(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに離間して配置された複数の太陽電池が配線材を介して接続された太陽電池ストリング、前記太陽電池ストリングの受光面側に配置された光透過性の受光面保護材、および前記太陽電池ストリングの裏面側に配置された裏面保護材、を備える太陽電池モジュールであって、
前記太陽電池は、光電変換部と、前記光電変換部の受光面に設けられたパターン状の受光面金属電極と、前記光電変換部の裏面に設けられたパターン状の裏面金属電極とを有し、
太陽電池の裏面には、前記光電変換部と前記裏面保護材との間に金属膜が設けられており、かつ太陽電池の裏面の周縁には前記金属膜が設けられていないセル露出領域が存在し、
前記金属膜が前記光電変換部に接しており、
前記裏面金属電極の少なくとも一部は、前記セル露出領域に設けられている、太陽電池モジュール。
【請求項２】
太陽電池の裏面における前記セル露出領域の面積が、前記金属膜が設けられている領域の面積の０．０５〜０．５倍である、請求項１に記載の太陽電池モジュール。
【請求項３】
前記裏面保護材が光反射性を有する、請求項１または２に記載の太陽電池モジュール。
【請求項４】
太陽電池が配置されていない領域に光反射部材が設けられている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の太陽電池モジュール。
【請求項５】
前記光反射部材は、受光面側の表面に凹凸構造を有する、請求項４に記載の太陽電池モジュール。
【請求項６】
前記光反射部材は、隣接して配置された太陽電池の辺と平行に延在する凸部を有する、請求項５に記載の太陽電池モジュール。
【請求項７】
前記太陽電池ストリングと前記受光面保護材との間には受光面封止材が配置され、前記太陽電池ストリングと前記裏面保護材との間には裏面封止材が配置され、
前記裏面封止材の厚みが前記受光面封止材の厚みよりも大きい、請求項１〜６のいずれか１項に記載の太陽電池モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光利用効率に優れる太陽電池モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
単結晶シリコン基板や多結晶シリコン基板等の結晶半導体基板を用いた結晶系太陽電池は、受光面側にパターン状の金属電極を備える。両面入射型の太陽電池では、裏面側にもパターン状の金属電極が設けられている。単面入射型の太陽電池では、半導体基板で吸収されずに裏面に到達した光を有効に利用するために、セルの裏面側の全面に光反射性の金属電極が設けられることが一般的である。特に、コストダウン等の観点から厚みの小さい結晶半導体基板を用いる場合は、半導体基板で吸収されずにセルの裏面に到達する光の量が多いため、裏面側に面状の金属電極を設けることが有効である。【０００３】
結晶系太陽電池は１つのセルの面積が小さいため、配線材を介して複数のセルを電気的に接続した太陽電池ストリングを、受光面側のガラス板と裏面側のバックシートとの間に封止することによりモジュール化したものが実用に供される。太陽電池ストリングにおいて、隣接して配置されるセル間には、一般に２〜４ｍｍ程度の隙間が設けられる。この隙間に照射された光を反射してセルに入射させ、発電に寄与させることにより、モジュール変換効率を向上できる。【０００４】
セル間の隙間に照射された光を有効に利用するために、単面入射型の太陽電池モジュールでは、光散乱反射性のバックシートが用いられている。特許文献１および特許文献２では、セル間の隙間に対応する位置に凹凸形状の反射材を設け、光の反射方向を制御することにより、セルの受光面側または裏面側からの反射光の入射量を増大させる方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−４３６００号公報
【特許文献２】特開２０１０−２８７６８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載されているように、裏面側の全面に金属電極が設けられたセルを用いた単面入射型の太陽電池モジュールでは、バックシート側からの反射光がセルの裏面に当たっても発電には寄与しない。そのため、バックシート側からの反射光を、受光面側のガラス板で再反射させ、受光面側からセルに入射するように反射光の角度を調整する必要がある。しかし、バックシート上に設けられる反射材の凹凸の形状や角度を調整しても、セルの裏面への光の反射を完全になくすことはできない。【０００７】
両面入射型の太陽電池モジュールでは、裏面側からの光を利用するために、透明なバックシートが用いられる。上記の様に、セル間の隙間に対応する位置に反射材を設けることにより、受光面（表面）側からセル間の隙間に照射された光を反射させ、有効に利用できる。両面入射型の太陽電池モジュールでは、セルの裏面側の金属電極がグリッド状であるため、バックシート側から反射してセルの裏面に当たる光も有効に利用できる。しかし、セルが配置されている領域のバックシートは透明であるため、受光面側からセルに入射して、半導体基板で吸収されずにモジュールの裏面へ到達した光は、バックシートを透過してモジュール外に散逸してしまう。【０００８】
単面入射型モジュールにおけるバックシートからセルの裏面への反射光や、両面入射型モジュールにおいてバックシートを透過した光の一部は、反射・散乱を繰り返してセルに入射するが、その過程でロスが生じる。そのため、セルに入射する光量は少なく、光利用効率の向上には改善の余地がある。上記に鑑み、本発明は、セル間の隙間に照射された光とセルを透過して裏面側に到達した光の両方を有効にセルに入射させることが可能であり、光利用効率の高い太陽電池モジュールの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の太陽電池モジュールは、互いに離間して配置された複数の太陽電池が配線材を介して接続された太陽電池ストリング、太陽電池ストリングの受光面側に配置された受光面保護材、および太陽電池ストリングの裏面側に配置された裏面保護材を備える。受光面保護材は光透過性を有する。裏面保護材は光反射性を有することが好ましい。太陽電池ストリングと受光面保護材との間には受光面封止材が配置され、太陽電池ストリングと裏面保護材との間には裏面封止材が配置されることが好ましい。【００１０】
太陽電池は、光電変換部と、光電変換部の受光面に設けられたパターン状の受光面金属電極と、光電変換部の裏面に設けられたパターン状の裏面金属電極とを有する。太陽電池の裏面には、光電変換部と裏面保護材との間に金属膜が設けられており、太陽電池の裏面の周縁には金属膜が設けられていない領域（セル露出領域）が存在する。パターン状の裏面金属電極の少なくとも一部は、セル露出領域に設けられている。【００１１】
金属膜は、光電変換部に接していることが好ましい。太陽電池の裏面におけるセル露出領域の面積は、金属膜が設けられている領域の面積の０．０５〜０．５倍程度が好ましい。【００１２】
太陽電池が配置されていない領域（隣接する太陽電池間の隙間）には、光反射部材が設けられていることが好ましい。光反射部材は、裏面保護材よりも高い反射率を有することが好ましい。隣接する太陽電池間の隙間に設けられる光反射部材は、受光面側の表面に凹凸構造を有することが好ましい。凹凸構造の凸部は、隣接して配置された太陽電池の辺と平行に延在することが好ましい。裏面保護材と裏面封止材との間に光反射部材が配置される場合、裏面封止材の厚みを受光面封止材の厚みよりも大きくすることにより、光反射部材と太陽電池や配線材との接触を防止できる。
【発明の効果】
【００１３】
太陽電池の裏面側の裏面保護材との間に、太陽電池よりも小面積の金属膜を配置することにより、反射光を有効に利用できるため、変換効率の高い太陽電池モジュールが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】ＡおよびＢは、一実施形態の太陽電池モジュールの模式的断面図である。
【図２】Ａは受光面側からみた太陽電池ストリングの平面図であり、Ｂは裏面側からみた太陽電池ストリングの平面図である。
【図３】太陽電池の一形態を表す模式的断面図である。
【図４】金属電極のパターン形状を表す平面図である。
【図５】金属膜の形状を表す平面図である。
【図６】ＡおよびＢは、一実施形態の太陽電池モジュールの模式的断面図であり、Ｃはその平面図である。
【図７】光反射部材の一形態を示す概略斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図１Ａおよび図１Ｂは、本発明の一実施形態の太陽電池モジュール（以下、「モジュール」と記載する）の模式的断面図である。モジュール２００は、複数の太陽電池１０１，１０２，１０３（以下、「セル」と記載する）を備える。図２Ａは太陽電池ストリングを受光面側からみた平面図であり、図２Ｂは太陽電池ストリングを裏面側からみた平面図である。図１Ａは、図２ＡのI−I線の位置における断面図であり、図１Ｂは図２ＡのII−II線の位置における断面図である。
【００１６】
セルは、光電変換部５０の受光面側および裏面側のそれぞれに金属電極６０，７０を備える。図１Ａに示すように、隣接するセル１０１，１０２，１０３の表裏の電極が、配線材８２，８３を介して接続され、複数のセルが電気的に接続された太陽電池ストリングを形成している。太陽電池ストリングの受光面側（図１Ａおよび図１Ｂの上側）には、受光面保護材９１が設けられ、裏面側（図１Ａおよび図１Ｂの下側）には裏面保護材９２が設けられている。モジュール２００では、保護材９１，９２の間に封止材９５が充填されることにより、太陽電池ストリングが封止されている。
【００１７】
セルの裏面側には、金属膜７６が配置されている。図１Ａおよび図２Ｂに示す形態では、金属膜７６は、配線材８３上に設けられている。図１Ｂに示すように、配線材が設けられていない領域では、金属膜７６は金属電極７０および光電変換部５０の表面に接していることが好ましい。
【００１８】
図３は、セルの一形態を表す模式的断面図である。光電変換部５０は結晶半導体基板１を備える。結晶半導体基板は、単結晶でも多結晶でもよく、単結晶シリコン基板，多結晶シリコン基板等が用いられる。結晶半導体基板１の受光面側の表面には、高さ１〜１０μｍ程度の凹凸が形成されていることが好ましい。受光面に凹凸が形成されることにより、受光面積が増大するとともに反射率が低減するため、光閉じ込め効率が高められる。基板の裏面側にもテクスチャ構造が設けられていてもよい。
【００１９】
図３に示すセル１０２はいわゆるヘテロ接合セルであり、単結晶シリコン基板１の受光面側に、真性シリコン系薄膜２１，第一導電型シリコン系薄膜３１および透明導電膜４１をこの順に備え、単結晶シリコン基板１の裏面側に、真性シリコン系薄膜２２，第二導電型シリコン系薄膜３２および透明導電膜４２をこの順に備える。第一導電型シリコン系薄膜３１と第二導電型シリコン系薄膜３２は異なる導電型を有し、一方がｐ型、他方がｎ型である。
【００２０】
真性シリコン系薄膜２１，２２および導電型シリコン系薄膜３１，３２としては、非晶質シリコン薄膜、微結晶シリコン薄膜（非晶質シリコンと結晶質シリコンとを含む薄膜）等が用いられ、中でも非晶質シリコン薄膜が好ましい。これらのシリコン系薄膜は、例えばプラズマＣＶＤ法により形成できる。導電型シリコン系薄膜３１，３２形成時のｐ型およびｎ型のドーパントガスとしては、Ｂ２Ｈ６およびＰＨ３が好ましく用いられる。
【００２１】
透明導電膜４１，４２としては、例えば酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛、酸化チタン、およびそれらの複合酸化物等からなる透明導電性金属酸化物が用いられる。中でも、酸化インジウムを主成分とするインジウム系複合酸化物が好ましい。酸化インジウムにＳｎ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｅ、Ｇａ等の不純物を添加することにより、透明導電膜の導電率や信頼性を向上できる。
【００２２】
透明導電膜４１上には受光面金属電極６０が設けられ、透明導電膜４２上には裏面金属電極７０が設けられる。これらの金属電極は所定のパターン形状を有し、金属電極が設けられていない部分から光を取り込むことができる。金属電極のパターン形状は特に限定されないが、図４Ａに示すように、平行に並んだ複数のフィンガー電極７１、およびフィンガー電極に直交して延在するバスバー電極７２からなるグリッド状に形成されることが好ましい。受光面側の金属電極６０も同様にグリッド状に形成されることが好ましい。パターン状の電極は、導電性ペーストの印刷や、めっき法等により形成できる。印刷法やめっき法により形成されるパターン状の電極は、ドライプロセスにより形成される膜状の電極に比べて電気抵抗を低くできるため、セルからのキャリア取り出し効率が高められる傾向がある。
【００２３】
フィンガー電極やバスバー電極の本数（電極間距離）は、光取り込み量の増大と直列抵抗の低減とのバランスが最適となるように設定することが好ましい。図２および図３では、表裏のフィンガー電極の本数が同一である形態が図示されているが、フィンガー電極の本数は表裏で異なっていてもよい。裏面側は受光面側に比べて光入射量が少ないため、受光面側よりもフィンガー電極の本数を多くして、直列抵抗の低減を優先してもよい。例えば、裏面側のフィンガー電極の本数を、受光面側の２〜３倍程度とすることが好ましい。
【００２４】
隣接するセルの金属電極同士を配線材を介して接続することにより、太陽電池ストリングが形成される。配線材としては半田めっき銅箔等が用いられる。受光面側（裏面金属電極との接続面）に凹凸構造を有する配線材を用いることにより、配線材に入射した光を散乱させ、受光面保護材での再反射光をセルに取り込むことができ、光利用効率が高められる。金属電極と配線材との接続には、導電性接着剤や半田等が用いられる。
【００２５】
配線材を介するリークを防止する等の観点から、隣接するセルは数ｍｍ程度離間して配置される。図４Ａに示すように、金属電極がグリッド状に形成されている場合、図１Ａおよび図４Ｂに示すように、バスバー電極６２，７２に配線材８３が接続されることが好ましい。図１および図２に示す形態では、セル１０１の受光面電極とセル１０２の裏面電極とが配線材８２により接続され、セル１０２の受光面電極とセル１０３の裏面電極とが配線材８２により接続されることにより、複数のセルが直列接続されている。
【００２６】
図２Ｂに示すように、裏面側の金属電極７０上には、金属膜７６が設けられる。金属膜７６は、セルの光電変換部５０よりも面積が小さく、セルの裏面側の中央に配置されている。そのため、セルの裏面側の周縁には、金属膜が設けられていない領域（セル露出領域）が存在する。面内中央部の金属膜が設けられた領域（金属膜配置領域）ではフィンガー電極は金属膜７６に覆われている。セル露出領域ではフィンガー電極７１ａおよび光電変換部５０が露出している。
【００２７】
金属膜７６は、受光面側からセルに入射し、光電変換部５０で吸収されずに裏面側に透過した光を反射し、裏面側からセルに再入射させる作用を有する（図１Ｂのセル透過再入射光ＬＣ）。結晶シリコン基板は太陽光スペクトルの長波長光（赤外光）の分光感度が低いため、セルの裏面側に透過する光は赤外光が中心である。金属膜での反射により光利用効率を高める観点から、金属膜７６としては、近赤外光に対する反射率が高い材料が好ましく用いられる。具体的には、銀、銅、アルミニウム等が挙げられ、中でも、銅および銀が好ましい。
【００２８】
金属膜７６は、例えば銅箔や銀箔等の金属箔を所定の形状に切断することにより形成できる。低抵抗化およびハンドリング性の観点から、金属膜の厚みは、１〜３０μｍが好ましく、３〜２０μｍがより好ましく、５〜１５μｍがさらに好ましい。所定形状の金属膜は、配線材を接続後のセル裏面に配置すればよい。後述するように、封止材により太陽電池ストリングを封止することにより、セルの裏面に配置された金属膜の位置を固定できる。金属膜７６は、面内で連続している必要はなく、例えば配線材８３の接続領域（バスバー電極７２形成領域）には金属膜を設けなくてもよい。
【００２９】
金属膜は、光電変換部５０と裏面金属電極７０との間、裏面金属電極７０と配線材８３との間に配置してもよい。また、封止材９５と裏面保護材９２との間に金属膜を配置することもできるが、低抵抗化およびセル透過再入射光ＬＣのセルへの取り込み量を増大させる観点から、金属膜は、裏面金属電極７０に接するように配置されることが好ましく、裏面金属電極に加えて光電変換部５０にも接することがより好ましい。
【００３０】
裏面側に金属膜７６を備える太陽電池ストリングの受光面側および裏面側に封止材を配置し、受光面保護材９１と裏面保護材９２との間で封止することにより、モジュールが得られる。封止材９５としては、オレフィン系エラストマーを主成分とするポリエチレン系樹脂組成物、ポリプロピレン、エチレン／α‐オレフィン共重合体、エチレン／酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン／酢酸ビニル／トリアリルイソシアヌレート（ＥＶＡＴ）、ポリビニルブチラート（ＰＶＢ）、シリコン、ウレタン、アクリル、エポキシ等の透明樹脂を用いることが好ましい。受光面側と裏面側の封止材の材料は、同一でも異なっていてもよい。
【００３１】
受光面保護材９１は光透過性であり、ガラスや透明プラスチック等が用いられる。裏面保護材９２としては、光反射性のフィルムが好ましく用いられる。なお、裏面保護材は光透過性でもよいが、光透過性の裏面保護材が用いられる場合は、図６に示すように、セルが配置されていない領域に光反射部材が設けられることが好ましい。光反射性の裏面保護材としては、金属色または白色等を呈するものが好ましく、白色樹脂フィルムや、樹脂フィルム間にアルミニウム等の金属箔を挟持した積層体等が好ましく用いられる。
【００３２】
太陽電池ストリングの受光面側および裏面側のそれぞれに封止材および保護材を配置して積層した状態で、加熱圧着することにより、セル間やモジュールの端部にも封止材が流動してモジュール化が行われる。モジュール化の際の圧力により、金属膜７６は、光電変換部の表面に接するように変形する（図１Ｂ参照）。
【００３３】
モジュールの受光面側から入射した光の大半は受光面側からセルに照射されるが、一部の光は隣接するセル間の隙間に照射され、モジュールの裏面側に到達する。また、受光面側からセルに入射した光の一部は、光電変換部５０で吸収されずにセルの裏面側に到達する。これらの裏面に到達した光を反射させてセルに再入射させることにより、光利用効率が向上し、モジュール変換効率が高められる。
【００３４】
本発明のモジュールは、セルの裏面側に、セルよりも面積の小さい金属膜７６が設けられていることにより、高い光利用効率を有する。図１Ｂを参照して、本発明のモジュールにおける光利用効率の向上について説明する。
【００３５】
セル間の隙間に照射された光は、裏面保護材９２で受光面側に反射される。裏面保護材９２で反射された光の一部は、再度セル間の隙間を透過して受光面側に到達し、受光面保護材９１の空気界面で再反射され、受光面側からセルに入射する（受光面側再入射光ＬＡ）。
【００３６】
セル間の隙間に照射され裏面保護材９２で反射された光の一部は、セルの裏面に到達する。裏面保護材９２からセルの裏面側に到達する反射光の大半は、セルの周縁領域に到達する。裏面側の全面に金属電極が設けられた単面入射型のセルでは、セルの裏面側からの光を光電変換部に取り込むことができない。これに対して、本発明のモジュールでは、セルの裏面の周縁に金属膜７６が設けられていないセル露出領域が存在する。そのため、裏面保護材９２からセルの裏面に到達した光を、セル露出領域からセルに取り込むことができる（裏面側再入射光ＬＢ）。
【００３７】
セルの裏面側に金属膜７６が設けられていない場合、受光面側からセルに入射し、光電変換部５０で吸収されずに裏面側に透過した光は、図１Ｂの点線に示す光ＬＸのように、封止材９５を透過した後、裏面保護材９２で反射して、裏面からセルに入射する。封止材を構成するポリマー材料は、一般に、可視光に対しては透明であるが、赤外線の吸収量が大きい。そのため、裏面保護材で反射してセルに入射する光ＬＸは、セルに入射するまでの間に、封止材による光吸収が生じやすい。また、裏面保護材９２の光透過等に起因する光学ロスが生じる場合もある。これに対して、本発明のモジュールでは、セルの裏面側に高反射率の金属膜７６が配置されることにより、封止材での光吸収等に起因する光学ロスを低減し、セルを透過した光の再入射（セル透過再入射光ＬＣ）を増大できる。特に、光電変換部５０の裏面側に接して金属膜７６が設けられることにより、界面での光学ロスが減少し、セル透過光の利用効率をさらに向上できる。
【００３８】
金属膜７６が設けられていないセル露出領域では、セル透過光が裏面保護材に到達することによる光学ロスが生じるが、セル露出領域の面積を小さくすることにより、セル露出領域を透過する光のロスによる影響を低減できる。一方で、セル露出領域が設けられることにより、前述の様に、裏面側再入射光ＬＢがセルに取り込まれる。セル露出領域が設けられることによる裏面側再入射光ＬＢの増加が、セル透過再入射光のロスに比べて小さいため、全体として光利用効率を向上できる。
【００３９】
上記のように、セルの裏面側に金属膜７６を設けることにより、セルを透過した光（主に赤外光）を金属膜で反射させてセル透過再入射光ＬＣの取り込み量を増大できる。セル裏面の周縁には金属膜が配置されていないセル露出領域を設けることにより、裏面保護材からの反射光に由来する裏面側再入射光ＬＢのセル内への取り込みが可能となる。そのため、本発明のモジュールは光取り込み効率に優れる。
【００４０】
裏面金属電極は、裏面周縁のセル露出領域にも形成されている。セル露出領域に金属電極７１ａが設けられていることにより、セル周縁のキャリアを有効に回収できる。さらに、金属膜７６が光電変換部５０に接することにより、光電変換部表面の面内抵抗が低減するため、裏面金属電極へのキャリア輸送効率が向上し、モジュールの曲線因子が向上する傾向がある。特に、ヘテロ接合セルのように、光電変換部５０の表面に透明導電膜４２が設けられている場合には、透明導電膜４２と金属膜７６とが接することにより面内でのキャリア移動がスムーズとなるため、曲線因子が向上しやすい。
【００４１】
金属膜７６の形状およびセル露出領域の形状、ならびにこれらの大きさおよび面積比等は、光取り込み効率および抵抗低減の観点から設定すればよい。例えば、セルの幅Ｗ０に対する金属膜配置領域の幅Ｗ１は比Ｗ１／Ｗ０、０．８〜０．９５程度が好ましく、０．８３〜０．９２程度がさらに好ましい。また、セルの端部から金属膜配置領域までの幅、すなわちセル露出領域の幅Ｗ２は、３〜３０ｍｍが好ましく、５〜２０ｍｍがより好ましい。セル露出領域の幅が大きくなるにつれて、裏面側再入射光ＬＢの取り込み量が増大し、セル透過再入射光ＬＣの取り込み量は減少する傾向がある。金属膜配置領域の幅Ｗ１が大きくなるにしたがって、金属膜配置領域の面積比率も大きくなるため、セル裏面側の抵抗が小さくなり、モジュールの曲線因子が向上する傾向がある。金属膜配置領域の面積Ｓ１に対するセル露出領域の面積Ｓ２の比（Ｓ２／Ｓ１）は、０．０５〜０．５が好ましく、０．１２５〜０．３５がより好ましい。
【００４２】
図２Ｂでは、セミスクエア型の基板と相似形状の金属膜７６が図示されているが、金属膜の形状はセルと相似形状でなくともよく、例えば、図５Ａに示すような矩形状の金属膜７７を用いてもよい。隣接するセルの受光面と接続されている側（図５Ａ〜Ｃの右側）では、配線材８３により多くの電流が流れている。そのため、キャリア輸送効率を向上する観点から、図５Ｂに示すように、隣接するセルの受光面と接続されている側に偏るように金属膜７８を配置してもよい。また、図５Ｃに示すように、隣接セルに接続される配線材が設けられている領域に突出部７９ａを有する金属膜７９を用いてもよい。なお、図５Ａ〜Ｃでは、配線材８３上に金属膜が設けられているが、金属電極と配線材との間に金属膜を配置してもよい。
【００４３】
金属箔以外を用いて金属膜を形成することもできる。例えば、インクジェットやスクリーン印刷等の印刷法、およびめっき法等のウェットプロセスにより金属膜を形成してもよく、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等のドライプロセスにより金属膜を形成してもよい。これらの金属膜は、裏面金属電極７０（フィンガー電極およびバスバー電極）の前後いずれに形成してもよい。また、裏面金属電極と金属膜とを同時に形成してもよい。例えば、図５Ｄに示すように、セル裏面の中央部に金属膜配置領域に対応する面状の領域７４を有し、その周囲にパターン状の電極部分７１ａ，７２ｂを有するように、パターン状の金属層を形成してもよい。ウェットプロセスにより形成される金属膜の厚みは１μｍ以上が好ましい。ドライプロセスにより形成される金属膜の厚みは５０ｎｍ以上が好ましく、１００ｎｍ以上がより好ましい。
【００４４】
本発明のモジュールは、セルが配置されていない領域に、裏面保護材よりも高反射率の光反射部材が設けられていてもよい。セルが設けられていない位置に光反射部材が設けられることにより、セル間の隙間に照射された光を効率的に反射させ、受光面側再入射光ＬＡおよび裏面側再入射光ＬＢを増大し、光利用効率を向上できる。
【００４５】
図６Ａおよび図６Ｂは、裏面保護材９２上に光反射部材９８が設けられたモジュールの模式的断面図である。図６Ｃは、受光面側からみたモジュールの模式的平面図である。図６Ｃではフィンガー電極の図示を省略している。図６Ａは、バスバー電極上に配線材が設けられている位置（図６ＣのI−I線の位置）における断面図であり、図６Ｂは配線材が設けられていない位置（図６ＣのII−II線の位置）における断面図である。図６Ａ〜Ｃに示すモジュールは、セルが配置されていない領域Ｑにおいて、裏面保護材９２と封止材９５との間に、凹凸を有する光反射部材９８を備える。
【００４６】
図７は、凹凸を有する光反射部材の一形態を示す概略斜視図である。図７の光反射部材は、台座部９８０上に、ｘ方向に並んだ三角柱形状の凸部９８１〜９８６を備える。それぞれの凸部はｙ方向に延在している。白色樹脂フィルム等の一般的な光反射性バックシートは、入射光を様々な角度に散乱反射するのに対して、受光面側表面に凹凸構造が設けられた光反射部材を配置することにより反射光が一定方向に反射する。凹凸の形状や角度等を調整することにより、光反射部材で反射してセル裏面の金属膜配置領域に到達する光の量を低減し、セル露出領域から取り込まれる裏面側再入射光ＬＢや、受光面保護材で反射されて受光面側からセルに入射する受光面側再入射光ＬＡが増大する。
【００４７】
特に、光反射部材の底面と凸部の傾斜とのなす角θの増大に伴って、モジュールの受光面に反射される光の伝搬角度θ１が大きくなる。角度θ１の増大に伴って、受光面保護材９１の空気界面での反射率が大きくなる。樹脂やガラスの屈折率は１．４〜１．５程度であり、空気界面での臨界角は４０°程度である。θ１が臨界角より大きくなると全反射が生じるため、受光面側再入射光ＬＡをさらに大きくできる。一方、光反射部材の凸部の傾斜角度θが過度に大きいと、光反射部材で反射してセル裏面の金属膜配置領域に到達する光の量が大きくなる傾向がある。そのため、光反射部材の凸部の傾斜角度θは、２０°〜４５°が好ましく、２５°≦θ≦４０°がより好ましい。
【００４８】
光反射部材による光の反射方向を制御する観点から、図７に示すように、所定方向に延在する凸部９８１〜９８６が設けられていることが好ましい。なお、凸部の形状は三角形状（断面三角形状）である必要はなく、半円筒状等の曲面形状でもよい。光反射部材の凸部の高さは１０〜５００μｍ程度が好ましく、２０〜２００μｍ程度がより好ましい。
【００４９】
図６Ｃに示すように、隣接するセル１１２，１１３の間に配置される光反射部材９８ａは、隣接するセルの辺と平行となるように、凸部がｙ方向に延在していることが好ましい。同様に、セル１１３，１１５の間に配置される光反射部材９８ｂは、隣接するセルの辺と平行となるように、凸部がｘ方向に延在していることが好ましい。隣接するセルの辺と凸部の延在方向とが平行である場合に、裏面側再入射光ＬＢが増大する傾向がある。最近接のセルの方向に反射する光を増大させるために、セル間の隙間の交点（図６Ｃにおいて、セル１１２，１１３，１１４，１１５に囲まれている領域）に設けられる光反射部材９８ｃは、最近接のセルと対峙するように凸部が延在していることが好ましい。
【００５０】
光反射部材の幅は、隣接するセル間の間隔（セルが配置されていない領域Ｑの幅）と同等でもよく、セル間の間隔と異なっていてもよい。反射光の利用効率を高める観点からは、光反射部材の幅が隣接するセル間の間隔よりも大きく、セルが配置されていない領域の全体にわたって反射部材が配置されていることが好ましい。
【００５１】
光反射部材の幅が隣接するセル間の間隔よりも大きい場合、光反射部材が配置されている領域とセルが配置されている領域とがオーバーラップする。そのため、光反射部材とセルとの接触による絶縁不良やセルの破損が生じないように、光反射部材の厚みや形状、封止材の材料や厚み等を選択することが好ましい。例えば、セルと裏面保護材との間に設けられる封止材の厚みを大きくすることにより、絶縁不良やセルの破損を防止してもよい。また、裏面側の封止材の厚みを大きくすれば、光反射部材と配線材との接触に起因する絶縁不良も防止できる。一方、保護材の厚みが大きくなると、受光面保護材９１とセルとの間に存在する封止材の光吸収に起因する光学ロスが生じやすくなる。そのため、セルと受光面保護材との間に配置される受光面封止材の厚みは変えずに、セルと裏面保護材との間に配置される裏面封止材の厚みを大きくすることが好ましい。裏側保護材の厚みは、例えば受光面側保護材の厚みの１．２倍以上が好ましく、１．５倍以上がより好ましい。
【００５２】
光反射部材９８は、裏面保護材９２上に載置するのみでもよいが、裏面保護材の表面に貼り合わせる等により固定することが好ましい。また、内部に光反射部材が埋設された裏面保護材を用いてもよい。モジュール作製工程の効率を向上するからは、表面に光反射部材が固定された裏面保護材と太陽電池ストリングとを、光反射部材が設けられていない領域にセルが配置されるように重ね合わせて、封止を行うことが好ましい。
【実施例】
【００５３】
以下では、実施例と比較例との対比により、本発明をより詳細に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。【００５４】
［太陽電池の作製］
表裏にテクスチャが形成された厚み１６０μｍの６インチｎ型単結晶シリコン基板（１辺の長さが１５６ｎｍのセミスクエア型）の受光面側に、プラズマＣＶＤ法により膜厚４ｎｍの真性非晶質シリコン層および膜厚６ｎｍのｐ型非晶質シリコン層を形成した。その後、シリコン基板の裏面側に、プラズマＣＶＤ法により膜厚５ｎｍの真性非晶質シリコン層および膜厚１０ｎｍのｎ型非晶質シリコン層を形成した。ｐ層上およびｎ層上のそれぞれに、スパッタ法により膜厚１００ｎｍのＩＴＯ層を製膜後、ＷＯ２０１３／０７７０３８の実施例に記載の方法により、表裏のＩＴＯ層上のそれぞれに、フィンガー電極とバスバー電極からなるグリッド状のパターン集電極を形成して、ヘテロ接合太陽電池を得た。受光面および裏面ともにバスバー電極は３本であり、裏面側のフィンガー電極の本数を、受光面電極のフィンガー電極の本数の２倍とした。【００５５】
［実施例１］
セルの受光面電極および裏面電極上に、導電性接着剤を介して配線材を接続し、９個の太陽電池が直列接続された太陽電池ストリングを作製した。隣接するセル間の間隔は２ｍｍとした。配線材としては、凹凸構造を有する銅箔の表面に銀を被覆した拡散タブを用いた。【００５６】
受光面側保護材としての白板ガラス上にＥＶＡシートを載置し、その上に上記の太陽電池ストリングを、隣接するストリング間の距離が２ｍｍとなるように６列配置し、図７Ｃに示すように端部で電気接続を行い、計５４個の太陽電池を直列接続した。その後、シリコン基板と相似形状で１辺の長さが１４６ｍｍのセミスクエア型に切り出した銅箔（厚み１０μｍ）を、セルの端部から５ｍｍの領域がセル露出領域となるように、それぞれの太陽電池（セルの裏面）に配置した。その上に裏面側封止材としてＥＶＡシートを載置し、その上に裏面保護材として基材ＰＥＴフィルム上に白色樹脂層を設けた白色の光反射性バックシートを載置した。大気圧での加熱圧着を５分間行った後、１５０℃で６０分間保持してＥＶＡを架橋させ、太陽電池モジュールを得た。【００５７】
［実施例２］
銅箔のサイズを１辺の長さが１３６ｍｍとなるように変更し、セルの端部から１０ｍｍの領域がセル露出領域となるようにしたこと以外は、実施例１と同様にして太陽電池モジュールを作製した。【００５８】
［実施例３］
銅箔のサイズを１辺の長さが１２６ｍｍとなるように変更し、セルの端部から１５ｍｍの領域がセル露出領域となるようにしたこと以外は、実施例１と同様にして太陽電池モジュールを作製した。【００５９】
［実施例４］
バックシートの受光面側に、太陽電池ストリング作製時に配線材として使用したものと同一の拡散タブ（幅５ｍｍ、凸部の傾斜角θ＝３０°）を貼り合わせた裏面保護材を用いた。拡散タブは、太陽電池ストリング内の隣接するセル間、および隣接する太陽電池ストリングの間のセル間に位置し、凸部の延在方向が隣接するセルの辺と平行となるように配置した。光反射部材としての拡散タブが貼り合わせられたバックシートを用いたこと以外は、実施例２と同様にして太陽電池モジュールを作製した。【００６０】
［比較例１］
太陽電池と裏面側のＥＶＡシートとの間に銅箔を配置しなかったこと以外は、実施例１と同様にして太陽電池モジュールを作製した。【００６１】
［比較例２］
銅箔のサイズを１辺の長さが１５６ｍｍ、すなわちセルと同一サイズとなるように変更し、セル露出領域を設けなかったこと以外は、実施例１と同様にして太陽電池モジュールを作製した。【００６２】
［太陽電池モジュール性能測定］
上記の実施例および比較例の太陽電池モジュールの変換特性（短絡電流（Ｉｓｃ）、開放電圧（Ｖｏｃ）、曲線因子（ＦＦ）および最大出力（Ｐｍａｘ））を測定した。各モジュールのセル露出領域の幅Ｗ２、金属膜配置領域の面積に対するセル露出領域の面積の比Ｓ２／Ｓ１、セル間の間隔における光反射部材の配置の有無、およびモジュール特性を表１に示す。なお、表１におけるモジュール特性は、比較例１の太陽電池モジュールの特性１を１とした相対値で示している。【００６３】
【表１】
0006788657.tif 000002
【００６４】
裏面に金属膜を設けなかった比較例１と、セルの端部から１０ｍｍの領域がセル露出領域となるように裏面に金属膜を設けた実施例２を対比すると、実施例２は比較例１に比べてＩｓｃが０．５％、ＦＦが０．５％向上しており、Ｐｍａｘが１％向上していた。一方、比較例１とセルの裏面の全面に金属膜を設けた比較例２を対比すると、比較例２は、比較例１に比べてＦＦが０．６％向上していたが、Ｉｓｃが１％低下しており、Ｐｍａｘが０．４％低下していた。【００６５】
実施例２および比較例２におけるＦＦの向上は、セルの裏面に接するように金属膜を設けることにより、セルの裏面側が低抵抗化されためと考えられる。実施例１〜３および比較例２では、セル露出領域の幅Ｗ２が小さく、金属膜の面積が大きいほど、ＦＦが向上する傾向がみあれることからも、裏面側に金属膜が設けられることによる低抵抗化がＦＦの向上に寄与していると考えられる。【００６６】
比較例２では、セルの裏面に金属膜が設けられることにより、比較例１に比べてセル透過再入射光ＬＣは増大していると考えられるが、バックシートからの反射光である裏面側再入射光ＬＢのセルへの入射が妨げられるために、Ｉｓｃが低下したと考えられる。これに対して、実施例２では、セルの周縁に１０ｍｍの幅で金属膜が設けられていない領域（セル露出領域）が存在するため、金属膜が設けられた領域ではセル透過再入射光ＬＣがセル内に取り込まれるとともに、セル露出領域から裏面側再入射光ＬＢがセルに入射するために、Ｉｓｃが上昇したと考えられる。【００６７】
セル露出領域の幅Ｗ２が５ｍｍの実施例１においても、実施例２と同様、比較例１や比較例２に比べてＩｓｃが向上していた。一方、セル露出領域の幅Ｗ２が１５ｍｍの実施例３では、セルの裏面に金属膜を設けなかった比較例１に比べてＦＦが向上しているが、Ｉｓｃは比較例１と同等であった。裏面側再入射光ＬＢの大半はセル裏面の周縁からセルに入射するため、Ｗ２を所定値より大きくしても裏面側再入射光ＬＢの大幅な増加を見込めない反面、Ｗ２の増加（金属膜の面積の減少）に伴ってセル透過再入射光ＬＣが減少すると考えられる。すなわち、実施例３では、セルの裏面に金属膜を設けることによるセル透過再入射光ＬＣの増加と裏面側再入射光ＬＢの減少がほぼ同等であるため、比較例１と同等のＩｓｃを示したと考えられる。【００６８】
これらの結果から、金属膜の面積の増大に伴ってＦＦが増加する傾向にあるのに対して、裏面側再入射光ＬＢとセル透過再入射光ＬＣのバランスによりＩｓｃが最大となる金属膜の面積（露出領域の幅）の最適値があることが分かる。これらを考慮して、セルの裏面にもうける金属膜の大きさを設定することにより、変換効率に優れるモジュールが得られる。【００６９】
隣接するセル間の隙間に対応する位置に光反射部材が設けられた実施例４では、実施例２よりもＩｓｃがさらに１％向上していた。これは、セル間の隙間に入射した光が光反射部材の表面で鏡面反射されるため、露出領域への裏面再入射光ＬＢが増大したことに加えて、光反射部材の凸部が傾斜を有しているために、モジュール受光面に反射する光の角度が一定となり、ガラス−空気界面での光反射が増大して受光面側再入射光ＬＡが増大したことに起因すると考えられる。
【符号の説明】
【００７０】
２００，２０１    太陽電池モジュール
１０１〜１０３    太陽電池
５０              光電変換部
１                結晶半導体基板
６０              受光面電極
７０              裏面電極
６１，７１        フィンガー電極
６２，７２        バスバー電極
７６〜７９        金属膜
８１〜８４        配線材
９１              受光面保護材
９２              裏面保護材
９５              封止材
９８              光反射部材
【図１】
0006788657.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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