(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンタクトプローブを支持するガイド穴を有するシリコン板を備え、
上記ガイド穴は、上記シリコン板の厚さ方向に形成された貫通孔であり、
上記ガイド穴の内壁は、上記シリコン板の貫通加工穴の内壁面上に形成されたガイド膜を備え、
上記貫通加工穴は、両端の開口の大きさが異なり、一方の開口から他方の開口に向かって断面積が漸増し、
上記ガイド膜は、上記他方の開口に向かって膜厚が漸増することを特徴とするプローブガイド。
【請求項２】
上記ガイド膜は、スパッタ膜であることを特徴とする請求項１に記載のプローブガイド。
【請求項３】
上記貫通加工穴は、エッチング加工穴であることを特徴とする請求項１又は２に記載のプローブガイド。
【請求項４】
上記ガイド膜は、ダイヤモンド・ライク・カーボン又はイットリア安定化ジルコニアからなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプローブガイド。
【請求項５】
上記ガイド膜は、上記貫通加工穴の内壁面に形成されたシリコン酸化膜上に形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のプローブガイド。
【請求項６】
配線基板と、上記配線基板上に立設されるコンタクトプローブと、上記コンタクトプローブを支持するプローブガイドとを備え、
上記コンタクトプローブは、上記配線基板と電気的に接続される針元部と、検査対象物に接触する針先部と、針元部及び針先部の間に設けられた座屈変形可能な弾性変形部とにより構成され、
上記プローブガイドは、上記コンタクトプローブの上記針元部又は上記針先部を支持するガイド穴を有するシリコン板を含み、
上記ガイド穴は、上記シリコン板の厚さ方向に形成された貫通孔であり、
上記ガイド穴の内壁は、上記シリコン板の貫通加工穴の内壁面上に形成されたガイド膜を備え、
上記貫通加工穴は、両端の開口の大きさが異なり、一方の開口から他方の開口に向かって断面積が漸増し、
上記ガイド膜は、上記他方の開口に向かって膜厚が漸増することを特徴とするプローブカード。
【請求項７】
両端の開口の大きさが異なり、一方の開口から他方の開口に向かって断面積が漸増する貫通加工穴をシリコン板の厚さ方向に形成するステップと、
上記他方の開口に向かって膜厚が漸増するガイド膜を上記貫通加工穴の内壁面上に形成するステップとを備えることを特徴とするプローブガイドの製造方法。
【請求項８】
上記ガイド膜は、上記シリコン板の上記他方の開口側にターゲットを配置したスパッタリング処理により形成されることを特徴とする請求項７に記載のプローブガイドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブガイド、プローブカード及びプローブガイドの製造方法に係り、さらに詳しくは、プローブガイドのガイド穴の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、プローブカードは、配線基板上に多数のコンタクトプローブを立設して構成され、半導体集積回路の検査工程において使用される。半導体集積回路の検査は、コンタクトプローブを半導体ウエハ上に形成された半導体集積回路の電極パッドに接触させ、半導体集積回路と外部装置を導通させることにより行われる。その際、コンタクトプローブや電極パッドの高さのばらつきを吸収し、コンタクトプローブを電極パッドと確実に導通させるために、コンタクトプローブを電極パッドに押し付ける処理が行われる。この処理はオーバードライブと呼ばれている。
【０００３】
従来のプローブカードには、コンタクトプローブを支持するプローブガイドを備えるものが知られている。プローブガイドには多数のガイド穴が形成されており、コンタクトプローブは、対応するガイド穴に挿通され、挿通方向に移動可能に支持される。このようなプローブガイドを備えることにより、コンタクトプローブの針先を正確に位置決めすることができる。
【０００４】
従来のプローブガイドは、セラミック板からなり、ガイド穴は、ドリル加工やレーザ加工によって形成されるのが一般的であった。しかしながら、近年、半導体集積回路の高集積化にともなって、ガイド穴の小径化、狭ピッチ化が求められており、ドリル加工やレーザ加工によりガイド穴を形成することが困難になりつつある。そこで、エッチング加工によってシリコン板にガイド穴を形成し、プローブガイドを製作することが提案されているが、プローブガイドの強度を確保することが難しいという問題があった。
【０００５】
エッチング加工で形成されたガイド穴は、その内壁面がテーパー状になり、両端の開口径が一致しなくなる。その結果、隣接するガイド穴を仕切る隔壁の厚さが、ガイド板の厚さ方向によって変化し、大径側では小径側よりも薄くなる。つまり、狭ピッチ化によって薄くなった隔壁の厚さは、ガイド穴がテーパー状になることによってさらに薄くなり、プローブガイドの強度が低下する。特に、エッチング加工が容易なシリコンは、セラミックに比べて脆いため、強度を確保することが難しい。さらに、検査時におけるコンタクトプローブとの摺動摩擦により、ガイド穴の内壁面が摩耗した場合、隔壁がより破損し易くなり、プローブガイドの耐摩耗性を確保することが難しいという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−１８１９１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、プローブガイドの強度を向上させることを目的とする。また、プローブガイドの耐摩耗性を向上させることを目的とする。また、この様なプローブガイドを備えたプローブカードを提供することを目的とする。
【０００８】
特に、エッチング加工されたガイド穴を有するシリコン板により構成されるプローブガイドの強度を向上させることを目的とする。また、この様なプローブガイドの耐摩耗性を向上させることを目的とする。また、この様なプローブガイドを備えたプローブカードを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の実施態様によるプローブガイドは、コンタクトプローブを支持するガイド穴を有するシリコン板を備え、上記ガイド穴の内壁は、上記シリコン板の貫通加工穴の内壁面上に形成されたガイド膜を備え、上記貫通加工穴は、上記シリコン板の第１面に向かって断面積が漸増し、上記ガイド膜は、上記シリコン板の第１面に向かって膜厚が漸増するように構成される。
【００１０】
このような構成を採用することにより、貫通加工穴の内壁面の傾斜に比べて、ガイド穴の内壁面の傾斜を抑制し、ガイド板の強度を向上させることができる。従って、プローブガイドの耐摩耗性を向上させることができる。
【００１１】
本発明の第２の実施態様によるプローブガイドは、上記構成に加えて、ガイド膜がスパッタ膜として形成される。このような構成を採用することにより、ガイド膜を容易に形成することができる。
【００１２】
本発明の第３の実施態様によるプローブガイドは、上記構成に加えて、上記貫通加工穴が、エッチング加工穴として形成される。このような構成を採用することにより、容易にガイド穴を微細化し、あるいは、狭ピッチ化することができる。
【００１３】
本発明の第４の実施態様によるプローブガイドは、上記構成に加えて、上記ガイド膜が、ダイヤモンド・ライク・カーボン又はイットリア安定化ジルコニアからなる。
【００１４】
本発明の第５の実施態様によるプローブガイドは、上記構成に加えて、上記シリコン板の貫通加工穴の内壁面には、シリコン酸化膜が形成されている。
【００１５】
本発明の第６の実施態様によるプローブカードは、配線基板と、上記配線基板上に立設されるコンタクトプローブと、上記コンタクトプローブを支持するプローブガイドとを備え、上記コンタクトプローブは、上記配線基板と電気的に接続される針元部と、検査対象物に接触する針先部と、針元部及び針先部の間に設けられた座屈変形可能な弾性変形部とにより構成され、上記ガイド板は、上記コンタクトプローブの上記針元部又は上記針先部を支持するガイド穴を有するシリコン板により構成され、上記ガイド穴の内壁は、上記シリコン板の貫通加工穴の内壁面上に形成されたガイド膜を備え、上記貫通加工穴は、上記シリコン板の第１面に向かって断面積が漸増し、上記ガイド膜は、上記シリコン板の第１面に向かって膜厚が漸増するように構成される。
【００１６】
本発明の第７の実施態様によるプローブガイドの製造方法は、シリコン板に、その第１面に向かって断面積が漸増する貫通加工穴を形成するステップと、上記シリコン板の第１面に向かって膜厚が漸増するガイド膜を形成するステップとを備える。
【００１７】
本発明の第８の実施態様によるプローブガイドの製造方法は、上記構成に加えて、上記ガイド膜が、上記シリコン板の第１面側にターゲットを配置したスパッタリング処理により形成される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、プローブガイドの強度を向上させることができる。また、プローブガイドの耐摩耗性を向上させることができる。また、これらのプローブガイドを備えたプローブカードを提供することができる。
【００１９】
特に、エッチング加工されたガイド穴を有するシリコン板により構成されるプローブガイドの強度を向上させることができる。また、このようなプローブガイドの耐摩耗性を向上させることができる。また、これらのプローブガイドを備えたプローブカードを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施の形態によるプローブカード１００の一構成例を示した断面図である。
【図２】本発明の実施の形態によるプローブカード１００の一構成例を示した一部拡大図である。
【図３】本発明の実施の形態によるガイド板２０の製造方法の一例を示した図であり、エッチング処理の工程が示されている。
【図４】本発明の実施の形態によるガイド板２０の製造方法の一例を示した図であり、スパッタリング処理の工程が示されている。
【図５】本発明の実施の形態によるプローブカード１００について検査時の状態を示した図である。
【図６】本発明の比較例について検査時の状態を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１及び図２は、本発明の実施の形態によるプローブカード１００の一構成例を示した図である。図１には、コンタクトプローブ１３が下側になるように水平方向に配置されたプローブカード１００を鉛直面で切断したときの断面が示されている。図２には、図１のコンタクトプローブ１３及びガイド板２０の詳細構成が示されている。
【００２２】
プローブカード１００は、半導体集積回路の検査工程で用いられる装置であり、メイン基板１０、補強板１１、ＳＴ（スペーストランスフォーマー）基板１２、コンタクトプローブ１３、プローブガイド１４により構成される。
【００２３】
メイン基板１０は、プローブ装置(不図示)に着脱可能に取り付けられる配線基板、例えば、円盤形状のプリント回路基板であり、多数の外部電極Ｔ１が設けられている。外部電極Ｔ１は、テスター装置との間で信号の入出力を行うための入出力端子であり、メイン基板１０の周縁部に配置されている。
【００２４】
補強板１１は、メイン基板１０の変形を防止するための補強部材であり、メイン基板１０よりも高剛性の材料からなり、メイン基板１０の上面に取り付けられている。例えば、ステンレス鋼からなる平板形状の金属ブロックを補強板１１として用いることができる。
【００２５】
ＳＴ基板１２は、配線ピッチを変換するための配線基板であり、メイン基板１０の下面にメイン基板１０と平行になるように取り付けられる。また、ＳＴ基板１２は、メイン基板１０の外部電極Ｔ１よりも内側に配置され、ＳＴ基板１２の下面には、コンタクトプローブ１３に対応する多数のプローブ電極Ｔ２が形成され、各プローブ電極Ｔ２は、対応する外部電極Ｔ１とそれぞれ導通している。つまり、プローブ電極Ｔ２は、外部電極Ｔ１よりもピッチが狭く、ＳＴ基板１２を介在させることにより、コンタクトプローブ１３を狭ピッチで配設することができる。なお、ＳＴ基板１２を省略する場合には、メイン基板１０の下面にプローブ電極Ｔ２が形成される。
【００２６】
コンタクトプローブ１３は、検査対象物上の微小電極に接触させるプローブであり、略直線の形状を有し、ＳＴ基板１２上に略垂直に立設される垂直型プローブである。各コンタクトプローブ１３は、検査対象物である半導体集積回路の電極パッドに対応づけて整列配置されている。
【００２７】
プローブガイド１４は、コンタクトプローブ１３をガイドし、メイン基板１０と平行な平面内における位置決めを行うコンタクトプローブ１３の支持部材である。プローブガイド１４は、コンタクトプローブ１３を支持する１以上のガイド板２０と、ガイド板２０を固定するガイド板取付部２１とにより構成される。ガイド板２０は、ガイド板取付部２１により、メイン基板１０及びＳＴ基板１２から離間した位置において、メイン基板１０と平行となるように配置される。
【００２８】
ガイド板２０は、多数のガイド穴２３が形成された平板形状のシリコン板２２により構成される。シリコン板２２は、単結晶シリコン、多結晶シリコン又はアモルファスシリコンからなり、円形又は矩形などの任意の外形を有する。ガイド穴２３は、シリコン板２２の厚さ方向、すなわち、鉛直方向に形成された貫通孔である。また、シリコン板２２の上面及びガイド穴２３の内壁面には、ガイド膜２５が形成されている。
【００２９】
ガイド穴２３は、コンタクトプローブ１３を挿通するためのガイド板２０の貫通孔である。ガイド穴２３は、その断面がコンタクトプローブ１３に応じた大きさ及び形状を有し、コンタクトプローブ１３を挿通方向に移動可能に支持する。また、ガイド穴２３の内壁面は、シリコン板２２の貫通加工穴２４の内壁面上に形成されたガイド膜２５を備える。
【００３０】
貫通加工穴２４は、エッチング加工により形成されたシリコン板２２の貫通孔である。貫通加工穴２４は、鉛直方向に延びるテーパー形状を有し、その内壁面は、鉛直方向に対し角度を有する。このため、貫通加工穴２４は、その両端の開口の大きさが異なり、その断面積は、より小さな一方の開口から、より大きな他方の開口に向かって漸増する。
【００３１】
ガイド膜２５は、貫通加工穴２４の内壁面の傾斜を抑制する傾斜抑制膜である。貫通加工穴２４内におけるガイド膜２５の膜厚は、上記一方の開口から上記他方の開口に向かって漸増する。つまり、貫通加工穴２４の断面積とガイド膜２５の膜厚は、漸増する方向が一致している。このようなガイド膜２５を形成することにより、貫通加工穴２４の内壁面の傾斜角に比べ、ガイド穴２３の内壁面の傾斜角を抑制することができる。その結果、上記他方の開口（より大きな開口）付近におけるガイド穴２３間の壁厚を増大させ、ガイド板２０の強度を向上させることができる。
【００３２】
図示したガイド板２０は、上面に形成された貫通加工穴２４の上部開口２４Ｕが、下部開口２４Ｄよりも大きく、貫通加工穴２４の断面積は、下部開口２４Ｄから上部開口２４Ｕに向かって漸増している。ガイド膜２５の膜厚も、下部開口２４Ｄから上部開口２４Ｕに向かって漸増し、ガイド穴２３の内壁面は、鉛直方向と略一致している。
【００３３】
また、図示したプローブガイド１４は、２枚のガイド板２０、すなわち、上部ガイド板２０１及び下部ガイド板２０２を備えている。上部ガイド板２０１は、コンタクトプローブ１３の針元部１３１を支持し、下部ガイド板２０２は、コンタクトプローブ１３の針先部１３３を支持し、上部ガイド板２０１及び下部ガイド板２０２の間に、コンタクトプローブ１３の弾性変形部１３２が配置されている。
【００３４】
上部ガイド板２０１及び下部ガイド板２０２の互いに対応するガイド穴２３は、平面内の位置を異ならせて配置され、コンタクトプローブ１３の弾性変形部１３２を緩やかに湾曲する形状にしている。このため、検査時には、オーバードライブ処理によって、弾性変形部１３２が座屈変形し、検査対象物の微小電極に対し、全てのコンタクトプローブ１３を確実に導通させることができる。
【００３５】
図３及び図４は、図１に示したガイド板２０の製造方法の一例を示した図である。図３の（ａ）〜（ｆ）には、シリコン板２２に貫通加工穴２４を形成する工程が示されている。
【００３６】
貫通加工穴２４は、シリコン板２２のエッチング処理によって形成される。本実施の形態では、ＤＲＩＥ（深掘エッチング法）を用いる例について説明する。ＤＲＩＥは、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）と保護膜形成とを交互に行う方法であり、一般的なＲＩＥに比べ、シリコン板２２の厚さ方向に対する側壁面の傾斜が小さい凹部を形成することができる。
【００３７】
図３（ａ）は、１回目のエッチング工程後の様子が示されている。シリコン板２２の上面にはパターニングされたレジスト膜３１が形成され、レジスト膜３１の開口領域において、シリコン板２２が浅くエッチングされ、凹部３２が形成される。レジスト膜３１は、シリコン板２２の上面全体に塗布された後、パターンマスクを用いて露光及び現像され、貫通加工穴２４に相当する領域においてシリコン板２２を露出させる。その後、例えばＳＦ６ガスを用いて、ごく短時間のエッチング処理を行うことにより、浅い凹部３２が形成される。
【００３８】
図３（ｂ）は、１回目の保護膜形成工程後の様子が示されている。保護膜形成は１回目のエッチング処理後に行われる。保護膜３３は、例えば、Ｃ４Ｆ８ガスを用いて形成されるＣｘＦｙの重合膜であり、レジスト膜３１の上面、凹部３２の底面及び側壁面に形成される。
【００３９】
図３（ｃ）は、２回目のエッチング工程後の様子が示されている。１回目の保護膜３３の形成後、再びＳＦ６ガスを用いたエッチング処理が行われる。このエッチング処理により、凹部内の保護膜３３は、側壁面よりも底面の方が早く除去される。このため、側壁面に保護膜３３が残っている状態では、深さ方向のエッチングのみが行われ、より深い凹部３２が形成される。
【００４０】
図３（ｄ）は、２回目の保護膜形成工程後の様子が示されている。２回目のエッチング処理後、（ｂ）の場合と同様にして、再び保護膜３３が形成される。
【００４１】
図３（ｅ）は、その後も同様にして、エッチング処理と保護膜形成とを繰り返すことにより、十分な深さの凹部３２が形成された状態が示されている。
【００４２】
図３（ｆ）は、貫通加工穴２４が形成されたときの様子が示されている。図３（ｅ）の状態からレジスト膜３１を除去し、さらに、シリコン板２２の第２面（下面）を研磨し、第２面側において凹部３２を開口させることによって、貫通加工穴２４が形成される。
【００４３】
ＤＲＩＥを用いることにより、鉛直方向に対する側壁面の傾斜が比較的小さい貫通加工穴２４を形成することができる。しかしながら、側壁面を鉛直方向と完全に一致させることは難しく、貫通加工穴２４の断面積は、上面から下面に向かって漸減又は漸増する状態となる。図３では、深くなるに従って断面積が漸減する例を示したが、漸増又は漸減のいずれになるのかは、エッチング処理と保護膜形成の条件によって決まる。
【００４４】
図４の（ａ）及び（ｂ）には、ガイド膜２５を形成する工程が示されている。図４（ａ）には、ＤＲＩＥにより貫通加工穴２４が形成された状態が示されている。図４（ｂ）には、シリコン板２２の上方からスパッタリング処理が行われ、シリコン板２２の上面及び貫通加工穴２４の内壁面にガイド膜２５が形成された状態が示されている。
【００４５】
ガイド膜２５は、シリコン板２２の第１面に対してスパッタリング処理を行うことにより形成されるスパッタ膜であり、シリコン板２２のスパッタ側の面と貫通加工穴２４の内壁面に形成される。例えば、ターゲットをシリコン板２２の第１面側に配置し、シリコン板２２の第２面をステージに密着させた状態でスパッタリング処理が行われる。このとき、シリコン板２２の第１面（スパッタ側）にはガイド膜２５が形成される一方、シリコン板２２の第２面（非スパッタ側）にはガイド膜２５が形成されない。また、貫通加工穴２４内に形成されるガイド膜２５は、スパッタ側の開口から遠ざかるほど膜厚が薄くなる。つまり、貫通加工穴２４内のガイド膜２５は、第１面に向かって膜厚が漸増するように形成される。
【００４６】
図中では、より大きな貫通加工穴２４の開口が形成されたシリコン板２２の面に対してスパッタリング処理が行われている。つまり、貫通加工穴２４の断面積も、第１面に向かって漸増している。この様にして、貫通加工穴２４の断面積が漸増する方向と、ガイド膜２５の膜厚が漸増する方向を一致させることにより、ガイド穴２３の内壁面の傾斜を抑制することができる。
【００４７】
ガイド膜２５には、種々の材料を用いることができる。ただし、絶縁性を有し、かつ、シリコンとの相性が良い材料、例えば、ダイヤモンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）又はイットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）を用いることが特に望ましい。
【００４８】
なお、ガイド板２０を介して、異なるコンタクトプローブ１３が互いに導通するのを防止するため、ガイド板２０に絶縁膜、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）を形成することが望ましい。絶縁膜は、例えば、ガイド膜２５の形成前に貫通加工穴２４の内壁面に形成される。
【００４９】
図５及び図６は、検査時におけるコンタクトプローブ１３及びガイド板２０，２０'の状態を示した図である。図５には、ガイド膜２５が形成されたガイド板２０の場合が示され、図６には、比較例としてガイド膜２５が形成されていないガイド板２０'の場合が示されている。
【００５０】
図５（ａ）及び図６（ａ）には、検査前の状態、つまり、検査対象物（不図示）がコンタクトプローブ１３に接触する前の様子が示されている。図５（ｂ）及び図６（ｂ）には、オーバードライブが行われた検査時の状態が示されている。オーバードライブは、検査対象物の微小電極がコンタクトプローブ１３に接触すると想定される位置まで検査対象物をプローブカード１００に近づけた状態から、更にオーバードライブ量ＯＤと呼ばれる所定の距離だけ近づけ、コンタクトプローブ１３を弾性変形させる処理である。
【００５１】
検査時のコンタクトプローブ１３は、検査前に比べて、弾性変形部１３２が大きく座屈変形するとともに、針元部１３１及び針先部１３３がやや傾いている。針元部１３１及び針先部１３３の傾きは、コンタクトプローブ１３がガイド穴２３の開口縁部に当接して止まり、開口縁部はコンタクトプローブ１３が強く押し当てられた状態になる。このため、隣接するガイド穴２３を仕切る隔壁２６が薄い場合、検査時に隔壁２６が破損するおそれがある。特に、繰り返し検査が行われ、ガイド穴の内壁面が摩耗し、隔壁２６が更に薄くなれば、隔壁２６は更に破損しやすくなり、ガイド板２０の耐摩耗性が低下する。
【００５２】
図６（ｂ）には、隔壁２６の薄い部分が破損した様子が示されている。図６のガイド穴は、ガイド膜２５が形成されていない貫通加工穴２４であるため、より大きな開口が形成されている側のガイド穴間の隔壁２６が薄く、十分な強度が確保できない。このため、検査時に隔壁２６の薄い部分が破損する。
【００５３】
これに対し、図５（ｂ）に示した通り、ガイド膜２５が形成されたガイド板２０は、貫通加工穴２４の広い開口付近の隔壁２６の薄い部分に、より厚いガイド膜２５が形成されている。このため、検査時にガイド穴２３間の隔壁２６が破損するのを抑制することができる。
【００５４】
また、コンタクトプローブ１３の針先部１３３が過度に傾いた場合、コンタクトプローブ１３の先端の水平面内における位置が大きく変化し、検査対象物の微小電極と接触できなくなるおそれもある。さらに、弾性変形した弾性変形部１３２の水平方向への偏位量が大きくなり、隣接するコンタクトプローブが干渉し易くなるおそれもある。このため、貫通加工穴２４の内壁面にガイド膜２５を形成し、当該内壁面の傾斜を抑止することによって、この様な問題の発生を抑制することができる。
【００５５】
本実施の形態によるプローブガイド１４は、ガイド板２０、つまり、コンタクトプローブ１３を支持するガイド穴２３が形成されたシリコン板２２を備える。ガイド穴２３の内壁は、シリコン板２２の貫通加工穴２４の内壁面上に形成されたガイド膜２５で構成され、貫通加工穴２４は、シリコン板２２の第１面に向かって断面積が漸増し、ガイド膜２５は、シリコン板２２の第１面に向かって膜厚が漸増する。
【００５６】
シリコン板２２の第１面に向かって、貫通加工穴２４の断面積が増大しても、ガイド膜２５の膜厚も増大すれば、ガイド穴２３内の内壁の鉛直方向に対する傾斜を抑制することができる。その結果、シリコン板２２の第１面側におけるガイド穴２３の断面積が必要以上に大きくなるのを抑制することができる。ガイド穴２３のピッチが同一であれば、ガイド穴２３の断面積を小さくすることにより、ガイド穴２３間の隔壁が厚くなる。このため、ガイド板２０の強度を向上させることができる。また、耐摩耗性も向上させることができる。
【００５７】
また、本実施の形態によるガイド膜２５は、スパッタ膜として形成される。シリコン板２２の第１面に対してスパッタリング処理を行うことにより、シリコン板２２の第１面に向かって膜厚が漸増するガイド膜２５を容易に形成することができる。
【００５８】
また、本実施の形態による貫通加工穴２４は、エッチング加工穴として形成される。エッチング加工により貫通加工穴を形成すれば、ドリル加工やレーザ加工に比べて、より微細なガイド穴を実現することができる。しかも、エッチング加工することにより、貫通加工穴２４がテーパー状になり、その内壁面が傾斜する問題は、貫通加工穴２４の内壁面にガイド膜２５を形成することにより抑制することができる。
【００５９】
また、本実施の形態によるシリコン板２２の貫通加工穴２３の内壁面には、シリコン酸化膜が形成されている。このような構成により、異なるコンタクトプローブ同士が導通するのをより確実に防止することができる。
【００６０】
また、本実施の形態によるプローブカード１００は、ＳＴ基板１２と、ＳＴ基板１２上に立設されるコンタクトプローブ１３と、コンタクトプローブ１３を支持するプローブガイド１４とを備え、コンタクトプローブ１３は、ＳＴ基板１２と電気的に接続される針元部１３１と、検査対象物に接触する針先部１３３と、針先部１３３及び針元部１３１の間に設けられた座屈変形可能な弾性変形部１３２とにより構成され、プローブガイド１４は、コンタクトプローブ１３の針元部１３１又は針先部１３３を支持するガイド穴２３を有するシリコン板２２により構成され、ガイド穴２３の内壁は、シリコン板２２の貫通加工穴２４の内壁面上に形成されたガイド膜２５を備え、貫通加工穴２４は、シリコン板２２の第１面に向かって断面積が漸増し、ガイド膜２５は、シリコン板２２の第１面に向かって膜厚が漸増する。
【００６１】
また、本実施の形態によるプローブガイド１４の製造方法は、シリコン板２２の第１面に向かって断面積が漸増する貫通加工穴２４をシリコン板２２に形成するステップと、シリコン板２２の第１面に向かって膜厚が漸増するガイド膜２５を形成するステップとを備える。この様な構成により、プローブ板の強度を向上させ、耐摩擦性を向上させることができる。
【００６２】
また、ガイド膜２５は、シリコン板２２の第１面側にターゲットを配置したスパッタリング処理により形成される。このため、シリコン板２２の第１面に向かって膜厚が漸増するガイド膜２５を容易に形成することができる。
【００６３】
なお、本実施の形態では、メイン基板１０上に１つのプローブガイド１４が取り付けられる構成例について説明したが、同一のメイン基板１０上に２以上のプローブガイド１４を取り付けることもできる。
【００６４】
また、本実施の形態では、プローブガイド１４が、２枚のガイド板２０を備える構成例について説明したが、１枚のガイド板２０のみを備える構成であってもよいし、３以上のガイド板２０を備える構成であってもよい。例えば、プローブガイド１４は、下部ガイド板２０２のみを備えていてもよいし、１枚の上部ガイド板２０１及び２枚以上の下部ガイド板２０２を備えていてもよい。また、プローブガイド１４を構成する２以上のガイド板２０の全てに本発明を適用することが望ましいが、一部のガイド板２０のみに本発明を適用することもできる。
【００６５】
また、本実施の形態では、ＳＴ基板１２上に略垂直に立設される垂直型プローブを備えたプローブカードの例について説明したが、本発明の適用対象は、この様なプローブカードに限定されない。例えば、カンチレバー型プローブやコイルスプリング型プローブを備えたプローブカードに本発明を適用することもできる。
【００６６】
また、本実施の形態では、ガイド膜２５が貫通加工穴２４の内壁全面にわたって形成される構成例について説明したが、ガイド膜２５は貫通加工穴２４の一部に形成されるものであってもよい。例えば、貫通加工穴２４の内壁面のうち、貫通方向の一部のみにガイド膜２５が形成されていてもよい。すなわち、貫通加工穴２４の内壁面の傾斜を抑制し、あるいは、上記開口２４Ｕ側の隔壁２６を厚くするために、上部開口２４Ｕ側が厚くなり、下部開口２４Ｄ側が薄くなるように、ガイド膜２５の厚みを貫通方向の位置に応じて変化していればよく、ガイド膜２５は、内壁全面に形成されていなくてもよい。
【００６７】
また、本実施の形態では、ガイド板の第１面を上方に向けて配置し、貫通加工穴２４の断面積及びガイド膜２５の膜厚が、ともに上部開口２４Ｕに向かって漸増する構成例について説明したが、ガイド板の第１面を下方に向けて配置し、貫通加工穴２４の断面積及びガイド膜２５の膜厚が、ともに下部開口２４Ｄに向かって漸増する構成であってもよい。
【００６８】
また、本実施の形態では、ガイド膜をスパッタリング処理で形成する例について説明したが、蒸着により形成することもできる。例えば、シリコン板２２の第２面をステージに密着させた状態で蒸着を行うことにより、シリコン板２２の第１面及び貫通加工穴２４の内壁面にガイド膜２５を形成することができる。このとき、貫通加工穴２４内のガイド膜２５は、シリコン板２２の第１面に向かって膜厚が漸増する。
【符号の説明】
【００６９】
１００  プローブカード
１０    メイン基板
１１    補強板
１２    ＳＴ基板
１３    コンタクトプローブ
１３１  針元部
１３２  弾性変形部
１３３  針先部
１４    プローブガイド
２０    ガイド板
２０１  上部ガイド板
２０２  下部ガイド板
２１    ガイド板取付部
２２    シリコン板
２３    ガイド穴
２４    貫通加工穴
２４Ｄ  下部開口
２４Ｕ  上部開口
２５    ガイド膜
２６    隔壁
２６１'  破損した隔壁
３１    レジスト膜
３２    凹部
３３    保護膜
ＯＤ    オーバードライブ量
Ｔ１    外部電極
Ｔ２    プローブ電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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