(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅の化学的機械的平坦化後（Ｃｕ−ＣＭＰ後）のための水性清浄化組成物であって、
有機塩基、
銅エッチング剤、
有機リガンド、
ヒドラジド化合物である腐食防止剤、及び
水
を含み、
前記有機塩基は２００〜１２，０００ｐｐｍの濃度であり、前記銅エッチング剤は２００〜１０，０００ｐｐｍの濃度であり、前記有機リガンドは５０〜１０，０００ｐｐｍの濃度であり、及び前記腐食防止剤は１０〜５，０００ｐｐｍの濃度であり、
前記水性清浄化組成物のｐＨは９を超え、
前記有機塩基は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＥＡＨ）、トリス（２−ヒドロキシエチル）メチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＨＥＭＡＨ）、セチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（ＣＴＡＨ）、コリン、及びそれらの組合せからなる群から選択される第四級アンモニウムであり、
前記銅エッチング剤は、ピペラジン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、２−アミノ−１−ブタノール、２−アミノ−１−プロパノール、３−アミノ−１−プロパノール、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジエチレントリアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、ビシン、トリス（ヒドロキシメチル）アミノメタン（Ｔｒｉｓ）、及びそれらの組合せからなる群から選択されるＮ含有化合物であり、
前記有機リガンドは、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、２−ホスホノブタン−１，２，４−トリカルボン酸、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、２−ヒドロキシホスホノ酢酸、２−カルボキシエチルホスホン酸、ホスフィノカルボン酸ポリマー、ポリアミノポリエーテルメチレンホスホン酸、２−アミノエチルホスホン酸、Ｎ−（ホスホノメチル）イミノ二酢酸、アミノトリス（メチレンホスホン酸）、グリシン、及びスルファミン酸からなる群から選択される少なくとも１種であり、
前記ヒドラジド化合物がカルボヒドラジドであり、
前記水性清浄化組成物は、エチレンジアミンテトラ酢酸、１，３−プロピレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ′−ジコハク酸、乳酸、ポリオキシエチレン（２０）ソルビタンモノラウラート、又はＰ．Ｅ．Ｏ．ラウリルエーテルリン酸塩を含まない、組成物。
【請求項２】
前記有機塩基が４００〜１２，０００ｐｐｍの濃度である、請求項１に記載の水性清浄化組成物。
【請求項３】
前記銅エッチング剤が３００〜１０，０００ｐｐｍの濃度である、請求項１に記載の水性清浄化組成物。
【請求項４】
前記有機リガンドが１００〜１０，０００ｐｐｍの濃度である、請求項１に記載の水性清浄化組成物。
【請求項５】
前記ヒドラジド化合物は５０〜５，０００ｐｐｍの濃度である、請求項１に記載の水性清浄化組成物。
【請求項６】
式Ｈ（ＯＣＨ2ＣＨ2）nＳＲ5により表されるエトキシル化されたメルカプタンである界面活性剤をさらに含み、Ｒ5はヒドロカルビル基であり、ｎは１〜１００であり、前記界面活性剤は、少なくとも５０ｐｐｍの濃度である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の水性清浄化組成物。
【請求項７】
前記エトキシル化されたメルカプタンは、エトキシル化された第三級ドデシルメルカプタン、エトキシル化されたｎ−ドデシルメルカプタン、エトキシル化された２−フェニルエチルメルカプタン、及びそれらの組合せからなる群から選択される、少なくとも１００ｐｐｍの濃度である、請求項６に記載の水性清浄化組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水性清浄化組成物、特に集積回路プロセスにおける銅の化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）後のための水性清浄化組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
より新しい半導体デバイスは、より狭い導線幅及びより高い集積密度を有する。しかしながら、最小導線幅は０．２５μｍ以下であるが、金属導線の耐性及び誘電性渦流の静電容量のＲＣ遅れがデバイスの動作速度を遅らせていた。デバイスの動作速度を改善するために、銅線が０．１３μｍ未満の進歩したプロセスを使用して従来のアルミニウム銅合金の導線を置き換えた。該プロセスは、それにより「銅プロセス」と呼ばれる。
【０００３】
化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）は、シリカ、アルミナ、セリア又はジルコニアなどの研磨剤粒子とｐＨ緩衝剤又は酸化性物質などの化学的助剤とを、研磨剤溶液中で組み合わせて、表面材料を磨いて行う。凹凸のある表面のより高い領域はより高い圧力下にあり、したがって、より高い除去速度で磨かれるであろう。同時に、凹凸のある表面のより低い領域は、より低い圧力下にあり、したがって、より低い除去速度で磨かれるであろう。全体的な平坦化が達成される。ＣＭＰ技法を銅導線プロセスに適用することにより、銅をエッチングする難しさに基づく、ウェハ上でパターンを明確化する問題を解決することができて、研削後の全体的平坦性を有する平面を形成することもでき、それは多層の導線を構成するプロセスに役立つ。
【０００４】
ＣＭＰプロセス中に、研磨剤溶液中の微細な研磨剤粒子及び化学的助剤及びウェハの研削から生じた削り屑がウェハ表面に付着し得る。ウェハの研削後に発生した一般的汚染物質は、金属イオン、有機化合物、又は研磨剤粒子である。汚染物質を除去する効果的な清浄化手順がなくては、それに続くプロセスが攪乱されてデバイスの収率及び信頼性が低下するであろう。それ故、ＣＭＰプロセス後の清浄化手順は、ＣＭＰプロセスが半導体プロセス分野における適用に成功できるか否かの最も重要な要因となっている。
【０００５】
銅プロセスのための研磨剤溶液には、通常、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）又はその誘導体が腐食防止剤として使用される。銅プロセスによるウェハの研削後に発生する汚染物質の中で、ＢＴＡ有機残留物を除去することが最も困難である。その主な理由は、ＢＴＡ有機残留物が化学吸着により銅導線に結合することである。従来、静電的反発、超音波処理、及びＰＶＡブラッシングなどの物理的様式のみが、ＢＴＡを除去するために利用されているが、首尾はよくない。
【０００６】
さらに、アンモニア水性溶液、クエン酸水性溶液及び／又はフッ素含有化合物が、ＣＭＰプロセス後に、金属間誘電性層及びＷプラグを清浄化するために通常使用される。しかしながら、アンモニア水性溶液は、銅表面を腐食して平坦でなくして、したがって、粗くする結果をもたらす。それに加えて、クエン酸水性溶液は、銅に対して弱い溶解性を有し、したがって、汚染物質の除去速度を遅くする。フッ酸などのフッ素含有化合物は、銅表面を粗くするだけでなく、有害な化学物質であるために安全に廃棄するのに費用がかかる。それ故、上の清浄化溶液は、銅導線を有するウェハの清浄化には適当でない。
【０００７】
Ｎ含有化合物の溶液が、清浄化組成物中のアンモニアを置き換えるために提案された。Ｎａｇｈｓｈｉｎｅｈらによる米国特許第６，４９２，３０８号明細書には、Ｃ1〜Ｃ10第四級水酸化アンモニウム、極性有機アミン及び腐食防止剤を含む、銅含有集積回路のための清浄化溶液が開示されており、該特許において極性有機アミンはエタノールアミンから選択することができる。Ｋｏｌｉｃらによる米国特許出願公開第２００９／１６２５３７号明細書には、アルコールアミンなどの１種又は２種以上のアミンを有する清浄化溶液の使用を含む、銅及び誘電性ダマシン金属化層を有する基材の清浄化方法が開示されており、該出願においては、少なくとも１種のアミンが清浄化溶液を７〜１３の範囲のｐＨにすることができる。Ｃｈｅｎらによる米国特許第８，０６３，００６号明細書には、集積回路プロセスにおいて銅ウェハをＣＭＰ後に清浄化するためのＮ含有ヘテロシクロ有機塩基、アルコールアミン及び水を含む水性清浄化組成物が開示されている。しかしながら、先行技術における清浄化組成物により惹起されたウェハの表面上の粗度は改善される必要がある。特に銅導線を有するウェハについては、アミンの金属に対するエッチングを制御して、ウェハの研削後に発生する汚染物質を減少させ、ウェハ上の異なった成分を有する領域における全欠陥数を減少させることが困難である。
【０００８】
それに加えて、半導体ウェハプロセスが進行するにつれて、金属導線の幅は１４ｎｍまで狭くなり、平坦化がより困難になる。例えば、ナノ幅の導線を有するウェハの表面は、プロセス後にさらに粗になることもあり、銅導線ウェハの導通検査及び信頼性試験の結果は、導線幅が狭くなった後でさらに悪化する。それ故、銅導線ウェハの表面上の残留汚染物質を除去して、表面欠陥数の減少させることにおいて先行技術よりも効果的な清浄化組成物を開発することは重要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】米国特許第６４９２３０８号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００９／１６２５３７号明細書
【特許文献３】米国特許第８０６３００６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、残留汚染物質を効果的に除去してウェハ表面上の欠陥数を減少させることができて、同時に、ウェハの表面粗度を改善できる銅の化学的機械的平坦化後のための水性清浄化組成物を提供することにより、上の要求に傾注する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の目的は、銅の化学的機械的平坦化後（ＣｕＣＭＰ後）のための、有機塩基、銅エッチング剤、有機リガンド、腐食防止剤、及び水を含む水性清浄化組成物であって、腐食防止剤はヒドラジド化合物であり、有機塩基は少なくとも２００ｐｐｍの濃度であり、銅エッチング剤は少なくとも２００ｐｐｍの濃度であり、有機リガンドは少なくとも５０ｐｐｍの濃度であり、及び腐食防止剤は少なくとも１０ｐｐｍの濃度である組成物を提供することである。場合により、水性清浄化組成物は界面活性剤をさらに含んでもよい。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の目的、技術的特徴及び利点を例示するために、本発明を、幾つかの実施形態により詳細に説明することにする。
【００１３】
この後で、本発明の幾つかの実施形態を詳細に説明する。しかしながら、本発明の精神から逸脱せずに、本発明は、種々の実施形態において具体化することができて、本明細書に記載された実施形態に限定されるべきではない。さらに、追加の説明がない限り、本発明の本明細書における（特に請求項における）表現「ａ」、又は「ｔｈｅ」等は、単数及び複数形の両方を含むものとする。
【００１４】
本発明者らは、研究を実施して、銅のＣＭＰ後の清浄化手順において、有機塩基、銅エッチング剤、有機リガンド、及び腐食防止剤（ヒドラジド化合物）を組み合わせると、汚染物質を除去する望ましい速度を得て、効果的にウェハ表面上の欠陥数を減少させ、ウェハの表面粗度を改善することができることを見出した。
【００１５】
それ故、本発明は、有機塩基、銅エッチング剤、有機リガンド、腐食防止剤及び水を含む水性清浄化組成物であって、有機塩基は２００ｐｐｍ〜１２，０００ｐｐｍの濃度であり、銅エッチング剤は２００ｐｐｍ〜１０，０００ｐｐｍの濃度であり、有機リガンドは５０ｐｐｍ〜１０，０００ｐｐｍの濃度であり、及び腐食防止剤１０ｐｐｍ〜５，０００ｐｐｍの濃度である組成物を提供する。
【００１６】
理論に制限されず、本発明の清浄化組成物において、清浄化組成物の塩基性を調節するために使用される有機塩基は、ＣＭＰプロセスで使用される研磨剤粒子とウェハ表面とが効果的な負の静電的反発を保ち、したがって、研磨剤粒子が十分に除去されることを確実にすると一般的に考えられる。有機塩基は、穏やかな金属エッチング効果を提供することもできる。それに加えて、銅プロセスに対して、有機塩基は、アンモニアを使用したときに出合うような粗な銅表面に曝されない。一般的に、有用な有機塩基は第四級アンモニウムである。第四級アンモニウムの例は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＥＡＨ）、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド（ＴＰＡＨ）、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）、トリス（２−ヒドロキシエチル）メチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＨＥＭＡＨ）、セチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（ＣＴＡＨ）、コリン、及びそれらの組合せからなる群から選択することができるが、これらに限定されない。以下の実施例において、例示される有機塩基は、ＴＭＡＨ、ＴＥＡＨ、ＴＨＥＭＡＨ、ＣＴＡＨ及びコリンである。
【００１７】
本発明の水性清浄化組成物を実際に使用するときには、有機塩基は通常２００ｐｐｍ〜１２，０００ｐｐｍ、好ましくは４００ｐｐｍ〜６，０００ｐｐｍの濃度であり、組成物の塩基性を調節する効果を提供する。しかしながら、製造、輸送及び貯蔵のコストを低下させるために、水性清浄化組成物の製造者は、通常、該組成物を濃縮された溶液として提供する。使用者は、濃縮された溶液を望ましい濃度に希釈することができる。それ故、本発明の水性清浄化組成物は、濃縮された形態で提供されて使用前に所望の濃度に希釈できる。したがって、本発明の水性清浄化組成物中の有機塩基は、少なくとも２００ｐｐｍ、及び好ましくは、少なくとも４００ｐｐｍの濃度である。
【００１８】
本発明の水性清浄化組成物は、銅エッチング剤も使用し、それは通常ヘテロシクロアミン、アルコールアミンなどのＮ含有化合物であってよい。理論によっては限定されず、ヘテロシクロアミンが使用されるとき、ヘテロシクロアミンのヘテロシクロ環中における窒素原子の非共有電子対は、金属原子（銅などの）と配位結合を形成し、それ故、研磨剤粒子を除去する所望の効果を提供するだけでなく、金属導線から逃れた有機汚染物質が再び化学吸着することを防止すると考えられる。その上、アルコールアミンが使用される場合、それも金属表面を一様にエッチングして、エッチングされた金属導線の粗度を悪化させない。本発明で使用される銅エッチング剤の例は、ピペラジン、１−（２−アミノエチル）ピペラジン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、２−（１−ピペラジニル）エタノール、２−（１−ピペラジニル）エチルアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール、２−アミノ−１−ブタノール、２−アミノ−１−プロパノール、２−アミノエタノール、２−ジメチルアミノエタノール、２−（Ｎ−メチルアミノ）エタノール、３−アミノ−１−プロパノール、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジエチレントリアミン、ジイソプロパノールアミン、イソプロパノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、ジグリコールアミン（ＤＧＡ）、ビシン、トリシン、トリス（ヒドロキシメチル）アミノメタン（Ｔｒｉｓ）、及びそれらの組合せからなる群から選択することができるが、これらに限定されない。以下の実施例において、例示される銅エッチング剤は、ピペラジン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、２−アミノ−１−ブタノール、２−アミノ−１−プロパノール、３−アミノ−１−プロパノール、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジエチレントリアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、ビシン、及びＴｒｉｓから選択することができる。
【００１９】
実際に使用される本発明の水性清浄化組成物中の銅エッチング剤は、一般的に２００ｐｐｍ〜１０，０００ｐｐｍ、及び好ましくは、３００ｐｐｍ〜５，０００ｐｐｍの濃度である。上記のように、本発明の水性清浄化組成物は、濃縮された形態で提供されて、使用前に所望の濃度に希釈することができる。それ故、本発明の水性清浄化組成物中に含有される銅エッチング剤は、少なくとも２００ｐｐｍ、及び好ましくは、少なくとも３００ｐｐｍの濃度である。
【００２０】
その上、本発明の清浄化組成物は有機リガンドも含む。本明細書における「有機リガンド」は、ＣＭＰプロセス後のウェハ上におけるＢＴＡなどの残留物に化学吸着又は結合し得る有機物質（単数又は複数）を意味する。理論により限定されず、有機リガンドは、ＢＴＡなどの有機物質の飽和溶解度を増大させて、清浄化効果を改善することができると一般的に考えられる。本発明の清浄化組成物に適した有機リガンドの例は、通常、ホスホン酸、カルボン酸、及びそれらの組合せを含む。ホスホン酸の例は、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（ＤＴＰＭＰ）、２−ホスホノブタン−１，２，４−トリカルボン酸（ＰＢＴＣＡ）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（ＨＤＴＭＰ）、２−ヒドロキシホスホノ酢酸（ＨＰＡＡ）、２−カルボキシエチルホスホン酸（ＣＥＰＡ）、ホスフィノカルボン酸ポリマー（ＰＣＡ）、ポリアミノポリエーテルメチレンホスホン酸（ＰＡＰＥＭＰ）、２−アミノエチルホスホン酸（ＡＥＰｎ）、Ｎ−（ホスホノメチル）イミノ二酢酸（ＰＭＩＤＡ）、アミノトリス（メチレンホスホン酸）（ＡＴＭＰ）、及びそれらの組合せからなる群から選択することができるが、これらに限定されない。カルボン酸の例は、グリシン、スルファミン酸、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）、クエン酸、Ｌ−システイン、グリコール酸、グリオキシル酸、及びそれらの組合せからなる群から選択することができるが、これらに限定されない。
【００２１】
実際の使用においては、本発明の水性清浄化組成物に含有される有機リガンドは、一般的に５０ｐｐｍ〜１０，０００ｐｐｍ及び好ましくは１００ｐｐｍ〜５，０００ｐｐｍの濃度である。上記のように、本発明の水性清浄化組成物は、濃縮された形態で提供されて使用前に所望の濃度に希釈することができる。それ故、本発明の水性清浄化組成物中の有機リガンドは、少なくとも５０ｐｐｍ、好ましくは少なくとも１００ｐｐｍの濃度である。
【００２２】
本発明の組成物において有用なもう１つの成分は、腐食防止剤のＮ−Ｎ共有結合を有し、且つ４個の置換基の少なくとも１つの置換基がアシルであるヒドラジド化合物である。一般的に、ヒドラジド化合物は以下の式を有する。
【化１】
0006751015.tif 000002
（式中、
Ｒ2及びＲ3は独立にＨであり、
Ｒ1及びＲ4は、独立に、Ｈ、−ＮＨＮＨ2、−Ｃ（Ｏ）ＮＨＮＨ2、Ｃ1〜Ｃ8アルキル、Ｃ1〜Ｃ8アルコキシ、−（ＣＨ2）nＣＮ、−（ＣＨ2）nＣ（Ｏ）ＮＨＮＨ2、−（ＣＨ2）nＣ（Ｏ）Ｏ（ＣＨ2）n、−ＮＨＮＨＣ6Ｈ5、−（ＣＨ2）nＣ6Ｈ5、−Ｃ6Ｈ5、−Ｃ10Ｈ7であり、ここで−Ｃ6Ｈ5及び−Ｃ10Ｈ7は非置換であるか又はハロゲン、ヒドロキシル、アミノ、−ＮＯ2、Ｃ1〜Ｃ4アルキル、及びＣ1〜Ｃ4アルコキシからなる群から選択される１つ又は２つ以上の置換基により独立に置換されており、及びｎは１〜３である）。好ましくは、Ｒ1はＨ又は−ＮＨＮＨ2であり、Ｒ4はＨである。本発明の幾つかの実施形態により、カルボヒドラジドが、本発明の組成物中で腐食防止剤として使用される。
【００２３】
理論により限定されず、ヒドラジド化合物から選択される腐食防止剤は、ウェハ表面の金属層を保護して及び金属層の清浄化溶液中への溶解を防止することができて、したがって、ウェハ表面における欠陥数の減少及び許容できる粗度の維持に役立つと一般的に考えられる。
【００２４】
実用的な使用において、本発明の水性清浄化組成物に含有されるヒドラジド化合物は、一般的に１０ｐｐｍ〜５，０００ｐｐｍ及び好ましくは５０ｐｐｍ〜２，５００ｐｐｍの濃度である。上記のように、本発明の水性清浄化組成物は濃縮された形態で提供されて使用前に所望の濃度に希釈することができる。それ故、本発明の水性清浄化組成物に含有されるヒドラジド化合物は、少なくとも１０ｐｐｍ、及び好ましくは、少なくとも５０ｐｐｍの濃度である。
【００２５】
有機塩基、銅エッチング剤、有機リガンド、及び腐食防止剤に加えて、本発明の清浄化組成物は、場合により界面活性剤をさらに含んでもよい。
【００２６】
理論により限定されず、上記界面活性剤は、清浄化中にウェハ表面の適切な加湿を提供することができると考えられる。本発明の組成物中で使用される界面活性剤は、式Ｈ（ＯＣＨ2ＣＨ2）nＳＲ5により表されるエトキシル化されたメルカプタンであり、Ｒ5はヒドロカルビル基であり、ｎは１〜１００である。「ヒドロカルビル基」は、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、アリール基、アリールアルキル基及びアルカリール基であってよいが、これらに限定されず、上記の基は、分岐していても、直鎖であっても、置換されていても又は非置換であってもよい。上の式において、Ｒ5は、好ましくはＣ1〜Ｃ30アルキル、Ｃ2〜Ｃ30アルケニル、Ｃ2〜Ｃ30アルキニル、Ｃ3〜Ｃ30シクロアルキル、Ｃ5〜Ｃ30アリール、Ｃ6〜Ｃ30アリールアルキル又はＣ6〜Ｃ30アルカリールであり、ｎは４〜２０であることが好ましい。より好ましくは、Ｒ5は、Ｃ6〜Ｃ18アルキル又はＣ6〜Ｃ18アリールアルキルであり、ｎは４〜１２である。
【００２７】
本発明の清浄化組成物に適当な界面活性剤の例は、エトキシル化された第三級ドデシルメルカプタン、エトキシル化されたｎ−ドデシルメルカプタン、エトキシル化された２−フェニルエチルメルカプタン、及びそれらの組合せからなる群から選択することができるが、これらに限定されない。本発明の組成物に適当な界面活性剤の市販で入手できる製品は、Ｓｈｉｂｌｅｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ（オハイオ州、Ｅｌｙｒｉａ）からのＡｌｃｏｄｅｔ  ２６０、Ａｌｃｏｄｅｔ  ＳＫ及びＡｌｃｏｄｅｔ  ２１８などである。以下の実施例において、例示される界面活性剤はＡｌｃｏｄｅｔ  ２１８である。本発明の水性清浄化組成物に含有される界面活性剤は、実際の使用において一般的に５０ｐｐｍ〜３，０００ｐｐｍ、及び好ましくは、１００ｐｐｍ〜１，０００ｐｐｍの濃度である。
【００２８】
それに加えて、本発明の水性清浄化組成物のｐＨ値は、好ましくは９を超え、より好ましくは１０を超える。
【００２９】
本発明の清浄化組成物は、室温未満で使用することができる。例えば、本発明の清浄化組成物と銅半導体ウェハとが、ウェハの表面の汚染物質を除去して、銅導線の望ましい表面粗度を維持するために効果的な時間接触させられる。一般的に、使用される濃度が低いほど、長い接触時間（１〜３分）が必要であり、使用される濃度が高いほど、必要な接触時間は短い（１分未満）。使用者は、実際の使用において、必要に応じて時間を調節することができる。
【００３０】
本発明の水性清浄化組成物を実際に使用するとき、本発明の清浄化組成物は、平坦化されたウェハ表面を清浄化するためのＣＭＰ作業台で使用することができ、平坦化されたウェハ表面を清浄化するための別の清浄化作業台で使用することもできる。
【００３１】
以下の例で、本発明をさらに例示するが、本発明の範囲を限定することは意図されない。当業者により容易に達成される如何なる改変及び変更も本発明の範囲内に包含される。
【実施例】
【００３２】
表１のリストに挙げた有機リガンドは、主としてＳｈａｎｄｏｎｇ  Ｔａｉｈｅ  Ｗａｔｅｒ  Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ  Ｃｏ．，Ｌｔｄ（中国）から入手可能であり、他の化学物質は、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ、Ａｌｆａ  Ａｅｓａｒ、ＭＥＲＣＫ、Ｓｈｏｗａ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ、Ｔｏｋｙｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ（ＴＣＩ）から９９％を超える純度で入手できる。
【００３３】
【表１】
0006751015.tif 000003
【００３４】
界面活性剤Ａｌｃｏｄｅｔ  ２１８は、Ｒｈｏｄａｉ（米国）により供給され、その組成物はエトキシル化されたドデシルメルカプタン（ＣＡＳ．ＮＯ．：９００４−８３−５）である。
【００３５】
清浄化組成物は、表２のリストに挙げた成分及び量にしたがって調製した。これらの例において、ブランケット銅ウェハは、ＳＫＷ  Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ社（米国）から厚さ１．５μｍの銅フィルムとして購入した。ブランケットＴＥＯＳウェハは、ＳＶＴＣ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社（米国）から、厚さ１．０μｍのフィルムとして購入した。
【００３６】
ブランケット銅ウェハを、Ｃａｂｏｔ  Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社（米国）製のＣ８９０８銅スラリーを使用して２０秒間磨き、次に該銅フィルムをＣａｂｏｔ  Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社（米国）製のＢ７６０１バリアスラリーを使用して６０秒間磨いて、０．２μｍの厚さだけ除去した。次に、研磨剤溶液で汚染されたブランケット銅ウェハを、Ｅｎｔｒｅｐｉｘ社（米国）によるＯｎＴｒａｋ清浄化プラットホーム上に置いて、以下の表のリストに挙げた組成物を使用して清浄化した。ブランケットＴＥＯＳウェハは、Ｃａｂｏｔ  Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社（米国）製のＢ７６０１バリアスラリーを使用して６０秒間磨き、ＴＥＯＳフィルムを３００〜１，０００オングストロームの厚さだけ除去した。次に、研磨剤溶液で汚染されたブランケットＴＥＯＳウェハをＥｎｔｒｅｐｉｘ社（米国）によるＯｎＴｒａｋ清浄化プラットホーム上に置いて次の表のリストに挙げた組成物を使用して清浄化した。清浄化時間は、１５００ｍＬ／分の清浄化組成物の流速で２分継続した。清浄化後、表面粗度を原子間力顕微鏡法（ＡＦＭ）で測定し、表面欠陥数をＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ  ＳＰ１で測定した。結果を表２に示す。
【００３７】
【表２】
0006751015.tif 000004
【００３８】
【表３】
0006751015.tif 000005
【００３９】
【表４】
0006751015.tif 000006
【００４０】
【表５】
0006751015.tif 000007
【００４１】
【表６】
0006751015.tif 000008
【００４２】
表２は、特定の有機塩基、銅エッチング剤、有機リガンド、及び腐食防止剤を組み合わせた組成物（実施例１〜３７）は、一般的に、他の成分を含む組成物（比較例Ｌ〜Ｔ）又はある１種の成分を含まない組成物（比較例Ａ〜Ｇ及びＫ）より効果的に種々の欠陥を排除し得ることを示す。その上、ある界面活性剤を添加すると、銅ウェハ欠陥数をさらに減少させることができる（実施例３８及び比較例Ｕ及びＶ）。
【００４３】
上の例は、本発明の好ましい実施形態を例示するために使用されたが、本発明を限定することは意図しない。本明細書及び請求項の開示による如何なる簡単な改変及び変更も、本発明の範囲内に包含される。