(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体を保持して移動するステージ上のマーク又は前記ステージに保持された物体上のマークの撮像を行う撮像部と、前記撮像部を制御する制御部とを含み、前記撮像部により撮像されたマークを検出する検出装置であって、
前記制御部は、前記ステージの目標位置に対する偏差が予め定められた許容範囲内に収束する前において前記偏差が前記許容範囲内にある期間を前記撮像の期間とし前記偏差が前記許容範囲外にある期間を前記撮像の期間としないように、前記撮像部を制御することを特徴とする検出装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記ステージの位置を計測する計測部からの出力に基づいて、前記撮像の期間を制御することを特徴とする請求項１に記載の検出装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記偏差が前記許容範囲内にある不連続な複数の期間を前記撮像の期間とすることを特徴とする請求項１または２に記載の検出装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記撮像により得られた信号の強度が許容条件を満たした場合、前記撮像の期間を終了するように前記撮像部を制御することを特徴とする請求項１ないし請求項３のうちいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記撮像部の出力と、前記計測部の出力とに基づいて、前記マークの位置を得ることを特徴とする請求項２に記載の検出装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記偏差が前記許容範囲内にある期間における前記ステージの位置の代表値に基づいて、前記マークの位置を得ることを特徴とする請求項５に記載の検出装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記撮像部に含まれている撮像素子の電子シャッタ、または前記撮像部に含まれている、前記マークを照明するための光源を制御することにより、前記撮像の期間を制御することを特徴とする請求項１ないし請求項６のうちいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項８】
前記目標位置は前記ステージが位置決めされるべき位置であり、前記偏差は前記ステージの位置と前記目標位置との差に基づき求められることを特徴とする請求項１ないし請求項７のうちいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項９】
前記偏差が前記許容範囲内に収束する前において、前記ステージは周期的に振動していることを特徴とする請求項１ないし請求項８のうちいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項１０】
マークの撮像を行う撮像部と、前記撮像部を制御する制御部とを含み、前記マークを検出する検出装置であって、
前記制御部は、前記マークを有する物体の位置を計測する計測部からの出力に基づいて、前記位置が許容範囲内に収束する前において前記位置が前記許容範囲内にある期間だけ前記撮像の期間となるように、前記撮像部を制御することを特徴とする検出装置。
【請求項１１】
前記制御部は、前記撮像部の出力と、前記計測部の出力とに基づいて、前記マークの位置を得ることを特徴とする請求項１０に記載の検出装置。
【請求項１２】
前記制御部は、前記物体の位置が前記許容範囲内にある期間における前記物体の位置の代表値に基づいて、前記マークの位置を得ることを特徴とする請求項１１に記載の検出装置。
【請求項１３】
物体を保持して移動するステージ上のマーク又は前記ステージに保持された物体上のマークの撮像を行って撮像されたマークを検出する検出方法であって、
前記ステージの目標位置に対する偏差が予め定められた許容範囲内に収束する前において前記偏差が前記許容範囲内にある期間を前記撮像の期間とし前記偏差が前記許容範囲外にある期間を前記撮像の期間としないように前記マークの撮像を行うことを特徴とする検出方法。
【請求項１４】
マークの撮像を行って前記マークを検出する検出方法であって、
前記マークを有する物体の位置を計測する計測部からの出力に基づいて、前記マークを有する物体の位置が許容範囲内に収束する前において前記位置が前記許容範囲内にある期間だけ前記撮像の期間となるように、前記マークの撮像を行う撮像部を制御することを特徴とする検出方法。
【請求項１５】
請求項１３又は１４に記載の検出方法をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。 
【請求項１６】
パターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、
基板を保持して移動するステージと、
前記ステージの保持された基板に形成されたマークを検出する請求項１乃至請求項１２のうちいずれか１項に記載の検出装置と、を有することを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程でパターンを形成された前記基板を加工する工程と、
を含み、加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検出装置、検出方法、プログラム、リソグラフィ装置、および物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスなどの製造において用いられるリソグラフィ装置では、基板を高精度に位置決めすることが求められている。基板の位置は、例えば、リソグラフィ装置に備えられた検出装置により、基板に設けられたマークの位置の検出結果に基づいて決定される。基板はステージに保持され、該ステージによりマークの検出が行われる位置まで移動される。当該位置まで到達した直後のステージは振動しているため、位置の検出は、振動の整定（落ち着き）を待って行われる。よって、リソグラフィ装置のスループットは、振動が整定するまでの待機時間により制約される。特許文献１に記載の技術は、走査露光装置においてステージの加速後かつ露光開始前の整定時間を必要な解像度等に合わせて変更している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−２８９１４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記のような検出装置に特許文献１の発明を応用したとしても、必要な検出精度によっては待機時間を短縮することは困難になりうる。
【０００５】
本発明は、例えば、マークの検出の完了を早めるのに有利な検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、物体を保持して移動するステージ上のマーク又は前記ステージに保持された物体上のマークの撮像を行う撮像部と、前記撮像部を制御する制御部とを含み、前記撮像部により撮像されたマークを検出する検出装置であって、
前記制御部は、前記ステージの目標位置に対する偏差が予め定められた許容範囲内に収束する前において前記偏差が前記許容範囲内にある期間を前記撮像の期間とし前記偏差が前記許容範囲外にある期間を前記撮像の期間としないように、前記撮像部を制御することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、例えば、マークの検出の完了を早めるのに有利な検出装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１実施形態に係る検出装置および露光装置の概略図である。
【図２】ウエハステージに載置されたウエハを＋Ｚ方向からみた図である。
【図３】マークからの反射光の信号強度の波形を示す図である。
【図４】マークからの反射光の信号強度の波形を示す図である。
【図５】マークからの反射光の信号強度の波形を示す図である。
【図６】ステージを目標位置まで動かし始めてからの経過時間とステージ位置の目標位置からの偏差との関係を示す図である。
【図７】第１実施形態に係るウエハステージ位置の目標位置からの偏差の時間変化を示す図である。
【図８】第２実施形態に係るウエハステージ位置の目標位置からの偏差の時間変化を示す図である。
【図９】第３実施形態に係る、ウエハステージを目標位置まで動かし始めてからの経過時間とウエハステージの位置の目標位置からの偏差との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。
【００１０】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る検出装置および露光装置の概略図である。当該検出装置は、他のリソグラフィ装置（例えばインプリント装置）へ適用することもできるが本実施形態では露光装置への適用を例に説明する。本実施形態に係る検出装置は、レーザー干渉計９、１０および１２と、マークの撮像を行う撮像部としてのレチクルアライメント検出系１３およびウエハアライメント検出系１６と、フォーカス・チルト検出系１５を有する。本実施形態に係る検出装置を備えた露光装置は、レチクルステ−ジ２と、ウエハステ−ジ（基板保持部）４と、照明光学系５と、投影光学系６と、を有する。レチクルステージ２は、レチクル（原版）１の支持および位置決めを行う。ウエハステージ４は、ウエハ（基板、被測定物）３の支持および位置決めを行う。照明光学系５は、レチクル１を露光光で照明する。投影光学系６は、露光光で照明されたレチクル１のパターン像をウエハステージ４に支持されたウエハ３に投影する。制御部２０は、コンピュータやメモリなどを含み、検出装置および露光装置の動作を統括制御し、本実施形態に係る検出方法をプログラムとしてコンピュータに実行させうる。本実施形態では、制御部２０は、検出装置に含まれているものとする。
【００１１】
本実施形態では、露光装置としてレチクル１とウエハ３とを走査方向に互いに同期移動しつつレチクル１に形成されたパターンをウエハ３に投影して露光する走査型露光装置（スキャニングステッパー）を使用する。露光装置は、レチクル１を固定しレチクル１のパターンをウエハ３に投影して露光する露光装置（ステッパー）であってもよい。投影光学系６の光軸と平行な方向をＺ方向、光軸に垂直な平面内でレチクル１とウエハ３との同期移動方向（走査方向）をＹ方向、この平面内でＹ方向に垂直な方向（非走査方向）をＸ方向とする。また、各方向に延びる軸であるＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸の各軸まわり方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１２】
レチクル１上の所定の照明領域は、照明光学系５により均一な照度分布の露光光で照明される。照明光学系５から射出される露光光としては、水銀ランプ、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ２レーザー、極端紫外光（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ：ＥＵＶ光）等の光が用いられる。
【００１３】
レチクルステ−ジ２は、投影光学系６の光軸に垂直な平面内、すなわちＸＹ平面内で２次元移動可能及びθＺ方向に微小回転可能である。本実施形態では３軸駆動を示しているが、１軸駆動から６軸駆動のいずれでも良い。レチクルステ−ジ２はリニアモ−タ等のレチクルステ−ジ駆動装置（不図示）により駆動され、レチクルステ−ジ駆動装置は制御部２０により制御される。レチクルステ−ジ２上にはミラ−７が設けられている。また、ミラ−７に対向する位置には、検出装置に含まれるレ−ザー干渉計９が配置されている。レ−ザー干渉計９は、レチクル１の２次元方向（ＸＹ方向）の位置、及びθＺをリアルタイムで計測し、計測結果を制御部２０に出力する。制御部２０は、計測結果に基づいてレチクルステ−ジ駆動装置を駆動することでレチクルステ−ジ２に支持されているレチクル１の位置決めを行う。
【００１４】
ウエハステ−ジ４は、ウエハ３を不図示のウエハチャックを介して保持するθＺチルトステ−ジと、θＺチルトステ−ジを支持する不図示のＸＹステ−ジと、ＸＹステ−ジを支持する不図示のベースとを備えている。ウエハステ−ジ４はリニアモ−タ等のウエハステ−ジ駆動装置（不図示）により駆動される。ウエハステ−ジ駆動装置は制御部２０により制御される。また、ウエハステ−ジ４上にはミラ−８が設けられている。また、ミラ−８に対向する位置には、検出装置に含まれるレ−ザー干渉計１０および１２が配置されている。レ−ザー干渉計１０は、ウエハ３の２次元方向（ＸＹ方向）の位置、及びθＺをリアルタイムで計測し、計測結果を制御部２０に出力する。レ−ザー干渉計１２は、ウエハ３のＺ方向の位置、θＸおよびθＹをリアルタイムで計測し、計測結果を制御部２０に出力する。制御部２０は、計測結果に基づいてウエハステ−ジ駆動装置を駆動することでウエハステ−ジ４に支持されているウエハ３の位置決めを行う。
【００１５】
投影光学系６は、レチクル１のレチクルパタ−ンを所定の投影倍率βでウエハ３に投影して露光するものであって、複数の光学素子で構成されている。本実施形態において、投影光学系６は、投影倍率βが例えば１／４あるいは１／５の縮小投影系である。
【００１６】
検出装置に含まれるレチクルアライメント検出系１３は、レチクルステージ２の近傍に配置され、レチクル１上の不図示の基準マ−クと、ウエハステージ４上の基準プレート１１に設けられた基準マーク１７（図２）とを検出（撮像）する。基準プレ−ト１１は、基準プレ−ト１１の表面とウエハ３の表面とがほぼ同じ高さとなるようにして、ウエハステ−ジ４の角に設置されている。基準マーク１７は、投影光学系６を通して検出される。レチクルアライメント検出系１３は、例えばＣＭＯＳセンサなどの光電変換素子を搭載し、レチクル１上の基準マ−クおよび基準マ−ク１７からの反射光を検出し、検出結果（信号）を制御部２０へ出力する。制御部２０は、信号を元にウエハステ−ジ駆動装置およびレチクルステ−ジ駆動装置を制御して、レチクル１上の基準マ−クおよび基準マ−ク１７の位置・フォ−カスを合わせて、レチクル１とウエハ３との相対位置（Ｘ、Ｙ、Ｚ）を合わせる。
【００１７】
基準マ−ク１７は、反射型のマークでも良いし、透過型のマークでもよい。透過型のマークの場合は、レチクルアライメント検出系１４を用いる。レチクルアライメント検出系１４は、基準マーク１７を透過した透過光を検出するための光量センサを搭載している。ウエハステージ４をＸ方向（又はＹ方向）及びＺ方向に駆動させながら透過光の光量を測定し、測定結果に基づいて、レチクル１上の基準マークと基準マーク１７との位置及びフォーカスを合わせることができる。以上のように、レチクルアライメント検出系１３、レチクルアライメント検出系１４のどちらを用いても、レチクル１とウエハ３との相対位置関係（Ｘ、Ｙ、Ｚ）を合わせることができる。
【００１８】
図２は、ウエハステージ４に載置されたウエハ３を＋Ｚ方向からみた図である。ウエハステージ４は、角に基準プレート１１が設けられ、基準プレート１１は、基準マーク１７およびウエハアライメントに用いる基準マーク１８を備えている。レチクルアライメント用の基準マーク１７とウエハアライメント用の基準マーク１８との位置関係（ＸＹ方向）は既知であるとする。また、基準マーク１７と基準マーク１８とは、共通のマークであっても良い。ウエハ３はショット領域１〜３８が図に示すようにレイアウトされており、各ショット領域近傍にアライメントマーク１９が設けられている。
【００１９】
検出装置に含まれるウエハアライメント検出系１６は、投影光学系６の光軸とは離れた位置に光軸を有するオフアクシス光学系であり、検出光をウエハ３上のアライメントマ−ク１９や基準プレ−ト１１上の基準マ−ク１８に照射する照射系を備えている。さらに、これらのマークからの反射光を受光する受光系を内部に備えておりアライメントマ−ク１９および基準マ−ク１８を撮像する。フォーカス・チルト検出系１５は、検出光をウエハ３の表面に照射する照射系とそのウエハ３からの反射光を受光する受光系とを備えている。
【００２０】
マークの検出（撮像）のためには、検出系がマークからの反射光を変換した電荷を蓄積する蓄積時間（撮像の期間）を調整することが重要となる。蓄積時間について図３〜図６を用いて説明する。図３〜５は、マークからの反射光の信号強度の波形を模式的に示した図である。また、図６は、ステージ（マークが設けられた部材）を目標位置まで動かし始めてからの経過時間（横軸）とステージ位置の目標位置からの偏差（縦軸）との関係を示す図である。図６中、網掛けで示したＴａ〜Ｔｅは、検出系がマークからの反射光を変換した電荷を蓄積する蓄積時間を示しており、それぞれ等しい。Ｅは、ステージの周期的な振動の収束位置を中心とした偏差の許容レンジ（許容範囲）を示す。この値は、計測精度やスループットの観点から設定され、偏差が許容レンジに収まれば（ステージの振動が落ち着けば）、マークの計測が可能となる。
【００２１】
図３〜図５に示す波形は、それぞれ、横軸を検出系に含まれるセンサのセンサ上位置、縦軸をセンサが計測した信号強度とした波形である。検出系が出力する波形は、ノイズ波形とマーク波形とが合成されたものとなる。以下の説明では、Ｘ座標が異なる２本のマークを所定の蓄積時間で計測した場合を考える。図３は、図６で示す蓄積時間Ｔａ〜Ｔｅのうちいずれか１つでマークを計測した結果である。図３に示すようにノイズ波形の信号強度のピークとマーク波形の信号強度のピークとが同等であるため、これらを合成した出力波形では、マーク波形がノイズ波形に埋もれてしまっている。この場合、マークの位置の判別が困難となる。
【００２２】
図４は、ステージの振動が許容レンジに収まっている間の不連続な複数の蓄積時間Ｔｂ、ＴｄおよびＴｅでマークの撮像を行った結果である。この場合、図に示すように図３のときとノイズ波形の信号強度は同じであるがマーク波形のピークの信号強度が強く、出力波形では、マーク波形がノイズ波形に埋もれることがない。ノイズ波形に埋もれない強度を閾値とする。各蓄積時間におけるマーク波形のピークがセンサ上の同位置にあるため、蓄積時間Ｔｂによるマーク波形、蓄積時間Ｔｄによるマーク波形および蓄積時間Ｔｅによるマーク波形を合成（積算）することで、ピークが閾値を超える程に強くなる。
【００２３】
図５は、蓄積時間Ｔａ、ＴｂおよびＴｃでマークを計測した結果である。この場合、図に示すように図４のときと異なり、出力波形では、マーク波形がノイズ波形に埋もれてしまっている。図４の場合と同じ蓄積時間の長さであるが、各蓄積時間におけるマーク波形のピークがセンサ上の同位置にないため、各マーク波形を合成しても、ピークがノイズ波形に埋もれない程に強くならない。
【００２４】
以上より、マークの位置を検出するためには、蓄積時間を長くするだけでなく、ステージの振動が許容レンジに収まっている間に計測したマーク波形を取得することが重要となることがわかる。なお、上記偏差は、前記ステージの位置情報を計測するレーザー干渉計（計測部）１０および１２からの出力（信号）を元にリアルタイムで算出されている。
【００２５】
本実施形態に係る検出装置によるマークの検出について説明する。図７（Ａ）および（Ｂ）は、アライメントマーク１９を計測する際の、ウエハステージ４を目標位置まで動かし始めてからの経過時間とウエハステージ４の位置の目標位置からの偏差との関係を示す図である。Ｅａは、ウエハステージ４の振動が収束する位置を中心とした偏差の許容範囲を示す。この値は、計測精度やスループットの観点から設定され、偏差が許容範囲に収まれば（ステージの振動が落ち着けば）、マークの計測が可能となる。また、偏差が許容範囲Ｅａの範囲に収まった時点を時刻Ｔｓとし、図７（Ａ）および図７（Ｂ）にて時刻Ｔｓは同時刻である。図７（Ｂ）中、網掛けで示した時間Ｔ１〜Ｔ１０は、蓄積時間を示している。なお、偏差は、ウエハステージ４の位置情報を計測するレーザー干渉計１０、１２からの信号を元に制御部２０がリアルタイムで算出している。
【００２６】
図７（Ａ）は、従来の検出方法であり、時刻Ｔｓまで、ウエハステージ４の振動が落ち着く（整定）まで待ってから計測を開始している。計測精度によっては、許容範囲Ｅａの範囲が狭くなって時刻Ｔｓが遅くなり、スループットの点で不利となりうる。一方、図７（Ｂ）では、ウエハステージ４を目標位置まで動かし始めたときから、偏差が許容範囲Ｅａの範囲に入る区間（時間Ｔ１〜Ｔ１０）にてアライメントマーク１９の計測を行っている。制御部２０は、時間Ｔ１〜Ｔ１０（ウエハステージ４が許容範囲Ｅにある期間）だけ撮像の期間となるようにウエハアライメント検出系１６を制御する。
【００２７】
ここで、計測精度の向上のためには、ウエハアライメント検出系１６によるアライメントマーク１９の計測と、レーザー干渉計１０によるウエハステージ４の計測とを同期する必要がある。同期方法としては、例えば、ウエハアライメント検出系１６の光源として不図示のＬＥＤ等を使用し、パルス点灯のタイミングと、レーザー干渉計１０が計測結果を出力するタイミングとを同期する方法がある。パルス点灯は、ウエハアライメント検出系１６に導光する光路の調整により行うこともできる。その他、ウエハアライメント検出系１６の光電変換素子（撮像素子）に電子シャッタを構成しておき、レーザー干渉計１０が計測結果を出力するタイミングと、電子シャッタの駆動とを同期する方法もある。同期は、制御部２０により制御される。
【００２８】
なお、必ずしも時間Ｔ１〜Ｔ１０のすべてで計測を行う必要は無く、図４のようにマーク波形のピークの信号強度を認識できれば、時間Ｔ１〜Ｔ１０の一部にて計測を行わなくてもよい。また、時間Ｔ１と時間Ｔ３の一部等、計測を行う時間は適宜決定することができる。時間Ｔ１〜Ｔ１０のすべてで計測を行ってもマーク波形のピークの信号強度が不足する場合は、時刻Ｔｓ以降で計測を行えばよい。すなわち、制御部２０は、撮像により得られる信号の強度が許容条件を満たした場合に撮像を終了するようにウエハアライメント検出系１６を制御する。必要な蓄積時間の長さ（許容条件）は、マークの物理的特性や光学的特性等により決まりうる。制御部２０は、ウエハアライメント検出系１６の出力と、レーザー干渉計１０の出力とに基づいて、アライメントマーク１９の位置を得る。
【００２９】
以上のように、本実施形態の検出装置は、マークの検出精度を損なうことなくウエハステージ４の振動の落ち着きを待たずに計測をすることができる。本実施形態によれば、マークの検出の完了を早めるのに有利な検出装置を提供することができる。
【００３０】
（第２実施形態）
第１実施形態では、ウエハステージ４の位置は、目標位置（偏差ゼロ）に収束していくことを前提としていた。しかしながら、装置状態、計測条件等によっては、ある程度の偏差を持った位置に収束する場合もある。図８は、本実施形態に係るウエハステージ位置の目標位置からの偏差の時間変化を示す図である。図８は、図７（Ｂ）の場合に対し、ステージ位置が収束する位置を偏差ゼロから偏差１０に変更した場合を示している。収束位置が異なるだけで、蓄積時間等は第１実施形態と同様である。収束位置の設定は、事前に求めたウエハステージ４の振動特性に基づいて設定しうる。また、アライメントマーク１９を数点計測し、偏差の傾向をモニタして、モニタ結果から設定することもできる。本実施形態によれば、ステージの振動が目標位置とずれた位置に収束する場合にも対応でき、本実施形態よる検出装置も第１実施形態と同様の効果を奏する。
【００３１】
（第３実施形態）
図９（Ａ）および（Ｂ）は、アライメントマーク１９を計測する際の、ウエハステージ４を目標位置まで動かし始めてからの経過時間とウエハステージ４の位置の目標位置からの偏差との関係を示す図である。本実施形態では、許容レンジを上記実施形態のＥａよりも範囲を狭くしたＥｂを用いる。図９（Ａ）は、従来の検出方法であり、時刻ＴｓからΔＴの蓄積時間で計測を行っている場合を示している。本実施形態の許容レンジは、図９（Ａ）のΔＴの区間における振動の振幅の最小値とする。許容レンジＥｂに対応した蓄積時間は、図９（Ｂ）で示すＴ１´〜Ｔ１０´である。
【００３２】
許容レンジが狭いほど、蓄積時間内でのステージの偏差の差が小さく、マーク波形のピークがセンサ上の同位置に揃い易い。したがって、得られるマーク波形のピークの信号強度が強くなり、許容レンジが狭いほど、マーク検出精度は良くなる。マークの検出は、粗い精度で検出を行い、続いて細かく検出を行う場合がある。許容レンジを変更することでこのような検出に対応することができる。本実施形態によれば、許容レンジを狭くすることで検出精度の向上も可能となり、本実施形態よる検出装置も上記実施形態と同様の効果を奏する。
【００３３】
なお、上記実施形態では、Ｘ方向の位置計測のためのマーク検出を例として説明したが、同時にＹ方向の位置計測のためのマーク検出を行うこともできる。また、上記実施形態では、ウエハアライメント検出系１６によるアライメントマーク１９の計測を例として説明したが、レチクルアライメント検出系１３による基準マークの計測等にも適用できる。マークの位置は、ステージの位置が許容範囲内にある期間におけるステージの位置の代表値に基づいて得られる。代表値は、位置の平均値、中央値、最頻値等の統計学的値のいずれでもよい。位置を計測する対象としての物体は、ウエハステージ４に限らずレチクルステ−ジ２であってもよい。
【００３４】
（物品製造方法に係る実施形態）
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、上記のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工（例えば残膜除去（リソグラフィ装置がインプリント装置である場合）する工程とを含む。リソグラフィ装置が露光または描画装置である場合は、上記加工する工程の代わりに現像する工程を含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００３５】
（その他の実施形態）
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００３６】
９、１０、１２    レーザー干渉計
１１              基準プレート
１３              レチクルアライメント検出系
１５              フォーカス・チルト検出系
１６              ウエハアライメント検出系
１７、１８        基準マーク
１９              アライメントマーク
２０              制御部
【図１】
0006700932.tif 000002
【図２】
0006700932.tif 000003
【図３】
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【図４】
0006700932.tif 000005
【図５】
0006700932.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
0006700932.tif 000010