(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状の被検査物を検査する検査装置であって、
該被検査物を保持する保持面を備えた被検査物保持手段と、
該被検査物の面に照射されたレーザー光線の散乱光に基づいて、研削又は研磨で発生した該面内のスクラッチを検出する欠陥検出手段と、
該欠陥検出手段で検出された該スクラッチが含まれる領域を３次元的に撮像して再評価する３次元測定手段と、を備え、
該３次元測定手段は、ミラウ型の干渉光学系を含み、Ｚ軸方向の位置を変えて複数の画像を取得することを特徴とする検査装置。
【請求項２】
板状の被検査物を検査する検査装置であって、
該被検査物を保持する保持面を備えた被検査物保持手段と、
該被検査物の面を明視野又は暗視野で撮像して、研削又は研磨で発生した該面内のスクラッチを検出する欠陥検出手段と、
該欠陥検出手段で検出された該スクラッチが含まれる領域を３次元的に撮像して再評価する３次元測定手段と、を備え、
該３次元測定手段は、ミラウ型の干渉光学系を含み、Ｚ軸方向の位置を変えて複数の画像を取得することを特徴とする検査装置。
【請求項３】
該欠陥検出手段は、該散乱光の光強度が予め設定された閾値を超えた場合に該スクラッチが存在すると判定することを特徴とする請求項１に記載の検査装置。
【請求項４】
該被検査物保持手段に連結され該被検査物保持手段を回転させる回転駆動源と、
該被検査物保持手段を跨ぐように配置された支持構造と、
該支持構造に設けられ、該欠陥検出手段を左右方向に移動させる第１移動機構と、
該支持構造に設けられ、該３次元測定手段を該左右方向に移動させる第２移動機構と、を更に備え、
該被検査物保持手段を回転させるとともに、該欠陥検出手段又は該３次元測定手段を該左右方向に移動させることで、該欠陥検出手段による該スクラッチの検出又は該３次元測定手段による該領域の３次元的な撮像を行うことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハ等の被検査物を検査するための検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等に代表される半導体デバイスの製造工程では、いわゆる外観検査装置を用いて半導体ウェーハの表裏面等を検査することが多い（例えば、特許文献１参照）。この外観検査装置によれば、半導体ウェーハの表裏面等を撮像することによって、回路パターン内に混入した異物や、研削・研磨等の処理で発生するスクラッチ等の欠陥を検出できる。
【０００３】
ところで、上述の外観検査装置では、半導体ウェーハの表裏面等を２次元的に撮像して欠陥を検出するので、半導体ウェーハの厚み方向（高さ方向）に関する欠陥の詳細な情報を得ることはできない。この問題を解決すべく、近年では、対象の領域を複数回撮像して３次元的な情報を得る３次元測定装置が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１８５５３５号公報
【特許文献２】特開２０１５−３８４３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した３次元測定装置は、比較的狭い領域の情報を詳細に取得できる一方で、広い領域を概略的に検査する用途には向いていない。そのため、この３次元測定装置を用いて半導体ウェーハ等の被検査物を検査する際には、外観検査装置で欠陥の分布等を予め確認しておくのが通例である。
【０００６】
ところが、このような検査方法では、外観検査装置での検査の後に、被検査物を３次元測定装置に搬入して詳細な検査を実施することになるので、被検査物の検査に要する時間が長くなり易いという問題があった。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、被検査物の検査に要する時間を短縮できる検査装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面によれば、板状の被検査物を検査する検査装置であって、該被検査物を保持する保持面を備えた被検査物保持手段と、該被検査物の面に照射されたレーザー光線の散乱光に基づいて、研削又は研磨で発生した該面内のスクラッチを検出する欠陥検出手段と、該欠陥検出手段で検出された該スクラッチが含まれる領域を３次元的に撮像して再評価する３次元測定手段と、を備え、該３次元測定手段は、ミラウ型の干渉光学系を含み、Ｚ軸方向の位置を変えて複数の画像を取得することを特徴とする検査装置が提供される。また、本発明の一側面において、該被検査物保持手段に連結され該被検査物保持手段を回転させる回転駆動源と、該被検査物保持手段を跨ぐように配置された支持構造と、該支持構造に設けられ、該欠陥検出手段を左右方向に移動させる第１移動機構と、該支持構造に設けられ、該３次元測定手段を該左右方向に移動させる第２移動機構と、を更に備え、該被検査物保持手段を回転させるとともに、該欠陥検出手段又は該３次元測定手段を該左右方向に移動させることで、該欠陥検出手段による該スクラッチの検出又は該３次元測定手段による該領域の３次元的な撮像を行うことがある。
【０００８】
本発明の他の一側面によれば、板状の被検査物を検査する検査装置であって、該被検査物を保持する保持面を備えた被検査物保持手段と、該被検査物の面を明視野又は暗視野で撮像して、研削又は研磨で発生した該面内のスクラッチを検出する欠陥検出手段と、該欠陥検出手段で検出された該スクラッチが含まれる領域を３次元的に撮像して再評価する３次元測定手段と、を備え、該３次元測定手段は、ミラウ型の干渉光学系を含み、Ｚ軸方向の位置を変えて複数の画像を取得することを特徴とする検査装置が提供される。また、本発明の他の一側面において、該被検査物保持手段に連結され該被検査物保持手段を回転させる回転駆動源と、該被検査物保持手段を跨ぐように配置された支持構造と、該支持構造に設けられ、該欠陥検出手段を左右方向に移動させる第１移動機構と、該支持構造に設けられ、該３次元測定手段を該左右方向に移動させる第２移動機構と、を更に備え、該被検査物保持手段を回転させるとともに、該欠陥検出手段又は該３次元測定手段を該左右方向に移動させることで、該欠陥検出手段による該スクラッチの検出又は該３次元測定手段による該領域の３次元的な撮像を行うことがある。
【０００９】
上述した本発明の一側面において、該欠陥検出手段は、該散乱光の光強度が予め設定された閾値を超えた場合に該スクラッチが存在すると判定することが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一側面に係る検査装置は、被検査物の面内の欠陥を検出する欠陥検出手段と、欠陥検出手段で検出された欠陥が含まれる領域を３次元的に撮像して再評価する３次元測定手段と、を併せ備えるので、被検査物の面内の欠陥を検出した後に、その場で欠陥が含まれる領域を３次元的に撮像して再評価できる。よって、搬送等の工程が不要になり、被検査物の検査に要する時間を短縮できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】検査装置の主に正面側を模式的に示す斜視図である。
【図２】検査装置の主に背面側を模式的に示す斜視図である。
【図３】欠陥検出ユニットの構成例を模式的に示す図である。
【図４】３次元測定ユニットの構成例を模式的に示す図である。
【図５】干渉ユニットの構成例を模式的に示す図である。
【図６】図６（Ａ）は、欠陥検出工程を模式的に示す平面図であり、図６（Ｂ）は、欠陥検出ユニットで測定される光強度の例を示すグラフである。
【図７】図７（Ａ）は、再評価工程を模式的に示す側面図であり、図７（Ｂ）は、形成される３次元画像の例を示す図である。
【図８】第１変形例に係る欠陥検出ユニットを模式的に示す図である。
【図９】変形例に係る検査装置の主に背面側を模式的に示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
添付図面を参照して、本発明の一側面に係る実施形態について説明する。図１は、検査装置２の主に正面側を模式的に示す斜視図であり、図２は、検査装置２の主に背面側を模式的に示す斜視図である。
【００１３】
図１及び図２に示すように、検査装置２は、各構成要素を支持する基台４を備えている。基台４の中央には、板状の被検査物１１（図３等参照）を保持する保持テーブル（被検査物保持手段）６が設けられている。被検査物１１は、例えば、ＩＣ、ＬＳＩ等の製造に使用される円盤状の半導体ウェーハである。ただし、被検査物１１の種類、形状等に制限はなく、例えば、パッケージ基板、セラミックス基板、ガラス基板等を被検査物１１としても良い。
【００１４】
保持テーブル６は、例えば、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、Ｚ軸方向（鉛直方向）に概ね平行な回転軸の周りに回転する。保持テーブル６の上面は、被検査物１１を保持する保持面６ａになっている。この保持面６ａは、例えば、保持テーブル６の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面６ａに作用させることで、被検査物１１を保持テーブル６で保持できる。
【００１５】
基台４の上面には、欠陥検出ユニット（欠陥検出手段）８及び３次元測定ユニット（３次元測定手段）１０を支持する門型の支持構造１２が、保持テーブル６を跨ぐように配置されている。支持構造１２の前面１２ａの上部には、欠陥検出ユニット８をＹ軸方向（左右方向）に移動させる第１移動機構１４が設けられている。
【００１６】
第１移動機構１４は、支持構造１２の前面１２ａに配置されＹ軸方向に平行な一対の第１ガイドレール１６を備えている。第１ガイドレール１６には、第１移動機構１４を構成する移動ブロック１８がスライド可能に取り付けられている。移動ブロック１８の裏面側（後面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、第１ガイドレール１６に平行な第１ボールネジ２０が螺合されている。
【００１７】
第１ボールネジ２０の一端部には、第１パルスモータ２２が連結されている。第１パルスモータ２２で第１ボールネジ２０を回転させれば、移動ブロック１８は、第１ガイドレール１６に沿ってＹ軸方向に移動する。移動ブロック１８の下部には、欠陥検出ユニット８が設けられている。欠陥検出ユニット８の詳細については後述する。
【００１８】
一方で、支持構造１２の後面１２ｂの上部には、３次元測定ユニット１０をＹ軸方向及びＺ軸方向に移動させる第２移動機構２４が設けられている。第２移動機構２４は、支持構造１２の後面１２ｂに配置されＹ軸方向に平行な一対のＹ軸ガイドレール２６を備えている。Ｙ軸ガイドレール２６には、第２移動機構２４を構成するＹ軸移動プレート２８がスライド可能に取り付けられている。
【００１９】
Ｙ軸移動プレート２８の裏面側（前面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｙ軸ガイドレール２６に平行なＹ軸ボールネジ３０が螺合されている。Ｙ軸ボールネジ３０の一端部には、Ｙ軸パルスモータ３２が連結されている。Ｙ軸パルスモータ３２でＹ軸ボールネジ３０を回転させれば、Ｙ軸移動プレート２８は、Ｙ軸ガイドレール２６に沿ってＹ軸方向に移動する。
【００２０】
Ｙ軸移動プレート２８の表面（後面）には、Ｚ軸方向に平行なＺ軸ガイドレール３４が設けられている。Ｚ軸ガイドレール３４には、３次元測定ユニット１０の筐体３６がスライド可能に取り付けられている。筐体３６の裏面側（前面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｚ軸ガイドレール３４に平行なＺ軸ボールネジ３８が螺合されている。
【００２１】
Ｚ軸ボールネジ３８の一端部には、Ｚ軸パルスモータ４０が連結されている。Ｚ軸パルスモータ４０でＺ軸ボールネジ３８を回転させれば、３次元測定ユニット１０の筐体３６は、Ｚ軸ガイドレール３４に沿ってＺ軸方向に移動する。
【００２２】
図３は、欠陥検出ユニット８の構成例を模式的に示す図である。図３に示すように、本実施形態に係る欠陥検出ユニット８は、下方に配置される被検査物１１の被検査面１１ａに向けてレーザー光線２１を照射するレーザー照射ユニット４２を備えている。このレーザー照射ユニット４２は、例えば、レーザー発振器で発振されたレーザー光線２１を被検査面１１ａに集光する。
【００２３】
被検査面１１ａのレーザー光線２１が照射された領域（以下、被照射領域）に欠陥が存在する場合、レーザー光線２１は欠陥で散乱され、散乱光２３が発生する。一方、被照射領域に欠陥が存在しない場合、レーザー光線２１はそのまま反射される。照射ユニット４２のレーザー発振器は、例えば、半導体レーザーであり、欠陥での散乱に適した波長（４０５ｎｍ等）のレーザー光線２１を発振する。ただし、レーザー発振器の種類やレーザー光線２１の波長等に制限はない。
【００２４】
照射ユニット４２の周囲には、上述した散乱光２３を集光する筒状の集光ユニット４４が配置されている。集光ユニット４４の内壁面４４ａは、鏡面に仕上げられており、下部に形成された開口４４ｂから集光ユニット４４内に入る散乱光２３を反射して上方の集光点に集光する。
【００２５】
集光ユニット４４の上方には、集光された散乱光２３を検出する検出ユニット４６が配置されている。検出ユニット４６は、微弱な光を検出可能な光電子増倍管４８を備えている。光電子増倍管４８は、上述した散乱光２３の集光点近傍に配置される。これにより、欠陥に起因する微弱な散乱光２３を光電子増倍管４８で適切に検出できる。
【００２６】
図４は、３次元測定ユニット１０の構成例を模式的に示す図である。図４に示すように、本実施形態に係る３次元測定ユニット１０は、各構成要素が搭載される筒状の筐体３６を備えている。筐体３６内の側部には、ＬＥＤ等の光源５２が設置されている。光源５２で発生した光２５は、主に側方へと放射される。
【００２７】
光源５２の側方には、光源５２から放射された光２５を下方に導くハーフミラー５４が設けられている。ハーフミラー５４の下方には、ハーフミラー５４で反射された光源５２の光２５を被検査面１１ａに集光する集光ユニット５６が配置されている。集光ユニット５６は、代表的には凸レンズであり、例えば、筐体３６の下端に設けられた鏡筒５８の内部に固定される。
【００２８】
集光ユニット５６の下方には、参照用の光２７を生成して、被検査面１１ａで反射された光２９と干渉させる干渉ユニット６０が配置されている。図５は、干渉ユニット６０の構成例を模式的に示す図である。干渉ユニット６０は、代表的には、ミラウ型の干渉光学系であり、光２５，２７，２９を透過するガラス等の材料でなるプレート６２と、プレート６２の下方に配置されたハーフミラー６４とを備えている。
【００２９】
プレート６２の中央には、参照面を構成する微小な参照ミラー６６が配置されている。集光ユニット５６を通過してハーフミラー６４で上向きに反射された光２５の一部は、参照ミラー６６で下向きに反射される。一方、ハーフミラー６４を透過した光２５の別の一部は、被検査面１１ａで上向きに反射される。
【００３０】
参照ミラー（参照面）６６での反射により生成された参照用の光２７は、ハーフミラー６４で再び上向きに反射され、被検査面１１ａで反射された光２９とともに、プレート６２、集光ユニット５６、ハーフミラー５４等を通過して、上方の撮像ユニット６８に到達する。よって、撮像ユニット６８に到達する光２７と光２９とは、被検査面１１ａから干渉ユニット６０までの距離等に応じた所定の条件で干渉することになる。
【００３１】
撮像ユニット６８は、複数の画素が２次元的（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）に配列されたＣＣＤ、ＣＭＯＳ等の撮像素子を備えている。この撮像素子で、光２７と光２９との干渉光の２次元的な光強度を取得することで、被検査面１１ａから干渉ユニット６０までの距離等に応じて決まる輝度分布を持つ画像を形成できる。
【００３２】
つまり、取得される画像の輝度は、３次元測定ユニット１０のＺ軸方向の位置に応じて変化する。この現象を利用して、例えば、Ｚ軸方向の位置を変えて取得される複数の画像から、それぞれ、輝度や輝度変化が最大等になる座標（ＸＹ座標）を抽出することで、被検査面１１ａの形状に対応する３次元画像を形成できる。
【００３３】
次に、検査装置２で実施される被検査物１１の検査方法の概略を説明する。本実施形態に係る検査方法では、まず、検査装置２の保持テーブル６に被検査物１１を保持させる保持工程を実施する。具体的には、被検査面１１ａが上方に露出するように保持面６ａに被検査物１１を載せる。この状態で、吸引源の負圧を保持面６ａに作用させれば、被検査物１１は保持テーブル６で吸引、保持される。
【００３４】
保持工程の後には、被検査面１１ａに存在する欠陥の分布を欠陥検出ユニット８で検出する欠陥検出工程を実施する。図６（Ａ）は、欠陥検出工程を模式的に示す平面図である。この欠陥検出工程では、例えば、図６（Ａ）に示すように、保持テーブル６をＺ軸の周りに回転させるとともに、欠陥検出ユニット８をＹ軸方向に移動させる。これにより、検査の対象領域は、被検査面１１ａ上で螺旋を描くように移動する。
【００３５】
この移動の間に、欠陥検出ユニット８で散乱光２３の強度を連続的、又は断続的に測定することで、欠陥の分布を被検査面１１ａの概ね全体で検出できる。図６（Ｂ）は、欠陥検出ユニット８で測定される光強度の例を示すグラフである。散乱光２３の光強度は、一般に、欠陥が存在する領域で大きくなる。よって、例えば、ある領域（座標）で測定された散乱光２３の光強度が予め設定された閾値Ｉｔｈを超える場合には、その領域（座標）に欠陥が存在すると判定できる。
【００３６】
この判定は、例えば、欠陥検出ユニット８を構成する判定ユニット（不図示）等で行われる。なお、判定ユニットは、欠陥検出ユニット８の外部に設けられていても良い。例えば、検査装置２の全体を制御する制御ユニット（不図示）等を、欠陥検出ユニット８の判定ユニットとして用いることもできる。
【００３７】
欠陥検出工程の後には、欠陥が存在する領域を３次元測定ユニット１０で３次元的に撮像して再評価する再評価工程を実施する。図７（Ａ）は、再評価工程を模式的に示す側面図である。この再評価工程では、まず、保持テーブル６をＺ軸の周りに回転させるとともに、３次元測定ユニット１０をＹ軸方向に移動させて、欠陥検出ユニット８で欠陥が検出された領域（ＸＹ座標）に３次元測定ユニット１０を位置付ける。
【００３８】
そして、３次元測定ユニット１０のＺ軸方向の位置を変更しながら、各位置（Ｚ座標）で被検査面１１ａを撮像する。上述のように、取得される画像の輝度は、３次元測定ユニット１０のＺ軸方向の位置に応じて変化する。よって、Ｚ軸方向の位置を変えて取得される複数の画像から、それぞれ、輝度や輝度変化が最大等になる座標（ＸＹ座標）を抽出して重ね合せることで、被検査面１１ａの形状に対応する３次元画像を形成できる。
【００３９】
図７（Ｂ）は、形成される３次元画像の例を示す図である。３次元画像の形成は、例えば、３次元測定ユニット１０を構成する処理ユニット（不図示）等で行われる。なお、処理ユニットは、３次元測定ユニット１０の外部に設けられていても良い。例えば、検査装置２の全体を制御する制御ユニット等を、３次元測定ユニット１０の処理ユニットとして用いることもできる。
【００４０】
以上のように、本実施形態に係る検査装置２は、被検査物１１の被検査面１１ａ内の欠陥を検出する欠陥検出ユニット（欠陥検出手段）８と、欠陥検出ユニットで検出された欠陥が含まれる領域を３次元的に撮像して再評価する３次元測定ユニット（３次元測定手段）１０と、を併せ備えるので、被検査物１１の被検査面１１ａ内の欠陥を検出した後に、その場で欠陥が含まれる領域を３次元的に撮像して再評価できる。よって、搬送等の工程が不要になり、被検査物１１の検査に要する時間を短縮できる。
【００４１】
なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、被検査物１１の被検査面１１ａに照射したレーザー光線２１の散乱光２３に基づいて被検査面１１ａ内の欠陥を検出する欠陥検出ユニット８を例示しているが、他の欠陥検出ユニットを用いることもできる。
【００４２】
図８は、第１変形例に係る欠陥検出ユニット（欠陥検出手段）８ａを模式的に示す図である。第１変形例に係る欠陥検出ユニット８ａは、例えば、被検査物１１の被検査面１１ａを明視野又は暗視野で撮像して、この被検査面１１ａ内の欠陥を検出できるように構成されている。
【００４３】
欠陥検出ユニット８ａは、明視野観察用の明視野光源７２を備えている。明視野光源７２から放射された明視野光３１は、照明レンズ７４、ハーフミラー７６、鏡筒７８内の対物レンズ８０等を経て、平行光束として被検査物１１の被検査面１１ａに照射される。また、欠陥検出ユニット８ａは、暗視野観察用の暗視野光源８２を備えている。暗視野光源８２から放射された暗視野光３３は、鏡筒７８内のミラー８４等を経て、被検査物１１の被検査面１１ａに対して光束が傾斜した状態で照射される。
【００４４】
ハーフミラー７６の上方には、被検査面１１ａで反射された反射光を集光して結像する結像レンズ８６が配置されている。結像レンズ８６の更に上方には、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等の撮像素子を含む撮像ユニット８８が配置されている。撮像ユニット８８は、結像レンズ８６で形成される像に対応した画像を生成する。
【００４５】
このように構成された欠陥検出ユニット８ａを用いる欠陥検出工程では、まず、明視野光３１及び暗視野光３３を、明視野観察又は暗視野観察に適した光量に調整する。そして、保持テーブル６をＺ軸の周りに回転させるとともに、欠陥検出ユニット８をＹ軸方向に移動させる。これにより、検査の対象領域は、被検査面１１ａ上で螺旋を描くように移動する。
【００４６】
この移動の間に、撮像ユニット８８で被検査物１１の被検査面１１ａを撮像すれば、明視野光３１及び暗視野光３３の光量に応じた画像を取得して、欠陥の分布を被検査面１１ａの概ね全体で検出できる。なお、明視野による観察は、例えば、傷や欠け等の欠陥を検出するのに向いており、暗視野による観察は、例えば、付着物等の欠陥を検出するのに向いている。
【００４７】
また、欠陥検出ユニットで一度に観察できる領域が十分に広い場合等には、必ずしも、保持テーブル６をＺ軸の周りに回転させたり、欠陥検出ユニット８をＹ軸方向に移動させたりしなくても良い。
【００４８】
図９は、変形例に係る検査装置２ａの主に背面側を模式的に示す斜視図である。なお、変形例に係る検査装置２ａの構成要素の多くは、上述した検査装置２の構成要素と共通している。よって、共通の構成要素には同じ符号を付して詳細な説明を省略する。図９に示すように、変形例に係る検査装置２ａは、欠陥検出ユニット８の代わりに、第２変形例に係る欠陥検出ユニット（欠陥検出手段）８ｂを備えている。
【００４９】
この第２変形例に係る欠陥検出ユニット８ｂは、例えば、イメージスキャナー等と呼ばれる画像生成装置であり、Ｘ軸方向において被検出面１１ａの全体を一度に撮像して検査できるように構成されている。よって、この欠陥検出ユニット８ｂをＹ軸方向に移動（走査）させながら被検出面１１ａを撮像、検査することで、欠陥の分布を被検査面１１ａの概ね全体で検出できる。
【００５０】
なお、イメージスキャナーの方式としては、例えば、ＣＣＤ方式やＣＩＳ方式等が挙げられる。ただし、これらの方式は、用途に応じて任意に選択できる。また、この第２変形例に係る欠陥検出ユニット８ｂを用いる場合には、保持テーブル６をＺ軸の周りに回転させる必要はない。
【００５１】
更に、上述した欠陥検出ユニット８と欠陥検出ユニット８ａとを併せ備える欠陥検出ユニット（欠陥検出手段）等を用いることもできる。その他、上記実施形態及び変形例に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００５２】
２，２ａ  検査装置
４  基台
６  保持テーブル（被検査物保持手段）
６ａ  保持面
８，８ａ，８ｂ  欠陥検出ユニット（欠陥検出手段）
１０  ３次元測定ユニット（３次元測定手段）
１２  支持構造
１２ａ  前面
１２ｂ  後面
１４  第１移動機構
１６  第１ガイドレール
１８  移動ブロック
２０  第１ボールネジ
２２  第１パルスモータ
２４  第２移動機構
２６  Ｙ軸ガイドレール
２８  Ｙ軸移動プレート
３０  Ｙ軸ボールネジ
３２  Ｙ軸パルスモータ
３４  Ｚ軸ガイドレール
３６  筐体
３８  Ｚ軸ボールネジ
４０  Ｚ軸パルスモータ
４２  レーザー照射ユニット
４４  集光ユニット
４４ａ  内壁面
４４ｂ  開口
４６  検出ユニット
４８  光電子増倍管
５２  光源
５４  ハーフミラー
５６  集光ユニット
５８  鏡筒
６０  干渉ユニット
６２  プレート
６４  ハーフミラー
６６  参照ミラー
６８  撮像ユニット
７２  明視野光源
７４  照明レンズ
７６  ハーフミラー
７８  鏡筒
８０  対物レンズ
８２  暗視野光源
８４  ミラー
８６  結像レンズ
８８  撮像ユニット
１１  被検査物
１１ａ  被検査面
２１  レーザー光線
２３  散乱光
２５，２７，２９  光
３１  明視野光
３３  暗視野光
【図１】
0006723633.tif 000002
【図２】
0006723633.tif 000003
【図３】
0006723633.tif 000004
【図４】
0006723633.tif 000005
【図５】
0006723633.tif 000006
【図６】
0006723633.tif 000007
【図７】
0006723633.tif 000008
【図８】
0006723633.tif 000009
【図９】
0006723633.tif 000010