(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板を搬送する第１搬送部を有し、静止した状態で前記第１基板の表面にめっき処理を施した後で前記第１基板を前記第１搬送部により搬出するめっき装置と、
第２基板を搬送する第２搬送部を有し、前記第１搬送部による前記第１基板の搬出に対応して前記第２基板を前記第１基板として前記第２搬送部により前記めっき装置に搬送する前段装置と、を備え、
前記第２搬送部は前記めっき装置に向かう搬送方向において前記第２基板を往復移動可能となっており、前記めっき処理の時間に応じて、前記前段装置内で前記第２基板を往復移動させて前記第２基板を前記めっき装置に搬送するタイミングを制御することを特徴とする基板処理システム。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理システムであって、
前記前段装置は、前記第２搬送部により搬送される前記第２基板に処理液を吐出するノズルと、前記ノズルに前記処理液を供給する処理液供給部とを有し、
単位時間当たりに前記ノズルから吐出される前記処理液の量が制御可能となっている基板処理システム。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理システムであって、
前記第２基板を前記前段装置に搬送する第３搬送部を有する前々段装置を備え、
前記めっき処理の時間に応じて、前記第３搬送部が前記第２基板を前記前段装置に搬送するタイミングが制御される基板処理システム。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の基板処理システムであって、
前記めっき装置は、
前記第１基板の一方主面の被めっき領域を取り囲む形状を有する枠体と、
前記枠体に対して前記基板を相対的に上昇させて前記枠体と前記被めっき領域とでめっき液を貯留する貯留空間を形成する昇降部と、
前記貯留空間にめっき液を供給する供給部と、
前記被めっき領域に電気的に接続されたカソード電極と、
前記貯留空間に貯留されためっき液に接液するアノード電極とを備え、
前記第１搬送部は、前記被めっき領域を上方に向けた状態で前記基板の他方主面を支持しながら前記基板を前記枠体の下方位置に搬送し、
前記昇降部および前記第１搬送部のうち少なくとも一方で前記基板の他方主面を下方から支持しながら前記カソード電極と前記アノード電極との間に電流を流して前記めっき処理を行う基板処理システム。
【請求項５】
めっき装置によって静止した状態で第１基板の表面にめっき処理を施した後で前記第１基板を前記めっき装置から搬出する工程と、
前段装置によって第２基板を前記第１基板として前記めっき装置に搬送する工程と、を備え、
前記めっき処理の時間に応じて前記前段装置内で前記めっき装置に向かう搬送方向において前記第２基板を往復移動させることで、前記第２基板を前記めっき装置に搬送するタイミングを制御することを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、配線基板などの各種基板（以下、単に「基板」と記載する）の表面にめっき処理を施す基板処理システムおよび基板処理方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの電子部品や電子部品を搭載するための配線基板等の製造工程において、基板の表面にめっき処理を施す技術が提案されている。例えば特許文献１に記載の装置では、基板ホルダで保持された基板を搬入し、基板の表面に対してめっき処理を含む一連の表面処理を施した後で、基板ホルダを搬出する。ここでは、上記表面処理を実行するために、前水洗槽、前処理槽、リンス槽、第１めっき槽、リンス槽、第２めっき槽、リンス槽およびブロー槽などの処理槽が工程順に配置されている。そして、基板搬送ホルダが基板ホルダを保持しながら各処理槽に順番に搬送し、基板ホルダを処理槽に対して垂直に差し入れて上記表面処理を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１８７３０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来技術では、１枚の基板に対して一連の表面処理（搬入処理、前処理処理、水洗処理、めっき処理、リンス処理、ブロー処理および搬出処理など）が完了するまで次に基板に対する表面処理を実行することができず、スループットの面で改善の余地があった。その問題を解決する一対策として、連続表面処理方法の採用が考えられる。すなわち、コンベアなどの搬送機構によって基板を連続的に搬送するとともに、その搬送経路に沿って処理順に配置された処理槽で一連の表面処理を実行することでスループットを向上させることができる。
【０００５】
しかしながら、当該連続表面処理方法では、基板を一定速度で搬送する必要があり、例えばめっき処理の時間を変更させるためには、その他の処理を実行するための処理槽のサイズを変更することでその他の処理のプロセス時間をめっき処理に合わせる必要があった。このようにめっき処理の時間に対して柔軟に対応することが困難で汎用性に欠けたものとなっている。
【０００６】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、めっき処理の時間の変更に対して柔軟に対応しつつ優れたスループットでめっき処理を行うことができる基板処理システムおよび基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明の一態様は、基板処理システムであって、第１基板を搬送する第１搬送部を有し、静止した状態で第１基板の表面にめっき処理を施した後で第１基板を第１搬送部により搬出するめっき装置と、第２基板を搬送する第２搬送部を有し、第１搬送部による第１基板の搬出に対応して第２基板を第１基板として第２搬送部によりめっき装置に搬送する前段装置と、を備え、第２搬送部はめっき装置に向かう搬送方向において第２基板を往復移動可能となっており、めっき処理の時間に応じて、前段装置内で第２基板を往復移動させて第２基板をめっき装置に搬送するタイミングを制御することを特徴としている。
【０００８】
また、この発明の他の態様は、基板処理方法であって、めっき装置によって静止した状態で第１基板の表面にめっき処理を施した後で第１基板をめっき装置から搬出する工程と、前段装置によって第２基板を第１基板としてめっき装置に搬送する工程と、を備え、めっき処理の時間に応じて前段装置内でめっき装置に向かう搬送方向において第２基板を往復移動させることで、第２基板をめっき装置に搬送するタイミングを制御することを特徴としている。
【０００９】
このように構成された発明では、基板（第１基板）に対するめっき装置でのめっき処理が完了すると、当該基板が搬出される一方、次の基板（第２基板）がめっき装置に搬送され、めっき処理が連続的に行われ、優れたスループットが得られる。また、めっき処理の時間が変更されたとしても、それに応じてめっき装置に基板を搬送するタイミングが制御され、めっき処理の時間に対して柔軟に対応することができ、高い汎用性が得られる。
【発明の効果】
【００１０】
以上のように、本発明によれば、連続的なめっき処理を行うことで優れたスループットが得られるだけでなく、基板のめっき装置への搬送タイミング制御によってめっき処理の時間の変更に対して柔軟に対応することができ、高い汎用性が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明にかかる基板処理システムの第１実施形態を示す平面図である。
【図２Ａ】第１処理装置列および第２処理装置列の構成を模式的に示す図である。
【図２Ｂ】第２処理装置列の構成を模式的に示す図である。
【図２Ｃ】第２処理装置列および第３処理装置列の構成を模式的に示す図である。
【図３】図１の基板処理システムの電気的な構成を示すブロック図である。
【図４】移送装置の構成を模式的に示す斜視図である。
【図５】第１処理装置列を構成するめっき装置の構成を模式的に示す分解組立斜視図である。
【図６】図５のめっき装置における搬送ローラに対するバックアッププレートの昇降動作を模式的に示す図である。
【図７】図５のめっき装置によるめっき動作を模式的に示す図である。
【図８】第２処理装置列を構成するめっき装置の構成を模式的に示す分解組立斜視図である。
【図９】図８のめっき装置によるめっき動作を模式的に示す図である。
【図１０】めっき装置の他の構成を模式的に示す図である。
【図１１】めっき装置の別の構成を模式的に示す図である。
【図１２】めっき装置のさらに別の構成を模式的に示す図である。
【図１３】本発明にかかる基板処理システムの第２実施形態を示す平面図である。
【図１４】本発明にかかる基板処理システムの第３実施形態を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１は本発明にかかる基板処理システムの第１実施形態を示す平面図である。なお、図１および後で説明する各図では、システム各部の配置関係を明確にするために、図１の左手側から右手側に向かう水平方向を「＋Ｘ方向」と称し、逆方向を「−Ｘ方向」と称する。また、Ｘ方向と直交する水平方向のうち、基板処理システム１の背面側を「＋Ｙ方向」と称するとともに、基板処理システム１の正面側を「−Ｙ方向」と称する。さらに、鉛直方向における上方向および下方向をそれぞれ「＋Ｚ方向」および「−Ｚ方向」と称する。
【００１３】
基板処理システム１は、同図に示すように、インデクサ装置１４と、このインデクサ装置１４に対して平面視で「コ」字形に連結される第１処理装置列１１、第２処理装置列１２および第３処理装置列１３とを有している。第１処理装置列１１は、処理部ＰＡ〜ＰＤを（＋Ｘ）方向にこの順序で配列し、インデクサ装置１４から受け取った基板Ｓを（＋Ｘ）方向に搬送しつつ各処理装置ＰＡ〜ＰＤで所望の処理を行うように構成されている。また、第２処理装置列１２は、処理装置ＰＥ〜ＰＧを（＋Ｙ）方向にこの順序で配列し、第１処理装置列１１から受け取った基板Ｓを（＋Ｙ）方向に搬送しつつ各処理装置ＰＥ〜ＰＧで所望の処理を行うように構成されている。また、第３処理装置列１３は、処理装置ＰＨ、ＰＪ〜ＰＭを（−Ｘ）方向にこの順序で配列し、第２処理装置列１２から受け取った基板Ｓを（−Ｘ）方向に搬送しつつ各処理装置ＰＨ、ＰＪ〜ＰＭで所望の処理を行うように構成されている。さらに、処理装置ＰＭに到達した基板Ｓはインデクサ装置１４により第３処理装置列１３から搬出される。なお、本実施形態では、上記基板Ｓの表面および裏面がそれぞれ本発明の「一方主面」および「他方主面」に相当している。
【００１４】
インデクサ装置１４は、基板Ｓを収納した基板収納カセットＣ（以下「カセットＣ」という）を載置するカセット載置部１４ａと、この載置部１４ａに置かれたカセットＣに対して基板Ｓを出し入れする搬送ロボット１４ｂとを有する。インデクサ装置１４はめっき処理対象となる基板Ｓを基板収納カセットＣから搬送ロボット１４ｂによって順次取り出して第１処理装置列１１へ搬送する（ローディング）。また、インデクサ装置１４は、めっき処理を含む一連の処理を受けた基板Ｓを搬送ロボット１４ｂにより第３処理装置列１３から例えば元のカセットＣに戻す（アンローディング）。
【００１５】
図２Ａは第１処理装置列および第２処理装置列の構成を模式的に示す図であり、図２Ｂは第２処理装置列の構成を模式的に示す図であり、図２Ｃは第２処理装置列および第３処理装置列の構成を模式的に示す図である。また、図３は基板処理システムの電気的な構成を示すブロック図である。第１処理装置列１１では、図２Ａに示すように、基板Ｓの搬送方向（＋Ｘ）における上流側（インデクサ装置１４側）から順にローディング室１１Ａ、前処理室１１Ｂ、水洗室１１Ｃおよびめっき室１１Ｄが設けられている。
【００１６】
ローディング室１１Ａには、搬送ロボット１４ｂから未処理基板Ｓを受け取るための受取装置ＰＡが設けられている。この受取装置ＰＡは、複数の搬送ローラで構成されたローラ搬送部３１と、搬送ロボット１４ｂから未処理の基板Ｓを受け取ってローラ搬送部３１に受け渡す移載部３２とを有している。移載部３２は、複数の支持ピン３３と、搬送ローラの上方に突出する受取位置と搬送ローラの下方に退避する退避位置との間で支持ピン３３を昇降駆動するエアシリンダ等のアクチュエータ３４とから構成されている。そして、基板処理システム１全体を制御する制御部２０からの上昇指令に応じてアクチュエータ３４が作動して支持ピン３３を受取位置にセットした状態で搬送ロボット１４ｂから基板Ｓを水平姿勢で受け取る。その後、制御部２０からの下降指令に応じてアクチュエータ３４が作動して支持ピン３３を退避位置に変位させることにより基板Ｓを搬送ローラ上に移載する。そして、制御部２０からのローラ駆動指令に応じてローラ搬送部３１が作動して基板Ｓを前処理室１１Ｂに搬送する。
【００１７】
前処理室１１Ｂには、基板Ｓに対してめっき処理を施す前に基板Ｓの表面Ｓ１に付着する有機物や酸化物等を除去する前処理を行う前処理装置ＰＢが設けられている。この前処理装置ＰＢは、複数の搬送ローラで構成されたローラ搬送部４１と、前処理を行うための薬液をローラ搬送部４１で搬送される基板Ｓの表面に供給する薬液供給部４２とを有している。薬液供給部４２は、搬送ローラの上方に配置される複数の薬液吐出ノズル４３と、薬液タンク４４と、ポンプ４５と、バルブ４６とを備えている。そして、制御部２０からの前処理指令に応じてローラ搬送部４１が作動して表面Ｓ１を上方に向けた水平姿勢で基板Ｓを（＋Ｘ）方向に搬送する。
【００１８】
また、この基板Ｓの水平搬送と並行してポンプ４５が作動するとともにバルブ４６が開いて薬液タンク４４に貯留されている薬液がポンプ４５およびバルブ４６を介して各薬液吐出ノズル４３に供給され、水洗室１１Ｃに向けて搬送される基板Ｓの表面に向けて各薬液吐出ノズル４３から吐出される。これによって、（＋Ｘ）方向に搬送されている基板Ｓの表面に対して薬液が供給され、当該表面に付着していた有機物成分や酸化物成分をめっき処理前に除去する、いわゆる前処理が実行される。なお、本実施形態では、前処理室１１Ｂ内で処理済の薬液を回収し、薬液タンク４４に戻して再利用してラニングコストの低減を図っているが、使い捨て方式を採用してもよいことは言うまでもない。
【００１９】
前処理装置ＰＢの下流側に位置する水洗室１１Ｃには、水を洗浄液として用いて前処理を受けた基板Ｓから薬液を洗浄して除去する水洗処理を行う水洗装置ＰＣが設けられている。この水洗装置ＰＣは、複数の搬送ローラで構成されたローラ搬送部５１と、ローラ搬送部５１で搬送される基板Ｓの表面に水（洗浄液）を供給する洗浄液供給部５２とを有している。洗浄液供給部５２は、搬送ローラの上方に配置される複数の洗浄液吐出ノズル５３と、洗浄液タンク５４と、ポンプ５５と、バルブ５６とを備えている。そして、制御部２０からの水洗処理指令に応じてローラ搬送部５１が作動して表面Ｓ１を上方に向けた水平姿勢で基板Ｓを（＋Ｘ）方向に搬送する。
【００２０】
また、この基板Ｓの水平搬送と並行してバルブ５６が開くとともにポンプ５５が作動して洗浄液タンク５４に貯留されている水がポンプ５５およびバルブ５６を介して各洗浄液吐出ノズル５３に供給され、めっき室１１Ｄに向けて搬送される基板Ｓの表面Ｓ１に向けて各洗浄液吐出ノズル５３から吐出される。これによって、（＋Ｘ）方向に搬送されている基板Ｓの表面Ｓ１に対して水が洗浄液として供給され、基板Ｓに残留している薬液をめっき処理前に水洗して除去する。なお、本実施形態では、水洗室１１Ｃ内で処理済の洗浄液を回収し、洗浄液タンク５４に戻して再利用してラニングコストの低減を図っているが、使い捨て方式を採用してもよいことは言うまでもない。また、水洗処理を一定回数行う毎に洗浄液の入替えを行うように構成してもよい。これらの点については、後で説明する他の水洗装置においても同様である。
【００２１】
搬送方向（＋Ｘ）において水洗装置ＰＣの下流側に位置するめっき室１１Ｄには、めっき処理位置（後で説明する図７中の符号Ｈ１）でめっき処理を行うめっき装置ＰＤが設けられている。このめっき装置ＰＤは、複数の搬送ローラで構成されたローラ搬送部６１と、めっき処理位置に配置された枠体６２と、ローラ搬送部６１によりめっき処理位置の下方位置に搬送されてきた基板Ｓをめっき処理位置に上昇させて枠体６２と基板Ｓの表面Ｓ１とでめっき液を貯留する貯留空間ＲＡ（図７参照）を形成する昇降部６３と、貯留空間ＲＡにめっき液を供給するめっき液供給部６４とを有している。そして、昇降部６３で基板Ｓの裏面Ｓ２（図６、図７参照）を下方から支持した状態でめっき液によってめっき処理を行う。また、めっき処理後において、昇降部６３により基板Ｓを下降させてローラ搬送部６１に戻し、ローラ搬送部６１によって基板Ｓを第２処理装置列１２に搬送する。なお、めっき装置ＰＤの詳しい構成および動作については後で詳述する。
【００２２】
第２処理装置列１２では、図２Ｂに示すように、基板Ｓの搬送方向（＋Ｙ）における上流側から順に移送室１２Ａ、水洗室１２Ｂおよび移送室１２Ｃが設けられている。移送室１２Ａには、移送装置ＰＥが設けられている。この移送装置ＰＥは基板Ｓの搬送方向を（＋Ｘ）方向から（＋Ｙ）方向に切り替えて基板Ｓを水洗室１２Ｂに搬送する。なお、移送装置ＰＥの構成については、後で移送装置ＰＧと一緒に説明する。
【００２３】
水洗室１２Ｂには、先に説明した水洗装置ＰＣと同一の構成を有する水洗装置ＰＦが設けられている。すなわち、水洗装置ＰＦは、複数の搬送ローラで構成されたローラ搬送部５１と、ローラ搬送部５１で搬送される基板Ｓの表面Ｓ１に水（洗浄液）を供給する洗浄液供給部５２とを有している。そして、ローラ搬送部５１により表面Ｓ１を上方に向けた水平姿勢で基板Ｓを（＋Ｘ）方向に搬送しながら、洗浄液タンク５４に貯留されている水をポンプ５５によりバルブ５６を介して各洗浄液吐出ノズル５３に供給し、これによって移送室１２Ｃに搬送される基板Ｓの表面Ｓ１に向けて各洗浄液吐出ノズル５３から吐出し、基板Ｓに残留しているめっき液を水洗して除去する。
【００２４】
移送室１２Ｃには、移送装置ＰＥと同様に移送装置ＰＧが設けられている。この移送装置ＰＧは、水洗処理を受けた基板Ｓを受け取り、基板Ｓの搬送方向を（＋Ｙ）方向から（−Ｘ）方向に切り替えて基板Ｓを第３処理装置列１３に搬送する。
【００２５】
図４は移送装置の構成を模式的に示す斜視図である。移送装置ＰＧは、複数の搬送ローラ７１で構成されて基板Ｓを（＋Ｙ）方向に搬送するＹ方向搬送部７２と、搬送方向（＋Ｙ）の下流端で搬送ローラ７１に囲まれた状態で設けられて基板Ｓを（−Ｘ）方向に搬送するＸ方向搬送部７３と、Ｘ方向搬送部７３を昇降させるエアシリンダ等のアクチュエータ７４（図２Ｂ、図２Ｃ、図３）とを有している。Ｙ方向搬送部７２では、同図に示すように、搬送ローラ７１はＸ方向と平行な回転軸回りに回転駆動されて基板Ｓを下方から支持しながら（＋Ｙ）方向に搬送可能となっている。なお、本実施形態では、搬送ローラ７１による基板Ｓの搬送経路は、第１処理装置列１１および第３処理装置列１３における基板Ｓの搬送経路よりも低くなっている。
【００２６】
一方、Ｘ方向搬送部７３では、Ｙ方向と平行な回転軸回りに搬送ローラ７５が回転自在にフレーム７６に軸支されており、各搬送ローラ７５が回転駆動されることで基板Ｓを下方から支持しながら（＋Ｙ）方向に搬送可能となっている。また、フレーム７６はアクチュエータ７４に連結されており、制御部２０からの昇降指令に応じてフレーム７６が昇降することで、Ｘ方向搬送部７３を鉛直方向Ｚにおいて搬送ローラ７１による基板Ｓの搬送経路よりも下方に退避した退避位置と、第３処理装置列１３における基板Ｓの搬送経路と同じ移送位置とに移動可能となっている。そして、移送装置ＰＧでは、水洗装置ＰＦから基板Ｓを受け取る際には、Ｘ方向搬送部７３を退避位置に位置決めした状態でＹ方向搬送部７２により基板Ｓを第３処理装置列１３に対向する位置まで搬送する。それに続いて、アクチュエータ７４が作動してＸ方向搬送部７３を移送位置に上昇させる。この上昇途中で基板ＳはＹ方向搬送部７２からＸ方向搬送部７３に移載される。その後でＸ方向搬送部７３の搬送ローラ７５によって基板Ｓは第３処理装置列１３に移送される。
【００２７】
また、移送装置ＰＥも、上記移送装置ＰＧと同様に、Ｙ方向搬送部７２、Ｘ方向搬送部７３およびアクチュエータ７４などを備えている。そして、移送装置ＰＥでは、めっき装置ＰＤから基板Ｓを受け取る際には、図２Ａおよび図２Ｂに示すようにＸ方向搬送部７３を移送位置に位置決めし、当該基板ＳをＸ方向搬送部７３で移送室１２Ａ内に引き込む。それに続いて、アクチュエータ７４が作動してＸ方向搬送部７３を退避位置に下降させる。この下降途中で基板ＳはＸ方向搬送部７３からＹ方向搬送部７２に移載される。その後でＹ方向搬送部７２によって基板Ｓは水洗室１２Ｂに搬送される。
【００２８】
次に、図２Ｃを参照しつつ第３処理装置列１３の構成について説明する。第３処理装置列１３は基板Ｓの搬送方向（−Ｘ）における上流側（移送装置ＰＧ側）から順に水洗室１３Ａ、めっき室１３Ｂ、水洗室１３Ｃ、乾燥室１３Ｄおよびアンローディング室１３Ｅが設けられている。水洗室１３Ａには、先に説明した水洗装置ＰＣ、ＰＦと同一の構成を有する水洗装置ＰＨが設けられている。すなわち、水洗装置ＰＨは、複数の搬送ローラで構成されたローラ搬送部５１と、ローラ搬送部５１で搬送される基板Ｓの表面Ｓ１に水（洗浄液）を供給する洗浄液供給部５２とを有している。そして、ローラ搬送部５１により表面Ｓ１を上方に向けた水平姿勢で基板Ｓを（−Ｘ）方向に搬送しながら、洗浄液タンク５４に貯留されている水をポンプ５５によりバルブ５６を介して各洗浄液吐出ノズル５３に供給し、これによってめっき室１３Ｂに向けて搬送される基板Ｓの表面Ｓ１に向けて各洗浄液吐出ノズル５３から吐出して第２処理装置列１２から送られてきた基板Ｓを水洗する。
【００２９】
搬送方向（−Ｘ）において水洗装置ＰＨの下流側に位置するめっき室１３Ｂには、めっき処理位置でめっき処理を行うめっき装置ＰＪが設けられている。このめっき装置ＰＪは、メンブレン（電解隔離膜）を枠体６２内に設けている点およびメッキ液供給部６４Ａ（図３参照）以外に別のめっき液を供給するめっき液供給部６４Ｂ（図３参照）が追加されている点を除き、基本的にめっき装置ＰＤと同様の構成を有する。なお、めっき装置ＰＪの詳しい構成および動作についても後で詳述する。
【００３０】
めっき装置ＰＪに対して搬送方向（−Ｘ）の下流側に設けられた水洗室１３Ｃには、先に説明した水洗装置ＰＣ、ＰＦ、ＰＨと同一の構成を有する水洗装置ＰＫが設けられている。すなわち、水洗装置ＰＫは、複数の搬送ローラで構成されたローラ搬送部５１と、ローラ搬送部５１で搬送される基板Ｓの表面Ｓ１に水（洗浄液）を供給する洗浄液供給部５２とを有している。そして、ローラ搬送部５１により表面Ｓ１を上方に向けた水平姿勢で基板Ｓを（−Ｘ）方向に搬送しながら、洗浄液タンク５４に貯留されている水をポンプ５５によりバルブ５６を介して各洗浄液吐出ノズル５３に供給し、これによって乾燥室１３Ｄに向けて搬送される基板Ｓの表面Ｓ１に向けて各洗浄液吐出ノズル５３から吐出し、基板Ｓに残留しているめっき液を水洗して除去する。
【００３１】
乾燥室１３Ｄには、一連の湿式処理（前処理、水洗処理およびめっき処理）を受けた基板Ｓを乾燥させる乾燥装置ＰＬが設けられている。この乾燥装置ＰＬは、複数の搬送ローラで構成されたローラ搬送部８１と、ローラ搬送部８１で搬送される基板Ｓの表面Ｓ１および裏面Ｓ２にそれぞれ対向して配置されたエアナイフ８２、８３と、エアナイフ８２、８３に高圧エアを供給するエアー供給部８４（図３）とを備えている。これらのエアナイフ８２、８３はローラ搬送部８１によりアンローディング室１３Ｅに向けて搬送される基板Ｓの表面Ｓ１および裏面Ｓ２に高圧エアを吹き付けるもので、乾燥室１３Ｄでは高圧エアの吹き付けにより洗浄液を除去して基板Ｓを乾燥させる。
【００３２】
アンローディング室１３Ｅには、めっき処理が施された基板Ｓを搬送ロボット１４ｂに払い出すための払出装置ＰＭが設けられている。この払出装置ＰＭは基本的に受取装置ＰＡと同様に構成されており、次のようにして払い出し動作を実行する。すなわち、支持ピン３３を退避位置に退避させた状態で、乾燥室１３Ｄから搬送されてきた基板Ｓをローラ搬送部３１が受け取り、払出位置（退避した支持ピン３３の直上位置）まで移動させる。そして、アクチュエータ３４が作動して支持ピン３３を上昇させることで基板Ｓを下方から突き上げて基板Ｓをローラ搬送部３１から持ち上げる。それに続いて、搬送ロボット１４ｂが当該基板Ｓを保持してカセットＣに戻す。
【００３３】
次に、めっき装置ＰＤの構成について図２Ａ、図３、図５ないし図７を参照しつつ詳述した後で、めっき装置ＰＪの構成について図２Ｃ、図３、図８および図９を参照しつつ詳述する。図５は第１処理装置列を構成するめっき装置の構成を模式的に示す分解組立斜視図である。また、図６は図５のめっき装置における搬送ローラに対するバックアッププレートの昇降動作を模式的に示す図である。さらに、図７は図５のめっき装置によるめっき動作を模式的に示す図である。
【００３４】
めっき装置ＰＤでは、制御部２０からの搬送指令に応じてローラ搬送部６１が作動して基板Ｓの表面Ｓ１を上方に向けた水平姿勢で基板Ｓを搬送し、枠体６２の下方直下に位置決めされる。この枠体６２は図５に示すように基板Ｓの被めっき領域ＳＰに対応した形状およびサイズに仕上げられている。そして、枠体６２は、図７に示すように、その下面の高さ位置がめっき処理位置Ｈ１と一致するようにローラ搬送部６１の上方に固定配置されており、基板Ｓの搬送および位置決め時での上下方向Ｚにおける基板Ｓの表面Ｓ１の高さ位置Ｈ２（図７）はめっき処理位置Ｈ１よりも低くなっている。
【００３５】
また、枠体６２は図５に示すように基板Ｓの被めっき領域ＳＰに対応した形状およびサイズに仕上げられている。そして、昇降部６３によって基板Ｓを上方向（＋Ｚ）に移動させることで基板Ｓの表面Ｓ１のうち被めっき領域ＳＰを取り囲む周辺領域が枠体６２の下面に当接する。これによって、略直方体形状の貯留空間ＲＡ（図７（ｃ）参照）が形成され、当該貯留空間ＲＡにめっき液を貯留することが可能となっている。
【００３６】
本実施形態では、基板Ｓを水平姿勢を維持したまま上昇させて枠体６２に均一に当接させ、さらに貯留空間ＲＡにめっき液を貯留させた状態においても基板Ｓの中央部が撓まないように昇降部６３は次のように構成されている。すなわち、昇降部６３は、上下方向に昇降可能な昇降部材として機能するバックアッププレート６３１と、バックアッププレート６３１を上下方向Ｚに昇降させる昇降機構６３２（図３）とを有している。バックアッププレート６３１は、図６の（ａ）欄に示すように、基板Ｓよりも多少大きな平面サイズを有し、しかもローラ搬送部６１の搬送ローラ６１１との干渉を回避しつつ基板Ｓを下方から支持しつつ昇降させるためにプレート表面６３３に特殊形状の凹部６３４が設けられている。つまり、凹部６３４は、搬送ローラ６１１および搬送ローラ６１１を相互に連結して回転駆動するための回転軸６１２がすっぽりと入り込む形状を有している。
【００３７】
ローラ搬送部６１により基板Ｓを搬送する際には、制御部２０からの下降指令に応じて昇降機構６３２がバックアッププレート６３１を下降させ、バックアッププレート６３１の表面が搬送ローラ６１１の最上位置、つまり基板Ｓの裏面Ｓ２を支持して搬送している位置よりも低い位置（図７中の高さ位置Ｈ３）に位置するように、バックアッププレート６３１をプレート下降位置に位置決めする。これによって、基板Ｓの搬送中にバックアッププレート６３１が基板Ｓと干渉するのを防止している。一方、めっき処理を行う際には、制御部２０からの上昇指令に応じて昇降機構６３２がバックアッププレート６３１を上昇させ、表面６３３のうち凹部６３４を除く表面領域全体で基板Ｓの裏面Ｓ２を支持し、図６の（ｂ）欄に示すように、さらなる上昇によって基板Ｓを搬送ローラ６１１から上昇させる。これによって枠体６２の下面に当接させて貯留空間ＲＡを形成可能となっている。
【００３８】
枠体６２の側壁の一部には、めっき液を貯留空間ＲＡに供給するための複数の貫通孔６２１が枠体６２の下面から上方に離れた位置で水平方向に配列して設けられている。また、枠体６２の側壁では、複数の貫通孔６２１と枠体６２の下面との間にスリット６２２が設けられるとともに枠体６２の下四隅部分に切欠６２３が設けられている。これらは貯留空間ＲＡ内でめっき液を良好に循環させるために設けられてたものであり、各貫通孔６２１はめっき液供給部６４からめっき液を貯留空間ＲＡに供給するための供給部位として機能する一方、スリット６２２および切欠６２３が貯留空間ＲＡからめっき液を排出する排出部として機能する。
【００３９】
めっき液供給部６４は、図２Ａに示すように、めっき液を貯留するめっき液タンク６４１と、ポンプ６４２と、バルブ６４３とを備えている。そして、制御部２０からのめっき処理指令に応じてポンプ６４２が作動するとともにバルブ６４３が開いてめっき液タンク６４１に貯留されているめっき液がポンプ６４２およびバルブ６４３を介して各貫通孔６２１に圧送されて貯留空間ＲＡに供給される。また、貯留空間ＲＡからめっき液がスリット６２２および切欠６２３を介して排出される。これによって貯留空間ＲＡ内でめっき液が常時交換されながら貯留空間ＲＡに貯留されてめっき処理が可能となる。なお、排出されためっき液はめっき室１１Ｄで補集され、めっき液タンク６４１に戻されて再利用に供される。
【００４０】
貯留空間ＲＡに貯留されためっき液を用いて基板Ｓの被めっき領域ＳＰを電解めっきするために、アノードブロック６５、２つのカソードブロック６６、カソードブロック昇降部６７（図３）および給電部６８（図３）が設けられている。アノードブロック６５は、図７に示すように、被めっき領域ＳＰと同程度の平面サイズを有するアノード電極６５１を連結部材６５２によって支持プレート６５３に吊下状態で固定した構造体である。そして、アノード電極６５１が被めっき領域ＳＰと平行に対面しながら貯留空間ＲＡ内のめっき液に接液するように枠体６２に取り付けられている。
【００４１】
一方、各カソードブロック６６は、図７に示すように、カソード電極６６１の下面を除いてカソード電極６６１全体を絶縁性材料で覆ってカソード電極６６１が枠体６２からのめっき液と接液するを防止する構造を有している。また、各カソードブロック６６はカソードブロック昇降部６７（図３）と接続されている。このため、制御部２０からの昇降指令に応じてカソードブロック昇降部６７が作動することで各カソードブロック６６は、給電位置（図７中の（ｃ）および（ｄ）欄に示す位置）と、給電位置から上方に離間した退避位置（図７中の（ａ）および（ｂ）欄に示す位置）との間で昇降移動する。ここで、「給電位置」とは、基板Ｓの表面周縁領域（表面Ｓ１のうち被めっき領域ＳＰに隣接する表面領域）に対してカソード電極６６１の下面が位置して被めっき領域ＳＰから基板Ｓの表面周縁部に延設された電極（図示省略）と電気的に接触する位置を意味している。
【００４２】
給電部６８は図示を省略する配線によってアノード電極６５１およびカソード電極６６１と電気的に接続されている。そして、アノード電極６５１が貯留空間ＲＡ内のめっき液に接液するとともにカソードブロック６６が給電位置に位置決めされた状態で、制御部２０からの給電指令に応じて給電部６８がアノード電極６５１とカソード電極６６１との間に電流を流すことでめっき処理を実行可能となっている。
【００４３】
図８は第２処理装置列を構成するめっき装置の構成を模式的に示す分解組立斜視図である。また、図９は図８のめっき装置によるめっき動作を模式的に示す図である。
【００４４】
めっき装置ＰＪでは、枠体６２の内部でアノードブロック６５よりも下方位置にメンブレン６９が設けられ、これによって図９中の（ｃ）および（ｄ）欄に示すように、枠体６２の内部が上方領域と下方領域とに区分けされている。そして、枠体６２の側壁のうち上記下方領域に対応する部分では、めっき装置ＰＤと同様に、貫通孔６２１、スリット６２２および切欠６２３が枠体６２の側壁に設けられている。また、めっき装置ＰＤのめっき液供給部６４と同一構成を有する第１めっき液供給部６４Ａが貫通孔６２１に接続されており、第１めっき液供給部６４Ａから供給された第１めっき液を基板Ｓの被めっき領域ＳＰとメンブレン６９とで挟まれた第１貯留空間ＲＡ１に貯留可能となっている。
【００４５】
一方、枠体６２の側壁のうち上記上方領域に対応する部分では、一の側壁に対して複数の貫通孔６２４が水平方向に配列して設けられるとともに、当該一の側壁に対向する別の側壁に対して複数の貫通孔６２５が水平方向に配列して設けられている。そして、これらの貫通孔６２４、６２５は第２めっき液供給部６４Ｂに接続されている。
【００４６】
第２めっき液供給部６４Ｂは、図２Ｃに示すように、第２めっき液を貯留するめっき液タンク６４４と、ポンプ６４５と、バルブ６４６とを備えている。そして、制御部２０からのめっき処理指令に応じてポンプ６４５が作動するとともにバルブ６４６が開いてめっき液タンク６４４に貯留されている第２めっき液がポンプ６４５およびバルブ６４６を介して各貫通孔６２４に圧送されてアノードブロック６５とメンブレン６９とで挟まれた第２貯留空間ＲＡ２に供給される。また、各貫通孔６２５はめっき液タンク６４４に接続されており、各貫通孔６２５から排出された第２めっき液がめっき液タンク６４４に戻されて再利用に供される。このように第２めっき液は、めっき処理にめっき室１３Ｂに排出されることなく、第１めっき液と第２めっき液の混合を発生させることなく、めっき処理が実行される。なお、その他の構成については、めっき装置ＰＤと同一であるため、同一構成に同一符号を付して説明を省略する。
【００４７】
上記のように構成された基板処理システム１では、制御部２０は、図３に示すように、ＣＰＵ（Central Processing Unit；中央情報処理装置）２１およびメモリ２２などを備えている。そして、ＣＰＵ２１は予め用意された制御プログラムを実行してシステム各部を制御して各処理装置ＰＡ〜ＰＨ、ＰＪ〜ＰＭでの基板Ｓの搬送および搬送停止、ならびに搬送速度を制御しながらめっき処理を含む一連の処理を実行する。以下においては、１枚の基板Ｓに着目して基板処理システム１で行われる処理について説明する。
【００４８】
めっき処理対象となる基板Ｓが基板収納カセットＣから搬送ロボット１４ｂによって取り出され、第１処理装置１１の受取装置ＰＡに搬送される（ローディング処理）。そして、受取装置ＰＡによって基板Ｓが前処理装置ＰＢに搬送され、薬液により有機物成分や酸化物成分が基板Ｓから除去される（前処理）。それに続いて、前処理装置ＰＢから基板Ｓが水洗装置ＰＣに搬送され、水洗装置ＰＣで水洗処理された後で、めっき装置ＰＤに搬送される。
【００４９】
めっき装置ＰＤでは、次に詳述するように基板Ｓをめっき処理位置で静止した状態でめっき処理を行い、その間、ローラ搬送部６１による基板Ｓの搬送は行われない。つまり、めっき装置ＰＤにおいて基板Ｓを受け入れ可能なタイミングで水洗装置ＰＣは基板Ｓを搬送する必要がある。しかも、めっき処理の時間（プロセス時間）によって上記タイミングは相違する。そこで、本実施形態では、上記基板Ｓの搬送前にめっき装置ＰＤにおいて基板Ｓに対して実行しているめっき処理の時間に基づいて水洗装置ＰＣから基板Ｓを搬送するタイミングを制御部２０のＣＰＵ２１が決定し、それに応じて水洗装置ＰＣのローラ搬送部５１を制御する。より具体的には、水洗装置ＰＣ内において、基板Ｓの搬送および搬送停止を切り替えたり、基板Ｓを往復移動させることで、上記タイミングを制御する。また、タイミングが変更された場合には基板Ｓが水洗装置ＰＣに滞在する時間が変化するが、本実施形態では、それに応じて単位時間当たりに洗浄液吐出ノズル５３から吐出される洗浄液の量を制御している。このため、水洗処理が適切に行われた上で、基板Ｓがめっき装置ＰＤに搬送される。
【００５０】
このように、本実施形態では、めっき装置ＰＤおよびめっき装置ＰＤに設けられたローラ搬送部６１がそれぞれ本発明の「めっき装置」および「第１搬送部」の一例に相当しており、当該めっき装置ＰＤによりめっき処理される基板Ｓが本発明の「第１基板」に相当している。一方、基板Ｓの搬送方向（＋Ｘ）においてめっき装置ＰＤの上流側、つまり前段に位置する水洗装置ＰＣおよび水洗装置ＰＣに設けられるローラ搬送部５１がそれぞれが本発明の「前段装置」および「第２搬送部」の一例に相当し、当該水洗装置ＰＣからめっき装置ＰＤに搬送される基板Ｓが本発明の「第２基板」に相当し、洗浄液および洗浄液供給部５２がそれぞれ本発明の「処理液」および「処理液供給部」の一例に相当している。
【００５１】
上記したタイミングで基板Ｓが水洗装置ＰＣからめっき室１１Ｄに搬送されてくると、めっき装置ＰＤでは、図７に示すように装置各部が動作してめっき処理を実行する。まず、ローラ搬送部６１が作動して水洗装置ＰＣから搬送されてきた基板Ｓを搬送方向（＋Ｘ）に搬送する（同図中の（ａ）欄）。このとき、めっき液の供給および給電は行われておらず、しかもバックアッププレート６３１はプレート下降位置（高さ位置Ｈ３）に位置決めされて基板Ｓとの干渉が回避されている。そして、基板Ｓがめっき処理位置の鉛直下方に移動してくると、ローラ搬送部６１による基板Ｓの搬送が停止されて当該基板Ｓが位置決めされる。それに続いて、昇降機構６３２によりバックアッププレート６３１が上昇する（同図中の（ｂ）欄）。これにより、バックアッププレート６３１の表面６３３全体で基板Ｓの裏面Ｓ２が支持された状態で基板Ｓが搬送ローラ６１１から持ち上げられ、さらに枠体６２の下面に当接して貯留空間ＲＡを形成する（同図中の（ｃ）欄）。また、カソードブロック昇降部６７により各カソードブロック６６が給電位置に下降してカソード電極６６１を介した被めっき領域ＳＰへの給電準備が完了する。
【００５２】
次に、ポンプ６４２が作動するとともにバルブ６４３が開成してめっき液タンク６４１内のめっき液が各貫通孔６２１から貯留空間ＲＡに供給される。この貯留空間ＲＡでは、めっき液がスリット６２２および切欠６２３を介して排出されるが、めっき液の供給はめっき処理中において継続して行われ、めっき処理中、アノード電極６５１と被めっき領域ＳＰとの間がめっき液で満たされ、しかも当該めっき液は流動している。また、基板Ｓの裏面Ｓ２全体がバックアッププレート６３１により下方から支持されているため、上下方向Ｚにおけるアノード電極６５１と被めっき領域ＳＰとの間隔は被めっき領域ＳＰの面内においてほぼ均一となっている。このようなめっき処理に好適な状態が維持されたまま給電部６８がアノード電極６５１とカソード電極６６１との間に電流を流すことでめっき処理を実行する（同図中の（ｄ）欄）。その結果、被めっき領域ＳＰに対して所望のめっき層が形成される。
【００５３】
なお、めっき処理が完了すると、給電部６８による給電が停止され、めっき液供給部６４によるめっき液の供給が停止された後で、バックアッププレート６３１がプレート下降位置（高さ位置Ｈ３）に下降する。この下降移動中に、めっき処理を受けた基板Ｓがローラ搬送部６１の搬送ローラ６１１に移載される。それに続いて、ローラ搬送部６１によって基板Ｓが第２処理装置列１２の移送室１２Ａに搬送される。
【００５４】
この移送室１２Ａでは、移送装置ＰＥによって基板Ｓの搬送方向が（＋Ｘ）方向から（＋Ｙ）方向に転換され、水洗室１２Ｂに搬送される。そして、水洗室１２Ｂでは、水洗装置ＰＦによって基板Ｓに残留しているめっき液が水洗して除去された後で、移送室１２Ｃに搬送される。この移送室１２Ｃでは、移送装置ＰＧによって基板Ｓの搬送方向がさらに（＋Ｙ）方向から（−Ｘ）方向に転換され、第３処理装置列１３に搬送される。
【００５５】
第３処理装置列１３では、水洗装置ＰＨで水洗処理された後で、めっき装置ＰＪに搬送される。ここで、めっき装置ＰＪでは、めっき装置ＰＤと同様にして、基板Ｓをめっき処理位置で静止した状態でめっき処理を行う。このため、水洗装置ＰＨからめっき装置ＰＪに基板Ｓを搬送するタイミングを適切に設定する必要がある。そこで、本実施形態では、制御部２０のＣＰＵ２１が演算し、それに応じて水洗装置ＰＨのローラ搬送部５１を制御する。このように、本実施形態では、第３処理装置列１３側においても、第１処理装置列１１側と同様に、めっき装置ＰＪおよびめっき装置ＰＪに設けられたローラ搬送部６１がそれぞれ本発明の「めっき装置」および「第１搬送部」の一例に相当しており、当該めっき装置ＰＪによりめっき処理される基板Ｓが本発明の「第１基板」に相当している。一方、基板Ｓの搬送方向（＋Ｘ）においてめっき装置ＰＪの上流側、つまり前段に位置する水洗装置ＰＨおよび水洗装置ＰＨに設けられるローラ搬送部５１がそれぞれが本発明の「前段装置」および「第２搬送部」の一例に相当しており、当該水洗装置ＰＨからめっき装置ＰＪに搬送される基板Ｓが本発明の「第２基板」に相当している。
【００５６】
上記したタイミングで基板Ｓが水洗装置ＰＨからめっき室１３Ｂに搬送されてくると、めっき装置ＰＪでは、図９に示すように装置各部が動作してめっき処理を実行する。具体的には、第１めっき液および第２めっき液を用いている点を除き、基本的に第１処理装置列１１側のめっき装置ＰＤと同様にしてめっき処理が実行される。すなわち、バックアッププレート６３１がプレート下降位置（高さ位置Ｈ３）に位置決めされた状態でローラ搬送部６１により基板Ｓを搬送方向（−Ｘ）に搬送する（同図中の（ａ）欄）。そして、基板Ｓがめっき処理位置の鉛直下方に移動してくると、ローラ搬送部６１による基板Ｓの搬送が停止された後で、昇降機構６３２によりバックアッププレート６３１が上昇する（同図中の（ｂ）欄）。これにより、バックアッププレート６３１の表面６３３全体で基板Ｓの裏面Ｓ２が支持された状態で基板Ｓが搬送ローラ６１１から持ち上げられ、さらに枠体６２の下面に当接して貯留空間ＲＡ１を形成する（同図中の（ｃ）欄）。また、カソードブロック昇降部６７により各カソードブロック６６が給電位置に下降してカソード電極６６１を介した被めっき領域ＳＰへの給電準備が完了する。
【００５７】
次に、第１めっき液供給部６４Ａにおいてポンプ６４２が作動するとともにバルブ６４３が開成して第１めっき液タンク６４１内のめっき液が各貫通孔６２１から貯留空間ＲＡ１に供給され、第１処理装置列１１側のめっき装置ＰＤと同様にしてメンブレン６９と被めっき領域ＳＰとの間が流動するめっき液で満たされている。また、第２めっき液供給部６４Ｂにおいても、ポンプ６４２が作動するとともにバルブ６４３が開成して第２めっき液タンク６４４内のめっき液が各貫通孔６２４から貯留空間ＲＡ２に供給されるとともに貯留空間ＲＡ２から各貫通孔６２５を介して排出された第２めっき液が第２めっき液タンク６４４に戻している。このため、第２めっき液がアノードブロック６５とメンブレン６９との間を流動しながら第２貯留空間ＲＡ２に満たされている。このめっき装置ＰＪでは、アノード電極６５１と被めっき領域ＳＰとの間にメンブレン６９が配置されているが、上下方向Ｚにおけるアノード電極６５１と被めっき領域ＳＰとの間隔は被めっき領域ＳＰの面内においてほぼ均一となっている。そして、このようなめっき処理に好適な状態が維持されたまま給電部６８がアノード電極６５１とカソード電極６６１との間に電流を流すことでめっき処理を実行する（同図中の（ｄ）欄）。その結果、被めっき領域ＳＰに対して所望のめっき層が形成される。
【００５８】
なお、めっき処理が完了すると、給電部６８による給電が停止され、めっき液供給部６４によるめっき液の供給が停止された後で、バックアッププレート６３１がプレート下降位置（高さ位置Ｈ３）に下降する。この下降移動中に、めっき処理を受けた基板Ｓがローラ搬送部６１の搬送ローラ６１１に移載される。それに続いて、ローラ搬送部６１によって基板Ｓが水洗室１３Ｃに搬送される。
【００５９】
この水洗室１３Ｃでは、水洗装置ＰＫによって基板Ｓに残留しているめっき液が水洗して除去された後で、乾燥室１３Ｄに搬送されて乾燥装置ＰＬによる乾燥処理によって基板Ｓは乾燥してアンローディング室１３Ｅに搬送される。そして、アンローディング室１３Ｅにおいて、めっき処理を含む一連の処理を受けた基板Ｓが払出装置ＰＭにより搬送ロボット１４ｂに移載され、当該搬送ロボット１４ｂによってカセットＣに戻される。
【００６０】
以上のように構成された実施形態では、次の作用効果が得られる。
【００６１】
（１）基板Ｓに対するめっき装置ＰＤ（ＰＪ）でのめっき処理が完了すると、当該基板Ｓが次の処理装置ＰＥ（ＰＫ）に搬出される一方、水洗処理を受けた基板Ｓがめっき装置ＰＤ（ＰＪ）に搬送されてめっき処理を受ける。このようにめっき処理が連続的に行われ、スループットの向上を図ることができる。また、めっき処理の時間が変更されたとしても、それに応じてめっき装置ＰＤ（ＰＪ）に基板Ｓを搬送するタイミングがその前段となる水洗装置ＰＣ（ＰＨ）で制御されるため、基板Ｓを適切に、しかも切れ目なくめっき装置ＰＤ（ＰＪ）に搬送してめっき処理を実行することができる。このようにめっき処理の時間に対して柔軟に対応することができ、高い汎用性が得られる。
【００６２】
（２）水洗装置ＰＣ、ＰＨ内において、基板Ｓの搬送および搬送停止を切り替えたり、基板Ｓを往復移動させることで、上記タイミングを制御しているため、上記タイミングを高精度に制御することができ、基板Ｓをめっき装置ＰＤ、ＰＪに適切に搬送することができる。
【００６３】
（３）水洗装置ＰＣ、ＰＨはローラ搬送部５１によって基板Ｓを搬送しつつ洗浄液吐出ノズル５３から洗浄液を吐出して水洗処理を実行しているが、単位時間当たりに洗浄液吐出ノズル５３から吐出される洗浄液の量を制御することが可能となっている。このため、水洗処理を適切に行うことができる。特に、基板Ｓをめっき装置ＰＤ、ＰＪに搬送するタイミングが変更された場合には基板Ｓが水洗装置ＰＣ、ＰＨに滞在する時間が変化するが、それに応じた洗浄液の量を基板Ｓに供給して水洗処理の適正化を図ることができる。
【００６４】
（４）ローラ搬送部６１を構成する複数の搬送ローラ６１１が基板Ｓの裏面Ｓ２、つまり被めっき領域ＳＰと反対側の主面を支持しながら基板Ｓを枠体６２の下方位置（めっき処理位置の鉛直下方位置）に搬送する。このため、基板Ｓのサイズを問わず、基板Ｓを安定してめっき処理を行う位置に搬送することができる。また、昇降機構６３２によってバックアッププレート６３１が基板Ｓの裏面Ｓ２を下方から支持された状態で上昇して基板Ｓを搬送ローラ６１１から持ち上げ、さらに枠体６２の下面に当接させて貯留空間ＲＡを形成している。そして、当該貯留空間ＲＡに貯留されるめっき液によってめっき処理を実行するため、めっき液の荷重が基板Ｓの被めっき領域ＳＰに加わる。しかしながら、基板Ｓは昇降部６３のバックアッププレート６３１で下方から支持しているため、めっき装置ＰＤにおいて、基板Ｓの撓みを抑え、被めっき領域ＳＰに対するめっき処理を良好に行うことが可能となっている。この作用効果については、めっき装置ＰＪにおいても同様である。
【００６５】
（５）貯留空間ＲＡからスリット６２２および切欠６２３を介してめっき液を排出するとともにめっき液供給部６４から貫通孔６２１を介して貯留空間ＲＡ、ＲＡ１にめっき液を供給している。このため、貯留空間ＲＡ内に対してフレッシュなめっき液を効率的に供給することができ、めっき装置ＰＤにおいてめっき処理を高い品質で安定して良好に行うことができる。この作用効果については、めっき装置ＰＪにおいても同様である。
【００６６】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記第１実施形態では、上記タイミングを制御するために、ローラ搬送部５１による基板Ｓの搬送速度を変更することなく搬送および搬送停止あるいは往復移動しているが、搬送速度を変更するように制御してもよい。また、搬送速度の変更に応じて単位時間当たりに洗浄液吐出ノズル５３から吐出される洗浄液の量を制御してもよい。
【００６７】
また、上記第１実施形態では、めっき装置ＰＤ（ＰＪ）でのめっき処理の時間に応じてめっき装置ＰＤ（ＰＪ）の前段に位置する水洗装置ＰＣ（ＰＨ）からの基板Ｓの搬送タイミングを制御しているが、搬送タイミング制御についてはこれに限定されるものではない。例えば上記タイミング制御の代わり、あるいはこれとともに水洗装置ＰＣ（ＰＨ）の前段（めっき装置ＰＤ（ＰＪ）から見て前々段）の前処理装置ＰＢ（移送装置ＰＧ）から基板Ｓを搬送するタイミングを制御してもよい。このように搬送タイミング制御を複数の処理装置に分散させることで各処理装置において安定した基板処理を行うことができる。この場合、前処理装置ＰＢおよび前処理装置ＰＢに設けられたローラ搬送部４１がそれぞれ本発明の「前々段装置」および「第３搬送部」の一例に相当している。また、移送装置ＰＧが本発明の「前々段装置」の一例に相当するとともに、移送装置ＰＧに設けられるＹ方向搬送部７２やＸ方向搬送部７３が本発明の「第３搬送部」の一例に相当している。
【００６８】
また、上記第１実施形態では、枠体６２の側壁にめっき液供給用の貫通孔６２１を設けているが、めっき液の供給経路はこれに限定されるものではなく、任意である。また、貯留空間ＲＡからの排出についても、枠体６２の側壁に貫通孔６２２や切欠６２３を設けているが、めっき液の排出経路についても、これに限定されるものではなく、任意である。例えば図１０に示すように、基板Ｓの表面Ｓ１が枠体６２の下面よりも下方に離れて位置決めした状態でアノードブロック６５を介してめっき液を貯留空間ＲＡに供給してもよい（第２実施形態）。この第２実施形態では、貯留空間ＲＡの上方からめっき液が貯留空間ＲＡに供給され、貯留空間ＲＡ内のめっき液が枠体６２の下面と被めっき領域ＳＰとの間に形成される隙間から排出される。第２実施形態では、水平面内においてめっき液が基板Ｓから等方的に排出されるため、貯留空間ＲＡ内にめっき液の滞留部分が発生し難く、めっき処理をより良好に行うことができる。また、めっき処理後の排出速度も高く、めっき装置ＰＤでの処理時間を短縮することができる。
【００６９】
また、上記実施形態では、各めっき装置ＰＤ、ＰＪは水平姿勢で搬送されてきた基板Ｓをそのまま上昇させて被めっき領域ＳＰと枠体６２との間で貯留空間ＲＡ、ＲＡ１を形成しているが、図１１に示すように、基板Ｓを傾斜姿勢に変換してめっき処理を行うように構成してもよい（第３実施形態）。この第３実施形態では、同図に示すように、バックアッププレート６３１の表面６３１ａが水平面に対して数度傾斜して設けられている。また、これに対応して枠体６２、アノードブロック６５および各カソードブロック６６も同じ角度だけ傾斜して設けられている。なお、その他の構成は基本的に上記第１実施形態と同一であるため、同一構成については同一符号を付して説明を省略する。
【００７０】
この第３実施形態では、図１１中の（ａ）欄に示すように、基板Ｓがローラ搬送部６１により水平姿勢で搬送されてくると、次のようにしてめっき処理が実行される。基板Ｓが枠体６２の鉛直下方に移動してきた時点で、ローラ搬送部６１による基板Ｓの搬送が停止されて位置決めされる。それに続いて、昇降機構６３２によりバックアッププレート６３１が上昇する（同図中の（ｂ）欄）。これにより、バックアッププレート６３１の表面６３３全体で基板Ｓの裏面Ｓ２が支持して基板Ｓを水平面に対して数度傾斜させながら基板Ｓを搬送ローラ６１１から持ち上げ、さらに同じく数度傾斜した状態の枠体６２の下面に当接して貯留空間ＲＡを形成する（同図中の（ｃ）欄）。それに続いて、上記第１実施形態と同様に、各カソードブロック６６を給電位置に下降させた後で、めっき液タンク６４１内のめっき液を貯留空間ＲＡに連続的に供給する。ここで、第３実施形態では、基板Ｓを傾斜させているため、同図中の（ｄ）欄に示すように、貯留空間ＲＡに供給されためっき液は被めっき領域ＳＰに沿って傾斜方向（同図の右下方向）に流れ、貯留空間ＲＡから排出される。したがって、貯留空間ＲＡ内ではめっき液の滞留が発生せず、しかもめっき液が連続的に被めっき領域ＳＰに供給されて被めっき領域ＳＰでのめっき反応がを促進されるため、めっき処理をさらに良好に行うことができる。
【００７１】
めっき処理が完了すると、給電部６８による給電が停止され、めっき液供給部６４によるめっき液の供給が停止されるが、供給停止後、めっき液を短時間で貯留空間ＲＡから排出することができる。したがって、めっき装置ＰＤでのタクトタイムを短縮することができる。なお、ここでは、めっき装置ＰＤに対して傾斜構造を採用しているが、めっき装置ＰＪに対して上記傾斜構造を採用してもよく、同様の作用効果が得られる。
【００７２】
また、めっき処理の向上を図るためには、上記したように被めっき領域ＳＰでのめっき反応の促進が望ましく、例えば図１２に示すように貯留空間ＲＡに撹拌器９１を配置し、撹拌器駆動部９２によって撹拌器９１を作動させて被めっき領域ＳＰの近傍でめっき液を撹拌してもよい（第４実施形態）。このような撹拌器９１をめっき装置ＰＪに適用してもよいことは言うまでもない。
【００７３】
また、上記実施形態では、基板Ｓをバックアッププレート６３１で下方から支持しながら枠体６２に向けて移動させて貯留空間ＲＡ、ＲＡ１を形成しているが、枠体６２を下降させて貯留空間ＲＡ、ＲＡ１を形成するように構成してもよい。この場合、搬送ローラ６１１のみで基板Ｓの裏面Ｓ２を支持してもよいが、バックアッププレート６３１の表面６３３が基板Ｓの裏面Ｓ２に当接する位置まで上昇させ、バックアッププレート６３１と搬送ローラ６１１とで基板Ｓを支持するのが好適である。また、枠体６２およびバックアッププレート６３１の両方を移動させて貯留空間ＲＡ、ＲＡ１を形成するように構成してもよい。要は枠体６２に対して基板Ｓを相対的に上昇させて枠体６２と被めっき領域ＳＰとでめっき液を貯留する貯留空間ＲＡ、ＲＡ１を形成するように構成すればよく、また、基板Ｓの下方からの支持をバックアッププレート６３１および搬送ローラ６１１の少なくとも一方で行うように構成すればよい。
【００７４】
また、図１に示す基板処理システム１では、インデクサ装置１４および複数の処理装置ＰＡ〜ＰＨ、ＰＪ〜ＰＭを平面視で「口」字形に連結しているが、処理装置の配列構造や処理装置の数などについては任意である。例えば図１３に示すように、ローディング処理を行う搬送ロボットＰ１、基板を搬送ロボットより受け取る受取装置Ｐ２、前処理を行う前処理装置Ｐ３、水洗処理を行う水洗装置Ｐ４、めっき処理を行うめっき装置Ｐ５、水洗処理を行う水洗装置Ｐ６、めっき処理を行うめっき装置Ｐ７、水洗処理を行う水洗装置Ｐ８、乾燥処理を行う乾燥装置Ｐ９、基板の払い出しを行う払出装置Ｐ１０および払い出された基板のアンローディング処理を行う搬送ロボットＰ１１を直線状に配置してもよい。また、図１４に示すように、処理装置Ｐ１〜Ｐ６を配列した処理装置列１５と、処理装置Ｐ７〜Ｐ１１を配列した処理装置列１６とを積層配置するとともに、処理装置Ｐ６から処理装置Ｐ７に基板を搬送するエレベータ装置Ｐ１２を設けるように構成してもよい。このような積層構造を採用することで基板処理システム１のフットプリントを低減することができる。
【００７５】
また、上記実施形態では、めっき装置ＰＤ、ＰＪでのめっき処理の時間に応じてめっき装置ＰＤ、ＰＪへの基板Ｓの搬送タイミングを制御しているが、搬送タイミングを以下のように制御してもよい。ローラ搬送部５１による基板Ｓの搬送速度を一定に保って洗浄処理を実行し、洗浄処理が完了した時点で基板Ｓをめっき装置ＰＤ、ＰＪに搬送することができない場合に、水洗装置で待機して搬送タイミングを調整してもよい。また、水洗装置での基板Ｓの搬送速度をめっき処理の時間に応じて変更して基板Ｓを停止させることなくめっき装置ＰＤ、ＰＪに搬送する一方で、その速度変更に対応して単位時間当たりの洗浄液の供給量を変更してもよい。例えば、めっき処理に比較的長い時間がかかる場合には、水洗装置において基板Ｓをゆっくりと搬送しながら単位時間当たりの洗浄液の供給量を絞ってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明は、基板の表面にめっき処理を施す基板処理システムおよび基板処理方法全般に適用することができる。
【符号の説明】
【００７７】
４１…ローラ搬送部（第３搬送部）
５１…ローラ搬送部（第２搬送部）
５２…洗浄液供給部（処理液供給部）
５３…洗浄液吐出ノズル
６１…ローラ搬送部（第１搬送部）
６２…枠体
６３…昇降部
６４，６４Ａ…めっき液供給部
６８…給電部
７２…Ｙ方向搬送部（第３搬送部）
７３…Ｘ方向搬送部（第３搬送部）
６２２…スリット（排出部）
６２３…切欠（排出部）
６３１…バックアッププレート（昇降部材）
６３２…昇降機構
６５１…アノード電極
６６１…カソード電極
ＰＢ…前処理装置（前々段装置）
ＰＣ，ＰＨ…水洗装置（前段装置）
ＰＧ…移送装置（前々段装置）
ＲＡ，ＲＡ１…貯留空間
Ｓ…基板
Ｓ１…基板の表面（一方主面）
Ｓ２…基板の裏面（他方主面）
ＳＰ…被めっき領域
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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