(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
双方向電圧サプレッサと、
前記双方向電圧サプレッサに並列に接続され、第１端が前記双方向電圧サプレッサの第１端に接続され、第２端が前記双方向電圧サプレッサの第２端に接続されるサイリスタ型サージ抑制ユニットと、
を備えるサージ保護回路であって、
前記サイリスタ型サージ抑制ユニットの第１端から第２端への方向におけるブレークオーバー電圧または破壊電圧は、前記双方向電圧サプレッサの第１端から第２端への方向におけるクランプ電圧よりも大きく、
前記サイリスタ型サージ抑制ユニットの第２端から第１端への方向におけるブレークオーバー電圧は、前記双方向電圧サプレッサの第２端から第１端への方向におけるクランプ電圧よりも小さい、
サージ保護回路。
【請求項２】
前記サイリスタ型サージ抑制ユニットは、非対称サイリスタ型サージ抑制ユニットである、請求項１に記載のサージ保護回路。
【請求項３】
前記非対称サイリスタ型サージ抑制ユニットは、単方向導通逆方向遮断のサイリスタサージサプレッサである、請求項２に記載のサージ保護回路。
【請求項４】
前記非対称サイリスタ型サージ抑制ユニットは、双方向非対称サイリスタサージサプレッサであり、前記双方向非対称サイリスタサージサプレッサの第１端から第２端への方向におけるブレークオーバー電圧は、前記双方向非対称サイリスタサージサプレッサの第２端から第１端への方向におけるブレークオーバー電圧よりも大きい、請求項２に記載のサージ保護回路。
【請求項５】
前記非対称サイリスタ型サージ抑制ユニットは、単方向ダイオードおよびサイリスタサージサプレッサを備え、前記単方向ダイオードは、前記サイリスタサージサプレッサに直列に接続されてから、前記双方向電圧サプレッサに並列に接続され、前記単方向ダイオードの陰極が前記双方向電圧サプレッサの第１端に接続され、または前記単方向ダイオードの陽極が前記双方向電圧サプレッサの第２端に接続される、請求項２に記載のサージ保護回路。
【請求項６】
前記双方向電圧サプレッサは、双方向過渡電圧サプレッサＴＶＳ、双方向非対称ＴＶＳ、バリスタまたは双方向ツェナーダイオードである、請求項１に記載のサージ保護回路。
【請求項７】
前記双方向非対称ＴＶＳの第１端から第２端への方向におけるクランプ電圧は、前記双方向非対称ＴＶＳの第２端から第１端への方向におけるクランプ電圧よりも小さい、請求項６に記載のサージ保護回路。
【請求項８】
引外し装置を更に備え、
前記引外し装置は、前記双方向電圧サプレッサに直列に接続されてから、前記サイリスタ型サージ抑制ユニットに並列に接続され、あるいは、前記引外し装置は、前記サイリスタ型サージ抑制ユニットに直列に接続されてから、前記双方向電圧サプレッサに並列に接続される、
請求項１から７のいずれか１項に記載のサージ保護回路。
【請求項９】
２つの引外し装置を更に備え、
第１引外し装置は前記双方向電圧サプレッサに直列に接続されて第１分岐路を形成し、第２引外し装置は前記サイリスタ型サージ抑制ユニットに直列に接続されて第２分岐路を形成し、前記第１分岐路と前記第２分岐路とは並列に接続される、
請求項１から７のいずれか１項に記載のサージ保護回路。
【請求項１０】
単方向ダイオードを更に備え、
前記単方向ダイオードは、前記双方向電圧サプレッサに直列に接続されてから、前記サイリスタ型サージ抑制ユニットに並列に接続され、
前記単方向ダイオードの陽極は前記サイリスタ型サージ抑制ユニットの第１端に接続され、あるいは、前記単方向ダイオードの陰極は前記サイリスタ型サージ抑制ユニットの第２端に接続される、
請求項１に記載のサージ保護回路。
【請求項１１】
入力端を備える本体回路と、
前記本体回路に並列に接続されるとともに、前記本体回路の入力端に接続される請求項１から１０のいずれか１項に記載のサージ保護回路と、
を備える電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、回路保護の分野に関し、例えば、サージ保護回路およびこれを用いた電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子装置は、過電圧の影響を受けることが多い。この過電圧は、落雷による過電圧および電力供給システムの過電圧を含む。過電圧は装置を破損するため、過電圧を許容できるレベルまで下げる保護対策が必要となる。
【０００３】
電子装置を保護するために、サージ保護回路を採用してもよい。図１に関連技術におけるサージ保護回路が示され、該サージ保護回路において、双方向ＴＳＳ  １０２（Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ  Ｓｕｒｇｅ  Ｓｕｐｐｒｅｓｓｏｒ、サイリスタサージサプレッサ）と単方向ＴＶＳ  １０４（Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ  Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｓｕｐｐｒｅｓｓｏｒ、過渡電圧サプレッサ）とは直列に接続される。ここで、該双方向ＴＳＳの第１端は電源の正極に接続され、該単方向ＴＶＳの負極は該双方向ＴＳＳの第２端に接続され、該単方向ＴＶＳの正極は電源の負極に接続される。このように、前記電源のポートが正極から負極へのサージ衝撃を受けた場合、双方向ＴＳＳおよび単方向ＴＶＳはサージ電流を分流するように導通し、且つ、前記単方向ＴＶＳは前記単方向ＴＶＳの両端のサージ電圧をクランプ電圧にクランプする。前記電源のポートが負極から正極へのサージ衝撃を受けた場合、該双方向ＴＳＳおよび単方向ＴＶＳはサージ電流を分流するように導通する。
【０００４】
しかし、以上のサージ保護回路は、直流電源ポートが受けた落雷の極性（正または負）によって、回路の耐雷性能が大きく異なるという欠点が存在する。電源の負極から電源の正極への落雷を受けた場合、サージ保護回路の両端の残圧が比較的高く、保護対象となる回路に接続されて使用される際に、保護対象となる回路に入った電流が比較的大きく、保護対象となる回路を破壊しやすい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本開示は、関連技術において、保護モジュールが電源の負極から電源の正極への落雷を受けた場合、モジュールの両端の残圧が比較的高く、保護対象となる回路に入った電流が比較的大きく、保護対象となる回路を破壊しやすいという問題を解決するサージ保護回路を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
双方向電圧サプレッサと、
該双方向電圧サプレッサに並列に接続され、第１端が該双方向電圧サプレッサの第１端に接続され、第２端が該双方向電圧サプレッサの第２端に接続されるサイリスタ型サージ抑制ユニットと、
を備えるサージ保護回路であって、
該サイリスタ型サージ抑制ユニットの第１端から第２端への方向におけるブレークオーバー電圧または破壊電圧は、該双方向電圧サプレッサの第１端から第２端への方向におけるクランプ電圧よりも大きく、
該サイリスタ型サージ抑制ユニットの第２端から第１端への方向におけるブレークオーバー電圧は、該双方向電圧サプレッサの第２端から第１端への方向におけるクランプ電圧よりも小さい、
サージ保護回路。
【０００７】
好ましくは、サイリスタ型サージ抑制ユニットは、非対称サイリスタ型サージ抑制ユニットである。
【０００８】
好ましくは、該非対称サイリスタ型サージ抑制ユニットは、単方向導通逆方向遮断のサイリスタ型サージ抑制ユニットである。
【０００９】
好ましくは、該非対称サイリスタ型サージ抑制ユニットは、双方向非対称サイリスタサージサプレッサであり、該双方向非対称サイリスタサージサプレッサの第１端から第２端への方向におけるブレークオーバー電圧は、該双方向非対称サイリスタサージサプレッサの第２端から第１端への方向におけるブレークオーバー電圧よりも大きい。
【００１０】
好ましくは、該非対称サイリスタ型サージ抑制ユニットは、単方向ダイオードおよびサイリスタサージサプレッサを備え、該単方向ダイオードは、該サイリスタサージサプレッサに直列に接続されてから、該双方向電圧サプレッサに並列に接続され、該単方向ダイオードの陰極が該双方向電圧サプレッサの第１端に接続され、または該単方向ダイオードの陽極が該双方向電圧サプレッサの第２端に接続される。
【００１１】
好ましくは、該双方向電圧サプレッサは、双方向ＴＶＳ、双方向非対称ＴＶＳ、バリスタまたは双方向ツェナーダイオードである。
【００１２】
好ましくは、該双方向非対称ＴＶＳの第１端から第２端への方向におけるクランプ電圧は、該双方向非対称ＴＶＳの第２端から第１端への方向におけるクランプ電圧よりも小さい。
【００１３】
好ましくは、該サージ保護回路は、引外し装置を更に備え、該引外し装置は、該双方向電圧サプレッサに直列に接続されてから、該サイリスタ型サージ抑制ユニットに並列に接続され、あるいは、前記引外し装置は、前記サイリスタ型サージ抑制ユニットに直列に接続されてから、前記双方向電圧サプレッサに並列に接続される。
【００１４】
好ましくは、該サージ保護回路は、２つの引外し装置を更に備え、第１引外し装置は該双方向電圧サプレッサに直列に接続されて第１分岐路を形成し、第２引外し装置は該サイリスタ型サージ抑制ユニットに直列に接続されて第２分岐路を形成し、該第１分岐路と該第２分岐路とは並列に接続される。
【００１５】
好ましくは、単方向ダイオードを更に備え、該単方向ダイオードは、該双方向電圧サプレッサに直列に接続されてから、該サイリスタ型サージ抑制ユニットに並列に接続される。ここで、該単方向ダイオードの陽極は該サイリスタ型サージ抑制ユニットの第１端に接続され、あるいは、該単方向ダイオードの陰極は該サイリスタ型サージ抑制ユニットの第２端に接続される。
【００１６】
本開示は、入力端を有する本体回路と、該本体回路に並列に接続されるとともに、該本体回路の入力端に接続される上記いずれか１項のサージ保護回路とを備える電子装置を更に提供する。
【発明の効果】
【００１７】
本開示のサージ保護回路は、両端の残圧を低減することができ、更に、後段回路の分流を著しく低減し、サージに対する防護能力を向上させることができる。そのため、サージ電流による損害を受けないように電子装置を効果的に保護することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】関連技術におけるサージ保護回路の模式図である。
【図２】一実施例に係るサージ保護回路の模式図である。
【図３Ａ】一実施例に係る非対称サイリスタ型サージ抑制ユニットが単方向導通逆方向遮断のＴＳＳであるサージ保護回路の模式図である。
【図３Ｂ】一実施例に係る単方向導通逆方向遮断のＴＳＳのＶ−Ｉ曲線である。
【図３Ｃ】一実施例に係る非対称サイリスタ型サージ抑制ユニットが双方向非対称ＴＳＳであるサージ保護回路の模式図である。
【図３Ｄ】一実施例に係る双方向非対称ＴＳＳのＶ−Ｉ曲線である。
【図３Ｅ】別の実施例に係る非対称サイリスタ型サージ抑制ユニットの模式図である。
【図４Ａ】一実施例に係る双方向電圧サプレッサが双方向ＴＶＳである場合のサージ保護回路の模式図である。
【図４Ｂ】一実施例に係る双方向電圧サプレッサが双方向非対称ＴＶＳである場合のサージ保護回路の他の実施例の模式図である。
【図４Ｃ】一実施例に係る双方向電圧サプレッサがバリスタである場合のサージ保護回路の他の実施例の模式図である。
【図４Ｄ】一実施例に係る双方向電圧サプレッサが双方向ツェナーダイオードである場合のサージ保護回路の他の実施例の模式図である。
【図４Ｅ】一実施例に係る双方向非対称ＴＶＳのＶ−Ｉ曲線である。
【図５Ａ】一実施例に係る１つの引外しデバイスを備えるサージ保護回路の模式図である。
【図５Ｂ】別の実施例に係る１つの引外しデバイスを備えるサージ保護回路の模式図である。
【図５Ｃ】一実施例に係る２つの引外しデバイスを備えるサージ保護回路の模式図である。
【図６】別の実施例に係るサージ保護回路の模式図である。
【図７】一実施例に係る電子装置の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図２に示すように、本実施例のサージ保護回路は、双方向電圧サプレッサ２０２およびサイリスタ型サージ抑制ユニット２０８を備え、双方向電圧サプレッサ２０２とサイリスタ型サージ抑制ユニット２０８とは並列に接続される。該双方向電圧サプレッサ２０２の第１端２０４は該サイリスタ型サージ抑制ユニット２０８の第１端２１０に接続され、該双方向電圧サプレッサ２０２の第２端２０６は該サイリスタ型サージ抑制ユニット２０８の第２端２１２に接続される。該サイリスタ型サージ抑制ユニット２０８の第１端２１０から第２端２１２への方向におけるブレークオーバー電圧または破壊電圧は、該双方向電圧サプレッサの第１端２０４から第２端２０６の方向におけるクランプ電圧よりも大きく、且つ、該サイリスタ型サージ抑制ユニット２０８の第２端２１２から第１端２１０の方向におけるブレークオーバー電圧は、該双方向電圧サプレッサの第２端２０６から第１端２０４の方向におけるクランプ電圧よりも小さい。
【００２０】
本実施例のサージ保護回路において、双方向電圧サプレッサとサイリスタ型サージ抑制ユニットとは並列に接続され、該サイリスタ型サージ抑制ユニットの第１端から第２端への方向におけるブレークオーバー電圧または破壊電圧は、該双方向電圧サプレッサの第１端から第２端への方向におけるクランプ電圧よりも大きく、且つ、該サイリスタ型サージ抑制ユニットの第２端から第１端への方向におけるブレークオーバー電圧は、該双方向電圧サプレッサの第２端から第１端への方向におけるクランプ電圧よりも小さい。サージ保護回路が双方向電圧サプレッサの第１端から第２端へのサージを受けた場合、双方向電圧サプレッサは、サージ電流を分流して双方向電圧サプレッサの両端のサージ電圧をクランプ電圧にクランプするように導通する。サージ保護回路がサイリスタ型サージ抑制ユニットの第２端から第１端へのサージを受けた場合、サイリスタ型サージ抑制ユニットは、サージ電流を分流するように導通し、且つ、サイリスタ型サージ抑制ユニットはその両端のサージ電圧を導通電圧に抑制する。以上のサージ保護回路は、その両端の残圧を低減することができ、更に、後段回路の分流を著しく低減し、サージに対する防護能力を向上させることができる。そのため、サージ電流による損害を受けないように電子装置を効果的に保護することができる。
【００２１】
サイリスタ型サージ抑制ユニットとは、全体としてサイリスタサージサプレッサの特性が現れたユニットを指す。該サイリスタ型サージ抑制ユニットは、該サイリスタ型サージ抑制ユニットの第１端から第２端への方向におけるブレークオーバー電圧または破壊電圧が該双方向電圧サプレッサの第１端から第２端への方向におけるクランプ電圧よりも大きく、且つ、該サイリスタ型サージ抑制ユニットの第２端から第１端への方向におけるブレークオーバー電圧が該双方向電圧サプレッサの第２端から第１端への方向におけるクランプ電圧よりも小さいことが保証できれば、対称であっても非対称であってもよい。好ましくは、該サイリスタ型サージ抑制ユニットは非対称サイリスタ型サージ抑制ユニットである。非対称サイリスタ型サージ抑制ユニットとは、該ユニット全体が表現した特性曲線が以下のことに合致するものを指す。
【００２２】
非対称サイリスタ型サージ抑制ユニットの第１端から第２端への方向は、通常のダイオードの逆方向遮断の特性を有し、非対称サイリスタ型サージ抑制ユニットの第２端から第１端への方向は、ＴＳＳの特性を有し、あるいは、上記２つの方向はいずれもＴＳＳの特有のスイッチング特性を備え、且つ、２つの方向における電気パラメータに差が存在する。
【００２３】
好ましくは、図３Ａに示すように、該非対称サイリスタ型サージ抑制ユニットは単方向導通逆方向遮断のサイリスタサージサプレッサ（ＴＳＳ）２１４である。単方向導通逆方向遮断のＴＳＳとは、第１端２１６から第２端２１８への方向において、該単方向導通逆方向遮断のＴＳＳが通常のダイオードの逆方向遮断の特性を有し、第２端２１８から第１端２１６への方向において、該単方向導通逆方向遮断のＴＳＳがＴＳＳのスイッチング特性を有するものを指す。該単方向導通逆方向遮断のＴＳＳのＶ−Ｉの曲線は図３Ｂに示すとおりである。該単方向導通逆方向遮断のＴＳＳの第１端から第２端への方向における破壊電圧Ｖｚは、該双方向電圧サプレッサの第１端から第２端への方向におけるクランプ電圧よりも大きく、且つ、該単方向導通逆方向遮断のＴＳＳの第２端から第１端への方向におけるブレークオーバー電圧Ｖｓは、該双方向電圧サプレッサの第２端から第１端への方向におけるクランプ電圧よりも小さい。
【００２４】
好ましくは、図３Ｃに示すように、該非対称サイリスタ型サージ抑制ユニットは双方向非対称サイリスタサージサプレッサ（ＴＳＳ）２２０であり、該双方向非対称ＴＳＳ  ２２０とは、第１端から第２端へ、および第２端から第１端へという２つの方向は、いずれもＴＳＳの特有のスイッチング特性を備え、且つ、第２端から第１端への方向に対し、第１端から第２端への方向におけるブレークオーバー電圧が高いというような、上記２つの方向における電気的パラメータに差が存在するものを指す。そのＶ−Ｉ曲線は図３Ｄに示すとおりである。ここで、Ｖｄｒｍ≠Ｖｄｒｍ＊、Ｖｓ≠Ｖｓ＊、Ｖｔ≠Ｖｔ＊、Ｉｔ≠Ｉｔ＊、Ｉｓ≠Ｉｓ＊、Ｉｈ≠Ｉｈ＊、Ｉｄｒｍ≠Ｉｄｒｍ＊である。本実施例において、該双方向非対称ＴＳＳ  ２２０の第１端２２２から第２端２２４への方向におけるブレークオーバー電圧Ｖｓは、該双方向非対称ＴＳＳ  ２２０の第２端２２４から第１端２２２への方向におけるブレークオーバー電圧Ｖｓ＊よりも大きい。該双方向非対称ＴＳＳの第１端から第２端への方向におけるブレークオーバー電圧Ｖｓは、該双方向電圧サプレッサの第１端から第２端への方向におけるクランプ電圧よりも大きく、且つ、該双方向非対称ＴＳＳの第２端から第１端への方向におけるブレークオーバー電圧Ｖｓは、該双方向電圧サプレッサの第２端から第１端への方向におけるクランプ電圧よりも小さい。
【００２５】
好ましくは、該非対称サイリスタ型サージ抑制ユニット２０８’は、単方向ダイオード４０４およびサイリスタサージサプレッサ４０６を備え、図３Ｅに示すように、該単方向ダイオード４０４はサイリスタサージサプレッサ４０６に直列に接続されてから、該双方向電圧サプレッサ２０２に並列に接続され、該単方向ダイオードの陰極は該双方向電圧サプレッサ２０２の第１端２０４に接続され、該単方向ダイオードの陽極はサイリスタサージサプレッサ４０６の第１端４０８に接続され、該サイリスタサージサプレッサ４０６の第２端４１０は該双方向電圧サプレッサ２０２の第２端２０６に接続される。図３Ｅにおけるサイリスタサージサプレッサは通常のサイリスタサージサプレッサであってもよく、単方向ダイオードの陰極からサイリスタサージサプレッサの第２端への方向において、単方向ダイオードの陰極とサイリスタサージサプレッサとが直列に接続されて形成された破壊電圧は、該双方向電圧サプレッサの第１端から第２端への方向におけるクランプ電圧よりも大きく、サイリスタサージサプレッサの第２端から単方向ダイオードの陰極への方向において、単方向ダイオードの陰極とサイリスタサージサプレッサとが直列に接続されて形成されたブレークオーバー電圧は、該双方向電圧サプレッサの第２端から第１端への方向におけるクランプ電圧よりも小さい。好ましくは、サイリスタサージサプレッサは、以上に言及された単方向導通逆方向遮断のサイリスタサージサプレッサまたは双方向非対称サイリスタサージサプレッサであってもよく、該サイリスタサージサプレッサの第１端および第２端は、それぞれ単方向導通逆方向遮断のサイリスタサージサプレッサまたは双方向非対称サイリスタサージサプレッサの第１端および第２端に対応する。図３Ｅにおける単方向ダイオードの位置は固定されず、好ましくは、該単方向ダイオード４０４はサイリスタサージサプレッサ４０６と位置を入れ替えることができ、すなわち、該単方向ダイオードの陽極は該双方向電圧サプレッサの第２端に接続され、該単方向ダイオードの陰極は該サイリスタサージサプレッサの第２端に接続され、該サイリスタサージサプレッサの第１端は該双方向電圧サプレッサの第１端に接続される。
【００２６】
好ましくは、図４Ａ〜４Ｄに示すように、該双方向電圧サプレッサは、双方向ＴＶＳ  ３０２、双方向非対称ＴＶＳ  ３０８、バリスタ３１４または双方向ツェナーダイオード３２０であってもよい。該双方向電圧サプレッサが双方向ＴＶＳ  ３０２である場合、双方向ＴＶＳ  ３０２の第１端３０４はサイリスタ型サージ抑制ユニット２０８の第１端２１０に接続され、双方向ＴＶＳ  ３０２の第２端３０６はサイリスタ型サージ抑制ユニット２０８の第２端２１２に接続される。該双方向電圧サプレッサが双方向非対称ＴＶＳ  ３０８である場合、双方向非対称ＴＶＳ  ３０８の第１端３１０はサイリスタ型サージ抑制ユニット２０８の第１端２１０に接続され、且つ、双方向非対称ＴＶＳ  ３０８の第２端３１２はサイリスタ型サージ抑制ユニット２０８の第２端２１２に接続される。該双方向電圧サプレッサがバリスタ３１４である場合、バリスタ３１４の第１端３１６はサイリスタ型サージ抑制ユニット２０８の第１端２１０に接続され、且つ、バリスタ３１４の第２端３１８はサイリスタ型サージ抑制ユニット２０８の第２端２１２に接続される。該双方向電圧サプレッサが双方向ツェナーダイオード３２０である場合、双方向ツェナーダイオード３２０の第１端３１６はサイリスタ型サージ抑制ユニット２０８の第１端２１０に接続され、且つ、双方向ツェナーダイオード３２０の第２端３１８はサイリスタ型サージ抑制ユニット２０８の第２端２１２に接続される。
【００２７】
上述から分かるように、該サイリスタ型サージ抑制ユニットは非対称サイリスタ型サージ抑制ユニットであってもよく、該非対称サイリスタ型サージ抑制ユニットは単方向導通逆方向遮断のＴＳＳ、双方向非対称ＴＳＳ、またはサイリスタサージサプレッサとダイオードとが直列に接続されて構成されたユニットであってもよい。そのため、本実施例において、サージ保護回路は、第１ユニットと第２ユニットとが並列に接続されて形成されてもよい。ここで、第１ユニットは双方向ＴＶＳ、双方向非対称ＴＶＳ、バリスタまたは双方向ツェナーダイオードであり、第２ユニットは単方向導通逆方向遮断のＴＳＳ、双方向非対称ＴＳＳ、またはサイリスタサージサプレッサとダイオードとが直列に接続されて構成されたユニットである。
【００２８】
好ましくは、該双方向電圧サプレッサは双方向非対称ＴＶＳであってもよい。該双方向非対称ＴＶＳの第１端から第２端へ、および第２端から第１端へという２つの方向は、いずれもＴＶＳの特有のクランプ特性を有し、いわゆる非対称とは、第２端から第１端への方向に対し、第１端から第２端への方向におけるクランプ電圧が高いというような、上記２つの方向における電気的パラメータに一定の差が存在することを意味し、そのＶ−Ｉ曲線は図４Ｅに示すとおりである。ここで、Ｖｃ≠Ｖｃ＊、Ｖｂｒ≠ＶＢＲ＊、ＶＤＲＭ≠ＶＤＲＭ＊、ＩＰＰ≠ＩＰＰ＊、ＩＲ≠ＩＲ＊、ＩＤＲＭ≠ＩＤＲＭ＊である。好ましくは、双方向非対称ＴＶＳの第１端から第２端への方向におけるクランプ電圧Ｖｃ＊は、該双方向非対称ＴＶＳの第２端から第１端への方向におけるクランプ電圧Ｖｃよりも小さい。本実施例において、Ｖｃ＊がＶｃよりも小さいことにより、第１端から第２端への方向における残圧を低減することができ、該サージ保護回路の性能の向上に寄与する。
【００２９】
好ましくは、該サージ保護回路は引外し装置４０２を更に備え、図５Ａおよび５Ｂに示すように、該引外し装置４０２は、該双方向電圧サプレッサ２０２に直列に接続されてから、該サイリスタ型サージ抑制ユニット２０８に並列に接続され、あるいは、該引外し装置４０２は、該サイリスタ型サージ抑制ユニット２０８に直列に接続されてから、該双方向電圧サプレッサ２０２に並列に接続される。図５Ａおよび５Ｂにおいて、引外し装置４０２の位置は固定されず、図５Ａにおいて、引外し装置は双方向電圧サプレッサと位置を入れ替えることができる。同様に、図５Ｂにおいて、引外し装置はサイリスタ型サージ抑制ユニットと位置を入れ替えることができる。
【００３０】
好ましくは、該サージ保護回路は２つの引外し装置４０２を更に備え、第１引外し装置は該双方向電圧サプレッサ２０２に直列に接続されて第１分岐路を形成し、第２引外し装置は該サイリスタ型サージ抑制ユニット２０８に直列に接続されて第２分岐路を形成し、該第１分岐路と該第２分岐路とは並列に接続され、図５Ｃに示すとおりである。同様に、図における引外し装置の位置は固定されず、必要に応じてそれぞれ双方向電圧サプレッサまたは双方向電圧サプレッサと位置を入れ替えることができる。
【００３１】
引外し装置を追加することにより、該サージ保護回路の安全性を確保することができ、回路の極端の条件で、例えば、電流が過大で回路が発熱した場合、引外し装置４０２は引外し装置４０２が位置する分岐路を遮断し、回路が焼損してしまう等の事故を回避することができる。
【００３２】
好ましくは、該サージ保護回路は単方向ダイオード４０４を更に備えてもよく、図６に示すように、該単方向ダイオード４０４は、該双方向電圧サプレッサ２０２に直列に接続されてから、該サイリスタ型サージ抑制ユニット２０８に並列に接続され、該単方向ダイオード４０４の陽極は該サイリスタ型サージ抑制ユニット２０８の第１端２１０に接続され、該単方向ダイオードの陰極は該双方向電圧サプレッサ２０２の第１端２０４に接続され、該双方向電圧サプレッサ２０２の第２端２０６は該サイリスタ型サージ抑制ユニット２０８の第２端２１２に接続される。図７における単方向ダイオードの位置は固定されず、好ましくは、該単方向ダイオード４０４は双方向電圧サプレッサと位置を入れ替えることができ、すなわち、該単方向ダイオードの陰極は該サイリスタ型サージ抑制ユニットの第２端に接続され、該単方向ダイオードの陽極は該双方向電圧サプレッサの第２端に接続され、該双方向電圧サプレッサの第１端は該サイリスタ型サージ抑制ユニットの第１端に接続される。
【００３３】
回路にダイオードを追加することにより、サージが該サイリスタ型サージ抑制ユニットの第２端から第１端への方向に沿って流れる場合、サージ電流が該双方向電圧サプレッサを通らずに該サイリスタ型サージ抑制ユニットを介してリークされることを更に確保することができる。
【００３４】
図７に示すように、本実施例は、本体回路４１２および上述したサージ保護回路を備える電子装置を更に提供する。該本体回路４１２は入力端４１４を有し、該サージ保護回路は該本体回路に並列に接続され、且つ、該本体回路の入力端４１２に接続される。該サージ保護回路は本体回路４１２の前に設けられ、サージの衝撃を受けないように本体回路を保護することができ、該電子装置は良好なサージ耐性を有する。
【００３５】
（付記）
（付記１）
双方向電圧サプレッサと、
前記双方向電圧サプレッサに並列に接続され、第１端が前記双方向電圧サプレッサの第１端に接続され、第２端が前記双方向電圧サプレッサの第２端に接続されるサイリスタ型サージ抑制ユニットと、
を備えるサージ保護回路であって、
前記サイリスタ型サージ抑制ユニットの第１端から第２端への方向におけるブレークオーバー電圧または破壊電圧は、前記双方向電圧サプレッサの第１端から第２端への方向におけるクランプ電圧よりも大きく、
前記サイリスタ型サージ抑制ユニットの第２端から第１端への方向におけるブレークオーバー電圧は、前記双方向電圧サプレッサの第２端から第１端への方向におけるクランプ電圧よりも小さい、
サージ保護回路。
【００３６】
（付記２）
前記サイリスタ型サージ抑制ユニットは、非対称サイリスタ型サージ抑制ユニットである、付記１に記載のサージ保護回路。
【００３７】
（付記３）
前記非対称サイリスタ型サージ抑制ユニットは、単方向導通逆方向遮断のサイリスタサージサプレッサである、付記２に記載のサージ保護回路。
【００３８】
（付記４）
前記非対称サイリスタ型サージ抑制ユニットは、双方向非対称サイリスタサージサプレッサであり、前記双方向非対称サイリスタサージサプレッサの第１端から第２端への方向におけるブレークオーバー電圧は、前記双方向非対称サイリスタサージサプレッサの第２端から第１端への方向におけるブレークオーバー電圧よりも大きい、付記２に記載のサージ保護回路。
【００３９】
（付記５）
前記非対称サイリスタ型サージ抑制ユニットは、単方向ダイオードおよびサイリスタサージサプレッサを備え、前記単方向ダイオードは、前記サイリスタサージサプレッサに直列に接続されてから、前記双方向電圧サプレッサに並列に接続され、前記単方向ダイオードの陰極が前記双方向電圧サプレッサの第１端に接続され、または前記単方向ダイオードの陽極が前記双方向電圧サプレッサの第２端に接続される、付記２に記載のサージ保護回路。
【００４０】
（付記６）
前記双方向電圧サプレッサは、双方向過渡電圧サプレッサＴＶＳ、双方向非対称ＴＶＳ、バリスタまたは双方向ツェナーダイオードである、付記１に記載のサージ保護回路。
【００４１】
（付記７）
前記双方向非対称ＴＶＳの第１端から第２端への方向におけるクランプ電圧は、前記双方向非対称ＴＶＳの第２端から第１端への方向におけるクランプ電圧よりも小さい、付記６に記載のサージ保護回路。
【００４２】
（付記８）
引外し装置を更に備え、
前記引外し装置は、前記双方向電圧サプレッサに直列に接続されてから、前記サイリスタ型サージ抑制ユニットに並列に接続され、あるいは、前記引外し装置は、前記サイリスタ型サージ抑制ユニットに直列に接続されてから、前記双方向電圧サプレッサに並列に接続される、
付記１から７のいずれか１つに記載のサージ保護回路。
【００４３】
（付記９）
２つの引外し装置を更に備え、
第１引外し装置は前記双方向電圧サプレッサに直列に接続されて第１分岐路を形成し、第２引外し装置は前記サイリスタ型サージ抑制ユニットに直列に接続されて第２分岐路を形成し、前記第１分岐路と前記第２分岐路とは並列に接続される、
付記１から７のいずれか１つに記載のサージ保護回路。
【００４４】
（付記１０）
単方向ダイオードを更に備え、
前記単方向ダイオードは、前記双方向電圧サプレッサに直列に接続されてから、前記サイリスタ型サージ抑制ユニットに並列に接続され、
前記単方向ダイオードの陽極は前記サイリスタ型サージ抑制ユニットの第１端に接続され、あるいは、前記単方向ダイオードの陰極は前記サイリスタ型サージ抑制ユニットの第２端に接続される、
付記１に記載のサージ保護回路。
【００４５】
（付記１１）
入力端を備える本体回路と、
前記本体回路に並列に接続されるとともに、前記本体回路の入力端に接続される付記１から１０のいずれか１つに記載のサージ保護回路と、
を備える電子装置。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本開示のサージ保護回路は、保護モジュールの両端の残圧を低減し、後段回路の分流を著しく低減し、回路全体のサージに対する防護能力を向上させ、サージ電流による損害を受けないように電子装置をより効果的に保護することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７】
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