(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光領域および該透光領域に隣接した遮光領域が形成された基板と、
前記遮光領域に位置し、ソース電極、ドレイン電極、そしてゲート電極を含む薄膜トランジスタと、
前記ドレイン電極の上に位置し、前記ドレイン電極を露出させる接触孔を含む第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に位置し、前記接触孔を通じて前記ドレイン電極と接続されている画素電極と、
該画素電極の上に位置する突出部と、を含み、
前記画素電極は、前記透光領域に位置する幹部、前記透光領域に位置し前記幹部と接続されている複数の微細枝部、そして前記遮光領域に位置し前記幹部または前記微細枝部から延長されている延長部を含み、
前記突出部は、前記延長部と重畳し、
前記突出部は、前記接触孔とは重畳せず、前記接触孔側の側面である逆段差面、および前記逆段差面の反対側面である正段差面を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記逆段差面および前記正段差面は、前記延長部を横切る部分を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記正段差面と前記基板の面とが成すテーパ角は、５度以上６０度以下であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記突出部の幅は、５μｍ乃至２０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記突出部の高さは、０．５μｍ乃至１．５μｍであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１絶縁層は、有機物質を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記延長部は、前記幹部に概して平行に伸びる縦部および前記縦部に接続されており前記縦部と異なる方向に伸びる横部を含み、
前記横部は、前記ドレイン電極と接続されている拡張部を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記突出部は、前記幹部と前記接触孔の間に位置し前記画素電極の一辺に沿って長く形成されている部分を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記基板の上に位置し複数の液晶分子を含む液晶層をさらに含み、
前記液晶分子は、前記基板の面に対して実質的に垂直配向されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係り、より詳しくは、液晶分子の方向に対する制御力を高める液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）、有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ  ｄｉｓｐｌａｙ）などの表示装置は、一般にスイッチング素子を含む複数の画素および複数の信号線が備えられた表示板、階調基準電圧を生成する階調電圧生成部、そして階調基準電圧を用いて複数の階調電圧を生成し、生成された階調電圧のうちの入力画像信号に該当する階調電圧をデータ信号としてデータ線に印加するデータ駆動部などを含む。
【０００３】
このうち、液晶表示装置は画素電極および対向電極が備えられた少なくとも一つの表示板と誘電率異方性（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ）を有する液晶層を含む。画素電極は行列形態に配列されており、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などスイッチング素子に接続されて一行ずつ順次にデータ電圧の印加を受ける。対向電極は共通電圧Ｖｃｏｍの印加を受ける。画素電極および対向電極に電圧を印加して液晶層に電界を生成し、この電界の強さを調節して液晶層を通過する光の透過率を調節することによって所望の画像を得る。
【０００４】
複数の信号線は、データ電圧を伝達する複数のデータ線と、ゲート信号を伝達する複数のゲート線とを含む。画素電極にデータ電圧を伝達するための薄膜トランジスタは、半導体層、半導体層と重畳しデータ線と接続されたソース電極、半導体層と重畳しソース電極と対向するドレイン電極、そしてゲート線と接続されており、半導体層と重畳するゲート電極を含む。
【０００５】
薄膜トランジスタの上には絶縁層が位置する。絶縁層はドレイン電極を露出させる接触孔を含み、絶縁層上に位置する画素電極は絶縁層の接触孔を通じて薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的、物理的に接続される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
液晶表示装置が衝撃を受けると、内部の液晶分子の配列が一部分乱れ部分的に異常液晶配列によるテクスチャが発生することがある。衝撃による圧力が除去された後には大部分の液晶分子の配列が原状復帰するが、接触孔が位置する部分の液晶分子は接触孔による段差およびその上部の配向膜の傾斜および段差による影響により元の配列に復帰せず異常配列を維持することがある。特に接触孔が形成された絶縁層が有機物質を含む場合、接触孔の段差がさらに大きくなるので、接触孔周囲の液晶分子の配列が原状復帰することが難しくなる。このように接触孔周囲において発生した乱れた液晶分子の配列は隣接した画素電極上に位置する液晶分子の配列にも影響を与え、画素の透過領域内に位置する液晶分子の配列が制御されないこともある。
【０００７】
このように画素の透過領域内において異常な方向に配列された液晶分子によるテクスチャは表示品質を低下させ、特に高解像度の液晶表示装置であるほど画素のサイズが小さくなるので、一つの画素の透過領域に占めるテクスチャ領域の比率が高くなってテクスチャがさらに強く視認され、画素の輝度変動量が増加して表示品質が低下する。
【０００８】
従って、本発明が解決しようとする課題は、接触孔による段差によって発生した液晶分子の異常な配列が画素の透過領域に伝播しないようにして、衝撃などの外部影響によって乱れた液晶分子の配列が復元されないことを防止し画素の透過領域内のテクスチャ発生を減らすことである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態による液晶表示装置は、透光領域および該透光領域に隣接した遮光領域が形成された基板と、前記遮光領域に位置し、ソース電極、ドレイン電極、そしてゲート電極を含む薄膜トランジスタと、前記ドレイン電極の上に位置し、前記ドレイン電極を露出させる接触孔を含む第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に位置し、前記接触孔を通じて前記ドレイン電極と接続されている画素電極と、該画素電極の上に位置する突出部とを含み、前記画素電極は、前記透光領域に位置する幹部、前記透光領域に位置し前記幹部と接続されている複数の微細枝部、そして前記遮光領域に位置し前記幹部または前記微細枝部から延長されている延長部を含み、前記突出部は前記延長部と重畳する。
【００１０】
前記突出部は、前記接触孔に向かう逆段差面、および該逆段差面の反対側面である正段差面を含むことができる。
【００１１】
前記逆段差面および前記正段差面は、前記延長部を横切る部分を含むことができる。
【００１２】
前記正段差面と前記基板の面とが成すテーパ角は、５度以上６０度以下であってもよい。
【００１３】
前記突出部の幅は、５μｍ乃至２０μｍであってもよい。
【００１４】
前記突出部の高さは、０．５μｍ乃至１．５μｍであってもよい。
【００１５】
前記第１絶縁層は、有機物質を含むことができる。
【００１６】
前記延長部は前記幹部に概して平行に伸びる縦部および前記縦部に接続されており前記縦部と異なる方向に伸びる横部を含み、前記横部は前記ドレイン電極と接続されている拡張部を含むことができる。
【００１７】
前記突出部は、前記幹部と前記接触孔の間に位置し前記画素電極の一辺に沿って長く形成されている部分を含むことができる。
【００１８】
前記基板の上に位置し複数の液晶分子を含む液晶層をさらに含み、前記液晶分子は、前記基板の面に対して実質的に垂直配向されていてもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の実施形態によれば、接触孔による段差によって発生した液晶分子の異常な配列が画素の透過領域に伝播しないようにできる。したがって、画素の透過領域において衝撃などの外部影響によって乱れた液晶分子の配列が復元されないことを防止し、画素の透過領域内のテクスチャ発生を減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態による液晶表示装置の一画素に対する配置図である。
【図２】図１に示した液晶表示装置のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による液晶表示装置の一画素の等価回路図である。
【図４】本発明の一実施形態による液晶表示装置の液晶層に電場が生成された時の液晶分子の配列方向を示した図である。
【図５】本発明の一実施形態による液晶表示装置の液晶層に電場が生成され液晶表示装置に衝撃が加えられた後の液晶分子の配列方向を示した図である。
【図６】本発明の実施形態による液晶表示装置の斜視図である。
【図７】図１に示した液晶表示装置のＩＩ−ＩＩ線による断面図の他の例である。
【図８】本発明の一実施形態による液晶表示装置の一画素に対する配置図である。
【図９】本発明の一実施形態による液晶表示装置の一画素に対する配置図である。
【図１０】本発明の一実施形態による液晶表示装置の一画素に対する配置図である。
【図１１】本発明の一実施形態による液晶表示装置の一画素に対する配置図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明は様々な形態に実現でき、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００２２】
図面において様々な層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似の部分については同一の図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるというとき、これは他の部分の“直上”にある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“直上”にあるというときは中間に他の部分がないことを意味する。
【００２３】
本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略した。
【００２４】
明細書全体において、ある部分が他の部分と“接続”されているというとき、これは“直接的に接続”されている場合だけでなく、その中間に他の素子を挟んで“電気的に接続”されている場合も含む。また、ある部分がある構成要素を“含む”というとき、これは特別な記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
【００２５】
以下、図１乃至図３を参照して本発明の一実施形態による液晶表示装置について詳細に説明する。
【００２６】
図１は本発明の一実施形態による液晶表示装置の一画素に対する配置図であり、図２は図１に示した液晶表示装置のＩＩ−ＩＩ線による断面図であり、図３は本発明の一実施形態による液晶表示装置の一画素の等価回路図である。
【００２７】
図１および図２に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示装置は複数の画素ＰＸを含む。一画素ＰＸは少なくとも一つの表示板と液晶層３を含む。本実施形態においては液晶表示装置が互いに対向する下部表示板１００と上部表示板２００、そしてこれら二つの表示板１００、２００の間に入っている液晶層３を含む例を挙げて説明するが、これに限定されるものではなく、一つの表示板のみを含む構造からなっていてもよい。
【００２８】
平面構造を見るとき、液晶表示装置は画像を表示する表示領域を含み、表示領域は複数の画素ＰＸを含む。複数の画素ＰＸは複数の画素行と複数の画素列を含む行列形態に配列されてもよいが、これに限定されない。
【００２９】
下部表示板１００について説明すれば、ガラス、プラスチックなどの絶縁物質を含む基板１１０の上にゲート線１２１および維持電極線１３１を含むゲート導電体が位置する。
【００３０】
ゲート線１２１は主に行方向に伸び、ゲート信号を伝達する。ゲート線１２１は上または下に突出した第１ゲート電極１２４Ｈおよび第２ゲート電極１２４Ｌを含む。第１ゲート電極１２４Ｈおよび第２ゲート電極１２４Ｌは互いに接続されて一つの突出部を成す。しかし、第１ゲート電極１２４Ｈおよび第２ゲート電極１２４Ｌの形態は多様に変形されてもよい。
【００３１】
維持電極線１３１はゲート線１２１と平行に伸び、ゲート線１２１と離隔されている。維持電極線１３１は維持電極１３３、１３５を含む。
【００３２】
維持電極１３３は、行方向に伸びる維持電極線１３１の上に突出して第１透光領域ＯＰａの周縁を囲むように形成する。維持電極１３３は省略されてもよい。
【００３３】
維持電極１３５は、行方向に伸びる維持電極線１３１から上または下に（例えば、図１では下方に）突出する。図１は一画素ＰＸに対して維持電極線１３１が一対の維持電極１３５を含む例を示す。一対の維持電極１３５はそれぞれ第１ゲート電極１２４Ｈおよび第２ゲート電極１２４Ｌに向かって伸びる。
【００３４】
ゲート導電体の上にはゲート絶縁膜（ｇａｔｅ  ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）１４０が位置する。ゲート絶縁膜１４０は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物質から形成できる。ゲート絶縁膜１４０は単一膜または多重膜として形成する。
【００３５】
ゲート絶縁膜１４０の上には第１半導体（ｆｉｒｓｔ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）１５４Ｈおよび第２半導体（ｓｅｃｏｎｄ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）１５４Ｌが位置する。第１半導体１５４Ｈは第１ゲート電極１２４Ｈの上に配置し、第２半導体１５４Ｌは第２ゲート電極１２４Ｌの上に配置する。
【００３６】
第１半導体１５４Ｈおよび第２半導体１５４Ｌは、非晶質シリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ）、多結晶シリコン（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｓｉｌｉｃｏｎ）、または金属酸化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ）などを含む。
【００３７】
第１半導体１５４Ｈおよび第２半導体１５４Ｌの上にはそれぞれオーミック接触部材（ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ  ｍｅｍｂｅｒ）１６３Ｈ、１６５Ｈをさらに配置する。オーミック接触部材は、シリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）またはｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質から形成する。オーミック接触部材１６３Ｈ、１６５Ｈは省略されてもよい。
【００３８】
オーミック接触部材１６３Ｈ、１６５Ｈ、第１および第２半導体１５４Ｈ、１５４Ｌおよびゲート絶縁膜１４０の上には第１データ線（ｆｉｒｓｔ  ｄａｔａ  ｌｉｎｅ）１７１Ｈおよび第２データ線（ｓｅｃｏｎｄ  ｄａｔａ  ｌｉｎｅ）１７１Ｌを含む複数のデータ線、複数の第１ドレイン電極（ｆｉｒｓｔ  ｄｒａｉｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７５Ｈ、そして複数の第２ドレイン電極（ｓｅｃｏｎｄ  ｄｒａｉｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７５Ｌを含むデータ導電体が位置する。
【００３９】
第１データ線１７１Ｈおよび第２データ線１７１Ｌは、データ信号を伝達し、主に列方向に伸びてゲート線１２１および維持電極線１３１と交差する。
【００４０】
第１データ線１７１Ｈと第２データ線１７１Ｌは一つの画像信号に対して互いに異なる輝度を示すデータ電圧をそれぞれ伝達する。例えば、ある一階調の画像信号に対して第２データ線１７１Ｌが伝達するデータ電圧が第１データ線１７１Ｈが伝達するデータ電圧より低くてもよいが、これに限定されるものではない。
【００４１】
第１データ線１７１Ｈは第１ゲート電極１２４Ｈに向かって突出した第１ソース電極（ｆｉｒｓｔ  ｓｏｕｒｃｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７３Ｈを含み、第２データ線１７１Ｌは第２ゲート電極１２４Ｌに向かって突出した第２ソース電極（ｓｅｃｏｎｄ  ｓｏｕｒｃｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７３Ｌを含む。
【００４２】
第１ドレイン電極１７５Ｈおよび第２ドレイン電極１７５Ｌはそれぞれ広い一端部と棒状の他端部を含む。第１ドレイン電極１７５Ｈおよび第２ドレイン電極１７５Ｌの広い端部は維持電極線１３１の下に突出している維持電極１３５と重畳する。第１ドレイン電極１７５Ｈおよび第２ドレイン電極１７５Ｌの棒状端部はそれぞれ第１ソース電極１７３Ｈおよび第２ソース電極１７３Ｌによって一部囲まれていてもよい。
【００４３】
第１ドレイン電極１７５Ｈの広い端部は一つの維持電極１３５と重畳し、第２ドレイン電極１７５Ｌの広い端部は他の一つの維持電極１３５と重畳する。
【００４４】
第１ゲート電極１２４Ｈ、第１ソース電極１７３Ｈ、第１ドレイン電極１７５Ｈは第１半導体１５４Ｈと共に第１薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）ＱＨを成し、第２ゲート電極１２４Ｌ、第２ソース電極１７３Ｌ、第２ドレイン電極１７５Ｌは第２半導体１５４Ｌと共に第２薄膜トランジスタＱＬを成す。第１および第２薄膜トランジスタＱＨ、ＱＬのチャンネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は互いに対向するソース電極１７３Ｈ、１７３Ｌおよびドレイン電極１７５Ｈ、１７５Ｌの間の半導体１５４Ｈ、１５４Ｌに形成される。第１および第２薄膜トランジスタＱＨ、ＱＬはゲート線１２１が伝達するゲート信号によってデータ電圧を伝達するスイッチング素子としての機能を果たす。
【００４５】
図１に示すように、一画素ＰＸは互いに隣接した第１および第２透光領域ＯＰａ、ＯＰｂとその間に位置する遮光領域ＢＦＺを含む。第１および第２透光領域ＯＰａ、ＯＰｂは画像が大部分表示される領域であって光が透過される領域であり、遮光領域ＢＦＺは画像を表示しようとする領域ではなく大部分の領域において光が透過されない領域である。
【００４６】
ゲート線１２１、維持電極線１３１、そして第１および第２薄膜トランジスタＱＨ、ＱＬは、遮光領域ＢＦＺに配置する。
【００４７】
データ導電体の上には第１絶縁層１８０ａが位置する。第１絶縁層１８０ａは有機絶縁物質または無機絶縁物質からなり、単一膜または多重膜を含む。
【００４８】
第１絶縁層１８０ａの上にはカラーフィルタ２３０を配置する。各カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色および青色の三原色または四原色などの基本色（ｐｒｉｍａｒｙ  ｃｏｌｏｒ）のうちの一つを表示する。カラーフィルタ２３０は赤色、緑色、および青色の三原色に限定されず、青緑色（ｃｙａｎ）、紫紅色（ｍａｇｅｎｔａ）、黄色（ｙｅｌｌｏｗ）、白色系列の基本色を表示することもできる。
【００４９】
各カラーフィルタ２３０は画素列に沿って長く伸びる。カラーフィルタ２３０は第１および第２ドレイン電極１７５Ｈ、１７５Ｌの一部の上にそれぞれ位置する開口部２３５を含む。
【００５０】
カラーフィルタ２３０の上には第２絶縁層１８０ｂをさらに配置する。第２絶縁層１８０ｂは無機絶縁物質または有機絶縁物質を含む。第２絶縁層１８０ｂはカラーフィルタ２３０に対する蓋膜であって、カラーフィルタ２３０が露出することを防止し、平坦面を提供する。第２絶縁層１８０ｂはカラーフィルタ２３０の顔料などの不純物が液晶層３に流入することを防止する。
【００５１】
第２絶縁層１８０ｂは省略されてもよい。
【００５２】
第１絶縁層１８０ａと第２絶縁層１８０ｂは、第１ドレイン電極１７５Ｈの一部を露出させる第１接触孔１８１Ｈ、そして第２ドレイン電極１７５Ｌの一部を露出させる第２接触孔１８１Ｌを含む。第１および第２接触孔１８１Ｈ、１８１Ｌはそれぞれカラーフィルタ２３０の開口部２３５の内に配置する。
【００５３】
第２絶縁層１８０ｂの上には複数の画素電極が位置する。一画素電極は一つの電極からなるか、または複数の副画素電極を含む。以下においては一画素電極が第１副画素電極１９１Ｈおよび第２副画素電極１９１Ｌを含む例を中心として説明する。
【００５４】
第１副画素電極１９１Ｈは大部分第１透光領域ＯＰａに配置し、第２副画素電極１９１Ｌは大部分第２透光領域ＯＰｂに配置する。即ち、第１副画素電極１９１Ｈと第２副画素電極１９１Ｌは遮光領域ＢＦＺを挟んで上および下に分離されて配置される。しかし、第１副画素電極１９１Ｈと第２副画素電極１９１Ｌの配置および形態は図面に示したものに限定されず、多様に変形できる。
【００５５】
第１副画素電極１９１Ｈおよび第２副画素電極１９１Ｌそれぞれの全体的な形状は例えば四角形である。第１副画素電極１９１Ｈおよび第２副画素電極１９１Ｌそれぞれは横幹部１９３Ｈ、１９３Ｌおよび縦幹部１９２Ｈ、１９２Ｌを含む十字形幹部、そして十字形幹部から外側に伸びる複数の微細枝部１９４Ｈ、１９４Ｌを含む。
【００５６】
第１副画素電極１９１Ｈおよび／または第２副画素電極１９１Ｌは横幹部１９３Ｈ、１９３Ｌと縦幹部１９２Ｈ、１９２Ｌによってそれぞれ４つの副領域に分けられる。微細枝部１９４Ｈ、１９４Ｌは横幹部１９３Ｈ、１９３Ｌおよび縦幹部１９２Ｈ、１９２Ｌからななめに伸びており、その伸びる方向はゲート線１２１または横幹部１９３Ｈ、１９３Ｌと４５度または１３５度の角を成す。隣接の副領域の微細枝部１９４Ｈ、１９４Ｌが伸びる方向は互いに異なり、例えば、互いに直交する。
【００５７】
第１副画素電極１９１Ｈおよび第２副画素電極１９１Ｌはそれぞれ第１透光領域ＯＰａおよび第２透光領域ＯＰｂの外郭を囲む外郭幹部（図示せず）をさらに含む。
【００５８】
第１副画素電極１９１Ｈは遮光領域ＢＦＺに向かって伸びる第１延長部を含み、第２副画素電極１９１Ｌは遮光領域ＢＦＺに向かって伸びる第２延長部を含む。
【００５９】
第１延長部は第１透光領域ＯＰａに位置する第１副画素電極１９１Ｈの下側辺と接続された第１縦部１９６Ｈ１、そして第１縦部１９６Ｈ１と接続された第１横部１９６Ｈ２からなる。
【００６０】
第１縦部１９６Ｈ１は図１に示したように第１副画素電極１９１Ｈの微細枝部１９４Ｈまたは縦幹部１９２Ｈから遮光領域ＢＦＺに向かって大体縦方向に伸びる。第１縦部１９６Ｈ１は第１副画素電極１９１Ｈの縦幹部１９２Ｈの延長上に配置されているが、これに限定されず、若干左側または右側に配置されてもよい。
【００６１】
第１横部１９６Ｈ２は第１縦部１９６Ｈ１と異なる方向に伸び、例えば横方向に伸びる。第１横部１９６Ｈ２はその端に拡張部１９５Ｈを含む。拡張部１９５Ｈは第１ドレイン電極１７５Ｈの広い端部と重畳する。拡張部１９５Ｈは第１接触孔１８１Ｈを通じて第１ドレイン電極１７５Ｈと接続されてデータ電圧の印加を受ける。
【００６２】
第２延長部は、第２副画素電極１９１Ｌの上側辺と接続された第２縦部１９６Ｌ１、そして第２縦部１９６Ｌ１と接続された第２横部１９６Ｌ２からなる。
【００６３】
第２縦部１９６Ｌ１は、図１に示したように、第２副画素電極１９１Ｌの微細枝部１９４Ｌまたは縦幹部１９２Ｌから遮光領域ＢＦＺに向かって縦方向に伸びる。第２縦部１９６Ｌ１は第２副画素電極１９１Ｌの縦幹部１９２Ｌの延長上に配置されているが、これに限定されず、若干左側または右側に配置されてもよい。
【００６４】
第２横部１９６Ｌ２は第２縦部１９６Ｌ１と異なる方向に伸び、例えば横方向に伸びる。第２横部１９６Ｌ２はその端に拡張部１９５Ｌを含む。拡張部１９５Ｌは第２ドレイン電極１７５Ｌの広い端部と重畳する。拡張部１９５Ｌは第２接触孔１８１Ｌを通じて第２ドレイン電極１７５Ｌと接続されてデータ電圧の印加を受ける。
【００６５】
第１横部１９６Ｈ２の拡張部１９５Ｈと第２横部１９６Ｌ２の拡張部１９５Ｌは、図１に示したように、横方向に隣接してもよい。
【００６６】
第１薄膜トランジスタＱＨおよび第２薄膜トランジスタＱＬがターンオンされると、第１副画素電極１９１Ｈおよび第２副画素電極１９１Ｌはそれぞれ第１ドレイン電極１７５Ｈおよび第２ドレイン電極１７５Ｌからそれぞれのデータ電圧の印加を受ける。
【００６７】
第１副画素電極１９１Ｈおよび第２副画素電極１９１Ｌは、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ、Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ、Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、金属薄膜などの透明な導電物質を含む。
【００６８】
本実施形態において説明した画素ＰＸの配置、形態、薄膜トランジスタの構造および画素電極の形状は一つの例に過ぎず、多様な変形が可能である。
【００６９】
画素電極と第２絶縁層１８０ｂの上には複数のスペーサ３３０および複数の第１突出部３３０Ｈ、第２突出部３３０Ｌが位置する。スペーサ３３０と第１突出部３３０Ｈ、第２突出部３３０Ｌは同一層に位置し、同一物質を含む。液晶表示装置の製造過程においてスペーサ３３０と第１突出部３３０Ｈ、第２突出部３３０Ｌは同一工程により形成する。
【００７０】
スペーサ３３０は液晶層３のセルギャップ、即ち、下部表示板１００と上部表示板２００の間の間隔を維持する役割を果たす。スペーサ３３０の上面は上部表示板２００の下面と実質的に接触するか、または、ある程度間隔をおく。スペーサ３３０の高さは一定であるか、または、多様である。スペーサ３３０は例えば図１では遮光領域ＢＦＺに配置されているか、さらにゲート線１２１、データ線１７１Ｈ、１７１Ｌのような信号線と重畳する所に配置されてもよい。
【００７１】
第１突出部３３０Ｈ、第２突出部３３０Ｌの高さＨ１はスペーサ３３０より低い。例えば、第１突出部３３０Ｈ、第２突出部３３０Ｌの高さＨ１は０．５μｍ乃至１．５μｍであるが、これに限定されない。高さＨ１の最大値は液晶層３のセルギャップによって変わり、液晶層３の分散性を考慮して決定される。また、高さＨ１の最小値は液晶分子３１に対する制御効果を考慮して決定される。
【００７２】
第１突出部３３０Ｈ、第２突出部３３０Ｌの幅Ｗ１は例えば５μｍ乃至２０μｍであるが、これに限定されない。幅Ｗ１の最小値は露光限界によってさらに小さくなってもよく、最大値は液晶表示装置のサイズまたは解像度によって変わり、高解像度の液晶表示装置であるほど最大値には限界がある。
【００７３】
第１突出部３３０Ｈは第１接触孔１８１Ｈに隣接したところに位置し、第２突出部３３０Ｌは第２接触孔１８１Ｌに隣接したところに位置するが、これに限定されるものではなく、第１突出部３３０Ｈおよび第２突出部３３０Ｌのうちの一つは省略されてもよい。
【００７４】
本発明の一実施形態によれば、第１突出部３３０Ｈは第１延長部の第１横部１９６Ｈ２と重畳する。即ち、第１突出部３３０Ｈは第１横部１９６Ｈ２が拡張部１９５Ｈと接続される部分に配置され、第１横部１９６Ｈ２を縦方向に横切る。
【００７５】
図２に示すように、第１突出部３３０Ｈは第１接触孔１８１Ｈに向かう逆段差面（ｒｅｖｅｒｓｅ  ｓｔｅｐｐｅｄ  ｓｉｄｅ）Ａ２、そして逆段差面Ａ２の反対側面である正段差面（ｆｏｒｗａｒｄ  ｓｔｅｐｐｅｄ  ｓｉｄｅ）Ａ１を含む。正段差面Ａ１と逆段差面Ａ２それぞれは第１横部１９６Ｈ２を横切ってもよい。
【００７６】
第２突出部３３０Ｌは第２延長部の第２横部１９６Ｌ２と重畳する。即ち、第２突出部３３０Ｌは第２横部１９６Ｌ２が拡張部１９５Ｌと接続される部分に配置され、第２横部１９６Ｌ２を縦方向に横切る。
【００７７】
第２突出部３３０Ｌは第２接触孔１８１Ｌに向かう逆段差面（図示せず）、そして逆段差面の反対側面である正段差面（図示せず）を含む。正段差面と逆段差面それぞれは第２横部１９６Ｌ２を横切る。
【００７８】
第１突出部３３０Ｈ、第２突出部３３０Ｌの正段差面Ａ１は第１接触孔１８１Ｈに近づくほど高さが高くなる。正段差面Ａ１が基板１１０の面または正段差面Ａ１が接する下部面と成す角のうちの第１突出部３３０Ｈ、第２突出部３３０Ｌの内部のテーパ角（ｔａｐｅｒ  ａｎｇｌｅ）ＡＧ１は５度以上６０度以下である。テーパ角ＡＧ１の最小値は液晶分子３１に対する制御力を考慮して決定でき、最大値は露光工程能力によって変わる。
【００７９】
逆段差面Ａ２が基板１１０の面または逆段差面Ａ２が接する下部面と成す角のうちの第１突出部３３０Ｈ、第２突出部３３０Ｌの内部のテーパ角も５度以上６０度以下である。
【００８０】
スペーサ３３０と第１突出部３３０Ｈ、第２突出部３３０Ｌは有機物質を含む。また、スペーサ３３０と第１突出部３３０Ｈ、第２突出部３３０Ｌは透明であるか、またはブラックなどの有色を帯びてもよい。スペーサ３３０と第１突出部３３０Ｈ、第２突出部３３０Ｌは一つの光マスクを用いて形成できる。この場合、光マスクは光が透過する透光領域、光が遮断される非透光領域、そして光が一部のみ透過されるハーフトーン領域を含み、ハーフトーン領域は第１突出部３３０Ｈ、第２突出部３３０Ｌに対応できる。ハーフトーン領域は複数のスリットまたは光が一部のみ透過される半透過部などを含む。
【００８１】
スペーサ３３０と第１突出部３３０Ｈ、第２突出部３３０Ｌの上には配向膜（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  ｌａｙｅｒ）が塗布される。配向膜は垂直配向膜であってもよい。配向膜は少なくとも一方向にラビングされているか、または光反応物質を含む光配向膜であってもよい。
【００８２】
上部表示板２００について説明すれば、ガラス、プラスチックなどの絶縁物質を含む基板２１０の上に遮光部材２２０を配置する。遮光部材２２０は遮光領域ＢＦＺに位置する部分を含み、隣接した画素ＰＸの間に位置する部分を含む。遮光部材２２０は画素ＰＸの間の光漏れまたは第１透光領域ＯＰａと第２透光領域ＯＰｂの間の光漏れを防止する。本発明の他の実施形態によれば、遮光部材２２０は上部表示板２００でなく下部表示板１００に配置されてもよい。
【００８３】
遮光部材２２０および基板２１０の上には蓋膜２５０を配置する。蓋膜２５０は遮光部材２２０が露出されることを防止し平坦面を提供する。蓋膜２５０は遮光部材２２０の顔料などの不純物が液晶層３に流入することを防止する。
【００８４】
蓋膜２５０の上には対向電極２７０を配置する。対向電極２７０は面状であって、基板２１０全面の上に一体型板状に形成されてもよい。対向電極２７０は一定の大きさの共通電圧Ｖｃｏｍを伝達する。
【００８５】
対向電極２７０はＩＴＯ、ＩＺＯ、金属薄膜などの透明な導電物質を含む。
【００８６】
対向電極２７０の上には配向膜が塗布されている。配向膜は垂直配向膜であってもよい。配向膜は少なくとも一方向にラビングされていてもよく、光反応物質を含む光配向膜であってもよい。
【００８７】
液晶層３は複数の液晶分子３１を含む。液晶分子３１は負の誘電率異方性を有してもよく、液晶層３に電場が生成されない状態において基板１１０、２１０に例えば垂直方向に配向されている。液晶分子３１は、液晶層３に電場が生成されない時、一定の方向にプレチルトを成してもよい。例えば、液晶分子３１は第１および第２副画素電極１９１Ｈ、１９１Ｌの微細枝部１９４Ｈ、１９４Ｌに平行な方向にプレチルトを成して傾いていてもよい。
【００８８】
図１乃至図３に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示の一画素ＰＸは第１および第２データ線１７１Ｈ、１７１Ｌとゲート線１２１に接続され、第１副画素ＰＸａおよび第２副画素ＰＸｂを含む。第１副画素ＰＸａと第２副画素ＰＸｂは画素列または画素行方向に配置する。この時、第１副画素ＰＸａと第２副画素ＰＸｂの間には前述の遮光領域ＢＦＺを配置する。
【００８９】
第１副画素ＰＸａは、ゲート線１２１および第１データ線１７１Ｈに接続されている第１薄膜トランジスタＱＨ、そして第１薄膜トランジスタＱＨと接続されている第１液晶キャパシタＣｌｃ＿Ｈを含む。第１液晶キャパシタＣｌｃ＿Ｈは、第１副画素電極１９１Ｈと対向電極２７０を二つの端子にし、その間の液晶層３を誘電体として含む。
【００９０】
第２副画素ＰＸｂは、ゲート線１２１および第２データ線１７１Ｌに接続されている第２薄膜トランジスタＱＬ、そして第２薄膜トランジスタＱＬと接続されている第２液晶キャパシタＣｌｃ＿Ｌを含む。第２液晶キャパシタＣｌｃ＿Ｌは、第２副画素電極１９１Ｌと対向電極２７０を二つの端子にし、その間の液晶層３を誘電体として含む。
【００９１】
表示板１００、２００の外側面には少なくとも偏光子（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）（図示せず）をさらに配置する。
【００９２】
以下、前述の図面と共に図４および図５を参照して本発明の一実施形態による液晶表示装置の動作について説明する。
【００９３】
ゲート線１２１にゲートオン電圧Ｖｏｎが印加されると、これに接続された第１および第２薄膜トランジスタＱＨ、ＱＬがターンオンされ、第１および第２データ線１７１Ｈ、１７１Ｌを通じて伝達されたそれぞれのデータ電圧が第１および第２副画素電極１９１Ｈ、１９１Ｌに印加される。そうすると、第１および第２副画素電極１９１Ｈ、１９１Ｌは共通電圧Ｖｃｏｍが印加された対向電極２７０と共に液晶層３に電場を生成する。
【００９４】
液晶層３に生成された電場は表示板１００、２００の表面に垂直な方向の垂直成分を含み、電場の垂直成分によって液晶分子３１は表示板１００、２００の表面に平行な方向に傾く。一方、第１および第２副画素電極１９１Ｈ、１９１Ｌの横幹部１９３Ｈ、１９３Ｌ、縦幹部１９２Ｈ、１９２Ｌおよび微細枝部１９４Ｈ、１９４Ｌなどの周縁辺と対向電極２７０の間にフリンジフィールド（ｆｒｉｎｇｅ  ｆｉｅｌｄ）が形成され、図４に矢印により示したように、液晶分子３１は十字幹部の中心に向かって、そして微細枝部１９４Ｈ、１９４Ｌに平行な方向に傾く。この時、液晶分子３１が微細枝部１９４Ｈ、１９４Ｌに平行な方向にプレチルトを成していれば液晶分子３１の応答速度を高める。
【００９５】
特に横幹部１９３Ｈ、１９３Ｌおよび縦幹部１９２Ｈ、１９２Ｌの上部に位置する液晶分子３１も十字幹部の中心に向かう方に傾いている。また、図４においてＴＡと示した部分のように、縦幹部１９２Ｈ、１９２Ｌまたは微細枝部１９４Ｈ、１９４Ｌからそれぞれ延長されている第１延長部の第１縦部１９６Ｈ１と第１横部１９６Ｈ２、および第２延長部の第２縦部１９６Ｌ１と第２横部１９６Ｌ２上に位置する液晶分子３１も、縦幹部１９２Ｈ、１９２Ｌと第１延長部の第１縦部１９６Ｈ１と第１横部１９６Ｈ２、および第２延長部の第２縦部１９６Ｌ１と第２横部１９６Ｌ２の延長方向に沿って一定の方向に傾いている。これを液晶分子３１の正常配列という。
【００９６】
このように液晶層３に電場が生成され液晶分子３１が再配列された液晶表示装置に外部から衝撃が加えられると、振動によって液晶分子３１の配列が一部分乱れて異常な液晶分子３１の配列が発生する。衝撃後、一定の時間が経過すると大部分の液晶分子３１の配列が原状復帰するが、第１および第２接触孔１８１Ｈ、１８１Ｌが位置する部分の液晶分子３１は、図２に示したように、第１および第２接触孔１８１Ｈ、１８１Ｌによる段差およびそれによる配向膜の傾斜および段差による影響により元の状態の配列に復帰せず異常配列を維持することがある。特に、第１および第２接触孔１８１Ｈ、１８１Ｌが形成された層がカラーフィルタ２３０のように有機物質を含む場合、第１および第２接触孔１８１Ｈ、１８１Ｌの段差がさらに大きくなるので、第１および第２接触孔１８１Ｈ、１８１Ｌ周囲の液晶分子３１の配列が原状復帰することが難しくなる。
【００９７】
このように第１および第２接触孔１８１Ｈ、１８１Ｌ周囲において発生した乱れた液晶分子３１の配列は、第１および第２接触孔１８１Ｈ、１８１Ｌにそれぞれ隣接した第１延長部の第１縦部１９６Ｈ１、第１横部１９６Ｈ２および第２延長部の第２縦部１９６Ｌ１、第２横部１９６Ｌ２に沿って伝播されて第１および第２透光領域ＯＰａ、ＯＰｂの液晶分子３１の配列にも影響を与えることがある。
【００９８】
しかし、本発明の一実施形態のように第１および第２接触孔１８１Ｈ、１８１Ｌと隣接した第１延長部および第２延長部上に各々第１突出部３３０Ｈ、第２突出部３３０Ｌが配置されて、第１および２接触孔１８１Ｈ、１８１Ｌ付近の液晶分子３１の異常配列が第１および第２透光領域ＯＰａ、ＯＰｂに伝播されるのを遮断する。図２および図５に示したように、第１突出部３３０Ｈ、第２突出部３３０Ｌの逆段差面Ａ２上の液晶分子３１は逆段差面Ａ２の傾斜によって第１および２接触孔１８１Ｈ、１８１Ｌに向かって傾いているが、第１突出部３３０Ｈ、第２突出部３３０Ｌの正段差面Ａ１上の液晶分子３１は正段差面Ａ１の傾斜によって第１および２接触孔１８１Ｈ、１８１Ｌと反対側に向かって傾いており、このような液晶分子３１の配列は衝撃前の縦幹部１９２Ｈ、１９２Ｌと第１延長部の第１縦部１９６Ｈ１、第１横部１９６Ｈ２および第２延長部の第２縦部１９６Ｌ１、第２横部１９６Ｌ２の延長方向に沿って一定の方向に配列された正常配列と同一である。
【００９９】
つまり、第１突出部３３０Ｈ、第２突出部３３０Ｌは第１および２接触孔１８１Ｈ、１８１Ｌ付近の液晶分子３１の異常配列が第１および第２透光領域ＯＰａ、ＯＰｂに伝播されることを遮断し、第１および第２透光領域ＯＰａ、ＯＰｂにそれによるテクスチャが発生することを防止する。
【０１００】
本発明の一実施形態による液晶表示装置の第１および第２副画素電極１９１Ｈ、１９１Ｌは微細枝部１９４Ｈ、１９４Ｌの伸びる方向の異なる複数の副領域を含むので、一画素ＰＸの液晶層３は液晶分子３１が傾く方向が互いに異なる複数のドメインを含む。したがって、広視野角を実現できる。
【０１０１】
液晶層３に電場が生成され新しく配列された液晶分子３１は液晶層３に入射した光の偏光方向を変える。このような偏光の変化は偏光子によって光の透過率変化として現れ、これによって画素ＰＸは画像信号の階調が示す輝度を表示する。
【０１０２】
本実施形態においては第１突出部３３０Ｈ、第２突出部３３０Ｌが第１および第２接触孔１８１Ｈ、１８１Ｌに隣接して位置し、第１および第２接触孔１８１Ｈ、１８１Ｌの段差による液晶分子３１の異常配列の伝播を遮断するためであると説明したが、第１突出部３３０Ｈ、第２突出部３３０Ｌの位置がこれに限定されるものではない。例えば、下部表示板１００が液晶層３と接する上側面が窪んでいて段差が大きい部分がある場合、この部分周辺に本実施形態のような第１突出部３３０Ｈ、第２突出部３３０Ｌを形成することによって、段差が大きい部分において生成された液晶分子３１の異常配列が透光領域に伝播されることを効果的を遮断する。この場合にも第１突出部３３０Ｈ、第２突出部３３０Ｌは画素電極の十字幹部のような幹部から延長された延長部の上に配置する。
【０１０３】
図６は本発明の実施形態による液晶表示装置の斜視図である。
【０１０４】
図６に示すように、本発明の実施形態による液晶表示装置１は曲面型であってもよい。曲面型液晶表示装置１は少なくとも一方向に沿って撓うか曲がっていてもよく、その曲率半径は一定であるか、または位置によって変わってもよい。
【０１０５】
以下、前述の図面と共に図７を参照して本発明の一実施形態による液晶表示装置について説明する。
【０１０６】
図７は図１に示した液晶表示装置のＩＩ−ＩＩ線による断面図の他の例である。
【０１０７】
図７に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示装置は前述の図１乃至図６に示した実施形態による液晶表示装置と大部分同一であるが、下部表示板１００の構造が異なる。本実施形態によれば、薄膜トランジスタＱＨ、ＱＬと第１および第２副画素電極１９１Ｈ、１９１Ｌの間にカラーフィルタ２３０が配置されず、第３絶縁層１８０ｃが配置されている。第３絶縁層１８０ｃは絶縁物質、特に有機絶縁物質を含む。第１および第２絶縁層１８０ａ、１８０ｂのうちの少なくとも一つは省略されてもよい。
【０１０８】
カラーフィルタ２３０は上部表示板２００に配置する。具体的に、カラーフィルタ２３０は基板２１０と蓋膜２５０の間に配置する。しかし、これとは異なり、カラーフィルタ２３０は下部表示板１００に配置されてもよい。
【０１０９】
この他に、他の特徴および効果は前述と同一であるので、ここで詳細な説明は省略する。
【０１１０】
以下、前述の図面と共に図８乃至図１１をそれぞれ参照して本発明の一実施形態による液晶表示装置について説明する。
【０１１１】
図８乃至図１１はそれぞれ本発明の一実施形態による液晶表示装置の一画素に対する配置図である。
【０１１２】
まず、図８に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示装置は前述の図１乃至図５に示した実施形態による液晶表示装置と大部分同一であるが、第１突出部３３０Ｈ、第２突出部３３０Ｌの位置が異なる。
【０１１３】
本発明の一実施形態によれば、第１突出部３３０Ｈは第１延長部の第１縦部１９６Ｈ１と重畳する。第１突出部３３０Ｈは第１縦部１９６Ｈ１を横方向に横切る。図示していないが、第１突出部３３０Ｈは第１接触孔１８１Ｈに向かう逆段差面、そして逆段差面の反対側面である正段差面を含む。正段差面と逆段差面それぞれは第１縦部１９６Ｈ１を横切る。
【０１１４】
第２突出部３３０Ｌは第２延長部の第２縦部１９６Ｌ１と重畳する。第２突出部３３０Ｌは第２縦部１９６Ｌ１を横方向に横切る。図示していないが、第２突出部３３０Ｌは第２接触孔１８１Ｌに向かう逆段差面、そして逆段差面の反対側面である正段差面を含む。正段差面と逆段差面それぞれは第２縦部１９６Ｌ１を横切る。
【０１１５】
この他に、第１突出部３３０Ｈ、第２突出部３３０Ｌの具体的な形態および構造は前述の実施形態と同一であるので、ここで詳細な説明は省略する。
【０１１６】
図９に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示装置は前述の図１乃至図５に示した実施形態による液晶表示装置と大部分同一であるが、第１突出部３３０Ｈ、第２突出部３３０Ｌの形態および位置が異なる。
【０１１７】
本発明の一実施形態によれば、第１突出部３３０Ｈは第１副画素電極１９１Ｈの縦幹部１９２Ｈと第１接触孔１８１Ｈの間に位置し、第１透光領域ＯＰａと遮光領域ＢＦＺの境界に沿って長く形成する。第１突出部３３０Ｈは第１副画素電極１９１Ｈの下側辺に沿って長く形成し、第１突出部３３０Ｈの少なくとも一辺は第１縦部１９６Ｈ１を横方向に横切る。
【０１１８】
これにより、外部衝撃時、第１接触孔１８１Ｈ側から始まった液晶分子３１の異常配列が第１透過領域ＯＰａに伝播されることを遮断できる。
【０１１９】
同様に、第２突出部３３０Ｌは第２副画素電極１９１Ｌの縦幹部１９２Ｌと第２接触孔１８１Ｌの間に位置し、第２透光領域ＯＰｂと遮光領域ＢＦＺの境界に沿って長く形成する。第２突出部３３０Ｌは第２副画素電極１９１Ｌの上側辺に沿って長く形成し、第２突出部３３０Ｌの少なくとも一辺は第２縦部１９６Ｌ１を横方向に横切る。
【０１２０】
これにより、外部衝撃時、第２接触孔１８１Ｌ側から始まった液晶分子３１の異常配列が第２透過領域ＯＰｂに伝播されることを遮断する。
【０１２１】
図１０に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示装置は前述の図９に示した実施形態による液晶表示装置と大部分同一であるが、第１突出部３３０Ｈ、第２突出部３３０Ｌの形態が異なる。
【０１２２】
本発明の一実施形態によれば、第１突出部３３０Ｈは第１副画素電極１９１Ｈの縦幹部１９２Ｈと第１接触孔１８１Ｈの間に位置し第１透光領域ＯＰａと遮光領域ＢＦＺの境界に沿って長く形成された第１部分３３０Ｈ１、そして第１部分３３０Ｈ１に接続された第２部分３３０Ｈ２をさらに含む。
【０１２３】
第１部分３３０Ｈ１は第１副画素電極１９１Ｈの下側辺に沿って長く形成し、第１部分３３０Ｈ１の少なくとも一辺は第１縦部１９６Ｈ１を横方向に横切る。
【０１２４】
第２部分３３０Ｈ２は例えば縦方向に伸び、第１横部１９６Ｈ２と重畳する。つまり、第２部分３３０Ｈ２は前述の図１および図２に示した実施形態のように第１横部１９６Ｈ２を縦方向に横切る。
【０１２５】
同様に、第２突出部３３０Ｌは第２副画素電極１９１Ｌの縦幹部１９２Ｌと第２接触孔１８１Ｌの間に位置し第２透光領域ＯＰｂと遮光領域ＢＦＺの境界に沿って長く形成された第１部分３３０Ｌ１、そして第１部分３３０Ｌ１に接続された第２部分３３０Ｌ２をさらに含む。
【０１２６】
第１部分３３０Ｌ１は第２副画素電極１９１Ｌの上側辺に沿って長く形成し、第１部分３３０Ｌ１の少なくとも一辺は第２縦部１９６Ｌ１を横方向に横切る。
【０１２７】
第２部分３３０Ｌ２は縦方向に伸び、第２横部１９６Ｌ２と重畳する。つまり、第２部分３３０Ｌ２は前述の図１および図２に示した実施形態のように第２横部１９６Ｌ２を縦方向に横切る。
【０１２８】
本実施形態によれば、外部衝撃時、第１および第２接触孔１８１Ｈ、１８１Ｌ側から始まった液晶分子３１の異常配列が第１および第２透過領域Ｏｂａ、ＯＰｂに伝播されることをさらに効果的に遮断する。
【０１２９】
図１１に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示装置は前述の図１０に示した実施形態による液晶表示装置と大部分同一であるが、第１突出部３３０Ｈ、第２突出部３３０Ｌの形態が異なる。
【０１３０】
本発明の一実施形態によれば、第１突出部３３０Ｈの第２部分３３０Ｈ２は第１部分３３０Ｈ１の中間と接続されず、第１部分３３０Ｈ１の端部と接続されて、第１突出部３３０Ｈは全体的に折り曲げられた形状、例えば‘逆Ｌ’字形状を有する。第１部分３３０Ｈ１は第１延長部の第１縦部１９６Ｈ１と重畳しない。これにより、第１突出部３３０Ｈは第１接触孔１８１Ｈの少なくとも二面を囲む形態を有する。
【０１３１】
同様に、第２突出部３３０Ｌの第２部分３３０Ｌ２は第１部分３３０Ｌ１の中間と接続されず、第１部分３３０Ｌ１の端部と接続されて、第２突出部３３０Ｌは全体的に折り曲げられた形状、例えば‘Ｌ’字形状を有する。第１部分３３０Ｌ１は第２延長部の第２縦部１９６Ｌ１と重畳しない。これにより、第２突出部３３０Ｌは第２接触孔１８１Ｌの少なくとも二面を囲む形態を有する。
【０１３２】
以上、本発明の一実施形態による液晶表示装置が二つの副画素ＰＸａ、ＰＸｂを含む例について主に説明したが、これに限定されず、一画素ＰＸが一つの薄膜トランジスタおよびこれに接続された一つの画素電極を含むこともでき、三つ以上の副画素を含むこともできる。
【０１３３】
以上において本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるのではなく、特許請求の範囲により定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形および改良形態も本発明の権利範囲に属する。
【符号の説明】
【０１３４】
３  液晶層
３１  液晶分子
１００  下部表示板
１１０、２１０  基板
１２１  ゲート線
１２４Ｈ  第１ゲート電極
１２４Ｌ  第２ゲート電極
１３１  維持電極線
１３３、１３５  維持電極
１４０  ゲート絶縁膜
１５４Ｈ  第１半導体
１５４Ｌ  第２半導体
１６３Ｈ、１６５Ｈ  オーミック接触部材
１７１Ｈ  第１データ線
１７１Ｌ  第２データ線
１７３Ｈ  第１ソース電極
１７３Ｌ  第２ソース電極
１７５Ｈ  第１ドレイン電極
１７５Ｌ  第２ドレイン電極
１８０ａ  第１絶縁層
１８０ｂ  第２絶縁層
１８０ｃ  第３絶縁層
１８１Ｈ  第１接触孔
１８１Ｌ  第２接触孔
１９１Ｈ  第１副画素電極
１９１Ｌ  第２副画素電極
１９２Ｈ、１９２Ｌ  縦幹部
１９３Ｈ、１９３Ｌ  横幹部
１９４Ｈ、１９４Ｌ  微細枝部
１９５Ｈ、１９５Ｌ  拡張部
１９６Ｈ１  第１縦部
１９６Ｈ２  第１横部
１９６Ｌ１  第２縦部
１９６Ｌ２  第２横部
２００  上部表示板
２２０  遮光部材
２３０  カラーフィルタ
２３５  開口部
２５０  蓋膜
２７０  対向電極
３３０  スペーサ
３３０Ｈ  第１突出部
３３０Ｈ１  第１突出部の第１部分
３３０Ｈ２  第１突出部の第２部分
３３０Ｌ  第２突出部
３３０Ｌ１  第２突出部の第１部分
３３０Ｌ２  第２突出部の第２部分
Ａ１  正段差面
Ａ２  逆段差面
ＢＦＺ  遮光領域
Ｃｌｃ＿Ｈ  第１液晶キャパシタ
Ｃｌｃ＿Ｌ  第２液晶キャパシタ
ＯＰａ  第１透光領域
ＯＰｂ  第２透光領域
ＰＸ  画素
ＰＸａ  第１副画素
ＰＸｂ  第２副画素
ＱＨ  第１薄膜トランジスタ
ＱＬ  第２薄膜トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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