(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ−型半導体特性のマトリックス相であるマトリックスと、Ｂｉ及びＭｇと、を含み、前記マトリックス内にエンベッディングされた２次相のナノ介在物を含み、
前記マトリックスは、Ｍｇ１．９８Ａｌ０．０２Ｓｉ０．９７Ｂｉ０．０３で、前記ナノ介在物は、Ｂｉ２Ｍｇ３であり、前記ナノ介在物は前記マトリックスに対し重量比が２．６％であることを特徴とするナノ複合体型熱電素材。
【請求項２】
ｎ−型半導体特性のマトリックス相であるマトリックスと、Ｂｉ及びＭｇと、を含み、前記マトリックス内にエンベッディングされた２次相のナノ介在物を含み、
前記マトリックスは、Ｍｇ１．９８Ａｌ０．０２Ｓｉ０．９６Ｂｉ０．０４で、前記ナノ介在物は、Ｂｉ２Ｍｇ３であり、前記ナノ介在物は前記マトリックスに対し重量比が４．０％であることを特徴とするナノ複合体型熱電素材。
【請求項３】
ｎ−型半導体特性のマトリックス相であるマトリックスと、Ｂｉ及びＭｇと、を含み、前記マトリックス内にエンベッディングされた２次相のナノ介在物を含み、
前記マトリックスは、Ｍｇ１．９６Ａｌ０．０４Ｓｉ０．９７Ｂｉ０．０３で、前記ナノ介在物は、Ｂｉ２Ｍｇ３であり、前記ナノ介在物は前記マトリックスに対し重量比が１．７％であることを特徴とするナノ複合体型熱電素材。
【請求項４】
ｎ−型半導体特性のマトリックス相であるマトリックスと、Ｂｉ及びＭｇと、を含み、前記マトリックス内にエンベッディングされた２次相のナノ介在物を含み、
前記マトリックスは、Ｍｇ１．９６Ａｌ０．０４Ｓｉ０．９６Ｂｉ０．０４で、前記ナノ介在物は、Ｂｉ２Ｍｇ３であり、前記ナノ介在物は前記マトリックスに対し重量比が２．４％であることを特徴とするナノ複合体型熱電素材。
【請求項５】
前記ナノ介在物が、平均粒径１乃至５００ｎｍの大きさであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載のナノ複合体型熱電素材。
【請求項６】
前記ナノ介在物が、前記マトリックス１００重量部に対し０．１乃至４．０重量部で含まれることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載のナノ複合体型熱電素材。
【請求項７】
前記マトリックス相と前記２次相との間の相境界密度は、３５０乃至４２００ｃｍ２／ｃｍ３であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載のナノ複合体型熱電素材。
【請求項８】
前記ナノ介在物は、前記マトリックス相のフォノン平均自由行程（ｍｅａｎ  ｆｒｅｅ  ｐａｔｈ）より粒径が小さいことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載のナノ複合体型熱電素材。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか一項に記載のナノ複合体型熱電素材の製造方法であって、
（ａ）ナノ複合体原料粉末を準備する段階と、
（ｂ）段階（ａ）で得られた前記ナノ複合体原料粉末を焼結してナノ複合体型熱電素材を製造する段階と、
を含むことを特徴とするナノ複合体型熱電素材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高性能ナノ複合体型熱電素材及びその製造方法に係り、より詳しくは、熱電素材マトリックス及びナノサイズの２次相を含む、熱電気変換効率の高い高性能ナノ複合体型熱電素材及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
熱電現象は、固体状態の素材を通じた熱と電気の可逆的かつ直接的なエネルギー変換現象であって、熱電素材内部の電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）または正孔（ｈｏｌｅ）の移動によって発生する現象である。
外部から電流を印加して熱が放出されるか又は吸収されるペルティエ効果（Ｐｅｌｔｉｅｒ  ｅｆｆｅｃｔ）、素材両端の温度差から起電力が発生するゼーベック効果（Ｓｅｅｂｅｃｋ  ｅｆｆｅｃｔ）、及び所定の温度勾配を有する素材に電流が流れると、熱が放出されるか吸収されるトムソン効果（Ｔｈｏｍｓｏｎ  ｅｆｆｅｃｔ）を含む。
【０００３】
ペルティエ効果を利用すれば、ガス圧縮機及び冷媒ガスが不要な冷却システムの実現が可能である。更に、ゼーベック効果を利用すれば、コンピューター、自動車エンジンなどで発生する熱や各種の産業廃熱などを電気エネルギーに変換することができる。
近年、車両燃費の増大を含め、エネルギー使用効率の増大の技術に対する必要性の増加で、熱電素材を利用した発電システムに対する関心も、ますます高くなっている。
熱電冷却効率及び熱電発電効率は、熱電素材の性能と直結され、現在は小型及び特殊冷却分野に制限的に応用されているのみであるという限界の克服のためには、高性能素材の開発が必須である。
【０００４】
熱電素材の性能を表す熱電気エネルギー変換効率は、下記数式（１）の無次元性能指数（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎｌｅｓｓ  ｆｉｇｕｒｅ  ｏｆ  ｍｅｒｉｔ、ＺＴ）によって定義される。
【数１】
0006727033.tif 000002
【０００５】
前記式で、Ｓはゼーベック係数、σは電気伝導度、Ｔは絶対温度、κは熱伝導度である。
熱電性能、即ち、ＺＴの増大のためには、高いゼーベック係数、高い電気伝導度、及び低い熱伝導度を同時に発現する熱電素材が必要である。しかし、一般に、ゼーベック係数と電気伝導度とは電荷濃度（ｃａｒｒｉｅｒ  ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ）に対して相反（ｔｒａｄｅ−ｏｆｆ）する関係を有し、また、電気伝導度と熱伝導度とは、独立的な変数ではなく、相互に影響を受けるため、高いＺＴを有する素材を実用化することは容易ではない。
【０００６】
熱電素材性能の増大のための重要な戦略のうちの一つは、ナノ構造体を製造することである。ナノ構造体は、グレーン（ｇｒａｉｎ）の大きさをナノサイズに小さくして粒界（ｇｒａｉｎ  ｂｏｕｎｄａｒｙ）の密度を増加させたナノグレーン構造体を製造するか、又はナノサイズの２次相を導入して熱電素材マトリックス（ｍａｔｒｉｘ）と２次相との間の相境界（ｐｈａｓｅ  ｂｏｕｎｄａｒｙ）を形成したナノ複合体を製造することで製造可能であり、粒界及び相境界でフォノン（ｐｈｏｎｏｎ）散乱の増加によって熱伝導度が減少し、キャリアフィルタリング（ｃａｒｒｉｅｒ  ｆｉｌｔｅｒｉｎｇ）効果によるゼーベック係数と電気伝導度の相反関係崩壊によってＺＴを向上させることが期待できる。
【０００７】
ナノ構造体は、０次元量子ドット（ｑｕａｎｔｕｍ  ｄｏｔ）、１次元ナノ細線（ｎａｎｏｗｉｒｅ）、２次元ナノプレート（ｎａｎｏ  ｐｌａｔｅ）、及び超格子（ｓｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅ）薄膜を介しての製造が可能であるが、熱電素材の実用化のためには、バルク（ｂｕｌｋ）形態で高いＺＴを有するナノ構造体の素材の提供が求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−２２５１１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
Ｍｇ−Ｓｉ系熱電素材は、無毒性、低価原料、低い密度などの特徴により、中温用、特に車両用熱電発電素材への適用可能性が高い素材である。
本発明は、低い熱伝導度と高いパワーファクター（電気伝導度とゼーベック係数の二乗を掛けた値）とを同時に具現して、熱電性能の向上が可能なＭｇ‐Ｓｉ系熱電素材に対し、Ｍｇ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｂｉを特定の組成で含有するマトリックス相、並びに、Ｂｉ及びＭｇを特定の組成で含有するナノサイズの２次相を含むナノ複合体型熱電素材を提供することを課題とする。
【００１０】
従って本発明は、前記ナノ複合体型熱電素材及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一実施例によれば、Ｍｇ、Ｓｉ、Ａｌ及びＢｉを含み、下記［化学式１］で表わされるマトリックス相、及び、Ｂｉ及びＭｇを含み、下記［化学式２］で表される２次相を含むナノ複合体型熱電素材が提供される。
［化学式１］
Ｍｇ２−ｘＡｌｘＳｉ１−ｙＢｉｙ（０≦ｘ≦０．０４、０≦ｙ≦０．０４）
【００１２】
［化学式２］
Ｂｉ２Ｍｇ３±ｚ（０≦ｚ≦０．１）
【００１３】
前記マトリックス相はＳｎを更に含むことができ、この場合、下記［化学式３］で表すことができる。
［化学式３］
Ｍｇ２−ｘＡｌｘＳｉ１−ｙ−ｗＢｉｙＳｎｗ（０≦ｘ≦０．０４、０≦ｙ≦０．０４、０≦ｗ＜０．５）
【００１４】
一実施例で、前記２次相は、平均粒径が１〜５００ｎｍの大きさであってよく、マトリックス相１００重量部に対し０．１〜４．０重量部で含まれてよい。
更に、本発明の一実施例によって、（ａ）ナノ複合体原料粉末を準備する段階、及び、（ｂ）段階（ａ）で得られた前記ナノ複合体原料粉末を焼結してナノ複合体型熱電素材を製造する段階を含むナノ複合体型熱電素材の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明により、Ｍｇ、Ｓｉ、Ａｌ，及びＢｉを特定の組成で構成するマトリックス相、及び、Ｂｉ及びＭｇを特定の組成で構成する２次相を含むナノ複合体型熱電素材が、マトリックス相であるマトリックス内に、２次相がナノ介在物（ｎａｎｏｉｎｃｌｕｓｉｏｎ）の形態に形成されているので、マトリックス相と２次相の間に高密度の相境界（ｐｈａｓｅ  ｂｏｕｎｄａｒｙ）を形成する。このような相境界では、バンドベンディング（ｂａｎｄ  ｂｅｎｄｉｎｇ）によるキャリアフィルタリング（ｃａｒｒｉｅｒ  ｆｉｌｔｅｒｉｎｇ）効果によって増大されたゼーベック係数を表すだけでなく、このような相境界でのフォノン散乱で減少した格子熱伝導度を有することにより、ゼーベック係数の増大及び格子熱伝導度の低減を同時に具現して増大された性能指数特性を表すということが明らかになった。
【００１６】
したがって、本発明のナノ複合体型熱電素材は、高い熱電効率が求められる熱電デバイスに有用に用いられ得る。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明のナノ複合体型熱電素材のマトリックス相であるＭｇ２−ｘＡｌｘＳｉ１−ｙＢｉｙ、及び２次相であるＢｉ２Ｍｇ３ナノ介在物（ｎａｎｏｉｎｃｌｕｓｉｏｎ）構造を概略的に示した概路図である。
【図２】実施例１で製造された熱電素材の微細構造（Ｍｇ２−ｘＡｌｘＳｉ１−ｙＢｉｙマトリックス及びＢｉ２Ｍｇ３ナノ介在物）を示す走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）イメージである。
【図３】比較例、実施例１から４で製造された熱電素材の電気伝導度（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ）の測定結果である。
【図４】比較例、実施例１から４で製造された熱電素材のゼーベック係数（Ｓｅｅｂｅｃｋ  ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）の測定結果である。
【図５】比較例、実施例１から４で製造された熱電素材のパワーファクター（Ｐｏｗｅｒ  ｆａｃｔｏｒ）の測定結果である。
【図６】比較例、実施例１から４で製造された熱電素材の電荷密度とゼーベック係数の関係を示したピサレンコプロット（Ｐｉｓａｒｅｎｋｏ  ｐｌｏｔ）である。
【図７】比較例、実施例１から４で製造された熱電素材の熱伝導度（ｔｈｅｒｍａｌ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ）の測定結果である。
【図８】比較例、実施例１から４で製造された熱電素材の格子熱伝導度（ｌａｔｔｉｃｅ  ｔｈｅｒｍａｌ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ）の測定結果である。
【図９】比較例、実施例１から４で製造された熱電素材の性能指数（ＺＴ）の測定結果である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の実施例によって、Ｍｇ、Ｓｉ、Ａｌ及びＢｉを含み、下記［化学式１］で表されるマトリックス相、及び  Ｂｉ及びＭｇを含み、下記［化学式２］で表される２次相を含むナノ複合体型熱電素材が提供される。
［化学式１］
Ｍｇ２−ｘＡｌｘＳｉ１−ｙＢｉｙ（０≦ｘ≦０．０４，０≦ｙ≦０．０４）
［化学式２］
Ｂｉ２Ｍｇ３±ｚ（０≦ｚ≦０．１）
【００１９】
前記ナノ複合体型熱電素材は、ｎ−型半導体特性のマトリックス相に、ナノサイズのナノ介在物である２次相が内包（ｅｍｂｅｄｄｉｎｇ）されている状態で分散されることにより、新しい界面が形成され、実質的にナノ構造が導入される効果をもたらす。よって、前記界面でフォノンの散乱が増加して格子熱伝導度を低下させることができる。
【００２０】
更に、前記ナノ複合体型熱電素材は、マトリックス相と２次相の組成が互いに異なるので、前記マトリックス相と２次相との組成を調節してキャリアの選択的輸送を可能にすることができる。つまり、前記マトリックス相と２次相の組成を調節することにより、マトリックス相／２次相との界面でエネルギー障壁（ｂａｒｒｉｅｒ）の大きさを調節することができる。
【００２１】
前記エネルギー障壁の大きさを調節することにより、パワーファクター（Ｓ２σ）に対する寄与度が大きいキャリアのみを選択的に輸送するキャリアフィルタリング（ｃａｒｒｉｅｒ  ｆｉｌｔｅｒｉｎｇ）効果を得ることができる。前記キャリアフィルタリング効果によって、ゼーベック係数が増加し、結果的に性能指数を向上させることができる。
【００２２】
前記ナノ複合体型熱電素材における２次相は、マトリックス相の粒内（ｉｎｔｒａｇｒａｉｎ）に存在することができる。更に、前記２次相がマトリックス相の粒界（ｇｒａｉｎ  ｂｏｕｎｄａｒｙ）にも存在することができる。前記２次相は、原料粉末を熱処理する過程で、Ｍｇが揮発する過程中に形成される。
【００２３】
一実施例で、前記２次相はＢｉ２Ｍｇ３で表わすことができる。
前記ナノ複合体型熱電素材におけるナノサイズの２次相は、平均粒径１μｍ未満の大きさを有する２次相を意味する。例えば、前記２次相の平均粒径は１〜９００ｎｍであってよく、好ましくは平均粒径は１〜７００ｎｍであってよく、更に好ましくは、マトリックス相のキャリア平均自由行程（ｍｅａｎ  ｆｒｅｅ  ｐａｔｈ）より小さい粒径の１〜５００ｎｍであってよい。２次相がマトリックス相のキャリア平均自由行程（ｍｅａｎ  ｆｒｅｅ  ｐａｔｈ）より大きい場合は、フォノンのみならずキャリアも散乱し、電気伝導度の低下が発生することがあるので、ＺＴを増大させる効果が制限されることがある。
【００２４】
一実施例で、前記２次相は、マトリックス相１００重量部に対し、０．１〜４．０重量部の割合で含まれてよい。前記含量の範囲でナノ複合体型熱電素材がより向上した性能指数を提供することができる。
【００２５】
前記ナノ複合体型熱電素材は、前述したマトリックス相内に分散されたナノサイズの２次相構造及び特定の組成により、従来の熱電素材に比べて著しく向上したＺＴ値を提供することができる。つまり、前記ナノ複合体型熱電素材は８７３Ｋで１．０以上の性能指数（ＺＴ）を有することができる。
【００２６】
本発明のナノ複合体型熱電素材は、マトリックス相であるマトリックス内に２次相がナノ介在物の形態に形成されているので、マトリックス相と２次相の間に高密度の相境界を形成する。相境界密度は、３５０〜４２００ｃｍ２／ｃｍ３であってよい。
【００２７】
本発明のナノ複合体型熱電素材は、相境界でバンドベンディングによるキャリアフィルタリング効果で増大されたゼーベック係数を表すだけでなく、このような相境界でのフォノン散乱で減少した格子熱伝導度を表すことにより、ゼーベック係数の増大及び熱伝導度の低減を同時に具現して増大された性能指数特性を表す。
【００２８】
前記ナノ複合体型熱電素材はバルク相（ｂｕｌｋ）であってよい。前記バルク相ナノ複合体型熱電素材は、複合体原料粉末（ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ  ｂａｓｅ  ｍａｔｅｒｉａｌ  ｐｏｗｄｅｒ）の加圧焼結によって製造される加圧焼結体であってよい。
【００２９】
更に、本発明の一実施例によって、（ａ）段階：ナノ複合体原料粉末を準備する段階、及び（ｂ）段階：（ａ）で得られた前記ナノ複合体原料粉末を焼結してナノ複合体型熱電素材を収得する段階を含むナノ複合体型熱電素材の製造方法が提供される。
前記段階（ａ）段階は、ナノ複合体型熱電素材を製造するためのナノ複合体原料粉末を準備する段階である。
【００３０】
具体的に、熱電素材の前駆体（例えば、原料金属）を所定の割合で混合した後、１０〜９０ＭＰａの圧力で冷間圧縮して前駆体のペレットを製作することができる。以後、前駆体ペレットは、真空で２〜１０時間の間熱処理を介してナノ複合体型熱電素材を製造することができるが、必ずしもこのような条件に限定されず、熱電素材の性能指数を向上させることができる範囲内で適宜変更可能である。
【００３１】
以後、前記複合体原料は、ボールミル（ｂａｌｌ  ｍｉｌｌｉｎｇ）、アトリションミル（ａｔｔｒｉｔｉｏｎ  ｍｉｌｌｉｎｇ）、高エネルギーミル（ｈｉｇｈ  ｅｎｅｒｇｙ  ｍｉｌｌｉｎｇ）、ジェットミル（ｊｅｔ  ｍｉｌｌｉｎｇ）、乳鉢などで粉砕する方法などで粉砕可能であるが、必ずしもこれらに限定されず、乾式で原料を粉砕して粉末を製造する方法として当該技術分野で用いることができるものであれば、何れも使用が可能である。
【００３２】
前記（ｂ）段階は、（ａ）段階で得られた前記ナノ複合体原料粉末を焼結してナノ複合体型熱電素材を製造する段階である。
【００３３】
前記焼結は、通常用いられる焼結工程によって行われてよく、例えば、加圧焼結されることができる。具体的には、複合体原料粉末を所定形状のモールドに加えて、高温、例えば５００〜９００℃、及び高圧、例えば３０〜３００ＭＰａで成形するホットプレス法によって製造することができる。例えば、複合体原料粉末に高圧の条件で高電圧電流、例えば、３０〜３００ＭＰａの圧力条件で５０〜５００Ａを通電し、短い時間に材料を焼結するスパークプラズマ焼結法によって製造されてもよい。例えば、ナノ複合体型熱電素材原料粉末に加圧成形の際に、高温、例えば、５００〜９００℃を加えて押出焼結して加工するホットフォージング法によって製造されてもよい。
【００３４】
更に、前記焼結は、スパークプラズマ焼成法（Ｓｐａｒｋ  Ｐｌａｓｍａ  Ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ  ｍｅｔｈｏｄ）などを利用して、焼結が６００〜８００℃の温度、１〜１００ＭＰａの圧力及び真空で１〜１０分間行われてもよいが、必ずしもこのような条件に限定されず、前記ナノ複合体型熱電素材の性能指数を向上させ得る範囲内で適宜変更されてよい。
【００３５】
前記焼結工程によって製造されたナノ複合体型熱電素材は、理論値密度の７０〜１００％に達する密度を有することができる。前記理論値密度は、分子量を原子の体積で分けられて計算され、格子定数によって評価され得る。例えば、９５〜１００％の密度を有することになり、それによって一層増加した電気伝導度を示すことができる。
【００３６】
前記バルク相ナノ複合体型熱電素材は、多様な形態に製造可能なので、１ｍｍ以下の薄い高効率熱電素子を具現することができる。前記ナノ複合体型熱電素材はバルク相への製造が容易であり、バルク相でも高い性能指数を提供するので、商業的適用可能性が高い。
前記焼結過程で２次相が析出され、ナノ複合体型熱電素材が形成され得る。
【００３７】
以下、本発明を実施例及び試験例を介して更に詳しく説明する。しかし、下記実施例及び試験例は本発明を例示するためのものであって、本発明の範囲がこれに制限されるものではない。
【００３８】
［実施例１］
＜Ｍｇ１．９８Ａｌ０．０２Ｓｉ０．９７Ｂｉ０．０３＋Ｂｉ２Ｍｇ３（Ｍｇ１．９８Ａｌ０．０２Ｓｉ０．９７Ｂｉ０．０３の２．６％重量比）の製造＞
熱電素材の前駆体（例えば、原料金属）を所定の割合で混合した後、乳鉢で１０〜３０分間かき混ぜる。かき混ぜた原料の粉末を１０〜９０ＭＰａの圧力で冷間圧縮して前駆体ペレットを製作する。以後、圧縮した前駆体ペレットをボート型クオーツに装入し、これを円形ファーネスで真空下４〜１０時間の間熱処理して、Ｍｇ−Ｓｉ系ナノ複合体型熱電素材粉体を製造する。
【００３９】
以後、前記複合体原料は、乳鉢で粉砕を介して５０μｍ以下の粉末を製造する。
更に、スパークプラズマ焼成法（Ｓｐａｒｋ  Ｐｌａｓｍａ  Ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ  ｍｅｔｈｏｄ）を利用して６００〜８００℃の温度、１〜１００ＭＰａの圧力及び真空で１〜１０分間行う。
【００４０】
図２に示す通り、製造された熱電素材では、Ｍｇ１．９８Ａｌ０．０２Ｓｉ０．９７Ｂｉ０．０３マトリックス、及びマトリックス内に存在するＢｉ２Ｍｇ３ナノ介在物の構造を確認することができる。製造された熱電素材の全体組成は、誘導結合プラズマ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ、ＩＣＰ）分析によって確認した結果、Ｍｇ１．９８Ａｌ０．０２Ｓｉ０．９７Ｂｉ０．０３＋Ｂｉ２Ｍｇ３（Ｍｇ１．９８Ａｌ０．０２Ｓｉ０．９７Ｂｉ０．０３の２．６％重量比）であった。
【００４１】
［実施例２］
＜Ｍｇ１．９８Ａｌ０．０２Ｓｉ０．９６Ｂｉ０．０４＋Ｂｉ２Ｍｇ３（Ｍｇ１．９８Ａｌ０．０２Ｓｉ０．９６Ｂｉ０．０４の４．０％重量比）の製造＞
実施例１と同様の方法で複合熱電素材を製造した。
【００４２】
［実施例３］
＜Ｍｇ１．９６Ａｌ０．０４Ｓｉ０．９７Ｂｉ０．０３＋Ｂｉ２Ｍｇ３（Ｍｇ１．９６Ａｌ０．０４Ｓｉ０．９７Ｂｉ０．０３の１．７％重量比）の製造＞
実施例１と同様の方法で複合熱電素材を製造した。
【００４３】
［実施例４］
＜Ｍｇ１．９６Ａｌ０．０４Ｓｉ０．９６Ｂｉ０．０４＋Ｂｉ２Ｍｇ３（Ｍｇ１．９６Ａｌ０．０４Ｓｉ０．９６Ｂｉ０．０４の２．４％重量比）の製造＞
実施例１と同様の方法で複合熱電素材を製造した。
【００４４】
［比較例１］
下記参考文献に記載された方法に従って、熱電素材の前駆体（例えば、原料金属）を所定の割合で混合した後、１時間の間ボールミルを行った。以後、５００ＭＰａの圧力で冷間圧縮して前駆体のペレットを製作し、真空で１時間の間熱処理してＭｇ−Ｓｉ系熱電素材粉体を製造した。
以後、前記原料は、ホットプレス焼成法（Ｈｏｔ  Ｐｒｅｓｓ  Ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ  ｍｅｔｈｏｄ）を利用して７００〜９００℃の温度、１〜１００ＭＰａの圧力、及び真空で３０〜１００分間行った。
参考文献：Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  ａｎｄ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ｏｆ  Ｓｏｌｉｄｓ，７５，（２０１４），Ｐ９８４．
【００４５】
［試験例１］
＜電気伝導度、ゼーベック係数及びパワーファクターの測定＞
ＵＬＶＡＣ−ＲＩＫＯ社のＺＥＭ−３を利用して、比較例及び実施例１〜４で製造した熱電素材の、電気伝導度及びゼーベック係数を測定し、その結果をそれぞれ図３及び図４に示した。電気伝導度とゼーベック係数の測定結果からパワーファクターを算出して図５に示した。
【００４６】
実施例１〜４は、比較例と比べたとき、電気伝導度は低いものの、ゼーベック係数が高い値を表した。これはバンドバンディングによるキャリアフィルタリング効果によるものと判断することができる。したがって、図５に示す通りにパワーファクターを算出したとき、実施例１〜４で製造した熱電素材が、比較例で製造された熱電素材に比べて約２０％の増加を表した。
【００４７】
［試験例２］
＜熱伝導度、パワーファクター及び性能指数（ＺＴ）の測定＞
Ｎｅｔｚｓｃｈ  ＬＦＡ−４５７（レーザフラッシュ法）を利用して測定した熱拡散率（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｄｉｆｆｕｓｉｖｉｔｙ）から熱伝導度を計算し、図７に示した。前記結果から計算された格子熱伝導度及び熱電性能指数（ＺＴ）は、それぞれ図８及び９に示した。
【００４８】
図７、８に示すように、比較例に比べて実施例１〜４で、熱伝導度が減少したことを確認できた。これは相境界でのフォノン散乱によって減少したものと判断することができる。従って、最終的に図９で熱電性能指数を算出したとき、実施例１〜４で製造した熱電素材と、比較例で製造した熱電素材と、を比べると、パワーファクターの増加と熱伝導度の減少とを介して熱電性能指数が約４５％の増加を示した。
【００４９】
［分析例１］
＜ピサレンコプロット（Ｐｉｓａｒｅｎｋｏ  ｐｌｏｔ）の導出＞
ファンデルパウコンフィギュレーション（ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｐａｕｗ  ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ）法を利用して測定したキャリア濃度から、ゼーベック係数との相関関係を見せたピサレンコプロットを導出し、図６に示す。
比較例、実施例１〜４で製造した熱電素材の電子構造の変形により、電子の有効質量値が変化することを確認することができた。
【図１】
0006727033.tif 000003
【図２】
0006727033.tif 000004
【図３】
0006727033.tif 000005
【図４】
0006727033.tif 000006
【図５】
0006727033.tif 000007
【図６】
0006727033.tif 000008
【図７】
0006727033.tif 000009
【図８】
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【図９】
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