(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と、該第１の面の反対側に位置する第２の面と、該第１の面から該第２の面に至るＣ軸と、該Ｃ軸に直交するＣ面とを有し、該第１の面の垂線に対して該Ｃ軸が傾き該Ｃ面と該第１の面とにオフ角が形成されている単結晶ＳｉＣインゴットからウエーハを生成するウエーハ生成方法であって、
該第１の面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さにおいて、該オフ角が形成される方向に直交する方向に直線状に延びる複数の改質層と、該複数の改質層のそれぞれから該Ｃ面に沿って両側に延びるクラックと、生成すべきウエーハの厚み方向に延び、かつ隣接する該改質層から延びる該クラック同士を連結する複数の連結層とから構成される剥離面を形成する剥離面形成工程と、
該剥離面を界面として該単結晶ＳｉＣインゴットの一部を剥離してウエーハを生成するウエーハ剥離工程とを含み、
該剥離面形成工程は、該第１の面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さの位置に集光点を位置付け、隣接する集光点が相互に重複するように、該オフ角が形成される方向に直交する方向に該単結晶ＳｉＣインゴットと集光点とを相対的に移動させながら、ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線を該単結晶ＳｉＣインゴットに照射する改質層形成加工と、隣接する該改質層から延びる該クラック同士が厚み方向にみて重複するように、該オフ角が形成される方向に該単結晶ＳｉＣインゴットと集光点とを相対的にインデックス送りするインデックス送りとを交互に行うことにより、該複数の改質層及び該クラックを形成する改質層形成ステップと、
該第１の面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さの位置であって、隣接する該改質層から延びる該クラック同士が厚み方向にみて重複する位置に集光点を位置付け、隣接する集光点が相互に重複しないように、該オフ角が形成される方向に直交する方向に該単結晶ＳｉＣインゴットと集光点とを相対的に移動させながら、ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線を該単結晶ＳｉＣインゴットに照射する連結層形成加工と、該オフ角が形成される方向に該単結晶ＳｉＣインゴットと集光点とを相対的にインデックス送りするインデックス送りとを交互に行うことにより、該複数の連結層を形成する連結層形成ステップとを含むウエーハ生成方法。
【請求項２】
該連結層形成ステップは該改質層形成ステップの前に実施する、請求項１記載のウエーハ生成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単結晶ＳｉＣインゴットからウエーハを生成するウエーハ生成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣやＬＳＩ、ＬＥＤ等のデバイスは、Ｓｉ（シリコン）やＡｌ２Ｏ３（サファイア）等を素材としたウエーハの表面に機能層が積層され分割予定ラインによって区画されて形成される。また、パワーデバイスやＬＥＤ等は単結晶ＳｉＣ（炭化ケイ素）を素材としたウエーハの表面に機能層が積層され分割予定ラインによって区画されて形成される。デバイスが形成されたウエーハは、切削装置やレーザー加工装置によって分割予定ラインに加工が施されて個々のデバイスに分割される。分割された各デバイスは携帯電話やパソコン等の電気機器に利用されている。
【０００３】
デバイスが形成されるウエーハは、一般的に円柱形状のインゴットをワイヤーソーで薄く切断することにより生成される。切断されたウエーハの表面及び裏面は、研磨することにより鏡面に仕上げられる（特許文献１参照。）。しかし、インゴットをワイヤーソーで切断し、切断したウエーハの表面及び裏面を研磨すると、インゴットの大部分（７０〜８０％）が捨てられることになり不経済であるという問題がある。特に単結晶ＳｉＣインゴットにおいては、硬度が高くワイヤーソーでの切断が困難であり相当の時間を要するため生産性が悪いと共に、インゴットの単価が高く効率よくウエーハを生成することに課題を有している。
【０００４】
そこで、ＳｉＣインゴットの内部に集光点を位置付け、ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線をＳｉＣインゴットに照射することによって切断予定面に改質層を形成し、改質層が形成された切断予定面を切断してＳｉＣインゴットからウエーハを生成する技術が提案されている（特許文献２参照。）。ところが、ＳｉＣインゴットからウエーハを生成するには改質層を１０μｍ程度の間隔をおいて密に形成しなければならず生産性が悪いという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−９４２２１号公報
【特許文献２】特開２０１３−４９１６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記事実に鑑みてなされた本発明の課題は、生産性の向上が図られるウエーハ生成方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために本発明が提供するのは、以下のウエーハ生成方法である。すなわち、第１の面と、該第１の面の反対側に位置する第２の面と、該第１の面から該第２の面に至るＣ軸と、該Ｃ軸に直交するＣ面とを有し、該第１の面の垂線に対して該Ｃ軸が傾き該Ｃ面と該第１の面とにオフ角が形成されている単結晶ＳｉＣインゴットからウエーハを生成するウエーハ生成方法であって、該第１の面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さにおいて、該オフ角が形成される方向に直交する方向に直線状に延びる複数の改質層と、該複数の改質層のそれぞれから該Ｃ面に沿って両側に延びるクラックと、生成すべきウエーハの厚み方向に延び、かつ隣接する該改質層から延びる該クラック同士を連結する複数の連結層とから構成される剥離面を形成する剥離面形成工程と、該剥離面を界面として該単結晶ＳｉＣインゴットの一部を剥離してウエーハを生成するウエーハ剥離工程とを含み、該剥離面形成工程は、該第１の面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さの位置に集光点を位置付け、隣接する集光点が相互に重複するように、該オフ角が形成される方向に直交する方向に該単結晶ＳｉＣインゴットと集光点とを相対的に移動させながら、ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線を該単結晶ＳｉＣインゴットに照射する改質層形成加工と、隣接する該改質層から延びる該クラック同士が厚み方向にみて重複するように、該オフ角が形成される方向に該単結晶ＳｉＣインゴットと集光点とを相対的にインデックス送りするインデックス送りとを交互に行うことにより、該複数の改質層及び該クラックを形成する改質層形成ステップと、該第１の面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さの位置であって、隣接する該改質層から延びる該クラック同士が厚み方向にみて重複する位置に集光点を位置付け、隣接する集光点が相互に重複しないように、該オフ角が形成される方向に直交する方向に該単結晶ＳｉＣインゴットと集光点とを相対的に移動させながら、ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線を該単結晶ＳｉＣインゴットに照射する連結層形成加工と、該オフ角が形成される方向に該単結晶ＳｉＣインゴットと集光点とを相対的にインデックス送りするインデックス送りとを交互に行うことにより、該複数の連結層を形成する連結層形成ステップとを含むウエーハ生成方法である。
【０００８】
好ましくは、該連結層形成ステップは該改質層形成ステップの前に実施する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明が提供するウエーハ生成方法では、第１の面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さにおいて、オフ角が形成される方向に直交する方向に直線状に延びる複数の改質層と、複数の改質層のそれぞれからＣ面に沿って両側に延びるクラックと、生成すべきウエーハの厚み方向に延び、かつ隣接する改質層から延びるクラック同士を連結する複数の連結層とから構成される剥離面を形成し、剥離面を界面として単結晶ＳｉＣインゴットの一部を剥離することにより、所望の厚みのウエーハを生成することができる。剥離面形成工程において形成された剥離面は、隣接する改質層から延びるクラック同士が連結層により連結されているので、剥離面を界面とするインゴットの一部の剥離が容易である。したがって、本発明のウエーハ生成方法では、単結晶ＳｉＣインゴットからウエーハを効率よく生成できると共に、捨てられる素材量を軽減でき、生産性の向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】レーザー加工装置の斜視図。
【図２】単結晶ＳｉＣインゴットの平面図（ａ）及び正面図（ｂ）。
【図３】連結層形成工程が実施されている状態を示す正面図（ａ）及び斜視図（ｂ）。
【図４】連結層が形成された単結晶ＳｉＣインゴットの平面図（ａ）、Ｂ−Ｂ線断面図（ｂ）及びＣ−Ｃ線断面図（ｃ）。
【図５】連結層、改質層及びクラックが形成された単結晶ＳｉＣインゴットの平面図（ａ）、Ｄ−Ｄ線断面図（ｂ）及びＥ−Ｅ線断面図（ｃ）。
【図６】改質層形成ステップにおけるレーザー光線を示す模式図（ａ）、Ｆ−Ｆ線断面図（ｂ）。
【図７】ウエーハ剥離工程が実施されている状態を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明のウエーハ生成方法の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
【００１２】
図１に示すレーザー加工装置２は、基台４と、保持手段６と、保持手段６を移動させる移動手段８と、レーザー光線照射手段１０と、撮像手段１２と、表示手段１４と、剥離手段１６と、制御手段（図示していない。）とを備える。
【００１３】
保持手段６は、Ｘ方向において移動自在に基台４に搭載された矩形状のＸ方向可動板１８と、Ｙ方向において移動自在にＸ方向可動板１８に搭載された矩形状のＹ方向可動板２０と、Ｙ方向可動板２０の上面に回転自在に搭載された円筒形状のチャックテーブル２２とを含む。なお、Ｘ方向は図１に矢印Ｘで示す方向であり、Ｙ方向は図１に矢印Ｙで示す方向であってＸ方向に直交する方向である。Ｘ方向及びＹ方向が規定するＸＹ平面は実質上水平である。
【００１４】
移動手段８は、Ｘ方向移動手段２４と、Ｙ方向移動手段２６と、回転手段（図示していない。）とを含む。Ｘ方向移動手段２４は、基台４上においてＸ方向に延びるボールねじ２８と、ボールねじ２８の片端部に連結されたモータ３０とを有する。ボールねじ２８のナット部（図示していない。）は、Ｘ方向可動板１８の下面に固定されている。そしてＸ方向移動手段２４は、ボールねじ２８によりモータ３０の回転運動を直線運動に変換してＸ方向可動板１８に伝達し、基台４上の案内レール４ａに沿ってＸ方向可動板１８をＸ方向に進退させる。Ｙ方向移動手段２６は、Ｘ方向可動板１８上においてＹ方向に延びるボールねじ３２と、ボールねじ３２の片端部に連結されたモータ３４とを有する。ボールねじ３２のナット部（図示していない。）は、Ｙ方向可動板２０の下面に固定されている。そしてＹ方向移動手段２６は、ボールねじ３２によりモータ３４の回転運動を直線運動に変換してＹ方向可動板２０に伝達し、Ｘ方向可動板１８上の案内レール１８ａに沿ってＹ方向可動板２０をＹ方向に進退させる。回転手段は、チャックテーブル２２に内蔵されたモータ（図示していない。）を有し、Ｙ方向可動板２０に対してチャックテーブル２２を回転させる。
【００１５】
レーザー光線照射手段１０は、基台４の上面から上方に延び次いで実質上水平に延びる枠体３６と、枠体３６に内蔵された発振手段（図示していない。）と、枠体３６の先端下面に配置された集光器３８と、集光点位置調整手段（図示していない。）とを含む。発振手段は、パルスレーザー光線ＬＢを発振する発振器と、発振器が発振するパルスレーザー光線ＬＢの繰り返し周波数Ｆを設定する設定器と、発振器が発振したパルスレーザー光線ＬＢの出力を調整する調整器とを有する（いずれも図示していない。）。集光器３８は、発振器が発振したパルスレーザー光線ＬＢを集光する集光レンズ（図示していない。）を有する。
【００１６】
撮像手段１２は、集光器３８とＸ方向に間隔をおいて枠体３６の先端下面に付設されている。撮像手段１２は、可視光線により撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）と、被加工物に赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段により照射された赤外線を捕らえる光学系と、光学系が捕らえた赤外線に対応する電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）とを含む（いずれも図示していない。）。撮像手段１２によって撮像された画像を表示する表示手段１４は、枠体３６の先端上面に搭載されている。
【００１７】
剥離手段１６は、基台４上の案内レール４ａの終端部から上方に延びる直方体状のケーシング４０と、ケーシング４０に昇降自在に支持された基端からＸ方向に延びるアーム４２とを含む。ケーシング４０には、アーム４２を昇降させる昇降手段（図示していない。）が内蔵されている。アーム４２の先端にはモータ４４が付設されている。モータ４４の下面には、上下方向に延びる軸線を中心として回転自在に円盤状の吸着片４６が連結されている。下面に複数の吸引孔（図示していない。）が形成されている吸着片４６は、流路によって吸引手段（図示していない。）に接続されている。また吸着片４６には、吸着片４６の下面に対して超音波振動を付与する超音波振動付与手段（図示していない。）が内蔵されている。
【００１８】
コンピュータから構成される制御手段は、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とを含む（いずれも図示していない。）。そして制御手段は、移動手段８、レーザー光線照射手段１０、撮像手段１２、表示手段１４及び剥離手段１６に電気的に接続され、移動手段８、レーザー光線照射手段１０、撮像手段１２、表示手段１４及び剥離手段１６の作動を制御する。
【００１９】
図２に示す全体として円柱形状の六方晶単結晶ＳｉＣインゴット５０（以下「インゴット５０」という。）は、円形状の第１の面５２と、第１の面５２の反対側に位置する円形状の第２の面５４と、第１の面５２及び第２の面５４の間に位置する円筒形状の周面５６と、第１の面５２から第２の面５４に至るＣ軸（＜０００１＞方向）と、Ｃ軸に直交するＣ面（｛０００１｝面）とを有する。インゴット５０においては、第１の面５２の垂線５８に対してＣ軸が傾いており、Ｃ面と第１の面５２とにオフ角α（たとえばα＝４度）が形成されている（オフ角αが形成される方向を図２に矢印Ａで示す。）。またインゴット５０の周面５６には、結晶方位を示す矩形状の第１のオリエンテーションフラット６０及び第２のオリエンテーションフラット６２が形成されている。第１のオリエンテーションフラット６０は、オフ角αが形成される方向Ａに平行であり、第２のオリエンテーションフラット６２は、オフ角αが形成される方向Ａに直交している。図２（ａ）に示すとおり、垂線５８の方向にみて、第２のオリエンテーションフラット６２の長さＬ２は、第１のオリエンテーションフラット６０の長さＬ１よりも短い（Ｌ２＜Ｌ１）。
【００２０】
レーザー加工装置２を用いたウエーハ生成方法を説明する。まず、インゴット５０の第２の面５４とチャックテーブル２２の上面との間に接着剤（たとえばエポキシ樹脂系接着剤）を介在させ、図１に示すとおり、インゴット５０をチャックテーブル２２に固定する。次いで、移動手段８によってチャックテーブル２２を撮像手段１２の下方に移動させ、撮像手段１２によってインゴット５０を撮像する。
【００２１】
次いで、剥離面形成工程を実施する。剥離面形成工程は、連結層形成ステップ及び改質層形成ステップを含む。図示の実施形態では、連結層形成ステップを改質層形成ステップの前に実施する。連結層形成ステップでは、まず、撮像手段１２によって撮像されたインゴット５０の画像に基づいて、移動手段８によってチャックテーブル２２を移動及び回転させることによって、インゴット５０の向きを所定の向きに調整すると共に、インゴット５０と集光器３８とのＸＹ平面における位置を調整する。インゴット５０の向きを所定の向きに調整する際は、図３（ｂ）に示すとおり、第１のオリエンテーションフラット６０をＹ方向に整合させると共に、第２のオリエンテーションフラット６２をＸ方向に整合させることによって、オフ角αが形成される方向ＡをＹ方向に整合させ、オフ角αが形成される方向Ａに直交する方向をＸ方向に整合させる。また、インゴット５０と集光器３８とのＸＹ平面における位置を調整する際は、後述する改質層形成ステップで形成される改質層６６及びクラック６８の位置との関係において、隣接する改質層６６から延びるクラック６８同士が厚み方向にみて重複する位置に集光点ＦＰ１を位置付ける。次いで、集光点位置調整手段によって集光器３８を昇降させ、第１の面５２から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さの位置に集光点ＦＰ１を位置付ける。次いで、隣接する集光点ＦＰ１が相互に重複しないように、図３に示すとおり、集光点ＦＰ１に対してチャックテーブル２２を所定の加工送り速度ＶでＸ方向移動手段２４によってＸ方向（すなわち、オフ角αが形成される方向Ａに直交する方向）に移動させながら、ＳｉＣに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを集光器３８からインゴット５０に照射する連結層形成加工を行う。これによって、図４（ｂ）に示すとおり、生成すべきウエーハの厚み方向に延びる連結層６４が、Ｘ方向に間隔をおいて複数形成される。非晶質の形態を呈する連結層６４は、図４（ｃ）に示すとおり、生成すべきウエーハの厚み方向において集光点ＦＰ１から両側に延びている。生成すべきウエーハの厚み方向における連結層６４の寸法Ｈは、たとえば１８〜２０μｍ程度である。連結層形成ステップでは、連結層形成加工とインデックス送りとを交互に行う。インデックス送りでは、集光点ＦＰ１に対してチャックテーブル２２をＹ方向移動手段２６によってＹ方向（すなわち、オフ角αが形成される方向Ａ）に所定インデックス量Ｌｉだけインデックス送りする。このような連結層形成ステップは、たとえば以下の加工条件で実施することができる。
パルスレーザー光線ＬＢの波長：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数Ｆ            ：３５ｋＨｚ
平均出力Ｐ                  ：０．７Ｗ
集光点ＦＰ１の直径Ｄ        ：φ３μｍ
集光点ＦＰ１の深さＺ        ：第１の面から７０μｍ
パワー密度Ｗ                ：２．８３Ｊ／ｍｍ２
インデックス量Ｌｉ          ：２５０μｍ
加工送り速度Ｖ              ：３００ｍｍ／ｓ
隣接する集光点ＦＰ１の重複率：０％
【００２２】
連結層形成ステップにおいて、隣接する集光点ＦＰ１が相互に重複しないためには、繰り返し周波数Ｆ（ｋＨｚ）と、加工送り速度Ｖ（ｍｍ／ｓ）と、集光点ＦＰ１の直径Ｄ（μｍ）とで規定されるＧ＝（Ｖ／Ｆ）−ＤがＧ＞０であることを要するところ、上記加工条件では
Ｇ＝｛３００（ｍｍ／ｓ）／３５（ｋＨｚ）｝−３（μｍ）
＝｛３００×１０３（μｍ／ｓ）／３５×１０３（Ｈｚ）｝−３（μｍ）
＝＋５．６（μｍ）＞０
であり、隣接する集光点ＦＰ１は相互に重複しない。なお、Ｇ＞０の場合、Ｇは集光点ＦＰ１の相互の間隔（μｍ）である。なお、パワー密度Ｗ（Ｊ／ｍｍ２）は、平均出力Ｐ（Ｗ）と、集光点ＦＰ１の面積πＤ２／４（μｍ２）と、繰り返し周波数Ｆ（ｋＨｚ）とで規定される（Ｗ＝４Ｐ／πＤ２Ｆ）。
【００２３】
剥離面形成工程において、連結層形成ステップを実施した後、改質層形成ステップを実施する。改質層形成ステップでは、まず、撮像手段１２によって撮像されたインゴット５０の画像に基づいて、移動手段８によってチャックテーブル２２を移動及び回転させることによって、インゴット５０の向きを所定の向きに調整すると共に、インゴット５０と集光器３８とのＸＹ平面における位置を調整する。インゴット５０の向きを所定の向きに調整する際は、連結層形成ステップにおけるのと同様に、第１のオリエンテーションフラット６０をＹ方向に整合させると共に、第２のオリエンテーションフラット６２をＸ方向に整合させることによって、オフ角αが形成される方向ＡをＹ方向に整合させると共に、オフ角αが形成される方向Ａに直交する方向をＸ方向に整合させる。また、インゴット５０と集光器３８とのＸＹ平面における位置を調整する際は、オフ角αが形成される方向Ａにおいて隣接する連結層６４間に集光点ＦＰ２を位置付ける。次いで、集光点位置調整手段によって集光器３８を昇降させ、第１の面５２から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さの位置に集光点ＦＰ２を位置付ける。次いで、隣接する集光点ＦＰ２が相互に重複するように、集光点ＦＰ２に対してチャックテーブル２２を所定の加工送り速度ＶでＸ方向移動手段２４によってＸ方向（すなわち、オフ角αが形成される方向Ａに直交する方向）に移動させながら、ＳｉＣに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを集光器３８からインゴット５０に照射する改質層形成加工を行う。これによって、図５（ｂ）に示すとおり、オフ角αが形成される方向Ａに直交する方向に直線状に延びる改質層６６が形成される。図５（ｃ）に示すとおり、改質層６６は、実質上同一Ｃ面上に位置しＣ面に沿って偏平に形成され、かつ空隙を有する。また、改質層６６が形成される際は、Ｃ面に沿って改質層６６の両側にクラック６８が伝播する。Ｃ面に沿って改質層６６の片側に延びるクラック６８の長さＬｃは２５０μｍ程度である。
【００２４】
改質層６６の形成過程について詳述すると、まず、最初のパルスレーザー光線ＬＢの照射により、集光点ＦＰ２及び集光点ＦＰ２の周囲において、ＳｉＣがＳｉ（シリコン）とＣ（炭素）とに分離した最初の改質層６６が形成される。改質層形成加工では、隣接する集光点ＦＰ２が相互に重複するように、集光点ＦＰ２に対してチャックテーブル２２をＸ方向に移動させながらパルスレーザー光線ＬＢをインゴット５０に照射するので、Ｓｉ（シリコン）とＣ（炭素）とに分離した改質層６６に再度パルスレーザー光線ＬＢが照射される。そうすると、パルスレーザー光線ＬＢがＣ（炭素）に吸収されるので、集光点ＦＰ２よりも若干浅い位置において次の改質層６６が形成される。このようにして改質層６６は、最初に形成された部分から、オフ角αが形成される方向Ａに直交する方向に向かって入射面側に若干傾斜して延びていく。すなわち改質層６６は、インゴット５０の内部において、パルスレーザー光線ＬＢのパワー密度Ｗが高い集光点ＦＰ２が最初に位置付けられた部分から、オフ角αが形成される方向Ａに直交する方向に向かってパルスレーザー光線ＬＢのパワー密度Ｗが低い側へと若干傾斜して延びていく。そして改質層６６は、インゴット５０の内部においてパルスレーザー光線ＬＢのパワー密度Ｗが所定値ＷｓとなるスポットＳの深さＺｓ（図６参照。）に達すると、入射面側へは延びずにオフ角αが形成される方向Ａに直交する方向にのみ延びることとなる。改質層形成加工では、隣接する集光点ＦＰ２が相互に重複するように集光点ＦＰ２に対してチャックテーブル２２をＸ方向に移動させるので、集光点ＦＰ２よりも浅い位置のスポットＳにおいても、隣接するスポットＳが相互に重複する。そして、スポットＳの深さＺｓにおいて改質層６６が連続的に形成されていく。なお、第１の面５２を基準として集光点ＦＰ２の深さＺとスポットＳの深さＺｓとの差は１０μｍ程度であり、傾斜が生じる領域は２０μｍ程度である。
【００２５】
改質層形成ステップでは、改質層形成加工とインデックス送りとを交互に行う。インデックス送りでは、隣接する改質層６６から延びるクラック６８同士が厚み方向にみて重複するように、集光点ＦＰ２に対してチャックテーブル２２をＹ方向移動手段２６によってＹ方向（すなわち、オフ角αが形成される方向Ａ）にインデックス送りする。上述のとおり、Ｃ面に沿って改質層６６の片側に延びるクラック６８の長さＬｃは２５０μｍ程度であるので、インデックス量Ｌｉが５００μｍ未満又は５００μｍ程度であれば、隣接する改質層６６から延びるクラック６８同士が厚み方向にみて、僅かな間隙が存在するものの重複することになる。そして、改質層形成加工とインデックス送りとを交互に行うことにより、図５（ａ）に示すとおり、オフ角αが形成される方向Ａに間隔をおいて複数の改質層６６が形成される。このような改質層形成ステップは、たとえば以下の加工条件で実施することができる。なお、下記のスポットＳにおけるパワー密度Ｗｓ（Ｊ／ｍｍ２）は、平均出力Ｐ（Ｗ）と、スポットＳの面積π（Ｄｓ）２／４（μｍ２）と、繰り返し周波数Ｆ（ｋＨｚ）とで規定される（Ｗｓ＝４Ｐ／π（Ｄｓ）２Ｆ）。
パルスレーザー光線ＬＢの波長    ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数Ｆ                ：６０ｋＨｚ
平均出力Ｐ                      ：１．５Ｗ
集光点ＦＰ２の直径Ｄ            ：φ３μｍ
集光点ＦＰ２の深さＺ            ：第１の面から８０μｍ
スポットＳの直径Ｄｓ            ：φ５．３μｍ
スポットＳの深さＺｓ            ：第１の面から７０μｍ
スポットＳにおけるパワー密度Ｗｓ：１．１３Ｊ／ｍｍ２
インデックス量Ｌｉ              ：２５０μｍ
加工送り速度Ｖ                  ：６０ｍｍ／ｓ
隣接する集光点ＦＰ２の重複率    ：６７％
隣接するスポットＳの重複率      ：８１％
【００２６】
改質層形成ステップにおいて、隣接する集光点ＦＰ２が相互に重複するには、繰り返し周波数Ｆ（ｋＨｚ）と、加工送り速度Ｖ（ｍｍ／ｓ）と、集光点ＦＰ２の直径Ｄ（μｍ）とで規定されるＧ＝（Ｖ／Ｆ）−ＤがＧ＜０であることを要するところ、上記加工条件では
Ｇ＝｛６０（ｍｍ／ｓ）／６０（ｋＨｚ）｝−３（μｍ）
＝｛６０×１０３（μｍ／ｓ）／６０×１０３（Ｈｚ）｝−３（μｍ）
＝−２＜０
であり、隣接する集光点ＦＰ２は相互に重複する。Ｇ＜０の場合、隣接する集光点ＦＰ２の重複率は｜Ｇ｜／Ｄで規定される。また、隣接するスポットＳが相互に重複するには、繰り返し周波数Ｆ（ｋＨｚ）と、加工送り速度Ｖ（ｍｍ／ｓ）と、スポットＳの直径Ｄｓ（μｍ）とで規定されるＧｓ＝（Ｖ／Ｆ）−ＤｓがＧｓ＜０であることを要するところ、上記加工条件では
Ｇｓ＝｛６０（ｍｍ／ｓ）／６０（ｋＨｚ）｝−５．３（μｍ）
＝｛６０×１０３（μｍ／ｓ）／６０×１０３（Ｈｚ）｝−５．３（μｍ）
＝−４．３＜０
であり、隣接するスポットＳが相互に重複する。Ｇｓ＜０の場合、隣接するスポットＳの重複率は｜Ｇｓ｜／Ｄｓで規定される。図６（ｂ）に、隣接するスポットＳが相互に重複している部分をハッチングで示す。
【００２７】
以上のとおり剥離面形成工程では、連結層形成ステップと改質層形成ステップとを実施することにより、図５（ｃ）に示すとおり、第１の面５２から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さにおいて、複数の改質層６６、クラック６８及び複数の連結層６４から構成される剥離面７０が形成される。オフ角αが４度、改質層形成ステップにおけるインデックス量Ｌｉが図示の実施形態のように２５０μｍである場合、生成すべきウエーハの厚み方向において、隣接する改質層６６から延びるクラック６８同士の距離は１７〜１８μｍ程度であるところ、生成すべきウエーハの厚み方向における連結層６４の寸法Ｈが１７〜１８μｍ程度より大きければ、図５（ｃ）に示すとおり、隣接する改質層６６から延びるクラック６８同士が連結される。
【００２８】
剥離面形成工程を実施した後、ウエーハ剥離工程を実施する。ウエーハ剥離工程では、まず、移動手段８によってチャックテーブル２２を吸着片４６の下方に移動させる。次いで、昇降手段によってアーム４２を下降させ、図７に示すとおり、吸着片４６の下面をインゴット５０の第１の面５２に密着させる。次いで、吸引手段を作動させ、吸着片４６の下面をインゴット５０の第１の面５２に吸着させる。次いで、超音波振動付与手段を作動させ、吸着片４６の下面に対して超音波振動を付与すると共に、モータ４４を作動させ吸着片４６を回転させる。これによって、剥離面７０を界面としてインゴット５０の一部を剥離することができ、所望の厚みのウエーハ７２を効率よく生成することができる。剥離面形成工程において形成された剥離面７０は、隣接する改質層６６から延びるクラック６８同士が連結層６４により連結されているので、剥離面７０を界面とするインゴット５０の一部の剥離が容易である。ウエーハ７２を生成した後、基台４上に設けられた研磨手段（図示していない。）によりインゴット５０の剥離面７０を研磨し、剥離面形成工程及びウエーハ剥離工程を順次実施することで、インゴット５０から複数のウエーハを生成することができ、したがって捨てられる素材量を軽減でき、生産性の向上が図られる。
【００２９】
なお図示の実施形態では、剥離面形成工程において連結層形成ステップを改質層形成ステップの前に実施する例を説明したが、改質層形成ステップを連結層形成ステップの前に実施してもよい。
【符号の説明】
【００３０】
５０：単結晶ＳｉＣインゴット
５２：第１の面
５４：第２の面
５８：垂線
６４：連結層
６６：改質層
６８：クラック
７０：剥離面
７２：ウエーハ
α：オフ角
Ａ：オフ角が形成される方向
ＦＰ１：連結層形成ステップにおける集光点
ＦＰ２：改質層形成ステップにおける集光点
ＬＢ：パルスレーザー光線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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