(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と、前記第１面に対向する第２面と、前記第１面及び前記第２面に交差する第１の端とを有する第１基板と、
第３面と、前記第３面に対向する第４面と、前記第３面及び前記第４面に交差する第２の端とを有する第２基板と、
前記第２面と前記第４面との間に配置される機能層と、
前記第２面と前記第４面との間に配置され、前記機能層を大気から隔離する樹脂層と、
前記樹脂層の前記機能層が配置される側と反対側の第５面を覆うバリア層と、
を含み、
前記第１の端及び前記第２の端が、前記樹脂層から前記機能層の反対側に張り出して配置される電子デバイスの製造方法であって、
前記第２面と前記第４面との間の寸法が、前記第１の端からの離間距離及び前記第２の端からの離間距離の１／５０以下となるように、前記樹脂層を形成した以降の工程において、
前記第１面と前記第３面と前記第５面とに材料ガスを吸着させて前記バリア層の原子層堆積膜の前駆体を形成する工程と、前記前駆体と反応性ガスとを反応させて前記第１面と前記第３面と前記第５面とを覆う前記原子層堆積膜を形成する工程と、を繰り返して前記バリア層を形成する工程と、
前記バリア層をエッチングする反応種を導入し、前記第１面及び前記第３面を覆う前記バリア層を除去する工程と、
を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
第１面と、前記第１面に対向する第２面と、前記第１面及び前記第２面に交差する第１の端とを有する第１基板と、
第３面と、前記第３面に対向する第４面と、前記第３面及び前記第４面に交差する第２の端とを有する第２基板と、
前記第２面と前記第４面との間に配置される機能層と、
前記第２面と前記第４面との間に配置され、前記機能層を大気から隔離する樹脂層と、
前記樹脂層の前記機能層が配置される側と反対側の第５面を覆うバリア層と、
を含み、
前記第１の端及び前記第２の端が、前記樹脂層から前記機能層の反対側に張り出して配置される電子デバイスの製造方法であって、
前記第２面と前記第４面との間の寸法が、前記第１の端からの離間距離及び前記第２の端からの離間距離の１／５０以下となるように、前記樹脂層を形成した以降の工程において、
材料ガスを導入し、前記第１面と前記第３面と前記第５面とに前記材料ガスを吸着させ、前記バリア層の原子層堆積膜の前駆体を形成する工程と、
反応性ガスを導入し、前記前駆体と前記反応性ガスとを反応させ、前記第１面と前記第３面と前記第５面とを覆う前記原子層堆積膜を形成する工程と、
前記原子層堆積膜をエッチングする反応種を導入し、前記第１面及び前記第３面を覆う前記原子層堆積膜を除去する工程と、
を繰り返し、前記バリア層を形成することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスの一例である液晶装置（液晶パネル）は、例えばプロジェクターなどの光変調装置（ライトバルブ）に使用されている。当該液晶パネルでは、一対の基板がシール材によって所定の間隙を有するように貼り合わされ、シール材で囲まれた領域に液晶が封入（充填）されている。当該液晶パネルを駆動すると、一対の基板のそれぞれの近傍で液晶に一方向の流れ（フロー）が生じ、液晶中に混入したイオン性不純物も液晶と一緒に移動する。イオン性不純物が表示領域の特定箇所に偏在すると、焼き付きなどの表示不具合を招くおそれがあった。
【０００３】
このイオン性不純物の偏在を抑制するために、例えば特許文献１の方法が提案されている。特許文献１では、表示領域の周辺に複数の電極を隣接して設け、隣接する電極の電位を変化させて横方向の電界を発生させ、当該横方向の電界によって、イオン性不純物を表示領域内から表示領域の外にすばやく移動させることで、表示領域におけるイオン性不純物の偏在を抑制できるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−５８４９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の方法では、シール材を通過して液晶の中に混入する水分の影響を抑制することが難しいという課題を有している。
詳しくは、シール材は、例えばアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの有機材料で構成され、僅かな透湿性を有している。このため、僅かな水分がシール材の中を通過し、液晶中に混入（侵入）する。液晶中に混入した水分は、表示領域に拡散（移動）し、表示領域の親水性の高い部分に吸着し、偏在する。表示領域に偏在した水分は、液晶中のイオン性不純物を引き寄せトラップし、イオン性不純物も偏在するようになる。イオン性不純物は、表示領域における水分が偏在した部分にトラップ（拘束）されるので、表示領域の周辺に設けられた横方向の電界によって、イオン性不純物を表示領域の外に排出することが難しくなる。さらに、イオン性不純物が偏在した部分で、焼き付きなどの表示不具合を招くおそれがあった。
すなわち、シール材を通過して液晶の中に混入する水分によって、液晶パネルの表示性能や信頼性が低下するおそれがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る電子デバイスは、第１面と、前記第１面に対向する第２面と、前記第１面及び前記第２面に交差する第１の端とを有する第１基板と、第３面と、前記第３面に対向する第４面と、前記第３面及び前記第４面に交差する第２の端とを有する第２基板と、前記第２面と前記第４面との間に配置される機能層と、前記第２面と前記第４面との間に配置され、前記機能層を大気から隔離する樹脂層と、バリア層と、を含み、前記バリア層は、前記樹脂層の前記機能層が配置される側と反対側の第５面を覆うことを特徴とする。
【０００８】
機能層は、第１基板の第２面と第２基板の第４面との間に配置され、樹脂層によって大気から隔離されている。樹脂層（樹脂）は僅かな透湿性を有するため、僅かな水分（大気中の湿気）が樹脂層の中を通過し、機能層が配置されている側に水分が侵入し、水分によって機能層が劣化するおそれがある。
本適用例では、樹脂層の機能層が配置される側と反対側の第５面がバリア層で覆われ、バリア層によって機能層が配置されている側への水分の侵入が抑制される。よって、機能層が配置されている側に水分が侵入しにくくなり、水分による機能層の劣化を抑制することができる。従って、電子デバイスの性能低下を抑制し、電子デバイスの信頼性を高めることができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る電子デバイスでは、前記バリア層の厚さは、略均一であることが好ましい。
【００１０】
バリア層は第５面を均一な厚さで覆っているので、第５面の全体に対して均一に水分の侵入を抑制することができる。例えば、バリア層が部分的に薄くなり、バリア層が薄くなった部分から水分が侵入しやすくなるという不具合を抑制することができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る電子デバイスでは、前記バリア層は、酸化ハフニウムまたは酸化タンタルであることが好ましい。
【００１２】
酸化ハフニウムの理論密度は９．６８ｇ／ｃｍ3であり、酸化タンタルの理論密度は８．７３ｇ／ｃｍ3である。例えば、酸化アルミニウムの理論密度は４ｇ／ｃｍ3であるので、酸化ハフニウム及び酸化タンタルは、酸化アルミニウムと比べて膜密度が高い。膜密度が高くなると、膜が緻密になり、大気中の水分（湿気）が透過しにくくなり、大気中の水分（湿気）に対するバリア性が強くなる。
従って、バリア層を酸化ハフニウムまたは酸化タンタルで構成することによって、バリア層を酸化アルミニウムで構成する場合と比べて、バリア層の大気中の水分（湿気）に対するバリア性を強くし、機能層が配置されている側への水分侵入をより強く抑制することができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る電子デバイスでは、前記第１の端及び前記第２の端は、前記樹脂層から前記機能層の反対側に張り出して配置され、前記バリア層は、前記第１面及び前記第３面の少なくとも一部を覆わず、前記第５面を覆うことが好ましい。
【００１４】
第１面及び第３面の少なくとも一部、すなわち電子デバイスの性能に影響する部分はバリア層で覆われていないので、電子デバイスの性能に影響する部分がバリア層で覆われることによる悪影響を抑制することができる。
【００１５】
例えば、電子デバイスが画像を表示する性能を有する場合、第１面及び第３面がバリア層で覆われると、第１面とバリア層との界面及び第３面とバリア層との界面で、表示に寄与する光の反射が生じる（反射光が発生する）。このため、第１面及び第３面がバリア層で覆われると、表示に寄与する光と反射光とが干渉し、表示に寄与する光が減衰し、表示に寄与する光の強度が弱くなるという悪影響が生じるおそれがある。第１面及び第３面がバリア層で覆われないようにすることで、このような悪影響を抑制することができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に係る電子デバイスでは、前記機能層は、電気的に光学特性が変化することが好ましい。
【００１７】
機能層の光学特性が電気的に変化すると、機能層に印加される信号を変化させることによって、機能層の光学特性を変化させ、さまざまな表示を提供することができる。
【００１８】
［適用例６］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に係る電子デバイスを有していることを特徴とする。
【００１９】
上記適用例に係る電子デバイスは、バリア層によって機能層が配置されている側に水分が侵入しにくくなり、水分による性能劣化が抑制されているので、高信頼性を有する。従って、当該電子デバイスを有する電子機器も高信頼性を有する。
【００２０】
［適用例７］本適用例に係る電子デバイスの製造方法は、第１面と、前記第１面に対向する第２面と、前記第１面及び前記第２面に交差する第１の端とを有する第１基板と、第３面と、前記第３面に対向する第４面と、前記第３面及び前記第４面に交差する第２の端とを有する第２基板と、前記第２面と前記第４面との間に配置される機能層と、前記第２面と前記第４面との間に配置され、前記機能層を大気から隔離する樹脂層と、前記樹脂層の前記機能層が配置される側と反対側の第５面を覆うバリア層と、を含む電子デバイスの製造方法であって、前記第２面と前記第４面との間に前記樹脂層を形成した以降の工程において、材料ガスを導入し、前記第５面に前記材料ガスを吸着させ、前記バリア層の原子層堆積膜の前駆体を形成する工程と、反応性ガスを導入し、前記前駆体と前記反応性ガスとを反応させ、前記第５面を覆う前記原子層堆積膜を形成する工程と、を繰り返し、前記バリア層を形成することを特徴とする。
【００２１】
材料ガスが第５面に吸着すると、第５面にはそれ以上の材料ガスが吸着しにくくなる。このため、第５面は材料ガスの単分子層（前駆体）で覆われる。続いて、材料ガスの単分子層（前駆体）と反応性ガスとを反応させると、材料ガスの単分子層と反応性ガスとの反応で生じた化合物の単分子層（以降、化合物の単分子層と称す）が形成される。よって、前駆体を形成する工程と、原子層堆積膜を形成する工程とによって、第５面を覆う化合物の単分子層（原子層堆積膜）が形成される。
さらに、前駆体を形成する工程と、原子層堆積膜を形成する工程とを繰り返すと、化合物の単分子層（原子層堆積膜）が一層ずつ積層され、化合物の単分子層が一層ずつ積層された積層膜（バリア層）が形成される。
【００２２】
本適用例に係る電子デバイスの製造方法では、化合物の単分子層（原子層堆積膜）を一層ずつ積層させてバリア層を形成するので、バリア層の膜厚を高精度に制御することができ、且つバリア層の膜厚の均一性を高めることができる。さらに、材料ガスや反応性ガスが入り込める隙間があれば成膜が可能であるので、例えば第５面が凹部の底面に配置される場合であっても、第５面を覆うバリア層を均一な厚さで形成し、機能層が配置されている側への水分侵入を安定して抑制することができる。
【００２３】
［適用例８］本適用例に係る電子デバイスの製造方法は、第１面と、前記第１面に対向する第２面と、前記第１面及び前記第２面に交差する第１の端とを有する第１基板と、第３面と、前記第３面に対向する第４面と、前記第３面及び前記第４面に交差する第２の端とを有する第２基板と、前記第２面と前記第４面との間に配置される機能層と、前記第２面と前記第４面との間に配置され、前記機能層を大気から隔離する樹脂層と、前記樹脂層の前記機能層が配置される側と反対側の第５面を覆うバリア層と、を含み、前記第１の端及び前記第２の端が、前記樹脂層から前記機能層の反対側に張り出して配置される電子デバイスの製造方法であって、前記第２面から前記第４面に向かう方向の寸法が、前記第１の端からの離間距離及び前記第２の端からの離間距離の１／５０以下となるように、前記樹脂層を形成した以降の工程において、前記第１面と前記第３面と前記第５面とに材料ガスを吸着させて前記バリア層の原子層堆積膜の前駆体を形成する工程と、前記前駆体と反応性ガスとを反応させて前記第１面と前記第３面と前記第５面とを覆う前記原子層堆積膜を形成する工程と、を繰り返して前記バリア層を形成する工程と、前記バリア層をエッチングする反応種を導入し、前記第１面及び前記第３面を覆う前記バリア層を除去する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２４】
本適用例に係る電子デバイスの製造方法では、バリア層の膜厚の均一性を高めることができる。さらに、第１の端及び第２の端は、バリア層（樹脂層）から機能層の反対側に張り出して配置されているので、バリア層は、第１の端及び第２の端によって保護され、傷つきにくい。従って、バリア層は、機能層が配置される側への水分侵入を安定して抑制することができる。
さらに、第１面及び第３面を覆うバリア層を除去する工程によって、第１面及び第３面（電子デバイスの性能に影響する部分）はバリア層で覆われないので、電子デバイスの性能に影響する部分がバリア層で覆われることによる悪影響を抑制することができる。
【００２５】
［適用例９］本適用例に係る電子デバイスの製造方法は、第１面と、前記第１面に対向する第２面と、前記第１面及び前記第２面に交差する第１の端とを有する第１基板と、第３面と、前記第３面に対向する第４面と、前記第３面及び前記第４面に交差する第２の端とを有する第２基板と、前記第２面と前記第４面との間に配置される機能層と、前記第２面と前記第４面との間に配置され、前記機能層を大気から隔離する樹脂層と、前記樹脂層の前記機能層が配置される側と反対側の第５面を覆うバリア層と、を含み、前記第１の端及び前記第２の端が、前記樹脂層から前記機能層の反対側に張り出して配置される電子デバイスの製造方法であって、前記第２面から前記第４面に向かう方向の寸法が、前記第１の端からの離間距離及び前記第２の端からの離間距離の１／５０以下となるように、前記樹脂層を形成した以降の工程において、材料ガスを導入し、前記第１面と前記第３面と前記第５面とに前記材料ガスを吸着させ、前記バリア層の原子層堆積膜の前駆体を形成する工程と、反応性ガスを導入し、前記前駆体と前記反応性ガスとを反応させ、前記第１面と前記第３面と前記第５面とを覆う前記原子層堆積膜を形成する工程と、前記原子層堆積膜をエッチングする反応種を導入し、前記第１面及び前記第３面を覆う前記原子層堆積膜を除去する工程と、を繰り返し、前記バリア層を形成することを特徴とする。
【００２６】
第１の端及び第２の端は樹脂層の第５面から機能層の反対側に張り出して配置されるので、第２面と第５面と第４面とによって凹部が形成される。また、第５面は凹部の底面をなし、第２面及び第４面は凹部の側面をなす。
さらに、樹脂層（第５面）の第２面から第４面に向かう方向の寸法（凹部の底面の寸法）が、樹脂層（第５面）の第１の端からの離間距離（凹部の側面の寸法）、及び樹脂層（第５面）の第２の端からの離間距離（凹部の側面の寸法）の１／５０以下となるように設定されている。すなわち、凹部の側面の寸法に対する凹部の底面の寸法の割合が、１／５０以下となるように、凹部が形成されている。
【００２７】
凹部の側面の寸法に対する凹部の底面の寸法の割合が大きくなると、原子層堆積膜をエッチングする反応種は、第５面に進行（到達）しやすくなる。凹部の側面の寸法に対する凹部の底面の寸法の割合が小さくなると、原子層堆積膜をエッチングする反応種は、第５面に進行（到達）しにくくなる。
【００２８】
凹部の側面の寸法に対する凹部の底面の寸法の割合を１／５０以下に設定すると、原子層堆積膜をエッチングする反応種は第５面に極めて進行（到達）しにくくなり、第１面及び第３面を覆う原子層堆積膜は反応種によってエッチングされ、第５面を覆う原子層堆積膜は反応種によってエッチングされないという選択エッチングを実現することができる。
【００２９】
従って、第１面と第３面と第５面とに材料ガスを吸着させ原子層堆積膜の前駆体を形成する工程と、第１面と第３面と第５面とを覆う原子層堆積膜を形成する工程と、原子層堆積膜をエッチングする反応種を導入し原子層堆積膜を除去する工程と、を繰り返すことによって、原子層堆積膜を第５面に一層ずつ積層させ、第５面を覆い且つ第１面及び第３面を覆わないバリア層を安定して形成することができる。
【００３０】
本適用例に係る電子デバイスの製造方法では、バリア層の膜厚の均一性を高めることができる。さらに、第１の端及び第２の端は、バリア層（樹脂層）から機能層の反対側に張り出して配置されているので、バリア層は、第１の端及び第２の端によって保護され、傷つきにくい。従って、バリア層は、機能層が配置される側への水分侵入を安定して抑制することができる。
さらに、第１面及び第３面（電子デバイスの性能に影響する部分）はバリア層で覆われないので、電子デバイスの性能に影響する部分がバリア層で覆われることによる悪影響を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本実施形態に係る液晶パネルの構成を示す概略平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った液晶パネルの概略断面図。
【図３】液晶パネルの電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】図１のＡ−Ａ線に沿った液晶パネルの概略断面図。
【図５】実施形態１に係る液晶パネルの製造方法を示す工程フロー。
【図６】バリア層を形成する薄膜形成装置の概略図。
【図７Ａ】図５に示す主要な工程を経た後の液晶パネルの状態を示す概略断面図。
【図７Ｂ】図５に示す主要な工程を経た後の液晶パネルの状態を示す概略断面図。
【図７Ｃ】図５に示す主要な工程を経た後の液晶パネルの状態を示す概略断面図。
【図７Ｄ】図５に示す主要な工程を経た後の液晶パネルの状態を示す概略断面図。
【図８Ａ】反応種の拡散の状態を示す模式図。
【図８Ｂ】反応種の拡散の状態を示す模式図。
【図８Ｃ】ステップＳ５を経た後の状態を示す模式図。
【図９】材料ガス及び反応性ガスの処理温度と、ＡＬＤ法によって形成されたバリア層の膜密度との関係を示すグラフ。
【図１０】液晶パネルを高温高湿の環境で保存した場合の液晶層の比抵抗の経時変化を示すグラフ。
【図１１】実施形態２に係る液晶パネルの製造方法を示す工程フロー。
【図１２】ステップＳ１２の処理の状態を示す模式図。
【図１３】実施形態３に係る液晶パネルの概略断面図。
【図１４】実施形態３に係る液晶パネルの製造方法を示す工程フロー。
【図１５】投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図１６】変形例１に係る有機ＥＬパネルの概要を示す概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。
【００３３】
（実施形態１）
「液晶パネルの概要」
実施形態１に係る液晶パネル１は、薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと称す）３０を備えた透過型液晶パネルであり、例えば液晶プロジェクターの光変調素子として好適に用いることができるものである。
なお、液晶パネル１は、「電子デバイス」の一例である。
【００３４】
図１は、本実施形態に係る液晶パネルの構成を示す概略平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った液晶パネルの概略断面図である。図３は液晶パネルの電気的な構成を示す等価回路図である。
以下、図１乃至図３を参照し、本実施形態に係る液晶パネル１の概要について説明する。
【００３５】
図１及び図２に示すように、本実施形態に係る液晶パネル１は、互いに対向するように配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有している。
なお、素子基板１０は「第１基板」の一例であり、対向基板２０は「第２基板」の一例であり、液晶層５０は「機能層」の一例である。
【００３６】
素子基板１０は、対向基板２０よりも大きく、一辺が対向基板２０から張り出している。詳しくは、対向基板２０から素子基板１０に向かう方向から見た場合、素子基板１０の一辺は対向基板２０から張り出し、素子基板１０の他の辺は対向基板２０の辺と重なっている。
【００３７】
素子基板１０は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材５４を介して、対向基板２０に接着されている。シール材５４としては、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤を使用することができる。シール材５４には、素子基板１０と対向基板２０とを一定の間隔（ギャップ）に保持するスペーサー（図示省略）が混入されている。シール材５４によって囲まれた領域の内側に液晶層５０が封入（密封）されている。シール材５４は、素子基板１０と対向基板２０との間に配置され、素子基板１０と対向基板２０とを接着すると共に、液晶層５０を大気から隔離する。
なお、シール材５４は「樹脂層」の一例である。
【００３８】
液晶層５０は、負の誘電異方性を有し、素子基板１０の第１配向層４１と、対向基板２０の第２配向層４２とに対してプレチルトが与えられた１軸垂直配向となっている。さらに、素子基板１０の画素電極９（図２参照）と対向基板２０の共通電極２２（図２参照）との間に印加される電圧によって、液晶層５０の配向状態が変化し、液晶層５０の中を通過する光が変調される。すなわち、液晶層５０は、画素電極９と共通電極２２との間に印加される電圧によって、電気的に光学特性が変化する。
なお、液晶層５０は、「電気的に光学特性が変化する機能層」の一例である。
【００３９】
素子基板１０と対向基板２０との間への液晶層５０の配置（充填）では、一対の基板のうちの一方の基板の外周に沿ってシール材５４を配置し、シール材５４の内側に所定量の液晶層５０を滴下し、液晶層５０が滴下された一方の基板と他方の基板とを減圧下で貼り合わせるＯＤＦ（One  Drop  Fill）方式が採用されている。
【００４０】
なお、液晶層５０の配置（充填）では、シール材５４に注入孔を設け、当該注入孔を介して素子基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０を充填（注入）してもよい。注入孔を介して素子基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０を配置（充填）する場合、注入孔を封止材によって封止する必要がある。この場合、シール材５４及び封止材は、本願における「樹脂層」に対応する。
【００４１】
額縁状に配置されたシール材５４の内側には、同じく額縁状の遮光膜５３が設けられている。額縁状の遮光膜５３で囲まれた領域の内側が表示領域Ｖとなる。表示領域Ｖには、画素Ｐがマトリックス状に複数配置されている。
【００４２】
素子基板１０の第１辺部と第１辺部に沿ったシール材５４との間には、データ線駆動回路１０１が設けられている。該第１辺部と直交し互いに対向する他の第２辺部、第３辺部に沿ったシール材５４と表示領域Ｖとの間には、走査線駆動回路１０２が設けられている。該第１辺部と対向する他の第４辺部に沿ったシール材５４と表示領域Ｖとの間には、二つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。素子基板１０のデータ線駆動回路１０１が設けられた側の端部には、複数の外部接続用端子１０３が設けられている。複数の外部接続用端子１０３と、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０２との間には、それぞれを電気的に接続する配線が設けられている。
【００４３】
さらに、対向基板２０の四隅には、対向基板２０側に設けられた共通電極２２（図２参照）と、素子基板１０側に設けられた引き回し配線（図示省略）とを電気的に接続する上下導通部１０６が設けられている。
上下導通部１０６は、例えば金などの導電性粒子が分散された樹脂であり、導電性を有する。
なお、上下導通部１０６は「樹脂層」の一例である。
【００４４】
図２に示すように、素子基板１０は、素子基板本体１０ａ、並びに素子基板本体１０ａの液晶層５０側の面に設けられた薄膜トランジスター（Thin  Film  Transistor；以降ＴＦＴと称す）３０、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、層間絶縁層３１、画素電極９、外部接続用端子１０３、第１配向層４１などを有している。
【００４５】
素子基板本体１０ａは、例えば石英基板やガラス基板などの透光性の絶縁基板で構成されている。
ＴＦＴ３０、データ線駆動回路１０１、及び走査線駆動回路１０２は、素子基板本体１０ａの上に形成され、半導体層、複数の導電層、及び複数の絶縁層を有している。ＴＦＴ３０は、例えばｎチャネル型ＴＦＴで構成されている。データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０２は、例えばｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとを備えたＣＭＯＳ型ＴＦＴで構成されている。
【００４６】
層間絶縁層３１は、例えば酸化シリコンなどの透光性の絶縁膜で構成され、ＴＦＴ３０、データ線駆動回路１０１、及び走査線駆動回路１０２などを覆う。層間絶縁層３１の上には、画素電極９や外部接続用端子１０３などが設けられている。画素電極９は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電材料で構成されている。
第１配向層４１は、例えば酸化シリコンで構成される無機配向層であり、画素電極９を覆う。
【００４７】
対向基板２０は、対向基板本体２０ａ、並びに対向基板本体２０ａの液晶層５０側の面に順に積層された遮光膜５３、絶縁膜２１、共通電極２２、第２配向層４２などを有している。
【００４８】
対向基板本体２０ａは、例えば石英基板やガラス基板などの透光性の絶縁基板で構成されている。
【００４９】
遮光膜５３は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などで構成されている。遮光膜５３は、不必要な迷光が表示領域Ｖに入射しないように遮光して、表示領域Ｖにおける表示コントラストを高めている。
【００５０】
絶縁膜２１は、透光性の無機絶縁材料からなり、対向基板本体２０ａの上に遮光膜５３が形成されることで生ずる表面の凹凸を緩和する役割を有する。共通電極２２は、絶縁膜２１の上に形成され、ＩＴＯなどの透明導電材料で構成される。第２配向層４２は、例えば酸化シリコンで構成される無機配向層であり、共通電極２２を覆う。
【００５１】
図３に示すように、液晶パネル１は、少なくとも表示領域Ｖにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線５及び複数のデータ線６と、走査線５に対して平行する容量線７とを有する。
【００５２】
走査線５とデータ線６とで区分された領域には、画素電極９と、ＴＦＴ３０と、蓄積容量６０とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００５３】
走査線５はＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６はＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極９はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
【００５４】
データ線駆動回路１０１の画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎはデータ線６を介して、走査線駆動回路１０２の走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍは走査線５を介して、それぞれ各画素Ｐに供給される。
【００５５】
液晶パネル１では、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力によりＴＦＴ３０が一定期間だけオン状態になったタイミングに同期して、データ線６から画像信号Ｄ１〜Ｄｎが供給され、画像信号Ｄ１〜Ｄｎに対応する電荷が画素電極９と共通電極２２との間の容量に蓄積され、一定期間保持される。
【００５６】
画素電極９と共通電極２２との間の容量に蓄積された電荷のリークの影響を軽減するために、画素電極９と共通電極２２との間に、液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。蓄積容量６０は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線７との間に設けられている。
【００５７】
液晶パネル１では、画素電極９と共通電極２２との間に印加された電圧によって、液晶層５０の配向状態が変化し、表示領域Ｖを透過する光が変調され、ノーマリーホワイトモードの表示またはノーマリーブラックモードの表示が提供される。
【００５８】
エポキシ樹脂で構成されるシール材５４は、僅かな透湿性を有し、大気中の水分（湿気）が、シール材５４の中を通過し、液晶層５０の中に混入（侵入）するおそれがある。さらに、液晶層５０を充填する工程やシール材５４からの溶出などによって、液晶層５０の中にイオン性不純物が混入するおそれもある。
【００５９】
酸化シリコンなどの無機配向層（配向層４１，４２）は、ポリイミドなどの有機配向層と比べて、水分を吸着しやすい。このため、シール材５４の中を通過して液晶層５０の中に混入した水分は、シール材５４の遠くに配置される配向層４１，４２と比べて、シール材５４の近くに配置される配向層４１，４２に吸着されやすい。その結果、シール材５４の遠くに配置される配向層４１，４２と比べて、シール材５４の近くに配置される配向層４１，４２に多くの水分が吸着され、水分の偏在が生じやすい。さらに、水分はイオン性不純物を引き寄せトラップ（拘束）するので、水分が偏在した部分にイオン性不純物が偏在するようになる。
【００６０】
このため、シール材５４の遠くに配置される配向層４１，４２と比べて、シール材５４の近くに配置される配向層４１，４２にイオン性不純物が偏在しやすく、イオン性不純物が偏在した部分に焼き付きなどの表示不具合が発生しやすくなる。
【００６１】
さらに、酸化シリコンなどの無機配向層（配向層４１，４２）は、ポリイミドなどの有機配向層と比べて、耐熱性や耐光性に優れているが、アンカリング力が弱く、水分の吸着によって配向力が低下しやすい。このため、配向層４１，４２に対して水分が偏在して吸着すると、配向層４１，４２の配向力（アンカリング力）が不均一になり、表示ムラなどの表示不具合が生じるおそれがある。
【００６２】
さらに、液晶層５０の中に水分が混入すると、液晶層５０の比抵抗が低下し、画素電極９と共通電極２２との間の容量に蓄積された電荷がリークしやすくなり、表示ムラなどの表示不具合が生じるおそれがある。
【００６３】
このように、大気中の水分（湿気）が、シール材５４の中を通過し、液晶層５０の中に混入（侵入）すると、焼き付きや表示ムラなどの表示不具合が生じやすくなる。このため、大気中の水分（湿気）が液晶層５０の中に侵入しにくくすること、すなわち、シール材５４の耐湿性を高め、大気中の水分（湿気）がシール材５４の中を通過しにくくすることが重要である。
本実施形態は、シール材５４の耐湿性を高め、大気中の水分（湿気）を液晶層５０の中に侵入しにくくする優れた構成を有しているので、以下にその詳細（液晶パネル１の特長）を説明する。
【００６４】
「液晶パネルの特長」
図４は、図２に対応する図であり、図１のＡ−Ａ線に沿った液晶パネルの概略断面図である。なお、同図では、本実施形態に係る液晶パネル１の特長を分かりやすくするため、素子基板１０の構成要素や、対向基板２０の構成要素の図示が省略されている。さらに、同図では、液晶パネル１（液晶層５０）によって変調される光５１が一点鎖線の矢印で示されている。
【００６５】
図４に示すように、光５１は、対向基板２０の側から入射し、液晶層５０によって変調され、素子基板１０の側から射出される。なお、光５１は、素子基板１０の側から入射し、対向基板２０の側から射出される構成であってもよい。
【００６６】
素子基板１０は、光５１が射出される側に配置される第１面１１と、第１面１１に対向する第２面（液晶層５０の側に配置される面）１２と、第１面１１及び第２面１２に交差する第１の端１３とを有する。また、第１の端１３は、素子基板１０の外縁をなす。
【００６７】
対向基板２０は、光５１が入射する側に配置される第３面２３と、第３面２３に対向する第４面（液晶層５０の側に配置される面）２４と、第３面２３及び第４面２４に交差する第２の端２５とを有する。また、第２の端２５は、対向基板２０の外縁をなす。
【００６８】
液晶層５０は、素子基板１０の第２面１２と対向基板２０の第４面２４との間に配置されている。液晶パネル１では、光５１が入射する方向に沿って、第３面２３と、第４面２４と、液晶層５０と、第２面１２と、第１面１１とが順に配置されている。
【００６９】
シール材５４は、素子基板１０の第２面１２と対向基板２０の第４面２４との間で、液晶層５０を囲むように配置され、液晶層５０を大気から隔離する。シール材５４は、液晶層５０が配置される側の面と反対側に配置される第５面５５を有している。また、第５面５５は、大気側（液晶層５０と反対側）に配置され、シール材５４の外周面である。
【００７０】
素子基板１０の第１の端１３、及び対向基板２０の第２の端２５は、シール材５４から液晶層５０の反対側に張り出して配置されている。素子基板１０の第１の端１３、及び対向基板２０の第２の端２５は、共にシール材５４から同程度張り出している。
【００７１】
第２面１２から第４面２４に向かう方向において、シール材５４の寸法（シール材５４の厚さ）はＬ１である。
第２面１２から第４面２４に向かう方向において、素子基板１０の第１の端１３とシール材５４との間の寸法（離間距離）、及び対向基板２０の第２の端２５とシール材５４との間の寸法（離間距離）は、共にＬ２である。すなわち、シール材５４の第１の端１３からの離間距離、及びシール材５４の第２の端２５からの離間距離は、共にＬ２である。
【００７２】
本実施形態では、シール材５４の寸法Ｌ１が、シール材５４の第１の端１３からの離間距離Ｌ２の１／５０以下、及びシール材５４の第２の端２５からの離間距離Ｌ２の１／５０以下となるように設定されている。
以降の説明では、シール材５４の寸法Ｌ１に対する離間距離Ｌ２の割合をアスペクト比と称す。本実施形態では、シール材５４は、アスペクト比が５０以上となるように、第１の端１３及び第２の端２５の内側（液晶層５０の側）に配置されている。
【００７３】
なお、アスペクト比が５０以上となるようにシール材５４が配置されていれば、シール材５４の第１の端１３からの離間距離と、シール材５４の第２の端２５からの離間距離Ｌ２とが異なる構成であってもよい。
【００７４】
素子基板１０の第１の端１３、及び対向基板２０の第２の端２５は、シール材５４の第５面５５から液晶層５０の反対側に張り出して配置されているので、素子基板１０の第２面１２と、シール材５４の第５面５５と、対向基板２０の第４面２４とによって凹部６５が形成される。シール材５４の第５面５５は、凹部６５の底面である。素子基板１０の第２面１２及び対向基板２０の第４面２４は、凹部６５の側面である。また、凹部６５のアスペクト比はＬ２／Ｌ１であり、凹部６５のアスペクト比は５０以上である。
【００７５】
シール材５４の第５面５５は、バリア層５７によって覆われている。詳細は後述するが、バリア層５７は、原子層堆積法（ＡＬＤ法：Atomic Layer Deposition（以降、ＡＬＤ法と称す））によって形成された酸化ハフニウムまたは酸化タンタルである。ＡＬＤ法によって形成された酸化ハフニウムまたは酸化タンタルは、シール材５４を構成するエポキシ樹脂と比べて、高い密度を有し、大気中の水分（湿気）を透過しにくい。
さらに、第１の端１３及び第２の端２５は、バリア層５７から液晶層５０の反対側に張り出して配置されているので、バリア層５７は第１の端１３及び第２の端２５によって保護され、機械的衝撃によって傷つきにくくなっている。従って、シール材５４の第５面５５をバリア層５７で覆うと、バリア層５７がシール材５４への水分侵入を安定して抑制し、大気中の水分（湿気）が液晶層５０の中に侵入しにくくなる。
すなわち、シール材５４の第５面５５をバリア層５７で覆うことによって、シール材５４の耐湿性が高められ、焼き付きや表示ムラなどの表示不具合を抑制することができる。
【００７６】
バリア層５７の構成材料としては、酸化ハフニウムまたは酸化タンタルの他に、高融点金属の酸化膜（例えば、タングステン酸化物）、窒化膜（例えば、窒化シリコン、窒化タンタル、窒化アルミニウムなど）などを使用することができる。
【００７７】
上述したように、素子基板本体１０ａ及び対向基板本体２０ａの構成材料は酸化シリコン（石英、またはガラス）である。バリア層５７の膜密度は素子基板本体１０ａ及び対向基板本体２０ａ（酸化シリコン）の密度よりも高いため、バリア層５７の屈折率は素子基板本体１０ａ（酸化シリコン）及び対向基板本体２０ａ（酸化シリコン）の屈折率よりも高い。
【００７８】
仮に、表示領域Ｖの第３面２３がバリア層５７で覆われると、第３面２３とバリア層５７との界面、及びバリア層５７と大気との界面で光の反射が生じる。このため、バリア層５７を透過する光５１は、第３面２３とバリア層５７との界面で反射される。さらに、第３面２３とバリア層５７との界面で反射される光は、バリア層５７と大気との界面で反射される。そして、バリア層５７を透過する光５１とこれら反射光とが、バリア層５７の中で干渉（多重干渉）し、バリア層５７を透過する光５１の強度（輝度）が減衰（低下）する。
なお、光５１の強度を低下させる光の干渉（多重干渉）は、バリア層５７の光路長（膜厚×屈折率）や、光５１の波長などによって変化する。
【００７９】
同様に、表示領域Ｖの第１面１１がバリア層５７で覆われると、第１面１１とバリア層５７との界面、及びバリア層５７と大気との界面で光の反射が生じる。このため、バリア層５７を透過する光５１は、第１面１１とバリア層５７との界面で反射される。さらに、第１面１１とバリア層５７との界面で反射される光は、バリア層５７と大気との界面で反射される。そして、バリア層５７を透過する光５１とこれら反射光とが、バリア層５７の中で干渉（多重干渉）し、バリア層５７を透過する光５１の強度（輝度）が低下する。
【００８０】
このように、表示領域Ｖの第３面２３及び表示領域Ｖの第１面１１が、素子基板本体１０ａ及び対向基板本体２０ａと異なる屈折率で覆われると、屈折率が異なる界面で光の反射が生じ、バリア層５７を透過する光５１と反射光とが干渉（多重干渉）し、素子基板１０から射出される光５１の強度が低下するという不具合が生じるおそれがある。
【００８１】
本実施形態では、バリア層５７は、表示領域Ｖの第１面１１及び表示領域Ｖの第３面２３を覆わず、シール材５４の第５面５５を覆うように形成されている。表示領域Ｖの第１面１１及び表示領域Ｖの第３面２３は、バリア層５７で覆われていないので、上述したバリア層５７を透過する光５１と反射光とが干渉（多重干渉）し、素子基板１０から射出される光５１の強度が低下するという不具合が生じるおそれがない。
【００８２】
なお、バリア層５７が表示領域Ｖ以外の領域の第１面１１及び表示領域Ｖ以外の領域の第３面２３を覆っても、バリア層５７が表示領域Ｖの第１面１１の及び表示領域Ｖの第３面２３を覆っていなければ、上述した素子基板１０から射出される光５１の強度が低下するという不具合が生じるおそれがない。
【００８３】
従って、バリア層５７は、表示領域Ｖの第１面１１及び表示領域Ｖの第３面２３を覆わず、表示領域Ｖ以外の領域の第１面１１及び表示領域Ｖ以外の領域の第３面２３を覆う構成であってもよい。
換言すれば、本実施形態は、バリア層５７が、第１面１１及び第３面２３の少なくとも一部（表示領域Ｖの第１面１１及び表示領域Ｖの第３面２３）を覆わず、第５面５５を覆う構成を有している。
【００８４】
なお、図示を省略するが、バリア層５７は、上下導通部１０６の大気側の面（液晶層５０と反対側に配置される面）を覆っている。上下導通部１０６の大気側の面はバリア層５７によって覆われているので、バリア層５７が上下導通部１０６における水分侵入を抑制し、上下導通部１０６が形成された部分においても大気中の水分（湿気）が液晶層５０の中に侵入しにくい。
また、素子基板１０の外部接続用端子１０３が形成される部分は、バリア層５７で覆われていなく、外部接続用端子１０３は露出している。
【００８５】
「液晶パネルの製造方法」
図５は、本実施形態に係る液晶パネルの製造方法を示す工程フローである。図６は、バリア層を形成する薄膜形成装置の概略図である。図７Ａ乃至図７Ｄは、図４に対応する図であり、図５に示す主要な工程を経た後の液晶パネルの状態を示す概略断面図である。図８Ａ及び図８Ｂは、図７Ｂの二点鎖線で囲まれた領域Ａの概略断面図であり、反応種の拡散の状態を示す模式図である。図８Ｃは、図７Ｂの二点鎖線で囲まれた領域Ａの概略断面図であり、ステップＳ５を経た後の状態を示す模式図である。
なお、図８Ａ及び図８Ｂでは、反応種７２の拡散方向や拡散距離が、図中の矢印で模式的に示されている。
次に、図５と、図６と、図７Ａ乃至図７Ｄと、図８Ａ乃至図８Ｃとを参照し、本実施形態に係る液晶パネル１の製造方法について説明する。なお、以降の説明では、バリア層５７が形成されていない状態の液晶パネル１を、液晶パネル１Ａと称する。
【００８６】
図５に示すように、本実施形態に係る液晶パネル１の製造方法は、液晶パネル１Ａを準備する工程（ステップＳ１）と、原子層堆積膜７１の前駆体７０を形成する工程（ステップＳ２）と、前駆体７０と反応性ガスとを反応させ原子層堆積膜７１を形成する工程（ステップＳ３）と、第１面１１及び第３面２３を覆う原子層堆積膜７１を除去する工程（ステップＳ４）と、ステップＳ２とステップＳ３とステップＳ４とを繰り返しバリア層５７を形成する工程（ステップＳ５）とを含む。
【００８７】
なお、ステップＳ２は、「材料ガスを導入し、第１面と第３面と第５面とに材料ガスを吸着させ、バリア層の原子層堆積膜の前駆体を形成する工程」の一例である。ステップＳ３は、「反応性ガスを導入し、前駆体と反応性ガスとを反応させ、第１面と第３面と第５面とを覆う原子層堆積膜を形成する工程」の一例である。ステップＳ４は、「原子層堆積膜をエッチングする反応種を導入し、第１面及び第３面を覆う原子層堆積膜を除去する工程」の一例である。
【００８８】
ステップＳ１では、シールディスペンサーを用いて素子基板１０の第１の端１３の内側に枠形状のシール材５４を形成する。続いて、シールディスペンサーを用いて金などの導電性粒子が分散された樹脂ペーストを、枠形状のシール材５４の外側の四隅に滴下する。
枠形状のシール材５４の内側に液晶層５０を滴下した後、対向基板２０を貼りあわせ、紫外線の照射と熱処理とを施し、シール材５４を硬化させて液晶パネル１Ａを形成する。なお、枠形状のシール材５４の外側の四隅に滴下された樹脂ペーストは、当該熱処理によって硬化され、上下導通部１０６（図１参照）となる。また、液晶パネル１Ａは、図４に示す液晶パネル１からバリア層５７が削除された構成を有している。
【００８９】
ステップＳ１では、第２面１２から第４面２４に向かう方向の寸法がＬ１であり、第１の端１３からの離間距離がＬ２であり、第２の端２５からの離間距離がＬ２であり、寸法Ｌ１が離間距離Ｌ２の１／５０以下となるように、シール材５４を形成する。換言すれば、ステップＳ１では、素子基板１０の第１の端１３、及び対向基板２０の第２の端２５が、シール材５４から液晶層５０の反対側に張り出して配置され、凹部６５のアスペクト比（Ｌ２／Ｌ１）が５０以上となるように、シール材５４を形成する。
【００９０】
本実施形態に係る液晶パネル１の製造方法では、第２面１２から第４面２４に向かう方向の寸法Ｌ１が、第１の端１３からの離間距離Ｌ２及び第２の端２５からの離間距離Ｌ２の１／５０以下となるようにシール材５４を形成した以降の工程において、薄膜形成装置８０を用いて、ステップＳ２とステップＳ３とステップＳ４とを繰り返し、バリア層５７を形成する。
すなわち、ステップＳ２とステップＳ３とステップＳ４とは、ステップＳ１以降に処理されている。なお、ステップＳ１とステップＳ２との間に他の工程を有していてもよい。
【００９１】
図６に示すように、薄膜形成装置８０は、反応室８１と、材料ガスを格納する格納室８２と、反応性ガスを格納する格納室８３と、リモートプラズマ室８４と、ドライポンプ８５とを有している。格納室８２と反応室８１との間の配管にはパルシングバルブ９２が設けられ、格納室８３と反応室８１との間の配管にはパルシングバルブ９３が設けられ、リモートプラズマ室８４と反応室８１との間にはゲートバルブ９４が設けられている。反応室８１には、配管８６を介してキャリアガスが導入されるようになっている。ドライポンプ８５は、反応室８１に導入された材料ガスや反応性ガスやキャリアガスなどを排気する。
【００９２】
材料ガスは、例えばＴＤＭＡＨ（テトラキスジメチルアミノハフニウム（Ｈｆ［（ＣＨ3）2Ｎ］4）である。反応性ガスは、例えば水やオゾンなどの気体で構成される酸化剤であり、本実施形態では反応性ガスとして水を使用している。キャリアガスは、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスを使用することができる。
【００９３】
反応室８１には、液晶パネル１Ａを固定する把持部８８が設けられている。把持部８８は、対向基板２０から張り出し部分の素子基板１０を把持し、反応室８１の中に液晶パネル１Ａを固定する。把持部８８は、シール材５４の第５面５５の全域に後述する材料ガスや反応性ガスが供給されるように、液晶パネル１Ａを把持（固定）する。詳しくは、把持部８８は、対向基板２０から張り出した部分の素子基板１０（外部接続用端子１０３が形成された部分）を把持する。
【００９４】
ステップＳ２では、パルシングバルブ９２を開けて、材料ガスを反応室８１に導入する。すると、図７Ａに示すように、材料ガスは、素子基板１０の表面（材料ガスの雰囲気に曝される面（第１面１１、第２面１２の一部、第１の端１３））、対向基板２０の表面（材料ガスの雰囲気に曝される面（第３面２３、第４面２４の一部、第２の端２５））と、シール材５４の表面（材料ガスの雰囲気に曝される面（第５面５５））とに吸着し、素子基板１０の表面と対向基板２０の表面とシール材５４の表面とを覆う前駆体７０が形成される。
【００９５】
例えば、材料ガスが素子基板１０の表面に吸着し、素子基板１０の表面を覆うと、素子基板１０の表面にそれ以上の材料ガスの吸着が生じないというセルフリミティング効果が働く。このため、素子基板１０の表面は、材料ガスの構成材料であるＴＤＭＡＨの単分子層（ハフニウム原子の単原子層）で覆われる。同様に、セルフリミティング効果によって、対向基板２０の表面及びシール材５４の表面は、材料ガスの構成材料であるＴＤＭＡＨの単分子層（ハフニウム原子の単原子層）で覆われる。
すなわち、前駆体７０は、材料ガスの表面吸着によって形成されたＴＤＭＡＨの単分子層である。
【００９６】
ステップＳ３では、ドライポンプ８５を動作させながらキャリアガスをパージし、表面吸着に寄与しない余分な材料ガスを反応室８１から排気した後に、パルシングバルブ９３を開けて、反応性ガス（酸化剤）を反応室８１に導入する。例えば５０℃〜２００℃の低温で反応室８１を加熱することによって、前駆体７０と反応性ガスとが反応し、前駆体７０が酸化させる。すると、図７Ｂに示すように、素子基板１０の表面と対向基板２０の表面とシール材５４の表面とを覆う原子層堆積膜７１が形成される。詳しくは、前駆体７０の構成要素であるＴＤＭＡＨの単分子層を酸化し、酸化ハフニウムの単分子層を形成する。
すなわち、原子層堆積膜７１は、前駆体７０を酸化することによって形成された酸化ハフニウムの単分子層である。
なお、把持部８８で把持された部分（把持部８８で把持された部分の素子基板１０）には、前駆体７０や原子層堆積膜７１は形成されない。
【００９７】
ステップＳ４では、ドライポンプ８５を動作させながらキャリアガスをパージし、反応に寄与しない余分な反応性ガスを反応室８１から排気した後に、ゲートバルブ９４を開けて、反応種７２を反応室８１に導入する。
【００９８】
反応種７２は、リモートプラズマ室８４の中に、例えば三塩化ホウ素や塩素ガスなどの塩素系ガスを導入し、高周波放電によってプラズマ化して形成された塩素ラジカル（励起種）である。反応種７２は、反応室８１の中で酸化ハフニウム（原子層堆積膜７１）と反応し、揮発性が高い（蒸気圧が高い）ハフニウムの塩化物を形成し、酸化ハフニウム（原子層堆積膜７１）をエッチング除去する。
反応種７２は、反応室８１と別のチャンバー（リモートプラズマ室８４）で形成され、イオン種の影響やプラズマを発生させる電界の影響が抑制されているので、反応室８１に導入された反応種７２は、特定方向に拡散（進行）するのでなく、等方的に拡散（進行）する。
【００９９】
図８Ａでは、第１面１１と第１の端１３と第３面２３と第２の端２５とに直交する方向に拡散する反応種７２が反応種７２Ａとして図示され、第１面１１と第１の端１３と第３面２３と第２の端２５とに交差する方向に拡散する反応種７２の図示が省略されている。
図８Ａに示すように、反応種７２Ａは、第１面１１と第１の端１３と第３面２３と第２の端２５とを覆う原子層堆積膜７１に略同時期に到達し、第１面１１と第１の端１３と第３面２３と第２の端２５とを覆う原子層堆積膜７１をエッチングする。
【０１００】
図８Ｂでは、第５面５５に直交する方向に拡散する反応種７２が反応種７２Ｂとして図示され、第５面５５に交差する方向に拡散する反応種７２が反応種７２Ｃとして図示されている。
【０１０１】
図８Ｂに示すように、反応種７２Ｃの一部は、第２面１２を覆う原子層堆積膜７１に進行し、第２面１２を覆う原子層堆積膜７１をエッチングする。反応種７２Ｃの一部は、第４面２４を覆う原子層堆積膜７１に進行し、第４面２４を覆う原子層堆積膜７１をエッチングする。このため、第５面５５に交差する方向に拡散する反応種７２Ｃは、第２面１２を覆う原子層堆積膜７１のエッチングまたは第４面２４を覆う原子層堆積膜７１のエッチングによって消費され、第５面５５を覆う原子層堆積膜７１に進行しにくく、原子層堆積膜７１は、反応種７２Ｃによってエッチングされにくい。
【０１０２】
このため、第５面５５を覆う原子層堆積膜７１は、第５面５５に直交する方向に拡散する反応種７２Ｂによってエッチングされる。ところが、第５面５５に直交する方向に拡散する反応種７２Ｂは、第５面５５に交差する方向に拡散する反応種７２Ｃや反応種７２Ａと比べて極めて微量であるので、第５面５５を覆う原子層堆積膜７１は反応種７２Ｂによって殆どエッチングされない。その結果、ステップＳ４において、第５面５５を覆う原子層堆積膜７１のエッチングが進行しない状態で、第１面１１及び第３面２３を覆う原子層堆積膜７１をエッチング除去する選択エッチングを実現することができる。
【０１０３】
凹部６５のアスペクト比が小さくなると、反応種７２Ｂが第５面５５に進行しやすくなるので、第５面５５を覆う原子層堆積膜７１は、反応種７２Ｂによってエッチングされやすくなる。凹部６５のアスペクト比が大きくなると、反応種７２Ｂが第５面５５に進行しにくくなるので、第５面５５を覆う原子層堆積膜７１は、反応種７２Ｂによってエッチングされにくくなる。
このため、第５面５５を覆う原子層堆積膜７１のエッチングが進行しない状態で、第１面１１及び第３面２３を覆う原子層堆積膜７１をエッチング除去する選択エッチングを実現するためには、凹部６５のアスペクト比を５０以上に大きくする必要がある。仮に、凹部６５のアスペクト比を５０よりも小さくすると、ステップＳ４によって第５面５５を覆う原子層堆積膜７１が局所的にエッチングされるという不具合が生じるおそれがある。
【０１０４】
従って、第５面５５を覆う原子層堆積膜７１のエッチングが進行しない状態で、第１面１１及び第３面２３を覆う原子層堆積膜７１をエッチング除去する選択エッチングを実現するためには、ステップＳ１において、第２面１２から第４面２４に向かう方向の寸法がＬ１であり、第１の端１３からの離間距離がＬ２であり、第２の端２５からの離間距離がＬ２であり、寸法Ｌ１が離間距離Ｌ２の１／５０以下となるように、シール材５４を形成することが重要である。
【０１０５】
換言すれば、ステップＳ４では、第５面５５を覆う原子層堆積膜７１が反応種７２によってエッチングされる前に、第１面１１及び第３面２３を覆う原子層堆積膜７１を反応種７２によってエッチング除去する。その結果、図７Ｃに示すように、第１面１１及び第３面２３を覆わず、第５面５５を覆うように原子層堆積膜７１をパターニングすることができる。
【０１０６】
なお、ステップＳ４では、第２面１２を覆う原子層堆積膜７１及び、第４面２４を覆う原子層堆積膜７１は、反応種７２Ｃによって部分的にエッチングされる。第２面１２を覆う原子層堆積膜７１及び第４面２４を覆う原子層堆積膜７１のエッチングの進行のしやすさは、凹部６５の形状や、反応種７２に曝される時間（エッチング時間）によって変化する。例えば、第２面１２を覆う原子層堆積膜７１及び第４面２４を覆う原子層堆積膜７１は、第１の端１３及び第２の端２５の側でエッチングされやすく、第５面５５の側でエッチングされにくい。
このため、ステップＳ４を経た後の第２面１２及び第４面２４を覆う原子層堆積膜７１の状態は、凹部６５の形状や、反応種７２に曝される時間（エッチング時間）によって変化する。
ステップＳ４では、第５面５５を覆う原子層堆積膜７１がエッチングされないように、凹部６５の形状や、反応種７２に曝される時間（エッチング時間）を制御することが重要である。
【０１０７】
なお、図示を省略するが、外部接続用端子１０３（図１参照）は、素子基板１０の第２面１２に形成されている。外部接続用端子１０３を覆うように形成された原子層堆積膜７１も、ステップＳ４によってエッチング除去される。
【０１０８】
ステップＳ５では、図７Ｄに示すように、ＡＬＤ法によって酸化ハフニウムの単原子層（原子層堆積膜７１）を形成する工程（ステップＳ２，Ｓ３）と、酸化ハフニウムの単原子層（原子層堆積膜７１）が第５面５５に残存するように選択エッチングを施す工程（ステップＳ４）とを繰り返し、第５面５５に酸化ハフニウムの単原子層（原子層堆積膜７１）を一層ずつ積層することによって、第５面を覆うバリア層５７を形成する。
【０１０９】
より詳しくは、ステップＳ５では、図８Ｃに示すように、第２面１２の一部と、第４面２４の一部と、第５面５５の全体を覆うように、バリア層５７を形成する。このため、バリア層５７は、第２面１２の一部を覆うバリア層５７Ａと、第４面２４の一部を覆うバリア層５７Ｂと、バリア層５７Ａとバリア層５７Ｂとの間に配置され第５面５５を覆うバリア層５７Ｃ（図中のハッチングされた部分）とに区分される。
【０１１０】
バリア層５７Ｃの第５面５５に直交する方向の寸法（膜厚）はＤ１である。バリア層５７Ａの第５面５５に直交する方向の寸法、及びバリア層５７Ｂの第５面５５に直交する方向の寸法は、バリア層５７Ｃの第５面５５に直交する方向の寸法Ｄ１よりも大きい。
【０１１１】
上述したように、ステップＳ４を経た後の第２面１２及び第４面２４を覆う原子層堆積膜７１の状態は、凹部６５の形状や、反応種７２に曝される時間（エッチング時間）によって変化する。このため、バリア層５７Ａの第５面５５に直交する方向の寸法、及びバリア層５７Ｂの第５面５５に直交する方向の寸法は、凹部６５の形状や、反応種７２に曝される時間（エッチング時間）によって変化する。
【０１１２】
バリア層５７が大気中の水分（湿気）に対して優れたバリア性を有するためには、バリア層５７Ａの第５面５５に直交する方向の寸法、及びバリア層５７Ｂの第５面５５に直交する方向の寸法を、バリア層５７Ｃの第５面５５に直交する方向の寸法Ｄ１以上に制御することが重要である。従って、本実施形態では、バリア層５７Ａの第５面５５に直交する方向の寸法、及びバリア層５７Ｂの第５面５５に直交する方向の寸法は、バリア層５７Ｃの第５面５５に直交する方向の寸法Ｄ１以上となっている。
【０１１３】
なお、本願における「バリア層の厚さは略均一である」とは、バリア層５７Ｃの第５面５５に直交する方向の寸法（膜厚）の状態に対応する。本実施形態に係る製造方法では、原子レベルで一層ずつ薄膜を成長させてバリア層５７Ｃを形成するので、バリア層５７Ｃの膜厚を原子レベルで高精度に制御し、バリア層５７Ｃの厚さを均一にすることができる。従って、バリア層５７Ｃの第５面５５に直交する方向の寸法は、Ｄ１であり、略均一である。
なお、上述した図４及び図７Ｄでは、バリア層５７Ａ及びバリア層５７Ｂの図示が省略され、第５面５５を覆うバリア層５７Ｃの厚さが略均一である状態が、模式的に図示されている。
【０１１４】
このように、バリア層５７は、表面に吸着した材料ガス（ＴＤＭＡＨ）と反応性ガス（水）との化学反応で形成された酸化ハフニウムの単原子層（原子層堆積膜７１）を一層ずつ積層するというＡＬＤ法によって形成された酸化ハフニウムである。
【０１１５】
ＡＬＤ法は、材料ガスや反応性ガスが入り込める隙間があれば成膜が可能であり、原子レベルで一層ずつ薄膜を成長させることができる。ＡＬＤ法では、薄膜を二次元的に成長させるので、例えば化学反応で形成された粒子を堆積させて薄膜を形成する熱ＣＶＤや、粒子を飛散させて薄膜を形成するスパッタ法などと比べて、バリア層５７の欠陥密度を極めて低くすることができる。
【０１１６】
従って、本実施形態に係る製造方法によって、高アスペクト比の凹部６５であっても、均一な厚さでシール材５４の第５面５５を覆い、欠陥密度が極めて低くバリア性に優れたバリア層５７を形成することができる。さらに、原子レベルで一層ずつ薄膜を成長させてバリア層５７を形成するので、バリア層５７の膜厚を原子レベルで高精度に制御することができる。
【０１１７】
さらに、本実施形態に係る製造方法では、５０℃〜２００℃の低温でバリア層５７を形成するので、シール材５４や液晶層５０に対する熱的な劣化（ダメージ）を抑制することができる。従って、シール材５４の第５面５５を覆うバリア層５７を形成しても、液晶パネル１の表示性能が劣化せず、優れた表示性能を維持することができる。
【０１１８】
さらに、バリア層５７は、シール材５４の第５面５５を覆い、素子基板１０の第１面１１と対向基板２０の第３面２３とを覆わないように形成されている。表示領域Ｖの第１面１１及び表示領域Ｖの第３面２３は、バリア層５７で覆われていないので、上述したバリア層５７を透過する光５１と反射光とが干渉（多重干渉）し、素子基板１０から射出される光５１の強度が低下するという不具合が生じるおそれがない。すなわち、表示領域Ｖに異なる屈折率の薄膜が配置されることによる表示性能の低下を抑制することができる
【０１１９】
次に、本実施形態に係る製造方法で形成されたバリア層５７の物性（膜密度）、及び本実施形態に係る製造方法で形成された液晶パネル１の信頼性に関して説明する。
本実施形態では、上述した材料ガスにＴＤＭＡＨを使用して形成された酸化ハフニウムをバリア層５７とする場合以外に、材料ガスにＴＢＴＥＭＴ（トリス（エチルメチルアミノ）ターシャリーブチルイミノタンタル（Ｔａ［ＮＣ（ＣＨ3）3］［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）ＣＨ3］3））を使用して形成された酸化タンタルをバリア層５７とする場合、及び材料ガスにＴＭＡ（トリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ3）3））を使用して形成された酸化アルミニウムをバリア層５７とする場合に関しても同様の評価を行った。
【０１２０】
また、酸化タンタル及び酸化アルミニウムを形成する場合の反応性ガス（酸化剤）は、酸化ハフニウムを形成する場合の反応性ガス（酸化剤）と同じ水である。
さらに、バリア層５７（酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化アルミニウム）を形成する場合の材料ガスと反応性ガスとの処理温度は概略１２０℃であり、バリア層５７（酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化アルミニウム）の膜厚は概略２０〜３０ｎｍである。
【０１２１】
図９は、材料ガス及び反応性ガスの処理温度と、ＡＬＤ法によって形成されたバリア層（酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化アルミニウム）の膜密度との関係を示すグラフである。同図の縦軸は膜密度であり、同図の横軸は処理温度である。なお、膜密度の評価では、原子層堆積膜７１に選択エッチングを施す工程（ステップＳ４）が省略されている。
【０１２２】
図１０は、液晶パネルを高温高湿の環境（温度８５℃、湿度８５％）で保存した場合の液晶層の比抵抗の経時変化を示すグラフである。同図の縦軸は液晶層５０の比抵抗の逆数であり、同図の横軸は保存時間である。
また、図１０では、バリア層５７を酸化ハフニウム、酸化タンタル、または酸化アルミニウムのいずれかで形成した場合の液晶パネル１と、バリア層５７を形成していない場合の液晶パネルとが図示されている。
【０１２３】
図９に示すように、処理温度８０〜２００℃の範囲で形成された酸化ハフニウムの膜密度は、９〜９．３ｇ／ｃｍ3である。処理温度８０〜２００℃の範囲で形成された酸化タンタルの膜密度は、６．８〜７．９ｇ／ｃｍ3である。処理温度６０〜１５０℃の範囲で形成された酸化アルミニウムの膜密度は、２．８〜３．３ｇ／ｃｍ3である。
【０１２４】
酸化ハフニウムの理論密度は９．６８ｇ／ｃｍ3であり、酸化タンタルの理論密度は８．７３ｇ／ｃｍ3であり、酸化アルミニウムの理論密度は４ｇ／ｃｍ3である。処理温度８０〜２００℃の範囲で形成された酸化ハフニウムは、処理温度８０〜２００℃の範囲で形成された酸化タンタルや処理温度６０〜１５０℃の範囲で形成された酸化アルミニウムと比べて、理論密度に近い膜密度を有しているので、理想的な結晶構造に近く、結晶欠陥が少ないものと推定される。処理温度８０〜２００℃の範囲で形成された酸化タンタルは、処理温度６０〜１５０℃の範囲で形成された酸化アルミニウムと比べて、理論密度に近い膜密度を有しているので、理想的な結晶構造に近く、結晶欠陥が少ないものと推定される。
【０１２５】
さらに、膜密度が高くなると、膜が緻密になり、例えば大気中の水分（湿気）を透過させにくく、大気中の水分（湿気）に対するバリア性が強くなる。このため、ＡＬＤ法によって形成された酸化ハフニウムは、ＡＬＤ法によって形成された酸化タンタル及びＡＬＤ法によって形成された酸化アルミニウムと比べて、膜密度が高いので、大気中の水分（湿気）に対するバリア性が強い。ＡＬＤ法によって形成された酸化タンタルは、ＡＬＤ法によって形成された酸化アルミニウムと比べて、膜密度が高いので、大気中の水分（湿気）に対するバリア性が強い。
【０１２６】
バリア層５７の大気中の水分（湿気）に対するバリア性が弱い場合、液晶パネル１を高温高湿の環境（温度８５℃、湿度８５％）で保存すると、大気中の水分（湿気）がバリア層５７とシール材５４とを通過して液晶層５０の中に侵入し、液晶層５０の比抵抗が低下する。液晶層５０の中に水分が侵入すると、上述したように表示ムラや焼き付きなどの表示不具合が発生する。詳しくは、液晶層５０の比抵抗の逆数が図１０における値Ｙを超えると、表示ムラや焼き付きなどの表示不具合が発生しやすくなる。
【０１２７】
高温高湿の環境（温度８５℃、湿度８５％）での加速試験を実施することによって、液晶パネル１の信頼性を予測することができる。図１０における保存時間Ｘは、実使用状態で要求される寿命に相当する。従って、保存時間Ｘを超えるまでは、液晶層５０の比抵抗の逆数が値Ｙ以下となるように、シール材５４の耐湿性を強くする必要がある。すなわち、図１０の網掛けが施された領域の中に、液晶層５０の比抵抗の逆数の経時変化が収まるように、シール材５４の耐湿性を強くする必要がある。
【０１２８】
図１０に示すように、図中の短い破線で示されたバリア層５７が形成されていない液晶パネルは、実使用状態で要求される寿命（値Ｘ）よりも短い時間で、液晶層５０の比抵抗の逆数が値Ｙを超えているので、要求される信頼性を満足することができない。
【０１２９】
図中の長い破線で示されたバリア層５７が酸化タンタルである液晶パネル１は、実使用状態で要求される寿命（値Ｘ）よりも長い時間であっても、液晶層５０の比抵抗の逆数は値Ｙよりも小さいので、要求される信頼性を満足することができる。
【０１３０】
図中の実線で示されたバリア層５７が酸化ハフニウムである液晶パネル１は、実使用状態で要求される寿命（値Ｘ）よりも長い時間であっても、液晶層５０の比抵抗の逆数は値Ｙよりも小さいので、要求される信頼性を満足することができる。
なお、バリア層５７が酸化ハフニウムである液晶パネル１は、バリア層５７が酸化タンタルである液晶パネル１と比べて、液晶層５０の比抵抗の逆数は値が小さいので、より高い信頼性を有している。
【０１３１】
図中の二点鎖線で示されたバリア層５７が酸化アルミニウムである液晶パネル１は、バリア層５７が形成されていない液晶パネルと比べて、液晶層５０の比抵抗の逆数が値Ｙを超えるまで保存時間が長くなり、信頼性が改善されている。しかしながら、バリア層５７が酸化アルミニウムである液晶パネル１は、実使用状態で要求される寿命（値Ｘ）よりも短い条件で、液晶層５０の比抵抗の逆数が値Ｙを超えているので、要求される信頼性を満足することができない。
【０１３２】
従って、液晶パネル１が実使用状態で要求される信頼性を満足するためには、バリア層５７は、ＡＬＤ法によって形成された酸化ハフニウム、またはＡＬＤ法によって形成された酸化タンタルであることが好ましい。
【０１３３】
このように、シール材５４の第５面５５を、ＡＬＤ法によって形成された酸化ハフニウムからなるバリア層５７、またはＡＬＤ法によって形成された酸化タンタルからなるバリア層５７で覆うことによって、液晶層５０への水分侵入による焼き付きや表示ムラなどの表示不具合を抑制し、液晶パネル１の信頼性を高め、実使用状態で要求される信頼性を満足することができる。
【０１３４】
（実施形態２）
図１１は、実施形態２に係る液晶パネルの製造方法を示す工程フローである。図１２は、図４に対応する図であり、ステップＳ１２の処理の状態を示す模式図である。
本実施形態では、液晶パネル１の製造方法が実施形態１と異なる。
以下、図１１及び図１２を参照し、本実施形態に係る液晶パネル１の製造方法を、実施形態１との相違点を中心に説明する。また、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
【０１３５】
図１１に示すように、本実施形態に係る液晶パネル１の製造方法は、液晶パネル１Ａを準備する工程（ステップＳ１）と、原子層堆積膜７１の前駆体７０を形成する工程（ステップＳ２）と、前駆体７０と反応性ガスとを反応させ原子層堆積膜７１を形成する工程（ステップＳ３）と、ステップＳ２とステップＳ３とを繰り返しバリア層５７を形成する工程（ステップＳ１１）と、第１面１１及び第３面２３を覆うバリア層５７を除去する工程（ステップＳ１２）とを含む。
【０１３６】
なお、ステップＳ１１は、「第１面と第３面と第５面とに材料ガスを吸着させてバリア層の原子層堆積膜の前駆体を形成する工程と、前駆体と反応性ガスとを反応させて第１面と第３面と第５面とを覆う原子層堆積膜を形成する工程と、を繰り返してバリア層を形成する工程」の一例である。ステップＳ１２は、「バリア層をエッチングする反応種を導入し、第１面及び第３面を覆うバリア層を除去する工程」の一例である。
また、ステップＳ１乃至ステップＳ３は、実施形態１と同じであるので、説明を省略する。
【０１３７】
本実施形態に係る液晶パネル１の製造方法では、第２面１２から第４面２４に向かう方向の寸法Ｌ１が、第１の端１３からの離間距離Ｌ２及び第２の端２５からの離間距離Ｌ２の１／５０以下となるようにシール材５４を形成した以降の工程において、ステップＳ２とステップＳ３とを繰り返してバリア層５７を形成した後、第１面１１及び第３面２３を覆うバリア層５７を除去する。
すなわち、ステップＳ２とステップＳ３とステップＳ１１とステップＳ１２とは、ステップＳ１以降に処理されている。なお、ステップＳ１とステップＳ２との間に他の工程を有していてもよい。
【０１３８】
ステップＳ１１では、ＴＤＭＡＨからなる材料ガスを表面吸着させ原子層堆積膜７１の前駆体７０を形成する工程（ステップＳ２）と、水からなる反応性ガス（酸化剤）を導入し、前駆体７０と反応性ガスとを反応させ酸化ハフニウムの単原子層（原子層堆積膜７１）を形成する工程（ステップＳ３）とを繰り返し、酸化ハフニウムの単原子層（原子層堆積膜７１）を一層ずつ積層させて、第１面１１と第３面２３と第５面５５とを覆うバリア層５７を形成する。
【０１３９】
ステップＳ１２では、図１２に示すように、第５面５５がレジスト７５で覆われた状態で反応種７２を導入し、第１面１１及び第３面２３を覆うバリア層５７をエッチング除去し、第５面５５を覆うバリア層５７を残存させる。
【０１４０】
なお、図示を省略するが、素子基板１０の外部接続用端子１０３が形成される部分は、レジスト７５で覆われていなく、素子基板１０の外部接続用端子１０３を覆うバリア層５７は、ステップＳ１２によってエッチング除去される。
【０１４１】
本実施形態に係る液晶パネル１の製造方法によれば、シール材５４の第５面５５は、ＡＬＤ法によって形成された酸化ハフニウムからなるバリア層５７で覆われ、液晶層５０への大気中の水分（湿気）侵入がバリア層５７によって抑制されるので、液晶層５０への水分侵入による焼き付きや表示ムラなどの表示不具合を抑制し、液晶パネル１の信頼性を高めることができる。
【０１４２】
（実施形態３）
図１３は、図４に対応する図であり、実施形態３に係る液晶パネルの概略断面図である。図１４は、本実施形態に係る液晶パネルの製造方法を示す工程フローである。
本実施形態では、第５面５５に加えて、第１面１１及び第３面２３もバリア層５７で覆われている。この点が、本実施形態と、実施形態１及び実施形態２との主な相違点である。
以下、図１３及び図１４を参照し、本実施形態に係る液晶パネル２の概要を、実施形態１及び実施形態２との相違点を中心に説明する。また、実施形態１及び実施形態２と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
【０１４３】
図１３に示すように、本実施形態に係る液晶パネル２では、素子基板１０の表面（第１面１１、第２面１２の一部、第１の端１３）、対向基板２０の表面（第３面２３、第４面２４の一部、第２の端２５）と、シール材５４の表面（第５面５５）とが、バリア層５７で覆われている。
なお、図示を省略するが、素子基板１０の外部接続用端子１０３が形成される部分は、バリア層５７で覆われていなく、外部接続用端子１０３は露出している。
【０１４４】
図１４に示すように、本実施形態に係る液晶パネル２の製造方法は、液晶パネル１Ａを準備する工程（ステップＳ１）と、原子層堆積膜７１の前駆体７０を形成する工程（ステップＳ２）と、前駆体７０と反応性ガスとを反応させ原子層堆積膜７１を形成する工程（ステップＳ３）と、ステップＳ２とステップＳ３とを繰り返しバリア層５７を形成する工程（ステップＳ１１）とを含む。
【０１４５】
ステップＳ１乃至ステップＳ３は、実施形態１と同じである。ステップＳ１１は、実施形態２と同じである。すなわち、本実施形態に係る液晶パネル２の製造方法は、実施形態２に係る液晶パネル１の製造方法から、第１面１１及び第３面２３を覆うバリア層５７を除去する工程（ステップＳ１２）が削除された構成を有している。
【０１４６】
ステップＳ１では、シールディスペンサーを用いて素子基板１０に形成された枠形状のシール材５４の内側に液晶層５０を滴下した後、対向基板２０を貼りあわせ、紫外線の照射と熱処理とを施し、シール材５４を硬化させて液晶パネル１Ａを形成する。
【０１４７】
ステップＳ２では、ＴＤＭＡＨからなる材料ガスを、素子基板１０の表面（第１面１１、第２面１２の一部、第１の端１３）、対向基板２０の表面（第３面２３、第４面２４の一部、第２の端２５）と、シール材５４の表面（第５面５５）とに吸着させ、素子基板１０の表面と対向基板２０の表面とシール材５４の表面とを覆う前駆体７０を形成する。
なお、素子基板１０の外部接続用端子１０３が形成される部分は、マスキングテープによって保護され、前駆体７０によって覆われないようになっている。
【０１４８】
ステップＳ３では、水からなる反応性ガス（酸化剤）を導入し、例えば５０℃〜２００℃の低温で加熱することによって、前駆体７０と反応性ガスとを反応させ、前駆体７０を酸化させ、素子基板１０の表面と対向基板２０の表面とシール材５４の表面とを覆う原子層堆積膜７１を形成する。
【０１４９】
ステップＳ１１では、ＴＤＭＡＨからなる材料ガスを表面吸着させ原子層堆積膜７１の前駆体７０を形成する工程（ステップＳ２）と、水からなる反応性ガス（酸化剤）を導入し、前駆体７０と反応性ガスとを反応させ酸化ハフニウムの単原子層（原子層堆積膜７１）を形成する工程（ステップＳ３）とを繰り返し、酸化ハフニウムの単原子層（原子層堆積膜７１）を一層ずつ積層させて、第１面１１と第３面２３と第５面５５とを覆うバリア層５７を形成する。
【０１５０】
上述したように、第３面２３がバリア層５７で覆われると、第３面２３とバリア層５７との界面、及びバリア層５７と大気との界面で光の反射が生じる。第１面１１がバリア層５７で覆われると、第１面１１とバリア層５７との界面、及びバリア層５７と大気との界面で光の反射が生じる。そして、バリア層５７を透過する光５１と、屈折率が異なる界面で反射された反射光とが、バリア層５７の中で干渉（多重干渉）し、バリア層５７を透過する光５１の強度（輝度）が低下するおそれがある。
【０１５１】
この光の干渉（多重干渉）は、バリア層５７の光路長（膜厚×屈折率）や、光の波長などによって変化する。本実施形態では、バリア層５７を透過する光５１と、屈折率が異なる界面で反射された反射光との干渉（多重干渉）による影響が最小となるように、バリア層５７の光路長（膜厚×屈折率）が調整（最適化）されている。
従って、第３面２３及び第１面１１がバリア層５７で覆われても、バリア層５７における光の干渉（多重干渉）の影響が小さくなり、バリア層５７を透過する光５１の強度（輝度）の低下を抑制することができる。
【０１５２】
本実施形態に係る液晶パネル２の製造方法によれば、シール材５４の第５面５５は、ＡＬＤ法によって形成された酸化ハフニウムからなるバリア層５７で覆われ、液晶層５０への大気中の水分（湿気）侵入がバリア層５７によって抑制されるので、液晶層５０への水分侵入による焼き付きや表示ムラなどの表示不具合を抑制し、液晶パネル２の信頼性を高めることができる。
【０１５３】
さらに、本実施形態に係る液晶パネル２の製造方法は、実施形態２に係る液晶パネル１の製造方法から、第１面１１及び第３面２３を覆うバリア層５７を除去する工程（ステップＳ１２）が削除された構成を有しているので、実施形態２に係る液晶パネル１の製造方法と比べて製造工程が簡略化され、生産性を高めることができる。
【０１５４】
＜電子機器＞
図１５は、電子機器としての投射型表示装置（液晶プロジェクター）の構成を示す概略図である。次に、図１５を参照し、本実施形態に係る電子機器について説明する。
【０１５５】
図１５に示すように、電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調素子としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【０１５６】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【０１５７】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０１５８】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【０１５９】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１６０】
液晶ライトバルブ１２１０は、実施形態１に係る液晶パネル１、実施形態２に係る液晶パネル１、または実施形態３に係る液晶パネル２のいずれかが適用されたものである。液晶パネル１または液晶パネル２のいずれかは、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。
他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【０１６１】
上述したように、液晶パネル１，２では、液晶層５０への水分の侵入が抑制され、液晶パネル１，２の表示品位や信頼性が高められている。従って、液晶パネル１，２が適用された投射型表示装置１０００は、優れた表示品位や高い信頼性を有するようになる。
【０１６２】
また、電子機器としては、投射型表示装置１０００の他に、直視型テレビ、携帯電話、携帯用オーディオ機器、パーソナルコンピューター、モニター付きビデオカメラ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどの各種電子機器に、本発明に係る液晶パネル１，２を適用させることができる。
【０１６３】
本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電子デバイス及び当該電子デバイスが搭載された電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれる。
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１６４】
（変形例１）
図１６は、本変形例に係る有機エレクトロルミネッセンス（以降、有機ＥＬと称す）パネルの概要を示す概略平面図である。
本変形例に係る有機ＥＬパネル２００は、電子デバイスの一例であり、自発光型の表示装置である。
【０１６５】
図１６に示すように、有機ＥＬパネル２００は、素子基板２１０と、素子基板２１０に対向配置された対向基板２２０とを有している。両基板は、枠形状のシール材５４によって接着されている。
【０１６６】
素子基板２１０は、青色の光を発する画素１８Ｂと、緑色の光を発する画素１８Ｇと、赤色の光を発する画素１８Ｒとが、マトリックス状に配置された表示領域Ｖを有している。有機ＥＬパネル２００では、画素１８Ｂと画素１８Ｇと画素１８Ｒとが表示単位１９となって、フルカラーの表示が提供される。
【０１６７】
画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒは、有機ＥＬ素子２７０と、有機ＥＬ素子２７０の駆動を制御する画素回路２９０とを有している。
有機ＥＬ素子２７０は、画素電極と、発光機能層２８０と、対向電極とを有している。画素電極は、発光機能層２８０に正孔を供給する陽極として機能する。対向電極は、発光機能層２８０に電子を供給する陰極として機能する。画素電極から供給される正孔と、対向電極から供給される電子とが発光機能層２８０で結合し、発光機能層２８０が白色に発光する。
なお、発光機能層２８０は、「電気的に光学特性が変化する機能層」の一例である。
【０１６８】
素子基板２１０の第１辺に沿って、複数の外部接続用端子２４０が配置されている。複数の外部接続用端子２４０と表示領域Ｖとの間には、データ線駆動回路２５０が設けられている。該第１辺と直交し互いに対向する他の２辺（第２辺、第３辺）と表示領域Ｖとの間には、走査線駆動回路２６０が設けられている。
【０１６９】
対向基板２２０は、透光性のガラス基板であり、素子基板２１０に対向配置されている。対向基板２２０は、表示領域Ｖを覆い、表示領域Ｖに配置されている有機ＥＬ素子２７０が傷つかないように保護している。
【０１７０】
シール材５４は、素子基板２１０と対向基板２２０との間に配置され、表示領域Ｖを囲み、発光機能層２８０を大気から隔離する。シール材５４では、画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒが配置される側の面と反対側に配置される面が、バリア層５７で覆われている。すなわち、シール材５４の大気側の面は、バリア層５７で覆われている。
【０１７１】
シール材５４及びバリア層５７は、上述した実施形態１，２と同じ構成を有し、バリア層５７によって大気中の水分（湿気）は発光機能層２８０（有機ＥＬ素子２７０）が配置される側に侵入しにくくなる。その結果、水分による発光機能層２８０の劣化が抑制され、有機ＥＬパネル２００の表示品位や信頼性を高めることができる。
【０１７２】
また、本変形例に係る有機ＥＬパネル２００が適用された電子機器も本発明の技術的範囲に含まれる。例えば、直視型テレビ、携帯電話、携帯用オーディオ機器、パーソナルコンピューター、モニター付きビデオカメラ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどの各種電子機器に、本変形例に係る有機ＥＬパネル２００を適用させることができる。
【０１７３】
（変形例２）
さらに、本発明は、「電子デバイス」の一例である圧電素子を有する液体吐出ヘッドに適用することができる。液体吐出ヘッドは、圧電素子を有し、圧電素子の変位によってノズルから液滴を吐出することができる。液体吐出ヘッドは、例えば「電子機器」の一例である液体吐出装置（プリンター）に適用させることができる。
【０１７４】
詳しくは、圧電素子は、下電極層と、「機能層」の一例である圧電体層と、上電極層とが順に積層された構成を有している。下電極層と上電極層との間の電位差に応じた電界が圧電体層に付与されると圧電体層が変形し、圧電素子が変位し、当該圧電体層の変位によってノズルから液滴を吐出することができる。
【０１７５】
圧電体層は、例えば、鉛（Ｐｂ）とチタン（Ｔｉ）とジルコニウム（Ｚｒ）とを含むチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）で構成される。チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）は、水分によって劣化しやすく、圧電体層の変位の状態が変化しやすい。このため、液体吐出ヘッドでは、大気中の水分（湿気）が圧電体層が配置された領域に侵入し、水分による圧電体層の劣化を抑制することが重要である。
【０１７６】
液体吐出ヘッドに本発明を適用することによって、大気中の水分（湿気）が圧電体層が配置された領域に侵入し、水分による圧電体層の劣化を抑制することができる。
詳しくは、圧電体層が配置された領域を囲むようにシール材５４を形成し、圧電体層をシール材５４によって大気から隔離する。さらに、シール材５４の圧電体層と反対側の面（大気側の面）を、上述した実施形態１，２と同じ構成のバリア層５７で覆う。すると、バリア層５７によって大気中の水分（湿気）は圧電体層が配置された領域に配置される側に侵入しにくくなるので、水分による圧電体層の劣化が抑制され、液体吐出ヘッドの液滴吐出性能や信頼性を高めることができる。
【０１７７】
（変形例３）
さらに、本発明は、例えばプリンターなどの画像記録装置に用いられる液体吐出ヘッド以外に、例えば液晶ディスプレイなどのカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、例えば有機ＥＬディスプレイ、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ）などの電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、例えばバイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッドなどにも適用させることができる。
【０１７８】
（変形例４）
さらに、本発明は、上述した液体吐出ヘッド以外のＭＥＭＳデバイスにも適用可能である。すなわち、バリア層５７によって大気中の水分（湿気）を、ＭＥＭＳデバイスの機能層が配置された領域に配置される側に侵入しにくくし、水分によるＭＥＭＳデバイスの機能層の劣化を抑制し、ＭＥＭＳデバイスの信頼性を高めることができる。
例えば、ＳＡＷデバイス（表面弾性波デバイス）、超音波デバイス、モーター、圧力センサー、焦電素子、及び強誘電体素子などのＭＥＭＳデバイスに対して、本発明を適用させることができる。
【０１７９】
また、これらのＭＥＭＳデバイスを利用した完成体（電子機器）も本発明の技術的適用範囲に含まれる。例えば上記液体吐出ヘッドを利用した液体吐出装置、例えば上記ＳＡＷデバイスを利用したＳＡＷ発振器、上記超音波デバイスを利用した超音波センサー、上記モーターを駆動源として利用したロボット、上記焦電素子を利用したＩＲセンサー、及び上記強誘電体素子を利用した強誘電体メモリーなどは、本発明の技術的範囲である。
【符号の説明】
【０１８０】
１０…素子基板、１１…第１面、１２…第２面、１３…第１の端、２０…対向基板、２３…第３面、２４…第４面、２５…第２の端、５０…液晶層、５４…シール材、５５…第５面、５７…バリア層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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