(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールドを用いて基板上の複数のショット領域の上のインプリント材に順次モールドを接触させることでパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記モールドを保持する保持部と、
前記保持部に前記モールドが保持された状態で前記モールドのパターン面の一部分を洗浄するクリーニング部と、
前記モールドの前記パターン面に付着した異物の位置を特定する特定部と、
前記特定部によって特定された前記異物の位置を示す情報を生成する生成部と、
前記情報に基づいて前記クリーニング部が前記異物に対応して位置するように前記クリーニング部を移動させることによって前記クリーニング部を位置決めし、前記クリーニング部による洗浄によって当該異物を除去する処理を行う処理部と、
前記保持部に保持された前記モールドの前記パターン面に付着した異物を検出する検出部と、
を有し、
前記処理部は、前記モールドと、前記複数のショット領域のうちの対象ショット領域の上のインプリント材との接触を開始してから終了するまでの期間において、前記保持部に保持された前記モールドの前記パターン面に異物が付着しているかを前記検出部に検出させ、当該検出で得られた検出結果に基づいて、前記対象ショット領域の上の硬化したインプリント材から前記モールドを引き離した後であって、前記対象ショット領域の次のショット領域に対するインプリント処理を行う前に、前記異物を除去する処理を行うことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記特定部は、前記検出部の検出結果に基づいて、前記異物の位置を特定することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記基板を保持して移動するステージを更に有し、
前記クリーニング部は、前記ステージに配置され、
前記処理部は、前記情報に基づいて、前記異物の下に前記クリーニング部が位置するように、前記ステージを移動させることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記モールドを保持して前記保持部に搬送する搬送部を更に有し、
前記クリーニング部は、前記搬送部に配置され、
前記処理部は、前記情報に基づいて、前記異物の下に前記クリーニング部が位置するように、前記搬送部を移動させることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記クリーニング部及び前記検出部を保持して移動する移動部を更に有し、
前記処理部は、前記情報に基づいて、前記異物の下に前記クリーニング部が位置するように、前記移動部を移動させることを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記クリーニング部は、プラズマによって前記パターン面の一部分を洗浄し、
前記インプリント装置は、前記パターン面の一部分の洗浄によって生じるガスを回収する回収部を更に有することを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記処理部は、前記インプリント処理を行う前であって、前記モールド及び前記基板の少なくとも一方を搬送している期間において、前記処理を行うことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記処理部は、前記基板上にインプリント材を供給している期間において、前記処理を行うことを特徴とする請求項１、２、４乃至７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記処理部は、前記モールドと前記基板上のインプリント材とを接触させる前に前記モールドと前記基板との位置合わせを行う期間において、前記処理を行うことを特徴とする請求項１、２、４乃至８のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記処理部は、
前記モールドと前記基板上のインプリント材との接触を開始してから終了するまでの期間において、前記検出部に前記保持部に保持された前記モールドの前記パターン面に付着した異物の検出を行わせ、
前記期間における前記検出部の検出結果に基づいて、前記パターン面の一部分の洗浄を行うかどうかを判定し、
前記パターン面の一部分の洗浄を行うと判定した場合に、前記基板上の硬化したインプリント材から前記モールドを引き離した後で、前記処理を行うことを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記検出部は、前記モールドの前記パターン面を撮像して画像を取得するカメラを含み、前記モールドとインプリント材との接触を開始してから終了するまでの期間において、前記モールドと前記基板との間の距離に応じた干渉縞を前記カメラで観察し、
前記処理部は、前記カメラで観察された前記干渉縞に基づいて、前記異物を除去する処理を行うことを特徴とする請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
前記クリーニング部は、互いに異なる洗浄方式を含む複数のクリーニング部を有し、
前記処理部は、前記特定部によって位置を特定された前記異物の大きさ、及び、前記特定部によって位置を特定された前記異物が前記モールドの前記パターン面に付着したタイミングの少なくとも一方に基づいて、前記複数のクリーニング部から前記処理に用いるクリーニング部を選択することを特徴とする請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１３】
モールドを用いて基板上の複数のショット領域の上のインプリント材に順次モールドを接触させることでパターンを形成するインプリント方法であって、
前記モールドのパターン面に付着した異物を検出して前記異物の位置を特定する工程と、
前記特定する工程によって特定された前記異物の位置を示す情報を生成する工程と、
前記情報に基づいてクリーニング部が前記異物に対応して位置するように前記クリーニング部を移動させることによって前記クリーニング部を位置決めし、前記クリーニング部によって前記モールドのパターン面の一部分を洗浄することにより前記異物を除去する工程と、
前記異物が除去された前記モールドを用いて前記基板上にパターンを形成する工程と、
を有し、
前記モールドと、前記複数のショット領域のうちの対象ショット領域の上のインプリント材との接触を開始してから終了するまでの期間において、前記モールドの前記パターン面に異物が付着しているかを検出させ、当該検出で得られた検出結果に基づいて、前記対象ショット領域の上の硬化したインプリント材から前記モールドを引き離した後であって、前記対象ショット領域の次のショット領域に対するインプリント処理を行う前に、前記異物を除去する工程を行うことを特徴とするインプリント方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１２のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加えて、基板上の未硬化の樹脂（インプリント材）をモールド（型）で成型し、樹脂のパターンを基板上に形成する微細加工技術が注目を集めている。かかる技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。
【０００３】
インプリント技術の１つとして、例えば、光硬化法がある。光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板上のショット領域（インプリント領域）に樹脂を供給（塗布）する。次いで、基板上の未硬化の樹脂とモールドとを接触させた状態で光を照射して樹脂を硬化させ、硬化した樹脂からモールドを引き離すことで基板上にパターンを形成する。
【０００４】
インプリント装置ではモールドと基板上の樹脂とを接触させるため、モールドに異物が付着していると、かかる異物がそのまま転写され、基板上に形成されるパターンに不良（欠陥など）が生じてしまう。また、モールドと基板との間に異物を噛み込み、モールドと基板上の樹脂とを接触させたときの圧力でモールドが破損することもある。
【０００５】
このような異物を除去する技術に関して従来から幾つか提案されている（特許文献１乃至３参照）。特許文献１には、プラズマによって異物を除去する技術が開示されている。特許文献２には、洗浄対象部材をクリーニングするクリーニング装置を露光装置内に備える技術が開示されている。特許文献３には、インプリント装置内でモールドに付着した異物を検出し、異物を検出した場合には、インプリント装置からモールドを搬出して（即ち、インプリント装置外で）クリーニングする技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−１６４３４号公報
【特許文献２】特開２０１０−９３２４５号公報
【特許文献３】特開２０１５−５６５８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来技術では、モールドに付着している異物の位置を特定することや異物が付着したタイミングでクリーニングを行うことができない。そのため、例えば、モールドの全面にクリーニングを行うことや一定期間ごとにモールドのクリーニングを行うことで、プロセスへの影響を最小限に抑えている。
【０００８】
但し、モールドの全面のクリーニングには３０分以上を要し、それに加えて、インプリント装置からモールドを搬出する時間などを考慮すると、１時間以上のダウンタイムが発生することになる。従って、従来技術のように一定期間ごとにモールドのクリーニングを行うと、不要なクリーニングが行われる可能性があり、そのような場合、装置の稼働率（スループット）が著しく低下してしまう。また、モールドをクリーニングすべきタイミングでクリーニングが行われるとは限らないため、基板上に形成されるパターンの不良やモールドの破損を効果的に防止することができない。
【０００９】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、モールドをクリーニングするのに有利なインプリント装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、モールドを用いて基板上の複数のショット領域の上のインプリント材に順次モールドを接触させることでパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記モールドを保持する保持部と、前記保持部に前記モールドが保持された状態で前記モールドのパターン面の一部分を洗浄するクリーニング部と、前記モールドの前記パターン面に付着した異物の位置を特定する特定部と、前記特定部によって特定された前記異物の位置を示す情報を生成する生成部と、前記情報に基づいて前記クリーニング部が前記異物に対応して位置するように前記クリーニング部を移動させることによって前記クリーニング部を位置決めし、前記クリーニング部による洗浄によって当該異物を除去する処理を行う処理部と、前記保持部に保持された前記モールドの前記パターン面に付着した異物を検出する検出部と、を有し、前記処理部は、前記モールドと、前記複数のショット領域のうちの対象ショット領域の上のインプリント材との接触を開始してから終了するまでの期間において、前記保持部に保持された前記モールドの前記パターン面に異物が付着しているかを前記検出部に検出させ、当該検出で得られた結果に基づいて、前記対象ショット領域の上の硬化したインプリント材から前記モールドを引き離した後であって、前記対象ショット領域の次のショット領域に対するインプリント処理を行う前に、前記異物を除去する処理を行うことを特徴とする。
【００１１】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、例えば、モールドをクリーニングするのに有利なインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す図である。
【図３】本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す図である。
【図４】モールドのクリーニングに関する処理を説明するためのフローチャートである。
【図５】本発明の一側面としてのインプリント装置におけるインプリント処理を説明するためのフローチャートである。
【図６】本発明の一側面としてのインプリント装置におけるインプリント処理を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１５】
図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１００の構成を示す図である。インプリント装置１００は、基板上のインプリント材にモールドを用いてパターンを形成するインプリント処理を行うリソグラフィ装置である。インプリント装置１００は、検出部１と、モールド３を保持して移動するモールド保持部２と、基板７を保持して移動する基板ステージ６と、クリーニング部５と、回収部８と、制御部２０とを有する。
【００１６】
検出部１は、モールド保持部２に保持されたモールド３のパターン面３ａの状態を観察して、モールド３のパターン面３ａに付着した異物４を検出する。検出部１は、本実施形態では、モールド保持部２に配置されているが、モールド３のパターン面３ａの状態、即ち、パターン面３ａに付着した異物４を検出可能な位置に配置されていればよい。
【００１７】
検出部１は、本実施形態では、モールド３のパターン面３ａを撮像して画像を取得するカメラを含み、かかる画像からパターン面３ａに付着した異物４を検出する画像検出方式を採用している。但し、検出部１は、画像検出方式に限定されず、渦電流式、光学式、超音波式などの非接触型のセンサを含むようにしてもよい。検出部１が非接触型のセンサを含む場合には、モールド３の基準となるデータ（例えば、高さ）を予め求めておくことで、かかるデータと任意のタイミングでの検出結果との差分からモールド３のパターン面３ａに付着した異物４を検出することができる。また、異物４からの反射に起因してパターン面３ａの状態が観察不可能となるような場合には、モールド３のパターン面３ａへの異物４の付着が発生したことを検出することができる。
【００１８】
また、検出部１は、非接触型のセンサではなく、トランス方式、スケール方式などの接触型のセンサを含むようにしてもよい。検出部１が接触型のセンサを含む場合には、モールド３が透明体であってもパターン面３ａの状態を高精度に観察することができる。
【００１９】
検出部１が採用する検出方式は、検出すべき異物４の大きさや種類、検出部１を配置するスペース、モールド３に対する検出角度、或いは、モールド３の物性などに応じて選択可能である。また、互いに異なる検出方式を採用した複数の検出部１を配置して、異物４を検出するのに最適な検出方式を採用した検出部１を製造プロセスごとに選択してもよい。
【００２０】
クリーニング部５は、モールド保持部２にモールド３が保持された状態において、モールド３を局所的に洗浄する、即ち、モールド３のパターン面３ａの一部分のクリーニングを行う。クリーニング部５は、モールド保持部２に保持されたモールド３に対して移動可能に構成され、例えば、図１に示すように、基板ステージ６に配置されている。
【００２１】
クリーニング部５は、本実施形態では、プラズマによってモールド３のクリーニングを行うプラズマ洗浄機構を含むが、これに限定されるものではなく、モールド３のクリーニングを行うことが可能な機構であればよい。例えば、クリーニング部５は、半導体の分野で一般的に使用される静電気除去機構（イオナイザ）や物理的洗浄機構などを含んでいてもよい。また、モールド３のパターン面３ａに付着した異物４を除去可能な構成であれば、複数のクリーニング部５を配置してもよいし、かかる複数のクリーニング部５は、互いに異なるクリーニング方式を含んでいてもよい。なお、モールド３のクリーニングは、接触又は非接触の種別において限定されるものではない。
【００２２】
回収部８は、モールド保持部２に保持されたモールド３の近傍に配置され、クリーニング部５がモールド３のクリーニングを行うことによって生じるガス、特に、インプリント処理に対して阻害となるガスを回収する。但し、インプリント処理に対して阻害となるガスが生じない場合には、回収部８は、必ずしも必要な構成要素ではない。
【００２３】
制御部２０は、インプリント装置１００の全体を制御する。例えば、制御部２０は、インプリント装置１００の各部を制御してインプリント処理を行う。インプリント処理では、基板上にインプリント材としての樹脂を供給し、モールド３と基板上の樹脂とを接触させた状態で樹脂を硬化させ、硬化した樹脂からモールド３を引き離すことで基板上にパターンを形成する。
【００２４】
このように、インプリント処理においては、モールド３と基板上の樹脂とが同一の空間に存在し、且つ、それぞれを接触させるため、モールド３（パターン面３ａ）に異物４が付着してしまうことがある。例えば、モールド３と基板上の樹脂との接触や基板上の樹脂からのモールド３の引き離しによってモールド３が帯電し、モールド３の近傍に存在するパーティクルがモールド３に引き付けられて異物４として付着することがある。また、モールド３に残留した樹脂が堆積して異物４として付着することもある。
【００２５】
モールド３、特に、そのパターン面３ａに異物４が付着していると、基板上に形成されるパターンの不良やモールド３の破損が生じてしまう。そこで、本実施形態では、モールド３のパターン面３ａへの異物４の付着を検出部１で検出し、モールド３のパターン面３ａへの異物４の付着が検出されたら、その異物４の位置を特定する。そして、モールド３のパターン面３ａの異物４が付着した箇所（一部分）に対して、クリーニング部５によるクリーニングを行う。このような処理を実現するために、制御部２０は、特定部２２と、生成部２４と、処理部２６とを含む。
【００２６】
特定部２２は、検出部１の検出結果に基づいて、モールド３のパターン面３ａに付着した異物４の位置を特定する。生成部２４は、特定部２２によって特定された異物４の位置を示す異物情報１２を生成する。異物情報１２は、例えば、モールド３のパターン面３ａにおける異物４の位置（座標）を表すデータ、異物４の大きさを表すデータ、異物４の高さを表すデータなどを含む。処理部２６は、特定部２２によって特定された異物４の位置に基づいてクリーニング部５を位置決めし、クリーニング部５にクリーニングを行わせて異物４を除去する処理を行う。例えば、処理部２６は、生成部２４で生成された異物情報１２に基づいて、モールド３のパターン面３ａに付着した異物４の下にクリーニング部５が位置するように、クリーニング部５を移動させる。図１では、クリーニング部５が基板ステージ６に配置されているため、基板ステージ６を移動させればよい。
【００２７】
インプリント装置１００では、モールド保持部２にモールド３が保持された状態において（即ち、モールド３を搬出することなく）、モールド３のパターン面３ａの一部分のクリーニングを行うことで、パターン面３ａに付着した異物４を除去することができる。従って、インプリント装置１００は、モールド３の全面にクリーニングを行う場合と比べて、モールド３のクリーニングに要する時間を大幅に削減することができるため、装置の稼働率（スループット）の低下を抑えることができる。
【００２８】
また、インプリント装置１００では、モールド３のパターン面３ａへの異物４の付着を検出部１で常時検出することが可能であるため、モールド３をクリーニングすべきタイミングでクリーニングを行うことができる。従って、インプリント装置１００は、一定期間ごとにモールド３のクリーニングを行う場合と比べて、不要なクリーニングが行われる可能性を低減し、基板上に形成されるパターンの不良やモールド３の破損を効果的に防止することができる。
【００２９】
クリーニング部５を基板ステージ６に配置するのではなく、図２に示すように、モールド３を保持してモールド保持部２に搬送する搬送部９に配置してもよい。この場合、処理部２６は、生成部２４で生成された異物情報１２に基づいて、モールド３のパターン面３ａに付着した異物４の下にクリーニング部５が位置するように、搬送部９を移動させる。クリーニング部５を搬送部９に配置することで、クリーニング部５をモールド３や基板７が存在する空間に常設する必要がなくなる。また、モールド３を搬送する工程に、モールド３のクリーニングを組み込むことが可能となる。なお、図２には、クリーニング部５をモールド３の搬送部９に配置する場合を示したが、基板７を保持して基板ステージ６に搬送する搬送部にクリーニング部５を配置しても同様である。
【００３０】
また、図３に示すように、クリーニング部５と検出部１とを同一の移動部１０に配置してもよい。移動部１０は、クリーニング部５及び検出部１を保持して移動する機能を有する。移動部１０は、基板ステージ６や搬送部９などと同様に、モールド３のパターン面３ａの指定箇所に対応する位置に移動可能な機構であって、基板ステージ６や搬送部９から独立して移動可能な機構である。
【００３１】
クリーニング部５及び検出部１を移動部１０に配置した場合にも、処理部２６は、上述したのと同様に、移動部１０を移動させればよい。具体的には、生成部２４で生成された異物情報１２に基づいて、モールド３のパターン面３ａに付着した異物４の下にクリーニング部５が位置するように、移動部１０を移動させればよい。但し、クリーニング部５及び検出部１を移動部１０に配置した場合には、検出部１がモールド３のパターン面３ａに付着した異物４を検出した位置から、移動部１０に設置されたクリーニング部５と検出部１との間の距離の分だけ移動部１０を移動させてもよい。この場合にも、モールド３のパターン面３ａの異物４が付着した箇所に対してクリーニング部５によるクリーニングを行うことができる。
【００３２】
クリーニング部５及び検出部１を１つの移動部１０に配置して移動させることで、複数の移動機構を同期させて移動させる必要がなくなるため、クリーニング部５や検出部１の移動に関する制御が容易になる。また、移動部１０におけるメンテナンス性も向上させることができる。
【００３３】
また、クリーニング部５を専用の移動部１０に配置することで、例えば、基板７の交換などのプロセスとは無関係の期間において、モールド３のクリーニングを行うことができる。また、インプリント処理を行っている期間であっても、例えば、モールド３の下に基板７が配置されていない期間、例えば、ディスペンサから基板上に樹脂を供給している期間において、モールド３のクリーニングを行うこともできる。
【００３４】
また、インプリント装置１００が互いに異なるクリーニング方式を含む複数のクリーニング部５を有している場合、処理部２６は、異物情報１２に基づいて、複数のクリーニング部５からモールド３のクリーニングに用いるクリーニング部５を選択してもよい。例えば、処理部２６は、モールド３のパターン面３ａに付着した異物４の大きさや異物４が付着したタイミングなどに基づいて、最適なクリーニング方式を含むクリーニング部５を選択する。また、複数のクリーニング部５のうちの幾つかを組み合わせてモールド３のクリーニングを行ってもよいし、複数のクリーニング部５のそれぞれでシーケンシャルにモールド３のクリーニングを行ってもよい。
【００３５】
図４を参照して、モールド３のクリーニングに関する処理について説明する。Ｓ４０１において、検出部１は、モールド保持部２に保持されたモールド３のパターン面３ａの状態を観察して、モールド３のパターン面３ａに付着した異物４を検出する。
【００３６】
Ｓ４０２において、処理部２６（制御部２０）は、Ｓ４０１での検出部１の検出結果に基づいて、モールド３のパターン面３ａに異物４が付着しているかどうかを判定する。モールド３のパターン面３ａに異物４が付着していない場合には、モールド３をクリーニングする必要がないため、処理を終了する。一方、モールド３のパターン面３ａに異物４が付着している場合には、Ｓ４０３に移行する。
【００３７】
Ｓ４０３において、特定部２２は、Ｓ４０１での検出部１の検出結果に基づいて、モールド３のパターン面３ａに付着した異物４の位置を特定する。Ｓ４０４において、生成部２４は、Ｓ４０３で特定部２２によって特定された異物４の位置を示す異物情報１２を生成する。
【００３８】
Ｓ４０５において、処理部２６は、Ｓ４０４で生成された異物情報１２に基づいてクリーニング部５を位置決めし、クリーニング部５にモールド３のクリーニングを行わせて異物４を除去する。この際、クリーニング部５は、上述したように、モールド３のパターン面３ａに付着した異物４の下にクリーニング部５が位置するように位置決めされる。
【００３９】
クリーニング部５によるモールド３のクリーニングが終了したら、Ｓ４０１に移行して、モールド３のパターン面３ａに付着した異物４が除去されたことが確認される（即ち、Ｓ４０２でＮｏとなる）まで処理を継続する。但し、インプリント装置１００が有するクリーニング部５では除去することができない異物４がモールド３のパターン面３ａに付着する可能性もある。従って、クリーニング部５がモールド３のクリーニングを行う回数に上限回数を設定し、かかる上限回数を超えた場合には、モールド３のクリーニングに関する処理を終了してもよい。
【００４０】
図５を参照して、インプリント装置１００におけるインプリント処理について説明する。図５に示すインプリント処理は、図４に示すモールド３のクリーニングに関する処理を含む。
【００４１】
Ｓ５０１において、インプリント装置１００にモールド３及び基板７を搬入する。具体的には、モールド３をモールド保持部２に搬送し、基板７を基板ステージ６に搬送する。また、モールド３及び基板７の搬入（Ｓ５０１）とともに、Ｓ５０２において、図４に示すモールド３のクリーニングに関する処理を行う。このように、インプリント処理を行う前であって、モールド３及び基板７の少なくとも一方を搬送している期間において、モールド３のクリーニングに関する処理を行う。これにより、インプリント処理を行う前に、モールド３のパターン面３ａに付着した異物４を除去することができるため、基板上に形成されるパターンの不良やモールド３の破損を抑制することができる。
【００４２】
次いで、基板上の各ショット領域にインプリント処理を行う。Ｓ５０３において、基板上のインプリント処理を行う対象ショット領域に樹脂を供給する。Ｓ５０４において、基板上の対象ショット領域がモールド３の下に位置するように基板ステージ６を移動させて、モールド３と基板７との位置合わせ（アライメント）を行う。Ｓ５０５において、モールド３と基板上の樹脂とを接触させた状態で樹脂を硬化させ、硬化した樹脂からモールド３を引き離すことで基板上にパターンを形成する。
【００４３】
また、樹脂の供給（Ｓ５０３）や位置合わせ（Ｓ５０４）とともに、Ｓ５０６において、図４に示すモールド３のクリーニングに関する処理を行う。このように、基板上の対象ショット領域に樹脂を供給している期間、或いは、モールド３と基板上の樹脂とを接触させる前にモールド３と基板７との位置合わせを行う期間において、モールド３のクリーニングに関する処理を行う。このように、モールド３が基板上の樹脂と接触していない期間にモールド３のクリーニングを行うことで、スループットの低下を抑制することができる。特に、図３に示すように、基板ステージ６や搬送部９から独立して移動可能な機構にクリーニング部５を配置している場合に有利となる。
【００４４】
基板上の各ショット領域にインプリント処理を行ったら、Ｓ５０７において、インプリント装置１００からモールド３及び基板７を搬出する。具体的には、モールド保持部２からモールド３を搬送し、基板ステージ６から基板７を搬送する。
【００４５】
図６を参照して、インプリント装置１００におけるインプリント処理について説明する。図６に示すインプリント処理では、モールド３のクリーニングに関する処理を、モールド３のパターン面３ａに付着した異物４の検出に関する処理と、モールド３のパターン面３ａに付着した異物４の除去に関する処理とに分けて行う。なお、ここでは、モールド３及び基板７を搬入する工程やモールド３及び基板７を搬出する工程の図示を省略し、基板上の１つのショット領域に対するインプリント処理を例に説明する。
【００４６】
Ｓ６０１において、基板上のショット領域に樹脂を供給する。Ｓ６０２において、基板上のショット領域がモールド３の下に位置するように基板ステージ６を移動させて、モールド３と基板７との位置合わせ（アライメント）を行う。Ｓ６０３において、モールド３と基板上の樹脂とを接触させる。Ｓ６０４において、モールド３と基板上の樹脂とを接触させた状態で樹脂を硬化させる。Ｓ６０５において、基板上の硬化した樹脂からモールド３を引き離す。
【００４７】
また、モールド３と基板上の樹脂とを接触を開始したら、Ｓ６０６において、モールド保持部２に保持されたモールド３のパターン面３ａに付着した異物４の検出を行う。このように、モールド３と基板上の樹脂との接触を開始してから終了するまでの期間において、異物４の検出を行う。検出部１は、本実施形態では、モールド３のパターン面３ａを撮像して画像を取得するカメラを含んでいる。従って、モールド３と基板上の樹脂との接触を開始してから終了するまでの期間であれば、モールド３のパターン面３ａと基板７との間の距離に応じた干渉縞が観察されるため、かかる干渉縞から、パターン面３ａに付着した異物４を検出することが可能である。また、モールド３と基板上の樹脂との接触を開始してから終了するまでには現状数秒を要するため、その時間内にモールド３のパターン面３ａに付着した異物４を検出することは十分に可能であり、スループットの低下を招くこともない。
【００４８】
Ｓ６０６において、処理部２６（制御部２０）は、Ｓ６０６での検出部１の検出結果に基づいて、モールド３のクリーニングを行うかどうかを判定する。かかる判定は、モールド３のパターン面３ａに付着した異物４の有無を基準として行ってもよいし、モールド３のパターン面３ａに付着した異物４の大きさを基準として行ってもよい。また、モールド３のパターン面３ａに付着した異物４が基板上に形成されるパターンやモールド３に将来的に与える影響の度合いを基準として判定を行ってもよい。モールド３のクリーニングを行わない場合には、処理を終了する。一方、モールド３のクリーニングを行う場合には、Ｓ６０７に移行する。
【００４９】
Ｓ６０７において、モールド３のクリーニングを行う。モールド３のクリーニングについては、Ｓ６０６での検出部１の検出結果に基づいて、図４に示すＳ４０３、Ｓ４０４、Ｓ４０５を行えばよいため、ここでの詳細な説明は省略する。
【００５０】
このように、モールド３のクリーニングが必要となった場合には、次のショット領域にインプリント処理を行う前にモールド３のクリーニングを行うことで、次のショット領域に形成されるパターンの不良やモールド３の破損を抑制することができる。
【００５１】
物品としてのデバイス（半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子等）の製造方法について説明する。かかる製造方法は、インプリント装置１００を用いてパターンを基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）に形成する工程を含む。かかる製造方法は、パターンを形成された基板を処理する工程を更に含む。当該処理ステップは、当該パターンの残膜を除去するステップを含みうる。また、当該パターンをマスクとして基板をエッチングするステップなどの周知の他のステップを含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００５２】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、本発明は、インプリント装置に限定されず、半導体用洗浄装置、半導体製造装置、液晶製造装置に代表される産業機器、即ち、モールドや原版のクリーニングを行う機構を備える装置に適用可能である。
【符号の説明】
【００５３】
１００：インプリント装置    ２：モールド保持部    ３：モールド    ３ａ：パターン面    ５：クリーニング部    ６：基板    ２０：制御部    ２２：特定部    ２４：生成部    ２６：処理部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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