(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体と、
前記導体の外周に配置され、ポリフェニレンサルファイド樹脂を含む樹脂組成物からなる絶縁層と、を備え、
前記絶縁層は、その表面にエネルギ８ｋｅＶ（波長０．１５４ｎｍ）のＸ線を照射して得られるＸ線回折の２θ／θ法で測定したときに、前記ポリフェニレンサルファイド樹脂の（１１０）面に由来する回折ピークの半値幅が０．７°以上０．８°以下となるように構成されている、絶縁電線。
【請求項２】
前記ポリフェニレンサルファイド樹脂の（１１０）面に由来する前記回折ピークは２θ＝１７°〜２０°の範囲内にある、請求項１に記載の絶縁電線。
【請求項３】
前記絶縁層の結晶化度が９５％以上１００％以下である、請求項１または２に記載の絶縁電線。
【請求項４】
溶融させた、ポリフェニレンサルファイド樹脂を含む樹脂組成物を、導体の外周に被覆させる被覆工程と、
溶融する前記樹脂組成物を硬化させて絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、を有し、
前記絶縁層形成工程では、前記樹脂組成物を１１５℃以上１６０℃以下の温度で熱処理して前記ポリフェニレンサルファイド樹脂を結晶化させることにより、前記絶縁層を、その表面にエネルギ８ｋｅＶ（波長０．１５４ｎｍ）のＸ線を照射して得られるＸ線回折の２θ／θ法で測定したときに、前記ポリフェニレンサルファイド樹脂の（１１０）面に由来する回折ピークの半値幅が０．７°以上０．８°以下となるように形成する、絶縁電線の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁層形成工程では、溶融する前記樹脂組成物を過冷却状態となるように１１５℃以上１６０℃以下の範囲内の温度Ｔ1まで急冷却し、その後、１１５℃以上前記温度Ｔ1以下の温度範囲に保持して熱処理する、請求項４に記載の絶縁電線の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁電線およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁電線は、電気機器に電力を供給したり電気信号を伝達したりするために用いられている。絶縁電線には、導体の外周を被覆するように絶縁層が設けられており、絶縁層は一般に樹脂材料を用いて形成される。
【０００３】
絶縁層を押出成形により形成する場合、樹脂材料としては熱可塑性樹脂が用いられる。絶縁層を形成する熱可塑性樹脂としては、高強度かつ高耐熱のスーパーエンプラの一種であるポリフェニレンサルファイド樹脂（以下、ＰＰＳ樹脂ともいう）が着目されている。ＰＰＳ樹脂は、融点が２８０℃と高いだけでなく、耐薬品性や難燃性にも優れるため、高温環境で使用される絶縁電線の被覆材料として有用である（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４１７７２９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＰＰＳ樹脂を用いて絶縁層を形成する場合、ＰＰＳ樹脂の結晶化度が低く、ＰＰＳ樹脂が非晶質状態であると、絶縁層が例えばＰＰＳ樹脂のガラス転移点以上に加熱されたときに、ＰＰＳ樹脂が再結晶し始める前に軟化して、絶縁層が変形してしまうことがある。また、結晶化度が低いと、絶縁層の耐薬品性が低くなる傾向がある。そのため、ＰＰＳ樹脂で絶縁層を形成する場合は、結晶化度が高くなるように絶縁層を形成する必要がある。具体的には、加熱により溶融させたＰＰＳ樹脂を押出成形した後、溶融するＰＰＳ樹脂を結晶化温度以上に一定時間保持したり、一旦冷却させたＰＰＳ樹脂を結晶化温度以上まで再加熱したりすることで、ＰＰＳ樹脂の結晶化度を高める必要がある。
【０００６】
しかしながら、ＰＰＳ樹脂は、結晶化度が高くなるほど、弾性率が高くなるため、結晶化度が高くなるように絶縁層を形成すると、絶縁層の引張伸びが低下することがある。絶縁層の引張伸びが低いと、絶縁電線を伸張して屈曲させにくくなるので、例えば、絶縁電線を屈曲させてコイルを作製しにくくなる等、絶縁電線の加工性が損なわれてしまう。
【０００７】
そこで、本発明は、ポリフェニレンサルファイド樹脂を含む絶縁層において、結晶化度および引張伸びを高い水準で両立する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、
導体と、
前記導体の外周に配置され、ポリフェニレンサルファイド樹脂を含む樹脂組成物からなる絶縁層と、を備え、
前記絶縁層は、その表面にエネルギ８ｋｅＶ（波長０．１５４ｎｍ）のＸ線を照射して得られるＸ線回折の２θ／θ法で測定したときに、前記ポリフェニレンサルファイド樹脂の（１１０）面に由来する回折ピークの半値幅が０．７°以上０．８°以下となるように構成されている、絶縁電線が提供される。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、
溶融させた、ポリフェニレンサルファイド樹脂を含む樹脂組成物を、導体の外周に被覆させる被覆工程と、
溶融する前記樹脂組成物を硬化させて絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、を有し、
前記絶縁層形成工程では、前記樹脂組成物を１１５℃以上１６０℃以下の温度で熱処理して前記ポリフェニレンサルファイド樹脂を結晶化させることにより、前記絶縁層を、その表面にエネルギ８ｋｅＶ（波長０．１５４ｎｍ）のＸ線を照射して得られるＸ線回折の２θ／θ法で測定したときに、前記ポリフェニレンサルファイド樹脂の（１１０）面に由来する回折ピークの半値幅が０．７°以上０．８°以下となるように形成する、絶縁電線の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ポリフェニレンサルファイド樹脂を含む絶縁層において、結晶化度を高くするとともに、高い加工性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態に係る絶縁電線の長さ方向に垂直な断面図である。
【図２】実施例１で形成した絶縁層のＸ線回折パターンを示す図である。
【図３】比較例１で形成した絶縁層のＸ線回折パターンを示す図である。
【図４】比較例４で形成した絶縁層のＸ線回折パターンを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明者らは、ＰＰＳ樹脂を結晶化させる温度条件を種々変更したときに、結晶化度が同じになるように結晶化させたにもかかわらず、結晶化の温度条件によって、絶縁層の引張伸びに差が生じることを見出した。具体的には、ＰＰＳ樹脂の結晶化度を例えば１００％まで高めるときに、結晶化温度域でも、比較的低い温度で結晶化させる場合では、高い温度で結晶化させる場合よりも、絶縁層の引張伸びが高くなることを見出した。
【００１３】
本発明者らは、この引張伸びの差が、ＰＰＳ樹脂における結晶の格子間隔や結晶子サイズの違いに起因するものと考えた。そこで、ＰＰＳ樹脂を各種温度条件で結晶化させ、Ｘ線回折測定を行うことにより、その結晶構造を解析した。得られたＸ線回折パターンを検討したところ、結晶化させるときの温度を低くするほど、ＰＰＳ樹脂の単一の格子面である（１１０）面に由来する回折ピークの半値幅が大きくなることが確認された。回折ピークの半値幅は、ＰＰＳ樹脂の結晶子サイズの影響を受けており、結晶子サイズが微細なほど、大きくなる。すなわち、低温度で結晶化させた場合では、結晶成長速度が緩やかで結晶子サイズが小さくなったため、半値幅が大きくなったものと考えられる。
【００１４】
また、本発明者らは、ＰＰＳ樹脂の（１１０）面に由来する回折ピークの半値幅と絶縁層の引張伸びとの関係について検討したところ、低温度で結晶化させ、半値幅が大きくなるようにすると、絶縁層の引張伸びを向上できることが分かった。これは、半値幅が大きく、結晶子サイズが小さくなるほど、ＰＰＳ樹脂の、引張りなどの変形に対する耐性が高くなるためと考えられる。しかし、半値幅を過度に大きくすると、高い引張伸びは得られるものの、十分な結晶化度を得られなくなることがある。これらを両立できるような範囲を検討したところ、（１１０）面に由来する回折ピークの半値幅が０．７°〜０．８°の範囲内となるように結晶化させるとよいことが見出された。また、このような半値幅とするには、ＰＰＳ樹脂を１１５℃〜１６０℃という比較的低い温度で結晶化させるとよいことが見出された。
【００１５】
本発明は、上記知見に基づいて成されたものであり、以下のとおりである。
【００１６】
＜本発明の一実施形態＞
以下、本発明の一実施形態について説明する。
なお、本明細書において、ポリフェニレンサルファイド樹脂の結晶化度αは、示差走査熱量測定で、昇温時に非晶質部が結晶化する熱量を（Ａ）、結晶がすべて融解する熱量、もしくは一旦融解させた後に冷却させるときに結晶化する熱量を（Ｂ）としたとき、下記式（１）で示される。
結晶化度α＝（１−（Ａ）／（Ｂ））×１００［％］…（１）
また、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
また、半値幅とは、ピーク値の５０％になる回折角の全幅である。
【００１７】
（絶縁電線の構成）
まず、本実施形態の絶縁電線の構成について図面を用いて説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る絶縁電線の長さ方向に垂直な断面図である。
【００１８】
図１に示すように、絶縁電線１は、導体１１と、導体１１の外周に配置される絶縁層１２と、を備えて構成されている。
【００１９】
導体１１としては、導電性の高い金属からなる金属線、例えば、低酸素銅や無酸素銅からなる銅線、アルミニウム線などを用いることができる。図１では、導体１１が略矩形断面を有する平角線の場合を示すが、導体１１としては平角線に限定されず、例えば円形断面を有する丸線を用いることもできる。また、導体１１としては、複数の丸線を撚り合わせて形成された撚り線を用いることもできる。なお、導体１１は表面に錫やニッケル等の金属メッキが施されていてもよい。
【００２０】
導体１１の外周上には、導体１１を被覆するように絶縁層１２が設けられている。絶縁層１２は、詳細を後述するように、溶融させたＰＰＳ樹脂を含む樹脂組成物を導体１１の外周上に押し出して被覆させ、所定の熱処理でＰＰＳ樹脂を結晶化させることよって形成されている。所定の熱処理を施されることで、絶縁層１２は、その表面をＸ線回折の２θ／θ法により測定したときに、ＰＰＳ樹脂の（１１０）面に由来する回折ピークの半値幅が０．７°以上０．８°以下となるように構成される。
【００２１】
ここで、本実施形態の絶縁層１２をＸ線回折の２θ／θ法により測定したときに得られるＸ線回折パターンについて説明する。
ＰＰＳ樹脂を含む絶縁層１２のＸ線回折パターンは、後述の実施例で詳述するが、例えば、絶縁層１２の表面にエネルギ８ｋｅＶ（波長０．１５４ｎｍ）のＸ線を照射して２θ／θ法で測定したときに得られ、図２に示すようなものとなる。このＸ線回折パターンにおいて、ＰＰＳ樹脂の（１１０）面に由来する回折ピークは、２θ＝１７°〜２０°の範囲内にある。この（１１０）面に由来する回折ピークの半値幅が０．７°〜０．８°となるように構成されることで、絶縁層１２は、結晶化度が高く、かつ加工性に優れるような適度な引張伸びを有することになる。半値幅が０．７°未満となる場合、ＰＰＳ樹脂の結晶化度が高くなるため、絶縁層１２は耐薬品性などに優れることになるが、引張伸びが低くなるため、例えばコイルに加工する際に絶縁層１２が割れたり、導体１１から剥離したりして加工性が低くなってしまう。一方、半値幅が０．８°を超える場合では、絶縁層１２は加工性には優れるが、十分な結晶化度が得られなくなる。
【００２２】
絶縁層１２を形成するＰＰＳ樹脂は、ｐ−フェニレンサルファイドからなる繰り返し単位以外に、スルフォキシド基やエーテル基を含んでもよく、またベンゼン環に置換基を含んでもよい。さらに、分子鎖にチオエーテル基やエーテル基などを介して分岐構造や架橋構造を有していてもよい。
【００２３】
ＰＰＳ樹脂の結晶化度は、上記半値幅が０．７°〜０．８°となれば特に限定されないが、絶縁層１２の耐変形性や耐薬品性の観点からは９５％〜１００％が好ましく、１００％であることがより好ましい。
【００２４】
なお、樹脂組成物には、絶縁層１２の諸特性を向上させることを目的として、ＰＰＳ樹脂以外に他の熱可塑性樹脂やエラストマを配合してもよい。また、相溶化剤などの添加剤を配合してもよい。また、絶縁層１２の厚さは、絶縁電線１に要求される電気特性に応じて、適宜変更するとよい。
【００２５】
（絶縁電線の製造方法）
次に、上述した絶縁電線１の製造方法について説明する。本実施形態の絶縁電線１の製造方法は、導体１１、およびＰＰＳ樹脂を含む樹脂組成物を準備する準備工程と、導体１１に樹脂組成物を被覆させる被覆工程と、被覆させた樹脂組成物を冷却させて絶縁層１２を形成する絶縁層形成工程とを有している。
【００２６】
（準備工程）
まず、導体１１を準備する。また、絶縁層１２を形成するための、ＰＰＳ樹脂を含む樹脂組成物を準備する。
【００２７】
（被覆工程）
続いて、導体１１の外周上に、加熱により溶融させた樹脂組成物を押し出して被覆させる。
【００２８】
（絶縁層形成工程）
続いて、溶融させた樹脂組成物を冷却して硬化させて絶縁層１２を形成する。このとき、樹脂組成物を熱処理することにより、樹脂組成物に含まれるＰＰＳ樹脂を結晶化させ、その結晶化度を高める。ここでの熱処理とは、溶融する樹脂組成物の温度を、融点からＰＰＳ樹脂が結晶化する結晶化温度域まで下げて、結晶化温度域に所定時間保持することを示す。ＰＰＳ樹脂の結晶化温度は１０５℃〜２５５℃の範囲であるが、本実施形態では、１１５℃〜１６０℃という、結晶化温度域の中でも比較的低い温度側で結晶化を行うことにより、ＰＰＳ樹脂の（１１０）面のピーク半値幅が０．７°〜０．８°となるようにしている。
【００２９】
具体的に説明すると、まず、溶融させたＰＰＳ樹脂を含む樹脂組成物を、結晶化温度域である１１５℃〜１６０℃の範囲内の温度Ｔ１（１１５℃≦Ｔ１≦１６０℃）まで急冷却する。これにより、溶融する樹脂組成物を過冷却状態とし、ＰＰＳ樹脂内に多数の結晶核を発生させる。
続いて、温度Ｔ１まで冷却した樹脂組成物を１１５℃以上温度Ｔ１以下の温度範囲に保持する。ここで、所定の温度範囲に保持するとは、例えば、１３０℃まで急冷却した樹脂組成物を１１５℃まで徐冷したり、１３０℃の温度に一定に保ったりすることを示す。このように急冷却した樹脂組成物を所定の温度範囲に保持することにより、樹脂組成物に含まれるＰＰＳ樹脂の結晶核を成長させて結晶化を進行させる。本実施形態では、比較的低い温度域で結晶化を進行させることにより、結晶成長速度を緩やかにしてＰＰＳ樹脂の結晶子サイズを小さくし、半値幅を所定範囲に制御することができる。
最終的に、所定時間結晶化させて所望の結晶化度とした後、樹脂組成物を結晶化温度域よりも低い温度まで冷却し、硬化させることで絶縁層１２を得る。この絶縁層１２は、ＰＰＳ樹脂の結晶化度が例えば９５％〜１００％と高く、ＰＰＳ樹脂の（１１０）面に由来する回折ピークの半値幅が０．７°〜０．８°となるように形成されることになる。
このように樹脂組成物を急冷却することにより過冷却状態とし、比較的低い温度域で結晶化させることで、結晶成長速度を緩やかにすることができ、結晶子サイズが小さく、半値幅が０．７°〜０．８°となるような絶縁層１２を形成することができる。
【００３０】
熱処理における温度Ｔ１は、１１５℃〜１６０℃の範囲内であれば、特に限定されず、適宜変更することが可能である。熱処理において、樹脂組成物を結晶化温度域に保持する時間は、絶縁層１２におけるＰＰＳ樹脂の結晶化度を９５％〜１００％の範囲内にできれば特に限定されない。
【００３１】
樹脂組成物の冷却方法としては、樹脂組成物を過冷却状態となるように急冷却できる方法であれば特に限定されず、例えば、冷却速度の速い水冷や強制冷却などが挙げられる。水冷では、例えば、導体１１の外周に樹脂組成物を押出被覆した後、水槽に導入して冷却するとよい。強制冷却では、例えば、導体１１の外周に樹脂組成物を押出被覆した後、冷風を強く吹きあてるとよい。なお、一般的な空冷では、冷却速度が遅く、樹脂組成物を冷却している間に結晶化が進行してしまうため、粗大結晶化が生じ、半値幅を上記範囲内に制御することが困難となる。
【００３２】
なお、本実施形態では、絶縁層形成工程にて、溶融させた樹脂組成物を冷却させて絶縁層１２を形成するまでの間に、樹脂組成物を、ＰＰＳ樹脂の結晶化温度域に保持するように熱処理しているが、本発明はこれに限定されない。例えば、樹脂組成物を結晶化温度域よりも低い温度まで一旦急冷して、絶縁層１２を結晶化度の低い状態で形成した後、この絶縁層を結晶化温度域まで再加熱し、再結晶させて結晶化度を高めるように熱処理してもよい。ただし、再加熱により再結晶させる場合、再結晶が始まる前にＰＰＳ樹脂の非晶質部が軟化し、絶縁層１２が変形してしまうおそれがあるので、好ましくは、上述したように、溶融する樹脂組成物の温度を下げて結晶化温度域に保持して結晶化させるとよい。
【００３３】
以上説明したように、本実施形態によれば、絶縁層１２は、ＰＰＳ樹脂を含む樹脂組成物からなり、その表面をＸ線回折の２θ／θ法で測定したときに、ＰＰＳ樹脂の（１１０）面に由来する回折ピークの半値幅が０．７°以上０．８°以下となるように構成されている。ＰＰＳ樹脂は、（１１０）面の半値幅が所定範囲となる結晶状態であるので、結晶化度が高いにもかかわらず、適度な弾性率を有することになる。そのため、絶縁層１２は、耐変形性や耐薬品性などに優れるだけでなく、引張伸びが高く加工性にも優れているので、絶縁電線１に延伸加工や曲げ加工などを施しても絶縁層１２の剥離や割れを抑制することができる。
【００３４】
また、ＰＰＳ樹脂を含む樹脂組成物を比較的低い温度で熱処理することでＰＰＳ樹脂を結晶化させることで、ＰＰＳ樹脂の（１１０）面に由来する回折ピークの半値幅を０．７°〜０．８°の範囲に制御することができる。
【実施例】
【００３５】
次に、本発明について実施例に基づき、さらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。
【００３６】
＜絶縁電線の作製＞
（実施例１）
まず、導体として、断面が３．０ｍｍ×１．５ｍｍの矩形断面である平角銅線を準備した。続いて、この平角銅線の外周にＰＰＳ樹脂を厚さ２００μｍで押出被覆し、ＰＰＳ樹脂で被覆された平角銅線を水槽に導入した。水槽にて、下記表１に示すように所定時間、ＰＰＳ樹脂を水冷（一次冷却）して、ＰＰＳ樹脂の温度を１４５℃まで急冷却した。その後、水槽から平角銅線を取り出し、空中を４０秒間、搬送させることで、ＰＰＳ樹脂の温度を１４５℃から１１５℃まで徐冷した。徐冷により結晶化を進めた後、平角銅線を水槽に導入して冷却（二次冷却）し、ＰＰＳ樹脂の温度を室温まで下げ、絶縁層を形成することで、実施例１の絶縁電線を作製した。
【００３７】
（実施例２）
実施例２では、一次冷却の時間を長くして、ＰＰＳ樹脂を結晶化させるときの温度を実施例１よりも低くし、１１５℃〜１３５℃とした以外は、実施例１と同様に絶縁電線を作製した。
【００３８】
（比較例１〜５）
比較例１〜５では、下記表１に示すように、一次冷却の時間を適宜変更し、ＰＰＳ樹脂を結晶化させる温度を変えて絶縁層を形成した以外は、実施例１と同様に絶縁電線を作製した。
【００３９】
【表１】
0006699299.tif 000002
【００４０】
＜評価方法＞
作製した絶縁電線について、形成した絶縁層を以下の方法により評価した。
【００４１】
（半値幅）
作製した絶縁電線の絶縁層に、エネルギ８ｋｅＶのＸ線を長手方向に照射し、２θ／θ法により２θ＝１０°〜３２°の範囲でＸ線回折測定を行い、得られたＸ線回折パターンをフィッティングした。その結果を図２に示す。図２は、実施例１で形成した絶縁層のＸ線回折パターンを示す図である。なお、フィッティング関数としては、ガウス関数とローレンツ関数を１：１で合成した波形を用いた。
【００４２】
図２において、１は実測データとフィッティングの合成ピークが重なったものを、２はフィッティングで抽出されたＰＰＳ樹脂の（１１０）ピークを、３は（１０２）、（１１１）および（２００）の合成ピークを、４は（１１２）ピークを、５は（２０２）および（２１１）の合成ピークを、６はＰＰＳ樹脂のアモルファスピークを、７はベースラインを、それぞれ示す。
【００４３】
（結晶化度）
絶縁層におけるＰＰＳ樹脂の結晶化度を示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により測定した。具体的には、絶縁層を１０℃／分で３００℃まで昇温させた後、１０℃／分で室温まで降温させ、昇温時の再結晶化ピーク熱量（Ａ）と降温時の結晶化ピーク熱量（Ｂ）から（１−Ａ／Ｂ）×１００（％）で求めた。
【００４４】
（引張伸び）
絶縁層の引張伸びについては、以下の３つの試験により評価した。
まず、延伸試験として、絶縁電線を３０％延伸し、真っ直ぐに伸ばしたときに絶縁層の浮きや亀裂を観察し、浮きや亀裂がなければ合格「○」、あれば不合格「×」とした。
続いて、曲げ試験（１）として、絶縁電線を３０％延伸させた後、平角な絶縁電線の長辺側の面内で内径が５ｍｍとなるように１８０°曲げ加工を施し、絶縁層の浮きや割れがなければ合格「○」、あれば不合格「×」とした。
続いて、曲げ試験（２）として、上記曲げ試験（１）において、１８０°曲げ加工を内径が２ｍｍとなるように施し、絶縁層の浮きや割れがなければ合格「○」、あれば不合格「×」とした。
【００４５】
＜評価結果＞
評価結果を表１にまとめる。
実施例１では、ＰＰＳ樹脂の結晶化度が１００％であり、ＰＰＳ樹脂の（１１０）面に由来する回折ピークの半値幅が０．７６°であることが確認された。そして、引張伸びについても、いずれの試験にも合格することが確認された。このことから、実施例１では、絶縁層の結晶化度を高くするとともに、引張伸びを高くできることが確認された。実施例２についても実施例１と同様に、結晶化度を高くするとともに、引張伸びを高くできることが確認された。
これに対して、比較例１では、一次冷却時間を実施例１よりも短くして、より高い温度で結晶化を行ったため、図３に示すように半値幅が０．７°〜０．８°の範囲外となり、引張伸びが低くなることが確認された。比較例２についても比較例１と同様の結果となることが確認された。
また、比較例３では、比較例１、２より一次冷却時間を長くしたが、まだ結晶化温度が若干高く、結晶粒が大きくなったため、半値幅が０．７°〜０．８°の範囲外となり、曲げ試験（１）は合格したが、曲げ試験（２）の不合格が確認された。
また、比較例４では、一次冷却時間を実施例１よりも長くして、結晶化をより低い温度で行ったため、結晶化が十分に進まず、結晶化度が６７％と過度に低いことが確認された。また、図４に示す比較例４のＸ線回折パターンのように、半値幅が０．８６°と高くなってしまうことが確認された。比較例５についても比較例４と同様の結果となることが確認された。
【００４６】
以上のように、ＰＰＳ樹脂の（１１０）面に由来する回折ピークの半値幅が０．７°〜０．８°となるように絶縁層を形成することにより、結晶化度を高くするとともに、引張伸びを高くできることが確認された。
【００４７】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
【００４８】
［付記１］
本発明の一態様によれば、
導体と、
前記導体の外周に配置され、ポリフェニレンサルファイド樹脂を含む樹脂組成物からなる絶縁層と、を備え、
前記絶縁層は、その表面をＸ線回折の２θ／θ法で測定したときに、前記ポリフェニレンサルファイド樹脂の（１１０）面に由来する回折ピークの半値幅が０．７°以上０．８°以下となるように構成されている、絶縁電線が提供される。
【００４９】
［付記２］
付記１の絶縁電線において、好ましくは、
前記ポリフェニレンサルファイド樹脂の（１１０）面に由来する前記回折ピークは２θ＝１７°〜２０°の範囲内にある。
【００５０】
［付記３］
付記１又は２の絶縁電線において、好ましくは、
前記絶縁層の結晶化度が９５％以上１００％以下である。
【００５１】
［付記４］
本発明の他の態様によれば、
溶融させた、ポリフェニレンサルファイド樹脂を含む樹脂組成物を、導体の外周に被覆させる被覆工程と、
溶融する前記樹脂組成物を硬化させて絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、を有し、
前記絶縁層形成工程では、前記樹脂組成物を１１５℃以上１６０℃以下の温度で熱処理して前記ポリフェニレンサルファイド樹脂を結晶化させることにより、前記絶縁層を、その表面をＸ線回折の２θ／θ法で測定したときに、前記ポリフェニレンサルファイド樹脂の（１１０）面に由来する回折ピークの半値幅が０．７°以上０．８°以下となるように形成する、絶縁電線の製造方法が提供される。
【００５２】
［付記５］
付記４の絶縁電線の製造方法において、好ましくは、
前記絶縁層形成工程では、溶融する前記樹脂組成物を過冷却状態となるように１１５℃以上１６０℃以下の範囲内の温度Ｔ１まで急冷却し、その後、１１５℃以上前記温度Ｔ１以下の温度範囲に保持して熱処理する。
【符号の説明】
【００５３】
１  絶縁電線
１１  導体
１２  絶縁層
【図１】
0006699299.tif 000003
【図２】
0006699299.tif 000004
【図３】
0006699299.tif 000005
【図４】
0006699299.tif 000006