(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
相対する第１表面および第２表面を有し、
該第１表面における最大高さに対する十点平均粗さの比率は０．３０から０．６２であり、該第１表面の算術平均粗さは０．０９マイクロメートル以下であることを特徴とする、
液晶高分子膜。
【請求項２】
該第１表面の算術平均粗さは０．０２マイクロメートルから０．０８マイクロメートルであることを特徴とする、請求項１に記載の液晶高分子膜。
【請求項３】
該第１表面の十点平均粗さは２マイクロメートル以下であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の液晶高分子膜。
【請求項４】
該第１表面の十点平均粗さは１．５マイクロメートル以下であることを特徴とする、請求項３に記載の液晶高分子膜。
【請求項５】
該第１表面における最大高さに対する十点平均粗さの比率は０．３６から０．６１であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶高分子膜。
【請求項６】
該第２表面における最大高さに対する十点平均粗さの比率は０．３０から０．６２であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の液晶高分子膜。
【請求項７】
該第２表面の算術平均粗さは０．０９マイクロメートル以下であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の液晶高分子膜。
【請求項８】
第１金属箔および請求項１〜７のいずれか１項に記載の液晶高分子膜を含み、
該第１金属箔は該液晶高分子膜の該第１表面上に設けられることを特徴とする、
積層板。
【請求項９】
該積層板は第２金属箔を有し、該第２金属箔は該液晶高分子膜の該第２表面上に設けられることを特徴とする、請求項８に記載の積層板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は積層板に応用される高分子膜に関し、特に液晶高分子膜およびこれを含む積層板である。
【背景技術】
【０００２】
移動通信技術の急速な発展に伴い、業界は４Ｇ通信技術のデータ伝送速度、応答時間、システム容量などの性能を最適化するため、第５世代移動通信システム（５ｔｈ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  Ｍｏｂｉｌｅ  Ｎｅｔｗｏｒｋｓ、略称５Ｇ）を積極的に開発している。
【０００３】
５Ｇ通信技術は高周波帯域を利用して信号送信を行うため、信号の周波数が高いほど、伝達の信号損失（ｉｎｓｅｒｔｉｏｎ  ｌｏｓｓ）も大きい。高周波帯域で信号送信を達成する目的を果たすため、既存技術において、低誘電特性の液晶高分子膜（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｆｉｌｍ、略称ＬＣＰ膜）を選択し、金属箔を組み合わせて積層板を製造すると、信号送信の誘電損失を低下させることができることは既に知られている。
【０００４】
しかしながら、液晶高分子膜および金属箔の間の付着性が不足する問題が数多く存在し、後続の使用において、回路が脱落し、積層板が深刻に劣化する問題が容易に引き起こされる。したがって、既存技術に対して、液晶高分子膜および金属箔の間の引き剥がし強さを改善し、５Ｇ製品に適した積層板を開発することが期待される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】中国特許出願公開第１０９１８０９７９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
以上の点を踏まえて、本発明の目的は液晶高分子膜および金属箔の間の引き剥がし強さを高めることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するため、本発明は液晶高分子膜を提供する。これは相対する第１表面および第２表面を有し、該第１表面における最大高さ（ｍａｘｉｍｕｍ  ｈｅｉｇｈｔ、Ｒｙ）に対する十点平均粗さ（ｔｅｎ−ｐｏｉｎｔ  ｍｅａｎ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ、Ｒｚ）の比率（略称Ｒｚ／Ｒｙ）は０．３０から０．６２である。
【０００８】
液晶高分子膜の１つの表面（第１表面）におけるＲｚ／Ｒｙの特性を制御することにより、液晶高分子膜を金属箔上に重ね合わせる付着性を高めることができ、液晶高分子膜および金属箔の間の引き剥がし強さを高める。これにより、積層板に後続の加工で回路が脱落するような問題が発生するのを防止する。
【０００９】
本発明によると、液晶高分子膜の第２表面についても、そのＲｚ／Ｒｙが０．３０から０．６２でよい。これによって、本発明の液晶高分子膜は第１表面、第２表面またはその両者に関わらず、それぞれ少なくとも１枚の金属箔と重なり合い、良好な付着性を得ることができ、これにより液晶高分子膜および少なくとも１枚の金属箔の間の引き剥がし強さを高める。好ましくは、本発明の液晶高分子膜の第１表面および／または第２表面のＲｚ／Ｒｙは０．３６から０．６１でもよい。一実施態様において、本発明の液晶高分子膜における第１表面のＲｚ／Ｒｙおよび第２表面のＲｚ／Ｒｙは同じまたは異なっていてよい。一実施態様において、本発明の液晶高分子膜における第１表面のＲｚ／Ｒｙおよび第２表面のＲｚ／Ｒｙはいずれも前記範囲にある。
【００１０】
本発明によると、液晶高分子膜の第１表面のＲｚは２マイクロメートル（μｍ）以下である。好ましくは、本発明の液晶高分子膜における第１表面のＲｚは１．５μｍ以下であり、より好ましくは、本発明の液晶高分子膜における第１表面のＲｚは０．３μｍ以上１．５μｍ以下でよく、さらに好ましくは、本発明の液晶高分子膜における第１表面のＲｚは０．３μｍ以上１．４μｍ以下でよく、さらに好ましくは、本発明の液晶高分子膜における第１表面のＲｚは０．３μｍ以上１．３μｍ以下でよく、さらに好ましくは、本発明の液晶高分子膜における第１表面のＲｚは０．３５μｍ以上１．２μｍ以下でよく、さらに好ましくは、本発明の液晶高分子膜における第１表面のＲｚは０．３９μｍ以上１．２μｍ以下でよい。一実施態様において、本発明の液晶高分子膜における第１表面のＲｚおよび第２表面のＲｚは同じまたは異なっていてよい。一実施態様において、本発明の液晶高分子膜における第１表面のＲｚおよび第２表面のＲｚはいずれも前記範囲にある。
【００１１】
本発明によると、液晶高分子膜の第１表面のＲｙは２．２μｍ以下でよい。一実施態様において、本発明の液晶高分子膜における第１表面のＲｙは２．０μｍ以下でよく、より好ましくは、本発明の液晶高分子膜における第１表面のＲｙは０．５μｍ以上１．８μｍ以下でよく、さらに好ましくは、本発明の液晶高分子膜における第１表面のＲｙは０．６μｍ以上１．６μｍ以下でよい。一実施態様において、本発明の液晶高分子における第１表面のＲｙおよび第２表面のＲｙは同じまたは異なっていてよい。一実施態様において、本発明の液晶高分子膜における第１表面のＲｙおよび第２表面のＲｙはいずれも前記範囲にある。
【００１２】
好ましくは、本発明の液晶高分子膜における第１表面の算術平均粗さ（ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃ  ａｖｅｒａｇｅ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ、Ｒａ）は０．０９μｍ以下でよい。これにより、前記液晶高分子膜は積層板に応用されて、その信号損失の低下に有利であり、ハイレベルの５Ｇ製品により適する。
【００１３】
より好ましくは、本発明の液晶高分子膜における第１表面のＲａは０．０２μｍ以上０．０８μｍ以下でよく、さらに好ましくは、第１表面のＲａは０．０２μｍ以上０．０７μｍ以下でよく、さらに好ましくは、第１表面のＲａは０．０２μｍ以上０．０６μｍ以下でよい。液晶高分子膜の第１表面のＲａを低下させる技術手段により、液晶高分子膜を含む積層板の信号損失をさらに低下させることができ、ハイレベルの５Ｇ製品により適する。一実施態様において、本発明の液晶高分子膜における第１表面のＲａおよび第２表面のＲａは同じまたは異なっていてよい。一実施態様において、本発明の液晶高分子膜における第１表面のＲａおよび第２表面のＲａはいずれも前記範囲にある。
【００１４】
本発明によると、前記液晶高分子膜は市販の液晶高分子樹脂を使用して製造することも、既知の原料を使用して調製することもでき、本発明で特に制限されない。
例を挙げると、芳香族または脂肪族ヒドロキシ化合物（例えば、ヒドロキノン（ｈｙｄｒｏｑｕｉｎｏｎｅ）、レゾルシノール（ｒｅｓｏｒｃｉｎ）、２，６−ナフタレンジオール（２，６−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅｄｉｏｌ）、エチレングリコール（ｅｔｈａｎｅｄｉｏｌ）、１，４−ブタンジオール（１，４−ｂｕｔａｎｅｄｉｏｌ）、１，６−ヘキサンジオール（１，６−ｈｅｘａｎｅｄｉｏｌ））、芳香族または脂肪族ジカルボン酸（例えば、テレフタル酸（ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌｉｃ  ａｃｉｄ）、イソフタル酸（ｉｓｏｐｈｔｈａｌｉｃ  ａｃｉｄ）、２，６−ナフタレンジカルボン酸（２，６−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅｄｉｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ａｃｉｄ）、２−クロロテレフタル酸（２−ｃｈｌｏｒｏｔｅｒｅｐｈｔｈａｌｉｃ  ａｃｉｄ）、アジピン酸（ａｄｉｐｉｃ  ａｃｉｄ））、芳香族ヒドロキシカルボン酸（例えば、３−ヒドロキシ安息香酸（３−ｈｙｄｒｏｘｙｂｅｎｚｏｉｃ  ａｃｉｄ）、４−ヒドロキシ安息香酸（４−ｈｙｄｒｏｘｙｂｅｎｚｏｉｃ  ａｃｉｄ）、６−ヒドロキシ−２−ナフタレンカルボン酸（６−ｈｙｄｒｏｘｙ−２−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ  ｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ａｃｉｄ）、４’−ヒドロキシ−４−ビフェニルカルボン酸（４’−ｈｙｄｒｏｘｙ−４−ｂｉｐｈｅｎｙｌｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ａｃｉｄ））、芳香族アミン化合物（例えば、ｐ−フェニレンジアミン（ｐ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｎｅ）、４，４’−ジアミノビフェニル（４，４’−ｄｉａｍｉｎｏｂｉｐｈｅｎｙｌ）、２，６−ナフタレンジアミン（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−２，６−ｄｉａｍｉｎｅ）、４−アミノフェノール（４−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｌ）、４−アミノ−３−メチルフェノール（４−ａｍｉｎｏ−３−ｍｅｔｈｙｌ  ｐｈｅｎｏｌ）、４−アミノ安息香酸（４−ａｍｉｎｏｂｅｎｚｏｉｃ  ａｃｉｄ））を原料として使用し、液晶高分子樹脂を調製でき、さらにこの液晶高分子樹脂を利用して本発明の液晶高分子膜を製造する。
本発明の一実施態様において、６−ヒドロキシ−２−ナフタレンカルボン酸、４−ヒドロキシ安息香酸および無水酢酸（ａｃｅｔｙｌ  ａｎｈｙｄｒｉｄｅ）を用いて、本発明の液晶高分子膜を調製する液晶高分子樹脂を得ることができる。一実施態様において、液晶高分子樹脂の融点は約２５０℃から３６０℃である。
【００１５】
一実施態様において、当業者は様々な需要に応じて、本発明の液晶高分子膜を調製するとき、添加剤を添加できる。これは、例えば潤滑剤、抗酸化剤、電気絶縁剤または充填剤であるが、これに限定されない。例を挙げると、用いることができる添加剤はポリカーボナート、ポリアミド、ポリフェニレンスルファイドまたはポリエーテルエーテルケトンなどであるが、これに限定されない。
【００１６】
本発明によると、前記液晶高分子膜の厚さは特に制限されない。例を挙げると、前記液晶高分子膜の厚さは１０μｍから５００μｍでよく、好ましくは、本発明の液晶高分子膜の厚さは１０μｍから３００μｍでよく、より好ましくは、本発明の液晶高分子膜の厚さは１５μｍから２５０μｍでよく、さらに好ましくは、本発明の液晶高分子膜の厚さは２０μｍから２００μｍでよい。
【００１７】
前記目的を達成するため、本発明は他に積層板を提供する。これは第１金属箔および前記液晶高分子膜を含み、該第１金属箔は該液晶高分子膜の第１表面上に設けられる。
【００１８】
一実施態様において、本発明の積層板は第２金属箔をさらに含むことができ、該第２金属箔は該液晶高分子膜の第２表面上に設けられる。すなわち、本発明の液晶高分子膜は前記第１金属箔および第２金属箔の間に挟まれる。この実施態様において、液晶高分子膜の第１表面および第２表面のＲｚ／Ｒｙ特性を同時に制御するとき、液晶高分子膜を第１、第２金属箔に重ね合わせる付着性を同時に高めることができ、液晶高分子膜および第１、第２金属箔の間の引き剥がし強さを高める。
【００１９】
本発明によると、「重ね合わせる」は直接接触に限定されず、「間接接触」をさらに含む。例を挙げると、本発明の一実施態様において、前記積層板の第１金属箔および液晶高分子膜は直接接触の方式で相互に重ね合わせられる。すなわち、第１金属箔は該液晶高分子膜の第１表面上に設けられ、さらに該液晶高分子膜の第１表面と直接接触する。本発明の別の実施態様において、前記積層板の第１金属箔および液晶高分子膜は間接接触の方式で相互に重ね合わせられる。すなわち、第１金属箔は液晶高分子膜上に設けられ、さらに間接接触の方式で相互に重ね合わせられる。例を挙げると、様々な需要に応じて、第１金属箔および液晶高分子膜の間に連結層を設け、第１金属箔および液晶高分子膜の第１表面を、該連結層を介して相互に接触させることができる。前記連結層の材料は様々な需要に基づいて調整でき、これにより相応の機能を提供する。例を挙げると、前記連結層の材料は、ニッケル、コバルト、クロムまたはその合金を含むことができ、これにより耐熱性、耐化学性、または電気抵抗性の作用を提供する。同様に、前記積層板の第２金属箔および液晶高分子膜も直接接触または間接接触の方式で相互に重ね合わせることを選択できる。一実施態様において、液晶高分子膜および第１金属箔を重ね合わせる方式と、液晶高分子膜および第２金属箔を重ね合わせる方式とは、同じまたは異なっていてよい。
【００２０】
本発明によると、前記第１金属箔および／または第２金属箔は銅箔、金箔、銀箔、ニッケル箔、アルミニウム箔またはステンレス箔などでよいが、これに限定されない。一実施態様において、前記第１金属箔および第２金属箔は異なる材質を用いる。好ましくは、第１金属箔および／または第２金属箔は銅箔でよく、銅箔および液晶高分子膜が重なり合って銅箔積層板（ｃｏｐｐｅｒ  ｃｌａｄ  ｌａｍｉｎａｔｅ、略称ＣＣＬ）が形成される。このほか、前記第１金属箔および／または第２金属箔の調製方法は特に制限されず、本発明の目的を逸脱しなければよい。例を挙げると、圧延法または電解法を用いて調製できるが、これに限定されない。
【００２１】
本発明によると、前記第１金属箔および／または第２金属箔の厚さは特に制限されず、当業者は様々な需要に応じて、相応の調整を行うことができる。例を挙げると、一実施態様において、第１金属箔および／または第２金属箔の厚さはそれぞれ独立して１μｍから２００μｍでよく、好ましくは、前記第１金属箔および／または第２金属箔の厚さはそれぞれ独立して１μｍから４０μｍでよく、より好ましくは、前記第１金属箔および／または第２金属箔の厚さはそれぞれ独立して１μｍから２０μｍでよく、さらに好ましくは、前記第１金属箔および／または第２金属箔の厚さはそれぞれ独立して３μｍから２０μｍでよい。
【００２２】
本発明によると、当業者は様々な需要に応じて、本発明の第１金属箔および／または第２金属箔に表面処理を行うことができる。例を挙げると、粗化処理、酸塩基処理、加熱処理、脱脂処理、紫外線照射処理、コロナ放電処理、プラズマ処理、プライマー塗布処理などを用いることができるが、これに限定されない。
【００２３】
本発明によると、前記第１金属箔および／または第２金属箔の粗さは特に制限されず、当業者は様々な需要に基づいて、相応の調整を行うことができる。一実施態様において、前記第１金属箔および／または第２金属箔のＲｚはそれぞれ独立して０．１μｍ以上２．０μｍ以下でよい。好ましくは、前記第１金属箔および／または第２金属箔のＲｚはそれぞれ独立して０．１μｍ以上１．５μｍ以下でよい。一実施態様において、第１金属箔および第２金属箔のＲｚは同じまたは異なっていてよい。一実施態様において、第１金属箔のＲｚおよび第２金属箔のＲｚはいずれも前記範囲にある。
【００２４】
一実施態様において、当業者は様々な需要に応じて、第３金属箔を追加で設けることができ、前記第３金属箔は第１金属箔および／または第２金属箔と同じまたは異なっていてよい。一実施態様において、前記第３金属箔のＲｚは前記第１金属箔および／または第２金属箔のＲｚの範囲にあってよい。
【００２５】
一実施態様において、前記積層板は複数の液晶高分子膜を含むことができる。本発明の主旨を逸脱しない前提で、当業者は様々な需要に応じて、複数の本発明の液晶高分子膜および複数の金属箔（例えば、前記第１金属箔、第２金属箔および／または第３金属箔）を重ね合わせ、複数の液晶高分子膜および複数の金属箔を重ね合わせた積層板を製造できる。
【００２６】
本明細書において、前記「十点平均粗さ」、「最大高さ」および「算術平均粗さ」は、いずれもＪＩＳ  Ｂ  ０６０１：１９９４の方法、定義に基づく。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、数種の調製例を列挙して本発明の液晶高分子膜を製造する原料を説明し、他に数種の実施例を列挙して本発明の液晶高分子膜および積層板の実施方式を説明し、同時に数種の比較例を対照として提供する。
当業者は下記実施例および比較例の内容により、本発明が達成できる利点および効果を容易に理解できる。本明細書で列挙する実施例は本発明の実施方式を模範的に説明するために用いたに過ぎず、本発明の範囲を制限するのではないことを理解すべきであり、当業者はその通常の知識に基づき、本発明の主旨を逸脱せずに各種手直し、変更を行い、本発明の内容を実施または応用できる。
【００２８】
≪液晶高分子樹脂≫
調製例１：液晶高分子樹脂
３リットルの圧力釜で、７００グラムの６−ヒドロキシ−２−ナフタレンカルボン酸、９５４グラムの４−ヒドロキシ安息香酸、１０８５グラムの無水酢酸および１．３グラムの亜リン酸ナトリウム（ｓｏｄｉｕｍ  ｐｈｏｓｐｈｉｔｅ）を、窒素ガス雰囲気、１６０℃、常圧の環境下で約２時間アセチル化反応させる。続いて、１時間当たり３０℃の昇温速度で３２０℃まで昇温させ、さらにこの温度条件下で圧力を７６０トール（ｔｏｒｒ）から３ｔｏｒｒ以下までゆっくりと低下させ、温度を３２０℃から３４０℃まで昇温させる。その後、撹拌出力を上昇させ、昇圧、吐出、ストランド、ペレット化を行い、融点が約２６５℃、粘度（＠３００℃）が約６０パスカル・秒（Ｐａ・ｓ）の液晶高分子樹脂が得られる。
【００２９】
調製例２：液晶高分子樹脂
３リットルの圧力釜で、４４０グラムの６−ヒドロキシ−２−ナフタレンカルボン酸、１１４５グラムの４−ヒドロキシ安息香酸、１０８５グラムの無水酢酸および１．３グラムの亜リン酸ナトリウムを、窒素ガス雰囲気、１６０℃、常圧の環境下で約２時間アセチル化反応させる。続いて、１時間当たり３０℃の昇温速度で３２０℃まで昇温させ、さらにこの温度条件下で圧力を７６０ｔｏｒｒから３ｔｏｒｒ以下までゆっくりと低下させ、温度を３２０℃から３４０℃まで昇温させる。その後、撹拌出力を上昇させ、昇圧、吐出、ストランド、ペレット化を行い、融点が約３０５℃、粘度（＠３００℃）が約４０Ｐａ・ｓの液晶高分子樹脂が得られる。
【００３０】
調製例３：液晶高分子樹脂
３リットルの圧力釜で、５４０グラムの６−ヒドロキシ−２−ナフタレンカルボン酸、１０７１グラムの４−ヒドロキシ安息香酸、１０８６グラムの無水酢酸、１．３グラムの亜リン酸ナトリウムおよび０．３グラムの１−メチルイミダゾール（１−ｍｅｔｈｙｌｉｍｉｄａｚｏｌｅ）を、窒素ガス雰囲気、１６０℃、常圧の環境下で約２時間アセチル化反応させる。続いて、１時間当たり３０℃の昇温速度で３２０℃まで昇温させ、さらにこの温度条件下で圧力を７６０ｔｏｒｒから３ｔｏｒｒ以下までゆっくりと低下させ、温度を３２０℃から３４０℃まで昇温させる。その後、撹拌出力を上昇させ、昇圧、吐出、ストランド、ペレット化を行い、融点が約２７８℃、粘度（＠３００℃）が約４５Ｐａ・ｓの液晶高分子樹脂が得られる。
【００３１】
≪液晶高分子膜≫
実施例１から１３、比較例１から５：液晶高分子膜
前記調製例１から３で得られた液晶高分子樹脂を原料として用い、さらに基本的に下記の方法により、それぞれ実施例１から１３および比較例１から５で得られる液晶高分子膜を調製する。
【００３２】
まず、液晶高分子樹脂をロータ直径が２７ミリメートルの押出機（装置の型番：ＺＳＥ２７、Ｌｅｉｓｔｒｉｔｚより購入）に投入し、３００℃から３２０℃まで加熱する。さらに１時間当たり３．５キログラム（ｋｇ／ｈｒ）から１０ｋｇ／ｈｒのフィード速度で、液晶高分子樹脂を幅５００ミリメートルのＴダイから押し出す。続いて、Ｔダイから約１から５０ミリメートル、温度約２５０℃から３２０℃、直径約３５センチメートルから４５センチメートルの２つのキャスティングドラム間に通し、約２０から６０キロニュートン（ｋＮ）の力で押し出す。続いて、冷却ドラムに送って常温まで冷却すると、厚さ５０マイクロメートル（μｍ）の液晶高分子膜が得られる。
【００３３】
実施例１から１３および比較例１から５の液晶高分子膜を調製する工程の違いは、主に次の通りである。液晶高分子樹脂の種類、Ｔダイからキャスティングドラムのドラム面までの距離、フィード速度および押出機温度について、各実施例および比較例で設定した工程パラメータを、それぞれ下表１に列記する。
【００３４】
表１：実施例１から１３および比較例１から５の液晶高分子膜の調製における工程パラメータ。
【００３５】
【表１】
0006804673.tif 000002
【００３６】
上記液晶高分子膜を調製する方法は、例を挙げて本発明の実施方式を説明したに過ぎず、当業者は積層体延伸法、インフレーション法などの既知の方法を用いて液晶高分子膜を調製することもできる。
【００３７】
一実施態様において、液晶高分子樹脂をＴダイから押し出した後、当業者は需要に応じて、液晶高分子樹脂および２枚の耐熱膜を共に２つのキャスティングドラム間に通すことができ、さらに３層の積層構造が形成される。室温下で耐熱膜および液晶高分子樹脂を剥離し、本発明の液晶高分子膜が得られる。前記耐熱膜は例えばポリテトラフルオロエチレン膜（ｐｏｌｙ（ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｅｎｅ）ｆｉｌｍ、ＰＴＦＥ  ｆｉｌｍ）、ポリイミド膜（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ  ｆｉｌｍ、ＰＩ  ｆｉｌｍ）、ポリエーテルスルホン膜（ｐｏｌｙ（ｅｔｈｅｒ  ｓｕｌｆｏｎｅ）ｆｉｌｍ、ＰＥＳ  ｆｉｌｍ）を用いることができるが、これに限定されない。
【００３８】
このほか、当業者は様々な需要に応じて、製造した液晶高分子膜に対し、研磨、紫外線照射、プラズマなどの後処理を行うことができるが、これに限定されない。プラズマ後処理について、様々な需要に応じて、窒素ガス、酸素ガスまたは空気雰囲気、減圧または常圧環境で１キロワットのプラズマにより後処理を行うこともできるが、これに限定されない。
【００３９】
試験例１：液晶高分子膜の粗さ分析
本試験例は前記実施例１から１３および比較例１から５で製造した液晶高分子膜を被験サンプルとし、レーザ顕微鏡（型番：ＬＥＸＴ  ＯＬＳ５０００−ＳＡＦ、Ｏｌｙｍｐｕｓより購入、対物レンズはＭＰＬＡＰＯＮ−５０ｘＬＥＸＴ）を利用し、光源波長４０５ナノメートル、対物レンズ５０倍、光学ズーム１．０倍の条件において、２４±３℃の温度、６３±３％の相対湿度下で、各被験サンプルの表面形態を観察して、そのイメージを取り込む。被験サンプルのＲａ、ＲｙおよびＲｚはＪＩＳ  Ｂ  ０６０１：１９９４の方法に基づき、さらに分析の過程で、各被験サンプルの評価長さ（ｅｖａｌｕａｔｉｏｎ  ｌｅｎｇｔｈ）を４ミリメートルに設定し、カットオフ値（ｃｕｔｏｆｆ  ｖａｌｕｅ、λｃ）を０．８ミリメートルに設定して、各被験サンプルの１つの表面のＲａ、ＲｙおよびＲｚを算出する。その結果は下表２に示す通りである。
【００４０】
実施例１Ａから１３Ａ：積層板
前記実施例１から１３および比較例１から５の液晶高分子膜を用いて、市販の銅箔と重ね合わせ、それぞれ実施例１Ａから１３Ａおよび比較例１Ａから５Ａの積層板を製造する。前記市販の銅箔の型番および関連説明は、以下の通りである。
銅箔１：ＣＦ−Ｔ４９Ａ−ＨＤ２、福田金属箔粉工業株式会社より購入。Ｒｚは約１．２μｍ。
銅箔２：ＣＦ−Ｈ９Ａ−ＨＤ２、福田金属箔粉工業株式会社より購入。Ｒｚは約１．０μｍ。
銅箔３：３ＥＣ−Ｍ２Ｓ−ＨＴＥ−ＳＰ２、三井金属鉱業株式会社より購入。Ｒｚは約１．１μｍ。
銅箔４：ＴＱ−Ｍ７−ＶＳＰ、三井金属鉱業株式会社より購入。Ｒｚは約１．１μｍ。
【００４１】
前記厚さ約５０μｍの液晶高分子膜および厚さ約１２μｍの２枚の市販銅箔を用いる。前記液晶高分子膜および２枚の市販銅箔をそれぞれ２０ｃｍ×２０ｃｍの寸法に裁断した後、液晶高分子膜を２枚の市販銅箔の間に重ね合わせる。温度１８０℃、圧力５ｋｇ／ｃｍ２で６０秒間続けて圧接してから、温度３００℃、圧力２０ｋｇ／ｃｍ２で２５分間続けて圧接し、常温まで低下させると積層板が得られる。各積層板の液晶高分子膜および２枚の市販銅箔のサンプル番号は、下表２に示す通りである。
【００４２】
ここで、積層板の圧接方式は特に制限されず、当業者は例えば線圧接または面圧接など既知の技術を用いて圧接工程を完了できる。本発明で適用できる圧接機は、例えば間欠ホットプレス、ロールツーロール式ロールプレス、ダブルベルトプレスなどであるが、これに限定されない。様々な需要に基づき、当業者は液晶高分子膜および銅箔の位置を合わせた後、直接加温、加圧工程を行って、面圧接の工程を完了することもできる。
【００４３】
その他の実施態様において、当業者は様々な需要に応じて、例えばスパッタリング、電気メッキ、化学めっき、または蒸着などの方式を用いて、液晶高分子膜に金属箔（例えば：銅箔）または液晶高分子膜および金属箔の間の連結層（例えば：接着剤、ニッケル層、コバルト層、クロム層、またはその合金層）を形成することもできる。
【００４４】
試験例２：積層板の引き剥がし強さの分析
本試験例はＩＰＣ−ＴＭ−６５０  Ｎｏ．：２．４．９の測定方法に基づき、前記実施例１Ａから１３Ａおよび比較例１Ａから５Ａの積層板を、長さ約２２８．６ミリメートル、幅約３．２ミリメートルのエッチング試験片（ｅｔｃｈｅｄ  ｓｐｅｃｉｍｅｎ）に作製し、さらに各エッチング試験片を２３±２℃の温度、５０±５％の相対湿度下に２４時間置き、安定させる。続いて、各エッチング試験片を両面テープで測定機（装置の型番：ＨＴ−９１０２、弘達儀器股▲分▼有限公司（Ｈｕｎｇ  Ｔａ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ  Ｃｏ．，Ｌｔｄ．）より購入）の治具に貼り付け、５０．８ミリメートル／分（ｍｍ／ｍｉｎ）の引き剥がし速度で治具上のエッチング試験片を引き剥がし、さらに引き剥がし過程における引き剥がし張力を続けて記録する。ここで、引き剥がし張力は測定機の許容範囲の１５％から８５％に制御し、引き剥がし長さは少なくとも５７．２ミリメートルを超えるべきであり、さらに最初に６．４ミリメートルを引き剥がす引き剥がし張力は無視して計算しない。その結果は下表２に示す通りである。
【００４５】
表２：実施例１から１３および比較例１から５における液晶高分子膜の粗さ分析の結果、ならびに実施例１Ａから１３Ａおよび比較例１Ａから５Ａにおける積層板に用いる銅箔のサンプル番号およびその引き剥がし強さ。
【００４６】
【表２】
0006804673.tif 000003
【００４７】
試験例：積層板の信号損失の分析
本試験例は前記実施例１Ａから１３Ａおよび比較例１Ａから５Ａの積層板を、長さ約１００ミリメートル、幅約１４０ミリメートル、抵抗約５０オーム（Ω）のストリップライン試験片（ｓｔｒｉｐ  ｌｉｎｅ  ｓｐｅｃｉｍｅｎ）に作製し、マイクロ波ネットワークアナライザ（装置の型番：８７２２ＥＳ、アジレントテクノロジー（Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）社より購入）、プローブ（型番：ＡＣＰ４０−２５０、Ｃａｓｃａｄｅ  Ｍｉｃｒｏｔｅｃｈ社より購入）を使用し、各試験片の１０ＧＨｚ下における信号損失を測定する。
【００４８】
下表３において、実施例１から７および比較例１から５の液晶高分子膜、ならびに市販の銅箔を圧接して形成される積層板を例とし、実施例１Ａから７Ａおよび比較例１Ａから５Ａの積層板の信号損失特性を評価する。その結果は下表３に示す通りである。
【００４９】
表３：実施例１Ａから７Ａおよび比較例１Ａから５Ａの積層板における液晶高分子膜および銅箔の関連説明、ならびにその信号損失の分析結果。
【００５０】
【表３】
0006804673.tif 000004
【００５１】
実験結果および考察
表２に示すように、実施例１から１３の液晶高分子膜における１つの表面のＲｚ／Ｒｙはいずれも０．３０から０．６２に制御されるため、この種の液晶高分子膜および各種低粗度の市販銅箔を圧接して形成される積層板（実施例１Ａから１３Ａ）は、いずれも高い引き剥がし強さを示すことができる。表３の結果のように、実施例１Ａから７Ａの積層板の測定結果を例とすると、液晶高分子膜の１つの表面のＲｚ／Ｒｙを０．３０から０．６２に制御すると、実施例１Ａから７Ａの積層板の信号損失も−３．１ｄＢ以下に制御できる。
【００５２】
さらに表２に示す結果を検討し、銅箔１を含む積層板の実験結果を比較する。比較例１から４の液晶高分子膜と比較すると、実施例１から４の液晶高分子膜はいずれも比較的高い引き剥がし強さを示す。同様に、銅箔２を含む積層板の実験結果を比較する。比較例５の液晶高分子膜と比較すると、実施例５から７の液晶高分子膜はいずれも比較的高い引き剥がし強さを示す。明らかに、本発明の液晶高分子膜を用いて積層板を調製すると、引き剥がし強さを高める効果を確実に有するため、加工が有利であり、後続で回路が脱落するような問題が発生するのを効果的に防止できる。
【００５３】
さらに、実施例１Ａから７Ａの積層板の測定結果から、液晶高分子膜の１つの表面のＲｚ／Ｒｙを０．３０から０．６２の範囲に制御し、Ｒａも０．０９μｍ以下に制御するとき、この種の液晶高分子膜を用いて銅箔と圧接すると、積層板（実施例１Ａから３Ａおよび５Ａから７Ａ）の引き剥がし強さを高める前提で、積層板の信号損失が−２．９ｄＢ以下に制御され、高い引き剥がし強さおよび低い信号損失を同時に示す積層板を提供できることがわかる。
【００５４】
上記をまとめると、本発明は液晶高分子膜の少なくとも１つの表面のＲｚ／Ｒｙを０．３０から０．６２に制御することにより、液晶高分子膜および金属箔を重ね合わせた引き剥がし強さを実際に高めることができる。このほか、液晶高分子膜の少なくとも１つの表面のＲｚ／ＲｙおよびＲａの特性を合わせて制御し、積層板の引き剥がし強さを高めることができるだけでなく、積層板の信号損失を低下させることができ、本発明の積層板はハイレベルの５Ｇ製品により適する。
【要約】
【課題】本発明は、液晶高分子膜およびこれを含む積層板に関する。
【解決手段】液晶高分子膜は相対する第１表面および第２表面を有し、該第１表面における最大高さ（Ｒｙ）に対する十点平均粗さ（Ｒｚ）の比率は０．３０から０．６２である。液晶高分子膜の少なくとも１つの表面のＲｚ／Ｒｙを制御することにより、液晶高分子膜および金属箔を重ね合わせた引き剥がし強さを高めることができ、さらにこれを含む積層板は依然として信号損失が低い利点を維持する。
【選択図】なし