(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一つ以上のＰ−真性−Ｎ（ＰＩＮ）ダイオードを駆動する方法であって、
入力を受け取るステップと、
前記入力に基づいて複数のパルスを生成するステップであって、前記複数のパルスの第１のパルスはＲＦインタフェースにより生成されるＲＦエンベロープの立上がり時間を制御し、前記複数のパルスの第２のパルスは前記ＲＦインタフェースにより生成されるＲＦエンベロープの立下がり時間を制御し、前記複数のパルスの第３のパルスは前記ＲＦエンベロープのパルス幅を制御するものである、複数のパルスを生成するステップと、
駆動信号を生成するように前記複数のパルスを組み合わせるステップと、
前記一つ以上のＰＩＮダイオードを含む前記ＲＦインタフェースへ前記駆動信号を送るステップと、
前記駆動信号で前記一つ以上のＰＩＮダイオードを駆動することによって、前記ＲＦエンベロープを生成するステップと、
を含み、前記第１のパルスの振幅またはパルス幅の少なくとも一つは、前記第２のパルスの振幅またはパルス幅から独立的に調節可能である、
方法。
【請求項２】
ＲＦエンベロープを生成するために一つ以上のＰ−真性−Ｎ（ＰＩＮ）ダイオードを駆動する無線周波数（ＲＦ）変調器デバイスであって、
入力を受け取り、前記入力に基づいて複数のパルスを生成するように構成される第１の回路であって、前記複数のパルスの第１のパルスは前記ＲＦエンベロープの立上がり時間を制御し、前記複数のパルスの第２のパルスは前記ＲＦエンベロープの立下がり時間を制御し、前記第１のパルスの振幅またはパルス幅の少なくとも１つは、前記第２のパルスの振幅またはパルス幅から独立的に調節可能であり、前記複数のパルスの第３のパルスは前記一つ以上のＰＩＮダイオードにより生成される前記ＲＦエンベロープのパルス幅を制御する、第１の回路と、
前記複数のパルスを受け取り、組み合わせて、駆動信号を生成するように構成される第２の回路と、
前記一つ以上のＰＩＮダイオードを包含している第３の回路と
を含み、前記第２の回路は前記第３の回路に包含される前記一つ以上のＰＩＮダイオードを駆動するために駆動信号を送り、前記一つ以上のＰＩＮダイオードは前記ＲＦエンベロープを生成する、
ＲＦ変調器デバイス。
【請求項３】
請求項２に記載のＲＦ変調器デバイスであって、前記第３のパルスの振幅またはパルス幅の少なくとも１つは独立的に調整可能である、ＲＦ変調器デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本開示は、Ｐ−真性−Ｎ（ＰＩＮ）ダイオードを有するＲＦ変調器に関連する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  Ｐ−真性−Ｎダイオード（ＰＩＮ）ダイオードは、典型的ＰＮダイオードのＰ型半導体とＮ型半導体との領域の間に真性半導体領域を含む。真性領域は、ＰＩＮダイオードを高速スイッチングに適するようにするので、真性領域は通常のＰＮダイオードとは異なる。ＰＩＮダイオードの真性領域は、「Ｐ」および「Ｎ」領域から注入された電荷キャリアを受け取ることにより動作するものであり、ＰＩＮの真性領域が平衡に到達した後（すなわち、真性領域において電子の数がホールの数と等しいとき）、ＰＩＮダイオードは電流を伝導する。他のアプリケーションの中でも、ＰＩＮダイオードは、無線周波数（ＲＦ）スイッチ、減衰器および光検出器として一般に作用される。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
[0003]  一般に、この開示のさまざまな例は、ＰＩＮダイオード・ベースのＲＦ振幅変調器にのための多段駆動信号に向けたものでる。この開示のさまざまな例は、ＲＦパルスの立上がり時間、立下がり時間、および幅の独立的調節を可能にする。この開示のさまざまな例はまた、立上がり及び立下がりの時間の仕様へ到達する能力を、望まれるＲＦパルスの他の仕様とともに、強化することもできる。
【０００４】
[0004]  ある例では、開示は、一つ以上のＰ−真性−Ｎ（ＰＩＮ）ダイオードを駆動することに向けたものであり、
入力を受け取り、
入力に基づいて複数のパルスを生成し、複数のパルスの第１のパルスはＲＦインタフェースにより生成されるＲＦエンベロープの立上がり時間を制御し、複数のパルスの第２のパルスはＲＦインタフェースにより生成されるＲＦエンベロープの立下がり時間を制御し、
駆動信号を生成するために複数のパルスを組み合わせ、
一つ以上のＰＩＮダイオードを含むＲＦインタフェースへ駆動信号を送り、
駆動信号を用いて一つ以上のＰＩＮダイオードを駆動することによりＲＦエンベロープを生成する
ものであり、第１のパルスの振幅またはパルス幅の少なくとも一つは、第２のパルスの振幅またはパルス幅から、独立して調節可能である。
【０００５】
[0005]  更に別の例は、ＲＦエンベロープを生成するために一つ以上のＰ―真性―Ｎ（ＰＩＮ）ダイオードを駆動するＲＦ変調デバイスに向けたものであり、ＲＦ変調デバイスは、入力を受受け取り、入力に基づいて複数のパルスを生成するように構成される第１の回路を含み、複数のパルスの第１のパルスは、ＲＦインタフェースにより生成されるＲＦエンベロープの立上がり時間を制御し、複数のパルスの第２のパルスは、ＲＦインタフェースにより生成されるＲＦエンベロープの立下がり時間を制御し、第１のパルスの振幅またはパルス幅の少なくとも１つは、第２のパルスの振幅またはパルス幅から、独立的に調節可能である。ＲＦ変調デバイスは更に、駆動信号を生成するために、複数のパルスを受信して組み合わせるように構成される第２の回路を含む。ＲＦ変調デバイスは更に、一つ以上のＰＩＮダイオードを含む第３の回路を含み、第２の回路が、一つ以上のＰＩＮダイオードを駆動するために駆動信号を送り、一つ以上のＰＩＮダイオードが、ＲＦエンベロープを生成する。
【０００６】
[0006]  本開示の一つ以上の例の詳細は、添付の図面および下記の説明において述べられる。本開示の他の特徴、目的、および利点は、説明および図面から、そして特許請求の範囲から、明らかとなる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】[0007]  図１は、多段パルス生成モジュール、駆動信号モジュール、ＲＦインタフェース、および入力を含むＲＦパルス変調器を例示しているブロック図である。
【図２Ａ】[0008]  図２Ａは、多段パルス生成モジュールの例を示している回路図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、多段パルス生成モジュールの例を示している回路図である。
【図３】[0009]  図３は、電荷キャリアがＰおよびＮの半導体領域へ、およびそれらの半導体領域どれだけ速く移動するかを制御するために、ダイオード（１または複数）の電流を設定するパルスの重畳を含む、理想的な駆動信号の例を示している概念図である。
【図４】[0010]  図４は、駆動信号、反転駆動信号、ＲＦエンベロープ、および入力の例を示している概念図である。
【図５Ａ】[0011]  図５Ａは、多段パルス生成モジュールにより生成される複数のパルスからの例示的なパルスを示している概念図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、多段パルス生成モジュールにより生成される複数のパルスからの例示的なパルスを示している概念図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、多段パルス生成モジュールにより生成される複数のパルスからの例示的なパルスを示している概念図である。
【図５Ｄ】図５Ｄは、多段パルス生成モジュールにより生成される複数のパルスからの例示的なパルスを示している概念図である。
【図５Ｅ】図５Ｅは、多段パルス生成モジュールにより生成される複数のパルスからの例示的なパルスを示している概念図である。
【図５Ｆ】図５Ｆは、多段パルス生成モジュールにより生成される複数のパルスからの例示的なパルスを示している概念図である。
【図５Ｇ】図５Ｇは、多段パルス生成モジュールにより生成される複数のパルスからの例示的なパルスを示している概念図である。
【図６】[0012]  図６は、駆動信号モジュールの例を示している回路図である。
【図７】[0013]  図７は、ＲＦ変調器のＲＦエンベロープの仕様の例を示している図である。
【図８】[0014]  図８は、ＲＦエンベロープを生成するためにＰＩＮダイオードを駆動するための駆動信号を生成する例示のプロセスを示しているフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[0015]  多くのパルス変調器で使用されるＰＩＮダイオードは、それらの特性におけるかなりの固有のロットとロットの間での及び温度に依存する変動がある。ＰＩＮダイオードを用いるパルス変調器がロット・コードおよび温度の全体にわたって一貫性をもって動くことを確実にするために、これらのダイオードの変動を追跡するために、制御信号を変化させなければならない。例えば、いくつかの空中衝突防止システム（ＴＣＡＳ）などのような幾つかの応用において、ＲＦ変調器の立上がり時間、立下がり時間、パルス幅、パルス遅延、およびオン／オフのアイソレーションは、比較的厳しい仕様を満たさなければならない。一貫してこれらの仕様に適合させるために、ＰＩＮダイオードに対する制御信号は、自動または手動の手順により調整される。問題は、現在のタイプの駆動信号が同時にこれらのパラメータの全てを調整する（すなわち、ＲＦパルスのエンベロープが所与の立上がり時間を満たすように駆動信号が調整されると、立下がり時間およびパルス幅も変わってしまう）ということである。これは仕様を目標とすることを難しくし、一般には、ＰＩＮダイオードをそれらの最適値にするのではなく、それぞれの仕様をトレードオフさせる結果となる。
【０００９】
[0016]  ＰＩＮダイオードは、製造、幾何学的形状、および半導体のドーピングからの変動を含む。これらの変動のため、制御（すなわち、駆動）信号は、何れの２つのＰＩＮダイオードとも、完全に同じ形で相互作用しない。一般に、無線周波数（ＲＦ）変調器のＰＩＮダイオードに対する駆動信号は、ガウシアン、台形、または矩形のパルス形状を有する。駆動信号の立上がりおよび立下がり時間、振幅、パルス遅延、および／またはＤＣオフセットは、製造および温度関連の変動により生じる異なるＰＩＮダイオード特性を補償するように、調整される。しかしながら、駆動信号の立上がりおよび立下がり時間、振幅、および／またはＤＣオフセットに対して行われる調節は、互いに依存しており、独立して制御および／または調節されることができない。
【００１０】
[0017]  一般に、ＲＦ変調器のＲＦインタフェースは、ＲＦインタフェースのＰＩＮダイオードの直列制御および短絡制御を使用するように構築できる。いくつかの例において、直列制御は、直列の及びＲＦ信号の経路のＰＩＮダイオード（１以上）を制御するために用いることができる。他の例において、短絡制御は、直列のＰＩＮダイオード（１以上）の後で接地に接続されるＰＩＮダイオード（１以上）を制御するために用いることができ、また、ＲＦ信号を、ＲＦ信号の経路のＰＩＮダイオード（１以上）によるいかなる漏れからも分離するために用いることができる。製造からの変動に対して調整を行うために、直列および短絡制御のＤＣオフセットを変えることは、ＰＩＮダイオード（１以上）の立上がりおよび立下がり時間を設定する。ＤＣオフセットを増加させると、より急速にＰＩＮダイオードをオンにし（すなわち、立上がり時間を減少させる）、よりゆっくりとＰＩＮダイオードをオフにする（すなわち、立下がり時間を増加させる）。反対に、ＤＣオフセットを減少させると、よりゆっくりとＰＩＮダイオードをオンにし（すなわち、立上がり時間を増加させる）、より急速にＰＩＮダイオードをオフにする（すなわち、立下がり時間を減少させる）。このように、立上がり時間と立下がり時間とは互いに依存しており、ＤＣオフセットを変えることは、ＰＩＮダイオードが完全に「オン」か「オフ」かにかかわらず、アイソレーションまたは挿入の損失の量も変える。アイソレーションにより、直列および短絡の制御信後側にひずみを生じさせ得る。
【００１１】
[0018]  この開示は、駆動信号信号のサブセクションを変化させる手段を提供し、それは、立上がり時間と立下がり時間との間の依存性を取り除くことができる。空中衝突防止システムなどのような、ＲＦ伝送の応用に関して一貫して立上がり時間および立下がり時間の仕様を一貫して満たすために、駆動信号のサブセクションを、各パルスの振幅および／またはパルス幅を独立して調節することにより、変化させる。駆動信号のサブセクションを変化させることは、製造プロセス、幾何学的形状、および半導体のドーピングからのＰＩＮダイオードにおける変動による影響を低減させることもできる。駆動（すなわち、「制御」）信号の各サブセクションは、ＰＩＮダイオード（１以上）に適用するそれ自体の機能を有しており、駆動信号全体を作るために組み合わされる。
【００１２】
[0019]  ＰＩＮダイオード・パルス変調器を駆動するためにパルスを組み合わせることにより、駆動信号を生成するために「重畳（ｓｕｐｅｒｐｏｓｉｔｉｏｎｅｄ）させた」複数のパルスを使用するプロセスの一つの潜在的利点は、駆動信号が、望ましいＲＦエンベロープ（ガウシアン、台形、矩形など）のように見えるように設計されず、むしろ、ＲＦエンベロープの形状を制御するようにＰＩＮダイオード（１以上）の真性領域へ電荷キャリアが移る及び去るレートを調節することに焦点を合わせるということである。
【００１３】
[0020]  図１は、マルチ・ステップ（多段）パルス生成モジュール４と、駆動信号モジュール６と、ＲＦインタフェース８と、入力１０とを含むＲＦパルス変調器２を例示するブロック図である。図１の例において、望ましい立上がり時間および望ましい立下がり時間に基づいて、多段パルス生成モジュール４などのように第１の回路は、以下で説明する入力１０などのような入力を受けて複数のパルスを生成し、複数のパルスは、駆動信号モジュール６などのような第２の回路へ送られ、ＲＦインターフェース回路８などのような第３の回路を駆動するために必要な電流ソース／シンク能力を持つ駆動信号全体をバッファするものであり、ＲＦインターフェース回路８は、ＲＦ伝送および／またはＲＦパルスを生成するために用いる少なくとも一つのＰＩＮダイオードを含む。この開示において、第１の回路、第２の回路、および第３の回路という用語は、異なる回路機能を説明することを意図しており、必ずしも個別の回路であるということは意図していない。幾つかの場合において、第１、第２、および、第３の回路は個別の回路に対応し得るが、いくつかの実装では、第１、第２、および第３の回路が高密度にまたは部分的に集積され得ることも考えられる。
【００１４】
[0021]  ＲＦパルス変調器２において、多段パルス生成モジュール４は、入力１０を受けて、入力１０に基づいて複数のパルスを生成する。駆動信号モジュール６は、複数のパルスを受け取って組み合わせて、駆動信号を生成する。駆動信号モジュール６は駆動信号をＲＦインタフェース・モジュール８へ渡し、ＲＦインタフェース・モジュール８は一つ以上のＰＩＮダイオードを含む。ＲＦインタフェース８は、一つ以上のＰＩＮダイオードを駆動信号で駆動することによって、ＲＦエンベロープを生成する。複数のパルスのうちの第１のパルスは、ＲＦインタフェース・モジュール８により生成されるＲＦエンベロープの立上がり時間を制御でき、複数のパルスのうちの第２のパルスは、インタフェース・モジュール８により生成されるＲＦのエンベロープの立下がり時間を制御できる。第１のパルスと第２のパルスとの振幅とパルス幅との少なくとも１つは、独立的に調節可能（すなわち、チューン可能）である。
【００１５】
[0022]  多段生成モジュール４は、互いに独立した望ましい立上がり時間と望ましい立下がり時間とを作るための複数のパルスを生成する、アナログ・コンポーネントおよび／またはデジタル・コンポーネントを含むことができる。ある例では、後に図２Ａおよび２Ｂで説明するように、多段パルス生成モジュール４は、インバータ、ＡＮＤゲートおよびＮＯＲゲートなどのような個別のデジタル論理コンポーネントとともに、抵抗器、ポテンショメータ、サーミスタ、コンデンサ、および演算増幅器などのようなアナログ・コンポーネントを含み得る。いくつかの例において、デジタル・コンポーネントは、アナログ・デジタル変換器やプログラマブル論理デバイスを含み得る。
【００１６】
[0023]  いくつかの例において、多段パルス生成モジュール４は、２つのパルスを生成し、それらは、ＲＦパルス（すなわち、図４に記載のＲＦエンベロープ６２などのようなＲＦエンベロープ）の立上がり時間を制御する第１のパルスと、ＲＦパルスの立下がり時間を表す第２のパルスとである。いくつかの例において、多段パルス生成モジュール４により生成される２つのパルスは、ＲＦエンベロープの望ましい立上がり時間および望ましい立下がり時間を達成するために、多段パルス生成モジュール４のアナログ回路および／またはデジタル・コンポーネントにより振幅および／または幅を調節（すなわち、「チューン」）することができる。いくつかの例において、第１のパルスは第２のパルスから独立させることができ、第１のパルスについての振幅と幅とのそれぞれを、第２のパルスの振幅および幅から分離して独立的に調節することができる。第１のパルスおよび第２のパルスが複数の更なるパルスを含むことができると考えられる。この開示において用いられている第１のパルス、第２のパルスなどの用語は、異なるパルスを区別することを目的としており、パルス間での又は他のパルスとの順序的または時間的な関係を必ずしも意味するものではない。
【００１７】
[0024]  いくつかの例において、マルチ・ステップ・パルス生成モジュール４は、望ましい立上がり時間および望ましい立下がり時間を表す第１のパルスおよび第２のパルスに加えて、複数のオプションのパルスを生成することもできる。いくつかの例において、複数のオプションのパルスは、第１および第２のパルスが独立的に調節可能であるのと同様に、独立的に調節可能とすることができる。例えば、多段パルス生成モジュール４は、望ましい立上がり時間および望ましい立下がり時間のためのパルスを生成することに加えて、ＲＦパルスの望ましいオン時間（例えば、駆動信号の望ましいパルス幅）を達成するための他のパルスを生成することができ、生成された望ましいオン時間パルスもまた、多段パルス生成モジュール４のアナログ回路および／またはデジタル・コンポーネントにより振幅および／または幅を独立的に調節（例えば、「チューン」）されることができる。他の例では、多段パルス生成モジュール４は、望ましい立上がり時間の生成されたパルスの前の初期パルスを表すウォームアップ・パルスを生成することができ、生成された望ましいウォームアップ・パルスもまた、多段パルス生成モジュール４のアナログ回路および／またはデジタル・コンポーネントにより振幅および／または幅を独立的に調節（例えば、「チューン」）されることができる。いくつかの例において、多段パルス生成モジュール４は、ＰＩＮダイオードが完全にオンであることを確実にするために、ＰＩＮダイオードを流れるピークの電流を駆動するためのオンサージ（on-surge）・パルスを更に生成することができ、生成された望ましいオンサージ・パルスもまた、多段パルス生成モジュール４のアナログ回路および／またはデジタル・コンポーネントにより振幅および／または幅が独立的に調節（例えば「チューン」）され得る。いくつかの例において、多段パルス生成モジュール４は、望ましい立下がり時間を達成するための支援を行うためにＰＩＮダイオードからできるだけ多くの電荷を取り出すためのオフサージ（off-surge）・パルスを生成することもでき、生成された望ましいオフサージ・パルスもまた、多段パルス生成モジュール４のアナログ回路および／またはデジタル・コンポーネントにより振幅および／または幅が独立的に調節（例えば「チューン」）され得る。いくつかの例において、多段パルス生成モジュール４は、ＰＩＮダイオードが完全にオフになって急速にそれらの最大アイソレーション状態になるように、ＰＩＮダイオードから残留する電荷を取り除くためのクールダウン・パルスを生成することもできる。生成された望ましいクールダウン・パルスもまた、多段パルス生成モジュール４のアナログ回路および／またはデジタル・コンポーネントにより振幅および／または幅が独立的に調節（例えば、「チューン」）され得る。この開示では、任意のパルスのいずれもが複数の更なるパルスを含み得ることが、企図される。
【００１８】
[0025]  この開示において用いられている独立的に調節可能とは、複数のパルスの各々の間での相関が著しく少ないということを意味する。いくつかの例において、多段パルス生成モジュール４は、複数のパルス間での相関が最小である複数のパルスを生成するための入力を必要とする別々のデジタル論理コンポーネントを含むことができる。いくつかの例において、多段パルス生成モジュール４は、複数のパルス間での相関が最小である複数のパルスを生成するための入力を必要とするアナログ・デジタル変換器を含むことができる。この開示では、独立的に調節可能ということは、完全に独立していることを意味せず、機能的に独立していることを意味し、１つのパルスを独立的に調節することは別のパルスに影響を及ぼし得るが、その影響は、上記のように、影響を受けたパルスの機能が、影響を及ぼすパルスに応じた影響を受けるというほどではない。
【００１９】
[0026]  駆動信号モジュール６は、多段生成モジュール４から複数のパルスを受け取り、その複数のパルスを組み合わせて駆動信号を生成するアナログ回路および／またはデジタル・コンポーネントを含む。ある例では、後に図２Ａ−２Ｂに記載のように、多段パルス生成モジュール４は、抵抗器、コンデンサ、および演算増幅器などのようなアナログ・コンポーネントを含むことができる。いくつかの例において、駆動信号モジュール６は、反転した駆動信号を生成することもできる。いくつかの例において、駆動信号モジュール６は、ＲＦインタフェース８を駆動する電流要求を満たすために、電流の増加を提供する。いくつかの例において、反転した駆動信号は、ＲＦインタフェース８のＰＩＮダイオードに対する短絡制御であり得る。
【００２０】
[0027]  ＲＦインタフェース・モジュール８は、コンデンサ、インダクタ、および抵抗器などのようなアナログ・コンポーネントとともに、複数のＰＩＮダイオード（すなわち、ＰＩＮダイオード減衰器）を含む。ＲＦインタフェース・モジュール８は、望ましい立上がり時間および望ましい立下がり時間を有するＲＦエンベロープを生成するためにＰＩＮダイオードを「オン」と「オフ」とに駆動するように、駆動信号モジュール６から駆動信号および／または反転駆動信号を受け取ることができる。いくつかの例において、ＲＦエンベロープの立上がり時間は、ＰＩＮダイオードが「オフ」から「オン」になるのにかかる時間である。他の例において、ＲＦエンベロープの立下がり時間は、ＰＩＮダイオードが「オン」から「オフ」になるのにかかる時間とすることができる。いくつかの例において、ＲＦインタフェース・モジュール８は、無反射スイッチまたは減衰器とすることができ、それは、エネルギーを負荷（ほとんどは熱として放散される）に転換することができ、コンポーネントに有害であり得るか又は高い不必要な放射を行うことになり得る高い電圧定在波比（ＶＳＷＲ）を示さない。いくつかの例において、ＲＦインタフェース・モジュール８は、ＲＦバイパスおよびアイソレーション回路エレメントを含むこともできる。
【００２１】
[0028]  多段パルス生成モジュール４の入力１０は、０〜５Ｖの間の相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）の入力信号またはトランジスタ・トランジスタ論理（ＴＴＬ）の入力信号であり得る。いくつかの例において、入力１０は、ＰＩＮダイオード（１以上）をオンにするトリガ入力であり得る。
【００２２】
[0029]  ＲＦインタフェース・モジュール８の出力１１は、望ましいＲＦパルス（例えば、ＲＦエンベロープ）であり得る。いくつかの例において、出力１１は、オンとオフとになるＰＩＮダイオード（１以上）からのＲＦパルスであり得る。
【００２３】
[0030]  図２Ａ−２Ｂは、多段パルス生成モジュール４の例を示す回路図である。図２Ａは、多段パルス生成モジュール４を含む回路の第１の部分を表し、図２Ｂは、多段パルス生成モジュール４を含む回路の第２の部分を表す。図２Ａに示す回路は、接続点Ａ−Ｇで図２Ｂに示す回路に接続し、図２Ａの接続Ａは図２Ｂの接続Ａに接続し、図２Ａの接続Ｂは図２Ｂの接続Ｂに接続し、以下同様である。図２Ａ−２Ｂの例において、インバータ１２Ａ−１２Ｄ、ＡＮＤゲート１６−１６Ｅ、およびＮＯＲゲート１８Ａ−１８Ｂなどのような個別のデジタル論理コンポーネントは、正の電力供給ピン（例えば、Ｖｃｃ）から供給を受け、接地に接続される。いくつかの例において、Ｖｃｃは、５ボルト（Ｖ）または個々の論理ゲートにより使われ得る任意の電圧とすることができる。
【００２４】
[0031]  多段パルス生成モジュール４は、図１に記載の入力１０、インバータ１２Ａ−１２Ｄ、演算増幅器１４Ａ−１４Ｃ、抵抗器Ｒ１−Ｒ２７、ポテンショメータＰ１−Ｐ２、サーミスタＴ１−Ｔ２、コンデンサＣ１−Ｃ２５、ＡＮＤゲート１６Ａ−１６ＥおよびＮＯＲゲート１８Ａ−１８Ｂを含む。
【００２５】
[0032]  ＮＯＴゲートとしても知られているインバータ１２Ａ−１２Ｄは、論理的否定を実装する論理ゲートであり、その入力の逆の論理レベルを表す電圧を出力する。例えば、インバータ１２Ａ−１２Ｄの一つが論理的１または「ハイ」の入力を受信すると、それは論理的０または「ロー」の出力を生成し、インバータ１２Ａ−１２Ｄの一つが、論理的０または「ロー」の入力を受信すると、それは論理的１または「ハイ」の出力を生成する。いくつかの例において、インバータ１２Ａ−１２Ｄは、「ロー」状態か「ハイ」状態かを提供するために入力１０をフィルタリングするために用いることができる。
【００２６】
[0033]  演算増幅器１４Ａ−１４Ｃのそれぞれは、Ｖ＋およびＶ−入力を有し、理想的には、演算増幅器（op-amp）は２つの間の電圧差だけを増幅し、それは差動入力電圧と呼ばれる。演算増幅器１４Ａ−１４Ｃはコンパレータ（例えば、電圧スレッショルド検出器）として働き、５ボルト（Ｖ）のパルスを送出する前に入力がＶ−閾値を横切ったときに、それを検出する。図２Ａの例において、Ｖ−は２Ｖで供給されて、コンデンサＣ４およびＣ５経由で接地に接続され、Ｖｓ＋は６Ｖで供給されて、コンデンサＣ２およびＣ３経由で接地に接続される。他の実施では、Ｖ−およびＶ＋に関し他の電圧を使うことができる。図２Ａの例において、演算増幅器１４ＡのＶ＋は、ＮＯＴゲート１２Ａからの出力を、直列の抵抗器Ｒ１およびＲ２と、抵抗器Ｒ１とＲ２との間にあり接地に接続されたコンデンサＣ１とを介して受け取るものであり、それらは入来する論理パルスを滑らかにするローパス・フィルタとして働く。入力する論理パルスを滑らかにすることにより、コンパレータは遅延回路として働くが、その理由は、コンパレータ回路をトリガーするために必要なスレッショルド電圧を発生させるのにより長くかかるからである。図２Ａの例において、演算増幅器１４ＢのＶ＋は、演算増幅器１４Ａからの出力を、直列の抵抗器Ｒ３およびＲ４と、抵抗器Ｒ３とＲ４との間にあり接地に接続されたコンデンサＣ６とを介して受け取るものであり、それらは、演算増幅器１４Ｂの入力に到達するパルスを滑らかにするローパス・フィルタとして働き、従って、１４Ｂから出て行くパルスは遅延される。いくつかの例において、演算増幅器１４Ａ−１４Ｃは、ハイ入力と比べて、ハイ出力の振幅を増加させることができる。いくつかの例において、演算増幅器１４Ａ−１４Ｃは、ハイ入力と比べて、ハイ出力のパルス幅をシフトする（即ち、「遅延させる」）こともできる。いくつかの例において、ハイ出力のシフトは、多段パルス生成モジュール４が、パルスの複数部分を変化させた複数のパルスを生成するために別々のロジック・コンポーネントを使用することを、可能にする。
【００２７】
[0034]  抵抗器Ｒ１−Ｒ３３は、例えば、回路エレメントとして電気抵抗を実装する受動的な２端子の電気的要素であり得る。抵抗器は、極めて大きい範囲の値にわたって指定および製造されるので、導き出されたミリオーム（１ｍΩ＝１０-３Ω）やキロオーム（１ｋΩ＝１０３Ω）の単位が一般的に用いられる。抵抗器に加えて、例えばサーミスタＴ１−Ｔ２も１つのタイプの抵抗器であり、その抵抗は、抵抗器Ｒ１−Ｒ３３などのような標準の抵抗器と比較して、温度により著しく変化する。サーミスタは、ＰＩＮダイオード切り替え温度の特性として用いられることが可能である。特に、駆動信号は、一貫したＲＦエンベロープを維持するために、温度に基づいて調節されることを必要とと得る。サーミスタＴ１−Ｔ２は、温度にわたってのＰＩＮダイオードの特性を示すことができ、それは、温度にわたっての立上がりパルスおよび立下がりパルスの振幅を調整するために用いることができる。
【００２８】
[0035]  ポテンショメータＰ１−Ｐ２は、例えば、調節可能な分圧器を形成するスライド型接点を有する受動的なアナログの３端子の抵抗器とすることができる。いくつかの例において、ポテンショメータＰ１−Ｐ２はデジタル・ポテンショメータとすることができ、これはアナログ・ポテンショメータの機能を模倣する電子構成部品であり、デジタル入力を通じて２つの端子の間の抵抗を調整することなどを行える。後に詳しく述べるように、ＲＦインタフェース８などのようなＲＦインタフェースの一つ以上のＰＩＮダイオードにより生成されるＲＦエンベロープの立上がり時間および立下がり時間は、Ｐ１および／またはＰ２の抵抗を変化させることにより、独立的に調整されることができる。いくつかの例において、ＲＦエンベロープの立上がり時間は、ＰＩＮダイオードが「オフ」から「オン」になるのに要する時間であり得る。他の例において、ＲＦエンベロープの立下がり時間は、ＰＩＮダイオードが「オン」から「オフ」になるのに要する時間であり得る。
【００２９】
[0036]  コンデンサＣ１−Ｃ２５は、例えば、静電的に電界のエネルギーを格納するために用いる受動的な２端子の電気的要素であり得る。例えば、一つの一般的な構造は、絶縁フィルムの薄層により分離される金属フォイルを含む。表１−４は、図２Ａおよび２Ｂに示される各種のコンポーネントに関する例示的な値の組を示す。一般に、コンデンサは、高周波数ＲＦ信号をフィルタリングするために用いられる。いくつかの例において、ＲＦ信号は、約１ギガヘルツ（ＧＨｚ）であり得る。図２Ａおよび２Ｂに記載されている例と類似の効果を達成するために、他の値を有する他の各種コンポーネントを同様の様式で用いることが可能であると考えられる。
【００３０】
【表１】
0006629522.tif 000002
【００３１】
表１−図２Ａ及び２Ｂの抵抗の値
【００３２】
【表２】
0006629522.tif 000003
【００３３】
表２−図２Ａ及び２Ｂのコンデンサの値
【００３４】
【表３】
0006629522.tif 000004
【００３５】
表３―図２Ａ及び２Ｂのサーミスタの値
【００３６】
【表４】
0006629522.tif 000005
【００３７】
表４−図２Ａ及び２Ｂのポテンショメータの値
[0037]  ＡＮＤゲート１６Ａ−１６Ｅは論理積を実施する基礎的なデジタル論理ゲートであり、ＡＮＤゲートへの両方の入力がＨＩＧＨ（１）である場合のみ、ＨＩＧＨ出力（１）を生じさせる。もし、ＡＮＤゲートへのいずれもの又は一つのみの入力がＨＩＧＨであるならば、ＬＯＷ出力を生じる。別の意味では、ＡＮＤの関数は、２つの２進数字の間での最小のものを効果的に見つける。従って、すべての入力が１である場合を除き、出力は常に０である。
【００３８】
[0038]  ＮＯＲゲート１８Ａ−１８Ｂは論理的ＮＯＲを実施するデジタル論理ゲートであり、ゲートへの両方の入力がＬＯＷ（０）である場合にＨＩＧＨ出力（１）を生じさせる。ＮＯＲゲートの一方または両方の入力がＨＩＧＨ（１）である場合、ＬＯＷ出力（０）を生じさせる。ＮＯＲは、ＯＲ演算子の否定の結果である。ＮＯＲゲートはまた、すべての入力が反転されたＡＮＤゲートとみなすこともできる。
【００３９】
[0039]  図２Ａと図２Ｂとの例の間には７つの接続Ａ−Ｇがあり、それらは、図２Ａの多段生成モジュール４の第１の部分が図２Ｂの多段生成モジュール４の第２の部分に接続する点を表す。上記のように、図２Ａおよび２Ｂは、多段生成モジュール４の２つの異なる部分を表す。多段パルス生成モジュール４は、示されるコンポーネントの数が原因で、２つの別々の図に分けられている。接続Ａ−Ｇは、２つの部分がどのように接続するかを示すことを意図しており、実際の回路コンポーネントを表すものではない。
【００４０】
[0040]  図２Ｂの例において、ウォームアップ回路２２Ａは、接続Ａ−Ｂからの入力を有するＡＮＤゲート１６Ａからの出力を受け取ることができる。ＡＮＤゲート１６Ａは、接続Ａ−Ｂからのハイ及びローの信号を乗算する。図２Ａの例において、接続Ａはインバータ１２Ａからのハイ−ロー出力信号であり、入力１０が反転されたものである。図２Ａの例において、接続Ｂはインバータ１２Ｂから、演算増幅器１４Ａを介し且つインバータ１２Ａを介したハイ−ロー出力信号である。いくつかの例において、接続Ｂのハイ−ロー出力信号は、演算増幅器１４Ａによりシフトされ得る。いくつかの例において、演算増幅器１４Ａによるシフトの量は、ＡＮＤゲート１６Ａによる乗算の後の、ウォームアップ回路２２Ａからのウォームアップ・パルスのパルス幅であり得る。
【００４１】
[0041]  図２Ｂの例において立上がり時間回路２４Ａは、接続Ｃ−Ｄからの入力を有するＡＮＤゲート１６Ｂから、出力を受け取ることができる。ＡＮＤゲート１６Ｂは、接続Ｃ−Ｄからのハイ及びローの信号を乗算する。図２Ａの例において、接続Ｃは、インバータ１２Ａからの、演算増幅器１４Ａを介してのハイ−ロー出力信号である。いくつかの例において、接続Ｃのハイ−ロー出力信号は、演算増幅器１４Ａにりシフトされ得る。図２Ａの例において、接続Ｄは、インバータ１２Ｃからの、演算増幅器１４Ａおよび１４Ｂを介し且つインバータ１２Ｃを介しての、ハイ−ロー出力信号である。いくつかの例において、接続Ｄのハイ−ロー出力信号は、演算増幅器１４Ａ、１４Ｂによりシフトされ得る。いくつかの例において、演算増幅器１４Ａ、１４Ｂによるシフトの量は、ＡＮＤゲート１６Ｂによる乗算の後の、立上がり時間回路２４Ａからの立上がり時間パルスのパルス幅である。いくつかの例において、ＡＮＤゲート１６Ｂからのハイ−ロー出力信号の振幅は、ポテンショメータＰ２により増加させることができる。
【００４２】
[0042]  図２Ｂの例において、オンサージ回路２６Ａは、ＡＮＤゲート１６Ｃ、インバータ１２Ｄ、および接続Ｅ−Ｆからの入力を有するＡＮＤゲート１６Ｄからの出力を受け取ることができる。図２Ａの例において、接続Ｅはインバータ１２Ａからのハイ−ロー出力信号であり、それは入力１０の反転されたものである。図２Ａの例において、接続Ｆは、インバータ１２Ａからの、演算増幅器１４Ａ、１４Ｂを介しての、ハイ−ロー出力信号である。いくつかの例において、接続Ｆのハイ−ロー出力信号は、演算増幅器１４Ａ、１４Ｂによりシフトされ得る。いくつかの例において、ＡＮＤゲート１６Ｃは、インバータ１２ＤとＡＮＤゲート１６Ｄとからのハイ−ロー出力信号を乗算する。インバータ１２Ｄは、ＡＮＤゲート１６Ｄから出力信号を反転させる。ＡＮＤゲート１６Ｄは、接続ＥとＦとからのハイ−ロー信号を乗算する。
【００４３】
[0043]  図２Ｂの例において、オン時間回路２８Ａは、上記のように接続Ｅ−Ｆからの入力を有するＡＮＤゲート１６Ｄから、出力を受け取ることができる。いくつかの例において、接続Ｆのハイ−ロー出力信号は、演算増幅器１４Ａ、１４Ｂによりシフトされ得る。いくつかの例において、演算増幅器１４Ａ、１４Ｂによるシフトの量は、ＡＮＤゲート１６Ｄによる乗算の後の、オン時間回路２８Ａからのオン時間パルスのパルス幅であり得る。
【００４４】
[0044]  図２Ｂの例において、立下がり時間回路３０Ａは、接続ＧおよびＮＯＲゲート１８Ａからの入力を有するＡＮＤゲート１６Ｅから出力を受け取り、ＮＯＲゲート１８Ａは、ＡＮＤゲート１６Ｂ、１６Ｄからのその入力を受け取る。ＡＮＤゲート１６Ｅは、接続ＧとＮＯＲゲート１８Ａとからのハイ及びロー信号を乗算する。図２Ａの例において、接続Ｇは、インバータ１２Ａからの、演算増幅器１４Ａを介し且つ演算増幅器１４Ｃを介しての、ハイ−ロー出力信号である。図２Ａの例において、接続Ｇのハイ−ロー出力信号は、演算増幅器１４Ａ、１４Ｃによりシフトされ得る。図２Ａの例において、ＮＯＲゲート１８Ａからのハイ−ロー出力信号は、ＡＮＤゲート１６Ｂと１６Ｄとのハイ−ロー出力信号の反転加算である。ＡＮＤゲート１６Ｂは、上記の通りに、接続ＣとＤとのハイ−ロー信号を乗算する。ＡＮＤゲート１６Ｃは、上記の通りに、接続ＥとＦとのハイ−ロー信号を乗算する。いくつかの例において、演算増幅器１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃによるシフトの量は、ＡＮＤゲート１６Ｅによる乗算の後の、立下がり時間回路３０Ａからの立下がり時間パルスのパルス幅であり得る。いくつかの例において、ＡＮＤゲート１６Ｅからのハイ−ロー出力信号の振幅は、ポテンショメータＰ１により増加されることができる。
【００４５】
[0045]  図２Ｂの例において、オフサージ／クールダウン回路３２Ａは、ＮＯＲゲート１８Ｂから出力を受け取り、ＡＮＤゲート１６Ｅは、上記のように、接続Ｇからの入力と、ＡＮＤゲート１６Ｂおよび１６Ｄからの入力を有するＮＯＲゲート１８Ａからの入力とを有する。ＡＮＤゲート１６Ｅは、接続ＧとＮＯＲゲート１８Ａとからのハイ及びロー信号を乗算する。図２Ａの例において、接続Ｇは、インバータ１２Ａからの、演算増幅器を介し且つ演算増幅器１４Ｃを介しての、ハイ−ロー出力信号である。図２Ａの例において、接続Ｇのハイ−ロー出力信号は、演算増幅器１４Ａ、１４Ｃによりシフトされ得る。図２Ａの例において、ＮＯＲゲート１８Ａからのハイ−ロー出力信号は、ＡＮＤゲート１６Ｂ、１６Ｄのハイ−ロー出力信号の反転加算である。ＡＮＤゲート１６Ｂは、上記の通りに、接続ＣとＤとのハイ−ロー信号を乗算する。ＡＮＤゲート１６Ｃは、上記の通りに、接続ＥとＦとのハイ−ロー信号を乗算する。いくつかの例において、演算増幅器１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃによるシフトの量は、ＮＯＲゲート１８ＢによるＡＮＤゲート１６Ｅのハイ−ロー出力信号の反転加算の後の、オフサージ／クールダウン回路３２Ａからのオフサージ／クールダウン・パルスのパルス幅であり得る。
【００４６】
[0046]  図２Ｂの一つの例において、立上がり時間回路２４Ａおよび立下がり時間回路３０Ａからの複数のパルスを、出力２０として、信号モジュール６を駆動するために出力できる。図２Ｂのいくつかの例において、ウォームアップ回路２２Ａ、オンサージ回路２６Ａ、オン時間回路２８Ａ、およびオフサージ／クールダウン回路３２Ａなどのようなオプションの回路からの複数のパルスも、出力２０として、信号モジュール６を駆動するために出力することができる。個別の論理コンポーネントが、出力２０の複数のパルスを生成するたように入力１０を操作（すなわち、「重畳」）することが、この開示で企図されている。個別の論理による操作（すなわち、「重畳」）がデジタル／アナログ変換器やプログラムマブル論理デバイスと置き換えられることが可能であることも、この開示で企図されている。
【００４７】
[0047]  図３は、電荷キャリアがＰとＮとの半導体領域へおよび半導体領域からどれだけ迅速に移動するかを制御するための、ダイオード（１以上）の電流をを設定するパルスの重畳を含む理想的な駆動信号４０の例を示す概念図である。図３の例において、組み合わされた理想的な駆動信号４０は、オンとオフとのアイソレーションを変えずに、立上がり時間パルス２４Ｂ、オンサージ・パルス２６Ｂ、オン・パルス２８Ｂ、立下がり時間パルス３０Ｂ、オフサージ・パルス３２Ｂ、およびクールダウン・パルス３２Ｃなどのような、ＲＦエンベロープの正確な制御を提供する。図３の例において、この開示の各パルスは、単一のパルスとすることができる。各パルスがパルスの組み合わせから成ることができることも、この開示の一部で企図されている。加えて、「ハイ」パルスが、電荷キャリアをＰおよびＮの半導体領域から真性領域へと動かすこと、および「ロー」パルスが、電荷キャリアを真性領域からＰおよびＮの半導体領域へ戻すように動かすことも、この開示の一部で企図されている。
【００４８】
[0048]  図３の一例において、理想的な駆動信号４０は、２つのパルスの組み合わせであり得る。立上がり時間パルス２４Ｂなどのような第１のパルスは、ユーザによって、または自動化した手段によって、例えば、図１−２Ｂにて説明した対応する立上がり時間回路２４Ａなどのような制御回路を用いて、独立的に調節可能とすることができるものであり、ＲＦエンベロープの立ち上がり時間を設定する。立下がり時間パルス３２Ｂなどのような第２のパルスは、ユーザによって、または自動化した手段によって、例えば、図１−２Ｂにて説明した対応する立下がり時間回路３０Ａなどのような制御回路を用いて、独立的に調節可能とすることができるものであり、ＲＦエンベロープの立下がり時間を設定する。
【００４９】
[0049]  いくつかの例において、理想的な駆動信号４０は、オン・パルス２８Ｂなどのようなオプションの第３のパルスを有することができ、これは、ユーザによって、または自動化した手段によって、例えば、制御回路を用いて、独立的に調節可能であり得る。例えば、演算増幅器は一以上のパルスを遅延させ、図１−２Ｂにて説明した対応するオン時間回路２８Ａなどのような個別の論理は、一つ以上のパルスを特定のパルス幅になるように操作し、ＲＦエンベロープのパルス幅を設定する。いくつかの例において、理想的な駆動信号は、オンサージ・パルス２６Ｂなどのようなオプションの第４のパルスを有し、これは、ユーザによって、または自動化した手段によって、例えば、図１−２Ｂにて説明した対応するオンサージ回路２６Ａなどのような制御回路を用いて、独立的に制御することができ、ＰＩＮダイオードが完全にオンであることを確実にするために、ＰＩＮダイオードを流れるピーク電流を駆動する。いくつかの例において、理想的な駆動信号４０は、オフサージ・パルス３２Ａなどのようなオプションの第５のパルスを有することができ、これは、ユーザによって、または自動化した手段によって、例えば、図１−２Ｂにて説明した対応するオフサージ／クールダウン回路３２Ａなどのような制御回路を用いて、独立的に調節することができるものであり、短い期間を有し、格納された電荷の一部を引き出すことにより急速に低下するものであり、それにより、Ｒエンベロープの短いパルス幅を実現することができる。いくつかの例において、理想的な駆動信号４０は、クールダウン・パルス３２Ｃなどのようなオプションの第６のパルスを有することができ、それは、ユーザによって、または自動化した手段によって、例えば、対応するオフサージ／クールダウン回路３２Ａなどのような制御回路を用いて、独立的に調節することができるものであり、真性領域から何れの残っている電荷も引き出し、ＰＩＮダイオードが高アイソレーション状態にあることを確実にする。
【００５０】
[0050]  立上がり時間パルス２４Ｂは、駆動信号のシーケンスにおける第１のパルスであり得、ＰＩＮダイオードをターン・オンするように駆動する。いくつかの例において、このパルスの振幅および／またはパルス幅は、ユーザによって、または自動化した手段によって、例えば、図２Ａ−２Ｂにて説明したポテンショメータＰ１−Ｐ２などのようなアナログ回路および／またはデジタル・コンポーネントを用いる制御回路を介して、独立的に調節することができる。立上がり時間パルス２４Ｂの振幅が高いほど、ＰＩＮダイオードへの初期の電流が高くなり、Ｉ領域へのホールおよび電子の注入が速くなり、ダイオードのターン・オンが速くなり、結果として、ＲＦエンベロープに関しての立上がり時間が増加する。
【００５１】
[0051]  オンサージ・パルス２６Ｂは、立上がり時間パルス２４Ｂの直後に来るようにすることができて、後述するように、オン・パルス２８Ｂより高い振幅を有することができる。いくつかの例において、オンサージ・パルス２６Ｂは、追加の電荷を印加することにより「ハイ」パルスとすることができ、ＰＩＮダイオードが完全にオンにされることを確実にする。いくつかの例において、オンサージ・パルス２６Ｂは、ＰＩＮダイオードへの電流の追加のブーストを提供することができ、ホールと電子との完全な再結合を確実なものとする。いくつかの例において、パルスは、オプションであるが、ＲＦエンベロープの段階的な立上がりエッジを除去する。
【００５２】
[0052]  オン・パルス２８Ｂは、図４にて説明したＲＦエンベロープ６２などのようなＲＦエンベロープの望ましいパルス幅を達成するために、要求される狭さまたは広さに、例えば、ユーザによってまたは自動化した手段によって独立的に調節することができる。いくつかの例において、オン・パルス２８Ｂはオプションとすることができる。いくつかの例において、オン・パルス２８Ｂは「ハイ」パルスとすることができ、ＰＩＮダイオードが特定のパルス幅および／または時間の間は完全にターン・オンされることを確実にする。いくつかの例において、オン・パルス２８Ｂの振幅は、例えば、車両交通衝突システム（vehicle traffic collision system）に関してのＲＦ伝送などのような特定の応用に関して、ダイオードを順バイアスに保つように設計されていてもよい。
【００５３】
[0053]  オフサージ・パルス３２Ｂは、オンサージ・パルス２６Ｂと似た機能を有するが、逆に、立下がり時間パルス３０Ｂを支援するためにできるだけ多くの電荷を引き出すように設計されることができ、ＲＦエンベロープのターン・オフ時間を改善する。いくつかの例において、オフサージ・パルス３２Ｂはオプションとすることができる。いくつかの例において、オフサージ・パルス３２Ｂは、ＰＩＮダイオードから電荷を取り除くことによって、「ロー」パルスとすることができる。
【００５４】
[0054]  立下がり時間パルス３０Ｂは、ホールおよび電子がＰＩＮダイオード（１以上）のＩ領域を離れるレートを設定することができる。いくつかの例において、立下がり時間パルス３０Ｂの振幅および／またはパルス幅は、ユーザによって、または自動化した手段によって、例えば、図２Ａ−２Ｂにて説明したポテンショメータＰ１−Ｐ２などのようなアナログ回路またはデジタル・コンポーネント）を用いる制御回路を介して、独立的に調節することができる。立下がり時間パルス３０Ｂの振幅が低いほど、ホールおよび電子はより急速にＩ領域から取り除かれ、より急速にダイオードがターン・オフし、結果としてＲＦエンベロープに関しての立下がり時間が速くなる。かくして、ポテンショメータＰ１の抵抗を増加させることによって、立下がり時間パルス８２の振幅を増加させることができ、これは、ＰＩＮダイオード（１以上）を、より遅くターン・オフにし、ＲＦエンベロープ６２などのようなＲＦエンベロープの立下がり時間を増加させる。いくつかの例において、ポテンショメータＰ１の抵抗を減少させることは、立下がり時間パルス８２の振幅を減少させることになり得、それは、ＰＩＮダイオード（１以上）を、より速くターン・オフにし、ＲＦエンベロープ６２などのようなＲＦエンベロープの立下がり時間を減少させる。
【００５５】
[0055]  クールダウン・パルス３２Ｃは、Ｉ領域でオフのいかなる残留する電荷も取り除くことができ、ＰＩＮダイオードが完全にオフとなることを確実にする。オプションではあるが、クールダウン・パルス３２Ｃは、パルスが完了した直後にＰＩＮダイオード（１以上）のオフのアイソレーションを改善することができる。いくつかの例において、クールダウン・パルス３２Ｃはオプションとすることができる。いくつかの例において、クールダウン・パルス３２Ｃは、いかなる残留する電荷も取り除くことにより「ロー」パルスとすることができ、ＰＩＮダイオードが完全にターン・オフにされることを確実にする。
【００５６】
[0056]  図３に示される複合パルス波形４０の全体は、図１にて説明したＲＦ変調器２の「オフ」アイソレーションを改良するために、負のＤＣオフセット電圧へとバイアスすることができる。この負のオフセットは、ダイオード（１以上）がそれらの任意のアイソレーション状態にあることを確実にするために、ダイオードの「パンチスルー」電圧よりも大きくすべきである。
【００５７】
[0057]  図４は、駆動信号６６、反転駆動信号６８、ＲＦエンベロープ６２、および入力６４の例を示している概念図である。図４の例において、駆動信号６６および反転駆動信号６８は、後に図６で説明する駆動信号モジュール６の出力であり、多段パルス生成モジュール４からの複数のパルスの組み合わせを含む。図４の例において、入力６４はＲＦ変調器２への一つの入力であり得、ＲＦエンベロープ６２はＲＦ変調器２の出力であり得る。
【００５８】
[0058]  駆動信号６６は、ＲＦインタフェース８のＰＩＮダイオード（１以上）に対しての一連の制御を提供するために多段パルス生成モジュール４により生成される複数のパルスの組み合わせに基づくことができる。いくつかの例において、駆動信号６６は、立上がり時間回路２４Ａおよび立下がり時間回路３０Ａを含む出力の組み合わせに基づくことができる。いくつかの例において、駆動信号６６はまた、オン時間回路２８Ａを含む出力の組み合わせに基づくことができる。いくつかの例において、駆動信号６６はまた、ウォームアップ回路２２Ａを含む出力の組み合わせに基づくことができる。いくつかの例において、駆動信号６６はまた、オンサージ回路２６Ａを含む出力の組み合わせに基づくことができる。いくつかの例において、駆動信号６６はまた、オフサージ／クールダウン回路３２Ａを含む出力の組み合わせに基づくことができる。反転駆動信号６８は、駆動信号６６を反転したものであり、ＲＦインタフェース８のＰＩＮダイオード（１以上）への短絡制御を提供する。ＲＦエンベロープ６２は、ＰＩＮダイオード（図示せず）により生成されるＲＦエンベロープを表し、それは、図１にて説明した出力１１でのＲＦエンベロープに対応し得る。いくつかの例において、ＲＦエンベロープ６２は、駆動信号６６および反転駆動信号６８が原因で生成されたＲＦエンベロープを表す。入力６４は、ＲＦ変調器２へ提供され、多段パルス生成モジュール４により受け取られる入力電圧を表す。
【００５９】
[0059]  図５Ａ−５Ｇは、多段パルス生成モジュール４により生成される複数のパルスからの例示のパルスを示している概念図である。図５Ａ−５Ｇの各図は、図４にて説明した駆動信号６６、ＲＦエンベロープ６２、および入力６４を含み、図５Ａ−５Ｇの複数のパルスからの各パルスに対してのコンテキストを提供する。更に、図５Ａ−５Ｇのそれぞれは、駆動信号６６のそれぞれのセクションを含む。セクション２２−３２は駆動信号６６の各セクションを例示するために提供されており、それは、図２Ｂにて説明した回路２２Ａ−３２Ａにより生成される出力７２−８２の組み合わせから成る信号である。いくつかの例において、セクション２２−３２は、出力７２−８２からのそれぞれの出力から成ることができる。いくつかの例において、セクション２２−３２は、出力７２−８２からの一つ以上の出力（すなわち、回路２２Ａ−３２Ａからの出力は特定のセクションで重なり得る）から成ることができる。例えば、図５Ｆの駆動信号６６のセクション３０は、回路２２Ａ−３２Ａからの一つより多い出力の組み合わせから成る。図５Ｆの例において、セクション３０は、回路３０Ａ（例えば、出力８２）および回路３２Ａ（例えば、図５Ｅおよび５Ｇに示す出力８０の一部）からの出力の組み合わせから成ることができる。換言すれば、セクション３０は、回路３０Ａの出力８２と、図５Ｅおよび５Ｇにて説明したセクション３２に関する回路３２Ａの出力８０における部分（例えば、８０Ａおよび８０Ｂ）となどのような、重なる出力の組み合わせから成ることができる。
【００６０】
[0060]  図５Ａの例において、ウォームアップ・パルス７２は、図１にて説明したウォームアップ・パルスを表し得るものであり、固定のパルス幅でとすることができる。ウォームアップ・パルス７２は、図２Ａ−２Ｂにて説明した多段パルス生成モジュール４のウォームアップ回路２２Ａにより生成される。いくつかの例において、ウォームアップ・パルス７２のパルス幅および／または振幅は、ユーザによって、または自動化した手段によって、例えば、立上がり時間回路２４Ａを調節することにより、独立的に調節することができる。いくつかの例において、ウォームアップ・パルス７２は、「ハイ・パルス」とすることができる。
【００６１】
[0061]  図５Ｂの例において、立上がり時間パルス７４は、図１および３にて説明した立上がり時間パルス２４Ｂ（すなわち、「立上がり時間」）などのような立上がり時間に対応するものであり得、固定のパルス幅とすることができる。立上がり時間パルス７４は、図２Ａ−２Ｂにて説明した多段パルス生成モジュール４の立上がり時間回路２４Ａにより生成される。図５Ａの例において、立上がり時間パルス７４の振幅は、ユーザによって、または自動化した手段によって、図２Ａ−２Ｂにて説明した多段パルス生成モジュール４の立上がり時間回路２４ＡのポテンショメータＰ２を調節することにより、独立的に調節（すなわち、「チューン」）することができる。いくつかの例において、ポテンショメータＰ２の抵抗を増加させることは、立上がり時間パルス２４Ｂの振幅を増加させ、それは、ＰＩＮダイオード（１以上）をより速くターン・オンし、ＲＦエンベロープ６２などのようなＲＦエンベロープの立上がり時間を減少させる。いくつかの例において、ポテンショメータＰ２の抵抗を減少させることは、立上がり時間パルス２４Ｂの振幅を減少させ、それは、ＰＩＮダイオード（１以上）をより遅くターン・オンし、ＲＦエンベロープ６２などのようなＲＦエンベロープの立上がり時間を増加させる。いくつかの例において、立上がり時間パルス７４のパルス幅および／または振幅は、ユーザによって、または自動化した手段によって、例えば、立上がり時間回路２４Ａを調節することにより、独立的に調節（すなわち、「チューン」）することができる。
【００６２】
[0062]  図５Ｃの例において、オンサージ・パルス７６は、図１および３にて説明したオンサージ・パルス２６Ｂ（すなわち、「オン・アイソレーション」）などのようなオンサージ・パルスに対応するものであり得、固定のパルス幅とすることができる。オンサージ・パルス７６は、図２Ａ−２Ｂにて説明した多段パルス生成モジュール４のオンサージ回路２６Ａにより生成される。いくつかの例において、オンサージ・パルス７６は、すべてのホールと電子とが結合したことを保証する。いくつかの例において、オンサージ・パルス７６の振幅は、ユーザによって、または自動化した手段によって、例えば、オンサージ回路２６Ａを調節することにより、独立的に調節（すなわち、「チューン」）することができる。いくつかの例において、オンサージ・パルス７６のパルス幅および／または振幅は、ユーザによって、または自動化した手段によって、例えば、オンサージ回路２６Ａを調節することにより、独立的に調節（すなわち、「チューン」）することができる。いくつかの例において、オンサージ・パルス７６は、「ハイ」パルスとすることができる。
【００６３】
[0063]  図５Ｄの例において、オン・パルス７８は、図１および３にて説明したオン・パルス２８Ｂ（すなわち、「パルス幅」）などのようなオン・パルスに対応し得る。オン・パルス７８は、図２Ａ−２Ｂにて説明した多段パルス生成モジュール４のオン時間回路２８Ａにより生成される。図５Ｄの例において、オンサージ・パルス７６のパルス幅は、ＰＩＮダイオード（１以上）の望まれるオン時間に応じて、必要な長さ、例えば、２００ナノ秒と２ミリ秒（ｍｓ）とに等しく、または、それらの間の長さに調節されることができる。いくつかの例において、オン・パルス７８の振幅は、ユーザによって、または自動化した手段によって、例えば、オン時間回路２８Ａを調節することにより、独立的に調節（すなわち、「チューン」）することができる。いくつかの例において、オン・パルス７８は、「ハイ」パルスとすることができる。
【００６４】
[0064]  図５Ｅの例において、オフサージ・パルス８０Ａは、オフサージ／クールダウン・パルス８０の一部であり、図１および３にて説明したオフサージ・パルス３２Ｂ（すなわち、「オフ・アイソレーション」）などのようなオフサージ・パルスに対応するものであり得、固定のパルス幅とすることができる。オフサージ・パルス８０Ａは、図２Ａ−２Ｂにて説明した多段パルス生成モジュール４のオフサージ／クールダウン回路３２Ａにより生成されるオフサージ／クールダウン・パルス８０の一部である。いくつかの例において、オフサージ・パルス８０Ａは、ＰＩＮダイオード（１以上）の真性領域から、電荷の幾らかを急速に取り除く。いくつかの例において、オフサージ・パルス８０Ａのパルス幅および／または振幅は、ユーザによって、または自動化した手段によって、例えば、オフサージ／クールダウン回路３２Ａを調節することにより、独立的に調節（すなわち、「チューン」）することができる。いくつかの例において、オフサージパルス８０Ａは、「ロー」パルスとすることができる。
【００６５】
[0065]  図５Ｆの例において、立下がり時間パルス８２は、図１および３にて説明した立下がり時間パルス３０Ｂ（すなわち、「立下がり時間」）などのような立下がり時間パルスに対応するものであり得、固定のパルス幅とすることができる。立下がり時間パルス８２は、図２Ａ−２Ｂにて説明した多段パルス生成モジュール４の立下がり時間回路３０Ａにより生成される。図５Ｄの例において、立下がり時間パルス８２の振幅は、ユーザによって、または自動化した手段によって、例えば、図２Ａ−２Ｂにて説明した多段パルス生成モジュール４の立下がり時間回路３０ＡのポテンショメータＰ１を調節することにより、独立的に調節（すなわち、「チューン」）することができる。いくつかの例において、立下がり時間パルス８２のパルス幅は、ユーザによって、または自動化した手段によって、例えば、立下がり時間回路３０Ａを調節することにより、独立的に調節することができる。いくつかの例において、ポテンショメータＰ１の抵抗を増加させることは、立下がり時間パルス８２の振幅を増加させ得、それは、ＰＩＮダイオード（１以上）を、よりゆっくりとターン・オフし、ＲＦエンベロープ６２などのようなＲＦエンベロープの立下がり時間を増加させる。いくつかの例において、ポテンショメータＰ１の抵抗を減少させることは、立下がり時間パルス８２の振幅を減少させ得、それは、ＰＩＮダイオード（１以上）を、より急速にターン・オフし、ＲＦエンベロープ６２などのようなＲＦエンベロープの立ち下がり時間を減少させる。
【００６６】
[0066]  図５Ｇの例において、クールダウン・パルス８０Ｂは、オフサージ／クールダウン・パルス８０の一部であり、図１および３にて説明したクールダウン・パルス３２Ｃ（すなわち、「オフ・アイソレーション」）などのようなクールダウン・パルスに対応するものであり得、固定のパルス幅とすることができる。クールダウン・パルス８０Ｂは、図２Ａ−２Ｂにて説明した多段パルス生成モジュール４のオフサージ／クールダウン回路３２Ａにより生成されるオフサージ／クールダウン・パルス８０の一部である。いくつかの例において、クールダウン・パルス８０Ｂは、ＰＩＮダイオード（１以上）の真性領域から、いかなる残留する電荷も取り除くことができる。いくつかの例において、クールダウン・パルス８０Ｂのパルス幅および／または振幅は、ユーザによって、または自動化した手段によって、例えば、オフサージ／クールダウン回路３２Ａを調節することにより、独立的に調節することができる。いくつかの例において、クールダウン・パルス８０Ｂは、「ロー」パルスであり得る。
【００６７】
[0067]  図６は、駆動信号モジュール６の例を示している回路図である。図６の例において、駆動信号モジュール６は、多段パルス生成モジュール４から複数のパルスを含む出力２０を受け取り、駆動信号を生成するために複数のパルスを組み合わせる。いくつかの例において、駆動信号モジュール６は、駆動信号がＰＩＮダイオードを駆動できるように、電流を増加させることにより駆動信号を増幅する。いくつかの例において、駆動信号モジュール６は、電圧の急激なスパイクを防止して、電圧のより段階的な変化を提供するために、一つ以上の低域通過フィルタを用いて駆動信号をフィルタリングする。図６の例において、多段パルス生成モジュール４からの出力２０は、複数のパルスを含むものであり、駆動信号モジュール６の加算演算増幅器５４Ａへ送られ、その複数のパルスが組み合わされ、電流が増加させられて、図１について述べたようにＲＦインタフェース８のＰＩＮダイオード（１以上）を駆動するようにされる。
【００６８】
[0068]  加算演算増幅器５４Ａ−５４Ｂは、いくつかの重み付けされた電圧を組み合わせるために用いることができる。各々はＶ＋およびＶ−入力を有することができ、抵抗が各電圧に関して同じである一例では、加算演算増幅器は電圧の反転合計を出力する。
【００６９】
[0069]  図６の一つの例において、Ｖ＋は多段パルス生成モジュール４から出力２０を供給され、Ｖｓ＋は６Ｖを供給され、コンデンサＣ２６（Ｃ２７）経由で接地に接続される。図６の例において、加算演算増幅器５４ＡのＶ−は、Ｒ２８とＲ２９との間に接続され、Ｒ２８は接地に接続され、Ｒ２９は加算演算増幅器５４Ａの出力に接続される。図６の例において、加算演算増幅器５４ＡのＶｓ−は、負の電源ピン（すなわち、ＶＥＥ）により出力され、コンデンサＣ２８、Ｃ２９により接地に接続される。
【００７０】
[0070]  図６の例において、加算演算増幅器５４ＢのＶ−は、抵抗器Ｒ３２を介して加算演算増幅器５４Ａから出力を受け取るものであり、抵抗器Ｒ３１に接続しており、抵抗器３１は加算演算増幅器５４Ｂの出力に接続している。図６の例において、加算演算増幅器５４ＢのＶ＋は、加算演算増幅器５４Ｂを反転加算演算増幅器にするように、接地に接続している。図６の例において、加算演算増幅器５４ＡのＶｓ−は、負の電源ピン（すなわち、ＶＥＥ）に接続されるものであり、コンデンサＣ３１、Ｃ３２により接地に接続している。図６の例において、加算演算増幅器５４ＢのＶｓ＋は、６Ｖが供給され、コンデンサＣ３３、Ｃ３４により接地に接続している。いくつかの例において、加算演算増幅器５４Ａ−５４Ｂは、出力２０と比較して、駆動信号６６の電流を増加（すなわち、駆動信号を「バッファ」）させることができる。
【００７１】
[0071]  図６の例において、演算増幅器５４Ａは、非反転加算演算増幅器とすることができ、複数のパルスを組み合わせて、駆動信号６６を生成し、図１および４にて説明したようにＲＦインタフェース８に一連の制御を提供する。図６の例において、演算増幅器５４Ｂは、反転加算演算増幅器とすることができ、複数のパルスを組み合わせて、反転駆動信号６８を生成し、図１および４にて説明したようにＲＦインタフェース８に短絡制御を提供する。いくつかの例において、Ｒ３０およびＣ３０、および／またはＲ３３およびＣ３５は、高周波数ノイズがＲＦインタフェース８へ送られるのを防止するローパス・フィルタであり得る。
【００７２】
【表５】
0006629522.tif 000006
【００７３】
表５−図６の抵抗の値
【００７４】
【表６】
0006629522.tif 000007
【００７５】
表６−図６のコンデンサの値
[0072]  ある例では、加算演算増幅器５４Ａは、多段パルス生成モジュール４から受け取られる複数のパルスを含む出力２０を組み合わせて、図４−５Ｇにて説明した信号６６などのような駆動信号を生成する。他の例では、加算演算増幅器５４Ａはまた、図１にて説明したＲＦインタフェース８のＰＩＮダイオード（１以上）を駆動するために、出力２０の電流レベルを増加させることもできる。いくつかの例では、反転加算演算増幅器５４Ｂなどのような第２の演算増幅器は、駆動信号モジュール６の演算増幅器５４Ａから、生成された駆動信号を受け取り、駆動信号６６を反転させて、図４−５Ｇにて説明した反転駆動信号６８などのような反転駆動信号を生成する。いくつかの例において、駆動信号モジュール６の駆動信号６６は、図１にて説明したように、ＲＦインタフェース８へ届けられる。いくつかの例において、駆動信号モジュール６の反転駆動信号６８は、図１にて説明したように、ＲＦインタフェース８へ届けられる。いくつかの例において、駆動信号モジュール６はまた、出力２０から高周波数ノイズを取り除くためにオプションの低域通過フィルタを含むこともできる。いくつかの例において、ＲＦインタフェース８は、駆動信号６６および反転駆動信号６８を受け取り、図１にて説明した出力１１に対応し得る出力８４で、ＲＦエンベロープ（例えば、図４にて説明したＲＦエンベロープ６２）を生成することができる。
【００７６】
[0073]  図７は、ＲＦ変調器２のＲＦエンベロープ６２に関しての例示の仕様９０を示している図である。図７の例において、図４にて説明したＲＦエンベロープ６２などのようなＲＦ出力の、図３および５Ｂにて説明した立上がり時間パルス２４Ｂ、７４に対応する立上がり時間９２は、５０〜１００ナノ秒（ｎｓ）の間であり得る。図７の例において、ＲＦエンベロープ６２などのようなＲＦ出力の、図３および５Ｆにて説明した立下がり時間パルス３０Ｂ、８２に対応する立下がり時間９４は、５０ナノ秒と２００ナノ秒との間とすることができる。図７の例において、ＲＦエンベロープ６２などのようなＲＦ出力の、図３および５Ｄにて説明したオン・パルス２８Ｂ、７８に対応するパルス幅９６（すなわち、オン・パルス）は、７００ナノ秒と９００ナノ秒との間とすることができる。いくつかの例において、図１にて説明した入力１０と、図４にて説明したＲＦエンベロープ６２などのようなＲＦ出力との間のパルス遅延９８は、１５０ナノ秒以下とすることができる。いくつかの例において、ＲＦエンベロープ６２などのようなＲＦ出力の最大ドループ１００は、プラスマイナス０．５デシベル（ｄＢ）であり得る。いくつかの例において、ＲＦエンベロープ６２などのようなＲＦ出力の、図３および５Ｄにて説明したオン・パルス２８Ｂ、７８に対応する最大パルス幅１０２は、３０マイクロ秒（μｓ）とすることができる。いくつかの例において、図４にて説明したＲＦエンベロープ６２などのようなＲＦ出力の、図３および５Ｄにて説明したオンパルス２８Ｂ、７８に対応する最小パルス幅１０４は、０．４５μｓとすることができる。いくつかの例において、図１にて説明したＲＦ変調器２の温度範囲１０６は、摂氏マイナス５５度と摂氏８５度との間にある。いくつかの例において、図４にて説明したＲＦエンベロープ６２などのようなＲＦ出力の周波数範囲１０８は、１０３０から１０９０メガヘルツ（ＭＨｚ）の間とすることができる。いくつかの例において、この開示の駆動信号は、例えば７５デシベル（ｄＢ）という極めて高いアイソレーションを有することができる。
【００７７】
[0074]  図８は、ＲＦエンベロープを生成するためにＰＩＮダイオードを駆動するために駆動信号を生成する例示的プロセス１２０を示すフロー図である。図８は、図１−３のコンテキストの範囲内で説明される。図８の例において、ＲＦモジュレータ２の多段パルス生成モジュール４は、入力１０（１２２）を受け取り、入力１０に基づいて複数のパルス２４−３２を生成することができ、複数のパルスの第１のパルス２４Ｂは、ＲＦインタフェース８により生成されるＲＦエンベロープの立上がり時間を制御し、複数のパルスの第２のパルス３０Ｂは、ＲＦインタフェース８（１２４）により生成されるＲＦエンベロープの立下がり時間を制御する。図８の例において、ＲＦ変調器２の駆動信号モジュール８は、複数のパルス２４−３２を組み合わせて駆動信号４０（１２６）を生成し、駆動信号４０を、一つ以上のＰＩＮダイオード（１２８）を含むＲＦインタフェース８へ送る。図８の例において、ＲＦ変調器２のＲＦインタフェース８は、駆動信号で一つ以上のＰＩＮダイオードを駆動することによりＲＦエンベロープを生成することができ、第１のパルス２４Ｂの振幅またはパルス幅の少なくとも１つは、第２のパルス３０Ｂの振幅またはパルス幅から独立的に調節可能である。
【００７８】
[0075]  いくつかの例において、複数のパルスは、一つ以上のＰＩＮダイオードによって生成されたＲＦエンベロープのパルス幅を制御するための第３のパルスを含むことができ、第４のパルスの振幅またはパルス幅の少なくとも一つは、独立的に調整可能である。いくつかの例において、第３のパルスは、ＲＦエンベロープのパルス幅を７００−９００ナノ秒（ｎｓ）の間にするように制御することができる。いくつかの例において、複数のパルスの振幅は一つ以上のポテンショメータにより調整されることができ、複数のパルスのパルス幅は一つ以上の演算増幅器により調整されることができる。いくつかの例において、複数のパルスは、一つ以上のＰＩＮダイオードのアイソレーションを制御するための一つ以上のハイ・パルスを更に含むことができ、１以上のハイ・パルスの振幅またはパルス幅の少なくとも一つは独立的に調節可能である。いくつかの例において、複数のパルスは、一つ以上のＰＩＮダイオードのオフ・アイソレーションを制御するための一つ以上のロー・パルスを更に含むことができ、一つ以上のロー・パルスの振幅またはパルス幅の少なくとも一つは独立的に調整可能である。いくつかの例において、複数のパルスを生成することは、アナログ・デジタル変換器により複数のパルスを生成することを含むことができる。いくつかの例において、第１のパルスは、ＲＦエンベロープの立上がり時間を５０−１００ナノ秒（ｎｓ）の間にするように制御することができる。いくつかの例において、第２のパルスは、ＲＦエンベロープの立下がり時間を５０−２００ナノ秒（ｎｓ）の間にするように制御することができる。いくつかの例において、ＲＦエンベロープの周波数は、１０３０−１０９０メガヘルツ（ＭＨｚ）の間とすることができる。いくつかの例において、入力と、ＲＦインタフェースによるＲＦエンベロープの生成との間のパルス遅延は、１５０ナノ秒（ｎｓ）以下とすることができる。
【００７９】
[0076]  一つ以上の例において、記載された機能は、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、またはそれらの任意の組み合わせで実装されることができる。ソフトウェアで実装される場合、機能は、一つ以上の命令またはコードとして、コンピュータ可読媒体に記憶されるか又はそれを介して送られ、ハードウェア・ベースの処理ユニットにより実行されることができる。コンピュータ可読媒体は、コンピュータ可読記憶媒体を含むことができ、それは、データ記憶媒体などのような実体的な媒体や、例えば、通信プロトコルに従ってコンピュータ・プログラムを或る場所から別の場所へ転送することを容易にするいかなる媒体も含む通信媒体に、対応する。このように、コンピュータ可読媒体は、一般に、（１）非一時的である有形のコンピュータ可読記憶媒体、または（２）信号や搬送波などのような通信媒体に、対応し得る。データ記憶媒体は、この開示に記載された技術の実装のために命令、コード、および／またはデータ構造を取り出すために、一つ以上のコンピュータまたは一つ以上のプロセッサによりアクセスされることができる使用可能な任意の媒体とすることができる。コンピュータ・プログラム製品は、コンピュータ可読媒体を含み得る。
【００８０】
[0077]  例えば、かかるコンピュータ可読記憶媒体は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＣＤ−ＲＯＭまたは他の光学的ディスク記憶装置、磁気ディスク・ストレージ、または他の磁気記憶デバイス、フラッシュ・メモリ、または命令またはデータ構造の形で所望のプログラム・コードを記憶すること及びコンピュータによりアクセスされることができる他の任意媒体を含むことができるが、これらには限定されない。また、いかなる接続も、当然、コンピュータ可読媒体と称される。例えば、命令が、同軸ケーブル、光ファイバー・ケーブル、ツイスト・ペア、デジタル加入者回線（ＤＳＬ）、または赤外線、無線、およびマイクロ波などのようなワイヤレス技術を用いて、ウェブサイト、サーバ、または他のリモート・ソースから送られる場合には、同軸ケーブル、光ファイバー・ケーブル、ツイスト・ペア、ＤＳＬ、または赤外線、無線、およびマイクロ波などのようなワイヤレス技術は、媒体の定義に含まれる。しかしながら、コンピュータ可読記憶媒体およびデータ記憶媒体は、接続、搬送波、信号、または他の一時的媒体を含まず、それらは、非一時的な実体的な記憶媒体に関するものであることを、理解すべきである。ここでのディスク（ｄｉｓｋおよびｄｉｓｃ）とは、コンパクト・ディスク（ＣＤ）、レーザー・ディスク（登録商標）、光ディスク、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）、フロッピー（登録商標）ディスク、およびブルーレイ（Ｂｌｕ−ｒａｙ（登録商標））・ディスクを含むものであり、ｄｉｓｋ（ディスク）は通常は磁気的にデータを再生するものであり、ｄｉｓｃ（ディスク）はレーザーを用いて光学的にデータを再生するものである。上記のものの組み合わせも、コンピュータ可読媒体の範囲内に含まれるべきである。
【００８１】
[0078]  命令は、一つ以上のデジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、汎用マイクロプロセッサ、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールド・プログラマブル・ロジック・アレイ（ＦＰＧＡｓ）、または他の等価の集積回路や個別の論理回路などのような、１以上のプロセッサにより実行されることができる。したがって、ここで用いられる「プロセッサ」という用語は、ここで説明した技術の実装に適した前述の構造または他の任意の構造も指すものであり得る。更に、いくつかの態様では、ここで説明した機能は、エンコードおよびデコードするように構成される専用のハードウェアおよび／またはソフトウェア・モジュール内で提供されることができるか、または複合コーデックに組み込むことが可能である。また、これらの技術は、一つ以上の回路または論理エレメントで完全に実装されることができる。
【００８２】
[0079]  この開示の技術は、多種多様なデバイスまたは装置、集積回路（ＩＣ）、または一組のＩＣ（例えば、チップ・セット）で実装されることができる。この開示では、各種のコンポーネント、モジュール、またはユニットは、開示された技術を実行するように構成されるデバイスの機能的な面を強調するように記載されているが、必ずしも異なるハードウェア・ユニットにより実現することを必要とするというわけではない。むしろ、上記のように、適切なソフトウェアおよび／またはファームウェアと関連して、さまざまなユニットは、コーデック・ハードウェア・ユニットにおいて組み合わせることができ、また、上記の一つ以上のプロセッサを含む相互運用ハードウェア・ユニットのコレクションにより提供されることができる。
【００８３】
[0080]  本開示のさまざまな例を記載した。これらおよび他の例は、以下の特許請求の範囲の範囲内にある。
【図１】
0006629522.tif 000008
【図２Ａ】
0006629522.tif 000009
【図２Ｂ】
0006629522.tif 000010
【図３】
0006629522.tif 000011
【図４】
0006629522.tif 000012
【図５Ａ】
0006629522.tif 000013
【図５Ｂ】
0006629522.tif 000014
【図５Ｃ】
0006629522.tif 000015
【図５Ｄ】
0006629522.tif 000016
【図５Ｅ】
0006629522.tif 000017
【図５Ｆ】
0006629522.tif 000018
【図５Ｇ】
0006629522.tif 000019
【図６】
0006629522.tif 000020
【図７】
0006629522.tif 000021
【図８】
0006629522.tif 000022