(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持フィルムと、
前記支持フィルムの片面又は両面上に設けられた接着層と、
を備え、
前記支持フィルムがポリイミドフィルムであり、
前記接着層の厚さが８μｍ未満であり、
ダイパッド及びインナーリードを有するリードフレームの片面側に搭載された半導体素子を封止する封止層を形成する封止成形の間、前記リードフレームの前記半導体素子とは反対側の面を仮保護するために用いられる、仮保護フィルムであって、
当該仮保護フィルムを、前記リードフレームに、前記接着層が前記リードフレームに接するように貼り付け、前記ダイパッドの当該仮保護フィルムとは反対側の面上に半導体素子を搭載し、続いて前記半導体素子、前記リードフレーム及び前記仮保護フィルムを２４０℃で３時間加熱してから、前記接着層と接しながら前記半導体素子を封止する封止層を形成したときに、前記接着層と前記リードフレーム及び前記封止層との間の９０度ピール強度が、１８０℃において６００Ｎ／ｍ以下である、仮保護フィルム。
【請求項２】
前記接着層の厚さが５μｍ未満である、請求項１に記載の仮保護フィルム。
【請求項３】
前記接着層が、
芳香族ポリアミド、芳香族ポリエステル、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリエーテル、芳香族ポリエーテルアミドイミド、芳香族ポリエーテルアミド、芳香族ポリエステルイミド及び芳香族ポリエーテルイミドから選ばれる少なくとも１種の有機ポリマーを含有する、請求項１又は２に記載の仮保護フィルム。
【請求項４】
前記接着層が、
下記式（１）：
【化１】
0006744004.tif 000005
で表され、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３が、それぞれ独立に炭素数１〜３のアルコキシ基、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基を示し、Ｒ４が炭素数１〜１０のアルキレン基を示す、シラン化合物を更に含有する、請求項３に記載の仮保護フィルム。
【請求項５】
前記接着層を、１２０℃で１０分加熱し、その後２４０℃で２０分加熱したときの、２４０℃で２０分の加熱による重量減少の割合が、２４０℃で２０分の加熱の前の前記接着層の重量に対して０．５％未満である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の仮保護フィルム。
【請求項６】
当該仮保護フィルムが非接着層を更に備え、
前記支持フィルムの一方の主面上に前記接着層が設けられ、前記支持フィルムの他方の主面上に前記非接着層が設けられている、
請求項１〜５のいずれか一項に記載の仮保護フィルム。
【請求項７】
巻芯を有するリールと、
前記巻芯に巻き取られた請求項１〜６のいずれか一項に記載の仮保護フィルムと、
を備える、リール体。
【請求項８】
請求項７に記載のリール体と、前記リール体を収容した包装袋と、を備える、包装体。
【請求項９】
前記包装袋に収容された乾燥剤を更に備える、請求項８に記載の包装体。
【請求項１０】
前記包装袋を包む緩衝材を更に備える、請求項８又は９に記載の包装体。
【請求項１１】
請求項８〜１０のいずれか一項に記載の包装体と、前記包装体を収容した梱包箱と、を備える、梱包体。
【請求項１２】
ダイパッド及びインナーリードを有するリードフレームと、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の仮保護フィルムと、
を備え、
前記仮保護フィルムが、その接着層が前記リードフレームの片面に接するように前記リードフレームに貼り付けられている、仮保護体。
【請求項１３】
前記ダイパッドに搭載された半導体素子と、
前記半導体素子と前記インナーリードとを接続するワイヤと、
前記半導体素子及び前記ワイヤを封止している封止層と、
を更に備える、請求項１２に記載の仮保護体。
【請求項１４】
前記リードフレームが、銅又は銅合金を含む金属成形体と、前記金属成形体の表面を被覆する金属被膜とを有する、請求項１２又は１３に記載の仮保護体。
【請求項１５】
ダイパッド及びインナーリードを有するリードフレームの片面に、請求項１〜６のいずれか一項に記載の仮保護フィルムを、その接着層が前記リードフレームに接する向きで貼り付ける工程と、
前記ダイパッドの前記仮保護フィルムとは反対側の面上に半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子と前記インナーリードとを接続するワイヤを設ける工程と、
前記半導体素子及び前記ワイヤを封止する封止層を形成して、前記リードフレーム、前記半導体素子及び前記封止層を有する封止成形体を得る工程と、
前記封止成形体から前記仮保護フィルムを剥離する工程と、
をこの順に備える、半導体装置を製造する方法。
【請求項１６】
前記リードフレームが複数の前記ダイパッドを有し、前記複数のダイパッドのそれぞれに前記半導体素子が搭載され、
当該方法が、前記仮保護フィルムを前記封止成形体から剥離する前又は後に前記封止成形体を分割して、１個の前記ダイパッド及び前記半導体素子を有する半導体装置を得る工程を更に備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記リードフレームが、銅又は銅合金を含む金属成形体と、前記金属成形体の表面を被覆する金属被膜とを有する、請求項１５又は１６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、仮保護フィルム、リール体、包装体、梱包体、仮保護体、及び、半導体装置を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リードフレームに搭載された半導体素子を、リードフレームの片面側で封止する封止層を形成し、半導体素子とは反対側のむき出しのリードフレームを外部接続用に用いる構造の半導体パッケージが採用されることがある（特許文献１及び２）。この半導体パッケージを製造するために封止層を形成する封止成形の間、リードフレームの半導体素子とは反対側の裏面への封止材の回り込みを防ぐために、リードフレームの裏面を、仮保護フィルムを貼り付けることによって仮保護することがある。仮保護フィルムは、通常、封止層を形成した後にリードフレームから剥がされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−１２９４７３号公報
【特許文献２】特開平１０−１２７７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体装置の小型化及び複雑化にともなって、リードフレームの裏面を仮保護する仮保護フィルムを用いた半導体装置の製造において、リードフレームに貼り付けられた仮保護フィルムが、より高温及び長時間の熱履歴を受ける傾向がある。熱履歴が増大すると、仮保護フィルムとリードフレーム等との間の界面におけるボイドの発生、及び、封止成形後の仮保護フィルムの剥離性の不足といった問題が顕在化する傾向がある。ボイドを起点にして封止層がリードフレームに回り込む可能性もある。【０００５】
本発明の一側面は、リードフレームの片面側に搭載された半導体素子を封止する封止層を形成する封止成形の間、リードフレームの半導体素子とは反対側の面を仮保護するために用いられる、仮保護フィルムに関して、封止成形にともなうボイドの発生を抑制するとともに、封止成形後の剥離性を更に改善する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面は、支持フィルムと、前記支持フィルムの片面又は両面上に設けられた接着層と、を備える仮保護フィルムを提供する。本発明の一側面に係る仮保護フィルムは、ダイパッド及びインナーリードを有するリードフレームの片面側に搭載された半導体素子を封止する封止層を形成する封止成形の間、前記リードフレームの前記半導体素子とは反対側の面を仮保護するために用いられる。前記支持フィルムがポリイミドフィルムである。前記接着層の厚さが８μｍ未満である。【０００７】
本発明の更に別の一側面は、筒状の巻取部を有するリールと、前記巻取部に巻き取られた上記仮保護フィルムと、を備える、リール体を提供する。【０００８】
本発明の更に別の一側面は、上記リール体と、前記リール体を収容した包装袋と、を備える、包装体を提供する。【０００９】
本発明の更に別の一側面は、上記包装体と、前記包装体を収容した梱包箱と、を備える、梱包体を提供する。【００１０】
本発明の更に別の一側面は、ダイパッド及びインナーリードを有するリードフレームと、上記仮保護フィルムと、を備える、仮保護体を提供する。前記仮保護フィルムが、その接着層が前記リードフレームの片面に接するように前記リードフレームに貼り付けられている。【００１１】
本発明の更に別の一側面は、半導体装置を製造する方法を提供する。本発明の一側面に係る方法は、ダイパッド及びインナーリードを有するリードフレームの片面に、上記仮保護フィルムを、その接着層が前記リードフレームに接する向きで貼り付ける工程と、前記ダイパッドの前記仮保護フィルムとは反対側の面上に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子と前記インナーリードとを接続するワイヤを設ける工程と、前記半導体素子及び前記ワイヤを封止する封止層を形成して、前記リードフレーム、前記半導体素子及び前記封止層を有する封止成形体を得る工程と、前記封止成形体から前記仮保護フィルムを剥離する工程と、をこの順に備える。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の一側面によれば、リードフレームの片面側に搭載された半導体素子を封止する封止層を形成する封止成形の間、リードフレームの半導体素子とは反対側の面を仮保護するために用いられる、仮保護フィルムに関して、封止成形にともなうボイドの発生を抑制するとともに、封止成形後の剥離性を更に改善することができる。【００１３】
本発明の一側面に係る仮保護フィルムは、封止成形の間のリードフレームに対する良好な接着性、並びに、カールの抑制、リードフレームのそり低減、及び糊残りの抑制の点でも、優れた特性を有することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】仮保護フィルムの一実施形態を示す断面図である。
【図２】仮保護フィルムの一実施形態を示す断面図である。
【図３】リール体の一実施形態を示す斜視図である。
【図４】包装体の一実施形態を示す正面図である。
【図５】梱包体の一実施形態を示す正面図である。
【図６】半導体装置を製造する方法の一実施形態を示す断面図である。
【図７】半導体装置を製造する方法の一実施形態を示す断面図である。
【図８】半導体装置の一実施形態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。本明細書に記載される数値範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。実施例に記載される数値も、数値範囲の上限値又は下限値として用いることができる。
【００１６】
仮保護フィルム
図１は、一実施形態に係る仮保護フィルムを示す断面図である。図１に示す仮保護フィルム１０は、支持フィルム１と、支持フィルム１の片面上に設けられた接着層２と、から構成される。支持フィルム１の両面上に接着層が形成されていてもよい。図２も、一実施形態に係る仮保護フィルムを示す断面図である。図２の仮保護フィルム１０’は、支持フィルム１と、支持フィルム１の一方の主面上に設けられた接着層２と、支持フィルム１の他方の主面上に設けられた、実質的に接着性を有しない樹脂層（非接着層３）とを有する。これらの仮保護フィルムは、リードフレームに搭載された半導体素子を封止する封止層を形成する封止成形の工程において、リードフレームの裏面（半導体素子が搭載される面とは反対側の面）に貼り付けることで、封止成形の間、リードフレームの裏面を仮保護するための仮保護フィルムとして用いることができる。
【００１７】
支持フィルム１は、ポリイミドフィルムであり、特に芳香族ポリイミドフィルムであってもよい。ポリイミドフィルムは、高い耐熱性とともに、接着層２との高い密着性を有する。支持フィルム１と接着層２との密着性が高いと、仮保護フィルム１０をリードフレームから剥離するときに支持フィルム１と接着層２とが剥離し難い。
【００１８】
支持フィルム１のガラス転移温度は、２００℃以上、又は２５０℃以上であってもよく、３００℃以下であってもよい。
【００１９】
支持フィルム１の２０〜２００℃における線膨張係数が、３.０×１０−５／℃以下、２．５×１０−５／℃以下、又は２．０×１０−５／℃以下であってもよい。支持フィルム１の線膨張係数が小さいと、仮保護フィルム１０が貼り付けられたリードフレームの反りが抑制される傾向がある。支持フィルムの２０〜２００℃における線膨張係数は、ＪＩＳ  Ｋ  ７１９７に準じた方法によって、熱機械分析装置（ＴＭＡ)用いて測定される。チャック間距離は１０ｍｍに設定される。
【００２０】
支持フィルム１を２００℃で６０分間加熱したときの収縮率（加熱収縮率）は、０.１５％以下、０．１３％以下、又は０．１０％以下であってもよい。加熱収縮率は、ＪＩＳ  Ｋ  ７１３３に準じて測定することができる。加熱収縮率の測定では、ＣＮＣ画像測定システム（ＮＥＸＩＶ）を使用する。加熱収縮率は、熱処理前後の支持フィルムにおけるＭＤ方向（長手方向）又はＴＤ方向（ＭＤ方向に垂直な方向）の寸法の差を測定することにより、求めることができる。熱処理条件は、温度２００℃、時間６０分間である。ＭＤ方向の加熱収縮率及びＴＤ方向の加熱収縮率のうち、大きいほうの値が上記範囲内であってもよい。
【００２１】
支持フィルム１は、表面処理されたフィルムであってもよい。支持フィルム１の表面処理方法の例としては、アルカリ処理、シランカップリング処理等の化学処理、サンドマット処理等の物理的処理、プラズマ処理、並びにコロナ処理が挙げられる。
【００２２】
支持フィルム１の厚さは、特に制限されないが、５〜１００μｍ、又は５〜５０μｍであってよい。支持フィルム１の厚さが５μｍ以上であると、仮保護フィルム１０がシワを形成し難い傾向がある。支持フィルム１の厚さが１００μｍ以下であると、リードフレームの反りがより小さくなる傾向がある。
【００２３】
接着層２の厚さは８μｍ未満である。接着層２の厚さが８μｍ未満であると、封止成形時のボイドの発生が抑制されるとともに、封止成形後の仮保護フィルム１０の剥離性が更に改善される。また、封止成形の間に必要とされるリードフレームに対する接着強度も得られ易い。接着層２が薄くなると、加熱によるアウトガスの発生が抑制され、その結果ボイドの発生が抑制されると考えられる。同様の観点から、接着層２の厚さが７μｍ未満、６μｍ未満又は５μｍ未満であってもよく、０．５μｍ以上、１μｍ以上、２μｍ以上、３μｍ以上、又は４μｍ以上であってもよい。
【００２４】
支持フィルム１の厚さ（Ｔ１）に対する接着層２の厚さ（Ｔ２）の比（Ｔ２／Ｔ１）は、０．２以下、０．１以下、又は０．０５以下であってもよい。Ｔ２／Ｔ１が０．２以下であると、封止成形にともなうボイドの発生が特に抑制される傾向がある。
【００２５】
接着層２は、芳香族ポリアミド、芳香族ポリエステル、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリエーテル、芳香族ポリエーテルアミドイミド、芳香族ポリエーテルアミド、芳香族ポリエステルイミド及び芳香族ポリエーテルイミドから選ばれる少なくとも１種の有機ポリマーを含有してもよい。
【００２６】
接着層２は、芳香族ポリエーテルアミドイミドを含有してもよい。芳香族ポリエーテルアミドイミドは、フェニレンオキシ基を有する芳香族ジアミンを含むジアミン化合物と、トリカルボン酸又はその反応性誘導体のうち少なくとも一方との重縮合体であることができる。
【００２７】
芳香族ポリエーテルアミドイミドを合成するために用いられる、フェニレンオキシ基を有する芳香族ジアミンの例としては、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、及び２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）］ヘキサフルオロプロパンが挙げられる。
【００２８】
フェニレンオキシ基を有する芳香族ジアミンと、その他のジアミン化合物との組み合わせも採用できる。その他のジアミン化合物の例としては、４，４’−メチレンビス（２，６−ジイソプロピルアミン）等のフェニレンオキシ基を有しない芳香族ジアミン；１，３−ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサン等のシロキサンジアミン；及び１，１２−ジアミノドデカン、１，６−ジアミノヘキサン等のα，ω−ジアミノアルカンが挙げられる。
【００２９】
芳香族ポリエーテルアミドイミドを合成するために用いられるジアミン化合物の全量のうち、フェニレンオキシ基を有する芳香族ジアミンの割合は、４０〜１００モル％、又は５０〜９７モル％であってもよい。
【００３０】
芳香族ポリエーテルアミドイミドを合成するために用いられるトリカルボン酸及びその反応性誘導体の例としては、無水トリメリット酸、及び無水トリメリット酸クロライドが挙げられる。
【００３１】
接着層２は、シリル基及び反応性基を有するシラン化合物を更に含有していてもよい。反応性基は、例えば、エポキシ基、アミノ基、又はイソシアネート基であってもよい。エポキシ基を有するシラン化合物は、例えば、下記式（１）で表される。
【化１】
0006744004.tif 000002
式（１）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３が、それぞれ独立に炭素数１〜３のアルコキシ基、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基を示し、Ｒ４が炭素数１〜１０のアルキレン基（例えばプロピレン基）を示す。式（１）で表されるシラン化合物の例としては、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、及び３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランが挙げられる。
【００３２】
シラン化合物の含有量は、有機ポリマー（例えば芳香族ポリエーテルアミドイミド）の量に対して、１〜４０質量％、１〜３５質量％、２〜３５質量％、３〜３０質量％、５質量％超３５質量％以下、５質量％超３０質量％以下、又は５質量％超２０質量％以下でもあってよい。シラン化合物の含有量が１質量％以上であると、封止層が形成された後の仮保護フィルムの剥離性が更に改善される傾向にある。シラン化合物の含有量が４０質量％以下であると、ワニスのゲル化、粘度低下等が起こりにくくなるため、ワニスの安定性がより向上し、仮保護フィルムの作製がより容易になる傾向がある。
【００３３】
接着層２は、フィラー（例えば、セラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子及びゴム粒子）、カップリング剤（但し、上述のシラン化合物に該当するものを除く。）、及び剥離性付与剤(例えば、フッ素系界面活性剤、シリコーン系離型剤、エポキシ系硬化剤)等のその他の成分を更に含有していてもよい。接着層２がフィラーを含有する場合、フィラーの含有量は、有機ポリマー（例えば芳香族ポリエーテルアミドイミド）１００質量部に対して１〜３０質量部、又は５〜１５質量部であってもよい。
【００３４】
接着層２のガラス転移温度は１００〜３００℃、１３０〜２８０℃、又は１５０〜２５０℃であってもよい。ガラス転移温度が１００℃以上であると、封止成形後の接着層２の剥離性が改良される傾向がある。また、ワイヤの接続不良が起こりにくくなる。一方、ガラス転移温度が３００℃以下であると、リードフレームに対する接着強度の低下が抑制されるため、搬送工程での剥離、封止時に封止材の漏れ等が発生しにくくなる。
【００３５】
接着層２の５％重量減少温度は、３００℃以上、３５０℃以上、又は４００℃以上であってもよい。接着層２の５％重量減少温度が３００℃以上であると、リードフレーム及びワイヤが汚染されにくい傾向がある。接着層２の５％重量減少温度は、示差熱天秤（セイコーインスツル株式会社製、ＴＧ／ＤＴＡ２２０）により、昇温速度１０℃／分の条件で測定することができる。
【００３６】
接着層２の２００℃における弾性率は１ＭＰａ以上、又は３ＭＰａ以上であってもよい。接着層２の２００℃における弾性率が１ＭＰａ以上であると、ワイヤボンドにともなう熱による接着層２の軟化が抑制されるために、ワイヤの接合不良が生じにくい傾向がある。接着層の２００℃における弾性率は、２０００ＭＰａ以下、１５００ＭＰａ以下、又は１０００ＭＰａであってもよい。接着層２の２００℃における弾性率は、動的粘弾性測定装置（株式会社ユービーエム製、Ｒｈｅｏｇｅｌ−Ｅ４０００）を用いて、チャック間距離２０ｍｍ、正弦波、昇温速度５℃／分、周波数１０Ｈｚの引張モードの条件によって測定することができる。
【００３７】
接着層２を、１２０℃で１０分加熱し、その後２４０℃で２０分加熱したときの、２４０℃で２０分の加熱による重量減少の割合が、２４０℃で２０分の加熱の前の接着層の重量に対して０．５％未満であってもよい。この重量減少の割合が少ないと、加熱によるアウトガスの発生が少なく、そのためにボイドの発生が特に効果的に抑制される傾向がある。また、仮保護フィルム１０が加熱される時間が１時間を超える場合にも、リードフレーム及びワイヤが汚染されにくい傾向にある。同様の観点から、重量減少の割合は、０．３％未満、又は０．１％未満であってもよい。重量減少の割合の下限は０％である。重量減少の割合は、示差熱天秤（セイコーインスツル株式会社製、ＴＧ／ＤＴＡ２２０）により、昇温速度５０℃／分で測定される。
【００３８】
非接着層３は、リードフレームに対する接着性（又は感圧接着性）を０〜２７０℃において実質的に有しない樹脂層である。非接着層は、高温で軟化しにくい樹脂層であってよく、例えば、高いガラス転移温度を有する樹脂層が、非接着層として機能することができる。
【００３９】
非接着層３は、有機ポリマーを含有する。非接着層３を構成する有機ポリマーは、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂又はこれらの組み合わせであってもよい。熱可塑性樹脂は、例えば、アミド基、エステル基、イミド基、エーテル基又はスルホン基を有する熱可塑性樹脂であってよい。熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂（例えば、ビス（４−マレイミドフェニル）メタンをモノマーとするビスマレイミド樹脂）等であってよい。熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを組み合わせる場合、熱可塑性樹脂１００質量部に対して、熱硬化性樹脂の量が５〜１００質量部、又は２０〜７０質量部であってもよい。非接着層３が熱硬化性樹脂を含有する場合、非接着層３は、通常、熱硬化性樹脂が硬化して形成された硬化物である。
【００４０】
非接着層３は、フィラー（例えば、セラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、ゴム粒子）、カップリング剤等を含有していてもよい。非接着層３がフィラーを含有する場合、フィラーの含有量は、有機ポリマー１００質量部に対して１〜３０質量部、又は５〜１５質量部であってもよい。カップリング剤の含有量は、有機ポリマー１００質量部に対して１〜２０質量部、又は２〜１５質量部であってよい。
【００４１】
非接着層３の２００℃における弾性率は１０ＭＰａ以上、１００ＭＰａ以上、又は１０００ＭＰａ以上であってもよい。非接着層３の２００℃における弾性率は、接着層２の弾性率と同様の方法で測定することができる。
【００４２】
非接着層３と金型との間の９０度ピール試験による９０度ピール強度は、５Ｎ／ｍ未満、又は１Ｎ／ｍ以下であってよい。この９０度ピール強度は、例えば、真鍮製の金型に非接着層３を温度２５０℃、圧力８ＭＰａで１０秒間圧着した後に測定する。
【００４３】
非接着層３のガラス転移温度は、１５０℃以上、２００℃以上、又は２５０℃以上であってもよく、３５０℃以下、又は３００℃以下であってもよい。非接着層３のガラス転移温度がこれらの範囲内にあると、封止成形の間に非接着層３が軟化し難く、また、非接着層３が金型及びジグに貼りつき難い傾向がある。
【００４４】
非接着層３の厚さは、８μｍ以下、７μｍ以下、６μｍ以下、又は５μｍ以下であってもよく、１μｍ以上、２μｍ以上、３μｍ以上、４μｍ以上、５μｍ以上、又は６μｍ以上であってもよい。
【００４５】
仮保護フィルム１０は、例えば、有機ポリマー（例えば芳香族ポリエーテルアミドイミド）及び溶媒と、必要により用いられるシラン化合物等のその他の成分とを含有するワニスを支持フィルムに塗布する工程と、塗膜から溶媒を除去することにより接着層２を形成する工程とを含む方法によって得ることができる。溶媒の例としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、及びジメチルホルムアミドが挙げられる。非接着層３を更に有する仮保護フィルム１０’は、支持フィルム１の接着層２とは反対側の主面上にワニスを塗布し、塗膜から溶媒を除去する工程を更に含む方法によって得ることができる。
【００４６】
リール体、包装体及び梱包体
長尺の仮保護フィルムを巻芯に巻き取り、得られたリール体から仮保護フィルムを巻き出しながら、半導体装置を製造してもよい。図３は、リール体の一実施形態を示す斜視図である。図３に示すリール体３０は、巻芯３１と、巻芯３１に巻き取られた仮保護フィルム１０と、側板３２と、を備える。
【００４７】
巻芯３１及び仮保護フィルム１０の幅（巻取方向と直交する方向の長さ）は、例えば、１０μｍ以上、５０μｍ以上、５０μｍ以上、又は８０μｍ以上であってもよく、３００μｍ以下であってもよい。巻芯３１及び仮保護フィルム１０の幅（巻取方向と直交する方向の長さ）は、例えば、１０μｍ以上３００μｍ以下、５０μｍ以上３００μｍ以下、又は８０μｍ以上３００μｍ以下であってもよい。
【００４８】
リール体を包装袋に収容してもよい。図４は、包装体の一実施形態を示す正面図である。図４に示す包装体５０は、リール体３０と、リール体３０を収容した包装袋４０と、を備える。１個のリール体３０が１個の包装袋に収容されてもよいし、複数個（例えば、２〜３個）のリール体３０が一個の包装袋４０に収容されてもよい。
【００４９】
包装袋４０は、樹脂フィルムから形成されていてよく、アルミニウム層を有する樹脂フィルムである複合フィルムから形成されていてもよい。包装袋４０の具体例としては、アルミニウムコーティングされたプラスチック製の袋等が挙げられる。樹脂フィルムの素材としては、ポリエチレン、ポリエステル、塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチックが挙げられる。リール体３０は、例えば、真空パックされた状態で包装袋に収容されていてもよい。包装体５０は、真空パックされたものに限られない。
【００５０】
包装袋４０には、リール体３０とともに、乾燥剤が収容されていてもよい。乾燥剤としては、例えば、シリカゲルが挙げられる。包装体５０は、リール体３０を収容した包装袋４０を包む緩衝材を更に備えていてもよい。
【００５１】
包装体５０は、梱包箱に収容された梱包体として提供されてもよい。図５は、梱包体の一実施形態を示す正面図である。図５に示される梱包体７０は、包装体５０と、包装体５０を収容した梱包箱６０と、を備える。１個の梱包箱６０に、一個又は複数個の包装体５０が収容される。梱包箱６０は、例えば段ボール箱であってもよい。
【００５２】
半導体装置を製造する方法
一実施形態に係る仮保護フィルムは、例えば、リードフレーム及びこれに搭載された半導体素子と、リードフレームの半導体素子側で半導体素子を封止する封止層とを有し、リードフレームの裏面が外部接続用に露出している、半導体装置を製造するために用いることができる。製造される半導体装は、Ｎｏｎ  Ｌｅａｄ  Ｔｙｐｅ  Ｐａｃｋａｇｅであってもよく、その具体例としては、ＱＦＮ（ＱｕａｄＦｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）が挙げられる。
【００５３】
図６及び図７は、半導体装置を製造する方法の一実施形態を示す断面図である。図８は、図６及び図７の方法によって得られる半導体装置の一例を示す断面図である。
【００５４】
図６及び図７に例示される方法は、ダイパッド１１ａ及びインナーリード１１ｂを有するリードフレーム１１の片面（裏面）に仮保護フィルム１０を、その接着層がリードフレームに接する向きで貼り付けて、リードフレーム１１及び仮保護フィルム１０を有する仮保護体１５を得る工程と、ダイパッド１１ａの仮保護フィルム１０とは反対側の面上に半導体素子１４を搭載する工程と、半導体素子１４とインナーリード１１ｂとを接続するワイヤ１２を設ける工程と、半導体素子１４及びワイヤ１２を封止する封止層１３を形成して、リードフレーム１１、半導体素子１４及び封止層１３を有する封止成形体２０と仮保護フィルム１０とを有する仮保護体２５を得る工程と、封止成形体２０から仮保護フィルム１０を剥離する工程と、をこの順に備える。
【００５５】
リードフレーム１１は、例えば、鉄合金（例えば４２アロイ）、銅、又は銅合金によって形成された金属成形体であってもよい。リードフレーム１１が、銅又は銅合金を含む金属成形体と、金属成形体の表面を被覆する金属被膜とを有していてもよい。金属被膜は、例えばパラジウム、金、又は銀を含んでいてもよい。
【００５６】
リードフレーム１１への仮保護フィルム１０の貼り付けは、例えば、リードフレーム１１上に仮保護フィルム１０を積層することと、リードフレーム１１及び仮保護フィルム１０からなる積層体を加熱及び加圧することとを含むことができる。
【００５７】
リードフレーム１１上への仮保護フィルム１０の積層は、常温（例えば、５〜３５℃）で行うことができる。積層の方法は、特に制限されないが、例えば、ロールラミネート法であってもよい。
【００５８】
リードフレーム１１及び仮保護フィルム１０からなる積層体を加熱する温度は、例えば１５０〜４００℃、１８０〜３５０℃、又は２００〜３００℃であってもよい。積層体に加えられる圧力は、例えば０．５〜３０ＭＰａ、１〜２０ＭＰａ、又は３〜１５ＭＰａであってもよい。加熱及び加圧の時間は、例えば０．１〜６０秒、１〜３０秒、又は３〜２０秒であってもよい。加熱及び加圧の前に、積層体を予熱してもよい。
【００５９】
仮保護フィルム１０を、リードフレーム１１に、接着層２がリードフレーム１１に接するように貼り付けたときの接着層２とリードフレーム１１との間の２５℃における９０度ピール強度（以下「貼付後ピール強度」ということがある。）は、５Ｎ／ｍ以上、５０Ｎ／ｍ以上、１００Ｎ／ｍ以上、又は１５０Ｎ／ｍ以上であってもよい。貼付後ピール強度が５Ｎ／ｍ未満であると、仮保護フィルム１０がリードフレーム１１から剥がれやすいだけでなく、封止成形の間に、リードフレーム１１と接着層２との間に封止材が入り込む等の問題が発生し得る。貼付後ピール強度は、２０００Ｎ／ｍ以下、１５００Ｎ／ｍ以下、又は１０００Ｎ／ｍ以下であってもよい。
【００６０】
貼付後ピール強度は、例えば、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７の９０度引き剥がし法に準じて、リードフレームに対して仮保護フィルムを９０度方向に引き剥がす方法によって測定される。具体的には、２５℃において、毎分２７０〜３３０ｍｍ、又は毎分３００ｍｍの速さで仮保護フィルムを引き剥がす際の９０度ピール強度を測定する。
【００６１】
貼付後ピール強度は、接着層２のガラス転移温度（Ｔｇ）、加熱及び加圧の温度、被接着材の材質、接着層２の濡れ性などに依存して変化し得る。そのため、貼付後ピール強度を５Ｎ／ｍ以上とするために、接着層２のガラス転移温度（Ｔｇ）、貼り付けのための加熱温度、リードフレームの材質、接着層２の濡れ性などを考慮して最適条件を適宜選択する。これらのなかでも、接着層２のガラス転移温度（Ｔｇ）及び貼り付けの温度が貼付後ピール強度に与える影響が大きい。例えば、貼り付けのための加熱温度が、接着層２のガラス転移温度（Ｔｇ）より０〜３０℃程度高い温度であってもよい。
【００６２】
貼付後ピール強度は、例えば、リードフレーム１１として、銅リードフレーム、パラジウムで被覆された銅リードフレーム、又は４２アロイ製リードフレームを用い、（１）温度２３０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒、（２）温度３５０℃、圧力３ＭＰａ、時間３秒、又は（３）温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒のいずれかの条件で仮保護フィルム１０をリードフレーム１１に貼り付けた後、測定することができる。
【００６３】
半導体素子１４は、通常、接着剤（例えば、銀ペースト）を介してダイパッド１１ａに搭載される。加熱処理（例えば、１４０〜２００℃、３０分〜２時間）によって、接着剤を硬化させてもよい。
【００６４】
半導体素子１４をダイパッド１１ａに搭載した後に、最大温度２５０〜４００℃、及び１〜３０分間の条件で、リフロー接続（ＣｕＣｌｉｐ接続等）を行ってもよい。
【００６５】
ワイヤ１２は、特に制限されないが、例えば、金線、銅線、又はパラジウム被覆銅線であってもよい。例えば、２００〜２７０℃で３分〜６時間加熱するとともに、超音波及び押し付け圧力を利用して、半導体素子及びインナーリードをワイヤ１２と接合してもよい。
【００６６】
封止材を用いた封止成形によって、複数の半導体素子１４及びそれらを一括して封止する封止層１３を有する封止成形体２０を備える仮保護体２５が形成される。封止成形の間、仮保護フィルム１０が設けられていることにより、封止材がリードフレーム１１の裏面側に回り込むことが抑制される。
【００６７】
一実施形態に係る仮保護体２５は、ダイパッド１１ａ及びインナーリード１１ｂを有するリードフレーム１１と、ダイパッド１１ａに搭載された半導体素子１４と、半導体素子１４とインナーリード１１ｂとを接続するワイヤ１２と、半導体素子１４及びワイヤ１２を封止している封止層１３と、仮保護フィルム１０と、を備える。仮保護フィルム１０の接着層２が、リードフレーム１１の半導体素子１４が搭載されている面とは反対側の裏面に貼り付けられている。
【００６８】
封止層１３を形成する間の温度は、１４０〜２００℃、又は１６０〜１８０℃であってもよい。封止層１３を形成する間の圧力は、６〜１５ＭＰａ、又は７〜１０ＭＰａであってもよい。封止成形における加熱時間は、１〜５分、又は２〜３分であってもよい。封止層１３は、例えば、コンプレッションモールド又はトランスファーモールドによって形成することができる。
【００６９】
形成された封止層１３を必要に応じて加熱硬化させてもよい。封止層１３の硬化のための加熱温度は、１５０〜２００℃、又は１６０〜１８０℃であってもよい。封止層１３の硬化のための加熱時間は、４〜７時間、又は５〜６時間であってもよい。
【００７０】
封止材は、半導体素子の封止材として通常用いられるものから選択できる。例えば、封止材がクレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、ビフェニルジエポキシ樹脂、ナフトールノボラックエポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を含んでいてもよい。封止材は、例えば、フィラー、ブロム化合物等の難燃性物質、ワックス成分等の添加材を更に含んでいてもよい。封止材の市販品の例としては、ＧＥ−３００ＬＣ２ＭＡ２（日立化成株式会社製）がある。
【００７１】
封止層１３を形成する封止成形の後、封止成形体２０のリードフレーム１１及び封止層１３から、仮保護フィルム１０が剥離される。封止層１３を硬化する場合、仮保護フィルム１０を、封止層１３の硬化の前又は後のいずれの時点で剥離してもよい。
【００７２】
封止成形体２０から仮保護フィルム１０を剥離する温度は、０〜２５０℃であってよい。剥離の温度が０℃以上であると、リードフレーム１１及び封止層１３に接着層がより残りにくくなる。剥離の温度が２５０℃以下であると、リードフレーム１１及び封止層１３の劣化がより抑制される傾向がある。同様の理由から、剥離の温度は、１００〜２５０℃、又は１５０〜２５０℃であってよい。
【００７３】
仮保護フィルム１０を、リードフレーム１１に、接着層２がリードフレーム１１に接するように貼り付け、ダイパッドの仮保護フィルム１０とは反対側の面上に半導体素子１４を搭載し、続いて半導体素子１４、リードフレーム１１及び仮保護フィルム１０を２４０℃で３時間加熱してから、接着層２と接しながら半導体素子１４を封止する封止層１３を形成したときに、接着層２とリードフレーム１１及び封止層１３との間の１８０℃における９０度ピール強度（以下「封止後ピール強度」ということがある。）が、６００Ｎ／ｍ以下であってもよい。封止後ピール強度が５００Ｎ／ｍ以下、又は４５０Ｎ／ｍ以下であってもよく、０Ｎ／ｍ以上、３Ｎ／ｍ以上、又は５Ｎ／ｍ以上であってもよい。
【００７４】
封止後ピール強度は、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７の９０度引き剥がし法に準じて、リードフレーム１１及び封止層１３に対して仮保護フィルム１０を９０度方向に引き剥がして測定する。具体的には、１８０℃において、毎分２７０〜３３０ｍｍ、又は毎分３００ｍｍの速さで仮保護フィルムを引き剥がす際の９０度ピール強度を加熱９０°剥離試験機（テスター産業株式会社製）で測定される。封止後ピール強度は、封止成形後に測定される。封止成形は、例えば、温度１８０℃、圧力７ＭＰａ、成形時間２分の条件で行われる。その後、１８０℃で５時間の加熱により封止材を硬化させてから、封止後ピール強度を測定してもよい。
【００７５】
半導体装置を製造する方法は、必要に応じて、仮保護フィルム１０を封止成形体２０から剥離する工程の後、リードフレーム１１及び封止層１３上に残留した接着層（糊残り）を除去する工程を更に含んでいてもよい。リードフレーム１１及び封止層１３に残留した接着層を機械的ブラッシング、溶剤等で除去してよい。溶剤は、特に制限されないが、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド等であってよい。
【００７６】
リードフレームがダイパッド及びインナーリードを有する複数のパターンを含む場合、必要に応じて、封止成形体２０を分割して、それぞれ１個の半導体素子を有する図８の半導体装置１００を複数得ることができる。
【００７７】
すなわち、リードフレーム１１が複数のダイパッド１１ａを有し、複数のダイパッド１１ａの各々に半導体素子１４が搭載される場合、一実施形態に係る製造方法は、仮保護フィルム１０（又は１０’）を封止成形体２０から剥離する前又は後に封止成形体２０を分割して、１個のダイパッド１１ａ及び半導体素子１４を有する半導体装置１００を得る工程を更に備えていてよい。
【００７８】
一実施形態に係る仮保護フィルムを用いて製造される半導体装置は、高密度化、小面積化、薄型化等の点で優れており、例えば、携帯電話、スマートフォン、パソコン、タブレット等の電子機器に好適に利用することができる。
【実施例】
【００７９】
以下に、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。【００８０】
１．接着層形成用のワニス作製
ワニス１
温度計、攪拌機、窒素導入管及び分留塔を装着した５０００ｍｌの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、２，２−ビス［−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン２７０．９ｇ（０．６６モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサン８．７ｇ（０．０３５モル）を入れ、これらをＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）１９５０ｇに溶解して、反応液を調製した。反応液を０℃に冷却してから、無水トリメリット酸クロライド１４９．５ｇ（０．７１モル）を加えた。無水トリメリット酸クロライドが溶解した後、トリエチルアミン１００ｇを更に添加した。反応液を室温で２時間攪拌した後、１８０℃に昇温して、５時間の反応によりイミド化を完結させた。反応液をメタノールに投入して、生成したポリエーテルアミドイミドを析出させた。析出したポリエーテルアミドイミドを乾燥した後、ＮＭＰに溶解させた。溶液をメタノールに投入して、再度ポリエーテルアミドイミドを析出させた。析出したポリエーテルアミドイミドを減圧乾燥して、精製された粉末状のポリエーテルアミドイミドを得た。得られた芳香族ポリエーテルアミドイミド２２ｇ及び３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）６．６ｇをＮＭＰ７８ｇに溶解し、接着層形成用のワニス１を得た。【００８１】
ワニス２
攪拌機、温度計、窒素ガス導入管及び冷却管を装着した１０００ｍｌ四つ口フラスコに窒素雰囲気下、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン１２０．９ｇ（０．４１モル）、及び１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン４４．０ｇ（０．１８モル）を入れ、これらをＮＭＰ５３８．３ｇに溶解して、反応液を調製した。反応液を０℃まで冷却してから、無水トリメリット酸クロリド１２５．０ｇ（０．５９モル）加えた。反応液を室温（２５℃）で１時間攪拌してから、トリエチルアミンを７２．６ｇ加えた。反応液を室温（２５℃）で更に１時間攪拌した後、反応液を１８０℃で６時間攪拌した。続いて、反応液を水中に投入して、生成したポリエーテルアミドイミドを析出させた。析出したポリエーテルアミドイミドを乾燥した後、ＮＭＰに溶解させた。溶液を水に投入して、再度ポリエーテルアミドイミドを析出させた。析出したポリエーテルアミドイミドを減圧乾燥して、精製された粉末状のポリエーテルアミドイミドを得た。得られた芳香族ポリエーテルアミドイミド２２ｇ、及び３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）０．６６ｇをＮＭＰ７８ｇに溶解し、接着層形成用のワニス２を得た。【００８２】
ワニス３
攪拌機、温度計、窒素ガス導入管及び冷却管を装着した５０００ｍｌ四つ口フラスコに窒素雰囲気下、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン２５３．３ｇ（０．８１モル）、及び１，３−ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサン８．７ｇ（０．０３５モル）を入れ、これらをＮＭＰ１５００ｇに溶解して、反応液を調製した。反応液を０℃まで冷却してから、無水トリメリット酸クロライド２３９．７ｇ（１．１４モル）を加えた。反応液を室温で１時間攪拌した後、１８０℃に昇温して５時間の反応によりイミド化を完結させた。反応液をメタノールに投入して、生成したポリエーテルアミドイミドを析出させた。析出したポリエーテルアミドイミドを乾燥した後、ＮＭＰに溶解させた。溶液をメタノールに投入して、再度ポリーテルアミドイミドを析出させた。析出したポリエーテルアミドイミドを減圧乾燥して、精製された粉末状のポリエーテルアミドイミドを得た。得られた芳香族ポリエーテルアミドイミド２２ｇ、及び３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン（５０％メタノール溶液）（信越化学工業株式会社製、商品名：ＫＢＥ５８５）６．６ｇをＮＭＰ７８ｇに溶解し、接着層形成用のワニス３を得た。【００８３】
ワニス４
以下のアクリルゴム及びエポキシ樹脂を準備した。
・アクリルゴム：ＷＳ−０２３  ＥＫ３０（商品名、ナガセケムテックス株式会社製、重量平均分子量：５０万（参考値）、ガラス転移温度（共重合比から計算される理論値）：−１０℃）
・エポキシ樹脂：ＥＸ−６１４Ｂ（商品名、ナガセケムテックス株式会社製、ソルビトールポリグリシジルエーテル、エポキシ当量：１７４（参考値））
アクリルゴム５０ｇ（３０質量％）と、エポキシ樹脂１．５ｇと、シクロヘキサノンとを混合し、混合物を攪拌して、溶剤以外の成分の濃度が１０質量％であるワニス４を得た。【００８４】
２．非接着層形成用のワニス作製
ワニス５
温度計、攪拌機、窒素導入管及び分留塔を装着した５リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン１７２．４ｇ（０．４２モル）、及び４，４’−メチレンビス（２，６−ジイソプロピルアニリン）１５３．７ｇ（０．４２モル）を入れ、これらをＮＭＰ１５５０ｇに溶解して、反応液を調製した。反応液を０℃に冷却してから、無水トリメリット酸クロライド１７４．７ｇ（０．８３モル）を加えた。無水トリメリット酸クロライドが溶解した後、トリエチルアミン１３０ｇを更に加えた。反応液を室温（２５℃）で２時間攪拌した後、１８０℃に昇温して５時間の反応によりイミド化を完結させた。反応液を水に投入して、生成したポリエーテルアミドイミドを析出させた。析出したポリエーテルアミドイミドを乾燥した後、ＮＭＰに溶解した。溶液を水に投入して、再度ポリエーテルアミドイミドを析出させた。析出したポリエーテルアミドイミドを減圧乾燥して、精製された粉末状のポリエーテルアミドイミドを得た。得られた芳香族ポリエーテルアミドイミド１２０ｇ、及び３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）６ｇをＮＭＰ３６０ｇに溶解して、非接着層形成用のワニス５を得た。【００８５】
３．仮保護フィルムの作製
ポリイミドフィルム（東レ・デュポン株式会社製、商品名：カプトンＥＮ、２０〜２００℃における線膨張係数が１．５×１０−５／℃、２００℃で６０分間加熱されたときの収縮率が０．０２％）を支持フィルムとして準備した。支持フィルムの片面に、表１に示す接着層形成用の各ワニスを塗布し、塗膜を乾燥させることにより、接着層を形成した。非接着層を形成する場合、支持フィルムのもう一方の面に非接着層形成用のワニス５を塗布し、塗膜を乾燥させることにより、非接着層を形成した。各実施例及び比較例の仮保護フィルムにおける接着層及び非接着層の厚さも、表１に示される。【００８６】
４．接着層及び非接着層のガラス転移温度
各接着層及び非接着層のガラス転移温度を、熱機械分析装置（セイコーインスツル株式会社製、ＳＳＣ５２００型）を用いて引っ張りモード、チャック間距離１０ｍｍ、温度範囲３０℃〜３００℃、昇温速度１０℃／分の条件で測定した。【００８７】
【表１】
0006744004.tif 000003
【００８８】
５．加熱による重量減少の割合
各実施例及び比較例の仮保護フィルムの接着層を、１２０℃で１０分、及び２４０℃で２０分の順で加熱したときの重量減少を測定した。１２０℃で１０分の加熱後の重量がＷ０、２４０℃で２０分の加熱後の重量がＷ１であるとき、重量減少は下記式により算出される値である。
重量減少の割合（％）＝｛（Ｗ０−Ｗ１）／Ｗ０｝×１００【００８９】
６．９０度ピール強度
（１）貼付後
ダイパッド及びインナーリードを有する以下のリードフレームを準備した。
・Ｃｕ：銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）
・ＰＰＦ：パラジウムで被覆された銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）
Ｃｕのリードフレーム、又はＰＰＦのリードフレームに、各仮保護フィルムの接着層を、表２で示した貼付条件で貼り付けた。比較例２の仮保護フィルムの場合、接着層が常温(２５℃)でタック性を有していたため、常温でハンドローラーを用いて荷重２０Ｎの条件で仮保護フィルムをリードフレームに貼り付けた。リードフレームと仮保護フィルムの組み合わせは表２に示されるとおりである。リードフレームから仮保護フィルムを引き剥がす９０度ピール試験（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）によって、接着層とリードフレームとの間の２５℃における９０度ピール強度を測定した。【００９０】
（２）封止後
仮保護フィルムが貼り付けられた各リードフレームのダイパッドに、半導体素子を銀ペーストを用いて接着した。銀ペーストは、１８０℃で６０分間の加熱により硬化させた。続いて、ワイヤとしての金線を、２４０℃で３時間の加熱により半導体素子及びインナーリードに接続した。次いで、封止材（ＧＥ−３００ＬＣ２ＭＡ２、日立化成株式会社製）を用いて、温度１８０℃、圧力７ＭＰａ、加熱時間２分の条件で、半導体素子を封止する封止層を形成した。封止成形後、リードフレーム及び封止層から仮保護フィルムを引き剥がす９０度ピール試験（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）によって、１８０℃における９０度ピール強度を測定した。【００９１】
【表２】
0006744004.tif 000004
【００９２】
表２に示されるように、実施例の仮保護フィルムは、貼付後に比較的高い９０度ピール強度を示すとともに、封止後に剥離可能な程度の比較的低い９０度ピール強度を示した。形成された封止成形体を観察したところ、実施例の場合、封止成形にともなうボイドの発生は認められなかった。封止後の９０度ピール強度が６００Ｎ／ｍを超える比較例１、３及び４の仮保護フィルムは、封止後、リードフレームからの剥離時に破断したため、封止成形体から引き剥がすことができなかった。
【符号の説明】
【００９３】
１…支持フィルム、２…接着層、３…非接着層、１０，１０’…仮保護フィルム、１１…リードフレーム、１１ａ…ダイパッド、１１ｂ…インナーリード、１２…ワイヤ、１３…封止層、１４…半導体素子、１５…仮保護体、２０…封止成形体、２５…仮保護体、３０…リール体、３１…巻芯、３２…側板、４０…包装袋、５０…包装体、７０…梱包体、１００…半導体装置。
【要約】
支持フィルムと、支持フィルムの片面又は両面上に設けられた接着層とを備える、仮保護フィルムが開示される。支持フィルムがポリイミドフィルムである。接着層の厚さが８μｍ未満である。仮保護フィルムは、ダイパッド及びインナーリードを有するリードフレームの片面側に搭載された半導体素子を封止する封止層を形成する封止成形の間、リードフレームの半導体素子とは反対側の面を仮保護するために用いられる。【図１】
0006744004.tif 000006
【図２】
0006744004.tif 000007
【図３】
0006744004.tif 000008
【図４】
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【図５】
0006744004.tif 000010
【図６】
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【図７】
0006744004.tif 000012
【図８】
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