(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及び反対面の第２面を有する基板と、
前記第１面から第２面へ延伸するように設けられており、相互に電気的に絶縁されている半導体又は導電体である複数の第１の部分を基板内で区切る側部電気絶縁素子と
を備える光電デバイスであって、
更に、
前記第１の部分夫々について、前記第２面上に、前記第１の部分に接している第１の導電性パッドと、
前記第１面上に、前記第１の部分に対し各々電気的に接続されて設けられている単一の発光ダイオード、又は発光ダイオード群のアセンブリと、
導電性であって少なくとも一部が透明であり、複数の第１の部分に設けられた全ての発光ダイオードを覆う電極層と、
該電極層を覆い、絶縁性であって少なくとも一部が透明な封止層と、
前記電極層に電気的に接続された少なくとも１つの第２の導電性パッドとを備え、
前記発光ダイオードは夫々、少なくとも１つのワイヤ形状、円錐状、又はテーパ状の形状を有し、該形状の頂点、及び／又は側面の少なくとも一部分を、前記発光ダイオードからの放射光の大部分を供給することが可能な少なくとも１つの活性層を有するシェルで結合するか、又は覆っている半導体素子を備える
ことを特徴とする光電デバイス。
【請求項２】
前記アセンブリ夫々における発光ダイオードの周囲の前記電極層を覆う導電層を更に備える
ことを特徴とする請求項１に記載の光電デバイス。
【請求項３】
前記側部電気絶縁素子は、
前記基板に前記第１面から第２面へ延伸するように設けられている少なくとも１つの絶縁壁を更に備える
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の光電デバイス。
【請求項４】
前記側部電気絶縁素子は更に、半導体又は導電体である第１の部分から電気的に絶縁され、且つ、前記電極層に電気的に接続された半導体又は導電体である第２の部分を前記基板内で区切る
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の光電デバイス。
【請求項５】
前記第２の導電性パッドは、前記第２面側で半導体又は導電体である第２の部分に電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項４に記載の光電デバイス。
【請求項６】
前記第２の導電性パッドは、前記第１面側に設けられている
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の光電デバイス。
【請求項７】
前記基板は、好ましくは、ケイ素、ゲルマニウム、炭化ケイ素、及び、ＧａＮ又はＧａＡｓのＩＩＩ−Ｖ族化合物、又はＺｎＯ製である
ことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の光電デバイス。
【請求項８】
前記基板は、単結晶ケイ素製であり、ドーパント濃度は５×１０16〜２×１０20atoms/cm3 の範囲内である
ことを特徴とする請求項７に記載の光電デバイス。
【請求項９】
前記半導体素子は、主として窒化ガリウムのＩＩＩ−Ｖ族化合物か、又はＩＩ−ＶＩ族化合物製である
ことを特徴とする請求項１に記載の光電デバイス。
【請求項１０】
前記封止層上にレンズを備える
ことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の光電デバイス。
【請求項１１】
ディスプレイスクリーン又はプロジェクタ装置である
ことを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の光電デバイス。
【請求項１２】
ａ）第１面及び該第１面の反対面である第２面を有する基板に、前記第１面から第２面へ延伸するように設けられており、相互に電気的に絶縁されている半導体又は導電体である複数の第１の部分を基板内で区切る側部電気絶縁素子を形成し、前記第１の部分夫々について、第２面上に、前記第１の部分に接している第１の導電性パッドを形成し、
ｂ）第１の部分夫々に対し、前記第１面上に、前記第１の部分に電気的に接続されている単一の発光ダイオード、又は、発光ダイオード群のアセンブリを形成し、
前記発光ダイオードは夫々、少なくとも１つのワイヤ形状、円錐状、又はテーパ状の形状を有し、該形状の頂点、及び／又は側面の少なくとも一部分を、前記発光ダイオードからの放射光の大部分を供給することが可能な少なくとも１つの活性層を有するシェルで結合するか、又は半導体素子で覆い、
ｃ）複数の第１の部分に亘って、導電性であって少なくとも一部が透明であり、全ての発光ダイオードを覆う電極層と、前記電極層を覆い、少なくとも一部が透明で絶縁性の材料製の封止層と、前記電極層に電気的に接続された少なくとも１つの第２の導電性パッドとを形成する
処理を含むことを特徴とする光電デバイスの製造方法。
【請求項１３】
ａ）の処理は、
ｂ）の処理よりも前に、前記基板に前記第１面から該基板の深さ方向の一部へ延伸する側部電気絶縁素子を形成する処理を含み、
ｃ）の処理よりも後に、前記基板を薄くして前記第２面を形成し、該第２面に前記側部電気絶縁素子を露出させる処理を含む
ことを特徴とする請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
フォトリソグラフィー法又は印刷により、蛍光体群を前記発光ダイオード群の少なくとも一部上に堆積させる処理を更に含む
ことを特徴とする請求項１２又は請求項１３に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光ダイオード、特に無機材料製の発光ダイオードを備える光電デバイスに関し、例えばディスプレイスクリーン又はプロジェクタ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスプレイスクリーン又はプロジェクタ等の光電デバイスがある。これらの光電デバイスは、積層された半導体層を有する半導体材料に基づく発光ダイオードを備えている。半導体層は、主として少なくとも１つのＩＩＩ族元素と１つのＶ族元素、以後、ＩＩＩ−Ｖ族化合物と呼ぶもの、具体的には窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化ガリウムインジウム（ＧａＩｎＮ）、又は窒化ガリウムアルミニウム（ＧａＡｌＮ）を含む。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００９／２６１３５６号明細書
【０００４】
画像の１画素は、ディスプレイスクリーンに表示されるか、又はプロジェクタに投映される画像の単位要素に対応する。光電デバイスがモノクローム画像のディスプレイスクリーンか、モノクローム画像の投映装置である場合は、通常、画像の各画素の表示に対して単一の光源を備える。光電デバイスがカラー画像のディスプレイスクリーンか、カラー画像の投映装置である場合は、通常、画像の各画素の表示に対して少なくとも３つの、表示副画素とも呼ばれる放射及び／又は光の強度を調整するコンポーネントを備える。なおそれらのコンポーネントは夫々、おおよそ単一色（例えば、赤、緑及び青）の光を放射する。その３つの表示副画素から放射された放射光の重ね合わせにより、表示された画像の各画素に対応する色覚を観測者に提供する。この場合、画素を表示させる用途のために３つの表示副画素により形成されたアセンブリは、ディスプレイスクリーン又はプロジェクタ装置の表示画素と呼ばれる。
【０００５】
図１は、ディスプレイスクリーン又はプロジェクタ装置のような無機材料発光ダイオードを含む光電デバイス１０の一例を示す。光電デバイス１０は、図１において下から上へ順に、
支持体１２と、
例えば平行な導体片に対応する複数の下層電極１４と、
前記下層電極１４上に載積され、絶縁体１８によって互いに離隔された複数の無機材料製発光ダイオード１６と、
前記無機材料製発光ダイオード１６の各上面に接している透明な上層電極２０と、
上述の構造全体を覆う透明な保護層２２と
を備える。
【０００６】
蛍光層、及び／又はカラーフィルタが保護層２２上に設けられてもよい。
【０００７】
無機材料製発光ダイオード１６は夫々、図１において下から上へ順に積層された半導体部分を含み、それらは、
前記複数の下層電極１４の内の１つに接している第１の導電型、例えばＮ型にドープされた半導体部分２４と、
例えば、ドープされていない半導体部分、単一量子井戸、又は多重量子井戸等を有する単一層又は多重層構造に対応し、動作中の発光ダイオードから供給された放射光のほとんどを放射している発光ダイオードのエリアである活性エリア２６と、
第１の導電型とは逆型の第２の導電型、例えばＰ型にドープされており、複数の電極２０の内の１つに接している半導体部分２８である。
【０００８】
このような発光ダイオード１６は、薄く平面的な層が積層されて形成されるので二次元型と呼ばれる。光電デバイス１０の表示副画素Ｐは夫々、発光ダイオード１６と、発光ダイオード１６を囲繞する絶縁体１８と、前記発光ダイオード１６に接している電極１４群及び電極２０群の内の１つの部分とを備える。一例として、各表示副画素Ｐにより占められる表面積は、１００μｍから１ｍｍまでの範囲の辺の長さを有する正方形に対応する。
【０００９】
図２Ａから図２Ｃは、光電デバイス１０の１つの製造方法の手順により得られる構造を示している。
【００１０】
図２Ａは、支持体１２上に下層電極１４を形成した後、そして構造全体に半導体層３２，３４，３６を順に積層したスタック３０が堆積されて得られる構造を示している。
【００１１】
図２Ｂは、複数の発光ダイオード１６夫々に対応する半導体部分２４，２６，２８を区切るためにスタック３０に複数の開口３８をエッチングにより形成した後に得られる構造を示している。
【００１２】
図２Ｃは、複数の発光ダイオード１６間の複数の開口３８に絶縁体１８を形成した後に得られる構造を示している。図２Ｂに示した構造に対して全体に亘り発光ダイオード１６を覆う絶縁層を蓄積させて開口３８内に充填させ、各発光ダイオード１６の一部分２８に達するまで絶縁層に対してエッチングを施して実現されてもよい。
【００１３】
各表示副画素Ｐによって放射が可能な最大光強度は、表示副画素Ｐの表面積に対する発光ダイオード１６が占める表面積に依存し、表示副画素の総面積以上とはならない。２つの隣り合う発光ダイオード１６間の最短距離は、半導体層３２，３４，３６をエッチングする方法及び絶縁体１８を形成する方法によって決まり、一般には３μｍよりも長いか、又は５μｍよりも長い。なおその距離は、各発光ダイオード１６により占められる最大面積を減少させる。
【００１４】
下層電極１４は、連続する電極層として形成されてもよい。しかしながら、下層電極１４は、抵抗的になり、導光のデメリットを有する。下層電極１４の抵抗力は、エッジ部と中央部の間の電圧降下が即座に電気制御システムの補正容量を超過するので、光電デバイスの最大サイズを強く制限する。導光は、ある副画素から放射された光の一部が近傍の副画素群へ再注入されるという結果を及ぼし、光電デバイスのコントラスト及び色表現の鮮やかさを強く制限する。複数の下層電極１４が、別個の一片として形成された場合には、副画素間で必要な距離は更に長くなる。
【００１５】
上述した製造方法による他のデメリットは、半導体層３２，３４，３６のエッチングの処理が、各発光ダイオード１６における活性エリア２６の側辺の劣化を招き、活性エリア２６から放射された光の進行を妨げて１５μｍ×１５μｍ以下のサイズの副画素を良質にに形成することが困難となる可能性があることである。
【発明の概要】
【００１６】
本開示の目的は、ディスプレイスクリーン又はプロジェクタ装置等の無機材料製発光ダイオードを備える光電デバイスについて上述したデメリットの全て又は一部を克服することである。
【００１７】
本開示の他の目的は、各表示副画素によりもたらされる最大光強度を増大させることである。
【００１８】
本開示の他の目的は、発光ダイオードの活性層のエッチング処理を含まない発光ダイオードの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
従って一実施形態における光電デバイスは、第１面及び第１面と反対面である第２面を有する基板と、前記第１面から第２面へ延伸するように設けられており、相互に電気的に絶縁されている半導体又は導電体である複数の第１の部分を基板内で区切る側部電気絶縁素子とを備える光電デバイスであって、更に、前記第１の部分夫々について、前記第２面上に、前記第１の部分に接している第１の導電性パッドと、前記第１面上に、前記第１の部分に電気的に接続されて設けられている単一の発光ダイオード、又は、発光ダイオード群のアセンブリと、導電性であって少なくとも一部が透明であり、前記発光ダイオード群を全て覆う電極層と、該電極層を覆い、絶縁性であって少なくとも一部が透明な封止層と、前記電極層に電気的に接続された少なくとも１つの第２の導電性パッドとを備える。
【００２０】
実施形態によれば、発光ダイオードは夫々、少なくとも１つのワイヤ形状、円錐状、又はテーパ状の半導体素子を有している。該半導体素子は、その形状の頂点、及び／又は、その側面の少なくとも一部分をシェルで結合するか又は覆っている。なおそのシェルは、発光ダイオードからの放射光の大部分を供給することが可能な少なくとも１つの活性層を有している。
【００２１】
実施形態によれば、光電デバイスは更に、前記アセンブリ夫々における発光ダイオードの周囲の前記電極層を覆う導電層を備える。
【００２２】
実施形態によれば、前記側部電気絶縁素子は、前記基板に前記第１面から第２面へ延伸するように設けられている少なくとも１つの絶縁壁を備える。
【００２３】
実施形態によれば、前記側部電気絶縁素子は更に、半導体又は導電体である第１の部分から電気的に絶縁され、且つ、前記電極層に電気的に接続された半導体又は導電体である第２の部分を前記基板内で区切る。
【００２４】
実施形態によれば、前記第２の導電性パッドは、前記第２面側で半導体又は導電体である前記第２の部分に電気的に接続されている。
【００２５】
実施形態によれば、前記第２の導電性パッドは、前記第１面側に設けられている。
【００２６】
実施形態によれば、前記基板は、ケイ素、ゲルマニウム、炭化ケイ素、及び、ＧａＮ又はＧａＡｓ等のＩＩＩ−Ｖ族化合物、又はＺｎＯ製である。
【００２７】
実施形態によれば、前記基板は、単結晶ケイ素製であり、ドーパント濃度は５×１０16〜２×１０20atoms/cm3 の範囲内である。
【００２８】
実施形態によれば、各半導体素子は、主として窒化ガリウム等のＩＩＩ−Ｖ族化合物か、又はＩＩ−ＶＩ族化合物製である。
【００２９】
実施形態によれば、光電デバイスは、前記封止層上にレンズを備える。
【００３０】
実施形態によれば、光電デバイスは、ディスプレイスクリーン又はプロジェクタ装置である。
【００３１】
一実施形態は、光電デバイスの製造方法をも対象とし、その方法は、
ａ）第１面及び該第１面の反対面である第２面を有する基板に、前記第１面から第２面へ延伸するように設けられており、相互に電気的に絶縁されている半導体又は導電体である複数の第１の部分を基板内で区切る側部電気絶縁素子を形成し、前記第１の部分夫々について、第２面上に、前記第１の部分に接している第１の導電性パッドを形成し、
ｂ）第１の部分夫々に対し、前記第１面上に、前記第１の部分に電気的に接続されている単一の発光ダイオード、又は、発光ダイオード群のアセンブリを形成し、
ｃ）第１の部分夫々に対し、導電性であって少なくとも一部が透明であり、発光ダイオード群を全て覆う電極層と、前記電極層を覆い、少なくとも一部が透明で絶縁性の材料製の封止層と、前記電極層に電気的に接続された少なくとも１つの第２の導電性パッドとを形成する
処理を含む。
【００３２】
実施形態によればａ）の処理は、
ｂ）の処理よりも前に、前記基板に前記第１面から該基板の深さ方向の一部へ延伸する側部電気絶縁素子を形成する処理を含み、
ｃ）の処理よりも後に、前記基板を薄くして前記第２面を形成し、該第２面に前記側部電気絶縁素子を露出させる処理を含む。
【００３３】
実施形態によれば、前記方法は更に、フォトリソグラフィー法又は印刷により、蛍光体群を前記発光ダイオード群の少なくとも一部上に堆積させる処理を含む。
【００３４】
実施形態によれば、各発光ダイオードは、少なくとも１つのワイヤ形状、円錐状、又はテーパ状の半導体素子を有している。該半導体素子は、その形状の頂点、及び／又は、その側面の少なくとも一部分をシェルで結合するか又は覆っている。なおそのシェルは、発光ダイオードからの放射光の大部分を供給することが可能な少なくとも１つの活性層を有している。
【００３５】
前述及び他の特徴及び利点は、以下の添付図面を参照する具体的な実施形態についての本発明を限定しない説明の中で詳細に述べる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】無機材料製の発光ダイオード群を備える光電デバイスの一例の断面略図である。
【図２Ａ】図１の光電デバイスの製造方法の手順により得られる構造の断面略図である。
【図２Ｂ】図１の光電デバイスの製造方法の手順により得られる構造の断面略図である。
【図２Ｃ】図１の光電デバイスの製造方法の手順により得られる構造の断面略図である。
【図３Ａ】発光ダイオード群を備える光電デバイスの一実施形態の略示上面図である。
【図３Ｂ】発光ダイオード群を備える光電デバイスの一実施形態の略示断面図である。
【図３Ｃ】発光ダイオード群を備える光電デバイスの一実施形態の略示下面図である。
【図４Ａ】発光ダイオード群を備える光電デバイスの他の一実施形態の略示上面図である。
【図４Ｂ】発光ダイオード群を備える光電デバイスの他の一実施形態の略示断面図である。
【図４Ｃ】発光ダイオード群を備える光電デバイスの他の一実施形態の略示下面図である。
【図５Ａ】発光ダイオード群を備える光電デバイスの他の一実施形態の略示上面図である。
【図５Ｂ】発光ダイオード群を備える光電デバイスの他の一実施形態の略示断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
明瞭化のために、各図面中の同一の要素は同一の符号を付して示し、また、各図面は正しい縮尺で描かれていない。更に、本開示の理解に有用な要素のみが示され説明される。また特に、発光ダイオード群を備える光電デバイスを制御するデバイスについては、当業者にとっては周知であるので以下では説明を省略する。また以下の説明においては、明示しない場合は、「略」「約」及び「の程度」という用語は「１０％の範囲内」を意味する。
【００３８】
以下で説明する各実施形態は、例えばマイクロワイヤ、ナノワイヤ、円錐状素子、又はテーパ状の素子である三次元半導体素子を含む発光ダイオード群を備える光電デバイス、特にディスプレイスクリーン又はプロジェクタ装置に関する。以下の説明において各実施形態は、マイクロワイヤ又はナノワイヤで形成された発光ダイオード群について説明される。しかしながら、これらの実施形態は、マイクロワイヤ又はナノワイヤ以外の三次元素子、例えばピラミッド状の三次元素子を用いるものとして解釈されてもよい。
【００３９】
更に、以下の説明においては、少なくとも部分的にマイクロワイヤ又はナノワイヤを囲うシェルを各々備える発光ダイオード群について述べられる。しかしながら、これらの実施形態は、活性エリアがマイクロワイヤ又はナノワイヤの高さに沿って、又は頂点に位置する発光ダイオード群であると解釈されてもよい。
【００４０】
「マイクロワイヤ」又は「ナノワイヤ」という用語は、任意の方向に細長い形状を持つ三次元構造を示しており、この三次元構造は、５ｎｍから２．５μｍ、好ましくは５０ｎｍから２．５μｍの範囲の副寸法と称される少なくとも２つの寸法と、副寸法の最大値に対して少なくとも１倍、好ましくは少なくとも５倍、より好ましくは少なくとも１０倍である主寸法と称される第３の寸法とを有する。ある実施形態では、副寸法は約１μｍ以下であり、好ましくは１００ｎｍから１μｍの範囲であり、より好ましくは１００ｎｍから３００ｎｍの範囲であってもよい。ある実施形態では、マイクロワイヤ又はナノワイヤの夫々の高さは５００ｎｍ以上であってもよく、好ましくは１μｍから５０μｍの範囲内であってもよい。
【００４１】
以下の説明では、「ワイヤ」という用語は「マイクロワイヤ又はナノワイヤ」を意味して用いられる。好ましくは、ワイヤの主方向に垂直な面における直切断面の重心を通るワイヤの中線が略直線状であり、以下これをワイヤの「軸」と呼ぶ。
【００４２】
一実施形態によれば、光電デバイス、例えばディスプレイスクリーン又はプロジェクタ装置は、集積回路を備え、該集積回路は、例えば導電体又は半導体の基板であって電気的に相互に絶縁されている複数の基板部分に区分され、各表示副画素に対して基板の正面上に形成された発光ダイオード群のアセンブリを設けた基板を含む。発光ダイオード群のアセンブリは夫々、発光ダイオード又は井桁状に組まれた複数の発光ダイオードを備える。井桁状に組まれた発光ダイオード群の接続は、発光ダイオードのアノード群が相互に接続され、カソード群が相互に接続されることを意味する。発光ダイオード群の要素のアセンブリは夫々、アノード及びカソードを備える一般的な発光ダイオードに等しい。
【００４３】
図３Ａから図３Ｃは、例えばディスプレイスクリーン又はプロジェクタ装置である光電デバイス４０の一実施形態を示し、光電デバイス４０は、
下面４４、及び反対面であり好ましくは発光ダイオード群のアセンブリの高さの平面である上面４６を備える導電体又は半導体製の基板４２と、
前記基板４２の下面４４及び上面４６との間に延伸するように設けられており、導電体又は半導体である複数の部分５０を前記基板４２内で区切る電気絶縁素子４８と、
前記下面４４に接しており、各部分５０がそのいずれか１つに接している複数の導電性パッド５２と、
ワイヤの成長を促進し、夫々上面４６の導電体又は半導体である部分５０に接している複数のシードパッド５４と、
夫々シードパッド５４の１つに接しており、シードパット５４に接している下部５８と、該下部５８に一続きになっている上部６０とを備える複数本のワイヤ５６と、
前記基板４２の上面４６に拡がり、また各ワイヤ５６の下部５８の側辺に拡がる絶縁層６２と、
各ワイヤ５６の上部６０を覆うようにして積層された複数の半導体層を含むシェル６４と、
導電性であって且つ少なくとも一部が透明であり、各シェル６４を覆う電極を形成し、各ワイヤ５６間で絶縁層６２上に拡がっている層６６と、
各ワイヤ５６間で電極層６６を覆うが、ワイヤ５６上には拡がらないようにしてあり、更に、半導体である複数の部分５０の内の１つに、電極層６６及び絶縁層６２に設けられている開口６９を通じて接続されている導電層６８と、
構造全体を覆う透明な封止層７０と
を備える。
【００４４】
光電デバイス４０は、更に、図示しない蛍光体層、及び／又は図示しないカラーフィルタを、封止層７０の内側、又は封止層７０上に備えてもよい。一実施形態によれば、蛍光体は、特に各ワイヤ５６間に分配される。
【００４５】
各ワイヤ５６及び対応するシェル６４とにより、１つの発光ダイオード素子を形成する。発光ダイオード素子群は、発光ダイオード群のアセンブリＤを形成する同一の半導体である複数の部分５０の上に配されて、各アセンブリＤは、したがって、井桁状に接続された複数の発光ダイオード素子群を備える。アセンブリＤ１個あたりの発光ダイオード素子の数は、１〜数千個でよく、例えば２５〜１００個である。アセンブリＤ１個あたりの発光ダイオード素子の数は、様々であって良く、１つのアセンブリと他のアセンブリとでは異なってよい。
【００４６】
光電デバイス４０の各表示副画素Ｐixは、導電体又は半導体である複数の部分５０の内の１つと、該部分５０上の発光ダイオード群のアセンブリＤとを備える。図３Ａでは、表示副画素Ｐix間の分離が、図中の破線７２によって示されている。一実施形態によれば、各表示副画素Ｐixに占められる上面の表面積は、３μｍ×３μｍから数ｍｍ2 、例えば１０から１００μｍ2 である。
【００４７】
発光ダイオード素子は夫々、少なくともワイヤを部分的に覆うシェルにより形成されている。アセンブリＤに含まれる成長後の発光ダイオード素子群の表面積は、アセンブリＤを有する表示副画素の表面積よりも広い。したがって表示副画素によって放射が可能な最大光強度は、二次元無機材料製発光ダイオード技術により形成される表示副画素からの最大光強度よりも高くなる可能性がある。
【００４８】
一実施形態によれば、基板４２はモノリシック半導体構造に対応する。半導体基板４２は、例えば、ケイ素、ゲルマニウム、又はヒ化ガリウム等のＩＩＩ−Ｖ族化合物を材料とする基板である。好ましくは、基板４２は単結晶ケイ素基板である。
【００４９】
好ましくは、半導体基板４２は、電気抵抗を金属の抵抗率に近付けるように、好ましくは数ミリΩ・ｃｍ未満となるように低減するようにドープされている。基板４２は、好ましくは、高濃度ドープされた半導体基板である。そのドーパント濃度は、５×１０16atoms/cm3 から２×１０20atoms/cm3 の範囲、好ましくは１×１０19atoms/cm3 から２×１０20atoms/cm3 の範囲内で、例えば５×１０19atoms/cm3 である。光電デバイスを製造する方法における最初の工程では、基板４２は２７５μｍから１５００μｍの範囲、好ましくは７２５μｍの厚みを有する。一旦光電デバイスが形成された場合、以下詳細を説明するように薄化の工程の後は、基板４２は１μｍから１００μｍの範囲の厚みとなる。ケイ素の基板４２の場合、Ｐ型ドーパントの例は、ホウ素（Ｂ）及びインジウム（Ｉｎ）であり、Ｎ型ドーパントの例は、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）及びアンチモン（Ｓｂ）である。好ましくは、基板４２はＮ型リンでドープされている。ケイ素の基板４２の下面４４は、表側の面（１００）であってもよい。
【００５０】
シードパッド５４は、シードアイランドとも呼ばれ、ワイヤ５６の成長を促進するための材料によりなる。シードパッドの両側縁を保護し、基板のシードパッドによって覆われていない部分の表面を保護し、ワイヤがシードパッドの両側縁から伸びることを防止するために、基板のシードパッドにより覆われていない部分の表面上にトリートメント処理が施されてもよい。このトリートメント処理は、シードパッドの両側部に対する誘電領域の形成と、基板の上面及び／又は内部への拡張と、シードパッドの組夫々に対し、該誘電領域においてワイヤの成長なしでの一方のパッドの他方のパッドへの接続とを含んでもよい。前記誘電領域は、シードパッド５４上に拡がってもよい。変形例として、シードパッド５４は、基板４２の上面４６を覆うシード層に置き換えられてもよい。そして誘電領域は、望まれない範囲へワイヤが成長することを阻止すべくシード層の上に形成されてもよい。
【００５１】
一例として、シードパッド５４を形成する材料は、元素周期表のＩＶ、Ｖ、ＶＩ列からの遷移金属か、又は、ＩＶ、Ｖ、ＶＩ列の遷移金属の窒化物、炭化物、ホウ化物、又はこれらの化合物の組み合わせであってもよい。
【００５２】
例えば、シードパッド５４は、窒化アルミウム（ＡｌＮ）、ホウ素（Ｂ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、ハフニウム（Ｈｆ）、窒化ハフニウム（ＨｆＮ）、ニオブ（Ｎｂ）、窒化ニオブ（ＮｂＮ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ホウ化ジルコニウム（ＺｒＢ2 ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、炭窒化タンタル（ＴａＣＮ）、Ｍｇx Ｎy で表される窒化マグネシウム、ここで例えばｘは約３であってｙは約２であって例えばＭｇ3 Ｎ2 で表される窒化マグネシウム、又は窒化ガリウムマグネシム（ＭｇＧａＮ）、タングステン（Ｗ）、窒化タングステン（ＷＮ）、又はこれらの組み合わせを材料としてもよい。
【００５３】
絶縁層６２は誘電物質、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）、窒化ケイ素（Ｓｉx Ｎy 、ここでｘは約３に等しく、ｙは約４に等しく、例えばＳｉ3 Ｎ4 である）、窒酸化ケイ素（ＳｉＯx Ｎy 、ここでｘは約１／２に等しくてよく、ｙは１に等しくてよく、例えばＳｉ2 ＯＮ2 である）、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2 ）、又はダイヤモンドを材料としてもよい。例えば、絶縁層６２の厚みは５ｎｍ〜８００ｎｍの範囲内であり、例えば３０ｎｍに約等しい。
【００５４】
ワイヤ５６は、少なくとも部分的には、少なくとも１つの半導体材料で形成されている。その半導体材料とは、ケイ素、ゲルマニウム、炭化ケイ素、ＩＩＩ−Ｖ族化合物、ＩＩ−ＶＩ族化合物、又はそれらの組み合わせであってもよい。
【００５５】
ワイヤ５６は、少なくとも部分的には、ＩＩＩ−Ｖ族化合物、例えばＩＩＩ族の窒化化合物を主に含む半導体材料で形成されていてもよい。ＩＩＩ族元素の例としてガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、又はアルミニウム（Ａｌ）が挙げられる。ＩＩＩ族の窒化化合物の例として、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、又はＡｌＩｎＧａＮが挙げられる。他のＶ族元素、例えばリン、又はヒ素が用いられてもよい。一般に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物内の元素は、異なるモル分率により結合されてよい。
【００５６】
ワイヤ５６は、少なくとも部分的には、ＩＩ−ＶＩ族化合物を主に含む半導体材料で形成されていてもよい。ＩＩ族元素の例として、ＩＩＡ族元素、特にベリリウム（Ｂｅ）及びマグネシウム（Ｍｇ）、並びにＩＩＢ族元素、特に亜鉛（Ｚｎ）及びカドミウム（Ｃｄ）が挙げられる。ＶＩ族元素の例として、ＶＩＡ族元素、特に酸素（Ｏ）及びテルル（Ｔｅ）が挙げられる。ＩＩ−ＶＩ族化合物の例としてＺｎＯ、ＺｎＭｇＯ、ＣｄＺｎＯ、又は、ＣｄＺｎＭｇＯが挙げられる。一般に、ＩＩ−ＶＩ族化合物内の元素は、異なるモル分率にて結合されてよい。
【００５７】
ワイヤ５６は、ドーパントを含んでもよい。一例として、ＩＩＩ−Ｖ族化合物に対してドーパントは例えばマグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、若しくは水銀（Ｈｇ）であるＩＩ族Ｐ型ドーパント、例えば炭素（Ｃ）であるＩＶ族Ｐ型ドーパント、例えばケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、硫黄（Ｓ）、テルビウム（Ｔｂ）若しくはスズ（Ｓｎ）であるＩＶ族Ｎ型ドーパントを含む群から選択されてもよい。
【００５８】
ワイヤ５６の断面は、例えば楕円状、円形状、多角形状、特に三角形状、長方形、正方形状又は六角形状のような異なる形状を有していてもよい。例えば図３には、六角形状の断面を有していることが示されている。したがって、ワイヤ又はこのワイヤに成膜された層の断面について用いられている「直径」又は「平均的な直径」という用語は、この断面の対象の構造の表面積に関する量、例えばワイヤの断面と同一の表面積を有する円盤の直径に相当するものを示していると理解されるべきである。各ワイヤ５６の平均的な直径は、５０ｎｍから５μｍの範囲内でもよい。各ワイヤ５６の高さは、２５０ｎｍから５０μｍの範囲内でもよい。各ワイヤ５６は、上面４６に略垂直な１つの軸に沿って細長い半導体構造を有していてもよい。各ワイヤ５６は、ほぼ円柱状の形状を有していてもよい。２つの隣り合うワイヤ５６の軸は０．５μｍから１０μｍの範囲で離隔されていてもよく、好ましくは１．５μｍから５μｍの範囲で離隔されているとよい。一例として、ワイヤ５６は規則正しく分布してもよく、具体的には六角網状に分布していてもよい。
【００５９】
一例として、各ワイヤ５６の下部５８は主にＩＩＩ−Ｎ族化合物、例えば、ドープされた窒化ガリウムにより形成され、基板４２と同型、例えばＮ型に、例えばケイ素でドープされている。下部５８は、１００ｎｍから２５μｍの範囲である高さに亘って拡がっている。
【００６０】
一例として、各ワイヤ５６の上部６０は、少なくとも一部がＩＩＩ族−Ｎ化合物、例えばＧａＮを材料としている。上部６０はＮ型にドープされていてもよいし、可及的に下部５８よりも高濃度ではなく、又は、意図的にドープされないようにしてもよい。上部６０は、１００ｎｍから２５μｍの範囲内である高さに亘って拡がっている。
【００６１】
シェル６４は、積層された複数の層を備えてもよく、該複数の層は
対応するワイヤ５６の上部６０を覆う活性層と、
該活性層を覆い、下部５８の導電型とは逆の導電型の中間層と、
該中間層を覆い、電極層６６により覆われる接合層とを含む。
【００６２】
前記活性層は、発光ダイオード素子により発せられた放射の大部分がここから放出される層である。一例によれば、活性層は多重量子井戸のような閉じ込め手段を備えてもよい。活性層は例えば、５ｎｍから２０ｎｍ（例えば８ｎｍ）の厚みのＧａＮ層、及び１ｎｍから１５ｎｍ（例えば２．５ｎｍ）の厚みを有するＩｎＧａＮ層を交互に配置して形成されている。ＧａＮ層は、例えばＮ型又はＰ型にドープされてもよい。他の例によれば、活性層は、例えば１０ｎｍより大きい厚みを有する単一のＩｎＧａＮ層を備えていてもよい。
【００６３】
中間層は例えば、Ｐ型にドープされ、半導体層又は積層された半導体層に対応してもよく、Ｐ−Ｎ接合又はＰ−Ｉ−Ｎ接合を形成することが可能であり、このとき活性層はＰ型中間層と、Ｐ−Ｎ接合又はＰ−Ｉ−Ｎ接合におけるＮ型の上部６０との間に設けられる。
【００６４】
接合層は、半導体層又は積層された半導体層に対応してよく、中間層及び電極層６６の間のオームコンタクトを形成することが可能である。一例として、接合層は各ワイヤ５６の下部５８とは逆の導電型に、例えば１０20atoms/cm3 以上の濃度でＰ型にドープされた半導体層（群）が縮退するまで極めて高濃度にドープされてもよい。
【００６５】
積層された半導体層は、３元合金材料、例えば、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）又は窒化アルミニウムインジウム（ＡｌＩｎＮ）により形成され、活性層及び中間層に接しており、前記活性層における電気キャリアの良好な分布を提供する電子バリア層を備えてもよい。
【００６６】
電極層６６は、各ワイヤ５６の活性層にバイアスをかけ、発光ダイオード群から発せられた電磁放射を通過させることが可能である。電極層６６を形成する材料は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物、ガリウム亜鉛酸化物、又はインジウム亜鉛酸化物、又はグラフェンのような透明で導電性の材料であってもよい。一例として、電極層６６は５ｎｍから２００ｎｍの範囲、好ましくは２０ｎｍから５０ｎｍの範囲の厚みを有する。
【００６７】
導電層６８は好ましくは、例えばアルミニウム、銅、金、ルテニウム、又は銀で形成された金属層に対応してもよい。又は、導電層６８は、積層された金属層に対応してもよく、金属層は例えば、チタンとアルミニウム、ケイ素とアルミニウム、チタンとニッケルと銀、又は銅、又は亜鉛で形成されてもよい。一例として、導電層６８は２０ｎｍから１５００ｎｍ、好ましくは４００ｎｍから８００ｎｍの厚みを有する。導電層６８は、ワイヤ間にのみ存在し、放射層を覆わない。導電層６８は、電流が流れている間の抵抗ロスを減少させることを可能とする。これは更に、発光ダイオード群から基板へ向けて放射される光を外側へ反射する反射機能を発揮させることを可能とする。
【００６８】
封止層７０は、少なくとも一部が透明な絶縁材料により構成される。封止層７０の最小の厚みは、２５０ｎｍから５０μｍであり、このため封止層７０は発光ダイオードのアセンブリＤ群の頂点において電極層６６の全体を覆う。封止層７０は少なくとも一部が透明な無機材料により構成されてもよい。一例によれば、無機材料はＳｉＯx （ここでｘは１から２の間の実数である）若しくはＳｉＯy Ｎz （ここでｙ及びｚは０から１の間の実数である窒化ケイ素酸化物）か、及び、例えばＡｌ2 Ｏ3 である酸化アルミニウムを含む群から選択される。封止層７０は、少なくとも部分的に透明な有機材料からなってもよい。一例として、封止層７０はシリコーンポリマー、エポキシドポリマー、アクリルポリマー、又はポリカーボネートである。
【００６９】
電気絶縁素子４８は、基板４２の厚み全体に亘って延在し、例えば酸化物、具体的には酸化ケイ素又は絶縁性ポリマー等である絶縁性材料が充填されている複数の溝を有してもよい。変形例として、各溝４８の壁は絶縁層により覆われ、溝の残り部分は、例えばポリシリコン等の半導体又は導電体の材料により充填されている。他の変形例によれば、電気絶縁素子４８は、基板４２とは反対の極性を有し、基板４２の深さ方向全体に沿って延びるドープ領域を備える。一例として、各溝４８は、１μｍよりも長い幅、具体的には１μｍから１０μｍ、例えば約２μｍの幅を有している。隣り合う２つの溝４８間の距離は、５μｍよりも長く、例えば約６μｍである。図３Ｂ及び図３Ｃで示す例では、電気絶縁素子４８は、基板４２の部分５０を区切る隣り合う２つの溝４８を備えている。一例として、単一の溝４８は各部分５０を電気的に絶縁するために設けられてもよい。
【００７０】
一般に、溝は可及的に細長く、所定の深さ、数十μｍから数百μｍで、適宜選択されるエッチング処理及び絶縁技術により形成される。そして基板４２は、電気絶縁素子４８が露出されるまで薄く加工される。
【００７１】
この加工を実現するべく、封止層７０上には強固な材料で形成されたハンドルが一時的又は最終的に接合されていてもよい。ハンドルが最終的に封止層７０に接合される場合、ハンドルは少なくとも部分的に透明な材料で作成される。例えば具体的にはホウケイ酸ガラス、例えばパイレックス（登録商標）として知られているガラスか、又はサファイヤであってもよい。薄化の工程後、基板の下面４４は処理されてよいから、接着が一時的である場合には、ハンドルが分離されるようにしてもよい。
【００７２】
複数の導電性パッド５２は夫々、下面４４を覆う層又は積層された層に対応してもよい。変形例として、絶縁層が下面４４を部分的に覆うようにしてもよく、この場合各導電性パッド５２は、この絶縁層にエッチングによって形成された開口を介して、対応する半導体である部分５０に接している。
【００７３】
本実施形態では、光電デバイス４０は、図示しない可融性の導電素子、例えば導電性パッド５２に接着されている半田バンプ又はインジウムバンプにより他の回路に接着されている。他の回路、具体的には制御回路上の光電デバイス４０のアセンブリは、従来のマトリクスハイブリダイゼーション技術の手法、また、例えばインジウム、又はＳｎＡｇ等の可融性のバンプを用いる方法、又は銅カラム、又は金パッド（スタッドバンプ技術）を用いる方法、又は導電性分子結合（銅に銅を重ねる等）により実現される。導電性パッド５２を形成する積層金属は、適宜選択されるアセンブリ技術にも対応可能に選択される。一例として、導電性パッド５２は、Ｃｕ、Ｔｉ−Ｎｉ−Ａｕ、Ｓｎ−Ａｇ、又は、Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕにより形成される。
【００７４】
発光ダイオードの複数のアセンブリＤの内の少なくとも１つにおける発光ダイオード素子のシェル６４の活性層は、他の少なくとも１つのアセンブリの発光ダイオード素子のシェルの活性層と異なるように製造されてもよい。例えば、第１アセンブリのシェル６４の活性層は、第１の波長、例えば青色の光を放射することが可能であってもよく、第２アセンブリのシェル６４の活性層は、例えば緑色の光等の第１の波長とは異なる第２の波長の光を放射することが可能であってもよい。これは、例えば、各アセンブリについて、厚み及びこれらの活性層を形成する量子井戸群の合成の調整に帰着するワイヤのピッチ及びサイズの適合により達成され得る。
【００７５】
また、第３アセンブリが、第１及び第２の波長とは異なる第３の波長の光、例えば赤い色の光を放射するように適合されてもよい。したがって、青色、緑色、及び赤色の合成が選択され、これにより観測者は、夫々相互に独立に色を調整することが可能にしてある第１、第２及び第３の波長の光を放射するダイオード又はダイオードアセンブリからの光の色の合成によって白色の光を知覚する。
【００７６】
他の実施形態によれば、蛍光体が副画素の発光ダイオード群の間に配置される。該蛍光体は、発光ダイオード群から放射される深い青色の光を吸収し、緑色又は赤色の光へ変換するか、又は青色の光のまま放射する。発光ダイオード群の自然放射ではなく青色蛍光体を利用するメリットは、１束毎、又は同一基板内におけるワイヤから自然放射される色のバリエーションに対する青色の光の質への不感受性である。
【００７７】
蛍光体の選択的沈着方法は、第１の色の蛍光体粒子をケイ素レジストに混合し、次に、基板及び発光ダイオード群全体に塗布した後、蛍光体を所望の副画素にフォトリソグラフィー法によって結合させる処理を含む。この処理は、第２の色の蛍光体に対しても繰り返され、異なる色の副画素が存在する場合その色の数分だけ、繰り返される。
【００７８】
他の方法は、シリコン蛍光体混合体及び特定の添加物からなる“インク”を用いたインクジェット型印刷機器を使用する。副画素のマッピング、方向づけ、副画素の検索に基づく印刷処理によって、蛍光体は望まれる場所に沈着する。
【００７９】
レンズが封止層７０上に設けられてもよい。一例として、１つのレンズが各副画素に、又は副画素のアセンブリに対して設けられるようにしてもよい。
【００８０】
上述した実施形態では、絶縁層６２は各ワイヤ５６の下部５８の輪郭全体を覆っている。変形例として、下部５８の一部分が、又は下部５８全体をそのまま絶縁層６２で覆われないようにすることが可能である。この場合、シェル６４は各ワイヤ５６を上部６０の高さよりも高い場所まで覆うか、ワイヤ５６の高さ全体をそのまま覆うようにしてもよい。更に、上述した実施形態では、絶縁層６２は各ワイヤ５６の上部６０の輪郭を覆っていない。変形例として、絶縁層６２は各ワイヤ５６の上部６０の一部分を覆うようにしてもよい。更に、他の変形例によれば、絶縁層６２は、各ワイヤ５６に対し、シェル６４の下部分を部分的に覆うようにしてもよい。他の実施形態によれば、絶縁層６２は存在せずともよく、特に、シードパッド５４が誘電層に覆われたシード層に置換され、ワイヤがそのシード層上の誘電層に設けられた開口に形成されている場合には、存在せずともよい。
【００８１】
光電デバイス４０は、該光電デバイス４０の発光ダイオードのアセンブリ群を制御するために使用されるトランジスタ等の電気素子を有する他の集積回路、特に、制御回路上に配置されてもよい。
【００８２】
動作中において、導電層６８に電気的に接続する導電性パッド５２は、第１の参照電圧源に接続される。基板４２の部分５０に接している導電性パッド５２は、その基板４２上に設けられていて動作中に活性化される対象の発光ダイオードのアセンブリＤにおける発光ダイオード素子へ電流を流すための第２の参照電圧源に接続される。各導電性パッド５２は、対応する部分５０の主要な部分を覆うから、電流の均質な分布が得られる。
【００８３】
図３Ａから図３Ｃにおいて導電層６８は、光電デバイス４０の一辺側で各部分５０に接するように示されている。変形例では、導電層６８は、光電デバイス４０の輪郭全体にて部分５０に接するようにしてもよい。
【００８４】
一実施形態によれば、光電デバイス４０は、少なくとも部分的に、参照によって組み込まれる仏国特許出願１３／５９４１３にて公開されている方法によって形成される。
【００８５】
光電デバイス４０の一実施形態における製造方法は、以下の手順を含む。
【００８６】
（１）各電気絶縁素子４８に対し、基板４２の上面４６の一辺に開口を形成するエッチング処理を行なう。開口は、例えばＤＲＩＥエッチング等の反応性イオンエッチング方法に基づくエッチング処理によって形成されてもよい。開口の深さは、後述する薄化の工程の後の基板４２の厚みよりも深い。一例として、開口の深さは１０μｍから２００μｍの範囲であって、例えば約３５μｍから６０μｍの間である。
【００８７】
（２）絶縁層を形成する。絶縁層は例えば、酸化ケイ素により前記開口の両側壁上に、例えば熱酸化法によって形成される。絶縁層の厚みは、１００ｎｍから３０００ｎｍの範囲内で、例えば約２００ｎｍである。
【００８８】
（３）前記開口を充填材料で充填する。充填材料は例えば、ポリシリコン、タングステン、又は、例えば低圧化学蒸着法（ＬＰＣＶＤ：Low Pressure Chemical Vapor Deposition）等の高温下で実行される製造方法の工程に適応可能な耐火金属材料である。ポリシリコンは好都合なことに、ケイ素の熱膨張率に近い熱膨張率を有しており、したがって、高温下で実行される製造方法の工程中の機械的なストレスを減少させることができる。
【００８９】
（４）ケイ素表面を露出させ、表面のレリーフを除去するための化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical-Mechanical Polishing ）を行なう。
【００９０】
（５）シード部分５４、ワイヤ５６、絶縁層６２及びシェル６４をエピタキシーによる成長によって形成する。エピタキシーによる成長は、参照によって組み込まれる国際公開２０１４／０４４９６０号、及び仏国特許出願１３／５９４１３にて開示されている方法等による。
【００９１】
（６）構造全体を覆うようにして電極層６６を形成する。形成は例えば、コンフォーマル化学気相成長（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition ）、特に原子層堆積（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition ）法、又は物理気相成長法（ＰＶＤ：Physical Vapor Deposition ）によって行なわれる。
【００９２】
（７）絶縁層６２及び電極層６６を貫通する開口６９を形成する。
【００９３】
（８）導電層６８を例えばＰＶＤによって工程（７）で得られた構造全体に対して形成し、この層をエッチングして電極層６６の各ワイヤ５６を覆っている部分を露出させる。
【００９４】
（９）導電層６８の積層に続いて接触部分に対しアニールによる熱処理を行なう。
【００９５】
（１０）工程（８）により得られた構造全体に対して封止層７０を成膜させる。
【００９６】
（１１）側部電気絶縁素子４８に達するまで基板４２を薄化する。
【００９７】
（１２）導電性パッド５２を形成する。
【００９８】
発光ダイオード素子夫々の活性層は、エピタキシー成長により、ワイヤ５６の部分に形成される。したがって光電デバイス４０の製造方法は、発光ダイオードの活性層を劣化させる可能性があるエッチング工程を含まない。
【００９９】
好都合にも、表示副画素Ｐixの区切りは、電気絶縁素子４８のみによって実現され、発光ダイオード素子の製造工程の調整を必要としない。一実施形態によれば、発光ダイオード素子は、基板４２の上面４６上に均等に分配され得る。発光ダイオード素子は、電気絶縁素子４８に沿って揃えられて配置されるにも拘わらず、機能的とならない。これは、発光ダイオード素子の製造工程が表示副画素の形状によらずに一定となるというメリットをもたらす。
【０１００】
上述した実施形態では、図３Ａから図３Ｃに示したように、光電デバイス４０は電気的に基板４２の下面４４の側辺に設けられた半田バンプによって外部の回路に接続されている。しかしながら、他の電気的な接続方法を想定可能である。
【０１０１】
上述の実施形態では、基板４２は半導体又は導電体製であった。他の実施形態によれば、基板４２は全体的に又は部分的に、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）又はサファイヤ等の絶縁体製であってもよい。導電性パッド５２と、導電層６８又はシードパッド５４との間の電気的な接続は、基板４２を全厚に亘って貫通する例えばシリコンバイアス又はＴＳＶ（シリコン貫通電極）等の導電素子を使用することで実現されてもよい。
【０１０２】
図４Ａ、図４Ｂ及び図４Ｃは夫々、図３Ａ、図３Ｂ及び図３Ｃ同様に、他の実施形態におけるディスプレイスクリーン又はプロジェクタ装置である光電デバイス８０を示している。なおここでは少なくとも１つの導電性パッド８２が、上面４６の側辺部に導電層６８に接するように設けられている。そして封止層７０は、導電性パッド８２を露出させる開口８４を備えている。上述した開口６９は存在しない。導電層６８及び電極層６６はいずれも、半導体基板４２には電気的に接続されていない。更に、発光ダイオード素子に電気的に接続されていない半導体基板４２の部分５０に接している導電性パッド５２も存在しない。導電性パッド８２は、電気的に、図示しない外部の回路に、図示しない導線を介して接続されている。図４Ａには、単一の導電性パッド８２が示されている。変形例として、複数の導電性パッド８２が導電層６８上に、例えば光電デバイス８０の外周に分散して配置されてもよい。
【０１０３】
図５Ａ及び図５Ｂは夫々、図３Ａ、及び図３Ｂ同様に、他の実施形態におけるディスプレイスクリーン又はプロジェクタ装置である光電デバイス９０を示している。光電デバイス９０は、光電デバイス７０の構成を全て含み、更に、不透明部分９２を含む。不透明部分９２は、導電層６８上の隣り合う表示副画素間に設けられ、つまり、実質的に電気絶縁素子４８と一続きとなっている。
【０１０４】
各不透明部分９２の高さは、ワイヤ５６の高さ以上である。好ましくは、各不透明部分９２の幅は、隣り合うアセンブリＤにおける２つの発光ダイオード素子間の最小間隔以下である。一例として、各不透明部分９２は、黒色樹脂によって形成されている。この樹脂は好ましくは、可視領域全体の電磁放射を吸収することができるとよい。不透明部分９２の存在により、光電デバイス９０のコントラストを向上させることが可能となる。
【０１０５】
異なる変形を行なった様々な実施形態について説明した。しかしながら、当業者が特別な創造性を発揮することなしに、これらの様々な実施形態及び変形例における種々の要素を結合することは容易である。例えば、図５Ａ及び図５Ｂに示した光電デバイス９０の構造は、図４Ａ、図４Ｂ及び図４Ｃに示した光電デバイス８０の構造に適用されてもよい。
【０１０６】
本特許出願は、参照によって本明細書に組み込まれる仏国特許出願１４／６３４２０号明細書の優先権を主張している。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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