(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１インダクタ導体を備える実装部品と、
第２インダクタ導体が内蔵された、第１主面を有する基板と、
を備え、
前記実装部品は、前記第１主面に実装され、
前記第１インダクタ導体と、前記第２インダクタ導体は、
それぞれに巻回軸を有する、巻回形であり、
前記第１インダクタ導体の巻回軸は、前記第１主面に略平行であり、
前記第２インダクタ導体の巻回軸は、前記第１主面に略直交しており、
前記第１インダクタ導体と前記第２インダクタ導体とは、
前記第１インダクタ導体による第１磁束と、前記第２インダクタ導体による第２磁束とが、それぞれが逆向きとなるように、接続され、
平面視において、前記第１インダクタ導体の一方端、および他方端の開口のそれぞれに対して、前記第２インダクタ導体の開口が重なるように配置されている、
モジュール部品。
【請求項２】
前記基板は、
磁性体層と、非磁性体層と、を有する、多層構造からなり、
前記非磁性体層は、前記実装部品と前記磁性体層との間に配置されている、
請求項１に記載のモジュール部品。
【請求項３】
前記実装部品を覆う、樹脂カバー層と、
前記樹脂カバー層を覆い、ノイズを遮断するシールド層と、を備えている、
請求項１または請求項２に記載のモジュール部品。
【請求項４】
前記第１インダクタ導体と、前記第２インダクタ導体と、は、
直列に接続されている、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のモジュール部品。
【請求項５】
前記第１インダクタ導体と前記第２インダクタ導体との組を複数備え、
前記複数のインダクタ導体の組は、
直列接続されている、請求項４に記載のモジュール部品。
【請求項６】
前記第１インダクタ導体と前記第２インダクタ導体との組を複数備え、
前記複数のインダクタ導体の組は、
個別に配列配置されている、請求項５に記載のモジュール部品。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のモジュール部品を備え、
前記第１インダクタ導体と前記第２インダクタ導体とをチョークコイルとして利用する、電源回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、モジュール部品と、モジュール部品を用いた電源回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のモジュール部品において、特許文献１に示すような基板にインダクタ部品を搭載した構成、特許文献２に示すような基板内にインダクタ導体を形成した構成が開示されている。【０００３】
通常、インダクタ値を増加させるためには、特許文献１に記載の構造では、サイズの大きなインダクタ部品を搭載する必要がある。また、特許文献２に記載の構造では、基板に内蔵されているインダクタ導体の巻き数を増やす必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−７０８４８号公報
【特許文献２】特開２０１２−６５４０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の構造を用いた場合、インダクタ部品のサイズを大きくすると、モジュール部品全体としてのサイズが大きくなってしまう。また、特許文献２に記載の構造を用いた場合、インダクタ導体の巻き数が多くなるとモジュール部品全体としての厚みが大きくなってしまう。【０００６】
また、インダクタ値を大きくした場合、インダクタ部品やインダクタ導体等のインダクタから発生するノイズが大きくなる。【０００７】
したがって、本発明の目的は、モジュール部品のサイズを大きくすることなく、インダクタ値を増加させ、インダクタ導体から発生するノイズを抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明のモジュール部品は、第１インダクタ導体を備える実装部品と、第２インダクタ導体が内蔵された、第１主面を有する基板と、を備える。実装部品は、第１主面に実装されている。第１インダクタ導体と、第２インダクタ導体とは接続されており、実装部品と基板とは、第１インダクタ導体による第１磁束と、第２インダクタ導体による第２磁束とが、弱め合う位置に配置されていることを特徴とする。【０００９】
この構成では、第１インダクタ導体と第２インダクタ導体が接続されることにより、インダクタ値は増加する。また、第１磁束と、第２磁束とが弱めあう位置に配置されることにより、それぞれの磁束から発生する磁束の漏れは抑制される。【００１０】
また、この発明のモジュール部品における、第１インダクタ導体と、第２インダクタ導体は、それぞれに巻回軸を有する巻回形であり、第１インダクタ導体の巻回軸と、第２インダクタ導体の巻回軸とは、第１主面に略直交していることが好ましい。【００１１】
この構成では、部品の厚み方向に平行な巻回軸を有する実装部品に対して、前述の構成が実現される。【００１２】
また、この発明のモジュール部品における、第１インダクタ導体の開口と第２インダクタ導体の開口とは、第１主面側から見て、少なくとも一部が重なっていることが好ましい。【００１３】
この構成では、第１インダクタ導体による第１磁束と、第２インダクタ導体による第２磁束とを効率的に弱め合うことができる。【００１４】
また、この発明のモジュール部品における、第１インダクタ導体と第２インダクタ導体は、それぞれに巻回軸を有する巻回形であり、第１インダクタ導体の巻回軸は、第１主面に略平行であり、第２インダクタ導体の巻回軸は、第１主面に略直交していることが好ましい。【００１５】
この構成では、部品の厚み方向に直交する巻回軸を有する実装部品に対して、前述の構成が実現される。【００１６】
また、この発明のモジュール部品における、第１主面側から見て、第２インダクタ導体の開口は、第１インダクタ導体の端部の開口に対して、少なくとも一部が重なっていることが好ましい。【００１７】
この構成では、第１インダクタ導体による第１磁束と、第２インダクタ導体による第２磁束とを、効率的に弱め合うことができる。【００１８】
また、この発明のモジュール部品における、実装部品の天面側に第３インダクタ導体を備え、当該第３インダクタ導体は、第１インダクタ導体による第１磁束と第３インダクタ導体による第３磁束とが、弱め合う位置に配置されていることが好ましい。【００１９】
この構成では、第１インダクタ導体による第１磁束のうち、実装部品の天面側へ発生する第１磁束と、第３インダクタ導体による第３磁束とが弱めあう。【００２０】
また、この発明のモジュール部品における、第３インダクタ導体は、樹脂カバー層の天面に配置されていることが好ましい。【００２１】
この構成では、第３インダクタ導体を所望の位置に形成しやすい。【００２２】
また、この発明のモジュール部品は、実装部品を覆う樹脂カバー層と、当該樹脂カバー層を覆い、ノイズを遮断するシールド層とを備えることが好ましい。【００２３】
この構成では、実装部品が樹脂カバー層によって、保護されるため、信頼性が向上する。また、シールド層で覆われることにより、実装部品から発生するノイズが抑制される。【００２４】
また、この発明のモジュール部品における基板は、磁性体層と、非磁性体層と、を有する、多層構造からなり、非磁性体層は、実装部品と前記磁性体層との間に配置されていることが好ましい。【００２５】
この構成では、非磁性体層によって、インダクタ導体の磁気飽和が抑制され、直流重畳特性が改善する。【００２６】
また、この発明のモジュール部品における、基板は、第１主面と対向する第２主面を有し、当該第２主面と、第２インダクタ導体の間にグランドパターンを有することが好ましい。【００２７】
この構成では、基板の第２主面側から漏れるノイズが抑制される。【００２８】
また、この発明のモジュール部品における、第１インダクタ導体と第２インダクタ導体とは、直列に接続されていることが好ましい。【００２９】
この構成では、モジュール部品全体におけるインダクタ値が増加する。【００３０】
また、この発明のモジュール部品は、第１インダクタ導体と第２インダクタ導体との組を複数備え、複数のインダクタ導体の組は、直列接続されていることが好ましい。【００３１】
この構成では、モジュール部品全体におけるインダクタ値がさらに増加する。【００３２】
また、この発明のモジュール部品は、第１インダクタ導体と第２インダクタ導体との組を複数備え、複数のインダクタ導体の組は、個別に配列配置されていることが好ましい。【００３３】
この構成では、１つのモジュール部品を複数の外部回路用として利用したり、直列接続によるインダクタンスの増加に利用したりすることが可能になる。【００３４】
また、この発明のモジュール部品における、第１インダクタ導体の第１インダクタ値は、第２インダクタ導体の第２インダクタ値の約１０倍以上であることが好ましい。【００３５】
この構成では、特性の優れる第１インダクタ導体を主要なインダクタとして利用しながら、第１インダクタ導体の漏れ磁束を抑制する補助的な役割で第２インダクタ導体を利用でき、モジュール部品としての特性は向上する。【００３６】
また、この発明の電源回路は、モジュール部品を備え、第１インダクタ導体と第２インダクタ導体とをチョークコイルとして利用する。【００３７】
この構成では、インダクタ値が増加し、漏れ磁束が抑制された優れた特性のチョークコイルを備える電源回路を実現できる。
【発明の効果】
【００３８】
この発明によれば、インダクタ導体から発生するノイズを抑制し、かつ、モジュール部品のサイズを大きくすることなく、インダクタ値を増加させる構造を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】図１（Ａ）本発明の第１の実施形態に係るモジュール部品１０の側面概要図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の一部を拡大した側面概要図である。
【図２】図２は本発明の第１の実施形態に係るモジュール部品１０のインダクタ導体２００の位置関係を示す斜視図である。
【図３】図３は本発明の第１の実施形態に係るモジュール部品１０のインダクタ導体２００の位置関係を示す天面側から見た平面図である。
【図４】図４は本発明の第１の実施形態に係るモジュール部品１０を含む電源回路１の等価回路図である。
【図５】図５（Ａ）本発明の第２の実施形態に係るモジュール部品１０Ａの側面概要図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）の一部を拡大した側面概要図である。
【図６】図６は本発明の第２の実施形態に係るモジュール部品１０Ａのインダクタ導体２００Ａの位置関係を示す斜視図である。
【図７】図７は本発明の第２の実施形態に係るモジュール部品１０Ａのインダクタ導体２００Ａの位置関係を示す天面側から見た平面図である。
【図８】図８は本発明の第２の実施形態に係るモジュール部品１０Ａを含む電源回路１Ａの等価回路図である。
【図９】図９（Ａ）本発明の第３の実施形態に係るモジュール部品１０Ｂの側面概要図であり、図９（Ｂ）は図９（Ａ）の一部を拡大した側面概要図である。
【図１０】図１０は本発明の第３の実施形態に係るモジュール部品１０Ｂのインダクタ導体２００の位置関係を示す斜視図である。
【図１１】図１１は本発明の第３の実施形態に係るモジュール部品１０Ｂのインダクタ導体２００の位置関係を示す天面側から見た平面図である。
【図１２】図１２（Ａ）本発明の第４の実施形態に係るモジュール部品１０Ｃの側面概要図であり、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）の一部を拡大した側面概要図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係るモジュール部品について、図を参照して説明する。図１（Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係るモジュール部品１０の側面概要図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の一部を拡大した側面概要図である。図２は、本発明の第１の実施形態に係るモジュール部品１０のインダクタ導体２００の位置関係を示す斜視図である。図３は、本発明の第１の実施形態に係るモジュール部品１０のインダクタ導体２００の位置関係を示す天面側から見た平面図である。図４は、本発明の第１の実施形態に係るモジュール部品１０を含む電源回路１の等価回路図である。なお、各図では、構成を見やすくするため、一部の符合を省略し、寸法関係を適宜変更している。
【００４１】
図１（Ａ）に示すように、モジュール部品１０は、表面実装電子部品２０、基板３０、内蔵インダクタ導体３００、封止樹脂４０、磁性シールド層５０、金属シールド層６０を備える。表面実装電子部品２０は、本発明の実装部品である。
【００４２】
基板３０は、平面視して矩形、すなわち、直方体形状である。言い換えれば、基板３０は、互いに対向する第１主面３３、第２主面３４を備え、さらに、当該第１主面３３と第２主面３４とを連接させる側面を有する。
【００４３】
基板３０は、多層構造であり、厚み方向に磁性体層３１、非磁性体層３２の順に積層されている。基板３０は、磁性体層３１側に第２主面３４を有し、非磁性体層３２側に第１主面３３を有する。
【００４４】
部品実装用ランド導体２１０は、基板３０の第１主面３３に形成されている。表面実装電子部品２０は、部品実装用ランド導体２１０に実装されている。
【００４５】
基板３０の第２主面３４には、外部接続用の端子電極７１０、グランド電極７２０が形成されている。端子電極７１０、グランド電極７２０は、基板３０内に形成された電極パターン（図示を省略）を介して所定の回路パターンで内蔵インダクタ導体３００、部品実装用ランド導体２１０に接続されている。
【００４６】
封止樹脂４０は、基板３０の第１主面３３側に形成されている。封止樹脂４０は、表面実装電子部品２０を覆っている。
【００４７】
磁性シールド層５０は、基板３０の第１主面３３側に形成されている。さらに、磁性シールド層５０は、封止樹脂４０を覆っている。
【００４８】
金属シールド層６０は、基板３０の第１主面３３側に形成されている。金属シールド層６０は、磁性シールド層５０を覆っている。
【００４９】
表面実装電子部品２０から発生する外部への高周波ノイズは、金属シールド層６０で遮蔽できる。低周波ノイズは、磁性シールド層５０で遮蔽できる。
【００５０】
表面実装電子部品２０は、インダクタ導体２００を備え、インダクタ値Ｌ１を有するインダクタである。インダクタ導体２００は、本発明の第１インダクタ導体である。例えば、インダクタ導体２００は、厚み方向を巻回軸とし、巻回させた形状である。
【００５１】
磁性体層３１は、内蔵インダクタ導体３００を備え、インダクタ値Ｌ２を有する。内蔵インダクタ導体３００は、本発明の第２インダクタ導体であり、インダクタを構成する。例えば、内蔵インダクタ導体３００は、インダクタ導体２００と同様に、厚み方向を巻回軸とし、巻回させた形状である。
【００５２】
なお、インダクタ導体２００のインダクタ値Ｌ１は、内蔵インダクタ導体３００のインダクタ値Ｌ２の約１０倍程度である。
【００５３】
インダクタ導体２００と、内蔵インダクタ導体３００とは、図示しない内部電極で直列接続されている。したがって、モジュール部品１０全体としてのインダクタ値Ｌは、Ｌ１＋Ｌ２となる。
【００５４】
直列接続されたインダクタ導体２００と、内蔵インダクタ導体３００は、交流電圧を印加した場合、任意の時点において、発生する磁束が逆向きになるように巻回されている。
【００５５】
より具体的には、図２に示すように、インダクタ導体２００（表面実装電子部品２０）は、例えば、巻回軸をＺ軸方向とし、Ｘ軸とＹ軸に平行な平面（第１主面３３に平行な平面）において巻回する複数の線状導体を繋いだスパイラル形状である。一方、基板３０における、内蔵インダクタ導体３００は、巻回軸をＺ軸方向とし、Ｘ軸とＹ軸に平行な平面においてインダクタ導体２００と逆相になるよう巻回する複数の線状導体を繋いだスパイラル形状である。なお、Ｚ軸方向が、図１（Ａ）、図１（Ｂ）における厚み方向である。
【００５６】
この構成において、インダクタ導体２００と、内蔵インダクタ導体３００に対し、端子電極７１０から電流Ｉを流す。この場合、図１（Ｂ）に示すように、インダクタ導体２００には、第１磁束２５０が発生する。内蔵インダクタ導体３００には、第２磁束３５０が発生する。
【００５７】
より具体的には、平面視において、インダクタ導体２００の開口の内側には、インダクタ導体２００による第１磁束２５０が厚み方向に発生する。また、内蔵インダクタ導体３００の開口の内側には、第２磁束３５０が厚み方向に発生する。そして、第２磁束３５０は、厚み方向において第１磁束２５０とは逆方向に発生する。このことによって、第１磁束２５０と、第２磁束３５０とは、弱め合う。
【００５８】
このように、第１磁束２５０と、第２磁束３５０とが、厚み方向において弱め合う位置にインダクタ導体２００（表面実装電子部品２０）と、内蔵インダクタ導体３００とを配置することによって、第１磁束２５０と、第２磁束３５０とは減少し、モジュール部品１０全体の漏れ磁束は減少する。
【００５９】
より具体的なインダクタ導体２００と内蔵インダクタ導体３００の位置関係としては、図３に示すように、インダクタ導体２００の開口と、内蔵インダクタ導体３００の開口は、重なっている。すなわち、平面視した略全周に亘って、インダクタ導体２００と、内蔵インダクタ導体３００とは、重なっている。
【００６０】
これにより、第１磁束２５０と第２磁束３５０とが、逆方向で重なり合う範囲を大きくでき、磁束の抑制効果は向上する。なお、インダクタ導体２００の開口と、内蔵インダクタ導体３００の開口とは、全てが重なっている必要はなく、少なくとも一部が重なっていれば、磁束の抑制効果を得ることは可能である。
【００６１】
このようなモジュール部品１０は、図４に示すような電源回路１のチョークコイルに適用される。図４の等価回路図に示すように、電源回路１は、制御ＩＣ９０、インダクタ導体２００、内蔵インダクタ導体３００、電圧入力端子Ｖｉｎ、および、電圧出力端子Ｖｏｕｔを備える。インダクタ導体２００と、内蔵インダクタ導体３００とは、モジュール部品１０から構成される。インダクタ導体２００と内蔵インダクタ導体３００とは、直列接続されている。上述したとおり、モジュール部品１０全体としてのインダクタ値Ｌは、Ｌ１＋Ｌ２で表される。すなわち、インダクタ値Ｌは、インダクタ導体２００に、内蔵インダクタ導体３００を加えた値となり、インダクタ値を増加させることができる。
【００６２】
したがって、モジュール部品１０全体としてのインダクタ値Ｌは増加するが、第１磁束２５０の漏れ磁束と、第２磁束３５０の漏れ磁束は、第１磁束２５０と第２磁束３５０が互いに弱め合うことにより減少する。そのため、モジュール部品１０の性能は向上する。
【００６３】
すなわち、電源回路１のサイズは、大きくならず、チョークコイルのインダクタ値は大きくでき、外部への漏れ磁束も抑制できる。
【００６４】
さらに、接続されるインダクタ導体２００と内蔵インダクタ導体３００との間に、基板３０の非磁性体層３２が配置されていることによって、インダクタ導体２００と、内蔵インダクタ導体３００の磁気飽和を抑制できる。このことによって、直流重畳特性は、改善される。
【００６５】
なお、上述の電源回路１の全体回路は、モジュール部品１０のような１つの部品として、パッケージ化されたものであってもよい。
【００６６】
なお、インダクタ導体２００と、内蔵インダクタ導体３００の巻回軸は、同じ位置かつ同じ向きであることが好ましい。また、インダクタ導体２００と、内蔵インダクタ導体３００の内径寸法、外径寸法が同じであることが好ましい。このことによって、さらに優れた特性のモジュール部品１０を実現できる。
【００６７】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態に係るモジュール部品について、図を参照して説明する。図５（Ａ）は、本発明の第２の実施形態に係るモジュール部品１０Ａの側面概要図である。図５（Ｂ）は、図５（Ａ）の一部を拡大した側面概要図である。図６は、本発明の第２の実施形態に係るモジュール部品１０Ａのインダクタ導体２００Ａの位置関係を示す斜視図である。図７は、本発明の第２の実施形態に係るモジュール部品１０Ａのインダクタ導体２００Ａの位置関係を示す天面側から見た平面図である。図８は、本発明の第２の実施形態に係るモジュール部品１０Ａを含む電源回路１Ａの等価回路図である。なお、各図では、構成を見やすくするため、一部の符合を省略し、寸法関係を適宜変更している。
【００６８】
図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図６、図７、図８に示すように、第２の実施形態に係るモジュール部品１０Ａは、第１の実施形態に係るモジュール部品１０に対して、表面実装電子部品２０Ａにおけるインダクタ導体２００Ａの形状、内蔵インダクタ導体３０１Ａ、内蔵インダクタ導体３０２Ａを備えている点において異なる。モジュール部品１０Ａの他の構成は、モジュール部品１０と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。表面実装電子部品２０Ａは、本発明の実装部品である。
【００６９】
図５（Ａ）に示すように、モジュール部品１０Ａは、表面実装電子部品２０Ａ、基板３０、内蔵インダクタ導体３０１Ａ、内蔵インダクタ導体３０２Ａ、封止樹脂４０、磁性シールド層５０、金属シールド層６０を備える。
【００７０】
表面実装電子部品２０Ａは、インダクタ導体２００Ａを備え、インダクタ値Ｌ１を有するインダクタである。例えば、インダクタ導体２００Ａは、厚み方向に直交する水平方向を巻回軸とするスパイラル形状である。
【００７１】
磁性体層３１は、内蔵インダクタ導体３０１Ａ、内蔵インダクタ導体３０２Ａを備える。なお、内蔵インダクタ導体３０１Ａのインダクタ値はＬ２１であり、内蔵インダクタ導体３０２Ａのインダクタ値はＬ２２である。
【００７２】
内蔵インダクタ導体３０１Ａ、内蔵インダクタ導体３０２Ａはインダクタ導体２００Ａの開口に配置され、内蔵インダクタ導体３０１Ａは、例えば、厚み方向を巻回軸とし、巻回させた形状である。一方、内蔵インダクタ導体３０２Ａは、例えば、厚み方向を巻回軸とし、巻回させた形状である。内蔵インダクタ導体３０１Ａ、内蔵インダクタ導体３０２Ａはそれぞれインダクタを構成する。
【００７３】
インダクタ導体２００Ａと内蔵インダクタ導体３０１Ａ、内蔵インダクタ導体３０２Ａとは、図示しない内部電極で直列接続されている。したがって、モジュール部品１０Ａ全体としてのインダクタ値Ｌは、Ｌ１＋（Ｌ２１＋Ｌ２２）となる。
【００７４】
インダクタ導体２００Ａと内蔵インダクタ導体３０１Ａ、内蔵インダクタ導体３０２Ａは、交流電圧を印加した場合、任意の時点において、内蔵インダクタ導体３０１Ａ、内蔵インダクタ導体３０２Ａから発生する磁束が逆向きとなり、インダクタ導体２００Ａと内蔵インダクタ導体３０１Ａから発生する磁束も逆向きとなり、インダクタ導体２００Ａと内蔵インダクタ導体３０２Ａから発生する磁束も逆向きとなるよう構成されている。
【００７５】
図６に、モジュール部品１０Ａにおけるインダクタ導体２００Ａの位置関係を斜視図で示す。Ｚ軸方向が、図５（Ａ）、図５（Ｂ）における厚み方向である。インダクタ導体２００Ａ（表面実装電子部品２０Ａ）は、例えば、巻回軸をＸ軸方向とし、Ｙ軸とＺ軸に平行な平面（第１主面３３に垂直な平面）において巻回する複数の線状導体を繋いだスパイラル形状である。一方、基板３０における、内蔵インダクタ導体３０１Ａ、内蔵インダクタ導体３０２Ａは、例えば、巻回軸をＺ軸方向とし、Ｘ軸とＹ軸に平行な平面において巻回する複数の線状導体を繋いだスパイラル形状である。
【００７６】
より具体的な、インダクタ導体２００Ａと、内蔵インダクタ導体３０１Ａ、内蔵インダクタ導体３０２Ａとの位置関係を説明する。平面視して、インダクタ導体２００Ａの一方端の開口と、内蔵インダクタ導体３０１Ａの開口は重なり合う。またインダクタ導体２００Ａの他方端の開口と、内蔵インダクタ導体３０２Ａの開口は、重なり合う。このことによって、第１磁束２５０Ａと、第２磁束３５１Ａ、第２磁束３５２Ａとが、逆方向で重なり合う範囲が実現される。
【００７７】
図５（Ｂ）に示すように、インダクタ導体２００Ａと、内蔵インダクタ導体３０１Ａ、内蔵インダクタ導体３０２Ａに対し、端子電極７１０から電流Ｉを流す。インダクタ導体２００Ａには、第１磁束２５０Ａが発生する。内蔵インダクタ導体３０１Ａには、第２磁束３５１Ａが発生し、内蔵インダクタ導体３０２Ａには、第２磁束３５２Ａが発生する。
【００７８】
第１磁束２５０Ａが厚み方向に発生するインダクタ導体２００Ａの一方端の箇所において、第２磁束３５１Ａは、厚み方向において、第１磁束２５０Ａと逆方向に発生する。このことによって、第１磁束２５０Ａと、第２磁束３５１Ａとは、弱め合う。
【００７９】
同様に、第１磁束２５０Ａが厚み方向に発生するインダクタ導体２００Ａの他方端の箇所において、第２磁束３５２Ａは、厚み方向において、第１磁束２５０Ａと逆方向に発生する。このことによって、第１磁束２５０Ａと、第２磁束３５２Ａとは、弱め合う。
【００８０】
したがって、第１磁束２５０Ａと、第２磁束３５１Ａ、第２磁束３５２Ａとが互いに弱め合うことにより漏れ磁束は減少し、モジュール部品１０Ａ全体の漏れ磁束は減少する。
【００８１】
このようなモジュール部品１０Ａは、図８に示すような電源回路１Ａのチョークコイルに適用される。図８の等価回路図にも示すように、電源回路１Ａは、制御ＩＣ９０、インダクタ導体２００Ａ、内蔵インダクタ導体３０１Ａ、内蔵インダクタ導体３０２Ａ、電圧入力端子Ｖｉｎ、および、電圧出力端子Ｖｏｕｔを備える。内蔵インダクタ導体３０１Ａ、内蔵インダクタ導体３０２Ａと、インダクタ導体２００Ａとは、モジュール部品１０Ａから構成される。インダクタ導体２００Ａと、内蔵インダクタ導体３０１Ａと、内蔵インダクタ導体３０２Ａとは、直列接続されている。したがって、上述したとおり、モジュール部品１０Ａ全体としてのインダクタ値Ｌは、Ｌ１＋（Ｌ２１＋Ｌ２２）で表される。すなわち、モジュール部品１０Ａとしてのインダクタ値Ｌは、インダクタ導体２００Ａに、内蔵インダクタ導体３０１Ａ、内蔵インダクタ導体３０２Ａを加えた値となり、インダクタ値を増加させることができる。
【００８２】
したがって、モジュール部品１０Ａ全体としてのインダクタ値Ｌは増加するが、モジュール部品１０Ａとしての漏れ磁束が減少する。すなわち、モジュール部品１０Ａの性能は向上する。
【００８３】
すなわち、電源回路１Ａのサイズは、大きくならず、チョークコイルのインダクタ値は大きくでき、外部への漏れ磁束も抑制できる。
【００８４】
さらに、接続されるインダクタ導体２００Ａと内蔵インダクタ導体３０１Ａ、内蔵インダクタ導体３０２Ａとの間に、基板３０の非磁性体層３２が配置されていることによって、インダクタ導体２００Ａと、内蔵インダクタ導体３０１Ａ、内蔵インダクタ導体３０２Ａの磁気飽和を抑制できる。このことによって、直流重畳特性は、改善される。
【００８５】
なお、上述の電源回路１Ａの全体回路は、モジュール部品１０Ａのような１つの部品として、パッケージ化されたものであってもよい。
【００８６】
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態に係るモジュール部品ついて、図を参照して説明する。図９（Ａ）は、本発明の第３の実施形態に係るモジュール部品１０Ｂの側面概要図である。図９（Ｂ）は、図９（Ａ）の一部を拡大した側面概要図である。図１０は、本発明の第３の実施形態に係るモジュール部品１０Ｂのインダクタ導体２００の位置関係を示す斜視図である。図１１は、本発明の第３の実施形態に係るモジュール部品１０Ｂのインダクタ導体２００の位置関係を示す天面側から見た平面図である。なお、各図では、構成を見やすくするため、一部の符合を省略し、寸法関係を適宜変更している。
【００８７】
図９（Ａ）、図９（Ｂ）、図１０、図１１に示すように、第３の実施形態に係るモジュール部品１０Ｂは、第１の実施形態に係るモジュール部品１０に対して、第３インダクタ導体８００を備えている点において異なる。モジュール部品１０Ｂの他の構成は、モジュール部品１０と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
【００８８】
図９（Ａ）に示すように、モジュール部品１０Ｂは、表面実装電子部品２０、基板３０、内蔵インダクタ導体３００、封止樹脂４０、磁性シールド層５０、金属シールド層６０、第３インダクタ導体８００を備える。
【００８９】
封止樹脂４０は、基板３０の第１主面３３と当接していない天面４１を有する。天面４１には、第３インダクタ導体８００が形成されている。第３インダクタ導体８００は、天面４１を平面視して、すなわち、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に平行な面内において、巻回する線状導体からなる螺旋状である。第３インダクタ導体８００は、インダクタを構成する。
【００９０】
図９（Ｂ）に示すように、インダクタ導体２００と、内蔵インダクタ導体３００に対し、端子電極７１０から電流Ｉを流す。インダクタ導体２００には、第１磁束２５０が発生する。内蔵インダクタ導体３００には、第２磁束３５０が発生する。
【００９１】
また、図１０に示すように、インダクタ導体２００（表面実装電子部品２０）は、例えば、巻回軸をＺ軸方向とし、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に平行な平面において巻回する複数の線状導体を繋げたスパイラル形状である。
【００９２】
基板３０における、内蔵インダクタ導体３００は、例えば、巻回軸をＺ軸方向とし、Ｘ軸方向とＹ軸方向に平行な平面において巻回する複数の線状導体を繋げたスパイラル形状である。
【００９３】
ここで第１の実施形態のモジュール部品１０と同様に、第１磁束２５０と、第２磁束３５０とが、厚み方向において弱め合う位置に、インダクタ導体２００（表面実装電子部品２０）と、内蔵インダクタ導体３００とを配置することによって、第１磁束２５０と、第２磁束３５０とは、弱め合う。
【００９４】
上述のとおり、インダクタ導体２００と内蔵インダクタ導体３００とは図示しない内部電極で直列接続されている。第３インダクタ導体８００は、インダクタ導体２００と内蔵インダクタ導体３００とに直列に接続され、第３磁束８５０を発生する。
【００９５】
平面視において、第３インダクタ導体８００の開口の内側には、第３インダクタ導体８００による第３磁束８５０が厚み方向に発生する。また、インダクタ導体２００の開口の内側には、インダクタ導体２００による第１磁束２５０が厚み方向に発生する。そして、第３磁束８５０は、厚み方向において第１磁束２５０とは逆方向に発生する。このことによって、第３磁束８５０と、第１磁束２５０とは、弱め合う。
【００９６】
さらに、より具体的な、インダクタ導体２００と内蔵インダクタ導体３００と第３インダクタ導体８００との位置関係としては、図１１に示すように、インダクタ導体２００の開口と内蔵インダクタ導体３００の開口と第３インダクタ導体８００は重なっている。これにより、第１磁束２５０と第２磁束３５０とが逆方向で重なり、第１磁束２５０と第３磁束８５０とが逆方向で重なり合う範囲を大きくでき、磁束の抑制効果は向上する。
【００９７】
なお、インダクタ導体２００の開口と、内蔵インダクタ導体３００の開口とは、全てが重なっている必要はなく、少なくとも一部が重なっていればよい。同様に、インダクタ導体２００の開口と、第３インダクタ導体８００とも、全てが重なっている必要はなく、少なくとも一部が重なっていればよい。
【００９８】
このような構成であっても、インダクタ値Ｌは、インダクタ導体２００に、内蔵インダクタ導体３００を加えた値となり、インダクタ値を増加させることができる。
【００９９】
したがって、モジュール部品１０Ｂ全体としてのインダクタ値Ｌは増加するが、モジュール部品１０Ｂの漏れ磁束は減少する。すなわち、モジュール部品１０Ｂの性能は向上する。
【０１００】
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態に係るモジュール部品について、図を参照して説明する。図１２（Ａ）は、本発明の第４の実施形態に係るモジュール部品１０Ｃの側面概要図である。図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）の一部を拡大した側面概要図である。なお、各図では、構成を見やすくするため、一部の符合を省略し、寸法関係を適宜変更している。
【０１０１】
図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）に示すように、第４の実施形態に係るモジュール部品１０Ｃは、第１の実施形態に係るモジュール部品１０に対して、内層グランド導体７５０を備えている点において異なる。モジュール部品１０Ｃの他の構成は、モジュール部品１０と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
【０１０２】
図１２（Ａ）に示すように、モジュール部品１０Ｃは、表面実装電子部品２０、基板３０、内蔵インダクタ導体３００、封止樹脂４０、磁性シールド層５０、金属シールド層６０、内層グランド導体７５０を備える。
【０１０３】
内層グランド導体７５０は、内蔵インダクタ導体３００と、基板３０における第２主面３４との間に形成されている。内層グランド導体７５０は、グランド電極７２０に内部電極（図示を省略）を用いて、接続されている。また、回路構成によっては、内層グランド導体７５０は、内蔵インダクタ導体３００に、内部電極（図示を省略）を用いて接続されている。
【０１０４】
内層グランド導体７５０は、平面視において、インダクタ導体２００と内蔵インダクタ導体３００に重なっている。このことによって、内層グランド導体７５０は、インダクタ導体２００と内蔵インダクタ導体３００から発生するノイズが基板３０の第２主面３４側に放射することを抑制できる。
【０１０５】
なお、上述の各実施形態において、インダクタ導体と、内蔵インダクタ導体とは、直列接続となる態様を示したが、並列接続であってもよい。
【０１０６】
また、上述の各実施形態において、基板に磁性体基板を用いる態様を示したが、誘電体基板であってもよい。
【０１０７】
また、上述の各実施形態において、非磁性体層を第１主面側に形成する態様を示したが、第２主面側にも形成してもよい。この場合、モジュール部品を焼成する際の反りを防ぐことができる。
【０１０８】
なお、上述の各実施形態では、１つの実装部品（実装型インダクタ）と、これに対応する内蔵インダクタ導体とを有する態様を示した。しかしながら、複数の実装型インダクタと、それぞれに対する複数の内蔵インダクタ導体を有し、それぞれに磁束を打ち消すよう配置されたモジュール部品としてもよい。
【０１０９】
すなわち、上述の導体の構成からなる複数のインダクタが配列され、１つの部品として、パッケージ化されたものであってもよい。この場合、複数のインダクタは一対の端子電極間に直列接続された構成であってもよく、個別に一対の端子電極を備える構成であってもよい。
【０１１０】
直列接続の場合には、モジュール部品全体におけるインダクタ値がさらに増加させることができる。また、個別に接続する場合には、１つのモジュール部品を複数の外部回路用として利用したり、直列接続によるインダクタンスの増加に利用したりすることが可能になる。
【符号の説明】
【０１１１】
Ｉ…電流
Ｌ、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ２１、Ｌ２２…インダクタ値
Ｖｉｎ…電圧入力端子
Ｖｏｕｔ…電圧出力端子
１、１Ａ…電源回路
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ…モジュール部品
２０、２０Ａ…表面実装電子部品
３０…基板
３１…磁性体層
３２…非磁性体層
３３…第１主面
３４…第２主面
４０…封止樹脂
４１…天面
５０…磁性シールド層
６０…金属シールド層
２００、２００Ａ…インダクタ導体
２１０…部品実装用ランド導体
２５０、２５０Ａ…第１磁束
３００、３０１Ａ、３０２Ａ…内蔵インダクタ導体
３５０、３５１Ａ、３５２Ａ…第２磁束
７１０…端子電極
７２０…グランド電極
７５０…内層グランド導体
８００…第３インダクタ導体
８５０…第３磁束
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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