(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデータライン及び複数のゲートラインにより定義される複数のサブピクセルが配列された有機発光表示パネルと、
前記複数のデータラインを駆動するデータドライバと、
前記複数のゲートラインを駆動するゲートドライバと、
前記データドライバ及び前記ゲートドライバを制御するコントローラとを含み、
前記各サブピクセルは、
有機発光ダイオードと、
前記有機発光ダイオードを駆動するための駆動トランジスタと、
ゲートノードに印加されるスキャン信号により制御され、前記駆動トランジスタのゲートノードである第１ノードとデータラインとの間に電気的に連結されたスイッチングトランジスタと、
ゲートノードに印加されるセンシング信号により制御され、前記ゲートノードとは異なる前記駆動トランジスタの第２ノードと基準電圧ラインとの間に電気的に連結されたセンシングトランジスタと、
前記駆動トランジスタの第１ノードと第２ノードとの間に電気的に連結されたストレージキャパシタとを含み、
前記複数のゲートラインの各々は、１つのサブピクセルライン毎に配置され、
ｎ番目サブピクセルラインに配列された各サブピクセル内のスイッチングトランジスタのゲートノードは、前記ｎ番目サブピクセルラインに配置されたｎ番目ゲートラインを通じて出力されるｎ番目スキャン信号の印加を受け、前記ｎ番目サブピクセルラインに配列された各サブピクセル内のセンシングトランジスタのゲートノードは、ｎ＋１番目サブピクセルラインに配置され、前記ｎ＋１番目サブピクセルラインに配列された各サブピクセル内のスイッチングトランジスタのゲートノードと、ｎ番目サブピクセルラインに配列された各サブピクセル内のセンシングトランジスタのゲートノードに共通に連結されたｎ＋１番目ゲートラインを通じて出力されるｎ＋１番目スキャン信号をｎ番目センシング信号として印加を受け、
前記ｎ番目サブピクセルラインでの駆動トランジスタのしきい電圧補償モードにおいて、
前記ｎ番目スキャン信号のターン−オンレベル電圧区間と、前記ｎ＋１番目スキャン信号のターン−オンレベル電圧区間とは重畳され、
重畳区間に、前記データラインにしきい電圧センシング用データ電圧が印加され、前記基準電圧ラインに前記基準電圧が印加される、有機発光表示装置。
【請求項２】
前記ｎ番目サブピクセルラインに対する映像駆動モードにおいて、
前記ｎ番目スキャン信号のターン−オンレベル電圧区間と、前記ｎ＋１番目スキャン信号のターン−オンレベル電圧区間とは一部重畳され、
重畳区間に、前記データラインに映像駆動用データ電圧が印加され、前記基準電圧ラインに前記基準電圧が印加される、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記ｎ番目サブピクセルラインに対する残像補償モードにおいて、
前記ｎ番目スキャン信号がターン−オンレベル電圧で出力される間、前記ｎ＋１番目スキャン信号がターン−オンレベル電圧で出力されてからターン−オフレベル電圧に変わって出力され、前記ｎ＋１番目のスキャン信号がターン−オンレベルの電圧で出力される間、前記データラインに前記有機発光ダイオードの劣化センシング用データ電圧が印加され、前記基準電圧ラインに前記基準電圧が印加され、
前記ｎ番目スキャン信号がターン−オフレベル電圧に変わって出力されれば、前記ｎ＋１番目スキャン信号がターン−オンレベル電圧で出力される、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記ｎ番目サブピクセルラインでの駆動トランジスタの移動度補償モードにおいて、
前記ｎ＋１番目スキャン信号がターン−オンレベル電圧で出力される間、
前記ｎ番目スキャン信号がターン−オンレベル電圧で出力されてからターン−オフレベル電圧で出力され、
前記ｎ番目スキャン信号がターン−オンレベルの電圧で出力される間、前記データラインに移動度センシング用データ電圧が印加され、前記基準電圧ラインに前記基準電圧が印加される、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
複数のデータライン及び複数のゲートラインにより定義される複数のサブピクセルが配列され、各サブピクセルには有機発光ダイオードと、前記有機発光ダイオードを駆動するための駆動トランジスタと、ゲートノードに印加されるスキャン信号により制御され、前記駆動トランジスタのゲートノードである第１ノードとデータラインとの間に電気的に連結されたスイッチングトランジスタと、ゲートノードに印加されるセンシング信号により制御され、前記ゲートノードとは異なる前記駆動トランジスタの第２ノードと基準電圧ラインとの間に電気的に連結されたセンシングトランジスタと、前記駆動トランジスタの第１ノードと第２ノードとの間に電気的に連結されたストレージキャパシタが配置された表示パネルと、前記複数のデータラインを駆動するデータドライバと、前記複数のゲートラインを駆動するゲートドライバを含む有機発光表示装置の映像駆動方法において、
ｎ番目サブピクセルラインに配置されたｎ番目ゲートラインで出力されたｎ番目スキャン信号のターン−オンレベル電圧により前記ｎ番目サブピクセルラインに配列された各サブピクセル内のスイッチングトランジスタをターン−オンさせるステップと、
ｎ＋１番目サブピクセルラインに配置され前記ｎ＋１番目サブピクセルラインに配列された各サブピクセル内のスイッチングトランジスタのゲートノードと、ｎ番目サブピクセルラインに配列された各サブピクセル内のセンシングトランジスタのゲートノードに共通に連結されたｎ＋１番目ゲートラインで出力されたｎ＋１番目スキャン信号のターン−オンレベル電圧により前記ｎ番目サブピクセルラインに配列された各サブピクセル内のセンシングトランジスタをターン−オンさせるステップと、
前記データラインに映像駆動用データ電圧が印加され、前記基準電圧ラインに基準電圧が印加されるステップと、
前記ｎ番目ゲートラインで出力された前記ｎ番目スキャン信号のターン−オフレベル電圧により前記ｎ番目サブピクセルラインに配列された各サブピクセル内のスイッチングトランジスタをターン−オフさせるステップと、
を含み、
前記ｎ番目サブピクセルラインでの駆動トランジスタのしきい電圧補償モードにおいて、前記ｎ番目スキャン信号のターン−オンレベル電圧区間と、前記ｎ＋１番目スキャン信号のターン−オンレベル電圧区間とは一部重畳され、
重畳区間に、前記データラインに映像駆動用データ電圧が印加され、前記基準電圧ラインに前記基準電圧が印加される、有機発光表示装置の映像駆動方法。
【請求項６】
複数のデータライン及び複数のゲートラインにより定義される複数のサブピクセルが配列され、各サブピクセルには、有機発光ダイオードと、前記有機発光ダイオードを駆動するための駆動トランジスタと、ゲートノードに印加されるスキャン信号により制御され、前記駆動トランジスタのゲートノードである第１ノードとデータラインとの間に電気的に連結されたスイッチングトランジスタと、ゲートノードに印加されるセンシング信号により制御され、前記ゲートノードとは異なる前記駆動トランジスタの第２ノードと基準電圧ラインとの間に電気的に連結されたセンシングトランジスタと、前記駆動トランジスタの第１ノードと第２ノードとの間に電気的に連結されたストレージキャパシタが配置された表示パネルと、前記複数のデータラインを駆動するデータドライバと、前記複数のゲートラインを駆動するゲートドライバとを含む有機発光表示装置の有機発光ダイオード劣化センシング駆動方法において、
ｎ番目サブピクセルラインに配置されたｎ番目ゲートラインで出力されたｎ番目スキャン信号のターン−オンレベル電圧により前記ｎ番目サブピクセルラインに配列されたサブピクセル内のスイッチングトランジスタをターン−オンさせ、ｎ＋１番目サブピクセルラインに配置され前記ｎ＋１番目サブピクセルラインに配列された各サブピクセル内のスイッチングトランジスタのゲートノードと、ｎ番目サブピクセルラインに配列された各サブピクセル内のセンシングトランジスタのゲートノードに共通に連結されたｎ＋１番目ゲートラインで出力されたｎ＋１番目スキャン信号のターン−オンレベル電圧により前記ｎ番目サブピクセルラインに配列されたサブピクセル内のセンシングトランジスタをターン−オンさせるステップと、
前記データラインに前記有機発光ダイオードの劣化センシング用データ電圧が印加され、前記基準電圧ラインに基準電圧が印加されるステップと、
前記ｎ＋１番目ゲートラインで出力された前記ｎ＋１番目スキャン信号のターン−オフレベル電圧により前記ｎ番目サブピクセルラインに配列されたサブピクセル内のセンシングトランジスタをターン−オフさせるステップと、
前記ｎ番目ゲートラインで出力された前記ｎ番目スキャン信号のターン−オフレベル電圧により前記ｎ番目サブピクセルラインに配列されたサブピクセル内のスイッチングトランジスタをターン−オフさせ、前記ｎ＋１番目ゲートラインで出力された前記ｎ＋１番目スキャン信号のターン−オンレベル電圧により前記ｎ番目サブピクセルラインに配列されたサブピクセル内のセンシングトランジスタをターン−オンさせるステップと、
を含む、有機発光表示装置の有機発光ダイオード劣化センシング駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置、有機発光表示パネル、有機発光表示装置の映像駆動方法、並びに有機発光表示装置の有機発光ダイオード劣化センシング駆動方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、表示装置として脚光を浴びている有機発光表示装置は、自ら発光する有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）を用いることによって、応答速度が速く、発光効率、輝度、及び視野角などが大きいという長所がある。
【０００３】
このような有機発光表示装置は、有機発光ダイオードとこれを駆動するための駆動トランジスタが含まれたサブピクセルをマトリックス状に配列し、スキャン信号により選択されたサブピクセルの明るさをデータの階調によって制御する。
【０００４】
有機発光表示パネルにおける各サブピクセル内の有機発光ダイオード及び駆動トランジスタなどの回路素子は、各々固有の特性値を有している。
【０００５】
例えば、有機発光ダイオードはしきい電圧を特性値として有しており、駆動トランジスタはしきい電圧及び移動度などの特性値を有することができる。
【０００６】
このような各サブピクセル内の回路素子は、駆動時間によって劣化が進行して特性値が変わることがある。各サブピクセル内の回路素子毎に劣化度合いが異なるので、回路素子間の特性値の偏差が発生することがある。
【０００７】
サブピクセル内の回路素子間の特性値の偏差は、有機発光表示パネルの輝度不均一を引き起こして画像品質を低下させることがある。
【０００８】
したがって、有機発光表示パネルにおける駆動トランジスタのしきい電圧及び移動度をセンシングして補償してやるための補償技術と、有機発光ダイオードの劣化をセンシングして補償してやるための補償技術などが開発されている。
【０００９】
しかしながら、有機発光表示パネルでの駆動トランジスタのしきい電圧及び移動度をセンシングして補償し、有機発光ダイオードの劣化をセンシングして補償してやるためには、サブピクセルはそれに合う構造で設計されなければならない。
【００１０】
特に、有機発光ダイオードの劣化をセンシングするためには、駆動トランジスタのゲートノードとソースノード（または、ドレインノード）の各々の電圧状態を別途に制御するための２つのトランジスタに対する個別的なオン−オフ制御が必要である。
【００１１】
このような場合、各サブピクセルライン毎に２つ以上のゲートラインが必要となって、有機発光表示パネルの開口率が落ちる問題点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
発明の目的は、開口率を上げながらも映像駆動及び多様な種類のセンシング駆動が可能なサブピクセル構造及びゲートライン構造を有する有機発光表示装置、有機発光表示パネル、有機発光表示装置の映像駆動方法、並びに有機発光表示装置の有機発光ダイオード劣化センシング駆動方法を提供することにある。
【００１３】
本発明の他の目的は、各サブピクセルライン毎に１つのゲートラインだけでも、各サブピクセル内の２種類のスキャントランジスタのオン−オフを個別的に制御できるゲートライン連結構造、及びサブピクセル構造を有する有機発光表示装置、有機発光表示パネル、有機発光表示装置の映像駆動方法、並びに有機発光表示装置の有機発光ダイオード劣化センシング駆動方法を提供することにある。
【００１４】
本発明の更に他の目的は、各サブピクセルライン毎に１つのゲートラインだけでも、各サブピクセル内の有機発光ダイオードの劣化をセンシングするための駆動を可能にする有機発光表示装置、有機発光表示パネル、有機発光表示装置の映像駆動方法、並びに有機発光表示装置の有機発光ダイオード劣化センシング駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
、本発明は、複数のデータライン及び複数のゲートラインにより定義される複数のサブピクセルが配列された有機発光表示パネルと、複数のデータラインを駆動するデータドライバと、複数のゲートラインを駆動するゲートドライバと、データドライバ及びゲートドライバを制御するコントローラを含む有機発光表示装置を提供することができる。
【００１６】
このような有機発光表示装置において、各サブピクセルは、有機発光ダイオードと、有機発光ダイオードを駆動するための駆動トランジスタと、ゲートノードに印加されるスキャン信号により制御され、駆動トランジスタの第１ノードとデータラインとの間に電気的に連結されたスイチントランジスタと、ゲートノードに印加されるセンシング信号により制御され、駆動トランジスタの第２ノードと基準電圧ラインとの間に電気的に連結されたセンシングトランジスタと、駆動トランジスタの第１ノードと第２ノードとの間に電気的に連結されたストレージキャパシタを含むことができる。
【００１７】
このような有機発光表示装置において、複数のゲートラインの各々は１つのサブピクセルライン毎に配置され、複数のゲートラインのうちのｎ＋１番目サブピクセルラインに配置されたｎ＋１番目ゲートラインは、ｎ＋１番目サブピクセルラインに配列された各サブピクセル内のスイッチングトランジスタのゲートノードと、ｎ番目サブピクセルラインに配列された各サブピクセル内のセンシングトランジスタのゲートノードに共通に連結できる。
【００１８】
他の発明において、データ電圧を供給する複数のデータラインと、ゲート信号を供給する複数のゲートラインと、マトリックス状に配列された複数のサブピクセルを含む有機発光表示パネルを提供することができる。
【００１９】
このような有機発光表示パネルにおいて、各サブピクセルには、有機発光ダイオードと、有機発光ダイオードを駆動するための駆動トランジスタと、ゲートノードに印加されるスキャン信号により制御され、駆動トランジスタの第１ノードとデータラインとの間に電気的に連結されたスイッチングトランジスタと、ゲートノードに印加されるセンシング信号により制御され、駆動トランジスタの第２ノードと基準電圧ラインとの間に電気的に連結されたセンシングトランジスタと、駆動トランジスタの第１ノードと第２ノードとの間に電気的に連結されたストレージキャパシタとが配置できる。
【００２０】
また、有機発光表示パネルにおいて、複数のゲートラインの各々は１つのサブピクセルライン毎に配置できる。
【００２１】
また、有機発光表示パネルにおいて、複数のゲートラインのうちのｎ＋１番目サブピクセルラインに配置されたｎ＋１番目ゲートラインは、ｎ＋１番目サブピクセルラインに配列された各サブピクセル内のスイッチングトランジスタのゲートノードと、ｎ番目サブピクセルラインに配列された各サブピクセル内のセンシングトランジスタのゲートノードに共通に連結できる。
【００２２】
更に他の発明において、複数のデータライン及び複数のゲートラインにより定義される複数のサブピクセルが配列され、各サブピクセルには、有機発光ダイオードと、有機発光ダイオードを駆動するための駆動トランジスタと、ゲートノードに印加されるスキャン信号により制御され、駆動トランジスタの第１ノードとデータラインとの間に電気的に連結されたスイッチングトランジスタと、ゲートノードに印加されるセンシング信号により制御され、駆動トランジスタの第２ノードと基準電圧ラインとの間に電気的に連結されたセンシングトランジスタと、駆動トランジスタの第１ノードと第２ノードとの間に電気的に連結されたストレージキャパシタが配置された表示パネルと、複数のデータラインを駆動するデータドライバと、複数のゲートラインを駆動するゲートドライバを含む有機発光表示装置の映像駆動方法を提供することができる。
【００２３】
このような映像駆動方法は、ｎ番目サブピクセルラインに配置されたｎ番目ゲートラインで出力されたｎ番目スキャン信号のターン−オンレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインに配列された各サブピクセル内のスイッチングトランジスタをターン−オンさせるステップと、ｎ＋１番目サブピクセルラインに配置されたｎ＋１番目ゲートラインで出力されたｎ＋１番目スキャン信号のターン−オンレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインに配列された各サブピクセル内のセンシングトランジスタをターン−オンさせるステップと、ｎ番目ゲートラインで出力されたｎ番目スキャン信号のターン−オフレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインに配列された各サブピクセル内のスイッチングトランジスタをターン−オフさせるステップを含むことができる。
【００２４】
更に他の発明において、複数のデータライン及び複数のゲートラインにより定義される複数のサブピクセルが配列され、各サブピクセルには、有機発光ダイオードと、有機発光ダイオードを駆動するための駆動トランジスタと、ゲートノードに印加されるスキャン信号により制御され、駆動トランジスタの第１ノードとデータラインとの間に電気的に連結されたスイッチングトランジスタと、ゲートノードに印加されるセンシング信号により制御され、駆動トランジスタの第２ノードと基準電圧ラインとの間に電気的に連結されたセンシングトランジスタと、駆動トランジスタの第１ノードと第２ノードとの間に電気的に連結されたストレージキャパシタが配置された表示パネルと、複数のデータラインを駆動するデータドライバと、複数のゲートラインを駆動するゲートドライバを含む有機発光表示装置の有機発光ダイオード劣化センシング駆動方法を提供することができる。
【００２５】
このような劣化センシング駆動方法は、ｎ番目サブピクセルラインに配置されたｎ番目ゲートラインで出力されたｎ番目スキャン信号のターン−オンレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインに配列されたサブピクセル内のスイッチングトランジスタをターン−オンさせ、ｎ＋１番目サブピクセルラインに配置されたｎ＋１番目ゲートラインで出力されたｎ＋１番目スキャン信号のターン−オンレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインに配列されたサブピクセル内のセンシングトランジスタをターン−オンさせるステップと、ｎ＋１番目ゲートラインで出力されたｎ＋１番目スキャン信号のターン−オフレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインに配列されたサブピクセル内のセンシングトランジスタをターン−オフさせるステップと、ｎ番目ゲートラインで出力されたｎ番目スキャン信号のターン−オフレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインに配列されたサブピクセル内のスイッチングトランジスタをターン−オフさせ、ｎ＋１番目ゲートラインで出力されたｎ＋１番目スキャン信号のターン−オンレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインに配列されたサブピクセル内のセンシングトランジスタをターン−オンさせるステップを含むことができる。
【発明の効果】
【００２６】
以上、説明したような発明によれば、開口率を上げながらも映像駆動及び多様な種類のセンシング駆動可能なサブピクセル構造及びゲートライン構造を有する有機発光表示装置、有機発光表示パネル、有機発光表示装置の映像駆動方法、並びに有機発光表示装置の有機発光ダイオード劣化センシング駆動方法を提供することができる。
【００２７】
本発明によれば、各サブピクセルライン毎に１つのゲートラインだけでも、各サブピクセル内の２種類のスキャントランジスタのオン−オフを個別的に制御することができるゲートライン連結構造及びサブピクセル構造を有する有機発光表示装置、有機発光表示パネル、有機発光表示装置の映像駆動方法、並びに有機発光表示装置の有機発光ダイオード劣化センシング駆動方法を提供することができる。
【００２８】
発明態によれば、各サブピクセルライン毎に１つのゲートラインだけでも、各サブピクセル内の有機発光ダイオードの劣化をセンシングするための駆動を可能にする有機発光表示装置、有機発光表示パネル、有機発光表示装置の映像駆動方法、並びに有機発光表示装置の有機発光ダイオード劣化センシング駆動方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の実施形態に係る有機発光表示装置のシステム構成図である。
【図２】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルのサブピクセル構造の例示図である。
【図３】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルのサブピクセルの１スキャン構造と２スキャン構造を示す図である。
【図４】本発明の実施形態に係る有機発光表示装置の補償回路の例示図である。
【図５】本発明の実施形態に係る有機発光表示装置の駆動トランジスタに対するしきい電圧センシング駆動方式を説明するための図である。
【図６】本発明の実施形態に係る有機発光表示装置の駆動トランジスタに対する移動度センシング駆動方式を説明するための図である。
【図７】本発明の実施形態に係る有機発光表示装置の有機発光ダイオードに対する劣化センシング駆動方式を説明するための図である。
【図８】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの改善構造である。
【図９】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの改善構造である。
【図１０】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの改善構造における４種類の駆動モードに従うスキャン信号タイミング図である。
【図１１】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの改善構造下で、映像駆動モードに従うサブピクセルの駆動を説明するための図である。
【図１２】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの改善構造下で、映像駆動モードに従うサブピクセルの駆動を説明するための図である。
【図１３】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの改善構造下で、映像駆動モードに従うサブピクセルの駆動を説明するための図である。
【図１４】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの改善構造下で、映像駆動モードに従うサブピクセルの駆動を説明するための図である。
【図１５】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの改善構造下で、残像補償モードに従うサブピクセルの駆動を説明するための図である。
【図１６】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの改善構造下で、残像補償モードに従うサブピクセルの駆動を説明するための図である。
【図１７】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの改善構造下で、残像補償モードに従うサブピクセルの駆動を説明するための図である。
【図１８】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの改善構造下で、駆動トランジスタのしきい電圧補償モードに従うサブピクセルの駆動を説明するための図である。
【図１９】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの改善構造下で、駆動トランジスタの移動度補償モードに従うサブピクセルの駆動を説明するための図である。
【図２０】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの改善構造下で、駆動トランジスタの移動度補償モードに従うサブピクセルの駆動を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の一部の実施形態を例示的な図面を通じて詳細に説明する。各図面の構成要素に参照符号を付加するに当たって、同一な構成要素に対しては、たとえ他の図面上に表示されてもできる限り同一な符号を有することができる。また、本発明を説明するに当たって、関連した公知構成または機能に対する具体的な説明が本発明の要旨を曖昧にすることがあると判断される場合には、その詳細な説明は省略する。
【００３１】
また、本発明の構成要素を説明するに当たって、第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）などの用語を使用することができる。このような用語はその構成要素を他の構成要素と区別するためのものであり、その用語により当該構成要素の本質や順番、順序、または個数などが限定されるものではない。ある構成要素が他の構成要素に“連結”、“結合”、または“接続”されると記載された場合、その構成要素はその他の構成要素に直接的に連結、または接続できるが、各構成要素の間に他の構成要素が介されるか、または各構成要素が他の構成要素を通じて“連結”、“結合”、または“接続”されることもできると理解されるべきである。
【００３２】
図１は、本実施形態に係る有機発光表示装置１００のシステム構成図である。
【００３３】
図１を参照すると、本実施形態に係る有機発光表示装置１００は、複数のデータラインＤＬ及び複数のゲートラインＧＬが配置され、複数のサブピクセル（ＳＰ：Sub Pixel）が配置された有機発光表示パネル１１０と、複数のデータラインＤＬを駆動するデータドライバ１２０と、複数のゲートラインＧＬを駆動するゲートドライバ１３０と、データドライバ１２０及びゲートドライバ１３０を制御するコントローラ１４０などを含む。
【００３４】
コントローラ１４０は、データドライバ１２０及びゲートドライバ１３０に各種制御信号を供給して、データドライバ１２０及びゲートドライバ１３０を制御する。
【００３５】
このようなコントローラ１４０は、各フレームで具現するタイミングによってスキャンを始めて、外部から入力される入力映像データをデータドライバ１２０で使用するデータ信号形式に合うように転換して、転換された映像データを出力し、スキャンに合せて適宜な時間にデータ駆動を統制する。
【００３６】
このようなコントローラ１４０は、通常のディスプレイ技術で用いられるタイミングコントローラ（Timing Controller）、またはタイミングコントローラ（Timing Controller）を含んで他の制御機能もさらに遂行する制御装置でありうる。
【００３７】
データドライバ１２０は、複数のデータラインＤＬにデータ電圧を供給することによって、複数のデータラインＤＬを駆動する。ここで、データドライバ１２０は‘ソースドライバ’ともいう。
【００３８】
このようなデータドライバ１２０は、少なくとも１つのソースドライバ集積回路（ＳＤＩＣ：Source Driver Integrated Circuit）を含んで複数のデータラインを駆動することができる。
【００３９】
ゲートドライバ１３０は、複数のゲートラインＧＬにスキャン信号を順次供給することによって、複数のゲートラインＧＬを順次駆動する。ここで、ゲートドライバ１３０は‘スキャンドライバ’ともいう。
【００４０】
このようなゲートドライバ１３０は、少なくとも１つのゲートドライバ集積回路（ＧＤＩＣ：Gate Driver Integrated Circuit）を含むことができる。
【００４１】
ゲートドライバ１３０は、コントローラ１４０の制御によって、オン（On）電圧またはオフ（Off）電圧のスキャン信号を複数のゲートラインＧＬに順次供給する。
【００４２】
データドライバ１２０は、ゲートドライバ１３０により特定ゲートラインが開けば、コントローラ１４０から受信した映像データをアナログ形態のデータ電圧に変換して複数のデータラインＤＬに供給する。
【００４３】
データドライバ１２０は、図１では有機発光表示パネル１１０の一側（例：上側または下側）のみに位置しているが、駆動方式、パネル設計方式などに従って、有機発光表示パネル１１０の両側（例：上側と下側）に全て位置することもできる。
【００４４】
ゲートドライバ１３０は、図１では有機発光表示パネル１１０の一側（例：左側または右側）のみに位置しているが、駆動方式、パネル設計方式などに従って、有機発光表示パネル１１０の両側（例：左側と右側）に全て位置することもできる。
【００４５】
前述したコントローラ１４０は、入力映像データと共に、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）、水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、入力データイネーブル（ＤＥ：Data Enable）信号、クロック信号（ＣＬＫ）などを含む各種のタイミング信号を外部（例：ホストシステム）から受信する。
【００４６】
コントローラ１４０は、データドライバ１２０及びゲートドライバ１３０を制御するために、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）、水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、入力ＤＥ信号、クロック信号などのタイミング信号の入力を受けて、各種の制御信号を生成してデータドライバ１２０及びゲートドライバ１３０に出力する。
【００４７】
例えば、コントローラ１４０は、ゲートドライバ１３０を制御するために、ゲートスタートパルス（ＧＳＰ：Gate Start Pulse）、ゲートシフトクロック（ＧＳＣ：Gate Shift Clock）、ゲート出力イネーブル信号（ＧＯＥ：Gate Output Enable）などを含む各種のゲート制御信号（ＧＣＳ：Gate Control Signal）を出力する。
【００４８】
また、コントローラ１４０は、データドライバ１２０を制御するために、ソーススタートパルス（ＳＳＰ：Source Start Pulse）、ソースサンプリングクロック（ＳＳＣ：Source Sampling Clock）、ソース出力イネーブル信号（ＳＯＥ：Source Output Enable）などを含む各種のデータ制御信号（ＤＣＳ：Data Control Signal）を出力する。
【００４９】
データドライバ１２０に含まれた各ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣは、テープオートメーテッドボンディング（ＴＡＢ：Tape Automated Bonding）方式、またはチップオンガラス（ＣＯＧ：Chip On Glass）方式により有機発光表示パネル１１０のボンディングパッド（Bonding Pad）に連結されるか、または有機発光表示パネル１１０に直接配置されることもでき、場合によって、有機発光表示パネル１１０に集積化されて配置されることもできる。また、各ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣは、有機発光表示パネル１１０に連結されたフィルム上に実装されるチップオンフィルム（ＣＯＦ：Chip On Film）方式により具現されることもできる。
【００５０】
各ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣは、シフトレジスタ（Shift Register）、ラッチ回路（Latch Circuit）、デジタルアナログコンバータ（ＤＡＣ：Digital to Analog Converter）、出力バッファ（Output Buffer）などを含むことができる。
【００５１】
各ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣは、場合によって、アナログデジタルコンバータ（ＡＤＣ：Analog to Digital Converter）をさらに含むことができる。
【００５２】
ゲートドライバ１３０に含まれた各ゲートドライバ集積回路ＧＤＩＣは、テープオートメーテッドボンディング（ＴＡＢ）方式またはチップオンガラス（ＣＯＧ）方式により有機発光表示パネル１１０のボンディングパッド（Bonding Pad）に連結されるか、またはＧＩＰ（Gate In Panel）タイプで具現されて有機発光表示パネル１１０に直接配置されることもでき、場合によって、有機発光表示パネル１１０に集積化されて配置されることもできる。また、各ゲートドライバ集積回路ＧＤＩＣは有機発光表示パネル１１０と連結されたフィルム上に実装されるチップオンフィルム（ＣＯＦ）方式により具現されることもできる。
【００５３】
各ゲートドライバ集積回路ＧＤＩＣは、シフトレジスタ（Shift Register）、レベルシフター（Level Shifter）などを含むことができる。
【００５４】
本実施形態に係る有機発光表示装置１００は、少なくとも１つのソースドライバ集積回路ＳＤＩＣに対する回路的な連結のために必要な少なくとも１つのソース印刷回路基板（Ｓ−ＰＣＢ：Source Printed Circuit Board）、制御部品、及び各種の電気装置を実装するためのコントロール印刷回路基板（Ｃ−ＰＣＢ：Control Printed Circuit Board）を含むことができる。
【００５５】
少なくとも１つのソース印刷回路基板Ｓ−ＰＣＢには、少なくとも１つのソースドライバ集積回路ＳＤＩＣが実装されるか、または少なくとも１つのソースドライバ集積回路ＳＤＩＣが実装されたフィルムが連結できる。
【００５６】
コントロール印刷回路基板Ｃ−ＰＣＢには、データドライバ１２０及びゲートドライバ１３０などの動作を制御するコントローラ１４０と、有機発光表示パネル１１０、データドライバ１２０、及びゲートドライバ１３０などに各種の電圧または電流を供給するか、または供給する各種の電圧または電流を制御する電源コントローラなどが実装できる。
【００５７】
少なくとも１つのソース印刷回路基板Ｓ−ＰＣＢとコントロール印刷回路基板Ｃ−ＰＣＢは、少なくとも１つの連結部材を通じて回路的に連結できる。
【００５８】
ここで、連結部材は可撓性印刷回路（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuit）、可撓性フラットケーブル（ＦＦＣ：Flexible Flat Cable）などでありうる。
【００５９】
少なくとも１つのソース印刷回路基板Ｓ−ＰＣＢとコントロール印刷回路基板Ｃ−ＰＣＢは、１つの印刷回路基板に統合されて具現されることもできる。
【００６０】
有機発光表示パネル１１０に配置される各サブピクセルＳＰは、トランジスタなどの回路素子を含んで構成できる。
【００６１】
一例に、各サブピクセルＳＰは有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）と、これを駆動するための駆動トランジスタ（Driving Transistor）などの回路素子で構成されている。
【００６２】
各サブピクセルＳＰを構成する回路素子の種類及び個数は、提供機能及び設計方式などによって多様に定まることができる。
【００６３】
図２は、本実施形態に係る有機発光表示パネル１１０のサブピクセル構造の例示図である。
【００６４】
図２を参照すると、本実施形態に係る有機発光表示装置１００において、各サブピクセルは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）と、有機発光ダイオードＯＬＥＤを駆動する駆動トランジスタ（ＤＲＴ：Driving Transistor）と、駆動トランジスタＤＲＴのゲートノードに該当する第１ノードＮ１にデータ電圧を伝達するためのスイッチングトランジスタ（ＳＷＴ：Switching Transistor）と、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２と基準電圧（Ｖｒｅｆ：Reference Voltage）を供給する基準電圧ライン（ＲＶＬ：Reference Voltage Line）との間に電気的に連結されるセンシングトランジスタ（ＳＥＮＴ：Sensing Transistor）と、映像信号電圧に該当するデータ電圧またはこれに対応する電圧を１フレーム時間の間維持するストレージキャパシタ（Ｃｓｔｇ：Storage Capacitor）を含んで構成できる。
【００６５】
有機発光ダイオードＯＬＥＤは、第１電極（例：アノード電極）、有機層及び第２電極（例：カソード電極）などからなることができる。
【００６６】
駆動トランジスタＤＲＴは、有機発光ダイオードＯＬＥＤに駆動電流を供給することによって、有機発光ダイオードＯＬＥＤを駆動する。
【００６７】
このような駆動トランジスタＤＲＴにおいて、第１ノードＮ１は、スイッチングトランジスタＳＷＴのソースノードまたはドレインノードと電気的に連結されることができ、ゲートノードでありうる。第２ノードＮ２は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの第１電極と電気的に連結されることができ、ソースノードまたはドレインノードでありうる。第３ノードＮ３は、駆動電圧（ＥＶＤＤ）を供給する駆動電圧ライン（ＤＶＬ：Driving Voltage Line）と電気的に連結されることができ、ドレインノードまたはソースノードでありうる。
【００６８】
スイッチングトランジスタＳＷＴは、データラインＤＬと駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１との間に電気的に連結され、スキャン信号（ＳＣＡＮ）をゲートノードに印加を受けて制御できる。
【００６９】
このようなスイッチングトランジスタＳＷＴは、スキャン信号（ＳＣＡＮ）によりターン−オンされてデータラインＤＬから供給されたデータ電圧（Ｖｄａｔａ）を駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１に伝達することができる。
【００７０】
センシングトランジスタＳＥＮＴは、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２と基準電圧ラインＲＶＬとの間に電気的に連結され、ゲートノードにスキャン信号の一種であるセンシング信号（ＳＥＮＳＥ）の印加を受けて制御できる。
【００７１】
このようなセンシングトランジスタＳＥＮＴはセンシング信号（ＳＥＮＳＥ）によりターン−オンされ、基準電圧ラインＲＶＬを通じて供給される基準電圧（Ｖｒｅｆ）を駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２に印加するか、または駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧を基準電圧ラインＲＶＬに伝達することができる。
【００７２】
ストレージキャパシタＣｓｔｇは、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２と第１ノードＮ１との間に電気的に連結できる。
【００７３】
このようなストレージキャパシタＣｓｔｇは、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２と第１ノードＮ１との間に存在する内部キャパシタ（Internal Capacitor）である寄生キャパシタ（例：Ｃｇｓ、Ｃｇｄ）でなく、駆動トランジスタＤＲＴの外部に意図的に設計した外部キャパシタ（External Capacitor）である。
【００７４】
駆動トランジスタＤＲＴ、スイッチングトランジスタＳＷＴ、及びセンシングトランジスタＳＥＮＴは、ｎタイプで具現されることも、ｐタイプでも具現されることもできる。
【００７５】
図３は、本実施形態に係る有機発光表示パネル１１０のサブピクセルの１スキャン構造と２スキャン構造を示す図である。
【００７６】
図３を参照すると、スイッチングトランジスタＳＷＴのゲートノード及びセンシングトランジスタＳＥＮＴのゲートノードは互いに異なるゲートラインＧＬ１、ＧＬ２に連結できる。このようなゲートライン構造を“２スキャン構造”という。
【００７７】
２スキャン構造で、スイッチングトランジスタＳＷＴのゲートノードに印加されるスキャン信号（ＳＣＡＮ）と、センシングトランジスタＳＥＮＴのゲートノードに印加されるセンシング信号（ＳＥＮＳＥ）は別個のゲート信号でありうる。
【００７８】
したがって、スイッチングトランジスタＳＷＴとセンシングトランジスタＳＥＮＴに対する個別的なオン−オフ制御が可能である。
【００７９】
図３を参照すると、スイッチングトランジスタＳＷＴのゲートノード及びセンシングトランジスタＳＥＮＴのゲートノードは、同一なゲートラインＧＬに連結できる。このようなゲートライン構造を“１スキャン構造”という。
【００８０】
１スキャン構造で、スイッチングトランジスタＳＷＴのゲートノードに印加されるスキャン信号（ＳＣＡＮ）と、センシングトランジスタＳＥＮＴのゲートノードに印加されるセンシング信号（ＳＥＮＳＥ）は同一なゲート信号でありうる。
【００８１】
したがって、スイッチングトランジスタＳＷＴとセンシングトランジスタＳＥＮＴに対する個別的なオン−オフ制御が不可能である。
【００８２】
前述した２スキャン構造はスイッチングトランジスタＳＷＴとセンシングトランジスタＳＥＮＴに対する個別的なオン−オフ制御が可能であるが、開口率が落ちる短所がある。
【００８３】
代わりに、１スキャン構造はスイッチングトランジスタＳＷＴとセンシングトランジスタＳＥＮＴに対する個別的なオン−オフ制御が不可能であるが、開口率が高まる長所がある。
【００８４】
一方、本実施形態に係る有機発光表示装置１００の場合、各サブピクセルＳＰの駆動時間が長くなるにつれて、有機発光ダイオードＯＬＥＤ、駆動トランジスタＤＲＴなどの回路素子に対する劣化（Degradation）が進行することがある。
【００８５】
これによって、有機発光ダイオードＯＬＥＤ、駆動トランジスタＤＲＴなどの回路素子が有する固有の特性値（例：しきい電圧、移動度など）が変わることがある。
【００８６】
このような回路素子の特性値の変化は該当サブピクセルの輝度変化を引き起こす。
【００８７】
また、このような回路素子間の特性値の変化の程度は、各回路素子の劣化度合いの差によって互いに異なることがある。
【００８８】
このような回路素子間の特性値の変化の程度の差による回路素子間の特性値の偏差はサブピクセル間の輝度偏差を引き起こして、サブピクセルの輝度表現力に対する正確度を落とすか、または輝度不均一などの画面異常現象を起こすなどの問題を発生させることがある。
【００８９】
ここで、回路素子の特性値（以下、“サブピクセル特性値”ともいう）は、一例に、駆動トランジスタＤＲＴのしきい電圧及び移動度などを含むことができ、場合によって、有機発光ダイオードＯＬＥＤのしきい電圧を含むこともできる。
【００９０】
本実施形態に係る有機発光表示装置１００は、回路素子の特性値またはその変化をセンシング（測定）するセンシング機能と、センシング結果を用いてサブピクセル回路素子間の特性値の偏差を補償してやる補償機能を提供することができる。
【００９１】
図４は、本実施形態に係る有機発光表示装置１００の補償回路の例示図である。
【００９２】
図４を参照すると、本実施形態に係る有機発光表示装置１００は、回路素子の特性値（駆動トランジスタの特性値、有機発光ダイオードの特性値）、またはその変化をセンシングしてセンシングデータを出力するセンシング部４１０と、センシングデータを格納するメモリ４２０と、センシングデータを用いて回路素子間の特性値の偏差を補償してやる補償プロセスを遂行する補償部４３０などを含むことができる。
【００９３】
センシング部４１０は、少なくとも１つのアナログデジタルコンバータ（ＡＤＣ：Analog to Digital Converter）を含んで具現できる。
【００９４】
各アナログデジタルコンバータ（ＡＤＣ：Analog to Digital Converter）は、ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣの内部に含まれることができ、場合によっては、ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣの外部に含まれることもできる。
【００９５】
補償部４３０はコントローラ１４０の内部に含まれることができ、場合によっては、コントローラ１４０の外部に含まれることもできる。
【００９６】
本実施形態に係る有機発光表示装置１００は、センシング駆動を制御するために、即ち、サブピクセルＳＰ内の駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧印加状態をサブピクセル特性値のセンシングに必要な状態に制御するために、初期化スイッチＳＰＲＥとサンプリングスイッチＳＡＭをさらに含むことができる。
【００９７】
初期化スイッチＳＰＲＥを通じて、基準電圧ラインＲＶＬへの基準電圧（Ｖｒｅｆ）の供給如何が制御できる。
【００９８】
初期化スイッチＳＰＲＥがターン−オンされれば、基準電圧（Ｖｒｅｆ）が基準電圧ラインＲＶＬに供給され、ターン−オンされているセンシングトランジスタＳＥＮＴを通じて駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２に印加できる。
【００９９】
一方、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧が回路素子の特性値またはその変化を反映する電圧状態になれば、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２と等電位でありうる基準電圧ラインＲＶＬの電圧も回路素子の特性値またはその変化を反映する電圧状態になることができる。この際、基準電圧ラインＲＶＬ上に形成されたラインキャパシタに回路素子の特性値またはその変化を反映する電圧が充電できる。
【０１００】
駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧が回路素子の特性値またはその変化を反映する電圧状態になれば、サンプリングスイッチＳＡＭがターン−オンされて、センシング部４１０と基準電圧ラインＲＶＬとが連結できる。
【０１０１】
これによって、センシング部４１０は回路素子の特性値またはその変化を反映する電圧状態である基準電圧ラインＲＶＬの電圧（即ち、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧）をセンシングする。
【０１０２】
センシング部４１０は、センシングされた電圧をデジタル値に該当するセンシング値に変換し、センシング値を含むセンシングデータを転送する。
【０１０３】
センシング部４１０により転送されたセンシングデータはメモリ４２０に格納される。
【０１０４】
補償部４３０は、メモリ４２０に格納されたセンシングデータを用いて各回路素子間の偏差を補償するための補償プロセスを遂行することができる。
【０１０５】
以下では、駆動トランジスタＤＲＴに対するしきい電圧センシング駆動及び移動度センシング駆動について簡略に説明する。
【０１０６】
図５は、本実施形態に係る有機発光表示装置１００の駆動トランジスタＤＲＴに対するしきい電圧センシング駆動方式を説明するための図である。
【０１０７】
駆動トランジスタＤＲＴに対するしきい電圧センシング駆動時、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２の各々は、しきい電圧センシング駆動用データ電圧（Ｖｄａｔａ）と基準電圧（Ｖｒｅｆ）に初期化される。
【０１０８】
以後、初期化スイッチＳＰＲＥがオフされて駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２がフローティング（Floating）される。
【０１０９】
これによって、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧が上昇する。
【０１１０】
駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧は上昇がなされてから上昇幅が徐々に減って飽和するようになる。
【０１１１】
駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の飽和された電圧は、データ電圧（Ｖｄａｔａ）としきい電圧（Ｖｔｈ）の差、またはデータ電圧（Ｖｄａｔａ）としきい電圧偏差（ΔＶｔｈ）の差に該当できる。
【０１１２】
センシング部４１０は駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧が飽和されれば、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の飽和された電圧をセンシングする。
【０１１３】
センシング部４１０によりセンシングされた電圧（Ｖｓｅｎ）は、データ電圧（Ｖｄａｔａ）からしきい電圧（Ｖｔｈ）を引いた電圧（Ｖｄａｔａ−Ｖｔｈ）、またはデータ電圧（Ｖｄａｔａ）からしきい電圧偏差（ΔＶｔｈ）を引いた電圧（Ｖｄａｔａ−ΔＶｔｈ）でありうる。
【０１１４】
図６は、本実施形態に係る有機発光表示装置１００の駆動トランジスタＤＲＴに対する移動度センシング駆動方式を説明するための図である。
【０１１５】
移動度センシング駆動時、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２の各々は移動度センシング駆動用データ電圧（Ｖｄａｔａ）と基準電圧（Ｖｒｅｆ）に初期化される。
【０１１６】
以後、スイッチングトランジスタＳＷＴがターン−オフされ、初期化スイッチＳＰＲＥがオフされて、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２がフローティングされる。
【０１１７】
これによって、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧が上昇し始める。
【０１１８】
駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧上昇速度（時間に対する電圧上昇値の変化量（ΔＶ））は、駆動トランジスタＤＲＴの電流能力、即ち移動度によって変わる。
【０１１９】
即ち、電流能力（移動度）が大きい駆動トランジスタＤＲＴであるほど、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧がさらに急激に上昇する。
【０１２０】
駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧が予め定まった一定時間の間上昇がなされた以後、センシング部４１０は駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の上昇された電圧（即ち、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧上昇によって共に電圧上昇がなされた基準電圧ラインＲＶＬの電圧）をセンシングする。
【０１２１】
前述したしきい電圧または移動度センシング駆動によってセンシング部４１０はしきい電圧センシングまたは移動度センシングのためにセンシングされた電圧（Ｖｓｅｎ）をデジタル値に変換し、変換されたデジタル値（センシング値）を含むセンシングデータを生成して出力する。
【０１２２】
センシング部４１０で出力されたセンシングデータは、メモリ４２０に格納されるか、または補償部４３０に提供できる。
【０１２３】
補償部４３０はメモリ４２０に格納されるか、またはセンシング部４１０で提供されたセンシングデータに基づいて該当サブピクセル内の駆動トランジスタＤＲＴの特性値（例：しきい電圧、移動度）、または駆動トランジスタＤＲＴの特性値の変化（例：しきい電圧変化、移動度の変化）を把握し、特性値補償プロセスを遂行することができる。
【０１２４】
ここで、駆動トランジスタＤＲＴの特性値の変化は以前センシングデータを基準に現在センシングデータが変化されたことを意味するか、または基準センシングデータを基準に現在センシングデータが変化されたことを意味することもできる。
【０１２５】
ここで、駆動トランジスタＤＲＴ間の特性値または特性値の変化を比較して見ると、駆動トランジスタＤＲＴ間の特性値の偏差を把握することができる。駆動トランジスタＤＲＴの特性値の変化が基準センシングデータを基準に現在センシングデータが変化されたことを意味する場合、駆動トランジスタＤＲＴの特性値の変化から駆動トランジスタＤＲＴ間の特性値の偏差（即ち、サブピクセル輝度偏差）を把握することもできる。
【０１２６】
特性値補償プロセスは、駆動トランジスタＤＲＴのしきい電圧を補償するしきい電圧補償処理と、駆動トランジスタＤＲＴの移動度を補償する移動度補償処理を含むこともできる。
【０１２７】
しきい電圧補償処理は、しきい電圧またはしきい電圧偏差（しきい電圧の変化）を補償するための補償値を演算し、演算された補償値をメモリ４２０に格納するか、または演算された補償値に該当映像データ（Data）を変更する処理を含むことができる。
【０１２８】
移動度補償処理は移動度または移動度の偏差（移動度の変化）を補償するための補償値を演算し、演算された補償値をメモリ４２０に格納するか、または演算された補償値に該当映像データ（Data）を変更する処理を含むことができる。
【０１２９】
補償部４３０はしきい電圧補償処理または移動度補償処理により映像データ（Data）を変更して、変更されたデータをデータドライバ１２０内の該当ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣに供給することができる。
【０１３０】
これによって、該当ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣは、補償部４３０で変更されたデータをデジタルアナログコンバータ（ＤＡＣ：Digital to Analog Converter）を通じてデータ電圧に変換して該当サブピクセルに供給することによって、サブピクセル特性値補償（しきい電圧補償、移動度補償）が実際になされるようになる。
【０１３１】
このようなサブピクセル特性値補償がなされるにつれて、サブピクセル間の輝度偏差を減らすか、または防止することによって、画像品質を向上させることができる。
【０１３２】
図７は、本実施形態に係る有機発光表示装置１００の有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化センシング駆動方式を説明するための図である。
【０１３３】
図７を参照すると、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化をセンシングする駆動は、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２を初期化する初期化ステップ（Ｓ７１０）、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化をトラッキングするＯＬＥＤ劣化トラッキングステップ（Ｓ７２０）、及び有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化度合いを示す電圧をセンシングするＯＬＥＤ劣化センシングステップ（Ｓ７３０）に進行できる。
【０１３４】
初期化ステップ（Ｓ７１０）で、スイッチングトランジスタＳＷＴ及びセンシングトランジスタＳＥＮＴを全てターン−オンさせて、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２を有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化センシング用データ電圧（Ｖｄａｔａ）と基準電圧（Ｖｒｅｆ）に初期化させる。
【０１３５】
ＯＬＥＤ劣化トラッキングステップ（Ｓ７２０）では、センシングトランジスタＳＥＮＴのみをターン−オフさせて、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２をフローティングさせて、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧を変化させる。
【０１３６】
ＯＬＥＤ劣化トラッキングステップ（Ｓ７２０）で、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧が上昇してから、有機発光ダイオードＯＬＥＤが発光する。
【０１３７】
有機発光ダイオードＯＬＥＤが発光する時の駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化度合いによって変わる。
【０１３８】
したがって、ＯＬＥＤ劣化センシングステップ（Ｓ７３０）では、スイッチングトランジスタＳＷＴはターン−オフさせ、センシングトランジスタＳＥＮＴはターン−オンさせて、アナログデジタルコンバータＡＤＣでありうるセンシング部４１０を通じて、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧を検出して、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化度合いをセンシングすることができる。
【０１３９】
前述したように、本実施形態に係る有機発光表示装置１００は、一般的な映像を表示するための映像駆動モードと、駆動トランジスタＤＲＴのしきい電圧をセンシングして補償してやる駆動トランジスタしきい電圧補償モードと、駆動トランジスタＤＲＴの移動度をセンシングして補償してやる駆動トランジスタ移動度補償モードと、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化（しきい電圧）をセンシングして補償してやる残像補償モードなどを提供することができる。
【０１４０】
映像駆動モード、駆動トランジスタしきい電圧補償モード、及び駆動トランジスタ移動度補償モードは、サブピクセルが１スキャン構造の場合と２スキャン構造の場合に全て可能である。
【０１４１】
しかしながら、残像補償モードは、スイッチングトランジスタＳＷＴ及びセンシングトランジスタＳＥＮＴの各々のオン−オフが別途に制御されなければならないので、１スキャン構造でも適用し難く、２スキャン構造のみで適用することができる。
【０１４２】
しかしながら、２スキャン構造でサブピクセルを設計する場合、開口率の減少が不回避である。
【０１４３】
ここに、以下の本実施形態は、残像補償モードに適用できる１スキャン構造を開示する。
【０１４４】
図８及び図９は、本実施形態に係る有機発光表示パネル１１０の改善構造である。
【０１４５】
前述したように、各サブピクセルは、有機発光ダイオードＯＬＥＤと、有機発光ダイオードＯＬＥＤを駆動するための駆動トランジスタＤＲＴと、ゲートノードに印加されるスキャン信号（ＳＣＡＮ）により制御され、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１とデータラインＤＬとの間に電気的に連結されたスイッチングトランジスタＳＷＴと、ゲートノードに印加されるセンシング信号（ＳＥＮＳＥ）により制御され、駆動トランジスタＤＲＴと第２ノードＮ２と基準電圧ラインＲＶＬとの間に電気的に連結されたセンシングトランジスタＳＥＮＴと、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２との間に電気的に連結されたストレージキャパシタＣｓｔｇとを含む。
【０１４６】
図８及び図９を参照すると、有機発光表示パネル１１０には複数のサブピクセルライン（・・・，ＳＰＬｎ−１、ＳＰＬｎ，ＳＰＬｎ＋１，・・・）が配列され、複数のゲートライン（・・・，ＧＬｎ−１，ＧＬｎ，ＧＬｎ＋１，・・・）が配置される。
【０１４７】
図８及び図９を参照すると、複数のゲートライン（・・・，ＧＬｎ−１，ＧＬｎ，ＧＬｎ＋１，・・・）の各々は１つのサブピクセルライン毎に配置される。
【０１４８】
図８及び図９を参照すると、複数のゲートライン（・・・，ＧＬｎ−１，ＧＬｎ，ＧＬｎ＋１，・・・）のうちのｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配置されたｎ番目ゲートラインＧＬｎは、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列された各サブピクセルＳＰｎ内のスイッチングトランジスタＳＷＴのゲートノードと、ｎ−１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ−１に配列された各サブピクセルＳＰｎ−１内のセンシングトランジスタＳＥＮＴのゲートノードに共通に連結できる。
【０１４９】
複数のゲートライン（・・・，ＧＬｎ−１，ＧＬｎ，ＧＬｎ＋１，・・・）のうちのｎ＋１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ＋１に配置されたｎ＋１番目ゲートラインＧＬｎ＋１は、ｎ＋１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ＋１に配列された各サブピクセルＳＰｎ＋１内のスイッチングトランジスタＳＷＴのゲートノードと、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列された各サブピクセルＳＰｎ内のセンシングトランジスタＳＥＮＴのゲートノードに共通に連結できる。
【０１５０】
前述したゲートライン連結構造を活用すれば、スイッチングトランジスタＳＷＴ及びセンシングトランジスタＳＥＮＴの個別的なオン−オフ制御可能な１スキャン構造を作ることができる。
【０１５１】
このような１スキャン構造を通じて開口率を高めながらも、スイッチングトランジスタＳＷＴ及びセンシングトランジスタＳＥＮＴの個別的なオン−オフ制御が必要な各種駆動モード（例：残像補償モード）を可能にすることができる。
【０１５２】
前述したゲートライン構造によれば、各サブピクセル内のスイッチングトランジスタＳＷＴ及びセンシングトランジスタＳＥＮＴの各々のゲートノードは、次のような方式により印加できる。
【０１５３】
図８及び図９を参照すると、ｎ−１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ−１に配列された各サブピクセルＳＰｎ−１内のスイッチングトランジスタＳＷＴのゲートノードは、ｎ−１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ−１に配置されたｎ−１番目ゲートラインＧＬｎ−１を通じて出力されるｎ−１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ−１）の印加を受ける。
【０１５４】
ｎ−１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ−１に配列された各サブピクセルＳＰｎ−１内のセンシングトランジスタＳＥＮＴのゲートノードは、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配置されたｎ番目ゲートラインＧＬｎを通じて出力されるｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）をｎ−１番目センシング信号（ＳＥＮＳＥｎ−１）として印加を受ける。
【０１５５】
図８及び図９を参照すると、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列された各サブピクセルＳＰｎ内のスイッチングトランジスタＳＷＴのゲートノードは、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配置されたｎ番目ゲートラインＧＬｎを通じて出力されるｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）の印加を受ける。
【０１５６】
ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列された各サブピクセルＳＰｎ内のセンシングトランジスタＳＥＮＴのゲートノードは、ｎ＋１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ＋１に配置されたｎ＋１番目ゲートラインＧＬｎ＋１を通じて出力されるｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）をｎ番目センシング信号（ＳＥＮＳＥｎ）として印加を受ける。
【０１５７】
前述した方式に従って、各サブピクセル内のスイッチングトランジスタＳＷＴ及びセンシングトランジスタＳＥＮＴの各々にゲート信号（ＳＣＡＮ、ＳＥＮＳＥ）を個別的に伝達することによって、各サブピクセルライン毎に配置された１つのゲートラインだけでも、即ち１スキャン構造だけでも、スイッチングトランジスタＳＷＴ及びセンシングトランジスタＳＥＮＴのオン−オフを個別的に制御することができる。
【０１５８】
これによって、１スキャン構造を通じて開口率を高めながらも、スイッチングトランジスタＳＷＴ及びセンシングトランジスタＳＥＮＴの個別的なオン−オフ制御が必要な駆動モード（例：残像補償モード）を可能にすることができる。
【０１５９】
以下、前述したゲートライン構造に従う４種類の駆動モード（映像駆動モード、残像補償モード、駆動トランジスタしきい電圧補償モード、駆動トランジスタ移動度補償モード）について説明する。
【０１６０】
図１０は本実施形態に係る有機発光表示パネル１１０の改善構造における４種類の駆動モード（映像駆動モード、残像補償モード、駆動トランジスタしきい電圧補償モード、駆動トランジスタ移動度補償モード）に従うスキャン信号タイミング図である。但し、９のスキャン信号タイミング図は、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎを基準としたものである。
【０１６１】
図１０を参照すると、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに対する映像駆動モードで、ｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）のターン−オンレベル電圧区間と、ｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）のターン−オンレベル電圧区間とは一部重畳できる。
【０１６２】
図１０を参照すると、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに対する残像補償モードで、ｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）がターン−オンレベル電圧で出力される間、ｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）がターン−オンレベル電圧で出力されてからターン−オフレベル電圧に変わって出力され、ｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）がターン−オンレベル電圧からターン−オフレベル電圧に変わって出力されれば、ｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）がターン−オンレベル電圧で出力できる。
【０１６３】
図１０を参照すると、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎでの駆動トランジスタＤＲＴのしきい電圧補償モードで、ｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）のターン−オンレベル電圧区間と、ｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）のターン−オンレベル電圧区間とは重畳できる。
【０１６４】
図１０を参照すると、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎでの駆動トランジスタＤＲＴの移動度補償モードで、ｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）がターン−オンレベル電圧で出力される間、ｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）がターン−オンレベル電圧で出力されてからターン−オフレベル電圧で出力できる。
【０１６５】
スイッチングトランジスタＳＷＴ及びセンシングトランジスタＳＥＮＴがｎタイプのトランジスタの場合、ターン−オンレベル電圧はハイレベルゲート電圧（ＶＧＨ）で、ターン−オフレベル電圧はローレベルゲート電圧（ＶＧＬ）でありうる。
【０１６６】
スイッチングトランジスタＳＷＴ及びセンシングトランジスタＳＥＮＴがｐタイプのトランジスタの場合、ターン−オンレベル電圧はローレベルゲート電圧（ＶＧＬ）で、ターン−オフレベル電圧はハイレベルゲート電圧（ＶＧＨ）でありうる。
【０１６７】
図１１から図１４は、本実施形態に係る有機発光表示パネル１１０の改善構造下で、映像駆動モードに従うサブピクセルの駆動を説明するための図である。
【０１６８】
図１１を参照すると、映像駆動のための各スキャン信号は２Ｈ長さのターン−オンレベル電圧区間を有する。
【０１６９】
図１１を参照すると、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに対する映像駆動モード区間は、タイミングマージン確保区間（Ａ）と充電区間（Ｂ）からなる。
【０１７０】
図１１及び図１２を参照すると、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに対する映像駆動モードで、タイミングマージン確保区間（Ａ）の間、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬに配置されたｎ番目ゲートラインＧＬｎで出力されたｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）のターン−オンレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列された各サブピクセルＳＰｎ内のスイッチングトランジスタＳＷＴとセンシングトランジスタＳＥＮＴのうち、スイッチングトランジスタＳＷＴのみターン−オンされる。
【０１７１】
これによって、映像駆動用データ電圧が駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１に印加される。
【０１７２】
ここで、タイミングマージン確保区間（Ａ）は、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列された各サブピクセルＳＰｎ内のセンシングトランジスタＳＥＮＴのゲートノードに印加されるｎ番目センシング信号（ＳＥＮＳＥｎ）がｎ＋１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ＋１に配置されたｎ＋１番目ゲートラインＧＬｎ＋１で出力されたｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）であるため、必要なタイミング区間である。
【０１７３】
図１１及び図１３を参照すると、充電区間（Ｂ）の間、ｎ番目センシング信号（ＳＥＮＳＥｎ）の役割をするｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）のターン−オンレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列された各サブピクセルＳＰｎ内のセンシングトランジスタＳＥＮＴもさらにターン−オンされる。
【０１７４】
これによって、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２には映像駆動用データ電圧と基準電圧が印加されて、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２の電位差に該当する電圧がストレージキャパシタＣｓｔｇに充電される。
【０１７５】
以後、ｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）のターン−オフレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列された各サブピクセルＳＰｎ内のスイッチングトランジスタＳＷＴがターン−オフされ、ｎ番目センシング信号（ＳＥＮＳＥｎ）の役割をするｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）のターン−オフレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列された各サブピクセルＳＰｎ内のセンシングトランジスタＳＥＮＴがターン−オフされることによって、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２が全てフローティングされれば、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧が上昇しながら有機発光ダイオードＯＬＥＤに電流が供給されて、有機発光ダイオードＯＬＥＤが発光する。
【０１７６】
一方、図１１及び図１４を参照すると、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに対する映像駆動モードで、充電区間（Ｂ）の以後、Ａ’区間では、ｎ番目ゲートラインＧＬｎで出力されたｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）のターン−オフレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列された各サブピクセルＳＰｎ内のスイッチングトランジスタＳＷＴをターン−オフさせる。Ａ’区間でｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列された各サブピクセルＳＰｎ内のセンシングトランジスタＳＥＮＴはターン−オン状態に維持される。このようなＡ’区間はｎ＋１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ＋１に対する映像駆動モードのためのタイミングマージン確保区間に該当することができる。
【０１７７】
前述したように、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに対する映像駆動モードで、ｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）のターン−オンレベル電圧区間と、ｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）のターン−オンレベル電圧区間とは一部重畳できる。
【０１７８】
即ち、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに対する映像駆動モードで、ｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）のターン−オンレベル電圧区間の後半部区間が、ｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）のターン−オンレベル電圧区間の前半部区間と重畳できる。
【０１７９】
これを通じて、ｎ＋１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ＋１に配置されたｎ＋１番目ゲートラインＧＬｎ＋１で出力されたｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）をｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列された各サブピクセルＳＰｎ内のセンシングトランジスタＳＥＮＴのゲートノードに印加されるｎ番目センシング信号（ＳＥＮＳＥｎ）に活用しても、正常な映像駆動を可能にすることができる。
【０１８０】
図１５から図１７は、本実施形態に係る有機発光表示パネル１１０の改善構造下で、残像補償モード（ＯＬＥＤ劣化センシングを通じてのＯＬＥＤ劣化補償モード）に従うサブピクセルの駆動を説明するための図である。
【０１８１】
図１５から図１７を参照すると、残像補償モードは、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２を初期化する初期化ステップ（Ｄ）、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化をトラッキングするＯＬＥＤ劣化トラッキングステップ（Ｅ）と、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化度合いを示した電圧をセンシングするＯＬＥＤ劣化センシングステップ（Ｆ）に進行できる。
【０１８２】
図１５を参照すると、初期化ステップ（Ｄ）で、スイッチングトランジスタＳＷＴ及びセンシングトランジスタＳＥＮＴを全てターン−オンさせて、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２を有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化センシング用データ電圧（Ｖｄａｔａ）と基準電圧（Ｖｒｅｆ）に初期化させる。
【０１８３】
この際、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配置されたｎ番目ゲートラインＧＬｎで出力されたｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）のターン−オンレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列されたサブピクセルＳＰｎ内のスイッチングトランジスタＳＷＴをターン−オンさせる。
【０１８４】
そして、ｎ＋１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ＋１に配置されたｎ＋１番目ゲートラインＧＬｎ＋１で出力されたｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）のターン−オンレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列されたサブピクセルＳＰｎ内のセンシングトランジスタＳＥＮＴをターン−オンさせる。
【０１８５】
ＯＬＥＤ劣化トラッキングステップ（Ｅ）では、センシングトランジスタＳＥＮＴのみをターン−オフさせて、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２をフローティングさせて、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧を変化させる。
【０１８６】
この際、ｎ＋１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ＋１に配置されたｎ＋１番目ゲートラインＧＬｎ＋１で出力されたｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）のターン−オフレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列されたサブピクセルＳＰｎ内のセンシングトランジスタＳＥＮＴをターン−オフさせる。
【０１８７】
ＯＬＥＤ劣化トラッキングステップ（Ｅ）で、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧が上昇してから、有機発光ダイオードＯＬＥＤが発光する。
【０１８８】
有機発光ダイオードＯＬＥＤが発光する時の駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧は有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化度合いによって変わる。
【０１８９】
したがって、ＯＬＥＤ劣化センシングステップ（Ｆ）では、スイッチングトランジスタＳＷＴはターン−オフさせ、センシングトランジスタＳＥＮＴはターン−オンさせて、アナログデジタルコンバータＡＤＣでありうるセンシング部４１０を通じて、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧を検出して、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化度合いをセンシングすることができる。
【０１９０】
この際、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配置されたｎ番目ゲートラインＧＬｎで出力されたｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）のターン−オフレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列されたサブピクセルＳＰｎ内のスイッチングトランジスタＳＷＴをターン−オフさせる。
【０１９１】
そして、ｎ＋１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ＋１に配置されたｎ＋１番目ゲートラインＧＬｎ＋１で出力されたｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）のターン−オンレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列されたサブピクセルＳＰｎ内のセンシングトランジスタＳＥＮＴをターン−オンさせる。
【０１９２】
図１５から図１７を参照すると、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに対する残像補償モードで、ｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）がターン−オンレベル電圧で出力される間（Ｄ、Ｅ）、ｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）がＤステップでターン−オンレベル電圧で出力されてからＥステップでターン−オフレベル電圧に変わって出力される。
【０１９３】
そして、図１５から図１７を参照すると、Ｆステップで、ｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）がターン−オフレベル電圧に変わって出力されれば、ｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）がターン−オンレベル電圧で出力される。
【０１９４】
前述したように、スイッチングトランジスタＳＷＴ及びセンシングトランジスタＳＥＮＴの個別的なオン−オフ制御可能な１スキャン構造を通じて、残像補償のための有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化センシング駆動を可能にすることができる。
【０１９５】
図１８は、本実施形態に係る有機発光表示パネル１１０の改善構造下で、駆動トランジスタＤＲＴのしきい電圧補償モードに従うサブピクセルの駆動を説明するための図である。
【０１９６】
図１８を参照すると、駆動トランジスタＤＲＴのしきい電圧センシングを通じてしきい電圧を補償するための駆動トランジスタしきい電圧補償モードのためのＧ区間の間、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配置されたｎ番目ゲートラインＧＬｎで出力されたｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）のターン−オンレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列されたサブピクセルＳＰｎ内のスイッチングトランジスタＳＷＴをターン−オンさせる。
【０１９７】
そして、Ｇ区間の間、ｎ＋１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ＋１に配置されたｎ＋１番目ゲートラインＧＬｎ＋１で出力されたｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）のターン−オンレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列されたサブピクセルＳＰｎ内のセンシングトランジスタＳＥＮＴをターン−オンさせる。
【０１９８】
これによって、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１及び第２ノードＮ２がしきい電圧センシング用データ電圧と基準電圧に初期化される。
【０１９９】
Ｇ区間の以後、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配置されたｎ番目ゲートラインＧＬｎで出力されたｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）のターン−オフレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列されたサブピクセルＳＰｎ内のスイッチングトランジスタＳＷＴをターン−オフさせる。
【０２００】
そして、ｎ＋１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ＋１に配置されたｎ＋１番  目ゲートラインＧＬｎ＋１で出力されたｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）のターン−オフレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列されたサブピクセルＳＰｎ内のセンシングトランジスタＳＥＮＴをターン−オフさせる。
【０２０１】
このようなＧ区間は、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１及び第２ノードＮ２がしきい電圧センシング用データ電圧と基準電圧に初期化される初期化ステップの以後、図４の初期化スイッチＳＰＲＥをオフさせてｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列されたサブピクセルＳＰｎ内の駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２をフローティングさせて駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧を上昇させるステップと、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧が飽和されれば、サンプリングスイッチＳＡＭがターン−オンされて、センシング部４１０が駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の飽和された電圧が基準電圧ラインＲＶＬを通じてセンシングするステップを含むことができる。
【０２０２】
前述したように、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎでの駆動トランジスタＤＲＴのしきい電圧補償モードで、ｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）のターン−オンレベル電圧区間と、ｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）のターン−オンレベル電圧区間とは重畳される。
【０２０３】
このような駆動方式によれば、本実施形態に係る特異なゲートライン連結構造下でも、駆動トランジスタしきい電圧補償を同一な方式により提供することができる。
【０２０４】
図１９及び図２０は、本実施形態に係る有機発光表示パネル１１０の改善構造下で、駆動トランジスタＤＲＴの移動度補償モードに従うサブピクセルの駆動を説明するための図である。
【０２０５】
図１９を参照すると、駆動トランジスタＤＲＴの移動度センシングを通じてしきい電圧を補償するための駆動トランジスタ移動度補償モードのための初期化ステップに該当するＨ区間の間、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配置されたｎ番目ゲートラインＧＬｎで出力されたｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）のターン−オンレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列されたサブピクセルＳＰｎ内のスイッチングトランジスタＳＷＴをターン−オンさせる。
【０２０６】
そして、Ｈ区間の間、ｎ＋１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ＋１に配置されたｎ＋１番目ゲートラインＧＬｎ＋１で出力されたｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）のターン−オンレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列されたサブピクセルＳＰｎ内のセンシングトランジスタＳＥＮＴをターン−オンさせる。
【０２０７】
このような初期化ステップに該当するＨ区間の間、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１及び第２ノードＮ２が移動度センシング用データ電圧と基準電圧に初期化される。
【０２０８】
以後、Ｉ区間の間、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配置されたｎ番目ゲートラインＧＬｎで出力されたｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）のターン−オフレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列されたサブピクセルＳＰｎ内のスイッチングトランジスタＳＷＴをターン−オフさせる。
【０２０９】
これによって、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列されたサブピクセルＳＰｎ内の駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１がフローティングされる。
【０２１０】
また、Ｉ区間の間、図４の初期化スイッチＳＰＲＥをオフさせてｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列されたサブピクセルＳＰｎ内の駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２がフローティングされる。
【０２１１】
また、Ｉ区間の間、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１及び第２ノードＮ２がフローティングされて駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１及び第２ノードＮ２の各々の電圧が上昇すれば、一定時間の以後、サンプリングスイッチＳＡＭがターン−オンされて、センシング部４１０が駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧を基準電圧ラインＲＶＬを通じてセンシングする。
【０２１２】
前述したものによれば、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎでの駆動トランジスタＤＲＴの移動度補償モードで、ｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）がターン−オンレベル電圧で出力される間、ｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）がターン−オンレベル電圧で出力されてからターン−オフレベル電圧で出力できる。
【０２１３】
このような駆動方式によれば、本実施形態に係る特異なゲートライン構造下でも、駆動トランジスタ移動度補償を同一な方式により提供することができる。
【０２１４】
以上、説明したような本実施形態によれば、開口率を高めながらも映像駆動及び多様な種類のセンシング駆動可能なサブピクセル構造及びゲートライン構造を有する有機発光表示パネル１１０及び有機発光表示装置１００と、有機発光表示装置１００の駆動方法を提供することができる。
【０２１５】
本実施形態によれば、各サブピクセルライン毎に１つのゲートラインだけでも、各サブピクセル内の２種類のスキャントランジスタ（ＳＷＴ、ＳＥＮＴ）のオン−オフを個別的に制御することができるゲートライン連結構造、及びサブピクセル構造を有する有機発光表示パネル１１０及び有機発光表示装置１００と、有機発光表示装置１００の駆動方法を提供することができる。
【０２１６】
本実施形態によれば、各サブピクセルライン毎に１つのゲートラインだけでも、各サブピクセル内の有機発光ダイオードの劣化をセンシングするための駆動を可能にする有機発光表示パネル１１０及び有機発光表示装置１００と、有機発光表示装置１００の駆動方法を提供することができる。
【０２１７】
以上の説明及び添付した図面は、本発明の技術思想を例示的に示したものに過ぎないものであって、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性から逸脱しない範囲で構成の結合、分離、置換、及び変更などの多様な修正及び変形が可能である。したがって、本発明に開示された実施形態は本発明の技術思想を限定するためのものではなく、説明するためのものであり、このような実施形態により本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。本発明の保護範囲は請求範囲により解析されなければならず、それと同等な範囲内にある全ての技術思想は本発明の権利範囲に含まれるものと解析されるべきである。
【符号の説明】
【０２１８】
１００    有機発光表示装置
１１０    有機発光表示パネル
１２０    データドライバ
１３０    スキャンドライバ
１４０    コントローラ
【図１】
0006753769.tif 000002
【図２】
0006753769.tif 000003
【図３】
0006753769.tif 000004
【図４】
0006753769.tif 000005
【図５】
0006753769.tif 000006
【図６】
0006753769.tif 000007
【図７】
0006753769.tif 000008
【図８】
0006753769.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0006753769.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
0006753769.tif 000017
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
0006753769.tif 000020
【図２０】
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