(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の被処理面に処理液を吐出する処理液ノズルと、
前記処理液ノズルを基板の上方の処理位置と基板の外方の洗浄位置との間で移動させる移動機構と、
前記洗浄位置において、金属を溶解させる第１の除去液を前記処理液ノズルに供給するように構成される除去液供給部と、
基板を水平姿勢で保持して回転させる回転保持部と、
前記洗浄位置に設けられ、前記処理液ノズルの少なくとも一部が収容される収容部とを備え、
前記処理液ノズルは、前記回転保持部により回転される基板の前記被処理面に金属および塗布液を含む金属含有塗布液を前記処理液として吐出することにより前記被処理面に金属含有塗布膜を形成するように構成され、
前記収容部は第１の開口および第２の開口を有し、
前記第２の開口は、前記第１の開口より上方に位置し、
前記除去液供給部は、
前記収容部内の前記処理液ノズルに前記第１の開口を通して前記第１の除去液を供給する第１の除去液供給系と、
前記収容部内の前記処理液ノズルに前記第２の開口を通して純水を供給する純水供給系とを含む、膜処理ユニット。
【請求項２】
前記除去液供給部は、前記収容部内の前記処理液ノズルに前記塗布液を溶解させる第２の除去液を供給するように構成される、請求項１記載の膜処理ユニット。
【請求項３】
前記除去液供給部は、前記収容部内の前記処理液ノズルに前記第２の開口を通して前記第２の除去液を供給する第２の除去液供給系を含む、請求項２記載の膜処理ユニット。
【請求項４】
前記第１の除去液供給系が前記収容部内の前記処理液ノズルに前記第１の除去液を前記第１の開口を通して供給した後、前記純水供給系が前記収容部内の前記処理液ノズルに前記第２の開口を通して純水を供給する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の膜処理ユニット。
【請求項５】
前記第１の除去液供給系が前記収容部内の前記処理液ノズルに前記第１の除去液を前記第１の開口を通して供給した後、前記第２の除去液供給系が前記収容部内の前記第２の開口を通して前記第２の除去液を供給する、請求項３記載の膜処理ユニット。
【請求項６】
前記第２の除去液供給系が前記収容部内の前記処理液ノズルに前記第２の除去液を前記第２の開口を通して供給した後、前記第１の除去液供給系が前記収容部内の前記第１の開口を通して前記第１の除去液を供給し、その後、前記純水供給系が前記収容部内の前記処理液ノズルに前記第２の開口を通して純水を供給する、請求項３記載の膜処理ユニット。
【請求項７】
前記第１の除去液供給系が前記収容部内の前記処理液ノズルに前記第１の除去液を前記第１の開口を通して供給した後、前記第２の除去液供給系が前記収容部内の前記第２の開口を通して前記第２の除去液を供給する、請求項３記載の膜処理ユニット。
【請求項８】
前記処理液ノズルに供給された前記第１および前記第２の除去液を分離して回収するように設けられた除去液回収ユニットをさらに備える、請求項２または３記載の膜処理ユニット。
【請求項９】
前記処理液ノズルは、前記処理位置において基板に前記金属含有塗布液を吐出する前に、前記洗浄位置において前記金属含有塗布液を吐出するように構成される、請求項１〜８のいずれか一項に記載の膜処理ユニット。
【請求項１０】
基板の前記被処理面の周縁部を除く領域に前記金属含有塗布膜が残存するように、前記金属含有塗布液を溶解させる第３の除去液を前記回転保持部により回転される基板の前記被処理面の前記周縁部に供給する周縁部除去液供給ユニットをさらに備える、請求項１〜９のいずれか一項に記載の膜処理ユニット。
【請求項１１】
前記第３の除去液は、前記金属を溶解させる第４の除去液と前記塗布液を溶解させる第５の除去液とを含み、
前記周縁部除去液供給ユニットは、
前記第４および第５の除去液を基板の前記被処理面の周縁部に供給する１または複数の除去液ノズルを含む、請求項１０記載の膜処理ユニット。
【請求項１２】
前記第４の除去液は前記第１の除去液と同じであり、
前記処理液ノズルに供給された前記第１の除去液および基板に供給された前記第４の除去液を回収するための共通の回収配管をさらに備える、請求項１１記載の膜処理ユニット。
【請求項１３】
前記第１の除去液は、アルカリ性除去液、酸性除去液、またはキレート剤を含む水溶液を含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の膜処理ユニット。
【請求項１４】
前記第２の除去液は、有機溶媒、水酸化テトラメチルアンモニウムを含む水溶液、またはアンモニアと過酸化水素水とを含む水溶液を含む、請求項２、３および５〜８のいずれか一項に記載の膜処理ユニット。
【請求項１５】
基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
前記露光装置による露光処理前に、基板の被処理面に前記金属含有塗布膜を形成する請求項１〜１４のいずれか一項に記載の膜処理ユニットと、
前記露光装置による露光処理後に、基板の現像処理を行う現像処理ユニットとを備える、基板処理装置。
【請求項１６】
前記膜処理ユニットは、前記金属含有塗布膜として感光性を有する感光性膜を前記基板の被処理面に形成するように構成される、請求項１５記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記膜処理ユニットは、前記金属含有塗布膜として反射防止膜を基板の前記被処理面に形成するように構成される、請求項１５記載の基板処理装置。
【請求項１８】
前記現像処理ユニットは、
前記金属含有塗布膜の形成後であってかつ露光処理後の基板の被処理面に現像液を供給するように構成される現像液ノズルと、
前記現像液ノズルを基板の上方の処理位置と基板の外方の洗浄位置との間で移動させる現像液ノズル移動機構と、
現像ノズル洗浄位置において、金属を溶解させる第５の除去液を前記現像液ノズルに供給するように構成される金属除去液供給部とを含む、請求項１６記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に処理を行う膜処理ユニットおよび基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等の製造におけるリソグラフィ工程では、基板上にレジスト液等の塗布液が供給されることにより塗布膜が形成される。例えば、基板がスピンチャックにより水平に保持されつつ回転される。この状態で、基板の上面の略中央部にノズルからレジスト液が吐出されることにより、基板の上面全体に塗布膜としてレジスト膜が形成される。
【０００３】
ノズルからレジスト液が吐出された後、ノズルの先端部にはレジスト液が付着する。ノズルに付着するレジスト液が固化すると、その固化物がパーティクルとなる可能性がある。そのため、レジスト液の吐出後には、溶剤を用いてノズルの洗浄が行われる（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１７８９６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、より微細なパターンを形成するために、金属を含有する塗布膜（以下、金属含有塗布膜と呼ぶ。）を適用することが研究されている。発明者の実験によると、溶剤を用いてノズルを洗浄しても、金属成分が除去されずノズルに残存することが分かった。ノズルに残存する金属成分により、基板または基板処理装置が汚染される可能性がある。また、金属成分により汚染された基板が露光装置に搬送されることにより、露光装置が汚染される可能性がある。
【０００６】
本発明の目的は、金属による汚染を防止することが可能な膜処理ユニットおよび基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）第１の発明に係る膜処理ユニットは、基板の被処理面に処理液を吐出する処理液ノズルと、処理液ノズルを基板の上方の処理位置と基板の外方の洗浄位置との間で移動させる移動機構と、洗浄位置において、金属を溶解させる第１の除去液を処理液ノズルに供給するように構成される除去液供給部と、基板を水平姿勢で保持して回転させる回転保持部と、洗浄位置に設けられ、処理液ノズルの少なくとも一部が収容される収容部とを備え、処理液ノズルは、回転保持部により回転される基板の被処理面に金属および塗布液を含む金属含有塗布液を処理液として吐出することにより被処理面に金属含有塗布膜を形成するように構成され、収容部は第１の開口および第２の開口を有し、第２の開口は、第１の開口より上方に位置し、除去液供給部は、収容部内の処理液ノズルに第１の開口を通して第１の除去液を供給する第１の除去液供給系と、収容部内の処理液ノズルに第２の開口を通して純水を供給する純水供給系とを含む。
【０００８】
この膜処理ユニットにおいては、処理液ノズルが処理位置と洗浄位置との間で移動される。処理液ノズルが処理位置にある状態で、処理液ノズルから基板の被処理面に処理液が供給される。処理液の供給後に処理液ノズルが洗浄位置に移動され、除去液供給部から処理液ノズルに金属を溶解させる第１の除去液が供給される。
【０００９】
処理液に金属が含まれる場合には、処理液ノズルに金属が残存している可能性がある。また、基板上に金属を含む塗布膜が形成されている場合であって、処理液によりその塗布膜が溶解される場合には、溶解された塗布膜中の金属が処理液ノズルに付着している可能性がある。上記の構成によれば、処理液の供給後に処理液ノズルに第１の除去液が供給されるので、処理液ノズルに残存または付着する金属を溶解させて除去することができる。したがって、処理液ノズルから金属が拡散されることが防止される。その結果、基板または他の装置が金属によって汚染されることが防止される。
【００１１】
また、除去液供給部は、洗浄位置において、塗布液を溶解させる第２の除去液を処理液ノズルに供給するように構成されているので、処理液ノズルに付着する塗布液およびその固化物を溶解させて除去することができる。
【００１２】
（２）除去液供給部は、収容部内の処理液ノズルに塗布液を溶解させる第２の除去液を供給するように構成されてもよい。
【００１３】
（３）除去液供給部は、収容部内の処理液ノズルに第２の開口を通して第２の除去液を供給する第２の除去液供給系を含んでもよい。この場合、簡単な構成で処理液ノズルに第２の除去液を供給することができる。また、共通の収容部において処理液ノズルに第１および第２の除去液がそれぞれ供給されるので、第１および第２の除去液が異なる場所で処理液ノズルに供給される場合に比べて、省スペース化が可能であり、かつ塗布液および金属を処理液ノズルから効率良く除去することができる。
【００１４】
（４）第１の除去液供給系が収容部内の処理液ノズルに第１の除去液を第１の開口を通して供給した後、純水供給系が収容部内の処理液ノズルに第２の開口を通して純水を供給してもよい。
【００１５】
（５）第１の除去液供給系が収容部内の処理液ノズルに第１の除去液を第１の開口を通して供給した後、第２の除去液供給系が収容部内の第２の開口を通して第２の除去液を供給してもよい。
（６）膜処理ユニットは、第２の除去液供給系が収容部内の処理液ノズルに第２の除去液を第２の開口を通して供給した後、第１の除去液供給系が収容部内の第１の開口を通して第１の除去液を供給し、その後、純水供給系が収容部内の処理液ノズルに第２の開口を通して純水を供給してもよい。
（７）膜処理ユニットは、第１の除去液供給系が収容部内の処理液ノズルに第１の除去液を第１の開口を通して供給した後、第２の除去液供給系が収容部内の第２の開口を通して第２の除去液を供給してもよい。
【００１６】
（８）膜処理ユニットは、処理液ノズルに供給された第１および第２の除去液を分離して回収するように設けられた除去液回収ユニットをさらに備えてもよい。この場合、使用者は、使用済みの第１の除去液と使用済みの第２の除去液とを分離するための作業を行う必要がない。これにより、第１および第２の除去液の回収コストおよび廃棄コストを削減することができる。
【００１７】
（９）処理液ノズルは、処理位置において基板に金属含有塗布液を吐出する前に、洗浄位置において金属含有塗布液を吐出するように構成されてもよい。
この場合、金属含有塗布液を予備的に吐出することによって処理液ノズル内を新しい金属含有塗布液で満たすことができ、その新しい金属含有塗布液を基板に吐出することができる。このような予備的な吐出のスペースを別途設ける必要がないので、省スペース化が可能となる。
【００１８】
（１０）膜処理ユニットは、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存するように、金属含有塗布液を溶解させる第３の除去液を回転保持部により回転される基板の被処理面の周縁部に供給する周縁部除去液供給ユニットをさらに備えてもよい。
【００１９】
この場合、周縁部を除く基板の被処理面に金属含有塗布膜が形成され、基板の周縁部に金属が残存することが防止される。これにより、基板の周縁部から金属が拡散されることが防止される。
【００２０】
（１１）第３の除去液は、金属を溶解させる第４の除去液と塗布液を溶解させる第５の除去液とを含み、周縁部除去液供給ユニットは、第４および第５の除去液を基板の被処理面の周縁部に供給する１または複数の除去液ノズルを含んでもよい。
【００２１】
この場合、金属含有塗布液中の金属が第４の除去液により除去されるとともに、金属含有塗布液中の塗布液が第５の除去液により除去される。それにより、基板の周縁部の金属含有塗布膜を適切に除去することができる。
【００２２】
（１２）第４の除去液は第１の除去液と同じであり、膜処理ユニットは、処理液ノズルに供給された第１の除去液および基板に供給された第４の除去液を回収するための共通の回収配管をさらに備えてもよい。
【００２３】
この場合、第１の除去液と第５の除去液とが共通の回収配管を通して回収されるので、構成の複雑化が抑制されつつ第１および第５の除去液の回収効率が向上される。
【００２４】
（１３）第１の除去液は、アルカリ性除去液、酸性除去液、またはキレート剤を含む水溶液を含んでもよい。
（１４）第２の除去液は、有機溶媒、水酸化テトラメチルアンモニウムを含む水溶液、またはアンモニアと過酸化水素水とを含む水溶液を含んでもよい。
【００２５】
（１５）第２の発明に係る基板処理装置は、基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、露光装置による露光処理前に、基板の被処理面に金属含有塗布膜を形成する上記の膜処理ユニットと、露光装置による露光処理後に、基板の現像処理を行う現像処理ユニットとを備える。
【００２６】
この基板処理装置においては、露光装置による露光処理前の基板の被処理面に膜処理ユニットにより金属含有塗布膜が形成され、露光装置による露光処理後の基板に現像処理が行われる。これにより、基板の被処理面に微細なパターンを形成することができる。また、上記の膜処理ユニットが用いられるので、基板、または基板処理装置もしくは露光装置の内部が金属によって汚染されることが防止される。
【００２７】
（１６）膜処理ユニットは、金属含有塗布膜として感光性を有する感光性膜を基板の被処理面に形成するように構成されてもよい。この場合、感光性膜が金属を含有するので、露光光の減衰が抑制され、露光パターンを高い解像度で形成することができる。
【００２８】
（１７）膜処理ユニットは、金属含有塗布膜として反射防止膜を基板の被処理面に形成するように構成されてもよい。この場合、反射防止膜が金属を含有するので、露光光の減衰が抑制され、露光パターンを高い解像度で形成することができる。
（１８）現像処理ユニットは、金属含有塗布膜の形成後であってかつ露光処理後の基板の被処理面に現像液を供給するように構成される現像液ノズルと、現像液ノズルを基板の上方の処理位置と基板の外方の洗浄位置との間で移動させる現像液ノズル移動機構と、現像ノズル洗浄位置において、金属を溶解させる第５の除去液を現像液ノズルに供給するように構成される金属除去液供給部とを含んでもよい。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、処理液ノズルから金属が拡散されることが防止され、基板等が金属によって汚染されることが防止される。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
【図２】図１の塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。
【図３】塗布処理ユニットの構成を示す模式的平面図である。
【図４】図３のノズルブロックおよび待機ポットについて説明するための部分縦断面図である。
【図５】ノズルの洗浄処理の具体例について説明するための図である。
【図６】回収ユニットの他の構成例について説明するための図である。
【図７】図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。
【図８】金属除去ユニットの第１の構成例を示す図である。
【図９】金属除去ユニットの第２の構成例を示す図である。
【図１０】搬送部の内部構成を示す模式的側面図である。
【図１１】搬送機構を示す斜視図である。
【図１２】待機ポットの他の例について説明するための図である。
【図１３】スピンユニットの他の例について説明するための模式的側面図である。
【図１４】回収ユニットの他の例について説明するための模式的側面図である。
【図１５】回収ユニットの他の例について説明するための模式的側面図である。
【図１６】現像処理ユニットの一例について説明するための模式的側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明の一実施の形態に係る膜処理ユニットおよび基板処理装置について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。
【００３４】
（１）基板処理装置
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図１および図２以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。
【００３５】
図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。本例において、露光装置１５は、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet；超紫外線）により基板Ｗに露光処理を行う。ＥＵＶの波長は、１３ｎｍ以上１４ｎｍ以下である。
【００３６】
図１に示すように、インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。搬送部１１２には、メインコントローラ１１４および搬送機構１１５が設けられる。メインコントローラ１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送機構１１５は、基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。
【００３７】
第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ４（図１０参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７，１２８（図１０参照）が設けられる。
【００３８】
第２の処理ブロック１３は、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５〜ＰＡＳＳ８（図１０参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７，１３８（図１０参照）が設けられる。
【００３９】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図１０参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。
【００４０】
また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９、後述のエッジ露光部ＥＥＷ（図１０参照）および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図１０参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。
【００４１】
（２）塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部
図２は、図１の塗布処理部１２１、現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１の内部構成を示す模式的側面図である。図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。各塗布処理室２１〜２４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。現像処理部１３１には、現像処理室３１〜３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１〜３４には、現像処理ユニット１３９が設けられる。
【００４２】
（２−１）塗布処理ユニット
図３は、塗布処理ユニット１２９の構成を示す模式的平面図である。図３に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、ノズル搬送機構６０、２組のスピンユニット６１および２組のノズルユニット６２を含む。ノズル搬送機構６０は、把持部６０１、一対の第１のガイドレール６０２、第２のガイドレール６０３および一対のシリンダ６０４を含む。一対の第１のガイドレール６０２は、２組のスピンユニット６１および２組のノズルユニット６２を挟むように互いに平行に配置される。第２のガイドレール６０３は、一対の第１のガイドレール６０２に対して直交するように配置される。第２のガイドレール６０３の両端部は一対のシリンダ６０４を介して一対の第１のガイドレール６０２にそれぞれ取り付けられる。第２のガイドレール６０３は、第１のガイドレール６０２に沿って移動可能であり、かつ一対のシリンダ６０４により第１のガイドレール６０２に対して昇降可能である。第２のガイドレール６０３に沿って移動可能に把持部６０１が設けられる。
【００４３】
各スピンユニット６１は、スピンチャック６１１、カップ６１２およびエッジリンスノズル６１３を含む。スピンチャック６１１は、基板Ｗを保持した状態で、後述のモータ６１１ａにより回転駆動される。カップ６１２はスピンチャック６１１の周囲を取り囲むように設けられる。
【００４４】
各ノズルユニット６２は、複数のノズルブロック６２０および複数の待機ポットＷＰを含む。本例では、複数のノズルブロック６２０にそれぞれ対応するように複数の待機ポットＷＰが設けられる。各ノズルブロック６２０は、対応する待機ポットＷＰにおいて待機する。各ノズルブロック６２０には、塗布液配管４１１を通して、金属および塗布液を含む金属含有塗布液が供給される。金属は、金属分子または金属酸化物等の金属成分を含む。本例では、金属成分として、例えばＳｎ（スズ）、ＨｆＯ２（酸化ハフニウム）またはＺｒＯ２（二酸化ジルコニウム）が用いられる。また、塗布液として、反射防止膜用の塗布液およびレジスト膜用の塗布液が用いられる。
【００４５】
なお、スピンユニット６１およびノズルユニット６２の各々の数は、２つに限定されない。スピンユニット６１およびノズルユニット６２がそれぞれ１つのみ設けられてもよく、または３つ以上設けられてもよい。また、スピンユニット６１の数とノズルユニット６２の数とが異なってもよい。
【００４６】
ノズル搬送機構６０は、把持部６０１によりいずれかのノズルブロック６２０を把持し、そのノズルブロック６２０を基板Ｗの上方の処理位置と、対応する待機ポットＷＰ上の待機位置との間で移動させる。ノズルブロック６２０が処理位置にある状態で、スピンチャック６１１が回転されつつノズルブロック６２０から金属含有塗布液が吐出される。それにより、回転する基板Ｗ上に金属含有塗布液が塗布される。
【００４７】
本実施の形態においては、図２の塗布処理室２２，２４のノズルブロック６２０に、反射防止膜用の塗布液を含む金属含有塗布液が供給され、塗布処理室２１，２３のノズルブロック６２０に、レジスト膜用の塗布液を含む金属含有塗布液が供給される。以下、金属含有塗布液により形成される反射防止膜およびレジスト膜を金属含有塗布膜と総称する。
【００４８】
エッジリンスノズル６１３は、スピンチャック６１１により保持された基板Ｗの被処理面の周縁部を向くように配置される。ここで、被処理面とは回路パターン等の各種パターンが形成される基板Ｗの面をいう。基板Ｗの周縁部とは、基板Ｗの被処理面において、基板Ｗの外周部に沿った一定幅の領域をいう。
【００４９】
エッジリンスノズル６１３は、基板Ｗの周縁部から金属含有塗布膜を除去するための膜除去液を吐出する。膜除去液として、シンナー、酢酸ブチル（butyl acetate）、ＰＧＭＥＡ（propyleneglycol monomethyl ether acetate：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）、ＰＧＭＥ（propyleneglycol monomethyl ether：プロピレングリコールモノメチルエーテル）を含む有機溶媒のほか、ＴＭＡＨ（tetra methyl ammonium hydroxide：水酸化テトラメチルアンモニウム）、または、アンモニアおよび過酸化水素水を含む水溶液等が用いられてもよい。
【００５０】
スピンチャック６１１により基板Ｗが回転された状態で、エッジリンスノズル６１３から基板Ｗの周縁部に膜除去液が吐出される。これにより、基板Ｗの周縁部に塗布された塗布液が溶解されて除去される。
【００５１】
図４は、図３のノズルブロック６２０および待機ポットＷＰについて説明するための縦断面図である。図４に示すように、ノズルブロック６２０は、支持ブロック６２１およびノズル６２２を含む。ノズル６２２は、支持ブロック６２１の下面から下方に突出するように設けられる。ノズルブロック６２０は、塗布液配管４１１を介して塗布液供給源４１０に接続される。塗布液配管４１１にはバルブＶａが介挿される。バルブＶａが開かれることにより、塗布液供給源４１０から塗布液配管４１１を通してノズルブロック６２０に金属含有塗布液が供給され、ノズル６２２から金属含有塗布液が吐出される。
【００５２】
待機ポットＷＰは、液供給容器７１、回収容器７２およびノズル収納容器７３を含む。液供給容器７１は、回収容器７２上に設けられる。液供給容器７１には、上下方向の貫通孔７１ａが形成されている。貫通孔７１ａの上半部の内径は、貫通孔７１ａの下半部の内径よりも大きい。それにより、貫通孔７１ａの内面には段差が形成されている。液供給容器７１の貫通孔７１ａの上半部にノズル収納容器７３が収容され、段差により支持される。ノズル収納容器７３には、上下に貫通するノズル収容孔７３ａが形成されている。ノズル収容孔７３ａは、上端から下端に漸次小さくなる内径を有する。ノズルブロック６２０のノズル６２２がノズル収納容器７３のノズル収容孔７３ａ内に収容される。この場合、支持ブロック６２１が液供給容器７１の上面に支持される。
【００５３】
液供給容器７１には、外面から内面に延びるように流路７１１ａ，７１１ｂが形成される。ノズル収納容器７３には、流路７３１ａ，７３２ａおよび複数の流路７３３ａが互いに連通するように形成されるとともに、流路７３１ｂ，７３２ｂおよび複数の流路７３３ｂが互いに連通するように形成される。流路７３２ａおよび流路７３２ｂは、それぞれノズル収容孔７３ａを取り囲むように環状に延びる。流路７３１ａは、流路７１１ａと連通するようにノズル収納容器７３の外面から流路７３２ａに延び、流路７３１ｂは、流路７１１ｂと連通するようにノズル収納容器７３の外面から流路７３２ｂに延びる。
【００５４】
複数の流路７３３ａは、放射状に並ぶように流路７３２ａからノズル収容孔７３ａの内面にそれぞれ延びる。複数の流路７３３ｂは、放射状に並ぶように流路７３２ｂからノズル収容孔７３ａの内面にそれぞれ延びる。ノズル収容孔７３ａの内面において、流路７３３ａが吐出口ＯＰ１として開口し、流路７３３ｂが吐出口ＯＰ２として開口する。複数の吐出口ＯＰ１，ＯＰ２は、ノズル収容孔７３ａ内に収容されるノズル６２２の外周面を取り囲むようにそれぞれ周方向に並ぶ。また、複数の吐出口ＯＰ１は、複数の吐出口ＯＰ２より上方にそれぞれ位置する。
【００５５】
液供給容器７１の流路７１１ａには、配管４２１が接続される。配管４２１は、配管４２１ａ，４２１ｂに分岐して洗浄液供給源７４１および純水供給源７４２に延びる。配管４２１ａ，４２１ｂにはバルブＶ１，Ｖ２がそれぞれ介挿される。バルブＶ１，Ｖ２が選択的に開かれることにより、洗浄液供給源７４１および純水供給源７４２から洗浄液および純水が流路７１１ａに選択的に導かれる。
【００５６】
洗浄液は、第２の除去液の例である。洗浄液は前述したエッジリンスノズル６１３から吐出される膜除去液と同様の液であり、例えば上記の膜除去液が洗浄液として用いられる。待機ポットＷＰに供給される洗浄液と図３のエッジリンスノズル６１３に供給される膜除去液とが同じである場合、共通の洗浄液供給源７４１から図３のエッジリンスノズル６１３および待機ポットＷＰに膜除去液および洗浄液がそれぞれ供給されてもよい。流路７１１ａに導かれた洗浄液または純水は、流路７３１ａ，流路７３２ａを通して複数の流路７３３ａに導かれ、複数の吐出口ＯＰ１からノズル収容孔７３ａに収容されたノズル６２２の外周面に吐出される。
【００５７】
液供給容器７１の流路７１１ｂには、配管４２２が接続される。配管４２２は、金属用除去液供給源７４３に延びる。配管４２２にはバルブＶ３が介挿される。バルブＶ３が開かれることにより、金属用除去液供給源７４３から流路７１１ｂに金属用除去液が導かれる。金属用除去液は、第１の除去液の例である。金属用除去液として、アルカリ性除去液または酸性除去液が用いられる。アルカリ性除去液は、例えばアンモニアおよび過酸化水素を含む水溶液である。アルカリ性除去液は、例えばＴＭＡＨであってもよい。酸性除去液は、例えば希フッ酸を含む水溶液である。酸性除去液は、例えば硫酸および過酸化水素を含む水溶液であってもよいし、酢酸を含む水溶液であってもよい。また、金属用除去液としてキレート剤を含む水溶液が用いられてもよい。キレート剤は、有機酸、有機酸の塩、アミノ酸、アミノ酸の誘導体、無機アルカリ、無機アルカリの塩、アルキルアミン、アルキルアミンの誘導体、アルカノールアミンおよびアルカノールアミンの誘導体よりなる群から選択された一種または複数種を含んでもよい。金属用除去液は、金属含有塗布液に含まれる金属成分を溶解除去可能である。流路７１１ｂに導かれた金属用除去液は、流路７３１ｂ，流路７３２ｂを通して複数の流路７３３ｂに導かれ、複数の吐出口ＯＰ２からノズル収容孔７３ａに収容されたノズル６２２の外周面に吐出される。
【００５８】
回収容器７２は、貫通孔７１ａに連通する貯留部７２ａを有する。また、回収容器７２には流路７２ｂが形成され、その流路７２ｂに配管４２３が接続される。流路７２ｂを通して貯留部７２ａ内の洗浄液または金属用除去液が配管４２３に導かれる。配管４２３は、配管４２３ａ，４２３ｂに分岐して回収タンクＴＡ１，ＴＡ２に延びる。配管４２３ａにはバルブＶ４が介挿され、配管４２３ｂにはバルブＶ５が介挿される。配管４２３，４２３ａ，４２３ｂ、回収タンクＴＡ１，ＴＡ２およびバルブＶ４，Ｖ５により回収ユニット４００が構成される。バルブＶ４，Ｖ５が選択的に開かれることにより、貯留部７２ａ内の洗浄液および金属用除去液が回収タンクＴＡ１，ＴＡ２に選択的に導かれる。本例では、洗浄液が回収タンクＴＡ１に導かれ、金属用除去液が回収タンクＴＡ２に導かれる。また、貯留部７２ａ内の液体等を工場の廃棄ラインに導くための配管４２４が回収容器７２に接続される。配管４２４にはバルブＶ６が介挿される。配管４２４は、配管４２３から分岐するように設けられてもよい。
【００５９】
各待機ポットＷＰにおいて、予め定められた期間に、対応するノズルブロック６２０のノズル６２２の洗浄処理が行われる。洗浄処理が行われる期間は、例えば、塗布処理ユニット１２９において基板Ｗの処理が一定時間以上休止される期間である。
【００６０】
図５は、ノズル６２２の洗浄処理の具体例について説明するための図である。図４のバルブＶ１〜Ｖ６は、例えば、後述のローカルコントローラＬＣ１（図７）により制御される。まず、図４のバルブＶ１が開かれ、バルブＶ２，Ｖ３が閉じられる。また、バルブＶ４が開かれ、バルブＶ５，Ｖ６が閉じられる。
【００６１】
これにより、図５（ａ）に示すように、ノズル収納容器７３の複数の吐出口ＯＰ１からノズル６２２の外周面に洗浄液が吐出される。この場合、複数の吐出口ＯＰ１は、ノズル６２２の外周面を取り囲むように配置されるので、ノズル６２２の外周面の周方向の全体にわたって洗浄液が供給される。これにより、ノズル６２２に付着する塗布液およびその固化物等が溶解され、ノズル６２２から除去される。
【００６２】
また、ノズル６２２に供給された洗浄液は、図４の回収タンクＴＡ１に導かれる。この場合、ノズル６２２から除去された金属含有塗布液等の汚染物が回収タンクＴＡ１に導かれることを防止するため、洗浄液の吐出が開始されてからの一定時間だけバルブＶ４が閉じられかつバルブＶ６が開かれてもよい。これにより、金属含有塗布液等の汚染物は、図４の配管４２４を通して廃棄される。
【００６３】
洗浄液がノズル６２２に供給されても、金属含有塗布液に含有される金属成分が十分に除去されず、ノズル６２２上に残存する可能性がある。そこで、次に、図４のバルブＶ１，Ｖ２が閉じられ、バルブＶ３が開かれる。また、バルブＶ５が開かれ、バルブＶ４，Ｖ６が閉じられる。
【００６４】
これにより、図５（ｂ）に示すように、ノズル収納容器７３の複数の吐出口ＯＰ２からノズル６２２の外周面に金属用除去液が吐出される。この場合も、複数の吐出口ＯＰ２は、ノズル６２２の外周面を取り囲むように配置されるので、ノズル６２２の外周面の周方向の全体にわたって金属用除去液が供給される。これにより、ノズル６２２に残存する金属成分が溶解され、ノズル６２２から除去される。
【００６５】
また、ノズル６２２に供給された金属用除去液は、図４の回収タンクＴＡ２に導かれる。この場合、貯留部７２ａに残存する洗浄液およびノズル６２２から除去された金属成分等が回収タンクＴＡ２に導かれることを防止するため、金属用除去液の吐出が開始されてからの一定時間だけバルブＶ５が閉じられかつバルブＶ６が開かれてもよい。これにより、貯留部７２ａ内の洗浄液および金属成分等は、図４の配管４２４を通して廃棄される。
【００６６】
次に、図４のバルブＶ１，Ｖ３が閉じられ、バルブＶ２が開かれる。また、バルブＶ４，Ｖ５が閉じられ、バルブＶ６が開かれる。これにより、図５（ｃ）に示すように、ノズル収納容器７３の複数の吐出口ＯＰ１からノズル６２２の外周面に純水が吐出され、ノズル６２２に付着する金属用除去液が洗い流される。複数の吐出口ＯＰ１は、複数の吐出口ＯＰ２より上方に位置するので、吐出口ＯＰ１から吐出された純水は、吐出口ＯＰ２から吐出された金属用除去液よりもノズル６２２の外周面の高い位置に到達し、さらにその位置からノズル６２２の外周面を伝って下方に流れる。それにより、純水により金属用除去液が十分に洗い流され、ノズル６２２に金属用除去液が残存することが防止される。したがって、金属用除去液が金属含有塗布液に混入して基板Ｗに供給されることが防止される。
【００６７】
また、吐出された純水および洗い流された金属用除去液は、図４の配管４２４を通して廃棄される。このようにして、ノズル６２２が清浄化され、ノズル６２２の洗浄処理が終了する。
【００６８】
ノズル６２２への洗浄液、金属用除去液または純水の供給時に、サックバックバルブ等を用いて、洗浄液、金属用除去液または純水がノズル６２２の内部に吸引されてもよい。この場合、洗浄液、金属用除去液または純水によりノズル６２２の内部を洗浄することができる。
【００６９】
各ノズルブロック６２０は、基板Ｗ上に塗布液を吐出する前に、対応する待機ポットＷＰにおいて予備吐出（プリディスペンス）を行ってもよい。予備吐出により、ノズル６２２内を新しい塗布液で満たすことができ、その新しい塗布液を基板Ｗ上に吐出することができる。また、洗浄処理後に予備吐出が行われた場合、ノズル６２２内に残存する洗浄液および金属除去液等が除去される。それにより、洗浄液および金属除去液等が基板Ｗ上に吐出されることが防止される。
【００７０】
図５の例では、ノズル６２２に洗浄液、金属用除去液および純水が順に供給されるが、本発明はこれに限らない。ノズル６２２に金属用除去液が供給された後、純水の代わりに洗浄液がノズル６２２に供給されてもよい。この場合、洗浄液により金属用除去液を洗い流すことができる。また、最初に洗浄液ではなく金属用除去液がノズル６２２に供給され、続けて洗浄液がノズル６２２に供給されてもよい。この場合、金属用除去液によってノズル６２２から金属成分が除去された後、洗浄液によって塗布液および固化物等がノズル６２２から除去され、かつ金属用除去液が洗い流される。
【００７１】
また、図４および図５の例では、ノズル６２２の洗浄処理に１種類の金属用除去液のみが用いられるが、複数種類の金属用除去液が用いられてもよい。この場合、複数種類の金属用除去液が順にノズル６２２に供給されてもよく、いずれかの金属用除去液が選択的にノズル６２２に供給されてもよい。
【００７２】
図６は、回収ユニット４００の他の構成例について説明するための図である。図６の例について、図４の例と異なる点を説明する。図６の例では、配管４２３が分離タンクＴＡ３に接続される。また、分離タンクＴＡ３が配管４２３ａ，４２３ｂを介して回収タンクＴＡ１，ＴＡ２に接続される。この場合、待機ポットＷＰの貯留部７２ａから洗浄液および金属用除去液が共通の分離タンクＴＡ３に導かれる。
【００７３】
ここで、洗浄液と金属用除去液とは互いに異なる比重を有し、金属用除去液の比重は洗浄液の比重よりも大きい。そのため、分離タンクＴＡ３内においては、洗浄液の層ＬＡ１と金属用除去液の層ＬＡ２とが上下に分離するように形成される。そこで、分離タンクＴＡ３には、層ＬＡ１と層ＬＡ２との境界面を検出する境界検出部ＢＳが設けられる。境界検出部ＢＳとしては、例えば静電容量式の液面レベルセンサが用いられる。これに代えて、フロート式、光学式、超音波式、電導率式、ピエゾ共振式等の他の方式の液面レベルセンサが境界検出部ＢＳとして用いられてもよい。
【００７４】
分離タンクＴＡ３には、層ＬＡ１と層ＬＡ２との境界面の下限高さＬ１および上限高さＬ２が設定される。上限高さＬ２は下限高さＬ１よりも上方に位置する。分離タンクＴＡ３には、上限高さＬ２よりも高い位置に配管４２３ａが取り付けられ、下限高さＬ１よりも低い位置に配管４２３ｂが取り付けられる。
【００７５】
例えば、境界検出部ＢＳにより検出される境界面の高さが下限高さＬ１未満である場合、バルブＶ５が閉じられる。これにより、洗浄液が配管４２３ｂを通して回収タンクＴＡ２に導かれることが防止される。この場合、バルブＶ４は開かれてもよいし、閉じられてもよい。境界検出部ＢＳにより検出される境界面の高さが下限高さＬ１以上でありかつ上限高さＬ２未満である場合、バルブＶ４，Ｖ５が開かれる。これにより、洗浄液および金属用除去液が配管４２３ａ，４２３ｂを通して回収タンクＴＡ１，ＴＡ２にそれぞれ導かれる。境界検出部ＢＳにより検出される境界面の高さが上限高さＬ２以上である場合、バルブＶ５が開かれ、バルブＶ４が閉じられる。これにより、金属用除去液が配管４２３ｂを通して回収タンクＴＡ２に導かれる。また、金属用除去液が配管４２３ａを通して回収タンクＴＡ１に導かれることが防止される。
【００７６】
このように、図６の例では、洗浄液および金属用除去液の比重に基づいて、使用済みの洗浄液と使用済みの金属用除去液とが分離される。これにより、洗浄液と金属用除去液とを分離して回収することが可能となる。この場合、使用者は、洗浄液と金属用除去液とを分離するための作業を行う必要がない。これにより、各液の回収コストおよび廃棄コストを低減することができる。
【００７７】
（２−２）現像処理ユニットおよび洗浄乾燥処理ユニット
図２に示すように、現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、複数のスピンチャック３５および複数のカップ３７を備える。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つのスリットノズル３８およびそれらのスリットノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。
【００７８】
現像処理ユニット１３９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。この状態で、スリットノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。これにより、基板Ｗの現像処理が行われる。
【００７９】
洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では３つ）の洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳが設けられる。各洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳにおいては、有機溶剤または純水を用いて露光処理前の基板Ｗの周縁部および裏面の洗浄ならびに乾燥処理が行われる。ここで、裏面とは基板Ｗの被処理面と反対側の面をいう。
【００８０】
（３）熱処理部
図７は、図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２の内部構成を示す模式的側面図である。図７に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。
【００８１】
熱処理部１２３の最上部にはローカルコントローラＬＣ１が設けられる。ローカルコントローラＬＣ１は、図１のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて、塗布処理部１２１（図１）、搬送部１２２（図１）および熱処理部１２３の動作を制御する。
【００８２】
熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。
【００８３】
熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４には、冷却ユニットＣＰおよび複数の熱処理ユニットＰＨＰが設けられる。
【００８４】
熱処理部１３３の最上部には、ローカルコントローラＬＣ２が設けられる。ローカルコントローラＬＣ２は、図１のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて、現像処理部１３１（図１）、搬送部１３２（図１）および熱処理部１３３の動作を制御する。
【００８５】
（４）金属除去ユニット
上記のように、図３のスピンチャック６１１により基板Ｗが回転された状態で、エッジリンスノズル６１３から基板Ｗの周縁部に膜除去液が吐出されることにより、基板Ｗの周縁部に塗布された塗布液が溶解される。それにより、基板Ｗの周縁部の金属含有塗布膜が除去される。しかしながら、基板Ｗの周縁部には金属含有塗布液に含有されていた金属成分が残存している可能性がある。また、基板Ｗの裏面に金属含有塗布液が回り込んだ場合には、基板Ｗの裏面には金属含有塗布液に含有されていた金属成分が残存している。
【００８６】
基板Ｗの周縁部または裏面に金属成分が付着した状態で基板Ｗが基板処理装置１００内で搬送されると、基板処理装置１００の内部および露光装置１５の内部に金属成分による汚染が発生する。そこで、洗浄乾燥処理部１６２には、露光処理前の基板Ｗの周縁部および裏面に付着した金属成分を除去する複数（本例では６つ）の金属除去ユニットＭＲが設けられる。
【００８７】
本例では、３つの金属除去ユニットＭＲと残り３つの金属除去ユニットＭＲとでは、異なる金属用除去液が用いられる。この場合、金属含有塗布液に含有された金属成分の種類に応じて、適した金属除去ユニットＭＲにより基板Ｗの周縁部および裏面に付着した金属成分を除去することができる。
【００８８】
図８は、金属除去ユニットＭＲの第１の構成例を示す図である。図８に示すように、金属除去ユニットＭＲには、モータ１、スピンチャック３、カップ４、２つの裏面洗浄ノズル７、周縁部洗浄ノズル８および気体供給部９が設けられる。スピンチャック３は、鉛直軸の周りで回転可能にモータ１の回転軸２の上端に取り付けられる。カップ４は、スピンチャック３に保持された基板Ｗの周囲を取り囲むように配置される。カップ４の下部には排気部５および排液部６が形成される。
【００８９】
２つの裏面洗浄ノズル７は、スピンチャック３により保持された基板Ｗの裏面を向くように配置される。裏面洗浄ノズル７から基板Ｗの裏面に金属用除去液が吐出される。周縁部洗浄ノズル８は、スピンチャック３により保持された基板Ｗの周縁部を向くように配置される。周縁部洗浄ノズル８から基板Ｗの周縁部に金属用除去液が吐出される。
【００９０】
気体供給部９は、スピンチャック３により保持された基板Ｗの略中央部の上方に配置される。気体供給部９から基板Ｗの被処理面の略中央部に不活性ガス、例えば窒素ガスが噴出される。この場合、気体供給部９から噴出される気体は、基板Ｗの被処理面の略中央部に拡散する。これにより、周縁部洗浄ノズル８から吐出される金属用除去液が基板Ｗの被処理面に形成された塗布膜に付着することが防止される。
【００９１】
図９は、金属除去ユニットＭＲの第２の構成例を示す図である。図９に示すように、第２の構成例における金属除去ユニットＭＲには、図８の周縁部洗浄ノズル８および気体供給部９に代えて気液供給ノズル１０が設けられる。気液供給ノズル１０は、水平方向に並ぶ液体ノズル１０ａおよび気体ノズル１０ｂを含む。気液供給ノズル１０は、スピンチャック３により保持された基板Ｗの周縁部を向くように配置される。ここで、気体ノズル１０ｂは、液体ノズル１０ａよりも基板Ｗの中心の近くに配置される。
【００９２】
液体ノズル１０ａから基板Ｗの周縁部に金属用除去液が吐出される。気体ノズル１０ｂから基板Ｗの周縁部に不活性ガス、例えば窒素ガスが噴出される。この場合、気体ノズル１０ｂから気体が噴出される基板Ｗの位置は、液体ノズル１０ａから金属用除去液が吐出される位置よりも基板Ｗの中心に近い。そのため、液体ノズル１０ａから吐出される金属用除去液は、気体ノズル１０ｂから噴出される気体により基板Ｗの中心に向かうことが妨げられる。これにより、液体ノズル１０ａから吐出される金属用除去液が基板Ｗの被処理面に形成された塗布膜に付着することが防止される。
【００９３】
図８および図９の金属除去ユニットＭＲにおいては、周縁部洗浄ノズル８または液体ノズル１０ａから基板Ｗの周縁部に金属用除去液が供給されるので、基板Ｗの周縁部における金属含有塗布膜中の金属成分が溶解され、基板Ｗの被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存する。また、裏面洗浄ノズル７から基板Ｗの裏面に金属用除去液が供給されるので、金属含有塗布液が基板Ｗの裏面に回り込んだ場合でも、基板Ｗの裏面に付着した金属含有塗布液中の金属成分が除去される。
【００９４】
また、本例では、熱処理部１２３により金属含有塗布膜が硬化された後の基板Ｗが金属除去ユニットＭＲに搬送されるので、金属除去ユニットＭＲにおいて気体供給部９または気体ノズル１０ｂから基板Ｗに気体が吐出されても金属含有塗布膜の膜厚に影響しない。これらの結果、基板Ｗの被処理面に金属含有塗布膜を均一な厚みに形成することができる。
【００９５】
（５）搬送部
図１０は、搬送部１２２，１３２，１６３の内部構成を示す模式的側面図である。図１０に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。
【００９６】
塗布処理室２１，２２（図２）と上段熱処理部３０１（図７）とは上段搬送室１２５を挟んで対向し、塗布処理室２３，２４（図２）と下段熱処理部３０２（図７）とは下段搬送室１２６を挟んで対向する。同様に、現像処理室３１，３２（図２）と上段熱処理部３０３（図７）とは上段搬送室１３５を挟んで対向し、現像処理室３３，３４（図２）と下段熱処理部３０４（図７）とは下段搬送室１３６を挟んで対向する。
【００９７】
搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。
【００９８】
上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９、複数のエッジ露光部ＥＥＷおよび複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。
【００９９】
載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１は、搬送機構１３７および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２は、搬送機構１３８および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。また、基板載置部ＰＡＳＳ９、エッジ露光部ＥＥＷおよび載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、搬送機構１４１，１４２（図１）および搬送機構１４６による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。
【０１００】
エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。基板Ｗにエッジ露光処理が行われることにより、後の現像処理時に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が除去される。それにより、現像処理後において、基板Ｗの周縁部が他の部分と接触した場合に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が剥離してパーティクルとなることが防止される。
【０１０１】
基板載置部ＰＡＳＳ１および基板載置部ＰＡＳＳ３には、インデクサブロック１１から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ４には、第１の処理ブロック１２からインデクサブロック１１へ搬送される基板Ｗが載置される。
【０１０２】
基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ７には、第１の処理ブロック１２から第２の処理ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ６および基板載置部ＰＡＳＳ８には、第２の処理ブロック１３から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。
【０１０３】
載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２には、第２の処理ブロック１３から洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置され、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰには、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ９には、搬入搬出ブロック１４Ｂから洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。
【０１０４】
次に、搬送機構１２７について説明する。図１１は、搬送機構１２７を示す斜視図である。図１０および図１１に示すように、搬送機構１２７は、長尺状のガイドレール３１１，３１２を備える。図１０に示すように、ガイドレール３１１は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように搬送部１１２側に固定される。ガイドレール３１２は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように上段搬送室１３５側に固定される。
【０１０５】
ガイドレール３１１とガイドレール３１２との間には、長尺状のガイドレール３１３が設けられる。ガイドレール３１３は、上下動可能にガイドレール３１１，３１２に取り付けられる。ガイドレール３１３に移動部材３１４が取り付けられる。移動部材３１４は、ガイドレール３１３の長手方向に移動可能に設けられる。
【０１０６】
移動部材３１４の上面には、長尺状の回転部材３１５が回転可能に設けられる。回転部材３１５には、基板Ｗの外周部を保持するためのハンドＨ１，Ｈ２，Ｈ３が取り付けられる。ハンドＨ１〜Ｈ３は、回転部材３１５の長手方向に移動可能に設けられる。ハンドＨ１はハンドＨ２よりも上方に配置され、ハンドＨ２はハンドＨ３よりも上方に配置される。
【０１０７】
上記のような構成により、搬送機構１２７は、上段搬送室１２５内においてＸ方向およびＺ方向に自在に移動することができる。また、ハンドＨ１〜Ｈ３を用いて塗布処理室２１，２２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図１０）および上段熱処理部３０１（図７）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。
【０１０８】
なお、図１０に示すように、搬送機構１２８，１３７，１３８は搬送機構１２７と同様の構成を有する。また、本実施の形態においては、図１の搬送機構１４２は、搬送機構１２７と同様の３つのハンドＨ１〜Ｈ３を有する。
【０１０９】
（６）基板処理
図１、図２、図７および図１０を参照しながら基板処理を説明する。インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図１）には、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、キャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図１０）に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４（図１０）に載置された処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。
【０１１０】
第１の処理ブロック１２において、搬送機構１２７（図１０）は、中段および下段のハンドＨ２，Ｈ３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図７）、冷却ユニットＣＰ（図７）および塗布処理室２２（図２）に順に搬送する。次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２，Ｈ３を用いて塗布処理室２２の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図７）、冷却ユニットＣＰ（図７）、塗布処理室２１（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図７）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図１０）に順に搬送する。
【０１１１】
この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２２において、塗布処理ユニット１２９（図２）により基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２１において、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。
【０１１２】
また、搬送機構１２７は、上段のハンドＨ１を用いて基板載置部ＰＡＳＳ６（図１０）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図１０）に搬送する。
【０１１３】
搬送機構１２８（図１０）は、中段および下段のハンドＨ２，Ｈ３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された未処理の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図７）、冷却ユニットＣＰ（図７）および塗布処理室２４（図２）に順に搬送する。次に、搬送機構１２８は、ハンドＨ２，Ｈ３を用いて塗布処理室２４の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図７）、冷却ユニットＣＰ（図７）、塗布処理室２３（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図７）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図１０）に順に搬送する。
【０１１４】
また、搬送機構１２８（図１０）は、上段のハンドＨ１を用いて基板載置部ＰＡＳＳ８（図１０）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（図１０）に搬送する。塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図７）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図７）における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。
【０１１５】
第２の処理ブロック１３において、搬送機構１３７（図１０）は、下段のハンドＨ３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図１０）に搬送する。
【０１１６】
また、搬送機構１３７（図１０）は、上段および中段のハンドＨ１，Ｈ２を用いて洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図７）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３７は、ハンドＨ１，Ｈ２を用いてその基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図７）、現像処理室３１，３２（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図７）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図１０）に順に搬送する。
【０１１７】
この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１，３２のいずれか一方において、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。
【０１１８】
搬送機構１３８（図１０）は、下段のハンドＨ３を用いて基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図１０）に搬送する。
【０１１９】
また、搬送機構１３８（図１０）は、上段および中段のハンドＨ１，Ｈ２を用いてインターフェイスブロック１４に隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図７）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３８は、ハンドＨ１，Ｈ２を用いてその基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図７）、現像処理室３３，３４（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図７）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図１０）に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０３における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。
【０１２０】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４２（図１）は、下段のハンドＨ３を用いて載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図１０）に載置された基板Ｗを金属除去ユニットＭＲ（図７）に搬送する。また、搬送機構１４２は、上段および中段のハンドＨ１，Ｈ２を用いて、金属除去ユニットＭＲの基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図１０）または載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図１０）に搬送する。搬送機構１４１（図１）は、金属除去ユニットＭＲから載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に搬送された基板を洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳ（図２）、エッジ露光部ＥＥＷおよび載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図１０）に順に搬送する。
【０１２１】
この場合、金属除去ユニットＭＲにおいて、基板Ｗの周縁部および裏面に残存する金属成分の除去が行われる。また、洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳにおいて、基板Ｗの周縁部および裏面の洗浄ならびに乾燥処理が行われる。続いて、エッジ露光部ＥＥＷにおいて基板Ｗのエッジ露光処理が行われる。その後、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて露光装置１５（図１）による露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【０１２２】
また、搬送機構１４２（図１）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図１０）に載置された露光処理後の基板Ｗを上段熱処理部３０３または下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図７）に搬送する。この場合、熱処理ユニットＰＨＰにおいて露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。
【０１２３】
搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送機構１４６（図１）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図１０）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５（図１）の基板搬入部に搬送する。また、搬送機構１４６は、露光装置１５の基板搬出部から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図１０）に搬送する。露光装置１５においては、極めて短い波長を有するＥＵＶにより基板Ｗに露光処理が行われる。この場合、基板Ｗ上の塗布膜に金属成分が含有されているので、ＥＵＶ光の吸収が効率良く行われることにより、微細な露光パターンを高い解像度で形成することができる。なお、露光方法はこれに限定されず、他の方法により基板Ｗに露光処理が行われてもよい。
【０１２４】
上記の基板Ｗの搬送によれば、金属成分が除去される前の基板Ｗと金属成分が除去された後の基板Ｗとが搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４２の異なるハンドにより保持される。これにより、金属成分が除去された後の基板Ｗに搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４２のハンドを介して金属成分が付着することが防止される。これにより、搬送機構を介した金属汚染の拡大が防止される。
【０１２５】
（７）効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、塗布処理ユニット１２９のノズル６２２に洗浄液および金属用除去液が供給されることによってノズル６２２の洗浄処理が行われる。それにより、ノズル６２２に付着する塗布液およびその固化物が除去されるとともに、ノズル６２２に残留する金属成分が除去される。したがって、ノズル６２２から金属成分が拡散することが防止される。その結果、基板Ｗ、基板処理装置１００および露光装置１５の内部が金属によって汚染されることが防止される。
【０１２６】
（８）待機ポットＷＰの他の例
図１２は、待機ポットＷＰの他の例について説明するための図である。図１２の待機ポットＷＰについて、図４の例と異なる点を説明する。
【０１２７】
図１２の待機ポットＷＰにおいては、液供給容器７１の流路７１１ａならびにノズル収納容器７３の流路７３１ａ，７３２ａ，７３３ａが形成されない。また、配管４２２が配管４２２ａ，４２２ｂ，４２２ｃに分岐し、これらの配管４２２ａ，４２２ｂ，４２２ｃが洗浄液供給源７４１、純水供給源７４２および金属用除去液供給源７４３にそれぞれ接続される。バルブＶ１，Ｖ２，Ｖ３は、配管４２２ａ，４２２ｂ，４２２ｃにそれぞれ介挿される。バルブＶ１，Ｖ２，Ｖ３が選択的に開かれることにより、洗浄液供給源７４１、純水供給源７４２および金属用除去液供給源７４３から前述した洗浄液、純水および金属用除去液が選択的に流路７１１ｂに導かれる。これにより、共通の複数の吐出口ＯＰ２からノズル６２２に洗浄液、純水および金属用除去液がそれぞれ吐出される。
【０１２８】
本例においても、洗浄液がノズル６２２に吐出されることにより、ノズル６２２に付着する塗布液およびその固化物等が除去される。また、金属用除去液がノズル６２２に吐出されることにより、ノズル６２２に残存する金属成分が除去される。また、純水がノズル６２２に吐出されることにより、ノズル６２２に付着する金属用除去液が洗い流される。これにより、ノズル６２２を清浄化することができる。また、図４の例と比べて、待機ポットＷＰの構成が簡単になる。
【０１２９】
なお、ノズル６２２の洗浄処理時に、図３のノズル搬送機構６０によってノズル６２２が昇降されてもよい。例えば、洗浄液および純水が吐出される期間には、ノズル６２２が第１の高さに維持され、金属用除去液が吐出される期間には、ノズル６２２が第１の高さよりも高い第２の高さに維持されてもよい。この場合、図５の例と同様に、ノズル６２２の外周面上において、金属用除去液が供給される領域よりも純水が供給される領域が広くなる。それにより、純水によって金属用除去液が十分に洗い流され、ノズル６２２に金属用除去液が残存することが防止される。
【０１３０】
また、上記のように、ノズル６２２に金属用除去液が供給された後、純水の代わりに洗浄液が供給されてもよい。また、最初に金属用除去液がノズル６２２に供給され、その後に洗浄液がノズル６２２に供給されてもよい。また、複数種類の金属用除去液が用いられてもよい。また、図１２の例では、図４の回収ユニット４００が用いられるが、これに代えて、図６の回収ユニット４００が用いられてもよい。
【０１３１】
あるいは、塗布液を溶解させる性質を有する金属用除去液が流路７１１ｂに供給されてもよい。この場合、ノズル６２２に金属用除去液が供給されることにより、ノズル６２２から塗布液および固化物が除去され、同時に金属成分が除去される。これにより、簡単な構成で効率良くノズル６２２を清浄化することができる。
【０１３２】
（９）スピンユニットの他の例
図１３は、スピンユニット６１の他の例について説明するための模式的側面図である。図１３のスピンユニット６１について、図３のスピンユニット６１と異なる点を説明する。
【０１３３】
図１３のスピンユニット６１は、図３の構成に加えて、エッジリンスノズル６１４およびバックリンスノズル６１５，６１６をさらに備える。エッジリンスノズル６１４は、エッジリンスノズル６１３と同様に、スピンチャック６１１により保持された基板Ｗの被処理面の周縁部を向くように配置される。バックリンスノズル６１５，６１６は、スピンチャック６１１により保持された基板Ｗの裏面を向くように配置される。スピンチャック６１１は、モータ６１１ａの回転軸の上端部に設けられる。
【０１３４】
エッジリンスノズル６１３，６１４には、供給配管６１３ｐ，６１４ｐがそれぞれ接続される。供給配管６１３ｐ，６１４ｐには、それぞれ供給バルブ６１３ｖ，６１４ｖが介挿される。バックリンスノズル６１５，６１６には、それぞれ供給配管６１５ｐ，６１６ｐが接続される。供給配管６１５ｐ，６１６ｐには、それぞれ供給バルブ６１５ｖ，６１６ｖが介挿される。
【０１３５】
エッジリンスノズル６１３およびバックリンスノズル６１５には、供給配管６１３ｐ，６１５ｐを通して膜除去液が供給され、エッジリンスノズル６１４およびバックリンスノズル６１６には、供給配管６１４ｐ，６１６ｐを通して金属用除去液が供給される。本例において、膜除去液および金属用除去液が第３の除去液の例であり、膜除去液が第４の除去液の例であり、金属用除去液が第５の除去液の例である。
【０１３６】
基板Ｗ上に金属含有塗布膜が形成された後、スピンチャック６１１により基板Ｗが回転された状態で、エッジリンスノズル６１３から基板Ｗの周縁部に膜除去液が吐出されるとともに、バックリンスノズル６１５から基板Ｗの裏面に膜除去液が吐出される。この場合、基板Ｗの周縁部および裏面に塗布された塗布液が溶解されて除去される。
【０１３７】
その後、スピンチャック６１１により基板Ｗが回転された状態で、エッジリンスノズル６１４から基板Ｗの周縁部に金属用除去液が吐出されるとともに、バックリンスノズル６１６から基板Ｗの裏面に金属用除去液が吐出される。この場合、基板Ｗの周縁部および裏面に残存した金属成分が溶解されて除去される。
【０１３８】
このように、図１３のスピンユニット６１においては、基板Ｗ上に金属含有塗布膜が形成されるとともに、基板Ｗの周縁部および裏面から塗布液および金属成分が除去されるので、基板Ｗを金属除去ユニットＭＲに搬送する必要がない。そのため、基板Ｗの搬送時間を短縮することができ、スループットを高めることができる。また、金属除去ユニットＭＲを設けなくてもよいので、基板処理装置１００の小型化および装置コストの削減が可能となる。
【０１３９】
なお、本例では、膜除去液を吐出するエッジリンスノズル６１３と金属用除去液を吐出するエッジリンスノズル６１４とが別個に設けられるが、膜除去液と金属用除去液とを選択的に吐出する共通のエッジリンスノズルが設けられてもよい。同様に、膜除去液と金属用除去液とを選択的に吐出する共通のバックリンスノズルが設けられてもよい。あるいは、金属用除去液が塗布液を溶解させる性質を有してもよい。この場合、エッジリンスノズル６１３およびバックリンスノズル６１５が設けられなくてもよい。
【０１４０】
スピンユニット６１には、回収ユニット６１Ａが設けられる。回収ユニット６１Ａは、回収配管ＤＲ、回収バルブＤＲｖ１，ＤＲｖ２および回収タンクＲＴａ，ＲＴｂを含む。カップ６１２の排液部に回収配管ＤＲが接続される。回収配管ＤＲは、下流において２つの分岐配管ＤＲａ，ＤＲｂに分岐する。分岐配管ＤＲａ，ＤＲｂには、回収バルブＤＲｖ１，ＤＲｖ２がそれぞれ介挿される。分岐配管ＤＲａ，ＤＲｂは、それぞれ回収タンクＲＴａ，ＲＴｂに接続される。
【０１４１】
供給バルブ６１３ｖ〜６１６ｖおよび回収バルブＤＲｖ１，ＤＲｖ２は、例えば、図７のローカルコントローラＬＣ１により制御される。まず、供給バルブ６１３ｖ〜６１６ｖおよび回収バルブＤＲｖ２が閉じられ、回収バルブＤＲｖ１が開かれた後、供給バルブ６１５ｖ，６１３ｖが順次開放される。これにより、バックリンスノズル６１５およびエッジリンスノズル６１３から基板Ｗの裏面および周縁部にそれぞれ膜除去液が順次吐出される。
【０１４２】
基板Ｗに吐出された膜除去液は基板Ｗの回転により振り切られ、カップ６１２の排液部から回収配管ＤＲを通して下流に導かれる。この場合、分岐配管ＤＲａの回収バルブＤＲｖ１は開かれ、分岐配管ＤＲｂの回収バルブＤＲｖ２は閉じられているため、膜除去液は、分岐配管ＤＲａを通して回収タンクＲＴａに回収される。その後、供給バルブ６１３ｖ，６１５ｖが順次閉じられることにより、エッジリンスノズル６１３およびバックリンスノズル６１５から基板Ｗへの膜除去液の吐出が順次停止される。
【０１４３】
続いて、供給バルブ６１６ｖ，６１４ｖが順次開かれる。これにより、バックリンスノズル６１６およびエッジリンスノズル６１４から基板Ｗの裏面および周縁部にそれぞれ金属用除去液が順次吐出される。また、回収バルブＤＲｖ１が閉じられるとともに、回収バルブＤＲｖ２が開かれる。
【０１４４】
基板Ｗに吐出された金属用除去液は基板Ｗの回転により振り切られ、カップ６１２の排液部から回収配管ＤＲを通して下流に導かれる。この場合、分岐配管ＤＲｂの回収バルブＤＲｖ２は開かれ、分岐配管ＤＲａの回収バルブＤＲｖ１は閉じられているため、金属用除去液は、分岐配管ＤＲｂを通して回収タンクＲＴｂに回収される。その後、供給バルブ６１３ｖ，供給バルブ６１６ｖが順次閉じられることにより、エッジリンスノズル６１４およびバックリンスノズル６１６から基板Ｗへの金属用除去液の吐出は順次停止される。
【０１４５】
このように、本例では、膜除去液および金属用除去液が吐出される期間に基づいて、使用済みの膜除去液と使用済みの金属用除去液とが分離される。これにより、ほとんど全ての使用済みの膜除去液が回収タンクＲＴａに回収され、ほとんど全ての使用済みの金属用除去液が回収タンクＲＴｂに回収される。この場合、使用者は、膜除去液と金属用除去液とを分離するための作業を行う必要がない。これにより、除去液の回収コストおよび廃棄コストを低減することができる。なお、図３のノズルブロック６２０から吐出される金属含有塗布液を回収するための回収タンクが別途設けられてもよい。
【０１４６】
上記の待機ポットＷＰに供給される洗浄液が、スピンユニット６１に供給される膜除去液と同じである場合、図４、図６または図１２の回収タンクＴＡ１が回収タンクＲＴａとして用いられてもよい。また、待機ポットＷＰに供給される金属用除去液が、スピンユニット６１に供給される金属用除去液と同じである場合、図４、図６または図１２の回収タンクＴＡ２が回収タンクＲＴｂとして用いられてもよい。
【０１４７】
図１４は、待機ポットＷＰから洗浄液および金属用除去液を回収するための構成が回収ユニット６１Ａに組み合わされた例について説明するための模式的側面図である。
【０１４８】
図１４の例では、待機ポットＷＰから延びる配管４２３ａ，４２３ｂが、分岐配管ＤＲａ，ＤＲｂと接続される。この場合、待機ポットＷＰから排出される洗浄液を回収タンクＲＴａに回収することができ、待機ポットＷＰから排出される金属用除去液を回収タンクＲＴｂに回収することができる。このように、待機ポットＷＰから洗浄液および金属用除去液を回収するための構成が、回収ユニット６１Ａと組み合わされることにより、各液の回収コストおよび廃棄コストをさらに低減することが可能となる。
【０１４９】
図１５は、回収ユニット６１Ａの他の例について説明するための模式的側面図である。図１５の回収ユニット６１Ａについて、図１３の回収ユニット６１Ａと異なる点を説明する。
【０１５０】
図１５の回収ユニット６１Ａは、図１３の回収タンクＲＴａ，ＲＴｂに代えて回収タンクＲＴｃを含む。また、回収配管ＤＲは分岐せずに回収タンクＲＴｃに接続される。この場合、カップ６１２からの使用済みの膜除去液および金属用除去液が共通の回収タンクＲＴｃに導かれる。
【０１５１】
ここで、膜除去液と金属用除去液とは互いに異なる比重を有し、金属用除去液の比重は膜除去液の比重よりも大きい。そのため、回収タンクＲＴｃ内においては、膜除去液の層ＬＡ３と金属用除去液の層ＬＡ４とが上下に分離するように形成される。そこで、回収タンクＲＴｃには、金属用除去液と膜除去液との境界面を検出する境界検出部ＢＳａが設けられる。境界検出部ＢＳａは、図６の境界検出部ＢＳと同様の構成を有する。
【０１５２】
回収タンクＲＴｃには、層ＬＡ３と層ＬＡ４との境界面の下限高さＬ３および上限高さＬ４が設定される。上限高さＬ４は下限高さＬ３よりも上方に位置する。回収タンクＲＴｃには、上限高さＬ４よりも高い位置に回収配管ＤＲｃが取り付けられ、下限高さＬ３よりも低い位置に回収配管ＤＲｄが取り付けられる。回収配管ＤＲｃ，ＤＲｄは、それぞれ図示しない膜除去液回収部および金属用除去液回収部に接続される。回収配管ＤＲｃ，ＤＲｄには、それぞれ回収バルブＤＲｖ３，ＤＲｖ４が介挿される。
【０１５３】
例えば、境界検出部ＢＳａにより検出される境界面の高さが下限高さＬ３未満である場合、回収バルブＤＲｖ４が閉じられる。これにより、回収配管ＤＲｄから膜除去液が排出されることが防止される。境界検出部ＢＳａにより検出される境界面の高さが下限高さＬ３以上でありかつ上限高さＬ４未満である場合、回収バルブＤＲｖ３，ＤＲｖ４が開かれる。これにより、回収配管ＤＲｃ，ＤＲｄからそれぞれ膜除去液および金属用除去液が排出される。境界検出部ＢＳａにより検出される境界面の高さが境界面の高さが上限高さＬ４以上である場合、回収バルブＤＲｖ４が開かれ、かつ回収バルブＤＲｖ３が閉じられる。これにより、回収配管ＤＲｃから金属用除去液が排出されることが防止される。
【０１５４】
このように、本例では、膜除去液および金属用除去液の比重に基づいて、使用済みの膜除去液と使用済みの金属用除去液とが分離される。これにより、膜除去液と金属用除去液とを完全に分離して回収することが可能となる。この場合、使用者は、膜除去液と金属用除去液とを分離するための作業を行う必要がない。これにより、除去液の回収コストおよび廃棄コストを低減することができる。
【０１５５】
なお、上記の待機ポットＷＰに供給される洗浄液が、スピンユニット６１に供給される膜除去液と同じであり、かつ待機ポットＷＰに供給される金属用除去液が、スピンユニット６１に供給される金属用除去液と同じである場合、図６の分離タンクＴＡ３が回収タンクＲＴｃとして用いられてもよい。例えば、図６の配管４２３が図１５の回収配管ＤＲと接続されてもよい。
【０１５６】
また、基板Ｗに供給された膜除去液および金属用除去液が他の構成により分離回収されてもよい。例えば、カップ６１２が２種類の除去液を分離して回収可能な２重カップであってもよい。
【０１５７】
（１０）他の実施の形態
（１０―１）
上記実施の形態では、塗布処理ユニット１２９のノズル６２２に金属用除去液が供給されるが、本発明はこれに限らない。例えば、現像処理ユニット１３９のスリットノズル３８（図１）に金属用除去液が供給されてもよい。図１６は、現像処理ユニット１３９の一例を示す模式的側面図である。図１６の現像処理ユニット１３９は、スリットノズル３８が待機するための待機ポットＷＰａを含む。待機ポットＷＰａには、配管４３１を介して金属用除去液供給源７４３が接続される。
【０１５８】
基板Ｗの現像処理では、スリットノズル３８から基板Ｗに現像液が供給されることにより、基板Ｗ上の金属含有塗布膜の一部が溶解される。この場合、溶解された金属含有塗布膜中の金属が、スリットノズル３８に付着する可能性がある。そこで、待機ポットＷＰａにおいてスリットノズル３８に金属用除去液が供給される。これにより、スリットノズル３８に付着する金属を除去することができる。その結果、スリットノズル３８から金属が拡散することが防止される。
【０１５９】
（１０―２）
上記実施の形態では、ノズルブロック２００が待機する待機ポットＷＰにおいてノズル６２２の洗浄処理が行われるが、本発明はこれに限定されない。ノズル６２２の洗浄処理を行うための洗浄処理部が待機ポットＷＰとは別個に設けられてもよい。この場合、待機ポットＷＰにおいてノズルブロック６２０が待機しつつ予備吐出を行い、洗浄処理部においてノズル６２２の洗浄処理が行われる。
【０１６０】
また、上記実施の形態では、洗浄液によるノズル６２２の洗浄と金属用除去液によるノズル６２２の洗浄とが続けて行われるが、本発明はこれに限らない。洗浄液によるノズル６２２の洗浄と、金属用除去液によるノズル６２２の洗浄とが独立に行われてもよい。例えば、洗浄液によるノズル６２２の洗浄が行われるタイミングが、金属用除去液によるノズル６２２の洗浄が行われるタイミングと異なってもよい。また、洗浄液によるノズル６２２の洗浄が行われる頻度が金属用除去液によるノズル６２２の洗浄が行われる頻度と異なってもよい。また、洗浄液によるノズル６２２の洗浄と金属用除去液によるノズル６２２の洗浄とが互いに異なる場所で行われてもよい。
【０１６１】
（１０―３）
上記実施の形態において、反射防止液およびレジスト液の両方に金属成分が含有されているが、本発明はこれに限定されない。反射防止液およびレジスト液の一方に金属成分が含有されなくてもよい。また、ハードマスク（ＨＭ）膜等の他の膜を形成するための塗布液に金属成分が含有されていてもよい。この場合、金属成分として、例えば酸化チタン（ＴｉＯｘ）、酸化タングステン（ＷＯｘ）または酸化ジルコニウム（ＺｒＯｘ）が塗布液に含有される。
【０１６２】
（１０―４）
上記実施の形態において、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１のハンドＨ１〜Ｈ３は基板Ｗの外周部を保持するが、本発明はこれに限定されない。搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１のハンドＨ１〜Ｈ３は、基板Ｗを吸着することにより基板Ｗの裏面を保持してもよい。
【０１６３】
（１０―５）
上記実施の形態において、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１は３つのハンドＨ１〜Ｈ３を有することが好ましいが、本発明はこれに限定されない。搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１は２つ以下のハンドを有してもよいし、４つ以上のハンドを有してもよい。
【０１６４】
（１０―６）
上記形態において、洗浄乾燥処理部１６１に複数の洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳが配置され、洗浄乾燥処理部１６２に複数の金属除去ユニットＭＲが配置されるが、本発明はこれに限定されない。一部または全部の洗浄乾燥処理ユニットＢＳＳが洗浄乾燥処理部１６２に配置されてもよいし、一部または全部の金属除去ユニットＭＲが洗浄乾燥処理部１６１に配置されてもよい。
【０１６５】
（１０―７）
上記実施の形態において、塗布処理ユニット１２９にエッジリンスノズル６１３が設けられるが、本発明はこれに限定されない。例えば、塗布処理ユニット１２９にエッジリンスノズル６１３が設けられず、金属除去ユニットＭＲにエッジリンスノズル６１３が設けられてもよい。この場合、金属除去ユニットＭＲにおいて基板Ｗの周縁部に膜除去液および金属用除去液が供給される。使用後の膜除去液および金属用除去液を回収するために、図１３および図１５の例と同様の回収ユニットが金属除去ユニットＭＲに設けられてもよい。
【０１６６】
（１０―８）
上記実施の形態において、インターフェイスブロック１４にエッジ露光部ＥＥＷが設けられるが、本発明はこれに限定されない。エッジ露光部ＥＥＷはインターフェイスブロック１４に設けられず、第１の処理ブロック１２の上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２に設けられてもよい。この場合、レジスト膜の形成後、基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ７に載置される前に基板Ｗにエッジ露光処理が行われる。
【０１６７】
（１０―９）
金属除去ユニットＭＲが他の場所に設けられてもよい。例えば、第１または第２の処理ブロック１２，１３に金属除去ユニットＭＲが設けられてもよい。また、現像処理ユニット１３９において、基板Ｗの周縁部および裏面に金属用除去液が供給されることにより、基板Ｗの周縁部および裏面から金属成分が除去されてもよい。また、第１の処理ブロック１２と第２の処理ブロック１３との間に、金属除去ユニットＭＲを含む他の処理ブロックが配置されてもよい。
【０１６８】
（１１）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１６９】
上記実施の形態においては、塗布処理ユニット１２９または現像処理ユニット１３９が膜処理ユニットの例であり、ノズル６２２またはスリットノズル３８が処理液ノズルの例であり、ノズル搬送機構６０または移動機構３９が移動機構の例であり、待機ポットＷＰまたは待機ポットＷＰａが除去液供給部の例である。また、スピンチャック６１１が回転保持部の例であり、ノズル収納容器７３が収容部の例である。
【０１７０】
また、図４および図６の吐出口ＯＰ１が第１の開口の例であり、図４および図６の配管４２１が第１の除去液供給系の例であり、図４および図６の吐出口ＯＰ２が第２の開口の例であり、図４および図６の配管４２２が第２の除去液供給系の例であり、図１２の吐出口ＯＰ２が開口の例であり、図１２の配管４２２が除去液供給系の例である。
【０１７１】
また、回収ユニット４００が除去液回収ユニットの例であり、エッジリンスノズル６１３，６１４が周縁部除去液供給ユニットおよび複数の除去液ノズルの例であり、分岐配管ＤＲｂが共通の回収配管の例であり、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、現像処理ユニット１３９が現像処理ユニットの例である。
【０１７２】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
（１２）参考形態
（１）第１の参考形態に係る膜処理ユニットは、基板の被処理面に処理液を吐出する処理液ノズルと、処理液ノズルを基板の上方の処理位置と基板の外方の洗浄位置との間で移動させる移動機構と、洗浄位置において、金属を溶解させる第１の除去液を処理液ノズルに供給するように構成される除去液供給部とを備える。
この膜処理ユニットにおいては、処理液ノズルが処理位置と洗浄位置との間で移動される。処理液ノズルが処理位置にある状態で、処理液ノズルから基板の被処理面に処理液が供給される。処理液の供給後に処理液ノズルが洗浄位置に移動され、除去液供給部から処理液ノズルに金属を溶解させる第１の除去液が供給される。
処理液に金属が含まれる場合には、処理液ノズルに金属が残存している可能性がある。また、基板上に金属を含む塗布膜が形成されている場合であって、処理液によりその塗布膜が溶解される場合には、溶解された塗布膜中の金属が処理液ノズルに付着している可能性がある。上記の構成によれば、処理液の供給後に処理液ノズルに第１の除去液が供給されるので、処理液ノズルに残存または付着する金属を溶解させて除去することができる。したがって、処理液ノズルから金属が拡散されることが防止される。その結果、基板または他の装置が金属によって汚染されることが防止される。
（２）膜処理ユニットは、基板を水平姿勢で保持して回転させる回転保持部をさらに備え、処理液ノズルは、回転保持部により回転される基板の被処理面に金属および塗布液を含む金属含有塗布液を処理液として吐出することにより被処理面に金属含有塗布膜を形成するように構成されてもよい。この場合、処理液ノズルに金属含有塗布液中の金属が残存していても、その金属を溶解させて除去することができる。したがって、処理液ノズルから金属が拡散されることが防止される。
（３）除去液供給部は、洗浄位置において、塗布液を溶解させる第２の除去液を処理液ノズルに供給するように構成されてもよい。この場合、処理液ノズルに付着する塗布液およびその固化物を溶解させて除去することができる。
（４）膜処理ユニットは、洗浄位置に設けられ、処理液ノズルの少なくとも一部が収容される収容部をさらに備え、収容部は第１の開口を有し、除去液供給部は、収容部内の処理液ノズルに第１の開口を通して第１の除去液を供給する第１の除去液供給系を含んでもよい。この場合、簡単な構成で処理液ノズルに第１の除去液を供給することができる。
（５）収容部は第２の開口を有し、除去液供給部は、収容部内の処理液ノズルに第２の開口を通して第２の除去液を供給する第２の除去液供給系を含んでもよい。この場合、簡単な構成で処理液ノズルに第２の除去液を供給することができる。また、共通の収容部において処理液ノズルに第１および第２の除去液がそれぞれ供給されるので、第１および第２の除去液が異なる場所で処理液ノズルに供給される場合に比べて、省スペース化が可能であり、かつ塗布液および金属を処理液ノズルから効率良く除去することができる。
（６）第２の開口は、第１の開口より上方に位置してもよい。この場合、処理液ノズルにおける第２の除去液の供給位置が第１の除去液の供給位置よりも高くなる。そのため、第１の開口から処理液ノズルに第１の除去液を供給した後に第２の開口から処理液ノズルに第２の除去液を供給した場合に、第２の除去液によって第１の除去液を十分に洗い流すことができる。
（７）膜処理ユニットは、洗浄位置に設けられ、処理液ノズルの少なくとも一部が収容される収容部をさらに備え、収容部は開口を有し、除去液供給部は、収容部内の処理液ノズルに開口を通して第１の除去液および第２の除去液を選択的に供給する除去液供給系を含んでもよい。この場合、簡単な構成で効率良く処理液ノズルに第１の除去液および第２の除去液を供給することができる。
（８）膜処理ユニットは、処理液ノズルに供給された第１および第２の除去液を分離して回収するように設けられた除去液回収ユニットをさらに備えてもよい。この場合、使用者は、使用済みの第１の除去液と使用済みの第２の除去液とを分離するための作業を行う必要がない。これにより、第１および第２の除去液の回収コストおよび廃棄コストを削減することができる。
（９）処理液ノズルは、処理位置において基板に金属含有塗布液を吐出する前に、洗浄位置において金属含有塗布液を吐出するように構成されてもよい。この場合、金属含有塗布液を予備的に吐出することによって処理液ノズル内を新しい金属含有塗布液で満たすことができ、その新しい金属含有塗布液を基板に吐出することができる。このような予備的な吐出のスペースを別途設ける必要がないので、省スペース化が可能となる。
（１０）膜処理ユニットは、基板の被処理面の周縁部を除く領域に金属含有塗布膜が残存するように、金属含有塗布液を溶解させる第３の除去液を回転保持部により回転される基板の被処理面の周縁部に供給する周縁部除去液供給ユニットをさらに備えてもよい。
この場合、周縁部を除く基板の被処理面に金属含有塗布膜が形成され、基板の周縁部に金属が残存することが防止される。これにより、基板の周縁部から金属が拡散されることが防止される。
（１１）第３の除去液は、金属を溶解させる第４の除去液と塗布液を溶解させる第５の除去液とを含み、周縁部除去液供給ユニットは、第４および第５の除去液を基板の被処理面の周縁部に供給する１または複数の除去液ノズルを含んでもよい。
この場合、金属含有塗布液中の金属が第４の除去液により除去されるとともに、金属含有塗布液中の塗布液が第５の除去液により除去される。それにより、基板の周縁部の金属含有塗布膜を適切に除去することができる。
（１２）第５の除去液は第１の除去液と同じであり、膜処理ユニットは、処理液ノズルに供給された第１の除去液および基板に供給された第５の除去液を回収するための共通の回収配管をさらに備えてもよい。
この場合、第１の除去液と第５の除去液とが共通の回収配管を通して回収されるので、構成の複雑化が抑制されつつ第１および第５の除去液の回収効率が向上される。
（１３）処理液ノズルは、感光性を有しかつ金属を含有する金属含有塗布膜の形成後であってかつ露光処理後の基板の被処理面に現像液を供給するように構成されてもよい。この場合、現像液によって溶解された金属含有塗布膜中の金属が処理液ノズルに付着していても、その金属を溶解させて除去することができる。したがって、処理液ノズルから金属が拡散されることが防止される。
（１４）第２の参考形態に係る基板処理装置は、基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、露光装置による露光処理前に、基板の被処理面に金属含有塗布膜を形成する上記の膜処理ユニットと、露光装置による露光処理後に、基板の現像処理を行う現像処理ユニットとを備える。
この基板処理装置においては、露光装置による露光処理前の基板の被処理面に膜処理ユニットにより金属含有塗布膜が形成され、露光装置による露光処理後の基板に現像処理が行われる。これにより、基板の被処理面に微細なパターンを形成することができる。また、上記の膜処理ユニットが用いられるので、基板、または基板処理装置もしくは露光装置の内部が金属によって汚染されることが防止される。
（１５）膜処理ユニットは、金属含有塗布膜として感光性を有する感光性膜を基板の被処理面に形成するように構成されてもよい。この場合、感光性膜が金属を含有するので、露光光の減衰が抑制され、露光パターンを高い解像度で形成することができる。
（１６）膜処理ユニットは、金属含有塗布膜として反射防止膜を基板の被処理面に形成するように構成されてもよい。この場合、反射防止膜が金属を含有するので、露光光の減衰が抑制され、露光パターンを高い解像度で形成することができる。
（１７）第３の参考形態に係る基板処理装置は、基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、露光装置による露光処理前に、基板の被処理面に金属を含む金属含有塗布膜を形成する膜形成ユニットと、露光装置による露光処理後に、基板の現像処理を行う上記の膜処理ユニットとを備える。
この基板処理装置においては、露光装置による露光処理前の基板の被処理面に膜形成ユニットにより金属含有塗布膜が形成され、露光装置による露光処理後の基板に膜処理ユニットにより現像処理が行われる。これにより、基板の被処理面に微細なパターンを形成することができる。また、上記の膜処理ユニットが用いられるので、基板、または基板処理装置もしくは露光装置の内部が金属によって汚染されることが防止される。
【産業上の利用可能性】
【０１７３】
本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。
【符号の説明】
【０１７４】
６０  ノズル搬送機構
６１  スピンユニット
６１Ａ，４００  回収ユニット
６２  ノズルユニット
７１  液供給容器
７２  回収容器
７３  ノズル収納容器
１００  基板処理装置
１２９  塗布処理ユニット
１３９  現像処理ユニット
６１３  エッジリンスノズル
６２０  ノズルブロック
６２１  支持ブロック
６２２  ノズル
ＯＰ１，ＯＰ２  吐出口
ＴＡ１，ＴＡ２，ＲＴａ，ＲＴｂ，ＲＴｃ  回収タンク
Ｗ  基板
ＷＰ，ＷＰａ  待機ポット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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