(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
異方導電性部材が特定の温度以上で接着力が低下する剥離層を介して支持体に設けられた異方導電材を保管する保管方法であって、
前記異方導電材は、前記特定の温度以上で前記剥離層を起点として、前記異方導電性部材を前記支持体から剥がすことができるものであり、
前記異方導電材を前記特定の温度未満の状態で保管することを特徴とする保管方法。
【請求項２】
前記特定の温度は５０℃である請求項１に記載の保管方法。
【請求項３】
温度２５℃における絶対湿度５０％以下の水分量の環境で前記異方導電材を保管する請求項１または２に記載の保管方法。
【請求項４】
容器に、１つの前記異方導電材が収納されて保管されるか、または複数の前記異方導電材が１つずつ離間して収納されて保管される請求項１〜３のいずれか１項に記載の保管方法。
【請求項５】
前記容器が収納袋に収納されて保管され、前記収納袋はガスバリア性を有するフィルムで構成されている請求項４に記載の保管方法。
【請求項６】
前記容器は、フロントオープニングアンファインドポッドまたはフロントオープニングシッピングボックスである請求項４または５に記載の保管方法。
【請求項７】
１つの収納袋に、１つの前記異方導電材が収納されて保管されるか、または複数の前記異方導電性部材が１つずつ分離して収納されて保管され、前記収納袋はガスバリア性を有するフィルムで構成されている請求項１〜３のいずれか１項に記載の保管方法。
【請求項８】
前記異方導電性部材は、無機材料からなる絶縁性基材と、前記絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられた、導電材からなる複数の導通路と、を備える請求項１〜７のいずれか１項に記載の保管方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特定の温度以上で接着力が低下する剥離層を介して支持体に異方導電性部材が設けられた異方導電材を保管する保管方法に関し、特に、特定の温度未満の状態で異方導電材を保管する保管方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁性基材に設けられた微細孔に金属が充填されてなる金属充填微細構造体は、近年ナノテクノロジーでも注目されている分野のひとつであり、例えば、異方導電性部材としての用途が期待されている。
異方導電性部材は、半導体素子等の電子部品と回路基板との間に挿入し、加圧するだけで電子部品と回路基板との間の電気的接続が得られるため、半導体素子等の電子部品等の電気的接続部材、および機能検査を行う際の検査用コネクタ等として広く使用されている。
特に、半導体素子等の電子部品は、ダウンサイジング化が顕著であり、従来のワイヤーボンディングのような配線基板を直接接続するような方式、フリップチップボンディング、およびサーモコンプレッションボンディング等では、接続の安定性を十分に保証することができない。そのため、電気的接続部材として異方導電性部材が注目されている。【０００３】
特許文献１には、異方導電性部材を電気的接続部材として使用する場合、半導体ウエハのような略円形の所定径の樹脂板の一方の面の全面に異方導電性部材を貼り付けた状態で供給することが記載されている。樹脂板の直径は、例えば、この異方性導電性部材を使用する半導体ウエハの直径と略同一の５インチ、または８インチとすることも記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１９２２０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
金属充填微細構造体で構成される異方導電性部材は、上述の特許文献１のように、樹脂板の一方の面の全面に貼り付けた状態で供給される。異方導電性部材を使用する際には、樹脂板から剥がす必要があり、異方導電性部材と樹脂板は剥製層を介して剥離可能に貼り付けられる。一方、異方導電性部材を使用する前には、異方導電性部材と樹脂板との安定した接着を維持し、異方導電性部材を使用する際には、異方導電性部材を樹脂板から剥がすことができる必要がある。剥離層が温度に応じて接着力が変わるものであれば、温度を管理して、上述の安定した接着の維持と、使用時の剥離を実現できるようにする必要がある。また、保管環境の水分量が剥離層の接着力に影響を与える場合には、湿度を管理する必要がある。【０００６】
しかしながら、異方導電性部材の保管に関し、温度または湿度等を管理することについて何ら考慮されていないのが現状である。
また、異方導電性部材の導電性等の性能を維持する観点から、保管時における異方導電性部材の酸化等を抑制することが好ましいが、異方導電性部材の酸化を抑制することについても何ら考慮されていないのが現状である。【０００７】
本発明の目的は、前述の従来技術に基づく問題点を解消し、性能劣化を起こすことなく異方導電材を安定して保管する保管方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の目的を達成するために、本発明は、異方導電性部材が特定の温度以上で接着力が低下する剥離層を介して支持体に設けられた異方導電材を保管する保管方法であって、
異方導電材は、特定の温度以上で剥離層を起点として、異方導電性部材を支持体から剥がすことができるものであり、異方導電材を特定の温度未満の状態で保管する保管方法を提供するものである。【０００９】
例えば、特定の温度は５０℃である。
温度２５℃における絶対湿度５０％以下の水分量の環境で異方導電材を保管することが好ましい。
容器に、１つの異方導電材が収納されて保管されるか、または複数の異方導電材が１つずつ離間して収納されて保管されることが好ましい。
容器が収納袋に収納されて保管され、収納袋はガスバリア性を有するフィルムで構成されていることが好ましい。【００１０】
例えば、容器は、フロントオープニングアンファインドポッドまたはフロントオープニングシッピングボックスである。
１つの収納袋に、１つの異方導電材が収納されて保管されるか、または複数の異方導電性部材が１つずつ分離して収納されて保管され、収納袋はガスバリア性を有するフィルムで構成されていることが好ましい。
例えば、異方導電性部材は、無機材料からなる絶縁性基材と、絶縁性基材の厚み方向に貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられた、導電材からなる複数の導通路と、を備える。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、性能劣化を起こすことなく異方導電材を安定して保管することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態の保管方法に用いられる異方導電材を示す模式的斜視図である。
【図２】本発明の実施形態の保管方法に用いられる異方導電材を示す模式的断面図である。
【図３】本発明の実施形態の保管方法に用いられる異方導電材を示す平面図である。
【図４】本発明の実施形態の保管方法に用いられる異方導電材の構成を示す模式的断面図である。
【図５】本発明の実施形態の保管方法に用いられる容器を示す模式的斜視図である。
【図６】本発明の実施形態の保管方法の第１の例を示す模式的断面図である。
【図７】本発明の実施形態の保管方法に用いられる異方導電材の使用方法の一工程を示す模式図である。
【図８】本発明の実施形態の保管方法に用いられる異方導電材の使用方法の一工程を示す模式図である。
【図９】本発明の実施形態の保管方法に用いられる異方導電材の使用方法の一工程を示す模式図である。
【図１０】半導体ウエハの素子領域を示す模式図である。
【図１１】本発明の実施形態の保管方法に用いられる収納袋を示す模式的斜視図である。
【図１２】本発明の実施形態の保管方法の第２の例を示す模式図である。
【図１３】本発明の実施形態の保管方法の第３の例を示す模式的斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の保管方法を詳細に説明する。
なお、以下において数値範囲を示す「〜」とは両側に記載された数値を含む。例えば、εが数値α〜数値βとは、εの範囲は数値αと数値βを含む範囲であり、数学記号で示せばα≦ε≦βである。また、角度については、技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含んでもよい。
【００１４】
本発明の保管方法の説明に先立ち、まず、保管方法に用いられる異方導電材について説明する。
［異方導電材］
図１は本発明の実施形態の保管方法に用いられる異方導電材を示す模式的斜視図であり、図２は本発明の実施形態の保管方法に用いられる異方導電材を示す模式的断面図であり、図３は本発明の実施形態の保管方法に用いられる異方導電材を示す平面図であり、図４は本発明の実施形態の保管方法に用いられる異方導電材の構成を示す模式的断面図である。なお、図４は、図３の切断面線ＩＢ−ＩＢ断面図である。
【００１５】
図１および図２に示す異方導電材１０は、支持体１２と、異方導電性部材１４とを有し、異方導電性部材１４が剥離層１６を介して支持体１２に設けられている。支持体１２と異方導電性部材１４は剥離層１６により、分離可能に接着されている。異方導電材１０は、例えば、図１に示すように、円板状であり、一般的な半導体ウエハの形状と同じである。なお、異方導電材１０は、円板状に限定されない。
【００１６】
支持体１２は、異方導電性部材１４を支持するものであり、例えば、シリコン基板で構成されている。支持体１２としては、シリコン基板以外に、例えば、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＧａＮおよびアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミックス基板、ガラス基板、繊維強化プラスティック基板、ならびに金属基板を用いることができる。繊維強化プラスティック基板には、プリント配線基板であるＦＲ−４（Flame Retardant Type 4）基板等も含まれる。
【００１７】
剥離層１６は、支持層１７と剥離剤１８が積層された構成であり、特定の温度以上で接着力が低下する。
剥離層１６は、特定の温度以上の加熱を行うことにより接着力が０．１Ｎ／２０ｍｍ以下になるものが好ましく、０．０５Ｎ／２０ｍｍ以下になるものがより好ましい。接着力は、１８０度の剥離角度で引張速度３００ｍｍ／分の条件で剥離試験を行った場合の数値で評価できる。また、加熱前の接着力は３Ｎ／ｍｍ以上であることが好ましい。
剥離剤１８が異方導電性部材１４に接しており、異方導電材１０は、剥離層１６を起点にして、異方導電性部材１４を支持体１２から剥がすこと、すなわち、支持体１２と異方導電性部材１４を分離することができる。異方導電材１０では、例えば、予め定められた温度以上の温度に加熱することで、剥離剤１８の接着力が低下し、異方導電材１０から支持体１２を取り除くことができる。
【００１８】
剥離剤１８には、特定の温度以上で接着力が低下するものであれば、特に限定されず、例えば、日東電工社製リバアルファ（登録商標）、およびソマール株式会社製ソマタック（登録商標）等を用いることができる。
【００１９】
図３および図４に示す異方導電性部材１４は、無機材料からなる絶縁性基材２０と、絶縁性基材２０の厚み方向Ｚ（図４参照）に貫通し、互いに電気的に絶縁された状態で設けられた、導電材からなる複数の導通路２２とを備える部材である。さらに、絶縁性基材２０の表面２０ａおよび２０ｂに設けられた樹脂層２４を具備するものである。
ここで、「互いに電気的に絶縁された状態」とは、絶縁性基材の内部に存在している各導通路が絶縁性基材の内部において互いに電気的に絶縁された状態であることを意味する。
異方導電性部材１４は、導通路２２が互いに電気的に絶縁されており、絶縁性基材２０の厚み方向Ｚ（図４参照）と直交する方向ｘには導電性がなく、厚み方向Ｚに導電性を有する。このように異方導電性部材１４は異方導電性を示す部材である。
【００２０】
導通路２２は、図３および図４に示すように、互いに電気的に絶縁された状態で絶縁性基材２０を厚み方向Ｚに貫通して設けられている。なお、符号Ｚ１は図３の裏面から正面の方向を示し、符号Ｚ２は図３の正面から裏面の方向を示す。
さらに、導通路２２は、図４に示すように、絶縁性基材２０の表面２０ａおよび２０ｂから突出した突出部分２２ａおよび突出部分２２ｂを有する。各突出部分２２ａおよび突出部分２２ｂの端部が樹脂層２４に埋設している。樹脂層２４は粘着性を備えるものであり、仮接着性を付与するものである。突出部分２２ａおよび突出部分２２ｂの長さは、２０ｎｍ以上であることが好ましく、より好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００２１】
また、図４においては、絶縁性基材２０の表面２０ａおよび２０ｂに樹脂層２４を有するものを示しているが、これに限定されず、絶縁性基材２０の少なくとも一方の表面に、粘着性を備える樹脂層２４を有していればよい。
同様に、図４の導通路２２は両端に突出部分２２ａおよび突出部分２２ｂがあるが、これに限定されず、絶縁性基材２０の少なくとも樹脂層２４を有する側の表面に突出部分を有すればよい。
【００２２】
異方導電性部材１４の厚みｈは、例えば、３０μｍ以下である。また、異方導電性部材１４は、ＴＴＶ（Total Thickness Variation）が１０μｍ以下であることが好ましい。
ここで、異方導電性部材１４の厚みｈは、異方導電性部材１４を、電解放出形走査型電子顕微鏡により２０万倍の倍率で観察し、異方導電性部材１４の輪郭形状を取得し、厚みｈに相当する領域について１０点測定した平均値のことである。
また、異方導電性部材１４のＴＴＶ（Total Thickness Variation）は、異方導電性部材１４をダイシングで支持体１２ごと切断し、異方導電性部材１４の断面形状を観察して求めた値である。
【００２３】
異方導電性部材１４は、支持体１２の上に設けられ、かつ異方導電性を示す領域が定められたパターン状に形成されている。
【００２４】
次に、保管方法について説明する。
図５は本発明の実施形態の保管方法に用いられる容器を示す模式的斜視図であり、図６は本発明の実施形態の保管方法の第１の例を示す模式的断面図である。
保管方法において、保管とは、静置した状態、および静置した状態に限らず移動することも含まれる。
異方導電材１０は、例えば、図５に示す容器３０に収納されて保管される。
容器３０は、容器本体３２と、蓋３４とを有する。容器３０では、蓋３４で容器本体３２の開口３２ａが閉塞され、容器本体３２が密閉される。
【００２５】
容器内部３２ｂには、例えば、図示はしないが棚が設けられており、複数の異方導電材１０が棚に、１つずつ離間して収納される。異方導電材１０が接触して積層されると、支持体１２と異方導電性部材１４が接し、異方導電材１０が振動等により、異方導電材１０同士が擦れた際に異方導電性部材１４が損傷する虞があるため、異方導電材１０は上述のように離間して収納することが好ましい。１つずつ離間して収納することができれば、棚に限定されず、スペーサでもよい。
なお、異方導電材１０は、上述のように一般的な半導体ウエハの形状（図１参照）と同じであり、容器３０としては、半導体ウエハを収納する各種の容器を用いることができる。容器３０としては、半導体ウエハの搬送容器を用いることができ、例えば、フロントオープニングアンファインドポッド（ＦＯＵＰ）およびフロントオープニングシッピングボックス（ＦＯＳＢ）等を用いることができる。
【００２６】
保管方法では、例えば、図６に示すように、収納容器４０と、収納容器４０の内部４０ａの温度および湿度を調整する調整部４２を用いる。
収納容器４０には、内部４０ａの温度および湿度の変化を記録するセンサ４３が設けられており、センサ４３からの温度の情報および湿度の情報に基づいて、調整部４２が収納容器４０の内部４０ａの温度および湿度を調整する。調整部４２による収納容器４０の内部４０ａの温度および湿度の調整には、例えば、センサ４３からの温度の情報および湿度の情報に基づくフィードバック制御が用いられる。
【００２７】
調整部４２は、例えば、温度および湿度を調整することができれば、特に限定されない。公知の空調機器が利用可能である。また、調整部４２は収納容器４０と一体でも、別体でもよい。
保管方法では、剥離層１６の接着力が低下する特定の温度未満にすればよいため、調整部４２は少なくとも温度を調整できる機能を有していればよく、収納容器４０の内部４０ａを換気するファンでもよい。
なお、湿度に関しては、吸湿剤を収納容器４０の内部４０ａに設けることで調整するようにしてもよく、吸湿剤を容器３０内に設け、調整部４２では温度だけ調整するようにしてもよい。
センサ４３は、保管期間中、温度および湿度を計測することができれば、特に限定されず、温度情報および湿度情報が時刻と一緒に時系列で記録できるもの、すなわち、時間履歴で記録できることが好ましい。また、センサ４３は有線式でも無線式でもよい。
【００２８】
保管方法では、収納容器４０の内部４０ａに複数の容器３０を収納し、収納した状態で、調整部４２を動作させて、収納容器４０の内部４０ａにある容器３０の異方導電材１０の温度を、剥離層１６の接着力が低下する特定の温度未満に保持する。保管中、特定の温度以上とすることはしない。すなわち、保管中の温度履歴で、特定の温度以上にしない。厳密には剥離層１６を設けるときから、特定の温度未満に温度管理することが好ましい。
上述の特定の温度が、例えば、５０℃であれば、保管中、容器３０の異方導電材１０の温度を５０℃未満に保持する。
【００２９】
また、調整部４２により、収納容器４０の内部４０ａについて、温度２５℃における絶対湿度５０％以下の水分量（ｇ／ｃｍ３）の環境となるように調整することが好ましい。なお、温度２５℃における絶対湿度５０％以下の水分量（ｇ／ｃｍ３）は、１１．５２（ｇ／ｃｍ３）である。収納容器４０の内部４０ａの湿度を下げることにより、収納容器４０の内部４０ａの水分量を少なくできる。
この場合、例えば、温度と湿度および絶対湿度との関係を調整部４２に記憶させておき、センサ４３からの温度の情報と湿度の情報に基づき、収納容器４０の内部４０ａの水分量を求める。求めた水分量に基づき、調整部４２で温度と湿度を調整するようにしてもよい。
収納容器４０の内部４０ａの上述の水分量は、上述のように吸湿剤を用いて調整することができる。
【００３０】
また、大気圧よりも圧力が低い減圧下で異方導電材１０を保管することも好ましい。これにより、収納容器４０の内部４０ａの絶対湿度が低くなって、収納容器４０の内部４０ａの水分量が少なくなり、異方導電材１０は水分量の少ない環境で保管され、剥離層１６への水分の影響が小さくなる。このことから、剥離層１６の性能劣化を抑制することができる。また、上述のように減圧下で異方導電材１０を保管することで、導通路２２の突出部分２２ａ、２２ｂの酸化等も抑制することができる。これにより、異方導電性部材１４の接合対象、例えば、半導体チップおよび半導体ウエハとの接合強度の向上、および接合対象との接合抵抗の低減の効果を得ることができる。
【００３１】
上述の減圧下は、例えば、収納容器４０の内部４０ａの空気を排気することにより実現することができる。例えば、調整部４２にロータリーポンプ等の真空ポンプを設けて、さらに収納容器４０の内部４０ａの圧力を計測する圧力計または圧力センサを設けることで実現される。圧力計および圧力センサとしては、大気圧よりも低い圧力を測定することができるものであれば特に限定されず、一般的な真空容器に圧力の計測に用いられるものを適宜利用できる。
上述の減圧下とは、圧力が０．０１〜０．１Ｐａ程度のことをいう。
また、収納容器４０の内部４０ａに複数設ける構成としたが、これに限定されず、１つでもよい。
【００３２】
このようにして、異方導電材１０を保管することができ、収納容器４０に保管された状態で、異方導電材１０を移送することができる。これにより、保管状態を管理して移送先まで移送することができる。
保管した状態から移送先で異方導電材１０を収納容器４０から取り出し、異方導電材１０を特定の温度以上、例えば、５０℃以上に加熱することにより、剥離層１６の剥離力が低下し、剥離層１６を起点として、異方導電性部材１４を支持体１２から剥がすことができる。保管中、熱履歴として特定の温度以上になることがないため、特定の温度以上にすれば剥離層１６の接着力が低下し、異方導電性部材１４を剥離して、異方導電性部材１４を利用することができる。
剥離層１６については、上述のように水分、および熱履歴が、剥離時に接着力が低下しない等の悪影響を及ぼすことが分かっているが、保管方法では、水分、および熱履歴が管理されており、剥離層１６への悪影響が抑制される。このように、性能劣化を起こすことなく異方導電材１０を安定して保管することができる。
【００３３】
次に、異方導電材の使用方法について、例えば、異方導電性部材１４を半導体ウエハの素子領域に接合することを例にして具体的に説明する。
図７〜図９は本発明の実施形態の保管方法に用いられる異方導電材の使用方法を工程順に示す模式図である。図１０は半導体ウエハの素子領域を示す模式図である。
【００３４】
図７に示す異方導電材１０は、異方導電性を示す領域が定められたパターン状に形成されている異方導電性部材１４が支持体１２の上に設けられたものである。
異方導電材１０の異方導電性部材１４を、半導体ウエハ５０の素子領域５２（図１０参照）に接合させる。素子領域５２（図１０参照）には、各角にアライメントマーク５４（図１０参照）が設けられており、合計４つのアライメントマーク５４が設けられている。
この場合、異方導電材１０では、異方導電性部材１４が、素子領域５２に合わせて形成されている。
半導体ウエハ５０の素子領域５２に、異方導電性部材１４を向けて異方導電材１０を配置する。
【００３５】
次に、図８に示すように、予め定められた圧力を加え、予め定められた温度に加熱し、予め定められた時間保持して、異方導電材１０の異方導電性部材１４を、半導体ウエハ５０の素子領域５２に接合する。
次に、図９に示すように、異方導電材１０の支持体１２を取り除き、異方導電性部材１４だけを半導体ウエハ５０に接合させる。
上述の保管方法で保管していれば、異方導電性部材１４を素子領域５２に接合する際に、特定の温度以上、例えば、５０℃以上に加熱することで、剥離層１６の接着力が低下し、特定の温度以上で剥離層１６を起点として、異方導電性部材１４を支持体１２から剥がすことができる。しかしながら、保管中に、熱履歴として特定の温度以上になったことがある場合、支持体１２から剥がすために特定の温度以上に加熱しても剥離層１６は接着力の低下が生じないことがある。これにより、支持体１２から異方導電性部材１４を剥がすことが困難であったり、剥離層１６ではなく、異方導電性部材１４が接合対象である半導体ウエハ５０から剥離することもある。しかし、保管方法では、このようなことも抑制される。
また、上述のように減圧下で保管すると、異方導電材１０が水分量の少ない環境で保管される。そのため異方導電性部材１４と半導体ウエハ５０の接合強度が向上し、異方導電性部材１４と半導体ウエハ５０の接合抵抗も低減することができる。
【００３６】
容器３０は、収納容器４０に限定されず、例えば、図１１に示すように収納袋４４に収納してもよい。収納袋４４は、例えば、ガスバリア性を有するフィルムで構成される。ガスバリア性を有するフィルムとは、例えば、水蒸気透過性の低いもののことであり、電子部品の包装に用いられる公知のフィルム、または有機ＥＬ（Electro Luminescence）、電子ペーパーもしくは太陽電池等に用いられるガスバリアフィルムを用いることができる。
ガスバリア性は、水蒸気透過性により評価され、水蒸気透過性はモコン法等で測定される。
【００３７】
容器３０を収納袋４４に収納した場合、収納袋４４は水蒸気透過性が低く、内部の湿度を外部から調整することが難しくなるため、収納袋４４の内部に吸湿剤４５を設けることが好ましい。吸湿剤４５の量については、使用する収納袋４４の水蒸気透過性、ならびに、容器３０の大きさおよび保管期間等に応じて、予め求めておき、予め求めた量の吸湿剤４５を収納袋４４の内部に設ける。収納袋４４に収納された容器３０を、収納容器４０の内部４０ａに配置して上述のように保管する。この場合、調整部４２で収納容器４０の内部４０ａの温度が調整され、異方導電材１０の温度が特定の温度未満とされて、異方導電材１０が保管される。容器３０を収納袋４４に収納した場合でも、上述のように収納容器４０の内部４０ａを大気圧よりも圧力が低い圧力とし、減圧下で異方導電材１０を保管することもできる。
【００３８】
また、図１２に示すように、容器３０に上述の調整部４２とセンサ４３を設けてもよい。この場合でも、上述の収納容器４０の内部４０ａに容器３０を配置した場合と同様に、異方導電材１０を保管することができる。上述のように収納容器４０の内部４０ａを大気圧よりも圧力が低い圧力とし、減圧下で異方導電材１０を保管することもできる。
【００３９】
図１１に示すように、収納袋４４を用いる場合、容器３０は必ずしも必要なく、例えば、図１３に示すように、異方導電材１０の間にスペーサ４９を配置して、複数の異方導電材１０を積層し、収納袋４４に収納してもよい。この場合も、湿度を低くし、水分量を少なくするために、図１１に示すように収納袋４４の内部に吸湿剤４５を配置することが好ましい。
【００４０】
本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。以上、本発明の保管方法について詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良または変更をしてもよい。
【実施例】
【００４１】
以下に実施例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、使用量、物質量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されない。
本実施例では、以下に示す異方導電材を用いて、保管方法を評価した。
まず、異方導電材について説明する。【００４２】
［異方導電材］
＜アルミニウム基板の作製＞
Ｓｉ：０．０６質量％、Ｆｅ：０．３０質量％、Ｃｕ：０．００５質量％、Ｍｎ：０．００１質量％、Ｍｇ：０．００１質量％、Ｚｎ：０．００１質量％、Ｔｉ：０．０３質量％を含有し、残部はＡｌと不可避不純物のアルミニウム合金を用いて溶湯を調製し、溶湯処理およびろ過を行った上で、厚さ５００ｍｍ、幅１２００ｍｍの鋳塊をＤＣ鋳造法で作製した。
次いで、表面を平均１０ｍｍの厚さで面削機により削り取った後、５５０℃で、約５時間均熱保持し、温度４００℃に下がったところで、熱間圧延機を用いて厚さ２．７ｍｍの圧延板とした。
さらに、連続焼鈍機を用いて熱処理を５００℃で行った後、冷間圧延で、厚さ１．０ｍｍに仕上げ、ＪＩＳ １０５０材のアルミニウム基板を得た。
アルミニウム基板を、直径２００ｍｍ（８インチ）のウエハ状に形成した後、以下に示す各処理を施した。【００４３】
＜電解研磨処理＞
上述のアルミニウム基板に対して、以下組成の電解研磨液を用いて、電圧２５Ｖ、液温度６５℃、液流速３．０ｍ／分の条件で電解研磨処理を施した。
陰極はカーボン電極とし、電源は、ＧＰ０１１０−３０Ｒ（株式会社高砂製作所社製）を用いた。また、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷ（アズワン株式会社製）を用いて計測した。
（電解研磨液組成）
・８５質量％リン酸（和光純薬社製試薬）    ６６０ｍＬ
・純水    １６０ｍＬ
・硫酸    １５０ｍＬ
・エチレングリコール    ３０ｍＬ【００４４】
＜陽極酸化処理工程＞
次いで、電解研磨処理後のアルミニウム基板に、特開２００７−２０４８０２号公報に記載の手順にしたがって自己規則化法による陽極酸化処理を施した。
電解研磨処理後のアルミニウム基板に、０．５０ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１６℃、液流速３．０ｍ／分の条件で、５時間のプレ陽極酸化処理を施した。
その後、プレ陽極酸化処理後のアルミニウム基板を、０．２ｍｏｌ／Ｌ無水クロム酸、０．６ｍｏｌ／Ｌリン酸の混合水溶液（液温：５０℃）に１２時間浸漬させる脱膜処理を施した。
その後、０．５０ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１６℃、液流速３．０ｍ／分の条件で、３時間４５分の再陽極酸化処理を施し、膜厚３０μｍの陽極酸化膜を得た。
なお、プレ陽極酸化処理および再陽極酸化処理は、いずれも陰極はステンレス電極とし、電源はＧＰ０１１０−３０Ｒ（株式会社高砂製作所製）を用いた。また、冷却装置にはＮｅｏＣｏｏｌ ＢＤ３６（ヤマト科学株式会社製）、かくはん加温装置にはペアスターラー ＰＳ−１００（ＥＹＥＬＡ東京理化器械株式会社製）を用いた。さらに、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷ（アズワン株式会社製）を用いて計測した。【００４５】
＜バリア層除去工程＞
次いで、上述の陽極酸化処理と同様の処理液および処理条件で、電圧を４０Ｖから０Ｖまで連続的に電圧降下速度０．２Ｖ／ｓｅｃで降下させながら電解処理（電解除去処理）を施した。
その後、５質量％リン酸に３０℃、３０分間浸漬させるエッチング処理（エッチング除去処理）を施し、陽極酸化膜のマイクロポアの底部にあるバリア層を除去し、マイクロポアを介してアルミニウムを露出させた。【００４６】
ここで、バリア層除去工程後の陽極酸化膜に存在するマイクロポアの平均開口径は６０ｎｍであった。なお、平均開口径は、ＦＥ−ＳＥＭ（Field emission - Scanning Electron Microscope）により表面写真（倍率５００００倍）を撮影し、５０点測定した平均値として算出した。
また、バリア層除去工程後の陽極酸化膜の平均厚みは８０μｍであった。なお、平均厚みは、陽極酸化膜を厚さ方向に対してＦＩＢ（Focused Ion Beam）で切削加工し、その断面をＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率５００００倍）を撮影し、１０点測定した平均値として算出した。
また、陽極酸化膜に存在するマイクロポアの密度は、約１億個／ｍｍ2であった。なお、マイクロポアの密度は、特開２００８−２７０１５８号公報の＜０１６８＞および＜０１６９＞段落に記載された方法で測定し、算出した。
また、陽極酸化膜に存在するマイクロポアの規則化度は、９２％であった。なお、規則化度は、ＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率２００００倍）を撮影し、特開２００８−２７０１５８号公報の＜００２４＞〜＜００２７＞段落に記載された方法で測定し、算出した。【００４７】
＜金属充填工程＞
次いで、アルミニウム基板を陰極にし、白金を正極にして電解めっき処理を施した。
具体的には、以下に示す組成の銅めっき液を使用し、定電流電解を施すことにより、マイクロポアの内部に銅が充填された金属充填微細構造体を作製した。
ここで、定電流電解は、株式会社山本鍍金試験器製のめっき装置を用い、北斗電工株式会社製の電源（ＨＺ−３０００）を用い、めっき液中でサイクリックボルタンメトリを行って析出電位を確認した後に、以下に示す条件で処理を施した。
（銅めっき液組成および条件）
・硫酸銅 １００ｇ／Ｌ
・硫酸 ５０ｇ／Ｌ
・塩酸 １５ｇ／Ｌ
・温度 ２５℃
・電流密度 １０Ａ／ｄｍ2【００４８】
マイクロポアに金属を充填した後の陽極酸化膜の表面をＦＥ−ＳＥＭで観察し、１０００個のマイクロポアにおける金属による封孔の有無を観察して封孔率（封孔マイクロポアの個数／１０００個）を算出したところ、９６％であった。
また、マイクロポアに金属を充填した後の陽極酸化膜を厚さ方向に対してＦＩＢで切削加工し、その断面をＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率５００００倍）を撮影し、マイクロポアの内部を確認したところ、封孔されたマイクロポアにおいては、その内部が金属で完全に充填されていることが分かった。【００４９】
＜基板除去工程＞
次いで、２０質量％塩化水銀水溶液（昇汞）に２０℃、３時間浸漬させることによりアルミニウム基板を溶解して除去することにより、金属充填微細構造体を作製した。【００５０】
＜トリミング工程＞
基板除去工程後の金属充填微細構造体を、水酸化ナトリウム水溶液（濃度：５質量％、液温度：２０℃）に浸漬させ、突出部分の高さが５００ｎｍとなるように浸漬時間を調整してアルミニウムの陽極酸化膜の表面を選択的に溶解し、次いで、水洗し、乾燥して、導通路である銅の円柱を突出させた構造体を作製した。
＜粘着層形成工程＞
トリミング工程後の構造体に、以下に示す方法で粘着層を形成し異方導電性部材を作製した。【００５１】
＜粘着層＞
ガンマブチロラクトンを溶媒としたポリアミド酸エステル溶液（ジメチルスルホキシド、トリアルコキシアミドカルボキシシラン、オキシム誘導体を含む）の市販品として、ＬＴＣ９３２０（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製）を用いた。
この溶液を導通路が突出している絶縁性基材の表面に塗布し、乾燥させて成膜した。その後、窒素置換した反応炉中（酸素濃度１０ｐｐｍ以下）で２００℃３時間イミド化反応を進行させることにより、ポリイミド樹脂層からなる粘着層を、５００ｎｍの厚みに形成した。なお、粘着層の厚みは溶媒（ＭＥＫ（メチルエチルケトン））を追添することで調整した。【００５２】
＜貼付工程＞
熱剥離型の粘着層付き樹脂基材（リバアルファ（登録商標） ３１９５ＨＳ、日東電工株式会社製）を剥離層に用いて、シリコン製の支持体に異方導電性部材を貼り付け、異方導電材を得た。この異方導電材を複数作製した。なお、樹脂層を除く金属充填微細構造体の平均厚みは３０μｍであった。剥離層に用いた熱剥離型の粘着層付き樹脂基材は、温度５０℃以上で接着力が低下するものである。このことから本実施例では特定の温度を５０℃とした。【００５３】
上述の異方導電材を用いて、以下に示す保管方法で保管し、熱剥離性、仮接着性、および表面汚染について評価した。
まず、保管方法について説明する。
［保管方法］
容器収納
異方導電材は作製プロセス完了後１日間，クリーンルーム内で開放型のウエハケースに入れて大気暴露する形で保管した。そして、異方導電材をクリーンルーム内で容器内に封入した。容器には、下記表１に示すように、異方導電材を１枚収納するカセットと、２５枚収納するＦＯＵＰ（フロントオープニングアンファインドポッド）を用いた。
上述の異方導電材を大気暴露して保管するクリーンルームおよび異方導電材を封入するクリーンルームは、いずれもクラス１０００（米国連邦規格Fed-std209E（Federal standard 209E））のクリーンルームであり、クリーンルーム内を温度２５℃、湿度４０％の状態に維持して、上述の保管および封入を実施した。なお、湿度は相対湿度である。【００５４】
恒温恒湿装置
保管方法では、株式会社いすゞ製作所製恒温恒湿装置ＴＰＡＶを使い、湿度７０％、温度４５℃の状態に３週間（２１日間）保持した。なお、保管方法では、温度と湿度については、下記表１に示すように温度３０℃、温度４５℃、温度６５℃、または温度７０℃、および、湿度０〜１０％、湿度２０〜３０％、または湿度５０〜７０％の条件で行っているが、この場合も上述の恒温恒湿装置を用いて実施した。
容器内の温湿度情報については、温湿度データロガー（藤田電機社製ステックタイプ：ＫＴ−２５０（型番））も容器内に同梱し、５分間隔で温度データおよび湿度データを保存し試験終了後に、温度データおよび湿度データを取得した。【００５５】
収納袋
収納袋には、シリコンウエハケース包装用ラミネート袋：ＩＧＺ−１２（アルミラミネートタイプ：富士インパルス社製）を使用した。
ＩＧＺ−１２（アルミラミネートタイプ：富士インパルス社製）は、メーカーカタログによれば水蒸気透過性は０．０１ｇ／（ｍ２・２４ｈ）である。水蒸気透過性はモコン法で測定された値である。
下記表１の収納袋の欄で「あり」とは、上述の収納袋の中に異方導電材が入った容器を入れシーラー（ＦｉＫ−３００：富士インパルス社製）を用いて脱気密封したことを表す。【００５６】
乾燥剤
乾燥剤には、ＥＸ−ＤＲＹ  １５０ＳＵ（株式会社三和製）を使用した。下記表１の容器内湿度の欄で「乾燥剤有」とは、１つのＦＯＵＰに対して、ＥＸ−ＤＲＹ  １５０ＳＵ（株式会社三和製）を１パック同梱したことを表す。
また、保管方法では、大気圧よりも圧力が低い減圧下でも行った。この場合、恒温恒湿装置で容器が保管されているところを、ロータリーポンプを用いて排気して減圧した。減圧時の圧力は、０．０８Ｐａであった。【００５７】
以下、熱剥離性、仮接着性、および表面汚染の各評価方法について説明する。
表面汚染
表面汚染については、走査型電子顕微鏡を用い、異方導電材の異方導電性部材上の任意の１０視野の画像、すなわち、１０点の画像を取得してパーティクルの有無を確認した。走査型電子顕微鏡での観察は倍率を５万倍とし、１視野はおよそ１５μｍ２程度である。
表面汚染の評価では、走査型電子顕微鏡で観察可能な異物を全てパーティクルとみなした。パーティクルとしては、人体由来の有機汚染による油脂、ならびに外気由来の金属粒子および無機粒子等がある。【００５８】
表面汚染の評価基準は以下の通りである。
Ａ：パーティクルが確認されない
Ｂ：パーティクルが確認されたが、パーティクルの数が、０を超え、２以下
Ｃ：パーティクルが確認されたが、パーティクルの数が、２を超え、１０以下
Ｄ：パーティクルが確認されたが、パーティクルの数が、１０を超え、１００以下【００５９】
熱剥離性
熱剥離性については、表面汚染確認後の異方導電材を１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさに切り分けたチップを得た。このチップを、異方導電性部材側を下にして、温度１３０℃に維持したホットプレートに載せ、１０秒間加熱した。その後、ホットプレートから下し、即座にひっくり返し、チップの支持体のみが落下するかどうかを評価した。
熱剥離性の評価基準は以下の通りである。
Ａ：支持体であるシリコンウエハのみが落下
Ｂ：支持体であるシリコンウエハのみが落下、落下する迄の時間が評価Ａよりも長い
Ｃ：異方導電材全体が落下、剥離層で剥離せず
Ｄ：異方導電材が落下せず【００６０】
仮接着性
仮接着性については、上述のように表面汚染確認後の異方導電材を１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさに切り分けたチップを、生のシリコンウエハ上に異方導電性部材側を下にして置き、生のシリコンウエハを１００℃に加熱した状態で、異方導電材に対して上部より１ＭＰａの加圧を１分間継続して加えた。加圧を除加したのち、チップについて、異方導電材の支持体であるシリコンウエハを吸着ピンセットで取り除けるか否かを評価した。
なお、生のシリコンウエハとは、研磨した状態のシリコンウエハのことであり、Polished waferと呼ばれるものである。【００６１】
仮接着性の評価基準は以下の通りである。
Ａ：支持体であるシリコンウエハを、とても容易に取り除け、異方導電性部材が生のシリコンウエハ側に残り、生のシリコンウエハを逆さまにしても取れない
Ｂ：支持体であるシリコンウエハを容易に取り除け、異方導電性部材が生のシリコンウエハ側に残り、生のシリコンウエハを逆さまにしても取れない
Ｃ：支持体であるシリコンウエハを容易に取り除け、異方導電性部材が生のシリコンウエハ側に残り、生のシリコンウエハを逆さまにしたとき、異方導電性部材が取れる
Ｄ：支持体であるシリコンウエハを吸着ピンセットで取り除けない、または異方導電性部材ごと剥がれる【００６２】
【表１】
0006644895.tif 000002
【００６３】
表１に示すように、保管時の温度の最高温度が５０℃未満であれば、表面汚染、熱剥離性、および仮接着性のいずれも良好な結果を得ることができた。さらに、湿度を低くすることで、表面汚染、熱剥離性、および仮接着性のいずれにおいてもさらに良好な結果を得ることができた。また、収納袋を用いた実施例５〜７は、収納袋を用いていない実施例１〜４に比して表面汚染、熱剥離性、および仮接着性について、より一層良好な結果を得ることができた。
一方、保管時の温度の最高温度が５０℃以上の比較例１および比較例２は、熱剥離性、および仮接着性のうち、少なくとも１つについて良好な結果を得ることができなかった。
【符号の説明】
【００６４】
１０  異方導電材
１２  支持体
１４  異方導電性部材
１６  剥離層
１７  支持層
１８  剥離剤
２０  絶縁性基材
２０ａ  表面
２２  導通路
２２ａ、２２ｂ  突出部分
２４  樹脂層
３０  容器
３２  容器本体
３２ａ  開口
３２ｂ  容器内部
３４  蓋
４０  収納容器
４０ａ  内部
４２  調整部
４３  センサ
４４  収納袋
４５  吸湿剤
４９  スペーサ
５０  半導体ウエハ
５２  素子領域
５４  アライメントマーク
Ｚ  厚み方向
ｈ  厚み
ｘ  方向
【図１】
0006644895.tif 000003
【図２】
0006644895.tif 000004
【図３】
0006644895.tif 000005
【図４】
0006644895.tif 000006
【図５】
0006644895.tif 000007
【図６】
0006644895.tif 000008
【図７】
0006644895.tif 000009
【図８】
0006644895.tif 000010
【図９】
0006644895.tif 000011
【図１０】
0006644895.tif 000012
【図１１】
0006644895.tif 000013
【図１２】
0006644895.tif 000014
【図１３】
0006644895.tif 000015