(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂膜を基材とした可撓性の積層構造体を含み、表示素子が形成された表示領域を有する素子基板と、樹脂膜を基材とした可撓性の積層構造体を含み、前記素子基板の前記表示領域に積層された対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との隙間に充填された充填材とを有する表示装置であって、
前記素子基板及び前記対向基板は、共有結合又はイオン結合の無機物からなり前記積層構造体の外周側面に密着した端部を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
表示素子が形成された表示領域を含み可撓性を備えた素子基板と、可撓性を備え充填材を挟んで前記素子基板の前記表示領域に貼り合わされた対向基板とを有する表示装置の製造方法であって、
第１の支持板の一方の主面に、複数面の前記素子基板の構造が並んだ第１基板層を形成する第１基板層形成工程と、
第２の支持板の一方の主面に、前記第１基板層における前記各素子基板の前記表示領域に向き合わされる位置にそれぞれ前記対向基板の構造が設けられた第２基板層を形成する第２基板層形成工程と、
前記第１の支持板上の前記第１基板層と前記第２の支持板上の前記第２基板層とを貼り合わせて基板層接合体を形成する貼り合わせ工程と、
前記第１の支持板ごと前記第１基板層を分割し、また前記第２の支持板ごと前記第２基板層を分割して、前記第１及び第２の支持板に挟まれた前記基板層接合体をそれぞれが前記表示装置に対応する複数部分に分割する分割工程と、を有し、
前記第１基板層形成工程は、前記素子基板の縁に沿って畝状の第１のリブを共有結合又はイオン結合の無機物で形成する工程を含み、
前記第２基板層形成工程は、可撓性樹脂膜を含む材料からなり前記表示領域に対向配置される対向領域部と、共有結合又はイオン結合の無機物からなり前記対向領域部を囲み前記対向領域部より高い畝状の第２のリブとを形成する工程を含み、
前記貼り合わせ工程は、前記第２のリブとの高低差により前記対向領域部に生じる前記第２基板層の凹部に前記充填材を充填する工程を含み、
前記分割工程は、前記第１及び第２の支持板を前記第１及び第２のリブに沿ってスクライブする工程と、スクライブされた前記第１及び第２の支持板を湾曲させてブレイクする工程とを含むこと、
を特徴とする製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の製造方法において、
前記素子基板は、前記表示領域に隣接して、当該表示領域から引き出される配線が形成される非表示領域を有し、
前記第１基板層形成工程は、
前記第１のリブで囲まれる領域内に可撓性樹脂膜を形成し、当該可撓性樹脂膜の上に表示素子及び前記配線を形成する主部形成工程と、
前記主部形成工程後、前記表示領域と前記非表示領域との境界における前記対向基板の前記第２のリブに対向配置される領域に、前記第１のリブの位置と当該領域とでの高低差に応じた厚みを有するシール部を積層するシール部形成工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２又は請求項３に記載の製造方法において、
隣り合う前記素子基板間にて前記第１のリブを共有する部分を設けて前記第１基板層に複数面の前記素子基板を配列し、
隣り合う前記対向基板間にて前記第２のリブを共有する部分を設けて前記第２基板層に複数面の前記対向基板を配列し、
前記スクライブする工程は、前記第１及び第２のリブの共有部分では当該リブの幅内にスクライブ線を設定し、前記隣り合う素子基板同士で前記共有部分を分け合うこと、を特徴とする製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置、及びその製造方法に関し、特にフレキシブルディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（electroluminescence：ＥＬ）表示装置などのフラットパネルディスプレイは基板上に薄膜トランジスタ（thin film transistor：ＴＦＴ）や有機発光ダイオード（Organic Light-Emitting Diode：ＯＬＥＤ）などが形成された表示パネルを有する。表示パネルの基材には従来、ガラス基板が用いられていたが近年、当該基材に樹脂フィルム等を用いて、表示パネルを曲げることができるフレキシブルディスプレイの開発が進められている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置の構造として、表示素子であるＯＬＥＤを形成された表示領域を有する素子基板と、カラーフィルタなどを形成され素子基板の表示領域に対向配置される対向基板とを貼り合わせるものがある。信頼性を確保するため素子基板と対向基板とは間にフィル材を挟んで張り合わされる。この際、対向基板の外周部に凸状構造のダムを形成してその内側にフィル材を滴下し、素子基板と対向基板とを貼り合わせる方法がある。このダムには、フィル材が外側にはみ出さないようにする働きがある。ダムは流動性の材料をディスペンサ等でパネル外周に塗布し硬化させて形成されている。
【０００４】
また、ガラス基板などの支持板の上に可撓性を有した素子基板や対向基板がそれぞれ複数面配列された層（基板層）を形成し、支持板ごと両基板を貼り合わせた後、複数面の表示パネルに分割することが行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−３５７９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
高精細な表示パネルにて挟額縁を達成するためには、より微細な幅で高精度のダムのパタン形成が要求される。しかし、ディスペンサによりノズルからダム材料を滴下する手法では高精度なパタン形成が困難であった。
【０００７】
また、ディスペンサで滴下、硬化されるダム材料は比較的柔軟性が高く割れにくい。そのため、複数面の表示パネルを一体に形成した後、個々の表示パネルに分割する際に、レーザ切断などが用いられ、スクライブ／ブレイク法など比較的簡易な手法を用いることができなかった。
【０００８】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、素子基板と対向基板とを複数面まとめて積層した後、分割する所謂、多面取りで表示パネルを作成する際に、より簡易で高精度な加工を可能とし、ひいては基板間の無駄な領域を減らし狭額縁化を図ることが容易な表示パネル、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）本発明に係る表示装置は、樹脂膜を基材とした可撓性の積層構造体を含み、表示素子が形成された表示領域を有する素子基板と、樹脂膜を基材とした可撓性の積層構造体を含み、前記素子基板の前記表示領域に積層された対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との隙間に充填された充填材とを有する表示装置であって、前記素子基板及び前記対向基板は、共有結合又はイオン結合の無機物からなり前記積層構造体の外周側面に密着した端部を備える。
【００１０】
（２）本発明に係る表示装置の製造方法は、表示素子が形成された表示領域を含み可撓性を備えた素子基板と、可撓性を備え充填材を挟んで前記素子基板の前記表示領域に貼り合わされた対向基板とを有する表示装置の製造方法であって、第１の支持板の一方の主面に、複数面の前記素子基板の構造が並んだ第１基板層を形成する第１基板層形成工程と、第２の支持板の一方の主面に、前記第１基板層における前記各素子基板の前記表示領域に向き合わされる位置にそれぞれ前記対向基板の構造が設けられた第２基板層を形成する第２基板層形成工程と、前記第１の支持板上の前記第１基板層と前記第２の支持板上の前記第２基板層とを貼り合わせて基板層接合体を形成する貼り合わせ工程と、前記第１の支持板ごと前記第１基板層を分割し、また前記第２の支持板ごと前記第２基板層を分割して、前記第１及び第２の支持板に挟まれた前記基板層接合体をそれぞれが前記表示装置に対応する複数部分に分割する分割工程と、を有し、前記第１基板層形成工程は、前記素子基板の縁に沿って畝状の第１のリブを共有結合又はイオン結合の無機物で形成する工程を含み、前記第２基板層形成工程は、可撓性樹脂膜を含む材料からなり前記表示領域に対向配置される対向領域部と、共有結合又はイオン結合の無機物からなり前記対向領域部を囲み前記対向領域部より高い畝状の第２のリブとを形成する工程を含み、前記貼り合わせ工程は、前記第２のリブとの高低差により前記対向領域部に生じる前記第２基板層の凹部に前記充填材を充填する工程を含み、前記分割工程は、前記第１及び第２の支持板を前記第１及び第２のリブに沿ってスクライブする工程と、スクライブされた前記第１及び第２の支持板を湾曲させてブレイクする工程とを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略の構成を示す模式図である。
【図２】本発明の実施形態に係る表示パネルの模式的な垂直断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法の概略のプロセスフロー図である。
【図４】第１基板層形成工程完了後の第１基板層、及び第２基板層形成工程完了後の第２基板層それぞれの模式的な垂直断面図である。
【図５】第１基板層と第２基板層とを貼り合わせた状態の模式的な垂直断面図である。
【図６】第１基板層及び第２基板層の模式的な平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態（以下実施形態という）について、図面に基づいて説明する。
【００１３】
なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１４】
本発明の実施形態に係る表示装置は有機ＥＬ表示装置である。有機ＥＬ表示装置は、アクティブマトリックス型表示装置であり、テレビ、パソコン、携帯端末、携帯電話等に搭載される。
【００１５】
図１は、実施形態に係る有機ＥＬ表示装置２の概略の構成を示す模式図である。有機ＥＬ表示装置２は、画像を表示する画素アレイ部４と、当該画素アレイ部４を駆動する駆動部とを備える。有機ＥＬ表示装置２はフラットパネルディスプレイであり表示パネルを備える。表示パネルは画素アレイ部４が配置される表示領域と、非表示領域とを含む。
【００１６】
画素アレイ部４には画素に対応して表示素子であるＯＬＥＤ６及び画素回路８がマトリクス状に配置される。画素回路８は複数のＴＦＴ１０，１２やキャパシタ１４で構成される。
【００１７】
一方、駆動部は走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４及び制御装置２６を含み、画素回路８を駆動しＯＬＥＤ６の発光を制御する。
【００１８】
駆動部は表示パネルの非表示領域に配置できる。駆動部は表示パネルを構成する素子基板上に画素回路８と共に形成することができる。また、画素回路８とは別途に製造される集積回路（ＩＣ）に駆動部を格納し、当該ＩＣを表示パネル内や、表示パネルに接続したフレキシブルプリント基板（Flexible Printed Circuit：ＦＰＣ）に搭載することもできる。
【００１９】
走査線駆動回路２０は画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線２８に接続されている。走査線駆動回路２０は制御装置２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択し、選択した走査信号線２８に、点灯ＴＦＴ１０をオンする電圧を印加する。
【００２０】
映像線駆動回路２２は画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線３０に接続されている。映像線駆動回路２２は制御装置２６から映像信号を入力され、走査線駆動回路２０による走査信号線２８の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線３０に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯ＴＦＴ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動ＴＦＴ１２は書き込まれた電圧に応じた電流をＯＬＥＤ６に供給し、これにより、選択された走査信号線２８に対応する画素のＯＬＥＤ６が発光する。
【００２１】
駆動電源回路２４は画素列ごとに設けられた駆動電源線３２に接続され、駆動電源線３２及び選択された画素行の駆動ＴＦＴ１２を介してＯＬＥＤ６に電流を供給する。
【００２２】
ここで、ＯＬＥＤ６の陽極（アノード）は駆動ＴＦＴ１２に接続される。一方、各ＯＬＥＤ６の陰極（カソード）は基本的に接地電位に接続され、全画素のＯＬＥＤ６の陰極は共通の電極で構成される。
【００２３】
図２は表示パネル４０の模式的な垂直断面図である。表示パネル４０は互いに貼り合わされた素子基板４２と対向基板４４とを含む。
【００２４】
素子基板４２は表示領域４６と非表示領域４８とを有する。素子基板４２の表示領域４６には既に述べたように画素アレイ部４が設けられる。非表示領域４８には、隣接する表示領域４６の画素アレイ部４から引き出される配線５０が形成される。また、非表示領域４８には配線５０に駆動部を接続するための端子５２が形成されたり、駆動部の回路が形成されたり、ＩＣが配置されたりし得る。図２では非表示領域４８に設けられた端子５２にＦＰＣ５４が接続される例を示している。
【００２５】
画素アレイ部４や配線５０、端子５２等は可撓性樹脂膜からなる基材５６の一方の主面に形成される。例えば、基材５６は、ポリイミド、エポキシ、アクリル、及びポリエチレンナフタレート、並びにテトラフルオロエチレン−エチレン共重合体などの熱可塑性フッ素樹脂を用いて形成することができる。
【００２６】
画素アレイ部４は上述した画素回路８、走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２などの電子回路が形成された回路層や、ＯＬＥＤが形成されたＯＬＥＤ層などからなる積層構造を有する。ＯＬＥＤ層は画素電極、有機材料積層部、共通電極及びバンクを含んで構成され、画素電極及び共通電極とこれらの間に挟持される有機材料積層部とがＯＬＥＤを構成する。なお、共通電極は基本的に表示領域の全画素の有機材料積層部に共通に接触し、一方、画素電極は画素ごとに分離して形成され、回路層に形成される図１に示した駆動ＴＦＴ１２に接続される。共通電極及び画素電極は例えば、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）やＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材を用いて形成される。有機材料積層部は発光層を備え、発光層は両電極に印加される電圧に応じて正孔及び電子を注入され、それらの再結合により発光する。
【００２７】
ＯＬＥＤ層は回路層の上に積層され、ＯＬＥＤ層の上にはカバー層５８が積層される。カバー層５８は、防湿機能を有した膜からなりＯＬＥＤを水分による特性劣化から保護する。例えば、カバー層５８として窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる層が積層される。
【００２８】
基材５６の外周側面には、共有結合又はイオン結合の無機物からなる端部６０が密着される。端部６０は基材５６等の側面における防湿機能を有する。また素子基板４２の裏面、つまり基材５６の画素アレイ部４等が形成される側と反対側の面は、防湿機能を有したバリア層６２で覆われる。
【００２９】
対向基板４４は素子基板４２の表示領域４６に積層される。対向基板４４は表示領域４６に対向配置される対向領域部と、対向領域部を囲み、かつ当該対向領域部より高い端部６４とを有する。対向領域部は可撓性樹脂膜を基材６６とする積層構造を有し、例えば、基材６６の一方の主面にカラーフィルタ及びバリア層（以下、両方を合わせてカラーフィルタ層６８とする。）などが積層される。基材６６は例えば基材５６について上述した材料を用いて形成することができる。端部６４は共有結合又はイオン結合の無機物からなり、基材６６の外周側面に密着される。端部６４は基材６６等の側面における防湿機能を有する。また対向基板４４の裏面、つまり基材６６のカラーフィルタ層６８が形成される側とは反対側の面も、防湿機能を有したバリア層７０で覆われる。
【００３０】
なお、素子基板４２においては、カバー層５８は非表示領域４８のうち配線５０以外の領域にて基材５６を覆う形態となっていてもよい。又は画素アレイ部４と基材５６との間にシリコン窒化膜及びシリコン酸化膜で構成される下地層があり、この下地層が表示領域４６と非表示領域４８との全面に存在する形となっていてもよい。このように、基材５６の上面、下面及び側面に水分や酸素を通しにくいカバー層５８、端部６０、バリア層６２、下地層があることで、基材５６内に水分や酸素が入り込まない。対向基板４４の基材６６においても、上面、下面及び側面が水分や酸素を通しにくいカラーフィルタ層６８、端部６４、バリア層７０があることで、基材６６内に水分や酸素が入り込まない。
【００３１】
素子基板４２と対向基板４４とは素子基板４２の画素アレイ部４等が形成された面と、カラーフィルタ層６８が形成された面とを向き合わせて貼り合わされる。ここで、対向基板４４のカラーフィルタ層６８が形成された面は、端部６４と対向領域部との高低差により対向領域部にて凹部となる。当該凹部は両基板４２，４４の貼り合わせ時にフィル材７２（充填材）を充填される。フィル材７２は素子基板４２と対向基板４４との間隙を埋め、硬化して両基板を接着する。
【００３２】
素子基板４２の縁と対向基板４４の縁とが一致する部分では端部６０の上面と端部６４との上面とが向き合い、当該部分では両基板４２，４４が密接して、フィル材７２が漏れ出ることを防止する。また、対向基板４４の縁が素子基板４２の縁と一致しない部分、具体的には素子基板４２の表示領域４６と非表示領域４８との境界部分では端部６４の上面と素子基板４２の上面との間に隙間ができてそこにフィル材７２が入り込むことを防ぐために、ダム材７４を素子基板４２に積層する。
【００３３】
なお、素子基板４２と対向基板４４との接合体を保護するために、その外側面、つまりバリア層６２，７０の上に保護フィルム７６，７８が貼り付けられる。
【００３４】
次に有機ＥＬ表示装置２の製造方法について説明する。本発明に係る有機ＥＬ表示装置２の製造方法の特徴は表示パネル４０の製造方法にある。当該製造方法は複数枚の表示パネル４０の積層構造を一体に形成する方法である。
【００３５】
図３は当該製造方法の概略のプロセスフロー図である。当該プロセスフローは、第１の支持板の一方の主面に複数面の素子基板４２の構造が並んだ第１基板層を形成する一連の工程（第１基板層形成工程：工程Ｓ１０〜Ｓ１５）と、第２の支持板の一方の主面に、第１基板層における各素子基板４２の表示領域４６に向き合わされる位置にそれぞれ対向基板４４の構造が設けられた第２基板層を形成する一連の工程（第２基板層形成工程：工程Ｓ２０〜Ｓ２４）と、第１基板層及び第２基板層から表示パネル４０を組み立てる一連の工程（工程Ｓ３０〜Ｓ３３）とからなる。
【００３６】
図４は第１基板層形成工程完了後の第１基板層、及び第２基板層形成工程完了後の第２基板層それぞれの模式的な垂直断面図であり、両基板層の向き及び水平方向の位置関係をそれらを貼り合わせる際と同じ状態にして図示している。また、図５は両基板層を貼り合わせた状態の模式的な垂直断面図である。
【００３７】
図６は第１基板層２００、第２基板層２０２の模式的な平面図である。図４，図５に示す断面の位置は図２と同じであり、その位置を図６に線分Ａ−Ａで示している。図６では第１基板層２００内に配置される１つの素子基板４２、及び第２基板層２０２内に配置される１つの対向基板４４にハッチングを付している。素子基板４２の平面形状は矩形であり、図６では当該矩形の点線より上側が表示領域４６であり、点線より下側が非表示領域４８である。対向基板４４の平面形状も矩形であり、素子基板４２の表示領域４６に基本的に一致する形状とされ、第１基板層２００と第２基板層２０２とを貼り合わせたとき、対向基板４４の輪郭をなす４辺のうち３辺は素子基板４２の輪郭と重なり、残り１辺は表示領域４６と非表示領域４８との境界に位置する。
【００３８】
素子基板４２は可撓性を有するので、第１基板層形成工程のはじめに素子基板４２を平坦に保つ支持板９０が用意される（工程Ｓ１０）。支持板９０としてスクライブ／ブレイク工法に適した材料からなるものが用いられ、例えば、支持板９０はガラスを用いて形成される。本実施形態では、上述したように複数枚の表示パネル４０を一度に作るために、複数枚の素子基板４２を並べることができる形状・大きさを有する支持板９０を用意する。図６に示す例では、支持板９０に、素子基板４２が縦方向及び横方向にそれぞれ３つ並べられる。
【００３９】
まず、第１基板層形成工程を説明する。支持板９０に、当該支持板９０から素子基板４２を剥離する際の犠牲層（図示せず）、及び防湿機能を有したバリア層６２を順番に積層する（工程Ｓ１１）。犠牲層は金属や金属酸化物が好適であり、チタン（Ｔｉ）やタングステン（Ｗ）やその酸化物である。バリア層６２はシリコン窒化膜やシリコン酸化膜、シリコン炭窒化膜、シリコン炭化膜及びこれらの積層にて構成される。
【００４０】
バリア層６２の上に素子基板４２の縁に沿って畝状の第１のリブ９２を共有結合又はイオン結合の無機物で形成する（工程Ｓ１２）。図６では横方向に隣り合う素子基板４２は縁が接しており、それら素子基板４２は縦方向の辺に沿って設けられるリブ９２を共有する。一方、図６の例では縦方向に隣り合う素子基板４２の間には余白領域９４が設けられているので、素子基板４２の横方向の辺に沿って設けられるリブ９２は素子基板４２間で共有されていない。
【００４１】
リブ９２の形成方法としては、フォトリソグラフィ技術を用いたパターニングや、印刷法、エアロゾルデポジション法、シート貼付けなどを用いることができる。ちなみにエアロゾルデポジション法は、粉末材料であるセラミックや金属などの微粒子を噴射させることで、バインダーや基材予熱を必要とせずに、常温で固化・緻密化できる高速コーティング手法である。リブ９２は、樹脂などの有機物や金属などに比較して基本的に割れやすくスクライブ／ブレイク工法に適しているという特長から、上述のように共有結合又はイオン結合の無機物で形成する。例えば、ＳｉＮ、酸化シリコン（ＳｉＯ）、ＩＴＯなどでリブ９２が形成される。その他、リブ９２は犠牲層と同じ材料を用いても良く、金属酸化物や金属窒化物を用いてもよい。割れやすく、水や酸素を通しにくい材料であることが好ましい。リブ９２の厚さ（高さ）はリブ９２に囲まれた領域内にこの後に形成される積層構造の厚さと基本的に同程度、又はそれより少し大きく設定される。
【００４２】
リブ９２に囲まれた領域には、可撓性樹脂膜の基材５６が積層され（工程Ｓ１３）、さらにその上に、表示領域４６には画素アレイ部４の回路層、ＯＬＥＤ層などが形成され、非表示領域４８には配線５０や端子５２などが形成され、それらの上にカバー層５８が形成される（工程Ｓ１４）。
【００４３】
工程Ｓ１４にて基材５６上に画素アレイ部４及び配線５０等の素子基板４２の主な構造が形成された後、表示領域４６と非表示領域４８との境界における対向基板４４の端部６４に対向配置される領域に、リブ９２の位置と当該領域とでの高低差に応じた厚みを有するダム材７４（シール部）を形成する（工程Ｓ１５）。このようにして第１基板層２００が支持板９０の表面に形成される。
【００４４】
次に第２基板層形成工程を説明する。当該工程では、第１基板層の形成工程と同様に、支持板９６を用意し（工程Ｓ２０）、その上に犠牲層（図示せず）、及びバリア層７０を順番に積層する（工程Ｓ２１）。また、バリア層７０の上に対向基板４４の縁に沿って畝状の第２のリブ９８を共有結合又はイオン結合の無機物で形成する（工程Ｓ２２）。リブ９８は基本的にリブ９２と同様の工法、材料で形成することができる。リブ９８の厚さ（高さ）はリブ９８に囲まれた領域（対向領域部）にこの後に形成される積層構造の厚さより基本的に大きく設定される。なお、バリア層７０はバリア層６２と同一の材料を用いてもよく、犠牲層も第１基板層形成時に用いた材料と同一の材料を用いてもよい。
【００４５】
なお、対向基板４４が素子基板４２の表示領域４６に積層されることに対応して、図６では素子基板４２と同様、横方向に隣り合う対向基板４４は縁が接しており、それら対向基板４４は縦方向の辺に沿って設けられるリブ９８を共有し、一方、横方向の辺に沿って設けられるリブ９８は対向基板４４間で共有されていない。
【００４６】
リブ９８に囲まれた領域には、可撓性樹脂膜の基材６６が積層され（工程Ｓ２３）、さらにその上に、カラーフィルタ層６８を構成するカラーフィルタ及びバリア層などが形成される（工程Ｓ２４）。このようにして第２基板層２０２が支持板９６の表面に形成される。上述したように基材６６は例えば、基材５６と同一の材料を用いることができる。
【００４７】
図４は上述の工程により作製された第１基板層２００及び第２基板層２０２を示している。次にこれら基板層から表示パネル４０を組み立てる工程を説明する。第２基板層２０２の対向領域部、つまりリブ９８に囲まれた領域の表面は、リブ９８を対向領域部より高く形成することにより凹部となる。この凹部にフィル材７２をディスペンサ等を用いて充填する（工程Ｓ３０）。そして、例えば、支持板９６を第２基板層２０２の形成面を上にして水平に置き、第１基板層２００の形成面を下にして支持板９０を支持板９６上に重ね、第１基板層２００と第２基板層２０２とを貼り合わせ、図５に示す状態とする（工程Ｓ３１）。
【００４８】
ここで、フィル材７２は第１基板層２００と第２基板層２０２とを貼り合わせたときに、両基板層の間隙を満たさせばよい。つまり、必ずしも工程Ｓ３０の段階でフィル材７２は凹部の全面に広がっていなくてもよく、例えば、工程Ｓ３０では凹部内にフィル材７２を点在させ、両基板層を真空中で貼り合わせたときに、フィル材７２を間隙に均一に広げることができる。
【００４９】
なお、第２基板層２０２のうち第１基板層２００の余白領域９４に対向する領域にフィル材１００を点在させて、素子基板４２の非表示領域４８に対応する部分での両基板層の間隔を保つスペーサとしてもよい。
【００５０】
フィル材７２，１００を硬化させた後、スクライブ／ブレイク工法により、支持板９０，９６ごと基板層２００，２０２の接合体を分割し、表示パネル４０ごとに分ける（工程Ｓ３２）。具体的には、支持板９０、９６をそれぞれスクライブして、支持板ごと基板層を湾曲させてブレイクする。
【００５１】
スクライブ線はリブ９２，９８に沿って形成する。特に、第１基板層２００にて隣り合う素子基板４２同士、又は第２基板層２０２にて隣り合う対向基板４４同士でリブが共有される部分ではリブの幅内にスクライブ線を設定し、隣り合っていた基板の両方にブレイク後にリブが残るようにする。本実施形態ではそのようなリブの共有部分は図６に示すリブ９２，９８のうち縦方向に延在される部分である。
【００５２】
一方、リブのうち第１基板層２００にて隣り合う素子基板４２同士、又は第２基板層２０２にて隣り合う対向基板４４同士で共有されない部分については、当該リブの素子基板４２又は対向基板４４に隣接しない側の縁に沿ってスクライブ線を設定し、その部分のリブの全幅が隣接する基板に残るようにすることができる。本実施形態ではそのようなリブの非共有部分は図６に示すリブ９２，９８のうち横方向に延在される部分である。但し、本実施形態では当該部分についてもスクライブ線をリブの幅内に設定し狭額縁化を図っている。具体的には図５に示す第１基板層２００のα１，α２の位置、及び第２基板層２０２のβ１，β２の位置にスクライブ線を設定しブレイクする。
【００５３】
ブレイク後のリブ９２，９８は素子基板４２、対向基板４４それぞれの外周の端部６０，６４を構成する。
【００５４】
ここで、ダム材７４は表示領域４６と非表示領域４８との境界に位置するリブ９８（図５に示すリブ９８ａ）のうちブレイク後に対向基板４４側に残る部分に対向する領域に形成される。つまり、上述のようにリブ９８ａの幅内にスクライブ線を設定する場合、当該スクライブ線の位置β２より外側にダム材７４がはみ出さないようにダム材７４の形成領域及びスクライブ線の位置が調整される。ダム材７４がブレイク位置に跨がると、ダム材７４が分割されなかったり、第２基板層２０２のうち分割により除去される部分１０２が分割後も素子基板４２に付着した状態となったりすることが起こり得るが、ダム材７４をスクライブ線の位置β２より内側に留めることで当該部分１０２がブレイクにより容易に除去可能となる。
【００５５】
ブレイク後、端子５２の上に積層されているカバー層５８などを除去して、当該端子５２を露出させる。そして、端子５２にＦＰＣ５４を接続する工程などを行う。
【００５６】
その後、ブレイクにより表示パネル４０ごとに分割された素子基板４２と対向基板４４との接合体から支持板９０，９６を剥離する（工程Ｓ３３）。剥離には、バリア層６２，７０と支持板９０，９６との間の犠牲層を例えば、レーザアブレーションにより蒸発させたり、エッチングで溶かしたりする手法が用いられる。支持板の剥離後、素子基板４２及び対向基板４４の裏面には保護フィルム７６，７８が貼り付けられ、図２に示す表示パネル４０の構造が基本的に実現される。
【００５７】
上記実施形態においては、表示装置の開示例として有機ＥＬ表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、液晶表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動素子等を有する電子ペーパー型表示装置、量子ドット表示装置等、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能であることは言うまでもない。
【００５８】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００５９】
また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものついては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００６０】
２  有機ＥＬ表示装置、４  画素アレイ部、６  ＯＬＥＤ、８  画素回路、１０  点灯ＴＦＴ、１２  駆動ＴＦＴ、１４  キャパシタ、２０  走査線駆動回路、２２  映像線駆動回路、２４  駆動電源回路、２６  制御装置、２８  走査信号線、３０  映像信号線、３２  駆動電源線、４０  表示パネル、４２  素子基板、４４  対向基板、４６  表示領域、４８  非表示領域、５０  配線、５２  端子、５４  ＦＰＣ、５６，６６  基材、５８  カバー層、６０，６４  端部、６２，７０  バリア層、６８  カラーフィルタ層、７２，１００  フィル材、７４  ダム材、７６，７８  保護フィルム、９０，９６  支持板、９２，９８  リブ、２００  第１基板層、２０２  第２基板層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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