(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成され、互いに同電位の複数の第１電極指と前記複数の第１電極指の電位と異なり互いに同電位の複数の第２電極指とを含み、少なくとも一対の隣接する第１電極指の間に２本のみの第２電極指が設けられ、少なくとも一対の隣接する第２電極指の間に２本のみの第１電極指が設けられ、前記複数の第１電極指および前記複数の第２電極指が励振する弾性波の波長をλとし、前記２本のみの第１電極指の中心同士の間隔をＰｇ１としたとき、λ／８＜Ｐｇ１＜λ／４またはλ／４＜Ｐｇ１＜３×λ／８であり、前記２本のみの第２電極指の中心同士の間隔をＰｇ２としたとき、λ／８＜Ｐｇ２＜λ／４またはλ／４＜Ｐｇ２＜３×λ／８であるグレーティング電極と、
を具備し、
前記２本のみの第２電極指の配列方向における前記２本のみの第２電極指の各々の幅は互いに同じであり、
前記複数の第１電極指と前記複数の第２電極指とが交叉する交叉領域における異方性係数は正である弾性波共振器。
【請求項２】
３×λ／１６＜Ｐｇ１＜λ／４であり、かつ３×λ／１６＜Ｐｇ２＜λ／４である請求項１記載の弾性波共振器。
【請求項３】
λ／４＜Ｐｇ１＜５×λ／１６であり、かつλ／４＜Ｐｇ２＜５×λ／１６である請求項１記載の弾性波共振器。
【請求項４】
前記２本のみの第１電極指の配列方向における前記２本のみの第１電極指の各々の幅は互いに同じである請求項１から３のいずれか一項記載の弾性波共振器。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波共振器を含むフィルタ。
【請求項６】
請求項５記載のフィルタを含むマルチプレクサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサに関し、例えば圧電基板上に形成されたグレーティング電極を有する弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話を代表とする高周波通信用システムにおいて、通信に使用する周波数帯以外の不要な信号を除去するために、高周波フィルタ等が用いられている。高周波フィルタ等には、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface acoustic wave）共振器等の弾性波共振器が用いられている。ＳＡＷ共振器においては、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板またはニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）基板等の圧電基板上に金属グレーティング電極が形成されている。
【０００３】
グレーティング電極は、弾性表面波の一種であるＳＨ（Shear Horizontal）波、レーリー波または弾性境界波等を励起する。グレーティング電極が励振した弾性波の主たる伝搬方向の両側に反射器を設けることで、これらの弾性波をグレーティング電極付近に閉じ込める。弾性波共振器を用いラダー型フィルタや多重モードフィルタが実現できる。グレーティング電極において、弾性波の伝搬方向に垂直な方向の幅を重み付けした弾性波共振器が知られている（例えば特許文献１および２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−２７０６６７号公報
【特許文献２】特開２００８−７８８８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
グレーティング電極を有する弾性波共振器においては、不要応答である横モードスプリアスが生じる。横モードスプリアスは、弾性波の伝搬方向に垂直な方向の成分を有する弾性波が、ある波長で強めあうことで生じる。特許文献１および２においては、弾性波の伝搬方向に対して交叉幅が変化しているため、横モードスプリアスが生じる周波数が伝搬方向に対し変化する。このため、横モードの弾性波が強めあう周波数が平均化され、横モードスプリアスが抑制される。しかしながら、横モードの弾性波の発生が抑制されているのではない。このため、グレーティング電極外に横モードの弾性波が漏れる。よって、損失が生じる。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、横モードスプリアスを抑制し、かつ低損失な弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に形成され、互いに同電位の複数の第１電極指と前記複数の第１電極指の電位と異なり互いに同電位の複数の第２電極指とを含み、少なくとも一対の隣接する第１電極指の間に２本のみの第２電極指が設けられ、少なくとも一対の隣接する第２電極指の間に２本のみの第１電極指が設けられ、前記複数の第１電極指および前記複数の第２電極指が励振する弾性波の波長をλとし、前記２本のみの第１電極指の中心同士の間隔をＰｇ１としたとき、λ／８＜Ｐｇ１＜λ／４またはλ／４＜Ｐｇ１＜３×λ／８であり、前記２本のみの第２電極指の中心同士の間隔をＰｇ２としたとき、λ／８＜Ｐｇ２＜λ／４またはλ／４＜Ｐｇ２＜３×λ／８であるグレーティング電極と、を具備し、前記２本のみの第２電極指の配列方向における前記２本のみの第２電極指の各々の幅は互いに同じであり、前記複数の第１電極指と前記複数の第２電極指とが交叉する交叉領域における異方性係数は正である弾性波共振器である。
【０００８】
上記構成において、３×λ／１６＜Ｐｇ１＜λ／４であり、かつ３×λ／１６＜Ｐｇ２＜λ／４である構成とすることができる。
【０００９】
上記構成においてλ／４＜Ｐｇ１＜５×λ／１６であり、かつλ／４＜Ｐｇ２＜５×λ／１６である構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記２本のみの第１電極指の配列方向における前記２本のみの第１電極指の各々の幅は互いに同じである構成とすることができる。
【００１４】
本発明は、上記弾性波共振器を含むフィルタである。
【００１５】
本発明は、上記フィルタを含むマルチプレクサである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、横モードスプリアスを抑制し、かつ低損失な弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１（ａ）は、比較例および実施例に係る弾性波共振器の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２】図２（ａ）は、Ｘ方向およびＹ方向における波数の平面図、図２（ｂ）は、βｘ／β０に対するβｙ／β０を示す図である。
【図３】図３（ａ）および図３（ｂ）は、比較例１および２に係る弾性波共振器のＩＤＴの一部を示す平面図である。
【図４】図４（ａ）は、比較例１の断面図、図４（ｂ）は１ポート共振器の反射特性Ｓ１１を示すスミスチャートである。
【図５】図５（ａ）は、比較例２の断面図、図５（ｂ）は１ポート共振器の反射特性Ｓ１１を示すスミスチャートである。
【図６】図６（ａ）および図６（ｂ）は、実施例１に係る弾性波共振器のＩＤＴの一部を示す平面図である。
【図７】図７（ａ）は、実施例１の断面図、図７（ｂ）は１ポート共振器の反射特性Ｓ１１を示すスミスチャートである。
【図８】図８（ａ）から図８（ｃ）は、実施例１の変形例に係る弾性波共振器のＩＤＴの一部を示す平面図である。
【図９】図９（ａ）は、実施例２に係る弾性波共振器のＩＤＴの一部を示す平面図、図９（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。
【図１０】図１０（ａ）は、実施例２の断面図、図１０（ｂ）は１ポート共振器の反射特性Ｓ１１を示すスミスチャートである。
【図１１】図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、実施例２の変形例に係る弾性波共振器のＩＤＴの一部を示す断面図である。
【図１２】図１２（ａ）は、実施例３に係るフィルタの回路図、図１２（ｂ）は、実施例３の変形例に係るデュプレクサの回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の比較例および実施例に係る弾性波共振器の構造について説明する。図１（ａ）は、比較例および実施例に係る弾性波共振器の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、圧電基板１０上にＩＤＴ２１および反射器２２形成されている。ＩＤＴ２１および反射器２２は、圧電基板１０に形成された金属膜１２により形成される。ＩＤＴ２１は、対向する一対の櫛型電極２０を備える。櫛型電極２０は、複数の電極指１４と、複数の電極指１４が接続されたバスバー１８を備える。複数の電極指１４は、グレーティング電極１６を形成する。一対の櫛型電極２０は、電極指１４がほぼ互い違いとなるように、対向して設けられている。
【００１９】
一対の櫛型電極２０のグレーティング電極１６が交叉する領域が交叉領域１５である。交叉領域１５においてグレーティング電極１６が励振する弾性波は、主に電極指１４の配列方向に伝搬する。グレーティング電極１６の周期がほぼ弾性波の波長λとなる。一方の櫛型電極２０の金属グレーティング電極１６の先端と他方の櫛型電極２０のバスバー１８との間の領域がギャップ領域１７である。ダミー電極指が設けられている場合、ギャップ領域は電極指の先端とダミー電極指の先端の間の領域である。弾性波の伝搬方向をＸ方向、伝搬方向に直交する方向をＹ方向とする。Ｘ方向およびＹ方向は、圧電基板１０の結晶方位のＸ軸方向およびＹ軸方向とは必ずしも対応しない。圧電基板１０は、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である。金属膜１２は、例えばアルミニウム膜または銅膜である。
【００２０】
次に、異方性係数について説明する。図２（ａ）は、Ｘ方向およびＹ方向における波数の平面図、図２（ｂ）は、βｘ／β０に対するβｙ／β０を示す図である。図２（ａ）に示すように、弾性波のＸ方向の波数をβｘ、弾性波のＹ方向の波数をβｙとする。Ｘ方向からＹ方向に角度θの方向の弾性波の波数β０は角度θに対して放物線近似できるとすると、波数β０は異方性係数γ用い、βｘ２＋γ・βｙ２＝β０２で表される。
【００２１】
図２（ｂ）において、βｘ／β０は弾性波のＸ方向の位相速度の逆速度（ｓｌｏｗｎｅｓｓ）に相当し、βｙ／β０は弾性波のＹ方向の位相速度の逆速度に対応する。異方性係数γが正のときの逆速度面６０は、原点からみて凸型となる。このため、γ＞０のときを凸型ともいう。異方性係数γが負のとき逆速度面６２は原点からみて凹型となる。このため、γ＜０のときを凹型ともいう。
【００２２】
異方性係数γは圧電基板１０の材料、グレーティング電極１６の材料、膜厚およびピッチにより定まる。例えば、圧電基板１０として回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板を用いると異方性係数γは正となる。圧電基板１０として回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板を用いると異方性係数γは負となる。回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板を用い、グレーティング電極１６を重い材料とし、かつ膜厚を大きくすると異方性係数γが正となることもある。
【００２３】
［比較例１］
異方性係数γが正のときを考える。このとき、交叉領域１５における異方性係数γが小さくなり０に近づくと、弾性波のＹ方向成分が生じにくくなる。γが０となると弾性波のＹ方向成分は０となる。よって、横モードスプリアスは消失する。このように、γを小さくすると横モードスプリアスを抑制できる。発明者らは、異方性係数γとＸ方向に伝搬する弾性波のグレーティング電極における反射率に着目し、横モードスプリアスを抑制することを考えた。
【００２４】
図３（ａ）および図３（ｂ）は、比較例１および２に係る弾性波共振器のＩＤＴの一部を示す平面図である。図３（ａ）に示すように、比較例１では、同じ櫛型電極２０ｂの隣接する電極指１４ｂの間に、櫛型電極２０ａの電極指１４ａが１本設けられている。隣接する電極指１４ａの間に電極指１４ｂが１本設けられている。これをシングル電極という。同じ櫛型電極２０ｂの隣接する電極指１４ｂの中心のピッチＰはグレーティング電極が励振する弾性波の波長λにほぼ一致する。隣接する電極指１４ａおよび１４ｂの中心のピッチＰｇはλ／２である。電極指１４ａおよび１４ｂにおける音響インピーダンスＺ１は、電極指１４ａおよび１４ｂの間における音響インピーダンスＺｆより大きい。これによりグレーティング電極１６をＸ方向に伝搬する弾性波は、電極指１４ａおよび１４ｂで反射する。ピッチＰｇがλ／２のため、電極指１４ａおよび１４ｂで反射した弾性波５０ａおよび５０ｂはほぼ同位相となる。よって、グレーティング電極１６による弾性波５０の反射率が大きくなる。
【００２５】
［比較例２］
比較例２はグレーティング電極による弾性波の反射を小さくする例である。図３（ｂ）に示すように、比較例２では、隣接する電極指１４ｂの間に、電極指１４ａが２本設けられている。隣接する電極指１４ａの間に電極指１４ｂが２本設けられている。これをダブル電極という。このように、電極指１４ａと１４ｂが２本おきに配列されている。最も隣接する電極指１４ａ（または１４ｂ）のピッチＰｇはλ／４である。このとき弾性波の反射はブラッグ条件を満たす。ブラッグ条件では、Ｘ方向に伝搬する弾性波５０が隣接する電極指１４ｂで反射した弾性波５０ｃおよび５０ｄはほぼ逆位相となる。これにより、グレーティング電極１６による弾性波の反射率は小さくなる（理想的には０となる）。
【００２６】
比較例１および２に係る１ポート共振器を作製し、反射特性Ｓ１１を測定した。
作製した１ポート共振器の構造は以下である。
圧電基板１０：回転４２°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板
金属膜１２：膜厚Ｔｇが０．１１λのモリブデン（Ｍｏ）膜
ピッチＰ＝λ：４．４μｍ
交叉幅：２０λ
対数：１００対
反射器電極指数：１０本
ピッチＰは同じ櫛型電極の電極指のピッチを示す。交叉幅は、交叉領域１５のＹ方向の幅（電極指１４が交叉する幅）を示す。対数は、グレーティング電極１６における電極指１４の対数である。反射器電極指数は、反射器２２の電極指の数を示す。
【００２７】
図４（ａ）は、比較例１の断面図、図４（ｂ）は１ポート共振器の反射特性Ｓ１１を示すスミスチャートである。図４（ａ）に示すように、圧電基板１０は、回転４２°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板である。圧電基板１０上に電極指１４ａおよび１４ｂが交互に配列されている。電極指１４ａおよび１４ｂの膜厚Ｔｇは０．１１λである。隣接する電極指１４ａおよび１４ｂのピッチＰｇはλ／2である。電極指１４ａおよび１４ｂの幅Ｗｇはλ／４である。
【００２８】
図４（ｂ）に示すように、共振周波数ｆｒから反共振周波数ｆａにかけて１次から７次の大きなスプリアスが生じている。Ｓ１１はスミスチャートの周縁付近に位置する（すなわちＱサークルが大きい）。よって、損失が小さく、Ｑ値は大きい。このように、比較例１では、損失は小さいが横モードスプリアスが大きくなる。
【００２９】
図５（ａ）は、比較例２の断面図、図５（ｂ）は１ポート共振器の反射特性Ｓ１１を示すスミスチャートである。図５（ａ）に示すように、圧電基板１０上に電極指１４ａおよび１４ｂが２本ずつ交互に配列されている。２本の電極指１４ａの中心と２本の電極指１４ｂの中心とのピッチＰｇ´はλ／２である。２本の電極指１４ａ（または１４ｂ）間のピッチＰｇはλ／４である。電極指１４ａおよび１４ｂの幅Ｗｇはλ／８である。
【００３０】
図５（ｂ）に示すように、共振周波数ｆｒから反共振周波数ｆａにかけて１次から９次およびさらに高次のスプリアスのサークルが生じているが、比較例１よりは小さい。矢印５２のようにＳ１１がスミスチャートの周縁より小さくなる（すなわちＱサークルが小さくなる）。よって損失が大きくＱ値が小さくなる。このように、比較例２では、比較例１に比べ横モードスプリアスが小さくなるが損失が大きくなる。
【００３１】
比較例２において損失が大きくなるのは、グレーティング電極１６により弾性波の反射がほぼ無反射となるため、ＩＤＴ２１内に弾性波のエネルギーを閉じ込めることができなくなったことが原因ではないかと考えられる。
【実施例１】
【００３２】
図６（ａ）および図６（ｂ）は、実施例１に係る弾性波共振器のＩＤＴの一部を示す平面図である。図６（ａ）に示すように、実施例１はダブル電極である。２本隣接して設けられた電極指１４ａ（または１４ｂ）のピッチＰｇをλ／４より小さくする。図６（ｂ）に示すように、２本隣接して設けられた電極指１４ａ（または１４ｂ）のピッチＰｇをλ／４より大きくする。その他の構成は比較例２と同じであり説明を省略する。
【００３３】
実施例１では、ピッチＰｇをλ／４と異ならせる。このとき弾性波の反射はブラッグ条件から外れる。Ｘ方向に伝搬する弾性波５０が隣接する電極指１４ｂで反射した弾性波５０ｃおよび５０ｄの位相は異なるが逆位相はなく同位相でもない。これにより、実施例１のグレーティング電極１６による弾性波の反射率は比較例１より小さくなる。このため、異方性係数γは比較例１より小さくなり、横モードスプリアスが抑制される。また、実施例１の弾性波の反射率は比較例２より大きくなる。これにより、弾性波のエネルギーがＩＤＴ２１内に閉じ込められ損失の増加が抑制される。
【００３４】
図６（ａ）の構造の弾性波共振器を作製し反射特性Ｓ１１を測定した。図７（ａ）は、実施例１の断面図、図７（ｂ）は１ポート共振器の反射特性Ｓ１１を示すスミスチャートである。図７（ａ）に示すように、２本の電極指１４ａの中心と２本の電極指１４ｂの中心とのピッチＰｇ´はλ／２である。２本の電極指１４ａ（または１４ｂ）間のピッチＰｇはλ／４．６である。電極指１４ａおよび１４ｂの幅Ｗｇはλ／８である。その他のシミュレーション条件は比較例１および２と同じである。
【００３５】
図７（ｂ）に示すように、比較例２と比べＳ１１がスミスチャートの周縁付近となっている。このように、実施例１は比較例２より損失が小さい。よってＱ値が高くなる。また、共振周波数ｆｒから反共振周波数ｆａにかけて１次から１１次のスプリアスのサークルが生じている。スプリアスの大きさは比較例１および２より小さい。このように、損失およびスプリアスを抑制できる。
【００３６】
図８（ａ）から図８（ｃ）は、実施例１の変形例に係る弾性波共振器のＩＤＴの一部を示す平面図である。図８（ａ）に示すように、隣接する電極指１４ａ（または１４ｂ）のピッチがピッチＰｇ１とＰｇ１とは異なるピッチＰｇ２の箇所がある。このように、ピッチＰｇはＸ方向に変調されていてもよい。図８（ｂ）に示すように、電極指１４ａおよび１４ｂのいずれか一方は、シングル電極でもよい。図８（ｃ）に示すように、ギャップ領域１７は弾性波の励振に寄与しない。このため、ギャップ領域１７はダブル電極構造となっていなくともよい。
【００３７】
実施例１およびその変形例によれば、グレーティング電極１６は、互いに同電位の複数の電極指１４ａ（第１電極指）と互いに同電位の複数の電極指１４ｂ（第２電極指）とを含む。電極指１４ａと１４ｂとは異なる櫛型電極２０ａおよび２０ｂに含まれている。よって、電極指１４ａと１４ｂとは異なる電位である。少なくとも一対の隣接する電極指１４ａの間に２本の電極指１４ｂが設けられている。２本の電極指１４ｂの中心同士の間隔をＰｇとしたとき、Ｐｇはλ／４とは異なる。ダブル電極とすることで、比較例１に比べグレーティング電極１６による弾性波の反射率を抑制することができる。このため、異方性係数γが小さくなり、横モードスプリアスが抑制できる。さらに、ピッチＰｇをλ／４と異ならせることで、比較例２のような無反射状態ではなくなる。これにより、損失を抑制し、Ｑ値を向上できる。
【００３８】
図６（ａ）においてＰｇがλ／８より小さくなると電極指１４ｂ同士が接続してしまう。よって、λ／８＜Ｐｇ＜λ／４が好ましい。３λ／１６＜Ｐｇがより好ましい。Ｐｇ＜λ／４．２が好ましく、Ｐｇ＜λ／４．４がより好ましい。
【００３９】
図６（ｂ）においてＰｇが３λ／８より大きくなると電極指１４ｂと１４ａが接続してしまう。よって、λ／４＜Ｐｇ＜３λ／８が好ましい。Ｐｇ＜５λ／１６がより好ましい。λ／３．８＜Ｐｇが好ましく、λ／３．６＜Ｐｇがより好ましい。
【００４０】
複数の電極指１４ａおよび１４ｂの両方がダブル電極であることが好ましいが、いずれか一方はシングル電極でもよい。また、複数の電極指１４ａ（または１４ｂ）の全ての電極指がダブル電極であることが好ましいが少なくとも１つの電極指がダブル電極であればよい。
【実施例２】
【００４１】
実施例２は、グレーティング電極１６による弾性波の反射率を小さくするため、交叉領域１５内の電極指１４ａおよび１４ｂ間に金属追加膜を設けた例である。図９（ａ）は、実施例２に係る弾性波共振器のＩＤＴの一部を示す平面図、図９（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、電極指１４ａおよび１４ｂの間の圧電基板１０上に金属追加膜３０が設けられている。金属追加膜３０の密度は保護膜等の絶縁膜の密度より大きい。よって、金属追加膜３０を設けた電極指１４ａおよび１４ｂ間の音響インピーダンスＺ２は、比較例１のように金属追加膜３０を設けない音響インピーダンスＺｆより大きくなる。よって、電極指１４ａおよび１４ｂの音響インピーダンスＺ１とＺ２の差は比較例１の音響インピーダンスＺ１とＺｆの差より小さくなる。これにより、グレーティング電極１６による弾性波の反射率が比較例１より小さくなる。
【００４２】
実施例２の弾性波共振器を作製し反射特性Ｓ１１を測定した。図１０（ａ）は、実施例２の断面図、図１０（ｂ）は１ポート共振器の反射特性Ｓ１１を示すスミスチャートである。図１０（ａ）に示すように、電極指１４ａおよび１４ｂ間の圧電基板１０上に絶縁膜３２が設けられている。絶縁膜３２上に金属追加膜３０が設けられている。絶縁膜３２は膜厚Ｔ２が０．０２λの酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜である。金属追加膜３０は膜厚Ｔ１が０．０４λのＡｕ膜である。電極指１４ａおよび１４ｂと金属追加膜３０との間の空間３４は空隙であり距離Ｗｓは０．０３λである。
【００４３】
図１０（ｂ）に示すように、共振周波数ｆｒから反共振周波数ｆａにかけて１次から９次のスプリアスのサークルが生じている。スプリアスの大きさは比較例１および２より小さい。比較例２と比べＳ１１がスミスチャートの周縁付近となっている。このように、実施例２は比較例２より損失が小さい。よってＱ値が高くなる。このように、損失およびスプリアスを抑制できる。
【００４４】
各材料の音響インピーダンスＺ［ｋｇ／（ｍ２・ｓ）］は以下の式で表される。
Ｚ＝Ｖ×ρ＝√（ρ×Ｅ）
ここで、Ｅ［Ｐａ］はヤング率、ρ［ｋｇ／ｍ３］は密度およびＶ［ｋｇ／（ｍ２・ｓ）］は音速である。
このように音響インピーダンスは、ヤング率Ｅと密度ρの積の平方根となる。
【００４５】
Ｍｏ、空気およびＡｕのヤング率、密度および音響インピーダンスは表１となる。
【表１】
0006632481.tif 000002
【００４６】
図１０（ａ）における音響インピーダンスＺ１およびＺ２は、材料の音響インピーダンスに加え膜厚が関係する。Ａｕの音響インピーダンスはＭｏより小さく、金属追加膜３０の膜厚は電極指１４ａおよび１４ｂより小さい。これによりＺ２＜Ｚ１となる。よって、弾性波の反射率は比較例１より小さくなる。一方、Ａｕの音響インピーダンスは空気より大きい。これにより、Ｚｆ＜Ｚ２となる。よって、弾性波の反射率は０より大きくなる。これにより、実施例１と同様に、損失および横モードスプリアスを抑制できる。
【００４７】
図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、実施例２の変形例に係る弾性波共振器のＩＤＴの一部を示す断面図である。図１１（ａ）に示すように、金属追加膜３０と圧電基板１０との間に絶縁膜３２は設けられていなくてもよい。図１１（ｂ）に示すように、金属追加膜３０を覆い空間３４に充填されるように絶縁膜３６が設けられていてもよい。図１１（ｃ）に示すように、絶縁膜３２は設けられず、絶縁膜３６が設けられていてもよい。絶縁膜３２および３６としては酸化シリコン以外にも、窒化シリコン、窒化酸化シリコン等を用いることができる。
【００４８】
実施例２およびその変形例によれば、金属追加膜３０が交叉領域１５かつ複数の電極指１４ａおよび１４ｂの間に形成され、複数の電極指１４ａおよび１４ｂと電気的に接続されていない。これにより、グレーティング電極１６による弾性波の反射率が小さくなる。よって異方性係数γが小さくなり、横モードスプリアスを抑制できる。金属追加膜３０は絶縁膜に比べ密度が大きい。このため音響インピーダンッスが大きい。これにより、膜厚を大きくしなくとも音響インピーダンスＺ２を大きくできる。また、音響インピーダンスＺ２をＺ１と異ならせることにより、弾性波の反射率を０より大きくでき、損失を抑制できる。
【００４９】
Ｚ２の好ましい範囲は、Ｚｆ＜Ｚ２＜Ｚ１またはＺ１＜Ｚ２＜Ｚ１＋（Ｚ１−Ｚｆ）である。金属追加膜３０の膜厚を大きくしないためには、Ｚｆ＜Ｚ２＜Ｚ１であることが好ましい。金属追加膜３０は、交叉領域１５の少なくとも一部に設けられていればよい。より効果を発揮するため、金属追加膜３０は交叉領域１５の全面に渡り設けられることが好ましい。
【００５０】
金属追加膜３０と電極指１４ａおよび１４ｂとが接触すると、電気的に接続されてしまう。一方、金属追加膜３０と電極指１４ａまたは１４ｂとの距離が大きいと、金属追加膜３０を設ける効果が小さくなる。そこで、金属追加膜３０と金属追加膜３０に隣接する電極指１４ａ（または１４ｂ）との距離Ｗｓは、λ／１６より小さいことが好ましい。距離Ｗｓはλ／３２より小さいことがより好ましい。
【実施例３】
【００５１】
実施例３は、実施例１、２およびその変形例の弾性共振器を用いたファルタおよびデュプレクサの例である。図１２（ａ）は、実施例３に係るフィルタの回路図である。図１２（ａ）に示すように、入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に、１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ４が直列に接続されている。入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に、１または複数の並列共振器Ｐ１からＰ３が並列に接続されている。１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ４および１または複数の並列共振器Ｐ１からＰ３の少なくとも１つに実施例１、２およびその変形例の弾性波共振器を用いることができる。実施例１、２およびその変形例の弾性波共振器を含むフィルタは、ラダー型フィルタ以外に多重モードフィルタとすることもできる。
【００５２】
図１２（ｂ）は、実施例３の変形例に係るデュプレクサの回路図である。図１２（ｂ）に示すように、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ４４が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ４６が接続されている。送信フィルタ４４は、送信端子Ｔｘから入力された信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Ａｎｔに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ４６は、共通端子Ａｎｔから入力された信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信フィルタ４４および受信フィルタ４６の少なくとも一方を実施例３のフィルタとすることができる。
【００５３】
マルチプレクサの例としてデュプレクサを説明したが、マルチプレクサは、トリプレクサまたはクワッドプレクサでもよい。
【００５４】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５５】
１０      圧電基板
１２      金属膜
１４ａ、１４ｂ  電極指
１５      交叉領域
１６      グレーティング電極
１７      ギャップ領域
１８ａ、１８ｂ  バスバー
２０ａ、２０ｂ  櫛型電極
２１      ＩＤＴ
２２      反射器
３０      金属追加膜
３２、３６  絶縁膜
３４      空間
４４      送信フィルタ
４６      受信フィルタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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