(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
バックプレーンと、
前記バックプレーンの上に配置される複数の集積体と、
を備え、
前記複数の集積体の各集積体は、一体化された複数の自発光素子を備え、
前記複数の集積体の各集積体内の前記複数の自発光素子は、第１のピッチで配列され同じ色の光を発する少なくとも２個の自発光素子を含み、
前記複数の集積体は、互いに隣接する第１の集積体と第２の集積体を含み、
前記第１の集積体の前記自発光素子と、前記第１の集積体の前記自発光素子と同じ色の光を発する前記第２の集積体の前記自発光素子とは、前記第１のピッチより大きい第２のピッチで配列され、
前記各集積体は、２個以上の表示画素に亘って配置される
表示装置用自発光体。
【請求項２】
前記各集積体は、前記２個以上の表示画素にそれぞれ配置される２個以上の自発光素子集合体を備え、
前記複数の自発光素子は、前記２個以上の自発光素子集合体の各自発光素子集合体に備えられる２個以上の自発光素子を含む
請求項１の表示装置用自発光体。
【請求項３】
前記２個以上の自発光素子集合体に含まれる隣接する２個の自発光素子集合体は、隙間を挟んで互いに離れている
請求項２の表示装置用自発光体。
【請求項４】
前記２個以上の自発光素子に含まれる隣接する２個の自発光素子は、隙間を挟んで互いに離れている
請求項２又は３の表示装置用自発光体。
【請求項５】
前記２個以上の自発光素子集合体は、電気的に分離されており、構造的に分断されていない
請求項２から４までのいずれかの表示装置用自発光体。
【請求項６】
前記２個以上の自発光素子は、電気的に分離されており、構造的に分断されていない
請求項２から５までのいずれかの表示装置用自発光体。
【請求項７】
前記２個以上の自発光素子は、互いに異なる２個以上の色の光をそれぞれ発する
請求項２から６までのいずれかの表示装置用自発光体。
【請求項８】
前記２個以上の色は、赤色、緑色、青色及び白色からなる群より選択される少なくとも１種を含む
請求項２から７までのいずれかの表示装置用自発光体。
【請求項９】
前記２個以上の自発光素子の各自発光素子は、長方形状の平面形状を有し、
前記各自発光素子集合体は、正方形状の平面形状を有する
請求項２から８までのいずれかの表示装置用自発光体。
【請求項１０】
前記２個以上の自発光素子の各自発光素子は、正方形状の平面形状を有し、
前記各自発光素子集合体は、長方形状の平面形状を有する
請求項２から８までのいずれかの表示装置用自発光体。
【請求項１１】
前記複数の自発光素子は、前記２個以上の表示画素にそれぞれ配置される
請求項１の表示装置用自発光体。
【請求項１２】
前記複数の自発光素子に含まれる互いに隣接する２個の自発光素子は、隙間を挟んで互いに離れている
請求項１１の表示装置用自発光体。
【請求項１３】
前記複数の自発光素子は、電気的に分離されており、構造的に分断されていない
請求項１１又は１２の表示装置用自発光体。
【請求項１４】
前記複数の自発光素子は、同じ色の光を発する
請求項１１から１３までのいずれかの表示装置用自発光体。
【請求項１５】
前記同じ色は、白色である
請求項１４の表示装置用自発光体。
【請求項１６】
前記複数の自発光素子は、前記集積体ごとに個辺化され一体化して集積されている
請求項１から１５までのいずれかの表示装置用自発光体。
【請求項１７】
請求項１から１６までのいずれかの表示装置用自発光体を備える
自発光表示装置。
【請求項１８】
バックプレーンと、
前記バックプレーンの上に配置される複数の集積体と、
を備え、
前記複数の集積体の各集積体は、一体化された複数の自発光素子を備え、
前記複数の集積体の各集積体内の前記複数の自発光素子は、第１のピッチで配列され同じ色の光を発する少なくとも２個の自発光素子を含み、
前記複数の集積体は、互いに隣接する第１の集積体と第２の集積体を含み、
前記第１の集積体の前記自発光素子と、前記第１の集積体の前記自発光素子と同じ色の光を発する前記第２の集積体の前記自発光素子とは、前記第１のピッチより大きい第２のピッチで配列され、
前記各集積体は、前記複数の自発光素子のアクティブエリアを分割する２個以上の発光区画に亘って配置される
表示装置用自発光体。
【請求項１９】
前記複数の自発光素子に含まれる互いに隣接する２個の自発光素子は、隙間を挟んで互いに離れている
請求項１８の表示装置用自発光体。
【請求項２０】
前記複数の自発光素子は、電気的に分離されており、構造的に分断されていない
請求項１８又は１９の表示装置用自発光体。
【請求項２１】
前記複数の自発光素子は、同じ色の光を発する
請求項１８から２０までのいずれかの表示装置用自発光体。
【請求項２２】
前記同じ色は、白色である
請求項２１の表示装置用自発光体。
【請求項２３】
前記複数の自発光素子は、前記集積体ごとに個辺化され一体化して集積されている
請求項１８から２２までのいずれかの表示装置用自発光体。
【請求項２４】
請求項１８から２３までのいずれかの表示装置用自発光体を備える
バックライト。
【請求項２５】
請求項２４のバックライトと、
前記バックライトにより発せられた光を変調する液晶パネルと、
を備える液晶表示装置。
【請求項２６】
a) 一体化された複数の自発光素子を備える集積体を製造する工程と、
b) バックプレーンの上に前記集積体を配置して前記バックプレーンの上に前記複数の自発光素子を一括して配置し、請求項１から１６までおよび請求項１８から２３までのいずれかの表示装置用自発光体を得る工程と、
を備える表示装置用自発光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、表示装置用自発光体、当該表示装置用自発光体を備える自発光表示装置、バックライト及び液晶表示装置、並びに当該表示装置用自発光体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年においては、薄型で平坦な形状を有する表示パネルを備える表示装置が広く使用されている。液晶を用いて変調された光により画像を表示する液晶表示装置（ＬＣＤ；Liquid Crystal Display）、エレクトロルミネッセンスにより発せられた光により画像を表示する有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ；Electro Luminescence）表示装置等は、当該表示装置の代表である。有機ＥＬ表示装置は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ；Organic Light Emitting Diode）表示装置とも呼ばれる。【０００３】
ＬＣＤは、薄型で軽量であるという特徴を有する。このため、ＬＣＤは、乗り物に備えられる、運転者向けの表示機器として用いられる。例えば、ＬＣＤは、自動車に備えられる、速度計、ナビゲーションシステム等に組み込まれる表示機器として用いられる。また、ＬＣＤは、乗り物に備えられる、搭乗者向けの表示機器として用いられる。例えば、ＬＣＤは、自動車、航空機等に備えられる、デジタル多目的ディスク（ＤＶＤ（登録商標）；Digital Versatile Disc）、ブルーレイディスク（ＢＤ；Blu-ray（登録商標））等の映像媒体に記録された娯楽映像を再生する再生機器に組み込まれる表示機器として用いられる。【０００４】
また、ＬＣＤ及び有機ＥＬ表示装置は、スマートフォンに代表される携帯端末、テレビ等の一般機器に組み込まれる表示装置としても用いられる。【０００５】
ＬＣＤは、一般的に言って、液晶パネル、バックライト、回路、電源及び筐体を備える。バックライトは、光を発する。回路は、液晶パネルに電気信号を供給する。液晶パネルは、電気信号にしたがって光を変調することにより、画像及び映像を表示する。電源は、液晶パネルに電力を供給する。筐体は、液晶パネル、バックライト、回路及び電源を収容する。【０００６】
液晶パネルは、アレイ基板、カラーフィルタ基板及び液晶層を備える。アレイ基板は、画素電極を備える。カラーフィルタ基板は、共通電極を備える。アレイ基板及びカラーフィルタ基板は、互いに貼り合わされる。液晶層は、アレイ基板及びカラーフィルタ基板の間に挟持される。【０００７】
有機ＥＬ表示装置は、一般的に言って、有機ＥＬパネル、回路、電源及び筐体を備える。回路は、有機ＥＬパネルに電気信号を供給する。有機ＥＬパネルは、電気信号にしたがって光を発することにより、画像及び映像を表示する。電源は、有機ＥＬパネルに電力を供給する。筐体は、有機ＥＬパネル、回路及び電源を収容する。【０００８】
有機ＥＬパネルは、基板、有機ＥＬ層、陽電極、陰電極及び封止膜を備える。基板は、ガラス基板、プラスチック基板等である。有機ＥＬ層、陰電極及び陽電極は、基板上に配置される。陰電極及び陽電極は、有機ＥＬ層を挟む。封止膜は、有機ＥＬ層、陰電極及び陽電極を封止する。封止膜に代えてガラス基板、プラスチック基板等が有機ＥＬ層、陰電極及び陽電極を封止する場合もある。【０００９】
有機ＥＬ層は、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層等を備える。【００１０】
ＬＣＤ、有機ＥＬ表示装置等の表示装置は、アクティブエリア及び非アクティブエリアを有する。アクティブエリアは、画像及び映像が表示されるエリアである。非アクティブエリアは、アクティブエリアの外側に配置され画像及び映像が表示されない額縁状のエリアである。【００１１】
アクティブエリアには、複数の表示画素が配置される。複数の表示画素の各々は、複数のサブ画素を有する。複数のサブ画素の各サブ画素は、赤色、青色、黄色、白色等の色の光を発する。アクティブエリアには、スイッチング素子、画素電極、配線等が配置される。スイッチング素子は、薄膜トランジスタ等である。【００１２】
非アクティブエリアには、シール、封止シール、引き回し配線、駆動用の集積回路（ＩＣ；Integrated Circuit）、端子等が配置される。シールは、アレイ基板及びカラーフィルタ基板の間に液晶層を封止する。封止シールは、有機ＥＬ層への水分の侵入を防止する。引き回し配線は、薄膜トランジスタ等に電気的に接続される。端子は、外部駆動回路に電気的に接続される。【００１３】
ＬＣＤ及び有機ＥＬ表示装置が画像及び映像を表示するために備える構成は、似ている。しかし、ＬＣＤ及び有機ＥＬ表示装置が画像及び映像を表示する原理は、互いに異なる。ＬＣＤにおいては、画素電極及び共通電極の間に印加される電圧が薄膜トランジスタにより制御される。また、当該電圧が制御されることにより、液晶層を構成する液晶分子の配向方向が制御される。また、配向方向が制御されることにより、バックライトにより発せられた光が液晶パネルを通過する際の透過率が制御される。これにより、ＬＣＤに画像及び映像が表示される。一方、有機ＥＬ表示装置においては、陰電極及び陽電極の間に挟まれる有機ＥＬ層に流れる電流が薄膜トランジスタにより制御される。また、当該電流が制御されることにより、発光層の輝度が制御される。これにより、有機ＥＬ表示装置に画像及び映像が表示される。発光層に光を発せさせる際には、陰電極及び陽電極から電子及び正孔がそれぞれ注入される。また、注入された電子及び正孔が電子輸送層及び正孔輸送層をそれぞれ経由して発光層まで輸送される。また、輸送されてきた電子及び正孔が結合して発光層を構成する発光材料が励起される。また、励起された発光材料が基底状態に戻る。発光層は、励起された発光材料が基底状態に戻る際に光を発する。【００１４】
ＬＣＤは、温度、湿度等について相対的に高い耐環境性を有する。このため、ＬＣＤは、上述したように、自動車に備えられる表示機器として用いられる。しかし、ＬＣＤは、低い表示品位しか有しないという欠点を有する。例えば、ＬＣＤは、低い動画性能しか有さず、低いコントラストしか有しない等の欠点を有する。ＬＣＤが低い動画性能しか有しないという欠点を有するのは、液晶層を構成する液晶分子の動作速度が遅いためである。ＬＣＤが低いコントラストしか有しないという欠点を有するのは、バックライトが常に点灯しているため、表示される画像及び映像に含まれる黒色領域が明るくなるためである。【００１５】
一方、有機ＥＬ表示装置は、高い表示品位を有する。例えば、有機ＥＬ表示装置は、高い動作性能及び高いコントラストを有する。しかし、有機ＥＬ表示装置は、温度、湿度等について相対的に低い耐環境性しか有しない、短い寿命しか有しない、高い輝度を有する表示に不向きである等の欠点を有する。有機ＥＬ表示装置が当該欠点を有するのは、有機ＥＬ層を構成する有機材料の不安定性に起因する当該有機材料の劣化が生じるためである。【００１６】
そこで、ＬＣＤの上述した欠点及び有機ＥＬ表示装置の上述した欠点を解消するために、マイクロ（μ）発光ダイオード（ＬＥＤ；Light Emitting Diode）ディスプレイの開発及び製品化が進められている。μＬＥＤディスプレイは、バックプレーン及び多数のμＬＥＤチップを備える。多数のμＬＥＤチップは、バックプレーンの上に配置される。バックプレーンには、薄膜トランジスタ、配線等が形成されている。【００１７】
また、μＬＥＤをＬＣＤに備えられるバックライトにおいて採用することも検討されている。μＬＥＤが当該バックライトにおいて採用される場合は、格子状に配列された複数のμＬＥＤが液晶パネルの背面に配置される。また、ＬＣＤにより表示される画像及び映像にしたがって光を発するμＬＥＤ及び当該光の強さが制御される。例えば、当該画像及び当該映像に含まれる暗い領域に配置されたμＬＥＤが消灯させられるか、又は当該μＬＥＤの輝度が低くされる。また、当該画像及び当該映像に含まれる明るい領域に配置されたμＬＥＤが点灯させられるか、又は当該μＬＥＤの輝度が高くされる。これにより、ＬＣＤのコントラストを高くすることができ、ＬＣＤの表示品位を高くすることができる。このように光を発し当該光の強さが制御するバックライトは、ローカルディミングバックライトと呼ばれる。【００１８】
特許文献１に記載された表示装置においては、所定の配置パターンに従って二次元状に画素が並べられる。画素としては、例えば、ＬＥＤが利用される（段落００１６）。【００１９】
特許文献２に記載された表示装置においては、多数の発光素子が配列される。また、発光素子において、複数の発光画素がマトリクス状に配される。発光画素の配列においては、極部的な配列ピッチの不均一性が許容される（第２１９頁 左欄 第１３行目−第１７行目及び第２２０頁 左下欄 第１１行目−第１８行目）。【００２０】
非特許文献１に記載されたＬＥＤ表示システムにおいては、μＬＥＤが各セルに配列される。当該ＬＥＤ表示システムにおいては、μＬＥＤの樹脂パッケージの表面が光を反射してコントラスト比が低下することを防止するために、μＬＥＤが占める面積が小さくされており、高いコントラスト比が得られている（第１２１頁 右欄 第１１行目−第１６行目及び第１２１頁 第１７行目−第３２行目）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２１】
【特許文献１】特開２０１８−１９７７８１号公報
【特許文献２】特開平２−３０４８４３号公報
【非特許文献】
【００２２】
【非特許文献１】Goshi Biwa et al., "Technologies for the Crystal LED Display System", SID 2019 Digest, pp. 121-124 (2019)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
μＬＥＤディスプレイの各表示画素が３個のサブ画素を有する場合は、μＬＥＤディスプレイが製造される際に、μＬＥＤディスプレイの表示画素数の３倍の数のμＬＥＤが配列されなければならない。例えば、４Ｋ解像度を有するμＬＥＤディスプレイが製造される際には、約２４００万個のμＬＥＤが配列されなければならない。したがって、μＬＥＤディスプレイを製造するのに要する時間が長くなる。【００２４】
この問題は、μＬＥＤがμＬＥＤ以外の自発光素子に置き換えられた場合、バックライト等のディスプレイ以外の表示装置用自発光体が製造される際にも生じる。【００２５】
本開示は、この問題に鑑みてなされた。本開示は、表示装置用自発光体を製造するのに要する時間を短くすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
第１の態様の表示装置用自発光体は、バックプレーン及び複数の集積体を備える。複数の集積体は、バックプレーンの上に配置される。各集積体は、一体化された複数の自発光素子を備える。各集積体内の複数の自発光素子は、第１のピッチで配列され同じ色の光を発する少なくとも２個の自発光素子を含む。複数の集積体は、互いに隣接する第１の集積体と第２の集積体を含む。第１の集積体の自発光素子と、第１の集積体の自発光素子と同じ色の光を発する第２の集積体の自発光素子とは、第１のピッチより大きい第２のピッチで配列される。各集積体は、２個以上の表示画素に亘って配置される。
【発明の効果】
【００２７】
本開示によれば、ひとつの集積体をバックプレーンの上に配置することにより、複数の自発光素子を複数の領域に一括して配置することができる。これにより、表示装置用自発光体を製造するのに要する時間を短くすることができる。【００２８】
本開示の目的、特徴、局面及び利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】参考例の自発光表示装置を模式的に図示する平面図である。
【図２】参考例の自発光表示装置に備えられる隣接する４個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【図３】参考例の自発光表示装置に備えられる１個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【図４】実施の形態１の自発光表示装置を模式的に図示する平面図である。
【図５】実施の形態１の自発光表示装置を模式的に図示する斜視図である。
【図６】実施の形態１の自発光表示装置に備えられる隣接する４個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【図７】実施の形態１の自発光表示装置に備えられる隣接する４個の表示画素を模式的に図示する斜視図である。
【図８】実施の形態１の自発光表示装置に備えられる１個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【図９】実施の形態１の自発光表示装置に備えられる１個の表示画素を模式的に図示する斜視図である。
【図１０】実施の形態１の自発光表示装置及び実施の形態２のバックライトの製造方法を示すフローチャートである。
【図１１】実施の形態１の実施例１の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【図１２】実施の形態１の実施例２の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【図１３】実施の形態１の実施例３の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【図１４】実施の形態１の実施例４の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【図１５】実施の形態１の実施例５の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【図１６】実施の形態１の実施例６の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【図１７】実施の形態１の実施例７の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【図１８】実施の形態１の実施例８の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【図１９】実施の形態１の実施例９の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【図２０】実施の形態１の実施例１０の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【図２１】実施の形態１の実施例１１の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【図２２】実施の形態１の実施例１２の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【図２３】実施の形態１の実施例１３の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【図２４】実施の形態１の実施例１４の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【図２５】実施の形態１の実施例１５の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【図２６】実施の形態１の実施例１６の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【図２７】実施の形態１の実施例１７の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【図２８】実施の形態１の実施例１８の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【図２９】実施の形態１の実施例１９の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【図３０】実施の形態１の実施例２０の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【図３１】実施の形態１の実施例２１の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【図３２】参考例の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【図３３】実施の形態２のバックライトを模式的に図示する平面図である。
【図３４】実施の形態２のバックライトを模式的に図示する斜視図である。
【図３５】実施の形態２のバックライトに備えられる隣接する４個の発光区画を模式的に図示する平面図である。
【図３６】実施の形態２のバックライトに備えられる隣接する４個の発光区画を模式的に図示する斜視図である。
【図３７】実施の形態２のバックライトに備えられる１個の発光区画を模式的に図示する平面図である。
【図３８】実施の形態２のバックライトに備えられる１個の発光区画を模式的に図示する斜視図である。
【図３９】実施の形態２のバックライトを備える液晶表示装置を模式的に図示する斜視図である。
【図４０】実施の形態２の実施例３１のバックライトに備えられる１６個の発光区画を模式的に図示する平面図である。
【図４１】実施の形態２の実施例３２のバックライトに備えられる１６個の発光区画を模式的に図示する平面図である。
【図４２】実施の形態２の実施例３３のバックライトに備えられる１６個の発光区画を模式的に図示する平面図である。
【図４３】実施の形態２の実施例３４のバックライトに備えられる１６個の発光区画を模式的に図示する平面図である。
【図４４】参考例のバックライトに備えられる１６個の発光区画を模式的に図示する平面図である。
【図４５】実施の形態２の実施例３５のバックライトを模式的に図示する平面図である。
【図４６】実施の形態２の実施例３６のバックライトを模式的に図示する平面図である。
【図４７】実施の形態２の実施例３７のバックライトを模式的に図示する平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
１  参考例
１．１  自発光表示装置の概略
図１は、参考例の自発光表示装置を模式的に図示する平面図である。図２は、参考例の自発光表示装置に備えられる隣接する４個の表示画素を模式的に図示する平面図である。図３は、参考例の自発光表示装置に備えられる１個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【００３１】
図２に図示される４個の表示画素９０１は、図１に図示される参考例の自発光表示装置９００を、切断線Ａ−Ａ及びＢ−Ｂの位置で切断することにより得られる。図３に図示される１個の表示画素９０２は、図２に図示される４個の表示画素９０１を切断線Ｃ−Ｃ及びＤ−Ｄの位置で切断することにより得られる。
【００３２】
自発光表示装置９００は、マイクロ（μ）発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイである。
【００３３】
自発光表示装置９００は、図１に図示されるように、複数の表示画素２を備える。
【００３４】
複数の表示画素２は、マトリクス状に配列される。
【００３５】
複数の表示画素２の各表示画素は、図１から図３までに図示されるように、サブ画素群３を備える。
【００３６】
複数の表示画素２は、複数の表示画素２にそれぞれ備えられる複数のサブ画素群３により表示される画像及び映像が表示されるアクティブエリアを構成する。
【００３７】
各表示画素２は、１個のサブ画素群３を備える。このため、自発光表示装置９００に備えられる表示画素２の数は、自発光表示装置９００に備えられるサブ画素群３の数と同じである。
【００３８】
サブ画素群３は、表示画素２の中央部に配置される。このため、サブ画素群３は、表示画素２の端部２ｅに接触しない。
【００３９】
サブ画素群３は、図１、図２及び図３に図示されるように、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃを備える。サブ画素群３が、４個以上のサブ画素を備えてもよい。
【００４０】
３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの各サブ画素は、自発光素子である。自発光表示装置９００においては、自発光素子は、ＬＥＤ素子である。自発光素子が、ＬＥＤ素子以外の自発光素子であってもよい。
【００４１】
３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃは、表示画素２の中央部に配置される。このため、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃは、表示画素２の端部２ｅに接触しない。
【００４２】
３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃは、隣接して配置される。
【００４３】
３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃは、互いに異なる３色の光をそれぞれ発する。自発光表示装置９００においては、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃは、三原色を構成する赤色、緑色及び青色の光をそれぞれ発する。この場合は、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの全部に所定の明るさを有する光を発させることにより、サブ画素群３に白色の光を発させることができる。また、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの全部又は一部に所定の明るさより暗い明るさを有する光を発させることにより、サブ画素群３に灰色、黄色等の中間色の光を発させることができる。３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃが、赤色、緑色及び青色以外の色の光を発してもよい。
【００４４】
１．２  アクティブエリア及び非アクティブエリア
自発光表示装置９００は、アクティブエリア及び非アクティブエリアを有する。アクティブエリアは、画像及び映像が表示されるエリアである。非アクティブエリアは、アクティブエリアの外側に配置され画像及び映像が表示されない額縁状のエリアである。
【００４５】
１．３  サブ画素を動作させるための要素
自発光表示装置９００は、図１に図示されるように、バックプレーン５及び駆動用集積回路（ＩＣ；Integrated Circuit）６を備える。また、自発光表示装置９００は、図示されない端子を備える。
【００４６】
駆動用ＩＣ６及び端子は、非アクティブエリアに配置される。
【００４７】
バックプレーン５は、図示されないガラス基板、電極、スイッチング素子、金属薄膜配線等を備える。
【００４８】
スイッチング素子は、薄膜トランジスタである。
【００４９】
スイッチング素子及び電極は、各表示画素２の内部に配置される。各表示画素２の内部におけるスイッチング素子の位置は、自発光表示装置９００の設計に応じて決定される。
【００５０】
３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの各サブ画素は、電極を介してスイッチング素子に電気的に接続される。スイッチング素子は、金属薄膜配線を介して駆動用ＩＣ６に電気的に接続される。端子は、フレキシブル基板等を介して自発光表示装置９００の外部の制御基板に電気的に接続される。
【００５１】
端子は、スイッチング素子に供給される駆動信号、映像信号等の信号をフレキシブル基板等を介して制御基板から受け入れる。駆動用ＩＣ６は、駆動信号、映像信号等の信号を送信する。金属薄膜配線は、送信された信号をスイッチング素子に供給する。スイッチング素子は、供給された信号にしたがってスイッチング素子に電気的に接続されたサブ画素を動作させる。これにより、駆動信号、映像信号等の信号にしたがって複数の表示画素２にそれぞれ備えられる複数のサブ画素群３により発せられる光が制御される。これにより、画像及び映像がアクティブエリアに表示される。
【００５２】
３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃが１個のスイッチング素子に電気的に接続され、１個のスイッチング素子が３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃを動作させてもよい。薄膜トランジスタ以外のスイッチング素子が３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの各サブ画素を動作させてもよい。例えば、画素駆動用のＩＣが各サブ画素を動作させてもよい。画素駆動用のＩＣが各サブ画素を動作させる場合は、一般的には、１個の画素駆動用のＩＣが各サブ画素を動作させる。
【００５３】
スイッチング素子、金属薄膜配線、電極等は、半導体プロセスにより形成される。
【００５４】
バックプレーン５が、ガラスエポキシ基板、銅配線、電極等を備えるプリント基板であってもよい。電極には、メッキ処理が行われる。バックプレーン５がプリント基板である場合は、薄膜トランジスタに代えて、ガラス基板、シリコン基板等を用いて作製された画素駆動用のＩＣ等のスイッチング素子がプリント基板の上に配置される。
【００５５】
１．４  ＬＥＤ素子の製造方法
ＬＥＤ素子が製造される際には、まず、基板上に積層膜が作製される。基板は、サファイア基板等である。作製される積層膜は、バッファ層、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層等を備える。積層膜は、積層膜に備えられる層を結晶成長させることにより作製される。また、結晶成長させられたｎ型半導体層及びｐ型半導体層の上に電極が形成される。また、基板、作製された積層膜、及び形成された電極を備える中間品がダイシング等によりＬＥＤ素子のサイズに切断される。これにより、ＬＥＤ素子が製造される。
【００５６】
１．５  ＬＥＤ素子により発せられる光の色
ＬＥＤ素子により発せられる光の色は、ＬＥＤ素子に備えられるｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層等を変化させることにより変化させることができる。又は、ＬＥＤ素子により発せられる光の色は、蛍光粒子、量子ドット等を有する色変換層をＬＥＤ素子に追加することにより変化させることができる。
【００５７】
１．６  自発光表示装置の製造方法
自発光表示装置９００は、ＬＥＤ素子をバックプレーン５の上に配置し、ＬＥＤ素子に備えられる端子をバックプレーン５に備えられる電極に電気的に接続することにより製造される。ＬＥＤ素子は、ピック＆プレース法等によりバックプレーン５の上に配置される。バッファ層、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層、電極、色変換層等を備えるＬＥＤ層のみがレーザリフトオフ法等により基板から剥離され、剥離されたＬＥＤ層がバックプレーン５の上に配置されてもよい。これらの方法に代えて、弾性スタンプを用いる転送方法、磁気、静電気等を利用する方法等が採用されてもよい。
【００５８】
ＬＥＤ素子に備えられる端子は、導電性ペースト、異方性導電体膜等を用いてバックプレーン５に備えられる電極に電気的に接続される。
【００５９】
１．７  サブ画素のサイズ
３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの各サブ画素の一辺の長さは、１００μｍ未満である。一般的に言って、１００μｍ未満の一辺の長さを有するＬＥＤ素子は、μＬＥＤ素子と呼ばれる。このため、各サブ画素となるＬＥＤ素子は、μＬＥＤ素子である。ただし、各サブ画素の一辺の長さは、自発光表示装置９００の設計に応じて決定される。このため、各サブ画素となるＬＥＤ素子が、１００μｍ以上の一辺の長さを有する、μＬＥＤ素子でないＬＥＤ素子である場合もある。
【００６０】
１．８  参考例の自発光表示装置が有する課題
自発光表示装置９００においては、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの各サブ画素が、個別のμＬＥＤ素子により構成される。このため、自発光表示装置９００が製造される際には、多数のμＬＥＤ素子をバックプレーン５の上に実装して配列するために、多数のμＬＥＤ素子が個別にバックプレーン５の上に配置される。例えば、自発光表示装置９００がフルハイビジョン解像度を有する場合は、約６００万個のμＬＥＤ素子が個別にバックプレーン５の上に配置される。また、自発光表示装置９００が４Ｋ解像度を有する場合は、約２４００万個のμＬＥＤ素子が個別にバックプレーン５の上に配置される。このため、自発光表示装置９００を製造するのに要する時間が長くなる。このため、自発光表示装置９００の製造効率を高くすることは、困難である。また、一定の確率で配置の不良も発生することから、不良品の数も多くなる。このため、自発光表示装置９００の製造コストを低くすることは、困難である。
【００６１】
２  実施の形態１
２．１  自発光表示装置の概略
図４は、実施の形態１の自発光表示装置を模式的に図示する平面図である。図５は、実施の形態１の自発光表示装置を模式的に図示する斜視図である。図６は、実施の形態１の自発光表示装置に備えられる隣接する４個の表示画素を模式的に図示する平面図である。図７は、実施の形態１の自発光表示装置に備えられる隣接する４個の表示画素を模式的に図示する斜視図である。図８は、実施の形態１の自発光表示装置に備えられる１個の表示画素を模式的に図示する平面図である。図９は、実施の形態１の自発光表示装置に備えられる１個の表示画素を模式的に図示する斜視図である。
【００６２】
図６及び図７に図示される４個の表示画素１０１は、図４及び図５に図示される実施の形態１の自発光表示装置１００を切断線Ｅ−Ｅ及びＦ−Ｆの位置で切断することにより得られる。図８及び図９に図示される１個の表示画素１０２は、図６及び図７に図示される４個の表示画素１０１を切断線Ｇ−Ｇ及びＨ−Ｈの位置で切断することにより得られる。
【００６３】
自発光表示装置１００は、μＬＥＤディスプレイである。自発光表示装置１００は、表示装置用自発光体の例である。
【００６４】
自発光表示装置１００は、図４及び図５に図示されるように、複数の表示画素２を備える。
【００６５】
複数の表示画素２は、マトリクス状に配列される。
【００６６】
複数の表示画素２の各表示画素は、図４から図９までに図示されるように、サブ画素群３を備える。
【００６７】
複数の表示画素２は、複数の表示画素２にそれぞれ備えられる複数のサブ画素群３により表示される画像及び映像が表示されるアクティブエリアを構成する。
【００６８】
各表示画素２は、１個のサブ画素群３を備える。このため、自発光表示装置１００に備えられる表示画素２の数は、自発光表示装置１００に備えられるサブ画素群３の数と同じである。
【００６９】
サブ画素群３は、表示画素２の端部２ｅに接触する。
【００７０】
サブ画素群３は、２個以上のサブ画素を備え、望ましくは３個以上のサブ画素を備える。自発光表示装置１００においては、サブ画素群３は、図４から図９までに図示されるように、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃを備える。
【００７１】
３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの各サブ画素は、自発光素子である。このため、サブ画素群３は、自発光素子集合体である。自発光表示装置１００においては、自発光素子は、ＬＥＤ素子である。自発光素子が、ＬＥＤ素子以外の自発光素子であってもよい。
【００７２】
３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃは、複数のサブ画素群３に画像及び映像を表示させるための発光源となる。
【００７３】
３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃは、直線状に配列される。３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃは、隣接して配置される。
【００７４】
３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃは、互いに異なる３色の光をそれぞれ発する。自発光表示装置１００においては、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃは、三原色を構成する赤色、緑色及び青色の光をそれぞれ発する。この場合は、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの全部に所定の明るさを有する光を発させることにより、サブ画素群３に白色の光を発させることができる。また、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの全部又は一部に所定の明るさより暗い明るさを有する光を発させることにより、サブ画素群３に灰色、黄色等の中間色の光を発させることができる。赤色、緑色及び青色の光をそれぞれ発する３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの配列順序が変更されてもよい。３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの各サブ画素が、赤色、緑色及び青色と異なる色の光を発してもよい。
【００７５】
サブ画素群３が２個以上のサブ画素を備える場合は、２個以上のサブ画素は、互いに異なる２個以上の色の光をそれぞれ発する。互いに異なる２個以上の色は、赤色、緑色、青色及び白色からなる群より選択される少なくとも１種を含む。互いに異なる２個以上の色が、赤色、緑色、青色及び白色と異なる色を含んでもよい。
【００７６】
２．２  集積体
自発光表示装置１００は、図４及び図５に図示されるように、バックプレーン５及び複数の集積体７を備える。
【００７７】
複数の集積体７は、バックプレーン５の上に配置される。
【００７８】
複数の集積体７の各集積体は、表示画素群である。
【００７９】
各集積体７は、２個以上のサブ画素群３を備え、望ましくは４個以上のサブ画素群３を備える。自発光表示装置１００においては、各集積体７は、図４から図９までに図示されるように、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４を備える。
【００８０】
複数の表示画素２は、各集積体７が配置される２個以上の表示画素を含む。自発光表示装置１００においては、複数の表示画素２は、各集積体７が配置される４個の表示画素２１，２２，２３及び２４を含む。４個の表示画素２１，２２，２３及び２４は、それぞれ、独立して光を発することができる４個の領域である。
【００８１】
４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４は、４個の表示画素２１，２２，２３及び２４にそれぞれ配置される。
【００８２】
４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４は、構造的に分断されていない。このため、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４は、一体化されている。各集積体７は、４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に跨って配置される。
【００８３】
３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃも、構造的に分断されていない。このため、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃは、一体化されている。
【００８４】
したがって、各集積体７に備えられる１２個のサブ画素は、構造的に分断されていない。また、１２個のサブ画素は、一体化されている。１２個のサブ画素は、半導体プロセスを用いて、１チップに一体化して集積されている。各集積体７は、サファイア基板等の基板上に形成された１２個のサブ画素を一体化して集積させ、１２個のサブ画素を一つの単位として個辺化して１チップにしたものである。
【００８５】
各集積体７に備えられる１２個のサブ画素は、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４の各サブ画素群に備えられる３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃを含む。
【００８６】
４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４は、電気的に分離されている。このため、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４は、互いに独立して光を発することができる。このため、４個の表示画素２１，２２，２３及び２４は、互いに独立して光を発することができる。
【００８７】
３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃも、電気的に分離されている。このため、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃも、互いに独立して光を発することができる。
【００８８】
図８及び図９には、各集積体７に備えられる１個のサブ画素群３１のみが描かれている。しかし、各集積体７に備えられる４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４は、構造的に分断されておらず、一体化されている。つまり、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４は、半導体プロセスを用いて、１チップに一体化して集積されている。各集積体７は、サファイア基板等の基板上に形成された４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４を一体化して集積させ、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４を一つの単位として個辺化して１チップにしたものである。このため、図８及び図９に描かれた、各集積体７に備えられる１個のサブ画素群３１は、各集積体７に備えられる他の３個のサブ画素群３２，３３及び３４から構造的に分断されておらず、各集積体７に備えられる他の３個のサブ画素群３２，３３及び３４と一体化されている。
【００８９】
４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４が一体化されて各集積体７に備えられる場合は、ひとつの集積体７をバックプレーン５の上に配置することにより、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４を４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に一括して配置することができる。これにより、自発光表示装置１００を製造するのに要する時間を短くすることができる。
【００９０】
２．３  アクティブエリア及び非アクティブエリア
自発光表示装置１００は、アクティブエリア及び非アクティブエリアを有する。アクティブエリアは、画像及び映像が表示されるエリアである。非アクティブエリアは、アクティブエリアの外側に配置され画像及び映像が表示されない額縁状のエリアである。
【００９１】
２．４  サブ画素を動作させるための要素
自発光表示装置１００は、図４及び図５に図示されるように、バックプレーン５及び駆動用ＩＣ６を備える。また、自発光表示装置１００は、図示されない端子を備える。
【００９２】
駆動用ＩＣ６及び端子は、非アクティブエリアに配置される。
【００９３】
バックプレーン５は、図示されないガラス基板、電極、スイッチング素子、金属薄膜配線等を備える。バックプレーン５が、スイッチング素子及び金属薄膜配線の表面を覆う反射防止膜を備えてもよい。
【００９４】
バックプレーン５は、矩形状の平面形状を有する。バックプレーン５が、矩形状の平面形状以外の平面形状を有してもよい。例えば、バックプレーン５が、多角形状の平面形状、円弧を含む輪郭線を有する平面形状、窪みを含む輪郭線を有する平面形状等を有してもよい。多角形状の平面形状は、六角形状の平面形状、八角形状の平面形状等である。
【００９５】
スイッチング素子は、薄膜トランジスタである。薄膜トランジスタを構成する半導体は、自発光表示装置１００の設計に応じて決定される。当該半導体は、酸化物、アモルファスシリコン、低温ポリシリコン等である。
【００９６】
スイッチング素子及び電極は、各表示画素２の内部に配置される。各表示画素２の内部に配置されるスイッチング素子の数、及び各表示画素２の内部におけるスイッチング素子の位置は、自発光表示装置１００の設計に応じて決定される。
【００９７】
３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの各サブ画素は、電極を介してスイッチング素子に電気的に接続される。スイッチング素子は、金属薄膜配線を介して駆動用ＩＣ６に電気的に接続される。端子は、フレキシブル基板等を介して自発光表示装置１００の外部の制御基板に電気的に接続される。
【００９８】
端子は、スイッチング素子に供給される駆動信号、映像信号等の信号をフレキシブル基板等を介して制御基板から受け入れる。駆動用ＩＣ６は、駆動信号、映像信号等の信号を送信する。金属薄膜配線は、送信された信号をスイッチング素子に供給する。スイッチング素子は、供給された信号にしたがってスイッチング素子に電気的に接続されたサブ画素を動作させる。これにより、駆動信号、映像信号等の信号にしたがって複数の表示画素２にそれぞれ備えられる複数のサブ画素群３により発せられる光が制御される。これにより、画像及び映像がアクティブエリアに表示される。
【００９９】
３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃが上述した動作方法と異なる動作方法により動作させられてもよい。例えば、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃが１個のスイッチング素子に電気的に接続され、１個のスイッチング素子が３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃを動作させてもよい。薄膜トランジスタ以外のスイッチング素子が３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの各サブ画素を動作させてもよい。例えば、画素駆動用のＩＣが各サブ画素を動作させてもよい。画素駆動用のＩＣが各サブ画素を動作させる場合は、一般的には、１個の画素駆動用のＩＣが各サブ画素を動作させる。
【０１００】
スイッチング素子、金属薄膜配線、電極等は、半導体プロセスにより形成される。
【０１０１】
バックプレーン５が、上述した構成以外の構成を有してもよい。例えば、バックプレーン５が、ガラスエポキシ基板、銅配線、電極等を備えるプリント基板であってもよい。電極には、メッキ処理が行われる。バックプレーン５がプリント基板である場合は、薄膜トランジスタに代えて、ガラス基板、シリコン基板等を用いて作製された画素駆動用のＩＣ等のスイッチング素子がプリント基板の上に配置される。
【０１０２】
２．５  自発光表示装置の表面の保護
自発光表示装置１００は、スイッチング素子、複数のサブ画素群３等が露出する表面を有する。自発光表示装置１００が、当該表面を保護する保護部材を備えてもよい。保護部材は、複数のサブ画素群３を挟んでバックプレーン５に対向する。保護部材は、ガラス、樹脂等からなる。保護部材は、保護膜、保護板、保護カバー等である。
【０１０３】
２．６  サブ画素のサイズ
３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの各サブ画素の一辺の長さは、１００μｍ未満である。一般的に言って、１００μｍ未満の一辺の長さを有するＬＥＤ素子は、μＬＥＤ素子と呼ばれる。このため、各サブ画素となるＬＥＤ素子は、μＬＥＤ素子である。ただし、各サブ画素の一辺の長さは、自発光表示装置１００の設計に応じて決定される。このため、各サブ画素となるＬＥＤ素子が、１００μｍ以上の一辺の長さを有する、μＬＥＤ素子でないＬＥＤ素子である場合もある。
【０１０４】
２．７  自発光表示装置の製造方法
図１０は、実施の形態１の自発光表示装置の製造方法を示すフローチャートである。
【０１０５】
自発光表示装置１００は、図１０に示される製造方法により製造される。このため、自発光表示装置１００が製造される際には、図１０に示される工程Ｓ１０１からＳ１０９までが実行される。
【０１０６】
工程Ｓ１０１からＳ１０４までにおいては、各集積体７が製造される。
【０１０７】
工程Ｓ１０１においては、積層膜が作製される。積層膜は、基板の上に作製される。基板は、サファイア基板等である。基板は、ウエハとも呼ばれる。作製される積層膜は、バッファ層、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層等を備える。積層膜は、積層膜に備えられる層を結晶成長させることにより作製される。
【０１０８】
続く工程Ｓ１０２においては、色変換層が形成される。形成される色変換層は、蛍光粒子等を有する。色変換層は、発する光の色を青色から赤色に変換する色変換層が追加されたＬＥＤ素子、及び発する光の色を青色から緑色に変換する色変換層が追加されたＬＥＤ素子が、青色の光を発するＬＥＤ素子に隣接するように形成される。
【０１０９】
続く工程Ｓ１０３においては、電極が形成される。電極は、ｎ型半導体層及びｐ型半導体層の上に形成され、ｎ型半導体層及びｐ型半導体層に電気的に接触させられる。
【０１１０】
続く工程Ｓ１０４においては、ダイシングが行われる。ダイシングにより、基板、積層膜、色変換層及び電極を備える中間品が各集積体７のサイズに切断されて、１チップに個辺化され一体化された４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４を備える各集積体７が得られる。
【０１１１】
自発光表示装置９００が製造される場合は、中間品が、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの各サブ画素のサイズに切断され、各サブ画素が得られる。一方、自発光表示装置１００が製造される場合は、中間品が、一体化された４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４を備える各集積体７のサイズに切断され、各集積体７が得られる。このため、自発光表示装置１００が製造される場合は、自発光表示装置９００が製造される場合と比較して、中間品を切断するのに要する時間を短くすることができる。例えば、各サブ画素群３が３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃを備える場合は、中間品を切断するのに要する時間を約１／１２に短くすることができる。また、各サブ画素群３が４個のサブ画素を備える場合は、中間品を切断するのに要する時間を約１／１６に短くすることができる。
【０１１２】
工程Ｓ１０１からＳ１０４までとは異なる工程により各集積体７が製造されてもよい。
【０１１３】
工程Ｓ１０５及びＳ１０６においては、バックプレーン５が製造される。
【０１１４】
ステップＳ１０５においては、ガラス基板の上にスイッチング素子、金属薄膜配線等が形成される。スイッチング素子、金属薄膜配線等は、半導体プロセスにより形成される。ガラス基板としては、自発光表示装置１００に備えられるガラス基板を多数個取りすることができる大きなサイズを有するガラス基板が用いられる。
【０１１５】
続くステップＳ１０６においては、ガラス基板の上に電極が形成される。電極は、スイッチング素子、金属薄膜配線等に電気的に接続されるように形成される。
【０１１６】
工程Ｓ１０５及びＳ１０６とは異なる工程によりバックプレーン５が製造されてもよい。
【０１１７】
工程Ｓ１０７においては、ピック＆プレースが行われる。その際には、各集積体７がピック＆プレース法によりバックプレーン５の上に配置される。また、各集積体７をバックプレーン５の上に配置することが繰り返される。また、各集積体７に備えられるＬＥＤ素子の端子が、バックプレーン５に備えられる電極に電気的に接続される。
【０１１８】
自発光表示装置９００が製造される場合は、１２回のピック＆プレースにより４個のサブ画素群３が４個の表示画素２に配置される。これに対して、自発光表示装置１００が製造される場合は、１回のピック＆プレースにより４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４が４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に一括して配置される。このため、自発光表示装置１００が製造される場合は、自発光表示装置９００が製造される場合と比較して、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４をバックプレーン５の上に配置するのに要する時間を短くすることができる。例えば、各サブ画素群３が３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃを備える場合は、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４をバックプレーン５の上に配置するのに要する時間を約１／１２に短くすることができる。また、各サブ画素群３が４個のサブ画素を備える場合は、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４をバックプレーン５の上に配置するのに要する時間を約１／１６に短くすることができる。
【０１１９】
各集積体７が、ピック＆プレース法以外の配置方法によりバックプレーン５の上に配置されてもよい。バッファ層、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層、電極、色変換層等を備えるＬＥＤ層のみがレーザリフトオフ法等により基板から剥離され、剥離されたＬＥＤ層がバックプレーン５の上に配置されてもよい。これらの方法に代えて、弾性スタンプを用いる転送方法、磁気、静電気等を利用する方法等が採用されてもよい。ＬＥＤ素子に備えられる端子は、導電性ペースト、異方性導電体膜等を用いてバックプレーン５に備えられる電極に電気的に接続される。ＬＥＤ素子に備えられる端子が、当該接続方法と異なる接続方法により電極に電気的に接続されてもよい。
【０１２０】
続く工程Ｓ１０８においては、切断が行われる。切断により、大きなサイズを有するガラス基板が１個の自発光表示装置１００に備えられるガラス基板のサイズに切断される。ガラス基板は、スクライブ−ブレーク法により切断される。
【０１２１】
続く工程Ｓ１０９においては、フレキシブル基板及び駆動用ＩＣが実装される。これにより、自発光表示装置１００が得られる。フレキシブル基板及び駆動用ＩＣは、異方性導電膜を介してガラス基板の上に実装される。
【０１２２】
工程Ｓ１０１からＳ１０９までが実行される順序が、上述した順序と異なってもよい。また、工程Ｓ１０１からＳ１０９までの各工程において行われる処理が、上述した処理と異なってもよい。
【０１２３】
一体化された４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４を備える各集積体７をバックプレーン５の上に配置することにより４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４を一括してバックプレーン５の上に配置するという特徴が失われない限り、図１０に示される製造方法と異なる製造方法により自発光表示装置１００が製造されてもよい。
【０１２４】
２．８  サブ画素、サブ画素群、集積体及び表示画素の配置
各集積体７は、図４から図７までに図示されるように、１２個のサブ画素を備える。各集積体７は、切断線Ｆ−Ｆが延びる方向Ｙに配列され互いに電気的に分離された２行の自発光素子を備える。２行の自発光素子の各自発光素子は、切断線Ｅ−Ｅが延びる方向Ｘに配列され互いに電気的に分離された６個の自発光素子を備える。また、各集積体７は、切断線Ｅ−Ｅが延びる方向Ｘに配列され互いに電気的に分離された６列の自発光素子を備える。６列の自発光素子の各自発光素子は、切断線Ｆ−Ｆが延びる方向Ｙに配列され互いに電気的に分離された２個の自発光素子を備える。
【０１２５】
各集積体７は、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４を備える。各集積体７は、切断線Ｆ−Ｆが延びる方向Ｙに配列され互いに電気的に分離された２行のサブ画素群を備える。２行のサブ画素群の各々は、切断線Ｅ−Ｅが延びる方向Ｘに配列され互いに電気的に分離された２個のサブ画素群を備える。また、各集積体７は、切断線Ｅ−Ｅが延びる方向Ｘに配列され互いに電気的に分離された２列のサブ画素群を備える。２列のサブ画素群の各々は、切断線Ｆ−Ｆが延びる方向Ｙに配列され互いに電気的に分離された２個のサブ画素群を備える。これにより、各集積体７は、方向Ｘに２列の表示画素が配列され方向Ｙに２行の表示画素が配列されるようにマトリクス状に配列された４個の表示画素２１，２２，２３及び２４にそれぞれ配置される４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４を備える。４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４を備える各集積体７の中心は、４個の表示画素２１，２２，２３及び２４が互いに接触する位置と位置合わせされる。これにより、各集積体７は、４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に跨って配置される。また、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４の各サブ画素群の４辺に含まれる２辺は、２個の表示画素２の端部２ｅに接触する。ただし、自発光表示装置１００が製造される際のプロセス精度の影響により、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４の位置が上述した位置からずれる場合もある。
【０１２６】
集積体７内の各サブ画素群は、駆動用ＩＣ６によって、一つの表示画素として独立して駆動され、表示装置として機能する。例えば、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４で構成される一体化された集積体７だけで４つの表示画素２を構成され、図４では、６×６の表示ディスプレイを構成している。
【０１２７】
自発光表示装置１００は、４個の表示画素２１，２２，２３及び２４、並びに４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４を備える各集積体７を、互いに重ならないように方向Ｘ及び方向Ｙに繰り返し配置することにより得られる構造を有する。
【０１２８】
以下では、表示画素２、サブ画素群３、サブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃ並びに集積体７の配列の具体的な実施例が説明される。
【０１２９】
（１）実施例１
図１１は、実施の形態１の実施例１の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【０１３０】
図１１に図示される１６個の表示画素は、図４及び図５に図示される実施の形態１の自発光表示装置１００を切断線Ｅ−Ｅ及びＦ−Ｆの位置で切断することにより得られる。
【０１３１】
自発光表示装置１００は、図１１に図示されるように、方向Ｘに４列の表示画素が配列され方向Ｙに４行の表示画素が配列されるようにマトリクス状に配列された１６個の表示画素２を備える。
【０１３２】
３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの各サブ画素は、長方形状の平面形状を有する。各サブ画素の長辺及び短辺は、方向Ｙ及び方向Ｘにそれぞれ平行に配置される。
【０１３３】
３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃは、互いに隣接する２個のサブ画素３ａ及び３ｂの長辺が互いに対向し、互いに隣接する２個のサブ画素３ｂ及び３ｃの長辺が互いに対向するように、方向Ｘに配列される。このため、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃは、サブ画素３ａの一方の長辺が、サブ画素３ａに隣接するサブ画素３ｂの一方の長辺に対向し、サブ画素３ｂの他方の長辺が、サブ画素３ｂに隣接するサブ画素３ｃの一方の長辺に対向するように、方向Ｘに配列される。
【０１３４】
各集積体７に備えられる１２個のサブ画素は、方向Ｙに配列される２個のサブ画素が同じ色の光を発するように配列される。これにより、自発光表示装置１００の製造が容易になり、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの駆動が簡単になる。ただし、１２個のサブ画素が、当該配列方法と異なる配列方法で配列されてもよい。
【０１３５】
各集積体７は、図１１に図示されるように、４個のサブ画素３ａ、４個のサブ画素３ｂ及び４個のサブ画素３ｃを備える。また、各集積体７は、図１１に図示されるように、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４を備える。４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４は、方向Ｘに２列のサブ画素群が配列され方向Ｙに２行のサブ画素群が配列されるようにマトリクス状に配列される。４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４は、方向Ｘに配列され互いに隣接する２個のサブ画素群にそれぞれ備えられるサブ画素３ａ及び３ｃの、各集積体７の中心寄りにある長辺が互いに対向するように配列される。また、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４は、方向Ｙに配列され互いに隣接する２個のサブ画素群に備えられるサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの、各集積体７の中心寄りにある短辺が互いに対向するように配列される。このため、各集積体７に備えられる１２個のサブ画素は、方向Ｘに６列のサブ画素が配列され方向Ｙに２行のサブ画素が配列されるようにマトリクス状に配列される。
【０１３６】
各集積体７の３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃは、特定の方向Ｘについて第１のピッチｄ１で配列される。第１のピッチｄ１は、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの各サブ画素の短辺の長さに一致する。また、複数の集積体７は、特定の方向Ｘに配列され互いに隣接する２個の集積体７１及び７２を含む。２個の集積体７１及び７２にそれぞれ備えられる互いに隣接する２個のサブ画素３ｃ及び３ａは、第１のピッチｄ１より大きい第２のピッチｄ２で配列される。
【０１３７】
ここで、サブ画素３ａに着目する。４個の表示画素２１，２２，２３及び２４は、特定の方向Ｘに配列され互いに隣接する２個の表示画素２１及び２２を含む。２個の表示画素２１及び２２にそれぞれ備えられ同じ色の光を発するサブ画素３ａ及び３ａは、特定の方向Ｘに第１のピッチＤ１で配列される。このため、各集積体７に備えられる１２個のサブ画素は、第１のピッチＤ１で特定の方向Ｘに配列され同じ色の光を発する第１の２個のサブ画素３ａを含む。第１のピッチＤ１は、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの短辺の長さの総和に一致する。また、複数の集積体７は、特定の方向Ｘに配列され互いに隣接する２個の集積体７１及び７２を含む。２個の集積体７１及び７２は、第１のピッチＤ１より大きい第２のピッチＤ２で特定の方向Ｘに配列され同じ色の光を発する２個のサブ画素３ａ及び３ａをそれぞれ備える。サブ画素３ｂ及び３ｃに着目した場合も、同様のことがいえる。
【０１３８】
ここで、再びサブ画素３ａに着目する。４個の表示画素２１，２２，２３及び２４は、特定の方向Ｙに配列され互いに隣接する２個の表示画素２１及び２３を含む。２個の表示画素２１及び２３にそれぞれ備えられ同じ色の光を発するサブ画素３ａ及び３ａは、特定の方向Ｙに第１のピッチＤ１で配列される。このため、各集積体７に備えられる１２個のサブ画素は、第１のピッチＤ１で特定の方向Ｙに配列され同じ色の光を発する第１の２個のサブ画素３ａを含む。第１のピッチＤ１は、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの長辺の長さに一致する。また、複数の集積体７は、特定の方向Ｙに配列され互いに隣接する２個の集積体７１及び７３を含む。２個の集積体７１及び７３は、第１のピッチＤ１より大きい第２のピッチＤ２で特定の方向Ｙに配列され同じ色の光を発する２個のサブ画素３ａ及び３ａをそれぞれ備える。サブ画素３ｂ及び３ｃに着目した場合も、同様のことがいえる。
【０１３９】
３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃは、第１のピッチで特定の方向Ｘに配列される。４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４は、第１のピッチより大きい第２のピッチで特定の方向Ｘに配列される。複数の集積体７は、第１のピッチ及び第２のピッチより大きい第３のピッチで特定の方向Ｘに配列される。
【０１４０】
また、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃは、第１のピッチで特定の方向Ｙに配列される。４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４は、第１のピッチと同じ第２のピッチで特定の方向Ｙに配列される。複数の集積体７は、第１のピッチ及び第２のピッチより大きい第３のピッチで特定の方向Ｙに配列される。
【０１４１】
３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの各サブ画素は、長方形状の平面形状を有する。３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの短辺の長さの合計は、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの各サブ画素の長辺の長さと同じである。このため、各サブ画素群３は、正方形状の平面形状を有する。ただし、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの短辺の長さの合計が各サブ画素の長辺の長さと同じでなくてもよい。したがって、サブ画素群３が正方形状の平面形状を有しなくてもよい。また、方向Ｘについての第１のピッチＤ１及び第２のピッチＤ２は、方向Ｙについての第１のピッチＤ１及び第２のピッチＤ２とそれぞれ同じである。このため、各表示画素２は、正方形状の平面形状を有する。ただし、方向Ｘについての第１のピッチＤ１及び第２のピッチＤ２が、方向Ｙについての第１のピッチＤ１及び第２のピッチＤ２とそれぞれ同じでなくてもよい。したがって、各表示画素２が正方形状の平面形状を有しなくてもよい。例えば、各表示画素２が、長方形状の平面形状、多角形状の平面形状、円弧を含む輪郭を有する平面形状等を有してもよい。各表示画素２の平面形状は、自発光表示装置１００の設計に応じて決定される。
【０１４２】
３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの長辺の長さは、同じである。ただし、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの長辺の長さが同じでなくてもよい。３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの短辺の長さは、同じである。ただし、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの短辺の長さが同じでなくてもよい。
【０１４３】
３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの寸法が例示された寸法と異なる場合においても、４個の表示画素２１，２２，２３及び２４と、当該４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に隣接する４個の表示画素２１，２２，２３及び２４と、の間において、方向Ｘ及び方向Ｙの各方向に同じ色の光を発するサブ画素３ａが互いに異なる複数のピッチＤ１及びＤ２で配列されることにより、本開示の効果が発揮される。サブ画素３ｂ及び３ｃについても、同様のことがいえる。すなわち、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４を４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に一括して配置することができ、自発光表示装置１００を製造するのに要する時間を短くすることができる。
【０１４４】
（２）実施例２
図１２は、実施の形態１の実施例２の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【０１４５】
図１２に図示される１６個の表示画素は、図４及び図５に図示される実施の形態１の自発光表示装置１００を切断線Ｅ−Ｅ及びＦ−Ｆの位置で切断することにより得られる。
【０１４６】
実施例２は、図１２に図示されるように、表示画素２、サブ画素群３、サブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃ並びに集積体７の配列方向が時計回りに９０°回転されている点で、実施例１と相違する。したがって、実施例１についての説明は、方向Ｘ及び方向Ｙをそれぞれ方向Ｙ及び方向Ｘに読み替えることにより、実施例２についての説明となる。このため、実施例２についての詳細説明は省略する。
【０１４７】
実施例２においても、４個の表示画素２１，２２，２３及び２４と、当該４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に隣接する４個の表示画素２１，２２，２３及び２４と、の間において、方向Ｘ及び方向Ｙの各方向に同じ色の光を発するサブ画素３ａが互いに異なる複数のピッチＤ１及びＤ２で配列されることにより、本開示の効果が発揮される。サブ画素３ｂ及び３ｃについても、同様のことがいえる。すなわち、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４を４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に一括して配置することができ、自発光表示装置１００を製造するのに要する時間を短くすることができる。
【０１４８】
（３）実施例３
図１３は、実施の形態１の実施例３の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【０１４９】
図１３に図示される１６個の表示画素は、図４及び図５に図示される実施の形態１の自発光表示装置１００を切断線Ｅ−Ｅ及びＦ−Ｆの位置で切断することにより得られる。
【０１５０】
実施例３は、図１３に図示されるように、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４に含まれる互いに隣接する２個のサブ画素群３１及び３２が隙間８を挟んで互いに離れている点で、実施例１と相違する。隙間８は、表示画素２１及び２２の端部２ｅにある。２個のサブ画素群３３及び３４、２個のサブ画素群３１及び３３、並びに２個のサブ画素群３２及び３４についても、同様のことがいえる。隙間８によれば、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃにより互いに異なる３色の光がそれぞれ発せられる場合に、当該３色が混色することを抑制することができる。隙間８の寸法は、自発光表示装置１００の設計に応じて決定される。複数の隙間８は、同じ寸法を有してもよいし、互いに異なる寸法を有してもよい。隙間８は、望ましくは、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの各サブ画素の短辺の長さより小さい寸法を有する。
【０１５１】
実施例３における第１のピッチｄ１と第２のピッチｄ２との関係、第１のピッチＤ１と第２のピッチＤ２との関係、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの特定の方向Ｘの第１のピッチと４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４の特定の方向Ｘの第２のピッチと複数の集積体７の特定の方向Ｘの第３のピッチとの関係、並びに３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの特定の方向Ｙの第１のピッチと４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４の特定の方向Ｙの第２のピッチと複数の集積体７の特定の方向Ｙの第３のピッチの関係は、実施例１におけるそれらと同じである。
【０１５２】
実施例３においても、４個の表示画素２１，２２，２３及び２４と、当該４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に隣接する４個の表示画素２１，２２，２３及び２４と、の間において、方向Ｘ及び方向Ｙの各方向に同じ色の光を発するサブ画素３ａが互いに異なる複数のピッチＤ１及びＤ２で配列されることにより、本開示の効果が発揮される。サブ画素３ｂ及び３ｃについても、同様のことがいえる。すなわち、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４を４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に一括して配置することができ、自発光表示装置１００を製造するのに要する時間を短くすることができる。
【０１５３】
（４）実施例４
図１４は、実施の形態１の実施例４の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【０１５４】
図１４に図示される１６個の表示画素は、図４及び図５に図示される実施の形態１の自発光表示装置１００を切断線Ｅ−Ｅ及びＦ−Ｆの位置で切断することにより得られる。
【０１５５】
実施例４は、図１４に図示されるように、表示画素２、サブ画素群３、サブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃ並びに集積体７の配列方向が時計回りに９０°回転されている点で、実施例３と相違する。したがって、実施例３についての説明は、方向Ｘ及び方向Ｙをそれぞれ方向Ｙ及び方向Ｘに読み替えることにより、実施例４についての説明となる。このため、実施例４についての詳細説明は省略する。
【０１５６】
実施例４においても、４個の表示画素２１，２２，２３及び２４と、当該４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に隣接する４個の表示画素２１，２２，２３及び２４と、の間において、方向Ｘ及び方向Ｙの各方向に同じ色の光を発するサブ画素３ａが互いに異なる複数のピッチＤ１及びＤ２で配列されることにより、本開示の効果が発揮される。サブ画素３ｂ及び３ｃについても、同様のことがいえる。すなわち、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４を４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に一括して配置することができ、自発光表示装置１００を製造するのに要する時間を短くすることができる。
【０１５７】
（５）実施例５
図１５は、実施の形態１の実施例５の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【０１５８】
図１５に図示される１６個の表示画素は、図４及び図５に図示される実施の形態１の自発光表示装置１００を切断線Ｅ−Ｅ及びＦ−Ｆの位置で切断することにより得られる。
【０１５９】
実施例５は、図１５に図示されるように、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４に含まれる互いに隣接する２個のサブ画素群３１及び３２が隙間８を挟んで互いに離れている点で、実施例１と相違する。隙間８は、表示画素２１及び２２の端部２ｅにある。２個のサブ画素群３３及び３４、２個のサブ画素群３１及び３３及び２個のサブ画素群３２及び３４についても、同様のことがいえる。隙間８によれば、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃにより互いに異なる３色の光がそれぞれ発せられる場合に、当該３色が混色することを抑制することができる。隙間８の寸法は、自発光表示装置１００の設計に応じて決定される。複数の隙間８は、同じ寸法を有してもよいし、互いに異なる寸法を有してもよい。隙間８は、望ましくは、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの各サブ画素の短辺の長さより小さい寸法を有する。
【０１６０】
また、実施例５は、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃに含まれる互いに隣接する２個のサブ画素３ａ及び３ｂに着目した場合に、２個のサブ画素３ａ及び３ｂが隙間９を挟んで互いに離れている点で、実施例１と相違する。２個のサブ画素３ｂ及び３ｃについても、同様のことがいえる。隙間９によれば、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃにより互いに異なる３色の光がそれぞれ発せられる場合に、当該３色が混色することを抑制することができる。隙間９の寸法は、自発光表示装置１００の設計に応じて決定される。複数の隙間９は、同じ寸法を有してもよいし、互いに異なる寸法を有してもよい。隙間９は、隙間８の寸法と同じ寸法を有してもよいし、隙間８の寸法と異なる寸法を有してもよい。隙間９は、望ましくは、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの各サブ画素の短辺の長さより小さい寸法を有する。
【０１６１】
実施例５における第１のピッチｄ１と第２のピッチｄ２との関係、第１のピッチＤ１と第２のピッチＤ２との関係、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの特定の方向Ｘの第１のピッチと４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４の特定の方向Ｘの第２のピッチと複数の集積体７の特定の方向Ｘの第３のピッチとの関係、並びに３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの特定の方向Ｙの第１のピッチと４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４の特定の方向Ｙの第２のピッチと複数の集積体７の特定の方向Ｙの第３のピッチの関係は、実施例１におけるそれらと同じである。
【０１６２】
実施例５においても、４個の表示画素２１，２２，２３及び２４と、当該４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に隣接する４個の表示画素２１，２２，２３及び２４と、の間において、方向Ｘ及び方向Ｙの各方向に同じ色の光を発するサブ画素３ａが互いに異なる複数のピッチＤ１及びＤ２で配列されることにより、本開示の効果が発揮される。サブ画素３ｂ及び３ｃについても、同様のことがいえる。すなわち、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４を４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に一括して配置することができ、自発光表示装置１００を製造するのに要する時間を短くすることができる。
【０１６３】
（６）実施例６
図１６は、実施の形態１の実施例６の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【０１６４】
図１６に図示される１６個の表示画素は、図４及び図５に図示される実施の形態１の自発光表示装置１００を切断線Ｅ−Ｅ及びＦ−Ｆの位置で切断することにより得られる。
【０１６５】
実施例６は、図１６に図示されるように、表示画素２、サブ画素群３、サブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃ並びに集積体７の配列方向が時計回りに９０°回転されている点で、実施例５と相違する。したがって、実施例５についての説明は、方向Ｘ及び方向Ｙをそれぞれ方向Ｙ及び方向Ｘに読み替えることにより、実施例６についての説明となる。このため、実施例６についての詳細説明は省略する。
【０１６６】
実施例６においても、４個の表示画素２１，２２，２３及び２４と、当該４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に隣接する４個の表示画素２１，２２，２３及び２４と、の間において、方向Ｘ及び方向Ｙの各方向に同じ色の光を発するサブ画素３ａが互いに異なる複数のピッチＤ１及びＤ２で配列されることにより、本開示の効果が発揮される。サブ画素３ｂ及び３ｃについても、同様のことがいえる。すなわち、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４を４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に一括して配置することができ、自発光表示装置１００を製造するのに要する時間を短くすることができる。
【０１６７】
（７）実施例７
図１７は、実施の形態１の実施例７の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【０１６８】
図１７に図示される１６個の表示画素は、図４及び図５に図示される実施の形態１の自発光表示装置１００を切断線Ｅ−Ｅ及びＦ−Ｆの位置で切断することにより得られる。
【０１６９】
実施例７は、図１７に図示されるように、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの各サブ画素が正方形状の平面形状を有し、各サブ画素群３が長方形状の形状を有する点で、実施例１と相違する。実施例７における各サブ画素の一辺の長さは、実施例１における各サブ画素の短辺の長さと同じである。各サブ画素の正方形状の平面形状によれば、各表示画素２の端部２ｅから３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃまでの、方向Ｘの距離と方向Ｙの距離の差を小さくすることができる。このため、各表示画素２の内部における発光輝度分布を均一にすることができる。また、ひとつの基板に配列することができるＬＥＤ素子の数を３倍に増やすことができる。このため、ひとつの基板から作製することができるＬＥＤ素子の数を３倍に増やすことができ、自発光表示装置１００の製造コストを低くすることができる。各サブ画素の寸法は、自発光表示装置１００の設計に応じて決定される。各表示画素２の寸法は、制限されないが、望ましくは、各表示画素２の内部における発光輝度分布が均一になるように各サブ画素の形状に応じて決定される。
【０１７０】
実施例７における第１のピッチｄ１と第２のピッチｄ２との関係、第１のピッチＤ１と第２のピッチＤ２との関係、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの特定の方向Ｘの第１のピッチと４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４の特定の方向Ｘの第２のピッチと複数の集積体７の特定の方向Ｘの第３のピッチとの関係、並びに３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの特定の方向Ｙの第１のピッチと４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４の特定の方向Ｙの第２のピッチと複数の集積体７の特定の方向Ｙの第３のピッチの関係は、実施例１におけるそれらと同じである。
【０１７１】
実施例７においても、４個の表示画素２１，２２，２３及び２４と、当該４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に隣接する４個の表示画素２１，２２，２３及び２４と、の間において、方向Ｘ及び方向Ｙの各方向に同じ色の光を発するサブ画素３ａが互いに異なる複数のピッチＤ１及びＤ２で配列されることにより、本開示の効果が発揮される。サブ画素３ｂ及び３ｃについても、同様のことがいえる。すなわち、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４を４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に一括して配置することができ、自発光表示装置１００を製造するのに要する時間を短くすることができる。
【０１７２】
（８）実施例８
図１８は、実施の形態１の実施例８の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【０１７３】
図１８に図示される１６個の表示画素は、図４及び図５に図示される実施の形態１の自発光表示装置１００を切断線Ｅ−Ｅ及びＦ−Ｆの位置で切断することにより得られる。
【０１７４】
実施例８は、図１８に図示されるように、表示画素２、サブ画素群３、サブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃ並びに集積体７の配列方向が時計回りに９０°回転されている点で、実施例７と相違する。したがって、実施例７についての説明は、方向Ｘ及び方向Ｙをそれぞれ方向Ｙ及び方向Ｘに読み替えることにより、実施例８についての説明となる。このため、実施例８についての詳細説明は省略する。
【０１７５】
実施例８においても、４個の表示画素２１，２２，２３及び２４と、当該４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に隣接する４個の表示画素２１，２２，２３及び２４と、の間において、方向Ｘ及び方向Ｙの各方向に同じ色の光を発するサブ画素３ａが互いに異なる複数のピッチＤ１及びＤ２で配列されることにより、本開示の効果が発揮される。サブ画素３ｂ及び３ｃについても、同様のことがいえる。すなわち、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４を４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に一括して配置することができ、自発光表示装置１００を製造するのに要する時間を短くすることができる。
【０１７６】
（９）実施例９
図１９は、実施の形態１の実施例９の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【０１７７】
図１９に図示される１６個の表示画素は、図４及び図５に図示される実施の形態１の自発光表示装置１００を切断線Ｅ−Ｅ及びＦ−Ｆの位置で切断することにより得られる。
【０１７８】
実施例９は、図１９に図示されるように、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４に含まれる互いに隣接する２個のサブ画素群３１及び３２が隙間８を挟んで互いに離れている点で、実施例１と相違する。隙間８は、表示画素２１及び２２の端部２ｅにある。２個のサブ画素群３３及び３４、２個のサブ画素群３１及び３３、並びに２個のサブ画素群３２及び３４についても、同様のことがいえる。隙間８によれば、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃにより互いに異なる３色の光がそれぞれ発せられる場合に、当該３色が混色することを抑制することができる。
【０１７９】
また、実施例９は、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの各サブ画素が正方形状の平面形状を有し、各サブ画素群３が長方形状の形状を有する点で、実施例１と相違する。実施例９における各サブ画素の一辺の長さは、実施例１における各サブ画素の短辺の長さと同じである。各サブ画素の正方形状の平面形状によれば、各表示画素２の端部２ｅから３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃまでの距離を短くすることができる。このため、各表示画素２の内部における発光輝度分布を均一にすることができる。また、ひとつの基板に配列することができるＬＥＤ素子の数を３倍に増やすことができる。このため、ひとつの基板から作製することができるＬＥＤ素子の数を３倍に増やすことができ、自発光表示装置１００の製造コストを低くすることができる。
【０１８０】
実施例９における第１のピッチｄ１と第２のピッチｄ２との関係、第１のピッチＤ１と第２のピッチＤ２との関係、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの特定の方向Ｘの第１のピッチと４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４の特定の方向Ｘの第２のピッチと複数の集積体７の特定の方向Ｘの第３のピッチとの関係、並びに３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの特定の方向Ｙの第１のピッチと４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４の特定の方向Ｙの第２のピッチと複数の集積体７の特定の方向Ｙの第３のピッチの関係は、実施例１におけるそれらと同じである。
【０１８１】
実施例９においても、４個の表示画素２１，２２，２３及び２４と、当該４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に隣接する４個の表示画素２１，２２，２３及び２４と、の間において、方向Ｘ及び方向Ｙの各方向に同じ色の光を発するサブ画素３ａが互いに異なる複数のピッチＤ１及びＤ２で配列されることにより、本開示の効果が発揮される。サブ画素３ｂ及び３ｃについても、同様のことがいえる。すなわち、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４を４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に一括して配置することができ、自発光表示装置１００を製造するのに要する時間を短くすることができる。
【０１８２】
（１０）実施例１０
図２０は、実施の形態１の実施例１０の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【０１８３】
図２０に図示される１６個の表示画素は、図４及び図５に図示される実施の形態１の自発光表示装置１００を切断線Ｅ−Ｅ及びＦ−Ｆの位置で切断することにより得られる。
【０１８４】
実施例１０は、図２０に図示されるように、表示画素２、サブ画素群３、サブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃ並びに集積体７の配列方向が時計回りに９０°回転されている点で、実施例９と相違する。したがって、実施例９についての説明は、方向Ｘ及び方向Ｙをそれぞれ方向Ｙ及び方向Ｘに読み替えることにより、実施例１０についての説明となる。このため、実施例１０についての詳細説明は省略する。
【０１８５】
実施例１０においても、４個の表示画素２１，２２，２３及び２４と、当該４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に隣接する４個の表示画素２１，２２，２３及び２４と、の間において、方向Ｘ及び方向Ｙの各方向に同じ色の光を発するサブ画素３ａが互いに異なる複数のピッチＤ１及びＤ２で配列されることにより、本開示の効果が発揮される。サブ画素３ｂ及び３ｃについても、同様のことがいえる。すなわち、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４を４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に一括して配置することができ、自発光表示装置１００を製造するのに要する時間を短くすることができる。
【０１８６】
（１１）実施例１１
図２１は、実施の形態１の実施例１１の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【０１８７】
図２１に図示される１６個の表示画素は、図４及び図５に図示される実施の形態１の自発光表示装置１００を切断線Ｅ−Ｅ及びＦ−Ｆの位置で切断することにより得られる。
【０１８８】
実施例１１は、図２１に図示されるように、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４に含まれる互いに隣接する２個のサブ画素群３１及び３２が隙間８を挟んで互いに離れている点で、実施例１と相違する。隙間８は、表示画素２１及び２２の端部２ｅにある。２個のサブ画素群３３及び３４、２個のサブ画素群３１及び３３、並びに２個のサブ画素群３２及び３４についても、同様のことがいえる。隙間８によれば、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃにより互いに異なる３色の光がそれぞれ発せられる場合に、当該３色が混色することを抑制することができる。
【０１８９】
また、実施例１１は、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃに含まれる互いに隣接する２個のサブ画素３ａ及び３ｂに着目した場合に、２個のサブ画素３ａ及び３ｂが隙間９を挟んで互いに離れている点で、実施例１と相違する。２個のサブ画素３ｂ及び３ｃについても、同様のことがいえる。隙間９によれば、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃにより互いに異なる３色の光がそれぞれ発せられる場合に、当該３色が混色することを抑制することができる。
【０１９０】
また、実施例１１は、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの各サブ画素が正方形状の平面形状を有し、各サブ画素群３が長方形状の形状を有する点で、実施例１と相違する。実施例１１における各サブ画素の一辺の長さは、実施例１における各サブ画素の短辺の長さと同じである。各サブ画素の正方形状の平面形状によれば、各表示画素２の端部２ｅから３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃまでの、方向Ｘの距離と方向Ｙの距離の差を小さくすることができる。このため、各表示画素２の内部における発光輝度分布を均一にすることができる。また、ひとつの基板に配列することができるＬＥＤ素子の数を３倍に増やすことができる。このため、ひとつの基板から作製することができるＬＥＤ素子の数を３倍に増やすことができ、自発光表示装置１００の製造コストを低くすることができる。
【０１９１】
実施例１１における第１のピッチｄ１と第２のピッチｄ２との関係、第１のピッチＤ１と第２のピッチＤ２との関係、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの特定の方向Ｘの第１のピッチと４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４の特定の方向Ｘの第２のピッチと複数の集積体７の特定の方向Ｘの第３のピッチとの関係、並びに３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの特定の方向Ｙの第１のピッチと４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４の特定の方向Ｙの第２のピッチと複数の集積体７の特定の方向Ｙの第３のピッチの関係は、実施例１におけるそれらと同じである。
【０１９２】
実施例１１においても、４個の表示画素２１，２２，２３及び２４と、当該４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に隣接する４個の表示画素２１，２２，２３及び２４と、の間において、方向Ｘ及び方向Ｙの各方向に同じ色の光を発するサブ画素３ａが互いに異なる複数のピッチＤ１及びＤ２で配列されることにより、本開示の効果が発揮される。サブ画素３ｂ及び３ｃについても、同様のことがいえる。すなわち、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４を４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に一括して配置することができ、自発光表示装置１００を製造するのに要する時間を短くすることができる。
【０１９３】
（１２）実施例１２
図２２は、実施の形態１の実施例１２の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【０１９４】
図２２に図示される１６個の表示画素は、図４及び図５に図示される実施の形態１の自発光表示装置１００を切断線Ｅ−Ｅ及びＦ−Ｆの位置で切断することにより得られる。
【０１９５】
実施例１２は、図２２に図示されるように、表示画素２、サブ画素群３、サブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃ並びに集積体７の配列方向が時計回りに９０°回転されている点で、実施例１１と相違する。したがって、実施例１１についての説明は、方向Ｘ及び方向Ｙをそれぞれ方向Ｙ及び方向Ｘに読み替えることにより、実施例１２についての説明となる。このため、実施例１２についての詳細説明は省略する。
【０１９６】
実施例１２においても、４個の表示画素２１，２２，２３及び２４と、当該４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に隣接する４個の表示画素２１，２２，２３及び２４と、の間において、方向Ｘ及び方向Ｙの各方向に同じ色の光を発するサブ画素３ａが互いに異なる複数のピッチＤ１及びＤ２で配列されることにより、本開示の効果が発揮される。サブ画素３ｂ及び３ｃについても、同様のことがいえる。すなわち、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４を４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に一括して配置することができ、自発光表示装置１００を製造するのに要する時間を短くすることができる。
【０１９７】
（１３）実施例１３−２１
図２３から図３１までは、それぞれ、実施の形態１の実施例１３−２１の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【０１９８】
図２３から図３１までの各図に図示される１６個の表示画素は、図４及び図５に図示される実施の形態１の自発光表示装置１００を切断線Ｅ−Ｅ及びＦ−Ｆの位置で切断することにより得られる。
【０１９９】
実施例１３−２１は、図２３から図３１までに図示されるように、各サブ画素群３が４個のサブ画素３ａ，３ｂ，３ｃ及び３ｄを備える点で、実施例１と相違する。サブ画素３ｄが発する光の色は、制限されない。サブ画素３ｄが発する光の色は、サブ画素３ａ，３ｂ又３ｃが発する光の色と同じであってもよいし、サブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃが発する光の色と異なってもよい。サブ画素３ｄが発する光の色は、例えば、白色である。
【０２００】
実施例１３−２１における第１のピッチｄ１と第２のピッチｄ２との関係、第１のピッチＤ１と第２のピッチＤ２との関係、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの特定の方向Ｘの第１のピッチと４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４の特定の方向Ｘの第２のピッチと複数の集積体７の特定の方向Ｘの第３のピッチとの関係、並びに３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの特定の方向Ｙの第１のピッチと４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４の特定の方向Ｙの第２のピッチと複数の集積体７の特定の方向Ｙの第３のピッチの関係は、実施例１におけるそれらと概ね同じである。ただし、実施例１５における方向Ｙ及び実施例１６における方向Ｘについては、サブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃに関しては、第１のピッチＤ１及び第２のピッチＤ２に代えて、第１のピッチＤ３及び第２のピッチＤ５を用いなければならず、サブ画素３ｄに関しては、第１のピッチＤ１及び第２のピッチＤ２に代えて、第１のピッチＤ４及び第２のピッチＤ６を用いなければならない。また、実施例１７における方向Ｙ及び実施例１８における方向Ｘについては、第１のピッチＤ１及び第２のピッチＤ２に代えて、第１のピッチＤ３及び第２のピッチＤ４を用いなければならない。
【０２０１】
実施例１３−２１においても、４個の表示画素２１，２２，２３及び２４と、当該４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に隣接する４個の表示画素２１，２２，２３及び２４と、の間において、方向Ｘ及び方向Ｙの各方向に同じ色の光を発するサブ画素３ａが互いに異なる複数のピッチＤ１及びＤ２で配列されることにより、本開示の効果が発揮される。サブ画素３ｂ，３ｃ及び３ｄについても、同様のことがいえる。すなわち、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４を４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に一括して配置することができ、自発光表示装置１００を製造するのに要する時間を短くすることができる。
【０２０２】
（１４）参考例と実施の形態１との対比
図３２は、参考例の自発光表示装置に備えられる１６個の表示画素を模式的に図示する平面図である。
【０２０３】
図３２に図示される１６個の表示画素は、図１に図示される参考例の自発光表示装置を切断線Ａ−Ａ及びＢ−Ｂの位置で切断することにより得られる。
【０２０４】
参考例におけるサブ画素群３の配置は、実施例１−２１におけるサブ画素群３の配置と異なる。
【０２０５】
例えば、参考例においては、サブ画素群３は、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃの配列、寸法等にかかわらず、表示画素２の中央部に配置され、表示画素２の端部２ｅに接触しない。また、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃは、構造的に分断されている。
【０２０６】
これに対して、実施例１−２１においては、サブ画素群３は、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃ又は４個のサブ画素３ａ，３ｂ，３ｃ及び３ｄの配列、寸法等にかかわらず、表示画素２の端部２ｅに接触する。また、４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４は、構造的に分断されていない。４個のサブ画素群３１，３２，３３及び３４は、一体化されて、表示画素２の端部２ｅを跨ぐ集積体７を構成する。また、３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃ又は４個のサブ画素３ａ，３ｂ，３ｃ及び３ｄは、構造的に分断されていない。集積体７の中心は、４個の表示画素２１，２２，２３及び２４が互いに接触する位置と位置合わせされている。
【０２０７】
参考例の自発光表示装置９００が製造される際には、４個の表示画素２に配置される１２個のサブ画素をバックプレーン５の上に配置するためには、１２回のピック＆プレースが必要である。このため、参考例の自発光表示装置９００を製造するのに要する時間は、長くなる。また、参考例の自発光表示装置９００を製造するのに要するコストは、高くなる。
【０２０８】
一方、実施例１−２１の自発光表示装置１００が製造される際には、４個の表示画素２１，２２，２３及び２４に配置される１２個又は１６個のサブ画素をバックプレーン５の上に配置するためには、１回のピック＆プレースが必要であるのみである。このため、実施例１−２１の自発光表示装置１００を製造するのに要する時間は、各サブ画素群３が３個のサブ画素３ａ，３ｂ及び３ｃを備える場合は、約１／１２まで短くなり、各サブ画素群３が４個のサブ画素３ａ，３ｂ，３ｃ及び３ｄを備える場合は、約１／１６まで短くなる。また、実施例１−２１の自発光表示装置９００を製造するのに要するコストも、低くなる。
【０２０９】
実施例１−２１の自発光表示装置１００における、方向Ｘについての異なる色の光を発するサブ画素のピッチ及び同じ色の光を発するサブ画素のピッチ、並びに方向Ｙについての異なる色の光を発するサブ画素のピッチ及び同じ色の光を発するサブ画素のピッチの数を表１に示す。
【０２１０】
【表１】
0006768992.tif 000002
【０２１１】
参考例の自発光表示装置９００における、方向Ｘについての異なる色の光を発するサブ画素のピッチ及び同じ色の光を発するサブ画素のピッチ、並びに方向Ｙについての異なる色の光を発するサブ画素のピッチ及び同じ色の光を発するサブ画素のピッチの数を表２に示す。
【０２１２】
【表２】
0006768992.tif 000003
【０２１３】
実施例１−２１の自発光表示装置１００における、方向Ｘについての異なる色の光を発するサブ画素のピッチ及び同じ色の光を発するサブ画素のピッチ、並びに方向Ｙについての異なる色の光を発するサブ画素のピッチ及び同じ色の光を発するサブ画素のピッチは、参考例の自発光表示装置９００におけるそれと異なる。
【０２１４】
参考例の自発光表示装置９００においては、方向Ｘについての同じ色の光を発するサブ画素のピッチは、１種類のみである。また、方向Ｙについての同じ色の光を発するサブ画素のピッチも、１種類のみである。
【０２１５】
これに対して、実施例１−２１の自発光表示装置１００においては、方向Ｘについての同じ色の光を発するサブ画素のピッチは、２種類である。また、方向Ｙについての同じ色の光を発するサブ画素のピッチも、２種類である。
【０２１６】
３  実施の形態２
３．１  バックライトの概略
図３３は、実施の形態２のバックライトを模式的に図示する平面図である。図３４は、実施の形態２のバックライトを模式的に図示する斜視図である。図３５は、実施の形態２のバックライトに備えられる隣接する４個の発光区画を模式的に図示する平面図である。図３６は、実施の形態２のバックライトに備えられる隣接する４個の発光区画を模式的に図示する斜視図である。図３７は、実施の形態２のバックライトに備えられる１個の発光区画を模式的に図示する平面図である。図３８は、実施の形態２のバックライトに備えられる１個の発光区画を模式的に図示する斜視図である。
【０２１７】
図３５及び図３６に図示される４個の発光区画２０１は、図３３及び図３４に図示される実施の形態２のバックライト２００を切断線Ｉ−Ｉ及びＪ−Ｊの位置で切断することにより得られる。図３７及び図３８に図示される１個の発光区画２０２は、図３５及び図３６に図示される４個の発光区画２０１を切断線Ｋ−Ｋ及びＬ−Ｌの位置で切断することにより得られる。
【０２１８】
バックライト２００は、表示装置用自発光体の例である。
【０２１９】
バックライト２００は、図３３及び図３４に図示されるように、複数の発光区画２を備える。
【０２２０】
複数の発光区画２は、マトリクス状に配列される。
【０２２１】
複数の発光区画２の各発光区画は、自発光素子３が光を発する領域である。自発光素子３により発せられる光は、バックライト２００を備えるＬＣＤに表示される画像及び映像により制御される。
【０２２２】
バックライト２００においては、単位面積中に存在する発光区画２の数が多くなるほど、すなわち、アクティブエリアの分割数が多くなるほど、光を発する領域を精密に制御することができる。このため、アクティブエリアの分割数が多くなるほど、バックライト２００を備えるＬＣＤに表示される画像及び映像に適合する光をバックライト２００が発することができる。アクティブエリアの分割数は、ＬＣＤのサイズ等のＬＣＤの設計に応じて決定される。アクティブエリアの分割数をＬＣＤの設計に応じて最適化することにより、ローカルディミングを適切に行うことができ、低いコントラストしか有しないＬＣＤのコントラストを高くすることができ、ＬＣＤにより表示される画像及び映像の品位を高くすることができる。
【０２２３】
各発光区画２は、図３３から図３８までに図示されるように、自発光素子３を備える。バックライト２００においては、自発光素子３は、ＬＥＤ素子である。自発光素子３が、ＬＥＤ素子以外の自発光素子であってもよい。
【０２２４】
各発光区画２は、１個の自発光素子３を備える。このため、バックライト２００に備えられる発光区画２の数は、バックライト２００に備えられる自発光素子３の数と同じである。
【０２２５】
自発光素子３は、１個の発光区画２に光を発せさせるための発光源となる。
【０２２６】
３．２  集積体
バックライト２００は、図３３及び図３４に図示されるように、バックプレーン５及び複数の集積体７を備える。
【０２２７】
複数の集積体７は、バックプレーン５の上に配置される。
【０２２８】
各集積体７は、複数の自発光素子を備える。このため、各集積体７は、自発光素子群である。バックライト２００においては、各集積体７は、図３３から図３８までに図示されるように、４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４を備える。
【０２２９】
複数の発光区画２は、各集積体７が配置される複数の発光区画を含む。バックライト２００においては、複数の発光区画２は、各集積体７が配置される４個の発光区画２１，２２，２３及び２４を含む。４個の発光区画２１，２２，２３及び２４は、それぞれ、独立して光を発することができる４個の領域である。
【０２３０】
４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４は、４個の発光区画２１，２２，２３及び２４にそれぞれ配置される。
【０２３１】
４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４は、構造的に分断されていない。このため、４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４は、一体化されている。各集積体７は、４個の発光区画２１，２２，２３及び２４に跨って配置される。４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４は、半導体プロセスを用いて、１チップに一体化して集積されている。各集積体７は、サファイア基板等の基板上に形成された４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４を一体化して集積させ、４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４を一つの単位として個辺化して１チップにしたものである。
【０２３２】
４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４は、電気的に分離されている。このため、４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４は、互いに独立して光を発することができる。このため、４個の発光区画２１，２２，２３及び２４は、互いに独立して光を発することができる。
【０２３３】
図３７及び図３８には、各集積体７に備えられる１個の自発光素子３１のみが描かれている。しかし、各集積体７に備えられる４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４は、構造的に分断されておらず、一体化されている。つまり、４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４は、半導体プロセスを用いて、１チップに一体化して集積されている。各集積体７は、サファイア基板等の基板上に形成された４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４を一体化して集積させ、４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４を一つの単位として個辺化して１チップにしたものである。このため、図３７及び図３８に描かれた、各集積体７に備えられる１個の自発光素子３１は、各集積体７に備えられる他の３個の自発光素子３２，３３及び３４から構造的に分断されておらず、各集積体７に備えられる他の３個の自発光素子３２，３３及び３４と一体化されている。
【０２３４】
４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４は、同じ色の光を発する。バックライト２００においては、４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４は、白色の光を発する。
【０２３５】
各集積体７が、２個以上の発光区画２にそれぞれ配置される２個以上の自発光素子集合体を備えてもよい。この場合は、各集積体７は、２個以上の自発光素子集合体の各自発光素子集合体に備えられる２個以上の自発光素子３を備える。
【０２３６】
２個以上の自発光素子３が発する光の色は、制限されず、同じあってもよいし、互いに異なってもよい。２個以上の自発光素子３が発する光の色を、バックライト２００を備えるＬＣＤが発する光の色に合わせることにより、ＬＣＤに高い色純度を有する画像及び映像を表示させることができる。各自発光素子集合体が３個の自発光素子３を備える場合は、３個の自発光素子３は、三原色を構成する赤色、緑色及び青色の光をそれぞれ発する。各自発光素子集合体が４個の自発光素子３を備えてもよい。２個以上の自発光素子３は、構造的に分断されておらず、一体化されている。２個以上の自発光素子３は、半導体プロセスを用いて、１チップに一体化して集積されている。各集積体７は、サファイア基板等の基板上に形成された２個以上の自発光素子３を一体化して集積させ、２個以上の自発光素子３を一つの単位として個辺化して１チップにしたものである。２個以上の自発光素子３が、互いに電気的に分離されていてもよい。
【０２３７】
バックライト２００が、光が進む方向を調整するレンズを備えてもよい。レンズは、各発光区画２に含まれる、光を発する領域における発光輝度分布を均一にするために用いられる。又は、レンズは、発光輝度分布を調整するために用いられる。
【０２３８】
３．３  アクティブエリア及び非アクティブエリア
バックライト２００は、アクティブエリア及び非アクティブエリアを有する。アクティブエリアは、光を発するエリアである。非アクティブエリアは、アクティブエリアの外側に配置され光を発しない額縁状のエリアである。
【０２３９】
３．４  自発光素子を動作させるための要素
バックライト２００は、図３３及び図３４に図示されるように、バックプレーン５及び駆動用ＩＣ６を備える。また、バックライト２００は、図示されない端子を備える。
【０２４０】
駆動用ＩＣ６及び端子は、非アクティブエリアに配置される。
【０２４１】
バックプレーン５は、図示されないガラス基板、電極、スイッチング素子、金属薄膜配線等を備える。
【０２４２】
バックプレーン５は、矩形状の平面形状を有する。バックプレーン５が、矩形状の平面形状以外の平面形状を有してもよい。例えば、バックプレーン５が、多角形状の平面形状、円弧を含む輪郭線を有する平面形状、窪みを含む輪郭線を有する平面形状等を有してもよい。多角形状の平面形状は、六角形状の平面形状、八角形状の平面形状等である。バックプレーン５の平面形状は、バックライト２００を備えるＬＣＤの平面形状に適合するように決定される。
【０２４３】
スイッチング素子は、薄膜トランジスタである。薄膜トランジスタを構成する半導体は、バックライト２００の設計に応じて決定される。当該半導体は、酸化物、アモルファスシリコン、低温ポリシリコン等である。
【０２４４】
スイッチング素子及び電極は、各発光区画２の内部に配置される。各発光区画２の内部に配置されるスイッチング素子の数、及び各発光区画２の内部におけるスイッチング素子の位置は、バックライト２００の設計に応じて決定される。
【０２４５】
各自発光素子３は、電極を介してスイッチング素子に電気的に接続される。スイッチング素子は、金属薄膜配線を介して駆動用ＩＣ６に電気的に接続される。端子は、フレキシブル基板等を介してバックライト２００の外部の制御基板に電気的に接続される。
【０２４６】
端子は、スイッチング素子に供給される信号をフレキシブル基板等を介して制御基板から受け入れる。駆動用ＩＣ６は、駆動信号、バックライト２００を備えるＬＣＤに入力される映像信号に応じた発光輝度の情報を示す信号等の信号を送信する。金属薄膜配線は、送信された信号をスイッチング素子に供給する。スイッチング素子は、供給された信号にしたがって各自発光素子３を動作させる。これにより、各自発光素子３が、ＬＣＤに表示される映像に応じた明るさを有する光を発し、バックライト２００が、ＬＣＤに表示される映像に応じた光を発する。
【０２４７】
各自発光素子３が上述した動作方法と異なる動作方法により動作させられてもよい。例えば、１個の自発光素子３が複数のスイッチング素子に電気的に接続され、複数のスイッチング素子が１個の自発光素子３を動作させてもよい。薄膜トランジスタ以外のスイッチング素子が各自発光素子３を動作させてもよい。例えば、画素駆動用のＩＣが各自発光素子３を動作させてもよい。画素駆動用のＩＣが各自発光素子３を動作させる場合は、一般的には、１個の画素駆動用のＩＣが各自発光素子３を動作させる。
【０２４８】
スイッチング素子、金属薄膜配線、電極等は、半導体プロセスにより形成される。
【０２４９】
バックプレーン５が、上述した構成以外の構成を有してもよい。例えば、バックプレーン５が、ガラスエポキシ基板、銅配線、電極等を備えるプリント基板であってもよい。電極には、メッキ処理等が行われる。バックプレーン５がプリント基板である場合は、薄膜トランジスタに代えて、ガラス基板、シリコン基板等を用いて作製された画素駆動用のＩＣ等のスイッチング素子がプリント基板の上に配置される。
【０２５０】
３．５  自発光素子のサイズ
各自発光素子３の一辺の長さは、１００μｍ未満である。一般的に言って、１００μｍ未満の一辺の長さを有するＬＥＤ素子は、μＬＥＤ素子と呼ばれる。このため、各自発光素子３は、μＬＥＤ素子である。ただし、各自発光素子３の一辺の長さは、バックライト２００の設計に応じて決定される。このため、各自発光素子３が、１００μｍ以上の一辺の長さを有する、μＬＥＤ素子でないＬＥＤ素子である場合もある。
【０２５１】
３．６  バックライトの製造方法
図１０は、実施の形態２のバックライトの製造方法を示すフローチャートでもある。
【０２５２】
バックライト２００は、図１０に示される製造方法により製造される。このため、バックライト２００が製造される際には、図１０に示される工程Ｓ１０１からＳ１０９までが実行される。
【０２５３】
工程Ｓ１０１からＳ１０４までにおいては、各集積体７が製造される。
【０２５４】
工程Ｓ１０１においては、積層膜が作製される。積層膜は、基板の上に作製される。基板は、サファイア基板等である。基板は、ウエハとも呼ばれる。作製される積層膜は、バッファ層、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層等を備える。積層膜は、積層膜に備えられる層を結晶成長させることにより作製される。
【０２５５】
続く工程Ｓ１０２においては、色変換層が形成される。形成される色変換層は、蛍光粒子等を有する。色変換層は、ＬＥＤ素子が発する光の色を青色から白色に変換する。
【０２５６】
続く工程Ｓ１０３においては、電極が形成される。電極は、ｎ型半導体層及びｐ型半導体層の上に形成され、ｎ型半導体層及びｐ型半導体層に電気的に接触させられる。
【０２５７】
続く工程Ｓ１０４においては、ダイシングが行われる。ダイシングにより、基板、積層膜、色変換層及び電極を備える中間品が各集積体７のサイズに切断されて、１チップに個辺化され一体化された４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４を備える各集積体７が得られる。
【０２５８】
工程Ｓ１０１からＳ１０４までとは異なる工程により各集積体７が製造されてもよい。
【０２５９】
工程Ｓ１０５及びＳ１０６においては、バックプレーン５が製造される。
【０２６０】
ステップＳ１０５においては、ガラス基板の上にスイッチング素子、金属薄膜配線等が形成される。スイッチング素子、金属薄膜配線等は、半導体プロセスにより形成される。ガラス基板としては、バックライト２００に備えられるガラス基板を多数個取りすることができる大きなサイズを有するガラス基板が用いられる。
【０２６１】
続くステップＳ１０６においては、ガラス基板の上に電極が形成される。電極は、スイッチング素子、金属薄膜配線等に電気的に接続されるように形成される。
【０２６２】
工程Ｓ１０５及びＳ１０６とは異なる工程によりバックプレーン５が製造されてもよい。
【０２６３】
工程Ｓ１０７においては、ピック＆プレースが行われる。その際には、各集積体７がピック＆プレース法によりバックプレーン５の上に配置される。また、各集積体７をバックプレーン５の上に配置することが繰り返される。また、各集積体７に備えられるＬＥＤ素子の端子が、バックプレーン５に備えられる電極に電気的に接続される。
【０２６４】
バックライト２００が製造される場合は、１回のピック＆プレースにより４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４が４個の発光区画２１，２２，２３及び２４に一括して配置される。このため、バックライト２００が製造される場合は、４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４をバックプレーン５の上に配置するのに要する時間を短くすることができる。
【０２６５】
各集積体７が、ピック＆プレース法以外の配置方法によりバックプレーン５の上に配置されてもよい。各集積体７に備えられる、バッファ層、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層、電極、色変換層等を備えるＬＥＤ層のみがレーザリフトオフ法等により基板から剥離され、剥離されたＬＥＤ層がバックプレーン５の上に配置されてもよい。
【０２６６】
ＬＥＤ素子に備えられる端子は、導電性ペースト、異方性導電体膜等を用いてバックプレーン５に備えられる電極に電気的に接続される。ＬＥＤ素子に備えられる端子が、当該接続方法と異なる接続方法により電極に電気的に接続されてもよい。
【０２６７】
続く工程Ｓ１０８においては、切断が行われる。切断により、大きなサイズを有するガラス基板が１個のバックライト２００に備えられるガラス基板のサイズに切断される。ガラス基板は、スクライブ−ブレーク法により切断される。
【０２６８】
続く工程Ｓ１０９においては、フレキシブル基板及び駆動用ＩＣが実装される。これにより、バックライト２００が得られる。フレキシブル基板及び駆動用ＩＣは、異方性導電膜を介してガラス基板の上に実装される。
【０２６９】
工程Ｓ１０１からＳ１０９までが実行される順序が、上述した順序と異なってもよい。また、工程Ｓ１０１からＳ１０９までの各工程において行われる処理が、上述した処理と異なってもよい。
【０２７０】
３．７  液晶表示装置
図３９は、実施の形態２のバックライトを備えるＬＣＤを模式的に図示する斜視図である。
【０２７１】
図３９に図示されるＬＣＤ３００は、バックライト２００及び液晶パネル４００を備える。
【０２７２】
バックライト２００は、光を発する。バックライト２００は、１個の色の光を発する。バックライト２００が、複数の色の光を発してもよい。液晶パネル４００は、バックライト２００により発せられた光を変調する。これにより、ＬＣＤ３００は、画像及び映像を表示する。
【０２７３】
バックライト２００は、視認される側に配置される主面を有する。液晶パネル４００は、当該主面の上に配置される。
【０２７４】
バックライト２００は、複数の発光区画２が配置され光を発するアクティブエリアを有する。液晶パネル４００は、複数の表示画素が配置され画像及び映像が表示されるアクティブエリアを有する。バックライト２００のアクティブエリアは、液晶パネル４００のアクティブエリアのサイズと同じサイズ、又は液晶パネル４００のアクティブエリアのサイズより大きいサイズを有する。ただし、バックライト２００のアクティブエリア及び液晶パネル４００のアクティブエリアのサイズの関係が変更されてもよい。
【０２７５】
バックライト２００は、複数の発光区画２を備える。液晶パネル４００は、複数の表示画素を備える。複数の表示画素の各表示画素は、複数のサブ画素を備える。各発光区画２は、表示画素のサイズ及びサブ画素のサイズより大きなサイズを有する。各発光区画２のサイズを決定するバックライト２００のアクティブエリアの分割数は、望ましくは、液晶パネル４００に応じて最適化される。これにより、低いコントラストしか有しないＬＣＤ３００のコントラストを高くすることができ、ＬＣＤ３００により表示される画像及び映像の品位を高くすることができる。
【０２７６】
液晶パネル４００は、一般的には、保護板、プリント基板、駆動ＩＣ、スイッチング素子、薄膜配線等を備える。保護板は、液晶パネル４００の表面を保護する。プリント基板、駆動ＩＣ、スイッチング素子及び薄膜配線は、画像信号、映像信号等を取り扱う。スイッチング素子は、薄膜トランジスタ等である。液晶パネル４００が、当該構成と異なる構成を有してもよい。
【０２７７】
ＬＣＤ３００は、図示されない接合媒体を備える。接合媒体は、バックライト２００及び液晶パネル４００を互いに接合する。接合媒体は、両面テープ、接着剤等である。ＬＣＤ３００が、当該構成と異なる構成を有してもよい。
【０２７８】
ＬＣＤ３００が、バックライト２００により発せられる光の明るさを均一にするレンズを備えてもよい。レンズは、各発光区画２の配置に合わせて配置され、バックライト２００により発せられる光の明るさ、発光角度等を調整する。
【０２７９】
３．８  発光区画、自発光素子及び集積体の配置
各集積体７は、図３３から図３８までに図示されるように、４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４を備える。各集積体７は、切断線Ｉ−Ｉが延びる方向Ｘに配列され互いに電気的に分離された２列の自発光素子を備える。２列の自発光素子の各自発光素子は、切断線Ｊ−Ｊが延びる方向Ｙに配列され互いに電気的に分離された２個の自発光素子を備える。また、各集積体７は、切断線Ｊ−Ｊが延びる方向Ｙに配列され互いに電気的に分離された２行の自発光素子を備える。２行の自発光素子の各自発光素子は、切断線Ｉ−Ｉが延びる方向Ｘに配列され互いに電気的に分離された２個の自発光素子を備える。これにより、各集積体７は、方向Ｘに２列の発光区画が配列され方向Ｙに２行の発光区画が配列されるようにマトリクス状に配列された４個の発光区画２１，２２，２３及び２４にそれぞれ配置される４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４を備える。４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４を備える各集積体７の中心は、４個の発光区画２１，２２，２３及び２４が互いに接する位置と位置合わせされる。これにより、各集積体７は、４個の発光区画２１，２２，２３及び２４に跨って配置される。また、４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４の各自発光素子の４辺に含まれる２辺は、２個の発光区画２の端部２ｅに接触する。ただし、バックライト２００が製造される際のプロセス精度の影響により、４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４の位置が上述した位置からずれる場合もある。
【０２８０】
バックライト２００は、４個の発光区画２１，２２，２３及び２４、並びに４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４を備える各集積体７を、互いに重ならないように方向Ｘ及び方向Ｙに繰り返し配置することにより得られる構造を有する。
【０２８１】
集積体７内の各自発光素子（自発光素子集合体）は、駆動用ＩＣ６によって、一つの発光区画として独立して駆動され、バックライトとして機能する。４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４（自発光素子集合体）で構成される一体化された集積体７だけで４つの発光区画２１，２２，２３及び２４を構成され、図３３では、６×６のバックライトを構成している。
【０２８２】
以下では、発光区画２、自発光素子３及び集積体７の配列の具体的な実施例が説明される。
【０２８３】
（１）実施例３１
図４０は、実施の形態２の実施例３１のバックライトに備えられる１６個の発光区画を模式的に図示する平面図である。
【０２８４】
図４０に図示される１６個の表示画素は、図３３及び図３４に図示される実施の形態２のバックライト２００を切断線Ｉ−Ｉ及びＪ−Ｊの位置で切断することにより得られる。
【０２８５】
バックライト２００は、図４０に図示されるように、方向Ｘに４列の発光区画が配列され方向Ｙに４行の発光区画が配列されるようにマトリクス状に配列された１６個の発光区画２を備える。
【０２８６】
各自発光素子３は、正方形状の平面形状を有する。各自発光素子３の方向Ｘに延びる辺及び方向Ｙに延びる辺は、同じ長さを有する。各自発光素子３が、正方形状の平面形状と異なる平面形状を有してもよい。
【０２８７】
各集積体７は、図４０に図示されるように、４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４を備える。４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４は、方向Ｘに２列の自発光素子が配列され方向Ｙに２行の自発光素子が配列されるようにマトリクス状に配列される。４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４は、方向Ｘに隣接する２個の自発光素子の、各集積体７の中心寄りにある辺が互いに対向するように配列される。また、４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４は、方向Ｙに隣接する２個の自発光素子の、各集積体７の中心寄りにある辺が互いに対向するように配列される。
【０２８８】
４個の発光区画２１，２２，２３及び２４は、特定の方向Ｘに配列され互いに隣接する２個の発光区画２１及び２２を含む。２個の発光区画２１及び２２にそれぞれ備えられ同じ色の光を発する自発光素子３１及び３２は、特定の方向Ｘに第１のピッチＤ１で配列される。このため、各集積体７に備えられる４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４は、第１のピッチＤ１で特定の方向Ｘに配列され同じ色の光を発する２個の自発光素子３１及び３２を含む。第１のピッチＤ１は、各自発光素子３の一辺の長さに一致する。また、複数の集積体７は、特定の方向Ｘに配列され互いに隣接する２個の集積体７１及び７２を含む。２個の集積体７１及び７２は、第１のピッチＤ１より大きい第２のピッチＤ２で特定の方向Ｘに配列され同じ色の光を発する２個の自発光素子３２及び３１をそれぞれ備える。
【０２８９】
４個の発光区画２１，２２，２３及び２４は、特定の方向Ｙに配列され互いに隣接する２個の発光区画２１及び２３を含む。２個の発光区画２１及び２３にそれぞれ備えられ同じ色の光を発する自発光素子３１及び３３は、特定の方向Ｙに第１のピッチＤ１で配列される。このため、各集積体７に備えられる４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４は、第１のピッチＤ１で特定の方向Ｙに配列され同じ色の光を発する２個の自発光素子３１及び３３を含む。第１のピッチＤ１は、各自発光素子３の一辺の長さに一致する。また、複数の集積体７は、特定の方向Ｙに配列され互いに隣接する２個の集積体７１及び７３を含む。２個の集積体７１及び７３は、第１のピッチＤ１より大きい第２のピッチＤ２で特定の方向Ｙに配列され同じ色の光を発する２個の自発光素子３３及び３１をそれぞれ備える。
【０２９０】
４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４は、特定の方向Ｘについて、第１のピッチで配列される。複数の集積体７は、特定の方向Ｘについて、第１のピッチより大きい第２のピッチで配列される。
【０２９１】
また、４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４は、特定の方向Ｙについて、第１のピッチで配列される。複数の集積体７は、特定の方向Ｙについて、第１のピッチより大きい第２のピッチで配列される。
【０２９２】
方向Ｘについての第１のピッチＤ１及び第２のピッチＤ２は、方向Ｙについての第１のピッチＤ１及び第２のピッチＤ２とそれぞれ同じである。このため、各発光区画２は、正方形状の平面形状を有する。ただし、方向Ｘについての第１のピッチＤ１及び第２のピッチＤ２が、方向Ｙについての第１のピッチＤ１及び第２のピッチＤ２とそれぞれ同じでなくてもよい。したがって、各発光区画２が正方形状の平面形状を有しなくてもよい。例えば、各発光区画２が、長方形状の平面形状、多角形状の平面形状、円弧を含む輪郭を有する平面形状等を有してもよい。各発光区画２の平面形状は、バックライト２００の設計に応じて決定される。
【０２９３】
４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４の辺の長さは、同じである。ただし、４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４の辺の長さが互いに異なってもよい。
【０２９４】
４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４の寸法が例示された寸法と異なる場合においても、４個の発光区画２１，２２，２３及び２４と、当該４個の発光区画２１，２２，２３及び２４に隣接する４個の発光区画２１，２２，２３及び２４と、の間において、方向Ｘ及び方向Ｙの各方向に同じ色の光を発する自発光素子３が互いに異なる複数のピッチＤ１及びＤ２で配列されることにより、本開示の効果が発揮される。すなわち、４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４を４個の発光区画２１，２２，２３及び２４に一括して配置することができ、バックライト２００を製造するのに要する時間を短くすることができる。
【０２９５】
（２）実施例３２−３４
図４１から図４３までは、それぞれ、実施の形態２の実施例３２−３４のバックライトに備えられる１６個の発光区画を模式的に図示する平面図である。
【０２９６】
図４１から図４３までの各図に図示される１６個の発光区画は、図３３及び図３４に図示される実施の形態２のバックライト２００を切断線Ｉ−Ｉ及びＪ−Ｊの位置で切断することにより得られる。
【０２９７】
実施例３２は、図４１に図示されるように、４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４に含まれる互いに隣接する２個の自発光素子３１及び３２が隙間８を挟んで互いに離れている点で、実施例３１と相違する。隙間８は、発光区画２１及び２２の端部２ｅにある。互いに隣接する２個の自発光素子３３及び３４、互いに隣接する２個の自発光素子３１及び３３、並びに互いに隣接する２個の自発光素子３２及び３４についても、同様のことがいえる。隙間８によれば、バックライト２００を備えるＬＣＤにより表示される画像及び映像により制御される、各自発光素子３により光が発せられる領域の境界を明確にすることができ、ＬＣＤにより表示される画像及び映像の品位を高くすることができる。隙間８の寸法は、バックライト２００の設計に応じて決定される。
【０２９８】
実施例３３は、図４２に図示されるように、４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４に含まれる互いに隣接する２個の自発光素子３１及び３２が隙間８を挟んで互いに離れている点で、実施例３１と相違する。隙間８は、発光区画２１及び２２の端部２ｅにある。互いに隣接する２個の自発光素子３３及び３４についても、同様のことがいえる。隙間８によれば、バックライト２００を備えるＬＣＤにより表示される画像及び映像により制御される、各自発光素子３により光が発せられる領域の境界を明確にすることができ、ＬＣＤにより表示される画像及び映像の品位を高くすることができる。隙間８の寸法は、バックライト２００の設計に応じて決定される。
【０２９９】
実施例３４は、図４３に図示されるように、４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４に含まれる互いに隣接する２個の自発光素子３１及び３３が隙間８を挟んで互いに離れている点で、実施例３１と相違する。隙間８は、発光区画２１及び２３の端部２ｅにある。互いに隣接する２個の自発光素子３２及び３４についても、同様のことがいえる。隙間８によれば、バックライト２００を備えるＬＣＤにより表示される画像及び映像により制御される、各自発光素子３により光が発せられる領域の境界を明確にすることができ、ＬＣＤにより表示される画像及び映像の品位を高くすることができる。隙間８の寸法は、バックライト２００の設計に応じて決定される。
【０３００】
各発光区画２に２個以上の自発光素子３が配置される場合は、２個以上の自発光素子３に含まれる隣接する２個の自発光素子３が隙間を挟んで互いに離れていてもよい。当該隙間によっても、バックライト２００を備えるＬＣＤにより表示される画像及び映像により制御される、各自発光素子３により光が発せられる領域の境界を明確にすることができ、ＬＣＤにより表示される画像及び映像の品位を高くすることができる。隙間の寸法は、バックライト２００の設計に応じて決定される。
【０３０１】
実施例３２−３４における第１のピッチＤ１と第２のピッチＤ２との関係、４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４の特定の方向Ｘの第１のピッチと複数の集積体７の特定の方向Ｘの第２のピッチとの関係、並びに４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４の特定の方向Ｙの第１のピッチと複数の集積体７の特定の方向Ｙの第２のピッチとの関係は、実施例３１におけるそれらと同じである。
【０３０２】
実施例３２−３４においても、４個の発光区画２１，２２，２３及び２４と、当該４個の発光区画２１，２２，２３及び２４に隣接する４個の発光区画２１，２２，２３及び２４と、の間において、方向Ｘ及び方向Ｙの各方向に同じ色の光を発する自発光素子３が互いに異なる複数のピッチＤ１及びＤ２で配列されることにより、本開示の効果が発揮される。すなわち、４個の自発光素子３１，３２，３３及び３４を４個の発光区画２１，２２，２３及び２４に一括して配置することができ、バックライト２００を製造するのに要する時間を短くすることができる。
【０３０３】
（３）参考例
図４４は、参考例のバックライトに備えられる１６個の発光区画を模式的に図示する平面図である。
【０３０４】
参考例のバックライトにおいては、図４４に図示されるように、各自発光素子３が、複数の自発光素子３の配列、寸法等によらず、各発光区画２の中央部に配置され、各発光区画２の端部２ｅに接触しない。
【０３０５】
参考例のバックライトにおいては、４個の発光区画２と、当該４個の発光区画２に隣接する４個の発光区画２と、の間において、方向Ｘ及び方向Ｙの各方向に、同じ色の光を発する自発光素子３がひとつのピッチＤ１で配列される。
【０３０６】
参考例のバックライトが製造される場合には、４個の発光区画２に配置される４個の自発光素子３をバックプレーン５の上に配置するためには、４回のピック＆プレースが必要である。このため、参考例のバックライトを製造するのに要する時間は、長くなる。また、参考例のバックライトを製造するのに要するコストは、高くなる。
【０３０７】
実施例３１−３４のバックライト２００及び参考例のバックライトにおける、方向Ｘについての異なる色の光を発する自発光素子３のピッチ及び同じ色の光を発する自発光素子３のピッチ、並びに方向Ｙについての異なる色の光を発する自発光素子３のピッチ及び同じ色の光を発する自発光素子のピッチ３の数を表３に示す。
【０３０８】
【表３】
0006768992.tif 000004
【０３０９】
参考例のバックライト２００においては、方向Ｘについての同じ色の光を発する自発光素子３のピッチは、１種類のみである。また、方向Ｙについての同じ色の光を発する自発光素子３のピッチも、１種類のみである。
【０３１０】
これに対して、実施例３１−３４のバックライト２００においては、方向Ｘについての同じ色の光を発する自発光素子３のピッチは、２種類である。また、方向Ｙについての同じ色の光を発する自発光素子３のピッチも、２種類である。
【０３１１】
（４）実施例３５−３７
図４５から図４７までは、それぞれ、実施の形態２の実施例３５−３７のバックライトを模式的に図示する平面図である。
【０３１２】
実施例３５は、図４５に図示されるように、互いに異なる３色の光をそれぞれ発する３個の自発光素子３ａ，３ｂ及び３ｃが各発光区画２に配置される点で、実施例３１と相違する。つまり、本実施例では、互いに異なる３色の光をそれぞれ発する３個の自発光素子３ａ，３ｂ及び３ｃを用いて、バックライトに必要な白色光を発光させたり、特定の色の光を発光させたりすることができる。
【０３１３】
実施例３６は、図４６に図示されるように、互いに異なる４個の色の光をそれぞれ発する４個の自発光素子３ａ，３ｂ，３ｃ及び３ｄが各発光区画２に配置される点で、実施例３１と相違する。つまり、本実施例では、互いに異なる３色の光をそれぞれ発する３個の自発光素子３ａ，３ｂ及び３ｃを用いて、バックライトに必要な白色光を発光させたり、特定の色の光を発光させたりすることができる。
【０３１４】
実施例３７は、図４７に図示されるように、同じ色の光を発する３個の自発光素子３ａ，３ｂ及び３ｃが各発光区画２に配置される点で、実施例３１と相違する。つまり、本実施例では、同じ色の光を発する３個の自発光素子３ａ，３ｂ及び３ｃが各発光区画２に配置されることで、同一発光区画内の自発光素子を個々に制御することができる。
【０３１５】
なお、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【０３１６】
実施の形態は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての局面において、例示であって、実施の形態がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、想定され得るものと解される。
【符号の説明】
【０３１７】
１００  自発光表示装置、２００  バックライト、２  表示画素、２  発光区画、３  サブ画素、３  自発光素子。
【要約】
表示装置用自発光体を製造するのに要する時間を短くする。表示装置用自発光体は、バックプレーン及び複数の集積体を備える。複数の集積体は、バックプレーンの上に配置される。各集積体は、一体化された複数の自発光素子を備える。各集積体内の複数の自発光素子は、第１のピッチで配列され同じ色の光を発する少なくとも２個の自発光素子を含む。複数の集積体は、互いに隣接する第１の集積体と第２の集積体を含む。第１の集積体の自発光素子と、第１の集積体の自発光素子と同じ色の光を発する第２の集積体の自発光素子とは、第１のピッチより大きい第２のピッチで配列される。【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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