(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、前記金属支持基板の前記厚み方向一方側に配置される絶縁層と、前記絶縁層の厚み方向一方側に配置される導体層と、前記金属支持基板の前記厚み方向他方側に配置される金めっき層と、前記金属支持基板および前記金めっき層の間に配置される密着層とを備え、
前記金属支持基板の材料は、耐食性合金であり、
前記密着層では、金、および、前記耐食性合金に含まれる金属が混在していることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
前記密着層の厚みが、２ｎｍ以上であることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記密着層は、
前記金属支持基板に隣接する第１層と、
前記金めっき層に隣接する第２層とを備え、
前記第１層において、前記金の原子割合が、前記金属の原子割合に比べて、高く、
前記第２層において、前記金の原子割合が、前記金属の原子割合に比べて、低いことを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記耐食性合金が、ステンレスであり、
前記金属が、クロムであることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記金属支持基板は、端子部を備え、
前記端子部の厚み方向他方側に、前記密着層および前記金めっき層が順に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項６】
回路付サスペンション基板であることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項７】
金属支持基板と、前記金属支持基板の前記厚み方向一方側に配置される絶縁層と、前記絶縁層の厚み方向一方側に配置される導体層と、前記金属支持基板の前記厚み方向他方側に配置される金めっき層と、前記金属支持基板および前記金めっき層の間に配置される密着層とを備える配線回路基板を準備する工程、および、
前記金属支持基板および前記金めっき層を加熱して、前記金属支持基板と前記金めっき層の間に配置される密着層を形成する工程を備え、
前記金属支持基板の材料は、耐食性合金であり、
前記密着層では、金、および、前記耐食性合金に含まれる金属が混在していることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記密着層を形成する工程では、前記金属支持基板および前記金めっき層を、２００℃以上で加熱することを特徴とする、請求項７に記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路付サスペンション基板などの配線回路基板は、ステンレスからなり、端子を備える金属支持基板と、その上に順に配置される絶縁層および導体パターンと、端子の下に配置される金めっき層とを備えることが知られている（例えば、下記特許文献１参照。）。【０００３】
特許文献１では、端子および金めっき層の間に、銅層を含む導電層をさらに配置しており、この導電層により、端子および金めっき層の密着性を向上させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１０４１８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかるに、配線回路基板における金属支持基板は、長期間にわたって耐久性を発現する必要があるため、導電層には、優れた腐食性が要求される。【０００６】
しかし、特許文献１の導電層では、銅層が腐食し易い。そのため、上記した要求を満足させることができないという不具合がある。【０００７】
一方、金属支持基板と金めっき層との密着性も同時に求められる。【０００８】
本発明は、耐食性に優れ、金属支持基板と金めっき層との密着性を向上できる密着層を備える配線回路基板を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明（１）は、金属支持基板と、前記金属支持基板の前記厚み方向一方側に配置される絶縁層と、前記絶縁層の厚み方向一方側に配置される導体層と、前記金属支持基板の前記厚み方向他方側に配置される金めっき層と、前記金属支持基板および前記金めっき層の間に配置される密着層とを備え、前記金属支持基板の材料は、耐食性合金であり、前記密着層では、金、および、前記耐食性合金に含まれる金属が混在している、配線回路基板を含む。【００１０】
本発明（２）は、前記密着層の厚みが、２ｎｍ以上である、（１）に記載の配線回路基板を含む。【００１１】
本発明（３）は、前記密着層は、前記金属支持基板に隣接する第１層と、前記金めっき層に隣接する第２層とを備え、前記第１層において、前記金の原子割合が、前記金属の原子割合に比べて、高く、前記第２層において、前記金の原子割合が、前記金属の原子割合に比べて、低い、（１）または（２）に記載の配線回路基板を含む。【００１２】
本発明（４）は、前記耐食性合金が、ステンレスであり、前記金属が、クロムである、（１）〜（３）のいずれか一項に記載の配線回路基板を含む。【００１３】
本発明（５）は、前記金属支持基板は、端子部を備え、前記端子部の厚み方向他方側に、前記密着層および前記金めっき層が順に配置されている、（１）〜（４）のいずれか一項に記載の配線回路基板を含む。【００１４】
本発明（６）は、回路付サスペンション基板である、（１）に記載の配線回路基板を含む。【００１５】
本発明（７）は、金属支持基板と、前記金属支持基板の前記厚み方向一方側に配置される絶縁層と、前記絶縁層の厚み方向一方側に配置される導体層と、前記金属支持基板の前記厚み方向他方側に配置される金めっき層と、前記金属支持基板および前記金めっき層の間に配置される密着層とを備える配線回路基板を準備する工程、および、前記金属支持基板および前記金めっき層を加熱して、前記金属支持基板と前記金めっき層の間に配置される密着層を形成する工程を備え、前記金属支持基板の材料は、耐食性合金であり、前記密着層では、金、および、前記耐食性合金に含まれる金属が混在している、配線回路基板の製造方法を含む。【００１６】
本発明（８）は、前記密着層を形成する工程では、前記金属支持基板および前記金めっき層を、２００℃以上で加熱する、（７）に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の配線回路基板において、密着層では、金、および、耐食性合金に含まれる金属が混在している。そのため、密着層は、耐食性に優れる。【００１８】
また、上記した密着層が、金属支持基板および金めっき層の間に配置されているので、密着層は、金属支持基板と金めっき層との密着性を向上させることができる。【００１９】
その結果、この配線回路基板は、耐久性に優れる。【００２０】
本発明の配線回路基板の製造方法によれば、金属支持基板および金めっき層を加熱することにより、金、および、耐食性合金に含まれる金属が混在する密着層を形成できるので、腐食性に優れ、かつ、金属支持基板および金めっき層の密着性を向上させることができる密着層を、簡便に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１Ａ〜図１Ｃは、本発明の配線回路基板の一実施形態としての回路付サスペンション基板の製造工程図であり、図１Ａが、回路付サスペンション基板を準備する第１工程、図１Ｂが、金めっき層を配置する第２工程、図１Ｃが、密着層を形成する第３工程を示す。
【図２】図２Ａおよび図２Ｂは、実施例１の端子および金めっき層におけるＴＥＭ写真の画像処理図であり、図２Ａが、第２工程後、第３工程前の端子および金めっき層のＴＥＭ写真の画像処理図図２Ｂが、第３工程後の端子、密着層および金めっき層のＴＥＭ写真の画像処理図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明の配線回路基板の一実施形態としての回路付サスペンション基板１を図１Ｃを参照して説明する。
【００２３】
この回路付サスペンション基板１は、例えば、磁気ヘッド（図示せず）を搭載するスライダ（図示せず）と、レーザダイオード（発光素子）などの光源（図示せず）とが設けられるスライダ／光源ユニットを搭載して、光アシスト法を採用するハードディスクドライブに用いられる。回路付サスペンション基板１は、金属支持基板２と、絶縁層の一例としてのベース絶縁層３と、導体層４と、カバー絶縁層（図示せず）と、金めっき層５と、密着層６とを備える。
【００２４】
金属支持基板２は、厚み方向に直交する面方向に延びる略平板（シート）形状を有する。金属支持基板２は、回路付サスペンション基板１に靱性を付与する支持部材である。金属支持基板２は、本体部２１と、開口部２２と、端子部２３とを有する。
【００２５】
本体部２１の外形形状は、回路付サスペンション基板１の外形形状と同一形状である。
【００２６】
開口部２２は、本体部２１の内側に形成されており、金属支持基板２を厚み方向に貫通する。開口部２２の周囲の本体部２１は、底面視略枠形状（図示せず）を有する。
【００２７】
端子部２３は、図示しない光源との電気的な接続に供される。この場合には、端子部２３は、密着層６（後述）および金めっき層５（後述）を介して、端子部２３の厚み方向他方側に配置される光源（図示せず）と電気的に接続される。このような端子部２３と光源との接続は、例えば、特開２０１７−１６２５４０号公報、特開２０１６−１０３３０５号公報、特開２０１６−０１８５７６号公報、特開２０１６−００９５１４号公報などに記載される。
【００２８】
あるいは、端子部２３は、検査機器の端子（プローブなど）（図示せず）と一時的に電気的に接続されること（その後には、接続が解除されること）もできる。このような端子部２３と検査機器との接続は、例えば、特開２０１２−１０４１８９号公報などに記載される。
【００２９】
端子部２３は、開口部２２内に配置されている。端子部２３の外端縁（周端縁）は、本体部２１の内端縁から面方向（厚み方向に直交する方向）内側に間隔に隔てて配置されている。これによって、端子部２３は、本体部２１と絶縁されている。
【００３０】
金属支持基板２の材料は、耐食性合金である。耐食性合金としては、例えば、ステンレス、ニッケル合金、アルミニウム合金などが挙げられ、好ましくは、より優れた耐食性を得る観点から、ステンレスが挙げられる。なお、耐食性合金は、後述する金めっき層５の金とともに混在する密着層６を形成する観点から、好ましくは、金を含有しない。
【００３１】
ステンレスは、基本成分として、鉄を含有し、さらに、例えば、クロムを必須成分として含有し、ニッケル、モリブデンなどの任意成分として含有する。
【００３２】
クロムのステンレスにおける含有割合は、例えば、１０質量％以上、好ましくは、１８質量％以上であり、また、例えば、３０質量％以下、好ましくは、２０質量％以下である。
【００３３】
ステンレスとして、ＡＩＳＩ（米国鉄鋼協会）の規格に基づいて、例えば、ＳＵＳ３０１、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３０５、ＳＵＳ３０９、ＳＵＳ３１０、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１７、ＳＵＳ３２１、ＳＵＳ３４７などが挙げられる。
【００３４】
耐食性合金は、単独使用または２種以上併用することができる。
【００３５】
金属支持基板２の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。
【００３６】
ベース絶縁層３は、金属支持基板２の厚み方向一方面に配置されている。ベース絶縁層３は、面方向に延びる略平板（シート）形状を有する。ベース絶縁層３は、次に説明する導体層４に対応するパターンを有する。また、ベース絶縁層３の厚み方向他方面の一部は、上記した開口部２２から下方に露出し、端子部２３を支持している。ベース絶縁層３は、例えば、ポリイミドなどの絶縁材料からなる。ベース絶縁層３の厚みは、用途および目的に応じて、適宜設定される。
【００３７】
導体層４は、ベース絶縁層３の厚み方向一方面に配置されている。導体層４は、導体配線（図示せず）と、それに連続する導体端子９とを連続して有する。導体端子９は、スライダ（図示せず）と電気的に接続される。導体端子９とスライダ（図示せず）との接続は、例えば、特開２０１７−１６２５４０号公報、特開２０１６−１０３３０５号公報、特開２０１６−０１８５７６号公報、特開２０１６−００９５１４号公報などに記載される。
【００３８】
導体層４の材料としては、例えば、銅、ニッケル、それらの合金などが挙げられる。導体層４の厚みは、例えば、３μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下である。
【００３９】
カバー絶縁層（図示せず）は、回路付サスペンション基板１の最上層である。カバー絶縁層（図示せず）は、導体端子９を露出し、導体配線（図示せず）を被覆するパターンを有する。
【００４０】
金めっき層５は、端子部２３の厚み方向他方面および側面（周側面を含む）の両面に対向するように、次に説明する密着層６を介して、薄膜状に配置されている。つまり、金めっき層５は、端子部２３の厚み方向他方面および周側面に、間接的に配置されている。
【００４１】
金めっき層５の厚みは、例えば、１０ｎｍ以上、好ましくは、５０ｎｍ以上であり、また、例えば、２０００ｎｍ以下、好ましくは、１０００ｎｍ以下である。
【００４２】
密着層６は、端子部２３と金めっき層５との間に配置されている。具体的には、密着層６は、端子部２３における厚み方向他方面および周側面と、金めっき層５の厚み方向一方面および内側面との間に、介在する介在層である。密着層６は、端子部２３における厚み方向他方面および周側面の両面に沿う薄膜状を有する。
【００４３】
この密着層６では、金、および、耐食性合金に含まれる金属が混在している。
【００４４】
金は、上記した金めっき層５の材料である金に由来する。
【００４５】
耐食性合金は、上記した金属支持基板２の材料に由来し、かかる耐食性合金に含まれる金属としては、例えば、クロム、ニッケル、モリブデンなどが挙げられ、好ましくは、クロムが挙げられる。耐食性合金に含まれる金属がクロムであれば、かかる金属が密着層６（後述）において金とともに混在して、密着層６の耐食性を向上させて、ひいては、回路付サスペンション基板１の耐久性を向上させることができる。
【００４６】
具体的には、密着層６は、端子部２３に隣接する第１層７と、金めっき層５に隣接する第２層８とを備える。詳しくは、密着層６は、端子部２３から金めっき層５に向かって、第１層７と、第２層８とを順に備える。密着層６は、好ましくは、第１層７と、第２層８とのみからなる。
【００４７】
第１層７は、端子部２３の厚み方向他方面および周側面に接触（追従）する薄膜状を有する。第２層８は、第１層７において端子部２３から金めっき層５に向かう方向における一面、すなわち、第１層７において端子部２３に接触する面と反対側の面に接触（追従）する薄膜状を有する。
【００４８】
第１層７および第２層８の材料は、少なくとも、鉄、金および金属（金を除く）を含有する合金が挙げられる。
【００４９】
第１層７の材料は、例えば、金を比較的多く含有する第２合金であり、詳しくは、第２合金における金の原子割合が、第２合金における金属の原子割合に比べて、高い。第２合金において、金の原子割合に対する金属の原子割合の比（金の原子割合／金属の原子割合）は、例えば、１超過、好ましくは、１．１以上、より好ましくは、１．２以上、さらに好ましくは、１．３以上、とりわけ好ましくは、１．３５以上であり、また、例えば、５以下である。具体的には、第２合金における金の原子割合は、例えば、１０ａｔｏｍｉｃ％以上、好ましくは、１５ａｔｏｍｉｃ％以上、より好ましくは、２０ａｔｏｍｉｃ％以上であり、また、例えば、４０ａｔｏｍｉｃ％以下である。第２合金における金属の原子割合は、例えば、５ａｔｏｍｉｃ％以上、好ましくは、１０ａｔｏｍｉｃ％以上、より好ましくは、１５ａｔｏｍｉｃ％以上であり、また、例えば、２５ａｔｏｍｉｃ％以下、好ましくは、２０ａｔｏｍｉｃ％未満である。
【００５０】
第２層８の材料は、金を比較的少なく含有する一方、金を除く上記した金属を比較的多く含有する第２合金であり、詳しくは、第２合金における金の原子割合が、第２合金における金属の原子割合に比べて、低い。第２合金において、金の原子割合に対する金属の原子割合の比（金の原子割合／金属の原子割合）は、例えば、１未満、好ましくは、０．９９以下、より好ましくは、０．９以下、さらに好ましくは、０．８以下、とりわけ好ましくは、０．７以下であり、また、例えば、０．２以上である。具体的には、第２合金における金の原子割合は、例えば、５ａｔｏｍｉｃ％以上、好ましくは、１０ａｔｏｍｉｃ％以上であり、また、例えば、２５ａｔｏｍｉｃ％以下、好ましくは、２０ａｔｏｍｉｃ％以下、より好ましくは、２０ａｔｏｍｉｃ％未満である。第２合金における金属の原子割合は、例えば、１０ａｔｏｍｉｃ％以上、好ましくは、１５ａｔｏｍｉｃ％以上、より好ましくは、２０ａｔｏｍｉｃ％以上であり、また、例えば、４０ａｔｏｍｉｃ％以下である。
【００５１】
第１層７の厚みは、例えば、０．５ｎｍ以上、好ましくは、１ｎｍ以上であり、また、例えば、２０ｎｍ以下、好ましくは、１０ｎｍ以下である。
【００５２】
第２層８の厚みは、例えば、０．５ｎｍ以上、好ましくは、１ｎｍ以上であり、また、例えば、２０ｎｍ以下、好ましくは、１０ｎｍ以下である。
【００５３】
密着層６の厚みＴは、例えば、第１層７の厚みおよび第２層８の厚みの総計であって、例えば、２ｎｍ以上、好ましくは、３ｎｍ以上であり、また、例えば、４０ｎｍ以下、好ましくは、２０ｎｍ以下である。
【００５４】
密着層６の厚みＴの、金めっき層５の厚みに対する比（密着層６の厚みＴ／金めっき層５の厚み）は、例えば、０．１以上、好ましくは、０．５以上であり、また、例えば、３以下、好ましくは、２以下である。
【００５５】
密着層６の厚みＴが上記した下限以上であれば、金めっき層５の端子部２３に対する密着性を十分に向上させることができる。
【００５６】
密着層６の厚みＴが上記した上限以下であれば、金めっき層５の厚みを十分に確保して、金めっき層５に基づく優れた導通性を確保することができる。
【００５７】
密着層６の存在、さらには、第１層７および第２層８の存在、さらには、それらの厚み（密着層６の厚みＴを含む）は、例えば、断面ＴＥＭ写真観察などによって、特定および測定される。
【００５８】
次に、回路付サスペンション基板１を製造する方法を説明する。
【００５９】
回路付サスペンション基板１の製造方法は、金属支持基板２と、ベース絶縁層３と、導体層４と、カバー絶縁層（図示せず）とを備える回路付サスペンション基板１を準備する第１工程（図１Ａ参照）、金めっき層５を配置する第２工程（図１Ｂ参照）、密着層６を形成する第３工程（図１Ｃ参照）を備える。
【００６０】
図１Ａに示すように、第１工程では、金属支持基板２と、ベース絶縁層３と、導体層４と、カバー絶縁層（図示せず）とを備える回路付サスペンション基板１を用意する。なお、この回路付サスペンション基板１は、製造途中であって、端子部２３には、金めっき層５および密着層６のいずれも配置（形成）されていない。
【００６１】
図１Ｂに示すように、次いで、第２工程では、金めっき層５を、端子部２３の厚み方向他方面および周側面に形成する。
【００６２】
金めっき層５は、製造途中の回路付サスペンション基板１を金めっき液に浸漬する金めっきにより、端子部２３の厚み方向他方面および周側面に形成する。また、金めっきとしては、例えば、電解金めっき、無電解金めっきなどが挙げられ、好ましくは、電解金めっきが挙げられる。
【００６３】
上記した金めっきは、単数回または複数回実施することができる。
【００６４】
金めっきを複数回実施する場合には、例えば、種類の異なる金めっき液を用いて、さらに必要により、電流密度、印加時間などのめっき条件を適宜変更する。詳しくは、ストライク金めっきとソフト金めっきとを順に実施することができる（つまり、２回の金めっきの実施）。ストライク金めっきでは、例えば、強酸（例えば、無機酸）を含有せず、弱酸（例えば、有機酸）および金化合物（例えば、シアン化金カリウムなどの金前駆体）を含有する第１金めっき液に、端子部２３を接触させる。ソフト金めっきでは、酸（例えば、上記した強酸、弱酸）を含有せず、金化合物（例えば、上記した金前駆体）を含有する。ストライク金めっきにおける電流密度は、ソフト金めっきにおける電流密度に比べて高く、例えば、ストライク金めっきの電流密度の、ソフト金めっきの電流密度に対する比は、２以上である。
【００６５】
これにより、金めっき層５を、端子部２３の厚み方向他方面および周側面に薄膜状に形成する。
【００６６】
なお、金めっきを複数回実施している場合であっても、金めっき層５は、複数の金めっきに対応する複数層がいずれも金からなるので、それらの間には界面が形成（観察）されず、そのため、単層を構成する。
【００６７】
なお、第２工程における金めっき層５の厚みは、第３工程後における金めっき層５に比べて、厚い。
【００６８】
図１Ｃに示すように、第３工程では、密着層６を形成する。
【００６９】
密着層６を形成するには、端子部２３および金めっき層５を加熱する。具体的には、金めっき層５を備える製造途中の回路付サスペンション基板１を、加熱炉１５に投入する。
【００７０】
加熱温度は、例えば、１００℃以上、好ましくは、１５０℃以上、より好ましくは、２００℃以上であり、また、４００℃以下、好ましくは、３５０℃以下である。なお、加熱温度は、加熱炉１５内における設定温度であり、端子部２３および金めっき層５は、いずれも薄いため、実質的には、上記した設定温度に加熱される。
【００７１】
加熱温度が上記した下限以上であれば、十分な厚みＴを有する密着層６を形成することができる。加熱温度が上記した上限以下であれば、ベース絶縁層３およびカバー絶縁層（図示せず）の劣化（損傷など）を抑制することができる。
【００７２】
加熱時間は、端子部２３および金めっき層５が上記した設定温度になり、密着層６を形成できる時間であれば特に限定されず、例えば、１分以上、好ましくは、５分以上、より好ましくは、１０分以上、さらに好ましくは、２０分以上、とりわけ好ましくは、３０分以上であり、また、例えば、２時間以下、好ましくは、１時間以下である。
【００７３】
第３工程では、上記した端子部２３および金めっき層５が加熱されることによって、端子部２３および金めっき層５の界面が、端子部２３の材料である耐食性合金に含まれる金属（好ましくは、クロム）（金を除く）と、金めっき層５の材料である金とが、混在する（つまり、金属と金とが混入する）密着層（混在層）６となる。
【００７４】
詳しくは、加熱により、金属は、端子部２３の表面（密着層６の厚みＴ）から金めっき層５の内部に向かって進行（移動）（マイグレーション）する一方、金は、金めっき層５の表面（端子部２３に対する接触面）から端子部２３の内部に向かって進行（移動）（マイグレーション）する。このようにして、上記した金属および金が混在（混和）した密着層６が形成される。
【００７５】
とりわけ、密着層６において、端子部２３に隣接する部分は、金の濃度が高く、上記した第１層７が形成される。一方、金めっき層５に隣接する部分は、金属（金を除く）の濃度が高く、上記した第２層８が形成される。
【００７６】
なお、金および金属は、いずれも、第１層７および第２層８の両方にわたって存在（混在）している。
【００７７】
金は、第１層７において濃度が高く、第２層８において濃度が低い。そのため、密着層６は、第１層７における金濃度が第２層８における金濃度に比べて高い、金の濃度勾配を有する。
【００７８】
一方、金属は、第２層８において濃度が高く、第１層７において濃度が低い。そのため、密着層６は、第２層８における金属濃度が第１層７における金属濃度に比べて高い、金属の濃度勾配を有する。
【００７９】
このようにして、金属支持基板２と、絶縁層の一例としてのベース絶縁層３と、導体層４と、カバー絶縁層（図示せず）と、金めっき層５と、密着層６（第１層７および第２層８）とを備える回路付サスペンション基板１を製造する。
【００８０】
その後、例えば、光源の端子（図示せず）を、端子部２３および金めっき層５の厚み方向他方側に対向配置し、端子（図示せず）を金めっき層５に接触させることにより、端子（図示せず）と、端子部２３とを、金めっき層５および密着層６を介して、電気的に接続する。その後、必要があれば、端子（図示せず）（プローブなど）を金めっき層５から離間することもできる。このような接続では、例えば、はんだなどの合金、異方導電性樹脂組成物などの接合部材を用いることもできる。
【００８１】
そして、この回路付サスペンション基板１において、密着層６では、金、および、耐食性合金に含まれる金属が混在している。そのため、密着層６は、耐食性に優れる。
【００８２】
また、上記した密着層６が、端子部２３および金めっき層５の間に配置されているので、密着層６は、端子部２３と金めっき層５との密着性を向上させることができる。
【００８３】
その結果、この回路付サスペンション基板１は、耐久性に優れる。
【００８４】
また、回路付サスペンション基板１の製造方法によれば、端子部２３および金めっき層５を加熱することにより、金、および、金属（金を除く）が混在する密着層６を形成できるので、腐食性に優れ、かつ、端子部２３と金めっき層５との密着性を向上させることができる密着層６を、簡便に形成することができる。
【００８５】
＜変形例＞
以下の各変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態および変形例は、適宜組み合わせることができる。
【００８６】
図１Ｃの拡大図に示すように、一実施形態では、密着層６（第１層７）および端子部２３（金属支持基板２）の界面と、密着層６（第２層８）および金めっき層５の界面と、さらには、第１層７および第２層８の界面とを明確に示しているが、本発明は、これらの界面が明確でない場合を含む。
【００８７】
図１Ｃに示すように、一実施形態では、金めっき層５および密着層６を、端子部２３のみに対して配置しているが、例えば、図示しないが、金めっき層５および密着層６を、端子部２３および本体部２１の両方に配置することができる。あるいは、金めっき層５および密着層６を、端子部２３に配置せず、本体部２１のみに配置することもできる。
【００８８】
好ましくは、金めっき層５および密着層６を、少なくとも端子部２３に配置する。金めっき層５および密着層６を、端子部２３に配置すれば、光源の端子と接続されても、端子部２３における良好な耐久性および耐食性を発現することができる。
【００８９】
図１Ｃに示すように、一実施形態では、金めっき層５および密着層６を、端子部２３の厚み方向他方面（図中の下面）および側面（周側面）の両面に配置しているが、例えば、図示しないが、端子部２３の側面に配置せず、端子部２３の厚み方向他方面のみに配置することができる。
【００９０】
なお、金属支持基板２は、その表層に設けられる不動態膜（図示せず）を含むこともできる。詳しくは、図１Ａに示し、第１工程で準備する製造途中の回路付サスペンション基板１における端子部２３は、その厚み方向他方側および側方側における最表層に配置される不動態膜を含み、かかる不動態膜は、例えば、図１Ｂに示す第２工程におけるストライクめっきで除去される。あるいは、不動態膜は、第２工程で除去されず、その存在が許容されていてもよい。
【００９１】
さらに、図示しないが、密着層６は、第１層７および第２層８の間に、金および金属を同等の原子割合で含有する第３層を備えることもできる。
【００９２】
一実施形態では、本発明の配線回路基板の例示として回路付サスペンション基板１を例示しているが、これに限定されない。例えば、本発明の配線回路基板を、金属支持基板２を補強層として備えるフレキシブル配線回路基板など、他の配線回路基板にも適用することができる。
【実施例】
【００９３】
以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されない。以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。【００９４】
実施例１
図１Ａに示すように、第１工程を実施して、回路付サスペンション基板１を準備した。具体的には、第１工程では、図１Ａに示すように、端子部２３を有する金属支持基板２と、金属支持基板２の厚み方向一方面に配置されるベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の厚み方向一方面に配置され、導体端子９を有する導体層４と、ベース絶縁層３の厚み方向一方面に、導体端子９を露出するカバー絶縁層（図示せず）とを備える回路付サスペンション基板１を準備した。【００９５】
金属支持基板２（端子部２３を含む）は、ＳＵＳ３０４（オーステナイト系ステンレスで、クロム濃度：１８質量％、ニッケル濃度：８質量％）からなり、その厚みは、２５μｍであった。ベース絶縁層２３は、ポリイミドからなり、その厚みが、１０μｍであった。導体層２４（導体端子２８）は、銅からなり、その厚みが、２０μｍであった。カバー絶縁層は、ポリイミドからなっていた。【００９６】
次いで、図１Ｂに示すように、金めっきにより、端子部２３の厚み方向他方面および周側面に、厚み２００ｎｍの金めっき層５を形成した。【００９７】
その後、図１Ｃに示すように、金めっき層５が形成された回路付サスペンション基板１を加熱炉に投入し、表１に記載の条件に従って、回路付サスペンション基板１を加熱した。【００９８】
これにより、端子部２３および金めっき層５の間に介在する密着層６を形成した。【００９９】
なお、密着層６およびその厚みは、断面ＴＥＭ写真観察により、確認および測定した。【０１００】
その結果、密着層６は、クロムの原子割合が２２ａｔｏｍｉｃ％であり、金の原子割合が１６ａｔｏｍｉｃ％である第１層７と、クロムの原子割合が１６ａｔｏｍｉｃ％であり、金の原子割合が２３ａｔｏｍｉｃ％である第２層８とを、端子部２３から金めっき層５に向かって順に備えており、密着層６の厚みは、１００ｎｍであった。【０１０１】
なお、第１層７の第２合金において、クロムの原子割合の、金の原子割合に対する比（クロムの原子割合／金の原子割合）は、１．３８（＝２２／１６）であり、第２層８の第２合金における上記した比は、０．６９（＝１６／２３）であった。【０１０２】
実施例２〜実施例１７
図１Ａに示すように、第３工程の加熱条件を変更した以外は、実施例１と同様に処理して、回路付サスペンション基板１を準備した。密着層６は、断面ＴＥＭ写真観察により、確認した。【０１０３】
比較例１
第３工程を実施しなかった以外は、実施例１と同様に処理して、回路付サスペンション基板１を準備した。【０１０４】
なお、この回路付サスペンション基板１は、端子部２３および金めっき層５の間に、密着層６を有しない。【０１０５】
比較例２
製造方法における工程の順序を、第１工程、第３工程、第２工程の順に変更するとともに、第３工程では、回路付サスペンション基板１を加熱せず、スパッタリングにより、密着層６として厚み７０ｎｍの銅層を、端子部２３の厚み方向他方面および周側面に形成し、さらに、第２工程において、金めっき層５を、密着層６の表面に形成した以外は、実施例１と同様に処理して、回路付サスペンション基板１を準備した。【０１０６】
［評価］
各実施例および各比較例の回路付サスペンション基板１について、下記の評価を実施した。それらの結果を表１に示す。【０１０７】
＜腐食性試験＞
各実施例および各比較例の回路付サスペンション基板１を、８５℃、８５％ＲＨの条件で、５００時間放置した後、密着層６（比較例１について端子部２３および金めっき層５の界面）を光学顕微鏡で観察して、下記の基準で、密着層６の腐食性を評価した。【０１０８】
（腐食性の基準）
○：密着層６に腐食が観察されなかった。
×：密着層６に腐食が観察された。【０１０９】
＜密着性試験＞
各実施例および各比較例について、２０個の回路付サスペンション基板１を準備した。【０１１０】
そして、下記条件に基づく超音波振動を回路付サスペンション基板１に付与する剥離試験を実施し、２０個の回路付サスペンション基板１のうち、金めっき層５の剥離が発生する百分率（％）を求めた。【０１１１】
（超音波振動の条件）
周波数            ６８ｋＨｚ
出力              １９７Ｗ
水温              ５０℃
水量              １８．６Ｌ
時間              １０分【０１１２】
【表１】
0006712329.tif 000002
【０１１３】
なお、上記発明は、本発明の例示の実施形態として提供したが、これは単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。当該技術分野の当業者によって明らかな本発明の変形例は、後記請求の範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１１４】
本発明の配線回路基板は、例えば、回路付サスペンション基板などとして用いられる。
【符号の説明】
【０１１５】
１     回路付サスペンション基板
２     金属支持基板
３     ベース絶縁層
４     導体層
５     金めっき層
６     密着層
７     第１層
８     第２層
２３   端子部
Ｔ     密着層の厚み
【図１】
0006712329.tif 000003
【図２】
0006712329.tif 000004