(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の内部に配置された第１回路層と、
前記第１絶縁層の上面上に配置された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の内部に配置された第２回路層と、
前記第２絶縁層の内部で前記第２回路層の側面から離隔するように配置された第１電子素子と、
前記第１絶縁層の内部に、そして前記第１回路層と前記第２回路層または第１電子素子との間に配置された金属フィラーと、
前記第２絶縁層の内部に、そして前記第２回路層の上面上に配置された第１ビアと、
前記第２絶縁層の上面上に配置され、前記第１ビアの少なくとも一部をソルダが塗布されるために前記第２絶縁層から露出させる開口を有する第１保護層と、を含むエンベデッド基板。
【請求項２】
前記第１絶縁層は、前記第１回路層の下面を外部に露出させ、前記第２絶縁層は前記第１ビアの上面を外部に露出させる、請求項１に記載のエンベデッド基板。
【請求項３】
前記第１回路層の下面は、前記第１絶縁層の下面と同一平面に位置する請求項２に記載のエンベデッド基板。
【請求項４】
前記第１ビアの上面は、前記第２絶縁層の上面と同一平面に位置する請求項２または請求項３に記載のエンベデッド基板。
【請求項５】
前記金属フィラーは、前記第１回路層と、第２回路層及び第１電子素子のうち少なくとも１つとを電気的に接続するために形成された請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のエンベデッド基板。
【請求項６】
前記金属フィラーと第１電子素子との間に形成された接着剤をさらに含む請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のエンベデッド基板。
【請求項７】
絶縁層と、
前記絶縁層の内部に形成された第１回路層と、
前記絶縁層の内部に形成され、前記第１回路層の上部に形成された第２回路層と、
前記絶縁層の内部で前記第２回路層の側面から離隔するように配置された第１電子素子と、
前記第１回路層と前記第２回路層または第１電子素子との間に形成された金属フィラーと、
前記絶縁層の内部に形成され、前記第２回路層の上部に形成された第１ビアと、を含み、
前記金属フィラーと第１電子素子との間に形成された接着剤をさらに含み、
前記接着剤は、前記金属フィラーと第１電子素子とを電気的に接続する、エンベデッド基板。
【請求項８】
前記第２絶縁層の内部での前記第１電子素子の上部に形成され、前記第１電子素子と電気的に接続する第２ビアをさらに含む請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のエンベデッド基板。
【請求項９】
前記第２絶縁層は、前記第２ビアの上面を外部に露出する請求項８に記載のエンベデッド基板。
【請求項１０】
前記第１絶縁層の下部に形成される第２保護層をさらに含む請求項１から６、８および９のいずれか１項に記載のエンベデッド基板。
【請求項１１】
前記第２絶縁層の上部及び前記第１絶縁層の下部のうち少なくとも一方に実装される第２電子素子をさらに含む請求項１から６、８から１０のいずれか１項に記載のエンベデッド基板。
【請求項１２】
前記第２電子素子と前記第１絶縁層との間に、または前記第２電子素子と前記第２絶縁層との間に形成されるアンダーフィル樹脂をさらに含む請求項１１に記載のエンベデッド基板。
【請求項１３】
キャリア基板に第１回路層を形成するステップと、
前記第１回路層の上部に金属フィラーを形成するステップと、
前記第１回路層と金属フィラーとが埋め込まれ、前記金属フィラーの上面が外部に露出するように第１絶縁層を形成するステップと、
前記金属フィラーの一部の上部に第２回路層を形成するステップと、
前記外部に露出された金属フィラーの上部に第１電子素子を配置するステップと、
前記第２回路層及び第１電子素子を埋め込む第２絶縁層を形成するステップと、
前記第２回路層の上部に形成され、前記第２絶縁層を貫通する第１ビアを形成するステップと、
前記キャリア基板を除去するステップと、
前記第２絶縁層の上部に第１保護層を形成するステップと、を含み、
前記第１保護層は前記第１ビアの少なくとも一部をソルダが塗布されるために前記第２絶縁層から露出させる開口を有する、エンベデッド基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第１絶縁層を形成するステップは、
前記第１回路層と金属フィラーとを埋め込む第１絶縁層を形成するステップと、
前記金属フィラーの上面が外部に露出するように前記第１絶縁層を研磨するステップと、
を含む請求項１３に記載のエンベデッド基板の製造方法。
【請求項１５】
前記第１電子素子を配置するステップの前に、
前記外部に露出した金属フィラーの上部に接着剤を形成するステップをさらに含む請求項１３または請求項１４に記載のエンベデッド基板の製造方法。
【請求項１６】
前記接着剤は、伝導性材質で形成される請求項１５に記載のエンベデッド基板の製造方法。
【請求項１７】
前記第１ビアを形成するステップは、
前記第１電子素子の上部に形成され、前記第２絶縁層を貫通する第２ビアを形成するステップをさらに含む請求項１３から請求項１６のいずれか１項に記載のエンベデッド基板の製造方法。
【請求項１８】
前記第２絶縁層を形成するステップにおいて、
前記第２絶縁層は、上面に金属層がさらに形成された請求項１３から請求項１７のいずれか１項に記載のエンベデッド基板の製造方法。
【請求項１９】
前記第１ビアを形成するステップの後に、
前記第１ビアの上面が外部に露出するように、前記金属層を除去するステップをさらに含む請求項１８に記載のエンベデッド基板の製造方法。
【請求項２０】
前記キャリア基板を除去するステップの後に、
前記第１絶縁層の下部に第２保護層を形成するステップをさらに含む請求項１３から請求項１９のいずれか１項に記載のエンベデッド基板の製造方法。
【請求項２１】
前記第２保護層を形成するステップの後に、
前記第１絶縁層の下部及び前記第２絶縁層の上部のうち少なくとも一方に第２電子素子を実装するステップをさらに含む請求項２０に記載のエンベデッド基板の製造方法。
【請求項２２】
前記第２電子素子を実装するステップの後に、
前記第２電子素子と、前記第１絶縁層及び第２絶縁層のうち少なくとも１つとの間にアンダーフィル樹脂を形成するステップをさらに含む請求項２１に記載のエンベデッド基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エンベデッド基板及びエンベデッド基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話を始めとするＩＴ分野の電子機器に対する多機能化の要求に伴い、軽薄短小化が進んでおり、このような技術的要求に応えるべく、ＩＣ、半導体チップ、能動素子、及び受動素子などの電子部品を基板内に挿入するための技術が要求されている。これにより、近年、様々な方式で基板内に部品を内蔵する技術が開発されている。
【０００３】
一般の部品内蔵基板は、通常、基板の絶縁層にキャビティを形成し、そのキャビティ内に各種素子、ＩＣ、及び半導体チップなどの電子部品を挿入する。その後、キャビティの内部及び電子部品が挿入された絶縁層上にプリプレグなどの接着性樹脂を塗布する。このように接着性樹脂を塗布することで、電子部品を固定させるとともに絶縁層を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７８８６４３３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の一側面は、モールディング材の流れ性を向上させることができるエンベデッド基板及びエンベデッド基板の製造方法を提供する。
【０００６】
本発明の他の側面は、位置ずれによる短絡を低減することができるエンベデッド基板及びエンベデッド基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施例によれば、絶縁層と、絶縁層の内部に形成された第１回路層と、絶縁層の内部に形成され、第１回路層の上部に形成された第２回路層と、絶縁層の内部で第２回路層の側面から離隔するように配置された第１電子素子と、第１回路層と第２回路層または第１電子素子との間に形成された金属フィラーと、絶縁層の内部に形成され、第２回路層の上部に形成された第１ビアと、を含むエンベデッド基板が提供される。
【０００８】
絶縁層は、第１回路層の下面及び第１ビアの上面を外部に露出させる。
【０００９】
絶縁層の上部及び下部に形成される保護層をさらに含む。
【００１０】
本発明の他の実施例によれば、キャリア基板に第１回路層を形成するステップと、第１回路層の上部に金属フィラーを形成するステップと、第１回路層と金属フィラーを埋め込み、金属フィラーの上面が外部に露出するように第１絶縁層を形成するステップと、一部の金属フィラーの上部に第２回路層を形成するステップと、外部に露出した金属フィラーの上部に第１電子素子を配置するステップと、第２回路層及び第１電子素子を埋め込む第２絶縁層を形成するステップと、第２回路層の上部に形成され、第２絶縁層を貫通する第１ビアを形成するステップと、キャリア基板を除去するステップと、を含むエンベデッド基板の製造方法が提供される。
【００１１】
第１絶縁層を形成するステップは、第１回路層及び金属フィラーを埋め込む第１絶縁層を形成するステップと、金属フィラーの上面が外部に露出するように第１絶縁層を研磨するステップと、を含む。
【００１２】
キャリア基板を除去するステップの後に、第１絶縁層の下部及び第２絶縁層の上部に保護層を形成するステップをさらに含む。
【００１３】
本発明の特徴及び利点は、添付図面に基づいた以下の詳細な説明により、より明らかになる。
【００１４】
本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び請求範囲に用いられた用語や単語は、通常的かつ辞書的な意味に解釈されてはいけなく、発明者がその発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適宜定義できるという原則に基づいて、本発明の技術的思想に符合する意味及び概念として解釈されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施例に係るエンベデッド基板を示す例示図である。
【図２】本発明の実施例に係るエンベデッド基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】本発明の実施例に係るエンベデッド基板の製造方法を示す例示図である。
【図４】本発明の実施例に係るエンベデッド基板の製造方法を示す例示図である。
【図５】本発明の実施例に係るエンベデッド基板の製造方法を示す例示図である。
【図６】本発明の実施例に係るエンベデッド基板の製造方法を示す例示図である。
【図７】本発明の実施例に係るエンベデッド基板の製造方法を示す例示図である。
【図８】本発明の実施例に係るエンベデッド基板の製造方法を示す例示図である。
【図９】本発明の実施例に係るエンベデッド基板の製造方法を示す例示図である。
【図１０】本発明の実施例に係るエンベデッド基板の製造方法を示す例示図である。
【図１１】本発明の実施例に係るエンベデッド基板の製造方法を示す例示図である。
【図１２】本発明の実施例に係るエンベデッド基板の製造方法を示す例示図である。
【図１３】本発明の実施例に係るエンベデッド基板の製造方法を示す例示図である。
【図１４】本発明の実施例に係るエンベデッド基板の製造方法を示す例示図である。
【図１５】本発明の実施例に係るエンベデッド基板の製造方法を示す例示図である。
【図１６】本発明の実施例に係るエンベデッド基板の製造方法を示す例示図である。
【図１７】本発明の実施例に係るエンベデッド基板の製造方法を示す例示図である。
【図１８】本発明の実施例に係る電子素子が実装されたエンベデッド基板を示す例示図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の目的、特定の利点及び新規の特徴は、添付図面に係る以下の詳細な説明及び好ましい実施例によってさらに明らかになる。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付するにあたり、同一の構成要素には、たとえ他の図面上に示されていても、できるだけ同一の番号を付するようにしていることに留意しなければならない。また、「第１」、「第２」、「一面」、「他面」などの用語は、１つの構成要素を他の構成要素から区別するために用いられるものであり、構成要素が前記用語により限定されるものではない。以下、本発明を説明するにあたり、本発明の要旨をかえって不明にすると判断される、関連のある公知技術についての詳細な説明は省略する。
【００１７】
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。
【００１８】
図１は、本発明の実施例に係るエンベデッド基板を示す例示図である。
【００１９】
図１を参照すると、本発明の実施例に係るエンベデッド基板１００は、絶縁層１３０、第１回路層１１０、金属フィラー１２０、第２回路層１４０、第１ビア１８１、第１電子素子１５０、第２ビア１８２、及び保護層１９０を含む。
【００２０】
本発明の実施例によれば、絶縁層１３０は、第１絶縁層１３１と第２絶縁層１３２とに分けられる。本発明の実施例によれば、第２絶縁層１３２は、第１絶縁層１３１の上部に形成される。
【００２１】
本発明の実施例によれば、第１絶縁層１３１及び第２絶縁層１３２は、通常層間絶縁素材として用いられる複合高分子樹脂で形成される。例えば、第１絶縁層１３１及び第２絶縁層１３２は、プリプレグ、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ ｕｐ Ｆｉｌｍ）及びＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ Ｔｒｉａｚｉｎｅ）などのエポキシ系樹脂で形成される。しかし、本発明において第１絶縁層１３１及び第２絶縁層１３２を形成するものが、これに限定されることはない。本発明の実施例に係る第１絶縁層１３１及び第２絶縁層１３２は、回路基板分野での公知の絶縁材から選択して形成されることができる。
【００２２】
本発明の実施例によれば、第１回路層１１０は、第１絶縁層１３１の内部に形成される。また、第１回路層１１０は、第１絶縁層１３１の下面に形成され、第１回路層１１０の下面は、第１絶縁層１３１の下面から外部に露出される。例えば、第１回路層１１０の下面は、第１絶縁層１３１の下面と同一平面に位置することができる。
【００２３】
本発明の実施例によれば、第１回路層１１０は、銅で形成される。しかし、第１回路層１１０の材料が銅に限定されることはなく、回路基板分野で用いられる伝導性材質であればいずれも使用できる。
【００２４】
本発明の実施例によれば、金属フィラー１２０は、第１絶縁層１３１の内部に形成され、第１回路層１１０の上部に形成される。この際、金属フィラー１２０は、第１絶縁層１３１を貫通するように形成される。このように形成された金属フィラー１２０は、第１回路層１１０に接合されて互いに電気的に接続する。
【００２５】
本発明の実施例によれば、金属フィラー１２０としては、回路基板分野で用いられる伝導性材質であればいずれも使用できる。例えば、金属フィラー１２０は、銅で形成される。
【００２６】
本発明の実施例によれば、第２回路層１４０は、第１絶縁層１３１の上部に形成され、第２回路層１４０に埋め込まれるように形成される。また、第２回路層１４０は、複数の金属フィラー１２０のうち一部の金属フィラー１２０の上部に形成される。このように形成された第２回路層１４０は、金属フィラー１２０に接合されて互いに電気的に接続する。すなわち、第１回路層１１０と、第１回路層１１０の上部に形成された第２回路層１４０とは、その間に形成された金属フィラー１２０を介して互いに電気的に接続する。
【００２７】
本発明の実施例によれば、第２回路層１４０は、接合する金属フィラー１２０の上面や第１ビア１８１の下面よりも大きい直径を有するように形成される。本発明の実施例によれば、第２回路層１４０により放熱機能が向上する。また、第２回路層１４０の厚みが厚いほど放熱機能がさらに向上する。
【００２８】
本発明の実施例によれば、第２回路層１４０は、回路基板分野で用いられる伝導性材質であればいずれも使用して形成することができる。例えば、第２回路層１４０は、銅で形成される。
【００２９】
本発明の実施例によれば、第１ビア１８１は、第２絶縁層１３２の内部に形成され、第２回路層１４０の上部に形成される。この際、第１ビア１８１は、第２絶縁層１３２を貫通するように形成される。また、第１ビア１８１の上面は、第２絶縁層１３２の上面から外部に露出される。例えば、第１ビア１８１の上面は、第２絶縁層１３２の上面と同一平面に位置することができる。このように形成された第１ビア１８１は、第２回路層１４０に接合されて互いに電気的に接続する。
【００３０】
本発明の実施例によれば、第１ビア１８１は、回路基板分野で用いられる伝導性材質であればいずれも使用して形成することができる。例えば、第１ビア１８１は、銅で形成される。
【００３１】
本発明の実施例によれば、第１電子素子１５０は、第２絶縁層１３２の内部で第２回路層１４０の側面から離隔して配置される。また、第１電子素子１５０は、金属フィラー１２０の上部に形成され、金属フィラー１２０と電気的に接続する。すなわち、第１回路層１１０と、第１回路層１１０の上部に配置された第１電子素子１５０とは、その間に形成された金属フィラー１２０を介して互いに電気的に接続する。この際、第１電子素子１５０と金属フィラー１２０との間に接着剤１６０が形成されてもよい。ここで、接着剤１６０は、ソルダのように、回路基板分野で用いられる伝導性接着材質で形成される。若し、金属フィラー１２０と第１電子素子１５０とを絶縁する必要がある場合は、接着剤１６０としては、エポキシ樹脂のように、回路基板分野で用いられる非伝導性接着材質で形成される。接着剤１６０または金属フィラー１２０に接合される部分は第１電子素子１５０の電極である。
【００３２】
本発明の実施例によれば、第１電子素子１５０は、ＭＬＣＣである。しかし、第１電子素子１５０がＭＬＣＣに限定されることはなく、回路基板分野で用いられるもので、回路基板に実装及び内蔵できるものであればいずれでもよい。
【００３３】
本発明の実施例によれば、第２ビア１８２は、第２絶縁層１３２の内部に形成され、第１電子素子１５０の上部に形成される。この際、第２ビア１８２は、第２絶縁層１３２を貫通するように形成される。このように形成された第２ビア１８２は、第１電子素子１５０に接合されて互いに電気的に接続する。ここで、第２ビア１８２に接合される部分は、第１電子素子１５０の電極である。
【００３４】
本発明の実施例によれば、第２ビア１８２は、回路基板分野で用いられる伝導性材質であればいずれも使用して形成することができる。例えば、第２ビア１８２は、銅で形成される。
【００３５】
本発明の実施例によれば、保護層１９０は、第１絶縁層１３１の下部に形成されて、第１回路層１１０を保護するように形成される。また、保護層１９０は、第２絶縁層１３２の上部に形成されて、第１ビア１８１及び第２ビア１８２を保護するように形成される。
【００３６】
本発明の実施例に係る保護層１９０は、外部部品との電気的接続のためにソルダリング（Ｓｏｌｄｅｒｉｎｇ）が行われる場合、第１回路層１１０、第１ビア１８１及び第２ビア１８２にソルダが塗布されることを防止する。また、保護層１９０は、第１回路層１１０、第１ビア１８１及び第２ビア１８２が外部に露出されて酸化及び腐食することを防止する。例えば、外部部品（図示せず）は、電子素子、基板などであり得る。
【００３７】
本発明の実施例によれば、保護層１９０は、外部部品に電気的に接続する領域が外部に露出するように形成される。例えば、保護層１９０は、第１回路層１１０、第１ビア１８１及び第２ビア１８２のうち外部部品に電気的に接続する部分があれば、当該領域を外部に露出させる。
【００３８】
本発明の実施例によれば、保護層１９０は、耐熱性被覆材料で形成される。例えば、保護層１９０は、ソルダレジストで形成されることができる。
【００３９】
本発明の実施例によれば、保護層１９０を形成するステップは、当業者の選択により省略可能である。
【００４０】
本発明の実施例によれば、エンベデッド基板１００において第１回路層１１０は、第１絶縁層１３１に埋め込まれ、第１ビア１８１及び第２ビア１８２は、第２絶縁層１３２に埋め込まれるように形成される。すなわち、第１回路層１１０、第１ビア１８１及び第２ビア１８２は、埋め込みパターンである。したがって、従来の突出パターンを有する基板に比べて薄い厚さを有する。
【００４１】
また、保護層１９０を形成する場合、本発明の実施例に係るエンベデッド基板１００に形成された保護層１９０の上面は、突出パターンを有する基板に形成された保護層よりも低い高さを有する。このため、エンベデッド基板１００の上部に電子素子（図示せず）が実装される場合、突出パターンを有する基板に比べて、電子素子と保護層１９０との間の間隔が大きい。また、電子素子の実装後に流入されるモールディング材は、銅よりも保護層１９０であるソルダレジストとの密着力が大きい。そのため、電子素子と保護層１９０との間の間隔が小さいと、モールディング材は保護層１９０に、より密着し、電子素子と基板との間にボイド（ｖｏｉｄ）が発生する。しかし、本発明の実施例に係るエンベデッド基板１００は、埋め込みパターンにより、保護層１９０と電子素子との間の間隔が大きくなるため、突出パターンを有する基板に比べてモールディング材の流れ性が向上する。
【００４２】
図２は、本発明の実施例に係るエンベデッド基板の製造方法を示すフローチャートである。
【００４３】
図３から図１７は、本発明の実施例に係るエンベデッド基板の製造方法を示す工程図である。
【００４４】
図２の本発明の実施例に係るエンベデッド基板の製造方法のフローチャートについては、図３から図１７の工程図を参考して説明する。
【００４５】
図３及び図４を参照すると、キャリア基板２００に第１回路層１１０を形成する（図２のＳ１１０参照）。
【００４６】
先ず、図３に示すように、キャリア基板２００が提供される。
【００４７】
本発明の実施例に係るキャリア基板２００は、本発明に係るエンベデッド基板の絶縁層及び回路層を形成する際に、これらを支持するための構成である。
【００４８】
本発明の実施例によれば、キャリア基板２００は、キャリアコア２１０の上面及び下面にそれぞれキャリア金属層２２０が積層された構造を有する。
【００４９】
本発明の実施例によれば、キャリアコア２１０は、絶縁材質で形成される。しかし、キャリアコア２１０の材質が絶縁材質に限定されることはなく、金属材質または絶縁層と金属層とが１層以上積層された構造を有することができる。
【００５０】
また、キャリア金属層２２０は、銅（Ｃｕ）で形成される。しかし、キャリア金属層２２０の材質が銅に限定されることはなく、回路基板分野で用いられる伝導性物質であればいずれも適用できる。
【００５１】
本発明の実施例によれば、キャリア基板２００の下部にも、上部の工程と同様の工程を行ってエンベデッド基板を製造することができる。したがって、本発明の実施例に係るエンベデッド基板の製造方法を説明するにあたり、キャリア基板２００の上部を例示にして説明し、キャリア基板２００の下部については、上部の工程と同様の工程が行なわれるので、その説明及び図面符号を省略する。
【００５２】
また、本発明の実施例によれば、キャリア基板２００は、キャリアコア２１０の上面及び下面にそれぞれ１層のキャリア金属層２２０が形成されたものとして示されているが、これは説明の便宜と理解を容易にするためのものであって、キャリア基板２００の構造がこれに限定されることではない。例えば、キャリア基板２００は、キャリアコア２１０の上面及び下面にそれぞれ２層のキャリア金属層２２０が形成されてもよい。また、２層のキャリア金属層２２０の間に離型層（図示せず）が形成され、以後に、該離型層（図示せず）を基準にして２層のキャリア金属層２２０が分離され、キャリア基板２００が除去されることも可能である。このように、キャリア基板２００は、当技術分野で公知のものであればいずれも使用できる。
【００５３】
図４を参照すると、第１回路層１１０が形成される。
【００５４】
本発明の実施例によれば、第１回路層１１０は、キャリア基板２００のキャリア金属層２２０に形成される。
【００５５】
本発明の実施例によれば、第１回路層１１０は、テンティング法（Ｔｅｎｔｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｙ Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）などの回路基板分野で用いられる回路パターン形成工法により形成される。また、第１回路層１１０は、伝導性物質で形成される。例えば、第１回路層１１０は、銅で形成される。しかし、第１回路層１１０の材質が銅に限定されることはなく、回路基板分野で用いられる伝導性物質であれば制限されずに適用できる。
【００５６】
図５から図７を参照すると、第１回路層１１０の上部に金属フィラー１２０が形成される（図２のＳ１２０参照）。
【００５７】
図５を参照すると、メッキレジスト３００が形成される。
【００５８】
本発明の実施例によれば、メッキレジスト３００は、キャリア基板２００及び第１回路層１１０の上部に形成される。また、メッキレジスト３００は、第１回路層１１０の上面を外部に露出させるメッキ開口部３１０を含む。
【００５９】
図６を参照すると、金属フィラー１２０が形成される。
【００６０】
本発明の実施例によれば、メッキレジスト３００のメッキ開口部３１０に電解メッキが行われる。電解メッキにより、メッキ開口部３１０は伝導性物質で充填され、金属フィラー１２０が形成される。
【００６１】
本発明の実施例によれば、金属フィラー１２０を形成する方法は、電解メッキに限定されることはない。すなわち、金属フィラー１２０は、メッキ開口部３１０を伝導性物質で充填できる方法であればいずれの方法を用いてもよい。
【００６２】
また、本発明の実施例によれば、金属フィラー１２０は、回路基板分野で用いられる伝導性物質で形成される。例えば、金属フィラー１２０は、銅で形成される。
【００６３】
このように形成された金属フィラー１２０は、第１回路層１１０に接合されて互いに電気的に接続する。
【００６４】
本発明の実施例によれば、金属フィラー１２０は、外部に露出された第１回路層１１０に形成されるので、第１回路層１１０との位置ずれ（ｍｉｓａｌｉｇｎｍｅｎｔ）を防止することができる。また、第１回路層１１０と金属フィラー１２０との位置ずれが発生しても第１回路層１１０の直径が金属フィラー１２０よりも大きいため、短絡が生じる可能性が低減する。
【００６５】
図７を参照すると、図６に示されたメッキレジスト３００が除去される。
【００６６】
図８及び図９を参照すると、第１回路層１１０と金属フィラー１２０とを埋め込む第１絶縁層１３１が形成される（図２のＳ１３０参照）。
【００６７】
図８を参照すると、第１絶縁層１３１が形成される。
【００６８】
本発明の実施例によれば、第１絶縁層１３１は、キャリア基板２００の上部に形成され、第１回路層１１０と金属フィラー１２０とを埋め込むように形成される。ここで、第１絶縁層１３１の上面と金属フィラー１２０の上面とが同一線上に位置するように形成されてもよく、または、第１絶縁層１３１は、図８に示すように金属フィラー１２０の上面を覆うように形成されてもよい。
【００６９】
本発明の実施例によれば、第１絶縁層１３１は、フィルムタイプであって、キャリア基板２００の上部に積層された後に加圧及び加熱する方法で形成されてもよく、または第１絶縁層１３１は、液状タイプであって、キャリア基板２００の上部に塗布される方法で形成されてもよい。
【００７０】
本発明の実施例によれば、第１絶縁層１３１は、上述した方法だけでなく、回路基板分野における絶縁層を形成する方法であればいずれの方法を用いてもよい。
【００７１】
本発明の実施例によれば、第１絶縁層１３１は、通常層間絶縁素材として用いられる複合高分子樹脂で形成される。例えば、第１絶縁層１３１は、プリプレグ、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ ｕｐ Ｆｉｌｍ）、及びＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ Ｔｒｉａｚｉｎｅ）などのエポキシ系樹脂で形成される。しかし、本発明に係る第１絶縁層１３１を形成する物質がこれに限定されることはない。本発明の実施例に係る第１絶縁層１３１は、回路基板分野で公知の絶縁材から選択して形成することができる。
【００７２】
図９を参照すると、第１絶縁層１３１が研磨される。
【００７３】
本発明の実施例によれば、第１絶縁層１３１を研磨して金属フィラー１２０の上面が外部に露出するようにできる。
【００７４】
図１０を参照すると、一部の金属フィラー１２０の上部に第２回路層１４０が形成される（図２のＳ１４０参照）。
【００７５】
図１０を参照すると、第２回路層１４０は、複数の金属フィラー１２０のうち一部の金属フィラー１２０の上部に形成される。
【００７６】
本発明の実施例によれば、第２回路層１４０は、第１電子素子（図示せず）が配置されない領域に形成される。すなわち、第２回路層１４０が形成されていない領域は、後に第１電子素子（図示せず）が配置される領域である。
【００７７】
本発明の実施例によれば、第２回路層１４０は、テンティング法（Ｔｅｎｔｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｙ Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）などの回路基板分野で用いられる回路パターン形成工法で形成される。また、第２回路層１４０は、伝導性物質で形成される。例えば、第２回路層１４０は、銅で形成される。しかし、第２回路層１４０の材質が銅に限定されることはなく、回路基板分野で用いられる伝導性物質であれば制限されずに適用できる。
【００７８】
このように形成された第２回路層１４０は、金属フィラー１２０に接合されて互いに電気的に接続する。
【００７９】
本発明の実施例によれば、第２回路層１４０は、外部に露出された金属フィラー１２０の上面に形成される。このため、第２回路層１４０の形成される正確な位置は、露出された金属フィラー１２０により確認できる。また、第２回路層１４０は、金属フィラー１２０に比べて大きい直径を有するように形成される。したがって、第２回路層１４０と金属フィラー１２０との間に位置ずれが発生しても、互いに電気的に短絡（ｓｈｏｒｔ）する不良が低減する。
【００８０】
図１０に示すように、第２回路層１４０は、第１回路層１１０に比べて厚い厚みを有するように形成されたことを例に挙げて示した。第２回路層１４０が厚く形成されることにより、回路信号の伝送の信頼性が向上すると共に放熱機能も向上する。しかし、第２回路層１４０が、必ずしも第１回路層１１０よりも厚く形成される必要はなく、第２回路層１４０の厚みは、当業者の選択により変更可能である。
【００８１】
図１１を参考すると、第１電子素子１５０が配置される（図２のＳ１５０参照）。本発明の実施例によれば、第１電子素子１５０は、第２回路層１４０が形成されていない金属フィラー１２０の上部に形成される。この際、金属フィラー１２０の上面が外部に露出されているので、金属フィラー１２０が形成された位置を確認し、第１電子素子１５０を正確な位置に配置することができる。
【００８２】
本発明の実施例によれば、第１電子素子１５０は、ＭＬＣＣである。しかし、第１電子素子１５０の種類がＭＬＣＣに限定されることはなく、回路基板分野で用いられるものであって、回路基板に実装及び内蔵できるものであればいずれでもよい。
【００８３】
本発明の実施例によれば、第１電子素子１５０と金属フィラー１２０との間に接着剤１６０を介在することも可能である。ここで、接着剤１６０としては、回路基板分野で用いられる接着剤であればいずれでもよい。
【００８４】
本発明の実施例によれば、接着剤１６０は、伝導性材質の接着剤で形成される。例えば、接着剤１６０は、ソルダ（ｓｏｌｄｅｒ）で形成される。このように形成された接着剤１６０により、第１電子素子１５０と金属フィラー１２０とが互いに電気的に接続する。若し、金属フィラー１２０と第１電子素子１５０とを電気的に絶縁する必要がある場合は、接着剤１６０は、エポキシ樹脂のように非伝導性材質で形成されることも可能である。
【００８５】
本発明の実施例によれば、接着剤１６０は、当業者の選択により形成されるか、または省略することが可能である。
【００８６】
本発明の実施例によれば、外部に露出された金属フィラー１２０により、第１電子素子１５０が配置される位置を確認できるので、従来のキャビティ形成工程が不要となり、省略可能となる。したがって、キャビティ形成工程で発生する各種副資材やコストが低減する。
【００８７】
図１２を参照すると、第２回路層１４０及び第１電子素子１５０を埋め込む第２絶縁層が形成される（図２のＳ１６０参照）。
【００８８】
本発明の実施例によれば、第２絶縁層１３２は、第１絶縁層１３１の上部に形成され、第２回路層１４０及び第１電子素子１５０を埋め込むように形成される。この際、第２絶縁層１３２の上面には金属層１７０が形成されている。すなわち、第２絶縁層１３２と金属層１７０とで構成された片面の金属積層板が第１絶縁層１３１の上部に積層される。
【００８９】
本発明の実施例によれば、第２絶縁層１３２は、通常層間絶縁素材として用いられる複合高分子樹脂で形成される。例えば、第２絶縁層１３２は、プリプレグ、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ ｕｐ Ｆｉｌｍ）及びＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ Ｔｒｉａｚｉｎｅ）などのエポキシ系樹脂で形成される。しかし、本発明に係る第２絶縁層１３２を形成する物質がこれに限定されることはない。本発明の実施例に係る第２絶縁層１３２は、回路基板分野で公知の絶縁材から選択して形成することができる。
【００９０】
また、本発明の実施例によれば、金属層１７０は、銅で形成される。しかし、金属層１７０の材質が銅に限定されることはなく、回路基板分野で用いられる金属であればいずれでも使用できる。
【００９１】
本発明の実施例では、第２絶縁層１３２を形成するために片面の金属積層板を積層するが、第２絶縁層１３２を形成する方法がこれに限定されることはない。すなわち、第２絶縁層１３２は、金属層１７０を省略して形成されることができる。例えば、第２絶縁層１３２は、フィルムタイプで第１絶縁層１３１の上部に積層された後、加圧及び加熱する方法で形成されることができる。また、第２絶縁層１３２は、液状タイプで第１絶縁層１３１の上部に塗布される方法で形成されることができる。本発明の実施例によれば、第２絶縁層１３２は上述した方法だけでなく、回路基板分野で絶縁層を形成する方法であればいずれも適用できる。
【００９２】
図１３及び図１４に示すように、第２回路層１４０の上部に第１ビア１８１が形成される（図２のＳ１７０参照）。
【００９３】
図１３に示すように、第２絶縁層１３２に第１ビアホール１７５が形成される。
【００９４】
本発明の実施例によれば、第１ビアホール１７５は、第２回路層１４０の上部に形成され、第２絶縁層１３２及び金属層１７０を貫通するように形成される。したがって、第１ビアホール１７５により第２回路層１４０の上面の一部が外部に露出する。
【００９５】
本発明の実施例によれば、第１ビアホール１７５は、レーザー加工方法により形成される。しかし、第１ビアホール１７５を形成する方法が、レーザー加工方法に限定されることはなく、回路基板分野で金属と絶縁層を加工する方法であればいずれも適用できる。
【００９６】
本発明の実施例によれば、第２絶縁層１３２に第２ビアホール１７６が形成される。本発明の実施例によれば、第２ビアホール１７６は、第１電子素子１５０の上部に形成され、第２絶縁層１３２及び金属層１７０を貫通するように形成される。したがって、第２ビアホール１７６により第１電子素子１５０の上面の一部が外部に露出される。ここで、露出される第１電子素子１５０は、電極に該当する部分である。
【００９７】
本発明の実施例によれば、第２ビアホール１７６は、第１ビアホール１７５と同様のレーザー加工方法により形成される。しかし、第２ビアホール１７６を形成する方法が、レーザー加工方法に限定されることはなく、回路基板分野で金属と絶縁層を加工する方法であればいずれも適用できる。
【００９８】
図１４を参照すると、第１ビア１８１が形成される。
【００９９】
本発明の実施例によれば、第１ビアホール１７５に、回路基板分野で用いられる伝導性物質を充填することで第１ビア１８１を形成する。例えば、第１ビア１８１は、銅で形成される。
【０１００】
本発明の実施例によれば、第１ビア１８１は、電解メッキ方法により形成される。しかし、第１ビア１８１を形成する方法が電解メッキに限定されることはない。すなわち、第１ビア１８１は、第１ビアホール１７５を伝導性物質で充填する方法であればいずれも適用できる。
【０１０１】
このように形成された第１ビア１８１は、第２回路層１４０に接合されて電気的に接続する。
【０１０２】
本発明の実施例によれば、第２ビアホール１７６に第２ビア１８２が形成される。本発明の実施例によれば、第２ビア１８２は、回路基板分野で用いられる伝導性物質を第２ビアホール１７６に充填することで形成される。
【０１０３】
本発明の実施例によれば、第２ビア１８２は、電解メッキ方法により形成される。しかし、第２ビア１８２を形成する方法が電解メッキに限定されることはない。すなわち、第２ビア１８２は、第２ビアホール１７６を伝導性物質で充填する方法であればいずれも適用できる。
【０１０４】
このように形成された第２ビア１８２は、第１電子素子１５０に電気的に接続する。
【０１０５】
本発明の実施例によれば、第１ビア１８１は、第２回路層１４０の一部を外部に露出させた後に形成され、第２回路層１４０よりも小さい直径を有するように形成される。したがって、第１ビア１８１と第２回路層１４０との間の位置ずれによる短絡の発生が低減する。また第２ビア１８２も、第１電子素子１５０の一部が外部に露出され、第２ビア１８２を形成する位置を確認した後に形成できるので、位置ずれの発生が低減する。
【０１０６】
本発明の実施例によれば、エンベデッド基板の製造方法は、パターンを形成するときに、外部に露出された下部のパターンを確認できるので、積層されるパターン間の位置合わせが向上する。
【０１０７】
本発明の実施例において、パターンは、第１回路層１１０、第２回路層１４０、金属フィラー１２０、第１ビア１８１、及び第２ビア１８２である。
【０１０８】
例えば、従来には貫通ビアを形成する場合、基板の上部と下部に同時にビアホールを加工する。このとき、基板の歪みなどによる変形のために、上部と下部にそれぞれ形成されたビアホール間の位置ずれが発生し、これは電気的短絡の原因となる。
【０１０９】
しかし、本発明の実施例によれば、貫通ビアである、第１回路層１１０に金属フィラー１２０、第２回路層１４０に第１ビア１８１を形成するとき、下部に形成されている各パターンが外部に露出されているので、形成される位置を確認した後に積層することができる。また、第２回路層１４０は、金属フィラー１２０の上面や第１ビア１８１の下面よりも大きい直径を有するように形成される。このため、各パターン間の位置ずれが発生しても短絡が生じることを防止できる。したがって、本発明の実施例によれば、従来のような位置ずれが発生しても短絡の問題が低減する。
【０１１０】
図１５及び図１６を参照すると、キャリア基板２００が除去される（図２のＳ１８０参照）。
【０１１１】
図１５を参照すると、キャリアコア２１０が除去される。
【０１１２】
本発明の実施例によれば、キャリアコア２１０とキャリア金属層２２０とを分離する。これにより、キャリアコア２１０は除去され、キャリア金属層２２０は第１絶縁層１３１の下面に接着された状態で残される。
【０１１３】
図１６を参照すると、キャリア金属層２２０及び金属層１７０が除去される。
【０１１４】
本発明の実施例によれば、第１絶縁層１３１の下面に形成されたキャリア金属層（図１５の２２０）を除去して第１回路層１１０を外部に露出させる。また、第２絶縁層１３２の上面に形成された金属層（図１５の１７０）を除去して第１ビア１８１及び第２ビア１８２を外部に露出させる。
【０１１５】
本発明の実施例によれば、キャリア金属層（図１５の２２０）及び金属層（図１５の１７０）は、クィックエッチング（ｑｕｉｃｋ ｅｔｃｈｉｎｇ）方法またはフラッシュエッチング（ｆｌａｓｈ ｅｔｃｈｉｎｇ）方法により除去される。または、キャリア金属層（図１５の２２０）及び金属層（図１５の１７０）は、研磨工程により除去されることも可能である。キャリア金属層（図１５の２２０）及び金属層（図１５の１７０）を除去する方法は、上述した方法に限定されず、回路基板分野で金属を除去する方法であればいずれも適用できる。
【０１１６】
このように、キャリア基板２００が除去されることで、２つのエンベデッド基板１００が形成される。
【０１１７】
図１７を参照すると、保護層１９０が形成される。
【０１１８】
本発明の実施例によれば、保護層１９０は、第１絶縁層１３１の下部に形成され、第１回路層１１０を保護する。また保護層１９０は、第２絶縁層１３２の上部に形成され、第１ビア１８１及び第２ビア１８２を保護する。
【０１１９】
本発明の実施例に係る保護層１９０は、外部部品との電気的接続のためのソルダリング（Ｓｏｌｄｅｒｉｎｇ）が行われるとき、第１回路層１１０、第１ビア１８１及び第２ビア１８２にソルダが塗布されることを防止する。また保護層１９０は、第１回路層１１０、第１ビア１８１及び第２ビア１８２が外部に露出して酸化及び腐食することを防止する。
【０１２０】
本発明の実施例によれば、保護層１９０は、外部部品との電気的接続のための領域が外部に露出するように形成される。例えば、保護層１９０は、第１回路層１１０、第１ビア１８１及び第２ビア１８２のうち外部部品と電気的に接続する部分があれば、当該領域を外部に露出させる。
【０１２１】
本発明の実施例によれば、保護層１９０は、耐熱性被覆材料で形成される。例えば、保護層１９０は、ソルダレジストで形成することができる。
【０１２２】
本発明の実施例によれば、保護層１９０を形成するステップは、当業者の選択により省略可能である。
【０１２３】
本発明の実施例に係るエンベデッド基板の製造方法によれば、第１回路層１１０は、第１絶縁層１３１に埋め込まれ、第１ビア１８１及び第２ビア１８２は、第２絶縁層１３２に埋め込まれるように形成される。すなわち、エンベデッド基板１００は、埋め込みパターンを有するように形成される。したがって、保護層１９０を形成する場合、本発明の実施例に係るエンベデッド基板１００に形成された保護層１９０の上面は、突出パターンを有する基板に形成された保護層よりも低い高さを有する。すなわち、本発明の実施例に係るエンベデッド基板１００は、突出パターンを有する基板よりも薄い厚さで形成できる。
【０１２４】
図１８は、本発明の実施例に係る電子素子が実装されたエンベデッド基板を示す例示図である。
【０１２５】
本発明の実施例によれば、第１電子素子１５０が内蔵されたエンベデッド基板１００の上部に第２電子素子１５５が実装される。ここで、エンベデッド基板１００は、図１のエンベデッド基板１００である。したがって、エンベデッド基板１００に関する詳細な説明は省略する。
【０１２６】
本発明の実施例によれば、第２電子素子１５５の下部には接続パターン１５７が形成される。接続パターン１５７は、第２電子素子１５５の下面に形成され、外部（下部）に突出するように形成される。
【０１２７】
本発明の実施例によれば、接続パターン１５７は、回路基板分野で用いられる伝導性物質で形成される。例えば、接続パターン１５７は、銅で形成される。
【０１２８】
本発明の実施例によれば、第２電子素子１５５がエンベデッド基板１００の上部に実装されると、接続パターン１５７は、第１ビア１８１の上部に位置することになる。このとき、接続パターン１５７と第１ビア１８１とは、ソルダボールのような第１外部接続端子１９７により互いに電気的に接続する。または接続パターン１５７と第１ビア１８１とは、直接接触して電気的に接続することも可能である。
【０１２９】
本発明の実施例によれば、エンベデッド基板１００の第１絶縁層１３１の下部には第２外部接続端子１９９が形成される。第２外部接続端子１９９は、保護層１９０により外部に露出した第１回路層１１０の下部に形成される。第２外部接続端子１９９は、第１回路層１１０と接触して電気的に接続する。
【０１３０】
本発明の実施例によれば、第１外部接続端子１９７及び第２外部接続端子１９９は、エンベデッド基板１００と外部部品とを電気的に接続する構成要素である。例えば、第１外部接続端子１９７及び第２外部接続端子１９９は、ソルダボールである。
【０１３１】
本発明の実施例では、第２電子素子１５５が外部に突出するように形成された場合の接続パターン１５７を例示して説明したが、第２電子素子１５５の構造は、これに限定されることはない。例えば、接続パターン１５７は、第２電子素子１５５の内部に形成されてもよく、または、第２電子素子１５５は、接続パターン１５７が省略されたものであってもよい。このとき、第２電子素子１５５の電極（図示せず）が第１外部接続端子１９７と直接接触することができる。
【０１３２】
本発明の実施例によれば、第２電子素子１５５とエンベデッド基板１００との間にアンダーフィル（Ｕｎｄｅｒｆｉｌｌ）樹脂１９５が形成される。本発明の実施例によれば、アンダーフィル樹脂１９５は、第２電子素子１５５をエンベデッド基板１００に固定する接着剤の役割を果たすことができる。また、アンダーフィル樹脂１９５は、外部の衝撃から第２電子素子１５５及びエンベデッド基板１００を保護する役割を果たすことができる。本発明の実施例によれば、アンダーフィル樹脂１９５は、回路基板分野で公知のアンダーフィル材料であればいずれも使用できる。
【０１３３】
本発明の実施例に係るエンベデッド基板１００は、上部に実装された第２電子素子１５５と保護層１９０との間の間隔が、突出パターンを有する基板の場合よりも大きい。第２電子素子１５５の実装後に流入されるアンダーフィル樹脂１９５の場合、保護層１９０であるソルダレジストとの密着力が銅よりも大きい。そのため、第２電子素子１５５と保護層１９０との間の間隔が小さいと、アンダーフィル樹脂１９５は、保護層１９０にさらに密着して、結局、第２電子素子１５５と基板との間にボイド（ｖｏｉｄ）が発生する。しかし、本発明の実施例に係るエンベデッド基板１００は、埋め込みパターンにより、保護層１９０と電子部品との間の間隔が大きいので、突出パターンを有する基板に比べてアンダーフィル樹脂１９５の流れ性が向上する。したがって、第２電子素子１５５とエンベデッド基板１００との間にボイドが発生することを防止できる。
【０１３４】
本発明の実施例では、第２電子素子１５５がエンベデッド基板１００の上部に形成されたことを例示にして説明したが、第２電子素子１５５が実装される位置は、これに限定されない。すなわち、第２電子素子１５５は、エンベデッド基板１００の上部及び下部のうち少なくとも一方に実装される。ここで、エンベデッド基板１００の上部は、第２絶縁層１３２の上部であり、下部は、第１絶縁層１３１の下部である。
【０１３５】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明はこれに限定されず、本発明の技術的思想内で当該分野で通常の知識を有する者により、その変形や改良が可能であることは明らかである。
【０１３６】
本発明の単純な変形や変更はすべて本発明の範囲に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。
【符号の説明】
【０１３７】
１００  エンベデッド基板
１１０  第１回路層
１２０  金属フィラー
１３０  絶縁層
１３１  第１絶縁層
１３２  第２絶縁層
１４０  第２回路層
１５０  第１電子素子
１５５  第２電子素子
１５７  接続パターン
１６０  接着剤
１７０  金属層
１７５  第１ビアホール
１７６  第２ビアホール
１８１  第１ビア
１８２  第２ビア
１９０  保護層
１９５  アンダーフィル樹脂
１９７  第１外部接続端子
２００  キャリア基板
２１０  キャリアコア
２２０  キャリア金属層
３００  メッキレジスト
３１０  メッキ開口部
【図１】
0006798076.tif 000002
【図２】
0006798076.tif 000003
【図３】
0006798076.tif 000004
【図４】
0006798076.tif 000005
【図５】
0006798076.tif 000006
【図６】
0006798076.tif 000007
【図７】
0006798076.tif 000008
【図８】
0006798076.tif 000009
【図９】
0006798076.tif 000010
【図１０】
0006798076.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
0006798076.tif 000013
【図１３】
0006798076.tif 000014
【図１４】
0006798076.tif 000015
【図１５】
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【図１６】
0006798076.tif 000017
【図１７】
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【図１８】
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