(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１画素電極及び第２画素電極と、
前記第１画素電極及び前記第２画素電極の上に配置され、前記第１画素電極及び前記第２画素電極のそれぞれを露出させる開口を定義する画素定義膜と、
前記開口を介して露出された前記第１画素電極及び前記第２画素電極の上にそれぞれ配置され、発光層を含む第１中間層及び第２中間層と、
前記第１中間層及び前記第２中間層の上に配置され、アイランドタイプのパターンを有する第１対向電極及び第２対向電極と、
前記第１対向電極及び前記第２対向電極の上にそれぞれ配置され、アイランドタイプのパターンを有する第１保護層及び第２保護層と、
前記第１保護層及び前記第２保護層の上に配置され、前記第１対向電極及び前記第２対向電極を電気的に連結する連結層と、
を含む有機発光表示装置。
【請求項２】
前記第１保護層の幅は、前記第１対向電極の幅より広く、前記第２保護層の幅は、前記第２対向電極の幅より広いことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第１保護層の端部及び前記第２保護層の端部は、それぞれ前記画素定義膜と接触することを特徴とする請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記第１保護層及び前記第２保護層は、非晶質の材料を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記第１保護層及び前記第２保護層は、非晶質の導電性酸化物を含むことを特徴とする請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記第１保護層及び前記第２保護層は、非晶質の透明導電性酸化物（amorphous  ＴＣＯ）、及び透明な非晶質酸化半導体（ＴＡＯＳ）のうち少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする請求項５に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記第１保護層及び前記第２保護層は、非晶質の絶縁性無機物を含むことを特徴とする請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記第１保護層及び前記第２保護層は、酸化物、酸窒化物、窒化物のうち少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記連結層は、前記第１保護層及び前記第２保護層によって定義されたコンタクトホールを介して、前記第１対向電極及び前記第２対向電極とそれぞれ電気的に連結されることを特徴とする請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記第１対向電極及び前記第２対向電極は、金属膜を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記第１対向電極及び前記第２対向電極は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｙｂ、Ｃａ、Ｌｉ、Ａｕ、ＬｉＦのうち少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記連結層上に配置され、少なくとも１層の有機層、及び少なくとも１層の無機層を含む保護膜をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
前記第１中間層及び前記第２中間層のうち少なくともいずれか１層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のうち少なくともいずれか１層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１４】
前記連結層は、前記第１保護層及び前記第２保護層をカバーするように一体に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１５】
基板上に、第１画素電極及び第２画素電極を形成する段階と、
前記第１画素電極及び前記第２画素電極の上に配置され、前記第１画素電極及び前記第２画素電極のそれぞれを露出させる開口を定義する画素定義膜を形成する段階と、
前記画素定義膜上に配置され、前記第１画素電極を露出させる第１開口領域が定義された第１感光パターン層を形成する段階と、
前記第１画素電極及び前記第１感光パターン層の上に、発光層を含む第１中間層、第１対向電極及び第１保護層を順次形成する段階と、
前記第１画素電極上に、前記第１中間層、前記第１対向電極及び前記第１保護層を残したまま、前記第１感光パターン層を除去する段階と、
を含む有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１中間層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のうち少なくともいずれか１層をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１保護層は、前記第１対向電極の幅より広い幅を有することを特徴とする請求項１５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第１保護層の端部は、前記画素定義膜と接触することを特徴とする請求項１７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第１対向電極は、金属膜を含むことを特徴とする請求項１５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第１対向電極は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｙｂ、Ｃａ、Ｌｉ、Ａｕ、ＬｉＦのうち少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする請求項１５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記第１保護層は、非晶質の材料を含むことを特徴とする請求項１５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記第１保護層は、非晶質の導電性酸化物を含むことを特徴とする請求項２１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記第１保護層は、非晶質の透明導電性酸化物（amorphous  ＴＣＯ）、及び透明な非晶質酸化半導体（ＴＡＯＳ）のうち少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする請求項２２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記第１保護層は、非晶質の絶縁性無機物を含むことを特徴とする請求項２３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記第１保護層は、酸化物、酸窒化物、窒化物のうち少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする請求項２４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２６】
前記第１感光パターン層を形成する段階は、前記第１感光パターン層と前記画素定義膜との間に介在され、前記第１開口領域と対応する開口領域を含む第１補助層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２７】
前記第１補助層の前記開口領域は、前記第１開口領域より広いことを特徴とする請求項２６に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２８】
前記第１保護層及び前記画素定義膜の上に配置され、前記第２画素電極を露出させる第２開口領域が定義された第２感光パターン層を形成する段階と、
前記第２画素電極及び前記第２感光パターン層の上に、発光層を含む第２中間層、第２対向電極及び第２保護層を順次形成する段階と、
前記第２画素電極上に、前記第２中間層、前記第２対向電極及び前記第２保護層を残したまま、前記第２感光パターン層を除去する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２９】
前記第１保護層及び前記第２保護層を貫通する貫通ホールを形成する段階と、
前記第１保護層及び前記第２保護層上に連結層を形成する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項２８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項３０】
前記連結層は、前記第１保護層及び前記第２保護層をカバーするように、前記基板に一体に形成されることを特徴とする請求項２９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置は、軽量薄型が可能であるだけではなく、広い視野角、迅速な応答速度及び低消費電力のような長所を持ち、それにより次世代表示装置として注目されている。
【０００３】
一方、フルカラーを具現する有機発光表示装置の場合、画素領域ごとに、互いに異なる色の光が放出され、各画素の有機発光層は、蒸着マスクを利用して形成される。有機発光表示装置がだんだんと高解像度化されるにつれ、蒸着工程時に使用されるマスクのオープンスリット（ｏｐｅｎ  ｓｌｉｔ）の幅がだんだんと細くなっており、その分布についても、だんだんと減少させることが要求されている。また、高解像度の有機発光表示装置を製作するためには、シャドー現象（ｓｈａｄｏｗ  ｅｆｆｅｃｔ）を減らしたり、なくしたりすることが必要である。そこで、基板とマスクとを密着させた状態で蒸着工程を進める方法が使用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第８８４６３０１号明細書
【特許文献２】米国特許第８８７１５４５号明細書
【特許文献３】米国特許第９０９１９１３号明細書
【特許文献４】韓国特許公開第１０−２０１４−００８２０８９号明細書
【特許文献５】米国特許第９０５４３４１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、基板とマスクとを密着させた状態で蒸着工程を進める場合、マスク写り現象（マスクによるパネル損傷）が発生するという問題がある。それを防止するために、画素定義膜上にスペーサを配置する方法があるが、そのためには、工程がさらに追加されるという問題があり、さらに、スペーサによって、有機発光表示装置の厚みが増大するという問題がある。
【０００６】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、マスク映り現象から有機発光素子を保護しながら、工程の増加や有機発光装置の厚みの増加を避けつつ、発光層及び電極を容易に形成することが可能な、新規かつ改良された有機発光表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【０００７】
なお、かような課題は、例示的なものであり、それによって本発明の範囲が限定されるものではない。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、第１画素電極及び第２画素電極；前記第１画素電極及び第２画素電極の上に配置され、前記第１画素電極及び第２画素電極それぞれを露出させる開口が定義された画素定義膜；前記開口を介して露出された前記第１画素電極及び第２画素電極の上にそれぞれ配置され、発光層を含む第１中間層及び第２中間層；前記第１中間層及び第２中間層の上に配置され、アイランドタイプのパターンを有する第１対向電極及び第２対向電極；前記第１対向電極及び第２対向電極の上にそれぞれ配置され、アイランドタイプのパターンを有する第１保護層及び第２保護層；及び前記第１保護層及び第２保護層の上に配置され、前記第１対向電極及び第２対向電極を電気的に連結する連結層；を含む有機発光表示装置が提供される。
【０００９】
前記第１保護層の幅は、前記第１対向電極の幅より広く、前記第２保護層の幅は、前記第２対向電極の幅より広くてもよい。
【００１０】
前記第１保護層の端部、及び前記第２保護層の端部は、それぞれ前記画素定義膜と接触してもよい。
【００１１】
前記第１保護層及び第２保護層は、非晶質の材料を含んでもよい。
【００１２】
前記第１保護層及び第２保護層は、非晶質の導電性酸化物を含んでもよい。
【００１３】
前記第１保護層及び第２保護層は、非晶質の透明導電性酸化物（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ＴＣＯ：ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｏｘｉｄｅ）、及び透明な非晶質酸化半導体（ＴＡＯＳ：ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）のうち少なくともいずれか一つを含んでもよい。
【００１４】
前記第１保護層及び第２保護層は、非晶質の絶縁性無機物を含んでもよい。
【００１５】
前記第１保護層及び第２保護層は、酸化物、酸窒化物、窒化物のうち少なくともいずれか一つを含んでもよい。
【００１６】
前記連結層は、前記第１保護層及び第２保護層によって定義されたコンタクトホールを介して、前記第１対向電極及び第２対向電極とそれぞれ電気的に連結されてもよい。
【００１７】
前記第１対向電極及び第２対向電極は、金属膜を含んでもよい。
【００１８】
前記第１対向電極及び第２対向電極は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｙｂ、Ｃａ、Ｌｉ、Ａｕ、ＬｉＦのうち少なくともいずれか一つを含んでもよい。
【００１９】
前記連結層上に配置され、少なくとも１層の有機層、及び少なくとも１層の無機層を含む保護膜をさらに含んでもよい。
【００２０】
前記第１中間層及び第２中間層のうち少なくともいずれか１層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のうち少なくともいずれか１層をさらに含んでもよい。
【００２１】
前記連結層は、前記第１保護層及び第２保護層をカバーするように一体に形成されてもよい。
【００２２】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、基板上に、第１画素電極及び第２画素電極を形成する段階と、前記第１画素電極及び第２画素電極の上に配置され、前記第１画素電極及び第２画素電極それぞれを露出させる開口が定義された画素定義膜を形成する段階と、前記画素定義膜上に配置され、前記第１画素電極を露出させる第１開口領域が定義された第１感光パターン層を形成する段階と、前記第１画素電極及び前記第１感光パターン層の上に、発光層を含む第１中間層、第１対向電極及び第１保護層を順次形成する段階と、前記第１画素電極上に、前記第１中間層、前記第１対向電極及び前記第１保護層を残したまま、前記第１感光パターン層を除去する段階と、を含む有機発光表示装置の製造方法が提供される。
【００２３】
前記第１中間層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のうち少なくともいずれか１層をさらに含んでもよい。
【００２４】
前記第１保護層は、前記第１対向電極の幅より広幅を有することができる。
【００２５】
前記第１保護層の端部は、前記画素定義膜と接触することができる。
【００２６】
前記第１対向電極は、金属膜を含んでもよい。
【００２７】
前記第１対向電極は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｙｂ、Ｃａ、Ｌｉ、Ａｕ、ＬｉＦのうち少なくともいずれか一つを含んでもよい。
【００２８】
前記第１保護層は、非晶質の材料を含んでもよい。
【００２９】
前記第１保護層は、非晶質の導電性酸化物を含んでもよい。
【００３０】
前記第１保護層は、非晶質の透明導電性酸化物（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ＴＣＯ：ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｏｘｉｄｅ）、及び透明な非晶質参加半導体（ＴＡＯＳ:ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）のうち少なくともいずれか一つを含んでもよい。
【００３１】
前記第１保護層は、非晶質の絶縁性無機物を含んでもよい。
【００３２】
前記第１保護層は、酸化物、酸窒化物、窒化物のうち少なくともいずれか一つを含んでもよい。
【００３３】
前記第１感光パターン層を形成する段階は、前記第１感光パターン層と前記画素定義膜との間に介在され、前記第１開口領域と対応する開口領域を含む第１補助層を形成する段階をさらに含んでもよい。
【００３４】
前記第１補助層の前記開口領域は、前記第１開口領域より大きくともよい。
【００３５】
前記第１保護層及び前記画素定義膜上に配置され、前記第２画素電極を露出させる第２開口領域が定義された第２感光パターン層を形成する段階と、前記第２画素電極及び前記第２感光パターン層の上に、発光層を含む第２中間層、第２対向電極及び第２保護層を順次形成する段階と、前記第２画素電極上に、前記第２中間層、前記第２対向電極及び前記第２保護層を残したまま、前記第２感光パターン層を除去する段階と、をさらに含んでもよい。
【００３６】
前記第１保護層及び前記第２保護層を貫通する貫通ホールを形成する段階と、前記第１保護層及び前記第２保護層上に連結層を形成する段階と、をさらに含んでもよい。
【００３７】
前記連結層は、前記第１保護層及び第２保護層をカバーするように、前記基板に一体に形成されてもよい。
【発明の効果】
【００３８】
以上説明したように本発明によれば、非晶質の保護層を利用して、有機発光素子の損傷を防止しながら、リフトオフ工程を用いて、工程の増加や有機発光装置の厚みの増加を避けつつ、有機発光素子を容易に形成することができる。
【００３９】
なお、かような効果によって、本発明の範囲が限定されるものではないということは、言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の一実施形態による有機発光表示装置を概略的に示した平面図である。
【図２Ａ】本発明の一実施形態による有機発光表示装置のいずれか１画素の等価回路図である。
【図２Ｂ】本発明の一実施形態による有機発光表示装置のいずれか１画素の等価回路図である。
【図３】図１のディスプレイ領域の一部を抜粋して示した平面図である。
【図４】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の断面図であり、図３のＩＶ−ＩＶ線による断面に対応する。
【図５Ａ】本発明の一実施形態による断面図であり、図４のＩＶ部分に対応する。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態による断面図であり、図４のＩＶ部分に対応する。
【図６Ａ】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造工程による断面図である。
【図６Ｂ】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造工程による断面図である。
【図６Ｃ】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造工程による断面図である。
【図６Ｄ】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造工程による断面図である。
【図６Ｅ】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造工程による断面図である。
【図６Ｆ】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造工程による断面図である。
【図６Ｇ】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造工程による断面図である。
【図６Ｈ】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造工程による断面図である。
【図６Ｉ】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造工程による断面図である。
【図６Ｊ】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造工程による断面図である。
【図６Ｋ】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造工程による断面図である。
【図７Ａ】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の製造方法による断面図である。
【図７Ｂ】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の製造方法による断面図である。
【図７Ｃ】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の製造方法による断面図である。
【図７Ｄ】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の製造方法による断面図である。
【図７Ｅ】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の製造方法による断面図である。
【図７Ｆ】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の製造方法による断面図である。
【図７Ｇ】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の製造方法による断面図である。
【図８】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の断面図である。
【図９Ａ】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の製造方法による断面図である。
【図９Ｂ】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の製造方法による断面図である。
【図９Ｃ】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の製造方法による断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００４２】
以下の実施形態において、第１、第２のような用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的に使用されている。
【００４３】
以下の実施形態において、単数の表現は、文脈上明白に異なって意味しない限り、複数の表現を含む。
【００４４】
以下の実施形態において、「含む」または「有する」というような用語は、明細書上に記載された特徴または構成要素が存在するということを意味するものであり、１以上の他の特徴または構成要素が付加される可能性をあらかじめ排除するものではない。
【００４５】
以下の実施形態において、膜、領域、構成要素のような部分が、他の部分の上または上部にあるとするとき、他の部分の真上にある場合だけではなく、その中間に、他の膜、領域、構成要素などが介在されている場合も含む。
【００４６】
図面では、説明の便宜のために、構成要素が、その大きさが誇張されてもいるし、縮小されてもいる。例えば、図面に示された各構成の大きさ及び厚みは、説明の便宜のために任意に示されており、本発明の実施形態は、必ずしも図示されたところに限定されるものではない。
【００４７】
ある実施形態が、記載されている例と異なって具現可能である場合、特定の工程順序は、説明される順序と異なって遂行されもする。例えば、連続して説明される２つの工程が実質的に同時に遂行されることもあり、説明される順序と反対の順序に進められることもある。
【００４８】
以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などが連結されているとするとき、膜、領域、構成要素が直接的に連結された場合だけではなく、膜、領域、構成要素の中間に他の膜、領域、構成要素が介在されて間接的に連結された場合も含む。例えば、本明細書において、膜、領域、構成要素などが電気的に連結されているとするとき、膜、領域、構成要素などが、直接電気的に連結されている場合だけではなく、その中間に、他の膜、領域、構成要素などが介在されて間接的に電気的に連結されている場合も含む。
【００４９】
図１は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置を概略的に示した平面図である。
【００５０】
図１を参照すれば、有機発光表示装置１は、基板１００を具備する。基板１００は、ディスプレイ領域ＤＡと、該ディスプレイ領域ＤＡ外側の周辺領域ＰＡと、を有する。
【００５１】
基板１００のディスプレイ領域ＤＡには、有機発光素子（ＯＬＥＤ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ-Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｅｖｉｃｅ）を具備した画素Ｐが配置される。基板１００の周辺領域ＰＡは、イメージが表示されない領域であり、ディスプレイ領域ＤＡに印加する電気的信号を伝達する多様な配線が位置することができる。
【００５２】
図２Ａは、本発明の一実施形態による有機発光表示装置のいずれか１画素の等価回路図であり、図２Ｂは、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置のいずれか１画素の等価回路図である。
【００５３】
図２Ａを参照すれば、各画素Ｐは、スキャン線ＳＬ及びデータ線ＤＬに連結された画素回路ＰＣ、及び画素回路ＰＣに連結された有機発光素子ＯＬＥＤを含む。
【００５４】
画素回路ＰＣは、駆動薄膜トランジスタＴ１、スイッチング薄膜トランジスタＴ２、及びストレージキャパシタＣｓｔを含む。スイッチング薄膜トランジスタＴ２は、スキャン線ＳＬ及びデータ線ＤＬに連結され、スキャン線ＳＬを介して入力されるスキャン信号Ｓｎによって、データ線ＤＬを介して入力されたデータ信号Ｄｍを、駆動薄膜トランジスタＴ１に伝達する。
【００５５】
ストレージキャパシタＣｓｔは、スイッチング薄膜トランジスタＴ２及び駆動電圧線ＰＬに連結され、スイッチング薄膜トランジスタＴ２から伝達された電圧と、駆動電圧線ＰＬに供給される駆動電圧ＥＬＶＤＤとの差に該当する電圧を保存する。
【００５６】
駆動薄膜トランジスタＴ１は、駆動電圧線ＰＬとストレージキャパシタＣｓｔとに連結され、ストレージキャパシタＣｓｔに保存された電圧値に対応し、駆動電圧線ＰＬから有機発光素子ＯＬＥＤを流れる駆動電流を制御することができる。有機発光素子ＯＬＥＤは、駆動電流によって、所定の輝度を有する光を放出することができる。
【００５７】
図２Ａでは、画素Ｐが２個の薄膜トランジスタ、及び１個のストレージ薄膜トランジスタを含む場合について説明したが、本発明の実施形態は、それに限定されるものではない。
【００５８】
図２Ｂを参照すれば、画素回路ＰＣは、駆動薄膜トランジスタＴ１及びスイッチング薄膜トランジスタＴ２、補償薄膜トランジスタＴ３、第１初期化薄膜トランジスタＴ４、第１発光制御薄膜トランジスタＴ５、第２発光制御薄膜トランジスタＴ６及び第２初期化薄膜トランジスタＴ７を含んでもよい。
【００５９】
駆動薄膜トランジスタＴ１のドレイン電極は、第２発光制御薄膜トランジスタＴ６を経由して、有機発光素子ＯＬＥＤと電気的に連結される。駆動薄膜トランジスタＴ１は、スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチング動作によって、データ信号Ｄｍを伝達され、有機発光素子ＯＬＥＤに駆動電流を供給する。
【００６０】
スイッチング薄膜トランジスタＴ２のゲート電極は、第１スキャン線ＳＬと連結され、ソース電極は、データ線ＤＬと連結される。スイッチング薄膜トランジスタＴ２のドレイン電極は、駆動薄膜トランジスタＴ１のソース電極と連結されており、第１発光制御薄膜トランジスタＴ５を経由して、駆動電圧線ＰＬと連結される。
【００６１】
スイッチング薄膜トランジスタＴ２は、第１スキャン線ＳＬを介して伝達された第１スキャン信号Ｓｎによってターンオンされ、データ線ＤＬに伝達されたデータ信号Ｄｍを、駆動薄膜トランジスタＴ１のソース電極に伝達するスイッチング動作を遂行する。
【００６２】
補償薄膜トランジスタＴ３のゲート電極は、第１スキャン線ＳＬｎに連結される。補償薄膜トランジスタＴ３のソース電極は、駆動薄膜トランジスタＴ１のドレイン電極と連結されており、第２発光制御薄膜トランジスタＴ６を経由して、有機発光素子ＯＬＥＤの画素電極と連結される。補償薄膜トランジスタＴ３のドレイン電極は、ストレージキャパシタＣｓｔのいずれか１つの電極、第１初期化薄膜トランジスタＴ４のソース電極及び駆動薄膜トランジスタＴ１のゲート電極と共に連結される。補償薄膜トランジスタＴ３は、第１スキャン線ＳＬを介して伝達された第１スキャン信号Ｓｎによってターンオンされ、駆動薄膜トランジスタＴ１のゲート電極とドレイン電極とを互いに連結し、駆動薄膜トランジスタＴ１をダイオード連結（ｄｉｏｄｅ-ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）させる。
【００６３】
第１初期化薄膜トランジスタＴ４のゲート電極は、第２スキャン線ＳＬｎ−１と連結される。第１初期化薄膜トランジスタＴ４のドレイン電極は、初期化電圧線ＶＬと連結される。第１初期化薄膜トランジスタＴ４のソース電極は、ストレージキャパシタＣｓｔのいずれか１つの電極、補償薄膜トランジスタＴ３のドレイン電極及び駆動薄膜トランジスタＴ１のゲート電極と共に連結される。第１初期化薄膜トランジスタＴ４は、第２スキャン線ＳＬｎ−１を介して伝達された第２スキャン信号Ｓｎ−１によってターンオンされ、初期化電圧ＶＩＮＴを駆動薄膜トランジスタＴ１のゲート電極に伝達し、駆動薄膜トランジスタＴ１のゲート電極の電圧を初期化させる初期化動作を遂行することができる。
【００６４】
第１発光制御薄膜トランジスタＴ５のゲート電極は、発光制御線ＥＬと連結される。第１発光制御薄膜トランジスタＴ５のソース電極は、駆動電圧線ＰＬと連結される。第１発光制御薄膜トランジスタＴ５のドレイン電極は、駆動薄膜トランジスタＴ１のソース電極、及びスイッチング薄膜トランジスタＴ２のドレイン電極と連結されている。
【００６５】
第２発光制御薄膜トランジスタＴ６のゲート電極は、発光制御線ＥＬと連結される。第２発光制御薄膜トランジスタＴ６のソース電極は、駆動薄膜トランジスタＴ１のドレイン電極、及び補償薄膜トランジスタＴ３のソース電極と連結される。第２発光制御薄膜トランジスタＴ６のドレイン電極は、有機発光素子ＯＬＥＤの画素電極と電気的に連結される。第１発光制御薄膜トランジスタＴ５及び第２発光制御薄膜トランジスタＴ６は、発光制御線ＥＬを介して伝達された発光制御信号Ｅｎによって同時にターンオンされ、駆動電圧ＥＬＶＤＤが有機発光素子ＯＬＥＤに伝達され、有機発光素子ＯＬＥＤに駆動電流が流れることになる。
【００６６】
第２初期化薄膜トランジスタＴ７のゲート電極は、第３スキャン線ＳＬｎ＋１に連結される。第２初期化薄膜トランジスタＴ７のソース電極は、有機発光素子ＯＬＥＤの画素電極と連結される。第２初期化薄膜トランジスタＴ７のドレイン電極は、初期化電圧線ＶＬと連結される。第２初期化薄膜トランジスタＴ７は、第３スキャン線ＳＬｎ＋１を介して伝達された第３スキャン信号Ｓｎ＋１によってターンオンされ、有機発光素子ＯＬＥＤの画素電極を初期化させることができる。
【００６７】
ストレージキャパシタＣｓｔの他の１つの電極は、駆動電圧線ＰＬと連結される。ストレージキャパシタＣｓｔのいずれか１つの電極は、駆動薄膜トランジスタＴ１のゲート電極、補償薄膜トランジスタＴ３のドレイン電極及び、第１初期化薄膜トランジスタＴ４のソース電極に共に連結される。
【００６８】
有機発光素子ＯＬＥＤの対向電極は、共通電源電圧ＥＬＶＳＳと連結される。有機発光素子ＯＬＥＤは、駆動薄膜トランジスタＴ１から駆動電流を伝達されて発光する。
【００６９】
画素回路ＰＣは、図２Ａ及び図２Ｂを参照して説明した薄膜トランジスタ及びストレージキャパシタの個数及び回路デザインに限定されるものではなく、その個数及び回路デザインは、多様に変更可能である。
【００７０】
図３は、図１のディスプレイ領域の一部を抜粋して示した平面図であり、図４は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の断面図であり、図３のＩＶ−ＩＶ線による断面に該当し、図５Ａ及び図５Ｂは、本発明の一実施形態による断面図であり、図４のＩＶ部分に対応する。
【００７１】
図３及び図４を参照すれば、ディスプレイ領域ＤＡには、互いに異なる色相の画素Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を含む。以下では、説明の便宜のために、色相が互いに異なる画素を第１画素Ｐ１、第２画素Ｐ２及び第３画素Ｐ３とする。
【００７２】
一実施形態において、第１画素Ｐ１は、赤色の光を放出し、第２画素Ｐ２は、緑色の光を放出し、第３画素Ｐ３は、青色の光を放出することができる。本実施形態では、ディスプレイ領域ＤＡに、第１画素Ｐ１、第２画素Ｐ２及び第３画素Ｐ３の３個の画素が配置された場合を図示しているが、本発明の実施形態は、それに制限されるものではない。さらに、他の実施形態として、前述の第１画素Ｐ１、第２画素Ｐ２及び第３画素Ｐ３、並びに白色の光を放出する第４画素（図示せず）をさらに含んでもよい。
【００７３】
第１画素Ｐ１、第２画素Ｐ２及び第３画素Ｐ３のそれぞれは、画素回路ＰＣ、及び画素回路ＰＣに電気的に連結された第１有機発光素子２０１、第２有機発光素子２０２及び第３有機発光素子２０３を含む。
【００７４】
画素回路ＰＣは、図５Ａに図示されているように、駆動ソース領域Ｓ１と駆動ドレイン領域Ｄ１とを含む駆動半導体層Ａ１、及び駆動ゲート電極Ｇ１を含む駆動薄膜トランジスタＴ１；スイッチングソース領域Ｓ２とスイッチングドレイン領域Ｄ２とを含むスイッチング半導体層Ａ２、及びスイッチングゲート電極Ｇ２を含むスイッチング薄膜トランジスタＴ２；並びに第１ストレージ蓄電板ＣＥ１及び第２ストレージ蓄電板ＣＥ２を含むストレージキャパシタＣｓｔ；を含んでもよい。基板１００と、駆動半導体層Ａ１及びスイッチング半導体層Ａ２との間にはバッファ層１０１が介在され、駆動半導体層Ａ１及びスイッチング半導体層Ａ２と、駆動ゲート電極Ｇ１及びスイッチングゲート電極Ｇ２との間には、ゲート絶縁層１０３が介在され、第１ストレージ蓄電板ＣＥ１及び第２ストレージ蓄電板ＣＥ２の間には、誘電体層１０５が介在され、第１画素電極２１１の下には、絶縁層１０９が配置される。バッファ層１０１とゲート絶縁層１０３は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）及び／または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）のような無機物を含む単層または多層でもあり、誘電体層１０５は、前述の酸化ケイ素、窒化ケイ素及びまたは酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のような無機物を含む単層または多層でもあり、絶縁層１０９は、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）やポリスチレン（ＰＳ）のような一般汎用高分子；フェノール系グループを有する高分子誘導体；アクリル系高分子、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、及びそれらのブレンドなどを含む有機物を含んでもよいが、本発明の実施形態は、それらに限定されるものではない。
【００７５】
画素回路ＰＣは、図５Ａに図示されているように、第１ストレージ蓄電板ＣＥ１と駆動ゲート電極Ｇ１と同一層に、ストレージキャパシタＣｓｔが駆動薄膜トランジスタＴ１と重畳されるように配置されるか、あるいは図５Ｂに図示されているように、非重畳に配置される。図５Ａ及び図５Ｂでは、第１画素Ｐ１の画素回路ＰＣについて図示されているが、他の画素の画素回路ＰＣも、同一構造を有するということは、言うまでもない。
【００７６】
再び図４を参照すれば、各画素回路ＰＣは、絶縁層である絶縁層１０９に定義されたコンタクトホールを介して、第１有機発光素子２０１、第２有機発光素子２０２及び第３有機発光素子２０３の第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３と連結される。
【００７７】
第１有機発光素子２０１は、第１画素電極２１１、第１中間層２２１及び第１対向電極２３１を含む。第１画素電極２１１、第１中間層２２１及び第１対向電極２３１のそれぞれは、アイランドタイプのパターン（島状のパターン）を有する。
【００７８】
第１中間層２２１は、赤色の発光層２２１ｂを含んでもよく、発光層２２１ｂの上または／及び下に配置された第１機能層２２１ａ及び第２機能層２２１ｃをさらに含んでもよい。第１機能層２２１ａは、正孔注入層（ＨＩＬ）及び／または正孔輸送層（ＨＴＬ）を含んでもよく、第２機能層２２１ｃは、電子輸送層（ＥＴＬ）及び／または電子注入層（ＥＩＬ）を含んでもよい。第１中間層２２１は、選択的に、第１機能層２２１ａ及び／または第２機能層２２１ｃを含んでもよい。
【００７９】
第２有機発光素子２０２は、第２画素電極２１２、第２中間層２２２及び第２対向電極２３２を含む。第２画素電極２１２、第２中間層２２２及び第２対向電極２３２それぞれは、アイランドタイプのパターンを有する。
【００８０】
第２中間層２２２は、緑色発光層２２２ｂを含んでもよく、発光層２２２ｂの上または／及び下に配置された第１機能層２２２ａ及び第２機能層２２２ｃをさらに含んでもよい。第１機能層２２２ａは、正孔注入層（ＨＩＬ）及び／または正孔輸送層（ＨＴＬ）を含んでもよく、第２機能層２２２ｃは、電子輸送層（ＥＴＬ）及び／または電子注入層（ＥＩＬ）を含んでもよい。第２中間層２２２は、選択的に、第１機能層２２２ａ及び／または第２機能層２２２ｃを含んでもよい。
【００８１】
第３有機発光素子２０３は、第３画素電極２１３、第３中間層２２３及び第３対向電極２３３を含む。第３画素電極２１３、第３中間層２２３及び第３対向電極２３３それぞれは、アイランドタイプのパターンを有する。
【００８２】
第３中間層２２３は、青色発光層２２３ｂを含んでもよく、発光層２２３ｂの上または／及び下に配置された第１機能層２２３ａ及び第２機能層２２３ｃをさらに含んでもよい。第１機能層２２３ａは、正孔注入層（ＨＩＬ）及び／または正孔輸送層（ＨＴＬ）を含んでもよく、第２機能層２２３ｃは、電子輸送層（ＥＴＬ）及び／または電子注入層（ＥＩＬ）を含んでもよい。第３中間層２２３は、選択的に、第１機能層２２３ａ及び／または第２機能層２２３ｃを含んでもよい。
【００８３】
第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３は、反射電極でもあり、透光性電極でもある。
【００８４】
反射電極である場合、第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、またはこれらの化合物などによって形成された反射膜を含んでもよい。または、第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３は、前述の反射膜、及び前述の反射膜の上または／及び下の透明導電性酸化物（ＴＣＯ：ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｏｘｉｄｅ）膜を含んでもよい。
【００８５】
透光性電極である場合、第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）層でもある。または、第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３は、銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金を含む金属薄膜でもあり、前述の金属薄膜上に形成された透明導電性酸化物層の多層でもある。一実施形態において、第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３は、７０Å／８５０Å／５０Åの厚みを有するＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）／Ａｇ／ＩＴＯが順次積層された３層でもある。
【００８６】
第１対向電極２３１、第２対向電極２３２及び第３対向電極２３３は、透光性電極または反射電極でもある。第１対向電極２３１、第２対向電極２３２及び第３対向電極２３３は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｙｂ、Ｃａ、Ｌｉ及びＡｕのうち少なくともいずれか１以上の物質を含む金属薄膜または金属厚膜でもある。
【００８７】
例えば、第１対向電極２３１、第２対向電極２３２及び第３対向電極２３３は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｙｂ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｕのうち少なくともいずれか一つを含む単層または多層でもある。一実施形態において、第１対向電極２３１、第２対向電極２３２及び第３対向電極２３３は、Ａｇ及びＭｇを含む金属薄膜を含んでもよく、ＡｇがＭｇよりさらに多く含有されてもよい。
【００８８】
前述の物質を含む第１対向電極２３１、第２対向電極２３２及び第３対向電極２３３は、厚みを薄くして光透光性電極として形成するか、あるいは厚みを厚くして反射電極として形成することができる。例えば、Ａｇ及びＭｇを含む金属を、約１０Åないし１５Åの厚みに形成して光透光性を有する電極として使用することができ、あるいは厚みを約５０ｎｍ以上の厚みになるように形成して反射電極として使用することができる。
【００８９】
第１中間層２２１、第２中間層２２２及び第３中間層２２３、並びに第１対向電極２３１、第２対向電極２３２及び第３対向電極２３３は、リフトオフ工程を介して製造される。例えば、リフトオフ工程は、第１画素Ｐ１、第２画素Ｐ２及び第３画素Ｐ３ごとに個別的に進められ、リフトオフ工程には、フォトレジストが使用される。フォトレジストに含まれた物質、例えば、ＰＧＭＥＡ（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ  ｇｌｙｃｏｌ  ｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｅｒ）、またはフォトレジストに使用される現像液に含まれたＴＭＡＨ（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ  ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）のような物質が有機発光素子に浸透する場合、有機発光素子を損傷させたり劣化させたりするという問題がある。そこで、それを防止するために、第１有機発光素子２０１、第２有機発光素子２０２及び第３有機発光素子２０３の上には、第１有機発光素子２０１、第２有機発光素子２０２及び第３有機発光素子２０３それぞれをカバーする非晶質の第１保護層２４１、第２保護層２４２及び第３保護層２４３を含む。
【００９０】
例えば、第１保護層２４１、第２保護層２４２及び第３保護層２４３は、非晶質の導電性材料を含んでもよい。非晶質の導電性材料は、非晶質の酸化物を含んでもよい。非晶質の酸化物は、非晶質の透明導電性酸化物（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ＴＣＯ：ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｏｘｉｄｅ）、及び透明な非晶質酸化半導体（ＴＡＯＳ：ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）のような非晶質の導電性金属酸化物を含んでもよい。
【００９１】
非晶質の透明導電性酸化物（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ＴＣＯ）は、例えば、非晶質のＩＴＯ（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｉｎｄｉｕｍ-ｔｉｎ-ｏｘｉｄｅ）、非晶質のＩＴＯＮ（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｉｎｄｉｕｍ-ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ  ｎｉｔｒｉｄｅ）、非晶質のＩＺＯ（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｉｎｄｉｕｍ-ｚｉｎｃ-ｏｘｉｄｅ）、非晶質のＩＺＯＮ（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｉｎｄｉｕｍ-ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ  ｎｉｔｒｉｄｅ）、非晶質のＩＺＴＯ（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｉｎｄｉｕｍ-ｚｉｎｃ  ｔｉｎ  ｎｉｔｒｉｄｅ）、非晶質のＡＺＯ（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）などを含んでもよい。透明な非晶質酸化半導体（ＴＡＯＳ）は、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、バナジウム（Ｖ）、ハフニウム（Ｈｆ）カドミウム（Ｃｄ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む群から選択された少なくとも１以上の元素を含む酸化物を含んでもよい。例えば、透明な非晶質酸化半導体（ＴＡＯＳ）は、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｇａｌｌｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ-ｔｉｎ-ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）などを含んでもよい。
【００９２】
第１保護層２４１、第２保護層２４２及び第３保護層２４３は、前述の非晶質の材料を含む単層または多層でもあり、一実施形態として、例えば、第１保護層２４１、第２保護層２４２及び第３保護層２４３の最小厚は、約１０Åでもある。例えば、第１保護層２４１、第２保護層２４２及び第３保護層２４３は、前述の保護及び導電性などを考慮し、約１００Åないし３００Åの厚みを有することができる。
【００９３】
第１保護層２４１、第２保護層２４２及び第３保護層２４３は、アイランドタイプパターンを有するように、第１画素Ｐ１、第２画素Ｐ２及び第３画素Ｐ３のそれぞれに対応し、互いに離隔される。第１保護層２４１、第２保護層２４２及び第３保護層２４３のそれぞれは、下に配置された第１対向電極２３１、第２対向電極２３２及び第３対向電極２３３の幅より広い幅を有するように水平方向に延長される。すなわち、第１保護層２４１、第２保護層２４２及び第３保護層２４３は、第１対向電極２３１、第２対向電極２３２及び第３対向電極２３３を、第１対向電極２３１、第２対向電極２３２及び第３対向電極２３３の端部から端部までを覆い、第１保護層２４１、第２保護層２４２及び第３保護層２４３のそれぞれの端部は、画素定義膜１８０と直接接触することができる。
【００９４】
連結層２５０は、第１保護層２４１、第２保護層２４２及び第３保護層２４３を覆うように一体に形成され、それぞれアイランドタイプパターンを有する第１対向電極２３１、第２対向電極２３２及び第３対向電極２３３を電気的に連結する。前述のように、第１保護層２４１、第２保護層２４２及び第３保護層２４３が導電性物質によって形成された場合には、連結層２５０は、第１保護層２４１、第２保護層２４２及び第３保護層２４３と接触することにより、第１対向電極２３１、第２対向電極２３２及び第３対向電極２３３を電気的に連結することができる。
【００９５】
連結層２５０は、導電性物質によって形成される。一実施形態において、例えば、第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３が反射電極であり、第１対向電極２３１、第２対向電極２３２及び第３対向電極２３３が透光性電極である場合（前面発光型）には、連結層２５０は、透明導電性酸化物によって形成される。他の実施形態においては、例えば、第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３が透光性電極であり、第１対向電極２３１、第２対向電極２３２及び第３対向電極２３３が反射電極である場合（背面発光型）には、連結層２５０を形成する材料は、透明導電性酸化物及び／または金属のように、導電性を有する材料であるならば、その種類を特別に制限するものではない。
【００９６】
保護膜２６０は、連結層２５０上に配置される。保護膜２６０は、少なくとも１層の有機層２６１、及び少なくとも１層の無機層２６３を含んでもよい。有機層２６１は、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド、ポリエチレンのようなポリマー（ｐｏｌｙｍｅｒ）系の素材を含んでもよい。無機層２６３は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）窒化チタン（ＴｉＮ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などを含んでもよい。
【００９７】
図４では、有機層２６１が下に、無機層２６３が上に配置された場合を図示しているが、本発明の実施形態は、それに限定されるものではない。他の実施形態として、有機層２６１と無機層２６３との位置は変更可能であり、積層順序、層数なども多様に変更可能である。
【００９８】
以下、第１保護層２４１、第２保護層２４２及び第３保護層２４３を含む有機発光表示装置の製造工程について説明する。
【００９９】
図６Ａないし図６Ｋは、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造工程による断面図である。
【０１００】
図６Ａを参照すれば、基板１００上に、画素回路ＰＣ、及び画素回路ＰＣと電気的に連結された第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３を形成し、第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３のそれぞれを露出させる開口ＯＰを具備した画素定義膜１８０を形成する。
【０１０１】
基板１００は、ガラス材、またはＰＥＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＥＮ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）のようなプラスチック材のような多様な材料を含んでもよい。基板１００がプラスチック材によって形成された場合には、ガラス材によって形成された場合より可撓性を向上させることができる。基板１００上には、不純物浸透を防止するために、ＳｉＯｘ及び／またはＳｉＮｘなどによって形成されたバッファ層（図示せず）が具備される。
【０１０２】
基板１００上に画素回路ＰＣを形成した後、画素回路ＰＣを覆う絶縁層１０９をパターニングし、コンタクトホールを形成する。次に、導電性物質層（図示せず）を形成した後、それをパターニングし、第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３を形成する。
【０１０３】
導電性物質層は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、またはそれらの化合物などによって形成された反射膜、または前述の反射膜の上または下の透明導電性酸化物（ＴＣＯ）膜を含んでもよい。または、導電性物質層は、銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金を含む薄膜や、薄膜上に形成された透明導電性酸化物膜を含んでもよい。導電性物質層によって、第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３は、反射電極でも透光性電極でもあり、具体的構成については、先の図４を参照して説明した通りである。
【０１０４】
その後、有機絶縁膜（図示せず）を形成し、それをパターニングし、画素定義膜１８０を形成する。画素定義膜１８０は、第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３のそれぞれを露出させる開口ＯＰを含む。本実施形態においては、画素定義膜１８０が有機絶縁材によって形成される場合について説明したが、本発明の実施形態は、それに限定されるものではない。また、他の実施形態として、画素定義膜１８０は、有機絶縁材と無機絶縁材とによって形成されるか、あるいは無機絶縁材によっても形成され、前述の材料の単層構造または多層構造を有することもできる。
【０１０５】
図６Ｂを参照すれば、画素定義膜１８０上に、第１感光パターン層３２０を含む第１マスキングパターン３００を形成する。第１マスキングパターン３００は、第１感光パターン層３２０と画素定義膜１８０との間に介在された第１補助層３１０をさらに含んでもよい。
【０１０６】
一実施形態において、第１マスキングパターン３００は、下記の工程によって形成される。
【０１０７】
画素定義膜１８０が形成された基板１００上に、非感光性有機物層（図示せず）を形成し、その上に、フォトレジスト層（図示せず）を形成する。非感光性有機物層は、一例として、フッ素系物質を含んでもよいが、本発明の実施形態は、それに制限されるものではない。フォトレジスト層は、ポジティブ感光物質を含んでもよい。
【０１０８】
その後、フォトレジスト層のうち、第１画素Ｐ１と対応する一部領域を露光して現像し、第１開口領域ＯＲ１を有する第１感光パターン層３２０を形成する。次に、第１開口領域ＯＲ１を介して露出された非感光性有機物層をエッチングし、第１補助開口領域ＡＯＲ１を形成する。エッチングを介して、第１補助層３１０の第１補助開口領域ＡＯＲ１は、第１開口領域ＯＲ１より大きく形成される。
【０１０９】
図６Ｃを参照すれば、第１マスキングパターン３００が形成された基板１００上に、第１中間層２２１、第１対向電極２３１及び第１保護層２４１を順次形成する。第１中間層２２１は、例えば、赤色発光層２２１ｂを含み、発光層２２１ｂの上または／及び下の第１機能層２２１ａ及び第２機能層２２１ｃを含んでもよい。
【０１１０】
第１中間層２２１及び第１対向電極２３１は、熱蒸着（ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）法によって形成される。第１中間層２２１及び第１対向電極２３１を形成するための蒸着物質は、基板１００の表面に対して垂直である方向に沿って、蒸着材料から基板１００に向かって移動し、画素定義膜１８０及び第１画素電極２１１上に順次蒸着する。従って、第１中間層２２１及び第１対向電極２３１は、第１感光パターン層３２０の第１開口領域ＯＲ１内に蒸着し、第１中間層２２１の端部、及び第１対向電極２３１の端部は、第１補助層３１０と接触しない。また、蒸着物質の一部が第１開口領域ＯＲ１から回り込んで蒸着されるため、第１中間層２２１及び第１対向電極２３１の端部の周辺は、順方向テーパ形状（ｆｏｒｗａｒｄ  ｔａｐｅｒ  ｓｈａｐｅ）を有することができる。第１中間層２２１及び第１対向電極２３１は、先に図４を参照して説明したような物質を含むので、重複説明は省略する。
【０１１１】
第１保護層２４１は、非晶質の材料を含む。例えば、第１保護層２４１、第２保護層２４２及び第３保護層２４３は、非晶質の導電性酸化物のような非晶質酸化物を含んでもよい。非晶質の導電性酸化物は、非晶質のＴＣＯ（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ＴＣＯ）、透明非晶質酸化物半導体（ＴＡＯＳ）などを含んでもよく、それらに係わる具体的な実施形態は、先に図４を参照して説明した通りである。
【０１１２】
第１保護層２４１は、例えば、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）法によって形成される。第１保護層２４１を形成するための物質は、基板１００の表面に対して垂直である方向に沿って、蒸着材料で構成されたターゲットから基板１００に向かって移動し、第１対向電極２３１上に蒸着する。従って、第１保護層２４１は、第１感光パターン層３２０の第１開口領域ＯＲ１内に蒸着し、第１保護層２４１の端部は、第１補助層３１０と接触しない。図６Ｄに図示されているように、第１保護層２４１は、第１対向電極２３１の全体をカバーするように、第１対向電極２３１の幅（Ｗｅ１）より広い幅（Ｗｐ１）を有する。また、蒸着物質の一部が第１開口領域ＯＲ１から回り込んで蒸着されるため、第１保護層２４１の端部の周辺は、順方向テーパ形状を有したまま、画素定義膜１８０と直接接触することができる。
【０１１３】
図６Ｄを参照すれば、リフトオフ工程を介して、第１マスキングパターン３００を除去する。一実施形態において、第１補助層３１０がフッ素系物質である場合、フッ素系溶媒を利用して、第１補助層３１０を除去することができる。第１補助層３１０が除去されるとともに、第１補助層３１０上の第１感光パターン層３２０、第１感光パターン層３２０上に積層された第１中間層２２１、第１対向電極２３１及び第１保護層２４１が共に除去される。そして、第１画素Ｐ１には、アイランドタイプパターンの第１中間層２２１、第１対向電極２３１及び第１保護層２４１が残ることとなる。
【０１１４】
非晶質の第１保護層２４１は、リフトオフ時、第１有機発光素子２０１を保護することができる。例えば、第１マスキングパターン３００のリフトオフ時、第１補助層３１０を除去する溶媒に含まれた物質が、第１対向電極２３１、及びその下の第１中間層２２１に浸透する、あるいは第１対向電極２３１及び第１中間層２２１を損傷させることを防止することができる。
【０１１５】
図６Ｅを参照すれば、第１保護層２４１及び画素定義膜１８０上に、第２感光パターン層４２０を含む第２マスキングパターン４００を形成する。第２マスキングパターン４００は、第２感光パターン層４２０と画素定義膜１８０との間に介在された第２補助層４１０をさらに含んでもよい。
【０１１６】
第２マスキングパターン４００は、前述の第１マスキングパターン３００と同様の方法によって形成される。
【０１１７】
例えば、第１有機発光素子２０１及び第１保護層２４１が形成された基板１００上に、非感光性有機物層（図示せず）を形成し、その上にフォトレジスト層（図示せず）を形成する。本発明の非制限的な実施形態として、非感光性有機物層は、一例として、フッ素系物質を含んでもよい。フォトレジスト層は、ポジティブ感光物質を含んでもよい。
【０１１８】
その後、フォトレジスト層のうち、第２画素Ｐ２と対応する一部領域を露光して現像し、第２開口領域ＯＲ２を有する第２感光パターン層４２０を形成する。次に、第２開口領域ＯＲ２を介して露出された非感光性有機物層をエッチングし、第２開口領域ＯＲ２より広い第２補助開口領域ＡＯＲ２を有する第２補助層４１０を形成する。
【０１１９】
図６Ｆを参照すれば、第２マスキングパターン４００が形成された基板１００上に、第２中間層２２２、第２対向電極２３２及び第２保護層２４２を順次形成する。第２中間層２２２及び第２対向電極２３２は、熱蒸着法によって形成され、第２保護層２４２は、スパッタリング法によって形成される。第２中間層２２２及び第２対向電極２３２の物質、及び第２保護層２４２の物質は、先に図４を参照して説明した通りであるので、ここでは説明を省略する。
【０１２０】
第２中間層２２２、第２対向電極２３２及び第２保護層２４２の蒸着物質は、基板１００の表面に対して垂直である方向に沿って、蒸着材料から基板１００に向かって移動し、画素定義膜１８０及び第２画素電極２１２上に順次蒸着する。従って、第２中間層２２２、第２対向電極２３２及び第２保護層２４２は、第２開口領域ＯＲ２内に蒸着し、第２中間層２２２、第２対向電極２３２及び第２保護層２４２の端部は、第２補助層４１０と接触しない。図６Ｇに図示されているように、第２保護層２４２は、第２対向電極２３２の全体をカバーするように、第２対向電極２３２の幅（Ｗｅ２）より広い幅（Ｗｐ２）を有し、第２保護層２４２の端部の周囲は、順方向テーパ形状を有したまま、画素定義膜１８０と直接接触することができる。
【０１２１】
図６Ｇを参照すれば、リフトオフ工程を介して、第２マスキングパターン４００を除去する。一実施形態において、第２補助層４１０がフッ素系物質である場合、フッ素系溶媒を利用して、第２補助層４１０を除去することができる。第２補助層４１０が除去されるとともに、第２補助層４１０上の第２感光パターン層４２０、第２感光パターン層４２０上に積層された第２中間層２２２、第２対向電極２３２及び第２保護層２４２が共に除去される。そして、第２画素Ｐ２には、アイランドタイプパターンの第２中間層２２２、第２対向電極２３２及び第２保護層２４２が残ることとなる。
【０１２２】
非晶質の第１保護層２４１は、図６Ｅないし図６Ｇを参照して説明した工程において、第１有機発光素子２０１を保護することができる。例えば、第１保護層２４１は、第１有機発光素子２０１上の第２マスキングパターン４００に含まれたＰＧＭＥＡ、または第２マスキングパターン４００の現像時に使用されるＴＭＡＨのような物質が、第１有機発光素子２０１に浸透することを防止することができる。また、非晶質の第１保護層２４１及び第２保護層２４２は、リフトオフ時、第１有機発光素子２０１及び第２有機発光素子２０２を保護することができる。例えば、第１保護層２４１及び第２保護層２４２は、第２補助層４１０を除去する溶媒に含まれた物質が、第１有機発光素子２０１及び第２有機発光素子２０２に浸透する、あるいは当該物質によって、第１有機発光素子２０１及び第２有機発光素子２０２が損傷されることを防止することができる。
【０１２３】
図６Ｈを参照すれば、第１保護層２４１、第２保護層２４２及び画素定義膜１８０の上に、第３感光パターン層５２０を含む第３マスキングパターン５００を形成する。第３マスキングパターン５００は、第３感光パターン層５２０と画素定義膜１８０との間に介在された第３補助層５１０をさらに含んでもよい。
【０１２４】
第３マスキングパターン５００は、前述の第１マスキングパターン３００及び第２マスキングパターン４００と同様の方法によって形成される。
【０１２５】
例えば、基板１００上に非感光性有機物層（図示せず）を形成し、その上にフォトレジスト層（図示せず）を形成した後、露光及び現像を介して、第３開口領域ＯＲ３を有する第３感光パターン層５２０を形成する。そして、第３開口領域ＯＲ３を介して露出された非感光性有機物層をエッチングし、第３開口領域ＯＲ３より広い第３補助開口領域ＡＯＲ３を有する第３補助層５１０を形成する。本発明の非制限的な実施形態として、非感光性有機物層は、一例としてフッ素系物質を含んでもよい。フォトレジスト層は、ポジティブ感光物質を含んでもよい。
【０１２６】
図６Ｉを参照すれば、第３マスキングパターン５００が形成された基板１００上に、第３中間層２２３、第３対向電極２３３及び第３保護層２４３を順次形成する。第３中間層２２３及び第３対向電極２３３は、熱蒸着法によって形成し、第３保護層２４３は、スパッタリング法によって形成される。第３中間層２２３及び第３対向電極２３３の物質、及び第３保護層２４３の物質は、先に図４を参照して説明した通りであるので、ここでは説明を省略する。
【０１２７】
第３中間層２２３、第３対向電極２３３及び第３保護層２４３の蒸着物質は、基板１００の表面に対して垂直である方向に沿って、蒸着材料から基板１００に向かって移動し、画素定義膜１８０及び第３画素電極２１３上に順次蒸着する。従って、第３中間層２２３、第３対向電極２３３及び第３保護層２４３は、第３開口領域ＯＲ３内に蒸着し、第３中間層２２３、第３対向電極２３３及び第３保護層２４３の端部は、第３補助層５１０と接触しない。図６Ｊに図示されているように、第３保護層２４３は、第３対向電極２３３の全体をカバーするように、第３対向電極２３３の幅（Ｗｅ３）より広い幅（Ｗｐ３）を有し、第３保護層２４３の端部の周囲は、順方向テーパ形状を有したまま、画素定義膜１８０と直接接触することができる。
【０１２８】
図６Ｊを参照すれば、リフトオフ工程を介して、第３マスキングパターン５００を除去する。一実施形態において、第３補助層５１０がフッ素系物質である場合、フッ素系溶媒を利用して、第３補助層５１０を除去する。第３補助層５１０が除去されるとともに、第３補助層５１０上の第３感光パターン層５２０、第３感光パターン層５２０上に積層された第３中間層２２３、第３対向電極２３３及び第３保護層２４３が共に除去される。そして、第３画素Ｐ３には、アイランドタイプパターンの第３中間層２２３、第３対向電極２３３及び第３保護層２４３が残ることとなる。
【０１２９】
非晶質の第１保護層２４１及び第２保護層２４２は、図６Ｈないし図６Ｊを参照して説明した工程において、第１有機発光素子２０１及び第２有機発光素子２０２を保護することができる。例えば、第１保護層２４１及び第２保護層２４２は、第１有機発光素子２０１上及び第２有機発光素子２０２上の第３マスキングパターン５００に含まれたＰＧＭＥＡ、または第３マスキングパターン５００の現像時に使用されるＴＭＡＨのような物質が、第１有機発光素子２０１及び第２有機発光素子２０２に浸透することを防止することができる。
【０１３０】
また、非晶質の第１保護層２４１、第２保護層２４２及び第３保護層２４３は、リフトオフ時、第１有機発光素子２０１、第２有機発光素子２０２及び第３有機発光素子２０３を保護することができる。例えば、第１保護層２４１、第２保護層２４２及び第３保護層２４３は、第３補助層５１０を除去する溶媒に含まれた物質が、第１有機発光素子２０１、第２有機発光素子２０２及び第３有機発光素子２０３に浸透する、あるいは当該物質によって、第１有機発光素子２０１、第２有機発光素子２０２及び第３有機発光素子２０３が損傷されることを防止することができる。
【０１３１】
図６Ｋを参照すれば、第１保護層２４１、第２保護層２４２及び第３保護層２４３が形成された基板１００上に、連結層２５０を形成する。連結層２５０は、第１画素Ｐ１、第２画素Ｐ２及び第３画素Ｐ３をいずれもカバーするように、基板１００の全面に一体に形成される。連結層２５０は、導電性材料を含む。連結層２５０に使用される物質は、先に図４を参照して説明した通りである。
【０１３２】
次に、連結層２５０上に、保護膜２６０を形成することができる。保護膜２６０は、少なくとも１層の有機層２６１、及び少なくとも１層の無機層２６３を含んでもよい。
【０１３３】
有機層２６１は、ポリマー系素材を含んでもよい。一実施形態として、有機層２６１は、液相（または、気相）のモノマーを蒸着した後、熱や紫外線のような光を利用して、モノマーからなる蒸着物を硬化させることよって形成される。無機層２６３は、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などを含んでもよい。無機層２６３は、プラズマ気相蒸着法（ＰＥＣＶＤ）によって形成される。
【０１３４】
本実施形態においては、有機層２６１が下に、無機層２６３が上に配置された場合について説明したが、本発明の実施形態は、それに限定されるものではない。他の実施形態として、有機層２６１と無機層２６３との位置は変更可能であり、積層順序、層数なども多様に変更可能である。
【０１３５】
図６Ａないし図６Ｋを参照して説明した実施形態によれば、第１マスキングパターン３００、第２マスキングパターン４００及び第３マスキングパターン５００のそれぞれが、第１補助層３１０、第２補助層４１０及び第３補助層５１０を含む場合について説明したが、本発明の実施形態は、それに制限されるものではない。
【０１３６】
図７Ａないし図７Ｇは、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の製造方法による断面図である。前述の実施形態においては、第１マスキングパターン３００、第２マスキングパターン４００及び第３マスキングパターン５００が、感光パターン層３２０，４２０，４３０と補助層３１０，４１０，５１０とを含むが、一方、本実施形態においては、マスキングパターンが感光パターン層３２０１，４２０１，５２０１によってのみ形成される点が異なる。以下においては、先に図６Ａないし図６Ｋを参照した製造方法と重複する説明は、簡単に説明するか、あるいは省略し、違いをメインとして説明する。
【０１３７】
図７Ａを参照すれば、先に図６Ａを参照して説明したように、基板１００上に、画素回路ＰＣ、及び画素回路ＰＣと電気的に連結された第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３を形成し、第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３それぞれを露出させる開口ＯＰを具備した画素定義膜１８０を形成する。
【０１３８】
その後、画素定義膜１８０上に、第１感光パターン層３２０１を形成する。第１感光パターン層３２０１は、第１画素電極２１１を露出させる第１開口領域ＯＲ１を含む。第１感光パターン層３２０１は、ネガティブ感光物質を含んでもよい。
【０１３９】
第１感光パターン層３２０１は、下記の工程によって形成される。
【０１４０】
画素定義膜１８０が形成された基板１００上に、ネガティブ感光物質を含むフォトレジスト層（図示せず）を形成した後、一部領域を露光して現像し、第１開口領域ＯＲ１を有する第１感光パターン層３２０１を形成する。フォトレジスト層の露光時、光の進行方向を調節し、第１感光パターン層３２０１が逆テーパ形状を有するようにする。
【０１４１】
図７Ｂを参照すれば、マスキングパターンである第１感光パターン層３２０１が形成された基板１００上に、第１中間層２２１、第１対向電極２３１及び第１保護層２４１を順次形成する。第１中間層２２１、第１対向電極２３１及び第１保護層２４１は、先に、図４、及び図６Ｃを参照して説明した通りである。
【０１４２】
第１感光パターン層３２０１が逆テーパ形状を有するので、第１画素電極２１１上に形成された第１中間層２２１、第１対向電極２３１及び第１保護層２４１と、第１感光パターン層３２０１上に形成された第１中間層２２１、第１対向電極２３１及び第１保護層２４１は、互いに離隔されて形成される。
【０１４３】
図７Ｃを参照すれば、リフトオフ工程を介して、マスキングパターンである第１感光パターン層３２０１を除去する。第１感光パターン層３２０１が除去されるとともに、第１感光パターン層３２０１上に形成された第１中間層２２１、第１対向電極２３１及び第１保護層２４１も共に除去される。そして、第１画素Ｐ１と対応する領域には、アイランドタイプパターンの第１中間層２２１、第１対向電極２３１及び第１保護層２４１が残ることとなる。
【０１４４】
非晶質の第１保護層２４１は、リフトオフ時、第１有機発光素子２０１を保護することができる。例えば、第１感光パターン層３２０１を除去する溶媒に含まれた物質が、第１有機発光素子２０１に浸透する、あるいは第１有機発光素子２０１を損傷させることを防止することができる。
【０１４５】
次に、第１保護層２４１上及び画素定義膜１８０上に、第２感光パターン層４２０１を形成する。第２感光パターン層４２０１は、第２画素電極２１２を露出させる第２開口領域ＯＲ２を含む。第２感光パターン層４２０１は、ネガティブ感光物質を含んでもよい。第２感光パターン層４２０１は、前述の第１感光パターン層３２０１と同様の方法によって形成され、逆テーパ形状を有することができる。
【０１４６】
非晶質の第１保護層２４１は、第２感光パターン層４２０１に含まれた物質が、第１有機発光素子２０１に浸透する、あるいは第１有機発光素子２０１を損傷させることを防止することができる。
【０１４７】
図７Ｄを参照すれば、マスキングパターンである第２感光パターン層４２０１が形成された基板１００上に、第２中間層２２２、第２対向電極２３２及び第２保護層２４２を順次形成する。第２中間層２２２、第２対向電極２３２及び第２保護層２４２の物質、形成方法、第１保護層２４１の幅などは、先に図４、及び図６Ｆを参照して説明した通りである。
【０１４８】
第２感光パターン層４２０１が逆テーパ形状を有するので、第２画素電極２１２上に形成された第２中間層２２２、第２対向電極２３２及び第２保護層２４２と、第２感光パターン層４２０１上に形成された第２中間層２２２、第２対向電極２３２及び第２保護層２４２は、互いに離隔されて形成される。
【０１４９】
図７Ｅを参照すれば、リフトオフ工程を介して、マスキングパターンである第２感光パターン層４２０１を除去する。第２感光パターン層４２０１が除去されるとともに、第２感光パターン層４２０１上に形成された第２中間層２２２、第２対向電極２３２及び第２保護層２４２も共に除去される。そして、第２画素Ｐ２と対応する領域には、アイランドタイプパターンの第２中間層２２２、第２対向電極２３２及び第２保護層２４２が残ることとなる。
【０１５０】
非晶質の第１保護層２４１及び第２保護層２４２は、リフトオフ時、第１有機発光素子２０１及び第２有機発光素子２０２を保護することができる。例えば、第２感光パターン層４２０１を除去する溶媒に含まれた物質が、第１有機発光素子２０１及び第２有機発光素子２０２に浸透する、あるいは第１有機発光素子２０１及び第２有機発光素子２０２を損傷させることを防止することができる。
【０１５１】
次に、第１保護層２４１、第２保護層２４２及び画素定義膜１８０の上に、第３感光パターン層５２０１を形成する。第３感光パターン層５２０１は、第３画素電極２１３を露出させる第３開口領域ＯＲ３を含む。第３感光パターン層５２０１は、ネガティブ感光物質を含んでもよい。第３感光パターン層５２０１は、前述の第１感光パターン層３２０１及び第２感光パターン層４２０１と同様の方法によって形成され、逆テーパ形状を有することができる。
【０１５２】
非晶質の第１保護層２４１及び第２保護層２４２は、第３感光パターン層５２０１に含まれた物質が、第１有機発光素子２０１及び第２有機発光素子２０２に浸透する、あるいは第１有機発光素子２０１及び第２有機発光素子２０２を損傷させることを防止することができる。
【０１５３】
図７Ｆを参照すれば、マスキングパターンである第３感光パターン層５２０１が形成された基板１００上に、第３中間層２２３、第３対向電極２３３及び第３保護層２４３を順次形成する。第３中間層２２３、第３対向電極２３３及び第３保護層２４３の物質、形成方法、第１保護層２４１の幅などは、先に図４、及び図６Ｉを参照して説明した通りである。
【０１５４】
第３感光パターン層５２０１が逆テーパ形状を有するので、第３画素電極２１３上に形成された第３中間層２２３、第３対向電極２３３及び第３保護層２４３と、第３感光パターン層５２０１上に形成された第３中間層２２３、第３対向電極２３３及び第３保護層２４３は、互いに離隔されて形成される。
【０１５５】
図７Ｇを参照すれば、リフトオフ工程を介して、マスキングパターンである第３感光パターン層５２０１を除去する。第３感光パターン層５２０１が除去されるとともに、第３感光パターン層５２０１上に形成された第３中間層２２３、第３対向電極２３３及び第３保護層２４３も共に除去される。そして、第３画素Ｐ３と対応する領域には、アイランドタイプパターンの第３中間層２２３、第３対向電極２３３及び第３保護層２４３が残ることとなる。
【０１５６】
非晶質の第１保護層２４１、第２保護層２４２及び第３保護層２４３は、リフトオフ時、第１有機発光素子２０１、第２有機発光素子２０２及び第３有機発光素子２０３を保護することができる。例えば、第３感光パターン層５２０１を除去する溶媒に含まれた物質が、第１有機発光素子２０１、第２有機発光素子２０２及び第３有機発光素子２０３に浸透する、あるいは第１有機発光素子２０１、第２有機発光素子２０２及び第３有機発光素子２０３を損傷させることを防止することができる。
【０１５７】
その後、保護膜２６０を形成する。保護膜２６０は、先に図４を参照して説明したように、少なくとも１層の有機層２６１、及び少なくとも１層の無機層２６３を含んでもよい。
【０１５８】
図８は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の断面図である。図８の有機発光表示装置は、第１保護層２４１０、第２保護層２４２０及び第３保護層２４３０が、先に図４を参照して説明した有機発光表示装置の第１保護層２４１、第２保護層２４２及び第３保護層２４３と違いがあり、第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３、第１中間層２２１、第２中間層２２２及び第３中間層２２３、第１対向電極２３１、第２対向電極２３２及び第３対向電極２３３、連結層２５０及び保護膜２６０の構成は、図４を参照して説明した内容と同様である。以下においては、同様の構成に係わる説明は省略し、第１保護層２４１０、第２保護層２４２０及び第３保護層２４３０を中心に説明する。
【０１５９】
図８を参照すれば、第１保護層２４１０、第２保護層２４２０及び第３保護層２４３０のそれぞれは、第１対向電極２３１、第２対向電極２３２及び第３対向電極２３３をカバーするように配置され、第１対向電極２３１、第２対向電極２３２及び第３対向電極２３３の幅より広い幅を有することができる。従って、第１保護層２４１０、第２保護層２４２０及び第３保護層２４３０のそれぞれの端部は、画素定義膜１８０と直接接触することができる。
【０１６０】
第１保護層２４１０、第２保護層２４２０及び第３保護層２４３０は、非晶質の材料を含む。例えば、第１保護層２４１０、第２保護層２４２０及び第３保護層２４３０は、非晶質の絶縁性無機物を含んでもよい。例えば、第１保護層２４１０、第２保護層２４２０及び第３保護層２４３０は、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ２）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ２）、タンタル酸化物（Ｔａ２Ｏ５）、チタン酸化物（ＴｉＯ２）のような酸化物；酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）のような酸窒化物；または窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）のような窒化物のうち少なくともいずれか一つを含んでもよい。
【０１６１】
第１保護層２４１０、第２保護層２４２０及び第３保護層２４３０は、前述の非晶質の材料を含む単層または多層でもあり、一実施形態として、例えば、第１保護層２４１０、第２保護層２４２０及び第３保護層２４３０の最小厚は、約１０Åでもある。例えば、第１保護層２４１０、第２保護層２４２０及び第３保護層２４３０のそれぞれは、前述のＰＧＭＥＡ、ＴＭＡＨのような物質、及び水分（Ｈ２Ｏ）、酸素（Ｏ２）などの物質などを考慮し、約１００Åないし３００Åの厚みを有することができる。
【０１６２】
第１保護層２４１０、第２保護層２４２０及び第３保護層２４３０は、連結層２５０と、第１対向電極２３１、第２対向電極２３２及び第３対向電極２３３との間の電気的連結のために、コンタクトホール（貫通ホール）２４１０Ｈ，２４２０Ｈ，２４３０Ｈを具備することができる。
【０１６３】
図９Ａないし図９Ｃは、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の製造方法による断面図である。
【０１６４】
図９Ａを参照すれば、基板１００の第１画素Ｐ１、第２画素Ｐ２及び第３画素Ｐ３のそれぞれに、第１有機発光素子２０１、第２有機発光素子２０２及び第３有機発光素子２０３、並びにこれらをカバーする第１保護層２４１０、第２保護層２４２０及び第３保護層２４３０を形成する。
【０１６５】
第１有機発光素子２０１、第２有機発光素子２０２及び第３有機発光素子２０３、並びにそれをカバーする第１保護層２４１０、第２保護層２４２０及び第３保護層２４３０を形成する工程において、第１保護層２４１０、第２保護層２４２０及び第３保護層２４３０を、ＰＥＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ-Ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）のような工程を介して形成する点以外は、先に図６Ａないし図６Ｊを参照して説明した方法、または図７Ａないし図７Ｆを参照して説明した方法と実質的に同様である。
【０１６６】
図９Ｂを参照すれば、第１保護層２４１０、第２保護層２４２０及び第３保護層２４３０の一部領域をエッチングし、第１対向電極２３１、第２対向電極２３２及び第３対向電極２３３の一部を露出させるコンタクトホール（貫通ホール）２４１０Ｈ，２４２０Ｈ，２４３０Ｈを形成する。
【０１６７】
図９Ｃを参照すれば、第１画素Ｐ１、第２画素Ｐ２及び第３画素Ｐ３のいずれもカバーするように、連結層２５０を形成し、連結層２５０上に、少なくとも１層の有機層２６１、及び少なくとも１層の無機層２６３を含む保護膜２６０を形成する。
【０１６８】
非晶質の第１保護層２４１０、第２保護層２４２０及び第３保護層２４３０は、リフトオフ工程を介して製造される有機発光表示装置の製造工程において、マスキングパターンに含まれた物質や、マスキングパターンを除去するときに使用される物質などが、第１有機発光素子２０１、第２有機発光素子２０２及び第３有機発光素子２０３に浸透したり、第１有機発光素子２０１、第２有機発光素子２０２及び第３有機発光素子２０３を損傷させたりすることを防止することができる。
【０１６９】
図８ないし図９Ｃを参照して説明したところによれば、第１保護層２４１０、第２保護層２４２０及び第３保護層２４３０が絶縁性を有する場合、第１保護層２４１０、第２保護層２４２０及び第３保護層２４３０に定義されたコンタクトホールを介して、第１対向電極２３１、第２対向電極２３２及び第３対向電極２３３と、連結層２５０とが連結されることとして説明したが、本発明の実施形態は、それに限定されるものではない。他の実施形態において、先に図４を参照して説明したように、第１保護層２４１、第２保護層２４２及び第３保護層２４３が導電性を有する場合にも、電気的抵抗を考慮し、第１対向電極２３１、第２対向電極２３２及び第３対向電極２３３と、連結層２５０と直接接触するためのコンタクトホールが、第１保護層２４１、第２保護層２４２及び第３保護層２４３に形成される。
【０１７０】
一方、前述の非晶質の第１保護層２４１，２４１０、第２保護層２４２，２４２０及び第３保護層２４３，２４３０は、透湿率（ＷＶＴＲ）がおよそ１０−１ｇ／ｃｍ２／日より低くなるように厚みを適切に調節し、保護膜２６０と共に、第１有機発光素子２０１、第２有機発光素子２０２及び第３有機発光素子２０３を水分や酸素から保護する封止膜としての機能を遂行することができる。
【０１７１】
また、前述のような構造を有する、本発明の実施形態に係る有機発光表示装置は、ＩＮＶＡＲのような材料によって形成された蒸着用マスクを基板に密着させた状態で形成しないため、蒸着用マスクによる写り現象（マスクによるパネル損傷）を防止することができる。また、本発明の実施形態においては、画素定義膜上に、蒸着用マスクを支持するためのスペーサを置いたり、画素定義膜の高さを約２．５〜３．５μｍのように高く形成したりしなくてもよい。さらに、本発明の実施形態は、画素定義膜を、約１００ｎｍ以下に形成することが可能であるので、工程の増加を避けたり、及び材料費を節減したりすることができるため、すぐれている。
【０１７２】
本発明の一実施形態によれば、リフトオフ工程を介して、画素別にパターニングするので、画素別中間層の距離を互いに異なるように形成することができる。このとき、中間層の距離は、光学的公転距離を考慮して設計される。
【０１７３】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【０１７４】
本発明の有機発光表示装置及びその製造方法は、例えば、ディスプレイ関連の技術分野に効果的に適用可能である。
【符号の説明】
【０１７５】
１００    基板
１８０    画素定義膜
２１１    第１画素電極
２１２    第２画素電極
２１３    第３画素電極
２２１    第１中間層
２２２    第２中間層
２２３    第３中間層
２３１    第１対向電極
２３２    第２対向電極
２３３    第３対向電極
２４１，２４１０    第１保護層
２４２，２４２０    第２保護層
２４３，２４３０    第３保護層
２５０    連結層
２６０    保護膜
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
0006712514.tif 000007
【図５Ｂ】
0006712514.tif 000008
【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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【図６Ｇ】
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【図６Ｈ】
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【図６Ｉ】
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【図６Ｊ】
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【図６Ｋ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図７Ｆ】
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【図７Ｇ】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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