(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに直交する第１軸方向及び第２軸方向に光を反射する２軸ＭＥＭＳミラーの検査システムであって、
被検査対象となる前記２軸ＭＥＭＳミラーに対してレーザ光を照射する第１照射部と、
前記第１軸方向の反射範囲に応じた長さのセンサ面を有し、当該センサ面の長さ方向が前記第１軸方向に沿って配置され、前記第１軸方向及び前記第２軸方向に直交する第３軸方向に設置され、前記２軸ＭＥＭＳミラーが反射させた前記第１軸方向のレーザ光を少なくとも受光して信号を出力する第１センサと、
予め定められた間隔で離されて設置された２つの受光素子、及びウォブルセンサの少なくとも何れかであり、前記２軸ＭＥＭＳミラーから見て前記第１センサと重ならない位置に配置され、前記２軸ＭＥＭＳミラーが反射させた前記第２軸方向のレーザ光を受光して信号を出力する第２センサと、
前記２軸ＭＥＭＳミラーが設置される検査ステージと、
前記検査ステージの配置位置を変更する変更部と、
前記２軸ＭＥＭＳミラーが反射させた前記第１軸方向及び前記第２軸方向のレーザ光を受光し、その受光位置を検出する位置調整用センサと、
前記検査ステージに設置された前記２軸ＭＥＭＳミラーに対し、前記第１照射部と同じ照射角度でレーザ光を照射する位置調整用照射部と、
前記位置調整用照射部から照射され前記２軸ＭＥＭＳミラーで反射されたレーザ光の、前記位置調整用センサの検出結果に基づき前記変更部を制御することで、前記第１センサに対する前記２軸ＭＥＭＳミラーの配置位置を調整する調整部と、
を有し、
前記第１センサは、前記２軸ＭＥＭＳミラーの検査時において、当該２軸ＭＥＭＳミラーの位置調整時に前記位置調整用センサが配置されていた位置に配置され、
前記位置調整用センサは、前記２軸ＭＥＭＳミラーの位置調整時において、前記検査ステージと前記第１センサとの間に配置され、前記２軸ＭＥＭＳミラーの検査時において、前記検査ステージと前記第１センサとの間から離脱され、
前記第１センサ及び前記第２センサは、前記２軸ＭＥＭＳミラーから見て前記位置調整用センサと重ならない位置に配置される、
ことを特徴とする検査システム。
【請求項２】
前記第１センサは、レーザ光の位置を検出する光位置センサであること
を特徴とする請求項１に記載の検査システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検査システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ（Micro  Electro  Mechanical  System）ミラー製品（素子）は、複数の異なる特性をそれぞれ検査して良否判定を行う必要がある。従来、２軸ＭＥＭＳミラー製品を検査するためには、複数の異なる特性をそれぞれ検査するために、複数の検査装置が用いられている。例えば、特許文献１には、ＭＥＭＳミラー素子の共振周波数及び最大光学振り角の測定方法が開示されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来の測定方法では、２軸ＭＥＭＳミラー製品における複数の異なる特性をそれぞれ異なる計測器によって検査しなければならなかった。よって、被検査対象の移動（ユーザによる搬送）、接続、及び検査の設定等を計測器毎に行う必要があり、非効率的であるという問題があった。
【０００４】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、２軸ＭＥＭＳミラーを効率的に検査することが可能な検査システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、互いに直交する第１軸方向及び第２軸方向に光を反射する２軸ＭＥＭＳミラーの検査システムであって、被検査対象となる前記２軸ＭＥＭＳミラーに対してレーザ光を照射する第１照射部と、前記第１軸方向の反射範囲に応じた長さのセンサ面を有し、当該センサ面の長さ方向が前記第１軸方向に沿って配置され、前記第１軸方向及び前記第２軸方向に直交する第３軸方向に設置され、前記２軸ＭＥＭＳミラーが反射させた前記第１軸方向のレーザ光を少なくとも受光して信号を出力する第１センサと、予め定められた間隔で離されて設置された２つの受光素子、及びウォブルセンサの少なくとも何れかであり、前記２軸ＭＥＭＳミラーから見て前記第１センサと重ならない位置に配置され、前記２軸ＭＥＭＳミラーが反射させた前記第２軸方向のレーザ光を受光して信号を出力する第２センサと、前記２軸ＭＥＭＳミラーが設置される検査ステージと、前記検査ステージの配置位置を変更する変更部と、前記２軸ＭＥＭＳミラーが反射させた前記第１軸方向及び前記第２軸方向のレーザ光を受光し、その受光位置を検出する位置調整用センサと、前記検査ステージに設置された前記２軸ＭＥＭＳミラーに対し、前記第１照射部と同じ照射角度でレーザ光を照射する位置調整用照射部と、前記位置調整用照射部から照射され前記２軸ＭＥＭＳミラーで反射されたレーザ光の、前記位置調整用センサの検出結果に基づき前記変更部を制御することで、前記第１センサに対する前記２軸ＭＥＭＳミラーの配置位置を調整する調整部と、を有し、前記第１センサは、前記２軸ＭＥＭＳミラーの検査時において、当該２軸ＭＥＭＳミラーの位置調整時に前記位置調整用センサが配置されていた位置に配置され、前記位置調整用センサは、前記２軸ＭＥＭＳミラーの位置調整時において、前記検査ステージと前記第１センサとの間に配置され、前記２軸ＭＥＭＳミラーの検査時において、前記検査ステージと前記第１センサとの間から離脱され、前記第１センサ及び前記第２センサは、前記２軸ＭＥＭＳミラーから見て前記位置調整用センサと重ならない位置に配置される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、２軸ＭＥＭＳミラーを効率的に検査することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、従来の２軸ＭＥＭＳミラー製品の検査環境を示す図である。
【図２】図２は、第１実施形態に係る検査システムの構成の概要を示す図である。
【図３】図３は、検査ステージに設置されるＭＥＭＳと、センサとの位置関係を模式的に示す図である。
【図４】図４は、検査ステージに設置されるＭＥＭＳと、センサとの位置関係を模式的に示す図である。
【図５】図５は、第１実施形態に係る検査システムの動作例を示すフローチャートである。
【図６】図６は、第２実施形態に係る検査システムの構成の概要を示す図である。
【図７】図７は、ＰＭの移動位置を模式的に示す図である。
【図８】図８は、第２実施形態に係る検査システムの動作例を示すフローチャートである。
【図９】図９は、第３実施形態に係る検査システムの構成の概要を示す図である。
【図１０】図１０は、検査ステージに設置されるＭＥＭＳと、第２ＰＳＤとの位置関係を説明するための図である。
【図１１】図１１は、検査ステージに設置されるＭＥＭＳと、第２ＰＳＤとの位置関係を説明するための図である。
【図１２】図１２は、検査ステージを３軸周りに回転させた（傾けた）状態を模式的に示す図である。
【図１３】図１３は、第３実施形態に係る検査システムの動作例を示すフローチャートである。
【図１４】図１４は、図１３に示した位置調整処理の動作例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
（背景）
まず、本発明がなされるに至った背景について説明する。図１は、従来の２軸ＭＥＭＳミラー製品の検査環境を示す図である。図１（ａ）に示すように、２軸ＭＥＭＳミラー製品（以下、単にＭＥＭＳと記す）は、例えばＬＣＲメータ１を用いて、ＰＺＴ特性が計測されていた。
【０００９】
次に、ＭＥＭＳは、図１（ｂ）に示したＸ軸専用装置２へユーザによって移動され、接続及び設定がなされた後に、Ｘ軸の反射光の振れ角度が測定されていた。さらに、ＭＥＭＳは、図１（ｃ）に示したＹ軸専用装置３へユーザによって移動され、接続及び設定がなされた後に、Ｙ軸の反射光の振れ角度等が測定されていた。
【００１０】
このように、従来は、ＭＥＭＳの複数の特定を検査（計測）するために、専用計測器等を測定項目に応じて接続し測定する必要があり、測定のスループットをあげることが困難であった。なお、ＰＺＴ特定が計測される前に、パワーメータを用いてＭＥＭＳの反射率を測定する場合もある。
【００１１】
（第１実施形態）
次に、第１実施形態に係る検査システム１０について説明する。図２は、第１実施形態に係る検査システム１０の構成の概要を示す図である。図２に示すように、検査システム１０は、入力部１２、ＣＰＵボード１４、制御プログラム１６、レーザダイオード（ＬＤ）制御部２０、レーザ照射部２２、ＬＣＲメータ２４、波形発生部２６及び検査ステージ３４を有する。また、検査システム１０は、センサとして第１フォトディテクタ（ＰＤ）４０、第２フォトディテクタ（ＰＤ）４２、ウォブルセンサ４４及びＰＳＤ（Position  Sensitive  Detector）４６を有し、これらのセンサを制御するセンサ制御部４８を備える。また、検査システム１０には、電源のオンオフを切り替える電源ボタン、及び動作の開始指示を受け入れるスタートボタン等も設けられる。
【００１２】
入力部１２は、キーボード及びモニタ、又はタッチパネル等を備え、ユーザの操作入力を受け入れる。また、入力部１２は、ＰＣ（Personal  Computer）等であってもよい。ＣＰＵボード１４は、ＣＰＵ、メモリ及びペリフェラル等を有し、検査システム１０を構成する各部を制御する。制御プログラム１６は、ＣＰＵボード１４が有するＣＰＵによって実行され、検査システム１０を構成する各部を制御する処理を行う。
【００１３】
ＬＤ制御部２０は、ＣＰＵボード１４の制御に応じてレーザ照射部２２を制御する。レーザ照射部２２は、検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳに対し、ＬＤ制御部２０の制御に応じてレーザ光を照射する。ＬＣＲメータ２４は、検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳのＰＺＴ特性として、ピン間のリーク値、容量、インダクタンス等を計測する。波形発生部２６は、予め定められた任意の波形（所定のデューティ比、駆動周波数及び電圧の駆動信号）を発生させ、検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳに対して出力する。検査ステージ３４には、被検査対象となるＭＥＭＳが着脱自在に設置される。
【００１４】
第１ＰＤ４０及び第２ＰＤ４２は、予め定められた間隔で離されて検査ステージ３４の上方に配置された受光素子であり、検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳが反射させたレーザ光をそれぞれ異なる位置で検出する。つまり、第１ＰＤ４０及び第２ＰＤ４２は、被検査対象が反射させたレーザ光を受光して信号を出力するセンサである。
【００１５】
ウォブルセンサ４４は、検査ステージ３４の上方に配置されている。ウォブルセンサ４４は、例えばパルス幅の時間変化が可能な三角スリットタイプのものであり、検査ステージ３４が上方に移動すると出力信号（ウォブル信号）のパルス幅が長くなり、検査ステージ３４が下方に移動すると出力信号のパルス幅時間が短くなるようにされている。つまり、ウォブルセンサ４４も、被検査対象が反射させたレーザ光を受光して信号を出力するセンサである。
【００１６】
第１ＰＳＤ４６は、検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳが反射させるレーザ光（スポット）の光量の「重心」の位置を検出することができる光位置センサである。つまり、第１ＰＳＤ４６も、被検査対象が反射させたレーザ光を受光して信号を出力するセンサである。
【００１７】
センサ制御部４８は、複数チャンネルの時間測定器であり、第１ＰＤ４０、第２ＰＤ４２及びウォブルセンサ４４が出力する信号の時間を測定するＴＩＡ（Time  Interval  Analyzer）ボードとしての機能も備える。
【００１８】
次に、図３、図４を参照して、検査ステージ３４に設置されるＭＥＭＳと、第１ＰＤ４０、第２ＰＤ４２、ウォブルセンサ４４及び第１ＰＳＤ４６との位置関係について詳述する。
【００１９】
図３、図４は、検査ステージ３４に設置されるＭＥＭＳと、第１ＰＤ４０、第２ＰＤ４２、ウォブルセンサ４４及び第１ＰＳＤ４６との位置関係を模式的に示す図である。図３、図４では、ＭＥＭＳにより反射されるレーザ光（反射光）を基準に各部の位置関係を示している。具体的に、図３は、ＭＥＭＳによる反射光の光軸方向を上から見た平面図である。また、図４は、検査ステージ３４（ＭＥＭＳ）から反射光の光軸方向を見た側面図である。
【００２０】
被検査対象のＭＥＭＳは、検査ステージ３４に設置される。本実施形態で想定する良品のＭＥＭＳは、レーザ照射部２２から照射されるレーザ光を、互いに直交する２軸方向に反射させる。図３、図４では、良品のＭＥＭＳで反射される反射光を、互いに直交するＸ軸方向とＹ軸方向との２方向で表した例を示している。また、良品のＭＥＭＳでは、Ｘ軸及びＹ軸の両軸方向に直交するＺ軸方向ら見て、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の反射光が十字となるよう反射範囲（振れ角）が規定されているものとする。つまり、図３、図４でのＺ軸は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の反射範囲の中心となる光軸方向に対応する。
【００２１】
第１ＰＳＤ４６は、検査ステージ３４の略正面に配置される。より具体的には、第１ＰＳＤ４６は、ＭＥＭＳによる反射光の光軸（Ｚ軸）上に配置される。第１ＰＳＤ４６は、例えば、Ｘ軸方向とＹ軸方向との反射光のクロスポイントの位置を検出する。また、本実施形態では、第１ＰＳＤ４６は、Ｙ軸方向の反射範囲に応じた長さのセンサ面を有し、当該センサ面の長さ方向（長手方向）がＹ軸方向に沿って配置される。これにより、第１ＰＳＤ４６は、ＭＥＭＳにより反射されたＹ軸方向の反射光の反射範囲（振れ角）を検出する。
【００２２】
第１ＰＤ４０、第２ＰＤ４２及びウォブルセンサ４４は、ＭＥＭＳで反射されたＸ軸方向の反射光を受光可能な位置、つまりＸ軸方向に沿って配置される。また、第１ＰＤ４０、第２ＰＤ４２及びウォブルセンサ４４は、検査ステージ３４（ＭＥＭＳ）から見て、第１ＰＳＤ４６に重ならない位置に配置される。より詳細には、ＭＥＭＳにおいてレーザ光が反射される反射点（反射面）Ｏと、ＭＥＭＳに対向する第１ＰＳＤ４６の各辺とを結ぶことで形成される領域Ｈの外部に、第１ＰＤ４０、第２ＰＤ４２及びウォブルセンサ４４が配置される。なお、第１ＰＤ４０及び第２ＰＤ４２は、例えばウォブルセンサ４４を挟んで、予め定められた離間間隔で配置される。
【００２３】
上記の構成において、検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳを検査する場合、第１ＰＳＤ４６は、ＭＥＭＳによるＹ軸方向の反射光からＹ軸方向の反射範囲（振り角）、及びリニアリティ等の測定を行う。また、第１ＰＤ４０、第２ＰＤ４２及びウォブルセンサ４４は、ＭＥＭＳによるＸ軸方向の反射光からＸ軸方向の反射範囲（振り角）、及びウォブル信号等の測定を行う。したがって、本実施形態の検査システム１０では、ＭＥＭＳを移動（ユーザによる着脱、搬送）させることなく、ＭＥＭＳの反射範囲やリニアリティ等を検出（検査）することができる。
【００２４】
なお、検査ステージ３４と各センサとの間の距離や各センサ間の距離は、特に問わず、ＭＥＭＳの反射範囲等の検査条件に応じて適宜設定可能であるとする。また、図３では、第１ＰＤ４０、第２ＰＤ４２及びウォブルセンサ４４を、Ｘ軸方向に沿って直線状に配置する構成としたが、これに限らず、検査ステージ３４（ＭＥＭＳ）を中心とする円弧状に配置する構成としてもよい（例えば、図７（ａ）参照）。
【００２５】
次に、検査システム１０の動作例について説明する。図５は、検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳを検査システム１０が検査する動作例を示すフローチャートである。
【００２６】
図５に示すように、ステップ１００（Ｓ１００）において、入力部１２は、ユーザによる測定条件の入力を受入れる。例えば、入力部１２は、ＭＥＭＳに対する良否判定基準（テストスペック）を受入れる。
【００２７】
ステップ１０２（Ｓ１０２）において、検査システム１０は、ユーザによる初期設定、各パーツの電源オン等の操作を受入れる。
【００２８】
ステップ１０４（Ｓ１０４）において、検査システム１０は、ユーザによるスタートボタンの押下を受入れる。
【００２９】
ステップ１０６（Ｓ１０６）において、検査システム１０は、ＬＣＲメータ２４を用いてＭＥＭＳのＰＺＴ特性（ピン間のリーク電流値、容量、インダクタンス等）を測定し、良否判定を行う。検査システム１０は、良否判定の結果がよくない場合（良否判定で否となった場合）にはステップ１２０（Ｓ１２０）の処理に進み、良否判定の結果がよい場合には次のステップ（Ｓ１０８）に進む。以下同様に、検査システム１０は、良否判定の結果がよくない場合にはステップ１２０（Ｓ１２０）の処理に進み、良否判定の結果がよい場合には次のステップに進むものとする。
【００３０】
ステップ１０８（Ｓ１０８）において、検査システム１０は、第１ＰＤ４０及び第２ＰＤ４２を用いて、例えばＸ軸方向のレーザ光の振れ角を測定し、良否判定を行う。
【００３１】
ステップ１１０（Ｓ１１０）において、検査システム１０は、第１ＰＤ４０及び第２ＰＤ４２を用いて、例えばＸ軸方向のジッタを測定し、良否判定を行う。
【００３２】
ステップ１１２（Ｓ１１２）において、検査システム１０は、ウォブルセンサ４４を用いてＸ軸方向のウォブル信号を検出するウォブル測定を行い、良否判定を行う。
【００３３】
続くステップ１１４（Ｓ１１４）において、検査システム１０は、第１ＰＳＤ４６を用いて、例えばＹ軸方向のレーザ光の振れ角を測定し、良否判定を行う。
【００３４】
ステップ１１６（Ｓ１１６）において、検査システム１０は、第１ＰＳＤ４６を用いてＭＥＭＳのリニアリティを測定し、良否判定を行う。
【００３５】
ステップ１１８（Ｓ１１８）において、検査システム１０は、表示部（又は入力部１２等）によって、ＭＥＭＳが良品であった旨を表示させる（良品表示）。
【００３６】
ステップ１２０（Ｓ１２０）において、検査システム１０は、表示部（又は入力部１２等）によって、ＭＥＭＳが良品でなかった旨を表示させる（不良品表示）。
【００３７】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係る検査システム１０ａについて説明する。図６は、第２実施形態に係る検査システム１０ａの構成の概要を示す図である。図６に示すように、検査システム１０ａは、入力部１２、ＣＰＵボード１４、制御プログラム１６、レーザダイオード（ＬＤ）制御部２０、レーザ照射部２２、ＬＣＲメータ２４、波形発生部２６、検査ステージ３４、第３ステージ３７及び第３モータ制御部３８を有する。
【００３８】
また、検査システム１０ａは、センサとして第１フォトディテクタ（ＰＤ）４０、第２フォトディテクタ（ＰＤ）４２、ウォブルセンサ４４、第１ＰＳＤ４６及びＰＭ（パワーメータ：センサ）４９を有し、これらのセンサを制御するセンサ制御部４８を備える。また、検査システム１０ａには、電源のオンオフを切替える電源ボタン、及び動作の開始指示を受入れるスタートボタン等も設けられる。なお、図６に示した検査システム１０ａの構成部分のうち、検査システム１０（図２）に示した構成部分と実質的に同じものには、同一の符号を付している。
【００３９】
第３ステージ３７は、第３モータ制御部３８によって駆動されることにより、ＰＭ４９を移動させる。第３モータ制御部３８は、レーザ照射部２２に対向する位置、及び検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳが反射させたレーザ光を受光する位置へ、ＰＭ４９を順次移動させる。
【００４０】
ＰＭ４９は、例えばサイズが３０ｍｍ×１８ｍｍとなっており、ＭＥＭＳのミラー特性を測定する。具体的には、ＰＭ４９は、レーザ照射部２２が照射するレーザ光のパワー測定を行う。次に、ＰＭ４９は、ＭＥＭＳが反射させたレーザ光のパワー測定を行う。そして、ＰＭ４９は、例えば測定した２つのレーザ光のパワーを用いてＭＥＭＳの反射率を測定する。
【００４１】
図７は、ＰＭ４９の移動位置を模式的に示す図である。ここで、図７（ａ）は、ＭＥＭＳによる反射光の光軸方向を上から見た平面視点におけるＰＭ４９の位置を示している。また、図７（ｂ）は、ＭＥＭＳによる反射光の光軸方向を横から見た側面視点におけるＰＭ４９の位置を示している。なお、レーザ照射部２２の位置やレーザ光の入射角度、検査ステージ３４（ＭＥＭＳ）の角度等は、図７の例に限定されないものとする。
【００４２】
まず、ＰＭ４９は、測定待機状態において、図７に示したＡの位置に配置される。次に、ＰＭ４９は、レーザ照射部２２に対して対向するように、図７に示したＢの位置へ移動され、レーザ照射部２２が照射するレーザ光のパワー測定を行う。そして、ＰＭ４９は、ＭＥＭＳ（検査ステージ３４）と第１ＰＳＤ４６との間に移動され、ＭＥＭＳが反射させたレーザ光を受光して、ＭＥＭＳの反射率を測定する。
【００４３】
図８は、検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳを検査システム１０ａが検査する動作例を示すフローチャートである。なお、図８に示した検査システム１０ａの動作例の処理のうち、図５に示した検査システム１０の動作例の処理と実質的に同じものには、同一の符号を付している。また、本動作の前提として、第３ステージ３７（ＰＭ４９）は待機位置（図７のＡの位置）にあるものとする。
【００４４】
ステップ２００（Ｓ２００）において、検査システム１０ａは、第３ステージ３７に設置されたＰＭ４９を、レーザ照射部２２に対向する位置（図７のＢの位置）に移動させる。
【００４５】
ステップ２０２（Ｓ２０２）において、ＰＭ４９は、レーザ照射部２２が照射するレーザ光のパワーを測定し、良否判定を行う。検査システム１０ａは、良否判定の結果がよくない場合（良否判定で否となった場合）にはステップ１２０（Ｓ１２０）の処理に進み、良否判定の結果がよい場合には次のステップ（Ｓ２０４）に進む。以下同様に、検査システム１０ａは、良否判定の結果がよくない場合にはステップ１２０（Ｓ１２０）の処理に進み、良否判定の結果がよい場合には次のステップに進むものとする。
【００４６】
ステップ２０４（Ｓ２０４）において、検査システム１０ａは、第３ステージ３７に設置されたＰＭ４９を、ＭＥＭＳ（検査ステージ３４）と第１ＰＳＤ４６との間（図７のＣの位置）に移動させる。
【００４７】
ステップ２０６（Ｓ２０６）において、ＰＭ４９は、ＭＥＭＳが反射させた反射光（レーザ光）のパワーを測定し、レーザ照射部２２が照射したレーザ光のパワーと対比させて、ＭＥＭＳの反射率を測定し、良否判定を行う。
【００４８】
ステップ２０８（Ｓ２０８）において、検査システム１０ａは、第３ステージ３７に設置されたＰＭ４９を待機位置（図７のＡの位置）に戻す。
【００４９】
以上のように、検査システム１０及び検査システム１０ａによれば、ＭＥＭＳによる反射光の光軸方向（Ｚ軸方向）に配置された第１ＰＳＤ４６により、Ｙ軸方向の反射範囲（振り角）、及びリニアリティ等の測定を行う。また、ＭＥＭＳから見て、第１ＰＳＤ４６に重ならない位置にＸ軸方向に沿って配置された、第１ＰＤ４０、第２ＰＤ４２及びウォブルセンサ４４により、Ｘ軸方向の反射範囲（振り角）、及びウォブル信号等の測定を行う。
【００５０】
これにより、本実施形態の検査システム１０では、ＭＥＭＳを移動（ユーザによる着脱、搬送）させることなく、ＭＥＭＳの反射範囲やリニアリティ等を検出（検査）することができる。したがって、２軸ＭＥＭＳミラーを効率的に検査することが可能となり、検査効率（スループット）の向上を図ることができる。また、ＭＥＭＳを回転させるような機構（モータやモータ制御部等）を必要とせず、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の反射光を検査することができるため、検査システムの装置費用を低減することができる。
【００５１】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態に係る検査システム１０ｂについて説明する。上記した検査システム１０、１０ａでＭＥＭＳの検査を行う場合、ユーザは被検査対象のＭＥＭＳを検査ステージ３４に設置することになる。このとき、検査精度を確保するため、検査に適した位置にＭＥＭＳを位置付ける調整作業が必要となる。しかしながら、人手による方法では、位置の調整に時間を要し、精度にバラツキがある等の問題があった。
【００５２】
そこで、第３実施形態では、ＭＥＭＳの設置位置を自動で調整することが可能な構成について説明する。なお、第１実施形態及び第２実施形態で説明した構成部分と実質的に同じものには、同一の符号を付している。
【００５３】
図９は、第３実施形態に係る検査システム１０ｂの構成の概要を示す図である。図９に示すように、検査システム１０ｂは、入力部１２、ＣＰＵボード１４、制御プログラム１６、レーザダイオード（ＬＤ）制御部２０、レーザ照射部２２、ＬＣＲメータ２４、波形発生部２６、検査ステージ３４、位置変更部５１及び調整制御部５２を有する。
【００５４】
また、検査システム１０ｂは、センサとして第１フォトディテクタ（ＰＤ）４０、第２フォトディテクタ（ＰＤ）４２、ウォブルセンサ４４、第１ＰＳＤ４６及び第２ＰＳＤ５３を有する。また、検査システム１０ｂは、センサ制御部４８を備える。また、検査システム１０ｂには、電源のオンオフを切替える電源ボタン、及び動作の開始指示を受入れるスタートボタン等も設けられる。
【００５５】
位置変更部５１は、ステッピングモータ等を備え、調整制御部５２の制御の下、検査ステージ３４の配置位置や配置角度を変更する。
【００５６】
第２ＰＳＤ５３は、検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳが反射させるレーザ光（スポット）の光量の「重心」の位置を、２軸方向について検出することができる二次元の光位置センサである。
【００５７】
ここで、図１０、図１１を参照して、検査ステージ３４（ＭＥＭＳ）と第２ＰＳＤ５３との位置関係について説明する。
【００５８】
図１０、図１１は、検査ステージ３４に設置されるＭＥＭＳと、第２ＰＳＤ５３との位置関係を説明するための図である。図１０は、ＭＥＭＳによる反射光の光軸方向を横から見た側面図である。また、図１１は、ＭＥＭＳによる反射光の光軸方向を上から見た平面図である。なお、図１０では、ハーフミラー等のビームスプリッタＢＳを介して、レーザ照射部２２のレーザ光をＭＥＭＳに照射する構成としたが、これに限らないものとする。
【００５９】
図１０、図１１において、位置変更部５１は、検査ステージ３４を支持し、検査ステージ３４の配置位置や配置角度を変更可能な機構を備える。具体的に、位置変更部５１は、検査ステージ３４を、Ｘ軸及びＹ軸の２軸方向に所定量移動させること可能な機構を備える。また、位置変更部５１は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の３軸周りに、検査ステージ３４を所定角度回転させる（傾ける）ことが可能な機構を備える。
【００６０】
ここで、図１２は、検査ステージ３４を３軸周りに回転させた（傾けた）状態を模式的に示す図である。この図１２では、まず、（ａ）で検査ステージ３４をＸ軸周りに所定量回転させ、（ｂ）で検査ステージ３４をＹ軸周りに所定量回転させた後、（ｃ）で検査ステージ３４をＺ軸周りに所定量回転させた例を示している。なお、破線は、（ａ）〜（ｃ）の各段階において、検査ステージ３４の回転前の位置を意味する。このように、位置変更部５１に検査ステージ３４の角度回転（角度調整）機構を設けることにより、検査ステージ３４を所望の角度に回転させる（傾ける）ことができる。
【００６１】
図１０、図１１に戻り、第２ＰＳＤ５３は、２軸方向（Ｘ−Ｙ軸方向）に形成されたセンサ面を有し、当該センサ面上においてレーザ光を受光した位置と、その受光量とを検出する。なお、検査ステージ３４に対する第２ＰＳＤ５３の設置（配置）位置は、特に問わないものとするが、検査ステージ３４と第１ＰＳＤ４６との位置関係に準じた位置とすることが好ましい。
【００６２】
例えば、第２ＰＳＤ５３は、検査ステージ３４と第１ＰＳＤ４６との間に設ける構成としてもよい。この場合、第２ＰＳＤ５３は、ＭＥＭＳの位置調整時において、検査ステージ３４と第１ＰＳＤ４６との間に配置し、ＭＥＭＳの検査時において、検査ステージ３４と第１ＰＳＤ４６とを結ぶ線上から移動（離脱）させる構成としてもよい。これにより、第２ＰＳＤ５３に対するＭＥＭＳ（検査ステージ３４）の位置関係を、第１ＰＳＤ４６に適用することができる。なお、第２ＰＳＤ５３の移動方法は特に問わないものとする。また、調整制御部５２（ＣＰＵボード１４）が、第２ＰＳＤ５３の移動を制御する構成としてもよいし、手動で第２ＰＳＤ５３を移動させる構成としてもよい。
【００６３】
また、例えば、第１ＰＳＤ４６と、第２ＰＳＤ５３との位置を切り替え可能な構成としてもよい。この場合、ＭＥＭＳの位置調整時には、第２ＰＳＤ５３を所定位置（例えば、）に配置する。そして、ＭＥＭＳの検査時には、第２ＰＳＤ５３を移動させ、ＭＥＭＳの位置調整時に第２ＰＳＤ５３が配置されていた位置に、第１ＰＳＤ４６を配置する。これにより、第２ＰＳＤ５３に対するＭＥＭＳ（検査ステージ３４）の位置関係を、第１ＰＳＤ４６に適用することができる。なお、第１ＰＳＤ４６及び第２ＰＳＤ５３の切り替え（移動）方法は特に問わないものとする。また、調整制御部５２（ＣＰＵボード１４）が、切り替えを制御する構成としてもよいし、手動で切り替える構成としてもよい。
【００６４】
また、例えば、位置調整用のレーザ照射部（以下、第２レーザ照射部という）を別途備え、この第２レーザ照射部から照射されるレーザ光を用いてＭＥＭＳの位置調整を行う構成としてもよい。この場合、検査用のレーザ照射部２２及び第１ＰＳＤ４６の組と、位置調整用の第２レーザ照射部及び第２ＰＳＤ５３の組とを用意し、ＭＥＭＳの位置調整及び検査に応じて、上記同様、検査ステージ３４に対する各組の位置関係を切り替え可能な構成としてもよい。これにより、第２ＰＳＤ５３に対するＭＥＭＳ（検査ステージ３４）の位置関係を、第１ＰＳＤ４６に適用することができる。
【００６５】
なお、第２レーザ照射部の配置位置や出力パワーは特に問わないものとするが、検査ステージ３４（ＭＥＭＳ）に対する第２レーザ照射部のレーザ光の照射角度は、レーザ照射部２２と同等とすることが好ましい。なお、各組の切り替え（移動）方法は特に問わないものとする。また、調整制御部５２（ＣＰＵボード１４）が、第２ＰＳＤ５３の移動を制御する構成としてもよいし、手動で第２ＰＳＤ５３を移動させる構成としてもよい。また、調整制御部５２（ＣＰＵボード１４）が、切り替えを制御する構成としてもよいし、手動で切り替える構成としてもよい。
【００６６】
図９に戻り、調整制御部５２は、第２ＰＳＤ５３での検出結果（受光量、検出位置等）に基づき、位置変更部５１を制御することで、第２ＰＳＤ５３（第１ＰＳＤ４６）に対する検査ステージ３４（ＭＥＭＳ）の配置位置や配置角度を調整する。なお、調整制御部５２は、ＣＰＵボード１４の制御の下で動作する構成としてもよい。また、ＣＰＵボード１４自体が調整制御部５２として機能する構成としてもよい。
【００６７】
具体的に、調整制御部５２は、ＭＥＭＳの配置位置や配置角度が、検査に適した位置となるよう調整する。ここで、「検査に適した位置」は、検査内容等に応じて適宜設定することが可能であるとする。例えば、レーザ照射部２２から照射されたレーザ光が、ＭＥＭＳの中央に位置する状態や、ＭＥＭＳで反射されたレーザ光が第２ＰＳＤ５３の中央に位置する状態での、ＭＥＭＳの位置を「検査に適した位置」としてもよい。
【００６８】
上記例の「検査に適した位置」にＭＥＭＳを位置付ける場合、調整制御部５２は、例えば以下のような制御を行う。まず、調整制御部５２は、検査ステージ３４をＸ軸及びＹ軸方向に移動させながら、その移動量と第２ＰＳＤ５３での検出結果（受光量）を取得する。調整制御部５２は、取得した移動量及び検出結果に基づき、検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳのサイズと中心位置とを検出（推定）する。なお、サイズ及び中心位置の推定方法は特に問わず、公知の技術を用いてもよい。例えば、ＭＥＭＳを一方向に移動させた際の受光量の変化（暗→明→暗）に基づき、明部分にあるときの移動量の中間値を中心位置としてもよい。
【００６９】
続いて、調整制御部５２は、レーザ照射部２２のレーザ光がＭＥＭＳの中心に位置するよう、検査ステージ３４のＸ軸及びＹ軸方向の位置を調整する。そして、調整制御部５２は、検査ステージ３４を各軸（Ｘ，Ｙ、Ｚ）方向に回転（傾斜）させながら、第２ＰＳＤ５３の検出結果（検出位置）を取得することで、ＭＥＭＳによる反射光の重心が第２ＰＳＤ５３の中央に位置するようＭＥＭＳの位置を調整する。
【００７０】
次に、図１３、図１４を参照して。検査システム１０ｂの動作例について説明する。図１３は、検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳの位置を検査システム１０ｂが調整する動作例を示すフローチャートである。この図１３の動作に係る処理は、ＭＥＭＳの検査に先駆けて行われるものである。例えば、図１３の動作に係る処理は、図５や図８で説明した動作の前や、ステップ１０２（Ｓ１０２）とステップ１０４（Ｓ１０４）との間に実行される。なお、本処理の前提として、被検査対象のＭＥＭＳは検査ステージ３４に設置されているものとする。
【００７１】
図１３に示すように、ステップ３００（Ｓ３００）において、検査システム１０ｂは、第１ＰＳＤ４６や第２ＰＳＤ５３等を移動させることで、ＭＥＭＳの位置調整を行う動作モード（位置調整モード）に移行する。続くステップ３０２（Ｓ３０２）において、検査システム１０ｂは、ＭＥＭＳの位置を調整する位置調整処理を実行する。
【００７２】
図１４は、ステップ３０２の位置調整処理の動作例を示すフローチャートである。まず、検査システム１０ｂは、ステップ４００（Ｓ４００）において、検査ステージ３４をＸ軸及びＹ軸方向に移動させる。続くステップ４０２（Ｓ４０２）において、検査システム１０ｂは、検査ステージ３４の移動量や第２ＰＳＤ５３の検出結果に基づき、検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳのサイズ及び中心位置を検出する。
【００７３】
続くステップ４０４（Ｓ４０４）において、検査システム１０ｂは、検査ステージ３４をＸ軸及びＹ軸周りに傾斜させながら、第２ＰＳＤ５３の検出結果（受光位置、受光量）に基づき、ＭＥＭＳの傾き補正を行う。また、ステップ４０６（Ｓ４０６）において、検査システム１０ｂは、検査ステージ３４をＺ軸周りに傾斜させながら、第２ＰＳＤ５３の検出結果（受光位置、受光量）に基づき、ＭＥＭＳの傾き補正を行う。
【００７４】
ここで、ステップ４０４、４０６の処理では、例えば、レーザ照射部２２のレーザ光がＭＥＭＳの中央に位置するよう調整するとともに、ＭＥＭＳによる反射光の重心が第２ＰＳＤ５３の中央に位置するよう調整する。ＭＥＭＳの位置調整が完了すると、検査システム１０ｂは、図１３のステップ３０４（Ｓ３０４）に移行する。なお、ステップ４０４、４０６を実行する回数は１回に限らず、予め設定された設定値等に基づき複数回実行する構成としてもよい。
【００７５】
図１３に戻り、ステップ３０４（Ｓ３０４）において、検査システム１０ｂは、センサ（第２ＰＳＤ５３）に対するＭＥＭＳの位置の良否判定を行う。ここで、良否判定の判定基準は特に問わないものとする。例えば第２ＰＳＤ５３で検出される受光量が規定値以上の場合に、良と判定してもよい。また、例えば第２ＰＳＤ５３で検出されるレーザ光（反射光）のスポット範囲が規定範囲以内の場合に、良と判定してもよい。また、例えば位置調整処理が正常に終了した場合に、良と判定してもよい。
【００７６】
ステップ３０４（Ｓ３０４）で否と判定した場合（Ｓ３０４：ＮＧ）、検査システム１０ｂは、ステップ３０６（Ｓ３０６）において、表示部（又は入力部１２等）に位置調整のエラーを表示し、本処理を終了する。なお、ステップ３０４で否と判定した場合、ステップ３０２に戻ることで、位置調整を再度行う構成としてもよい。
【００７７】
一方、ステップ３０４（Ｓ３０４）で良と判定した場合（Ｓ３０４：ＯＫ）、検査システム１０ｂは、本処理を終了する。なお、ステップ３０４（Ｓ３０４）で良と判定した場合、検査システム１０ｂは、第１ＰＳＤ４６や第２ＰＳＤ５３等を移動させることで、ＭＥＭＳの検査を行う動作モード（検査モード）に移行する。そして、検査システム１０ｂは、例えば、上述したステップ１０４（Ｓ１０４）に移行することで、ＭＥＭＳの検査を開始させる。
【００７８】
以上のように、検査システム１０ｂによれば、検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳを、検査に適した位置に自動で位置付けることができる。したがって、検査システム１０ｂによれば、ＭＥＭＳの位置調整に係るユーザの利便性を向上できるとともに、検査精度の向上を図ることができる。
【００７９】
なお、本実施形態では、第２ＰＳＤ５３を用いてＭＥＭＳの位置調整を行ったが、これに限らないものとする。例えば、第１ＰＳＤ４６を二次元の光位置センサとすることで、第１ＰＳＤ４６を用いて、ＭＥＭＳの位置調整を行う構成としてもよい。
【００８０】
また、本実施形態では、検査ステージ３４を５軸方向に移動可能な構成としたが、これに限らず、例えば、Ｘ軸及びＹ軸の２軸方向や、６軸以上の方向に移動可能な構成としてもよい。
【００８１】
また、本実施形態では、図２の構成を用いて位置変更部５１及び調整制御部５２を説明したが、これに限らず、図６の構成に位置変更部５１及び調整制御部５２を適用してもよい。
【００８２】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００８３】
例えば、上記実施形態では、ＭＥＭＳによる２軸方向の反射光のうち、Ｘ軸方向を第１ＰＤ４０、第２ＰＤ４２及びウォブルセンサ４４で検出し、Ｙ軸方向を第１ＰＳＤ４６で検出する構成としたが、検出対象の軸方向を逆にしてもよい。具体的には、第１ＰＳＤ４６を、当該第１ＰＳＤ４６が有するセンサ面の長手方向をＸ軸方向に沿って配置する。また、第１ＰＤ４０、第２ＰＤ４２及びウォブルセンサ４４を、ＭＥＭＳから見て第１ＰＳＤ４６に重ならない位置に、Ｙ軸方向に沿って配置する。これにより、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００８４】
また、上記実施形態では、第１ＰＤ４０、第２ＰＤ４２及びウォブルセンサ４４は、検査ステージ３４（ＭＥＭＳ）から見て、第１ＰＳＤ４６の後方に配置する構成としたが（図３、図４参照）、これに限らず、第１ＰＳＤ４６の前方に配置する構成としてもよい。なお、この構成を採用する場合であっても、第１ＰＤ４０、第２ＰＤ４２及びウォブルセンサ４４は、検査ステージ３４（ＭＥＭＳ）から見て、第１ＰＳＤ４６に重ならない位置に配置されるものとする。
【００８５】
また、上記実施形態では、ＭＥＭＳによる２軸方向の反射光の検査を、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向の順に行ったが（図５、図８参照）、これに限らず、Ｙ軸方向、Ｘ軸方向の順に行う構成としてもよい。
【符号の説明】
【００８６】
１０、１０ａ、１０ｂ  検査システム
１２  入力部
１４  ＣＰＵボード
１６  制御プログラム
２０  ＬＤ制御部
２２  レーザ照射部
２４  ＬＣＲメータ
２６  波形発生部
３４  検査ステージ
３７  第３ステージ
３８  第３モータ制御部
４０  第１ＰＤ
４２  第２ＰＤ
４４  ウォブルセンサ
４６  第１ＰＳＤ
４８  センサ制御部
４９  ＰＭ
５１  位置変更部
５２  調整制御部
５３  第２ＰＳＤ
【先行技術文献】
【特許文献】
【００８７】
【特許文献１】特許第５０２７６１７号公報
【図１】
0006701688.tif 000002
【図２】
0006701688.tif 000003
【図３】
0006701688.tif 000004
【図４】
0006701688.tif 000005
【図５】
0006701688.tif 000006
【図６】
0006701688.tif 000007
【図７】
0006701688.tif 000008
【図８】
0006701688.tif 000009
【図９】
0006701688.tif 000010
【図１０】
0006701688.tif 000011
【図１１】
0006701688.tif 000012
【図１２】
0006701688.tif 000013
【図１３】
0006701688.tif 000014
【図１４】
0006701688.tif 000015