(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
モリブデン１００を含むナノ粉体に放射線を照射させる放射線照射制御部と、
前記放射線が照射されたナノ粉体を所定の放置時間放置させるＲＩ成長制御部と、
前記ナノ粉体を吸着可能な吸着剤を充填したカラムに、前記放置時間放置されたナノ粉体と、テクネチウム９９ｍを溶解可能な溶媒であって、水、生理食塩水、中性水溶液のいずれかの溶媒とを入れることで、前記ナノ粉体の表面に飛び出たテクネチウム９９ｍを当該溶媒で溶解させて、当該テクネチウム９９ｍを溶解させた溶媒を前記カラムに通過させて、前記ナノ粉体から分離させるＲＩ溶解制御部と、
前記分離された溶媒からテクネチウム９９ｍを精製する精製制御部と、
前記精製されたテクネチウム９９ｍを薬剤に結合させて核医学診断用薬剤を製造する薬剤製造部と、
を備えるテクネチウム９９ｍ製造システム。
【請求項２】
前記ナノ粉体は、テクネチウム９９ｍを溶解可能な溶媒中に分散されて、分散液として構成され、
前記ＲＩ溶解制御部は、前記ナノ粉体を吸着可能な吸着剤を充填したカラムに、前記放置時間放置された前記分散液を入れて、テクネチウム９９ｍを溶解した溶媒を前記ナノ粉体から分離させる
請求項１に記載のテクネチウム９９ｍ製造システム。
【請求項３】
モリブデン１００を含むナノ粉体に放射線を照射させる放射線照射制御ステップと、
前記放射線が照射されたナノ粉体を所定の放置時間放置させるＲＩ成長制御ステップと、
前記ナノ粉体を吸着可能な吸着剤を充填したカラムに、前記放置時間放置されたナノ粉体と、テクネチウム９９ｍを溶解可能な溶媒であって、水、生理食塩水、中性水溶液のいずれかの溶媒とを入れることで、前記ナノ粉体の表面に飛び出たテクネチウム９９ｍを当該溶媒で溶解させて、当該テクネチウム９９ｍを溶解させた溶媒を前記カラムに通過させて、前記ナノ粉体から分離させるＲＩ溶解制御ステップと、
前記分離された溶媒からテクネチウム９９ｍを精製する精製制御ステップと、
前記精製されたテクネチウム９９ｍを薬剤に結合させて核医学診断用薬剤を製造する薬剤製造ステップと、
を備えるテクネチウム９９ｍ製造システムのテクネチウム９９ｍ製造方法。
【請求項４】
前記ナノ粉体は、テクネチウム９９ｍを溶解可能な溶媒中に分散されて、分散液として構成され、
前記ＲＩ溶解制御ステップは、前記ナノ粉体を吸着可能な吸着剤を充填したカラムに、前記放置時間放置された前記分散液を入れて、テクネチウム９９ｍを溶解した溶媒を前記ナノ粉体から分離させる
請求項３に記載のテクネチウム９９ｍ製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テクネチウム９９ｍ製造システム及びテクネチウム９９ｍ製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線を利用したがん診断法として、単一光子放射断層撮影（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｐｈｏｔｏｎ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｃｏｍｐｕｔｅｄ  Ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ、以下、ＳＰＥＣＴとする）検査が知られている。
【０００３】
このＳＰＥＣＴ検査では、放射性核種のテクネチウム９９ｍ（Ｔｃ９９ｍ）を、疾病部に集積し易い性質を有する薬剤に結合させた核医学診断用薬剤（放射性同位元素標識化合物、ＲＩ標識化合物）を患者に投与して、テクネチウム９９ｍから放出されるガンマ線を放射線検出カメラ（ガンマカメラ）で検知して画像化することで、疾病の検査を行う。
【０００４】
ここで、使用するテクネチウム９９ｍは、準安定状態（ｍｅｔａ  ｓｔａｂｌｅ）にあり、基底状態（ｇｒｏｕｎｄ  ｓｔａｔｅ）のテクネチウム９９（Ｔｃ９９）に核異性体転移する際、１４０ｋｅＶのガンマ線を放出する。ガンマ線は、物質を透過する力が強いため、患者を透過して外部に放出される。ＳＰＥＣＴ検査では、テクネチウム９９ｍの核異性体転移によるガンマ線の放出を利用して、疾病部を可視化する。例えば、ある血液中に集積するテクネチウム９９ｍの核医学診断用薬剤を用いてＳＰＥＣＴ検査を行い、心筋血流イメージングや脳機能イメージングが出来る。
【０００５】
ところで、テクネチウム９９ｍは、親核種のモリブデン９９（Ｍｏ９９）がベータ崩壊して生じる娘核種であり、テクネチウム９９ｍの製造原料として、モリブデン９９が用いられる。
【０００６】
モリブデン９９の一般的な製造方法は、原子炉内に高濃縮又は低濃縮のウラニウムを挿入して、ウラニウムに中性子照射を行い、ウラニウムの核分裂によりモリブデン９９を生成させ、この生成したモリブデン９９をその他の核分裂生成物から分離回収し、精製することにより、モリブデン９９を製造している。
【０００７】
このような原子炉を利用したモリブデン９９の製造施設は、世界中を見ても少数であり、かつ、偏在している。又、モリブデン９９の半減期は約６６時間であり、テクネチウム９９ｍの半減期は約６時間であるため、モリブデン９９及びテクネチウム９９ｍの長期間の貯蔵は不可能である。そのため、モリブデン９９の製造施設を持たない国々は、航空機による輸入に頼っており、原子炉の停止や輸送の不具合により、モリブデン９９の安定供給が出来ないという課題がある。
【０００８】
日本について、商業炉（発電炉）、試験炉（研究炉）等の原子炉は、多数存在するが、いずれの原子炉においても、モリブデン９９の製造は行っておらず、１００％輸入に頼っている。又、原子炉事故の危険性や、原子炉を利用した製造設備には多大な投資及び維持費が掛かること等から、原子炉を利用したモリブデン９９の日本国内での製造は期待出来ない。
【０００９】
一方、日本では、加速器を利用してモリブデン９９を製造する方法が検討されている。例えば、特許文献１（特開２０１５−９９１１７号公報）には、放射性核種生成部と、放射性核種精製部と、を備える放射性核種製造装置が開示されている。放射性核種生成部は、原料核種を含む放射性核種製造用原料に、電子線加速器によって加速された電子を制動放射線発生用ターゲットに照射することで発生する制動放射線を照射し、制動放射線の照射により中性子を発生させる（γ，ｎ）反応によって、放射性核種を生成させる。放射性核種精製部は、生成した放射性核種から必要な放射性核種を精製する。具体的には、流入ガスを流入させ、放射性核種製造用原料の温度が酸化テクネチウムの沸点である３１０．６℃以上（かつ、三酸化モリブデンの融点である７９５℃未満）となるように、流入ガスの流量を調整することにより、酸化テクネチウムを三酸化モリブデンから気体状態として分離する。これにより、小型軽量な装置で効率よく放射性核種を製造することが出来るとしている。
【００１０】
又、特許文献２（特開２０１６−１７９３４号公報）には、医療用テクネチウム９９ｍの製造方法が開示されている。この製造方法では、原料Ｍｏターゲットが、Ｍｏ９８を含んで形成されたペレットとされ、Ｍｏ９８を含んで形成されたペレットに、中性子エネルギーがＭｏ９８の中性子共鳴吸収帯域内になるように制御された加速器中性子源からの中性子を当該照射による中性子放射化断面積が増加する条件下で照射して、Ｔｃ９９ｍの親核種Ｍｏ９９を生成し、Ｍｏ９９溶液貯蔵手段に貯蔵し、該Ｍｏ９９溶液貯蔵手段に複数個のＴｃ９９ｍ抽出装置が接続されてタンデム系統が構成され、テクネチウム９９ｍをタンデム系統の個別のＴｃ９９ｍ抽出装置ごとに設定された時間差でもって抽出し、複数のＴｃ９９ｍ抽出によって装置全体として診断薬オンデマンドに対応して抽出する。抽出は、精製モリブデン（モリブデン９９）溶液が活性炭カラムを通液され、テクネチウム９９ｍ吸着回収がなされる。これにより、複数接続されたＴｃ９９ｍ抽出装置全体として医療用の診断薬オンデマンドに対応して抽出することが出来るとしている。
【００１１】
又、特許文献３（特開２０１６−２９３３７号公報）には、放射性核種製造方法が開示されている。この製造方法では、電子線形加速器で加速した電子線を三酸化モリブデン１００（Ｍｏ１００・Ｏ３）粉末試料に照射することで三酸化モリブデン９９（Ｍｏ９９・Ｏ３）及び酸化テクネチウム９９ｍ（Ｔｃ９９ｍ２・Ｏ７）を製造し、分離精製装置によって、三酸化モリブデン９９及び酸化テクネチウム９９ｍから酸化テクネチウム９９ｍを精製分離する。そして、この製造方法は、電子線を三酸化モリブデン１００粉末試料に照射する照射期間中に、三酸化モリブデン１００粉末試料に温度を調整した気体を供給する（昇華法）。これにより、核医学診断用薬剤の原料である放射性核種を、小型軽量な装置で効率良く製造することが出来るとしている。
【００１２】
又、特許文献４（特開２０１６−８０５７４号公報）には、放射性核種製造装置と、放射性薬剤製造装置と、を備える放射性薬剤製造システムが開示されている。このシステムの放射性核種製造装置は、電子線加速器で加速した電子を用いて発生させた放射線を、モリブデン１００を含む放射性核種製造用原料に照射することで原子核反応によりモリブデン９９を製造する。又、システムの放射性薬剤製造装置は、放射性核種製造用原料を加熱してモリブデン９９の放射壊変で生成したテクネチウム９９ｍを含むテクネチウム化合物を揮発させ（昇華法）、揮発したテクネチウム９９ｍを含むテクネチウム化合物を吸着剤に吸着させ、テクネチウム９９ｍを含むテクネチウム化合物を吸着した吸着剤に溶離液を通水してテクネチウム９９ｍを含むテクネチウム化合物を溶離液に溶離させて、放射性薬剤を製造する。これにより、装置を小型化し、放射性薬剤の製造にかかわる従事者の放射線被ばくを低減することが出来るとしている。
【００１３】
一方、モリブデン９９の分離に関して、様々なシミュレーションが行われている。例えば、非特許文献１（Valeriia N. S., Applied Radiation and Isotopes 85 (2014) pp. 39-44）には、ナノ粒子のモリブデン１００のターゲットに放射線を照射することで、モリブデン９９が反跳（リコイル）して、飛び出ることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２０１５−９９１１７号公報
【特許文献２】特開２０１６−１７９３４号公報
【特許文献３】特開２０１６−２９３３７号公報
【特許文献４】特開２０１６−８０５７４号公報
【非特許文献】
【００１５】
【非特許文献１】Valeriia N. S., Applied Radiation and Isotopes 85 (2014) pp. 39-44
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、上述した特許文献１に記載の技術では、生成された放射性核種を高温に加熱し、加熱後の放射性核種に流入ガスを流入させることで、必要な放射性核種を精製するため、高温加熱操作とガス流入操作が必要であり、テクネチウム９９ｍの製造に手間が掛かり、エネルギーロスが生じるという課題がある。
【００１７】
又、上述した特許文献２に記載の技術では、中性子照射後のモリブデン９９のペレットを強アルカリ性水溶液（又は強酸性水溶液）で溶解し、精製し、更に、活性炭カラムでテクネチウム９９ｍを吸着させて回収するため、ペレットの溶解操作とテクネチウム９９ｍの回収操作が必要であり、テクネチウム９９ｍの製造に手間が掛かり、更に、中性子照射による生成断面積が過大評価されているという課題がある。
【００１８】
又、上述した特許文献３に記載の技術では、電子線照射中に三酸化モリブデン１００粉末試料を、酸化テクネチウム９９ｍの沸点（３１０．６度）以上の高温に加熱する必要がある。又、上述した特許文献４に記載の技術では、同様に、テクネチウム化合物を揮発させるために、酸化テクネチウム９９ｍの沸点以上の高温に加熱する必要がある。特に、特許文献３、４に記載の昇華法では、モリブデンの融点近くまで温度を上げなければならず、正確な温度制御が必要になるとともに、その際のモリブデンの一部蒸発も避けることが出来ず、モリブデンが酸化テクネチウム９９ｍに不純物として混入する。そのため、上述した特許文献３、４に記載の技術では、テクネチウム９９ｍの製造及び精製に手間が掛かり、エネルギーロスが生じるという課題がある。
【００１９】
又、上述した非特許文献１に記載の技術では、シミュレーション上で、モリブデン９９が飛び出ることが開示されているものの、具体的に飛び出たテクネチウム９９ｍの回収方法を開示していない。
【００２０】
本発明は、前記課題を解決するためになされたものであり、テクネチウム９９ｍのみを簡単な操作で回収することが可能なテクネチウム９９ｍ製造システム及びテクネチウム９９ｍ製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明は、テクネチウム９９ｍ製造システムであって、放射線照射制御部と、ＲＩ成長制御部と、ＲＩ溶解制御部と、精製制御部と、薬剤製造部と、を備える。放射線照射制御部は、モリブデン１００を含むナノ粉体に放射線を照射させる。ＲＩ成長制御部は、前記放射線が照射されたナノ粉体を所定の放置時間放置させる。ＲＩ溶解制御部は、前記ナノ粉体を吸着可能な吸着剤を充填したカラムに、前記所定時間放置されたナノ粉体を入れた状態で、前記ナノ粉体に、テクネチウム９９ｍを溶解可能な溶媒を流入して、当該テクネチウム９９ｍを溶解させた溶媒を前記ナノ粉体から分離させる。精製制御部は、前記分離された溶媒からテクネチウム９９ｍを精製する。薬剤製造部は、前記精製されたテクネチウム９９ｍを薬剤に結合させて核医学診断用薬剤を製造する。
【００２２】
又、本発明は、テクネチウム９９ｍ製造システムのテクネチウム９９ｍ製造方法であって、放射線照射制御ステップと、ＲＩ成長制御ステップと、ＲＩ溶解制御ステップと、精製制御ステップと、薬剤製造ステップを備える。テクネチウム９９ｍ製造方法の各ステップは、テクネチウム９９ｍ製造システムの各部に対応する。
【発明の効果】
【００２３】
本発明では、テクネチウム９９ｍのみを簡単な操作で回収することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】放射対象物がナノ粉体の場合の本発明の実施形態に係るテクネチウム９９ｍ製造システムの概念図である。
【図２】放射対象物が分散液の場合の本発明の実施形態に係るテクネチウム９９ｍ製造システムの概念図である。
【図３】放射対象物が分散液の場合の本発明の実施形態に係るテクネチウム９９ｍ製造システムの連続構成の概念図である。
【図４】本発明の実施形態に係るテクネチウム９９ｍ製造方法の実行手順を示すフローチャートである。
【図５】実施例１に係るナノ粉体を収納容器に収納している様子を示す斜視写真と、ナノ粉体をカラムに入れて溶媒を流して回収している様子を示す斜視写真である。
【図６】実施例１に係るガンマ線の照射後のナノ粉体のガンマ線スペクトルの一例である。
【図７】実施例１に係るナノ粉体から分離した溶媒のガンマ線スペクトルの一例である。
【図８】実施例２に係るガンマ線の照射後の分散液のガンマ線スペクトルの一例を示す。
【図９】実施例２に係る分散液のナノ粉体から分離した溶媒のガンマ線スペクトルの一例を示す。
【図１０】実施例２に係る分散液を１日間放置した後に当該分散液のナノ粉体から分離した溶媒のガンマ線スペクトルの一例を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下に、添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明し、本発明の理解に供する。尚、以下の実施形態は、本発明を具体化した一例であって、本発明の技術的範囲を限定する性格のものではない。
【００２６】
図１は、本発明の実施形態に係るテクネチウム９９ｍ製造システムの概念図である。本発明は、図１に示すように、テクネチウム９９ｍ製造システム１（又はテクネチウム９９ｍ製造装置）であって、放射線照射制御部１０と、ＲＩ成長制御部１１と、ＲＩ溶解制御部１２と、精製制御部１３と、薬剤製造部１４を備える。ＲＩとは、放射性同位元素（Ｒａｄｉｏｉｓｏｔｏｐｅ）の略号である。
【００２７】
放射線照射制御部１０は、モリブデン１００（Ｍｏ１００）を含むナノ粉体１０ａに放射線Ｒを照射させる。ＲＩ成長制御部１１は、放射線Ｒが照射されたナノ粉体１０ａを所定の放置時間放置させる。
【００２８】
ＲＩ溶解制御部１２は、ナノ粉体１０ａを吸着可能な吸着剤１２ａを充填したカラム１２ｂに、所定時間放置されたナノ粉体１０ａを入れた状態で、ナノ粉体１０ａに、テクネチウム９９ｍ（Ｔｃ９９ｍ）を溶解可能な溶媒Ｓを流入して、当該テクネチウム９９ｍをナノ粉体１０ａから分離させる。精製制御部１３は、分離された溶媒Ｓからテクネチウム９９ｍを精製する。薬剤製造部１４は、精製されたテクネチウム９９ｍを薬剤Ｄに結合させて核医学診断用薬剤Ｉを製造する。
【００２９】
これにより、テクネチウム９９ｍのみを簡単な操作で回収することが可能となる。即ち、本発明では、ナノ粉体１０ａのモリブデン１００に放射線を照射することで、モリブデン１００からモリブデン９９（Ｍｏ９９）が反跳（リコイル）して、ナノ粉体１０ａの表面に飛び出る現象と、飛び出たモリブデン９９がテクネチウム９９ｍに成長（変換、生成）する現象とを利用する。そして、本発明では、ナノ粉体１０ａの表面に飛び出たテクネチウム９９ｍを溶媒Ｓで溶解させて、カラム１２ｂにナノ粉体１０ａと溶媒Ｓとを入れることで、テクネチウム９９ｍのみをナノ粉体１０ａから分離させることが可能となる。そのため、従来のように、高温加熱操作や強アルカリ性水溶液（又は強酸性水溶液）による溶解操作を不要とし、安全に、効率よくテクネチウム９９ｍのみを回収することが可能となる。又、ナノ粉体１０ａから流れ出る溶媒Ｓは、カラム１２ｂの吸着剤１２ａを通して回収することから、ナノ粉体１０ａを含有せず、テクネチウム９９ｍのみを含むことから、テクネチウム９９ｍの精製処理も極めて容易である。そして、テクネチウム９９ｍを薬剤Ｄに結合させることで、短時間で効率よく核医学診断用薬剤Ｉを製造することが可能となる。
【００３０】
ここで、ナノ粉体１０ａに含まれるモリブデン１００の種類に特に限定は無く、例えば、金属モリブデン１００、二酸化モリブデン１００、三酸化モリブデン１００等を採用することが出来る。
【００３１】
又、ナノ粉体１０ａは、ナノ粉体１０ａに放射線Ｒを照射することで、モリブデン９９を反跳させるナノサイズの粒子の集合体を意味する。ナノ粉体１０ａの平均粒径に、特に限定は無いが、例えば、平均粒径が１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内である。ここで、ナノ粉体１０ａの平均粒径が１ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内であると、ナノ粉体１０ａの比表面積が大きくなり、ナノ粉体１０ａに照射した際にナノ粉体１１０ａの表面から反跳するモリブデン９９の量を増加させることが出来るため、好ましい。ナノ粉体１０ａの平均粒径は、例えば、１ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内であると好ましく、１０ｎｍ〜６０ｎｍの範囲であると更に好ましく、２０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内であると更に好ましい。
【００３２】
又、ナノ粉体１０ａに照射する放射線Ｒは、ナノ粉体１０ａのモリブデン１００からモリブデン９９を生成させる放射線Ｒであれば、特に限定は無い。放射線Ｒは、具体的には、ガンマ線、電子線、中性子線、陽子線のいずれかを挙げることが出来る。ガンマ線又は電子線をナノ粉体１０ａに照射した場合は、１００Ｍｏ（γ，ｎ）９９Ｍｏ反応を利用して、モリブデン９９を生成させる。中性子線をナノ粉体１０ａに照射した場合は、９８Ｍｏ（ｎ，γ）９９Ｍｏ反応を利用して、モリブデン９９を生成させる。陽子線をナノ粉体１０ａに照射した場合は、１００Ｍｏ（ｐ，ｐｎ）９９Ｍｏ反応を利用して、モリブデン９９を生成させる。
【００３３】
又、放射線照射制御部１０が放射線Ｒをナノ粉体１０ａに照射させる方法は、放射線Ｒの種類に応じて適宜設計される。放射線Ｒがガンマ線の場合は、放射線照射制御部１０が電子線型加速器からの電子線を白金ターゲットに照射してガンマ線を発生させ、そのガンマ線をナノ粉体１０ａに照射させる。放射線Ｒが電子線の場合は、放射線照射制御部１０が電子線型加速器からの電子線をナノ粉体１０ａに照射させる。放射線Ｒが中性子線の場合は、放射線照射制御部１０が原子炉等からの中性子線をナノ粉体１０ａに照射させる。放射線Ｒが陽子線の場合は、放射線照射制御部１０がサイクロトロン等の加速器で加速した陽子線をナノ粉体１０ａに照射させる。
【００３４】
又、放射線Ｒをナノ粉体１０ａに照射させる照射時間に特に限定は無いが、照射時間が長い程、ナノ粉体１０ａのモリブデン１００から生成されるモリブデン９９の生成量は増加するが、一方、テクネチウム９９ｍの半減期は約６時間であることから、照射時間が長すぎると、生成されたモリブデン９９に基づいて成長したテクネチウム９９ｍの生成量が半減期により減少する。そのため、例えば、照射時間は６時間〜１２時間の範囲内に設定されると好ましい。
【００３５】
又、放射線Ｒを照射するナノ粉体１０ａの照射面積に特に限定は無いが、７８．５ｍｍ２〜３１４．０ｍｍ２の範囲内であると好ましい。
【００３６】
又、照射する放射線Ｒのエネルギーに特に限定は無いが、例えば、放射線Ｒがガンマ線の場合、エネルギーが高い程、ナノ粉体１０ａのモリブデン１００から生成されるモリブデン９９の生成量は増加するが、一方、エネルギーが高すぎると、モリブデン９９が生成しなくなる。そのため、例えば、エネルギーは、１０ＭｅＶ〜６０ＭｅＶの範囲内であると好ましく、２０ＭｅＶ〜４０ＭｅＶの範囲内であると更に好ましい。
【００３７】
又、放射線照射制御部１０が放射線Ｒの照射を停止する方法に特に限定は無いが、例えば、図１に示すように、放射線Ｒの照射口をシャッターで塞ぐ方法を挙げることが出来る。
【００３８】
又、ＲＩ成長制御部１１がナノ粉体１０ａを放置時間放置させる方法に特に限定は無いが、例えば、ＲＩ成長制御部１１が、放射線Ｒが照射されたナノ粉体１０ａを収納する収納容器１０ｂを移動させることで、放射線Ｒの照射からナノ粉体１０ａを退避させて、ナノ粉体１０ａを放置する方法を挙げることが出来る。又、図１に示すように、ＲＩ成長制御部１１が、ナノ粉体１０ａを収納する収納容器１０ｂをカラム１２ｂに移動させて、収納容器１０ｂのナノ粉体１０ａをカラム１２ｂの吸着剤１２ａの上に入れて、ナノ粉体１０ａを放置しても良い。ＲＩ成長制御部１１が放置の際に、放射線Ｒの照射を停止させても良い。
【００３９】
又、ナノ粉体１０ａを放置する放置時間は、ナノ粉体１０ａの表面に飛び出したモリブデン９９をテクネチウム９９ｍに成長させる時間に設定されるのであれば、特に限定は無い。ここで、モリブデン９９の半減期は約６６時間であり、テクネチウム９９ｍの半減期は約６時間であることから、例えば、所定時間を２０時間〜３０時間の範囲内に設定すると、モリブデン９９から成長されるテクネチウム９９ｍの生成量が飽和量に達するため、飽和量のテクネチウム９９ｍを効率的に回収することが可能となる。
【００４０】
又、ナノ粉体１０ａに流入する溶媒Ｓの種類は、テクネチウム９９ｍを溶解可能な溶媒であれば、特に限定は無いが、例えば、水、生理食塩水、中性水溶液、弱アルカリ性水溶液、弱酸性水溶液を挙げることが出来る。特に、溶媒Ｓが生理食塩水の場合、後の精製処理を簡単にし、精製制御部１３と薬剤製造部１４とを直接接続して、テクネチウム９９ｍを含む生理食塩水を薬剤Ｄに直接結合させて、核医学診断用薬剤Ｉの製造を直接行うことが可能となる。又、溶媒ＳのｐＨは、例えば、２〜１２の範囲内であると好ましい。溶媒Ｓが弱アルカリ性の水溶液の場合は、溶媒ＳのｐＨは、例えば、８〜１２の範囲内であると好ましく、溶媒Ｓが弱酸性の水溶液の場合は、溶媒ＳのｐＨは、例えば、２〜６の範囲内であると好ましい。溶媒Ｓの添加物に特に限定は無いが、後の精製処理を簡単にするために、例えば、弱アルカリ性又は弱酸性にするための添加物（水酸化ナトリウム、塩酸等）や核医学診断用薬剤Ｉの製造用の添加物とすると好ましい。
【００４１】
又、ＲＩ溶解制御部１２がカラム１２ｂ内のナノ粉体１０ａに溶媒Ｓを流入する方法に特に限定は無いが、例えば、図１に示すように、ＲＩ溶解制御部１２は、カラム１２ｂの吸着剤１２ａの上に入れられたナノ粉体１０ａに溶媒Ｓを所定量流し込み、テクネチウム９９ｍを溶解した溶媒Ｓをカラム１２ｂの吸着剤１２ａの下方の出口１２ｃから流し出す方法を挙げることが出来る。
【００４２】
又、溶媒Ｓの流速は、流入した溶媒Ｓがナノ粉体１０ａに染み込み、その後、ナノ粉体１０ａと吸着剤１２ａを通って、カラム１２ｂから流入後の溶媒Ｓが染み出る流速であれば、特に限定は無い。上述のように、ナノ粉体１０ａのモリブデン１００に放射線Ｒを照射することで、モリブデン１００からモリブデン９９が反跳して、ナノ粉体１０ａの表面に飛び出し、その後、テクネチウム９９ｍに成長する。このことから、溶媒Ｓをナノ粉体１０ａに流入させて、溶媒Ｓでナノ粉体１０ａの表面に浸すことで、ナノ粉体１０ａの表面に飛び出たテクネチウム９９ｍのみを洗い流し、ナノ粉体１０ａから分離させることが出来る。
【００４３】
尚、溶媒Ｓは、常時、ナノ粉体１０ａに流入させる必要は無く、溶媒Ｓをナノ粉体１０ａに浸漬させて、溶媒Ｓ中にナノ粉体１０ａを浸水させた状態とし、その後、ナノ粉体１０ａから溶媒Ｓを取り出すことで、ナノ粉体１０ａの表面に飛び出たテクネチウム９９ｍのみを洗い流しても構わない。
【００４４】
又、溶媒Ｓは、カラム１２ｂ内のナノ粉体１０ａと吸着剤１２ａとを通ってカラム１２ａの外に出る必要があることから、ＲＩ溶解制御部１２は、所定のポンプを用いて、カラム１２ｂに流入する溶媒Ｓに圧力を掛けて、溶媒Ｓの流速を増加させて、テクネチウム９９ｍを溶解した溶媒Ｓの流出を促進しても良い。
【００４５】
又、カラム１２ｂの吸着剤１２ａの種類に特に限定は無いが、例えば、モリブデン１００を含むナノ粉体１０ａの吸着能を有する金属酸化物吸着剤が好ましく、具体的には、アルミナ、シリカ、ジルコニア等を挙げることが出来る。
【００４６】
又、ＲＩ溶解制御部１２は、溶媒Ｓをナノ粉体１０ａに流入させている最中に、必要に応じて、ナノ粉体１０ａに超音波振動を与えて、溶媒Ｓに対するテクネチウム９９ｍの溶解を促進しても構わない。
【００４７】
ここで、ＲＩ溶解制御部１２が、超音波振動を与える方法に特に限定は無いが、例えば、ナノ粉体１０ａを入れたカラム１２ａの外周から所定の超音波発生器を当てて、ナノ粉体１０ａに超音波振動を与える方法を挙げることが出来る。又、超音波の周波数に特に限定は無いが、例えば、テクネチウム９９ｍの溶解を考慮して、１０ｋＨｚ〜５０ｋＨｚの範囲内であると好ましく、２０ｋＨｚ〜４０ｋＨｚの範囲内であると更に好ましい。
【００４８】
又、ＲＩ溶解制御部１２は、溶媒Ｓをナノ粉体１０ａに流入させている最中に、必要に応じて、ナノ粉体１０ａを加熱して、溶媒Ｓに対するテクネチウム９９ｍの溶解を促進しても構わない。
【００４９】
ここで、ＲＩ溶解制御部１２が、ナノ粉体１０ａを加熱する方法に特に限定は無いが、例えば、ナノ粉体１０ａを入れたカラム１２ａの外周にコイル型のヒーターを巻き付けて、ヒーターを加熱することで、ナノ粉体１０ａを加熱する方法を挙げることが出来る。又、ナノ粉体１０ａの加熱温度に特に限定は無いが、例えば、溶媒Ｓの沸点以下で、且つ、当該溶媒Ｓの沸点から所定の減算値（例えば、２０度）を減算した値までの間の温度を採用することが出来る。これにより、溶媒Ｓの突沸を確実に防止することが出来る。具体的には、溶媒Ｓの沸点を考慮して、１０度〜９０度の範囲内であると好ましく、２０度〜８０度の範囲内であると更に好ましく、４０度〜８０度の範囲内であると更に好ましい。
【００５０】
又、精製制御部１３が溶媒Ｓからテクネチウム９９ｍを精製する方法に特に限定は無く、例えば、図１に示すように、カラム１２ｂの出口１２ｃに精製容器１３ａを用意し、精製制御部１３は、テクネチウム９９ｍを溶解した溶媒Ｓが精製容器１３ａに所定量溜まると、溜まった溶媒Ｓを放出して、溶媒Ｓからテクネチウム９９ｍを分離したり、テクネチウム９９ｍを濃縮したりする方法を挙げることが出来る。
【００５１】
又、精製制御部１３がテクネチウム９９ｍを精製する場合、１回目の洗い流し出した後の溶媒Ｓを破棄し、２回目、３回目と複数回の洗い流しに用いられた溶媒Ｓからテクネチウム９９ｍを精製すると好ましい。これにより、１回目の洗い流しに用いられた溶媒Ｓの流入によるテクネチウム９９ｍの洗い流しにより、モリブデン９９の親核種とテクネチウム９９ｍの娘核種との過渡平衡関係が生じて、ミルキングが出来る。ミルキングにより、テクネチウム９９ｍを逐次分離することで、テクネチウム９９ｍが量産される。そのため、２回目以降の洗い流しに用いられた溶媒Ｓの流入では、量産されたテクネチウム９９ｍが洗い流され、テクネチウム９９ｍを効率的に得ることが出来る。
【００５２】
又、薬剤製造部１４がテクネチウム９９ｍを薬剤Ｄに結合させる方法に特に限定は無い。
【００５３】
又、テクネチウム９９ｍ製造システム１は、図１に示すように、テクネチウム９９ｍの精製が完了すると、ナノ粉体１０ａのモリブデン９９の放射能が無くなるまで、ナノ粉体１０ａの放置と、カラム１２ｂへの溶媒Ｓの再流入と、テクネチウム９９ｍを溶解した溶媒の分離と、テクネチウム９９ｍの精製とを繰り返す繰り返し制御部１５を備えても良い。ここで、ナノ粉体１０ａのモリブデン９９の放射能が無くなるという意味は、モリブデン９９の放射能が所定の閾値未満に低下することを意味する。又、繰り返し制御部１５は、核医学診断用薬剤の製造も繰り返しても良い。
【００５４】
尚、放射線照射制御部１０と、ＲＩ成長制御部１１とは、図１に示すように、一つの制御装置に搭載されても良いし、それぞれ別個独立した制御装置として構成されても良い。又、ＲＩ溶解制御部１２と、繰り返し制御部１５とは、図１に示すように、一つの制御装置に搭載されても良いし、それぞれ別個独立した制御装置として構成されても良い。
【００５５】
又、ナノ粉体１０ａのモリブデン９９の放射能が無くなった場合、繰り返し制御部１５は、放射線照射制御部１０により、カラム１２ｂ内のナノ粉体１０ａに放射線Ｒを再照射させることで、再度、ナノ粉体１０ａ中のモリブデン１００からモリブデン９９をナノ粉体１０ａの表面に飛び出させても構わない。即ち、放射線Ｒの照射後のナノ粉体１０ａのモリブデン９９に放射能が無くなれば、再度、放射線Ｒをナノ粉体１０ａに照射することで、モリブデン９９の反跳を行わせることが可能となり、ナノ粉体１０ａの再利用（使いまわし）を行うことが出来る。
【００５６】
又、図１では、放射線照射制御部１０は、ナノ粉体１０ａそのままに放射線Ｒを照射させるよう構成したが、図２に示すように、ナノ粉体１０ａは、テクネチウム９９ｍを溶解可能な溶媒Ｓ中に分散されて、分散液Ｌとして構成すると好ましい。分散液Ｌは収納容器１０ｂに収納された状態で放射線Ｒに照射される。
【００５７】
ここで、分散液Ｌの形態に特に限定は無く、溶媒Ｓが多い液体状でも良いし、溶媒Ｓが少ないペースト状でも構わない。
【００５８】
さて、分散液Ｌ中に分散したナノ粉体１０ａの表面には、溶媒Ｓが漂うことになるため、分散液Ｌに放射線Ｒを照射させると、分散液Ｌ中のナノ粉体１０ａの表面にモリブデン９９が飛び出し、テクネチウム９９ｍがモリブデン９９から成長すると、テクネチウム９９ｍがナノ粉体１０ａの表面に漂う溶媒Ｓに直ぐに溶解する。これにより、ナノ粉体１０ａに放射線Ｒを照射した後からナノ粉体１０ａに溶媒Ｓを流し込むよりも、分散液Ｌ中で成長したテクネチウム９９ｍを直ぐに溶媒Ｓで捕獲することが可能となるため、テクネチウム９９ｍを効率よく回収することが可能となる。
【００５９】
次に、ＲＩ成長制御部１１は、分散液Ｌ中のナノ粉体１０ａを所定の放置時間放置させる。これにより、ナノ粉体１０ａの表面に飛び出したモリブデン９９をテクネチウム９９ｍに成長させるとともに、分散液Ｌの溶媒Ｓにテクネチウム９９ｍを溶解させる。そして、ＲＩ溶解制御部１２は、カラム１２ｂに、放置時間放置された分散液Ｌを入れて、テクネチウム９９ｍを溶解した溶媒Ｓをナノ粉体１０ａから分離させる。又、ＲＩ溶解制御部１２は、必要に応じて、カラム１２ｂに溶媒Ｓを流入して、テクネチウム９９ｍを更に溶媒Ｓに溶解させて、テクネチウム９９ｍを溶解した溶媒Ｓをナノ粉体１０ａから分離させる。尚、精製制御部１３と、薬剤製造部１４と、繰り返し制御部１５とのそれぞれの機能は、上述と同様である。このように構成することで、テクネチウム９９ｍの収率を高めることが可能となる。
【００６０】
又、図２では、収納容器１０ｂと、カラム１２ｂとを別にして、分散液Ｌ中のナノ粉体１０ａに放射線Ｒを照射する部分と、ナノ粉体１０ａと溶媒Ｓとを分離する部分とを別個独立に構成したが、図３に示すように、収納容器１０ｂをカラム１２ｂの一部に構成すると好ましい。
【００６１】
ここで、放射線照射制御部１０が、分散液Ｌをカラム１２ｂに入れた状態で、当該分散液Ｌに放射線Ｒを照射させ、ＲＩ成長制御部１１は、放射線Ｒの照射を停止して、分散液Ｌ中のナノ粉体１０ａを所定の放置時間放置させる。そして、ＲＩ溶解制御部１２は、カラム１２ｂの分散液Ｌに溶媒Ｓを入れて、テクネチウム９９ｍを溶解した溶媒Ｓをナノ粉体１０ａから分離させる。尚、精製制御部１３と、薬剤製造部１４と、繰り返し制御部１５とのそれぞれの機能は、上述と同様である。このように構成することで、テクネチウム９９ｍの収率を高めるとともに、連続的にテクネチウム９９ｍの分離・精製を行うことが可能となり、テクネチウム９９ｍを量産化することが出来る。又、放射線Ｒの照射による放射化物質を最小限に抑えることも可能となる。
【００６２】
次に、本発明の実施形態に係るテクネチウム９９ｍ製造方法の実行手順を説明する。先ず、作業者は、テクネチウム９９ｍ製造システム１の放射線照射制御部１０の収納容器１０ｂに、ナノ粉体１０ａ又は分散液Ｌの放射対象物（又は放射化対象物）を収容し、その収納容器１０ｂを、放射線Ｒが照射される位置にセットする（図４：Ｓ１０１）。
【００６３】
そして、作業者は、テクネチウム９９ｍ製造システム１の制御装置を操作すると、テクネチウム９９ｍ製造システム１の放射線照射制御部１０は、収納容器１０ｂを密閉状態にし、放射対象物に放射線Ｒを所定の照射時間照射させる（図４：Ｓ１０２）。これにより、放射対象物のナノ粉体１０ａのモリブデン１００が、放射線Ｒを受けて、モリブデン９９が反跳して、ナノ粉体１０ａの表面に飛び出る。
【００６４】
放射線照射制御部１０が、所定の放射時間だけ放射線Ｒの照射をすると、放射線Ｒの照射を停止し、テクネチウム９９ｍ製造システム１のＲＩ成長制御部１１は、収納容器１０ｂを密閉状態にし、必要に応じて、収納容器１０ｂを他の場所に移動させる等して、放射対象物を所定の放置時間放置させる（図４：Ｓ１０３）。これにより、ナノ粉体１０ａの表面に飛び出したモリブデン９９は、β壊変により、テクネチウム９９ｍに成長する。又、放射対象物が分散液Ｌの場合、成長したテクネチウム９９ｍは、周囲に存在する溶媒Ｓに溶解する。
【００６５】
ＲＩ成長制御部１１が、所定の放置時間だけの放射対象物の放置を完了すると、テクネチウム９９ｍ製造システム１のＲＩ溶解制御部１２は、収納容器１０ｂの放射対象物をカラム１２ｂの吸着剤１２ａの上に入れ、更に、放射対象物に所定量の溶媒Ｓを１回目の溶媒Ｓとして流入する（図４：Ｓ１０４）。これにより、ナノ粉体１０ａの表面で成長したテクネチウム９９ｍは、溶媒Ｓに溶解し、テクネチウム９９ｍを溶解した溶媒Ｓは吸着剤１２ａを通って、ナノ粉体１０ａから分離される。
【００６６】
ここで、テクネチウム９９ｍ製造システム１の精製制御部１３は、先ず、１回目の洗い流しに用いられた所定量の溶媒Ｓを破棄する（図４：Ｓ１０５）。これにより、上述したミルキングを利用して、２回目以降のテクネチウム９９ｍの溶解に用いられた溶媒Ｓから大量のテクネチウム９９ｍを精製することが出来る。
【００６７】
次に、ＲＩ溶出制御部１２は、再度、放射対象物を入れたカラム１２ｂに所定量の溶媒Ｓを２回目の溶媒Ｓとして流入する（図４：Ｓ１０６）。これにより、ナノ粉体１０ａの表面で成長したテクネチウム９９ｍは、２回目の溶媒Ｓに溶解し、テクネチウム９９ｍを溶解した溶媒Ｓは吸着剤１２ａを通って、ナノ粉体１０ａから分離される。
【００６８】
そして、精製制御部１３は、２回目のテクネチウム９９ｍの溶解に用いられた所定量の溶媒Ｓからテクネチウム９９ｍを精製する（図４：Ｓ１０７）。これにより、テクネチウム９９ｍのみを簡単な操作で回収することが可能となる。
【００６９】
尚、ＲＩ溶出制御部１２は、所定量の溶媒Ｓを放射対象物に繰り返し流入することで、２回目以降の溶媒Ｓの流入が行われ（図４：Ｓ１０６）、これに対して、精製制御部１３は、２回目以降のテクネチウム９９ｍの溶解に用いられた所定量の溶媒Ｓからテクネチウム９９ｍを繰り返し精製することになる（図４：Ｓ１０７）。
【００７０】
ここで、上述では、ミルキングを利用するために、１回目の溶媒Ｓの流入と、２回目以降の溶媒Ｓの流入とを分けて、１回目の溶媒Ｓを破棄し、２回目以降の溶媒Ｓを精製に利用したが、これに限定されない。例えば、分散液Ｌを利用する場合は、全体の処理の流れとして、１回目の溶媒Ｓを破棄せずに、１回目以降の溶媒Ｓを精製に利用しても構わない。
【００７１】
さて、テクネチウム９９ｍ製造システム１には、図１に示すように、薬剤製造部１４が精製制御部１３に連結されているため、テクネチウム９９ｍ製造システム１の薬剤製造部１４は、精製されたテクネチウム９９ｍを薬剤Ｄに結合させて核医学診断用薬剤Ｉを製造する（図４：Ｓ１０８）。これにより、テクネチウム９９ｍを含む核医学診断用薬剤Ｉをすぐに製造し、ＳＰＥＣＴ検査に利用することが出来る。
【００７２】
又、テクネチウム９９ｍ製造システム１には、図１に示すように、繰り返し制御部１５が制御装置に組み込まれているため、テクネチウム９９ｍ製造システム１の繰り返し制御部１５は、溶媒Ｓの流入が完了したり、テクネチウム９９ｍの精製が完了したりすると、放射対象物のモリブデン９９の放射能が有るか否かを判定する（図４：Ｓ１０９）。
【００７３】
ここで、繰り返し制御部１５の判定方法に特に限定は無く、例えば、セットされた放射対象物に対する放射能を測定し、測定した放射能が所定の閾値未満であるか否かを判定する。閾値は、ナノ粉体１０ａのサイズ、分散液Ｌの量、放射線Ｒの照射時間等に応じて適宜設計されるが、例えば、放射対象物への放射線Ｒの照射を完了した時点における照射対象物の放射能を放射対象物の最初の放射能として予め測定しておき、閾値に、放射対象物の最初の放射能に対して１／１０の値が設定される。具体的には、放射対象物の最初の放射能が１０ＭＢｑである場合、閾値は１ＭＢｑに設定される。
【００７４】
判定の結果、現時点では、放射対象物の放射能が閾値以上である場合、繰り返し制御部１５は、放射対象物のモリブデン９９の放射能が有ると判定する（図４：Ｓ１０９ＹＥＳ）。
【００７５】
すると、繰り返し制御部１５は、ポンプの弁を閉じて、溶媒Ｓの供給を停止することで、溶媒Ｓの流入を停止し（図４：Ｓ１１０）、Ｓ１０３に戻って、放射線Ｒの照射の停止による放射対象物の放置と（図４：Ｓ１０３）、２回目以降の溶媒Ｓの流入と（図４：Ｓ１０６）、テクネチウム９９ｍの精製と（図４：Ｓ１０７）を繰り返す。これにより、放射対象物のモリブデン９９の放射能がある場合は、放射対象物を再利用して、テクネチウム９９ｍのみを製造することが可能となる。
【００７６】
そして、繰り返し制御部１５の繰り返しの結果、放射対象物の放射能が閾値未満になった場合、Ｓ１０９において、繰り返し制御部１５は、放射対象物のモリブデン９９の放射能が無いと判定する（図４：Ｓ１０９ＮＯ）。すると、繰り返し制御部１５の繰り返し処理は停止し、テクネチウム９９ｍ製造システム１のテクネチウム９９ｍの製造は完了する。
【００７７】
尚、放射対象物（放射化対象物）を再利用したい場合は、作業者は、放射対象物をセットした状態で、Ｓ１０２から開始して、放射対象物に放射線Ｒを照射することで（図４：Ｓ１０２）、モリブデン９９をナノ粉体１０ａの表面に飛び出させて、テクネチウム９９ｍの製造を再開しても良い。
【００７８】
又、放射対象物を交換したい場合は、作業者は、例えば、収納容器１０ｂから放射対象物を取り出し、新たな放射対象物を収納容器１０ｂにセットすることで、テクネチウム９９ｍの製造を再開することが出来る。
【００７９】
ところで、本発明の実施形態では、テクネチウム９９ｍ製造システム１に放射線照射制御部１０と、ＲＩ成長制御部１１と、ＲＩ溶出制御部１２と、精製制御部１３と、薬剤製造部１４を備え、放射線の照射からテクネチウム９９ｍの精製までを自動的に行うよう構成したが、一部が手動で構成されても、本発明の作用効果を有する。
【００８０】
又、本発明の実施形態では、テクネチウム９９ｍ製造システム１が各部を備えるよう構成したが、当該各部を実行するステップを本発明のテクネチウム９９ｍ製造方法として提供することも可能である。更に、各部を実現するプログラムを記憶媒体に記憶させ、当該記憶媒体を提供するよう構成しても構わない。
【００８１】
＜実施例＞
以下、実施例等によって本発明を具体的に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。
【００８２】
（実施例１）
実施例１は、ナノ粉体１０ａをそのままに放射線Ｒを照射した場合のテクネチウム９９ｍの製造方法を示す。
【００８３】
先ず、図５Ａに示すように、平均粒径が３０ｎｍの金属モリブデン１００のナノ粒子の集合体であるナノ粉体１０ａを収納容器１０ｂに収納し、放射対象物を作成した。
【００８４】
次に、電子線型加速器（電子ライナック）の施設に収納容器１０ｂを搬入し、電子線型加速器にて３０ＭｅＶのエネルギーの電子線を白金ターゲットに照射し、それにより発生したガンマ線を収納容器１０ｂに所定の照射時間照射した。実施例１では、必要最小限のモリブデン９９が生じる程度で良いため、照射時間を、例えば、１０分間と設定した。ガンマ線の照射により、１００Ｍｏ（γ，ｎ）９９Ｍｏ反応が生じて、収納容器１０ｂのナノ粉体１０ａには、モリブデン９９が反跳して生じる。
【００８５】
ガンマ線の照射が完了すると、ガンマ線の照射後の収納容器１０ｂのナノ粉体１０ａを所定の放置時間放置した。実施例１では、テクネチウム９９ｍが検知可能な程度に生じるように、放置時間を、例えば、２４時間と設定した。収納容器１０ｂの放置により、９９Ｍｏ→９９ｍＴｃ  ＋  β−壊変の反応が生じ、モリブデン９９からテクネチウム９９ｍが成長される。
【００８６】
そして、収納容器１０ｂの放置が完了すると、図５に示すように、収納容器１０ｂのナノ粉体１０ａを、吸着剤１２ａを充填したカラム１２ｂに入れ、カラム１２ｂの下方の出口１２ｃには、精製容器１３ａを設置して、吸着剤１２ａの上のナノ粉体１０ａの上から、テクネチウム９９ｍを溶解可能な溶媒Ｓ（水）を流した。これにより、ナノ粉体１０ａから、テクネチウム９９ｍを溶解した溶媒Ｓを分離させた。精製容器１３ａで、溶媒Ｓを回収した。
【００８７】
ここで、ガンマ線の照射を完了した収納容器１０ｂのナノ粉体１０ａにＧｅ半導体検出器を当てて、ナノ粉体１０ａから発生するガンマ線の測定を行った。図６は、実施例１に係るガンマ線の照射後のナノ粉体１０ａのガンマ線スペクトルの一例を示す。図６に示すように、１００Ｍｏ（γ，ｎ）９９Ｍｏ反応及び９９Ｍｏのβ壊変によりテクネチウム９９ｍが生成していることが確認される。更に、他の生成物として、９６Ｎｂ、９５ｍＮｂも生成していることが確認される。
【００８８】
次に、ナノ粉体１０ａから分離した溶媒ＳにＧｅ半導体検出器を当てて、溶媒Ｓから発生するガンマ線の測定を行った。図７は、実施例１に係るナノ粉体１０ａから分離した溶媒Ｓのガンマ線スペクトルの一例を示す。図７に示すように、驚くべきことに、溶媒Ｓの中には、テクネチウム９９ｍのみが測定されていることが確認される。これは、ナノ粉体１０ａのモリブデン１００に放射線を照射することで、モリブデン１００からモリブデン９９が反跳して、ナノ粉体１０ａの表面に飛び出す現象が生じ、ナノ粉体１０ａの表面に飛び出たテクネチウム９９ｍを溶媒Ｓで溶解したことに成功したことを示している。尚、図７では、４０Ｋのガンマ線も測定されているが、これは、自然界に存在するカリウムの同位体である。
【００８９】
（実施例２）
実施例２は、ナノ粉体１０ａを溶媒Ｓに分散させた分散液Ｌに放射線Ｒを照射した場合のテクネチウム９９ｍの製造方法を示す。
【００９０】
先ず、平均粒径が３０ｎｍの金属モリブデン１００のナノ粉体１０ａを、テクネチウム９９ｍが溶解可能な溶媒Ｓ（水）に分散させることで、分散液Ｌを作製した。
【００９１】
次に、電子線型加速器（電子ライナック）の施設に分散液Ｌを搬入し、電子線型加速器にて３０ＭｅＶのエネルギーの電子線を白金ターゲットに照射し、それにより発生したガンマ線を分散液Ｌに所定の照射時間照射した。実施例２でも、照射時間を１０分間と設定した。ガンマ線の照射により、１００Ｍｏ（γ，ｎ）９９Ｍｏ反応が生じて、分散液Ｌのナノ粉体１０ａには、モリブデン９９が反跳して生じる。
【００９２】
ガンマ線の照射が完了すると、ガンマ線の照射後の分散液Ｌ（ナノ粉体１０ａ）を所定の放置時間放置した。実施例２でも、放置時間を２４時間と設定した。分散液Ｌの放置により、９９Ｍｏ→９９ｍＴｃ  ＋  β−壊変の反応が生じ、モリブデン９９からテクネチウム９９ｍが成長される。成長したテクネチウム９９ｍは溶媒Ｓに素早く溶解される。
【００９３】
そして、分散液Ｌの放置が完了すると、分散液Ｌを、吸着剤１２ａを充填したカラム１２ｂに入れて、分散液Ｌのナノ粉体１０ａから、テクネチウム９９ｍを溶解した溶媒Ｓを分離させ、精製容器１３ａで回収した。実施例２では、分散液Ｌの自重により、カラム１２ｂを通して分散液Ｌから溶媒Ｓを精製容器１３ａで回収し、必要に応じて、溶媒Ｓをカラム１２ｂのナノ粉体１０ａ上に追加した。
【００９４】
ここで、ガンマ線の照射を完了した分散液ＬにＧｅ半導体検出器を当てて、分散液Ｌから発生するガンマ線の測定を行った。図８は、実施例２に係るガンマ線の照射後の分散液Ｌのガンマ線スペクトルの一例を示す。図８に示すように、１００Ｍｏ（γ，ｎ）９９Ｍｏ反応及び９９Ｍｏのβ壊変によりテクネチウム９９ｍが生成していることが確認される。尚、上述と同様に、９６Ｎｂ、９５ｍＮｂ、４０Ｋのガンマ線のピークも見られた。
【００９５】
次に、分散液Ｌのナノ粉体１０ａから分離した溶媒ＳにＧｅ半導体検出器を当てて、溶媒Ｓから発生するガンマ線の測定を行った。図９は、実施例２に係る分散液Ｌのナノ粉体１０ａから分離した溶媒Ｓのガンマ線スペクトルの一例を示す。図９に示すように、驚くべきことに、溶媒Ｓの中には、テクネチウム９９ｍのみが測定されていることが確認される。上述と同様に、分散液Ｌ中に分散したナノ粉体１０ａのモリブデン１００に放射線を照射することで、モリブデン１００からモリブデン９９が反跳して、ナノ粉体１０ａの表面に飛び出す現象が生じ、ナノ粉体１０ａの表面に飛び出たテクネチウム９９ｍを溶媒Ｓで溶解したことに成功したことを示している。このように、テクネチウム９９ｍのみを簡単な操作で回収することが出来た。尚、図９でも、上述と同様に、４０Ｋのガンマ線のピークも測定された。
【００９６】
実施例２では、分散液Ｌの放射能が１ＭＢｑ以上であったため、１日間放置し、その後、カラム１２ｂに溶媒Ｓを追加して、その溶媒に、分散液Ｌ中のナノ粉体１０ａのモリブデン９９から成長したテクネチウム９９ｍを溶解して、テクネチウム９９ｍを含む溶媒を分離した。そして、分散液Ｌのナノ粉体１０ａから分離した溶媒ＳにＧｅ半導体検出器を当てて、溶媒Ｓから発生するガンマ線の測定を行った。図１０は、実施例２に係る分散液Ｌを１日間放置した後に当該分散液Ｌのナノ粉体１０ａから分離した溶媒Ｓのガンマ線スペクトルの一例を示す。図１０に示すように、驚くべきことに、溶媒Ｓの中には、テクネチウム９９ｍのみが測定されていることが確認される。このように、放射能を有する分散液Ｌ（ナノ粉体１０ａ）から、ナノ粉体１０ａの表面に飛び出たテクネチウム９９ｍを繰り返し回収したことに成功したことを示している。更に驚くべきことに、テクネチウム９９ｍのガンマ線のピーク強度が高く、テクネチウム９９ｍの収率が高くなっていることが確認される。このように、テクネチウム９９ｍのみを簡単な操作で繰り返し回収することが出来た。
【００９７】
従って、実施例では、従来のように、高温加熱操作や強アルカリ（又は強酸）による溶解操作を不要とし、安全に、効率よくテクネチウム９９ｍのみを回収することが可能であることが明らかになった。
【産業上の利用可能性】
【００９８】
以上のように、本発明に係るテクネチウム９９ｍ製造システム及びテクネチウム９９ｍ製造方法は、ＳＰＥＣＴ検査に用いる核医学診断用薬剤のテクネチウム９９ｍの製造に有用であり、医療用に限らず、研究用、産業用、食品用等、様々な業界で使用されるテクネチウム９９ｍの製造に幅広く利用出来る。又、テクネチウム９９ｍのみを簡単な操作で回収することが可能なテクネチウム９９ｍ製造システム及びテクネチウム９９ｍ製造方法として有効である。
【符号の説明】
【００９９】
１  テクネチウム９９ｍ製造システム
１０  放射線照射制御部
１１  ＲＩ成長制御部
１２  ＲＩ溶出制御部
１３  精製制御部
１４  薬剤製造部
１５  繰り返し制御部
【要約】
【解決手段】放射線照射制御部１０は、モリブデン１００を含むナノ粉体１０ａに放射線Ｒを照射させる。ＲＩ成長制御部１１は、放射線Ｒが照射されたナノ粉体１０ａを所定の放置時間放置させる。ＲＩ溶解制御部１２は、ナノ粉体１０ａを吸着可能な吸着剤を充填したカラムに、放置時間放置されたナノ粉体１０ａを入れた状態で、ナノ粉体１０ａに、テクネチウム９９ｍを溶解可能な溶媒Ｓを流入して、当該テクネチウム９９ｍを溶解させた溶媒をナノ粉体１０ａから分離させる。精製制御部１３は、分離された溶媒Ｓからテクネチウム９９ｍを精製する。薬剤製造部１４は、精製されたテクネチウム９９ｍを薬剤Ｄに結合させて核医学診断用薬剤Ｉを製造する。
【選択図】図１【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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