(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
密着層形成組成物であって、
１分子中に、アルコキシアルキル基またはアルキロール基のいずれか一方または両方を合計で少なくとも５つ有する化合物（Ａ）と、
１分子中にチオール基を少なくとも２つ有する化合物（Ｂ）と、
を有することを特徴とする密着層形成組成物。
【請求項２】
揮発性溶剤をさらに有し、
前記揮発性溶剤の含有量が、前記密着層形成組成物の全体を１００質量％としたときに、７０質量％以上９９．９質量％以下であることを特徴とする請求項１に記載の密着層形成組成物。
【請求項３】
光重合開始剤を含有しないことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の密着層形成組成物。
【請求項４】
粒径が０．２μｍより大きい粒子の含有量が、前記密着層形成組成物の全体を１００質量％としたときに、３質量％未満であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の密着層形成組成物。
【請求項５】
前記化合物（Ａ）が、下記一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の密着層形成組成物。
【化１】
0006632340.tif 000015
（式（１）において、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシアルキル基、またはアルキロール基のいずれかを表す。ただし、Ｒ１〜Ｒ６の少なくとも５つはアルコキシアルキル基またはアルキロール基である。）
【請求項６】
前記化合物（Ａ）が、ペンタメトキシメチルメラミン、ヘキサメトキシメチルメラミン、（ヒドロキシメチル）ペンタキス（メトキシメチル）メラミン、ヘキサエトキシメチルメラミン、ヘキサブトキシメチルメラミン、ペンタメチロールメラミン、ヘキサメチロールメラミンの中から選択される少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の密着層形成組成物。
【請求項７】
前記化合物（Ａ）が、１分子中に、アルコキシアルキル基またはアルキロール基のいずれか一方または両方を合計で少なくとも６つ有する化合物であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の密着層形成組成物。
【請求項８】
前記化合物（Ｂ）が、１分子中にチオール基を少なくとも３つ有することを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の密着層形成組成物。
【請求項９】
前記化合物（Ｂ）が、１級チオールであることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の密着層形成組成物。
【請求項１０】
前記化合物（Ａ）および前記化合物（Ｂ）の密着層形成組成物の全重量に対する重量分率をそれぞれα、βとすると、α／βが、０．２５以上４以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の密着層形成組成物。
【請求項１１】
前記化合物（Ａ）および前記化合物（Ｂ）の密着層形成組成物の全重量に対する重量分率をそれぞれα、βとすると、αとβの和が、０．１以上１０以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の密着層形成組成物。
【請求項１２】
前記密着層形成組成物が、光ナノインプリント用であることを特徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の密着層形成組成物。
【請求項１３】
基材上に、請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載の密着層形成組成物を配置して密着層を形成する第１の工程と、
前記密着層が形成された前記基材上に、光硬化性組成物を配置する第２の工程と、パターン形状を転写するための原型パターンを有するモールドと前記光硬化性組成物とを接触させる第３の工程と、
前記光硬化性組成物に光を照射して硬化物とする第４の工程と、
前記硬化物と前記モールドとを引き離す第５の工程と、を有する硬化物パターンの製造方法。
【請求項１４】
前記光硬化性組成物が、アクリロイル基またはメタクリロイル基を有する化合物を含有する、請求項１３に記載の硬化物パターンの製造方法。
【請求項１５】
前記第１の工程が、表面に水酸基を有する基材上に前記密着層形成組成物を配置する工程であることを特徴とする請求項１３または請求項１４に記載の硬化物パターンの製造方法。
【請求項１６】
請求項１３乃至請求項１５のいずれか一項に記載の硬化物パターンの製造方法により硬化物パターンを得る工程を有することを特徴とする光学部品の製造方法。
【請求項１７】
請求項１３乃至請求項１５のいずれか一項に記載の硬化物パターンの製造方法により硬化物パターンを得る工程と、
得られた硬化物パターンをマスクとして基材にエッチング又はイオン注入を行う工程と、を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項１８】
前記回路基板が半導体素子で利用される回路基板である請求項１７に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１９】
基材上に、請求項１２乃至請求項１５のいずれか一項に記載の硬化物パターンの製造方法により硬化物パターンを得る工程と、
得られた硬化物パターンをマスクとして用いて前記基材にエッチングを行う工程と、を有することを特徴とするインプリント用モールドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、密着層形成組成物、硬化物パターンの製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、インプリント用モールドの製造方法、およびデバイス部品等に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＭＥＭＳ等においては、微細化の要求が高まっており、その中で光ナノインプリント技術が注目されている。
【０００３】
光ナノインプリント技術では、表面に微細な凹凸パターンが形成された型（モールド）を光硬化性組成物（レジスト）が塗布された基板（ウエハ）などの基材に押しつけた状態で光硬化性組成物を硬化させる。これにより、モールドの凹凸パターンを光硬化性組成物の硬化膜に転写し、パターンを基材上に形成する。光ナノインプリント技術によれば、基材上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。
【０００４】
光ナノインプリント技術では、まず、基材上のパターン形成領域に光硬化性組成物を塗布する（配置工程）。次に、この光硬化性組成物をパターンが形成されたモールドを用いて成形する（型接触工程）。そして、光を照射して光硬化性組成物を硬化（光照射工程）させたうえで引き離す（離型工程）。これらの工程を実施することにより、所定の形状を有する樹脂のパターン（光硬化物）が基材上に形成される。
【０００５】
光ナノインプリント技術の離型工程においては、光硬化性組成物と基材との間の密着性が重要である。光硬化性組成物と基材との間の密着性が低いと、離型工程においてモールドを引き離す際に、光硬化性組成物を硬化させて得られた光硬化物の一部がモールドに付着したまま剥がれてしまう、パターン剥がれ欠陥が発生してしまう場合があるからである。
【０００６】
従来、光硬化性組成物と基材との間の密着性を向上させる技術として、光硬化性組成物と基材との間に、光硬化性組成物と基材とを密着させるための層である密着層を形成する技術が提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１３−２０２９８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１に記載の技術では、硬化性主剤と尿素系架橋剤とを含有する組成物を用いて密着層を形成している。しかしながら、尿素系架橋剤を含む組成物を用いた場合、密着層を形成する際の組成物の硬化性が不十分である場合があった。その結果、光硬化性組成物と基材との間の密着性を十分に向上させることができず、パターン剥がれ欠陥が発生してしまうという課題があった。
【０００９】
そこで本発明は上述の課題に鑑み、パターン剥がれ欠陥の発生を抑制できる密着層形成組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る密着層形成組成物は、１分子中に、アルコキシアルキル基またはアルキロール基のいずれか一方または両方を合計で少なくとも５つ有する化合物（Ａ）と、１分子中にチオール基を少なくとも２つ有する化合物（Ｂ）と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、パターン剥がれ欠陥の発生を抑制できる密着層形成組成物を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施形態に係る硬化物パターンの製造方法を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下の実施の形態に対して適宜変更、改良等が加えられたものも本発明の範囲に含まれる。
【００１４】
本実施形態に係る密着層形成組成物１００は、基材１０２と光硬化性組成物１０３との間に密着層１０１を形成するための組成物である。密着層形成組成物１００は、１分子中に、アルコキシアルキル基またはアルキロール基のいずれか一方または両方を合計で少なくとも５つ有する化合物（Ａ）と、１分子中にチオール基を少なくとも２つ有する化合物（Ｂ）と、を有することを特徴とする。
【００１５】
本実施形態に係る密着層形成組成物１００は、基材１０２上に配置して硬化させ、硬化物を形成する場合に特に好ましく用いられる。また、本実施形態に係る密着層形成組成物１００を硬化してなる密着層１０１と、基材１０２と、を有する積層体は、光硬化性組成物１０３を積層体上に配置して光硬化物１０９を得るための基材として好ましく用いることができる。また、本実施形態に係る密着層形成組成物１００は、インプリント用密着層形成組成物として用いることができ、特に、光ナノインプリント用密着層形成組成物として有用である。
【００１６】
以下、本実施形態に係る密着層形成組成物１００が有する各成分について、詳細に説明する。
【００１７】
＜化合物（Ａ）＞
本実施形態に係る化合物（Ａ）は、１分子中に、アルコキシアルキル基またはアルキロール基のいずれか一方または両方（以下、「官能基ａ」と称する）を合計で少なくとも５つ有する化合物である。
【００１８】
本実施形態に係る化合物（Ａ）が有する官能基ａは、後述する密着層形成工程において、化合物（Ｂ）の有するチオール基と反応する官能基である。その結果、化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）との間に結合が生成する。化合物（Ａ）は１分子中に官能基ａを複数個有するため、化合物（Ａ）は複数個の化合物（Ｂ）との間にそれぞれ結合を生じることができる。化合物（Ａ）が複数個の化合物（Ｂ）との間にそれぞれ結合を生じることによって、密着層１０１を構成する化合物同士が架橋した構造（架橋構造）を形成することができる。
【００１９】
本実施形態に係る化合物（Ａ）が有する官能基ａと、化合物（Ｂ）の有するチオール基との間の反応は、後述する密着層形成工程における加熱プロセスによって生じることが好ましい。
【００２０】
上述のように架橋構造を有する密着層１０１を形成することで、基材１０２に接続されていない、遊離した未反応の化合物（Ａ）または化合物（Ｂ）の量を低減させることができる。これにより、密着層１０１の膜強度を向上させることができる。
【００２１】
未反応の化合物（Ａ）や化合物（Ｂ）が密着層１０１中に遊離した状態で存在していると、後述する光硬化性組成物１０３の配置工程において、これらの化合物が光硬化性組成物１０３中へと溶出する可能性がある。その結果、光硬化性組成物１０３の組成が変化することによって光硬化性組成物１０３の特性が変化し、例えば光硬化性組成物１０３を硬化させて得られる光硬化物１０９のパターンの剥がれ欠陥などを生じてしまう。
【００２２】
一方、本実施形態に係る密着層形成組成物１００を用いると、密着層１０１中の、基材１０２に接続されていない遊離した化合物（Ａ）や化合物（Ｂ）の量を従来よりも大幅に低減させることができる。これにより、光硬化性組成物１０３の配置工程における光硬化性組成物１０３中への化合物（Ａ）または化合物（Ｂ）の溶出も大幅に抑制することができる。その結果、上述した光硬化物１０９のパターンの剥がれ欠陥などの発生を抑制することができる。
【００２３】
また、化合物（Ａ）の有する官能基ａは、基材１０２の表面に存在する官能基との間で、共有結合、イオン結合、水素結合、分子間力などのいずれかの化学結合または相互作用を生じてもよい。例えば、基材１０２として表面にシラノール基などの水酸基を有する基材を用いた場合には、アルコキシアルキル基とシラノール基との間で脱アルコール反応が生じる。その結果、化合物（Ａ）と基材１０２との間に共有結合を形成することができる。これにより、密着層１０１と基材１０２との間の密着性を向上させることができる。
【００２４】
さらに化合物（Ａ）は、下記一般式（１）で表される化合物であることが好ましい。
【００２５】
【化１】
0006632340.tif 000002
【００２６】
式（１）において、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシアルキル基、またはアルキロール基のいずれかを表す。ただし、Ｒ１〜Ｒ６の少なくとも５つはアルコキシアルキル基またはアルキロール基である。
【００２７】
上記一般式（１）で表される化合物は、構造の中心にトリアジン環を有するメラミンの誘導体である。すなわち、一般式（１）で表される化合物は、１，３，５−トリアジンの２位、４位、６位に窒素原子がそれぞれ結合した構造を有している。さらに、一般式（１）で表される化合物は、５つまたは６つの官能基ａをもつ。すなわち、上記一般式（１）で表される化合物は、グリコールウリルの誘導体等の尿素系化合物に比べて、官能基ａを多く有する。
【００２８】
また、尿素系化合物は分子内に電子吸引性の酸素原子を有するため、官能基ａを有する尿素系化合物中の官能基ａのチオール基等との反応性は、分子内に電子吸引性の酸素原子を有さない場合に比べて低下する傾向がある。一方、上記一般式（１）で表される化合物の母体であるトリアジン環は、構造中に電子吸引性の酸素原子を有さない。そのため、上記一般式（１）で表される化合物の有する官能基ａは、尿素系化合物中の官能基ａに比べて高い反応性を有すると考えられる。
【００２９】
以上のことから、化合物（Ａ）として上記一般式（１）で表される化合物を用いることで、本実施形態に係る密着層形成組成物１００の硬化性を向上させることができる。また、密着層形成組成物１００を用いて形成する密着層１０１の膜強度を向上させることができる。
【００３０】
化合物（Ａ）が有するアルコキシアルキル基またはアルキロール基の種類は特に限定はされないが、アルコキシアルキル基としてはメトキシメチル基が好ましく、アルキロール基としてはメチロール基が好ましい。このようにアルコキシアルキル基またはアルキロール基として式量の小さな官能基を用いることで、密着層１０１中の単位質量あたりの架橋密度を向上させることができる。その結果、密着層１０１の膜強度を向上させることができる。
【００３１】
化合物（Ａ）の具体例としては、ペンタメトキシメチルメラミン、ヘキサメトキシメチルメラミン、（ヒドロキシメチル）ペンタキス（メトキシメチル）メラミン、ヘキサエトキシメチルメラミン、ヘキサブトキシメチルメラミン、ペンタメチロールメラミン、ヘキサメチロールメラミンなどが挙げられるが、これらに限定はされない。
【００３２】
なお、化合物（Ａ）は、一種類の化合物で構成されていても良く、複数種類の化合物で構成されていても良い。
【００３３】
＜化合物（Ｂ）＞
本発明の化合物（Ｂ）は、１分子中にチオール基を少なくとも２つ有する化合物である。
【００３４】
化合物（Ｂ）の有するチオール基は、上述のように、化合物（Ａ）の有する官能基ａと反応する官能基である。その結果、化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）との間に結合が生成する。化合物（Ｂ）は１分子中にチオール基を複数個有するため、化合物（Ｂ）は複数個の化合物（Ａ）との間にそれぞれ結合を生じることができる。化合物（Ｂ）が複数個の化合物（Ａ）との間にそれぞれ結合を生じることによって、密着層１０１を構成する化合物同士が架橋した構造（架橋構造）を形成することができる。
【００３５】
上述のように架橋構造を有する密着層１０１を形成することで、基材１０２に接続されていない、遊離した未反応の化合物（Ａ）または化合物（Ｂ）の量を低減させることができる。これにより、密着層１０１の膜強度を向上させることができる。また、後述する光硬化性組成物１０３の配置工程における光硬化性組成物１０３中への化合物（Ａ）または化合物（Ｂ）の溶出も大幅に抑制することができる。その結果、上述した光硬化物１０９のパターンの剥がれ欠陥などの発生を抑制することができる。
【００３６】
また、化合物（Ｂ）の有するチオール基は、基材１０２の表面に存在する官能基との間で、共有結合、水素結合、分子間力などのいずれかの化学結合または相互作用を生じることができる。これにより、密着層１０１と基材１０２との間の密着性を向上させることができる。
【００３７】
さらに、化合物（Ｂ）の有するチオール基は、後述する光照射工程において光硬化性組成物１０３中に発生するラジカルとの間の連鎖移動反応により、光硬化性組成物１０３中の重合性化合物との間に共有結合を生じる。これにより、密着層１０１と光硬化性組成物１０３または硬化膜１０９との間の密着性を向上させることができる。密着層１０１は上述の通り、基材１０２との間にも化学結合または相互作用を生じているため、結果として、密着層１０１によって基材１０２と光硬化性組成物１０３または硬化膜１０９との間の密着性を向上させることができる。
【００３８】
以上のような効果をより発揮するために、本実施形態に係る化合物（Ｂ）が有するチオール基の数は多い方が好ましく、少なくとも３つであることがより好ましく、少なくとも４つであることがさらに好ましい。化合物（Ｂ）が有するチオール基の数を少なくとも３つとすることで、化合物（Ｂ）によって形成される架橋構造が立体的になり、密着層１０１の膜の強度がより向上する。また、化合物（Ｂ）と化合物（Ａ）、基材１０２との間の結合が生じやすくなる。化合物（Ｂ）が有するチオール基の数が多い方が上述の効果は大きくなるため、化合物（Ｂ）が有するチオール基の数は、少なくとも４つであることがさらに好ましい。
【００３９】
また、化合物（Ｂ）は１級チオールであることが好ましい。化合物（Ｂ）を１級チオールとすることで、化合物（Ｂ）の有するチオール基の周りの立体障害を減らすことができる。その結果、化合物（Ｂ）の有するチオール基の反応性を高め、密着層形成組成物１００の硬化性を向上させることができる。
【００４０】
本実施形態に係る化合物（Ｂ）として用いることが可能な、チオール基を少なくとも２つ有する化合物の具体例としては、１，６−ヘキサンジチオール、１，８−オクタンジチオール、１，１０−デカンジチオール、１，４−ブタンジオールビス（チオグリコレート）、１，４−ビス（３−メルカプトブチリルオキシ）ブタン等の２官能チオール化合物；１，３，５−トリス（３−メルカプトブチリルオキシエチル）−１，３，５−トリアジン−２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）−トリオン、トリメチロールプロパントリス（３−メルカプトプロピオネート）、ペンタエリスリトールトリス（３−メルカプトブチレート）等の３官能チオール化合物；ペンタエリトリトールテトラキス（メルカプトアセタート）、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトブチレート）、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトプロピオネート）等の４官能チオール等が挙げられるが、これらに限定はされない。
【００４１】
なお、化合物（Ｂ）は、一種類の化合物で構成されていても良く、複数種類の化合物で構成されていても良い。
【００４２】
＜化合物（Ａ）および化合物（Ｂ）の配合比率＞
密着層形成組成物１００のうち、化合物（Ａ）または化合物（Ｂ）のどちらか一方の配合比率が極端に小さいと、密着層１０１の架橋密度が小さくなり、膜強度や硬化性が不十分となる。したがって、化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）の密着層形成組成物１００全体に対する重量分率をそれぞれα、βとすると、α：βは１：９〜９：１であることが好ましく、１：４〜４：１であることがより好ましい。すなわち、α／βは０．１１以上９以下であることが好ましく、０．２５以上４以下であることが好ましい。なお、最適な配合比率は、化合物（Ａ）および化合物（Ｂ）の官能基の数や分子量、反応性によって異なるが、概ね上述の範囲内の配合比率とすることで、密着層形成組成物１００の硬化性を高めることができる。
【００４３】
化合物（Ａ）および化合物（Ｂ）の密着層形成組成物１００における配合割合（αとβの和）は、密着層形成組成物１００の粘度や、目的とする密着層１０１の膜厚などによって適宜調整することができる。αとβの和は、密着層形成組成物１００の全重量に対して、０．０１以上１０以下であることが好ましく、０．１以上１０以下であることがより好ましく、０．１以上７以下であることがさらに好ましい。化合物（Ａ）および化合物（Ｂ）の密着層形成組成物１００における配合割合を上記範囲にすることで、密着層形成組成物１００の粘度を低くすることができ、形成される密着層１０１の膜厚を小さくすることができる。
【００４４】
＜揮発性溶剤（Ｃ）＞
本実施形態に係る密着層形成組成物１００は、揮発性溶剤（Ｃ）（以下、単に「溶剤（Ｃ）」と称する）を含有する。密着層形成組成物１００が溶剤（Ｃ）を含有することによって、密着層形成組成物１００の粘度を低下させることができる。その結果、密着層形成組成物１００の基材１０２に対する塗布性を向上させることができる。
【００４５】
溶剤（Ｃ）は、化合物（Ａ）および化合物（Ｂ）が溶解する溶剤であれば、特に限定はされないが、常圧における沸点が８０〜２００℃の溶剤が好ましい。また、溶剤（Ｃ）は、水酸基、エーテル構造、エステル構造、ケトン構造のいずれかを少なくとも１つ有する有機溶剤であることが好ましい。これらの溶剤は、化合物（Ａ）および化合物（Ｂ）の溶解性や、基材１０２に対する濡れ性などに優れる。
【００４６】
本実施形態に係る溶剤（Ｃ）として用いることが可能な溶剤の具体例としては、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコールなどのアルコール系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル系溶剤；ブチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル系溶剤；メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、乳酸エチルなどのケトン系溶剤から選ばれる単独、あるいはこれらの混合溶剤が挙げられる。この中でもプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、またはその混合溶液が、塗布性の観点で特に好ましい。
【００４７】
本実施形態に係る溶剤（Ｃ）の、密着層形成組成物１００における配合割合は、化合物（Ａ）および化合物（Ｂ）の粘度や塗布性、形成する密着層１０１の膜厚などによって適宜調整することができる。溶剤（Ｃ）の密着層形成組成物１００における配合割合は、密着層形成組成物１００の全重量に対して７０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましく、９５質量％以上がさらに好ましい。溶剤（Ｃ）の密着層形成組成物１００における配合割合が大きいほど、形成する密着層１０１の膜厚を薄くできるため、インプリント用密着層形成組成物として好ましい。溶剤（Ｃ）の密着層形成組成物１００における配合割合が７０質量％未満である場合には、十分な塗布性が得られない場合がある。なお、溶剤（Ｃ）の配合割合の上限は特に限定はされないが、９９．９質量％以下であることが好ましく、９９質量％以下であることがより好ましい。
【００４８】
＜その他の成分（Ｄ）＞
本実施形態に係る密着層形成組成物１００は、前述した化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）および溶剤（Ｃ）の他に、種々の目的に応じて、本発明の効果を損なわない範囲で、更なる添加成分（Ｄ）を含有していてもよい。このような添加成分としては、界面活性剤、架橋剤、ポリマー成分、酸化防止剤、重合禁止剤等が挙げられる。密着層形成組成物１００は基材１０２上に配置した後、加熱により溶剤（Ｃ）を揮発させつつ硬化させることで、形成される密着層１０１の膜厚を薄くすることができる。そのため本実施形態に係る密着層形成組成物１００は、光照射によって密着層形成組成物１００を硬化させる目的などで添加する、光重合開始剤を含まないことが好ましい。密着層形成組成物１００が光重合開始剤を含むと、密着層１０１の形成の過程で光重合が生じ、溶剤（Ｃ）が完全に揮発する前に密着層形成組成物１００が硬化してしまい、密着層１０１の膜厚が厚くなる可能性がある。
【００４９】
＜密着層形成組成物の粘度＞
本実施形態に係る密着層形成組成物１００の２３℃における粘度は、化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）および溶剤（Ｃ）などの各成分の種類や配合割合によって異なるが、０．５ｍＰａ・ｓ以上２０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。より好ましくは１ｍＰａ・ｓ以上１０ｍＰａ・ｓ以下であり、さらに好ましくは１ｍＰａ・ｓ以上５ｍＰａ・ｓ以下である。
【００５０】
密着層形成組成物１００の粘度を２０ｍＰａ・ｓ以下とすることにより、密着層形成組成物１００の基材１０２に対する塗布性が優れ、基材１０２上における密着層形成組成物１００の膜厚の調整などを容易に行うことができる。
【００５１】
＜密着層形成組成物に混入している不純物＞
本実施形態に係る密着層形成組成物１００は、できる限り不純物を含まないことが好ましい。ここで記載する不純物とは、前述した化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）、溶剤（Ｃ）およびその他の成分（Ｄ）以外のものを意味する。
【００５２】
密着層形成組成物１００をナノインプリントプロセスに用いる場合には、特に、パーティクルおよび固形成分を含まないことが好ましい。ここで、パーティクルとは、典型的には数ｎｍ〜数μｍの粒径（直径）を有するゲル状ないし固形状の粒状物質を指す。したがって密着層形成組成物１００は、粒径が０．２μｍより大きい粒子の含有量が、密着層形成組成物１００の全体を１００質量％としたときに０質量％以上３質量％未満であることが好ましい。
【００５３】
したがって、本実施形態に係る密着層形成組成物１００は、精製工程を経て得られたものであることが好ましい。このような精製工程としては、フィルタを用いた濾過等が好ましい。
【００５４】
フィルタを用いた濾過を行う際には、具体的には、前述した化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）、溶剤（Ｃ）および必要に応じて添加するその他の成分（Ｄ）を混合した後、例えば、孔径０．００１μｍ以上５．０μｍ以下のフィルタで濾過することが好ましい。また、孔径０．００１μｍ以上０．２μｍ以下のフィルタで濾過することがより好ましい。フィルタを用いた濾過を行う際には、多段階で行ったり、多数回繰り返したりすることがさらに好ましい。また、濾過した液を再度濾過してもよい。孔径の異なるフィルタを複数用いて濾過してもよい。濾過に使用するフィルタとしては、ポリエチレン樹脂製、ポリプロピレン樹脂製、フッ素樹脂製、ナイロン樹脂製等のフィルタを使用することができるが、特に限定されるものではない。
【００５５】
このような精製工程を経ることで、密着層形成組成物１００に混入したパーティクル等の不純物を取り除くことができる。これにより、パーティクル等の不純物によって、密着層形成組成物１００を塗布した後に得られる密着層１０１に不用意に欠陥が発生することを防止することができる。
【００５６】
なお、密着層形成組成物１００を半導体集積回路などの、半導体素子で利用される回路基板を製造するために使用する場合、密着層形成組成物１００中に金属原子を含有する不純物（金属不純物）が混入することを極力避けることが好ましい。これは、金属などの不純物によって回路基板の動作を阻害しないようにするためである。このような場合、密着層形成組成物１００に含まれる金属不純物の濃度としては、１０ｐｐｍ以下にすることが好ましく、１００ｐｐｂ以下にすることがさらに好ましい。
【００５７】
したがって、密着層形成組成物１００は、その製造工程において、金属に接触させずに調製されることが好ましい。すなわち、化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）、溶剤（Ｃ）および必要に応じて添加するその他の成分（Ｄ）の各原料を秤量する際や、配合して撹拌する際には、金属製の秤量器具、容器などを使用しないことが好ましい。また、前述した精製工程において、さらに金属不純物除去フィルタを用いて濾過することが好ましい。金属不純物除去フィルタとしては、セルロース及び珪藻土製、イオン交換樹脂製等のフィルタを使用することができるが、特に限定されるものではない。これらの金属不純物除去フィルタは洗浄してから用いることが好ましい。洗浄方法としては、超純水による洗浄、アルコールによる洗浄、密着層形成組成物１００による共洗いの順で実施することが好ましい。
【００５８】
＜光硬化性組成物＞
本実施形態に係る密着層形成組成物１００から形成した密着層１０１と一緒に用いられる光硬化性組成物１０３は、通常、重合性化合物である成分（Ｅ）と、光重合開始剤である成分（Ｆ）と、を含有する。
【００５９】
［成分（Ｅ）：重合性化合物］
成分（Ｅ）は、重合性化合物である。ここで、本明細書において重合性化合物とは、光重合開始剤（成分（Ｆ））から発生した重合因子（ラジカル等）と反応し、連鎖反応（重合反応）によって高分子化合物（重合体）からなる膜を形成する化合物である。
【００６０】
成分（Ｅ）は、一種類の重合性化合物で構成されていても良く、複数種類の重合性化合物で構成されていても良い。
【００６１】
このような重合性化合物としては、例えば、ラジカル重合性化合物が挙げられる。ラジカル重合性化合物としては、アクリロイル基又はメタクリロイル基を１つ以上有する化合物、すなわち、（メタ）アクリル化合物であることが好ましい。
【００６２】
したがって、成分（Ｅ）である重合性化合物は、（メタ）アクリル化合物を含むことが好ましい。また、成分（Ｅ）の主成分が（メタ）アクリル化合物であることがより好ましく、（メタ）アクリル化合物であることが最も好ましい。なお、ここで記載する成分（Ｅ）の主成分が（メタ）アクリル化合物であるとは、成分（Ｅ）の９０重量％以上が（メタ）アクリル化合物であることを示す。
【００６３】
ラジカル重合性化合物が、アクリロイル基又はメタクリロイル基を１つ以上有する複数種類の化合物で構成される場合には、単官能（メタ）アクリレートモノマーと多官能（メタ）アクリレートモノマーを含むことが好ましい。これは、単官能（メタ）アクリレートモノマーと多官能（メタ）アクリレートモノマーを組み合わせることで、強度が強い硬化膜が得られるからである。
【００６４】
アクリロイル基又はメタクリロイル基を１つ有する単官能（メタ）アクリル化合物としては、例えば、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシ−２−メチルエチル（メタ）アクリレート、フェノキシエトキシエチル（メタ）アクリレート、３−フェノキシ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、４−フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、３−（２−フェニルフェニル）−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ＥＯ変性ｐ−クミルフェノールの（メタ）アクリレート、２−ブロモフェノキシエチル（メタ）アクリレート、２，４−ジブロモフェノキシエチル（メタ）アクリレート、２，４，６−トリブロモフェノキシエチル（メタ）アクリレート、ＥＯ変性フェノキシ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性フェノキシ（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、１−アダマンチル（メタ）アクリレート、２−メチル−２−アダマンチル（メタ）アクリレート、２−エチル−２−アダマンチル（メタ）アクリレート、ボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、４−ブチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、アクリロイルモルホリン、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、アミル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、へキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソステアリル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、１−ナフチルメチル（メタ）アクリレート、２−ナフチルメチル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、エトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、メトキシエチレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、ジアセトン（メタ）アクリルアミド、イソブトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、ｔ−オクチル（メタ）アクリルアミド、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、７−アミノ−３，７−ジメチルオクチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリルアミド等が挙げられるが、これらに限定はされない。
【００６５】
上記単官能（メタ）アクリル化合物の市販品としては、アロニックスＭ１０１、Ｍ１０２、Ｍ１１０、Ｍ１１１、Ｍ１１３、Ｍ１１７、Ｍ５７００、ＴＯ−１３１７、Ｍ１２０、Ｍ１５０、Ｍ１５６（以上、東亞合成製）、ＭＥＤＯＬ１０、ＭＩＢＤＯＬ１０、ＣＨＤＯＬ１０、ＭＭＤＯＬ３０、ＭＥＤＯＬ３０、ＭＩＢＤＯＬ３０、ＣＨＤＯＬ３０、ＬＡ、ＩＢＸＡ、２−ＭＴＡ、ＨＰＡ、ビスコート＃１５０、＃１５５、＃１５８、＃１９０、＃１９２、＃１９３、＃２２０、＃２０００、＃２１００、＃２１５０（以上、大阪有機化学工業製）、ライトアクリレートＢＯ−Ａ、ＥＣ−Ａ、ＤＭＰ−Ａ、ＴＨＦ−Ａ、ＨＯＰ−Ａ、ＨＯＡ−ＭＰＥ、ＨＯＡ−ＭＰＬ、ＰＯ−Ａ、Ｐ−２００Ａ、ＮＰ−４ＥＡ、ＮＰ−８ＥＡ、エポキシエステルＭ−６００Ａ（以上、共栄社化学製）、ＫＡＹＡＲＡＤ  ＴＣ１１０Ｓ、Ｒ−５６４、Ｒ−１２８Ｈ（以上、日本化薬製）、ＮＫエステルＡＭＰ−１０Ｇ、ＡＭＰ−２０Ｇ（以上、新中村化学工業製）、ＦＡ−５１１Ａ、５１２Ａ、５１３Ａ（以上、日立化成製）、ＰＨＥ、ＣＥＡ、ＰＨＥ−２、ＰＨＥ−４、ＢＲ−３１、ＢＲ−３１Ｍ、ＢＲ−３２（以上、第一工業製薬製）、ＶＰ（ＢＡＳＦ製）、ＡＣＭＯ、ＤＭＡＡ、ＤＭＡＰＡＡ（以上、興人製）等が挙げられるが、これらに限定はされない。
【００６６】
アクリロイル基又はメタクリロイル基を２つ以上有する多官能（メタ）アクリル化合物としては、例えば、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＥＯ，ＰＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−へキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，３−アダマンタンジメタノールジアクリレート、ｏ−キシリレンジ（メタ）アクリレート、ｍ−キシリレンジ（メタ）アクリレート、ｐ−キシリレンジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジアクリレート、１，１０−デカンジオールジアクリレート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリ（メタ）アクリレート、トリス（アクリロイルオキシ）イソシアヌレート、ビス（ヒドロキシメチル）トリシクロデカンジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシ）フェニル）プロパン、ＰＯ変性２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシ）フェニル）プロパン、ＥＯ，ＰＯ変性２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシ）フェニル）プロパン等が挙げられるが、これらに限定はされない。
【００６７】
上記多官能（メタ）アクリル化合物の市販品としては、ユピマーＵＶ  ＳＡ１００２、ＳＡ２００７（以上、三菱化学製）、ビスコート＃１９５、＃２３０、＃２１５、＃２６０、＃３３５ＨＰ、＃２９５、＃３００、＃３６０、＃７００、ＧＰＴ、３ＰＡ（以上、大阪有機化学工業製）、ライトアクリレート４ＥＧ−Ａ、９ＥＧ−Ａ、ＮＰ−Ａ、ＤＣＰ−Ａ、ＢＰ−４ＥＡ、ＢＰ−４ＰＡ、ＴＭＰ−Ａ、ＰＥ−３Ａ、ＰＥ−４Ａ、ＤＰＥ−６Ａ（以上、共栄社化学製）、Ａ−ＤＣＰ、Ａ−ＨＤ−Ｎ、Ａ−ＮＯＤ−Ｎ、Ａ−ＤＯＤ−Ｎ（以上、新中村化学工業製）、ＫＡＹＡＲＡＤ  ＰＥＴ−３０、ＴＭＰＴＡ、Ｒ−６０４、ＤＰＨＡ、ＤＰＣＡ−２０、−３０、−６０、−１２０、ＨＸ−６２０、Ｄ−３１０、Ｄ−３３０（以上、日本化薬製）、アロニックスＭ２０８、Ｍ２１０、Ｍ２１５、Ｍ２２０、Ｍ２４０、Ｍ３０５、Ｍ３０９、Ｍ３１０、Ｍ３１５、Ｍ３２５、Ｍ４００（以上、東亞合成製）、リポキシＶＲ−７７、ＶＲ−６０、ＶＲ−９０（以上、昭和電工製）等が挙げられるが、これらに限定はされない。
【００６８】
なお、上述した化合物群において、（メタ）アクリレートとは、アクリレートまたはそれと同等のアルコール残基を有するメタクリレートを意味する。（メタ）アクリロイル基とは、アクリロイル基またはそれと同等のアルコール残基を有するメタクリロイル基を意味する。ＥＯは、エチレンオキサイドを示し、ＥＯ変性化合物Ａとは、化合物Ａの（メタ）アクリル酸残基とアルコール残基がエチレンオキサイド基のブロック構造を介して結合している化合物を示す。また、ＰＯは、プロピレンオキサイドを示し、ＰＯ変性化合物Ｂとは、化合物Ｂの（メタ）アクリル酸残基とアルコール残基がプロピレンオキサイド基のブロック構造を介して結合している化合物を示す。
【００６９】
［成分（Ｆ）：光重合開始剤］
成分（Ｆ）は、光重合開始剤である。ここで、本明細書において光重合開始剤は、所定の波長の光を感知して重合因子（ラジカル）を発生させる化合物である。具体的には、光重合開始剤は、光（赤外線、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線等の荷電粒子線、放射線等）によりラジカルを発生する重合開始剤（ラジカル発生剤）である。より具体的には、例えば、１５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の波長の光によりラジカルを発生する重合開始剤である。
【００７０】
成分（Ｆ）は、一種類の光重合開始剤で構成されていても良く、複数種類の光重合開始剤で構成されていても良い。
【００７１】
ラジカル発生剤としては、例えば、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−又はｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の置換基を有してもよい２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体；ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ’−テトラメチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ’−テトラエチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、４−クロロベンゾフェノン、４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン誘導体；２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルフォリノ−プロパン−１−オン等のα―アミノ芳香族ケトン誘導体；２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン、２，３−ベンズアントラキノン、２−フェニルアントラキノン、２，３−ジフェニルアントラキノン、１−クロロアントラキノン、２−メチルアントラキノン、１，４−ナフトキノン、９，１０−フェナンタラキノン、２−メチル−１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルアントラキノン等のキノン類；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル誘導体；ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン、プロピルベンゾイン等のベンゾイン誘導体；ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体；９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９’−アクリジニル）ヘプタン等のアクリジン誘導体；Ｎ−フェニルグリシン等のＮ−フェニルグリシン誘導体；アセトフェノン、３−メチルアセトフェノン、アセトフェノンベンジルケタール、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体；チオキサントン、ジエチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、２−クロロチオキサントン等のチオキサントン誘導体；２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド、ビス−（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド誘導体；１，２−オクタンジオン，１−［４−（フェニルチオ）−，２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）］、エタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−，１−（Ｏ−アセチルオキシム）等のオキシムエステル誘導体；キサントン、フルオレノン、ベンズアルデヒド、フルオレン、アントラキノン、トリフェニルアミン、カルバゾール、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル���１−フェニルプロパン−１−オン等が挙げられるが、これらに限定はされない。
【００７２】
上記ラジカル発生剤の市販品として、Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８４、３６９、６５１、５００、８１９、９０７、７８４、２９５９、ＣＧＩ−１７００、−１７５０、−１８５０、ＣＧ２４−６１、Ｄａｒｏｃｕｒ  １１１６、１１７３、Ｌｕｃｉｒｉｎ  ＴＰＯ、ＬＲ８８９３、ＬＲ８９７０（以上、ＢＡＳＦ製）、ユベクリルＰ３６（ＵＣＢ製）等が挙げられるが、これらに限定はされない。
【００７３】
成分（Ｆ）の光硬化性組成物１０３における配合割合は、成分（Ｅ）の全量に対して、０．０１重量％以上１０重量％以下であることが好ましく、０．１重量％以上７重量％以下であることがより好ましい。
【００７４】
成分（Ｆ）の光硬化性組成物１０３における配合割合を成分（Ｅ）の全量に対して０．０１重量％以上とすることにより、光硬化性組成物１０３の硬化速度が速くなり、反応効率を高めることができる。また、成分（Ｆ）の配合割合を成分（Ｅ）の全量に対して１０．０重量％以下とすることにより、得られる硬化膜（１０９、１１０）の機械的強度の劣化を防げる場合が多いからである。
【００７５】
［その他の添加成分（Ｇ）］
光硬化性組成物１０３は、前述した、成分（Ｅ）、成分（Ｆ）の他に、種々の目的に応じて、本発明の効果を損なわない範囲で、更なる添加成分（Ｇ）を含有していてもよい。このような添加成分（Ｇ）としては、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、揮発性溶剤、ポリマー成分、前記成分（Ｆ）でない重合開始剤、等が挙げられる。
【００７６】
増感剤は、重合反応促進や反応転化率の向上を目的として、適宜添加される化合物である。増感剤として、例えば、増感色素等が挙げられる。
【００７７】
増感色素は、特定の波長の光を吸収することにより励起され、成分（Ｆ）と相互作用する化合物である。なお、ここで記載する相互作用とは、励起状態の増感色素から成分（Ｆ）へのエネルギー移動や電子移動等である。
【００７８】
増感色素の具体例としては、アントラセン誘導体、アントラキノン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、カルバゾール誘導体、ベンゾフェノン誘導体、チオキサントン誘導体、キサントン誘導体、クマリン誘導体、フェノチアジン誘導体、カンファキノン誘導体、アクリジン系色素、チオピリリウム塩系色素、メロシアニン系色素、キノリン系色素、スチリルキノリン系色素、ケトクマリン系色素、チオキサンテン系色素、キサンテン系色素、オキソノール系色素、シアニン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム塩系色素等が挙げられるが、これらに限定はされない。
【００７９】
増感剤は、一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を混合して用いてもよい。
【００８０】
水素供与体は、成分（Ｆ）から発生した開始ラジカルや、重合生長末端のラジカルと反応し、より反応性が高いラジカルを発生する化合物である。成分（Ｆ）が光ラジカル発生剤である場合に添加することが好ましい。
【００８１】
このような水素供与体の具体例としては、ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン、アリルチオ尿素、ｓ−ベンジルイソチウロニウム−ｐ−トルエンスルフィネート、トリエチルアミン、ジエチルアミノエチルメタクリレート、トリエチレンテトラミン、４，４’−ビス（ジアルキルアミノ）ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸イソアミルエステル、ペンチル−４−ジメチルアミノベンゾエート、トリエタノールアミン、Ｎ−フェニルグリシンなどのアミン化合物、２−メルカプト−Ｎ−フェニルベンゾイミダゾール、メルカプトプロピオン酸エステル等のメルカプト化合物、等が挙げられるが、これらに限定はされない。
【００８２】
水素供与体は、一種類を単独で用いてもよいし二種類以上を混合して用いてもよい。
【００８３】
水素供与体は、増感剤としての機能を有してもよい。
【００８４】
光硬化性組成物１０３が、その他の添加成分（Ｇ）として増感剤や水素供与体を含む場合、これらの含有量はそれぞれ、成分（Ｅ）の全量に対して、好ましくは０．１重量％以上２０重量％以下である。また、より好ましくは０．１重量％以上５．０重量％以下であり、さらに好ましくは０．２重量％以上２．０重量％以下である。成分（Ｅ）の全量に対して、増感剤が０．１重量％以上含まれていれば、重合促進効果をより効果的に発現することができる。また、増感剤もしくは水素供与体の含量を５．０重量％以下とすることにより、作製される硬化膜を構成する高分子化合物の分子量を十分に高くすることができる。さらに、これらの成分の光硬化性組成物１０３に対する溶解不良や光硬化性組成物１０３の保存安定性の低下を抑制することができる。
【００８５】
光硬化性組成物１０３を硬化させて得られる硬化膜１０９とモールド１０４との間の界面結合力の低減、すなわち後述する離型工程における離型力の低減を目的として、光硬化性組成物１０３に内添型離型剤を添加することができる。本明細書において、内添型とは、光硬化性組成物１０３の配置工程の前に予め光硬化性組成物１０３に添加されていることを意味する。内添型離型剤は、一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を混合して用いてもよい。
【００８６】
内添型離型剤としては、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤及び炭化水素系界面活性剤等の界面活性剤等を使用できる。本実施形態において、内添型離型剤は、重合性を有さない。
【００８７】
フッ素系界面活性剤としては、パーフルオロアルキル基を有するアルコールのポリアルキレンオキサイド（ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド等）付加物、パーフルオロポリエーテルのポリアルキレンオキサイド（ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド等）付加物等が含まれる。なお、フッ素系界面活性剤は、分子構造の一部（例えば、末端基）に、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルキル基、アミノ基、チオール基等を有してもよい。
【００８８】
フッ素系界面活性剤としては、市販品を使用してもよい。市販品としては、例えば、メガファックＦ−４４４、ＴＦ−２０６６、ＴＦ−２０６７、ＴＦ−２０６８（以上、ＤＩＣ製）、フロラード  ＦＣ−４３０、ＦＣ−４３１（以上、住友スリーエム製）、サーフロン  Ｓ−３８２（ＡＧＣ製）、ＥＦＴＯＰ  ＥＦ−１２２Ａ、１２２Ｂ、１２２Ｃ、ＥＦ−１２１、ＥＦ−１２６、ＥＦ−１２７、ＭＦ−１００（以上、トーケムプロダクツ製）、ＰＦ−６３６、ＰＦ−６３２０、ＰＦ−６５６、ＰＦ−６５２０（以上、ＯＭＮＯＶＡ  Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ製）、ユニダインＤＳ−４０１、ＤＳ−４０３、ＤＳ−４５１（以上、ダイキン工業製）、フタージェント  ２５０、２５１、２２２Ｆ，２０８Ｇ（以上、ネオス製）等が挙げられるが、これらに限定はされない。
【００８９】
また、内添型離型剤は、炭化水素系界面活性剤でもよい。
【００９０】
炭化水素系界面活性剤としては、炭素数１〜５０のアルキルアルコールに炭素数２〜４のアルキレンオキサイドを付加した、アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物等が含まれる。
【００９１】
アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物としては、メチルアルコールエチレンオキサイド付加物、デシルアルコールエチレンオキサイド付加物、ラウリルアルコールエチレンオキサイド付加物、セチルアルコールエチレンオキサイド付加物、ステアリルアルコールエチレンオキサイド付加物、ステアリルアルコールエチレンオキサイド／プロピレンオキサイド付加物等が挙げられる。なお、アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物の末端基は、単純にアルキルアルコールにポリアルキレンオキサイドを付加して製造できるヒドロキシル基に限定はされない。このヒドロキシル基が他の置換基、例えば、カルボキシル基、アミノ基、ピリジル基、チオール基、シラノール基等の極性官能基やアルキル基、アルコキシ基等の疎水性官能基に変換されていてもよい。
【００９２】
アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物は、市販品を使用してもよい。市販品としては、例えば、青木油脂工業製のポリオキシエチレンメチルエーテル（メチルアルコールエチレンオキサイド付加物）（ＢＬＡＵＮＯＮ  ＭＰ−４００、ＭＰ−５５０、ＭＰ−１０００）、青木油脂工業製のポリオキシエチレンデシルエーテル（デシルアルコールエチレンオキサイド付加物）（ＦＩＮＥＳＵＲＦ  Ｄ−１３０３、Ｄ−１３０５、Ｄ−１３０７、Ｄ−１３１０）、青木油脂工業製のポリオキシエチレンラウリルエーテル（ラウリルアルコールエチレンオキサイド付加物）（ＢＬＡＵＮＯＮ  ＥＬ−１５０５）、青木油脂工業製のポリオキシエチレンセチルエーテル（セチルアルコールエチレンオキサイド付加物）（ＢＬＡＵＮＯＮ  ＣＨ−３０５、ＣＨ−３１０）、青木油脂工業製のポリオキシエチレンステアリルエーテル（ステアリルアルコールエチレンオキサイド付加物）（ＢＬＡＵＮＯＮ  ＳＲ−７０５、ＳＲ−７０７、ＳＲ−７１５、ＳＲ−７２０、ＳＲ−７３０、ＳＲ−７５０）、青木油脂工業製のランダム重合型ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンステアリルエーテル（ＢＬＡＵＮＯＮ  ＳＡ−５０／５０  １０００Ｒ、ＳＡ−３０／７０  ２０００Ｒ）、ＢＡＳＦ製のポリオキシエチレンメチルエーテル（Ｐｌｕｒｉｏｌ  Ａ７６０Ｅ）、花王製のポリオキシエチレンアルキルエーテル（エマルゲンシリーズ）等が挙げられるが、これらに限定はされない。
【００９３】
これらの炭化水素系界面活性剤の中でも内添型離型剤としては、アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物であることが好ましく、長鎖アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物であることがより好ましい。
【００９４】
光硬化性組成物１０３がその他の添加成分（Ｇ）として内添型離型剤を含む場合、この内添型離型剤の含有量は、成分（Ｅ）の全量に対して、例えば、０．００１重量％以上１０重量％以下であることが好ましい。より好ましくは０．０１重量％以上７重量％以下であり、さらに好ましくは、０．０５重量％以上５重量％以下である。少なくとも０．００１重量％以上１０重量％以下とすることで、離型力低減効果及び充填性に優れる。
【００９５】
また、光硬化性組成物１０３はその他の添加成分（Ｇ）として、揮発性溶剤を含有していてもよいが、揮発性溶剤を実質的に含まない方が好ましい。ここで、実質的に溶剤を含まないとは、不純物等、意図せずに含まれてしまう揮発性溶剤以外の揮発性溶剤を含まないことを言う。すなわち、例えば、揮発性溶剤の光硬化性組成物１０３における含有量は光硬化性組成物１０３全体に対して３重量％以下であることが好ましく、１重量％以下であることがさらに好ましい。なお、ここで言う揮発性溶剤とは、光硬化性組成物１０３やフォトレジストで一般的に用いられている揮発性溶剤を指す。すなわち揮発性溶剤の種類は、光硬化性組成物１０３を構成する各化合物を溶解し均一分散させるもので、かつ該化合物と反応しないものであれば特に限定はされない。
【００９６】
［光硬化性組成物の配合時の温度］
本実施形態に係る光硬化性組成物１０３を調製する際には、少なくとも成分（Ｅ）と、成分（Ｆ）とを、所定の温度条件下で混合し、溶解させる。具体的には、０℃以上１００℃以下の範囲で行う。その他の添加成分（Ｇ）を含有する場合も同様である。
【００９７】
［光硬化性組成物の粘度］
本実施形態に係る光硬化性組成物１０３のうち、揮発性溶剤を除く各成分の混合物の２３℃での粘度は、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。また、より好ましくは１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であり、さらに好ましくは１ｍＰａ・ｓ以上２０ｍＰａ・ｓ以下である。
【００９８】
光硬化性組成物１０３の粘度を１００ｍＰａ・ｓ以下とすることにより、光硬化性組成物１０３をモールド１０４に接触する際に、モールド上の微細パターンのうち凹部に光硬化性組成物１０３が充填するのにかかる時間が長時間とならずに済む。また、充填不良によるパターン欠陥が生じにくい。
【００９９】
また、粘度を１ｍＰａ・ｓ以上とすることにより、光硬化性組成物１０３を基材１０２上に塗布する際に塗りムラが生じにくくなり、光硬化性組成物１０３をモールド１０４に接触する際に、モールド１０４の端部から光硬化性組成物１０３が流出しにくくなる。
【０１００】
［光硬化性組成物の表面張力］
本実施形態に係る光硬化性組成物１０３の表面張力は、溶剤を除く各成分の混合物の２３℃での表面張力が、５ｍＮ／ｍ以上７０ｍＮ／ｍ以下であることが好ましい。また、より好ましくは７ｍＮ／ｍ以上３５ｍＮ／ｍ以下であり、さらに好ましくは１０ｍＮ／ｍ以上３２ｍＮ／ｍ以下である。ここで、表面張力を５ｍＮ／ｍ以上とすることにより、光硬化性組成物１０３をモールド１０４に接触させる際にモールド１０４上の微細パターンのうち凹部に光硬化性組成物１０３が充填するのにかかる時間が長時間とならずにすむ。
【０１０１】
また、表面張力を７０ｍＮ／ｍ以下とすることにより、光硬化性組成物１０３を光硬化して得られる硬化膜（１０９、１１０）が表面平滑性を有する硬化膜となる。
【０１０２】
［光硬化性組成物に混入している不純物］
本実施形態に係る光硬化性組成物１０３は、密着層形成組成物１００と同様に、できる限り不純物を含まないことが好ましい。
【０１０３】
したがって光硬化性組成物１０３は、密着層形成組成物１００と同様に、精製工程を経て得られたものであることが好ましい。このような精製工程としては、フィルタを用いた濾過等が好ましい。
【０１０４】
フィルタを用いた濾過を行う際には、具体的には、前述した成分（Ｅ）、成分（Ｆ）および必要に応じて添加するその他の添加成分（Ｇ）を混合した後、例えば、孔径０．００１μｍ以上５．０μｍ以下のフィルタで濾過することが好ましい。フィルタを用いた濾過を行う際には、多段階で行ったり、多数回繰り返したりすることがさらに好ましい。また、濾過した液を再度濾過してもよい。孔径の異なるフィルタを複数用いて濾過してもよい。濾過に使用するフィルタとしては、ポリエチレン樹脂製、ポリプロピレン樹脂製、フッ素樹脂製、ナイロン樹脂製等のフィルタを使用することができるが、特に限定されるものではない。
【０１０５】
このような精製工程を経ることで、光硬化性組成物１０３に混入したパーティクル等の不純物を取り除くことができる。これにより、パーティクル等の不純物によって光硬化性組成物１０３を光硬化した後に得られる硬化膜１０９に不用意に凹凸が生じて、パターンの欠陥が発生することを防止することができる。
【０１０６】
なお、光硬化性組成物１０３を半導体集積回路などの、半導体素子で利用される回路基板を製造するために使用する場合、光硬化性組成物１０３中に金属原子を含有する不純物（金属不純物）が混入することを極力避けることが好ましい。これは、密着層形成組成物１００に混入している不純物と同様、金属などの不純物によって回路基板の動作を阻害しないようにするためである。このような場合、光硬化性組成物１０３に含まれる金属不純物の濃度としては、１０ｐｐｍ以下にすることが好ましく、１００ｐｐｂ以下にすることがさらに好ましい。
【０１０７】
したがって、光硬化性組成物１０３は、その製造工程において、金属に接触させずに調製されることが好ましい。すなわち、成分（Ｅ）、成分（Ｆ）、および添加成分（Ｇ）の各原料を秤量する際や、配合して撹拌する際には、金属製の秤量器具、容器などを使用しないことが好ましい。また、前述した精製工程において、さらに金属不純物除去フィルタを用いて濾過することが好ましい。金属不純物除去フィルタとしては、セルロース及び珪藻土製、イオン交換樹脂製等のフィルタを使用することができるが、特に限定されるものではない。これらの金属不純物除去フィルタは洗浄してから用いることが好ましい。洗浄方法としては、超純水による洗浄、アルコールによる洗浄、光硬化性組成物１０３による共洗いの順で実施することが好ましい。
【０１０８】
＜硬化物パターンの製造方法＞
次に、本実施形態に係る硬化物パターン（パターン形状を有する硬化膜）の製造方法について説明する。図１は、本実施形態に係る硬化物パターンの製造方法の例を模式的に示す断面図である。
【０１０９】
本実施形態に係る硬化物パターンの製造方法は、
［１］基材上に、前述の本実施形態に係る密着層形成組成物を用いて密着層を形成する第１の工程（密着層形成工程）と、
［２］基材上に、前述の光硬化性組成物を配置する第２の工程（配置工程）と、
［３］基材上に配置した光硬化性組成物とモールドとを接触させる第３の工程（型接触工程）と、
［５］光硬化性組成物とモールドとを接触させた状態で、光硬化性組成物に光を照射する第４の工程（光照射工程）と、
［６］第４の工程によって得られた硬化物とモールドとを引き離す第５の工程（離型工程）と、
を有する。
【０１１０】
また、本実施形態に係る硬化物パターンの製造方法は、第３の工程と第４の工程との間に、
［４］基材とモールドとの位置を合わせる工程（位置合わせ工程）
を有していてもよい。
【０１１１】
本実施形態に係る硬化物パターンの製造方法は、光ナノインプリント法を利用した硬化物パターンの製造方法である。
【０１１２】
本実施形態に係る硬化物パターンの製造方法によって得られる硬化物パターンは、１ｎｍ以上１０ｍｍ以下のサイズのパターンを有する膜であることが好ましい。また、１０ｎｍ以上１００μｍ以下のサイズのパターンを有する膜であることがより好ましい。なお、一般に、光を利用してナノサイズ（１ｎｍ以上１００ｎｍ以下）のパターン（凹凸構造）を有する膜を作製するパターン形成技術は、光ナノインプリント法と呼ばれている。
【０１１３】
以下、各工程について説明する。
【０１１４】
［［１］密着層形成工程］
本工程（密着層形成工程）では、図１（ａ）に示す通り、前述した本実施形態に係る密着層形成組成物１００を用いて、高分子化合物（重合体）を主成分とする密着層１０１を基材１０２上に形成する。
【０１１５】
光硬化性組成物１０３を配置する対象である基材１０２は、基板または支持体であり、種々の目的によって任意の基材を選択することができる。例えば、シリコンウエハ、アルミニウム、チタン−タングステン合金、アルミニウム−ケイ素合金、アルミニウム−銅−ケイ素合金、酸化ケイ素、窒化ケイ素等の半導体デバイス用基板や、石英、ガラス、光学フィルム、セラミック材料、蒸着膜、磁性膜、反射膜、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅなどの金属基材、紙、ポリエステルフイルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム等のポリマー基材、ＴＦＴアレイ基材、ＰＤＰの電極板、プラスチック基材、ＩＴＯや金属などの導電性基材、絶縁性基材等を用いることができる。しかしながら、後述する基材加工工程において基材をエッチング等により加工する場合には、シリコンウエハなどの半導体デバイス用基板を用いることが好ましい。基材１０２は、上述の基板上にスピン・オン・グラス、有機物、金属、酸化物、窒化物など、１種類あるいは複数種類の膜を成膜したものを用いてもよい。
【０１１６】
本実施形態では特に、表面にシラノール基（ＳｉＯＨ基）などの水酸基（ＯＨ基）を有する基材を用いることが好ましい。これらの基材としては、例えばシリコンウエハや石英、ガラスなどが挙げられる。表面に水酸基を有する基材を用いることで、基本工程における加熱処理により、基材１０２が表面に有する水酸基と化合物（Ｂ）のチオール基とが、容易に化学結合を形成すると考えられる。また、化合物（Ａ）がアルコキシアルキル基を有する場合も、水酸基と化学結合を形成すると考えられる。
【０１１７】
密着層形成組成物１００を基材１０２上に塗布する方法としては、例えば、インクジェット法、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、エクストルージョンコート法、スピンコート法、スリットスキャン法等を用いることができる。これらの方法の中でも、塗布性、特に膜厚均一性の観点から、スピンコート法が特に好ましい。
【０１１８】
密着層形成組成物１００を基材１０２に塗布した後、密着層形成組成物１００に含まれる溶剤（Ｃ）を乾燥によって揮発させる。このとき溶剤（Ｃ）を揮発させると同時に、基材１０２と化合物（Ａ）または化合物（Ｂ）とを反応させ、化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）とを反応させるとよい。これにより、基材１０２と密着層１０１との間に結合を形成させ、密着層１０１の中の化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）との間に結合を形成させる。なお、化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）との間の結合は、以下のいずれかの反応によって形成されるスルフィド結合になると推測される。すなわち、化合物（Ａ）の有するアルコキシアルキル基と化合物（Ｂ）の有するチオール基との間の脱アルコール反応、または、化合物（Ａ）の有するアルキロール基と化合物（Ｂ）の有するチオール基との間の脱水反応である。
【０１１９】
これらの反応の際には、加熱することが好ましい。反応の際の温度は、化合物（Ａ）または化合物（Ｂ）と基材１０２との反応性、化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）との反応性、化合物（Ａ）や化合物（Ｂ）、溶剤（Ｃ）の沸点等により適宜選択することができる。好ましくは７０℃以上２５０℃以下であり、より好ましくは１００℃以上２２０℃以下であり、さらに好ましくは１４０℃以上２２０℃以下である。また、溶剤（Ｃ）の乾燥、基材１０２と化合物（Ａ）または化合物（Ｂ）との反応、化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）との架橋反応は、同一の温度で行ってもよいし、別々の温度で行ってもよい。すなわち、これらの反応は同時に行ってもよいし、逐次的に行なってもよい。
【０１２０】
本実施形態に係る密着層形成組成物１００を基材１０２上に配置して形成した密着層１０１の膜厚は、使用する用途によっても異なるが、例えば、０．１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。より好ましくは０．５ｎｍ以上６０ｎｍ以下であり、さらに好ましくは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。
【０１２１】
なお、本実施形態に係る密着層形成組成物１００を基材１０２上に適用して密着層１０１を形成する際には、形成した密着層１０１の上にさらに密着層形成組成物１００を用いて密着層を形成する、多重塗布により形成してもよい。また、形成した密着層１０１の表面はできる限り平坦であることが好ましい。表面の粗さが１ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１２２】
以上の工程により、基材１０２と、基材１０２上に積層された重合体層（密着層１０１）とを有する積層体を形成することができる。上述のとおり、重合体層は化合物（Ａ）の有するアルコキシアルキル基またはアルキロール基と化合物（Ｂ）の有するチオール基との間の反応によって生成するスルフィド結合を分子中に含む。
【０１２３】
［［２］配置工程］
本工程（配置工程）では、図１（ｂ）に示す通り、前述した光硬化性組成物１０３を基材１０２上に形成した密着層１０１上に配置（塗布）して塗布膜を形成する。
【０１２４】
本実施形態において、光硬化性組成物１０３を基材１０２上に配置する方法としては、例えば、インクジェット法、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、エクストルージョンコート法、スピンコート法、スリットスキャン法等を用いることができる。これらの方法の中でも、光ナノインプリント法においては、インクジェット法が特に好ましい。なお、塗布膜（被形状転写層）の膜厚は、使用する用途によっても異なるが、例えば、０．０１μｍ以上１００．０μｍ以下である。
【０１２５】
［［３］型接触工程］
次に、図１（ｃ）に示すように、前工程（配置工程）で形成された光硬化性組成物１０３からなる塗布膜にパターン形状を転写するための原型パターンを有するモールド１０４を接触させる（図１（ｃ−１））。これにより、モールド１０４が表面に有する微細パターンの凹部に光硬化性組成物１０３からなる塗布膜（の一部）が充填されて、モールドの微細パターンに充填された塗布膜１０５となる（図１（ｃ−２））。
【０１２６】
モールド１０４としては、次の工程（光照射工程）を考慮して光透過性の材料で構成されたモールド１０４を用いるとよい。モールド１０４を構成する材料の材質としては、具体的には、ガラス、石英、ＰＭＭＡ、ポリカーボネート樹脂等の光透明性樹脂、透明金属蒸着膜、ポリジメチルシロキサン等の柔軟膜、光硬化膜、金属膜等が好ましい。ただし、モールド１０４の構成する材料の材質として光透明性樹脂を使用する場合は、光硬化性組成物１０３に含まれる成分に溶解しない樹脂を選択する必要がある。熱膨張係数が小さくパターン歪みが小さいことから、モールド１０４を構成する材料の材質は、石英であることが特に好ましい。
【０１２７】
モールド１０４が表面に有する微細パターンは、４ｎｍ以上２００ｎｍ以下のパターン高さおよび１以上１０以下のアスペクト比を有することが好ましい。
【０１２８】
モールド１０４には、光硬化性組成物１０３とモールド１０４の表面との剥離性を向上させるために、光硬化性組成物１０３とモールド１０４との型接触工程である本工程の前に表面処理を行っておいてもよい。表面処理の方法としては、モールド１０４の表面に離型剤を塗布して離型剤層を形成する方法が挙げられる。
【０１２９】
ここで、モールド１０４の表面に塗布する離型剤としては、シリコーン系離型剤、フッ素系離型剤、炭化水素系離型剤、ポリエチレン系離型剤、ポリプロピレン系離型剤、パラフィン系離型剤、モンタン系離型剤、カルナバ系離型剤等が挙げられる。例えば、ダイキン工業（株）製のオプツールＤＳＸ等の市販の塗布型離型剤も好適に用いることができる。なお離型剤は、一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を併用して用いてもよい。これらの中でも、フッ素系および炭化水素系の離型剤が特に好ましい。
【０１３０】
本工程（型接触工程）において、図１（ｃ−１）に示すように、モールド１０４と光硬化性組成物１０３とを接触させる際に光硬化性組成物１０３に加える圧力（モールド圧力）は特に限定されない。通常、０ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下である。その中でも０ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下であることが好ましく、０ＭＰａ以上３０ＭＰａ以下であることがより好ましく、０ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下であることがさらに好ましい。
【０１３１】
また、本工程においてモールド１０４を光硬化性組成物１０３に接触させる時間は、特に限定はされない。通常、０．１秒以上６００秒以下であり、０．１秒以上３００秒以下であることが好ましく、０．１秒以上１８０秒以下であることがより好ましく、０．１秒以上１２０秒以下であることが特に好ましい。
【０１３２】
本工程は、大気雰囲気下、減圧雰囲気下、不活性ガス雰囲気下のいずれの条件下でも行うことができるが、酸素や水分による硬化反応への影響を防ぐことができるため、減圧雰囲気や不活性ガス雰囲気とすることが好ましい。不活性ガス雰囲気下で本工程を行う場合に使用することができる不活性ガスの具体例としては、窒素、二酸化炭素、ヘリウム、アルゴン、各種フロンガス等、あるいはこれらの混合気体が挙げられる。大気雰囲気下を含めて特定のガスの雰囲気下で本工程を行う場合、好ましい圧力は、０．０００１気圧以上１０気圧以下である。
【０１３３】
型接触工程は、凝縮性ガスを含む雰囲気（以下、「凝縮性ガス雰囲気」と称する）下で行ってもよい。本明細書において凝縮性ガスとは、充填時の圧力により発生する毛細管圧力で凝縮して液化するガスのことを指す。凝縮性ガスは、具体的には、モールド１０４上に形成された微細パターンの凹部、およびモールド１０４と基材１０２または密着層１０１との間隙に塗布膜（の一部）１０５と一緒に雰囲気中のガスが充填されたときに凝縮して液化する。なお凝縮性ガスは、型接触工程で光硬化性組成物１０３（被形状転写層）とモールド１０４とが接触する前（図１（ｃ−１））は雰囲気中に気体として存在する。
【０１３４】
凝縮性ガス雰囲気下で型接触工程を行うと、微細パターンの凹部に充填されたガスが液化することで気泡が消滅するため、充填性が優れる。凝縮性ガスは、光硬化性組成物１０３中に溶解してもよい。
【０１３５】
凝縮性ガスの沸点は、型接触工程の雰囲気温度以下であれば制限がないが、−１０℃〜２３℃が好ましく、さらに好ましくは１０℃〜２３℃である。この範囲であれば、充填性がさらに優れる。
【０１３６】
凝縮性ガスの型接触工程の雰囲気温度での蒸気圧は、型接触工程で押印するときのモールド圧力以下であれば制限がないが、０．１〜０．４ＭＰａが好ましい。この範囲であれば、充填性がさらに優れる。雰囲気温度での蒸気圧が０．４ＭＰａより大きいと、気泡の消滅の効果を十分に得ることができない傾向がある。一方、雰囲気温度での蒸気圧が０．１ＭＰａよりも小さいと、減圧が必要となり、本実施形態に係る製造方法を用いてパターン形状を有する膜を製造するインプリント装置の装置構成が複雑になる傾向がある。
【０１３７】
なお、型接触工程の雰囲気温度は特に制限はないが、２０℃〜２５℃が好ましい。
【０１３８】
凝縮性ガスとして、具体的には、トリクロロフルオロメタン等のクロロフルオロカーボン（ＣＦＣ）、フルオロカーボン（ＦＣ）、ハイドロクロロフルオロカーボン（ＨＣＦＣ）、１，１，１，３，３−ペンタフルオロプロパン（ＣＨＦ２ＣＨ２ＣＦ３、ＨＦＣ−２４５ｆａ、ＰＦＰ）等のハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）、ペンタフルオロエチルメチルエーテル（ＣＦ３ＣＦ２ＯＣＨ３、ＨＦＥ−２４５ｍｃ）等のハイドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）等のフロン類が挙げられるが、これらに限定はされない。
【０１３９】
これらのうち、型接触工程の雰囲気温度が２０℃〜２５℃での充填性が優れるという観点から、１，１，１，３，３−ペンタフルオロプロパン（２３℃での蒸気圧０．１４ＭＰａ、沸点１５℃）、トリクロロフルオロメタン（２３℃での蒸気圧０．１０５６ＭＰａ、沸点２４℃）、およびペンタフルオロエチルメチルエーテルが好ましく、さらに安全性が優れるという観点から、１，１，１，３，３−ペンタフルオロプロパンが特に好ましい。
【０１４０】
凝縮性ガスは、一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を混合して用いてもよい。またこれら凝縮性ガスは、空気、窒素、二酸化炭素、ヘリウム、アルゴン等の非凝縮性ガスと混合した混合ガスを用いてもよい。凝縮性ガスと混合する非凝縮性ガスとしては、充填性の観点から、ヘリウムが好ましい。ヘリウムはモールド１０４を透過することができる。そのため、型接触工程でモールド１０４上に形成された微細パターンの凹部に塗布膜（の一部）１０５と一緒に雰囲気中のガス（凝縮性ガス及びヘリウム）が充填されたとき、凝縮性ガスが液化するとともにヘリウムがモールド１０４を透過する。そのため、上述の非凝縮性ガスとしてヘリウムを用いると、充填性が優れる。
【０１４１】
［［４］位置合わせ工程］
次に図１（ｄ）に示すように、必要に応じて、モールド側位置決めマーク１０６と、基材１０２の位置決めマーク１０７とが一致するように、モールド１０４および／または基材１０２の位置を調整する。
【０１４２】
［［５］光照射工程］
次に、図１（ｅ）に示すように、工程［４］（位置合わせ工程）によって位置を合わせた状態で、光硬化性組成物１０３のモールド１０４との接触部分に、モールド１０４を介して光を照射する。より詳細には、モールド１０４の微細パターンに充填された塗布膜１０５に、モールド１０４を介して光を照射する（図１（ｅ−１））。これにより、モールド１０４の微細パターンに充填された塗布膜１０５は、照射される光１０８によって硬化して硬化物１０９となる（図１（ｅ−２））。
【０１４３】
ここで、モールド１０４の微細パターンに充填された塗布膜１０５を構成する光硬化性組成物１０３に照射する光は、光硬化性組成物１０３の感度波長に応じて選択される。具体的には、１５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の波長の紫外光や、Ｘ線、電子線等を適宜選択して使用することが好ましい。
【０１４４】
これらの中でも、光硬化性組成物１０３に照射する光（照射光１０８）は、紫外光が特に好ましい。これは、硬化助剤（光重合開始剤）として市販されているものは、紫外光に感度を有する化合物が多いからである。ここで紫外光を発する光源としては、例えば、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、低圧水銀灯、Ｄｅｅｐ−ＵＶランプ、炭素アーク灯、ケミカルランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ、Ｆ２エキシマレーザ等が挙げられるが、超高圧水銀灯が特に好ましい。また使用する光源の数は１つでもよいし又は複数であってもよい。また、光照射を行う際には、モールド１０４の微細パターンに充填された塗布膜１０５の全面に行ってもよく、一部領域にのみ行ってもよい。
【０１４５】
また、光照射は、基材１０２上の全領域に断続的に複数回行ってもよいし、全領域に連続照射してもよい。さらに、第一の照射過程で一部領域Ａを照射し、第二の照射過程で領域Ａとは異なる領域Ｂを照射してもよい。
【０１４６】
本実施形態において、本工程における光硬化性組成物１０３への露光量は、９０ｍＪ／ｃｍ２以下であることが好ましく、３０ｍＪ／ｃｍ２以下であることがより好ましい。
【０１４７】
［［６］離型工程］
次に、硬化物１０９とモールド１０４と引き離す。このとき基材１０２上に所定のパターン形状を有する硬化物パターン１１０が形成されている。
【０１４８】
本工程（離型工程）では、図１（ｆ）に示すように、硬化物１０９とモールド１０４とを引き離し、工程［５］（光照射工程）において、モールド１０４上に形成された微細パターンの反転パターンとなるパターン形状を有する硬化物パターン１１０が得られる。
【０１４９】
なお、型接触工程を凝縮性ガス雰囲気下で行った場合、離型工程で硬化物１０９とモールド１０４とを引き離す際に、硬化物１０９とモールド１０４とが接触する界面の圧力が低下することに伴って凝縮性ガスが気化する。これにより、硬化物１０９とモールド１０４とを引き離すために必要な力である離型力を低減する効果を奏する傾向がある。
【０１５０】
硬化物１０９とモールド１０４とを引き離す方法としては、引き離す際に硬化膜１０９の一部が物理的に破損しなければ特に限定されず、各種条件等も特に限定はされない。例えば、基材１０２を固定してモールド１０４を基材１０２から遠ざかるように移動させて剥離してもよい。あるいは、モールド１０４を固定して基材１０２をモールドから遠ざかるように移動させて剥離してもよい。もしくは、これらの両方を反対の方向へ引っ張って剥離してもよい。
【０１５１】
以上の工程［１］〜工程［６］を有する一連の工程（製造プロセス）によって、所望の凹凸パターン形状（モールド１０４の凹凸形状に因むパターン形状）を、所望の位置に有する硬化膜を得ることができる。得られた硬化膜は、例えば、フレネルレンズや回折格子などの光学部材（光学部材の一部材として用いる場合を含む。）として利用することもできる。このような場合、少なくとも、基材１０２と、この基材１０２の上に配置された硬化物パターン１１０と、を有する光学部材とすることができる。
【０１５２】
本実施形態に係るパターン形状を有する膜の製造方法では、工程［１］〜工程［６］からなる繰り返し単位（ショット）を、同一の基材１０２上で繰り返して複数回行うことができる。工程［１］〜工程［６］からなる繰り返し単位（ショット）を複数回繰り返すことで、基材１０２の所望の位置に複数の所望の凹凸パターン形状（モールド１０４の凹凸形状に因むパターン形状）を有する硬化膜１１０を得ることができる。
【０１５３】
［［７］硬化膜の一部を除去する残膜除去工程］
工程［６］（離型工程）により得られる硬化物パターン１１０は、特定のパターン形状を有するものの、このパターン形状が形成される領域以外の領域においても硬化膜の一部が残る場合がある。なお、以降の記載において、このような硬化膜の一部を残膜と呼ぶことがある。そのような場合は、図１（ｇ）に示すように、得られたパターン形状を有する硬化膜のうちの除去すべき領域にある硬化膜（残膜）およびその下部にある密着層１０１を除去する。これにより、所望の凹凸パターン形状（モールド１０４の凹凸形状に因むパターン形状）を有する硬化物パターン１１１を得ることができる。
【０１５４】
ここで、残膜およびその下部にある密着層１０１を除去する方法としては、例えば、硬化物パターン１１０の凹部である硬化膜（残膜）をエッチングなどの方法により取り除く方法が挙げられる。これにより、硬化物パターン１１０が有するパターンの凹部において基材１０２の表面を露出させることができる。
【０１５５】
硬化物パターン１１０の凹部にある硬化膜およびその下部にある密着層１０１をエッチングにより除去する場合、その具体的な方法は特に限定はされない。例えば、ドライエッチングを用いることができる。ドライエッチングには、従来公知のドライエッチング装置を用いることができる。そして、ドライエッチング時のソースガスは、エッチングに供される硬化膜１１０の元素組成によって適宜選択されるが、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、ＣＣｌ２Ｆ２、ＣＣｌ４、ＣＢｒＦ３、ＢＣｌ３、ＰＣｌ３、ＳＦ６、Ｃｌ２等のハロゲン系ガス、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２等の酸素原子を含むガス、Ｈｅ、Ｎ２、Ａｒ等の不活性ガス、Ｈ２、ＮＨ３のガス等を使用することができる。なお、これらのガスは混合して用いることもできる。
【０１５６】
以上の工程［１］〜工程［７］の製造プロセスによって、所望の凹凸パターン形状（モールド１０４の凹凸形状に因むパターン形状）を、所望の位置に有する硬化物パターン１１１を得ることができ、硬化物パターン１１１を有する物品を得ることができる。すなわち、基材１０２と、基材１０２上に形成された密着層１０１と、密着層１０１上に形成された凹凸パターンを有する光硬化物（硬化物パターン１１１）を有するデバイス部品を得ることができる。
【０１５７】
本実施形態で得られるデバイス部品は、密着層１０１が、化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）とから形成される架橋構造を有する。また、化合物（Ａ）として一般式（１）で表される化合物を用いた場合は、密着層１０１が、２位および４位および６位が窒素原子で置換された１，３，５−トリアジン環と、スルフィド結合を構造中に有する。すなわち、本実施形態で得られるデバイス部品は、基材と、該基材上に凹凸パターンを有する光硬化物を有するデバイス部品であって、前記基材と前記光硬化物との間に有機層を有し、該有機層が、１，３，５−トリアジン環とスルフィド結合とを含む。
【０１５８】
さらに、得られた硬化物パターン１１１を利用して基材１０２を加工する場合は、後述する基材加工工程（工程［８］）を行う。
【０１５９】
一方、得られた硬化物パターン１１１を回折格子や偏光板などの光学部材（光学部材の一部材として用いる場合を含む）として利用し、光学部品を得ることもできる。このような場合、少なくとも、基材１０２と、この基材１０２の上に配置された硬化物パターン１１１と、を有する光学部品とすることができる。
【０１６０】
［［８］基材加工工程］
本実施形態に係るパターン形状を有する膜の製造方法によって得られる、凹凸パターン形状を有する硬化物パターン１１１は、例えば半導体素子等の電子部品に含まれる層間絶縁膜用膜として利用することも可能である。また、半導体素子製造時におけるレジスト膜として利用することも可能である。ここでいう半導体素子とは、例えば、ＬＳＩ、システムＬＳＩ、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ、Ｄ−ＲＤＲＡＭ等が挙げられるが、これに限定はされない。
【０１６１】
硬化物パターン１１１をレジスト膜として利用する場合、工程［７］（残膜除去工程）にて表面が露出した基材１０２の一部分（図１（ｇ）における符号１１２の領域）に対して、エッチングまたはイオン注入等を行う。なおこの際、硬化物パターン１１１は、エッチングマスクとして機能する。これに加えて、電子部材を形成することにより、硬化物パターン１１１のパターン形状に基づく回路構造１１３（図１（ｈ））を基材１０２に形成することができる。これにより、半導体素子等で利用される回路基板を製造することができる。また、この回路基板と回路基板の回路制御機構などとを接続することにより、ディスプレイ、カメラ、医療装置などの電子機器を形成することもできる。
【０１６２】
また、同様に、硬化物パターン１１１をレジスト膜として利用して、エッチング又はイオン注入等を行い、光学部品やマイクロフルイディクスの流路構造、パターンドメディアの構造体等のデバイス部品を得ることもできる。
【０１６３】
また、同様に、硬化物パターン１１１をマスク（レジスト膜）として利用して、エッチング又はイオン注入等を行い、光学部品を得ることもできる。
【０１６４】
あるいは、硬化物パターン１１１を用いて基板１０２である石英基板をエッチングすることにより、インプリント用モールドを製造することもできる。この場合、硬化物パターン１１１をマスクとして用いて基板１０２である石英基板を直接エッチングしてもよい。または、硬化物パターン１１１をマスクとして用いてハードマスク材料層をエッチングし、これにより転写されたハードマスク材料からなるパターンをマスクとして用いて石英基板をエッチングしてもよい。あるいは、硬化物パターン１１１の凹部に第２の硬化性材料による第２の硬化物を形成し、該第２の硬化物をマスクとして用いて石英基板をエッチングしてもよい。
【０１６５】
硬化物パターン１１１をマスクとして利用して表面が露出した基板の一部分をエッチングする場合、ドライエッチングを用いることができる。ドライエッチングには、従来公知のドライエッチング装置を用いることができる。そして、ドライエッチング時のソースガスは、エッチングに供される硬化膜の元素組成によって適宜選択されるが、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、ＣＣｌ２Ｆ２、ＣＣｌ４、ＣＢｒＦ３、ＢＣｌ３、ＰＣｌ３、ＳＦ６、Ｃｌ２等のハロゲン系ガス、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２等の酸素原子を含むガス、Ｈｅ、Ｎ２、Ａｒ等の不活性ガス、Ｈ２、ＮＨ３のガス等を使用することができる。ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、ＣＣｌ２Ｆ２、ＣＢｒＦ３、ＳＦ６などのフッ素系ガスが好ましい。本実施形態に係る光硬化性組成物は、前記のフッ素系ガスによるドライエッチングに対して高い耐性を示すからである。なお、これらのガスは混合して用いることもできる。
【０１６６】
硬化物パターン１１１をマスクとして用いて基板１０２を加工する方法としてエッチングおよびイオン注入について述べたが、これに限定はされない。例えば、基板１０２上に硬化物パターン１１１が形成された状態で、めっき処理等を行うこともできる。
【０１６７】
なお、回路基板や電子部品を作製する場合、最終的には、加工された基材から硬化物パターン１１１を除去してもよいが、素子を構成する部材として残す構成としてもよい。
【実施例】
【０１６８】
以下、実施例を用いて本発明をより詳細に説明するが、本発明の技術的範囲は以下の実施例に限定されるものではない。なお、以下に使用される「部」および「％」は、特に示さない限りすべて重量基準である。
【０１６９】
＜（１）硬化性の評価＞
以下に示す方法により、密着層形成組成物の硬化性を評価した。
【０１７０】
（１−１）密着層形成組成物の調製
以下に示す化合物（Ａ）および化合物（Ｂ）を、表１に示す重量比で配合し、揮発性溶剤（Ｃ）としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（東京化成工業製）に溶解した。これにより、化合物（Ａ）および化合物（Ｂ）の合計濃度が５重量％の混合溶液を得た。
【０１７１】
次に、得られた混合溶液を、フィルタの孔径が０．２μｍのポリテトラフルオロエチレン製フィルタにて濾過した。これにより、硬化性評価用の密着層形成組成物である組成物１〜組成物１１を調製した。
【０１７２】
（化合物（Ａ））
（Ａ−１）メトキシメチル基を６つ有する化合物：ヘキサメトキシメチルメラミン（三和ケミカル製、商品名：ニカラックＭＷ−３９０）（式（ａ））
【０１７３】
【化２】
0006632340.tif 000003
【０１７４】
（Ａ−２）メトキシメチル基を４つ有する化合物（比較例用）：１，３，４，６−テトラキス（メトキシメチル）グリコールウリル（三和ケミカル製、商品名：ニカラックＭＸ−２７０）（式（ｂ））
【０１７５】
【化３】
0006632340.tif 000004
【０１７６】
（化合物（Ｂ））
（Ｂ−１）１，３，５−トリス（３−メルカプトブチリルオキシエチル）−１，３，５−トリアジン−２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）−トリオン（昭和電工製、商品名：カレンズＭＴ  ＮＲ−１）（式（ｃ））
【０１７７】
【化４】
0006632340.tif 000005
【０１７８】
（Ｂ−２）トリメチロールプロパントリス（３−メルカプトプロピオネート）（東京化成工業製）（式（ｄ））
【０１７９】
【化５】
0006632340.tif 000006
【０１８０】
（Ｂ−３）ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトブチレート）（昭和電工製、商品名：カレンズＭＴ  ＰＥ−１）（式（ｅ））
【０１８１】
【化６】
0006632340.tif 000007
【０１８２】
（Ｂ−４）ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトプロピオネート）（東京化成工業製）（式（ｆ））
【０１８３】
【化７】
0006632340.tif 000008
【０１８４】
【表１】
0006632340.tif 000009
【０１８５】
（１−２）密着層の形成
調製した組成物１〜組成物１１のそれぞれを、シリコンウエハ上にスピンコートによって塗布した。スピンコートの条件としては、３０００ｒｐｍ、３０秒とした。その後、ホットプレート上においてそれぞれの組成物の加熱を行い、密着層を形成した。加熱の条件は表２に示した。
【０１８６】
（１−３）硬化性評価
（１−２）で形成した密着層の表面を、アセトンを染み込ませたベンコットで拭きとることにより、密着層の溶解や剥がれを目視により確認して硬化性を評価した。本実施例においては、密着層の溶解や剥がれを生じなかった場合をＡ、一部でも溶解や剥がれが生じた場合をＢとして評価した。その結果をまとめて表２に示す。
【０１８７】
【表２】
0006632340.tif 000010
【０１８８】
組成物１〜組成物７は、化合物（Ａ）としてＡ−１を用いた組成物である。この組成物１〜組成物７は、硬化性に優れていた（実施例１〜実施例７）。
【０１８９】
一方、組成物８〜組成物１１は、化合物（Ａ）としてＡ−２を用いた組成物である。この組成物８〜組成物１１は、硬化性が不十分であった（比較例１〜比較例４）。
【０１９０】
Ａ−１は化合物（Ｂ）の有するチオール基を結合可能な官能基であるメトキシメチル基を６つ有する。そのため、化合物（Ｂ）との反応性に優れるとともに、反応後に形成される密着層中の化合物（Ａ）および化合物（Ｂ）が互いに架橋したネットワーク構造がより密になると推測される。その結果、実施例に係る組成物１〜組成物７は、硬化性に優れていた。
【０１９１】
一方で、Ａ−２は化合物（Ｂ）の有するチオール基を結合可能な官能基であるメトキシメチル基を４つ有する。すなわち、Ａ−２の有するメトキシメチル基の数は、Ａ−１の有するメトキシメチル基の数よりも少ない。そのため、Ａ−２は化合物（Ｂ）との反応性が不十分であると推測される。また、反応後に形成される密着層中の化合物（Ａ）および化合物（Ｂ）が互いに架橋したネットワーク構造が、化合物（Ａ）としてＡ−１を用いた場合よりも疎になると推測される。その結果、比較例に係る組成物８〜組成物１１は、硬化性が不十分であった。
【０１９２】
また、Ａ−２は、分子構造中にカルボニル基を有する。カルボニル基中の酸素原子は電子吸引性を示すため、Ａ−２の有するメトキシメチル基は、Ａ−１の有するメトキシメチル基に比べて、化合物（Ｂ）の有するチオール基との反応性が低いことが推測される。このことも、組成物８〜組成物１１の硬化性が不十分であったことの一因であると推測される。一方、Ａ−１は、分子構造中にカルボニル基を有さない。そのため、Ａ−１の有するメトキシメチル基は上述のような反応性の低下効果を受けることがなく、組成物１〜組成物７の硬化性が優れていたと考えられる。
【０１９３】
以上のように、本実施例に係る組成物１〜組成物７は十分な硬化性を有していることがわかった。このことから、実施例に係る組成物１〜組成物７を用いて密着層を形成することで、パターン剥がれ欠陥の発生を抑制できると考えられる。
【０１９４】
＜（２）密着性の評価＞
次に、以下に示す方法により、基材と光硬化性組成物を硬化させて得られる硬化膜との密着性を評価した。
【０１９５】
（２−１）密着層形成組成物の調製
上述の硬化性の評価にて十分な硬化性を示した組成物１〜組成物７を、揮発性溶剤（Ｃ）であるプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（東京化成工業製）で１０倍に希釈した。これにより、化合物（Ａ）および化合物（Ｂ）および添加成分（Ｄ）の合計濃度が０．５重量％の混合溶液を得た。
【０１９６】
次に、得られた混合溶液のそれぞれを、フィルタの孔径が０．２μｍのポリテトラフルオロエチレン製フィルタにて濾過した。これにより、密着性評価用の組成物である組成物１’〜組成物７’を調製した。
【０１９７】
（２−２）光硬化性組成物の調製
以下に示す成分（Ｅ）（重合性化合物）、成分（Ｆ）（光重合開始剤）およびその他の添加成分（Ｇ）を、表３に示す重量比率で配合して混合溶液を得た。表３中の数字は重量部を表す。
【０１９８】
次に、得られた混合溶液を、フィルタの孔径が０．２μｍの超高分子量ポリエチレン製フィルタにて濾過した。これにより、光硬化性組成物１および光硬化性組成物２を調製した。
【０１９９】
（成分（Ｅ）：重合性化合物）
（Ｅ−１）イソボルニルアクリレート（共栄社化学製、商品名：ＩＢ−ＸＡ）
（Ｅ−２）ベンジルアクリレート（大阪有機化学工業製、商品名：Ｖ＃１６０）
（Ｅ−３）ネオペンチルグリコールジアクリレート（共栄社化学製、商品名：ＮＰ−Ａ）
（Ｅ−４）ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート（共栄社化学製、商品名：ＤＣＰ−Ａ）
【０２００】
（成分（Ｆ）：光重合開始剤）
（Ｆ−１）Ｌｕｃｉｒｉｎ  ＴＰＯ（ＢＡＳＦ製）（式（ｇ））
【０２０１】
【化８】
0006632340.tif 000011
【０２０２】
（その他の成分（Ｇ））
（Ｇ−１）４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン（東京化成工業製）
（Ｇ−２）ポリオキシエチレンステアリルエーテル  エマルゲン３２０Ｐ（花王製）（式（ｈ））
【０２０３】
【化９】
0006632340.tif 000012
【０２０４】
【表３】
0006632340.tif 000013
【０２０５】
（２−３）密着層の形成
調製した組成物１’〜組成物７’のそれぞれを、シリコンウエハ上にスピンコートによって塗布した。スピンコートの条件としては、３０００ｒｐｍ、３０秒とした。その後、ホットプレート上においてそれぞれの組成物の加熱を行い、密着層を形成した。加熱の条件は、組成物１’〜組成物３’については２２０℃で３０分間、組成物４’〜組成物７’については２２０℃で３分間加熱した。これにより、膜厚１０ｎｍ以下の密着層を、それぞれ形成した。
【０２０６】
（２−４）光硬化性組成物の硬化
（２−３）で形成した、シリコンウエハ上に形成された密着層上に、（２−２）で調製した光硬化性組成物１を２μＬ滴下して配置した。さらにその上から、厚さ１ｍｍの石英ガラスを被せ、３５ｍｍ×２５ｍｍの領域を光硬化性組成物１で充填させた。
【０２０７】
次に、超高圧水銀ランプを備えたＵＶ光源から出射された光を、後述する干渉フィルタを通した上で石英ガラスを通して２００秒照射した。これにより、光硬化性組成物１を硬化させて硬化膜を得た。なお、光照射の際に使用した干渉フィルタはＶＰＦ−２５Ｃ−１０−１５−３１３００（シグマ光機製）である。また、使用した照射光は、３１３±５ｎｍの単一波長光の紫外光とし、照度を１ｍＷ／ｃｍ２とした。
【０２０８】
光硬化性組成物２に関しても、光硬化性組成物１と同様にして光硬化させて硬化膜を得た。
【０２０９】
（２−５）密着性評価
光硬化後、石英ガラスを引き剥がし、基材側からの硬化膜の剥がれの有無を、目視で確認した。本実施例においては、３５ｍｍ×２５ｍｍの領域全面で硬化膜の剥がれが生じなかった場合をＡ、３５ｍｍ×２５ｍｍの領域の一部でも剥がれが生じた場合をＢとして評価した。
【０２１０】
その結果をまとめて表４に示す。
【０２１１】
【表４】
0006632340.tif 000014
【０２１２】
実施例１ａ〜実施例７ａはそれぞれ、組成物１’〜組成物７’を用いて密着層を形成し、光硬化性組成物ａを用いて硬化膜を形成した場合の例である。また、実施例１ｂ〜実施例７ｂはそれぞれ、組成物１’〜組成物７’を用いて密着層を形成し、光硬化性組成物ｂを用いて硬化膜を形成した場合の例である。また、比較例５ａおよび比較例５ｂは、密着層を形成せずに、シリコンウエハ上に光硬化性組成物ａ、光硬化性組成物ｂをそれぞれ用いて直接硬化膜を形成した例場合の例である。
【０２１３】
実施例１ａ〜実施例７ａ、実施例１ｂ〜実施例７ｂについてはいずれも、剥がれ欠陥は生じなかった。一方、本実施例に係る密着層を用いなかった例である、比較例５ａおよび比較例５ｂでは、剥がれ欠陥が発生した。
【０２１４】
すなわち、各実施例の密着層形成組成物を用いることで、基材と硬化膜との密着性を向上させることのできる密着層を形成することができ、パターン剥がれ欠陥の発生を抑制することができる。
【符号の説明】
【０２１５】
１００  密着層形成組成物
１０１  密着層
１０２  基材
１０３  光硬化性組成物
１０４  モールド
１０５  塗布膜
１０６  モールド側位置合わせマーク
１０７  基材側位置合わせマーク
１０８  照射光
１０９  光硬化物
１１０  パターン形状を有する硬化膜
１１１  硬化物パターン
１１２  表面が露出した基材の一部分
１１３  回路構造
【図１】
0006632340.tif 000016