(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定対象物体に設置されて前記測定対象物体に加えられる外部圧力を測定する半導体圧力センサであって、
それぞれが導電体材質の板状を有して互いに平行に配列された５つの接続パッドと、
前記接続パッドのうちのいずれか一対の接続パッドに互いに連結され、前記外部圧力による長さの変化に比例して抵抗値が変化する４つの半導体抵抗部と、を備え、
前記５つの接続パッドは、電源供給パッド、第１の出力電圧パッド、第１の接地パッド、第２の出力電圧パッド、及び第２の接地パッドを含み、
前記電源供給パッドは、中央に配置され、
前記第１の出力電圧パッド及び前記第１の接地パッドは、前記電源供給パッドの一側に配置され、
前記第２の出力電圧パッド及び前記第２の接地パッドは、前記電源供給パッドの他側に配置され、
前記第１の出力電圧パッドは、前記第１の接地パッドと前記電源供給パッドとを連結し、前記第２の出力電圧パッドは、前記第２の接地パッドと前記電源供給パッドとを連結することを特徴とする半導体圧力センサ。
【請求項２】
前記５つの接続パッドは、単一のフルホイートストンブリッジを形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体圧力センサ。
【請求項３】
前記半導体抵抗部のそれぞれは、
いずれか１つの接続パッドと前記いずれか１つの接続パッドに連結された他の接続パッドとを連結するように、前記いずれか１つの接続パッドに長さ方向に延在して連結された上部抵抗部と、前記他の接続パッドに長さ方向に延在して連結された下部抵抗部と、
前記接続パッド間の抵抗を同一に調節するように、前記上部抵抗部と前記下部抵抗部との間に設けられた抵抗調節部と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体圧力センサ。
【請求項４】
前記５つの接続パッドは、同一の間隔で互いに離隔して平行に配列され、
前記５つの接続パッドが配列される方向を基準に、前記上部抵抗部と前記下部抵抗部とは、同一の間隔で互いに離隔して配置されることを特徴とする請求項３に記載の半導体圧力センサ。
【請求項５】
測定対象物体に設置されて前記測定対象物体に加えられる外部圧力を測定する半導体圧力センサであって、
それぞれが導電体材質の板状を有し、互いに離隔して配列された第１の接続パッド、第２の接続パッド、第３の接続パッド、第４の接続パッド、及び第５の接続パッドと、
前記接続パッドのうちのいずれか一対の接続パッドに互いに連結され、前記外部圧力による長さの変化に比例して抵抗値が変化する４つの半導体抵抗部と、を備え、
前記第３の接続パッドは、中央に配置され、
前記第１の接続パッド及び前記第２の接続パッドは、前記第３の接続パッドの一側に配置され、
前記第４の接続パッド及び前記第５の接続パッドは、前記第３の接続パッドの他側に配置され、
５つの接続パッドのうちの電気的に連結される２つ以上の接続パッドは、前記第３の接続パッドの長さ方向である第１の方向から見たときに互いにオーバーラップする部分を有することを特徴とする半導体圧力センサ。
【請求項６】
前記第１の方向を基準に、前記第１の接続パッド〜前記第５の接続パッドのそれぞれの両端部は、前記第３の接続パッドの両端部と同じか又は内側に位置することを特徴とする請求項５に記載の半導体圧力センサ。
【請求項７】
前記第１の方向を基準に、前記第３の接続パッドは、他の接続パッドのいずれに対しても平行に配置されてオーバーラップされる部分がなく、前記第１の接続パッドと前記第２の接続パッド、前記第４の接続パッドと前記第５の接続パッドは、それぞれ互いにオーバーラップする部分を有することを特徴とする請求項５に記載の半導体圧力センサ。
【請求項８】
前記第３の接続パッドは、それぞれが前記第１の方向に延在する形状を有する２つの副接続パッドを含み、
前記副接続パッドのそれぞれは、前記第１の方向に垂直な第２の方向に互いにオフセットされて連結される形状を有し、前記第１の方向を基準に、他の接続パッドにオーバーラップする部分を有することを特徴とする請求項５に記載の半導体圧力センサ。
【請求項９】
前記５つの接続パッドは、単一のフルホイートストンブリッジを形成することを特徴とする請求項５に記載の半導体圧力センサ。
【請求項１０】
前記５つの接続パッドは、単一の電源供給パッド、第１の出力電圧パッド、第１の接地パッド、第２の出力電圧パッド、及び第２の接地パッドを含み、
前記電源供給パッドは、中央に配置され、
前記第１の出力電圧パッド及び前記第１の接地パッドは、前記電源供給パッドの一側に配置され、
前記第２の出力電圧パッド及び前記第２の接地パッドは、前記電源供給パッドの他側に配置されることを特徴とする請求項９に記載の半導体圧力センサ。
【請求項１１】
前記５つの接続パッドは、単一の接地パッド、第１の電源供給パッド、第１の出力電圧パッド、第２の電源供給パッド、第２の出力電圧パッドを含み、
前記接地パッドは、中央に配置され、
前記第１の電源供給パッド及び前記第１の出力電圧パッドは、前記接地パッドの一側に配置され、
前記第２の電源供給パッド及び前記第２の出力電圧パッドは、前記接地パッドの他側に配置されることを特徴とする請求項５に記載の半導体圧力センサ。
【請求項１２】
前記５つの接続パッドは、２つのフルホイートストンブリッジを形成することを特徴とする請求項５に記載の半導体圧力センサ。
【請求項１３】
前記４つの半導体抵抗部のそれぞれは、外部固定抵抗を介して外部印加電圧に連結され、２つの独立したフルホイートストンブリッジを形成することを特徴とする請求項１２に記載の半導体圧力センサ。
【請求項１４】
前記半導体抵抗部のそれぞれは、
いずれか１つの接続パッドと前記いずれか１つの接続パッドに連結された他の接続パッドとを連結するように、前記いずれか１つの接続パッドに長さ方向に延在して連結された上部抵抗部と、前記他の接続パッドに長さ方向に延在して連結された下部抵抗部と、
前記接続パッド間の抵抗を同一に調節するように、前記上部抵抗部と前記下部抵抗部との間に設けられた抵抗調節部と、を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体圧力センサ。
【請求項１５】
前記５つの接続パッドが配列される方向を基準に、前記上部抵抗部と前記下部抵抗部とは、同一の間隔で互いに離隔して配置されることを特徴とする請求項１４に記載の半導体圧力センサ。
【請求項１６】
測定対象物体に設置されて前記測定対象物体に加えられる外部圧力を測定する半導体圧力センサであって、
それぞれが導電体材質の板状を有し、互いに離隔して配列された第１の接続パッド、第２の接続パッド、第３の接続パッド、第４の接続パッド、及び第５の接続パッドと、
前記接続パッドのうちのいずれか一対の接続パッドに互いに連結され、前記外部圧力による長さの変化に比例して抵抗値が変化する４つの半導体抵抗部と、を備え、
前記第３の接続パッドは、共通の接地パッド又は共通の電源供給パッドであり、
前記第１の接続パッド、前記第２の接続パッド、及び前記第３の接続パッドは、第１のフルホイートストンブリッジを形成し、
前記第４の接続パッド、前記第５の接続パッド、及び前記第３の接続パッドは、第２のフルホイートストンブリッジを形成することを特徴とする半導体圧力センサ。
【請求項１７】
前記第３の接続パッドは、中央に配置され、
前記第１の接続パッド及び前記第２の接続パッドは、前記第３の接続パッドの一側に配置され、
前記第４の接続パッド及び前記第５の接続パッドは、前記第３の接続パッドの他側に配置されることを特徴とする請求項１６に記載の半導体圧力センサ。
【請求項１８】
前記４つの半導体抵抗部は、前記第３の接続パッドを中心に互いに非対称の形状を有することを特徴とする請求項１７に記載の半導体圧力センサ。
【請求項１９】
前記第１の接続パッドは、第１の半導体抵抗部の出力部になり、前記第２の接続パッドは、第２の半導体抵抗部の出力部になり、第１のフルホイートストンブリッジを構成し、
前記第４の接続パッドは、第３の半導体抵抗部の出力部になり、前記第５の接続パッドは、第４の半導体抵抗部の出力部になり、第２のフルホイートストンブリッジを構成することを特徴とする請求項１６に記載の半導体圧力センサ。
【請求項２０】
前記第３の接続パッドは、共通の接地パッドであり、
前記４つの半導体抵抗部のそれぞれは、外部固定抵抗を介して外部印加電圧に連結され、２つの独立したフルホイートストンブリッジを形成することを特徴とする請求項１６に記載の半導体圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体圧力センサに関し、より詳しくは、導電体材質の５つの接続パッドと接続パッドに連結されて外部圧力による長さ変化に比例して抵抗値が変化する４つの半導体抵抗とを含む１又は２つのフルホイートストンブリッジ構造の半導体圧力センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、圧力センサは、自動車、環境設備、医療機器などに広く利用されるセンサ部分の技術分野において、振動が多く発生するか、急激な圧力の変化がある環境など、圧力に対する測定が必要な機器で用いられる。圧力センサの測定原理は、半導体に加えられる圧力に比例して半導体の形状が変化して、半導体の抵抗値が変化することを利用する。圧力センサは、電圧が印加されるホイートストンブリッジを含め、ホイートストンブリッジに外部圧力が加えられると、物理的な撓みで発生する半導体の抵抗値を測定することで、圧力の程度を感知する。
【０００３】
従来の半導体圧力センサは、圧力が加えられる環境に露出するように構成された感知要素であって、少なくとも１つの高濃度ドーピング半導体ストレーンゲージを備える電子パッケージを含む。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであって、本発の目的は、単一の電源供給部を備えたフルホイートストンブリッジを構成する半導体圧力センサを提供することにある。
【０００５】
また、本発明の目的は、ホイートストンブリッジを形成する接続パッドをオーバーラップするように配置することで、半導体圧力センサの全体面積を減少して生産収率を向上させ、接続パッドのワイヤボンディング部の領域を大きくする半導体圧力センサを提供することにある。
【０００６】
更に、本発明の目的は、４つの抵抗体で２つの独立したフルホイートストンブリッジを形成し、２つの独立したフルホイートストンブリッジで圧力の変化を測定して２つの圧力測定値の比較が可能な半導体圧力センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による半導体圧力センサは、測定対象物体に設置されて前記測定対象物体に加えられる外部圧力を測定する半導体圧力センサであって、それぞれが導電体材質の板状を有して互いに平行に配列された５つの接続パッドと、前記接続パッドのうちのいずれか一対の接続パッドに互いに連結され、前記外部圧力による長さの変化に比例して抵抗値が変化する４つの半導体抵抗部と、を備え、前記５つの接続パッドは、電源供給パッド、第１の出力電圧パッド、第１の接地パッド、第２の出力電圧パッド、及び第２の接地パッドを含み、前記電源供給パッドは、中央に配置され、前記第１の出力電圧パッド及び前記第１の接地パッドは、前記電源供給パッドの一側に配置され、前記第２の出力電圧パッド及び前記第２の接地パッドは、前記電源供給パッドの他側に配置され、前記第１の出力電圧パッドは、前記第１の接地パッドと前記電源供給パッドとを連結し、前記第２の出力電圧パッドは、前記第２の接地パッドと前記電源供給パッドとを連結することを特徴とする。
【０００８】
前記５つの接続パッドは、単一のフルホイートストンブリッジを形成する。
【０００９】
前記半導体抵抗部のそれぞれは、いずれか１つの接続パッドと前記いずれか１つの接続パッドに連結された他の接続パッドとを連結するように、前記いずれか１つの接続パッドに長さ方向に延在して連結された上部抵抗部と、前記他の接続パッドに長さ方向に延在して連結された下部抵抗部と、前記接続パッド間の抵抗を同一に調節するように、前記上部抵抗部と前記下部抵抗部との間に設けられた抵抗調節部と、を含む。
【００１０】
前記５つの接続パッドは、同一の間隔で互いに離隔して平行に配列され、前記５つの接続パッドが配列される方向を基準に、前記上部抵抗部と前記下部抵抗部とは、同一の間隔で互いに離隔して配置される。
【００１１】
上記目的を達成するためになされた本発明の他の態様による半導体圧力センサは、測定対象物体に設置されて前記測定対象物体に加えられる外部圧力を測定する半導体圧力センサであって、それぞれが導電体材質の板状を有し、互いに離隔して配列された第１の接続パッド、第２の接続パッド、第３の接続パッド、第４の接続パッド、及び第５の接続パッドと、前記接続パッドのうちのいずれか一対の接続パッドに互いに連結され、前記外部圧力による長さの変化に比例して抵抗値が変化する４つの半導体抵抗部と、を備え、前記第３の接続パッドは、中央に配置され、前記第１の接続パッド及び前記第２の接続パッドは、前記第３の接続パッドの一側に配置され、前記第４の接続パッド及び前記第５の接続パッドは、前記第３の接続パッドの他側に配置され、前記５つの接続パッドのうちの電気的に連結される２つ以上の接続パッドは、前記第３の接続パッドの長さ方向である第１の方向から見たときに互いにオーバーラップする部分を有することを特徴とする。
【００１２】
前記第１の方向を基準に、前記第１の接続パッド〜前記第５の接続パッドのそれぞれの両端部は、前記第３の接続パッドの両端部と同じか又は内側に位置する。
【００１３】
前記第１の方向を基準に、前記第３の接続パッドは、他の接続パッドのいずれに対しても平行に配置されてオーバーラップされる部分がなく、前記第１の接続パッドと前記第２の接続パッド、前記第４の接続パッドと前記第５の接続パッドは、それぞれ互いにオーバーラップする部分を有する。
【００１４】
前記第３の接続パッドは、それぞれが前記第１の方向に延在する形状を有する２つの副接続パッドを含み、前記副接続パッドのそれぞれは、前記第１方向に垂直な第２の方向に互いにオフセットされて連結される形状を有し、前記第１の方向を基準に、他の接続パッドにオーバーラップする部分を有する。
【００１５】
前記５つの接続パッドは、単一のフルホイートストンブリッジを形成する。
【００１６】
前記５つの接続パッドは、単一の電源供給パッド、第１の出力電圧パッド、第１の接地パッド、第２の出力電圧パッド、及び第２の接地パッドを含み、前記電源供給パッドは、中央に配置され、前記第１の出力電圧パッド及び前記第１の接地パッドは、前記電源供給パッドの一側に配置され、前記第２の出力電圧パッド及び前記第２の接地パッドは、前記電源供給パッドの他側に配置される。
【００１７】
前記５つの接続パッドは、単一の接地パッド、第１の電源供給パッド、第１の出力電圧パッド、第２の電源供給パッド、第２の出力電圧パッドを含み、前記接地パッドは、中央に配置され、前記第１の電源供給パッド及び前記第１の出力電圧パッドは、前記接地パッドの一側に配置され、前記第２の電源供給パッド及び前記第２の出力電圧パッドは、前記接地パッドの他側に配置される。
【００１８】
前記５つの接続パッドは、２つのフルホイートストンブリッジを形成する。
【００１９】
前記４つの半導体抵抗部のそれぞれは、外部固定抵抗を介して外部印加電圧に連結され、２つの独立したフルホイートストンブリッジを形成する。
【００２０】
前記半導体抵抗部のそれぞれは、いずれか１つの接続パッドと前記いずれか１つの接続パッドに連結された他の接続パッドとを連結するように、前記いずれか１つの接続パッドに長さ方向に延在して連結された上部抵抗部と、前記他の接続パッドに長さ方向に延在して連結された下部抵抗部と、前記接続パッド間の抵抗を同一に調節するように、前記上部抵抗部と前記下部抵抗部との間に設けられた抵抗調節部と、を含む。
【００２１】
前記５つの接続パッドが配列される方向を基準に、前記上部抵抗部と前記下部抵抗部とは、同一の間隔で互いに離隔して配置される。
【００２２】
上記目的を達成するためになされた本発明の更に他の態様による半導体圧力センサは、測定対象物体に設置されて前記測定対象物体に加えられる外部圧力を測定する半導体圧力センサであって、それぞれが導電体材質の板状を有し、互いに離隔して配列された第１の接続パッド、第２の接続パッド、第３の接続パッド、第４の接続パッド、及び第５の接続パッドと、前記接続パッドのうちのいずれか一対の接続パッドが互いに連結され、前記外部圧力による長さの変化に比例して抵抗値が変化する４つの半導体抵抗部と、を備え、前記第３の接続パッドは、共通の接地パッド又は共通の電源供給パッドであり、前記第１の接続パッド、前記第２の接続パッド、及び前記第３の接続パッドは、第１のフルホイートストンブリッジを形成し、前記第４の接続パッド、前記第５の接続パッド、及び前記第３の接続パッドは、第２のフルホイートストンブリッジを形成することを特徴とする。
【００２３】
前記第３の接続パッドは、中央に配置され、前記第１の接続パッド及び前記第２の接続パッドは、前記第３の接続パッドの一側に配置され、前記第４の接続パッド及び前記第５の接続パッドは、前記第３の接続パッドの他側に配置される。
【００２４】
前記４つの半導体抵抗部は、前記第３の接続パッドを中心に互いに非対称の形状を有する。
【００２５】
前記第１の接続パッドは、第１の半導体抵抗部の出力部になり、前記第２の接続パッドは、第２の半導体抵抗部の出力部になり、第１のフルホイートストンブリッジを構成し、前記第４の接続パッドは、第３の半導体抵抗部の出力部になり、前記第５の接続パッドは、第４の半導体抵抗部の出力部になり、第２のフルホイートストンブリッジを構成する。
【００２６】
前記第３の接続パッドは、共通の接地パッドであり、前記４つの半導体抵抗部のそれぞれは、外部固定抵抗を介して外部印加電圧に連結され、２つの独立したフルホイートストンブリッジを形成する。
【発明の効果】
【００２７】
本発明による半導体圧力センサは、単一の電源供給部を備えることで、複数の電源供給部が接続パッドに連結された半導体圧力センサに代えて、同一の印加電圧を保持することが容易であるため、外部電源供給連結部を単一に製造することができる。これによって、半導体圧力センサの全体の製造工程が簡便となり、製造コストを低減することができる。また、半導体圧力センサの回路の構成が簡単になり、圧力センサの設置が簡便であり、故障の危険性が低くなるという効果がある。
【００２８】
また、本発明による半導体圧力センサは、ホイートストンブリッジを形成する接続パッドを、オーバーラップ部分を有するように配置することで、半導体圧力センサの全体面積を減少させて生産収率を向上させることができる。また、接続パッドのワイヤボンディング部の領域を大きくして、二重ボンディング及び様々な幅のワイヤボンディングを可能にしてワイヤ接続を安定にすることができる。
【００２９】
更に、本発明による半導体圧力センサは、半導体抵抗部の長さを調節して抵抗のサイズを制御することで消耗電力を小さくすることができ、許容電力が相違する様々な種類の集積回路に連結することができる。
【００３０】
なお、本発明による半導体圧力センサは、４つの抵抗体で２つの独立したフルホイートストンブリッジを形成することで、２つの独立したフルホイートストンブリッジで圧力の変化を測定して２つの圧力測定値の比較が可能になるため、圧力測定の精度が向上する。また、２つの独立したフルホイートストンブリッジを用いることで、一部の構成要素の故障時でも正常作動する残りのフルホイートストンブリッジによる圧力の測定を可能にする。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の一実施形態による単一の電源供給部を有する半導体圧力センサの構造図である。
【図２】図１の半導体圧力センサが適用された圧力測定装置の一部断面図である。
【図３】外部圧力の印加時に圧力測定装置の作動原理を示す図である。
【図４】本発明の一実施形態による抵抗調節部を有する半導体圧力センサの構造図である。
【図５】本発明の一実施形態によるオーバーラップ構造を有する半導体圧力センサの第１例の構造図である。
【図６】本発明の一実施形態によるオーバーラップ構造を有する半導体圧力センサの第２例の構造図である。
【図７】本発明の一実施形態によるオーバーラップ構造を有する半導体圧力センサの第３例の構造図である。
【図８】本発明の一実施形態によるオーバーラップ構造を有する半導体圧力センサの第４例の構造図である。
【図９ａ】本発明の一実施形態による２つのフルホイートストンブリッジを構成する半導体圧力センサの一例の構造図である。
【図９ｂ】本発明の一実施形態による２つのフルホイートストンブリッジを構成する半導体圧力センサの他の例の構造図である。
【図１０】図９における半導体圧力センサを用いた４つの抵抗体からなる２つのフルホイートストンブリッジ回路の作動を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下では、図面を参照して、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように、本発明の実施形態を詳しく説明する。しかし、本発明は、様々な形態に具現可能であり、ここで説明する実施形態に限定されるものではない。また、図面において、本発明の実施形態を明らかに説明するために、説明と関係ない部分は省略する。
【００３３】
本明細書で使われる用語は、単に特定の実施形態を説明するために使われ、本発明を限定する意図として使われるものではない。単数の表現は、文脈上明白に異なることを意味しない限り、複数の表現を含む。
【００３４】
本明細書で“含む”、“有する”、又は“備える”などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらの組み合わせを指定しようとするものであり、１又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものの存在、又は付加可能性を予め排除しないものと理解すべきである。
【００３５】
また、以下の実施形態は、当業界で通常の知識を有する者に、より明確に説明するために提供されるものであって、図面における要素の形状及びサイズなどは、より明確な説明のために誇張される。
【００３６】
以下、本発明を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００３７】
図１は、本発明の一実施形態による単一の電源供給部を有する半導体圧力センサの構造図であり、図２は、図１の半導体圧力センサが適用された圧力測定装置の一部断面図である。図３は、外部圧力の印加時に圧力測定装置の作動原理を示す図である。
【００３８】
図１〜図３に示すように、本実施形態による半導体圧力センサＡ０は、測定対象物体の上部圧力変形面１００に設けられて、測定対象物体に加えられる外部圧力を測定する。半導体圧力センサＡ０は、５つの接続パッドＰ（Ｐ１〜Ｐ５）と、４つの半導体抵抗部Ｒ（Ｒ１〜Ｒ４）とを含む。
【００３９】
本明細書において、接続パッドＰは、第１の接続パッドＰ１、第２の接続パッドＰ２、第３の接続パッドＰ３、第４の接続パッドＰ４、第５の接続パッドＰ５をいずれも示し、半導体抵抗部Ｒは、それぞれ上部抵抗部（Ｒ１ａ、Ｒ２ａ、Ｒ３ａ、Ｒ４ａ）及び下部抵抗部（Ｒ１ｂ、Ｒ２ｂ、Ｒ３ｂ、Ｒ４ｂ）と、上部抵抗部（Ｒ１ａ、Ｒ２ａ、Ｒ３ａ、Ｒ４ａ）と下部抵抗部（Ｒ１ｂ、Ｒ２ｂ、Ｒ３ｂ、Ｒ４ｂ）とを連結する連結部をいずれも示す。
【００４０】
５つの接続パッドＰは、それぞれが導電体材質からなり、互いに平行に配列された薄肉の長方形状である。４つの半導体抵抗部Ｒのそれぞれは、いずれか一対の接続パッドＰを互いに連結し、外部圧力による長さの変化に比例して抵抗値が変化する。
【００４１】
５つの接続パッド（Ｐ１〜Ｐ５）のそれぞれは、共通に使用する単一の電源供給パッドＰ３、第１の出力電圧パッドＰ１、第１の接地パッドＰ２、第２の接地パッドＰ４、及び第２の出力電圧パッドＰ５に対応する。第３の接続パッドである電源供給パッドＰ３は接続パッドＰの中央に配置され、第１の出力電圧パッドＰ１及び第１の接地パッドＰ２は電源供給パッドＰ１の一側に配置され、第２の出力電圧パッドＰ５及び第２の接地パッドＰ４は電源供給パッドＰ３の他側に配置される。また、第１の出力電圧パッドＰ１は第１の接地パッドＰ２と電源供給パッドＰ３とを連結し、第２の出力電圧パッドＰ５は第２の接地パッドＰ４と電源供給パッドＰ３とを連結する。このような構造による５つの接続パッドは、単一の電源供給を有する単一のフルホイートストンブリッジ回路を形成する。
【００４２】
４つの半導体抵抗部Ｒは、それぞれ上部抵抗部（Ｒ１ａ、Ｒ２ａ、Ｒ３ａ、Ｒ４ａ）及び下部抵抗部（Ｒ１ｂ、Ｒ２ｂ、Ｒ３ｂ、Ｒ４ｂ）を含み、上部抵抗部（Ｒ１ａ、Ｒ２ａ、Ｒ３ａ、Ｒ４ａ）と下部抵抗部（Ｒ１ｂ、Ｒ２ｂ、Ｒ３ｂ、Ｒ４ｂ）とを連結する連結部（１１、１２、１３、１４）が垂直方向（図面のＹ軸方向）に形成される。連結部（１１、１２、１３、１４）は、接続パッドにメッキされた物質と同一の金属材料でコートされ、連結部（１１、１２、１３、１４）の長さ及び面積による抵抗の影響を最小化する。金属材料は、一例として金メッキ、アルミニウムメッキ、銀メッキなどが用いられる。
【００４３】
一方、単一の電源供給部を有する半導体圧力センサＡ０の全体回路の電気的なフローとは関係なく、製品の全体的な形状を安定にするために、構造強化部（２１、２２、２３、２４）が連結部（１１、１２、１３、１４）の中央から連結部に垂直な方向に向けて（即ち、上部抵抗部及び下部抵抗部に平行に）形成される。
【００４４】
本実施形態において、それぞれの接続パッドＰは水平方向（図面においてＸ軸方向）に長い長方形状の薄板でいずれも同一の形状からなり、それぞれの半導体抵抗部Ｒは水平方向に長く形成されていずれも同一の形状からなり、それぞれの構造強化部（２１、２２、２３、２４）も水平方向に長く同一の形状からなる。しかし、連結部（１１、１２、１３、１４）の高さ（ｗ１、ｗ２、ｗ３、ｗ４）は、形成位置によって２種類の互いに異なる高さ（図面においてＹ軸方向）を有する。本実施例において、連結部（１１、１３）は互いに対称の位置に設けられて同一の高さを有し、連結部（１２、１４）は互いに対称の位置に設けられて同一の高さを有する。連結部（１１、１２、１３、１４）は、導電体材質で形成される。
【００４５】
接続パッドＰはいずれも高さよりも幅が長い長方形状で厚さが薄い板状を有し、それぞれの接続パッドＰは接続パッドＰの高さｗよりも相対的に小さい間隔で互いに離隔して配置される。
【００４６】
半導体圧力センサＡ０の形状をより具体的に説明すると、第１の接続パッドＰ１の左上端部には、第１の上部抵抗部Ｒ１ａが連結される。第１の上部抵抗部Ｒ１ａは、第１の接続パッドＰ１の約１／３の高さ及び第１の接続パッドＰ１に類似した長さの幅を有する長方形状で薄い厚さを有し、第１の接続パッドＰ１に水平に連結されて形成される。第１の上部抵抗部Ｒ１ａと第１の下部抵抗部Ｒ１ｂとを電気的に連結する第１の連結部１１は、隅が丸く長い長方形状で薄い厚さを有し、第１の上部抵抗部Ｒ１ａの左端部から第１の下部抵抗部Ｒ１ｂの左端部までを連結する。また、半導体圧力センサＡ０の全体回路の電気的なフローとは関係なく、製品の全体的な形状を安定的にし、製造工程時の便利さのために、第１の連結部１１の上下方向（Ｙ軸方向）の中心部から右側に第１の組立体２１が形成される。一例として、第１の組立体２１は、半導体抵抗部Ｒの約５／６の長さを有する第１の組立体２１として形成されるが、その長さと幅は様々である。他の接続パッド（Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５）、半導体抵抗部（Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４）、及び連結部（１２、１３、１４）は、これと同様な方式で形成される。
【００４７】
図２を参照して、本実施形態による単一の電源供給部を備えた半導体圧力センサＡ０の作動原理を説明する。半導体圧力センサＡ０が取り付けられた圧力測定装置Ｂは、内部が中空の円筒状からなり、上部及び側部は密閉され、下部のみが内部と外部とが通じるように開放された形状を有する円筒状である。圧力測定装置Ｂの円筒の中空の内部に流体などの任意の媒質を介して外部の圧力が伝達されると、下部より上部に向かう方向に圧力が加えられ、圧力測定装置Ｂの上部圧力変形面１００が圧力の大きさに比例して物理的な形状の変形が生じるように製作される。外部圧力が増加すると、圧力測定装置Ｂの円筒の中心軸を基準に中心軸に近い部分が上に膨らむようになって、中心部表面１０１の上部表面は、より増加する。一方、圧力測定装置Ｂの円筒の中心軸よりも遠い上部面の一部は、外部の圧力が増加すると、上部板の下側が伸びる長さよりも上側が伸びる長さがより小さくなるため、外郭部表面１０２がより減少する。
【００４８】
図３に示すように、半導体圧力センサＡ０の第１の接続パッドＰ１の左右端部がそれぞれ中心部表面１０１と外郭部表面１０２との中間に位置するように、半導体圧力センサＡ０を圧力測定装置Ｂの上部圧力変形面１００に水平方向に設置する。この場合、円筒内に伝達される流体による外部圧力が増加すると、中心部表面１０１の長さが増加し、これによって中心部表面１０１に位置する半導体抵抗部Ｒの長さが同一割合で増加することになり、抵抗値が増加する。一方、外部の圧力が減少すると、外郭部表面１０２の長さが減少し、これによって外郭部表面１０２に位置する半導体抵抗部Ｒの長さが同一割合で減少し、抵抗値が減少する。従って、半導体抵抗部Ｒの抵抗値変化の程度を測定することで、外部から圧力測定装置Ｂの内部に与えられる圧力の測定が可能になる。
【００４９】
圧力測定装置Ｂの上部圧力変形面１００に半導体圧力センサＡ０を設置する方法は、その設置方向によって２つある。第１の設置方法Ｃ１は、第１の連結部１１及び第４の連結部１４が中心部表面１０１に位置し、第２の連結部１２及び第３の連結部１３が外郭部表面１０２側に位置する場合である。第２の設置方法Ｃ２は、第２の連結部１２及び第３の連結部１３が中心部表面１０１側に位置し、第１の連結部１１及び第４の連結部１４が外郭部表面１０２側に位置する場合である。設置方法によって、計２つのフルホイートストンブリッジが生成される。
【００５０】
本実施形態による半導体圧力センサＡ０は、圧力の変化による半導体抵抗部Ｒの抵抗値の変化を測定するためのフルホイートストンブリッジを形成するに当たり、第１の接続パッドＰ１は第１の出力電圧部になり、第２の接続パッドＰ２は第１の接地部になり、第３の接続パッドＰ３は共通の電源供給部になり、第４の接続パッドＰ４は第２の接地部になり、第５の接続パッドＰ５は第２の出力電圧部になる。従って、外部電源供給連結部が単一に形成されても半導体圧力センサＡ０の作動が可能になり、同一の電圧で印加電圧を保持することが容易になる。また、外部電源供給連結部を単一に製造することで、半導体圧力センサＡ０の全体の製造工程が簡便になり、製造コストが減少し、連結される回路の構成が簡単になって、圧力センサの設置が簡便であり、故障の危険性が低くなるという優れた効果がある。
【００５１】
図４は、本発明の一実施形態による抵抗調節部を有する半導体圧力センサの構造図である。
【００５２】
先ず、図４に示すように、本実施形態による半導体圧力センサＡ１は、図１における半導体圧力センサＡ０と比較すると、上部抵抗部（Ｒ１ａ、Ｒ２ａ、Ｒ３ａ、Ｒ４ａ）と下部抵抗部（Ｒ１ｂ、Ｒ２ｂ、Ｒ３ｂ、Ｒ４ｂ）とを連結する連結部（１１、１２、１３、１４）の間に接続パッドＰに向かって曲がる形状を有する抵抗調節部（Ｒ１ｃ、Ｒ２ｃ、Ｒ３ｃ、Ｒ４ｃ）を備えるという相違点がある。半導体圧力センサＡ１は、別のＩＣチップに電気的に接続されて、測定された抵抗値をＩＣチップに伝達する。ＩＣチップは、その目的と機能によって許容される抵抗値が異なり、望ましくは消耗電力の小さいＩＣチップが望ましい。本実施形態による半導体圧力センサＡ１は、抵抗調節部（Ｒ１ｃ、Ｒ２ｃ、Ｒ３ｃ、Ｒ４ｃ）を備え、全体的な抵抗の長さを調節することができると共に、半導体圧力センサＡ１の作動時に全体的な抵抗値を増加させることができるため、消耗電力を低くすることができる。
【００５３】
図５〜図８は、本発明の一実施形態によるオーバーラップ構造を有する半導体圧力センサの多様な例の構造図である。
【００５４】
先ず、図５に示すように、本発明の一実施形態によるオーバーラップ構造を有する半導体圧力センサＡ４は、図１における半導体圧力センサＡ０と比較すると、５つの接続パッド（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５）の形状が相違する。
【００５５】
具体的に、半導体圧力センサＡ４は、それぞれが導電体材質の板状を有し、互いに離隔して配列された第１の接続パッドＰ１、第２の接続パッドＰ２、第３の接続パッドＰ３、第４の接続パッドＰ４、及び第５の接続パッドＰ５を含む。また、半導体圧力センサＡ４は、５つの接続パッドＰのうちの一対の接続パッドＰを互いに連結し、外部圧力による長さの変化に比例して抵抗値が変化する４つの半導体抵抗部（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４）を含む。第３の接続パッドＰ３は中央に配置され、第１の接続パッドＰ１及び第２の接続パッドＰ２は第３の接続パッドＰ３の一側に配置され、第４の接続パッドＰ４及び第５の接続パッドＰ５は第３の接続パッドＰ３の他側に配置される。接続パッドＰのそれぞれの幅（Ｘ軸方向）はそれぞれ異なり、高さ（Ｙ軸方向）は互いに同一である。
【００５６】
図５による半導体圧力センサＡ４は、５つの接続パッドＰのうちの電気的に連結される２以上の接続パッドが第３の接続パッドＰ３の長さ方向である第１の方向（Ｘ軸方向）からみた時、オーバーラップする部分があることを特徴とする。ここで、オーバーラップは、特定の方向からみたとき、前に位置する接続パッドによって後に位置する接続パッドの一部分が見えないことを意味する。本実施形態において、オーバーラップのサイズは、それぞれの接続パッドの高さの１０％〜６０％である。ここで、第１の接続パッドＰ１と第２の接続パッドＰ２とは、第１の方向（Ｘ軸方向）からみた時、オーバーラップする部分がある。また、第２の接続パッドＰ２は、第１の接続パッドＰ１及び第３の接続パッドＰ３の両方にオーバーラップする。第４の接続パッドＰ４は、第３の接続パッドＰ３及び第５の接続パッドＰ５にオーバーラップする。一方、第１の接続パッドＰ１、第２の接続パッドＰ２、第４の接続パッドＰ４、及び第５の接続パッドＰ５のそれぞれの両端部は、第３の接続パッド３の両端部と同じか又は内側に位置する。
【００５７】
本実施形態による半導体圧力センサＡ４は、図１における半導体圧力センサＡ０と比較すると、半導体圧力センサＡ４の高さ及び幅の長さを同一に保持しながらも、接続パッドＰの領域のサイズを増加させることができる。即ち、半導体圧力センサＡ４の全体のサイズを図１における半導体圧力センサＡ０と同一に保持しながらも、接続パッドＰの高さを増加させることができる。これによって、接続パッドＰに厚いワイヤボンディングが可能になり、ワイヤボンディングの角度を多様にすることができ、それぞれの接続パッドＰにボンディングされるワイヤ同士の間隔が大きいため、相互間の干渉を防止することができる。また、接続パッドＰの高さが増加するため、１つの接続パッドＰで複数回のワイヤボンディングが可能であり、電気的連結を安定にすることができる。
【００５８】
一方、半導体圧力センサＡ４のそれぞれの半導体抵抗部Ｒの連結部の高さ（ｗ１、ｗ２、ｗ３、ｗ４）は、同一に設定される。図示するように、接続パッドＰ１と接続パッドＰ２とは、互いにオーバーラップする部分があるため、第１の下部抵抗部Ｒ１ｂ及び第２の下部抵抗部Ｒ２ｂが垂直方向（Ｙ軸方向）に同一の高さに位置するように配置される。これによって、第１の半導体抵抗部Ｒ１及び第２の半導体抵抗部Ｒ２の全体の長さが同じく保持され、実際の抵抗値もいずれも同一に設定される。同様に、第３の半導体抵抗部Ｒ３及び第４の半導体抵抗部Ｒ４の全体の長さも同一に保持され、実際の抵抗値も同一に設定される。本実施形態において、半導体抵抗部Ｒのそれぞれの連結部の高さ（ｗｌ、ｗ２、ｗ３、ｗ４）はいずれも同一に設定され、それぞれの半導体抵抗部Ｒの長さ及び実際の抵抗値がいずれも同一になる。従って、半導体圧力センサＡ４の製造時に工程の均一性が確保される。また、抵抗間のオフセットが最小化されて、ホイートストンブリッジの２つの出力端間の電圧差（オフセット）が最小化される。
【００５９】
一方、図５に示した実施形態のように、中央に位置する第３の接続パッドＰ３は、長方形状ではない中間部分がオフセットされた形状を有する。第３の接続パッドＰ３は、２つの副接続パッド（Ｐ３ａ、Ｐ３ｂ）がＹ軸方向にオフセットされた状態で連結される形状を有する。副接続パッド（Ｐ３ａ、Ｐ３ｂ）は、それぞれが第１の方向（Ｘ軸方向）に延在する形状を有し、且つ第１の方向に垂直な方向（Ｙ軸方向）に互いにオフセットされて連結される。これによって、第１の方向を基準にすると、副接続パッドＰ３ａは第２の接続パッドＰ２にオーバーラップされる部分が形成され、副接続パッドＰ３ｂは第４の接続パッドＰ４にオーバーラップされる部分が形成される。
【００６０】
一方、図示していないが、図５における半導体圧力センサＡ４の各接続パッドＰの高さを、図１における半導体圧力センサＡ０の接続パッドＰの高さと同一に保持する場合、半導体圧力センサＡ４の全体の高さが低くなって、そのサイズを減少させることができる。従って、ボンディング部の高さを、図１の半導体圧力センサＡ０と同一に保持する場合は、半導体圧力センサＡ４の全体のサイズが減少して生産性を向上させることができる。
【００６１】
図６〜図８には、上述した実施形態と異なる形状のオーバーラップ構造を有する半導体圧力センサ（Ａ５、Ａ６、Ａ７）を示す。本実施形態では、中央に位置する接続パッドＰ３にオフセットがない形状であり、他の接続パッド（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ４、Ｐ５）に平行に配置され、第１の接続パッドＰ１と第２の接続パッドＰ２とが第１の方向（Ｘ軸方向）を基準にオーバーラップされ、第４の接続パッドＰ４と第５の接続パッドＰ５とがオーバーラップする。特に、図６及び図７に示す半導体圧力センサ（Ａ５、Ａ６）は、接続パッド（Ｐ１Ｐ２、Ｐ４、Ｐ５）が互いに対称の凸状に形成されて配置されるため、接続パッド（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ４、Ｐ５）の高さを大きくすることで、様々なワイヤボンディング効果が得られ、且つ半導体圧力センサ（Ａ５、Ａ６）の全体のサイズを減少させることができる。一方、図８に示すように、半導体圧力センサＡ７の接続パッド（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ４、Ｐ５）は、互いに対向する面に対角線方向の傾斜部が設けられる。互いに対向する接続パッド（Ｐ１、Ｐ２）及び接続パッド（Ｐ４、Ｐ５）を、それぞれ互いに対して対角線方向に移動することで、オーバーラップ程度を調節することができる。これによって、半導体圧力センサＡ７の全体のサイズ及び半導体抵抗部Ｒの全体の抵抗を適正に調節することができる。従って、所定の面積の半導体ウエハのサイズから半導体圧力センサＡ７の生産収率及び目標の半導体抵抗部Ｒの抵抗値を同時に考慮して、半導体圧力センサＡ７の生産計画を樹立することができる。
【００６２】
上述した図５〜図８の半導体圧力センサ（Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７）において、５つの接続パッド（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５）は、単一の電源供給パッド、第１の出力電圧パッド、第１の接地パッド、第２の出力電圧パッド、及び第２の接地パッドを含む。この場合、電源供給パッドは中央に配置された第３の接続パッドＰ３であり、第１の出力電圧パッド及び第１の接地パッドはそれぞれ第３の接続パッドＰ３の一側に配置された第１の接続パッドＰ１及び第２の接続パッドＰ２である。また、第２の出力電圧パッド及び第２の接地パッドはそれぞれ第３の接続パッドＰ３の他側に配置された第５の接続パッドＰ５及び第４の接続パッドＰ４である。
【００６３】
これとは異なり、上述した図５〜図８の半導体圧力センサ（Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７）において、５つの接続パッド（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５）は、単一の接地パッド、第１の電源供給パッド、第１の出力電圧パッド、第２の電源供給パッド、第２の出力電圧パッドを含むことができる。この場合、接地パッドは中央に配置された第３の接続パッドＰ３であり、第１の電源供給パッド及び第１の出力電圧パッドはそれぞれ第３の接続パッドＰ３の一側に配置された第２の接続パッドＰ２及び第１の接続パッドＰ１である。また、第２の電源供給パッド及び第２の出力電圧パッドはそれぞれ第３の接続パッドＰ３の他側に配置された第４の接続パッドＰ４及び第５の接続パッドＰ５である。上述した実施形態による半導体圧力センサ（Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８）は、いずれも単一のフルホイートストンブリッジを構成する。
【００６４】
図９は、本発明の一実施形態による２つのフルホイートストンブリッジを構成する半導体圧力センサの構造図であり、図１０は、図９における半導体圧力センサを用いた４つの抵抗体からなる２つのフルホイートストンブリッジ回路の作動を説明する図である。
【００６５】
図９ａ及び図９ｂに示すように、本実施形態による半導体圧力センサ（Ａ８、Ａ９）は、上述した実施形態による半導体圧力センサと比較すると、半導体抵抗部Ｒと接続パッドＰの連結方式が異なる。半導体圧力センサ（Ａ８、Ａ９）の５つの接続パッドＰは、２つのフルホイートストンブリッジを形成することで、図１０に示すように、４つの半導体抵抗部Ｒのそれぞれが別に設けられた外部固定抵抗を介して外部印加電圧に連結され、２つの独立したフルホイートストンブリッジを形成する。
【００６６】
図９ａに示すように、半導体圧力センサＡ８は、４つの半導体抵抗部Ｒで２つの独立したフルホイートストンブリッジを形成する。この構造は、導電体である接続パッドＰ１が薄い厚さを有する長方形状を有し、第１の接続パッドＰｌの下端には、第１の接続パッドＰ１に類似した形状の第２の接続パッドＰ２が第１の接続パッドＰ１の高さよりも短い間隔で離隔して設けられる。また、これと同様な方式で、導電体である第３の接続パッドＰ３、第４の接続パッドＰ４、及び第５の接続パッドＰ５が同一の間隔で下端方向に順に離隔して形成される。接続パッドＰは、水平方向に平行に設けられる。
【００６７】
一方、第１の半導体抵抗部Ｒ１が第５の接続パッドＰ５の右下端部と第３の接続パッドＰ３の右下端部とを連結し、第２の半導体抵抗部Ｒ２が第１の接続パッドＰ１の左上端部と第３の接続パッドＰ３の左上端部とを連結し、第３の半導体抵抗部Ｒ３が第３の接続パッドＰ３の右上端部と第２の接続パッドの右上端部とを連結し、第４の半導体抵抗部Ｒ４が第３の接続パッドＰ３の左下端部と第４の接続パッドＰ４の左下端部とを連結する。それぞれの半導体抵抗部Ｒは、図１における半導体抵抗部Ｒと同様に、上部抵抗部、下部抵抗部、及び上部抵抗部と下部抵抗部とを連結する連結部を含む。また、連結部の中間には、構造強化部が設けられる。
【００６８】
一方、図９ｂにおける半導体圧力センサＡ９は、図９ａの半導体圧力センサＡ８と比較すると、図５における半導体圧力センサＡ４のように、接続パッドの形状がオーバーラップする構造を有する相違点がある。
【００６９】
図１０を参照すると、本実施形態による半導体圧力センサ（Ａ８、Ａ９）の回路の構成及び作動原理は以下の通りである。半導体圧力センサ（Ａ８、Ａ９）に連結された外部回路に、４つの外部固定抵抗（２０１、２０２、２０３、２０４）及び１又は２つの印加電圧が備えられ、計２つの独立したフルホイートストンブリッジ（Ｈ１、Ｈ２）が形成される。図２の圧力測定装置Ｂの圧力変形面１００への圧力の印加時、抵抗が増加する側に半導体圧力センサ（Ａ８、Ａ９）の第１の半導体抵抗部Ｒ１及び第３の半導体抵抗部Ｒ３を位置させ、抵抗が減少する側に第２の半導体抵抗部Ｒ２及び第４の半導体抵抗部Ｒ４を位置させる。これにより、第１半導体抵抗部Ｒ１、第４の半導体抵抗部Ｒ４、及び外部固定抵抗（２０１、２０２）は、第１のフルホイートストンブリッジ（Ｈ１）を形成する。この場合、第５の接続パッドＰ５は第１の半導体抵抗部Ｒ１の出力部になり、第４の接続パッドＰ４は第４の半導体抵抗部Ｒ４の出力部になり、第３の接続パッドＰ３は接地部になる。また、別の外部回路には、第４の接続パッドＰ４及び第５の接続パッドＰ５に連結された１又は２つの印加電圧及び２つの固定抵抗（２０１、２０２）が設けられる。圧力変形面１００に外力が加えられると、第１の半導体抵抗部Ｒ１の抵抗値が増加して第５の接続パッドＰ５の出力電圧が増加し、第４の半導体抵抗部Ｒ４の抵抗値が減少して第４の接続パッドＰ４の出力電圧が減少する。
【００７０】
一方、第３の半導体抵抗部Ｒ３、第２の半導体抵抗部Ｒ２、及び外部固定抵抗（２０３、２０４）は、第２のフルホイートストンブリッジＨ２を形成する。この場合、第２の接続パッドＰ２は第３の半導体抵抗部Ｒ３の出力部になり、第１の接続パッドＰ１は第２の半導体抵抗部Ｒ２の出力部になり、第３の接続パッドＰ３は共通の接地部になる。また、別の外部回路には、第１の接続パッドＰ１及び第２の接続パッドＰ２に連結された１又は２つの印加電圧及び２つの固定抵抗（２０３、２０４）が設けられる。圧力変形面１００に外力が加えられると、第３の半導体抵抗部Ｒ３の抵抗値が増加して第２の接続パッドＰ２の出力電圧が増加し、第２の半導体抵抗部Ｒ２の抵抗値が減少して第１の接続パッドＰ１の出力電圧が減少する。
【００７１】
本実施形態による半導体圧力センサ（Ａ８、Ａ９）によると、２つの独立したフルホイートストンブリッジ（Ｈ１、Ｈ２）を形成して圧力の変化を測定するため、２つの圧力測定値の比較が可能になり、これによって圧力測定の精度が向上する。また、２つの独立したフルホイートストンブリッジ（Ｈ１、Ｈ２）を用いるため、いずれか１つのフルホイートストンブリッジ（Ｈ１）の一部の構成要素が故障しても、リダンダンシーとして正常作動する他のフルホイートストンブリッジ（Ｈ２）で圧力の測定が可能になる。また、図示していないが、２つの独立したフルホイートストンブリッジを成す半導体抵抗部Ｒを、互いに異なるパターンの形状を持たせることで互いに非対称の長さ及び抵抗値を形成し、互いに異なる２つの圧力測定値を得ることで圧力測定の信頼度を向上させることができる。
【００７２】
上述した本発明の説明は、例示に過ぎず、本発明が属する技術分野の通常の知識を有する者は、本発明の技術的思想や必須的な特徴を変更することなく、他の具体的な形態に容易に変形できることが理解されるだろう。従って、上述した実施形態は、あらゆる面で例示であり、限定ではないものとして理解されるべきである。
【００７３】
本発明の範囲は、上記の詳細な説明よりは、後述する請求の範囲により示され、請求の範囲の意味及び範囲、そして、その均等概念から導出される全ての変更又は変形した形態が、本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
本発明による半導体圧力センサは、一般の半導体圧力センサの製造産業において、同一の製品を反復的に製造することが可能であるため、産業上の利用可能性がある発明である。
【符号の説明】
【００７５】
１１、１２、１３、１４    第１〜第４の連結部
２１、２２、２３、２４    第１〜第４の構造強化部（組立体）
１００    上部圧力変形面
１０１    中心部表面
１０２    外郭部表面
２０１、２０２、２０３、２０４    第１〜第４の外部固定抵抗
Ａ０、Ａ１、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８、Ａ９    半導体圧力センサ
Ｂ    圧力測定装置
Ｈ１、Ｈ２    第１、第２のフルホイートストンブリッジ
Ｐ１    第１の接続パッドＰ（第１の出力電圧パッド）
Ｐ２    第２の接続パッドＰ（第１の接地パッド）
Ｐ３    第３の接続パッドＰ（電源供給パッド）
Ｐ４    第４の接続パッドＰ（第２の接地パッド）
Ｐ５    第５の接続パッドＰ（第２の出力電圧パッド）
Ｒ１〜Ｒ４    第１〜第４の半導体抵抗部Ｒ
Ｒ１ａ、Ｒ２ａ、Ｒ３ａ、Ｒ４ａ    上部抵抗部
Ｒ１ｂ、Ｒ２ｂ、Ｒ３ｂ、Ｒ４ｂ    下部抵抗部
Ｒ１ｃ、Ｒ２ｃ、Ｒ３ｃ、Ｒ４ｃ    抵抗調節部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９ａ】
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【図９ｂ】
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【図１０】
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