(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＣ及びＣを含む複合体を含み、
前記複合体のうちＳｉ：Ｃの原子比は、１：１．１〜１：１．３である半導体製造用部品。
【請求項２】
前記半導体製造用部品は、フォーカスリング、電極部、及びコンダクターからなる群より選択される少なくともいずれか１つを含むプラズマ処理装置部品である、請求項１に記載の半導体製造用部品。
【請求項３】
前記複合体のうち前記Ｃは、前記ＳｉＣの間に存在する、請求項１に記載の半導体製造用部品。
【請求項４】
前記複合体のうち前記Ｃは、熱分解炭素として存在する、請求項１に記載の半導体製造用部品。
【請求項５】
半導体製造用部品と、
前記半導体製造用部品の少なくとも一面に形成されたＳｉＣ及びＣを含む複合体コーティング層と、
を含み、
前記複合体のうちＳｉ：Ｃの原子比は、１：１．１〜１：１．３である、複合体コーティング層を含む半導体製造部品。
【請求項６】
前記半導体製造用部品は、グラファイト、ＳｉＣ又はこの２つを含む、請求項５に記載の複合体コーティング層を含む半導体製造部品。
【請求項７】
前記複合体コーティング層を含む半導体製造用部品は、フォーカスリング、電極部、及びコンダクターからなる群より選択される少なくともいずれか１つを含むプラズマ処理装置部品である、請求項５に記載の複合体コーティング層を含む半導体製造部品。
【請求項８】
前記複合体コーティング層の平均的な厚さは、１ｍｍ〜３ｍｍである、請求項５に記載の複合体コーティング層を含む半導体製造部品。
【請求項９】
グラファイト、ＳｉＣ又はこの２つを含む母材に、Ｓｉ前駆体及びＣ前駆体ソースを用いた化学的気相蒸着法によってＳｉＣ及びＣを含む複合体を形成するステップを含み、前記複合体のうちＳｉ：Ｃの原子比は、１：１．１〜１：１．３である、半導体製造用部品の製造方法。
【請求項１０】
前記ＳｉＣ及びＣを含む複合体を形成するステップは、１０００℃〜１９００℃の温度で行われる、請求項９に記載の半導体製造用部品の製造方法。
【請求項１１】
前記ＳｉＣ及びＣを含む複合体を形成するステップの前に、Ｓｉ前駆体及びＣ前駆体を混合するステップを含む、請求項９に記載の半導体製造用部品の製造方法。
【請求項１２】
半導体製造用部品を備えるステップと、
前記半導体製造用部品の少なくとも一面にＳｉ前駆体及びＣ前駆体を用いて化学的気相蒸着法によってＳｉＣ及びＣを含む複合体コーティング層を形成するステップと、
を含み、前記複合体のうちＳｉ：Ｃの原子比は、１：１．１〜１：１．３である、複合体コーティング層を含む半導体製造用部品の製造方法。
【請求項１３】
前記半導体製造用部品は、グラファイト、ＳｉＣ又はこの２つを含む、請求項１２に記載の複合体コーティング層を含む半導体製造用部品の製造方法。
【請求項１４】
前記ＳｉＣ及びＣを含む複合体コーティング層を形成するステップは、１０００℃〜１９００℃の温度で行われる、請求項１２に記載の複合体コーティング層を含む半導体製造用部品の製造方法。
【請求項１５】
前記ＳｉＣ及びＣを含む複合体コーティング層を形成するステップの前に、Ｓｉ前駆体及びＣ前駆体を混合するステップを含む、請求項１２に記載の複合体コーティング層を含む半導体製造用部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、乾式エッチング工程でウェハーなどの基板を用いて半導体素子を製造するための半導体製造用部品、複合体コーティング層を含む半導体製造用部品及びその製造方法に関し、より詳しくは、ＳｉＣ及びＣを含む複合体を含む半導体製造用部品と前記複合体コーティング層を含む半導体製造用部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体製造工程で用いられるプラズマ処理方式は、乾式エッチング工程のうちの１つとして、ガスを用いて対象をエッチングする方法である。これは、エッチングガスを反応容器内に注入してイオン化させた後、ウェハー表面で加速させ、ウェハーの表面を物理的、化学的に除去する工程を行う。この方法は、エッチングの調整が容易で、生産性が高く、数十ｎｍレベルの微細パターン形成が可能であることから幅広く用いられている。
【０００３】
プラズマエッチングにおける均一なエッチングのために考慮されなければならない変数として、エッチングする層の厚さと密度、エッチングガスのエネルギー及び温度、フォトレジストの接着性とウェハー表面の状態、及びエッチングガスの均一性などが挙げられる。特に、エッチングガスをイオン化させ、イオン化されたエッチングガスをウェハーの表面に加速させてエッチングを行う原動力となる高周波（ＲＦ：Ｒａｄｉｏ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）の調整は重要な変数となり、また、実際のエッチング過程で直接的かつ容易に調整できる変数として考慮される。
【０００４】
しかし、実際にエッチングが行われるウェハーを基準としてみる時、ウェハー表面の全体に対する均一なエネルギー分布を有するようにする均等な高周波の適用は必須であり、このような高周波を適用するときの均一なエネルギー分布の適用は、高周波の出力の調整だけでは達成することができず、これを解決するためには、高周波をウェハーに印加するために用いられる高周波電極としてのステージとアノードの形態及び実質的にウェハーを固定させる機能を果たすフォーカスリングなどによって大きく左右される。
【０００５】
従来には、このようにプラズマエッチング装置内に設けられる半導体製造用部品の寿命を延長させるために、Ｓｉ材質の代わりにＳｉＣ材質のフォーカスリング又は電極などの部品を製造する方法に対する研究が行われた。それにもかかわらず、数多くのＳｉＣ材質の半導体製造用部品は一定期間が経過すればプラズマに露出して磨耗され、頻繁に交換しなければならない問題があった。これは半導体製品の生産単価を高く形成して市場性を低下させる主な原因になってきた。したがって、ＳｉＣ材質部品の交換を減らすために、耐プラズマ性を向上するための多角的な研究が行われてきた。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、上述したような問題を解決するためのものであり、本発明の目的は、一例として、ＳｉＣ及びＣを含む複合体を含み、前記複合体のうち、Ｓｉ：Ｃの原子比を調整することによって、より優れる耐プラズマ性が確保される半導体製造用部品、複合体コーティング層を含む半導体製造用部品及びその製造方法を提供することにある。
【０００７】
しかし、本発明が解決しようとする課題は、以上で言及した課題に制限されず、言及されない他の課題は、下記の記載によって当技術分野の通常の知識を有する者にとって明確に理解できるものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態によれば、ＳｉＣ及びＣを含む複合体を含み、前記複合体のうちＳｉ：Ｃの原子比は、１：１．１〜１：１．３である半導体製造用部品が提供される。
【００１０】
本発明の一実施形態によれば、前記半導体製造用部品は、フォーカスリング、電極、部及びコンダクターからなる群より選択される少なくともいずれか１つを含むプラズマ処理装置部品であり得る。
【００１１】
本発明の一実施形態によれば、前記複合体のうち前記Ｃは、前記ＳｉＣの間に存在するものであってもよい。
【００１２】
本発明の一実施形態によれば、前記複合体のうち前記Ｃは、熱分解炭素で存在するものであってもよい。
【００１３】
本発明の他の一実施形態によれば、半導体製造用部品と、前記半導体製造用部品の少なくとも一面に形成された、ＳｉＣ及びＣを含む複合体コーティング層とを含み、前記複合体のうちＳｉ：Ｃの原子比は、１：１．１〜１：１．３である複合体コーティング層を含む半導体製造部品が提供される。
【００１５】
本発明の一実施形態によれば、前記半導体製造用部品は、グラファイト、ＳｉＣ又はこの２つを含み得る。
【００１６】
本発明の一実施形態によれば、前記複合体コーティング層を含む半導体製造用部品は、フォーカスリング、電極部、及びコンダクターからなる群より選択される少なくともいずれか１つを含むプラズマ処理装置部品であり得る。
【００１７】
本発明の一実施形態によれば、前記複合体コーティング層の平均的な厚さは、１ｍｍ〜３ｍｍであり得る。
【００１８】
本発明の他の一実施形態によれば、グラファイト、ＳｉＣ又はこの２つを含む母材に、Ｓｉ前駆体及びＣ前駆体ソースを用いた化学的気相蒸着法によってＳｉＣ及びＣを含む複合体を形成するステップを含み、前記複合体のうちＳｉ：Ｃの原子比は、１：１．１〜１：１．３である、半導体製造用部品の製造方法が提供される。
【００１９】
本発明の一実施形態によれば、前記ＳｉＣ及びＣを含む複合体を形成するステップは、１０００℃〜１９００℃の温度で行われる。
【００２０】
本発明の一実施形態によれば、前記ＳｉＣ及びＣを含む複合体を形成するステップの前に、Ｓｉ前駆体及びＣ前駆体を混合するステップを含み得る。
【００２１】
本発明の他の一実施形態によれば、半導体製造用部品を備えるステップと、前記半導体製造用部品の少なくとも一面にＳｉ前駆体及びＣ前駆体を用いて、化学的気相蒸着法によってＳｉＣ及びＣを含む複合体コーティング層を形成するステップとを含み、前記複合体のうちＳｉ：Ｃの原子比は、１：１．１〜１：１．３である、複合体コーティング層を含む半導体製造用部品の製造方法が提供される。本発明の一実施形態によれば、前記半導体製造用部品は、グラファイト、ＳｉＣ又はこの２つを含み得る。
【００２２】
本発明の一実施形態によれば、前記ＳｉＣ及びＣを含む複合体コーティング層を形成するステップは１０００℃〜１９００℃の温度で行われる。
【００２３】
本発明の一実施形態によれば、前記ＳｉＣ及びＣを含む複合体コーティング層を形成するステップの前に、Ｓｉ前駆体及びＣ前駆体を混合するステップを含み得る。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の一実施形態に係る半導体製造用部品及び複合体コーティング層を含む半導体製造用部品は、従来のＳｉＣ素材に比べて耐プラズマ特性が改善される。これにより、乾式エッチング装置内でプラズマ環境で実現される半導体製造用部品の寿命を増加させ、頻繁な交換に伴うコストの増加を減らし、製品製造工程の生産性を向上させることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体製造用部品のうちの１つであるフォーカスリングの断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る複合体コーティング層を含む半導体製造用部品の断面図である。
【図３】Ｓｉ対比添加されるＣ含量によるプラズマ環境におけるエッチング率を示すグラフである。
【図４Ａ】本発明の一実施形態に係る半導体製造用部品で、Ｓｉ対比Ｃ含量が１．１であるときのＸＲＤ分析グラフである。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態に係る半導体製造用部品で、Ｓｉ対比Ｃ含量が１．２であるときのＸＲＤ分析グラフである。
【図４Ｃ】本発明の一実施形態に係る半導体製造用部品で、Ｓｉ対比Ｃ含量が１．３であるときのＸＲＤ分析グラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、添付する図面を参照しながら本発明の半導体製造用部品、複合体コーティング層を含む半導体製造用部品及びその製造方法の実施形態を詳細に説明する。各図面に提示された同じ参照符号は同じ部材を示す。以下に説明する実施形態及び図面には様々な変更が加えられ得る。また、図面符号に関係なく、同じ構成要素は同じ参照符号を付与し、これに対する重複する説明は省略する。以下で説明する実施形態は、実施形態に対して限定しようとするものではなく、これらに対する全ての変更、均等物ないし代替物を含むものとして理解されなければならない。本発明の説明において、関連する公知機能又は構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不要に曖昧にすると判断される場合はその詳細な説明は省略するだろう。
【００２７】
また、本明細書で用いられる用語は、本発明の好適な実施形態を適切に表現するために使用された用語として、これはユーザ、運用者の意図、又は本発明が属する分野の慣例などによって変わり得る。したがって、本用語に対する定義は、本明細書の全般にわたった内容に基づいて下されなければならないのであろう。各図面に提示された同じ参照符号は同じ部材を示す。
【００２８】
明細書全体で、いずれかの部材が他の部材「上に」位置しているとするとき、これはいずれかの部材が他の部材に接している場合のみならず、２つの部材間に更なる部材が存在する場合も含む。
【００２９】
明細書全体で、いずれかの部分がいずれかの構成要素を「含む」とするとき、これは、特に反対となる説明がない限り他の構成要素を排除するものではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。
【００３０】
異なるように定義されない限り、技術的又は科学的な用語を含み、ここで用いられる全ての用語は実施形態が属する技術分野で通常の知識を有する者によって一般的に理解されるものと同じ意味を有する。一般的に用いられる予め定義されているような用語は、関連技術の文脈上に有する意味と一致する意味を有するものと解釈されなければならず、本出願で明白に定義しない限り理想的又は過度に形式的な意味と解釈されない。
【００３１】
本発明の一実施形態によれば、ＳｉＣ及びＣを含む複合体を含み、前記複合体のうちＳｉ：Ｃの原子比は、１：１．１〜１：１．３である半導体製造用部品が提供される。一般的な耐プラズマ性素材であるＳｉＣ素材は、Ｓｉ：Ｃの原子比が１：１に形成される。しかし、本発明の一実施形態で提供するＳｉＣ及びＣを含む複合体は、前記のＳｉ：Ｃの比率が１：１．１〜１：１．３であってもよい。前記Ｓｉ：Ｃの原子比が１：１．１未満である場合には、Ｃをさらに含むものと示される耐プラズマ特性の改善効果が示されない場合があり、前記Ｓｉ：Ｃの原子比が１：１．３超過である場合、剥離が発生する問題が生じる。
【００３３】
本発明の一例によれば、前記半導体製造用部品は、フォーカスリング、電極部、及びコンダクターからなる群より選択される少なくともいずれか１つを含むプラズマ処理装置部品である。ただし、本発明に係る半導体製造用部品は、半導体製品生産のための乾式エッチング装置内でプラズマに露出してエッチングされる半導体製造用部品であれば、特に限定されることはない。
【００３４】
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体製造用部品のうちの１つであるフォーカスリング１００の断面図である。図１に示すフォーカスリングは、リング全体がＳｉＣ及びＣを含む複合体を含んでいる構造である。
【００３５】
本発明の一例によれば、前記複合体のうち前記Ｃは、前記ＳｉＣの間に存在するものであってもよい。ここで、Ｃ原子は、優れる耐プラズマ特性を有するＳｉＣ粒子の間に充填されてＳｉＣ及びＣを含む複合体を形成するための物理的な結合を行う役割を果たす。このような結合により、さらに緻密な結晶界面が形成されることで、本発明に係る半導体製造用部品は優れる耐プラズマ特性を有することになる。
【００３６】
本発明の一例によれば、前記複合体のうちの前記Ｃは、熱分解炭素から存在するものであってもよい。前記Ｃは、ハイドロカーボン原料の熱分解によって存在するものであってもよい。前記ハイドロカーボン原料は、炭素と水素原子を含む原料であれば、本発明では特に限定しないが、Ｃ２Ｈ２、ＣＨ４、Ｃ３Ｈ８、Ｃ６Ｈ１４、Ｃ７Ｈ８のいずれか１つ以上を使用し得る。
【００３７】
本発明の他の一実施形態によれば、半導体製造用部品と、前記半導体製造用部品の少なくとも一面に形成されたＳｉＣ及びＣを含む複合体コーティング層とを含み、前記複合体のうちＳｉ：Ｃの原子比は、１：１．１〜１：１．３である複合体コーティング層を含む半導体製造部品が提供される。
【００３８】
図２は、本発明の一実施形態に係る複合体コーティング層を含む半導体製造用部品の断面図である。図２に示すフォーカスリングは、半導体製造用部品であるフォーカスリング２２０の上部表面にＳｉＣ及びＣを含む複合体コーティング層２１０を含んでいる構造である。
【００３９】
本発明の一態様によれば、相対的に厚い厚さをＳｉＣ及びＣを含む複合体に蒸着して耐プラズマ性半導体製造用部品を最初から生産するものでなくても、従来に生産されている半導体製造用部品の表面にプラズマに露出される部分のみをＳｉＣ及びＣを含む複合体を用いてコーティングすることで、既存部品の耐プラズマ性を高めることができる効果もある。
【００４０】
前記Ｓｉ：Ｃの原子比が１：１．１未満である場合には、Ｃをさらに含むものとして示される耐プラズマ特性の改善効果が示されない場合があり、前記Ｓｉ：Ｃの原子比が１：１．３超過である場合、剥離が発生する問題がある。
【００４２】
本発明の一例によれば、前記半導体製造部品は、グラファイト、ＳｉＣ又はその２つを含み得る。前記半導体製造用部品は、本発明ではその素材を特に限定しないが、炭素成分のグラファイト素材であってもよく、耐プラズマ性の優れるＳｉＣ素材であってもよい。
【００４３】
本発明の一例によれば、前記複合体コーティング層を含む半導体製造部品は、フォーカスリング、電極部、及びコンダクターからなる群より選択される少なくともいずれか１つを含むプラズマ処理装置部品である。ただし、本発明に係る半導体製造部品は、半導体製品生産のための乾式エッチング装置内でプラズマに露出してエッチングされる半導体製造用部品であれば、特に限定されることはない。
【００４４】
本発明の一例によれば、前記複合体コーティング層の平均的な厚さは１ｍｍ〜３ｍｍであり得る。一般的な乾式エッチング装置を使用する半導体部品製造工程において、ＳｉＣ素材の部品がプラズマによってエッチングされる平均的な厚さは１ｍｍ程度である。したがって、複合体コーティング層は、エッチングされる平均的な厚さ以上である１ｍｍ〜３ｍｍを平均的な厚さに形成することが好ましい。複合体コーティング層の平均的な厚さが１ｍｍ未満である場合、プラズマによって前記複合体コーティング層が全てエッチングされて耐プラズマ特性の弱い半導体製造用部品が露出される問題があり、３ｍｍ超過である場合、コーティング層が過度に厚くなることで生産効率が低下する問題がある。
【００４５】
本発明の他の一実施形態によれば、グラファイト、ＳｉＣ又はこの２つを含む母材にＳｉ前駆体及びＣ前駆体ソースを用いた化学的気相蒸着法によってＳｉＣ及びＣを含む複合体を形成するステップとを含む、前記複合体のうちＳｉ：Ｃの原子比は、１：１．１〜１：１．３である、半導体製造用部品の製造方法が提供される。
【００４６】
化学的気相蒸着法（ＣＶＤ）によりＳｉＣ及びＣを含む複合体を蒸着して形成するためには、蒸着対象となる母材が求められる場合がある。本発明で用いられる母材は特に限定しないが、グラファイト、ＳｉＣ又はこの２つを含み得る。
【００４７】
本発明のＳｉＣ及びＣを含む複合体は、Ｓｉ前駆体及びＣ前駆体ソースを用いて製造する。ここで、Ｓｉ前駆体としてＣＨ３ＳｉＣｌ３、（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ２、（ＣＨ３）３ＳｉＣｌ、（ＣＨ３）４Ｓｉ、ＣＨ３ＳｉＨＣｌ２、ＳｉＣｌ４のいずれか１つ以上を用いてもよい。また、Ｃ前駆体として炭素と水素原子を含むハイドロカーボン原料であれば、本発明では特に限定されないが、Ｃ２Ｈ２、ＣＨ４、Ｃ３Ｈ８、Ｃ６Ｈ１４、Ｃ７Ｈ８のいずれか１つ以上を用いてもよい。
【００４８】
本発明の一例によれば、前記ＳｉＣ及びＣを含む複合体を形成するステップは、１０００℃〜１９００℃の温度で行われる。ＳｉＣ及びＣを含む複合体を形成するステップが１０００℃未満の温度で行われる場合、蒸着速度が遅くなって生産性が低下し、結晶成長の過程で非晶質化又は結晶性が低下する問題が生じ、１９００℃超過の温度で行われる場合、微細構造の緻密性が低下して気孔が発生したりクラックが発生する確率が高まる問題が生じる。
【００４９】
本発明の一例によれば、前記ＳｉＣ及びＣを含む複合体を形成するステップの前に、Ｓｉ前駆体及びＣ前駆体を混合するステップを含み得る。本発明の一態様によれば、Ｓｉ前駆体及びＣ前駆体がノズルによって蒸着のためのチャンバーに一回に供給されず、チャンバーの外部で前記Ｓｉ前駆体及びＣ前駆体が混合されてノズルに噴射されることがある。ここで、前記Ｓｉ前駆体及びＣ前駆体を混合するための混合装置をチャンバーの外部に追加的に備えて使用してもよい。
【００５０】
本発明の他の一実施形態によれば、半導体製造用部品を備えるステップと、前記半導体製造用部品の少なくとも一面にＳｉ前駆体及びＣ前駆体を用いて化学的気相蒸着法によりＳｉＣ及びＣを含む複合体コーティング層を形成するステップとを含む、前記複合体のうちＳｉ：Ｃの原子比は、１：１．１〜１：１．３である、複合体コーティング層を含む半導体製造用部品の製造方法が提供される。
【００５１】
本発明の一態様によれば、相対的に厚い厚さをＳｉＣ及びＣを含む複合体に蒸着して耐プラズマ性半導体製造用部品を最初から生産しなくても、従来に生産されている半導体製造用部品の表面にプラズマに露出される部分のみをＳｉＣ及びＣを含む複合体を用いてコーティングすることで、既存部品の耐プラズマ性を高める効果のある製造方法が提供される。
【００５２】
本発明の一例によれば、前記半導体製造用部品は、グラファイト、ＳｉＣ又はこの２つを含んでもよい。前記半導体製造用部品は、本発明ではその素材を特に限定しないが、炭素成分のグラファイト素材であってもよく、耐プラズマ性に優れるＳｉＣ素材であってもよい。
【００５３】
本発明の一例によれば、前記ＳｉＣ及びＣを含む複合体コーティング層を形成するステップは、１０００℃〜１９００℃の温度で行われる。ＳｉＣ及びＣを含む複合体を形成するステップが１０００℃未満の温度で行われる場合、蒸着速度が遅くなって生産性が低下し、結晶成長の過程で非晶質化又は結晶性が低下する問題が生じ、１９００℃超過の温度で行われる場合、微細構造の緻密性が低下して気孔が発生したり、クラック発生の確率が高まる問題が生じる。
【００５４】
本発明の一例によれば、前記ＳｉＣ及びＣを含む複合体コーティング層を形成するステップの前に、Ｓｉ前駆体及びＣ前駆体を混合するステップを含み得る。本発明の一態様によれば、Ｓｉ前駆体及びＣ前駆体がノズルによって蒸着のためのチャンバーに一回に供給されず、チャンバーの外部で前記Ｓｉ前駆体及びＣ前駆体が混合されてノズルに噴射されることがある。ここで、前記Ｓｉ前駆体及びＣ前駆体を混合するための混合装置をチャンバーの外部に追加的に備えて使用してもよい。
【００５５】
実施形態
半導体製品を生産するための乾式エッチング装置内で、８０００Ｗのプラズマパワーを加えてＣの原子比の増加による半導体製品のプラズマエッチング比率を確認する実験を行った。
【００５６】
【表１】
0006630025.tif 000002
【００５７】
上記のような条件で、Ｓｉ素材の半導体製造用部品の場合に１０．２１ｍｍがエッチングされ、ＳｉＣ素材の場合に７．４５ｍｍがエッチングされ、Ｓｉ対比１７％だけエッチングされないことが確認された。一方、ＳｉＣ及びＣを含む複合体の場合、Ｓｉ：Ｃの原子比が１：１．１である場合に７．２０ｍｍエッチングされ（Ｓｉ対比エッチング率７０．５％）、１：１．２の場合に５．７６ｍｍエッチングされて耐プラズマ特性が大きく向上したことが確認された（Ｓｉ対比エッチング率５６．４％）。
【００５８】
一方、ＳｉＣ及びＣを含む複合体のＳｉ：Ｃの原子比が１：１．４の場合には急激に耐プラズマ特性が減少し、ＳｉＣ素材よりも耐プラズマ性が低下する傾向を見せたが、Ｓｉに比較するとき、エッチング率がそれでも優れる方であった（Ｓｉ対比エッチング率９１．５％）。
【００５９】
その後、本発明の一側面に係る前記の実施形態１及び２の場合と、Ｓｉ対比Ｃ含量が１．３に製造された半導体製造用部品をＸＲＤ分析実験を実施して耐プラズマ性エッチング特性を改善するための特徴を確認した。
【００６０】
図４Ａは、本発明の一実施形態（実施形態１）に係る半導体製造用部品で、Ｓｉ対比Ｃ含量が１．１であるときのＸＲＤ分析グラフであり、図４Ｂは、本発明の一実施形態（実施形態２）に係る半導体製造用部品で、Ｓｉ対比Ｃ含量が１．２であるときのＸＲＤ分析グラフであり、図４Ｃは、本発明の一実施形態に係る半導体製造用部品で、Ｓｉ対比Ｃ含量が１．３であるときのＸＲＤ分析グラフである。
【００６１】
上記のような実験データに基づいて、本発明の一側面によれば、Ｓｉ：Ｃの原子比を制御することによって、ＳｉＣ素材より優れる耐プラズマ特性を備えた素材の半導体製造用部品を製造することができることが確認された。
【００６２】
また、ＳｉＣ素材より欠けているが、Ｓｉより優れる耐プラズマ特性を有するＳｉＣ及びＣを含む複合体素材も、必要な耐プラズマ特性の程度及び求められる生産コストに応じて選択し、所望するレベルの半導体製造用部品を製造できることが確認された。
【００６３】
上述したように実施形態がたとえ限定された実施形態及び図面によって説明されたが、当技術分野で通常の知識を有する者であれば、前記の記載から様々な修正及び変形が可能である。例えば、説明された技術が説明された方法と異なる順に実行されたり、及び／又は説明された構成要素が説明された方法と異なる形態に結合又は組合わせられたり、他の構成要素又は均等物によって置き換えたり置換されても適切な結果が達成し得る。
【００６４】
したがって、本発明の範囲は、開示された実施形態に限定されて定められるものではなく、特許請求の範囲及び特許請求の範囲と均等なものなどによって定められるものである。
【要約】
【解決手段】本発明の一実施形態によれば、ＳｉＣ及びＣを含む複合体を含み、前記複合体のうちＳｉ：Ｃの原子比は、１：１．１〜１：２．８である、半導体製造用部品が提供される。【図１】
0006630025.tif 000003
【図２】
0006630025.tif 000004
【図３】
0006630025.tif 000005
【図４ａ】
0006630025.tif 000006
【図４ｂ】
0006630025.tif 000007
【図４ｃ】
0006630025.tif 000008