(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リン酸、硝酸、酢酸、アゾール系化合物、および脱イオン水を含み、粘度が４〜４３ｃＰであり、銀基板に対する接触角が２４〜６１゜である銀含有薄膜用エッチング液組成物。
【請求項２】
前記エッチング液組成物の総重量に対して、リン酸３０〜６０重量％、硝酸０．５〜１０重量％、酢酸３３〜５０重量％、アゾール系化合物０．０１〜１０重量％、および組成物の総重量が１００重量％となるように残部の脱イオン水を含むことを特徴とする請求項１に記載の銀含有薄膜用エッチング液組成物。
【請求項３】
銀含有薄膜は、銀または銀合金からなる単一膜、または前記単一膜と透明導電膜とから構成される多層膜であることを特徴とする請求項１に記載の銀含有薄膜用エッチング液組成物。
【請求項４】
前記透明導電膜は、酸化スズインジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）、酸化スズ亜鉛インジウム（ＩＴＺＯ）、酸化ガリウム亜鉛膜（ＧＺＯ）、および酸化ガリウム亜鉛インジウム（ＩＧＺＯ）からなる群より選択される１種以上であることを特徴とする請求項３に記載の銀含有薄膜用エッチング液組成物。
【請求項５】
前記単一膜と透明導電膜とから構成される多層膜は、透明導電膜／銀、透明導電膜／銀合金、透明導電膜／銀／透明導電膜、または透明導電膜／銀合金／透明導電膜であることを特徴とする請求項３に記載の銀含有薄膜用エッチング液組成物。
【請求項６】
前記エッチング液組成物は、追加的にエッチング調節剤またはｐＨ調節剤を含むことを特徴とする請求項１に記載の銀含有薄膜用エッチング液組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銀エッチング液組成物およびこれを用いた表示基板に関し、より詳細には、粘度が４〜４３ｃＰであり、接触角が２４〜６１゜である銀エッチング液組成物およびこれを用いた表示基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
本格的な情報化時代に入るにつれ、大量の情報を処理および表示するディスプレイ分野が急速に発展してきており、これに応えて多様な平板ディスプレイが開発されて注目されている。
【０００３】
このような平板ディスプレイ装置の例としては、液晶ディスプレイ装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ：ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ装置（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ  ｄｅｖｉｃｅ：ＰＤＰ）、電界放出ディスプレイ装置（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ：ＦＥＤ）、エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ：ＥＬＤ）、有機発光ディスプレイ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅｓ：ＯＬＥＤ）などが挙げられ、これらの平板ディスプレイ装置は、テレビやビデオなどの家電分野だけでなく、ノートパソコンのようなコンピュータおよび携帯電話などの多様な用途に用いられている。これらの平板ディスプレイ装置は、薄型化、軽量化、および低消費電力化などの優れた性能によって、従来使用されていたブラウン管（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ：ＣＲＴ）を素早く代替している。
【０００４】
特に、ＯＬＥＤは、素子自体で光を発光し、低電圧でも駆動できるため、最近、携帯機器などの小型ディスプレイ市場に素早く適用されている。また、ＯＬＥＤは、小型ディスプレイを越えて、大型テレビの商用化を目前にしている状態である。
【０００５】
一方、酸化スズインジウム（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）と酸化亜鉛インジウム（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）のような導電性金属は、光に対する透過率が比較的優れ、導電性を有するので、平板ディスプレイ装置に用いられるカラーフィルタの電極に広く使用されている。しかし、これらの金属も、高い抵抗を有し、応答速度の改善による平板表示装置の大型化および高解像度の実現にハードルとなっている。
【０００６】
また、反射板の場合、従来アルミニウム（Ａｌ）反射板を主に製品に用いてきたが、輝度の向上による低電力消費の実現のためには、反射率のより高い金属への材料変更を模索している状態である。このために、平板ディスプレイ装置に適用されている金属に比べて低い比抵抗と高い輝度を有する銀（Ａｇ：比抵抗約１．５９μΩｃｍ）膜、銀合金、またはこれを含む多層膜を、カラーフィルタの電極、ＬＣＤまたはＯＬＥＤ配線および反射板に適用、平板表示装置の大型化と高解像度および低電力消費などを実現すべく、該材料の適用のためのエッチング液の開発が要求された。
【０００７】
しかし、銀（Ａｇ）は、ガラスなどの絶縁基板、または真性アモルファスシリコンやドーピングされたアモルファスシリコンなどからなる半導体基板などの下部基板に対して接着性（ａｄｈｅｓｉｏｎ）が極めて不良で蒸着が容易でなく、配線の浮き上がり（ｌｉｆｔｉｎｇ）または剥がれ（Ｐｅｅｌｉｎｇ）が誘発されやすい。また、銀（Ａｇ）導電層が基板に蒸着された場合にも、これをパターニングするためにエッチング液を使用する。このようなエッチング液として従来のエッチング液を使用する場合、銀（Ａｇ）が過度にエッチングされたり、不均質にエッチングされて、配線の浮き上がりまたは剥がれ現象が発生し、配線の側面プロファイルが不良になる。特に、銀（Ａｇ）は、エッチング後のテーパ角（ｔａｐｅｒ  ａｎｇｌｅ）の形成が難しい問題を抱えていて、配線への活用に多くの限界を持っている。このように銀（Ａｇ）のテーパ角（ｔａｐｅｒ  ａｎｇｌｅ）の形成が難しい理由は、銀固有の特性分子の大きさおよび還元されようとする性質によってテーパ角の形成が難しく、短時間で縦方向にエッチングされるため、横方向にエッチングさせることが不可能で、エッチングの方向性を持たせることが不可能であるからである。
【０００８】
特許文献１に提示された銀エッチング液は、リン酸、硝酸、酢酸に、添加剤として補助酸化物溶解剤と含フッ素型炭素系界面活性剤を使用した。しかし、補助酸化物溶解剤として使用されたＳＯ４２−化合物は、銀（Ａｇ）と反応をして硫化銀（Ａｇ２Ｓ）の形態で基板内に残渣として残るという欠点があり、ＣｌＯ４−化合物は、現在環境規制物質として規定されていて、使用に困難がある。また、前記組成物を用いて銀が含まれた金属膜をエッチングする場合、エッチング後のテーパ角（ｔａｐｅｒ  ａｎｇｌｅ）の形成が難しい問題を依然として抱えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】韓国登録特許第１０−０５７９４２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、銀を含む金属膜のエッチング後、テーパ角（ｔａｐｅｒ  ａｎｇｌｅ）の形成を可能にする銀エッチング液組成物を提供することを目的とする。
【００１１】
また、本発明は、前記銀エッチング液組成物を用いた表示基板および配線を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成するために、
本発明は、粘度が４〜４３ｃＰであり、接触角が２４〜６１゜である銀エッチング液組成物を提供する。
【００１３】
また、本発明は、前記銀エッチング液組成物でエッチングされた金属膜を含む表示基板を提供する。
【００１４】
さらに、本発明は、前記銀エッチング液組成物でエッチングされた配線を提供する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の銀エッチング液組成物は、銀を含む金属膜のエッチング後、テーパ角（ｔａｐｅｒ  ａｎｇｌｅ）形成を可能にする。これによって、従来反射膜にのみ適用されていた銀を含む金属膜に対してテーパ角を形成することにより、配線として活用可能にする効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施例９のエッチング液でＡｇ配線をＥｔｃｈ後、テーパ角が形成されたイメージである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明をより詳細に説明する。
【００１８】
本発明は、粘度が４〜４３ｃＰ（ｃｅｎｔｉ  ｐｏｉｓｅ；１ｃＰ＝１ｍＰａ・ｓ）であり、接触角が２４〜６１゜である銀エッチング液組成物に関する。本発明者は、前記のような特定範囲の粘度および特定範囲の接触角を有するエッチング液組成物を用いて、銀を含む金属膜をエッチングする場合、エッチング後のテーパ角（ｔａｐｅｒ  ａｎｇｌｅ）の形成を可能にすることを、実験的に確認した。本発明は、エッチング液組成物の特性に関連して従来全く考慮されていなかった粘度と接触角が、エッチング液のエッチング後のテーパ角（ｔａｐｅｒ  ａｎｇｌｅ）の形成に密接な関係があることを見出し、特に４〜４３ｃＰの粘度および２４〜６１゜の接触角の特定範囲を有するエッチング液組成物のテーパ角（ｔａｐｅｒ  ａｎｇｌｅ）の形成への効果を最初に明らかにしたことに、本発明の特徴がある。
【００１９】
本発明の粘度は、恒温槽内でＯｓｔｗａｌｄ粘度計を用いた方法で測定されるものであってもよく、本発明の接触角は、エッチング液組成物を、常温（約２５℃）で、接触角を知ろうとする基板上に滴下させ、接触角測定装備を用いて、滴下した液滴が基板となす角度を測定する方法であってもよい。
【００２０】
本発明の粘度が４〜４３ｃＰであり、接触角が２４〜６１゜である銀エッチング液組成物の一例として、リン酸、硝酸、酢酸、アゾール系化合物、および脱イオン水を含む銀エッチング液組成物であってもよく、より具体的には、銀エッチング液組成物の総重量に対して、リン酸３０〜６０重量％、硝酸０．５〜１０重量％、酢酸３３〜５０重量％、アゾール系化合物０．０１〜１０重量％、および組成物の総重量が１００重量％となるように残部の脱イオン水を含む銀エッチング液組成物が含まれる。
【００２１】
本発明の銀エッチング液組成物は、銀（Ａｇ）または銀合金からなる単一膜、または前記単一膜と透明導電膜とから構成される多層膜をエッチングできることが特徴であり、前記多層膜は同時にエッチング可能である。
【００２２】
前記銀合金は、銀を主成分とし、Ｉｎ、Ｐ、Ｎｄ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｗ、およびＴｉなどの他の金属を含む合金の形態と、銀の窒化物、ケイ化物、炭化物、および酸化物の形態などと多様であり得るが、これらに限定されるものではない。
【００２３】
また、前記透明導電膜は、一般的に、ＩＺＯとａ−ＩＴＯのように、可視光領域で透過率が約９０％以上で、抵抗率が１×１０−４Ωｃｍ以下の特性を持っている。透明導電膜が透明であるためには、一般的に伝導電子が少なくなければならず、電気伝導度が大きくなるためには、伝導電子が多くなければならない。透明導電膜の場合、このように相反する２つの条件を満足しなければならない。ＩＺＯとａ−ＩＴＯを蒸着する方法には、一般的にスパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）を用いるが、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法に比べて蒸着条件を調節しやすく、大型の基板を用いて製造する場合、薄膜の厚さおよび薄膜特性の均一化を図るのに容易であるという利点がある。スパッタリング方法で製造する場合、酸化物ターゲットまたは合金ターゲット（ａｌｌｏｙ  ｔａｒｇｅｔ）を使用する２つの方法があるが、合金ターゲットを使用する場合、蒸着速度が速く、ターゲット寿命もはるかに長く、ターゲット製造の容易性および再活用が可能であるという利点があるが、工程変数に敏感な特性変化を示すという欠点がある。酸化物ターゲットを用いると、薄膜の化学量論比を再現性あるように制御することができるが、合金ターゲットに比べて蒸着速度が遅く、蒸着途中にターゲットに物理的な亀裂が生じることがあり、ターゲットにアークが生じるという欠点がある。インジウム−主成分系酸化物をスパッタリングによって蒸着させる場合、Ｏ２と反応してＩｎ２Ｏ３の形態を有するが、電気伝導度を向上させるために、ドーパントとして、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、およびＺｎなどを使用する。本発明において、ＩＴＯは、それぞれＩｎ２Ｏ３とＳｎＯ２が適正比率で混合されている透明導電膜を意味するが、これに限定されるものではない。例えば、ドーパントとして使用されるＧａとＺｎのみを用いて作ったＧＺＯの膜質なども適用可能である。
【００２４】
さらに、前記多層膜は、透明導電膜／銀、透明導電膜／銀合金、透明導電膜／銀／透明導電膜、または透明導電膜／銀合金／透明導電膜で形成された多層膜であってもよいし、本発明の銀エッチング液組成物を使用する場合、下部膜を損傷させることなく、エッチング均一性を示すことができて、ウェットエッチングに有用に使用できる。
【００２５】
本発明の銀エッチング液組成物に含まれるリン酸（Ｈ３ＰＯ４）は主エッチング剤であって、単一膜または多層膜のエッチング時、銀（Ａｇ）または銀合金と酸化還元反応を起こし、透明導電膜を解離させてウェットエッチングする役割を果たす。
【００２６】
前記リン酸は、銀エッチング液組成物の総重量に対して、３０〜６０重量％含まれ、好ましくは４０〜５０重量％含まれる。
【００２７】
前記リン酸が３０重量％未満で含まれると、エッチング能力が不足して十分なエッチングが行われないことがある。また、工程の進行で一定量以上の銀（Ａｇ）が銀エッチング液組成物に溶解して入ると、銀（Ａｇ）再吸着または銀（Ａｇ）析出物が発生し、後続工程で電気的ショートを生じ得て、不良発生の原因となり得る。
【００２８】
前記リン酸が６０重量％を超える場合には、透明導電膜のエッチング速度は低下し、銀または銀合金のエッチング速度は過度に速くなって過剰エッチングが発生することがあり、これによって、配線の役割を果たせないだけのエッチング量が発生することがある。また、銀または銀合金に透明導電膜が積層された多層膜の場合、銀または銀合金と透明導電膜のエッチング速度の差によるチップ（Ｔｉｐ）が発生し、後続工程に問題が発生することがある。
【００２９】
本発明の銀エッチング液組成物に含まれる硝酸（ＨＮＯ３）は、補助エッチング剤の役割を果たす成分で、単一膜または多層膜のエッチング時、銀（Ａｇ）または銀合金と透明導電膜を酸化させてウェットエッチングする役割を果たす。
【００３０】
前記硝酸は、銀エッチング液組成物の総重量に対して、０．５〜１０重量％含まれ、好ましくは２〜１０重量％含まれる。
【００３１】
前記硝酸の含有量が０．５重量％未満の場合には、銀または銀合金と透明導電膜のエッチング速度の低下が発生し、銀残渣によって、後続工程の進行に伴って電気的ショートおよび残渣の残っている領域が暗く見える現象である暗点不良が発生することがある。また、硝酸の含有量が１０重量％を超える場合には、過度のエッチング速度によって工程上エッチングの調節が難しく、過剰エッチングが発生して、配線としての役割を果たせなくなる。
【００３２】
本発明の銀エッチング液組成物に含まれる酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）は、反応速度などを調節するために緩衝剤として作用し、それだけでなく、Ａｇ単一または合金がテーパ角（ｔａｐｅｒ  ａｎｇｌｅ）を形成するのに非常に重要な役割を果たす。
【００３３】
前記酢酸は、銀エッチング液組成物の総重量に対して、３３〜５０重量％含まれ、好ましくは３３〜４０重量％含まれる。
【００３４】
前記酢酸の含有量が３３重量％未満であれば、配線のエッチング斜面にＴａｐｅｒ  ａｎｇｌｅが形成されない問題がある。５０重量％を超えると、揮発性が非常に強い組成物になって、工程適用時、組成物の揮発によって３時間以内に組成物の含有量変化が発生し、時間の経過に伴ってエッチング速度が変わる問題が発生する。
【００３５】
本発明の銀エッチング液組成物に含まれるアゾール系化合物は、銀（Ａｇ）または銀合金のエッチング速度を遅くする役割をする腐食防止剤の役割を果たす成分であって、多層膜のエッチング時、相対的に透明導電膜の速度は遅くせず透明導電膜のチップ（Ｔｉｐ）の発生を制御し、工程上エッチング時間を調節することができる。また、銀（Ａｇ）の過剰エッチングを防止して狭い画素電極（Ｐｉｘｅｌ）の配線を形成することができて、パターンの微細な配線を形成するエッチング液組成物などに添加剤として使用できる。
【００３６】
また、従来は、透明導電膜などのバリア（Ｂａｒｒｉｅｒ）膜がない銀または銀合金の単一膜をエッチング液組成物として用いてエッチングすると、過剰エッチングが発生した。これを防止するために、単一膜の上下部にバリア膜を適用したが、これは、工程上費用増加の原因となった。
【００３７】
しかし、本発明の銀エッチング液組成物は、アゾール系化合物を使用することにより、過剰エッチングを予防可能でバリア膜を使用しなくてもよいし、それによって、工程時間の減少および原材料を節減することができて、生産費用を低減することができるという利点がある。
【００３８】
本発明のアゾール系化合物は、メチルテトラゾール（Ｍｅｔｈｙｌｔｅｔｒａｚｏｌｅ、ＭＴＺ）、アミノテトラゾール（５−ａｍｉｎｏｔｅｔｒａｚｏｌｅ）、およびベンゾトリアゾールから選択される１つ以上であってもよく、特にメチルテトラゾール（Ｍｅｔｈｙｌｔｅｔｒａｚｏｌｅ、ＭＴＺ）であることが好ましい。
【００３９】
前記アゾール系化合物は、銀エッチング液組成物の総重量に対して、０．０１〜１０重量％含まれる。前記アゾール系化合物の含有量が０．０１重量％未満であれば、エッチング速度を遅くする役割をまともに果たせず、微細なパターンを有するための配線形成時、過剰エッチングによる配線消失の不良が発生することがある。また、１０重量％を超えると、銀または銀合金のエッチング速度が著しく減少して不必要な部分が完全にエッチングされず電気的ショートを生じ得て、不良発生の原因となる。さらに、エッチング速度の低下によって残留物が残り、後続工程の進行後、製品生産時に一部領域が黒く見える暗点という不良現象を誘発することがある。
【００４０】
本発明の銀エッチング液組成物に含まれる脱イオン水は、半導体工程用を使用し、好ましくは１８ＭΩ／ｃｍ以上の水を使用する。
【００４１】
本発明の銀エッチング液組成物は、上記に言及された成分のほか、この分野で通常使用されるエッチング調節剤およびｐＨ調節剤のうちの１つ以上をさらに含むことができる。
【００４２】
前記追加的に含まれるエッチング調節剤としては、酢酸カリウムまたは酢酸ナトリウムのうちの１つの酢酸塩を含む化合物であり、追加的に含まれるｐＨ調節剤としては、グリコール酸、グルタミン酸、またはグリシンのうちの１つの有機酸を含む化合物である。
【００４３】
本発明の銀エッチング液組成物は、ディスプレイ（ＯＬＥＤ、ＬＣＤなど）のＴＦＴアレイ基板、ＴＳＰ  Ｔｒａｃｅ配線、およびＦｌｅｘｉｂｌｅ用ナノワイヤ配線形成用に多く使用されるインジウム酸化膜、銀、銀合金を用いた単一膜、または２つ以上を使用した多層構造のエッチング液として使用できる。それだけでなく、前記明示されたディスプレイ、ＴＳＰ以外にも、半導体など、前記金属膜質を用いた電子部品素材に使用できる。
【００４４】
また、本発明は、本発明の銀エッチング液組成物でエッチングされた金属膜を含む表示基板を提供することができる。
【００４５】
より詳細には、前記表示装置は、液晶表示装置（ＬＣＤ）または有機発光素子（ＯＬＥＤ）の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板であってもよい。
【００４６】
また、前記ＯＬＥＤは、金属膜を上部および下部に積層することができ、本発明のエッチング液組成物で金属膜をエッチングすることができる。上部および下部に金属膜の厚さを調節して積層することにより、ＯＬＥＤにおいて、前記金属膜は、反射膜および半透過膜の役割を果たすことができる。
【００４７】
前記反射膜は、光がほとんど透過しない厚さでなければならず、前記半透過膜は、光がほとんど透過する厚さでなければならない。したがって、前記金属膜の厚さは、５０〜５０００Åであることが好ましい。
【００４８】
前記金属膜は、銀（Ａｇ）または銀合金からなる単一膜、または前記単一膜と透明導電膜とから構成される多層膜である。
【００４９】
前記銀合金は、銀を主成分とし、Ｉｎ、Ｐ、Ｎｄ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｗ、およびＴｉなどの他の金属を含む合金の形態と、銀の窒化物、ケイ化物、炭化物、および酸化物の形態などと多様であり得るが、これらに限定されるものではない。
【００５０】
また、前記透明導電膜は、一般的に、ＩＺＯとａ−ＩＴＯのように、可視光領域で透過率が約９０％以上で、抵抗率が１×１０−４Ωｃｍ以下の特性を持っている。透明導電膜が透明であるためには、一般的に伝導電子が少なくなければならず、電気伝導度が大きくなるためには、伝導電子が多くなければならない。透明導電膜の場合、このように相反する２つの条件を満足しなければならない。ＩＺＯとａ−ＩＴＯを蒸着する方法には、一般的にスパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）を用いるが、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法に比べて蒸着条件を調節しやすく、大型の基板を用いて製造する場合、薄膜の厚さおよび薄膜特性の均一化を図るのに容易であるという利点がある。スパッタリング方法で製造する場合、酸化物ターゲットまたは合金ターゲット（ａｌｌｏｙ  ｔａｒｇｅｔ）を使用する２つの方法があるが、合金ターゲットを使用する場合、蒸着速度が速く、ターゲット寿命もはるかに長く、ターゲット製造の容易性および再活用が可能であるという利点があるが、工程変数に敏感な特性変化を示すという欠点がある。酸化物ターゲットを用いると、薄膜の化学量論比を再現性あるように制御することができるが、合金ターゲットに比べて蒸着速度が遅く、蒸着途中にターゲットに物理的な亀裂が生じることがあり、ターゲットにアークが生じるという欠点がある。インジウム−主成分系酸化物をスパッタリングによって蒸着させる場合、Ｏ２と反応してＩｎ２Ｏ３の形態を有するが、電気伝導度を向上させるために、ドーパントとして、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、およびＺｎなどを使用する。本発明において、ＩＴＯは、それぞれＩｎ２Ｏ３とＳｎＯ２が適正比率で混合されている透明導電膜を意味するが、これに限定されるものではない。例えば、ドーパントとして使用されるＧａとＺｎのみを用いて作ったＧＺＯの膜質なども適用可能である。
【００５１】
さらに、前記多層膜は、透明導電膜／銀、透明導電膜／銀合金、透明導電膜／銀／透明導電膜、または透明導電膜／銀合金／透明導電膜で形成された多層膜であってもよいし、本発明の銀エッチング液組成物を使用する場合、下部膜を損傷させることなく、エッチング均一性を示すことができて、ウェットエッチングに有用に使用できる。
【００５２】
また、本発明は、本発明の銀エッチング液組成物でエッチングされた配線を提供することができる。
【００５３】
より詳細には、前記配線は、タッチスクリーンパネル（Ｔｏｕｃｈ  ｓｃｒｅｅｎ  ｐａｎｅｌ、ＴＳＰ）において、主にＸ、Ｙ座標にセンシングされた信号を読み込むトレース（Ｔｒａｃｅ）配線またはフレキシブル用銀ナノワイヤ配線であってもよい。
【００５４】
また、前記配線は、銀（Ａｇ）または銀合金からなる単一膜、または前記単一膜と透明導電膜とから構成される多層膜である。
【００５５】
前記銀合金は、銀を主成分とし、Ｉｎ、Ｐ、Ｎｄ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｗ、およびＴｉなどの他の金属を含む合金の形態と、銀の窒化物、ケイ化物、炭化物、および酸化物の形態などと多様であり得るが、これらに限定されるものではない。
【００５６】
また、前記透明導電膜は、一般的に、ＩＺＯとａ−ＩＴＯのように、可視光領域で透過率が約９０％以上で、抵抗率が１×１０−４Ωｃｍ以下の特性を持っている。透明導電膜が透明であるためには、一般的に伝導電子が少なくなければならず、電気伝導度が大きくなるためには、伝導電子が多くなければならない。透明導電膜の場合、このように相反する２つの条件を満足しなければならない。ＩＺＯとａ−ＩＴＯを蒸着する方法には、一般的にスパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）を用いるが、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法に比べて蒸着条件を調節しやすく、大型の基板を用いて製造する場合、薄膜の厚さおよび薄膜特性の均一化を図るのに容易であるという利点がある。スパッタリング方法で製造する場合、酸化物ターゲットまたは合金ターゲット（ａｌｌｏｙ  ｔａｒｇｅｔ）を使用する２つの方法があるが、合金ターゲットを使用する場合、蒸着速度が速く、ターゲット寿命もはるかに長く、ターゲット製造の容易性および再活用が可能であるという利点があるが、工程変数に敏感な特性変化を示すという欠点がある。酸化物ターゲットを用いると、薄膜の化学量論比を再現性あるように制御することができるが、合金ターゲットに比べて蒸着速度が遅く、蒸着途中にターゲットに物理的な亀裂が生じることがあり、ターゲットにアークが生じるという欠点がある。インジウム−主成分系酸化物をスパッタリングによって蒸着させる場合、Ｏ２と反応してＩｎ２Ｏ３の形態を有するが、電気伝導度を向上させるために、ドーパントとして、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ｚｒ、Ｓｎ、およびＺｎなどを使用する。本発明において、ＩＴＯは、それぞれＩｎ２Ｏ３とＳｎＯ２が適正割合で混合されている透明導電膜を意味するが、これに限定されるものではない。例えば、ドーパントとして使用されるＧａとＺｎのみを用いて作ったＧＺＯの膜質なども適用可能である。
【００５７】
さらに、前記多層膜は、透明導電膜／銀、透明導電膜／銀合金、透明導電膜／銀／透明導電膜、または透明導電膜／銀合金／透明導電膜で形成された多層膜であってもよいし、本発明の銀エッチング液組成物を使用する場合、下部膜を損傷させることなく、エッチング均一性を示すことができて、ウェットエッチングに有用に使用できる。
【００５８】
以下、実施例を通じて本発明をより詳細に説明する。しかし、下記の実施例は本発明をより具体的に説明するためのものであって、本発明の範囲が下記の実施例によって限定されるものではない。下記の実施例は、本発明の範囲内で当業者によって適切に修正、変更できる。
【００５９】
＜銀エッチング液組成物の製造＞
実施例１〜９および比較例１〜９
下記表１に記載の成分を当該含有量で混合して銀エッチング液組成物を製造した。
【００６０】
実験例１．銀エッチング液組成物の性能テスト
前記実施例および比較例の銀エッチング液組成物を用いて、ｗｅｔエッチング方式でエッチングし、電子顕微鏡で銀配線分析する方法でテーパ角の形成の有無に関する実験を行って、その結果を表１に示した。Ｔ／Ａ（゜）値が２５゜から６０゜の場合、テーパ角が形成されたと見なすことができて好ましい。
【００６１】
また、粘度は、前記実施例および比較例の銀エッチング液組成物を、エッチング温度である４０℃の恒温槽内でＯｓｔｗａｌｄ粘度計を用いて測定し、その結果は表１に示した。
【００６２】
さらに、接触角は、前記実施例および比較例の銀エッチング液組成物を、常温（約２５℃）で、銀基板上に滴下させ、接触角測定装備（ＫＲＵＳＳ社ＤＳＡ１００）を用いて測定し、その結果は表１に示した。
【００６３】
【表１】
0006669565.tif 000002
＊：ｃｅｎｔｉ  ｐｏｉｓｅ（ｃＰ；１ｃＰ＝１ｍＰａ・ｓ）
【００６４】
したがって、本発明の粘度４〜４３ｃＰおよび接触角２４〜６１゜のエッチング液組成物は、銀を含む金属膜のエッチング時、エッチング後のテーパ角（ｔａｐｅｒ  ａｎｇｌｅ）が形成されることを、実験を通して分かった。
【図１】
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