(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のエラストマーを含む基板と、
第２のエラストマーを含む緩和部材と、
第３のエラストマーおよび導電性フィラーを含む配線と、
電極を有する硬質部材とを備え、
前記基板の第１主面に、前記配線および前記硬質部材が設けられており、
前記硬質部材の、前記電極が設けられた第１面の少なくとも一つの辺と、前記配線とは、平面視で交差しており、
前記辺と、前記配線との間には前記緩和部材が介在しており、
前記硬質部材は、少なくとも一部分が前記基板に埋め込まれている、
電子装置。
【請求項２】
第１のエラストマーを含む基板と、
第２のエラストマーを含む緩和部材と、
第３のエラストマーおよび導電性フィラーを含む配線と、
電極を有する硬質部材とを備え、
前記基板の第１主面に、前記配線および前記硬質部材が設けられており、
前記硬質部材の、前記電極が設けられた第１面の少なくとも一つの辺と、前記配線とは、平面視で交差しており、
前記辺と、前記配線との間には前記緩和部材が介在しており、
前記硬質部材は、少なくとも一部分が前記基板に埋め込まれており、
前記硬質部材の前記基板に対向する面とは反対側の面と、前記基板の前記第１主面のうち前記硬質部材が設けられていない領域とが、同一平面を形成するように、前記硬質部材が前記基板に埋め込まれている、
電子装置。
【請求項３】
第１のエラストマーを含む基板と、
第２のエラストマーを含む緩和部材と、
第３のエラストマーおよび導電性フィラーを含む配線と、
電極を有する硬質部材とを備え、
前記基板の第１主面に、前記配線および前記硬質部材が設けられており、
前記硬質部材の、前記電極が設けられた第１面の少なくとも一つの辺と、前記配線とは、平面視で交差しており、
前記辺と、前記配線との間には前記緩和部材が介在しており、
前記硬質部材は電子部品またはコネクタである、
電子装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の電子装置において、
デュロメータＡにより２５℃で測定した前記基板の硬度をＨｂ、前記配線の硬度をＨｌ、前記硬質部材の硬度をＨｈ、前記緩和部材の硬度をＨｒとしたとき、Ｈｂ＜Ｈｌ＜ＨｈかつＨｒ＜Ｈｌの関係が成り立つ、
電子装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の電子装置において、
前記配線は前記電極に接続されている、
電子装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の電子装置において、
前記基板の厚み方向に平行な断面における、前記硬質部材の側面と前記第１主面との交点、および、前記配線の間には、前記緩和部材が介在している、
電子装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の電子装置において、
前記第１のエラストマーはシリコーンゴムを含む、
電子装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電子装置において、
前記第１のエラストマーはビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）の架橋体を含む、
電子装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の電子装置において、
前記配線の非伸縮状態での抵抗率が１．０×１０−２Ω・ｃｍ以下である、
電子装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の電子装置において、
前記配線の幅が５ｍｍ以下である、
電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、人間の身体等に装着可能なウェアラブルデバイス等の開発が盛んになされており、これに関連して、伸縮性を有する配線基板を用いた電子装置の機能向上が求められている。
【０００３】
伸縮性を有する配線基板に関し、特許文献１には、エラストマーと、該エラストマー中に充填されている導電材と、を有する導電層と、該導電層を被覆するように配置されているエラストマー製の保護層と、を備えてなる導電膜が開示されている。特許文献１の記載によれば、係る導電膜は、伸長されても電気抵抗が増加しにくく、また、破断するおそれも少ないことが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１５３８２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、装置全体をさらに小型化する要求が高まってきていることもあり、電子装置、特に配線の耐久性について、さらなる向上の要求がある。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、耐久性に優れた電子装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、
第１のエラストマーを含む基板と、
第２のエラストマーを含む緩和部材と、
第３のエラストマーおよび導電性フィラーを含む配線と、
電極を有する硬質部材とを備え、
前記基板の第１主面に、前記配線および前記硬質部材が設けられており、
前記硬質部材の、前記電極が設けられた第１面の少なくとも一つの辺と、前記配線とは、平面視で交差しており、
前記辺と、前記配線との間には前記緩和部材が介在しており、
前記硬質部材は、少なくとも一部分が前記基板に埋め込まれている、
電子装置が提供される。
また本発明によれば、
第１のエラストマーを含む基板と、
第２のエラストマーを含む緩和部材と、
第３のエラストマーおよび導電性フィラーを含む配線と、
電極を有する硬質部材とを備え、
前記基板の第１主面に、前記配線および前記硬質部材が設けられており、
前記硬質部材の、前記電極が設けられた第１面の少なくとも一つの辺と、前記配線とは、平面視で交差しており、
前記辺と、前記配線との間には前記緩和部材が介在しており、
前記硬質部材は、少なくとも一部分が前記基板に埋め込まれており、
前記硬質部材の前記基板に対向する面とは反対側の面と、前記基板の前記第１主面のうち前記硬質部材が設けられていない領域とが、同一平面を形成するように、前記硬質部材が前記基板に埋め込まれている、
電子装置が提供される。
また本発明によれば、
第１のエラストマーを含む基板と、
第２のエラストマーを含む緩和部材と、
第３のエラストマーおよび導電性フィラーを含む配線と、
電極を有する硬質部材とを備え、
前記基板の第１主面に、前記配線および前記硬質部材が設けられており、
前記硬質部材の、前記電極が設けられた第１面の少なくとも一つの辺と、前記配線とは、平面視で交差しており、
前記辺と、前記配線との間には前記緩和部材が介在しており、
前記硬質部材は電子部品またはコネクタである、
電子装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、耐久性に優れた電子装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施形態に係る電子装置の構成を示す図である。
【図２】第１の実施形態に係る電子装置の構成を示す図である。
【図３】（ａ）は、緩和部材を有さない電子装置の構成例を示す図である。（ｂ）は、緩和部材を有さず、破断部が生じた電子装置の状態を示す図である。
【図４】第２の実施形態に係る電子装置の構造を示す図である。
【図５】第３の実施形態に係る電子装置の構造を示す図である。
【図６】第４の実施形態に係る電子装置の構造を示す図である。
【図７】第５の実施形態に係る電子装置の構造を示す図である。
【図８】第５の実施形態に係る電子装置の構造の変形例を示す図である。
【図９】第６の実施形態に係る電子装置の構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１３】
また、以下においては説明を簡単にするため、電子装置１００の各構成要素の位置関係（上下関係等）が各図に示す関係であるものとして説明を行う場合がある。ただし、この説明における位置関係は、電子装置１００の使用時や製造時の位置関係とは無関係である。
【００１４】
なお、「〜」は特に断りがなければ、「以上」から「以下」を表す。
【００１５】
（第１の実施形態）
図１および図２は、本実施形態に係る電子装置１００の構成を示す図である。図２は、電子装置１００を平面視した図であり、図１は図２のＡ−Ａ'における断面図である。なお、以下において平面視とは、基板２０の主面に垂直な方向から見た場合をいう。
【００１６】
第１の実施形態に係る電子装置１００は、第１のエラストマーを含む基板２０、第２のエラストマーを含む緩和部材７０、第３のエラストマーおよび導電性フィラーを含む配線１０、および電極６２を有する硬質部材６０を備える。基板２０の第１主面２０１には、配線１０および硬質部材６０が設けられている。硬質部材６０の、電極６２が設けられた第１面６０１の少なくとも一つの辺１０４と、配線１０とは、平面視で交差しており、辺１０４と配線１０との間には、緩和部材７０が介在している。以下に詳細を説明する。
【００１７】
本実施形態に係る基板２０、緩和部材７０、および配線１０はいずれもエラストマーを含むためそれぞれ伸縮性を有し、電子装置１００はフレキシブルデバイス、特にウェアラブルデバイスとして好適に用いられる。
【００１８】
本実施形態において、硬質部材６０は、基板２０および配線１０のいずれよりも硬度が高い部材であり、たとえば電子部品またはコネクタである。電子部品としては、用途に応じ、公知の部品の中から適宜選択すればよい。具体的には、半導体素子、及び半導体素子以外の抵抗やコンデンサ等を挙げることができる。半導体素子としては、たとえば、トランジスタや、ダイオード、ＬＥＤ、コンデンサ等を挙げることができる。硬質部材６０は、基板２０上に配置されている。
【００１９】
硬質部材６０の第１面６０１には電極６２が設けられており、配線１０は電極６２に接続されている。そして、硬質部材６０は電子装置１００内の図示しない他の電子部品やコネクタ等と配線１０を介して電気的に接続され、回路等が構成される。本実施形態に係る電子装置１００では、図１および図２に示す様に、電極６２が硬質部材６０の第１面６０１にのみ形成され、硬質部材６０の他の表面が絶縁性材料で構成されている。ただし、電極６２は、硬質部材６０の複数の面に形成されていても良い。配線１０は電極６２に接続されるために基板２０の第１主面２０１上から硬質部材６０の第１面６０１上にわたって形成されている。本図の例では、配線１０は、基板２０の第１主面２０１、硬質部材６０の側面６０３および硬質部材６０の第１面６０１に接している。
【００２０】
本実施形態に係る電子装置１００において、硬質部材６０は、第１面６０１および第２面６０２を有する。第２面６０２と第１面６０１とは互いに反対側の面である。本実施形態において、硬質部材６０の第２面６０２は基板２０の第１主面２０１におよそ平行で、基板２０に対向している。そして、辺１０４は、硬質部材６０の第１面６０１を構成する辺のうちの少なくとも一つである。
【００２１】
図２では、硬質部材６０に複数の電極６２が設けられ、辺１０４を複数の配線１０が交差して、各電極６２に配線１０が接続されている例を示している。ただし、硬質部材６０に設けられる電極６２の数は特に限定されず、一つであっても良い。
【００２２】
ここで、基板２０の主面とは、シート状の基板２０の主な表面を構成する面をいう。基板２０は、第１主面２０１および第２主面２０２を有する。第１主面２０１と第２主面２０２とは、互いに反対側の面である。電子装置１００では、硬質部材６０は、基板２０の少なくとも一方の主面に設けられていればよい。すなわち、基板２０の第１主面２０１のみでなく、第２主面２０２にも硬質部材６０が設けられていても良い。
【００２３】
本実施形態に係る電子装置１００は、緩和部材７０を有することにより、耐久性に優れる。
図３（ａ）は、緩和部材を有さない電子装置の構成例を示す図である。図３（ｂ）は、緩和部材を有さず、破断部８１２が生じた電子装置の状態を示す図である。電子装置では、基板８２０上に配置された電子部品等の硬質部材８６０の電極８６２に配線８１０を接続する必要があり、配線８１０は伸縮性のある基板８２０上から、伸縮性のない硬質部材８６０上にわたって形成される。ここで、電子装置は、使用に際して図中の矢印のように引っ張り力、圧縮力、および曲げ応力等の力が加えられ、基板８２０および配線８１０はそれに応じて伸縮、湾曲等する。一方、硬質部材８６０はそのような変形には追従しないため、基板８２０と硬質部材８６０の境界部分の配線８１０には、比較的大きな力が加わる。また、図３（ａ）の様に硬質部材８６０の角部αを配線８１０が交差する場合、その角部αにおいて配線８１０の厚さは比較的薄くなることが多い。そのため、図３（ｂ）の様に配線８１０に破断部８１２が生じ、配線８１０と電極８６２の電気的な接続が損なわれるという問題があった。
【００２４】
これに対し、図１に戻り、本実施形態に係る電子装置１００では、辺１０４を伸縮性のある緩和部材７０が覆うため、配線１０における応力を緩和し配線１０の破断を抑制することができる。その結果、耐久性に優れた電子装置１００を実現できる。
【００２５】
基板２０の厚さは、伸縮性と耐久性のバランスの観点から、０．５μｍ以上であることが好ましく、１０μｍ以上であることがより好ましい。また、同様の観点から、３０００μｍ以下であることが好ましく、１０００μｍ以下であることがより好ましい。
【００２６】
本実施形態に係る電子装置１００において、基板２０の硬度をＨｂ、配線１０の硬度をＨｌ、硬質部材６０の硬度をＨｈ、緩和部材７０の硬度をＨｒとしたとき、たとえば、Ｈｂ＜Ｈｌ＜ＨｈかつＨｒ＜Ｈｌの関係が成り立つ。すなわち、基板２０が配線１０より柔らかい場合において、配線１０より柔らかい緩和部材７０を効果的に用いることができる。ここで、各硬度はデュロメータＡにより２５℃で測定することができる。
【００２７】
本実施形態において、配線１０の幅は特に限定されず、適宜設定することができる。配線幅は、たとえば０．１ｍｍ以上であり、０．３ｍｍ以上であることがより好ましい。そうすることにより、高い導電性が得られる。また、配線１０の幅は、たとえば５ｍｍ以下であり、２ｍｍ以下であることが好ましく、１ｍｍ以下であることがより好ましく、０．８ｍｍ以下であることがさらに好ましい。そうすることにより、電子装置の小型化が図れる。本実施形態に係る電子装置１００は緩和部材７０を備えるため、細線化した場合でも破断を抑制し、耐久性に優れる。
【００２８】
また、配線１０の厚さは特に限定されず、適宜設定することができる。配線１０の厚さは、たとえば１００μｍ以上であり、２００μｍ以上であることがより好ましい。そうすることにより、高い導電性が得られる。また、配線１０の厚さは、たとえば１ｍｍ以下であり、５００μｍ以下であることがより好ましく、３００μｍ以下であることがさらに好ましい。そうすることにより、電子装置１００の小型化が図れる。本実施形態に係る電子装置１００は緩和部材７０を備えるため、配線１０の厚さを小さくした場合でも破断を抑制し、耐久性に優れる。
【００２９】
ここで、配線１０の幅および厚さは、第１主面２０１上において、硬質部材６０から十分離れた位置で、配線１０の幅および厚さがおよそ一定となっている領域において測定した平均値をいう。
【００３０】
なお、図２では、複数の配線１０のそれぞれに対し独立した緩和部材７０が設けられている例を示しているが、これに限定されない。複数の配線１０に対し、連続した１つの緩和部材７０が設けられていても良い。また、緩和部材７０は、辺１０４のうち、少なくとも配線１０が交差する部分を全て覆うように設けられていればよい。その他の部分には緩和部材７０が設けられていても良いし、設けられていなくても良い。
【００３１】
また、緩和部材７０は、硬質部材６０と配線１０の間のみならず、少なくとも一部の領域において基板２０と配線１０との間にさらに設けられていても良い。
【００３２】
本実施形態に係る基板２０、緩和部材７０、および配線１０は、それぞれ第１、第２、および第３のエラストマーを含む樹脂組成物により構成される。以下では、各樹脂組成物について説明する。
【００３３】
第１および第２のエラストマーとしては、たとえばシリコーンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム、ウレタンゴム等を用いることができる。これらの中でも、伸縮性、耐熱性、化学的安定性に優れ、さらには生体適合性を有するため、シリコーンゴムを含むことが好ましい。中でも、基板２０に含まれる第１のエラストマーは特に、シリコーンゴムを含むことが好ましい。本実施形態に係る電子装置１００は、緩和部材７０を有するため、第１のエラストマーがシリコーンゴムを含み、伸縮性が高い場合においても、配線の破損が抑制され、高い耐久性を確保できる。
【００３４】
なお、第１のエラストマー、第２のエラストマー、および第３のエラストマーは全て同一であっても良いし、いずれか２つのみが同一であっても良いし、全て互いに異なっていても良い。
【００３５】
本実施形態に係る基板２０および緩和部材７０が、それぞれ第１および第２のエラストマーとしてシリコーンゴムを含むシリコーンゴム系硬化性組成物により構成される例について以下に説明する。
【００３６】
（エラストマー（Ａ））
シリコーンゴム系硬化性組成物は、エラストマー（Ａ）として、シリコーンゴムを含む。
【００３７】
シリコーンゴムとしては、たとえば、分子内にシロキサン構造を有するものが用いられる。
本実施形態においては、このようなシリコーンゴムの中でも、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）を、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２）で架橋してなるシリコーンゴムが好ましく用いられる。
【００３８】
＜ビニル基直鎖状含有オルガノポリシロキサン（Ａ−１）＞
ビニル基直鎖状含有オルガノポリシロキサン（Ａ−１）は、直鎖構造を有し、かつ、ビニル基を含有しており、かかるビニル基が硬化時の架橋点となる。
【００３９】
このビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）のビニル基の含有量は、特に限定されないが、分子内に二個以上のビニル基を有し、かつビニル基の含有量が１５モル％以下であるのが好ましく、０．０１〜１２モル％であるのがより好ましい。これにより、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）中におけるビニル基の量が最適化され、各成分とのネットワークの形成を確実に行うことができる。
【００４０】
なお、本明細書中において、ビニル基の含有量とは、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）を構成する全ユニットを１００モル％としたときのビニル基含有シロキサンユニットのモル％である。ただし、ビニル基含有シロキサンユニット１つに対して、ビニル基が１つであるものとして算出を行う。
【００４１】
また、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）の重合度は、特に限定されないが、好ましくは３０００〜１００００、より好ましくは３０００〜８０００の範囲内である。
【００４２】
さらに、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）の比重は、特に限定されないが、０．９〜１．１程度の範囲であるのが好ましい。
【００４３】
ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）として、上記のような範囲内の重合度および比重を有するものを用いることにより、得られるシリコーンゴム系硬化性組成物の耐熱性、難燃性、化学的安定性等の向上を図ることができる。
【００４４】
ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）としては、特に、下記式（１）で表される構造を有するものであるが好ましい。
【００４５】
【化１】
0006680034.tif 000002
【００４６】
式（１）中、Ｒ１は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられ、中でも、ビニル基が好ましい。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基等が挙げられる。
【００４７】
また、Ｒ２は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基が挙げられる。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。
【００４８】
また、Ｒ３は炭素数１〜８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。
【００４９】
さらに、式（１）中のＲ１およびＲ２の置換基としては、例えば、メチル基、ビニル基等が挙げられ、Ｒ３の置換基としては、例えば、メチル基等が挙げられる。
【００５０】
なお、式（１）中、複数のＲ１は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。さらに、Ｒ２、およびＲ３についても同様である。
【００５１】
さらに、ｍ、ｎは、式（１）で表されるビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）を構成する繰り返し単位の数であり、ｍは１〜２０００の整数、ｎは３０００〜１００００の整数である。ｍは、好ましくは１〜１０００であり、ｎは、好ましくは３０００〜８０００である。
【００５２】
また、式（１）で表されるビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）のより具体的構造としては、例えば下記式（１−１）で表されるものが挙げられる。
【００５３】
【化２】
0006680034.tif 000003
【００５４】
式（１−１）中、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、メチル基またはビニル基であり、少なくともこれらのうち一つがビニル基である。
【００５５】
さらに、以上のようなビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）としては、分子内に二個以上のビニル基を有し、かつビニル基含有量が０．２モル％以下である第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ａ））と、ビニル基含有量が０．２８〜１５モル％である第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ｂ））とを含有するものであるのが好ましい。エラストマー（Ａ）として、一般的なビニル基含有量を有する第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ａ））と、ビニル基含有量が高い第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ｂ））とを組み合わせることで、ビニル基を偏在化させることができ、シリコーンゴムの架橋ネットワーク中に、より効果的に架橋密度の疎密を形成することができる。その結果、より効果的にシリコーンゴムの引裂き強度を高めることができる。また、これにより、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物としての耐久性を飛躍的に向上させることができる。
【００５６】
具体的には、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）として、例えば、上記式（１−１）において、Ｒ１がビニル基である単位および／またはＲ２がビニル基である単位を分子内に二個以上有し、かつ０．２モル％以下含む第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ａ））と、Ｒ１がビニル基である単位および／またはＲ２がビニル基である単位を、０．２８〜１５モル％含む第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ｂ））とを用いるのが好ましい。
【００５７】
また、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ａ））は、ビニル基含有量が０．０１〜０．１５モル％であるのが好ましい。また、第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ｂ））は、ビニル基含有量が、０．２８〜１２モル％であるのが好ましい。
【００５８】
さらに、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ａ））と第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ｂ））とを組み合わせて配合する場合、（Ａ−１（ａ））と（Ａ−１（ｂ））の比率は特に限定されないが、通常、質量比で（Ａ−１（ａ））：（Ａ−１（ｂ））が５０：５０〜９５：５であるのが好ましく、８０：２０〜９０：１０であるのがより好ましい。
【００５９】
なお、第１および第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ａ））および（Ａ−１（ｂ））は、それぞれ１種のみを用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６０】
＜オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２）＞
オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２）は、直鎖構造を有する直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））と分岐構造を有する分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））とに分類され、本実施形態では、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））だけでもよいし、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））だけでもよいし、これらの直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））の双方を含んでもよい。
【００６１】
直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））は、直鎖構造を有し、かつ、Ｓｉに水素が直接結合した構造（≡Ｓｉ−Ｈ）を有し、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）のビニル基の他、シリコーンゴム系硬化性組成物に配合される成分が有する反応性基に作用し、これらの成分を架橋する重合体である。
【００６２】
直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））の分子量は特に限定されないが、重量平均分子量が２００００以下であるのが好ましく、１０００以上、１００００以下であることがより好ましい。
【００６３】
なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））の重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル透過クロマトグラフィー）により測定することができる。
【００６４】
また、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））は、ビニル基を有しないものであることが好ましい。これにより、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））の分子内において架橋反応が進行するのを的確に防止することができる。
【００６５】
以上のような直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））としては、例えば、下記式（２）で表される構造を有するものが好ましく用いられる。
【００６６】
【化３】
0006680034.tif 000004
【００６７】
式（２）中、Ｒ４は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、これらを組み合わせた炭化水素基、またはヒドリド基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。
【００６８】
また、Ｒ５は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、これらを組み合わせた炭化水素基、またはヒドリド基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。
【００６９】
なお、式（２）中、複数のＲ４は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。Ｒ５についても同様である。ただし、複数のＲ４およびＲ５のうち、少なくとも２つ以上がヒドリド基である。
【００７０】
また、Ｒ６は炭素数１〜８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。複数のＲ６は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。
【００７１】
なお、式（２）中のＲ４，Ｒ５，Ｒ６の置換基としては、例えば、メチル基、ビニル基等が挙げられ、分子内の架橋反応を防止する観点から、メチル基が好ましい。
【００７２】
さらに、ｍ、ｎは、式（２）で表される直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））を構成する繰り返し単位の数であり、ｍは２〜５００の整数、ｎは２〜５００の整数である。好ましくは、ｍは２〜１５０の整数、ｎは２〜１５０の整数である。
【００７３】
なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７４】
分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））は、分岐構造を有するため、架橋密度が高い領域を形成し、シリコーンゴムの系中の架橋密度の疎密構造形成に大きく寄与する成分である。また、上記直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））同様、Ｓｉに水素が直接結合した構造（≡Ｓｉ−Ｈ）を有し、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）のビニル基の他、シリコーンゴム系硬化性組成物に配合される各成分の反応性基に作用し、これらの成分を架橋する重合体である。
【００７５】
また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））の比重は、０．９〜０．９５の範囲である。
【００７６】
さらに、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））は、通常、ビニル基を有しないものであるのが好ましい。これにより、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））の分子内において架橋反応が進行するのを的確に防止することができる。
【００７７】
また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））としては、下記平均組成式（ｃ）で示されるものが好ましい。
【００７８】
平均組成式（ｃ）
（Ｈａ（Ｒ７）３−ａＳｉＯ１／２）ｍ（ＳｉＯ４／２）ｎ
（式（ｃ）において、Ｒ７は一価の有機基、ａは１〜３の範囲の整数、ｍはＨａ（Ｒ７）３−ａＳｉＯ１／２単位の数、ｎはＳｉＯ４／２単位の数である）。
【００７９】
式（ｃ）において、Ｒ７は一価の有機基であり、好ましくは、炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。
【００８０】
式（ｃ）において、ａは、ヒドリド基（Ｓｉに直接結合する水素原子）の数であり、１〜３の範囲の整数であり、好ましくは１である。
【００８１】
また、式（ｃ）において、ｍはＨａ（Ｒ７）３−ａＳｉＯ１／２単位の数、ｎはＳｉＯ４／２単位の数である。
【００８２】
分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））は分岐状構造を有する。直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））は、その構造が直鎖状か分岐状かという点で異なり、Ｓｉの数を１とした時のＳｉに結合するアルキル基Ｒの数（Ｒ／Ｓｉ）が、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））では１．８〜２．１、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））では０．８〜１．７の範囲となる。
【００８３】
なお、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））は、分岐構造を有しているため、例えば、窒素雰囲気下、１０００℃まで昇温速度１０℃／分で加熱した際の残渣量が５％以上となる。これに対して、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））は、直鎖状であるため、上記条件で加熱した後の残渣量はほぼゼロとなる。
【００８４】
また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））の具体例としては、下記式（３）で表される構造を有するものが挙げられる。
【００８５】
【化４】
0006680034.tif 000005
【００８６】
式（３）中、Ｒ７は炭素数１〜８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基、もしくは水素原子である。炭素数１〜８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。Ｒ７の置換基としては、例えば、メチル基等が挙げられる。
【００８７】
なお、式（３）中、複数のＲ７は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。
【００８８】
また、式（３）中、「−Ｏ−Ｓｉ≡」は、Ｓｉが三次元に広がる分岐構造を有することを表している。
【００８９】
なお、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００９０】
なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））において、Ｓｉに直接結合する水素原子（ヒドリド基）の量は、それぞれ、特に限定されない。ただし、本実施形態において、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）中のビニル基１モルに対し、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））の合計のヒドリド基量が、０．５〜５モルとなる量が好ましく、１〜３．５モルとなる量がより好ましい。これにより、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））および分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））と、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）との間で、架橋ネットワークを確実に形成させることができる。
【００９１】
また、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））とでは、通常、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））が主剤として含有され、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））は、上述したように、シリコーンゴムにさらに架橋密度が高い領域を形成させる場合に添加される。したがって、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ｂ））とを組み合わせて配合する場合、（Ａ−２（ａ））と（Ａ−２（ｂ））の比率は、重量比で（Ａ−２（ａ））：（Ａ−２（ｂ））が好ましくは１：０．１〜１：１に、より好ましくは１：０．２〜１：０．５に設定される。
【００９２】
本実施形態において、シリコーンゴム系硬化性組成物中におけるエラストマー（Ａ）の含有量は、シリコーンゴム系硬化性組成物の固形分全体に対して、３０質量％以上であることが好ましく、５０質量％以上であることがより好ましく、５５質量％以上であることがさらに好ましい。また、シリコーンゴム系硬化性組成物中におけるエラストマー（Ａ）の含有量は、シリコーンゴム系硬化性組成物の固形分全体に対して、９５質量％以下であることが好ましく、９３質量％以下であることがより好ましく、９０質量％以下であることがさらに好ましい。
エラストマー（Ａ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物が適度な柔軟性を持つことができる。また、エラストマー（Ａ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、硬化物の機械的強度の向上を図ることができる。
なお、本明細書中において、「固形分」とは、水や有機溶媒等の揮発性成分を除去した成分全体を指し、たとえば常温で液体を呈していたとしても、揮発の起こらない成分については、固形分であるものとして合算する。
以下、各成分についても同様である。
【００９３】
（シリカ粒子（Ｂ））
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、必要に応じ、シリカ粒子（Ｂ）を含んでいてもよい。このシリカ粒子（Ｂ）を含ませることにより、シリコーンゴム系硬化性組成物から形成される硬化物の硬さや機械的強度の向上を図ることができる。
【００９４】
このシリカ粒子（Ｂ）は、比表面積が１０〜４００ｍ２／ｇであることが好ましく、２０〜４００ｍ２／ｇであることがより好ましい。また、そのメディアン径Ｄ５０が１〜１００ｎｍであることが好ましく、５〜２０ｎｍであることがより好ましい。
【００９５】
シリカ粒子（Ｂ）として、かかる比表面積およびメディアン径の範囲内であるものを用いることにより、上述したシリカ粒子（Ｂ）としての機能を顕著に発揮させることができる。
なお、シリカ粒子（Ｂ）の粒径は、たとえば、シリコーンゴム系硬化性組成物あるいはこの硬化物について透過型電子顕微鏡等で観察の上、画像解析を行い、任意に選んだシリカ粒子２００個の平均値として定義することができる。
【００９６】
シリカ粒子（Ｂ）としては、特に限定されないが、例えば、ヒュームドシリカ、焼成シリカ、沈降シリカ等を用いることができる。
なお、シリカ粒子（Ｂ）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００９７】
本実施形態において、シリコーンゴム系硬化性組成物中におけるシリカ粒子（Ｂ）の含有量は、シリコーンゴム系硬化性組成物がビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）を含む場合、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）１００重量部に対して、５重量部以上であることが好ましく、１０重量部以上であることがより好ましく、２０重量部以上であることがさらに好ましい。また、シリコーンゴム系硬化性組成物中におけるシリカ粒子（Ｂ）の含有量は、シリコーンゴム系硬化性組成物がビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）を含む場合、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）１００重量部に対して、１００重量部以下であることが好ましく、８０重量部以下であることがより好ましく、７０重量部以下であることがさらに好ましい。
シリカ粒子（Ｂ）の含有量を上記下限値以上、上限値以下とすることにより、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物が適度な機械的強度を持つことができる。
【００９８】
（シランカップリング剤（Ｃ））
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、シランカップリング剤（Ｃ）を含んでいてもよい。このシランカップリング剤（Ｃ）は、加水分解性基を有するものであり、この加水分解基が水により加水分解されて水酸基になり、この水酸基がシリカ粒子（Ｂ）表面の水酸基と脱水縮合反応することで、シリカ粒子（Ｂ）の表面改質を行うことができる。
その他、シリカ粒子（Ｂ）が存在しない場合であっても、配線１０、基板２０および緩和部材７０の互いの密着性を向上させるという効果を発揮することができる。
【００９９】
また、このシランカップリング剤（Ｃ）は、疎水性基を有するものを用いることができる。これにより、シリカ粒子（Ｂ）の表面にこの疎水性基が付与されるため、シリコーンゴム系硬化性組成物中において、シリカ粒子（Ｂ）の凝集力が低下し、その結果、該組成物中のシリカ粒子の分散性が向上する。これにより、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物の機械的強度がいっそう向上する。
【０１００】
さらに、シランカップリング剤（Ｃ）は、ビニル基を有しているのが好ましい。これにより、シリカ粒子（Ｂ）を用いる場合にあっては、その表面にビニル基が導入される。
これにより、たとえば、エラストマー（Ａ）として、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２）が含まれる場合、以下のような効果が奏される。
すなわち、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化の際、すなわち、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）が有するビニル基と、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２）が有するヒドリド基とがヒドロシリル化反応して、これらによるネットワーク（架橋構造）が形成される際に、シリカ粒子（Ｂ）が有するビニル基も、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２）が有するヒドリド基とのヒドロシリル化反応に関与するため、ネットワーク中にシリカ粒子（Ｂ）も取り込まれるようになる。これにより、形成される硬化物の高硬度化および高モジュラス化を図ることができる。
【０１０１】
このようなシランカップリング剤（Ｃ）としては、例えば、下記式（４）で表わされるものが挙げられる。
【０１０２】
Ｙｎ−Ｓｉ−（Ｘ）４−ｎ・・・（４）
上記式（４）中、ｎは１〜３の整数を表わす。Ｙは、疎水性基、親水性基またはビニル基を有するもののうちのいずれかの官能基を表わし、ｎが１の時は疎水性基であり、ｎが２または３の時はその少なくとも１つが疎水性基である。Ｘは、加水分解性基を表わす。
【０１０３】
疎水性基は、炭素数１〜６のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、フェニル基等が挙げられ、中でも、特に、メチル基が好ましい。
【０１０４】
また、親水性基は、例えば、水酸基、スルホン酸基、カルボキシル基またはカルボニル基等が挙げられ、中でも、特に、水酸基が好ましい。なお、親水性基は、官能基として含まれていてもよいが、シランカップリング剤（Ｃ）に疎水性を付与するという観点からは含まれていないのが好ましい。
【０１０５】
さらに、加水分解性基は、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、クロロ基またはシラザン基等が挙げられる。なお、加水分解性基としてシラザン基を有するものは、その構造上の特性から、上記式（４）中の（Ｙｎ−Ｓｉ−）の構造を２つ有するものとなる。
【０１０６】
上記式（４）で表されるシランカップリング剤（Ｃ）の具体例は、例えば、官能基として疎水性基を有するものとして、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシランのようなアルコキシシラン；メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、フェニルトリクロロシランのようなクロロシラン；ヘキサメチルジシラザンが挙げられ、官能基としてビニル基を有するものとして、メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシランのようなアルコキシシラン；ビニルトリクロロシラン、ビニルメチルジクロロシランのようなクロロシラン；ジビニルテトラメチルジシラザンが挙げられるが、中でも、上記記載を考慮すると、特に、疎水性基を有するものとしてはヘキサメチルジシラザン、ビニル基を有するものとしてはジビニルテトラメチルジシラザンであるのが好ましい。
【０１０７】
本実施形態において、シリコーンゴム系硬化性組成物中におけるシランカップリング剤（Ｃ）の含有量は、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）１００重量部に対して５重量部以上１００重量部以下であるのが好ましく、５重量部以上４０重量部以下であるのがより好ましい。
シランカップリング剤（Ｃ）の含有量を上記下限値以上、上限値以下とすることにより、配線１０、基板２０、緩和部材７０が互いに適度な密着性を持ち、また、シリカ粒子（Ｂ）を用いる場合においては、硬化物全体としての機械的強度の向上に資することができる。
【０１０８】
（白金または白金化合物（Ｄ））
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、白金または白金化合物（Ｄ）を含むことができる。
白金または白金化合物（Ｄ）は、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物硬化の際の触媒として作用する成分である。
【０１０９】
白金または白金化合物（Ｄ）としては、公知のものを使用することができ、例えば、白金黒、白金をシリカやカーボンブラック等に担持させたもの、塩化白金酸または塩化白金酸のアルコール溶液、塩化白金酸とオレフィンの錯塩、塩化白金酸とビニルシロキサンとの錯塩等が挙げられる。
なお、白金または白金化合物（Ｄ）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１１０】
本実施形態において、シリコーンゴム系硬化性組成物中における白金または白金化合物（Ｄ）の含有量は、シリコーンゴム系硬化性組成物の固形分全体の重さに対して、０．０１ｐｐｍ以上であることが好ましく、０．０５ｐｐｍ以上であることがより好ましく、０．１ｐｐｍ以上であることがさらに好ましい。また、シリコーンゴム系硬化性組成物中における白金または白金化合物（Ｄ）の含有量は、シリコーンゴム系硬化性組成物の固形分全体の重さに対して、１０００ｐｐｍ以下であることが好ましく、７００ｐｐｍ以下であることがより好ましく、５００ｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
白金または白金化合物（Ｄ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、シリコーンゴム系硬化性組成物が適切な速度で硬化することが可能となる。また、白金または白金化合物（Ｄ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、シリコーンゴム系硬化性組成物を作製する際のコストの削減に資することができる。
【０１１１】
（水（Ｅ））
また、本実施形態の導電性組成物には、水（Ｅ）が含まれていてもよい。
これにより、先述のシランカップリング剤（Ｃ）が加水分解を起こし、所望の効能を発現しやすくなる。
なお、この水（Ｅ）の添加量は任意である。
【０１１２】
（その他の成分）
さらに、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、上記（Ａ）〜（Ｅ）成分の他、樹脂組成物に配合される公知の成分を含有していてもよい。例えば、珪藻土、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸亜鉛、ガラスウール、マイカ等が挙げられる。その他、分散剤、顔料、染料、帯電防止剤、酸化防止剤、難燃剤、熱伝導性向上剤等を適宜配合することができる。
また、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化性を制御する観点から、適宜反応阻害剤を加えることもできる。
【０１１３】
（シリコーンゴム系硬化性組成物の製造方法）
続いて、本実施形態に係るシリコーンゴム系硬化性組成物の製造方法について説明する。
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、たとえば、以下に示すような工程を経ることにより製造することができる。
【０１１４】
［１］まず、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）と、シリカ粒子（Ｂ）と、シランカップリング剤（Ｃ）とを所定量秤量し、その後、任意の混練装置により、混練することで、これら各成分を含有する混練物を得る。
【０１１５】
なお、この混練物は、予めビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）とシランカップリング剤（Ｃ）とを混練し、その後、シリカ粒子（Ｂ）を混練（混合）して得るのが好ましい。これにより、シリカ粒子（Ｂ）の分散性がより向上する。
【０１１６】
また、この混練物を得る際には、水（Ｅ）を必要に応じて、各成分に添加するようにしてもよい。
【０１１７】
ここで、各成分の混練は、第１温度で加熱する第１ステップと、第２温度で加熱する第２ステップとを経るようにするのが好ましい。これにより、第１ステップにおいて、シリカ粒子（Ｂ）の表面をシランカップリング剤（Ｃ）で表面処理することができるとともに、第２ステップにおいて、シリカ粒子（Ｂ）とシランカップリング剤（Ｃ）との反応で生成した副生成物を混練物中から確実に除去することができる。
【０１１８】
第１温度は、４０〜１２０℃程度であるのが好ましく、６０〜９０℃程度であるのがより好ましい。第２温度は、１３０〜２１０℃程度であるのが好ましく、１６０〜１８０℃程度であるのがより好ましい。
【０１１９】
また、第１ステップにおける雰囲気は、窒素雰囲気下のような不活性雰囲気下であるのが好ましく、第２ステップにおける雰囲気は、減圧雰囲気下であるのが好ましい。
【０１２０】
さらに、第１ステップの時間は、０．３〜１．５時間程度であるのが好ましく、０．５〜１．２時間程度であるのがより好ましい。第２ステップの時間は、０．７〜３．０時間程度であるのが好ましく、１．０〜２．０時間程度であるのがより好ましい。
【０１２１】
第１ステップおよび第２ステップを、上記のような条件とすることで、前記効果をより顕著に得ることができる。
【０１２２】
［２］次に、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２）と、白金または白金化合物（Ｄ）とを所定量秤量し、その後、任意の混練装置を用いて、前記工程［１］で調製した混練物に、これら成分を混練することで、シリコーンゴム系硬化性組成物を得る。
【０１２３】
なお、この各成分の混練の際には、予め前記工程［１］で調製した混練物とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２）とを、前記工程［１］で調製した混練物と白金または白金化合物（Ｄ）とを混練し、その後、それぞれの混練物を混練するのが好ましい。これにより、各成分を確実に分散させることができる。
【０１２４】
この工程［２］において、混練する際の温度は、ロール設定温度として、１０〜７０℃程度であるのが好ましく、２５〜３０℃程度であるのがより好ましい。
さらに、混練する時間は、５分〜１時間程度であるのが好ましく、１０〜４０分程度であるのがより好ましい。
【０１２５】
なお、各工程［１］、［２］において使用される混練装置としては、特に限定されないが、例えば、ニーダー、２本ロール、バンバリーミキサー（連続ニーダー）、加圧ニーダー等を用いることができる。
【０１２６】
また、本工程［２］において、混練物中に１−エチニル−１−シクロヘキサノールのような反応抑制剤を添加するようにしてもよい。これにより、混練物の温度が比較的高い温度に設定されたとしても、各成分の反応の進行をより的確に防止または抑制することができる。
【０１２７】
上記の様に得たシリコーンゴム系硬化性組成物に対し、必要に応じて溶媒を加え、溶液状としたものを緩和部材形成用樹脂組成物として用いることができる。
【０１２８】
具体的な溶媒の例としては、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、オクタン、テトラデカンなどの脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、トリフルオロメチルベンゼン、ベンゾトリフルオリドなどの芳香族炭化水素類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル類；ジクロロメタン、クロロホルム、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、１，１，１−トリクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタンなどのハロアルカン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのカルボン酸アミド類；ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド類などを例示することができる。
溶媒は、これらのうち一種類を単独で用いても良く、二種類以上の溶媒を任意の比率で混合して用いても良い。
【０１２９】
本実施形態に係る配線１０は、第３のエラストマーを含む導電性樹脂組成物により構成される。この第３のエラストマーとしては、たとえばシリコーンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム、ウレタンゴム等を用いることができる。これらの中でも、化学的に安定性、機械的強度に優れる観点から、また、伸縮性向上の観点から、シリコーンゴムを含むことが好ましい。その場合、導電性フィラーを多く含有させても良好な伸縮性等を確保できるため、導電性に優れる配線１０を形成することができる。導電性樹脂組成物は、基板２０または緩和部材７０を構成するシリコーンゴム系硬化性組成物に、導電性フィラーを添加して得てもよい。
【０１３０】
導電性樹脂組成物について、第３のエラストマーがシリコーンゴムを含む場合を例として、以下に説明する。
【０１３１】
（エラストマー（Ａ））
導電性樹脂組成物中に含まれるエラストマー（Ａ）としては、シリコーンゴム系硬化性組成物中に含まれるエラストマー（Ａ）として例示したものを用いることが可能である。また、好ましい条件についても、以下に説明する点を除いてシリコーンゴム系硬化性組成物中に含まれるエラストマー（Ａ）と同じである。
【０１３２】
本実施形態において、導電性樹脂組成物中におけるエラストマー（Ａ）の含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体に対して、３質量％以上であることが好ましく、５質量％以上であることがより好ましく、７質量％以上であることがさらに好ましい。また、導電性樹脂組成物中におけるエラストマー（Ａ）の含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体に対して、３０質量％以下であることが好ましく、２５質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以下であることがさらに好ましい。
エラストマー（Ａ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性樹脂組成物の硬化物が適度な柔軟性を持つことができる。また、エラストマー（Ａ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、硬化物の機械的強度の向上を図ることができる。
【０１３３】
（シリカ粒子（Ｂ））
本実施形態の導電性樹脂組成物は、必要に応じ、シリカ粒子（Ｂ）を含んでいてもよい。このシリカ粒子（Ｂ）を含ませることにより、導電性樹脂組成物から形成される硬化物の硬さや機械的強度の向上を図ることができる。導電性樹脂組成物中に含まれるシリカ粒子（Ｂ）としては、シリコーンゴム系硬化性組成物中に含まれるシリカ粒子（Ｂ）として例示したものを用いることが可能である。また、好ましい条件についても、以下に説明する点を除いてシリコーンゴム系硬化性組成物中に含まれるシリカ粒子（Ｂ）と同じである。
【０１３４】
本実施形態において、導電性樹脂組成物中におけるシリカ粒子（Ｂ）の含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体に対して、１質量％以上であることが好ましく、２質量％以上であることがより好ましく、３質量％以上であることがさらに好ましい。また、導電性樹脂組成物中におけるシリカ粒子（Ｂ）の含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体に対して、１５質量％以下であることが好ましく、１２質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下であることがさらに好ましい。
シリカ粒子（Ｂ）の含有量を上記下限値以上、上限値以下とすることにより、導電性樹脂組成物の硬化物が適度な機械的強度を持つことができる。また、シリカ粒子（Ｂ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、硬化物が適度な導電特性を持つことができる。
【０１３５】
（シランカップリング剤（Ｃ））
本実施形態の導電性樹脂組成物は、シランカップリング剤（Ｃ）を含んでいてもよい。このシランカップリング剤（Ｃ）は、加水分解性基を有するものであり、この加水分解基が水により加水分解されて水酸基になり、この水酸基がシリカ粒子（Ｂ）表面の水酸基と脱水縮合反応することで、シリカ粒子（Ｂ）の表面改質を行うことができる。
その他、シリカ粒子（Ｂ）が存在しない場合であっても、配線１０と基板２０および緩和部材７０との密着性を向上させるという効果を発揮することができる。
導電性樹脂組成物中に含まれるシランカップリング剤（Ｃ）としては、シリコーンゴム系硬化性組成物中に含まれるシランカップリング剤（Ｃ）として例示したものを用いることが可能である。また、好ましい条件についても、以下に説明する点を除いてシリコーンゴム系硬化性組成物中に含まれるシランカップリング剤（Ｃ）と同じである。
【０１３６】
本実施形態において、導電性樹脂組成物中におけるシランカップリング剤（Ｃ）の含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体に対して、０．１質量％以上であることが好ましく、０．３質量％以上であることがより好ましく、０．５質量％以上であることがさらに好ましい。また、導電性樹脂組成物中におけるシランカップリング剤（Ｃ）の含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体に対して、５質量％以下であることが好ましく、４質量％以下であることがより好ましく、３質量％以下であることがさらに好ましい。
シランカップリング剤（Ｃ）の含有量を上記下限値以上、上限値以下とすることにより、配線１０が緩和部材７０および基板２０と適度な密着性を持ち、また、シリカ粒子（Ｂ）を用いる場合においては、硬化物全体としての機械的強度の向上に資することができる。また、シランカップリング剤（Ｃ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、硬化物である配線１０が適度な導電特性を持つことができる。
【０１３７】
（白金または白金化合物（Ｄ））
本実施形態の導電性樹脂組成物は、白金または白金化合物（Ｄ）を含むことができる。
白金または白金化合物（Ｄ）は、本実施形態の導電性樹脂組成物硬化の際の触媒として作用する成分である。導電性樹脂組成物中に含まれる白金または白金化合物（Ｄ）としては、シリコーンゴム系硬化性組成物中に含まれる白金または白金化合物（Ｄ）として例示したものを用いることが可能である。また、好ましい条件についても、以下に説明する点を除いてシリコーンゴム系硬化性組成物中に含まれる白金または白金化合物（Ｄ）と同じである。
【０１３８】
本実施形態において、導電性樹脂組成物中における白金または白金化合物（Ｄ）の含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体の重さに対して、０．００１ｐｐｍ以上であることが好ましく、０．００５ｐｐｍ以上であることがより好ましく、０．０１ｐｐｍ以上であることがさらに好ましい。また、導電性樹脂組成物中における白金または白金化合物（Ｄ）の含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体の重さに対して、２０００ｐｐｍ以下であることが好ましく、１０００ｐｐｍ以下であることがより好ましく、５００ｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
白金または白金化合物（Ｄ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性樹脂組成物が適切な速度で硬化することが可能となる。また、白金または白金化合物（Ｄ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、導電性樹脂組成物を作製する際のコストの削減に資することができる。
【０１３９】
（水（Ｅ））
また、本実施形態の導電性組成物には、水（Ｅ）が含まれていてもよい。
これにより、先述のシランカップリング剤（Ｃ）が加水分解を起こし、所望の効能を発現しやすくなる。
なお、この水（Ｅ）の添加量は任意である。
【０１４０】
（導電性フィラー）
本実施形態の導電性樹脂組成物は、導電性フィラーを含む。
この導電性フィラーは特に限定はされないが、例えば、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、或いはこれらを合金化した金属粉、導電有機化合物、導電性カーボン材料のうちの少なくとも一種類、あるいは、これらのうちの二種以上を含むことができる。
【０１４１】
これらのうち、導電性フィラーとしては、導電性の高さや入手容易性の高さから、銀または銅を含むこと、すなわち、銀粉または銅粉を含むことが好ましい。
なお、これらの導電性フィラーは他種金属でコートしたものも使用できる。
【０１４２】
本実施形態において、導電性フィラーの形状には制限がないが、樹枝状、球状、リン片状等の従来から用いられているものが使用できる。
【０１４３】
本実施形態において、導電性樹脂組成物中における導電性フィラーの含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体に対して、６０質量％以上であることが好ましく、６５質量％以上であることがより好ましく、７０質量％以上であることがさらに好ましい。また、導電性樹脂組成物中における導電性フィラーの含有量は、導電性樹脂組成物の固形分全体に対して、９０質量％以下であることが好ましく、８８質量％以下であることがより好ましく、８５質量％以下であることがさらに好ましい。
導電性フィラーの含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性樹脂組成物の硬化物が適度な導電特性を持つことができる。また、導電性フィラーの含有量を上記上限値以下とすることにより、硬化物が適度な柔軟性を持つことができる。
【０１４４】
（その他の成分）
さらに、本実施形態の導電性樹脂組成物は、上記（Ａ）〜（Ｅ）成分の他、樹脂組成物に配合される公知の成分を含有していてもよい。例えば、珪藻土、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸亜鉛、ガラスウール、マイカ等が挙げられる。その他、分散剤、顔料、染料、帯電防止剤、酸化防止剤、難燃剤、熱伝導性向上剤等を適宜配合することができる。
また、導電性樹脂組成物の硬化性を制御する観点から、適宜反応阻害剤を加えることもできる。
【０１４５】
（導電性樹脂組成物の製造方法）
続いて、本実施形態に係る導電性樹脂組成物の製造方法について説明する。
本実施形態の導電性樹脂組成物は、たとえば、以下に示すような工程を経ることにより製造することができる。
【０１４６】
まず、上記したシリコーン系硬化性組成物を製造する方法の工程［１］および［２］と同様にして、シリコーン系硬化性組成物を得る。導電性樹脂組成物を製造する方法の、各工程における好ましい条件は、シリコーン系硬化性組成物を製造する方法で説明した条件と同じである。
【０１４７】
得られたシリコーンゴム系硬化性組成物を溶媒に溶かし、導電性フィラーを加えることで、導電性樹脂組成物を得ることができる。
ここで用いられる溶媒は、上記の配合物を均一に溶解ないし分散させることのできる溶媒の中から適宜選択すればよい。
【０１４８】
具体的な溶媒の例としては、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、オクタン、テトラデカンなどの脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、トリフルオロメチルベンゼン、ベンゾトリフルオリドなどの芳香族炭化水素類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル類；ジクロロメタン、クロロホルム、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、１，１，１−トリクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタンなどのハロアルカン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのカルボン酸アミド類；ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド類などを例示することができる。
溶媒は、これらのうち一種類を単独で用いても良く、二種類以上の溶媒を任意の比率で混合して用いても良い。
【０１４９】
なお、本実施形態では、シリコーンゴム系硬化性樹脂組成物を用いて導電性樹脂組成物を製造する方法について説明したが、これに限定されず、用いるエラストマーの種類に応じて、公知の方法を適宜用いることができる。
【０１５０】
たとえば、第３のエラストマーとしてウレタンゴムを用いる場合には、ウレタンエラストマー粒子の水分散液に対し、導電性フィラーを加えることで、導電性樹脂組成物を製造できる。
【０１５１】
配線１０、基板２０および緩和部材７０のうちの複数が、シリコーンゴム系硬化性組成物を用いて形成される場合、各構成要素について、用いられるシリコーンゴム系硬化性組成物は同一の組成であっても良いし、互いに異なる組成であってもよい。
【０１５２】
第１のエラストマー、第２のエラストマー、および第３のエラストマーのうち、少なくとも１つはビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）の架橋体（ａ）を含むことが好ましく、中でも、第１のエラストマーはビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）の架橋体（ａ）を含むことが好ましい。また、第１のエラストマー、第２のエラストマー、および第３のエラストマーがいずれもビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）の架橋体（ａ）を含むことがより好ましい。
【０１５３】
また、当該架橋体（ａ）は、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１）とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２）との架橋体であることがより好ましい。
【０１５４】
また、第１のエラストマー、第２のエラストマー、および第３のエラストマーのうち、少なくとも１つはシリカ粒子（Ｂ）を含むことが好ましく、第１のエラストマー、第２のエラストマー、および第３のエラストマーがいずれもシリカ粒子（Ｂ）を含むことがより好ましい。
【０１５５】
また、上記配合を調整することにより、本実施形態に係る非伸縮状態での配線１０の抵抗率を設定することができる。当該抵抗率は、たとえば１×１０−２Ω・ｃｍ以下であり、より好ましくは５×１０−３Ω・ｃｍ以下である。また、当該抵抗率は、たとえば１×１０−６Ω・ｃｍ以上である。そうすれば、電子装置１００の信頼性の向上および省エネルギー化が図れる。当該抵抗率は、たとえば以下の様に測定できる。そなわち、まず、硬質部材６０に設けられた電極と、配線１０に設けられた電極パッドの間の抵抗値を測定する。そして、測定された抵抗値に対して、当該電極と電極パッド間の配線パターンの長さ方向に垂直な断面積を乗じ、さらに、当該電極と電極パッド間の配線パターンの長さの値で除して抵抗率を得る。
【０１５６】
本実施形態に係る電子装置１００の製造方法について以下に説明する。
当該製造方法は、第１のエラストマーを含む基板２０を準備する工程、基板２０の第１主面２０１に、電極６２を有する硬質部材６０を配置する工程、第２のエラストマーを含む緩和部材７０を形成する工程、および第３のエラストマーおよび導電性フィラーを含む配線１０を形成する工程を含む。配線１０を形成する工程では、基板２０の第１主面２０１に配線１０を形成する。そして、硬質部材６０の、電極６２が設けられた第１面６０１の少なくとも一つの辺１０４と、配線１０とは、平面視で交差するように形成される。また、緩和部材７０は、辺１０４と、配線１０との間に介在するように形成される。以下に詳細を説明する。
【０１５７】
まず、基板２０を準備する工程では、上記したシリコーンゴム系硬化性組成物を型枠内で熱プレスし、シート化する。この熱プレスにおいては、たとえば、加熱温度を１００℃以上２５０℃以下、圧力を０．５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下、熱プレス時間を１分以上３０分以下とすることができる。また、熱プレスによる成形後、２００℃で１〜４時間ポストベーク（２次硬化）することができる。
【０１５８】
次いで、硬質部材６０を配置する工程では、基板２０の第１主面２０１上に硬質部材６０を配置して、接着用組成物又は接着剤で接着することにより固定する。接着用組成物としては、たとえば、未硬化の上記シリコーンゴム系硬化性組成物に対し溶剤を加え、溶液状としたものを用いることができる。
【０１５９】
次いで、緩和部材７０を形成する工程では、辺１０４のうち、配線１０と交差する部分に選択的に緩和部材７０を形成する。緩和部材７０は、上述の緩和部材形成用樹脂組成物を用いて形成できる。具体的には、たとえば、緩和部材７０を形成する下地となる領域に対し、選択的に密着性を向上させる工程を経た後に、緩和部材形成用樹脂組成物を塗布することにより、必要な領域に選択的に塗布できる。密着性を向上させる工程は、たとえば、密着助剤の塗布、またはアンカー効果を発現させる表面粗化が挙げられる。また、マスクまたはディスペンサーを用いて緩和部材形成用樹脂組成物を必要な領域に選択的に塗布してもよい。その場合、密着性を向上させる工程は必ずしも行わなくても良い。その後、加熱温度をたとえば１００℃以上２５０℃以下、加熱時間を１分以上６０分以下として加熱処理することで、緩和部材７０を形成できる。
【０１６０】
次いで、配線１０を形成する工程では、基板２０および硬質部材６０に対し、スクリーン印刷、インクジェット印刷、グラビア印刷、ディスペンサー等の公知の方法により、上記した導電性樹脂組成物をインクとして配線１０となるパターンを印刷、塗布する。それをオーブンで加熱し、配線１０を形成する。このとき、加熱温度はたとえば１００℃以上３００℃以下とすることができる。また、加熱時間はたとえば２０分以上３０時間以下とすることができる。こうして、電子装置１００が得られる。
【０１６１】
なお、電子装置１００の製造方法は上記に限定されない。たとえば、あらかじめ第１面６０１上に配線１０を設けた配線基板を準備しておき、その配線基板上に硬質部材６０を配置した後に、緩和部材７０を形成し、さらに配線基板の配線１０と電極６２とを接続する部分の配線１０を形成して電子装置１００を製造しても良い。
【０１６２】
次に、本実施形態の作用および効果について説明する。本実施形態によれば、耐久性に優れた電子装置を実現できる。
【０１６３】
（第２の実施形態）
図４は、第２の実施形態に係る電子装置１００の構造を示す図である。本図は第１の実施形態の図１に対応する。本実施形態にかかる電子装置１００は、基板２０の厚み方向に平行な断面（図４に相当）における、硬質部材６０の側面６０３と第１主面２０１との交点１０５ａ、および、配線１０の間にも、緩和部材７０が介在している点を除いて第１の実施形態に係る電子装置１００と同じである。
【０１６４】
本実施形態に係る電子装置１００では、辺１０４と配線１０との間のみならず、基板２０の第１主面２０１と硬質部材６０の側面６０３とが交わる交線１０５ｂ（基板２０の厚み方向に平行な断面における交点１０５ａに対応）と、配線１０との間にも、緩和部材７０が介在している。交線１０５ｂは、詳しくは、硬質部材６０が設けられていない領域の第１主面２０１と、硬質部材６０の側面６０３とが交わる線であり、辺１０４と交線１０５ｂは硬質部材６０の側面６０３を含む同一平面上にある。硬質部材６０が基板２０に埋め込まれずに配置されている場合、交線１０５ｂは、硬質部材６０の基板に対向する面を形成する一辺である。ここで、緩和部材７０は、交線１０５ｂのうち、少なくとも配線１０が交差する部分を全て覆うように設けられていればよい。その他の部分には緩和部材７０が設けられていても良いし、設けられていなくても良い。本図の例において、緩和部材７０は、側面６０３のうち配線１０に覆われる領域の全体を覆っている。すなわち、緩和部材７０は、第１面６０１、側面６０３、および第１主面２０１に接するよう、連続して形成されている。なお、緩和部材７０は、硬質部材６０の側面６０３全体を覆っていても良い。
【０１６５】
また、緩和部材７０は、硬質部材６０と配線１０の間のみならず、少なくとも一部の領域において基板２０と配線１０との間にさらに設けられていても良い。
【０１６６】
本実施形態においては第１の実施形態と同様の作用および効果が得られる。加えて、応力が集中する基板と硬質部材の境界部分の配線をより効果的に補強し、電子装置の耐久性をより向上させることができる。
【０１６７】
（第３の実施形態）
図５は、第３の実施形態に係る電子装置１００の構造を示す図である。本図は第１の実施形態の図１に対応する。本実施形態に係る電子装置１００は、配線１０を覆って伸縮性を有する被覆層３０が形成されている点を除いて第２の実施形態に係る電子装置１００と同じである。
【０１６８】
原理上、配線については、導電性フィラーの含有量を高めることにより導電性を高めることができる。一方、導電性フィラーの含有率を高めることにより、配線の伸縮性が低減する。ここで、被覆層を設けない場合には、配線が基板の伸長に追従できず、配線、中でも特に伸縮性基板と接しない面にひび割れ等が生じて、配線の電気抵抗が高くなるなど、耐久性が損なわれやすい場合がある。
【０１６９】
それに対し、本実施形態に係る電子装置１００では、配線１０を覆って被覆層３０が形成されているため、伸長によく追従させることができる。また、たとえ伸長により配線１０が損傷し、物理的欠陥が形成されたとしても、被覆層３０の縮もうとする力がその欠陥を閉じる方向にはたらき、非伸縮状態での電気抵抗の増大を抑制できる。
【０１７０】
被覆層３０は、配線１０を保護する観点から、配線１０上の全体を覆っていることが好ましい。また、同様の観点から、配線１０の全ての外面の内、基板２０と接する面および電子部品６０との接続部を除く全ての領域を被覆層３０が覆っていることがより好ましい。
【０１７１】
また、被覆層３０は、基板２０上の全体を覆っていることが好ましい。そうすれば、硬質部材６０や基板２０が保護され、電子装置１００の耐久性をより向上させることができる。もしくは、被覆層３０は、基板２０のうち配線１０が形成されていない領域の一部または全体を覆っていても良い。
【０１７２】
被覆層３０は伸縮性に優れるシリコーンゴムを含むことが好ましい。そうすれば、被覆層３０を設けていても、電子装置１００全体の十分な伸縮性を確保できる。
【０１７３】
本実施形態に係る電子装置１００の製造方法について以下に説明する。まず、第１の実施形態と同様にして、基板２０を準備する工程、硬質部材６０を配置する工程、緩和部材７０を形成する工程、および配線１０を形成する工程を行う。その後、第１の実施形態で例示したシリコーンゴム系硬化性組成物を被覆層形成用樹脂組成物として設置し、加熱加圧して硬化させることにより被覆層３０を形成する。この加熱加圧においては、加熱温度をたとえば１００℃以上２５０℃以下、圧力を０．５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下、加熱加圧時間を１分以上３０分以下とすることができる。
【０１７４】
被覆層３０の厚さは、伸縮性と配線の耐久性向上のバランスの観点から、０．０５ｍｍ以上であることが好ましく、０．３ｍｍ以上であることがより好ましい。また、同様の観点から、２ｍｍ以下であることが好ましく、１ｍｍ以下であることがより好ましく、０．８ｍｍ以下であることがさらに好ましい。なお、被覆層３０は単層からなっていても良いし、異なる複数の層からなっていても良い。
【０１７５】
本実施形態においては第１の実施形態と同様の作用および効果が得られる。加えて、被覆層を備えることにより、電子装置の耐久性をより向上させることができる。また、配線に多くの導電性フィラーを含有させることができ、配線抵抗を低減できる。
【０１７６】
（第４の実施形態）
図６は、第４の実施形態に係る電子装置１００の構造を示す図である。本図は第１の実施形態の図１に対応する。本実施形態に係る電子装置１００は、硬質部材６０の側面６０３が第１主面２０１に対して斜めである点を除いて第２の実施形態に係る電子装置１００と同じである。
【０１７７】
本実施形態に係る電子装置１００では、辺１０４と交線１０５ｂの間の側面６０３が第１主面２０１に対して垂直ではなく斜めである。具体的には、硬質部材６０は、第１主面２０１に垂直な断面において、基板２０に近づくにつれて幅が広くなるように側面６０３が傾斜している。そのため、辺１０４や交線１０５ｂの部分において配線１０への応力集中が生じにくい。さらに、辺１０４の角部での、配線１０の薄膜化も抑制される。
【０１７８】
なお、本実施形態に係る電子装置１００において、第１の実施形態の様に、辺１０４と配線１０との間のみに緩和部材７０が設けられ、交線１０５ｂと配線１０の間には緩和部材７０が設けられていなくても良い。
【０１７９】
本実施形態においては第１の実施形態と同様の作用および効果が得られる。加えて、基板と硬質部材との境界部分における配線への応力集中を緩和し、電子装置の耐久性をより向上させることができる。
【０１８０】
（第５の実施形態）
図７は、第５の実施形態に係る電子装置１００の構造を示す図である。本図は第１の実施形態の図１に対応する。本実施形態に係る電子装置１００は、硬質部材６０の少なくとも一部分が、基板２０に埋め込まれている点を除いて、第２の実施形態に係る電子装置１００と同じである。
【０１８１】
本実施形態において、硬質部材６０の第２面６０２は全体が基板２０に接しており、側面６０３は少なくとも一部が基板２０に接している。本実施形態に係る電子装置１００においては、硬質部材６０が基板２０に埋め込まれていることにより、硬質部材６０が設けられていない領域の第１主面２０１から突出する硬質部材６０の高さｈが、埋め込まれていない場合に対して小さくなる。すなわち、基板２０と硬質部材６０との境界部で配線１０の下地に生じる段差が小さくなる。したがって、基板２０が伸長等する際の、当該境界部での配線１０への応力が低減される。さらに、辺１０４の角部での、配線１０の薄膜化も抑制される。よって、電子装置１００の耐久性がより向上する。
【０１８２】
図８は、本実施形態に係る電子装置１００の構造の変形例を示す図である。図７では、硬質部材６０の一部分のみが基板２０に埋め込まれた例を示したのに対し、本変形例では、硬質部材６０の全体が基板２０に埋め込まれている。即ち、硬質部材６０の、基板２０に対向する面とは反対側の面と、基板２０の第１主面２０１のうち硬質部材６０が設けられていない領域とが、同一平面を形成するように、硬質部材６０が基板２０に埋め込まれている。本変形例において、硬質部材６０の第２面６０２および側面６０３は全体が基板２０に接している。このように、第１面６０１と、硬質部材６０が設けられていない領域の主面１０６とが同一平面を形成し、即ち、面一（つらいち）になっていることにより、辺１０４が配線１０の下地として角部とならない。したがって、基板２０が伸長等する際の、配線１０への応力が低減され、電子装置１００の耐久性がより向上する。ただし、作製上生じる軽微な段差は許容される。
【０１８３】
本実施形態に係る電子装置１００の製造方法について以下に説明する。
当該製造方法は、第１のエラストマーを含む基板２０と、電極６２を有し、基板２０の第１主面２０１に少なくとも一部分が埋め込まれた硬質部材６０とを備える構造体を準備する工程、第２のエラストマーを含む緩和部材７０を形成する工程、および第３のエラストマーおよび導電性フィラーを含む配線１０を形成する工程をこの順に含む。配線１０を形成する工程では、基板２０の第１主面２０１に配線１０を形成する。硬質部材６０の、電極６２が設けられた第１面６０１の少なくとも一つの辺１０４と、配線１０とは、平面視で交差するように形成される。そして、緩和部材７０は、辺１０４と配線１０との間に介在するように形成される。以下に詳細を説明する。
【０１８４】
まず、構造体を準備する工程では、たとえば第１の実施形態で例示したシリコーンゴム系硬化性組成物を型枠内で熱プレスし、半硬化のシートを形成する。この熱プレスにおいては、たとえば、加熱温度を１０℃以上４０℃以下、圧力を０．５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下、熱プレス時間を１分以上３０分以下とすることができる。次いで、半硬化のシート上に硬質部材６０を配置し、積層方向に熱プレスすることで、硬質部材６０が基板２０に埋め込まれた構造体を得ることができる。この熱プレスにおいては、たとえば、加熱温度を１００℃以上２５０℃以下、圧力を硬質部材６０を埋め込む深さに応じて０．５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下、熱プレス時間を１分以上３０分以下とすることができる。
【０１８５】
次いで、得られた構造体に対し、緩和部材７０を形成する工程および配線１０を形成する工程を、第１の実施形態に係る電子装置１００の製造方法における緩和部材７０を形成する工程、および配線１０を形成する工程と同様にして行うことで、電子装置１００が得られる。
【０１８６】
本実施形態においては第１の実施形態と同様の作用および効果が得られる。加えて、基板と硬質部材との境界部分における配線への応力集中を緩和し、電子装置の耐久性をより向上させることができる。
【０１８７】
（第６の実施形態）
図９は、第６の実施形態に係る電子装置１００の構造を示す図である。本図は第１の実施形態の図１に対応する。本実施形態に係る電子装置１００は、以下に説明する点を除いて第１の実施形態に係る電子装置１００と同じである。
【０１８８】
本実施形態に係る電子装置１００において、硬質部材６０の電極６２が形成された第１面６０１は基板２０の第１主面２０１に対向している。そして、配線１０は、電極６２に接続される部分において、硬質部材６０と基板２０の間に形成されている。本図の例において、具体的には第１面６０１は基板２０に接触している。本実施形態では、配線１０が第１面６０１に対して乗り上げることがないため、基板２０が伸長等する際の、配線１０への応力が低減され、電子装置１００の耐久性がより向上する。
【０１８９】
本実施形態に係る電子装置１００の製造方法について以下に説明する。当該製造方法は、第１の実施形態に係る電子装置１００の製造方法と同様、第１のエラストマーを含む基板２０を準備する工程、基板２０の第１面第１主面２０１に、電極６２を有する硬質部材６０を配置する工程、第２のエラストマーを含む緩和部材７０を形成する工程、および第３のエラストマーおよび導電性フィラーを含む配線１０を形成する工程を含む。配線１０を形成する工程では、基板２０の第１主面２０１に配線１０を形成する。そして、硬質部材６０の、電極６２が設けられた第１面６０１の少なくとも一つの辺１０４と、配線１０とは、平面視で交差するように形成される。また、緩和部材７０は、辺１０４と、配線１０との間に介在するように形成される。以下に詳細を説明する。
【０１９０】
まず、基板２０を準備する工程では、たとえば第１の実施形態で例示したシリコーンゴム系硬化性組成物を型枠内で熱プレスし、半硬化のシートを形成する。この熱プレスにおいては、たとえば、加熱温度を１０℃以上４０℃以下、圧力を０．５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下、熱プレス時間を１分以上３０分以下とすることができる。次いで、第１の実施形態と同様に、半硬化のシート上に対し導電性樹脂組成物を印刷、塗布する。次いで、熱プレスすることで、配線１０が基板２０に埋め込まれた構造体を得ることができる。この熱プレスにおいては、たとえば、加熱温度を１００℃以上２５０℃以下、圧力を０．５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下、熱プレス時間を１分以上３０分以下とすることができる。本方法においては、基板２０を準備する工程と配線１０を形成する工程とが同時に行われる。
【０１９１】
次いで、配線１０を形成した第１主面２０１上、硬質部材６０の辺１０４に対応する位置に緩和部材７０を形成するよう、第１の実施形態と同様に緩和部材７０を形成する工程を行う。その後、基板２０の主面に垂直な方向から見て電極６２と配線１０の少なくとも一部が重なる様に第１主面２０１上に硬質部材６０を配置する。このとき、硬質部材６０の第１面６０１のうち電極６２以外の領域には、たとえば接着用組成物を塗布しておく。そして、第２面６０２を第１主面２０１に押しつけるようにプレスを行うことで、硬質部材６０を基板２０に対し固定する。なお、緩和部材７０を形成する工程において加熱処理を行う前に、硬質部材６０を配置しても良い。
【０１９２】
本実施形態においては第１の実施形態と同様の作用および効果が得られる。加えて、基板と硬質部材との境界部分における配線への応力集中を緩和し、電子装置の耐久性をより向上させることができる。
【実施例】
【０１９３】
以下、本実施形態を、実施例を参照して詳細に説明する。なお、本実施形態は、これらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。
【０１９４】
（実施例）
［シリコーンゴム系硬化性組成物の作製］
本実施例において、シリコーンゴム系硬化性組成物の作製に用いた材料は以下の通りである。
【０１９５】
第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ａ））：下記式にしたがって合成された、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサンを使用した。
【０１９６】
すなわち、Ａｒガス置換した、冷却管および攪拌翼を有する３００ｍＬセパラブルフラスコに、オクタメチルシクロテトラシロキサン７４．７ｇ（２５２ｍｍｏｌ）、２，４，６，８−テトラメチル２，４，６，８−テトラビニルシクロテトラシロキサン０．０８６ｇ（０．２５ｍｍｏｌ）およびカリウムシリコネート０．１ｇを入れ、昇温し、１２０℃で３０分間攪拌した。なお、この際、粘度の上昇が確認できた。
【０１９７】
その後、１５５℃まで昇温し、３時間攪拌を続けた。そして、３時間後、１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン０．１ｇ（０．６ｍｍｏｌ）を添加し、さらに、１５５℃で４時間攪拌した。
【０１９８】
さらに、４時間後、トルエン２５０ｍＬで希釈した後、水で３回洗浄した。洗浄後の有機層をメタノール１．５Ｌで数回洗浄することで、再沈精製し、オリゴマーとポリマーを分離した。得られたポリマーを６０℃で一晩減圧乾燥し、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ａ））を得た（ビニル基含有量０．１３モル％、Ｍｎ＝２７７，７３４、Ｍｗ＝５７３，９０６、ＩＶ値（ｄｌ／ｇ）＝０．８９）。
【０１９９】
【化５】
0006680034.tif 000006
【０２００】
第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ｂ））：２，４，６，８−テトラメチル２，４，６，８−テトラビニルシクロテトラシロキサンを、０．８６ｇ（２．５ｍｍｏｌ）用いたこと以外、上記（Ａ−１（ａ））と同様にして合成したビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサンを使用した。（ビニル基含有量：０．９２モル％）。
【０２０１】
直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））：以下の式（５）で表されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｍｏｍｅｎｔｉｖｅ  Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ＬＬＣ社製、商品名「８８４６６」、式（５）において、ｍ＝１４、ｎ＝１１）
【０２０２】
【化６】
0006680034.tif 000007
【０２０３】
シリカ粒子（Ｂ）：日本アエロジル社製、商品名「ＡＥＲＯＳＩＬ３００」、比表面積：３００ｍ２／ｇ、メディアン径Ｄ５０：７ｎｍ
【０２０４】
シランカップリング剤（Ｃ）：ヘキサメチルジシラザン（Ｇｅｌｅｓｔ社製）
【０２０５】
白金化合物（Ｄ）：ＰＬＡＴＩＮＵＭ  ＤＩＶＩＮＹＬＴＥＴＲＡＭＥＴＨＹＬＤＩＳＩＬＯＸＡＮＥ  ＣＯＭＰＬＥＸ（ｉｎ  ｘｙｌｅｎｅ）  （Ｇｅｌｅｓｔ社製、商品名「ＳＩＰ６８３１．２」、白金含有量：２．１〜２．４ｗｔ％）
【０２０６】
水（Ｅ）：純水
【０２０７】
反応阻害剤：１−エチニル−１−シクロヘキサノール（東京化成社製）
【０２０８】
第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ａ））を８０重量部、第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ−１（ｂ））を２０重量部、シリカ粒子（Ｂ）を４０重量部、シランカップリング剤（Ｃ）を１０．５重量部、および、水（Ｅ）を５．２５重量部、秤量し、その後、混練装置（（株）モリヤマ製、油圧式加圧型ニーダー）により、混練することで、これら各成分を含有する混練物を得た。
なお、ここでの混練は、第１ステップにおいて窒素雰囲気下、６０〜９０℃の条件下で１時間混練し、次いで第２ステップにおいて減圧雰囲気下、１６０℃で１時間混練した。
【０２０９】
続いて、上記混練物１００重量部に対し、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ａ−２（ａ））を０．４２重量部、白金化合物（Ｄ）を０．０５重量部、反応阻害剤を０．１重量部、秤量し、上記で得た混練物にこれら成分をさらに添加し、混練装置（関西ロール社製、ロール機）を用いて混練した。結果、シリコーンゴム系硬化性組成物としてシリコーンゴム系組成物１を得た。このとき、シリコーンゴム系硬化性組成物中における白金の含有量は、シリコーンゴム系硬化性組成物の固形分全体の重さに対して、１０〜１３ｐｐｍとなっている。
【０２１０】
［導電性樹脂組成物の作製］
上記で得たシリコーンゴム系組成物１を、２．３３倍量のテトラデカンに浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、溶液状とした。この溶液に対し、導電性フィラー１として銀粉（ＤＯＷＡエレクトロニクス社製、商品名「３−８Ｆ」）を加えることで、導電性樹脂組成物１を得た。このとき、導電性樹脂組成物１の固形分１００重量部に対し、シリコーンゴム系組成物１の固形分の含有量を１５重量部、導電性フィラー１の含有量を８５重量部とした。
【０２１１】
［電子装置の作製］
シリコーンゴム系組成物１を型枠内で熱プレスし、２０ｃｍ×５０ｃｍ、厚さ０．５ｍｍの寸法にシート化して基板を得た。この熱プレスにおいては、加熱温度を１７０℃、圧力を１０ＭＰａ、熱プレス時間を５分とした。その後、２００℃で４時間ポストベーク（２次硬化）した。
【０２１２】
次いで、基板上に硬質部材として集積回路チップを配置して、以下のように得た接着用組成物で接着することにより固定した。接着用組成物は、シリコーンゴム系組成物１を２．３３倍量のテトラデカンに浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで攪拌して溶液状として得た。
【０２１３】
次いで、集積回路チップの上面（第１の実施形態の第１面６０１に相当）を構成する一辺において、配線と交差する部分に緩和部材を形成した。具体的には、ディスペンサーを用いて選択的に以下の様にして得た緩和部材形成用樹脂組成物を塗布し、その後、加熱温度を１７０℃、加熱時間を３０分として加熱処理することで、緩和部材を形成した。緩和部材形成用樹脂組成物は、シリコーンゴム系組成物１を２．３３倍量のテトラデカンに浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで攪拌して溶液状として得た。
【０２１４】
次いで、基板の主面および集積回路チップの上面に対し、スクリーン印刷およびディスペンサーを用いて、上記した導電性樹脂組成物１をインクとして配線となるパターンを印刷、塗布した。それをオーブンで加熱し、集積回路チップの電極に繋がる配線を形成した。このとき、加熱温度は１７０℃、加熱時間は１時間とした。また、配線は幅０．５ｍｍ、厚さ２５０μｍとし、集積回路チップの電極から配線長さ３０ｍｍの位置に電極パッドを設けた。ここで、配線の幅および厚さは、基板の主面上において、集積回路チップから十分離れた位置で、配線の幅および厚さがおよそ一定となっている領域において測定した平均値である。
【０２１５】
次いで、シリコーンゴム系組成物１を、集積回路チップ、基板、および配線の全体を覆うように設置し、加熱加圧して硬化させて被覆層を形成することにより電子装置を得た。この加熱加圧においては、加熱温度を１００℃、圧力を０．５ＭＰａ、加熱加圧時間を１５分とした。
【０２１６】
（比較例）
緩和部材を形成しなかった点を除いて、実施例と同様にして電子装置を作製した。
【０２１７】
［配線基板の評価］
＜硬度の評価＞
デュロメータＡにより２５℃で、実施例の電子装置について、各部材の硬度を測定した。基板の硬度をＨｂ、配線の硬度をＨｌ、集積回路チップの硬度をＨｈ、緩和部材の硬度をＨｒとしたとき、Ｈｂ＜Ｈｌ＜ＨｈかつＨｒ＜Ｈｌの関係が成り立つことを確認した。
【０２１８】
＜耐久性評価＞
実施例および比較例の電子装置について、基板の伸長率と電気抵抗との関係を評価した。結果を表１に示す。基板の伸長率（％）は、伸長状態の基板の長さをＬとし、Ｌと非伸縮状態の基板の長さとの差をΔＬとして、ΔＬ／Ｌ×１００（％）で表される。電気抵抗は、集積回路チップの電極と、電極パッドの間の電気抵抗である。また、１０ＭΩ以上の場合を表１中で「断線」と示している。緩和部材を形成した実施例において、形成しなかった比較例よりも高い伸長率まで配線の導電が維持された。よって、実施例において高い耐久性が確認された。
【０２１９】
【表１】
0006680034.tif 000008
【０２２０】
＜抵抗率＞
実施例の電子装置において、非伸縮状態での配線の抵抗率を以下の様に評価した。まず、（株）エーディーシー製直流電圧・電流源／モニタ（６２４１Ａ）を用いて集積回路チップの電極と、導電パターンの電極パッドの間の抵抗値を測定した。そして、測定された抵抗値に対して配線パターンの長さ方向に垂直な断面積を乗じ、さらに配線の長さの値で除することで体積抵抗率を求めた。その結果、配線の抵抗率は１．５×１０−４Ω・ｍであった。
【０２２１】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【０２２２】
１０  配線
２０  基板
３０  被覆層
６０  硬質部材
６２  電極
７０  緩和部材
１００  電子装置
１０４  辺
１０５ａ  交点
１０５ｂ  交線
２０１  第１主面
２０２  第２主面
６０１  第１面
６０２  第２面
６０３  側面
８１０  配線
８１２  破断部
８２０  基板
８６０  硬質部材
８６２  電極
【図１】
0006680034.tif 000009
【図２】
0006680034.tif 000010
【図３】
0006680034.tif 000011
【図４】
0006680034.tif 000012
【図５】
0006680034.tif 000013
【図６】
0006680034.tif 000014
【図７】
0006680034.tif 000015
【図８】
0006680034.tif 000016
【図９】
0006680034.tif 000017