレイ（４ａ）を提供する。１．５分の合計処理時間＝排気時間１分及び３０秒の合計加熱時間。スタンピング冶具は、サブマウントウェハの周囲部分の上にラミネート層の稜線部分を押圧又は突き当て、それにより、周囲全周を気密性封着させるように使用される。積層歩留まりは、１００％であった。上記の比較例２と比較されたい。
【０１８２】
実施例４ｂ：１４０℃の代わりに１５０℃の目標値温度、１分の代わりに３０秒の排気時間、及び１５秒の代わりに３０秒の追加加熱時間（真空開放後）を使用する以外は、実施例４ａの手順を繰り返し、共形にコーティングされたＬＥＤアレイ（４ｂ）を提供する。１分１５秒の合計処理時間＝排気時間３０秒及び４５秒の合計加熱時間。積層歩留まりは、９８％であった。
【０１８３】
周囲冶具は、プリフォームされたラミネート層の加熱軟化した稜線部分の対象物の第１の表面の周囲部分への封着を促進する。
【０１８４】
実施例５ａ〜５ｅ（予測）：真空ラミネータ（１）を使用した共形にコーティングされたＬＥＤアレイ（５ａ）〜（５ｅ）の調製。５つの異なる実験のそれぞれ、１回のそれぞれで、ＬＥＤアレイ（１）は、以下のように真空ラミネータ（１）を使用してプリフォームされたラミネート層（５）で共形にコーティングされる。真空ラミネータ（１）内の加熱板は、加熱板の温度がそれぞれ１１０°、１２０°、１３０°、１４０°、又は１５０℃の目標値に到達するのを可能にするように作動する。別個に、ＬＥＤアレイ（１）上にプリフォームされたラミネート層（５）が配置されて、組立品が提供され、組立品は、搬送トレイ内に配置される。加熱板の温度がその目標値に到達した後で、装荷された搬送トレイは、搬送トレイの底面が作動した加熱板の約０．３ｃｍ上方にあるように真空ラミネータ（１）内のばね上に配置される。結果としてできる装荷された真空ラミネータ（１）は、閉じられて、真空チャンバを排気して内部に印加された真空を生成するように真空が１分間印加され、その間ずっと、ばねは、装荷された搬送トレイを加熱板の上方に保持して、それにより、ＬＥＤアレイ（１）のサブマウントウェハ、ひいてはプリフォームされたラミネート層（５）を加熱することを最小化する。次に、プリフォームされたラミネート層（５）に接触することなく、真空ラミネータ（１）の空気袋は、下げられて装荷された搬送トレイを加熱板上に押して、真空ラミネータは１分３０秒の初期加熱時間の間、真空下に留まる。これにより、加熱板がサブマウントウェハを加熱することが可能になり、ひいてはプリフォームされたラミネート層（５）を加熱する。印加された真空は、次に、真空チャンバを周囲空気に通気することにより完全に開放されて、プリフォームされたラミネート層（５）を、周囲圧力で２分の追加加熱時間の間、加熱することが可能になり、共形にコーティングされたＬＥＤアレイ（５ａ）〜（５ｅ）それぞれの異なる１つを提供し、それは次に、真空チャンバから取り出される。４．５分の合計処理時間＝排気時間１分及び３．５分の合計加熱時間。共形にコーティングされたＬＥＤアレイ（５ａ）〜（５ｅ）の積層歩留まりを判定する。
【０１８５】
実施例６ａ〜６ｅ（予測）：プリフォームされたラミネート層（５）の代わりにプリフォームされたラミネート層（６）を使用する以外は、実施例５ａ〜５ｅを繰り返し、共形にコーティングされたＬＥＤアレイ（６ａ）〜（６ｅ）を提供する。共形にコーティングされたＬＥＤアレイ（６ａ）〜（６ｅ）の積層歩留まりを判定する。
【０１８６】
実施例７ａ〜７ｅ（予測）：ＬＥＤアレイ（１）（対象物（１））の代わりに対象物（２）を使用する以外は、実施例５ａ〜５ｅを繰り返し、共形にコーティングされたガラス板（７ａ）〜（７ｅ）それぞれを提供する。閉じ込められた微視的気泡に関して、薄板（７ａ）〜（７ｅ）を目視検査する。気泡が閉じ込められている場合、プリフォームされたラミネート層（５）の代わりにプリフォームされたラミネート層（７）を使用する以外は、実施例７ａ〜７ｅの手順を繰り返す。あるいは、気泡が閉じ込められている場合、気泡に共形にコーティングされたシリカガラス板（７ａ）〜（７ｅ）の自由形状を提供するように、対象物（２）を加熱するのを開始する前に真空ラミネータ（１）を排気することを終了する以外は、実施例７ａ〜７ｅの手順を繰り返す。
【０１８７】
本発明の特定の実施形態をこの直後に請求する。以下の特許請求の範囲は、本明細書に参照により付番した実施形態として組み込まれる。
（態様）
（態様１）
製造装置の真空チャンバ内に収容された組立品から共形にコーティングされた物品を製造する方法であって、
前記真空チャンバは、印加された真空を含み、
前記組立品は、プリフォームされたラミネート層、及び積層を必要とする表面を有する対象物を含み、
前記プリフォームされたラミネート層は、第１の表面及び前記第１の表面の反対の第２の表面、並びに第１の温度で加熱軟化され稜線部分により囲まれた中間部分を有し、
前記対象物は、第１の表面及び前記第１の表面の反対の第２の表面を有し、前記第１の表面は、積層を必要とし、内側部分及び前記内側部分を囲む周囲部分を含み、
前記組立品は、前記プリフォームされたラミネート層の前記第１の表面が、前記対象物の前記第１の表面に面して配置されるように構成され、前記プリフォームされたラミネート層の前記稜線部分は、前記対象物の前記第１の表面の前記周囲部分に対して気密性封止を形成して、前記組立品は、前記気密性封止、前記プリフォームされたラミネート層の前記第１の表面、及び前記対象物の前記第１の表面の組み合わせにより画定される気密性内部領域を含み、前記プリフォームされたラミネート層の前記加熱軟化した中間部分は、前記気密性内部領域により前記対象物の前記第１の表面の前記内側部分から離れて間隔を置かれ、前記気密性内部領域は、低減した気体圧力を含み、
前記真空チャンバ内の前記印加された真空は、前記組立品の前記気密性内部領域内の前記低減した気体圧力に実質的に等しく、
前記方法は、
前記真空チャンバ内の気体圧力が前記気密性内部領域内の前記低減した気体圧力より大きく、それにより、前記共形にコーティングされた物品を製造するように、前記加熱軟化した中間部分を前記対象物の前記第１の表面の前記内側部分に対して共形に押すように、前記真空チャンバ内の前記気体圧力を増大することにより、前記プリフォームされたラミネート層の前記加熱軟化した中間部分を前記対象物の前記第１の表面の前記内側部分に合致させることを含み、
前記共形にコーティングされた物品は、合致したラミネート層及び前記対象物を含み、前記合致したラミネート層は、前記プリフォームされたラミネート層から形成され、第１の表面及び前記第１の表面と反対の第２の表面、並びに中間部分及び前記中間部分を囲む稜線部分を有し、前記対象物は、内側部分及び前記内側部分を囲む周囲部分を有する第１の表面を有し、前記対象物の前記第１の表面の前記内側部分は、前記合致したラミネート層の前記中間部分により共形にコーティングされ、前記合致したラミネート層の前記稜線部分は、前記対象物の前記第１の表面の前記周囲部分に対して気密性封止を形成する、方法。
（態様２）
前記合致させる工程で、前記製造装置の前記真空チャンバ内の前記印加された真空を中断して、気体が前記真空チャンバに入ることを可能にすることにより、前記気体圧力を前記真空チャンバ内で増大させる、態様１に記載の方法。
（態様３）
前記合致させる工程の前に、前記印加された真空下で、前記組立品の前記気密性封止及び前記気密性内部領域を形成するように、前記プリフォームされたラミネート層の前記稜線部分を前記対象物の前記第１の表面の前記周囲部分に接触させることにより、前記プリフォームされたラミネート層の前記稜線部分を前記対象物の前記第１の表面の前記周囲部分に封着することを更に含み、前記プリフォームされたラミネート層の前記稜線部分を前記接触させることは、第２の温度に加熱軟化されることにより特徴付けられ、前記第１及び第２の温度は、同じ又は異なる、態様１又は２に記載の方法。
（態様４）
前記封着する工程が、前記プリフォームされたラミネート層の前記加熱軟化した稜線部分を前記対象物の前記第１の表面の前記周囲部分に押圧することを含む、態様３に記載の方法。
（態様５）
前記封着する工程の前に、前記印加された真空下で、前記プリフォームされたラミネート層の前記加熱軟化した稜線部分を形成するために、前記プリフォームされたラミネート層の前記稜線部分を前記第２の温度に加熱することを更に含む、態様２又は３に記載の方法。
（態様６）
前記合致させる工程の前に、前記印加された真空下で、前記プリフォームされたラミネート層の前記加熱軟化した前記中間部分を形成するように前記プリフォームされたラミネート層の前記中間部分を軟化させるために、前記プリフォームされたラミネート層の前記中間部分を前記第１の温度に加熱することを更に含む、態様１から５のいずれか一項に記載の方法。
（態様７）
前記製造装置が、第１の加熱装置であって、前記第１の加熱器と前記対象物の前記第２の表面との間の熱伝達状態が前記プリフォームされたラミネート層を軟化させるのに不充分であるように、前記対象物の前記第２の表面に隣接して配置された、第１の加熱装置を更に含み、
前記加熱する工程が、
前記対象物の前記第２の表面を前記第１の加熱装置との熱伝達状態に、又はその逆に、移動することと、
前記第１の加熱装置が熱を生成するように前記第１の加熱装置を作動させることと、を含み、
前記作動した第１の加熱装置は、前記対象物を加熱し、その結果として、前記プリフォームされたラミネート層の前記稜線部分及び前記中間部分を独立して軟化させるために前記第１の温度に前記プリフォームされたラミネート層を加熱する、態様６に記載の方法。
（態様８）
前記作動させる工程が、前記移動する工程の後で実行される、態様７に記載の方法。
（態様９）
前記真空チャンバが、係合位置から非係合位置に移動可能な少なくとも１つの転置可能な構造体を有する外部フレームを含み、前記組立品が、装荷された転置可能な構造体を提供するように、前記少なくとも１つの転置可能な構造体上に配置され、前記装荷された転置可能な構造体は、前記係合位置に配置され、前記加熱する工程が、前記対象物の前記第２の表面を前記第１の加熱装置との熱伝達状態に移動するために、前記係合位置から前記非係合位置に前記装荷された転置可能な構造体を移動することを含む、態様７又は８に記載の方法。
（態様１０）
前記加熱する工程の前に、前記製造装置の前記真空チャンバ内に前記印加された真空を生成するように、前記プリフォームされたラミネート層の前記第１の表面と前記対象物の前記第１の表面との間からを含めて前記真空チャンバから気体を除去するために、前記真空チャンバ内に真空を印加することを更に含む、態様５から９のいずれか一項に記載の方法。
（態様１１）
前記印加する工程の前に、前記プリフォームされたラミネート層及び前記対象物を前記製造装置の前記真空チャンバ内に投入することと、前記投入する工程の前、間、又は後に、前記プリフォームされたラミネート層の前記第１の表面が前記対象物の前記第１の表面に面して配置されるように、前記プリフォームされたラミネート層を前記対象物に対して実装することと、を更に含み、前記実装する工程で使用される前記プリフォームされたラミネート層が、支持層に結合され、前記実装する工程の後で、前記投入する工程の前に、前記プリフォームされたラミネート層の前記稜線部分の第２の副部分を前記対象物の前記第１の表面の前記周囲部分の第２の副部分に接着することなく、前記プリフォームされたラミネート層の前記稜線部分の第１の副部分を前記対象物の前記第１の表面の前記周囲部分の第１の副部分に接着することであって、前記接着する工程は、前記プリフォームされたラミネート層が前記支持層に結合されている間に実行される、ことと、前記接着する工程の後で、前記実装されたプリフォームされたラミネート層から前記支持層を除去することと、を更に含む、態様１０に記載の方法。
（態様１２）
前記対象物が、積層を必要とする少なくとも１つの追加の特徴を更に含み、前記少なくとも１つの追加の特徴は、前記対象物の前記第１の表面の前記内側部分と動作可能な接触状態で前記組立品の前記気密性内部領域内に配置され、前記少なくとも１つの追加の特徴は、前記合致させる工程で、前記共形にコーティングされた物品内の前記合致したラミネート層により、共形にコーティングされる、態様１から１１のいずれか一項に記載の方法。
（態様１３）
前記対象物が、複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）及びサブマウントウェハを含み、前記サブマウントウェハが、第１の表面及び前記第１の表面の反対の第２の表面を有し、前記サブマウントウェハの前記第１の表面は、内側部分及び前記内側部分を囲む周囲部分を有し、前記ＬＥＤが、前記サブマウントウェハの前記第１の表面の前記内側部分上に、配列され、前記ＬＥＤ及び前記サブマウントウェハの前記第１の表面の前記内側部分が、共に積層を必要とする、態様１２に記載の方法。
（態様１４）
前記プリフォームされたラミネート層が、シリコーンバインダ内又は実質的に未硬化の熱硬化性材料内に配置された蛍光体材料を含む、態様１３に記載の方法。
（態様１５）
前記製造装置から前記共形にコーティングされた物品を取り出すことを更に含む、態様１から１４のいずれか一項に記載の方法。
（態様１６）
真空チャンバを有する製造装置内で発光ダイオードデバイスを製造するための方法を含み、
（Ａ）サブマウントウェハの第１の面の内側部分上に配置された発光ダイオードのアレイを含む発光ダイオード（ＬＥＤ）アレイであって、前記サブマウントウェハは前記内側部分を囲む周囲部分及び前記第１の面の反対の第２の面を更に含む、ＬＥＤアレイの上に、第１の表面及び第２の表面を有するプリフォームされたラミネート層であって、前記プリフォームされたラミネート層の前記第１の表面は、前記サブマウントウェハの前記第１の面と前記プリフォームされたラミネート層の前記第２の表面との間に配置され、前記プリフォームされたラミネート層は、稜線部分により囲まれた中間部分を有する、プリフォームされたラミネート層を実装することと、
（Ｂ）前記プリフォームされたラミネート層の前記稜線部分の一部分を前記サブマウントウェハの前記第１の面の前記周囲部分に接着することと、
（Ｃ）前記ＬＥＤアレイ及び前記プリフォームされたラミネート層を前記真空チャンバに投入することと、
（Ｄ）工程（Ｃ）の後で、前記真空チャンバ内に真空を印加して、前記プリフォームされたラミネート層の前記稜線部分及び前記中間部分を軟化させるのに充分な第１の温度に前プリフォームされたラミネート層を加熱することと、
（Ｅ）間に気密性封止を生成して、それにより、前記気密性封止、前記プリフォームされたラミネート層の前記第１の表面、及び前記サブマウントウェハの前記第１の面により画定される気密性内部領域を生成するために、前記印加された真空下で前記軟化した稜線部分を前記周囲部分に封着することと、
（Ｆ）工程（Ｅ）の後で、前記気密性内部領域により画定されない区域内の前記真空チャンバ内の前記気体圧力を前記気密性内部領域内の前記気体圧力より大きな圧力に増大させることにより、前記軟化したプリフォームされたラミネート層を前記ＬＥＤアレイの上に合致させることと、を含む、態様１から１５のいずれか一項に記載の方法。
（態様１７）
態様１から１６のいずれか一項に記載の方法により調製された、前記共形にコーティングされた物品。
【図１】
0006666340.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図５Ａ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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