(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられ、振動子と接合される接合部と、
前記基板上に設けられた複数のボンディングパッドと、
発熱する発熱部と、
周囲温度を検出する温度検出部と、
を備え、
前記接合部には、前記基板の表面の一部を覆う絶縁性保護膜が設けられ、
隣り合う前記ボンディングパッドの間には、前記絶縁性保護膜が設けられていない、集積回路装置。
【請求項２】
請求項１に記載の集積回路装置と、
前記振動子と、
を備える、電子デバイス。
【請求項３】
前記接合部に複数設けられているバンプ部材と、
少なくとも一部が複数の前記バンプ部材に囲まれており、かつ、前記振動子と前記接合部とを接合する導電性接合材と、
を備える、請求項２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
複数の前記バンプ部材は、互いに離間して設けられている、請求項３に記載の電子デバイス。
【請求項５】
複数の前記バンプ部材は、円弧状に配列されている、請求項３または４に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記接合部は、前記振動子と電気的に接続されている導電パターンを含み、
前記導電パターンは、
オーバル形状を有し、かつ、前記振動子に接合される接合電極部と、
複数の前記ボンディングパッドの少なくとも一部と電気的に接続されている引き出し電極部と、
を有する、請求項２ないし５のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記振動子を振動させるための発振回路を備える、請求項２ないし６のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項８】
請求項１に記載の集積回路装置、または請求項２ないし７のいずれか１項に記載の電子デバイスを備えている、電子機器。
【請求項９】
請求項１に記載の集積回路装置、または請求項２ないし７のいずれか１項に記載の電子デバイスを備えている、基地局。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路装置、電子デバイス、電子機器、および基地局に関する。
【背景技術】
【０００２】
通信機器あるいは測定器等の基準の周波数信号源などに用いられる水晶発振器は、温度変化に対して高い精度で出力周波数が安定していることが要求される。一般に、水晶発振器の中でも極めて高い周波数安定度が得られるものとして、恒温槽型水晶発振器（ＯＣＸＯ：Oven Controlled Crystal Oscillator）が知られている。
【０００３】
ＯＣＸＯは、一定の温度に制御された恒温槽内に水晶振動子を収納したものである。例えば、特許文献１には、振動片、発熱用ＩＣ、および発振用ＩＣがパッケージ内に収容されたＯＣＸＯが開示されている。
【０００４】
特許文献１の発熱用ＩＣは、拡散層が形成された半導体基板と、拡散層に電源電圧を印加するためのパッドと、拡散層に接地電圧を印加するためのパッドと、を含んで構成されている。拡散層上には、絶縁層が形成されており、絶縁層上には、表面保護膜が形成されている。表面保護膜には、開口部が形成されており、この開口部において、絶縁層の表面に矩形状のパッドが形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−１２２４２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の発熱用ＩＣでは、表面保護膜に開口部を設け、この開口部内にパッドを形成する構成としているため、表面保護膜とパッドとが段差を形成している。この段差は、パッドにワイヤーボンディングする際に障害となるおそれがある。例えば、製造誤差などによって開口部の位置がずれた場合に、ワイヤーボンディングの際に用いられるキャピラリーが表面保護膜とパッドとが形成する段差に衝突してしまうおそれがある。
【０００７】
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、ワイヤーボンディングの生産性を向上できる集積回路装置を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記集積回路装置を含む電子デバイスを提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記集積回路装置もしくは上記電子デバイスを含む電子機器および基地局を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することができる。
【０００９】
［適用例１］
本適用例に係る集積回路装置は、
基板と、
前記基板上に設けられ、振動子と接合される接合部と、
前記基板上に設けられた複数のボンディングパッドと、
を備え、
前記接合部には、前記基板の表面の一部を覆う絶縁性保護膜が設けられ、
隣り合う前記ボンディングパッドの間には、前記絶縁性保護膜が設けられていない。
【００１０】
このような集積回路装置では、隣り合うボンディングパッドの間には絶縁性保護膜が設けられていないため、隣り合うボンディングパッドの間では絶縁性保護膜とボンディングパッドとが段差を形成しない。そのため、このような集積回路装置によれば、絶縁性保護膜とボンディングパッドとが形成する段差にワイヤーボンディングの際に用いられるキャピラリーが衝突するといった問題を回避することができ、ワイヤーボンディングの生産性を向上できる。
【００１１】
なお、本発明に係る記載では、「上」という文言を、例えば、「特定のもの（以下、「Ａ」という）の「上」に他の特定のもの（以下、「Ｂ」という）を形成する」などと用いる場合に、Ａ上に直接Ｂを形成するような場合と、Ａ上に他のものを介してＢを形成するような場合とが含まれるものとして、「上」という文言を用いている。
【００１２】
［適用例２］
上記適用例に係る集積回路装置において、
発熱する発熱部と、
周囲温度を検出する温度検出部と、
をさらに備えていてもよい。
【００１３】
このような集積回路装置では、発熱部および温度検出部を振動子の近傍に配置することができるため、振動子を効率よく加熱することができるとともに、振動子の温度を精度よく検出することができる。
【００１４】
［適用例３］
本適用例に係る電子デバイスは、
上記のいずれかの集積回路装置と、
前記振動子と、
を備える。
【００１５】
このような電子デバイスでは、ワイヤーボンディングの生産性を向上できる集積回路装置を備えているため、電子デバイスの生産性を向上できる。
【００１６】
［適用例４］
本適用例に係る電子デバイスにおいて、
前記接合部に複数設けられているバンプ部材と、
少なくとも一部が複数の前記バンプ部材に囲まれており、かつ、前記振動子と前記接合部とを接合する導電性接合材と、
を備えていてもよい。
【００１７】
このような電子デバイスでは、導電性接合材の少なくとも一部が複数のバンプ部材に囲まれているため、振動子を接合部に接合する際の導電性接合材の広がりを低減することができる。
【００１８】
［適用例５］
本適用例に係る電子デバイスにおいて、
複数の前記バンプ部材は、互いに離間して設けられていてもよい。
【００１９】
このような電子デバイスでは、振動子を接合部に接合する際に、導電性接合材の広がりを低減できるとともに、複数のバンプ部材で囲まれた領域から余分な導電性接合材を逃がすことができる。
【００２０】
［適用例６］
本適用例に係る電子デバイスにおいて、
複数の前記バンプ部材は、円弧状に配列されていてもよい。
【００２１】
このような電子デバイスでは、振動子を接合部に接合する際の導電性接合材の広がりを低減することができる。
【００２２】
［適用例７］
本適用例に係る電子デバイスにおいて、
前記接合部は、前記振動子と電気的に接続されている導電パターンを含み、
前記導電パターンは、
オーバル形状を有し、かつ、前記振動子に接合される接合電極部と、
複数の前記ボンディングパッドの少なくとも一部と電気的に接続されている引き出し電極部と、
を有してもよい。
【００２３】
このような電子デバイスでは、接合電極部がオーバル形状、すなわち、角部を有さない曲線で構成されているため、接合電極部が角部を有する形状である場合と比べて、接合電極部の全面に導電性接合材を行き渡らせることができる。そのため、このような電子デバイスでは、振動子を接合部に接合する際の導電性接合材の広がりを低減できるとともに、振動子と接合部との接合強度を効率よく高めることができる。
【００２４】
［適用例８］
本適用例に係る電子デバイスにおいて、
前記振動子を振動させるための発振回路を備えてもよい。
【００２５】
このような電子デバイスでは、生産性の高い発振器を実現できる。
【００２６】
［適用例９］
本適用例に係る電子機器は、
上記のいずれかに記載の集積回路装置、または上記のいずれかに記載の電子デバイスを備えている。
【００２７】
このような電子機器では、ワイヤーボンディングの生産性を向上できる集積回路装置または当該集積回路装置を備えた電子デバイスを含むため、生産性の高い電子機器を実現できる。
【００２８】
［適用例１０］
本適用例に係る基地局は、
上記のいずれかに記載の集積回路装置、または上記のいずれかに記載の電子デバイスを備えている。
【００２９】
このような基地局では、ワイヤーボンディングの生産性を向上できる集積回路装置または当該集積回路装置を備えた電子デバイスを含むため、生産性の高い基地局を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】第１実施形態に係る恒温槽型水晶発振器の機能ブロック図。
【図２】第１実施形態に係る恒温槽型水晶発振器を模式的に示す断面図。
【図３】第１実施形態に係る恒温槽型水晶発振器を模式的に示す平面図。
【図４】集積回路装置の回路構成の一例を示す図。
【図５】集積回路装置の回路構成の他の一例を示す図。
【図６】集積回路装置を模式的に示す平面図。
【図７】集積回路装置を模式的に示す断面図。
【図８】集積回路装置を模式的に示す断面図。
【図９】集積回路装置の集積回路基板を模式的に示す平面図。
【図１０】集積回路装置の集積回路基板を模式的に示す断面図。
【図１１】第２実施形態に係る恒温槽型水晶発振器を模式的に示す平面図。
【図１２】第２実施形態に係る恒温槽型水晶発振器の集積回路装置を模式的に示す平面図。
【図１３】第２実施形態に係る恒温槽型水晶発振器の集積回路装置を模式的に示す断面図。
【図１４】集積回路装置の複数のバンプ部材の配置の他の一例を示す図。
【図１５】集積回路装置の複数のバンプ部材の配置の他の一例を示す図。
【図１６】集積回路装置の複数のバンプ部材の配置の他の一例を示す図。
【図１７】集積回路装置の複数のバンプ部材の配置の他の一例を示す図。
【図１８】第３実施形態に係る恒温槽型水晶発振器を模式的に示す平面図。
【図１９】第３実施形態に係る恒温槽型水晶発振器の集積回路装置を模式的に示す断面図。
【図２０】第３実施形態に係る恒温槽型水晶発振器の集積回路装置を模式的に示す断面図。
【図２１】接合電極部の形状の他の一例を示す図。
【図２２】接合電極部の形状の他の一例を示す図。
【図２３】接合電極部の形状の他の一例を示す図。
【図２４】接合電極部の形状の他の一例を示す図。
【図２５】第４実施形態に係る恒温槽型水晶発振器を模式的に示す平面図。
【図２６】第４実施形態に係る恒温槽型水晶発振器の集積回路装置を模式的に示す平面図。
【図２７】複数のバンプ部材の配置および接合電極部の形状の他の一例を示す図。
【図２８】第５実施形態の電子機器の構成の一例を示す機能ブロック図。
【図２９】第６実施形態に係る基地局の概略構成の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００３２】
また、以下では、本発明に係る電子デバイスとして、恒温槽型水晶発振器（ＯＣＸＯ）を例に挙げて説明するが、本発明に係る電子デバイスは、集積回路装置と振動子を含む他の種類のデバイス（例えば、ＯＣＸＯ以外の発振器やセンサー等）であってもよい。
【００３３】
１．  第１実施形態
１．１．  恒温槽型水晶発振器の機能
図１は、本発明に係る電子デバイスの一例である第１実施形態に係る恒温槽型水晶発振器（ＯＣＸＯ）１００の機能ブロック図である。
【００３４】
恒温槽型水晶発振器１００は、図１に示すように、振動子２、発振回路３、発熱回路４、温度センサー５及び温度制御用回路６を含んで構成されている。なお、本実施形態に係る恒温槽型水晶発振器１００は、これらの要素の一部を省略又は変更し、あるいは他の要素を追加した構成としてもよい。
【００３５】
振動子２は、基板材料として水晶を用いた水晶振動子であり、例えば、ＡＴカットやＳＣカットの水晶振動子が用いられる。ただし、振動子２は、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子やＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）振動子であってもよい。また、振動子２の基板材料としては、水晶の他、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電単結晶や、ジルコン酸チタン酸鉛等の圧電セラミックス等の圧電材料、シリコン半導体材料等を用いることもできる。また、振動子２の励振手段としては、圧電効果によるものを用いてもよいし、クーロン力による静電駆動を行ってもよい。また、振動子２としては、物理量を検出する素子、例えば、慣性センサー（加速度センサー、ジャイロセンサー等）、力センサー（傾斜センサー等）であってもよい。
【００３６】
発振回路３は、振動子２の両端に接続され、振動子２から出力される信号を増幅して振動子２にフィードバックさせることにより、振動子２を発振させるための回路である。
【００３７】
振動子２と発振回路３で構成された回路は、例えば、ピアース発振回路、インバーター型発振回路、コルピッツ発振回路、ハートレー発振回路などの種々の発振回路であってもよい。
【００３８】
発熱回路４は、抵抗に電流が流れることで発熱する回路である。本実施形態では、発熱回路４は、振動子２を加熱するために振動子２の近傍に配置される。
【００３９】
温度センサー５は、振動子２に近在して設置され、温度に応じた信号（例えば、温度に応じた電圧を有する信号）を出力する。
【００４０】
温度制御用回路６は、温度センサー５の出力信号（温度情報）に基づき、発熱回路４の抵抗を流れる電流量を制御し、振動子２を一定温度に保つための回路である。例えば、温度制御用回路６は、温度センサー５の出力信号から判定される現在の温度が設定された基準温度よりも低い場合には、発熱回路４の抵抗に所望の電流を流し、現在の温度が基準温度よりも高い場合には発熱回路４の抵抗に電流が流れないように制御する。また、例えば、温度制御用回路６は、現在の温度と基準温度との差に応じて、発熱回路４の抵抗を流れる電流量を増減させるように制御してもよい。
【００４１】
１．２．  恒温槽型水晶発振器の構造
図２は、第１実施形態に係る恒温槽型水晶発振器１００を模式的に示す断面図である。図３は、第１実施形態に係る恒温槽型水晶発振器１００を模式的に示す平面図である。なお、図２は、図３のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【００４２】
恒温槽型水晶発振器１００は、図１に示すように、本発明に係る集積回路装置を備えている。ここでは、恒温槽型水晶発振器１００が、本発明に係る集積回路装置として集積回路装置２０を含む場合について説明する。
【００４３】
恒温槽型水晶発振器１００は、図２および図３に示すように、振動子２と、パッケージ１０と、リッド１２と、集積回路装置２０と、発振用ＩＣ３０と、を含んで構成されている。なお、図３では、便宜上、リッド１２の図示を省略している。
【００４４】
パッケージ１０は、例えば、セラミックパッケージ等の積層パッケージであり、振動子２、集積回路装置２０及び発振用ＩＣ３０を同一空間内に収容するためのものである。図２および図３に示す例では、パッケージ１０の上部には開口部が設けられており、当該開口部をリッド１２で覆うことにより収容室が形成され、当該収容室に、振動子２、集積回路装置２０および発振用ＩＣ３０が収容されている。
【００４５】
集積回路装置２０は、下面の一部がパッケージ１０の下から４番目の層の上面に接着固定されている。集積回路装置２０の上面に設けられているボンディングパッド（ボンディングパッド２４ａ〜２４ｋ、図６参照）は、パッケージ１０の下から５番目の層の上面に設けられている電極１５とワイヤー１４によりボンディングされている。本実施形態では、集積回路装置２０には、図１に示した発熱回路４と温度センサー５が含まれている。
【００４６】
なお、集積回路装置２０の詳細については、後述する「１．３．  集積回路装置」で説明する。
【００４７】
発振用ＩＣ３０は、下面がパッケージ１０の下から２番目の層の上面に接着固定されている。発振用ＩＣ３０の上面に設けられている各電極（パッド）は、パッケージ１０の下から３番目の層の上面に設けられている各電極とワイヤー１４によりボンディングされている。本実施形態では、発振用ＩＣ３０には、図１に示した発振回路３と温度制御用回路６が含まれている。
【００４８】
振動子２は、集積回路装置２０に固定されている。図示の例では、振動子２の下面側の一部に設けられている電極が集積回路装置２０の上面に設けられている電極（パッド）と導電性接合材１６により接着固定されている。導電性接合材１６は、例えば、銀ペーストなどの導電性接着剤である。振動子２の上面側に設けられている電極（パッド）は、パッケージ１０の下から５番目の層の上面に設けられている電極とワイヤー１４によりボンディングされている。
【００４９】
振動子２は、集積回路装置２０に固定されるだけでなく、さらに、パッケージ１０の上面に設けられた台座部１８によって支持されてもよい。なお、台座部１８は、振動子２を集積回路装置２０に固定する際に、振動子２の姿勢を安定させるためのスペーサーとして用いられてもよい。振動子２と台座部１８とは接していてもよいし、接していなくてもよい。台座部１８は、例えば、金バンプである。
【００５０】
なお、振動子２は、振動子２を収容する振動子用パッケージ（図示せず）に収容された状態で、集積回路装置２０に固定されていてもよい。
【００５１】
また、パッケージ１０の内部又は表面には、振動子２の上面電極とワイヤーボンディングされている電極や集積回路装置２０の各電極とワイヤーボンディングされている各電極が設けられている。また、パッケージ１０の内部又は表面には、発振用ＩＣ３０の各電極とワイヤーボンディングされている各電極とを電気的に接続するための配線（図示せず）が設けられている。
【００５２】
さらに、パッケージ１０の下面には、図示はしないが、電源端子や接地端子、その他の外部端子（発振信号の出力端子等）が設けられている。また、パッケージ１０の内部又は表面には、電源端子及び接地端子と集積回路装置２０および発振用ＩＣ３０とを電気的に接続するための配線やその他の外部端子と発振用ＩＣ３０とを電気的に接続するための配線も設けられている。
【００５３】
１．３．  集積回路装置
図４は、第１実施形態に係る恒温槽型水晶発振器１００の集積回路装置２０の回路構成の一例を示す図である。
【００５４】
図４に示すように、集積回路装置２０は、電源端子ＶＤ、接地端子ＶＳ、発熱制御信号の入力端子Ｇおよび温度情報信号の出力端子ＴＳを有し、発熱回路４（発熱部の一例）と温度センサー５（温度検出部の一例）を含んで構成されている。
【００５５】
発熱回路４は、発熱することができる。発熱回路４は、振動子２の温度を一定に保つための熱を発生させる発熱部として機能する。発熱回路４は、電源端子ＶＤと接地端子ＶＳとの間に抵抗４ａとＭＯＳトランジスター４ｂとが直列に接続されて構成されており、ＭＯＳトランジスター４ｂのゲートには、入力端子Ｇを介して、図１に示した温度制御用回路６が出力する発熱制御信号が入力される。この発熱制御信号により、抵抗４ａを流れる電流が制御され、これにより抵抗４ａの発熱量が制御される。
【００５６】
温度センサー５は、当該温度センサー５の周囲温度を検出する温度検出部として機能する。温度センサー５は、出力端子ＴＳと接地端子ＶＳとの間に、１又は複数のダイオード５ａが順方向に直列に接続されて構成されている。この出力端子ＴＳには、図１に示した温度制御用回路６に設けられている定電流源により一定の電流が供給され、これにより、ダイオード５ａに一定の順方向電流が流れる。ダイオード５ａに一定の順方向電流を流した時、ダイオード５ａの両端の電圧は温度変化に対してほぼ線形に変化する（例えば、約−６ｍＶ／℃の割合で変化する）ため、出力端子ＴＳの電圧は温度に対して線形な電圧となる。したがって、この出力端子ＴＳから出力される信号を温度情報信号として利用することができる。
【００５７】
また、図５は、集積回路装置２０の回路構成の他の一例を示す図である。図５では、図４の回路に対して、出力端子ＴＳと接地端子ＶＳとの間に、ダイオード５ａに代えて１又は複数のバイポーラトランジスター５ｂが直列に接続されている。各バイポーラトランジスター５ｂはベースとコレクターが接続されており、バイポーラトランジスター５ｂのコレクター−エミッター間に一定の順方向電流を流した時、ベース−エミッター間の電圧は温度変化に対してほぼ線形に変化する。そのため、出力端子ＴＳの電圧は温度に対して線形な電圧となる。したがって、この出力端子ＴＳから出力される信号を温度情報信号として利用することができる。
【００５８】
図６は、集積回路装置２０を模式的に示す平面図である。図７は、集積回路装置２０を模式的に示す断面図であり、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線断面図である。図８は、集積回路装置２０を模式的に示す断面図であり、図６のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線断面図である。なお、図６〜図８には、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を図示している。また、図７では、集積回路装置２０に振動子２が固定されている状態を図示している。
【００５９】
集積回路装置２０は、図６〜図８に示すように、集積回路基板（基板の一例）２１と、接合部２２と、ボンディングパッド２４ａ〜２４ｋと、を備えている。
【００６０】
集積回路基板２１は、上述した図４に示す発熱回路４および温度センサー５が形成されている。すなわち、集積回路基板２１には、抵抗４ａや、ＭＯＳトランジスター４ｂ、ダイオード５ａ等が形成されている。集積回路基板２１の詳細については、後述する。
【００６１】
接合部２２は、振動子２が接合される部分である。接合部２２は、集積回路基板２１上に設けられている。接合部２２の形状や大きさは、振動子２の固定が可能であれば特に限定されない。
【００６２】
接合部２２は、絶縁性保護膜２３と、導電パターン２５と、を含んで構成されている。絶縁性保護膜２３は、集積回路基板２１上に形成されている。絶縁性保護膜２３は、集積回路基板２１の表面の一部（図示の例では集積回路基板２１の上面２７の一部）を覆っている。絶縁性保護膜２３は、集積回路基板２１の表面を保護するための保護膜として機能する。絶縁性保護膜２３の材質は、例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）や、ポリイミド等である。
【００６３】
導電パターン２５は、絶縁性保護膜２３上および集積回路基板２１上に形成されている。導電パターン２５は、ボンディングパッド２４ｅと、振動子２の引き出し電極２ｄと、を電気的に接続する再配線層である。導電パターン２５の材質は、例えば、銅または銅を主成分とする合金等である。なお、導電パターン２５は、導電性接合材１６との接続性を良好に保つために、例えば、金、アルミニウム、またはそれらを主成分とする合金により表面が覆われていてもよい。
【００６４】
導電パターン２５は、振動子２に接合される接合電極部２５ａと、接合電極部２５ａとボンディングパッド２４ｅとを接続する引き出し電極部２５ｂと、を有している。なお、引き出し電極部２５ｂは、集積回路基板２１上に設けられた複数のボンディングパッドの一部と電気的に接続されてもよいし、複数のボンディングパッドの全部と電気的に接続されていてもよい。
【００６５】
接合部２２は、平面視において（集積回路基板２１の上面２７の垂線方向から見て、Ｚ軸方向から見て）、絶縁性保護膜２３と、導電パターン２５と、が重なる部分である。
【００６６】
振動子２は、図７に示すように、基板材料として水晶を用いた振動片２ａと、振動片２ａの下面に設けられている下面電極２ｂと、振動片２ａの上面に設けられている上面電極２ｃと、下面電極２ｂに電気的に接続されている引き出し電極２ｄと、上面電極２ｃと電気的に接続されている引き出し電極２ｅと、を含んで構成されている。
【００６７】
恒温槽型水晶発振器１００では、振動子２の引き出し電極２ｄと導電パターン２５とが導電性接合材１６によって電気的および物理的に接続されている。また、振動子２の引き出し電極２ｅは、ワイヤー１４によってパッケージ１０に形成された電極１５に電気的に接続されている。
【００６８】
ボンディングパッド２４ａ〜２４ｋは、集積回路基板２１上に設けられている。ボンディングパッド２４ａ〜２４ｋは、図６に示すように、平面視において、集積回路基板２１の外縁に沿って配列されている。図示の例では、集積回路基板２１の外縁は平面視において長方形であり、ボンディングパッド２４ａ〜２４ｋは、当該長方形の一辺に沿って配列されている。ボンディングパッド２４ａ〜２４ｋは、それぞれワイヤー１４を介して、パッケージ１０に形成された電極１５と接続される。
【００６９】
ボンディングパッド２４ａは、図４に示す電源端子ＶＤとして機能する。ボンディングパッド２４ａは、集積回路基板２１の電極２６ａ上に設けられている。ボンディングパッド２４ａは、電極２６ａと電気的に接続されている。同様に、ボンディングパッド２４ｉは、図４に示す電源端子ＶＤとして機能する。ボンディングパッド２４ｉは、集積回路基板２１の電極２６ｉ上に設けられている。ボンディングパッド２４ｉは、電極２６ｉと電気的に接続されている。
【００７０】
ボンディングパッド２４ｂは、図４に示す接地端子ＶＳとして機能する。ボンディングパッド２４ｂは、集積回路基板２１の電極２６ｂ上に設けられている。ボンディングパッド２４ｂは、電極２６ｂと電気的に接続されている。同様に、ボンディングパッド２４ｃ，２４ｄ，２４ｆ，２４ｇ，２４ｈは、それぞれ図４に示す接地端子ＶＳとして機能する。ボンディングパッド２４ｃ，２４ｄ，２４ｆ，２４ｇ，２４ｈは、集積回路基板２１の電極２６ｃ，２６ｄ，２６ｆ，２６ｇ，２６ｈ上に設けられている。ボンディングパッド２４ｃ，２４ｄ，２４ｆ，２４ｇ，２４ｈは、それぞれ電極２６ｃ，２６ｄ，２６ｆ，２６ｇ，２６ｈと電気的に接続されている。
【００７１】
ボンディングパッド２４ｊは、図４に示す出力端子ＴＳとして機能する。ボンディングパッド２４ｊは、集積回路基板２１の電極２６ｊ上に設けられている。ボンディングパッド２４ｊは、電極２６ｊと電気的に接続されている。
【００７２】
ボンディングパッド２４ｋは、図４に示す入力端子Ｇとして機能する。ボンディングパッド２４ｋは、集積回路基板２１の電極２６ｋ上に設けられている。ボンディングパッド２４ｊは、電極２６ｋと電気的に接続されている。
【００７３】
ボンディングパッド２４ｅは、集積回路基板２１の電極２６ｅ上に設けられている。ボンディングパッド２４ｅは、電極２６ｅと電気的に接続されている。ボンディングパッド２４ｅは、導電パターン２５を介して、振動子２の下面電極２ｂと電気的に接続されている。
【００７４】
ボンディングパッド２４ａ〜２４ｋの材質は、例えば、銅又は銅を主成分とする合金である。また、ボンディングパッド２４ａ〜２４ｋは、ワイヤー１４との接続性を良好に保つために、例えば、金、アルミニウム、またはそれらを主成分とする合金により表面が覆われていてもよい。
【００７５】
図６〜図８に示すように、隣り合うボンディングパッド２４ａ〜２４ｋ間には、絶縁性保護膜（例えば絶縁性保護膜２３）が設けられていない。なお、絶縁性保護膜は、集積回路基板２１の表面を保護するための絶縁性の膜である。また、隣り合うボンディングパッドとは、複数のボンディングパッドのうちの任意の１つのボンディングパッドと、当該１つのボンディングパッドから見て最も近接する他のボンディングパッドと、をいう。例えば、ボンディングパッド２４ａと、ボンディングパッド２４ａと最も近接するボンディングパッド２４ｊとは、隣り合うボンディングパッドといえる。
【００７６】
図８に示すように、隣り合うボンディングパッド２４ａ〜２４ｋ間には、絶縁性保護膜が設けられておらず、空隙２８が設けられている。
【００７７】
ボンディングパッド２４ａ〜２４ｋは、平面視において、集積回路基板２１の外縁に沿って配列されており、この外縁に沿った集積回路基板２１の上面２７上の領域２７ａ（「パッド領域」ともいう）には、絶縁性保護膜が設けられていない。言い換えると、集積回路基板２１上の絶縁性保護膜が設けられていないパッド領域２７ａに、ボンディングパッド２４ａ〜２４ｋが配置されている。図示の例では、パッド領域２７ａは、集積回路基板２１の上面２７上の領域のうち、接合電極部２５ａよりも、振動子２の振動領域側とは反対側（−Ｙ方向側）の領域である。なお、振動子２の振動領域は、振動片２ａの、下面電極２ｂと上面電極２ｃとで挟まれた部分である。
【００７８】
図９は、集積回路装置２０の集積回路基板２１を模式的に示す平面図である。図１０は、集積回路装置２０の集積回路基板２１を模式的に示す図９のＸ−Ｘ線断面図である。
【００７９】
集積回路基板２１は、図９および図１０に示すように、半導体基板２１ａと、拡散層２１ｂと、絶縁層２１ｃと、電極２６ａ〜２６ｋと、を含んで構成されている。集積回路基板２１は、さらに、発熱回路４を構成するＭＯＳトランジスター４ｂと、温度センサー５と、を含んで構成されている。
【００８０】
半導体基板２１ａは、例えば、シリコン基板である。半導体基板２１ａは、シリコン基板に限定されず、半導体材料からなる基板であればよい。半導体基板２１ａは、例えば、Ｐ型の半導体基板である。
【００８１】
拡散層２１ｂは、Ｐ型の半導体基板２１ａの表面にリン（Ｐ）等の不純物がドープされることにより形成されるＮ型の拡散層である。拡散層２１ｂは、図４に示す発熱回路４の抵抗４ａとして機能する。なお、半導体基板２１ａがＮ型の半導体基板であり、拡散層２１ｂがＮ型の半導体基板２１ａの表面にボロン（Ｂ）等の不純物がドープされることにより形成されるＰ型の拡散層であってもよい。
【００８２】
絶縁層２１ｃは、拡散層２１ｂ上に形成されている。絶縁層２１ｃの材質は、例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）である。
【００８３】
電極２６ａ〜２６ｋは、絶縁層２１ｃ上に形成されている。
【００８４】
電極２６ａは、絶縁層２１ｃに設けられた複数のビア２１ｄを介して、拡散層２１ｂと電気的に接続されている。電極２６ａは、拡散層２１ｂに電源電圧を印加するための電極として機能する。同様に、電極２６ｉは、絶縁層２１ｃに設けられた複数のビア２１ｄを介して、拡散層２１ｂと電気的に接続されている。電極２６ｉは、拡散層２１ｂに電源電圧を印加するための電極として機能する。
【００８５】
電極２６ｂは、絶縁層２１ｃに設けられた複数のビア２１ｄを介して、拡散層２１ｂと電気的に接続されている。電極２６ｂは、拡散層２１ｂに接地電圧を印加するための電極として機能する。同様に、電極２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｆ，２６ｇ，２６ｈは、絶縁層２１ｃに設けられた複数のビア２１ｄを介して、拡散層２１ｂと電気的に接続されている。電極２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｆ，２６ｇ，２６ｈは、拡散層２１ｂに接地電圧を印加するための電極として機能する。
【００８６】
電極２６ｊは、出力端子ＴＳとして機能するボンディングパッド２４ｊに電気的に接続されている。電極２６ｋは、入力端子Ｇとして機能するボンディングパッド２４ｋに電気的に接続されている。電極２６ｅは、ボンディングパッド２４ｅに電気的に接続されている。
【００８７】
電極２６ａ〜２６ｋの材質は、例えば、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金である。
【００８８】
集積回路基板２１では、平面視において、電極２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇ，２６ｈに対して＋Ｙ軸方向側の近傍領域にＭＯＳトランジスター４ｂが配置されている。ＭＯＳトランジスター４ｂは、ゲートとして機能する多結晶シリコン等からなる配線や、ドレインとして機能する拡散層、ソースとして機能する拡散層等で構成されている。
【００８９】
また、集積回路基板２１では、平面視において、振動子２と重なる領域に、温度センサー５が配置されている。すなわち、恒温槽型水晶発振器１００では、平面視において、温度センサー５が振動子２と重なっている。そのため、温度センサー５は、振動子２の温度を精度よく検出することができる。
【００９０】
集積回路基板２１には、平面視において、電極２６ａと電極２６ｂとを結ぶ仮想直線（電極２６ａの重心と電極２６ｂの重心とを結ぶ仮想直線）と交わるようにスリット２９ａが形成されている。また、集積回路基板２１には、平面視において、電極２６ｉと電極２６ｈとを結ぶ仮想直線（電極２６ｉの重心と電極２６ｈの重心とを結ぶ仮想直線）と交わるようにスリット２９ｂが形成されている。スリット２９ａ，２９ｂは、拡散層２１ｂが形成されていない領域である。スリット２９ａ，２９ｂは、拡散層２１ｂよりも電気抵抗率の高い領域である。
【００９１】
集積回路基板２１では、電極２６ａ，２６ｉと電気的に接続されている拡散層２１ｂの領域と、電極２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｆ，２６ｇ，２６ｈと電気的に接続されている拡散層２１ｂの領域との間に電位差が印加される。これにより、電流Ｉが流れ、拡散層２１ｂが発熱する。このとき、電極２６ａ，２６ｉから入力された電流Ｉは、スリット２９ａ，２９ｂを迂回するように電極２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｆ，２６ｇ，２６ｈまで流れる。これにより、電流Ｉの流れる経路を長くすることができ、拡散層２１ｂの平面視で振動子２と重なる領域に十分な電流が流れ、振動子２を効率よく加熱することができる。
【００９２】
第１実施形態に係る恒温槽型水晶発振器１００は、例えば、以下の特徴を有する。
【００９３】
恒温槽型水晶発振器１００は、集積回路装置２０を備えている。集積回路装置２０では、振動子２と接合される接合部２２には、基板としての集積回路基板２１の表面の一部を覆う絶縁性保護膜２３が設けられ、隣り合うボンディングパッド２４ａ〜２４ｋの間には、絶縁性保護膜が設けられていない。そのため、集積回路装置２０では、隣り合うボンディングパッド２４ａ〜２４ｋの間において、絶縁性保護膜２３とボンディングパッド２４ａ〜２４ｋとが段差を形成しない。したがって、集積回路装置２０では、絶縁性保護膜とボンディングパッドとが形成する段差にワイヤーボンディングの際に用いられるキャピラリーが衝突するといった問題を回避することができ、ワイヤーボンディングの生産性を向上できる。よって、恒温槽型水晶発振器１００によれば、集積回路装置２０を備えているため、生産性の高い恒温槽型水晶発振器を実現できる。
【００９４】
また、従来の恒温槽型水晶発振器では、絶縁性保護膜２３とボンディングパッド２４ａ〜２４ｋとが段差を形成するため、ボンディングパッド２４ａ〜２４ｋとワイヤー１４との接合強度（シェア強度）を評価する場合に、ボンディングパッド２４ａ〜２４ｋとワイヤー１４との接合部に荷重を加えるためのジグが、前記段差に衝突してしまう場合がある。
【００９５】
これに対して、恒温槽型水晶発振器１００では、隣り合うボンディングパッド２４ａ〜２４ｋの間において、絶縁性保護膜２３とボンディングパッド２４ａ〜２４ｋとが段差を形成しないため、上記の問題を回避することができる。したがって、恒温槽型水晶発振器１００によれば、容易に、シェア強度を評価することができる。
【００９６】
恒温槽型水晶発振器１００では、集積回路装置２０は、発熱する発熱部としての発熱回路４と、周囲温度を検出する温度検出部としての温度センサー５と、を備えている。そのため、集積回路装置２０では、発熱回路４および温度センサー５を振動子２の近傍に配置できるため、振動子２を効率よく加熱できるとともに、振動子２の温度を精度よく検出できる。したがって、恒温槽型水晶発振器１００によれば、低消費電力で、高精度な恒温槽型水晶発振器を実現できる。
【００９７】
第１実施形態に係る恒温槽型水晶発振器１００では、振動子２を発振させるための発振回路３（発振用ＩＣ３０）を備えるため、上述したように、生産性の高い発振器を実現できる。
【００９８】
２．  第２実施形態
図１１は、第２実施形態に係る恒温槽型水晶発振器２００を模式的に示す平面図である。図１２は、第２実施形態に係る恒温槽型水晶発振器２００の集積回路装置２０を模式的に示す平面図である。図１３は、第２実施形態に係る恒温槽型水晶発振器２００の集積回路装置２０を模式的に示す断面図であり、図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線断面図である。
【００９９】
なお、図１１では、便宜上、パッケージ１０、リッド１２、発振用ＩＣ３０の図示を省略している。また、図１３では、集積回路装置２０に振動子２が固定されている状態を図示している。図１２および図１３には、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を図示している。
【０１００】
以下、第２実施形態に係る恒温槽型水晶発振器２００において、第１実施形態に係る恒温槽型水晶発振器１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を伏し、その詳細な説明を省略する。
【０１０１】
恒温槽型水晶発振器２００では、図１１〜図１３に示すように、集積回路装置２０の接合部２２には、バンプ部材４０が複数設けられている。
【０１０２】
バンプ部材４０は、導電パターン２５上に設けられている。バンプ部材４０は、導電パターン２５上に設けられた突起である。バンプ部材４０は、例えば、金バンプや、半田バンプなどの金属バンプである。
【０１０３】
バンプ部材４０は、図示の例では１６個設けられているが、その数は特に限定されない。複数のバンプ部材４０は、互いに離間して設けられている。隣り合うバンプ部材４０の間には、隙間４２が設けられている。隙間４２の大きさ（すなわち、隣り合うバンプ部材４０間の距離）は、振動子２を接合部２２に接合する際に、複数のバンプ部材４０で囲まれた領域に塗布された導電性接合材１６を堰き止めることができる大きさであることが好ましい。
【０１０４】
複数のバンプ部材４０は、平面視において、円状に配置されている。すなわち、複数のバンプ部材４０は平面視において１つの仮想円上に位置している。図示の例では、複数のバンプ部材４０の重心の位置が平面視において１つの仮想円上に位置しているが、必ずしもバンプ部材４０の重心が平面視において仮想円上に位置していなくてもよい。
【０１０５】
複数のバンプ部材４０は、平面視において、仮想円上に等間隔で配置されている。すなわち、仮想円上に配置されている複数のバンプ部材４０において、隙間４２の大きさは互いに等しい。なお、仮想円上に配置されている複数のバンプ部材４０において、隙間４２の大きさは互いに異なっていてもよい。
【０１０６】
複数のバンプ部材４０は、導電パターン２５と振動子２の引き出し電極２ｄとの間に配置されている。複数のバンプ部材４０は、導電パターン２５と引き出し電極２ｄとで挟まれており、引き出し電極２ｄに接している。
【０１０７】
導電性接合材１６の少なくとも一部は、平面視において、複数のバンプ部材４０で囲まれている。言い換えると、平面視において、複数のバンプ部材４０の重心を結ぶ仮想直線で形成される図形の内側に、導電性接合材１６の少なくとも一部が存在している。
【０１０８】
このように、導電性接合材１６の少なくとも一部が複数のバンプ部材４０で囲まれていることにより、振動子２を接合部２２に接合する際の導電性接合材１６の広がりを低減することができる。例えば、振動子２を接合部２２に接合する際に、複数のバンプ部材４０で囲まれた領域に導電性接合材１６を塗布して振動子２を接合部２２に接合することにより、複数のバンプ部材４０によって導電性接合材１６の広がりを低減することができる。そのため、例えば、振動子２を接合部２２に接合する際に、導電性接合材１６が振動子２の振動領域まで広がって、振動子２の振動に影響を与えること（例えば振動子のＱ値の低下）を防止することができる。
【０１０９】
なお、図１２に示す例では、複数のバンプ部材４０が平面視において円状に配置されていたが、複数のバンプ部材４０の配置は、導電性接合材１６の少なくとも一部を囲むことができればこれに限定されない。
【０１１０】
図１４〜図１６は、第２実施形態に係る恒温槽型水晶発振器２００の集積回路装置２０を模式的に示す図であり、複数のバンプ部材４０の配置の他の一例を示す図である。
【０１１１】
図１４に示すように、複数のバンプ部材４０は、平面視において、円弧状に配置されてもよい。すなわち、複数のバンプ部材４０は、平面視において１つの仮想円弧上に位置している。また、複数のバンプ部材４０が円弧状に配置されているという場合には、接合部２２に設けられた複数のバンプ部材４０のうちの少なくとも一部が円弧状に配置されていればよい。複数のバンプ部材４０が円弧状に配置されているという場合には、例えば、複数のバンプ部材４０が円状に配置されている場合（図１２参照）、および複数のバンプ部材４０が円弧状に配置された部分を含むオーバル形状（図２７参照）に配置されている場合を含む。
【０１１２】
図１４に示す例では、複数のバンプ部材４０の振動子２の振動領域側（＋Ｙ方向側）の隙間４２は、導電性接合材１６を堰き止めることができる程度に小さい。そのため、振動領域側への導電性接合材１６の拡がりを低減することができ、振動子２の振動に与える影響を低減することができる。さらに、図１４に示す例では、複数のバンプ部材４０の振動領域側とは反対側（−Ｙ方向側）の隙間は、振動領域側の隙間４２よりも大きい。そのため、余分な導電性接合材１６を、振動領域側とは反対側に逃がすことができる。
【０１１３】
また、図１５に示すように、複数（１６個）のバンプ部材４０は平面視において円状に配置され、かつ、円状に配置された複数（１６個）のバンプ部材４０の内側に複数（５個）のバンプ部材４０が配置されてもよい。このように、導電性接合材１６を囲むように配置された複数のバンプ部材４０の内側に、さらにバンプ部材４０を配置することにより、振動子２を接合部２２に接合する際に、導電性接合材１６の厚みの均一性を向上できる。また、導電性接合材１６を囲むように配置された複数のバンプ部材４０の内側に配置されたバンプ部材４０により、接合面の表面積を大きくすることができるため、接合部２２と振動子２との接合強度を高めることができる。
【０１１４】
また、図１６に示すように、４個のバンプ部材４０が平面視において円状に配置されていてもよい。また、図１７に示すように、４個のバンプ部材４０が平面視において円状に配置され、かつ、円状に配置された４個のバンプ部材４０の内側に１個のバンプ部材４０が配置されてもよい。
【０１１５】
図１６および図１７に示すように、導電性接合材１６を囲むように配置された複数のバンプ部材４０において、隙間４２の大きさは、振動子２を接合部２２に接合する際に、導電性接合材１６を堰き止めることができる大きさよりも大きくてもよい。このような場合であっても、振動子２を接合部２２に接合する際に、バンプ部材４０が導電性接合材１６の一部を囲むことができるため、バンプ部材４０が設けられない場合と比べて、導電性接合材１６の広がりを低減することができる。
【０１１６】
なお、複数のバンプ部材４０は、平面視において、導電性接合材１６の少なくとも一部を囲むように設けられていれば、円状（円弧状）に配置されていなくてもよい。図示はしないが、複数のバンプ部材４０は、例えば、平面視において、多角形状や、楕円状等に配置されていてもよい。
【０１１７】
第２実施形態に係る恒温槽型水晶発振器２００は、例えば、以下の特徴を有する。
【０１１８】
恒温槽型水晶発振器２００では、導電性接合材１６が接合部２２に設けられた複数のバンプ部材４０に囲まれているため、振動子２を接合部２２に接合する際の導電性接合材１６の広がりを低減することができる。そのため、恒温槽型水晶発振器２００では、振動子２を接合部２２に接合する際に、導電性接合材１６が振動子２の振動領域まで広がって、振動子２の振動に影響を与えることを防止することができる。例えば、恒温槽型水晶発振器２００では、導電性接合材１６が振動子２の振動領域まで広がることによる振動子のＱ値の低下を低減して、インピーダンスのばらつきを低減することができる。
【０１１９】
恒温槽型水晶発振器２００では、複数のバンプ部材４０は、互いに離間している。そのため、振動子２を接合部２２に接合する際に、導電性接合材１６の広がりを低減できるとともに、複数のバンプ部材４０で囲まれた領域から余分な導電性接合材１６を逃がすことができる。
【０１２０】
恒温槽型水晶発振器２００では、複数のバンプ部材４０は、円弧状に配置されているため、振動子２を接合部２２に接合する際の導電性接合材１６の広がりを低減することができる。
【０１２１】
さらに、恒温槽型水晶発振器２００では、上述した恒温槽型水晶発振器１００と同様の作用効果を奏することができる。
【０１２２】
３．  第３実施形態
図１８は、第３実施形態に係る恒温槽型水晶発振器３００を模式的に示す平面図である。図１９は、第３実施形態に係る恒温槽型水晶発振器３００の集積回路装置２０を模式的に示す平面図である。図２０は、第３実施形態に係る恒温槽型水晶発振器３００の集積回路装置２０を模式的に示す断面図であり、図１９のＸＸ−ＸＸ線断面図である。
【０１２３】
なお、図１８では、便宜上、パッケージ１０、リッド１２、発振用ＩＣ３０の図示を省略している。また、図１９および図２０には、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を図示している。
【０１２４】
以下、第３実施形態に係る恒温槽型水晶発振器３００において、第１実施形態に係る恒温槽型水晶発振器１００および第２実施形態に係る恒温槽型水晶発振器２００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を伏し、その詳細な説明を省略する。
【０１２５】
恒温槽型水晶発振器３００では、図１８〜図２０に示すように、導電パターン２５は、平面視において、円状の接合電極部２５ａを有している。
【０１２６】
また、本実施形態では、接合電極部２５ａは、あらかじめ、導電性接合材１６と接合電極部２５ａとの接触面の大きさに形成されている。言い換えると、接合電極部２５ａは、接合電極部２５ａの上面の面積と、当該上面と導電性接合材１６とが接している接触領域の面積とが等しくなるように形成されている。
【０１２７】
ここで、振動子２を接合部２２に接合する際において、接合電極部２５ａの外縁（接合電極部２５ａと他の部材（または空間）との境界）では、接合電極部２５ａ上と比べて、導電性接合材１６が広がりにくい。例えば上述した恒温槽型水晶発振器１００では、図６に示すように、接合電極部２５ａの大きさは、導電性接合材１６と接合電極部２５ａとの接触領域の大きさよりも十分に大きいため、導電性接合材１６は広がりやすい。これに対して、本実施形態では、接合電極部２５ａの大きさは、導電性接合材１６と接合電極部２５ａとの接触領域の大きさに形成されているため、振動子２を接合部２２に接合する際の導電性接合材１６の広がりを低減できる。
【０１２８】
また、本実施形態では、上述したように、導電パターン２５は、平面視において、円状の接合電極部２５ａを有している。ここで、例えば、接合電極部２５ａが平面視において角部を有している場合、当該角部には導電性接合材１６が行き渡りにくい。これに対して、本実施形態では、接合電極部２５ａは、円状、すなわち、角部を有さない曲線で構成されているため、接合電極部２５ａの上面の全面に導電性接合材１６を行き渡らせることができる。そのため、例えば角部を有している場合の接合電極部２５ａの面積と、角部を有していない場合の接合電極部２５ａの面積が同じであっても、角部がない場合の方が導電性接合材１６と接合電極部２５ａとの接触領域を大きくすることができる。したがって、本実施形態では、振動子２を接合部２２に接合する際の導電性接合材１６の広がりを低減できるとともに、振動子２と接合部２２との接合強度を効率よく高めることができる。
【０１２９】
なお、図１９に示す例では、接合電極部２５ａが平面視において円状に配置されていたが、接合電極部２５ａの平面形状は、これに限定されない。
【０１３０】
図２１〜図２４は、第３実施形態に係る恒温槽型水晶発振器３００の集積回路装置２０を模式的に示す図であり、接合電極部２５ａの形状の他の一例を示す図である。
【０１３１】
図２１〜図２４に示すように、接合電極部２５ａは、平面視において、オーバル形状であってもよい。ここで、オーバル形状とは、滑らかな閉じた曲線で形成され、かつ形が円や長円、楕円に近い形状をいう。オーバル形状は、例えば、卵形、長円形、楕円形を含む。
【０１３２】
オーバル形状は、例えば、図２１に示す長円形、図２２に示す楕円形、図２３に示す卵形の一部が歪んだ形状、図２４に示す卵形の一部が窪んだ形状を含む。
【０１３３】
このように、接合電極部２５ａが平面視においてオーバル形状、すなわち、角部を有さない曲線で構成されているため、上述したように、振動子２を接合部２２に接合する際の導電性接合材１６の広がりを低減できるとともに、振動子２と接合部２２との接合強度を効率よく高めることができる。
【０１３４】
第３実施形態に係る恒温槽型水晶発振器３００は、例えば、以下の特徴を有する。
【０１３５】
恒温槽型水晶発振器３００では、導電パターン２５は、オーバル形状を有し、かつ、振動子２に接合される接合電極部２５ａを有しているため、上述したように、振動子２を接合部２２に接合する際の導電性接合材１６の広がりを低減できるとともに、振動子２と接合部２２との接合強度を効率よく高めることができる。
【０１３６】
さらに、恒温槽型水晶発振器３００では、上述した恒温槽型水晶発振器１００と同様の作用効果を奏することができる。
【０１３７】
４．  第４実施形態
図２５は、第４実施形態に係る恒温槽型水晶発振器４００を模式的に示す平面図である。図２６は、第４実施形態に係る恒温槽型水晶発振器４００の集積回路装置２０を模式的に示す平面図である。
【０１３８】
なお、図２５では、便宜上、パッケージ１０、リッド１２、発振用ＩＣ３０の図示を省略している。また、図２６には、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を図示している。
【０１３９】
以下、第４実施形態に係る恒温槽型水晶発振器４００において、第１〜第３実施形態に係る恒温槽型水晶発振器１００，２００，３００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を伏し、その詳細な説明を省略する。
【０１４０】
恒温槽型水晶発振器４００では、図２５および図２６に示すように、集積回路装置２０の接合部２２にはバンプ部材４０が複数設けられており、かつ、導電パターン２５は平面視において、円状（円弧状）の接合電極部２５ａを有している。
【０１４１】
複数のバンプ部材４０は、図２６に示すように、円状（円弧状）の接合電極部２５ａの外縁に沿って配置されている。導電性接合材１６は、円状の接合電極部２５ａの外縁に沿って接合電極部２５ａ上に配置されているバンプ部材４０に囲まれている。
【０１４２】
なお、図２６に示す例では、複数のバンプ部材４０が円状の接合電極部２５ａの外縁に沿って配置されていたが、接合電極部２５ａは様々な形状を有することができ、複数のバンプ部材４０は、様々な形状を有する接合電極部２５ａの外縁に沿って配置されてもよい。
【０１４３】
図２７は、第４実施形態に係る恒温槽型水晶発振器２００の集積回路装置２０を模式的に示す図であり、複数のバンプ部材４０の配置および接合電極部２５ａの形状の他の一例を示す図である。
【０１４４】
図２７に示すように、接合電極部２５ａはオーバル形状（長円形状）を有し、かつ、複数のバンプ部材４０がオーバル形状（長円形状）の接合電極部２５ａの外縁に沿って配置されていてもよい。
【０１４５】
なお、接合電極部２５ａが図２２〜図２４に示す形状である場合も、同様に、複数のバンプ部材４０が接合電極部２５ａの外縁に沿って配置されていてもよい。また、複数のバンプ部材４０は、接合電極部２５ａの外縁に沿って配置され、かつ、複数のバンプ部材４０に囲まれた領域に、さらに複数または単数のバンプ部材４０が配置されていてもよい（例えば図１５、図１７等参照）。
【０１４６】
恒温槽型水晶発振器４００では、集積回路装置２０の接合部２２には、バンプ部材４０が複数設けられており、かつ、導電パターン２５は、平面視において、円状（円弧状）の接合電極部２５ａを有している。そのため、恒温槽型水晶発振器４００によれば、第２実施形態と同様に、複数のバンプ部材４０によって導電性接合材１６の広がりを低減できるとともに、第３実施形態と同様に、接合電極部２５ａの外縁によっても導電性接合材１６の広がりを低減できる。
【０１４７】
さらに、恒温槽型水晶発振器４００では、上述した恒温槽型水晶発振器１００と同様の作用効果を奏することができる。
【０１４８】
５．  第５実施形態
図２８は、第５実施形態に係る電子機器の構成の一例を示す機能ブロック図である。第５実施形態に係る電子機器５００は、発振器５１０、ＣＰＵ（Central Processing Unit）５２０、逓倍回路５３０、ＲＯＭ（Read Only Memory）５４０、ＲＡＭ（Random Access Memory）５５０、通信部５６０を含んで構成されている。なお、本実施形態の電子機器は、図２８の構成要素（各部）の一部を省略又は変更し、あるいは、他の構成要素を付加した構成としてもよい。
【０１４９】
発振器５１０は、発振源からの信号に基づき所望の周波数の発振信号を出力するものである。発振器５１０は、温度センサーおよび振動子を加熱するための発熱回路を含む集積回路装置５１２を備えている。発振器５１０では、集積回路装置５１２を用いて振動子の温度が一定になるように制御されている。
【０１５０】
逓倍回路５３０は、発振器５１０が出力する発振信号を所望の周波数に逓倍して出力する回路である。逓倍回路５３０が出力する発振信号は、ＣＰＵ５２０のクロック信号として使用されてもよいし、ＣＰＵ５２０が通信用の搬送波を生成するために使用されてもよい。
【０１５１】
ＣＰＵ５２０（処理部）は、ＲＯＭ５４０等に記憶されているプログラムに従い、例えば、発振器５１０が出力する発振信号あるいは逓倍回路５３０が出力する発振信号に基づいて各種の計算処理や制御処理を行う。
【０１５２】
ＲＯＭ５４０は、ＣＰＵ５２０が各種の計算処理や制御処理を行うためのプログラムやデータ等を記憶している。
【０１５３】
ＲＡＭ５５０は、ＣＰＵ５２０の作業領域として用いられ、ＲＯＭ５４０から読み出されたプログラムやデータ、ＣＰＵ５２０が各種プログラムに従って実行した演算結果等を一時的に記憶する。
【０１５４】
通信部５６０は、ＣＰＵ５２０と外部装置との間のデータ通信を成立させるための各種制御を行う。
【０１５５】
例えば、集積回路装置５１２として、上記の実施形態又は各変形例におけるワイヤーボンディングの生産性を向上できる集積回路装置２０を適用し、あるいは、発振器５１０として、上記の実施形態および各変形例の恒温槽型水晶発振器１００，２００，３００，４００（集積回路装置２０を備える）を適用することにより、生産性の高い電子機器５００を実現できる。
【０１５６】
このような電子機器５００としては種々の電子機器が考えられ、例えば、ＧＰＳ（Global Positioning System）モジュール、ネットワーク機器、放送機器、人工衛星や基地局で利用される通信機器、パーソナルコンピューター（例えば、モバイル型パーソナルコンピューター、ラップトップ型パーソナルコンピューター、タブレット型パーソナルコンピューター）、スマートフォンや携帯電話機などの移動体端末、ディジタルカメラ、インクジェット式吐出装置（例えば、インクジェットプリンター）、ルーターやスイッチなどのストレージエリアネットワーク機器、ローカルエリアネットワーク機器、移動体端末基地局用機器、テレビ、ビデオカメラ、ビデオレコーダー、カーナビゲーション装置、リアルタイムクロック装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ゲーム用コントローラー、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ（Point Of Sale）端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター、ヘッドマウントディスプレイ、モーショントレース、モーショントラッキング、モーションコントローラー、ＰＤＲ（歩行者位置方位計測）等が挙げられる。
【０１５７】
本実施形態の電子機器５００の一例として、集積回路装置５１２を備えた発振器５１０を基準信号源として用いて、例えば、端末と有線または無線で通信を行う端末基地局用装置等として機能する伝送装置が挙げられる。集積回路装置５１２として上記の実施形態又は各変形例における集積回路装置２０を適用し、あるいは、発振器５１０として上記の実施形態又は各変形例の恒温槽型水晶発振器１００，２００，３００，４００（集積回路装置２０を備える）を適用することにより、例えば通信基地局などに利用可能な、従来よりも周波数精度の高い、高性能、高信頼性を所望される電子機器５００をより高い生産性で実現できる。
【０１５８】
また、本実施形態の電子機器５００の他の一例として、通信部５６０が外部クロック信号を受信し、ＣＰＵ５２０（処理部）が、当該外部クロック信号と発振器５１０の出力信号あるいは逓倍回路５３０の出力信号（内部クロック信号）とに基づいて、発振器５１０の周波数を制御する周波数制御部と、を含む、通信装置であってもよい。この通信装置は、例えば、ストレータム３などの基幹系ネットワーク機器やフェムトセルに使用される通信機器であってもよい。
【０１５９】
６．  第６実施形態
図２９は、第６実施形態に係る基地局の概略構成の一例を示す図である。第６実施形態に係る基地局６００は、受信装置６１０、送信装置６２０及び制御装置６３０を含んで構成されている。なお、本実施形態に係る基地局は、図２９の構成要素（各部）の一部を省略又は変更し、あるいは、他の構成要素を付加した構成としてもよい。
【０１６０】
受信装置６１０は、受信アンテナ６１２、受信部６１４、処理部６１６及び発振器６１８を含んで構成されている。
【０１６１】
発振器６１８は、発振源からの信号に基づき所望の周波数の発振信号を出力するものである。発振器６１８は、温度センサーおよび振動子を加熱するための発熱回路を含む集積回路装置６１９を備えている。発振器６１８では、集積回路装置６１９を用いて振動子の温度が一定になるように制御されている。
【０１６２】
受信アンテナ６１２は、携帯電話機やＧＰＳ衛星などの移動局（不図示）から、各種の情報が重畳された電波を受信する。
【０１６３】
受信部６１４は、発振器６１８が出力する発振信号を用いて、受信アンテナ６１２が受信した信号を所望の中間周波数（ＩＦ：Intermediate Frequency）帯の信号に復調する。
【０１６４】
処理部６１６は、発振器６１８が出力する発振信号を用いて、受信部６１４が復調した中間周波数帯の信号をベースバンド信号に変換し、ベースバンド信号に含まれている情報を復調する。
【０１６５】
制御装置６３０は、受信装置６１０（処理部６１６）が復調した情報を受け取り、当該情報に応じた各種の処理を行う。そして、制御装置６３０は、移動局に送信する情報を生成し、当該情報を送信装置６２０（処理部６２６）に送出する。
【０１６６】
送信装置６２０は、送信アンテナ６２２、送信部６２４、処理部６２６及び発振器６２８を含んで構成されている。
【０１６７】
発振器６２８は、発振源からの信号に基づき所望の周波数の発振信号を出力するものである。発振器６２８は、温度センサーおよび振動子を加熱するための発熱回路を含む集積回路装置６２９を備えている。発振器６２８では、集積回路装置６２９を用いて振動子の温度が一定になるように制御されている。
【０１６８】
処理部６２６は、発振器６２８が出力する発振信号を用いて、制御装置６３０から受け取った情報を用いてベースバンド信号を生成し、当該ベースバンド信号を中間周波数帯の信号に変換する。
【０１６９】
送信部６２４は、発振器６２８が出力する発振信号を用いて、処理部６２６からの中間周波数帯の信号を変調して搬送波に重畳する。
【０１７０】
送信アンテナ６２２は、送信部６２４からの搬送波を電波として携帯電話機やＧＰＳ衛星などの移動局に送信する。
【０１７１】
受信装置６１０が有する集積回路装置６１９や送信装置６２０が有する集積回路装置６２９として上記の実施形態又は各変形例におけるワイヤーボンディングの生産性を向上できる集積回路装置２０を適用し、あるいは、受信装置６１０が有する発振器６１８や送信装置６２０が有する発振器６２８として上記の実施形態又は各変形例における恒温槽型水晶発振器１００、２００，３００，４００（集積回路装置２０を備える）を適用することにより、通信性能に優れた信頼性の高い基地局をより高い生産性で実現できる。
【０１７２】
本発明は本実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
【０１７３】
例えば、上述した実施形態の発振器は恒温槽型発振器であるが、本発明は、恒温槽型発振器に限らず、温度補償機能を有する温度補償発振器（例えば、ＴＣＸＯ（Temperature Compensated Crystal Oscillator））や周波数制御機能を有する電圧制御発振器（例えば、ＶＣＸＯ（Voltage Controlled Crystal Oscillator））、温度補償機能と周波数制御機能を有する発振器（例えば、ＶＣ−ＴＣＸＯ（Voltage Controlled Temperature Compensated Crystal Oscillator））等にも適用することができる。
【０１７４】
なお、上述した実施形態及び変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば各実施形態及び各変形例は、適宜組み合わせることが可能である。
【０１７５】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【０１７６】
２…振動子、２ａ…振動片、２ｂ…下面電極、２ｃ…上面電極、２ｄ…引き出し電極、２ｅ…引き出し電極、３…発振回路、４…発熱回路、４ａ…抵抗、４ｂ…ＭＯＳトランジスター、５…温度センサー、５ａ…ダイオード、５ｂ…バイポーラトランジスター、６…温度制御用回路、１０…パッケージ、１２…リッド、１４…ワイヤー、１５…電極、１６…導電性接合材、１８…台座部、２０…集積回路装置、２１…集積回路基板、２１ａ…半導体基板、２１ｂ…拡散層、２１ｃ…絶縁層、２１ｄ…ビア、２２…接合部、２３…絶縁性保護膜、２４ａ〜２４ｋ…ボンディングパッド、２５…導電パターン、２５ａ…接合電極部、２５ｂ…引き出し電極部、２６ａ〜２６ｋ…電極、２７…上面、２７ａ…領域、２８…空隙、２９ａ…スリット、２９ｂ…スリット、３０…発振用ＩＣ、４０…バンプ部材、４２…隙間、１００…恒温槽型水晶発振器、２００…恒温槽型水晶発振器、３００…恒温槽型水晶発振器、４００…恒温槽型水晶発振器、５００…電子機器、５１０…発振器、５１２…集積回路装置、５２０…ＣＰＵ、５３０…逓倍回路、５４０…ＲＯＭ、５５０…ＲＡＭ、５６０…通信部、６００…基地局、６１０…受信装置、６１２…受信アンテナ、６１４…受信部、６１６…処理部、６１８…発振器、６１９…集積回路装置、６２０…送信装置、６２２…送信アンテナ、６２４…送信部、６２６…処理部、６２８…発振器、６２９…集積回路装置、６３０…制御装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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