(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光素子がマトリックス状に配列された表示領域と、前記表示領域の外側に複数の実装端子が配置された端子領域と、含む素子基板と、
前記素子基板の前記複数の発光素子側に対向する保護基板と、
前記素子基板の端子領域に接合される外部接続基板と、を備え、
前記素子基板には、前記複数の発光素子を封止する封止膜が前記端子領域にも形成されており、
前記端子領域のうち前記外部接続基板と対向する領域に存在する前記封止膜は、前記複数の実装端子のそれぞれに対応する位置に設けられた複数の第１の開口孔と、前記実装端子の上以外であって前記実装端子同士の間に設けられた複数の第２の開口孔と、を有し、
前記素子基板上には、前記第１の開口孔および前記第２の開口孔により前記封止膜のない部分が存在する、電気光学装置。
【請求項２】
前記第２の開口孔は凹状の溝からなり、その溝深さは前記第１の開口孔よりも深い、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記実装端子の前記表示領域側に前記封止膜のない部分が存在する、請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記封止膜のない前記第２の開口孔の部分では、当該封止膜よりも下層側に設けられた層間絶縁膜の少なくとも一部が露出している、請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置の一例として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Electro Luminescence）素子を用いた画素が素子基板の表示領域にマトリックス状に配置された有機ＥＬ装置が提案されている（例えば、特許文献１を参照。）。
【０００３】
具体的に、特許文献１には、反射層、第１の電極（画素電極）、発光層及び第２の電極（対向電極）が順に積層された有機ＥＬ素子を有するトップエミッション構造の有機ＥＬ装置が開示されている。
【０００４】
ところで、特許文献１に記載の有機ＥＬ装置では、表示領域の外側の周辺領域に、データ線駆動回路や走査線駆動回路などを実装するための実装端子、外部接続用端子等を含む複数の端子が配列されている。これらの端子は、上述した反射層と同一プロセスで成膜されるアルミニウム（Ａｌ）などの反射導電材料と、第１の電極と同一プロセスで成膜される酸化インジウムスズ（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）などの透明導電材料とを積層した構造を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−０８９８０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１では、発光素子が封止膜により封止され、当該封止膜の上面にカラーフィルターが形成された、いわゆるトップエミッション方式のＯＣＣＦ（On-chip Collor Filter）構造において、カラーフィルターあるは絶縁層をマスクに用いて、実装端子上の封止膜のエッチングを行っている。この場合、複数の実装端子を跨る領域を過度にエッチングすると、実装端子の側面などがエッチングされて、実装端子の下層にある反射電極（Ａｌ膜）が露出する可能性がある。一方、実装端子ごとに封止膜のエッチングを行う場合には、封止膜と下層の絶縁膜との界面で、外部接続基板の実装後に剥離が生じる場合があった。
【０００７】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、封止膜と下層の絶縁膜との界面において乖離が生じるのを防ぎ、外部接続基板の接合強度を高めることのできる、電気光学装置、電子機器を提供することを目的の一つとしている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明における電気光学装置の一態様は、複数の発光素子がマトリックス状に配列された表示領域と、前記表示領域の外側に複数の実装端子が配置された端子領域と、含む素子基板と、前記素子基板の前記複数の発光素子側に対向する保護基板と、前記素子基板の端子領域に接合される外部接続基板と、を備え、前記素子基板には、前記複数の発光素子を封止する封止膜が前記端子領域にも形成されており、前記端子領域のうち前記外部接続基板と対向する領域に存在する前記封止膜は、前記複数の実装端子のそれぞれに対応する位置に設けられた複数の第１の開口孔と、前記実装端子の上以外であって前記実装端子同士の間に設けられた複数の第２の開口孔と、を有し、前記素子基板上には、前記第１の開口孔および前記第２の開口孔により前記封止膜のない部分が存在する。
【０００９】
これによれば、端子領域における封止膜のない部分において、外部接続基板の実装強度を高めることができる。これにより、素子基板に対する外部接続基板の接合を長期的に維持することができる。
【００１０】
また、本発明における電気光学装置の一態様において、前記第２の開口孔は凹状の溝からなり、その溝深さは前記第１の開口孔よりも深い構成としてもよい。
また、本発明における電気光学装置の一態様において、前記複数の実装端子の間に前記
封止膜のない部分が存在する構成としてもよい。
【００１１】
これによれば、外部接続基板の接合に寄与する部分（実装端子の間）の封止膜をなくすことによって、外部接続基板の接合強度を高めることができる。
【００１２】
また、本発明における電気光学装置の一態様において、前記実装端子の前記表示領域側に前記封止膜のない部分が存在する構成としてもよい。
【００１３】
これによれば、封止膜のない部分が、実装端子の表示領域側であっても、外部接続基板の接合強度を高めることができる。
【００１４】
また、本発明における電気光学装置の一態様において、前記封止膜のない前記第２の開口孔の部分では、当該封止膜よりも下層側に設けられた層間絶縁膜の少なくとも一部が露出している構成としてもよい。
【００１５】
これによれば、層間絶縁膜の一部を露出させることで、外部接続基板を接合する際の接着剤に対する素子基板側の表面積を増やすことができる。
【００１６】
本発明の電子機器の一態様は、上記の電気光学装置を備えている。
【００１７】
これによれば、素子基板と外部接続基板との接合強度の高い電気光学装置を備えたことにより、電子機器の品質を長期的に維持することができる。
【００１８】
本発明の電気光学装置の製造方法の一態様は、素子基板の表示領域に複数の発光素子を形成する工程と、前記素子基板の前記表示領域の外側の端子領域に複数の実装端子を形成する工程と、前記複数の発光素子及び前記複数の実装端子を覆うように封止膜を形成する工程と、前記実装端子の上の前記封止膜を除去する工程と、前記端子領域に存在する前記封止膜のうち、前記実装端子の上以外の部分の前記封止膜を除去する。
【００１９】
また、本発明の電気光学装置の製造方法の一態様において、前記素子基板に外部接続基板を接続する工程を有し、前記封止膜を除去する工程において、前記端子領域のうち前記外部接続基板と対向する領域に、前記封止膜が存在しない部分を形成すべく、所定部分の前記封止膜を除去する。
【００２０】
また、本発明の電気光学装置の製造方法の一態様において、前記端子領域の前記外部接続基板と対向する領域のうち、前記実装端子の前記表示領域側に前記封止膜が存在しない部分を形成すべく、所定部分の前記封止膜を除去する。
【００２１】
また、本発明の電気光学装置の製造方法の一態様において、前記封止膜を除去する工程において、前記封止膜よりも下層側に設けられた層間絶縁膜の少なくとも一部を露出させる。
【００２２】
また、本発明の電気光学装置の製造方法の一態様において、前記表示領域にカラーフィルターを形成する工程を有し、前記カラーフィルターと同じ材料、あるいは前記カラーフィルターを区画する絶縁層と同じ材料、を用いて前記端子領域にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンをマスクにして前記封止膜を除去する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】有機ＥＬ装置１００の構成を模式的に示す平面図。
【図２】素子基板１０の構成を示す回路図。
【図３】画素回路１１０の構成を示す回路図。
【図４】図１に示す有機ＥＬ装置のＥ−Ｅ線に沿う断面図。
【図５】図１に示す有機ＥＬ装置のＦ−Ｆ線に沿う断面図。
【図６】図１に示す有機ＥＬ装置のＥ−Ｅ線に沿う、素子基板の断面図。
【図７】図１に示す有機ＥＬ装置のＦ−Ｆ線に沿う、素子基板の断面図。
【図８】有機ＥＬ装置１００の製造方法を示すフローチャート。
【図９】有機ＥＬ装置１００の製造方法を示す工程図。
【図１０】有機ＥＬ装置１００の製造方法を示す工程図。
【図１１】有機ＥＬ装置１００の製造方法を示す工程図。
【図１２】有機ＥＬ装置１００の製造方法を示す工程図。
【図１３】有機ＥＬ装置１００の製造方法を示す工程図。
【図１４】有機ＥＬ装置１００の製造方法を示す工程図。
【図１５】有機ＥＬ装置１００の製造方法を示す工程図。
【図１６】有機ＥＬ装置１００の製造方法を示す工程図。
【図１７】有機ＥＬ装置１００の製造方法を示す工程図。
【図１８】有機ＥＬ装置１００の製造方法を示す工程図。
【図１９】電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
（有機ＥＬ装置）
先ず、本発明の一実施形態として図１に示す有機ＥＬ装置（電気光学装置）１００について説明する。
有機ＥＬ装置１００は、本発明における「電気光学装置」の一例として示す自発光型の表示装置である。なお、図１は、有機ＥＬ装置１００の構成を模式的に示す平面図である。
【００２５】
有機ＥＬ装置１００は、図１に示すように、素子基板１０と、封止用基板（保護基板）７０とを有している。素子基板１０と封止用基板７０とは、互いに対向した状態で、図示を省略する接着剤によって接合されている。なお、接着剤には、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などを使用することができる。
【００２６】
素子基板１０は、発光素子として、青色（Ｂ）光を発する有機ＥＬ素子（発光素子）３０Ｂが配置されたサブ画素２０Ｂと、緑色（Ｇ）の光を発する有機ＥＬ素子３０Ｇが配置されたサブ画素２０Ｇと、赤色（Ｒ）の光を発する有機ＥＬ素子３０Ｒが配置されたサブ画素２０Ｒとがマトリックス状に配列された表示領域Ｅ１を有している。
【００２７】
有機ＥＬ装置１００では、サブ画素２０Ｂとサブ画素２０Ｇとサブ画素２０Ｒとが表示単位となってフルカラーの表示が提供される。なお、以降の説明では、サブ画素２０Ｂ、サブ画素２０Ｇ及びサブ画素２０Ｒをまとめて画素２０として扱う場合があり、有機ＥＬ素子３０Ｂ、有機ＥＬ素子３０Ｇ及び有機ＥＬ素子３０Ｒをまとめて有機ＥＬ素子３０として扱う場合がある。
【００２８】
表示領域Ｅ１には、カラーフィルター５０が設けられている。カラーフィルター５０のうち、サブ画素２０Ｂの有機ＥＬ素子３０Ｂの上には、青色の着色層５０Ｂが配置され、サブ画素２０Ｇの有機ＥＬ素子３０Ｇの上には、緑色の着色層５０Ｇが配置され、サブ画素２０Ｒの有機ＥＬ素子３０Ｒの上には、赤色の着色層５０Ｒが配置されている。サブ画素２０Ｂの有機ＥＬ素子３０Ｂから発せられた光は青色の着色層５０Ｂを透過し、緑色の着色層５０Ｇ及び赤色の着色層５０Ｒにて遮光される。同様に、サブ画素２０Ｇの有機ＥＬ素子３０Ｇから発せられた光は緑色の着色層５０Ｇを透過し、青色の着色層５０Ｂ及び赤色の着色層５０Ｒにて遮光され、サブ画素２０Ｒの有機ＥＬ素子３０Ｒから発せられた光は赤色の着色層５０Ｒを透過し、青色の着色層５０Ｂ及び緑色の着色層５０Ｇにて遮光される。したがって、各有機ＥＬ素子３０の位置とカラーフィルター５０の各着色層の位置により、有機ＥＬ装置１００から取り出される光の方向が規定される。
【００２９】
本実施形態では、同色の発光が得られる画素２０がＹ方向（第１の方向）に配列し、異なる色の発光が得られる画素２０がＹ方向に対して交差（直交）するＸ方向（第２の方向）に配列している。したがって、画素２０の配置は、所謂ストライプ方式となっている。
この画素の配列に応じて、有機ＥＬ素子３０Ｂ、有機ＥＬ素子３０Ｇ及び有機ＥＬ素子３０Ｒはそれぞれストライプ状に配置されており、青色の着色層５０Ｂ、緑色の着色層５０Ｇ、赤色の着色層５０Ｒもまたストライプ状に配置されている。なお、画素２０の配置は、ストライプ方式に限定されず、モザイク方式、デルタ方式であってもよい。
【００３０】
有機ＥＬ装置１００は、トップエミッション構造を有している。したがって、有機ＥＬ素子３０で発せられた光は、素子基板１０のカラーフィルター５０を透過して封止用基板７０の側から表示光として射出される。
【００３１】
有機ＥＬ装置１００がトップエミッション構造であることから、素子基板１０の基材には、透明な石英基板やガラス基板などに加えて、不透明なセラミック基板や半導体基板などを用いることができる。本実施形態では、素子基板１０の基材として、シリコン基板（半導体基板）を使用している。
【００３２】
表示領域Ｅ１の外側には、実装端子１０３が配列された周辺領域Ｆが設けられている。周辺領域Ｆには、素子基板１０の長辺側の一辺に沿って、複数の実装端子１０３が配列されている。また、複数の実装端子１０３と表示領域Ｅ１との間には、データ線駆動回路１０１が設けられている。また、素子基板１０の短辺側の二辺と表示領域Ｅ１との間には、走査線駆動回路１０２が設けられている。なお、以降の説明では、素子基板１０の長辺に沿った方向をＸ方向とし、素子基板１０の短辺に沿った方向をＹ方向とし、封止用基板７０から素子基板１０に向かう方向をＺ（＋）方向とする。
【００３３】
封止用基板７０は、素子基板１０よりも小さく、実装端子１０３が露出されるように素子基板１０と対向して配置されている。封止用基板７０は、透光性の基板であり、石英基板やガラス基板などを使用することができる。封止用基板７０は、表示領域Ｅ１に配置された有機ＥＬ素子３０が傷つかないように保護する役割を有し、表示領域Ｅ１よりも広く設けられている。
【００３４】
図２は、素子基板１０の構成を示す回路図である。素子基板１０には、図２に示すように、ｍ行の走査線１２がＸ方向に延在して設けられ、ｎ列のデータ線１４がＹ方向に延在して設けられている。また、素子基板１０には、データ線１４に沿って列毎に電源線１９がＹ方向に延在して設けられている。
【００３５】
素子基板１０には、ｍ行の走査線１２とｎ列のデータ線１４との交差部に対応して、画素回路１１０が設けられている。画素回路１１０は、画素２０の一部をなす。表示領域Ｅ１には、ｍ行×ｎ列の画素回路１１０が、マトリックス状に配列されている。
【００３６】
電源線１９には、初期化用のリセット電位Ｖｏｒｓｔが供給（給電）されている。さらに、図示を省略するが、制御信号Ｇｃｍｐ，Ｇｅｌ，Ｇｏｒｓｔを供給する３つの制御線が、走査線１２に並行して設けられている。
【００３７】
走査線１２は、走査線駆動回路１０２に電気的に接続されている。データ線１４は、データ線駆動回路１０１に電気的に接続されている。走査線駆動回路１０２には、走査線駆動回路１０２を制御するための制御信号Ｃｔｒ１が供給されている。データ線駆動回路１０１には、データ線駆動回路１０１を制御するための制御信号Ｃｔｒ２が供給されている。
【００３８】
走査線駆動回路１０２は、フレームの期間にわたって走査線１２を１行毎に走査するための走査信号Ｇｗｒ（１）、Ｇｗｒ（２）、Ｇｗｒ（３）、…、Ｇｗｒ（ｍ− １）、Ｇｗｒ（ｍ）を、制御信号Ｃｔｒ１に従って生成する。さらに、走査線駆動回路１０２は、走査信号Ｇｗｒの他に、制御信号Ｇｃｍｐ，Ｇｅｌ，Ｇｏｒｓｔを制御線に供給する。なお、フレームの期間とは、有機ＥＬ装置１００で１カット（コマ）分の画像が表示される期間であり、例えば同期信号に含まれる垂直同期信号の周波数が１２０Ｈｚであれば、１フレームの期間は約８．３ミリ秒となる。
【００３９】
データ線駆動回路１０１は、走査線駆動回路１０２によって選択された行に位置する画素回路１１０に対し、当該画素回路１１０の諧調データに応じた電位のデータ信号Ｖｄ（１）、Ｖｄ（２）、…、Ｖｄ（ｎ）を、１、２、…、ｎ列目のデータ線１４に供給する。
【００４０】
図３は、画素回路１１０の構成を示す回路図である。画素回路１１０は、図３に示すように、ＰチャネルＭＯＳ型のトランジスター１２１，１２２，１２３，１２４，１２５と、有機ＥＬ素子３０と、容量２１とを有している。画素回路１１０には、上述した走査信号Ｇｗｒや制御信号Ｇｃｍｐ，Ｇｅｌ，Ｇｏｒｓｔなどが供給される。
【００４１】
有機ＥＬ素子３０は、互いに対向する画素電極（第１の電極）３１と対向電極（第２の電極）３３とで発光機能層（発光層）３２を挟持した構造を有している。
【００４２】
画素電極３１は、発光機能層３２に正孔を供給するアノードであり、光透過性有する導電材料により形成されている。本実施形態では、画素電極３１として、例えば膜厚２００ｎｍのＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を形成している。画素電極３１は、トランジスター１２４のドレイン及びトランジスター１２５のソース又はドレインの一方に電気的に接続されている。
【００４３】
共通電極３３は、発光機能層３２に電子を供給するカソードであり、例えばマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金などの光透過性と光反射性とを有する導電材料により形成されている。共通電極３３は、複数の画素２０に跨って設けられた共通電極であり、電源線８に電気的に接続されている。電源線８には、画素回路１１０において電源の低位側となる電位Ｖｃｔが供給されている。
【００４４】
発光機能層３２は、画素電極３１の側から順に積層された正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、及び電子輸送層などを有している。有機ＥＬ素子３０では、画素電極３１から供給される正孔と、共通電極３３から供給される電子とが、発光機能層３２の中で結合することによって、発光機能層３２が発光する。
【００４５】
また、素子基板１０には、各電源線１９に交差して電源線６がＸ方向に延在して設けられている。なお、電源線６はＹ方向に延在して設けられてもよいし、Ｘ方向及びＹ方向の両方に延在するように設けられてもよい。トランジスター１２１は、ソースが電源線６に電気的に接続され、ドレインがトランジスター１２３のソース又はドレインの他方と、トランジスター１２４のソースとにそれぞれ電気的に接続されている。また、電源線６には、画素回路１１０において電源の高位側となる電位Ｖｅｌが供給されている。また、電源線６には、容量２１の一端が電気的に接続されている。トランジスター１２１は、トランジスター１２１（Ｔ）のゲート及びソース間の電圧に応じた電流を流す駆動トランジスターとして機能する。
【００４６】
トランジスター１２２は、ゲートが走査線１２に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方がデータ線１４に電気的に接続されている。また、トランジスター１２２は、ソース又はドレインの他方が、トランジスター１２１のゲートと、容量２１の他端と、トランジスター１２３のソース又はドレインの一方とに、それぞれ電気的に接続されている。
トランジスター１２２は、トランジスター１２１のゲートとデータ線１４との間に電気的に接続され、トランジスター１２１のゲートとデータ線１４との間の電気的な接続を制御する書込トランジスターとして機能する。
【００４７】
トランジスター１２３は、ゲートが制御線に電気的に接続され、制御信号Ｇｃｍｐが供給される。トランジスター１２３は、トランジスター１２１のゲート及びドレインの間の電気的な接続を制御する、閾値補償トランジスターとして機能する。
【００４８】
トランジスター１２４は、ゲートが制御線に電気的に接続され、制御信号Ｇｅｌが供給される。トランジスター１２４は、ドレインがトランジスター１２５のソース又はドレインの一方と有機ＥＬ素子３０の画素電極３１とにそれぞれ電気的に接続されている。トランジスター１２４は、トランジスター１２１のドレインと、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１との間の電気的な接続を制御する、発光制御トランジスターとして機能する。
【００４９】
トランジスター１２５は、ゲートが制御線に電気的に接続され、制御信号Ｇｏｒｓｔが供給される。また、トランジスター１２５のソース又はドレインの他方は、電源線１９に電気的に接続され、リセット電位Ｖｏｒｓｔが供給されている。トランジスター１２５は、電源線１９と、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１との間の電気的な接続を制御する初期化トランジスターとして機能する。
【００５０】
なお、以下の説明において、トランジスター１２２，１２３，１２４，１２５について、単にトランジスターＴと呼ぶこともある。
【００５１】
図４は、図１に示す有機ＥＬ装置のＥ−Ｅ線に沿う断面図である。
図５は、図１に示す有機ＥＬ装置のＦ−Ｆ線に沿う断面図である。
なお、図４及び図５においては、複数の導電体の各々を、１層の金属層もしくは２〜３層の金属層の積層膜として図示している。
【００５２】
有機ＥＬ装置１００は、図４及び図５に示すように、基材１１と、基材１１上に順に形成された、画素回路１１０を含む回路層５と、有機ＥＬ素子３０と、複数の有機ＥＬ素子３０を封止する封止層３４と、カラーフィルター５０と、充填剤４２と、を含む素子基板１０と、封止用基板７０と、を備えている。
【００５３】
封止用基板７０は、例えば石英ガラスなどの可視光領域に対して透明な基板からなり、素子基板１０において封止層３４上に形成されたカラーフィルター５０を保護すべく、充填剤４２を介して素子基板１０に対向して配置されている。
【００５４】
サブ画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ（図１）の発光機能層３２からの発光は、後述する導電体７１で反射されると共に、カラーフィルター５０を通過して封止用基板７０の側から取り出される。すなわち、有機ＥＬ装置１００はトップエミッション型の発光装置である。
【００５５】
基材１１は、有機ＥＬ装置１００がトップエミッション型のため、石英ガラスなどの透明基板のみならず、シリコン（Ｓｉ）やセラミックスなどの不透明な基板を用いることができる。以降、基材１１としてシリコン基板（半導体基板）を用い、画素回路１１０にトランジスターを用いた場合を例に説明する。
【００５６】
図４に示すように、基材１１の表面のうち、表示領域Ｅ１内に画素回路１１０のトランジスターＴが形成され、端子領域Ｅ２内にデータ線駆動回路（不図示）のトランジスター（不図示）が形成される。トランジスターＴは、基材１１の表面に形成された能動領域（ソース／ドレイン領域）と、基材１１の表面を被覆する層間絶縁膜Ｌ０（ゲート絶縁膜）と、層間絶縁膜Ｌ０上に形成されたゲートＧと、を含んで構成される。能動領域（不図示）は、基材１１内に不純物イオンが注入されたイオン注入領域で構成される。画素回路１１０のトランジスターＴのチャネル領域はソース領域とドレイン領域との間に存在する。チャネル領域には、能動領域とは別種類のイオンが注入されるが、図示は省略する。各トランジスターＴのゲートＧは、層間絶縁膜Ｌ０を挟んでチャネル領域に対向する位置に配置される。
【００５７】
図４に示すように、各トランジスターＴのゲートＧが形成された層間絶縁膜Ｌ０上には、複数の層間絶縁膜（ＬＡ〜ＬＥ）と複数の配線層（ＷＡ〜ＷＥ）とを交互に積層した多層配線層が形成される。各層間絶縁膜ＬＡ〜ＬＥは、例えばシリコン化合物（典型的には窒化シリコンや酸化シリコン）等の絶縁性の無機材料で形成される。各配線層ＷＡ〜ＷＥは、アルミニウムや銀等を含有する低抵抗の導電材料で形成される。
【００５８】
層間絶縁膜ＬＥの上面のうち表示領域Ｅ１の画素領域内には、（Ｔｉ）／ＡｌＣｕ（アルミニウム・銅合金）の積層膜からなる導電体７１が設けられている。導電体７１は、画素回路１１０を構成するトランジスターＴの一方の電極と電気的に接続されている。
層間絶縁膜ＬＥの上面のうち、端子領域Ｅ２には、導電体７１と同じ光反射性の材料からなる導電体７２が設けられている。導電体７２は、データ線駆動回路１０１を構成するトランジスターＴの一方の電極と電気的に接続されている。
【００５９】
層間絶縁膜ＬＥの上面には、導電体７１，７２を覆うようにして、ＳｉＮからなるＣａｖ調整層６１が形成されている。Ｃａｖ調整層６１の上には、ＳｉＯ２からなる平坦化層３７及びＴｉＮからなる遮光層３９が形成されている。第１光学調整層６２及び第２光学調整層６３は、平坦化層３７及び遮光層３９を覆うようにしてＣａｖ調整層６１の上に積層されている。第１光学調整層６２及び第２光学調整層６３は、Ｃａｖ調整層６１上にこの順で積層され、それぞれがＳｉＯ２から構成されている。
【００６０】
画素電極３１は、第２光学調整層６３の上面に形成されている。実装端子１０３は、導電体７２の上面に形成されている。実装端子１０３は、導電体７２と、該導電体７２よりも下層側の複数の配線層と、によって、外部接続基板１０４に対する接続端子として機能する。
【００６１】
画素電極３１を含む第２光学調整層６３の上面には、画素電極３１の一部を露出させるとともに隣り合うサブ画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ（図１）を分離させる画素分離層３８が形成されている。画素分離層３８は端子領域Ｅ２にも形成されており、開口孔３５Ａを介して実装端子１０３の表面の一部を露出させている。
【００６２】
発光機能層３２は、画素電極３１に接するように、真空蒸着法などの気相プロセスを用いて形成され、画素分離層３８の表面の一部も覆う。なお、画素分離層３８で区画された領域に発光機能層３２が形成されればよい。
【００６３】
発光機能層３２は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層を有する。本実施形態では、画素電極３１に対して、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層を、それぞれ気相プロセスを用いて成膜し、順に積層することによって発光機能層３２が形成されている。なお、発光機能層３２の層構成は、これに限定されず、キャリアである正孔や電子の移動を制御する中間層をさら含んでも良いし、例えば有機発光層に電子輸送層の機能を持たせて、層数を減らすこともできる。有機発光層は、白色発光が得られる構成であればよく、例えば、赤色の発光が得られる有機発光層と、緑色の発光が得られる有機発光層と、青色の発光が得られる有機発光層とを組み合わせた構成を採用することができる。
【００６４】
共通電極３３は、複数の有機ＥＬ素子３０の共通陰極であり、発光機能層３２を覆って形成される。共通電極３３は、例えばＭｇとＡｇとの合金を光透過性と光反射性とが得られる程度の膜厚（例えば１０ｎｍ〜３０ｎｍ）で成膜することによって形成される。本実施形態において、共通電極３３の光透過率は好ましくは２０％以上、より好ましくは３０％以上であり、共通電極３３の光反射率は好ましくは２０％以上、より好ましくは５０％以上である。これによって、複数の有機ＥＬ素子３０ができあがる。
【００６５】
共通電極３３を光透過性と光反射性とを有する状態に形成することによって、サブ画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂごとの導電体７１と共通電極３３との間で光共振器を構成してもよい。光共振器は、サブ画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂごとに、導電体７１と共通電極３３との間の光学的距離を異ならせることにより、特定の共振波長の光が取り出されるものである。これによって、各サブ画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂからの発光の色純度を高めることができる。上記光学的距離は、光共振器を構成する導電体７１と共通電極３３との間に挟まれた各種の機能膜の屈折率と膜厚との積の合計として求められる。したがって、上記光学的距離をサブ画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂごとに異ならせる方法としては、画素電極３１の膜厚を色毎に異ならせる方法や、導電体７１と画素電極３１との間の第１光学調整層６２及び第２光学調整層６３の膜厚を異ならせる方法がある。上記のように有機ＥＬ素子３０が共振構造を有する場合、有機ＥＬ素子３０から発せられた光は、共通電極３３から後述の封止層３４側に出射される光であり、発光機能層３２の内部で発せられる光のスペクトルとは異なるスペクトルの光である。
【００６６】
次に、水や酸素などが浸入しないように複数の有機ＥＬ素子３０を覆う封止層３４が形成される。本実施形態の封止層３４は、共通電極３３側から順に、第１封止膜（封止膜）３４ａ、緩衝膜３４ｂ、第２封止膜（封止膜）３４ｃが積層されたものである。
【００６７】
なお、封止層３４のガスバリア性としては、有機ＥＬ素子３０を大気中の酸素および水等から保護することが可能な程度であれば特に限定されないが、酸素透過度が０．０１ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好ましく、水蒸気透過度が７×１０−３ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下、中でも５×１０−４ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下、特に５×１０−６ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好ましい。封止層３４の光の透過率は、共通電極３３からの射出光に対し８０％以上であることが好ましい。
【００６８】
第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃとしては、光透過性を有すると共に優れたガスバリア性を有する無機材料である例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（ＳｉＸＮＹ）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＸＮＹ）およびこれらを主成分としたものが好ましい。
【００６９】
第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃの形成方法としては、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、イオンプレーティング法などを挙げることができる。第１封止膜３４ａや第２封止膜３４ｃの膜厚を厚くするほど、高いガスバリア性を実現できるが、その一方で膜の膨張や収縮によって生じる膜応力によりクラックが生じ易い。したがって、それぞれ２００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度の膜厚に制御することが好ましく、本実施形態では緩衝膜３４ｂを挟んで、第１封止膜３４ａと第２封止膜３４ｃとを重ねることで高いガスバリア性を実現している。
【００７０】
緩衝膜３４ｂは、熱安定性に優れた例えばエポキシ系樹脂や塗布型の無機材料（酸化シリコンなど）を用いて形成することができる。また、緩衝膜３４ｂをスクリーンなどの印刷法や定量吐出法などにより塗布形成すれば、緩衝膜３４ｂの表面を平坦化することができる。つまり、緩衝膜３４ｂは第１封止膜３４ａの表面の凹凸を緩和する平坦化層としても機能させることができる。緩衝膜３４ｂの厚みは、１μｍ〜５μｍ、より好ましくは１．５μｍ〜２．０μｍの範囲である。
【００７１】
本実施形態では、図４に示すように、端子領域Ｅ２における封止構造は、第１封止膜３４ａと第２封止膜３４ｃとで主に構成されており、表示領域Ｅ１のように第１封止膜３４ａと第２封止膜３４ｃとで緩衝膜３４ｂを挟んだ構成になっていない。表示領域Ｅ１においては画素回路１１０や有機ＥＬ素子３０などの構造物により、少なからず凹凸が生じてしまうため、緩衝膜３４ｂを挟むことにより凹凸を緩和させる必要がある。他方で、端子領域Ｅ２においては有機ＥＬ素子３０等が存在しないために、下地の凹凸をそれほど考慮しなくても良いからである。
【００７２】
端子領域Ｅ２に存在する第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃには、複数の実装端子１０３のそれぞれに対応する位置に開口孔３５Ａが形成されている。これら第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃに設けられた開口孔３５Ａを介して、各実装端子１０３の少なくとも一部の表面が外部に露出している。
【００７３】
封止層３４上には、各色のサブ画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂに対応した着色層５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂが形成される。着色層５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂで構成されるカラーフィルター５０の形成方法としては、各色に対応した染料や顔料などの色材が溶剤に分散された感光性樹脂を塗布して感光性樹脂層を形成し、これをフォトリソグラフィー法で露光・現像して形成する方法が挙げられる。
【００７４】
着色層５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂの膜厚は、どの色も同じでもよいし、少なくとも１色を他の色と異ならせてもよい。いずれにしても、有機ＥＬ素子３０からの発光が各着色層（５０Ｒ、５０Ｇ、５０Ｂ）を通過した際に、適度な色度やホワイトバランスが得られるような膜厚が設定される。
【００７５】
封止用基板７０は、素子基板１０の表示領域Ｅ１に充填剤４２を介して素子基板１０と貼り合わされている。充填剤４２の機能としては、封止用基板７０と素子基板１０との濡れ性および接着性を良好なものとし、また、有機ＥＬ素子３０からの発光に対して透明であることが必要とされる。そのため、充填剤４２としては、例えばウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系などの樹脂材料を挙げることができる。充填剤４２の厚みは、例えば１０μｍ〜１００μｍである。
【００７６】
外部接続基板１０４は、素子基板１０の端子領域Ｅ２に対向して配置され、異方性導電接着剤（ACF:Anisotropic Conductive Film、導電性接着フィルム）１０６を介して素子基板１０に固定されている。あるいは、ペースト状の異方性導電接着剤（ACP：Anisotropic conductive paste）を用いてもよい。異方性導電接着剤１０６は、熱硬化性樹脂１０６ａに微細な金属粒子１０６ｂを混ぜ合わせたもので、これら金属粒子１０６ｂを介して、素子基板１０側の実装端子１０３と、外部接続基板１０４の外部接続端子１０８と、が電気的に接続される。
【００７７】
次に、本実施形態の特徴部分について述べる。
図６は、図１に示す有機ＥＬ装置のＥ−Ｅ線に沿う、素子基板の断面図である。
図７は、図１に示す有機ＥＬ装置のＦ−Ｆ線に沿う、素子基板の断面図である。
図６及び図７に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００では、端子領域Ｅ２において、実装端子１０３の上以外で第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃのない部分が存在する。具体的には、端子領域Ｅ２にＸ方向に並んで配列された多数の実装端子１０３同士の間に開口孔３５Ｂが設けられている。
【００７８】
開口孔３５Ｂは、端子領域Ｅ２の第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃに開口孔３５Ａを形成するのと同時に形成される。開口孔３５Ｂは、第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃだけでなく、これらよりも下層側の複数層を含んで構成されている。開口孔３５Ｂは、第２封止膜３４ｃから回路層５を構成する層間絶縁膜ＬＤにかけて形成され、回路層５の上層側に位置する層間絶縁膜ＬＥ及び層間絶縁膜ＬＤの一部を含む凹状の溝からなる。
【００７９】
開口孔３５Ｂの溝深さは、開口孔３５Ａよりも深く、開口孔３５Ａ側よりも多くの異方性導電接着剤１０６が充填されている。
【００８０】
素子基板１０の面法線方向から見たときの開口孔３５Ｂの大きさは適宜設定され、実装端子１０３の長手方向に沿って形成されていることが好ましい。開口孔３５Ｂの長手方向（Ｙ方向）長さは、実装端子１０３と同じでもよいし、実装端子１０３よりも長さを有していてもよい。
【００８１】
なお、本実施形態では、隣り合う実装端子１０３の間に開口孔３５Ｂを設けたが、この構成に限られず、端子領域Ｅ２のうち外部接続基板１０４と対向する領域に封止膜（３４ａ，３４ｃ）がない部分が存在していればよい。例えば、実装端子１０３の表示領域Ｅ１側であって、表示領域Ｅ１と実装端子１０３との間の領域に封止膜（３４ａ，３４ｃ）のない部分（例えば、開口孔３５Ｂ）を設けてもよい。
【００８２】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。
ここでは、本発明の特徴部分である、開口孔３５Ｂの形成方法を詳しく説明する。
図８は有機ＥＬ装置１００の製造方法を示すフローチャートである。
図９〜図１８は有機ＥＬ装置１００の製造方法を示す概略断面図である。
なお、図９、図１１，図１３，図１５，図１７は、図４に対応した領域の概略断面図である。また、図１０，図１２，図１４，図１６，図１８は、図５に対応した領域の概略断面図である。
【００８３】
図８に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法は、封止層形成工程Ｓ１と、カラーフィルター形成工程Ｓ２と、充填剤塗布工程Ｓ３と、基板貼り合せ工程Ｓ４と、封止膜エッチング工程Ｓ５と、アッシング工程Ｓ６と、外部接続基板貼り合せ工程Ｓ７と、を含んでいる。
【００８４】
なお、基材１１上に画素回路１１０、その他周辺回路、信号配線などを含む回路層５、画素電極３１および画素分離層３８を形成する方法は、公知の成膜技術、穴埋め技術、平坦化技術その他付随するプロセスを採用することができる。このようにして、図９及び図１０に示すように、基材１１上の表示領域Ｅ１及び端子領域Ｅ２に回路層５から画素電極３１および画素分離層３８までを形成する。
【００８５】
その後、図１１に示すように、各サブ画素内に有機ＥＬ素子３０を形成する。
【００８６】
＜封止層形成工程Ｓ１＞
図１１及び図１２に示すように、まず、表示領域Ｅ１（共通電極３３）と端子領域Ｅ２（実装端子１０３）とを覆う第１封止膜３４ａを形成する。第１封止膜３４ａを形成する方法としては、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（ＳｉＸＮＹ）やシリコン酸窒化物（ＳｉＯＸＮＹ）を真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法などで成膜する方法が挙げられる。第１封止膜３４ａの膜厚はおよそ２００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲であることが望ましく、この場合、４００ｎｍとした。
【００８７】
次に、第１封止膜３４ａを覆う緩衝膜３４ｂを形成する。緩衝膜３４ｂは、表示領域Ｅ１と端子領域Ｅ２との境界に掛からず、表示領域Ｅ１に収まるように形成することが望ましい。緩衝膜３４ｂの形成方法としては、例えば、透明性を有するエポキシ樹脂と、エポキシ樹脂の溶媒とを含む溶液を用い、印刷法や定量吐出法で該溶液を塗布し、乾燥させることにより、エポキシ樹脂からなる緩衝膜３４ｂを形成する。緩衝膜３４ｂの膜厚は１μｍ〜５μｍが好ましく、より好ましくは１．５μｍ〜２．０μｍである。この場合、２μｍとした。
【００８８】
なお、緩衝膜３４ｂは、エポキシ樹脂などの有機材料を用いて形成することに限定されない。例えば、塗布型の無機材料を印刷法により塗布し、これを乾燥・焼成することによって、膜厚がおよそ２μｍの酸化シリコン膜を、緩衝膜３４ｂとして形成してもよい。
【００８９】
続いて、表示領域Ｅ１及び端子領域Ｅ２に、緩衝膜３４ｂを覆う第２封止膜３４ｃを形成する。第２封止膜３４ｃの形成方法は、第１封止膜３４ａと同じであって、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（ＳｉＸＮＹ）やシリコン酸窒化物（ＳｉＯＸＮＹ）を真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法などで成膜する方法が挙げられる。第２封止膜３４ｃの膜厚もおよそ２００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲であることが望ましく、この場合は８００ｎｍとした。
【００９０】
＜カラーフィルター形成工程Ｓ２＞
まず、図１３及び図１４に示すように、第２封止膜３４ｃの表面に絶縁層４３を形成する。絶縁層４３は、異なる色の着色層５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂを区分するものである。絶縁層４３は、色材を含まない感光性樹脂材料からなる。まず、色材を含まない感光性樹脂材料をスピンコート法などを用いて基材１１の全面に亘って塗布して感光性樹脂層を形成し、この感光性樹脂層を露光・現像することで、絶縁層４３を形成する。この際、基材１１上に形成された実装端子１０３と平面視で重なる領域に開口部４３Ａをパターン形成する。本実施形態では、実装端子１０３に対応する領域を露出させる開口部４３Ａを形成するように、感光性樹脂層をパターニングする。このようにして絶縁層４３を形成する。
【００９１】
次に、図１３に示すように、表示領域Ｅ１内にカラーフィルター５０を形成する。
まず、絶縁層４３を覆うようにして、例えば緑の色材を含む感光性樹脂をスピンコート法で塗布して乾燥させることにより感光性樹脂層を形成する。続いて、該感光性樹脂層を露光・現像することにより、図１３に示すように緑（Ｇ）の着色層５０Ｇを形成する。本実施形態においては、適度な光学特性を得られるよう、着色層５０Ｇの膜厚を１．０μｍ〜２．０μｍの範囲とした。また、図示はしないが、赤および青についても同様に各色の色材を含む感光性樹脂を塗布し、露光現像を行い、図１３に示すように着色層５０Ｒ、５０Ｂを形成する。すなわち、使用するカラーフィルターの色数に応じた回数分、塗布〜露光現像処理を行う必要がある。
【００９２】
＜充填剤塗布工程Ｓ３＞
図１３に示すように、着色層５０Ｇ（５０）を覆うように充填剤４２を塗布する。充填剤４２には、有機ＥＬ素子３０から発せられる光の透過性およびカラーフィルター５０と封止用基板７０との接着性を考慮して熱硬化型のエポキシ系樹脂が使用されている。その他、たとえばウレタン系、アクリル系、ポリオレフィン系などの樹脂材料でも同様の効果が得られる。充填剤４２は、緩衝膜３４ｂの効果により例えば有機ＥＬ素子３０などの構造物の凹凸が低減されているため、カラーフィルター５０や第２封止膜３４ｃの表面上を流動性よく塗布することができる。なお、最終的な充填剤４２の厚みはおよそ１０〜１００μｍである。
【００９３】
＜封止基板貼り合わせ工程Ｓ４＞
図１３に示すように、に示すように、充填剤４２が塗布された基材１１に対して、封止用基板７０を所定の位置に例えば真空吸引等で対向して配置する。封止用基板７０には光透過性やハンドリング性、後の封止膜エッチング工程による反応生成物の影響を考慮して、石英ガラスが使用されている。封止用基板７０の厚みは０．５ｍｍ〜１．２ｍｍが好適である。本実施形態においては０．７ｍｍの基板を用いている。
【００９４】
対向して配置された封止用基板７０を所定の押し圧で加圧し、基材１１と封止用基板７０とに挟まれて、いまだ固化していない充填剤４２を平面視でまんべんなく押し広げる。この際、封止用基板７０の端部（端子領域Ｅ２との境界面）から充填剤４２がはみ出て端子領域Ｅ２にかかり、実装端子１０３まで覆ってしまうことも懸念される。したがって、充填剤４２の塗布量の調整、封止用基板７０の平面積、加圧の程度により、充填剤４２が端子領域Ｅ２にはみ出さないように管理することが好ましい。ちなみに、充填剤４２の内部に気泡の残りがあると表示不良を引き起こす可能性もあるので、真空（大気圧以下）雰囲気の元で押し圧作業を行うことがより好ましい。
【００９５】
上記作業の後、充填剤４２の硬化条件となる温度および時間にて充填剤４２を固化し、素子基板１０と封止用基板７０とを接着する。なお、封止用基板７０を加圧することにより充填剤４２を平面的に延在させるため、前述した充填剤塗布工程Ｓ３にて充填剤４２を表示領域Ｅ１全体に塗布することは特に求めない。
【００９６】
＜封止膜エッチング工程Ｓ５＞
図１３及び図１４に示す絶縁層４３をマスクとして、開口部４３Ａ内の第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃをエッチングにより除去する。このようにして、図１５及び図１６に示すように、実装端子１０３上の第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃを部分的に除去し、実装端子１０３を露出させる開口孔３５Ａを形成するとともに、層間絶縁膜ＬＤを露出させる開口孔３５Ｂを形成する。
【００９７】
シリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（ＳｉＸＮＹ）およびシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＸＮＹ）などの無機膜からなる第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃを選択的にエッチングする方法として、ＣＨＦ３（三フッ化メタン）、ＣＦ４（四フッ化炭素）、ＮＦ３（三フッ化窒素）、ＳＦ６（六フッ化硫黄）などのフッ素系処理ガスを用いたドライエッチングが挙げられる。
【００９８】
ドライエッチングは、所定のガス流量、チャンバー圧力のもと高周波電圧を印加することにより行われる。ガス種に応じたプラズマ粒子が封止膜（３４ａ，３４ｃ）や封止用基板７０などに照射されることで、プラズマ粒子と被照射物である封止膜（３４ａ、３４ｃ）などとが化学反応を起こし揮発性物質を生成することにより、被照射物を削り取る。
【００９９】
端子領域Ｅ２のうち、実装端子１０３に対応する領域、および隣り合う実装端子１０３の間の領域では、第１封止膜３４ａと第２封止膜３４ｃとが重なっている。そして双方の封止膜（３４ａ，３４ｃ）は、共にシリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（ＳｉＸＮＹ）やシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＸＮＹ）のいずれかであり、ＳｉまたはＳｉＯを主成分としている。よって、同種のエッチングガスで第１封止膜３４ａと第２封止膜３４ｃとを一括除去することが可能となる。
【０１００】
実装端子１０３には先に述べたようにアルミニウム（Ａｌ）や酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が使用されている。よって、実装端子１０３を覆う封止膜（３４ａ，３４ｃ）を選択的に除去した後には、実装端子１０３自体が良好なエッチングストップ材となり、実装端子１０３は封止膜エッチング工程に対して保護される。
【０１０１】
次に、第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃに対して開口孔３５Ａ及び開口孔３５Ｂを形成した後、封止用基板７０をマスクにしてエッチングを行い、端子領域Ｅ２内に存在する絶縁層４３を全て除去する。
【０１０２】
＜外部接続基板貼り合せ工程Ｓ７＞
上記のプロセスで素子基板１０の第２封止膜３４ｃの表面を露出させたのち、図１７及び図１８に示すように、異方性導電接着剤１０６を介して、素子基板１０の端子領域Ｅ２に対して外部接続基板１０４を貼り合わせて固定する。これにより、素子基板１０側の実装端子１０３と外部接続基板１０４の接続端子１０５とが、開口孔３５Ａ内の異方性導電接着剤１０６を介して電気的に接続される。本実施形態では、複数の開口孔３５Ｂ内にも異方性導電接着剤１０６が充填されている。開口孔３５Ｂの深さは開口孔３５Ａよりも深いことから、開口孔３５Ａよりも多くの異方性導電接着剤１０６が充填される。
このようにして有機ＥＬ装置１００が完成する。
【０１０３】
有機ＥＬ装置１００では、素子基板１０の端子領域Ｅ２における実装端子１０３間の領域が、外部接続基板１０４の接合強度に大きく寄与している。つまり、実装端子１０３の間の領域の接着性が弱いと、外部接続基板１０４が素子基板１０から外れてしまうことになる。画素回路１１０と同じ膜構成を利用して実装端子１０３を形成する構成の場合、実装端子１０３の間の領域において、外部接続基板１０４の剥離が生じやすいという問題があった。具体的には、外部接続基板１０４を実装した後において、素子基板１０の封止性を高めるために形成した第１封止膜３４ａと、これよりも下層側の画素分離層３８との界面で乖離が生じやすい。画素分離層３８の表面は、有機ＥＬ素子３０の形成工程におけるエッチング液等による有機汚染によって不安定になっており、画素分離層３８上に積層される第１封止膜３４ａとの接着性が弱くなってしまう。特に、端子領域Ｅ２のうち、外部接続基板１０４が対向する領域では外部接続基板１０４の実装に伴う負荷が大きく、界面乖離が生じやすかった。
【０１０４】
これに対して本実施形態では、素子基板１０の実装端子１０３の間の領域に複数の開口孔３５Ｂを形成し、外部接続基板１０４の貼合後に界面乖離が生じやすい積層構造を除去する構成とした。外部接続基板１０４の剥離を引き起こす構成要素を予め選択的に除去して減らしておくことで、外部接続基板１０４の接合強度を高めることができる。
【０１０５】
また、素子基板１０の最表面に複数の開口孔３５Ｂを設けることによって、異方性導電接着剤１０６に接する表面積が増し、素子基板１０に対する外部接続基板１０４の接着性を向上させることができる。本実施形態では、開口孔３５Ｂを構成する凹部を、回路層５の絶縁膜まで掘り下げているがこれに限らない。画素分離層３８と第１封止膜３４ａとの界面で乖離が生じやすいため、所定領域の第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃだけを除去するだけでもよい。ただ、多数の薄膜が積層されている部分を除去して膜厚の大きい絶縁膜まで掘り下げる方が、外部接続基板１０４の接合強度を高めることができる。
【０１０６】
なお、実際には、開口孔３５Ｂ側には実装端子１０３のようなエッチングストッパーとして機能する膜が存在しないため、回路層５の絶縁膜までエッチングされる。
【０１０７】
また、開口孔３５Ｂを設けることで第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃの膜応力が低くなり、外部接続基板１０４の接合強度を低下させる背反が生じにくくなる。そのため、外部接続基板１０４の固定状態を長期的に維持することができる。
【０１０８】
なお、本実施形態の製造方法では、絶縁層４３をマスクにして第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃのエッチングを行っているが、カラーフィルター５０と同じ材料を用いてレジストマスクを形成してもよい。例えば、カラーフィルター５０を形成する際の感光性樹脂層を用いて端子領域Ｅ２にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンをマスクにして第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃのエッチングを行うようにしてもよい。
【０１０９】
［電子機器］
次に、本発明に係る電子機器の実施形態について説明する。
図１９は、電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）を示す概略図である。
図１９に示すように、本実施形態の電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（電子機器）１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１００１を有している。観察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ１０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。
【０１１０】
表示部１００１には、上記実施形態の有機ＥＬ装置１００が搭載されている。したがって、優れた表示品質を有すると共に、高い生産性を有しているのでコストパフォーマンスに優れ小型で軽量なヘッドマウントディスプレイ１０００を提供することができる。
【０１１１】
ヘッドマウントディスプレイ１０００は、２つの表示部１００１を有することに限定されず、左右のいずれかに対応させた１つの表示部１００１を備える構成としてもよい。
【０１１２】
なお、上記有機ＥＬ装置１００が搭載される電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ１０００に限定されない。例えば、パーソナルコンピューターや携帯型情報端末、ナビゲーター、ビューワー、ヘッドアップディスプレイなどの表示部を有する電子機器が挙げられる。
【０１１３】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【０１１４】
（変形例）
例えば、上記実施形態においては、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の色表現をするためカラーフィルター５０を用いた有機ＥＬ装置１００について記載したが、これに拘るものでは無い。例えば、３原色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の発光をする有機ＥＬ素子３０を用いたＲＧＢ塗り分け方式、青（Ｂ）発光から蛍光体の色変換層を通して赤（Ｒ）、緑（Ｇ）の発光を得る色変換方式など、その他の多様な色表現方法を有する有機ＥＬ装置に本発明を適用することが可能である。
【符号の説明】
【０１１５】
１０…素子基板、３０Ｂ…有機ＥＬ素子（発光素子）、３４ａ…第１封止膜（封止膜）、３４ｃ…第２封止膜（封止膜）、５０…カラーフィルター、７０…封止用基板（保護基板）、１００…有機ＥＬ装置（電気光学装置）、１０３…実装端子、１０４…外部接続基板、１０００…ヘッドマウントディスプレイ（電子機器）、Ｅ１…表示領域、Ｅ２…端子領域、Ｌ０〜ＬＥ…層間絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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