(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
像担持体と、
前記像担持体に接触して設けられる、前記像担持体を帯電するための帯電部材と、
前記帯電部材に帯電バイアスを印加する印加手段と、
前記像担持体と前記帯電部材との間に流れる帯電電流の帯電電流値を検知する電流検知手段と、
前記電流検知手段によって前記帯電電流値を検知する場合に、前記帯電電流値のうち、放電によって前記帯電部材と前記像担持体との間に流れる放電電流の放電電流値を取得する取得部と、
前記取得部によって取得される前記放電電流値が目標電流値となるように、前記印加手段によって印加される前記帯電バイアスの大きさを段階的に増減させて制御する制御手段と、を有し、
前記制御手段は、前記印加手段に大きさの異なる前記帯電バイアスを印加させて取得される前記帯電電流値の変化に対する前記放電電流値の変化の傾きである第１の傾きと所定の基準傾きである第２の傾きと、に基づいて、１回の前記帯電バイアスの大きさの増減に伴う前記帯電電流値の可変幅を制御することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
取得する前記放電電流値が前記目標電流値に到達する時間を、前記帯電電流値を基準可変幅で変化させた場合よりも短縮すべく、
前記制御手段は、前記基準可変幅よりも大きい可変幅で前記帯電電流値が変化するように、１回の前記帯電バイアスの大きさの増減量を大きくすることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記基準可変幅よりも大きい可変幅は、前記第１の傾きと前記第２の傾きと、の比率を、前記基準可変幅に乗ずる補正をした可変幅であることを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
温度を検知する温度検知手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記温度検知手段が検知する温度の変化が所定の温度以上の場合に、前記第１の傾きを取得し、前記基準可変幅を補正する補正量を決定することを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記制御手段は、取得する前記放電電流値が前記目標電流値よりも大きい場合、絶対値が同じ大きさで前記放電電流値が前記目標電流値よりも小さい場合よりも、前記帯電電流値の大きさを変化させる幅が大きくなるように、前記比率を乗じた前記基準可変幅をさらに大きくさせる補正を行うことを特徴とする請求項３または４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記制御手段は、
取得した前記放電電流値と前記目標電流値との差が所定の大きさ以上のときは、前記基準可変幅を大きくする補正をした場合には前記帯電電流値の大きさが画像形成時における上限を超える可変幅となるように、前記比率を乗じた前記基準可変幅をさらに大きくする補正をし、
取得した前記放電電流値と前記目標電流値との差が所定の大きさより小さくなると、前記上限を超える可変幅となるように補正された可変幅を減じる補正を行うことを特徴とする請求項３または４に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記制御手段は、画像形成の回数が所定の回数以上となったときに、前記第１の傾きを取得し、前記基準可変幅を補正する補正量を決定することを特徴とする請求項３〜６のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記像担持体及び前記帯電部材は、画像形成装置の装置本体に対して着脱可能なプロセスカートリッジとして一体化されており、
前記制御手段は、新品の前記プロセスカートリッジが前記装置本体に装着されたときに、前記第１の傾きを取得し、前記基準可変幅を補正する補正量を決定することを特徴とする請求項３〜７のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記プロセスカートリッジに設けられた、前記補正量を記憶する不揮発性メモリをさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
像担持体と、
前記像担持体に接触して設けられる、前記像担持体を帯電するための帯電部材と、
前記帯電部材に帯電バイアスを印加する印加手段と、
前記像担持体と前記帯電部材との間に流れる帯電電流の帯電電流値を検知する電流検知手段と、
前記電流検知手段によって前記帯電電流値を検知する場合に、前記帯電電流値のうち、放電によって前記帯電部材と前記像担持体との間に流れる放電電流の放電電流値を取得する取得部と、
前記取得部によって取得される前記放電電流値が目標電流値となるように、前記印加手段によって印加される前記帯電バイアスの大きさを段階的に増減させて制御する制御手段と、
を備える画像形成方法であって、
前記印加手段によって大きさの異なる前記帯電バイアスを印加させることにより、前記帯電電流値の変化に対する前記放電電流値の変化の傾きである第１の傾きを取得する工程と、
前記取得部によって取得した前記第１の傾きと、前記帯電電流値の変化に対する前記放電電流値の所定の基準傾きである第２の傾きと、に基づいて、１回の前記帯電バイアスの大きさの増減に伴う前記帯電電流値の可変幅を制御する工程と、
を有することを特徴とする画像形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真方式を用いた画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真方式によって画像を記録材に印刷（画像を形成）する画像形成装置では、ドラム型の電子写真感光体（以下、感光ドラム）の表面を帯電ユニットにより所定の電位に均一に帯電する。その帯電の方式として主流となる接触帯電方式では、ローラ帯電部材（以下、帯電ローラ）を感光ドラムの表面に当接させ、この帯電ローラに電圧を印加して感光ドラムを帯電する。この帯電ローラに印加する電圧は直流電圧のみでも良いが、交流電圧を印加することによって、プラス側とマイナス側への放電を交互に発生させ、これにより均一に帯電させている。具体的には、直流電圧を印加した時の感光ドラムへの放電開始閾値電圧（帯電開始電圧）の２倍以上のピーク間電圧を有する交流電圧と直流電圧とを重畳した振動電圧を印加することによって、被帯電体の帯電を均一化することができる。この帯電ローラに、振動電圧としての正弦波電圧を印加すると、帯電ローラと感光ドラムとの間の抵抗性負荷に流れる抵抗負荷電流、帯電ローラと感光ドラムとの間の容量性負荷に流れる容量負荷電流及び帯電ローラと感光ドラムとの間の放電電流が発生する。そして、これらの電流が合計された結果の電流が帯電部材としての帯電ローラに流れる。この際、安定した帯電を得るためには、放電電流量を所定値以上に設定する必要がある。
【０００３】
図１７に、帯電ローラに交流電圧Ｖｃを印加した際、帯電ローラに流れる電流Ｉｃ特性を示す。交流電圧Ｖｃは、交流電圧のピーク電圧値、電流Ｉｃは交流電流の実効値を示している。図１７より、交流電圧Ｖｃの振幅を徐々に上昇させると、これに伴って帯電電流が増加する。所定電圧Ｖｈの２倍以下の場合には、交流電圧の振幅と帯電電流とは略比例している。これは抵抗負荷電流と容量性負荷電流とが電圧振幅に比例するとともに、電圧振幅が小さいために放電現象が発生せず放電電流が流れないためである。そして、交流電圧をさらに大きくしていくと、所定電圧Ｖｈの２倍で放電現象が始まる。この時、帯電電流Ｉｃは比例関係から外れ、放電電流Ｉｓ分だけ多く流れる。ここで安定して帯電させるためには、この放電電流Ｉｓが所定値以上になるように交流電圧Ｖｃを設定する必要がある。しかし、放電電流Ｉｓが必要以上に印加されると、感光ドラムの摩耗が促進され、摩耗が進むと感光ドラムの帯電性能等が低下し、異常画像の発生といった問題が発生する。従って、安定した帯電を得つつ、上述の問題を解決するためには、必要最小限の電圧を帯電ローラに印加し、プラス側とマイナス側とで交互に発生する放電を最小限にする必要がある。実際は、帯電ローラへの印加電圧と放電量との関係は常に一定ではなく、感光ドラムの感光体層や誘電体層の膜厚、帯電部材や空気の環境変動等により変化する。特に低温低湿環境では、材料が乾燥して抵抗値が上昇して放電しにくくなる。このため、均一な帯電を得るためには一定値以上のピーク間電圧が必要となる。また、この低温低湿環境において均一な帯電が得られる最低の電圧値であっても、高温高湿環境で帯電動作を行った場合は、逆に材料が吸湿し抵抗値が低下するため帯電部材が必要以上の放電を起こすことになる。その結果、放電量が増加して画像不良の発生、トナー融着の発生、感光ドラムの表面の劣化による感光ドラム削れ、短命化などの問題が起こる。
【０００４】
このような放電量の変化を抑制するために、帯電電圧のピーク電圧とその微分波形のピーク電圧を検出し、放電電流値を算出する制御方式が提案されている（特許文献１参照）。図１８（Ａ）および図１８（Ｂ）に、出力電圧波形（Ａ）とその微分波形（Ｂ）との関係を示す。図１８（Ｂ）の微分電圧波形は、図１８（Ａ）に示す出力電圧波形に対して位相が９０°遅れている。また、図１８（Ａ）の出力電圧波形においては、放電電流の発生するピーク付近のレベルが下がった（Ｖｐ２）形状になっている。これに対し微分波形の
ピークレベル（Ｖｐ１）は放電の影響を受けない。従って、微分波形のピークレベルＶｐ１は、放電電流が発生しない場合の出力電圧波形のピークレベルに相当している。
図１９に、帯電交流電圧と帯電電流の実効値との特性曲線を示す。２×Ｖｈ以上で放電電流値が加わることで帯電電流値Ｉｃが増加する。一方、上述したように微分波形のピークレベルは電流値との比例関係を維持する。従って、特性曲線の図形的な関係から、放電電流値Ｉｓは、帯電交流電流値Ｉｃと出力電圧ピーク値Ｖａと微分波形の電圧ピーク値Ｖｂを用いて次式（１）で表わせる。
Ｉｓ＝Ｉｃ×（Ｖｂ−Ｖａ）／Ｖｂ……式（１）
Ｉｃ，Ｖａ，Ｖｂは同時にサンプリング可能であり、通常それぞれの平均値から放電電流値を算出している。この検出した放電電流値Ｉｓに基づいて、放電電流制御をしている。
図２０に、所望の放電電流Ｉｓとなるように帯電電流値Ｉｃを制御しているときの関係を示す。図２０より、所望の放電電流値Ｉｓαになるように、帯電電流値ＩｃαをＩｃα＋ｎ、Ｉｃα−ｎとすることで制御している。この帯電電流値Ｉｃαの変化量ｎは、一定値で設定され、制御時にｎが振れても画像不良が発生しない値となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１５７５０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、帯電ローラ特性（例えば、抵抗値特性、環境特性）によって、必要となる放電電流値Ｉｓに対応した帯電電流値Ｉｃの関係が異なる。そのため、帯電ローラ特性によって、所望の放電電流Ｉｓとなる帯電電流値Ｉｃに制御するまでの時間が異なり、所望の放電電流Ｉｓで精度よく制御しようとすると長期間のダウンタイムが必要となる。また、ダウンタイムを短くしようとすると、所望の放電電流Ｉｓに到達することが出来ず、過帯電による感光ドラムへのダメージや、帯電不足による画像不良が発生する場合がる。
【０００７】
本発明の目的は、過帯電による像担持体へのダメージや、帯電不足による画像不良の発生を抑制しつつ、所望の放電電流値を得るための放電電流制御に費やすダウンタイムを低減することができる技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の画像形成装置は、
像担持体と、
前記像担持体に接触して設けられる、前記像担持体を帯電するための帯電部材と、
前記帯電部材に帯電バイアスを印加する印加手段と、
前記像担持体と前記帯電部材との間に流れる帯電電流の帯電電流値を検知する電流検知手段と、
前記電流検知手段によって前記帯電電流値を検知する場合に、前記帯電電流値のうち、放電によって前記帯電部材と前記像担持体との間に流れる放電電流の放電電流値を取得する取得部と、
前記取得部によって取得される前記放電電流値が目標電流値となるように、前記印加手段によって印加される前記帯電バイアスの大きさを段階的に増減させて制御する制御手段と、を有し、
前記制御手段は、前記印加手段に大きさの異なる前記帯電バイアスを印加させて取得される前記帯電電流値の変化に対する前記放電電流値の変化の傾きである第１の傾きと所定の基準傾きである第２の傾きと、に基づいて、１回の前記帯電バイアスの大きさの増減に伴う前記帯電電流値の可変幅を制御することを特徴とする。
上記目的を達成するため、本発明の画像形成方法は、
像担持体と、
前記像担持体に接触して設けられる、前記像担持体を帯電するための帯電部材と、
前記帯電部材に帯電バイアスを印加する印加手段と、
前記像担持体と前記帯電部材との間に流れる帯電電流の帯電電流値を検知する電流検知手段と、
前記電流検知手段によって前記帯電電流値を検知する場合に、前記帯電電流値のうち、放電によって前記帯電部材と前記像担持体との間に流れる放電電流の放電電流値を取得する取得部と、
前記取得部によって取得される前記放電電流値が目標電流値となるように、前記印加手段によって印加される前記帯電バイアスの大きさを段階的に増減させて制御する制御手段と、
を備える画像形成方法であって、
前記印加手段によって大きさの異なる前記帯電バイアスを印加させることにより、前記帯電電流値の変化に対する前記放電電流値の変化の傾きである第１の傾きを取得する工程と、
前記取得部によって取得した前記第１の傾きと、前記帯電電流値の変化に対する前記放電電流値の所定の基準傾きである第２の傾きと、に基づいて、１回の前記帯電バイアスの大きさの増減に伴う前記帯電電流値の可変幅を制御する工程と、
を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、過帯電による像担持体へのダメージや、帯電不足による画像不良の発生を抑制しつつ、所望の放電電流値を得るための放電電流制御に費やすダウンタイムを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施例における放電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃの制御図
【図２】本実施例に係る画像形成装置の概略図
【図３】実施例１、４、５に係る画像形成装置の制御ブロック図
【図４】本実施例における放電電流検出方法の説明図
【図５】本実施例における放電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃの特性図
【図６】本実施例における放電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃの制御図
【図７】本実施例における放電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃの傾き検出方法の説明図
【図８】実施例１におけるフローチャート図
【図９】実施例２に係る画像形成装置の制御ブロック図
【図１０】実施例２におけるフローチャート図
【図１１】実施例３に係る画像形成装置の制御ブロック図
【図１２】実施例３におけるフローチャート図
【図１３】実施例４における放電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃの制御図
【図１４】実施例４におけるフローチャート図
【図１５】実施例５における放電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃの制御図
【図１６】実施例５におけるフローチャート図
【図１７】帯電ローラに交流電圧を印加したときの帯電ローラに流れる電流の特性図
【図１８】出力電圧波形と微分波形の関係図
【図１９】帯電ローラに印加される交流電圧ピーク値と微分ピーク値の特性図
【図２０】放電電流値と帯電電流値の制御図
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を、実施例に基づいて例示的に詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状それらの相対配置などは、発明が適用される装置の構成や各種条件により適宜変更されるべきものである。すなわち、この発明の範囲を以下の実施の形態に限定する趣旨のもので
はない。
【００１２】
（実施例１）
図２を参照して、本発明の実施例に係る画像形成装置について、電子写真方式を例にとって説明する。ここで、本発明が適用可能な画像形成装置としては、例えば電子写真方式を用いた複写機、プリンタ（ＬＥＤプリンタ、レーザービームプリンタ等）等が含まれる。図２は、プロセスカートリッジを装着している状態の画像形成装置２００の概略図である。図２より、２０１は像担持体である感光ドラム、２０４は半導体レーザ２０３にて感光ドラム２０１上にレーザビームを走査するレーザースキャナである。２０２は、感光ドラム２０１上を一様に帯電するための帯電部材（帯電手段）である帯電ローラ、２０７は、感光ドラム２０１上に形成された静電潜像を現像剤で現像する現像剤担持体２２４を備え、現像剤を格納する現像器である。２２２は、感光ドラム２０１や現像器２０７などが一体化され、画像形成装置２００の装置本体に対して着脱可能（交換可能）なプロセスカートリッジである。２０８は感光ドラム２０１に現像された現像剤像を所定の記録材２１６に転写するための転写ローラ、２１９は記録材２１６に転写された現像剤を熱にて定着するための定着器、２２５は定着器の温度を制御するための温度サーミスタである。２１０は記録材を給紙する給紙ローラである。２１４は記録材の搬送と同期をとるトップセンサ、２１１は定着後の記録材２１６を排紙トレイ２１７へ排出するための排紙ローラ、２１５は定着後の記録材２１６の有無を検出するための排紙センサである。２１２はＣＰＵ２１３を備え、上記のような構成部を制御するエンジンコントローラである。
【００１３】
図３は、本実施例における画像形成装置の放電電流制御を行うブロック図である。図３よりエンジンコントローラ２１２のＣＰＵ２１３は、演算部３０５、記憶部３０６、交流電圧用駆動信号発生部３０７を有している。ＣＰＵ２１３は、制御手段として、放電電流制御回路３１０内の電圧制御部３０１に信号を送ることで、印加手段としての電圧印加部３００より帯電ローラ２０２に電圧（帯電バイアス）を印加する。また、ＣＰＵ２１３は、電流検知手段としての、交流電流検出部３０２、電圧振幅値検出部３０３、微分振幅値検出部３０４からの算出値から放電電流値の検知（取得）を行う。なお、電圧印加部３００、電圧制御部３０１、交流電流検出部３０２、電圧振幅値検出部３０３、微分振幅値検出部３０４から構成される放電電流制御回路３１０の動作は、特許文献１（特開２００４−１５７５０１）と同様である。
【００１４】
図４に本実施例における放電電流の検出方法について説明する。図４は、帯電ローラ２０２に印加される交流電圧のピーク値及び、微分波形のピーク値と帯電交流電流値の特性である。図４に示すように、帯電交流電圧が放電開始電圧（Ｖｈ）の２倍以下の領域では、帯電電流値の帯電交流電圧に対する関係式は原点を通るほぼ比例の直線で表される。この領域においては帯電ローラ２０２と感光ドラム２０１との間の抵抗性負荷および容量性負荷に応じた電流が流れる。これに対し、帯電交流電圧が放電開始電圧（Ｖｈ）の２倍以上の領域においては、帯電ローラ２０２と感光ドラム２０１との間に放電電流が発生し、この放電電流値が加算された帯電電流値Ｉｃが流れる。放電開始領域においては、交流電圧のピーク値を４００で表し、微分波形のピーク値を４０１で表す。ここで特性４００および特性４０１の関係から放電電流値を算出することができる。また、交流電圧のピーク値Ｖａ、微分波形のピーク値Ｖｂ、帯電電流Ｉｃの場合に、放電電流値Ｉｓは、以下の式（１）により求められる。
Ｉｓ＝Ｉｃ×（Ｖｂ−Ｖａ）／Ｖｂ  ……式（１）
そして、交流電圧のピーク電圧値Ｖａをピーク電圧検出回路３０４によって検出し、微分波形のピーク値Ｖｂを微分波形ピーク電圧検出回路３０３で検出する。電圧制御部３０１の電圧レベルに応じて電圧印加部３００から出力される電圧振幅を調整することで、帯電電流値Ｉｃを調整し放電電流値を制御する。そして、放電性能を満足来るような放電電流値Ｉｓになるように帯電電流値Ｉｃを調整している。
【００１５】
図５は、本実施例における図４に示した方法によって、放電電流制御を行った時に、帯電ローラ２０２特性違いによる放電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃ特性である。図５より、曲線Ａは帯電ローラ２０２の放電量が多く、曲線Ｂは帯電ローラ２０２の放電量が少ない場合を示している。この放電量差は、帯電ローラ２０２のベンダー差、抵抗バラツキ、画像形成装置２００の使用環境、等により生じる。しかし、本実施例に示す放電電流制御では、帯電ローラ２０２のベンダー差、抵抗バラツキ、画像形成装置２００の使用環境、等の影響を受けることなく、帯電不良閾値以上に設定された目標放電電流値Ｉｓｏとなるように帯電電流値Ｉｃをコントロールする。これにより、過帯電による感光ドラムへのダメージ、帯電不足による画像不良を防止している。例えば、放電量が多い曲線Ａの帯電ローラ２０２の場合には、目標放電電流値Ｉｓｏとなる帯電電流値Ｉｃａとなるように、Ｉｃを可変幅（＋ｎ、−ｎ）でＩｃａ＋ｎ、Ｉｃａ−ｎして調整している。また、放電量が少ない曲線Ｂの帯電ローラ２０２の場合には、目標放電電流値Ｉｓｏとなる帯電電流値ＩｃｂとなるようにＩｃｂ＋ｎ、Ｉｃｂ−ｎして調整することで、放電電流Ｉｓを一定に制御している。しかし、帯電電流値Ｉｃａ、Ｉｃｂを一定量＋ｎ、−ｎの調整をした場合に、曲線Ａにおける放電電流Ｉｓａ及び、曲線Ｂにおける放電電流Ｉｓｂの可変幅は、帯電ローラ２０２の放電量違いにより異なる。すなわち、曲線Ａの場合はα変化し、曲線Ｂの場合はβ変化することから、曲線Ｂに比べ曲線Ａの放電電流Ｉｓｂの可変幅は、約２倍となり長期間のダウンタイムが必要となる。
【００１６】
図６（ａ）、（ｂ）に、本実施例における画像形成装置２００が動作しているときの帯電電流値Ｉｃと放電電流値Ｉｓの制御図を示す。図６（ａ）より、横軸はＣＰＵ２１３が帯電電流値Ｉｃを制御する制御時間（クロック）であり、本実施例では、１クロック１００ｍｓで行っている。そして、縦軸が帯電電流値Ｉｃを制御するｄｅｃ値である。ここでｄｅｃ値は、ＣＰＵ２１３が所望の帯電電流値Ｉｃを出力するために、ＣＰＵ２１３から所望のｄｅｃ値を電圧制御部３０１に伝達する値であり、１ｄｅｃ可変すると帯電電流値Ｉｃを７ｕＡ可変する。画像形成準備時に帯電電流値がＩｃ１またはＩｃ２であった場合、画像形成中（２）の状態で必要となる目標放電電流値Ｉｓｏに相当する帯電電流値はＩｃｏに対して、帯電電流値Ｉｃが過不足となっている。そのため、画像形成準備時間（１）の間に帯電電流値Ｉｃを、目標放電電流値Ｉｓｏに相当する目標帯電電流値としての帯電電流値Ｉｃｏまで所定の可変幅（＋ｎ、−ｎ）で調整する。調整は、算出（取得）される放電電流値Ｉｓが目標放電電流値Ｉｓｏ（目標電流値）に段階的に（徐々に）近づくように、すなわち、帯電電流値Ｉｃが帯電電流値Ｉｃｏに段階的に近づくように、印加する帯電バイアスの大きさを段階的に増減させる制御となる。そして、目標放電電流値Ｉｓｏに相当する帯電電流値Ｉｃｏに到達したタイミングで画像形成が開始される。
【００１７】
図６（ｂ）に、図５で示した曲線Ａと曲線Ｂの帯電ローラ２０２について、図６（ａ）のように帯電電流値Ｉｃを基準可変幅としての所定の可変幅（＋ｎ、−ｎ）で調整したときの放電電流値Ｉｓの制御状態を示す。横軸はＣＰＵ２１３が帯電電流値Ｉｃを制御する制御時間（クロック）である。そして、縦軸が帯電電流値Ｉｃを制御するｄｅｃ値である。図５で示したように、曲線Ａと曲線Ｂの帯電ローラ２０２で放電量Ｉｓの可変幅が異なる（曲線ＡのＩｓａ可変幅：α、曲線ＢのＩｓｂ可変幅：β）ため、曲線Ａに比べ曲線Ｂの目標放電電流Ｉｓｏまでの到達時間が遅くなる。すなわち、１回の帯電バイアスの大きさの増減において変化する帯電電流値の可変幅は、帯電ローラ２０２の放電特性に応じて変化し、したがって、帯電ローラ２０２の放電特性に応じて画像形成準備時間（１）が変わってしまい、ダウンタイムの延長が発生する。
そこで、本実施例では、帯電ローラ２０２の帯電電流値Ｉｃと放電電流値Ｉｓの傾きを検知し、帯電電流値Ｉｃの可変幅（１回の帯電バイアスの大きさの増減量）を最適値に可変（補正）することで、画像形成準備時間（ダウンタイム）を短縮する。
【００１８】
図７に、帯電電流値Ｉｃと放電電流値Ｉｓの傾き検知方法を示す。図４における放電電流の検出方法より、測定する帯電ローラ２０２の帯電電流値Ｉｃｃ１とＩｃｃ２の放電電流Ｉｓｃ１とＩｓｃ２の２点から測定値７０１の傾きを、傾き＝（Ｉｓｃ２−Ｉｓｃ１）／（Ｉｃｃ２−Ｉｃｃ１）で算出する。ここで傾きを検知するために出力する帯電電流値Ｉｃｃ１、Ｉｃｃ２は、図４で示した放電開始電圧（Ｖｈ）以上印加出来る帯電電流値であれば問題ない。本実施例においては、１７００ｕＡと２０００ｕＡを印加した時の放電電流値を各々測定し、傾きを求めている。そして、予めＣＰＵ２１３に格納され定められている基準傾き７００との比率γから帯電電流値Ｉｃの可変幅を最適値に設定する。
【００１９】
図１（ａ）、（ｂ）に、本実施例における帯電ローラ２０２の帯電電流値Ｉｃの可変幅を最適値に設定した時の放電電流値Ｉｓの制御状態を示す。横軸はＣＰＵ２１３が帯電電流値Ｉｃを制御する制御時間（クロック）、そして縦軸が帯電電流値Ｉｃを制御するｄｅｃ値である。図１（ａ）、（ｂ）では、図７に示した帯電電流値Ｉｃと放電電流値Ｉｓの傾きを検知し、基準傾き７００より帯電量が少ない７０１場合について説明する。図１（ａ）より、基準傾き７００の場合の帯電電流値Ｉｃの調整は１００で示すように可変幅（＋ｎ、−ｎ）で行われる。それに対して、帯電量が少ない７０１場合には、図７から検知した傾きの比率γを１００で示した可変幅ｎに乗算し、帯電電流値Ｉｃの調整を１０１に示すように可変幅（＋ｎγ、−ｎγ）で行われることになる。この可変幅ｎγは、画像形成制御時にｎγが振れても画像不良等が発生しない値に設定される。そして、放電電流値Ｉｓの制御は、帯電電流値Ｉｃの可変幅を最適値に調整した事で、図１（ｂ）に示すように、基準傾き７００と帯電量が少ない７０１が共に１０３で示すように可変幅（＋α、−α）で目標放電電流値Ｉｓｏとなるように制御することが可能となる。これにより、帯電量が少ない７０１場合において、従来は放電電流値Ｉｓが１０２のように可変幅（＋β、−β）で制御されていたものから、時間を短縮することが可能となる。
【００２０】
図８に本実施例におけるフローチャートを示す。画像形成装置２００の電源がオン、または低電力モード解除、またはプロセスカートリッジ２２２が着脱（８０２）されると、放電電流制御が開始される（８０３）。そして、放電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃから帯電ローラ２０２の傾き検知（８０４）を行い、帯電電流値Ｉｃの可変幅を決定後（８０５）スタンバイとなる（８０６）。次にプリントスタート（８０７）すると、放電電流制御が開始（８０８）され（８０５）で決定された帯電電流値Ｉｃの可変幅で放電電流Ｉｓを満足する帯電電流値Ｉｃに制御（８０９）し画像形成を行う（８１０）。そして画像形成終了後（８１１）、スタンバイ（８１２）となる。
【００２１】
次に、本実施例における具体的な実験値を示す。本実施例では、図７に示す方法により検知した帯電電流値Ｉｃと放電電流値Ｉｓの傾きと、装置仕様として予め定められている所定の基準傾きと、の比率（取得した傾き／基準傾き）を、基準可変幅の補正量として取得する。図７に示す帯電電流値Ｉｃと放電電流値Ｉｓの傾き検知方法から、７０１の測定値はそれぞれ下記のようになる。
（表１）
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この測定値の結果から、７０１の傾きは、０．１となる。そして基準傾き７００は、０．３と定められており、比率γ＝３となる。上述した測定結果より、図１に示す帯電電流値Ｉｃの可変幅最適値は、まず基準傾き７００の場合には、ｎ＝１で制御するように定められている（１００）。そして、７０１は、比率γ＝３からｎにγを乗算した値ｎγ＝３で制御される（１０１）。つまり、基準傾き７００に比べ帯電電流値Ｉｃの可変幅を３倍にすることで、放電電流値Ｉｓの可変幅を基準傾き７００と７０１を同等になるように制
御している（１０３）。これにより、従来目標放電電流値Ｉｓｏに相当する帯電電流値Ｉｃｏに制御するまでの時間に７０１は９００ｍｓ要していたのに対して、３００ｍｓと約１／６にダウンタイムを削減することが出来る。また、帯電ローラ２０２の傾き検知時間２００ｍｓをプラスしても、５００ｍｓと約１／２にダウンタイムを削減する事が出来る。
【００２２】
以上のように、本実施例では、帯電ローラ２０２の放電量差に応じて帯電電流値Ｉｃの可変幅を最適値に設定する。これにより、帯電ローラ２０２のベンダー差、抵抗バラツキ、画像形成装置２００の使用環境、等に関係なく、長期間のダウンタイムや帯電不足による画像不良を抑制することが可能となる。ここで、帯電不足による画像不良とは、感光ドラム電位を正常な帯電電位にすることが出来ず、白部に黒ポチ、黒スジ等が発生する現象である。
【００２３】
なお、放電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃの傾き検知を電源オン、低電力モード解除、またはプロセスカートリッジ２２２が装着されるときに実施するとしたが、同様の検知が可能であれば、プリントスタート時に実施する等、本実施例に限定されるものではない。
また、帯電ローラ２０２の放電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃの傾きを帯電電流値１７００ｕＡと２０００ｕＡの２点で行っているが、傾き取得の方法はこれに限定されない。放電開始電圧以上で同様の検知が出来れば、更に高い電圧や低い電圧、また、２点以上の測定を行う等、本実施例に限定されるものではない。
帯電電流値Ｉｃの可変幅を最適値に設定する場合に、基準傾きと帯電ローラ２０２の傾き比率γを乗算しているが、同様に可変幅を最適化出来れば、加算、除算する等、本実施例に限定されるものではない。
ＣＰＵ２１３が帯電電流値Ｉｃを制御する制御時間（クロック）を１クロック１００ｍｓで行っているが、同様の機能を得ることが可能であれば、１クロックの時間を小さくする、大きくする等、本実施例に限定されるものではない。
帯電電流値Ｉｃの可変幅を７ｕＡ／ｄｅｃとしているが、同様の機能を得ることが可能であれば、１ｄｅｃ当たりの帯電電流値Ｉｃの可変幅を小さくする、大きくする等、本実施例に限定されるものではない。
【００２４】
（実施例２）
実施例１では電源オン、または低電力モード解除、またはプロセスカートリッジ２２２の着脱時には毎回放電電流制御を行い、帯電ローラ２０２の放電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃ傾きの検知を行っていた。それに対して、本実施例は、放電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃの傾き検知結果を不揮発性メモリに格納することで傾き検知回数を必要最低限とし、不揮発性メモリから帯電電流値Ｉｃの可変幅情報を読み込む構成とする。実施例２において、実施例１と重複する箇所については説明を省略する。実施例２においてここで特に説明しない事項は、実施例１と同様である。
【００２５】
図９は、本実施例に係る画像形成装置におけるブロック図である。図９よりプロセスカートリッジ２２２に不揮発性メモリ９００が配置され、帯電電流値Ｉｃ可変幅データ及び、プロセスカートリッジ２２２のプリント枚数が格納されている。帯電電流値Ｉｃ可変幅データ及びプリント枚数は、ＣＰＵ２１３によって書き込み９０２、読み出し９０１の制御が行われている。
【００２６】
図１０に本実施例におけるフローチャートを示す。画像形成装置の電源オン（１００２）すると、プロセスカートリッジ２２２が新品か否か判断する（１００３）。そして、新品の場合には、放電電流制御を開始し（１００４）、放電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃから帯電ローラ２０２の傾き検知（１００５）を行い、帯電電流値Ｉｃの可変幅を決定後（１００６）不揮発性メモリ９００に可変幅情報を格納する（１００７）。プロセスカート
リッジ２２２が新品でない場合には、不揮発性メモリ９００に格納されている帯電電流値Ｉｃの可変幅情報の読み込み（１００８）を行い、スタンバイとなる（１００９）。次にプリントスタート（１０１０）すると、スタンバイからプリントスタートまでの間にプロセスカートリッジ２２２が着脱されたか判断（１０１１）する。着脱されていない場合には、スタンバイからプリントスタートまでの間に低電力モードに推移したかを判断（１０１４）する。低電力モードに推移していない場合には、１００８（１００７）での不揮発性メモリ９００から読み込んだ帯電電流値Ｉｃの可変幅で帯電電流値Ｉｃをコントロールして放電電流Ｉｓを満足出来る帯電電流値Ｉｃを出力（１０１７）し、画像形成する（１０１８）。プロセスカートリッジ２２２が着脱さている場合、及び低電力モードに推移していた場合には、それぞれ不揮発性メモリ９００に格納されている帯電電流値Ｉｃの可変幅情報を読み込む（１０１２、１０１５）。そして、不揮発性メモリ９００から読み込んだ帯電電流値Ｉｃの可変幅で帯電電流値Ｉｃをコントロールして放電電流Ｉｓを満足出来る帯電電流値Ｉｃを出力（１０１３、１０１６）し、画像形成する（１０１８）。そしてプリント終了後（１０１９）、プロセスカートリッジ２２２が前回の放電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃ傾き検知から１０００枚以上プリントされているか否かを判断する（１０２０）。そして、画像形成回数が閾値としての所定回数以上か否かの判断として、１０００枚以上プリント（１０００回）されていた場合には、放電電流制御（１０２１）を開始し電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃから帯電ローラ２０２の傾き検知（１０２２）を行う。検知した傾きにより帯電電流値Ｉｃの可変幅を決定後（１０２３）不揮発性メモリ９００に可変幅情報を格納（１０２４）してスタンバイとなる（１０２５）。１０００枚以上プロセスカートリッジ２２２がプリントされていない場合には、そのままスタンバイとなる（１０２５）。
【００２７】
以上のように、本実施例では、放電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃから帯電ローラ２０２の傾き検知を行い、決定された帯電電流値Ｉｃの可変幅情報を不揮発性メモリ９００に格納するようにした。すなわち、電源オフ時、低電力モード突入時、またはプロセスカートリッジ２２２着脱によって装置本体側のメモリから消えてしまう帯電電流値Ｉｃの可変幅情報を、再度の傾き検知を要することなく、不揮発性メモリ９００から取得することができる。これにより、電源オン時、低電力モード解除時、またはプロセスカートリッジ２２２装着時に、毎回放電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃから帯電ローラ２０２の傾き検知を実施する必要がなくなる。これにより、帯電ローラ２０２の傾き検知に要している時間２００ｍｓをプロセスカートリッジ２２２着脱時、及び、低電力モードから復帰時に削減することが出来、さらなるダウンタイムの削減が可能となる。
【００２８】
不揮発性メモリ９００に格納する帯電電流値Ｉｃの可変幅情報は、放電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃから帯電ローラ２０２の傾き検知から決定したが、本実施例に限定されるものではない。同様の情報を得る事が出来れば、帯電ローラ２０２のベンダー情報や抵抗情報にする等でもよい。
また、放電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃから帯電ローラ２０２の傾き検知を行うプロセスカートリッジ２２２の間隔を１０００枚と設定したが、同様の情報を得る事が出来れば、更に間隔を粗くする、詳細にする等、本実施例に限定されるものではない。
【００２９】
（実施例３）
実施例１、２では、帯電ローラ２０２の特性から、放電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃから帯電ローラ２０２の傾き検知を実施するタイミングを決定していた。それに対して、３実施例３は、画像形成装置２００の使用温度と帯電ローラ２０２の特性から、放電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃから帯電ローラ２０２の傾き検知を実施する。こうすることで、使用温度が変化した場合においても、帯電電流値Ｉｃの可変幅を最適値に設定することで、ダウンタイムの延長を防止する構成とする。実施例３において、実施例１、２と重複する箇所については説明を省略する。実施例３においてここで特に説明しない事項は、実施例
１、２と同様である。
【００３０】
図１１は、本実施例に係る画像形成装置におけるブロック図である。図１１より画像形成装置２００の使用温度を検知する温度検知手段としての温度センサ１１０１が配置され、エンジンコントローラ２１２のＣＰＵ２１３にて使用温度の検知を行っている。また、プロセスカートリッジ２２２に配置されている不揮発性メモリ９００には、帯電ローラ２０２のベンダー情報（帯電電流値Ｉｃ可変幅データ）と共に、温度センサ１１０１の値はＣＰＵ２１３で検知され、格納される。なお、温度センサ１１０１での検出値は、書き込み部９０２で不揮発性メモリ９００に書き込まれる。
【００３１】
図１２は、本実施例におけるフローチャートである。画像形成装置の電源オン（１２０２）すると、プロセスカートリッジ２２２が新品か否か判断する（１２０３）。そして、新品の場合には、まず、温度センサ１１０１で画像形成装置２００の使用されている温度を検知して、測定温度を不揮発性メモリ９００に格納（１２０４）し、放電電流制御を開始（１２０５）する。放電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃから帯電ローラ２０２の傾き検知（１２０６）を行い、帯電電流値Ｉｃの可変幅を決定後（１２０７）、不揮発性メモリ９００に可変幅情報を格納し（１２０８）、スタンバイとなる（１２１８）。
【００３２】
プロセスカートリッジ２２２が新品でない場合には、まず、温度センサ１１０１で画像形成装置２００の使用されている温度を検知（１２０９）する。そして、前回放電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃから帯電ローラ２０２の傾き検知を行ったときの画像形成装置２００の使用されている温度が格納されている不揮発性メモリ９００の値と比較（１２１０）する。その結果、前回からの温度変化Δが所定の温度以上、具体的にはΔ＝１０℃以上であった場合には、測定された測定温度を不揮発性メモリ９００に格納（１２１１）し、改めて、放電電流制御を開始（１２１２）する。傾きの検知（１２１３）、可変幅の決定後（１２１４）、不揮発性メモリ９００に可変幅情報を格納し（１２１５）、スタンバイとなる（１２１８）。
【００３３】
温度比較の結果、その温度変化が所定の温度（Δ＝１０℃）より小さい場合（１２１０）、再度の傾き検知は不要と判断する。その場合、測定温度を不揮発性メモリ９００に格納後（１２１６）、不揮発性メモリ９００に格納されている帯電電流値Ｉｃの可変幅情報を読み込み（１２１７）を行い、スタンバイとなる（１２１８）。
【００３４】
次にプリントスタート（１２１９）すると、スタンバイからプリントスタートまでの間にプロセスカートリッジ２２２が着脱されたか判断（１２２０）する。着脱されていない場合には、スタンバイからプリントスタートまでの間に低電力モードに推移したかを判断（１２２３）する。低電力モードに推移していない場合には、１２１７、１２１５、１２０８で取得した帯電電流値Ｉｃの可変幅で帯電電流値Ｉｃをコントロールして放電電流Ｉｓを満足出来る帯電電流値Ｉｃを出力（１２２６）し、画像形成する（１２２７）。プロセスカートリッジ２２２が着脱さている場合、及び低電力モードに推移していた場合には、それぞれ不揮発性メモリ９００に格納されている帯電電流値Ｉｃの可変幅情報を読み込む（１２２４、１２２１）。そして、不揮発性メモリ９００から読み込んだ帯電電流値Ｉｃの可変幅で帯電電流値Ｉｃをコントロールして放電電流Ｉｓを満足出来る帯電電流値Ｉｃを出力（１２２５、１２２２）し、画像形成する（１２２７）。
【００３５】
そしてプリント終了後（１２２８）、プロセスカートリッジ２２２が前回の放電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃ傾き検知から１０００枚以上プリントされているか否かを判断する（１２２９）。そして、１０００枚以上プリントされていた場合には、放電電流制御（１２３０）を開始する。電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃから帯電ローラ２０２の傾き検知（１２３１）を行い、帯電電流値Ｉｃの可変幅を決定後（１２３２）不揮発性メモリ９００
に可変幅情報を格納（１２３４）してスタンバイとなる（１２３５）。１０００枚以上プロセスカートリッジ２２２がプリントされていない場合には、そのままスタンバイとなる（１２３５）。
【００３６】
以上のように、不揮発性メモリに格納さている帯電電流値Ｉｃの可変幅情報を決定した時の画像形成装置２００の使用温度を不揮発性メモリに記憶し、使用環境温度が変化したか否かを判断することで、温度変化時に帯電ローラ２０２の傾き検知が実施出来る。これにより、環境温度が１０℃変動したことで帯電ローラ２０２の放電量が少なくなり図７の７０１の帯電電流値Ｉｃと放電電流値Ｉｓの特性となった場合にも、目標放電電流値Ｉｓｏに相当する帯電電流値Ｉｃｏに制御するまでの時間を短縮できる。具体的には、９００ｍｓから３００ｍｓに短縮することが出来、ダウンタイムの削減が可能となる。
【００３７】
なお、本実施例では、前回放電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃから帯電ローラ２０２の傾き検知を行った時に画像形成装置２００が使用されていた温度との差を１０℃と設定したが、これに限定されるものではない。同様の情報を得る事が出来れば、更に設定値を粗くする、詳細にする等してもよい。
【００３８】
（実施例４）
実施例１〜３では、目標放電電流Ｉｓにコントロールしていく帯電電流値Ｉｃの可変幅を、過帯電時と帯電不足時で同様の可変幅に設定していた。それに対して、実施例４では、過帯電状態からの帯電電流値Ｉｃ可変幅と、帯電不足時からの帯電電流値Ｉｃ可変幅が異なるような構成とする。実施例４において、実施例１〜３と重複する箇所については説明を省略する。実施例４においてここで特に説明しない事項は、実施例１〜３と同様である。
【００３９】
図１３（ａ）、（ｂ）に、本実施例における帯電ローラ２０２の帯電電流値Ｉｃの可変幅を過帯電時と帯電不足時で異なる制御した時の放電電流値Ｉｓの制御状態を示す。横軸はＣＰＵ２１３が帯電電流値Ｉｃを制御する制御時間（クロック）、そして縦軸が帯電電流値Ｉｃを制御するｄｅｃ値である。図７に示した帯電電流値Ｉｃと放電電流値Ｉｓの傾き検知から、帯電ローラ２０２の帯電量が少ないと判断した場合に、図１３（ａ）より、帯電電流値Ｉｃの調整が１３０１で示す可変幅（＋ｎ、−ｎ）から、最適な可変幅に調整される。ここで、目標放電電流Ｉｓｏを出力する帯電電流値Ｉｃｏに対して、帯電電流値ＩｃがＩｃ２側になっている場合には感光ドラム２０１に対して過帯電、Ｉｃ１側になっている場合には感光ドラム２０１に対して帯電不足、となる。帯電ローラ２０２で感光ドラム２０１を帯電させる帯電工程において、帯電不足の場合にはダウンタイムが伸びる懸念がある。それに対して、過帯電の場合には、帯電不足と同様にダウンタイムが伸びる懸念と、感光ドラム２０１にダメージ（例えば帯電ローラ２０２と感光ドラム２０１間でリークし、感光ドラム２０１に傷がつき画像不良等）を与えてしまうことがある。
【００４０】
そこで、帯電電流値Ｉｃの可変幅を帯電ローラ２０２の帯電量に応じて調整する時に、現状の帯電電流値Ｉｃの設定が、過帯電となっているか、帯電不足となっているか、を判断する。そして帯電不足の場合には、帯電電流値Ｉｃの調整が１３０３で示す可変幅（＋ｎγ、−ｎγ）で調整され、過帯電の場合には、帯電電流値Ｉｃの調整が１３０２で示す可変幅（＋ｎγｚ、−ｎγｚ）で調整される。すなわち、感光ドラム２０１のダメージが懸念される過帯電時には、可変幅を帯電不足時よりも絶対値の大きさをさらに大きく補正すべく、過帯電時と帯電不足時で異なる帯電電流値Ｉｃの可変幅に調整される。この可変幅ｎγｚは、画像形成制御時にｎγｚが振れても画像不良等が発生しない値に設定される。そのときの放電電流Ｉｓの制御は、図１３（ｂ）に示す通りである。すなわち、帯電不足の場合には、帯電電流値Ｉｃの調整が１３０６で示す可変幅（＋α、−α）で調整され、過帯電の場合には、帯電電流値Ｉｃの調整が１３０５で示す可変幅（＋αｚ、−αｚ）
で調整される。それにより、短期間で過帯電状態を解消することが可能となる。
【００４１】
図１４に本実施例におけるフローチャートを示す。画像形成装置２００の電源がオン、または低電力モード解除、またはプロセスカートリッジ２２２が着脱（１４０２）されると、放電電流制御が開始される（１４０３）。そして、放電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃから帯電ローラ２０２の傾き検知（１４０４）を行い、帯電電流値Ｉｃの可変幅を決定後（１４０５）スタンバイとなる（１４０６）。次にプリントスタート（１４０７）すると、放電電流制御が開始（１４０８）され帯電電流値Ｉｃが過放電になっているか否かを判断する（１４０９）。過放電となっていない場合には、（１４０５）で決定された帯電電流値Ｉｃの可変幅で放電電流Ｉｓを満足出来る帯電電流値Ｉｃの出力調整を開始（１４１２）し、画像形成を行う（１４１３）。（１４０９）の判断で、過放電となっていた場合には、（１４０５）で決定された帯電電流値Ｉｃの可変幅を２倍に補正し、放電電流Ｉｓを満足出来る帯電電流値Ｉｃの出力調整を開始（１４１１）し、画像形成が行われる（１４１３）。そして画像形成終了後（１４１４）、スタンバイ（１４１５）となる。
【００４２】
次に、本実施例における具体的な実験値を示す。前述した実施例に基づいて、帯電電流値のｄｅｃ値制御可変幅をｎγ＝３とする。まず、図１３より、ＣＰＵ２１３がＩｃの制御ｄｅｃ値がＩｃｏに対して、Ｉｃ１側（帯電不足側）なのか、Ｉｃ２側（過帯電側）なのかを検知し、Ｉｃ１側であればｄｅｃ値可変幅をｎγ＝３で制御する。それに対して、Ｉｃ２側と判断した場合には、ｄｅｃ値可変幅ｚ＝２倍にし、可変幅をｎγｚ＝６で制御する。これにより、目標放電電流値Ｉｓｏに相当する帯電電流値Ｉｃｏに制御するまでの時間を９００ｍｓから３００ｍｓに短縮することが出来るが、更に過帯電状態の場合には２００ｍｓに短縮することが可能となる。
【００４３】
以上のように、本実施例では、過帯電状態からの帯電電流値Ｉｃ可変幅と、帯電不足時からの帯電電流値Ｉｃ可変幅を変更し、特に過帯電状態の場合には帯電電流値Ｉｃ可変幅を大きくすることとした。これにより、帯電ローラ２０２と感光ドラム２０１の過帯電時間を最小限に抑える事が出来、ダウンタイムの改善を行いながら、ドラムへのダメージを最小限に抑えることが可能となる。
【００４４】
なお、過帯電時の帯電電流値Ｉｃ可変幅を、帯電不足時の帯電電流値可変幅に対して、２倍と設定したが、同様の機能を得ることが出来れば、更に設定値を大きくする等、本実施例に限定されるものではない。
また、実施例１の構成をもとに過帯電時と帯電不良時の帯電電流値Ｉｃ可変幅を変更したが、同様の機能を得る事が出来れば実施例２、３の構成をもとに同様の制御を行うようにしてもよい。
【００４５】
（実施例５）
実施例１〜４では、放電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃの傾き検知から、帯電電流値Ｉｃの可変幅を最適値に設定した時に、設定される可変幅は画像形成制御時に振れても画像不良が発生しない値に設定されていた。すなわち、目標放電電流値Ｉｓｏに相当する帯電電流値ＩｃｏとのΔ量に関係なく固定値で制御を行っていた。それに対して、実施例５は、さらにダウンタイムを改善するために帯電電流値Ｉｃの可変幅を更に大きく変更するものとした。その一方で、目標放電電流値Ｉｓｏに相当する帯電電流値Ｉｃｏに安定して収束し、画像形成制御時に振れても画像不良が発生しない効果が得られるように、帯電電流値Ｉｃの可変幅を変化させるものとした。その際の帯電電流値Ｉｃの可変幅は、目標放電電流値Ｉｓｏに相当する帯電電流値ＩｃｏとのΔ量に応じて変化させた。実施例５において、実施例１〜４と重複する箇所については説明を省略する。実施例５においてここで特に説明しない事項は、実施例１〜４と同様である。
【００４６】
図１５（ａ）、（ｂ）に、本実施例における帯電ローラ２０２の帯電電流値Ｉｃの可変幅を、目標放電電流値Ｉｓｏに相当する帯電電流値ＩｃｏとのΔ量に応じて変化させたときの、帯電電流値Ｉｃと放電電流Ｉｓの制御状態を示す。横軸はＣＰＵ２１３が帯電電流値Ｉｃを制御する制御時間（クロック）、そして縦軸が帯電電流値Ｉｃを制御するｄｅｃ値である。図７に示した帯電電流値Ｉｃと放電電流値Ｉｓの傾き検知から、帯電ローラ２０２の帯電量が少ないと判断した場合に、図１５（ａ）より、帯電電流値Ｉｃの調整が１５００で示す可変幅（＋ｎ、−ｎ）から、最適な可変幅に調整される。そして、１５０１で示すように帯電電流値Ｉｃの可変幅が最適値に設定されると、例えばＩｃ２から目標放電電流Ｉｓｏに相当する帯電電流値Ｉｃｏに向かって、帯電電流値Ｉｃの制御が行われる。ここで、帯電電流値Ｉｃの可変幅は、帯電電流値Ｉｃと目標放電電流値Ｉｓｏに相当する帯電電流値ＩｃｏのΔがΔ１〜Δ２間離れている場合、つまり、取得した放電電流値と目標電流値との差が所定の大きさ以上のときには次のように変更する。すなわち、図７から傾き検知した比率γを１５００で示した可変幅ｎに乗算した値ｎγに、更なるダウンタイム改善のためｈを乗算し、可変幅（＋ｎγｈ、−ｎγｈ）と可変量を大きくする。ここで、画像形成制御時にｎγｈ振れると、画像不良等が発生する可能性がある大きな可変幅である。すなわち、帯電電流値の大きさが画像形成時における上限を超えることになる可変幅である。
【００４７】
次に、帯電電流値Ｉｃと目標放電電流値Ｉｓｏに相当する帯電電流値ＩｃｏのΔがΔ２より小さくなった場合、つまり、取得した放電電流値と目標電流値との差が所定の大きさより小さくなったら、上記のように大きくした可変幅を次のように減じる変更をする。すなわち、帯電電流値Ｉｃの可変幅（＋ｎγｈ、−ｎγｈ）から、所望値ｅ小さくした可変幅（＋ｎγｈ−ｅ、−ｎγｈ＋ｅ）で帯電電流値Ｉｃの制御が行われる。ここで、可変幅ｎγｈ±ｅは、画像形成制御時にｎγｈ±ｅが振れても画像不良等が発生しない値に設定される。そして、放電電流値Ｉｓの制御は、図１５（ｂ）の１５０３に示すように、目標放電電流値ＩｓｏとのΔに応じて、可変幅を変化しながら目標放電電流値Ｉｓｏに到達する。これにより、ダウンタイムの短縮し且つ、目標放電電流値Ｉｓｏ相当する帯電電流値Ｉｃｏに安定して収束する事が可能となる。
【００４８】
図１６に本実施例におけるフローチャートを示す。画像形成装置２００の電源がオン、または低電力モード解除、またはプロセスカートリッジ２２２が着脱（１６０２）されると、放電電流制御が開始される（１６０３）。そして、放電電流値Ｉｓと帯電電流値Ｉｃから帯電ローラ２０２の傾き検知（１６０４）を行い、帯電電流値Ｉｃの可変幅（＋ｎγｈ、−ｎγｈ）が決定後（１６０５）、スタンバイとなる（１６０６）。次にプリントスタート（１６０７）すると、放電電流制御が開始（１６０８）される。放電電流値Ｉｓを満足するように帯電電流値Ｉｃの調整が開始（１６０９）され、目標放電電流値Ｉｓｏに相当する帯電電流値Ｉｃｏと帯電電流値ＩｃのΔを検知（１６０９）し、Δ＝Δ２以下であるか判断（１６１１）する。Δ＝Δ２以下でない場合には、目標放電電流値Ｉｓｏに相当する帯電電流値Ｉｃｏと帯電電流値ＩｃのΔが離れていると判断し、可変幅（＋ｎγｈ、−ｎγｈ）で帯電電流値Ｉｃの出力調整を行う（１６１２）。Δ＝Δ２以下と判断した場合には、目標放電電流値Ｉｓｏに相当する帯電電流値Ｉｃｏと帯電電流値ＩｃのΔが近いと判断し、所望値ｅ小さくした可変幅（＋ｎγｈ−ｅ、−ｎγｈ＋ｅ）で帯電電流値Ｉｃの制御を行う（１６１３、１６１４）。そして、目標放電電流値Ｉｓｏに相当する帯電電流値Ｉｃｏを出力出来るように帯電電流値Ｉｃの調整が終了（１６１５）したら、画像形成が行われる（１６１６）。そして画像形成終了後（１６１７）、スタンバイ（１６１８）となる。
【００４９】
次に、本実施例における具体的な実験値を示す。前述した実施例に基づいて、帯電電流値のｄｅｃ値制御可変幅はｎγ＝３となり、本実施例に示す更なるダウンタイム改善のため所望値ｈ＝３倍にし、ｄｅｃ値制御可変幅をｎγｈ＝９とする。そして、図１５よりＩ
ｃ１より帯電電流値Ｉｃが制御される場合について示す。ＣＰＵ２１３がＩｃ１とＩｃｏのｄｅｃ値Δ量を測定し、Δ＞４の場合には、上述で決定されたｄｅｃ値制御可変幅ｎγｈ＝９で行われる。Δ≦４となると、Ｉｃｏに近づいているとＣＰＵ２１３が検知し、ｄｅｃ値可変幅をｅ＝８として、可変幅ｎγｈ−ｅ＝１で制御される。これにより、目標放電電流値Ｉｓｏに相当する帯電電流値Ｉｃｏに制御するまでの時間を９００ｍｓから２００ｍｓに短縮することが可能となる。更に、ｄｅｃ値制御可変幅ｎγｈ＝９のときは、帯電電流値Ｉｃが６３ｕＡ（第１の実施例の７ｕＡ／ｄｅｃより）画像形成制御時に振れる。これに対して、ｎｒｈ−ｅ＝１で制御されると帯電電流値Ｉｃの振れを７ｕＡ抑える事が出来、安定して目標放電電流値Ｉｓｏに相当する帯電電流値Ｉｃｏに収束することが可能となる。
【００５０】
以上のように、本実施例では、目標放電電流値Ｉｓｏに相当する帯電電流値ＩｃｏとのΔ量に応じて、帯電電流値Ｉｃの可変幅を変化させることとした。これにより、更なるダウンタイムの改善と、目標放電電流値Ｉｓｏ相当する値Ｉｃｏに安定して収束させ、画像形成制御時の振れによる画像不良等を防止することが出来る。
【００５１】
なお、目標放電電流値Ｉｓｏに相当する帯電電流値ＩｃｏとのΔ量に応じて、帯電電流値Ｉｃの可変幅を変える閾値を１点設定したが、同様の機能を得る事が出来れば、更に閾値を増やす等、本実施例に限定されるものではない。
また、実施例１の構成をもとに過帯電時と帯電不良時の帯電電流値Ｉｃ可変幅を変更したが、同様の機能を得る事が出来れば実施例２、３の構成をもとに同様の制御を行うようにしてもよい。
【００５２】
上記各実施例は、可能な限りそれぞれの構成を互いに組み合わせることができる。
【符号の説明】
【００５３】
２０１…感光ドラム（像担持体）、２０２…帯電ローラ（帯電部材）、２１２…エンジンコントローラ、２１３…ＣＰＵ（制御手段）、２２２…プロセスカートリッジ、２２４…現像剤担持体。３００…帯電電圧印加部（印加手段）、３０１…帯電電圧制御部、３０２…交流電流検出部（電流検出手段）、３０３…電圧振幅値検出部（電流検出手段）、３０４‥‥微分振幅値検出部（電流検出手段）９００…不揮発性メモリ、１１０１…温度センサ（温度検知手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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