(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
パッシベーション層と、
前記基材、及び前記パッシベーション層の間に形成されたゲート絶縁層と、
ソース電極、及びドレイン電極と、
少なくとも前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の間に形成された半導体層と、
前記ゲート絶縁層と接し、前記ゲート絶縁層を介して前記半導体層と対向するゲート電極とを有し、
前記パッシベーション層が、アルカリ土類金属である第Ａ元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びランタノイドの少なくともいずれかである第Ｂ元素とを含有する酸化物を含有する単一層からなり、
前記ゲート絶縁層が、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、及びＳｉＯＮの少なくともいずれかを含有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項２】
前記酸化物が、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、及びＴａの少なくともいずれかを含有する請求項１に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項３】
前記半導体層が、酸化物半導体である請求項１から２のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項４】
駆動信号に応じて光出力が制御される光制御素子と、
請求項１から３のいずれかに記載の電界効果型トランジスタを有し、かつ前記光制御素子を駆動する駆動回路と、を有することを特徴とする表示素子。
【請求項５】
前記光制御素子が、エレクトロルミネッセンス素子、エレクトロクロミック素子、液晶素子、電気泳動素子、及びエレクトロウェッティング素子のいずれかを有する請求項４に記載の表示素子。
【請求項６】
画像データに応じた画像を表示する画像表示装置であって、
マトリックス状に配置された複数の請求項４から５のいずれかに記載の表示素子と、
前記複数の表示素子における各電界効果型トランジスタにゲート電圧を個別に印加するための複数の配線と、
前記画像データに応じて、前記各電界効果型トランジスタのゲート電圧を前記複数の配線を介して個別に制御する表示制御装置とを有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項７】
請求項６に記載の画像表示装置と、
表示する画像情報に基づいて画像データを作成し、該画像データを前記画像表示装置に出力する画像データ作成装置とを有することを特徴とするシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
電界効果型トランジスタ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＦＥＴ）は、ゲート電極に電界をかけ、チャネルの電界により電子又は正孔の流れに関門（ゲート）を設ける原理で、ソース電極とドレイン電極との間の電流を制御するトランジスタである。
【０００３】
前記ＦＥＴは、その特性から、スイッチング素子、増幅素子などとして利用されている。そして、前記ＦＥＴは、ゲート電流が低いことに加え、構造が平面的であるため、バイポーラトランジスタと比較して作製及び集積化が容易である。そのため、前記ＦＥＴは、現在の電子機器で使用される集積回路では必要不可欠な素子となっている。前記ＦＥＴは、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）として、例えば、アクティブマトリックス方式のディスプレイに応用されている。
【０００４】
近年、平面薄型ディスプレイ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＰＤ）として、液晶ディスプレイ、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、電子ペーパーなどが実用化されている。
【０００５】
これらＦＰＤは、非晶質シリコン、多結晶シリコンなどを活性層に用いたＴＦＴを含む駆動回路により駆動されている。そして、前記ＦＰＤは、更なる大型化、高精細化、高画質化、高速駆動性が求められており、それに伴って、キャリア移動度が高く、オン／オフ比が高く、特性の経時変化が小さく、素子間のばらつきが小さいＴＦＴが求められている。
【０００６】
しかしながら、非晶質シリコンや多結晶シリコンには一長一短があり、前記すべての要求を満たすことは困難であった。そこで、これらの要求に応えるため、非晶質シリコンを超える移動度が期待できる酸化物半導体を活性層に用いたＴＦＴの開発が活発に行われている。例えば、半導体層にＩｎＧａＺｎＯ４を用いたＴＦＴが開示されている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００７】
前記ＴＦＴには、閾値電圧の変動が小さいことが求められる。前記ＴＦＴの閾値電圧を変動させる要因のうち一つは、大気中の水分、酸素、水素等が半導体層に吸着、脱離することである。また、前記ＴＦＴが長時間および多数回にわたってオン、オフを繰り返すことによっても閾値電圧は変動する。このような長時間および多数回のオン、オフ動作での閾値電圧の変動を評価する手法として、ＢＴＳ（Ｂｉａｓ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｓｔｒｅｓｓ）試験が一般に行われている。この試験は、電界効果型トランジスタのゲート電極―ソース電極間に一定電圧をかけつづけ、そのときの閾値電圧の変動を評価する手法、または、ゲート電極―ソース電極間およびドレイン電極−ソース電極間に一定電圧をかけ続け、そのときの閾値電圧の変動を評価する手法である。
前記ＴＦＴの閾値電圧の変動を抑制するため、通常、前記ＴＦＴはパッシベーション層を有する。ここでのパッシベーション層とは、大気中の水分、酸素、水素等から半導体を隔離保護する等の機能を持つ層のことを示す。また、パッシベーション層は保護層と呼ばれる場合もある。
前記ＴＦＴの閾値電圧の変動を抑制するための保護層（パッシベーション層）に関する取り組みとして、保護層（パッシベーション層）が積層構造からなり、積層のうちの一層がＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、又はＹ２Ｏ３である電界効果型トランジスタが開示されている（例えば、特許文献１参照）。また、ＳｉＯ２をパッシベーション層とする電界効果型トランジスタが開示されている（例えば、非特許文献２参照）。また、Ｓｉとアルカリ土類金属とを含有する第一の複合金属酸化物を含有する第一の保護層（パッシベーション層）と、アルカリ土類金属と希土類元素とを含有する第二の複合金属酸化物を含有する第二の保護層（パッシベーション層）とを積層させた保護層（パッシベーション層）を有する電界効果型トランジスタが開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、電界効果型トランジスタを構成するパッシベーション層が単一層からなる電界効果型トランジスタであって、ＢＴＳ試験に対する閾値電圧の変動量が小さい電界効果型トランジスタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
本発明の電界効果型トランジスタは、
基材と、
パッシベーション層と、
前記基材、及び前記パッシベーション層の間に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層と接するように形成されたソース電極、及びドレイン電極と、
少なくとも前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の間に形成され、前記ゲート絶縁層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極と接する半導体層と、
前記ゲート絶縁層と接し、前記ゲート絶縁層を介して前記半導体層と対向するゲート電極とを有し、
前記パッシベーション層が、アルカリ土類金属である第Ａ元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びランタノイドの少なくともいずれかである第Ｂ元素とを含有する常誘電体アモルファス酸化物を含有する単一層からなり、
前記ゲート絶縁層が、Ｓｉの酸化物、Ｓｉの窒化物、及びＳｉの酸窒化物の少なくともいずれかを含有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によると、電界効果型トランジスタを構成するパッシベーション層が単一層からなる電界効果型トランジスタであって、ＢＴＳ試験に対する閾値電圧の変動量が小さい電界効果型トランジスタを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、画像表示装置を説明するための図である。
【図２】図２は、本発明の表示素子の一例を説明するための図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明の電界効果型トランジスタの一例（ボトムコンタクト・ボトムゲート型）を示す図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本発明の電界効果型トランジスタの一例（トップコンタクト・ボトムゲート型）を示す図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、本発明の電界効果型トランジスタの一例（ボトムコンタクト・トップゲート型）を示す図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、本発明の電界効果型トランジスタの一例（トップコンタクト・トップゲート型）を示す図である。
【図４】図４は、有機ＥＬ素子の一例を示す概略構成図である。
【図５】図５は、本発明の表示素子の一例を示す概略構成図である。
【図６】図６は、本発明の表示素子の他の一例を示す概略構成図である。
【図７】図７は、表示制御装置を説明するための図である。
【図８】図８は、液晶ディスプレイを説明するための図である。
【図９】図９は、図８における表示素子を説明するための図である。
【図１０】図１０は、実施例１〜７、比較例１で作製した電界効果型トランジスタの概略図である。
【図１１】図１１は、実施例４で得られた電界効果型トランジスタのＶｇｓ＝＋１０Ｖ、及びＶｄｓ＝０ＶのＢＴＳ試験における、トランジスタ特性（Ｖｇｓ−Ｉｄｓ）を評価したグラフである。
【図１２】図１２は、実施例４及び比較例１で得られた電界効果型トランジスタのＶｇｓ＝＋１０Ｖ、及びＶｄｓ＝０ＶのＢＴＳ試験における、ΔＶｔｈのストレス時間変化を評価したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（電界効果型トランジスタ）
本発明の電界効果型トランジスタは、基材と、パッシベーション層、ゲート絶縁層と、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層と、ゲート電極とを少なくとも有し、更に必要に応じて、その他部材を有する。
前記パッシベーション層は、アルカリ土類金属である第Ａ元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びランタノイドの少なくともいずれかである第Ｂ元素とを含有する常誘電体アモルファス酸化物を含有する単一層からなる。
前記ゲート絶縁層は、Ｓｉの酸化物、Ｓｉの窒化物、及びＳｉの酸窒化物の少なくともいずれかを含有する。
【００１３】
上記特許文献１に記載の保護層（パッシベーション層）を有する電界効果型トランジスタは、酸化物半導体層からの酸素の脱離を抑えることができ、信頼性を向上させることが可能であると報告されているが、ＢＴＳ試験に関するデータは開示されておらず、本願発明でいう十分な信頼性が確保できているとはいえない。
上記非特許文献２に記載のパッシベーション層を有する電界効果型トランジスタは、ＢＴＳ試験による信頼性評価は行われているが、試験時間経過に伴う閾値電圧の変動（ΔＶｔｈ）が大きく、本願発明でいう十分な信頼性が確保できているとはいえない。
また、上記特許文献１及び上記特許文献２の電界効果型トランジスタは、保護層（パッシベーション層）が積層構造であり、製造工程の簡素化やコスト面等の観点からは、複雑な層構成を避け、単一層の保護層からなる電界効果型のトランジスタが好ましい。
しかし、上記特許文献２には、積層構造の保護層（パッシベーション層）の実施例に対し、保護層（パッシベーション層）を単一層とした場合の比較例が記載されているが、例えば、比較例６に記載の、Ａｌ２Ｏ３のゲート絶縁層と、希土類とアルカリ土類とを含有する単一層からなる保護層（パッシベーション層）を有する電界効果型トランジスタでは、ＢＴＳ試験における閾値電圧の変動量が大きく、十分な信頼性が確保できていない結果が示されている（この特許文献２の比較例６に相当する実験は、本発明においても比較実験として行っており、下記比較例１に結果が示されている）。
本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、単一層のパッシベーション層からなる電界効果型のトランジスタであっても、パッシベーション層及びゲート絶縁層の種類を特定し、その特定のパッシベーション層とゲート絶縁層とを組み合わせると、ＢＴＳ試験に対する閾値電圧の変動量の小さい電界効果型のトランジスタが得られることを見出した。
上記構成からなるパッシベーション層が単一層からなる本発明の電界効果型トランジスタは、ＢＴＳ試験に対する閾値電圧の変動量が小さく、高信頼性を示す電界効果型トランジスタとなる。
【００１４】
＜基材＞
前記基材の形状、構造、及び大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記基材の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ガラス基材、プラスチック基材などが挙げられる。
前記ガラス基材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、無アルカリガラス、シリカガラスなどが挙げられる。
前記プラスチック基材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などが挙げられる。
なお、前記基材は、表面の清浄化及び密着性向上の点で、酸素プラズマ、ＵＶオゾン、ＵＶ照射洗浄等の前処理が行われることが好ましい。
【００１５】
＜パッシベーション層＞
本願発明でのパッシベーション層とは、大気中の水分、酸素、水素等から半導体を隔離保護する等の機能を持つ層のことを示す。また、パッシベーション層は保護層と呼ばれることもある。
前記パッシベーション層は、通常、前記基材よりも上方に形成される。
前記パッシベーション層は、常誘電体アモルファス酸化物を含有する。
前記パッシベーション層は、前記常誘電体アモルファス酸化物それ自体で形成されることが好ましい。
前記パッシベーション層は、単一層からなる。ここで、単一層とは、同じ種類の成分で構成された層を示し、異なる種類の成分で構成された層が２つ以上積層されている積層構造を除く趣旨である。
【００１６】
−常誘電体アモルファス酸化物−
前記常誘電体アモルファス酸化物は、アルカリ土類金属である第Ａ元素と、Ｇａ（ガリウム）、Ｓｃ（スカンジウム）、Ｙ（イットリウム）、及びランタノイドの少なくともいずれかである第Ｂ元素とを少なくとも含有し、好ましくは、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｎｂ（ニオブ）、及びＴａ（タンタル）の少なくともいずれかである第Ｃ元素を含有し、更に必要に応じて、その他成分を含有する。
【００１７】
前記パッシベーション層がアモルファス材料で形成されていることは、トランジスタの信頼性を向上させる点で好ましい形態である。前記パッシベーション層が結晶性の材料で形成されていると、結晶粒界等から大気中の水分、酸素、及び水素が半導体層に吸着、脱離し、トランジスタの信頼性低下につながるからである。
前記パッシベーション層が常誘電体であることは、トランジスタのトランスファー特性におけるヒステリシスを低減させる点で必要となる。トランジスタをメモリ等の用途で使用する特殊な場合は例外であるが、通常トランジスタのスイッチング特性を利用するデバイスにおいてはヒステリシスが存在することは好ましくない。
常誘電体とは、圧電体、焦電体、強誘電体以外の誘電体であり、すなわち圧力によって分極が発生したり、外部電界のない状態で自発分極を有したりすることがない誘電体を指す。また、圧電体、焦電体及び強誘電体は、その特性を発現させるために結晶である必要がある。すなわち、パッシベーション層をアモルファス材料で形成すると、必然的にこのパッシベーション層は常誘電体となる。
【００１８】
前記常誘電体アモルファス酸化物は、大気中において安定であり、かつ広範な組成範囲で安定的にアモルファス構造を形成することができる。これは、本発明者らが、アルカリ土類金属である第Ａ元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びランタノイドの少なくともいずれかである第Ｂ元素とを含む酸化物系が、大気中において安定であり、かつ広範な組成範囲で安定的にアモルファス構造を形成することができること、を見出したことによる。
一般的に、アルカリ土類金属の単純酸化物は、大気中の水分や二酸化炭素と反応しやすく、容易に水酸化物や炭酸塩を形成してしまい、単独では電子デバイスへの応用は適さない。また、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びランタノイドの単純酸化物は、結晶化しやすく、電子デバイスへの応用を考えたときにリーク電流が問題となる。しかしながら、本発明者らは、アルカリ土類金属である第Ａ元素とＧａ、Ｓｃ、Ｙ、及びランタノイドの少なくともいずれかである第Ｂ元素とを含有した前記常誘電体アモルファス酸化物が、広範な組成範囲で安定的にアモルファス膜を形成することを見出した。前記常誘電体アモルファス酸化物は、広範な組成範囲で安定的に存在するため、その組成比によって、形成される常誘電体アモルファス酸化物の比誘電率、及び線膨張係数を広範に制御することができる。
本発明において本発明者らは、前記常誘電体アモルファス酸化物を含有する前記パッシベーション層が、大気中の水分、酸素、水素に対する優れたバリア性を示すことを見出した。
したがって、前記パッシベーション層を用いることにより、高信頼性を示す電界効果型トランジスタを提供することができる。
【００１９】
前記常誘電体アモルファス酸化物は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、及びＴａの少なくともいずれかである第Ｃ元素を含有することが好ましい。前記常誘電体アモルファス酸化物が前記Ａｌ、前記Ｔｉ、前記Ｚｒ、前記Ｈｆ、前記Ｎｂ、及び前記Ｔａの少なくともいずれかを含有することにより、熱安定性、耐熱性、及び緻密性をより向上させることができる。
【００２０】
前記常誘電体アモルファス酸化物において、前記アルカリ土類金属である第Ａ元素としては、Ｂｅ（ベリリウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）が挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２１】
前記常誘電体アモルファス酸化物において、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びランタノイドの少なくともいずれかである第Ｂ元素としては、Ｇａ（ガリウム）、Ｓｃ（スカンジウム）、Ｙ（イットリウム）、Ｌａ（ランタン）、Ｃｅ（セリウム）、Ｐｒ（プラセオジム）、Ｎｄ（ネオジム）、Ｐｍ（プロメチウム）、Ｓｍ（サマリウム）、Ｅｕ（ユウロピウム）、Ｇｄ（ガドリニウム）、Ｔｂ（テルビウム）、Ｄｙ（ジスプロシウム）、Ｈｏ（ホルミウム）、Ｅｒ（エルビウム）、Ｔｍ（ツリウム）、Ｙｂ（イッテルビウム）、Ｌｕ（ルテチウム）が挙げられる。
【００２２】
前記常誘電体アモルファス酸化物における前記第Ａ元素の原子数の合計（ＮＡ）と、前記第Ｂ元素の原子数の合計（ＮＢ）との原子比（ＮＡ：ＮＢ）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、以下の範囲であることが好ましい。
ＮＡ：ＮＢ＝（３〜５０）ａｔ％：（５０〜９７）ａｔ％
ただし、ＮＡ＋ＮＢ＝１００ａｔ％
【００２３】
前記常誘電体アモルファス酸化物における前記第Ａ元素の原子数の合計（ＮＡ）と、前記第Ｂ元素の原子数の合計（ＮＢ）と、前記第Ｃ元素の原子数の合計（ＮＣ）との原子比（ＮＡ：ＮＢ：ＮＣ）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、以下の範囲であることが好ましい。
ＮＡ：ＮＢ：ＮＣ＝（３〜４７）ａｔ％：（５０〜９４）ａｔ％：（３〜４７）ａｔ％
ただし、ＮＡ＋ＮＢ＋ＮＣ＝１００ａｔ％
【００２４】
前記常誘電体アモルファス酸化物における前記第Ａ元素と前記第Ｂ元素と前記第Ｃ元素の割合は、例えば、蛍光Ｘ線分析、電子線マイクロ分析（ＥＰＭＡ）、誘導結合プラズマ発光分光分析（ＩＣＰ−ＡＥＳ）等により酸化物の陽イオン元素を分析することにより算出できる。
【００２５】
前記パッシベーション層の比誘電率としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記比誘電率は、例えば、下部電極、誘電層（前記パッシベーション層）、及び上部電極を積層したキャパシタを作製して、ＬＣＲメータ等を用いて測定することができる。
【００２６】
前記パッシベーション層の線膨張係数としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記線膨張係数は、例えば、熱機械分析装置を用いて測定することができる。この測定においては、前記電界効果型トランジスタを作製せずとも、前記パッシベーション層と同じ組成の測定用サンプルを別途作製して測定することで、前記線膨張係数を測定することができる。
【００２７】
−パッシベーション層の形成方法−
前記パッシベーション層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スパッタ法、パルスレーザーデポジッション（ＰＬＤ）法、化学気相蒸着（ＣＶＤ）法、原子層蒸着（ＡＬＤ）法等の真空プロセスによる成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする方法などが挙げられる。
また、前記パッシベーション層は、前記常誘電体アモルファス酸化物の前駆体を含有する塗布液（パッシベーション層形成用塗布液）を調合し、それを被塗物上に塗布又は印刷し、これを適切な条件で焼成することによっても成膜することができる。
【００２８】
前記パッシベーション層の平均膜厚としては、１０〜１，０００ｎｍが好ましく、２０〜５００ｎｍがより好ましい。
【００２９】
−−パッシベーション層形成用塗布液−−
前記パッシベーション層形成用塗布液は、アルカリ土類金属含有化合物（第Ａ元素含有化合物）と、第Ｂ元素含有化合物と、溶媒とを少なくとも含有し、好ましくは、第Ｃ元素含有化合物の少なくともいずれかを含有し、更に必要に応じて、その他成分を含有する。
【００３０】
−−−アルカリ土類金属含有化合物（第Ａ元素含有化合物）−−−
前記アルカリ土類金属含有化合物としては、例えば、無機アルカリ土類金属化合物、有機アルカリ土類金属化合物などが挙げられる。前記アルカリ土類金属含有化合物におけるアルカリ土類金属としては、Ｂｅ（ベリリウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）が挙げられる。
【００３１】
前記無機アルカリ土類金属化合物としては、例えば、アルカリ土類金属硝酸塩、アルカリ土類金属硫酸塩、アルカリ土類金属塩化物、アルカリ土類金属フッ化物、アルカリ土類金属臭化物、アルカリ土類金属よう化物などが挙げられる。
前記アルカリ土類金属硝酸塩としては、例えば、硝酸マグネシウム、硝酸カルシウム、硝酸ストロンチウム、硝酸バリウムなどが挙げられる。
前記アルカリ土類金属硫酸塩としては、例えば、硫酸マグネシウム、硫酸カルシウム、硫酸ストロンチウム、硫酸バリウムなどが挙げられる。
前記アルカリ土類金属塩化物としては、例えば、塩化マグネシウム、塩化カルシウム、塩化ストロンチウム、塩化バリウムなどが挙げられる。
前記アルカリ土類金属フッ化物としては、例えば、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウムなどが挙げられる。
前記アルカリ土類金属臭化物としては、例えば、臭化マグネシウム、臭化カルシウム、臭化ストロンチウム、臭化バリウムなどが挙げられる。
前記アルカリ土類金属よう化物としては、例えば、よう化マグネシウム、よう化カルシウム、よう化ストロンチウム、よう化バリウムなどが挙げられる。
【００３２】
前記有機アルカリ土類金属化合物としては、アルカリ土類金属と、有機基とを有する化合物であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記アルカリ土類金属と前記有機基とは、例えば、イオン結合、共有結合、又は配位結合で結合している。
【００３３】
前記有機基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアシルオキシ基、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいアセチルアセトナート基、置換基を有していてもよいスルホン酸基などが挙げられる。前記アルキル基としては、例えば、炭素数１〜６のアルキル基などが挙げられる。前記アルコキシ基としては、例えば、炭素数１〜６のアルコキシ基などが挙げられる。前記アシルオキシ基としては、例えば、炭素数１〜１０のアシルオキシ基、安息香酸のように一部がベンゼン環に置換されたアシルオキシ基、乳酸のように一部がヒドロキシ基に置換されたアシルオキシ基、シュウ酸、及びクエン酸のようにカルボニル基を２つ以上有するアシルオキシ基などが挙げられる。
【００３４】
前記有機アルカリ土類金属化合物としては、例えば、マグネシウムメトキシド、マグネシウムエトキシド、ジエチルマグネシウム、酢酸マグネシウム、ギ酸マグネシウム、アセチルアセトンマグネシウム、２−エチルヘキサン酸マグネシウム、乳酸マグネシウム、ナフテン酸マグネシウム、クエン酸マグネシウム、サリチル酸マグネシウム、安息香酸マグネシウム、シュウ酸マグネシウム、トリフルオロメタンスルホン酸マグネシウム、カルシウムメトキシド、カルシウムエトキシド、酢酸カルシウム、ギ酸カルシウム、アセチルアセトンカルシウム、カルシウムジピバロイルメタナート、２−エチルヘキサン酸カルシウム、乳酸カルシウム、ナフテン酸カルシウム、クエン酸カルシウム、サリチル酸カルシウム、ネオデカン酸カルシウム、安息香酸カルシウム、シュウ酸カルシウム、ストロンチウムイソプロポキシド、酢酸ストロンチウム、ギ酸ストロンチウム、アセチルアセトンストロンチウム、２−エチルヘキサン酸ストロンチウム、乳酸ストロンチウム、ナフテン酸ストロンチウム、サリチル酸ストロンチウム、シュウ酸ストロンチウム、バリウムエトキシド、バリウムイソプロポキシド、酢酸バリウム、ギ酸バリウム、アセチルアセトンバリウム、２−エチルヘキサン酸バリウム、乳酸バリウム、ナフテン酸バリウム、ネオデカン酸バリウム、シュウ酸バリウム、安息香酸バリウム、トリフルオロメタンスルホン酸バリウム、ビス（アセチルアセトナート）ベリリウムなどが挙げられる。
【００３５】
前記パッシベーション層形成用塗布液における前記アルカリ土類金属含有化合物の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００３６】
−−−第Ｂ元素含有化合物−−−
前記第Ｂ元素含有化合物における前記第Ｂ元素としては、Ｇａ（ガリウム）、Ｓｃ（スカンジウム）、Ｙ（イットリウム）、Ｌａ（ランタン）、Ｃｅ（セリウム）、Ｐｒ（プラセオジム）、Ｎｄ（ネオジム）、Ｐｍ（プロメチウム）、Ｓｍ（サマリウム）、Ｅｕ（ユウロピウム）、Ｇｄ（ガドリニウム）、Ｔｂ（テルビウム）、Ｄｙ（ジスプロシウム）、Ｈｏ（ホルミウム）、Ｅｒ（エルビウム）、Ｔｍ（ツリウム）、Ｙｂ（イッテルビウム）、Ｌｕ（ルテチウム）が挙げられる。
【００３７】
前記第Ｂ元素含有化合物としては、例えば、無機第Ｂ元素化合物、有機第Ｂ元素化合物などが挙げられる。
【００３８】
前記無機第Ｂ元素化合物としては、例えば、第Ｂ元素の硝酸塩、第Ｂ元素の硫酸塩、第Ｂ元素のフッ化物、第Ｂ元素の塩化物、第Ｂ元素の臭化物、第Ｂ元素のヨウ化物などが挙げられる。
前記第Ｂ元素硝酸塩としては、例えば、硝酸ガリウム、硝酸スカンジウム、硝酸イットリウム、硝酸ランタン、硝酸セリウム、硝酸プラセオジム、硝酸ネオジム、硝酸サマリウム、硝酸ユウロピウム、硝酸ガドリニウム、硝酸テルビウム、硝酸ジスプロシウム、硝酸ホルミウム、硝酸エルビウム、硝酸ツリウム、硝酸イッテルビウム、硝酸ルテチウムなどが挙げられる。
前記第Ｂ元素硫酸塩としては、例えば、硫酸ガリウム、硫酸スカンジウム、硫酸イットリウム、硫酸ランタン、硫酸セリウム、硫酸プラセオジム、硫酸ネオジム、硫酸サマリウム、硫酸ユウロピウム、硫酸ガドリニウム、硫酸テルビウム、硫酸ジスプロシウム、硫酸ホルミウム、硫酸エルビウム、硫酸ツリウム、硫酸イッテルビウム、硫酸ルテチウムなどが挙げられる。
前記第Ｂ元素フッ化物としては、例えば、フッ化ガリウム、フッ化スカンジウム、フッ化イットリウム、フッ化ランタン、フッ化セリウム、フッ化プラセオジム、フッ化ネオジム、フッ化サマリウム、フッ化ユウロピウム、フッ化ガドリニウム、フッ化テルビウム、フッ化ジスプロシウム、フッ化ホルミウム、フッ化エルビウム、フッ化ツリウム、フッ化イッテルビウム、フッ化ルテチウムなどが挙げられる。
前記第Ｂ元素塩化物としては、例えば、塩化ガリウム、塩化スカンジウム、塩化イットリウム、塩化ランタン、塩化セリウム、塩化プラセオジム、塩化ネオジム、塩化サマリウム、塩化ユウロピウム、塩化ガドリニウム、塩化テルビウム、塩化ジスプロシウム、塩化ホルミウム、塩化エルビウム、塩化ツリウム、塩化イッテルビウム、塩化ルテチウムなどが挙げられる。
前記第Ｂ元素臭化物としては、例えば、臭化ガリウム、臭化スカンジウム、臭化イットリウム、臭化ランタン、臭化プラセオジム、臭化ネオジム、臭化サマリウム、臭化ユウロピウム、臭化ガドリニウム、臭化テルビウム、臭化ジスプロシウム、臭化ホルミウム、臭化エルビウム、臭化ツリウム、臭化イッテルビウム、臭化ルテチウムなどが挙げられる。
前記第Ｂ元素ヨウ化物としては、例えば、ヨウ化ガリウム、ヨウ化スカンジウム、ヨウ化イットリウム、ヨウ化ランタン、ヨウ化セリウム、ヨウ化プラセオジム、ヨウ化ネオジム、ヨウ化サマリウム、ヨウ化ユウロピウム、ヨウ化ガドリニウム、ヨウ化テルビウム、ヨウ化ジスプロシウム、ヨウ化ホルミウム、ヨウ化エルビウム、ヨウ化ツリウム、ヨウ化イッテルビウム、ヨウ化ルテチウムなどが挙げられる。
【００３９】
前記有機第Ｂ元素化合物としては、第Ｂ元素と、有機基とを有する化合物であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記第Ｂ元素と前記有機基とは、例えば、イオン結合、共有結合、又は配位結合で結合している。
【００４０】
前記有機基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアシルオキシ基、置換基を有していてもよいアセチルアセトナート基、置換基を有していてもよいシクロペンタジエニル基などが挙げられる。前記アルキル基としては、例えば、炭素数１〜６のアルキル基などが挙げられる。前記アルコキシ基としては、例えば、炭素数１〜６のアルコキシ基などが挙げられる。前記アシルオキシ基としては、例えば、炭素数１〜１０のアシルオキシ基などが挙げられる。
【００４１】
前記有機第Ｂ元素化合物としては、例えば、トリス（シクロペンタジエニル）ガリウム、スカンジウムイソプロポキシド、酢酸スカンジウム、トリス（シクロペンタジエニル）スカンジウム、イットリウムイソプロポキシド、２−エチルヘキサン酸イットリウム、トリス（アセチルアセトナート）イットリウム、トリス（シクロペンタジエニル）イットリウム、ランタンイソプロポキシド、２−エチルヘキサン酸ランタン、トリス（アセチルアセトナート）ランタン、トリス（シクロペンタジエニル）ランタン、２−エチルヘキサン酸セリウム、トリス（アセチルアセトナート）セリウム、トリス（シクロペンタジエニル）セリウム、プラセオジムイソプロポキシド、シュウ酸プラセオジム、トリス（アセチルアセトナート）プラセオジム、トリス（シクロペンタジエニル）プラセオジム、ネオジムイソプロポキシド、２−エチルヘキサン酸ネオジム、トリフルオロアセチルアセトナートネオジム、トリス（イソプロピルシクロペンタジエニル）ネオジム、トリス（エチルシクロペンタジエニル）プロメチウム、サマリウムイソプロポキシド、２−エチルヘキサン酸サマリウム、トリス（アセチルアセトナート）サマリウム、トリス（シクロペンタジエニル）サマリウム、２−エチルヘキサン酸ユウロピウム、トリス（アセチルアセトナート）ユウロピウム、トリス（エチルシクロペンタジエニル）ユウロピウム、ガドリニウムイソプロポキシド、２−エチルヘキサン酸ガドリニウム、トリス（アセチルアセトナート）ガドリニウム、トリス（シクロペンタジエニル）ガドリニウム、酢酸テルビウム、トリス（アセチルアセトナート）テルビウム、トリス（シクロペンタジエニル）テルビウム、ジスプロシウムイソプロポキシド、酢酸ジスプロシウム、トリス（アセチルアセトナート）ジスプロシウム、トリス（エチルシクロペンタジエニル）ジスプロシウム、ホルミウムイソプロポキシド、酢酸ホルミウム、トリス（シクロペンタジエニル）ホルミウム、エルビウムイソプロポキシド、酢酸エルビウム、トリス（アセチルアセトナート）エルビウム、トリス（シクロペンタジエニル）エルビウム、酢酸ツリウム、トリス（アセチルアセトナート）ツリウム、トリス（シクロペンタジエニル）ツリウム、イッテルビウムイソプロポキシド、酢酸イッテルビウム、トリス（アセチルアセトナート）イッテルビウム、トリス（シクロペンタジエニル）イッテルビウム、シュウ酸ルテチウム、トリス（エチルシクロペンタジエニル）ルテチウムなどが挙げられる。
【００４２】
前記パッシベーション層形成用塗布液における前記第Ｂ元素含有化合物の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００４３】
−−−第Ｃ元素含有化合物−−−
前記第Ｃ元素としては、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｔａ（タンタル）が挙げられる。
【００４４】
前記第Ｃ元素含有化合物としては、例えば、第Ｃ元素の無機化合物、第Ｃ元素の有機化合物などが挙げられる。
【００４５】
前記第Ｃ元素の無機化合物としては、例えば、硝酸アルミニウム、硫酸アルミニウム、フッ化アルミニウム、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、よう化アルミニウム、水酸化アルミニウム、りん酸アルミニウム、硫酸アルミニウムアンモニウム、硫化チタン、フッ化チタン、塩化チタン、臭化チタン、よう化チタン、硫酸ジルコニウム、炭酸ジルコニウム、フッ化ジルコニウム、塩化ジルコニウム、臭化ジルコニウム、よう化ジルコニウム、硫酸ハフニウム、フッ化ハフニウム、塩化ハフニウム、臭化ハフニウム、よう化ハフニウム、フッ化ニオブ、塩化ニオブ、臭化ニオブ、フッ化タンタル、塩化タンタル、臭化タンタルなどが挙げられる。
【００４６】
前記第Ｃ元素の有機化合物としては、第Ｃ元素と、有機基とを有する化合物であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記第Ｃ元素と前記有機基とは、例えば、イオン結合、共有結合、又は配位結合で結合している。
【００４７】
前記有機基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアシルオキシ基、置換基を有していてもよいアセチルアセトナート基、置換基を有していてもよいシクロペンタジエニル基などが挙げられる。前記アルキル基としては、例えば、炭素数１〜６のアルキル基などが挙げられる。前記アルコキシ基としては、例えば、炭素数１〜６のアルコキシ基などが挙げられる。前記アシルオキシ基としては、例えば、炭素数１〜１０のアシルオキシ基などが挙げられる。
【００４８】
前記第Ｃ元素の有機化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロポキシド、アルミニウム−ｓｅｃ−ブトキシド、トリエチルアルミニウム、ジエチルアルミニウムエトキシド、酢酸アルミニウム、アセチルアセトンアルミニウム、ヘキサフルオロアセチルアセトン酸アルミニウム、２−エチルヘキサン酸アルミニウム、乳酸アルミニウム、安息香酸アルミニウム、アルミニウムジ（ｓ−ブトキシド）アセト酢酸エステルキレート、トリフルオロメタンスルホン酸アルミニウム、チタンイソプロポキシド、ビス（シクロペンタジエニル）塩化チタン、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムイソプロポキシド、ビス（２−エチルヘキサン酸）酸化ジルコニウム、ジルコニウムジ（ｎ−ブトキシド）ビスアセチル汗トナート、テトラキス（アセチルアセトン酸）ジルコニウム、テトラキス（シクロペンタジエニル）ジルコニウム、ハフニウムブトキシド、ハフニウムイソプロポキシド、テトラキス（２−エチルヘキサン酸）ハフニウム、ハフニウムジ（ｎ―ブトキシド）ビスアセチルアセトナート、テトラキス（アセチルアセトン酸）ハフニウム、ビス（シクロペンタジエニル）ジメチルハフニウム、ニオブエトキシド、２−エチルヘキサン酸ニオブ、ビス（シクロペンタジエニル）塩化ニオブ、タンタルエトキシド、テトラエトシキアセチルアセトナートタンタルなどが挙げられる。
【００４９】
前記パッシベーション層形成用塗布液における前記第Ｃ元素含有化合物の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００５０】
−−−溶媒−−−
前記溶媒としては、前記各種化合物を安定に溶解又は分散する溶媒であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、シメン、ペンチルベンゼン、ドデシルベンゼン、ビシクロヘキシル、シクロヘキシルベンゼン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、テトラリン、デカリン、イソプロパノール、安息香酸エチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、炭酸プロピレン、２−エチルヘキサン酸、ミネラルスピリッツ、ジメチルプロピレンウレア、４−ブチロラクトン、２−メトキシエタノール、プロピレングリコール、水などが挙げられる。
【００５１】
前記パッシベーション層形成用塗布液における前記溶媒の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００５２】
前記パッシベーション層形成用塗布液における前記第Ａ元素の原子数の合計（ＮＡ）と、前記第Ｂ元素の原子数の合計（ＮＢ）との原子比（ＮＡ：ＮＢ）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、以下の範囲であることが好ましい。
ＮＡ：ＮＢ＝（３〜５０）ａｔ％：（５０〜９７）ａｔ％
ただし、ＮＡ＋ＮＢ＝１００ａｔ％
【００５３】
前記パッシベーション層形成用塗布液における前記第Ａ元素の原子数の合計（ＮＡ）と、前記第Ｂ元素の原子数の合計（ＮＢ）と、前記第Ｃ元素の原子数の合計（ＮＣ）との原子比（ＮＡ：ＮＢ：ＮＣ）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、以下の範囲であることが好ましい。
ＮＡ：ＮＢ：ＮＣ＝（３〜４７）ａｔ％：（５０〜９４）ａｔ％：（３〜４７）ａｔ％
ただし、ＮＡ＋ＮＢ＋ＮＣ＝１００ａｔ％
【００５４】
−−パッシベーション層形成用塗布液を用いたパッシベーション層の形成方法−−
前記パッシベーション層形成用塗布液を用いた前記パッシベーション層の形成方法の一例について説明する。前記パッシベーション層の形成方法は、塗布工程と、熱処理工程とを含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
【００５５】
前記塗布工程としては、被塗物に前記パッシベーション層形成用塗布液を塗布する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記塗布の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、溶液プロセスによる成膜後、フォトリソグラフィーによってパターンニングする方法、インクジェット、ナノインプリント、グラビア等の印刷法によって、所望の形状を直接成膜する方法などが挙げられる。前記溶液プロセスとしては、例えば、ディップコーティング、スピンコート、ダイコート、ノズルプリンティングなどが挙げられる。
【００５６】
前記熱処理工程としては、前記被塗物に塗布された前記パッシベーション層形成用塗布液を熱処理する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。なお、前記熱処理する際には、前記被塗物に塗布された前記パッシベーション層形成用塗布液は、自然乾燥などにより乾燥していてもよい。前記熱処理により、前記溶媒の乾燥、前記常誘電体アモルファス酸化物の生成などが行われる。
【００５７】
前記熱処理工程では、前記溶媒の乾燥（以下、「乾燥処理」と称する。）と、前記常誘電体アモルファス酸化物の生成（以下、「生成処理」と称する。）を、異なる温度で行うことが好ましい。即ち、前記溶媒の乾燥を行った後に、昇温して前記常誘電体アモルファス酸化物の生成を行うことが好ましい。前記常誘電体アモルファス酸化物の生成の際には、例えば、アルカリ土類金属含有化合物（第Ａ元素含有化合物）、前記第Ｂ元素含有化合物、前記第Ｃ元素含有化合物の少なくともいずれかの分解が起こる。
【００５８】
前記乾燥処理の温度としては、特に制限はなく、含有する溶媒に応じて適宜選択することができ、例えば、８０℃〜１８０℃が挙げられる。前記乾燥においては、低温化のために減圧オーブンなどを使用することが有効である。前記乾燥処理の時間としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、１分間〜１時間が挙げられる。
【００５９】
前記生成処理の温度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１００℃以上５５０℃未満が好ましく、２００℃〜５００℃がより好ましい。前記生成処理の時間としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、１時間〜５時間が挙げられる。
【００６０】
なお、前記熱処理工程では、前記乾燥処理及び前記生成処理を連続して実施してもよいし、複数の工程に分割して実施してもよい。
【００６１】
前記熱処理の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記被塗物を加熱する方法などが挙げられる。前記熱処理における雰囲気としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、酸素雰囲気が好ましい。前記酸素雰囲気で熱処理を行うことにより、分解生成物を速やかに系外に排出し、前記常誘電体アモルファス酸化物の生成を促進させることができる。
【００６２】
前記熱処理の際には、波長４００ｎｍ以下の紫外光を前記乾燥処理後の物質に照射することが、前記生成処理の反応を促進する上で有効である。波長４００ｎｍ以下の紫外光を照射することにより、前記乾燥処理後の物質中に含有される有機物などの化学結合を切断し、有機物を分解できるため、効率的に前記常誘電体アモルファス酸化物を形成することができる。前記波長４００ｎｍ以下の紫外光としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エキシマランプを用いた波長２２２ｎｍの紫外光などが挙げられる。また、前記紫外光の照射に代えて、又は併用して、オゾンを付与することも好ましい。前記オゾンを前記乾燥処理後の物質に付与することにより、酸化物の生成が促進される。
【００６３】
＜ゲート絶縁層＞
前記ゲート絶縁層は、通常、前記基材、及び前記パッシベーション層の間に形成される。
前記ゲート絶縁層は、Ｓｉの酸化物、Ｓｉの窒化物、及びＳｉの酸窒化物の少なくともいずれかを含有する。
【００６４】
−ゲート絶縁層の形成方法−
前記ゲート絶縁層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スパッタ、化学気相蒸着（ＣＶＤ）、原子層蒸着（ＡＬＤ）等の真空成膜法、スピンコート、ダイコート、インクジェット等の印刷法などが挙げられる。
前記ゲート絶縁層の平均膜厚としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５０ｎｍ〜３μｍが好ましく、１００ｎｍ〜１μｍがより好ましい。
【００６５】
本発明において、本発明者らは、Ｓｉの酸化物、Ｓｉの窒化物、及びＳｉの酸窒化物の少なくともいずれかを含有するゲート絶縁層と、アルカリ土類金属である第Ａ元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びランタノイドの少なくともいずれかである第Ｂ元素とを含有する常誘電体アモルファス酸化物を含有するパッシベーション層を組み合わせることで、パッシベーション層が積層ではなく単一層の層構成であっても、ＢＴＳ試験に対する閾値電圧の変動量が小さい電界効果型トランジスタが得られることを見出した。したがって、本発明で規定する特定のゲート絶縁層と特定のパッシベーション層とを組み合わせることで、高信頼性を示す電界効果型トランジスタを提供することができる。
【００６６】
＜ソース電極、及びドレイン電極＞
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極としては、前記電界効果型トランジスタから電流を取り出すための電極であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極は、前記ゲート絶縁層と接するように形成される。
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ｍｏ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属及びこれらの合金、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、アンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）等の透明導電性酸化物、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）等の有機導電体などが挙げられる。
【００６７】
−ソース電極、及びドレイン電極の形成方法−
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、（ｉ）スパッタ法、ディップコーティング法等による成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする方法、（ｉｉ）インクジェット、ナノインプリント、グラビア等の印刷プロセスによって、所望の形状を直接成膜する方法などが挙げられる。
【００６８】
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の平均膜厚としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、２０ｎｍ〜１μｍが好ましく、５０ｎｍ〜３００ｎｍがより好ましい。
【００６９】
＜半導体層＞
前記半導体層は、少なくとも前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の間に形成される。
ここで、「間」とは、前記半導体層が前記ソース電極及び前記ドレイン電極と共に、前記電界効果型トランジスタを機能させるような位置であり、そのような位置であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記半導体層は、前記ゲート絶縁層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極と接する。
前記半導体層の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、シリコン半導体、酸化物半導体などが挙げられる。
前記シリコン半導体としては、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコンなどが挙げられる。
前記酸化物半導体としては、例えば、ＩｎＧａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｍｇ−Ｏなどが挙げられる。
これらのなかでも、酸化物半導体が好ましい。
【００７０】
−半導体層の形成方法−
前記半導体層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スパッタ法、パルスレーザーデポジッション（ＰＬＤ）法、化学気相蒸着（ＣＶＤ）法、原子層蒸着（ＡＬＤ）法等の真空プロセスや、ディップコーティング、スピンコート、ダイコート等の溶液プロセスによる成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする方法、インクジェット、ナノインプリント、グラビア等の印刷法によって、所望の形状を直接成膜する方法などが挙げられる。
【００７１】
前記半導体層の平均膜厚としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５ｎｍ〜１μｍが好ましく、１０ｎｍ〜０．５μｍがより好ましい。
【００７２】
＜ゲート電極＞
前記ゲート電極としては、前記電界効果型トランジスタにゲート電圧を印加するための電極であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁層と接し、前記ゲート絶縁層を介して前記半導体層と対向する。
前記ゲート電極の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ｍｏ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属及びこれらの合金、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、アンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）等の透明導電性酸化物、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）等の有機導電体などが挙げられる。
【００７３】
−ゲート電極の形成方法−
前記ゲート電極の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、（ｉ）スパッタ法、ディップコーティング法等による成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする方法、（ｉｉ）インクジェット、ナノインプリント、グラビア等の印刷プロセスによって、所望の形状を直接成膜する方法などが挙げられる。
【００７４】
前記ゲート電極の平均膜厚としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、２０ｎｍ〜１μｍが好ましく、５０ｎｍ〜３００ｎｍがより好ましい。
【００７５】
前記電界効果型トランジスタ構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、以下のような構造の電界効果型トランジスタなどが挙げられる。
（１）前記基材と、前記基材上に形成された前記ゲート電極と、前記ゲート電極上に形成された前記ゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成された前記ソース電極及び前記ドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成された前記半導体層と、前記半導体層上に形成された前記パッシベーション層を有する電界効果型トランジスタ。
（２）前記基材と、前記基材上に形成された前記ソース電極及び前記ドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成された前記半導体層と、前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記半導体層上に形成された前記ゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成された前記ゲート電極と、前記ゲート電極上に形成された前記パッシベーション層を有する電界効果型トランジスタ。
【００７６】
前記（１）の構造の電界効果型トランジスタとしては、例えば、ボトムコンタクト・ボトムゲート型（図３Ａ）、トップコンタクト・ボトムゲート型（図３Ｂ）などが挙げられる。
前記（２）の構造の電界効果型トランジスタとしては、例えば、ボトムコンタクト・トップゲート型（図３Ｃ）、トップコンタクト・トップゲート型（図３Ｄ）などが挙げられる。
ここで、図３Ａ〜図３Ｄにおいて、符号２１は基材、２２はゲート電極、２３はゲート絶縁層、２４はソース電極、２５はドレイン電極、２６は酸化物半導体層、２７はパッシベーション層をそれぞれ表す。
【００７７】
前記電界効果型トランジスタは、後述する表示素子に好適に使用できるが、これに限られるものではなく、例えば、ＩＣカード、ＩＤタグなどにも使用することができる。
【００７８】
（表示素子）
本発明の表示素子は、光制御素子と、前記光制御素子を駆動する駆動回路とを少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
【００７９】
＜光制御素子＞
前記光制御素子としては、駆動信号に応じて光出力が制御される素子である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子、エレクトロクロミック（ＥＣ）素子、液晶素子、電気泳動素子、エレクトロウェッティング素子などが挙げられる。
【００８０】
＜駆動回路＞
前記駆動回路としては、本発明の前記電界効果型トランジスタを有し、かつ前記光制御素子を駆動する回路である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００８１】
＜その他の部材＞
前記その他の部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００８２】
前記表示素子は、本発明の前記電界効果型トランジスタを有しているため、長寿命化、高速動作が可能となる。
【００８３】
（画像表示装置）
本発明の画像表示装置は、複数の表示素子と、複数の配線と、表示制御装置とを少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
前記画像表示装置は、画像データに応じた画像を表示する装置である。
【００８４】
＜表示素子＞
前記表示素子としては、マトリックス状に配置された本発明の前記表示素子である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００８５】
＜配線＞
前記配線は、前記表示素子における各電界効果型トランジスタにゲート電圧を個別に印加するための配線である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００８６】
＜表示制御装置＞
前記表示制御装置としては、前記画像データに応じて、前記各電界効果型トランジスタのゲート電圧を前記複数の配線を介して個別に制御する装置である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００８７】
＜その他の部材＞
前記その他の部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００８８】
前記画像表示装置は、本発明の前記表示素子を有しているため、長寿命化、高速動作が可能となる。
前記画像表示装置は、携帯電話、携帯型音楽再生装置、携帯型動画再生装置、電子ＢＯＯＫ、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）等の携帯情報機器、スチルカメラやビデオカメラ等の撮像機器における表示手段に用いることができる。また、車、航空機、電車、船舶等の移動体システムにおける各種情報の表示手段にも用いることができる。更に、計測装置、分析装置、医療機器、広告媒体における各種情報の表示手段にも用いることができる。
【００８９】
（システム）
本発明のシステムは、本発明の前記画像表示装置と、画像データ作成装置とを少なくとも有する。
前記画像データ作成装置は、表示する画像情報に基づいて画像データを作成し、該画像データを前記画像表示装置に出力する装置である。
【００９０】
以下、本発明の表示素子、画像表示装置、及びシステムについて、図を用いて説明する。
まず、本発明のシステムの一例としてのテレビジョン装置について、説明する。
本発明のシステムの一例としてのテレビジョン装置は、例えば、特開２０１０−０７４１４８号公報の段落〔００３８〕〜〔００５８〕及び図１に記載の構成などを採ることができる。
【００９１】
次に、本発明の画像表示装置について説明する。
本発明の画像表示装置としては、例えば、特開２０１０−０７４１４８号公報の段落〔００５９〕〜〔００６０〕、図２、及び図３に記載の構成などを採ることができる。
【００９２】
次に、本発明の表示素子について、図を用いて説明する。
図１は、表示素子がマトリックス上に配置されたディスプレイ３１０を表す図である。
図１に示されるように、ディスプレイ３１０は、Ｘ軸方向に沿って等間隔に配置されているｎ本の走査線（Ｘ０、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、・・・、Ｘｎ−２、Ｘｎ−１）と、Ｙ軸方向に沿って等間隔に配置されているｍ本のデータ線（Ｙ０、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、・・・、Ｙｍ−１）と、Ｙ軸方向に沿って等間隔に配置されているｍ本の電流供給線（Ｙ０ｉ、Ｙ１ｉ、Ｙ２ｉ、Ｙ３ｉ、・・・・・、Ｙｍ−１ｉ）とを有する。
よって、走査線とデータ線とによって、表示素子を特定することができる。
【００９３】
図２は、本発明の表示素子の一例を示す概略構成図である。
前記表示素子は、一例として図２に示されるように、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子３５０と、該有機ＥＬ素子３５０を発光させるためのドライブ回路３２０とを有している。即ち、ディスプレイ３１０は、いわゆるアクティブマトリックス方式の有機ＥＬディスプレイである。また、ディスプレイ３１０は、カラー対応の３２インチ型のディスプレイである。なお、大きさは、これに限定されるものではない。
【００９４】
図２におけるドライブ回路３２０について説明する。
ドライブ回路３２０は、２つの電界効果型トランジスタ１１及び１２と、キャパシタ１３とを有する。
電界効果型トランジスタ１１は、スイッチ素子として動作する。ゲート電極Ｇは、所定の走査線に接続され、ソース電極Ｓは、所定のデータ線に接続されている。また、ドレイン電極Ｄは、キャパシタ１３の一方の端子に接続されている。
【００９５】
キャパシタ１３は、電界効果型トランジスタ１１の状態、即ちデータを記憶しておくためのものである。キャパシタ１３の他方の端子は、所定の電流供給線に接続されている。
【００９６】
電界効果型トランジスタ１２は、有機ＥＬ素子３５０に大きな電流を供給するためのものである。ゲート電極Ｇは、電界効果型トランジスタ１１のドレイン電極Ｄと接続されている。そして、ドレイン電極Ｄは、有機ＥＬ素子３５０の陽極に接続され、ソース電極Ｓは、所定の電流供給線に接続されている。
【００９７】
そこで、電界効果型トランジスタ１１が「オン」状態になると、電界効果型トランジスタ１２によって、有機ＥＬ素子３５０は駆動される。
【００９８】
電界効果型トランジスタ１１、１２は、一例として図３Ａに示されるように、基材２１、ゲート電極２２、ゲート絶縁層２３、ソース電極２４、ドレイン電極２５、酸化物半導体層２６、パッシベーション層２７を有している。
電界効果型トランジスタ１１、１２は、本発明の前記電界効果型トランジスタの説明に記載の材料、プロセスなどによって形成することができる。
【００９９】
図４は、有機ＥＬ素子の一例を示す概略構成図である。
図４において、有機ＥＬ素子３５０は、陰極３１２と、陽極３１４と、有機ＥＬ薄膜層３４０とを有する。
【０１００】
陰極３１２の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）−銀（Ａｇ）合金、アルミニウム（Ａｌ）−リチウム（Ｌｉ）合金、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などが挙げられる。なお、マグネシウム（Ｍｇ）−銀（Ａｇ）合金は、充分厚ければ高反射率電極となり、極薄膜（２０ｎｍ程度未満）では半透明電極となる。図４では陽極側から光を取り出しているが、陰極を透明、又は半透明電極とすることによって陰極側から光を取り出すことができる。
【０１０１】
陽極３１４の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、銀（Ａｇ）−ネオジウム（Ｎｄ）合金などが挙げられる。なお、銀合金を用いた場合は、高反射率電極となり、陰極側から光を取り出す場合に好適である。
【０１０２】
有機ＥＬ薄膜層３４０は、電子輸送層３４２と、発光層３４４と、正孔輸送層３４６とを有する。電子輸送層３４２は、陰極３１２に接続され、正孔輸送層３４６は、陽極３１４に接続されている。陽極３１４と陰極３１２との間に所定の電圧を印加すると、発光層３４４が発光する。
【０１０３】
ここで、電子輸送層３４２と発光層３４４とが１つの層を形成してもよく、また、電子輸送層３４２と陰極３１２との間に電子注入層が設けられてもよく、更に、正孔輸送層３４６と陽極３１４との間に正孔注入層が設けられてもよい。
【０１０４】
図４では、前記光制御素子として、基材側から光を取り出すいわゆる「ボトムエミッション」の有機ＥＬ素子の場合について説明したが、前記光制御素子は、基材と反対側から光を取り出す「トップエミッション」の有機ＥＬ素子であってもよい。
【０１０５】
図５に、有機ＥＬ素子３５０と、ドライブ回路３２０とを組み合わせた表示素子の一例を示す。
【０１０６】
表示素子は、基材３１、第Ｉ・第ＩＩのゲート電極３２・３３、ゲート絶縁層３４、第Ｉ・第ＩＩのソース電極３５・３６、第Ｉ・第ＩＩのドレイン電極３７・３８、第Ｉ・第ＩＩの酸化物半導体層３９・４０、第Ｉ・第ＩＩのパッシベーション層４１・４２、層間絶縁層４３、有機ＥＬ層４４、陰極４５を有している。第Ｉのドレイン電極３７と第ＩＩのゲート電極３３は、ゲート絶縁層３４に形成されたスルーホールを介して接続されている。
図５において、便宜上第ＩＩのゲート電極３３・第ＩＩのドレイン電極３８間にてキャパシタが形成されているように見えるが、実際にはキャパシタ形成箇所は限定されず、適宜必要な容量のキャパシタを必要な箇所に設計することができる。
また、図５の表示素子では、第ＩＩのドレイン電極３８が、有機ＥＬ素子３５０における陽極として機能する。
基材３１、第Ｉ・第ＩＩ二のゲート電極３２・３３、ゲート絶縁層３４、第Ｉ・第ＩＩのソース電極３５・３６、第Ｉ・第ＩＩのドレイン電極３７・３８、第Ｉ・第ＩＩの酸化物半導体層３９・４０、第Ｉ・第ＩＩのパッシベーション層４１・４２については、本発明の前記電界効果型トランジスタの説明に記載の材料、プロセスなどによって形成することができる。
なお、第Ｉのパッシベーション層４１、及び第ＩＩのパッシベーション層４２が、本発明の前記電界効果型トランジスタの前記パッシベーション層に相当する。ゲート絶縁層３４が、本発明の前記電界効果型トランジスタの前記ゲート絶縁層に相当する。
【０１０７】
層間絶縁層４３（平坦化層）の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、有機材料、無機材料、有機無機複合材料などが挙げられる。
前記有機材料としては、例えば、ポリイミド、アクリル樹脂、フッ素系樹脂、非フッ素系樹脂、オレフィン系樹脂、シリコーン樹脂等の樹脂、及びそれらを用いた感光性樹脂などが挙げられる。
前記無機材料としては、例えば、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製アクアミカなどのＳＯＧ（ｓｐｉｎ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）材料などが挙げられる。
前記有機無機複合材料としては、例えば、特許文献（特開２００７−１５８１４６号公報）に開示されているシラン化合物からなる有機無機複合化合物などが挙げられる。
前記層間絶縁層は、大気中の水分、酸素、水素に対するバリア性を有していることが好ましい。
【０１０８】
前記層間絶縁層の形成プロセスとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スピンコート、インクジェットプリンティング、スリットコート、ノズルプリンティング、グラビア印刷、ディップコーティング法などによって、所望の形状を直接成膜する方法、感光性材料であればフォトリソグラフィー法によりパターンニングする方法などが挙げられる。
前記層間絶縁層の形成後に、後工程として、熱処理を行うことで、表示素子を構成する電界効果型トランジスタの特性を安定化させることも有効である。
【０１０９】
有機ＥＬ層４４及び陰極４５の作製方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、真空蒸着法、スパッタ法等の真空製膜法、インクジェット、ノズルコート等の溶液プロセスなど挙げられる。
【０１１０】
これにより、基材側から発光を取り出すいわゆる「ボトムエミッション」の有機ＥＬ素子である、表示素子を作製することができる。この場合、基材３１、ゲート絶縁層３４、第二のドレイン電極（陽極）３８は透明性が要求される。
【０１１１】
更には、図５では、ドライブ回路３２０の横に有機ＥＬ素子３５０が配置される構成について説明したが、図６に示すように、ドライブ回路３２０の上方に有機ＥＬ素子３５０が配置する構成としてもよい。この場合についても、基材側から発光を取り出すいわゆる「ボトムエミッション」となっており、ドライブ回路３２０には透明性が要求される。ソース・ドレイン電極や陽極には、ＩＴＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、Ｇａが添加されたＺｎＯ、Ａｌが添加されたＺｎＯ、Ｓｂが添加されたＳｎＯ２などの導電性を有する透明な酸化物を用いることが好ましい。
【０１１２】
表示制御装置４００は、一例として図７に示されるように、画像データ処理回路４０２、走査線駆動回路４０４、及びデータ線駆動回路４０６を有している。
【０１１３】
画像データ処理回路４０２は、映像出力回路の出力信号に基づいて、ディスプレイ３１０における複数の表示素子３０２の輝度を判断する。
【０１１４】
走査線駆動回路４０４は、画像データ処理回路４０２の指示に応じてｎ本の走査線に個別に電圧を印加する。
【０１１５】
データ線駆動回路４０６は、画像データ処理回路４０２の指示に応じてｍ本のデータ線に個別に電圧を印加する。
【０１１６】
なお、前記実施形態では、有機ＥＬ薄膜層が、電子輸送層と発光層と正孔輸送層とからなる場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、電子輸送層と発光層が１つの層であってもよい。また、電子輸送層と陰極との間に電子注入層が設けられてもよい。さらに、正孔輸送層と陽極との間に正孔注入層が設けられてもよい。
【０１１７】
また、前記実施形態では、基材側から発光を取り出すいわゆる「ボトムエミッション」の場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、陽極３１４に銀（Ａｇ）−ネオジウム（Ｎｄ）合金などの高反射率電極、陰極３１２にマグネシウム（Ｍｇ）−銀（Ａｇ）合金などの半透明電極或いはＩＴＯ等の透明電極を用いて基材と反対側から光を取り出してもよい。
【０１１８】
また、前記実施形態では、光制御素子が有機ＥＬ素子の場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、光制御素子がエレクトロクロミック素子であってもよい。この場合は、ディスプレイ３１０は、エレクトロクロミックディスプレイとなる。
【０１１９】
また、光制御素子が液晶素子であってもよい。この場合は、ディスプレイ３１０は、液晶ディスプレイとなる。そして、一例として図８に示されるように、表示素子３０２’に対する電流供給線は不要である。
【０１２０】
この場合は、また、一例として図９に示されるように、ドライブ回路３２０’は、前述した電界効果型トランジスタ（１１、１２）と同様な１つの電界効果型トランジスタ１４とキャパシタ１５で構成することができる。電界効果型トランジスタ１４では、ゲート電極Ｇが所定の走査線に接続され、ソース電極Ｓが所定のデータ線に接続されている。また、ドレイン電極Ｄが液晶素子３７０の画素電極、及びキャパシタ１５に接続されている。なお、図９における符号１６、３７２は、液晶素子３７０の対向電極（コモン電極）である。
【０１２１】
前記実施形態において、光制御素子は、電気泳動素子であってもよい。また、光制御素子は、エレクトロウェッティング素子であってもよい。
【０１２２】
また、前記実施形態では、ディスプレイがカラー対応の場合について説明したが、これに限定されるものではない。
【０１２３】
なお、本実施形態に係る電界効果型トランジスタは、表示素子以外のもの（例えば、ＩＣカード、ＩＤタグ）にも用いることができる。
【０１２４】
本発明の電界効果型トランジスタを用いた表示素子、画像表示装置及びシステムは、高速動作、高寿命化が可能となる。
【実施例】
【０１２５】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。「％」は、特に明示しない限り「質量％」を表す。
【０１２６】
（実施例１）
＜電界効果型トランジスタの作製＞
−パッシベーション層形成用塗布液の作製−
シクロヘキシルベンゼン１．２ｍＬに、２−エチルヘキサン酸イットリウム（Ｓｔｒｅｍ  ３９−２４００、Ｓｔｒｅｍ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ製）０．５３ｇと、２−エチルヘキサン酸マグネシウムトルエン溶液（Ｍｇ含量３％、Ｓｔｒｅｍ  １２−１２６０、Ｓｔｒｅｍ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ製）０．１１ｍＬをと混合し、パッシベーション層形成用塗布液を得た。前記パッシベーション層形成用塗布液によって形成される常誘電体アモルファス酸化物は、表１−１に示す組成となる。
【０１２７】
次に図１０に示すような、ボトムコンタクト・ボトムゲート型の電界効果型トランジスタを作製した。
【０１２８】
−ゲート電極の形成−
最初に、ガラス基板（基材９１）上にゲート電極９２を形成した。具体的には、ガラス基板（基材９１）上に、ＤＣスパッタリングによりＡｌ（アルミニウム）合金膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜した。この後、Ａｌ合金膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるゲート電極９２のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンが形成されていない領域のＡｌ合金膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Ａｌ合金膜からなるゲート電極９２を形成した。
【０１２９】
−ゲート絶縁層の形成−
次に、前記基板、及び前記ゲート電極上に、ゲート絶縁層９３を形成した。具体的には、前記基板、及び前記ゲート電極上に、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、ＳｉＯ２膜を平均膜厚が約３００ｎｍとなるように成膜した。
【０１３０】
−ソース電極及びドレイン電極の形成−
次に、ゲート絶縁層９３上にソース電極９４及びドレイン電極９５を形成した。具体的には、ゲート絶縁層９３上にＤＣスパッタリングによりＡｌ（アルミニウム）合金膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜した。この後、Ａｌ合金膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるソース電極９４及びドレイン電極９５のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、ＲＩＥにより、レジストパターンの形成されていない領域のＡｌ合金膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Ａｌ合金膜からなるソース電極９４及びドレイン電極９５を形成した。
【０１３１】
−酸化物半導体層の形成−
次に、酸化物半導体層９６を形成した。具体的には、ＤＣスパッタリングにより、Ｍｇ−Ｉｎ系酸化物（Ｉｎ２ＭｇＯ４）膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜した。この後、Ｍｇ−Ｉｎ系酸化物膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成される酸化物半導体層９６のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域のＭｇ−Ｉｎ系酸化物膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、酸化物半導体層９６を形成した。これにより、ソース電極９４とドレイン電極９５との間にチャネルが形成されるように酸化物半導体層９６が形成された。
【０１３２】
−パッシベーション層の形成−
次に、前記パッシベーション層形成用塗布液０．６ｍＬを前記基板上へ滴下し、所定の条件でスピンコートした（１，０００ｒｐｍで５秒間回転させた後、３，０００ｒｐｍで２０秒間回転させ、５秒間で０ｒｐｍとなるように回転を止めた）。続いて、大気中で１２０℃１時間の乾燥処理後、Ｏ２雰囲気下で４００℃３時間の焼成を行い、パッシベーション層９７として、常誘電体アモルファス酸化物膜を形成した。パッシベーション層の平均膜厚は、１３５ｎｍであった。
【０１３３】
−層間絶縁層の形成−
次に、層間絶縁層９８を形成した。具体的には、ポジ型感光性有機無機複合材料（ＡＤＥＫＡナノハイブリッドシリコーンＦＸシリーズ、ＡＤＥＫＡ社製）をスピンコートにより、前記パッシベーション層９７上に塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、所望のパターンを得た。その後、１５０℃で１時間、２００℃で１時間のポストベークをした。
最後に、後工程の加熱処理として、２３０℃で１時間の熱処理をして、電界効果型トランジスタを完成させた。層間絶縁層の平均膜厚は、約１，５００ｎｍであった。
【０１３４】
（実施例２）
＜電界効果型トランジスタの作製＞
−パッシベーション層形成用塗布液の作製−
シクロヘキシルベンゼン１．２ｍＬに、サマリウムアセチルアセトナート三水和物（Ｓｔｒｅｍ  ９３−６２２６、Ｓｔｒｅｍ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ製）０．２６ｇと、２−エチルヘキサン酸ガドリニウムトルエン溶液（Ｇｄ含量２５％、Ｓｔｒｅｍ  ６４−３５００、Ｓｔｒｅｍ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ製)０．２３ｍＬと、２−エチルヘキサン酸バリウムトルエン溶液（Ｂａ含量８％、Ｗａｋｏ  ０２１−０９４７１、株式会社ワコーケミカル製）０．３５ｍＬとを混合し、パッシベーション層形成用塗布液を得た。前記パッシベーション層形成用塗布液によって形成される常誘電体アモルファス酸化物は、表１−１に示す組成となる。
【０１３５】
次に図１０に示すような、ボトムコンタクト・ボトムゲート型の電界効果型トランジスタを作製した。
【０１３６】
−ゲート電極の形成−
最初に、ガラス基板（基材９１）上にゲート電極９２を形成した。具体的には、ガラス基板（基材９１）上に、ＤＣスパッタリングによりＡｌ（アルミニウム）合金膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜した。この後、Ａｌ合金膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるゲート電極９２のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンが形成されていない領域のＡｌ合金膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Ａｌ合金膜からなるゲート電極９２を形成した。
【０１３７】
−ゲート絶縁層の形成−
次に、前記基板、及び前記ゲート電極上に、ゲート絶縁層９３を形成した。具体的には、前記基板、及び前記ゲート電極上に、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、Ｓｉ３Ｎ４膜を平均膜厚が約３００ｎｍとなるように成膜した。
【０１３８】
−ソース電極及びドレイン電極の形成−
次に、ゲート絶縁層９３上にソース電極９４及びドレイン電極９５を形成した。具体的には、ゲート絶縁層９３上にＤＣスパッタリングによりＡｌ（アルミニウム）合金膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜した。この後、Ａｌ合金膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるソース電極９４及びドレイン電極９５のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、ＲＩＥにより、レジストパターンの形成されていない領域のＡｌ合金膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Ａｌ合金膜からなるソース電極９４及びドレイン電極９５を形成した。
【０１３９】
−酸化物半導体層の形成−
次に、酸化物半導体層９６を形成した。具体的には、ＤＣスパッタリングにより、Ｍｇ−Ｉｎ系酸化物（Ｉｎ２ＭｇＯ４）膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜した。この後、Ｍｇ−Ｉｎ系酸化物膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成される酸化物半導体層９６のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域のＭｇ−Ｉｎ系酸化物膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、酸化物半導体層９６を形成した。これにより、ソース電極９４とドレイン電極９５との間にチャネルが形成されるように酸化物半導体層９６が形成された。
【０１４０】
−パッシベーション層の形成−
次に、前記パッシベーション層形成用塗布液０．６ｍＬを前記基板上へ滴下し、所定の条件でスピンコートした（１，０００ｒｐｍで５秒間回転させた後、３，０００ｒｐｍで２０秒間回転させ、５秒間で０ｒｐｍとなるように回転を止めた）。続いて、大気中で１２０℃１時間の乾燥処理後、Ｏ２雰囲気下で４００℃３時間の焼成を行い、パッシベーション層９７として、常誘電体アモルファス酸化物膜を形成した。パッシベーション層の平均膜厚は、１３５ｎｍであった。
【０１４１】
−層間絶縁層の形成−
次に、層間絶縁層９８を形成した。具体的には、ポジ型感光性有機無機複合材料（ＡＤＥＫＡナノハイブリッドシリコーンＦＸシリーズ、ＡＤＥＫＡ社製）をスピンコートにより、前記パッシベーション層９７上に塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、所望のパターンを得た。その後、１５０℃で１時間、２００℃で１時間のポストベークをした。
最後に、後工程の加熱処理として、２３０℃で１時間の熱処理をして、電界効果型トランジスタを完成させた。層間絶縁層の平均膜厚は、約１，５００ｎｍであった。
【０１４２】
（実施例３）
＜電界効果型トランジスタの作製＞
−パッシベーション層形成用塗布液の作製−
シクロヘキシルベンゼン１．２ｍＬに、ジスプロシウムアセチルアセトナート三水和物（Ｓｔｒｅｍ  ６６−２００２、Ｓｔｒｅｍ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ製）０．４５ｇと、２−エチルヘキサン酸ストロンチウムトルエン溶液（Ｓｒ含量２％、Ｗａｋｏ  １９５−０９５６１、株式会社ワコーケミカル製）０．３４ｍＬと、２−エチルヘキサン酸バリウムトルエン溶液（Ｂａ含量８％、Ｗａｋｏ  ０２１−０９４７１、株式会社ワコーケミカル製）０．１９ｍＬとを混合し、パッシベーション層形成用塗布液を得た。前記パッシベーション層形成用塗布液によって形成される常誘電体アモルファス酸化物は、表１−１に示す組成となる。
【０１４３】
次に図１０に示すような、ボトムコンタクト・ボトムゲート型の電界効果型トランジスタを作製した。
【０１４４】
−ゲート電極の形成−
最初に、ガラス基板（基材９１）上にゲート電極９２を形成した。具体的には、ガラス基板（基材９１）上に、ＤＣスパッタリングによりＡｌ（アルミニウム）合金膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜した。この後、Ａｌ合金膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるゲート電極９２のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンが形成されていない領域のＡｌ合金膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Ａｌ合金膜からなるゲート電極９２を形成した。
【０１４５】
−ゲート絶縁層の形成−
次に、前記基板、及び前記ゲート電極上に、ゲート絶縁層９３を形成した。具体的には、前記基板、及び前記ゲート電極上に、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、ＳｉＯＮ膜を平均膜厚が約３００ｎｍとなるように成膜した。
【０１４６】
−ソース電極及びドレイン電極の形成−
次に、ゲート絶縁層９３上にソース電極９４及びドレイン電極９５を形成した。具体的には、ゲート絶縁層９３上にＤＣスパッタリングによりＡｌ（アルミニウム）合金膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜した。この後、Ａｌ合金膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるソース電極９４及びドレイン電極９５のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、ＲＩＥにより、レジストパターンの形成されていない領域のＡｌ合金膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Ａｌ合金膜からなるソース電極９４及びドレイン電極９５を形成した。
【０１４７】
−酸化物半導体層の形成−
次に、酸化物半導体層９６を形成した。具体的には、ＤＣスパッタリングにより、Ｍｇ−Ｉｎ系酸化物（Ｉｎ２ＭｇＯ４）膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜した。この後、Ｍｇ−Ｉｎ系酸化物膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成される酸化物半導体層９６のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域のＭｇ−Ｉｎ系酸化物膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、酸化物半導体層９６を形成した。これにより、ソース電極９４とドレイン電極９５との間にチャネルが形成されるように酸化物半導体層９６が形成された。
【０１４８】
−パッシベーション層の形成−
次に、前記パッシベーション層形成用塗布液０．６ｍＬを前記基板上へ滴下し、所定の条件でスピンコートした（１，０００ｒｐｍで５秒間回転させた後、３，０００ｒｐｍで２０秒間回転させ、５秒間で０ｒｐｍとなるように回転を止めた）。続いて、大気中で１２０℃１時間の乾燥処理後、Ｏ２雰囲気下で４００℃３時間の焼成を行い、パッシベーション層９７として、常誘電体アモルファス酸化物膜を形成した。パッシベーション層の平均膜厚は、１３５ｎｍであった。
【０１４９】
−層間絶縁層の形成−
次に、層間絶縁層９８を形成した。具体的には、ポジ型感光性有機無機複合材料（ＡＤＥＫＡナノハイブリッドシリコーンＦＸシリーズ、ＡＤＥＫＡ社製）をスピンコートにより、前記パッシベーション層９７上に塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、所望のパターンを得た。その後、１５０℃で１時間、２００℃で１時間のポストベークをした。
最後に、後工程の加熱処理として、２３０℃で１時間の熱処理をして、電界効果型トランジスタを完成させた。層間絶縁層の平均膜厚は、約１，５００ｎｍであった。
【０１５０】
（実施例４）
＜電界効果型トランジスタの作製＞
−パッシベーション層形成用塗布液の作製−
シクロヘキシルベンゼン１．２ｍＬに、２−エチルヘキサン酸ランタントルエン溶液（Ｌａ含量７％、Ｗａｋｏ  １２２−０３３７１、株式会社ワコーケミカル製）１．９５ｍＬと、２−エチルヘキサン酸ストロンチウムトルエン溶液（Ｓｒ含量２％、Ｗａｋｏ  １９５−０９５６１、株式会社ワコーケミカル製）０．５７ｍＬと、２−エチルヘキサン酸酸化ジルコニウムミネラルスピリット溶液（Ｚｒ含量１２％、Ｗａｋｏ  ２６９−０１１１６、株式会社ワコーケミカル製）０．０９ｍＬとを混合し、パッシベーション層形成用塗布液を得た。前記パッシベーション層形成用塗布液によって形成される常誘電体アモルファス酸化物は、表１−１に示す組成となる。
【０１５１】
次に図１０に示すような、ボトムコンタクト・ボトムゲート型の電界効果型トランジスタを作製した。
【０１５２】
−ゲート電極の形成−
最初に、ガラス基板（基材９１）上にゲート電極９２を形成した。具体的には、ガラス基板（基材９１）上に、ＤＣスパッタリングによりＡｌ（アルミニウム）合金膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜した。この後、Ａｌ合金膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるゲート電極９２のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンが形成されていない領域のＡｌ合金膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Ａｌ合金膜からなるゲート電極９２を形成した。
【０１５３】
−ゲート絶縁層の形成−
次に、前記基板、及び前記ゲート電極上に、ゲート絶縁層９３を形成した。具体的には、前記基板、及び前記ゲート電極上に、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、ＳｉＯ２膜を平均膜厚が約３００ｎｍとなるように成膜した。
【０１５４】
−ソース電極及びドレイン電極の形成−
次に、ゲート絶縁層９３上にソース電極９４及びドレイン電極９５を形成した。具体的には、ゲート絶縁層９３上にＤＣスパッタリングによりＡｌ（アルミニウム）合金膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜した。この後、Ａｌ合金膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるソース電極９４及びドレイン電極９５のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、ＲＩＥにより、レジストパターンの形成されていない領域のＡｌ合金膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Ａｌ合金膜からなるソース電極９４及びドレイン電極９５を形成した。
【０１５５】
−酸化物半導体層の形成−
次に、酸化物半導体層９６を形成した。具体的には、ＤＣスパッタリングにより、Ｍｇ−Ｉｎ系酸化物（Ｉｎ２ＭｇＯ４）膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜した。この後、Ｍｇ−Ｉｎ系酸化物膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成される酸化物半導体層９６のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域のＭｇ−Ｉｎ系酸化物膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、酸化物半導体層９６を形成した。これにより、ソース電極９４とドレイン電極９５との間にチャネルが形成されるように酸化物半導体層９６が形成された。
【０１５６】
−パッシベーション層の形成−
次に、前記パッシベーション層形成用塗布液０．６ｍＬを前記基板上へ滴下し、所定の条件でスピンコートした（１，０００ｒｐｍで５秒間回転させた後、３，０００ｒｐｍで２０秒間回転させ、５秒間で０ｒｐｍとなるように回転を止めた）。続いて、大気中で１２０℃１時間の乾燥処理後、Ｏ２雰囲気下で４００℃３時間の焼成を行い、パッシベーション層９７として、常誘電体アモルファス酸化物膜を形成した。パッシベーション層の平均膜厚は、１３５ｎｍであった。
【０１５７】
−層間絶縁層の形成−
次に、層間絶縁層９８を形成した。具体的には、ポジ型感光性有機無機複合材料（ＡＤＥＫＡナノハイブリッドシリコーンＦＸシリーズ、ＡＤＥＫＡ社製）をスピンコートにより、前記パッシベーション層９７上に塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、所望のパターンを得た。その後、１５０℃で１時間、２００℃で１時間のポストベークをした。
最後に、後工程の加熱処理として、２３０℃で１時間の熱処理をして、電界効果型トランジスタを完成させた。層間絶縁層の平均膜厚は、約１，５００ｎｍであった。
【０１５８】
（実施例５）
＜電界効果型トランジスタの作製＞
−パッシベーション層形成用塗布液の作製−
シクロヘキシルベンゼン１．２ｍＬに、スカンジウム（ＩＩＩ）トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘブタンジオナート）水和物（ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ  ５１７６０７、ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ製）０．６０ｇと、２−エチルヘキサン酸マグネシウムトルエン溶液（Ｍｇ含量３％、Ｓｔｒｅｍ  １２−１２６０、Ｓｔｒｅｍ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ製）０．０９ｍＬと、２−エチルヘキサン酸ハフニウム２−エチルヘキサン酸溶液（Ｇｅｌｅｓｔ  ＡＫＨ３３２、Ｇｅｌｅｓｔ製）０．０３ｍＬとを混合し、パッシベーション層形成用塗布液を得た。前記パッシベーション層形成用塗布液によって形成される常誘電体アモルファス酸化物は、表１−２に示す組成となる。
【０１５９】
次に図１０に示すような、ボトムコンタクト・ボトムゲート型の電界効果型トランジスタを作製した。
【０１６０】
−ゲート電極の形成−
最初に、ガラス基板（基材９１）上にゲート電極９２を形成した。具体的には、ガラス基板（基材９１）上に、ＤＣスパッタリングによりＡｌ（アルミニウム）合金膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜した。この後、Ａｌ合金膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるゲート電極９２のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンが形成されていない領域のＡｌ合金膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Ａｌ合金膜からなるゲート電極９２を形成した。
【０１６１】
−ゲート絶縁層の形成−
次に、前記基板、及び前記ゲート電極上に、ゲート絶縁層９３を形成した。具体的には、前記基板、及び前記ゲート電極上に、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、Ｓｉ３Ｎ４膜を平均膜厚が約３００ｎｍとなるように成膜した。
【０１６２】
−ソース電極及びドレイン電極の形成−
次に、ゲート絶縁層９３上にソース電極９４及びドレイン電極９５を形成した。具体的には、ゲート絶縁層９３上にＤＣスパッタリングによりＡｌ（アルミニウム）合金膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜した。この後、Ａｌ合金膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるソース電極９４及びドレイン電極９５のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、ＲＩＥにより、レジストパターンの形成されていない領域のＡｌ合金膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Ａｌ合金膜からなるソース電極９４及びドレイン電極９５を形成した。
【０１６３】
−酸化物半導体層の形成−
次に、酸化物半導体層９６を形成した。具体的には、ＤＣスパッタリングにより、Ｍｇ−Ｉｎ系酸化物（Ｉｎ２ＭｇＯ４）膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜した。この後、Ｍｇ−Ｉｎ系酸化物膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成される酸化物半導体層９６のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域のＭｇ−Ｉｎ系酸化物膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、酸化物半導体層９６を形成した。これにより、ソース電極９４とドレイン電極９５との間にチャネルが形成されるように酸化物半導体層９６が形成された。
【０１６４】
−パッシベーション層の形成−
次に、前記パッシベーション層形成用塗布液０．６ｍＬを前記基板上へ滴下し、所定の条件でスピンコートした（１，０００ｒｐｍで５秒間回転させた後、３，０００ｒｐｍで２０秒間回転させ、５秒間で０ｒｐｍとなるように回転を止めた）。続いて、大気中で１２０℃１時間の乾燥処理後、Ｏ２雰囲気下で４００℃３時間の焼成を行い、パッシベーション層９７として、常誘電体アモルファス酸化物膜を形成した。パッシベーション層の平均膜厚は、１３５ｎｍであった。
【０１６５】
−層間絶縁層の形成−
次に、層間絶縁層９８を形成した。具体的には、ポジ型感光性有機無機複合材料（ＡＤＥＫＡナノハイブリッドシリコーンＦＸシリーズ、ＡＤＥＫＡ社製）をスピンコートにより、前記パッシベーション層９７上に塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、所望のパターンを得た。その後、１５０℃で１時間、２００℃で１時間のポストベークをした。
最後に、後工程の加熱処理として、２３０℃で１時間の熱処理をして、電界効果型トランジスタを完成させた。層間絶縁層の平均膜厚は、約１，５００ｎｍであった。
【０１６６】
（実施例６）
＜電界効果型トランジスタの作製＞
−パッシベーション層形成用塗布液の作製−
シクロヘキシルベンゼン１．２ｍＬに、２−エチルヘキサン酸ネオジム２−エチルヘキサン酸溶液（Ｎｄ含量１２％、Ｓｔｒｅｍ  ６０−２４００、Ｓｔｒｅｍ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ製）０．０５ｍＬと、２−エチルヘキサン酸ユウロピウム（Ｓｔｒｅｍ  ９３−６３１１、Ｓｔｒｅｍ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ製）０．３２ｇと、２−エチルヘキサン酸バリウムトルエン溶液（Ｂａ含量８％、Ｗａｋｏ  ０２１−０９４７１、株式会社ワコーケミカル製）０．１２ｍＬと、２−エチルヘキサン酸酸化ジルコニウムミネラルスピリット溶液（Ｚｒ含量１２％、Ｗａｋｏ  ２６９−０１１１６、株式会社ワコーケミカル製）０．０３ｍＬと、２−エチルヘキサン酸ハフニウム２−エチルヘキサン酸溶液（Ｇｅｌｅｓｔ  ＡＫＨ３３２、Ｇｅｌｅｓｔ製）０．０６ｍＬとを混合し、パッシベーション層形成用塗布液を得た。前記パッシベーション層形成用塗布液によって形成される常誘電体アモルファス酸化物は、表１−２に示す組成となる。
【０１６７】
次に図１０に示すような、ボトムコンタクト・ボトムゲート型の電界効果型トランジスタを作製した。
【０１６８】
−ゲート電極の形成−
最初に、ガラス基板（基材９１）上にゲート電極９２を形成した。具体的には、ガラス基板（基材９１）上に、ＤＣスパッタリングによりＡｌ（アルミニウム）合金膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜した。この後、Ａｌ合金膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるゲート電極９２のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンが形成されていない領域のＡｌ合金膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Ａｌ合金膜からなるゲート電極９２を形成した。
【０１６９】
−ゲート絶縁層の形成−
次に、前記基板、及び前記ゲート電極上に、ゲート絶縁層９３を形成した。具体的には、前記基板、及び前記ゲート電極上に、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、ＳｉＯＮ膜を平均膜厚が約３００ｎｍとなるように成膜した。
【０１７０】
−ソース電極及びドレイン電極の形成−
次に、ゲート絶縁層９３上にソース電極９４及びドレイン電極９５を形成した。具体的には、ゲート絶縁層９３上にＤＣスパッタリングによりＡｌ（アルミニウム）合金膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜した。この後、Ａｌ合金膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるソース電極９４及びドレイン電極９５のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、ＲＩＥにより、レジストパターンの形成されていない領域のＡｌ合金膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Ａｌ合金膜からなるソース電極９４及びドレイン電極９５を形成した。
【０１７１】
−酸化物半導体層の形成−
次に、酸化物半導体層９６を形成した。具体的には、ＤＣスパッタリングにより、Ｍｇ−Ｉｎ系酸化物（Ｉｎ２ＭｇＯ４）膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜した。この後、Ｍｇ−Ｉｎ系酸化物膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成される酸化物半導体層９６のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域のＭｇ−Ｉｎ系酸化物膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、酸化物半導体層９６を形成した。これにより、ソース電極９４とドレイン電極９５との間にチャネルが形成されるように酸化物半導体層９６が形成された。
【０１７２】
−パッシベーション層の形成−
次に、前記パッシベーション層形成用塗布液０．６ｍＬを前記基板上へ滴下し、所定の条件でスピンコートした（１，０００ｒｐｍで５秒間回転させた後、３，０００ｒｐｍで２０秒間回転させ、５秒間で０ｒｐｍとなるように回転を止めた）。続いて、大気中で１２０℃１時間の乾燥処理後、Ｏ２雰囲気下で４００℃３時間の焼成を行い、パッシベーション層９７として、常誘電体アモルファス酸化物膜を形成した。パッシベーション層の平均膜厚は、１３５ｎｍであった。
【０１７３】
−層間絶縁層の形成−
次に、層間絶縁層９８を形成した。具体的には、ポジ型感光性有機無機複合材料（ＡＤＥＫＡナノハイブリッドシリコーンＦＸシリーズ、ＡＤＥＫＡ社製）をスピンコートにより、前記パッシベーション層９７上に塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、所望のパターンを得た。その後、１５０℃で１時間、２００℃で１時間のポストベークをした。
最後に、後工程の加熱処理として、２３０℃で１時間の熱処理をして、電界効果型トランジスタを完成させた。層間絶縁層の平均膜厚は、約１，５００ｎｍであった。
【０１７４】
（実施例７）
＜電界効果型トランジスタの作製＞
−パッシベーション層形成用塗布液の作製−
シクロヘキシルベンゼン１．２ｍＬに、イッテルビウムアセチルアセトナート三水和物（Ｓｔｒｅｍ  ７０−２２０２、Ｓｔｒｅｍ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ製）０．４９ｇと、２−エチルヘキサン酸カルシウム２−エチルヘキサン酸溶液（Ｃａ含量３％−８％、Ａｌｆａ３６６５７、Ａｌｆａ  Ａｅｓａｒ製）０．０３ｍＬと、２−エチルヘキサン酸ストロンチウムトルエン溶液（Ｓｒ含量２％、Ｗａｋｏ  １９５−０９５６１、株式会社ワコーケミカル製）０．０９ｍＬと、２−エチルヘキサン酸酸化ジルコニウムミネラルスピリット溶液（Ｚｒ含量１２％、Ｗａｋｏ  ２６９−０１１１６、株式会社ワコーケミカル製）０．０３ｍＬと、２−エチルヘキサン酸ハフニウム２−エチルヘキサン酸溶液（Ｇｅｌｅｓｔ  ＡＫＨ３３２、Ｇｅｌｅｓｔ製）０．０１ｍＬとを混合し、パッシベーション層形成用塗布液を得た。前記パッシベーション層形成用塗布液によって形成される常誘電体アモルファス酸化物は、表１−２に示す組成となる。
【０１７５】
次に図１０に示すような、ボトムコンタクト・ボトムゲート型の電界効果型トランジスタを作製した。
【０１７６】
−ゲート電極の形成−
最初に、ガラス基板（基材９１）上にゲート電極９２を形成した。具体的には、ガラス基板（基材９１）上に、ＤＣスパッタリングによりＡｌ（アルミニウム）合金膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜した。この後、Ａｌ合金膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるゲート電極９２のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンが形成されていない領域のＡｌ合金膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Ａｌ合金膜からなるゲート電極９２を形成した。
【０１７７】
−ゲート絶縁層の形成−
次に、前記基板、及び前記ゲート電極上に、ゲート絶縁層９３を形成した。具体的には、前記基板、及び前記ゲート電極上に、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、ＳｉＯ２膜を平均膜厚が約３００ｎｍとなるように成膜した。
【０１７８】
−ソース電極及びドレイン電極の形成−
次に、ゲート絶縁層９３上にソース電極９４及びドレイン電極９５を形成した。具体的には、ゲート絶縁層９３上にＤＣスパッタリングによりＡｌ（アルミニウム）合金膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜した。この後、Ａｌ合金膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるソース電極９４及びドレイン電極９５のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、ＲＩＥにより、レジストパターンの形成されていない領域のＡｌ合金膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Ａｌ合金膜からなるソース電極９４及びドレイン電極９５を形成した。
【０１７９】
−酸化物半導体層の形成−
次に、酸化物半導体層９６を形成した。具体的には、ＤＣスパッタリングにより、Ｍｇ−Ｉｎ系酸化物（Ｉｎ２ＭｇＯ４）膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜した。この後、Ｍｇ−Ｉｎ系酸化物膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成される酸化物半導体層９６のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域のＭｇ−Ｉｎ系酸化物膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、酸化物半導体層９６を形成した。これにより、ソース電極９４とドレイン電極９５との間にチャネルが形成されるように酸化物半導体層９６が形成された。
【０１８０】
−パッシベーション層の形成−
次に、前記パッシベーション層形成用塗布液０．６ｍＬを前記基板上へ滴下し、所定の条件でスピンコートした（１，０００ｒｐｍで５秒間回転させた後、３，０００ｒｐｍで２０秒間回転させ、５秒間で０ｒｐｍとなるように回転を止めた）。続いて、大気中で１２０℃１時間の乾燥処理後、Ｏ２雰囲気下で４００℃３時間の焼成を行い、パッシベーション層９７として、常誘電体アモルファス酸化物膜を形成した。パッシベーション層の平均膜厚は、１３５ｎｍであった。
【０１８１】
−層間絶縁層の形成−
次に、層間絶縁層９８を形成した。具体的には、ポジ型感光性有機無機複合材料（ＡＤＥＫＡナノハイブリッドシリコーンＦＸシリーズ、ＡＤＥＫＡ社製）をスピンコートにより、前記パッシベーション層９７上に塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、所望のパターンを得た。その後、１５０℃で１時間、２００℃で１時間のポストベークをした。
最後に、後工程の加熱処理として、２３０℃で１時間の熱処理をして、電界効果型トランジスタを完成させた。層間絶縁層の平均膜厚は、約１，５００ｎｍであった。
【０１８２】
（比較例１）
＜電界効果型トランジスタの作製＞
−パッシベーション層形成用塗布液の作製−
トルエン１ｍＬに、２−エチルヘキサン酸ガドリニウムトルエン溶液（Ｇａ含量２５ｗｔ％、Ｓｔｒｅｍ  ６４−３５００、Ｓｔｒｅｍ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ製）０．３１ｍＬと、２−エチルヘキサン酸バリウムトルエン溶液（Ｂａ含量８ｗｔ％、Ｗａｋｏ  ０２１−０９４７１、株式会社ワコーケミカル製）０．２３ｍＬとを混合し、パッシベーション層形成用塗布液を得た。前記パッシベーション層形成用塗布液によって形成される常誘電体アモルファス酸化物は、表１−２に示す組成となる。
【０１８３】
図１０に示すような、ボトムコンタクト・ボトムゲート型の電界効果型トランジスタを作製した。
【０１８４】
−ゲート電極の形成−
最初に、ガラス基板（基材９１）上にゲート電極９２を形成した。具体的には、ガラス基板（基材９１）上に、ＤＣスパッタリングによりＭｏ（モリブデン）膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜した。この後、Ｍｏ膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるゲート電極９２のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンが形成されていない領域のＭｏ膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Ｍｏ膜からなるゲート電極９２を形成した。
【０１８５】
−ゲート絶縁層の形成−
次に、前記基板、及び前記ゲート電極上に、ゲート絶縁層９３を形成した。具体的には、前記基板、及び前記ゲート電極上に、ＲＦスパッタリングによりＡｌ２Ｏ３膜を平均膜厚が約３００ｎｍとなるように成膜し、ゲート絶縁層９３を形成した。
【０１８６】
−ソース電極及びドレイン電極の形成−
次に、ゲート絶縁層９３上にソース電極９４及びドレイン電極９５を形成した。具体的には、ゲート絶縁層９３上にＤＣスパッタリングによりＭｏ（モリブデン）膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜した。この後、Ｍｏ膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるソース電極９４及びドレイン電極９５のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、ＲＩＥにより、レジストパターンの形成されていない領域のＭｏ膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Ｍｏ膜からなるソース電極９４及びドレイン電極９５を形成した。
【０１８７】
−酸化物半導体層の形成−
次に、酸化物半導体層９６を形成した。具体的には、ＤＣスパッタリングにより、Ｍｇ−Ｉｎ系酸化物（Ｉｎ２ＭｇＯ４）膜を平均膜厚が約１００ｎｍとなるように成膜した。この後、Ｍｇ−Ｉｎ系酸化物膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成される酸化物半導体層９６のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域のＭｇ−Ｉｎ系酸化物膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、酸化物半導体層９６を形成した。これにより、ソース電極９４とドレイン電極９５との間にチャネルが形成されるように酸化物半導体層９６が形成された。
【０１８８】
−パッシベーション層の形成−
次に、前記パッシベーション層形成用塗布液０．４ｍＬを前記基板上へ滴下し、所定の条件でスピンコートした（３，０００ｒｐｍで２０秒間回転させ、５秒間で０ｒｐｍとなるように回転を止めた。）続いて、大気中で１２０℃１時間の乾燥処理後、Ｏ２雰囲気下で４００℃３時間の焼成を行い、パッシベーション層９７として、常誘電体アモルファス酸化物膜を形成した。
【０１８９】
−層間絶縁層の形成−
次に、層間絶縁層９８を形成した。具体的には、ポジ型感光性有機無機複合材料（ＡＤＥＫＡナノハイブリッドシリコーンＦＸシリーズ、ＡＤＥＫＡ社製）をスピンコートにより、前記パッシベーション層９７上に塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、所望のパターンを得た。その後、１５０℃で１時間、２００℃で１時間のポストベークをした。
最後に、後工程の加熱処理として、２３０℃で１時間の熱処理をして、電界効果型トランジスタを完成させた。層間絶縁層の平均膜厚は、約１，５００ｎｍであった。
【０１９０】
【表１−１】
0006701835.tif 000002
【０１９１】
【表１−２】
0006701835.tif 000003
【０１９２】
＜電界効果型トランジスタのトランジスタ特性評価＞
実施例１〜７、及び比較例１で作製した電界効果型トランジスタに対して、電界効果型トランジスタ完成後のトランジスタ特性を評価した。
トランジスタ特性は、ドレイン電極９５−ソース電極９４間電圧（Ｖｄｓ）＝＋１０Ｖとした場合の、ゲート電極９２−ソース電極間電圧（Ｖｇｓ）とドレイン電極９５−ソース電極９４間電流（Ｉｄｓ）との関係（Ｖｇｓ−Ｉｄｓ）を測定した。
また、トランジスタ特性（Ｖｇｓ−Ｉｄｓ）の評価結果より、飽和領域における電界効果移動度を算出した。また、トランジスタのオン状態（例えばＶｇｓ＝＋１０Ｖ）とオフ状態（例えばＶｇｓ＝−１０Ｖ）のＩｄｓの比（ｏｎ／ｏｆｆ比、オン／オフ比）を算出した。また、Ｖｇｓ印加に対するＩｄｓの立ち上がりの鋭さの指標として、Ｓ値を算出した。また、Ｖｇｓ印加に対するＩｄｓの立ち上がりの電圧値として、閾値電圧（Ｖｔｈ）を算出した。
【０１９３】
実施例１〜７、及び比較例１で作製した電界効果型トランジスタのトランジスタ特性から算出した、移動度、ｏｎ／ｏｆｆ比、Ｓ値、及びＶｔｈを表２に示す。以下では、トランジスタ特性の結果において、移動度が高く、ｏｎ／ｏｆｆ比が高く、Ｓ値が低く、Ｖｔｈが０Ｖ付近であることを優れたトランジスタ特性と表現する。具体的には、移動度が３ｃｍ２／Ｖｓ以上、ｏｎ／ｏｆｆ比が１．０×１０８以上、Ｓ値が０．７以下、Ｖｔｈが±５Ｖの範囲内であることを優れたトランジスタ特性と表現する。
【０１９４】
表２より、実施例１〜７、及び比較例１で作製した電界効果型トランジスタは、移動度が高く、ｏｎ／ｏｆｆ比が高く、Ｓ値が低く、Ｖｔｈが±５Ｖの範囲内にあり、優れたトランジスタ特性を示すことがわかる。
【０１９５】
【表２】
0006701835.tif 000004
【０１９６】
＜電界効果型トランジスタのトランジスタ信頼性評価＞
実施例１〜７、及び比較例１で作製した電界効果型トランジスタに対し、大気中（温度５０℃、相対湿度５０％）でＢＴＳ（Ｂｉａｓ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｓｔｒｅｓｓ）試験を１００時間実施した。
ストレス条件は以下の４条件とした。
（１）Ｖｇｓ＝＋１０Ｖ、及びＶｄｓ＝０Ｖ
（２）Ｖｇｓ＝＋１０Ｖ、及びＶｄｓ＝＋１０Ｖ
（３）Ｖｇｓ＝−１０Ｖ、及びＶｄｓ＝０Ｖ
（４）Ｖｇｓ＝−１０Ｖ、及びＶｄｓ＝＋１０Ｖ
また、ＢＴＳ試験が一定時間経過するごとに、Ｖｄｓ＝＋１０Ｖとした場合の、ＶｇｓとＩｄｓとの関係（Ｖｇｓ−Ｉｄｓ）を測定した。
【０１９７】
実施例４で作製した電界効果型トランジスタにおいて、ストレス条件をＶｇｓ＝＋１０Ｖ、及びＶｄｓ＝０ＶとしたＢＴＳ試験のＶｇｓ−Ｉｄｓの結果を図１１に示した。また、図１２に、実施例４、及び比較例１で電界効果型トランジスタのストレス条件Ｖｇｓ＝＋１０Ｖ、及びＶｄｓ＝０Ｖにおける、ストレス時間に対する閾値電圧の変化量（ΔＶｔｈ）を示した。また、実施例１〜７、及び比較例１で作製した電界効果型トランジスタのＢＴＳ試験における、ストレス時間１００時間でのΔＶｔｈの値を表３に示した。ここで、ΔＶｔｈとは、ストレス時間０時間から、あるストレス時間までのＶｔｈの変化量を示す。
また、図１１グラフの縦軸、並びに図１２のグラフの横軸及び縦軸における、「ｅ」は、１０のべき乗を表す。例えば、「１ｅ−３」は、「１．０×１０−３」及び「０．００１」を表し、「１ｅ＋０５」は「１．０×１０＋５」及び「１００，０００」を表す。
図１２、及び表３より、実施例４で作製した電界効果型トランジスタは、ΔＶｔｈシフトが小さく、ＢＴＳ試験に対する優れた信頼性を示すことがわかった。同様に、表３より、実施例１〜３、及び実施例５〜７で作製した電界効果型トランジスタは、ΔＶｔｈシフトが小さく、ＢＴＳ試験に対する優れた信頼性を示すことがわかった。
一方、図１２及び表３より、比較例１で作製した電界効果型トランジスタは、ΔＶｔｈシフトが大きく、ＢＴＳ試験に対する信頼性が不十分であった。
【０１９８】
【表３】
0006701835.tif 000005
【０１９９】
本発明の態様は、例えば、以下のとおりである。
＜１＞  基材と、
パッシベーション層と、
前記基材、及び前記パッシベーション層の間に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層と接するように形成されたソース電極、及びドレイン電極と、
少なくとも前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の間に形成され、前記ゲート絶縁層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極と接する半導体層と、
前記ゲート絶縁層と接し、前記ゲート絶縁層を介して前記半導体層と対向するゲート電極とを有し、
前記パッシベーション層が、アルカリ土類金属である第Ａ元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びランタノイドの少なくともいずれかである第Ｂ元素とを含有する常誘電体アモルファス酸化物を含有する単一層からなり、
前記ゲート絶縁層が、Ｓｉの酸化物、Ｓｉの窒化物、及びＳｉの酸窒化物の少なくともいずれかを含有することを特徴とする電界効果型トランジスタである。
＜２＞  前記常誘電体アモルファス酸化物が、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、及びＴａの少なくともいずれかを含有する前記＜１＞に記載の電界効果型トランジスタである。
＜３＞  前記半導体層が、酸化物半導体である前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の電界効果型トランジスタである。
＜４＞  駆動信号に応じて光出力が制御される光制御素子と、
前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の電界効果型トランジスタを有し、かつ前記光制御素子を駆動する駆動回路と、を有することを特徴とする表示素子である。
＜５＞  光制御素子が、エレクトロルミネッセンス素子、エレクトロクロミック素子、液晶素子、電気泳動素子、及びエレクトロウェッティング素子のいずれかを有する前記＜４＞に記載の表示素子である。
＜６＞  画像データに応じた画像を表示する画像表示装置であって、
マトリックス状に配置された複数の前記＜４＞から＜５＞のいずれかに記載の表示素子と、
前記複数の表示素子における各電界効果型トランジスタにゲート電圧を個別に印加するための複数の配線と、
前記画像データに応じて、前記各電界効果型トランジスタのゲート電圧を前記複数の配線を介して個別に制御する表示制御装置とを有することを特徴とする画像表示装置である。
＜７＞  前記＜６＞に記載の画像表示装置と、
表示する画像情報に基づいて画像データを作成し、該画像データを前記画像表示装置に出力する画像データ作成装置とを有することを特徴とするシステムである。
【０２００】
前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ、前記＜４＞から＜５＞のいずれかに記載の表示素子、前記＜６＞に記載の画像表示装置、前記＜７＞に記載のシステムによれば、従来における前記諸問題を解決し、前記本発明の目的を達成することができる。
【符号の説明】
【０２０１】
１１    電界効果型トランジスタ
１２    電界効果型トランジスタ
１３    キャパシタ
１４    電界効果型トランジスタ
１５    キャパシタ
１６    対向電極
２１    基材
２２    ゲート電極
２３    ゲート絶縁層
２４    ソース電極
２５    ドレイン電極
２６    酸化物半導体層
２７    パッシベーション層
３１    基材
３２    第Ｉのゲート電極
３３    第ＩＩのゲート電極
３４    ゲート絶縁層
３５    第Ｉのソース電極
３６    第ＩＩのソース電極
３７    第Ｉのドレイン電極
３８    第ＩＩのドレイン電極
３９    第Ｉの酸化物半導体層
４０    第ＩＩの酸化物半導体層
４１    第Ｉのパッシベーション層
４２    第ＩＩのパッシベーション層
４３    層間絶縁層
４４    有機ＥＬ層
４５    陰極
９１    基材
９２    ゲート電極
９３    ゲート絶縁層
９４    ソース電極
９５    ドレイン電極
９６    酸化物半導体層
９７    パッシベーション層
９８    層間絶縁層
３０２、３０２’    表示素子
３１０    ディスプレイ
３１２    陰極
３１４    陽極
３２０、３２０’    ドライブ回路（駆動回路）
３４０    有機ＥＬ薄膜層
３４２    電子輸送層
３４４    発光層
３４６    正孔輸送層
３５０    有機ＥＬ素子
３７０    液晶素子
３７２    対向電極
４００    表示制御装置
４０２    画像データ処理回路
４０４    走査線駆動回路
４０６    データ線駆動回路
【先行技術文献】
【特許文献】
【０２０２】
【特許文献１】特開２０１０−１３５４６２
【特許文献２】特開２０１５−１１１６５３
【非特許文献】
【０２０３】
【非特許文献１】Ｋ．Ｎｏｍｕｒａ，他５名、「Ｒｏｏｍ−ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｔｈｉｎｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ  ｕｓｉｎｇ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ」、ＮＡＴＵＲＥ、ＶＯＬ４３２、２５、ＮＯＶＥＭＢＥＲ、２００４、ｐ．４８８−４９２
【非特許文献２】Ｙ．Ｏｈｔａ，他１１名、「Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ  ＴＦＴ−ＬＣＤｓ  ｗｉｔｈ  ｈｉｇｈ  ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ」、ＩＤＷ‘０９、２００９、ｐ．１６８５−１６８８
【図１】
0006701835.tif 000006
【図２】
0006701835.tif 000007
【図３Ａ】
0006701835.tif 000008
【図３Ｂ】
0006701835.tif 000009
【図３Ｃ】
0006701835.tif 000010
【図３Ｄ】
0006701835.tif 000011
【図４】
0006701835.tif 000012
【図５】
0006701835.tif 000013
【図６】
0006701835.tif 000014
【図７】
0006701835.tif 000015
【図８】
0006701835.tif 000016
【図９】
0006701835.tif 000017
【図１０】
0006701835.tif 000018
【図１１】
0006701835.tif 000019
【図１２】
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