(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン源と、
試料が載置される試料台と、
前記イオン源から見て前記試料の一部が露出するように配置される遮蔽板と、
前記イオン源からのイオンビームの前記試料への照射方向に対するチルト角度を可変とするイオンビーム偏向板を含み、前記イオンビームと交差し前記試料の一部が露出している側の前記遮蔽板の端部が延在する方向に設定されたチルト軸を中心に、前記イオンビームに対し前記試料が前記遮蔽板で遮蔽される方向へ、該試料及び該遮蔽板をチルト角度θだけチルトさせるチルト部と、を有する、荷電粒子線装置。
【請求項２】
前記チルト軸と直交し前記イオンビームと交差するスイング軸を中心に、前記試料及び
前記遮蔽板をスイングさせるスイング部、を更に有する、請求項1記載の荷電粒子線装置
。
【請求項３】
前記チルト部は、前記イオンビームの前記試料への照射方向に対するチルト角度θを可
変とするメカ機構を含む、請求項1記載の荷電粒子線装置。
【請求項４】
前記チルト角度θは、前記イオンビームの前記試料への照射方向に対して前記遮蔽板の
側に０°を超え１０°以下の範囲で可変である、請求項３記載の荷電粒子線装置。
【請求項５】
前記メカ機構は、前記イオン源を傾斜させるチルト機構を含む、請求項３記載の荷電粒
子線装置。
【請求項６】
前記メカ機構は、前記試料台が設置された試料ステージを傾斜させるチルト機構を含む
、請求項３記載の荷電粒子線装置。
【請求項７】
イオンビーム偏向板の前記チルト角度は、前記イオンビームの前記試料への照射方向に対して前記遮蔽板の側に０°を超え１０°以下の範囲で可変である、請求項１記載の荷電粒子線装置。
【請求項８】
前記イオンビームのエネルギーに応じて前記イオン源から見て前記試料の露出量を微調
整できるように、前記遮蔽板が前記試料台に対して微動する微動機構を有する、請求項１
記載の荷電粒子線装置。
【請求項９】
前記微動機構は、事前に記憶させた、前記イオンビームのエネルギーと前記遮蔽板に対
する前記試料台の位置との関係を用いて制御される、請求項８記載の荷電粒子線装置。
【請求項１０】
前記微動機構は、カメラ、顕微鏡、モニター又はそれらを組み合わせで得られた情報に
基づき手動で調整される、請求項８記載の荷電粒子線装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、荷電粒子線装置に関する。
【背景技術】
【０００２】  荷電粒子線装置の一つであるイオンミリング装置は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）や透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）などの試料前処理装置として幅広い分野の試料の断面および平面を作製する装置として活用されている。これは加速させたアルゴンイオンを試料に照射し、試料表面から試料原子を弾き飛ばすスパッタリング現象を利用して試料を削る装置であり、一般に平面ミリング法と断面ミリング法がある。【０００３】  前者の平面ミリング法においては、イオン源から収束させないイオンビームを直接試料表面に照射させて試料を削る方法であり、特許文献１に記載の通り試料表面の広範囲を削ることができる特徴がある。一方、後者の断面ミリング法においては、イオン源と試料の間に遮蔽板を配置し、当該遮蔽板から試料を数μｍ〜２００μｍ程度突出させて設置することで遮蔽板から突出した試料部にイオンビームを照射することより、遮蔽板端面に沿って試料断面を平滑に削ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平３−３６２８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】  近年では、セラミックスや超硬材料などスパッタ収率の小さい材料を広範囲且つ短時間で加工するニーズがあり、高いミリング速度に対応したイオン源を用いる必要がある。また試料の微細化に伴い、微細構造の広域断面作製が求められ、一般には狭域試料の断面作製法として、収束イオンビーム（ＦＩＢ）が知られているが、広域加工が困難であり、加工に多くの時間を要することから、遮蔽板を用いて微細構造の断面作製を行う断面ミリング法が期待される。【０００６】  そこで、発明者等は、セラミックスや超硬材料などスパッタ収率の小さい材料に対して高エネルギー（高加速電圧で印加したイオン）のイオン源を用いて断面イオンミリングを行った。その結果、試料上の目的とする位置に遮蔽板を配置したにもかかわらず、加工面が、例えば数μm程度、遮蔽板端面からオーバーハング状に形成され、遮蔽板端面に沿った試料加工面を得ることができないことが分かった。【０００７】  本発明の目的は、遮蔽板を用いた断面加工において、加工位置精度を向上可能な荷電粒子線装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】  上記目的を達成するための一実施形態として、  イオン源と、  試料が載置される試料台と、  前記イオン源から見て前記試料の一部が露出するように配置される遮蔽板と、  前記イオン源からのイオンビームの前記試料への照射方向に対し、前記試料及び前記遮蔽板を相対的にチルトさせるチルト部と、を有することを特徴とする荷電粒子線装置とする。
【発明の効果】
【０００９】  本発明によれば、遮蔽板を用いた断面加工において、加工位置精度を向上可能な荷電粒子線装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施例１に係るイオンミリング装置の概略図。
【図２Ａ】試料へ照射された高加速イオンビームが試料内で散乱される様子をモンテカルロシミュレーションした一例を示すイメージ。
【図２Ｂ】試料へ照射された低加速イオンビームが試料内で散乱される様子をモンテカルロシミュレーションした一例を示すイメージ。
【図３Ａ】試料の断面イオンミリングを説明するための要部概略鳥瞰模式図。
【図３Ｂ】図３Ａに示す試料を側面から見た概略断面模式図。
【図３Ｃ】図１に示すイオンミリング装置を用いてチルトさせた試料をイオンミリングしたときの試料を側面から見た概略断面模式図。
【図３Ｄ】図１に示すイオンミリング装置を用いてチルト＆遮蔽板微動を行って試料をイオンミリングしたときの試料を側面から見た概略断面模式図。
【図４Ａ】図１に示すイオンミリング装置において、チルト軸を説明するための要部概略断面図。
【図４Ｂ】イオンビームの照射方向に対する試料のチルト角度を説明するための概略断面図（一部鳥瞰図）。
【図５】実施例１に係る、遮蔽板及び/又は試料の加工位置調整機能を有するイオンミリング装置の概略全体断面図。
【図６】実施例１に係る、遮蔽板の加工位置調整の一例を示すイオンミリング装置の概略要部断面図。
【図７】実施例１に係る、試料の加工位置調整の一例を示すイオンミリング装置の概略要部断面図。
【図８】実施例１に係る、試料の加工位置調整の他の例を示すイオンミリング装置の概略要部平面図。
【図９】実施例２に係る、静電偏向板を備えたイオンミリング装置の概略要部断面図。
【図１０】実施例３に係る、イオン源のチルト機構を有するイオンミリング装置の概略要部断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】  発明者等は、この新たに見出した加工位置精度の低下の原因について更に検討を行った。その結果、イオンビーム照射時の試料内部へのイオンビームの散乱が大きくなり遮蔽板で遮蔽された領域へのアモルファス層の形成や物理スパッタリングにより遮蔽板端面に沿った試料加工面とならないことを見出した。
【００１２】  本発明はこの新たな知見により生まれたものであり、イオンビームを遮蔽した遮蔽板端面近傍の試料内部で散乱されるイオンの照射(入射)角度を考慮し、試料の入射角度を変更する手段を追加することにより、遮蔽板の端面に沿った平坦な加工を行うことを可能とするものである。また、遮蔽板を微動させながらイオンビームを照射することでマスク下側がミリングされてしまうことを回避する。
【００１３】  これにより、遮蔽板を用いた断面イオンミリングにおいて、試料内部で散乱されるイオンによるスパッタリング現象が、加工面へおよぼす影響を回避することができ、遮蔽板の端面に沿った平滑な試料断面が得られることより、装置の加工位置精度が向上する。以下、本発明について実施例により図を用いて説明する。なお、荷電粒子線装置としてイオンミリング装置を用いて説明するが、イオンを用いた他の装置への適用も可能である。
【実施例１】
【００１４】  図１は、試料１０７の上面に遮蔽板１０８を設置し、加速させたイオンビーム１０２を照射させ、イオンのスパッタ現象を利用して試料の突出部分の断面を加工するイオンミリング装置の構成を示したものである。アルゴンのイオン源１０１におけるアルゴンイオンの電流密度は、イオン源制御部１０３で制御される。真空排気系１０５を制御して真空チャンバー１０４の内部を真空または大気の状態にでき、その状態を保持できる。【００１５】  試料１０７は試料台１０６の上に固定される。また、真空チャンバー１０４の内部を大気開放した時に、試料ステージ１０９を真空チャンバー１０４の外に引き出すことができる。試料１０７を固定した試料台１０６は試料ステージ１０９の上に固定することができる。試料１０７と遮蔽板１０８は移動可能なようにそれぞれ独立に固定し、イオン源１０１から放出されたイオンビーム１０２を照射することで、イオン源から見て、試料１０７の遮蔽板１０８から突出した部分を加工することができる。なお、本イオンミリング装置は、後述するチルト軸制御部や遮蔽板微動機構等を有する。【００１６】  図２Ａ及び図２Ｂは、アルゴンイオン１１０をアルゴンイオン入射方向１１１に沿って試料１０７に照射した際、試料１０７の内部の散乱イオン１１２をモンテカルロシミュレーションにて示したものである。図２Ａは高加速イオンを、図２Ｂは低加速イオンを試料１０７に照射した場合を示す。ここで、高加速イオンを照射した図２Ａの方が、試料１０７の内部でのイオンの散乱が大きいことが分かる。【００１７】  図３Ａは、試料の断面イオンミリングを説明するための要部概略鳥瞰模式図、図３Ｂは図３Ａに示す試料を側面から見た概略断面模式図である。図３Ａに示すように、断面ミリングは、加工前にユーザが遮蔽板１０８からの試料１０７の突出量１１３をあらかじめ設定し、イオンビーム１０２を試料１０７へ照射する。なお、便宜上、突出量１１３は遮蔽板１０８の厚さに比べ大きく記載した。このとき、遮蔽板１０８と試料１０７及び試料台１０６はスイング軸１１４を中心に左右へ任意の角度を保持しながらスイング１１５するが、イオンビーム１０２のビーム中心１１６は、スイング軸１１４と垂直に交わる位置に設定される。このため試料のミリング面１１７は、ビーム中心１１６又はスイング軸１１４を中心に遮蔽板の端部１１８に沿って左右対称なガウス分布状に形成される。【００１８】  ところが、従来行われていたこのような断面加工では、図３Ｂに示すようにイオンビーム１０２が試料１０７の内部で散乱しミリング面１１７が遮蔽板１０８に対して垂直に形成されない。これは、図２Ａや図２Ｂで示されたように高加速イオンを照射するほど、試料１０７の内部での散乱イオン１１２の量が増加し遮蔽板の下部まで入り込むため、ミリング面１１７はより湾曲した形状となる。【００１９】  例えば、遮蔽板１０８から試料１０７の突出量１１３を約５０μｍ程度に設定し、加速電圧６ｋＶのイオンビーム１０２を試料１０７に照射した場合、図３Ｂに示すように、遮蔽板１０８と試料１０７の上部の密着面からα（４００μｍ程度）だけ下部で、ミリング面１１７が遮蔽板の端部１１８より最大β（５μｍ程度）だけ内側に��成される。このようにミリング面１１７が遮蔽板の端部１１８より内側に湾曲して形成されると、試料の上部または内部にある微細構造１１９の中心の断面作製をする際に、正確な中心断面が作製できないか、微細構造１１９自身を削り落としてしまう恐れが生じる。イオンビーム１０２の加速電圧を低加速にして試料１０７を加工する方法もあるが、加工時間が長くなる。【００２０】  そこで、本実施例では、図３Ｃに示すように、遮蔽板の端部１１８に沿ったチルト軸１２０を設けることによって、試料１０７に入射するイオンビーム１０２の角度を変更することで、高加速のイオンビーム１０２を用いて短時間で、遮蔽板１０８に対して垂直なミリング面１１７を形成できる。その際、チルト軸を中心にイオンビームに対し試料が遮蔽板でマスクされる方向へ試料及び遮蔽板等をチルトさせる。符号１２１はチルト駆動方向を示す。【００２１】  一方、イオンミリング装置において、イオン源１０１から放出されるイオンビーム１０２は、収束作用を受けずにブロードに広がり試料１０７へ照射されるが、イオンビーム１０２の加速電圧が変化すると、ビーム中心１１６の位置が変わり、加工中に加速電圧を可変させた場合など、これらのビーム中心１１６をスイング軸１１４と垂直に制御することが難しい。一般に、イオンビーム１０２のビーム中心１１６が最もイオン密度が高く、ビーム中心１１６で加工される試料１０７の位置が最も加工速度が速いが、前記に記したようにビーム中心１１６が変化した場合、加工速度が低下して加工時間が長期化する問題が生じる。【００２２】  そこで、図３Ｄに示すように、イオンビーム１０２の加速電圧に応じた遮蔽板の微動１２２が可能な機構を設けることで、常にビーム中心１１６が遮蔽板の端部１１８に設定され、前記に記した問題を解決することができる。符号１２１はチルト駆動方向を示す。【００２３】  図４Ａは、図１に示すイオンミリング装置において、チルト軸を説明するための要部概略断面図である。遮蔽板１０８、試料１０７、試料台１０６及び試料ステージ１０９は、真空チャンバー１０４の内部に配置されており、試料ステージ１０９は、真空チャンバー１０４の外に配置されたモータＡ（チルト部の一部）１２４に繋がっており、モータＡ １２４はチルト制御部（チルト部の一部）１２３に繋がっている。更にイオン源１０１から放出されたイオンビーム１０２は、試料１０７に照射され、試料１０７にはガウス分布状のミリング面１１７が形成される。【００２４】  チルト制御部１２３で任意の角度を設定し、モータＡ １２４が作動することで、モータＡの回転中心軸１２５、即ちチルト軸１２０を中心に遮蔽板１０８、試料１０７、試料台１０６をのせた試料ステージ１０９がチルトする。前記のように試料１０７がチルトされることで、試料１０７に照射されるイオンビーム１０２の入射角度が変わる。なお、本実施例ではモータＡ等を用いることによりチルト角度を可変としたが、所定のチルト角度で固定可能な部材を用いてチルト部とすることもできる。【００２５】  図４Ｂは、試料１０７および遮蔽板１０８を、前記チルト軸１２０を使ってチルトさせた場合の概略図である。この際、イオンビームと交差しスイング軸と直交するように遮蔽板端部に設定されたチルト軸に対して遮蔽板で試料がマスクされる方向へ試料及び遮蔽板等をチルトさせる。即ち、イオン源中心１２６に対して、試料チルト角度θを遮蔽板１０８の側にとることによって、遮蔽板１０８の直下での試料１０７の内部における散乱イオン１１２を低減することが可能となり、従って、図３Ｂで示したミリング面１１７が遮蔽板１０８に対して垂直に形成されない問題を解決できる。前記の試料チルト角度θは０°を超え１０°以下に設定することが望ましい。０°を超えることによりβを低減でき、１０°以下とすることにより所望の位置での断面を得ることができる。【００２６】  図５は、遮蔽板及び／又は試料の加工位置調整機能を有するイオンミリング装置の全体概略断面図である。真空チャンバー１０４の内部は真空排気系１０５によって真空状態が保たれており、イオン源制御部１０３によってイオン源１０１よりイオンビーム１０２がいつでも照射可能な状態である。また、遮蔽板１０８、試料１０７、試料台１０６及び試料ステージ１０９は真空チャンバー１０４の内部に配置されており、イオン源制御部１０３から遮蔽板及び／又は試料台微動機構制御部１３５へ信号が送られ、遮蔽板及び／又は試料台微動機構制御部１３５の制御によってモータＣ １３３が作動し遮蔽板１０８の位置を真空チャンバー１０４の外から制御することが可能である。【００２７】  同様に、遮蔽板及び／又は試料台微動機構制御部１３５の制御によってモータＤ １３４が作動し試料台１０６の位置を真空チャンバー１０４の外から制御可能である。これより、イオン源制御部１０３より指令された加速電圧に応じて、イオン源１０１から放出されるイオンビーム１０２のエネルギーと、遮蔽板１０８および試料台１０６の位置を真空チャンバー１０４の外からユーザが制御することが可能である。【００２８】  その際、例えば、遮蔽板及び／又は試料台微動機構制御部１３５は、その内部のメモリ１６０に事前に記憶させたイオンビームのエネルギーと遮蔽板に対する試料台の位置との関係を用いて試料に対する遮蔽板の設置位置が自動で制御される。メモリ１６０は遮蔽板及び／又は試料台微動機構制御部１３５の外部に設けることもできる。或いは、真空チャンバー内に設置されたカメラ、顕微鏡、モニター又は、それらを組み合わせた機構を用いて得られた情報に基づき、遮蔽板１０８及び／又は試料台１０６の位置を調整することにより、試料に対する遮蔽板の設置位置を手動で正確に位置調整を行うことが可能である。【００２９】  図６は、遮蔽板の加工位置調整の一例を示すイオンミリング装置の要部概略断面図である。遮蔽板１０８、試料１０７、試料台１０６及び試料ステージ１０９は、真空チャンバー１０４の内部に配置されている。また遮蔽板１０８には遮蔽板雌ねじ部１３７が設けられ、試料ステージ１０９とねじＡ １３６がつながっている。遮蔽板及び／又は試料台微動機構制御部１３５で制御されモータＣ １３３が作動し、ねじＡ １３６が回転することによって、遮蔽板１０８の位置を制御することが可能である。【００３０】  例えば試料１０７の上に示した加工位置Ａに遮蔽板１０８がはじめに調整されていた場合、イオン源１０１から放出されるイオ���ビーム１０２のエネルギーが可変されるなどによって、イオンビーム１０２の中心が試料１０７の上のＢに試料１０７の加工中に変わった場合又はユーザによって意図的に加工位置を調整する場合など、モータＣ １３３が右回転でねじＡ １３６を制御し、遮蔽板１０８の位置を調整する。【００３１】  前記同様の理由により、イオンビーム１０２の中心が試料上のＣに試料１０７の加工中に変わった場合又はユーザによって意図的に加工位置を調整する場合など、モータＣ １３３が左回転でねじＡ １３６を制御し、遮蔽板１０８の位置を調整する。更に、遮蔽板１０８および試料台１０６は、真空チャンバー内に設置されたカメラ、顕微鏡、モニター又は、それらを組み合わせた機構を用いて、正確に位置調整を行うことが可能である。【００３２】  図７は、試料の加工位置調整の一例を示すイオンミリング装置の要部概略断面図である。遮蔽板１０８、試料１０７、試料台１０６及び試料ステージ１０９は、真空チャンバー１０４の内部に配置されている。また試料台１０６には試料台雌ねじ部１３９が設けられ、試料ステージ１０９とねじＢ １３８が繋がっている。遮蔽板及び／又は試料台微動機構制御部１３５で制御されモータＤ １３４が作動し、ねじＢ １３８が回転することによって、試料台１０６の位置を制御することが可能である。【００３３】  例えば試料１０７の上に示した加工位置Ａに遮蔽板１０８がはじめに調整されていた場合、イオン源１０１から放出されるイオンビーム１０２のエネルギーが可変されるなどによって、イオンビーム１０２の中心が試料１０７の上のＢに試料１０７の加工中に変わった場合又はユーザによって意図的に加工位置を調整する場合など、モータＤ １３４が右回転でねじＢ １３８を制御し、試料台１０６の位置を調整する。前記同様の理由により、イオンビーム１０２の中心が試料１０７の上のＣに試料１０７の加工中に変わった場合又はユーザによって意図的に加工位置を調整する場合など、モータＤ １３４が左回転でねじＢを制御し、試料台１０６の位置を調整する。更に、遮蔽板１０８および試料台１０６は、真空チャンバー内に設置されたカメラ、顕微鏡、モニター又は、それらを組み合わせた機構を用いて、正確に位置調整を行うことが可能である。【００３４】  図８は、試料の加工位置調整の他の例を示すイオンミリング装置の概略要部平面図であり、遮蔽板１０８の上部すなわちイオンが試料１０７などへ向かう方向から見た図である。遮蔽板１０８、試料１０７、試料台１０６及び試料ステージ１０９は、真空チャンバー１０４の内部に配置されている。試料台１０６には試料台雌ねじ部１３９が設けられ、試料ステージ１０９とねじＢ １３８が繋がっている。【００３５】  一方、試料ステージ１０９は、試料ステージ雌ねじ部１４１が設けられ、ねじＣ １４０に繋がれている。モータＤ及びモータＥ制御部１４３はモータＤ １３４及びモータＥ １４２に繋がれており、モータＤ及びモータＥ制御部１４３の指令によって、加工位置をＸ方向へ調整する場合は、モータＥ １４２を用いてねじＣ １４０を回転させ、試料ステージ１０９を作動させ、加工位置をＹ方向へ調整する場合は、モータＤ １３４を用いてねじＢ １３８を回転させ、試料台１０６を作動させることによって、加工位置をＸＹ方向へ自在に調整することが可能である。【００３６】  例えば試料１０７の上に示した加工位置Ａに遮蔽板１０８がはじめに調整されていた場合、イオン源１０１から放出されるイオンビーム１０２のエネルギーが可変されるなどによって、イオンビーム１０２の中心が試料１０７の上のＤに試料１０７の加工中に変わった場合又はユーザによって意図的に加工位置を調整する場合など、モータＤ １３４が左回転でねじＢ １３８を制御することで試料台１０６のＹ方向の位置を調整し、モータＥ １４２が右回転でねじＣ １４０を制御することで試料ステージ１０９のＸ方向の位置を調整する。ここで、試料台１０６と試料ステージ１０９に設けられたＸ方向とＹ方向の調整機構を逆にすることで前記加工位置のＸＹ調整も可能である。更に、遮蔽板１０８および試料台１０６は、真空チャンバー内に設置されたカメラ、顕微鏡、モニター又は、それらを組み合わせた機構を用いて、正確に位置調整を行うことが可能である。【００３７】  試料としてセラミックスや超硬材料などを用い、図４Ａの構成を含むイオンミリング装置を用いて図４Ｂに示すように試料及び遮蔽板をイオンビームの照射方向に対してチルトさせて試料の断面加工を行ったところ、所定の位置における良好な断面形状を得ることができた。【００３８】  以上、本実施例によれば、遮蔽板を用いた断面加工において、イオンビームの試料への照射方向に対し、試料及び遮蔽板を相対的にチルトさせるチルト部を備えることにより、スパッタ収率の小さい材料であっても加工位置精度を向上可能な荷電粒子線装置を提供することができる。また、チルトさせる角度を可変とすることにより、より加工位置精度を向上させることができる。また、遮蔽板及び/又は試料の微動機構を設けることにより、更に加工位置精度を向上させることができる。
【実施例２】
【００３９】  実施例２に係るイオンミリング装置について図９を用いて説明する。なお、実施例１に記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情がない限り本実施例にも適用することができる。【００４０】  図９は、静電偏向板を備えたイオンミリング装置の概略要部断面図である。遮蔽板１０８と試料１０７は、真空チャンバー１０４の内部に配置されている。イオン源１０１の中には、静電偏向板１２７が配置されており、イオン源中心１２６に沿ったイオンビーム１０２はイオン源制御部１０３で制御され、前記静電偏向板（チルト部）１２７によって曲げられ、試料１０７に照射されるイオンビーム１０２の角度を変えることができる。静電偏向板は磁場を用いた偏向手段とすることもできる。【００４１】  ここで図４Ｂに示したように、イオン源中心１２６に対して、イオンビーム１０２の照射角度θ’を遮蔽板１０８側に取ることによって、遮蔽板１０８の直下での試料１０７の内部における散乱イオン１１２を低減することが可能となり、図４Ａで示した遮蔽板の端部１１８にチルト軸１２０を設け、試料１０７をチルトした場合と同様に、図３Ｂで示したミリング面１１７が遮蔽板１０８に対して垂直に形成されない問題を解決できる。ここで、イオンビーム１０２の照射角度θ’は、図４Ｂの試料チルト角度θと同様に０°を超え１０°以下に設定することが望ましい。【００４２】  試料としてセラミックスや超硬材料などを用い、図９の構成を含むイオンミリング装置を用いてイオンビームの照射方向を試料及び遮蔽板に対してチルトさせて試料の断面加工を行ったところ、所定の位置における良好な断面形状を得ることができた。【００４３】  以上、本実施例によれば、実施例１と同様の効果を得ることができる。
【実施例３】
【００４４】  実施例３に係るイオンミリング装置について図１０を用いて説明する。なお、実施例１又は２に記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情がない限り本実施例にも適用することができる。【００４５】  図１０は、イオン源のチルト機構を有するイオンミリング装置の概略要部断面図である。遮蔽板１０８、試料１０７、試料台１０６及び試料ステージ１０９は、真空チャンバー１０４の内部に配置されている。またイオン源１０１はアーム（チルト部の一部）１３１を介してウォームギア（チルト部の一部）１３０に繋がっており、更にモータＢ制御部（チルト部の一部）１４６で制御されるモータＢ（チルト部の一部）１２８で連動する仕組みになっている。モータＢ制御部１４６で任意の角度に設定され、モータＢ １２８、ウォームギア１３０とアーム１３１を介してイオン源１０１又はイオン源中心１２６はイオン源駆動方向１３２に示すように、モータＢ回転中心軸１２９を中心にチルトする。このようにイオン源１０１を図９で示したことと同様に、０°を超え１０°以下の照射角度θ’を遮蔽板１０８側につけることによって、図３Ｂで示したミリング面１１７が遮蔽板１０８に対して垂直に形成されない問題を解決できる。【００４６】  試料としてセラミックスや超硬材料などを用い、図１０の構成を含むイオンミリング装置を用いてイオンビームの照射方向を試料及び遮蔽板に対してチルトさせて試料の断面加工を行ったところ、所定の位置における良好な断面形状を得ることができた。【００４７】  以上、本実施例によれば、実施例１と同様の効果を得ることができる。【００４８】  なお、本発明は以下の実施形態を含む。  イオン源と、  試料が載置される試料台と、  前記イオン源から見て前記試料の一部が露出するように配置される遮蔽板と、  前記試料の一部が露出している側の前記遮蔽板の端部が延在する方向と直交し前記イオン源からのイオンビームと交差するスイング軸を中心に前記試料及び前記遮蔽板をスイングさせるスイング部と、  前記スイング軸と直交し前記イオンビームと交差するように前記遮蔽板の端部に設定されたチルト軸を中心に、前記イオンビームの前記試料への照射方向に対して前記試料及び前記遮蔽板を相対的に前記遮蔽板で前記試料が遮蔽される方向へ試料及び遮蔽板をチルト角度θだけチルトさせるチルト部と、を有することを特徴とする荷電粒子線装置。【００４９】  また、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることも可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
【符号の説明】
【００５０】１０１…イオン源、１０２…イオンビーム、１０３…イオン源制御部、１０４…真空チャンバー、１０５…真空排気系、１０６…試料台、１０７…試料、１０８…遮蔽板、１０９…試料ステージ、１１０…アルゴンイオン、１１１…アルゴンイオン入射方向、１１２…散乱イオン、１１３…突出量、１１４…スイング軸、１１５…スイング（方向）、１１６…ビーム中心、１１７…ミリング面、１１８…遮蔽板の端部、１１９…微細構造、１２０…チルト軸、１２１…チルト駆動方向、１２２…遮蔽板の微動、１２３…チルト制御部、１２４…モータＡ（チルト部の一部）、１２５…モータＡ回転中心軸、１２６…イオン源中心、１２７…静電偏向板、１２８…モータＢ（チルト部の一部）、１２９…モータＢ回転中心軸、１３０…ウォームギア（チルト部の一部）、１３１…アーム（チルト部の一部）、１３２…イオン源駆動方向、１３３…モータＣ、１３４…モータＤ、１３５…遮蔽板及び／又は試料台微動機構制御部、１３６…ねじＡ、１３７…遮蔽板雌ねじ部、１３８…ねじＢ、１３９…試料台雌ねじ部、１４０…ねじＣ、１４１…試料ステージ雌ねじ部、１４２…モータＥ、１４３…モータＤ及びモータＥ制御部、１４６…モータＢ制御部、１６０…メモリ。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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