(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端子と、
出力端子と、
第１インダクタを有し、前記入力端子と前記出力端子との間に接続された第１の直列腕ＬＣフィルタ回路と、
第２インダクタ及び第１可変キャパシタを有し、前記入力端子及び前記第１の直列腕ＬＣフィルタ回路の接続点と、接地電位と、の間に接続される、第１の並列腕ＬＣフィルタ回路と、
第３インダクタ及び第２可変キャパシタを有し、前記出力端子及び前記第１の直列腕ＬＣフィルタ回路の接続点と、接地電位と、の間に接続される、第２の並列腕ＬＣフィルタ回路と、
が基板の主面に実装された周波数可変ＬＣフィルタであって、
前記第２の並列腕ＬＣフィルタ回路は、前記第１インダクタと直接的に接続されており、
前記第１可変キャパシタ、および、前記第２可変キャパシタは、前記主面において、前記第１インダクタと前記第３インダクタとの間に生じる磁界結合の強度が、前記第２インダクタと前記第１，第３インダクタとの間に生じる磁界結合の強度よりも大きくなるように、
前記第１可変キャパシタ、及び、前記第２可変キャパシタは、前記主面において、前記第１インダクタの側面と、前記第３インダクタの側面で形成される、第１領域以外の領域に配置され、
前記第１可変キャパシタ、及び、前記第２可変キャパシタの少なくとも一方の可変キャパシタの一部は、前記主面において、第１インダクタの巻線の軸方向の端面又は側面と前記第２インダクタの側面、または、第３インダクタの巻線の軸方向の端面又は側面と前記第２インダクタの側面で形成される、第２領域に配置される、
周波数可変ＬＣフィルタ。
【請求項２】
前記第２インダクタと、前記第１，第３インダクタとは、前記主面において、互いに巻軸方向が異なるように配置されている巻線インダクタである、
請求項１に記載の周波数可変ＬＣフィルタ。
【請求項３】
前記第２インダクタは、前記主面の所定方向において、一方端側に配置され、
前記第１，第３インダクタは、前記主面の所定方向において、他方端側に配置されている、
請求項１または請求項２に記載の周波数可変ＬＣフィルタ。
【請求項４】
前記第１の直列腕ＬＣフィルタ回路は、
第３可変キャパシタ及び第４インダクタを有する並列ＬＣフィルタ回路であって、前記入力端子と前記出力端子との間の経路と接地電位との間に接続される並列ＬＣフィルタ回路と、
前記第１インダクタに並列接続される固定キャパシタと、を備え、
前記第１、第２、および第３可変キャパシタは、前記主面において、前記第１インダクタの側面と前記第３インダクタの側面、または第２インダクタの側面と第４インダクタの側面で形成される、第３領域以外の領域に配置され、
前記第１、第２、および第３可変キャパシタの少なくとも１つの可変キャパシタの一部は、前記主面において、前記第１インダクタの端面又は側面と第４インダクタの端面又は側面で形成される、または、第２インダクタ、第３インダクタ、第４インダクタの端面で形成される第４領域に配置される、
請求項１〜３のいずれかに記載の周波数可変ＬＣフィルタ。
【請求項５】
前記入力端子及び前記第１の直列腕ＬＣフィルタ回路との接続点と、接地電位との間に接続された第３並列腕ＬＣフィルタ回路をさらに備え、
前記第３並列腕ＬＣフィルタ回路は、
前記入力端子と前記第１の直列腕ＬＣフィルタ回路との間に接続された固定キャパシタと、
該固定キャパシタ及び前記入力端子の接続点と接地電位との間に直列に接続された第５インダクタ及び固定キャパシタと、を有し、
前記第１、第２、および第３可変キャパシタの少なくとも１つの可変キャパシタの一部は、前記主面において、前記第５インダクタの端面と、前記第２インダクタの端面又は側面で形成される、または前記第５インダクタの側面と、前記第３インダクタの端面とで形成される第５領域に配置される、
請求項４に記載の周波数可変ＬＣフィルタ。
【請求項６】
前記出力端子と前記第１の直列腕ＬＣフィルタ回路との間に接続された第２の直列腕ＬＣフィルタ回路をさらに備え、
前記第２の直列腕ＬＣフィルタ回路は、
前記出力端子と前記第１の直列腕ＬＣフィルタ回路との間に接続され、互いに並列接続された第６インダクタ及び固定キャパシタを有し、
前記第２可変キャパシタの一部は、
前記主面において、前記第２インダクタの端面と、前記第６インダクタの端面で形成される第６領域、
および、
前記主面において、前記第３インダクタの端面と、前記第６インダクタの端面又は側面で形成される第７領域、
に配置されている、請求項１〜５のいずれに記載の周波数可変ＬＣフィルタ。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の周波数可変ＬＣフィルタと、
前記周波数可変ＬＣフィルタの前記入力端子に接続される周波数固定ＬＣフィルタと、
前記周波数可変ＬＣフィルタの前記出力端子に接続される第２周波数可変フィルタと、
を備える高周波フロントエンドモジュール。
【請求項８】
前記周波数固定ＬＣフィルタの通過帯域は、前記周波数可変ＬＣフィルタの通過帯域を含み、
前記周波数可変ＬＣフィルタの通過帯域は、前記第２周波数可変フィルタの通過帯域を含む、
請求項７に記載の高周波フロントエンドモジュール。
【請求項９】
前記基板、前記周波数固定ＬＣフィルタ、および第２周波数可変フィルタが実装されるメイン基板をさらに備え、
前記第１可変キャパシタ、および前記第２可変キャパシタの少なくとも一方は、前記メイン基板の主面において、前記第２インダクタと、前記第２周波数可変フィルタとの間に配置されるか、又は、前記第２インダクタと、前記周波数固定ＬＣフィルタとの間に配置される、
請求項８に記載の高周波フロントエンドモジュール。
【請求項１０】
前記周波数可変ＬＣフィルタの通過帯域は、ＴＶホワイトスペースの周波数帯域を含む、
請求項７〜９のいずれかに記載の高周波フロントエンドモジュール。
【請求項１１】
送信信号を生成する送信回路と、
前記送信信号を増幅する増幅回路と、をさらに備える、
請求項７〜１０のいずれかに記載の高周波フロントエンドモジュール。
【請求項１２】
請求項１１に記載の高周波フロントエンドモジュールと、
前記送信信号と、前記第２周波数可変フィルタを通過する受信信号とを信号処理する信号処理部と、
前記送信信号と前記受信信号とを用いた通信のベースバンドの信号処理を実行するベースバンド処理部と、
を備える、
通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタと可変キャパシタの共振回路を備える周波数可変ＬＣフィルタ、高周波フロントエンドモジュール、および、通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、インダクタと可変キャパシタを用いた周波数可変ＬＣフィルタが記載されている。特許文献１に記載された周波数可変ＬＣフィルタは、第１のＬＣ並列回路、第２のＬＣ並列回路、第３の直列回路、第４の直列回路を備える。第１のＬＣ並列回路と第２のＬＣ並列回路は、ともに、インダクタと可変キャパシタの並列回路を備える。第１のＬＣ並列回路と第２のＬＣ並列回路は、一方端が結合用インダクタで接続され、他方端がそれぞれ接地電位に接続されている。【０００３】
第３の直列回路は、可変キャパシタを備えており、一方端が第１のＬＣ並列回路と接続され、他方端が第１の接続端子と接続されている。第４の直列回路は、可変キャパシタを備えており、一方端が第２のＬＣ並列回路と接続され、他方端が第２の接続端子と接続されている。【０００４】
第１のＬＣ並列回路の一方端（結合用インダクタが接続される側の端部）は、第３の可変キャパシタを介して第１の接続端子に接続されている。第２のＬＣ並列回路の一方端（結合用インダクタが接続される側の端部）は、第４の可変キャパシタを介して第２の接続端子に接続されている。第１の接続端子と第２の接続端子とは、固定キャパシタを介して接続されている。【０００５】
この構成において、第１、第２のＬＣ並列回路の可変キャパシタ、第３、第４の可変キャパシタのキャパシタンスを変化させることによって、通過特性が変更される。【０００６】
このような周波数可変ＬＣフィルタは、例えば、ＴＶホワイトスペースを利用した無線通信に利用される。ＴＶホワイトスペースとは、テレビジョン放送に割り当てられたＵＨＦ帯のうち、未使用の周波数帯域である（特許文献２を参照）。近年、このＴＶホワイトスペースを用いて無線通信することが提案されている。【０００７】
ＴＶホワイトスペース（未使用の周波数帯域）は、地域によって異なる。従って、特許文献１に記載された周波数可変ＬＣフィルタの通過帯域を変更すれば、地域に応じたＴＶホワイトスペースの信号を通過させ、且つその他の不要信号を減衰させることができる。ＴＶホワイトスペースの仕様によると、１チャンネルの帯域幅は、例えば、６ＭＨｚとなっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】国際公開第２００５／０８８８３２号パンフレット
【特許文献２】特開２０１３−９０１６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１に記載の周波数可変ＬＣフィルタを用いて、例えば、地域に応じて使用チャンネルが変わり得るＴＶホワイトスペースの信号を通過させる場合、ＴＶホワイトスペースの１チャンネルの帯域幅は６ＭＨｚ程度とかなり狭く、且つ各チャンネル間の周波数の幅も狭いので、当該周波数可変ＬＣフィルタは、急峻な減衰特性を必要とする。【００１０】
しかしながら、特許文献１に記載された周波数可変ＬＣフィルタでは、複数のインダクタ間で磁界結合が生じることがある。周波数可変ＬＣフィルタの減衰特性は、この磁界結合の発生によって、影響を受けることがある。その結果、周波数可変ＬＣフィルタの減衰特性は、急峻とならないことがある。すると、特許文献１に記載の周波数可変ＬＣフィルタを、ＴＶホワイトスペースのような、１チャンネルの帯域幅が狭く、且つ各チャンネル間の周波数の幅も狭い無線通信システムで適用すると、不必要な信号を通過させてしまう。【００１１】
一方、不必要な磁界結合を阻害するために、複数のインダクタを互いに離して基板上に配置することが考えられる。しかしながら、そのような配置は、基板全体を大型化してしまう。【００１２】
したがって、本発明の目的は、急峻な減衰特性であり、且つ基板を大型化することがない周波数可変ＬＣフィルタ、およびそれを用いた高周波フロントエンドモジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この発明の周波数可変ＬＣフィルタは、入力端子と、出力端子と、第１の直列腕ＬＣフィルタ回路と、第１、第２並列腕ＬＣフィルタ回路と、が基板の主面に実装されたものである。【００１４】
第１の直列腕ＬＣフィルタ回路は、第１インダクタを有し、入力端子と出力端子との間に接続される。第１の並列腕ＬＣフィルタ回路は、第２インダクタ及び第１可変キャパシタを有し、入力端子及び第１の直列腕ＬＣフィルタ回路の接続点と、接地電位と、の間に接続される。第２の並列腕ＬＣフィルタ回路は、第３インダクタ及び第２可変キャパシタを有し、出力端子及び第１の直列腕ＬＣフィルタ回路の接続点と、接地電位と、の間に接続される。第２の並列腕ＬＣフィルタ回路は、第１インダクタと直接的に接続されている。
【００１５】
本発明の周波数可変ＬＣフィルタでは、第１可変キャパシタ、および、第２可変キャパシタは、主面において、第１インダクタと第３インダクタとの間に生じる磁界結合の強度が、第２インダクタと第１，第３インダクタとの間に生じる磁界結合の強度よりも大きくなるように、配置されることを特徴とする。【００１６】
換言すれば、第１及び第２可変キャパシタは、第１インダクタと第３インダクタとの間に生じる磁界結合を阻害せず、且つ、第２インダクタと第１，第３インダクタとの間に生じる磁界結合を阻害するように、配置される。このように、本発明では、磁界結合させるべき第１，第３インダクタと、磁界結合させない第２インダクタとを設定する。すると、例えば、通過帯域の高域側の減衰極の周波数は、通過帯域側に近づく。また、その減衰極の周波数から通過帯域の中心周波数までの減衰量は大きくなる。すなわち、本発明の周波数可変ＬＣフィルタの減衰特性は、第１及び第２可変キャパシタを上述のように配置しない態様と比べてより急峻になる。【００１７】
また、この第１及び第２可変キャパシタの配置を用いることによって、不要な磁界結合を生じにくくするために、基板サイズを大きくして第２インダクタと第１，第３インダクタとを離す必要がない。すなわち、本発明における第１及び第２可変キャパシタの配置は、基板サイズを大型化することがない。また、周波数可変ＬＣフィルタとして必須の構成である可変キャパシタの配置を調整するだけであるので、第２インダクタと第１，第３インダクタとの間に、他の回路素子を別途設ける必要もない。【００１８】
上述の特徴的な配置は、例えば、次のように実現される。第１可変キャパシタ、及び、第２可変キャパシタは、主面において、第１インダクタと、第３インダクタと、を外縁の一部とする領域以外の領域に配置される。第１可変キャパシタ、及び、第２可変キャパシタの少なくとも一方の可変キャパシタの一部は、主面において、第２インダクタと第１，第３インダクタとを外縁の一部とする領域に配置される。具体的には、外縁の一部は、第１，第３インダクタの端面又は側面で構成される。【００１９】
また、第２インダクタと第１，第３インダクタとは、主面において、互いに巻軸方向が異なるように配置されている巻線インダクタであってもよい。これにより、第２インダクタと第１，第３インダクタとはさらに磁界結合しにくくなる。【００２０】
また、この発明の周波数可変ＬＣフィルタは、次の構成であってもよい。周波数可変ＬＣフィルタは、出力端子と第１の直列腕ＬＣフィルタ回路との間に接続された第２の直列腕ＬＣフィルタ回路をさらに備える。第２の直列腕ＬＣフィルタ回路は、出力端子と第１の直列腕ＬＣフィルタ回路との間に接続され、互いに並列接続された第６インダクタ及び固定キャパシタを有する。第２可変キャパシタの一部は、主面において、第２インダクタと第６インダクタとを外縁の一部とする領域、および、第３インダクタと第６インダクタとを外縁の一部とする領域に配置されている。【００２１】
この構成では、不要な磁界結合による通過帯域外の減衰量の低下が抑制される。【００２２】
本発明は、周波数可変ＬＣフィルタに限らず、周波数可変ＬＣフィルタを用いた高周波フロントエンドモジュールであってもよい。具体的には、本発明の高周波フロントエンドモジュールは、上述の周波数可変ＬＣフィルタと、周波数可変ＬＣフィルタの入力端子に接続される周波数固定ＬＣフィルタと、周波数可変ＬＣフィルタの出力端子に接続される第２周波数可変フィルタと、を備える。【００２３】
そして、周波数固定ＬＣフィルタの通過帯域は、周波数可変ＬＣフィルタの通過帯域を含み、周波数可変ＬＣフィルタの通過帯域は、第２周波数可変フィルタの通過帯域を含むことが好ましい。【００２４】
すなわち、周波数固定ＬＣフィルタを通過した成分は、周波数可変ＬＣフィルタで絞り込まれる。さらに、周波数可変ＬＣフィルタを通過した成分は、第２周波数可変フィルタで絞り込まれる。【００２５】
本発明の高周波フロントエンドモジュールは、例えば、ＴＶホワイトスペースに用いられる。この場合、周波数固定ＬＣフィルタは、チャンネル１３〜チャンネル６５（４７０ＭＨｚ−７８８ＭＨｚ）を通過帯域とする。そして、周波数可変ＬＣフィルタの通過帯域は、例えば、チャンネル１３〜チャンネル６５のうち、１０チャンネル分の帯域の信号を通過させるように設定される。そして、第２周波数可変フィルタの通過帯域は、さらにそのうちの１チャンネルの帯域の信号を通過させるように設定される。このように、高周波フロントエンドモジュールは、複数のＬＣフィルタの伝送特性が合成された伝送特性によって、６ＭＨｚという比較的狭い帯域のみを通過させ、かつそれ以外の帯域を減衰させることを実現する。
【発明の効果】
【００２６】
この発明によれば、より急峻な減衰特性を実現でき、且つ基板を大型化を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１（Ａ）は、本発明の第１実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタの回路図であり、図１（Ｂ）は、インダクタの外観斜視図である。
【図２】図２は、本発明の第１実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタの伝送特性を示す図である。
【図３】図３（Ａ）は、本発明の第１実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタが実装された基板の平面模式図であり、図３（Ｂ）は、インダクタ間の磁界結合を示すための周波数可変ＬＣフィルタの回路図である。
【図４】図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、それぞれ、本発明の第１実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタが実装された基板の平面模式図である。
【図５】図５（Ａ）は、本発明の第１実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタと比較例に係る周波数可変ＬＣフィルタの伝送特性を示す図であり、図５（Ｂ）は、比較例に係る周波数可変ＬＣフィルタが実装された基板の平面模式図である。
【図６】図６は、本発明の第２実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタの回路図である。
【図７】図７は、本発明の第２実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタが実装された基板の平面模式図である。
【図８】図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は、それぞれ、本発明の第２実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタが実装された基板の平面模式図である。
【図９】図９（Ａ）は、本発明の第２実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタと比較例に係る周波数可変ＬＣフィルタの伝送特性を示す図であり、図９（Ｂ）は、比較例に係る周波数可変ＬＣフィルタが実装された基板の平面模式図である。
【図１０】図１０は、本発明の第３実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタの回路図である。
【図１１】図１１は、本発明の第３実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタが実装された基板の平面模式図である。
【図１２】図１２（Ａ）は、本発明の第３実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタと比較例に係る周波数可変ＬＣフィルタの伝送特性を示す図であり、図１２（Ｂ）は、比較例に係る周波数可変ＬＣフィルタが実装された基板の平面模式図である。
【図１３】図１３（Ａ）は、比較例に係る周波数可変ＬＣフィルタが実装された基板の外観斜視図であり、図１３（Ｂ）は、本発明の第３実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタが実装された基板の外観斜視図であり、図１３（Ｃ）は、図１３（Ａ）に示す外観斜視図において発生した磁界結合の強さを示す図であり、図１３（Ｄ）は、図１３（Ｂ）に示す外観斜視図において発生した磁界結合の強さを示す図である。
【図１４】図１４は、本発明の実施形態に係る高周波フロントエンドモジュールおよび通信装置の機能ブロック図である。
【図１５】図１５は、高周波フロントエンドモジュールに含まれる各フィルタの伝送特性を示す図である。
【図１６】図１６は、図１５に示す伝送特性の部分拡大図である。
【図１７】図１７（Ａ）は、本発明の第１実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタを備えた高周波フロントエンドモジュールの基板配置を示す図であり、図１７（Ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタを備えた高周波フロントエンドモジュールの基板配置を示す図である。
【図１８】図１８は、本発明の第３実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタを備えた高周波フロントエンドモジュールの基板配置を示す図である。
【図１９】図１９は、本発明の第４実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタの回路図である。
【図２０】図２０は、高周波フロントエンドモジュールの回路ブロック図である。
【図２１】図２１は、本発明の第４実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタが実装された基板の平面模式図である。
【図２２】図２２（Ａ）、図２２（Ｂ）は、本発明の第４実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタが実装された基板の平面模式図である。
【図２３】図２３は、本発明の第４実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタの伝送特性を示す図である。
【図２４】図２４（Ａ）は、比較例５の周波数可変フィルタが実装された基板の平面模式図であり、図２４（Ｂ）は、その伝送特性を示す図である。
【図２５】図２５（Ａ）は、比較例６の周波数可変フィルタが実装された基板の平面模式図であり、図２５（Ｂ）は、その伝送特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明の第１実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタ４０について、図を参照して説明する。図１（Ａ）は、周波数可変ＬＣフィルタ４０の回路図である。
【００２９】
本実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタ４０は、基板４００（図３（Ａ）を参照）の主面における各回路素子の配置を調整することで、フィルタの伝送特性における減衰特性をより急峻にし、且つ、基板４００のサイズの大型化を防止するものである。
【００３０】
周波数可変ＬＣフィルタ４０は、第１の直列腕ＬＣフィルタ回路４１、第１の並列腕ＬＣフィルタ回路４２、第２の並列腕ＬＣフィルタ回路４３、第１の接続端子Ｐ４０１、および、第２の接続端子Ｐ４０２を備える。第１の接続端子Ｐ４０１は本発明の入力端子に相当し、第２の接続端子Ｐ４０２は本発明の出力端子に相当する。
【００３１】
第１の直列腕ＬＣフィルタ回路４１は、第１の接続端子Ｐ４０１と第２の接続端子Ｐ４０２との間に接続されている。第１の並列腕ＬＣフィルタ回路４２は、第１の直列腕ＬＣフィルタ回路４１及び第１の接続端子Ｐ４０１の接続点と接地電位との間に接続されている。第２の並列腕ＬＣフィルタ回路４３は、第１の直列腕ＬＣフィルタ回路４１及び第２の接続端子Ｐ４０２の接続点と接地電位との間に接続されている。
【００３２】
第１の直列腕ＬＣフィルタ回路４１は、キャパシタ４１１と、インダクタ４１２とを備える。キャパシタ４１１は固定キャパシタンスを有する。
【００３３】
キャパシタ４１１とインダクタ４１２は、第１の接続端子Ｐ４０１と第２の接続端子Ｐ４０２間に直列接続されている。この際、インダクタ４１２の一端は、第２の接続端子Ｐ４０２に直接接続されている。
【００３４】
インダクタ４１２は、図１（Ｂ）の外観斜視図に示すように、所定方向に延伸するコア４１２Ｃを軸として導体線４１２Ｗが巻かれた巻線インダクタである。図示を省略するが、後述するインダクタ４２１，４３１も巻線インダクタである。
【００３５】
このような回路構成からなる第１の直列腕ＬＣフィルタ回路４１の共振周波数ｆ４１１は、周波数可変ＬＣフィルタ４０の通過帯域の周波数に主として寄与している。キャパシタ４１１とインダクタ４１２の直列回路の共振周波数ｆ４１１は、周波数可変ＬＣフィルタ４０の通過帯域の中心周波数ｆ０（例えば６００ＭＨ）に設定されている（ｆ４１１≒ｆ０）。
【００３６】
第１の並列腕ＬＣフィルタ回路４２は、インダクタ４２１と可変キャパシタ４２２を備える。
【００３７】
インダクタ４２１と可変キャパシタ４２２との直列回路は、第１の直列腕ＬＣフィルタ回路４１及び第１の接続端子Ｐ４０１の接続点と、接地電位との間に接続されている。
【００３８】
このような回路構成から成る第１の並列腕ＬＣフィルタ回路４２の共振周波数ｆ４２は、周波数可変ＬＣフィルタ４０の通過帯域の低域側の減衰極の周波数に主として寄与している。この際、共振周波数ｆ４２は、中心周波数ｆ０よりも低く設定されている（ｆ４２＜ｆ０）。
【００３９】
第２の並列腕ＬＣフィルタ回路４３は、インダクタ４３１と可変キャパシタ４３２を備える。
【００４０】
インダクタ４３１と可変キャパシタ４３２との直列回路は、第１の直列腕ＬＣフィルタ回路４１及び第２の接続端子Ｐ４０２の接続点と、接地電位との間に接続されている。
【００４１】
このような回路構成から成る第２の並列腕ＬＣフィルタ回路４３の共振周波数ｆ４３は、周波数可変ＬＣフィルタ４０の通過帯域の高域側の減衰極の周波数に主として寄与している。この際、共振周波数ｆ４３は、中心周波数ｆ０よりも高く設定されている（ｆ４３＞ｆ０）。より具体的には、共振周波数ｆ４３は、共振周波数ｆ４１１よりも高く設定されている（ｆ４３＞ｆ４１１）。
【００４２】
そして、このような構成において、可変キャパシタ４２２，４３２のキャパシタンスを変化させることよって、通過帯域および減衰極の周波数が変化する帯域通過フィルタを実現できる。
【００４３】
図２は、本発明の第１の実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタ４０の伝送特性を示す図である。実線は変更前の伝送特性を示し、点線は変更後の伝送特性を示している。図２に示すように、周波数可変ＬＣフィルタ４０を用いることによって、通過帯域幅が約１００ＭＨｚとした状態で、通過帯域の両側に減衰極を形成することができる。
【００４４】
特に、図１（Ａ）に示すように、第１の直列腕ＬＣフィルタ回路４１のインダクタ４１２を、キャパシタを介することなく、第２の接続端子Ｐ４０２に直接接続することによって、減衰特性を急峻にできる。減衰特性とは、通過帯域から減衰域へ周波数変化したときの減衰量の変化率を意味し、減衰特性が急峻であるとは、減衰量の変化率が大きいことを意味する。
【００４５】
言い換えると、第１の直列腕ＬＣフィルタ回路４１のインダクタ４１２を、第２の接続端子Ｐ４０２と直接接続するか、または他のインダクタを介して第２の接続端子Ｐ４０２と接続することによって、さらに減衰特性を急峻にできる。
【００４６】
これは、次の理由によるものであると考えられる。インダクタと直接接続されるキャパシタの周波数特性は、低周波数の信号を減衰させ、高周波数の信号を通過させる。すなわち、そのキャパシタの周波数特性は、高域通過フィルタのような特性であるので、高周波数での減衰を悪化させる要因となる。
【００４７】
また、接続端子と直接接続されるインダクタの周波数特性は、高周波数の信号を減衰させ、低周波数の信号を通過させる。すなわち、そのインダクタは、低域通過フィルタのような特性であるので、高周波数の減衰を良好にさせる要因となり得る。
【００４８】
さらに、インダクタを、他のインダクタを介して接続端子に接続する場合には、高周波数の信号の減衰をさらに良好にさせる要因となり得る。
【００４９】
ここで、一般的な周波数可変ＬＣフィルタにおいて、複数のインダクタ間に磁界結合が生じると、当該磁界結合によって主経路とは別の副経路が形成される。一般的な周波数可変ＬＣフィルタは、この副経路によって、減衰特性が変更される。そこで、本実施形態では、周波数可変ＬＣフィルタ４０の減衰特性がより急峻となるように、磁界結合させる複数のインダクタと、磁界結合させないインダクタとを、以下のようにして設定している。
【００５０】
図３（Ａ）は、周波数可変ＬＣフィルタ４０が実装された基板４００の平面模式図である。ただし、図３（Ａ）では、一部の配線の図示は省略されている。
【００５１】
図３（Ａ）に示すように、インダクタ４１２，４２１，４３１と、キャパシタ４１１と、可変キャパシタ４２２，４３２とは、基板４００の主面に配置されている。より具体的には、インダクタ４１２，４３１は、巻線の軸方向（コア４１２Ｃが延伸する方向）をＸ方向とした状態で、基板４００の主面において−Ｘ側に配置されている。インダクタ４１２，４３１は、互いの巻線の軸方向を平行にした状態で、基板４００の主面においてＹ方向に互いに近接している。
【００５２】
インダクタ４２１は、巻線の軸方向をＹ方向とした状態で、基板４００の主面の＋Ｘ側に配置されている。すなわち、インダクタ４２１の巻線の軸方向は、インダクタ４１２，４３１の巻線の軸方向と直交している。
【００５３】
ここで、可変キャパシタ４２２は、インダクタ４１２，４３１と、インダクタ４２１との間に配置されている。可変キャパシタ４２２の配置について、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）を用いて詳細に説明する。
【００５４】
図４（Ａ）に示すように、可変キャパシタ４２２の一部は、基板４００の平面視において、インダクタ４１２とインダクタ４２１とを外縁の一部とする領域ＳＲ１に位置している。この領域ＳＲ１は、インダクタ４１２の巻線の軸方向の端面４１２Ｅと、インダクタ４２１の側面４２１Ｌ（端面と基板４００の主面に直交する面）と、を側面とする空間を平面視して得られる領域である。
【００５５】
図４（Ｂ）に示すように、可変キャパシタ４２２の一部は、インダクタ４３１とインダクタ４２１とを外縁の一部とする領域ＳＲ２に位置している。この領域ＳＲ２は、インダクタ４３１の巻線の軸方向の端面４３１Ｅと、インダクタ４２１の側面４２１Ｌと、を側面とする空間を平面視して得られる領域である。
【００５６】
インダクタ４１２，４３１の間には、いずれの素子も配置されていない。可変キャパシタ４２２，４３２は、インダクタ４１２，４３１を外縁の一部とする領域以外の領域に配置されている。
【００５７】
以上に説明したように、インダクタ４１２，４３１，４２１の巻線の軸方向と、各インダクタに対する可変キャパシタ４２２，４３２の配置と、を調整する。すると、インダクタ４２１とインダクタ４１２との間では磁界結合の発生が抑制される。インダクタ４１２と、インダクタ４１２に直接的に接続された第２の並列腕ＬＣフィルタ回路４３のインダクタ４３１と、の間に生じる磁界結合Ｋ１（図３（Ｂ）を参照）の強度は、インダクタ４２１とインダクタ４１２との間に生じる磁界結合の強度よりも極大きい。同様に、インダクタ４２１とインダクタ４３１との間でも磁界結合の発生が抑制される。従って、インダクタ４１２とインダクタ４３１との間に生じる磁界結合Ｋ１の強度は、インダクタ４２１とインダクタ４３１との間に生じる磁界結合の強度よりも極大きい。
【００５８】
本実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタ４０は、このように磁界結合させる複数のインダクタと、磁界結合させないインダクタとを設定することで、より急峻な減衰特性を実現している。この減衰特性について、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）を用いて説明する。図５（Ａ）は、周波数可変ＬＣフィルタ４０の伝送特性ＡＣ１と、比較例１に係る周波数可変ＬＣフィルタの伝送特性ＣＡＣ１を示す図である。伝送特性ＡＣ１は実線に示される。伝送特性ＣＡＣ１は点線に示される。図５（Ｂ）は、比較例１に係る周波数可変ＬＣフィルタが実装された基板の平面模式図である。ただし、比較例１に係る周波数可変ＬＣフィルタのインダクタＬ１はインダクタ４１２に相当し、インダクタＬ３はインダクタ４３１に相当し、インダクタＬ２はインダクタ４２１に相当し、可変キャパシタＶＣ１は可変キャパシタ４２２に相当し、可変キャパシタＶＣ２は可変キャパシタ４３２に相当する。
【００５９】
比較例１に係る周波数可変ＬＣフィルタでは、図５（Ｂ）に示すように、インダクタＬ２とインダクタＬ１とを外縁の一部とする領域には回路素子（可変キャパシタＶＣ１，ＶＣ２を含む）は配置されていない。インダクタＬ３とインダクタＬ２とを外縁の一部とする領域にもいずれの回路素子も配置されていない。従って、インダクタＬ２は、インダクタＬ１，Ｌ３と磁界結合しやすくなっている。比較例１では、この不要な磁界結合の発生によって伝送特性の減衰特性がなだらかになる。
【００６０】
図５（Ａ）の特性図に示すように、本実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタ４０の伝送特性ＡＣ１は、比較例１に係る周波数可変ＬＣフィルタの伝送特性ＣＡＣ１に比べて、通過帯域の高域側の減衰極の周波数ｆａＨが通過帯域の中心周波数ｆ０側に寄っている。また、中心周波数ｆ０から周波数ｆａＨまでは、伝送特性ＡＣ１の減衰域での減衰量（ｄＢ）は、伝送特性ＣＡＣ１の同じ減衰域での減衰量より大きくなっている。すなわち、本実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタ４０の伝送特性ＡＣ１の減衰特性は、通過帯域の高域側において比較例１に係る伝送特性ＣＡＣ１の減衰特性よりも急峻となっている。
【００６１】
また、周波数可変ＬＣフィルタ４０では、インダクタ４２１の不要な磁界結合を防止するために、基板４００の主面のサイズを大型化してインダクタ４２１と他のインダクタ４１２，４３１とを遠ざける必要はない。周波数可変ＬＣフィルタ４０は、本来必要な可変キャパシタ４２２の配置を調整するのみで、基板４００のサイズを大型化することなく、当該不要な磁界結合を防止している。
【００６２】
また、周波数可変ＬＣフィルタ４０の構成を用いることによって、不要な磁界結合を防止するための回路素子を別途専用に配置する必要もない。従って、周波数可変ＬＣフィルタ４０は、別途回路素子を配置することで発生する通過損失を防止することもできる。
【００６３】
以上に説明したように、本実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタ４０は、より急峻な減衰特性を実現しながらも、基板４００の大型化を防止することができる。
【００６４】
また、図３（Ａ）に示すように、可変キャパシタ４２２は、可変キャパシタ４２２、インダクタ４２１、およびキャパシタ４１１を順に通る経路と、キャパシタ４１１、インダクタ４１２、インダクタ４３１、および可変キャパシタ４３２を順に通る経路と、の間に配置されている。この可変キャパシタ４２２の配置によって、可変キャパシタ４２２、インダクタ４２１、およびキャパシタ４１１を順に通る経路は、キャパシタ４１１、インダクタ４１２、インダクタ４３１、および可変キャパシタ４３２を順に通る経路と、電磁界結合しにくくなっている。従って、本実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタ４０は、経路間の不要な電磁界結合を防止することでも、減衰特性をより急峻にすることができている。
【００６５】
なお、図示を省略するが、周波数可変ＬＣフィルタ４０は、可変キャパシタ４２２と可変キャパシタ４３２の配置を入れ替えても同様の効果を得られる。また、インダクタ４２１の巻線の軸方向を、他のインダクタ４１２，４３１の巻線の軸方向と異ならせることは本発明に必須の構成ではない。
【００６６】
次に、第２実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａについて説明する。図６は、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａの回路図である。図７は、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａが実装された基板４００の平面模式図である。
【００６７】
本実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａは、第１の直列腕ＬＣフィルタ回路４１に代えて第１の直列腕ＬＣフィルタ回路４１Ａを備える点において、実施形態１に係る周波数可変ＬＣフィルタ４０と相違する。重複する構成の説明は省略する。
【００６８】
図６に示すように、第１の直列腕ＬＣフィルタ回路４１Ａは、第１の直列腕ＬＣフィルタ回路４１に対して、キャパシタ４１３と、インダクタ４１４と、可変キャパシタ４１５とを追加したものである。
【００６９】
キャパシタ４１３は、一端が第１の接続端子Ｐ４０１に接続され、他端が第２の接続端子Ｐ４０２に接続されている。これにより、キャパシタ４１３は、キャパシタ４１１及びインダクタ４１２からなるＬＣ直列腕フィルタ回路と並列接続されている。キャパシタ４１３とインダクタ４１２の並列回路の共振周波数ｆ４１２は、中心周波数ｆ０よりも高く設定されている（ｆ４１２＞ｆ０）。
【００７０】
インダクタ４１４と可変キャパシタ４１５は並列接続されている。この並列回路は、キャパシタ４１１及びインダクタ４１２の接続点と接地電位との間に接続されている。この並列回路の共振周波数ｆ４１３は、中心周波数ｆ０よりも低く設定されている（ｆ４１３＜ｆ０）。
【００７１】
図７に示すように、インダクタ４１２，４３１は、巻線の軸方向をＸ方向とした状態で、基板４００の主面において−Ｘ側に配置され、且つＹ方向に互いに近接配置されている。
【００７２】
図７に示すように、インダクタ４１４，４２１は、巻線の軸方向をＹ方向とした状態で、基板４００の主面において、＋Ｙ側且つＸ方向の中央付近に配置されている。可変キャパシタ４１５は、基板４００の＋Ｙ側且つ−Ｘ側に配置されている。可変キャパシタ４３２は、基板４００の主面において、−Ｙ側且つＸ方向の中央付近に配置されている。インダクタ４１４，４２１の間には、いずれの回路素子も配置されていない。
【００７３】
より具体的には、図８（Ａ）の平面模式図に示すように、可変キャパシタ４１５の一部は、インダクタ４１２とインダクタ４１４と、を外縁の一部とする領域ＳＲ３に配置されている。この領域ＳＲ３は、インダクタ４１２，４１４の側面４１２Ｌ，４１４Ｌと、インダクタ４１２，４１４の端面４１２Ｅ，４１４Ｅと、を側面とする空間を平面視して得られる領域である。同様に、可変キャパシタ４３２の一部も、領域ＳＲ３に位置している。
【００７４】
図８（Ｂ）の平面模式図に示すように、可変キャパシタ４３２の一部は、インダクタ４３１と、インダクタ４１４と、インダクタ４２１と、を外縁の一部とする領域ＳＲ４に位置している。この領域ＳＲ４は、インダクタ４１４，４２１の端面４１４Ｅ，４２１Ｅと、インダクタ４３１の端面４３１Ｅと、を側面とする空間を平面視して得られる領域である。
【００７５】
上述の配置によって、インダクタ４１２とインダクタ４１４との間では磁界結合の発生が抑制される。また、インダクタ４３１と、インダクタ４１４，４２１との間でも磁界結合の発生が抑制される。その結果、インダクタ４１２と、インダクタ４１２に直接的に接続された第２の並列腕ＬＣフィルタ回路４３のインダクタ４３１と、の間に生じる磁界結合Ｋ１の強度は、インダクタ４１２とインダクタ４１４，４２１との間に生じる磁界結合の強度より大きくなる。磁界結合Ｋ１の強度は、インダクタ４３１とインダクタ４１４，４２１との間に生じる磁界結合の強度より大きくなる。また、インダクタ４１４とインダクタ４２１との間に生じる磁界結合Ｋ２（図６を参照）の強度は、インダクタ４１４とインダクタ４１２，４３１との間に生じる磁界結合の強度より大きくなる。磁界結合Ｋ２の強度は、インダクタ４２１とインダクタ４１２，４３１との間に生じる磁界結合の強度より大きくなる。これにより、本実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａは、基板４００のサイズを大型化することなく、より急峻な減衰特性を実現している。
【００７６】
図９（Ａ）は、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａの伝送特性ＡＣ２と比較例２に係る周波数可変ＬＣフィルタの伝送特性ＣＡＣ２とを示す図である。伝送特性ＡＣ２は実線に示される。伝送特性ＣＡＣ２は点線に示される。図９（Ｂ）は、比較例２に係る周波数可変ＬＣフィルタが実装された基板の平面模式図である。ただし、比較例２に係る周波数可変ＬＣフィルタのインダクタＬ４はインダクタ４１４に相当し、可変キャパシタＶＣ３は可変キャパシタ４１５に相当する。
【００７７】
比較例２に係る周波数可変ＬＣフィルタでは、図９（Ｂ）に示すように、インダクタＬ２，Ｌ４の巻線の軸方向は、Ｘ方向となっている。可変キャパシタＶＣ２，ＶＣ３は、インダクタＬ１とインダクタＬ４とを外縁の一部とする領域以外の領域に配置されている。可変キャパシタＶＣ２は、インダクタＬ３とインダクタＬ２，Ｌ４とを外縁の一部とする領域以外の領域に配置されている。これにより、比較例２に係る周波数可変ＬＣフィルタでは、インダクタＬ４とインダクタＬ１，Ｌ３との間に磁界結合が生じる。
【００７８】
図９（Ａ）の特性図に示すように、伝送特性ＡＣ２の低域側の減衰極の周波数ｆａＬは、比較例２に係る伝送特性ＣＡＣ２のものに比べて、中心周波数ｆ０に近づいている。また、周波数ｆａＬから中心周波数ｆ０までは、伝送特性ＡＣ２の減衰量（ｄＢ）は、伝送特性ＣＡＣ２の減衰量よりも大きくなっている。伝送特性ＡＣ２の高域側の減衰極の周波数ｆａＨは、比較例２に係る伝送特性ＣＡＣ２のものに比べて、中心周波数ｆ０に近づいている。また、中心周波数ｆ０から周波数ｆａＨまでは、伝送特性ＡＣ２の減衰量（ｄＢ）は、伝送特性ＣＡＣ２の減衰量よりも大きくなっている。すなわち、伝送特性ＡＣ２の減衰特性は、伝送特性ＣＡＣ２の減衰特性よりも急峻になっている。
【００７９】
また、インダクタ４３１を通る経路は、間に配置された可変キャパシタ４１５によって、インダクタ４１４を通る経路と電磁界結合しにくくなっている。さらに、インダクタ４３１を通る経路は、間に配置された可変キャパシタ４３２によって、インダクタ４１４，４２１を通る経路と電磁界結合しにくくなっている。これにより、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａは、より急峻な減衰特性を実現している。
【００８０】
次に、第３実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｂについて図を参照しつつ説明する。図１０は、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｂの回路図である。図１１は、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｂが実装された基板４００の平面模式図である。
【００８１】
本実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｂは、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａに対して、ＬＣフィルタ回路４４を追加したものである。ＬＣフィルタ回路４４は、固定キャパシタンスを有するキャパシタ４４３を備える。キャパシタ４４３は、第１の接続端子Ｐ４０１と第１の直列腕ＬＣフィルタ回路４１Ａとの間に接続されている。ＬＣフィルタ回路４４は、さらに、互いに直列接続されるインダクタ４４１と、キャパシタ４４２とを備える。この直列回路は、第１の接続端子Ｐ４０１及びキャパシタ４４３の接続点と、接地電位との間に接続されている。ＬＣフィルタ回路４４の各素子値は、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｂの通過帯域の低域側の減衰特性を改善するように、設定される。
【００８２】
図１１に示すように、インダクタ４１２，４３１は、巻線の軸方向をＸ方向とした状態で、基板４００の主面において、−Ｘ側且つ−Ｙ側に配置されている。インダクタ４１２，４３１は、Ｙ方向において互いに近接配置されている。インダクタ４１４，４２１は、巻線の軸方向をＹ方向とした状態で、基板４００の主面において、Ｘ方向の中央であって＋Ｙ側に配置されている。インダクタ４１４，４２１は、Ｘ方向において互いに近接配置されている。
【００８３】
図１１に示すように、インダクタ４４１は、巻線の軸方向をＹ方向とした状態で、基板４００の主面において、＋Ｘ側且つ−Ｙ側に配置されている。ここで、可変キャパシタ４２２の一部は、インダクタ４２１とインダクタ４４１とを外縁の一部とする領域に位置している。可変キャパシタ４３２の一部は、インダクタ４４１とインダクタ４３１とを外縁の一部とする領域に位置している。これにより、インダクタ４４１とインダクタ４２１，４３１との間では磁界結合の発生が抑制される。その結果、インダクタ４１２と、インダクタ４１２に直接的に接続された第２の並列腕ＬＣフィルタ回路４３のインダクタ４３１と、の間に生じる磁界結合Ｋ１の強度は、インダクタ４１２とインダクタ４１４，４２１，４４１との間に生じる磁界結合の強度より大きくなる。磁界結合Ｋ１の強度は、インダクタ４３１とインダクタ４１４，４２１，４４１との間に生じる磁界結合の強度より大きくなる。また、インダクタ４１４とインダクタ４２１との間に生じる磁界結合Ｋ２（図１０を参照）の強度は、インダクタ４１４とインダクタ４１２，４３１，４４１との間に生じる磁界結合の強度より大きくなる。磁界結合Ｋ２の強度は、インダクタ４２１とインダクタ４１２，４３１，４４１との間に生じる磁界結合の強度より大きくなる。これにより、本実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｂは、基板４００のサイズを大型化することなく、より急峻な減衰特性を実現している。
【００８４】
図１２（Ａ）は、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｂの伝送特性ＡＣ３と比較例３に係る周波数可変ＬＣフィルタの伝送特性ＣＡＣ３とを示す図である。伝送特性ＡＣ３は実線に示される。伝送特性ＣＡＣ３は点線に示される。図１２（Ｂ）は、比較例３に係る周波数可変ＬＣフィルタが実装された基板の平面模式図である。ただし、比較例３に係る周波数可変ＬＣフィルタのインダクタＬ５はインダクタ４４１に相当する。
【００８５】
比較例３に係る周波数可変ＬＣフィルタでは、図１２（Ｂ）に示すように、インダクタＬ５の巻線の軸方向は、Ｘ方向となっている。可変キャパシタＶＣ１は、インダクタＬ５とインダクタＬ４とを外縁の一部とする領域以外の領域に配置されている。可変キャパシタＶＣ２は、インダクタＬ５とインダクタＬ３とを外縁の一部とする領域以外の領域に配置されている。これにより、比較例３に係る周波数可変ＬＣフィルタでは、インダクタＬ５とインダクタＬ３，Ｌ４との間に磁界結合が生じる。
【００８６】
図１２（Ａ）の特性図に示すように、伝送特性ＡＣ３は、ＬＣフィルタ回路４４の伝送特性における周波数ｆａＬ’の減衰極によって、第２実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａの伝送特性ＡＣ２（図９（Ａ）を参照）に比べて、１００ＭＨｚ付近の減衰量が大きくなっている。
【００８７】
図１２（Ａ）の特性図に示すように、伝送特性ＡＣ３の低域側の減衰極の周波数ｆａＬは、比較例３に係る伝送特性ＣＡＣ３のものに比べて、中心周波数ｆ０に近づいている。伝送特性ＡＣ３の高域側の減衰極の周波数ｆａＨは、比較例３に係る伝送特性ＣＡＣ３のものに比べて、中心周波数ｆ０に近づいている。伝送特性ＡＣ３の減衰量（ｄＢ）は、周波数ｆａＬから周波数ｆ０の間では、伝送特性ＣＡＣ３の減衰量よりも大きなっている。同様に、伝送特性ＡＣ３の減衰量（ｄＢ）は、周波数ｆ０から周波数ｆａＨの間では、伝送特性ＣＡＣ３の減衰量よりも大きなっている。すなわち、伝送特性ＡＣ３の減衰特性は、伝送特性ＣＡＣ３の減衰特性よりも急峻になっている。
【００８８】
また、上述の可変キャパシタ４２２の配置によって、インダクタ４４１を通る経路と、インダクタ４２１を通る経路の間に電磁界結合が生じにくくなっている。可変キャパシタ４３２の配置によって、インダクタ４４１を通る経路とインダクタ４３１を通る経路との間にも電磁界結合が生じにくくなっている。
【００８９】
次に、図１３（Ａ）は、比較例４に係る周波数可変ＬＣフィルタが実装された基板の外観斜視図であり、図１３（Ｂ）は、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｂが実装された基板４００の外観斜視図であり、図１３（Ｃ）は、図１３（Ａ）に示す外観斜視図において発生した磁界の強さを示す図であり、図１３（Ｄ）は、図１３（Ｂ）に示す外観斜視図において発生した磁界の強さを示す図である。図１３（Ｃ）及び図１３（Ｄ）において、線分は磁力線を示し、磁力線の密度が高いほど磁界が強いことを示す。すなわち、磁界が強いほど複数のインダクタ間で磁界結合が生じていることを示す。また、図１３（Ａ）に示す比較例４に係る配置では、可変キャパシタ４１５，４３２，４２２は基板４００の主面に配置されていない点において、図１３（Ｂ）に示す配置と相違する。
【００９０】
図１３（Ａ）〜図１３（Ｄ）に示すように、可変キャパシタ４１５の配置によって、インダクタ４１２とインダクタ４１４との間の磁界が弱まっている。可変キャパシタ４３２の配置によって、インダクタ４１２と、インダクタ４１４，４２１との間の磁界が弱まっている。可変キャパシタ４３２の配置によって、インダクタ４１２とインダクタ４４１との間の磁界が弱まっている。可変キャパシタ４２２の配置によって、インダクタ４２１とインダクタ４４１との間の磁界が弱まっている。
【００９１】
上述の周波数可変ＬＣフィルタ４０，４０Ａ，４０Ｂは、例えば、ＴＶホワイトスペースを利用した無線通信用の高周波フロントエンドモジュールおよび通信装置に組み込まれる。
【００９２】
図１４は、本発明の実施形態に係る高周波フロントエンドモジュールおよび通信装置の機能ブロック図である。図１４に示すように、通信装置１は、高周波フロントエンドモジュール１０、信号処理部８０、および、ベースバンド処理部８００を備える。高周波フロントエンドモジュール１０は、アンテナＡＮＴ、アンテナ整合回路２０、周波数固定フィルタ３０、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａ、分波回路５０、周波数可変フィルタ６１，６２、送信側増幅回路７１、受信側増幅回路７２、送信回路９１、および、受信回路９２を備える。ベースバンド処理部８００は、信号処理部８０に接続されており、通信装置１で実行する通信に関するベースバンドの信号処理を行い。信号処理部８０は、送信信号生成部８０１、復調部８０２、および、チャンネル決定部８１０を備える。周波数固定フィルタ３０が本発明の「周波数固定ＬＣフィルタ」に対応する。周波数可変フィルタ６１，６２が本発明の「第２周波数可変フィルタ」に対応する。
【００９３】
高周波フロントエンドモジュール１０は、少なくとも、周波数固定フィルタ３０、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａ、および、周波数可変フィルタ６１を備えていればよい。この場合、周波数固定フィルタ３０、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａ、および、周波数可変フィルタ６１は、この順で直列に接続されている。分波回路５０、周波数可変フィルタ６２、送信側増幅回路７１、受信側増幅回路７２、送信回路９１、および、受信回路９２は、これらの一部もしくは全部の構成要素を省略することができる。
【００９４】
本実施形態では、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａを用いたが、高周波フロントエンドモジュール１０は、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａに代えて、周波数可変ＬＣフィルタ４０又は周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｂを用いてもよい。
【００９５】
アンテナＡＮＴは、アンテナ整合回路２０に接続されている。アンテナ整合回路２０は、周波数固定フィルタ３０に接続されている。周波数固定フィルタ３０は、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａの第１の接続端子Ｐ４０１に接続されている。周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａの第２の接続端子Ｐ４０２は、分波回路５０のアンテナ側端子に接続されている。分波回路５０の送信側端子は、周波数可変フィルタ６１に接続されている。周波数可変フィルタ６１は、送信側増幅回路７１に接続されている。送信側増幅回路７１は、送信回路９１に接続されている。送信回路９１は、信号処理部８０の送信信号生成部８０１に接続されている。分波回路５０の受信側端子は、周波数可変フィルタ６２に接続されている。周波数可変フィルタ６２は、受信側増幅回路７２に接続されている。受信側増幅回路７２は、受信回路９２に接続されている。受信回路９２は、信号処理部８０の復調部８０２に接続されている。
【００９６】
高周波フロントエンドモジュール１０は、複数の通信チャンネルによって構成される通信バンドにおいて、空きの通信チャンネルを利用して高周波信号を送受信する。より具体的には、高周波フロントエンドモジュール１０は、ＴＶホワイトスペースの仕様に基づいて高周波信号を送受信する。ＴＶホワイトスペースの仕様では、テレビジョン放送のＵＨＦ帯（４７０ＭＨｚ〜７９０ＭＨｚ）のうち、テレビジョン放送の信号が伝送されていないチャンネルを空き通信チャンネルとして利用する。ＴＶホワイトスペースの仕様では、１チャンネルの周波数帯域幅は、６ＭＨｚである。また、ＴＶホワイトスペースの仕様では、各チャンネル間の周波数の幅も、数ＭＨｚと比較的に狭い。
【００９７】
図１５は、本発明の実施形態に係る高周波フロントエンドモジュール１０の伝送特性を示す図である。図１５には、通信バンドと各通信チャンネルとの関係を示している。なお、図１５では、通信チャンネルＣＨ３０が選択チャンネル（高周波フロントエンドモジュール１０で通信する空き通信チャンネル）である場合を示している。
【００９８】
アンテナ整合回路２０は、アンテナＡＮＴと周波数固定フィルタ３０から信号処理部８０側の回路とのインピーダンス整合を行っている。アンテナ整合回路２０は、インダクタおよびキャパシタによって構成されている。例えば、アンテナ整合回路２０は、通信バンドの全体において、アンテナＡＮＴの反射損失が所望値以下になるように、インダクタおよびキャパシタの素子値が設定されている。
【００９９】
周波数固定フィルタ３０は、インダクタおよびキャパシタによって構成されている。すなわち、周波数固定フィルタ３０は、周波数固定型のＬＣフィルタである。周波数固定フィルタ３０は、通信バンドの周波数帯域が通過域内となり、通信バンド外の周波数帯域が減衰域内となるように、インダクタおよびキャパシタの素子値が設定されている。例えば、周波数固定フィルタ３０は、８００ＭＨｚをカットオフ周波数とする低域通過フィルタによって構成されている。図１５の伝送特性ＳＦ３０に示すように、周波数固定フィルタ３０では、通信バンドの周波数帯域は通過域内となり、通信バンドの周波数帯域よりも高い周波数帯域は減衰域内となっている。これにより、周波数固定フィルタ３０は、通信バンド内の高周波信号を低損失に伝送し、通信バンド外の高周波信号を減衰させる。
【０１００】
周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａは、選択チャンネルに応じて、通過帯域および減衰域を変化させる。この際、選択チャンネルの周波数帯域は、通過帯域に含まれている。図１５の伝送特性ＳＦ４０に示すように、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａの通過帯域の周波数帯域幅は、選択チャンネルの周波数帯域幅よりも広い。例えば、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａの通過帯域の周波数帯域幅は、選択チャンネルの周波数帯域幅の１０倍程度である。
【０１０１】
周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａは、周波数軸上での通過帯域の両側に減衰極を有する。図１５の伝送特性ＳＦ４０に示すように、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａの減衰域では、減衰量が大幅に小さくなる周波数帯域はなく、通過帯域外では、通信バンド内のどの周波数であっても所定の減衰量を得ることができる。
【０１０２】
これにより、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａは、選択チャンネルを含む複数チャンネル分の周波数帯域の高周波信号を低損失に伝送し、それ以外の周波数帯域の高周波信号を減衰させる。したがって、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａは、通信バンド内における選択チャンネルの周波数から離間した周波数に存在する不要波を減衰することができる。特に、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａは、後述する共振子を用いた周波数可変フィルタ６１，６２よりも減衰帯域の周波数範囲を広くすることができるので、使用する通信チャンネル（選択チャンネル）によって変化する、通信バンド内の広い周波数帯域で発生し得るＩＭＤの減衰に有効である。
【０１０３】
分波回路５０は、サーキュレータ、デュプレクサ等からなる。分波回路５０は、送信側端子から入力される送信信号（高周波信号）をアンテナ側端子に出力し、アンテナ側端子から入力された受信信号（高周波信号）を受信側端子に出力する。
【０１０４】
周波数可変フィルタ６１，６２は、弾性波共振子と可変キャパシタを少なくとも備えている。弾性波共振子とは、ＳＡＷやＢＡＷ等で用いられている共振子であって、弾性波を利用する共振子である。さらに、周波数可変フィルタ６１，６２は、伝送特性に応じてインダクタおよびキャパシタを少なくとも１つ備えている。すなわち、周波数可変フィルタ６１，６２は、周波数可変型の共振子フィルタである。周波数可変フィルタ６１，６２は、共振子の共振点と反共振点とを利用した帯域通過フィルタである。周波数可変フィルタ６１，６２の基本構成は同じであるので、以下では周波数可変フィルタ６１について説明する。
【０１０５】
周波数可変フィルタ６１は、選択チャンネルに応じて、通過帯域および減衰域を変化させる。この際、選択チャンネルの周波数帯域は、通過帯域に含まれている。図１５の伝送特性ＳＦ６１に示すように、周波数可変フィルタ６１の通過帯域の周波数帯域幅は、選択チャンネルの周波数帯域幅（１チャンネル分の帯域幅）と略同じである。
【０１０６】
周波数可変フィルタ６１は、周波数軸上での通過帯域の両側に減衰極を有する。周波数可変フィルタ６１は共振子フィルタであるので、図１５の伝送特性ＳＦ６１に示すように、通過帯域の減衰特性はＬＣフィルタよりも急峻である。これにより、周波数可変フィルタ６１は、選択チャンネルの高周波信号を低損失に伝送し、隣接する通信チャンネルの高周波信号を減衰させる。
【０１０７】
ところで、図１５の伝送特性ＳＦ６１に示すように、周波数可変フィルタ６１の減衰域では、減衰極を基準にして通過帯域と反対側の周波数帯域では減衰量が小さくなる周波数帯域を有する。しかしながら、高周波信号の伝送経路において、周波数可変フィルタ６１、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａ、および、周波数固定フィルタ３０が直列に接続されていることにより、周波数可変フィルタ６１によって減衰量が得られない周波数帯域であっても、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａおよび周波数固定フィルタ３０によって十分な減衰量を得ることができる。
【０１０８】
これにより、図１５の総合伝送特性ＳＦｔｘに示すように、選択チャンネルの高周波信号を低損失に伝送し、隣接チャンネルを含む選択チャンネル以外の周波数帯域の高周波信号を減衰させることができる。これは、選択チャンネルを切り替えても同様の作用効果が得られる。
【０１０９】
送信側増幅回路７１は、増幅素子を備える。送信側増幅回路７１は、送信信号生成部８０１で生成された送信信号を増幅して、周波数可変フィルタ６１に出力する。受信側増幅回路７２は、いわゆるＬＮＡ（ローノイズアンプ）を備える。受信側増幅回路７２は、周波数可変フィルタ６２から出力された受信信号を増幅して、復調部８０２に出力する。
【０１１０】
信号処理部８０のチャンネル決定部８１０は、通信バンド内の空き通信チャンネルを検出する。例えば、チャンネル決定部８１０は、外部から空き通信チャンネルのマップを取得し、当該マップに基づいて空き通信チャンネルを検出する。チャンネル決定部８１０は、空き通信チャンネルの少なくとも１つを選択して、選択チャンネルに設定する。チャンネル決定部８１０は、選択チャンネルを送信信号生成部８０１に出力する。送信信号生成部８０１は、選択チャンネルの周波数からなる高周波信号で送信信号を生成し、送信側増幅回路７１に出力する。なお、図示していないが、チャンネル決定部８１０は、選択チャンネルを復調部８０２に出力する。復調部８０２は、選択チャンネルに基づくローカル信号によって、受信信号を復調する。
【０１１１】
チャンネル決定部８１０は、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａ、送信側増幅回路７１、周波数可変フィルタ６１，６２にも選択チャンネルを出力する。周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａ、周波数可変フィルタ６１，６２は、この選択チャンネルを用いて上述のような伝送特性を実現する。送信側増幅回路７１は、この選択チャンネルを用いて送信信号の増幅処理を行う。
【０１１２】
ここで、上述のように、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａは、より急峻な減衰特性を実現している。従って、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａを高周波フロントエンドモジュール１０に用いれば、選択されていないチャンネルの成分を効果的に減衰させることができる。これについて、図１６を参照しながら説明する。
【０１１３】
図１６は、伝送特性ＳＦ４０の高域側の減衰極の部分拡大図である。図１６の部分拡大図に示す例では、閾値が−３０ｄＢに設定されている。周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａの伝送特性ＳＦ４０では、チャンネルＣＨ５０〜ＣＨ５２のレベルは、−３０ｄＢより小さくなっている。これに対し、比較例２（図９（Ｂ）に示す例）に係る周波数可変ＬＣフィルタの減衰特性では、チャンネルＣＨ５０〜ＣＨ５２のレベルは、−３０ｄＢより大きくなっている。このように、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａは、より急峻な減衰特性によって、未選択のチャンネルの信号を十分に減衰させることができている。
【０１１４】
以上のように、本実施形態の高周波フロントエンドモジュール１０の構成を用いることによって、複数の通信チャンネルによって構成される通信バンドにおける選択された通信チャンネル（選択チャンネル）で無線通信を行う場合に、選択チャンネルを用いて、低損失な無線通信を実現することができる。
【０１１５】
次に、図１７（Ａ）は、高周波フロントエンドモジュール１０が実装されたメイン基板１０Ｍの平面模式図である。ただし、図１７（Ａ）において、高周波フロントエンドモジュール１０の構成の一部の図示は省略されている。
【０１１６】
図１７（Ａ）に示すように、メイン基板１０Ｍにおいて、周波数可変ＬＣフィルタ４０が実装された基板４００は、周波数可変フィルタ６１，６２と、周波数固定フィルタ３０と、の間に配置されている。基板４００の主面において、可変キャパシタ４３２は、インダクタ４１２，４３１と周波数可変フィルタ６１，６２との間に配置されている。これにより、周波数可変フィルタ６１，６２がインダクタを備える場合であっても、当該インダクタとインダクタ４３１との間では不要な磁界結合の発生が抑制される。周波数可変フィルタ６１，６２のインダクタとインダクタ４１２，４３１との間に不要な磁界結合の発生が抑制されるので、周波数可変ＬＣフィルタ４０の急峻な減衰特性は、不要な磁界結合による影響を受けにくくなる。従って、図１７（Ａ）に示す配置は、周波数可変ＬＣフィルタ４０の急峻な減衰特性を維持したまま、高周波フロントエンドモジュール１０に周波数可変ＬＣフィルタ４０を組み込むことができる。
【０１１７】
なお、周波数可変フィルタ６１，６２と周波数固定フィルタ３０を入れ替えて周波数可変ＬＣフィルタ４０に接続してもよい。この場合、可変キャパシタ４３２は、インダクタ４１２，４３１と周波数固定フィルタ３０との間に配置される。従って、周波数可変フィルタ６１，６２と周波数固定フィルタ３０を入れ替えて周波数可変ＬＣフィルタ４０に接続した場合であっても、インダクタ４１２，４３１と周波数固定フィルタ３０との間における不要な磁界結合の発生が抑制される。
【０１１８】
図１７（Ｂ）は、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａを備える高周波フロントエンドモジュール１０Ａが実装されたメイン基板１０Ｍの平面模式図である。この図１７（Ｂ）に示す配置例では、可変キャパシタ４２２は、インダクタ４２１と周波数固定フィルタ３０との間に配置されている。これにより、周波数固定フィルタ３０のインダクタとインダクタ４２１との間では不要な磁界結合の発生が抑制される。周波数固定フィルタ３０のインダクタとインダクタ４２１との間では不要な磁界結合の発生が抑制されるので、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａの急峻な減衰特性は、当該磁界結合による影響を受けにくくなる。従って、図１７（Ｂ）に示す配置は、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａの急峻な減衰特性を維持したまま、高周波フロントエンドモジュール１０に周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａを組み込むことができる。また、図１７（Ａ）に示す配置と同様に、可変キャパシタ４３２の配置によって、周波数可変フィルタ６１，６２のインダクタとインダクタ４３１との間では磁界結合の発生が抑制される。
【０１１９】
図１８は、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｂを備える高周波フロントエンドモジュール１０が実装されたメイン基板１０Ｍの平面模式図である。この図１８に示す配置例は、図１７（Ｂ）に示す配置と同様である。従って、周波数固定フィルタ３０のインダクタとインダクタ４２１との間では不要な磁界結合の発生が抑制される。また、周波数可変フィルタ６１，６２のインダクタとインダクタ４３１との間では不要な磁界結合の発生が抑制される。従って、図１８に示す配置は、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｂの急峻な減衰特性を維持したまま、高周波フロントエンドモジュール１０に周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｂを組み込むことができる。
【０１２０】
次に、第４実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｃについて説明する。図１９は、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｃの回路図である。
【０１２１】
本実施形態に係る周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｃは、第２の並列腕ＬＣフィルタ回路４３に代えて第２の並列腕ＬＣフィルタ回路４３Ｃを備える点、第２の直列腕ＬＣフィルタ回路４５を備える点、キャパシタ４２５、４２６を備える点において、実施形態２に係る周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａと相違する。重複する構成の説明は省略する。
【０１２２】
図１９に示すように、第２の並列腕ＬＣフィルタ回路４３Ｃは、第２の並列腕ＬＣフィルタ回路４３に対して、インダクタ４３３を追加したものである。
【０１２３】
インダクタ４３３は、インダクタ４３１と可変キャパシタ４３２の直列回路に対して、並列接続されている。
【０１２４】
第２の直列腕ＬＣフィルタ回路４５は、インダクタ４５１とキャパシタ４５２とを備える。インダクタ４５１とキャパシタ４５２とは、並列接続されている。第２の直列腕ＬＣフィルタ回路４５の一端は、第２の接続端子Ｐ４０２に接続されている。第２の直列腕ＬＣフィルタ回路４５の他端は、第１の直列腕ＬＣフィルタ回路４１Ａと第２の並列腕ＬＣフィルタ回路４３Ｃとの接続点に接続されている。
【０１２５】
第２の直列腕ＬＣフィルタ回路４５を構成するインダクタ４５１とキャパシタ４５２の並列共振回路の共振周波数は、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｃの通過帯域の高周波数側に設定されている。
【０１２６】
キャパシタ４２５とキャパシタ４２６とは、直列接続されている。キャパシタ４２５の一端は、第１の直列腕ＬＣフィルタ回路４１Ａに接続されており、他端はキャパシタ４２６の一端に接続されている。キャパシタ４２６の他端は、第１の接続端子Ｐ４０１に接続されている。キャパシタ４２５とキャパシタ４２６との接続点と接地電位との間には、第１の並列腕ＬＣフィルタ回路４２が接続されている。
【０１２７】
このような構成からなる周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｃは、例えば、次に示す回路に適用されている。図２０は、高周波フロントエンドモジュール１０Ａの回路ブロック図である。図２０に示すように、高周波フロントエンドモジュール１０Ａは、アンテナＡＮＴ、分波回路５０Ａ、ＲＦＩＣ８１、８２を備える。分波回路５０Ａは、高域通過フィルタ５１と周波数可変フィルタ５２とを備える。すなわち、分波回路５０Ａは、周波数可変ダイプレクサである。分波回路５０Ａは、第１の接続端子Ｐ４０１、第２の接続端子Ｐ４０２、および、第３の接続端子Ｐ４０３を備える。高域通過フィルタ５１は、第１の接続端子Ｐ４０１と第３の接続端子Ｐ４０３との間に接続されている。周波数可変フィルタ５２は、第１の接続端子Ｐ４０１と第２の接続端子Ｐ４０２との間に接続されている。この周波数可変フィルタ５２が、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｃによって実現されている。
【０１２８】
第１の接続端子Ｐ４０１は、アンテナＡＮＴに接続されており、第２の接続端子Ｐ４０２は、ＲＦＩＣ８２に接続されており、第３の接続端子Ｐ４０３は、ＲＦＩＣ８１に接続されている。
【０１２９】
周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｃは、次に示すような部品配置構成によって実現されている。図２１、図２２（Ａ）及び図２２（Ｂ）は、それぞれ、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｃが実装された基板の平面模式図である。
【０１３０】
図２１に示すように、第２の接続端子Ｐ４０２は、基板４００の主面において、−Ｙ側且つＸ方向の中央付近に配置されている。
【０１３１】
インダクタ４１２，４３１は、巻線の軸方向をＸ方向とした状態で、基板４００の主面において−Ｘ側に配置され、且つＹ方向に互いに近接配置されている。インダクタ４１４，４２１は、巻線の軸方向をＹ方向とした状態で、基板４００の主面において、＋Ｙ側且つＸ方向の中央付近に配置されている。インダクタ４５１は、巻線の軸方向をＹ方向とした状態で、基板４００の主面において、−Ｙ側且つＸ方向の中央付近に配置されている。可変キャパシタ４３２は、基板４００の主面において、Ｙ方向およびＸ方向の中央付近に配置されている。
【０１３２】
より具体的には、図２２（Ａ）の平面模式図に示すように、可変キャパシタ４３２の一部は、インダクタ４２１とインダクタ４５１とを外縁の一部とする領域ＳＲ５に配置されている。この領域ＳＲ５は、インダクタ４２１，４５１の端面４２１Ｅ，４５１Ｅを、対向する二側面とする空間を平面視して得られる領域である。
【０１３３】
この配置によって、インダクタ４２１とインダクタ４５１との間の磁界結合は、抑制される。
【０１３４】
また、図２２（Ｂ）の平面模式図に示すように、可変キャパシタ４３２の一部は、インダクタ４３１とインダクタ４５１とを外縁の一部とする領域ＳＲ６に位置している。この領域ＳＲ６は、インダクタ４３１，４５１の端面４３１Ｅ，４５１Ｅを、対向する二側面とする空間を平面視して得られる領域である。
【０１３５】
この配置によって、インダクタ４３１とインダクタ４５１との間の磁界結合は、抑制される。
【０１３６】
そして、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｃは、このような構成を備えることによって、次に示すような伝送特性を実現できる。図２３は、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｃの伝送特性を示す図である。図２３において、実線はチャンネルＣＨａの伝送特性、点線はチャンネルＣＨｂの伝送特性、破線はチャンネルＣＨｃの伝送特性、二点破線はチャンネルＣＨｄの伝送特性を示す。例えば、チャンネルＣＨａは４３０ＭＨｚ帯であり、チャンネルＣＨｂは７７０ＭＨｚ帯であり、チャンネルＣＨｃは８６５ＭＨｚ帯であり、チャンネルＣＨｄは９１５ＭＨｚ帯である。
【０１３７】
図２３に示すように、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｃの構成を備えることによって、通過帯域の高周波数側において、必要減衰量である−３０［ｄＢ］を確保できる。この際、いずれのチャンネルを選択しても、通過帯域の高周波数側において、必要減衰量を確保できる。
【０１３８】
一方、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｃの構成を備えない場合には、次に示すように、必要減衰量を得られない場合がある。
【０１３９】
図２４（Ａ）は、比較例５の周波数可変フィルタが実装された基板の平面模式図であり、図２４（Ｂ）は、その伝送特性を示す図である。
【０１４０】
図２４（Ａ）に示すように、比較例５は、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｃと同じ回路構成であるが、インダクタ４２１とインダクタ４５１との間の領域に可変キャパシタ４３２が位置していない構成を有する。この場合、図２４（Ｂ）に示すように、チャンネルＣＨａ，ＣＨｂ，ＣＨｃにおいて、必要減衰量を得られない周波数帯域が生じる。
【０１４１】
図２５（Ａ）は、比較例６の周波数可変フィルタが実装された基板の平面模式図であり、図２５（Ｂ）は、その伝送特性を示す図である。
【０１４２】
図２５（Ａ）に示すように、比較例６は、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｃと同じ回路構成であるが、インダクタ４３１とインダクタ４５１との間の領域に可変キャパシタ４３２が位置していない構成を有する。この場合、図２５（Ｂ）に示すように、チャンネルＣＨａ，ＣＨｂ，ＣＨｃ，ＣＨｄの全てにおいて、必要減衰量を得られない周波数帯域が生じる。
【０１４３】
なお、上述の説明では、周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｃを、図２０に示す分波回路５０Ａに適用する態様を示したが、単独の周波数可変ＬＣフィルタとして利用することも可能であり、図１４に示す周波数可変ＬＣフィルタ４０Ａと置き換えて利用することも可能である。
【０１４４】
また、上述の周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｃの特徴的な配置は、図１７の周波数可変ＬＣフィルタ４０、４０Ａ、および、図１８の周波数可変ＬＣフィルタ４０Ｂにも適用可能である。
【符号の説明】
【０１４５】
Ｐ４０１…第１の接続端子
Ｐ４０２…第２の接続端子
Ｐ４０３…第３の接続端子
ＳＲ１〜ＳＲ４…領域
１…通信装置
１０，１０Ａ…高周波フロントエンドモジュール
２０…アンテナ整合回路
３０…周波数固定フィルタ
４０，４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ…周波数可変ＬＣフィルタ
４１，４１Ａ…フィルタ回路
４２…ＬＣフィルタ回路
４３…ＬＣフィルタ回路
４４…ＬＣフィルタ回路
４５…ＬＣフィルタ回路
５０，５０Ａ…分波回路
５１…高域通過フィルタ
６１，６２…周波数可変フィルタ
７１…送信側増幅回路
７２…受信側増幅回路
８０…信号処理部
８１，８２…ＲＦＩＣ
９１…送信回路
９２…受信回路
４００…基板
４１２，４１４，４２１，４３１，４３３，４４１，４５１…インダクタ
４１１，４１３，４２５，４２６，４４２，４４３，４５２…キャパシタ
４１５，４３２，４２２…可変キャパシタ
８００…ベースバンド処理部
８０１…送信信号生成部
８０２…復調部
８１０…チャンネル決定部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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