(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）の化合物：
【化１】
0006789825.tif 000076
式中、以下が、使用される記号と添え字に適用される；
ＥＴＧは、トリアジン、ピリミジン、ピラジン、キナゾリン、ベンズイミダゾール、キノリン、イソキノリンおよびナフチリジンの群から選ばれ、１以上の基Ｒ１により置換されてよく、出現毎に同一であるか異なってよく；
Ｗは、１以上の基Ｒ１により置換されてよく、出現毎に同一であるか異なってよい式（Ｗ−１）により定義され：
【化２】
0006789825.tif 000077
；
式中、
Ｕは、ＮまたはＣＲ１であり、ここで、破線は、基Ｗから環Ｃへの結合を示し；
Ｖは、Ｏであり；
Ｙは、５〜６０個の環原子を有する芳香族または複素環式芳香族環構造であり；
ｎは、０もしくは１の何れかであり、ここで、ｎ＝０は、ＥＴＧと環Ｂとが、単結合により互いに直接結合することを意味し；
ｒは、０または１からの整数であり；
ｓは、０または１からの整数であり；
ＥＴＧに対するＲ１は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ２）２、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｂ（ＯＲ２）２、Ｃ（=Ｏ）Ｒ２、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ２）２、Ｓ（=Ｏ）Ｒ２、Ｓ（=Ｏ）２Ｒ２、ＯＳＯ２Ｒ２、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、２〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルケニルもしくはアルキニル基、３〜４０個のＣ原子を有する分岐あるいは環式アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルキルアルコキシもしくはチオアルコキシ基（夫々、１以上の基Ｒ２により置換されてよく、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ２Ｃ=ＣＲ２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ２）２、Ｇｅ（Ｒ２）２、Ｓｎ（Ｒ２）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓ、Ｃ=Ｓｅ、Ｃ=ＮＲ２、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ２、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ２で置き代えられてよく、ここで、１以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２で置き代えられてよい。）または、各場合に、１以上の基Ｒ２により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、１以上の基Ｒ２により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシ、アリールアルコキシもしくはヘテロアリールオキシ基、１以上の基Ｒ２により置換されてよい１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基または２個以上のこれらの基の組み合わせであり；
Ｗに対するＲ１は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ２）２、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｂ（ＯＲ２）２、Ｃ（=Ｏ）Ｒ２、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ２）２、Ｓ（=Ｏ）Ｒ２、Ｓ（=Ｏ）２Ｒ２、ＯＳＯ２Ｒ２、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、２〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルケニルもしくはアルキニル基、３〜４０個のＣ原子を有する分岐あるいは環式アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルキルアルコキシもしくはチオアルコキシ基（夫々、１以上の基Ｒ２により置換されてよく、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ２Ｃ=ＣＲ２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ２）２、Ｇｅ（Ｒ２）２、Ｓｎ（Ｒ２）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓ、Ｃ=Ｓｅ、Ｃ=ＮＲ２、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ２、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ２で置き代えられてよく、ここで、１以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２で置き代えられてよい。）または、各場合に、１以上の基Ｒ２により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、１以上の基Ｒ２により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシ、アリールアルコキシもしくはヘテロアリールオキシ基、１以上の基Ｒ２により置換されてよい１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基または２個以上のこれらの基の組み合わせであって；ここで、２個以上の隣接する基Ｒ１は、単環式あるいは多環式の脂肪族もしくは芳香族環構造を互いに形成してよく；
Ｒ２は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ３）２、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ３）３、Ｂ（ＯＲ３）２、Ｃ（=Ｏ）Ｒ３、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ３）２、Ｓ（=Ｏ）Ｒ３、Ｓ（=Ｏ）２Ｒ３、ＯＳＯ２Ｒ３、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、２〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルケニルもしくはアルキニル基、３〜４０個のＣ原子を有する分岐あるいは環式アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルキルアルコキシもしくはチオアルコキシ基（夫々、１以上のＲ３基により置換されてよく、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ３Ｃ=ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓ、Ｃ=Ｓｅ、Ｃ=ＮＲ３、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ３で置き代えられてよく、ここで、１以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２で置き代えられてよい。）または、各場合に、１以上の基Ｒ３により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、１以上の基Ｒ３により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシ、アリールアルコキシもしくはヘテロアリールオキシ基、１以上の基Ｒ３により置換されてよい１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基、または２個以上のこれらの基の組み合わせであり；ここで、２個以上の隣接する基Ｒ２は、単環式あるいは多環式の脂肪族もしく芳香族環構造を互いに形成してよく；
Ｒ３は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族、芳香族および/または複素環式芳香族炭化水素基であって、ここで、さらに、１以上のＨ原子は、Ｆで置き代えられてよく；ここで、２個以上の置換基Ｒ３は、単環式あるいは多環式の脂肪族もしく芳香族環構造を互いに形成してもよく；
Ｒ４、Ｒ５は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ２）２、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｂ（ＯＲ２）２、Ｃ（=Ｏ）Ｒ２、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ２）２、Ｓ（=Ｏ）Ｒ２、Ｓ（=Ｏ）２Ｒ２、ＯＳＯ２Ｒ２、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、２〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルケニルもしくはアルキニル基、３〜４０個のＣ原子を有する分岐あるいは環式アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルキルアルコキシもしくはチオアルコキシ基である。
【請求項２】
Ｙは、フェニレンブリッジである請求項１記載の化合物。
【請求項３】
ｎは、０であり、ここで、ｎ＝０は、ＥＴＧと環Ｂとが、単結合により互いに直接結合することを意味する請求項１記載の化合物。
【請求項４】
一般式（２）を有する、請求項１〜３何れか１項記載の化合物：
【化３】
0006789825.tif 000078
式中、
Ｘは、ＮまたはＣＲ１であり、ここで、環Ａ中の５個の基Ｘの少なくとも２個は、Ｎ原子である。
【請求項５】
環Ａ中の５個の基Ｘの３個は、Ｎ原子である請求項４記載の化合物。
【請求項６】
化合物が、以下の式を有することを特徴とする、請求項４または５項記載の化合物。
【化４】
0006789825.tif 000079
【請求項７】
化合物が、一般式（６）を有することを特徴とする、請求項４または５項記載の化合物。
【化５】
0006789825.tif 000080
【請求項８】
化合物が、一般式（７）を有することを特徴とする、請求項１〜７何れか１項記載の化合物。
【化６】
0006789825.tif 000081
【請求項９】
基Ｗが、式（Ｗ−２）の基であることを特徴とする、請求項１〜８何れか１項記載の化合物。
【化７】
0006789825.tif 000082
【請求項１０】
請求項１〜９何れか１項記載の少なくとも１つの化合物と、蛍光エミッター、燐光エミッター、ホスト材料、マトリックス材料、電子輸送材料、電子注入材料、正孔伝導材料、正孔注入材料、電子ブロック材料および正孔ブロック材料より成る群から選ばれる少なくとも一つのさらなる化合物を含む組成物。
【請求項１１】
追加的な化合物が、ホスト材料またはマトリックス材料であることを特徴とする、請求項１０記載の組成物。
【請求項１２】
追加的な化合物が、２．５ｅＶ以上のバンドギャップを有することを特徴とする、請求項１０または１１記載の組成物。
【請求項１３】
追加的な化合物が、３．５ｅＶ以上のバンドギャップを有することを特徴とする、請求項１０または１１記載の組成物。
【請求項１４】
請求項１〜９何れか１項記載の少なくとも１つの化合物または請求項１０〜１３何れか１項記載の少なくとも１つの組成物と少なくとも１つの溶媒とを含む調合物。
【請求項１５】
請求項１〜９何れか１項記載の少なくとも１つの化合物または請求項１０〜１３何れか１項記載の少なくとも１つの組成物の、電子素子での使用。
【請求項１６】
請求項１〜９何れか１項記載の少なくとも１つの化合物または請求項１０〜１３何れか１項記載の少なくとも１つの組成物を含む電子素子。
【請求項１７】
有機集積回路（Ｏ-ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ-ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ-ＴＦＴ）、有機エレクトロルミッセンス素子、有機太陽電池（Ｏ-ＳＣ）、有機光学検査素子、有機光受容体から選ばれることを特徴とする、請求項１６記載の電子素子。
【請求項１８】
有機エレクトロルミッセンス素子であり、それが、また、有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ）、有機電場消光素子（ＯＦＱＤ）、有機発光電子化学電池（ＯＬＥＣ、ＬＥＥＣ、ＬＥＣ）、有機レーザーダイオード（Ｏ-ｌａｓｅｒ）および有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）から選ばれることを特徴とする、請求項１６または１７記載の電子素子。
【請求項１９】
少なくとも１つの有機層が、気相堆積によりまたは溶液から適用されることを特徴とする、請求項１６〜１８何れか１項記載の電子素子の製造方法。
【請求項２０】
光治療のための医療用途に使用するための、請求項１８記載の電子素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子伝導および正孔伝導基の特定の配列を有する環式化合物、その電子素子での使用とその製造法と電子素子に関する。
【０００２】
有機半導体が機能性材料として用いられる有機エレクトロルミネセンス素子（たとえば、ＯＬＥＤ−有機発光ダイオードまたはＯＬＥＣ−有機発光電子化学電池）の構造は、たとえば、US 4539507、US 5151629、EP0676461およびWO98/27136に記載されている。ここで用いられる発光材料は、蛍光発光に加えて、燐光発光を示す有機金属錯体とますますなっている(M. A. Baldo et al., Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 4-6)。量子力学的理由により、４倍までのエネルギーとパワー効率の増加が、燐光発光エミッターとして有機金属化合物を使用して可能である。一般的に、一重項発光を示すＯＬＥＤの場合と三重項発光を示すＯＬＥＤの場合の両方において、特に、効率、駆動電圧および寿命に関して、改善に対する必要性が未だ存在する。これは、特に、比較的より短い波長領域で、すなわち、緑色および特に、青色で発光するＯＬＥＤにあてはまる。
【０００３】
有機エレクトロルミッセンス素子の特性は、用いられるエミッターによってのみ決定されるのではない。特に、ホストおよびマトリックス材料、正孔ブロック材料、電子輸送材料、正孔輸送材料および電子もしくは励起子ブロック材料等の使用されるその他の材料が、また、ここで特に重要である。これら材料における改善は、また、エレクトロルミッセンス素子に顕著な改善をもたらし得る。
【０００４】
先行技術にしたがうと、特に、ケトン（たとえば、2004/093207もしくはWO 2010/006680にしたがうもの）もしくはホスフィンオキシド（たとえば、WO 2005/003253にしたがうもの）が燐光エミッターのためのマトリックス材料として使用される。先行技術にしたがうさらなるマトリックス材料は、トリアジンである（たとえば、WO 2008/056746、EP 0906947、EP 0908787、EP 0906948）。
【０００５】
先行技術にしたがって、蛍光ＯＬＥＤのために、特に、縮合芳香族化合物、特に、アントラセン誘導体、特に、たとえば、9,10-ビス(2-ナフチル)アントラセン（US 5935721）が、青色発光エレクトロルミッセンス素子のためのホスト材料として使用される。WO 03/095445およびCN 1362464は、ＯＬＥＤでの使用のための9,10-ビス(1-ナフチル)アントラセン誘導体を開示する。さらなるアントラセン誘導体は、WO 01/076323、WO 01/021729、WO 2004/013073、WO 2004/018588、WO 2003/087023、もしくはWO 2004/018587に開示されている。アリール置換ピレンおよびクリセン系ホスト材料は、WO 2004/016575に開示されている。ベンズアントラセン誘導体系ホスト材料は、WO 2008/145239に開示されている。入手可能な改善されたホスト材料を有することが高品質用途のために望ましい。
【０００６】
先行技術は、たとえば、WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527もしくはWO 2008/086851において電子素子での一以上のカルバゾール基を含む化合物の使用を開示している。
【０００７】
先行技術は、さらに、たとえば、WO 2010/136109およびWO 2011/000455において電子素子での一以上のインデノカルバゾール基を含む化合物の使用を開示している。
【０００８】
先行技術は、さらに、たとえば、WO 2010/015306、WO 2007/063754およびWO 2008/056746において電子素子での一以上の電子不足複素環式芳香族６員環を含む化合物の使用を開示している。
【０００９】
WO 2009/069442は、電子不足複素環式芳香族基（たとえば、ピリジン、ピリミジンもしくはトリアジン）により高度に置換されたカルバゾール、ジベンゾフランもしくはジベンゾチオフェン等の３環式化合物を開示する。３環式化合物は、正孔伝導基、すなわち、電子リッチ基により置換されていない。
【００１０】
JP 2009-21336は、カルバゾールにより2位で置換され、トリアジンにより8位で置換された置換ジベンゾフランを開示している。
【００１１】
WO 2011/057706は、マトリックス材料として、その幾つかが置換されたジベンゾチオフェンおよびジベンゾフランを開示し、ここで、化合物は、電子伝導基により、また正孔伝導基により特定の方法で置換されている。
【００１２】
しかしながら、これらの材料の使用に関して、他の材料の場合と同様に、特に、素子の効率と寿命に関して、改善の必要性が未だ存在する。
【００１３】
したがって、本発明の目的は、蛍光もしくは燐光ＯＬＥＤでの、たとえば、ホスト材料および/またはマトリックス材料として、または正孔輸送／電子ブロック材料もしくは励起子ブロック材料として、または電子輸送もしくは正孔ブロック材料としての使用に適しており、ＯＬＥＤで使用されると、良好な素子特性をもたらす化合物を提供することと、対応する電子素子を提供することである。
【００１４】
驚くべきことに、以下により詳細に説明されるある種の化合物が、これらの目的を達成し、特に、寿命、効率と駆動電圧に関して、有機エレクトロルミネッセンス素子の良好な特性をもたらすことが見出された。したがって、本発明は、このタイプの化合物を含む電子素子、特に、有機エレクトロルミッセンス素子と対応する好ましい化合物に関する。驚くべき効果が、以下に示された式の化合物において、電子伝導基と正孔伝導基の特定の配列により達成される。
【００１５】
本発明による化合物は、さらに、高真空下で分解することなく蒸発することを可能とする高い温度安定性により特徴付けられる。この特性は、有機エレクトロルミッセンス素子等の有機電子素子の再生産可能な製造の基本的前提であり、特に、駆動寿命に積極的効果を有する。
【００１６】
本発明による化合物は、また、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有し、電子素子製造時の化合物の加工性の点で有利である。化合物の高いガラス転移温度は、また、薄い無定形の有機層での化合物の使用をも可能とする。
【００１７】
さらに、本発明による化合物は、励起状態での電価キャリアーの安定化を可能とし、燐光素子の重要な前提である、十分に高い三重項エネルギーを有する。さらに、本発明による化合物は、先行技術からの化合物と比べて、ＯＬＥＤでの改善された特性を示す。
【００１８】
本発明による化合物は、また、先行技術からの化合物と比べて、溶液中での改善されたレドックス安定性により特徴付けられる。これは、化合物の精製を単純化し、その取り扱いを単純化し、印刷プロセスによる溶液からの有機電子素子の製造のために調製される溶液中でのその貯蔵安定性を改善する。
【００１９】
最後に、本発明による化合物は、化合物を溶液から加工することをも可能とする極めて良好な溶解性により特徴付けられる。このように、有機電子素子の安価な製造が実現される。したがって、本発明による化合物は、また、有機電子素子の大量生産のために適している。
【００２０】
したがって、本発明は、一般式（１）の化合物に関し、
【００２１】
【化１】
0006789825.tif 000002
【００２２】
式中、以下が、使用される記号と添え字に適用される；
ＥＴＧは、電子不足複素環式芳香族基の群からの有機電子輸送基（ＥＴＧ）であり、ここで、ＥＴＧは、好ましくは、５〜６０個の芳香族環原子を有するヘテロアリール基であり、ここで、非常に好ましいヘテロ原子は、N-原子であり、および非常に特に好ましいＥＴＧは、トリアジン、ピリミジン、ピラジン、ピリジン、キナゾリン、ベンズイミダゾール、キノリン、イソキノリンおよびナフチリジンの群から選ばれ、特別に好ましいＥＴＧは、トリアジン、ピリミジン、ピラジンおよびピリジンの群から選ばれ、ＥＴＧは、１以上の基Ｒ１により置換されてよく、出現毎に同一であるか異なってよく；
Ｗは、正孔を伝導する電子リッチ有機基であり、ここで、Ｗは、好ましくは、アリールアミン、トリアリールアミン、架橋アミンの群から選ばれ、ここで、好ましい架橋アミンは、ジヒドロアクリジン、ジヒドロフェナジン、フェノキサジンとフェノチアジン、カルバゾール、架橋カルバゾール、ビスカルバゾール、ベンゾカルバゾール、インデノカルバゾールおよびインドロカルバゾールであり；Ｗは、１以上の基Ｒ１により置換されてよく、出現毎に同一であるか異なってよく；
Ｖは、ＯまたはＳであり、好ましくは、Ｏであり；
Ｙは、２価ブリッジであり、Ｙは、好ましくは、５〜６０個の環原子を有する芳香族または複素環式芳香族環構造であり；２価のブリッジＹは、非常に好ましくは、５〜３０個の環原子、特に好ましくは、５〜１８個の環原子、非常に好ましくは、５〜１２個の環原子、特別に好ましくは、５〜１０個の芳香族環原子を有し、より好ましくは、ブリッジは、丁度６個の環原子を有し、最も好ましくは、ブリッジは、フェニレンブリッジであり；
ｎは、０もしくは１の何れかであり、好ましくは、０であり、ここで、ｎ＝０は、ＥＴＧと環Ｂとが、単結合により互いに直接結合することを意味し；
ｒは、０、１、２または３、好ましくは、０または１、非常に好ましくは、０からの整数であり；
ｓは、０、１、２または３、好ましくは、０または１、非常に好ましくは、０からの整数であり；
Ｒ１は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ２）２、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｂ（ＯＲ２）２、Ｃ（=Ｏ）Ｒ２、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ２）２、Ｓ（=Ｏ）Ｒ２、Ｓ（=Ｏ）２Ｒ２、ＯＳＯ２Ｒ２、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、２〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルケニルもしくはアルキニル基、３〜４０個のＣ原子を有する分岐あるいは環式アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルキルアルコキシもしくはチオアルコキシ基（夫々、１以上の基Ｒ２により置換されてよく、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ２Ｃ=ＣＲ２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ２）２、Ｇｅ（Ｒ２）２、Ｓｎ（Ｒ２）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓ、Ｃ=Ｓｅ、Ｃ=ＮＲ２、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ２、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ２で置き代えられてよく、ここで、１以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２で置き代えられてよい。）または、各場合に、１以上の基Ｒ２により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、１以上の基Ｒ２により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシ、アリールアルコキシもしくはヘテロアリールオキシ基、１以上の基Ｒ２により置換されてよい１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基または２個以上のこれらの基の組み合わせ、または架橋可能基Ｑであって；ここで、２個以上の隣接する基Ｒ１は、単環式あるいは多環式の脂肪族もしくは芳香族環構造を互いに形成してよく；
Ｒ２は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ３）２、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ３）３、Ｂ（ＯＲ３）２、Ｃ（=Ｏ）Ｒ３、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ３）２、Ｓ（=Ｏ）Ｒ３、Ｓ（=Ｏ）２Ｒ３、ＯＳＯ２Ｒ３、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、２〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルケニルもしくはアルキニル基、３〜４０個のＣ原子を有する分岐あるいは環式アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルキルアルコキシもしくはチオアルコキシ基（夫々、１以上のＲ３基により置換されてよく、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ３Ｃ=ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓ、Ｃ=Ｓｅ、Ｃ=ＮＲ３、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ３で置き代えられてよく、ここで、１以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２で置き代えられてよい。）または、各場合に、１以上の基Ｒ３により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、１以上の基Ｒ３により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシ、アリールアルコキシもしくはヘテロアリールオキシ基、１以上の基Ｒ３により置換されてよい１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基、または２個以上のこれらの基の組み合わせであり；ここで、２個以上の隣接する基Ｒ２は、単環式あるいは多環式の脂肪族もしく芳香族環構造を互いに形成してよく；
Ｒ３は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族、芳香族および/または複素環式芳香族炭化水素基であって、ここで、さらに、１以上のＨ原子は、Ｆで置き代えられてよく；ここで、２個以上の置換基Ｒ３は、単環式あるいは多環式の脂肪族もしく芳香族環構造を互いに形成してもよく；
Ｒ４、Ｒ５は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ２）２、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｂ（ＯＲ２）２、Ｃ（=Ｏ）Ｒ２、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ２）２、Ｓ（=Ｏ）Ｒ２、Ｓ（=Ｏ）２Ｒ２、ＯＳＯ２Ｒ２、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、２〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルケニルもしくはアルキニル基、３〜４０個のＣ原子を有する分岐あるいは環式アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルキルアルコキシもしくはチオアルコキシ基である。
【００２３】
本発明のさらに好ましい１態様では、式（１）の化合物中のＶは、Ｓである。
【００２４】
ここで、ＥＴＧとして好ましい電子不足複素環式芳香族基は、以下の基から選ばれ、
【００２５】
【化２】
0006789825.tif 000003
【００２６】
式中、破線の結合は、結合位置の印であり、Ｒ１は上記定義されるとおりであり、および
Ｑ'は、出現毎に同一であるか異なり、ＣＲ１またはＮであり；および
Ｑ"は、ＮＲ１、ＯまたはＳであり；
ここで、少なくとも１つのＱ'は、Ｎであり、および/または少なくとも１つのＱ"は、ＮＲ１である。
【００２７】
ＥＴＧとして好ましい電子不足複素環式芳香族基は、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、1,2,4-トリアジン、1,3,5-トリアジン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、ピラゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、チアゾール、ベンゾチアゾール、オキサゾールまたはベンズオキサゾールであり、それぞれ、Ｒ１で置換されてよい。さらにより好ましくは、電子輸送基は、一以上の基Ｒ１で置換されたピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジンまたは1,3,5-トリアジンである。
【００２８】
電子輸送基を含む式（１）の化合物は、好ましくは、−１．３ｅＶより低い、非常に好ましくは、−２．５ｅＶより低い、非常に特に好ましくは、−２．７ｅＶより低い、ＬＵＭＯ（最低非占分子軌道）エネルギーを有する。
【００２９】
材料のＨＯＭＯ（最高占有分子軌道）およびＬＵＭＯ（最低非占分子軌道）エネルギー準位と最低三重項状態のエネルギーＴ１もしくは最低励起一重項状態のエネルギーＳ１とを、量子化学計算によって決定することができる。ここで、このために「Ｇａｕｓｓｉａｎ０９Ｗ」（Ｇａｕｓｓｉａｎ  Ｉｎｃ．）ソフトウェアパッケージが使用される。有機物質の計算のために、「基底状態／準実験的／デフォルトスピン／ＡＭ１／電荷０／一重項スピン」法を使用して、最初に幾何学的な最適化を実施する。続いて幾何学的な最適化を基にしてエネルギー計算を実施する。ここで、「６−３１Ｇ（ｄ）」ベースセットと共に「ＴＤ−ＳＣＦ／ＤＦＴ／デフォルトスピン／Ｂ３ＰＷ９１」法が使用される（電荷０／一重項スピン）。エネルギー計算は、ＨＯＭＯエネルギー準位ＨＥｈもしくはＬＵＭＯエネルギー準位ＬＥｈを、ハートリー単位で与える。サイクリックボルタンメトリ測定を参照して較正される電子ボルトにおけるＨＯＭＯとＬＵＭＯエネルギー準位は、以下のとおりに、そこから決定される。
【００３０】
ＨＯＭＯ（ｅＶ）＝（（ＨＥｈ＊２７．２１２）−０．９８９９）／１．１２０６
ＬＵＭＯ（ｅＶ）＝（（ＬＥｈ＊２７．２１２）−２．００４１）／１．３８５
これらの値は、本願の目的のために、材料のＨＯＭＯおよびＬＵＭＯエネルギー準位としてみなすべきである。
【００３１】
最低三重項準位Ｔ１を、上記量子化学計算から明らかな、最低エネルギーを有する三重項状態のエネルギーとして定義する。
【００３２】
最低励起一重項準位Ｓ１を、上記量子化学計算から明らかな、最低エネルギーを有する励起一重項状態のエネルギーとして定義する。
【００３３】
さらに好ましくは、式（１）の化合物は、１０−６ｃｍ２／（Ｖｓ）以上、非常に好ましくは、１０−５ｃｍ２／（Ｖｓ）以上、非常に特に好ましくは、１０−４ｃｍ２／（Ｖｓ）以上の電子移動度μ−を有する。
【００３４】
式（１）の化合物において、ＬＵＭＯは、好ましくは、電子輸送基上で局在化され、０．９の滞在確率が軌道に対して仮定される。ＬＵＭＯは、非常に好ましくは、電子輸送基上で８０％より多く局在化され、より好ましくは、ＬＵＭＯは、基Ｗ（たとえば、カルバゾール基）上で全く局在化されない。本発明による化合物のＨＯＭＯとＬＵＭＯが、全く重複しない場合が、特別に好ましい。当業者は、軌道の重複を決定することに全く問題を有さない。
【００３５】
ある電子遷移（電荷−移動状態）に関与する分子軌道の重複は、パラメーターΛを使用して説明される。パラメーターΛの意味は、当業者によく知られている。先行技術で説明されている方法によるパラメーターの決定は、当業者にはまったく問題を与えない。本発明の目的のために、パラメーターΛは、D. J. Tozer et al. (J. Chem. Phys. 128, 044118 (2008))によれば、たとえば、Q-Chem, Inc.製のQ-Chem 4.1ソフトウエアパッケージで実施されている、ＰＢＨＴ法を使用して決定される。ここでは分子軌道は前述した方法によって計算される。占有分子軌道ψｉと非占有（バーチャル）分子軌道ψａとのすべての可能な対についての空間的重複を、引き続いて、以下の式から決定する：
【００３６】
【数１】
0006789825.tif 000004
【００３７】
ここで、軌道の係数が、計算のために使用される。
【００３８】
パラメーターΛは、次いで、次式にしたがい、占有および非占有分子軌道のすべての対ｉａにおける加重和から得られる
【００３９】
【数２】
0006789825.tif 000005
【００４０】
ここでは、値κｉａは、Tozer et al.の方法によって、分解されたＴＤ（時間依存）固有値式の励起ベクトルにおける軌道係数から決定され、ここでは、０≦Λ≦１である。
【００４１】
好ましい１態様では、本発明は、ある電子遷移（電荷−移動状態）に関与する分子軌道Λの小さな空間的重複を有する一般式（１）の化合物に関する。
【００４２】
本出願においては、分子軌道の小さな重複は、パラメーターΛの値が、０．３以下、好ましくは、０．２以下、非常に好ましくは、０．１５以下、非常に特に好ましくは、０．１以下、特別好ましくは、０．０５以下である。
【００４３】
正孔輸送基Ｗを含む式（１）の化合物は、使用されるアノードの電子仕事関数（Φａｎｏｄｅ）プラス＋１．５Ｖ以下すなわち、
【００４４】
【数３】
0006789825.tif 000006
【００４５】
の範囲であるＨＯＭＯエネルギー（ＨＯＭＯｗ）を、好ましくは、有する。
【００４６】
使用されるアノードが、−０．５ｅＶの電子仕事関数を有する場合には、式（１）の化合物のＨＯＭＯエネルギーは、−３．５ｅＶ以下である（すなわち、−３．５ｅＶより負である）。式（１）の化合物は、非常に好ましくは、アノードの電子仕事関数と同じか、またはより低い、非常に特に好ましくは、より低いＨＯＭＯエネルギーを有する。
【００４７】
さらに好ましくは、式（１）の化合物は、好ましくは、１０−６ｃｍ２／（Ｖｓ）以上、非常に好ましくは、１０−５ｃｍ２／（Ｖｓ）以上、非常に特に好ましくは、１０−４ｃｍ２／（Ｖｓ）以上の正孔移動度μ＋により特徴付けられる。
【００４８】
電子および正孔移動度の測定は、当業者により、標準的な方法によって、実施される。
【００４９】
式（１）の化合物において、ＨＯＭＯは、正孔輸送基上で局在化される。ここで、ＨＯＭＯは、正孔伝導基上で８０％以上局在化されるか、または、電子不足電子輸送基上で局在化されないことを実質的に意味し、ここで、０．９の滞在確率が軌道に対して仮定される。
【００５０】
本発明の目的のために、好ましいのは、一般式（２）の化合物であり：
【００５１】
【化３】
0006789825.tif 000007
【００５２】
式中、使用される記号と添え字には上記定義が適用され、さらに、
Ｘは、ＮまたはＣＲ１であり、ここで、環Ａ中の５個の基Ｘの少なくとも１つは、Ｎ原子であり、好ましくは、環Ａ中の５個の基Ｘの２個は、Ｎ原子であり、非常に好ましくは、環Ａ中の５個の基Ｘの３個は、Ｎ原子であり、；環Ａは、非常に特に好ましくは、トリアジン、特別に好ましくは、1,3,5-トリアジンであり；
Ｗは、式（Ｗ−１）の基であり、
【００５３】
【化４】
0006789825.tif 000008
【００５４】
式中、
Ｕは、ＮまたはＣＲ１、好ましくは、ＣＲ１であり、ここで、破線は、式（２）において、基Ｗから環Ｃへの結合である。
【００５５】
好ましい１態様では、基Ｕ＝ＣＲ１の２個以上の隣接する基Ｒ１は、単環式あるいは多環式の脂肪族もしく芳香族環構造を互いに形成してよい。
【００５６】
さらに好ましい１態様では、基Ｕ＝ＣＲ１の２個以上の隣接する基Ｒ１は、単環式あるいは多環式の脂肪族もしく芳香族環構造を互いに形成することができない。
【００５７】
基Ｕ＝ＣＲ１からの少なくとも一つの基Ｒ１が、Ｈではないことがさらに好ましい。
【００５８】
本発明の目的のために、基Ｕ＝ＣＲ１としてのＲ１が、Ｈまたは、各場合に、１以上の基Ｒ２により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造である場合が非常に好ましく、ここで、基Ｕ＝ＣＲ１からの少なくとも一つのＲ１が、Ｈではない場合が特に好ましい。
【００５９】
Ｒ１が、各場合に、Ｈまたは、各場合に、１以上の基Ｒ２により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造である場合が非常に好ましく、ここで、Ｒ１の少なくとも一つが、Ｈではない場合が特に好ましい。
【００６０】
化合物が、一般式（１）を有し、ｒが０または１の何れかであり、ｓが０または１の何れかである場合が好ましい。好ましくは、ｒだけまたはｓだけの何れかが１であり、各他のパラメータが、０であり、非常に好ましくは、ｒとｓの両者が０である。
【００６１】
本発明のさらに好ましい１態様では、ｎは、常に１であり、その結果、２価のブリッジが、環Ａと環Ｂとの間に常に存在する。
【００６２】
化合物が、一般式（４）を有する場合がさらに好ましく、ここで、使用される記号と添え字には上記定義が適用され、本発明のどこかで好ましいと言及された態様は、また、式（４）の好ましい態様であり、
【００６３】
【化５】
0006789825.tif 000009
【００６４】
式中、使用される記号と添え字には上記定義が適用され、ここで、ｒは、０または１の何れかであり、ｓが０または１の何れかである。
【００６５】
ｒ＋ｓ＝１である場合がさらに好ましい。
【００６６】
化合物が、一般式（６）を有する場合が、また好ましく、ここで、使用される記号と添え字には上記定義が適用され、本発明のどこかで好ましいと言及された態様は、また、式（６）の好ましい態様である。
【００６７】
【化６】
0006789825.tif 000010
【００６８】
化合物が、一般式（７）を有する場合が、より好ましく、ここで、使用される記号と添え字には上記定義が適用され、本発明のどこかで好ましいと言及された態様は、また、式（７）の好ましい態様である。
【００６９】
【化７】
0006789825.tif 000011
【００７０】
基Ｗが、カルバゾール、インデノカルバゾールまたはインドロカルバゾールである場合が好ましく、ここで、基は、ここで開示されたとおりに置換されてよい。
本発明の好ましい１態様では、基Ｗは、カルバゾールであり、出現毎に同一であるか異なってよい１以上の基Ｒ１により置換されてよく、ここで、隣接する基Ｒ１は、互いに閉環を形成することはできない。
基Ｗが、インデノカルバゾールであり、出現毎に同一であるか異なってよい１以上の基Ｒ１もしくはＲ２により置換されてよい場合が、非常に好ましい。
【００７１】
基Ｗが、インドロカルバゾールであり、出現毎に同一であるか異なってよい１以上の基Ｒ１もしくはＲ２により置換されてよい場合が、非常に好ましい。
【００７２】
以下の式（Ｗ−２）の基Ｗが、特に好ましく、
【００７３】
【化８】
0006789825.tif 000012
【００７４】
非常に特に好ましいのは、式（Ｗ−３）の基Ｗであり、
【００７５】
【化９】
0006789825.tif 000013
【００７６】
特別に特に好ましいのは、式（Ｗ−４）の基Ｗである。
【００７７】
【化１０】
0006789825.tif 000014
【００７８】
基Ｗが式（Ｗ−４）を有し、そこで出現する基Ｒ１が、水素ではない場合がより好ましく、ここで、式（Ｗ−４）中のＲ１が、各場合に、１以上の基Ｒ２により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造である場合がより好ましい。
【００７９】
本発明の別の非常に好ましい１態様では、基Ｗが式（Ｗ−４）を有し、Ｒ１が、また、水素である。
【００８０】
基Ｗが、式（Ｗ−５）の基である場合が、特に好ましく：
【００８１】
【化１１】
0006789825.tif 000015
【００８２】
式中、使用される添え字と記号は、上記定義が適用され、およびさらに、
Ｔｐ、Ｔｑは、出現毎に同一であるか異なり、２価のブリッジであり；ＴｐとＴｑは、好ましくは、Ｎ（Ｒ２）２、Ｂ（Ｒ２）２、Ｏ、Ｃ（Ｒ２）２、Ｓｉ（Ｒ２）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=ＮＲ２、Ｃ=Ｃ（Ｒ２）２、Ｓ、Ｓ=Ｏ、ＳＯ２、Ｐ（Ｒ２）２およびＰ（=Ｏ）（Ｒ２）２であり；ここで、Ｎ（Ｒ２）２、Ｏ、Ｃ（Ｒ２）２およびＳが、非常に好ましく、Ｎ（Ｒ２）２およびＣ（Ｒ２）２が、特別に好ましく、
Ｕ’は、出現毎に同一であるか異なり、ＣＲ２またはＮ、好ましくは、ＣＲ２であり：
ｐは、０または１であり、ここで、ｐ＝０は、環Ｅと環Ｄとが単結合により結合することを意味し；
ｑは、０または１であり、ここで、ｑ＝０は、環Ｅと環Ｄとが単結合により結合することを意味し；
および、ｐ＋ｑ＝１または２であり、好ましくは、１であり、
ここで、ＴｐとＴｑは、任意の可能な配向で、環Ｄの隣接基Ｕに夫々結合し、さらに、ＴｐまたはＴｑに結合する各基Ｕは、炭素原子である。
【００８３】
非常に特に好ましい基Ｗは、式（Ｗ−６）〜（Ｗ−８）の以下の基から選ばれ、ここで、式（Ｗ−７）の基が、特別に好ましい。
【００８４】
【化１２】
0006789825.tif 000016
【００８５】
特別に好ましい基Ｗは、式（Ｗ−９）〜（Ｗ−１４）の基である。
【００８６】
【化１３】
0006789825.tif 000017
【００８７】
本発明の好ましい１態様では、基Ｗは、インデノカルバゾールであり、非常に好ましくは、以下の式（Ｗ−１５）〜（Ｗ−２０）の一つを有し、
【００８８】
【化１４】
0006789825.tif 000018
【００８９】
式中、式（Ｗ−１７）、（Ｗ−１８）、（Ｗ−１９）、（Ｗ−１５）および（Ｗ−１６）のインデノカルバゾールが、非常に特に好ましい。特別に好ましいのは、式（Ｗ−１７）、（Ｗ−１８）および（Ｗ−１９）のインデノカルバゾールであり、より好ましくは、式（Ｗ−１７）および（Ｗ−１８）のインデノカルバゾールであり、最も好ましいのは、式（Ｗ−１７）のインデノカルバゾールである。
【００９０】
本発明のさらに好ましい１態様では、基Ｗは、インドロカルバゾールであり、非常に好ましくは、以下の式（Ｗ−２１）〜（Ｗ−２５）の一つを有し、
【００９１】
【化１５】
0006789825.tif 000019
【００９２】
式中、式（Ｗ−２１）、（Ｗ−２３）および（Ｗ−２６）のインドロカルバゾールが、非常に特に好ましい。特別に好ましいインドロカルバゾールは、式（Ｗ−２１）および（Ｗ−２３）のものであり、式（Ｗ−２１）のものが最も好ましい。
【００９３】
本発明の目的のために、式（Ｗ−１）と（Ｗ−５）〜（Ｗ−２６）の基中のＵが、常にＣＲ１である場合が、非常に好ましく、ここで、基Ｕ＝ＣＲ１に属する基Ｒ１が常にＨである場合が特に好ましい。
【００９４】
本発明の目的のために、式（Ｗ−５）〜（Ｗ−２６）の基中のＵ’が、常にＣＲ２である場合が非常に好ましく、ここで、基Ｕ’＝ＣＲ２に属する基Ｒ２が常にＨである場合が特に好ましい。
【００９５】
式（Ｗ−５）〜（Ｗ−２６）の基において、Ｕが、ＣＲ１であり、Ｕ’がＣＲ２である場合が特に好ましく、基Ｕ＝ＣＲ１に属する基Ｒ１と、基Ｕ’＝ＣＲ２に属する基Ｒ２は、非常に特に好ましくは、Ｈである。
【００９６】
さらに好ましい１態様では、本発明は、式（１）の化合物に関し、ここで、Ｗは、式（Ｗ−２７）で示されるとおりに定義され、
【００９７】
【化１６】
0006789825.tif 000020
【００９８】
式中、使用される記号と添え字には上記定義が適用され、本発明のどこかで好ましいと言及された態様は、また、式（Ｗ−２７）の好ましい態様である。
【００９９】
既に説明したとおり、式（２）の化合物の環Ａの基Ｘは、ＮまたはＣＲ１であることができ、ここで、環Ａ中の５個の基Ｘの少なくとも１個は、Ｎ原子であり、好ましくは、環Ａ中の５個の基Ｘの２個は、Ｎであり、非常に好ましくは、環Ａ中の５個の基Ｘの３個は、Ｎである。
【０１００】
式（Ａ−１）の式（２）中の環Ａに対する好ましい基
【０１０１】
【化１７】
0006789825.tif 000021
【０１０２】
は、以下の式（Ａ−２）〜（Ａ−１３）の基であり、ここで、破線は、式（２）中の環ＡとＹとの間の結合を示すか、またはｎ＝０の場合は、式（２）中の環Ａと環Ｂとの間の結合を示し、
【０１０３】
【化１８】
0006789825.tif 000022
【０１０４】
式中、使用される記号と添え字には、上記定義と好ましい態様が適用される。
【０１０５】
ここで、特に好ましいのは、式（Ａ−２）の基である。
【０１０６】
式（２）中の環Ａに対するさらに好ましい基は、式（Ａ−１４）の以下の基である。
【０１０７】
【化１９】
0006789825.tif 000023
【０１０８】
式（Ａ−１）の式（２）中の環Ａに対する非常に好ましい基は、式（Ａ−２）〜（Ａ−１１）の基であり、ここで、Ｒ１は、Ａｒ１であり、Ａｒ１は、出現毎に同一であるか異なり、各場合に、１以上の基Ｒ２により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造であり、Ａｒ１は、好ましくは、出現毎に同一であるか異なり、各場合に、１以上の基Ｒ２により置換されてよいフェニル、ビフェニル、テルフェニル、クアテルフェニル、ジベンゾフラニル、ジベンゾチオフェニル、フルオレニル、スピロビフルオレニル、ピリジルまたはピリミジル基である。Ａｒ１は、非常に好ましくは、出現毎に同一であるか異なり、各場合に、１以上の基Ｒ２により置換されてよいフェニル、ビフェニル、テルフェニルまたはクアテルフェニル基である。特に好ましいのは、各場合に、１以上の基Ｒ２により置換されてよいフェニル基であり、フェニル基は置換されていない形態である場合が、特別に好ましい。
【０１０９】
ここで、非常に特に好ましいのは、Ｒ１がＡｒ１である、式（Ａ−２）の基である。
【０１１０】
式（２）中の環Ａに対するさらに非常に好ましい基は、Ｒ１がＡｒ１である、式（Ａ−１４）の基である。
【０１１１】
特に好ましい基Ａｒ１は、また、式（Ａｒ−１）〜（Ａｒ−２４）を有する以下の基であり、ここで、基は、出現毎に同一であるか異なってよい１以上の基Ｒ２により置換されてよい。
【０１１２】
非常に特に好ましい基Ａｒ１は、また、式（Ａｒ−１）〜（Ａｒ−９）の基である。
【０１１３】
【化２０−１】
0006789825.tif 000024
【０１１４】
【化２０−２】
0006789825.tif 000025
【０１１５】
二個以上の基が、互いに環を形成してもよいという表現は、本出願の目的のためには、特に、２個の基が化学結合により互いに結合する意味で使用されることを意図されている。これは、以下のスキームにより図解される。
【０１１６】
【化２１】
0006789825.tif 000026
【０１１７】
しかしながら、さらに、上記言及した表現は、２個の基の１つが水素である場合には、第二の基は、水素原子が結合した位置で結合して環を形成する意味で使用されることを意図されている。これは、以下のスキームにより図解される。
【０１１８】
【化２２】
0006789825.tif 000027
【０１１９】
以下が、本出願の意味での化学基の一般的定義である。
【０１２０】
アリール基は、本発明の意味では、６〜６０個の芳香族環原子を含有し、ヘテロアリール基は、本発明の意味では、５〜６０個の芳香族環原子を含み、その中の少なくとも１つはヘテロ原子である。ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、ＯおよびＳから選択される。これが基本的な定義である。他の選好が、たとえば、芳香族環原子もしくはヘテロ原子の数に関して、本発明の説明で示される場合には、これらが、適用される。
【０１２１】
ここで、アリール基またはヘテロアリール基は、簡単な芳香族環、すなわち、ベンゼン、または簡単な複素環式芳香族環、たとえば、ピリジン、ピリミジン、チオフェン、または縮合（縮合環化）芳香族もしくは複素環式芳香族多環、たとえば、ナフタレン、フェナントレン、キノリンもしくはカルバゾール等のいずれかの意味で使用される。縮合（縮合環化）芳香族もしくは複素環式芳香族多環は、本願の意味では、互いに縮合した２個以上の簡単な芳香族もしくは複素環式芳香族環から成る。
【０１２２】
本発明の意味で、電子不足ヘテロアリール基は、少なくとも２つのヘテロ原子を含む５員ヘテロアリール環基、たとえば、イミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール等、または少なくとも１つのヘテロ原子を含む６員ヘテロアリール環基、たとえば、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン等と定義される。さらなる６員アリールもしくは６員ヘテロアリール基がこれらの基に縮合してもよく、たとえば、ベンズイミダゾール、キノリンもしくはフェナントロリンがその場合である。
【０１２３】
アリールもしくはヘテロアリール基は、各場合に上記言及した基により置換されていてもよく、任意の所望の位置を介して、芳香族または複素環式芳香族構造に連結していてもよいが、特に、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、ジヒドロピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ベンズアントラセン、ベンゾフェナントレン、テトラセン、ペンタセン、ベンゾピレン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナンスリジン、ベンゾ-5,6-キノリン、ベンゾ-6,7-キノリン、ベンゾ-7,8-キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナンスロイミダゾール、ピリドイミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、オキサゾール、ベンズオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナンスロオキサゾール、イソオキサゾール、1,2-チアゾール、1,3-チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、ピラジン、フェナジン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナンスロリン、1,2,3-トリアゾール、1,2,4-トリアゾール、ベンゾトリアゾール、1,2,3-オキサジアゾール、1,2,4-オキサジアゾール、1,2,5-オキサジアゾール、1,3,4-オキサジアゾール、1,2,3-チアジアゾール、1,2,4-チアジアゾール、1,2,5-チアジアゾール、1,3,4-チアジアゾール、1,3,5-トリアジン、1,2,4-トリアジン、1,2,3-トリアジン、テトラゾール、1,2,4,5-テトラジン、1,2,3,4-テトラジン、1,2,3,5-テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジンおよびベンゾチアジアゾールから誘導される基の意味で使用される。
【０１２４】
本発明の定義にしたがって、アリールオキシ基は、酸素原子を介して結合する上記定義のとおりのアリール基の意味で使用される。同様の定義が、ヘテロアリールオキシ基にあてはまる。
【０１２５】
芳香族環構造は、本発明の意味では、環構造中に６〜６０個のＣ原子を含有する。複素環式芳香族環構造は、本発明の意味では、５〜６０個の芳香族環原子を含み、その中の少なくとも１つはヘテロ原子である。ヘテロ原子は、好ましくはＮ、Ｏおよび／またはＳから選択される。芳香族または複素環式芳香族環構造は、本発明の意味では、必ずしもアリールまたはヘテロアリール基だけを含有するとは限らない構造であって、加えて、複数のアリールまたはヘテロアリール基が、非芳香族単位（好ましくは、Ｈ以外の原子は１０％未満）、たとえば、ｓｐ３混成のＣ、Ｓｉ、ＮもしくはＯ原子、ｓｐ２混成のＣもしくはＮ原子またはｓｐ混成のＣ原子などによって連結されていてもよい構造の意味で使用されることを意図されている。たとえば9,9’-スピロビフルオレン、9,9-ジアリールフルオレン、トリアリールアミン、ジアリールエーテル、スチルベン等の構造は、２以上のアリール基が、たとえば、直鎖あるいは環状アルキル、アルケニルもしくはアルキニル基により、もしくはシリル基により連結される構造であるから、同様に、本発明の意味での芳香族環構造の意味で使用されることを意図されている。さらに、たとえば、ビフェニル、テルフェニルもしくはジフェニルトリアジン等の２個以上のアリールもしくはヘテロアリール基が、単結合を介して互いに結合する構造も、本発明の意味での芳香族もしくは複素環式芳香族環構造の意味で使用される。
【０１２６】
５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族または複素環式芳香族環構造は、各場合に、上記定義された基により置換されていてもよく、任意の所望の位置で、芳香族または複素環式芳香族構造に連結していてもよいが、特に、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ベンズアントラセン、フェナントレン、ベンゾフェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ナフタセン、ペンタセン、ベンゾピレン、ビフェニル、ビフェニレン、テルフェニル、テルフェニレン、クアテルフェニル、フルオレン、スピロビフルオレン、ジヒドロフェナントレン、ジヒドロピレン、テトラヒドロピレン、cis-またはtrans-インデノフルオレン、トルキセン、イソトルキセン、スピロトルキセン、スピロイソトルキセン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、インドロカルバゾール、インデノカルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナンスリジン、ベンゾ-5,6-キノリン、ベンゾ-6,7-キノリン、ベンゾ-7,8-キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナンスリイミダゾール、ピリドイミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナンスロオキサゾール、イソオキサゾール、1,2-チアゾール、1,3-チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、1,5-ジアザアントラセン、2,7-ジアザピレン、2,3-ジアザピレン、1,6-ジアザピレン、1,8-ジアザピレン、4,5-ジアザピレン、4,5,9,10-テトラアザペリレン、ピラジン、フェナジン、フェノキサジン、フェノチアジン、フルオルビン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナンスロリン、1,2,3-トリアゾール、1,2,4-トリアゾール、ベンゾトリアゾール、1,2,3-オキサジアゾール、1,2,4-オキサジアゾール、1,2,5-オキサジアゾール、1,3,4-オキサジアゾール、1,2,3-チアジアゾール、1,2,4-チアジアゾール、1,2,5-チアジアゾール、1,3,4-チアジアゾール、1,3,5-トリアジン、1,2,4-トリアジン、1,2,3-トリアジン、テトラゾール、1,2,4,5-テトラジン、1,2,3,4-テトラジン、1,2,3,5-テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジンおよびベンゾチアジアゾールまたはこれら構造の組み合わせから得られる基の意味で使用される。
【０１２７】
本発明の目的のために、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル基または３〜４０個のＣ原子を有する分岐あるいは環状アルキル基または２〜４０個のＣ原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基は、ここで、加えて、個々のＨ原子もしくはＣＨ２基は、基の定義の元で上記言及した基により置換されていてよく、好ましくは、基メチル、エチル、n-プロピル、i-プロピル、n-ブチル、i-ブチル、s-ブチル、t-ブチル、2-メチルブチル、n-ペンチル、s-ペンチル、シクロペンチル、ネオペンチル、ｎ-ヘキシル、シクロヘキシル、ネオヘキシル、n-ヘプチル、シクロヘプチル、n-オクチル、シクロオクチル、2-エチルヘキシル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、2,2,2-トリフルオロエチル、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニル、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニルまたはオクチニルの意味で使用される。１〜４０個のＣ原子を有するアルコキシもしくはチオアルキル基は、好ましくは、メトキシ、トリフルオロメトキシ、エトキシ、n-プロポキシ、i-プロポキシ、n-ブトキシ、i-ブトキシ、s-ブトキシ、t-ブトキシ、n-ペントキシ、s-ペントキシ、2-メチルブトキシ、n-ヘキソキシ、シクロヘキシルオキシ、n-ヘプトキシ、シクロヘプチルオキシ、n-オクチルオキシ、シクロオクチルオキシ、2-エチルヘキシルオキシ、ペンタフルオロエトキシ、2,2,2-トリフルオロエトキシ、メチルチオ、エチルチオ、n-プロピルチオ、i-プロピルチオ、n-ブチルチオ、i-ブチルチオ、s-ブチルチオ、t-ブチルチオ、n-ペンチルチオ、s-ペンチルチオ、n-ヘキシルチオ、シクロヘキシルチオ、n-ヘプチチオル、シクロヘプチルチオ、n-オクチルチオ、シクロオクチルチオ、2-エチルヘキシルチオ、トリフルオロメチルチオ、ペンタフルオロエチルチオ、2,2,2-トリフルオロエチルチオ、エテニルチオ、プロペニルチオ、ブテニルチオル、ペンテニルチオ、シクロペンテニルチオ、ヘキセニルチオ、シクロヘキセニルチオ、ヘプテニルチオ、シクロヘプテニルチオ、オクテニルチオ、シクロオクテニルチオ、エチニルチオ、プロピニルチオ、ブチニルチオ、ペンチニルチオ、ヘキシニルチオ、ヘプチニルチオまたはオクチニルチオの意味で使用される。
【０１２８】
本発明による化合物は、スキーム１にしたがって調製され得る。対応するモノボロン酸は、商業的に入手可能であり、スズキカップリングと引き続く臭素化とさらなるブッフバルトカップリングによって、対応する目標化合物に変換することができる。
【０１２９】
【化２３】
0006789825.tif 000028
【０１３０】
式中、Ｚは、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩであり、その他の記号と添え字は上記示される意味を有する。反応スキームは、式（１）の化合物の製造と全く同様に使用することができる。
【０１３１】
本発明による化合物の合成のために示される一般的プロセスは、例示的である。当業者は、一般的専門知識の範囲内で代替合成経路を開発することができるであろう。
【０１３２】
以下の概観は、ここで説明されたプロセスの一つにより調製することができる本発明による化合物の例示を含む。
【０１３３】
【化２４−１】
0006789825.tif 000029
【０１３４】
【化２４−２】
0006789825.tif 000030
【０１３５】
【化２４−３】
0006789825.tif 000031
【０１３６】
【化２４−４】
0006789825.tif 000032
【０１３７】
【化２４−５】
0006789825.tif 000033
【０１３８】
【化２４−６】
0006789825.tif 000034
【０１３９】
【化２４−７】
0006789825.tif 000035
【０１４０】
【化２４−８】
0006789825.tif 000036
【０１４１】
【化２４−９】
0006789825.tif 000037
【０１４２】
本発明は、さらに、式（１）の化合物の、電子素子での、好ましくは、電子輸送層でのおよび/または発光層での使用に関する。
【０１４３】
本発明による化合物は、また、正孔輸送層で使用することができる。
【０１４４】
本発明による電子素子は、好ましくは、有機集積回路（Ｏ-ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ-ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ-ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ）、有機太陽電池（Ｏ-ＳＣ）、有機光学検査素子、有機光受容器、有機電場消光素子（ＯＦＱＤ）、有機発光電子化学電池（ＯＬＥＣ、ＬＥＥＣ、ＬＥＣ）、有機レーザーダイオード（Ｏ-ｌａｓｅｒ）および有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）より成る群から選ばれる。特に好ましくは、有機エレクトロルミッセンス素子、非常に特に好ましくは、ＯＬＥＣおよびＯＬＥＤ、特別に好ましくは、ＯＬＥＤである。
【０１４５】
本発明の意味でのＯＬＥＤは、小有機分子を含む有機発光ダイオード（ＳＭＯＬＥＤ）と、また、ポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ）の両者の意味で使用され、ここで、発光ダイオード（ＳＭＯＬＥＤ）が、好ましいＯＬＥＤである。
【０１４６】
式（１）の化合物を含む有機層は、好ましくは、電子輸送機能を有する層である。特に好ましくは、電子注入層（ＥＩＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、正孔ブロック層（ＨＢＬ）または発光層（ＥＭＬ）であり、この化合物が発光層中に存在する場合が、より好ましい。
【０１４７】
本出願にしたがう正孔輸送層は、アノードと発光層との間に位置する正孔輸送機能を有する層である。
【０１４８】
本出願にしたがう電子輸送層は、カソードと発光層との間に位置する電子輸送機能を有する層である。
【０１４９】
正孔注入層と電子ブロック層は、本出願の意味では、正孔輸送層の特別な態様の意味で使用される。アノードと発光層との間の複数の正孔輸送層の場合には、正孔注入層は、アノードに直接隣接するかまたはアノードの単一被覆によってのみそこから分離される正孔輸送層である。アノードと発光層との間の複数の正孔輸送層の場合には、電子ブロック層は、アノード側の発光層に直接隣接する正孔輸送層である。
【０１５０】
既に上記言及したとおり、式（１）の化合物は、好ましい１態様では、特に、有機エレクトロルミッセンス素子で、たとえば、ＯＬＥＤもしくはＯＬＥＣで、有機電子素子の発光層でマトリックス材料として用いられる。式（１）のマトリックス材料は、一以上のドーパント、好ましくは、燐光ドーパントと組み合わせて電子素子中に存在する。
【０１５１】
用語燐光ドーパントは、典型的には、発光が、スピン禁制遷移、たとえば、励起三重項状態または比較的高いスピン量子数を有する状態、たとえば、五重項状態からの遷移により生じる化合物を包含する。
【０１５２】
適切な燐光発光ドーパントは、特に、適切な励起により、好ましくは、可視域で発光する化合物であり、加えて、２０より大きい、好ましくは、３８〜８４の、特に好ましくは、５６〜８０の原子番号を有する少なくとも一つの原子を含む。使用される燐光発光エミッターは、好ましくは、銅、モリブデン、タングステン、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、銀、金またはユウロピウムを含む化合物、特に、イリジウム、白金または銅を含む化合物である。
【０１５３】
すべてのルミネッセントイリジウム、白金または銅錯体が、本願の意味で、燐光化合物とみなされる。燐光ドーパントの例は、以下のセクションで示される。
【０１５４】
マトリックス材料とドーパントとを含む系中のドーパントは、混合物中でその割合がより少ない成分の意味で使用される。対応して、マトリックス材料とドーパントとを含む系中のマトリックス材料は、混合物中でその割合がより多い成分の意味で使用される。
【０１５５】
発光層中のマトリックス材料の割合は、この場合、蛍光発光層に対しては、５０．０〜９９．９体積％、好ましくは、８０．０〜９９．５体積％、特に好ましくは、９２．０〜９９．５体積％であり、燐光発光層に対しては、８５．０〜９７．０体積％である。
【０１５６】
対応して、ドーパントの割合は、蛍光発光層に対しては、０．１〜５０．０体積％、好ましくは、０．５〜２０．０体積％、特に好ましくは、０．５〜８．０体積％であり、燐光発光層に対しては、３．０〜１５．０体積％である。
【０１５７】
有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層は、また、複数のマトリックス材料（混合マトリックス系）および/または複数のドーパントを含む系をも含んでもよい。この場合にも、ドーパントは、一般的には、系中でその割合がより少ない材料であり、マトリックス材料は、系中でその割合がより多い材料である。しかしながら、個々の場合では、系中の個々のマトリックス材料の割合は、個々のドーパントの割合よりもより少なくてよい。
【０１５８】
本発明のさらに好ましい１態様では、式（１）の化合物は、混合マトリックス系の成分として使用される。混合マトリックス系は、好ましくは、二または三種の異なるマトリックス材料、特に好ましくは、二種の異なるマトリックス材料を含む。ここで、二種の材料の一つは、好ましくは、正孔輸送特性を有する材料であり、他方は電子輸送特性を有する材料である。しかしながら、混合マトリックス成分の所望の電子輸送および正孔輸送特性は、単一の混合マトリックス成分中で主としてまたは完全に結合されてもよく、ここで、さらなる混合マトリックス成分が他の機能を果たす。ここで、二種の異なるマトリックス材料は、１：５０〜１：１、好ましくは、１：２０〜１：１、特に好ましくは、１：１０〜１：１、非常に特に好ましくは、１：４〜１：１の比で存在してよい。混合マトリックス系は、好ましくは、燐光有機エレクトロルミッセンス素子中で用いられる。混合マトリックス系に関するより正確な情報は、特に、出願WO 2010/108579で得られる。
【０１５９】
本発明による化合物と組み合わせて混合マトリックス系のマトリックス成分として使用することのできる特に適するマトリックス材料は、どの型のドーパントが混合マトリックス系に使用されるかに応じて、以下に示される燐光ドーパントのための好ましいマトリックス材料または蛍光ドーパントのための好ましいマトリックス材料から選ばれる。
【０１６０】
したがって、本発明は、少なくとも一つの式（１）の化合物と、少なくとも一つのさらなるマトリックス材料を含む組成物にも関する。好ましいさらなるマトリックス材料は、以下に言及されるマトリックス材料である。
【０１６１】
本発明は、また、少なくとも一つの式（１）の化合物と少なくとも一つの広バンドギャップ材料とを含む組成物に関し、ここで、広バンドギャップ材料は、US 7,294,849の開示の意味での材料の意味で使用される。これらの系は、エレクトロルミッセンス素子で特に有利な性能データを呈する。広バンドギャップ材料のバンドギャップは、３．５ｅＶ以上である場合が特に好ましく、ここで、バンドギャップは、ＨＯＭＯとＬＵＭＯとの間のエネルギー差の意味で使用される。軌道エネルギーは、上記記載された方法により決定される。
【０１６２】
本発明は、さらに、少なくとも一つの式（１）の化合物と、蛍光エミッター、燐光エミッター、ホスト材料、マトリックス材料、電子輸送材料、電子注入材料、正孔伝導材料、正孔注入材料、電子ブロック材料、正孔ブロック材料より成る群から選ばれる少なくとも一つのさらなる有機半導体材料とを含む組成物に関する。
【０１６３】
混合マトリックス系での使用のための好ましい燐光ドーパントは、以下に示される好ましい燐光ドーパントである。
【０１６４】
燐光ドーパントの例は、出願WO 2000/70655、WO 2001/41512、WO 2002/02714、WO 2002/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 2005/033244、WO 2005/019373およびUS2005/0258742に見出すことができる。一般的には、燐光発光ＯＬＥＤのために先行技術にしたがって使用され、有機エレクトロルミネッセンス素子分野の当業者に知られるようなすべての燐光発光錯体が適切である。
【０１６５】
燐光ドーパントの明確な例が、以下の表により示される。
【０１６６】
【化２５−１】
0006789825.tif 000038
【０１６７】
【化２５−２】
0006789825.tif 000039
【０１６８】
【化２５−３】
0006789825.tif 000040
【０１６９】
【化２５−４】
0006789825.tif 000041
【０１７０】
【化２５−５】
0006789825.tif 000042
【０１７１】
【化２５−６】
0006789825.tif 000043
【０１７２】
【化２５−７】
0006789825.tif 000044
【０１７３】
【化２５−８】
0006789825.tif 000045
【０１７４】
【化２５−９】
0006789825.tif 000046
【０１７５】
【化２５−１０】
0006789825.tif 000047
【０１７６】
好ましい蛍光ドーパントは、アリールアミンのクラスから選ばれる。本発明の意味でのアリールアミンもしくは芳香族アミンは、窒素に直接結合した３個の置換あるいは非置換芳香族もしくは複素環式芳香族環構造を含む化合物の意味で使用される。これら芳香族もしくは複素環式芳香族環構造の少なくとも１個は、好ましくは、縮合環構造であり、特に好ましくは、少なくとも１４個の芳香族環原子を有する。これらの好ましい例は、芳香族アントラセンアミン、芳香族アントラセンジアミン、芳香族ピレンアミン、芳香族ピレンジアミン、芳香族クリセンアミンもしくは芳香族クリセンジアミンである。芳香族アントラセンアミンは、一個のジアリールアミノ基が、アントラセン基に直接、好ましくは、9-位で結合する化合物の意味で使用される。芳香族アントラセンジアミンは、２個のジアリールアミノ基が、アントラセン基に直接、好ましくは、9.10-位で結合する化合物の意味で使用される。芳香族ピレンアミン、ピレンジアミン、クリセンアミンおよびクリセンジアミンは、同様に定義され、ここで、ジアリールアミノ基は、好ましくは、ピレンに、1位もしくは1.6-位で結合する。さらに好ましいドーパントは、たとえば、WO 2006/108497もしくはWO 2006/122630にしたがうインデノフルオレンアミンあるいはインデノフルオレンジアミン、たとえば、WO 2008/006449にしたがうベンゾインデノフルオレンアミンもしくベンゾインデノフルオレンジアミン、および、たとえば、WO 2007/140847にしたがうジベンゾインデノフルオレンアミンとジベンゾインデノフルオレンジアミンおよびWO 2010/ 012328に開示された縮合アリール基を含むインデノフルオレン誘導体である。
【０１７７】
好ましくは、蛍光ドーパントのための適切なマトリックス材料は、式（１）の化合物に加えて、種々のクラスの物質からの材料である。好ましいマトリックス材料は、オリゴアリーレン（たとえば、EP 676461にしたがう2,2’,7,7’-テトラフェニルスピロビフルオレンもしくはジナフチルアントラセン）、特に、縮合芳香族基を含むオリゴアリーレン、オリゴアリーレンビニレン（たとえば、ＤＰＶＢｉもしくはEP 676461にしたがうスピロ-ＤＰＶＢｉ）、ポリポダル金属錯体（たとえば、WO 2004/081017にしたがうもの）、正孔伝導化合物（たとえば、WO 2004/058911にしたがうもの）、電子伝導化合物、特に、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシド等（たとえば、WO 2005/084081およびWO 2005/084082にしたがうもの）、アトロプ異性体（たとえば、WO 2006/048268にしたがうもの）、ボロン酸誘導体（たとえば、WO 2006/177052にしたがうもの）またはベンズアントラセン（たとえば、WO2008/145239にしたがうもの）のクラスから選択される。特に好ましいマトリックス材料は、ナフタレン、アントラセン、ベンゾアントラセンおよび/またはピレンを含むオリゴアリーレンもしくはこれら化合物のアトロプ異性体、オリゴアリーレンビニレン、ケトン、ホスフィンオキシドおよびスルホキシドのクラスから選択される。非常に特に好ましいマトリックス材料は、アントラセン、ベンゾアントラセン、ベンゾフェナントレンおよび/またはピレンを含むオリゴアリーレンもしくはこれら化合物のアトロプ異性体のクラスから選択される。本発明の意味でのオリゴアリーレンは、少なくとも３個のアリールもしくはアリーレン基が互いに結合した化合物の意味で使用される。
【０１７８】
燐光ドーパントのための好ましいマトリックス材料は、式（１）の化合物に加えて、芳香族アミン、特に、たとえば、US2005/0069729にしたがうトリアリールアミン、カルバゾール誘導体（たとえば、ＣＢＰ、N,N-ビスカルバゾリルビフェニル）または、WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP1205527もしくはWO2008/086851にしたがう化合物、たとえば、WO 2011/088877およびWO 2011/128017にしたがう架橋カルバゾール誘導体、WO2010/136109およびWO2011/000455にしたがうインデノカルバゾール誘導体、たとえば、EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160にしたがうアザカルバゾール誘導体、たとえば、WO 2007/063754もしくはWO 2008/056746にしたがうインドロカルバゾール誘導体、たとえば、WO 2004/093207もしくはWO 2010/006680にしたがうケトン、たとえば、WO 2005/003253にしたがうホスフィンオキシド、スルホキシドおよびスルホン、オリゴアリーレン、たとえば、WO 2007/137725にしたがうバイポーラーマトリックス材料、たとえば、WO 2005/111172にしたがうシラン、たとえば、WO2006/117052にしたがうアザボロールもしくはボロン酸エステル、たとえば、WO2010/15306、WO2007/063754もしくはWO2008/056746にしたがうトリアジン誘導体、たとえば、EP652273もしくはWO2009/062578にしたがう亜鉛錯体、アルミニウム錯体、たとえば、ＢＡｌｑ、たとえば、WO2010/054729にしたがうジアザシロールおよびテトラアザシロール誘導体、たとえば、WO2010/054730にしたがうジアザホスホール誘導体、アルミニウム錯体、たとえば、ＢＡｌＱである。
【０１７９】
カソード、アノードおよび式（１）の化合物を含む層とは別に、電子素子は、さらなる層を含んでよい。これらは、たとえば、各場合に、１以上の正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、発光層、電子輸送層、電子注入層、電子ブロック層、励起子ブロック層、中間層、電荷生成層（IDMC 2003, Taiwan; Session 21 OLED (5), T. Matsumoto, T. Nakada, J.Endo, K. Mori, N. Kawamura, A. Yokoi, J.Kido, Multiphoton Organic EL Device Having Charge Generation Layer)および/または有機あるいは無機ｐ／ｎ接合から選ばれる。しかしながら、これら層の夫々は、必ずしも存在する必要はないことが指摘されねばならない。
【０１８０】
有機エレクトロルミッセンス素子の層配列は、好ましくは、以下のとおりである：
アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード。
ここで、前記層の全てが必ずしも存在する必要がないことおよび/またはさらなる層が追加的に存在してもよいことを、ここで、再度指摘する必要がある。
【０１８１】
本発明による有機エレクトロルミッセンス素子は、複数の発光層を含んでもよい。この場合に、これらの発光層は、特に好ましくは、３８０ｎｍ〜７５０ｎｍ間に全体で複数の最大発光波長を有し、全体として、白色発光が生じるものであり、換言すれば、蛍光もしくは燐光を発することができ、青色もしくは黄色、オレンジ色もしくは赤色発光する種々の発光化合物を、発光層に使用することができる。特に、好ましいものは、３層構造であり、すなわち、３個の発光層を有する構造であり、ここで、その３層は青色、緑色およびオレンジ色もしくは赤色発光を呈する（基本構造については、たとえば、WO 2005/011013参照。）。白色光の生成のためには、広波長範囲で発光する個々に使用されるエミッター化合物が、色発光する複数のエミッター化合物に代えて適当である可能性があることにも注意する必要がある。
【０１８２】
本発明による有機エレクトロルミネセンス素子の正孔注入もしくは正孔輸送層中で、または電子ブロック層中でまたは電子輸送層中で使用することができる適切な電荷輸送材料は、たとえば、Y. Shirota et al., Chem. Rev. 2007, 107(4), 953-1010に開示された化合物または先行技術にしたがいこれらの層に用いられる他の材料である。
【０１８３】
電子輸送層のために使用することのできる材料は、電子輸送層中で電子輸送材料として先行技術にしたがって使用されるとおりのすべての材料である。特に適切なものは、アルミニウム錯体、たとえば、Ａｌｑ３、ジルコニウム錯体、たとえば、Ｚｒｑ４、ベンズイミダゾール誘導体、トリアジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、キノキサリン誘導体、キノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、芳香族ケトン、ラクタム、ボラーン、ジアザホスホール誘導体およびホスフィンオキシド誘導体である。さらに、適切な材料は、JP2000/053957、WO2003/060956、WO 2004/028217、WO 2004/080975およびWO 2010/072300に開示されたとおりの上記言及した化合物の誘導体である。
【０１８４】
正孔輸送、正孔注入もしくは電子ブロック層中で使用することができる好ましい正孔輸送材料は、インデノフルオレンアミン誘導体（たとえば、WO 06/122630もしくはWO06/100896にしたがうもの）、EP1661888に開示されたアミン誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体（たとえば、WO 01/049806にしたがうもの）、縮合芳香族環を持つアミン誘導体（たとえば、US5,061,569にしたがうもの）、WO95/09147に開示されたアミン誘導体、モノベンゾインデノフルオレンアミン（たとえば、WO08/006449にしたがうもの）、ジベンゾインデノフルオレンアミン（たとえば、WO 07/140847にしたがうもの）、スピロビフルオレンアミン（たとえば、WO2012/034627もしくは未公開EP12000929.5にしたがうもの）、フルオレンアミン（たとえば、未公開出願EP12005369.9、EP12005370.7およびEP12005371.5にしたがうもの）、スピロジベンゾピランアミン（たとえば、未公開出願EP 11009127.9にしたがうもの）およびジヒドロアクリジン誘導体（たとえば、未公開出願EP 11007067.9にしたがうもの）である。
【０１８５】
電子素子のカソードは、好ましくは、低い仕事関数を有する金属、種々の金属を含む金属合金もしくは多層構造、たとえば、アルカリ土類金属、アルカリ金属、主族金属あるいはランタノイド（たとえば、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｙｂ、Ｓｍ等）を含む。また、適切なのは、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属と銀を含む合金、たとえば、マグネシウムと銀とを含む合金である。多層構造の場合、たとえば、ＡｇあるいはＡｌのような比較的高い仕事関数を有するさらなる金属を前記金属に加えて使用することもでき、その場合、たとえば、Ｃａ/Ａｇ、Ｍｇ/ＡｇもしくはＢａ／Ａｇのような金属の組み合わせが一般的に使用される。高い誘電定数を有する材料の薄い中間層を金属カソードと有機半導体との間に挿入することも好ましい可能性がある。この目的のために適切なのは、たとえば、アルカリ金属フッ化物もしくはアルカリ土類金属フッ化物だけでなく対応する酸化物もしくは炭酸塩である（たとえば、ＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＦ２、ＭｇＯ、ＮａＦ、ＣｓＦ、Ｃｓ２ＣＯ３等）。さらに、リチウムキノリナート（ＬｉＱ）も、この目的のために使用することができる。この層の層厚は、好ましくは、０．５〜５ｎｍである。
【０１８６】
アノードは、好ましくは、高い仕事関数を有する材料である。アノードは、好ましくは、真空に対して４．５ｅＶより高い仕事関数を有する。この目的に適切なのは、たとえば、Ａｇ、ＰｔもしくはＡｕのような高い還元電位を有する金属である。他方、金属/金属酸化物電極（たとえば、Ａｌ/Ｎｉ/ＮｉＯｘ、Ａｌ/ＰｔＯｘ）も好ましい可能性がある。いくつかの用途のためには、少なくとも一つの電極は、有機材料の照射（有機太陽電池）もしくは光のアウトカップリング（ＯＬＥＤ、Ｏ−ＬＡＳＥＲ）の何れかを可能とするために、透明または部分的に透明でなければならない。ここで、好ましいアノード材料は、伝導性混合金属酸化物である。特に好ましいものは、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）もしくはインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）である。さらに好ましいものは、伝導性のドープされた有機材料、特に、伝導性のドープされたポリマーである。さらに、アノードは、複数の層、たとえば、ＩＴＯの内部層と金属酸化物の外部層、好ましくは、タングステン酸化物、モリブデン酸化物またはバナジウムから成ってもよい。
【０１８７】
製造中に、電子素子は（用途により）適切に構造化され、接点を供され、本発明による素子の寿命が水および/または空気の存在で短くなることから、最後に封止される。
【０１８８】
好ましい１態様では、本発明による電子素子は、１以上の層が、昇華プロセスにより適用されることを特徴とし、材料は、１０−５mbar未満、好ましくは、１０−６mbar未満の初期圧力で、真空昇華ユニット中で真空気相堆積される。しかしながら、初期圧力は、さらにより低くても、たとえば、１０−７mbar未満でも可能である。
【０１８９】
同様に好ましい有機エレクトロルミネッセンス素子は、１以上の層が、ＯＶＰＤ（有機気相堆積）法もしくはキャリアガス昇華により適用されることを特徴とし、材料は、１０−５mbar〜１barの圧力で適用される。このプロセスの特別な場合は、ＯＶＪＰ（有機気相ジェット印刷）法であり、材料はノズルにより直接適用され、そしてそれにより構造化される（たとえば、M. S. Arnold et al., Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301）。
【０１９０】
さらに好ましい有機エレクトロルミネッセンス素子は、１以上の層が、溶液から、たとえば、スピンコーティングにより、もしくは、たとえばスクリーン印刷、フレキソ印刷、ノズル印刷あるいはオフセット印刷、特に好ましくは、ＬＩＴＩ（光誘起熱画像化、熱転写印刷）、あるいはインクジェット印刷のような任意の所望の印刷プロセスにより製造されることを特徴とする。可溶性の式（１）の化合物が、この目的のために必要である。高い溶解性は、化合物の適切な置換により実現することができる。
【０１９１】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造のために、一以上の層を溶液からまた一以上の層を昇華プロセスにより適用することが、さらに好ましい。
【０１９２】
したがって、本発明は、少なくとも一つの有機層が、気相堆積により、または溶液から適用されることを特徴とする本発明の電子素子の製造方法に関する。
【０１９３】
本発明にしたがうと、一以上の式（１）の化合物を含む電子素子は、照明用途の光源として、医療および/または美容用途（たとえば、光治療）の光源として、表示装置において使用することができる。
【０１９４】
本発明は、また、少なくとも一つの式（１）の化合物もしくは少なくとも一つの上記言及した組成物と少なくとも一つの溶媒を含む調合物に関する。
【０１９５】
適切で好ましい溶媒は、たとえば、トルエン、アニソール、o-、m-もしくはp-キシレン、メチルベンゾエート、メシチレン、テトラリン、ベラトール、ＴＨＦ、メチル-ＴＨＦ、ＴＨＰ、クロロベンゼン、ジオキサン、フェノキシトルエン、特に、3-フェノキシトルエン、(-)-フェンコンヌ、1,2,3,5-テトラメチルベンゼン、1,2,4,5-テトラメチルベンゼン、1-メチルナフタレン、2-メチルベンゾチアゾール、2-フェノキシエタノール、2-ピロリジノン、3-メチルアニソール、4-メチルアニソール、3,4-ジメチルアニソール、3,5-ジメチルアニソール、アセトフェノン、α-テルピネオール、ベンゾチアゾール、ブチルベンゾエート、クメン、シクロヘキサノール、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、デカリン、ドデシルベンゼン、エチルベンゾエート、インダン、メチルベンゾエート、ＮＭＰ、p-シメン、フェネトール、1,4-ジイソプロピルベンゼン、ジベンジルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエ−テル、トリプロピレングリコールジメチルエ−テル、テトラエチレングリコールジメチルエ−テル、2-イソプロピルナフタレン、ペンチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、1,1-ビス(3,4-ジメチルフェニル)エタンもしくはこれら溶媒の混合物である。
【０１９６】
式（１）の化合物を含む素子を、非常に多用途で用いることができる。よって、たとえば式（１）の１以上の化合物を含むエレクトロルミネッセンス素子を、テレビジョン、モバイル電話機、コンピュータ、カメラ用の表示装置で使用することができる。しかしながら、素子を照明用途にも使用することができる。さらに、たとえばＯＬＥＤまたはＯＬＥＣにおいて、式（１）の少なくとも１つの化合物を含むエレクトロルミネッセンス素子を、医学あるいは美容における光線療法に利用できる。したがって、多数の病気（乾癬、アトピー性皮膚炎、炎症、にきび、皮膚癌等）、あるいは皮膚の皺、皮膚の発赤、皮膚の老化の予防または低減の処置をすることができる。さらに、飲料、食物または食品を新鮮に保つため、あるいは装置（たとえば、医療機器）を滅菌するために、発光素子を利用することができる。
【０１９７】
したがって、本発明は、医学での光線療法に用いるための、少なくとも１つの式（１）の化合物を含む、電子素子、好ましくは、有機エレクトロルミネッセンス素子、非常に好ましくは、ＯＬＥＤまたはＯＬＥＣ、非常に特に好ましくは、ＯＬＥＤにも関する。
【０１９８】
したがって、本発明は、さらに、皮膚疾患の光線療法に用いるための、少なくとも１つの式（１）の化合物を含む、電子素子、好ましくは、有機エレクトロルミネッセンス素子、非常に好ましくは、ＯＬＥＤまたはＯＬＥＣ、非常に特に好ましくは、ＯＬＥＤにも関する。
【０１９９】
したがって、本発明は、さらに、乾癬、アトピー性皮膚炎、炎症、にきび、創傷治癒、皮膚癌の光線療法に用いるための、少なくとも１つの式（１）の化合物を含む、電子素子、好ましくは、有機エレクトロルミネッセンス素子、非常に好ましくは、ＯＬＥＤまたはＯＬＥＣ、非常に特に好ましくはＯＬＥＤにも関する。
【０２００】
したがって、本発明は、さらに、ニキビ、皮膚の老化の、およびセルライトの治療用に美容用に用いるための、少なくとも１つの式（１）の化合物を含む、電子素子、好ましくは、有機エレクトロルミネッセンス素子、非常に好ましくは、ＯＬＥＤまたはＯＬＥＣ、非常に特に好ましくは、ＯＬＥＤにも関する。
【０２０１】
本発明による化合物または本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子は、以下の驚異的な利点により、先行技術とは異なる。
【０２０２】
１．本発明による化合物は、発光層での使用のために極めて高度に適しており、先行技術からの化合物と比べて改善された性能データを示す。
【０２０３】
２．本発明による化合物は、比較的低い昇華温度、高い温度安定性を有し、それゆえに分解することなく、残留物もなく昇華することができる。さらに、それらは、高い酸化安定性と高いガラス転移温度を有し、このことはたとえば溶液からのまたは気相からの加工能性と、電子素子での使用との両者について好都合である。
【０２０４】
３．電子素子における本発明による化合物の使用により、特に、マトリックス材料としてのみならず、電子輸送または電子注入材料として用いると、高い効率、低い駆動電圧と長い寿命をもたらす。
【０２０５】
本発明で説明された態様の変形が、本発明の範囲に入ることが指摘されねばならない。本発明で開示された各特長は、明確に除外されなければ、同じか、等価か、類似する目的に役立つ代替的特徴により置き代えられてよい。したがって、特に断らなければ、本発明で開示された各特長は、一般的な一連の例としてか、等価か類似する特長とみなされなければならない。
【０２０６】
本発明のすべての特長は、特定の特徴および/または工程が相互に排除しないならば、とにかく互いに組み合わせることができる。これは、特に、本発明の好ましい特徴にあてはまる。同様に、非本質的な組み合わせの特徴は、（組み合わせではなく）別に、使用することができる。
【０２０７】
多くの特徴、特に、本発明の好ましい態様の特徴は、それ自身で発明性があり、本発明の態様の単なる部分としてだけではないとみなされねばならない。現在クレームされた発明に加えてまたその代替として、独立した保護が、これらの特徴のために与えられてよい。
【０２０８】
本発明で開示された技術的機能に関する教示を抽出し、他の例と組み合わせることができる。
【０２０９】
本発明を、以下の例によってより詳細に説明するが、それにより本発明が制限されるものではない。
【０２１０】
例：
以下の合成を、別段の指定がない限り、無水溶媒中で、保護ガス雰囲気下で実施する。溶媒および試薬を、たとえばSigma-ALDRICHまたはABCRから購入することができる。文献から知られている化合物についての角括弧中の番号はCAS番号に関連する。
【０２１１】
例１
2-ジベンゾフラン-4-イル-4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジンの合成
【０２１２】
【化２６】
0006789825.tif 000048
【０２１３】
２８．９ｇ（１３６ミリモル）のジベンゾフラン-4-ボロン酸と、３３ｇ（１２４．１ミリモル）の2-クロロ-4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジンと、７８．９ｍｌ（１５８ミリモル）のＮａ２ＣＯ３（２Ｍ溶液）とを、１２０ｍｌのトルエンと、１２０ｍｌのエタノールと、１００ｍｌの水とに懸濁させる。２．６ｇ（２．２ミリモル）のＰｄ（ＰＰｈ３）４をこの懸濁液に添加し、反応混合物を還流下で１６時間、加熱する。冷ました後、有機相を分離させ、シリカゲルを通して濾過し、２００ｍｌの水で三度洗浄し、その後蒸発乾固させる。残留物をトルエンから再結晶化させる。収率は４５ｇ（１１２ミリモル）であり、理論値の９１％に対応する。
【０２１４】
同じような方法で、以下の化合物が得られる：
【０２１５】
【化２７−１】
0006789825.tif 000049
【０２１６】
【化２７−２】
0006789825.tif 000050
【０２１７】
例２
2-(8-ブロモベンゾフラン-4-イル)-4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジンの合成
【０２１８】
【化２８】
0006789825.tif 000051
【０２１９】
１６ｇ（４１ミリモル）の2-ジベンゾフラン-4-イル-4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジンを最初に、８ｍｇのN-ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）（４５ミリモル、１．１モル％）とともに、１００ｍｌの無水ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）に入れる。反応混合物を１２０℃で２４時間、加熱し、次いで溶媒を真空で取り除く。残留物を溶離剤としてヘプタン／ＤＣＭ（２／１）とともに、シリカゲルにおいてカラムクロマトグラフィにより精製する。収率は１４．６ｇ（３０ミリモル）であり、理論値の７５％に対応する。
【０２２０】
同じような方法で、以下の化合物が得られる：
【０２２１】
【化２９−１】
0006789825.tif 000052
【０２２２】
【化２９−２】
0006789825.tif 000053
【０２２３】
例３
9-[6-(4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン-2-イル)ジベンゾフラン-2-イル]-3-フェニル-9H-カルバゾールの合成
【０２２４】
【化３０】
0006789825.tif 000054
【０２２５】
６００ｍｌのトルエン中、７０ｇ（１４７ミリモル）の2-(8-ブロモベンゾフラン-4-イル)-4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジンと、３５．７ｇ（１４７ミリモル）の3-フェニル-9H-カルバゾールとの脱気溶液を、１時間、Ｎ２で飽和させる。次いで、最初に、２．０９ｍｌ（８．６ミリモル）のＰ（ｔＢｕ）３と、次いで１．３８ｇ（６．１ミリモル）の酢酸パラジウム(II)を溶液に添加し、固体状態である１７．７ｇ（１８５ミリモル）のＮａＯｔＢｕをその後、溶液に添加する。反応混合物を還流下で１時間、加熱する。室温に冷ました後、５００ｍｌの水を慎重に添加する。水相を３×５０ｍｌのトルエンで洗浄し、ＭｇＳＯ４で脱水させ、溶媒を真空で取り除く。次いで粗生成物を、ヘプタン／酢酸エチル（２０／１）とともに、シリカゲルにおいてカラムクロマトグラフィにより精製する。残留物をトルエンから再結晶化させ、最後に高真空（ｐ＝５×１０−６mbar）で昇華させる。
収率は７７．７ｇ（１２１ミリモル）であり、理論値の８３％に対応する。
【０２２６】
同じような方法で、以下の化合物が得られる：
【０２２７】
【化３１−１】
0006789825.tif 000055
【０２２８】
【化３１−２】
0006789825.tif 000056
【０２２９】
【化３１−３】
0006789825.tif 000057
【０２３０】
【化３１−４】
0006789825.tif 000058
【０２３１】
例４
2-ジベンゾフラン-4-イル-4-フェニルキナゾリンの合成
【０２３２】
【化３２】
0006789825.tif 000059
【０２３３】
２３ｇ（１１０．０ミリモル）のジベンゾフラン-4-ボロン酸と、２９．５ｇ（１１０．０ミリモル）の2-クロロ-4-フェニルキナゾリンと、２６ｇ（２１０．０ミリモル）の炭酸ナトリウムとを、５００ｍｌのエチレングリコールジアミンエーテルと、５００ｍｌの水とに懸濁させる。９１３ｍｇ（３．０ミリモル）のトリ-o-トリルホスフィンと、次いで１１２ｍｇ（０．５ミリモル）の酢酸パラジウム(II)とをこの懸濁液に添加する。反応混合物を還流下で１６時間、加熱する。冷ました後、有機相を分離させ、シリカゲルを通して濾過し、２００ｍｌの水で三度洗浄し、その後、蒸発乾固させる。残留物をトルエンから、およびジクロロメタン/ヘプタンから再結晶化させる。収率は３１ｇ（８５ミリモル）であり、理論値の７９％に対応する。
【０２３４】
同じような方法で、以下の化合物が得られる：
【０２３５】
【化３３−１】
0006789825.tif 000060
【０２３６】
【化３３−２】
0006789825.tif 000061
【０２３７】
例５
2-(8-ブロモジベンゾフラン-4-イル)-4-フェニルキナゾリンの合成
【０２３８】
【化３４】
0006789825.tif 000062
【０２３９】
７０.６ｇ（１９０．０ミリモル）の2-ジベンゾフラン-4-イル-4-フェニルキナゾリンを、２０００ｍｌの酢酸（１００％）と、２０００ｍｌの硫酸（９５−９８％）とに懸濁させる。３４ｇ（１９０ミリモル）のＮＢＳをこの懸濁液に小分けして添加し、混合物を、暗所で２時間撹拌する。次いで水／氷を添加し、固形物を分離させ、エタノールで濯ぐ。残留物をトルエンから再結晶化させる。収率は５９ｇ（１３０ミリモル）であり、理論値の６９％に対応する。
【０２４０】
チオフェン誘導体の場合、ニトロベンゼンが硫酸の代わりに用られ、元素状臭素がＮＢＳの代わりに用いられる。
【０２４１】
同じような方法で、以下の化合物が得られる：
【０２４２】
【化３５−１】
0006789825.tif 000063
【０２４３】
【化３５−２】
0006789825.tif 000064
【０２４４】
例６
3-フェニル-9-[6-(4-フェニルキナゾリン-2-イル)ジベンゾフラン-2-イル]-9H-カルバゾールの合成
【０２４５】
【化３６】
0006789825.tif 000065
【０２４６】
６００ｍｌのトルエン中、７０ｇ（１４７ミリモル）の2-(8-ブロモジベンゾフラン-4-イル)-4-フェニルキナゾリンと、３５．７ｇ（１４７ミリモル）の3-フェニル-9H-カルバゾールとの脱気溶液を、１時間、Ｎ２で飽和させる。次いで、最初に、２．０９ｍｌ（８．６ミリモル）のＰ（ｔＢｕ）３と、次いで１．３８ｇ（６．１ミリモル）の酢酸パラジウム(II)を溶液に添加し、固体状態である１７．７ｇ（１８５ミリモル）のＮａＯｔＢｕをその後、添加する。反応混合物を還流下で１時間、加熱する。室温に冷ました後、５００ｍｌの水を慎重に添加する。水相を５０ｍｌのトルエンで三度洗浄し、ＭｇＳＯ４で脱水させ、溶媒を真空で取り除く。次いで粗生成物を、ヘプタン／酢酸エチル（２０／１）とともに、シリカゲルにおいてカラムクロマトグラフィにより精製する。残留物をトルエンから再結晶化させ、最後に高真空（ｐ＝５×１０−６mbar）で昇華させる。
収率は７６ｇ（１１９ミリモル）であり、理論値の８１％に対応する。
【０２４７】
同じような方法で、以下の化合物が得られる：
【０２４８】
【化３７−１】
0006789825.tif 000066
【０２４９】
【化３７−２】
0006789825.tif 000067
【０２５０】
【化３７−３】
0006789825.tif 000068
【０２５１】
【化３７−４】
0006789825.tif 000069
【０２５２】
例１６
ＯＬＥＤの製造と特性決定
種々のＯＬＥＤについてのデータを、以下の例Ｖ１〜Ｅ１２で提示する（表１および２を参照）。
【０２５３】
例Ｖ１−Ｅ１２の前処理：厚さ５０ｎｍの構造化されたＩＴＯ（インジウム錫酸化物）で被覆されたガラス板が、改善された加工のために、２０ｎｍのＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリ（3,4-エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレン・スルホン酸）で水溶液からのスピンコーティング、Heraeus Precious Metals GmbH独国からCLEVIOS（登録商標）P VP AI 4083として購入）で被覆される。これらの被覆されたガラス板は、ＯＬＥＤが適用される基板を形成する。
【０２５４】
ＯＬＥＤは、基本的に、次の層構造を有する：基板／正孔輸送層（ＨＴＬ）／随意に、中間層（ＩＬ）／電子ブロック層（ＥＢＬ）／発光層（ＥＭＬ）／随意に、正孔ブロック層（ＨＢＬ）／電子輸送層（ＥＴＬ）／随意に、電子注入層（ＥＩＬ）および最後にカソード。カソードは、１００ｎｍ厚のアルミニウム層により形成される。ＯＬＥＤの正確な構造が、表１に示されている。ＯＬＥＤの製造のために必要な材料を、表３に示す。
【０２５５】
すべての材料は、真空室において、熱気相堆積により適用される。ここでは、発光層は、常に、少なくとも一種のマトリックス材料（ホスト材料）と、共蒸発により特定の体積割合で一種または複数種のマトリックス材料と予備混合される発光ドーパント（エミッター）とから成る。ここでは、ＩＣ１：ＩＣ３：ＴＥＧ１（５５％：３５％：１０％）等の表現は、材料ＩＣ１が５５体積％の割合で層中に存在し、ＩＣ３が３５体積％の割合で層中に存在し、ＴＥＧ１が１０体積％の割合で層中に存在することを意味する。同じように、電子輸送層も、二種の材料の混合物から成ってもよい。
【０２５６】
ＯＬＥＤは、標準方法により特性決定される。この目的のために、エレクトロルミネセンススペクトル、ランベルト発光特性を仮定して、電流/電圧/輝度特性線（ＩＵＬ特性線）から計算した、輝度の関数としての電流効率（ｃｄ／Ａで測定）、パワー効率（Ｉｍ／Ｗで測定）、外部量子効率（ＥＱＥ、パーセントで測定）が測定される。エレクトロルミネセンススペクトルは、輝度１０００ｃｄ／ｍ２で測定され、ＣＩＥ１９３１ｘおよびｙ色座標はそこから計算される。表２での言い回しＵ１０００は、輝度１０００ｃｄ／ｍ２に対して必要とされる電圧を示す。ＣＥ１０００とＰＥ１０００は、１０００ｃｄ／ｍ２で達成される電流およびパワー効率をそれぞれ示す。最後に、ＥＱＥ１０００は、駆動輝度１０００ｃｄ／ｍ２での外部量子効率を示す。寿命ＬＴは、一定の電流で動作する輝度が、初期輝度から、ある比率Ｌ１に低下するまでの時間として定義される。Ｌ０；ｊ０＝４０００ｃｄ／ｍ２とＬ１＝７０％という表現は、示されている寿命が、初期輝度が４０００ｃｄ／ｍ２から２８００ｃｄ／ｍ２に低下した後の時間に対応することを意味する。同じように、Ｌ０；ｊ０＝２０ｍＡ／ｃｍ２とＬ１＝８０％は、輝度が、２０ｍＡ／ｃｍ２で動作する時間ＬＴ後に、その初期輝度の８０％に低下することを意味する。
【０２５７】
種々のＯＬＥＤについてのデータを、表２に要約する。例Ｖ１〜Ｖ５は先行技術にしたがう比較例であり、例Ｅ１〜Ｅ１２は、本発明によるＯＬＥＤのデータを示している。
【０２５８】
いくつかの例を、本発明によるＯＬＥＤの優位性を証明するために、以下により詳細に説明する。
【０２５９】
燐光ＯＬＥＤの発光層における本発明による混合物の使用
燐光ＯＬＥＤでマトリックス材料として使用するとき、本発明による材料は、先行技術と比べて、パワー効率に関して、著しい改善を与える。緑色発光ドーパントＴＥＧ１と組み合わせて本発明による化合物ＥＧ１およびＥＧ２を使用することにより、先行技術と比べて、２０％までのパワー効率の増加を観察することができる（例Ｅ１とＶ１の比較、Ｅ２とＶ２、Ｖ３、Ｖ４、Ｖ５の比較）。さらに、本発明による化合物は、素子の寿命に関して、著しい改善を与える。よって、本発明によるマトリックスＥＧ２を含む素子Ｅ２の寿命は、ＳｄＴ４を含む先行技術Ｖ４と比べて、１２５時間から２１０時間へと改善される（Ｌ０；ｊ０＝２０ｍＡ／ｃｍ２、Ｌ１＝８０％）。
【０２６０】
【表１】
0006789825.tif 000070
【０２６１】
【表２】
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【０２６２】
【表３−１】
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【０２６３】
【表３−２】
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【０２６４】
【表３−３】
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【０２６５】
【表３−４】
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