(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー透過性のオリジナル基板に、Ｐ電極とＮ電極が同一側に位置する横方向マイクロ発光ダイオードであるマイクロ発光ダイオードを形成することと、
横方向マイクロ発光ダイオードのＰ電極とＮ電極を受け基板に予め設置された接続パッドに接触させることと、
オリジナル基板側からレーザーでオリジナル基板を照射することにより、オリジナル基板から横方向マイクロ発光ダイオードを剥離することと、
を含むマイクロ発光ダイオードの転写方法であって、
横方向マイクロ発光ダイオードは磁気材料を含み、電磁力の作用により、横方向マイクロ発光ダイオードのＰ電極とＮ電極を受け基板に予め設置された接続パッドと接触させることを特徴とする、マイクロ発光ダイオードの転写方法。
【請求項２】
受け基板に異方性導電層を設置することと、
異方性導電層に対する処理を行うことにより、横方向マイクロ発光ダイオードのＰ電極とＮ電極を受け基板における接続パッドに電気的に接続させることと、
をさらに含み、
異方性導電層を介して、横方向マイクロ発光ダイオードのＰ電極とＮ電極を受け基板に予め設置された接続パッドと接触させる、
ことを特徴とする請求項１に記載の転写方法。
【請求項３】
異方性導電層は、異方性電導膜、異方性電導ペースト及び異方性導電テープの少なくとも一つであることを特徴とする請求項２に記載の転写方法。
【請求項４】
重力作用により、横方向マイクロ発光ダイオードのＰ電極とＮ電極を受け基板に予め設置された接続パッドと接触させることを特徴とする請求項１に記載の転写方法。
【請求項５】
静電力の作用により、横方向マイクロ発光ダイオードのＰ電極とＮ電極を受け基板に予め設置された接続パッドと接触させることを特徴とする請求項１に記載の転写方法。
【請求項６】
前記接続パッドに電圧を印加することにより前記静電力を印加することを特徴とする請求項５に記載の転写方法。
【請求項７】
横方向マイクロ発光ダイオードのＰ電極とＮ電極に含まれる半田バンプを前記接続パッドに接合させることをさらに含む、ことを特徴とする請求項１に記載の転写方法。
【請求項８】
請求項１に記載の転写方法を用いて横方向マイクロ発光ダイオードを受け基板に転写することを含む、ことを特徴とするマイクロ発光ダイオード装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示に用いられるマイクロ発光ダイオードに関し、より具体的には、マイクロ発光ダイオードの転写方法、マイクロ発光ダイオード装置の製造方法、マイクロ発光ダイオード装置及びマイクロ発光ダイオード装置を含む電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ発光ダイオード（Ｍｉｃｒｏ  ＬＥＤ）技術は、マイクロサイズのＬＥＤアレイを基板に高密度集積することである。現在、マイクロ発光ダイオード技術は発展し始め、産業界では、高品質マイクロ発光ダイオード製品の市場登場が期待されている。高品質マイクロ発光ダイオード製品は、既に市場に登場している例えばＬＣＤ／ＯＬＥＤのような従来の表示製品に対し多大な影響を与えている。
【０００３】
マイクロ発光ダイオードを製造する過程に、まずドナーウェハにマイクロ発光ダイオードを形成し、続いてマイクロ発光ダイオードを、例えばディスプレイである受け基板に転写する。
【０００４】
マイクロ発光ダイオードを製造する過程における１つの難題は、如何にマイクロ発光ダイオードをドナーウェハから受け基板に転写するかである。従来技術において、一般的に静電型ピックアップの方式により前記転写を実行する。静電型ピックアップの過程には、転写ヘッドアレイを使用しなければならない。転写ヘッドアレイは、その構造が比較的複雑であり、その信頼性を考慮しなければならない。転写ヘッドアレイを製造するには余分なコストがかかる。転写ヘッドアレイを利用するピックアップの前に、位相を変化させなければならない。また、転写ヘッドアレイを利用する製造過程に、マイクロ発光ダイオードの位相を変化させるサーマルバジェットは制限され、一般的に３５０℃より小さく、又は、より具体的には、２００℃より小さく、そうでなければ、マイクロ発光ダイオードの性能が劣化する。一般的に、転写ヘッドアレイを利用する製造過程に２回転写しなければならず、すなわち、ドナーウェハからキャリアウエハまでの転写及びキャリアウエハから受け基板までの転写が必要である。
【０００５】
米国特許ＵＳ８、３３３、８６０Ｂ１は、マイクロデバイスを転写する転写ヘッドアレイを開示し、転写ヘッドにおける電極に電圧を印加することによってマイクロデバイスをピックアップする。ここで、該特許は参考として本明細書に全て引用される。
【０００６】
米国特許ＵＳ８、４２６、２２７Ｂ１は、マイクロ発光ダイオードアレイを形成する方法を開示し、転写ヘッドを使用してマイクロ発光ダイオードアレイを受け基板に転写する。ここで、該特許は参考として本明細書に全て引用される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の一つの目的は、マイクロ発光ダイオードの転写に用いられる新しい技術的解決手段を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施例によれば、レーザー透過性のオリジナル基板に、P電極とN電極が同一側に位置する横方向マイクロ発光ダイオードであるマイクロ発光ダイオードを形成することと、横方向マイクロ発光ダイオードのP電極とN電極を受け基板に予め設置された接続パッドと接触させることと、オリジナル基板側からレーザーでオリジナル基板を照射することにより、オリジナル基板から横方向マイクロ発光ダイオードを剥離することと、を含むマイクロ発光ダイオードの転写方法を提供する。
【０００９】
好ましくは、前記方法は、受け基板に異方性導電層を設置することをさらに含む。好ましくは、異方性導電層を介して、横方向マイクロ発光ダイオードのP電極とN電極を受け基板に予め設置された接続パッドと接触させる。好ましくは、前記方法は、さらに、異方性導電層に対する処理を行うことにより、横方向マイクロ発光ダイオードのP電極とN電極を受け基板における接続パッドに電気的に接続させることを含む。
【００１０】
好ましくは、異方性導電層は、異方性電導膜、異方性電導ペースト及び異方性導電テープの少なくとも一つである。
【００１１】
好ましくは、重力作用により、横方向マイクロ発光ダイオードのP電極とN電極を受け基板に予め設置された接続パッドと接触させる。
【００１２】
好ましくは、静電力の作用により、横方向マイクロ発光ダイオードのP電極とN電極を受け基板に予め設置された接続パッドと接触させる。
【００１３】
好ましくは、前記接続パッドに電圧を印加することにより前記静電力を印加する。
【００１４】
好ましくは、横方向マイクロ発光ダイオードは磁気材料を含み、電磁力の作用により、横方向マイクロ発光ダイオードのP電極とN電極を受け基板に予め設置された接続パッドと接触させる。
【００１５】
好ましくは、横方向マイクロ発光ダイオードのP電極とN電極は半田バンプを含み、前記方法は、前記半田バンプと前記接続パッドを接合させることをさらに含む。
【００１６】
本発明の別の実施例によれば、本発明による方法を用いて横方向マイクロ発光ダイオードを受け基板に転写することを含む、マイクロ発光ダイオード装置の製造方法を提供する。
【００１７】
本発明の別の実施例によれば、本発明による方法を使用して製造されたマイクロ発光ダイオード装置を提供する。
【００１８】
本発明の別の実施例によれば、本発明によるマイクロ発光ダイオード装置を含む電子機器を提供する。
【００１９】
また、当業者であれば、従来技術に多くの問題が存在するが、本発明の各実施例又は請求項の技術的解決手段は、１つ又は複数の問題点のみを改善し、従来技術又は背景技術に挙げられた全ての技術的問題を同時に解決する必要がないことを理解すべきである。当業者であれば、１つの請求項に言及されていない内容を該請求項を制限するものとしてはならないことを理解すべきである。
【００２０】
以下、本発明のその他の特徴及びその利点が明瞭であるように、図面を参照して本発明の例示的な実施例を詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
添付の図面は明細書に合わせられ明細書の一部となり、本発明の実施例を示し、その説明とともに本発明の原理を解釈するのに用いられる。
【図１】本発明による方法の一例示的な実施例を示すフローチャートである。
【図２Ａ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる一実例を示す。
【図２Ｂ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる一実例を示す。
【図２Ｃ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる一実例を示す。
【図２Ｄ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる一実例を示す。
【図２Ｅ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる一実例を示す。
【図２Ｆ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる一実例を示す。
【図２Ｇ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる一実例を示す。
【図３】本発明による方法の別の例示的な実施例を示すフローチャートである。
【図４Ａ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる別の実例を示す。
【図４Ｂ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる別の実例を示す。
【図４Ｃ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる別の実例を示す。
【図４Ｄ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる別の実例を示す。
【図４Ｅ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる別の実例を示す。
【図４Ｆ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる別の実例を示す。
【図４Ｇ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる別の実例を示す。
【図４Ｈ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる別の実例を示す。
【図４Ｉ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる別の実例を示す。
【図４Ｊ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる別の実例を示す。
【図４Ｋ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる別の実例を示す。
【図４Ｌ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる別の実例を示す。
【図５】本発明による方法のまた別の例示的な実施例を示すフローチャートである。
【図６Ａ】本発明による赤色マイクロ発光ダイオードの転写に用いられる実例を示す。
【図６Ｂ】本発明による赤色マイクロ発光ダイオードの転写に用いられる実例を示す。
【図６Ｃ】本発明による赤色マイクロ発光ダイオードの転写に用いられる実例を示す。
【図６Ｄ】本発明による赤色マイクロ発光ダイオードの転写に用いられる実例を示す。
【図６Ｅ】本発明による赤色マイクロ発光ダイオードの転写に用いられる実例を示す。
【図６Ｆ】本発明による赤色マイクロ発光ダイオードの転写に用いられる実例を示す。
【図７Ａ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられるまた別の実例を示す。
【図７Ｂ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられるまた別の実例を示す。
【図７Ｃ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられるまた別の実例を示す。
【図７Ｄ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられるまた別の実例を示す。
【図７Ｅ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられるまた別の実例を示す。
【図７Ｆ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられるまた別の実例を示す。
【図７Ｇ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられるまた別の実例を示す。
【図７Ｈ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられるまた別の実例を示す。
【図７Ｉ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられるまた別の実例を示す。
【図７Ｊ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられるまた別の実例を示す。
【図７Ｋ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられるまた別の実例を示す。転写
【図７Ｌ】本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられるまた別の実例を示す。
【図８】本発明による横方向マイクロ発光ダイオードの転写に用いられる一実例を示す。
【図９】本発明による横方向マイクロ発光ダイオードの転写に用いられる別の実例を示す。
【図１０】本発明による方法のまた別の例示的な実施例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を参照して本発明の様々な例示的な実施例を詳細に説明する。注意すべきことは、別途具体的な説明がない限り、こられの実施例に記載の部品とステップの相対位置、数式及び数値は本発明の範囲を制限するものではない。
【００２３】
以下、少なくとも１つの例示的な実施例に対する説明は実質的に解釈的なものに過ぎず、本発明及びその応用又は使用を制限するものではない。
【００２４】
かかる分野における一般技術者の公知する技術、方法及び装置に対する詳細な説明は省略されるかも知れないが、適切な場合、前記技術、方法及び装置は明細書の一部と見なされるべきである。
【００２５】
ここで例示し検討される全ての実例において、いかなる具体的な数値は例示的なものに過ぎず、制限するためのものではないと解釈されるべきである。そのため、例示的な実施例のその他の実例は異なる数値を有することができる。
【００２６】
注意すべきことは、類似する符号とアルファベットは以下の図面において類似する項目を表示するため、ある項目が１つの図面に定義された場合、後の図面においてはさらに検討する必要がない。
【００２７】
以下、図面を参照して本発明の実施例と実例を説明する。
【００２８】
図１は本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる方法の一例示的な実施例を示すフローチャートである。
【００２９】
図１に示すように、ステップＳ１１００において、レーザー透過性のオリジナル基板にマイクロ発光ダイオードを形成する。
【００３０】
前記レーザー透過性のオリジナル基板は、例えば、サファイア基板、ＳｉＣ基板などであってもよい。前記マイクロ発光ダイオードは、ディスプレイパネルに取り付けられても良い。
【００３１】
当業者であれば、オリジナル基板に１つのマイクロ発光ダイオードを形成してもよく、又は複数のマイクロ発光ダイオードを形成してもよいことを理解すべきである。例えば、レーザー透過性のオリジナル基板に複数のマイクロ発光ダイオードを形成することができる。前記複数のマイクロ発光ダイオードはアレイを形成することができる。
【００３２】
一実例において、レーザー透過性のオリジナル基板に複数のマイクロ発光ダイオードが形成される場合、オリジナル基板は更に複数に分割され、より柔軟に転写されることができる。
【００３３】
ステップＳ１２００において、マイクロ発光ダイオードを受け基板に予め設置された接続パッドと接触させる。
【００３４】
例えば、前記受け基板はディスプレイパネルである。
【００３５】
例えば、前記接続パッドは、ディスプレイに用いられる赤色画素アレイ、黄色画素アレイ又は青色画素アレイに設置されることができる。
【００３６】
一実例において、複数のマイクロ発光ダイオードが形成された場合、複数のマイクロ発光ダイオードの少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードを受け基板に予め設置された少なくとも１つの接続パッドと接触させることができる。前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードは、前記複数のマイクロ発光ダイオードのうちの１つ、複数又は全部であってもよい。当業者であれば、ここで、剥離される少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードと接続パッドが接触することだけを説明したが、前記複数のマイクロ発光ダイオードのうちその他のマイクロ発光ダイオードも接続パッドと接触することができることを理解すべきである。
【００３７】
例えば、接触のステップにおいて、マイクロ発光ダイオードを液体フィルムを介して受け基板に予め設置された接続パッドと接触させることができる。例えば、前記液体フィルムは、フラックスを含むことができる。ここで、液体フィルム（フラックス）の表面張力によって、マイクロ発光ダイオードは剥離されやすくなり、且つ成功率も非常に高い。
【００３８】
ステップＳ１３００において、オリジナル基板側からレーザーでオリジナル基板を照射することにより、オリジナル基板からマイクロ発光ダイオードを剥離する。
【００３９】
一実例において、少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードが接続パッドと接触する場合、オリジナル基板側からレーザーでオリジナル基板における少なくとも１つの領域を照射することにより、オリジナル基板から前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードを剥離することができる。例えば、前記少なくとも１つの領域を技術者により選択することができる。例えば、前記少なくとも１つの領域は、それぞれ前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードに対応することができる。前記少なくとも１つの領域は、オリジナル基板における一部の領域のみであってもよく、又は全ての領域であってもよい。
【００４０】
別の実例において、更に前記オリジナル基板を移動することによって、別のマイクロ発光ダイオードを転写することができる。
【００４１】
別の実例において、オリジナル基板を使用して転写した後、ディスプレイパネルにおける一部のドットにマイクロ発光ダイオードが欠損する場合に対応するために、別のレーザー透過性のスペア基板を使用することができる。例えば、別のスペア基板にマイクロ発光ダイオードを形成し、スペア基板におけるマイクロ発光ダイオードを受け基板に予め設置された接続パッド（欠損位置）と接触させ、スペア基板側からレーザーでスペア基板を照射することにより、スペア基板からマイクロ発光ダイオードを剥離することができる。このような方式で、更にディスプレイの品質を向上させることができる。
【００４２】
マイクロ発光ダイオードを受け基板に転写した後、受け基板にマイクロ発光ダイオードアレイを形成することができる。
【００４３】
マイクロ発光ダイオードを受け基板に転写した後に、更に後続のステップを含むことができる。
【００４４】
例えば、更に受け基板において、剥離されたマイクロ発光ダイオードに対するリフロー半田付けを行うことができる。更に、マイクロ発光ダイオードに負極を蒸着させることができる。各色のマイクロ発光ダイオードが転写された後にリフロー半田付けを行うことができる。これに代えて、全ての色のマイクロ発光ダイオードが転写された後にリフロー半田付けを行ってもよい。
【００４５】
また、更に半田付けされたマイクロ発光ダイオードに対するポリマー充填を行うことができる。例えば、更にテーパ状の誘電体蒸着でポリマー充填を代替することができる。
【００４６】
別の実施例において、本発明は、マイクロ発光ダイオード装置を製造する方法を更に含む。該製造方法は、本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる方法を使用してマイクロ発光ダイオードを受け基板に転写することを含む。前記受け基板は、例えばディスプレイパネルである。前記マイクロ発光ダイオード装置は、例えばディスプレイ装置である。
【００４７】
別の実施例において、本発明は、マイクロ発光ダイオード装置、例えばディスプレイ装置を更に含む。本発明によるマイクロ発光ダイオード装置を製造する方法を使用することで、前記マイクロ発光ダイオード装置を製造することができる。
【００４８】
従来技術に対して、同じ条件において、本発明の技術的解決手段により製造されたマイクロ発光ダイオードは、より簡単で、確実であり高性能を維持することができ、その生産率も高く、コストも低い。
【００４９】
別の実施例において、本発明は、電子機器を更に含む。該電子機器は本発明によるマイクロ発光ダイオード装置を含む。該電子機器は、例えば、携帯電話、タブレットＰＣなどであってもよい。
【００５０】
本発明の技術的解決手段において、直接オリジナル基板にマイクロ発光ダイオードを形成し、レーザーリフトオフの方式により受け基板に転写する。本発明の技術的解決手段は従来技術において想到できなかったものである。
【００５１】
また、本発明によれば、マイクロ発光ダイオードを選択的に転写することができる。
【００５２】
また、本発明の技術的解決手段において、１回のみの転写を行うことができるが、従来技術においては２回の転写を行わなければならない。
【００５３】
また、従来技術に比べて、本発明の技術的解決手段は更に高効率で、コストがより低く、且つ、余分な熱消費による製品性能の劣化が発生しない。
【００５４】
また、ピックアップヘッドを用いる従来技術に比べて、本発明は複雑なピックアップシステムの必要がないため、本発明により製造された製品は、コストがより低く、より信頼できる。
【００５５】
また、従来技術におけるマイクロ発光ダイオードと中央部のキャリア基板との仮結合の必要がないため、本発明により、更にコストを削減することができる。
【００５６】
本発明ではピックアップヘッドを用いる従来技術において考慮しなければならない結合層の位相変化を考慮する必要がないため、本発明による製造方法は高い生産率を有することができ、余分な熱負荷の制限が小さい。そのため、同じ条件において、製造されたマイクロ発光ダイオードは更に高い性能を有する。
【００５７】
以下、図２Ａ〜２Ｇを参照して本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる一実例を説明する。
【００５８】
図２Ａに示すように、例えばサファイア基板などのレーザー透過性のオリジナル基板１にマイクロ発光ダイオード２を形成する。前記マイクロ発光ダイオード２は、例えば、垂直のマイクロ発光ダイオード構造を有する。マイクロ発光ダイオード２は、例えば、ｎ型にドーピングされたＧａＮ層、複数の量子井戸構造、ｐ型にドーピングされたＧａＮ層、ｐ型金属電極及びマイクロバンプなどを含む。
【００５９】
図２Ａに示すように、複数のマイクロ発光ダイオード２を分割することができる。
【００６０】
図２Ｂに示すように、オリジナル基板１を反転させ、液体フィルム（例えば、フラックスを含む）５を有する受け基板４と一致するように合わせる。マイクロ発光ダイオード２におけるマイクロバンプはフラックスと接触する。受け基板４には接続パッド３が予め設置されている。例えば、接続パッド３は、赤色マイクロ発光ダイオードを受けるのに用いられる接続パッド３ｒ、青色マイクロ発光ダイオードを受けるのに用いられる接続パッド３ｂと緑色マイクロ発光ダイオードを受けるのに用いられる接続パッド３ｇを含む。
【００６１】
図２Ｃに示すように、レーザー６でオリジナル基板における一部の領域７を選択的に照射することにより、形成された複数のマイクロ発光ダイオードから、選択されたマイクロ発光ダイオード２ａ、２ｂをオリジナル基板から剥離する。
【００６２】
図２Ｄに示すように、オリジナル基板１を持ち上げる。液体フィルムの表面張力の作用で、選択されたマイクロ発光ダイオード２ａ、２ｂを簡単に剥離し、オリジナル基板１にその他のマイクロ発光ダイオードを残すことができる。
【００６３】
続いて、オリジナル基板を移動させ、図２Ｃ〜図２Ｄの操作を繰り返すことにより、複数のマイクロ発光ダイオードを受け基板に転写することができる。
【００６４】
図２Ｅに示すように、複数のマイクロ発光ダイオードは受け基板４に転写される。
【００６５】
図２Ｆに示すように、例えば、リフロー半田付けを介して複数のマイクロ発光ダイオードを受け基板に半田付けする。その後、フラックスを洗浄することができる。
【００６６】
図２Ｇに示すように、受け基板にポリマー８を充填し密閉する。その後、例えば、ＩＴＯ材料を利用して、Ｎ型金属電極９を蒸着させる。
【００６７】
図３は本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる方法の別の例示的な実施例を示すフローチャートである。
【００６８】
図３に示すように、ステップＳ２１００において、レーザー透過性のオリジナル基板にマイクロ発光ダイオードを形成する。
【００６９】
ステップＳ２２００において、受け基板に異方性導電層を設置する。
【００７０】
例えば、異方性導電層は、異方性導電膜（ＡＣＦ）、異方性導電ペースト（ＡＣＧ）と異方性導電テープ（ＡＣＴ）の少なくとも１つである。
【００７１】
ステップＳ２３００において、マイクロ発光ダイオードを受け基板における異方性導電層と接触させる。例えば、マイクロ発光ダイオードと受け基板における異方性導電層を接着させることができる。このステップにおいて、例えば、まずマイクロ発光ダイオードと受け基板における対応の接続パッドを位置合わせすることができる。
【００７２】
ステップＳ２４００において、オリジナル基板側からレーザーでオリジナル基板を照射することにより、オリジナル基板からマイクロ発光ダイオードを剥離する。
【００７３】
例えば、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、青色発光ダイオードに対してそれぞれ上記ステップを実行することができる。それぞれ３種類の発光ダイオードに対して上記転写を実行することは、上記ステップに対する簡単な繰り返しと見なすことができるため、ここで、詳細な説明を省略する。上記ステップにおけるそれぞれが１つの解決手段において実行されたことがあれば、該解決手段は本発明の保護範囲に含まれる。
【００７４】
ステップＳ２５００において、異方性導電層を処理することにより、マイクロ発光ダイオード（電極）と受け基板における接続パッドを電気的に接続させる。
【００７５】
一実例において、補助基板を使用して、マイクロ発光ダイオード側から異方性導電層に圧力を印加することができる。例えば、異方性導電層を処理する温度は１５０℃〜２００℃であってもよい。例えば、印加される圧力は１ＭＰａ〜４ＭＰａである。例えば、圧力を印加する時間は１０秒〜３０秒である。
【００７６】
一実例において、補助基板は平板型のリジッド基板であってもよい。本願の発明者は、リジッド基板を用いることによってマイクロ発光ダイオードに発生可能な変位を減少させることができることを発見した。これは当業者にまだ注目されていないところである。
【００７７】
例えば、補助基板の表面には仮結合のポリマーが塗布されることができる。この場合、ステップＳ２５００は、さらに、仮結合のポリマーを介して補助基板を異方性導電層に結合させることと、圧力を印加した後、仮結合のポリマーを介して補助基板を結合解除させることによって、補助基板を除去することと、を含むことができる。補助基板をマイクロ発光ダイオードと仮結合させる利点は、マイクロ発光ダイオードの位置を相対的に固定し、異方性導電層を処理する期間におけるマイクロ発光ダイオードの変位を減少させることができることである。
【００７８】
上記処理の後、マイクロ発光ダイオードに対し通常の後続処理を実行することができる。例えば、後続処理は、仮結合のポリマーをエッチングすることによって、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層を露出させることと、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層にＮ電極を形成することと、Ｎ電極においてパッケージングを行うことと、を含むことができる。
【００７９】
例えば、受け基板は表示基板であってもよい。受け基板には、マイクロ発光ダイオードに電気的に接続させるために、リード線及び接続パッドを予め設置することができる。
【００８０】
この実施例において、異方性導電層によりマイクロ発光ダイオードと受け基板を接続させる。このような処理は比較的に簡単であり、大量生産により適切である。
【００８１】
該別の実施例において、本発明は、マイクロ発光ダイオード装置を製造する方法を更に含む。該製造方法は、本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる方法を使用してマイクロ発光ダイオードを受け基板に転写することを含む。前記受け基板は、例えば、ディスプレイパネル又は表示基板である。前記マイクロ発光ダイオード装置は、例えば、ディスプレイ装置である。
【００８２】
該別の実施例において、本発明は、マイクロ発光ダイオード装置、例えば、ディスプレイ装置を更に含む。前記実施例によるマイクロ発光ダイオード装置を製造する方法を使用して前記マイクロ発光ダイオード装置を製造することができる。前記実施例によるマイクロ発光ダイオード装置において、マイクロ発光ダイオードは、異方性導電層を介して受け基板における接続パッドと電気的に接触するが、これは従来技術におけるマイクロ発光ダイオード装置と異なる。
【００８３】
該別の実施例において、本発明は、電子機器を更に含む。該電子機器は、前記実施例によるマイクロ発光ダイオード装置を含む。該電子機器は、例えば、携帯電話、タブレットＰＣなどであってもよい。
【００８４】
図４Ａ〜図４Ｌは本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる別の実例を示す。
【００８５】
図４Ａに示すように、例えばサファイア基板などのオリジナル基板２０１には赤色マイクロ発光ダイオード２０２がある。例えば表示基板などの受け基板２０４には異方性導電膜（ＡＣＦ）２０３がある。受け基板２０４はマイクロ発光ダイオードを接続するための信号リード線２０５及び接続パッド２０５’を有する。
【００８６】
図４Ｂに示すように、小さい力でオリジナル基板２０１（赤色マイクロ発光ダイオード２０２）を異方性導電膜２０３と接触させる。例えば、転写しようとする赤色マイクロ発光ダイオード２０２を受け基板２０４における接続パッドと位置合わせすることができる。レーザー２０６でオリジナル基板２０１を照射することにより、赤色マイクロ発光ダイオードを選択的に剥離する。
【００８７】
図４Ｃには剥離後の赤色マイクロ発光ダイオード２０２ｒが示されている。
【００８８】
図４Ｄはオリジナル基板２０７及びその緑色マイクロ発光ダイオード２０８を示す。剥離しようとする緑色マイクロ発光ダイオードは受け基板２０４における接続パッドと位置合わせられている。
【００８９】
図４Ｅは、緑色マイクロ発光ダイオード２０８が小さい力により異方性導電膜２０３と接触することを示す。レーザー２０９を介して少なくとも１つの緑色マイクロ発光ダイオードを選択的に剥離する。
【００９０】
図４Ｆは剥離後の赤色マイクロ発光ダイオード２０２ｒと緑色マイクロ発光ダイオード２０８ｇを示す。
【００９１】
図４Ｇはオリジナル基板２１０及びその青色マイクロ発光ダイオード２１１を示す。剥離しようとする青色マイクロ発光ダイオードは受け基板２０４における接続パッドと位置合わせられている。
【００９２】
図４Ｈは、青色マイクロ発光ダイオード２１１が小さい力により異方性導電膜２０３と接触することを示す。レーザー２１２を介して少なくとも１つの青色マイクロ発光ダイオードを選択的に剥離する。
【００９３】
図４Ｉは剥離後の赤色マイクロ発光ダイオード２０２ｒ、緑色マイクロ発光ダイオード２０８ｇと青色マイクロ発光ダイオード２１１ｂを示す。
【００９４】
３色の発光ダイオードを転写した後、欠陥が存在するか否かを点検し、修復することができる。
【００９５】
図４Ｊには補助基板２１３が示されている。補助基板２１３は平板型のリジッド基板、例えば、ガラス基板である。補助基板２１３には、ポリマー２１４、例えば、３Ｍ  ＬＣ５２００／５３２０ポリマーが塗布されている。該ポリマーは、例えば紫外線により硬化されることができ、且つ赤色レーザーにより結合解除されることができる。
【００９６】
図４Ｋにおいて、補助基板２１３を介してＡＣＦ  ２０３に対する処理を行う。例えば、処理条件は、温度が１５０℃〜２００℃、印加される圧力が１ＭＰａ〜４ＭＰａ、圧力を印加する時間が１０秒〜３０秒である。前記処理により、ＡＣＦ  ２０３は垂直方向にマイクロ発光ダイオードを対応する接続パッドと接続させる。
【００９７】
その後、（ポリマー２１４を介して）補助基板２１３に対する結合解除を行う。
【００９８】
図４Ｌにおいて、下記のような通常の後続処理を実行する。ポリマー２１４をエッチングすることによって、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層を露出させ、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層にＮ電極２１５（例えば、ＩＴＯ材料電極）を形成し、Ｎ電極においてパッケージング２１６（例えば、ＰＥＴ積層を行う）を行う。
【００９９】
図５は本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる方法のもう一つの例示的な実施例を示すフローチャートである。
【０１００】
図５に示すように、ステップＳ３１００において、少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードをオリジナル基板から支持体に転写する。例えば、オリジナル基板はレーザー透明性を有する。
【０１０１】
一例において、該ステップは、マイクロ発光ダイオードが形成されているオリジナル基板を、表面に光放出接着剤がある支持体に取り付けることと、オリジナル基板側からレーザーでオリジナル基板を照射して、オリジナル基板から前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードを剥離することと、支持体側から光を照射することにより、剥離されていないマイクロ発光ダイオードを放出することとを含むことができ、前記マイクロ発光ダイオードは光放出接着剤を介して支持体に接着される。この実例において、支持体は透光性を有する。
【０１０２】
例えば、前記光放出接着剤は紫外線照射テープ（ＵＶ  Ｔａｐｅ）であってもよい。例えば、支持体は剛性のものである。転写過程に、マイクロ発光ダイオードの変位は最終的製品の品質に影響を与える。本願の発明者は、剛性の支持体を用いることによって、このような変位を減少させることを発見した。これは当業者にまだ注目されていないところである。例えば、支持体の材料はＰＥＴであってもよい。
【０１０３】
一般的に、赤色マイクロ発光ダイオードは、例えばサファイア基板などのレーザー透明性の基板に形成されにくい。そのため、一実例において、予め赤色マイクロ発光ダイオードを形成し、その後赤色マイクロ発光ダイオードをオリジナル基板に転写することによって、最終的に受け基板に転写することができる。例えば、該実施例において、成長基板に赤色マイクロ発光ダイオードを形成することができる。続いて、赤色マイクロ発光ダイオードを中間基板に転写する。その後、赤色マイクロ発光ダイオードを中間基板からオリジナル基板に転写する。
【０１０４】
ステップＳ３２００において、前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードを支持体からスペア基板に転写する。
【０１０５】
例えば、スペア基板はその表面にエラストマー又はポリマーを有する。例えば、エラストマー又はポリマーを介して前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードをスペア基板に結合させる。
【０１０６】
一実例において、該ステップは、さらに、前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードを有する支持体をスペア基板に結合させることと、支持体側から光を照射して、前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードを放出することと、を含むことができる。
【０１０７】
ステップＳ３３００において、前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードをスペア基板から受け基板に転写する。
【０１０８】
一実例において、該ステップは、さらに、前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードと受け基板における接続パッドを位置合わせすることと、エラストマー又はポリマーを介して前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードを剥離することとを含むことができる。
【０１０９】
例えば、それぞれ赤色マイクロ発光ダイオード、青色マイクロ発光ダイオードと緑色マイクロ発光ダイオードに対して上記転写ステップを実行することができる。ここで、詳細な説明を省略する。
【０１１０】
上記処理の後、マイクロ発光ダイオードに対して通常の後続処理を実行することができる。例えば、後続処理は、マイクロ発光ダイオードを有する受け基板にポリマーを塗布することと、ポリマーを硬化させることと、ポリマーをエッチングすることによって、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層を露出させることと、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層にＮ電極を形成することと、Ｎ電極においてパッケージングを行うことと、を含むことができる。
【０１１１】
本発明の発明者は、マイクロ発光ダイオードの転写過程に、一般的にオリジナル基板における一部のマイクロ発光ダイオードのみを転写することを発見した。直接マイクロ発光ダイオードを受け基板に転写する場合、オリジナル基板に残されたマイクロ発光ダイオードを汚染させやすい。この実施例において、中間を経由する支持体の転写により、このような汚染を減少させることができる。
【０１１２】
該もう一つの実施例において、本発明は、さらに、マイクロ発光ダイオード装置を製造する方法を含む。該製造方法は、前記実施例によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる方法を使用してマイクロ発光ダイオードを受け基板に転写することを含む。前記受け基板は、例えば、ディスプレイパネル又は表示基板である。前記マイクロ発光ダイオード装置は、例えば、ディスプレイ装置である。
【０１１３】
該また別の実施例において、本発明は、マイクロ発光ダイオード装置、例えば、ディスプレイ装置を更に含む。前記実施例によるマイクロ発光ダイオード装置を製造する方法を利用することで前記マイクロ発光ダイオード装置を製造することができる。
【０１１４】
該また別の実施例において、本発明は、電子機器を更に含む。該電子機器は、前記実施例によるマイクロ発光ダイオード装置を含む。該電子機器は、例えば、携帯電話、タブレットＰＣなどであってもよい。
【０１１５】
一般的に、赤色マイクロ発光ダイオードは、例えばサファイア基板などのレーザー透過性のオリジナル基板に直接形成されることができない。そのため、予め別の基板に赤色マイクロ発光ダイオードを形成し、その後、サファイア基板に転写しなければならない。図６Ａ〜図６は本発明による赤色マイクロ発光ダイオードの転写に用いられる実例を示す。
【０１１６】
図６Ａに示すように、例えばＧａＡｓ基板などの成長基板３０１に赤色マイクロ発光ダイオード３０２を形成する。
【０１１７】
図６Ｂに示すように、仮結合のポリマー３０３により、赤色マイクロ発光ダイオード３０２と例えばシリコン基板などの中間基板３０４を結合させる。ポリマー３０３は、例えば、熱剥離テープ（ＴＲＴ）である。
【０１１８】
図６Ｃに示すように、例えば、湿式エッチングにより成長基板３０１を除去する。
【０１１９】
図６Ｄに示すように、例えばサファイア基板などのオリジナル基板３０６にフォトレジスト３０５が塗布されている。フォトレジスト３０５により、オリジナル基板３０６は赤色マイクロ発光ダイオード３０２に結合される。フォトレジスト３０５は、２００℃以上の温度に耐えられるが、一般的には２５０℃以上である。
【０１２０】
図６Ｅに示すように、２００℃より小さい温度で、ポリマー３０３を処理して、中間基板３０４を除去する。
【０１２１】
図６Ｆに示すように、各赤色マイクロ発光ダイオード３０２を隔離するために、フォトレジスト３０５に対するＯ２プラズマエッチングを実行する。
【０１２２】
図７Ａ〜図７Ｌは、本発明によるマイクロ発光ダイオードの転写に用いられるまた別の実例を示す。
【０１２３】
図７Ａに示すように、オリジナル基板４０６にはフォトレジスト４０５と赤色マイクロ発光ダイオード４０２がある。赤色マイクロ発光ダイオード４０２は紫外線照射テープ４１１に取り付けられている。紫外線照射テープ４１１は、剛性のＰＥＴ支持体４１２に位置する。レーザー４１３により、赤色マイクロ発光ダイオードを選択的に剥離する。
【０１２４】
図７Ｂに示すように、支持体４１２側から紫外線を照射することにより、剥離されていない赤色マイクロ発光ダイオードを放出する。
【０１２５】
剥離された赤色マイクロ発光ダイオード４０２ｒは、オリジナル基板４０６から離脱されやすい。図７Ｃに示すように、剥離された赤色マイクロ発光ダイオード４０２ｒは、紫外線照射テープ４１１に接着され、その他の赤色マイクロ発光ダイオードは依然としてオリジナル基板４０６に残される。
【０１２６】
図７Ｄに示すように、例えばガラス基板などのスペア基板４１５にはエラストマー／ポリマー４１６がある。例えば、スピンコートによりエラストマー／ポリマー４１６をスペア基板４１５に塗布することができる。エラストマー／ポリマー４１６は、例えばＰＤＭＳ又は３Ｍ  ＬＣ５３２０であってもよく、且つ、例えば紫外線により硬化されることができる。
【０１２７】
図７Ｅに示すように、支持体側から紫外線を完全に照射することにより、赤色マイクロ発光ダイオード及びエラストマー／ポリマー４１６を放出する。
【０１２８】
その後、例えば、マイクロ発光ダイオードにはマイクロバンプがない場合、銀ペーストを利用してスペア基板４１５におけるマイクロ発光ダイオードをシルクスクリーン印刷することができる。
【０１２９】
図７Ｆに示すように、スペア基板４１５における赤色マイクロ発光ダイオード４０２ｒと受け基板４１７における接続パッド４１９を位置合わせする。例えば、受け基板４１７は表示基板であり、信号リード線４１８を含む。例えば、リフローにより、赤色マイクロ発光ダイオード４０２ｒを接続パッド４１９に結合させる。リフローの温度は、例えば２６０℃より高くてもよい。その後、レーザーリフトオフにより、スペア基板４１５と受け基板４１７を分離する。
【０１３０】
図７Ｇは分離後の受け基板４１７を示す。受け基板４１７には接続パッド４１９と赤色マイクロ発光ダイオード４０２ｒがある。
【０１３１】
図７Ｈはスペア基板４２０から受け基板４１７に緑色マイクロ発光ダイオード４２２ｇを転写することを示す図である。スペア基板４２０はエラストマー／ポリマー４２１を有する。
【０１３２】
図７Ｉは分離後の受け基板４１７を示す。受け基板４１７には接続パッド４１９、赤色マイクロ発光ダイオード４０２ｒ及び緑色マイクロ発光ダイオード４２２ｇがある。
【０１３３】
図７Ｊは、スペア基板４２３から受け基板４１７に青色マイクロ発光ダイオード４２５ｂを転写することを示す図である。スペア基板４２３はエラストマー／ポリマー４２４を有する。
【０１３４】
図７Ｋは、分離後の受け基板４１７を示す。受け基板４１７には接続パッド４１９、赤色マイクロ発光ダイオード４０２ｒ、緑色マイクロ発光ダイオード４２２ｇ及び青色マイクロ発光ダイオード４２５ｂがある。
【０１３５】
図７Ｌにおいて、転写後のマイクロ発光ダイオードに対して下記のような通常の後続処理を実行する。マイクロ発光ダイオードを有する受け基板にポリマー４２６を塗布し、ポリマー４２６を硬化させ、ポリマーをエッチングすることによって、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層を露出させ、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層にＮ電極４２７を形成し、Ｎ電極においてパッケージング（図示せず）を行う。
【０１３６】
本発明の技術的解決手段は、垂直構造のマイクロ発光ダイオードだけでなく、横方向構造のマイクロ発光ダイオード（フリップマイクロ発光ダイオード）を使用することもできる。上記図面に示された垂直構造のマイクロ発光ダイオードは例示的なものに過ぎず、本発明の範囲を限定するものではない。図８は横方向マイクロ発光ダイオードの実例を示す。
【０１３７】
図８に示す実例において、マイクロ発光ダイオードは横方向マイクロ発光ダイオードである。横方向マイクロ発光ダイオードにおいて、Ｐ電極とＮ電極は同一側に位置する。図８は赤色横方向マイクロ発光ダイオード５０５、緑色横方向マイクロ発光ダイオード５０６と青色横方向マイクロ発光ダイオード５０７を示す。横方向マイクロ発光ダイオード５０５は、Ｐ電極５０５ｐ（正極）とＮ電極５０５ｎ（負極）を含む。横方向マイクロ発光ダイオード５０６は、Ｐ電極５０６ｐとＮ電極５０６ｎを含む。横方向マイクロ発光ダイオード５０７は、Ｐ電極５０７ｐとＮ電極５０７ｎを含む。
【０１３８】
基板５０４にはリード線構造（接続パッドを含む）５１５ｐ、５１５ｎ、５１６ｐ、５１６ｎ、５１７ｐ、５１７ｎが設置されている。リード線構造５１５ｐ、５１６ｐ、５１７ｐは、正極に接続される。リード線構造５１５ｎ、５１６ｎ、５１７ｎは、負極に接続される。
【０１３９】
図８の実例において、横方向マイクロ発光ダイオードの電極５０５ｐ、５０５ｎ、５０６ｐ、５０６ｎ、５０７ｐ、５０７ｎは、それぞれ異方性導電層５０３を介してリード線構造５１５ｐ、５１５ｎ、５１６ｐ、５１６ｎ、５１７ｐ、５１７ｎに接続される。
【０１４０】
横方向マイクロ発光ダイオードの間にポリマー５０２を塗布することができる。更に横方向マイクロ発光ダイオードに透明なカバー層５０１を設置することができる。
【０１４１】
図９は横方向マイクロ発光ダイオードの別の実例を示す。図９の実例と図８の実例の相違点は、図９において、横方向マイクロ発光ダイオードが半田（異方性導電層ではなく）を介して基板に接続されることである。
【０１４２】
図９には赤色横方向マイクロ発光ダイオード６０５、緑色横方向マイクロ発光ダイオード６０６と青色横方向マイクロ発光ダイオード６０７が示されている。横方向マイクロ発光ダイオード６０５は、Ｐ電極６０５ｐとＮ電極６０５ｎを含む。横方向マイクロ発光ダイオード６０６は、Ｐ電極６０６ｐとＮ電極６０６ｎを含む。横方向マイクロ発光ダイオード６０７は、Ｐ電極６０７ｐとＮ電極６０７ｎを含む。
【０１４３】
基板６０４にはリード線構造（接続パッドを含む）６１５ｐ、６１５ｎ、６１６ｐ、６１６ｎ、６１７ｐ、６１７ｎが設置されている。リード線構造６１５ｐ、６１６ｐ、６１７ｐは正極に接続される。リード線構造６１５ｎ、６１６ｎ、６１７ｎは負極に接続される。
【０１４４】
図９の実例において、例えば、横方向マイクロ発光ダイオードの電極６０５ｐ、６０５ｎ、６０６ｐ、６０６ｎ、６０７ｐ、６０７ｎは、半田突起６０２を含む。例えば、更に半田突起６０２にフラックスを塗布することができる。電極６０５ｐ、６０５ｎ、６０６ｐ、６０６ｎ、６０７ｐ、６０７ｎは、それぞれリード線構造６１５ｐ、６１５ｎ、６１６ｐ、６１６ｎ、６１７ｐ、６１７ｎ（例えば、リフロー半田付けにより）に接合される。
【０１４５】
例えば、更に横方向マイクロ発光ダイオードと基板６０４の間にポリマー６０３を充填することができる。更に、横方向マイクロ発光ダイオードに透明なカバー層６０１を設置することができる。こられの処理は従来技術から公知されているものであるため、ここで、その詳細な説明を省略する。
【０１４６】
従って、例えば、本発明は、更に横方向マイクロ発光ダイオードの具体的な応用を含むことができる。具体的に、本発明は、更にマイクロ発光ダイオードの転写に用いられる方法を提供することができる。該方法は、レーザー透過性のオリジナル基板に、Ｐ電極とＮ電極が同じ側に位置する横方向マイクロ発光ダイオードであるマイクロ発光ダイオードを形成することと、横方向マイクロ発光ダイオードのＰ電極とＮ電極を受け基板に予め設置された接続パッドと接触させることと、オリジナル基板側からレーザーでオリジナル基板を照射することにより、オリジナル基板から横方向マイクロ発光ダイオードを剥離することと、を含む。
【０１４７】
横方向マイクロ発光ダイオードを用いる効果は、マイクロ発光ダイオードが転写された後のＮ型金属電極処理を省略することができることである。更に、ウェハレベルでテストを行う時にＰ電極とＮ電極はいずれも既に形成されているため、ウェハレベルでの色分け及び／又はテストを簡略化することができる。
【０１４８】
更に、例えば、この方法において、更に受け基板に異方性導電層を設置することにより、異方性導電層を通じて横方向マイクロ発光ダイオードのＰ電極とＮ電極を接続パッドと接触させることができる。続いて、オリジナル基板から横方向マイクロ発光ダイオードを剥離した後、異方性導電層を処理し、横方向マイクロ発光ダイオードのＰ電極とＮ電極を受け基板における接続パッドに電気的に接続させる。
【０１４９】
例えば、異方性導電層は、異方性導電膜、異方性導電ペースト及び異方性導電テープの少なくとも１つであってもよい。
【０１５０】
異方性導電層の接着性及び液体（例えば、フラックス）の表面張力を利用して横方向マイクロ発光ダイオードのＰ電極とＮ電極を受け基板に予め設置された接続パッドと接触させる以外、本発明は、更に重力、静電気力及び／又は電磁力の作用を利用することで前記接触を実現することができる。
【０１５１】
例えば、オリジナル基板側からレーザーでオリジナル基板を照射する場合、横方向マイクロ発光ダイオードはオリジナル基板から分離され、重力により、横方向マイクロ発光ダイオードは受け基板に落下する。
【０１５２】
例えば、前記接続パッドに電圧を印加することによって静電気力を印加することができ、それにより静電気力の作用を利用して、横方向マイクロ発光ダイオードをオリジナル基板から剥離させた後、受け基板に残す。
【０１５３】
例えば、横方向マイクロ発光ダイオードに磁気材料（例えばＮｉ）が含まれている場合、磁場を設置し、電磁力の作用を利用して、横方向マイクロ発光ダイオードをオリジナル基板から剥離させた後、受け基板に残すことができる。
【０１５４】
同様に、更に、この横方向マイクロ発光ダイオードを応用した実例における転写方法をマイクロ発光ダイオード装置を製造する方法に応用することによって、横方向マイクロ発光ダイオードを受け基板に転写することができる。前記受け基板は、例えば、ディスプレイパネル又は表示基板である。前記マイクロ発光ダイオード装置は、例えば、ディスプレイ装置である。
【０１５５】
例えば、更に、前記製造方法を使用することでマイクロ発光ダイオード装置、例えば、ディスプレイ装置を製造することができる。このようなマイクロ発光ダイオード装置は横方向マイクロ発光ダイオードを用いる。
【０１５６】
例えば、本発明は、電子機器を更に含む。該電子機器は、前記マイクロ発光ダイオード装置を含む。該電子機器は、例えば、携帯電話、タブレットＰＣなどであってもよい。
【０１５７】
図１０は本発明による非接触の作用力を利用してマイクロ発光ダイオードを転写する一方法を示すフローチャートである。
【０１５８】
図１０に示すように、マイクロ発光ダイオードの転写に用いられる方法では、ステップＳ４１００において、レーザー透過性のオリジナル基板にマイクロ発光ダイオードを形成する。
【０１５９】
前記マイクロ発光ダイオードは、例えば、横方向マイクロ発光ダイオードであってもよく、垂直構造のマイクロ発光ダイオードであってもよい。横方向マイクロ発光ダイオードにおいて、Ｐ電極とＮ電極は同じ側に位置する。垂直構造のマイクロ発光ダイオードにおいて、Ｐ電極とＮ電極は反対側に位置する。
【０１６０】
ステップＳ４２００において、オリジナル基板側からレーザーでオリジナル基板を照射することにより、オリジナル基板からマイクロ発光ダイオードを剥離する。
【０１６１】
ステップＳ４３００において、非接触の作用力を利用して、マイクロ発光ダイオードを受け基板に予め設置された接続パッドと接触させる。
【０１６２】
非接触の作用力とは、このような作用力自体を印加する時、物体同士の直接接触が要らないことを指す。例えば、非接触の作用力は、磁場を介して印加することができる。これは異方性導電層の接着性及び液体（例えば、フラックス）の表面張力を利用して印加する作用力と異なる。当業者であれば、非接触の作用力自体の印加には物体同士の直接接触が要らないが、非接触の作用力により物体同士の直接接触を保持することができることを理解すべきである。例えば、以下に非接触の作用力の幾つかの実例を提供する。
【０１６３】
例えば、前記非接触の作用力は重力である。マイクロ発光ダイオードは受け基板の上方に位置する。剥離を実行した後、重力により、マイクロ発光ダイオードは受け基板に落下され受け基板に残される。
【０１６４】
例えば、前記非接触の作用力は静電気力である。前記接続パッドに電圧を印加することによって前記静電気力を印加することができる。
【０１６５】
例えば、前記非接触の作用力は電磁力である。マイクロ発光ダイオードに磁気材料が含まれる場合、磁石（例えば、永久磁石）により磁場を設置することによって、電磁力の作用を利用することができ、よってマイクロ発光ダイオードをオリジナル基板から剥離させた後、受け基板に残し、直接又は間接に接続パッドと接触させる。
【０１６６】
この実施例では、非接触方式により、マイクロ発光ダイオードを受け基板に付着させるが、これは従来技術に想定されていないものである。
【０１６７】
例えば、マイクロ発光ダイオードの電極は半田突起を含む。例えば、リフロー半田付けなどにより、前記半田突起を前記接続パッドに接合させる。
【０１６８】
図１０におけるステップ順序は本発明に対する如何なる制限を構成しない。例えば、図１０にはステップＳ４２００がステップＳ４３００の前であると示されているが、重力、静電気力又は電磁力は、例えば、ステップＳ４２００の前又はステップＳ４２００を実行する時に印加されてもよい。言い換えると、例えば、ステップＳ４２００の前又はステップＳ４２００と共にステップＳ４３００を実行することができる。
【０１６９】
同様に、更に、この転写方法をマイクロ発光ダイオード装置を製造する方法に応用することによって、マイクロ発光ダイオードを受け基板に転写することができる。前記受け基板は、例えば、ディスプレイパネル又は表示基板である。前記マイクロ発光ダイオード装置は、例えば、ディスプレイ装置である。
【０１７０】
例えば、更に、前記製造方法を使用することでマイクロ発光ダイオード装置、例えばディスプレイ装置を製造することができる。
【０１７１】
例えば、本発明は、電子機器を更に含む。該電子機器は、前記マイクロ発光ダイオード装置を含む。該電子機器は、例えば、携帯電話、タブレットＰＣなどであってもよい。
【０１７２】
既に実例を通じて本発明の幾つかの特定の実施例を詳細に説明したが、当業者であれば、以上の実例は説明するためのものに過ぎず、本発明の範囲を制限するためのものではないことを理解すべきである。当業者であれば、本発明の範囲と趣旨を逸脱しない限り、上記実施例を修正することができることを理解すべきである。本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲により制限される。
【図１】
0006744870.tif 000002
【図２Ａ】
0006744870.tif 000003
【図２Ｂ】
0006744870.tif 000004
【図２Ｃ】
0006744870.tif 000005
【図２Ｄ】
0006744870.tif 000006
【図２Ｅ】
0006744870.tif 000007
【図２Ｆ】
0006744870.tif 000008
【図２Ｇ】
0006744870.tif 000009
【図３】
0006744870.tif 000010
【図４Ａ】
0006744870.tif 000011
【図４Ｂ】
0006744870.tif 000012
【図４Ｃ】
0006744870.tif 000013
【図４Ｄ】
0006744870.tif 000014
【図４Ｅ】
0006744870.tif 000015
【図４Ｆ】
0006744870.tif 000016
【図４Ｇ】
0006744870.tif 000017
【図４Ｈ】
0006744870.tif 000018
【図４Ｉ】
0006744870.tif 000019
【図４Ｊ】
0006744870.tif 000020
【図４Ｋ】
0006744870.tif 000021
【図４Ｌ】
0006744870.tif 000022
【図５】
0006744870.tif 000023
【図６Ａ】
0006744870.tif 000024
【図６Ｂ】
0006744870.tif 000025
【図６Ｃ】
0006744870.tif 000026
【図６Ｄ】
0006744870.tif 000027
【図６Ｅ】
0006744870.tif 000028
【図６Ｆ】
0006744870.tif 000029
【図７Ａ】
0006744870.tif 000030
【図７Ｂ】
0006744870.tif 000031
【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図７Ｆ】
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【図７Ｇ】
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【図７Ｈ】
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【図７Ｉ】
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【図７Ｊ】
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【図７Ｋ】
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【図７Ｌ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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