(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層インダクタにスイッチが接続された可変インダクタンス回路であって、
前記積層インダクタは、高さ方向がＺ方向となり、長辺に沿った長さ方向がＸ方向となり、短辺に沿った幅方向をＹ方向となった直方体状に形成され、
前記積層インダクタは、
絶縁体層とコイルパターンとが交互に複数積層され、複数の前記コイルパターンが前記絶縁体層内のビアを介して接続された螺旋状のコイルを有する積層体と、
前記コイルのうち互いに異なる位置に接続され、前記コイルを複数のコイル部分に区切る複数の接続部と、
前記積層体のうち前記Ｘ方向と前記コイルの巻き方向である前記Ｙ方向とに平行な一側面に形成され、複数の前記接続部とそれぞれ電気的に接続された複数の外部電極と、を備え、
前記外部電極は、前記積層体の前記一側面に４個以上形成され、
４個以上の前記外部電極は、前記Ｘ方向に対して互いに等間隔に離間して配置され、
前記スイッチの両端は、前記Ｘ方向に対して隣り合った互いに異なる前記外部電極にそれぞれ電気的に接続され、
前記接続部は、前記各コイル部分のインダクタンスが互いに異なる値となるような位置に形成され、
４個以上の前記外部電極と前記スイッチとの間の配線は、同一の長さであることを特徴とする可変インダクタンス回路。
【請求項２】
前記接続部は、前記各コイル部分のインダクタンスが２の累乗に応じた比率となる位置に形成されることを特徴とする請求項１に記載の可変インダクタンス回路。
【請求項３】
前記接続部は、前記コイルパターンを用いて形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の可変インダクタンス回路。
【請求項４】
前記接続部は、柱状の導体を用いて形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の可変インダクタンス回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層インダクタとスイッチとを備えた可変インダクタンス回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、複数の入力端子と複数の出力端子とを有するコイルを備えたインダクタが知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載されたインダクタは、複数の入力端子と複数の出力端子との組み合わせが変わるように、入力端子と出力端子との接続をスイッチを用いて切り替えることによって、インダクタンスを異なる値に設定することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１４７０４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１に記載されたインダクタでは、コイルパターンの中心部に設けられたビアを介して複数のコイルパターンを接続することによって、コイルを構成している。また、出力端子がコイルの内周部に設けられている。これにより、空芯のコイルと比べてインダクタのＱ値が低くなってしまうという問題がある。
【０００５】
さらに、特許文献１のインダクタでは、コイル内周部とコイル外周部に、複数の入出力端子を設けているため、各入出力端子とスイッチとの間の配線の長さが異なってしまい、回路の設計が複雑となってしまうという問題がある。
【０００６】
本発明は前述の問題に鑑みなされたものであり、本発明の目的は、インダクタンスのＱ値を高くすることができると共に、回路の設計が容易な可変インダクタンス回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、請求項１の発明は、積層インダクタにスイッチが接続された可変インダクタンス回路であって、前記積層インダクタは、高さ方向がＺ方向となり、長辺に沿った長さ方向がＸ方向となり、短辺に沿った幅方向をＹ方向となった直方体状に形成され、前記積層インダクタは、絶縁体層とコイルパターンとが交互に複数積層され、複数の前記コイルパターンが前記絶縁体層内のビアを介して接続された螺旋状のコイルを有する積層体と、前記コイルのうち互いに異なる位置に接続され、前記コイルを複数のコイル部分に区切る複数の接続部と、前記積層体のうち前記Ｘ方向と前記コイルの巻き方向である前記Ｙ方向とに平行な一側面に形成され、複数の前記接続部とそれぞれ電気的に接続された複数の外部電極と、を備え、前記外部電極は、前記積層体の前記一側面に４個以上形成され、４個以上の前記外部電極は、前記Ｘ方向に対して互いに等間隔に離間して配置され、前記スイッチの両端は、前記Ｘ方向に対して隣り合った互いに異なる前記外部電極にそれぞれ電気的に接続され、前記接続部は、前記各コイル部分のインダクタンスが互いに異なる値となるような位置に形成され、４個以上の前記外部電極と前記スイッチとの間の配線は、同一の長さであることを特徴としている。
【０００８】
請求項２の発明では、前記接続部は、前記各コイル部分のインダクタンスが２の累乗に応じた比率となる位置に形成されることを特徴としている。
【０００９】
請求項３の発明では、前記接続部は、前記コイルパターンを用いて形成されることを特徴としている。
【００１０】
請求項４の発明では、前記接続部は、柱状の導体を用いて形成されることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１の発明によれば、外部電極を積層体のうちコイルの巻き方向に平行な一側面に形成しているので、可変インダクタンス回路全体のインダクタンスのＱ値を高くすることができる。即ち、外部電極をコイルの外周部に設けているので、ビアや外部電極をコイルの内周部に設けた場合に比べて、コイル全体の面積を増加させることができる。この結果、コイルのインダクタンスを高めると同時にＱ値を高めることができ、ＲＦ回路の高性能化に貢献可能となる。
【００１３】
また、請求項１の発明によれば、積層体の一側面に設けられた外部電極を介して、コイルに形成された複数の接続部とスイッチとを接続している。これにより、コイルの内周部に外部電極が設けられた場合と比べて、コイルとスイッチまでの配線を短くすることができる。また、複数の外部電極を積層体の同一面に設けているので、複数の外部電極を積層体の異なる面にそれぞれ設けた場合と比べて、配線を一様にすることができる。この結果、可変インダクタンス回路の設計を容易に行うことができる。
【００１４】
また、複数の接続部は、複数のコイルパターンにより形成された螺旋状のコイルを、互いにインダクタンスが異なる複数のコイル部分に区切っている。これにより、スイッチを用いて各コイル部分の組み合わせを変更することにより、インダクタンスの値を容易に変えることができる。この結果、各コイル部分のインダクタンスが同一の場合と比べて、少ないスイッチ数で幅広い範囲のインダクタンスを取得することができるので、インダクタンス値のバリエーションを豊富にすることができる。
さらに、４個以上の外部電極は、積層インダクタのＸ方向に対して互いに等間隔に離間して配置され、４個以上の外部電極とスイッチとの配線の長さを同一の長さとしている。これにより、配線を一様にすることができるから、配線の長さの差異に伴うインダクタンス値のばらつきを低減することができ、可変インダクタンス回路の設計を容易に行うことができる。
【００１５】
請求項２の発明によれば、複数の接続部を各コイル部分のインダクタンスが２の累乗に応じた比率となる位置に形成している。これにより、スイッチを用いて複数のコイル部分の接続方法を変えることにより、インダクタンスを２進数に応じた比率で任意の値に容易に変更することができる。
【００１６】
請求項３の発明によれば、接続部を、コイルパターンを用いて形成している。これにより、コイルを形成するコイルパターンと接続部とを同時に作成することができるので、可変インダクタンス回路の製造工程の簡素化を実現することができる。
【００１７】
請求項４の発明によれば、接続部を、柱状の導体を用いて形成している。これにより、例えば、柱状の導体を用いた接続部を積層体の外部に設けることにより、積層体の内部に接続部を設けた場合と比べて、積層体内部のコイル全体の面積を大きくすることができる。この結果、コイルのインダクタンスを高めると同時にＱ値を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１の実施の形態による可変インダクタンス回路を示す斜視図である。
【図２】図１中の積層インダクタを示す平面図である。
【図３】図２中の矢示III−III方向からみた積層インダクタの断面図である。
【図４】図３中の矢示IV−IV方向からみた積層インダクタの断面図である。
【図５】積層インダクタを分解して複数のコイルパターンを示す分解斜視図である。
【図６】積層インダクタの外部電極とスイッチとの接続状態を示す平面図である。
【図７】可変インダクタンス回路の等価回路図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態による可変インダクタンス回路を示す斜視図である。
【図９】図８中の積層インダクタを示す平面図である。
【図１０】図９中の矢示Ｘ−Ｘ方向からみた積層インダクタの断面図である。
【図１１】第２の実施の形態の積層インダクタを分解して複数のコイルパターンを示す分解斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態による可変インダクタンス回路について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２１】
まず、図１ないし図７に、第１の実施の形態による可変インダクタンス回路１を示す。可変インダクタンス回路１は、積層インダクタ２と、該積層インダクタ２に接続されたスイッチ８Ａ〜８Ｄとを備えている。可変インダクタンス回路１は、スイッチ８Ａ〜８Ｄの接続と遮断とを切り替えて、積層インダクタ２内に形成されたコイルＫの電流経路を変更することにより、可変インダクタンス回路１全体のインダクタンスＬの値を変化させるものである。なお、以下では積層インダクタ２の高さ方向をＺ方向とし、積層インダクタ２の長辺に沿った長さ方向をＸ方向とし、積層インダクタ２の短辺に沿った幅方向をＹ方向とする。
【００２２】
積層インダクタ２は、はんだ等を用いて後述の基板７の上面に実装され、全体として略直方体状に形成されている。この積層インダクタ２は、積層体３と接続部５Ａ〜５Ｅと外部電極６Ａ〜６Ｅとを含んで構成されている。
【００２３】
積層体３は、積層インダクタ２の外形をなし、複数（例えば、１７層）の絶縁体層３Ａ１〜３Ａ１７を備えている（図４参照）。この絶縁体層３Ａ１〜３Ａ１７は、例えば非磁性体材料、セラミックス材料、樹脂材料等の絶縁性をもった誘電体材料によって形成され、積層体３のＹ方向に積層されている。この場合、積層体３のＸ方向寸法は、例えば０．６ｍｍ以上２.０ｍｍ以下程度であり、積層体３のＹ方向寸法は、例えば０．３ｍｍ以上０．８ｍｍ以下程度であり、積層体３のＺ方向寸法は、例えば０．３ｍｍ以上０．８ｍｍ以下程度に設定されている。なお、積層体は、１７層以外の層数の絶縁体層を備える構成としてもよい。
【００２４】
また、積層体３は、複数（例えば、１５個）のコイルパターン３Ｂ１〜３Ｂ１５を備えている。これらのコイルパターン３Ｂ１〜３Ｂ１５は、図４に示すように、例えば銅等の導電性金属材料からなる薄膜の導体パターンを用いて、各絶縁体層３Ａ１〜３Ａ１７の間に交互に積み重ねて形成されている。各コイルパターン３Ｂ１〜３Ｂ１５の外周面は、積層体３の外周面よりも一回り小さな略Ｃ字状に形成され、Ｙ方向に互いに重なるように配置されている（図３および図５参照）。
【００２５】
なお、各コイルパターン３Ｂ１〜３Ｂ１５は、Ｃ字状に限らず、Ｌ字状や他の形状に形成されてもよい。また、各コイルパターン３Ｂ１〜３Ｂ１５の太さや材料を異ならせて、各コイルパターン３Ｂ１〜３Ｂ１５のインダクタンスが互いに異なる値となるようにしてもよい。さらに、積層体は、１５個以外のコイルパターンを備える構成としてもよい。
【００２６】
コイルパターン３Ｂ１〜３Ｂ１５の間は、ビア３Ｃ１〜３Ｃ１４を介してそれぞれ接続されている。このビア３Ｃ１〜３Ｃ１４は、図４に示すように、絶縁体層３Ａ２〜３Ａ１６をＹ方向に貫通するように形成され、隣り合うコイルパターン３Ｂ１〜３Ｂ１５同士を電気的に直列接続するものである。この場合、コイルパターン３Ｂ１〜３Ｂ１５は、ビア３Ｃ１〜３Ｃ１４を介して接続されることにより、全体として螺旋状のコイルＫを形成している。
【００２７】
この場合、積層体３（積層インダクタ２）は、２つの主面４Ａ，４Ｂと４つの側面４Ｃ〜４Ｆとを備えている。主面４Ａ，４Ｂは、コイルＫにより発生する磁束と鎖交する面に位置して、互いにＹ方向に対向している。また、側面４Ｃ〜４Ｆは、コイルＫにより発生する磁束と略平行する面に位置している。側面４Ｃと側面４Ｄとは、積層体３の短辺側に位置して、互いにＸ方向に対向している。さらに、側面４Ｅと側面４Ｆとは、積層体３の長辺側に位置して、互いにＺ方向に対向している。
【００２８】
接続部５Ａ〜５Ｅは、コイルパターン３Ｂ１，３Ｂ２，３Ｂ４，３Ｂ８，３Ｂ１５の端部にそれぞれ設けられている。接続部５Ａ〜５Ｅは、コイルパターン３Ｂ１〜３Ｂ１５と同様に、銅等の導電性金属材料からなる薄膜の導体パターンを用いて形成されている。この場合、接続部５Ａは、コイルパターン３Ｂ１と外部電極６Ａとの間を接続し、接続部５Ｂは、コイルパターン３Ｂ２と外部電極６Ｂとの間を接続している。また、接続部５Ｃは、コイルパターン３Ｂ４と外部電極６Ｃとの間を接続し、接続部５Ｄは、コイルパターン３Ｂ８と外部電極６Ｄとの間を接続している。さらに、接続部５Ｅは、コイルパターン３Ｂ１５と外部電極６Ｅとの間を接続している。
【００２９】
即ち、接続部５Ａ〜５Ｅは、コイルＫのうち互いに異なる位置に接続され、コイルＫを複数（例えば、４個）のコイル部分Ｋ１〜Ｋ４に区切るものである。この場合、接続部５Ａ〜５Ｅは、各コイル部分Ｋ１〜Ｋ４のインダクタンスＬ１〜Ｌ４が互いに異なる値となるような位置に形成されている。このとき、各コイル部分Ｋ１〜Ｋ４の長さ寸法は、それぞれ異なる値に設定されている。具体的には、接続部５Ａ〜５Ｅは、各コイル部分Ｋ１〜Ｋ４のインダクタンスＬ１〜Ｌ４が２の累乗に応じた比率となるような位置に形成されている。
【００３０】
ここで、コイルＫは、コイルパターン３Ｂ１〜３Ｂ１５およびビア３Ｃ１〜３Ｃ１４を含んで構成されている。このコイルＫは、例えば四角形状の枠状をなし、旋回しながらＹ方向に進行する螺旋状に形成されている。この場合、コイルＫは、接続部５Ａ〜５Ｅに区切られたコイル部分Ｋ１〜Ｋ４により構成されている。
【００３１】
コイル部分Ｋ１は、１つのコイルパターン３Ｂ１により構成され、コイル部分Ｋ２は、２つのコイルパターン３Ｂ２，３Ｂ３により構成されている。また、コイル部分Ｋ３は、４つのコイルパターン３Ｂ４〜３Ｂ７により構成され、コイル部分Ｋ４は、８つのコイルパターン３Ｂ８〜３Ｂ１５により構成されている。即ち、各コイル部分Ｋ１〜Ｋ４のインダクタンスＬ１〜Ｌ４は、以下の数１式で示すように、２の累乗の比率に応じて増加するバイナリステップの関係を有している。
【００３２】
【数１】
0006701923.tif 000002
【００３３】
外部電極６Ａ〜６Ｅは、積層インダクタ２のＺ方向の一側端面である側面４Ｆに位置して、積層インダクタ２のＹ方向一側からＹ方向他側に向けて延びて形成されている。即ち、外部電極６Ａ〜６Ｅは、積層体３のうち、コイルＫの巻き方向に平行なＺ方向下側の一側面である側面４Ｆに形成されている。これに加え、外部電極６Ａ〜６Ｅは、積層体３の厚さ方向であるＹ方向に全長に亘って延びている。なお、コイルＫの巻き方向とは、積層体３の積層方向であるＹ方向となる。外部電極６Ａ〜６Ｅは、例えば積層インダクタ２の端部に導電性金属材料を塗布した後に、この導電性金属材料を焼成し、めっき処理を施すことによって形成される。
【００３４】
ここで、外部電極６Ａ〜６Ｅは、図２に示すように、例えば積層インダクタ２のＸ方向に対して互いに等間隔で離間して配置され、接続部５Ａ〜５Ｅにそれぞれ電気的に接続されている。言い換えれば、外部電極６Ａ〜６Ｅは、コイルパターン３Ｂ１〜３Ｂ１５の延びる方向であるＸ方向で互いに異なる位置に設けられている。この外部電極６Ａ〜６Ｅは、接続部５Ａ〜５Ｅを介して、コイルＫの各コイル部分Ｋ１〜Ｋ４と後述のスイッチ８Ａ〜８Ｄとの間を接続するものである。
【００３５】
スイッチ８Ａ〜８Ｄは、積層インダクタ２の下面側に位置して基板７に設けられている。基板７は、例えば絶縁性の材料によって平板状に形成されている。基板７には、コイルＫとの接続を切り替えるスイッチ８Ａ〜８Ｄと、各スイッチ８Ａ〜８Ｄと外部電極６Ａ〜６Ｅとの間を接続する配線９Ａ１〜９Ｄ２とが設けられている。この場合、図６および図７に示すように、各スイッチ８Ａ〜８Ｄの両端は、互いに異なる外部電極６Ａ〜６Ｅにそれぞれ電気的に接続されている。
【００３６】
具体的には、スイッチ８Ａは、外部電極６Ａと外部電極６Ｂとの間に位置して設けられている。スイッチ８Ａの一側は、配線９Ａ１を介して外部電極６Ａと接続され、スイッチ８Ａの他側は、配線９Ａ２を介して外部電極６Ｂと接続されている。このスイッチ８Ａは、ＯＮとなったときに、配線９Ａ１と配線９Ａ２との間を接続し、外部電極６Ａと外部電極６Ｂとの間を短絡させるものである。また、スイッチ８Ａは、ＯＦＦとなったときに、配線９Ａ１と配線９Ａ２との間を切断する。
【００３７】
スイッチ８Ｂは、外部電極６Ｂと外部電極６Ｃとの間に位置して設けられている。スイッチ８Ｂの一側は、配線９Ｂ１を介して外部電極６Ｂと接続され、スイッチ８Ｂの他側は、配線９Ｂ２を介して外部電極６Ｃと接続されている。このスイッチ８Ｂは、ＯＮとなったときに、配線９Ｂ１と配線９Ｂ２との間を接続し、外部電極６Ｂと外部電極６Ｃとの間を短絡させるものである。また、スイッチ８Ｂは、ＯＦＦとなったときに、配線９Ｂ１と配線９Ｂ２との間を切断する。
【００３８】
スイッチ８Ｃは、外部電極６Ｃと外部電極６Ｄとの間に位置して設けられている。スイッチ８Ｃの一側は、配線９Ｃ１を介して外部電極６Ｃと接続され、スイッチ８Ｃの他側は、配線９Ｃ２を介して外部電極６Ｄと接続されている。このスイッチ８Ｃは、ＯＮとなったときに、配線９Ｃ１と配線９Ｃ２との間を接続し、外部電極６Ｃと外部電極６Ｄとの間を短絡させるものである。また、スイッチ８Ｃは、ＯＦＦとなったときに、配線９Ｃ１と配線９Ｃ２との間を切断する。
【００３９】
スイッチ８Ｄは、外部電極６Ｄと外部電極６Ｅとの間に位置して設けられている。スイッチ８Ｄの一側は、配線９Ｄ１を介して外部電極６Ｄと接続され、スイッチ８Ｄの他側は、配線９Ｄ２を介して外部電極６Ｅと接続されている。このスイッチ８Ｄは、ＯＮとなったときに、配線９Ｄ１と配線９Ｄ２との間を接続し、外部電極６Ｄと外部電極６Ｅとの間を短絡させるものである。また、スイッチ８Ｄは、ＯＦＦとなったときに、配線９Ｄ１と配線９Ｄ２との間を切断する。
【００４０】
ここで、外部電極６Ａ〜６Ｅは、積層インダクタ２のＸ方向に対して互いに等間隔で離間して配置されている。このため、配線９Ａ１〜９Ｄ２の長さは、略同一の長さに設定されている。
【００４１】
可変インダクタンス回路１は上述の如き構成を有するもので、次にその動作について説明する。
【００４２】
まず、スイッチ８ＡがＯＦＦとなり、スイッチ８Ｂ〜８ＤがＯＮとなった場合について説明する。このとき、可変インダクタンス回路１の入力端子ｉｎから電流が入力されると、コイル部分Ｋ１およびスイッチ８Ｂ〜８Ｄを介して、出力端子ｏｕｔから電流が出力される。この場合、電流はコイル部分Ｋ１のみに流れるので、可変インダクタンス回路１のインダクタンスＬの値は、コイル部分Ｋ１のインダクタンスＬ１の値となる。
【００４３】
次に、スイッチ８Ａ，８Ｃ，８ＤがＯＮとなり、スイッチ８ＢがＯＦＦとなった場合は、電流はコイル部分Ｋ２のみに流れる。これにより、可変インダクタンス回路１のインダクタンスＬの値は、コイル部分Ｋ２のインダクタンスＬ２の値となり、コイル部分Ｋ１のインダクタンスＬ１の２倍の値となる。
【００４４】
また、スイッチ８Ａ，８Ｂ，８ＤがＯＮとなり、スイッチ８ＣがＯＦＦとなった場合は、電流はコイル部分Ｋ３のみに流れる。これにより、可変インダクタンス回路１のインダクタンスＬの値は、コイル部分Ｋ３のインダクタンスＬ３の値となり、コイル部分Ｋ１の４倍の値となる。
【００４５】
さらに、スイッチ８Ａ〜８Ｄの全てがＯＦＦとなった場合は、電流は全てのコイル部分Ｋ１〜Ｋ４に流れる。これにより、可変インダクタンス回路１のインダクタンスＬの値は、コイルＫ全体のインダクタンスＬの値となり、コイル部分Ｋ１の１５倍の値となる。
【００４６】
このように、可変インダクタンス回路１は、スイッチ８Ａ〜８ＤのＯＮとＯＦＦを切り替えることにより、コイルＫのうち、電流が流れるコイル部分Ｋ１〜Ｋ４の組み合わせを変更することができる。このため、可変インダクタンス回路１全体のインダクタンスＬの値をコイル部分Ｋ１の１倍から１５倍までの範囲で所望の値に設定することができる。
【００４７】
かくして、第１の実施の形態によれば、外部電極６Ａ〜６Ｅを積層体３のうちコイルＫの巻き方向に平行な一側面（側面４Ｆ）に形成しているので、可変インダクタンス回路１全体のインダクタンスＬのＱ値を高くすることができる。即ち、外部電極６Ａ〜６ＥをコイルＫの外周部に設けているので、ビア３Ｃ１〜３Ｃ１４や外部電極６Ａ〜６ＥをコイルＫの内周部に設けた場合に比べて、コイルＫ全体の面積（磁束が鎖交する面積）を増加させることができる。この結果、コイルＫのインダクタンスＬを高めると同時にＱ値を高めることができ、ＲＦ回路の高性能化に貢献可能となる。
【００４８】
また、第１の実施の形態によれば、積層体３の側面４Ｆに設けられた外部電極６Ａ〜６Ｅを介して、コイルＫに形成された複数の接続部５Ａ〜５Ｅとスイッチ８Ａ〜８Ｄとを接続している。これにより、コイルＫの内周部に外部電極６Ａ〜６Ｅが設けられた場合と比べて、コイルＫとスイッチ８Ａ〜８Ｄまでの配線９Ａ１〜９Ｄ２を短くすることができる。また、複数の外部電極６Ａ〜６Ｅを積層体３の同一の側面４Ｆに設けているので、複数の外部電極６Ａ〜６Ｅを積層体３の異なる面にそれぞれ設けた場合と比べて、配線９Ａ１〜９Ｄ２を一様にすることができる。この結果、可変インダクタンス回路１の設計を容易に行うことができる。
【００４９】
また、複数の接続部５Ａ〜５Ｅは、複数のコイルパターン３Ｂ１〜３Ｂ１５により形成された螺旋状のコイルＫを、互いにインダクタンスＬ１〜Ｌ４が異なる複数のコイル部分Ｋ１〜Ｋ４に区切っている。これにより、スイッチ８Ａ〜８Ｄを用いて各コイル部分Ｋ１〜Ｋ４の組み合わせを変更することにより、可変インダクタンス回路１のインダクタンスＬの値を容易に変えることができる。この結果、各コイル部分Ｋ１〜Ｋ４のインダクタンスＬ１〜Ｌ４が同一の場合と比べて、少ないスイッチ数で幅広い範囲のインダクタンスを取得することができるので、インダクタンス値のバリエーションを豊富にすることができる。
【００５０】
また、第１の実施の形態によれば、複数の接続部５Ａ〜５Ｅを各コイル部分Ｋ１〜Ｋ４のインダクタンスＬ１〜Ｌ４が２の累乗に応じた比率となる位置に形成している。これにより、スイッチ８Ａ〜８Ｄを用いて複数のコイル部分Ｋ１〜Ｋ４の接続方法を変えることにより、インダクタンスＬを２進数に応じた比率で任意の値に容易に変更することができる。
【００５１】
また、第１の実施の形態によれば、接続部５Ａ〜５Ｅを、コイルパターン３Ｂ１〜３Ｂ１５と同様に、薄膜の導体パターンを用いて形成している。これにより、コイルＫを形成するコイルパターン３Ｂ１〜３Ｂ１５と接続部５Ａ〜５Ｅとを同時に作成することができるので、可変インダクタンス回路１の製造工程の簡素化を実現することができる。
【００５２】
また、第１の実施の形態によれば、複数の外部電極６Ａ〜６Ｅとスイッチ８Ａ〜８Ｄとの配線９Ａ１〜９Ｄ２の長さを同一の長さとしている。これにより、配線９Ａ１〜９Ｄ２を一様にすることができるから、配線９Ａ１〜９Ｄ２の長さの差異に伴うインダクタンス値のばらつきを低減することができ、可変インダクタンス回路１の設計を容易に行うことができる。
【００５３】
また、第１の実施の形態によれば、複数の外部電極６Ａ〜６Ｅは、積層体３の厚さ方向であるＹ方向に延びると共に、コイルパターン３Ｂ１〜３Ｂ１５の延びる方向であるＸ方向で異なる位置に設けている。これにより、複数の外部電極６Ａ〜６Ｅを、積層体３のＹ方向で異なる位置に設ける場合と比べて、コイルパターン３Ｂ１〜３Ｂ１５との接触不良を抑えることができる。
【００５４】
次に、図８ないし図１１に、本発明の第２の実施の形態による可変インダクタンス回路を示す。第２の実施の形態の特徴は、積層インダクタとスイッチとの間に絶縁シートを設ける構成としたことにある。なお、第２の実施の形態では、前述した第１の実施の形態と同一の構成については同一の符号を付し、その説明は省略する。
【００５５】
第２の実施の形態による可変インダクタンス回路２１は、積層インダクタ２２と該積層インダクタ２２に接続されたスイッチ８Ａ〜８Ｄ等を備えている。
【００５６】
積層インダクタ２２は、第１の実施の形態の積層インダクタ２と同様に、はんだ等を用いて基板７の上面に実装され、全体として略直方体状に形成されている。この積層インダクタ２２は、積層体２３と、絶縁シート２５と、接続部２６Ａ〜２６Ｅと、外部電極２７Ａ〜２７Ｅとを含んで構成されている。
【００５７】
積層体２３は、積層インダクタ２２の外形をなし、第１の実施の形態と同様に、複数（例えば、１７層）の絶縁体層２３Ａ１〜２３Ａ１７を備えている。
【００５８】
また、積層体２３は、複数（例えば、１５個）のコイルパターン２３Ｂ１〜２３Ｂ１５を備えている。これらのコイルパターン２３Ｂ１〜２３Ｂ１５は、例えば銅等の導電性金属材料からなる薄膜の導体パターンを用いて、各絶縁体層２３Ａ１〜２３Ａ１７の間に交互に積み重ねて形成されている。各コイルパターン２３Ｂ１〜２３Ｂ１５のＸ方向両側およびＺ方向上側の外周面は、積層体２３の外周面よりも一回り小さな略Ｃ字状に形成され、Ｙ方向に互いに重なるように配置されている。一方、各コイルパターン２３Ｂ１〜２３Ｂ１５のＺ方向下側の外周面は、積層体２３の外周面と同位置に形成され、積層体２３の下面（側面２４Ｆ）に露出している（図１０および図１１参照）。
【００５９】
コイルパターン２３Ｂ１〜２３Ｂ１５の間は、ビア２３Ｃ１〜２３Ｃ１４を介してそれぞれ接続されている。この場合、コイルパターン２３Ｂ１〜２３Ｂ１５は、ビア２３Ｃ１〜２３Ｃ１４を介して接続されることにより、全体として螺旋状のコイルＫを形成している。
【００６０】
この場合、積層体２３（積層インダクタ２２）は、第１の実施の形態の積層体３（積層インダクタ２）と同様に、２つの主面２４Ａ，２４Ｂと４つの側面２４Ｃ〜２４Ｆとを備えている。主面２４Ａ，２４Ｂは、コイルＫにより発生する磁束と鎖交する面に位置して、互いにＹ方向に対向している。また、側面２４Ｃ〜２４Ｆは、コイルＫにより発生する磁束と略平行する面に位置している。
【００６１】
絶縁シート２５は、積層体２３のＺ方向下側に位置して、積層体２３と基板７との間に設けられている。この絶縁シート２５は、例えば絶縁性の樹脂材料を用いて平坦なシート状に形成されている。この絶縁シート２５は、積層体２３の下面（側面２４Ｆ）に露出している各コイルパターン２３Ｂ１〜２３Ｂ１５を覆うものである。
【００６２】
接続部２６Ａ〜２６Ｅは、絶縁シート２５の内部に位置して、コイルパターン２３Ｂ１，２３Ｂ２，２３Ｂ４，２３Ｂ８，２３Ｂ１５と後述の外部電極２７Ａ〜２７Ｅとが接続される位置にそれぞれ設けられている。この接続部２６Ａ〜２６Ｅは、銅等の導電性金属材料からなる柱状の導体を用いて、絶縁シート２５をＺ方向に貫通するように形成されている。
【００６３】
この場合、接続部２６Ａは、コイルパターン２３Ｂ１と外部電極２７Ａとの間を接続し、接続部２６Ｂは、コイルパターン２３Ｂ２と外部電極２７Ｂとの間を接続している。また、接続部２６Ｃは、コイルパターン２３Ｂ４と外部電極２７Ｃとの間を接続し、接続部２６Ｄは、コイルパターン２３Ｂ８と外部電極２７Ｄとの間を接続している。さらに、接続部２６Ｄは、コイルパターン２３Ｂ１５と外部電極２７Ｄとの間を接続している。
【００６４】
即ち、接続部２６Ａ〜２６Ｅは、コイルＫのうち互いに異なる位置に接続され、コイルＫを複数のコイル部分Ｋ１〜Ｋ４に区切るものである。この場合、接続部２６Ａ〜２６Ｅは、各コイル部分Ｋ１〜Ｋ４のインダクタンスＬ１〜Ｌ４が互いに異なる値となるような位置に形成されている。このとき、各コイル部分Ｋ１〜Ｋ４の長さ寸法は、それぞれ異なる値に設定されている。具体的には、接続部２６Ａ〜２６Ｅは、各コイル部分Ｋ１〜Ｋ４のインダクタンスＬ１〜Ｌ４が２の累乗に応じた比率となるような位置に形成されている。
【００６５】
外部電極２７Ａ〜２７Ｅは、積層インダクタ２２のＺ方向の一側端面である側面２４Ｆに位置して、積層インダクタ２２のＹ方向一側からＹ方向他側に向けて延びて形成されている。即ち、外部電極２７Ａ〜２７Ｅは、絶縁シート２５の下面に位置して、積層体２３（積層インダクタ２２）のうちコイルＫが巻かれている方向に平行なＺ方向下側の一側面である側面２４Ｆに形成されている。
【００６６】
この場合、外部電極２７Ａ〜２７Ｅは、図９に示すように、積層インダクタ２２のＸ方向に対して互いに等間隔で離間して配置され、接続部２６Ａ〜２６Ｅにそれぞれ電気的に接続されている。この外部電極２７Ａ〜２７Ｅは、接続部２６Ａ〜２６Ｅを介して、コイルＫの各コイル部分Ｋ１〜Ｋ４とスイッチ８Ａ〜８Ｄとの間を接続するものである。
【００６７】
かくして、第２の実施の形態でも、第１の実施の形態とほぼ同様な作用効果を得ることができる。第２の実施の形態によれば、各コイルパターン２３Ｂ１〜２３Ｂ１５のＺ方向下側を積層体２３の側面２４Ｆに露出させて、各コイルパターン２３Ｂ１〜２３Ｂ１５の露出している部分を絶縁シート２５を用いて覆う構成とした。この場合、積層体２３の外部に設けた接続部２６Ａ〜２６Ｅを介して、各コイル部分Ｋ１〜Ｋ４と外部電極２７Ａ〜２７Ｅとを接続している。これにより、第１の実施の形態の各コイルパターン３Ｂ１〜３Ｂ１５と比べて各コイルパターン２３Ｂ１〜２３Ｂ１５の面積を大きくすることができ、コイルＫ全体の面積を増加させることができる。この結果、コイルＫのインダクタンスＬを高めると同時にＱ値を高めることができる。これに加えて、接続部２６Ａ〜２６Ｅを、柱状の導体を用いて絶縁シート２５に設けているので、可変インダクタンス回路２１の製造コストを抑制することができる。
【００６８】
なお、前記第１の実施の形態では、５個の接続部５Ａ〜５Ｅを設けて、コイルＫを４個のコイル部分Ｋ１〜Ｋ４に区切る構成とした。しかし、本発明はこれに限らず、接続部を４個設けて、コイルＫを３個のコイル部分に区切る構成としてもよい。また、接続部を６個以上設けて、コイルＫを５個以上のコイル部分に区切る構成としてもよい。このことは、第２の実施の形態についても同様である。
【００６９】
また、前記第１の実施の形態では、接続部５Ａ〜５Ｅは、各コイル部分Ｋ１〜Ｋ４のインダクタンスＬ１〜Ｌ４が２の累乗に応じた比率となるような位置に形成される構成とした。しかし、本発明はこれに限らず、接続部は、例えば各コイル部分Ｋ１〜Ｋ４のインダクタンスＬ１〜Ｌ４が２以外の数の累乗に応じた比率となるような位置に形成される構成としてもよい。また、接続部は、例えば各コイル部分Ｋ１〜Ｋ４のインダクタンスＬ１〜Ｌ４が等差数列または等比数列に応じた比率となるような位置に形成される構成としてもよい。このことは、第２の実施の形態についても同様である。
【符号の説明】
【００７１】
１，２１  可変インダクタンス回路
２，２２  積層インダクタ
３，２３  積層体
３Ａ１〜３Ａ１７，２３Ａ１〜２３Ａ１７  絶縁体層
３Ｂ１〜３Ｂ１５，２３Ｂ１〜２３Ｂ１５  コイルパターン
３Ｃ１〜３Ｃ１４，２３Ｃ１〜２３Ｃ１４  ビア
４Ｃ〜４Ｆ，２４Ｃ〜２４Ｆ  側面
５Ａ〜５Ｅ，２６Ａ〜２６Ｅ  接続部
６Ａ〜６Ｅ，２７Ａ〜２７Ｅ  外部電極
８Ａ〜８Ｄ  スイッチ
９Ａ１〜９Ｄ２  配線
２５  絶縁シート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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