(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイルを有し、外部から与えられた外部磁界が前記コイルに作用することで電力を生成する電力生成器と、
前記電力を用いて作動し、かつ、前記外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行うプロセッサと、を備え、
前記処理が行われることで得られた処理結果を示す処理結果信号が前記コイルによって前記外部磁界を介して前記外部に送信される場合、前記プロセッサは、前記外部磁界の強度に応じて前記処理結果信号の信号レベルを変更し、
前記信号レベルの変更の度合いは、前記電力の残量に応じて定まる
非接触式通信媒体。
【請求項２】
前記プロセッサは、前記外部磁界の強度が小さいほど前記信号レベルを引き上げる請求項１に記載の非接触式通信媒体。
【請求項３】
前記プロセッサは、前記外部磁界の強度が大きいほど前記信号レベルを引き下げる請求項１又は請求項２に記載の非接触式通信媒体。
【請求項４】
請求項１から請求項３の何れか一項に記載の非接触式通信媒体と、
磁気テープと、を備えた磁気テープカートリッジであって、
前記非接触式通信媒体は、メモリを有し、
前記メモリは、前記磁気テープに関する情報を記憶している
磁気テープカートリッジ。
【請求項５】
コイルを有し、外部から与えられた外部磁界が前記コイルに作用することで電力を生成する電力生成器と、前記電力を用いて作動し、かつ、前記外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行うプロセッサと、を備えた非接触式通信媒体の動作方法であって、
前記処理が行われること得られた処理結果を示す処理結果信号が前記コイルによって前記外部磁界を介して前記外部に送信される場合、前記外部磁界の強度に応じて前記処理結果信号の信号レベルを変更することを含み、
前記信号レベルの変更の度合いは、前記電力の残量に応じて定まる
非接触式通信媒体の動作方法。
【請求項６】
コイルを有し、外部から与えられた外部磁界が前記コイルに作用することで電力を生成する電力生成器と、前記電力を用いて作動し、かつ、前記外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行うプロセッサと、を備えた非接触式通信媒体に対して適用されるコンピュータに特定処理を実行させるためのプログラムであって、
前記特定処理は、
前記処理が行われること得られた処理結果を示す処理結果信号が前記コイルによって前記外部磁界を介して前記外部に送信される場合、前記外部磁界の強度に応じて前記処理結果信号の信号レベルを変更することを含む処理であり、
前記信号レベルの変更の度合いは、前記電力の残量に応じて定まる
プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の技術は、非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、メモリ部と、電力生成部と、電力監視部と、容量制御部とを具備する非接触通信媒体が開示されている。特許文献１に記載の非接触通信媒体において、メモリ部は、所定の管理情報を記憶する。電力生成部は、アンテナコイルと容量値が可変な共振容量部とを有する共振回路と、共振回路の共振出力を整流する整流回路とを有し、メモリ部へ供給される電力を生成する。電力監視部は、共振回路に対して整流回路とは並列に接続され抵抗値が可変に構成された電流調整素子と、基準電圧を発生させる基準電圧発生源と、整流回路の出力電圧が基準電圧と等しくなるように電流調整素子を制御する演算増幅器とを有する。容量制御部は、演算増幅器の出力に基づいて共振容量部を制御するように構成される。
【０００３】
特許文献２には、記録媒体カートリッジ用の非接触通信媒体であって、回路部品と、支持基板と、アンテナコイルとを具備する非接触通信媒体が開示されている。特許文献２に記載の非接触通信媒体において、回路部品は、記録媒体カートリッジに関する管理情報を格納することが可能なメモリ部を内蔵する。支持基板は、回路部品を支持する。アンテナコイルは、回路部品に電気的に接続され支持基板に形成されたコイル部を有し、コイル部のインダクタンス値が０．３μＨ以上２．０μＨ以下である。
【０００４】
特許文献３には、電圧発生部と、メモリ部と、クロック信号発生部と、制御部とを具備する非接触通信媒体が開示されている。特許文献３に記載の非接触通信媒体において、電圧発生部は、送受信用のアンテナコイルを有し、外部機器からの信号磁界を受信して電力を生成する。メモリ部は、電圧発生部に設定される１以上の回路パラメータと、所定の管理情報とを記憶する。クロック信号発生部は、２以上の異なる周波数のクロック信号を選択的に生成することが可能に構成される。制御部は、クロック信号発生部からメモリ部へ供給されるクロック信号の周波数を選択するように構成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２０１９／１９８４３８号
【特許文献２】国際公開第２０１９／１９８５２７号
【特許文献３】国際公開第２０１９／１７６３２５号
【発明の概要】
【０００６】
本開示の技術に係る一つの実施形態は、外部磁界の強度に関わらず処理結果信号の信号レベルが一定の場合に比べ、処理結果信号の送信先に対して処理結果信号を受信させ易くすることができる非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の技術に係る第１の態様は、コイルを有し、外部から与えられた外部磁界がコイルに作用することで電力を生成する電力生成器と、電力を用いてクロック信号を生成するクロック信号生成器と、電力を用いて作動し、かつ、外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行うプロセッサと、を備え、処理が行われることで得られた処理結果を示す処理結果信号がコイルによって外部磁界を介して外部に送信される場合、プロセッサが、外部磁界の強度に応じて処理結果信号の信号レベルを変更する非接触式通信媒体である。
【０００８】
本開示の技術に係る第２の態様は、プロセッサが、外部磁界の強度が小さいほど信号レベルを引き上げる第１の態様に係る非接触式通信媒体である。
【０００９】
本開示の技術に係る第３の態様は、プロセッサが、外部磁界の強度が大きいほど信号レベルを引き下げる非接触式通信媒体である。
【００１０】
本開示の技術に係る第４の態様は、信号レベルの変更の度合いが、電力の残量に応じて定まる第１の態様から第３の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。
【００１１】
本開示の技術に係る第５の態様は、第１の態様から第４の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体と、磁気テープと、を備えた磁気テープカートリッジであって、非接触式通信媒体が、メモリを有し、メモリが、磁気テープに関する情報を記憶している磁気テープカートリッジである。
【００１２】
本開示の技術に係る第６の態様は、コイルを有し、外部から与えられた外部磁界がコイルに作用することで電力を生成する電力生成器と、電力を用いてクロック信号を生成するクロック信号生成器と、電力を用いて作動し、かつ、外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行うプロセッサと、を備えた非接触式通信媒体の動作方法であって、処理が行われること得られた処理結果を示す処理結果信号がコイルによって外部磁界を介して外部に送信される場合、外部磁界の強度に応じて処理結果信号の信号レベルを変更することを含む、非接触式通信媒体の動作方法である。
【００１３】
本開示の技術に係る第７の態様は、コイルを有し、外部から与えられた外部磁界がコイルに作用することで電力を生成する電力生成器と、電力を用いてクロック信号を生成するクロック信号生成器と、電力を用いて作動し、かつ、外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行うプロセッサと、を備えた非接触式通信媒体に対して適用されるコンピュータに、処理が行われること得られた処理結果を示す処理結果信号がコイルによって外部磁界を介して外部に送信される場合、外部磁界の強度に応じて処理結果信号の信号レベルを変更することを含む処理を実行させるためのプログラムである。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施形態に係る磁気テープカートリッジの外観の一例を示す概略斜視図である。
【図２】実施形態に係る磁気テープカートリッジの下ケースの内側の右後端部の構造の一例を示す概略斜視図である。
【図３】実施形態に係る磁気テープカートリッジの下ケースの内面に設けられた支持部材の一例を示す側面視断面図である。
【図４】実施形態に係る磁気テープドライブのハードウェア構成の一例を示す概略構成図である。
【図５】実施形態に係る磁気テープカートリッジの下側から非接触式読み書き装置によって磁界が放出されている態様の一例を示す概略斜視図である。
【図６】実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリに対して非接触式読み書き装置から磁界が付与されている態様の一例を示す概念図である。
【図７】実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの基板の裏面の構造の一例を示す概略底面図である。
【図８】実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの基板の表面の構造の一例を示す概略平面図である。
【図９】実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの回路構成の一例を示す概略回路図である。
【図１０】実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリに搭載されているＩＣチップのコンピュータのハードウェア構成の一例を示すブロック図である。
【図１１】実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリのＣＰＵによって実行される信号レベル設定処理の処理内容の一例を示す概念図である。
【図１２】実施形態に係る信号レベル設定処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【図１３】磁界の強度と応答信号の信号レベルとの相関の一例を示すグラフである。
【図１４】電力の残量と応答信号の信号レベルの引き上げ度合いとの相関の一例を示すグラフである。
【図１５】電力の残量と応答信号の信号レベルの引き下げ度合いとの相関の一例を示すグラフである。
【図１６】実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの概略平面図であって、コイルとＩＣチップとを接続形態の変形例を示す概略平面図である。
【図１７】実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの傾斜角度の変形例を示す概念図である。
【図１８】実施形態に係る複数の磁気テープカートリッジのパッケージに対して磁界が付与されている態様の一例を示す概念図である。
【図１９】実施形態に係る信号レベル設定処理プログラムが記憶されている記憶媒体からコンピュータに信号レベル設定処理プログラムがインストールされる態様の一例を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
先ず、以下の説明で使用される文言について説明する。
【００１６】
ＣＰＵとは、“Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ”の略称を指す。ＲＡＭとは、“Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＮＶＭとは、“Ｎｏｎ−Ｖｏｌａｔｉｌｅ  Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＲＯＭとは、“Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。Ｉ／Ｆとは、“Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ”の略称を指す。ＥＥＰＲＯＭとは、“Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｅｒａｓａｂｌｅ  ａｎｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＳＳＤとは、“Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｄｒｉｖｅ”の略称を指す。ＵＳＢとは、“Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｓｅｒｉａｌ  Ｂｕｓ”の略称を指す。ＡＳＩＣとは、“Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ”の略称を指す。ＰＬＤとは、“Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅ”の略称を指す。ＦＰＧＡとは、“Ｆｉｅｌｄ−Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙ”の略称を指す。ＳｏＣとは、“Ｓｙｓｔｅｍ−ｏｎ−ａ−ｃｈｉｐ”の略称を指す。ＩＣとは、“Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ”の略称を指す。ＲＦＩＤとは、“ｒａｄｉｏ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ”の略称を指す。ＬＴＯとは、“Ｌｉｎｅａｒ  Ｔａｐｅ−Ｏｐｅｎ”の略称を指す。
【００１７】
以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の磁気テープドライブ３０（図４参照）への装填方向を矢印Ａで示し、矢印Ａ方向を磁気テープカートリッジ１０の前方向とし、磁気テープカートリッジ１０の前方向の側を磁気テープカートリッジ１０の前側とする。以下の構造上の説明において、「前」とは、磁気テープカートリッジ１０の前側を指す。
【００１８】
また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、矢印Ａ方向と直交する矢印Ｂ方向を右方向とし、磁気テープカートリッジ１０の右方向の側を磁気テープカートリッジ１０の右側とする。以下の構造上の説明において、「右」とは、磁気テープカートリッジ１０の右側を指す
【００１９】
また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、矢印Ａ方向及び矢印Ｂ方向と直交する方向を矢印Ｃで示し、矢印Ｃ方向を磁気テープカートリッジ１０の上方向とし、磁気テープカートリッジ１０の上方向の側を磁気テープカートリッジ１０の上側とする。以下の説明において、以下の構造上の説明において、「上」とは、磁気テープカートリッジ１０の上側を指す。
【００２０】
また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の前方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１０の後方向とし、磁気テープカートリッジ１０の後方向の側を磁気テープカートリッジ１０の後側とする。以下の構造上の説明において、「後」とは、磁気テープカートリッジ１０の後側を指す。
【００２１】
また、以下の説明では、磁気テープカートリッジ１０の規格としてＬＴＯを例に挙げて説明する。また、以下の説明では、本開示の技術に係るＬＴＯに対して、下記の表１に示す仕様が適用されていることを前提として説明するが、これはあくまでも一例に過ぎない。
【００２２】
【表１】
0006798052.tif 000002
【００２３】
表１において、「ＲＥＱＡ〜ＳＥＬＣＥＴ系」とは、後述のポーリングコマンドを意味する。「ＲＥＱＡ〜ＳＥＬＣＥＴ系」には、少なくとも“Ｒｅｑｕｅｓｔ  Ａ”というコマンド、“Ｒｅｑｕｅｓｔ  ＳＮ”というコマンド、及び“Ｓｅｌｅｃｔ”というコマンドが含まれている。“Ｒｅｑｕｅｓｔ  Ａ”は、カートリッジメモリに対して、如何なるタイプのカートリッジメモリであるかを問い合わせるコマンドである。本実施形態において“Ｒｅｑｕｅｓｔ  Ａ”は、１種類であるが、これに限らず、複数種類であってもよい。“Ｒｅｑｕｅｓｔ  ＳＮ”は、カートリッジメモリに対して、シリアルナンバーを問い合わせるコマンドである。“Ｓｅｌｅｃｔ”は、カートリッジメモリに対して読み書きの準備を予告するコマンドである。ＲＥＡＤ系は、後述の読出コマンドに相当するコマンドである。ＷＲＩＴＥ系は、後述の書込コマンドに相当するコマンドである。
【００２４】
また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の上方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１０の下方向とし、磁気テープカートリッジ１０の下方向の側を磁気テープカートリッジ１０の下側とする。以下の構造上の説明において、「下」とは、磁気テープカートリッジ１０の下側を指す。
【００２５】
一例として図１に示すように、磁気テープカートリッジ１０は、平面視略矩形であり、かつ、箱状のケース１２を備えている。ケース１２は、ポリカーボネート等の樹脂製であり、上ケース１４及び下ケース１６を備えている。上ケース１４及び下ケース１６は、上ケース１４の下周縁面と下ケース１６の上周縁面とを接触させた状態で、溶着（例えば、超音波溶着）及びビス止めによって接合されている。接合方法は、溶着及びビス止めに限らず、他の接合方法であってもよい。
【００２６】
ケース１２の内部には、カートリッジリール１８が回転可能に収容されている。カートリッジリール１８は、リールハブ１８Ａ、上フランジ１８Ｂ１、及び下フランジ１８Ｂ２を備えている。リールハブ１８Ａは、円筒状に形成されている。リールハブ１８Ａは、カートリッジリール１８の軸心部であり、軸心方向がケース１２の上下方向に沿っており、ケース１２の中央部に配置されている。上フランジ１８Ｂ１及び下フランジ１８Ｂ２の各々は円環状に形成されている。リールハブ１８Ａの上端部には上フランジ１８Ｂ１の平面視中央部が固定されており、リールハブ１８Ａの下端部には下フランジ１８Ｂ２の平面視中央部が固定されている。リールハブ１８Ａの外周面には、磁気テープＭＴが巻き回されており、磁気テープＭＴの幅方向の端部は上フランジ１８Ｂ１及び下フランジ１８Ｂ２によって保持されている。
【００２７】
ケース１２の右壁１２Ａの前側には、開口１２Ｂが形成されている。磁気テープＭＴは、開口１２Ｂから引き出される。
【００２８】
一例として図２に示すように、下ケース１６の右後端部には、カートリッジメモリ１９が収容されている。カートリッジメモリ１９は、本開示の技術に係る「非接触式通信媒体」の一例である。本実施形態では、いわゆるパッシブ型のＲＦＩＤタグがカートリッジメモリ１９として採用されている。
【００２９】
カートリッジメモリ１９には、管理情報１００（図１０参照）が記憶されている。管理情報１００は、磁気テープカートリッジ１０を管理する情報である。管理情報１００としては、例えば、磁気テープカートリッジ１０を特定可能な識別情報、磁気テープＭＴの記録容量、磁気テープＭＴに記録されている情報（以下、「記録情報」とも称する）の概要、記録情報の項目、及び記録情報の記録形式等を示す情報が挙げられる。なお、管理情報は、本開示の技術に係る「磁気テープに関する情報」の一例である。
【００３０】
カートリッジメモリ１９は、非接触式で外部装置（図示省略）と通信を行う。外部装置としては、例えば、磁気テープカートリッジ１０の生産工程で使用される読み書き装置、及び、磁気テープドライブ（例えば、図４に示す磁気テープドライブ３０）内で使用される読み書き装置（例えば、図４〜図６に示す非接触式読み書き装置５０）が挙げられる。
【００３１】
外部装置は、カートリッジメモリ１９に対して、非接触式で各種情報の読み書きを行う。詳しくは後述するが、カートリッジメモリ１９は、外部装置から与えられた磁界に対して電磁的に作用することで電力を生成する。そして、カートリッジメモリ１９は、生成した電力を用いて作動し、磁界を介して外部装置と通信を行うことで外部装置との間で各種情報の授受を行う。
【００３２】
一例として図２に示すように、下ケース１６の右後端部の底板１６Ａの内面には、支持部材２０が設けられている。支持部材２０は、カートリッジメモリ１９を傾斜させた状態で下方から支持する一対の傾斜台である。一対の傾斜台は、第１傾斜台２０Ａ及び第２傾斜台２０Ｂである。第１傾斜台２０Ａ及び第２傾斜台２０Ｂは、ケース１２の左右方向に間隔を隔てて配置されており、下ケース１６の後壁１６Ｂの内面及び底板１６Ａの内面に一体化されている。第１傾斜台２０Ａは、傾斜面２０Ａ１を有しており、傾斜面２０Ａ１は、後壁１６Ｂの内面から底板１６Ａの内面に向けて下り傾斜している。また、傾斜面２０Ｂ１も、後壁１６Ｂの内面から底板１６Ａの内面に向けて下り傾斜している。
【００３３】
支持部材２０の前方側には、一対の位置規制リブ２２が左右方向に間隔を隔てて配置されている。一対の位置規制リブ２２は、底板１６Ａの内面に立設されており、支持部材２０に配置された状態のカートリッジメモリ１９の下端部の位置を規制する。
【００３４】
一例として図３に示すように、底板１６Ａの外面には基準面１６Ａ１が形成されている。基準面１６Ａ１は、平面である。ここで、平面とは、底板１６Ａを下側にして下ケース１６を水平面に置いた場合において、水平面に対して平行な面を指す。支持部材２０の傾斜角度θ、すなわち、傾斜面２０Ａ１及び傾斜面２０Ｂ１の傾斜角は、基準面１６Ａ１に対して４５度である。
【００３５】
カートリッジメモリ１９は、基板２６を備えている。基板２６は、基板２６の裏面２６Ａを下側に向けて支持部材２０上に置かれ、支持部材２０は、基板２６の裏面２６Ａを下方から支持する。基板２６の裏面２６Ａの一部は、支持部材２０の傾斜面、すなわち、傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１に接触しており、基板２６の表面２６Ｂは、天板１４Ａの内面１４Ａ１側に露出している。
【００３６】
上ケース１４は、複数のリブ２４を備えている。複数のリブ２４は、ケース１２の左右方向に間隔を隔てて配置されている。複数のリブ２４は、上ケース１４の天板１４Ａの内面１４Ａ１から下側に突設されており、各リブ２４の先端面２４Ａは、傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１に対応した傾斜面を有する。すなわち、各リブ２４の先端面２４Ａは、基準面１６Ａ１に対して４５度に傾斜している。
【００３７】
カートリッジメモリ１９が支持部材２０に配置された状態で、上述したように上ケース１４が下ケース１６に接合されると、各リブ２４の先端面２４Ａは、基板２６に対して表面２６Ｂ側から接触し、基板２６は、各リブ２４の先端面２４Ａと支持部材２０の傾斜面とで挟み込まれる。これにより、カートリッジメモリ１９の上下方向の位置がリブ２４によって規制される。
【００３８】
一例として図４に示すように、磁気テープドライブ３０は、搬送装置３４、読取ヘッド３６、及び制御装置３８を備えている。磁気テープドライブ３０には、磁気テープカートリッジ１０が装填される。磁気テープドライブ３０は、磁気テープカートリッジ１０から磁気テープＭＴが引き出され、引き出された磁気テープＭＴから読取ヘッド３６を用いて記録情報をリニアスキャン方式で読み取る装置である。なお、本実施形態において、記録情報の読み取りとは、換言すると、記録情報の再生を指す。
【００３９】
制御装置３８は、磁気テープドライブ３０の全体を制御する。本実施形態において、制御装置３８は、ＡＳＩＣによって実現されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、制御装置３８は、ＦＰＧＡによって実現されるようにしてもよい。また、制御装置３８は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、及びＲＡＭを含むコンピュータによって実現されるようにしてもよい。また、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、及びコンピュータのうちの２つ以上を組み合わせて実現されるようにしてもよい。すなわち、制御装置３８は、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現されるようにしてもよい。
【００４０】
搬送装置３４は、磁気テープＭＴを順方向及び逆方向に選択的に搬送する装置であり、送出モータ４０、巻取リール４２、巻取モータ４４、複数のガイドローラＧＲ、及び制御装置３８を備えている。
【００４１】
送出モータ４０は、制御装置３８の制御下で、磁気テープカートリッジ１０内のカートリッジリール１８を回転駆動させる。制御装置３８は、送出モータ４０を制御することで、カートリッジリール１８の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。
【００４２】
磁気テープＭＴが巻取リール４２によって巻き取られる場合には、制御装置３８によって、磁気テープＭＴを順方向に走行させるように送出モータ４０を回転させる。送出モータ４０の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール４２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。
【００４３】
巻取モータ４４は、制御装置３８の制御下で、巻取リール４２を回転駆動させる。制御装置３８は、巻取モータ４４を制御することで、巻取リール４２の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。
【００４４】
磁気テープＭＴが巻取リール４２によって巻き取られる場合には、制御装置３８によって、磁気テープＭＴを順方向に走行させるように巻取モータ４４を回転させる。巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール４２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。
【００４５】
このようにして送出モータ４０及び巻取モータ４４の各々の回転速度及び回転トルク等が調整されることで、磁気テープＭＴに既定範囲内の張力が付与される。ここで、既定範囲内とは、例えば、磁気テープＭＴから読取ヘッド３６によってデータが読取可能な張力の範囲として、コンピュータ・シミュレーション及び／又は実機による試験等により得られた張力の範囲を指す。
【００４６】
なお、磁気テープＭＴをカートリッジリール１８に巻き戻す場合には、制御装置３８によって、磁気テープＭＴを逆方向に走行させるように送出モータ４０及び巻取モータ４４を回転させる。
【００４７】
本実施形態では、送出モータ４０及び巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等が制御されることにより磁気テープＭＴの張力が制御されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープＭＴの張力は、ダンサローラを用いて制御されてもよいし、バキュームチャンバに磁気テープＭＴを引き込むことによって制御されるようにしてもよい。
【００４８】
複数のガイドローラＧＲの各々は、磁気テープＭＴを案内するローラである。磁気テープＭＴの走行経路は、複数のガイドローラＧＲが磁気テープカートリッジ１０と巻取リール４２との間において読取ヘッド３６を跨ぐ位置に分けて配置されることによって定められている。
【００４９】
読取ヘッド３６は、読取素子４６及びホルダ４８を備えている。読取素子４６は、走行中の磁気テープＭＴに接触するようにホルダ４８によって保持されており、搬送装置３４によって搬送される磁気テープＭＴから記録情報を読み取る。
【００５０】
磁気テープドライブ３０は、非接触式読み書き装置５０を備えている。非接触式読み書き装置５０は、本開示の技術に係る「外部」及び「通信装置」の一例である。非接触式読み書き装置５０は、磁気テープカートリッジ１０が装填された状態の磁気テープカートリッジ１０の下側にてカートリッジメモリ１９の裏面２６Ａに正対するように配置されている。なお、磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に装填された状態とは、例えば、磁気テープカートリッジ１０が読取ヘッド３６による磁気テープＭＴに対する記録情報の読み取りを開始する位置として事前に定められた位置に到達した状態を指す。
【００５１】
一例として図５に示すように、非接触式読み書き装置５０は、磁気テープカートリッジ１０の下側からカートリッジメモリ１９に向けて磁界ＭＦを放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ１９を貫通する。なお、磁界ＭＦは、本開示の技術に係る「外部磁界」の一例である。
【００５２】
一例として図６に示すように、非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８に接続されている。制御装置３８は、カートリッジメモリ１９を制御する制御信号を非接触式読み書き装置５０に出力する。非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８から入力された制御信号に従って、磁界ＭＦをカートリッジメモリ１９に向けて放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ１９の裏面２６Ａ側から表面２６Ｂ側に貫通する。
【００５３】
非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８の制御下で、コマンド信号をカートリッジメモリ１９に空間伝送する。詳しく後述するが、コマンド信号は、カートリッジメモリ１９に対する指令を示す信号である。コマンド信号が非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に空間伝送される場合、磁界ＭＦには、制御装置３８からの指示に従って非接触式読み書き装置５０によってコマンド信号が含まれる。換言すると、磁界ＭＦには、コマンド信号が重畳される。すなわち、非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８の制御下で、磁界ＭＦを介してコマンド信号をカートリッジメモリ１９に送信する。
【００５４】
カートリッジメモリ１９の表面２６Ｂには、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４が搭載されている。ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は、表面２６Ｂに接着されている。また、カートリッジメモリ１９の表面２６Ｂにおいて、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は封止材５６によって封止されている。ここでは、封止材５６として、紫外線に反応して硬化する紫外線硬化樹脂が採用されている。なお、紫外線硬化樹脂は、あくまでも一例に過ぎず、紫外線以外の波長域の光に反応して効果する光硬化樹脂を封止材５６として使用してもよいし、熱硬化性樹脂を封止材５６として使用してもよいし、接着剤を封止材５６として使用してもよい。
【００５５】
一例として図７に示すように、カートリッジメモリ１９の裏面２６Ａには、コイル６０がループ状に形成されている。ここでは、コイル６０の素材として、銅箔が採用されている。銅箔は、あくまでも一例に過ぎず、例えば、アルミニウム箔等の他種類の導電性素材であってもよい。コイル６０は、非接触式読み書き装置５０から与えられた磁界ＭＦ（図５及び図６参照）が作用することで誘導電流を誘起する。
【００５６】
カートリッジメモリ１９の裏面２６Ａには、第１導通部６２Ａ及び第２導通部６２Ｂが設けられている。第１導通部６２Ａ及び第２導通部６２Ｂは、はんだを有しており、表面２６ＢのＩＣチップ５２（図６及び図８参照）及びコンデンサ５４（図６及び図８参照）に対してコイル６０の両端部を電気的に接続している。
【００５７】
一例として図８に示すように、カートリッジメモリ１９の表面２６Ｂにおいて、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は、ワイヤ接続方式で互いに電気的に接続されている。具体的には、ＩＣチップ５２の正極端子及び負極端子のうちの一方の端子が配線６４Ａを介して第１導通部６２Ａに接続されており、他方の端子が配線６４Ｂを介して第２導通部６２Ｂに接続されている。また、コンデンサ５４は、一対の電極を有する。図８に示す例では、一対の電極は、電極５４Ａ及び５４Ｂである。電極５４Ａは、配線６４Ｃを介して第１導通部６２Ａに接続されており、電極５４Ｂは、配線６４Ｄを介して第２導通部６２Ｂに接続されている。これにより、コイル６０に対して、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は並列に接続される。
【００５８】
一例として図９に示すように、ＩＣチップ５２は、内蔵コンデンサ８０、電源回路８２、コンピュータ８４、クロック信号生成器８６、信号処理回路８８、及び磁界強度測定回路９０を備えている。ＩＣチップ５２は、磁気テープカートリッジ１０以外の用途にも使用可能な汎用タイプのＩＣチップであり、磁気テープカートリッジ用プログラムがインストールされることによって磁気テープカートリッジ用演算装置として機能する。なお、磁気テープカートリッジ用プログラムの一例としては、後述の信号レベル設定処理プログラム１０２が挙げられる。
【００５９】
また、カートリッジメモリ１９は、電力生成器７０を備えている。電力生成器７０は、非接触式読み書き装置５０から与えられた磁界ＭＦがコイル６０に対して作用することで電力を生成する。具体的には、電力生成器７０は、共振回路９２を用いて交流電力を生成し、生成した交流電力を直流電力に変換して出力する。
【００６０】
電力生成器７０は、共振回路９２及び電源回路８２を有する。共振回路９２は、コンデンサ５４、コイル６０、及び内蔵コンデンサ８０を備えている。内蔵コンデンサ８０は、ＩＣチップ５２に内蔵されているコンデンサであり、電源回路８２もＩＣチップ５２に内蔵されている回路である。内蔵コンデンサ８０は、コイル６０に対して並列に接続されている。
【００６１】
コンデンサ５４は、ＩＣチップ５２に対して外付けされたコンデンサである。ＩＣチップ５２は、本来、磁気テープカートリッジ１０とは異なる用途でも用いることが可能な汎用のＩＣチップである。そのため、内蔵コンデンサ８０の容量は、磁気テープカートリッジ１０で用いられるカートリッジメモリ１９で要求される共振周波数を実現するには不足している。そこで、カートリッジメモリ１９では、磁界ＭＦが作用することで共振回路９２を予め定められた共振周波数で共振させる上で必要な容量値を有するコンデンサとして、ＩＣチップ５２に対してコンデンサ５４が後付けされている。なお、予め定められた共振周波数は、磁界ＭＦの周波数と同一の周波数であり、ここでは、１３．５６ＭＨｚが採用されている。また、コンデンサ５４の容量は、内蔵コンデンサ８０の容量の実測値に基づいて定められている。
【００６２】
共振回路９２は、磁界ＭＦがコイル６０を貫通することでコイル６０によって誘起された誘導電流を用いて、予め定められた共振周波数の共振現象を発生させることで交流電力を生成し、生成した交流電力を電源回路８２に出力する。
【００６３】
電源回路８２は、整流回路及び平滑回路等を有する。整流回路は、複数のダイオードを有する全波整流回路である。全波整流回路は、あくまでも一例に過ぎず、半波整流回路であってもよい。平滑回路は、コンデンサ及び抵抗を含んで構成されている。電源回路８２は、共振回路９２から入力された交流電力を直流電力に変換し、変換して得た直流電力（以下、単に「電力」とも称する）をＩＣチップ５２内の各種の駆動素子に供給する。各種の駆動素子としては、コンピュータ８４、クロック信号生成器８６、信号処理回路８８、及び磁界強度測定回路９０が挙げられる。このように、ＩＣチップ５２内の各種の駆動素子に対して電力が電力生成器７０によって供給されることで、ＩＣチップ５２は、電力生成器７０によって生成された電力を用いて動作する。
【００６４】
コンピュータ８４は、本開示の技術に係る「コンピュータ」の一例であり、カートリッジメモリ１９の全体を制御する。コンピュータ８４は、管理情報１００（図１０参照）を保持している。
【００６５】
クロック信号生成器８６は、クロック信号を生成して各種の駆動素子に出力する。各種の駆動素子は、クロック信号生成器８６から入力されたクロック信号に従って動作する。詳しくは後述するが、クロック信号生成器８６は、コンピュータ８４の指示に従って、クロック信号の周波数（以下、「クロック周波数」とも称する）を変更する。クロック信号生成器８６では、基準となるクロック周波数（以下、「基準クロック周波数」と称する）として磁界ＭＦの周波数と同一の周波数が用いられており、基準クロック周波数に基づいて異なるクロック周波数のクロック信号が生成される。本実施形態において、クロック信号生成器８６は、第１周波数〜第３周波数のクロック信号を選択的に生成する。第１周波数は、基準クロック周波数の１／４の周波数であり、第２周波数は、基準クロック周波数の１／２の周波数であり、第３周波数は、基準クロック周波数と同じ周波数である（図１１参照）。なお、第２周波数は、本開示の技術に係る「既定値」の一例である。
【００６６】
信号処理回路８８は、共振回路９２に接続されている。信号処理回路８８は、復号回路（図示省略）及び符号化回路（図示省略）を有する。信号処理回路８８の復号回路は、コイル６０によって受信された磁界ＭＦからコマンド信号を抽出して復号し、コンピュータ８４に出力する。コンピュータ８４は、コマンド信号に対する応答信号を信号処理回路８８に出力する。すなわち、コンピュータ８４は、信号処理回路８８から入力されたコマンド信号に応じた処理を実行し、処理結果を応答信号として信号処理回路８８に出力する。信号処理回路８８では、コンピュータ８４から応答信号が入力されると、信号処理回路８８の符号化回路は、応答信号を符号化することで変調して共振回路９２に出力する。共振回路９２は、信号処理回路８８の符号化回路から入力された応答信号を、磁界ＭＦを介して非接触式読み書き装置５０に送信する。すなわち、カートリッジメモリ１９から非接触式読み書き装置５０に応答信号が送信される場合、磁界ＭＦには、応答信号が含まれる。換言すると、磁界ＭＦには応答信号が重畳される。
【００６７】
磁界強度測定回路９０は、電源回路８２によって生成された電力に基づいて磁界ＭＦの強度を測定する。電源回路８２によって生成された電力は、共振回路９２に与えられる磁界ＭＦの強度が大きいほど制限範囲内で大きくなる。磁界強度測定回路９０は、電源回路８２によって生成された電力と共振回路９２に与えられる磁界ＭＦの強度との相関に基づいて、電源回路８２によって生成された電力に応じた出力レベルの信号を出力する。つまり、磁界強度測定回路９０は、電源回路８２によって生成された電力が測定し、測定結果に基づいて磁界ＭＦの強度を示す磁界強度信号を生成してコンピュータ８４に出力する。これにより、コンピュータ８４は、磁界強度測定回路９０から入力された磁界強度信号に応じた処理を実行することが可能となる。
【００６８】
一例として図１０に示すように、コンピュータ８４は、ＣＰＵ９４、ＮＶＭ９６、及びＲＡＭ９８を備えている。ＣＰＵ９４、ＮＶＭ９６、及びＲＡＭ９８は、バス９９に接続されている。また、バス９９には、クロック信号生成器８６、信号処理回路８８、及び磁界強度測定回路９０も接続されている。
【００６９】
ＮＶＭ９６は、本開示の技術に係る「メモリ」の一例である。ここでは、ＮＶＭ９６として、ＥＥＰＲＯＭが採用されている。ＥＥＰＲＯＭは、これはあくまでも一例に過ぎず、例えば、ＥＥＰＲＯＭに代えて強誘電体メモリであってもよく、ＩＣチップ５２に搭載可能な不揮発性メモリであれば如何なるメモリであってもよい。
【００７０】
ＮＶＭ９６には、管理情報１００が記憶されている。ＣＰＵ９４は、信号処理回路８８から入力されたコマンド信号に応じて、ポーリング処理、読出処理、書込処理、及び特別処理を選択的に行う。
【００７１】
コマンド信号により示されるコマンドは、ポーリングコマンド、読出コマンド、又は書込コマンドである。コマンド信号により示されるコマンドがポーリングコマンドの場合、ＣＰＵ９４は、ポーリング処理を実行する。コマンド信号により示されるコマンドが読出コマンドの場合、ＣＰＵ９４は、読出処理を実行する。コマンド信号により示されるコマンドが書込コマンドの場合、ＣＰＵ９４は、書込処理を実行する。なお、ここでは、説明の便宜上、ポーリング信号として１種類の信号を例示しているが、ポーリング信号は、複数種類の信号であってもよい。
【００７２】
ポーリング処理は、非接触式読み書き装置５０との間で通信を確立する処理であり、例えば、読出処理及び書込処理の前段階の準備処理として行われる。読出処理は、ＮＶＭ９６から管理情報１００等を読み出す処理である。書込処理は、ＮＶＭ９６に管理情報１００等を書き込む処理である。ここでは、ポーリング処理、読出処理、及び書込処理で用いられるクロック周波数として、第３周波数が採用されている。
【００７３】
特別処理は、カートリッジメモリ１９の起動時に用いるクロック周波数として予め定められた起動時周波数よりも低いクロック周波数を設定する処理である。ここでは、起動時周波数として、第２周波数が採用されており、特別処理で用いられるクロック周波数として、第１周波数が採用されている。
【００７４】
特別処理では、例えば、非接触式読み書き装置５０とカートリッジメモリ１９との間で通信のリトライが行われる。通信のリトライとは、例えば、ポーリング処理によって非接触式読み書き装置５０とカートリッジメモリ１９との間で通信が確立しなかった場合に、ＣＰＵ９４が、再度、ポーリング処理を行うことを指す。
【００７５】
ポーリング処理、読出処理、書込処理、及び特別処理（以下、区別して説明する必要がない場合、「各種処理」と称する）は何れも、クロック信号生成器８６によって生成されたクロック信号に従ってＣＰＵ９４によって行われる。すなわち、ＣＰＵ９４は、各種処理をクロック周波数に応じた処理速度で行う。
【００７６】
従って、クロック周波数が高いほど処理速度は高まる。処理速度が高まるということは、ＣＰＵ９４にかかる負荷が大きくなり、消費電力も大きくなる。また、管理情報１００等の情報量が多くなるほど、ＣＰＵ９４による読出処理及び書込処理の実行時間が長くなり、電源回路８２からＣＰＵ９４等に供給される電力が不足してしまう虞がある。このような事態の発生を回避するために、カートリッジメモリ１９では、ＣＰＵ９４によって信号レベル設定処理が実行される。信号レベル設定処理は、ＣＰＵ９４によって各種処理が行われることによって得られた処理結果を示す処理結果信号が、非接触式読み書き装置５０からの要求に対する応答信号としてコイル６０によって磁界ＭＦを介して非接触式読み書き装置５０に送信される場合、磁界ＭＦの強度に応じて処理結果信号の信号レベルを変更する処理である。なお、ＣＰＵ９４によって各種処理が行われることによって得られた処理結果を示す処理結果信号は、非接触式読み書き装置５０からの要求に対する応答信号であるので、以下では、説明の便宜上、処理結果信号を「応答信号」とも称する。以下、信号レベル設定処理について説明する。
【００７７】
ＮＶＭ９６には、信号レベル設定処理プログラム１０２が記憶されている。ＣＰＵ９４は、ＮＶＭ９６から信号レベル設定処理プログラム１０２を読み出し、ＲＡＭ９８上で信号レベル設定処理プログラム１０２を実行する。信号レベル設定処理は、ＣＰＵ９４によって信号レベル設定処理プログラム１０２が実行されることで実現される。
【００７８】
一例として図１１に示すように、ＣＰＵ９４は、信号レベル設定処理を実行することで、応答信号を非接触式読み書き装置５０に磁界ＭＦを介して送信する場合に、磁界ＭＦの強度に応じて応答信号の信号レベルを変更する。磁界ＭＦの強度は、磁界強度測定回路９０からＣＰＵ９４に入力される磁界強度信号に基づいてＣＰＵ９４によって特定される。
【００７９】
ＣＰＵ９４は、磁界ＭＦの強度に応じて、応答信号の信号レベルを、第１信号レベル又は第２信号レベルに設定する。第２信号レベルは、第１信号レベルよりも高い信号レベルである。図１１に示す例では、第２信号レベルは、第１信号レベルの２倍である。ここで、信号レベルとは、応答信号の振幅（１ビット単位での深さ）を意味する。
【００８０】
ＣＰＵ９４は、磁界ＭＦの強度が閾値以上の場合に、応答信号の信号レベルを第１信号レベルに設定し、磁界ＭＦの強度が閾値未満の場合に、応答信号の信号レベルを第２信号レベルに設定する。閾値は、通信の失敗が生じない磁界ＭＦの強度の下限値として、実機による試験及び／又はコンピュータ・シミュレーション等によって予め導き出された値である。閾値は、固定値であってもよいし、与えられた条件に応じて変更される可変値であってもよい。
【００８１】
次に、カートリッジメモリ１９の作用について、図１２を参照して説明する。
【００８２】
図１２には、コマンド信号により示されるコマンドに対する応答信号がカートリッジメモリ１９から非接触式読み書き装置５０に送信される場合にＣＰＵ９４によって実行される信号レベル設定処理の流れの一例が示されている。以下の信号レベル設定処理の説明では、説明の便宜上、電源回路８２から各種の駆動素子に電力が供給されていることを前提としている。また、以下の信号レベル設定処理の説明では、説明の便宜上、コマンド信号により示されるコマンドがポーリングコマンド、読出コマンド、又は書込コマンドであり、コマンド信号により示されるコマンドに応じた処理がＣＰＵ９４によって実行されていることを前提としている。
【００８３】
図１２に示す信号レベル設定処理では、先ず、ステップＳＴ１２で、ＣＰＵ９４は、磁界強度測定回路９０から磁界強度信号が入力されたか否かを判定する。ステップＳＴ１２において、磁界強度信号が入力されていない場合は、判定が否定されて、信号レベル設定処理はステップＳＴ２０へ移行する。ステップＳＴ１２において、磁界強度信号が入力された場合は、判定が肯定されて、信号レベル設定処理はステップＳＴ１４へ移行する。
【００８４】
ステップＳＴ１４で、ＣＰＵ９４は、ステップＳＴ１２で入力された磁界強度信号により示される磁界ＭＦの強度が閾値未満か否かを判定する。ステップＳＴ１４において、磁界ＭＦの強度が閾値以上の場合は、判定が否定されて、信号レベル設定処理はステップＳＴ３０へ移行する。ステップＳＴ１４において、磁界ＭＦの強度が閾値未満の場合は、判定が肯定されて、信号レベル設定処理はステップＳＴ１６へ移行する。
【００８５】
ステップＳＴ１６で、ＣＰＵ９４は、応答信号の信号レベルとして第１信号レベルが設定されているか否かを判定する。ステップＳＴ１６において、応答信号の信号レベルとして第２信号レベルが設定されている場合は、判定が否定されて、信号レベル設定処理はステップＳＴ２０へ移行する。ステップＳＴ１６において、応答信号の信号レベルとして第１信号レベルが設定されている場合は、判定が肯定されて、信号レベル設定処理はステップＳＴ１８へ移行する。
【００８６】
ステップＳＴ１８で、ＣＰＵ９４は、応答信号の信号レベルを第２信号レベルに設定し、その後、信号レベル設定処理はステップＳＴ２０へ移行する。
【００８７】
ステップＳＴ３０で、ＣＰＵ９４は、応答信号の信号レベルとして第２信号レベルが設定されているか否かを判定する。ステップＳＴ３０において、応答信号の信号レベルとして第１信号レベルが設定されている場合は、判定が否定されて、信号レベル設定処理はステップＳＴ２０へ移行する。ステップＳＴ３０において、応答信号の信号レベルとして第２信号レベルが設定されている場合は、判定が肯定されて、信号レベル設定処理はステップＳＴ３２へ移行する。
【００８８】
ステップＳＴ３２で、ＣＰＵ９４は、応答信号の信号レベルを第１信号レベルに設定し、その後、信号レベル設定処理はステップＳＴ２０へ移行する。
【００８９】
ステップＳＴ２０で、ＣＰＵ９４は、信号レベル設定処理を終了する条件（以下、「信号レベル設定処理終了条件」と称する）を満足したか否かを判定する。信号レベル設定処理終了条件としては、例えば、磁界ＭＦが消失した、との条件が挙げられる。磁界ＭＦが消失したか否かは、磁界強度測定回路９０からＣＰＵ９４に入力される磁界強度信号に基づいてＣＰＵ９４によって判定される。ステップＳＴ２０において、信号レベル設定処理終了条件を満足していない場合は、判定が否定されて、信号レベル設定処理はステップＳＴ１２へ移行する。ステップＳＴ２０において、信号レベル設定処理終了条件を満足した場合は、判定が肯定されて、信号レベル設定処理が終了する。
【００９０】
以上説明したように、磁界ＭＦの強度が閾値未満の場合に、応答信号の信号レベルが第１信号レベルから第２信号レベルに引き上げられる。これにより、仮に、応答信号の送信先である非接触式読み書き装置５０が、性能の問題で、第１信号レベルの応答信号を受信することができない装置だったとしても、第１信号レベルよりも高い信号レベルである第２信号レベルの応答信号がカートリッジメモリ１９から磁界ＭＦを介して送信されるので、応答信号の信号レベルが常に第１信号レベルで固定されている場合に比べ、非接触式読み書き装置５０に対して応答信号を受信させ易くすることができる。
【００９１】
また、カートリッジメモリ１９では、常に第２信号レベルの応答信号が非接触式読み書き装置５０に送信されるわけではなく、応答信号の信号レベルが、磁界ＭＦの強度に応じて第２信号レベルから第１信号レベルに変更される。これにより、信号レベルが常に第２信号レベルである場合に比べ、消費電力を低減することができる。
【００９２】
なお、上記実施形態では、第１信号レベルと第２信号レベルとの間で選択的に信号レベルが設定されるようにしたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図１３に示すように、磁界ＭＦの強度に応じて、応答信号の信号レベルが無段階式で変更されるようにしてもよい。この場合、例えば、磁界ＭＦの強度が小さいほど応答信号の信号レベルが引き上げられるようにする。換言すると、磁界ＭＦの強度が大きいほど応答信号の信号レベルが引き下げられるようにする、ということである。
【００９３】
このように、磁界ＭＦの強度が小さいほど応答信号の信号レベルが引き上げられるようにすることで、磁界ＭＦの強度に関わらず信号レベルが第２信号レベルに維持されている場合に比べ、磁界ＭＦの強度の不足していることが原因で、非接触式読み書き装置５０が応答信号を受信することができないという事態の発生を抑制することができる。
【００９４】
また、磁界ＭＦの強度が大きいほど応答信号の信号レベルが引き下げられるようにすることで、磁界ＭＦの強度に関わらず信号レベルが第１信号レベルに維持されている場合に比べ、磁界ＭＦの強度に対して不要に信号レベルが高い応答信号が非接触式読み書き装置５０に送信されるという事態の発生を抑制することができる。
【００９５】
なお、図１３に示す例では、磁界ＭＦの強度に対して信号レベルが線形的に変化しているが、本開示の技術はこれに限定されず、磁界ＭＦの強度に対して信号レベルが非線形的に（例えば、指数関数的に）変化していてもよい。また、図１３に二点鎖線で示されているように、磁界ＭＦの強度に応じて信号レベルが段階的に変更されるようにしてもよい。すなわち、磁界ＭＦの強度が小さいほど応答信号の信号レベルが段階的に引き上げられ、磁界ＭＦの強度が大きいほど応答信号の信号レベルが段階的に引き下げられるようにしてもよい。ここで、信号レベルの段階的な変更とは、例えば、磁界ＭＦの強度が大きくなるに従って、信号レベルが引き下げられ、かつ、磁界ＭＦの強度が大きくなるに従って、信号レベルの不変期間が周期的に到来する、ということである。
【００９６】
また、ＣＰＵ９４は、信号レベルの引き上げ度合いを、カートリッジメモリ１９内の電力の残量に応じて定めるようにしてもよい。例えば、図１４に示すように、電力の残量が多いほど信号レベルの引き上げ度合いを大きくするようにしてもよい。また、例えば、図１５に示すように、電力の残量が多いほど信号レベルの引き上げ度合いを小さくするようにしてもよい。これにより、電力の残量に関わらず信号レベルが変更される場合に比べ、電力の過不足と、非接触式読み書き装置５０が応答信号を受信することができないという事態の発生とを抑制することができる。
【００９７】
なお、図１４に示す例では、磁界ＭＦの強度に対して信号レベルの引き上げ度合いが線形的に変化しているが、本開示の技術はこれに限定されず、磁界ＭＦの強度に対して信号レベルの引き上げ度合いが非線形的に（例えば、指数関数的に）変化していてもよい。また、図１５に示す例では、磁界ＭＦの強度に対して信号レベルの引き下げ度合いが線形的に変化しているが、本開示の技術はこれに限定されず、磁界ＭＦの強度に対して信号レベルの引き下げ度合いが非線形的に（例えば、指数関数的に）変化していてもよい。
【００９８】
また、図１４に二点鎖線で示されているように、電力の残量に応じて信号レベルの引き上げ度合いが段階的に変更されるようにしてもよい。すなわち、電力の残量が多いほど応答信号の信号レベルの引き上げ度合いが段階的に大きくなるようにしてもよい。ここで、信号レベルの引き上げ度合いの段階的な変更とは、例えば、電力の残量が多くなるに従って、信号レベルの引き上げ度合いが大きくなり、かつ、電力の残量が多くなるに従って、信号レベルの引き上げ度合いの不変期間が周期的に到来する、ということである。また、図１５に二点鎖線で示されているように、電力の残量に応じて信号レベルの引き下げ度合いが段階的に変更されるようにしてもよい。すなわち、電力の残量が多いほど応答信号の信号レベルの引き下げ度合いが段階的に小さくなるようにしてもよい。ここで、信号レベルの引き下げ度合いの段階的な変更とは、例えば、電力の残量が多くなるに従って、信号レベルの引き下げ度合いが小さくなり、かつ、電力の残量が多くなるに従って、信号レベルの引き下げ度合いの不変期間が周期的に到来する、ということである。
【００９９】
また、上記実施形態では、ＩＣチップ５２とコイル６０とがワイヤ接続方式で接続されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図１６に示すように、ＩＣチップ５２とコイル６０とがフリップチップ接続方式で接続されていてもよい。この場合、例えば、ＩＣチップ５２の正極端子及び負極端子のうちの一方の端子が第１導通部６２Ａに直接接続され、他方の端子が第２導通部６２Ｂに直接接続される。
【０１００】
また、上記実施形態では、傾斜角度θとして４５度を例示したが、本開示の技術はこれに限定されず、一例として図１７に示すように、カートリッジメモリ１９の基準面１６Ａ１に対する傾斜角度として、傾斜角度θよりも小さな傾斜角度θ１が採用されてもよい。傾斜角度θ１の一例としては３０度が挙げられる。傾斜角度θ１は、傾斜角度θよりも小さな角度であるので、傾斜角度θの場合に比べ、コイル６０（図７参照）に対して多くの磁力線を貫通させることができる。この結果、磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に装填された状態で、コイル６０は、傾斜角度θの場合に比べ、大きな誘導電流を得ることができる。
【０１０１】
一例として図１８に示すように、磁気テープカートリッジ１０の生産工程、磁気テープカートリッジ１０の管理工程、及び／又は、磁気テープカートリッジ１０が流通する流通工程（例えば、市場での流通工程）では、上下方向に重ねられた複数の磁気テープカートリッジ１０がプラスチックフィルムでシュリンクされたパッケージ２００内の各磁気テープカートリッジ１０のカートリッジメモリ１９に対して非接触式読み書き装置１５０によって管理情報１００等の読み書きが行われる。カートリッジメモリ１９に対する非接触式読み書き装置１５０による管理情報１００等の読み書きは、磁気テープカートリッジ１０の後側において複数の磁気テープカートリッジ１０が重ねられた方向に沿って非接触式読み書き装置１５０を移動させながら行われる。この場合、例えば、非接触式読み書き装置１５０は、磁界ＭＦ１のオンとオフとを繰り返しながら磁気テープカートリッジ１０の各々に対して磁界ＭＦ１を順次に放出する。
【０１０２】
ところで、磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に装填されている環境下（第１環境下）では、磁気テープカートリッジ１０の下方向又は上方向から非接触式読み書き装置５０によって磁界ＭＦ（第１磁界）が、基準面１６Ａ１に対して正対する側から、基板２６のうちのコイル６０が形成されている表面２６Ａ（コイル形成面）に向けて磁界ＭＦが付与される（図１７参照）。これにより、カートリッジメモリ１９の傾斜角度が傾斜角度θの場合に比べ、多くの磁力線がコイル６０を貫通することになり、大きな誘導電流が得られる。
【０１０３】
これに対し、生産工程、管理工程、及び／又は流通工程の環境下（第２環境下）では、一例として図１８に示すように、複数の磁気テープカートリッジ１０がパッケージ２００として取り扱われる。この場合、基準面１６Ａ１の法線方向に対して交差し、かつ、表面２６Ａに対峙する側から表面２６Ａに向けて磁界ＭＦ１（第２磁界）が付与される。これにより、カートリッジメモリ１９の傾斜角度が傾斜角度θの場合に比べ、パッケージ２００内で意図しない磁気テープカートリッジ１０に対して管理情報１００等の読み書きが行われる（クロストークが生じる）ことを抑制することができる。
【０１０４】
なお、図１８に示す例では、非接触式読み書き装置１５０がパッケージ２００内の各カートリッジメモリ１９と磁界ＭＦ１を介して通信を行う場合に非接触式読み書き装置１５０がパッケージ２００に対して上下方向に沿って移動している態様が例示されているが、この態様はあくまでも一例に過ぎず、非接触式読み書き装置１５０の位置を固定して、パッケージ２００を上下方向に沿って移動させてもよい。また、非接触式読み書き装置１５０とパッケージ２００とは上下方向において反対の方向に移動させてもよい。このように、非接触式読み書き装置１５０がパッケージ２００内の各カートリッジメモリ１９と磁界ＭＦ１を介して通信を行う場合、非接触式読み書き装置１５０がパッケージ２００に対して上下方向に沿って相対的に移動していればよい。
【０１０５】
非接触式読み書き装置１５０は、カートリッジメモリ１９に対して管理情報１００等の読み書きを行う場合、磁気テープカートリッジ１０の後方からカートリッジメモリ１９に向けて磁界ＭＦ１を放出する。カートリッジメモリ１９の電力生成器７０は、磁界ＭＦ１がカートリッジメモリ１９のコイル６０に作用することで電力を生成する。そして、非接触式読み書き装置１５０は、磁界ＭＦ１を介してコマンド信号をカートリッジメモリ１９に送信する。カートリッジメモリ１９は、電力生成器７０によって生成された電力を用いて、コマンド信号に応じた処理を実行し、かつ、処理結果を応答信号として非接触式読み書き装置１５０に送信する。すなわち、非接触式読み書き装置１５０とカートリッジメモリ１９との間で磁界ＭＦ１を介して各種情報の授受が行われる。
【０１０６】
パッケージ２００に含まれる１つの磁気テープカートリッジ１０（以下、符号を付さずに「単一カートリッジ」とも称する）のカートリッジメモリ１９（以下、符号を付さずに「読み書き対象カートリッジメモリ」とも称する）に対しては、単一カートリッジの後方から読み書き対象カートリッジメモリに向けて非接触式読み書き装置１５０から磁界ＭＦ１が付与される。しかし、傾斜角度θの場合、磁界ＭＦ１の指向性次第で、パッケージ２００内で単一カートリッジと隣接する磁気テープカートリッジ１０（以下、「隣接カートリッジ」とも称する）のカートリッジメモリ１９に対しても磁界ＭＦ１が付与され、隣接カートリッジのカートリッジメモリ１９に対して、管理情報１００等の読み書きが行われてしまう虞がある。隣接カートリッジのカートリッジメモリ１９に対して管理情報１００等の読み書きが行われるというのは、換言すると、クロストークが生じる、ということである。
【０１０７】
ここで、傾斜角度θ１とした場合、傾斜角度θよりもカートリッジメモリ１９のコイル６０を貫通する磁力線の本数を少なくすることができ、傾斜角度θに比べ、隣接カートリッジのカートリッジメモリ１９に対して、磁界ＭＦ１が付与され難くなる。この結果、傾斜角度θ１とした場合、傾斜角度θに比べ、磁気テープカートリッジ１０に対して管理情報１００等が誤って読み書きされること、すなわち、クロストークが生じることを抑制することができる。この結果、例えば、磁気テープカートリッジ１０の生産工程では、設備コストを増大させることなく、磁気テープカートリッジ１０の生産性を向上させることができる。また、磁気テープカートリッジ１０の管理工程では、設備コストを増大させることなく、磁気テープカートリッジ１０の管理の効率化を図ることができる。
【０１０８】
また、図１０に示す例では、ＮＶＭ９６に信号レベル設定処理プログラム１０２が記憶されている形態例を挙げたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図１９に示すように、信号レベル設定処理プログラム１０２が記憶媒体３００に記憶されていてもよい。記憶媒体３００は、非一時的記憶媒体である。記憶媒体３００の一例としては、ＳＳＤ又はＵＳＢメモリなどの任意の可搬型の記憶媒体が挙げられる。
【０１０９】
記憶媒体３００に記憶されている信号レベル設定処理プログラム１０２は、コンピュータ８４にインストールされる。ＣＰＵ９４は、信号レベル設定処理プログラム１０２に従って信号レベル設定処理を実行する。図１９に示す例では、ＣＰＵ９４は、単数のＣＰＵであるが、複数のＣＰＵであってもよい。
【０１１０】
また、通信網（図示省略）を介してコンピュータ８４に接続される他のコンピュータ又はサーバ装置等の記憶部に信号レベル設定処理プログラム１０２を記憶させておき、カートリッジメモリ１９からの要求に応じて信号レベル設定処理プログラム１０２がダウンロードされ、コンピュータ８４にインストールされるようにしてもよい。
【０１１１】
図２０に示す例では、コンピュータ８４が例示されているが、本開示の技術はこれに限定されず、コンピュータ８４に代えて、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、及び／又はＰＬＤを含むデバイスを適用してもよい。また、コンピュータ８４に代えて、ハードウェア構成及びソフトウェア構成の組み合わせを用いてもよい。
【０１１２】
信号レベル設定処理を実行するハードウェア資源としては、次に示す各種のプロセッサを用いることができる。プロセッサとしては、例えば、ソフトウェア、すなわち、プログラムを実行することで、信号レベル設定処理を実行するハードウェア資源として機能する汎用的なプロセッサであるＣＰＵが挙げられる。また、プロセッサとしては、例えば、ＦＰＧＡ、ＰＬＤ、又はＡＳＩＣなどの特定の処理を実行させるために専用に設計された回路構成を有するプロセッサである専用電気回路が挙げられる。何れのプロセッサにもメモリが内蔵又は接続されており、何れのプロセッサもメモリを使用することで信号レベル設定処理を実行する。
【０１１３】
信号レベル設定処理を実行するハードウェア資源は、これらの各種のプロセッサのうちの１つで構成されてもよいし、同種または異種の２つ以上のプロセッサの組み合わせ（例えば、複数のＦＰＧＡの組み合わせ、又はＣＰＵとＦＰＧＡとの組み合わせ）で構成されてもよい。また、信号レベル設定処理を実行するハードウェア資源は１つのプロセッサであってもよい。
【０１１４】
１つのプロセッサで構成する例としては、第１に、１つ以上のＣＰＵとソフトウェアの組み合わせで１つのプロセッサを構成し、このプロセッサが、信号レベル設定処理を実行するハードウェア資源として機能する形態がある。第２に、ＳｏＣなどに代表されるように、信号レベル設定処理を実行する複数のハードウェア資源を含むシステム全体の機能を１つのＩＣチップで実現するプロセッサを使用する形態がある。このように、信号レベル設定処理は、ハードウェア資源として、上記各種のプロセッサの１つ以上を用いて実現される。
【０１１５】
更に、これらの各種のプロセッサのハードウェア的な構造としては、より具体的には、半導体素子などの回路素子を組み合わせた電気回路を用いることができる。また、上記の信号レベル設定処理はあくまでも一例である。従って、主旨を逸脱しない範囲内において不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ替えたりしてもよいことは言うまでもない。
【０１１６】
以上に示した記載内容及び図示内容は、本開示の技術に係る部分についての詳細な説明であり、本開示の技術の一例に過ぎない。例えば、上記の構成、機能、作用、及び効果に関する説明は、本開示の技術に係る部分の構成、機能、作用、及び効果の一例に関する説明である。よって、本開示の技術の主旨を逸脱しない範囲内において、以上に示した記載内容及び図示内容に対して、不要な部分を削除したり、新たな要素を追加したり、置き換えたりしてもよいことは言うまでもない。また、錯綜を回避し、本開示の技術に係る部分の理解を容易にするために、以上に示した記載内容及び図示内容では、本開示の技術の実施を可能にする上で特に説明を要しない技術常識等に関する説明は省略されている。
【０１１７】
本明細書において、「Ａ及び／又はＢ」は、「Ａ及びＢのうちの少なくとも１つ」と同義である。つまり、「Ａ及び／又はＢ」は、Ａだけであってもよいし、Ｂだけであってもよいし、Ａ及びＢの組み合わせであってもよい、という意味である。また、本明細書において、３つ以上の事柄を「及び／又は」で結び付けて表現する場合も、「Ａ及び／又はＢ」と同様の考え方が適用される。
【０１１８】
本明細書に記載された全ての文献、特許出願及び技術規格は、個々の文献、特許出願及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
【０１１９】
以上の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【０１２０】
（付記１）
コイルが形成された基板と、外部から与えられた外部磁界が前記コイルに対して作用することで電力を生成する電力生成器と、前記電力生成器によって生成された前記電力を用いて、前記外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行うプロセッサと、を備えた非接触式通信媒体が収容され、かつ、基準平面が形成されている磁気テープカートリッジ内の前記非接触式通信媒体に対して前記外部から前記外部磁界が付与され、付与された前記外部磁界を介して前記非接触式通信媒体と通信を行うことで前記磁気テープカートリッジを管理する非接触式管理方法であって、
前記基板を前記基準平面に対して４５度未満の角度で傾斜させて配置すること、
前記磁気テープカートリッジが磁気テープドライブに装填された第１環境下で、前記基準平面に対して正対する側から、前記基板のうちの前記コイルが形成されているコイル形成面に向けて前記外部磁界として第１磁界を付与すること、及び、
前記磁気テープカートリッジが前記磁気テープドライブ外に存在する第２環境下で、前記基準平面の法線方向に対して交差し、かつ、前記コイル形成面に対峙する側から前記コイル形成面に向けて前記外部磁界として第２磁界を付与することを含む
非接触式管理方法。
【０１２１】
（付記２）
前記第２環境は、前記磁気テープカートリッジの生産工程、前記磁気テープカートリッジの管理工程、及び／又は、前記磁気テープカートリッジが流通する流通工程である付記１に記載の非接触式管理方法。
【０１２２】
（付記３）
前記生産工程、前記管理工程、及び前記流通工程の各々は、複数の前記磁気テープカートリッジが前記法線方向に重ねられたパッケージ内の前記非接触式通信媒体に対して前記第２磁界を付与する工程を含む付記１又は付記２に記載の非接触式管理方法。
【０１２３】
（付記４）
前記外部装置が、前記法線方向に沿って移動しながら、前記複数の磁気テープカートリッジの各々の前記非接触通信媒体の前記コイル形成面に対して前記外部磁界を付与することを含む付記３に記載の非接触式管理方法。
【符号の説明】
【０１２４】
１０  磁気テープカートリッジ
１２  ケース
１２Ａ  右壁
１２Ｂ  開口
１４  上ケース
１４Ａ  天板
１４Ａ１  内面
１６  下ケース
１６Ａ  底板
１６Ａ１  基準面
１６Ｂ  後壁
１８  カートリッジリール
１８Ａ  リールハブ
１８Ｂ１  上フランジ
１８Ｂ２  下フランジ
１９  カートリッジメモリ
２０  支持部材
２０Ａ  第１傾斜台
２０Ａ１，２０Ｂ１  傾斜面
２０Ｂ  第２傾斜台
２２  位置規制リブ
２４  リブ
２４Ａ  先端面
２６  基板
２６Ａ  裏面
２６Ｂ  表面
３０  磁気テープドライブ
３４  搬送装置
３６  読取ヘッド
３８  制御装置
４０  送出モータ
４２  巻取リール
４４  巻取モータ
４６  読取素子
４８  ホルダ
５０，１５０  非接触式読み書き装置
５２  ＩＣチップ
５４  コンデンサ
５４Ａ，５４Ｂ  電極
５６  封止材
６０  コイル
６２Ａ  第１導通部
６２Ｂ  第２導通部
６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃ，６４Ｄ  配線
７０  電力生成器
８０  内蔵コンデンサ
８２  電源回路
８４，１２０  コンピュータ
８６  クロック信号生成器
８８  信号処理回路
９０  磁界強度測定回路
９２  共振回路
９４，１２６  ＣＰＵ
９６，１２８  ＮＶＭ
９８，１３０  ＲＡＭ
９９，１３２  バス
１００  管理情報
１０２  信号レベル設定処理プログラム
１２２  送受信器
１２４  通信Ｉ／Ｆ
１３４  通信リトライ処理プログラム
２００  パッケージ
３００，４００  記憶媒体
Ａ，Ｂ，Ｃ  矢印
ＭＦ，ＭＦ１  磁界
ＭＴ  磁気テープ
θ，θ１  傾斜角度
【要約】
【課題】外部磁界の強度に関わらず処理結果信号の信号レベルが一定の場合に比べ、処理結果信号の送信先に対して処理結果信号を受信させ易くすることができる非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラムを提供する。
【解決手段】非接触通信媒体は、コイルを有し、外部から与えられた外部磁界がコイルに作用することで電力を生成する電力生成器と、電力を用いてクロック信号を生成するクロック信号生成器と、電力を用いて作動し、かつ、外部磁界に含まれるコマンドに対する処理を行うプロセッサと、を備え、処理が行われることで得られた処理結果を示す処理結果信号がコイルによって外部磁界を介して外部に送信される場合、プロセッサは、外部磁界の強度に応じて処理結果信号の信号レベルを変更する。
【選択図】図１１【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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