(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体の深度画像を提供するＴＯＦ深度画像化システムであって、
波長λ及び変調周波数ｆを特徴とする振幅変調された光によって物体を照明するように構成された光源と、
前記物体からの反射光を受光すると共に前記変調周波数ｆによって変調するように構成された面法線型電界吸収変調器であって、
半導体の上部ドープ層と、
前記上部ドープ層とは反対の極性を有する半導体の下部ドープ層と、
前記上部及び下部ドープ層の間の活性層であって、前記活性層は、交互に変化する量子井戸及び障壁を提供するように構成された半導体の複数のサブ層を有する超格子構造として構成され、且つ、非局在化された電子−正孔挙動を示すように構成された量子井戸を有する、活性層と、
を有し、光学空洞を有してはいない面法線型電界吸収変調器と、
前記面法線型電界吸収変調器からの変調された反射光を受光及び検出するように構成された画像センサと、
を有するＴＯＦ深度画像化システム。
【請求項２】
前記光源との電気的通信状態ある第１ドライバと、前記面法線型電界吸収変調器との電気通信状態にある第２ドライバと、前記第１及び第２ドライバ及び前記画像センサとの電気的通信状態にあるタイミングコントローラと、を更に有する請求項１に記載のＴＯＦ深度画像化システム。
【請求項３】
前記活性層は、電磁スペクトルの近赤外領域内の波長を有する光を吸収するように構成される請求項１に記載のＴＯＦ深度画像化システム。
【請求項４】
前記活性層は、電磁スペクトルの短波赤外線領域内の波長を有する光を吸収するように構成される請求項１に記載のＴＯＦ深度画像化システム。
【請求項５】
前記半導体の複数のサブ層は、ＩＩＩ／Ｖ族合金から構成される請求項３に記載のＴＯＦ深度画像化システム。
【請求項６】
前記半導体の複数のサブ層は、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓのマルチ層構造又はＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰのマルチ層構造を有する請求項４に記載のＴＯＦ深度画像化システム。
【請求項７】
前記活性層は、電磁スペクトルの中波又は長波赤外領域内の波長を有する光を吸収するように構成されており、更には、前記半導体の複数のサブ層は、ＧａＳｂ基材に対して格子整合された、或いは、ＧａＳｂ基材に対して歪均衡化された、ＩｎＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＳｂのマルチ層構造を有する請求項１に記載のＴＯＦ深度画像化システム。
【請求項８】
前記活性層は、電磁スペクトルの紫外領域内の波長を有する光を吸収するように構成されており、且つ、更には、前記半導体の複数のサブ層は、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ／ＡｌＧａＩｎＮのマルチ層構造を有する請求項１に記載のＴＯＦ深度画像化システム。
【請求項９】
前記活性層は、半導体の少なくとも２つの量子井戸サブ層から構成された階段型量子井戸を有し、前記少なくとも２つの量子井戸サブ層は、異なる組成を有する請求項１に記載のＴＯＦ深度画像化システム。
【請求項１０】
前記階段型量子井戸は、２段階の階段型量子井戸である請求項９に記載のＴＯＦ深度画像化システム。
【請求項１１】
前記２段階の階段型量子井戸は、第１のＧａＡｓ量子井戸サブ層と、第２のＡｌxＧａ1-xＡｓ量子井戸サブ層と、から構成されており、且つ、前記障壁は、ＡｌxＧａ1-xＡｓ障壁から構成される請求項１０に記載のＴＯＦ深度画像化システム。
【請求項１２】
前記活性層は、タイプＩＩヘテロ接合を有する量子井戸を有する請求項１に記載のＴＯＦ深度画像化システム。
【請求項１３】
前記活性層は、半導体の単一層から構成された正方形量子井戸を有し、且つ、前記ＴＯＦ深度画像化システムは、非局在化定電界を実現するべく、前記面法線型電界吸収変調器に非局在化定電圧を印加するように構成された電圧供給源を更に有する請求項１に記載のＴＯＦ深度画像化システム。
【請求項１４】
前記活性層は全体厚さLを有し、前記全体厚さＬは、前記面法線型電界吸収変調器の深度分解能係数Ｋの最小値を提供する、請求項１に記載のＴＯＦ深度画像化システム。
【請求項１５】
前記活性層の前記全体厚さＬは、前記活性層が、非局在化された電子−正孔挙動を示すように構成された量子井戸を有していない場合に前記深度分解能係数Ｋの値が極小化されることになる値よりも大きい請求項１４に記載のＴＯＦ深度画像化システム。
【請求項１６】
前記活性層は全体厚さＬを有し、前記全体厚さＬは、１μｍ〜２０μｍの範囲内である請求項１に記載のＴＯＦ深度画像化システム。
【請求項１７】
前記面法線型電界吸収変調器は、シングルパス電界吸収変調器として構成される請求項１に記載のＴＯＦ深度画像化システム。
【請求項１８】
前記面法線型電界吸収変調器は、ダブルパス電界吸収変調器として構成される請求項１に記載のＴＯＦ深度画像化システム。
【請求項１９】
前記面法線型電界吸収変調器は、第１面積を特徴としており、且つ、前記画像センサは、第２面積を特徴としており、且つ、前記第２面積に対する前記第１面積の比率は、１未満である請求項１に記載のＴＯＦ深度画像化システム。
【請求項２０】
短波赤外線カメラを更に有し、前記画像センサは、前記短波赤外線カメラのコンポーネントである請求項１に記載のＴＯＦ深度画像化システム。
【請求項２１】
前記変調周波数ｆは、少なくとも５０ＭＨｚである請求項１に記載のＴＯＦ深度画像化システム。
【請求項２２】
ＴＯＦ深度画像化の方法であって、
物体からの反射光を生成するべく、波長λ及び変調種波数ｆを特徴とする振幅変調された光によって前記物体を照明するステップと、
変調された反射光を生成するべく、面法線型電界吸収変調器を使用して前記物体からの前記反射光を変調するステップであって、前記面法線型電界吸収変調器は、
半導体の上部ドープ層と、
前記上部ドープ層とは反対の極性を有する半導体の下部ドープ層と、
前記上部及び下部ドープ層の間の活性層であって、前記活性層は、交互に変化する量子井戸及び障壁を提供するように構成された半導体の複数のサブ層を有する超格子構造として構成され、且つ、非局在化された電子−正孔挙動を示すように構成された量子井戸を有する、活性層と、
を有し、光学空洞を有してはいない、ステップと、
画像センサを介して前記面法線型電界吸収変調器から前記変調された反射光を検出するステップと、
を有する方法。
【請求項２３】
前記活性層は、半導体の少なくとも２つの量子井戸サブ層から構成された階段型量子井戸を有し、前記少なくとも２つの量子井戸サブ層は、異なる組成を有する。または、
前記活性層は、タイプIIヘテロ接合を有する量子井戸を有する。または、
前記活性層は、半導体の単一層から構成された正方形量子井戸を有し、前記ＴＯＦ深度撮像システムは、非局在化定電圧を前記面法線型電界吸収変調器に印加して非局在化定電界を実現するように構成された電圧供給源をさらに有する、
請求項１に記載のＴＯＦ深度画像化システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２０１５年３月２日付けで出願された米国仮特許出願第６２／１２６，８０２号及び２０１５年３月１１日付けで出願された米国仮特許出願第６２／１３１，６０３号及び２０１５年１０月１日付けで出願された米国仮特許出願第６２／２３５，９６２号からの優先権を主張するものであり、これらの特許文献のそれぞれは、引用により、そのすべてが本明細書に包含される。
【背景技術】
【０００２】
深度カメラは、消費者用電子装置、ロボット工学、マシンビジョン、及びその他の用途において使用される。深度画像化の１つの方法である飛行時間（ＴＯＦ：Ｔｉｍｅ−Ｏｆ−Ｆｌｉｇｈｔ）深度画像化においては、視野内の地点の距離を算出するべく、放出光がセンサに戻るのに所要する時間を計測している。ＴＯＦ深度画像化の一変形においては、深度の計測を許容するべく、変調された光がシーンに対して投射され、且つ、この光の反射が画像センサにおいて復調される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
電界吸収変調器と、電界吸収変調器を含むＴＯＦ深度画像化システムと、が提供される。又、電界吸収変調器及びＴＯＦ深度画像化システムを使用する方法も提供される。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
一態様においては、物体の深度画像を提供するＴＯＦ深度画像化システムが提供されており、このシステムは、波長λ及び変調周波数ｆを特徴とする振幅変調された光によって物体を照明するように構成された光源と、物体からの反射光を受光すると共に変調周波数ｆによって変調するように構成された面法線型電界吸収変調器と、電界吸収変調器からの変調された反射光を受光及び検出するように構成された画像センサと、を有する。電界吸収変調器は、半導体の上部ドープ層と、上部ドープ層とは反対の極性を有する半導体の下部ドープ層と、上部及び下部ドープ層の間の活性層と、を有し、活性層は、交互に変化する量子井戸及び障壁を提供するように構成された半導体の複数のサブ層を有する超格子構造として構成されており、活性層は、非局在化された電子−正孔挙動を示すように構成された量子井戸を有する。
【０００５】
別の態様においては、ＴＯＦ深度画像化の方法は、物体からの反射光を生成するべく、波長λ及び変調周波数ｆを特徴とする振幅変調された光によって物体を照明するステップと、変調された反射光を生成するべく、面法線型電界吸収変調器を使用して物体からの反射光を変調するステップと、画像センサを介して電界吸収変調器からの変調された反射光を検出するステップと、を有する。電界吸収変調器は、半導体の上部ドープ層と、上部ドープ層とは反対の極性を有する半導体の下部ドープ層と、上部及び下部ドープ層の間の活性層と、を有し、活性層は、交互に変化する量子井戸及び障壁を提供するように構成された半導体の複数のサブ層を有する超格子構造として構成され、且つ、活性層は、非局在化された電子−正孔挙動を示すように構成された量子井戸を有する。
【０００６】
本発明のその他の主要な特徴及び利点については、以下の図面、詳細な説明、及び添付の請求項を参照することにより、当業者に明らかとなろう。
【０００７】
以下、同一の参照符号によって同一の要素を表記している添付の図面を参照し、本発明の例示用の実施形態について説明することとする。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】例示用の一実施形態によるＴＯＦ深度画像化システムを示す図である。
【図２】例示用の一実施形態による別のＴＯＦ深度画像化システムの一部分を示す図である。
【図３】例示用の一実施形態による別のＴＯＦ深度画像化システムの一部分を示す図である。
【図４】例示用の一実施形態によるシングルパス電界吸収変調器を示す図である。
【図５】電界吸収変調器によって受光される光の波長の関数として、例示用の一実施形態による電界吸収変調器の光透過特性を示す図である。
【図６】フィルタによって受光される光の波長の関数として、電界吸収変調器と共に使用されうる狭帯域光学フィルタの光透過特性を示す図である。
【図７】電界吸収変調器に印加される電圧の関数として、図５の電界吸収変調器及び図６の狭帯域光学フィルタのペアの波長λ0を有する光の光透過を示す図である。
【図８】量子井戸のプレーンに対して垂直の方向に沿った位置ｚの関数として、例示用の一実施形態による電界吸収変調器の量子井戸内における光吸収に関与した主伝導及び価電子サブバンドの電子及び正孔波動関数を示す図である。電子及び正孔の期待位置値も示される。
【図９】例示用の一実施形態による別のシングルパス電界吸収変調器を示す図である。
【図１０】例示用の一実施形態によるダブルパス電界吸収変調器を示す図である。
【図１１】例示用の一実施形態による別のダブルパス電界吸収変調器を示す図である。
【図１２】例示用の一実施形態による別のダブルパス電界吸収変調器を示す図である。
【図１３Ａ】透過におけるコントラストを示す光学空洞によって取り囲まれた活性層を有する電界吸収変調器の模擬光透過を示す図である。
【図１３Ｂ】入射角の関数として、ピーク透過波長における模擬シフトを示す図である。〜１０°の入射角を有するビームが到来した際に、（垂直方向の破線によって示された）８５０ｎｍの動作波長における透過が垂直入射光の透過の５０％未満に低下することが明らかである。
【図１４】非局在化定電界Ｅ0の異なる値について、マルチ量子井戸（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ−Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｗｅｌｌ）の厚さＬ（即ち、活性層の厚さ）の関数として、深度分解能係数Ｋを示す図である。図１４は、電子−正孔波動関数が非局在化されていない（即ち、Ｅ0＝０である）際に、Ｋの最良の値は、約１μｍの厚さにおいて、約３であることを明瞭に示している。但し、非局在化定電界が電子−正孔の非局在化を誘発する際には、格段に厚い活性層（即ち、これらのケースにおいては、Ｌ〜４〜７μｍ）を使用することにより、格段に良好な深度分解能係数を実現することができる。
【図１５】従来の正方形量子井戸（ＱＷ：Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｗｅｌｌ）の電子及び正孔波動関数（左）と、外部印加電界に対するその光吸収スペクトルの変化（右）と、を示す図である。
【図１６】外部印加電界に対するピーク吸収波長（左）及びピーク吸収係数（右）の変化を示す図である。吸収エッジ波長の変化は、吸収ピークの変化に類似することになる。
【図１７】例示用の一実施形態による階段型ＱＷ（左）と、外部印加電界に対するその光吸収スペクトルの変化（右）と、を示す図である。
【図１８】外部印加電界に対するピーク吸収波長の変化が、ΔＥだけ、左にシフトし（左）、且つ、いまや、ピーク吸収係数が、従来のＱＷよりも小さい（右）ことを示す図である。実線は、電子−正孔の非局在化を有するＱＷのケースを示し、点線は、従来のＱＷのケースを示す。
【図１９】例示用の一実施形態による別のＴＯＦ深度画像化システムを示す図である。
【図２０Ａ】図１９のＴＯＦ深度画像化システムを使用して得られた変調周波数１５０ＭＨｚ（Ａ）における（較正データによって補正済みの）深度計測結果を示す図である。
【図２０Ｂ】図１９のＴＯＦ深度画像化システムを使用して得られた変調周波１００ＭＨｚ（Ｂ）における（較正データによって補正済みの）深度計測結果を示す図である。
【図２０Ｃ】図１９のＴＯＦ深度画像化システムを使用して得られた変調周波数５０ＭＨｚ（Ｃ）における（較正データによって補正済みの）深度計測結果を示す図である。
【図２１Ａ】図１９のＴＯＦ深度画像化システムのＳＷＩＲカメラによって取得された短波赤外線（ＳＷＩＲ：Ｓｈｏｒｔ−Ｗａｖｅ  ＩｎｆｒａＲｅｄ）画像を示す図である。
【図２１Ｂ】変調周波数５０ＭＨｚ（Ｂ）における図１９のＴＯＦ深度画像化システムの深度分解能を示す図である。
【図２１Ｃ】異なる変調周波数１００ＭＨｚ（Ｃ）における図１９のＴＯＦ深度画像化システムの深度分解能を示す図である。
【図２１Ｄ】異なる変調周波数１５０ＭＨｚ（Ｄ）における図１９のＴＯＦ深度画像化システムの深度分解能を示す図である。
【図２２】変調周波数の関数として、Ｐａｒｋのシステムに対する図１９のＴＯＦ深度画像化システムの変調応答を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本開示は、しばしば、「３Ｄカメラ」又は「測距カメラ」とも呼称される、深度カメラに関する。本開示は、一般に、開示されるシステムとの関係において「ＴＯＦ深度画像化システム」というフレーズを使用しているが、このフレーズは、限定を意図したものではないことを理解されたい。例えば、「ＴＯＦ−３Ｄカメラ」というフレーズが、開示されるシステムのいずれかとの関係において使用される場合もある。
【００１０】
上述のように、ＴＯＦ深度画像化の一変形においては、深度の計測を許容するべく、変調された光がシーンに対して投射され、且つ、この光の反射が画像センサにおいて復調される。復調は、位相復調を実行するピクセルを有するように構築された画像センサを介して、或いは、シーンと従来の画像センサの間に配置された機械的又は電気−光学メカニズムに基づいた光シャッタを介して、実現される。光シャッタは、単純さを提供するが、このような光シャッタを利用した従来のシステムは、その商業的使用法を制限するいくつかの欠点を有する。
【００１１】
対照的に、開示されるＴＯＦ深度画像化システムは、大きな開口数（広い視野）、高コントラスト、低挿入損失、高変調周波数、並びに、所与の周波数及び横方向分解における低電力消費量という特徴のうちの１つ又は複数を有しうる電界吸収変調器を含む。電界吸収変調器は、従来の画像センサ（例えば、電荷結合装置（ＣＣＤ：Ｃｈａｒｇｅ−Ｃｏｕｐｌｅ  Ｄｅｖｉｃｅ）、相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ：Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ））を含む任意の画像センサを含むＴＯＦ深度画像化システム内において使用されてもよい。従来の画像センサの使用は、相対的に複雑な位相復調ピクセル構造を有する画像センサよりも望ましい。電界吸収変調器は、従来の電気−光学シャッタを含む従来のＴＯＦ深度画像化システムとの比較において、相対的に高い深度分解能（ｚ次元）及び横方向分解能（ｘ及びｙ次元）を有するＴＯＦ深度画像化システムを提供する能力を有する。開示される電界吸収変調器によって可能である広い視野は、所与のピクセルの数（横方向分解能）において、開示される電界吸収変調器は、従来のＴＯＦ深度画像化システムにおいて使用される従来の電界吸収変調器との比較において、その相対的に大きな開口数に起因し、格段に小さな面積を有しうることを意味している。又、オプティクスとの関係において、広い視野は、例えば、テレセントリックレンズを必要としないＴＯＦ深度画像化システムをも許容している。
【００１２】
開示される電界吸収変調器及びＴＯＦ深度画像化システムは、例えば、消費者用電子装置、ロボット工学、マシンビジョンなどのような様々な用途を有する。
【００１３】
（ＴＯＦ深度画像化システム）
図１は、例示用のＴＯＦ深度画像化システム１００を示している。ＴＯＦ深度画像化システム１００は、物体１０２を照明する振幅変調された光と物体１０２から反射された光の間の位相遅延を計測すると共に位相遅延から深度値を算出することにより、物体１０２の深度画像を提供するように構成される。ＴＯＦ深度画像化システム１００は、波長λ及び変調周波数ｆを特徴とする振幅変調された光によって物体１０２を照明するように構成された光源１０４と、物体１０２からの反射光を受光すると共に変調周波数ｆによって変調するように構成された電界吸収変調器１０６と、電界吸収変調器１０６からの変調された反射光を受光及び検出するように構成された画像センサ１０８と、を有する。
【００１４】
例えば、発光ダイオードやダイオードレーザーなどのような高変調周波数に振幅変調される能力を有する光源が使用されてもよい。変調周波数ｆは、約１ＭＨｚ〜約１０ＭＨｚの範囲であってもよく、或いは、場合によっては、これを上回るものであってもよい。これは、変調周波数ｆが、約５０ＭＨｚ超である、約１００ＭＨｚ超である、約１４０ＭＨｚ超である、約１５０ＭＨｚ超である、約２００ＭＨｚ超である、約１０ＧＨｚ超である、約１ＭＨｚ〜約１０ＧＨｚの範囲内である、約１ＭＨｚ〜約１ＧＨｚの範囲内である、約１ＭＨｚ〜約２００ＭＨｚの範囲内である、或いは、約５０ＭＨｚ〜約２００ＭＨの範囲内である、実施形態を含む。電磁スペクトルの近赤外領域内の波長（即ち、約７５０ｎｍ〜約１μｍ）を有する光を放出する光源が使用されてもよい。例えば、約８５０ｎｍの波長を有する光を放出する光源が使用されてもよい。但し、可視領域（即ち、約４００〜約７００ｎｍ）又は短波赤外領域（即ち、約１μｍ〜約２．５μｍ）内の波長を有する光を放出する光源が使用されてもよい。又、例えば、約２００ｎｍ〜約４００ｎｍの紫外領域内の波長を有する光を放出する光源などの、その他の波長を有する光を放出する光源が使用されてもよい。
【００１５】
電界吸収変調器１０６については、更に詳細に後述することとする。図１において、電界吸収変調器１０６は、面法線型電界吸収変調器である。
【００１６】
画像センサ１０８は、光子を電流に変化することによって光を検出する、例えば、ＣＣＤやＣＭＯＳなどのような、ピクセルのアレイを有するシリコンに基づいた画像センサであってもよい。画像センサ１０８は、そのピクセルのサイズを特徴とすることができる。いくつかの実施形態においては、画像センサ１０８内のピクセルのピクセルサイズは、振幅変調された光の選択された波長λ（例えば、８５０ｎｍ）と実質的に同一のサイズであってもよい。これらのピクセルサイズは、従来の電気−光学シャッタを使用した場合には、可能ではなく、これは、少なくとも、このようなシャッタの相対的に小さな開口数に起因している。画像センサ１０８は、例えば、短波赤外線（ＳＷＩＲ）カメラなどの、カメラ内において提供されてもよく、このようなカメラは、例えば、レンズなどの、その独自のオプティクスを有することもできる。
【００１７】
又、図１に示されるように、ＴＯＦ深度画像化システム１００は、光源１０４との電気的通信状態にある第１ドライバ１１０と、電界吸収変調器１０６との電気的通信状態にある第２ドライバ１１２と、第１及び第２ドライバ１１０、１１２並びに画像センサ１０８との電気的通信状態にあるタイミングコントローラ１１４と、を含むことができる。タイミングコントローラ１１４は、第１ドライバ１１０との関連において、光源１０４によって生成された光の振幅変調（即ち、振幅変調された照明光）を実現するために、変調周波数ｆを特徴とする第１発振電圧信号を光源１０４に印加するべく使用されてもよい。同時に、タイミングコントローラ１１４は、第２ドライバ１１２との関連において、物体１０２から反射された光の変調（即ち、変調された反射光）を実現するべく、変調周波数ｆを特徴とする第２発振電圧信号を電界吸収変調器１０６に印加するべく使用されてもよい。又、振幅変調された照明光と物体１０２から反射された光の間の位相遅延を計測するために、タイミングコントローラ１１４は、光源１０４を駆動する第１発振電圧信号と電界吸収変調器１０６を駆動する第２発振電圧信号の間において更なる位相シフトφを導入するべく、即ち、振幅変調された照明光と変調された反射光の間において更なる位相シフトを導入するべく、使用されてもよい。
【００１８】
第１及び第２発振電圧信号の波形は、限定されてはおらず、例えば、方形波形、正弦波、及びその他の波形などが使用されてもよい。即ち、開示される電界吸収変調器及び開示される光源は、単一の周波数又は複数の周波数によって変調されうることを理解されたい。同様に、変調の周波数は、静止状態において留まっていてもよく（時間に伴って変化しない）、或いは、時間に伴って変化してもよい。本明細書において使用される「変調周波数ｆ」という用語には、これらの可能性のそれぞれが包含される。但し、正弦波波形が、電界吸収変調器１０６を駆動するべく、有利であろう。電界吸収変調器を駆動するべく必要とされる電力を低減するべく、変調周波数ｆと等しい共振周波数を有する「共振」回路が使用されてもよい。例えば、電界吸収変調器１０６は、主には、静電容量性要素である。１つのインダクタ或いは一連の集中又は分散インダクタを追加することにより、回路の全体的なインピーダンスを完全に実数値（非常にわずかな虚数成分）化することができよう。
【００１９】
又、図１に示されるように、ＴＯＦ深度画像化システム１００は、タイミングコントローラ１１４及び画像センサ１０４との電気的通信状態にあるコンピュータ１１６を含むことができる。コンピュータ１１６は、画像センサ１０８のピクセルからの信号（即ち、電流）を処理するべく、且つ、計測された位相差から深度値を算出するべく、使用されてもよい。又、コンピュータ１１６は、算出された深度値から深度画像を表示するべく使用されてもよい。
【００２０】
又、図１に示されるように、ＴＯＦ深度画像化システム１００は、例えば、レンズ、ミラー、プリズム、ビームスプリッタなどのような、システム内において光を成形するように（例えば、パターン化された又は構造化された光を生成するように）、且つ／又は、導くように、構成された光学コンポーネント１１８を含むことができる。又、ＴＯＦ深度画像化システム１００は、その他の波長を阻止しつつ、例えば、振幅変調された光の選択された波長λを有する光などの、望ましい光の波長を透過させるように構成された光学フィルタ１２０を含むことができる。但し、いくつかの実施形態においては、ＴＯＦ深度画像化システム１００は、例えば、光を電界吸収変調器１０６に導くための、或いは、電界吸収変調器１０６から光を受光するためのテレセントリックレンズなどの、テレセントリックレンズを含んではいない。このようなレンズは、使用されてもよいが、電界吸収変調器１０６の大きな開口数に起因し、必須ではない。
【００２１】
図１のＴＯＦ深度画像化システム１００によって実行される動作の例示用の組は、以下のとおりである。第１に、タイミングコントローラ１１４は、第１ドライバ１１０との関連において、変調周波数ｆを特徴とする第１発振電圧信号を印加する。同時に、タイミングコントローラ１１４は、第２ドライバ１１２との関連において、第１位相シフト（例えば、φ＝０）を有する変調周波数ｆを特徴とする第２発振電圧信号を電界吸収変調器１０６に印加する。画像センサ１０８は、蓄積時間ｔint＞＞１／ｆにより（例えば、数ミリ秒）、第１画像Ｉ1をキャプチャする。コンピュータ１１６は、画像センサ１０８から第１画像Ｉ1と関連した信号を収集する。次いで、タイミングコントローラ１１４は、第２位相シフト（例えば、φ＝π／４）を印加する。画像センサ１０８は、第２画像Ｉ2をキャプチャし、且つ、コンピュータ１１６は、画像センサ１０８から第２画像Ｉ2と関連した信号を収集する。次いで、このプロセスが、第３画像Ｉ3を生成するべく、第３位相シフト（例えば、φ＝２π／４）について反復され、且つ、第４画像Ｉ4を生成するべく、第４位相シフト（例えば、φ＝３π／４）について反復される。次いで、コンピュータ１１６は、以下の式１から計測位相遅延ΦTOFを判定する。
【００２２】
ΦTOF＝ｔａｎ-1（（Ｉ4−Ｉ2）／（Ｉ1−Ｉ3））      式１
【００２３】
最後に、コンピュータ１１６は、式２から深度値ｄを算出し、この場合に、ｆは、変調周波数であり、且つ、ｃは、光の速度である。
【００２４】
ｄ＝（ｃ／４πｆ）ｔａｎ-1（（Ｉ4−Ｉ2）／（Ｉ1−Ｉ3））      式２
【００２５】
キャプチャされた画像から深度値を抽出するべく、その他の動作が使用されてもよい。
【００２６】
図１に示されるＴＯＦ深度画像化システム１００との比較において、更に多くの数の又は少ない数のコンポーネントを有する又はコンポーネントの異なる構成を有するその他のＴＯＦ深度画像化システムが使用されてもよい。例えば、図２は、別の例示用のＴＯＦ深度画像化システムの一部分２００を示している。画像センサ２０８、電界吸収変調器２０６、いくつかのオプティクス２１８（プリズム、レンズ）、及び光学フィルタ２２０のみが示される。ＴＯＦ深度画像化システムのその他のコンポーネントは、図１のものに類似している。更に後述するように、図２の電界吸収変調器２０６は、ダブルパス電界吸収変調器として構成されており（図１０〜図１２を参照されたい）、この場合には、（図１を参照して）物体１０２からの反射光は、画像センサ２０８に導かれる前に、電界吸収変調器２０６を２回にわたって通過している。電界吸収変調器２０６は、ミラー又は反射器２２２を含むことができる。同様に、図３も、別の例示用のＴＯＦ深度画像化システムの一部分３００を示している。画像センサ３０８、ミラー／反射器３２２を含む電界吸収変調器３０６、いくつかのオプティクス３１８、及び光学フィルタ３２０のみが示される。ＴＯＦ深度画像化システムのその他のコンポーネントは、図１のものに類似している。図３の電界吸収変調器３０６も、ダブルパス電界吸収変調器として構成されており（図１０〜図１２を参照されたい）、この場合には、物体１０２からの反射光は、画像センサ３０８に導かれる前に、電界吸収変調器３０６を２回にわたって通過している。
【００２７】
図１〜図３のＴＯＦ深度画像化システムは、ＴＯＦ深度画像化カメラと呼称されうる単一の装置内において実装されてもよく、或いは、複数の、別個の、但し、結合された、装置内において実装されてもよい。
【００２８】
（電界吸収変調器）
図４は、例えば、図１のＴＯＦ深度画像化システム１００内において使用されうる例示用の電界吸収変調器４００を示している。電界吸収変調器４００は、半導体の上部ドープ層４０２と、上部ドープ層とは反対の極性を有する半導体の下部ドープ層４０４と、上部及び下部ドープ層４０２、４０４の間の活性層４０６と、を有する。活性層４０６は、交互に変化する量子井戸及び障壁を提供するように構成された半導体の複数のサブ層を有する超格子構造として構成される。従って、「マルチ量子井戸（ＭＱＷ）」というフレーズが、活性層１０６を参照して使用される場合がある。
【００２９】
活性層４０６は、例えば、活性層４０６の伝導サブバンドと価電子サブバンドの間のバンド間遷移を介して光を吸収するように構成される。但し、図５に示されるように、活性層４０６の吸収エッジは、バルク又は量子閉じ込めシュタルク効果に従って、外部電界の印加により（即ち、印加電圧Ｖ0を介して）、外部電界が存在していない状態における（即ち、ゼロの印加電圧の）その初期位置から、赤色シフトされうる。又、活性層４０６の吸収エッジは、相対的に大きな外部電界の印加により（即ち、印加電圧Ｖ0を介して）、小さな外部電界（即ち、例えば、８Ｖなどの小さな印加電圧）が存在する状態におけるその初期位置から、赤色シフトされうる。図５において、λ0は、電界吸収変調器４００の動作波長である。動作波長λ0は、ゼロ電圧（又は、小さな電圧）における透過が、例えば、極大化されるなどのように、相対的に大きく、且つ、相対的に高い電圧Ｖ0における透過が、例えば、極小化されるなどのように、相対的に小さい、波長である。
【００３０】
図１に示されるように、狭帯域光学フィルタ１２０が、電界吸収変調器４００と直列状態において配置されてもよい。図６に示されるように、狭帯域光学フィルタ１２０は、その他の波長を阻止しつつ、波長λ0を有する光の透過を極大化させるように構成されてもよい。図７は、電界吸収変調器４００に印加される電圧の関数として、電界吸収変調器４００及び狭帯域光学フィルタ１２０のペアの波長λ0を有する光の光透過を示している。従って、振幅Ｖ0の発振電圧信号を電界吸収変調器４００に印加することにより、例えば、図１のＴＯＦ深度画像化システム１００内における物体１０２から電界吸収変調器４００によって受光された反射光の変調などの、電界吸収変調器４００を通じた光の可変透過が結果的に得られることになる。発振電圧信号の周波数は、上述の変調周波数ｆであってもよい。
【００３１】
活性層４０６の半導体サブ層の組成、サブ層の厚さ、及びサブ層の数は、電界吸収変調器４００の動作波長λ0が、（電磁スペクトルの短波赤外領域、近赤外領域、又は可視領域内の波長を有する光でありうる）上述の開示されるＴＯＦ深度画像化システム内の振幅変調された光の選択された波長λに実質的に整合するように、選択されてもよい。又、半導体サブ層の組成、厚さ、及び数は、電界吸収変調器４００の動作波長におけるゼロ電圧（又は、低電圧）における透過と電圧Ｖ0における透過の差を極大化させるように、選択されてもよい。
【００３２】
活性層４０６の１つ又は複数の（即ち、１つ又は複数の、或いは、すべての）量子井戸は、非局在化された電子−正孔挙動を示すように構成されていてもよい。「非局在化された電子−正孔挙動」とは、個々の量子井戸内の電子位置の期待値
【００３３】
【数１】
0006734292.tif 000002
【００３４】
が、個々の量子井戸内の正孔位置の期待値
【００３５】
【数２】
0006734292.tif 000003
【００３６】
と実質的に異なっていることを意味している。これらの式において、ｚは、量子井戸のプレーンに対して垂直の方向であり、且つ、Φe及びΦhは、それぞれ、（例えば、振幅変調された光の選択されたλなどの）特定の波長の光の吸収に関与した主サブバンドの電子及び正孔波動関数であり、且つ、
【００３７】
【数３】
0006734292.tif 000004
【００３８】
は、それらの複素共役である。図８は、量子井戸のプレーンに対して垂直の方向に沿った位置ｚの関数として、非局在化された電子−正孔挙動を示すように構成された量子井戸内における光吸収に関与した主伝導及び価電子サブバンドの電子及び正孔波動関数を示している。又、電子及び正孔の期待位置値も示される。
【００３９】
１つ又は複数の量子井戸内の電子−正孔の非局在化の値は、望ましい電界吸収変調器に応じて変化しうる。電子−正孔の非局在化の値は、変調深度及び変調器効率の減少を防止又は制限するように、選択されてもよい。いくつかの実施形態においては、活性層４０６の１つ又は複数の量子井戸は、電子位置の期待値と正孔位置の期待値が、少なくとも１原子層厚さだけ、異なるように、構成される。いくつかの実施形態においては、活性層４０６の１つ又は複数の量子井戸は、電子位置の期待値と正孔位置の期待値の差が、１原子層厚さ〜１つ又は複数の量子井戸の厚さの範囲内に位置するように、構成される。これは、活性層４０６の１つ又は複数の量子井戸が、電子位置の期待値と正孔位置の期待値の差が、０．３ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内、或いは、０．３ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内、或いは、０．３ｎｍ〜５ｎｍの範囲内となるように、構成される実施形態を含む。これらの実施形態のそれぞれにおいて、量子井戸は、非局在化された電子−正孔挙動を示すように構成されるものと見なされてもよい。
【００４０】
量子井戸内の非局在化された電子−正孔挙動の結果は、低減された重なり積分に起因した量子井戸の相対的に弱い光吸収である。更に後述するように、このような吸収の弱い量子井戸の使用は、望ましい透過変動を実現し、且つ、これにより、電力消費量を低減するために必要とされる電界の振幅を低減するべく、活性層の全体厚さが極小化される従来の電気−光学シャッタを利用した従来のＴＯＦ深度画像化システムによって実施される方式とは逆である。このような従来の方式は、相対的に薄い活性層に対応するべく、吸収が相対的に強力な量子井戸の使用を必要としている。但し、更に後述するように、本発明者は、電圧当たりの吸収エッジのシフトの量を増大させる、非局在化された電子−正孔挙動を示すように構成された量子井戸の使用は、例えば、ＴＯＦ深度画像化システムにおいては、有用な利点でありうると判定した。
【００４１】
活性層４０６の量子井戸のサブ層の数、量子井戸のサブ層の組成、及び量子井戸のサブ層の厚さは、量子井戸が、上述の非局在化された電子−正孔挙動を示すように、選択されてもよい。但し、更に後述するように、単一層の半導体から構成された正方形量子井戸は、（上述のように、図１のＴＯＦ深度画像化システム１００内における反射光の変調を実現するべく、なんらかの発振電界が電界吸収変調器４００に印加されることに加えて）、非局在化定電界の印加により、非局在化された電子−正孔挙動を示すように構成されてもよい。一般に、非局在化定電界は、１つ又は複数の正方形量子井戸の電子波動関数の二乗又は正孔波動関数の二乗のＦＷＨＭの１％超の非局在化を生成するのに十分なものである。一般に、非局在化の上限は、電子及び正孔波動関数が正規化される（即ち、波動関数の二乗の積分が１である）際に、重なり積分が１％（即ち、０．０１）未満であるときである。非局在化定電界は、例えば、０．５〜１５Ｖなどの適切な非局在化定電圧の印加によって実現される。
【００４２】
活性層４０６は、正方形量子井戸を有することができる（又は、活性層の量子井戸のそれぞれは、正方形量子井戸であってもよい）。正方形量子井戸は、半導体の単一の層から形成された量子井戸である。上述のように、且つ、更に後述するように、半導体の単一の層から構成された正方形量子井戸は、非局在化定電界の印加により、非局在化された電子−正孔挙動を示すように構成されてもよい。このような実施形態においては、ＴＯＦ深度画像化システム１００は、非局在化定電界を実現するべく、非局在化定電圧を電界吸収変調器４００に印加するように構成された電圧供給源を有することができる。
【００４３】
活性層４０６は、階段型量子井戸を有することができる（又は、活性層の量子井戸のそれぞれは、階段型量子井戸であってもよい）。階段型量子井戸は、半導体の少なくとも２つの量子井戸サブ層から形成された量子井戸であり、少なくとも２つの量子井戸サブ層は、異なる組成と、従って、異なるエネルギーバンドギャップと、を有する。階段型量子井戸内の量子井戸サブ層の数は、２つ、３つ、４つなどであってもよい。階段型量子井戸は、電子及び正孔波動関数の空間的分離をもたらすエネルギーバンド構造の非対称性に起因して、非局在化された電子−正孔挙動を示す。１つ又は複数の階段型量子井戸の具体的なバンド構造は、そのバンド構造が（上述のように）電子波動関数の質量中心を正孔の質量中心とは異なるものにするものである場合には、限定されていない。
【００４４】
いくつかの実施形態においては、活性層４０６は、タイプＩＩヘテロ接合を有する量子井戸を有する（又は、活性層４０６の量子井戸は、タイプＩＩヘテロ接合を有する量子井戸である）。
【００４５】
上述のように、活性層４０６内のサブ層の組成、厚さ、及び数は、透過及び吸収特性に対する望ましい効果のみならず、電界吸収変調器４００の量子井戸の電子−正孔波動関数に対する望ましい効果を実現するように、選択されてもよい。組成との関連において、サブ層に使用される半導体は、ＩＩＩ／Ｖ族合金であってもよい（例えば、２元、３元、４元合金である）。ＩＩＩ／Ｖ族合金は、電磁スペクトルの近赤外領域内の波長（例えば、約８５０ｎｍ）を有する光と共に使用される電界吸収変調器に有用である。例えば、サブ層に使用される半導体は、例えば、ＩｎＧａＡｓＰ、ＧａＩｎＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、及びＡｌＧａＡｓＰの格子整合された系のうちのいずれかなどの、ＧａＡｓに基づいた系におけるものであってもよい。例えば、ＧａＡｓ1-xＳｂx／ＧａyＩｎ1-yＡｓzＰ1-z系などの、サブ層のそれぞれが格子整合されてはいないが、歪全体が、格子不整合に起因した欠陥を極小化又は除去するべく均衡化される歪補償された活性層が使用されてもよい。
【００４６】
サブ層の厚さとの関連において、活性層４０６のサブ層の厚さは、約１００ｎｍ未満、約５０ｎｍ未満、約２０ｎｍ未満、又は約１０ｎｍ未満であってもよい。これは、約１ｎｍ〜約１００ｎｍ、約１ｎｍ〜約５０ｎｍ、約１ｎｍ〜約２０ｎｍ、又は約１ｎｍ〜約１０ｎｍの範囲の厚さを含む。更に後述するように、サブ層の数と、従って、活性層４０６の全体厚さＬと、は、電界吸収変調器４００の深度分解能係数
【００４７】
【数４】
0006734292.tif 000005
【００４８】
を極小化するように、選択されてもよく、この場合に、ＭＤは、電界吸収変調器４００の変調深度であり、且つ、Ｔmaxは、電界吸収変調器４００の最大透過値である。選択された全体厚さは、活性層４０６の量子井戸が、非局在化された電子−正孔挙動を示すように構成されてはいない場合に選択される値よりも格段に厚くなる。換言すれば、選択された全体厚さは、活性層４０６の量子井戸が、非局在化された電子−正孔挙動を示すように構成されてはいない場合に深度分解能係数Ｋの値が極小化される値を上回りうる。いくつかの実施形態においては、活性層の全体厚さＬは、１μｍ以上、２μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上、又は７μｍ以上である。これは、活性層４０６の全体厚さＬが、１μｍ〜２０μｍ、２μｍ〜２０μｍ、３μｍ〜２０μｍ、５μｍ〜２０μｍ、又は７μｍ〜２０μｍの範囲である実施形態を含む。これらの全体厚さＬは、従来の電気−光学シャッタの活性層よりも格段に厚い。本明細書において使用される「活性層」という用語は、電界吸収変調器の光吸収層を意味している。従って、比較を目的として、従来の電気−光学シャッタの活性層の厚さは、このような従来の電気−光学シャッタの活性層と関連した光学空洞を形成するいずれの層の厚さをも含んではおらず、その理由は、このような光学空洞が、光を実質的に吸収しないからである。
【００４９】
例示用の活性層は、例えば、７ｎｍの厚さのＧａＡｓの量子井戸及び６ｎｍの厚さのＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓの障壁などの、ＧａＡｓの量子井戸及びＡｌxＧａ1-xＡｓの障壁から構成されてもよい。別の例示用の活性層は、例えば、９ｎｍの厚さのＡｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓの第１量子井戸サブ層、２ｎｍの厚さのＧａＡｓの第２量子井戸サブ層、及び６ｎｍの厚さのＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓの障壁などの、２段階のＧａＡｓ／ＡｌxＧａ1-xＡｓの階段型量子井戸及びＡｌxＧａ1-xＡｓ障壁から構成されてもよい。
【００５０】
電磁スペクトルの短波赤外領域（ＳＷＩＲ）内の波長を有する光と共に使用される電界吸収変調器用の活性層は、大規模な電子−正孔波動関数の非局在化を生成するべく、記述されたシーケンスにおいて配置されたＩｎＰ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＳｂの層を含むことができる。この組成は、ＩｎＰ基材に対して格子整合されることも可能であり、或いは、歪補償されることも可能であろう。一例は、いずれもドーピングされていない、Ｉｎ0.54Ｇａ0.46Ａｓ（５ｎｍ）／Ｉｎ0.59Ｇａ0.41Ａｓ0.89Ｐ0.11（３ｎｍ）／Ｉｎ0.7Ｇａ0.3Ａｓ0.64Ｐ0.36（３．５ｎｍ）／Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ（９ｎｍ）を含む。このマルチ層シーケンスは、厚い「活性領域」（即ち、活性層）を生成するべく、多数回にわたって反復されてもよい。次いで、活性領域は、ｎタイプのＩｎＰ及びｐタイプのＩｎＰ（或いは、ｐタイプの格子整合されたＩｎＡｌＡｓ）により、取り囲まれてもよく、且つ、最後に、電界吸収変調器を形成するべく、最上部において高度にドーピングされたＩｎＧａＡｓ接触層により、取り囲まれてもよい。別の例は、いずれもドーピングされていない、Ｉｎ0.53Ａｌ0.47Ａｓ（１０ｎｍ）／Ｉｎ0.35Ｇａ0.65Ａｓ0.77Ｐ0.23（１８ｎｍ）／Ｉｎ0.53Ａｌ0.47Ａｓ（１ｎｍ）／Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ（３ｎｍ）／ＩｎＰ（１０ｎｍ）を含む。この場合にも、このマルチ層シーケンスは、電界吸収変調器を形成するべく、多数回にわたって反復されてもよく、且つ、類似の層の間において挟持されてもよい。
【００５１】
電磁スペクトルの中波及び長波赤外（ＭＷＩＲ：Ｍｉｄ−Ｗａｖｅ  ＩｎｆｒａＲｅｄ及びＬＷＩＲ：Ｌｏｎｇ−Ｗａｖｅ  ＩｎｆｒａＲｅｄ）領域内の波長を有する光について使用される電界吸収変調器の活性層は、２μｍ〜３０μｍのカットオフ波長を有する、ＧａＳｂ基材に対して格子整合された、或いは、ＧａＳｂ基材に対して歪均衡化された、ＩｎＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＳｂなどの、狭いバンドギャップを有する半導体材料の層を含むことができる。又、このような活性層は、異なる周期のタイプＩＩ超格子を有するように製造されてもよい。例えば、１つの周期は、ＧａＳｂ（４ｎｍ）／ＩｎＡｓ（５．４ｎｍ）の５つの二層と、次いで、ＧａＳｂ（３ｎｍ）／ＩｎＡｓ（４．８ｎｍ）の５つの二層と、から、製造されうるであろう。又、例えば、高度にドーピングされた半導体又は金属から、薄い誘電体（例えば、Ａｌ2Ｏ3）によって分離されたインジウムすず酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）の層などのように、自由キャリア吸収に基づいた電界吸収変調器も、ＭＷＩＲ／ＬＷＩＲスペクトル領域内において製造されうるであろう。
【００５２】
電磁スペクトルの紫外（ＵＶ：ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）領域内の波長を有する光について使用される電界吸収変調器の活性層は、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ／ＡｌＧａＩｎＮなどの、広バンドギャップ半導体の層を含むことができる。組み込まれた電界と、従って、本明細書において記述される電子−正孔波動関数の分離と、を生成するべく、格子不整合によって生成される歪との組合せにおいて、圧電効果を使用することができよう。
【００５３】
上述の且つ本明細書において記述される半導体合金組成においては、合金の相対的な量が変化しうることを理解されたい。例えば、ＡｌＧａＡｓは、Ａｌ及びＧａの相対的な量が変化している層を、即ち、ＡｌxＧａ1-xＡｓを、包含するものと理解されたい。
【００５４】
図４を再度参照すれば、電界吸収変調器４００は、活性層４０６を挟持している、半導体の上部ドープ層４０２（例えば、ｐタイプのＡｌ３．０Ｇａ0.7Ａｓ）と、上部ドープ層とは反対の極性を有する半導体の下部ドープ層４０４（例えば、ｎタイプのＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ）と、を有する。活性層４０６は、上部及び下部ドープ層４０２、４０４との直接的な接触状態にあってもよい。これらの層のそれぞれは、ドーピングされた基材４０８上において配設されてもよい。半導体の下部ドープ層４０４は、基材４０８と同一の極性を有する。上部及び下部ドープ層４０２、４０４のドーピングプロファイル及びドーピングレベルは、印加された電界が、外部バイアスの下において、小さな値に維持されつつ、大規模な自由キャリア吸収を生成しないように、選択されてもよい。例として、上部及び下部ドープ層４０２、４０４は、約１００ｎｍ〜約５００ｎｍの範囲内の厚さと、約５×１０17ｃｍ-3のドーピングレベルと、を有することができる。
【００５５】
又、図４は、電界吸収変調器４００が、いくつかのその他の材料層を含みうることを示している。電界吸収変調器４００は、上部ドープ層４０２上において配設された、非常に高度にドーピング（例えば、１０19ｃｍ-3）された小さなバンドギャップの材料（例えば、ＧａＡｓ又はＧａＩｎＡｓ）の薄い（例えば、約１０ｎｍ〜約１００ｎｍの）接触層を含むことができる。電界吸収変調器４００内の半導体層のそれぞれは、例えば、分子線エピタキシー（ＭＢＥ：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）及び有機金属気相エピタキシー（ＭＯＶＰＥ：ＭｅｔａｌＯｒｇａｎｉｃ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）などの、様々なエピタキシャル成長技法を使用して成長させられてもよい。エピタキシャル層が成長した後に、結果的に得られたマルチ層半導体構造は、後述するように、その他の材料層を堆積させるべく、微細加工技法を使用して処理されてもよい。
【００５６】
図４に示されるように、メサが、例えば、反応イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）などの、湿式化学エッチング又は乾式エッチング技法により、定義及びエッチングされてもよい。次いで、マルチ層半導体構造は、絶縁材料の層４１２（例えば、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｏ4、或いは、例えば、ポリイミド又はベンゾシクロブテンなどの絶縁ポリマー）によってカバーされてもよい。ウィンドウが、絶縁材料４１２の層内に空けられてもよく、且つ、高度な伝導性を有する材料（例えば、金属）の上部接触層４１４が、上部ドープ層４０２上において配設されてもよい。上部接触層４１４は、充填率を極小化しつつ（即ち、光を阻止しつつ）、高周波数において上部接触層４１４における横方向の電圧均一性を極大化させるのに十分なパターンにおいて構成されていてもよい。このパターンは、分岐フラクタルパターンを含むフラクタルパターンであってもよい。このようなパターンは、例えば、一般的なアルゴリズムなどの最適化方式と組み合わせられた状態において、電圧をシミュレートするべく、有限要素法（ＦＥＭ：Ｆｉｎｉｔｅ−Ｅｌｅｍｅｎｔ−Ｍｅｔｈｏｄ）シミュレーションツールを使用して最適化されてもよい。
【００５７】
図４に示されるように、透明な伝導性材料の層４１６（例えば、インジウムすず酸化物又はグラフェン）が、上部接触層４１２が形成される前又は後において横方向の伝導性を改善するべく、上部ドープ層４０２上において配設されてもよい。
【００５８】
電界吸収変調器４００は、下部ドープ層４０４に電気的に結合された下部接触層（図示されていない）を含むことができる。これは、基材４０８の背面上において下部接触層を製造することによって上部から又は下部から下部ドープ層４０４にアクセスすることにより、実現されてもよい。図４の構成においては、背面接触層は、望ましくは、光の阻止を極小化するように構成される。
【００５９】
電界吸収変調器４００は、屈折率の変化に起因した反射を極小化又は防止するべく、上部ドープ層４０２上において配設された上部反射防止被覆４１８と、基材４０８の下方において配設された下部反射防止被覆４２０と、を含むことができる。上部及び下部反射防止被覆４１８、４２０は、例えば、モスアイ（ｍｏｔｈ−ｅｙｅ）構成などのように、広い入射角の範囲にわたって反射を極小化又は防止するように構成されていてもよい。
【００６０】
図９は、図４の電界吸収変調器４００の実施形態に対する一変形を示しており、この変形は、振幅変調された光の選択された波長λに対して十分に透明ではない基材を使用する際に有利でありうる。図９の電界吸収変調器は、図４に示される材料層のそれぞれを含む。但し、図９の電界吸収変調器９００は、下部ドープ層４０４と基材４０８の間のエッチング停止層９２４をも含む。これに加えて、基材４０８は、基材４０８による光の吸収を極小化するべく、十分にエッチングされる。基材４０８を除去するべく、エッチングされないエリアを保護するためのマスキング材料（例えば、フォトレジスト、誘電体、ポリマーなど）を使用することにより、ウィンドウが、基材４０８上において定義されてもよい。次いで、基材４０８用の十分に大きなエッチングレートと、但し、エッチング停止層９２４用の十分に小さなエッチングレートと、を有する、選択的化学エッチングが使用されてもよい。
【００６１】
図４及び図９の電界吸収変調器４００、９００は、シングルパス電界吸収変調器として構成される。「シングルパス」とは、それぞれの電界吸収変調器によって受光された光が、個々の活性層を１回だけ通過することを意味している。このような構成は、例えば、活性層を挟持する分布ブラッグ反射器のペアを使用しているという点において、光学空洞を含む従来の電気子−光学シャットと区別される。このような従来の電気−光学シャッタにおいては、電気−光学シャッタによって受光された光は、活性層を多数回にわたって通過している。従って、いくつかの実施形態においては、開示される電界吸収変調器は、光学空洞を有してはいない。即ち、これらは、「空洞なし」又は「空洞フリー」である。
【００６２】
図１０は、電界吸収変調器１０００の別の例示用の実施形態を示している。この電界吸収変調器１０００は、ダブルパス電界吸収変調器である。「バブルパス」とは、電界吸収変調器１０００によって受光された光が、２度のみだけ、活性層１０６を通過していることを意味している。又、上述のシングルパス電界吸収変調器と同様に、ダブルパス電界吸収変調器も、光学空洞を有してはおらず、従って、従来の電気−光学シャッタとは区別される。図１０の電界吸収変調器１０００は、半導体の上部ドープ層１００２と、上部ドープ層１００２とは反対の極性を有する半導体の下部ドープ層１００４と、上部及び下部ドープ層１００２、１００４の間の活性層１００６と、を有する。これらの層のそれぞれは、ドーピングされた基材１００８上において配設される。上部及び下部ドープ層１００２、１００４並びに活性層１００６は、図４との関係において上述したように構成されていてもよい。又、電界吸収変調器１０００は、上部ドープ層１００２上において配設された高度な伝導性及び反射性を有する材料（例えば、金）の上部接触層１０２６と、基材１００８の下方に配設された反射防止被覆１０２０と、をも含む。接着層（例えば、Ｔｉ、Ｎｉ、又はＣｒの５ｎｍ〜２０ｎｍの厚さの層）が、上部接触層１０２６と上部ドープ層１００２の間に配設されてもよい。電界吸収変調器１０００は、図４との関係において上述したその他の材料層を含むことができる。
【００６３】
図１１は、ダブルパス電界吸収変調器の別の例示用の実施形態を示している。電界吸収変調器１１００は、図１０のダブルパス電界吸収変調器の実施形態の一変形であり、この変形は、振幅変調された光の選択された波長λに対して十分に透明ではない基材を使用する際に有利でありうる。図１１の電界吸収変調器１１００は、図１０に示される材料層のそれぞれを含む。但し、図１１の電界吸収変調器１１００は、下部ドープ層１００４と基材１００８の間にエッチング停止層１１２４をも含む。これに加えて、基材１００８は、基材１００８による光の吸収を極小化するべく、十分にエッチングされる。
【００６４】
図１２は、ダブルパス電界吸収変調器の別の例示用の実施形態を示している。図１２の電界吸収変調器１２００は、半導体の上部ドープ層１２０２と、上部ドープ層１２０２とは反対の極性を有する半導体の下部ドープ層１２０４と、上部及び下部ドープ層１２０２、１２０４の間の活性層１２０６と、を有する。これらの層のそれぞれは、ドーピングされた基材１２０８上において配設される。上部及び下部ドープ層１２０２、１２０４並びに活性層１２０６は、図４との関係において上述したように構成されていてもよい。又、電界吸収変調器１２００は、例えば、下部ドープ層１２０４と基材１２０８の間において、活性層１２０６の下方に配設された単一の分布ブラッグ反射器１２２８をも含む。但し、電界吸収変調器１２００は、光学空洞を提供するべく分布ブラッグ反射器のペアを含む上述の従来の電気−光学シャッタとは区別される。電界吸収変調器１２００は、図４との関係において上述したその他の材料層を含むことができる。
【００６５】
開示される電界吸収変調器の材料層の厚さ及び材料層のドーピングレベルは、電界吸収変調器が大きな降伏電圧を有するように、選択されてもよい。
【００６６】
開示される電界吸収変調器は、上述の開示されるＴＯＦ深度画像化システムのいずれかにおける画像センサの全体面積との関係におけるその全体面積を特徴とすることができる。いくつかの実施形態においては、画像センサの面積に対する電界吸収変調器の面積の比率は、１未満である。画像センサの面積に対する電界吸収変調器の面積の比率は、｛λ／（２＊ｎ＊Ｘ）｝2程度に小さくてもよく、この場合に、選択された波長λは、振幅変調された光の選択された波長であり、ｎは、電界吸収変調器の１つ又は複数の半導体の光屈折率であり（例えば、ｎは、約３である）、且つ、Ｘは、画像センサのピクセルピッチである。これらの比率は、少なくとも従来の電気−光学シャッタの相対的に小さな開口率に起因して、従来の電気−光学シャッタを使用することによっては、可能ではない。
【００６７】
開示される電界吸収変調器は、限定を伴うことなしに、面積当たりの電力消費量、電圧、視野、変調周波数、コントラスト、消光比、シングルパス透過、及びシングルパス吸収を含む、いくつかのその他の性能特性を特徴とすることができる。
【００６８】
又、開示される電界吸収変調器自体も提供され、この電界吸収変調器は、光の変調を必要としている様々な用途において使用されてもよい。一実施形態においては、物体からの反射光を受光すると共に変調周波数ｆによって変調するように構成された電界吸収変調器は、半導体の上部ドープ層と、上部ドープ層とは反対の極性を有する半導体の下部ドープ層と、上部及び下部ドープ層の間の活性層と、を有し、活性層は、交互に変化する量子井戸及び障壁を提供するように構成された半導体の複数のサブ層を有する超格子構造として構成され、活性層は、非局在化された電子−正孔挙動を示すように構成された量子井戸を有する。又、光電子装置も提供され、この光電子装置は、実施形態において、このような電界吸収変調器を有する。又、光を変調する方法も提供され、この方法は、実施形態において、このような電界吸収変調器を光によって照明するステップと、発振電圧信号を電界吸収変調器に印加するステップと、を有する。
【００６９】
開示される電界吸収変調器は、フォトダイオード、逆反射器（ｒｅｔｒｏ−ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）、及びその他の大面積光電子装置を変調するべく、撮像システム内において使用されてもよい。
【００７０】
開示される電界吸収変調器は、光ビームの振幅を変調するが、光ビームの位相を変調する変調器とは区別される、面法線型変調器として構成される。「面法線型」とは、変調対象の光が変調器のプレーンに対してほとんど垂直に伝播することを意味している。同様に、変調器を通じて透過した光は、変調器のプレーンに対してほとんど垂直に伝播する。従って、電界吸収変調器の基材は、振幅変調された光の選択された波長λに対して十分に透明である、或いは、基材による光の吸収を極小化するべく十分にエッチングされた、材料から構成されてもよい。
【００７１】
（ＴＯＦ深度画像化用の電界吸収変調器の設計考慮事項）
本開示は、所与の電力消費量において深度分解能を極大化させるべく電気−光学シャッタを利用した従来のＴＯＦ撮像システムにおいて実施される方式（即ち、このような電気−光学シャッタ内における薄い活性層及び光学空洞の使用）は、欠陥を有している、という本発明者の判定に少なくとも部分的に基づいている。以下、この従来の方式が、説明され、且つ、開示されるＴＯＦ撮像システムにおいて実施される方式と区別される。
【００７２】
変調周波数ｆにおける、厚さＬ及び面積Ａを有する活性層を有する電界吸収変調器の電力消費量Ｐは、以下の式によって付与される。
【００７３】
Ｃ＝εs（Ａ／Ｌ）      式３
Ｖ＝Ｅ・Ｌ      式４
Ｐ＝（１／２）Ｃ・Ｖ2ｆ＝（１／２）εsＡＥ2Ｌｆ      式５
【００７４】
ここで、Ｃは、静電容量であり、εsは、半導体の誘電率であり、Ｖは、印加電圧であり、且つ、Ｅは、電界である。
【００７５】
電界吸収変調器内における光吸収のシフト（図５を参照されたい）は、電界Ｅに関係付けられていることから、Δλという所与の波長シフトにおいて、必要とされる電界は、Ｅ＝（１／Ｄ）Δλであり、ここで、Ｄは、波長シフトの係数であり、且つ、電界吸収変調器に依存している（これは、線形のシフトが生成されるように、Ｅが十分に小さいことを仮定している）。次いで、所与の波長シフトは、所与の電界を必要としており、これは、上述の式に従って、電力消費量を低減するには、活性層の厚さＬを極小化する必要があることを示唆している。
【００７６】
但し、電界吸収変調器の透過Ｔは、厚さＬ及び吸収係数αの指数関数であり、即ち、Ｔ＝ｅｘｐ-α・Lである。従って、薄い活性層を有する電界吸収変調器は、吸収係数αの大きな変化の場合にも、大きな変調深度を生成することにならない。
【００７７】
大きなＬに伴う別の課題は、一連の量子井戸を有する活性層内の電界の均一性に関係している。一般に、変調器の活性層は、ｐ−ｉ−ｎ構造を形成するべく、ｐドープ層とｎドープ層の間において挟持される。厚さＬが大きい（且つ、従って、量子井戸の数が大きい）際には、電界が、一側部において極小化される可能性があり、従って、不均一な電界が結果的に生成されうる。
【００７８】
これらの課題に対処するべく、電気−光学シャッタを利用した従来のＴＯＦ深度画像化システムは、変調器の活性層の周りにおいて光学空洞を使用している（例えば、Ｐａｒｋ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．  Ｍｉｃｒｏ．Ｎａｎｏｌｉｔｈ．  ＭＥＭＳ  ＭＯＥＭＳ  １２（２），０２３０１１  Ａｐｒ−Ｊｕｎ  ２０１３に記述される電気−光学シャッタを参照されたい。以下、本明細書においては、この文献を「Ｐａｒｋ」と呼称する）。光学空洞は、有効光路長をＬを大幅に上回るものに増大させる。従って、薄い活性層の場合にも、大きな吸収を実現することができる。又、非対称な空洞を使用ことにより、αの値が大きい際に、非ゼロの反射を生成することが可能であり、且つ、αの値が小さい際には、約５０％の透過を生成することができる。
【００７９】
但し、光学空洞の存在は、電界吸収変調器の狭いスペクトル応答をもたらす。一般に、改善の量は、ほとんど空洞品質係数Ａに比例しており、光学帯域幅は、Ｑに反比例している。
【００８０】
又、特定の理論に拘束されることを所望するものではないが、光学空洞は、ＴＯＦ深度画像化システムにおける重要な制限にも結び付いており、即ち、光学空洞の結果的に得られる分散は、透過が動作波長λ0において入射角の関数となるようなものである。
【００８１】
例えば、Ｐａｒｋの電気−光学シャッタの場合には、本発明者の数値計算は、θ〜１０°の角度逸脱が、動作波長λ０において、ゼロからその最大値の約半分への反射率の増大に結び付くことを示している（図１３Ａ〜Ｂを参照されたい）。このような変調器の結果的に得られる開口数Ｎ．Ａ．〜ｓｉｎ（θ）は、約ｓｉｎ（１０°）〜０．１７３であり、これは、λ0〜８５０ｎｍの動作波長において、約２λ0／πｓｉｎ（θ）の、即ち、約３μｍの、最小有効ピクセルサイズを結果的にもたらす。その他のシステム制限は、有効ピクセルサイズを悪化させることになるだけである。
【００８２】
対照的に、本明細書において開示される電界吸収変調器は、光学空洞を必要としてはいない。従って、開示される電界吸収変調器の開口数は、非常に大きくなりうる（例えば、少なくとも約０．５、少なくとも約０．８、少なくとも約０．９、約１など）。０．８の開口数は、約０．６５μｍの有効ピクセルサイズをもたらす（Ｐａｒｋの従来の電気−光学シャッタの有効ピクセルサイズよりも、約４．６倍だけ、小さい）。これは、所与の横方向分解能において、開示される電界吸収変調器の面積が、（〜４．６）2だけ、即ち、〜２１倍だけ、Ｐａｒｋの従来の電気−光学シャッタの面積よりも小さくなりうることを意味している。従って、開示される電界吸収変調器の電力消費量は、Ｐａｒｋの従来の電気−光学シャッタとの比較において、大幅に低減されうる（式３〜式５を参照されたい）。同様に、所与の面積において、これは、分解される横方向の点（ピクセル）の数が、約２１倍だけ、開示される電界吸収変調器の場合には、大きくなりうることを意味している。
【００８３】
開示される電子吸収変調器において可能である大きな開口数は、ＴＯＦ深度画像化システムにおいて、異なる利点を目的として、異なる方法により、使用することができる。上述の説明は、電界吸収変調器が画像センサの直接上方に配置されるものと仮定している。但し、電界吸収変調器が、（例えば、レンズを使用することにより）フーリエ場所に運動した場合には、大きな開口数は、有効ピクセルサイズは変更されないが、視野の面積が、同一の倍数だけ、増大することを意味している。これは、上述の計算において示されるものと同一のピクセルの数の改善をもたらすことになる。
【００８４】
上述の利点に加えて、光学空洞の除去は、単位面積当たりの相対的に小さな電力消費量をもたらすことが可能であり、且つ、非局在化された電子−正孔挙動を示すように構成された量子井戸を有する相対的に厚い活性層を使用することにより、良好な性能を実現することができる。これは、上述のように、電力消費量を低減するべく非常に薄い活性層を利用すると共に、吸収を改善するべく強力な吸収の量子井戸及び光学空洞を利用している従来の電気−光学シャッタ（例えば、Ｐａｒｋの電気−光学シャッタ）とは対照的である。Ｐａｒｋの電気−光学シャッタにおいては、活性層は、非局在化された電子−正孔挙動を示すように構成された量子井戸を有してはいない。
【００８５】
（Ｐａｒｋの電気−光学シャッタの深度分解能）
以下のように、Ｐａｒｋの電気−光学シャッタについて、シミュレーションが実行される（Ｐａｒｋの図２及び３を参照されたい）。但し、これらのシミュレーションから導出された結論は、その他の同様に設計された電気−光学シャッタにも適用可能である。Ｐａｒｋに示されるように、電気−光学シャッタの活性層は、約０．５μｍの厚さＬを有している。約９．３Ｖ／μｍの電界において、電気−光学シャッタの透過Ｔは、約６５％から約１５％に変化させることができる。従って、透過最大値Ｔmaxは、約０．６５であり、且つ、変調深度ＭＤは、約（０．６５−０．１５）／０．６５＝０．７７である。
【００８６】
電界吸収変調器の相対深度分解能ΔＺ／Ｚ（所与の距離Ｚにおける深度分解能ΔＺ）は、ほぼ、
【００８７】
【数５】
0006734292.tif 000006
【００８８】
に比例している（例えば、Ｒｏｂｅｒｔ  Ｌａｎｇｅ  ａｎｄ  Ｐｅｔｅｒ  Ｓｅｉｔｚ，  “Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ  Ｔｉｍｅ−ｏｆ−Ｆｌｉｇｈｔ  Ｒａｎｇｅ  Ｃａｍｅｒａ，”  ＩＥＥＥ  ＪＯＵＲＮＡＬ  ＯＦ  ＱＵＡＮＴＵＭ  ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ，  ＶＯＬ．  ３７，  ＮＯ．  ３，  ｐ．３９０，  ２００１を参照されたい）。Ｋの値は、理想的な電界吸収変調器（即ち、１００％のＴmax及び１００％のＭＤを有するもの）の場合に、１である。従って、相対的に小さなＴmax又は相対的に小さなＭＤを有するすべての電界吸収変調器において、Ｋの値は、１超に増大することになる。これは、深度分解能における電界吸収変調器の効果を示している。照明パワー、照明変調深度、及び変調周波数などのその他のシステム変数は、全体的な深度分解能に影響を及ぼす。Ｐａｒｋの電気−光学シャッタの場合には、Ｋは、約１．４６であり、これは、深度分解能が、理想的な変調器を有するシステムの深度分解能の約１．４６倍であることを意味している。
【００８９】
（変更された電気−光学シャッタの深度分解能）
次に、Ｐａｒｋに類似しているが、光学空洞と、相対的に厚い活性層、即ち、２．０μｍの厚さＬを有する活性層、と、を有していない、変更された電気−光学シャッタについて、シミュレーションが実行される。吸収係数は、０から９．３Ｖ／μｍの電界の変化において、約８００ｃｍ-1から約７４００ｃｍ-1に変化している。透過Ｔは、約０．２２から約０．８に変化している。Ｔmaxは、約０．８５であり、ＭＤは、約０．７４であり、且つ、Ｋは、約１．４６である。これは、変更された電気−光学シャッタの相対深度分解能が、Ｐａｒｋの電気−光学シャッタに類似していることを示している。但し、変更された電気−光学シャッタの電力消費量は、ほぼ活性層の厚さの比率だけ、即ち、約２μｍ／０．５μｍ＝４だけ、増大している。これは、光学空洞及び相対的に薄い活性層を使用することにより、電力消費量を低減しつつ、類似の深度分解能を実現することができるという従来から受け入れられている結論をもたらす。但し、本発明者は、この従来から受け入れられている結論は、欠点を有すると判定した。
【００９０】
更に後述するように、非局在化された電子−正孔挙動を示すように構成された量子井戸を有する相対的に厚い活性層を有するが、光学空洞を有してはいない、電界吸収変調器は、従来の電気−光学シャッタとの比較において、改善された性能を実現しうるのみならず、相対的に小さな単位面積当たりの電力消費量を提供しうることが示される。
【００９１】
（非局在化された電子−正孔挙動を示すように構成された量子井戸を有する活性層を有する電界吸収変調器の深度分解能）
約４μｍの厚さＬ及び約８６０ｎｍの動作波長λ0を有する活性層を有する電界吸収変調器について、シミュレーションを実行した（但し、上述のように、活性層のエネルギーバンドギャップは、望ましい光の波長に応じて変更されてもよい）。活性層の量子井戸は、非局在化定電界の印加によって（即ち、非局在化定電圧を電界吸収変調器に印加することによって）非局在化された電子−正孔挙動を示すように構成された正方形量子井戸であった。具体的には、非局在化された定電圧が電界吸収変調器に印加され、且つ、次いで、更なる発振電圧信号が印加された。非局在化定電界は、ほぼゼロの周波数を有し、且つ、従って、式３〜５によって予測されるように無視可能な電力を必要としていることに留意されたい。電界吸収変調器の高透過状態及び低透過状態において、電界を９．７Ｖ／μｍから１２．７Ｖ／μｍに変化させるべく、９．７Ｖ／μｍの非局在化定電界Ｅ0が使用され、且つ、３Ｖ／μｍの変調電界Ｅmが使用された。
【００９２】
８６０ｎｍの波長において、変調電圧は、電界吸収変調器の吸収係数の約７００ｃｍ-1から約４５００ｃｍ-1への変化をもたらす。４μｍの厚さＬにおいて、Ｔmaxは、約０．７５５であり、ＭＤは、約０．７９であり、且つ、Ｋは、約１．４５であり、これは、上述の変更された電気−光学シャッタに類似しており、且つ、Ｐａｒｋの電気−光学シャッタよりも良好である。但し、これらの結果を実現するべく使用された電界の変化は、約３Ｖ／μｍであるに過ぎず、即ち、以前のものよりも約３．１倍だけ、小さい。
【００９３】
電力消費量の式（式３）を使用することにより、電界吸収変調器の活性層の厚さは、Ｐａｒｋの電気−光学シャッタのものよりも、８倍だけ、大きいが、電界は、３．１倍だけ、小さい（３．１2＝９．６倍だけ、小さな比率に結び付く）。合計効果は、電力消費量が、空洞設計の８／９．６又は８３％であり、深度分解能が、約１２％だけ、良好である、というものである。
【００９４】
図１４は、深度分解能係数Ｋ、非局在化定電界Ｅ0、及び活性層の厚さＬの間における正確な関係を示している。これらの結果は、６ｍｍ×７ｍｍの面積Ａを有する電界吸収変調器において得られたものである。電力消費量は、１０ＭＨｚの変調周波数において、１４ワットに設定された。図６に示されるように、非局在化定電界が存在しない（即ち、Ｅ0＝０である）状態において、深度分解能係数Ｋは、Ｌ〜１．２μｍにおいて極小化される。但し、この最小値は、約Ｋ〜３であり、これは、理想的な電界吸収変調器の性能よりも、３倍だけ、不良であることを意味している。但し、非局在化定電界Ｅ0が、電子−正孔波動関数を非局在化するべく、増大された際には、相対的に厚い活性層が、格段に良好な深度分解能を付与する。例えば、Ｅ0＝７．５Ｖ／μｍである場合に、最良の厚さは、約Ｌ＝７μｍであり、且つ、深度分解能は、Ｋ〜１．２により、理想的な性能に非常に接近している。
【００９５】
開示される電界吸収変調器の増大した開口数を考慮した際に、従来の（例えば、Ｐａｒｋにおいて記述される）電気−光学シャッタとの比較における効率の更なる改善が可能である。上述のように、増大した開口数に起因して、開示される電界吸収変調器の面積は、（〜４．６）2だけ、即ち、〜２１倍だけ、従来の電気−光学シャッタの面積よりも小さく、これにより、更に低減された電力消費量を結果的にもたらしうる。
【００９６】
上述のように、この例は、正方形量子井戸に基づいた活性層を有する電界吸収変調器に基づいている。但し、これらの結果は、すべての量子井戸設計において一般化されうる。それにも拘らず、量子井戸のサブ層の数、量子井戸のサブ層の組成、及び量子井戸のサブ層の厚さを調節することにより、非局在化された電子−正孔挙動を示すように構成された量子井戸（例えば、階段型量子井戸）は、特に有利でありうる。その理由は、このような量子井戸は、波動関数を非局在化するための大きな非局在化定電圧の印加に対するニーズを置換しうるからである。従って、上述の結果は、例えば、場合によっては、ゼロに近いバイアスなどのように、９．７Ｖ／μｍよりも格段に小さな非局在化定電界において開始することにより、実現されうる。このような量子井戸用の等価な「組込み型」非局在化定電界Ｅ0は、ほぼ、電子−正孔の非局在化の除去に、即ち、<ｚe>〜<ｚh>である際に、結び付く反対の電界に等しい。
【００９７】
（量子閉じ込めシュタルク効果（ＱＣＳＥ：Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｃｏｎｆｉｎｅｄ  Ｓｔａｒｋ  Ｅｆｆｅｃｔ）に基づいた電界吸収変調器における電子−正孔非局在化の説明）
電界吸収変調器の動作の原理は、所謂、量子閉じ込めシュタルク効果（ＱＣＳＥ）に基づいている。
【００９８】
電界吸収（ＥＡ：ＥｌｅｃｔｒｏＡｂｓｏｒｐｔｉｏｎ）変調器は、量子井戸（ＱＷ：Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｗｅｌｌ）領域内の電界が、装置に跨って外部電界を作用させることにより、変更されうるように、ドーピングされた半導体の積層体内において埋め込まれた、１つのＱＷ又は一連のＱＷから製造された装置である。
【００９９】
装置の吸収エッジとは、（ＱＷの有効バンドギャップに対する光子の益々増大するエネルギーに起因して）光の吸収が、それ未満において指数的に増大している波長である。
【０１００】
ＱＣＳＥの原理は、電界がＱＷ領域に印加されたら、吸収エッジが、相対的に長い波長にシフトすることを示している。
【０１０１】
ＥＡ変調器の動作は、吸収エッジのシフトに基づいており、吸収エッジよりも長い波長を有する光のビームは、ほとんど減衰を伴うことなしに、変調器を通過することができる。但し、電界が印加された際には、吸収エッジは、光の波長を超えて、より長い波長にシフトする。これは、ＱＷが光透過の大幅な低減（大きな減衰）をもたらすことにより、光吸収の大幅な増大に結び付く。従って、装置に印加される外部電圧により、光の透過を変調することができる。
【０１０２】
ＱＷの励起子ピークの波長は、印加された電界（並びに、従って、印加された電圧）に対して二次の関係においてシフトする。後述するように、本発明者は、この二次の関係は、上述の飛行時間（ＴｏＦ）３Ｄ撮像において使用されるものなどの、面法線型ＥＡ変調器の性能を改善するべく、使用されうると判定した。又、ＱＷの吸収エッジも、印加された電界に対して二次の（或いは、場合によっては、更に高次の）方式でシフトしている。
【０１０３】
従来のＱＷにおいては、基底状態の電子及び正孔波動関数は、対称的であり、且つ、従って、基底状態においてＱＷ内において閉じ込められている電子及び正孔の位置の期待値は、ＱＷの中央に位置している。このようなコロケーションは、強力な光双極子行列要素をもたらし、且つ、従って、大きな光学吸収係数をもたらす。類似の説明は、励起子についても実施されうる。
【０１０４】
但し、（ａ）外部電界（例えば、外部電圧）の印加及び（ｂ）ＱＷ電位の設計という電子−正孔（ｅ−ｈ）の非局在化を生成しうる２つの方法が存在している。本発明者は、これらの方法は、いずれも、上述の飛行時間（ＴｏＦ）３Ｄ撮像について使用されるものなどの、面法線型ＥＡ変調器の性能を改善するべく、使用されうると判定した。
【０１０５】
上述のように、外部電界は、吸収エッジをシフトさせるＱＣＳＥをもたらす。従来のＱＷを有する従来のＥＡ変調器においては、結果的に得られるｅ−ｈ非局在化は、光吸収の低減をもたらしている（図１５）。
【０１０６】
上述のように、ＱＣＳＥシフトは、（ほぼ）電界の二次関数であり、これは、電界の所与の変化当たりのシフトが、相対的に高い電界において相対的に大きいことを意味している（式６）。
【０１０７】
【数６】
0006734292.tif 000007
【０１０８】
この概念が、図１６（左の画像）において示されており、この図は、又、外部印加電界に対するピーク吸収係数の迅速な減少（右画像）をも示している。
【０１０９】
次に、ＱＷの電子−正孔（ｅ−ｈ）非局在化の効果について検討する。図１７は、ｅ−ｈ非局在化の挙動を示すように設計されたＱＷ電位を示している（左の画像）。結果は、外部印加電界に対する光学吸収ピークの低減及びピーク吸収波長の変化（即ち、∂λ／∂Ｅ）の増大である（右の画像）。
【０１１０】
電子と正孔は分離されることから、これは、値ΔＥを有する有効「内部電界」としてモデル化されてもよく、この値は、ほぼ、互いに上下の関係においてｅ−ｈ期待位置を押し返す（即ち、それらを共局在化させる）べく必要とされる外部電界の大きさである。この結果、図１５（左）の二次曲線は、いまや、ΔＥだけ、左にシフトされることがわかる（図１８の左を参照されたい）。この結果、ピーク吸収波長と、外部電界Ｅに対するその変化と、の概略式は、次式のとおりである。
【０１１１】
【数７】
0006734292.tif 000008
【０１１２】
式７は、ピーク吸収波長（並びに、吸収エッジ）のシフトが、いまや、外部電界Ｅのより高感度な関数であることを示している。視覚的比較のために、図１８に示される、ｅ−ｈ非局在化の挙動を示すように設計されたＱＷにおける実線と従来のＱＷにおける点線の間の差を参照されたい。
【０１１３】
上述のように、Ｅ0＞０の一定の外部電界を正方形量子井戸に印加することにより、類似の効果が実現されてもよく、これは、事実上、式７におけるＥ0＝ΔＥとして、波長の変化の類似の改善と、光学吸収係数の類似の低減と、をもたらす。
【０１１４】
ｅ−ｈ非局在化の結果は、低減された波動関数の重なり積分に起因した光学伝達行列要素の低減であり、これは、光学吸収係数を低減する（図１８の右を参照されたい）。但し、本発明者は、この結果にも拘わらず、ＴｏＦ撮像においては、このような面法線型ＥＡ変調器の性能は、ｅ−ｈ非局在化挙動を示すように構成されたＱＷを有してはいない従来の面法線型ＥＡ変調器を上回りうると判定した。
【０１１５】
具体的には、本発明者は、低減された吸収係数αは、変調器の厚さを増大させることにより、補償することが可能であると判定しており、その理由は、全体透過がｅｘｐ（−α・Ｌ）であるからである。但し、必要とされる電界Ｅについて、電圧は、Ｖ＝Ｅ．Ｌであり、且つ、従って、変調器が厚くなるほど（Ｌが大きくなるほど）、電圧Ｖは、高くなる。変調器の電力消費量は、ＣＶ2に比例しており、且つ、Ｖは、Ｌに比例しており、且つ、Ｃは、Ｌに反比例していることから、全体電力消費量は、Ｌに比例している（電力は、所与の電界において、変調器の厚さに伴って線形で増大する）。但し、透過は、Ｌの指数関数であり、且つ、所与の電力消費量において、なんらかの厚さにおいて、利益は、最適なものになる。図１４に示されるように、数値シミュレーションは、この最適点は、従来の変調器よりも良好な変調器のｅ−ｈ非局在化の性能（即ち、ΔＥ又はＥ0＞０）を付与することを示している。例えば、図１４は、（Ｅ0＝６Ｖ／μｍによって示される）ｅ−ｈ非局在化に伴う変調器の性能は、（Ｅ0＝０Ｖ／μｍを有する）従来のＱＷ変調器よりも格段に良好であることを示している。但し、ｅ−ｈ非局在化は、相対的に大きなＬ（ｅ−ｈ非局在化用のＬoptimum〜４μｍ）が、いまや、最適性能を生成することを意味している。
【０１１６】
（方法）
又、開示される電界吸収変調器及びＴＯＦ深度画像化システムを使用する方法も提供される。電界吸収変調器は、光（例えば、電磁スペクトルの短波赤外領域、近赤外領域、又は可視領域内の波長を有する光）の変調を必要としている様々な用途において使用されうる。このような用途は、開示される電界吸収変調器のいずれかを光によって照明するステップと、電界吸収変調器を通じた光の透過を変調するべく、望ましい周波数を特徴とする発振電圧信号を印加するステップと、を伴っている。
【０１１７】
上述のように、このような用途のうちの１つが、ＴＯＦ深度画像化である。このような用途は、物体からの反射光を生成するべく、波長λ及び変調周波数ｆを特徴とする振幅変調された光によって物体を照明するステップと、変調された反射光を生成するべく、開示される電界吸収変調器のいずれかを使用して物体からの反射光を変調するステップと、画像センサを介して電界吸収変調器からの変調された反射光を検出するステップと、を伴っている。このような用途を実行するべく、開示されるＴＯＦ深度画像化システムのうちの任意のものが使用されてもよい。
【０１１８】
例
（１５０ＭＨｚ飛行時間３Ｄ−ＳＷＩＲカメラ）
この例は、１５５０ｎｍの短波赤外線（ＳＷＩＲ）において動作する第１の３Ｄ飛行時間（ＴｏＦ）カメラの結果を提示している。これは、１５０ＭＨｚの変調周波数を有する後面ミラー及びＥｒドーピングされたファイバレーザー増幅器（ＥＤＦＡ：Ｅｒ  Ｄｏｐｅｄ  Ｆｉｂｅｒ  ｌａｓｅｒ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）を有する面法線型空洞なし電界吸収変調器を含む。フィールドプログラム可能なゲートアレイ（ＦＰＧＡ：Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙ）は、ＥＤＦＡとの関係において変調器のドライバ上において４つの直交位相シフトを生成する。この結果、市販のＳＷＩＲカメラが、３Ｄカメラに変化する。４ｍｍの対物レンズは、照明されたシーンからの反射光を変調器の後面上にマッピングする。そして、後面からの反射光が、５０ｍｍのカメラレンズにより、ＳＷＩＲカメラの３２０×２５６ピクセル画像センサ上にマッピングされる。これらの結果が、設計詳細事項及びシステム性能の説明と共に、以下において提示される。ＳＷＩＲカメラに対して深度次元を追加する能力は、ＳＷＩＲ用途の多様性を大幅に増大させる。
【０１１９】
ＳＷＩＲカメラは、可視又は相対的に長波の赤外線帯域内において機能する装置との比較において、いくつかの利点を有している。煙及び霞を透視する能力に加えて、ＳＷＩＲ帯域は、可視カメラによってはキャプチャされないガラス及び層を透視するその能力に起因して、ナビゲーションに有用であると共にマシンビジョンの場合に強力である現実的な夜間視力を提供する。この例において示されるように、深度計測能力をＳＷＩＲカメラに追加することにより、ＳＷＩＲ帯域の光学特性の利点を活用する能力を有するユニークな飛行時間システムが生成された。
【０１２０】
この例は、１５０ＭＨｚの変調周波数において動作する４位相技法に基づいた第１間接ＴｏＦ−３Ｄ−ＳＷＩＲカメラの実証である。この方法においては、変調された光が、シーンを照明し、且つ、反射光が、ＴｏＦセンサによってキャプチャされる。深度計測は、供給源−物体−撮像装置の経路内における伝播光の位相蓄積の検出に結び付けられていることから、相対的に高い時間分解能を相対的に高い変調周波数において実現することができる。このシステムにおける主要な技術革新は、画像センサによってキャプチャされる前に物体からの反射光を復調するためのグローバルシャッタとしての、後述する電界吸収変調器の使用法である。このような変調器は、ＧＨｚの範囲の周波数において動作し、これにより、前例のない分解能性能を提供することができる。これに加えて、この特徴が既成の従来技術のＣＭＯＳ画像センサの利用を許容していることから、このような変調器は、近赤外（ＮＷＩＲ）用途に非常に適している。
【０１２１】
４位相技法においては、Ｑ0、Ｑ90、Ｑ180、及びＱ270の４つの象限を生成するべく、シーンが、変調された光によって照明され、且つ、シーン内の物体からの反射光が、４つの異なる位相シフトによって復調され、且つ、特定の蓄積時間内において画像センサのそれぞれの個々のピクセルによってキャプチャされる。供給源−物体−撮像装置の経路と関連した位相遅延は、以下の式により、照明された信号及び反射された信号の相互相関を通じて算出することができる。
【０１２２】
φ＝ｔａｎ-1［（Ｑ270−Ｑ90）／（Ｑ0−Ｑ180）］      式８
【０１２３】
象限の間の減算及び除算は、すべてのシステム応答及びオフセットを相殺し、これにより、システムの較正における複雑さが低減される。深度分解能における不確実性は、変調−復調係数（ｋ＝Ｃmod＊Ｃdem）と変調周波数の積に正比例している。
【０１２４】
【数８】
0006734292.tif 000009
【０１２５】
ここで、Ｂは、画像センサ及びバックグラウンドからのノイズであり、Ａは、復調された信号であり、且つ、これは、シーンからの反射されたパワーであり、これは、それぞれの画像センサのピクセルによってキャプチャされる。信号のショットノイズによって制限された状況においては、精度は、反射されたパワー深度の平方根によって改善することができるが、これは、変調周波数及び変調コントラストによて直接的に改善することもできる。従って、電力消費量を考慮することにより、照明パワーの増大よりも、大きな変調深度及び変調周波数を提供する相対的に良好な変調器を選択することが相対的に有益である。
【０１２６】
位相をアンラップするための復調プロセスは、光学な方式と電子的な方式の両方において実行することができる。電子回路レベルの変調においては、画像センサのそれぞれのピクセルが、キャプチャされた信号を復調している。このような専門的なピクセルは、光子変調型の装置（ＰＭＤ：Ｐｈｏｔｏ−Ｍｏｄｕｌａｔｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）と呼称される。いくつかのＴｏＦカメラが、この方法に基づいて開発されており、これらは、いずれも、８５０ｎｍにおいて動作している。この方式は、ＣＭＯＳプロセスとの間におけるその互換性に起因して魅力的である、という事実にも拘らず、１００ＭＨｚ超の変調周波数は、隣接するピクセルとの間におけるクロストークのレベルの制御に起因して、非常に困難である。これに加えて、メガピクセルＴｏＦ検知の場合には、ローカルな電子的変調は、個々のピクセルの複雑さに起因して、厳格な制限をピクセルサイズに対して課すことになる。電子回路レベルの変調において報告される最大周波数は、１３０ＭＨｚである。
【０１２７】
その一方で、オプティクスレベルの復調は、ＧＨｚの速度に到達することが可能であり、且つ、画像取得からの復調プロセスの結合解除を許容している。この方式においては、到来する信号を復調すると共に位相をアンラップするべく、グローバル光学シャッタが、シーンと画像センサの間に配置される。Ｐａｒｋによって採用された従来のオプティクスレベルの復調方式については、上述したとおりである（グローバルシャッタとしての８５０ｎｍにおける電界吸収空洞に基づいた変調器及び復調された象限をキャプチャするためのＲＧＢ画像センサ）。但し、ＧＨｚの範囲内の速度への到達は、変調メカニズムとは無関係に、変調器サイズの大幅な低減を必要としている。従って、実用的なＧＨｚシステムは、画像センサよりも小さな変調器を必要としている。この結果、到来画像の変調器に対するマッピングには、高ＮＡのオプティクスが必要とされる。高ＮＡのオプティクスは、高角度を有する焦点ビームと関連付けられている。これは、変調器が、高入射角においてその性能を維持しなければならないことを意味している。広角度受光の欠如は、変調周波数に対する制限に結び付く。
【０１２８】
上述のように、（Ｐａｒｋにおいて実施されるような）光学空洞の実装は、受光角の範囲に対する深刻な制限という犠牲の下に光路を増大させることにより、変調深度を増大させている。小さな受光角は、変調器を通過するビームを画像センサに結合するべく使用されうるオプティクスのＮＡに対して上限を設定する。この結果、Ｐａｒｋの方式は、ＧＨｚの速度に到達するべく、変調器のサイズを縮小させることができない。実際に、オプティクスレベルの変調器は、上述の制限に起因して、２０ＭＨｚの変調周波数未満に留まっている。これに加えて、光学空洞は、印加された電圧のみならず、接合温度に対する変調器の感度を増大させ、これにより、システムレベルにおける更なる複雑さを結果的にもたらす。この結果、従来の方式は、次世代の３Ｄカメラを実現するべく、電子回路レベルの変調の使用に戻っている。
【０１２９】
対照的に、本開示において採用される方式は、オプティクスレベルの変調を伴っており、従って、これは、電子回路レベルの変調の制限を有してはいない。これに加えて、上述のように、これは、開示される変調器の特別な設計に起因して、Ｐａｒｋの変調器との比較において、印加された電圧に対して基本的に格段に高感度である。この例外的な感度は、光学空洞に基づいた構造の除去を許容している。空洞が存在しないという特徴は、高ＮＡのオプティクスにおいて好ましい、非常に大きな受光角を変調器に対して提供する。従って、変調器のサイズに対する制約の低減に起因し、ＧＨｚの速度を実現することができる。
【０１３０】
図１９は、この例において使用されるＴＯＦ深度画像化システム１９００を示している。この実験設備は、光源１９０４（１５５０ｎｍにおいて動作するレーザーダイオード）と、電界吸収変調器１９０６と、ＳＷＩＲカメラ１９０８（５０ｍｍのカメラレンズ及び画像センサを含む）と、を含む、協働するいくつかの電気的且つ光学的コンポーネントを含む。以下、更なる詳細について更に説明する。
【０１３１】
顕微鏡は、無限オプティクスに基づいて構成される。変調された照明信号がシーン１９０２上に入射した後に、反射された信号は、シーン１９０２の外側の供給源からのノイズを低減するべく、レンズチューブ１９０３を通じて収集される。収集された信号は、５０／５０ビームスプリッタ１９１８によって分割され、これにより、受光された信号の半分が、５０×の顕微鏡対物レンズ１９１９に送られる。対物レンズ１９１９は、受光された信号を変調器１９０６の表面上に合焦する。変調器１９０６の後面は、ミラーのみならず、変調器１９０６を駆動するための後部電気接点のように、機能する金によって被覆される。変調器１９０６は、上述のダブルパス電界吸収変調器として構成される。変調器１９０６は、上述のＳＷＩＲ光（例えば、１５５０ｎｍの光）と共に使用されるように構成されており、非局在化された電子−正孔挙動を示すように構成された量子井戸を有する活性層を含む。ここで、信号は、復調され、且つ、顕微鏡の対物レンズ１９１９によって再収集される。コリメートされた信号は、ビームスプリッタ１９１８を通過し、且つ、最終的に、カメラレンズを通じてカメラ１９０８のピクセル上においてマッピングされる。８度（水平方向）×１１度（垂直方向）の視野（ＦＯＶ：Ｆｉｅｌｄ  Ｏｆ  Ｖｉｅｗ）が、１．０のｆ値を有する５０ｍｍのカメラレンズによって課される。変調器１９０６の画像は、１２．５の倍率（対物レンズに対するカメラレンズの比率：５０ｍｍ／４ｍｍ）により、カメラ１９０８の画像センサ内にマッピングされる。画像センサは、３０ミクロンのピッチの３２０×２５６ピクセルを有しており、これにより、９．６０ｍｍ×７．６８ｍｍの撮像エリアを生成している。従って、変調器の面積は、〜０．５ｍｍ2（０．７６８ｍｍ×０．６１４ｍｍ）でなければならない。使用される変調器１９０６は、円形の形状を有する類似の面積を有している。高角度オプティクスとの関連において、変調器１９０６は、対物レンズ１９１９がＮＡ〜０．４２を有するという事実にも拘らず、優れた性能を有している。
【０１３２】
電子回路側においては、光源１９０４及び変調器１９０６を駆動するべく使用される変調周波数信号を生成及び制御するために、フィールドプログラム可能なゲートアレイ（ＦＰＦＡ）が使用された。直交変調信号が、ＸｉｌｉｎｉｘのＳｐａｒｔａｎ  ＶＩ  ＦＰＧＡ基板によって内部的に生成された。直交クロックを生成するべく、Ｘｉｌｉｎｉｘから提供されたＩＰコアを使用してデジタルクロックマネージャ（ＤＣＭ：Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｃｌｏｃｋ  Ｍａｎａｇｅｒ）を生成した。ＤＣＭは、入力信号を取得することが可能であり、且つ、それぞれ、０、９０、１８０、２７０度だけ、それぞれが位相シフトされた４つの出力を生成することができる。ＤＣＭの出力は、（こちらもＦＰＧＡ内においてプログラミングされる）４対１デジタルマルチプレクサ内に供給された。Ｃ＋＋プログラムを使用することにより、カメラ１９０８からフレームを読み出し、且つ、コンピュータからの象限信号スイッチングトリガを同期化した。象限をキャプチャするべく使用されたアルゴリズムは、２つのステップを有していた。象限取得ステージにおいては、それぞれの象限が、複数回にわたってキャプチャされ、且つ、その信号対ノイズ比（ＳＮＲ：Ｓｉｇｎａｌ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ）を改善するべく、平均化される。深度取得ステージにおいては、深度情報を生成するべく、４つの平均化された象限がキャプチャされる。いくつかの深度画像を取得し、且つ、それらを平均化することにより、ＳＮＲが更に改善される。
【０１３３】
ＦＰＧＡの出力は、電圧増幅器（ＴＩ  ＴＨＳ３００１ＣＤ）に供給された。電圧増幅器の出力は、−５０ボルトのバイアスを印加するべく、バイアスティーを通じて供給された。最後に、変調信号は、専門的なＲＦプローブを通じて、変調器１９０６の接触パッドに送信された。又、光学変調器１９０６に対する変調信号の提供に加えて、設備内のＦＰＧＡは、変調信号を光源１９０４に対しても提供している。ゼロ度だけ位相シフトされたクロック信号が、ＦＰＧＡから光源１９０４（５ｍｗのＤＦＢの１５５０ｎｍレーザーダイオード）に供給された。レーザーの出力は、シングルモード１５５０ファイバを通じて、エルビウムドーピングされたファイバ増幅器（ＥＤＦＡ）に供給された。ＥＤＦＡの出力は、ファイバを通じてスタンドに供給され、ここで、信号は、自由空間内に膨張するべく、且つ、シーン１９０２を照明するべく、自由であった。画像内のスペックルノイズの影響を低減するべく、回転拡散器１９０５が、ファイバホルダの出力において配置されていた。
【０１３４】
変調器の性能の特徴を判定するべく、光をマルチモードファイバ内に収集するコリメータにより、図１９のＳＷＩＲカメラ１９０８を置換した代替設備が構築された。この状況においては、シーン１９０２を照明する代わりに、信号は、チューニング可能なレーザー供給源の出力からコリメートされたビームを注入することにより、直接的に提供された。レーザー信号は、ビームスプリッタ１９１８により、変調器１９０６内に反射された。変調された信号は、再度、顕微鏡の対物レンズ１９１９によって再収集され、且つ、次いで、ＰＩＮフォトダイオードによって計測されるべく、マルチモードファイバ内に結合された。低周波数モードにおいては、ＰＩＮ検出器からの信号は、ｄｃ結合された増幅器であることから、低ノイズ増幅器（ＬＮＡ、ＳＲ５７０）を通じて増幅され、高周波数モードにおいては、電圧増幅器（ＤＵＰＶＡ−１−７０）を通じて増幅された。信号は、ＦＰＧＡによって駆動されると共にＰＩＮ検出器によって計測される別のレーザーダイオードにより、選択されたゼロ度位相シフトされた変調信号（５０ＭＨｚ、１００ＭＨｚ、又は１５０ＭＨｚ）において光学的にトリガされる２．５ＧＨｚのオシロスコープ上において計測された。この構成は、ＤＣＭのベースクロックとの関係において信号の位相シフトを直接的に計測しつつ、変調とトリガ信号の間のクロストークの低減を許容した。
【０１３５】
次に、計測されたシステムパラメータについて説明する。２つの重要なパラメータは、照明及び変調器の側における変調及び復調深度（ＤｏＭ）である。このタイプの計測においては、信号のｄｃ及びａｃレベルの両方が保持される必要がある。ＬＮＡは、ｄｃ結合された増幅器であることから、低周波数（１０ｋＨｚ）変調器の性能は、まず、ＬＮＡを使用して計測され、且つ、そのａｃ成分が、ＤＵＰＶＡによって計測される高周波数（ＭＨｚの範囲）変調器の性能のａｃ成分と比較された。表１は、異なる高周波数におけるこの計測の結果及び抽出されたＤｏＭを示している。第２列の電圧スイングは、電圧増幅器の出力を付与していることに留意されたい。低周波数計測においては、同一の電圧スイングが、正しい比較を取得するべく、印加された。
【０１３６】
【表１】
0006734292.tif 000010
【０１３７】
又、異なる変調周波数における３Ｄ計測結果も取得された。彫像（シーン１９０２）が、システム１９００から１．５ｍだけ離れたところに配置された。システム１９００に向かって対向しているフラットで均質なランバート物体の深度計測値が、１５０ＭＨｚ、１００ＭＨｚ、及び５０ＭＨｚにおいて取得された。物体に跨る深度マップは、物体の平坦性にも拘らず、一定ではなかった。従って、すべての後続の一般的な物体は、この較正データを使用して補正されなければならない。図２０Ａ〜図２０Ｃは、較正データを使用した補正の後の彫像の１５０ＭＨｚ（Ａ）、１００ＭＨｚ（Ｂ）、及び５０ＭＨｚ（Ｃ）における深度計測値を示している。これらの画像は、６つの画像を取得し、且つ、象限計測ごとに平均化し、且つ、深度計測ごとに１００個の平均値を平均化することにより、導出された。カメラ１９０８の蓄積時間は、高利得モードに伴って、１５０ｍｓｅｃにおいて設定された。
【０１３８】
図２１Ａは、カメラ１９０８によって取得された彫像のＳＷＩＲ画像を示している。図２１Ｂ〜２０１Ｄは、異なる周波数における深度分解能を比較している。深度分解能を取得するべく、計測全体の標準偏差を算出して深度データのｒｍｓを取得した。これらの値は、象限当たりに６回の平均化を伴う単一の深度計測について割り当てられていることに留意されたい。深度計測当たりに１００回の平均化を取得することにより、図２０Ａ〜図２０Ｃのデータは、図２１Ｂ〜図２１Ｄに示されるものよりも、１０倍だけ、小さなｒｍｓを有している。
【０１３９】
図２２は、変調周波数の関数として、システム１９００の変調応答をＰａｒｋのシステムと比較しており、これにより、本明細書において開示されるシステム１９００及びＴＯＦ深度画像化に対する方式の優位性を実証している。
【０１４０】
結論として、１５０ＭＨｚ変調周波数を有する第１のＳＷＩＲ−３Ｄカメラが実証された。システムは、任意の市販のＳＷＩＲカメラを内蔵することができる。このシステムは、画像のキャプチャからの復調の結合解除を許容することにより、非常に高い周波数の変調を結果的にもたらすという利益を有している。このシステムは、夜間視力及び乱れた雰囲気などの、多数のＳＷＩＲ用途において使用されうる。
【０１４１】
「例示用の」という単語は、本明細書においては、一例、事例、又は例示として機能することを意味するべく、使用される。「例示用」として本明細書において記述されるすべての態様又は設計は、必ずしも、その他の態様又は設計よりも好適又は有利であると解釈されるべきではない。更には、本開示を目的として、且つ、そうではない旨が規定されていない限り、「１つの（ａ）」又は「１つの（ａｎ）」は、「１つ以上の」を意味している。
【０１４２】
本発明の例示用の実施形態に関する上述の説明は、例示及び説明を目的として提示される。これは、すべてを網羅することを又は本発明を開示された形態そのままに限定することを意図したものではなく、且つ、変更及び変形が、上述の教示に鑑み、可能であり、或いは、本発明の実施を通じて取得されうる。実施形態は、当業者が、本発明を、様々な実施形態において、且つ、想定される特定の使用法に適した様々な変更を伴って、利用できるようにするために、本発明の原理を説明するべく、且つ、本発明の実際的な用途として、選択及び記述される。本発明は、添付の請求項及びその均等物によって定義されるものと解釈されたい。
【図１】
0006734292.tif 000011
【図２】
0006734292.tif 000012
【図３】
0006734292.tif 000013
【図４】
0006734292.tif 000014
【図５】
0006734292.tif 000015
【図６】
0006734292.tif 000016
【図７】
0006734292.tif 000017
【図８】
0006734292.tif 000018
【図９】
0006734292.tif 000019
【図１０】
0006734292.tif 000020
【図１１】
0006734292.tif 000021
【図１２】
0006734292.tif 000022
【図１３Ａ】
0006734292.tif 000023
【図１３Ｂ】
0006734292.tif 000024
【図１４】
0006734292.tif 000025
【図１５】
0006734292.tif 000026
【図１６】
0006734292.tif 000027
【図１７】
0006734292.tif 000028
【図１８】
0006734292.tif 000029
【図１９】
0006734292.tif 000030
【図２０Ａ】
0006734292.tif 000031
【図２０Ｂ】
0006734292.tif 000032
【図２０Ｃ】
0006734292.tif 000033
【図２１Ａ】
0006734292.tif 000034
【図２１Ｂ】
0006734292.tif 000035
【図２１Ｃ】
0006734292.tif 000036
【図２１Ｄ】
0006734292.tif 000037
【図２２】
0006734292.tif 000038