(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１樹脂層と、
前記第１樹脂層の両面に設けられた第２樹脂層と
を備え、
前記第１樹脂層は、ガラスクロスに含浸された、六方晶窒化ホウ素を含有しない第１樹脂組成物の半硬化物であり、
前記第２樹脂層は、六方晶窒化ホウ素を含有する第２樹脂組成物の半硬化物であり、
前記ガラスクロスの縦及び横の織り密度が５４本以上／２５ｍｍであり、
前記六方晶窒化ホウ素の平均粒子径が１０〜３０μｍであり、
前記第２樹脂組成物から前記六方晶窒化ホウ素を除いた残りの成分１００質量部に対して、前記六方晶窒化ホウ素が２０〜４０質量部含有されていることを特徴とする
プリプレグ。
【請求項２】
前記第２樹脂層中の前記六方晶窒化ホウ素が、前記第１樹脂層中の前記ガラスクロスに対して平行に配向されていることを特徴とする
請求項１に記載のプリプレグ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のプリプレグの硬化物で形成された絶縁層と、
前記絶縁層の片面又は両面に設けられた金属層と
を備えることを特徴とする
金属張積層板。
【請求項４】
請求項１又は２に記載のプリプレグの硬化物で形成された絶縁層と、
前記絶縁層の片面又は両面に設けられた導体配線と
を備えることを特徴とする
プリント配線板。
【請求項５】
六方晶窒化ホウ素を含有しない第１樹脂組成物を含む第１ワニスをガラスクロスに含浸させる工程と、
前記第１ワニスが含浸されたガラスクロスの両面に、六方晶窒化ホウ素を含有する第２樹脂組成物を含む第２ワニスを塗布する工程と
を備え、
前記ガラスクロスの縦及び横の織り密度が５４本以上／２５ｍｍであることを特徴とする
プリプレグの製造方法。
【請求項６】
前記第１樹脂組成物と、前記第２樹脂組成物から前記六方晶窒化ホウ素を除いたものとが同一であることを特徴とする
請求項５に記載のプリプレグの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般にプリプレグ、金属張積層板、プリント配線板、プリプレグの製造方法に関し、より詳細には高周波に対応したプリプレグ、金属張積層板、プリント配線板、プリプレグの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、スマートフォンに代表される各種電子機器の軽薄短小化及びデータ通信量の増加が急速に進んでいる。このような中、電子機器に用いられるプリント配線板の高周波対応が一層進められている。
【０００３】
プリント配線板では、使用部品の特性、絶縁基板に用いられる材料の誘電率及び誘電損失、配線の仕方などが、信号の伝送速度、信号波形、クロストーク、スキュー（ＳＫＥＷ）などに影響を与える。
【０００４】
特にスキューは、データの送信側から複数の信号線に同時に送出された信号が、データの受信側で別々の時刻に到着するときの時間差を指している。この時間差が大きい、つまりスキューが大きいと、データ転送エラーが発生しやすくなる。
【０００５】
そこで、このようなスキューを低減することのできる技術の開発が行われている。例えば、特許文献１には、スキューの低減に有効なプリプレグが開示されている。このプリプレグでは、補強材であるガラスクロスの縦糸又は横糸が屈曲又は傾斜して配置されている。このように配置することで、縦糸及び横糸に対して複数の信号線を傾けて配置することができ、スキューを低減することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２０１３／１４０８１２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
高周波に対応するためには、クロストークの低減も課題の一つである。クロストークは、ある信号線から生じた電磁波が、隣接する信号線に悪影響を与え、ノイズの発生原因となってしまう現象である。一般にクロストークは、信号線が形成された絶縁基板の比誘電率が大きいことが原因と考えられている。ここで、絶縁基板（プリプレグの硬化物）は、一般に樹脂とガラスクロスによる複合材料である。絶縁基板の比誘電率は、ガラスクロスの影響を大きく受けることにより大きくなる。そのため、クロストークが発生しやすくなる。
【０００８】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、スキュー及び比誘電率を低減することができるプリプレグ、金属張積層板、プリント配線板、プリプレグの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係るプリプレグは、
第１樹脂層と、
前記第１樹脂層の両面に設けられた第２樹脂層と
を備え、
前記第１樹脂層は、ガラスクロスに含浸された、六方晶窒化ホウ素を含有しない第１樹脂組成物の半硬化物であり、
前記第２樹脂層は、六方晶窒化ホウ素を含有する第２樹脂組成物の半硬化物であり、
前記ガラスクロスの縦及び横の織り密度が５４本以上／２５ｍｍであり、
前記六方晶窒化ホウ素の平均粒子径が１０〜３０μｍであり、
前記第２樹脂組成物から前記六方晶窒化ホウ素を除いた残りの成分１００質量部に対して、前記六方晶窒化ホウ素が２０〜４０質量部含有されていることを特徴とする。
【００１０】
前記第２樹脂層中の前記六方晶窒化ホウ素が、前記第１樹脂層中の前記ガラスクロスに対して平行に配向されていることが好ましい。
【００１１】
本発明に係る金属張積層板は、
前記プリプレグの硬化物で形成された絶縁層と、
前記絶縁層の片面又は両面に設けられた金属層と
を備えることを特徴とする。
【００１２】
本発明に係るプリント配線板は、
前記プリプレグの硬化物で形成された絶縁層と、
前記絶縁層の片面又は両面に設けられた導体配線と
を備えることを特徴とする。
【００１３】
本発明に係るプリプレグの製造方法は、
六方晶窒化ホウ素を含有しない第１樹脂組成物を含む第１ワニスをガラスクロスに含浸させる工程と、
前記第１ワニスが含浸されたガラスクロスの両面に、六方晶窒化ホウ素を含有する第２樹脂組成物を含む第２ワニスを塗布する工程と
を備え、
前記ガラスクロスの縦及び横の織り密度が５４本以上／２５ｍｍであることを特徴とする。
【００１４】
前記第１樹脂組成物と、前記第２樹脂組成物から前記六方晶窒化ホウ素を除いたものとが同一であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、プリント配線板において、ガラスクロスと導体配線との間に六方晶窒化ホウ素が介在することによって、ガラスクロスの高い誘電率が導体配線のインピーダンスに与える影響を小さくすることができ、スキュー及び比誘電率を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態に係るプリプレグの概略断面図である。
【図２】図２Ａは、同上のプリプレグを構成するガラスクロスの第１の例を示す概略平面図であり、図２Ｂは、同上のプリプレグを構成するガラスクロスの第２の例を示す概略平面図である。
【図３】同上のプリプレグの製造装置の一例を示す概略正面図である。
【図４】図４Ａは、同上のプリプレグを構成するガラスクロスの概略断面図であり、図４Ｂは、同上のガラスクロスに第１ワニスが含浸された状態を示す概略断面図であり、図４Ｃは、同上のガラスクロスにさらに第２ワニスが塗布された状態を示す概略断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る金属張積層板の概略断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係るプリント配線板の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００１８】
［プリプレグ］
図１に示すように、本実施形態のプリプレグ１は、第１樹脂層２１と、第２樹脂層２２とを備えている。プリプレグ１は、プリント配線板１００（後述）の材料として用いられる。プリプレグ１は、半硬化物である。半硬化物は、未硬化物と硬化物（完全硬化物）との間の段階にあるものを意味する。以下でも半硬化物は同じ意味で用いる。半硬化物を加熱すると一度溶融した後に硬化物となる。
【００１９】
まず第１樹脂層２１について説明する。第１樹脂層２１は、ガラスクロス３に含浸された第１樹脂組成物の半硬化物である。このように第１樹脂層２１は、内部にガラスクロス３を有している。第１樹脂層２１の厚さは、少なくともガラスクロス３の厚さ以上であり、例えば１０〜１４０μｍである。
【００２０】
次にガラスクロス３について説明する。ガラスクロス３は、プリプレグ１の補強材として用いられる。図２Ａにガラスクロス３の第１の例を示し、図２Ｂにガラスクロス３の第２の例を示す。ガラスクロス３は、ガラス繊維の糸で織った布である。具体的には、ガラスクロス３は、例えば直径５〜１５μｍのガラス糸（フィラメント）を撚った糸（ヤーン）を縦糸３１と横糸３２として織った布である。ガラスクロス３の織り方には、例えば平織などがあるが、特に限定されない。隣り合う２本の縦糸３１、３１及び隣り合う２本の横糸３２、３２で囲まれた部分はいわゆるバスケットホール３３と呼ばれている。ガラスクロス３の表面において、バスケットホール３３の存在する部分は凹部となり、バスケットホール３３の存在しない部分（少なくとも縦糸３１及び横糸３２のいずれかが存在する部分）は凸部となっている。このようにしてガラスクロス３の表面は凹凸面となっている。バスケットホール３３が小さくなるとガラスクロス３の表面は平滑面に近付く。図２Ａはバスケットホール３３の大きいガラスクロス３を示し、図２Ｂはバスケットホール３３の小さいガラスクロス３を示している。図２Ａに示すガラスクロス３の表面に比べて、図２Ｂに示すガラスクロス３の表面の方がより平滑である。バスケットホール３３は、粒子径１０μｍ程度の粒子が通過できない大きさであることが好ましく、小さいほど好ましい。ガラスクロス３の厚さは、例えば５〜１３５μｍである。
【００２１】
ガラスクロス３の縦及び横の織り密度は５４本以上／２５ｍｍである。織り密度とは、単位長さ当たりの糸打ち込み本数をいい、本実施形態では単位長さを２５ｍｍとしている。ガラスクロス３の縦の織り密度、横の織り密度、縦及び横の両方の織り密度のいずれかが５４本未満／２５ｍｍであると、バスケットホール３３が大きくなり、ガラスクロス３の表面の凹凸が大きくなる。しかも六方晶窒化ホウ素５（後述）がガラスクロス３のバスケットホール３３に落ち込むおそれがある。
【００２２】
次に第１樹脂組成物について説明する。第１樹脂組成物は、例えば、熱硬化性樹脂、硬化剤を含有する。熱硬化性樹脂の具体例として、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、難燃型エポキシ樹脂が挙げられるが、特に限定されない。第１樹脂組成物に含有される熱硬化性樹脂は１種のみでも２種以上でもよい。硬化剤の具体例として、フェノール樹脂が挙げられるが、特に限定されない。第１樹脂組成物は、充填材を含有しても含有しなくてもよい。ただし、第１樹脂組成物は、六方晶窒化ホウ素５を含有していない。そのため、第１樹脂組成物で形成される第１樹脂層２１は、六方晶窒化ホウ素５を含有していない。第１樹脂組成物は、溶剤を含有しても含有しなくてもよい。溶剤の具体例として、メチルエチルケトンが挙げられる。第１樹脂組成物に溶剤が含有されている場合であっても、第１樹脂組成物の硬化物には実質的に溶剤は含有されていない。第１樹脂組成物は、上記の各成分を配合して、適宜の攪拌機で攪拌することによって調製することができる。通常、第１樹脂組成物はＡステージのワニス状態であり、加熱されるとＢステージの半硬化状態となり、さらに加熱されるとＣステージの完全に硬化した硬化状態となる。
【００２３】
次に第２樹脂層２２について説明する。第２樹脂層２２は、第１樹脂層２１の両面に設けられている。第２樹脂層２２は、第２樹脂組成物の半硬化物である。第２樹脂層２２は、内部にガラスクロス３を有していない。第２樹脂層２２の厚さは、例えば２〜３０μｍである。
【００２４】
次に第２樹脂組成物について説明する。第２樹脂組成物は、例えば、熱硬化性樹脂、硬化剤を含有する。熱硬化性樹脂の具体例として、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、難燃型エポキシ樹脂が挙げられるが、特に限定されない。第２樹脂組成物に含有される熱硬化性樹脂は１種のみでも２種以上でもよい。硬化剤の具体例として、フェノール樹脂が挙げられるが、特に限定されない。第２樹脂組成物は、六方晶窒化ホウ素５を含有している。そのため、第２樹脂組成物で形成される第２樹脂層２２は、六方晶窒化ホウ素５を含有している。六方晶窒化ホウ素５は充填材の一種であり、第２樹脂組成物には、六方晶窒化ホウ素５以外の充填材が含有されていても含有されていなくてもよい。第２樹脂組成物は、溶剤を含有しても含有しなくてもよい。溶剤の具体例として、メチルエチルケトンが挙げられる。第２樹脂組成物に溶剤が含有されている場合であっても、第２樹脂組成物の硬化物には実質的に溶剤は含有されていない。第２樹脂組成物は、上記の各成分を配合して、適宜の攪拌機で攪拌することによって調製することができる。通常、第２樹脂組成物はＡステージのワニス状態であり、加熱されるとＢステージの半硬化状態となり、さらに加熱されるとＣステージの完全に硬化した硬化状態となる。
【００２５】
ここで、第１樹脂組成物と、第２樹脂組成物から六方晶窒化ホウ素５を除いたものとが同一であることが好ましい。言い換えると、第１樹脂組成物に六方晶窒化ホウ素５を加えたものが第２樹脂組成物であることが好ましい。このようにすれば、第１樹脂組成物及び第２樹脂組成物を別々に調製する必要がなくなる。つまり、基本的には第１樹脂組成物を調製しておき、必要に応じて六方晶窒化ホウ素５を適量添加することで、第２樹脂組成物を調製することができる。また第１樹脂組成物と第２樹脂組成物との間で、六方晶窒化ホウ素５の有無のみが異なるだけで、その他の成分が同一であれば、第１樹脂層２１と第２樹脂層２２との密着性を向上させることができる。
【００２６】
次に六方晶窒化ホウ素５について説明する。窒化ホウ素には、六方晶系の常圧相（ｈ−ＢＮ）と、立方晶系の高圧相（ｃ−ＢＮ）とがある。前者の常圧相窒化ホウ素が、本実施形態の六方晶窒化ホウ素５に該当する。六方晶窒化ホウ素５は、黒鉛類似の層状構造を有するファインセラミックスである。六方晶窒化ホウ素５では、Ｂ原子とＮ原子とが交互に共有結合して六員環が形成され、この六員環の複数が二次元的に連結して平板状構造体が形成され、さらにこの平板状構造体の複数がファンデルワールス（Van der Waals）結合により積み重なって、層状構造が形成されている。このように、平板状構造体内における結合が強固な共有結合であるのに対して、平板状構造体同士の層間の結合が弱いファンデルワールス（Van der Waals）結合であるので、六方晶窒化ホウ素５は異方性を有している。このような異方性に起因して、六方晶窒化ホウ素５は、黒鉛と同様に、潤滑性、熱伝導性、耐薬品性、熱的安定性に優れているが、黒鉛と異なって、電気特性（絶縁性、低誘電率）に優れている。このように、六方晶窒化ホウ素５は低誘電率であるため、本実施形態のプリプレグ１においては、第１樹脂層２１中のガラスクロス３の高い誘電率が第２樹脂層２２の外部に及ぼす影響を、第２樹脂層２２中の六方晶窒化ホウ素５で遮蔽することができる。
【００２７】
六方晶窒化ホウ素５の平均粒子径は１０〜３０μｍである。平均粒子径は、レーザー回折散乱法により測定される５０％粒子径（Ｄ５０：メディアン径）を意味し、以下も同様である。六方晶窒化ホウ素５の平均粒子径が１０μｍ未満であると、プリプレグ１の製造時に六方晶窒化ホウ素５の多くがガラスクロス３のバスケットホール３３に落ち込むおそれがある。このようにバスケットホール３３に落ち込んだ六方晶窒化ホウ素５では、ガラスクロス３の高い誘電率がプリプレグ１の外部に及ぼす影響を十分に遮蔽することができない。六方晶窒化ホウ素５の平均粒子径が３０μｍを超えると、第２樹脂組成物の調製時における攪拌によって、又はプリプレグ１の製造時における第２ワニス９２（後述）の塗布によって、大きな粒子径の六方晶窒化ホウ素５が粉砕されやすく、結果として平均粒子径が１０μｍ未満となるおそれがある。そうすると上述と同様の問題が生じ得る。平均粒子径が１０〜３０μｍの六方晶窒化ホウ素５であれば、第２樹脂組成物の調製時及びプリプレグ１の製造時においても粉砕されにくく、平均粒子径が大幅に小さくなることを抑制することができる。このように六方晶窒化ホウ素５の平均粒子径を１０μｍ以上に維持することができれば、プリプレグ１の製造時に六方晶窒化ホウ素５の多くがガラスクロス３のバスケットホール３３に落ち込むことを抑制することができる。そうすると、第２樹脂層２２中の六方晶窒化ホウ素５で、ガラスクロス３の高い誘電率がプリプレグ１の外部に及ぼす影響を十分に遮蔽することができる。
【００２８】
第２樹脂組成物から六方晶窒化ホウ素を除いた残りの成分１００質量部に対して、六方晶窒化ホウ素５は２０〜４０質量部含有されている。六方晶窒化ホウ素５が２０質量部以上であることによって、第２樹脂層２２中の六方晶窒化ホウ素５で、ガラスクロス３の高い誘電率がプリプレグ１の外部に及ぼす影響を十分に遮蔽することができる。六方晶窒化ホウ素５が４０質量部以下であることによって、第２樹脂組成物の流動性を確保することができ、第２樹脂層２２中にボイドが発生することを抑制することができる。
【００２９】
第２樹脂層２２中の六方晶窒化ホウ素５は、第１樹脂層２１中のガラスクロス３に対して平行に配向されていることが好ましい。六方晶窒化ホウ素５は層状構造を有しているので、ガラスクロス３の表面に対して平行に配向されていると、ガラスクロス３と第２樹脂層２２の外部とを隔てる壁を形成しやすくなる。そのため、第１樹脂層２１中のガラスクロス３の高い誘電率が第２樹脂層２２の外部に及ぼす影響を、第２樹脂層２２中の六方晶窒化ホウ素５で更に効果的に遮蔽することができる。
【００３０】
上述のように、本実施形態では、第１樹脂組成物は六方晶窒化ホウ素５を含有していないので、第１樹脂層２１も六方晶窒化ホウ素５を含有していない。もし第１樹脂層２１に六方晶窒化ホウ素５が含有されていると、六方晶窒化ホウ素５は層状構造を有しているので、六方晶窒化ホウ素５は、ガラスクロス３の表面の凹凸に沿って配置されるおそれがある。このように配置されると、第１樹脂層２１の表面も凹凸面となり、第２樹脂層２２中の六方晶窒化ホウ素５の配向を阻害するおそれがある。すなわち、第２樹脂層２２中の六方晶窒化ホウ素５がガラスクロス３に対して平行に配向しようとしても、このような配向を第１樹脂層２１中の六方晶窒化ホウ素５が阻害するおそれがある。このような理由で、本実施形態では、第１樹脂層２１は六方晶窒化ホウ素５を含有していない。
【００３１】
［プリプレグの製造方法］
本実施形態のプリプレグ１の製造方法は、第１ワニス含浸工程と、第２ワニス塗布工程とを備えている。第１ワニス含浸工程が先であり、第２ワニス塗布工程が後である。この方法の使用に適したプリプレグ１の製造装置の一例を図３に示す。プリプレグ１の製造装置は、含浸槽２００と、第１ローラー２１０と、２つの第２ローラー２２０、２３０と、２つのワニス供給装置２４０、２５０とを備えている。含浸槽２００の内部に第１ローラー２１０が設けられている。含浸槽２００の内部に第１ワニス９１が貯留されている。第１ローラー２１０の少なくとも一部は第１ワニス９１の中に沈んでいる。２つの第２ローラー２２０、２３０は含浸槽２００の上方に設けられている。第１ワニス９１が含浸されたガラスクロス３の一方の面に第２ローラー２２０が接触し、他方の面に第２ローラー２３０が接触するように、第２ローラー２２０、２３０は対向して配置されている。ワニス供給装置２４０、２５０はそれぞれ第２ローラー２２０、２３０に第２ワニス９２を供給する。ワニス供給装置２４０、２５０の具体例として、ダイコーターが挙げられる。
【００３２】
次に第１ワニス含浸工程及び第２ワニス塗布工程について説明する。
【００３３】
まず第１ワニス含浸工程について説明する。第１ワニス含浸工程では、第１ワニス９１をガラスクロス３に含浸させる。第１ワニス９１は、第１樹脂組成物を含む。第１樹脂組成物が液状であればそのまま第１ワニス９１として用いてもよいが、第１樹脂組成物が液状であったとしても、ガラスクロス３への含浸性を向上させるため、溶剤で希釈して第１ワニス９１とすることが好ましい。ただし、第１樹脂組成物は、六方晶窒化ホウ素５を含有していない。そのため、第１ワニス９１も六方晶窒化ホウ素５を含有していない。第１ワニス９１をガラスクロス３に含浸させるにあたっては、図３に示すように、ガラスクロス３を含浸槽２００の内部に進入させ、第１ローラー２１０で折り返して外部に引き出す。このようにして第１ワニス９１がガラスクロス３に含浸される。ガラスクロス３の搬送速度は、プリプレグ１の生産性の観点から、ボイドが発生しなければ速いほど好ましい。図４Ａは第１ワニス９１を含浸させる前のガラスクロス３を示し、図４Ｂは第１ワニス９１を含浸させた後のガラスクロス３を示す。
【００３４】
次に第２ワニス塗布工程について説明する。第２ワニス塗布工程では、第１ワニス９１が含浸されたガラスクロス３の両面に第２ワニス９２を塗布する。第２ワニス９２は、第２樹脂組成物を含む。第２樹脂組成物が液状であればそのまま第２ワニス９２として用いてもよいが、第２樹脂組成物が液状であったとしても、塗布しやすくするため、溶剤で希釈して第２ワニス９２とすることが好ましい。ただし、第２樹脂組成物は、六方晶窒化ホウ素５を含有している。そのため、第２ワニス９２も六方晶窒化ホウ素５を含有している。第２ワニス９２を塗布するにあたっては、図３に示すように、含浸槽２００から引き出され、第１ワニス９２が含浸されたガラスクロス３を第２ローラー２２０、２３０の間に通す。第２ワニス９２は、ワニス供給装置２４０、２５０によってそれぞれ第２ローラー２２０、２３０に供給され、第２ローラー２２０、２３０によって、第１ワニス９２が含浸されたガラスクロス３の両面に塗布される。このように第２ワニス９２を塗布すれば、六方晶窒化ホウ素５をガラスクロス３に対して平行に配向させやすい。図４Ｃは第２ワニス９２を塗布した後のガラスクロス３を示す。
【００３５】
上記のようにして、第１ワニス９１が含浸され、さらに両面に第２ワニス９２が塗布されたガラスクロス３を第２ワニス塗布工程の後に加熱炉に通して加熱する。非接触タイプの加熱ユニットであれば加熱炉に限定されない。第１ワニス９１から第１樹脂層２１が形成され、第２ワニス９２から第２樹脂層２２が形成されれば、加熱条件は特に限定されない。例えば、温度は８０〜２００℃であり、時間は３〜２０分間である。第１ワニス９１及び第２ワニス９２に溶剤が含有されている場合には、この溶剤は加熱により除去される。第１ワニス９１は、第１樹脂組成物を含んでいるので、加熱により第１樹脂組成物が半硬化して第１樹脂層２１が形成される。第２ワニス９２は、第２樹脂組成物を含んでいるので、加熱により第２樹脂組成物が半硬化して第２樹脂層２２が形成される。このようにして、図１に示すようなプリプレグ１を製造することができる。
【００３６】
［金属張積層板］
図５に示すように、本実施形態の金属張積層板１０は、絶縁層６と、金属層７とを備える。
【００３７】
絶縁層６は、プリプレグ１の硬化物で形成されている。プリプレグ１の硬化物は、内部にガラスクロス３を有する第１樹脂層２１の硬化物と、第２樹脂層２２の硬化物とで構成されている。絶縁層６は、電気的絶縁性を有している。
【００３８】
図５では、１枚のプリプレグ１の硬化物で絶縁層６が形成されている。この場合、絶縁層６には１枚のガラスクロス３が含まれている。図示省略しているが、２枚以上重ねたプリプレグ１の硬化物で絶縁層６が形成されていてもよい。この場合、絶縁層６には２枚以上のガラスクロス３が含まれている。いずれの場合であっても、絶縁層６中のガラスクロス３の高い誘電率が絶縁層６の外部に及ぼす影響を、絶縁層６中の六方晶窒化ホウ素５で遮蔽することができる。
【００３９】
金属層７は、絶縁層６の片面又は両面に設けられている。金属層７は、べた一面に絶縁層６に設けられている。すなわち、金属層７の面積は、絶縁層６の面積と同じであるが、厳密に同じである必要はない。金属層７が絶縁層６の片面に設けられている場合は、金属張積層板１０は片面金属張積層板となる。金属層７が絶縁層６の両面に設けられている場合は、金属張積層板１０は両面金属張積層板となる。金属層７の具体例として、金属箔、めっきが挙げられる。金属層７の材質の具体例として、銅が挙げられる。金属層７の厚さは、例えば、１〜１４０μｍである。
【００４０】
金属張積層板１０は、プリプレグ１の片面又は両面に金属箔を重ねて加熱加圧することによって製造することができる。この場合のプリプレグ１の使用枚数は１枚でもよいが、２枚以上でもよい。すなわち、２枚以上のプリプレグ１を重ね、この重ねたものの片面又は両面に金属箔を重ねて加熱加圧することによって金属張積層板１０を製造してもよい。金属箔を重ねる場合、接着性を向上させるため、金属箔のマット面をプリプレグ１に重ねることが好ましい。第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２から絶縁層６が形成されれば、加熱加圧条件は特に限定されない。例えば、温度は１３０〜２２０℃であり、時間は３０〜３６０分間であり、圧力は０．９〜３．９ＭＰａ（１０〜４０ｋｇｆ／ｃｍ２）である。
【００４１】
［プリント配線板］
図６に示すように、本実施形態のプリント配線板１００は、絶縁層６と、導体配線８とを備える。
【００４２】
絶縁層６は、プリプレグ１の硬化物で形成されている。プリプレグ１の硬化物は、内部にガラスクロス３を有する第１樹脂層２１の硬化物と、第２樹脂層２２の硬化物とで構成されている。絶縁層６は、電気的絶縁性を有している。
【００４３】
図６では、１枚のプリプレグ１の硬化物で絶縁層６が形成されている。この場合、絶縁層６には１枚のガラスクロス３が含まれている。図示省略しているが、２枚以上重ねたプリプレグ１の硬化物で絶縁層６が形成されていてもよい。この場合、絶縁層６には２枚以上のガラスクロス３が含まれている。いずれの場合であっても、絶縁層６中のガラスクロス３の高い誘電率が導体配線８に及ぼす影響を、絶縁層６中の六方晶窒化ホウ素５で遮蔽することができる。
【００４４】
導体配線８は、絶縁層６の片面又は両面に設けられている。例えば、サブトラクティブ法を使用して、金属張積層板１０の金属層７の不要部分をエッチングにより除去して導体配線８を形成することができる。またアディティブ法を使用してアンクラッド板に導体配線８を形成してもよい。ここで、アンクラッド板は、金属層７のない絶縁層６のみの基板を意味する。絶縁層６中のガラスクロス３の高い誘電率が導体配線８に及ぼす影響は、絶縁層６中の六方晶窒化ホウ素５で遮蔽されるので、絶縁層６の表面における導体配線８の形成箇所は特に制約されることなく、導体配線８を自由に引き回して形成することができる。つまり、回路設計の自由度が高い。
【００４５】
プリント配線板１００において、ガラスクロス３と導体配線８との間に六方晶窒化ホウ素５が介在することによって、ガラスクロス３の高い誘電率が導体配線８のインピーダンスに与える影響を小さくすることができ、スキュー及び比誘電率を低減することができる。したがって、本実施形態のプリント配線板１００は高速信号伝送に好適である。
【実施例】
【００４６】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
【００４７】
［プリプレグ］
プリプレグの製造に用いた材料は以下の通りである。
【００４８】
（第１樹脂組成物）
＜熱硬化性樹脂＞
・ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−７２００」、エポキシ当量２５４〜２６４ｇ／ｅｑ）
・クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社「ＥＰＩＣＬＯＮ  Ｎ−６９０」、エポキシ当量２０９〜２１９ｇ／ｅｑ）
・難燃型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社「ＥＰＩＣＬＯＮ  １５３」、エポキシ当量３９０〜４１０ｇ／ｅｑ、臭素含有量４６〜５０質量％）
＜硬化剤＞
・フェノール樹脂（明和化成株式会社「ＭＥＨ−７８５１」）
（第１ワニス）
表１に示す量の第１樹脂組成物の熱硬化性樹脂及び硬化剤を溶剤（メチルエチルケトン）に入れて溶解させた。このとき熱硬化性樹脂及び硬化剤が全体の７０質量％となるように溶剤の量を調整した。そしてディスパーで２時間攪拌することによって第１ワニスを調製した。
【００４９】
（第２樹脂組成物）
＜熱硬化性樹脂＞
・第１樹脂組成物と同じである。
【００５０】
＜硬化剤＞
・第１樹脂組成物と同じである。
【００５１】
＜充填材＞
・六方晶窒化ホウ素（デンカ株式会社「ＸＧＰ」、平均粒子径３０μｍ）
・六方晶窒化ホウ素（デンカ株式会社「ＭＧＰ」、平均粒子径１０μｍ）
・六方晶窒化ホウ素（デンカ株式会社「ＧＰ」、平均粒子径７μｍ）
（第２ワニス）
表１に示す量の第２樹脂組成物の熱硬化性樹脂及び硬化剤を溶剤（メチルエチルケトン）に入れて溶解させた。このとき熱硬化性樹脂及び硬化剤が全体の７０質量％となるように溶剤の量を調整した。そしてディスパーで２時間攪拌した後、表１に示す量の充填材を加え、さらにディスパーで２時間攪拌することによって第２ワニスを調製した。
【００５２】
（ガラスクロス）
以下の品番の日東紡績株式会社製ガラスクロスを用いた。
【００５３】
以下、例えば「織り密度：５４×５４」との表記は、縦の織り密度が５４本／２５ｍｍ、横の織り密度が５４本／２５ｍｍであることを意味する。
【００５４】
・品番「１０７８」（織り密度：５４×５４）
・品番「１０３７」（織り密度：７０×７２）
・品番「１０３７」（織り密度：７０×７３）
・品番「１０８０」（織り密度：６０×４７）
・品番「７６２８」（織り密度：４４×３１）
上記の材料を用いて、図３に示すプリプレグの製造装置によってプリプレグを製造した。すなわち、まず第１ワニス含浸工程において、室温にて第１ワニスをガラスクロスに含浸させた。次に第２ワニス塗布工程において、第１ワニスが含浸されたガラスクロスの両面に室温にて第２ワニスを塗布した。その後、第１ワニスが含浸され、第２ワニスが塗布されたガラスクロスを加熱炉に通して１７０℃で５分間加熱することによって、プリプレグを製造した。
【００５５】
［金属張積層板］
プリプレグの両面に金属箔を重ねて加熱加圧することによって金属張積層板を製造した。このときプリプレグの部分の厚さが１００〜８００μｍとなるように必要に応じて２枚以上のプリプレグを重ねた。金属箔として銅箔（三井金属鉱業株式会社「３ＥＣ−III」、厚さ３５μｍ）を用いた。金属箔を重ねる際は、金属箔のマット面をプリプレグの表面に重ねた。加熱加圧の条件は、温度は１７０℃であり、時間は６０分間であり、圧力は２．９ＭＰａ（３０ｋｇｆ／ｃｍ２）である。
【００５６】
上記のようにして得られた金属張積層板のうち、厚さが１２０〜２７０μｍのものを成形性の評価に用い、厚さが７７０〜８７０μｍのものを比誘電率の測定に用い、厚さが１７０〜２００μｍのものをスキュー（ＳＫＥＷ）の測定に用いた。
【００５７】
［成形性］
金属張積層板の金属箔をエッチングにより除去した。残った絶縁層（厚さ５０〜２００μｍ）を切断してその断面を観察した。絶縁層におけるボイドの有無により成形性を評価した。ボイドの無いものが成形性が良いので「○」とし、ボイドの有るものが成形性が悪いので「×」とした。
【００５８】
［比誘電率］
金属張積層板の金属箔をエッチングにより除去した。残った絶縁層（厚さ７００〜８００μｍ）について、インピーダンス・アナライザ（ＫＥＹＳＩＧＨＴ製「Ｅ４９９１Ｂ」）を用いて、ＩＰＣ−ＴＭ６５０−２．５．５．９の手順に従って、１ＧＨｚにおける比誘電率を測定した。なお、この比誘電率は、ガラスクロスも含む絶縁層全体の比誘電率を意味する。
【００５９】
［スキュー（ＳＫＥＷ）］
金属張積層板の片面のみをエッチングして回路長１０ｃｍの導体配線を５本形成した。これらの導体配線が形成された面にプリプレグ及び金属箔をこの順に重ねて加熱加圧することによって３層のプリント配線板を製造した。このときプリプレグの部分の厚さが成形後に１３０〜１６０μｍとなるように必要に応じて２枚以上のプリプレグを重ねた。金属箔として銅箔（三井金属鉱業株式会社「３ＥＣ−III」、厚さ３５μｍ）を用いた。金属箔を重ねる際は、金属箔のマット面をプリプレグの表面に重ねた。加熱加圧の条件は、温度は１７０℃であり、時間は６０分間であり、圧力は２．９ＭＰａ（３０ｋｇｆ／ｃｍ２）である。上記のプリント配線板の３層は、両面の金属箔の２層と、絶縁層中の導体配線の１層とからなる。なお、上記のプリント配線板の厚さは両面の金属箔の厚さも含めて３００〜３７０μｍである。
【００６０】
上記のようにして得られたプリント配線板について、５本の導体配線（インピーダンス５０Ω）の伝送速度を測定し、最大値と最小値の差をスキュー（ＳＫＥＷ）として求めた。
【００６１】
【表１】
0006712774.tif 000002
【００６２】
表１から明らかなように、実施例１〜５では、スキュー及び比誘電率を低減することができることが確認された。実施例１〜５では、比誘電率が小さいため、クロストークの発生を抑制することができると考えられる。
【００６３】
これに対して、比較例１では、六方晶窒化ホウ素の含有量が少なすぎるため、比誘電率が大きくなり、クロストークが発生しやすいと考えられる。
【００６４】
また比較例２では、六方晶窒化ホウ素の含有量が多すぎるため、成形性が悪くなり、スキュー及び比誘電率を測定することができなかった。
【００６５】
また比較例３、４では、六方晶窒化ホウ素の平均粒子径が小さすぎたり、大きすぎたりしたので、スキューを低減できないことが確認された。
【００６６】
また比較例５、６では、ガラスクロスの織り密度が小さすぎるので、スキューを低減できないことが確認された。この原因の一つとして、ガラスクロスのバスケットホールに六方晶窒化ホウ素が落ち込んだことが挙げられる。
【符号の説明】
【００６７】
１  プリプレグ
３  ガラスクロス
５  六方晶窒化ホウ素
６  絶縁層
７  金属層
８  導体配線
２１  第１樹脂層
２２  第２樹脂層
９１  第１ワニス
９２  第２ワニス
１０  金属張積層板
１００  プリント配線板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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