(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
正孔輸送層と、金属酸化物およびペロブスカイト結晶を含む光電変換層とを少なくとも有する光電変換素子を製造する方法であって、前記正孔輸送層上に、前記光電変換層を形成し、前記光電変換層の形成を、前記金属酸化物と前記ペロブスカイト結晶の前駆体とを含む溶液から、アニールにより行うことを特徴とする光電変換素子の製造方法。
【請求項２】
前記正孔輸送層が第１の電極上に設けられている請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
前記正孔輸送層がポリチオフェン誘導体を主成分として含む請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記金属酸化物が、酸化チタンである請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項５】
前記金属酸化物が、多孔質体である請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法。
【請求項６】
前記ペロブスカイト結晶が、結晶性半導体を主成分として含む請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法。
【請求項７】
前記ペロブスカイト結晶が、式：（ＲＮＨ３）ｎＰｂＸ（２＋ｎ）（但し、Ｒは置換基を有していてもよい炭化水素基を示し、ｎは１または２を示し、ＸはＩ、ＢｒまたはＣｌを示す。）で表される化合物を主成分として含む請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法。
【請求項８】
前記光電変換層を形成した後、前記光電変換層上に、電子輸送層を形成する請求項１〜７のいずれかに記載の製造方法。
【請求項９】
前記電子輸送層が、金属を主成分として含む請求項８記載の製造方法。
【請求項１０】
前記電子輸送層を形成した後、前記電子輸送層上に、第２の電極を形成する請求項８または９に記載の製造方法。
【請求項１１】
正孔輸送層と、金属酸化物およびペロブスカイト結晶を含む光電変換層とを少なくとも有する光電変換素子を含む光電変換装置を製造する方法であって、前記正孔輸送層上に、前記光電変換層を形成し、前記光電変換層の形成を、前記金属酸化物と前記ペロブスカイト結晶の前駆体とを含む溶液から、アニールにより行うことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１２】
前記光電変換装置が太陽電池である請求項１１記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池や光センサー等に有用な光電変換素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、安全で環境に対しよりクリーンであり、より安価なエネルギーが求められている。その一つとしてクリーンな発電技術である太陽光発電が注目を浴びており、新エネルギーとなりうる低価格太陽電池の開発は急務である。太陽光エネルギーは無尽蔵で、化石燃料のような枯渇の心配がなく、また、ＣＯ２を増やす事もない。しかし、現在市販されている太陽電池は真空プロセスであるＣＶＤ、スパッタリング等を使用するために設備費がかさみ、さらなる低価格化が困難となっている。そこで、真空プロセス製膜のみに依拠せず、簡便に製造可能な光電変換装置の開発が求められている。
【０００３】
特許文献１には、感光層を、多孔質層の表面に、（ａｉ）光吸収剤ＩおよびＩＩを含有する光吸収剤溶液を塗布して成膜する、（ａｉｉ）前記光吸収剤ＩおよびＩＩのいずれか一方を含有する光吸収剤溶液を塗布後、他方の光吸収剤を含有する光吸収剤溶液を塗布して成膜する、または（ｂ）前記光吸収剤ＩおよびＩＩのいずれか一方を含有する光吸収剤溶液を塗布後、正孔輸送材料からなる中間層を設け、さらに前記光吸収剤ＩおよびＩＩの他方を含有する光吸収剤溶液を塗布して成膜する光電変換素子の製造方法が記載されている。しかしながら、この方法では、ペロブスカイト結晶を形成するのに、スピンコート法と乾燥処理が必要であり、得られた膜の膜厚の均一性や膜の平坦性が乏しく、さらに膜中にピンホールなどが数多く発生してしまう問題があった。また、材料のロスが大きいことや、大判化が困難等の課題もあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−４６５８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、光応答性や電気特性に優れた光電変換素子を工業的有利に製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、正孔輸送層上に、前記光電変換層を形成するようにすれば、アニール処理だけで、良質なペロブスカイト結晶を容易に形成できることを知見し、さらに、このような方法が上記した従来の問題を一挙に解決できるものであることを見出した。
また、本発明者らは、上記知見を得た後、さらに検討を重ねて、本発明を完成させるに至った。
【０００７】
すなわち、本発明は、以下の発明に関する。
［１］  正孔輸送層と、金属酸化物およびペロブスカイト結晶を含む光電変換層とを少なくとも有する光電変換素子を製造する方法であって、前記正孔輸送層上に、前記光電変換層を形成することを特徴とする光電変換素子の製造方法。
［２］  正孔輸送層が第１の電極上に設けられている前記［１］記載の製造方法。
［３］  正孔輸送層がポリチオフェン誘導体を主成分として含む前記［１］または［２］に記載の製造方法。
［４］  金属酸化物が、酸化チタンである前記［１］〜［３］のいずれかに記載の製造方法。
［５］  金属酸化物が、多孔質体である前記［１］〜［４］のいずれかに記載の製造方法。
［６］  ペロブスカイト結晶が、アニールにより形成される前記［１］〜［５］のいずれかに記載の製造方法。
［７］  ペロブスカイト結晶が、結晶性半導体を主成分として含む前記［１］〜［６］のいずれかに記載の製造方法。
［８］  ペロブスカイト結晶が、式：（ＲＮＨ３）ｎＰｂＸ（２＋ｎ）（但し、Ｒは置換基を有していてもよい炭化水素基を示し、ｎは１または２を示し、ＸはＩ、ＢｒまたはＣｌを示す。）で表される化合物を主成分として含む前記［１］〜［７］のいずれかに記載の製造方法。
［９］  光電変換層を形成した後、前記光電変換層上に、電子輸送層を形成する前記［１］〜［８］のいずれかに記載の製造方法。
［１０］  電子輸送層が、金属を主成分として含む請求項９記載の製造方法。
［１１］  電子輸送層を形成した後、前記電子輸送層上に、第２の電極を形成する前記［９］または［１０］に記載の製造方法。
［１２］  前記［１］〜［１１］のいずれかに記載の製造方法により製造された光電変換素子。
［１３］  前記［１２］記載の光電変換素子を含む太陽電池。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の製造方法によれば、光応答性や電気特性に優れた光電変換素子が工業的有利に製造できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例におけるアニール前後の様子を写真で示す図である。
【図２】実施例におけるＸＲＤの結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の光電変換素子の製造方法は、正孔輸送層と、金属酸化物およびペロブスカイト結晶を含む光電変換層とを少なくとも有する光電変換素子を製造する方法であって、前記正孔輸送層上に、前記光電変換層を形成することを特長とする。
【００１１】
前記正孔輸送層は、通常、重合体（好ましくは導電性高分子）を含有する。前記正孔輸送層は、通常、光励起によって酸化されたペロブスカイト膜に電子を供給して還元し、光電変換層との界面で生じた正孔を第１の電極へ輸送する機能を有する。なお、正孔輸送層は、例えば、多孔質半導体層上に形成された層状部分だけでなく、多孔質半導体層の空隙内部にも充填されているのが好ましい。
【００１２】
前記正孔輸送層の構成材料としては、例えば、セレン、ヨウ化銅（ＣｕＩ）等の沃化物、層状コバルト酸化物等のコバルト錯体、ＣｕＳＣＮ、ＭｏＯ３、ＮｉＯ、有機ホール輸送材等が挙げられる。沃化物としては、例えば、ヨウ化銅（ＣｕＩ）等が挙げられる。層状コバルト酸化物としては、例えば、ＡｘＣｏＯ２（Ａ＝Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｒ，Ｂａ；０≦Ｘ≦１）等が挙げられる。また、有機ホール輸送材としては、例えば、ポリ−３−ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体、２，２’，７，７’−テトラキス−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−メトキシフェニルアミン）−９，９’−スピロビフルオレン（ｓｐｉｒｏ−ＭｅＯ−ＴＡＤ）等のフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ジフェニルアミン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアニリン誘導体等が挙げられる。本発明においては、前記正孔輸送層が、ポリチオフェン誘導体を主成分として含むのが好ましく、ポリエチレンジオキシチオフェンを主成分として含むのがより好ましい。なお、前記主成分とは、層中の成分含有量が５０質量％以上であればよく、好ましくは７５質量％以上、より好ましくは９０質量％以上である。
【００１３】
前記正孔輸送層の形成方法は、本発明の目的を阻害しない限り、特に限定されず、公知の手段を用いることができる。前記正孔輸送層の形成手段としては、例えば、電気化学重合法等の公知の重合法、ミストＣＶＤ法、スパッタ法、ＣＶＤ法（気相成長法）、ＳＰＤ法（スプレー熱分解堆積法）、蒸着法、ＡＬＤ（原子層堆積）法、塗布法（例えばディッピング、滴下、ドクターブレード、インクジェット、スピンコート、刷毛塗り、スプレー塗装、ロールコーター、エアーナイフコート、カーテンコート、ワイヤーバーコート、グラビアコート、インクジェット塗布等）などが挙げられる。本発明においては、電気化学重合法にて正孔輸送層を形成するのが好ましい。
【００１４】
本発明において、前記正孔輸送層は、第１の電極上に設けられているのが好ましい。
【００１５】
第１の電極は、導電性を有するものであって、電極として機能するものであれば、その他については、特に限定されない。例えば、絶縁性材料であっても、正孔輸送層に面している側に導電性物質層が設けてあり、電極として使用可能であれば、これを第１の電極として用いることができる。本発明においては、第１の電極は、正孔輸送層との接触性が良いことが好ましい。第１の電極は、正孔輸送層との仕事関数の差が小さく、化学的に安定であることも好ましい。このような材料としては、特に限定されないが、金、銀、銅、アルミニウム、白金、ロジウム、マグネシウム、インジウム等の金属薄膜、炭素、カーボンブラック、導電性高分子、導電性の金属酸化物（インジウム−スズ複合酸化物、酸化錫にフッ素をドープしたもの等）などの有機導電体などが挙げられる。また、第１の電極の平均厚みもまた、特に限定されないが、約１０〜１０００ｎｍであるのが好ましい。また、第１の電極の表面抵抗は、特に限定されないが、低いのが好ましく、具体的には、第１の電極の表面抵抗の範囲は、好ましくは８０Ω／□以下であり、より好ましくは２０Ω／□以下である。なお、第１の電極の表面抵抗の下限は、可能な限り低いことが好ましいため、特に限定されないが、０．１Ω／□以上であればよい。
【００１６】
第１の電極の形成方法は、本発明の目的を阻害しない限り、特に限定されず、公知の手段を用いることができる。第１の電極の形成手段としては、例えば、ミストＣＶＤ法、スパッタ法やＣＶＤ法（気相成長法）、ＳＰＤ法（スプレー熱分解堆積法）、蒸着法などが挙げられる。
【００１７】
本発明においては、前記正孔輸送層上に、前記光電変換層を形成する。
前記光電変換層は、金属酸化物およびペロブスカイト結晶を含んでさえいれば特に限定されない。
【００１８】
前記金属酸化物としては、例えば、周期表の第３族〜第１５族のいずれかの金属元素を有する酸化物などが挙げられる。好ましい金属酸化物としては、例えば、ガリウムの酸化物、チタンの酸化物、スズの酸化物、亜鉛の酸化物、鉄の酸化物、タングステンの酸化物、ジルコニウムの酸化物、ハフニウムの酸化物、ストロンチウムの酸化物、インジウムの酸化物、セリウムの酸化物、イットリウムの酸化物、ランタンの酸化物、バナジウムの酸化物、ニオブの酸化物、またはタンタルの酸化物などが挙げられる。より具体的には、Ｇａ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、ＷＯ３、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＰｂＳ、Ｂｉ２Ｓ３、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＣｕＩｎＳ２、ＣｕＩｎＳｅ２、Ｔｉ３Ｎ４等が挙げられる。本発明においては、前記金属酸化物が、酸化チタンであるのが好ましい。
【００１９】
また、前記金属酸化物は、その形状等は特に限定されないが、多孔質体であるのが好ましい。
【００２０】
前記ペロブスカイト結晶は、ペロブスカイト構造を有していれば特に限定されず、公知のものであってよい。無機材料からなるものであってもよいし、有機材料からなるものであってもよいが、本発明においては、前記ペロブスカイト構造体が有機無機複合材料からなるのが好ましい。前記有機無機複合材料としては、例えば、下記式（Ｉ）または下記式（ＩＩ）で表される化合物などが挙げられる。
ＣＨ３ＮＨ３Ｍ１Ｘ３      ・・・（Ｉ）
（式中、Ｍ１は２価の金属イオンであり、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである。）
（Ｒ６ＮＨ３）２Ｍ１Ｘ４  ・・・（ＩＩ）
（式中、Ｒ６は炭素数２以上のアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基、複素環基または芳香族複素環基であり、Ｍ１は２価の金属イオンであり、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである。）
【００２１】
本発明においては、前記ペロブスカイト結晶が、結晶性半導体を主成分として含むのが好ましく、式：（ＲＮＨ３）ｎＰｂＸ（２＋ｎ）（但し、Ｒは置換基を有していてもよい炭化水素基を示し、ｎは１または２を示し、ＸはＩ、ＢｒまたはＣｌを示す。）で表される化合物を主成分として含むのがより好ましい。ここで、前記主成分とは、全組成中の成分含有量が５０原子％以上をいい、好ましくは７５原子％以上、より好ましくは９０原子％以上である。
【００２２】
光電変換層の形成手段としては、例えば、公知の塗布法などが挙げられ、本発明では、前記金属酸化物とペロブスカイト結晶の前駆体との溶液を前記正孔輸送層上に塗布した後、アニールすることで容易にペロブスカイト結晶を形成することができる。このようにしてペロブスカイト結晶を形成することによって、従来法に比べ、著しい工程の短縮とコストダウンが図れる。また、このような方法によれば、面積に制限がなく、任意の面積にペロブスカイト構造を有する光電変換層を作製することができる。
【００２３】
前記アニールは、前記のペロブスカイト結晶の前駆体を加熱下に置いて、ペロブスカイト構造を形成できれば特に限定されないが、好ましくは、約７００℃以下であり、より好ましくは約５００℃以下である。下限は特に限定されないが、約７０℃以上が好ましく、約１５０℃以上がより好ましく、約２５０℃以上が最も好ましい。アニール時間は、特に限定されないが、好ましくは約３０秒間〜約２４時間であり、より好ましくは約１分間〜約１０時間である。
【００２４】
また、本発明においては、光電変換層を形成した後、前記光電変換層上に、電子輸送層を形成するのが好ましい。
【００２５】
前記電子輸送層は、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されず、公知の電子輸送層であってよい。前記電子輸送層の構成材料としては、特に限定されないが、ｎ型半導体が使用できる。例えば、無機物の場合、ガリウム、亜鉛、ニオブ、スズ、チタン、バナジウム、インジウム、タングステン、タンタル、ジルコニウム、モリブデン、マンガン、鉄、銅、ニッケル、イリジウム、ロジウム、クロム、ルテニウムまたはこれらの酸化物、α型酸化ガリウム、β型酸化ガリウム、ＩＧＺＯ等の酸化物半導体、ＧａＮ等の窒化物半導体、ＳｉＣ等のケイ素含有半導体、また、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウム、チタン酸マグネシウム、ニオブ酸ストロンチウムのようなペロブスカイト、あるいはこれらの複合酸化物または酸化物混合物、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＴｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣ、ＢＮのような各種金属化合物等の１種または２種以上の組み合わせなども使用することができる。また、有機物の場合、フラーレンもしくはその誘導体（例えば、フェニル−Ｃ６１−酪酸メチルエステル（［６０］ＰＣＢＭ）、フェニル−Ｃ６１−酪酸ｎ−ブチルエステル（［６０］ＰＣＢｎＢ）、フェニル−Ｃ６１−酪酸イソブチルエステル（［６０］ＰＣＢｉＢ）、フェニル−Ｃ６１−酪酸ｎ−ヘキシルエステル（［６０］ＰＣＢＨ）、フェニル−Ｃ６１−酪酸ｎ−オクチルエステル（［６０］ＰＣＢＯ）、ジフェニル−Ｃ６２−ビス（酪酸メチルエステル）（ビス［６０］ＰＣＢＭ）、フェニル−Ｃ７１−酪酸メチルエステル（［７０］ＰＣＢＭ）、フェニル−Ｃ８５−酪酸メチルエステル（［８４］ＰＣＢＭ）、チエニル−Ｃ６１−酪酸メチルエステル（［６０］ＴｈＣＢＭ）、Ｃ６０ピロリジントリス酸、Ｃ６０ピロリジントリス酸エチルエステル、Ｎ−メチルフラロピロリジン（ＭＰ−Ｃ６０）、（１，２−メタノフラーレンＣ６０）−６１−カルボン酸、（１，２−メタノフラーレンＣ６０）−６１−カルボン酸ｔ−ブチルエステル）、オクタアザポルフィリン等、ｐ型有機半導体化合物の水素原子をフッ素原子に置換したパーフルオロ体（例えば、パーフルオロペンタセンやパーフルオロフタロシアニン）、ナフタレンテトラカルボン酸無水物、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ペリレンテトラカルボン酸無水物、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド等の芳香族カルボン酸無水物やそのイミド化物を骨格として含む高分子化合物等を挙げることができる。
本発明においては、前記電子輸送層が金属を主成分として含むのが好ましく、２種以上の金属からなる合金であるのがより好ましく、Ｇａ−Ｉｎ合金であるのが最も好ましい。
【００２６】
前記電子輸送層の形成手段は、本発明の目的を阻害しない限り、特に限定されず、公知の手段であってよい。前記電子輸送層の形成手段としては、例えば、ミストＣＶＤ法、スパッタ法、ＣＶＤ法（気相成長法）、ＳＰＤ法（スプレー熱分解堆積法）、蒸着法、ＡＬＤ（原子層堆積）法、塗布法（例えばディッピング、滴下、ドクターブレード、インクジェット、スピンコート、刷毛塗り、スプレー塗装、ロールコーター、エアーナイフコート、カーテンコート、ワイヤーバーコート、グラビアコート、インクジェット塗布等）などが挙げられる。
【００２７】
また、本発明においては、電子輸送層を形成した後、前記電子輸送層上に、第２の電極を形成するのが好ましい。
【００２８】
第２の電極は、特に限定されないが、その光透過率が６０％以上のものが好ましく、８０％以上のものがより好ましく、９０％〜１００％のものが最も好ましい。なお、透過率は、ＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１：１９９７に従い測定されるものである。
【００２９】
第２の電極を形成する材料は、特に制限されず、公知の材料であってよい。例えば、亜鉛、白金、金、銀、銅、アルミニウム、ロジウム、インジウム等の金属、ＳｎＯ２、ＣｄＯ、ＺｎＯ、ＣＴＯ系（ＣｄＳｎＯ３、Ｃｄ２ＳｎＯ４、ＣｄＳｎＯ４）、Ｉｎ２Ｏ３、ＣｄＩｎ２Ｏ４等の金属酸化物などが挙げられる。これらのうち、金属として好ましくは、金または銀が挙げられ、光透過性を持たせるために、開口部を持つグリッドパターニングされた膜、あるいは微粒子やナノワイヤーを分散し塗布した膜が好ましく用いられる。また、金属酸化物として好ましくは、前記において例示した金属酸化物に、Ｓｎ、Ｓｂ、ＦおよびＡｌから選ばれる１種または２種以上を添加した複合（ドープ）材料が挙げられる。より好ましくは、ＳｎをドープしたＩｎ２Ｏ３（ＩＴＯ）、ＳｂをドープしたＳｎＯ２、ＦをドープしたＳｎＯ２（ＦＴＯ）等の導電性金属酸化物が挙げられる。第２の電極としては中でも、ＩＴＯ又はＺｎが最も好ましい。第２の電極を形成する材料の基板への塗布量は、特に制限されないが、基板１ｍ２当たり、１〜１００ｇ程度であることが好ましい。
【００３０】
第２の電極の形成手段は、本発明の目的を阻害しない限り、特に限定されず、公知の手段であってよい。第２の電極の形成手段としては、例えば、貼り合わせ、ミストＣＶＤ法、スパッタ法、ＣＶＤ法（気相成長法）、ＳＰＤ法（スプレー熱分解堆積法）、蒸着法、ＡＬＤ（原子層堆積）法、塗布法（例えばディッピング、滴下、ドクターブレード、インクジェット、スピンコート、刷毛塗り、スプレー塗装、ロールコーター、エアーナイフコート、カーテンコート、ワイヤーバーコート、グラビアコート、インクジェット塗布等）などが挙げられる。
【００３１】
以上のようにして得られた光電変換素子は、光応答性に優れており、また、電気特性にも優れており、発電手段として有用であり、様々な用途に適用可能である。具体的には、光電変換素子を備えており、さらに、光電変換素子から出力された直流電流を交流電流に変換するインバータ装置、電気モーター、照明器具等を有する構成の光電変換装置等に有用であり、好適な用途としては、太陽電池等が挙げられる。
【実施例】
【００３２】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３３】
（実施例１）
１．正孔輸送層の形成
ＩＴＯ付ガラス板とステンレス板をスペーサー（厚さ１ｍｍ）を介してクリップで挟み、ＥＤＯＴ溶液中に浸し、ＧＬＡＳＳ／ＩＴＯ基板を陽極につなぎ、ステンレス板を陰極につないで＋０．５Ｖ〜２０Ｖの直流電圧を印加することによって、電気化学重合を行い、ＰＥＤＯＴからなる正孔輸送層を形成した。なお、反応は室温で行い、反応条件は２Ｖ、５秒間とした。
【００３４】
２．光電変換層の形成
ＴｉＯ２とＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３を混合して溶液を調製し、そのまま塗布、アニール（１２０℃、２分）することによって、いともたやすくナノサイズの酸化チタン上に  ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３のぺロブスカイト結晶を形成した。図１にアニールにより、ペロブスカイト結晶ができる様子を示す。図１（ａ）は、アニール前の様子を示し、図１（ｂ）はアニール中の様子を示し、図１（ｃ）はアニール後の様子を示す。図１から明らかな通り、アニール前は表面が黄色であったが、アニールにより黒くなったことが確認でき、目視でもペロブスカイト結晶が形成されていることがわかる。
【００３５】
３．電子輸送層の形成
上記２．で形成された光電変換層上に、常温で液体金属のＧａ−Ｉｎ合金を塗布して電子輸送層を形成した。
【００３６】
４．第２の電極の形成
インジウム-スズ酸化物つきガラス（ＩＴＯガラス）基板を用いて、上記３．で形成された電子輸送層上に、電極としてＩＴＯを貼り合わせて、第２の電極を形成した。
【００３７】
５．評価
上記２．で得られたペロブスカイト結晶につき、ＸＲＤ回折装置を用いて、膜の同定を行った。結果を図２に示す。
また、上記４．で得られた光電変換素子につき、光応答性評価および解放端電圧測定を行った。結果を下記表１に示す。
【００３８】
【表１】
0006739729.tif 000002
【００３９】
（実施例２）
第２の電極としてＺｎを用いたこと以外は、実施例１と同様にして光電変換素子を得た。得られた光電変換素子につき、光応答性評価および解放端電圧測定を行った。結果を下記表２に示す。
【００４０】
【表２】
0006739729.tif 000003
【００４１】
実施例の結果から、本発明の光電変換素子は、光応答性に優れており、また、電気特性にも優れていることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明の光電変換素子は、太陽電池や光センサーなどの産業分野で利用することができる。
【図１】
0006739729.tif 000004
【図２】
0006739729.tif 000005