(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサと、
前記プロセッサに内蔵又は接続されたメモリと、を備え、
外部通信装置との間で非接触通信を行う非接触式通信媒体であって、
前記メモリは、前記非接触式通信媒体が搭載される磁気テープカートリッジのスペックに応じて定まる情報が記憶される記憶ブロックを有し、
前記記憶ブロックは、前記非接触式通信媒体を特定可能な識別子を記憶する識別子記憶フィールドを有し、
前記プロセッサは、
前記非接触通信が行われることによって前記外部通信装置から前記非接触式通信媒体に与えられた前記識別子を前記識別子記憶フィールドに書き込み、
前記非接触通信が行われることによって前記外部通信装置から前記非接触式通信媒体に与えられた特定コマンドに従って、前記識別子記憶フィールドをロックするロック処理を行い、
外部から与えられた指示に従って、前記ロック処理を許可することを示すフラグのオンとオフとを切り替える
非接触式通信媒体。
【請求項２】
前記ロック処理は、前記記憶ブロックをロックすることで前記識別子記憶フィールドをロックする処理である請求項１に記載の非接触式通信媒体。
【請求項３】
前記記憶ブロックは、前記プロセッサによって前記ロック処理が行われることで読取専用ブロックとなる請求項２に記載の非接触式通信媒体。
【請求項４】
前記プロセッサは、前記ロック処理が実行される前段階で前記識別子記憶フィールドに前記識別子が記憶されている場合、前記非接触通信が行われることによって前記外部通信装置から前記非接触式通信媒体に与えられた指示に従って、前記識別子記憶フィールド内の前記識別子を変更する請求項１から請求項３の何れか一項に記載の非接触式通信媒体。
【請求項５】
前記プロセッサは、
前記特定コマンドに従って、前記メモリに記憶されている前記識別子を含む情報についての誤り検出符号を前記メモリに対して記憶させ、
前記誤り検出符号が前記メモリに記憶されたことを条件に前記ロック処理を行う請求項１から請求項４の何れか一項に記載の非接触式通信媒体。
【請求項６】
前記記憶ブロックは、前記識別子記憶フィールド、前記識別子を含む情報についての誤り検出用の符号が記憶される誤り検出符号記憶フィールド、前記メモリの記憶容量に関する情報が記憶される記憶容量関連情報記憶フィールド、及び前記非接触式通信媒体の型式に関する情報が記憶される型式関連情報記憶フィールドを有するブロックである請求項１から請求項５の何れか一項に記載の非接触式通信媒体。
【請求項７】
前記ロック処理は、前記磁気テープカートリッジの製造が終了する段階、前記磁気テープカートリッジの検品が終了する段階、又は、前記磁気テープカートリッジが出荷される段階で行われる請求項１から請求項６の何れか一項に記載の非接触式通信媒体。
【請求項８】
請求項１から請求項７の何れか一項に記載の非接触式通信媒体と、
磁気テープと、を備え、
前記メモリは、前記磁気テープに関する管理情報を記憶している
磁気テープカートリッジ。
【請求項９】
プロセッサに内蔵又は接続されたメモリを備え、外部通信装置との間で非接触通信を行う非接触式通信媒体の動作方法であって、
前記メモリは、前記非接触式通信媒体が搭載される磁気テープカートリッジのスペックに応じて定まる情報が記憶される記憶ブロックを有し、
前記記憶ブロックは、前記非接触式通信媒体を特定可能な識別子を記憶する識別子記憶フィールドを有し、
前記非接触通信が行われることによって前記外部通信装置から前記非接触式通信媒体に与えられた前記識別子を前記識別子記憶フィールドに書き込むこと、
前記非接触通信が行われることによって前記外部通信装置から前記非接触式通信媒体に与えられた特定コマンドに従って、前記識別子記憶フィールドをロックするロック処理を行うこと、及び、
外部から与えられた指示に従って、前記ロック処理を許可することを示すフラグのオンとオフとを切り替えることを含む、
非接触式通信媒体の動作方法。
【請求項１０】
プロセッサに内蔵又は接続されたメモリを備え、外部通信装置との間で非接触通信を行う非接触式通信媒体に対して適用されるコンピュータに処理を実行させるためのプログラムであって、
前記メモリは、前記非接触式通信媒体が搭載される磁気テープカートリッジのスペックに応じて定まる情報が記憶される記憶ブロックを有し、
前記記憶ブロックは、前記非接触式通信媒体を特定可能な識別子を記憶する識別子記憶フィールドを有し、
前記処理は、
前記非接触通信が行われることによって前記外部通信装置から前記非接触式通信媒体に与えられた前記識別子を前記識別子記憶フィールドに書き込むこと、
前記非接触通信が行われることによって前記外部通信装置から前記非接触式通信媒体に与えられた特定コマンドに従って、前記識別子記憶フィールドをロックするロック処理を行うこと、及び、
外部から与えられた指示に従って、前記ロック処理を許可することを示すフラグのオンとオフとを切り替えることを含む
プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の技術は、非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、記録媒体カートリッジ用のカートリッジメモリが開示されている。特許文献１に記載のカートリッジメモリは、メモリ部及び容量設定部を備えている。特許文献１に記載のカートリッジメモリにおいて、メモリ部は、第１のデータトラック数よりも多い第２のデータトラック数で情報を記録可能に構成された第２の情報記録媒体に関する管理情報を格納することが可能なメモリ容量を有する。容量設定部は、第１のデータトラック数で情報を記録可能に構成された第１の情報記録媒体に関する管理情報を格納することが可能な第１の容量に制限されたデータ格納領域をメモリ部に設定することが可能に構成されている。また、容量設定部は、第１の容量に制限されたデータ格納領域を、第２の情報記録媒体に関する管理情報を格納することが可能な第２の容量に拡張することが可能に構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１９／１９３８２９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ＬＴＯ（Ｌｉｎｅａｒ  Ｔａｐｅ  Ｏｐｅｎ）及びＩＢＭ３５９２等のように磁気テープカートリッジの規格が異なっていたとしても、互いに同じ仕様であるために、ＬＴＯの生産工程及びＩＢＭ３５９２の生産工程に対して、共通の情報が格納されたカートリッジメモリが投入可能な場合がある。
【０００５】
しかし、カートリッジメモリを磁気テープカートリッジに組み込む前段階で、カートリッジメモリがＬＴＯ及びＩＢＭ３５９２に共用可能な場合であったとしても、カートリッジメモリの製造時に、カートリッジメモリのベンダによって決められた識別子（例えば、製造用シリアルナンバー）をＬＴＯとＩＢＭ３５９２とで分け合うことなる。
【０００６】
通常、磁気テープカートリッジに組み込む前段階において、カートリッジメモリに格納されている識別子は、書き換え不可の状態で固定されているため、磁気テープカートリッジのベンダによって書き換えることはできない。また、識別子は、通し番号であり、かつ、桁数は有限であるため、識別子を異なる規格の磁気テープカートリッジに分け与えることになると、識別子として用いられる通し番号が不足してしまう。
【０００７】
本開示の技術に係る一つの実施形態は、磁気テープカートリッジのベンダが決めた識別子を、磁気テープカートリッジのベンダが意図するタイミングで固定することができる非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の技術に係る第１の態様は、プロセッサと、プロセッサに内蔵又は接続されたメモリと、を備え、外部通信装置との間で非接触通信を行う非接触式通信媒体であって、メモリが、非接触式通信媒体が搭載される磁気テープカートリッジのスペックに応じて定まる情報が記憶される記憶ブロックを有し、記憶ブロックが、非接触式通信媒体を特定可能な識別子を記憶する識別子記憶フィールドを有し、プロセッサが、非接触通信が行われることによって外部通信装置から非接触式通信媒体に与えられた識別子を識別子記憶フィールドに書き込み、非接触通信が行われることによって外部通信装置から非接触式通信媒体に与えられた特定コマンドに従って、識別子記憶フィールドをロックするロック処理を行う非接触式通信媒体である。
【０００９】
本開示の技術に係る第２の態様は、ロック処理が、記憶ブロックをロックすることで識別子記憶フィールドをロックする処理である第１の態様に係る非接触式通信媒体である。
【００１０】
本開示の技術に係る第３の態様は、記憶ブロックが、プロセッサによってロック処理が行われることで読取専用ブロックとなる第２の態様に係る非接触式通信媒体である。
【００１１】
本開示の技術に係る第４の態様は、プロセッサが、ロック処理が実行される前段階で識別子記憶フィールドに識別子が記憶されている場合、非接触通信が行われることによって外部通信装置から非接触式通信媒体に与えられた指示に従って、識別子記憶フィールド内の識別子を変更する第１の態様から第３の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。
【００１２】
本開示の技術に係る第５の態様は、プロセッサが、特定コマンドに従って、メモリに記憶されている識別子を含む情報についての誤り検出符号をメモリに対して記憶させ、誤り検出符号がメモリに記憶されたことを条件にロック処理を行う第１の態様から第４の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。
【００１３】
本開示の技術に係る第６の態様は、記憶ブロックが、識別子記憶フィールド、識別子を含む情報についての誤り検出用の符号が記憶される誤り検出符号記憶フィールド、メモリの記憶容量に関する情報が記憶される記憶容量関連情報記憶フィールド、及び非接触式通信媒体の型式に関する情報が記憶される型式関連情報記憶フィールドを有するブロックである第１の態様から第５の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。
【００１４】
本開示の技術に係る第７の態様は、プロセッサが、外部から与えられた指示に従って、ロック処理を許可することを示すフラグのオンとオフとを切り替える第１の態様から第６の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。
【００１５】
本開示の技術に係る第８の態様は、ロック処理が、磁気テープカートリッジの製造が終了する段階、磁気テープカートリッジの検品が終了する段階、又は、磁気テープカートリッジが出荷される段階で行われる第１の態様から第７の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。
【００１６】
本開示の技術に係る第９の態様は、第１の態様から第８の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体と、磁気テープと、を備え、メモリが、磁気テープに関する管理情報を記憶している磁気テープカートリッジである。
【００１７】
本開示の技術に係る第１０の態様は、プロセッサに内蔵又は接続されたメモリを備え、外部通信装置との間で非接触通信を行う非接触式通信媒体の動作方法であって、メモリが、非接触式通信媒体が搭載される磁気テープカートリッジのスペックに応じて定まる情報が記憶される記憶ブロックを有し、記憶ブロックが、非接触式通信媒体を特定可能な識別子を記憶する識別子記憶フィールドを有し、非接触通信が行われることによって外部通信装置から非接触式通信媒体に与えられた識別子を識別子記憶フィールドに書き込むこと、及び、非接触通信が行われることによって外部通信装置から非接触式通信媒体に与えられた特定コマンドに従って、識別子記憶フィールドをロックするロック処理を行うことを含む、非接触式通信媒体の動作方法である。
【００１８】
本開示の技術に係る第１１の態様は、プロセッサに内蔵又は接続されたメモリを備え、外部通信装置との間で非接触通信を行う非接触式通信媒体に対して適用されるコンピュータに処理を実行させるためのプログラムであって、メモリが、非接触式通信媒体が搭載される磁気テープカートリッジのスペックに応じて定まる情報が記憶される記憶ブロックを有し、記憶ブロックが、非接触式通信媒体を特定可能な識別子を記憶する識別子記憶フィールドを有し、処理が、非接触通信が行われることによって外部通信装置から非接触式通信媒体に与えられた識別子を識別子記憶フィールドに書き込むこと、及び、非接触通信が行われることによって外部通信装置から非接触式通信媒体に与えられた特定コマンドに従って、識別子記憶フィールドをロックするロック処理を行うことを含むプログラムである。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】磁気テープカートリッジの外観の一例を示す概略斜視図である。
【図２】磁気テープカートリッジの下ケースの内側の右後端部の構造の一例を示す概略斜視図である。
【図３】磁気テープカートリッジの下ケースの内面に設けられた支持部材の一例を示す側面視断面図である。
【図４】磁気テープドライブのハードウェア構成の一例を示す概略構成図である。
【図５】磁気テープカートリッジの下側から非接触式読み書き装置によって磁界が放出されている態様の一例を示す概略斜視図である。
【図６】磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリに対して非接触式読み書き装置から磁界が付与されている態様の一例を示す概念図である。
【図７】磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの基板の裏面の構造の一例を示す概略底面図である。
【図８】磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの基板の表面の構造の一例を示す概略平面図である。
【図９】磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの回路構成の一例を示す概略回路図である。
【図１０】磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリに搭載されているＩＣチップのコンピュータのハードウェア構成の一例を示すブロック図である。
【図１１】ＣＭ属性情報記憶ブロックの概略構成の一例を示すブロック図である。
【図１２】ＣＭ属性情報記憶ブロック内のスペック依存記憶フィールドの概略構成の一例を示すブロック図である。
【図１３】カートリッジメモリのＣＰＵによって書込制御プログラムが実行されることで実現されるＣＰＵの要部機能の一例を示すブロック図である。
【図１４】書込部の大まかな処理内容の一例を示すブロック図である。
【図１５】書込部によって識別子が識別子記憶フィールドに書き込まれる態様の一例を示すブロック図である。
【図１６】書込部によって誤り検出符号が誤り検出符号記憶フィールドに書き込まれ、書込部によって記憶容量関連情報が記憶容量関連情報記憶フィールドに書き込まれ、書込部によって型式関連情報が型式関連情報記憶フィールドに書き込まれる態様の一例を示すブロック図である。
【図１７】書込部によってスペック非依存情報がスペック非依存記憶フィールドに書き込まれる態様の一例を示すブロック図である。
【図１８】ロック部によってＣＭ属性情報記憶ブロックがロックされる態様の一例を示すブロック図である。
【図１９】書込制御処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【図２０】書込部、ロック部、及び切替部の処理内容の一例を示すブロック図である。
【図２１】書込制御処理の流れの第１変形例を示すフローチャートである。
【図２２】書込制御処理の流れの第２変形例を示すフローチャートである。
【図２３】書込制御処理プログラムが記憶されている記憶媒体からコンピュータに書込制御処理プログラムがインストールされる態様の一例を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、添付図面に従って本開示の技術に係る非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラムの実施形態の一例について説明する。
【００２１】
先ず、以下の説明で使用される文言について説明する。
【００２２】
ＣＰＵとは、“Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ”の略称を指す。ＲＡＭとは、“Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＮＶＭとは、“Ｎｏｎ−Ｖｏｌａｔｉｌｅ  Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＲＯＭとは、“Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＥＥＰＲＯＭとは、“Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｅｒａｓａｂｌｅ  ａｎｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＳＳＤとは、“Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｄｒｉｖｅ”の略称を指す。ＵＳＢとは、“Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｓｅｒｉａｌ  Ｂｕｓ”の略称を指す。ＡＳＩＣとは、“Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ”の略称を指す。ＰＬＤとは、“Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅ”の略称を指す。ＦＰＧＡとは、“Ｆｉｅｌｄ−Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙ”の略称を指す。ＳｏＣとは、“Ｓｙｓｔｅｍ−ｏｎ−ａ−ｃｈｉｐ”の略称を指す。ＩＣとは、“Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ”の略称を指す。ＲＦＩＤとは、“ｒａｄｉｏ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ”の略称を指す。ＬＴＯとは、“Ｌｉｎｅａｒ  Ｔａｐｅ−Ｏｐｅｎ”の略称を指す。ＣＭとは、“Ｃａｒｔｒｉｄｇｅ  Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。
【００２３】
以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の磁気テープドライブ３０（図４参照）への装填方向を矢印Ａで示し、矢印Ａ方向を磁気テープカートリッジ１０の前方向とし、磁気テープカートリッジ１０の前方向の側を磁気テープカートリッジ１０の前側とする。以下に示す構造の説明において、「前」とは、磁気テープカートリッジ１０の前側を指す。
【００２４】
また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、矢印Ａ方向と直交する矢印Ｂ方向を右方向とし、磁気テープカートリッジ１０の右方向の側を磁気テープカートリッジ１０の右側とする。以下に示す構造の説明において、「右」とは、磁気テープカートリッジ１０の右側を指す
【００２５】
また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、矢印Ａ方向及び矢印Ｂ方向と直交する方向を矢印Ｃで示し、矢印Ｃ方向を磁気テープカートリッジ１０の上方向とし、磁気テープカートリッジ１０の上方向の側を磁気テープカートリッジ１０の上側とする。以下に示す構造の説明において、「上」とは、磁気テープカートリッジ１０の上側を指す。
【００２６】
また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の前方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１０の後方向とし、磁気テープカートリッジ１０の後方向の側を磁気テープカートリッジ１０の後側とする。以下に示す構造の説明において、「後」とは、磁気テープカートリッジ１０の後側を指す。
【００２７】
また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の上方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１０の下方向とし、磁気テープカートリッジ１０の下方向の側を磁気テープカートリッジ１０の下側とする。以下に示す構造の説明において、「下」とは、磁気テープカートリッジ１０の下側を指す。
【００２８】
また、以下の説明では、磁気テープカートリッジ１０の規格としてＬＴＯを例に挙げて説明するが、これはあくまでも一例に過ぎず、ＩＢＭ３５９２等の他の規格であってもよい。
【００２９】
一例として図１に示すように、磁気テープカートリッジ１０は、平面視略矩形であり、かつ、箱状のケース１２を備えている。ケース１２は、ポリカーボネート等の樹脂製であり、上ケース１４及び下ケース１６を備えている。上ケース１４及び下ケース１６は、上ケース１４の下周縁面と下ケース１６の上周縁面とを接触させた状態で、溶着（例えば、超音波溶着）及びビス止めによって接合されている。接合方法は、溶着及びビス止めに限らず、他の接合方法であってもよい。
【００３０】
ケース１２の内部には、カートリッジリール１８が回転可能に収容されている。カートリッジリール１８は、リールハブ１８Ａ、上フランジ１８Ｂ１、及び下フランジ１８Ｂ２を備えている。リールハブ１８Ａは、円筒状に形成されている。リールハブ１８Ａは、カートリッジリール１８の軸心部であり、軸心方向がケース１２の上下方向に沿っており、ケース１２の中央部に配置されている。上フランジ１８Ｂ１及び下フランジ１８Ｂ２の各々は円環状に形成されている。リールハブ１８Ａの上端部には上フランジ１８Ｂ１の平面視中央部が固定されており、リールハブ１８Ａの下端部には下フランジ１８Ｂ２の平面視中央部が固定されている。リールハブ１８Ａの外周面には、磁気テープＭＴが巻き回されており、磁気テープＭＴの幅方向の端部は上フランジ１８Ｂ１及び下フランジ１８Ｂ２によって保持されている。
【００３１】
ケース１２の右壁１２Ａの前側には、開口１２Ｂが形成されている。磁気テープＭＴは、開口１２Ｂから引き出される。
【００３２】
一例として図２に示すように、下ケース１６の右後端部には、カートリッジメモリ１９が収容されている。カートリッジメモリ１９は、本開示の技術に係る「非接触式通信媒体」の一例である。本実施形態では、いわゆるパッシブ型のＲＦＩＤタグがカートリッジメモリ１９として採用されている。
【００３３】
カートリッジメモリ１９には、磁気テープＭＴに関する情報（図示省略）が記憶されている。磁気テープＭＴに関する情報とは、例えば、磁気テープカートリッジ１０を管理する管理情報（図示省略）を指す。管理情報には、例えば、カートリッジメモリ１９に関する情報、磁気テープカートリッジ１０を特定可能な情報、磁気テープＭＴの記録容量、磁気テープＭＴに記録されている情報（以下、「記録情報」とも称する）の概要、記録情報の項目、及び記録情報の記録形式等を示す情報が含まれている。
【００３４】
カートリッジメモリ１９は、外部通信装置（図示省略）との間で非接触通信を行う。外部通信装置としては、例えば、磁気テープカートリッジ１０の生産工程で使用される読み書き装置、及び、磁気テープドライブ（例えば、図４に示す磁気テープドライブ３０）内で使用される読み書き装置（例えば、図４〜図６に示す非接触式読み書き装置５０）が挙げられる。
【００３５】
外部通信装置は、カートリッジメモリ１９に対して、非接触式で各種情報の読み書きを行う。詳しくは後述するが、カートリッジメモリ１９は、外部通信装置から与えられた磁界に対して電磁的に作用することで電力を生成する。そして、カートリッジメモリ１９は、生成した電力を用いて作動し、磁界を介して外部通信装置と通信を行うことで外部通信装置との間で各種情報の授受を行う。
【００３６】
一例として図２に示すように、下ケース１６の右後端部の底板１６Ａの内面には、支持部材２０が設けられている。支持部材２０は、カートリッジメモリ１９を傾斜させた状態で下方から支持する一対の傾斜台である。一対の傾斜台は、第１傾斜台２０Ａ及び第２傾斜台２０Ｂである。第１傾斜台２０Ａ及び第２傾斜台２０Ｂは、ケース１２の左右方向に間隔を隔てて配置されており、下ケース１６の後壁１６Ｂの内面及び底板１６Ａの内面に一体化されている。第１傾斜台２０Ａは、傾斜面２０Ａ１を有しており、傾斜面２０Ａ１は、後壁１６Ｂの内面から底板１６Ａの内面に向けて下り傾斜している。また、傾斜面２０Ｂ１も、後壁１６Ｂの内面から底板１６Ａの内面に向けて下り傾斜している。
【００３７】
支持部材２０の前方側には、一対の位置規制リブ２２が左右方向に間隔を隔てて配置されている。一対の位置規制リブ２２は、底板１６Ａの内面に立設されており、支持部材２０に配置された状態のカートリッジメモリ１９の下端部の位置を規制する。
【００３８】
一例として図３に示すように、底板１６Ａの外面には基準面１６Ａ１が形成されている。基準面１６Ａ１は、平面である。ここで、平面とは、底板１６Ａを下側にして下ケース１６を水平面に置いた場合において、水平面に対して平行な面を指す。ここで、「平行」とは、完全な平行の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めた意味合いでの平行を指す。支持部材２０の傾斜角度θ、すなわち、傾斜面２０Ａ１及び傾斜面２０Ｂ１（図２参照）の傾斜角は、基準面１６Ａ１に対して４５度である。なお、４５度は、あくまでも一例に過ぎず、“０度＜傾斜角度θ＜４５度”であってもよい。
【００３９】
カートリッジメモリ１９は、基板２６を備えている。基板２６は、基板２６の裏面２６Ａを下側に向けて支持部材２０上に置かれ、支持部材２０は、基板２６の裏面２６Ａを下方から支持する。基板２６の裏面２６Ａの一部は、支持部材２０の傾斜面、すなわち、傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１（図２参照）に接触しており、基板２６の表面２６Ｂは、天板１４Ａの内面１４Ａ１側に露出している。
【００４０】
上ケース１４は、複数のリブ２４を備えている。複数のリブ２４は、ケース１２の左右方向に間隔を隔てて配置されている。複数のリブ２４は、上ケース１４の天板１４Ａの内面１４Ａ１から下側に突設されており、各リブ２４の先端面２４Ａは、傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１（図２参照）に対応した傾斜面を有する。すなわち、各リブ２４の先端面２４Ａは、基準面１６Ａ１に対して４５度に傾斜している。
【００４１】
カートリッジメモリ１９が支持部材２０に配置された状態で、上述したように上ケース１４が下ケース１６に接合されると、各リブ２４の先端面２４Ａは、基板２６に対して表面２６Ｂ側から接触し、基板２６は、各リブ２４の先端面２４Ａと支持部材２０の傾斜面とで挟み込まれる。これにより、カートリッジメモリ１９の上下方向の位置がリブ２４によって規制される。
【００４２】
一例として図４に示すように、磁気テープドライブ３０は、搬送装置３４、読取ヘッド３６、及び制御装置３８を備えている。磁気テープドライブ３０には、磁気テープカートリッジ１０が装填される。磁気テープドライブ３０は、磁気テープカートリッジ１０から磁気テープＭＴが引き出され、引き出された磁気テープＭＴから読取ヘッド３６を用いて記録情報をリニアスキャン方式で読み取る装置である。なお、本実施形態において、記録情報の読み取りとは、換言すると、記録情報の再生を指す。
【００４３】
制御装置３８は、磁気テープドライブ３０の全体を制御する。本実施形態において、制御装置３８は、ＡＳＩＣによって実現されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、制御装置３８は、ＦＰＧＡによって実現されるようにしてもよい。また、制御装置３８は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、及びＲＡＭを含むコンピュータによって実現されるようにしてもよい。また、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、及びコンピュータのうちの２つ以上を組み合わせて実現されるようにしてもよい。すなわち、制御装置３８は、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現されるようにしてもよい。
【００４４】
搬送装置３４は、磁気テープＭＴを順方向及び逆方向に選択的に搬送する装置であり、送出モータ４０、巻取リール４２、巻取モータ４４、複数のガイドローラＧＲ、及び制御装置３８を備えている。
【００４５】
送出モータ４０は、制御装置３８の制御下で、磁気テープカートリッジ１０内のカートリッジリール１８を回転駆動させる。制御装置３８は、送出モータ４０を制御することで、カートリッジリール１８の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。
【００４６】
磁気テープＭＴが巻取リール４２によって巻き取られる場合には、制御装置３８によって、磁気テープＭＴを順方向に走行させるように送出モータ４０を回転させる。送出モータ４０の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール４２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。
【００４７】
巻取モータ４４は、制御装置３８の制御下で、巻取リール４２を回転駆動させる。制御装置３８は、巻取モータ４４を制御することで、巻取リール４２の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。
【００４８】
磁気テープＭＴが巻取リール４２によって巻き取られる場合には、制御装置３８によって、磁気テープＭＴを順方向に走行させるように巻取モータ４４を回転させる。巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール４２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。
【００４９】
このようにして送出モータ４０及び巻取モータ４４の各々の回転速度及び回転トルク等が調整されることで、磁気テープＭＴに既定範囲内の張力が付与される。ここで、既定範囲内とは、例えば、磁気テープＭＴから読取ヘッド３６によってデータが読取可能な張力の範囲として、コンピュータ・シミュレーション及び／又は実機による試験等により得られた張力の範囲を指す。
【００５０】
なお、磁気テープＭＴをカートリッジリール１８に巻き戻す場合には、制御装置３８によって、磁気テープＭＴを逆方向に走行させるように送出モータ４０及び巻取モータ４４を回転させる。
【００５１】
本実施形態では、送出モータ４０及び巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等が制御されることにより磁気テープＭＴの張力が制御されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープＭＴの張力は、ダンサローラを用いて制御されてもよいし、バキュームチャンバに磁気テープＭＴを引き込むことによって制御されるようにしてもよい。
【００５２】
複数のガイドローラＧＲの各々は、磁気テープＭＴを案内するローラである。磁気テープＭＴの走行経路は、複数のガイドローラＧＲが磁気テープカートリッジ１０と巻取リール４２との間において読取ヘッド３６を跨ぐ位置に分けて配置されることによって定められている。
【００５３】
読取ヘッド３６は、読取素子４６及びホルダ４８を備えている。読取素子４６は、走行中の磁気テープＭＴに接触するようにホルダ４８によって保持されており、搬送装置３４によって搬送される磁気テープＭＴから記録情報を読み取る。
【００５４】
磁気テープドライブ３０は、非接触式読み書き装置５０を備えている。非接触式読み書き装置５０は、磁気テープカートリッジ１０が装填された状態の磁気テープカートリッジ１０の下側にてカートリッジメモリ１９の裏面２６Ａに正対するように配置されている。なお、磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に装填された状態とは、例えば、磁気テープカートリッジ１０が読取ヘッド３６による磁気テープＭＴに対する記録情報の読み取りを開始する位置として事前に定められた位置に到達した状態を指す。
【００５５】
図４に示す例では、非接触式読み書き装置５０が磁気テープドライブ３０に搭載されている態様例が示されているが、本開示の技術はこれに限定されず、非接触式読み書き装置５０は、磁気テープカートリッジ１０が製造される段階、磁気テープカートリッジ１０が検品される段階、又は磁気テープカートリッジ１０が出荷される段階でも使用される。この場合、例えば、据え置き型又は携帯型の非接触式読み書き装置５０が用いられる。なお、非接触式読み書き装置５０は、本開示の技術に係る「外部通信装置」の一例である。
【００５６】
一例として図５に示すように、非接触式読み書き装置５０は、磁気テープカートリッジ１０の下側からカートリッジメモリ１９に向けて磁界ＭＦを放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ１９を貫通する。
【００５７】
一例として図６に示すように、非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８に接続されている。制御装置３８は、カートリッジメモリ１９を制御する制御信号を非接触式読み書き装置５０に出力する。非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８から入力された制御信号に従って、磁界ＭＦをカートリッジメモリ１９に向けて放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ１９の裏面２６Ａ側から表面２６Ｂ側に貫通する。
【００５８】
非接触式読み書き装置５０は、カートリッジメモリ１９との間で非接触通信を行うことでコマンド信号を非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与える。より詳しく説明すると、非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８の制御下で、コマンド信号をカートリッジメモリ１９に空間伝送する。詳しく後述するが、コマンド信号は、カートリッジメモリ１９に対する指令を示す信号である。
【００５９】
なお、ここでは、制御装置３８の制御下で、非接触式読み書き装置５０がコマンド信号をカートリッジメモリ１９に空間伝送する形態例を挙げて説明しているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープカートリッジ１０が製造される段階、磁気テープカートリッジ１０が検品される段階、又は磁気テープカートリッジ１０が出荷される段階では、非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８とは異なる制御装置の制御下で、コマンド信号をカートリッジメモリ１９に空間伝送する。
【００６０】
コマンド信号が非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に空間伝送される場合、磁界ＭＦには、制御装置３８からの指示に従って非接触式読み書き装置５０によってコマンド信号が含まれる。換言すると、磁界ＭＦには、コマンド信号が重畳される。すなわち、非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８の制御下で、磁界ＭＦを介してコマンド信号をカートリッジメモリ１９に送信する。
【００６１】
カートリッジメモリ１９の表面２６Ｂには、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４が搭載されている。ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は、表面２６Ｂに接着されている。また、カートリッジメモリ１９の表面２６Ｂにおいて、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は封止材５６によって封止されている。ここでは、封止材５６として、紫外線に反応して硬化する紫外線硬化樹脂が採用されている。なお、紫外線硬化樹脂は、あくまでも一例に過ぎず、紫外線以外の波長域の光に反応して効果する光硬化樹脂を封止材５６として使用してもよいし、熱硬化性樹脂を封止材５６として使用してもよいし、接着剤を封止材５６として使用してもよい。
【００６２】
一例として図７に示すように、カートリッジメモリ１９の裏面２６Ａには、コイル６０がループ状に形成されている。ここでは、コイル６０の素材として、銅箔が採用されている。銅箔は、あくまでも一例に過ぎず、例えば、アルミニウム箔等の他種類の導電性素材であってもよい。コイル６０は、非接触式読み書き装置５０から与えられた磁界ＭＦ（図５及び図６参照）が作用することで誘導電流を誘起する。
【００６３】
カートリッジメモリ１９の裏面２６Ａには、第１導通部６２Ａ及び第２導通部６２Ｂが設けられている。第１導通部６２Ａ及び第２導通部６２Ｂは、はんだを有しており、表面２６ＢのＩＣチップ５２（図６及び図８参照）及びコンデンサ５４（図６及び図８参照）に対してコイル６０の両端部を電気的に接続している。
【００６４】
一例として図８に示すように、カートリッジメモリ１９の表面２６Ｂにおいて、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は、ワイヤ接続方式で互いに電気的に接続されている。具体的には、ＩＣチップ５２の正極端子及び負極端子のうちの一方の端子が配線６４Ａを介して第１導通部６２Ａに接続されており、他方の端子が配線６４Ｂを介して第２導通部６２Ｂに接続されている。また、コンデンサ５４は、一対の電極を有する。図８に示す例では、一対の電極は、電極５４Ａ及び５４Ｂである。電極５４Ａは、配線６４Ｃを介して第１導通部６２Ａに接続されており、電極５４Ｂは、配線６４Ｄを介して第２導通部６２Ｂに接続されている。これにより、コイル６０に対して、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は並列に接続される。
【００６５】
一例として図９に示すように、ＩＣチップ５２は、内蔵コンデンサ８０、電源回路８２、コンピュータ８４、クロック信号生成器８６、及び信号処理回路８８を備えている。ＩＣチップ５２は、磁気テープカートリッジ１０以外の用途にも使用可能な汎用タイプのＩＣチップである。
【００６６】
カートリッジメモリ１９は、電力生成器７０を備えている。電力生成器７０は、非接触式読み書き装置５０から与えられた磁界ＭＦがコイル６０に対して作用することで電力を生成する。具体的には、電力生成器７０は、共振回路９２を用いて交流電力を生成し、生成した交流電力を直流電力に変換して出力する。
【００６７】
電力生成器７０は、共振回路９２及び電源回路８２を有する。共振回路９２は、コンデンサ５４、コイル６０、及び内蔵コンデンサ８０を備えている。内蔵コンデンサ８０は、ＩＣチップ５２に内蔵されているコンデンサであり、電源回路８２もＩＣチップ５２に内蔵されている回路である。内蔵コンデンサ８０は、コイル６０に対して並列に接続されている。
【００６８】
コンデンサ５４は、ＩＣチップ５２に対して外付けされたコンデンサである。ＩＣチップ５２は、本来、磁気テープカートリッジ１０とは異なる用途でも用いることが可能な汎用のＩＣチップである。そのため、内蔵コンデンサ８０の容量は、磁気テープカートリッジ１０で用いられるカートリッジメモリ１９で要求される共振周波数を実現するには不足している。そこで、カートリッジメモリ１９では、磁界ＭＦが作用することで共振回路９２を予め定められた共振周波数で共振させる上で必要な容量値を有するコンデンサとして、ＩＣチップ５２に対してコンデンサ５４が後付けされている。なお、予め定められた共振周波数は、磁界ＭＦの周波数と同一の周波数であり、ここでは、１３．５６ＭＨｚが採用されている。また、コンデンサ５４の容量は、内蔵コンデンサ８０の容量の実測値に基づいて定められている。
【００６９】
共振回路９２は、磁界ＭＦがコイル６０を貫通することでコイル６０によって誘起された誘導電流を用いて、予め定められた共振周波数の共振現象を発生させることで交流電力を生成し、生成した交流電力を電源回路８２に出力する。
【００７０】
電源回路８２は、整流回路及び平滑回路等を有する。整流回路は、複数のダイオードを有する全波整流回路である。全波整流回路は、あくまでも一例に過ぎず、半波整流回路であってもよい。平滑回路は、コンデンサ及び抵抗を含んで構成されている。電源回路８２は、共振回路９２から入力された交流電力を直流電力に変換し、変換して得た直流電力（以下、単に「電力」とも称する）をＩＣチップ５２内の各種の駆動素子に供給する。各種の駆動素子としては、コンピュータ８４、クロック信号生成器８６、及び信号処理回路８８が挙げられる。このように、ＩＣチップ５２内の各種の駆動素子に対して電力が電力生成器７０によって供給されることで、ＩＣチップ５２は、電力生成器７０によって生成された電力を用いて動作する。
【００７１】
コンピュータ８４は、本開示の技術に係る「非接触式通信媒体に対して適用されるコンピュータ」の一例であり、カートリッジメモリ１９の全体を制御する。
【００７２】
クロック信号生成器８６は、クロック信号を生成して各種の駆動素子に出力する。各種の駆動素子は、クロック信号生成器８６から入力されたクロック信号に従って動作する。クロック信号生成器８６は、コンピュータ８４の指示に従って、クロック信号の周波数を変更する。
【００７３】
信号処理回路８８は、共振回路９２に接続されている。信号処理回路８８は、復号回路（図示省略）及び符号化回路（図示省略）を有する。信号処理回路８８の復号回路は、コイル６０によって受信された磁界ＭＦからコマンド信号を抽出して復号し、コンピュータ８４に出力する。コンピュータ８４は、コマンド信号に対する応答信号を信号処理回路８８に出力する。すなわち、コンピュータ８４は、信号処理回路８８から入力されたコマンド信号に応じた処理を実行し、処理結果を応答信号として信号処理回路８８に出力する。信号処理回路８８では、コンピュータ８４から応答信号が入力されると、信号処理回路８８の符号化回路は、応答信号を符号化することで変調して共振回路９２に出力する。共振回路９２は、信号処理回路８８の符号化回路から入力された応答信号を、磁界ＭＦを介して非接触式読み書き装置５０に送信する。
【００７４】
一例として図１０に示すように、コンピュータ８４は、ＣＰＵ９４、ＮＶＭ９６、及びＲＡＭ９８を備えている。ＣＰＵ９４、ＮＶＭ９６、及びＲＡＭ９８は、バス９９に接続されている。
【００７５】
ＣＰＵ９４は、本開示の技術に係る「プロセッサ」の一例である。ＣＰＵ９４は、カートリッジメモリ１９の全体を制御する。ＮＶＭ９６は、本開示の技術に係る「メモリ」の一例である。ＮＶＭ９６の一例としては、ＥＥＰＲＯＭが挙げられる。ＥＥＰＲＯＭは、これはあくまでも一例に過ぎず、例えば、ＥＥＰＲＯＭに代えて強誘電体メモリであってもよく、ＩＣチップ５２に搭載可能な不揮発性メモリであれば如何なるメモリであってもよい。ＮＶＭ９６は、複数の記憶ブロック１０４を有する。複数の記憶ブロック１０４には、管理情報（図示省略）等が記憶されている。
【００７６】
ＣＰＵ９４は、信号処理回路８８から入力されたコマンド信号に応じて、ポーリング処理、読出処理、書込処理、及びロック処理を選択的に行う。ポーリング処理は、非接触式読み書き装置５０との間で通信を確立する処理であり、例えば、読出処理及び書込処理の前段階の準備処理として行われる。読出処理は、ＮＶＭ９６から管理情報等を読み出す処理である。書込処理は、ＮＶＭ９６に管理情報等を書き込む処理である。ロック処理は、複数の記憶ブロック１０４のうちの１つであるＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａ（図１１参照）をロックする処理、換言すると、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａに記憶されている情報の書き換えを不可にする処理である。ここで、「情報の書き換え」の意味には、「情報の消去」の意味も含まれる。
【００７７】
なお、本実施形態では、磁気テープカートリッジ１０のベンダに提供されるカートリッジメモリ１９、すなわち、磁気テープカートリッジ１０の製造工程に投入されるカートリッジメモリ１９内のＮＶＭ９６の複数の記憶ブロック１０４には管理情報等が記憶されていない。そのため、磁気テープカートリッジ１０のベンダが、磁気テープカートリッジ１０の製造工程で、ＣＰＵ９４に対して書込処理を実行させることによって、管理情報等が複数の記憶ブロック１０４に書き込まれる。
【００７８】
複数の記憶ブロック１０４のうちの１つには、書込制御プログラム１０６が記憶されている。ＣＰＵ９４は、複数の記憶ブロック１０４のうちの１つから書込制御プログラム１０６を読み出し、ＲＡＭ９８上で書込制御プログラム１０６を実行する。後述の書込制御処理（図１９参照）は、書込制御プログラム１０６がＣＰＵ９４によって実行されることで実現される。
【００７９】
複数の記憶ブロック１０４のうちの１つ（例えば、複数の記憶ブロック１０４のうち、先頭アドレスを含む記憶ブロック１０４）は、一例として図１１に示すように、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａである。ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａは、本開示の技術に係る「記憶ブロック」の一例である。すなわち、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａは、カートリッジメモリ１９の属性を示す情報（以下、「ＣＭ属性情報」とも称する）を記憶する記憶ブロックである。ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａは、スペック依存記憶フィールド１０４Ａ１及びスペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２を有する。スペック依存記憶フィールド１０４Ａ１には、スペック依存情報が記憶される。スペック依存情報とは、カートリッジメモリ１９が搭載される磁気テープカートリッジ１０のスペックに依存する情報、換言すると、カートリッジメモリ１９が搭載される磁気テープカートリッジ１０のスペックに応じて定まる情報を指す。
【００８０】
スペック依存情報は、非接触式読み書き装置５０とカートリッジメモリ１９との間で非接触通信が行われることによって非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられる。非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられたスペック依存情報は、ＣＰＵ９４によってスペック依存記憶フィールド１０４Ａ１に書き込まれる。
【００８１】
スペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２には、スペック非依存情報が記憶される。スペック非依存情報とは、カートリッジメモリ１９が搭載される磁気テープカートリッジ１０のスペックに依存しない情報、換言すると、カートリッジメモリ１９が搭載される磁気テープカートリッジ１０のスペックに応じて定まる情報以外の情報を指す。
【００８２】
スペック非依存情報は、非接触式読み書き装置５０とカートリッジメモリ１９との間で非接触通信が行われることによって非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられる。非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられたスペック非依存情報は、ＣＰＵ９４によってスペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２に書き込まれる。
【００８３】
一例として図１２に示すように、スペック依存記憶フィールド１０４Ａ１は、識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａ、誤り検出符号記憶フィールド１０４Ａ１ｂ、記憶容量関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｃ、及び型式関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｄを有する。
【００８４】
識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａには、カートリッジメモリ１９を特定可能な識別子１０８（例えば、シリアルナンバー）が記憶される。識別子１０８は、非接触式読み書き装置５０（例えば、磁気テープカートリッジ１０が製造される段階で使用される非接触式読み書き装置５０）とカートリッジメモリ１９との間で非接触通信が行われることによって非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられる。非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられた識別子１０８は、ＣＰＵ９４によって識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａに書き込まれる。
【００８５】
誤り検出符号記憶フィールド１０４Ａ１ｂには、識別子１０８についての誤り検出用の符号１１０（以下、「誤り検出符号１１０」とも称する）が記憶される。誤り検出符号１１０の一例としては、チェックサムが挙げられる。ＣＰＵ９４は、非接触式読み書き装置５０（例えば、磁気テープカートリッジ１０が製造される段階で使用される非接触式読み書き装置５０）とカートリッジメモリ１９との間で非接触通信が行われることによって非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられた指示に従って、誤り検出符号１１０を算出して誤り検出符号記憶フィールド１０４Ａ１ｂに書き込む。
【００８６】
なお、ここでは、識別子１０８についての誤り検出符号１１０がＣＰＵ９４によって算出される例を挙げているが、本開示の技術はこれに限定されず、ＣＭ属性情報についての誤り検出符号１１０がＣＰＵ９４によって算出されるようにされてもよい。なお、識別子１０８又はＣＭ属性情報は、本開示の技術に係る「識別子を含む情報」の一例である。
【００８７】
また、ＣＭ属性情報に含まれる一部の情報についての誤り検出符号１１０がＣＰＵ９４によって算出されるようにしてもよい。この場合、ＣＭ属性情報に含まれる一部の情報は、本開示の技術に係る「識別子を含む情報」の一例である。ＣＭ属性情報に含まれる一部の情報としては、例えば、識別子１０８、並びに、ＮＶＭ９６の記憶容量（例えば、複数のブロック１０４の記憶容量）に関連する情報である記憶容量関連情報１１２、及びカートリッジメモリ１９の型式に関連する情報である型式関連情報１１４のうちの少なくとも１つの情報が挙げられる。
【００８８】
また、ここでは、誤り検出符号１１０の一例として、チェックサムを挙げているが、本開示の技術はこれに限定されず、パリティビット又はハミング符号等の他の誤り検出用の符号であってもよい。
【００８９】
記憶容量関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｃには、記憶容量関連情報１１２が記憶される。記憶容量関連情報１１２は、非接触式読み書き装置５０（例えば、磁気テープカートリッジ１０が製造される段階で使用される非接触式読み書き装置５０）とカートリッジメモリ１９との間で非接触通信が行われることによって非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられる。非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられた記憶容量関連情報１１２は、ＣＰＵ９４によって記憶容量関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｃに書き込まれる。
【００９０】
型式関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｄには、型式関連情報１１４が記憶される。型式関連情報１１４は、非接触式読み書き装置５０（例えば、磁気テープカートリッジ１０が製造される段階で使用される非接触式読み書き装置５０）とカートリッジメモリ１９との間で非接触通信が行われることによって非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられる。非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられた型式関連情報１１４は、ＣＰＵ９４によって型式関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｄに書き込まれる。
【００９１】
一例として図１３に示すように、ＣＰＵ９４は、ＮＶＭ９６から書込制御プログラム１０６を読み出し、読み出した書込制御プログラム１０６をＲＡＭ９８上で実行する。ＣＰＵ９４は、ＲＡＭ９８上で実行する書込制御プログラム１０６に従って書込部９４Ａ及びロック部９４Ｂとして動作することで、後述の書込制御処理（図１９参照）を実行する。
【００９２】
ところで、ＣＰＵ９４は、信号処理回路８８から入力されるコマンド信号に従って動作する。コマンド信号により示されるコマンドは、ポーリングコマンド、読出コマンド、書込コマンド、又はロック処理コマンド等である。コマンド信号により示されるコマンドがポーリングコマンドの場合、ＣＰＵ９４は、ポーリング処理を実行する。コマンド信号により示されるコマンドが読出コマンドの場合、ＣＰＵ９４は、読出処理を実行する。コマンド信号により示されるコマンドが書込コマンドの場合、ＣＰＵ９４は、書込処理を実行する。コマンド信号により示されるコマンドがロック処理コマンドの場合、ＣＰＵ９４は、ロック処理を実行する。なお、ロック処理コマンドは、本開示の技術に係る「特定コマンド」の一例である。
【００９３】
書込コマンドの種類は複数存在する。書込部９４Ａは、信号処理回路８８から入力されたコマンド信号により示される書込コマンドの種類に応じた書込処理を実行する。一例として図１４に示すように、書込コマンドの複数の種類には、スペック依存情報書込コマンド及びスペック非依存情報書込コマンドが含まれる。
【００９４】
コマンド信号により示される書込コマンドがスペック依存情報書込コマンドの場合、書込部９４Ａは、スペック依存情報書込コマンドに従ってスペック依存記憶フィールド１０４Ａ１に書き込みを行う。コマンド信号により示される書込コマンドがスペック非依存情報書込コマンドの場合、書込部９４Ａは、スペック非依存情報書込コマンドに従ってスペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２に書き込みを行う。
【００９５】
スペック依存情報書込コマンドは、識別子書込コマンド、誤り検出符号書込コマンド、記憶容量関連情報書込コマンド、及び型式関連情報書込コマンドである。
【００９６】
一例として図１５に示すように、書込部９４Ａに入力されたコマンド信号により示されるスペック依存情報書込コマンドが識別子書込コマンドの場合、コマンド信号には識別子１０８が含まれている。この場合、書込部９４Ａは、コマンド信号から識別子１０８を抽出し、抽出した識別子１０８を識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａに書き込む。
【００９７】
また、書込部９４Ａは、ロック処理が実行される前段階で識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａに識別子１０８が記憶されている場合、非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられた指示に従って、識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａの識別子１０８を変更する。より詳しく説明すると、書込部９４Ａは、ロック処理が実行される前段階で識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａに識別子１０８が記憶されている状態で、非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に識別子書込コマンドを介して新たな識別子１０８が与えられると、識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａの識別子１０８を、非接触式読み書き装置５０から与えられた新たな識別子１０８に変更する。
【００９８】
一例として図１６に示すように、書込部９４Ａに入力されたコマンド信号により示されるスペック依存情報書込コマンドが誤り検出符号書込コマンドの場合、書込部９４Ａは、識別子１０８についての誤り検出符号１１０を算出し、算出した誤り検出符号１１０を誤り検出符号記憶フィールド１０４Ａ１ｂに書き込む。書込部９４Ａに入力されたコマンド信号により示されるスペック依存情報書込コマンドが記憶容量関連情報書込コマンドの場合、コマンド信号には記憶容量関連情報１１２が含まれている。この場合、書込部９４Ａは、コマンド信号から記憶容量関連情報１１２を抽出し、抽出した記憶容量関連情報１１２を記憶容量関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｃに書き込む。書込部９４Ａに入力されたコマンド信号により示されるスペック依存情報書込コマンドが型式関連情報書込コマンドの場合、コマンド信号には型式関連情報１１４が含まれている。この場合、書込部９４Ａは、コマンド信号から型式関連情報１１４を抽出し、抽出した型式関連情報１１４を型式関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｄに書き込む。
【００９９】
一例として図１７に示すように、書込部９４Ａに入力されたコマンド信号により示される書込コマンドがスペック非依存情報書込コマンドの場合、コマンド信号にはスペック非依存情報が含まれている。この場合、書込部９４Ａは、コマンド信号からスペック非依存情報を抽出し、抽出したスペック非依存情報をスペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２に書き込む。
【０１００】
一例として図１８に示すように、ロック部９４Ｂに入力されたコマンド信号により示されるコマンドがロック処理コマンドの場合、ロック部９４Ｂは、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａに対してロック処理を実行する。ロック部９４Ｂによってロック処理が実行されることによって、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａがロックされる。図１８に示す例では、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａの全体がロック部９４Ｂによってロックされる。これにより、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａ内の識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａがロックされる。このように、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａは、ロック部９４Ｂによってロック処理が行われることで読取専用ブロックとなる。
【０１０１】
なお、図１８に示す例では、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａの全体がロックされることで、識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａがロックされる例を挙げているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、ロック部９４Ｂによって、スペック依存記憶フィールド１０４Ａ１がロックされるようにしてもよいし、ロック部９４Ｂによって、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａ内の少なくとも識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａがロックされるようにしてもよい。
【０１０２】
次に、カートリッジメモリ１９の作用について図１９を参照して説明する。
【０１０３】
図１９には、磁気テープカートリッジ１０の製造工程でＣＰＵ９４によって実行される書込制御処理の流れの一例が示されている。図１９に示す書込制御処理の流れは、本開示の技術に係る「非接触式通信媒体の動作方法」の一例である。
【０１０４】
なお、以下の図１９に係る書込制御処理の説明では、説明の便宜上、複数の記憶ブロック１０４に管理情報等が記憶されていない状態でカートリッジメモリ１９が磁気テープカートリッジ１０の製造工程に投入された場合について説明する。また、以下の図１９に係る書込制御処理の説明では、説明の便宜上、書込コマンドを示すコマンド信号又はロック処理コマンドを示すコマンド信号が非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に送信されることを前提として説明する。更に、以下の図１９に係る書込制御処理の説明では、説明の便宜上、ロック処理コマンドを示すコマンド信号は、識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａに識別子１０８が記憶され、かつ、磁気テープカートリッジ１０の製造が終了する段階で、非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に送信されることを前提として説明する。
【０１０５】
図１９に示す書込制御処理では、先ず、ステップＳＴ１０で、書込部９４Ａは、非接触式読み書き装置５０から送信されたコマンド信号が信号処理回路８８によって受信されたか否かを判定する。ステップＳＴ１０において、コマンド信号が信号処理回路８８によって受信されていない場合は、判定が否定されて、書込制御処理はステップＳＴ２２へ移行する。ステップＳＴ１０において、コマンド信号が信号処理回路８８によって受信された場合は、判定が肯定されて、書込制御処理はステップＳＴ１２へ移行する。
【０１０６】
ステップＳＴ１２で、書込部９４Ａは、ステップＳＴ１０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示されるコマンドが識別子書込コマンドであるか否かを判定する。ステップＳＴ１２において、ステップＳＴ１０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示されるコマンドが識別子書込コマンドである場合は、判定が肯定されて、書込制御処理はステップＳＴ１４へ移行する。ステップＳＴ１２において、ステップＳＴ１０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示されるコマンドが識別子書込コマンド以外のコマンドである場合は、判定が否定されて、書込制御処理はステップＳＴ１６へ移行する。
【０１０７】
ステップＳＴ１４で、書込部９４Ａは、ステップＳＴ１０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号に含まれる識別子１０８を、識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａに書き込み、その後、書込制御処理はステップＳＴ２２へ移行する。
【０１０８】
なお、後述のステップＳＴ２０のロック処理が実行される前段階で、識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａに識別子１０８が記憶されている場合、ステップＳＴ１４の処理が書込部９４Ａによって実行されると、識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａ内の識別子１０８は、ステップＳＴ１０で受信された最新のコマンド信号に含まれる識別子１０８に変更される。
【０１０９】
ステップＳＴ１６で、書込部９４Ａは、ステップＳＴ１０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示されるコマンドがロック処理コマンドであるか否かを判定する。ステップＳＴ１６において、ステップＳＴ１０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示されるコマンドがロック処理コマンド以外のコマンドである場合は、判定が否定されて、書込制御処理はステップＳＴ１８へ移行する。ステップＳＴ１６において、ステップＳＴ１０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示されるコマンドがロック処理コマンドである場合は、判定が肯定されて、書込制御処理はステップＳＴ２０へ移行する。
【０１１０】
ステップＳＴ１８で、書込部９４Ａは、ステップＳＴ１０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示される書込コマンドに応じた書込処理を実行し、その後、書込制御処理はステップＳＴ２２へ移行する。なお、ここで、書込コマンドに応じた書込処理とは、識別子書込コマンド以外の書込コマンド（例えば、誤り検出符号書込コマンド、記憶容量関連情報書込コマンド、型式関連情報書込コマンド、又はスペック非依存情報書込コマンド）を指す。
【０１１１】
ステップＳＴ２０で、ロック部９４Ｂは、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａに対してロック処理を実行することでＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａをロックし、その後、書込制御処理はステップＳＴ２２へ移行する。ステップＳＴ２０の処理が実行されることでＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａは読取専用ブロックとなり、これ以降、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａに対して情報の書き換えが不可となる。
【０１１２】
ステップＳＴ２２で、書込部９４Ａは、書込制御処理を終了する条件（以下、「書込制御処理終了条件」と称する）を満足したか否かを判定する。書込制御処理終了条件としては、例えば、磁界ＭＦが消失した、との条件、又は、書込制御処理を終了させるコマンドを示すコマンド信号が非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に送信された、との条件が挙げられる。なお、磁界ＭＦが消失したか否かは、磁界ＭＦの強度を測定可能な磁界強度測定回路（図示省略）によって測定された磁界ＭＦの強度に基づいてＣＰＵ９４によって判定される。
【０１１３】
ステップＳＴ２２において、書込制御処理終了条件を満足していない場合は、判定が否定されて、書込制御処理はステップＳＴ１０へ移行する。ステップＳＴ２２において、書込制御処理終了条件を満足した場合は、判定が肯定されて、書込制御処理が終了する。
【０１１４】
以上説明したように、カートリッジメモリ１９は、スペック依存情報が記憶されるＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａを有している。また、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａは、識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａを有している。ここで、非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられた識別子１０８が書込部９４Ａによって識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａに書き込まれる。そして、非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられたロック処理コマンドに従って、識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａがロック部９４Ｂによってロックされる。従って、本構成によれば、磁気テープカートリッジ１０のベンダが決めた識別子１０８を、磁気テープカートリッジ１０のベンダが意図するタイミングで固定することができる。
【０１１５】
これにより、例えば、ＬＴＯに組み込まれるカートリッジメモリ１９とＩＢＭ３５９２に組み込まれるカートリッジメモリ１９との各々に対して個別の通し番号を付与することが可能となる。よって、例えば、カートリッジメモリ１９のベンダによって、ＬＴＯに組み込まれるカートリッジメモリ１９及びＩＢＭ３５９２に組み込まれるカートリッジメモリ１９に対して有限の桁数の通し番号が識別子（例えば、製造用シリアルナンバー）として付与される場合に比べ、通し番号が枯渇することに起因して、カートリッジメモリ１９に対して付与する識別子が不足することを抑制することができる。
【０１１６】
また、カートリッジメモリ１９では、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａがロックされることで識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａがロックされる。従って、本構成によれば、識別子１０８のみならず、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４に記憶されたＣＭ属性情報をまとめて書き換え不可にすることができる。また、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４内のうちの識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａのみが選択されてロックされる場合に比べ、識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａを容易にロックすることができる。
【０１１７】
また、カートリッジメモリ１９では、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４ＡがロックされることでＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａが読取専用ブロックとされる。従って、本構成によれば、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａがロックされた後のＣＭ属性情報の書き換えを阻止することができる。なお、ＣＭ属性情報の書き換えが阻止されるということは、識別子１０８の書き換えも阻止されることも意味する。
【０１１８】
また、カートリッジメモリ１９では、ロック処理が実行される前段階で識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａに識別子１０８が記憶されている状態で、非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に識別子書込コマンドが与えられると、書込部９４Ａによって識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａの識別子１０８が変更される。従って、本構成によれば、識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａがロックされる前であれば、識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａに記憶されている識別子１０８を、磁気テープカートリッジ１０のベンダが意図する識別子１０８に変更することができる。
【０１１９】
また、カートリッジメモリ１９では、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａが、識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａ、誤り検出符号記憶フィールド１０４Ａ１ｂ、記憶容量関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｃ、及び型式関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｄを有するブロックである。そして、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａは、ロック部９４Ｂによってロックされる。従って、本構成によれば、識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａがロックされるタイミングで、誤り検出符号記憶フィールド１０４Ａ１ｂ、記憶容量関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｃ、及び型式関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｄもロックすることができる。
【０１２０】
更に、カートリッジメモリ１９では、磁気テープカートリッジ１０の製造が終了する段階で書込制御処理がＣＰＵ９４によって行われる。書込制御処理にはロック処理（図１９に示すステップＳＴ２０参照）が含まれている。すなわち、磁気テープカートリッジ１０の製造が終了する段階でロック処理がロック部９４Ｂによって行われる。従って、本構成によれば、磁気テープカートリッジ１０のベンダによって識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａがロックされても問題がないタイミングで識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａをロックすることができる。また、磁気テープカートリッジ１０の検品が終了する段階、又は、磁気テープカートリッジ１０が出荷される段階でロック部９４Ｂによってロック処理が行われるようにしてもよい。この場合も、磁気テープカートリッジ１０のベンダによって識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａがロックされても問題がないタイミングで識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａをロックすることができる。
【０１２１】
なお、上記実施形態では、カートリッジメモリ１９にロック処理コマンドが与えられたことを条件にロック部９４Ｂによってロック処理が行われる形態例を示したが、本開示の技術はこれに限定されない。ロック処理を許可することを示すフラグ（以下、単に「フラグ」とも称する）がオンされていることを前提として、カートリッジメモリ１９にロック処理コマンドが与えられた場合にロック処理が行われるようにしてもよい。
【０１２２】
この場合、一例として図２０に示すように、ＣＰＵ９４は、書込部９４Ａ及びロック部９４Ｂの他に、切替部９４Ｃとしても動作する。ＮＶＭ９６は、フラグ設定領域１０４Ｂを有する。フラグ設定領域１０４Ｂは、フラグが設定される記憶領域である。ここでは、フラグ設定領域１０４Ｂとして、ＮＶＭ９６の記憶領域を例示しているが、本開示の技術はこれに限定されず、例えば、ＲＡＭ９８の記憶領域をフラグ設定領域１０４Ｂとして用いてもよいし、ＣＰＵ９４の内部メモリをフラグ設定領域１０４Ｂとして用いてもよい。
【０１２３】
切替部９４Ｃは、外部から与えられた指示に従って、フラグのオンとオフとを切り替える。より詳しく説明すると、例えば、フラグをオンするコマンド（以下、「フラグオンコマンド」とも称する）を示すコマンド信号が非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に送信されると、切替部９４は、フラグ設定領域１０４Ｂのフラグをオンする。また、例えば、フラグをオフするコマンド（以下、「フラグオフコマンド」とも称する）を示すコマンド信号が非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に送信されると、切替部９４は、フラグ設定領域１０４Ｂのフラグをオフする。
【０１２４】
ロック部９４Ｂは、フラグ設定領域１０４Ｂのフラグがオンであり、かつ、本開示の技術に係る「外部」の一例である非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９にロック処理コマンドが与えられた場合に、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａをロックする。なお、ここでは、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａがロック部９４Ｂによってロックされる形態例を挙げているが、本開示の技術はこれに限定されず、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａ内の少なくとも識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａがロック部９４Ｂによってロックされるようにすればよい。
【０１２５】
このように、非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられたロック処理コマンドに従って切替部９４によってフラグがオン又はオフされた状態で、ＣＰＵ９４は、一例として図１９に示す書込制御処理を実行する。図２１に示すフローチャートは、ステップＳＴ１７の処理を有する点が図１９に示すフローチャートと異なる。ステップＳＴ１７は、ステップＳＴ１６とステップＳＴ２０との間に設けられている。
【０１２６】
図１９に示す書込制御処理では、ステップＳＴ１７で、ロック部９４Ｂは、フラグ設定領域１０４Ｂのフラグがオンされているか否かを判定する。ステップＳＴ１７において、フラグ設定領域１０４Ｂのフラグがオフされている場合は、判定が否定されて、書込制御処理はステップＳＴ２２へ移行する。ステップＳＴ１７において、フラグ設定領域１０４Ｂのフラグがオンされている場合は、判定が肯定されて、書込制御処理はステップＳＴ２０へ移行する。つまり、ステップＳＴ１０で受信されたコマンド信号により示されるコマンドがロック処理コマンドであり（ステップＳＴ１６：Ｙ）、かつ、フラグ設定領域１０４Ｂのフラグがオンされている場合（ステップＳＴ１７：Ｙ）、ステップＳＴ２０で、ロック部９４Ｂは、図１９に示す例と同様に、ロック処理を行う。
【０１２７】
これにより、非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９にロック処理コマンドが与えられた場合に必ず識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａがロックされる場合に比べ、磁気テープカートリッジ１０のベンダが意図しないタイミングで識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａがロックされることを抑制することができる。
【０１２８】
また、上記実施形態では、非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に対してロック処理コマンドが与えられたことを条件にロック部９４Ｂによってロック処理が実行される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられた誤り検出符号書き込みコマンドに従って、誤り検出符号記憶フィールド１０４Ａ１ｂに誤り検出符号１１０が記憶されたことを条件にロック部９４Ｂによってロック処理が実行されるようにしてもよい。この場合、非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられた誤り検出符号書き込みコマンドは、本開示の技術に係る「特定コマンド」の一例である。
【０１２９】
このように、誤り検出符号記憶フィールド１０４Ａ１ｂに誤り検出符号１１０が記憶されたことを条件にロック部９４Ｂによってロック処理が実行されるようにする場合、例えば、図２２に示す書込制御処理がＣＰＵ９４によって実行される。以下、図２２に示す書込制御処理について説明する。
【０１３０】
なお、図２２に示すフローチャートは、ステップＳＴ１６の処理に代えてステップＳＴ１６Ａの処理、ステップＳＴ１６Ｂの処理、及びステップＳＴ１６Ｃの処理を有する点が図２１に示すフローチャートと異なる。また、以下の図２２に係る書込制御処理の説明では、説明の便宜上、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａ内の複数の記憶フィールドのうち、少なくとも識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａに識別子１０８が記憶されている場合に、誤り検出符号書込コマンドを示すコマンド信号が非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に送信されることを前提としている。
【０１３１】
図２２に示す書込制御処理では、ステップＳＴ１６Ａで、書込部９４Ａは、ステップＳＴ１０で受信されたコマンド信号により示されるコマンドが誤り検出符号書込コマンドであるか否かを判定する。ステップＳＴ１６Ａにおいて、ステップＳＴ１０で受信されたコマンド信号により示されるコマンドが誤り検出符号書込コマンド以外の書込コマンドである場合は、判定が否定されて、書込制御処理はステップＳＴ１８へ移行する。ステップＳＴ１６Ａにおいて、ステップＳＴ１０で受信されたコマンド信号により示されるコマンドが誤り検出符号書込コマンドである場合は、判定が肯定されて、書込制御処理はステップＳＴ１６Ｂへ移行する。
【０１３２】
ステップＳＴ１６Ｂで、書込部９４Ａは、識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａに記憶されている識別子１０８についての誤り検出符号１１０を算出し、その後、書込制御処理はステップＳＴ１６Ｃへ移行する。
【０１３３】
ステップＳＴ１６Ｃで、書込部９４Ａは、ステップＳＴ１６Ｂで算出した誤り検出符号１１０を、誤り検出符号記憶フィールド１０４Ａ１ｂに書き込み、その後、書込制御処理はステップＳＴ１７へ移行する。ステップＳＴ１７及びステップＳＴ２０では、図２１に示す処理と同様の処理が実行され、これによって、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａがロックされる。
【０１３４】
従って、本構成によれば、誤り検出符号１１０の設定の操作とロック処理の操作とを別々に行う場合に比べ、誤り検出符号１１０の設定の操作とロック処理の操作に係る手間を軽減することができる。また、誤り検出符号１１０が設定されるタイミングは、大抵の場合、磁気テープカートリッジ１０の製造が終了する段階、磁気テープカートリッジ１０の検品が終了する段階、又は、磁気テープカートリッジ１０が出荷される段階である。そのため、非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９にロック処理コマンドが与えられた場合に必ず識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａがロックされる場合に比べ、磁気テープカートリッジ１０のベンダが意図しないタイミングで識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａがロックされることを抑制することができる。
【０１３５】
また、上記実施形態では、ＮＶＭ９６に書込制御プログラム１０６が記憶されている形態例を挙げたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図２３に示すように、書込制御プログラム１０６が記憶媒体３００に記憶されていてもよい。記憶媒体３００は、非一時的記憶媒体である。記憶媒体３００の一例としては、ＳＳＤ又はＵＳＢメモリなどの任意の可搬型の記憶媒体が挙げられる。
【０１３６】
記憶媒体３００に記憶されている書込制御プログラム１０６は、コンピュータ８４にインストールされる。ＣＰＵ９４は、書込制御プログラム１０６に従って書込制御処理を実行する。図２３に示す例では、ＣＰＵ９４は、単数のＣＰＵであるが、複数のＣＰＵであってもよい。
【０１３７】
また、通信網（図示省略）を介してコンピュータ８４に接続される他のコンピュータ又はサーバ装置等の記憶部に書込制御プログラム１０６を記憶させておき、カートリッジメモリ１９からの要求に応じて書込制御プログラム１０６がダウンロードされ、コンピュータ８４にインストールされるようにしてもよい。
【０１３８】
図２３に示す例では、コンピュータ８４が例示されているが、本開示の技術はこれに限定されず、コンピュータ８４に代えて、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、及び／又はＰＬＤを含むデバイスを適用してもよい。また、コンピュータ８４に代えて、ハードウェア構成及びソフトウェア構成の組み合わせを用いてもよい。
【０１３９】
書込制御処理を実行するハードウェア資源としては、次に示す各種のプロセッサを用いることができる。プロセッサとしては、例えば、ソフトウェア、すなわち、プログラムを実行することで、書込制御処理を実行するハードウェア資源として機能する汎用的なプロセッサであるＣＰＵが挙げられる。また、プロセッサとしては、例えば、ＦＰＧＡ、ＰＬＤ、又はＡＳＩＣなどの特定の処理を実行させるために専用に設計された回路構成を有するプロセッサである専用電気回路が挙げられる。何れのプロセッサにもメモリが内蔵又は接続されており、何れのプロセッサもメモリを使用することで書込制御処理を実行する。
【０１４０】
書込制御処理を実行するハードウェア資源は、これらの各種のプロセッサのうちの１つで構成されてもよいし、同種または異種の２つ以上のプロセッサの組み合わせ（例えば、複数のＦＰＧＡの組み合わせ、又はＣＰＵとＦＰＧＡとの組み合わせ）で構成されてもよい。また、書込制御処理を実行するハードウェア資源は１つのプロセッサであってもよい。
【０１４１】
１つのプロセッサで構成する例としては、第１に、１つ以上のＣＰＵとソフトウェアの組み合わせで１つのプロセッサを構成し、このプロセッサが、書込制御処理を実行するハードウェア資源として機能する形態がある。第２に、ＳｏＣなどに代表されるように、書込制御処理を実行する複数のハードウェア資源を含むシステム全体の機能を１つのＩＣチップで実現するプロセッサを使用する形態がある。このように、書込制御処理は、ハードウェア資源として、上記各種のプロセッサの１つ以上を用いて実現される。
【０１４２】
更に、これらの各種のプロセッサのハードウェア的な構造としては、より具体的には、半導体素子などの回路素子を組み合わせた電気回路を用いることができる。また、上記の書込制御処理はあくまでも一例である。従って、主旨を逸脱しない範囲内において不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ替えたりしてもよいことは言うまでもない。
【０１４３】
以上に示した記載内容及び図示内容は、本開示の技術に係る部分についての詳細な説明であり、本開示の技術の一例に過ぎない。例えば、上記の構成、機能、作用、及び効果に関する説明は、本開示の技術に係る部分の構成、機能、作用、及び効果の一例に関する説明である。よって、本開示の技術の主旨を逸脱しない範囲内において、以上に示した記載内容及び図示内容に対して、不要な部分を削除したり、新たな要素を追加したり、置き換えたりしてもよいことは言うまでもない。また、錯綜を回避し、本開示の技術に係る部分の理解を容易にするために、以上に示した記載内容及び図示内容では、本開示の技術の実施を可能にする上で特に説明を要しない技術常識等に関する説明は省略されている。
【０１４４】
本明細書において、「Ａ及び／又はＢ」は、「Ａ及びＢのうちの少なくとも１つ」と同義である。つまり、「Ａ及び／又はＢ」は、Ａだけであってもよいし、Ｂだけであってもよいし、Ａ及びＢの組み合わせであってもよい、という意味である。また、本明細書において、３つ以上の事柄を「及び／又は」で結び付けて表現する場合も、「Ａ及び／又はＢ」と同様の考え方が適用される。
【０１４５】
本明細書に記載された全ての文献、特許出願及び技術規格は、個々の文献、特許出願及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
【符号の説明】
【０１４６】
１０  磁気テープカートリッジ
１２  ケース
１２Ａ  右壁
１２Ｂ  開口
１４  上ケース
１４Ａ  天板
１４Ａ１  内面
１６  下ケース
１６Ａ  底板
１６Ａ１  基準面
１６Ｂ  後壁
１８  カートリッジリール
１８Ａ  リールハブ
１８Ｂ１  上フランジ
１８Ｂ２  下フランジ
１９  カートリッジメモリ
２０  支持部材
２０Ａ  第１傾斜台
２０Ａ１，２０Ｂ１  傾斜面
２０Ｂ  第２傾斜台
２２  位置規制リブ
２４  リブ
２４Ａ  先端面
２６  基板
２６Ａ  裏面
２６Ｂ  表面
３０  磁気テープドライブ
３４  搬送装置
３６  読取ヘッド
３８  制御装置
４０  送出モータ
４２  巻取リール
４４  巻取モータ
４６  読取素子
４８  ホルダ
５０，１５０  非接触式読み書き装置
５２  ＩＣチップ
５４  コンデンサ
５４Ａ，５４Ｂ  電極
５６  封止材
６０  コイル
６２Ａ  第１導通部
６２Ｂ  第２導通部
６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃ，６４Ｄ  配線
７０  電力生成器
８０  内蔵コンデンサ
８２  電源回路
８４  コンピュータ
８６  クロック信号生成器
８８  信号処理回路
９２  共振回路
９４  ＣＰＵ
９４Ａ  書込部
９４Ｂ  ロック部
９４Ｃ  切替部
９６  ＮＶＭ
９８  ＲＡＭ
９９  バス
１０４  記憶ブロック
１０４Ａ  ＣＭ属性情報記憶ブロック
１０４Ａ１  スペック依存記憶フィールド
１０４Ａ１ａ  識別子記憶フィールド
１０４Ａ１ｂ  誤り検出符号記憶フィールド
１０４Ａ１ｃ  記憶容量関連情報記憶フィールド
１０４Ａ１ｄ  型式関連情報記憶フィールド
１０４Ａ２  スペック非依存記憶フィールド
１０４Ｂ  フラグ設定領域
１０６  書込制御処理プログラム
１０８  識別子
１１０  誤り検出符号
１１２  記憶容量関連情報
１１４  型式関連情報
３００  記憶媒体
Ａ，Ｂ，Ｃ  矢印
ＭＦ  磁界
ＭＴ  磁気テープ
θ  傾斜角度
【要約】
【課題】磁気テープカートリッジのベンダが決めた識別子を、磁気テープカートリッジのベンダが意図するタイミングで固定することができる非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラムを提供する。
【解決手段】非接触式通信媒体は、プロセッサと、プロセッサに内蔵又は接続されたメモリと、を備え、外部通信装置との間で非接触通信を行う。メモリは、非接触式通信媒体が搭載される磁気テープカートリッジのスペックに応じて定まる情報が記憶される記憶ブロックを有し、記憶ブロックは識別子記憶フィールドを有する。プロセッサは、外部通信装置から非接触式通信媒体に与えられた識別子を識別子記憶フィールドに書き込み、外部通信装置から非接触式通信媒体に与えられた特定コマンドに従って、識別子記憶フィールドをロックするロック処理を行う。
【選択図】図１８【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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