(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製支持材の表面に複数個の砥粒が単層に固着された固着層を有する研磨布用ドレッサーであって、
前記固着層は、隣り合う砥粒同士の中心間距離をＬとした場合、少なくとも一組の砥粒同士における前記Ｌが、以下の条件式（１）を満足するように砥粒が密集して配置される砥粒配置領域と、砥粒が配置されない複数の砥粒非配置領域とに領域分けされており、さらに、以下の条件式（２）、（３）及び（４）を満足することを特徴とする研磨布用ドレッサー。
ｄ≦Ｌ＜２ｄ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（１）
３μｍ≦ｄ＜１００μｍ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（２）
３ｄ≦Ｄ≦３０ｄ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（３）
０．１≦Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ｓ）＜０．５・・・・・・・・・・・・・・（４）
ただし、ｄは砥粒の粒径であり、Ｄは各前記砥粒非配置領域の円相当径であり、Ｓｉは各前記砥粒非配置領域の面積の合計であり、Ｓは前記砥粒配置領域の面積である。
【請求項２】
前記砥粒の粒径ｄが、４０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の研磨布用ドレッサー。
【請求項３】
前記砥粒が、ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素、又は酸化アルミニウムの少なくとも１種であることを特徴とする請求項１又は２に記載の研磨布用ドレッサー。
【請求項４】
前記固着層はろう材であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の研磨布用ドレッサー。
【請求項５】
前記金属製支持材がステンレス鋼であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の研磨布用ドレッサー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学的かつ機械的平面研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ、以下ＣＭＰと略す）の工程で、研磨布の平坦性を維持するため、および、目詰まりや異物除去を行うために使用される研磨布用ドレッサーに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハの表面を研磨する装置、あるいは、集積回路を製造する途中の配線や絶縁層の表面を平坦化する装置、磁気ハードディスク基板に使用されるＡｌ板やガラス板の表面を平坦化する装置、等ではＣＭＰ研磨が用いられている。
【０００３】
このＣＭＰ研磨とは、例えば、ウレタン製の研磨パッドが貼り付けられた回転基板に、微細な砥粒を含むスラリー液を供給しながら、被研磨面を押し当てて、被研磨面を平坦化する方法である。当然のことながら、この研磨パッドの研磨能力は使用時間と共に低下していくが、この低下を抑制するために、一定時間毎に研磨パッド表層部を研削して研磨パッドの平坦性を維持しながら、常に新しい面が出るようにドレッシングしている。このドレッシングに使用する部品をドレッサーと呼び、ドレッサーは、金属基板に砥粒を電着、あるいは、ろう付け等によって接合させて得られる。
【０００４】
最近では、集積回路のライン／スペ−スの極狭化によるパターン露光装置の低焦点深度化、あるいは磁気ハードディスクの記録容量増加、などに伴って、被研磨面に発生するスクラッチ傷を無くすという従来からの要求に加えて、被研磨面のうねりを低減させるなど、平坦性への要求が益々高くなってきている。これらの要求に応えていくためには、ドレッシングによってパッド表面を均一に研削してパッドの平坦性を維持することが必要とされる。さらには、ドレッシングには、パッドの目詰まりや異物を除去できる、パッド研削力も必要とされる。
【０００５】
特許文献１には、高いパッド研削力とパッド平坦性を同時に満たすドレッサーとして、金属製支持材の表面に複数個の砥粒が単層に固着されたドレッサーであって、前記金属製支持材の砥粒が固着される面の表面形状は凸状を成し、前記表面の端部と中心部の高さの差が３μｍ以上４０μｍ以下であり、かつ、前記砥粒の粒径をｄ、隣り合う砥粒同士の中心間距離をＬとした場合、少なくとも一組の隣り合う砥粒同士における前記Ｌが、ｄ≦Ｌ＜２ｄであるドレッサーが開示されている。
【０００６】
特許文献２には、パッド研削の際の目詰まりを抑制し、寿命を長くしたドレッサーとして、砥粒が研削面に島状に分散して固着され、ひとつの島に砥粒が２〜１０個集合して固着され、島部分の全面積が砥粒を固着した研削面の全面積の０．０２〜０．５倍であるドレッサーが開示されている。
【０００７】
特許文献３には、パッドの切り屑の排出が良好で目詰まりが少なく寿命を長くしたドレッサーとして、砥粒が作用面に島状に固着されて島状の砥粒層を形成し、一条の島の幅が1〜５ｍｍであり、島状の砥粒層の全面積が作用面の全面積の２〜５０％であることを特徴とするドレッサーが開示されている。
【０００８】
特許文献４には、砥粒に負荷がかかりすぎず切れ味が良いドレッサーとして、基材に複数の凸状の部位を設け、凸状の上部に砥粒を金属相で固着し、更に、凸部の外側に基材外周にそってリング状の凸部を形成させ、その上部に砥粒を固着させたドレッサーが開示されている。
【０００９】
特許文献５には、ろう材を所定の組成にすることによって、ろう材の溶融温度の変動バラツキが抑制され、その結果、ろう付け温度の低下が可能になり、金属製支持材の変形が低減されたドレッサーが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００９−１９６０２５号公報
【特許文献２】特開平９−１９８６８号公報
【特許文献３】特開平１０−１９３２６９号公報
【特許文献４】特開２００２−３３７０５０号公報
【特許文献５】特開２００７−８３３５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
前述したように、従来からパッド表面を均一に研削するドレッサーが開示されてはいるものの、パッド研削力とパッド平坦性はトレードオフの関係にあり、両者を同時に満たすことは難しい課題であった。例えば、集積回路基板、Ａｌやガラスの磁気ハードディスク基板の生産性を上げるためには、パッドを研削し常に新しい面を出すようにしなければならず、そのためにはドレッサーのパッド研削レイトをある程度以上に高める必要がある。
【００１２】
しかし、このような場合には、どうしてもパッド平坦性が低下してしまう問題があった。特に、磁気ハードディスク基板の平坦性の要求度合いは集積回路基板よりも高く、従来のドレッサーでは、平坦性を良くしようとすると、パッド研削力が低下し生産性が低下するという問題が生じていた。特許文献１にはこれらの問題を解決できるドレッサーが開示されているが、ＣＭＰ工程の更なる生産性向上、などの理由からパッド平坦性は維持した状態で、更にパッド研削力が大きいドレッサーが求められている。
【００１３】
本発明は、前述した課題を解決するために、格段に高いパッド研削力と優れたパッド平坦性を同時に満たすドレッサーを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の要旨は、以下の通りである。
（Ｉ）金属製支持材の表面に複数個の砥粒が単層に固着された固着層を有するドレッサーであって、前記固着層は、隣り合う砥粒同士の中心間距離をLとした場合、少なくとも一組の砥粒同士における前記Lが、以下の条件式（１）を満足するように砥粒が密集して配置される砥粒配置領域と、砥粒が配置されない複数の砥粒非配置領域とに領域分けされており、さらに、以下の条件式（２）及び（３）を満足することを特徴とする研磨布用ドレッサー。
ｄ≦L＜２ｄ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（１）
３μｍ≦ｄ＜１００μｍ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（２）
３ｄ≦Ｄ≦３０ｄ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（３）
ただし、ｄは砥粒の粒径であり、Ｄは各前記砥粒非配置領域の円相当径である。
【００１５】
（ＩＩ）前記砥粒の粒径ｄが、４０μｍ以下であることを特徴とする前項（Ｉ）に記載の研磨布用ドレッサー。
【００１６】
（ＩＩＩ）さらに、以下の条件式（４）を満足することを特徴とする前項（Ｉ）又は（ＩＩ）に記載の研磨布用ドレッサー。
０．１≦Ｓi／（Ｓｉ＋Ｓ）＜０．５・・・・・・・・・・・・・（４）
ただし、Ｓiは各前記砥粒非配置領域の面積の合計であり、Ｓは前記砥粒配置領域の面積である。
【００１７】
（ＩＶ）前記砥粒が、ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素、又は酸化アルミニウムの少なくとも１種であることを特徴とする前項（Ｉ）〜（ＩＩＩ）のいずれかに記載の研磨布用ドレッサー。
【００１８】
（Ｖ）前記固着層はろう材であることを特徴とする前項（Ｉ）〜（ＩＶ）のいずれかに記載の研磨布用ドレッサー。
【００１９】
（ＶＩ）前記金属製支持材がステンレス鋼であることを特徴とする前項（Ｉ）〜（Ｖ）のいずれかに記載の研磨布用ドレッサー。
【発明の効果】
【００２０】
本発明のドレッサーを用いることによって、十分なパッド研削力が維持され、かつ、優れたパッド平坦性の確保も可能となる。このためＡｌやガラスの磁気ハードディスク基板のＣＭＰ研磨のパッドコンディショナーに本発明のドレッサーを適用する場合、製品基板の平坦性が向上して優れた品質が達成されるとともに、高い生産性も維持できる効果を奏でる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１Ａ】本発明のドレッサーの例の模式図
【図１Ｂ】図１Ａの点線で示す矩形領域を拡大した、固着層の一部における拡大図である。
【図２】本発明のドレッサーの例の断面の模式図
【図３Ａ】本発明のドレッサーの例の模式図
【図３Ｂ】図３Ａの点線で示す矩形領域を拡大した、固着層の一部における拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
Ａｌやガラスの磁気ハードディスク基板をＣＭＰ研磨する場合には、パッドの平坦性が特に重要となる。このため、ドレッサーに用いる砥粒の粒径もできるだけ小さくすることが望まれているが、砥粒径を小さくしていくと、ドレッサーのパッド研削力が低下してしまう。そこで、本発明者は、特許文献１に記載したパッド平坦性とパッド研削力を同時に満足するドレッサーを発明した。特許文献１のドレッサーは、基材の表面形状を所定の高さの差を有する凸状にすることによって、スラリー液やパッド研削屑がドレッサー表面から順調に排出されるようになる効果が出ることを見出し、更に、所定の間隔で砥粒を配置することによって、優れたパッド研削レイトと優れたパッド平坦性の両立を実現したものである。
【００２３】
本発明者は、ＣＭＰ工程の生産性を向上させるために、パッド平坦性を優れた状態に維持しつつ、パッド研削レイトを更に向上させることを狙って、砥粒の配置パターンを変えた種々のドレッサーを用いて、パッド研削力の指標となるパッド研削レイト、およびパッド平坦性を詳細に評価した。
【００２４】
具体的には、ウレタン等の樹脂製パッドを研削し、そのパッドの厚み減少量をパッド全面に亘って詳細に調べた。その結果、特許文献１のドレッサーの砥粒の配置パターンは砥粒が基材の所定領域内に所定の面密度で均一に配置されているが、本発明者は、固着層の中に、砥粒が固着していない島状の領域、つまり、所定の条件を満足する砥粒非配置領域を導入することによって、優れたパッド平坦性を維持した状態で、パッド研削レイトを格段に向上させることができることを新たに見出した。
【００２５】
図１Ａは本発明のドレッサーの例を模式的に示している。図１Ｂは、図１Ａの点線で示す矩形領域を拡大した、固着層の一部における拡大図である。図２は、図１ＡのＸ−Ｘ´に沿ってドレッサーを切断した、ドレッサーの一部における断面図である。これらの図を参照して、金属製支持材１の上には固着層２が形成されている。この固着層２は、砥粒配置領域２Ａと砥粒非配置領域２Ｂとに領域分けされる。砥粒配置領域２Ａには砥粒４が密集して配置されている。砥粒非配置領域２Ｂは砥粒４が配置されない領域であって、砥粒配置領域２Ａを避けるように複数設けられている。本実施形態では、固着層２をドーナツ状に形成している。
【００２６】
本発明者等は、砥粒配置領域２Ａに配置される砥粒４の中で砥粒非配置領域２Ｂとの境界に位置する砥粒４のパッド研削力が、砥粒非配置領域２Ｂの境界に位置していない砥粒４に比べて格段に高いことを見出すとともに、更に、砥粒非配置領域２Ｂの大きさと面積の合計を所定の値に制御することによって、パットの平坦性を優れた値に維持できることを見出し本発明を完成するに至った。この砥粒非配置領域２Ｂに接している砥粒４によって、パッドに付着したスラリーやパッド研削屑、等を効率良く取り除くことが可能となる。
【００２７】
従来のドレッサーにおいても基材の外周部に位置する砥粒では、パットとの当たり方が強くなるため、パッド研削力が大きくなると言われている。しかしながら、本発明のように、固着層２の中に砥粒４が固着していない領域（つまり、砥粒非配置領域２Ｂ）を所定の大きさで形成させることによって、パッド研削レイトを向上させると言う知見は、容易に想到し得ないものである。なぜならば、パッド平坦性の劣化を抑制するために、砥粒固着部では砥粒をできるだけ均一に配置させることが従来技術の考え方であったからである。
【００２８】
また、従来技術において砥粒を固着する固着層の無い領域を形成させる目的は、特許文献２〜４に記載されているように、パッドの削り屑の排出を良くして、目詰まりを抑制することである。そのために、砥粒が固着していない領域は、固着層の外側に形成されており、砥粒が固着していない領域と固着層が独立して存在していた。
【００２９】
本発明者は、このように固着層を孤立させた場合に、孤立したそれぞれの固着層に対するパッドへの当たり方にバラツキが生じてしまい、パッドの平坦性の劣化を抑制することができないという課題を発見した。
【００３０】
本発明では、砥粒４が固着している領域はほぼつながっているため、砥粒４とパッドとの当たり方は、砥粒非配置領域２Ｂに接している砥粒４を除いて均一にすることが可能となる。ここで、砥粒非配置領域２Ｂに接している砥粒４は、他の砥粒４に比較して、パッドへの当たり方が強くなるが、図１Ｂに模式的に示すように、砥粒非配置領域２Ｂの大きさ、および、面積の合計が所定の値の場合には、パッドの平坦性を劣化させることなく、パッド研削レイトを向上させることができることを見出した。
【００３１】
砥粒非配置領域２Ｂに接している砥粒４で削られた削り屑は、微細な屑となるために、たとえ砥粒非配置領域２Ｂが孤立していたとしても削り屑は問題なく排出できる。特許文献１では、基材の表面形状を所定の高さの差を有する凸状にすることによって、スラリー液やパッド研削屑がドレッサー表面から順調に排出できるようにしているが、本発明者は、砥粒非配置領域２Ｂの島状領域を所定の大きさと面積にすることによって、スラリー液やパッド研削屑の排出も良くなるという新たな効果がでることも見出した。この効果が得られる理由は、パッドの削り屑が砥粒非配置領域２Ｂの大きさに比べて小さいために、砥粒非配置領域２Ｂは島状に孤立してはいるものの、削り屑を孤立した砥粒非配置領域２Ｂを介してスムーズに排出できるようになるからである。
【００３２】
このように、本発明のドレッサーは、砥粒配置領域２Ａの中で砥粒非配置領域２Ｂに隣接する砥粒４でパッドを効率良く研削し、砥粒非配置領域２Ｂに隣接していない砥粒４でパッドの平坦性を向上させており、砥粒非配置領域２Ｂの効果と砥粒配置領域２Ａの効果とを上手くバランスさせた結果、成し得た発明である。
【００３３】
本発明の限定理由について説明する。
砥粒４の粒径をｄとしたとき、３μｍ≦ｄ＜１００μｍである。３μｍ未満では、パッド研削レイトが低下し、１００μｍ以上では、砥粒配置領域２Ａの中で砥粒非配置領域２Ｂに隣接する砥粒４の研削力が大きくなり過ぎ、もはや砥粒非配置領域２Ｂに隣接していない砥粒配置領域２Ａの砥粒４によってパッド平坦性を向上させることができなくなるからである。砥粒４の粒径ｄが、ｄ≦４０μｍであれば、パッド研削レイトが大きくなり過ぎることが無く、パット平坦性がより安定化するため好ましい。
【００３４】
砥粒配置領域２Ａにおいて、隣り合う砥粒４同士の中心間距離をＬとした場合、少なくとも一組の隣り合う砥粒４同士における中心間距離Ｌが、ｄ≦Ｌ＜２ｄ、である場合に高いパッド平坦性が得られた。このｄ≦Ｌ＜２ｄの範囲では、砥粒配置領域２Ａに配置された砥粒４によるパット研削力も十分であるため、パッド表面に凹凸があっても十分に平坦化できる研削力があるためである。砥粒４の中心間距離Ｌが２ｄ以上になると砥粒配置領域２Ａのパッド研削力が低下し、パッドの平坦性が劣化してしまう。中心間距離Ｌが砥粒径ｄよりも小さい場合では、もはや単層の砥粒を配置できなくなる。前記の距離Ｌに配置された砥粒数の割合は、好ましくはドレッサー全体の砥粒数の５０％以上であり、より好ましくは７０％以上である。
【００３５】
このように固着層２の中に、砥粒４が固着していない島状の砥粒非配置領域２Ｂを所定の大きさで配置し、この砥粒非配置領域２Ｂの大きさを円相当径として、直径として表すＤとした場合、３ｄ≦Ｄ≦３０ｄでなければならない。Ｄが３ｄ未満では、パッドの削り屑の排出能力が低下して、パッド研削レイトが低下し易くなる。また、Ｄが３０ｄ超では、砥粒４が固着している砥粒配置領域２Ａの中で砥粒４が固着していない砥粒非配置領域２Ｂに隣接する砥粒４の数が減少するためにパッド研削レイトが低下し易くなる。
【００３６】
砥粒４が固着していない各砥粒非配置領域２Ｂの面積の合計をＳi、砥粒４が固着している砥粒配置領域２Ａの面積をＳとした場合、０．１≦Ｓi／（Ｓｉ＋Ｓ）＜０．５とすることが好ましい。Ｓi／（Ｓｉ＋Ｓ）が０．１未満では、砥粒４が固着している砥粒配置領域２Ａの中で砥粒４が固着していない砥粒非配置領域２Ｂに隣接する砥粒４の数が減少するためにパッド研削レイトが低下し易くなる。Ｓi／（Ｓｉ＋Ｓ）が０．５以上では、砥粒４が固着している砥粒配置領域２Ａの面積が少なくなるために、パットの平坦性を優れた状態に維持しにくくなる。
【００３７】
ここで、砥粒非配置領域２Ｂの形状は、円形、楕円形、多角形、あるいは、不定形、などのいずれの形状であっても良い。砥粒非配置領域２Ｂは固着層２の中に均一に分布されることが好ましい。均一に分布させることによって、削り屑の排出が向上してパッド研削レイトが良くなり、また、砥粒配置領域２Ａの分布も均一になるためパット平坦性も向上する。
【００３８】
ドレッサーを周方向に任意に4等分した場合、各1/4領域に含まれる島状の砥粒非配置領域２Ｂの面積が、ドレッサー全体に含まれる砥粒非配置領域２Ｂの１５％以上３５％以下であれば好ましく、２０％以上３０％以下であればより好ましい。ただし、各1/4領域の合計は１００％である。
【００３９】
砥粒径ｄは任意の方法で測定することができる。例えば、砥粒径ｄは、固着される前の砥粒４、又は、固着した砥粒４を剥がして集めてから測定してもよい。この場合、砥粒径ｄは、篩分級法、レーザー回折法、遠心沈降法、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の直接観察法等により得られる数平均粒径とすることができる。
【００４０】
本発明の場合、レーザー回折法、または、走査型電子顕微鏡の直接観察法により得られる数平均粒径を、砥粒径ｄとするのが好ましい。固着した砥粒４の粒径ｄをそのまま測定する場合には、ＳＥＭによる直接観察法により得られる円相当径より得られる数平均粒径とすることができる。
【００４１】
本発明の隣り合う砥粒４同士の中心間距離L、砥粒４が固着していない砥粒非配置領域２Ｂの大きさＤ、島状に形成された各砥粒非配置領域２Ｂの面積の合計Ｓi、および、砥粒４が固着している砥粒配置領域２Ａの面積Ｓは、砥粒４が固着されたドレッサーを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、など用いて撮影した写真から、公知の画像解析手法を用いて求めることができる。島状に形成された砥粒非配置領域２Ｂの形状が円形以外の場合には、個々の砥粒非配置領域２Ｂの面積と同一の面積を有する円を求め、この円の直径をＤとすることができる。
【００４２】
砥粒４が固着している砥粒配置領域２Ａにおいて、砥粒４の配置パターンは、ランダム的であっても良く、規則的であっても良い。規則的に配置する場合には、砥粒４を三角形、四角形、五角形、六角形等、種々のパターンに配置することが可能である。
【００４３】
本発明の研磨布用ドレッサーを構成する砥粒４は、硬度が大きく、酸性あるいはアルカリ性のスラリーと反応しにくいものが好適であり、例えば、ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化珪素、又は酸化セリウムからなる砥粒４を用いることができる。中でも特に好ましいのは、ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素、又は酸化アルミニウムからなる砥粒４である。これらの砥粒は一種類を単独で用いても良く、複数の砥粒を併用しても良い。これらの砥粒表面に、チタン、ジルコニウム、クロムから選ばれた少なくとも１種を被覆したもの、また、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化クロムから選ばれた少なくとも１種を被覆したものを用いることも可能である。
【００４４】
本発明の最も重要な効果を奏でる砥粒４が固着していない砥粒非配置領域２Ｂを形成させる方法を、以下の本発明ドレッサーの製造方法の中で説明する。
【００４５】
本発明によるドレッサーは、以下のように製造される。先ず、金属製支持材１にろう材を仮付けする。金属製支持材１は、砥粒４同様に、酸性あるいはアルカリ性のスラリーとの反応が生じにくいステンレス鋼が好ましい。代表的なステンレスであるＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ４３０、等が好適である。炭素鋼等の一般構造用鋼の表面にＮｉ等のめっきをしたものも使用可能である。
【００４６】
また、金属製支持材１の形状は、特に限定されるものではなく、八角形、二十角形等の多角形の形状でも良いが、金属製支持材１自体が回転しながらパッドを研削するので、均一研削性を担保するためには円盤状であることが好ましい。
【００４７】
ろう材には、ＢＮi−２やＢＮｉ−５等のＪＩＳ規格材に代表されるＮｉ−Ｃｒ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系、Ｎｉ−Ｓｉ−Ｂ系、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｂ系が適用できる。ろう材が箔の場合には、スポット溶接で金属製支持材１へ仮付け可能である。ろう材５が粉の場合には、例えば、セルロース系のバインダー等を金属製支持材１に塗布した後に粉末のろう材を散布すれば良い。
【００４８】
ここで、砥粒４が固着していない砥粒非配置領域２Ｂは、以下の方法で形成することができる。砥粒４の配置パターンと同じ配置パターンで砥粒４が通り抜ける穴を開けた篩を作製し、この篩を用いて、砥粒４を単層に配置する。その際には、ろう材の上にバインダー等を塗布し、砥粒４がずれないように仮付けする。この後、従来の特許文献1と同様に、１０−３Ｐａ程度に真空引きした後、ろう材が溶融する温度まで昇温することによって行うことができる。この場合、ろう材を溶融させる温度は、ろう材の融点以上であって、できるだけ低温であることが好ましく、高くても液相線温度＋２０℃程度以内が好ましい。バインダー、糊等は、昇温の途中で殆どが気化してしまう。
【００４９】
砥粒非配置領域２Ｂを形成する方法は、上述の方法に限定されるものではなく、別の方法であってもよい。例えば、ろう材の溶融状態を制御することによって砥粒非配置領域２Ｂを形成してもよい。具体的には、例えば、格子状の交点に穴を開けた篩を用いて砥粒４を均一にろう材の上に仮付けする。その後のろう付け熱処理において、１０−３Ｐａ程度に真空引きした後、ろう材を溶融させる温度を従来の温度よりも更に１０℃〜２０℃高めに設定する。
【００５０】
このように溶融温度を高めに設定することによって、溶融しているろう材の粘性が低下するのと同時に、砥粒４がろう材の表面張力によって再配置し、砥粒４が固着していない砥粒非配置領域２Ｂが形成される。この現象は、従来温度より１０〜２０℃高めの温度で溶融させた場合のみ生じるものであり、この温度を高める方法では、温度のみならず、保持時間によっても、砥粒非配置領域２Ｂの大きさが制御可能となる。
【００５１】
この溶融状態を制御する方法の場合、砥粒非配置領域２Ｂの面積割合であるＳi／（Ｓｉ＋Ｓ）は、最初に配置する砥粒４の散布密度によって制御することができる。最初の砥粒４の散布密度を高くすれば、溶融状態で砥粒が再配置し難くなるため、Ｓi／（Ｓｉ＋Ｓ）は小さくなる。最初の砥粒４の散布密度を小さくすれば、溶融状態での砥粒４の再配置が容易に起こるため、Ｓi／（Ｓｉ＋Ｓ）を大きくすることができる。ろう付け温度を高くする場合には、金属製支持材１の熱変形が大きくなることが懸念されるが、従来よりも１０〜２０℃高めの温度であれば、問題のないレベルに熱変形を抑制できる。
【００５２】
（実施例）
以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。
【００５３】
（実施例１）
実施例Ｎｏ．２〜７、比較例Ｎｏ．1、８〜１６を参照しながら、実施例１について説明する。
平均粒径ｄが２μｍ、４μｍ、１０μｍ、１５μｍ、３５μｍ、７０μｍ、９５μｍ、１１０μｍのダイヤモンド製の砥粒４を用いて、図３Ａに示すドレッサーを製造した。図３Ａは、ドレッサーの概略平面図である。図３Ｂは、図３Ａの点線で示す矩形領域を拡大した拡大図である。これらの図を参照して、砥粒４が固着していない砥粒非配置領域２Ｂを配置したドレッサーを作製し、パッド研削レイト、パッド平坦性を評価した。使用した金属製支持材１は、直径１００ｍｍ、厚み４ｍｍの円盤状ＳＵＳ３０４ステンレスであり、固着層２の表面はフラット状に形成した。
【００５４】
図３Ａの砥粒配置領域２Ａに相当する部位にそれぞれのダイヤモンド砥粒４を、隣接する砥粒同士の中心間距離ＬがＬ＝１．５ｄになるように、砥粒４を正方形配置した。具体的には、片側の面に同心円状に描いた半径３２ｍｍの円と半径４８ｍｍの円の間のド−ナツ状領域にダイヤモンド砥粒４を配置した。その際、ド−ナツ状領域を金属製支持材１の中心から見て等角度で４つのアーク形状に分割し、それぞれの分割領域を固着層２とした。そして、隣接する固着層２の間に２ｍｍ幅で砥粒４が無い部位を設けた。
【００５５】
ダイヤモンド砥粒の配置パターンは正方形配置とした。本ドレッサーにおいては、前記正方形の一辺の長さがＬに相当する。固着層２の中に円形の砥粒非配置領域２Ｂを配置した。砥粒非配置領域２Ｂの1つの島の大きさはＤ＝１０ｄとし、隣り合う砥粒非配置領域２Ｂの中心間距離が２Ｄになるように、固着層２の中に正方形配置した。この正方形の一辺の長さが２Ｄに相当する。このように砥粒配置領域２Ａ、および、砥粒非配置領域２Ｂを配置することで、Ｓｉ／（Ｓｉ+Ｓ）は０．２０に設定した。
【００５６】
実際のダイヤモンド砥粒４は、以下のようにして配置した。先ず、箔状のろう材を図３Ａにハッチングで示す形状となるようにア−ク状に切り出し、ステンレス製支持材１に対してスポット溶接により仮付けした。
【００５７】
次に、ダイヤモンド製の砥粒４が通り抜ける程度の穴を中心間距離Ｌ＝１．５ｄとなるように正方形配置した篩を作製し、その篩をろう材の上に置いて篩を通して砥粒４を配置した。その際に、砥粒非配置領域２Ｂに相当する部位には穴を開けないようにした。使用したろう材は組成がＮｉ−０．１２％Ｆｅ−７．４％Ｃｒ−４．０％Ｓｉ−３．０％Ｂ−０．５％Ｐ（ｍａｓｓ％）の箔ろうで、ろう材の厚みはほぼダイヤモンド製の砥粒４の平均粒径と同じ値とした。ろう材の上には、ダイヤモンド砥粒４がずれないように有機系接着剤を塗布した。その後、９８０℃で真空中１５分間のろう付け処理を施した。
【００５８】
比較材として、ダイヤモンド砥粒４が固着していない島状の砥粒非配置領域２Ｂが無いドレッサーも作製した。この比較材は、砥粒４が通り抜ける程度の穴がＬ＝１．５ｄの間隔で正方形に均一配置した篩を使用することで形成した。
【００５９】
作製したドレッサーを用いて、実際にパッドを研削し、研削後のパッド厚み減少量からパッドの研削レイト、及び、パッド平坦性を求めた。パッドは発砲ポリウレタン製であり、パッドの直径は２５０ｍｍとした。このパッドを研磨盤の上に貼り付けた。ドレッサーを、回転機構とパッドの半径方向に揺動する機構を備えた装置に固定し、加圧機構によって０．８ｋｇの加重を加えて、パッドに押し付けた。ドレッサーの中心をパッド半径方向にパッド中心から３０ｍｍ〜９０ｍｍの範囲で半径方向に揺動させた。パッド回転数は９０ｒｐｍ、ドレッサー回転数は８０ｒｐｍ、揺動は１０往復／分とした。パッド回転方向とドレッサーの回転方向は同じとした。研削全面が水の膜で覆われる程度に水を供給した。
【００６０】
研削開始後５分が経過した時点で一旦、研削を中断して、互いに直交する２本の直径上に沿ってパッド厚みを測長顕微鏡で測定した。１つの直径を等間隔で１０等分し、等分した部位のほぼ真中付近を合計で２０点測定し、平均値を求めた。再び研削を続けて、１５時間後に同様な測定を行った。パッド厚みの平均値から、研削開始後５分から１５時間の研削時間における平均のパッド研削レイトを求めた。平坦性は、１５時間後に測定した２０点の値の中から最大値及び最小値を抽出し、最大値から最小値を引いた値として求めた。結果を表１に示した。
【表１】
0006666749.tif 000002
表１の実施例Ｎｏ．２と比較例Ｎｏ．１０、実施例Ｎｏ．３と比較例Ｎｏ．１１、実施例Ｎｏ．４と比較例Ｎｏ．１２、実施例Ｎｏ．５と比較例Ｎｏ．１３、実施例Ｎｏ．６と比較例Ｎｏ．１４、実施例Ｎｏ．７と比較例Ｎｏ．１５の比較から明らかなように、固着層２の中に砥粒４が固着していない砥粒非配置領域２Ｂを形成させた本発明のドレッサーは、優れた平坦性を維持した状態で、格段に大きな研削レイトが得られた。
【００６１】
特に、砥粒径ｄが３μｍ≦ｄ≦４０μｍでは、２．7μｍ／分以上の大きなパッド研削レイトと０．３０μｍ以下の優れたパッド平坦性が同時に得られた。このような大きなパッド研削レイトと優れたパッド平坦性が得られるドレッサーは従来にはなかった。
【００６２】
比較例Ｎｏ．１と比較例Ｎｏ．９の比較から、固着層２の中に砥粒非配置領域２Ｂを形成させることによって、パッド研削レイトは向上しているが、砥粒径ｄが３μｍ未満であるために２．０μｍ/分のパッド研削レイトを越えるレベルには達しなかった。また、比較例Ｎｏ．８と比較例Ｎｏ．１６の比較から、固着層２の中に砥粒非配置領域２Ｂを形成させることによって、パッド研削レイトは向上しているが、比較例Ｎｏ．８では、砥粒径ｄが１００μｍ超であるために、砥粒非配置領域２Ｂに隣接している砥粒４の研削力が強くなり過ぎ、その結果、もはや砥粒配置領域２Ａでパッドを平坦化させる作用が十分に機能しなくなり、パッド平坦性が劣化した。
【００６３】
（実施例２）
実施例Ｎｏ．２１、２２、２４、２５、２７、２８、比較例Ｎｏ．２３、２６、２９を参照しながら、実施例２について説明する。平均粒径ｄが１０μｍ、３５μｍ、７０μｍ、のダイヤモンド製の砥粒４を用いて、図３に示したような砥粒４が固着していない砥粒非配置領域２Ｂを配置したドレッサーを作製し、パッド研削レイト、パッド平坦性を評価した。使用した金属製支持材１は、直径１００ｍｍ、厚み４ｍｍの円盤状ＳＵＳ３０４ステンレスであり、固着層２の表面はフラット状に形成した。図３の砥粒配置領域２Ａに相当する部位にそれぞれのダイヤモンド製の砥粒４を、隣り合う砥粒中心間距離ＬがＬ＝１．２ｄ、１．７ｄ、および、２．２ｄになるように、砥粒４を正方形配置した。
【００６４】
具体的には、片側の面に同心円状に描いた半径３２ｍｍの円と半径４８ｍｍの円の間のド−ナツ状領域にダイヤモンド砥粒４を配置した。その際、ド−ナツ状領域を金属製支持材１の中心から見て等角度で４つのアーク形状に分割し、それぞれの分割領域を固着層２とした。そして、隣接する固着層２の間に２ｍｍ幅で砥粒４が無い部位を設けた。ダイヤモンド製の砥粒４の配置パターンは正方形配置とした。本ドレッサーにおいては、前記正方形の一辺の長さがＬに相当する。固着層２の中に円形の砥粒非配置領域２Ｂを配置した。砥粒非配置領域２Ｂの大きさはＤ＝１０ｄとし、隣り合う砥粒非配置領域２Ｂの中心間距離が２Ｄになるように、固着層２の中に正方形配置した。この正方形の一辺の長さが２Ｄに相当する。このように砥粒配置領域２Ａ、および、砥粒非配置領域２Ｂを配置することで、Ｓｉ／（Ｓｉ+Ｓ）を０．２０の値に設定した。
【００６５】
以下、実施例Ｎｏ．１と同様にドレッサーを作製し、研削レイトと平坦性の評価を行った。結果を表２に示した。
【表２】
0006666749.tif 000003
【００６６】
表２の実施例Ｎｏ．２１、２２、２４、２５、２７、および、２８からわかるように、隣り合う砥粒４の中心間距離Ｌをｄ≦L＜２ｄの範囲に制限することによって、２．９μｍ／分以上の大きなパッド研削レイトと０．４３μｍ以下の優れたパッド平坦性が同時に得られた。Ｌが２ｄ以上である比較例Ｎｏ．２３、２６、および、２９では、砥粒非配置領域２Ｂに隣接する砥粒の研削力が高いため研削レイトは十分にあるものの、砥粒配置領域２Ａ自体のパッド研削力が低下するために、パッドの凹凸を取り除いてパッド平坦性を向上させる能力が低下した。
【００６７】
（実施例３）
実施例Ｎｏ．３１〜３７、比較例Ｎｏ．３８を参照しながら、実施例３について説明する。直径１００ｍｍ、厚み４ｍｍの円盤状ＳＵＳ３０４ステンレス部材を金属製支持材１に用いた。この金属製支持材１は、固着層２の表面形状をフラットに機械加工したものであり、図３Ａに示すように、この片側の面に同心円状に描いた半径３２ｍｍの円と半径４８ｍｍの円の間のド−ナツ状領域に平均粒径が３０μｍのダイヤモンド砥粒４を配置した。
【００６８】
その際、ド−ナツ状領域を金属製支持材１の中心から見て等角度で４つのアーク形状に分割し、それぞれの分割領域を固着層２とした。そして、隣接する固着層２の間に２ｍｍ幅で砥粒４が無い部位を設けた。砥粒配置領域２Ａに配置されるダイヤモンド製の砥粒４の配置パターンは次のようにした。砥粒配置領域２Ａに格子状にメッシュを描き、その交点にダイヤモンド製の砥粒４を配置した。格子間隔が砥粒中心間距離Ｌに相当する。その際、格子間隔を４５μｍ（Ｌ＝１．５ｄ）と９０μｍ（Ｌ＝３．０ｄ）の二つとし、両者を所定の割合でランダムに配置させた。
【００６９】
固着層２の中に円形に形成された複数の砥粒非配置領域２Ｂを配置した。個々の砥粒非配置領域２Ｂの大きさはＤ＝１０ｄとし、隣り合う砥粒非配置領域２Ｂの中心間距離が２Ｄになるように、固着層２の中に正方形配置した。この正方形の一辺の長さが２Ｄに相当する。このように砥粒配置領域２Ａ、および、砥粒非配置領域２Ｂの配置することで、Ｓｉ／（Ｓｉ+Ｓ）を０．２０の値に設定した。
【００７０】
実際のダイヤモンド製の砥粒４は、以下のようにして配置した。先ず、実施例Ｎｏ．１と同様に、箔状のろう材を図３Ａに示すようにア−ク状に切り出し、ステンレス製支持材１に対してスポット溶接により仮付けした。次に、ダイヤモンド砥粒４が通り抜ける程度の穴をＬ＝１．５ｄ、および、Ｌ＝３．０ｄとなるように正方形配置した篩を作製した。その際に、砥粒非配置領域２Ｂに相当する部位には穴を開けないようにした。篩に穴を開ける場合の穴の位置決めは、間隔が４５μｍである格子と９０μｍである格子をランダムに配置させた格子を描き、それらの各格子点に穴を開けることで行った。Ｌが４５μｍである格子辺の数をＮ４５、９０μｍである数をＮ９０とした場合、｛Ｎ４５／（Ｎ４５＋Ｎ９０）｝×１００（％）を表３に示すように設計した。
【００７１】
使用したろう材、ダイヤモンド塗布、および、ろう付け処理は実施例Ｎｏ．１と同様にした。パッド研削レイト、パッド平坦性の評価も実施例Ｎｏ．１と同様にした。結果を表３に示した。
【表３】
0006666749.tif 000004
【００７２】
表３の実施例Ｎｏ．３１〜３７の結果から、少なくとも隣り合う一組の砥粒４同士の中心間距離Ｌが本発明範囲であるｄ≦Ｌ＜２ｄを満たせば０．４５μｍ以下の優れたパッド平坦性が得られることがわかった。さらに、ｄ≦Ｌ＜２ｄを満たす砥粒数の割合がドレッサー全体の砥粒数の５５％以上であれば、０．３６μｍ以下の優れた平坦性が得られ、その割合が７５％以上であれば、０．２８μｍ以下の更に優れた平坦性が得られた。
【００７３】
なお、本発明においては、非常に多くの砥粒４を用いているため、｛Ｎ４５／（Ｎ４５＋Ｎ９０）｝×１００の値は、「全砥粒数」における「４５μｍの間隔で配置された砥粒数」の割合として良い。
【００７４】
すなわち、前記砥粒が、一辺の長さがＬ、Ｂ１、Ｂ２、・・・Ｂｎの格子であって、それぞれがランダムに配置された格子の交点に配置されている場合においては（ｎは正の整数）、長さＬの格子辺の数をＮＬ、長さＢ１、Ｂ２、Ｂ３・・・Ｂｎの格子辺の数をＮＢ１、ＮＢ２、・・・ＮＢｎとしたときに、ＮＬ／（ＮＬ＋ＮＢ１＋ＮＢ２＋・・・＋ＮＢｎ）×１００で算出されるＸを、全砥粒数における、Ｌμｍの間隔で配置された砥粒数の割合として良い。
【００７５】
（実施例４）
実施例Ｎｏ．４１、４３〜４８、５０、５２〜５７、比較例Ｎｏ．４２、４９、５１、５８を参照しながら、実施例４について説明する。
平均粒径１５μｍ、および、７０μｍのダイヤモンド製の砥粒４を用いて、図３に示したような砥粒が固着していない砥粒非配置領域２Ｂを配置したドレッサーを作製し、パッド研削レイト、パッド平坦性を評価した。使用した金属製支持材１は、直径１００ｍｍ、厚み４ｍｍの円盤状ＳＵＳ３０４ステンレスであり、固着層２の表面はフラット状に形成した。
【００７６】
図３の砥粒配置領域２Ａに相当する部位にそれぞれのダイヤモンド製の砥粒４を、隣り合う砥粒中心間距離ＬがＬ＝１．５ｄになるように、正方形に配置した。具体的には、片側の面に同心円状に描いた半径３２ｍｍの円と半径４８ｍｍの円の間のド−ナツ状領域にダイヤモンド製の砥粒４を配置した。その際、ド−ナツ状領域を金属製支持材1の中心から見て等角度で４つのアーク形状に分割し、それぞれの分割領域を固着層２とした。そして、隣接する固着層２の間に２ｍｍ幅で砥粒４が無い部位を設けた。ダイヤモンド製の砥粒４の配置パターンは正方形配置とした。本ドレッサーにおいては、前記正方形の一辺の長さがＬに相当する。固着層２の中に円形に形成された複数の砥粒非配置領域２Ｂを配置した。砥粒非配置領域２Ｂの大きさＤ、および、砥粒非配置領域２Ｂの中心間距離は表４に示す値に設定した。
【００７７】
以下、実施例Ｎｏ．１と同様にドレッサーを作製し、研削レイトと平坦性の評価を行った。結果を表４に示した。
【表４】
0006666749.tif 000005
【００７８】
表４の実施例Ｎｏ．４１、４３〜４８、５０、５２〜５７の結果から、固着層２の中に砥粒４が固着していない砥粒非配置領域２Ｂを形成させた本発明のドレッサーは、２．８μｍ/分以上の優れたパッド研削レイトと０．４５μｍ以下の優れたパッド平坦性を同時に得ることができた。更に、実施例Ｎｏ．４３〜４７、実施例Ｎｏ．５２〜５６に示す通り、３ｄ≦Ｄ≦３０ｄ、かつ、０．１≦Ｓi／（Ｓｉ＋Ｓ）＜０．５である場合には、２．９μｍ/分以上の更に優れたパッド研削レイトと、０．４３μｍ以下の更に優れたパッド平坦性を同時に得ることができた。比較例Ｎｏ．４２、４９、５１、５８では、砥粒非配置領域２Ｂの大きさＤが、２．２ｄ以下、または、３６ｄ以上であるために、研削レイトが低下した。
【００７９】
（実施例５）
平均粒径ｄが１０μｍのダイヤモンド砥粒４を用いて、砥粒非配置領域２Ｂを配置したドレッサーを作製し、パッド研削レイト、パッド平坦性を評価した。使用した金属製支持材１は、直径１００ｍｍ、厚み４ｍｍの円盤状ＳＵＳ３０４ステンレスであり、固着層２の表面はフラット状に形成した。
【００８０】
具体的には、片側の面に同心円状に描いた半径３２ｍｍの円と半径４８ｍｍの円の間のド−ナツ状領域にダイヤモンド砥粒４を配置した。その際、ド−ナツ状領域を支持材１の中心から見て等角度で４つのアーク形状に分割し、それぞれの分割領域を固着層２とした。そして、隣接する固着層２の間に２ｍｍ幅で砥粒４が無い部位を設けた。
【００８１】
実際のダイヤモンド製の砥粒４は、以下のようにして配置した。先ず、箔状のろう材５を図３に示すようにア−ク状に切り出し、ステンレス製支持材１に対してスポット溶接により仮付けした。次に、ダイヤモンド製の砥粒４が通り抜ける程度の穴をＬ＝1.8ｄとなるように正方形配置した篩を作製し、その篩をろう材の上に置いて篩を通してダイヤモンド製の砥粒４を配置した。使用したろう材は組成がＮｉ−０．１２％Ｆｅ−７．４％Ｃｒ−４．０％Ｓｉ−３．０％Ｂ−０．５％Ｐ（ｍａｓｓ％）の箔ろうで、ろう材の厚みは、２０μｍであった。
【００８２】
ろう材の上には、ダイヤモンド製の砥粒４がずれないように有機系接着剤を塗布した。その後、実施例Ｎｏ．１〜４のろう付け温度よりも２０℃高い１０００℃で、真空雰囲気下、３０分間ろう付け処理を施した。ろう付け後のダイヤモンド砥粒４の配置をＳＥＭによって観察した結果、ダイヤモンド砥粒４の再配置が起こって、ダイヤモンド砥粒４が固着していない領域、つまり、砥粒非配置領域２Ｂが形成された。この砥粒非配置領域２Ｂは、図３Ｂの砥粒非配置領域２Ｂのような円形ではなく、不定形状であったが、島状に孤立していた。
【００８３】
任意の２０箇所を２００倍の倍率で撮影し、砥粒４が固着されてない個々の砥粒非配置領域２Ｂの円相当径Ｄ、および、砥粒非配置領域２Ｂの中心間距離を測定した。その結果、Ｄの最小値は４０μｍ、最大値は１６０μｍであり、平均値はＤ（平均）＝６０μｍであった。隣り合う砥粒非配置領域２Ｂの中心間距離の最小値は７０μｍであり、最大値は１４０μｍであり、中心間距離の平均値は９０μｍであった。
【００８４】
ただし、一つの砥粒非配置領域２Ｂから一番近い砥粒非配置領域２Ｂまでの距離を中心間距離として測定した。また、ダイヤモンド砥粒４の再配置によって、砥粒４同士の中心間距離はＬ＝１．３ｄに狭くなっていた。以上の観察結果から、砥粒４が固着されてない個々の砥粒非配置領域２Ｂの平均の円相当径ＤはＤ＝６ｄ、面積率Ｓｉ／（Ｓｉ+Ｓ）＝０．３５となった。
【００８５】
以下、実施例Ｎｏ．１と同様にドレッサーを作製し、研削レイトと平坦性の評価を行った。結果を表５に示す。
【表５】
0006666749.tif 000006
【００８６】
表５の実施例Ｎｏ．６１からわかるように、固着層２の中に砥粒４が固着していない砥粒非配置領域２Ｂを形成させた本発明のドレッサーは、優れたパッド研削レイトと優れたパッド平坦性が同時に得られた。
【００８７】
（実施例６）
実施例Ｎｏ．７１〜７６を参照しながら、実施例６について説明する。
実施例Ｎｏ．５のドレッサーにおいて、ダイヤモンド製の砥粒４の代わりに、平均粒径が３５μｍの立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素、酸化アルミニウム、前記炭ホウ素と炭化ケイ素を質量で５０％ずつ混合したもの、および、酸化珪素を用いた砥粒４を使用した。
【００８８】
砥粒の配置方法、ろう付け方法、研削レイト、および、パッド平坦性の評価方法は実施例Ｎｏ．５と同様にした。結果を表６に示した。
【表６】
0006666749.tif 000007
【００８９】
表６の結果から、立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素、酸化アルミニウム、又は酸化珪素の少なくとも１種の砥粒４を用いることによって、優れたパッド研削レイトと優れたパッド平坦性が得られた。特に優れた性能を示したのは、立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素、又は酸化アルミニウム少なくとも１種の砥粒４を用いた場合であった。また、２種類の砥粒４を混合して使用することによって、パッドの平坦性を維持した状態で、研削能力が向上することもわかった。
【００９０】
（比較例）
特許文献２相当の条件を比較例Ｎｏ．８１〜８４に示す。平均粒径が１５μｍ、および、７０μｍのダイヤモンド製の砥粒４を用いて、図３に示した砥粒４が固着している砥粒配置領域２Ａを砥粒４が付着していない砥粒非配置領域２Ｂとし、砥粒４が付着していない砥粒非配置領域２Ｂを砥粒が付着している砥粒配置領域２Ａとして、砥粒配置領域２Ａと砥粒非配置領域２Ｂを反対にしたドレッサーを作製して、パッド研削レイト、パッド平坦性を評価した。
【００９１】
具体的には、実施例Ｎｏ．４３、４５、５２、および、５４のドレッサーにおいて、砥粒配置領域２Ａに砥粒４を固着せず、砥粒非配置領域２Ｂに砥粒４を固着したものである。ろう材は組成がＮｉ−０．１２％Ｆｅ−７．４％Ｃｒ−４．０％Ｓｉ−３．０％Ｂ−０．５％Ｐ（ｍａｓｓ％）で、大きさが１００μｍアンダ−の粉ろうを用いた。使用した金属製支持材１は、直径１００ｍｍ、厚み４ｍｍの円盤状ＳＵＳ３０４ステンレスであり、固着層２の表面はフラット状に形成した。
【００９２】
粉ろうを図３の砥粒非配置領域２Ｂのみに塗布するために、１００μｍ厚の樹脂を用いて、図３の砥粒非配置領域２Ｂに相当する部位に穴を開けた。この穴を開けた樹脂をＳＵＳ３０４支持材の上に重ねて、樹脂の開口部を通して支持材に有機系のバインダーを薄く塗布した。次に、ダイヤモンド砥粒を、隣合う砥粒中心間距離ＬがＬ＝１．５ｄになるように、篩を用いて同様に砥粒４を正方形配置した。本ドレッサーにおいては、前記正方形の一辺の長さがＬに相当する。
【００９３】
砥粒４を配置した島状砥粒非配置領域２Ｂの大きさをＤ’、および、それらの島状砥粒非配置領域２Ｂの中心間距離は表７に示した値とした。以下、実施例Ｎｏ．１と同様に研削レイトと平坦性の評価を行った。ここで、実施例Ｎｏ．４３、４５、５２、および、５４で示したＳｉ／（Ｓｉ+Ｓ）は、島状に砥粒が固着している面積率となる。結果を表７に示す。
【表７】
0006666749.tif 000008
【００９４】
表７の比較例Ｎｏ．８１〜８４の結果から、砥粒４が固着している領域が島状孤立している場合には、孤立したそれぞれの砥粒固着部のパッドへの当たり方にバラツキが生じてしまいパッドの平坦性著しく劣化した。
【符号の説明】
【００９５】
１    金属製支持材
２  固着層
２Ａ    砥粒配置領域
２Ｂ    砥粒非配置領域  
４    砥粒
【図１Ａ】
0006666749.tif 000009
【図１Ｂ】
0006666749.tif 000010
【図２】
0006666749.tif 000011
【図３Ａ】
0006666749.tif 000012
【図３Ｂ】
0006666749.tif 000013