(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、
前記基板の下に配置され、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物、
前記第２導電型半導体層を露出させながら前記発光構造物の下部端縁に配置された第１絶縁層、
前記第１絶縁層によって露出した前記第２導電型半導体層の下に配置された第１透光電極層、
前記第１絶縁層と前記第１透光電極層の下に配置された第２透光電極層、
及び前記第２透光電極層の下に配置された反射層を含む発光素子と、
前記第１導電型半導体層と接続される第１ボンディングパッドと、
前記第１ボンディングパッドと離隔され、前記第２導電型半導体層と接続される第２ボンディングパッドと、
前記第１ボンディングパッドと前記第２透光電極層との間及び前記第１ボンディングパッドと前記反射層との間に配置された第２絶縁層と、を含み、
前記第１絶縁層、前記第２透光電極層、及び前記反射層の少なくとも一部は前記発光構造物の厚さ方向に互いに重畳し、
前記発光構造物の前記下部端縁に配置された前記第１絶縁層の幅は１０〜４０μｍであり、
前記第１絶縁層、前記第２透光電極層、及び前記反射層は前記厚さ方向に重畳する幅が５μｍであり、
前記第１及び第２透光電極層のそれぞれの厚さは数〜数十ｎｍである、発光素子パッケージ。
【請求項２】
前記発光素子パッケージは、
前記第１及び第２ボンディングパッドと電気的にそれぞれ接続された第１及び第２リードフレームと、
前記発光素子を覆いながら配置されたモールディング部材と、をさらに含む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項３】
前記反射層は、前記第２透光電極層によって前記第１絶縁層と離隔して配置される、請求項１又は２に記載の発光素子パッケージ。
【請求項４】
前記第２透光電極層は、
前記発光構造物に対向する第１面と、
前記第１面の反対側の第２面と、を含み、
前記反射層全体は前記第２面の下に配置される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項５】
前記発光構造物の厚さ方向と交差する第１方向に、前記反射層の第１幅は前記第２透光電極層の第２幅以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項６】
前記第１絶縁層はＳｉＯ２を含み、前記反射層は銀（Ａｇ）を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項７】
前記第２導電型半導体層と前記活性層を貫通して前記第１導電型半導体層を露出する貫通孔で前記露出された第１導電型半導体層の下に配置された第１電極をさらに含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項８】
前記第１絶縁層は、前記発光構造物の前記下部端縁から前記貫通孔から露出された前記発光構造物の側部まで延びて配置される、請求項７に記載の発光素子パッケージ。
【請求項９】
前記第１及び第２透光電極層は互いに同一材質を有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１０】
前記第１及び第２透光電極層は互いに異なる材質を有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の発光素子パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施例は、発光素子及びこれを含む発光素子パッケージ（Ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｅｖｉｃｅ  ａｎｄ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｅｖｉｃｅ  ｐａｃｋａｇｅ  ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ  ｔｈｅ  ｄｅｖｉｃｅ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）は、化合物半導体の特性を用いて電気を赤外線または光に変換させて信号を受発信したり、光源として使用する半導体素子の一種である。
【０００３】
ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体（ｇｒｏｕｐ  ＩＩＩ−Ｖ  ｎｉｔｒｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）は、物理的及び化学的特性により発光ダイオード（ＬＥＤ）またはレーザダイオード（ＬＤ：Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ）など、発光素子の主素材として脚光を浴びている。
【０００４】
このような発光ダイオードは、白熱灯と蛍光灯などの従来の照明器具に使用される水銀（Ｈｇ）のような環境有害物質が含まれていないため、優れる親環境性を有すると共に、長い寿命と低電力の消費特性などのような長所を有するため、従来の光源の代わりに使用される。
【０００５】
フリップチップボンディング構造を有する従来の発光素子パッケージの場合、活性層から放出された光を反射させるためにｐ−ＧａＮ層の下部に配置される反射層の幅が広くないので、光出力効率が大きく改善することができない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
実施例は、改善した光束を有する発光素子及びこれを含む発光素子パッケージを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施例に係る発光素子は、基板と、前記基板の下に配置され、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、前記第２導電型半導体層を露出させながら前記発光構造物の下部端縁に配置された第１絶縁層と、前記第１絶縁層によって露出された前記第２導電型半導体層の下に配置された第１透光電極層と、前記第１絶縁層と前記第１透光電極層の下に配置された第２透光電極層と、前記第２透光電極層の下に配置された反射層とを含むことができる。
【０００８】
例えば、前記反射層は、前記第２透光電極層によって前記第１絶縁層と離隔されて配置されてもよい。
【０００９】
例えば、前記第２透光電極層は、前記発光構造物に対向する第１面と、前記第１面の反対側の第２面とを含み、前記反射層全体が前記第２面の下に配置されてもよい。
【００１０】
例えば、前記第１絶縁層と、前記第２透光電極層と、前記反射層の少なくとも一部とが前記発光構造物の厚さ方向に互いに重畳されてもよい。前記発光構造物の前記下部端縁に配置された前記第１絶縁層の幅が１０〜４０μｍであってもよい。前記第１絶縁層と、前記第２透光電極層と、前記反射層とは前記厚さ方向に重畳された幅が５μｍであってもよい。
【００１１】
例えば、前記第１及び第２透光電極層のそれぞれの厚さは数〜数十ｎｍであってもよい。前記第２透光電極層は、前記第１透光電極層と前記第１絶縁層との境界を覆うように配置されてもよい。前記発光構造物の厚さ方向と交差する第１方向に、前記反射層の第１幅は前記第２透光電極層の第２幅以下であってもよい。前記第１絶縁層はＳｉＯ２を含み、前記反射層は銀（Ａｇ）を含んでいてもよい。
【００１２】
例えば、前記発光素子は、前記第２導電型半導体層と前記活性層を貫通して前記第１導電型半導体層を露出する貫通孔で前記露出した第１導電型半導体層の下に配置された第１電極をさらに含んでいてもよい。前記第１絶縁層は前記発光構造物の前記下部端縁から前記貫通孔に露出された前記発光構造物の側部まで延長されて配置されてもよい。
【００１３】
例えば、前記第１及び第２透光電極層は、互いに同一材質を有していてもよく、互いに異なる材質を有していてもよい。
【００１４】
他の実施例に係る発光素子パッケージは、前記発光素子と、前記第１導電型半導体層と接続される第１ボンディングパッドと、前記第１ボンディングパッドと離隔され、前記第２導電型半導体層と接続される第２ボンディングパッドと、前記第１ボンディングパッドと前記第２透光電極層との間及び前記第１ボンディングパッドと前記反射層との間に配置された第２絶縁層とを含んでいてもよい。
【００１５】
例えば、前記発光素子パッケージは、前記第１及び第２ボンディングパッドと電気的にそれぞれ接続された第１及び第２リードフレームと、前記発光素子を覆いながら配置されたモールディング部材とをさらに含んでいてもよい。
【００１６】
また他の実施例に係る発光素子は、基板と、前記基板の下に配置され、第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、前記第２導電型半導体層を露出させながら前記発光構造物の下に配置された第１絶縁層と、前記露出した第２導電型半導体層の下に、前記発光構造物の厚さ方向に重畳されて配置された複数個の透光電極層と、前記複数個の透光電極層のうちの少なくとも１つによって前記第１絶縁層と離隔されて前記複数個の透光電極層の下に配置された反射層とを含んでいてもよい。
【００１７】
例えば、前記複数個の透光電極層は、前記露出した第２導電型半導体層と接して配置される第１透光電極層と、前記第１透光電極層の下及び前記第１絶縁層の下に配置され、前記第１絶縁層と前記反射層を離隔させる第２透光電極層を含んでいてもよい。前記第１透光電極層の厚さは、前記第１絶縁層の厚さよりも薄くてもよい。前記第２透光電極層と、前記第１電極層と前記反射層の少なくとも一部は、前記発光構造物の厚さ方向に互いに重畳されていてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
実施例に係る発光素子及び発光素子パッケージは、発光構造物の下に配置される反射層及び第１絶縁層が互いに離隔されて配置されるので、剥離される心配がなく、マスクパターンの個数を低減することで、工程時間を短縮させて製造原価を節減させることができ、前述の反射層の幅を増加させて改善した光束を有し、第２導電型キャリアの拡散が円滑になって低い順方向動作電圧を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】一実施例に係る発光素子の平面図である。
【図２】一実施例に係る発光素子パッケージの断面図である。
【図３】図２の「Ａ」部分を拡大した断面図である。
【図４Ａ】図２の発光素子パッケージの製造方法を説明するための実施例に係る工程断面図である。
【図４Ｂ】図２の発光素子パッケージの製造方法を説明するための実施例に係る工程断面図である。
【図４Ｃ】図２の発光素子パッケージの製造方法を説明するための実施例に係る工程断面図である。
【図４Ｄ】図２の発光素子パッケージの製造方法を説明するための実施例に係る工程断面図である。
【図４Ｅ】図２の発光素子パッケージの製造方法を説明するための実施例に係る工程断面図である。
【図４Ｆ】図２の発光素子パッケージの製造方法を説明するための実施例に係る工程断面図である。
【図４Ｇ】図２の発光素子パッケージの製造方法を説明するための実施例に係る工程断面図である。
【図４Ｈ】図２の発光素子パッケージの製造方法を説明するための実施例に係る工程断面図である。
【図５Ａ】図２の発光素子パッケージの製造方法を説明するための実施例に係る工程平面図である。
【図５Ｂ】図２の発光素子パッケージの製造方法を説明するための実施例に係る工程平面図である。
【図５Ｃ】図２の発光素子パッケージの製造方法を説明するための実施例に係る工程平面図である。
【図５Ｄ】図２の発光素子パッケージの製造方法を説明するための実施例に係る工程平面図である。
【図５Ｅ】図２の発光素子パッケージの製造方法を説明するための実施例に係る工程平面図である。
【図５Ｆ】図２の発光素子パッケージの製造方法を説明するための実施例に係る工程平面図である。
【図５Ｇ】図２の発光素子パッケージの製造方法を説明するための実施例に係る工程平面図である。
【図６Ａ】図４Ｃ〜図４Ｅの第１絶縁層と第２電極の製造方法の一実施例を説明するための工程断面図である。
【図６Ｂ】図４Ｃ〜図４Ｅの第１絶縁層と第２電極の製造方法の一実施例を説明するための工程断面図である。
【図６Ｃ】図４Ｃ〜図４Ｅの第１絶縁層と第２電極の製造方法の一実施例を説明するための工程断面図である。
【図６Ｄ】図４Ｃ〜図４Ｅの第１絶縁層と第２電極の製造方法の一実施例を説明するための工程断面図である。
【図６Ｅ】図４Ｃ〜図４Ｅの第１絶縁層と第２電極の製造方法の一実施例を説明するための工程断面図である。
【図６Ｆ】図４Ｃ〜図４Ｅの第１絶縁層と第２電極の製造方法の一実施例を説明するための工程断面図である。
【図６Ｇ】図４Ｃ〜図４Ｅの第１絶縁層と第２電極の製造方法の一実施例を説明するための工程断面図である。
【図７】第１比較例に係る発光素子の局所的な断面図である。
【図８】第２比較例に係る発光素子の局所的な断面図である。
【図９】第３比較例に係る発光素子の局所的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を具体的に説明するため、実施例をあげて説明し、本発明についての理解を助けるため、添付図面を参照し、詳細に説明する。しかし、本発明に係る実施例はその趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもなく、本発明の範囲が以下に詳述する実施例に限定されるものと解釈されてはいけない。本発明の実施例は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。
【００２１】
本発明に係る実施例の説明において、各構成要素の「上（上部）又は下（下部）（ｏｎ  ｏｒ  ｕｎｄｅｒ）」に形成されると記載された場合、「上（上部）又は下（下部）（ｏｎ  ｏｒ  ｕｎｄｅｒ）」は、２つの構成要素が互いに直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）接触されるか、または１つ以上の他の構成要素が前記２つの構成要素間に配置されて（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）形成されることをすべて含む。また、「上（上部）又は下（下部）（ｏｎ  ｏｒ  ｕｎｄｅｒ）」と表現した場合、１つの構成要素に基づいて上側の方向だけでなく、下側の方向の意味も含む。
【００２２】
また、以下で用いる「第１」及び「第２」、「上／上部」及び「下／下部」などのような関係的用語は、その実体または要素との間の如何なる物理的または論理的関係または順序を必ず要求または内包することなく、ある１つの実体または要素を、他の実体または要素と区別するために用いる。
【００２３】
図において、各層の厚さや大きさは、説明の便宜及び明確性のために省略されたり、概略的に図示され得る。また、各構成要素の大きさは、実際の大きさをすべて反映するものではない。
【００２４】
図１は、一実施例に係る発光素子１００の平面図であり、図２は、一実施例に係る発光素子パッケージ２００の断面図であり、図３は図２の「Ａ」部分の拡大断面図である。
【００２５】
図２の発光素子パッケージ２００に含まれる発光素子１００は、図１の発光素子１００をＩ−Ｉ’線に沿って切断する断面図に相当する。また、説明の便宜上、図１の第２絶縁層１３４及び第２ボンディングパッド１６４が図３では省略されている。
【００２６】
図１及び図２を参照すると、実施例に係る発光素子１００は、基板１１０、発光構造物１２０、第１絶縁層１３２、第１電極１５０及び第２電極１４０を含んでいてもよい。
【００２７】
基板１１０の下に発光構造物１２０が配置される。基板１１０は導電型物質または非導電型物質を含んでいてもよい。例えば、基板１１０は、サファイヤ（Ａｌ２０３）、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＺｎＯ、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｇａ２０３、ＧａＡｓ、またはＳｉのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。また、活性層１２４から放出した光が発光素子１００から脱出できるように、例えば、基板１１０がパターン１１２を有するＰＳＳ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｓａｐｐｈｉｒｅ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）であってもよいが、実施例はこれに限定されない。
【００２８】
基板１１０と発光構造物１２０との間の熱膨張係数の差及び格子不整合を改善するために、これら１１０、１２０との間にバッファ層（または、転移層）（図示せず）が配置されてもよい。バッファ層は、例えば、Ａｌ、Ｉｎ、Ｎ及びＧａで構成される群から選択される少なくとも１つの物質を含んでいてもよいが、これに限定されない。また、バッファ層は、単層または多層構造を有していてもよい。
【００２９】
発光構造物１２０は、基板１１０の下に順に配置された第１導電型半導体層１２２、活性層１２４及び第２導電型半導体層１２６を含んでいてもよい。
【００３０】
第１導電型半導体層１２２は、第１導電型ドーパントがドーピングされたＩＩＩ−Ｖ族またはＩＩ−ＶＩ族などの化合物半導体に実現されていてもよい。第１導電型半導体層１２２がｎ型半導体層の場合、第１導電型ドーパントはｎ型ドーパントとして、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅを含んでいてもよいが、これに限定されない。
【００３１】
例えば、第１導電型半導体層１２２は、ＡｌｘＩｎｙＧａ（１−ｘ−ｙ）Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体物質を含んでいてもよい。第１導電型半導体層１２２は、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＩｎＧａＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＧａＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＰのうちいずれか１つ以上を含んでいてもよい。
【００３２】
活性層１２４は、第１導電型半導体層１２２と第２導電型半導体層１２６との間に配置され、第１導電型半導体層１２２を介して注入される電子（または、正孔）と第２導電型半導体層１２６を介して注入される正孔（または、電子）が互いに結合して、活性層１２４をなす物質固有のエネルギバンドによって決定されるエネルギを有する光を放出する層である。活性層１２４は、単一井戸構造、多重井戸構造、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｗｅｌｌ）、量子細線（Ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｉｒｅ）構造、または量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｄｏｔ）構造のうちの少なくともいずれか１つに形成してもよい。
【００３３】
活性層１２４の井戸層／障壁層は、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ／ＧａＮ、ＧａＡｓ（ＩｎＧａＡｓ）／ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ（ＩｎＧａＰ）／ＡｌＧａＰのうちいずれか１つ以上のペア構造に形成されてもよいが、これに限定されない。井戸層は、障壁層のバンドギャップエネルギよりも低いバンドギャップエネルギを有する物質に形成してもよい。
【００３４】
活性層１２４の上または／及び下には、導電型クラッド層（図示せず）が形成されていてもよい。導電型クラッド層は、活性層１２４の障壁層のバンドギャップエネルギよりもさらに高いバンドギャップエネルギを有する半導体に形成されてもよい。例えば、導電型クラッド層は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮまたは超格子構造などを含んでいてもよい。さらに、導電型クラッド層は、ｎ型またはｐ型にドーピングされていてもよい。
【００３５】
第２導電型半導体層１２６は、活性層１２４の下に配置され、半導体化合物に形成されてもよい。ＩＩＩ−Ｖ族またはＩＩ−ＶＩ族などの化合物半導体に実現されていてもよい。例えば、第２導電型半導体層１２６は、ＩｎｘＡｌｙＧａ（１−ｘ−ｙ）Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体物質を含んでいてもよい。第２導電型半導体層１２６には、第２導電型ドーパントがドーピングされていてもよい。第２導電型半導体層１２６がｐ型半導体層の場合、第２導電型ドーパントはｐ型ドーパントとして、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどを含んでいてもよい。
【００３６】
第１導電型半導体層１２２は、ｎ型半導体層に、第２導電型半導体層１２６はｐ型半導体層に実現することができる。または、第１導電型半導体層１２２はｐ型半導体層に、第２導電型半導体層１２６はｎ型半導体層に実現することもできる。
【００３７】
発光構造物１２０は、ｎ−ｐ接合構造、ｐ−ｎ接合構造、ｎ−ｐ−ｎ接合構造、ｐ−ｎ−ｐ接合構造のうちいずれか１つの構造に実現することができる。
【００３８】
図２の発光素子パッケージ２００は、フリップチップボンディング構造であるため、活性層１２４から放出された光は、基板１１０及び第１導電型半導体層１２２を介して出射される。そのために、基板１１０及び第１導電型半導体層１２２は透光性を有する物質からなり、第２導電型半導体層１２６と第２電極１４０は透光性や非透光性を有する物質からなっていてもよい。
【００３９】
第１電極１５０は、第２導電型半導体層１２６と活性層１２４を貫通して第１導電型半導体層１２２を露出する貫通孔ＴＨにおいて、露出した第１導電型半導体層１２２の下に配置され、第１導電型半導体層１２２と電気的に接続されていてもよい。ここで、貫通孔ＴＨについては、図４Ｂでより詳細に説明する。理解を助けるために、図１で第１ボンディングパッド１６２によって覆われた第１電極１５０は点線と表示し、第２ボンディングパッド１６４によって覆われた第１電極１５０及び第２電極１４０も点線で表示した。
【００４０】
第１電極１５０は、オーミック接触する物質を含んでオーミック役割を遂行して別途のオーミック層（図示せず）が配置される必要がなくてもよく、別途のオーミック層が第１電極１５０と第１導電型半導体層１２２との間に配置され得る。
【００４１】
また、第１電極１５０は、活性層１２４から放出された光を吸収せず、反射させるか透過させることができ、第１導電型半導体層１２２に良質に成長可能ないずれの物質で形成してもよい。例えば、第１電極１５０は、金属で形成してもよく、Ａｇ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆ、Ｃｒ及びこれらの選択的な組み合わせであってもよい。例えば、第１電極１５０は、Ｃｒ／Ｎｉ／Ａｕであってもよいが、実施例はこれに限定されない。
【００４２】
第１絶縁層１３２は、第２導電型半導体層１２６の下を露出させながら発光構造物１２０の内側壁、外側壁及び下部端縁１２０−１に配置されてもよい。すなわち、第１絶縁層１３２は、発光構造物１２０の下部端縁１２０−１から貫通孔ＴＨで露出した発光構造物１２０の内側壁（または、側部）まで延長されて配置されてもよい。また、第１絶縁層１３２は、図４Ｂに示す外側壁から第２導電型半導体層１２６の側部と、活性層１２４の側部と、第１導電型半導体層１２２の側部に配置されてもよい。ここで、外側壁は図４Ｂで「ＳＰ」と表記した部分である。
【００４３】
第１絶縁層１３２は、一種の電流遮断層（ＣＢＬ：Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｂｌｏｃｋｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ）の役割をすることができる。また、図４Ｃ〜図４Ｆで後述するように、第１絶縁層１３２は発光構造物１２０を保護する役割をすることができる。
【００４４】
第１絶縁層１３２は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、またはＭｇＦ２のうち少なくとも１つを含んでいてもよい。
【００４５】
第２電極１４０は、発光構造物１２０の下に配置され、第２導電型半導体層１２６と電気的に接続されていてもよい。第２電極１４０は、複数個の透光電極層及び反射層１４６を含んでいてもよい。
【００４６】
複数個の透光電極層は、露出した第２導電型半導体層１２６の下に発光構造物１２０の厚さ方向（例えば、ｘ軸方向）に重畳されて配置されてもよい。例えば、複数個の透光電極層は、第１及び第２透光電極層１４２、１４４を含んでいてもよいが、実施例はこれに限定されない。すなわち、複数個の透光電極層は２個よりもさらに多くてもよい。
【００４７】
第１透光電極層１４２は、第１絶縁層１３２によって露出した第２導電型半導体層１２６の下に配置され、オーミック層の役割をすることができる。第１透光電極層１４２の第１厚さＴ１は、第１絶縁層１３２の第２厚さＴ２以下であってもよいが、実施例はこれに限定されない。例えば、第２厚さＴ２は数百ｎｍであって、第１厚さＴ１は数ｎｍであってもよいが、実施例はこれに限定されない。
【００４８】
また、第２透光電極層１４４は、第１絶縁層１３２の下及び第１透光電極層１４２の下にそれぞれ配置されてもよい。第２透光電極層１４４は、第１面１４４−１及び第２面１４４−２を含んでいてもよい。第１面１４４−１は発光構造物１２０に対向する面であって、段差した断面形状を有することができる。すなわち、第１面１４４−１の一部は第１透光電極層１４２と接し、第１面１４４−１の他部は第１絶縁層１３２と接することができるが、実施例はこれに限定されない。
【００４９】
第２面１４４−２は、第１面１４４−１の反対側の面であって、段差した断面形状を有することができる。また、反射層１４６全体は第２面１４４−２の下に配置されてもよい。
【００５０】
第１及び第２透光電極層１４２、１４４は、互いに同一であるか、または互いに異なる材質を含んでいてもよいが、実施例はこれに限定されない。
【００５１】
第１及び第２透光電極層１４２、１４４のそれぞれは、透明導電性酸化膜（ＴＣＯ：Ｔｒａｎｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｏｘｉｄｅ）であってもよい。例えば、第１及び第２透光電極層１４２、１４４のそれぞれは、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｇａｌｌｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｇａｌｌｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎｔｉｍｏｎｙ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（ｇａｌｌｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、及びＮｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯのうち少なくとも１つを含んでいてもよく、このような材料に限定されない。
【００５２】
反射層１４６は、複数個の透光電極層の下に配置されてもよい。例えば、図２及び図３を参照すると、反射層１４６は第２透光電極層１４４の下に配置されてもよい。
【００５３】
また、反射層１４６は、複数個の透光電極層のうちの少なくとも１つによって第１絶縁層１３２と離隔されて配置されてもよい。例えば、図２及び図３を参照すると、反射層１４６は、第２透光電極層１４４によって第１絶縁層１３２と離隔されて配置されてもよい。このように、第２透光電極層１４４は、第１絶縁層１３２を反射層１４６から離隔させる役割をすることができる。よって、第２透光電極層１４４の第３厚さＴ３は、第１絶縁層１３２と反射層１４６を離隔するのに十分であればよく、太すぎる必要はない。
【００５４】
反射層１４６は、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）あるいは、ＡｌやＡｇやＰｔやＲｈを含む、合金を含む金属層からなっていてもよい。例えば、反射層１４６は、Ａｇ／Ｎｉ／Ｔｉであってもよいが、実施例はこれに限定されない。
【００５５】
さらに、第２透光電極層１４４は、第１透光電極層１４２と第１絶縁層１３２との境界Ｂを覆うように配置されてもよい。また、発光構造物１２０の厚さ方向（例えば、ｘ軸方向）と垂直した第１方向に、反射層１４６の第１幅Ｗ１が第２透光電極層１４４の第２幅Ｗ２以下であってもよい。よって、第２幅Ｗ２から第１幅Ｗ１を減算した幅の差値（Ｗ２- Ｗ１= ΔＷ１＋ΔＷ２）は、「０」以上であってもよい。
【００５６】
このように、第２透光電極層１４４の第１面１４４−１が境界Ｂを覆うように配置され、第２幅Ｗ２が広い場合、反射層１４６の第１幅Ｗ１がより広くなることで光の反射量を増加させることができる。
【００５７】
万一、第１絶縁層１３２がＳｉＯ２を含み、反射層１４６が銀（Ａｇ）を含む場合、第１絶縁層１３２が反射層１４６と離隔されて配置されず、接して配置される場合、これら１３２、１４６は互いに剥離され得る。しかし、実施例に係る発光素子１００の場合、第２透光電極層１４４が第１絶縁層１３２と反射層１４６との間に配置されて、これら１３２、１４６を互いに離隔させるので、このような剥離の心配は解消され得る。
【００５８】
また、第１絶縁層１３２の少なくとも一部と、第２透光電極層１４４の少なくとも一部と、反射層１４６の少なくとも一部は、発光構造物１２０の厚さ方向（例えば、ｘ軸方向）に第３幅Ｗ３１、Ｗ３２ほど重畳されるように配置されてもよい。発光構造物１２０の下部端縁１２０−１に配置された第１絶縁層１３２の第４幅Ｗ４が広いほど、第３幅Ｗ３１は広くなることができる。万一、第４幅Ｗ４が１０μｍよりも小さいと、工程マージンを考慮した場合、第１絶縁層１３２が製造しにくくなる。さらに、第４幅Ｗ４が４０μｍよりも大きいと、発光素子１００の順方向動作電圧が増加し、光出力が低下され得る。よって、一実施例によれば、第４幅Ｗ４は１０〜４０μｍ、例えば１０μｍであってもよいが、実施例はこれに限定されない。この場合、第３幅Ｗ３１は５μｍであってもよいが、実施例はこれに限定されない。
【００５９】
一方、図２の発光素子パッケージ２００は、発光素子１００、第２絶縁層１３４、第１及び第２ボンディングパッド１６２、１６４、第１及び第２はんだ部１７２、１７４、第１及び第２リードフレーム１８２、１８４、絶縁部１８６、パッケージ本体１８８及びモールディング部材１９０を含んでいてもよい。
【００６０】
第１ボンディングパッド１６２は、第２導電型半導体層１２６と活性層１２４を貫通して第１導電型半導体層１２２を露出させる貫通孔ＴＨに埋められて、第１電極１５０を介して第１導電型半導体層１２２と電気的に接続されていてもよい。第２ボンディングパッド１６４は、第２電極１４０を介して第２導電型半導体層１２６と電気的に接続されていてもよい。
【００６１】
第２ボンディングパッド１６４と第１ボンディングパッド１６２は、発光構造物１２０の厚さ方向と交差する方向（例えば、直交する方向）に互いに離隔されて配置されてもよい。図２の場合、第２ボンディングパッド１６４は２つに分離したものとして図示したが、図１を参照すると、第２ボンディングパッド１６４は１つの本体であることがわかる。
【００６２】
第１及び第２ボンディングパッド１６２、１６４のそれぞれは電気的導電性を有する金属物質を含んでいてもよく、第１及び第２電極１５０、１４０のそれぞれの物質と同一であるか、または異なった物質を含んでいてもよい。第１及び第２ボンディングパッド１６２、１６４のそれぞれは、Ｔｉ、Ｎｉ、ＡｕまたはＳｎのうちの少なくとも１つを含んでいてもよいが、実施例はこれに限定されない。例えば、第１及び第２ボンディングパッド１６２、１６４のそれぞれはＴｉ／Ｎｉ／Ａｕ／Ｓｎ／Ａｕであってもよい。
【００６３】
第２絶縁層１３４は、第１ボンディングパッド１６２と第２電極１４０との間に配置されて、これら１４０、１６２を互いに電気的に分離する役割をすることができる。すなわち、第２絶縁層１３４は、第１ボンディングパッド１６２と第２透光電極層１４４との間にも配置され、第１ボンディングパッド１６２と反射層１４６との間にも配置されてもよい。
【００６４】
さらに、第２絶縁層１３４は、第２ボンディングパッド１６４と第１電極１５０との間に配置されて、これら１５０、１６４を互いに電気的に分離する役割を有することができる。
【００６５】
第２絶縁層１３４は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、またはＭｇＦ２のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。第２絶縁層１３４と第１絶縁層１３２は互いに同一材質を有するか、または互いに異なる材質を有することができる。
【００６６】
第１はんだ部１７２は、第１ボンディングパッド１６２と第１リードフレーム１８２との間に配置されて、これら１６２、１８２を電気的に接続する役割をする。第２はんだ部１７４は、第２ボンディングパッド１６４と第２リードフレーム１８４との間に配置されて、これら１６４、１８４を電気的に接続する役割をする。
【００６７】
第１及び第２はんだ部１７２、１７４のそれぞれは、ソルダペースト（ｓｏｌｄｅｒ  ｐａｓｔｅ）またはソルダボール（ｓｏｌｄｅｒ  ｂａｌｌ）であってもよいが、実施例はこれに限定されない。
【００６８】
前述の第１はんだ部１７２は、第１ボンディングパッド１６２を介して第１導電型半導体層１２２を第１リードフレーム１８２に電気的に接続させ、第２はんだ部１７４は、第２ボンディングパッド１６４を介して第２導電型半導体層１２６を第２リードフレーム１８４に電気的に接続させて、ワイヤーボンディングの必要性をなくし得る。しかし、他の実施例よれば、ワイヤーボンディングを用いて第１及び第２導電型半導体層１２２、１２６を第１及び第２リードフレーム１８２、１８４にそれぞれ接続させることができる。
【００６９】
また、第１はんだ部１７２及び第２はんだ部１７４は省略することもできる。この場合、第１ボンディングパッド１６２が第１はんだ部１７２の役割をし、第２ボンディングパッド１６４が第２はんだ部１７４の役割をすることができる。すなわち、第１はんだ部１７２と第２はんだ部１７４が省略される場合、第１ボンディングパッド１６２は第１リードフレーム１８２と直接接続され、第２ボンディングパッド１６４は第２リードフレーム１８４と直接接続されていてもよい。
【００７０】
第１リードフレーム１８２は第１はんだ部１７２を介して第１ボンディングパッド１６２と電気的に接続され、第２リードフレーム１８４は第２はんだ部１７４を介して第２ボンディングパッド１６４と電気的に接続されていてもよい。第１及び第２リードフレーム１８２、１８４は、絶縁部１８６によって互いに電気的に離隔されていてもよい。第１及び第２リードフレーム１８２、１８４のそれぞれは導電型物質、例えば金属からなっていてもよく、実施例は第１及び第２リードフレーム１８２、１８４のそれぞれの物質の種類に限定されない。
【００７１】
絶縁部１８６は、第１及び第２リードフレーム１８２、１８４の間に配置され、第１及び第２リードフレーム１８２、１８４を電気的に絶縁させる。このために、絶縁部１８６は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、またはＭｇＦ２のうちの少なくとも１つを含んでいてもよいが、実施例はこれに限定されない。
【００７２】
さらに、パッケージ本体１８８は、第１及び第２リードフレーム１８２、１８４と共に、キャビティＣを形成することができるが、実施例はこれに限定されない。他の実施例よれば、パッケージ本体１８８だけでキャビティＣを形成することができる。または、上部面が平らなパッケージ本体１８８上に隔壁（ｂａｒｒｉｅｒ  ｗａｌｌ）（図示せず）が配置され、隔壁とパッケージ本体１８８の上部面によってキャビティが定義され得る。
【００７３】
キャビティＣ内に、図２のように発光素子１００が配置されてもよい。パッケージ本体１８８は、シリコン、合成樹脂、または金属を含んで形成されていてもよい。万一、パッケージ本体１８８が導電型物質、例えば金属物質からなる場合、第１及び第２リードフレーム１８２、１８４はパッケージ本体１８８の一部であってもよい。この場合にも、パッケージ本体１８８を形成する第１及び第２リードフレーム１８２、１８４は、絶縁部１８６によって互いに電気的に分離され得る。
【００７４】
さらに、モールディング部材１９０は、キャビティＣ内に配置された発光素子１００を覆い保護できるように配置されてもよい。モールディング部材１９０は、例えばシリコン（Ｓｉ）で実現してもよく、蛍光体を含むので、発光素子１００から放出された光の波長を変化させることができる。蛍光体としては、発光素子１００から発生した光を白色光に変換させることができるＹＡＧ系、ＴＡＧ系、Ｓｉｌｉｃａｔｅ系、Ｓｕｌｆｉｄｅ系またはＮｉｔｒｉｄｅ系のうちいずれか１つの波長変換手段である螢光物質が含まれていてもよいが、実施例は蛍光体の種類に限定されない。
【００７５】
ＹＡＧ及びＴＡＧ系螢光物質には、（Ｙ、Ｔｂ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｓｍ）３（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｆｅ）５（Ｏ、Ｓ）１２：Ｃｅのうちから選択して使用可能であり、Ｓｉｌｉｃａｔｅ系螢光物質には、（Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ）２ＳｉＯ４：（Ｅｕ、Ｆ、Ｃｌ）のうちから選択して使用可能である。
【００７６】
さらに、Ｓｕｌｆｉｄｅ系螢光物質には、（Ｃａ、Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ）（Ａｌ、Ｇａ）２Ｓ４：Ｅｕのうちから選択して使用可能であり、Ｎｉｔｒｉｄｅ系蛍光体は、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｏ）Ｎ：Ｅｕ（例、ＣａＡｌＳｉＮ４：Ｅｕ  β−ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ）またはＣａ−α  ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ系の（Ｃａｘ、Ｍｙ）（Ｓｉ、Ａｌ）１２（Ｏ、Ｎ）１６、ここで、Ｍは、Ｅｕ、Ｔｂ、ＹｂまたはＥｒのうちの少なくとも１つの物質であり、０．０５＜（ｘ＋ｙ）＜０．３、０．０２＜ｘ＜０．２７  ａｎｄ  ０．０３＜ｙ＜０．３、蛍光体成分のうちから選択して用いられる。
【００７７】
赤色蛍光体としては、Ｎ（例、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）を含む窒化物（Ｎｉｔｒｉｄｅ）系蛍光体が用いられる。このような窒化物系の赤色蛍光体は、硫化物（Ｓｕｌｆｉｄｅ）系蛍光体よりも熱、水分などの外部環境に対する信頼性が優れるだけでなく、変色の危険も小さい。
【００７８】
以下、図２の発光素子パッケージ２００の製造方法を、添付図面を参照して説明する。しかし、図２の発光素子パッケージ２００は、他の製造方法によって製造可能であることは勿論である。
【００７９】
図４Ａ〜図４Ｈは、図２の発光素子パッケージ２００の製造方法を説明するための実施例に係る工程断面図である。
【００８０】
図５Ａ〜図５Ｇは、図２の発光素子パッケージ２００の製造方法を説明するための実施例に係る工程平面図である。理解を助けるため、各図面において上部の層によって見えない下部層は点線で表記する。
【００８１】
図４Ａを参照すると、基板１１０上に発光構造物１２０が形成される。基板１１０は、導電型物質または非導電型物質を含んでいてもよい。例えば、基板１１０は、サファイヤ（Ａｌ２０３）、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＺｎＯ、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｇａ２０３、ＧａＡｓ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。
【００８２】
基板１１０上に、第１導電型半導体層１２２、活性層１２４及び第２導電型半導体層１２６を順に積層して発光構造物１２０を形成することができる。
【００８３】
第１導電型半導体層１２２は、第１導電型ドーパントがドーピングされたＩＩＩ−Ｖ族またはＩＩ−ＶＩ族などの化合物半導体を用いて形成されていてもよい。第１導電型半導体層１２２がｎ型半導体層の場合、第１導電型ドーパントはｎ型ドーパントであって、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅを含んでいてもよいが、これに限定されない。
【００８４】
例えば、第１導電型半導体層１２２は、ＡｌｘＩｎｙＧａ（１−ｘ−ｙ）Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体物質を用いて形成されていてもよい。第１導電型半導体層１２２は、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＩｎＧａＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＧａＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＰのうちいずれか１つ以上を用いて形成されていてもよい。
【００８５】
活性層１２４は、単一井戸構造、多重井戸構造、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｗｅｌｌ）、量子細線（Ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｉｒｅ）構造、または量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｄｏｔ）構造のうちの少なくともいずれか１つに形成されてもよい。
【００８６】
活性層１２４の井戸層／障壁層は、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ／ＧａＮ、ＧａＡｓ（ＩｎＧａＡｓ）／ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ（ＩｎＧａＰ）／ＡｌＧａＰのうちいずれか１つ以上のペア構造に形成されてもよいが、これに限定されない。井戸層は、障壁層のバンドギャップエネルギよりも低いバンドギャップエネルギを有する物質で形成されていてもよい。
【００８７】
活性層１２４の上または／及び下には、導電型クラッド層（図示せず）が形成されていてもよい。導電型クラッド層は、活性層１２４の障壁層のバンドギャップエネルギよりもさらに高いバンドギャップエネルギを有する半導体で形成されていてもよい。例えば、導電型クラッド層は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮまたは超格子構造などを含んでいてもよい。さらに、導電型クラッド層は、ｎ型またはｐ型にドーピングされていてもよい。
【００８８】
第２導電型半導体層１２６は、半導体化合物で形成されていてもよく、ＩＩＩ−Ｖ族またはＩＩ−ＶＩ族などの化合物半導体を用いて形成していてもよい。例えば、第２導電型半導体層１２６は、ＩｎｘＡｌｙＧａ（１−ｘ−ｙ）Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体物質を含んでいてもよい。第２導電型半導体層１２６には、第２導電型ドーパントがドーピングされていてもよい。第２導電型半導体層１２６がｐ型半導体層の場合、第２導電型ドーパントはｐ型ドーパントであって、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどを含んでいてもよい。
【００８９】
以後、図４Ｂ及び図５Ａを参照すると、発光構造物１２０で第２導電型半導体層１２６と活性層１２４及び第１導電型半導体層１２２の一部をメサエッチング（Ｍｅｓａ  ｅｔｃｈｉｎｇ）して第１導電型半導体層１２２を露出させる貫通孔ＴＨを形成することができる。貫通孔ＴＨが形成されると発光構造物１２０の第２導電型半導体層１２６及び活性層１２４の側部が貫通孔ＴＨから露出され得る。
【００９０】
以後、図４Ｃ及び図５Ｂを参照すると、貫通孔ＴＨから露出した第２導電型半導体層１２６と活性層１２４の側部及び発光構造物１２０の外側壁ＳＰに第１絶縁層１３２を形成する。第１絶縁層１３２を形成する理由は、図４Ｄ〜図４Ｆに示す後続する工程を行うとき、発光構造物１２０、特に活性層１２４を保護するためである。例えば、反射層１４６が銀（Ａｇ）からなる場合、銀のマイグレーション（ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）や異物（または、不純物）から発光構造物１２０が第１絶縁層１３２によって保護されていてもよい。
【００９１】
以後、図４Ｃ及び図５Ｃを参照すると、第１絶縁層１３２によって露出した第２導電型半導体層１２６上に第１透光電極層１４２を形成することができる。
【００９２】
以後、図４Ｄ及び図５Ｄを参照すると、発光構造物１２０上に配置された第１絶縁層１３２の一部と第１透光電極層１４２の上部に第２透光電極層１４４を形成することができる。このとき、第１絶縁層１３２と第１透光電極層１４２との境界を覆いながら第２透光電極層１４４を最大限広く形成することができる。これは、第２透光電極層１４４上に配置される反射層１４６を第１絶縁層１３２と離隔させながら最大限広く配置して反射層１４６の反射領域の大きさを最大化させるためである。
【００９３】
前述のように、第１透光電極層１４２は、第１絶縁層１３２よりも薄い厚さを有するので、第１透光電極層１４２と第１絶縁層１３２上に配置される第２透光電極層１４４とが段差を有することができる。
【００９４】
以後、図４Ｅ及び図５Ｅを参照すると、第２透光電極層１４４上に反射層１４６を形成することができる。このとき、第２透光電極層１４４が段差を有するので、第２透光電極層１４４上に配置された反射層１４６も段差を有することができるが、実施例はこれに限定されない。
【００９５】
結局、前述のように、第１透光電極層１４２と第２透光電極層１４４と反射層１４６を含む第２電極１４０が形成されていてもよい。
【００９６】
以下、図４Ｃ〜図４Ｅに示す第１絶縁層１３２及び第２電極１４０を製造する方法の詳細的な一実施例を、添付図６Ａ〜図６Ｇを参照して説明するが、実施例はこれに限定されない。すなわち、第１絶縁層１３２及び第２電極１４０は、図６Ａ〜図６Ｇに示す方法以外の方法によっても製造され得ることは勿論である。
【００９７】
図６Ａ〜図６Ｇは、図４Ｃ〜図４Ｅに示す第１絶縁層１３２と第２電極１４０の製造方法の一実施例を説明するための工程断面図である。
【００９８】
図４Ｂに示すように、貫通孔ＴＨを形成した後、図６Ａを参照すると、第２導電型半導体層１２６上に第１絶縁層１３２を形成するための絶縁物質１３２Ａが蒸着される。ここで、絶縁物質１３２Ａは、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、またはＭｇＦ２のうちの少なくとも１つを含んでいてもよいが、実施例はこれに限定されない。
【００９９】
以後、絶縁物質１３２Ａで第１透光電極層１４２が配置される第１透光電極領域１３２−１を露出させながら絶縁物質１３２Ａ上に、第１マスクパターンＭ１を形成する。ここで、第１マスクパターンＭ１はフォトレジストマスクであってもよい。
【０１００】
以後、図６Ｂを参照すると、第１マスクパターンＭ１をメサエッチングマスクとして用いて絶縁物質１３２Ａをメサエッチングして第１透光電極領域１３２−１の第２導電型半導体層１２６を露出させる第１絶縁層１３２を形成する。このとき、図４Ｂに示すように、発光構造物１２０の外側壁ＳＰ及び貫通孔ＴＨから露出した第２導電型半導体層１２６の側部と活性層１２４の側部に第１絶縁層１３２が同時に形成されてもよい。
【０１０１】
以後、図６Ｃを参照すると、第１透光電極層１４２形成用の第１電極物質１４２Ａを第１マスクパターンＭ１の上部及び第１透光電極領域１３２−１から露出した第２導電型半導体層１２６の上に蒸着する。
【０１０２】
以後、図６Ｄを参照すると、第１マスクパターンＭ１上に蒸着された第１電極物質１４２Ａと第１マスクパターンＭ１とを同時にリフトオフ（ｌｉｆｔ  ｏｆｆ）して除去することで、第１透光電極領域１３２−１に第１透光電極層１４２を形成する。以後、第１透光電極層１４２を熱処理することで、第２導電型半導体層１２６と第１透光電極層１４２とがオーミック接触され得る。
【０１０３】
以後、図６Ｅを参照すると、第２透光電極層１４４が形成される第２透光電極領域１３２−２を露出させる第２マスクパターンＭ２を第１絶縁層１３２の上部に形成される。ここで、第２マスクパターンＭ２は、フォトレジスト（ＰＲ）マスクであってもよい。
【０１０４】
以後、図６Ｆを参照すると、第２透光電極領域１３２−２の第１透光電極層１４２と第１絶縁層１３２の上部及び第２マスクパターンＭ２上に、第２透光電極層１４４を形成するための第２電極物質１４４Ａと反射層１４６を形成するための反射物質１４６Ａを順に蒸着して形成する。
【０１０５】
第１及び第２電極物質１４２Ａ、１４４Ａのそれぞれは、透明導電性酸化膜（ＴＣＯ：Ｔｒａｎｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｏｘｉｄｅ）であってもよい。例えば、第１及び第２電極物質１４２Ａ、１４４Ａのそれぞれは、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｇａｌｌｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｇａｌｌｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎｔｉｍｏｎｙ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（ｇａｌｌｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、及びＮｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯのうちの少なくとも１つを含んでいてもよく、このような材料に限定されない。
【０１０６】
反射物質１４６Ａは、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）あるいはＡｌやＡｇやＰｔやＲｈを含む、合金を含む金属を含んでいてもよい。
【０１０７】
以後、図６Ｆを続いて参照すると、第２マスクパターンＭ２の上部に配置された第２電極物質１４４Ａ及び反射物質１４６Ａと第２マスクパターンＭ２を同時に、リフトオフして除去することで、図６Ｇに示すように、第２透光電極層１４４と反射層１４６が形成される。このようにリフトオフ方式で、第２透光電極層１４４と反射層１４６を形成する場合、図示したように、反射層１４６の第１幅Ｗ１と第２透光電極層１４４の第２幅Ｗ２は等しくなることができる。さらに、第２透光電極層１４４上に反射層１４６が形成されるので、反射層１４６は第１絶縁層１３２から離隔されて配置してもよい。
【０１０８】
一般に、第２導電型半導体層１２６と第１透光電極層１４２がオーミック接触するように、第１透光電極層１４２を約６００℃以上の高温で熱処理する。このとき、反射物質１４６Ａとして銀（Ａｇ）を使用する場合、高温で銀（Ａｇ）が凝集（ａｇｇｌｏｍａｔｉｏｎ）される。何故なら銀（Ａｇ）は４００℃以上の高温で凝集するからである。したがって、第１透光電極層１４２の製造工程と反射層１４６の製造工程とを互いに分離するために、別途のマスクパターンが用いられる。
【０１０９】
しかし、実施例によれば、第１絶縁層１３２を形成した後、第１マスクパターンＭ１を除去せず、１つのマスクパターンＭ１を用いて第１透光電極層１４２を形成することができる。さらに、反射層１４６を形成するための別途のマスクパターンを要求せず、第２マスクパターンＭ２を用いて第２透光電極層１４４と反射層１４６を同時に形成することができる。よって、実施例に係る発光素子パッケージの製造方法による場合、マスクパターンの個数を節減することができ、工程時間が短縮され得る。
【０１１０】
一方、図４Ｅに示すように、第２電極１４０を形成した後、図４Ｆ及び図５Ｆを参照すると、貫通孔ＴＨから露出した第１導電型半導体層１２２上に第１電極１５０を形成する。ここで、第１電極１５０を金属で形成してもよく、Ａｇ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆ、Ｃｒ及びこれらの選択的な組み合わせによって形成され得る。
【０１１１】
以後、図４Ｇ及び図５Ｇを参照すると、第２絶縁層１３４が形成される。第２絶縁層１３４は、発光構造物１２０の外側壁ＳＰに塗布された第１絶縁層１３２の側部と上部に形成してもよい。さらに、第２絶縁層１３４は、第２透光電極層１４４と反射層１４６のそれぞれの側部と上部を覆うように形成される。このとき、第２ボンディングパッド１６４と電気的に接続される部分を露出しながら、第２絶縁層１３４は反射層１４６上に形成されてもよい。
【０１１２】
さらに、第２絶縁層１３４は、貫通孔ＴＨに埋められた第１電極１５０の上部を露出させながら第１電極１５０の側部を覆いながら貫通孔ＴＨに埋められていてもよい。
【０１１３】
このとき、第１絶縁層１３２を形成する絶縁物質１３２Ａまたは第２絶縁層１３４のそれぞれは、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、またはＭｇＦ２のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。第１絶縁層１３２と第２絶縁層１３４は、互いに同一材質または互いに異なる材質を有するように形成してもよい。
【０１１４】
以後、図４Ｈを参照すると、第２絶縁層１３４によって覆われなく露出された第１電極１５０の上に第１ボンディングパッド１６２を形成し、第２絶縁層１３４によって覆われなく露出された反射層１４６上に第２ボンディングパッド１６４を形成する。
【０１１５】
第１及び第２ボンディングパッド１６２、１６４のそれぞれは、電気的導電性を有する金属物質を用いて形成されていてもよい。例えば、第１及び第２ボンディングパッド１６２、１６４のそれぞれは、Ｔｉ、Ｎｉ、ＡｕまたはＳｎのうちの少なくとも１つを用いて形成されていてもよい。
【０１１６】
以下、図３の実施例に係る発光素子１００を、添付図面を参照して次のように比較説明する。
【０１１７】
図７は、第１比較例に係る発光素子の局所的な断面図である。
【０１１８】
図７の第１比較例に係る発光素子は、発光構造物１２０、第１絶縁層１３２及び第２電極３１０Ａを含む。ここで、発光構造物１２０及び第１絶縁層１３２は、図３に示す発光構造物１２０及び第１絶縁層１３２とそれぞれ同一であるので、同一参照符号を使用し、重複の説明を省略する。すなわち、第２電極３１０Ａの断面形状が異なることを除けば、図７の第１比較例に係る発光素子は図３の実施例に係る発光素子と同一である。
【０１１９】
図７の第２電極３１０Ａは、第１透光電極層３１２Ａと反射層３１４Ａを含む。第１透光電極層３１２Ａ及び反射層３１４Ａは、図３の第１透光電極層１４２及び反射層１４６とそれぞれ同じ役割をする。
【０１２０】
図７の第１透光電極層３１２Ａは、第１絶縁層１３２によって露出した第２導電型半導体層１２６から第１絶縁層１３２の下部まで延長されて配置されてもよい。そして、反射層３１４Ａは第５幅Ｗ５を有することができる。このように、発光構造物１２０の厚さ方向に第１透光電極層３１２Ａと反射層３１４Ａが互いに重畳しても、反射層３１４Ａが第１絶縁層１３２と重畳しない場合、反射層３１４Ａの第５幅Ｗ５が大きくないため、反射層３１４Ａの光反射役割が微弱となり得る。
【０１２１】
一方、図３に示す発光素子の場合、第１絶縁層１３２と、第１透光電極層１４２と、反射層１４６は、発光構造物１２０の厚さ方向に重畳して配置される。よって、反射層１４６の第１幅Ｗ１が第７の第１比較例に係る反射層３１４Ａの第５幅Ｗ５よりも増加され得る。このように、実施例に係る発光素子の場合、反射層１４６の第１幅Ｗ１が第１比較例よりも大きいので、反射層１４６の光反射役割が第１比較例よりも相対的に増加することで、光束が増加する。
【０１２２】
図８は、第２比較例に係る発光素子の局所的な断面図である。
【０１２３】
図８の第２比較例に係る発光素子は、発光構造物１２０、第１絶縁層１３２及び第２電極３１０Ｂを含む。ここで、発光構造物１２０及び第１絶縁層１３２は、図３に示す発光構造物１２０及び第１絶縁層１３２とそれぞれ同一であるので、同一参照符号を使用し、重複説明を省略する。すなわち、第２電極３１０Ｂの断面形状が異なることを除けば、図８の第２比較例に係る発光素子は図３の実施例に係る発光素子と同一である。
【０１２４】
図８に示す第２電極３１０Ｂは、第１透光電極層３１２Ｂと反射層３１４Ｂを含む。第１透光電極層３１２Ｂ及び反射層３１４Ｂは、図３に示す第１透光電極層１４２及び反射層１４６とそれぞれ同じ役割をする。
【０１２５】
図９は、第３比較例に係る発光素子の局所的な断面図である。
【０１２６】
図９の第３比較例に係る発光素子は、発光構造物１２０、第１絶縁層１３２及び第２電極３１０Ｃを含む。ここで、発光構造物１２０及び第１絶縁層１３２は、図３に示す発光構造物１２０及び第１絶縁層１３２とそれぞれ同一であるので、同一参照符号を使用し、重複説明を省略する。すなわち、第２電極３１０Ｃの断面形状が異なることを除けば、図９の第３比較例に係る発光素子は図３の実施例に係る発光素子と同一である。
【０１２７】
図９に示す第２電極３１０Ｃは、第１透光電極層３１２Ｃと反射層３１４Ｃを含む。第１透光電極層３１２Ｃ及び反射層３１４Ｃは、図３に示す第１透光電極層１４２及び反射層１４６とそれぞれ同じ役割をする。
【０１２８】
図７の第１比較例に係る発光素子の短所、すなわち、反射層３１４Ａの第５幅Ｗ５が小さいことを解消させるため、図８及び図９の第２及び第３比較例に係る反射層３１４Ｂ、３１４Ｃは第１透光電極層３１２Ｂ、３１２Ｃの第６及び第９幅Ｗ６、Ｗ９よりもそれぞれ大きい第７及び第１０幅Ｗ７、Ｗ１０を有する。この場合、反射層３１４Ｂ、３１４Ｃの第７及び第１０幅Ｗ７、Ｗ１０が第７の第５幅Ｗ５よりも増加したので、光束の向上を期待することができる。しかし、図８及び図９の第２及び第３比較例に係る発光素子の場合、反射層３１４Ｂ、３１４Ｃが第１絶縁層１３２と第８及び第１１幅Ｗ８、Ｗ１１分直接接することになる。万一、反射層３１４Ｂ、３１４Ｃが銀で実現され、第１絶縁層１３２がＳｉＯ２に実現された場合、反射層３１４Ｂ、３１４Ｃと第１絶縁層１３２が直接接するので、互いに剥離され得る。
【０１２９】
一方、図３の実施例に係る発光素子の場合、反射層１４６と第１絶縁層１３２が直接接せず、離隔されて配置される。そのために、実施例に係る発光素子の場合、第１透光電極層１４２と反射層１４６との間に第２透光電極層１４４を配置する一方、第２透光電極層１４４の第２幅Ｗ２以下である第１幅Ｗ１を有する反射層１４６を第２透光電極層１４４の下部に配置する。よって、反射層１４６と第１絶縁層１３２が離隔されることで、前述の第２及び第３比較例のように、第１絶縁層１３２と反射層１４６とが互いに剥離される心配を解消することができる。さらに、反射層１４６と第１透光電極層１４２との間に第２透光電極層１４４が配置されることで、次の数式１で表される量分の反射層１４６の幅が増大され得る。
【０１３０】
【数１】
0006712474.tif 000002
【０１３１】
ここで、ΔＷ１とΔＷ２との合計は、前述のように、第２幅Ｗ２から第１幅Ｗ１を減算した差値を示し、Ｗ３１及びＷ３２は前述の第３幅を示す。
【０１３２】
結局、実施例に係る発光素子の場合、反射層１４６の幅が増加されることで、反射層１４６からより多くの光が反射されて光束が改善され得る。
【０１３３】
例えば、第２透光電極層１４４を含まない図７の第１比較例に係る発光素子の場合、反射層３１４Ａの面積が７３０、５５７μｍ２であるのに対して第２透光電極層１４４を含む図３の発光素子の場合、反射層１４６の面積が７７１、８３９μｍ２であって、第１比較例と比較して約５．６％上昇することができる。
【０１３４】
さらに、第１透光電極層１４２の第１厚さＴ１と第２透光電極層１４４の第３厚さＴ３との合計が大きい場合、第２導電型キャリアの拡散が円滑となり、順方向動作電圧Ｖｆが低められる。しかし、第１厚さＴ１と第３厚さＴ３との合計が大きすぎる場合、光束が低下され得る。これを考慮した場合、第１及び第３厚さＴ１、Ｔ３のそれぞれは、数〜数十ｎｍ、例えば、３〜１０ｎｍであってもよいが、実施例はこれに限定されない。
【０１３５】
実施例に係る発光素子パッケージは、複数個が基板上にアレイされていてもよく、発光素子パッケージの光進路上に光学部材である導光板、プリズムシート、拡散シートなどが配置され得る。このような発光素子パッケージ、基板、光学部材は、バックライトユニットとして機能することができる。
【０１３６】
さらに、実施例に係る発光素子パッケージは、表示装置、指示装置、照明装置に適用され得る。
【０１３７】
ここで、表示装置は、ボトムカバーと、ボトムカバー上に配置される反射板と、光を放出する発光モジュールと、反射板の前方に配置され、発光モジュールから発散される光を前方に案内する導光板と、導光板の前方に配置されるプリズムシートを含む光学シートと、光学シート前方に配置されるディスプレイパネルと、ディスプレイパネルと接続され、ディスプレイパネルに画像信号を供給する画像信号出力回路と、ディスプレイパネルの前方に配置されるカラーフィルタを含んでいてもよい。ここで、ボトムカバー、反射板、発光モジュール、導光板、及び光学シートは、バックライトユニット（Ｂａｃｋｌｉｇｈｔ  Ｕｎｉｔ）をなすことができる。
【０１３８】
さらに、照明装置は、基板と実施例に係る発光素子パッケージを含む光源モジュール、光源モジュールの熱を発散させる放射体、及び外部から提供される電気的信号を処理または変換して光源モジュールに提供する電源提供部を含んでいてもよい。例えば、照明装置は、ランプ、ヘッドランプ、または街路灯を含んでいてもよい。
【０１３９】
ヘッドランプは、基板上に配置される発光素子パッケージを含む発光モジュール、発光モジュールから照射される光を所定方向、例えば、前方に反射させるリフレクタ（ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）、リフレクタにより反射される光を前方に屈折させるレンズ、及びリフレクタにより反射されてレンズに向かう光の一部分を遮断または反射して設計者が所望する配光パターンをなすようにするシェード（ｓｈａｄｅ）を含んでいてもよい。
【０１４０】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施例について詳細に説明したが、これは、ただの例示であり、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、例えば、実施例に具体的に示された各構成要素は、変形して実施することもできる。そして、このような変形と応用に関係する差異は添付の特許請求の範囲で規定する本発明の技術的範囲に属するものと了解されるべきである。
【図１】
0006712474.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
0006712474.tif 000007
【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
0006712474.tif 000009
【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【図４Ｈ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
0006712474.tif 000015
【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図５Ｇ】
0006712474.tif 000020
【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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【図６Ｇ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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