(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチング対象面を有するエッチング対象物を、前記エッチング対象面が鉛直方向と交叉する姿勢で所定の搬送方向へ移動するように、装置本体の搬送経路に沿って上流側から下流側へ搬送する搬送手段と、
前記搬送経路の上方又は下方で前記装置本体側に固定されて前記搬送方向に並び、前記搬送方向へ搬送される前記エッチング対象物の前記エッチング対象面へ向けてエッチング液を噴射する複数のスプレーノズルと、
前記複数のスプレーノズルに含まれる１つの遮蔽対象ノズルの上流側で且つ前記遮蔽対象ノズルと前記搬送経路との間で前記遮蔽対象ノズルから離間して前記装置本体側に固定され、前記遮蔽対象ノズルから噴射されるエッチング液の前記エッチング対象面における液噴射範囲を前記上流側で部分的に遮蔽して制限する上流側の噴射範囲制限手段と、
前記遮蔽対象ノズルの下流側で且つ前記遮蔽対象ノズルと前記搬送経路との間で前記装置本体側に固定され、前記遮蔽対象ノズルから噴射されるエッチング液の前記エッチング対象面における前記液噴射範囲を前記下流側で部分的に遮蔽して制限する下流側の噴射範囲制限手段と、を備え、
前記上流側及び前記下流側の噴射範囲制限手段は、前記搬送方向に沿った長さが非遮蔽状態よりも短縮された液噴射有効範囲に前記液噴射範囲を制限する
ことを特徴とするエッチング装置。
【請求項２】
請求項１に記載のエッチング装置であって、
前記液噴射有効範囲の前記搬送方向に沿った長さは、１０ｍｍ以上６０ｍｍ以下である
ことを特徴とするエッチング装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のエッチング装置であって、
前記遮蔽対象ノズルは、前記搬送経路の上方に配置され、
前記上流側及び前記下流側の噴射範囲制限手段の少なくとも一方は、前記エッチング対象面からエッチング液を吸引して除去する吸引手段を有する
ことを特徴とするエッチング装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３の何れか１項に記載のエッチング装置であって、
前記遮蔽対象ノズルは、前記搬送方向と交叉する所定方向に沿って直線状に並んで複数設けられ、
前記上流側の噴射範囲制限手段は、前記所定方向に沿って延び、前記複数の遮蔽対象ノズルに対応する複数の前記液噴射範囲の各々を前記上流側で部分的に遮蔽して制限し、
前記下流側の噴射範囲制限手段は、前記上流側の噴射範囲制限手段の前記下流側で前記上流側の噴射範囲制限手段から離間して前記所定方向に沿って延び、前記複数の前記液噴射範囲の各々を前記下流側で部分的に遮蔽して制限する
ことを特徴とするエッチング装置。
【請求項５】
請求項１〜請求項４の何れか1項に記載のエッチング装置であって、
前記複数のスプレーノズルは、前記遮蔽対象ノズルとして、前記搬送方向に並ぶ上流側の第１遮蔽対象ノズルと下流側の第２遮蔽対象ノズルとを含み、
前記上流側の噴射範囲制限手段と前記下流側の噴射範囲制限手段とは、前記第１遮蔽対象ノズルと前記第２遮蔽対象ノズルとに対応してそれぞれ設けられ、
前記第１遮蔽対象ノズルに対応して設けられる前記下流側の噴射範囲制限手段は、前記第２遮蔽対象ノズルに対応して設けられる前記上流側の噴射範囲制限手段としても機能する
ことを特徴とするエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エッチング装置に関し、特にプリント配線板を製造する工程において、基板上の被加工導電層をパターンエッチングして配線部をパターン形成するエッチング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体等の部品が実装されるプリント配線板（基板）の表面に微細なパターンの配線部を形成するエッチング装置として、スプレーノズルから基板上にエッチング液を噴射する装置が広く用いられている。銅箔上には予めマスク層であるレジスト膜がパターン形成されており、レジスト膜で保護されていない銅箔にエッチング液が接触することによって、銅箔がパターン加工される。
【０００３】
また、特許文献１には、スライド式の遮蔽板を設けたスプレーエッチング装置が記載されている。遮蔽板は、金属基材を覆う幅を持ち、その一方の端辺がエッチングチャンバー内の金属基材搬入口側付近と接続し、他方の端辺が金属基材搬送方向に適宜平行移動可能に、エッチングチャンバー内の金属基板とスプレーノズルとの間に設けられる。遮蔽板が展張した領域で金属基材へのエッチング液の接触を妨げることにより、金属基材のエッチング時間の調整が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−３６６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
スプレーノズルから基板上にエッチング液を噴射してエッチングを行うエッチング装置では、スプレーノズルから噴射されたエッチング液が基板の表面に当たることによってエッチングされるだけでなく、噴射されたエッチング液が基板の表面上を流れることによってもエッチングされる。
【０００６】
基板は所定の搬送方向へ連続して搬送され、スプレーノズルから噴射され基板の表面に当たったエッチング液は、基板（エッチング対象面）上を搬送方向の上流側及び下流側（前後方向）に拡がるため、Ｅ／Ｆ（エッチファクター）を悪化させる可能性がある。
【０００７】
なお、特許文献１には、金属基材へのエッチング液の接触を妨げる遮蔽板が記載されているが、この遮蔽板は、金属基材搬送方向に平行移動して展張し、複数のスプレーノズルから噴射されるエッチング液のスプレー範囲の全域に対して上流側の一部を遮蔽するものであるため、各スプレーノズルから噴射されたエッチング液のエッチング対象面上での前後方向への拡がりを抑制することはできない。
【０００８】
そこで、本発明は、スプレーノズルから噴射されたエッチング液のエッチング対象面上での前後方向の拡がりを抑制して好適なＥ／Ｆを得ることが可能なエッチング装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成すべく、本発明の第１の態様に係るエッチング装置は、搬送手段と、スプレーノズルと、上流側の噴射範囲制限手段と、下流側の噴射範囲制限手段と、を備える。
【００１０】
搬送手段は、エッチング対象面を有するエッチング対象物を、エッチング対象面が鉛直方向と交叉する姿勢（例えば、略水平な姿勢）で所定の搬送方向（例えば、所定の水平方向）へ移動するように、装置本体の搬送経路に沿って上流側から下流側へ搬送する。スプレーノズルは、搬送経路の上方又は下方で装置本体側に固定され、搬送方向へ搬送されるエッチング対象物のエッチング対象面へ向けてエッチング液を噴射する。
【００１１】
上流側の噴射範囲制限手段は、スプレーノズルの上流側で且つスプレーノズルと搬送経路との間でスプレーノズルから離間して装置本体側に固定され、スプレーノズルから噴射されるエッチング液のエッチング対象面における液噴射範囲を上流側で部分的に遮蔽して制限する。下流側の噴射範囲制限手段は、スプレーノズルの下流側で且つスプレーノズルと搬送経路との間でスプレーノズルから離間して装置本体側に固定され、スプレーノズルから噴射されるエッチング液のエッチング対象面における液噴射範囲を下流側で部分的に遮蔽して制限する。上流側及び下流側の噴射範囲制限手段は、搬送方向に沿った長さ（前後長さ）が非遮蔽状態よりも短縮された液噴射有効範囲に液噴射範囲を制限する。
【００１２】
上流側及び下流側の噴射範囲制限手段によって制限される液噴射有効範囲の搬送方向に沿った長さ（前後長さ）は、１０ｍｍ以上６０ｍｍ以下が好適である。
【００１３】
上記構成では、スプレーノズルから噴射されるエッチング液のエッチング対象面における液噴射範囲は、遮蔽されない非遮蔽状態よりも前後長さが短縮された液噴射有効範囲に制限されるので、非遮蔽状態に比べて、スプレーノズルから噴射されたエッチング液のエッチング対象面上での前後方向の拡がり（前後方向へのエッチング液の流れの勢い）が抑制され、好適なＥ／Ｆを得ることができる。
【００１４】
特に、液噴射有効範囲の前後長さを１０ｍｍ以上６０ｍｍ以下に設定することにより、好適なＥ／Ｆを効率良く得ることができる。
【００１５】
本発明の第２の態様は、第１の態様のエッチング装置であって、スプレーノズルは、搬送経路の上方に配置される。上流側及び下流側の噴射範囲制限手段の少なくとも一方は、エッチング対象面からエッチング液を吸引して除去する吸引手段を有する。
【００１６】
上記構成では、上流側及び下流側の噴射範囲制限手段の少なくとも一方に設けられた吸引手段によって、エッチング対象面からエッチング液が吸引して除去されるので、スプレーノズルを搬送経路の上方に配置してエッチング液を下方へ吹き付ける場合において、スプレーノズルから噴射されたエッチング液のエッチング対象面上での前後方向の拡がりを確実に抑制することができる。
【００１７】
本発明の第３の態様は、第１又は第２の態様のエッチング装置であって、スプレーノズルは、搬送方向と交叉する所定方向（例えば、搬送方向と略直交する方向）に沿って直線状に並んで複数設けられる。上流側の噴射範囲制限手段は、上記所定方向に沿って延び、複数のスプレーノズルに対応する複数の液噴射範囲の各々を上流側で部分的に遮蔽して制限する。下流側の噴射範囲制限手段は、上流側噴射範囲制限手段の下流側で上流側噴射範囲制限手段から離間して上記所定方向に沿って延び、複数のスプレーノズルに対応する複数の液噴射範囲の各々を下流側で部分的に遮蔽して制限する。
【００１８】
上記構成では、直線状に並ぶ複数のスプレーノズルに対して上流側及び下流側の噴射範囲制限手段を設ければよいので、装置の簡素化を図ることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、スプレーノズルから噴射されたエッチング液のエッチング対象面上での前後方向の拡がりを抑制して好適なＥ／Ｆを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態に係るエッチング装置を模式的に示す概略構成図である。
【図２】エッチング処理を説明するためのプリント配線板の拡大断面図であり、（ａ）は絶縁性の基板の両面に導電層を形成した状態を、（ｂ）は導電層の上層にレジスト膜をパターン形成した状態を、（ｃ）は導電層をレジスト膜のパターンに沿ってエッチングし、配線部をパターン形成した状態をそれぞれ示す。
【図３】複数のスプレーノズルと遮蔽板との位置関係を示す平面図である。
【図４】複数のスプレーノズルと遮蔽板との位置関係を示す側面図である。
【図５】Ｅ／Ｆの説明図である。
【図６】上側の遮蔽板に代えて吸引ユニットを用いた場合のエッチング装置を模式的に示す概略構成図である。
【図７】複数のスプレーノズルと吸引ユニットとの位置関係を示す側面図である。
【図８】液噴射有効範囲の前後長さとＥ／Ｆとの関係を示すグラフである。
【図９】液噴射有効範囲の前後長さとエッチング時間との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２２】
まず、本実施形態のエッチング装置を適用するプリント配線板の製造方法の概要について、図２の断面図を参照して説明する。
【００２３】
図２（ａ）に示すように、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂やその他の樹脂などからなる絶縁性の基板（エッチング対象物）１の両面に、例えば銅箔などの導電層（被エッチング層）２を数μｍ〜数１０μｍの膜厚で形成する。導電層２を形成する方法は、張り付け、めっき、気相成長など、どのような方法でも可能であり、基板１の両面がエッチング対象面となる。
【００２４】
次に、図２（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー工程（ドライフィルムレジストや液状レジストなど）によって導電層２の上層にレジスト膜３を成膜し、パターン露光し、現像処理を行うことによって、導電層２の上層にレジスト膜３をパターン形成する。レジスト膜３の形成処理は、基板１の両面に対してそれぞれ行われる。
【００２５】
次に、図２（ｃ）に示すように、基板１の両面上の導電層２に対してレジスト膜３をマスクとしたエッチング処理を施す。すなわち、導電層２をレジスト膜３のパターンに沿ってエッチングし、配線部２ａをパターン形成する。
【００２６】
配線部２ａをパターン形成した後、例えば、強アルカリ溶液または有機溶剤処理などによりレジスト膜３を剥離する。これにより、所望のプリント配線板が形成される。
【００２７】
上記のレジスト膜３をマスクとした導電層２に対するエッチング処理は、本実施形態に係るエッチング装置１０を用いて行うことができる。図１は、本実施形態に係るエッチング装置１０を模式的に示す概略構成図である。
【００２８】
図１に示すように、エッチング装置１０は、装置本体１２と、搬送ローラ（搬送手段）１６と、複数のスプレーノズル２０と、複数の遮蔽板（噴射範囲制限手段）１７（１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ）とを備え、装置本体１２はエッチング処理室１１を区画形成する。なお、基板１は、所定の大きさに切断された平板材であってもよく、長尺なフープ材であってもよい。
【００２９】
エッチング処理室１１内には、一側（図１中左側）の入口１４から他側（図１中右側）の出口１５に向かって水平直線状に延びる搬送経路１３が設定され、この搬送経路１３に複数の搬送ローラ１６が設けられている。搬送ローラ１６は、レジスト膜３がパターン形成された基板１を、一面（上面）が略鉛直上方を向き他面（下面）が略鉛直下方を向く略水平状に保持して、搬送経路１３（搬送方向１８）に沿って上流側から下流側へ略水平に搬送する。なお、以下の説明において、前方は搬送方向１８の下流方向を、後方は搬送方向１８の上流方向を、左右方向は搬送方向１８と略直交する略水平方向をそれぞれ意味する。
【００３０】
エッチング処理室１１内の上部領域には、複数個のスプレーノズル２０が、搬送経路１３の上方及び下方にそれぞれ配列して設けられている。各スプレーノズル２０は、ブラケット（図示省略）を介して装置本体１２側に固定される。
【００３１】
複数の遮蔽板１７は、各スプレーノズル２０の上流側及び下流側で且つスプレーノズル２０と搬送経路１３との間で、搬送経路１３の上側及び下側にスプレーノズル２０から離間して配置され、ブラケット（図示省略）を介して装置本体１２側に固定される。
【００３２】
搬送経路１３の下方のエッチング処理室１１内の底部には、塩化第二銅、塩化第二鉄又はアルカリ性物質をベースとしたエッチング液５が貯留される。各スプレーノズル２０には、エッチング処理室１１内に貯留したエッチング液５を供給するエッチング液供給管路２１が接続されている。エッチング液供給管路２１にはポンプ２２とフィルタ２４と圧力計２３とが設けられ、エッチング処理室１１内のエッチング液５は、ポンプ２２からフィルタ２４によって濾過された後、所定圧で各スプレーノズル２０に供給される。スプレーノズル２０へのエッチング液の供給圧は、圧力計２３によって計測される。
【００３３】
図３に示すように、上側の複数のスプレーノズル２０は、略平行な複数の列２５の各列２５上に所定間隔をおいて配置される。各列２５は、搬送経路１３（搬送方向１８）と交叉する所定方向（本実施形態では略直交する略水平方向）に沿って延び、搬送方向１８に略等間隔に離間する。上側と同様に、下側の複数のスプレーノズル２０も、略平行な複数の列の各列上に所定間隔をおいて配置される。各列は、搬送経路１３（搬送方向１８）と交叉する所定方向（本実施形態では略直交する略水平方向）に沿って延び、搬送方向１８に略等間隔に互いに離間する。
【００３４】
１つの列２５上で互いに隣接するスプレーノズル２０間の距離（左右距離）Ｄ１と、搬送経路１３（搬送方向１８）に沿って前後に隣接する２つの列２５間の距離（前側の列２５のスプレーノズル２０と後側の列２５のスプレーノズル２０との前後距離）Ｄ２とは、各左右距離Ｄ１同士が略等しく設定されるとともに、各前後距離Ｄ２同士が略等しく設定され、複数のスプレーノズル２０は、格子状に並ぶ。なお、複数のスプレーノズル２０を格子状以外（例えば千鳥状など）に配置してもよい。
【００３５】
図３及び図４に示すように、スプレーノズル２０は、エッチング液を噴射口３０から所定形状（本実施形態では円錐状）に噴射し、噴射口３０からの射出方向（ノズル射出方向）は、基板１の表面（上面又は下面）と交叉（本実施形態では略直交）する。噴射口３０からの射出方向と基板１の表面との交点（噴射対象点）３１が、個々のスプレーノズル２０から単独でエッチング液が噴射された場合に基板１の表面上に形成される設計上の液噴射範囲（スプレーパターン）３２の中心となり、液噴射範囲３２は、噴射対象点３１を中心とした円形状となる。また、全てのスプレーノズル２０は、同一性能を有する同じノズルであり、１つの列２５上に配置される複数のスプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の基板１の表面上の各液噴射範囲３２は、左右に互いに重なり合う。
【００３６】
各遮蔽板１７は、左右に長い平板状の部材であり、搬送経路１３（搬送方向１８）と交叉する所定方向（本実施形態では略直交する略水平方向）に沿って延びる。各遮蔽板１７は、スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の液噴射範囲３２のうち搬送経路１３の上流側の外縁部又は下流側の外縁部の少なくとも一方を含む範囲を部分的に遮蔽するようにスプレーノズル２０と搬送経路１３との間に配置され、装置本体１２側に固定される。
【００３７】
各遮蔽板１７は、搬送経路１３から遮蔽部材１４までの距離がスプレーノズル２０から遮蔽部材１４までの距離よりも短くなるように、スプレーノズル２０と搬送経路１３との間の中央位置よりも搬送経路１３側に配置されている。本実施形態の遮蔽板１７は、基板１の表面に近接して配置される。
【００３８】
上側及び下側の遮蔽板１７は、入口側の遮蔽板１７Ａと出口側の遮蔽板１７Ｂと所定数（図１の例では６枚）の中間の遮蔽板１７Ｃとからそれぞれ構成される。
【００３９】
入口側の遮蔽板１７Ａは、最も入口側の列２５のスプレーノズル２０の上流側に配置され、各スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の各液噴射範囲３２のうち上流側の外縁部を含む範囲を部分的に遮蔽する。出口側の遮蔽板１７Ｂは、最も出口側の列２５のスプレーノズル２０の下流側に配置され、各スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の各液噴射範囲３２のうち下流側の外縁部を含む範囲を部分的に遮蔽する。
【００４０】
中間の遮蔽板１７Ｃは、互いに隣接する上流側及び下流側の２列２５，２５のスプレーノズル２０の列間に配置され、上流側の各スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の各液噴射範囲３２のうち下流側の外縁部を含む範囲を部分的に遮蔽するとともに、下流側の各スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の各噴射領域３２のうち上流側の外縁部を含む範囲を部分的に遮蔽する。
【００４１】
このように、最も入口側の列２５のスプレーノズル２０から噴射されたエッチング液の各液噴射範囲３２では、上流側の外縁部を含む範囲が入口側の遮蔽板１７Ａによって遮蔽され、下流側の外縁部を含む領域が中間の遮蔽板１７Ｃによって遮蔽される。中間の列２５のスプレーノズル２０から噴射されたエッチング液の各液噴射範囲３２では、上流側の外縁部を含む範囲と下流側の外縁部を含む範囲とが、左右の中間の遮蔽板１７Ｃによってそれぞれ遮蔽される。最も出口側の列２５のスプレーノズル２０から噴射されたエッチング液の各液噴射範囲３２では、上流側の外縁部を含む範囲が中間の遮蔽板１７Ｃによって遮蔽され、下流側の外縁部を含む領域が出口側の遮蔽板１７Ｂによって遮蔽される。
【００４２】
すなわち、入口側の遮蔽板１７Ａと中間の遮蔽板１７Ｃとは、スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の基板１の表面における液噴射範囲３２を上流側で部分的に遮蔽して制限する上流側の噴射範囲制限手段として機能し、出口側の遮蔽板１７Ｂと中間の遮蔽板１７Ｃとは、スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の基板１の表面における液噴射範囲３２を下流側で部分的に遮蔽して制限する下流側の噴射範囲制限手段として機能する。
【００４３】
各スプレーノズル２０の上流側及び下流側の遮蔽板１７は、当該スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の基板１の表面における液噴射範囲３２を、搬送方向１８に沿った長さ（前後長さ）Ｌが非遮蔽状態よりも短縮された液噴射有効範囲に制限する。液噴射有効範囲の前後長さＬは、前後方向に隣接する遮蔽板１７間の距離と略等しく、前後長さＬの値は、１０ｍｍ以上６０ｍｍ以下の所定値に設定されている。また、各遮蔽板１７は、液噴射有効範囲の前後長さＬの略中央とスプレーノズル２０から噴射されたエッチング液の噴射対象点３１とが略一致するように（液噴射範囲３２の上流側と下流側とを同等に制限するように）配置されている。
【００４４】
遮蔽板１７を設けることにより、スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の基板１の表面における液噴射範囲３２は、遮蔽されない非遮蔽状態よりも前後長さＬが短縮された液噴射有効範囲に制限されるので、非遮蔽状態に比べて、スプレーノズル２０から噴射されたエッチング液の基板１の表面上での前後方向の拡がり（前後方向へのエッチング液の流れの勢い）が抑制され、品質上好適なエッチファクター（Ｅ／Ｆ）を得ることができる。ここで、Ｅ／Ｆとは、図５に示すように、被エッチング層２の横方向のエッチ量（アンダカット量）に対するエッチング深さ（被エッチング層２の厚さ）の比率（Ｅ／Ｆ＝２×Ｈ／（Ａ−Ｂ））であり、数値が大きいほど品質上好適である。遮蔽板１７によってエッチング液の基板１の表面上での前後方向の拡がりが抑制されると、配線部２ａの上側部分（基板１から最も離れたスプレーノズル２０側の部分）４のエッチングの進行が抑制（図５中のＡの増大が抑制）されるため、良好なＥ／Ｆを得ることができる。
【００４５】
次に、本実施形態の変形例に係るエッチング装置４０について、図６及び図７を参照して説明する。
【００４６】
この変形例は、上側の遮蔽板１７に代えて、複数の吸引ユニット（吸引バー）５０Ａ，５０Ｂを設けたものであり、上記実施形態と共通する構成については、同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。なお、搬送経路１３の下側には、下側の複数の遮蔽板１７が上記実施形態と同様に設けられる。
【００４７】
図６及び図７に示すように、搬送経路１３の上方には、各列２５（図３参照）の複数のスプレーノズル２０に対して、上流側（後側）の吸引ユニット５０Ａと下流側（前側）の吸引ユニット５０Ｂとがそれぞれ設けられる。上流側（後側）の吸引ユニット５０Ａは、スプレーノズル２０の上流側で且つスプレーノズル２０と搬送経路１３との間で、搬送経路１３の上側にスプレーノズル２０から離間して配置され、ブラケット（図示省略）を介して装置本体１２側に固定される。下流側（前側）の吸引ユニット５０Ｂは、スプレーノズル２０の下流側で且つスプレーノズル２０と搬送経路１３との間で、搬送経路１３の上側にスプレーノズル２０から離間して配置され、ブラケット（図示省略）を介して装置本体１２側に固定される。
【００４８】
各吸引ユニット５０Ａ，５０Ｂは、左右に長い長尺状であり、搬送経路１３（搬送方向１８）と交叉する所定方向（本実施形態では略直交する略水平方向）に沿って延びる。上流側の吸引ユニット５０Ａのユニット本体５５は、スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の液噴射範囲３２（図３参照）のうち搬送経路１３の上流側の外縁部を含む範囲を部分的に遮蔽するようにスプレーノズル２０と搬送経路１３との間に配置されている。下流側の吸引ユニット５０Ｂのユニット本体５５は、スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の液噴射範囲３２のうち搬送経路１３の下流側の外縁部を含む範囲を部分的に遮蔽するようにスプレーノズル２０と搬送経路１３との間に配置されている。
【００４９】
各吸引ユニット５０Ａ，５０Ｂのユニット本体５５は、基板１の左右方向の全幅に亘って搬送経路１３と略直交する方向に略水平状に延びる吸引パイプ（図示省略）と、吸引パイプの外周面（下面）に形成され搬送経路１３に向かって開口する複数のスリット状の吸引ノズル（図示省略）とを備え、基板１の上面に近接して配置される。吸引ノズルは、スプレーノズル２０から噴射されて基板１の上面に吹き付けられたエッチング液を吸引して除去する。なお、ユニット本体５５は、吸引パイプの上方を覆うユニットカバーを備えてもよい。
【００５０】
各吸引パイプは、循環管路５４の途中に設けられたエジェクタ５２の吸引口５２ａに、吸引管路５１を介して接続されている。循環管路５４は、両端がエッチング処理室１１内と連通し、途中に循環ポンプ５３が設けられ閉回路である。循環ポンプ５３は、エッチング処理室１１内のエッチング液５を汲み出し、エジェクタ５２で圧力を加えた状態として、再びエッチング処理室１１へ戻す。循環管路５４を循環するエッチング液は、エジェクタ５２を通過する際に、エジェクタ５２の吸引口５２ａを負圧とするため、基板１の上面に吹き付けられたエッチング液は、吸引ノズルから吸引管路５１を通って吸引される。
【００５１】
このように、上流側の吸引ユニット５０Ａのユニット本体５５（本実施形態では吸引パイプ）は、スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の基板１の表面における液噴射範囲３２を上流側で部分的に遮蔽して制限する上流側の噴射範囲制限手段として機能し、下流側の吸引ユニット５０Ｂのユニット本体５５（本実施形態では吸引パイプ）は、スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の基板１の表面における液噴射範囲３２を下流側で部分的に遮蔽して制限する下流側の噴射範囲制限手段として機能する。また、上流側及び下流側の吸引ユニット５０Ａ，５０Ｂは、基板１の表面からエッチング液を吸引して除去する吸引手段として機能する。
【００５２】
各スプレーノズル２０の上流側及び下流側の吸引ユニット５０Ａ，５０Ｂは、当該スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の基板１の表面における液噴射範囲３２を、搬送方向１８に沿った前後長さＬが非遮蔽状態よりも短縮された液噴射有効範囲に制限する。液噴射有効範囲の前後長さＬは、上流側の吸引ユニット５０Ａと下流側の吸引ユニット５０Ｂの間の距離と略等しく、前後長さＬの値は、１０ｍｍ以上６０ｍｍ以下の所定値に設定されている。また、各吸引ユニット５０Ａ，５０Ｂは、液噴射有効範囲の前後長さＬの略中央とスプレーノズル２０から噴射されたエッチング液の噴射対象点３１とが略一致するように（液噴射範囲３２の上流側と下流側とを同等に制限するように）配置されている。
【００５３】
吸引ユニット５０Ａ，５０Ｂを設けることにより、スプレーノズル２０から噴射されるエッチング液の基板１の表面における液噴射範囲３２は、遮蔽されない非遮蔽状態よりも前後長さＬが短縮された液噴射有効範囲に制限されるので、非遮蔽状態に比べて、スプレーノズル２０から噴射されたエッチング液の基板１の表面上での前後方向の拡がり（前後方向へのエッチング液の流れの勢い）が抑制され、品質上好適なエッチファクター（Ｅ／Ｆ）を得ることができる。
【００５４】
また、上流側及び下流側の吸引ユニット５０Ａ，５０Ｂによって、基板１の表面からエッチング液が吸引して除去されるので、スプレーノズル２０から噴射されたエッチング液が基板１の表面上で長時間滞留することがなく、基板１の表面上でのエッチング液の前後方向の拡がりを確実に抑制することができ、Ｅ／Ｆがさらに向上させることができる。
【００５５】
次に、噴射有効範囲の前後方向の距離ＬとＥ／Ｆ及びエッチング時間との各関係を求めるために行った各エッチング試験の結果について、図８及び図９を参照して説明する。
【００５６】
各試験では、略水平に停止して上方を向くエッチング対象面に対し、噴射有効範囲の前後長さＬを設定し（スプレーノズルの前後にそれぞれｌ／２Ｌ離間した噴射範囲制限手段を設定し）、略鉛直上方のスプレーノズルからエッチング対象面を噴射してエッチングを行った場合のＥ／Ｆ（エッチファクター）とエッチング時間とを、異なる前後長さＬについてそれぞれ測定した。設定した前後長さＬは、１０ｍｍ、１５ｍｍ、３０ｍｍ、６０ｍｍ、９０ｍｍ、１２０ｍｍの６種類である。エッチングでは、１８μｍ銅箔の銅張積層板にＷ／Ｓ＝３０／３０μｍのパターン形成を行った。図２（ｃ）に示すように、Ｗはレジスト膜３の下層となる配線パターン（配線部２ａ）の幅であり、Ｓは隣接するレジスト膜３のそれぞれの下層となる配線パターン（隣接する配線パターン）間の距離である。Ｗ／Ｓ＝３０／３０μｍのパターン形成の場合、配線パターンの幅と、隣接する配線パターン間の距離とは、ともに３０μｍである。使用したスプレーノズルの噴射角は６５°であり、エッチング対象面からスプレーノズルの噴射口までの距離（噴射高さ）を９０ｍｍに設定し、スプレーノズルにおけるエッチング液圧力を０．２ＭＰａに設定した。噴射範囲制限手段として、図７に示すような吸引ユニットを用いて遮蔽と吸引とを行った。
【００５７】
噴射有効範囲の前後長さＬを変えて実験を行った結果、噴射有効範囲の前後長さＬとＥ／Ｆとの関係は図８のようになり、噴射有効範囲の前後長さＬとエッチング時間との関係は図９のようになった。Ｅ／Ｆについては、噴射有効範囲の前後長さＬが短いほど大きな値となり、前後長さＬが長くなるほど値が低下する（図８参照）。一方、エッチング時間については、噴射有効範囲の前後長さＬが短いほど長時間となり、前後長さＬが長くなるほど時間が短縮される（図９参照）。図８の結果から、高い値のＥ／Ｆを得るためには、前後長さＬは６０ｍｍ以下であることが望ましいことが確認された。また、図９の結果から、前後長さＬが小さくなるとエッチング時間が非常に長くなることが確認された。品質上要求されるＥ／Ｆが大きい場合には、前後長さＬを可能な限り短くすることが好ましいが、前後長さＬの短縮はエッチング時間の増大を招くことから、両者（Ｅ／Ｆ及びエッチング時間）の特性を考慮し、噴射有効範囲の前後長さＬは１０ｍｍ〜６０ｍｍの範囲内が好適であることが判った。
【００５８】
以上、本発明について、上記実施形態に基づいて説明を行ったが、本発明は上記実施形態の内容に限定をされるものではなく、当然に本発明を逸脱しない範囲では適宜の変更が可能である。
【００５９】
例えば、上記実施形態では、基板１の両面をエッチング対象面とする例について説明したが、基板１の一面のみをエッチング対象面としてもよい。
【００６０】
また、上記実施形態では、エッチング液を円錐状に噴射するスプレーノズル２０を用いる場合について説明したが、エッチング液を他の形状（例えば楕円錘状など）に噴射するスプレーノズルを用いてもよい。
【００６１】
また、上記実施形態では、液噴射有効範囲の前後長さＬの略中央とスプレーノズル２０から噴射されたエッチング液の噴射対象点３１とが略一致するように（液噴射範囲３２の上流側と下流側とを同等に制限するように）配置したが、エッチング液の噴射対象点３１が液噴射有効範囲の前後長さＬの略中央から前方又は後方へ偏るように（液噴射範囲３２の上流側及び下流側のうち一方を他方よりも広範囲で制限するように）配置してもよい。
【００６２】
また、上記変形例では、スプレーノズル２０の上流側及び下流側の双方を吸引機能を有する吸引ユニット５０Ａ，５０Ｂとしたが、上流側及び下流側の一方のみを吸引機能を有する吸引ユニットとし、他方を吸引機能を有さない遮蔽板としてもよい。
【符号の説明】
【００６３】
１：基板（エッチング対象物）
２：導電層（被エッチング層）
３：レジスト膜
１０，４０：エッチング装置
１２：装置本体
１３：搬送経路
１６：搬送ローラ（搬送手段）
１７，１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ：遮蔽板（噴射範囲制限手段）
１８：搬送方向
２０：スプレーノズル
３２：液噴射範囲
５０Ａ，５０Ｂ：吸引ユニット（噴射範囲制限手段、吸引手段）
Ｌ：液噴射有効範囲の前後長さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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