(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リード電極及び光反射性部材を備え、前記リード電極を内正面として正面方向に開口を有する凹枠部を有するパッケージと、
前記パッケージに載置される発光素子と、
前記パッケージの凹枠部内に配置され前記発光素子を覆う透光性部材と、を備え、
前記光反射性部材は、母材と、前記母材よりも屈折率の高い第１充填剤の粒子と、を含有し、
前記光反射性部材の凹枠部の側壁は０．０５ｍｍ以下の厚みを持つ第１部分を有しており、前記第１部分の外側壁面において、前記第１充填剤の粒子の一部が前記母材の表面から露出し、突出している発光装置。
【請求項２】
前記第１充填剤と前記光反射性部材の母材との屈折率差が、０．１以上である請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記光反射性部材は、前記開口のＸ軸方向の長さが前記Ｘ軸方向と直交するＺ軸方向の長さよりも長く、前記Ｘ軸方向が前記側壁の一つの外側壁面である実装面に平行であり、
前記第１部分は前記Ｘ軸方向に平行な外側壁面に形成されている請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記光反射性部材は、前記開口のＸ軸方向の長さが前記Ｘ軸方向と直交するＺ軸方向の長さよりも長く、前記Ｘ軸方向が前記側壁の一つの外側壁面である実装面に平行であり、
前記第１部分は前記実装面に対向する外側壁面に形成されている請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
【請求項５】
前記光反射性部材は、前記母材が透光性を有する樹脂である請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記光反射性部材の母材から露出している前記第１充填剤の粒子の一部と、前記母材の表面と、で形成される前記外側壁面は、ＪＩＳ  Ｂ０６５１で規定される平均粗さが０．０８μｍ以上０．２７５μｍ以下である請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第１充填剤の粒子は、空気透過法又はFisher-Sub-Sieve-Sizers Noで規定される粒径が、０．１μｍ以上１μｍ以下である請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記第１充填剤は、ＴｉＯ２、ＣａＳｉＯ3、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2のいずれかである請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項９】
前記パッケージは、前記発光素子及び前記透光性部材を四方で囲む壁部を備えて前記凹枠部とし、前記壁部は、互いに対向して設けられる２つの薄壁部と、前記薄壁部よりも厚く、互いに対向して設けられる厚壁部と有し、前記第１充填剤の粒子が前記母材から空気中に露出する前記外側壁面を、前記薄壁部の一方とし、前記薄壁部の他方を、外部基板に実装する実装面とする請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１０】
リード電極及び光反射性部材を備え、前記リード電極を内正面として正面方向に開口を有する凹枠部を有するパッケージと、前記パッケージに載置される発光素子と、前記パッケージの凹枠部内に配置され前記発光素子を覆う透光性部材と、を備え、前記光反射性部材は、母材と、前記母材よりも屈折率の高い第１充填剤の粒子と、を含有し、前記光反射性部材の凹枠部の側壁は０．０５ｍｍ以下の厚みを持つ第１部分を有している、ブラスト加工処理前の発光装置を準備する工程と、
前記光反射性部材の第１部分の外側壁面において、前記第１充填剤の粒子の前記母材の表面から突出する一部を前記母材から露出させるブラスト加工処理を行うブラスト加工処理工程と、を含む発光装置の製造方法。
【請求項１１】
前記光反射性部材は、前記開口のＸ軸方向の長さが前記Ｘ軸方向と直交するＺ軸方向の長さよりも長く、前記Ｘ軸方向が前記側壁の一つの外側壁面である実装面に平行であり、
前記第１部分は前記実装面に対向する外側壁面に形成されている請求項１０に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１充填剤の粒子は、空気透過法又はFisher-Sub-Sieve-Sizers-Noで規定される粒径が、０．１μｍ以上１μｍ以下である請求項１０又は請求項１１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１３】
前記ブラスト加工処理工程は、前記光反射性部材の母材から露出している前記第１充填剤の粒子の一部と、前記母材の表面と、で形成される前記外側壁面が、ＪＩＳ  Ｂ０６５１で規定される平均粗さで０．０８μｍ以上０．２７５μｍ以下となるようにブラスト加工処理を施す請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１４】
前記ブラスト加工処理工程は、ブラスト加工処理を施す前と比較して、ＪＩＳ  Ｂ０６５１で規定される表面粗さが−０．２μｍ以上−０．０５μｍ以下変化するようにブラスト加工処理を施す請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１５】
前記ブラスト加工処理は、水と研磨剤とを含有するスラリーを投射するウェットブラスト加工処理である請求項１０乃至請求項１４のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１６】
前記ブラスト加工処理は、前記光反射性部材の外側壁面に対して、１５°以上４５°以下の角度でスラリーを投射する請求項１０乃至請求項１５のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１７】
前記ブラスト加工処理は、平面視において異なる２以上の方向から、前記スラリーを投射する請求項１６に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１８】
前記ブラスト加工処理は、前記光反射性部材の前記凹枠部に形成した壁部の内、他の壁部よりも薄く、互いに対向して設けられた２つの薄壁部の一方の外側壁面に対して行う請求項１０乃至請求項１７のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）をパッケージに搭載した発光装置は、電化製品の小型化に伴って、小型化及び光取り出しの高効率化が進んでいる。なかでも、テレビ、パソコン、携帯電話などの液晶ディスプレイの薄型化が進むにつれて、バックライト用のサイドビュー型のＬＥＤ光源の小型化がなされている。サイドビュー型のＬＥＤ光源としては、例えば、高さが０．４ｍｍに小型化された製品も出てきている。また、サイドビュー型のＬＥＤ光源は、小型化になるにつれて、パッケージに使用される樹脂の厚みも薄くなり、光が樹脂を通り抜けてパッケージ開口からの光量が減るという問題点が存在した。ただし、ＬＥＤ光源は、小型であっても光出力の向上が要求されている。そのため、従来、下記のようなサイドビュー型のＬＥＤ光源についての提案がなされている。
【０００３】
特許文献１には、発光素子と、発光素子を覆うように配設されている波長変換材が混入された光透過性の封止樹脂と、封止樹脂の少なくとも上面および／または底面に設けられた反射膜とを有している。そして、反射膜として、白色顔料濃度が２３ｗｔ％乃至５４ｗｔ％の白塗膜で膜厚が１４μｍ乃至５０μｍに形成されている構成の発光装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−０５３７２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このような従来の発光装置は、反射膜を新たに設けるため、構成が増えることと、反射膜の膜厚が全体の大きさにも影響することとなってしまい、更なる改善が望まれている。
本開示に係る実施形態は、光取り出し効率を大幅に低下することなく、装置全体の高さを低くする発光装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の実施形態に係る発光装置は、リード電極及び光反射性部材を備え、前記リード電極を内正面として正面方向に開口を有する凹枠部を持つパッケージと、前記パッケージに載置される発光素子と、前記パッケージの凹枠部内に配置され前記発光素子を覆う透光性部材と、を備え、前記光反射性部材は、母材と、前記母材よりも屈折率の高い第１充填剤の粒子と、を含有し、前記光反射性部材の凹枠部の側壁は０．０５ｍｍ以下の厚みを持つ第１部分を有しており、前記第１部分の外側壁面において、前記第１充填剤の粒子の一部が、前記光反射性部材の母材から露出している。
【０００７】
本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、リード電極及び光反射性部材を備え、前記リード電極を内正面として正面方向に開口を有する凹枠部を持つパッケージと、前記パッケージに載置される発光素子と、前記パッケージの凹枠部内に配置され前記発光素子を覆う透光性部材と、を備え、前記光反射性部材は、母材と、前記母材よりも屈折率の高い第１充填剤の粒子と、を含有し、前記光反射性部材の凹枠部の側壁は０．０５ｍｍ以下の厚みを持つ第１部分を有している、ブラスト加工処理前の発光装置を準備する工程と、前記光反射性部材の第１部分の外側壁面において、前記光反射性部材の粒子の一部を前記光反射性部材の母材から露出させるブラスト加工処理を行うブラスト加工処理工程と、を含む。
【発明の効果】
【０００８】
本開示に係る実施形態は、光取り出し効率を大幅に低下することなく、装置全体の高さを低くする発光装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す斜視図である。
【図２Ａ】実施形態に係る発光装置を模式的に示す正面図である。
【図２Ｂ】実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図である。
【図２Ｃ】実施形態に係る発光装置を模式的に示す底面図である。
【図２Ｄ】実施形態に係る発光装置を模式的に示す右側面図である。
【図３Ａ】実施形態に係る発光装置の光反射性部材を断面にして第１充填剤を模式的に拡大して示す断面図である。
【図３Ｂ】実施形態に係る発光装置の光反射性部材を構成する母材と第１充填剤との状態を断面にして模式的に拡大して示す模式図である。
【図４】実施形態に係る発光装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図５Ａ】実施形態に係る発光装置の製造方法においてパッケージ準備工程で準備されるパッケージの構成を断面にして模式的に示す正面図である。
【図５Ｂ】実施形態に係る発光装置の製造方法において発光素子実装工程で発光素子をパッケージに実装した状態を断面にして模式的に示す正面図である。
【図５Ｃ】実施形態に係る発光装置の製造方法において樹脂供給工程で樹脂を供給したパッケージの状態を断面にして模式的に示す正面図である。
【図５Ｄ】実施形態に係る発光装置の製造方法においてブラスト加工処理工程でブラスト加工処理の状態を、発光装置を断面にして模式的に示す正面図である。
【図６Ａ】実施形態に係る発光装置の製造方法のブラスト加工処理工程においてブラスト加工処理の状態を一部断面にして模式的に示す模式図である。
【図６Ｂ】実施形態に係る発光装置の製造方法のブラスト加工処理工程においてブラスト加工処理の状態を一部断面にして模式的に示す模式図である。
【図７Ａ】実施形態に係る発光装置の製造方法のブラスト加工処理工程において、研磨剤を投射する方向の第１の例を示す平面図である。
【図７Ｂ】実施形態に係る発光装置の製造方法のブラスト加工処理工程において、研磨剤を投射する方向の第２の例を示す平面図である。
【図７Ｃ】実施形態に係る発光装置の製造方法のブラスト加工処理工程において、研磨剤を投射する方向の第３の例を示す平面図である。
【図８Ａ】実施形態に係る発光装置の他の構成例を示し、平面壁部の外側壁部における第１部分のみに第１充填剤の一部を母材より突出して露出させた状態を模式的に示す平面図である。
【図８Ｂ】実施形態に係る発光装置の他の構成例を示し、平面壁部の外側壁部における第１部分のみに第１充填剤の一部を母材より突出して露出させた状態を断面にして模式的に示す正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、各実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、各実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係等が誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、以下の説明では、同一の名称および符号については原則として同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略することとする。さらに、各図において示す方向は、構成要素間の相対的な位置を示し、絶対的な位置を示すことを意図したものではない。そして、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の関係は、Ｘ軸に直交するＹ軸、並びに、Ｘ軸及びＹ軸の両方に直交するＺ軸である。
【００１１】
実施形態に係る発光装置の構成の一例を、図１〜図３Ｂを参照しながら説明する。図１は、実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す斜視図である。図２Ａは、実施形態に係る発光装置を模式的に示す正面図である。図２Ｂは、実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図である。図２Ｃは、実施形態に係る発光装置を模式的に示す底面図である。図２Ｄは、実施形態に係る発光装置を模式的に示す右側面図である。図３Ａは、実施形態に係る発光装置の光反射性部材を断面にして第１充填剤を模式的に拡大して示す断面図である。図３Ｂは、実施形態に係る発光装置の光反射性部材を構成する母材と第１充填剤との状態を断面にして模式的に拡大して示す模式図である。なお、説明の便宜上、第１充填剤４２の粒子の数を減らし、大きさを誇張して記載している。
【００１２】
発光装置の光の出射方向を説明するにあたり、Ｙ軸のマイナス方向に出る光を正面方向に出射される光とする。発光装置を視認するにあたり、Ｚ軸のマイナス方向の面を正面、Ｚ軸のプラス方向の面を底面、Ｙ軸のプラス方向の面を正面、Ｙ軸のマイナス方向の面を背面、Ｘ軸のマイナス方向の面を右側面、及び、Ｘ軸のプラス方向の面を左側面とする。また、パッケージ２の凹枠部２２ａを視認するにあたり、凹枠部２２ａのＹ軸のプラス方向の面を内正面、凹枠部２２ａのＺ軸のプラス方向の面を内平面、凹枠部２２ａのＺ軸のマイナス方向の面を内底面、凹枠部２２ａのＸ軸のプラス方向の面を内右側面、及び、凹枠部２２ａのＸ軸のマイナス方向の面を内左側面とする。
【００１３】
発光装置１００は、発光素子１と、パッケージ２と、透光性部材３と、を有する。
発光装置１００は、Ｘ−Ｚ面におけるパッケージ２の正面に開口を有する凹枠部２２ａの内正面に発光素子１が設けられ、凹枠部２２ａ内の発光素子１は透光性部材３により覆われている。発光装置１００は、発光素子１からの光が、透光性部材３を介して凹枠部２２ａの開口側から正面方向に出射される。凹枠部２２ａの開口側から正面方向とは、Ｙ軸のマイナス方向である。発光装置１００は、例えば、液晶ディスプレイのバックライト用の光源に適するように、高さ方向に扁平に形成された、所謂、サイドビュー型である。発光装置１００の高さ方向とは、Ｚ軸方向である。また、凹枠部２２ａの平面壁部２２ｂの外側壁面２２Ｂに第１充填剤４２の粒子の一部が母材４１から露出されている。
発光装置１００の各構成について順次に詳細に説明する。
【００１４】
パッケージ２は、リード電極２１と光反射性部材２２とを有する。パッケージ２は、Ｘ軸方向の長さがＺ軸方向の長さよりも長い略直方体の外形形状を有しており、パッケージ２はＹ軸方向に凹枠部２２ａを成している。発光素子１が実装されるリード電極２１の部分の正面方向に開口を有する凹枠部２２ａが光反射性部材２２により形成されている。凹枠部２２ａは、発光素子１を実装するための領域であり、凹枠部２２ａの内正面２ｂは、リード電極２１と、光反射性部材２２とで構成されている。また、凹枠部２２ａの側壁は、光反射性部材２２で構成されている。
【００１５】
リード電極２１は、板状の金属で形成され、電気的に分離するため２つに分断された内部リード部２１ａと、外部リード部２１ｂと、を備えている。
内部リード部２１ａは、光反射性部材２２の凹枠部２２ａの内正面２ｂにおいて、光反射性部材２２から露出して設けられている。光反射性部材２２の凹枠部２２ａの内側面はＸ軸とＹ軸に平行な面である。凹枠部２２ａの内正面２ｂにおいて、内部リード部２１ａは２つに分断されており、一方が正極、他方が負極として用いられる。
外部リード部２１ｂは、極性ごとに、対応する内部リード部２１ａと連続して形成されており、光反射性部材２２の右側面、左側面から外部に露出し、光反射性部材２２の底面に沿って底面側に延伸するように屈曲して設けられている。
【００１６】
リード電極２１を構成する材料は、例えば、金属で、２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度以上の熱伝導率を有しているもの、比較的大きい機械的強度を有するもの、あるいは打ち抜きプレス加工又はエッチング加工等が容易な材料が好ましい。具体的には、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属又は鉄−ニッケル合金、燐青銅等の合金等が挙げられる。また、凹枠部２２ａの内正面２ｂに露出した内部リード部２１ａの面には、搭載される発光素子１からの光を効率よく取り出すために、良好な光反射性を有する銀などのメッキが施されていることが好ましい。
【００１７】
光反射性部材２２は、凹枠部２２ａの内正面２ｂ及び側壁を構成するとともに、２つの内部リード部２１ａを凹枠部２２ａの内正面２ｂに露出した状態で互いに離間して固定する部材である。光反射性部材２２は、発光素子１の光を透過せずに遮光する材料で構成されており、光を反射することで遮光する光反射性材料がここでは用いられる。光反射性部材２２は、母材４１と、第１充填剤４２と、を有する。例えば、母材４１として透光性を有する樹脂を用いる。第１充填剤４２は、フィラーとして光反射性を付与するための粒子を用いる。
【００１８】
凹枠部２２ａは、発光装置１００の高さ方向に互いに対向して設けられた平面壁部２２ｂ及び底面壁部２２ｃと、発光装置１００の幅方向（Ｘ軸方向）に互いに対向して設けられた右側壁部２２ｄ、左側壁部２２ｅで囲まれている。発光装置１００の高さ方向とは、Ｚ軸方向である。発光装置１００の高さ方向における平面壁部２２ｂ、底面壁部２２ｃは共に薄壁であり、Ｘ軸方向における右側壁部２２ｄ、左側壁部２２ｅは共に厚壁である。そして、凹枠部２２ａは、正面視で、横長の開口を有している。つまり、凹枠部２２ａは、開口のＸ軸方向がＸ軸方向と直交するＺ軸方向よりも長く形成されている。より具体的には、開口は、正面視で長方形の下辺の中央部が下方に台形状に膨らんで全体で８角形の形状をしている。なお、底面壁部２２ｃの外側壁面は外部基板に実装される実装面であり、開口のＸ軸方向と平行に形成されている。一方、平面壁部２２ｂの外側壁面は、外部基板に実装される実装面、つまり、底面壁部２２ｃに対向している。
【００１９】
また、右側壁部２２ｄ、左側壁部２２ｅは、幅方向について、発光素子１が搭載された凹枠部２２ａの内正面２ｂから開口に向かうほど、凹枠部２２ａの幅が広がるように傾斜した内面を有している。このため、発光素子１から発してＸ軸方向に伝播する光は、この傾斜した内面によって正面方向に向かって反射される。一方、平面壁部２２ｂ及び底面壁部２２ｃの内面は、発光装置１００がより薄型の構造となるように傾斜を設けずに、凹枠部２２ａの内正面２ｂに対して略垂直な面で構成されている。平面壁部２２ｂ及び底面壁部２２ｃは、右側壁部２２ｄ、左側壁部２２ｅと比較して、部分的に薄く形成されている。また、平面壁部２２ｂは、少なくとも一部が０．０５ｍｍ以下の厚みとなる第１部分２２ｂａを備えている。第１部分２２ｂａは、ここでは、凹枠部２２ａの凹みに対向する壁面の部分が０．０５ｍｍ以下となるように形成されている。平面壁部２２ｂや底面壁部２２ｃの側壁の厚みとは、Ｚ軸方向の壁の厚みを指す。平面壁部２２ｂや底面壁部２２ｃの側壁の厚みは同じ厚みの場合だけでなく凹枠部２２ａの内正面よりも開口されている側が側壁の厚みが薄くてもよい。金型を使って凹枠部２２ａの平面壁部２２ｂや底面壁部２２ｃを形成するため、側壁の厚みを薄くすることで、平面壁部２２ｂや底面壁部２２ｃを金型からの抜脱をし易くするためである。このとき平面壁部２２ｂや底面壁部２２ｃの最も薄い部分が０．０５ｍｍ以下であるが、凹枠部２２ａにある平面壁部２２ｂや底面壁部２２ｃの全体を合計した厚み、つまり、凹枠部２２ａの厚みが０．５ｍｍ以下であることが特に好ましい。
【００２０】
平面壁部２２ｂの外側壁面２２Ｂは、第１充填剤４２の一部が母材４１から突出して露出するように形成されている。平面壁部２２ｂの外側壁面２２Ｂは、第１充填剤４２の粒子に起因する凹凸形状を有している。第１充填剤４２の一部が母材４１から突出して露出する外側壁面２２Ｂの部分は、少なくとも第１部分２２ｂａの部分だけでもよいが、ここでは、外側壁面２２Ｂの全面として説明する。なお、外側壁面２２Ｂの構成の詳細は後記する。
【００２１】
光反射性部材２２は、発光素子１から出射して、透光性部材３を伝播して光反射性部材２２に到達した光を透光性部材３内に戻すように機能する。これによって、発光装置１００のパッケージ２の平面方向の外側壁面２２Ｂからの光の漏れによる損失を低減して正面からの光取り出し効率を向上させることができる。正面からの光取り出し効率を向上させることにより発光装置１００からの光束を向上することができる。光反射性部材２２の母材４１に用いられる樹脂としては、例えば熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂が挙げられる。
熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリフタルアミド樹脂、液晶ポリマー、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、不飽和ポリエステルなどを用いることができる。
熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂などを用いることができる。
【００２２】
光反射性部材２２は、母材４１に第１充填剤４２として光反射性物質の粒子を含有させて光反射性を付与した樹脂材料を用いて形成することができる。第１充填剤４２は、母材４１よりも屈折率の高い高屈折率の材料を用いることができる。例えば、ＴｉＯ2（屈折率２．７），ＣａＳｉＯ3（屈折率１．６３），Ａｌ2Ｏ3（屈折率１．７６），ＺｒＯ2（屈折率２.４），ＭｇＯ（屈折率１．７２）などが挙げられる。第１充填剤４２は、母材４１との屈折率差が少なくとも０．１以上、好ましくは０．２以上であることで、より多くの光の反射をすることができる。
【００２３】
また、凹枠部２２ａの内面は、発光素子１が発する光の波長域において反射率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上がより好ましい。光反射性部材２２における第１充填剤４２の含有量は、５質量％以上６０質量％以下であればよく、１０質量％以上４５質量％以下が好ましく、さらに１５質量％以上３０質量％以下が特に好ましい。第１充填剤４２の含有量を高めることにより光反射率を高めることができるが、第１充填剤４２の含有率が高すぎると凹枠部２２ａの機械的強度が低下するため、所定の範囲にすることが好ましい。
【００２４】
また、第１充填剤４２の粒径は、空気透過法又はFisher-Sub-Sieve-Sizers-Noで規定される粒径として、０．１μｍ以上１μｍ以下程度とすることが好ましい。第１充填剤４２の粒径をこの範囲とすることで、光反射性部材２２は、良好な光反射性を得ることができる。光反射性部材２２は、母材４１に第１充填剤４２を含有させることで光反射性を付与された樹脂材料を用いて、金型を用いたトランスファーモールド法、射出成形法、圧縮成形法などの成形法、スクリーン印刷法などの塗布法などによって形成することができる。また、光反射性部材２２の外側壁面２２Ｂの凹凸形状は、ブラスト加工処理を施して、第１充填剤４２の粒子の一部を母材４１から露出させることで形成することができる。つまり、光反射性部材２２の外側壁面２２Ｂの凹凸形状は、第１充填剤４２の粒子に起因して形成されることが好ましい。
【００２５】
外側壁面２２Ｂの凹凸形状は、ＪＩＳ規格Ｂ０６５１：２００１で規定される算術平均粗さＲａで、０．０８μｍ以上、０．２７５μｍ以下であることが好ましく、０．１３μｍ以上、０．２５μｍ以下がより好ましく、さらに０．１５μｍ以上、０．２３μｍ以下が特に好ましい。前記した算術平均粗さＲａは、空気中に露出する第１充填剤４２の一部である母材４１からの突出部分と、母材４１の面とによる外側壁面２２Ｂの状態を示している。なお、外側壁面２２Ｂの凹凸形状は、後記する一例となるブラスト加工処理により形成することができる。外側壁面２２Ｂがブラスト加工処理されることにより、母材４１面から突出する第１充填剤４２の表面を覆っていた母材４１が除去される。そのため、母材４１面から突出する第１充填剤４２の一部の表面を覆っていた母材４１が除去されることで、除去された母材４１の厚み分が母材４１面との凹凸度合い（算術平均粗さＲａ）を小さくすることになる。つまり、ブラスト加工処理される前より後の外側壁面２２Ｂの状態は凹凸度合い（算術平均粗さＲａ）が小さくなる。
【００２６】
なお、金型を用いた光反射性部材２２を成形するにあたり、光反射性部材２２と接する金型の表面には微細な凹凸が形成されており、その微細な凹凸に沿うように光反射性部材２２の表面が形成される。光反射性部材２２の表面に形成された微細な凹凸は０．２０〜０．５０μｍ程度の表面粗さ（Ｒａ）を有する。光反射性部材２２には第１充填剤４２を高充填しているため、光反射性部材２２の表面付近には第１充填剤４２が配置されており、その光反射性部材２２の表面付近にある第１充填剤４２の表面を光反射性部材２２の母材４１が覆っている。
平面壁部２２ｂでは、前記した範囲の粒径の第１充填剤４２の粒子の一部が母材４１から空気中に露出することで屈折率差を大きくして、光反射性部材２２の外側壁面２２Ｂを透過しようとする光を反射する反射率を向上させることができる。
【００２７】
発光素子１はパッケージ２に載置される。ここではパッケージ２のリード電極２１上に発光素子１が載置されている。発光素子１は、半導体層が内部リード部２１ａと絶縁された状態で当該内部リード部２１ａに接合されている。また、発光素子１の正負のパッド電極は、ボンディング用のワイヤ４を用いて、それぞれのパッド電極に対応する極性の内部リード部２１ａと電気的に接続されている。発光素子１は、公知のものを利用でき、例えば、発光ダイオードを用いるのが好ましい。また、発光素子１は、任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色、緑色の発光素子としては、ＺｎＳｅや窒化物系半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）、ＧａＰを用いたものを用いることができる。さらに、赤色の発光素子としては、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰなどを用いることができる。なお、発光装置１００において発光素子１は、１個のみ搭載されているが、複数搭載する構成としてもよい。複数の発光素子は、同じ色又は互いに異なる色を発光するものでもよい。また、発光素子１は、前記した以外の材料からなる半導体発光素子を用いることもできる。発光素子１は、組成や発光色、大きさや、個数などは目的に応じて適宜選択することができる。発光素子１は、凹枠部２２ａに充填された透光性部材３によって封止されている。
【００２８】
透光性部材３は、凹枠部２２ａ内を充填するように設けられ、凹枠部２２ａの内正面２ｂに搭載される発光素子１を封止する部材である。また、透光性部材３は、発光素子１が発する光を異なる波長の光に変換する波長変換物質（蛍光体）を含有するようにしてもよい。例えば、発光素子１が青色光を発し、波長変換物質が青色光の一部を黄色光に変換するように構成することで、これらの光が混色した白色光を発光装置１００から出射させることができる。なお、透光性部材３に含有させる波長変換物質は複数種類でもよく、波長変換物質に代えて、又は加えて、光拡散性物質を含有させてもよい。
透光性部材３としては、発光素子１が発する光の波長及び前記した波長変換物質が発する光の波長に対して良好な透光性を有し、封止部材として耐候性、耐光性及び耐熱性の良好な材料が好ましい。このような材料としては、前記した光反射性部材２２の母材４１と同様の樹脂材料やガラスなどを用いることができる。
【００２９】
また、波長変換物質（蛍光体）としては、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、緑〜黄色に発光するセリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系蛍光体、緑色に発光するセリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット（ＬＡＧ）系蛍光体、緑〜赤色に発光するユーロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2）系蛍光体、青〜赤色に発光するユーロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）2ＳｉＯ4）系蛍光体、緑色に発光するβサイアロン蛍光体、赤色に発光するＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕで表されるＣＡＳＮ系又は（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ3：Ｅｕで表されるＳＣＡＳＮ系蛍光体などの窒化物系蛍光体、赤色に発光するＫ2ＳｉＦ6：Ｍｎ（ＫＳＦ）系蛍光体、赤色に発光する硫化物系蛍光体などが挙げられる。なお、光拡散性物質としては、前記した光反射性物質を用いることができる。
【００３０】
このように、発光装置１００では、サイドビュー型の実装に適するようにリード電極２１が設けられているとともに、サイドビュー型として、より薄型となるように光反射性部材２２で形成されている。さらに、発光装置１００では、実装面に対向する平面壁部２２ｂの外側壁面２２Ｂにおいて母材４１から第１充填剤４２の一部が突出して露出することで、母材４１との屈折率差が０．１以上の外側壁面２２Ｂとなり光を内部に反射して正面側からの光取り出し効率を向上させることが可能となる。
【００３１】
［発光装置の動作］
次に、発光装置１００の動作について、図３Ａ及び図３Ｂを参照して説明する。なお、図３Ａ及び図３Ｂでは、代表的な光のみを例示している。
外部リード部２１ｂに外部電源を接続することで、発光素子１が発光する。発光素子１からの光は、透光性部材３を伝播して、直接又は凹枠部２２ａの内正面２ｂや壁部の内面で反射して、凹枠部２２ａの透光性部材３の正面方向から外部に取り出される。
また、発光した光の一部は、凹枠部２２ａの壁部内、特に薄壁となる平面壁部２２ｂを透過しようとするものもある。壁部内を透過しようとする光は、母材４１から露出して母材４１との屈折率差が大きい第１充填剤４２の粒子が配置されている部分では、反射して光を透光性部材３側に戻すことができる。戻された光は、凹枠部２２ａの内面等で反射して透光性部材３の正面方向から外部に取り出される。したがって、発光装置１００では、平面壁部２２ｂを透過する光を減少させ光取り出し効率を向上させることができる。ここで凹枠部２２ａの薄壁の厚みが０．０５ｍｍより大きくなると第１充填剤４２によって反射された光が透光性部材３側に戻ってくる光量が減るため、透光性部材３の正面方向から外部に取り出せる光量に変化がほとんどなくなる。
【００３２】
第１充填剤４２の表面が母材４１から露出している場合、光反射性部材２２内を正面方向に伝播する光Ｌ１は、第１充填剤４２と空気との界面の屈折率差が大きいので界面で多くが反射される。
また、第１充填剤４２の表面が母材４１で被覆されている場合、光反射性部材２２の母材４１内を正面方向に伝播する光Ｌ２は、母材４１と空気との界面における屈折率差が第１充填剤４２と空気との界面における屈折率差よりも小さいので、Ｌ１と比較して多くが透過しやすい。
一般に、屈折率差のある界面に光が入射した際には、界面への入射光は、屈折率差に応じて一部が反射される。界面を挟んだ２つの媒体の屈折率をｎ1，ｎ2とすると、その界面に垂直に入射する光の反射率Ｒは、式（１）で表すことができる。
Ｒ＝（ｎ1−ｎ2）2／（ｎ1＋ｎ2）2      ・・・（１）
【００３３】
従って、発光装置１００の平面壁部２２ｂにおいて外側壁面２２Ｂの状態が母材４１よりも第１充填剤４２の一部が空気中に突出して露出して空気と接する場合には、光反射性部材２２の最表面が、母材４１を構成する樹脂よりも、より高屈折率、すなわち空気との屈折率差の大きい第１充填剤４２とする方が、空気との界面での光反射を増加させることができる。その結果として、発光装置１００の平面壁部２２ｂを透過する光を減らして、透光性部材３側からの光取り出し効率を高めることができる。
また、相対的に高屈折率な媒体から低屈折率な媒体に光が伝播する場合は、スネルの法則により屈折率差や入射角に基づいて、界面で光が反射される。透光性部材３と空気との界面における屈折率差を大きくすることで、当該界面で全反射される光量を増加させることができる。つまり、全反射を増加させる点からも、平面壁部２２ｂから透過する光を減らし、透光性部材３側から外部への光取り出し効率を高めることができる。
【００３４】
［発光装置の製造方法］
次に発光装置の製造方法について、図４〜図７Ｃを中心に参照しながら説明する。図４は、実施形態に係る発光装置の製造方法を示すフローチャートである。図５Ａは、パッケージ準備工程で準備されるパッケージの構成を断面にして模式的に示す正面図である。図５Ｂは、発光素子実装工程で発光素子をパッケージに実装した状態を断面にして模式的に示す正面図である。図５Ｃは、樹脂供給工程で樹脂を供給したパッケージの状態を断面にして模式的に示す正面図である。図５Ｄは、ブラスト加工処理の状態を、発光装置を断面にして模式的に示す正面図である。図６Ａは、ブラスト加工処理の状態を一部断面にして模式的に示す模式図である。図６Ｂは、ブラスト加工処理の状態を一部断面にして模式的に示す模式図である。図７Ａは、研磨剤を投射する方向の第１の例を示す平面図である。図７Ｂは、研磨剤を投射する方向の第２の例を示す平面図である。図７Ｃは、研磨剤を投射する方向の第３の例を示す平面図である。なお、図３Ａ〜図６Ｂにおいて、パッケージ２は、光反射性部材２２の母材４１に含有する第１充填剤４２を極端に大きく模式的に示して説明する。
【００３５】
実施形態に係る発光装置１００の製造方法は、パッケージ準備工程Ｓ１１と、発光素子実装工程Ｓ１２と、透光性部材形成工程Ｓ１３と、ブラスト加工処理工程Ｓ１４と、を含んでいる。また、透光性部材形成工程Ｓ１３は、樹脂供給工程Ｓ１３１と、樹脂硬化工程Ｓ１３２と、を含んでいる。
（パッケージの準備工程）
パッケージ準備工程Ｓ１１は、リード電極２１の外部リード部２１ｂが底面壁部２２ｃ側に配置され、光反射性部材２２を側壁として囲まれて、Ｚ軸方向を垂直方向としたときにそのＺ軸方向に直交する横方向に開口する凹枠部２２ａを有するパッケージ２を準備する工程である。
【００３６】
まず、板金をプレス加工で穴抜きすることで、折り曲げられる前のリードフレームの状態のリード電極２１を形成する。なお、複数のリード電極２１が原材料である板金の平面内で接続された状態で形成されてもよい。本工程において、外部リード部２１ｂの折り曲げ加工を行うようにしてもよく、また、後記するように凹枠部２２ａを形成した後で外部リード部２１ｂの折り曲げ加工を行うようにしてもよい。次に、光反射性部材２２の凹枠部２２ａの形状に相当する空洞を有する上下金型でリード電極２１を挟み込む。次に、金型内の空洞に、母材４１となる樹脂に第１充填剤４２を含有した樹脂材料を注入し、樹脂材料を固化又は硬化後に金型から取り出すことで、光反射性部材２２がリード電極２１と一体的に形成される（樹脂部形成工程）。次に、光反射性部材２２から突出しているリード電極２１を、光反射性部材２２の右側面、左側面から底面側に沿って折り曲げることで、パッケージ２が準備される。
なお、本工程で準備されるパッケージ２において、光反射性部材２２の平面壁部２２ｂの最表面（外側壁面２２Ｂ）側に位置する第１充填剤４２は、母材４１で被覆されている。
【００３７】
発光素子実装工程Ｓ１２は、パッケージ２の凹枠部２２ａ内に、発光素子１を実装する工程である。本工程において、パッケージ２は、凹枠部２２ａの開口を正面方向に向けた状態で発光素子１が内部リード部２１ａ上にダイボンドされる。そして、発光素子１は、ワイヤ４を用いて、内部リード部２１ａに電気的に接続される。
【００３８】
透光性部材形成工程Ｓ１３は、凹枠部２２ａ内に発光素子１が実装された後に、凹枠部２２ａ内に発光素子１を被覆する透光性部材３を形成する工程である。
まず、樹脂供給工程Ｓ１３１において、未硬化の透光性の樹脂材料を、例えば、ディスペンサを用いたポッティング法で凹枠部２２ａに供給する。
次に、樹脂硬化工程Ｓ１３２において、ヒーターやリフロー炉、オーブンなどの加熱装置を用いて加熱することで、樹脂材料を硬化させる。これによって、透光性部材３が形成される。透光性部材３が凹枠部２２ａに充填されたパッケージ２は、ブラスト加工処理が行われる。
【００３９】
ブラスト加工処理工程Ｓ１４は、パッケージ２の平面壁部２２ｂの外側壁面２２Ｂにブラスト加工処理を施す工程である。本工程により、平面壁部２２ｂの外側壁面２２Ｂの最表面に位置する第１充填剤４２を空気中に露出させ、外側壁面２２Ｂに母材４１と一部が空気中に突出して露出した第１充填剤４２とに起因する凹凸形状が形成される。
【００４０】
ブラスト加工処理は、ウェットブラスト法で行うことが好ましく、例えば、純水に研磨剤７４を含有させたスラリーをノズル７３から加工対象面に投射することで行われる。ウェットブラスト法は、ドライブラスト法に比べて、加工対象物に対する研磨剤７４による衝撃を小さくすることができる。このため、第１充填剤４２に用いられる無機物の粒子に大きな損傷を与えず、また、離脱させずに、第１充填剤４２を覆う軟質な樹脂材料を選択的に削り取ることで除去することできる。また、ウェットブラスト法によれば、光反射性部材２２の表面に形成された凹凸よりも大きな粒径の研磨剤７４を用いることにより、光反射性部材２２の表面に形成された凸部に研磨剤７４が主に衝突する。第１充填剤４２を覆う軟質な樹脂材料がこの凸部に形成されているため、この軟質な樹脂材料の一部が削り取られる。
【００４１】
また、ウェットブラスト法によれば、研磨剤７４の粒径が第１充填剤４２の粒径よりも大きいものを用いているため、母材４１の面よりも第１充填剤４２により突出する部分に衝突して母材４１の面を深く削り難い。このように母材４１に研磨剤７４を衝突させることで母材４１の一部４１ａが削られ、第１充填剤４２が母材４１から露出される。ウェットブラストの場合、母材４１の一部４１ａは液体と一緒にパッケージ２から剥離され、ドライブラストの場合、母材４１の一部４１ａは気体と一緒にパッケージ２から剥離される。このため、光反射性部材２２の外側壁面２２Ｂの母材４１の面に粗い凹凸を形成することなく、第１充填剤４２の表面を被覆する母材４１を除去することができる。これによって、平面壁部２２ｂの外側壁面２２Ｂに、第１充填剤４２の粒子の一部を露出させ、第１充填剤４２の粒子に起因する凹凸形状を形成することができる。
【００４２】
平面壁部２２ｂの外側壁面２２Ｂに突出する第１充填剤４２の正面方向を被覆する母材４１を除去する際に、第１充填剤４２ができる限り母材４１から剥離しないように、ブラスト加工処理を行うことが好ましい。このために、ブラスト加工処理に用いる研磨剤７４の粒径は、第１充填剤４２の粒径よりも大きいものが好ましい。具体的には、研磨剤７４の粒径は、２μｍ以上２０μｍ以下程度、さらに３μｍ以上１４μｍ以下とすることが好ましい。また、ウェットブラスト法により、純水に研磨剤７４を含有させたスラリーを用いる場合、スラリーにおける研磨剤７４の含有量は、５質量％以上３０質量％以下程度とすることが好ましい。そして、研磨剤７４は、ブラスト加工処理によって除去される母材４１よりも硬度の高いものが好ましく、例えば、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ステンレス、ジルコニア、ガラスなどを挙げることができる。
【００４３】
また、研磨剤７４を含有するスラリーの投射角度θは、加工処理の対象面である外側壁面２２Ｂに対して、１５°以上４５°以下とすることが好ましく、３０°近傍とすることがより好ましい。
加工処理の対象面に対して垂直（９０°）に近い投射角度θで研磨剤７４を投射すると、研磨剤７４が母材４１に突き刺さり、ブラスト加工処理後のパッケージ２に残存し易くなる。また、水平に近い投射角度θで研磨剤７４を投射すると、研磨剤７４で母材４１を除去する効率が低下することがある。従って、投射角度θを前記した範囲とすることで、第１充填剤４２を覆う母材４１を効率よく除去することができる。
【００４４】
また、ウェットブラスト法では、前記したスラリーを圧縮空気とともに噴射銃のノズル７３から加工処理の対象面に向かって噴射させる。このときの圧縮空気の圧力（噴射銃のガン圧）は、ノズル７３の形状や投射角度θ、研磨剤７４の材質や形状、粒径などによって最適値は異なるが、例えば、０．１ＭＰａ〜０．５ＭＰａ、好ましくは０．２２ＭＰａ〜０．３５ＭＰａ程度とすることができる。さらに、ブラスト加工処理を施す前の外側壁面２２Ｂは、ブラスト処理を施した後の状態として、ＪＩＳ  Ｂ０６５１で規定される算術表面粗さＲａにおいて、−０．２μｍ以上、−０．０５μｍ以下変化している。つまり、ブラスト加工処理前よりもブラスト加工処理後のほうが前記した算術平均粗さＲａの値が小さくなって凹凸状態が緩和される。
【００４５】
また、投射角度θで研磨剤７４を、平面視で一方向Ｄ１のみから投射することでブラスト加工処理を行っている。なお、ブラスト加工処理は、方向Ｄ１から研磨剤７４を投射した後で、ノズル７３の向きを変更して、Ｄ１に対向する方向に対応する方向から投射角度θで研磨剤７４を投射するようにしてもよい。更に、平面視で、方向Ｄ１，Ｄ２と直交する方向Ｄ３，Ｄ４からも投射角度θで研磨剤７４を投射するようにしてもよい。さらに、例えば、平面視で、互いに１２０°ごとに異なる３方向から、研磨剤７４を投射するようにしてもよい。
【００４６】
なお、複数の方向から研磨剤７４を投射する場合は、外側壁面２２Ｂの全面に対して一方向に処理を施した後に、順次にノズル７３の方向を変更して処理を行うことや、予めそれぞれの位置にノズル７３を設置した状態で処理を行うようにしてもよい。また、ノズル７３は、発光装置１００に対して相対的に方向を変更すればよく、ノズル７３を固定したままで、発光装置１００の向きを変更するようにしてもよい。また、Ｄ４からのブラストは、透光性部材３に研磨剤７４が投射されるおそれがあるため、マスク等で保護することが好ましい。
以上説明したように各工程を行うことにより、発光装置１００が製造される。
【００４７】
なお、ブラスト加工処理の前後における凹枠部２２ａを撮影したところ、ブラスト加工処理前では第１充填剤４２が光反射性部材２２の母材から露出していないのに対し、ブラスト加工処理後では第１充填剤４２が光反射性部材２２の母材から露出している。ブラスト加工処理を行ってもなお光反射性部材２２の表面には凹凸が形成されている。
【００４８】
また、光反射性部材２２の平面壁部２２ｂの全面に第１充填剤４２の一部が突出して露出する構成について説明したが、平面壁部２２ｂの第１部分２２ｂａのみに第１充填剤４２の一部が突出して露出させてもよい。異なる形態として、図８Ａ、図８Ｂの構成がある。図８Ａは、平面壁部の外側壁部における第１部分のみに第１充填剤の一部を母材より突出して露出させた状態を模式的に示す平面図である。図８Ｂは、平面壁部の外側壁部における第１部分のみに第１充填剤の一部を母材より突出して露出させた状態を断面にして模式的に示す正面図である。
つまり、発光装置１００の平面壁部２２ｂにおいて側壁が０．０５ｍｍ以下の厚みを持つ第１部分２２ｂａのみの位置で第１充填剤４２の一部が母材４１から突出して露出する構成としてもよい。なお、第１部分２２ｂａのみにブラスト加工処理を施す場合は、第１部分２２ｂａ以外にマスクが設置されることで製造される。
【００４９】
さらに、発光装置１００では、内部リード部２１ａ上において１個の発光素子１が実装されている構成として説明したが、発光素子１の搭載個数はこれに限定されるものではなく、所望とする発光装置１００の大きさや必要とされる輝度や光束に応じて適宜変更することができる。
【実施例】
【００５０】
以下、本発明に係る発光装置についての実施例を説明する。なお、本発明に係る発光装置は以下の実施例に限定されるものではない。
＜実施例１〜３＞
実施例１〜３として発光装置１００の試作を行い光束と表面粗さを測定する。発光装置１００は実施形態、図１〜図３Ｂで説明したものとほぼ同様であるため、説明を省略することもある。比較例１は、ブラスト処理前の発光装置である。表面粗さＲａはＪＩＳ  Ｂ０６５１で規定される算術平均粗さを指す。
発光装置１００は、リード電極２１及び光反射性部材２２を備え、リード電極２１を内正面として正面方向に開口を有する凹枠部２２ａを持つパッケージ２と、パッケージ２に載置される発光素子１と、パッケージ２の凹枠部２２ａ内に配置され発光素子１を覆う透光性部材３と、を備える。リード電極２１として、銅を母材とし、母材の表面を銀で覆っているものを使用する。パッケージ２はＮＳＳＷ３０３Ｇを用い、Ｘ軸方向がＺ軸方向に比べて長さの長いサイドビューパッケージを使用する。
【００５１】
光反射性部材２２は、母材４１と、母材４１よりも屈折率の高い第１充填剤４２の粒子と、を含有する。母材４１として屈折率１．５５のポリフタルアミド樹脂を用い、第１充填剤４２として屈折率２．７の酸化チタンを用いる。光反射性部材２２に対し、第１充填剤４２の充填率は約２５〜３５質量％である。第１充填剤４２の粒径は０．１〜０．５μｍである。
光反射性部材２２の凹枠部２２ａの側壁は０．０４ｍｍ〜０．０５ｍｍの厚みを持つ第１部分２２ｂａを有している。第１部分２２ｂａは、パッケージ２の平面壁部２２ｂに形成されている。
第１部分２２ｂａの外側壁面２２Ｂにおいて、第１充填剤４２の粒子の一部が、光反射性部材２２の母材４１から露出している。
【００５２】
光反射性部材２２の第１部分２２ｂａの外側壁面２２Ｂにおいて、光反射性部材２２の第１充填剤４２の粒子の一部を光反射性部材２２の母材４２から露出させるように、ブラスト加工処理工程を行っている。ブラスト加工処理工程は、ウェットブラスト装置を用い、背面側から角度３０度でブラストしている。研磨剤の粒径は約１４μｍのアルミナを使用する。実施例１ではウェットブラストのガン圧を約０．２ＭＰａとし、実施例２ではウェットブラストのガン圧を約０．３ＭＰａとし、実施例３ではウェットブラストのガン圧を約０．４ＭＰａとする。
表１は、実施例１〜３、比較例１の発光装置について光束と表面粗さを測定した結果を示す。
【００５３】
【表１】
0006680081.tif 000002
【００５４】
この結果から、実施例２は比較例１に比べて光束が向上する。また、実施例１，３も光束は比較例１と略同等である。実施例１〜３のいずれも比較例１に比べて表面粗さが改善する。これは外側壁面２２Ｂにある第１充填剤４２を覆う母材４１の凸部が削れることにより表面粗さが改善したものと考えられる。実施例１では外側壁面２２Ｂにある凸部が主に削れていたのに対し、実施例２や実施例３のように、ウェットブラストのガン圧を大きくすることにより外側壁面２２Ｂの凸部だけでなく凹部も削られることによって実施例１に比べて表面粗さが大きくなったものと考えられる。外側壁面２２Ｂの凹部で反射され凹枠部２２ａ内に戻っていた光が、外側壁面２２Ｂの凹部が荒れることにより凹枠部２２ａ内に戻る光の量が減ったものと考えられる。そのため、ウェットブラストのガン圧を０．２ＭＰａより大きく、０．４ＭＰａより小さくすることで、光束と表面粗さを改良することができる。つまり、ウェットブラストのガン圧を０．２２ＭＰａ〜０．３５ＭＰａが好ましい。また、外側壁面２２Ｂは、表面粗さＲａが０．０５μｍ以上０．２０μｍ以下変化している。光束の観点から、表面粗さＲａは０．０８μｍ以上０．２７５μｍ以下が好ましく、０．１３μｍ以上０．２５μｍ以下がより好ましく、さらに０．１５μｍ以上０．２３μｍ以下が特に好ましい。一方、ウェットブラストのガン圧を変えることなくウェットブラストの角度を浅く、例えば１５〜２０度、にすることで外側壁面２２Ｂの凹部の表面が荒れるのを抑制することができ、光の取り出し効率を向上することができると考えられる。
なお、表面粗さを測定する針の先端形状はＲ＝２μｍであるため、外側壁面２２Ｂに形成される２μｍより小さい微細な凹凸は検出し難い。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明の発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内などの各種表示装置、更には、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナなどにおける画像読取装置、プロジェクタ装置など種々の光源に使用することができる。
【符号の説明】
【００５６】
１      発光素子
２      パッケージ
２ｂ    内正面
３      透光性部材
４      ワイヤ
２１    リード電極
２１ａ  内部リード部
２１ｂ  外部リード部
２２    光反射性部材
２２Ｂ  外側壁面
２２ａ  凹枠部
２２ｂ  平面壁部
２２ｂａ  第１部分
２２ｃ  底面壁部
２２ｄ  右側壁部
２２ｅ  左側壁部
４１    母材
４２    第１充填剤
７３    ノズル
７４    研磨剤
１００  発光装置
Ｓ１１  パッケージ準備工程
Ｓ１２  発光素子実装工程
Ｓ１３  透光性部材形成工程
Ｓ１４  ブラスト加工処理工程
Ｓ１３１  樹脂供給工程
Ｓ１３２  樹脂硬化工程
【図１】
0006680081.tif 000003
【図２Ａ】
0006680081.tif 000004
【図２Ｂ】
0006680081.tif 000005
【図２Ｃ】
0006680081.tif 000006
【図２Ｄ】
0006680081.tif 000007
【図３Ａ】
0006680081.tif 000008
【図３Ｂ】
0006680081.tif 000009
【図４】
0006680081.tif 000010
【図５Ａ】
0006680081.tif 000011
【図５Ｂ】
0006680081.tif 000012
【図５Ｃ】
0006680081.tif 000013
【図５Ｄ】
0006680081.tif 000014
【図６Ａ】
0006680081.tif 000015
【図６Ｂ】
0006680081.tif 000016
【図７Ａ】
0006680081.tif 000017
【図７Ｂ】
0006680081.tif 000018
【図７Ｃ】
0006680081.tif 000019
【図８Ａ】
0006680081.tif 000020
【図８Ｂ】
0006680081.tif 000021