(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影リソグラフィ用の照明系（５）のための、０．１ｍｍ2未満の当初エタンデュを有する光源（２）を備え、
前記光源（２）の使用発光（１２）の前記エタンデュを同時に増大させるための光学組立体（１３；４０）を備える光学系であって、
前記光源（２）は、ＥＵＶ光源であり、
前記光学組立体（１３；４０）は、結果としてエタンデュが少なくとも１０倍に同時増大するように具体化され、
照射される前記光学組立体（１３；４０）の構成要素（２４；４１；４７；５０）への前記光源（２）の前記発光（１２）の照射領域が時間的に変動するように、前記光学組立体（１３；４０）の前記構成要素（２４；４１；４７；５０）が前記光源（２）に対して変位されるように、前記光学系は具体化され、
前記光学組立体（１３）は、前記構成要素（２４；４１；４７；５０）である散乱粒子（２４）を発生させる散乱粒子発生装置（２３）を有し、
前記散乱粒子（２４）は、前記エタンデュを増大させるために相互作用体積において前記光源（２）の前記発光と相互作用することを特徴とする、光学系。
【請求項２】
投影リソグラフィ用の照明系（５）のための、０．１ｍｍ2未満の当初エタンデュを有する光源（２）を備え、
前記光源（２）の使用発光（１２）の前記エタンデュを同時に増大させるための光学組立体（１３；４０）を備える光学系であって、
前記光源（２）は、ＥＵＶ光源であり、
前記光学組立体（１３；４０）は、結果としてエタンデュが少なくとも１０倍に同時増大するように具体化され、
照射される前記光学組立体（１３；４０）の構成要素（２４；４１；４７；５０）への前記光源（２）の前記発光（１２）の照射領域が時間的に変動するように、前記光学組立体（１３；４０）の前記構成要素（２４；４１；４７；５０）が前記光源（２）に対して変位されるように、前記光学系は具体化され、
前記光学系は、エタンデュ増大方法において前記光源（２）の前記発光に作用するための光学構成要素（４１；４７；５０）を有し、
前記光学構成要素（４１；４７；５０）はエタンデュ増大構造体（４２）を具有し、
前記光学構成要素（４１；４７；５０）は、前記光学構成要素（４１；４７；５０）の変位（４５；４５、４６；４８ａ）のための、およびそれに伴う前記照射領域の前記時間的変動のための駆動装置（４３）と協働し、
前記エタンデュ増大構造体（４２）は、前記光源（２）の前記使用発光（１２）の波長に等しいかまたは前記波長よりも短い寸法を有することを特徴とする、光学系。
【請求項３】
前記光学組立体（１３；４０）は、散乱機能を有する媒体（２４；４２）を導入することによって前記エタンデュを増大させ、前記媒体（２４；４２）は、前記散乱粒子（２４）であることを特徴とする、請求項１に記載の光学系。
【請求項４】
前記光学組立体（１３；４０）は、散乱機能を有する媒体（２４；４２）を導入することによって前記エタンデュを増大させ、前記媒体（２４；４２）は、エタンデュ増大構造体（４２）であることを特徴とする、請求項２に記載の光学系。
【請求項５】
前記散乱粒子発生装置（２３）は、未処理粒子発生装置（３２）および散乱粒子分散装置（３３）を有し、前記未処理粒子発生装置（３２）において最初に発生させた未処理粒子（３４）が前記散乱粒子分散装置（３３）によって分散され、前記散乱粒子（２４）を形成するように具体化されることを特徴とする、請求項１または３に記載の光学系。
【請求項６】
前記光源（２）の前記発光と、発生させた前記散乱粒子（２４）との相互作用後の前記散乱粒子（２４）の軌道（２６）における前記散乱粒子（２４）用の収集装置（３６）を特徴とする、請求項１、３または５に記載の光学系。
【請求項７】
前記駆動装置（４３）は、前記構成要素（４７）の周期的および／または非周期的変位を引き起こすことを特徴とする、請求項２または４に記載の光学系。
【請求項８】
前記光学構成要素（４１；４７）の主偏向方向が変化しないような駆動変位が前記駆動装置（４３）によって行われることを特徴とする、請求項２、４または７に記載の光学系。
【請求項９】
前記光学構成要素（４１；４７）は、偏向鏡として具体化されることを特徴とする、請求項２、４、７または８に記載の光学系。
【請求項１０】
照明光学ユニット（１）を備え、
投影露光装置（４）によって結像することができる物体（１０）を配置することができる物体視野（６）を照明するための光学組立体（１３；４０）を備える、請求項１から９までのいずれか１項に記載の光学系。
【請求項１１】
前記光学組立体（１３；４０）との相互作用後における前記光源（２）の前記使用発光（１２）のビームガイドの中間焦点（Ｚ）を特徴とする、請求項１０に記載の光学系。
【請求項１２】
ウェハ（１１）を配置することができる像視野（７）に前記物体視野（６）を結像するための投影光学ユニット（３）を備える、請求項１０または１１に記載の光学系。
【請求項１３】
前記光源（２）として自由電子レーザ（ＦＥＬ）を備える、請求項１から１２までのいずれか１項に記載の光学系。
【請求項１４】
請求項１から１３までのいずれか１項に記載の光学系を備える投影露光装置（４）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
独国特許出願第１０２０１３２０４４４３．７号の内容は、参照により本明細書に組み込まれている。
本発明は、０．１ｍｍ2未満のエタンデュを有する光源の使用発光のエタンデュを同時に増大させるための光学組立体に関する。さらに、本発明は、そのような光学組立体を備える照明光学ユニット、そのような照明光学ユニットを備える光学系、そのような照明光学ユニットを備える照明系、およびそのような光学系を備える投影露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＥＵＶ投影リソグラフィ用の構成要素は、米国特許出願公開第２００３／０００２０２２号、ＤＥ１０２００９０２５６５５Ａ１、米国特許第６，７００，９５２号および米国特許出願公開第２００４／０１４０４４０号によって公知である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
０．１ｍｍ2未満のエタンデュを有する光源の使用発光のエタンデュを同時に増大させるための光学組立体を提供することが本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明によれば、当該目的は、請求項１に記載の特徴を備える光学組立体によって達成される。
エタンデュは、光源の発光の９０％の光エネルギーを包含する位相空間の最小体積である。これに対応するエタンデュの定義は、ＥＰ１０７２９５７Ａ２および米国特許第６１９８７９３（Ｂ１）号に見つけることができ、これらの文献は、エタンデュが照明データｘ、ｙおよびＮＡ2を掛け合わせることによって得られることを示し、ここで、ｘおよびｙは、照明された照明視野にわたる視野寸法であり、ＮＡは視野照明の開口数である。エタンデュが同時増大する場合、この増大は光学組立体によって引き起こされ、エタンデュの増大は、光学組立体を照射する全使用発光に対して、同時に、すなわち所定の時点で、行われる。例えば、偏向走査鏡の使用による、引き続き生じるエタンデュの増大は、エタンデュの同時増大を構成しない。引き続き生じるエタンデュの増大の場合、所定の時点で、使用発光は、増大されていないエタンデュと共に存在し、エタンデュの増大は、時間の経過と共にもっぱら偏向走査鏡の偏向効果によって生じる。光学組立体が適するように設計された、投影リソグラフィ用の照明系は、光源、および照明視野を照明するための下流照明光学ユニットである。初期エタンデュとしても設計された元の低いエタンデュを有する光源によって点状形態でしか満たされない照明瞳を原因として生じる問題は、本発明による光学組立体の使用によって低減されるか、または完全に除去すらされる。非常に低いエタンデュを有する光源は、シンクロトロン放射源、または自由電子レーザ（ＦＥＬ）を基礎とする放射源とすることができる。０．１ｍｍ2よりもさらに低い光源のエタンデュ、例えば０．０１ｍｍ2未満のエタンデュ、も可能であり、このとき、対応する利点は光学組立体のエタンデュ増大効果によって生じる。光学組立体は、光源の下流に直接配置することができる。したがって、光学組立体は、光源の発光が光源から発せられた後に前記発光に影響を及ぼす第１の構成要素を備えることができる。光学組立体は、続いて、結像される物体を配置することができる物体視野を照明するための照明光学ユニットの一部とすることができる。あるいは、光学組立体は、そのような照明光学ユニットの上流に位置することもできる。この最後の場合、光学組立体は、下流の照明光学ユニットによって光源の使用発光に課される要求に適合するように、すなわち、特に、下流の照明光学ユニットによって要求されるエタンデュに対応するエタンデュを提供するように、設計することができる。特にパルス態様で具体化される光源の光源に対する光学構成要素の相対的変位のために、２つの光パルス間の期間における光源に対する光学構成要素の変位距離が照射領域と少なくとも同じ大きさであるように、照射領域の時間的変動を特に構成することができる。これによって、光学構成要素の照射駆動損耗は、低減するまたは回避することができる。照射される少なくとも１つの構成要素の、光源に対する相対的変位はまさに１つの次元に沿って行うことができるが、複数の次元に沿って行うこともできる。例えば少なくとも２つの次元に沿って延在する経路に沿った相対的変位は、一定の経路速度で行うことができる。そのような相対的変位経路を可能にする１つの移動パターンは、光学的要求に適合された周波数比を有するリサジューの図形によって提供することができる。光学組立体の照射位置において、光源の発光は、１０μラジアン〜５００μラジアン、特に１０μラジアン〜１００μラジアン、の範囲の発散を有することができる。光学組立体の照射領域において、光源の発光のビーム径、照射領域の範囲の尺度を表す前記ビーム径、は０．１〜５ｍｍの範囲、特に０．０１〜１ｍｍの範囲、である。光源は、１０ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの範囲のパルス周波数で動作することができる。数ＧＨｚまでの範囲のさらに高いパルス周波数も利用可能である。光源は、個々の光パルスのエネルギーが一定に維持され、必要とされる平均照射電力または照射エネルギーが、変動するパルス周波数によって設定されるように、動作させることができる。
【０００５】
請求項２に記載の散乱機能を有する媒体は、エタンデュを増大させるのに特に適していることが分かった。媒体は、例えば、散乱粒子または基板上の散乱構造体とすることができる。そのような散乱構造体は、例えば、基板表面を粗面化するためのエッチング方法によって生成することができる。計算機合成ホログラム（ＣＧＨ）は、散乱構造体として使用することもできる。そのようなＣＧＨは、光源の使用発光が、照射される光学組立体の構成要素の表面のターゲット構造によって回折されるように設計され、その結果、所望の方法で拡張された使用発光の強度プロファイルが使用発光の遠視野において利用可能となる。そのようなＣＧＨ構造体は、不規則な態様で構成することができる。そのようなＣＧＨ構造体は、異なる回折パターンの重ね合わせによって遠視野における使用発光の所望の強度プロファイルを生成することができる。
【０００６】
請求項３に記載の散乱粒子発生装置は、散乱粒子の散乱効果のためにエタンデュが大きく増大する利点をもたらす。この場合、散乱粒子は、光源の発光によって照射される構成要素である。照射領域は、照射される散乱粒子部分または照射される散乱粒子全体によって予め定められる。散乱粒子は、散乱滴とすることができる。あるいは、気体分子または気体が散乱粒子として作用することができる。原則として、固体散乱粒子も利用可能である。散乱粒子は、ｎ≠１が当てはまる屈折率ｎを有する材料から構成することができる。屈折率ｎは１よりも大きく（ｎ＞１）することができ、１よりも非常に相当大きく（ｎ＞＞１）することができる。散乱粒子の軌道は、光源の発光方向に対して垂直とすることができる。これにより、散乱粒子と光源の発光との間の容易に制御可能な相互作用条件が整う。光源がパルス態様で動作される場合、散乱粒子発生装置は、光源と同期させた方法で動作させることができる。照射領域の時間的変動は、光源に対する散乱粒子の相対的移動の結果として、または異なる散乱粒子への連続的な照射の結果として生じる。
【０００７】
請求項４に記載の散乱粒子発生装置の実施形態は、未処理粒子発生から形成される必要性を低減する。散乱粒子分散装置は、レーザとして、特にＮｄ：ＹＡＧレーザとして、具体化することができる。散乱粒子分散装置によって形成された散乱粒子は、プラズマの形態で存在することができる。レーザが散乱粒子分散装置として使用される場合、そのレーザ放射は、未処理粒子の軌道と反対方向に放射することができる。未処理粒子発生装置および散乱粒子分散装置は、分散相互作用が最適化するような同期方法で動作させることができる。この同期は、光源のパルス動作の場合に光源と散乱粒子発生装置との同期と協働させることができる。
請求項５に記載の収集装置は、エタンデュを増大させるための、発生散乱粒子の相互作用後における発生散乱粒子の制御処理に寄与する。収集装置は、散乱粒子材料のための循環システムの一部とすることができる。収集装置は、電磁偏向場を発生させるためのユニットを有することができる。
【０００８】
請求項６に記載のエタンデュ増大光学組立体の一部としての構造体具有光学構成要素は、構成および動作に関して比較的単純である。エタンデュ増大構造体は、典型的には、光源の使用発光の波長の範囲にある、または前記波長よりも短い寸法を有することができる。エタンデュ増大構造体を具有する光学構成要素は、光源の下流にある発光ビーム経路における第１の光学構成要素、特に第１の偏向鏡、とすることができる。エタンデュ増大構造体は、光源の動作の間、エタンデュ増大光学構成要素との相互作用によって生成することができる。駆動装置は、光源の発光が光学構成要素の同一照射領域を常に照射することを防止する、すなわち、照射領域の時間的変動に寄与する。したがって、光学構成要素の熱負荷が低減される。さらに、この結果、光学構成要素の構造体における散乱によるエタンデュ増大効果の所望の平均化が得られる。駆動装置による変位は、周期的変位とすることができる。変位の自由度は、並進の形態、回転の形態、さもなければ振動の形態で存在することができる。
【０００９】
光源の発光による、特にＥＵＶ発光による、光学構成要素への照射の点負荷または面積負荷を低減するための対応駆動装置は、光学構成要素がエタンデュ増大構造体を有していないとしても使用することができる。
請求項７に記載の周期的または非周期的変位は、例えば光学構成要素の不均衡のターゲット使用および／または駆動装置によって、適当な場合には好適な実装と共に、引き起こすことができる。不均衡は、周期的変位を引き起こすことができる。実装は、非周期的変位を引き起こすことができる。
【００１０】
請求項８に記載の実施形態は、エタンデュ増大光学構成要素の下流にあるビームガイドを簡易化する。主たる偏向方向が変わっていないこの実施形態の代替形態として、光学構成要素はさらに走査動作を行うことができる、すなわち、引き続き生じるエタンデュの増大も引き起こすことができる。
請求項９に記載の偏向鏡による構成は、さらにビームガイドに使用することができる。エタンデュ増大光学構成要素は、ＮＩ鏡としてまたはＧＩ鏡として具体化することができる。ＮＩ（垂直入射）鏡は、４５°未満、特に３５°未満、の入射角を有する鏡であり、入射角は、さらに小さく、例えば２０°未満、１５°未満または１０°未満とすることもできる。ＧＩ（かすめ入射）鏡は、６０°を超える入射角を有するかすめ入射用の鏡である。ＧＩ鏡の場合または垂直入射に近い入射角を有するＮＩ鏡の場合、使用発光の偏光影響は事実上無視することができる。さらに、ＧＩ鏡は、使用発光によって照射されるときの熱負荷をより低くすることができる。エタンデュ増大光学構成要素は代わりに透過性構成要素とすることもできる。
【００１１】
請求項１０に記載の光学系の利点は、エタンデュ増大光学組立体に関連して上記ですでに述べた利点に対応する。光学組立体は、照明光学ユニットの一部とすることができ、または、その代わりに、照明光学ユニットから独立した構成要素として構成することもできる。後者の場合、光学組立体は、既存の照明光学ユニット用に構成する、特に改装する、ことができる。
請求項１１に記載の中間焦点は、光源の、および／または使用発光のビーム経路における散乱粒子発生装置の、特に無関係な粒子からの、望まない二次発光の抑制を容易にする。集光装置は、散乱粒子が光源発光と相互作用する相互作用体積と、中間焦点との間に配置することができる。前記集光装置は、ＧＩ集光装置、すなわち、例えばかすめ入射用の鏡を有する集光装置、特にウォルタ集光装置、とすることができる。中間焦点は、光学組立体との相互作用後に偏向されない光源の発光によって予め定められた光軸から離間することができる。光源の非偏向発光の光軸からの中間焦点のそのような離間は、光源の使用に適さない発光部分から使用発光を分離することの改善に特に好適であることが分かった。中間焦点と、相互作用体積の下流で偏向されない光源の発光の光軸との距離は、５ｃｍよりも大きくすることができ、１０ｃｍよりも大きくすることができる。光線捕捉は、使用されない発光に対して寄与することができる。
【００１２】
請求項１２および１３に記載の光学系ならびに請求項１４に記載の投影露光装置の利点は、光学組立体および照明光学ユニットに関して上記ですでに説明した利点に対応する。光源は、５ｎｍ〜３０ｎｍの使用波長範囲を有するＥＵＶ光源とすることができる。投影露光装置は、特に、マイクロおよび／またはナノ構造構成要素、特に半導体チップ、を生成するために使用することができる。
本発明の例示的実施形態は、図面を参照して以下により詳細に説明される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】ＥＵＶ投影リソグラフィ用の投影露光装置の主な構成要素を概略的に示す図である。
【図２】散乱粒子発生装置を含む、投影露光装置の光源の使用発光のエタンデュを同時に増大させるための光学組立体の実施形態を示す図である。
【図３】図２に示すエタンデュ増大組立体の実施形態の変形例を示す図である。
【図４】図２に示すエタンデュ増大組立体の実施形態の変形例を示す図である。
【図５】未処理粒子発生装置および散乱粒子分散装置を有する、散乱粒子発生装置を備えるエタンデュ増大組立体の別の変形例を示す図である。
【図６】散乱粒子発生装置、発生散乱粒子のための収集装置および使用発光の中間焦点を生成するための下流集光装置を備えるエタンデュ増大組立体の別の変形例を示す図である。
【図７】中間焦点を生成するための集光装置を備えるエタンデュ増大組立体の別の変形例を示す図である。
【図８】中間焦点を生成するための集光装置を備えるエタンデュ増大組立体の別の変形例を示す図である。
【図９】エタンデュ増大構造体を具有する駆動光学構成要素を備える図１に示す投影露光装置の光源の使用発光のエタンデュを同時に増大させるための光学組立体の別の実施形態を示す図である。
【図１０】時計回り方向に４５°回転させた、図９からの抜粋を示す拡大図である。
【図１１】エタンデュ増大構造体を有する反射性駆動光学構成要素の別の変形例を示す図である。
【図１２】エタンデュ増大構造体を有する反射性駆動光学構成要素の別の変形例を示す図である。
【図１３】図１０と同様の図示において図１２による抜粋を示す拡大図である。
【図１４】エタンデュ増大構造体を有する透過性駆動光学構成要素の実施形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図１は、照明光学ユニット１、光源２、およびＥＵＶマイクロリソグラフィ用の投影露光装置４の結像光学ユニットまたは投影光学ユニット３を概略的に示す。投影露光装置４の照明系５は、投影露光装置の物体視野６を照明することに役立つ照明光学ユニット１に加えて、物体面に配置され、像面における像視野７に物体視野６を結像するための投影光学ユニット３を有する。照明系５およびＥＵＶ光源２に加えて、投影露光装置４は、特に、複数の機械的構成要素、物体面に配置されたレチクル１０用のおよび像面に配置されたウェハ１１用のホルダ８、９、を有し、前記レチクルは図１の破線で図示され、前記ウェハは図１の破線で図示されている。レチクル１０の構造は、像面における像視野７の領域に配置されたウェハ１１の感光層上に結像される。
結像光学ユニット３は、複数の鏡を有する反射光学の光学ユニットとして具体化され、図１においては２つの鏡Ｍ１、Ｍ２が概略的に図示されている。結像光学ユニット３は、概して、多数の鏡、例えば、４つ、６つまたは８つの鏡、を有する。
【００１５】
光源または放射源２は、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の発光利用放射を有するＥＵＶ（極紫外線）光源である。光源２はコヒーレント光源である。ＥＵＶ投影露光に使用される波長帯域またはＥＵＶ放射８のターゲット波長範囲は、例えば、１３．５ｎｍ±１ｎｍであるが、例えば、５ｎｍ〜８ｎｍの範囲とすることもできる。ＥＵＶ放射１２は、以下においては、照明および結像光と、または使用発光とも称される。例えば、５ｎｍ〜１７ｎｍの異なるターゲット波長範囲も使用可能である。使用されるＥＵＶ波長帯域の帯域幅は、０．１ｎｍよりも広くすることができ、特に０．１ｎｍ〜２ｎｍとすることができる。使用されるＥＵＶ放射１２の典型的な帯域幅は中心波長の１％である。光源２は、シンクロトロン源または自由電子レーザ（ＦＥＬ）を基礎とする光源である。光源２は、１０-7ｍ2ラジアン2または０．１ｍｍ2未満のエタンデュを有する。エタンデュは、光エネルギーの９０％を包含する位相空間の最小体積である。光源２の波長帯域幅は、使用されるＥＵＶ波長帯域の帯域幅よりも非常に大きくすることができ、例えば、０．１μｍとすることができる。
【００１６】
光源２の使用発光１２のエタンデュを同時に増大させるための光学組立体１３は、使用発光１２のビーム経路における光源２の下流に配置される。光学組立体１３は、図１において単に概略的に示されている。光学組立体１３の実施形態も図２以下の図面を参照して以下に説明される。使用発光１２のための偏向鏡は、以下に同様に説明されるように、光学組立体１３の下流に配置することができる。
増大エタンデュを有する発生ＥＵＶ放射１２は、照明光１２によって照射される視野ファセット１６を有する視野ファセット鏡１５に入射する前に、中間焦点面１４を通って伝播する。視野ファセット１６は弓形であるが、長方形態様にも構成することができる。視野ファセット１６の異なる形状も使用可能である。
【００１７】
中間焦点面１４において、ＥＵＶ放射は、中間焦点Ｚ、すなわち、横方向の最小の大きさの位置、を有する。
視野ファセット鏡１５によって反射されたＥＵＶ放射１２は、多数の照明チャンネル、すなわち放射の部分ビーム、から構成され、各部分ビームは特定の視野ファセット１６によって反射される。各部分ビームは、次に、照明チャンネルを介して部分ビームに割り当てられた瞳ファセット鏡１８の瞳ファセット１７に入射する。
【００１８】
瞳ファセット１７は、瞳ファセット鏡１８の共通保持板１９に配置される。瞳ファセット鏡は、照明瞳面２０に配置される。瞳ファセット１７は、円形態様で具体化される。あるいは、瞳ファセット１７の六角形または四角形の実施形態も可能である。瞳ファセット１７は、密に充填された態様で配置される。視野ファセット鏡１５によって、瞳ファセット鏡１８の瞳ファセット１７の位置において、二次光源は、中間焦点面１４における中間焦点Ｚの像として生成される。瞳ファセット鏡１８は、投影光学ユニット３の瞳面２１と一致する、または瞳面２１に関して光学的に結合される照明光学ユニット１の面に配置される。したがって、瞳ファセット鏡１７におけるＥＵＶ放射１２の強度分布は、物体面における物体視野６の照明および像面における像視野７の照明の照明角度分布と直接的な相関関係がある。
瞳ファセット鏡１８、および概略的に示された移動光学ユニット２２の形態の結像光学組立体を用いて、視野ファセット鏡１５の視野ファセット１６が物体視野６に結像される。照明瞳面２０が投影光学ユニット瞳面２１と一致する投影露光装置４の実施形態も使用可能である。そのような場合、移動光学ユニット２２を省くこともできる。
上記で説明したような視野ファセット／視野瞳ファセットの構成の代替構成として、エタンデュ増大光学組立体１３は、特に投影露光用の、異なる照明概念と結合することもできる。そのような別の照明概念の一例は、例えば米国特許出願公開第２００６／０１３２７４７号、ＥＰ１６１４００８Ｂ１および米国特許第６，５７３，９７８号に記載されている、鏡面反射体である。
【００１９】
図２は、光源２の使用発光１２のエタンデュを同時に増大させるための光学組立体１３の実施形態を示す。光学組立体１３によって少なくとも１０倍に増大されたエタンデュが得られる。この場合においてエタンデュの同時増大とは、使用発光１２自体が所定の時点で実際に有しているエタンデュの増大を意味する。例えば、使用発光１２が偏向される走査鏡によって発生させることができる、引き続いて生じるエタンデュの増大はエタンデュの同時増大ではない。
光学組立体１３は、散乱粒子２４を発生させるための散乱粒子発生装置２３を有する。散乱粒子２４は、使用発光１２のエタンデュを増大させるために、相互作用体積２５において光源２の発光と相互作用する。この場合において、散乱粒子２４への照射領域は、光源２の発光によって照射される。散乱粒子２４の移動のために、および特に異なる散乱粒子２４への連続的な照射のために、散乱粒子２４への光源の発光の照射領域の対応する時間的変動がもたらされる。特に光源２のパルス実施形態の場合において、散乱粒子発生装置２３は、光源２の発光の各光パルスが各場合において、前に未だ照射されていない新しい散乱粒子２４と相互作用するように、光源２と同期させた方法で動作させることができ、その結果として、光学組立体１３の照射領域の対応する時間的変動が同様にもたらされる。
【００２０】
図２による実施形態の場合において、散乱粒子２４は散乱滴である。あるいは、散乱粒子は気体分子またはプラズマとすることができる。散乱粒子２４は、値１から外れる屈折率ｎを有する材料から形成される。散乱粒子発生装置２３から相互作用体積２５方向への散乱粒子２４の軌道２６は、光源２の発光方向２７に対して垂直とすることができる。
散乱粒子２４は金属粒子、特に金属滴、とすることができる。材料の例は、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、ケイ素（Ｓｉ）もしくはルテニウム（Ｒｕ）またはこれらの金属の混合物もしくは合金である。
散乱粒子２４における散乱の結果として、使用発光１２のエタンデュは少なくとも１０倍に増大する。エタンデュの増大は、例えば少なくとも２５倍、少なくとも５０倍、少なくとも１００倍、少なくとも２５０倍、少なくとも５００倍、少なくとも１０００倍、さもなければさらに大きい桁と、相当に大きくすることができる。
【００２１】
図２による実施形態の場合、エタンデュ増大使用発光１２は偏向鏡２８によって完全に偏向される。次に、使用発光１２は中間焦点Ｚへと移動するが、これは図２に図示されていない。
図３は、光学組立体１３の変形例を示し、散乱粒子発生装置２３はここでは省略される。以下に説明される図面において、すでに述べた図面に関してすでに説明した構成要素に対応する構成要素は同一の参照番号を有し、再度詳細に説明されない。
【００２２】
図３による実施形態の場合、選択偏向鏡２９は、エタンデュを増大させるための光学組立体１３の一部である。選択偏向鏡２９は、相互作用体積２５の下流にある使用発光１２のビーム経路に配置される。使用発光１２の中心拡散部分が偏向される。すなわち、エタンデュの増大のために全体的に発生させた拡散から、使用発光１２のビーム光線の中心部分が選択偏向鏡２９によって偏向され、これによって選択される。このとき実際の使用発光１２を構成するこの中心拡散部分は、次に中間焦点Ｚへと移動する。選択偏向鏡２９によって偏向されなかったビーム部分３０は、例えば、遮断されるかまたは何らかの他の用途、例えば（より具体的詳細には説明されない）光源監視装置、へ供給される制御された方法で取り除かれる。
図４は、図２による実施形態の代替形態として使用することができる使用発光１２のビームガイドの変形例を示す。垂直入射鏡（ＮＩ鏡）として具体化されると共に、約３５°の入射角で偏向を行う図２による偏向鏡２８と比較して、図４による実施形態の場合においては、６０°を超える入射角でのかすめ入射用の偏向鏡３１（かすめ入射鏡、ＧＩ鏡）が相互作用体積２５の下流に配置される。ＧＩ鏡３１によって偏向された使用発光１２は、続いて中間焦点Ｚへと移動する。使用発光１２の実質的な偏光維持偏向は、ＧＩ鏡を用いて可能である。
【００２３】
図５は、エタンデュ増大組立体１３の別の変形例を示す。図４を参照して上記ですでに説明した構成要素に対応する構成要素は同一参照番号を有し、再度詳細には述べられない。
図５による実施形態の場合において、散乱粒子発生装置２３は、未処理粒子発生装置３２に加えて散乱粒子分散装置３３を有する。
【００２４】
未処理粒子発生装置３２において最初に発生した未処理粒子３４が、散乱粒子２４を形成するように分散されるように、散乱粒子分散装置３３は具体化される。図５による実施形態の場合において、散乱粒子分散装置３３はレーザ、特にＮｄ：ＹＡＧレーザ、である。未処理粒子３４は、液滴の形態で存在することができる。散乱粒子分散装置３３の動作下において、未処理粒子３４は、蒸発によってさもなければプラズマ生成によって分散させることができる多数のより小さい散乱粒子２４へと分散させることができる。散乱粒子分散装置３３が未処理粒子３２を散乱粒子２４へと変換する相互作用体積は、相互作用体積２５の下流にある未処理粒子３４の軌道２６に存在することができる。あるいは、分散装置３３の相互作用体積は、散乱粒子がＥＵＶ放射１２と相互作用する相互作用体積２５と一致させることができる。レーザは、未処理粒子３４の軌道２６とは反対の方向（図５における方向矢印３５参照）に放射を発射させることができる。
【００２５】
図６は、エタンデュ増大組立体１３の別の変形例を示す。図１〜図５を参照して、特に図２を参照して、すでに説明した構成要素は、同一参照番号を有し、再度詳細には述べられない。
図６によるエタンデュ増大組立体１３は、相互作用体積２５の下流にある発生散乱粒子２４の軌道２６において発生散乱粒子２４用の収集装置３６を有する。収集装置３６は、収集池として具体化することができる。収集装置３６は、循環（不図示）によって散乱粒子発生装置２３に流体的に接続することができ、これにより相互作用体積２５における第１の相互作用後に散乱粒子材料を再利用することができる。収集装置３６は、荷電散乱粒子２４を偏向させるための電磁偏向場を発生させるためのユニットを有することができる。
図６による実施形態の場合において、集光鏡３７は、相互作用体積２５と中間焦点面１４における中間焦点Ｚとの間に配置される。前記集光鏡は、相互作用体積２５を中間焦点Ｚに結像する。中間焦点Ｚの下流にある使用発光１２のビーム経路は、真空チャンバ３８内に位置する。中間焦点Ｚ近辺において、通過開口または通過窓が真空チャンバ３８に存在することができる。
図６による実施形態の場合において、集光装置３７は、６０°未満、特に４５°未満、の入射角を有する集光装置として具体化される、すなわち実質的に垂直入射用の集光装置（垂直入射集光装置、ＮＩ集光装置）として具体化される。
【００２６】
図７および図８は、集光装置３７の変形例を有するエタンデュ増大組立体１３の別の実施形態を示す。後者は、図７および図８による実施形態の場合において、ウォルタ集光装置として具体化される。ウォルタ集光装置の例は、インターネットページｗｗｗ．ｘ−ｒａｙ−ｏｐｔｉｃｓ．ｄｅおよびそこに示された参照に見つけることができる。
図７によるビームガイドの場合において、中間焦点Ｚは、相互作用体積２５の下流で偏向されない光源２の発光の光軸３９上に位置する。
図８による実施形態に場合において、中間焦点Ｚと、相互作用体積２５の下流で偏向されない光源２の発光の前記光軸３９との間には距離Ａがある。したがって、図８による実施形態に場合において、例えば、真空チャンバ３８の壁を、光源２の非偏向発光用の光線捕捉体４０として具体化することができる。
【００２７】
図９〜図１４を参照して、エタンデュ増大組立体１５の実施形態の代わりに使用可能なエタンデュ増大組立体４０の別の変形例の説明が以下に提示される。図１〜図８を参照して上記ですでに説明した構成要素に対応する構成要素は、同一参照番号を有し、再度詳細には述べられない。
図９による光学エタンデュ増大組立体４０は、エタンデュ増大偏向のための図９による実施形態において、光源２のＥＵＶ放射１２のエタンデュ増大作用のための−偏向鏡として具体化された−光学構成要素４１を有する。光学構成要素４１は、図１０による抜粋の拡大において概略的に図示されたエタンデュ増大構造体４２を有する。構造体４２は、典型的には、使用発光１２の波長以下の大きさを有する。この結果、拡散の増大をもたらし、これによりエタンデュの同時増大をもたらす、使用発光１２用の構造体４２の散乱効果が得られる。エタンデュ増大組立体１３に関して上記ですでに提示した説明は、エタンデュ増大の大きさにも当てはまる。
【００２８】
構造体４２による構造は、周期的または非周期的表面構造として構成することができる。
光学構成要素４１は、光学構成要素４１の主反射面４４（図９の両矢印４５参照）において光学構成要素を変位させるための駆動装置４３と協働する。駆動装置４３は、光学構成要素４１の周期的並進変位を駆動する。駆動装置４３は、変位４５を発生させるための振動装置とすることができる。光学構成要素４１は、光源２の下流にある発光ビーム経路における第１の偏向装置、すなわち第１の鏡、である。光源２に対する光学構成要素４１の相対的変位のために、光学構成要素４１上における光源２の発光の照射領域が時間的に変動するように、光学構成要素４１は駆動される。この場合において、相対的変位は、光源２のパルス動作の場合に、連続的な光パルスが光学構成要素４１における相互に異なる領域を照射するような大きさを有することができる。したがって、このとき、変位速度は、２つの光パルス間の光学構成要素４１の変位距離が照射領域の直径よりも大きくなるような大きさを有する。
【００２９】
光学構成要素４１は、ＥＵＶ使用放射１２を約９０°偏向する、すなわち、４５°の範囲の入射角を有する光源２のＥＵＶ発光によって照射される。例えば１０°〜７０°の範囲の他の入射角も可能である。
図１１は、光学構成要素４１におけるＥＵＶ放射１２のさらに大きな入射角を有する変形例を示す。図１１による実施形態の場合において、光学構成要素４１は、エタンデュ増大散乱構造体４２を有するＧＩ鏡として具体化される。駆動装置４３は、主反射面４４における変位４５に加えて、図１１の両矢印４６によって図示されるように、主反射面４４に対して垂直な変位４６を、付加的にまたは代替的に、引き起こすことができる。このとき、エタンデュの同時増大に加えて、引き続いて生じる使用発光１２のエタンデュの増大も引き起こすことができる。単純な並進変位に加えて、駆動装置４３による光学構成要素４１の軸回転も可能である。
【００３０】
変位４５および／または４６のために、光源２の使用発光１２によって照射される光学構成要素４１上の照射面積は変動する。これは、ＥＵＶ放射１２の結果としての光学構成要素４１上の点負荷を低減するために、および／またはそれぞれ照射される構造体４２によって生じるエタンデュの増大を平均化するために、使用することができる。
構造体４２は、例えばＤＥ１０２００９０４７３１６Ａ１により知られた方法で構成することができる。
変位４５および／または変位４６は、周期的または非周期的変位として具体化することができる。
構造体４２は静的構造体を構成する。構造体４２は、散乱効果の代替としてまたは散乱効果に加えて、反射によっておよび／または回折によってもＥＵＶ放射１２の方向に作用することができる。
【００３１】
図１２および図１３は、図９および図１１による光学構成要素４１の代わりに使用可能な構造化されたエタンデュ増大光学構成要素４７を備えるエタンデュ増大組立体４０の別の変形例を示す。
光学構成要素４７は、図１２の図面の平面に対して垂直な長手軸４８を有する円柱として具体化される。駆動装置４３は、長手軸４８と一致する回転軸回りのエタンデュ増大構成要素４７の回転（方向矢印４８ａ参照）に寄与する。光源２の使用発光１２は、エタンデュ増大構成要素４７の側表面壁４９において反射される。前記側表面壁４９もまた、図１３による拡大図示において概略的に見ることができるように、散乱構造体４２を具有する。使用発光１２のかすめ反射は側表面壁４９において起こる。
【００３２】
エタンデュ増大構成要素４７は、中空の円柱としてまたは中実の円柱として具体化することができる。
図１１による実施形態の場合における変位４５および図１２による実施形態の場合における変位４８ａは、各場合において、光学構成要素４１および４７の主偏向方向がそれぞれ変化しないようにすることができる。
散乱のために構造体によって生じるエタンデュの同時増大に加えて、エタンデュ増大構成要素４７の場合において、引き続いて生じるエタンデュの増大は、付加的に振動を受ける側表面壁４９によって生じさせることができる。そのような振動を受けることは、エタンデュ増大構成要素４７のターゲット不均衡を引き起こすことによってまたは許容することによって生じさせることができる。
【００３３】
図１４は、光学エタンデュ増大組立体４０の別の実施形態を示す。後者は、使用発光１２に対して透過性を有する構成要素として具体化された光学構成要素５０を有する。エタンデュ増大構成要素５０の入口表面もまた、エタンデュを増大させるための散乱構造体４２を具有する。代替的にまたは付加的に、出口表面５１は、そのような構造体４２を具有することができ、このことは図１４には図示されていない。
入口表面および／または出口表面に対して平行な透過性エタンデュ増大構成要素５０の変位５２は、駆動装置４３によって実施される。透過性エタンデュ増大構成要素５０によってエタンデュを増大された使用発光１２は、構成要素５０を通過した後、中間焦点Ｚへと移動する。
【００３４】
さらに光学ユニット１、３の他のＥＵＶ鏡のような、光学組立体１３および４０において鏡として具体化された構成要素は、それぞれ、原則として従来技術において知られているように、反射性を高める多層被覆を備えることもできる。
上記でそれぞれ説明された光学組立体１３および４０は、使用発光１２のエタンデュを増大させるために互いと組み合わせて使用することもできる。一例として、使用発光のビーム経路において光学組立体１３および４０のそれぞれの実施形態の連続的配置が可能である。
構造体４２は、光源２の動作の間に、光学構成要素４１、４７および５０のそれぞれと光源２との相互作用によって生じさせることもできる。
変位４５および４６および４８ａのそれぞれの移動速度は、光学構成要素４１および４７および５０のそれぞれがどの点においても破壊されないように選択される。あるいは、光学構成要素４１；４７；５０へ入射するＥＵＶ放射１２が、動作の間、散乱構造体４２を生じさせるようなターゲット方法で、ある材料の移動を引き起こすことができる。
【００３５】
マイクロまたはナノ構造構成要素を生成するために、投影露光装置４は以下のように使用される：まず、レチクル７およびウェハが提供される。次に、レチクル１０の構造が、投影露光装置４を使用してウェハ１１の感光層上に投影される。次に、感光層の開発の結果として、マイクロ構造がウェハ１１上に生成されるので、マイクロまたはナノ構造構成要素が生成される。
【００３６】
上記で説明した例示的実施形態において、各場合に、光学組立体１３および４０のそれぞれの各光学構成要素の照射領域の重心移動が存在し、前記照射領域は光源２の発光によって照射される。言い換えれば、例えば、全散乱粒子２４およびそれと共に全散乱粒子２４の重心も移動する。全体的に変位された光学構成要素４１、４７および５０も重心移動を実行する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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