(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１サブ画素と第２サブ画素と第３サブ画素を備える画素構造において、
互いに向き合って隣接する二つの前記第３サブ画素は、一つの第３サブ画素グループを形成し、
前記第２サブ画素は第１軸の方向に沿って行ごとに配置されて第２サブ画素行を形成し、前記第１サブ画素と前記第３サブ画素グループは前記第２サブ画素行と平行する第１軸の方向に沿って交互に配置され、前記第２サブ画素行と、前記第１サブ画素と前記第３サブ画素グループによって形成される行が交互に配置され、
前記第２サブ画素は第２軸の方向に沿って配置されて第２サブ画素カラムを形成し、前記第１サブ画素と前記第３サブ画素グループは前記第２サブ画素カラムと平行する第２軸の方向に沿って交互に配置され、前記第２サブ画素カラムと、前記第１サブ画素と前記第３サブ画素グループによって形成されるカラムは交互に配置され、
各前記第２サブ画素の幾何学的中心は、任意の二つの隣接する前記第３サブ画素グループと前記第１サブ画素の中心を繋ぐラインの垂直二等分線に位置され、
前記第１サブ画素に隣接し、かつ前記第１サブ画素の中心軸の同じ側に位置される少なくとも二つの前記第３サブ画素は、直接接続ラインによって接続されて同じ色を表示する一つの第３サブ画素ストリングを形成し、
前記第１軸は前記第２軸と異なり、前記第１サブ画素の前記中心軸は、前記第１サブ画素の幾何学的中心を通り、前記第１軸又は前記第２軸と平行であり、
同じ第３サブ画素ストリングの少なくとも二つの前記第３サブ画素は同じ表示情報を受け取る、又は、前記同じ第３サブ画素ストリングにおける各第３サブ画素のアドレス可能な電極は電気的に接続されており、前記各第３サブ画素のアドレス可能な電極は陰極である
ことを特徴とする画素構造。
【請求項２】
連続行と連続カラムにおける前記第１サブ画素の幾何学的中心は一つの対角方向に沿ってラインを形成するように並び、
連続行と連続カラムにおける前記第３サブ画素グループの幾何学的中心は、前記第１サブ画素の幾何学的中心によって形成されるラインと前記第３サブ画素グループの幾何学的中心によって形成されるラインが交互に配置されるように、前記第１サブ画素の幾何学的中心によって形成されるラインと平行する対角方向に沿ってラインを形成して並び、
各前記第２サブ画素は、一つの対角方向に並んでいる二つの隣接する前記第１サブ画素の間、及びもう一つの対角方向に並んでいる二つの隣接する前記第３サブ画素グループの間に並び、
各前記第２サブ画素の幾何学的中心は、隣接する行における隣接する前記第１サブ画素と前記第３サブ画素グループの幾何学的中心を繋ぐラインの垂直二等分線と、隣接するカラムにおける隣接する前記第１サブ画素と前記第３サブ画素グループの幾何学的中心を繋ぐラインの垂直二等分線の交点に配置され、
対角方向とは、行軸の方向に対して時計回りに４５度、行軸の方向に対して反時計回りに４５度、カラム軸の方向に対して時計回りに４５度、又はカラム軸の方向に対して反時計回りに４５度である
ことを特徴とする請求項１に記載の画素構造。
【請求項３】
１行又は１カラムに位置される前記第１サブ画素の幾何学的中心は、直線に沿って並び、
１行又は１カラムに位置される前記第３サブ画素グループの幾何学的中心は、直線に沿って並び、
１行又は１カラムに位置される前記第２サブ画素の幾何学的中心は、直線に沿って並ぶ
ことを特徴とする請求項２に記載の画素構造。
【請求項４】
一つの表示単位は一つの前記第１サブ画素と、前記第１サブ画素に隣接する一つの第２サブ画素と、前記第１サブ画素に近隣する一つの前記第３サブ画素ストリングを備え、隣接する前記表示単位は前記第１サブ画素と前記第３サブ画素ストリングを共有する
ことを特徴とする請求項３に記載の画素構造。
【請求項５】
前記第３サブ画素ストリングは、対角方向に沿って二つの近隣する第３サブ画素を備え、前記二つの近隣する第３サブ画素の各々は対角方向に沿って異なる第３サブ画素グループに備えられ、前記二つの近隣する第３サブ画素は二つの隣接する行において前記第２サブ画素の両側に位置され、それぞれ対角方向に沿って前記第２サブ画素から最短距離を持ち、
一つの前記第２サブ画素と、前記第２サブ画素から最短距離を持つ一つの第３サブ画素ストリングと、二つの隣接する行において前記第２サブ画素の両側に位置されてそれぞれ対角方向に沿って前記第２サブ画素から最短距離を持つ二つの第１サブ画素は、一つの表示単位を形成する
ことを特徴とする請求項４に記載の画素構造。
【請求項６】
前記第３サブ画素ストリングは、対角方向に沿って二つの近隣する第３サブ画素を備え、前記二つの近隣する第３サブ画素の各々は対角方向に沿って異なる第３サブ画素グループに備えられ、前記二つの近隣する第３サブ画素は二つの隣接するカラムにおいて前記第２サブ画素の両側に位置され、それぞれ対角方向に沿って前記第２サブ画素から最短距離を持ち、
一つの前記第２サブ画素と、前記第２サブ画素から最短距離を持つ一つの第３サブ画素ストリングと、二つの隣接するカラムにおいて前記第２サブ画素の両側に位置され、それぞれ対角方向に沿って前記第２サブ画素から最短距離を持つ二つの第１サブ画素は、一つの表示単位を形成する
ことを特徴とする請求項４に記載の画素構造。
【請求項７】
前記第１サブ画素の両側に位置されて対角方向に沿って並んでいる二つの隣接する前記第２サブ画素は、前記第１サブ画素の幾何学的中心に対して中心対称性を持ち、前記第１サブ画素の両側に位置されて他の対角方向に沿って並んでいる他の二つの前記第２サブ画素は、前記第１サブ画素の幾何学的中心に対して中心対称性を持ち、それぞれ一つの隣接する前記第２サブ画素を備える四つの前記表示単位は、前記第１サブ画素を共有しており、
前記表示単位において、前記第２サブ画素の近隣する前記第３サブ画素ストリングは、上方の隣接する行における隣接する表示単位、下方の隣接する行における隣接する表示単位、又は上方の隣接する行と下方の隣接する行における隣接する表示単位の組合せによって共有される
ことを特徴とする請求項５又は６に記載の画素構造。
【請求項８】
前記第１サブ画素の両側に位置されて対角方向に沿って並んでいる二つの隣接する第２サブ画素は、前記第１サブ画素の幾何学的中心に対して中心対称性を持ち、前記第１サブ画素の両側に位置されて他の対角方向に沿って並んでいる他の二つの隣接する第２サブ画素は、前記第１サブ画素の幾何学的中心に対して中心対称性を持ち、それぞれ一つの隣接する前記第２サブ画素を備える四つの表示単位は、前記第１サブ画素を共有しており、
前記表示単位において、前記第２サブ画素の近隣する前記第３サブ画素ストリングは、前の隣接するカラムにおける隣接する表示単位、後の隣接するカラムにおける隣接する表示単位、又は前の隣接するカラムと後の隣接するカラムにおける隣接する表示単位の組合せによって共有される
ことを特徴とする請求項５又は６に記載の画素構造。
【請求項９】
前記第３サブ画素ストリングにおける三つの第３サブ画素は、前記第１サブ画素の中心軸の同じ側に位置され、前記三つの第３サブ画素の各々は異なる第３サブ画素グループに備えられ、
前記第３サブ画素うちの二つは一つの対角方向に沿って並び、前記第３サブ画素うちの二つは他の対角方向に沿って並び、前記第３サブ画素うちの一つは、前記の二つの対角方向の交点に位置され、
一つの前記第２サブ画素と、二つの隣接する行において前記第２サブ画素の両側に位置されて対角方向に沿って前記第２サブ画素から最短距離を持つ隣接する二つの第１サブ画素と、前記第２サブ画素から最短距離を持つ一つの第３サブ画素ストリングは、一つの表示単位を形成する
ことを特徴とする請求項４に記載の画素構造。
【請求項１０】
前記第１サブ画素に近隣する前記第３サブ画素ストリングは、
前記第１サブ画素と同じ行において隣接する一つの第３サブ画素と、同じカラムにおいて前記第１サブ画素の上方と下方にある二つの隣接する第３サブ画素とを備え、三つの近隣する前記第３サブ画素の各々は、異なる第３サブ画素グループに備えられる
ことを特徴とする請求項９に記載の画素構造。
【請求項１１】
前記第１サブ画素に近隣する前記第３サブ画素ストリングは、
前記第１サブ画素と同じカラムにおいて隣接する一つの第３サブ画素と、同じ行において前記第１サブ画素の左側と右側にある隣接する二つの第３サブ画素とを備え、前記三つの近隣する第３サブ画素は、それぞれ異なる第３サブ画素グループにある
ことを特徴とする請求項９に記載の画素構造。
【請求項１２】
一つの対角方向に沿って並んで前記第１サブ画素に隣接する二つの第２サブ画素は、前記第１サブ画素の幾何学的中心に対して中心対称性を持ち、
他の対角方向に沿って並んで前記第１サブ画素に隣接する他の二つの第２サブ画素は、前記第１サブ画素の幾何学的中心に対して中心対称性を持ち、
それぞれ一つの前記第２サブ画素を備える四つの表示単位は、前記第１サブ画素を共有しており、
前記第３サブ画素ストリングに隣接する一行又は一カラムに並んでいる二つの第２サブ画素うちの１つをそれぞれ備える二つの前記表示単位は、前記第３サブ画素ストリングを共有している
ことを特徴とする請求項９に記載の画素構造。
【請求項１３】
同一の第３サブ画素グループの二つの第３サブ画素は、行方向又はカラム方向に沿って鏡面対称性を持ち、二つの第１サブ画素の間に位置され、
同一の第１サブ画素の両側において前記第１サブ画素と同じ行又は同じカラムに位置され、行軸又はカラム軸の方向に沿ってそれぞれ前記第１サブ画素から最短距離を持つ二つの第３サブ画素は、前記第１サブ画素の幾何学的中心に対して中心対称性を持つ、又は、前記第１サブ画素の前記中心軸に対して鏡面対称性を持つ
ことを特徴とする請求項２に記載の画素構造。
【請求項１４】
同一の第３サブ画素グループにおける二つの第３サブ画素は、対角方向に沿って隣接する二つの第２サブ画素の間に位置され、二つの前記第３サブ画素の幾何学的中心を繋ぐラインが前記二つの第３サブ画素の間にあり、
対角方向に沿って前記第２サブ画素に隣接する二つの第３サブ画素は、前記第２サブ画素の幾何学的中心に対して中心対称性を持つ、又は、前記第２サブ画素の中心軸に対して鏡面対称性を持ち、前記第２サブ画素の前記中心軸は、前記第２サブ画素の幾何学的中心を通り、前記対角方向と垂直である
ことを特徴とする請求項２に記載の画素構造。
【請求項１５】
前記第１サブ画素の形状と、前記第３サブ画素グループの形状と、前記第２サブ画素の形状の各々は、対称軸を持ち、
前記第１サブ画素の形状の対称軸は、行軸或いはカラム軸の方向と平行する方向、又は対角方向に沿って延びており、
前記第３サブ画素グループ或いは前記第３サブ画素の形状の対称軸は、行軸或いはカラム軸の方向と平行する方向、又は対角方向に沿って延びており、
前記第２サブ画素の形状の対称軸は、行軸或いはカラム軸の方向と平行する方向、又は対角方向に沿って延びる
ことを特徴とする請求項２に記載の画素構造。
【請求項１６】
前記第１サブ画素の全体的な配置は、行軸の方向に対して４５度又は１３５度の対角方向に沿ってラインを形成し、
前記第２サブ画素の全体的な配置は、行軸の方向に対して４５度又は１３５度の対角方向に沿ってラインを形成し、
前記第３サブ画素グループの全体的な配置は、行軸の方向に対して４５度又は１３５度の対角方向に沿ってラインを形成する
ことを特徴とする請求項１３に記載の画素構造。
【請求項１７】
前記第１サブ画素の形状と、前記第２サブ画素の形状と、前記第３サブ画素の形状と、前記第３サブ画素グループの形状の各々は、円形、三角形、四辺形、五角形、六角形、八角形又はそれらの組合せの任意の一つである
ことを特徴とする請求項２に記載の画素構造。
【請求項１８】
前記第１サブ画素は、四辺形、八角形又はそれらの組合せであり、
前記第３サブ画素は、三角形、四辺形又はそれらの組合せであり、
互いに向き合って隣接する二つの第３サブ画素を備える前記第３サブ画素グループの全体的な形状は、四辺形、八角形又はそれらの組合せであり、
前記第２サブ画素は、四辺形、八角形又はそれらの組合せである
ことを特徴とする請求項１７に記載の画素構造。
【請求項１９】
前記第１サブ画素は菱形であり、
前記第３サブ画素は二等辺三角形であり、
互いに向き合って隣接する二つの第３サブ画素を備える前記第３サブ画素グループの全体的な形は菱形であり、
前記第２サブ画素は三角形である
ことを特徴とする請求項１８に記載の画素構造。
【請求項２０】
前記第１サブ画素は菱形であり、
前記第３サブ画素は長方形であり、
互いに向き合って隣接する二つの第３サブ画素によって形成される前記第３サブ画素グループの全体的な形は四辺形であり、
前記第２サブ画素は長方形である
ことを特徴とする請求項１８に記載の画素構造。
【請求項２１】
前記第１サブ画素、前記第２サブ画素及び前記第３サブ画素グループの四辺形又は八角形のコナーを面取りする
ことを特徴とする請求項１８に記載の画素構造。
【請求項２２】
行軸又はカラム軸の方向に沿って最短距離を持つ二つの第２サブ画素は、同じ形状である
ことを特徴とする請求項１８に記載の画素構造。
【請求項２３】
行軸又はカラム軸の方向に沿って最短距離を持つ二つの第２サブ画素は、前記二つの第２サブ画素の幾何学的中心を繋ぐラインの垂直二等分線に対して対称性を持つ
ことを特徴とする請求項１８に記載の画素構造。
【請求項２４】
前記第１サブ画素の幾何学的中心、前記第２サブ画素の幾何学的中心及び前記第３サブ画素グループの幾何学的中心は均一に分布される
ことを特徴とする請求項１に記載の画素構造。
【請求項２５】
前記第１サブ画素の面積は、前記第３サブ画素グループの面積と等しく、
前記第２サブ画素の面積は、前記第１サブ画素の面積より小さい
ことを特徴とする請求項１に記載の画素構造。
【請求項２６】
前記第３サブ画素グループの面積は、前記第１サブ画素の面積より大きく、
前記第１サブ画素の面積は、前記第２サブ画素の面積より大きい
ことを特徴とする請求項１に記載の画素構造。
【請求項２７】
前記第１サブ画素によって表示される色と、前記第２サブ画素によって表示される色、前記第３サブ画素グループによって表示される色の各々は、赤と緑と青の任意の一つである
ことを特徴とする請求項１に記載の画素構造。
【請求項２８】
前記第１サブ画素は赤又は青を表示し、前記第２サブ画素は緑を表示し、前記第３サブ画素グループは青又は赤を表示する
ことを特徴とする請求項２７に記載の画素構造。
【請求項２９】
前記第１サブ画素、前記第３サブ画素ストリング及び前記第２サブ画素の各々は、データラインに接続されて画素表示情報を受け取り、
同一の前記第３サブ画素ストリングの前記第３サブ画素は、同じ表示情報を受け取る
ことを特徴とする請求項４に記載の画素構造。
【請求項３０】
請求項１から２３のいずれか一項に記載の画素構造の表示方法であって、前記画素構造において、
前記第１サブ画素の中心軸の同じ側に位置されて前記第１サブ画素に近隣する第３サブ画素は第３サブ画素ストリングを形成し、前記第３サブ画素ストリングにおける前記第３サブ画素が同じ色を表示し、
一つの表示単位は、一つの前記第１サブ画素と、前記第１サブ画素に隣接する一つの第２サブ画素と、前記第１サブ画素に近隣する一つの前記第３サブ画素ストリングを備え、
各前記表示単位が３色を含む画素表示情報を表示するよう、隣接する前記表示単位が前記第１サブ画素と前記第３サブ画素ストリングを共有する
ことを特徴とする画素構造表示方法。
【請求項３１】
ステップＳ１からＳ３を含み、
ステップＳ１において、前記画素表示情報から画素単位ごとの、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素ストリングによって表示される色に対応する理論輝度値を得て、
ステップＳ２において、画素単位ごとの前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と第３サブ画素ストリングの実際の輝度値を計算し、
ステップＳ３において、実際の輝度を画素単位ごとの前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素ストリングに入力して画像を表示する
ことを特徴とする請求項３０に記載の画素構造の表示方法。
【請求項３２】
ステップＳ２において、
前記第１サブ画素の実際の輝度値を、前記第１サブ画素の各共有部分の加重した理論輝度値の和として計算し、
前記第２サブ画素の実際の輝度値は、前記第２サブ画素によって表示される色に対応する理論輝度値であり、
前記第３サブ画素ストリングの実際の輝度値を、前記第３サブ画素ストリングの各共有部分の加重した理論輝度値の和として計算する
ことを特徴とする請求項３１に記載の画素構造の表示方法。
【請求項３３】
ステップＳ２において、
四つの隣接する表示単位は一つの前記第１サブ画素を共有し、前記第１サブ画素の各共有部分の重みは前記共有部分の理論輝度値に対応し、１／４である
ことを特徴とする請求項３１に記載の画素構造の表示方法。
【請求項３４】
ステップＳ２において、
前記第３サブ画素ストリングは、対角方向に沿って二つの隣接する第３サブ画素を備え、前記二つの隣接する第３サブ画素の各々が異なる第３サブ画素グループに備えられ、
一つの前記第２サブ画素と、前記第２サブ画素から最短距離を持つ一つの第３サブ画素ストリングと、二つの隣接する行において前記第２サブ画素の両側に位置され、それぞれ対角方向に沿って前記第２サブ画素から最短距離を持つ二つの第１サブ画素は、一つの表示単位を形成し、
前記表示単位の、前記第２サブ画素に近隣する前記第３サブ画素ストリングは、上方の隣接する表示単位行、下方の隣接する表示単位行、上方の隣接する表示単位カラム、上方の隣接する表示単位カラム、又はそれらの組合せにおける隣接する表示単位によって共有され、
前記第３サブ画素ストリングにおける前記第３サブ画素の各共有部分の理論輝度値の重みは１／２である
ことを特徴とする請求項３１に記載の画素構造の表示方法。
【請求項３５】
ステップＳ２において、
前記第３サブ画素ストリングは、第１サブ画素に近隣する三つのサブ画素を備え、前記三つの第３サブ画素は前記第１サブ画素の中心軸の同じ側に位置され前記三つの第３サブ画素のそれぞれは異なる第３サブ画素グループに備えられ、
前記第３サブ画素うちの２つは、一つの対角方向に沿って並び、
前記第３サブ画素うちの２つはもう一つの対角方向に沿って並び、前記第３サブ画素うちの１つが前記の二つの対角方向の交点に位置され、
一つの前記第２サブ画素と、二つの隣接する行において前記第２サブ画素の両側に位置され、それぞれ対角方向に沿って前記第２サブ画素から最短距離を持つ隣接する二つの第１サブ画素と、前記第２サブ画素から最短距離を持つ一つの第３サブ画素ストリングは、一つの表示単位を形成し、
１行又は１カラムに並んで前記第３サブ画素ストリングに近隣する三つの第３サブ画素の各々は一つの表示単位に備えられ、前記三つの第３サブ画素うちの一つを備える前記表示単位の各々は、前記第３サブ画素ストリングの共有部分によって前記第３サブ画素ストリングを共有し、
三つの前記表示単位の各々における前記第３サブ画素ストリングの共有部分によって表示される色の理論輝度値の重さは、１／３である
ことを特徴とする請求項３２に記載の画素構造の表示方法。
【請求項３６】
請求項１から２９のいずれか一項に記載の画素構造を備える表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本ＰＣＴ特許出願は、２０１４年１２月３０日に提出した中国特許出願Ｎｏ．２０１４１０８４３２５６．９の優先権を主張し、その全体が参照により本出願に援用される。
【０００２】
本発明は全体的には表示技術に関し、特に画素構造、その表示方法、及び該画素構造を備える表示装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
フラットスクリーン表示装置には、一般的にはＬＣＤ（液晶ディスプレイ）装置及びＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）表示装置がある。特に、ＬＣＤと比較すると、ＯＬＥＤディスプレイには、自発光であり、応答時間がより速く、より広い視野角を示すといった利点がある。ＯＬＥＤディスプレイは、フレキシブルディスプレイ、透明ディスプレイ、三次元ディスプレイ、及び多くの他のディスプレイの応用に適することが多い。
【０００４】
現在、ＦＭＭ（ファインメタルマスク）がトップエミッション方式のＡＭＯＬＥＤ（アクティブマトリクス式有機発光ダイオード）表示パネルの製造工程にしばしば適用される。ＦＭＭは有機発光層を形成するための堆積プロセスでしばしば使用される。ＦＭＭの開口サイズの最小値が制限されることが多い。堆積プロセスでは、ある色を表示するための二つのサブ画素間の距離が別の色を表示するための二つのサブ画素間の距離と異なるよう、同じ色を表示するためのサブ画素間の距離が特定の制限を受けることがある。その結果、ＡＭＯＬＥＤ表示イパネルの製造がＦＭＭの開口サイズ及び堆積プロセスの精度の制限を受けるのは避けられなくなっている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
高い表示解像度を得ることは困難であり、特に、高い解像度に必要となる開口率を実現することが困難である。表示イパネルの開口率は、製品の寿命、表示輝度等にまで影響を及ぼす場合がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は先行技術の上記課題を解決するものである。本開示は、画素構造、該画素構造の表示方法、及び該画素構造を備える表示装置を提供する。該画素構造は、高い解像度を実現でき、サブ画素の開口率を改善できる。また、該画素構造は、バックパネル配線及び製造工程を簡素化できる。該画素構造を備える表示装置は、望ましい表示輝度及び改善された寿命を持つことができる。
【０００７】
本開示の一つの方面は画素構造を提供する。該画素構造は第１サブ画素と、第２サブ画素と、第３サブ画素を備える。該画素構造において、互いに向き合って隣接する二つの第３サブ画素は一つの第３サブ画素グループを形成し、第２サブ画素は第１軸の方向に沿って配置されて第２サブ画素行を形成し、第１サブ画素と第３サブ画素グループは第２サブ画素行と平行する第１軸の方向に沿って交互に配置され、第２サブ画素行と、第１サブ画素と第３サブ画素グループによって形成される行が交互に配置される。第２サブ画素は第２軸の方向に沿って配置されて第２サブ画素カラムを形成し、第１サブ画素と第３サブ画素グループは第２サブ画素カラムと平行する第２軸の方向に沿って交互に配置され、第２サブ画素カラムと、第１サブ画素と第３サブ画素グループによって形成されるカラムは交互に配置される。各第２サブ画素の幾何学的中心は、任意の二つの隣接する第３サブ画素グループと第１サブ画素の中心を繋ぐラインの垂直二等分線に位置する。第１サブ画素に隣接し、かつ第１サブ画素の中心軸の同じ側に位置する少なくとも二つの第３サブ画素は、直接接続ラインによって接続され同じ色を表示する一つの第３サブ画素ストリングを形成する。第１軸は第２軸と異なる
【０００８】
対角方向とは、行軸の方向に対して時計回りに４５度、行軸の方向に対して反時計回りに４５度、カラム軸の方向に対して時計回りに４５度、又はカラム軸の方向に対して反時計回りに４５度を指し、連続行と連続カラムにおける第１サブ画素の幾何学的中心は一つの対角方向に沿ってラインを形成するように並び、連続行と連続カラムにおける第３サブ画素グループの幾何学的中心は、第１サブ画素の幾何学的中心によって形成されるラインと第３サブ画素グループの幾何学的中心によって形成されるラインが交互に配置されるように、第１サブ画素の幾何学的中心によって形成されるラインと平行する一つの対角方向に沿ってラインを形成して並び、各第２サブ画素は、一つの対角方向に並ぶ二つの隣接する第１サブ画素及びもう一つの対角方向に並ぶ二つの隣接する第３サブ画素グループの間に並び、各第２サブ画素の幾何学的中心は、隣接する行における隣接する第１サブ画素と第３サブ画素グループの幾何学的中心を繋ぐラインの垂直二等分線と、隣接するカラムにおける隣接する第１サブ画素と第３サブ画素グループの幾何学的中心を繋ぐラインの垂直二等分線の交点に配置されてもよい。
【０００９】
１行又は１カラムに位置される第１サブ画素の幾何学的中心は、直線に沿って並び、１行又は１カラムに位置される第３サブ画素グループの幾何学的中心は、直線に沿って並び、１行又は１カラムに位置される第２サブ画素の幾何学的中心は、直線に沿って並んでもよい。
【００１０】
一つの表示単位は一つの第１サブ画素と、第１サブ画素に隣接する一つの第２サブ画素と、第１サブ画素に近隣する一つの第３サブ画素ストリングを備え、隣接する表示単位は第１サブ画素と第３サブ画素ストリングを共有してもよい。
【００１１】
第３サブ画素ストリングは、対角方向に沿って二つの近隣する第３サブ画素を備え、二つの近隣する第３サブ画素の各々は対角方向に沿って異なる第３サブ画素グループに備えられ、二つの近隣する第３サブ画素は二つの隣接する行において第２サブ画素の両側に位置され、それぞれ対角方向に沿って第２サブ画素から最短距離を持ち、一つの第２サブ画素と、第２サブ画素から最短距離を持つ一つの第３サブ画素ストリングと、二つの隣接する行における第２サブ画素の両側に位置されてそれぞれ対角方向に沿って第２サブ画素から最短距離を持つ二つの第１サブ画素は、一つの表示単位を形成してもよい。
【００１２】
第３サブ画素ストリングは、対角方向に沿って二つの近隣する第３サブ画素を備え、二つの近隣する第３サブ画素の各々は対角方向に沿って異なる第３サブ画素グループに備えられ、二つの近隣する第３サブ画素は二つの隣接するカラムにおいて第２サブ画素の両側に位置され、それぞれ対角方向に沿って第２サブ画素から最短距離を持ち、一つの第２サブ画素と、第２サブ画素から最短距離を持つ一つの第３サブ画素ストリングと、二つの隣接するカラムにおいて第２サブ画素の両側に位置され、それぞれ対角方向に沿って第２サブ画素から最短距離を持つ二つの第１サブ画素は、一つの表示単位を形成してもよい。
【００１３】
第１サブ画素の両側に位置され対角方向に沿って並ぶ二つの隣接する第２サブ画素は、第１サブ画素の幾何学的中心に対して中心対称性を持ち、第１サブ画素の両側に位置され他の対角方向に沿って並ぶ他の二つの第２サブ画素は、第１サブ画素の幾何学的中心に対して中心対称性を持ち、それぞれ一つのの隣接する第２サブ画素を備える四つの表示単位は第１サブ画素を共有しており、表示単位において、第２サブ画素に近隣する第３サブ画素ストリングは、上方の隣接する行における隣接する表示単位、下方の隣接する行における隣接する表示単位、又は上方の隣接する行と下方の隣接する行における隣接する表示単位の組合せによって共有されてもよい。
【００１４】
表示単位において、第２サブ画素に近隣する第３サブ画素ストリングは、上方の隣接するカラムにおける隣接する表示単位、下方の隣接するカラムにおける隣接する表示単位、又は上方の隣接するカラムと下方の隣接するカラムにおける隣接する表示単位の組合せによって共有されてもよい。
【００１５】
第３サブ画素ストリングにおける三つの第３サブ画素は、第１サブ画素の中心軸の同じ側に位置され、三つの第３サブ画素の各々は異なる第３サブ画素グループに備えられ、第３サブ画素うちの二つは一つの対角方向に沿って並び、第３サブ画素うちの二つは他の対角方向に沿って並び、第３サブ画素うちの一つは、の二つの対角方向の交点に位置され、一つの第２サブ画素と、二つの隣接する行において第２サブ画素の両側に位置されて対角方向に沿って第２サブ画素から最短距離を持つ隣接する二つの第１サブ画素と、第２サブ画素から最短距離を持つ一つの第３サブ画素ストリングは、一つの表示単位を形成してもよい。
【００１６】
第１サブ画素に近隣する第３サブ画素ストリングは、第１サブ画素と同じ行において隣接する一つの第３サブ画素と、同じカラムにおいて第１サブ画素の上方と下方にある二つの隣接する第３サブ画素とを備えてもよく、三つの近隣する第３サブ画素の各々は、異なる第３サブ画素グループに備えられてもよい。
【００１７】
第１サブ画素に近隣する第３サブ画素ストリングは、表示単位の一方の側に位置される一つの第１サブ画素に隣接しかつそれと同じ行に位置する一つの第３サブ画素と、それぞれ同一表示単位におけるもう一つの第１サブ画素に隣接して位置される二つの第３サブ画素とを備えてもよく、二つの第３サブ画素は、二つの隣接する行に位置され、それぞれが異なる第３サブ画素グループに備えられてもよい。
【００１８】
第１サブ画素に近隣する第３サブ画素ストリングは、第１サブ画素と同じカラムにおいて隣接する一つの第３サブ画素と、第１サブ画素の上方と下方にある同じ行における隣接する二つの第３サブ画素とを備えてもよく、三つの第３サブ画素はそれぞれ異なる第３サブ画素グループにあってもよい。
【００１９】
第１サブ画素に近隣する第３サブ画素ストリングは、表示単位の一方の側に位置される一つの第１サブ画素に隣接してかつそれと同じカラムに位置される一つの第３サブ画素と、それぞれ同一表示単位におけるもう一つの第１サブ画素に隣接して位置される二つの第３サブ画素とを備えてもよく、二つの第３サブ画素は、二つの隣接するカラムに位置され、それぞれが異なる第３サブ画素グループに備えられてもよい。
【００２０】
一つの対角方向に沿って並んで第１サブ画素に隣接する二つの第２サブ画素は、第１サブ画素の幾何学的中心に対して中心対称性を持ち、他の対角方向に沿って並んで第１サブ画素に隣接する他の二つの第２サブ画素は、第１サブ画素の幾何学的中心に対して中心対称性を持ち、それぞれ一つの第２サブ画素を備える四つの表示単位は、第１サブ画素を共有し、それぞれ三つの第２サブ画素うちの１つを備える三つの第３サブ画素は、第３サブ画素ストリングを共有してもよく、三つの第２サブ画素は、第３サブ画素ストリングに隣接する一行又は一カラムに並んでもよい。
【００２１】
同一の第３サブ画素グループの二つの第３サブ画素は、行方向又はカラム方向に沿って鏡面対称性を持ち、二つの第１サブ画素の間に位置され、同一の第１サブ画素の両側において第１サブ画素と同じ行又は同じカラムに位置され、行軸又はカラム軸の方向に沿ってそれぞれ第１サブ画素から最短距離を持つ二つの第３サブ画素は、第１サブ画素の幾何学的中心に対して中心対称性又は鏡面対称性を持ってもよい。
【００２２】
同一の第３サブ画素グループにおける二つの第３サブ画素は、対角方向に沿って隣接する二つの第２サブ画素の間に位置され、二つの第３サブ画素の幾何学的中心を繋ぐラインが二つの第３サブ画素の間にあり、対角方向に沿って第２サブ画素に隣接する二つの第３サブ画素は、第２サブ画素の幾何学的中心に対して中心対称性又は鏡面対称性を持ってもよい。
【００２３】
第１サブ画素の形状と、第３サブ画素グループの形状と、第２サブ画素の形状の各々は、対称軸を持ち、第１サブ画素の形状の対称軸は、行軸又はカラム軸の方向と平行する方向、又は対角方向に沿って延び、第３サブ画素グループ又は第３サブ画素の形状の対称軸は、行軸又はカラム軸の方向と平行する方向、又は対角方向に沿って延び、第２サブ画素の形状の対称軸は、行軸又はカラム軸の方向と平行する方向、又は対角方向に沿って延びてもよい。
【００２４】
第１サブ画素の全体的な配置は、行軸の方向に対して４５度又は１３５度の対角方向に沿ってラインを形成し、第２サブ画素の全体的な配置は、行軸の方向に対して４５度又は１３５度の対角方向に沿ってラインを形成し、第３サブ画素グループの全体的な配置は、行軸の方向に対して４５度又は１３５度の対角方向に沿ってラインを形成してもよい。
【００２５】
第１サブ画素の形状と、第２サブ画素の形状と、第３サブ画素の形状と、第３サブ画素グループの形状の各々は、円形、三角形、四辺形、五角形、六角形、八角形又はそれらの組合せの任意の一つであってもよい。
【００２６】
第１サブ画素は、四辺形、八角形又はそれらの組合せであり、第３サブ画素は、三角形、四辺形又はそれらの組合せであり、互いに向き合って隣接する二つの第３サブ画素を備える第３サブ画素グループの全体的な形状は、四辺形、八角形又はそれらの組合せであってもよく、第２サブ画素は、四辺形、八角形又はそれらの組合せであってもい。
【００２７】
第１サブ画素は菱形であり、第３サブ画素は二等辺三角形であってもよく、互いに向き合って隣接する二つの第３サブ画素を備える第３サブ画素グループの全体的な形状は菱形であり、第２サブ画素は三角形であってもよい。
【００２８】
第１サブ画素は菱形であってもよく、第３サブ画素は長方形であってもよく、互いに向き合って隣接する二つの第３サブ画素によって形成される第３サブ画素グループの全体的な形状は、四辺形であってもよく、第２サブ画素は長方形であってもよい。
【００２９】
第１サブ画素、第２サブ画素と第３サブ画素グループの四辺形又は八角形のコナーを面取りしてもい。
【００３０】
行軸又はカラム軸の方向に沿って最短距離を持つ二つの第２サブ画素は、同じ形状であってもよい。
【００３１】
行軸又はカラム軸の方向に沿って最短距離を持つ二つの第２サブ画素は、該二つの第２サブ画素の幾何学的中心を繋ぐラインの垂直二等分線に対して対称性を持ってもよい。
【００３２】
第１サブ画素の幾何学的中心、第２サブ画素の幾何学的中心及び第３サブ画素グループの幾何学的中心は、均一に分布されてもよい。
第１サブ画素の面積は、第３サブ画素グループの面積と等しく、第２サブ画素の面積は、第１サブ画素の面積より小さくてもよい。
【００３３】
第３サブ画素グループの面積は、第１サブ画素の面積より大きく、第１サブ画素の面積は、第２サブ画素の面積より大きくてもよい。
【００３４】
第１サブ画素によって表示される色と、第２サブ画素によって表示される色と、第３サブ画素グループによって表示される色の各々は、赤と緑と青の任意の一つであってもよい。
第１サブ画素は赤又は青を表示し、第２サブ画素は緑を表示し、第３サブ画素グループは青又は赤を表示してもよい。
【００３５】
第１サブ画素、第３サブ画素ストリングと第２サブ画素の各々は、１本のデータラインに接続されて画素表示情報を受け取り、同一の第３サブ画素ストリングの第３サブ画素は、同じ表示情報を受け取り、又は同じ第３サブ画素ストリングにおける各サブ画素のアドレス可能な電極を電気的に接続してもよい。
【００３６】
本開示の他の方面は、画素構造の表示方法を提供する。画素構造において、第１サブ画素の中心軸の同じ側に位置されて第１サブ画素に近隣する第３サブ画素は第３サブ画素ストリングを形成し、第３サブ画素ストリングにおける第３サブ画素が同じ色を表示し、一つの表示単位は、一つの第１サブ画素と、第１サブ画素に隣接する一つの第２サブ画素と、第１サブ画素に近隣する一つの第３サブ画素ストリングを備え、各表示単位が３色を含む画素表示情報を表示するよう、隣接する表示単位が第１サブ画素と第３サブ画素ストリングを共有する。
【００３７】
方法は、ステップＳ１からＳ３を含んでもよい。ステップＳ１において、画素構造は画素表示情報から画素単位ごとの、第１サブ画素と第２サブ画素と第３サブ画素ストリングによって表示される色に対応する理論輝度値を取得し、ステップＳ２において、画素構造は画素単位ごとの第１サブ画素と第２サブ画素と第３サブ画素ストリングの実際の輝度値を計算し、ステップＳ３において、画素構造は実際の輝度を画素単位ごとの第１サブ画素と第２サブ画素と第３サブ画素ストリングに入力して画像を表示する。
【００３８】
第１サブ画素の実際の輝度値を、第１サブ画素の各共有部分の加重した理論輝度値の和として計算し、第２サブ画素の実際の輝度値は、第２サブ画素によって表示される色に対応する理論輝度値であり、第３サブ画素ストリングの実際の輝度値を、第３サブ画素ストリングの各共有部分の加重した理論輝度値の和として計算してもよい。
【００３９】
四つの隣接する表示単位は一つの第１サブ画素を共有し、第１サブ画素の各共有部分の重みは共有部分の理論輝度値に対応し、１／４であってもよい。
【００４０】
第３サブ画素ストリングは、対角方向に沿って二つの隣接する第３サブ画素を備え、二つの隣接する第３サブ画素の各々が異なる第３サブ画素グループに備えられ、一つの第２サブ画素と、第２サブ画素から最短距離を持つ一つの第３サブ画素ストリングと、二つの隣接する行における第２サブ画素の両側に位置され、それぞれ対角方向に沿って第２サブ画素から最短距離を持つ二つの第１サブ画素は、一つの表示単位を形成し、表示単位の、第２サブ画素に近隣する第３サブ画素ストリングは、上方の隣接する表示単位行、下方の隣接する表示単位行、上方の隣接する表示単位カラム、上方の隣接する表示単位カラム、又はそれらを組合せた隣接する表示単位によって共有され、第３サブ画素ストリングにおける第３サブ画素の各共有部分の理論輝度値の重みは１／２であってもよい。
【００４１】
第３サブ画素ストリングは、第１サブ画素に近隣する三つのサブ画素を備え、三つの第３サブ画素は第１サブ画素の中心軸の同じ側に位置され、三つの第３サブ画素のそれぞれは異なる第３サブ画素グループに備えられ、第３サブ画素の２つは、一つの対角方向に沿って並び、第３サブ画素の２つはもう一つの対角方向に沿って並び、第３サブ画素の１つが二つの対角方向の交点に位置され、一つの第２サブ画素と、二つの隣接する行における第２サブ画素の両側に位置され、それぞれ対角方向に沿って第２サブ画素から最短距離を持つ隣接する二つの第１サブ画素と、第２サブ画素から最短距離を持つ一つの第３サブ画素ストリングは、一つの表示単位を形成し、１行又は１カラムに並んで第３サブ画素ストリングに近隣する三つの第２サブ画素の各々は一つの表示単位に備えられ、三つの第２サブ画素の一つを備える表示単位の各々は、第３サブ画素ストリングの共有部分によって第３サブ画素ストリングを共有し、三つの表示単位の各々における第３サブ画素ストリングの共有部分によって表示される色の理論輝度値の重みは、１／３であってもよい。
【００４２】
本開示の他の方面は表示装置を提供する。該表示装置は画素構造を組み込む。該画素構造は第１サブ画素と、第２サブ画素と第３サブ画素を備える。該画素構造において、互いに向き合って隣接する二つの第３サブ画素は一つの第３サブ画素グループを形成し、第２サブ画素は行軸の方向に沿って配置されて第２サブ画素行を形成し、第１サブ画素と第３サブ画素グループは行軸の方向に沿って交互に配置され、第２サブ画素行と、第１サブ画素と第３サブ画素グループによって形成される行が交互に配置される。第２サブ画素はカラム軸の方向に沿って配置されて第２サブ画素カラムを形成し、第１サブ画素と第３サブ画素グループはカラム軸の方向に沿って交互に配置され、第２サブ画素カラムと、第１サブ画素と第３サブ画素グループによって形成されるカラムは交互に配置される。各第２サブ画素の幾何学的中心は、任意の二つの隣接する第３サブ画素グループと第１サブ画素の中心を繋ぐラインの垂直二等分線に位置される。
【００４３】
本開示の他の方面は、本開示の明細書、請求の範囲及び図面を踏まえて当業者が理解できるであろう。
【００４４】
以下の図面はさまざまな開示実施例を例示するものに過ぎず、本開示の範囲を制限する意図はない。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】図１は、開示実施例による本開示の一実施例の例示的な画素構造の概念図を示す。
【図２】図２は、開示実施例による図１の画素構造の拡大概念図を示す。
【図３】図３は、開示実施例による図１の画素構造が９０度回転したものの概念図を示す。
【図４】図４は、開示実施例による図１の画素構造における第２サブ画素の他の配置の概念図を示す。
【図５】図５は、開示実施例による図１の画素構造の他の構成の概念図を示す。
【図６】図６は、開示実施例による図５の画素構造が９０度回転したものの概念図を示す。
【図７】図７は、開示実施例による図１の画素構造の表示単位の異なる配置の概念図を示す。
【図８】図８は、開示実施例による図１の画素構造の他の色構成の概念図を示す。
【図９】図９は、開示実施例による他の実施例の画素構造の表示単位の例示的な構成を示す。
【図１０】図１０は、開示実施例による他の実施例の画素構造の配置の概念図を示す。
【図１１】図１１は、開示実施例による図１０の画素構造が９０度回転したものの概念図を示す。
【図１２】図１２は、開示実施例による図１０の画素構造における第２サブ画素の他の配置の概念図を示す。
【図１３】図１３は、図１０の画素構造におけるサブ画素の他の配置の概念図を示す。
【図１４】図１４は、開示実施例による図１０の画素構造における表示単位の異なる構成の概念図を示す。
【図１５】図１５は、開示実施例による他の実施例における画素構造の表示単位の例示的な構成の概念図を示す。
【図１６】図１６〜１８は、従来の画素構造の概念図を示す。
【図１７】図１６〜１８は、従来の画素構造の概念図を示す。
【図１８】図１６〜１８は、従来の画素構造の概念図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００４６】
本発明の技術案を当業者がより理解し易いよう、添付図面に示す本発明の例示的な実施例を詳細に説明する。可能な限り、図面全体に同一の参照番号を使用して同一もしくは同等の部分を指すこととする。
【００４７】
本開示の一つの方面は、画素構造を提供する。
【００４８】
実施例１は画素構造を提供する。図１に示すように、該画素構造は第１サブ画素１０と、第２サブ画素２０と、第３サブ画素３０を備える。一方、図２を参照すると、互いに向き合って隣接する二つの第３サブ画素３０は、第３サブ画素グループ３１を形成する。第２サブ画素２０は、行軸の方向に並んで第２サブ画素行を形成する。第１サブ画素１０と第３サブ画素グループ３１は行軸の方向に沿って交互に配置される。例えば、一つの第１サブ画素１０は、行軸の方向に（水平に）沿って二つの第３サブ画素３０の間に配置され、逆も同様である。第２サブ画素行と、第１サブ画素１０と第３サブ画素３１によって形成される行は、交互に配置される。例えば、一つの第２サブ画素行は、第１サブ画素１０及び第３サブ画素グループ３１によって形成される二つの行の間に位置され、逆も同様である。第２サブ画素２０はカラム軸の方向に沿って（縦方向に）並んで第２サブ画素カラムを形成する。第１サブ画素１０と第３サブ画素グループ３１は、カラム軸の方向に沿って交互に配置される。例えば、一つの第１サブ画素１０は、カラム軸の方向に沿って二つの第３サブ画素３０間に配置され、逆も同様である。第２サブ画素カラムと、第１サブ画素１０と第３サブ画素３１によって形成されるカラムは交互に配置される。例えば、一つの第２サブ画素カラムは、第１サブ画素１０と第３サブ画素グループ３１によって形成される二つのカラムの間に位置され、逆も同様である。第２サブ画素２０の幾何学的中心は、任意の二つの隣接する第１サブ画素１０と第３サブ画素３０（即ち、第２サブ画素２０に隣接する二つの第１サブ画素１０及び二つの第３サブ画素グループ３１）の幾何学的中心を繋ぐラインの垂直二等分線に位置されることができる。
【００４９】
二つの対向して隣接する第３サブ画素３０とは、二つの第３サブ画素３０間で縦軸の方向に沿って互いに向き合う／対向するように配置される二つの隣接する第３サブ画素３０を指す。二つの第３サブ画素３０間の距離は最短距離となる。二つの第３サブ画素３０のサイズと形状は実質的に同じである。二つの第３サブ画素３０は鏡面対称性を持つ。即ち、一方の第３サブ画素３０は他方の第３サブ画素３０の鏡像となる。例えば、二つの第３サブ画素３０両方が縦軸へ移動すると、二つの第３サブ画素３０は合致する境界を持つパターンを形成することになる。
【００５０】
特定の製造又は設計の要件から、第３サブ画素グループ３１を形成するための二つの第３サブ画素３０の形状及び／又はサイズが異なる場合もあることが理解される。例えば、一方の第３サブ画素３０は他方の第３サブ画素３０よりサイズが大きい場合がある。また、二つの第３サブ画素３０の形状は全体として似ているが、いくつかの領域において互いに異なる場合がある。例えば、二つの第３サブ画素３０の形状が全体として似ているが、特定の領域において異なるよう、二つの第３サブ画素の特定の領域を取除くか又は変更する場合がある。他の理由によっても二つの第３サブ画素の形状が全体として似ているが、特定の領域において異なる場合がある。上記特徴を持つ二つの第３サブ画素は、第３サブ画素グループ３１を形成するための第３サブ画素の製造／設計要件に適する。
【００５１】
一方、行軸又はカラム軸の方向に沿って最短距離を持つ二つの第２サブ画素２０は、同じ形状であるか、又は二つの隣接する第２サブ画素２０の幾何学的中心を繋ぐラインの垂直二等分線に対して鏡面対称性を持つ。例えば、図１では、行軸の方向に沿って最短距離を持つ二つの第２サブ画素２０は、同じ形状であり、二つの隣接する第２サブ画素２０の幾何学的中心を繋ぐラインの垂直二等分線に対して鏡面対称性を持つ。さまざまな適用／実施例によれば、図１の画素構造を９０度回転して図３の画素構造を形成することができる。図３では、カラム軸の方向に沿って最短距離を持つ二つの第２サブ画素２０は、同じ形状であり、二つの隣接する第２サブ画素２０の幾何学的中心を繋ぐラインの垂直二等分線に対して鏡面対称性を持つ。
【００５２】
なお、特定の設計／製造工程によっては、二つの第２サブ画素２０の上記の形状が全く同じ場合と全く同じではない場合があり、精確な鏡面対称性を持つ場合と非精確な鏡面対称性を持つ場合がある。第２サブ画素２０のすべての実質的に同じ構成／配置は本開示の範囲内にある。一方、本開示では、「鏡面対称性」、「特定の特徴が同じである」、「対角方向に並ぶ」といった限定、角度、サイズ及び形状に対する特定の限定は、近似又は類似すれば十分である。即ち、本開示の幾何学的な関係は精密である必要がない。設計／製造工程の要件によれば、本開示の実施例を表現できる適切な／近似な幾何学的な関係は本開示の範囲内にある。
【００５３】
図１では、第３サブ画素グループ３１における、二つの第１サブ画素１０の間に位置される二つの隣接する第３サブ画素３０は、行軸の方向に沿って鏡面対称性を持つ。同じ行において第１サブ画素１０の両側に位置され行軸の方向に沿って第１サブ画素１０から最短距離を持つ二つの第３サブ画素３０は、第１サブ画素１０の幾何学的中心に対して鏡面対称性又は中心対称性を持つ。第２サブ画素２０は、隣接する第１サブ画素１０と第３サブ画素グループ３１に対して対角方向に位置される。対角方向に沿って最短距離を持つ二つの第２サブ画素２０は、二つの第２サブ画素２０間の第１サブ画素１０（又は第３サブ画素グループ３１）の幾何学的中心に対して鏡面対称性を持つ。
【００５４】
同様に、図３では、第３サブ画素グループ３１における、二つの第１サブ画素１０の間に位置される二つの隣接する第３サブ画素３０は、カラム軸の方向に沿って鏡面対称性を持つ。同じカラムにおいて第１サブ画素１０の両側に位置されカラム軸の方向に沿って第１サブ画素１０から最短距離を持つ二つの第３サブ画素３０は、第１サブ画素１０の幾何学的中心に対して鏡面対称性又は中心対称性を持つ。第２サブ画素２０は、隣接する第１サブ画素１０と第３サブ画素グループ３１に対して対角方向に位置される。対角方向に沿って最短距離を持つ二つの第２サブ画素２０は、二つの第２サブ画素２０間の第１サブ画素１０（又は第３サブ画素グループ）の幾何学的中心に対して鏡面対称性を持つ。
【００５５】
特定の実施例では、図１に示す画素構造における第２サブ画素２０の全体的な配置を変更することができる。図４に示すように、第２サブ画素２０は、隣接する第１サブ画素１０と第３サブ画素グループ３１に対して対角方向に配置される。対角方向に沿って最短距離を持つ二つの第２サブ画素２０は、隣接する第１サブ画素１０（又は第３サブ画素グループ３１）に対して同じ向きかつ相対的な位置となる。特定の適用／実施例によれば、図４の画素構造を９０度回転して新しい画素構造を形成することもできることが理解され、ここでは詳細を省略する。
【００５６】
特定の実施例では、図１の画素構造における第３サブ画素３０の全体的な配置を変更できる。図５に示すように、同じ第３サブ画素グループ３１における二つの隣接する第３サブ画素３０は、対角方向に第３サブ画素グループ３１に隣接する二つの第２サブ画素２０の間に位置される。対角方向に沿って第２サブ画素２０に隣接してその両側に位置される二つの第３サブ画素３０は、第２サブ画素２０の幾何学的中心に対して鏡面対称性又は中心対称性を持つ。即ち、第２サブ画素２０の幾何学的中心と、一方の第３サブ画素３０によって定義される領域内の一点間の距離は、第２サブ画素２０の幾何学的中心と、他方の第３サブ画素３０によって定義される領域中の対応する点との距離と同じになる（或いは、第２サブ画素２０の幾何学的中心は、一方の第３サブ画素３０によって定義される領域内の１点と、他方の第３サブ画素３０によって定義される領域内の対応する点を繋ぐラインの中点に位置される）。
【００５７】
なお、図５の隣接する第２サブ画素２０が同じ配置になるよう、図５の画素構造を変更することができる。即ち、図５における第２サブ画素２０は、第２サブ画素２０間の第１サブ画素１０（又は第３サブ画素グループ３１）の幾何学的中心に対して鏡面対称性を持たない場合がある。しかしながら、同じ向きの第２サブ画素２０が特定の対角方向に沿ってラインを形成するよう、各第２サブ画素２０は隣接する第１サブ画素１０（又は第３サブ画素グループ３１）に対して同じ向きかつ相対的な位置になる。一方、図５の画素構造を９０度回転して図６に示す新しい画素構造を形成してもよい。ここでは詳細を省略する。
【００５８】
上記画素構造（即ち、図１から図６）において、連続行と連続カラムにおける第１サブ画素１０の幾何学的中心は、行軸及びカラム軸の方向と異なる対角方向に沿っているライン状に並べる。即ち、その結果、第１サブ画素１０は同じラインに並べる。連続行と連続カラムにおける第３サブ画素グループ３１の幾何学的中心は、行軸及びカラム軸の方向と異なる対角方向に沿ってライン状に並べる。即ち、その結果、第３サブ画素グループ３１は同じラインに並べる。対角方向において、第１サブ画素１０によって形成されるラインと第３サブ画素グループ３１によって形成されるラインと平行であり、交互に配置されることができる。よって、第１サブ画素１０によって形成される一つのラインは、第３サブ画素グループ３１によって形成される二つのラインの間に配置され、逆も同様である。
【００５９】
対角方向において、第２サブ画素２０は、第１サブ画素１０によって形成される隣接するライン間に位置され、かつ第３サブ画素グループ３１によって形成される隣接するライン間に位置される。サブ画素２０の幾何学的中心は、二つの二等分線の交点に位置される。この二つの二等分線の一方は隣接する行における隣接する第１サブ画素１０と第３サブ画素グループ３１の幾何学的中心を繋ぐラインの垂直二等分線を表し、他方は隣接するカラムにおける隣接する第１サブ画素１０と第３サブ画素グループ３１の幾何学的中心を繋ぐラインの垂直二等分線を表す。
【００６０】
対角方向とは、行／カラム軸の方向に対して時計回りに又は反時計回りに４５度を指す。行／カラム軸の方向に対して反時計回りに４５度とは、行／カラム軸の方向に対して時計回りに１３５度を指す。本開示では、どの対角方向も上記方向の１つを指す。また、対角方向に沿うどのラインも上記方向の１つに沿うラインを指す。
【００６１】
図１及び図３から図６のいずれか一つに示すように、画素構造におけるすべての第１サブ画素１０は、対角方向に沿った連続線に配置され、画素構造におけるすべての第３サブ画素グループ３１は、対角方向に沿った連続線に配置される。対角方向に沿って、第１サブ画素１０によって形成されるラインと第３サブ画素３１によって形成されるラインは平行であり、交互に配置される。例えば、第１サブ画素１０による一つのラインは、第３サブ画素３１によって形成される二つのラインの間に配置され、逆も同様である。対角方向に沿って、第２サブ画素２０は、第１サブ画素１０によって形成される二つの隣接するライン間に配置され、かつ第３サブ画素３１によって形成される二つの隣接するラインの間に配置される。対角方向に沿ってライン状に並び、異なるタイプの二つの隣接するサブ画素（例えば、第２サブ画素２０と隣接する第１サブ画素１０）の境界間の最短距離を表すラインが、横方向（即ち、行軸の方向）に対して鋭角（即ち、０度より大きいが９０度未満の角度）を形成することだけが要求されることを理解すべきである。いくつかの実施例では、４５度の角度を使用してＦＭＭの開口間の距離／間隔の制限を満たして製造工程を改善することができる。
【００６２】
同じ行又は同じカラムにおける第１サブ画素１０の幾何学的中心は直線に沿って並ぶことができる。同じ行又は同じカラムにおける第３サブ画素グループ３１の幾何学的中心は直線に沿って並ぶことができる。同じ行又は同じカラムにおける第２サブ画素２０の幾何学的中心は直線に沿って並ぶことができる。上記配置は画素構造の製造工程の簡素化を可能にする。
【００６３】
均一な表示効果を保証するために、第１サブ画素１０の幾何学的中心と、第２サブ画素２０の幾何学的中心と、第３サブ画素グループ３１の幾何学的中心を、画素構造において均一に分布するようにすることができる。即ち、第１サブ画素１０と、第２サブ画素２０と第３サブ画素３１を、画素構造において均一に分布することができる。上記配置は、異なる色を表示するためのサブ画素が画素構造において均一に分布されることを可能にし、表示品位が改善される。
【００６４】
図２に示すように、第１サブ画素１０の中心軸の一方の側にある少なくとも二つの近隣する第３サブ画素３０は、第３サブ画素ストリング３２（図２では破線で囲んだ。本開示の他の図においてはラインで示す）を形成する。第３サブ画素ストリング３２における第３サブ画素３０は同じ色を表示する。表示単位４０は、二つの第１サブ画素１０と、第１サブ画素１０に隣接する一つの第２サブ画素２０と、第１サブ画素１０に近隣する第３サブ画素ストリング３２を備える。表示単位４０は、隣接する（即ち、周囲の）表示単位４０と二つの第１サブ画素１０及び第３サブ画素ストリング３２を共有する。具体的には、第３サブ画素ストリング３２は少なくとも二つの第３サブ画素３０を備える。例示を目的として、本開示で示す第３サブ画素ストリング３２は、二つの第３サブ画素３０又は三つの第３サブ画素３０を備える。実際には、一つの第３サブ画素ストリング３２における第３サブ画素３０の数と位置はここに示す実施例に制限されず、設計／製造工程の要件によって調整でき、例えば配線の要件及びアルゴリズムを満たすことができる。
【００６５】
図１、図３から図６、及び図７から図１５に示すように、表示単位４０を破線で囲んだ（実際の画素構造において実質的な境界ではない）。連続する表示単位４０は、行軸の方向に沿って連続する表示単位行を形成し、カラム軸の方向に沿って連続する表示単位カラムを形成する。表示単位によって共有されるサブ画素に基づいて、画素構造におけるサブ画素を多数の異なる配置に従って分割することができる。図７は、多数の異なる配置を有する表示単位４０を示す。表示単位４０の各々は、隣接する表示単位４０とサブ画素を共有する表示単位４０における該サブ画素の異なる構成／配置を表す。図７の各表示単位４０は隣接する表示単位４０と第１サブ画素１０及び第３サブ画素ストリング３２を共有する。第１サブ画素１０及び／又は第３サブ画素ストリング３２を共有する隣接する画素単位４０の位置は、表示単位４０内の第１サブ画素１０及び第３サブ画素３０の位置に依存する。
【００６６】
具体的には、第３サブ画素ストリング３２は、対角方向に沿って二つの近隣する第３サブ画素３０を備える。第３サブ画素３０の各々は、他の第３サブ画素３０とともに第３サブ画素グループ３１を形成する。二つの近隣する第３サブ画素３０は、対角方向に沿って第２サブ画素２０の両側に位置される。二つの近隣する第３サブ画素３０の各々は、第２サブ画素２０に隣接する行にあり、対角方向に沿って第２サブ画素２０から最短距離を持つ。図２を参照すると、ラインによって接続される二つの第３サブ画素３０は一つの第３サブ画素ストリング３２を形成する。一つの第２サブ画素２０と、該第２サブ画素２０から最短距離を持つ第３サブ画素ストリング３２と、該第２サブ画素２０の両側に位置される二つの第１サブ画素１０は、一つの表示単位４０を形成する。二つの第１サブ画素１０は、それぞれ隣接する１行にあり、対角方向に沿って第２サブ画素２０から最短距離を持つ。
【００６７】
図７では、（Ａ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｆ）それぞれは表示単位４０の構造を示す。表示単位の各々は直接接続している二つの第３サブ画素３０によって形成される第３サブ画素ストリング３２を備える（即ち、第３サブ画素を直接接続する）。直接接続とは、アルゴリズム及び／又はバックパネル配線による間接配線によって形成される接続ではなく、直接配線によって客体の間に形成される接続を意味する。図７（Ｂ）と（Ｅ）はそれぞれ隣接する表示単位行（即ち、上方の隣接する表示単位行及び／又は下方の隣接する表示単位行）を有する表示単位４０の構造を示す。表示単位４０における第３サブ画素３０の各々（即ち、（Ｂ）と（Ｅ））を、隣接する行（即ち、上方の隣接する表示単位行及び／又は下方の隣接する表示単位行）における他の表示単位４０の第３サブ画素３０に直接接続して一つの第３サブ画素ストリングを形成することができる。即ち、第３サブ画素３０は隣接する行における他の表示単位４０と直接接続を形成することができる。（Ｂ）と（Ｅ）に示すように、表示単位４０は、表示単位４０と上方の表示単位行における隣接する表示単位４０を接続する第３サブ画素ストリングによって第３サブ画素の色を表示することができ、又は表示単位４０と下方の表示単位行における隣接する表示単位４０を接続する第３サブ画素ストリングによって第３サブ画素の色を表示することもできる。表示単位４０は、表示単位４０と、上方の表示単位行と下方表示単位行における隣接する表示単位４０とを接続する第３サブ画素ストリングによって同時に第３サブ画素の色を表示してもよい。
【００６８】
図３は図１に示す画素構造から変更された画素構造を示す。図３では、（ラインによって接続される二つの第３サブ画素によって示す）第３サブ画素ストリング３２は、対角方向に沿って並ぶ二つの隣接する第３サブ画素３０を指す。二つの隣接する第３サブ画素３０は、対角方向に沿って第２サブ画素２０の両側に位置され、二つの第３サブ画素３０の各々は第２サブ画素２０に隣接する異なる第３サブ画素グループ３１（図示せず）に備えられる。二つの隣接する第３サブ画素３０の一方は上方の隣接するカラムに位置され、他方は下方の隣接するカラムに位置される。二つの隣接する第３サブ画素３０の各々は、対角方向に沿って第２サブ画素２０から最短距離を持つ。一つの第２サブ画素２０と、該第２サブ画素２０から最短距離を持つ一つの第３サブ画素ストリング３２と、該第２サブ画素２０の両側の隣接するカラムに位置される二つの第１サブ画素１０は、一つの表示単位４０を形成する。二つの第１サブ画素１０はそれぞれ対角方向に沿って第２サブ画素２０から最短距離を持つ。
【００６９】
上記画素構造において、隣接する表示単位間でサブ画素を共有することによって、高い表示解像度を実現できる。一方、サブ画素の開口率が改善され、画素構造を形成するための製造工程が簡素化されることができる。製品の表示輝度と寿命が改善されることができる。
【００７０】
一実施例では、四つの第２サブ画素２０がそれぞれ対角方向に沿って同じ第１サブ画素１０に隣接する。四つの第２サブ画素２０のうち、対角方向に沿って並ぶ二つが、第１サブ画素１０の幾何学的中心に対して中心対称性を持ち、他の対角方向に沿って並ぶ他の２つも第１サブ画素１０の幾何学的中心に対して中心対称性を持つ。それぞれ一つの第２サブ画素２０を備える四つの表示単位４０は、第１サブ画素１０を共有する。一つの表示単位４０において、第２サブ画素２０に近隣する（ラインによって接続される）第３サブ画素グループ３２は、上方の隣接する表示単位行及び／又は下方の隣接する表示単位行における隣接する表示単位４０によって共有される。或いは、一つの表示単位４０において、第２サブ画素２０に近隣する（ラインによって接続される）第３サブ画素ストリング３２は、右／上の隣接する表示単位カラム及び／又は左／下の隣接する表示単位カラムにおける表示単位４０によって共有される。
【００７１】
例えば、二つの隣接する行の二つの隣接するカラムに位置される四つの隣接する表示単位４０は、２ｘ２のブロック形状を形成する。四つの隣接する表示単位は５つの第１サブ画素１０を備える。中心に位置される第１サブ画素１０は、対角方向に沿って四つの表示単位４０の第２サブ画素２０に隣接する。四つの第２サブ画素２０のうち、対角方向に沿って並ぶ２つは中心における第１サブ画素１０の幾何学的中心に対して中心対称性を持ち、他の対角方向に沿って並ぶ他の２つも中心における第１サブ画素１０の幾何学的中心に対して中心対称性を持つ。第１サブ画素１０は、四つの表示単位４０によって共有される。四つの表示単位４０によって形成される色域の四つのコーナーに位置される四つの第１サブ画素１０の各々は、隣接する（上方及び／又は下方の）表示単位行における表示単位４０によって共有される。
【００７２】
一実施例では、第１サブ画素１０の形状、第３サブ画素グループ３１の形状、及び第２サブ画素２０の形状はそれぞれ対称の形状であり、例えば、少なくとも一つの対称軸を持つ。第１サブ画素１０の形状の対称軸は、行軸又はカラム軸の方向と平行方向に、又は対角方向に沿って延びる（図１及び図３から図６を参照）。第３サブ画素グループ３１又は第３サブ画素３０の形状の対称軸は、行軸（図３を参照）又はカラム軸（図１と図４を参照）の方向と平行方向に、又は対角方向（図５及び図６を参照）に沿って延びる。第２サブ画素２０の形状の対称軸は、行軸（第２サブ画素２０の形状が正方形、菱形、円形、及び／又は他の適切な正多角形である場合、図１及び図３から図６を参照）、又はカラム軸（第２サブ画素２０の形状が正方形、菱形、円形、及び／又は他の適切な正多角形である場合、図１及び図３から図６を参照）の方向と平行方向に、又は対角方向（図１及び図３から図６を参照）に沿って延びる。従って、第１サブ画素１０、第２サブ画素２０、及び第３サブ画素グループ３１の全体的な配置は、対称軸を有する構造／パターンを形成する。製造工程において、ＦＭＭを適用して画素構造を形成する場合、ＦＭＭがよく行軸及び／又はカラム軸の方向に沿って延びる。パターン／構造の対称軸は行軸又はカラム軸の方向に沿って平行であるため、製造工程においてＦＭＭが変形しない。サブ画素の形状は変形しない。従って、上記配置／設計により、画素構造におけるサブ画素の位置の正確性が保証される。
【００７３】
上記画素構造において、表示イパネルの配線及びマスクの製造工程を簡素化するために、サブ画素（例えば、第１サブ画素１０、第２サブ画素２０、及び／又は第３サブ画素グループ３１）の特定の形状（例えば、四辺形か八角形）の回転角の面取りをして画素構造間の独自の色表示を改善する。
【００７４】
一実施例では、第１サブ画素１０の全体的な配置は、行軸の方向に対して４５度又は１３５度の対角方向に沿ってラインを形成する。第２サブ画素２０の全体的な配置は、行軸の方向に対して４５度又は１３５度の対角方向に沿ってラインを形成する。第３サブ画素グループ３１及び／又は第３サブ画素３０の全体的な配置は、行軸の方向に対して４５度又は１３５度の対角方向に沿ってラインを形成する。即ち、第２サブ画素２０は、二つの隣接する第１サブ画素１０間、及び二つの隣接する第３サブ画素グループ３１間に位置される。各第２サブ画素２０は、隣接する第１サブ画素１０（又は第３サブ画素グループ３１）に対して４５度の対角方向に位置される。４５度の対角方向とは、第２サブ画素２０及び隣接する第１サブ画素１０（又は第３サブ画素グループ３１）の幾何学的中心を繋ぐラインと行軸の方向の間の角度を指す。対角方向とは、行軸の方向対して左上に４５度の角度、行軸の方向に対して右上に４５度の角度、行軸の方向に対して左下に４５度の角度、及び／又は行軸の方向に対して右下に４５度の角度を指す。
【００７５】
上記画素構造は、画素構造のエッジにある単一サブ画素のライン（例えば、第２サブ画素２０だけのライン）又は単一サブ画素のカラムを備える。単一サブ画素は、隣接する行又はカラムにおいてサブ画素を備える表示単位４０を形成して画像を表示する。表示単位４０は三つのサブ画素を備える。適切なエッジ検出アルゴリズムを適用することによって、望ましい表示効果が得られる。画素構造のエッジにあるサブ画素の処理は、ここに開示する実施例に限定されない。
【００７６】
第１サブ画素１０、第３サブ画素グループ３１、第３サブ画素３０、及び第２サブ画素２０は、それぞれ円形、三角形、四辺形、五角形、六角形、及び／又は八角形である。サブ画素の形状は、製造／設計要件に従って決定される。一実施例では、第１サブ画素１０は四辺形又は八角形であり、第３サブ画素３０は三角形又は四辺形である。互いに向き合って隣接する二つの第３サブ画素３０は一つの第３サブ画素グループ３１を形成し、該第３サブ画素グループ３１の全体的な形状は四辺形及び／又は八角形である。第２サブ画素２０は四辺形及び／又は八角形である。サブ画素の形状を上記のように配置することによって、表示単位４０をより柔軟に形成できる。実際には、サブ画素の形状を、対応する表示イパネルの適用及び／又は表示効果に従って柔軟に決定することができる。
【００７７】
図３及び図４に示す画素構造は、図１の画素構造を変更したものである。図１、図３及び図４の画素構造において、第１サブ画素１０は菱形であり、第３サブ画素３０は二等辺三角形である。互いに向き合って隣接する二つの第３サブ画素３０によって形成される第３サブ画素グループ３１の全体的な形状は菱形である。第２サブ画素２０は三角形である。
【００７８】
図５及び図６の画素構造は、図１に示す画素構造から変更されたものである。図５及び図６の画素構造において、第１サブ画素１０は菱形であり、第３サブ画素３０は長方形である。互いに向き合って隣接する二つの第３サブ画素３０によって形成される第３サブ画素グループ３１の全体的な形状は四辺形である。第２サブ画素２０は長方形である。
【００７９】
上記画素構造において、第１サブ画素１０の面積は第３サブ画素グループ３１の面積と等しく、第２サブ画素２０の面積は第１サブ画素１０の面積より小さい。或いは、第３サブ画素グループ３１の面積は第１サブ画素１０の面積より大きく、第１サブ画素１０の面積は第２サブ画素２０の面積より大きい。
【００８０】
望ましいフルカラーの画像を画素構造によって表示できるよう、赤（Ｒ）と青（Ｂ）と緑（Ｇ）のいずれか一つの色が、第１サブ画素１０、第２サブ画素２０及び第３サブ画素グループ３１によって表示される。一実施例では、第１サブ画素１０は赤又は青を表示し、第２サブ画素２０は緑を表示し、第３サブ画素グループ３１は青又は赤を表示する。特に、ＯＬＥＤ表示デバイスにおいて、青色光を発するための材料は、通常赤色光／赤色色と緑色光を発するための材料より低い発光効率及び短い寿命であるため、青色を表示するためのサブ画素の面積は、赤色を表示するためのサブ画素の面積及び緑色を表示するためのサブ画素の面積より大きい。なお、人間の目は緑色により敏感であり、緑色を表示するための材料の発光効率が最も高いため、緑色を表示するためのサブ画素の面積は最も小さい。即ち、第２サブ画素２０の面積は、第１サブ画素１０及び第３サブ画素グループ３１両方の面積より小さい。一方、行軸及びカラム軸の方向に沿って望ましい表示品位を保証するために、人間の目によって識別することが容易である緑を表示するためのサブ画素を行軸及びカラム軸の方向に均一に分布する。
【００８１】
例えば、図１及び図３から図６には、第１サブ画素は赤（Ｒ）を表示し、第２サブ画素２０は緑（Ｇ）を表示し、第３サブ画素グループ３１は青（Ｂ）を表示する。赤を表示するサブ画素の各々は、隣接する表示単位によって共有される。青を表示するサブ画素は隣接して互いに向き合う。
【００８２】
図８には、第１サブ画素１０は青（Ｂ）を表示し、第２サブ画素２０は緑（Ｇ）を表示し、第３サブ画素グループ３１は赤（Ｒ）を表示する。赤を表示するためのサブ画素は隣接して互いに向き合う。青を表示するためのサブ画素は隣接する表示単位４０によって共有される。上記画素構造において、赤又は青を表示するためのサブ画素を配置する（即ち、隣接するか共有する）ことによって、サブ画素による色混合のリスクを低減できる。一方、上記配置はまたサブ画素間の領域、即ち発光しない領域を減らすため、開口率を約４２％高めることができる。従来の画素構造の設計を使用する場合、実現される開口率はより小さい。例えば、図１６から図１８に示す画素構造の設計を使用すると、実現される開口率はそれぞれ約２０〜３０％、３０〜３５％、及び３７％である。画素構造の表示解像度は改善され、望ましい開口率を得ることができる。上記配置はまた製品の寿命と表示輝度を改善する。
【００８３】
上記赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）色はそれぞれ一つのサブ画素によって表示される／発される色である。例えば、有機エレクトロルミネセンス表示デバイスの画素構造において、上記ＲＧＢ色は有機エレクトロルミネセンスダイオードの発光層の色を示す。正常にバイアスされると、発光層は対応する色で発光する。ＬＣＤデバイスの画素構造において、上記色はフィルム基板におけるＣＦ（色フィルター）層の色を指す。バックライトがＣＦ層を通るとき、バックライトはＣＦによってフィルターされ、対応する色の光が生成される。
【００８４】
上記画素構造はデータラインによって画素表示情報／データを受け取る。一実施例では、一つの第１サブ画素１０と、一つの第３サブ画素ストリング３２と、一つの第２サブ画素２０をそれぞれデータラインに接続して画素表示情報／データを受け取る。また、一つの第３サブ画素ストリング３２における第３サブ画素３０は同じ表示情報／データを受け取る。或いは、一つの第３サブ画素ストリング３２における各サブ画素３０のアドレス指定可能な電極を電気的に接続する。
【００８５】
図１を参照すると、第１サブ画素１０が一つのデータラインのみに接続され、四つの表示単位４０によって共有され、第３サブ画素ストリング３２（ラインによって接続される二つの第３サブ画素３０）が一つのデータラインのみに接続され、三つの表示単位４０によって共有されるため、開示した画素構造に使用されるデータラインの数を減らすことができる。バックパネル配線はより容易になる。一方、従来の画素構造（図１６から図１８を参照）と比較すると、同じ数の表示単位４０が画素構造に使用される場合、開示した画素構造ではより少数のデータラインが使用される。従って、画素構造を備える表示装置のパワー消費量を減らすことができる。
【００８６】
上記画素構造におけるサブ画素はＯＬＥＤ表示デバイス又はＬＣＤ表示デバイスである。即ち、本開示によって提供される画素構造はＯＬＥＤ表示デバイス及びＬＣＤ表示デバイスに適する。開示した画素構造はデジタルカメラ、プラズマ表示デバイスのような画素構造を備える他の装置にも適する。例えば、画素構造がＯＬＥＤ表示デバイスに使用されると、第３サブ画素ストリング３２における第３サブ画素３０に対応する、各ＯＬＥＤの金属電極（即ち陽極か陰極）を電気的に接続される場合がある。各ＯＬＥＤの金属電極（即ち陽極か陰極）を接続しない場合もあるが、同じ表示情報を各ＯＬＥＤにロードすることができる。画素構造がＬＣＤ表示デバイスに使用される場合、第３サブ画素ストリング３２における第３サブ画素３０に対応する、各ＬＣＤデバイスの画素電極を電気的に接続する場合がある。各ＬＣＤデバイスの画素電極を接続しない場合もあるが、同じ表示情報を各ＬＣＤデバイスにロードすることができる。
【００８７】
ＬＣＤ表示デバイスを製造するために、第１サブ画素１０と、第２サブ画素２０と、第３サブ画素グループ３１をパターニングプロセスによって形成する場合がある。ＯＬＥＤ表示デバイスを製造するために、第１サブ画素１０と、第２サブ画素２０と、第３サブ画素３０を堆積プロセスによって形成する場合がある。パターニングプロセスは写真平版プロセスを含む、又は写真平版プロセス及び対応するエッチングステップを含む場合がある。パターニングプロセスは、印刷プロセス、インクジェット印刷プロセス、及び／又は他のプロセスを更に含んで予め決定されたパターンを形成する場合もある。写真平版プロセスは、フィルム形成、露光、及び／又は現像を含むステップを指す場合がある。適切なフォトレジストフィルム、マスク、及び／又は露光装置によって、パターンを写真平版プロセスによって形成することができる。堆積プロセス、即ち真空塗装プロセスは、材料／物質を蒸発／昇華させて基板／デバイスの表面にフィルムを形成して蒸発／昇華させた材料／物質を堆積させるプロセスを指す。特定のパターンを形成するために、ＦＭＭを基板／デバイスの表面に応用し、蒸発／昇華させた材料／物質をＦＭＭによって覆われている領域に形成させない場合がある。形成する画素構造に基づいて、適切なプロセスを選択し画素構造のパターンを形成することができる。
【００８８】
具体的には、ＯＬＥＤ表示デバイスのために、第１サブ画素１０と、第２サブ画素２０と、第３サブ画素グループ３１はＦＭＭにおける開口に対応する。図１及び図３から図６の画素構造を形成するとき、ＦＭＭにおける二つの開口間の距離／間隔の制限を対角方向（例えば、４５度）に適用してサブ画素の密度を増加し、表示解像度を改善する。例えば、３００ｐｐｉ（インチパー画素）を超える解像度が得られる。これに対し、図１６〜１８に示す従来の画素構造の設計を用いると、実現される解像度はすべて３００ｐｐｉ未満である。
【００８９】
ＯＬＥＤ表示デバイスの製造工程において、二つのサブ画素間の距離は対角方向の距離を表すため、ＦＭＭを適用してサブ画素のパターンを形成しやすいよう、二つのサブ画素間の距離／間隔を増やす。パターンは、開口を備えるＦＭＭにあるサブ画素を形成する領域に対応する。上記ＦＭＭにおける（即ち、対角方向に沿って）開口間の距離／間隔は、従来のＦＭＭにおける（即ち、行軸又はカラム軸に沿って）開口間の距離／間隔より大幅に大きくなる。上記のようにＦＭＭを使用することによって、高い解像度の画素構造が得られる。
【００９０】
第１サブ画素１０の配置を考えると、一つの第１サブ画素１０を四つの隣接する表示単位４０によって共有することができる。第３サブ画素３０の配置を考えると、電気的に接続される場合、一つの第３サブ画素３０を１行又は１カラムにおける三つの表示単位４０によって共有することができる。上記画素構造においては、ＦＭＭの設計及び有機性層を形成するための堆積プロセスがより容易になるよう、ＦＭＭにおける、同じ色（即ち、赤、青又は緑）を表示するための隣接するサブ画素に対応する開口間の距離／間隔を増やす。本開示が提供する画素構造は、より高い表示解像度を得やすい。従来の（即ち、三つのサブ画素で一つの表示単位４０を形成する）画素構造と比較すると、本開示が提供する画素構造の表示単位４０はサブ画素を共有し画像を表示する。開示した画素構造を形成するための製造工程は非常に簡素化され、ＦＭＭの設計と製造はより容易になる。
【００９１】
本開示は新しい画素構造を提供する。ＲＧＢ色を表示するためのサブ画素の配置を最適化／改善することによって、異なる色を表示するための二つの隣接するサブ画素の境界間の最短間隔を表すラインは、横方向に対して４５度の角度になる。従って、ＦＭＭの製造において特定の精密度が得られると、上記サブ画素の配置はより高い表示解像度を得られる。一方、サブ画素の開口率、及び画素構造を備える表示装置の開口率が改善される。同様に、画素構造を備える表示装置の表示輝度を改善することができる。画素構造を備えるＯＬＥＤ表示デバイスの寿命を改善することができる。
【００９２】
具体的には、本開示が提供する画素構造は、ＦＭＭを用いた堆積プロセスによってサイドバイサイドのトップトップエミッション方式のＡＭＯＬＥＤ表示パネルを形成するのに適する。
【００９３】
本開示の他の方面は、画素構造の表示方法を提供する。実施例２は、実施例１の画素構造の表示方法を提供する。上記のように、各表示単位４０が３色（即ち、ＲＧＢ色）の画素表示情報を表示できるよう、隣接する表示単位４０は、画素構造において一つの第１サブ画素１０と一つの第３サブ画素ストリング３２を共有して画像を表示する。
【００９４】
本開示によって提供される画素構造において、第１サブ画素１０の中心軸の１側にあって第１サブ画素１０に近隣する第３サブ画素３０は、一つの第３サブ画素ストリング３２を形成する。第３サブ画素ストリング３２における第３サブ画素３０は同じ色を表示する。一つの表示単位４０は、二つの第１サブ画素１０と、第１サブ画素１０に隣接する一つの第２サブ画素２０と、二つの第１サブ画素１０に隣接する／二つの第１サブ画素１０間にある一つの第３サブ画素ストリング３２を備える。各表示単位４０が３色（即ち、ＲＧＢ色）の画素表示情報を表示できるよう、隣接する表示単位４０が第１サブ画素１０と第３サブ画素ストリング３２を共有する。
【００９５】
図９に示すように、本開示によって提供される画素構造において、二つの隣接する行の二つの隣接するカラムに位置される四つの隣接する表示単位４０は、２×２のブロック形状を形成する。該２×２のブロック形状は５つの第１サブ画素１０を備える。２×２のブロック形状（即ち、四つの隣接する表示単位４０）の中心に位置される第１サブ画素１０は、対角方向に沿って四つの第２サブ画素２０の各々に隣接する。中心に位置される第１サブ画素１０には二つの垂直な中心軸があり、各々の中心軸の方向は四つの第２サブ画素２０のうちの二つの間で延びる。四つの第２サブ画素２０のうち、２つが一つの対角方向に沿って第１サブ画素１０の中心軸に対して鏡面対称性を持ち、他の２つがまた他の対角方向に沿って第１サブ画素１０の中心軸に対して鏡面対称性を持つ。中心に位置される第１サブ画素１０は四つの隣接する表示単位４０によって共有される。四つの隣接する表示単位４０は大きい色域領域を形成する。該大きい色域領域の四つのコーナーに位置される（即ち、それぞれ一つのコーナーに位置される）四つの第１サブ画素１０は、それぞれ隣接する表示単位行における隣接する表示単位４０によって共有される。
【００９６】
図９に示す画素構造において、第１サブ画素１０は赤（Ｒ）を表示し、第２サブ画素２０は（Ｇ）を表示し、第３サブ画素３０は青（Ｂ）を表示する。表示単位４０に備えられている第２サブ画素２０の構成に基づいて、異なる構成の表示単位４０を定義する。複数の（例えば、四つの）表示単位４０によって共有される第１サブ画素１０はＲ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４としてラベルを付ける。複数の表示単位４０によって共有される第３サブ画素ストリング３２はＢ１、Ｂ２、Ｂ３及びＢ４としてラベルを付ける。同じラベル番号のサブ画素は一つの色域を形成する（例えば、Ｒ１、Ｇ１及びＢ１とラベルを付けたサブ画素は一つの色域を形成し、Ｒ２、Ｇ２及びＢ２とラベルを付けたサブ画素は別の色域を形成する）。一つの色域では、サブ画素によって表示された色を混合することによって形成される色は、色域の画素表示情報を表す。
【００９７】
画像を表示する際に、まず、画素表示情報を提供するためのデータ元を使用して対応する（即ち、第１サブ画素１０、第２サブ画素２０、及び第３サブ画素ストリング３２についてのＲＧＢ色情報を含む）画素表示情報を各画素単位４０に入力／転送する。この画素構造の表示方法は次のステップを含む。
【００９８】
ステップＳ１において、各画素単位の理論輝度値は画素表示情報に基づいて得られる。理論輝度値は、第１サブ画素１０、第２サブ画素２０、及び第３サブ画素ストリング３２によって表示される色に対応する。
【００９９】
ステップＳ１において、表示イパネルの駆動回路／チップは、画素表示情報を決定し、受け取って格納し、各色のための画素表示情報を増幅して３原色（即ち、ＲＧＢ色）の表示情報を得られる。駆動回路は適切なマトリックス変形プロセスによって更に輝度信号を得る。輝度信号は３原色の理論輝度値に対応する。上記プロセスは従来の製造工程で用いられる任意の適切な輝度／色分離手段によって得ることができ、ここでは省略する。
【０１００】
ステップＳ２において、各画素単位の第１サブ画素１０、第２サブ画素２０及び第３サブ画素ストリング３２の実際の輝度値を計算する。
【０１０１】
ステップＳ２において、第１サブ画素１０の実際の輝度値を、第１サブ画素１０の各共有部分の加重理論輝度値の和、即ち加重和として計算する。第２サブ画素２０の実際の輝度値は、第２サブ画素２０によって表示される色に対応する理論輝度値である。第３サブ画素ストリング３２の実際の輝度値を第３サブ画素ストリング３２の各共有部分の加重理論輝度値の和として計算する。第１サブ画素１０又は第３サブ画素ストリング３２の共有部分とは、隣接する表示単位４０によって共有される部分を指す。
【０１０２】
図９に示す画素構造において、四つの隣接する表示単位４０（即ち、２×２ブロックとして描写される）は、一つの第１サブ画素１０（例えば、２×２ブロックの中心に位置される第１サブ画素１０）を共有し、第１サブ画素１０の各共有部分の理論輝度値の重み（又は相対的な重み）が１／４である。例えば、第１サブ画素１０は赤を表示し、第１サブ画素１０に送られる入力信号は、第１サブ画素１０の各共有部分によって表示される赤色の加重画素表示情報の和である。各共有部分は四つの隣接する表示単位４０の１つによって共有される。重みはそれぞれ１／４である。
【０１０３】
第３サブ画素ストリング３２は対角方向に沿って二つの隣接する第３サブ画素３０を備える。第３サブ画素３０は各々異なる第３サブ画素グループ３１に備えられる。一つの第２サブ画素２０と、該第２サブ画素２０から最短距離を持つ一つの第３サブ画素ストリング３２と、二つの隣接する行において該第２サブ画素２０の両側に位置され対角方向に沿ってそれぞれ該第２サブ画素２０から最短距離を持つ二つの第１サブ画素１０は、一つの表示単位４０を形成する。一つの表示単位４０では、第２サブ画素２０の隣に位置される第３サブ画素ストリング３２は、上方及び／又は下方の隣接する表示単位行における隣接する表示単位４０によって共有される。或いは、第２サブ画素２０の隣に位置される、１つの表示単位４０の第３サブ画素ストリング３２は、上／右及び／又は下／左の隣接する表示単位カラムにおける隣接する表示単位４０によって共有される。隣接する表示単位４０によって共有される第３サブ画素ストリング３２における第３サブ画素３０の各共有部分の理論輝度値の重みは、それぞれ１／２である。例えば、第３サブ画素ストリング３２は青を表示し、第３サブ画素ストリング３２に送られる入力信号は、第３サブ画素ストリング３２の各共有部分の青色の加重画素表示情報の和であり、重みはそれぞれ１／２である。
【０１０４】
一実施例では、第１サブ画素１０（又は第３サブ画素ストリング３１）の最終的な輝度値を、第１サブ画素１０（又は第３サブ画素ストリング３１）の各共有部分によって表示される色の加重理論輝度値の和として計算する。加重理論輝度値は、共有部分によって表示される色の理論輝度値と対応する重みの積である。例えば、第１サブ画素１０が四つの表示単位４０によって共有される場合、上記の和と加重理論輝度値間の関係はＨ＝Ａｘ＋Ｂｙ＋Ｃｚ＋Ｄδであり、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤはそれぞれサブ画素の共有部分によって表示される色の表示情報の重みを表し、Ｈはサブ画素によって表示される色の実際の輝度値（即ち、加重和）を表す。重みの値はＡ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ＝１を満たす。
【０１０５】
表示される画像の全体的な表示効果（例えば、明るいか暗いか）は画像表示情報に依存するため、第１サブ画素１０（又は第３サブ画素ストリング３２）によって表示される色の理論輝度値のための重みを調節することでより適切な加重和及び改善された表示輝度を得られることを理解すべきである。
【０１０６】
ステップＳ３において、実際の輝度値を各画素単位の第１サブ画素１０、第２サブ画素２０、及び第３サブ画素ストリング３２へ送り／入力して画像を表示する。
【０１０７】
各表示単位の第１サブ画素１０、第２サブ画素２０、及び第３サブ画素ストリング３２の実際の輝度値はステップＳ２によって得られ、ステップＳ３においては、その実際の輝度値を対応するサブ画素に送り／入力して画像を表示する。
【０１０８】
上記画素構造に示すように（例えば、実施例１）、一つの第１サブ画素１０と、一つの第２サブ画素２０と、一つの第３サブ画素ストリング３２はそれぞれ一つのデータラインに接続される。ステップ３において、該第１サブ画素１０と、該第２サブ画素２０と、該第３サブ画素ストリング３２はデータラインを介して（即ち、ステップＳ２によって得られた）対応する実際の輝度値を受け取る。
【０１０９】
例示を目的として、画素構造の表示方法を図１に示す画素構造に応用する（実施例１）。図９の画素構造の表示単位の色混合、色域の形成、及び実際の輝度値の計算について図示する。図９に示すように、赤を表示するためのサブ画素は第１サブ画素１０であり、青を表示するためのサブ画素は第３サブ画素３０であり、二つの第３サブ画素３０は一つの第３サブ画素ストリング３２を形成する。同様に、図３から図６の（図１の画素構造から変更された）画素構造のサブ画素の実際の輝度値を同じように計算する。一方、実施例１の図８の画素構造において、青を表示するサブ画素は第１サブ画素１０であり、赤を表示するサブ画素は第３サブ画素３０であり、二つの隣接する第３サブ画素３０は一つの第３サブ画素ストリング３２を形成する。図８の画素構造におけるサブ画素の実際の輝度値は同じように計算され、ここでは詳細を省略する。
【０１１０】
本開示で提供される方法を適用することによって、サブ画素の輝度情報を適切な画素共有アルゴリズムによって計算でき、画素構造の望ましい表示効果を得ることができる。画素構造で使用されるデータラインの数を減らすことができ、バックパネル配線がより容易になる。該画素構造を備える表示装置のパワー消費量が更に低減される。
【０１１１】
本開示は他の画素構造を更に提供する。図１及び図３から図９の画素構造のような本開示の前述した実施例において開示した画素構造と比較すると、本開示の画素構造は同じ色を表示するために一つの第３サブ画素ストリング３２により多くの第３サブ画素３０を備える。
【０１１２】
本開示の他の方面は、他の画素構造を提供する。実施例３は該画素構造を提供する。実施例１に記述した画素構造と比較すると、実施例３が提供する画素構造における第３サブ画素ストリング３２はより多くの第３サブ画素３０を備える。該第３サブ画素３０は同じ色を表示する。
【０１１３】
実施例１が提供する画素構造と同様に、実施例３が提供する画素構造はＯＬＥＤ表示デバイス及び／又はＬＣＤデバイスにも使用される。該画素構造はデジタルカメラ、プラズマ表示デバイスのような表示機能付きの他の適切なデバイスにも使用される。
【０１１４】
一実施例では、図１０に示すように、一つの第３サブ画素ストリング３２は第１サブ画素１０に近隣する三つのサブ画素３０を備える。三つの第３サブ画素３０は第１サブ画素１０の中心軸の同じ側に位置される。三つの第３サブ画素３０の各々は異なる第３サブ画素グループ３１に備えられる。１番目の第３サブ画素３０は第１サブ画素１０に隣接する二つの対角方向の交点に位置され、２番目の第３サブ画素３０は１つの対角方向に沿って交点にあるサブ画素３０と並び、３番目の第３サブ画素３０は他の対角方向に沿って交点にあるサブ画素３０と並ぶ。１カラムにおける三つの連続する第２サブ画素２０と、それぞれ二つの隣接する第２サブ画素２０間の１行に位置されそれぞれ対角方向に沿って隣接する第２サブ画素２０から最短距離を持つ三つの第１サブ画素１０と、該第２サブ画素２０から最短距離を持つ一つの第３サブ画素ストリング３２は、一つの表示単位４０を形成する。
【０１１５】
具体的には、二つの対角方向に沿って並び第１サブ画素１０に隣接する第３サブ画素グループ３２における、三つの第３サブ画素３０は、第１サブ画素１０と同じ行において該第１サブ画素１０と隣接する一つの第３サブ画素３０と、同じカラムにおいて該第１サブ画素１０の両側（即ち、上方及び下方）にある、該第１サブ画素１０と隣接する二つの第３サブ画素３０を含む。上記三つの第３サブ画素３０はそれぞれ異なる第３サブ画素グループ３１に備えられる。例えば、上記第１サブ画素１０は図１４（Ａ）と（Ｂ）に示すように中央行においてＭと表記される第１サブ画素１０である。
【０１１６】
図１０に示す表示単位４０における第３サブ画素ストリング３２における三つの第３サブ画素３０について次に記述する。第３サブ画素ストリング３２は、表示単位４０の両側の二つの第１サブ画素１０の間にある、第１サブ画素１０に隣接し、かつ該第１サブ画素１０と同じ行における第３サブ画素３０と、表示単位４０の両側の二つの第１サブ画素１０の間にある、該第１サブ画素１０に隣接し、かつ該第１サブ画素１０の両側にある二つの第３サブ画素３０を備える。該二つの第３サブ画素３０は異なる第３サブ画素グループ３１に備えられる。
【０１１７】
即ち、表示単位４０の一方の側にある（図１４（Ａ）と（Ｂ）においてＳとラベルを付けた）第１サブ画素１０に近隣する第３サブ画素ストリング３２は、同じ表示単位４０における他の（Ｍとラベルを付けた）第１サブ画素１０に近隣する同じ第３サブ画素ストリング３２を表す。即ち、一つの表示単位４０における三つの第１サブ画素１０及び三つの第２サブ画素２０は、図１４（Ａ）と（Ｂ）に示すように、同じ近接する第３サブ画素ストリング３２を共有する。
【０１１８】
図１１の画素構造は、図１０の画素構造を９０度回転することによって得られる。図１１では、一つの第３サブ画素ストリング３２は第１サブ画素１０に隣接する三つのサブ画素３０を備える。三つの第３サブ画素３０は第１サブ画素１０の中心軸の同じ側に位置される。三つの第３サブ画素３０の各々は異なる第３サブ画素グループ３１に備えられる。１番目の第３サブ画素３０は第１サブ画素１０に隣接する二つの対角方向の交点に位置され、２番目の第３サブ画素３０は１の対角方向に沿って交点にあるサブ画素３０と並び、３番目の第３サブ画素３０は他の対角方向に沿って交点にあるサブ画素３０と並ぶ。１行において三つの連続する第２サブ画素２０と、それぞれ二つの隣接する第２サブ画素２０の間のカラムに位置され、隣接する第２サブ画素２０から最短距離をそれぞれ対角方向に沿って持つ三つの第１サブ画素１０と、第２サブ画素２０から最短距離を持つ一つの第３サブ画素ストリング３２は、一つの表示単位４０を形成する。
【０１１９】
二つの対角方向に沿い、かつ第１サブ画素１０の隣に並ぶ、第３サブ画素グループ３２における三つの第３サブ画素３０は、第１サブ画素１０に隣接する、かつ該第１サブ画素１０と同じ行における一つの第３サブ画素３０と、該第１サブ画素１０に隣接し、かつ該第１サブ画素１０の両側（即ち、上方と下方）にある同じ行にある二つの第３サブ画素３０を含む。上記三つの第３サブ画素３０はそれぞれ異なる第３サブ画素グループ３１に備えられる。
【０１２０】
図１１に示す表示単位４０における第３サブ画素ストリング３２における三つの第３サブ画素３０について次に記述する。第３サブ画素ストリング３２は、表示単位４０の両側の二つの第１サブ画素１０の間にある、第１サブ画素１０に隣接しかつ該第１サブ画素１０と同じカラムにある第３サブ画素３０と、表示単位４０の両側の二つの第１サブ画素１０の間にある、第１サブ画素１０に隣接しかつ該第１サブ画素１０の両側にある二つの第３サブ画素３０を含む。該二つの第３サブ画素３０はそれぞれ異なる第３サブ画素グループ３１に備えられる。
【０１２１】
実施例１と同様に、図１１の画素構造における第２サブ画素２０の構成／配置を変更して図１２に示す画素構造を形成することもできる。或いは、図１１の画素構造における第１サブ画素１０及び第３サブ画素３０によって表示される色の配置を変更して図１３に示す画素構造を形成することができる。
【０１２２】
図１０から図１３の画素構造を構成の異なる各表示単位４０に分割することができる。各表示単位４０は隣接する表示単位４０とサブ画素を共有する。図１４は異なる構成の（中間の破線にょって分割される）二つの表示単位４０を示す。図１４（Ａ）と（Ｂ）では、ラインによって接続される三つの第３サブ画素３０が一つの第３サブ画素ストリング３２を形成する。各第３サブ画素ストリング３２は直接接続される第３サブ画素３０によって形成される。第３サブ画素ストリング３２は別の二つの表示単位４０によって共有され、該別の二つの表示単位４０の各々は、表示単位４０における直接接続ラインに隣接する二つの第２サブ画素２０の１つを備える。それぞれ対角方向に沿って中間における（Ｍとラベルを付けた）第１サブ画素１０に隣接する二つの第２サブ画素２０は、それぞれ他方の第２サブ画素２０（図示せず）とは（Ｍとラベルを付けた）第１サブ画素１０の幾何学的中心に対して中心対称性を持つ。即ち、それぞれ図１４に示す画素単位４０における二つの第２サブ画素２０の１つを備える二つの他の表示単位４０は、（Ｍとラベルを付けた）第１サブ画素１０を共有する。また、表示単位４０においてそれぞれ同じ第３サブ画素ストリング３２に隣接し、かつ直接接続ラインに隣接する二つの第２サブ画素２０は、同じカラム／行に位置される。それぞれ三つの第２サブ画素２０の１つを備える二つの表示単位４０は、第３サブ画素ストリング３２を共有する。
【０１２３】
図１０から図１３に示すように、画素構造をＯＬＥＤ表示デバイスに使用する際に、第３サブ画素ストリング３２における第３サブ画素３０に対応する、ＯＬＥＤの金属電極（即ち陽極か陰極）を電気的に接続する。ＯＬＥＤの金属電極は（即ち陽極か陰極）を接続しなくても同じ表示情報を各ＯＬＥＤにロードすることができる。画素構造をＬＣＤ表示デバイスに使用する際に、第３サブ画素ストリング３２における第３サブ画素３０に対応する画素電極を電気的に接続する。画素電極を接続しなくても同じ表示情報を各画素電極にロードすることができる。
【０１２４】
実施例１に開示した画素構造と比較すると、実施例３に開示した画素構造によれば画素構造に使用されるデータラインの数が更に減少する。バックパネル配線がより容易になり、画素構造を備える表示装置のパワー消費量が更に低減される。
【０１２５】
本開示の他の方面は、実施例３の画素構造を表示する方法を提供する。実施例３に記述される画素構造において、各表示単位４０が３原色（即ち、ＲＧＢ色）の画素表示情報を表示できるよう、隣接する表示単位４０は第１サブ画素１０及び第３サブ画素ストリング３２を共有して画像を表示する。実施例４は実施例３の画素構造を表示する方法を示す。
【０１２６】
実施例３に開示した画素構造を表示する方法は、実施例１に開示した画素構造を表示する方法を参照することができる。一つの第３サブ画素ストリング３２における第３サブ画素３０の数が実施例３に開示した画素構造と異なる場合があるため、第３サブ画素ストリング３２の実際の輝度値を計算するための重みを調節することができる。
【０１２７】
一実施例では、図１５に示すように、第３サブ画素ストリング３２は第１サブ画素１０の隣りの三つのサブ画素３０を備える。三つの第３サブ画素３０は第１サブ画素１０の中心軸の同じ側に位置される。三つの第３サブ画素３０の各々は異なる第３サブ画素グループ３１に備えられる。１番目の第３サブ画素３０は第１サブ画素１０に隣接する二つの対角方向の交点に位置され、２番目の第３サブ画素３０は１の対角方向に沿って交点でサブ画素３０と並び、３番目の第３サブ画素３０は他の対角方向に沿って交点でサブ画素３０と並ぶ。１カラムにおける三つの連続する第２サブ画素２０と、それぞれ二つの隣接する第２サブ画素２０間にある１行に位置され、かつそれぞれ隣接する第２サブ画素２０から最短距離を対角方向に沿って持つ三つの第１サブ画素１０と、第２サブ画素２０から最短距離を持つ一つの第３サブ画素ストリング３２は、一つの表示単位４０を形成する。
【０１２８】
第１サブ画素１０は赤（Ｒ）を表示し、第２サブ画素２０は緑（Ｇ）を表示し、第３サブ画素３０は青（Ｂ）を表示する。備えられている第２サブ画素２０の構成に基づいて、異なる表示単位４０を定義することができる。複数の表示単位４０によって共有される第１サブ画素１０は、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４とラベルを付ける。複数の表示単位４０によって共有される第３サブ画素ストリング３２は、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３及びＢ４とラベルを付ける。同じラベル番号を有するサブ画素は一つの色域を形成する（例えば、Ｒ１、Ｇ１及びＢ１は一つの色域を形成し、Ｒ２、Ｇ２及びＢ２は別の色域を形成する）。一つの色域におけるサブ画素の色を混合することによって形成される色は、色域の表示情報を表す。
【０１２９】
図１５の画素構造を表示する方法は次のステップを含む。
【０１３０】
ステップＳ１において、各表示単位４０のための画素表示情報からの理論輝度値を得る。ここで、該理論輝度値は、各表示単位４０の第１サブ画素１０、第２サブ画素２０、及び第３サブ画素ストリング３２によって表示される色に対応する。
【０１３１】
ステップＳ２において、各表示単位４０の第１サブ画素１０、第２サブ画素２０、及び第３サブ画素ストリング３２の実際の輝度値を計算することができる。
【０１３２】
ステップＳ２において、第３サブ画素ストリング３２は第１サブ画素１０に近隣する三つのサブ画素３０を備える。三つの第３サブ画素３０は第１サブ画素１０の中心軸の同じ側に位置される。三つの第３サブ画素３０の各々は異なる第３サブ画素グループ３１に備えられる。１番目の第３サブ画素３０は第１サブ画素１０に隣接する二つの対角方向の交点に位置され、２番目の第３サブ画素３０は１の対角方向に沿って交点でサブ画素３０と並び、３番目の第３サブ画素３０は他の対角方向に沿って交点でサブ画素３０と並ぶ。１カラムにおける三つの連続する第２サブ画素２０と、それぞれ二つの隣接する第２サブ画素２０間にある行に位置され、かつ対角方向に沿って隣接する第２サブ画素２０から最短間隔を持つ三つの第１サブ画素１０と、第２サブ画素２０から最短距離を持つ一つの第３サブ画素ストリング３２は、一つの表示単位４０を形成する。二つの連続する第２サブ画素２０は１行／カラムに並んで第３サブ画素ストリング３２に隣接して位置される。それぞれ二つの第２サブ画素２０の１つを備える二つの表示装置４０は、同じ第３サブ画素ストリング３２を共有する。三つの表示単位４０の各々における第３サブ画素ストリング３２の共有部分によって表示される色の理論輝度値の重みは１／３である。
【０１３３】
ステップＳ３において、対応する実際の輝度値を各画素単位の第１サブ画素１０、第２サブ画素２０、及び第３サブ画素ストリング３２へ入力して画像を表示する。
【０１３４】
本開示が提供する方法を適用することによって、サブ画素の輝度情報を画素共有アルゴリズムによって計算でき、画素構造は望ましい表示効果を得られる。画素構造に使用されるデータラインの数を減らすことができ、バックパネル配線はより容易になる。該画素構造を備える表示装置のパワー消費量が更に低減される。
【０１３５】
本開示の他の方面は表示装置を提供する。該表示装置は実施例１又は実施例３に開示した画素構造を備える。該表示装置における画素構造は、開示した実施例が提供した対応する方法によって作動させることができる。
【０１３６】
表示装置は、ＬＣＤパネル、電子ペーパー、ＯＬＥＤパネル、携帯電話、タブレット、テレビ、モニター、ラップトップ、デジタル写真フレーム、ナビゲータデバイス、及び／又は表示機能付きの任意の適切な製品／デバイスであってよい。
【０１３７】
表示装置において、画素構造が改善された堆積プロセスによって形成されるため、サブ画素の開口率は改善される。従って、画素構造は改善された表示輝度を有する。一方、画素構造におけるサブ画素が改善された表示輝度及び色の均等性を有するため、よって該画素構造を備える表示装置は改善された表示効果を奏することができる。
【０１３８】
本開示が提供する画素構造及び対応する方法はサブ画素の開口率を改善し、画素構造の表示輝度と表示解像度を改善する。該画素構造を備える表示装置の表示効果を改善することができる。一方、該画素構造を表示する方法を用いることによって、画像を正常に表示でき、データラインのバックパネル配線はより容易になる。表示装置のパワー消費量を減らすことができる。本開示は、製造工程における制限のためにＯＬＥＤ表示装置における表示解像度の改善が困難といった、従来の表示装置におけるる課題に対する技術案を提供する。
【０１３９】
なお、実施例は例示に過ぎない。サブ画素の配置／構成に対し異なる設計又は応用がなされる場合もあり、例示的な実施例によって制限されるべきではない。
【０１４０】
ここで開示した実施例は例示に過ぎず、本開示の範囲を制限するものではないことに注意されたい。本発明の趣旨と範囲から逸脱することなく、他の変更、開示した実施例の同等物又は改善案は当業者にとって明らかであり、本開示の範囲に含むことを意図する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７（Ａ）】
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【図７（Ｂ）】
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【図７（Ｃ）】
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【図７（Ｄ）】
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【図７（Ｅ）】
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【図７（Ｆ）】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４（Ａ）】
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【図１４（Ｂ）】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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