(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路の製造に用いるマスクパターンのレイアウトデータがデザインルールファイルに記述されているデザインルールに適合しているか否かを検証するデザインルール検証装置により実行される、第１縦直線と第１横直線に連続する内側円弧と、第２縦直線と第２横直線に連続し且つ前記内側円弧の外側に前記内側円弧と同心的に配置されるべき外側円弧とを含むパターンのエラー判定方法において、
前記デザインルール検証装置が、
前記内側円弧が前記第１縦直線に連続する一端Ｐ１を認識するとともに前記内側円弧が前記第１横直線に連続する他端Ｐ２を認識して前記内側円弧の中心点Ｐ３を認識し、
前記外側円弧が前記第２縦直線に連続する一端Ｐ４を認識するとともに前記外側円弧が前記第２横直線に連続する他端Ｐ５を認識して前記外側円弧の中心点Ｐ６を認識し、
前記内側円弧の中心点Ｐ３と前記外側円弧の中心点Ｐ６のズレが所定の許容値以内であるとき、前記パターンはエラー無しと判定することを特徴とするエラー判定方法。
【請求項２】
半導体集積回路の製造に用いるマスクパターンのレイアウトデータがデザインルールファイルに記述されているデザインルールに適合しているか否かを検証するデザインルール検証装置により実行される、第１縦直線と第１横直線に連続する内側円弧と、第２縦直線と第２横直線に連続し且つ前記内側円弧の外側に前記内側円弧と同心的に配置されるべき外側円弧とを含むパターンのエラー判定方法において、
前記デザインルール検証装置が、
前記内側円弧が前記第１縦直線に連続する一端Ｐ１を認識するとともに前記内側円弧が前記第１横直線に連続する他端Ｐ２を認識して前記内側円弧の中心点Ｐ３を認識し、
前記外側円弧が前記第２縦直線に連続する一端Ｐ４を認識するとともに前記外側円弧が前記第２横直線に連続する他端Ｐ５を認識して前記外側円弧の中心点Ｐ６を認識し、
前記外側円弧の中心点Ｐ６が前記内側円弧の中心点Ｐ３よりも前記内側円弧に近いとき、前記パターンはエラー無しと判定することを特徴とするエラー判定方法。
【請求項３】
半導体集積回路の製造に用いるマスクパターンのレイアウトデータがデザインルールファイルに記述されているデザインルールに適合しているか否かを検証するデザインルール検証装置により実行される、第１縦直線と第１横直線に連続する内側円弧と、第２縦直線と第２横直線に連続し且つ前記内側円弧の外側に前記内側円弧と同心的に配置されるべき外側円弧とを含むパターンのエラー判定方法において、
前記デザインルール検証装置が、
前記内側円弧が前記第１縦直線に連続する一端Ｐ１を認識するとともに前記内側円弧が前記第１横直線に連続する他端Ｐ２を認識し、
前記外側円弧が前記第２縦直線に連続する一端Ｐ４を認識するとともに前記外側円弧が前記第２横直線に連続する他端Ｐ５を認識し、
前記内側円弧の一端Ｐ１と前記外側円弧の一端Ｐ４の縦座標のズレが所定の許容値以内であり、且つ前記内側円弧の他端Ｐ２と前記外側円弧の他端Ｐ５の横座標のズレが所定の許容値以内であるとき、前記パターンはエラー無しと判定することを特徴とするエラー判定方法。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路の製造に用いるマスクパターンや、電気回路基板に用いる配線パターン等のパターンのレイアウトデータがデザインルールに合致しているか否かの検証を行うエラー判定方法にかかり、特に疑似エラーの発生するパターンについてのエラー判定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造では、作成されたマスクパターンが製造プロセス上や製品仕様上の不具合を生じるおそれがあるか否かについて、そのマスクパターンの形状、幅、隙間等のレイアウトのＤＲＣ（Design Rule Check ）検証が行われる。このＤＲＣ検証は、そのマスクパターンのレイアウトデータをデザインルールと比較することで実行される。レイアウトデータは、ＣＡＤシステムにおいて、通常では所定のグリッドに合致するように作成されるが、そのグリッド間隔で正確に表現できない円や弧のデータが存在する。
【０００３】
このような円や弧のデータで作成されたレイアウトパターンに対して通常のデザインルールを適用した場合は、パターンが正常であってもルール違反と判定される。これは疑似エラーと呼ばれる。つまり、ＤＲＣ検証では真のエラーと擬似エラーの２種類のエラーが検出される。真のエラーはレイアウトパターンを修正すべきエラーであるが、疑似エラーはレイアウトパターンの修正の必要ないエラーである。そこで、ＤＲＣ検証では、疑似エラーを除去して真のエラーを残す必要がある。
【０００４】
例えば、半導体装置では、素子の外周部に耐圧性能を向上させるためのエンドレスのガードリングを配置することが行われるが、そのガードリングは角部分が円弧形状に形成され、この円弧形状のパターンにおいて、ＤＲＣ検証で疑似エラーが発生することがある。
【０００５】
そこで、この疑似エラーが真のエラーか否かについて判定するために、当該パターンに対応し複数の検証用パターンを予め用意して、前記した円弧形状のパターンが検証用パターンに該当するか否かを判定することが行われている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平８−１０１８５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、上記手法では、検証用パターンを用意するために、どのような形状の擬似エラーのパターンがあるかを精査して用意する必要があり、手間がかかる。また、この手法によって必ずしもエラー無しを完全に判定することができるとは限らない。
【０００８】
本発明の目的は、疑似エラーの検証用パターンを用意する必要がなく、エラー無しを判定できるようにしたエラー判定方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項１にかかる発明は、半導体集積回路の製造に用いるマスクパターンのレイアウトデータがデザインルールファイルに記述されているデザインルールに適合しているか否かを検証するデザインルール検証装置により実行される、第１縦直線と第１横直線に連続する内側円弧と、第２縦直線と第２横直線に連続し且つ前記内側円弧の外側に前記内側円弧と同心的に配置されるべき外側円弧とを含むパターンのエラー判定方法において、前記デザインルール検証装置が、前記内側円弧が前記第１縦直線に連続する一端Ｐ１を認識するとともに前記内側円弧が前記第１横直線に連続する他端Ｐ２を認識して前記内側円弧の中心点Ｐ３を認識し、前記外側円弧が前記第２縦直線に連続する一端Ｐ４を認識するとともに前記外側円弧が前記第２横直線に連続する他端Ｐ５を認識して前記外側円弧の中心点Ｐ６を認識し、前記内側円弧の中心点Ｐ３と前記外側円弧の中心点Ｐ６のズレが所定の許容値以内であるとき、前記パターンはエラー無しと判定することを特徴とする。 
【００１０】
請求項２にかかる発明は、半導体集積回路の製造に用いるマスクパターンのレイアウトデータがデザインルールファイルに記述されているデザインルールに適合しているか否かを検証するデザインルール検証装置により実行される、第１縦直線と第１横直線に連続する内側円弧と、第２縦直線と第２横直線に連続し且つ前記内側円弧の外側に前記内側円弧と同心的に配置されるべき外側円弧とを含むパターンのエラー判定方法において、前記デザインルール検証装置が、前記内側円弧が前記第１縦直線に連続する一端Ｐ１を認識するとともに前記内側円弧が前記第１横直線に連続する他端Ｐ２を認識して前記内側円弧の中心点Ｐ３を認識し、前記外側円弧が前記第２縦直線に連続する一端Ｐ４を認識するとともに前記外側円弧が前記第２横直線に連続する他端Ｐ５を認識して前記外側円弧の中心点Ｐ６を認識し、前記外側円弧の中心点Ｐ６が前記内側円弧の中心点Ｐ３よりも前記内側円弧に近いとき、前記パターンはエラー無しと判定することを特徴とする。 
【００１１】
請求項３にかかる発明は、半導体集積回路の製造に用いるマスクパターンのレイアウトデータがデザインルールファイルに記述されているデザインルールに適合しているか否かを検証するデザインルール検証装置により実行される、第１縦直線と第１横直線に連続する内側円弧と、第２縦直線と第２横直線に連続し且つ前記内側円弧の外側に前記内側円弧と同心的に配置されるべき外側円弧とを含むパターンのエラー判定方法において、前記デザインルール検証装置が、前記内側円弧が前記第１縦直線に連続する一端Ｐ１を認識するとともに前記内側円弧が前記第１横直線に連続する他端Ｐ２を認識し、前記外側円弧が前記第２縦直線に連続する一端Ｐ４を認識するとともに前記外側円弧が前記第２横直線に連続する他端Ｐ５を認識し、前記内側円弧の一端Ｐ１と前記外側円弧の一端Ｐ４の縦座標のズレが所定の許容値以内であり、且つ前記内側円弧の他端Ｐ２と前記外側円弧の他端Ｐ５の横座標のズレが所定の許容値以内であるとき、前記パターンはエラー無しと判定することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１にかかる発明によれば、内側円弧の中心点Ｐ３と外側円弧の中心点Ｐ６のズレが所定の許容値以内であるとき、パターンはエラー無しと判定し、請求項２にかかる発明によれば、外側円弧の中心点Ｐ６が内側円弧の中心点Ｐ３よりも内側円弧に近いとき、パターンはエラー無しと判定し、請求項３にかかる発明によれば、内側円弧の一端Ｐ１と外側円弧の一端Ｐ４の縦座標のズレが所定の許容値以内であり、且つ内側円弧の他端Ｐ２と外側円弧の他端Ｐ５の横座標のズレが所定の許容値以内であるとき、パターンはエラー無しと判定するので、いずれの判定方法でも、疑似エラーの検証用パターンを用意する必要がなく、エラー無しを判定できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施例のデザインルール検証装置の構成図である。
【図２】本発明の実施例のエラー判定のフローチャートである。
【図３】半導体装置のガードリングの平面図である。
【図４】図３のガードリングの左下角部の第１例のパターン（エラー無し）を示す説明図である。
【図５】図３のガードリングの左下角部の第２例のパターン（エラー無し）を示す説明図である。
【図６】図３のガードリングの左下角部の第３例のパターン（真エラー）を示す説明図である。
【図７】出力される真エラーの図形の説明図である。
【図８】本発明の別の実施例のエラー判定のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図１に本発明の実施例のデザインルール検証装置の構成を示す。このデザインルール検証装置は、レイアウトデータをデザインするＣＡＤシステムに組み込まれる。１０はデザインルールが記述されているデザインルールファイル、２０はデザインされたパターンのレイアウトデータが格納されている検証前レイアウトデータ記憶装置、３０は検証前レイアウトデータ記憶装置２０から読み出した検証前レイアウトデータがデザインルールファイル１０から読み出したデザインルールに適合しているか否かを検証するＤＲＣ検証部、４０はＤＲＣ検証部３０で検証を終えたレイアウトデータ（真エラー）を格納する検証後レイアウトデータ記憶装置である。
【００１５】
ユーザは、検証後レイアウトデータ記憶装置４０に格納された検証済のレイアウトデータに基づき、必要に応じて、検証前レイアウトデータ記憶装置２０の当該のレイアウトデータを修正することで、最終的にルール違反のないレイアウトデータを得ることができる。
【００１６】
以下、ＤＲＣ検証対象としてＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）等の高耐圧デバイスにおけるガードリングのレイアウトデータを用いる場合について説明する。ガードリングのレイアウトデータには、ＣＡＤシステムにおいて所定のグリッド間隔で正確に表現することができない円弧のデータが存在するため、その円弧のデータは、許容できるエラー（疑似エラー）であっても、通常のデザインルールを適用した場合はルール違反として判定される。そこで、円弧データが存在するパターンを擬似エラーの発生するパターンであるとして、本発明の手法によりエラー判定を行う。
【００１７】
図３にガードリング５０のレイアウトパターンを示す。ガードリング５０は連続する内側図形５１と連続する外側図形５２で囲まれた形状であり、それら両図形５１，５２の上下の左右の４個の角部分は円弧形状となっている。いま、図３の左下の領域Ａに擬似エラーが発生するパターンがあるとして、ＤＲＣ検証部３０で検証する場合について、図２のフローチャートを参照して説明する。
【００１８】
図４に領域Ａの拡大図を示す。領域Ａにおいて疑似エラーが発生するパターンは、内側図形５１については内側円弧５１ａであり、外側図形５２については外側円弧５２ａであるが、本実施例では外側円弧５２ａのパターンについて考える。そして、内側円弧５１ａと外側円弧５２ａの間隔Ｌ１と距離Ｌ２とのズレが所定の許容値以内のとき、エラー無しと判定する。距離Ｌ２は、内側図形５１の縦直線５１ｂと外側図形５２の縦直線５２ｂの間隔であり、また、内側図形５１の横直線５１ｃと外側図形５２の横直線５２ｃの間隔でもあり、一定値である。
【００１９】
まず、内側円弧５１ａと縦直線５１ｂの連続点（変曲点）を、内側円弧５１ａの一端Ｐ１（ｘ１，ｙ１）として認識する。また、内側円弧５１ａと横直線５１ｃの連続点（変曲点）を内側円弧５１ａの他端Ｐ２（ｘ２，ｙ２）として認識する。そして、一端Ｐ１（ｘ１，ｙ１）と他端Ｐ２（ｘ２，ｙ２）から、ｘ３＝ｘ２、ｙ３＝ｙ１として、内側円弧５１ａの中心点Ｐ３（ｘ３，ｙ３）を認識する（図２のステップＳ１）。なお、図示のｘｙ座標は検証用の座標である。
【００２０】
次に、外側円弧５２ａと縦直線５２ｂの連続点（変曲点）を、外側円弧５２ａの一端Ｐ４（ｘ４，ｙ４）として認識する。また、外側円弧５２ａと横直線５２ｃの連続点（変曲点）を外側円弧５２ａの他端Ｐ５（ｘ５，ｙ５）として認識する。そして、一端Ｐ４（ｘ４，ｙ４）と他端Ｐ５（ｘ５，ｙ５）から、ｘ６＝ｘ５、ｙ６＝ｙ４として、外側円弧５２ａの中心点Ｐ６（ｘ６，ｙ６）を認識する（図２のステップＳ２）。
【００２１】
次に、内側円弧５１ａの中心点Ｐ３と外側円弧５２ａの中心点Ｐ６のズレが所定の許容値以内である否かを調べて、許容値以内であればエラー無しと判定する（図２のステップＳ３）。
【００２２】
次に、外側円弧５２ａの中心点Ｐ６が、内側円弧５１ａの中心点Ｐ３よりも内側円弧５１ａに近づいているか否かを調べて、近づいていればエラー無しと判定する（図２のステップＳ４）。
【００２３】
以上により、ステップＳ３，Ｓ４をクリアできない場合に、当該の領域Ａの内側円弧５１ａと外側円弧５２ａが含まれるパターンは真エラーであると判定し、当該パターンの図形を出力して検証後レイアウトデータ記憶装置４０に格納する。
【００２４】
図４に示した領域Ａのパターンは、内側円弧５１ａの中心点Ｐ３と外側円弧５２ａの中心点Ｐ６が一致している。パターンの円弧は中心点を中心に円形となるよう生成されるものである。このため、中心点Ｐ３，Ｐ６が一致していることは、内側円弧５１ａ，５２ａの間の幅Ｌ１が、縦直線５１ｂ，５２ｂの間の幅や横直線５１ｃ，５２ｃの間の幅であるＬ２と一致していることを示しており、この場合はステップＳ３によってエラー無しと判定される。
【００２５】
図５に示した領域Ａのパターンは、外側円弧５２ａの中心点Ｐ６（ｘ６、ｙ６）が、内側円弧５１ａの中心点Ｐ３（ｘ３、ｙ３）よりも、内側円弧５１ａに近づいているので、外側円弧５２ａが膨らんだ形状となっている。このため、内側円弧５１ａと外側円弧５２ａの間の幅Ｌ１が縦直線５１ｂ，６２ｂの間の幅や横直線５１ｃ，５２ｃの間の幅であるＬ２よりも広くなっている。ガードリング５０の場合は、幅Ｌ１が広くなる場合は耐圧に悪影響がない。この場合はステップＳ４によって、エラー無しと判定される。
【００２６】
図６に示した領域Ａのパターンは、内側円弧５１ａの中心点Ｐ３（ｘ３、ｙ３）が、外側円弧５２ａの中心点Ｐ６（ｘ６、ｙ６）よりも、内側円弧５１ａに近づいているので、外側円弧５２ａが内側に引っ込んだ形状となっている。このため、内側円弧５１ａと５２ａの間の幅Ｌ１が縦直線５１ｂ，６２ｂの間の幅や横直線５１ｃ，５２ｃの間の幅であるＬ２よりも狭くなっている。ガードリング５０の場合は、その幅Ｌ１が狭くなると耐圧性能が劣化する。この場合はステップＳ４によってＮＯと判定され、真エラーとなる。
【００２７】
そして、真エラーと判定された場合は、その円弧部分の図形が出力され、修正のために検証後レイアウトデータ記憶装置４０に格納される。図７は図６で示された領域Ａのパターンにおいて、真エラーとなった図形６０を示す図である。この図形は６０、内側円弧５１ａと、外側円弧５２ａと、縦直線５１ｂの内側円弧５１ａに連続する一部５１ｂ１と、外側円弧５２ａの一端Ｐ４と縦直線５１ｂを結ぶ横直線５３と、横直線５１ｃの内側円弧５１ａに連続する一部５１ｃ１と、外側円弧５２ａの他端Ｐ５と横直線５１ｃを結ぶ縦直線５４と、で囲まれる図形である。
【００２８】
図８は図３の左下の領域Ａの外側円弧５２ａをＤＲＣ検証部３０で検証を行う別の例のフローチャートである。ステップＳ１１では内側円弧５１ａの一端Ｐ１（ｘ１，ｙ１）と他端Ｐ２（ｘ２，ｙ２）を認識する。また、ステップＳ１２では外側円弧５２ａの一端Ｐ４（ｘ４，ｙ４）と他端Ｐ５（ｘ５，ｙ５）を認識する。そして、ステップＳ１３で、ｙ１とｙ４の座標のズレ、ｘ２とｘ５の座標のズレが、それぞれ所定の許容値以内であるか否かを判定し、許容値以内であるときエラー無しとする。
【００２９】
この図８の処理によれば、内側円弧５１ａや外側円弧５２ａの中心点を認識することなく、疑似エラーが真のエラーかエラー無しかを判定することができる。
【００３０】
なお、以上説明した実施例では、図３のガードリング５０の左下の角部分である領域Ａの円弧図形についてエラー無しか否かを判定したが、右下、左上、右上の角部分の円弧図形についても、同様な手法でエラー無しか否かを判定することができる。さらに、この判定は、ガードリングの図形に限られるものではなく、レイアウトパターンに含まれるすべての円弧形状のパターンの判定に適用することができる。
【符号の説明】
【００３１】
１０：デザインルールファイル
２０：検証前レイアウトデータ記憶装置
３０：ＤＲＣ検証部
４０：検証後レイアウトデータ記憶装置
５０：ガードリング
５１：内側図形、５１ａ：内側円弧、５１ｂ：縦直線、５１ｃ：横直線
５２：外側図形、５２ａ：外側円弧、５２ｂ：縦直線、５２ｃ：横直線
５３：横直線
５４：縦直線
６０：真エラーの図形
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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