(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材（１０）のビア（１６）に導電性コーティング（１８）をコーティングする工程と、
前記基材（１０）の表面調整工程と、
絶縁材料が平坦な表面を有し、前記ビア（１６）が完全に絶縁材料で満たされるように、前記基材（１０）及び前記導電性コーティング（１８）を絶縁材料でコーティングする工程と、を実行し、
前記ビア（１６）が備えられた基材（１０）のコーティング方法。
【請求項２】
前記表面調整工程は、大気圧下で実行されることを特徴とする請求項１に記載の基材のコーティング方法。
【請求項３】
前記基材（１０）は、前記表面調整工程においてプラズマ処理されることを特徴とする請求項１又は２に記載の基材のコーティング方法。
【請求項４】
前記基材（１０）は、前記表面調整工程において酸化処理されることを特徴とする請求項１又は２に記載の基材のコーティング方法。
【請求項５】
前記基材（１０）は、前記表面調整工程を実行するため溶剤（４０）が塗布されることを特徴とする請求項１又は２に記載の基材のコーティング方法。
【請求項６】
前記基材（１０）は、前記プラズマ処理と前記溶剤の塗布との組み合わせにより表面調整されることを特徴とする請求項５に記載の基材のコーティング方法。
【請求項７】
前記基材（１０）は、前記酸化処理と前記溶剤の塗布との組み合わせにより表面調整されることを特徴とする請求項５に記載の基材コーティング方法。
【請求項８】
前記溶剤（４０）は、スピンコート法によって塗布されることを特徴とする請求項５から７の何れか１項に記載の基材コーティング方法。
【請求項９】
前記溶剤（４０）が塗布された基材（１０）は、真空チャンバ（５０）に搬送され、真空チャンバ（５０）の内部の圧力が減圧され、保持時間が経過した後に、真空チャンバ（５０）が再度通気されることを特徴とする請求項５から８の何れか１項に記載の基材のコーティング方法。
【請求項１０】
前記真空チャンバ（５０）内の圧力は、大気圧よりも０．１〜０．９バール減圧されることを特徴とする請求項９に記載の基材のコーティング方法。
【請求項１１】
保持時間は、約１０〜６０秒であることを特徴とする請求項９又は１０に記載の基材のコーティング方法。
【請求項１２】
前記基材（１０）は、前記真空チャンバ（５０）内で加熱されることを特徴とする請求項９から１１の何れか１項に記載の基材のコーティング方法。
【請求項１３】
前記基材（１０）は、３０℃よりも高い温度に加熱されることを特徴とする請求項１２に記載の基材のコーティング方法。
【請求項１４】
前記溶剤（４０）が塗布された後、前記基材（１０）は、前記絶縁材料（２０）がコーティングされる別のチャンバに搬送されることを特徴とする請求項５から１３の何れか１項に記載の基材のコーティング方法。
【請求項１５】
前記絶縁材料（２０）は、スピンコート法により塗布されることを特徴とする請求項１から１４の何れか１項に記載の基材のコーティング方法。
【請求項１６】
前記絶縁材料（２０）として、誘電体、レジスト、又はエポキシ樹脂が塗布されることを特徴とする請求項１から１５の何れか１項に記載の基材のコーティング方法。
【請求項１７】
前記絶縁材料（２０）は、塗布された後、硬化されることを特徴とする請求項１から１６の何れか１項に記載の基材のコーティング方法。
【請求項１８】
基板（１０）の上部及び底部表面を通って延在するビア（１６）を有する基板をコーティングする方法であって、
電子部品１２によって前記ビア（１６）の底部開口を閉じる工程と、
基板（１０）の上部表面、前記ビア（１６）の内側表面、及び前記ビアに隣接する電子部品（１２）の上部表面部分に導電性材料（１４）を適用する工程と、
絶縁材料（２０）が導電性材料（１４）に平坦な上部表面を有するように、導電性材料（１４）に絶縁材料（２０）を適用し、前記ビア（１６）を完全に満たす工程と、を備える方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビアが備えられた基材のコーティング方法に関するものである。特に、コーティングされる基材は、例えば、半導体材料からなる微細加工されたウェハである。
【背景技術】
【０００２】
ビアは、基材の片側にある電気的な構造物と、基材の反対側にある電気的な構造物とを接続するために基材内の凹部ある。このようにして、例えば、ＭＣＰｓ（マルチチップパッケージ）やＭＥＭｓ（微小電気機械システム）等の３次元構造を有する電子部品が製造される。
【０００３】
ビアは、基材の片側から反対側を接続可能にする貫通穴として形成されてもよい。または、基材の片側から、基材の反対側に配置されビアを塞ぐ電子部品との接続を形成する止まり穴として形成されてもよい。電気的な接続が、ビアの壁面に配置された導電層（例えば、銅など）によってもたらされる。
【０００４】
この導電層を遮蔽、及び／又は電気的に絶縁するために、絶縁材料が基材に塗布されることもある。前記絶縁材料が基材上の導電体を覆い、またビアを塞いでいる。
【０００５】
後の処理工程のため、絶縁材料は可能な限り平らで平坦な表面を有することが望まれる。このような表面は、特にビアの領域では、実現することが簡単ではない。なぜならば、ビアは、直径と比べて非常に大きな深度を有しているからである。すなわち、ビアは絶縁材料によって不完全にしか満たされないことを意味する。
【０００６】
平坦化された絶縁材料を用いたビアを備えた基材をコーティングするための様々なアプローチが知られている。例えば、特許文献１には、基材を振動させながら絶縁材料のビアへの流し込みを補助し、完全にビアを塞ぐ方法が開示されている。
【０００７】
また、特許文献２には、ビアにコーティング剤を流し込むため、高圧下の基材にコーティング剤を塗布する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】Ｗ／Ｏ  ２０１０／０２３１５６Ａ１
【特許文献２】ＵＳ  ５，９９３，５４６
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、これら何れのアプローチには、所望の結果が得られない、又は、技術的に複雑である。
【００１０】
本発明の目的は、本発明は、基材に備えられたビアができる限り平坦な表面を有するように絶縁材料で満たされるようにする、基材を絶縁材料でコーティングする方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この目的を達成するため、本発明はビアが設けられた基材のコーティング方法を提供する。第一工程では、基材の表面調整が行われる。第二工程では、絶縁材料が平坦な表面を有し、ビアが完全に絶縁材料で満たされるように、絶縁材料を基材へコーティングする。本発明は、基材の表面調整、特にビアの領域の表面調整を行うことによって、塗布されるコーティング剤の流動性が改善するという思想に基づいている。これにより、絶縁コーティング剤がビアに流れ込む際の流動性がより改善され、完全にビアを満たすことができる。つまり、コーティングされた基材は（少なくとも、ほぼ）平坦な表面を有する。
【００１２】
表面調整工程は、好ましくは、大気圧下で実行されることが望ましい。これには、複雑な装置が必要ではないという利点がある。
【００１３】
本発明の一実施形態において、表面調整のため基材はプラズマ処理される。この処理によって、導電性コーティング剤の流動性が際立って改善するように基材の表面が加工される。
【００１４】
他の実施形態において、表面調整のため基材は酸化処理される。非常に簡単な方法で、この処理によっても、絶縁コーティング剤の流動性が際立って改善するように基材の表面が加工される。
【００１５】
本発明の更なる実施形態において、溶剤が基材の表面調整のため塗布される。この実施形態は、基材の表面を溶剤で濡らすことにより、絶縁コーティング剤の流動性が大きく改善されることを発見したことに基づいている。この方法では、直径の２倍をはるかに超えた深度を有するビアであっても、絶縁コーティング剤で完全に満たすことができる。
【００１６】
好ましくは、溶剤はスピンコート法にて塗布される。この方法において、基材の表面全体を、簡単に、均一に、溶剤が塗布され得る。
【００１７】
本発明の好ましい実施形態において、溶剤を塗布された基材が真空チャンバへ搬送される。真空チャンバ内の圧力は減圧され、保持時間が経過した後、再度通気される。この工程は、一時的に真空を適用することにより、ビア内への溶剤の浸透を改善することを発見したことに基づいている。当初ビア内の溶剤層の下に閉じ込められていた気泡が、真空の状態にある間膨張する。言い換えると、気泡は上方に移動し、溶剤はビア内へ吸い込まれる。気圧が上昇しほぼ大気圧に戻ると、溶剤が気泡に置き換わる工程がほぼ完了となる。
【００１８】
溶剤をビア内に流し込むために、高い真空度は必要ないことが見いだされている。その代わり、真空チャンバ内の圧力が大気圧より０．１〜０．９バール減圧されれば十分である。この程度の真空度は、比較的安価な真空チャンバ内で実現可能である。
【００１９】
保持時間は約１０〜６０秒にしてもよく、短時間の工程が実現可能になる。
【００２０】
本発明の一実施形態において、基材が真空チャンバ内で加熱される。好ましくは、基材は３０度よりも高くなるように加熱される。これにより、ビア内において、気泡と溶剤の交換が改善される。なぜならば、ビア内の溶剤層の下に閉じ込められた空気が、すでにある真空の状態の影響よりも、加熱による影響により、より大きく膨張するためである。
【００２１】
本発明の好ましい実施形態において、基材は溶剤が塗布された後、絶縁材料がコーティングされるチャンバへ搬送される。これにより、真空チャンバが絶縁材料により汚染されるのを防ぐことができる。
【００２２】
好ましくは、絶縁材料はスピンコート法によって塗布される。この方法は、一般的に、高信頼性と低コストを実現するため、ウェハ加工の分野で確立されている。
【００２３】
絶縁材料は、レジスト、エポキシ樹脂、又は他の誘電体であってもよい。これらの材料は加工しやすく、これらの材料を用いることにより、平坦な表面を有するコーティングをつくりやすい。
【００２４】
絶縁材料は、塗布の後に硬化処理されてもよい。この目的のため、コーティング時に、基材は紫外光、又は、熱源に同時にさらされてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】コーティングされたビアを有する基材の一部の断面図である。
【図２】本発明による、コーティング方法を概略的に示す図である。
【図３】図２に示した表面調整工程の方法をより詳細に示す図である。
【図４】図３の表面調整工程の間の、圧力の経時変化を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明について、いくつかの実施形態を参照して、図面と共に詳細に開示する。
【００２７】
図１は、基材（ウェハ）１０を概略的に表している。基材１０は、例えば、半導体材料から構成されてよい。基材１０は、様々な電気または電子部品を備えていてもよい。この場合、電子部品は、単に、概要が図示されている電気的なコンタクト１２であってもよい。
【００２８】
コンタクトの反対側では、基材１０に導電体１４が設けられている。導電体１４は、帯状導電体、又は導電体がコーティングされたものでもよい。コンタクト１２を導電体１４に接続するために、基材１０は、ビア１６が設けられている。言い換えれば、少なくとも片側の面から基材の面に対してほぼ垂直に延びる穴ということである。この場合、ビア１６は、導電体１４側から基材１０を通ってコンタクト１２へ延びる開口として形成される。
【００２９】
図示された実施形態のように、コンタクト１２で下側を塞がれているため、ビア１６は止まり穴となる。また、ビア１６は、導電体１４を基材の下側に配置される第二の導電体に接続することも可能である。この場合、ビアは貫通穴となる。
【００３０】
図１に示される基材１０の詳細は、ひとつのビア１６しか含まれていない。実際には、基材には多数のビアが設けられている。もし、このビア１６が以下のように議論されていた場合、基材に備えられた更なるビアに対しても、図に示されているビアと同等に取り扱われる。
【００３１】
この場合、コンタクト１２と導電体１４との間の電気的接続は、ビア１６の壁に位置する導電性コーティング１８によって提供される。予めコーティングされた導電体１４をコンタクト１２に接続する、又は、導電体１４と同じワーキングステップにおいてコーティングするため、導電性コーティング１８は前もって施される。
【００３２】
基材１０の導電体１４が備えられた側には、絶縁材料２０がコーティングされている。絶縁材料２０は、電気的な絶縁のため、及び選択的な遮蔽のためである。例えば、適した材料は、フォトレジスト（レジスト）、エポキシ樹脂、又は、別の誘電体である。
【００３３】
図１示されるように、絶縁材料２０は平坦な表面を有する。これは、特に、たとえビア１６の深さが、ビア１６の直径の１〜２倍あっても（あるケースでは、より大きな深さ比が用いられてもよい）、絶縁材料２０が完全にビア１６に満たされるからである。
【００３４】
図２は、絶縁材料２０がビア１６を完全に満たすように、絶縁材料２０が塗布される工程を概略的に示す。
【００３５】
最初の方法ステップ１では、基材１０が表面調整される。この工程は、図中の矢印Ｐによって示されている。表面調整は、基材１０をプラズマ処理や酸化によって実施されてもよい。表面調整は溶剤を用いて実施されてもよい。これら２つの異なる方法の組み合わせも可能である。
【００３６】
表面調整の後、基材１０は絶縁材料がコーティングされる工程（方法ステップ２）の処理位置に搬送される。
【００３７】
コーティングはスピンコート法が用いられてもよい。スピンコート法は、モータ３２によって回転可能（矢印Ｒ参照）に取付けられたサポート３０上に基材１０が配置される。回転する基材１０にノズル３４を用いて、所望の絶縁材料が基材１０に塗布される。
【００３８】
引き続いて、基材１０は、さらに別の、絶縁材料が硬化される工程（方法ステップ３）の処理位置に搬送される。絶縁材料２０は、特に、紫外光や熱に曝されることによって硬化される（概略的に示されている熱源３６を参照）。
【００３９】
図３は、方法ステップ１を詳細に示す。ここで示される表面調整の実施形態では、スピンコート法により、基材１０に溶剤４０が塗布される。この工程は、大気圧下において実行される。
【００４０】
コーティングのため、基材１０は、モータ４４（再度、矢印Ｒ参照）によって回転可能に取付けられたサポート４２上に配置されてもよい。
【００４１】
溶剤は、例えば、アセトン、ＰＧＭＥＡ（１−メトキシ２−プロピルアセテート）、酢酸エチル、又は、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−ピロリドン）であってもよい。
【００４２】
溶剤４０が塗布された後、基材１０は、真空チャンバ５０へ搬送される。真空チャンバ５０内では、基材１０は（概略的に示されている）ヒータ５４が備えられたサポート５２上に配置される。（溶剤４０が塗布された）基材１０は、ヒータ５４を用いて、例えば、３０度より高い温度に温められる。
【００４３】
基材１０が真空チャンバ５０に搬送されたとき、真空チャンバ５０は真空状態である。概略的に示される真空ポンプ５６やベンチュリノズルがこの目的のために利用されてもよい。１つの実施形態においては、圧力が大気圧から０．３バール程度に減圧される（図４も参照）。
【００４４】
ビアが排気された場合、ビア近傍の空気の一部も吸い出される。これは、また、基材１０上に位置する溶剤４０の層にも局所的に影響を与える。
【００４５】
所望の真空度に達した場合、真空チャンバ５０内の圧力は、常時、又は、所定の保持時間（ｔ１〜ｔ２）一定に保たれる。保持時間は、例えば、１０〜６０秒程度であってもよい。この保持時間の間、当初ビア１６内の溶剤層の中に閉じ込められていた気泡が上方へ移動し、溶剤４０がビア１６内で下方に移動する。その結果、ビアの壁は、完全に溶剤４０で濡らされる。
【００４６】
当初ビア内に閉じ込められていた気泡の上昇は、基材１０を温めることによって促進される。この結果、ビア内の気泡は、真空チャンバ内の気圧の低下の影響を受ける場合よりも大きく膨張する。
【００４７】
いったん保持時間が経過すると、真空チャンバ５０は再度換気され、その結果、大気圧まで内部の気圧が上昇する。この工程では、空気がビア１６に吸い込まれ、また、ビア内に溶剤が吸い込まれる。これにより、溶剤４０はビア１６の壁に、完全に密着する。
【００４８】
いったん真空チャンバ５０が初期の圧力に戻ると、基材１０は取り除かれ、方法ステップ２、言い換えれば、絶縁材料２０がコーティングされる工程が実行される処理位置に搬送される。ビア１６の壁が溶剤で濡れているため、絶縁材料２０はビア１６内に良好に流れ込み、ビアを完全に塞ぐ。その結果、内部に含まれる空気等が原因となる問題が無くなり、そして、ビア１６の領域においても、絶縁材料２０は（少なくとも、ほぼ）平坦な表面を有する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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