(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１の開口部がアレイ状に形成され、前記複数の第１の開口部全体が含まれる領域に荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の第１の開口部を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成する第１の基板と、
前記マルチビームのうちのそれぞれ対応ビームが通過する貫通した複数の第２の開口部がアレイ状に形成された第２の基板と、
前記第２の基板上であって、前記複数の第２の開口部のうちのそれぞれ対応する第２の開口部の近傍に配置されると共に、それぞれ当該対応する第２の開口部に隣り合う別の第２の開口部には直接露出しないように配置された、第１と第２の電位が切り替え可能に印加される複数の制御電極と、
前記第２の基板上であって、それぞれ対応する第２の開口部を挟んで前記複数の制御電極のうちの対応する制御電極と対向する位置に配置された、前記第２の電位が印加される複数の対向電極と、
前記第１の基板と前記複数の制御電極との間に配置されたシールド膜と、
前記第２の基板内部に配置され、前記複数の制御電極のうちのそれぞれ対応する制御電極に前記第１と第２の電位を切り替え可能に印加する複数の制御回路と、
を備え、
前記第１の基板と前記シールド膜と前記複数の制御電極との順で連続して配置されることを特徴とするマルチ荷電粒子ビームのブランキング装置。
【請求項２】
前記シールド膜には、前記複数の第２の開口部に対応する、矩形の複数の第３の開口部が形成されることを特徴とする請求項１記載のマルチ荷電粒子ビームのブランキング装置。
【請求項３】
前記シールド膜には、ラインアンドスペースパターン状の複数の第３の開口部が形成されることを特徴とする請求項１記載のマルチ荷電粒子ビームのブランキング装置。
【請求項４】
アレイ状に形成された前記第２の開口部の行方向及び列方向のうち、前記複数の制御電極の露出が少なくなる方向に延びるように前記複数の第３の開口部が形成されることを特徴とする請求項３記載のマルチ荷電粒子ビームのブランキング装置。
【請求項５】
試料を載置する、連続移動可能なステージと、
荷電粒子ビームを放出する放出部と、
前記荷電粒子ビームを用いてマルチビームを形成すると共に、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う、請求項１記載のマルチ荷電粒子ビームのブランキング装置と、
前記ブランキング装置によってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する制限アパーチャ部材と、
を備えたことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム照射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム照射装置に係り、例えば、マルチビーム描画装置に搭載されるブランキング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、ウェハ等へ電子線を使って描画することが行われている。
【０００３】
例えば、マルチビームを使った描画装置がある。１本の電子ビームで描画する場合に比べて、マルチビームを用いることで一度に多くのビームを照射できるのでスループットを大幅に向上させることができる。かかるマルチビーム方式の描画装置では、例えば、電子銃から放出された電子ビームを複数の穴を持ったマスクに通してマルチビームを形成し、各々、ブランキング制御され、遮蔽されなかった各ビームが光学系で縮小され、偏向器で偏向され試料上の所望の位置へと照射される。
【０００４】
マルチビーム描画では、個々のビームの照射量を照射時間により個別に制御する。かかる各ビームの照射量を高精度に制御するためには、ビームのＯＮ／ＯＦＦを行うブランキング制御を高速で行う必要がある。マルチビーム方式の描画装置には、マルチビームの各通過穴が形成され、これらの通過穴の周囲にそれぞれ一対のブランキング電極（ブランカー）と各ビーム用のブランキング制御回路（ＬＳＩ回路）とを配置したブランキング装置が搭載される。ブランキング装置は、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術を用いて、シリコン（Ｓｉ）基板にかかる通過穴及び一対のブランキング電極（偏向器）等を形成していく。従来、かかるブランキング装置を通過する各ビームが隣接するビームのブランキング電極等から漏れ出した電界の影響を受け、ビーム軌道が曲がってしまい、試料面に照射されるビーム照射位置がずれてしまうといった問題があった。かかる問題は、描画装置に限るものではなく、例えば検査装置等といった、荷電粒子線を使ったマルチビームを所望の位置に照射する装置についても同様に生じ得る。
【０００５】
なお、基板上にブランキング電極に接続される制御回路の配線が露出しているブランキング装置に、接地されたシールド電極基板を対面させて、配線や電極以外の露出された絶縁膜への帯電を低く抑えると共に、隣接する偏向器間のクロストークを低減するといった技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、かかる構成では、各ビームが隣接するビームのブランキング電極等から漏れ出した電界の影響によるビーム軌道のずれを抑制するには十分ではなく、試料面に照射されるビーム照射位置がずれてしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１２３２６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明の一態様は、マルチビーム描画において隣接するビームのブランキング電極等から漏れ出した電界の影響を抑制することが可能なブランキング装置及びマルチビーム照射装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様のマルチ荷電粒子ビームのブランキング装置は、
複数の第１の開口部がアレイ状に形成され、複数の第１の開口部全体が含まれる領域に荷電粒子ビームの照射を受け、複数の第１の開口部を荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成する第１の基板と、
マルチビームのうちのそれぞれ対応ビームが通過する貫通した複数の第２の開口部がアレイ状に形成された第２の基板と、
第２の基板上であって、複数の第２の開口部のうちのそれぞれ対応する第２の開口部の近傍に配置されると共に、それぞれ当該対応する第２の開口部に隣り合う別の第２の開口部には直接露出しないように配置された、第１と第２の電位が切り替え可能に印加される複数の制御電極と、
第２の基板上であって、それぞれ対応する第２の開口部を挟んで複数の制御電極のうちの対応する制御電極と対向する位置に配置された、第２の電位が印加される複数の対向電極と、
第１の基板と複数の制御電極との間に配置されたシールド膜と、
第２の基板内部に配置され、複数の制御電極のうちのそれぞれ対応する制御電極に第１と第２の電位を切り替え可能に印加する複数の制御回路と、
を備え、
前記第１の基板と前記シールド膜と前記複数の制御電極との順で連続して配置されることを特徴とする。
【０００９】
また、シールド膜には、複数の第２の開口部に対応する、矩形の複数の第３の開口部が形成されると好適である。
【００１０】
或いは、シールド膜には、ラインアンドスペースパターン状の複数の第３の開口部が形成されると好適である。
【００１１】
また、アレイ状に形成された第２の開口部の行方向及び列方向のうち、複数の制御電極の露出が少なくなる方向に延びるように複数の第３の開口部が形成されると好適である。
【００１２】
本発明の一態様のマルチ荷電粒子ビーム照射装置は、
試料を載置する、連続移動可能なステージと、
荷電粒子ビームを放出する放出部と、
荷電粒子ビームを用いてマルチビームを形成すると共に、マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う、上述したマルチ荷電粒子ビームのブランキング装置と、
ブランキング装置によってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する制限アパーチャ部材と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一態様によれば、マルチビーム描画において隣接するビームへのブランキング電極等から漏れ出した電界の影響を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
【図２】実施の形態１における成形ブランキングアパーチャアレイ機構の構成を示す断面図である。
【図３】実施の形態１における成形アパーチャアレイ基板の構成を示す概念図である。
【図４】実施の形態１におけるブランキングアパーチャアレイ機構のメンブレン領域内の構成の一部を示す上面概念図である。
【図５】実施の形態１の個別ブランキング機構の一例を示す図である。
【図６】実施の形態１における描画動作の一例を説明するための概念図である。
【図７】実施の形態１の比較例１における隣接するブランカーからの漏れ電界を説明するための図である。
【図８】実施の形態１の比較例１における制限アパーチャ上でのビームプロファイルの変化の一例を示す図である。
【図９】実施の形態１の比較例１における試料面上における照射位置のずれを説明するための図である。
【図１０】実施の形態１の比較例１における試料面上における照射位置のずれを説明するための他の図である。
【図１１】実施の形態１における成形ブランキングアパーチャアレイ機構の構成の一部を示す断面図である。
【図１２】実施の形態１におけるシールド基板の構成の一例を示す図である。
【図１３】実施の形態１における成形ブランキングアパーチャアレイ機構の構成の組み合わせ例を示す断面図である。
【図１４】実施の形態１におけるシールド基板の開口部の形状の一例を示す図である。
【図１５】実施の形態１における制御電極と対向電極の配置構成の一例を示す上面図である。
【図１６】実施の形態１における成形ブランキングアパーチャアレイ機構の断面の一例を示す図である。
【図１７】実施の形態１における成形ブランキングアパーチャアレイ機構の断面の他の一例を示す図である。
【図１８】実施の形態１における成形ブランキングアパーチャアレイ機構の断面の他の一例を示す図である。
【図１９】実施の形態１における成形ブランキングアパーチャアレイ機構の断面の他の一例を示す図である。
【図２０】実施の形態１におけるシールド基板と制御電極との間隔の効果の一例を示す図である。
【図２１】実施の形態１におけるシールド基板の開口部の向きの効果の一例を示す図である。
【図２２】実施の形態１におけるシールド基板の開口部をｘ方向に延ばした場合のシールド基板の上面図の一例を示す図である。
【図２３】実施の形態１におけるシールド基板の開口部の幅の効果の一例を示す図である。
【図２４】実施の形態１の比較例２における漏れ電界の影響の一例を示す図である。
【図２５】実施の形態１におけるシールド基板とブランキングアパーチャアレイ機構の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、マルチビームの照射装置の一例として、描画装置について説明するが、例えば検査装置等といった、荷電粒子線を使ったマルチビームを所望の位置に照射する装置についても適用できる。
【００１６】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム照射装置の一例である。描画部１５０は、電子鏡筒１０２と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、成形ブランキングアパーチャアレイ機構２１２、縮小レンズ２０５、制限アパーチャ２０６、対物レンズ２０７、及び偏向器２０８が配置されている。成形ブランキングアパーチャアレイ機構２１２（ブランキング装置の一例）として、成形アパーチャアレイ基板２０３、シールド基板２１４、及びブランキングアパーチャアレイ機構２０４が配置される。描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、描画時には描画対象基板となるマスク等の試料１０１が配置される。試料１０１には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板（シリコンウェハ）等が含まれる。また、試料１０１には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。ＸＹステージ１０５上には、さらに、ＸＹステージ１０５の位置測定用のミラー２１０が配置される。
【００１７】
制御部１６０は、制御計算機１１０、メモリ１１２、偏向制御回路１３０、ステージ位置検出器１３９及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０，１４２を有している。制御計算機１１０、メモリ１１２、偏向制御回路１３０、ステージ位置検出器１３９及び記憶装置１４０，１４２は、図示しないバスを介して互いに接続されている。記憶装置１４０（記憶部）には、描画データが外部から入力され、格納されている。
【００１８】
制御計算機１１０内には、データ処理部５６及び描画制御部５８が配置される。データ処理部５６及び描画制御部５８といった各「〜部」は、処理回路を有する。かかる処理回路は、例えば、電気回路、コンピュータ、プロセッサ、回路基板、量子回路、或いは、半導体装置を含む。各「〜部」は、共通する処理回路（同じ処理回路）を用いても良いし、或いは異なる処理回路（別々の処理回路）を用いても良い。制御計算機１１０に入出力される情報及び演算中の情報はメモリ１１２にその都度格納される。
【００１９】
ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。
【００２０】
図２は、実施の形態１における成形ブランキングアパーチャアレイ機構の構成を示す断面図である。図２において、成形ブランキングアパーチャアレイ機構２１２は、上段側から順に、成形アパーチャアレイ基板２０３、シールド基板２１４、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４の順に配置される。成形アパーチャアレイ基板２０３は、図２に示すように、支持台２８上にシリコン等からなる基板２３が配置される。基板２３の中央部は、例えば表面側から薄く削られ、薄い膜厚ｈ１のメンブレン領域３０１に加工されている。メンブレン領域３０１を取り囲む周囲は、厚い膜厚Ｈ１の外周領域３０２となる。メンブレン領域３０１の裏面と外周領域３０２の裏面とは、同じ高さ位置、或いは、実質的に高さ位置になるように形成されると好適である。基板２３は、外周領域３０２の裏面で支持台２８上に保持される。支持台２８の中央部は開口しており、メンブレン領域３０１の位置は、支持台２８の開口した領域に位置している。
【００２１】
図３は、実施の形態１における成形アパーチャアレイ基板の構成を示す概念図である。図３（ａ）において、成形アパーチャアレイ基板２０３のメンブレン領域３０１には、縦（ｙ方向）ｍ列×横（ｘ方向）ｎ列（ｍ，ｎ≧２）の穴（開口部）２２が所定の配列ピッチでマトリクス状に形成されている。言い換えれば、基板２３（第１の基板）には、複数の穴２２（第１の開口部）がアレイ状に形成される。図３（ａ）では、例えば、５１２×８列の穴２２が形成される。各穴２２は、共に同じ寸法形状の矩形で形成される。或いは、同じ外径の円形であっても構わない。ここでは、ｙ方向の各列について、ｘ方向にＡからＨまでの８つの穴２２がそれぞれ形成される例が示されている。これらの複数の穴２２を電子ビーム２００の一部がそれぞれ通過することで、マルチビーム２０が形成されることになる。ここでは、縦横（ｘ，ｙ方向）が共に２列以上の穴２２が配置された例を示したが、これに限るものではない。例えば、縦横（ｘ，ｙ方向）どちらか一方が複数列で他方は１列だけであっても構わない。また、穴２２の配列の仕方は、図３（ａ）のように、縦横が格子状に配置される場合に限るものではない。図３（ｂ）に示すように、例えば、縦方向（ｙ方向）１段目の列と、２段目の列の穴同士が、横方向（ｘ方向）に寸法ａだけずれて配置されてもよい。同様に、縦方向（ｙ方向）２段目の列と、３段目の列の穴同士が、横方向（ｘ方向）に寸法ｂだけずれて配置されてもよい。
【００２２】
シールド基板２１４は、図２に示すように、支持台１４上にシリコン等からなる基板１３が配置される。基板１３の中央部は、例えば表面側から薄く削られ、薄い膜厚ｈ２のメンブレン領域３１１に加工されている。メンブレン領域３１１を取り囲む周囲は、厚い膜厚Ｈ２の外周領域３１２となる。メンブレン領域３１１の裏面と外周領域３１２の裏面とは、同じ高さ位置、或いは、実質的に高さ位置になるように形成されると好適である。基板１３は、外周領域３１２の裏面で支持台１４上に保持される。支持台１４の中央部は開口しており、メンブレン領域３１１の位置は、支持台１４の開口した領域に位置している。
【００２３】
シールド基板２１４のメンブレン領域３１１には、図３（ａ）（或いは図３（ｂ））に示した成形アパーチャアレイ基板２０３の少なくとも各穴２２に対応する位置が開口しているマルチビームの各ビームが通過可能な複数の開口部１１が形成される。そして、導電性材料のシールド膜が、基板１３のメンブレン領域３１１における、表面、裏面、及び開口部１１の内壁面等、基板１３の露出面を覆っている。外周領域３１２についてもシールド膜が露出面を覆っているとなお好適である。そして、シールド膜は、グランド接続されている。
【００２４】
図４は、実施の形態１におけるブランキングアパーチャアレイ機構のメンブレン領域内の構成の一部を示す上面概念図である。なお、図２と図４において、電極２４，２６と制御回路４１の位置関係は一致させて記載していない。ブランキングアパーチャアレイ機構２０４は、図２に示すように、支持台３３上にシリコン等の半導体からなる基板３１が配置される。基板３１の中央部は、裏面側から薄く削られ、薄い膜厚ｈ３のメンブレン領域３０（第１の領域）に加工されている。メンブレン領域３０を取り囲む周囲は、厚い膜厚Ｈ３の外周領域３２（第２の領域）となる。メンブレン領域３０の上面と外周領域３２の上面とは、同じ高さ位置、或いは、実質的に高さ位置になるように形成される。基板３１は、外周領域３２の裏面で支持台３３上に保持される。支持台３３の中央部は開口しており、メンブレン領域３０の位置は、支持台３３の開口した領域に位置している。
【００２５】
ブランキングアパーチャアレイ機構２０４のメンブレン領域３０には、図３に示した成形アパーチャアレイ基板２０３の各穴２２に対応する位置にマルチビームのそれぞれビームの通過用の通過孔２５が開口される。言い換えれば、基板３１（第２の基板）には、マルチビーム２０のうちのそれぞれ対応ビームが通過する貫通した複数の通過孔２５（第２の開口部）が縦（ｙ方向）ｍ列×横（ｘ方向）ｎ列（ｍ，ｎ≧２）の２次元のアレイ状に形成される。そして、メンブレン領域３０上には、図２及び図４に示すように、各通過孔２５の近傍位置に該当する通過孔２５を挟んでブランキング偏向用の制御電極２４と対向電極２６との組（ブランカー：ブランキング偏向器）がそれぞれ配置される。言い換えれば、複数の制御電極２４が、基板３１上であって、複数の通過孔２５のうちのそれぞれ対応する通過孔２５の近傍に配置される。そして、複数の対向電極２６が、基板３１上であって、それぞれ対応する通過孔２５を挟んで複数の制御電極２４のうちの対応する制御電極２４と対向する位置に配置される。
【００２６】
また、メンブレン領域３０の基板３１内部には、各通過孔２５の近傍に各通過孔２５用の例えば制御電極２４に偏向電圧を印加する制御回路４１（ロジック回路）が配置される。各制御回路４１は、制御信号用のｎビット（例えば１〜１０ビット）のパラレル配線が接続される。各制御回路４１は、ｎビットのパラレル配線の他、電源用、制御クロック等の配線が接続される。電源用の配線はパラレル配線の一部の配線を流用しても構わない。マルチビームを構成するそれぞれのビーム毎に、制御電極２４と対向電極２６と制御回路４１とによる個別ブランキング機構４７が構成される。また、膜厚の厚い外周領域３２上には、各制御回路４１へと制御信号を送信する図示しない、パッド等が配置される。
【００２７】
図５は、実施の形態１の個別ブランキング機構の一例を示す図である。図５において、制御回路４１内には、アンプ４６（スイッチング回路の一例）が配置される。図５の例では、アンプ４６の一例として、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  ＭＯＳ）インバータ回路が配置される。そして、ＣＭＯＳインバータ回路は正の電位（Ｖｄｄ：ブランキング電位：第１の電位）（例えば、５Ｖ）（第１の電位）とグランド電位（ＧＮＤ：第２の電位）に接続される。ＣＭＯＳインバータ回路の出力線（ＯＵＴ）は制御電極２４に接続される。一方、対向電極２６は、グランド電位（ＧＮＤ：第２の電位）が印加される。そして、偏向制御回路１３０に制御された複数の制御回路４１が、基板３１内部に配置され、複数の制御電極２４のうちのそれぞれ対応する制御電極２４にかかる正の電位（第１の電位）とグランド電位（第２の電位）とを切り替え可能に印加する。
【００２８】
各制御回路４１内のＣＭＯＳインバータ回路の入力（ＩＮ）には、閾値電圧よりも低くなるＬ（ｌｏｗ）電位（例えばグランド電位）と、閾値電圧以上となるＨ（ｈｉｇｈ）電位（例えば、１．５Ｖ）とのいずれかが制御信号として印加される。実施の形態１では、ＣＭＯＳインバータ回路の入力（ＩＮ）にＨ電位が印加される状態（アクティブ状態）では、ＣＭＯＳインバータ回路の出力（ＯＵＴ）は正電位（Ｖｄｄ）となり、対向電極２６のグランド電位との電位差による電界によりマルチビーム２０のうちの例えば対応ビーム２０ａを偏向し、制限アパーチャ２０６で遮蔽することでビームＯＦＦになるように制御する。一方、ＣＭＯＳインバータ回路の入力（ＩＮ）にＬ電位が印加される状態では、ＣＭＯＳインバータ回路の出力（ＯＵＴ）はグランド電位となり、対向電極２６のグランド電位との電位差が無くなり対応ビーム２０ａを偏向しないので制限アパーチャ２０６を通過することでビームＯＮになるように制御する。
【００２９】
各通過孔を通過するマルチビーム２０は、それぞれ独立に対となる２つの制御電極２４と対向電極２６に印加される電圧によって偏向される。かかる偏向によってブランキング制御される。具体的には、制御電極２４と対向電極２６の組は、それぞれ対応するスイッチング回路となるＣＭＯＳインバータ回路によって切り替えられる電位によってマルチビームの対応ビームをそれぞれ個別にブランキング偏向する。このように、複数のブランカーが、成形アパーチャアレイ基板２０３の複数の穴２２（開口部）を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う。
【００３０】
なお、図２において、成形アパーチャアレイ基板２０３と、シールド基板２１４と、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４とは、互いに各ビームが通過する開口部の位置合わせが可能なように、それぞれ、例えば、ｘ，ｙ方向及び回転方向に移動可能な図示しないステージ上に配置されると好適である。或いは、成形アパーチャアレイ基板２０３と、シールド基板２１４と、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４とのうち、１つを基準として、残りの２つが、かかる基準の位置に位置合わせが可能なように、例えば、ｘ，ｙ方向及び回転方向に移動可能な図示しないステージ上に配置されるように構成しても好適である。
【００３１】
図６は、実施の形態１における描画動作の一例を説明するための概念図である。記憶装置１４０に格納された描画データはデータ処理部５６によって、ショット毎の照射時間データに変換される。そして、描画部１５０は、描画制御部５８の制御の基、以下のように動作する。図６に示すように、試料１０１の描画領域１０は、例えば、ｙ方向に向かって所定の幅で短冊状の複数のストライプ領域１２に仮想分割される。まず、ＸＹステージ１０５を移動させて、第１番目のストライプ領域１２の左端、或いはさらに左側の位置に一回のマルチビーム２０のショットで照射可能な照射領域３４が位置するように調整し、描画が開始される。第１番目のストライプ領域１２を描画する際には、ＸＹステージ１０５を例えば−ｘ方向に移動させることにより、相対的にｘ方向へと描画を進めていく。ＸＹステージ１０５は例えば等速で連続移動させる。第１番目のストライプ領域１２の描画終了後、ステージ位置を−ｙ方向に移動させて、第２番目のストライプ領域１２の右端、或いはさらに右側の位置に照射領域３４が相対的にｙ方向に位置するように調整し、今度は、ＸＹステージ１０５を例えばｘ方向に移動させることにより、−ｘ方向に向かって同様に描画を行う。第３番目のストライプ領域１２では、ｘ方向に向かって描画し、第４番目のストライプ領域１２では、−ｘ方向に向かって描画するといったように、交互に向きを変えながら描画することで描画時間を短縮できる。但し、かかる交互に向きを変えながら描画する場合に限らず、各ストライプ領域１２を描画する際、同じ方向に向かって描画を進めるようにしても構わない。１回のショットでは、成形アパーチャアレイ基板２０３の各穴２２を通過することによって形成されたマルチビームによって、最大で各穴２２と同数の複数のショットパターンが一度に形成される。
【００３２】
ストライプ領域１２は、例えば、マルチビームのビームサイズでメッシュ状の複数のメッシュ領域に分割される。かかる各メッシュ領域が、描画対象画素（単位照射領域、或いは描画位置）となる。描画対象画素のサイズは、ビームサイズに限定されるものではなく、ビームサイズとは関係なく任意の大きさで構成されるものでも構わない。例えば、ビームサイズの１／ｎ（ｎは１以上の整数）のサイズで構成されても構わない。図６の例では、照射領域３４（描画フィールド）のサイズと実質同じ幅サイズで複数のストライプ領域１２に分割された場合を示しているが。これに限るものではない。ストライプ領域１２の幅は、照射領域３４のｎ倍（ｎは１以上の整数）のサイズであると好適である。そして、照射領域３４内に、１回のマルチビーム２０のショットで照射可能な複数の画素間のピッチがマルチビームの各ビーム間のピッチとなる。ビーム間ピッチで隣り合う４つの画素で囲まれると共に、４つの画素のうちの１つの画素を含む正方形の領域（グリッド）内が、１つ或いは異なる複数のビームによって画素毎に順に描画される。以下に、各ショット時の描画部１５０の具体的動作について説明する。
【００３３】
電子銃２０１（放出部）から放出された電子ビーム２００は、照明レンズ２０２によりほぼ垂直に成形アパーチャアレイ基板２０３全体を照明する。電子ビーム２００は、すべての複数の穴２２が含まれる領域を照明する。複数の穴２２の位置に照射された電子ビーム２００の各一部が、かかる成形アパーチャアレイ基板２０３の複数の穴２２をそれぞれ通過することによって、例えば矩形形状の複数の電子ビーム２０ａ〜ｅが形成される。かかるマルチビーム２０の各電子ビーム２０ａ〜ｅは、シールド基板２１４の複数の開口部１１のいずれかを通過した後、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４のそれぞれ対応するブランカー（制御電極２４と対向電極２６の組）（第１の偏向器：個別ブランキング機構４７）内を通過する。かかるブランカーは、照射時間データに沿って、偏向制御回路１３０によって制御された制御回路４１からの電位の切り替え印加によって、それぞれ、少なくとも個別に通過するマルチビーム２０を設定された描画時間（照射時間）ビームがＯＮ状態になるようにブランキング制御する。
【００３４】
ブランキングアパーチャアレイ機構２０４を通過した各電子ビーム２０ａ〜ｅは、縮小レンズ２０５によって、縮小され、制限アパーチャ２０６に形成された中心の穴に向かって進む。ここで、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４のブランカーによって偏向された電子ビーム２０’は、制限アパーチャ２０６（ブランキングアパーチャ部材）の中心の穴から位置がはずれ、制限アパーチャ２０６によって遮蔽される。一方、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４のブランカーによって偏向されなかった電子ビーム２０ａ~ｅは、図１に示すように制限アパーチャ２０６の中心の穴を通過する。このように、制限アパーチャ２０６は、個別ブランキング機構４７によってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する。そして、ビームＯＮになってからビームＯＦＦになるまでに形成された、制限アパーチャ２０６を通過したビームにより、１回分のショットの各ビームが形成される。このように、成形ブランキングアパーチャアレイ機構２１２は、電子ビーム２００を用いてマルチビーム２０を形成すると共に、マルチビーム２０のうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う。そして、制限アパーチャ２０６は、成形ブランキングアパーチャアレイ機構２１２によってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する。
【００３５】
制限アパーチャ２０６を通過したマルチビーム２０は、対物レンズ２０７により焦点が合わされ、所望の縮小率のパターン像となり、偏向器２０８によって、制限アパーチャ２０６を通過した各ビーム（マルチビーム２０全体）が同方向にまとめて偏向され、各ビームの試料１０１上のそれぞれの照射位置に照射される。また、例えばＸＹステージ１０５が連続移動している時、ビームの照射位置がＸＹステージ１０５の移動に追従するように偏向器２０８によって制御される。一度に照射されるマルチビーム２０は、理想的には成形アパーチャアレイ基板２０３の複数の穴２２の配列ピッチに上述した所望の縮小率を乗じたピッチで並ぶことになる。
【００３６】
図７は、実施の形態１の比較例１における隣接するブランカーからの漏れ電界を説明するための図である。図７（ａ）では、例えば、ｙ方向に並ぶ、２つのビーム用の通過孔２５ａ，２５ｂと、通過孔２５ａを挟んで配置される制御電極２４ａと対向電極２６ａの組と、通過孔２５ｂを挟んで配置される制御電極２４ｂと対向電極２６ｂの組と、を上面から示している。図７（ｂ）では、図７（ａ）の通過孔２５の位置での断面を示している。図７（ｂ）では、左側の制御電極２４ａにビームＯＦＦにするためのブランキング用の正の電位を印加し、右側の制御電極２４ｂにビームＯＮにするためのグランド電位を印加した場合を示している。なお、対向電極２６ａ，２６ｂは、共にグランド電位が印加されている。かかる場合に、図７（ｂ）に示すように、左側の制御電極２４ａから漏れ電界Ｅが生じている。図７（ｂ）では、漏れ電界Ｅの広がりを途中までしか示していないが、かかる漏れ電界Ｅによって、右側に隣接する制御電極２４ｂと対向電極２６ｂの間を通る電子ビーム２０ｂが正の電位に引きつけられ、電子ビーム２０ｂの軌道が曲げられてしまう。なお、図７（ｂ）では、便宜上、制御電極２４ｂと対向電極２６ｂの間を通過中に曲げられているが、さらに、上流側で曲げられていると想定される。
【００３７】
図８は、実施の形態１の比較例１における制限アパーチャ上でのビームプロファイルの変化の一例を示す図である。図８（ａ）では、漏れ電界の影響が生じていないビームの制限アパーチャ２０６の開口部におけるビームプロファイル（Ａ’）の一例を示している。これに対して、漏れ電界の影響がビームに生じると図８（ｂ）に示すように、制限アパーチャ２０６の開口部の中心からビームがずれるので、ビームプロファイル（Ｂ’）の裾の部分が制限アパーチャ２０６によって遮蔽され、通過する電流量が変化してしまう。
【００３８】
図９は、実施の形態１の比較例１における試料面上における照射位置のずれを説明するための図である。ブランキングアパーチャアレイ機構２０４の高さ位置で漏れ電界の影響によりビーム軌道が曲げられてしまうと、試料１０１面への入射角がずれてしまうので、試料１０１面がマルチビーム２０の焦点位置からずれると、軌道が曲げられたビームでは照射位置がずれてしまう。
【００３９】
図１０は、実施の形態１の比較例１における試料面上における照射位置のずれを説明するための他の図である。ブランキングアパーチャアレイ機構２０４の高さ位置で漏れ電界の影響によりビーム軌道が角度θ曲げられてしまうと、図１０に示すように、試料１０１面への入射角がずれてしまうので、試料１０１面がマルチビーム２０の焦点位置からΔｈ下側にずれると、照射位置が設計位置から誤差δ（＝Δｈ・ｔａｎθ）だけずれてしまう。
【００４０】
図１１は、実施の形態１における成形ブランキングアパーチャアレイ機構の構成の一部を示す断面図である。上述した問題に対して、図１１に示すように、実施の形態１では、成形アパーチャアレイ基板２０３（第１の基板：ＳＡＡ）とブランキングアパーチャアレイ機構２０４（ＢＡＡ）の基板３１上に形成された複数の制御電極２４との間にグランド接続されたシールド基板２１４を配置する。これにより、ブランキング用（ビームＯＦＦ制御用）の例えば正の電位が印加された制御電極２４が存在したとしても、かかる制御電極２４から漏れ出た漏れ電界Ｅが当該ビームに隣接するビームの軌道上まで広がる手前でシールド基板２１４によって阻止できる。よって、漏れ電界の影響によりビーム軌道が曲げられてしまうことを防止或いは低減できる。
【００４１】
図１２は、実施の形態１におけるシールド基板の構成の一例を示す図である。図１２に示すように、シールド基板２１４の基板１３の材料として、例えば、シリコン（Ｓｉ）或いは炭化シリコン（ＳｉＣ）を用いると好適である。また、基板１３の中央部は、例えば表面側から薄く削られ、薄い膜厚のメンブレン領域３１１に加工されている。メンブレン領域３１１を取り囲む周囲は、厚い膜厚Ｈ２の外周領域３１２となる。メンブレン領域３１１には、図３（ａ）（或いは図３（ｂ））に示した成形アパーチャアレイ基板２０３の少なくとも各穴２２に対応する位置が開口しているマルチビームの各ビームが通過可能な複数の開口部１１が形成される。そして、基板１３のメンブレン領域３１１における、表面、裏面、及び開口部１１の内壁面といった露出面は、シールド膜１７によって覆われている。シールド膜１７の材料として、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、或いはカーボン（Ｃ）を用いると好適である。このように、実施の形態１では、シールド膜１７が成形アパーチャアレイ基板２０３（第１の基板）とブランキングアパーチャアレイ機構２０４（ＢＡＡ）の基板３１上の複数の制御電極２４との間に配置される。
【００４２】
図１３は、実施の形態１における成形ブランキングアパーチャアレイ機構の構成の組み合わせ例を示す断面図である。図１３（ａ）では、上述したように、成形アパーチャアレイ基板２０３（第１の基板：ＳＡＡ）とシールド基板２１４とブランキングアパーチャアレイ機構２０４（ＢＡＡ）とがそれぞれ別体として形成され、基板同士或いは基板と制御電極２４とが接触していない場合を示している。成形ブランキングアパーチャアレイ機構２１２の構成は、かかる構成に限るものではない。図１３（ｂ）に示すように、成形アパーチャアレイ基板２０３（第１の基板：ＳＡＡ）下方で、シールド基板２１４とブランキングアパーチャアレイ機構２０４（ＢＡＡ）の基板３１上の対向電極２６とが接続され、シールド基板２１４とブランキングアパーチャアレイ機構２０４（ＢＡＡ）が一体として形成されてもよい。或いは、図１３（ｃ）に示すように、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４（ＢＡＡ）の上方で、成形アパーチャアレイ基板２０３（第１の基板：ＳＡＡ）の少なくとも裏面側にシールド膜が形成され、成形アパーチャアレイ基板２０３（第１の基板：ＳＡＡ）とシールド基板２１４とが一体に形成されてもよい。或いは、図１３（ｄ）に示すように、成形アパーチャアレイ基板２０３（第１の基板：ＳＡＡ）の少なくとも裏面側にシールド膜が形成されると共に、成形アパーチャアレイ基板２０３の裏面とブランキングアパーチャアレイ機構２０４（ＢＡＡ）の基板３１上の対向電極２６とが接続され、成形アパーチャアレイ基板２０３（第１の基板：ＳＡＡ）とシールド基板２１４とブランキングアパーチャアレイ機構２０４（ＢＡＡ）とが一体に形成されてもよい。なお、シールド基板２１４と対向電極２６とが接続される図１３（ｂ）と図１３（ｄ）の構成では、制御電極２４の高さを対向電極２６よりも低くする。これにより、制御電極２４と対向電極２６（及びシールド基板２１４）との短絡（ショート）を防止できる。
【００４３】
なお、図１３（ｃ）に示すように、成形アパーチャアレイ基板２０３（第１の基板：ＳＡＡ）とシールド基板２１４とを一体として形成する場合には、成形アパーチャアレイ基板２０３の露出面に、例えば、スパッタ法、めっき法、或いは化学気相成長（ＣＶＤ）法等を用いて上述したシールド膜１７を形成すればよい。また、図１３（ｂ）及び図１３（ｄ）に示すように、シールド基板２１４とブランキングアパーチャアレイ機構２０４（ＢＡＡ）を一体として形成する場合には、制御電極２４及び対向電極２６を形成した基板３１上に図示しない犠牲膜を形成する。これにより、制御電極２４と対向電極２６との間の空間は犠牲膜で埋め込まれる。そして、対向電極２６の高さ位置まで化学機械研磨（ＣＭＰ）法等で平坦化した後、例えば、スパッタ法、めっき法、或いはＣＶＤ法等を用いて上述したシールド膜１７を形成する。そして、シールド膜１７に開口部１１をリソグラフィ技術で形成した後に、エッチング法等により犠牲膜を除去すればよい。かかる場合の犠牲膜として例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）を用い、エッチング液として、例えばフッ酸（ＨＦ）を用いることができる。或いは、犠牲膜として例えばカーボン（Ｃ）を用い、アッシングにより犠牲膜を除去しても良い。
【００４４】
図１４は、実施の形態１におけるシールド基板の開口部の形状の一例を示す図である。図１４（ａ）では、シールド基板２１４（シールド膜１７）に、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４（ＢＡＡ）の基板３１に形成された複数の通過孔２５（第２の開口部）に対応する、矩形の複数の開口部１１（第３の開口部）が形成される場合を示している。図１４（ｂ）から図１４（ｄ）では、シールド基板２１４（シールド膜１７）に、ラインアンドスペースパターン状の複数の開口部１１（第３の開口部）が形成される場合を示している。複数の通過孔２５の上方が開口していないとマルチビーム２０が通過できなくなってしまうので、ラインアンドスペースパターン状の複数の開口部１１は、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４（ＢＡＡ）の基板３１にアレイ状に形成された複数の通過孔２５の行方向及び列方向のうち、一方に沿って形成されると好適である。図１４（ｂ）では、ｘ方向に複数の開口部１１が延びる場合を示している。図１４（ｃ）では、ｙ方向に複数の開口部１１が延びる場合を示している。図１４（ｄ）では、ｘ方向に複数の開口部１１が延びる場合であって、開口部１１の幅が広くなった場合を示している。なお、図示していないが、ｘ，ｙ方向のアレイ状に形成された複数の通過孔２５を斜め方向に連なる通過孔２５群上が開口するように、かかる斜め方向に複数の開口部１１が延びる場合であっても構わない。
【００４５】
図１５は、実施の形態１における制御電極と対向電極の配置構成の一例を示す上面図である。図１５の例では、それぞれ通過孔２５を挟んでｙ方向に制御電極２４と対向電極２６とが配置される場合を示している。対向電極２６は、通過孔２５を挟んで制御電極２４と対向するだけではなく、対向方向（ｙ方向）に対して、通過孔２５の両側にも延びるように”コ”の字形に形成されると好適である。かかる配置構成では、複数の制御電極２４は、それぞれ当該対応する通過孔２５に隣り合う別の通過孔２５には直接露出しないように配置されることになる。ここで、図１５の例では、４つの個別ブランキング機構のうち、左下側の個別ブランキング機構の制御電極２４にのみ正の電位が印加された場合、ｙ方向に隣り合うビームの軌道（通過孔２５ｃの位置）には漏れ電界Ｅｙが作用する。一方、ｘ方向に隣り合うビームの軌道（通過孔２５ｃの位置）には漏れ電界Ｅｘが作用する。
【００４６】
図１６は、実施の形態１における成形ブランキングアパーチャアレイ機構の断面の一例を示す図である。図１６では、シールド基板２１４の配置高さ位置が、制御電極２４と離れた状態での図１５のＡＡ断面を示している。
図１７は、実施の形態１における成形ブランキングアパーチャアレイ機構の断面の他の一例を示す図である。図１７では、シールド基板２１４の配置高さ位置が、図１６で示した状態よりも制御電極２４に近づけた状態での図１５のＡＡ断面を示している。制御電極２４ａにのみ正の電位が印加された場合、ｙ方向に隣り合うビームの軌道（通過孔２５ｃの位置）には漏れ電界Ｅｙが作用する。ここで、図１６及び図１７に示すように、シールド基板２１４の配置高さを制御電極２４に近づけた方が、漏れ電界Ｅｙの電気力線の数を減らすことができ、隣り合うビームの軌道（通過孔２５ｃの位置）への漏れ電界Ｅｙの影響を抑制できる。
【００４７】
図１８は、実施の形態１における成形ブランキングアパーチャアレイ機構の断面の他の一例を示す図である。図１８では、シールド基板２１４の配置高さ位置が、制御電極２４と離れた状態での図１５のＢＢ断面を示している。
図１９は、実施の形態１における成形ブランキングアパーチャアレイ機構の断面の他の一例を示す図である。図１９では、シールド基板２１４の配置高さ位置が、図１８で示した状態よりも制御電極２４に近づけた状態での図１５のＢＢ断面を示している。図１８と図１９において、対向電極２６の図示は省略している。制御電極２４ａにのみ正の電位が印加された場合、ｘ方向に隣り合うビームの軌道（通過孔２５ｂの位置）には漏れ電界Ｅｘが作用する。ここで、図１８及び図１９に示すように、シールド基板２１４の配置高さを制御電極２４に近づけた方が、漏れ電界Ｅｘの電気力線の数を減らすことができ、隣り合うビームの軌道（通過孔２５ｂの位置）への漏れ電界Ｅｘの影響を抑制できる。
【００４８】
図２０は、実施の形態１におけるシールド基板と制御電極との間隔の効果の一例を示す図である。図２０（ａ）に示すように、シールド基板２１４と制御電極２４との間隔を可変にした場合、隣接するビームの偏向角が変化する。なお、マルチビーム２０を放出する加速電圧等の条件により、値は変化するため、図２０（ｂ）では、シールド基板２１４と制御電極２４との間隔を可変にした場合における隣接するビームの偏向角のシミュレーション結果の一例を示している。シールド基板２１４と制御電極２４との間隔と、ビームの偏向角との単位は、それぞれ任意単位（ＡＵ）として示す。なお、任意単位であってもその傾向は、実単位の場合と同様である。図２０（ｂ）に示すように、シールド基板２１４と制御電極２４との間隔が小さくなるほどビームの偏向角は小さくなる。よって、できるだけシールド基板２１４と制御電極２４との間隔が小さい方が好適である。例えば、図２０（ｂ）の例では間隔が８ＡＵでビームの偏向角が実質的にゼロになっている。言い換えれば、シールド基板２１４と制御電極２４との間隔がゼロでなくともビームの偏向角を実質的にゼロにできる。
【００４９】
図２１は、実施の形態１におけるシールド基板の開口部の向きの効果の一例を示す図である。図２１に示すように、シールド基板２１４には、ラインアンドスペースパターン状の複数の開口部１１が形成される場合がある。かかる場合、図１５に示した通過孔２５と制御電極２４と対向電極２６との配置構成の場合、図２１に示すように、ラインアンドスペースパターン状の複数の開口部１１の長手方向の向きによって、隣接するビームの偏向角が変化する。隣り合う通過孔２５間の距離が同じＬ１である場合、電界を発生させる制御電極２４ａからの距離は、図１５に示すように、ｙ方向に隣り合うビームの軌道（通過孔２５ｃの位置）までの方が、ｘ方向に隣り合うビームの軌道（通過孔２５ｂの位置）までよりも短くなる。よって、制御電極２４ａから生じる漏れ電界Ｅの影響は、元々、距離が短いｙ方向に隣り合うビームの軌道（通過孔２５ｃの位置）への方が強くなる。それに加えて、距離が短いｙ方向に延びるように開口部１１が形成されると、制御電極２４ａとｙ方向に隣り合うビームの軌道（通過孔２５ｃの位置）との間の直線上が開口部１１によってシールドされていない状態となる。一方、ｘ方向に延びるように開口部１１が形成されると、以下のようにできる。
【００５０】
図２２は、実施の形態１におけるシールド基板の開口部をｘ方向に延ばした場合のシールド基板の上面図の一例を示す図である。ｘ方向に延びるように開口部１１が形成されると、制御電極２４ａとｘ方向に隣り合うビームの軌道（通過孔２５ｃの位置）との間の直線と開口部１１は平行ではなく、角度が生じる。よって、制御電極２４ａとｘ方向に隣り合うビームの軌道（通過孔２５ｃの位置）との間の直線上の一部が開口部１１によってシールドされていない状態となるものの、その他はシールドされている。特に、漏れ電界を発生させる制御電極２４ａ上はシールドできる。さらに、制御電極２４ａとｙ方向に隣り合うビームの軌道（通過孔２５ｃの位置）との間の直線上はシールドできる。よって、シールド基板２１４の複数の開口部１１をラインアンドスペースパターンとして形成する場合、図２１に示すように、ｙ方向に延びるように開口部１１を形成する場合よりもｘ方向に延びるように開口部１１を形成する場合の方が、漏れ電界の影響を抑制できる。言い換えれば、アレイ状に形成された複数の通過孔２５（第２の開口部）の行方向及び列方向のうち、複数の制御電極２４の露出が少なくなる方向に延びるようにシールド基板２１４の複数の開口部１１（第３の開口部）が形成されると好適である。
【００５１】
図２３は、実施の形態１におけるシールド基板の開口部の幅の効果の一例を示す図である。図２３では、シールド基板２１４に、ラインアンドスペースパターン状の複数の開口部１１が形成される場合に、複数の開口部１１の幅を可変にした場合における隣接するビームの偏向角のシミュレーション結果の一例を示している。開口部１１の幅と、ビームの偏向角との単位は、それぞれ任意単位（ＡＵ）として示す。なお、任意単位であってもその傾向は、実単位の場合と同様である。図２３に示すように、複数の開口部１１の幅が小さくなるほどビームの偏向角は小さくなる。よって、通過する各ビームを遮蔽しない程度にできるだけ開口部１１の幅を小さくする方が好適である。例えば、図２３の例では幅が８ＡＵでビームの偏向角が実質的にゼロになっている。言い換えれば、開口部１１の幅がゼロでなくともビームの偏向角を実質的にゼロにできる。なお、ビームの偏向角が実質的にゼロになる開口部１１の幅は、ビームを成形する穴２２の幅よりも十分大きくできることがシミュレーション結果からわかっている。すなわち、成形アパーチャアレイ基板２０３の穴２２、シールド基板２１４の開口部１１、そして、ブランキングアパーチャアレイ機構の通過孔２５の順にその幅を大きくできる。或いは、成形アパーチャアレイ基板２０３の穴２２、ブランキングアパーチャアレイ機構の通過孔２５、そして、シールド基板２１４の開口部１１の順にその幅を大きくできる。よって、成形されたビームに干渉しない幅で漏れ電界の影響に起因するビームの偏向角を実質的にゼロにするように抑制できる。
【００５２】
図２４は、実施の形態１の比較例２における漏れ電界の影響の一例を示す図である。比較例２では、制御電極２４へ接続する配線２７を基板上面に形成し、露出させた場合を示している。制御電極２４ａに正の電位を印加する場合、制御電極２４ａに繋がる配線２７ａにも正の電位が生じている。そのため、図２４に示すように、制御電極２４ａだけではなく配線２７ａからも漏れ電界Ｅが発生する。そのため、漏れ電界Ｅの発生源から隣接するビームの軌道（通過孔２５ｂ）までの距離が大幅に短くなる。その結果、例え、シールド基板２１４を制御電極２４及び配線２７上に配置しても、隣接するビームの軌道（通過孔２５ｂ）への漏れ電界Ｅの影響を十分に排除することは難しい。これに対して、実施の形態１では、複数の制御電極２４のうちのそれぞれ対応する制御電極２４に正の電位とグランド電位を切り替え可能に印加する複数の制御回路４１がブランキングアパーチャアレイ機構２０４（ＢＡＡ）の基板３１内部に配置される。よって、制御電極２４に接続される配線が露出していない。そのため、比較例２のような漏れ電界の拡大を防止でき、隣接するビームの軌道（通過孔２５ｂ）への漏れ電界Ｅの影響を十分に排除できる。
【００５３】
図２５は、実施の形態１におけるシールド基板とブランキングアパーチャアレイ機構の変形例を示す図である。上述した例では、シールド基板２１４とブランキングアパーチャアレイ機構２０４の制御電極２４との間に隙間Ｇを空けて配置する場合を説明した。図２５（ａ）に示すように、制御電極２４と対向電極２６とを同じ高さに形成すると、シールド基板２１４が自重等でたわんだ場合、図２５（ｂ）に示すように、制御電極２４とシールド基板２１４とが短絡してしまう可能性がある。そこで、実施の形態１の変形例では、対向電極２６上にストッパ膜２９を形成する。これにより、シールド基板２１４が自重等でたわんだ場合でも、図２５（ｃ）に示すように、ストッパ膜２９がシールド基板２１４に当接し支持する。よって、それ以上のシールド基板２１４のたわみを防止すると共に、制御電極２４とシールド基板２１４との短絡を防止できる。ストッパ膜２９は、導電膜でも絶縁膜でもどちらでも構わない。
【００５４】
以上のように、実施の形態１によれば、マルチビーム描画において隣接するビームへのブランキング用の制御電極２４等から漏れ出した電界の影響を抑制できる。
【００５５】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。上述した例では、シフトレジスタ４０に１０ビットの制御信号が入力される場合を示したが、ビット数は、適宜設定すればよい。例えば、２ビット、或いは３ビット〜９ビットの制御信号を用いてもよい。或いは、１１ビット以上の制御信号を用いてもよい。
【００５６】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００５７】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのブランキング装置、マルチ荷電粒子ビーム描画装置及び方法は、本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００５８】
１０  描画領域
１１  開口部
１２  ストライプ領域
１３  基板
１４  支持台
１７  シールド膜
２０  マルチビーム
２２  穴
２３  基板
２４  制御電極
２５  通過孔
２６  対向電極
２８  支持台
３０  メンブレン領域
３１  基板
３２  外周領域
３３  支持台
３４  照射領域
４１  制御回路
４６  アンプ
４７  個別ブランキング機構
１００  描画装置
１０１  試料
１０２  電子鏡筒
１０３  描画室
１０５  ＸＹステージ
１１０  制御計算機
１１２  メモリ
１３０  偏向制御回路
１３９  ステージ位置検出器
１４０，１４２  記憶装置
１５０  描画部
１６０  制御部
２００  電子ビーム
２０１  電子銃
２０２  照明レンズ
２０３  成形アパーチャアレイ基板
２０４  ブランキングアパーチャアレイ機構
２０５  縮小レンズ
２０６  制限アパーチャ部材
２０７  対物レンズ
２０８  偏向器
２１０  ミラー
２１２  成形ブランキングアパーチャアレイ機構
２１４  シールド基板
３０１  メンブレン領域
３０２  外周領域
３１１  メンブレン領域
３１２  外周領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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