(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板からなる透過部と、前記透明基板の直上に形成された遮光膜からなる遮光部と、露光光に対して前記透過部の光透過率と前記遮光部の光透過率の間の光透過率を有すると共に前記透明基板表面に形成されイオン注入層からなる半透過部と、を備え、
１回の露光で転写対象のフォトレジストに露光量の異なるパターンを形成するために用いられることを特徴とする多階調ハーフトーンマスク。
【請求項２】
前記半透過部は、２種の異なる濃度のイオン注入層を含むことを特徴とする請求項１記載の多階調ハーフトーンマスク。
【請求項３】
請求項１記載の多階調ハーフトーンマスクの製造方法であって、
透明基板に遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜に第１のフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のフォトレジストパターンをマスクに前記遮光膜をエッチングし開口部を形成する工程と、
前記遮光膜および前記第１のフォトレジストパターンをマスクにイオンを注入することにより露光光に対して前記透明基板と前記遮光膜との間の光透過率を有するイオン注入層を形成する工程と、
前記第１のフォトレジストパターンを除去する工程と、
第２のフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記第２のフォトレジストパターンをマスクに前記遮光膜をエッチングする工程と、
を含むことを特徴とする多階調ハーフトーンマスクの製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の多階調ハーフトーンマスクの製造方法であって、
透明基板に遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜に第３のフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記第３のフォトレジストパターンをマスクに前記遮光膜をエッチングする工程と、
前記第３のフォトレジストパターンを除去する工程と、
第４のフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記第４のフォトレジストパターンをマスクに前記遮光膜をエッチングし開口部を形成する工程と、
前記遮光膜および前記第４のフォトレジストパターンをマスクにイオンを注入することにより露光光に対して前記透明基板と前記遮光膜との間の光透過率を有するイオン注入層を形成する工程と、
前記第４のフォトレジストパターンを除去する工程と
を含むことを特徴とする多階調ハーフトーンマスクの製造方法。
【請求項５】
請求項２記載の多階調ハーフトーンマスクの製造方法であって、
透明基板に遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜に第５のフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記第５のフォトレジストパターンをマスクに前記遮光膜をエッチングし、前記遮光膜に開口部を形成する工程と、
前記第５のフォトレジストパターンを除去する工程と、
前記開口部の一部を覆い、前記開口部において薄膜部と厚膜部とを有する第６のフォトレジストパターンを形成する工程と、
第６のフォトレジストパターンをマスクにイオンを注入することにより前記開口部における前記薄膜部と前記厚膜部に露光光に対して前記透明基板と前記遮光膜との間の光透過率であって２種の異なる濃度のイオン注入層を形成する工程と、
第６のフォトレジストパターンを除去する工程と、
を含むことを特徴とする多階調ハーフトーンマスクの製造方法。
【請求項６】
前記イオンを注入するエネルギーは、前記第６のフォトレジストパターンの前記薄膜部を、一部のイオンが透過するエネルギーであることを特徴とする請求項５記載の多階調ハーフトーンマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主としてフラットパネルディスプレイに使用されるハーフトーンマスクおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置等のフラットパネルディスプレイの製造には、ハーフトーンマスク（或いはグレートーンマスク）と呼ばれる多階調のフォトマスクが使用されている。ハーフトーンマスクは、透過部、遮光部、および透過部と遮光部の間の光透過率を有する半透過部から構成されており、１回の露光で転写対象のフォトレジストに、露光量の異なるパターンを形成することができる。そのため、フラットパネルディスプレイの製造工程におけるリソグラフィーの工程数を削減し、製造コストを低減することが可能となる。
【０００３】
従来のハーフトーンマスクの製造方法は、特許文献１に開示されるように、透明基板上にクロムからなる遮光膜のパターンを形成した後、半透過膜を成膜し、パターニングするハーフトーンマスクを製造していた。
【０００４】
また、他のハーフトーンマスクの製造方法は、特許文献２に開示されるように、透明基板上に半透過膜と遮光膜とを形成したマスクブランクを用い、それぞれの膜を異なるマスクで順次パターニングすることにより、透明基板上に遮光部と半透過部を形成していた。
【０００５】
いずれの場合においても、半透過部の光透過率は、半透過膜の材料が一定であればその膜厚により決定される。
【０００６】
また、半透過膜上で遮光膜をエッチングするため、エッチングストッパーとして作用する膜を半透過膜上に形成する技術が特許文献３に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−２５７７１２号公報
【特許文献２】特開２００２−１８９２８０号公報
【特許文献３】特開２００２−１８９２８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１に開示されているハーフトーンマスクの製造方法においては、遮光膜のパターン形成後のマスクに半透過膜を成膜する際、成膜ラインが別のラインにあることが多く、マスクの輸送のための時間が余分にかかるという問題があり、また輸送時にマスクが汚染され、歩留まりが低下するという危険性がある。
【０００９】
また、特許文献２に開示されているハーフトーンマスクの製造においては、予め透明基板上に半透過膜と遮光膜とが形成されたフォトマスクブランクを準備しておき、このフォトマスクブランクをパターニングすることにより、短納期でのマスクの製造を実現している。しかしながら、様々な顧客の要求に従い、光透過率の異なる半透過部を形成するには、半透過膜の厚さを変更する必要があり、そのためにはフォトマスクブランクの作成から必要となるため、短納期でのマスクの製造を困難にするという問題がある。
【００１０】
さらに、特許文献３に開示されている、ハーフトーンマスクの製造工程において、透明基板上に形成された半透過膜と遮光膜との積層構造体をエッチングする場合、下層側に形成された膜や透明基板の膜減りや掘り込みを防止するために、高度なエッチング技術が必要であり、また、エッチングストッパーとなる追加的な膜を形成する必要があり、製造コストの増大を招くことがある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る多階調ハーフトーンマスクは、
透明基板からなる透過部と、前記透明基板の直上に形成された遮光膜からなる遮光部と、露光光に対して前記透過部の光透過率と前記遮光部の光透過率の間の光透過率を有すると共に前記透明基板表面に形成されイオン注入層からなる半透過部と、を備え、
１回の露光で転写対象のフォトレジストに露光量の異なるパターンを形成するために用いられることを特徴とする。
【００１２】
本発明に係る多階調ハーフトーンマスクは、位相シフトマスクとは異なるものである。透明基板表面に形成されたイオン注入層によって半透過部を形成することにより、顧客等の要求に応じて半透過部の光透過率の調整が可能となり、所望の階調の特性を有するハーフトーンマスクを短納期で、低コストに提供することが可能となる。
【００１３】
本発明に係る他の多階調ハーフトーンマスクは、
前記イオン注入層が、２種の異なる濃度のイオン注入層を含むことを特徴とする。
【００１４】
２種の異なる濃度のイオン注入層を備えることにより、さらに多階調のハーフトーンマスクを形成することができる。
【００１５】
本発明に係る多階調ハーフトーンマスクの製造方法は、
透明基板に遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜に第１のフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のフォトレジストパターンをマスクに前記遮光膜をエッチングし開口部を形成する工程と、
前記遮光膜および前記第１のフォトレジストパターンをマスクにイオンを注入することにより露光光に対して前記透明基板と前記遮光膜との間の光透過率を有するイオン注入層を形成する工程と、
前記第１のフォトレジストパターンを除去する工程と、
第２のフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記第２のフォトレジストパターンをマスクに前記遮光膜をエッチングする工程と、
を含むことを特徴とする。
【００１６】
本発明に係る多階調ハーフトーンマスクの製造方法は、
透明基板に遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜に第３のフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記第３のフォトレジストパターンをマスクに前記遮光膜をエッチングする工程と、
前記第３のフォトレジストパターンを除去する工程と、
第４のフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記第４のフォトレジストパターンをマスクに前記遮光膜をエッチングし開口部を形成する工程と、
前記遮光膜および前記第４のフォトレジストパターンをマスクにイオンを注入することにより露光光に対して前記透明基板と前記遮光膜との間の光透過率を有するイオン注入層を形成する工程と、
前記第４のフォトレジストパターンを除去する工程と、
を含むことを特徴とする。
【００１７】
このように遮光膜およびフォトレジストパターンをマスクにして、透明基板表面にイオンを注入することにより、必要な領域に、容易に半透過部を形成することが可能となる。また、予め作成しておいたマスクブランクを利用することができるため、短納期で低コストに多階調ハーフトーンマスクを提供することができる。
【００１８】
また、本発明に係る他の多階調ハーフトーンマスクの製造方法は、
透明基板に遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜に第５のフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記第５のフォトレジストパターンをマスクに前記遮光膜をエッチングし、前記遮光膜に開口部を形成する工程と、
前記第５のフォトレジストパターンを除去する工程と、
前記開口部の一部を覆い、前記開口部において薄膜部と厚膜部とを有する第６のフォトレジストパターンを形成する工程と、
第６のフォトレジストパターンをマスクにイオンを注入することにより前記開口部における前記薄膜部と前記厚膜部に露光光に対して前記透明基板と前記遮光膜との間の光透過率であって２種の異なる濃度のイオン注入層を形成する工程と、
第６のフォトレジストパターンを除去する工程と、
を含むことを特徴とする。
【００１９】
前記多階調ハーフトーンマスクの製造方法において、
前記イオンを注入するエネルギーは、前記第６のフォトレジストパターンの前記薄膜部を、一部のイオンが透過するエネルギーであることを特徴とする。
【００２０】
このように、異なる膜厚を有するフォトレジストパターンを用いて、開口部にイオン注入することにより、１回のイオン注入により、異なる濃度のイオン注入層を形成することができる。
【発明の効果】
【００２１】
透明基板に遮光膜を形成されたフォトマスクブランクを用いて、顧客からの要求等に応じて、様々な光透過率の半透過部を柔軟に形成することができるため、短納期で低コストに多階調ハーフトーンマスクを提供することができる。
また、半透過膜の成膜工程を必要とせず、成膜ライン間の輸送に要する時間と汚染の危険性を排除でき、さらにエッチング工程においては、遮光膜からなる単層膜をエッチングするのみであり、遮光膜のパターニングが容易であり、製造コストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１の実施形態の製造工程を示す断面および平面図。
【図２】イオン注入量と透過率との相関関係図。
【図３】大面積型のイオン注入装置の概念図
【図４】本発明の第１の実施形態の製造工程を示す断面および平面図。
【図５】本発明の第２の実施形態の製造工程を示す断面および平面図。
【図６】本発明の第２の実施形態の製造工程を示す断面および平面図。
【図７】本発明の第３の実施形態の製造工程を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明の各実施形態について説明する。但し、各実施形態及び各実施例は、いずれも本発明の要旨の認定において限定的な解釈を与えるものではない。また、同一又は同種の部材については同じ参照符号を付し、説明を省略することがある。
【００２４】
（第１の実施形態）
図１は、本発明におけるハーフトーンマスクの主要な製造工程を示す工程断面図である。
【００２５】
図１（ａ）に示すように、フォトマスクとなる石英等の透明基板１上に、例えば膜厚５０〜２００［ｎｍ］のＣｒ等の高い遮光性を有する材料からなる遮光膜２を形成したマスクブランク３を準備し、フォトレジストを塗布し、レーザー描画装置等で描画を行った後に現像することで第１のフォトレジストパターン４を形成する。図１（ｂ）は、マスクブランク３上に形成された第１のフォトレジストパターン４の平面図である。図１（ｂ）中Ａ−Ａ’断面が、図１（ａ）に相当する。なお、透明基板１上に遮光膜２を形成したマスクブランク３は、ハーフトーンマスクの製造時に、その都度準備してもよく、予め在庫として（複数）保有していても良い。
【００２６】
次に図１（ｃ）に示すように、第１のフォトレジストパターン４をマスクとして、ドライエッチング法等により遮光膜２をエッチングし、半透過部（ハーフトーン）の形成領域となる開口部５を形成する。遮光膜２に形成された開口部５の下部には、透明基板１が露出する。
【００２７】
次に図１（ｄ）に示すように、パターニングされた遮光膜２と第１のフォトレジストパターン４との積層体をマスクとして、大面積イオン注入装置により、所定のイオンビーム６をフォトマスク全面に均一に照射し、透明基板１の表面にイオンを注入（導入）する。イオンビーム６により注入されるイオンは、第１のフォトレジストパターン４と遮光膜２との積層体のある部分では、積層体内に捕獲（トラップ）されて透明基板１の領域には到達せず、透明基板１が露出した開口部５だけにイオンが注入される。遮光膜２のエッチングマスクとイオンビーム６照射（イオン注入）用のマスクとが同じであるため、半透過部形成領域となる開口部５下部の透明基板１の表面に、イオンが注入（導入）されたイオン注入層７が形成される。
【００２８】
イオン注入層７においては、イオンの注入量の増加とともに光透過率が低下する。すなわち、注入されたイオン種の原子半径をｐ、単位面積当たりのイオン数（イオンの注入量）をＣとし、露光光が減光する断面積をｐを用いて計算すると、イオン注入層の光透過率Ｄは、およそＤ＝１−２πｐ２Ｃと見積もられる。注入するイオン種が鉄の場合の注入量依存性を図２に示す。鉄の原子半径は１２６×１０−１０［ｃｍ］であるから、イオン注入量が１×１０１５［／ｃｍ２］のとき、Ｄは０．５となる。ただし、実際には、注入されたイオンの分布や深さ方向の重なり等の理由により、光透過率Ｄは、上記値よりＣ依存性が緩やかになる。
【００２９】
このように、イオン注入層７の光透過率は、イオンの注入量により制御できるため、イオン注入層７は、所望の光透過率を有する半透過部（ハーフトーン部）として機能させることができる。本イオン注入層７は、透明基板１の表面にのみ形成されるものであるが、透明基板を数［μｍ］の研磨により再生利用するような場合を想定すると、研磨によりイオン注入層７が除去可能なように、イオン注入層７の深さ（厚さ）は１［μｍ］以下が好ましい。なお、イオン注入層７の深さは、イオンビーム６を照射する（イオンを注入する）際のエネルギーにより、容易に調整することが可能である。
【００３０】
注入する元素は、リン、ヒ素、アンチモン、炭素、シリコン、ゲルマニウム、スズ、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、金属元素（亜鉛、銅、ニッケル、コバルト、鉄、マンガン、クロム、バナジウム、チタン、銀、パラジウム、モリブデン、ニオブ、金、プラチナ、タングステン、タンタル）などを使用することができる。
【００３１】
注入量は、例えば１×１０１４〜１×１０１８［／ｃｍ２］の範囲で、顧客の要求等により必要とされる光透過率に合わせて、適宜選択する。予め、注入する元素に対して、イオン注入層の光透過率とイオンの注入量との相関データを取得しておけば、要求される光透過率を実現する注入量を決定することができる。
【００３２】
また、注入エネルギーは、注入する元素に応じて、遮光膜やフォトレジストを構成する物質の阻止能に合わせて設定すれば良く、例えば数［ｋｅＶ］〜数十［ｋｅＶ］の範囲で設定できる。特別な高エネルギーでのイオン注入を要しないため、既存のイオン照射装置を用いることができる。
【００３３】
図３は、マスクブランク３にイオンを照射するために用いられるイオン注入装置の概念図である。具体的には、チャンバ２１と高周波電極２２との間に高周波電力を印加し、注入しようとする元素のプラズマ２３を生成し、電極系２４によりイオン２５を引き出すとともに、所望のエネルギーに加速し、マスクブランク３にイオン２５を照射するものである。このような大面積イオン注入装置は、例えば特開平６−２６７４９４等に開示されている。また、他に使用できるイオン注入装置として、例えば特開平８−２１２９６５等に開示されている質量分離型イオン注入装置のように、イオンビームを走査させるイオン注入装置であっても良い。さらに、他の使用可能な装置としては、例えば特開２０１２−１７８４７５等に開示されているプラズマドーピング装置であっても良い。
【００３４】
次に図４（ａ）に示すように、アッシング法等により第１のフォトレジストパターン４を除去（剥離）後、透明基板１および遮光膜２上に、新たにフォトレジストを塗布し、レーザー描画装置等で描画を行った後に現像することで第２のフォトレジストパターン８を形成する。図４（ｂ）は、本工程の第２のフォトレジストパターン８の平面形状を示し、図４（ａ）は、図４（ｂ）のＡ−Ａ’断面図に相当する。
【００３５】
次に図４（ｃ）に示すように、第２のフォトレジストパターン８をマスクとして遮光膜２をエッチングした後、第２のフォトレジストパターン８をアッシング等により除去する。図４（ｄ）は、本工程のハーフトーンマスクの平面図であり、図４（ｃ）は、図４（ｄ）のＢ−Ｂ’断面図に相当する。
【００３６】
以上の工程により、ハーフトーンマスクの遮光部、透光部、半透過部のパターンが完成する。
【００３７】
なお、イオン注入によって、透明基板１のガラスの結晶構造が損傷を受けているため、この損傷を回復するためランプ加熱やレーザー照射等によるアニール処理を、イオンビーム照射後に行ってもよい。
【００３８】
また、第２のフォトレジストパターン８は、リソグラフィーの重ね合わせ精度を考慮し、適宜第１のフォトレジストパターン４との接続において、寸法調整を行っても良い。
【００３９】
このように、遮光膜２および第１のフォトレジスト４をマスクとして、イオンビーム６を照射し形成されたイオン注入層７を半透過部として利用するため、半透過部の光透過率を自由に設定でき、予め準備されたマスクブランクを用いても、顧客の要求に柔軟に対応できる多階調なハーフトーンマスクを短納期で低コストに提供できる。また、遮光膜２の単層膜（厳密には、遮光膜とその上層に形成した反射防止膜の２層膜）を透明基板１上でエッチングするため、従来のような遮光膜と半透過膜の積層構造体をエッチングする場合と比較しオーバーエッチング量を低減できるため、透明基板１の透過部のダメージ（または掘り込み）を軽減し、ダメージによる透明基板１の光学特性の変化を容易に防止することができる。
【００４０】
（第２の実施形態）
第１の実施形態において、遮光膜２を第１のフォトレジストパターン４をマスクにエッチングし、イオン注入した後に、第２のフォトレジストパターン８をマスクにエッチングし、遮光膜２をパターニングした。しかしエッチング工程の順は、これに限らず、遮光膜２の上記エッチングによるパターン形成工程の順を入れ替えても良い。
【００４１】
すなわち、まず図５（ａ）に示すように透明基板１上に遮光膜２を形成したマスクブランク３を準備し、フォトレジストを塗布し、レーザー描画装置等で描画を行った後に現像することで、第３のフォトレジストパターン９を形成する。なおこの場合、第３のフォトレジストパターン９のパターンは、第２のフォトレジストパターン８と同じパターンを使用できる。図５（ｂ）は、第３のフォトレジストパターン９のパターン形状を示す平面図である。図５（ａ）は、図５（ｂ）のＡ−Ａ’断面図に相当する。
【００４２】
次に、図５（ｃ）に示すように、第３のフォトレジストパターン９をマスクに、遮光膜２をエッチングし、その後アッシング等により第３のフォトレジストパターン９を除去する。
【００４３】
次に、図６（ａ）に示すように、フォトレジストを塗布し、レーザー描画装置等で描画を行った後に現像することで第４のフォトレジストパターン１０を形成した後に、第４のフォトレジストパターン１０をマスクに遮光膜２をエッチングし、半透過部となる開口部５を形成する。なおこの場合、第４のフォトレジストパターン１０は、第１のフォトレジストパターン４と同じパターンが使用できる。図６（ｂ）は、第４のフォトレジストパターン１０のパターン形状を示す平面図である。図６（ａ）は、図６（ｂ）中のＡ−Ａ’断面図に相当する。
【００４４】
次に、図６（ｃ）に示すように、第４のフォトレジストパターン１０および遮光膜２をマスクに、イオンビーム６を照射し、開口部５の領域の透明基板１の表面にイオン注入層７を形成する。このとき、第４のフォトレジストパターン１０で覆われた透明基板１に、イオンが注入されないように、第４のフォトレジストパターン１０をイオンが透過しないエネルギーでイオンを注入する。
【００４５】
次にアッシング等により第４のフォトレジストパターン１０を除去し、図４（ｃ）、（ｄ）に示されるような、ハーフトーンマスクを得る。
【００４６】
（第３の実施形態）
半透過部を形成するための開口部５において、フォトレジストパターンの描画工程において、所定の領域の露光量を低減することにより、一部のフォトレジストパターンの膜厚を薄くしても良い。異なる膜厚のフォトレジストパターンをマスクにイオンを照射することで、一回のイオン注入により、光透過率の異なる半透過部を形成しさらなる多階調のハーフトーンマスクを容易に提供できる。
【００４７】
図７（ａ）に示すように、透明基板１上に遮光膜２を形成したマスクブランク３を準備し、フォトレジストを塗布し、レーザー描画装置等で描画を行った後に現像することで第５のフォトレジストパターン１１を形成し、その後、遮光膜２をエッチングし、開口部５を形成する。
【００４８】
次に図７（ｂ）に示すように、フォトレジストを塗布し、レーザー描画装置等で描画を行った後に現像することにより、開口部５の一部を覆う第６のフォトレジストパターン１２を形成する。このとき、レーザー描画法により、フォトレジストパターン１２の開口部５の一部を覆う所定の領域に、フォトレジストが完全に感光する露光量より少ない露光量で露光することにより、相対的にフォトレジストの膜厚が薄い薄膜部１３と、露光光を照射せずに、相対的にフォトレジストの膜厚が厚い厚膜部１４とを形成する。例えば、薄膜部１３の露光量を、フォトレジストが完全に感光し開口する露光量の５０％とすることができるが、この割合は、薄膜部１３が所望の厚さとなるよう適宜調整すれば良い。なお、上記はフォトレジストとしてポジレジストを用いた例について記載したが、ネガレジストを用いても露光量を適宜調整し、開口部、薄膜部１３および厚膜部１４を形成することができることは言うまでも無い。
【００４９】
次に図７（ｃ）に示すように、第６のフォトレジストパターン１２をマスクにイオンビーム６を照射する。イオンビーム６を照射するときのイオンの注入エネルギーは、第６のフォトレジストパターン１２の厚膜部１４によりイオンが捕獲され、透明基板１へ注入されないエネルギーであり、かつ第６のフォトレジストパターン１２の薄膜部１３においては、イオンの一部が透過し、透明基板１へ注入されるエネルギーを選択する。その結果、開口部５下部の透明基板１表面に異なる濃度のイオン注入層、すなわち、相対的に濃度が高い高濃度イオン注入層７ａと、相対的に濃度が低い低濃度イオン注入層７ｂが形成される。なお、図７（ｄ）においては、開口部５の一部に透過部を形成する例を図示しているが、開口部５を覆う部分の第６のフォトレジストパターン１２を薄膜部１３のみ若しくは厚膜部１４のみで構成しても良い。顧客等からマスクに要求される半透過部のパターン配置に従って、これらの第６のフォトレジストパターン１２の薄膜部１３および厚膜部１４のレイアウトを確定すれば良い。
【００５０】
なお、薄膜部１３を透過するイオンの量は、低濃度イオン注入層７ｂが、顧客等からの要求に応じた光透過率を実現できる量に設定すれば良い。具体的には、予め、フォトレジストの膜厚と、フォトレジストを透過するイオンの注入エネルギーおよび注入量との相関データを取得しておくことで、フォトレジストの膜厚とイオンを注入するエネルギーおよび注入量を容易に設定できる。また、シミュレーション技術を活用してエネルギーおよび注入量を設定してもよい。
【００５１】
次に図７（ｄ）に示すように、アッシング等により第６のフォトレジストパターン１２を除去する。
【００５２】
以上の工程により、一回のイオンビーム照射により、光透過率が異なる２種の半透過部を形成することができ、多階調のハーフトーンマスクを短納期で低コストに提供できる。
【符号の説明】
【００５３】
１  透明基板
２  遮光膜
３  マスクブランク
４  第１のフォトレジストパターン
５  開口部
６  イオンビーム
７  イオン注入層
７ａ  高濃度イオン注入層
７ｂ  低濃度イオン注入層
８  第２のフォトレジストパターン
９  第３のフォトレジストパターン
１０  第４のフォトレジストパターン
１１  第５のフォトレジストパターン
１２  第６のフォトレジストパターン
１３  薄膜部
１４  厚膜部
２１  チャンバ
２２  高周波電極
２３  プラズマ
２４  電極系
２５  イオン
【図１】
0006666694.tif 000002
【図２】
0006666694.tif 000003
【図３】
0006666694.tif 000004
【図４】
0006666694.tif 000005
【図５】
0006666694.tif 000006
【図６】
0006666694.tif 000007
【図７】
0006666694.tif 000008