(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ素樹脂を主成分とし、少なくとも一方の面側にシロキサン結合及び親水性官能基を含む改質層を有する誘電体層と、
この誘電体層の改質層の一方の面に積層されるシード層と
を備え、
上記シード層の主成分が金属であり、
上記シード層の平均厚みが２μｍ以下であり、
上記シード層の他方の面の算術平均粗さＲａが２μｍ以下である高周波プリント配線板用基材。
【請求項２】
上記金属が銅又は銅合金である請求項１に記載の高周波プリント配線板用基材。
【請求項３】
上記シード層が金属粒子の焼結体から構成され、
上記金属粒子の平均粒子径が１ｎｍ以上５００ｎｍ以下である請求項１又は請求項２に記載の高周波プリント配線板用基材。
【請求項４】
上記シード層が無電解めっき金属から構成される請求項１又は請求項２に記載の高周波プリント配線板用基材。
【請求項５】
上記シード層の平均厚みが１０ｎｍ以上１μｍ以下である請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の高周波プリント配線板用基材。
【請求項６】
上記シード層の一方の面側にめっき層を備える請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の高周波プリント配線板用基材。
【請求項７】
フッ素樹脂を主成分とし、少なくとも一方の面側にシロキサン結合及び親水性官能基を含む改質層を有する誘電体層と、
この誘電体層の改質層の一方の面に積層されるシード層を含む導電パターンと
を備え、
上記シード層の主成分が金属であり、
上記シード層の平均厚みが２μｍ以下であり、
上記シード層の他方の面の算術平均粗さＲａが２μｍ以下である高周波プリント配線板。
【請求項８】
上記導電パターンの断面形状における下底を１辺とし、この辺と隣接する辺の長さが導電パターンの平均厚みと等しい長方形に対する導電パターンの断面の面積比の平均値が０．９以上である請求項７に記載の高周波プリント配線板。
【請求項９】
フッ素樹脂を主成分とするフィルムの少なくとも一方の面側にシロキサン結合及び親水性官能基を含む改質層を形成する工程と、
上記改質工程後のフィルムの改質層の一方の面にシード層を形成する工程と
を備え、
上記シード層の主成分が金属であり、
上記シード層の平均厚みが２μｍ以下であり、
上記シード層の他方の面の算術平均粗さＲａが２μｍ以下である高周波プリント配線板用基材の製造方法。
【請求項１０】
上記シード層形成工程が、
金属粒子が溶媒中に分散したインクを上記フィルムの一方の面に塗工する工程と、
上記フィルムの一方の面に塗工したインクを焼成する工程と
を有し、
上記金属粒子の平均粒子径が１ｎｍ以上５００ｎｍ以下である請求項９に記載の高周波プリント配線板用基材の製造方法。
【請求項１１】
フッ素樹脂を主成分とし、少なくとも一方の面側にシロキサン結合及び親水性官能基を含む改質層を有する誘電体層と、
この誘電体層の一方の面に積層される導電パターンと
を備えるプリント配線板の製造方法であって、
上記誘電体層とこの誘電体層の改質層の一方の面に積層されるシード層とを備え、上記シード層の主成分が金属であり、上記シード層の平均厚みが２μｍ以下であり、上記シード層の他方の面の算術平均粗さＲａが２μｍ以下である高周波プリント配線板用基材を用い形成する高周波プリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波プリント配線板用基材、高周波プリント配線板、高周波プリント配線板用基材の製造方法及び高周波プリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型軽量化に伴い、この電子機器に用いられるプリント配線板についても小型化の要求が高まっている。このような点から、今日ではプリント配線板のベースフィルムとして、絶縁性、柔軟性、耐熱性等に優れ、薄膜化を促進可能なるポリイミドフィルムが採用されている（特開２００８−２３５３４６号公報参照）。
【０００３】
一方、今日では情報通信量は増大する一方であり、これに応えるため、例えばＩＣカード、携帯通信端末等の機器においてマイクロ波、ミリ波といった高周波領域での通信が盛んになっている。このため、高周波領域で用いた際に伝送損失が小さい高周波プリント配線板が求められている。
【０００４】
上記伝送損失αｄは、周波数ｆ、誘電体層の比誘電率εｒ及び誘電正接ｔａｎδと以下の関係（式（１））を満たす。
【０００５】
【数１】
0006665990.tif 000002
【０００６】
また特に、高周波電流は、表皮効果により導電体の表面側を流れる。このことから、高周波プリント配線板に用いられる誘電体層（ベースフィルム）としては、比誘電率εｒを小さくすることで伝送損失αｄを低減すると共に、表皮効果による損失を抑制することが特に求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−２３５３４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来のプリント配線板のベースフィルムの主成分として用いられるポリイミドは、比誘電率εｒが比較的大きいため、伝送損失αｄを十分に低減することができない。
【０００９】
本発明は、上述のような事情に基づいてなされたものであり、伝送損失を低減できると共に、表皮効果による損失を抑制して高周波特性を向上可能な高周波プリント配線板用基材、高周波プリント配線板、高周波プリント配線板用基材の製造方法及び高周波プリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するためになされた本発明の一態様に係る高周波プリント配線板用基材は、フッ素樹脂を主成分とし、一方の面側が改質処理された誘電体層と、この誘電体層の一方の面に積層されるシード層とを備え、上記シード層の主成分が金属であり、上記シード層の平均厚みが２μｍ以下である。
【００１１】
上記課題を解決するためになされた本発明の他の一態様に係る高周波プリント配線板は、フッ素樹脂を主成分とし、一方の面側が改質処理された誘電体層と、この誘電体層の一方の面に積層される導電パターンとを備えるプリント配線板であって、当該高周波プリント配線板用基材を用い形成される。
【００１２】
上記課題を解決するためになされた本発明の他の一態様に係る高周波プリント配線板用基材の製造方法は、フッ素樹脂を主成分とするフィルムの一方の面側を改質する工程と、上記改質工程後のフィルムの一方の面にシード層を形成する工程とを備え、上記シード層の主成分が金属であり、上記シード層の平均厚みが２μｍ以下である。
【００１３】
上記課題を解決するためになされた本発明の他の一態様に係る高周波プリント配線板の製造方法は、フッ素樹脂を主成分とし、一方の面側が改質処理された誘電体層と、この誘電体層の一方の面に積層される導電パターンとを備えるプリント配線板の製造方法であって、上記誘電体層とこの誘電体層の一方の面に積層されるシード層とを備え、上記シード層の主成分が金属であり、上記シード層の平均厚みが２μｍ以下である高周波プリント配線板用基材を用い形成する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の高周波プリント配線板用基材及び高周波プリント配線板は、伝送損失を低減できると共に、表皮効果による損失を抑制して高周波特性を向上することができる。また、本発明の高周波プリント配線板用基材の製造方法及び高周波プリント配線板の製造方法は、伝送損失を低減できると共に高周波特性を向上することができる高周波プリント配線板用基材及び高周波プリント配線板を容易かつ確実に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態に係る高周波プリント配線板用基材を示す模式的部分断面図である。
【図２Ａ】図１の高周波プリント配線板用基材の製造方法の改質工程を説明する模式的断面図である。
【図２Ｂ】図１の高周波プリント配線板用基材の製造方法のシード層形成工程を説明する模式的断面図である。
【図２Ｃ】図１の高周波プリント配線板用基材の製造方法のベース層積層工程を説明する模式的断面図である。
【図３】本発明の第二実施形態に係る高周波プリント配線板用基材を示す模式的部分断面図である。
【図４】図３の高周波プリント配線板用基材を用いた高周波プリント配線板を示す模式的部分断面図である。
【図５Ａ】図４の高周波プリント配線板の製造方法のレジストパターン形成工程を説明する模式的断面図である。
【図５Ｂ】図４の高周波プリント配線板の製造方法の第二めっき層積層工程を説明する模式的断面図である。
【図５Ｃ】図４の高周波プリント配線板の製造方法のエッチング工程を説明する模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
［本発明の実施形態の説明］
最初に本発明の実施態様を列記して説明する。
【００１７】
本発明の一態様に係る高周波プリント配線板用基材は、フッ素樹脂を主成分とし、一方の面側が改質処理された誘電体層と、この誘電体層の一方の面に積層されるシード層とを備え、上記シード層の主成分が金属であり、上記シード層の平均厚みが２μｍ以下である。
【００１８】
当該高周波プリント配線板用基材は、誘電体層がフッ素樹脂を主成分とするので、この誘電体層の比誘電率が小さく、これによって伝送損失を低減することができる。また、当該高周波プリント配線板用基材は、この誘電体層の一方の面側が改質処理されているので、この一方の面側にシード層を密着させやすい。特に、当該高周波プリント配線板用基材は、このように誘電体層の一方の面側を改質処理することで、この一方の面の粗面化を防止しつつ、シード層との密着性を高めることができる。そのため、当該高周波プリント配線板用基材は、シード層と誘電体層との当接面の粗面化を抑制して高周波特性信号の伝搬距離が長くなるのを防止することで、表皮効果による損失を抑制することができる。また、当該高周波プリント配線板用基材は、シード層の平均厚みが上記範囲とされているので、小型化が求められる場合もこのシード層の一方の面にめっきをある程度まで厚く形成することができる。従って、当該高周波プリント配線板用基材は、伝送損失を低減できると共に高周波特性を向上することができる。
【００１９】
上記金属が銅又は銅合金であるとよい。このように、上記金属が銅又は銅合金であることによって、コストを抑えつつ導通性を高めることができる。
【００２０】
上記シード層が金属粒子の焼結体から構成されるとよく、上記金属粒子の平均粒子径としては、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下が好ましい。このように、上記シード層が金属粒子の焼結体から構成され、かつ上記金属粒子の平均粒子径が上記範囲とされることによって、スパッタリング等の物理的蒸着に必要な高価な真空設備を要することなく、上記誘電体層の一方の面側に緻密で略均一な焼結体を的確に形成することができる。
【００２１】
また、上記シード層は無電解めっき金属から構成されてもよい。上記シード層が無電解めっき金属から構成されることによっても、スパッタリング等の物理的蒸着に必要な高価な真空設備を要することなく、上記誘電体層の一方の面側にシード層を形成することができる。
【００２２】
上記シード層の平均厚みとしては、１０ｎｍ以上１μｍ以下が好ましい。このように、上記シード層の平均厚みを上記範囲とすることによって、導通性を維持しつつ、めっきをある程度まで厚く形成することができる。
【００２３】
上記シード層の他方の面の算術平均粗さＲａとしては、２μｍ以下が好ましい。このように、上記シード層の他方の面の算術平均粗さＲａが上記範囲であることによって、高周波特性信号の伝搬距離が長くなるのを防止して、表皮効果による損失をさらに抑制することができる。
【００２４】
上記シード層の一方の面側にめっき層を備えるとよい。このように、上記シート層の一方の面側にめっき層を有することによって、シード層と誘電体層との剥離強度が向上すると共に導通性が高められる。
【００２５】
本発明の一態様に係る高周波プリント配線板は、フッ素樹脂を主成分とし、一方の面側が改質処理された誘電体層と、この誘電体層の一方の面に積層される導電パターンとを備えるプリント配線板であって、当該高周波プリント配線板用基材を用い形成される。
【００２６】
当該高周波プリント配線板は、当該高周波プリント配線板用基材を用いて形成されるので、伝送損失を低減できると共に高周波特性を向上することができる。
【００２７】
当該高周波プリント配線板は、セミアディティブ法により形成されるとよい。当該高周波プリント配線板は、上記誘電体層の一方の面側が改質処理されているので、シード層の一方の面側にめっきをある程度まで厚く形成することができるため、セミアディティブ法によって容易かつ確実に形成することができる。また、セミアディティブ法によって形成することで、導電パターンの断面を所望の形状にしやすい。これにより、導電パターンの断面積を大きくして伝送特性を向上することができる。
【００２８】
上記導電パターンの断面形状における下底を１辺とし、この辺と隣接する辺の長さが導電パターンの平均厚みと等しい長方形に対する導電パターンの断面の面積比の平均値としては、０．９以上が好ましい。このように、導電パターンの断面の面積比の平均値を上記範囲とすることによって、導電パターンの断面積を十分に大きくして伝送特性を十分に向上することができる。
【００２９】
本発明の一態様に係る高周波プリント配線板用基材の製造方法は、フッ素樹脂を主成分とするフィルムの一方の面側を改質する工程と、上記改質工程後のフィルムの一方の面にシード層を形成する工程とを備え、上記シード層の主成分が金属であり、上記シード層の平均厚みが２μｍ以下である。
【００３０】
当該高周波プリント配線板用基材の製造方法は、フッ素樹脂を主成分とするフィルムの一方の面側を改質し、この改質処理がなされた面にシード層を形成するので、このフィルムの一方の面の粗面化を防止しつつ、このフィルムとシード層との密着性を高めることができる。また、当該高周波プリント配線板用基材の製造方法は、シード層の平均厚みが上記範囲とされているので、小型化が求められる場合もシード層の一方の面にめっきをある程度まで厚く形成することができる。従って、当該高周波プリント配線板用基材の製造方法は、伝送損失を低減できると共に高周波特性を向上可能なプリント配線板用基材を容易かつ確実に製造することができる。
【００３１】
上記シード層形成工程が、金属粒子が溶媒中に分散したインクを上記フィルムの一方の面に塗工する工程と、上記フィルムの一方の面に塗工したインクを焼成する工程とを有するとよく、上記金属粒子の平均粒子径としては、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下が好ましい。このように、上記シード層形成工程で、平均粒子径が上記範囲である金属粒子を含む上記インクを上記フィルムの一方の面に塗工した上、塗工したインクを焼成することによって、スパッタリング等の物理的蒸着に必要な高価な真空設備を用いることなく、上記フィルムの一方の面側に緻密で略均一な焼結体を的確に形成することができる。
【００３２】
本発明の一態様に係る高周波プリント配線板の製造方法は、フッ素樹脂を主成分とし、一方の面側が改質処理された誘電体層と、この誘電体層の一方の面に積層される導電パターンとを備えるプリント配線板の製造方法であって、上記誘電体層とこの誘電体層の一方の面に積層されるシード層とを備え、上記シード層の主成分が金属であり、上記シード層の平均厚みが２μｍ以下である高周波プリント配線板を用い形成する。
【００３３】
当該高周波プリント配線板の製造方法は、上述のような高周波プリント配線板用基材を用いるので、伝送損失を低減できると共に高周波特性を向上可能な高周波プリント配線板を容易かつ確実に製造することができる。
【００３４】
なお、本発明において、「平均粒子径」とは、分散液中の体積粒度分布の中心径Ｄ５０で表されるものを意味する。平均粒子径は、粒子径分布測定装置（例えば、日機装株式会社のマイクロトラック粒度分布計「ＵＰＡ−１５０ＥＸ」）で測定することができる。「算術平均粗さＲａ」とは、ＪＩＳ−Ｂ−０６０１：２００１に準じてカットオフ値（λｃ）２．５ｍｍ、評価長さ（ｌ）１２．５ｍｍで測定される値を意味する。「主成分」とは、最も含有量の多い成分をいい、例えば含有量が５０質量％以上の成分をいう。「下底」とは、導電パターンの誘電体層側の辺を意味する。また、「平均厚み」とは、対象物の厚み方向に切断した断面における測定長さ内の表面側の界面の平均線と、裏面側の界面の平均線との間の距離を指す。ここで、「平均線」とは、界面に沿って引かれる仮想線であって、界面とこの仮想線とによって区画される山の総面積（仮想線よりも上側の総面積）と谷の総面積（仮想線よりも下側の総面積）とが等しくなるような線を指す。
【００３５】
［本発明の実施形態の詳細］
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態に係る高周波プリント配線板用基材、高周波プリント配線板、高周波プリント配線板用基材の製造方法及び高周波プリント配線板の製造方法を説明する。
【００３６】
［第一実施形態］
＜高周波プリント配線板用基材＞
図１の高周波プリント配線板用基材１は、誘電体層２と、シード層３と、ベース層４とを備える。高周波プリント配線板用基材１は、可撓性を有し、フレキシブルプリント配線板の基板として用いられる。
【００３７】
（誘電体層）
誘電体層２は、フッ素樹脂を主成分とする。ここで、「フッ素樹脂」とは、高分子鎖の繰り返し単位を構成する炭素原子に結合する水素原子の少なくとも１つが、フッ素原子又はフッ素原子を有する有機基（以下、「フッ素原子含有基」ともいう）で置換されたものをいう。フッ素原子含有基は、直鎖状又は分岐状の有機基中の水素原子の少なくとも１つがフッ素原子で置換されたものであり、例えばフルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、フルオロポリエーテル基等が挙げられる。
【００３８】
上記「フルオロアルキル基」とは、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を意味し、「パーフルオロアルキル基」等が例示できる。具体的なフルオロアルキル基としては、例えばアルキル基の全ての水素原子がフッ素原子で置換された基、アルキル基の末端の１つの水素原子以外の水素原子がフッ素原子で置換された基等が挙げられる。
【００３９】
上記「フルオロアルコキシ基」とは、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルコキシ基を意味し、「パーフルオロアルコキシ基」等が例示できる。具体的なフルオロアルコキシ基としては、例えばアルコキシ基の全ての水素原子がフッ素原子で置換された基、アルコキシ基の末端の１つの水素原子以外の水素原子がフッ素原子で置換された基等が挙げられる。
【００４０】
上記「フルオロポリエーテル基」とは、繰り返し単位としてオキシアルキレン単位を有し、末端にアルキル基又は水素原子を有する１価の基であって、このアルキレンオキシド鎖又は末端のアルキル基の少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された１価の基を意味する。フルオロポリエーテル基としては、例えば繰り返し単位として複数のパーフルオロアルキレンオキシド鎖を有する「パーフルオロポリエーテル基」等が例示できる。
【００４１】
誘電体層２の主成分であるフッ素樹脂としては、例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶＤＦ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、クロロトリフルオロエチレン−エチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、並びにテトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、ビニリデンフルオライドの３種類のモノマーにより形成される熱可塑性フッ素樹脂（ＴＨＶ）及びフルオロエラストマー等が挙げられる。また、これら化合物を含む混合物やコポリマーも上記フッ素樹脂として使用することができる。
【００４２】
中でも、誘電体層２の主成分として用いられるフッ素樹脂としては、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、及びこれらの組み合わせが好ましい。これらのフッ素樹脂は比誘電率が低い材料であるため、これらのフッ素樹脂を誘電体層２の主成分とすることで、伝送損失をより抑制できる。
【００４３】
また、誘電体層２は、任意成分として、例えばエンジニアリングプラスチック、難燃剤、難燃助剤、顔料、酸化防止剤、反射付与剤、隠蔽剤、滑剤、加工安定剤、可塑剤、発泡剤、補強材等を含むことができる。この場合、誘電体層２中の任意成分の含有量の上限としては、５０質量％が好ましく、４０質量％がより好ましく、３０質量％がさらに好ましい。
【００４４】
上記エンジニアリングプラスチックとしては、誘電体層２に求められる特性に応じて公知のものから選択して使用でき、典型的には芳香族ポリエーテルケトンを使用することができる。
【００４５】
この芳香族ポリエーテルケトンは、ベンゼン環がパラ位で結合し、剛直なケトン結合（−Ｃ（＝Ｏ）−）又はフレキシブルなエーテル結合（−Ｏ−）によってベンゼン環同士が連結された構造を有する熱可塑性樹脂である。芳香族ポリエーテルケトンとしては、例えばエーテル結合、ベンゼン環、エーテル結合、ベンゼン環、ケトン結合及びベンゼン環が、この順序で並んだ構造単位を有するポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、エーテル結合、ベンゼン環、ケトン結合及びベンゼン環が、この順序で並んだ構造単位を有するポリエーテルケトン（ＰＥＫ）を挙げることができる。中でも、芳香族ポリエーテルケトンとしては、ＰＥＥＫが好ましい。このような芳香族ポリエーテルケトンは、耐摩耗性、耐熱性、絶縁性、加工性等に優れる。
【００４６】
ＰＥＥＫ等の芳香族ポリエーテルケトンとしては、市販品を使用することができ、例えば市販されている単一のグレードの芳香族ポリエーテルケトンを使用してもよく、複数のグレードの芳香族ポリエーテルケトンを併用してもよく、また変性した芳香族ポリエーテルケトンを使用してもよい。
【００４７】
上記難燃剤としては、公知の種々のものを使用することができ、例えば臭素系難燃剤、塩素系難燃剤等のハロゲン系難燃剤などを挙げることができる。
【００４８】
上記難燃助剤としては、公知の種々のものを使用することができ、例えば三酸化アンチモン等を挙げることができる。
【００４９】
上記顔料としては、公知の種々のものを使用することができ、例えば酸化チタン等を挙げることができる。
【００５０】
上記酸化防止剤としては、公知の種々のものを使用することができ、例えばフェノール系酸化防止剤等を挙げることができる。
【００５１】
上記反射付与剤としては、公知の種々のものを使用することができ、例えば酸化チタン等を挙げることができる。
【００５２】
上記補強材としては、誘電体層２よりも線膨張率が小さいものであれば特に限定されるものではないが、絶縁性と、フッ素樹脂の融点で溶融流動しない耐熱性と、フッ素樹脂と同等以上の引っ張り強さと、耐腐食性とを有することが望ましい。このような補強材としては、例えばガラスをクロス状に形成したガラスクロス、このようなガラスクロスにフッ素樹脂を含浸させたフッ素樹脂含有ガラスクロス、金属、セラミックス、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、アラミド等により形成された耐熱繊維を含む樹脂クロス、ポリテトラフルオロエチレン、液晶ポリマー、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリベンゾイミダゾール、ポリエーテルエーテルケトン、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、熱硬化樹脂、架橋樹脂等を主成分とする耐熱フィルムなどから構成することが可能である。なお、上記樹脂クロス及び耐熱フィルムとしては、後述する改質層５ａ、５ｂを形成する工程の熱圧着の温度以上の融点（又は熱変形温度）を有するものが好ましい。上記樹脂クロスの織り方としては、誘電体層２を薄くするためには平織りが好ましいが、誘電体層２を屈曲可能とするためには綾織り及びサテン織りが好ましい。この他、公知の織り方を適用することができる。
【００５３】
また、誘電体層２に中空構造を設けてもよい。この場合、誘電体層２の比誘電率を小さくすることができるため、伝送損失をより効果的に抑制できる。
【００５４】
誘電体層２の平均厚みの下限としては、３μｍが好ましく、６μｍがより好ましい。一方、誘電体層２の平均厚みの上限としては、１ｍｍが好ましく、０．５ｍｍがより好ましく、０．１ｍｍがさらに好ましく、５５μｍが特に好ましい。誘電体層２の平均厚みが上記下限未満であると、誘電体層２の強度が不十分となるおそれがある。逆に、誘電体層２の平均厚みが上記上限を超えると、可撓性が要求される電子機器への適用が困難となるおそれがある。
【００５５】
誘電体層２の比誘電率の下限としては、１．２が好ましく、１．４がより好ましく、１．６がさらに好ましい。一方、誘電体層２の比誘電率の上限としては、２．７が好ましく、２．５がより好ましく、２．３がさらに好ましい。誘電体層２の比誘電率が上記下限未満であると、誘電体層２の寸法安定性の確保が難しくなる。特に発泡により非誘電率を低下させた場合には、弾性率が低下しすぎて加工及び搬送が困難になりかつ高額化するおそれがある。逆に、誘電体層２の比誘電率が上記上限を超えると、誘電正接が大きくなって伝送損失を十分に小さくできないおそれがあると共に、十分な伝送速度が得られないおそれがある。
【００５６】
（改質層）
誘電体層２は、両面側が改質処理されている。具体的には、誘電体層２は、一方の面側及び他方の面側に改質層５ａ、５ｂを有する。改質層５ａ、５ｂは、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）及び親水性官能基を含む。この改質層５ａ、５ｂは、誘電体層２の主成分であるフッ素樹脂に、例えば親水性官能基を有し、かつシロキサン結合を生成する改質剤（シランカップリング剤）が結合して形成される。この場合、改質層５ａ、５ｂにおいて、例えば親水性官能基がシロキサン結合を構成するＳｉ原子に結合している。ここで、フッ素樹脂と改質剤との間の結合は、共有結合だけで構成される場合、共有結合及び水素結合を含む場合等がある。
【００５７】
改質層５ａ、５ｂにおいて、シロキサン結合を構成するＳｉ原子（以下、この原子を「シロキサン結合のＳｉ原子」ともいう）は、例えばＮ原子、Ｃ原子、Ｏ原子、及びＳ原子のいずれか少なくとも１つの原子を介して誘電体層２のＣ原子と共有結合する。具体的には、シロキサン結合のＳｉ原子は、例えば−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ−Ｓ−、−（ＣＨ２）ｎ−、−ＮＨ−、−（ＣＨ２）ｎ−ＮＨ−、−（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ−（ｎ及びｍは１以上の整数である）等の原子団を介して誘電体層２のＣ原子と結合する。
【００５８】
上記親水性官能基としては、水酸基、カルボキシ基、カルボニル基、アミノ基、アミド基、スルフィド基、スルホニル基、スルホ基、スルホニルジオキシ基、エポキシ基、メタクリル基、メルカプト基、及びこれらの組合せが好ましい。これらの中でもＮ原子を含む親水性官能基、及びＳ原子を含む親水性官能基がより好ましい。これらの親水性官能基は、誘電体層２の表面の密着性を向上させる。
【００５９】
また、改質層５ａ、５ｂは、これら親水性官能基の２種以上を含んでもよい。このように改質層５ａ、５ｂに異なる性質の親水性官能基を付与することによって、誘電体層２の表面の反応性等を多様なものとすることができる。これらの親水性官能基は、シロキサン結合の構成要素であるＳｉ原子に直接、又は１つ若しくは複数のＣ原子を介して結合することができる。
【００６０】
上記の特徴を有する改質層５ａ、５ｂを形成するための改質剤としては、分子中に親水性官能基を有するシランカップリング剤が好適であり、中でも加水分解性ケイ素含有官能基を有するものがより好適である。このようなシランカップリング剤は、誘電体層２を構成するフッ素樹脂と化学結合する。シランカップリング剤と誘電体層２のフッ素樹脂との間の化学結合は、共有結合だけで構成される場合、共有結合及び水素結合を含む場合等がある。ここで、「加水分解性ケイ素含有官能基」とは、加水分解によりシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）を形成し得る基をいう。
【００６１】
改質層５ａ、５ｂの表面の純水との接触角の上限としては、９０°が好ましく、８０°がより好ましく、７０°がさらに好ましい。改質層５ａ、５ｂの表面の純水との接触角を上記上限以下とすることにより、密着性をより向上させることができる。一方、改質層５ａ、５ｂの表面の純水との接触角の下限は特に限定されない。上記接触角は、例えば親水性官能基の種類や量を調整することにより制御できる。なお、上記「純水との接触角」とは、ＪＩＳ−Ｒ−３２５７（１９９９年）の静滴法により測定される接触角の値である。
【００６２】
また、この改質層５ａ、５ｂは、以下に示すエッチング耐性を有することが好ましい。すなわち、塩化鉄を含み、比重が１．３３ｇ／ｃｍ３であって、遊離塩酸濃度が０．２ｍｏｌ／Ｌであるエッチング液（温度４５℃）に、２分間の条件で浸漬するエッチング処理に対して、改質層５ａ、５ｂが除去されないことが好ましい。ここで、「改質層５ａ、５ｂが除去されない」とは、親水性が失われないことを示し、改質層５ａ、５ｂが設けられた部分における純水との接触角が９０°を超えないことを示す。改質層５ａ、５ｂが上記エッチング耐性を有すると、高周波プリント配線板用基材１を用いて導電パターンを形成する際に、導電パターンと誘電体層２との間にエッチング液が浸入することを抑制できるため、導電パターンと誘電体層２との間の密着性を良好に維持できる。上記エッチング耐性は、例えば後述する好ましいシランカップリング剤を用いることにより改質層５ａ、５ｂに付与することができる。なお、エッチング処理により、改質層５ａ、５ｂが形成されている領域において疎水性を示す微小部分が斑状に生じる場合もあるが、この領域全体として親水性を有する場合は、このような状態は親水性が維持されているものとする。
【００６３】
また、改質層５ａ、５ｂは、塩化銅を含有するエッチング液に対するエッチング耐性を有することが好ましい。なお、改質層５ａ、５ｂが上記塩化鉄含有エッチング液に対するエッチング耐性を有する場合は、この改質層５ａ、５ｂは、塩化銅を含有するエッチング液に対して上記と同様のエッチング耐性を有することが確認されている。
【００６４】
改質層５ａ、５ｂの平均厚みの下限としては、１０ｎｍが好ましく、２０ｎｍがより好ましい。また、改質層５ａ、５ｂの平均厚みの上限としては、４００ｎｍが好ましく、２００ｎｍがより好ましい。改質層５ａ、５ｂの平均厚みを上記下限以上とすることにより、密着性をより向上させることができる。一方、改質層５ａ、５ｂの平均厚みが上記上限を超えると、改質層５ａ、５ｂに起因する誘電損の影響により高周波特性が不十分となるおそれがある。よって、改質層５ａ、５ｂの平均厚みを上記範囲内とすることで、伝送損失の抑制機能と密着性の向上機能とをバランスよく発揮させることができる。なお、改質層５ａ、５ｂの平均厚みは、例えば電子顕微鏡等により測定できる。
【００６５】
誘電体層２中の改質層５ａ、５ｂの含有量の上限は、１０質量％が好ましく、５質量％がより好ましく、１質量％がさらに好ましい。上記含有量を上記上限以下とすることにより、伝送損失の抑制機能と密着性の向上機能とをバランスよく発揮させることができる。なお、上記含有量の下限については、密着性を向上できる限り特にない。
【００６６】
（シード層）
シード層３は、誘電体層２の一方の面に積層される。具体的には、シード層３は、誘電体層２の改質層５ａの一方の面に積層される。シード層３は、一方の面側にめっきを形成するためのめっき形成用の金属層である。シード層３は、金属を主成分とする。具体的には、シード層３は、金属粒子の焼結体から構成される。
【００６７】
上記金属としては、一定の導通性を有する限り特に限定されるものではないが、誘電体層２とシード層３との間の密着力向上の観点から、その金属に基づく金属酸化物又はその金属酸化物に由来する基並びにその金属に基づく金属水酸化物又はその金属水酸化物に由来する基が生成されるものであるものが好ましく、例えば銅、ニッケル、アルミニウム、金、銀、パラジウム、クロム又はこれらの合金等が挙げられる。中でも、コストを抑えつつ導通性及び誘電体層２との密着性を高めることができる銅又は銅合金が好ましい。
【００６８】
上記金属粒子の平均粒子径の下限としては、１ｎｍが好ましく、３０ｎｍがより好ましい。一方、上記金属粒子の平均粒子径の上限としては、５００ｎｍが好ましく、１００ｎｍがより好ましい。上記金属粒子の平均粒子径が上記下限未満であると、シード層３を形成するにあたり、上記金属粒子のインク中での分散性及び安定性が低下するおそれがあり、ひいては誘電体層２の一方の面に緻密で均一な焼結体を形成するのが困難になるおそれがある。逆に、上記金属粒子の平均粒子径が上記上限を超えると、上記金属粒子がインク中に沈殿しやすくなるおそれや、インクを塗布した際に上記金属粒子の密度が均一になり難くなるおそれがある。
【００６９】
シード層３の平均厚みの下限としては、１０ｎｍが好ましく、５０ｎｍがより好ましく、１００ｎｍがさらに好ましい。一方、シード層３の平均厚みの上限としては、２μｍとされ、１．５μｍがより好ましく、１μｍがさらに好ましく、５００ｎｍが特に好ましい。シード層３の平均厚みが上記下限未満であると、平面視においてシード層３に切れ目が生じて導通性が低下するおそれがある。逆に、シード層３の平均厚みが上記上限を超えると、めっきに要する時間が長くなり生産性が低下するおそれがある。これに対し、シード層３の平均厚みが上記範囲であることによって、導通性を維持しつつ、めっきをある程度まで厚く形成することができる。
【００７０】
シード層３の他方の面の算術平均粗さＲａの上限としては、２μｍが好ましく、１μｍがより好ましく、０．５μｍがさらに好ましい。シード層３の他方の面の算術平均粗さＲａが上記上限を超えると、高周波特性信号の伝播距離が長くなり、表皮効果による損失が多くなるおそれがある。なお、シード層３の他方の面の算術平均粗さＲａの下限としては、特に限定されるものではなく、例えば０．００１μｍとすることができる。
【００７１】
（ベース層）
ベース層４は、誘電体層２の他方の面の全面に亘って配設されるグランド層である。ベース層４は、金属を主成分とする。ベース層４の主成分としては、例えば銅、銀、金、ステンレス、鉄、アルミニウム、ニッケル又はこれらの合金等が挙げられる。中でも、製造コストを抑えつつ、導通性を向上可能な銅又は銅合金が好ましい。
【００７２】
ベース層４の平均厚みの下限としては、１μｍが好ましく、１０μｍがより好ましい。一方、ベース層４の平均厚みの上限としては、２０００μｍが好ましく、３００μｍがより好ましい。ベース層４の平均厚みが上記下限未満であると、十分な導通性が得られないと共に、強度が不足してベース層４の一方の面に誘電体層２を的確に積層できないおそれがある。逆に、ベース層４の平均厚みが上記上限を超えると、コストが嵩むと共に当該高周波プリント配線板用基材１が不必要に厚くなるおそれがある。
【００７３】
＜高周波プリント配線板用基材の製造方法＞
次に、図２Ａ乃至図２Ｃを参照して、当該高周波プリント配線板用基材１の製造方法について説明する。
【００７４】
当該高周波プリント配線板用基材の製造方法は、フッ素樹脂を主成分とするフィルム２ａ（以下、単に「フッ素樹脂フィルム２ａ」ともいう。）の両面側を改質する工程と、この改質工程後のフィルムの一方の面にシード層３を形成する工程と、この改質工程後のフィルムの他方の面にベース層４を積層する工程とを備える。なお、以下においては、シード層形成工程の後にベース層積層を行う場合について説明するが、シード層形成工程の前にベース層積層工程を行ってもよい。
【００７５】
＜改質工程＞
改質工程では、図２Ａに示すように、フッ素樹脂フィルム２ａの両面を改質する。具体的には、フッ素樹脂フィルム２ａの両面に改質層５ａ、５ｂを形成する。改質工程では、例えば改質剤である上述のシランカップリング剤と、アルコールと、水とを含むプライマ材料をフッ素樹脂フィルム２ａの両面に積層し、乾燥によりこのプライマ材料のアルコールを除去する。この改質工程によって、フッ素樹脂フィルム２ａの両面が改質されることで、誘電体層２が形成される。
【００７６】
プライマ材料全体におけるシランカップリング剤の含有量の下限としては、０．１質量％が好ましく、０．５質量％がより好ましい。また、シランカップリング剤のプライマ材料全体における含有量の上限としては、５質量％が好ましく、３質量％がより好ましい。シランカップリング剤の含有量を上記下限以上とすることにより、密着性をより向上できる。一方、シランカップリング剤の含有量が上記上限を超えると、シランカップリング剤の凝集が生じ、均一な厚みのプライマ材料の膜が形成され難くなるおそれがある。
【００７７】
上記プライマ材料に含まれるアルコールとしては、例えばメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｔ−ブタノール、イソプロピルアルコール等が挙げられる。これらのアルコール群から選択される１種又は２種以上が、上記アルコールとして使用できる。
【００７８】
上記プライマ材料に含まれる水は、シランカップリング剤を加水分解させる物質であり、微量で足りるが、例えばアルコール１００質量部に対して０．０１質量部以上０．１質量部以下に設定される。なお、上記水としては、空気中に存在する水分や、アルコールに含まれる不純物としての水分を用いてもよい。
【００７９】
＜シード層形成工程＞
シード層形成工程では、図２Ｂに示すように、フッ素樹脂フィルム２ａを改質して形成される誘電体層２の一方の面にシード層３を形成する。シード層形成工程は、塗工工程と、焼成工程とを有する。
【００８０】
（塗工工程）
塗工工程は、金属粒子が溶媒中に分散したインクを誘電体層２の一方の面に塗工する。以下、上記塗工工程について詳説する。
【００８１】
（金属粒子）
上記インクに分散させる金属粒子は、高温処理法、液相還元法、気相法等で製造することができる。中でも、液相還元法によれば、製造コストをより低減できる上、水溶液中での攪拌等により、容易に金属粒子の粒子径を均一にすることができる。上記金属粒子は、このように、高温処理法、液相還元法、気相法等で製造されることによって、上述のように平均粒子径が１ｎｍ以上５００ｎｍ以下に調整される。
【００８２】
液相還元法によって上記金属粒子を製造するためには、例えば水に金属粒子を形成する金属のイオンのもとになる水溶性の金属化合物と分散剤とを溶解すると共に、還元剤を加えて一定時間金属イオンを還元反応させればよい。液相還元法の場合、製造される金属粒子は形状が球状又は粒状で揃っており、しかも微細な粒子とすることができる。上記金属イオンのもとになる水溶性の金属化合物として、例えば銅の場合は、硝酸銅（ＩＩ）（Ｃｕ（ＮＯ３）２）、硫酸銅（ＩＩ）五水和物（ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ）等が挙げられる。また銀の場合は硝酸銀（Ｉ）（ＡｇＮＯ３）、メタンスルホン酸銀（ＣＨ３ＳＯ３Ａｇ）等、金の場合はテトラクロロ金（ＩＩＩ）酸四水和物（ＨＡｕＣｌ４・４Ｈ２Ｏ）、ニッケルの場合は塩化ニッケル（ＩＩ）六水和物（ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏ）、硝酸ニッケル（ＩＩ）六水和物（Ｎｉ（ＮＯ３）２・６Ｈ２Ｏ）等が挙げられる。他の金属粒子についても、塩化物、硝酸化合物、硫酸化合物等の水溶性の化合物を用いることができる。
【００８３】
上記還元剤としては、液相（水溶液）の反応系において、金属イオンを還元及び析出させることができる種々の還元剤を用いることができる。この還元剤としては、例えば水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン、３価のチタンイオンや２価のコバルトイオン等の遷移金属のイオン、アスコルビン酸、グルコースやフルクトース等の還元性糖類、エチレングリコールやグリセリン等の多価アルコールなどが挙げられる。中でも、上記還元剤としては３価のチタンイオンが好ましい。なお、３価のチタンイオンを還元剤とする液相還元法は、チタンレドックス法という。チタンレドックス法では、３価のチタンイオンが４価に酸化される際の酸化還元作用によって金属イオンを還元し、金属粒子を析出させる。チタンレドックス法で得られる金属粒子は、粒子径が小さくかつ揃っているため、金属粒子がより高密度に充填され、塗膜をより緻密な膜に形成することができる。
【００８４】
金属粒子の粒子径を調整するには、金属化合物、分散剤及び還元剤の種類並びに配合割合を調整すると共に、金属化合物を還元反応させる際に、攪拌速度、温度、時間、ｐＨ等を調整すればよい。反応系のｐＨの下限としては７が好ましく、反応系のｐＨの上限としては１３が好ましい。反応系のｐＨを上記範囲とすることで、微小な粒子径の金属粒子を得ることができる。このときｐＨ調整剤を用いることで、反応系のｐＨを上記範囲に容易に調整することができる。このｐＨ調整剤としては、塩酸、硫酸、硝酸、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、アンモニア等の一般的な酸又はアルカリが使用できるが、特に周辺部材の劣化を防止するために、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン元素、硫黄、リン、ホウ素等の不純物を含まない硝酸及びアンモニアが好ましい。
【００８５】
金属粒子の平均粒子径の下限としては、１ｎｍが好ましく、１０ｎｍがより好ましく、
３０ｎｍがさらに好ましい。また、金属粒子の平均粒子径の上限としては、５００ｎｍが好ましく、３００ｎｍがより好ましく、１００ｎｍがさらに好ましい。金属粒子の平均粒子径が上記下限未満であると、インク中での金属粒子の分散性及び安定性が低下するおそれがある。一方、金属粒子の平均粒子径が上記上限を超えると、金属粒子が沈殿しやすくなるおそれがあると共に、インクを塗布した際に金属粒子の密度が不均一になるおそれがある。
【００８６】
インク中の金属粒子の含有割合の下限としては、５質量％が好ましく、１０質量％がより好ましく、２０質量％がさらに好ましい。また、インク中の金属粒子の含有割合の上限としては、５０質量％が好ましく、４０質量％がより好ましく、３０質量％がさらに好ましい。金属粒子の含有割合を上記下限以上とすることで、塗膜をより緻密な膜に形成することができる。一方、金属粒子の含有割合が上記上限を超えると、塗膜の膜厚が不均一になるおそれがある。
【００８７】
（その他の成分）
上記インクには、金属粒子以外に分散剤が含まれていてもよい。この分散剤としては、特に限定されず、金属粒子を良好に分散させることができる種々の分散剤を用いることができる。分散剤の分子量の下限としては、２，０００が好ましく、分散剤の分子量の上限としては、３０，０００が好ましい。分子量が上記範囲の分散剤を用いることで、金属粒子をインク中に良好に分散させることができ、塗膜の膜質を緻密でかつ欠陥のないものにすることができる。上記分散剤の分子量が上記下限未満の場合、金属粒子の凝集を防止して分散を維持する効果が十分に得られないおそれがある。一方、上記分散剤の分子量が上記上限を超える場合、分散剤の嵩が大きすぎて、塗膜の焼成時において、金属粒子同士の焼結を阻害してボイドを生じさせるおそれがある。また、分散剤の嵩が大きすぎると、塗膜の緻密さが低下したり、分散剤の分解残渣が導通性を低下させるおそれがある。
【００８８】
上記分散剤は、周辺部材の劣化防止の観点より、硫黄、リン、ホウ素、ハロゲン及びアルカリを含まないものが好ましい。好ましい分散剤としては、分子量が上記範囲にあるもので、ポリエチレンイミン、ポリビニルピロリドン等のアミン系の高分子分散剤、ポリアクリル酸、カルボキシメチルセルロース等の分子中にカルボキシ基を有する炭化水素系の高分子分散剤、ポバール（ポリビニルアルコール）、スチレン−マレイン酸共重合体、オレフィン−マレイン酸共重合体、１分子中にポリエチレンイミン部分とポリエチレンオキサイド部分とを有する共重合体等の極性基を有する高分子分散剤などを挙げることができる。
【００８９】
上記分散剤は、水又は水溶性有機溶媒に溶解させた溶液の状態でインクに配合することもできる。インクに分散剤を配合する場合、分散剤の含有割合の下限としては、１００質量部の金属粒子に対して１質量部が好ましい。また、分散剤の含有割合の上限としては、１００質量部の金属粒子に対して６０質量部が好ましい。上記分散剤の含有割合が上記下限未満の場合、金属粒子の凝集防止効果が不十分となるおそれがある。一方、上記分散剤の含有割合が上記上限を超える場合、塗膜の焼成時に過剰の分散剤が金属粒子の焼結を阻害してボイドが発生するおそれがあり、また、分散剤の分解残渣が不純物として残存して導通性を低下させるおそれがある。
【００９０】
上記インクにおける分散媒としては、例えば水が使用できる。水を分散媒とする場合、水の含有割合の下限としては、１００質量部の金属粒子に対して２０質量部が好ましい。また、水の含有割合の上限としては、１００質量部の金属粒子に対して１，９００質量部が好ましい。分散媒である水は、例えば分散剤を十分に膨潤させて分散剤で囲まれた金属粒子を良好に分散させる役割を果たすが、上記水の含有割合が上記下限未満の場合、この分散剤の膨潤効果が不十分となるおそれがある。一方、上記水の含有割合が上記上限を超える場合、インク中の金属粒子の含有割合が少なくなり、必要な厚みと密度とを有する良好な焼結体３を形成できないおそれがある。
【００９１】
上記インクには、粘度調整や蒸気圧調整等のために必要に応じて有機溶媒を配合できる。このような有機溶媒としては、水溶性である種々の有機溶媒が使用可能である。その具体例としては、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類；エチレングリコール、グリセリン等の多価アルコールやその他のエステル類；エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等のグリコールエーテル類などが挙げられる。
【００９２】
インクに有機溶媒を配合する場合、有機溶媒の含有割合の下限としては、１００質量部の金属粒子に対して３０質量部が好ましい。また、有機溶媒の含有割合の上限としては、１００質量部の金属粒子に対して９００質量部が好ましい。有機溶媒の含有割合が上記下限未満であると、インクの粘度調整及び蒸気圧調整の効果が十分に得られないおそれがある。一方、有機溶媒の含有割合が上記上限を超えると、例えば水による分散剤の膨潤効果が不十分となり、インク中で金属粒子の凝集が生じるおそれがある。
【００９３】
なお、液相還元法で金属粒子を製造する場合、液相（水溶液）の反応系で析出させた金属粒子は、ろ別、洗浄、乾燥、解砕等の工程を経て、一旦粉末状としたものを用いてインクを調製することができる。この場合は、粉末状の金属粒子と、水等の分散媒と、必要に応じて分散剤、有機溶媒等とを所定の割合で配合し、金属粒子を含むインクとすることができる。このとき、金属粒子を析出させた液相（水溶液）を出発原料としてインクを調製することが好ましい。具体的には、析出した金属粒子を含む液相（水溶液）を限外ろ過、遠心分離、水洗、電気透析等の処理に供して不純物を除去し、必要に応じて濃縮して水を除去する。又は、逆に水を加えて金属粒子の濃度を調整した後、さらに必要に応じて有機溶媒を所定の割合で配合することによって金属粒子を含むインクを調製する。この方法では、金属粒子の乾燥時の凝集による粗大で不定形な粒子の発生を防止することができ、緻密で均一なシード層３を形成しやすい。
【００９４】
（インクの塗布方法）
金属粒子を分散させたインクを誘電体層２の一方の面に塗布する方法としては、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、ダイコート法、スリットコート法、ロールコート法、ディップコート法等の従来公知の塗布法を用いることができる。また、スクリーン印刷、ディスペンサ等により誘電体層２の一方の面の一部のみにインクを塗布するようにしてもよい。インクの塗布後、例えば室温で乾燥することにより塗膜が形成される。
【００９５】
（焼成工程）
焼成工程は、塗工した上記インクを焼成する。詳細には、上記焼成工程は、誘電体層２の一方の面に塗工したインクから形成される塗膜を乾燥した後、熱処理する。この焼成工程によって上記金属粒子同士が焼結して焼結体を構成すると共にこの焼結体が誘電体層２の一方の面に固着される。これにより、誘電体層２の一方の面に平均厚みが２μｍ以下のシード層３が形成される。なお、インクに含まれ得る分散剤やその他の有機物は、焼成によって揮発又は分解される。また、シード層３と誘電体層２との界面近傍では、焼成によって金属粒子が酸化されるため、金属粒子に基づく金属水酸化物やその金属水酸化物に由来する基の生成を抑えつつ、金属粒子に基づく金属酸化物やその金属酸化物に由来する基（以下、これらをまとめて「金属酸化物等」ともいう。）が生成する。このシード層３と誘電体層２との界面近傍に生成した金属酸化物等は、誘電体層２を構成するフッ素樹脂と強く結合するため、シード層３と誘電体層２との間の密着力が大きくなる。
【００９６】
上記焼成は、シード層３と誘電体層２との界面近傍の金属粒子の酸化を促進させるため、一定量の酸素が含まれる雰囲気下で行うことが好ましい。この場合、焼成雰囲気の酸素濃度の下限としては、１体積ｐｐｍが好ましく、１０体積ｐｐｍがより好ましい。また、上記酸素濃度の上限としては、１０，０００体積ｐｐｍが好ましく、１，０００体積ｐｐｍがより好ましい。上記酸素濃度が上記下限未満であると、シード層３と誘電体層２との界面近傍における金属酸化物等の生成量が少なくなり、誘電体層２とシード層３との間の密着力を向上させることができなくなるおそれがある。一方、上記酸素濃度が上記上限を超えると、金属粒子の過度の酸化によりシード層３の導通性が低下するおそれがある。
【００９７】
上記乾燥は、例えば室温で行うことができる。
【００９８】
上記熱処理温度の下限としては、１００℃が好ましく、１５０℃がより好ましい。一方、上記熱処理の温度の上限としては、４００℃が好ましく、３５０℃がより好ましい。上記熱処理温度が上記下限未満であると、シード層３と誘電体層２との界面近傍における金属酸化物等の生成量が少なくなり、誘電体層２とシード層３との間の密着力を向上させることができなくなるおそれがある。一方、上記熱処理温度が上記上限を超えると、誘電体層２が変形するおそれがある。なお、熱処理時間については、特に限定されないが、例えば３０分以上６００分以下の範囲とすればよい。
【００９９】
＜ベース層積層工程＞
ベース層積層工程では、図２Ｃに示すように、ベース層４を誘電体層２の他方の面に積層する。ベース層積層工程では、例えばベース層４を構成する金属箔を誘電体層２に熱圧着する。また、この熱圧着は、ベース層４と誘電体層２との間に気泡や空隙が形成されないようにするために、減圧下で行うことが好ましい。また、ベース層４の酸化を抑制するため、低酸素条件下（例えば窒素雰囲気中）で行うことが好ましい。
【０１００】
＜利点＞
当該高周波プリント配線板用基材１は、誘電体層２がフッ素樹脂を主成分とするので、誘電体層２の比誘電率が小さく、これによって伝送損失を低減することができる。また、当該高周波プリント配線板用基材１は、誘電体層２の一方の面側が改質処理されているので、この一方の面側にシード層３を密着させやすい。特に、当該高周波プリント配線板用基材１は、このように誘電体層２の一方の面側を改質処理することで、この一方の面の粗面化を防止しつつ、シード層３との密着性を高めることができる。そのため、当該高周波プリント配線板用基材１は、シード層３と誘電体層２との当接面の粗面化を抑制して高周波特性信号の伝搬距離が長くなるのを防止することで、表皮効果による損失を抑制することができる。また、当該高周波プリント配線板用基材１は、シード層３の平均厚みが上記範囲とされているので、小型化が求められる場合もシード層３の一方の面にめっきをある程度まで厚く形成することができる。従って、当該高周波プリント配線板用基材１は、伝送損失を低減できると共に高周波特性を向上することができる。
【０１０１】
従って、当該高周波プリント配線板用基材の製造方法は、伝送損失を低減できると共に高周波特性を向上可能なプリント配線板用基材を容易かつ確実に製造することができる。
【０１０２】
当該高周波プリント配線板用基材の製造方法は、上記シード層形成工程が、平均粒子径が上記範囲である金属粒子を含む上記インクを上記フィルムの一方の面に塗工した上、塗工したインクを焼成するので、スパッタリング等の物理的蒸着に必要な高価な真空設備を用いることなく、誘電体層２の一方の面側に緻密で略均一な焼結体を的確に形成することができる。
【０１０３】
［第二実施形態］
＜高周波プリント配線板用基材＞
図３の高周波プリント配線板用基材１１は、図１の高周波プリント配線板用基材１を用いて形成される。図３の高周波プリント配線板１１は、誘電体層２と、シード層３と、ベース層４と、めっき層（第一めっき層１２）とを備える。高周波プリント配線板１１は、可撓性を有するフレキシブルプリント配線板である。誘電体層２、シード層３及びベース層４は、図１の高周波プリント配線板用基材１と同様のため、同一符号を付して説明を省略する。
【０１０４】
（第一めっき層）
第一めっき層１２は、シード層３の一方の面に積層される。第一めっき層１２を構成するめっき金属は、シード層３の外面だけでなく、シード層３の内部（シード層３を構成する金属粒子間の隙間）に入り込む。シード層３に空隙が残存していると、この空隙部分が破壊起点となってシード層３が誘電体層２から剥離しやすくなるが、この空隙部分に第一めっき層１２を構成する金属が充填されていることによって誘電体層２からの剥離が防止される。また、シード層３を形成する金属粒子の空隙に第一めっき層１２の金属が充填されることによって導通性が向上する。第一めっき層１２を形成するためのめっき方法は、特に限定されず、無電解めっきであっても電気めっきであってもよいが、シード層３を形成する金属粒子間の空隙をより的確に埋めることでシード層３及び誘電体層２の剥離強度を容易かつ確実に向上できる無電解めっきが好ましい。
【０１０５】
上記無電解めっきに用いる金属として、導通性のよい銅、ニッケル、銀等を用いることができるが、シード層３の主成分が銅又は銅合金である場合、シード層３との密着性を考慮して、銅又はニッケルを用いることが好ましい。なお、無電解めっきに用いるめっき液は、ニッケル以外の金属を無電解めっきに用いる場合、めっき金属に加えてニッケル又はニッケル化合物を含有させたものを用いることが好ましい。
【０１０６】
無電解めっきの手順としては、特に限定されず、例えばクリーナ工程、水洗工程、酸処理工程、水洗工程、プレディップ工程、アクチベータ工程、水洗工程、還元工程、水洗工程等の処理と共に、公知の手段で無電解めっきを行えばよい。
【０１０７】
また、上記電気めっきに用いる金属としては、特に限定されるものではなく、上記無電解めっきに用いる金属と同様の金属が挙げられる。また、また、上記電気めっきの手順としても、特に限定されるものではなく、公知の電気めっき浴及びめっき条件から適宜選択すればよい。
【０１０８】
第一めっき層１２の平均厚みの下限としては、０．２μｍが好ましく、０．３μｍがより好ましい。一方、第一めっき層１２の平均厚みの上限としては、１μｍが好ましく、０．５μｍがより好ましい。第一めっき層１２の平均厚みが上記下限未満であると、第一めっき層１２を構成する金属がシード層３内の空隙に十分に充填されないおそれがある。逆に、第一めっき層１２の平均厚みが上記上限を超えると、無電解めっきに要する時間が長くなり生産性が低下するおそれがある。
【０１０９】
＜利点＞
当該高周波プリント配線板用基材１１は、第一めっき層１２を有するので、シード層３を形成する金属粒子間の空隙にめっきによる金属が充填される。そのため、当該プリント配線板用基材１１は、シード層３と誘電体層２との剥離強度を向上できると共に導通性を高めることができる。
【０１１０】
＜高周波プリント配線板＞
図４の高周波プリント配線板２１は、図３の高周波プリント配線板用基材１１を用い形成される。高周波プリント配線板２１は、誘電体層２と、ベース層４と、導電パターン２２とを備える。高周波プリント配線板２１は、可撓性を有するフレキシブルプリント配線板である。高周波プリント配線板２１の形成方法としては、特に限定されるものではなく、セミアディティブ法及びサブトラクティブ法のいずれの方法を用いることもできる。ただし、導電パターン２２の断面を所望の形状にするためにはセミアディティブ法によるのが好ましい。以下では、当該高周波プリント配線板２１をセミアディティブ法によって形成する場合について説明する。なお、誘電体層２及びベース層４は、図１の高周波プリント配線板用基材と同様のため、同一符号を付して説明を省略する。
【０１１１】
（導電パターン）
導電パターン２２は、誘電体層２の一方の面に積層される。導電パターン２２は、図３の高周波プリント配線板用基材１１のシード層３及び第一めっき層１２の層上に電気めっき及びエッチングを施すいわゆるセミアディティブ法により形成される。電気めっきの手順は、特に限定されず、例えば公知の電気銅めっき浴及びめっき条件から適宜選択すればよい。
【０１１２】
導電パターン２２の厚みは、どのようなプリント回路を作製するかによって設定されるもので特に限定されないが、例えば導電パターン２２の平均厚みの下限としては、１μｍが好ましく、２μｍがより好ましい。また、導電パターン２２の平均厚みの上限としては、１００μｍが好ましく、５０μｍがより好ましい。導電パターン２２の平均厚みが上記下限未満であると、導電パターン２２が損傷しやすくなるおそれがある。一方、導電パターン２２の平均厚みが上記上限を超えると、当該高周波プリント配線板２１の薄板化が困難となるおそれがある。
【０１１３】
導電パターン２２の下底及び上底は略平行に配設されている。ここで、「略平行」とは、下底及び上底のなす角が０°±１０°の範囲をいい、好ましくは０°±５°の範囲をいう。また、「上底」とは、下底と対向する辺である。
【０１１４】
導電パターン２２の断面形状における下底に対する上底の長さ比の平均値の下限としては、０．９が好ましく、０．９５がより好ましい。上記長さ比の平均値が上記下限未満であると、導電パターン２２の断面積が十分大きくならず、伝送特性を十分に向上できないおそれがある。また、上記長さ比の平均値の上限としては、１とすることができる。なお、少なくとも導電パターン２２が含む配線部において上記長さ比が上記範囲を満たすことが好ましい。またここで、導電パターン２２の一方の面が厚み方向に湾曲している場合等において、「上底」は、導電パターン２２の下底から平均厚みの９／１０の位置における仮想直線によって置き換えることも可能である。また、「導電パターンの断面」とは、面積が最小となる断面を意味し、例えば導電パターンの軸方向と垂直な面における断面をいう。
【０１１５】
また、導電パターン２２の断面形状は略長方形とされている。具体的には、導電パターン２２の断面形状における下底を１辺とし、この辺と隣接する辺の長さが導電パターン２２の平均厚みと等しい長方形に対する導電パターン２２の断面の面積比の平均値の下限としては、０．９が好ましく、０．９５がより好ましい。上記断面の面積比の平均値が上記下限未満であると、導電パターン２２の断面積が十分大きくならず、伝送特性を十分に向上できないおそれがある。また、上記断面の面積比の平均値の上限としては、１とすることができる。なお、少なくとも導電パターン２２が含む配線部において上記面積比が上記範囲を満たすことが好ましい。
【０１１６】
なお、導電パターン２２の断面形状は、例えば後述するレジストパターンの非積層領域の断面形状の制御により調整することができる。
【０１１７】
＜高周波プリント配線板の製造方法＞
次に、図５Ａ乃至図５Ｃを参照して、当該高周波プリント配線板の製造方法について説明する。ここでは、当該高周波プリント配線板をセミアディティブ法により形成する方法について説明する。
【０１１８】
当該高周波プリント配線板の製造方法は、フッ素樹脂を主成分とし、一方の面側が改質処理された誘電体層２と、誘電体層２の一方の面に積層される導電パターン２２とを備える当該高周波プリント配線板２１の製造方法として用いられる。当該高周波プリント配線板の製造方法は、上述の当該高周波プリント配線板用基材１１を用い、セミアディティブ法により形成する。当該高周波プリント配線板の製造方法は、導電パターン形成工程を備える。
【０１１９】
＜導電パターン形成工程＞
導電パターン形成工程は、図５Ａ乃至図５Ｃに示すように、第一めっき層１２の一方の面にレジストパターンＹを形成する工程、このレジストパターンＹから露出する第一めっき層１２の表面にめっきを行い第二めっき層２３を積層する工程、上記レジストパターンＹを剥離する工程、及び第二めっき層２３をマスクとしシード層３及び第一めっき層１２をエッチングする工程を有する。
【０１２０】
（レジストパターン形成工程）
レジストパターン形成工程では、図５Ａに示すようにレジストパターンＹを第一めっき層１２の一方の面に形成する。具体的には、第一めっき層１２の一方の面にレジスト膜を積層し、その後露光及び現像することで所定のパターンを有するレジストパターンＹを形成する。上記レジスト膜の積層方法としては、例えばレジスト組成物を第一めっき層１２の一方の面に塗工する方法、ドライフィルムフォトレジストを第一めっき層１２の一方の面に積層する方法等が挙げられる。レジスト膜の露光及び現像条件は用いるレジスト組成物等に応じて適宜調節可能である。
【０１２１】
（第二めっき層積層工程）
第二めっき層積層工程では、図５Ｂに示すように、電気めっきを行いレジストパターンＹの非積層領域に第二めっき層２３を形成する。
【０１２２】
（レジストパターン剥離工程）
レジストパターン剥離工程では、第一めっき層１２からレジストパターンＹを剥離する。具体的には、剥離液を用いてレジストパターンＹを剥離する。この剥離液としては、公知のものを用いることができ、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ性水溶液、アルキルベンゼンスルホン酸等の有機酸系溶液、エタノールアミン等の有機アミン類と極性溶剤との混合液などが挙げられる。
【０１２３】
（エッチング工程）
エッチング工程では、図５Ｃに示すように、第二めっき層２３をマスクとしシード層３及び第一めっき層１２をエッチングする。このエッチングにより、誘電体層２の一方の面に導電パターン２２が形成される。
【０１２４】
＜利点＞
当該高周波プリント配線板２１は、当該高周波プリント配線板用基材１１を用いて形成されるので、伝送損失を低減できると共に高周波特性を向上することができる。
【０１２５】
当該高周波プリント配線板２１は、誘電体層２の一方の面側が改質処理されているので、シード層の一方の面側にめっきをある程度まで厚く形成することができるため、セミアディティブ法によって容易かつ確実に形成することができる。また、当該高周波プリント配線板２１は、セミアディティブ法によって形成することで、導電パターン２２の断面を所望の形状にしやすい。従って、当該高周波プリント配線板２１は、導電パターン２２の断面積を大きくして伝送特性を向上することができる。
【０１２６】
当該高周波プリント配線板の製造方法は、当該高周波プリント配線板用基材１１を用いるので、伝送損失を低減できると共に高周波特性を向上可能な高周波プリント配線板２１を容易かつ確実に製造することができる。
【０１２７】
当該高周波プリント配線板の製造方法は、セミアディティブ法によって形成するので、導電パターン２２の断面を所望の形状にしやすい。従って、当該高周波プリント配線板の製造方法は、導電パターン２２の断面積を大きくして伝送特性を向上することができる。
【０１２８】
［その他の実施形態］
今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【０１２９】
例えば、上記シード層は、平均厚みが２μｍ以下である限り、焼結体に限定されるものではなく、例えば無電解めっき金属から構成されてもよい。シード層が無電解めっき金属から構成される場合のこの金属としては、例えば銅、ニッケル、アルミニウム、金、銀、パラジウム、クロム又はこれらの合金等が挙げられる。中でも、コストを抑えつつ導通性及び誘電体層との密着性を高めることができる銅又は銅合金が好ましい。上記シード層が無電解めっき金属から構成されることによっても、スパッタリング等の物理的蒸着に必要な高価な真空設備を要することなく、誘電体層の一方の面側にシード層を形成することができる。なお、シード層が無電解めっき金属から構成される場合、このシード層の平均厚み及び他方の面の算術平均粗さＲａとしては、図１のシード層３と同一とすることができる。また、シード層は、焼結体、無電解めっき金属以外に例えば銅箔等から構成されてもよい。
【０１３０】
上記誘電体層は、シード層が積層される側の面のみが改質されていてもよい。また、上記誘電体層は、必ずしも一方の面の全面が改質処理される必要はなく、導電パターンを形成する上で必要な箇所のみ改質処理されていてもよい。
【０１３１】
上記誘電体層は、必ずしもシランカップリング剤によって改質される必要はなく、例えば酸素、窒素、水素、アルゴン、アンモニア等のプラズマガスを誘電体層の表面に噴射することによって改質処理することもできる。このプラズマ処理は、誘電体層表面にプラズマを接触させることにより、誘電体層の外表面のフッ素樹脂をエッチングし、外表面に酸素原子又は窒素原子を付加することで誘電体層の表面を改質するものである。また、このプラズマ処理は、親水基を有する化合物を含む不活性ガスのプラズマを用いて行ってもよい。
【０１３２】
当該高周波プリント配線板用基材は、必ずしもシード層の一方の面側に上記第一めっき層を有しなくてもよい。当該高周波プリント配線板用基材は、例えば上記シード層の一方の面に直接第二めっき層を積層することで導電パターンを形成してもよい。
【０１３３】
当該高周波プリント配線板用基材は、必ずしもフレキシブルプリント配線板の基板として用いられる必要はなく、リジッドプリント配線板の基板として用いられてもよい。また、上記ベース層は、必ずしも上記誘電体層の他方の面の全面に積層される必要はなく、エッチング処理等によって適宜導電パターンが形成されてもよい。
【０１３４】
当該高周波プリント配線板用基材は、必ずしも誘電体層の他方の面にベース層を備える必要はない。当該高周波プリント配線板用基材は、例えば高周波プリント配線板の任意の製造過程においてベース層を積層してもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１３５】
以上のように、本発明の高周波プリント配線板用基材及び高周波プリント配線板は、伝送損失を低減できると共に、表皮効果による損失を抑制して高周波特性を向上することができ、高周波を用いた通信機器等に好適に用いられる。また、本発明の高周波プリント配線板用基材の製造方法及び高周波プリント配線板の製造方法は、高周波を用いた通信機器等に適した高周波プリント配線板用基材及び高周波プリント配線板を製造するのに適している。
【符号の説明】
【０１３６】
１、１１  高周波プリント配線板用基材
２  誘電体層
２ａ  フッ素樹脂フィルム
３  シード層
４  ベース層
５ａ、５ｂ  改質層
１２  第一めっき層
２１  高周波プリント配線板
２２  導電パターン
２３  第二めっき層
Ｙ  レジストパターン
【図１】
0006665990.tif 000003
【図２Ａ】
0006665990.tif 000004
【図２Ｂ】
0006665990.tif 000005
【図２Ｃ】
0006665990.tif 000006
【図３】
0006665990.tif 000007
【図４】
0006665990.tif 000008
【図５Ａ】
0006665990.tif 000009
【図５Ｂ】
0006665990.tif 000010
【図５Ｃ】
0006665990.tif 000011