(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流電圧を発生させる電源と、
前記交流電圧が印加される電極対から発生する交流電界を被加熱物に照射することにより前記被加熱物を加熱する加熱部と、
前記電極対と伝送路を介して接続し、前記電源側の出力インピーダンスと前記加熱部側の入力インピーダンスとを整合させる整合部と、
を備え、
前記加熱部は、前記交流電界により前記被加熱物に印加される電流を増加させる電流増加素子を含み、
前記電流増加素子は、前記伝送路に接続されたインダクタであり、
前記インダクタが接続されない場合の前記電源の動作周波数よりも前記インダクタが接続された場合の前記電源の動作周波数の方が、前記電極対と前記伝送路とで生じる並列共振周波数に近い値となる、
加熱装置。
【請求項２】
前記電流増加素子は、前記伝送路に接続されたトランスである、
請求項１に記載の加熱装置。
【請求項３】
前記電流増加素子は、前記電極対の寄生容量を減少させる容量減少素子を含む、
請求項１又は２に記載の加熱装置。
【請求項４】
前記容量減少素子は、前記電極対を構成し、千鳥状に配置された陽電極及び陰電極を含み、
前記被加熱物は、対をなす前記陽電極及び前記陰電極の間を通過する、
請求項３に記載の加熱装置。
【請求項５】
前記電流増加素子は、前記伝送路のＧＮＤに対する寄生容量を増加させる容量増加素子を含む、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の加熱装置。
【請求項６】
前記加熱部は、前記電極対及び前記伝送路を収容し磁気遮蔽性を有する第１の筐体を含む、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の加熱装置。
【請求項７】
前記電流増加素子は、前記第１の筐体内に配置される、
請求項６に記載の加熱装置。
【請求項８】
前記整合部は、可変容量と、前記可変容量と前記伝送路との間に接続された内部インダクタと、前記電源と前記可変容量との間に接続され進行波及び反射波を出力する方向性結合器と、前記進行波及び前記反射波に基づいて前記可変容量を変化させる制御素子と、少なくとも前記可変容量、前記内部インダクタ、及び前記方向性結合器を収容し磁気遮蔽性を有する第２の筐体とを含む、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の加熱装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の加熱装置により、媒体上に付着した液体を加熱する、
画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加熱装置及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
加熱装置において被加熱物に高周波の交流電界を照射することにより非接触状態で被加熱物を加熱する高周波誘電加熱が利用されている。このような加熱装置は様々な装置及びシステムにおいて利用され、例えばインクジェットプリンタ等の画像形成装置において記録用紙上のインクを乾燥させる乾燥装置等として利用される。
【０００３】
例えば、冷凍食品等の被解凍物を誘電加熱する装置であって、電磁シールドを兼ねる解凍室内に複数の電極を配列し、３個の高周波電力発生回路と電極との間にそれぞれインダクタンスが異なる導体を含む複数のインピーダンス整合回路を設置する構成が開示されている（特許文献１）。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
高周波誘電加熱を利用した加熱装置において加熱効率を向上させようとする場合、交流電界により被加熱物に印加される電流（印加電流）を効率的且つ安全に増加させる必要がある。印加電流の増加は単純には電極対に供給される電源電圧の増加により達成されるが、電源電圧の増加は消費電力の増加、伝送路の発熱等の問題を引き起こす場合がある。
【０００５】
高周波誘電加熱を利用した加熱装置は通常、電源側の出力インピーダンスと負荷側（電極対、被加熱物等を含む加熱部側）の入力インピーダンスとを整合させる整合部を備える。整合部は各種の電子デバイスを含んで構成されるため、電極対に近い場所に設置されると交流電界の影響により誤作動を起こす可能性がある。そのため、整合部は電極対からある程度離れた場所に設置される必要があり、整合部と電極対とを接続する伝送路が長くならざるを得ない場合が多い。長い伝送路は電力損失、発熱等の原因となるため、単純に電源電圧を増加させることができない場合が多い。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、安全且つ効率的に加熱効率を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、交流電圧を発生させる電源と、前記交流電圧が印加される電極対から発生する交流電界を被加熱物に照射することにより前記被加熱物を加熱する加熱部と、前記電極対と伝送路を介して接続し、前記電源側の出力インピーダンスと前記加熱部側の入力インピーダンスとを整合させる整合部とを備え、前記加熱部は、前記交流電界により前記被加熱物に印加される電流を増加させる電流増加素子を含み、前記電流増加素子は、前記伝送路に接続されたインダクタであり、前記インダクタが接続されない場合の前記電源の動作周波数よりも前記インダクタが接続された場合の前記電源の動作周波数の方が、前記電極対と前記伝送路とで生じる並列共振周波数に近い値となる、加熱装置である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、安全且つ効率的に加熱効率を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、第１の実施の形態に係る加熱装置の機能的構成を例示する図である。
【図２】図２は、比較例に係る加熱装置のハードウェア構成を例示する図である。
【図３】図３は、比較例に係る加熱装置の等価回路を例示する図である。
【図４】図４は、図３に示す等価回路における電流の大きさ及び位相の相互関係を例示する図である。
【図５】図５は、図４に示す相互関係において理想的な相互関係を例示する図である。
【図６】図６は、第１の実施の形態に係る加熱装置のハードウェア構成を例示する図である。
【図７】図７は、第１の実施の形態に係る加熱装置の等価回路を例示する図である。
【図８】図８は、第１の実施の形態に係る入力インピーダンスの周波数特性を例示する図である。
【図９】図９は、第２の実施の形態に係る加熱装置のハードウェア構成を例示する図である。
【図１０】図１０は、第２の実施の形態に係る加熱装置の等価回路を例示する図である。
【図１１】図１１は、第３の実施の形態に係る加熱装置のハードウェア構成を例示する図である。
【図１２】図１２は、第３の実施の形態に係る加熱装置の等価回路を例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（第１の実施の形態）
図１は、第１の実施の形態に係る加熱装置１の機能的構成を例示する図である。加熱装置１は電源１１、加熱部１２、及び整合部１３を含む。
【００１１】
電源１１は高周波の交流電圧を出力する。交流電圧の周波数は公知の高周波誘電加熱を実現可能な値であればよく、使用環境に応じて適宜設定されるべきものであるが、例えば３ＭＨｚ〜３００ＭＨｚ程度の値とすることができる。
【００１２】
加熱部１２は高周波誘電加熱により被加熱物２０を加熱する。加熱部１２は電極対２２及び電流増加素子２６を含む。電極対２２は電源１１から供給される交流電圧が印加されることにより高周波の交流電界Ｍを発生させる。電極対２２は通常複数設けられ、各電極対２２がそれぞれ交流電界Ｍを発生させる。交流電界Ｍが被加熱物２０に照射されることにより、被加熱物２０内に印加電流が発生し、被加熱物２０が加熱される。電流増加素子２６は被加熱物２０内に発生する印加電流を増加させるように作用する素子である。
【００１３】
整合部１３は電源１１及び加熱部１２（電極対２２）と接続し、電源１１側のインピーダンス（出力インピーダンス）と加熱部１２側のインピーダンス（入力インピーダンス）とを整合させる。整合部１３は、例えば出力インピーダンスと入力インピーダンスとの差に基づいて両者が等しい値となるように制御する電子デバイスを用いて構成される。
【００１４】
上記本実施の形態に係る加熱装置１は被加熱物２０内に発生する印加電流を増加させるように作用する電流増加素子２６を備えているため、電源１１の出力電圧の増加だけに依存することなく、被加熱物２０の加熱効率を向上させることができる。
【００１５】
ここで、図２及び図３に示す比較例に係る加熱装置５０１を参照し、被加熱物２０内に発生する印加電流を増加させるために必要な条件等について説明する。図２は、比較例に係る加熱装置５０１のハードウェア構成を例示する図である。比較例に係る加熱装置５０１は電源１１、加熱部５１２、及び整合部１３を含む。
【００１６】
加熱部５１２は筐体２１、複数の電極対２２、給電配線２３、及び接地配線２４を含む。電極対２２、給電配線２３、及び接地配線２４は磁気遮蔽性を有する筐体２１内に配置されている。各電極対２２は陽電極２２Ａ及び陰電極２２Ｂの組から構成され、それぞれ給電配線２３を介して整合部１３と接続し、接地配線２４を介してＧＮＤと接続している。各電極対２２は給電配線２３を介して電源１１からの交流電圧が印加されることにより交流電界を発生させる。被加熱物２０（記録用紙上のインク等の液体）は各電極対２２から発生する交流電界が照射されることにより加熱される。
【００１７】
整合部１３は筐体３１、方向性結合器３２、可変容量３３、内部インダクタ３４、及びマイクロコントローラ３５を含む。方向性結合器３２、可変容量３３、及び内部インダクタ３４は磁気遮蔽性を有する筐体３１内に配置されている。方向性結合器３２は電源１１及び可変容量３３と接続し、進行波及び反射波を出力する。可変容量３３は方向性結合器３２及び内部インダクタ３４と接続し、マイクロコントローラ３５からの制御信号に応じて容量を変化させる。マイクロコントローラ３５は進行波及び反射波に基づいて、例えば反射波が０になるように可変容量３４の容量を変化させる。
【００１８】
上記のように、電極対２２から発生する交流電界が整合部１３の誤作動を引き起こすことがないように、加熱部５１２と整合部１３との間隔を大きくとったり、加熱部５１２及び整合部１３の構成要素を筐体２１，３１で覆ったりする必要がある。そのため、給電配線２３が長くならざるを得ない場合が多い。給電配線２３が長くなる程電力損失が大きくなり、被加熱物２０の加熱効率が悪くなる。また、給電配線２３による電力損失を補うため電源１１の出力電圧を大きくすると、電力コストが増大化したり、給電配線２３の発熱が過剰になったりする場合がある。
【００１９】
図３は、比較例に係る加熱装置５０１の等価回路を例示する図である。容量Ｃ０，Ｃ１は可変容量３３が有する２種類の容量を示している。インダクタンスＬ０は内部インダクタ３４のインダクタンスを示している。抵抗Ｒ１は給電配線２３の抵抗を示している。容量Ｃ２は給電配線２３のＧＮＤに対する寄生容量を示している。インダクタンスＬ１は電極対２２自体が有しているインダクタンスを示している。抵抗Ｒ２は電極対２２の抵抗を示している。容量Ｃ３は電極対２２の寄生容量を示している。抵抗Ｒ３及び容量Ｃ４は被加熱物２０の抵抗及び容量を示している。主に誘電体である被加熱物２０は抵抗Ｒ３及び容量Ｃ４の直列成分として表現される。インピーダンスＺ１は電源１１側の出力インピーダンスを示している。インピーダンスＺ２は負荷側の入力インピーダンスを示している。
【００２０】
電流Ｉ１は容量Ｃ２を流れる電流を示している。電流Ｉ２は抵抗Ｒ１を流れる電流を示している。電流Ｉ３はインダクタンスＬ１を流れる電流を示している。電流Ｉ４は容量Ｃ３を流れる電流を示している。電流Ｉ５は容量Ｃ４を流れる電流を示している。電流Ｉ５は電極対２２が発生させる交流電界により被加熱物２０に印加される印加電流である。
【００２１】
被加熱物２０の加熱効率を向上させるためには、電流Ｉ５を大きくしなければならない。電流Ｉ５を大きくするためには電流Ｉ３を大きくしなければならない。電流Ｉ３を大きくするためには、電流Ｉ１をできるだけ大きくし、電流Ｉ２をできるだけ小さくすることが必要となる。以下に、電流Ｉ３を大きくするための電流Ｉ１，Ｉ２の条件について説明する。
【００２２】
図４は、図３に示す等価回路における電流Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３の大きさ及び位相の相互関係を例示する図である。図５は、図４に示す相互関係において理想的な相互関係を例示する図である。ここで、電流Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３を下記式（１），（２），（３）と表記すると、下記式（４）が導き出される。
【００２３】
Ｉ１＝｜Ｉ１｜ｅｘｐ（ｊθ１）  …（１）
Ｉ２＝｜Ｉ２｜ｅｘｐ（ｊθ２）  …（２）
Ｉ３＝｜Ｉ３｜ｅｘｐ（ｊθ３）  …（３）
｜Ｉ３｜２＝｜Ｉ２−Ｉ１｜２＝｜Ｉ２｜２＋｜Ｉ１｜２−２｜Ｉ１｜｜Ｉ２｜ｃｏｓ（θ２−θ１）  …（４）
【００２４】
式（４）より、｜Ｉ３｜を大きくするためには、∠Ｉ２−∠Ｉ１＝θ２−θ１＝１８０°とし、｜Ｉ１｜をできるだけ大きくすることが理想的である。また、∠Ｖ２−∠Ｉ２＝９０°とし、容量Ｃ２をできるだけ大きくすることが理想的である。また、∠Ｚ２≒９０°（Ｌ性）にする、すなわち入力インピーダンスの絶対値｜Ｚ２｜をできるだけ大きくすることが理想的である。｜Ｚ２｜を大きくすることにより｜Ｉ２｜を小さくすることができる。また、｜Ｉ３｜が一定のとき、｜Ｉ５｜は｜Ｉ４｜が小さい程大きくなるため、｜Ｉ４｜をできるだけ小さくする、すなわち容量Ｃ３をできるだけ小さくすることが理想的である。
【００２５】
図６は、第１の実施の形態に係る加熱装置１のハードウェア構成を例示する図である。加熱装置１は電源１１、加熱部１２、及び整合部１３を含む。本実施の形態に係る加熱部１２は電流増加素子２６として追加インダクタ４１、及び千鳥状に配置された陽電極２２Ａ及び陰電極２２Ｂを含む。追加インダクタ４１は電流Ｉ２を小さくするように作用する電流増加素子２６の一例である。千鳥状に配置された陽電極２２Ａ及び陰電極２２Ｂは電流Ｉ４を小さくするように作用する電流増加素子２６の一例である。
【００２６】
加熱部１２は筐体２１（第１の筐体）、複数の電極対２２、給電配線２３（伝送路）、接地配線２４、及び追加インダクタ４１を含む。電極対２２、給電配線２３、接地配線２４、及び追加インダクタ４１は磁気遮蔽性を有する筐体２１内に配置されている。
【００２７】
各電極対２２は陽電極２２Ａ及び陰電極２２Ｂの組から構成されている。各電極対２２は給電配線２３及び追加インダクタ４１を介して整合部１３と接続し、接地配線２４を介してＧＮＤと接続している。各電極対２２は給電配線２３及び追加インダクタ４１を介して電源１１から供給される交流電圧が印加されることにより交流電界Ｍを発生させる。
【００２８】
本実施の形態に係る陽電極２２Ａ及び陰電極２２Ｂは千鳥状に配置されている。被加熱物２０は対をなす陽電極２２Ａ及び陰電極２２Ｂの間を通過することにより交流電界Ｍが照射され、加熱される。陽電極２２Ａ及び陰電極２２Ｂは千鳥状に配置されることにより直線状に配置された場合より電気容量が小さくなる。すなわち、千鳥状に配置された陽電極２２Ａ及び陰電極２２Ｂは電極対２２の寄生容量を減少させる素子（容量減少素子）として作用する。
【００２９】
追加インダクタ４１は加熱部１２全体のインピーダンス（入力インピーダンスＺ２）が増加するように作用する素子（インピーダンス増加素子）である。追加インダクタ４１の具体的構造は特に限定されるべきものではないが、具体的構造として、例えば空心ソレノイド型、コアを有するソレノイド型、トロイダル型等が挙げられる。
【００３０】
整合部１３は筐体３１（第２の筐体）、方向性結合器３２、可変容量３３、内部インダクタ３４、及びマイクロコントローラ３５を含む。方向性結合器３２、可変容量３３、及び内部インダクタ３４は磁気遮蔽性を有する筐体３１内に配置されている。方向性結合器３２は電源１１及び可変容量３３と接続し、進行波及び反射波を出力する。可変容量３３は方向性結合器３２及び内部インダクタ３４と接続し、マイクロコントローラ３５からの制御信号に応じて容量を変化させる。内部インダクタ３４は可変容量３３及び給電配線２３と接続している。マイクロコントローラ３５はマイクロコンピュータ等を含んで構成され、方向性結合器３２からの進行波及び反射波に基づいて可変容量３４を変化させる制御信号を生成し出力する。マイクロコントローラ３５は、例えば反射波が０になるように可変容量３３の容量を変化させる。
【００３１】
図７は、第１の実施の形態に係る加熱装置１の等価回路を例示する図である。容量Ｃ０，Ｃ１は可変容量３３が有する２種類の容量を示している。インダクタンスＬ０は内部インダクタ３４のインダクタンスを示している。抵抗Ｒ１は給電配線２３の抵抗を示している。容量Ｃ２は給電配線２３のＧＮＤに対する寄生容量を示している。インダクタンスＬＡは追加インダクタ４１のインダクタンスを示している。インダクタンスＬ１は電極対２２自体が有しているインダクタンスを示している。抵抗Ｒ２は電極対２２の抵抗を示している。容量Ｃ３は電極対２２の寄生容量を示している。本実施の形態のように千鳥状に配置された陽電極２２Ａ及び陰電極２２Ｂからなる電極対２２の寄生容量Ｃ３は、陽電極及び陰電極を直線状に配置した場合における電極対の寄生容量より小さくなる。抵抗Ｒ３及び容量Ｃ４は被加熱物２０の抵抗及び容量を示している。主に誘電体である被加熱物２０は抵抗Ｒ３及び容量Ｃ４の直列成分として表現される。インピーダンスＺ１は電源１１側の出力インピーダンスを示している。インピーダンスＺ２は負荷側の入力インピーダンスを示している。
【００３２】
電流Ｉ１は容量Ｃ２を流れる電流を示している。電流Ｉ２は抵抗Ｒ１を流れる電流を示している。電流Ｉ３はインダクタンスＬ１を流れる電流を示している。電流Ｉ４は容量Ｃ３を流れる電流を示している。電流Ｉ５は容量Ｃ４を流れる電流を示している。電流Ｉ５は電極対２２が発生させる交流電界Ｍにより被加熱物２０に印加される印加電流である。
【００３３】
電源１１と可変容量Ｃ０，Ｃ１との間に方向性結合器３２が接続されている。方向性結合器３２は４つのポート（電力入力、電力出力、反射波出力、及び進行波出力）を有している。マイクロコントローラ３５は反射波及び進行波に基づいて可変容量Ｃ０，Ｃ１を制御する。マイクロコントローラ３５は、例えば反射波に相当する電圧ができるだけ小さくなるように可変容量Ｃ０，Ｃ１を切り換える。
【００３４】
図８は、第１の実施の形態に係る入力インピーダンスＺ２の周波数特性を例示する図である。同図においてグラフの横軸は電極対２２に印加される電圧（電力）の周波数を示している。同図において周波数ｆｓにおいて入力インピーダンスＺ２が最小となり、周波数ｆｐにおいて入力インピーダンスＺ２が最大となることが示されている。周波数ｆｓではインダクタンスＬ１及び容量Ｃ３，Ｃ４の間で共振電流が循環している直列共振が生じている。周波数ｆｐではインダクタンスＬ１及び容量Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４の間で共振電流が循環している並列共振が生じている。
【００３５】
電流Ｉ２を小さくするためには入力インピーダンスＺ２を大きくすればよい。従って、電源１１から出力される電圧（電力）の周波数（電源動作周波数）と周波数ｆｐとができるだけ近い値となるように電極対２２の構造、すなわちインダクタンスＬＡ，Ｌ１及び容量Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４を設計すればよい。電源動作周波数が入力インピーダンスＺ２の周波数ｆｓと周波数ｆｐとの間に存在するとき、インダクタンスＬＡの値を増加させると周波数ｆｐは低周波数側に移動する。このような特性に基づいてインダクタンスＬＡを調整（追加インダクタ４１を設計）することにより、並列共振が生じる周波数ｆｐを電源動作周波数に近づけることができる。
【００３６】
上記のように適切なインダクタンスＬＡを有する追加インダクタ４１を加熱部１２（給電配線２３と電極対２２との間）に追加することにより入力インピーダンスＺ２を増加させることができる。これにより、給電配線２３を流れる電流Ｉ２を減少させ、電流Ｉ３を増加させることができる。これにより、電流Ｉ５を追加インダクタ４１が設けられていない場合（比較例に係る加熱装置５０１）より増加させることができ、安全且つ効率的に加熱効率を向上させることができる。
【００３７】
また、上記のように千鳥状に配置された陽電極２２Ａ及び陰電極２２Ｂを用いることにより電極対２２の寄生容量Ｃ３は比較的小さくなる。これにより、電流Ｉ３を減少させることなく電極対２２を流れる電流Ｉ４を減少させることができる。これにより、電流Ｉ５を、陽電極及び陰電極を直線状に配置した場合より増加させることができ、安全且つ効率的に加熱効率を向上させることができる。
【００３８】
（第２の実施の形態）
図９は、第２の実施の形態に係る加熱装置１０１のハードウェア構成を例示する図である。図１０は、第２の実施の形態に係る加熱装置１０１の等価回路を例示する図である。本実施の形態に係る加熱装置１０１の加熱部１１２は第１の実施の形態に係る加熱装置１の加熱部１２の追加インダクタ４１をトランス４２に置き換えたものである。本実施の形態に係るトランス４２は電流増加素子２６の一例であり、第１の実施の形態に係る追加インダクタ４１と同様に入力インピーダンスＺ２を大きくするように、すなわち給電配線２３（抵抗Ｒ１）に流れる電流Ｉ２を小さくするように作用する素子（インピーダンス増加素子）である。
【００３９】
トランス４２は給電配線２３と電極対２２との間に配置されている。トランス４２の巻数比をＮ１：Ｎ２（１次側：２次側）とし、１次側の電圧をＶ１、１次側の電流をＩ２、２次側の電圧をＶ２、２次側の電流をＩ２０とするとき、電圧Ｖ１，Ｖ２及び電流Ｉ２，Ｉ２０の間には下記式（５）及び式（６）の関係が成り立つ。
【００４０】
（Ｎ１／Ｎ２）・Ｖ２＝Ｖ１  …（５）
（Ｎ２／Ｎ１）・Ｉ２０＝Ｉ２  …（６）
【００４１】
ここで、電極対２２の等価回路常数と被加熱物２０の等価回路常数とが同じであれば、電極対２２及び被加熱物２０で消費される電力はトランス４２の巻数比によらず同じになるため、電流Ｉ２０の値は巻数比によらず一定となる。よって、式（６）からＮ１＞Ｎ２であれば、Ｉ２０＞Ｉ２となり、給電配線２３（抵抗Ｒ１）に流れる電流Ｉ２は小さくなる。すなわち、Ｎ１＞Ｎ２であれば、トランス４２の１次側から見たときの入力インピーダンスＺ２が（Ｎ１／Ｎ２）２倍に大きく見えるため、抵抗Ｒ１に流れる電流Ｉ２は絞られることになる。
【００４２】
上記本実施の形態によっても、第１の実施の形態と同様に電流Ｉ５を増加させることができ、安全且つ効率的に加熱効率を向上させることができる。
【００４３】
なお、上記第１の実施の形態及び第２の実施の形態において、電流Ｉ２を小さくするように作用する電流増加素子２６として追加インダクタ４１及びトランス４２を例示し、電流Ｉ４を小さくするように作用する電流増加素子２６として千鳥状に配置された陽電極２２Ａ及び陰電極２２Ｂを例示した。しかし、電流Ｉ２を小さくするように作用する電流増加素子２６及び電流Ｉ４を小さくするように作用する電流増加素子２６の具体的構成は上記に限られるものではなく、周知又は新規な構成を適宜利用して構築され得るものである。
【００４４】
（第３の実施の形態）
図１１は、第３の実施の形態に係る加熱装置２０１のハードウェア構成を例示する図である。図１２は、第３の実施の形態に係る加熱装置２０１の等価回路を例示する図である。本実施の形態に係る加熱装置２０１の加熱部２１２は第１の実施の形態に係る加熱装置１の加熱部１２に追加コンデンサ４３を追加したものである。本実施の形態に係る追加コンデンサ４３は電流増加素子２６の一例であり、給電配線２３のＧＮＤに対する寄生容量を大きくするように作用する素子（容量増加素子）であり、容量Ｃ２を流れる電流Ｉ１を大きくするように作用する。
【００４５】
追加コンデンサ４３の一端部は給電配線２３と追加インダクタ４１（追加インダクタ４１を設けない場合には電極対２２）との接続部分に接続されている。図１２に示すように、追加コンデンサ４３の容量Ｃ５は給電配線２３の容量Ｃ２と平行になるように配置される。これにより、容量Ｃ２を流れる電流Ｉ１を大きくすることができる。
【００４６】
上記本実施の形態によれば、第１の実施の形態の場合よりも更に電流Ｉ５を増加させることができ、加熱効率を向上させることができる。
【００４７】
なお、上記第３の実施の形態において、電流Ｉ１を大きくするように作用する電流増加素子２６として追加コンデンサ４３を例示したが、電流Ｉ１を大きくするように作用する電流増加素子２６の具体的構成は上記に限られるものではなく、周知又は新規な構成を適宜利用して構築され得るものである。
【００４８】
上記実施の形態に係る加熱装置１，１０１，２０１及びその変形は各種の装置及びシステムにおいて利用され、各種の物質を被加熱物２０とすることができるものである。例えば、上記加熱装置１，１０１，２０１をインクジェットプリンタ等の画像形成装置に搭載し、記録用紙上に付着したインク、コーティング剤等の液体を加熱して乾燥させる乾燥装置として用いることができる。また、被加熱物２０はシート状であることに限られるものではなく、例えば立体造形物を被加熱物２０とする３Ｄプリンタ等に上記加熱装置を適用することも可能である。
【００４９】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記実施の形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図するものではない。この新規な実施の形態はその他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の省略、置き換え、変更、及び組み合わせを行うことができる。この実施の形態及びその変形は発明の範囲及び要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５０】
１，１０１，２０１，５０１  加熱装置
１１  電源
１２，１１２，２１２，５１２  加熱部
１３  整合部
２０  被加熱物
２１  （第１の）筐体
２２  電極対
２３  給電配線
２４  接地配線
２２Ａ  陽電極
２２Ｂ  陰電極
２６  電流増加素子
３１  （第２の）筐体
３２  方向性結合器
３３  可変容量
３４  内部インダクタ
３５  マイクロコントローラ
４１  追加インダクタ
４２  トランス
４３  追加コンデンサ
Ｍ  交流電界
【先行技術文献】
【特許文献】
【００５１】
【特許文献１】特許第４１７７９６３号公報
【図１】
0006740725.tif 000002
【図２】
0006740725.tif 000003
【図３】
0006740725.tif 000004
【図４】
0006740725.tif 000005
【図５】
0006740725.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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