(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口した空間を有する容器体と、
前記容器体の前記空間内に配設された半導体素子と、
前記容器体の前記空間内に配設され、前記半導体素子を覆う封止材と、
前記容器体の前記開口を覆う蓋と
を備え、
前記蓋には前記空間内に突出する凸部が設けられ、
硬化された前記封止材に、前記凸部の少なくとも先端部分が埋め込まれていることによってのみ、前記蓋が前記容器体に固定され、
前記凸部の前記先端部分は鉤形状を有する、半導体装置。
【請求項２】
開口した空間を有する容器体と、
前記容器体の前記空間内に配設された半導体素子と、
前記容器体の前記空間内に配設され、前記半導体素子を覆う封止材と、
前記容器体の前記開口を覆う蓋と
を備え、
前記蓋には前記空間内に突出する凸部が設けられ、
硬化された前記封止材に、前記凸部の少なくとも先端部分が埋め込まれていることによってのみ、前記蓋が前記容器体に固定され、
前記凸部の前記先端部分の側部に開口部が設けられている、半導体装置。
【請求項３】
開口した空間を有する容器体と、
前記容器体の前記空間内に配設された半導体素子と、
前記容器体の前記空間内に配設され、前記半導体素子を覆う封止材と、
前記容器体の前記開口を覆う蓋と
を備え、
前記蓋には前記空間内に突出する凸部が設けられ、
硬化された前記封止材に、前記凸部の少なくとも先端部分が埋め込まれていることによってのみ、前記蓋が前記容器体に固定され、
前記凸部の前記先端部分の先端は括れ形状を有する、半導体装置。
【請求項４】
開口した空間を有する容器体と、
前記容器体の前記空間内に配設された半導体素子と、
前記容器体の前記空間内に配設され、前記半導体素子を覆う封止材と、
前記容器体の前記開口を覆う蓋と
を備え、
前記蓋には前記空間内に突出する凸部が設けられ、
硬化された前記封止材に、前記凸部の少なくとも先端部分が埋め込まれていることによってのみ、前記蓋が前記容器体に固定され、
前記凸部は、円柱形状または円錐形状の柱を含む、半導体装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のうちのいずれか１項に記載の半導体装置であって、
複数の前記凸部が前記蓋に設けられている、半導体装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のうちのいずれか１項に記載の半導体装置であって、
前記半導体素子は、ワイドバンドギャップ半導体を含む、半導体装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のうちのいずれか１項に記載の半導体装置を有し、入力される電力を変換して出力する主変換回路と、
前記半導体装置を駆動する駆動信号を前記半導体装置に出力する駆動回路と、
前記駆動回路を制御する制御信号を前記駆動回路に出力する制御回路と
を備える、電力変換装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電力変換装置が搭載された、移動体。
【請求項９】
請求項４に記載の半導体装置の製造方法であって、
金属をインサート成形することによって前記凸部を形成する、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、及び、その製造方法、並びに、電力変換装置、及び、移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、高信頼性の半導体装置では、ケース筐体からなる容器体に封止樹脂が充填された状態で、専用の固定機構及び固定部材によって蓋が容器体と固定されている。例えば特許文献１の技術では、蓋の縁部に沿って蓋の下面に設けられた凸部が、容器体の開口縁部の内側と嵌合することによって、蓋が容器体と固定されている。例えば特許文献２の技術では、蓋の縁部が、容器体の開口縁部に設けられた凹部と嵌合することによって、蓋が容器体と固定されている。例えば特許文献３の技術では、接着剤によって蓋が容器体と固定されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０６−３５００２４号公報
【特許文献２】特開２０１５−４１６５９号公報
【特許文献３】特開２００３−６８９７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら従来技術では、専用の固定機構及び固定部材を設けるためのスペースが必要となるため、構造設計が制約される。この結果、容器体のサイズ、ひいては半導体装置の小型化ができないなどの問題があった。【０００５】
また、専用の固定部材である接着剤によって、蓋を容器体に固定する構成では、接着剤塗布装置及び接着剤が必要となることから、半導体装置の製造の工数及び材料費において改善の余地があった。さらに、接着剤を塗布したり熱硬化したりするなどの専用の工程を行うまでに、製造ライン内で停滞する時間が発生する結果、容器体内、ひいては半導体装置内に異物等が侵入してしまう可能性があるという問題があった。【０００６】
そこで、本発明は、上記のような問題点を鑑みてなされたものであり、専用の固定機構及び固定部材を用いずに、蓋と容器体とを固定可能な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る半導体装置は、開口した空間を有する容器体と、前記容器体の前記空間内に配設された半導体素子と、前記容器体の前記空間内に配設され、前記半導体素子を覆う封止材と、前記容器体の前記開口を覆う蓋とを備え、前記蓋には前記空間内に突出する凸部が設けられ、硬化された前記封止材に、前記凸部の少なくとも先端部分が埋め込まれていることによってのみ、前記蓋が前記容器体に固定され、前記凸部の前記先端部分は鉤形状を有する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、硬化された封止材に、凸部の少なくとも先端部分が埋め込まれていることによってのみ、蓋が容器体に固定されている。したがって、専用の固定機構及び固定部材を用いずに、蓋を容器体に固定することができる。【０００９】
本発明の目的、特徴、態様及び利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２】実施の形態２に係る半導体装置の一部の構成を示す断面図である。
【図３】実施の形態３に係る半導体装置の一部の構成を示す断面図である。
【図４】実施の形態４に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図５】実施の形態５に係る半導体装置の一部の構成を示す断面図である。
【図６】実施の形態６に係る半導体装置の一部の構成を示す断面図である。
【図７】実施の形態７に係る半導体装置の一部の構成を示す斜視図である。
【図８】実施の形態８に係る半導体装置の一部の構成を示す斜視図である。
【図９】実施の形態９に係る電力変換システムの構成を示すブロック図である。
【図１０】実施の形態１０に係る移動体の構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。なお、図面は概略的に示されるものであり、異なる図面にそれぞれ示される構成要素の大きさと位置との相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。
【００１２】
＜実施の形態１＞
図１は、本発明の実施の形態１に係る高信頼性の半導体装置の構成を示す断面図である。図１の半導体装置は、容器体１と、半導体素子である半導体チップ２と、金属ワイヤ３と、電極４と、はんだ５，７と、絶縁基板６と、蓋８と、封止材９とを備える。なお、図１以降の図では、図が複雑にならないように、封止材９は全体を図示せずに、封止材９の上面のみ破線で図示されている。
【００１３】
容器体１は、上側に開口した空間を有する。本実施の形態１では、容器体１は、環状のケース１ａと、ケース１ａの下部と接着剤によって固定された放熱板１ｂとを備える。ケース１ａは容器体１の側面であり、放熱板１ｂは容器体１の底面である。
【００１４】
半導体チップ２は、容器体１の空間内に配設されている。本実施の形態１では、半導体チップ２は、絶縁基板６などを介して容器体１の下面と接合されている。半導体チップ２は、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）及びＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）などの半導体スイッチング素子であってもよいし、ＳＢＤ（Schottky Barrier Diode）などのダイオードであってもよい。
【００１５】
また、半導体チップ２は、例えば、Ｓｉ（珪素）を含んでもよいし、ワイドバンドギャップ半導体を含んでもよい。ワイドバンドギャップ半導体は、例えば、ＳｉＣ（炭化珪素）、ＧａＮ（窒化ガリウム）、及び、ダイヤモンドを含む。なお、半導体チップ２は、ＳｉＣからなるＭＯＳＦＥＴ、または、ＳｉＣからなるＳＢＤであることが好ましい。
【００１６】
半導体チップ２は上部電極２ａを有しており、複数の上部電極２ａが、金属ワイヤ３によって接続されている。
【００１７】
半導体チップ２及び電極４のそれぞれは、はんだ５によって絶縁基板６と接合されている。電極４は、絶縁基板６に立設状に設けられており、蓋８の開口を通って外部に引き出されている。絶縁基板６は、はんだ７によって放熱板１ｂと接合されている。
【００１８】
蓋８は、容器体１の開口を覆う。なお、蓋８と容器体１との間、具体的には蓋８とケース１ａの上部との間には、蓋８を容器体１に固定する専用の固定機構も固定部材も設けられていない。なお、固定機構は、例えば嵌合機構などであり、固定部材は、例えば接着剤などである。
【００１９】
蓋８には、容器体１の空間内に突出する凸部である内壁８ａが設けられている。この内壁８ａは、容器体１のケース１ａに沿ってケース１ａから離間されて設けられている。なお本実施の形態１では、内壁８ａは、蓋８と一体成形によって形成されるものとするが、これに限ったものではない。
【００２０】
封止材９は絶縁性を有する。封止材９は、容器体１の空間内に配設されており、半導体チップ２を覆って半導体チップ２を保護する。例えば封止材９が容器体１の空間内に注入された直後などのように、封止材９が未硬化状態の液状である際に、内壁８ａの先端部分が封止材９の上面（液面）よりも下側に位置する状態で、蓋８がケース１ａの上部に載置される。そして、その状態で封止材９が硬化される。
【００２１】
このように構成された本実施の形態１では、硬化された封止材９に、内壁８ａの少なくとも先端部分が埋め込まれていることによってのみ、蓋８が容器体１に固定される。つまり、封止材９の硬化が、蓋８と容器体１との固定に利用される。
【００２２】
ここで、上述した構成要素の材質の一例について説明する。ケース１ａ、蓋８及び内壁８ａの材質は、例えば、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、及び、エンジニアリングプラスチックなどを含む。エンジニアリングプラスチックは、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）とＰＢＴとを合成したプラスチックなどを含む。なお、蓋８及び内壁８ａの材質は同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００２３】
放熱板１ｂの材質は、例えば、ＡｌＳｉＣなどの金属セラミックス複合材、及び、Ｃｕ、Ａｌなどの金属を含む。ケース１ａと放熱板１ｂとを固定する接着剤は、例えば、シリコーン系の材料、及び、エポキシ系の材料などを含む。封止材９の材質は、例えば、シリコーンゲル、及び、エポキシ樹脂などを含む。
【００２４】
以上のような本実施の形態１に係る半導体装置によれば、硬化された封止材９に、内壁８ａの少なくとも先端部分が埋め込まれていることによってのみ、蓋８が容器体１に固定される。このような構成によれば、専用の固定機構及び固定部材を用いずに、蓋と容器体とを固定することができる。この結果、半導体装置の小型化及び軽量化、材料費の低減化、異物等の混入抑制による高品質化、及び、工数削減による生産性の向上化などが期待できる。
【００２５】
なお、半導体チップ２がワイドバンドギャップ半導体を含む場合、当該半導体チップ２を備える半導体装置は、高温環境で使用されることが想定される。硬化された封止材９に、内壁８ａの少なくとも先端部分が埋め込まれていることによってのみ、蓋８が容器体１に固定された本実施の形態１の構成によれば、不要な熱応力が生じなかったり、生じた熱応力を逃がしたりすることができる。したがって、半導体チップ２がワイドバンドギャップ半導体を含む場合において、特に有効である。
【００２６】
＜実施の形態２＞
図２は、本発明の実施の形態２に係る高信頼性の半導体装置の一部の構成を示す断面図である。以下、本実施の形態２で説明する構成要素のうち、上述の構成要素と同じまたは類似する構成要素については同じ参照符号を付し、異なる構成要素について主に説明する。
【００２７】
本実施の形態２では、複数の凸部として、複数の櫛歯部８ｂが蓋８に設けられており、蓋８と複数の櫛歯部８ｂとから櫛形状の部材が構成されている。そして、硬化された封止材９に、複数の櫛歯部８ｂの少なくとも先端部分が埋め込まれている。このような構成によれば、複数の櫛歯部８ｂと封止材９との付着力を高めることができるので、蓋８と容器体１との間の固定を強固にすることができる。また、実施の形態１の内壁８ａに使用する成形材料よりも、複数の櫛歯部８ｂに使用する成形材料を低減することができるので、半導体装置のコストの低減化も期待できる。
【００２８】
＜実施の形態３＞
図３は、本発明の実施の形態３に係る高信頼性の半導体装置の一部の構成を示す断面図である。以下、本実施の形態３で説明する構成要素のうち、上述の構成要素と同じまたは類似する構成要素については同じ参照符号を付し、異なる構成要素について主に説明する。
【００２９】
本実施の形態３では、実施の形態１で説明した内壁８ａの先端部分に鉤部８ｃが設けられており、内壁８ａの先端部分は鉤形状を有している。そして、硬化された封止材９に、鉤部８ｃが埋め込まれている。このような構成によれば、鉤部８ｃによる投錨効果により、機械的な係止力が得られるので、蓋８と容器体１との間の固定を強固にすることができる。
【００３０】
＜実施の形態４＞
図４は、本発明の実施の形態４に係る高信頼性の半導体装置の構成を示す断面図である。以下、本実施の形態４で説明する構成要素のうち、上述の構成要素と同じまたは類似する構成要素については同じ参照符号を付し、異なる構成要素について主に説明する。
【００３１】
本実施の形態４では、実施の形態１で説明した内壁８ａの先端部分の側部に開口部８ｄが設けられている。そして、開口部８ｄに封止材９の一部が充填されている。このような構成によれば、開口部８ｄに封止材９の一部が充填及び硬化されたことによって投錨効果が得られるので、蓋８と容器体１との間の固定を強固にすることができる。なお、開口部８ｄは、底有りの穴でもよいし、貫通穴でもよい。また、開口部８ｄは、丸穴でもよいし、角穴でもよいし、長丸穴でもよい。
【００３２】
＜実施の形態５＞
図５は、本発明の実施の形態５に係る高信頼性の半導体装置の一部の構成を示す断面図である。以下、本実施の形態５で説明する構成要素のうち、上述の構成要素と同じまたは類似する構成要素については同じ参照符号を付し、異なる構成要素について主に説明する。
【００３３】
本実施の形態５では、実施の形態２で説明した複数の櫛歯部８ｂのそれぞれの先端部分の側部に開口部８ｅが設けられている。そして、開口部８ｅに封止材９の一部が充填及び硬化されている。このような構成によれば、開口部８ｄに封止材９の一部が充填及び硬化されたことによって投錨効果が得られる。したがって、本実施の形態５では、実施の形態２と同様に複数の櫛歯部８ｂと封止材９との付着力を高めることができるだけでなく、投錨効果による機械的な係止力も得られるので、蓋８と容器体１との間の固定をさらに強固にすることができる。
【００３４】
＜実施の形態６＞
図６は、本発明の実施の形態６に係る高信頼性の半導体装置の一部の構成を示す断面図である。以下、本実施の形態６で説明する構成要素のうち、上述の構成要素と同じまたは類似する構成要素については同じ参照符号を付し、異なる構成要素について主に説明する。
【００３５】
本実施の形態６では、実施の形態２で説明した複数の櫛歯部８ｂのそれぞれの先端部分の先端に括れ部８ｆが設けられており、当該先端は括れ形状を有している。そして、硬化された封止材９に、括れ部８ｆが埋め込まれている。このような構成によれば、括れ部８ｆに封止材９の一部が充填及び硬化されたことによって投錨効果が得られる。したがって、本実施の形態６では、実施の形態２と同様に複数の櫛歯部８ｂと封止材９との付着力を高めることができるだけでなく、投錨効果による機械的な係止力も得られるので、蓋８と容器体１との間の固定をさらに強固にすることができる。
【００３６】
＜実施の形態７＞
図７は、本発明の実施の形態７に係る高信頼性の半導体装置の一部の構成を示す斜視図である。なお図７には、図１〜図６の構成と上下を逆にした構成が示されている。以下、本実施の形態７で説明する構成要素のうち、上述の構成要素と同じまたは類似する構成要素については同じ参照符号を付し、異なる構成要素について主に説明する。
【００３７】
本実施の形態７では、複数の凸部として、複数の円柱形状の柱８ｇが蓋８に設けられている。なおここでは、柱８ｇは、円柱形状を有するものとして説明するが、これに限ったものではなく、例えば円錐形状を有してもよい。またここでは、４つの柱８ｇが、四角形状の蓋８の頂点側にそれぞれ設けられるとともに、２つの柱８ｇが、蓋８の中心側に設けられている。しかし柱８ｇの数は上記の数に限ったものではなく、例えば３つでもよいし、それ以外の数であってもよい。また、柱８ｇの位置は上記の位置に限ったものではなく、所望の位置であってもよい。
【００３８】
本実施の形態７では、硬化された封止材９に、複数の柱８ｇの少なくとも先端部分が埋め込まれている。このような構成によれば、内壁８ａを設けることができない箇所に、内壁８ａよりもサイズが小さい柱８ｇを設けることができる。したがって、内壁８ａを設けることができない場合に、本実施の形態７の構成は有効である。
【００３９】
＜実施の形態８＞
図８は、本発明の実施の形態８に係る高信頼性の半導体装置の一部の構成を示す斜視図である。なお図８には、図１〜図６の構成と上下を逆にした構成が示されている。以下、本実施の形態８で説明する構成要素のうち、上述の構成要素と同じまたは類似する構成要素については同じ参照符号を付し、異なる構成要素について主に説明する。
【００４０】
本実施の形態８では、金属をインサート成形することによって、実施の形態７と同様の柱８ｇが形成されている。そしてそのインサート成形によって、本実施の形態８に係る柱８ｇの先端部分の先端には、括れ部８ｈが設けられている。つまり、柱８ｇの先端部分の先端は括れ形状を有している。そして、硬化された封止材９に、括れ部８ｈが埋め込まれている。このような構成によれば、金属をインサート成形することによって、投錨効果による機械的な係止力などが得られるので、蓋８と容器体１との間の固定を強固にすることができる。
【００４１】
＜実施の形態９＞
本発明の実施の形態９に係る電力変換装置は、実施の形態１〜８のいずれかに係る半導体装置を有する主変換回路を備えた電力変換装置である。以上で説明した半導体装置は特定の電力変換装置に限定されるものではないが、以下、本実施の形態９として、三相のインバータに、実施の形態１〜８のいずれかに係る半導体装置を適用した場合について説明する。
【００４２】
図９は、本実施の形態９に係る電力変換装置を適用した電力変換システムの構成を示すブロック図である。
【００４３】
図９に示す電力変換システムは、電源１００、電力変換装置２００、負荷３００から構成される。電源１００は、直流電源であり、電力変換装置２００に直流電力を供給する。電源１００は種々の電源で構成することが可能であり、例えば、直流系統、太陽電池、蓄電池で構成されてもよいし、交流系統に接続された整流回路やＡＣ／ＤＣコンバータで構成されてもよい。また、電源１００は、直流系統から出力される直流電力を所定の電力に変換するＤＣ／ＤＣコンバータによって構成されてもよい。
【００４４】
電力変換装置２００は、電源１００と負荷３００との間に接続された三相のインバータであり、電源１００から供給された直流電力を交流電力に変換し、負荷３００に交流電力を供給する。電力変換装置２００は、図９に示すように、直流電力を交流電力に変換して出力する主変換回路２０１と、主変換回路２０１の各スイッチング素子を駆動する駆動信号を出力する駆動回路２０２と、駆動回路２０２を制御する制御信号を駆動回路２０２に出力する制御回路２０３とを備えている。
【００４５】
負荷３００は、電力変換装置２００から供給された交流電力によって駆動される三相の電動機である。なお、負荷３００は特定の用途に限られるものではなく、各種電気機器に搭載された電動機、例えば、ハイブリッド自動車や電気自動車、鉄道車両、エレベーター、もしくは、空調機器向けの電動機として用いられる。
【００４６】
以下、電力変換装置２００の詳細を説明する。主変換回路２０１は、スイッチング素子と還流ダイオードを備えており（図示せず）、スイッチング素子がスイッチングすることによって、電源１００から供給される直流電力を交流電力に変換し、負荷３００に供給する。主変換回路２０１の具体的な回路構成には種々の構成があるが、本実施の形態９に係る主変換回路２０１は２レベルの三相フルブリッジ回路であり、当該三相フルブリッジ回路は、６つのスイッチング素子とそれぞれのスイッチング素子に逆並列された６つの還流ダイオードから構成することができる。主変換回路２０１の各スイッチング素子及び各還流ダイオードの少なくともいずれか１つには、上述した実施の形態１〜８のいずれかに係る半導体装置の半導体チップ２を適用する。６つのスイッチング素子は２つのスイッチング素子ごとに直列接続され上下アームを構成し、各上下アームはフルブリッジ回路の各相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）を構成する。そして、各上下アームの出力端子、すなわち主変換回路２０１の３つの出力端子は、負荷３００に接続される。
【００４７】
駆動回路２０２は、主変換回路２０１のスイッチング素子を駆動する駆動信号を生成し、主変換回路２０１のスイッチング素子の制御電極に供給する。具体的には、駆動回路２０２は、後述する制御回路２０３からの制御信号に従い、スイッチング素子をオン状態にする駆動信号とスイッチング素子をオフ状態にする駆動信号とを各スイッチング素子の制御電極に出力する。スイッチング素子をオン状態に維持する場合、駆動信号はスイッチング素子の閾値電圧以上の電圧信号（オン信号）であり、スイッチング素子をオフ状態に維持する場合、駆動信号はスイッチング素子の閾値電圧以下の電圧信号（オフ信号）となる。
【００４８】
制御回路２０３は、負荷３００に所望の電力が供給されるよう主変換回路２０１のスイッチング素子を制御する。具体的には、制御回路２０３は、負荷３００に供給すべき電力に基づいて主変換回路２０１の各スイッチング素子がオン状態となるべき時間（オン時間）を算出する。例えば、制御回路２０３は、出力すべき電圧に応じてスイッチング素子のオン時間を変調するＰＷＭ（Pulse Width Modulation）制御によって主変換回路２０１を制御することができる。そして、制御回路２０３は、各時点においてオン状態となるべきスイッチング素子にはオン信号を、オフ状態となるべきスイッチング素子にはオフ信号が出力されるよう、駆動回路２０２に制御指令（制御信号）を出力する。駆動回路２０２は、この制御信号に従い、各スイッチング素子の制御電極にオン信号又はオフ信号を駆動信号として出力する。
【００４９】
以上のような本実施の形態９に係る電力変換装置では、主変換回路２０１のスイッチング素子及び還流ダイオードの少なくともいずれか１つとして、実施の形態１〜８に係る半導体装置の半導体チップ２を適用するため、信頼性の向上を実現することができる。
【００５０】
以上で説明した本実施の形態９では、２レベルの三相インバータに、実施の形態１〜８のいずれかに係る半導体装置の半導体チップ２を適用する例を説明したが、本実施の形態９は、これに限られるものではなく、種々の電力変換装置に適用することができる。本実施の形態９では、実施の形態１〜８のいずれかに係る半導体装置は、２レベルの電力変換装置であるとしたが、３レベルやマルチレベルの電力変換装置であっても構わないし、単相負荷に電力を供給する場合には単相のインバータに上記半導体装置を適用しても構わない。また、直流負荷等に電力を供給する場合にはＤＣ／ＤＣコンバータやＡＣ／ＤＣコンバータに上記半導体装置を適用することも可能である。
【００５１】
また、本実施の形態９に係る電力変換装置は、上述した負荷が電動機の場合に限定されるものではなく、例えば、放電加工機やレーザー加工機、又は誘導加熱調理器や非接触器給電システムの電源装置として用いることもでき、さらには太陽光発電システムや蓄電システム等のパワーコンディショナーとして用いることも可能である。
【００５２】
＜実施の形態１０＞
図１０は、本発明の実施の形態１０に係る移動体の構成を示す図である。図１０に示す移動体４００には、実施の形態９に係る電力変換装置２００が搭載され、移動体４００は、電力変換装置２００からの出力を用いて移動可能となっている。このような構成によれば、変換器の小型化及び軽量化によって移動体４００の軽量化が可能となる。この結果、移動体４００の高効率化及び高性能化が期待できる。なおここでは、移動体４００は、鉄道車両であるとして説明したが、これに限ったものではなく、例えば、ハイブリッド自動車、電気自動車、エレベーターなどであってもよい。
【００５３】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。
【００５４】
本発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての態様において、例示であって、本発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、本発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
【符号の説明】
【００５５】
１  容器体、２  半導体チップ、８  蓋、８ａ  内壁、８ｂ  櫛歯部、８ｃ  鉤部、８ｄ，８ｅ  開口部、８ｆ，８ｈ  括れ部、８ｇ  柱、９  封止材、２００  電力変換装置、２０１  主変換回路、２０２  駆動回路、２０３  制御回路、４００  移動体。
【図１】
0006727427.tif 000002
【図２】
0006727427.tif 000003
【図３】
0006727427.tif 000004
【図４】
0006727427.tif 000005
【図５】
0006727427.tif 000006
【図６】
0006727427.tif 000007
【図７】
0006727427.tif 000008
【図８】
0006727427.tif 000009
【図９】
0006727427.tif 000010
【図１０】
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