(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波電力をフェライト共振器に結合する磁気バイアス化低損失一方向性の導電シートであって、
全体として平面状の上面および下面をもつディスク本体を有する第１結合パックと、
誘電体によって分離され、かつ前記ディスク本体の前記上面に設けられ、広いパターンを形成した、離間した平行な導体ストリップのアレイと、
前記第１結合パックの上面に設けられたフェライト共振器と、
を有することを特徴とする導電シート。
【請求項２】
前記平行な導体ストリップのアレイが、前記フェライト共振器よりも広く、かつ前記フェライト共振器に関連する終端部の影響を十分除去できるほど長い請求項１に記載の導電シート。
【請求項３】
前記導体ストリップが前記アレイの両側における端部から、前記ディスク本体の上側の前記上面の一部に設けられた薄い導体材料の拡張領域に延設された請求項２に記載の導電シート。
【請求項４】
前記導体ストリップおよび前記拡張領域それぞれをグラフェンから形成した請求項３に記載の導電シート。
【請求項５】
前記導電シートがさらに前記第１結合パックの下に設けられた第２結合パックを有し、この第２結合パックが全体として平面から上面および下面を備えたディスク本体、および誘電体によって分離され、かつこのディスク本体の上面に設けられた離間平行導体ストリップのアレイを有し、前記第１結合パック上のこのアレイの導体ストリップに対して直交する導体ストリップからなる広いパターンを形成した請求項１に記載の導電シート。
【請求項６】
前記フェライト共振器が少なくとも一つのナノスケールＹＩＧ球体である請求項１に記載の導電シート。
【請求項７】
前記第１結合パック上にＹＩＧ球体を設け、前記ＹＩＧ球体の材料内の電子スピンを励起するバイアス磁場の強度によって定まる周波数においてナノスケールＹＩＧ球体間の磁気結合を最適化するように離間した前記ナノスケールＹＩＧ球体のアレイを有する請求項６に記載の導電シート。
【請求項８】
前記ＹＩＧ球体のアレイを高周波磁界で近隣の球体として一体に結合する請求項７に記載の導電シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は全体としては電気回路用共振器、具体的には可変共振器、より具体的にはマイクロ波からミリ波まであるいはそれ以上を超える周波数範囲を結合して、各種のＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ：無線高周波）およびデジタルの回路機能に対処できるように同調かつ構成可能なほぼ完ぺきな共振器として使用できる損失がきわめて低い一方向性導電シート（ｕｎｉｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｓｈｅｅｔ：単指向性導電シート）に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路を始めとする電子回路および構成部品の基本的な問題は、電荷の熱運動によるジョンソンノイズ（ジョンソン-ナイキストノイズ、即ち熱ノイズ）（Ｊｏｈｎｓｏｎ  ｎｏｉｓｅ（Ｊｏｈｎｓｏｎ−Ｎｙｑｕｉｓｔ  ｏｒ  ｔｈｅｒｍａｌ  ｎｏｉｓｅ））である。回路法則を規定する方程式の多くは、現在電力伝達および情報伝達のための電圧および電流に関する法則である。より物理的に基本的な構成部品を実現する最新技術の改良に従って、回路および機能のために磁場法則を使用する機会が多くなってきている。本発明の目的は、回路設計に対する新規なアプローチを可能にすることである。本発明では、時間と共に変化する電圧および電流に関連し、特に電子スピンに関係する磁場に対応する物理的特性を利用する。
【０００３】
より小型の構成部品および回路がさらに強く要求されるに従って、通信およびコンピュータへの要求基準を満足するために、これまで重要な性能を確立する基本的手段を工夫することもなく、ソフトウェアおよびブルートフォース的手法である大電力のマルチユニット構成を使い仕様を満たしていた。この結果、情報ロバスト性（ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎａｌ  ｒｏｂｕｓｔｎｅｓｓ：耐ノイズ性のある高信号品質）と信号品質の欠如とのバランスを取るため非効率的な消費電力になっていた。
【０００４】
マイクロ波が普及する前は、マイクロ波および高周波の多くは、物理的ハードウェアとして実行され、共振器および導波管は、音速ではなく光速で伝わる波を発生し、かつ導波する音響設計と同様な空洞であった。マイクロ波ハードウェアはマックスウェルの法則に従って設計され、きわめて迅速に時変電圧、電流、位相および電力の流れを利用していた。多くの設計に対して既に数学的処理が確立され、高周波電力（ＲＦ  ｐｏｗｅｒ）を発生する構成部品を設計する計算手段および無線システムやレーダーシステム用の情報を引き出す計算手段も存在している。機器はきわめてコストが高く、サイズもきわめて大きく、このサイズは１  ＧＨｚで空気中において１１．８１インチ波長に拘束され、そして通常この機器は周波数同調（ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ｔｕｎｉｎｇ：チューニング）の範囲が狭く制限されていた。
【０００５】
これら制限を取り払うため、電気的伝送ライン用のストリップライン、マイクロストリップや他の構造的な構成などの平面波構造を使用する平面回路が開発された。これが半導体、ハイブリッド集積回路に繋がり、最終的にはモノリシック集積回路に繋がった。ワイヤ構成部品（ｗｉｒｅ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ：リード付きディスクリート電子部品）に置き換った平面波構造は印刷配線板の自然な展開であり、同じ手段で直流（ＤＣ）からギガヘルツ（ＧＨｚ）までデジタル構成部品のモノリシック集積回路に繋がった。これらの開発および各用途、コンピュータやソフトウェアにおける爆発的な使用によって、現代世界を規定するデバイスを製造する多数の半導体工場が成立した。
【０００６】
電力や情報帯域の限られたリソースを使用できるのは、受益すべき人々や企業のうちの数パーセントに過ぎない点が長く尾を引く問題である。そこで長年にわたって、現在利用可能な許容能力を何倍も上回る性能が求められている。
【０００７】
物理法則を最大限に利用して製造された初期のデバイスは、理論的には効率が良く、限界内で性能を発揮するが、広くは利用できなかった。現在のデバイスは、シャノン−ハートリー（Ｓｈａｎｎｏｎ−Ｈａｒｔｌｅｙ）の定理が記述するように、電磁波の情報を搬送する能力に基本的な限界があるため、性能限界に達しているが、製造効率が良いため広く展開できる可能性がある。性能限界を突破するために、現在、多大な試みが新技術の開発に向けられ、一部はナノスケール材料に向けられている。根本的なミニチュア化はサイズ縮小を実現できるだけでなく、性能を物理的最大まで引き上げることができることが望ましい。実験室では、新分子を合成し、粒子の量子挙動（ｑｕａｎｔｕｍ  ｂｅｈａｖｉｏｒ：電子の量子力学的振舞）を制御するまでになっている。これら研究の多くでは、特に光周波数を使用した搬送波の分野において物質の磁気特性を利用するデバイスを使用している。
【発明の概要】
【０００８】
本発明は、高周波電力をフェライト共振器に結合する損失がきわめて低い一方向性導電シートに関する。磁場バイアス（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｆｉｅｌｄ  ｂｉａｓｉｎｇ）および電子スピン歳差運動を利用することによって、本発明デバイスの損失は、きわめて小さい。最も本質的な態様で取るアプローチでは、フェライト共振器を磁気バイアス場に配置し、歳差運動するように材料の電子スピンを励起する。歳差運動機構は、損失がなく、磁場が取り払われるまで継続する。また、本発明はエネルギーを電子に結合し、その力を外部使用用途に伝達する方法にも関する。この方法は、本質的に、マクロサイズのモノリシックなマイクロ波集積回路に使用される既存の技術に対して融和的である。この集積回路のサイズが小さくなると、高性能になる。なぜならば集積回路をナノサイズ物質から製造しているからであり、また大きさがより小さくなると、距離に関する逆２乗法則下で性能が向上するからである。
【０００９】
電子回路が小型化し、ナノ単位寸法領域に移行すると、量子挙動が電子運動を支配し始める。この結果、通常はノイズが増す。本発明では、印加磁場に対して線形比例する歳差回転サイクルを発生する静的バイアス磁場に応答する電子スピン歳差共鳴を利用する。時変（ｔｉｍｅ−ｖａｒｙｉｎｇ）磁気ベクトルが磁気バイアス場に直交し、歳差と同じ周波数をもつ場合には、時変電磁界は磁気結合により電子歳差に対して相互作用する。この相互作用を記述する一つの方法では、透磁率Ｐのテンソルによって記述を行う。このテンソルは、電子体や電子群からなり、磁気結合するとともに、スピン結合する。現在、これはフェライトの結晶、通常はイットリウム・鉄・ガーネットすなわちＹＩＧによって実現されている。なお、他の材料も使用可能である。
【００１０】
歳差運動速度の周波数において外部高周波磁界が存在しない場合、電子がエネルギー損失なく歳差運動を行い、この運動はバイアス磁場が存在する限り継続する。磁場が増減すると、歳差の周波数が磁気バイアス場の強度の変化に比例して変化することになる。上記したように、時変磁界（ａ  ｔｉｍｅ−ｖａｒｙｉｎｇ  ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｆｉｅｌｄ：時間的に変化する磁界）（ＴＶＭＦ）の場合、これが歳差周波数にあると、電子と相互作用することになり、その周波数での透磁テンソルの変化としてモデル化することができる。この結果、エネルギーはＴＶＭＦを行き来して転移を行なうことになり、このＴＶＭＦを発生する導体に損失がない場合には、ＴＶＭＦは、放射によって消滅するまでは、少なくなることがないだろう。
【００１１】
この現象を利用するためには、エネルギーを導入し、ＴＶＭＦからエネルギーを使用用途に移す必要がある。従来技術では、電子流の流れで発生するＴＶＭＦをバイアス磁場内のＹＩＧ結晶を有する共振器と結合するためにカレントループや伝送ラインや導波システムを介して使用するようなものを含んでいる。実際、ＴＶＭＦはＹＩＧ共振器を対象とするマイクロ波周波数（ＲＦ）帯にあり、共振器はフィルターを形成し、電力を制限し、かつ発振の制御に利用されている。共振器での損失は蓄積エネルギーと散逸エネルギーとの相対比、即ち以下の関係に従ったＱで扱われている。即ちＱ＝２π×Ｅｓ／Ｅｄ（式中Ｅｓは蓄積エネルギー、そしてＥｄは散逸エネルギー/サイクル）である。
【００１２】
磁場中における電子スピン歳差の損失はゼロと考えられる。そうでなければ歳差は経時的に減衰することになるが、これは観測されていない。この場合すべての観測可能な損失は結合メカニズムの結果によるものと考えられる。観測の問題は個々の観測行為が電子スピンの量子的性質のためにスピン状態に影響を与えることである。観測行為は印加電力および共振器の観測されたＱの両方に関係している。コンデンサーやインダクターや抵抗器などの電子デバイスからなる電子共振器の場合、Ｑはコンデンサーやインダクターにおける夫々の損失および抵抗器で受ける損失などの合計の等価抵抗によって決まる。一般に、損失はある周波数範囲全体にわたる回路の応答によって測定される。即ち、Ｑ＝ｆｒ/Δである。なお、ｆｒは共振中心周波数での周波数であり、Δは１/２電力点の周波数範囲である。
【００１３】
ＹＩＧやその他のフェライト材料の損失については、半世紀以上も測定され、代表的には線幅（ｌｉｎｅｗｉｄｔｈ：共鳴半値幅）（単位は磁気単位のエルステッド（ｏｅｒｓｔｅｄ）（Ｏｅ）である）で測定される。線幅は、ｆ０での周波数に比例する磁気単位における共振のΔｆとして同様に定義される。周波数が高くなるとＱが大きくなることが観察される。この作用は、ほぼ１０ＧＨｚ未満の周波数でも認められるが、より高い周波数での試験では、Ｑは同じであるか、あるいは小さくなる。試験データは２０ＧＨｚまでは共振器のＱに改善が認められ、これが、本発明者の検討意欲になり、研究動機になった。
【００１４】
Ｑが周波数とともに小さくなる理由は、結合メカニズムに関連し、かつ周波数が高くなるに従って悪化するＴＶＭＦ歪みに関係付けることができる。すべての磁気の流れがＹＩＧ共振器に結合し、いずれの磁界も重なり合う。この結果、バイアス場および高周波磁界の両者の位相および大きさが変化する。なお、このため、材料欠陥を原因とする損失に匹敵するほどの損失で劣化する。いずれにせよ、ＹＩＧ共振器に現われるＱは集中および分布要素（ｌｕｍｐｅｄ  ａｎｄ  ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ：集中／分布定数回路）などの競合的な技術に比較して良好であり、典型的なＹＩＧ共振器のＱは、１０，０００ＭＨｚで、すなわち３，５７１ガウスのバイアス磁場では、４，０００以上でありこの場合のＱは０．９Ｏｅに等しい線幅に相当する。
【００１５】
以下、添付図面を参照して本発明の構成および操作方法に関して、他の新規な特徴を他の目的および作用効果とともに明らかにする。なお、添付図面には本発明の好適な実施態様を例示として示す。また、添付図面は、例示のみを目的とし、本発明の範囲を定義するものではないことを明言しておく。本発明を特徴づける各新規性については、明細書の冒頭に記載され、本開示の一部を構成する特許請求の範囲に具体的に明らかにする。本発明は、これら特徴の任意の一つにあるのではなく、具体的に記載する機能の構造すべての特定の併用にある。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
以下の説明から、本発明および本発明の各目的および作用効果が明らかになるはずである。以下、添付図面を参照して説明していく。
【図１】本発明の磁気バイアス化高Ｑ共振器に使用する結合パック（ｃｏｕｐｌｉｎｇ  ｐｕｃｋ）を示す簡易的に模式化した上面平面図である。
【図２】結合パック対および上部パックの上に設けたフェライト共振器を示す上部斜視図である。
【図３】共振器上下に設けた磁気バイアスプレートを示す立面における側面図である。
【図４】差動増幅器ＩＣに実装され、かつ電子的に接続されて、磁気バイアス回路中で差動発振器となるパック体を示す上部斜視図である。
【図５】ナノスケールの結合パック対および単独の磁気バイアスプレート下の上部パックの上部に設けた複数のナノ球体フェライト（ｆｅｒｒｉｔｅ  ｎａｎｏ−ｓｐｈｅｒｅｓ：フェライト・ナノ・スフェア）の層を示す一部詳細化横断面図である。
【図６】交流（ＡＣ）磁界に配列の多数のＹＩＧナノ球体を結合して、単一の準二次元Ｑ倍増ＹＩＧ共振器（ｓｉｎｇｌｅ  ｑｕａｓｉ  ２−ｄｉｍｉｎｓｉｏｎａｌ  Ｑ  ｍｕｌｔｉｐｌｙｉｎｇ  ＹＩＧ  ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）を形成する方法を示す高度に模式化した上面平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
同じ構成部品を同じ参照符号で示す図１〜６を参照して本発明を説明する。これら図には、ＲＦ電力をフェライト共振器に結合する新規な、改良型の磁気バイアス化低損失一方向性（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｂｉａｓｅｄ  ｌｏｗ  ｌｏｓｓ  ｕｎｉｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ）導電シートデバイスを示す。好適な実施態様の場合、主構成部品は結合パック（ｃｏｕｐｌｉｎｇ  ｐｕｃｋ）１０である。この結合パックは、離間し、誘電体１４によって分離して、ディスク本体２０の上面１８にきわめて広いパターン１６を形成する薄い導体ストリップ１２の並列アレイからなり、このディスク本体２０は共振器材料よりもかなり広く、かつ共振器に関して終端の影響（ｅｎｄ  ｅｆｆｅｃｔｓ：エンド作用）を十分排除できるだけ長い。薄い導体ストリップは、アレイの各側からディスク本体の上面１８の一部に設けられた薄い導体材料１５の拡大領域に延設する。導体ストリップおよび拡大導体領域に理想的な導体としては、最近開発されたグラフェン（Ｇｒａｐｈｅｎｅ：１原子厚炭素シート）導体がある。
【００１８】
結合パック１０については、第１および第２の平行コード２２、２４にそって切断された平面円形ディスク本体１８として構成する。各コードは第１中心線２６から等距離かつ平行で、第１中心線２６に対して垂直な第２中心線２８によって二等分されている。幅の大きさ寸法Ｘおよびその端部における曲率Ｒは使用用途のスケールによって規定される。このパックについては、必要な応答に応じて、共振器３０（本実施例では単一の球体ＹＩＧ共振器）に近接配置でき、あるいは所定の距離をおいて配置でき、従って高さおよび大きさが可変ではあるが、具体的かつ明確なカップ付きの誘電体支持体、ピンまたはペデスタル（ｐｅｄｅｓｔａｌ：台座）３２を使用できる。
【００１９】
図２〜図４に示すように、マクロサイズの結合パックを使用して、パックユニットを構成すればよい。第１パック１０については、導体ストリップ１２が、第２パック４０上の導体ストリップ（図２および図３には図示していない）に対して直角に位置し、パック間の寄生的結合を抑制するように固定する。これらパックは、第１磁気バイアスプレート４２および第２磁気バイアスプレート４４の間に設ける。この構成を試験し、一つのデバイスを使用するという技術思想の実現可能性を確認した。即ち、この技術思想は、数学的手法によってナノ共振器に拡張できる。
【００２０】
一つの実施態様では、ナノスケールＹＩＧ球体または他の同様な材料から形成された球体は、ナノサイト間の磁気結合が磁場強度によって決まる周波数でサイト間の電磁気エネルギーの結合を最適化するように間隔を空ける。対象となる第１構成部品は、アレイ（球体の配列）を励起する発振器である。
【００２１】
機能動作をよりよく理解してもらうために、熱ノイズの場合に何が起きるかを最初に検討する。熱ノイズ源は、二乗平均周波数偏移（ｍｅａｎ  ｓｑｕａｒｅ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ｄｅｖｉａｔｉｏｎ）Δω２が生成するように、発振器の周波数および位相を変調する。この周波数偏移が搬送波（ｃａｒｒｉｅｒ）を変調し、二乗平均周波数偏移を式Δω２＝ω０２ＫＴｎＢ/４Ｑｒ２Ｐｏｕｔ（１）により算出する。
【００２２】
熱ノイズは、（背景ノイズフロアに達する前の）搬送波ではない位相ノイズを支配するが、アップコンバート（ｕｐ−ｃｏｎｖｅｒｔｅｄ）された１/ｆノイズは、搬送波に近い周波数の位相ノイズを支配する。トランジスター発振器のアップコンバートされた二乗平均周波数偏移は、次式
0006740231.tif 000002
から算出する。
【００２３】
上記式（１）および（２）は、熱ノイズおよびアップコンバートされた１/ｆ位相ノイズはいずれも１/Ｑ２に依存していることを示す。この関係によって、ＹＩＧ共振器のＱファクターが、ＹＩＧ同調発振器の位相ノイズおよび時間ジッターを抑制するさいの主制御ファクターになる。単一球体ＹＩＧ共振器の負荷Ｑファクターは、幾何ファクターおよび材料ファクターに応じて６００〜９０００の範囲にある。発振器の共振範囲内に多数のＹＩＧ球体を配置すると、Ｑ倍増化（Ｑ  ｍｕｌｔｉｐｌｉｃａｔｉｏｎ）が生じる。アレイ配置のＹＩＧ球体（図５および図６に示す）は、近隣の球体にかかる高周波磁界（ａｄｊａｃｅｎｔ  ｓｐｈｅｒｅ−ｔｏ−ｓｐｈｅｒｅ  ＲＦ  ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｆｉｅｌｄｓ）によって一体的に結合する。空間波長と比較して小さいスペース内にすべての球体を保持することによって、アレイ内のすべての球体を励起し、同じ周波数で同時共鳴させることができ、この周波数は直流（ＤＣ）磁場によって定まる。また、単一の共振周波数ですべての球体を一定周波数にすることによって、セクションを付加する場合と同様に大規模なマルチセクションフィルター（ｍｕｌｔｉ−ｓｅｃｔｉｏｎ  ｆｉｌｔｅｒ：複数の濾波器構成）の効果を実現できる。すなわちマルチセクションフィルターと全く同様に、付加したＹＩＧ球体によりフィルターの応答性が鋭くなり、その帯域幅が狭くなる。
【００２４】
図４に、本発明を発振器５０として実施した例を示す。この発振器５０は第１差動増幅器５４に接続した下部結合パック５２の対、および第２差動増幅器５８に接続した単一の上部パック５６を有し、この上部パック５６の磁場が各ＹＩＧ球体を駆動するように磁場全体に入れて、下部パック対の直列帰還を構成する。図示を明確にするためにＹＩＧ球体については図示を省略してあるが、この構成の場合、ＹＩＧ球体は下部の結合パック対と上部パックとの間に設けられる。導電スペーサー６０が上下パック間の電流をつなげるように、ＹＩＧ球体の周囲に電流が流れる。パックを構造的に支持するために、他の非導電スペーサー（図示省略）を設けてもよい。なお、回路を構築するために、異なる位相をもつパック層を結合し、これらを利用することも可能である。
【００２５】
図５は、結合パック対７０を示す一部詳細図を含む横断面図である。このパック対７０は上面に離間導体ストリップ７４のアレイを設けた第１パック７２、および第１パックの導体ストリップに対し全体として直交する導体ストリップ７８のアレイを有する第２パック７６を有する。なお、本例では、単一のフェライトやＹＩＧ球体ではなく、多数の球体８０を上部パック上に設けて、アレイを構成する。なお、このアレイは図６に示すように、アレイ８２のラインにそって構成することができる。
【００２６】
図６は、多数のＹＩＧ球体８４のアレイ８２を交流（ＡＣ）磁界の状態の下に配列して結合して、単一のＱ増倍型ＹＩＧ共振器を形成する方法を示す簡易的に模式化した平面図である。この共振器の場合、一個のＹＩＧ球体９４のみが一対の結合パック９０、９２との確実な物理的連携をすることで、この回路の球体９４以外の部分と結合する。そこで球体のアレイは、近隣の積層した従来の集積回路（ＩＣ）と連携させて、個々のナノＹＩＧ球体をＩＣの各種機能に繋ぐことができる。このように構成するとコンピュータ、ＤＡＣ（デジタルアナログコンバーター）、ＡＤＣ（アナログデジタルコンバーター）、メモリー、およびデジタル回路やアナログ回路の両者を利用する機能に供給電力および低ジッターのクロッキングサイクル信号を適用でき、この結果としてより大型のＩＣを構築でき、同時に節電できる。
【００２７】
この構造の全体のＱは、ＹＩＧフィルターの中心周波数をその３ｄＢ帯域幅によって割ったものに等しい。従って、帯域幅を狭くする多数の結合ＹＩＧ球体を付加すると、Ｑが大きくなる。６〜８７個の結合球体を使用すると、全フィルターＱを６，０００〜１５，０００の範囲の数値まで大きくできる。このような大きさのＱによって熱領域および１/ｆ領域の両者において位相ノイズが２０ｄＢほど小さくなり、またサイクル間の時間ジッター（ｃｙｃｌｅ−ｔｏ−ｃｙｃｌｅ  ｔｉｍｅ  ｊｉｔｔｅｒ：隣接周期間ジッター）も１０分の１に小さくなる。この種の改良によって、２３ＧＨｚの発振器中心周波数までサブ１フェムト秒（ｓｕｂ−１ｆｓ）領域で総合ジッター性能を実現できる。
【００２８】
以上の説明から、当業者は本発明を実施できるはずであり、また以上の説明は、本発明者が現時点で意図している実施の最適な態様である。以上の説明は、本発明の好適な実施態様の詳細かつ完全な開示ではあるが、本発明は図示かつ記述してきた正確な構成、寸法的な関係、および動作態様に限定されるものではない。当業者にとって各種の一部変更、代替的な構成、変更および等価構成などは自明なはずであり、いずれも好適なものであり、本発明の精神および範囲から逸脱するものではない。従って、以上の説明および図示は、特許請求の範囲によって定義された発明の範囲を制限するものではない。
【符号の説明】
【００２９】
１０：結合パック、第１パック
１２：導体ストリップ
１４：誘電体
１５：導体材料
１６：パターン
１８：上面
２０：ディスク本体
２２、２４：第１および第２の平行コード
２６：第１中心線
２８：第２中心線
３０：共振器
３２：ペデスタル
４０：第２パック
４２：第１磁気バイアスプレート
４４：第２磁気バイアスプレート
５０：発振器
５２：下部結合パック
５４：第１差動増幅器
５６：上部パック
５８：第２差動増幅器
６０：導電スペーサー
７０：結合パック対
７２：第１パック
７４：離間導体ストリップ
７６：第２パック
７８：導体ストリップ
８０：球体
８２：アレイ
８４：ＹＩＧ球体
９０、９２：結合パック
９４：ＹＩＧ球体
【図１】
0006740231.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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