(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
金属成分および感光性材料を含む金属含有感光性膜を基板の被処理面に形成するように動作する膜形成ユニットと、
金属含有感光性膜形成後の基板の周縁部に光を照射するように動作するエッジ露光部と、
現像液ノズルを含み、前記現像液ノズルから基板の周縁部に向けて現像液を吐出することにより、前記エッジ露光部により光が照射された金属含有感光性膜の周縁部の現像処理を行うように動作するエッジ現像処理部と、
前記エッジ現像処理部による現像処理後の基板を前記露光装置に搬送するように動作する搬送機構と、
前記露光装置における露光処理後の基板に現像液を供給することにより、金属含有感光性膜の現像処理を行うように動作する現像処理ユニットとを備え、
前記搬送機構は、前記エッジ現像処理部による現像処理後でかつ前記現像処理ユニットによる現像処理前の基板を前記露光装置に搬送するように構成された、基板処理装置。
【請求項２】
基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
金属成分および感光性材料を含む金属含有感光性膜を基板の被処理面に形成する膜形成処理を行うように動作する膜形成ユニットと、
前記膜形成ユニットによる膜形成処理後の基板を前記露光装置に搬送するように動作する搬送機構と、
前記露光装置における露光処理後の基板に現像液を供給することにより、金属含有感光性膜の現像処理を行うように動作する現像処理ユニットとを備え、
前記膜形成ユニットは、
基板の前記被処理面に金属含有感光性膜用の塗布液を塗布することにより、基板の前記被処理膜上に金属含有感光性膜を形成するように動作する液供給部と、
金属含有感光性膜後の基板の周縁部に光を照射するように動作するエッジ露光部と、
基板の周縁部に現像液を供給することにより、前記エッジ露光部により光が照射された金属含有感光性膜の周縁部の現像処理を行うように動作するエッジ現像処理部とを含み、
前記搬送機構は、前記膜形成ユニットの前記エッジ現像処理部による現像処理後でかつ前記現像処理ユニットによる現像処理前の基板を前記露光装置に搬送するように構成された、基板処理装置。
【請求項３】
基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
金属成分および感光性材料を含む金属含有感光性膜を基板の被処理面に形成する膜形成処理を行うように動作する膜形成ユニットと、
前記膜形成ユニットによる膜形成処理後の基板を前記露光装置に搬送するように動作する搬送機構と、
前記露光装置における露光処理後の基板に現像液を供給することにより、金属含有感光性膜の現像処理を行うように動作する現像処理ユニットとを備え、
前記膜形成ユニットは、
基板を保持して回転する回転保持部と、
前記回転保持部により回転される基板の前記被処理面に金属含有感光性膜用の塗布液を供給することにより、基板の前記被処理面に金属含有感光性膜を形成するように動作する液供給部と、
前記液供給部による塗布液の供給後に、前記回転保持部により回転される基板の前記被処理面上の金属含有感光性膜の周縁部に光を照射するように動作するエッジ露光部と、
前記エッジ露光部による光の照射後、前記回転保持部により回転される基板の周縁部に現像液を供給することにより、前記エッジ露光部により光が照射された金属含有感光性膜の周縁部の現像処理を行うように動作するエッジ現像処理部とを含み、
前記搬送機構は、前記エッジ現像処理部による現像処理後でかつ前記現像処理ユニットによる現像処理前の基板を前記露光装置に搬送するように構成された、基板処理装置。
【請求項４】
基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
金属成分および感光性材料を含む金属含有感光性膜を基板の被処理面に形成するように動作する膜形成ユニットと、
金属含有感光性膜形成後の基板の周縁部に光を照射するように動作するエッジ露光部と、
基板の周縁部に現像液を供給することにより前記エッジ露光部により光が照射された金属含有感光性膜の周縁部の現像処理を行うように動作するエッジ現像処理部と、
前記エッジ露光部による光照射後であって前記エッジ現像処理部による現像処理前の基板の周縁部の下方に位置するように設けられ、基板の周縁部に加熱処理を行うように動作する加熱部と、
前記エッジ現像処理部による現像処理後の基板を前記露光装置に搬送するように動作する搬送機構と、
前記露光装置における露光処理後の基板に現像液を供給することにより、金属含有感光性膜の現像処理を行うように動作する現像処理ユニットとを備え、
前記搬送機構は、前記エッジ現像処理部による現像処理後でかつ前記現像処理ユニットによる現像処理前の基板を前記露光装置に搬送するように構成された、基板処理装置。
【請求項５】
基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
金属成分および感光性材料を含む金属含有感光性膜を基板の被処理面に形成する膜形成ユニットと、
金属含有感光性膜形成後の基板の周縁部に光を照射するエッジ露光部と、
基板の周縁部に現像液を供給することにより前記エッジ露光部により光が照射された金属含有感光性膜の部分の現像処理を行うエッジ現像処理部と、
前記エッジ現像処理部による現像処理後に基板の周縁部に金属成分を溶解させる第１の除去液を供給する第１の除去液供給部と、
前記第１の除去液処理部による第１の除去液の供給後の基板を前記露光装置に搬送する搬送機構と、
前記露光装置における露光処理後の基板に現像液を供給することにより、金属含有感光性膜の現像処理を行う現像処理ユニットとを備える、基板処理装置。
【請求項６】
前記第１の除去液供給部は、基板を回転させるとともに回転する基板の周縁部に前記第１の除去液を供給するように構成される、請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
回転する基板の周縁部に前記第１の除去液供給部により前記第１の除去液が供給されているときに、前記基板における前記第１の除去液の供給位置よりも内方に気体を供給する気体供給部をさらに備える、請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記エッジ現像処理部は、前記エッジ露光部による光照射後に前記回転保持部により回転される基板の周縁部に現像液を吐出するように構成される、請求項３記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記エッジ露光部による光照射後であって前記エッジ現像処理部による現像処理前に前記回転保持部により回転される基板の周縁部を加熱するように構成された加熱部をさらに備える、請求項３記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記液供給部による塗布液の供給後であって前記エッジ露光部による光の照射前に前記回転保持部により回転される基板の周縁部に有機性の第２の除去液を供給する第２の除去液供給部を含む、請求項３または９記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記エッジ現像処理部は、前記現像処理ユニットに設けられる、請求項４または５記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記エッジ現像処理部および前記現像処理ユニットは、現像液を吐出可能な共通の現像液ノズルを有する、請求項１１記載の基板処理装置。
【請求項１３】
膜形成ユニットにより金属成分および感光性材料を含む金属含有感光性膜を基板の被処理面に形成するステップと、
エッジ露光部により金属含有感光性膜形成後の基板の周縁部に光を照射するステップと、
エッジ現像処理部の現像液ノズルから基板の周縁部に向けて現像液を吐出することにより、前記エッジ露光部により光が照射された金属含有感光性膜の周縁部の現像処理を行うステップと、
前記エッジ現像処理部による現像処理後の基板を露光装置に搬送するステップと、
現像処理ユニットにおいて前記露光装置における露光処理後の基板に現像液を供給することにより、金属含有感光性膜の現像処理を行うステップとを備え、
前記搬送するステップは、前記エッジ現像処理部による現像処理後でかつ前記現像処理ユニットによる現像処理前の基板を前記露光装置に搬送するステップを含む、基板処理方法。
【請求項１４】
膜形成ユニットにより金属成分および感光性材料を含む金属含有感光性膜を基板の被処理面に形成する膜形成処理を行うステップと、
前記膜形成ユニットによる膜形成処理後の基板を露光装置に搬送するステップと、
現像処理ユニットにおいて前記露光装置における露光処理後の基板に現像液を供給することにより、金属含有感光性膜の現像処理を行うステップとを備え、
前記膜形成処理を行うステップは、
前記膜形成ユニットにおいて基板の前記被処理面に金属含有感光性膜用の塗布液を塗布することにより、基板の前記被処理面上に金属含有感光性膜を形成するステップと、
前記膜形成ユニットにおいて前記金属含有感光性膜形成後の基板の周縁部に光を照射するステップと、
前記膜形成ユニットにおいて基板の周縁部に現像液を供給することにより、前記光が照射された金属含有感光性膜の周縁部の現像処理を行うステップとを含み、
前記搬送するステップは、前記膜形成ユニットにおける金属含有感光性膜の周縁部の現像処理後でかつ前記現像処理ユニットによる現像処理前の基板を前記露光装置に搬送するステップを含む、基板処理方法。
【請求項１５】
膜形成ユニットにより金属成分および感光性材料を含む金属含有感光性膜を基板の被処理面に形成する膜形成処理を行うステップと、
前記膜形成ユニットによる膜形成処理後の基板を露光装置に搬送するステップと、
現像処理ユニットにおいて前記露光装置における露光処理後の基板に現像液を供給することにより、金属含有感光性膜の現像処理を行うステップとを備え、
前記膜形成処理を行うユニットは、
回転保持部により基板を保持して回転させるステップと、
前記回転保持部により回転される基板の前記被処理面に液供給部により金属含有感光性膜用の塗布液を供給することにより、基板の前記被処理面に金属含有感光性膜を形成するステップと、
前記液供給部による塗布液の供給後に、前記回転保持部により回転される基板の前記被処理面上の金属含有感光性膜の周縁部にエッジ露光部により光を照射するステップと、
前記エッジ露光部による光の照射後、前記回転保持部により回転される基板の周縁部に現像液を供給することにより、前記エッジ露光部により光が照射された金属含有感光性膜の周縁部の現像処理をエッジ現像処理部により行うステップとを含み、
前記搬送するステップは、前記エッジ現像処理部による現像処理後でかつ前記現像処理ユニットによる現像処理前の基板を前記露光装置に搬送するステップを含む、基板処理方法。
【請求項１６】
膜形成ユニットにより金属成分および感光性材料を含む金属含有感光性膜を基板の被処理面に形成するステップと、
エッジ露光部により金属含有感光性膜形成後の基板の周縁部に光を照射するステップと、
エッジ現像処理部により基板の周縁部に現像液を供給することにより前記エッジ露光部により光が照射された金属含有感光性膜の周縁部の現像処理をエッジ現像処理部により行うステップと、
前記エッジ露光部による光照射後であって前記エッジ現像処理部による現像処理前の基板の周縁部の下方に位置するように配置される加熱部により基板の周縁部に加熱処理を行うステップと、
前記エッジ現像処理部による現像処理後の基板を露光装置に搬送するステップと、
現像処理ユニットにおいて前記露光装置における露光処理後の基板に現像液を供給することにより、金属含有感光性膜の現像処理をエッジ現像処理部により行うステップとを備え、
前記搬送するステップは、前記エッジ現像処理部による現像処理後でかつ前記現像処理ユニットによる現像処理前の基板を前記露光装置に搬送するステップを含む、基板処理方法。
【請求項１７】
膜形成ユニットにより金属成分および感光性材料を含む金属含有感光性膜を基板の被処理面に形成するステップと、
エッジ露光部により金属含有感光性膜形成後の基板の周縁部に光を照射するステップと、
エッジ現像処理部により基板の周縁部に現像液を供給することにより前記エッジ露光部により光が照射された金属含有感光性膜の周縁部の現像処理を行うステップと、
前記エッジ現像処理部による現像処理後に基板の周縁部に除去液供給部により金属成分を溶解させる除去液を供給するステップと、
前記除去液供給部による除去液の供給後の基板を露光装置に搬送するステップと、
現像処理ユニットにおいて前記露光装置における露光処理後の基板に現像液を供給することにより、金属含有感光性膜の現像処理を行うステップとを備える、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等の製造におけるリソグラフィ工程では、基板上にレジスト液等の塗布液が供給されることにより塗布膜が形成される。例えば、基板がスピンチャックにより水平に保持されつつ回転される。この状態で、基板の上面の略中央部にレジストノズルからレジスト液が吐出されることにより、基板の上面全体に塗布膜としてレジスト膜が形成される。ここで、基板の周縁部にレジスト膜が存在すると、基板を搬送する搬送機構が基板の周縁部を把持した際に、レジスト膜の一部が剥離してパーティクルとなる。そこで、基板の周縁部にエッジリンスノズルから有機溶剤を吐出することにより基板の周縁部のレジスト膜が溶解される。それにより、基板の周縁部のレジスト膜が除去される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−１２４８８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、より微細なパターンを形成するために、金属成分を含有する塗布膜（以下、金属含有塗布膜と呼ぶ。）を適用することが研究されている。しかしながら、発明者の実験により、基板上に形成された金属含有塗布膜の周縁部に有機溶剤を吐出することにより基板の周縁部の塗布膜を除去した場合でも、基板の周縁部上に金属成分を含む塗布膜成分が除去されず残存することが分かった。そのため、基板の周縁部に残存した金属成分により基板処理装置および隣接する露光装置が汚染することとなる。
【０００５】
本発明の目的は、基板の周縁部に残存する金属成分に起因して金属汚染が発生することを防止可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、金属成分および感光性材料を含む金属含有感光性膜を基板の被処理面に形成するように動作する膜形成ユニットと、金属含有感光性膜形成後の基板の周縁部に光を照射するように動作するエッジ露光部と、現像液ノズルを含み、現像液ノズルから基板の周縁部に向けて現像液を吐出することにより、エッジ露光部により光が照射された金属含有感光性膜の周縁部の現像処理を行うように動作するエッジ現像処理部と、エッジ現像処理部による現像処理後の基板を露光装置に搬送するように動作する搬送機構と、露光装置における露光処理後の基板に現像液を供給することにより、金属含有感光性膜の現像処理を行うように動作する現像処理ユニットとを備え、搬送機構は、エッジ現像処理部による現像処理後でかつ現像処理ユニットによる現像処理前の基板を露光装置に搬送するように構成される。
（２）第２の発明に係る基板処理装置は、基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、金属成分および感光性材料を含む金属含有感光性膜を基板の被処理面に形成する膜形成処理を行うように動作する膜形成ユニットと、膜形成ユニットによる膜形成処理後の基板を露光装置に搬送するように動作する搬送機構と、露光装置における露光処理後の基板に現像液を供給することにより、金属含有感光性膜の現像処理を行うように動作する現像処理ユニットとを備え、膜形成ユニットは、基板の被処理面に金属含有感光性膜用の塗布液を塗布することにより、基板の被処理膜上に金属含有感光性膜を形成するように動作する液供給部と、金属含有感光性膜後の基板の周縁部に光を照射するように動作するエッジ露光部と、基板の周縁部に現像液を供給することにより、エッジ露光部により光が照射された金属含有感光性膜の周縁部の現像処理を行うように動作するエッジ現像処理部とを含み、搬送機構は、膜形成ユニットのエッジ現像処理部による現像処理後でかつ現像処理ユニットによる現像処理前の基板を露光装置に搬送するように構成される。
（３）第３の発明に係る基板処理装置は、基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、金属成分および感光性材料を含む金属含有感光性膜を基板の被処理面に形成する膜形成処理を行うように動作する膜形成ユニットと、膜形成ユニットによる膜形成処理後の基板を露光装置に搬送するように動作する搬送機構と、露光装置における露光処理後の基板に現像液を供給することにより、金属含有感光性膜の現像処理を行うように動作する現像処理ユニットとを備え、膜形成ユニットは、基板を保持して回転する回転保持部と、回転保持部により回転される基板の被処理面に金属含有感光性膜用の塗布液を供給することにより、基板の被処理面に金属含有感光性膜を形成するように動作する液供給部と、液供給部による塗布液の供給後に、回転保持部により回転される基板の被処理面上の金属含有感光性膜の周縁部に光を照射するように動作するエッジ露光部と、エッジ露光部による光の照射後、回転保持部により回転される基板の周縁部に現像液を供給することにより、エッジ露光部により光が照射された金属含有感光性膜の周縁部の現像処理を行うように動作するエッジ現像処理部とを含み、搬送機構は、エッジ現像処理部による現像処理後でかつ現像処理ユニットによる現像処理前の基板を露光装置に搬送するように構成される。
以下、エッジ露光処理部による金属含有感光性膜の露光処理をエッジ露光処理と呼び、エッジ現像処理部による金属含有感光性膜の現像処理をエッジ現像処理と呼ぶ。
この場合、共通の回転保持部によって基板が回転されつつ、液供給部により基板の被処理面に金属含有感光性膜用の塗布液が供給され、かつエッジ露光部により基板の周縁部上の金属含有感光性膜の部分に光が照射される。これにより、金属含有感光性膜の形成およびエッジ露光処理を共通のスペースで行うことができる。したがって、装置コストの増大および基板処理装置の大型化を抑制することができる。
（４）第４の発明に係る基板処理装置は、基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、金属成分および感光性材料を含む金属含有感光性膜を基板の被処理面に形成するように動作する膜形成ユニットと、金属含有感光性膜形成後の基板の周縁部に光を照射するように動作するエッジ露光部と、基板の周縁部に現像液を供給することによりエッジ露光部により光が照射された金属含有感光性膜の周縁部の現像処理を行うように動作するエッジ現像処理部と、エッジ露光部による光照射後であってエッジ現像処理部による現像処理前の基板の周縁部の下方に位置するように設けられ、基板の周縁部に加熱処理を行うように動作する加熱部と、エッジ現像処理部による現像処理後の基板を露光装置に搬送するように動作する搬送機構と、露光装置における露光処理後の基板に現像液を供給することにより、金属含有感光性膜の現像処理を行うように動作する現像処理ユニットとを備え、搬送機構は、エッジ現像処理部による現像処理後でかつ現像処理ユニットによる現像処理前の基板を露光装置に搬送するように構成される。
【０００８】
第１〜第４の発明に係る基板処理装置においては、基板の被処理面に金属含有感光性膜が形成された後、基板の周縁部に光が照射される。これにより、エッジ露光処理として、基板の周縁部上の金属含有感光性膜の部分が露光される。続いて、基板の周縁部に現像液が供給されることにより、エッジ現像処理として、露光された金属含有感光性膜の部分の現像処理が行われる。その後、基板が露光装置に搬送される。露光装置において基板に露光処理が行われることにより、金属含有感光性膜に露光パターンが形成され、続いて現像処理ユニットにおいて露光処理後の基板に現像液が供給されることにより、金属含有感光性膜の現像処理が行われる。
【０００９】
このように、基板上に金属含有感光性膜が形成された後であって基板が露光装置に搬送される前に、基板の周縁部上の金属含有感光性膜の部分にエッジ露光処理およびエッジ現像処理が行われる。これにより、基板の周縁部から金属含有感光性膜を適切に除去することができる。したがって、基板の周縁部における金属成分の残存が防止され、基板処理装置および露光装置に金属汚染が生じることが十分に防止される。
【００１０】
（５）第５の発明に係る基板処理装置は、基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、金属成分および感光性材料を含む金属含有感光性膜を基板の被処理面に形成する膜形成ユニットと、金属含有感光性膜形成後の基板の周縁部に光を照射するエッジ露光部と、基板の周縁部に現像液を供給することによりエッジ露光部により光が照射された金属含有感光性膜の部分の現像処理を行うエッジ現像処理部と、エッジ現像処理部による現像処理後に基板の周縁部に金属成分を溶解させる第１の除去液を供給する第１の除去液供給部と、第１の除去液処理部による第１の除去液の供給後の基板を露光装置に搬送する搬送機構と、露光装置における露光処理後の基板に現像液を供給することにより、金属含有感光性膜の現像処理を行う現像処理ユニットとを備える。
この場合、基板の周縁部上に金属成分が残存することをより十分に防止することができる。
（６）第１の除去液供給部は、基板を回転させるとともに回転する基板の周縁部に第１の除去液を供給するように構成されてもよい。
（７）基板処理装置は、回転する基板の周縁部に第１の除去液供給部により第１の除去液が供給されているときに、基板における第１の除去液の供給位置よりも内方に気体を供給する気体供給部をさらに備えてもよい。
【００１２】
膜形成ユニットは、液供給部による塗布液の供給後に回転保持部により回転される基板の周縁部に塗布液を溶解させる第２の除去液を供給する第２の除去液供給部をさらに含んでもよい。
【００１３】
この場合、基板の周縁部に第２の除去液が供給されることにより、基板の周縁部から金属含有感光性膜がより十分に除去される。したがって、基板の周縁部に金属成分が残存することがより十分に防止される。
【００１４】
（８）エッジ現像処理部は、エッジ露光部による光照射後に回転保持部により回転される基板の周縁部に現像液を吐出するように構成されてもよい。この場合、金属含有感光性膜の形成およびエッジ露光処理に加えて、エッジ現像処理を共通のスペースで行うことができる。それにより、装置コストの増大および基板処理装置の大型化をさらに抑制することができる。また、金属含有感光性膜の形成後、回転保持部から基板を搬送することなく、基板の周縁部上の金属含有感光性膜の部分を除去することができる。したがって、基板の搬送時における金属成分の拡散が防止され、金属汚染の発生がより十分に防止される。
【００１５】
（９）基板処理装置は、エッジ露光部による光照射後であってエッジ現像処理部による現像処理前に回転保持部により回転される基板の周縁部を加熱するように構成された加熱部をさらに備えてもよい。
【００１６】
この場合、エッジ露光処理後の基板の周縁部を加熱することにより、エッジ露光処理により生じた生成物（酸）の触媒作用を促進し、現像液に対する金属含有感光性膜の溶解性を高めることができる。それにより、エッジ露光処理の光照射量の低減が可能であり、エッジ露光処理のスループットを向上させることができる。
【００１７】
（１０）基板処理装置は、液供給部による塗布液の供給後であってエッジ露光部による光の照射前に回転保持部により回転される基板の周縁部に有機性の第２の除去液を供給する第２の除去液供給部を含んでもよい。
（１１）エッジ現像処理部は、現像処理ユニットに設けられてもよい。この場合、共通の現像処理ユニットにおいて、金属含有感光性膜のエッジ現像処理および通常の現像処理をそれぞれ行うことができる。それにより、装置コストの増大および基板処理装置の大型化を抑制することができる。
【００１８】
（１２）エッジ現像処理部および現像処理ユニットは、現像液を吐出可能な共通の現像液ノズルを有してもよい。この場合、共通の現像処理ノズルを用いてエッジ現像処理および通常の現像処理をそれぞれ行うことができる。それにより、装置コストのさらなる削減が可能となる。
【００１９】
基板処理装置は、エッジ露光部による光照射後であってエッジ現像処理部による現像処理前の基板に加熱処理を行う熱処理ユニットをさらに備えてもよい。この場合、熱処理ユニットにおいて、露光装置による露光処理前の基板の加熱処理と、エッジ露光処理後の基板の周縁部の加熱処理とを同時に行うことができる。それにより、基板の処理時間を短縮することができる。
【００２１】
（１３）第６の発明に係る基板処理方法は、膜形成ユニットにより金属成分および感光性材料を含む金属含有感光性膜を基板の被処理面に形成するステップと、エッジ露光部により金属含有感光性膜形成後の基板の周縁部に光を照射するステップと、エッジ現像処理部の現像液ノズルから基板の周縁部に向けて現像液を吐出することにより、エッジ露光部により光が照射された金属含有感光性膜の周縁部の現像処理を行うステップと、エッジ現像処理部による現像処理後の基板を露光装置に搬送するステップと、現像処理ユニットにおいて露光装置における露光処理後の基板に現像液を供給することにより、金属含有感光性膜の現像処理を行うステップとを備え、搬送するステップは、エッジ現像処理部による現像処理後でかつ現像処理ユニットによる現像処理前の基板を露光装置に搬送するステップを含む。
（１４）第７の発明に係る基板処理方法は、膜形成ユニットにより金属成分および感光性材料を含む金属含有感光性膜を基板の被処理面に形成する膜形成処理を行うステップと、膜形成ユニットによる膜形成処理後の基板を露光装置に搬送するステップと、現像処理ユニットにおいて露光装置における露光処理後の基板に現像液を供給することにより、金属含有感光性膜の現像処理を行うステップとを備え、膜形成処理を行うステップは、膜形成ユニットにおいて基板の被処理面に金属含有感光性膜用の塗布液を塗布することにより、基板の被処理面上に金属含有感光性膜を形成するステップと、膜形成ユニットにおいて金属含有感光性膜形成後の基板の周縁部に光を照射するステップと、膜形成ユニットにおいて基板の周縁部に現像液を供給することにより、光が照射された金属含有感光性膜の周縁部の現像処理を行うステップとを含み、搬送するステップは、膜形成ユニットにおける金属含有感光性膜の周縁部の現像処理後でかつ現像処理ユニットによる現像処理前の基板を露光装置に搬送するステップを含む。
（１５）第８の発明に係る基板処理方法は、膜形成ユニットにより金属成分および感光性材料を含む金属含有感光性膜を基板の被処理面に形成する膜形成処理を行うステップと、膜形成ユニットによる膜形成処理後の基板を露光装置に搬送するステップと、現像処理ユニットにおいて露光装置における露光処理後の基板に現像液を供給することにより、金属含有感光性膜の現像処理を行うステップとを備え、膜形成処理を行うユニットは、回転保持部により基板を保持して回転させるステップと、回転保持部により回転される基板の被処理面に液供給部により金属含有感光性膜用の塗布液を供給することにより、基板の被処理面に金属含有感光性膜を形成するステップと、液供給部による塗布液の供給後に、回転保持部により回転される基板の被処理面上の金属含有感光性膜の周縁部にエッジ露光部により光を照射するステップと、エッジ露光部による光の照射後、回転保持部により回転される基板の周縁部に現像液を供給することにより、エッジ露光部により光が照射された金属含有感光性膜の周縁部の現像処理をエッジ現像処理部により行うステップとを含み、搬送するステップは、エッジ現像処理部による現像処理後でかつ現像処理ユニットによる現像処理前の基板を露光装置に搬送するステップを含む。
この場合、共通の回転保持部によって基板が回転されつつ、液供給部により基板の被処理面に金属含有感光性膜用の塗布液が供給され、かつエッジ露光部により基板の周縁部上の金属含有感光性膜の部分に光が照射される。これにより、金属含有感光性膜の形成およびエッジ露光処理を共通のスペースで行うことができる。したがって、装置コストの増大および基板処理装置の大型化を抑制することができる。
（１６）第９の発明に係る基板処理方法は、膜形成ユニットにより金属成分および感光性材料を含む金属含有感光性膜を基板の被処理面に形成するステップと、エッジ露光部により金属含有感光性膜形成後の基板の周縁部に光を照射するステップと、エッジ現像処理部により基板の周縁部に現像液を供給することによりエッジ露光部により光が照射された金属含有感光性膜の周縁部の現像処理をエッジ現像処理部により行うステップと、エッジ露光部による光照射後であってエッジ現像処理部による現像処理前の基板の周縁部の下方に位置するように配置される加熱部により基板の周縁部に加熱処理を行うステップと、エッジ現像処理部による現像処理後の基板を露光装置に搬送するステップと、現像処理ユニットにおいて露光装置における露光処理後の基板に現像液を供給することにより、金属含有感光性膜の現像処理をエッジ現像処理部により行うステップとを備え、搬送するステップは、エッジ現像処理部による現像処理後でかつ現像処理ユニットによる現像処理前の基板を露光装置に搬送するステップを含む。
【００２２】
第６〜第９の発明に係る基板処理方法によれば、基板の被処理面に金属含有感光性膜が形成された後、基板の周縁部に光が照射される。これにより、基板の周縁部上の金属含有感光性膜の部分が露光される。続いて、基板の周縁部に現像液が供給されることにより、露光された金属含有感光性膜の部分の現像処理が行われる。その後、基板が露光装置に搬送される。露光装置において基板に露光処理が行われることにより、金属含有感光性膜に露光パターンが形成され、続いて現像処理ユニットにおいて露光処理後の基板に現像液が供給されることにより、金属含有感光性膜の現像処理が行われる。
【００２３】
このように、基板上に金属含有感光性膜が形成された後であって基板が露光装置に搬送される前に、基板の周縁部上の金属含有感光性膜の部分に露光処理および現像処理が行われる。これにより、基板の周縁部から金属含有感光性膜を適切に除去することができる。したがって、基板の周縁部における金属成分の残存が防止され、基板処理装置および露光装置に金属汚染が生じることが十分に防止される。
【００２５】
（１７）第１０の発明に係る基板処理方法は、膜形成ユニットにより金属成分および感光性材料を含む金属含有感光性膜を基板の被処理面に形成するステップと、エッジ露光部により金属含有感光性膜形成後の基板の周縁部に光を照射するステップと、エッジ現像処理部により基板の周縁部に現像液を供給することによりエッジ露光部により光が照射された金属含有感光性膜の周縁部の現像処理を行うステップと、エッジ現像処理部による現像処理後に基板の周縁部に除去液供給部により金属成分を溶解させる除去液を供給するステップと、除去液供給部による除去液の供給後の基板を露光装置に搬送するステップと、現像処理ユニットにおいて露光装置における露光処理後の基板に現像液を供給することにより、金属含有感光性膜の現像処理を行うステップとを備える。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、基板の周縁部に残存する金属成分に起因して金属汚染が発生することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
【図２】図１の塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。
【図３】レジスト膜用塗布処理ユニットの構成を示す模式的平面図である。
【図４】レジスト膜用塗布処理ユニットの一部構成を示す模式的側面図である。
【図５】レジスト膜用塗布処理ユニットの他の構成例を示す図である。
【図６】図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。
【図７】金属除去ユニットの構成を説明するための模式図である。
【図８】金属除去ユニットの他の構成を示す図である。
【図９】搬送部の内部構成を示す模式的側面図である。
【図１０】搬送機構を示す斜視図である。
【図１１】第２の実施の形態におけるレジスト膜用塗布処理ユニットの構成を説明するための模式図である。
【図１２】冷却気体供給部の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。また、本実施の形態で用いられる基板は、少なくとも一部が円形の外周部を有する。例えば、位置決め用のノッチを除く外周部が円形を有する。
【００２９】
［１］第１の実施の形態
（１）基板処理装置
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図１および図２以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。
【００３０】
図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。本例において、露光装置１５は、例えば１３ｎｍ以上１４ｎｍ以下の波長を有するＥＵＶ（Extreme Ultra Violet；超紫外線）により基板Ｗに露光処理を行う。以下、露光装置１５による基板Ｗの露光処理を通常露光処理と呼ぶ。
【００３１】
図１に示すように、インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。搬送部１１２には、メインコントローラ１１４および搬送機構１１５が設けられる。メインコントローラ１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送機構１１５は、基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。
【００３２】
第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ４（図９参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７，１２８（図９参照）が設けられる。
【００３３】
第２の処理ブロック１３は、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５〜ＰＡＳＳ８（図９参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７，１３８（図９参照）が設けられる。
【００３４】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図９参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。
【００３５】
また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図９参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。
【００３６】
（２）塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部
図２は、図１の塗布処理部１２１、現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１の内部構成を示す模式的側面図である。図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。塗布処理室２１，２３には、基板Ｗ上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜用塗布処理ユニット１２９ａが設けられる。塗布処理室２２，２４には、基板Ｗ上に反射防止膜を形成するための反射防止膜用塗布処理ユニット１２９ｂが設けられる。現像処理部１３１には、現像処理室３１〜３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１〜３４には、現像処理ユニット１３９が設けられる。
【００３７】
図３は、レジスト膜用塗布処理ユニット１２９ａの構成を示す模式的平面図である。図４は、レジスト膜用塗布処理ユニット１２９ａの一部構成を示す模式的側面図である。図３に示すように、レジスト膜用塗布処理ユニット１２９ａは、待機部２０、複数のスピンチャック２５、複数のカップ２７、複数の塗布液ノズル２８、ノズル搬送機構２９、複数のエッジ露光部４１および複数の現像液ノズル４３を備える。本実施の形態では、レジスト膜用塗布処理ユニット１２９ａに２つのスピンチャック２５が設けられる。各スピンチャック２５に対応して、カップ２７、エッジ露光部４１および現像液ノズル４３が設けられる。また、図４に示すように、レジスト膜用塗布処理ユニット１２９ａには、各スピンチャック２５に対応して、加熱部４２が設けられる。図４には、１つのスピンチャック２５に関連する部分のみが示される。
【００３８】
各スピンチャック２５は、基板Ｗを保持した状態で、電動モータ等からなる駆動装置２５ａ（図４）により回転駆動される。カップ２７はスピンチャック２５の周囲を取り囲むように設けられる。待機時には、図３の各塗布液ノズル２８は待機部２０に挿入される。各塗布液ノズル２８には、図示しない塗布液貯留部から後述の金属成分および感光性材料を含むレジスト膜用の塗布液（以下、レジスト液と呼ぶ。）が供給される。本実施の形態では、ポジティブトーン現像用のレジスト液が用いられる。
【００３９】
複数の塗布液ノズル２８のうちのいずれかの塗布液ノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動される。スピンチャック２５が回転しつつ塗布液ノズル２８からレジスト液が吐出されることにより、回転する基板Ｗ上にレジスト液が塗布される。それにより、基板Ｗの被処理面にレジスト膜が形成される。ここで、被処理面とは回路パターン等の各種パターンが形成される基板Ｗの面をいう。
【００４０】
レジスト液には、高い精度で基板処理を行うための金属分子または金属酸化物等の金属成分が組成物として含有されている。本例では、金属成分として、例えばＳｎ（スズ）、ＨｆＯ２（酸化ハフニウム）またはＺｒＯ２（二酸化ジルコニウム）がレジスト液に含有される。
【００４１】
エッジ露光部４１は、例えば光ファイバからなり、スピンチャック２５により保持される基板Ｗの被処理面の周縁部に露光処理のための光（以下、露光光と呼ぶ。）を照射する。露光光は、例えば紫外線である。ここで、基板Ｗの周縁部とは、基板Ｗの外周部に沿った一定幅の領域をいう。
【００４２】
基板Ｗ上にレジスト膜が形成された後、スピンチャック２５により基板Ｗが回転された状態で、エッジ露光部４１により基板Ｗの被処理面の周縁部に露光光が照射される。それにより、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜の部分の露光処理（以下、エッジ露光処理と呼ぶ。）が行われる。
【００４３】
図４に示すように、加熱部４２は、スピンチャック２５により保持される基板Ｗの周縁部の下方に設けられる。加熱部４２は、例えば光ファイバからなり、スピンチャック２５により保持された基板Ｗの周縁部に加熱処理のための光（以下、加熱光と呼ぶ。）を照射する。加熱光は、例えば赤外線である。
【００４４】
上記のエッジ露光処理の後、スピンチャック２５により基板Ｗが回転された状態で、加熱部４２により基板Ｗの周縁部に加熱光が照射される。これにより、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜の部分に露光後の加熱処理（以下、エッジ加熱処理と呼ぶ。）が行われる。エッジ加熱処理により、エッジ露光処理時の光化学反応により生じた生成物（酸）の触媒作用を促進し、現像液に対するレジスト膜の溶解性を高めることができる。それにより、エッジ露光処理の光照射量の低減が可能であり、エッジ露光処理のスループットを向上させることができる。
【００４５】
現像液ノズル４３は、スピンチャック２５により保持された基板Ｗの被処理面の周縁部を向くように配置される。現像液ノズル４３には、図示しない現像液貯留部から現像液が供給される。ポジティブトーン現像処理用の現像液として、アルカリ性水溶液を用いることができる。アルカリ性水溶液は、例えば、ＴＭＡＨ（tetra methyl ammonium hydroxide：水酸化テトラメチルアンモニウム）またはＫＯＨ（potassium hydroxide：水酸化カリウム）を含む。
【００４６】
上記のエッジ露光処理後、スピンチャック２５により基板Ｗが回転された状態で、現像液ノズル４３から基板Ｗの被処理面の周縁部に現像液が供給される。これにより、基板Ｗの周縁部上に形成されたレジスト膜の部分の現像処理（以下、エッジ現像処理と呼ぶ。）が行われる。具体的には、エッジ露光処理において露光され、かつエッジ加熱処理によって加熱されたレジスト膜の周縁部の部分が現像液によって溶解されて除去される。
【００４７】
このように、レジスト膜用塗布処理ユニット１２９ａでは、基板Ｗ上にレジスト膜が形成された後、エッジ露光処理、エッジ加熱処理およびエッジ現像処理が順に行われる。これにより、基板Ｗの周縁部上に形成されたレジスト膜の部分が除去される。
【００４８】
エッジ現像処理後に基板Ｗの周縁部にリンス液（例えば、純水）を供給するリンス液ノズルがさらに設けられてもよい。この場合、リンス液ノズルが基板Ｗの周縁部にリンス液を供給することにより、現像液およびその現像液によって溶解されたレジスト膜の残渣を基板Ｗの周縁部から洗い流すことができる。
【００４９】
図５は、レジスト膜用塗布処理ユニット１２９ａの他の構成例を示す図である。図５の例について、図３および図４の例と異なる点を説明する。図５のレジスト膜用塗布処理ユニット１２９ａは、エッジリンスノズル４４をさらに備える。
【００５０】
エッジリンスノズル４４は、スピンチャック２５により保持された基板Ｗの被処理面の周縁部を向くように配置される。エッジリンスノズル４４は、有機性の除去液（以下、有機除去液と呼ぶ。）を吐出可能に設けられる。有機除去液は、例えばシンナー、酢酸ブチル（butyl acetate）、ＰＧＭＥＡ（propyleneglycol monomethyl ether acetate：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）、またはＰＧＭＥ（propyleneglycol monomethyl ether：プロピレングリコールモノメチルエーテル）等の有機溶媒を含む。
【００５１】
図５のレジスト膜用塗布処理ユニット１２９ａでは、基板Ｗ上にレジスト膜が形成された後であって、上記のエッジ露光処理が行われる前に、スピンチャック２５により基板Ｗが回転されつつ、エッジリンスノズル４４から基板Ｗの被処理面の周縁部に有機除去液が供給される。これにより、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜の大部分が溶解されて除去される。その後、上記のエッジ露光処理、エッジ加熱処理およびエッジ現像処理が順に行われる。それにより、有機除去液の供給後にレジスト膜の残渣が基板Ｗの周縁部上に付着していても、その後のエッジ露光処理、エッジ加熱処理およびエッジ現像処理によってレジスト膜の残渣を除去することができる。
【００５２】
エッジリンスノズル４４に加えて、基板Ｗの裏面に有機除去液を吐出可能なバックリンスノズルが設けられてもよい。ここで、裏面とは基板Ｗの被処理面と反対側の面をいう。この場合、基板Ｗの裏面にレジスト液が付着していても、バックリンスノズルから吐出される有機除去液によって基板Ｗの裏面からレジスト液を除去することができる。また、現像液ノズル４３が現像液と有機除去液とを選択的に吐出可能であってもよい。この場合、エッジリンスノズル４４が不要となるので、レジスト膜用塗布処理ユニット１２９ａの省スペース化が可能となる。
【００５３】
図２の塗布処理室２２，２４に設けられる反射防止膜用塗布処理ユニット１２９ｂは、エッジ露光部４１、加熱部４２および現像液ノズル４３を有さない点を除いて、図３および図４のレジスト膜用塗布処理ユニット１２９ａ、または図５のレジスト膜用塗布処理ユニット１２９ａと同様の構成を有する。反射防止膜用塗布処理ユニット１２９ｂの塗布液ノズル２８には、反射防止膜用の塗布液が供給され、その塗布液が基板Ｗ上に供給されることにより、基板Ｗの被処理面に反射防止膜が形成される。なお、反射防止膜用塗布処理ユニット１２９ｂにおいて基板Ｗに供給される塗布液に、金属成分が含有されてもよい。この場合、レジスト液に含有される金属成分と同様の金属成分が用いられる。
【００５４】
図２に示すように、現像処理ユニット１３９は、レジスト膜用塗布処理ユニット１２９ａと同様に、複数のスピンチャック３５および複数のカップ３７を備える。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つのスリットノズル３８およびそれらのスリットノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。
【００５５】
現像処理ユニット１３９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。この状態で、スリットノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。これにより、基板Ｗの現像処理が行われる。現像処理ユニット１３９における現像処理は、図１の露光装置１５による通常露光処理後の基板Ｗに対して行われる。以下、通常露光処理後に現像処理ユニット１３９において行われる現像処理を通常現像処理と呼ぶ。
【００５６】
洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では３つ）の洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳが設けられる。各洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳにおいては、有機溶媒または純水を用いて通常露光処理前の基板Ｗの周縁部および裏面の洗浄ならびに乾燥処理が行われる。
【００５７】
（３）熱処理部
図６は、図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２の内部構成を示す模式的側面図である。図６に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。
【００５８】
熱処理部１２３の最上部にはローカルコントローラＬＣ１が設けられる。ローカルコントローラＬＣ１は、図１のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３の動作を制御する。
【００５９】
熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。
【００６０】
熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４には、冷却ユニットＣＰおよび複数の熱処理ユニットＰＨＰが設けられる。
【００６１】
熱処理部１３３の最上部には、ローカルコントローラＬＣ２が設けられる。ローカルコントローラＬＣ２は、図１のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３の動作を制御する。
【００６２】
（４）金属除去ユニット
洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では６つ）の金属除去ユニットＭＲが設けられる。図７は、金属除去ユニットＭＲの構成を説明するための模式図である。図７に示すように、金属除去ユニットＭＲには、モータ１、スピンチャック３、カップ４、２つの裏面洗浄ノズル７、周縁部洗浄ノズル８および気体供給部９が設けられる。スピンチャック３は、鉛直軸の周りで回転可能にモータ１の回転軸２の上端に取り付けられる。カップ４は、スピンチャック３に保持された基板Ｗの周囲を取り囲むように配置される。カップ４の下部には排液部５および排気部６が形成される。
【００６３】
２つの裏面洗浄ノズル７は、スピンチャック３により保持された基板Ｗの裏面を向くように配置される。裏面洗浄ノズル７から基板Ｗの裏面に金属成分を溶解可能な除去液（以下、金属用除去液と呼ぶ）が吐出される。周縁部洗浄ノズル８は、スピンチャック３により保持された基板Ｗの被処理面の周縁部を向くように配置される。周縁部洗浄ノズル８から基板Ｗの被処理面の周縁部に金属用除去液が吐出される。
【００６４】
金属用除去液として、アルカリ性除去液または酸性除去液が用いられる。アルカリ性除去液は、例えばアンモニアおよび過酸化水素を含む水溶液である。アルカリ性除去液は、例えばＴＭＡＨであってもよい。酸性除去液は、例えば希フッ酸を含む水溶液である。酸性除去液は、例えば硫酸および過酸化水素を含む水溶液であってもよいし、酢酸またはキレート剤を含む水溶液であってもよい。キレート剤は、有機酸、有機酸の塩、アミノ酸、アミノ酸の誘導体、無機アルカリ、無機アルカリの塩、アルキルアミン、アルキルアミンの誘導体、アルカノールアミンおよびアルカノールアミンの誘導体よりなる群から選択された一種または複数種を含む。
【００６５】
気体供給部９は、スピンチャック３により保持された基板Ｗの略中央部の上方に配置される。気体供給部９から基板Ｗの被処理面の略中央部に不活性ガス、例えば窒素ガスが噴出される。この場合、気体供給部９から噴出される気体は、基板Ｗの被処理面の略中央部に拡散する。これにより、周縁部洗浄ノズル８から吐出される金属用除去液が基板Ｗの被処理面に形成されたレジスト膜に付着することが防止される。
【００６６】
このように、金属除去ユニットＭＲにおいては、基板Ｗの周縁部および裏面に金属用除去液が供給される。それにより、上記のエッジ現像処理後に、基板Ｗの周縁部および裏面に金属成分が残存していても、その金属成分を溶解させて除去することができる。したがって、基板処理装置１００の内部および露光装置１５の内部に金属成分による汚染が発生することを十分に防止することができる。
【００６７】
複数の金属除去ユニットＭＲにおいて、共通の金属用除去液が用いられてもよく、または異なる種類の金属用除去液が用いられてもよい。例えば、６つの金属除去ユニットＭＲのうち３つの金属除去ユニットＭＲで用いられる金属用除去液と、残り３つの金属除去ユニットＭＲで用いられる金属用除去液とが異なってもよい。この場合、レジスト膜に含有された金属成分の種類に応じて、適した金属除去ユニットＭＲにより基板Ｗの周縁部および裏面に付着した金属成分を除去することができる。
【００６８】
図８は、金属除去ユニットＭＲの他の構成を示す図である。図８の金属除去ユニットＭＲには、図７の周縁部洗浄ノズル８および気体供給部９に代えて気液供給ノズル１０が設けられる。気液供給ノズル１０は、水平方向に並ぶ液体ノズル１０ａおよび気体ノズル１０ｂを含む。気液供給ノズル１０は、スピンチャック３により保持された基板Ｗの周縁部を向くように配置される。ここで、気体ノズル１０ｂは、液体ノズル１０ａよりも基板Ｗの中心に位置する。
【００６９】
液体ノズル１０ａから基板Ｗの周縁部に金属用除去液が吐出される。気体ノズル１０ｂから基板Ｗの周縁部に不活性ガス、例えば窒素ガスが噴出される。この場合、気体ノズル１０ｂから気体が噴出される基板Ｗの位置は、液体ノズル１０ａから金属用除去液が吐出される位置よりも基板Ｗの中心に近い。そのため、液体ノズル１０ａから吐出される金属用除去液は、気体ノズル１０ｂから噴出される気体により基板Ｗの中心に向かうことが妨げられる。これにより、液体ノズル１０ａから吐出される金属用除去液が基板Ｗの被処理面に形成されたレジスト膜に付着することが防止される。
【００７０】
また、図７および図８の金属除去ユニットＭＲには、熱処理部１２３によりレジスト膜が硬化された後の基板Ｗが搬送されるので、気体供給部９または気体ノズル１０ｂから基板Ｗに気体を吐出してもレジスト膜の膜厚に影響しない。これらの結果、基板Ｗの被処理面にレジスト膜を均一な厚みに形成することができる。
【００７１】
（５）搬送部
図９は、搬送部１２２，１３２，１６３の内部構成を示す模式的側面図である。図９に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。
【００７２】
塗布処理室２１，２２（図２）と上段熱処理部３０１（図６）とは上段搬送室１２５を挟んで対向し、塗布処理室２３，２４（図２）と下段熱処理部３０２（図６）とは下段搬送室１２６を挟んで対向する。同様に、現像処理室３１，３２（図２）と上段熱処理部３０３（図６）とは上段搬送室１３５を挟んで対向し、現像処理室３３，３４（図２）と下段熱処理部３０４（図６）とは下段搬送室１３６を挟んで対向する。
【００７３】
搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。
【００７４】
上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。
【００７５】
載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１は、搬送機構１３７および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２は、搬送機構１３８および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。また、基板載置部ＰＡＳＳ９および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、搬送機構１４１，１４２（図１）および搬送機構１４６による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。
【００７６】
基板載置部ＰＡＳＳ１および基板載置部ＰＡＳＳ３には、インデクサブロック１１から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ４には、第１の処理ブロック１２からインデクサブロック１１へ搬送される基板Ｗが載置される。
【００７７】
基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ７には、第１の処理ブロック１２から第２の処理ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ６および基板載置部ＰＡＳＳ８には、第２の処理ブロック１３から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。
【００７８】
載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２には、第２の処理ブロック１３から洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置され、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰには、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ９には、搬入搬出ブロック１４Ｂから洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。
【００７９】
次に、搬送機構１２７について説明する。図１０は、搬送機構１２７を示す斜視図である。図９および図１０に示すように、搬送機構１２７は、長尺状のガイドレール３１１，３１２を備える。図９に示すように、ガイドレール３１１は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように搬送部１１２側に固定される。ガイドレール３１２は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように上段搬送室１３５側に固定される。
【００８０】
ガイドレール３１１とガイドレール３１２との間には、長尺状のガイドレール３１３が設けられる。ガイドレール３１３は、上下動可能にガイドレール３１１，３１２に取り付けられる。ガイドレール３１３に移動部材３１４が取り付けられる。移動部材３１４は、ガイドレール３１３の長手方向に移動可能に設けられる。
【００８１】
移動部材３１４の上面には、長尺状の回転部材３１５が回転可能に設けられる。回転部材３１５には、基板Ｗの外周部を保持するためのハンドＨ１，Ｈ２，Ｈ３が取り付けられる。ハンドＨ１〜Ｈ３は、回転部材３１５の長手方向に移動可能に設けられる。ハンドＨ１はハンドＨ２よりも上方に配置され、ハンドＨ２はハンドＨ３よりも上方に配置される。
【００８２】
上記のような構成により、搬送機構１２７は、上段搬送室１２５内においてＸ方向およびＺ方向に自在に移動することができる。また、ハンドＨ１〜Ｈ３を用いて塗布処理室２１，２２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図９）および上段熱処理部３０１（図６）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。
【００８３】
図９に示すように、搬送機構１２８，１３７，１３８は搬送機構１２７と同様の構成を有する。また、本実施の形態においては、図１の搬送機構１４２は、搬送機構１２７と同様の３つのハンドＨ１〜Ｈ３を有する。
【００８４】
搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８は、ハンドＨ１〜Ｈ３を選択に使用することができる。例えば、金属除去ユニットＭＲによる処理前の基板Ｗの搬送と、金属除去ユニットＭＲによる処理後の基板Ｗの搬送とで異なるハンドを使用することができる。また、３つのハンドＨ１〜Ｈ３を用いて複数の基板Ｗを同時に搬送することも可能である。各搬送機構のハンドの数は３つに限定されず、４つ以上であってもよく、または２つ以下であってもよい。
【００８５】
（６）基板処理
図１、図２、図６および図９を参照しながら基板処理を説明する。インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図１）には、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、キャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図９）に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４（図９）に載置された処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。
【００８６】
第１の処理ブロック１２において、搬送機構１２７（図９）は、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図６）、冷却ユニットＣＰ（図６）および塗布処理室２２（図２）に順に搬送する。次に、搬送機構１２７は、塗布処理室２２の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図６）、冷却ユニットＣＰ（図６）、塗布処理室２１（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図６）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図９）に順に搬送する。
【００８７】
この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２２において、反射防止膜用塗布処理ユニット１２９ｂ（図２）により基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２１において、レジスト膜用塗布処理ユニット１２９ａ（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。
【００８８】
また、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６（図９）に載置された通常現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図９）に搬送する。
【００８９】
搬送機構１２８（図９）は、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された未処理の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図６）、冷却ユニットＣＰ（図６）および塗布処理室２４（図２）に順に搬送する。次に、搬送機構１２８は、塗布処理室２４の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図６）、冷却ユニットＣＰ（図６）、塗布処理室２３（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図６）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図９）に順に搬送する。
【００９０】
また、搬送機構１２８（図９）は、基板載置部ＰＡＳＳ８（図９）に載置された通常現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（図９）に搬送する。塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図６）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図６）における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。
【００９１】
第２の処理ブロック１３において、搬送機構１３７（図９）は、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図９）に搬送する。
【００９２】
また、搬送機構１３７（図９）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図６）から通常露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３７は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図６）、現像処理室３１，３２（図６）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図６）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図９）に順に搬送する。
【００９３】
この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、通常現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１，３２のいずれか一方において、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの通常現像処理が行われる。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。
【００９４】
搬送機構１３８（図９）は、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図９）に搬送する。
【００９５】
また、搬送機構１３８（図９）は、インターフェイスブロック１４に隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図６）から通常露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３８は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図６）、現像処理室３３，３４（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図６）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図９）に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０３における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。
【００９６】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４２（図１）は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図９）に載置された基板Ｗを金属除去ユニットＭＲ（図６）に搬送する。また、搬送機構１４２は、金属除去ユニットＭＲの基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図９）または載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図９）に搬送する。搬送機構１４１（図１）は、金属除去ユニットＭＲから載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に搬送された基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳ（図２）および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図９）に順に搬送する。
【００９７】
この場合、金属除去ユニットＭＲにおいて、基板Ｗの周縁部および裏面に残存する金属成分の除去が行われる。また、洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳにおいて、基板Ｗの周縁部および裏面の洗浄ならびに乾燥処理が行われる。その後、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて露光装置１５（図１）による通常露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【００９８】
搬送機構１４２（図１）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図９）に載置された通常露光処理後の基板Ｗを上段熱処理部３０３または下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図６）に搬送する。この場合、熱処理ユニットＰＨＰにおいて露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。
【００９９】
搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送機構１４６（図１）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図６）に載置された通常露光処理前の基板Ｗを露光装置１５（図１）の基板搬入部に搬送する。また、搬送機構１４６は、露光装置１５の基板搬出部から通常露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図９）に搬送する。露光装置１５においては、極めて短い波長を有するＥＵＶにより基板Ｗに通常露光処理が行われる。この場合、基板Ｗ上のレジスト膜に金属成分が含有されているので、ＥＵＶ光の吸収が効率良く行われることにより、レジスト膜に微細な露光パターンを高い解像度で形成することができる。なお、露光方法はこれに限定されず、他の方法により基板Ｗに通常露光処理が行われてもよい。
【０１００】
本実施の形態においては、上段に設けられた塗布処理室２１，２２、現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０１，３０３における基板Ｗの処理と、下段に設けられた塗布処理室２３，２４、現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０２，３０４における基板Ｗの処理とを並行して行うことができる。それにより、フットプリントを増加させることなく、スループットを向上させることができる。
【０１０１】
（７）効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、基板Ｗ上にレジスト膜が形成された後であって基板Ｗが露光装置１５に搬送される前に、基板Ｗ上のレジスト膜のエッジ露光処理およびエッジ現像処理が行われる。これにより、基板Ｗの周縁部からレジスト膜を適切に除去することができる。したがって、基板Ｗの周縁部における金属成分の残存が防止される。その結果、基板Ｗの周縁部に残存する金属成分に起因して基板処理装置１００および露光装置１５に金属汚染が生じることが十分に防止される。
【０１０２】
また、本実施の形態では、レジスト膜用塗布処理ユニット１２９ａにおいて、スピンチャック２５によって基板Ｗが回転されつつ、塗布液ノズル２８によるレジスト液の塗布、エッジ露光部４１によるエッジ露光処理、加熱部４２によるエッジ加熱処理、および現像液ノズル４３によるエッジ現像処理が順に行われる。これにより、レジスト膜の形成、エッジ露光処理、エッジ加熱処理およびエッジ現像処理を共通のスペースで行うことができる。したがって、装置コストの増大および基板処理装置１００の大型化を抑制することができる。
【０１０３】
［２］第２の実施の形態
本発明の第２の実施の形態について、上記第１の実施の形態と異なる点を説明する。図１１は、第２の実施の形態におけるレジスト膜用塗布処理ユニット１２９ａの構成を説明するための模式図である。図１１のレジスト膜用塗布処理ユニット１２９ａが図３のレジスト膜用塗布処理ユニット１２９ａと異なる点は、加熱部４２および現像液ノズル４３が設けられないことである。これにより、図１１のレジスト膜用塗布処理ユニット１２９ａにおいては、エッジ露光処理後に、エッジ加熱処理およびエッジ現像処理が行われない。
【０１０４】
図９の搬送機構１２７は、第１の実施の形態と同様に、塗布処理室２１におけるエッジ露光処理後の基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰ（図６）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図９）に順に搬送する。また、図９の搬送機構１２８は、塗布処理室２３におけるエッジ露光処理後の基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰ（図６）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図９）に順に搬送する。この場合、各熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの全体が加熱される。そのため、上記のエッジ加熱処理と同様に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜の部分に加熱処理が行われる。
【０１０５】
図９の搬送機構１３７は、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された熱処理後の基板Ｗを現像処理室３１，３２のいずれかに搬送する。また、図９の搬送機構１３８は、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された熱処理後の基板Ｗを現像処理室３３，３４のいずれかに搬送する。現像処理室３１〜３４においては、熱処理後の基板Ｗの周縁部に現像液が供給される。これにより、基板Ｗのエッジ現像処理が行われる。この場合、図１のスリットノズル３８から基板Ｗの周縁部にのみ現像液が供給されてもよく、または図３の現像液ノズル４３と同様に基板Ｗの周縁部を向くように配置されたノズルが別個に設けられてもよい。
【０１０６】
図９の搬送機構１３７は、エッジ現像処理後の基板Ｗを現像処理室３１，３２のいずれかから載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図９）に搬送する。また、図９の搬送機構１３８は、エッジ現像処理後の基板Ｗを現像処理室３３，３４のいずれかから載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図９）に搬送する。その後、上記第１の実施の形態と同様に、基板Ｗが露光装置１５（図１）に搬送され、基板Ｗの通常露光処理が行われる。
【０１０７】
このように、第２の実施の形態では、熱処理ユニットＰＨＰにおいて基板Ｗの加熱処理が行われる際にエッジ露光処理後の基板Ｗの周縁部上のレジスト膜の部分も加熱される。それにより、エッジ加熱処理を個別に行うことなく、その後のエッジ現像処理を適切に行うことができる。したがって、エッジ加熱処理が個別に行われる場合に比べて、基板Ｗの処理時間を削減することができる。また、図４の加熱部４２を設ける必要がないので、装置コストの削減が可能になり、かつ加熱部４２の設置スペースの確保が不要となる。
【０１０８】
また、本実施の形態では、共通の現像処理ユニット１３９において、基板Ｗのエッジ現像処理および通常現像処理がそれぞれ行われる。それにより、図４の現像液ノズル４３を設ける必要がないので、装置コストの削減が可能になり、かつ現像液ノズル４３の設置スペースの確保が不要となる。
【０１０９】
［３］他の実施の形態
（１）上記実施の形態では、基板Ｗの周縁部に金属用除去液を供給する金属除去ユニットＭＲがインターフェイスブロック１４に設けられるが、本発明はこれに限定されない。例えば、レジスト膜用塗布処理ユニット１２９ａに基板Ｗの周縁部に金属用除去液を吐出可能なノズルが設けられてもよい。また、エッジ現像処理によって基板Ｗの周縁部の金属成分を十分に除去可能である場合には、金属除去ユニットＭＲが設けられなくてもよい。
【０１１０】
（２）上記実施の形態では、エッジ露光処理後であってエッジ現像処理前の基板Ｗにエッジ加熱処理が行われるが、本発明はこれに限定されない。レジスト膜に含まれる感光性材料の種類によっては、エッジ露光処理後にエッジ加熱処理を行うことなくエッジ現像処理を適切に行うことが可能である。
【０１１１】
（３）上記実施の形態では、レジスト膜用塗布処理ユニット１２９ａにおいて基板Ｗにエッジ露光処理が行われるが、本発明はこれに限定されない。レジスト膜の形成後の基板Ｗにエッジ露光処理を行うユニットがレジスト膜用塗布処理ユニット１２９ａとは別個に設けられてもよい。
【０１１２】
（４）上記実施の形態では、レジスト膜用塗布処理ユニット１２９ａまたは現像処理ユニット１３９において基板Ｗにエッジ現像処理が行われるが、本発明はこれに限定されない。エッジ露光処理後の基板Ｗにエッジ現像処理を行うユニットがレジスト膜用塗布処理ユニット１２９ａおよび現像処理ユニット１３９とは別個に設けられてもよい。
【０１１３】
（５）上記第１の実施の形態においては、エッジ加熱処理時に加熱部４２によって基板Ｗの周縁部が加熱される。この場合、通常露光処理が行われるべきレジスト膜の部分に不均一に熱が加わると、基板Ｗの処理精度が低下する。そこで、基板Ｗの周縁部以外の部分に、冷却用の気体を供給する冷却気体供給部が設けられてもよい。図１２は、冷却気体供給部の一例を示す図である。図１２の例では、スピンチャック２５により保持される基板Ｗの下方に冷却気体供給部４６が設けられる。冷却気体供給部４６は、スピンチャック２５により保持される基板Ｗの裏面に冷却用の気体を供給する。これにより、通常露光処理が行われるべきレジスト膜の部分の温度上昇が抑制され、レジスト膜の当該部分に対する熱処理の均一性が向上される。それにより、基板Ｗの処理精度を高めることができる。
【０１１４】
（６）上記実施の形態において、塗布処理室２１〜２４に２つのスピンチャック２５が設けられ、現像処理室３１〜３４に３つのスピンチャック３５が設けられるが、本発明はこれに限定されない。塗布処理室２１〜２４に１つまたは３つ以上のスピンチャック２５が設けられてもよい。また、現像処理室３１〜３４に２つ以下または４つ以上のスピンチャック３５が設けられてもよい。
【０１１５】
（７）上記実施の形態において、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１のハンドＨ１〜Ｈ３は基板Ｗの外周部を保持するが、本発明はこれに限定されない。搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１のハンドＨ１〜Ｈ３は、基板Ｗを吸着することにより基板Ｗの裏面を保持してもよい。
【０１１６】
［４］請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１１７】
上記の実施の形態では、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、基板Ｗが基板の例であり、露光装置１５が露光装置の例であり、レジスト膜用塗布処理ユニット１２９ａが膜形成ユニットの例であり、レジスト膜が金属含有感光性膜の例であり、エッジ露光部４１がエッジ露光部の例であり、現像液ノズル４３がエッジ現像処理部の例であり、搬送機構１４６が搬送機構の例であり、現像処理ユニット１３９が現像処理ユニットの例である。
【０１１８】
また、スピンチャック２５が回転保持部の例であり、塗布液ノズル２８が液供給部の例であり、周縁部洗浄ノズル８が第１の除去液供給部の例であり、加熱部４２が加熱部の例であり、スリットノズル３８が現像液ノズルの例であり、熱処理ユニットＰＨＰが熱処理ユニットの例であり、エッジリンスノズル４４が第２の除去液供給部の例である。
【０１１９】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
［５］参考形態
（１）第１の参考形態に係る基板処理装置は、基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、金属成分および感光性材料を含む金属含有感光性膜を基板の被処理面に形成する膜形成ユニットと、金属含有感光性膜形成後の基板の周縁部に光を照射するエッジ露光部と、基板の周縁部に現像液を供給することによりエッジ露光部により光が照射された金属含有感光性膜の部分の現像処理を行うエッジ現像処理部と、エッジ現像処理部による現像処理後の基板を露光装置に搬送する搬送機構と、露光装置における露光処理後の基板に現像液を供給することにより、金属含有感光性膜の現像処理を行う現像処理ユニットとを備える。
以下、エッジ露光処理部による金属含有感光性膜の露光処理をエッジ露光処理と呼び、エッジ現像処理部による金属含有感光性膜の現像処理をエッジ現像処理と呼ぶ。
この基板処理装置においては、基板の被処理面に金属含有感光性膜が形成された後、基板の周縁部に光が照射される。これにより、エッジ露光処理として、基板の周縁部上の金属含有感光性膜の部分が露光される。続いて、基板の周縁部に現像液が供給されることにより、エッジ現像処理として、露光された金属含有感光性膜の部分の現像処理が行われる。その後、基板が露光装置に搬送される。露光装置において基板に露光処理が行われることにより、金属含有感光性膜に露光パターンが形成され、続いて現像処理ユニットにおいて露光処理後の基板に現像液が供給されることにより、金属含有感光性膜の現像処理が行われる。
このように、基板上に金属含有感光性膜が形成された後であって基板が露光装置に搬送される前に、基板の周縁部上の金属含有感光性膜の部分にエッジ露光処理およびエッジ現像処理が行われる。これにより、基板の周縁部から金属含有感光性膜を適切に除去することができる。したがって、基板の周縁部における金属成分の残存が防止され、基板処理装置および露光装置に金属汚染が生じることが十分に防止される。
（２）膜形成ユニットは、基板を保持して回転する回転保持部と、回転保持部により回転される基板の被処理面に金属含有感光性膜用の塗布液を供給する液供給部とを含み、エッジ露光部は、液供給部による塗布液の供給後に回転保持部により回転される基板の周縁部に光を照射するように構成されてもよい。
この場合、共通の回転保持部によって基板が回転されつつ、液供給部により基板の被処理面に金属含有感光性膜用の塗布液が供給され、かつエッジ露光部により基板の周縁部上の金属含有感光性膜の部分に光が照射される。これにより、金属含有感光性膜の形成およびエッジ露光処理を共通のスペースで行うことができる。したがって、装置コストの増大および基板処理装置の大型化を抑制することができる。
（３）膜形成ユニットは、液供給部による塗布液の供給後に回転保持部により回転される基板の周縁部に塗布液を溶解させる第１の除去液を供給する第１の除去液供給部をさらに含んでもよい。
この場合、基板の周縁部に第１の除去液が供給されることにより、基板の周縁部から金属含有感光性膜がより十分に除去される。したがって、基板の周縁部に金属成分が残存することがより十分に防止される。
（４）エッジ現像処理部は、エッジ露光部による光照射後に回転保持部により回転される基板の周縁部に現像液を吐出するように構成されてもよい。この場合、金属含有感光性膜の形成およびエッジ露光処理に加えて、エッジ現像処理を共通のスペースで行うことができる。それにより、装置コストの増大および基板処理装置の大型化をさらに抑制することができる。また、金属含有感光性膜の形成後、回転保持部から基板を搬送することなく、基板の周縁部上の金属含有感光性膜の部分を除去することができる。したがって、基板の搬送時における金属成分の拡散が防止され、金属汚染の発生がより十分に防止される。
（５）基板処理装置は、エッジ露光部による光照射後であってエッジ現像処理部による現像処理前に回転保持部により回転される基板の周縁部を加熱するように構成された加熱部をさらに備えてもよい。
この場合、エッジ露光処理後の基板の周縁部を加熱することにより、エッジ露光処理により生じた生成物（酸）の触媒作用を促進し、現像液に対する金属含有感光性膜の溶解性を高めることができる。それにより、エッジ露光処理の光照射量の低減が可能であり、エッジ露光処理のスループットを向上させることができる。
（６）エッジ現像処理部は、現像処理ユニットに設けられてもよい。この場合、共通の現像処理ユニットにおいて、金属含有感光性膜のエッジ現像処理および通常の現像処理をそれぞれ行うことができる。それにより、装置コストの増大および基板処理装置の大型化を抑制することができる。
（７）エッジ現像処理部および現像処理ユニットは、現像液を吐出可能な共通の現像液ノズルを有してもよい。この場合、共通の現像処理ノズルを用いてエッジ現像処理および通常の現像処理をそれぞれ行うことができる。それにより、装置コストのさらなる削減が可能となる。
（８）基板処理装置は、エッジ露光部による光照射後であってエッジ現像処理部による現像処理前の基板に加熱処理を行う熱処理ユニットをさらに備えてもよい。この場合、熱処理ユニットにおいて、露光装置による露光処理前の基板の加熱処理と、エッジ露光処理後の基板の周縁部の加熱処理とを同時に行うことができる。それにより、基板の処理時間を短縮することができる。
（９）基板処理装置は、エッジ現像処理部による現像処理後に基板の周縁部に金属成分を溶解させる第２の除去液を供給する第２の除去液供給部をさらに備えてもよい。この場合、基板の周縁部上に金属成分が残存することをより十分に防止することができる。
（１０）第２の参考形態に係る基板処理方法は、膜形成ユニットにより金属成分および感光性材料を含む金属含有感光性膜を基板の被処理面に形成するステップと、エッジ露光部により金属含有感光性膜形成後の基板の周縁部に光を照射するステップと、エッジ現像処理部により基板の周縁部に現像液を供給することによりエッジ露光部により光が照射された金属含有感光性膜の部分の現像処理を行うステップと、エッジ現像処理部による現像処理後の基板を露光装置に搬送するステップと、現像処理ユニットにおいて露光装置における露光処理後の基板に現像液を供給することにより、金属含有感光性膜の現像処理を行うステップとを備える。
この基板処理方法によれば、基板の被処理面に金属含有感光性膜が形成された後、基板の周縁部に光が照射される。これにより、基板の周縁部上の金属含有感光性膜の部分が露光される。続いて、基板の周縁部に現像液が供給されることにより、露光された金属含有感光性膜の部分の現像処理が行われる。その後、基板が露光装置に搬送される。露光装置において基板に露光処理が行われることにより、金属含有感光性膜に露光パターンが形成され、続いて現像処理ユニットにおいて露光処理後の基板に現像液が供給されることにより、金属含有感光性膜の現像処理が行われる。
このように、基板上に金属含有感光性膜が形成された後であって基板が露光装置に搬送される前に、基板の周縁部上の金属含有感光性膜の部分に露光処理および現像処理が行われる。これにより、基板の周縁部から金属含有感光性膜を適切に除去することができる。したがって、基板の周縁部における金属成分の残存が防止され、基板処理装置および露光装置に金属汚染が生じることが十分に防止される。
（１１）金属含有感光性膜を形成するステップは、回転保持部により回転される基板の被処理面に液供給部により金属含有感光性膜用の塗布液を供給するステップとを含み、基板の周縁部に光を照射するステップは、液供給部による塗布液の供給後に回転保持部により回転される基板の周縁部にエッジ露光部により光を照射することを含んでもよい。
この場合、共通の回転保持部によって基板が回転されつつ、液供給部により基板の被処理面に金属含有感光性膜用の塗布液が供給され、かつエッジ露光部により基板の周縁部上の金属含有感光性膜の部分に光が照射される。これにより、金属含有感光性膜の形成およびエッジ露光処理を共通のスペースで行うことができる。したがって、装置コストの増大および基板処理装置の大型化を抑制することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１２０】
本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。  
【符号の説明】
【０１２１】
１１  インデクサブロック
１２  第１の処理ブロック
１３  第２の処理ブロック
１４  インターフェイスブロック
１４Ａ  洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ  搬入搬出ブロック
１５  露光装置
２０  待機部
２５  スピンチャック
２７  カップ
２８  塗布液ノズル
２９  ノズル搬送機構
３８  スリットノズル
４１  エッジ露光部
４２  加熱部
４３  現像液ノズル
１００  基板処理装置
１２９ａ  レジスト膜用塗布処理ユニット
１３９  現像処理ユニット
ＣＰ  冷却ユニット
ＭＲ  金属除去ユニット
ＰＡＨＰ  密着強化処理ユニット
ＰＨＰ  熱処理ユニット
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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