(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属箔の表面に樹脂層が形成された樹脂付き金属箔において、
前記樹脂層は、
ナフタレン系エポキシ樹脂と、
エポキシ樹脂硬化剤と、
沸点１５０℃以下の溶剤に溶けるポリイミド樹脂またはポリアミドイミド樹脂と、
を含み、
前記ナフタレン系エポキシ樹脂は、エポキシ当量が１６０以下であり、
前記ナフタレン系エポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤の重量の和を１００重量部としたとき、前記ポリイミド樹脂またはポリアミドイミド樹脂は５〜５０重量部であり、
前記樹脂層は硬化度が７０％以上である、
印刷回路基板の製造のための樹脂付き金属箔。
【請求項２】
前記ナフタレン系エポキシ樹脂は２０±５℃で液状である、
請求項１に記載の印刷回路基板の製造のための樹脂付き金属箔。
【請求項３】
前記エポキシ樹脂硬化剤は、フェノールアラルキル型樹脂、ナフトールアラルキル型樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、窒素含有ノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂及びトリフェニル型フェノール樹脂からなる群より選択されたいずれか１つ以上である、
請求項１または２に記載の印刷回路基板の製造のための樹脂付き金属箔。
【請求項４】
前記樹脂層は０．５μｍから１０μｍの厚さに形成された、
請求項１から３のいずれか一項に記載の印刷回路基板の製造のための樹脂付き金属箔。
【請求項５】
前記金属箔は平均表面粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍから０．２μｍである、
請求項１から４のいずれか一項に記載の印刷回路基板の製造のための樹脂付き金属箔。
【請求項６】
絶縁層上に請求項１から５のいずれか１項に記載の樹脂付き金属箔を積層する段階と、
前記樹脂付き金属箔の金属箔を除去する段階と、
前記金属箔が除去された樹脂付き金属箔の樹脂層上に回路パターンを形成する段階と、
を含む
印刷回路基板の製造方法。
【請求項７】
ナフタレン系エポキシ樹脂と、
エポキシ樹脂硬化剤と、
沸点１５０℃以下の溶剤に溶けるポリイミド樹脂またはポリアミドイミド樹脂と、
を含む
樹脂層が形成された、
前記ナフタレン系エポキシ樹脂は、エポキシ当量が１６０以下であり、
前記ナフタレン系エポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤の重量の和を１００重量部としたとき、前記ポリイミド樹脂またはポリアミドイミド樹脂は５〜５０重量部であり、
前記樹脂層は硬化度が７０％以上である、
印刷回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、印刷回路基板の製造用樹脂付き金属箔、印刷回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
印刷回路基板とは絶縁材に銅のような導電性材料で回路パターンを形成したものであり、最近、電子部品の小型化、軽量化の傾向に伴ってより高密度の微細回路パターンが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−０７０１７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一実施形態は、回路パターンを形成する金属層との密着性に優れ、高い耐熱性を有する樹脂層を金属箔にコーティングして微細回路パターンの加工を容易にする印刷回路基板の製造のための樹脂付き金属箔に関する。
【０００５】
本発明の他の実施形態は、上記印刷回路基板の製造のための樹脂付き金属箔を用いて製造した印刷回路基板及びその製造方法に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決すべく、本発明の一実施形態は、金属箔の表面に、ナフタレン系エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂硬化剤と、沸点１５０℃以下の溶剤に溶けるポリイミド樹脂またはポリアミドイミド樹脂とを含む樹脂層が形成された印刷回路基板の製造のための樹脂付き金属箔を提供する。
【０００７】
また、本発明の他の実施形態は、上記樹脂付き金属箔を積層する段階と、上記樹脂付き金属箔から金属箔を除去する段階と、上記金属箔が除去された樹脂付き金属箔の樹脂層上に回路パターンを形成する段階と、を含む印刷回路基板の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一実施形態によると、回路パターンを形成する金属めっき層との接着性に優れた樹脂層を提供することにより、剥離強度と半田耐熱性を確保しながらも、微細回路パターンの加工を容易にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態による印刷回路基板の製造のための樹脂付き金属箔の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下では、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【００１１】
図１は、本発明の一実施形態による印刷回路基板の製造のための樹脂付き金属箔の断面図である。
【００１２】
図１を参照すると、本発明の一実施形態の樹脂付き金属箔１００は、金属箔１０の一面に樹脂層２０が形成される。
【００１３】
上記樹脂層２０は、ナフタレン系エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、及び沸点１５０℃以下の溶剤に溶けるポリイミド樹脂またはポリアミドイミド樹脂を含む。
【００１４】
上記ナフタレン系エポキシ樹脂は、常温、例えば、２０±５℃で液状相のナフタレン系エポキシ樹脂であることが好ましく、ナフタレン系エポキシ樹脂の当量は、１６０以下であることが好ましい。
【００１５】
上記ナフタレン系エポキシ樹脂の当量が１６０を超えると、樹脂層２０が均一に形成されず、半田耐熱性が低下する。
【００１６】
上記エポキシ樹脂硬化剤は、フェノールアラルキル型樹脂、ナフトールアラルキル型樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、窒素含有ノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂及びトリフェニル型フェノール樹脂からなる群より選択される何れか１つ以上を含む。
【００１７】
上記エポキシ樹脂硬化剤の含量は、硬化させる樹脂に対する反応当量から導出されるもので、特に量は限定されず、上記ナフタレン系エポキシ樹脂を十分に硬化させる程度で含有することが好ましい。
【００１８】
上記沸点１５０℃以下の溶剤に溶けるポリイミド樹脂またはポリアミドイミド樹脂は、芳香族を有するバルキー（ｂｕｌｋｙ）なジアミンと酸無水物を反応させて製造してもよい。
【００１９】
使用可能な芳香族ジアミンとしては、特に限定されないが、エーテル（Ｅｔｈｅｒ）系として１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（１，３−Ｂｉｓ（４−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｂｅｎｚｅｎｅ）、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル（１，３−Ｂｉｓ（４−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、２，２'−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（２，２−Ｂｉｓ［４−（４−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｐｈｅｎｙｌ］ｐｒｏｐａｎｅ）、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン（２，２−Ｂｉｓ［４−（４−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｐｈｅｎｙｌ］ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐａｎｅ）、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン（Ｂｉｓ［４−（４−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｐｈｅｎｙｌ］ｓｕｌｆｏｎｅ）、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン（Ｂｉｓ［４−（３−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｐｈｅｎｙｌ］ｓｕｆｏｎｅ）、４，４'−ジアミノ−２，２'−ビス（トリフルオロメチル）ジフェニルエーテル（４，４'−Ｄｉａｍｉｎｏ−２，２'−ｂｉｓ（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌ）ｄｉｐｈｅｎｙｌ  ｅｔｈｅｒ）、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）−２，３，５−トリメチルベンゼン（１，４−Ｂｉｓ（４−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）−２，３，５−ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）−２，５−ジ−ｔ−ブチルベンゼン（１，４−Ｂｉｓ（４−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）−２，５−ｄｉ−ｔ−ｂｕｔｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）、１，４−ビス［４−アミノ−２−（トリフルオロメチル）フェノキシ］ベンゼン（１，４−Ｂｉｓ［４−ａｍｉｎｏ−２−（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌ）ｐｈｅｎｏｘｙ］ｂｅｎｚｅｎｅ）、２，２−ビス［４−［４−アミノ−２−（トリフルオロメチル）フェニル］ヘキサフルオロプロパン（２，２−Ｂｉｓ［４−［４−ａｍｉｎｏ−２−（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ］ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐａｎｅ）、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）プロパン（１，３−Ｂｉｓ（４−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｐｒｏｐａｎｅ）、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ブタン（１，４−Ｂｉｓ（４−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｂｕｔａｎｅ）、１，５−ビス（４−アミノフェノキシ）ペンタン（１，５−Ｂｉｓ（４−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｐｅｎｔａｎｅ）、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ネオペンタン（１，３−Ｂｉｓ（４−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｎｅｏｐｅｎｔａｎｅ）、２，５−ビス（４−アミノフェノキシ）−ビフェニル（２，５−Ｂｉｓ（４−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）−５−（２−フェニルエチニル）ベンゼン（１，３−Ｂｉｓ（４−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）−５−（２−ｐｈｅｎｙｌｅｔｈｙｎｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ）、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）−５−（２−フェニルエチニル）ベンゼン（１，３−Ｂｉｓ（３−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）−５−（２−ｐｈｅｎｙｌｅｔｈｙｎｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ）、２，４��ジアミノ−４'−フェニルエチニルジフェニルエーテル（２，４−Ｄｉａｍｉｎｏ−４'−ｐｈｅｎｙｌｅｔｈｙｎｙｌｄｉｐｈｅｎｙｌ  ｅｔｈｅｒ）、ビフェニル系として４，４'−ジアミノ−２，２'−ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル（４，４'−Ｄｉａｍｉｎｏ−２，２'−ｂｉｓ（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、３，７−ジアミノ−２，８−ジメチルジベンゾチオフェン−５，５−ジオキシド（３，７−Ｄｉａｍｉｎｏ−２，８−ｄｉｍｅｔｈｙｌｄｉｂｅｎｚｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−５，５−ｄｉｏｘｉｄｅ）、４，４'−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル（４，４'−Ｂｉｓ（４−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、４，４'−ビス（４−アミノベンズアミド）−３，３'−ジヒドロキシビフェニル（４，４'−Ｂｉｓ（４−ａｍｉｎｏｂｅｎｚａｍｉｄe）−３，３'−ｄｉｈｙｄｒｏｘｙｂｉｐｈｅｎｙｌ）、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（２，２−Ｂｉｓ（３−ａｍｉｎｏ−４−ｈｙｄｒｏｘｙｐｈｅｎｙｌ）ｐｒｏｐａｎｅ）、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン（９，９−Ｂｉｓ（４−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｙｌ）ｆｌｕｏｒｅｎｅ）、４，４'−ジアミノジフェニルケトン（４，４'−ｄｉａｍｉｎｏｄｉｐｈｅｎｙｌ  ｋｅｔｏｎｅ）、２，２−ビス［４−｛４−アミノ−２−（トリフルオロメチル）フェノキシ｝フェニル］ヘキサフルオロプロパン（２，２−Ｂｉｓ［４−｛４−ａｍｉｎｏ−２−（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌ）ｐｈｅｎｏｘｙ｝ｐｈｅｎｙｌ］ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐａｎｅ）、ビス｛４−（４−アミノフェノキシ）フェニル｝ケトン（Ｂｉｓ｛４−（４−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｐｈｅｎｙｌ｝ｋｅｔｏｎｅ）、２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパン（２，２−Ｂｉｓ｛４−（４−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｐｈｅｎｙｌ｝ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐａｎｅ）、２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキシ）フェニル｝プロパン（２，２−Ｂｉｓ｛４−（４−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｐｈｅｎｙｌ｝ｐｒｏｐａｎｅ）、スルホン系として４，４'−ジアミノジフェニルスルホン（４，４'−Ｄｉａｍｉｎｏｄｉｐｈｅｎｙｌ  ｓｕｌｆｏｎｅ）、ビス｛４−（４−アミノフェノキシ）フェニル｝スルホン（Ｂｉｓ｛４−（４−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｐｈｅｎｙｌ｝ｓｕｌｆｏｎｅ）、ビス｛４−（３−アミノフェノキシ）フェニル｝スルホン（Ｂｉｓ｛４−（３−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｐｈｅｎｙｌ｝ｓｕｌｆｏｎｅ）、３，７−ジアミノ−２，８−ジメチルベンゾチオフェン−５，５−ジオキシド（３，７−Ｄｉａｍｉｎｏ−２，８−ｄｉｍｅｔｈｙｌ  ｄｉｂｅｎｚｏｔｈｉｐｈｅｎｅ−５，５−ｄｉｏｘｉｄｅ）などが挙げられる。
【００２０】
酸無水物としては、ピロメリト酸二無水物（Ｐｙｒｏｍｅｌｌｉｔｉｃ  Ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）、３，３'，４，４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（３，３'，４，４'−ｂｅｎｚｏｐｈｅｎｏｎｅ  ｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ｂｉｐｈｅｎｙｌ  ｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ａｃｉｄ  ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）、３，４，３'，４'−ジフェニルスルホンテトラ−カルボン酸二無水物（３，４，３'４'−ｄｉｐｈｅｎｙｌ  ｓｕｌｆｏｎｅ  ｔｅｔｒａ−ｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）、３，３'４，４'−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物（３，３'，４，４'−ｄｉｐｈｅｎｙｌ  ｅｔｈｅｒ  ｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ａｃｉｄ  ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）、２，３，４−テトラヒドロフランテトラ−カルボン酸酢酸二無水物（２，３，４−ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏ  ｆｕｒａｎ  ｔｅｔｒａ−ｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ａｃｉｄ  ａｃｅｔｉｃ  ａｃｉｄ  ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（１，２，５，６−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（２，３，６，７−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（１，４，５，８−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）、２，３，５，６−ピリジンテトラカルボン酸二無水物（２，３，５，６−ｐｙｒｉｄｉｎｅｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）、ｍ−ターフェニル−３，３'，４，４'−テトラカルボン酸二無水物（ｍ−ｔｅｒｐｈｅｎｙｌ−３，３'，４，４'−ｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）、ｐ−ターフェニル−３，３'，４，４'−テトラカルボン酸二無水物（ｐ−ｔｅｒｐｈｅｎｙｌ−３，３'，４，４'−ｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）、４，４−オキシジフタル酸二無水物（４，４−ｏｘｙｄｉｐｈｔｈａｌｉｃ  ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２、２−ビス（２，３  ｏｒ  ３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニルプロパン二無水物（１，１，１，３，３，３−ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏ−２，２−ｂｉｓ（２，３  ｏｒ  ３、４−ｄｉｃａｒｂｏｘｙｐｈｅｎｏｘｙ）ｐｈｅｎｙｌｐｒｏｐａｎｅ  ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）、２，２、−ビス［４−（２，３  ｏｒ  ３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニルプロパン二無水物（２，２−ｂｉｓ［４−（２、３  ｏｒ  ３，４−ｄｉｃａｒｂｏｘｙｐｈｅｎｏｘｙ）ｐｈｅｎｙｌ］ｐｒｏｐａｎｅ  ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス［４−（２，３  ｏｒ  ３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物（１，１，１，３，３，３、−ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏ−２，２−ｂｉｓ［４−（２，３  ｏｒ  ３，４−ｄｉｃａｒｂｏｘｙｐｈｅｎｏｘｙ）ｐｈｅｎｙｌ］  ｐｒｏｐａｎｅ  ｄｉａｎｈｙｄｒ���ｄｅ）などが挙げられる。
【００２１】
沸点が１５０℃を超える溶剤に溶けるポリイミド樹脂またはポリアミドイミド樹脂の場合、沸点が１５０℃を超える高沸点溶剤を使用するため、残存溶剤が多くて、印刷回路基板の製造時に化学銅めっき層との密着力が低下する。
【００２２】
このとき、沸点が１５０℃以下の溶剤には、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミドなどがある。
【００２３】
上記ポリイミド樹脂またはポリアミドイミド樹脂の含量は、上記ナフタレン系エポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤の重量の和を１００重量部としたとき、５から５０重量部であることが好ましい。
【００２４】
ポリイミド樹脂またはポリアミドイミド樹脂の含量が５重量部未満では接着性が低下し、５０重量部を超えると、成形性が低下し、樹脂層が不均一に形成される。
【００２５】
上記樹脂付き金属箔１００は、ナフタレン系エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、及び沸点１５０℃以下の溶剤に溶けるポリイミド樹脂またはポリアミドイミド樹脂を含む樹脂組成物に溶剤を添加して樹脂ワニスを製造し、上記樹脂ワニスを金属箔１０の一面に塗布して樹脂層２０を形成することにより製造することができる。
【００２６】
金属箔１０に樹脂ワニスを塗布する方法は特に制限されず、ロールコーター、ナイフコーター、ドクターブレードコーター、グラビアコーター、ダイコーター、マルチダイコーター、リバースコーター、リバースロールコーター等で樹脂ワニスの粘度を調節して金属箔１０の表面に樹脂層２０を形成することができる。
【００２７】
上記金属箔１０としては、 銅箔、アルミ箔、ニッケル箔またはこれらのうち１つ以上の合金からなる金属箔１０を使用する。
【００２８】
上記金属箔１０の平均表面粗さ（Ｒａ）は０．０５μｍから０．２μｍが好ましく、厚さは０.１μｍから５μｍが好ましい。
【００２９】
上記樹脂層２０は、上記金属箔１０の表面に０．５μｍから１０μｍの厚さで形成され、上記樹脂層２０の硬化度は７０％以上であることが好ましい。
【００３０】
樹脂層２０の硬化度が７０％未満では、上記樹脂付き金属箔１００を回路パターンを形成する絶縁層上にプレス積層する際に樹脂層２０が絶縁層と混合して印刷回路基板の製造時に化学銅めっき層との密着力が低下し、半田耐熱性も減少する。
【００３１】
上記樹脂付き金属箔１００を用いて製造する印刷回路基板には、ナフタレン系エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、及び沸点１５０℃以下の溶剤に溶けるポリイミド樹脂またはポリアミドイミド樹脂を含む樹脂層が形成される。
【００３２】
上記樹脂付き金属箔１００を用いて印刷回路基板を製造する場合、剥離強度と半田耐熱性を確保しながらも、微細回路パターンを容易に加工することができる。
【００３３】
次に、上記樹脂付き金属箔１００を用いて微細回路パターンを有する印刷回路基板を製造する方法について説明する。
【００３４】
まず、上記樹脂付き金属箔１００の樹脂層２０が回路パターンを形成する絶縁層の表面に接するように樹脂付き金属箔１００を積層する。積層後、金属箔１０をエッチングして除去し、残存する樹脂層２０上に回路パターンを形成する。
【００３５】
回路パターンを形成する方法は、特に制限されないが、例えば、上記樹脂層２０上に化学銅めっき層を形成し、パターニングされためっきレジストを形成した後、電解めっきを行って回路パターンを形成し、上記化学銅めっき層をエッチングして除去する。
【００３６】
このように、回路パターンを形成する絶縁層上に上記樹脂付き金属箔１００を用いて樹脂層２０を形成してから回路パターンを形成すると、剥離強度と半田耐熱性を確保しながらも、表面粗さを小さくして過度なエッチングを防止し、微細回路パターン形成を容易に具現することができる。
【００３７】
しかし、上記樹脂付き金属箔１００を用いて印刷回路基板を製造する方法は、特に制限されず、当業界に公知の全ての製造方法を用いてもよい。
【００３８】
以下では、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、下記実施例により本発明の範囲が制限されるものではなく、本発明の理解を助けるためのものである。
【００３９】
＜実施例１＞
７．２重量部のナフタレン系エポキシ（ＳＥ−８０、ＳＨＩＮ−Ａ  Ｔ＆Ｃ）、１０．２重量部のフェノールアラルキル型硬化剤（ＭＥＨＣ−７８５１Ｓ、Ｍｅｉｗａ  ｋａｓｅｉ）、７．５重量部のポリアミドイミド（沸点１５０℃以下の溶剤に溶解）（ＳＯＲＸ−Ｓ（ＮＫＫ））、０．６重量部のイミダゾール硬化促進剤からなるワニスを作製した。
【００４０】
＜実施例２＞
５．２重量部のナフタレン系エポキシ（ＳＥ−８０、ＳＨＩＮ−Ａ  Ｔ＆Ｃ）、２．３重量部のビスフェノールＡ系エポキシ（ＹＤ−１２８Ｋ、Ｋｕｋｄｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ）、９．９重量部のフェノールアラルキル型硬化剤（ＭＥＨＣ−７８５１Ｓ、Ｍｅｉｗａ  ｆｋａｓｅｉ）、７．５重量部のポリアミドイミド（沸点１５０℃以下の溶剤に溶解）（ＳＯＲＸ−Ｓ（ＮＫＫ））、０．６重量部のイミダゾール硬化促進剤からなるワニスを作製した。
【００４１】
＜実施例３＞
８．７重量部のナフタレン系エポキシ（ＳＥ−８０、ＳＨＩＮ−Ａ  Ｔ＆Ｃ）、８．８重量部のアミノトリアジン型ノボラック硬化剤（ＰＳ６３１３、ＧＵＮ  ＥＩ  Ｃｈｅｍ．Ｉｎｄｕｓｔｒｙ  Ｃｏ．Ｌｔｄ．）、７．５重量部のポリアミドイミド（沸点１５０℃以下の溶剤に溶解）（ＳＯＲＸ−Ｓ（ＮＫＫ））、０．２重量部のイミダゾール硬化促進剤からなるワニスを作製した。
【００４２】
＜実施例４＞
７．１重量部のナフタレン系エポキシ（ＳＥ−８０、ＳＨＩＮ−Ａ  Ｔ＆Ｃ）、１．８重量部のビスフェノールＡ系エポキシ（ＹＤ−１２８Ｋ、Ｋｕｋｄｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ）、８．６重量部のアミノトリアジン型ノボラック硬化剤（ＰＳ６３１３、ＧＵＮ  ＥＩ  Ｃｈｅｍ．Ｉｎｄｕｓｔｒｙ  Ｃｏ．Ｌｔｄ．）、７．５重量部のポリアミドイミド（沸点１５０℃以下の溶剤に溶解）（ＳＯＲＸ−Ｓ（ＮＫＫ））、０．２重量部のイミダゾール硬化促進剤からなるワニスを作製した。
【００４３】
＜実施例５＞
７．２重量部のナフタレン系エポキシ（ＳＥ−８０、ＳＨＩＮ−Ａ  Ｔ＆Ｃ）、１０．２重量部のフェノールアラルキル型硬化剤（ＭＥＨＣ−７８５１Ｓ、Ｍｅｉｗａ  ｋａｓｅｉ）、１２．２重量部のポリアミドイミド（沸点１５０℃以下の溶剤に溶解）（ＳＯＲＸ−Ｓ（ＮＫＫ））、０．６重量部のイミダゾール硬化促進剤からなるワニスを作製した。
【００４４】
＜実施例６＞
５．６重量部のナフタレン系エポキシ（ＳＥ−８０、ＳＨＩＮ−Ａ  Ｔ＆Ｃ）、２．４重量部のＮＢＲ変形エポキシ（Ｐｏｌｙｄｉｓ３６１５、Ｓｃｈｉｌｌ＋Ｓｅｉｌａｃｈｅｒ  「Ｓｔｒｕｋｔｏｌ」  ＧｍｂＨ）、９．５重量部のフェノールアラルキル型硬化剤（ＭＥＨＣ−７８５１Ｓ、Ｍｅｉｗａ  ｋａｓｅｉ）、７．５重量部のポリアミドイミド（沸点１５０℃以下の溶剤に溶解）（ＳＯＲＸ（ＮＫＫ））、０．６重量部のイミダゾール硬化促進剤からなるワニスを作製した。
【００４５】
＜実施例７＞
７．３重量部のナフタレン系エポキシ（ＳＥ−８０、ＳＨＩＮ−Ａ  Ｔ＆Ｃ）、１．８重量部のＮＢＲ変形エポキシ（Ｐｏｌｙｄｉｓ３６１５、Ｓｃｈｉｌｌ＋Ｓｅｉｌａｃｈｅｒ  「Ｓｔｒｕｋｔｏｌ」  ＧｍｂＨ）、８．３重量部のアミノトリアジン型ノボラック硬化剤（ＰＳ６３１３、ＧＵＮ  ＥＩ  Ｃｈｅｍ．Ｉｎｄｕｓｔｒｙ  Ｃｏ．Ｌｔｄ．）、７．５重量部のポリアミドイミド（沸点１５０℃以下の溶剤に溶解）（ＳＯＲＸ−Ｓ（ＮＫＫ））、０．２重量部のイミダゾール硬化促進剤からなるワニスを作製した。
【００４６】
＜実施例８＞
７．２重量部のナフタレン系エポキシ（ＳＥ−８０、ＳＨＩＮ−Ａ  Ｔ＆Ｃ）、１．８重量部のクレゾールノボラック型エポキシ（ＹＤＣＮ−５００−８Ｐ、Ｋｕｋｄｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ）、８．５重量部のアミノトリアジン型ノボラック硬化剤（ＰＳ６３１３、ＧＵＮ  ＥＩ  Ｃｈｅｍ．Ｉｎｄｕｓｔｒｙ  Ｃｏ．Ｌｔｄ．）、７．５重量部のポリアミドイミド（沸点１５０℃以下の溶剤に溶解）（ＳＯＲＸ（ＮＫＫ））、０．２重量部のイミダゾール硬化促進剤からなるワニスを作製した。
【００４７】
＜比較例１＞
７．２重量部のナフタレン系エポキシ（ＳＥ−８０、ＳＨＩＮ−Ａ  Ｔ＆Ｃ）、１０．２重量部のフェノールアラルキル型硬化剤（ＭＥＨＣ−７８５１Ｓ、Ｍｅｉｗａ  ｋａｓｅｉ）、７．５重量部のポリアミドイミド（沸点１５０℃超の溶剤に溶解）（ＳＯＲＸ−ＯＢ（ＮＫＫ））、０．６重量部のイミダゾール硬化促進剤からなるワニスを作製した。
【００４８】
＜比較例２＞
２８重量部の２，２'−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、１９重量部のトリメリット酸二無水物（Ｔｒｉｍｅｌｌｉｔｉｃ  ａｎｈｙｄｒｉｄｅ）を２６０重量部のＮ−メチルピロリドン（Ｎ−ｍｅｔｈｙｌｐｙｒｒｏｌｉｄｏｎｅ）に溶かし、８０℃で加熱した後、トルエン（Ｔｏｌｕｅｎｅ）を入れて３時間還流させ、生成される水分を除去した。その後、１９０℃で２時間維持してから、室温に冷却し、２５重量部の４，４'−ジフェニルメタンジイソシアネート（４，４'−Ｄｉｐｈｅｎｙｌｍｅｔｈａｎｅ  Ｄｉｉｓｏｃｙａｎａｔｅ）を添加して１７０℃で２時間加熱した後、室温に冷却して芳香族ポリアミドイミド（ＰＡＩ）を合成した。合成されたポリアミドイミドの平均分子量（Ｍｗ）は１２０，０００であった。
【００４９】
合成したポリアミドイミド７．５重量部、７．２重量部のナフタレン系エポキシ（ＳＥ−８０、ＳＨＩＮ−Ａ  Ｔ＆Ｃ）、１０．２重量部のフェノールアラルキル型硬化剤（ＭＥＨＣ−７８５１Ｓ、Ｍｅｉｗａ  ｋａｓｅｉ）、０．６重量部のイミダゾール硬化促進剤からなるワニスを作製した。
【００５０】
＜コーティング例１＞
上記実施例１〜８、比較例１及び２のワニスを、それぞれ厚さ２０μｍ、幅６００ｍｍの電解銅箔（ＭＴ−ＥＸ、三井金属）の表面処理面にダイコーターを用いて脱溶剤後の厚さが３μｍになるようにコーティングした。コーティングされた銅箔を、８０℃、１１０℃、１５０℃、１７０℃に設定された長さ２ｍのフローティング方式の４つの乾燥炉に２ｍ／分の速度で通過させた。得られた樹脂付き銅箔の硬化度は９０％以上であった。
【００５１】
＜コーティング例２＞
上記実施例１のワニスを、厚さ２０μｍ、幅６００ｍｍの電解銅箔（ＭＴ−ＥＸ、三井金属）の表面処理面にダイコーターを用いて脱溶剤後の厚さが３μｍになるようにコーティングした。コーティングされた銅箔を、８０℃、１１０℃、１５０℃、１７０℃に設定された長さ２ｍのフローティング方式の４つの乾燥炉に２ｍ／分の速度で通過させた。得られた樹脂付き銅箔の硬化度は４５％であった。
【００５２】
コーティング例２を行った場合、硬化度が４５％と低いため、プレス積層時に樹脂付き銅箔の樹脂層がＰＰＧの樹脂と混合して化学銅めっきとの密着力が低く、半田耐熱性が低下した。
【００５３】
＜実験例＞
上記実施例１〜８、比較例１及び２のワニスで上記コーティング例１を行って得られた１０個の樹脂付き銅箔を、ＣＣＬ、ＰＰＧとともに、２１０℃、１３０分間３ＭＰａの荷重で積層した。積層後に銅箔をエッチングし、化学銅（１μｍ）、電気銅（２０μｍ）をめっきした。得られた基材の銅（Ｃｕ）−樹脂層の密着力（銅（Ｃｕ）−樹脂層の間の９０°剥離強度をＵＴＭで測定：Ｐ／Ｓ）と半田耐熱性（３００℃半田槽でサンプルにブリスターが発生する前までの時間を測定、最大５分間観察：Ｔ−３００）のテストの結果を表１に示した。
【００５４】
【表１】
0006699042.tif 000002
【００５５】
上記表１を参照すると、上記実施例１〜４は優れた密着力と半田耐熱性を示した。
【００５６】
一方、比較例１は、沸点が１５０℃を超える溶剤に溶けるポリアミドイミドを使用したため、コーティング性が悪く、残存溶媒が多くて、化学銅めっきとの密着力が低下した。また、比較例２は、沸点が１５０℃を超える溶剤に溶けるポリアミドイミドを使用したが、エポキシ樹脂、硬化剤が均一に混合されずワニスが作れなかった。
【００５７】
また、実施例５は、沸点１５０℃以下の溶剤に溶けるポリアミドイミドを使用し、優れた密着性及び半田耐熱性を示した。但し、ポリアミドイミドの含量が多すぎてワニスの粘度が上昇して成形性が低下し、外観が不均一となった。
【００５８】
実施例６〜８は、沸点１５０℃以下の溶剤に溶けるポリアミドイミドを使用したが、エポキシ樹脂の当量が２００を超えて樹脂層が均一に形成されず、半田耐熱性が低下した。
【符号の説明】
【００５９】
１００  樹脂付き金属箔
１０  金属箔
２０  樹脂層
【図１】
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