(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
孔部を有する絶縁性基板と、前記孔部に存在し、かつ導体を含む導電ビア部と、前記絶縁性基板及び導電ビア部の表面の少なくとも一部の領域に積層され、かつ活性金属層及び非透過層を含む接合層と、この接合層に積層され、導体を含み、かつ多孔質構造を有する表面導体層と、この表面導体層に積層された湿式メッキ層とを含む両面配線基板であって、
前記非透過層が、前記活性金属層と前記表面導体層との間に介在し、
前記活性金属層が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｎ及びＡｌからなる群より選択された少なくとも１種の活性金属又はこの活性金属を含む合金を含み、
前記非透過層が、Ｐｄ及び／又はＮｉのバリア性金属又はこのバリア性金属を含む合金を含み、かつ
前記表面導体層に含まれる導体が、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ及びＡｌからなる群より選択された少なくとも１種の導電性金属又はこの導電性金属を含む合金を含む両面配線基板。
【請求項２】
接合層が、さらに親和層を含み、この親和層が、表面導体層に含まれる金属と同一又は合金化可能な金属を含み、かつ前記親和層が表面導体層と接している請求項１記載の両面配線基板。
【請求項３】
表面導体層の空隙率が５〜３０体積％である請求項１又は２記載の両面配線基板。
【請求項４】
表面導体層が、ガラス成分を含まない請求項１〜３のいずれかに記載の両面配線基板。
【請求項５】
表面導体層の平均厚みが、接合層の平均厚みに対して５〜１０００倍である請求項１〜４のいずれかに記載の両面配線基板。
【請求項６】
導電ビア部に含まれる導体が、多孔質構造を有する請求項１〜５のいずれかに記載の両面配線基板。
【請求項７】
導電ビア部の空隙率が１５〜４５体積％である請求項６記載の両面配線基板。
【請求項８】
絶縁性基板の孔部壁面と導電ビア部との間に、活性金属層を含むビア接合層が介在している請求項１〜７のいずれかに記載の両面配線基板。
【請求項９】
絶縁性基板が、セラミックス基板、ガラス基板、シリコン基板又はほうろう基板である請求項１〜８のいずれかに記載の両面配線基板。
【請求項１０】
孔部を有する絶縁性基板の孔部に、金属粒子及び有機ビヒクルを含む導電ビア部用導体ペーストを充填するビア充填工程、前記導体ペーストに含まれる金属粒子の焼結温度以上に加熱して導体ペーストを焼成し導電ビア部を形成するビア焼成工程、前記導電ビア部を備えた絶縁性基板の表面に、活性金属層を含む接合層を積層する接合層形成工程、接合層の上に、金属粒子及び有機ビヒクルを含む表面導体層用導体ペーストを塗布する導体塗布工程、塗布した前記導体ペーストに含まれる金属粒子の焼結温度以上に加熱して導体ペーストを焼成し、導体を含み、かつ多孔質構造を有する表面導体層を形成する導体焼成工程、導体焼成工程で得られた表面導体層の表面に湿式メッキ層を形成するメッキ工程を含む請求項１〜９のいずれかに記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項１１】
孔部を有する絶縁性基板の表面に、活性金属層を含む接合層を積層するとともに、前記孔部の壁面に、活性金属を含むビア接合層を積層する接合層形成工程、ビア接合層を形成した絶縁基板の孔部に、金属粒子及び有機ビヒクルを含む導電ビア部用導体ペーストを充填するビア充填工程、前記導体ペーストに含まれる金属粒子の焼結温度以上に加熱して導体ペーストを焼成し導電ビア部を形成するビア焼成工程、前記絶縁基板表面の接合層及び導電ビア部の上に、金属粒子及び有機ビヒクルを含む表面導体層用導体ペーストを塗布する導体塗布工程、塗布した前記導体ペーストに含まれる金属粒子の焼結温度以上に加熱して導体ペーストを焼成し、導体を含み、かつ多孔質構造を有する表面導体層を形成する導体焼成工程、導体焼成工程で得られた表面導体層の表面に湿式メッキ層を形成するメッキ工程を含む請求項１〜９のいずれかに記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項１２】
孔部を有する絶縁性基板の表面に、活性金属層を含む接合層を積層するとともに、前記孔部の壁面に、活性金属を含むビア接合層を積層する接合層形成工程、ビア接合層を形成した絶縁基板の孔部に、金属粒子及び有機ビヒクルを含む導電ビア部用導体ペーストを充填するビア充填工程、前記絶縁基板表面の接合層及び孔部に充填された導体ペーストの上に、金属粒子及び有機ビヒクルを含む表面導体層用導体ペーストを塗布する導体塗布工程、塗布した表面導体層用導体ペースト及び導電ビア部用導体ペーストに含まれる金属粒子の焼結温度以上に加熱して表面導体層用導体ペースト及び導電ビア部用導体ペーストを同時に焼成し、導体を含み、かつ多孔質構造を有する表面導体層及び導電ビア部を形成する導体焼成工程、導体焼成工程で得られた表面導体層の表面に湿式メッキ層を形成するメッキ工程を含む請求項１〜９のいずれかに記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項１３】
孔部を有する絶縁性基板の孔部に、金属粒子及び有機ビヒクルを含む導電ビア部用導体ペーストを充填するビア充填工程、前記導体ペーストに含まれる金属粒子の焼結温度以上に加熱して導体ペーストを焼成し導電ビア部を形成するビア焼成工程、前記導電ビア部を備えた絶縁性基板の表面に、活性金属層を含む接合層を積層する接合層形成工程、接合層の上に、金属粒子及び有機ビヒクルを含む表面導体層用導体ペーストを塗布する導体塗布工程、塗布した前記導体ペーストに含まれる金属粒子の焼結温度以上に加熱して導体ペーストを焼成し、導体を含み、かつ多孔質構造を有する表面導体層を形成する導体焼成工程、導体焼成工程で得られた表面導体層の一部の領域にレジストパターンを形成した後、レジストパターンが形成されていない露出領域の表面導体層の表面に貴金属を含むメッキ層を形成してレジストパターンを除去し、メッキ層が形成されてない露出領域の表面導体層及び接合層を除去する第２のエッチング工程を含む請求項１〜９のいずれかに記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項１４】
孔部を有する絶縁性基板の表面に、活性金属層を含む接合層を積層するとともに、前記孔部の壁面に、活性金属を含むビア接合層を積層する接合層形成工程、ビア接合層を形成した絶縁基板の孔部に、金属粒子及び有機ビヒクルを含む導電ビア部用導体ペーストを充填するビア充填工程、前記導体ペーストに含まれる金属粒子の焼結温度以上に加熱して導体ペーストを焼成し導電ビア部を形成するビア焼成工程、前記絶縁基板表面の接合層及び導電ビア部の上に、金属粒子及び有機ビヒクルを含む表面導体層用導体ペーストを塗布する導体塗布工程、塗布した前記導体ペーストに含まれる金属粒子の焼結温度以上に加熱して導体ペーストを焼成し、導体を含み、かつ多孔質構造を有する表面導体層を形成する導体焼成工程、導体焼成工程で得られた表面導体層の一部の領域にレジストパターンを形成した後、レジストパターンが形成されていない露出領域の表面導体層の表面に貴金属を含むメッキ層を形成してレジストパターンを除去し、メッキ層が形成されてない露出領域の表面導体層及び接合層を除去する第２のエッチング工程を含む請求項１〜９のいずれかに記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項１５】
孔部を有する絶縁性基板の表面に、活性金属層を含む接合層を積層するとともに、前記孔部の壁面に、活性金属を含むビア接合層を積層する接合層形成工程、ビア接合層を形成した絶縁基板の孔部に、金属粒子及び有機ビヒクルを含む導電ビア部用導体ペーストを充填するビア充填工程、前記絶縁基板表面の接合層及び孔部に充填された導体ペーストの上に、金属粒子及び有機ビヒクルを含む表面導体層用導体ペーストを塗布する導体塗布工程、塗布した表面導体層用導体ペースト及び導電ビア部用導体ペーストに含まれる金属粒子の焼結温度以上に加熱して表面導体層用導体ペースト及び導電ビア部用導体ペーストを同時に焼成し、導体を含み、かつ多孔質構造を有する表面導体層及び導電ビア部を形成する導体焼成工程、導体焼成工程で得られた表面導体層の一部の領域にレジストパターンを形成した後、レジストパターンが形成されていない露出領域の表面導体層の表面に貴金属を含むメッキ層を形成してレジストパターンを除去し、メッキ層が形成されてない露出領域の表面導体層及び接合層を除去する第２のエッチング工程を含む請求項１〜９のいずれかに記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項１６】
導電ビア部用導体ペーストにおける焼成前後の体積変化率が−１０％〜２０％である請求項１０〜１５のいずれかに記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種の電子機器に使用される耐熱性基板及びその製造方法に関し、詳しくは、高放熱、大電流、高密度実装などの高性能用途に用いるための貫通電極を有する両面配線基板（表裏導通基板又はビア充填基板）及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電子基板は、機能部品の配置や配線回路の形成に使用されている。近年、電子機器又は部品の小型化、高機能化及び集積化のために、絶縁性基板に貫通孔（ビア）を形成し、貫通孔内に導電材料を設けて基板両面を電気的に導通させる用途が増加している。基板両面を電気的に導通する方法として、特開平５−３０８１８２号公報（特許文献１）には、絶縁性基板の貫通孔の内壁部に金属層としてＡｕメッキ層を形成する方法が開示されており、特開２００６−２０３１１２号公報（特許文献２）には、絶縁性基板の所定位置に形成された略鼓状の透孔をメッキ金属で完全に充填する方法が開示されている。
【０００３】
しかし、これらの方法では、基板自体の製造工程として、環境負荷の大きいメッキ工程が必要であるため、工程が複雑であり、経済性も低い。
【０００４】
また、貫通孔に金属粉及び硬化性樹脂で構成される導体ペースト（導電性ペースト）を充填し、硬化して充填ビアを得る方法も知られている。しかし、この充填ビアも、導電材料に樹脂が含有しているため、導電性が低く、樹脂の耐熱性によって使用が制限され、基板の耐熱性も低い。
【０００５】
さらに、貫通孔に金属粉、無機バインダー及び樹脂で構成される導体ペーストを充填し、金属の焼結温度以上に加熱して金属粉を焼結して導電性の充填ビアを得る方法も知られており、この方法は、簡便性に優れるとともに、樹脂成分は焼成により蒸発、分解される。そのため、この方法で得られる充填ビアは、導電性、熱伝導性及び耐熱性も高い。しかし、ビアに導体ペーストを充填した後に焼成して得られるビア充填基板には、充填導体（導電ビア部）と孔部の壁面との間に隙間やボイドが存在する場合がある。これらの隙間やボイドの発生原因としては、孔に充填した導体ペーストの溶媒除去（乾燥）による収縮や、高温焼成時の金属粉の焼結による収縮が原因の一部と推定できる。
【０００６】
貫通孔に充填ビアを形成した後、通常、後工程として、基板両表面に所定のパターン形状を有する導体膜を形成する工程を経て、両面配線基板が製造される。導体膜の形成方法としては、一般的に、薄膜法、メッキ法、厚膜法が挙げられるが、充填導体と壁面との間に隙間が存在すると、薄膜法やメッキ法では以下の問題が生じる虞がある。
【０００７】
すなわち、薄膜法の場合には、スパッタリングなどにより膜を形成するため、導体膜の膜厚が通常２〜３μｍ未満である。そのため、充填導体と基板間に隙間が存在する場合、導電膜が切れて導電性能の低下や断線を招く虞がある。なお、薄膜配線法は、膜厚が薄いため、大きな駆動力を要求されない用途しか適用できない。
【０００８】
また、メッキ法の場合には、ビア充填した基板をメッキ浴に入れてメッキを行うが、ビア充填部のボイドや隙間に薬液が浸入し、メッキ膜が形成された後、隙間内部に浸入した薬液が閉じ込められる虞がある。さらに、閉じこめられた薬液が、後工程や実装において加熱されると、膨張して膨れ（フクレ）、破裂、ハガレ、変色等の不具合を起こす虞がある。
【０００９】
一方、厚膜法の場合には、スクリーン印刷法により導体ペーストを塗布して厚膜印刷するため、ビア充填部の表面にボイドや隙間があっても導体ペースト印刷時にある程度修復され、表面の導体膜の膜厚は１０μｍ以上となるため、ビア充填部に多少のボイドや隙間があっても導通には支障がない。しかし、厚膜用の導体ペーストでは、主にペースト中に配合されるガラス成分により基板との密着性を確保するため、薄膜法やメッキ法の活性金属（Ｔｉなど）による接合ほどの密着強度が得られない。その結果、耐熱衝撃性など長期信頼性が不足する虞がある。さらに、厚膜法のスクリーン印刷はパターン解像度が１００μｍ程度が限界で、１００μｍ以下の微細パターンの形成は困難である。さらに、パターンの断面形状はかまぼこ状で矩形性がないため、パターン形状や精度の要求の高い高密度実装基板などには使用出来ない。
【００１０】
特開平６−２０４６４５号公報（特許文献３）には、良好なパターン形状を得るために、厚膜用の導体ペーストをパターン印刷ではなく、パターンより大きな面積又は基板全面に塗りつぶし印刷（ベタ印刷）してから、導体膜を焼成した後、導体膜表面にレジストパターンを形成し、エッチングにより不要な導体の部分を除去して所要なパターンを得る方法も提案されている。
【００１１】
しかし、この方法でも、導体ペースト中に配合しているガラス成分のエッチング耐性が強く、通常エッチング後にも一部のガラス成分が残留するため、パターン間の絶縁性が低下し、微細パターンの形成には不向きである。このような事情から、高性能用途に適用するための「貫通電極のある両面配線基板」では厚膜法は実現できていない。
【００１２】
従って、貫通電極を有する両面配線基板は、本来、高放熱、大電流、高密度実装などの高性能用途に適用される配線基板であるにも拘わらず、従来の技術では前記課題を克服できず、十分に実現できていなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開平５−３０８１８２号公報（請求項１、図２）
【特許文献２】特開２００６−２０３１１２号公報（請求項１、図３）
【特許文献３】特開平６−２０４６４５号公報（特許請求の範囲、段落［００１０］）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
従って、本発明の目的は、ビア充填基板に高い密着力で高性能の導体パターンが形成された両面配線基板及びその製造方法を提供することにある。
【００１５】
本発明の他の目的は、耐熱性、耐熱衝撃性及び信頼性の高い両面配線基板及びその製造方法を提供することにある。
【００１６】
本発明のさらに他の目的は、メッキなどの湿式工程に供しても、導電ビア部での膨れや剥離、変色などを抑制できる両面配線基板及びその製造方法を提供することにある。
【００１７】
本発明の別の目的は、エッチング適性に優れ、微細なパターンを形成できる両面配線基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明者らは、前記課題を達成するため鋭意検討の結果、孔部を有する絶縁性基板と、前記孔部に存在し、かつ導体を含む導電ビア部と、前記絶縁性基板及び導電ビア部の表面の少なくとも一部の領域に積層され、かつ活性金属層を含む接合層と、この接合層に積層され、かつ多孔質構造を有する導体を含む表面導体層とを組み合わせることにより、ビア充填基板に高い密着力で高性能の導体パターンを形成できることを見出し、本発明を完成した。
【００１９】
すなわち、本発明の両面配線基板は、孔部を有する絶縁性基板と、前記孔部に存在し、かつ導体を含む導電ビア部と、前記絶縁性基板及び導電ビア部の表面の少なくとも一部の領域に積層され、かつ活性金属層を含む接合層と、この接合層に積層され、導体を含み、かつ多孔質構造を有する表面導体層とを含む。前記活性金属層は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｎ及びＡｌからなる群より選択された少なくとも１種の活性金属又はこの活性金属を含む合金を含んでいてもよい。前記接合層は、さらに非透過層を含んでいてもよい。この非透過層は、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐｄ及びＰｔからなる群より選択された少なくとも１種のバリア性金属又はこのバリア性金属を含む合金を含んでいてもよい。前記非透過層は、活性金属層と表面導体層との間に介在してもよい。前記接合層は、さらに親和層を含んでいてもよい。この親和層は、表面導体層に含まれる金属と同一又は合金化可能な金属を含んでいてもよい。前記親和層は、表面導体層と接していてもよい。前記表面導体層に含まれる導体は、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ及びＡｌからなる群より選択された少なくとも１種の導電性金属又はこの導電性金属を含む合金を含んでいてもよい。前記表面導体層の空隙率は５〜３０体積％程度である。前記表面導体層は、ガラス成分を含まなくてもよい。前記表面導体層の平均厚みは、前記接合層の平均厚みに対して５〜１０００倍程度である。前記導電ビア部に含まれる導体は、多孔質構造を有していてもよい。多孔質構造を有する導体を含む導電ビア部の空隙率は１５〜４５体積％程度である。前記絶縁性基板の孔部壁面と前記導電ビア部との間には、活性金属層を含むビア接合層が介在していてもよい。前記絶縁性基板は、セラミックス基板、ガラス基板、シリコン基板又はほうろう基板であってもよい。本発明の両面配線基板は、前記表面導体層にさらにメッキ層（特に湿式メッキ層）が積層されていてもよい。
【００２０】
本発明には、孔部を有する絶縁性基板の孔部に、金属粒子及び有機ビヒクルを含む導電ビア部用導体ペーストを充填するビア充填工程、前記導体ペーストに含まれる金属粒子の焼結温度以上に加熱して導体ペーストを焼成し導電ビア部を形成するビア焼成工程、前記導電ビア部を備えた絶縁性基板の表面に、活性金属層を含む接合層を積層する接合層形成工程、接合層の上に、金属粒子及び有機ビヒクルを含む表面導体層用導体ペーストを塗布する導体塗布工程、塗布した前記導体ペーストに含まれる金属粒子の焼結温度以上に加熱して導体ペーストを焼成し、多孔質構造を有する導体を含む表面導体層を形成する導体焼成工程を含む前記両面配線基板の製造方法も含まれる。
【００２１】
また、本発明には、孔部を有する絶縁性基板の表面に、活性金属層を含む接合層を積層するとともに、前記孔部の壁面に、活性金属を含むビア接合層を積層する接合層形成工程、ビア接合層を形成した絶縁基板の孔部に、金属粒子及び有機ビヒクルを含む導電ビア部用導体ペーストを充填するビア充填工程、前記導体ペーストに含まれる金属粒子の焼結温度以上に加熱して導体ペーストを焼成し導電ビア部を形成するビア焼成工程、前記絶縁基板表面の接合層及び導電ビア部の上に、金属粒子及び有機ビヒクルを含む表面導体層用導体ペーストを塗布する導体塗布工程、塗布した前記導体ペーストに含まれる金属粒子の焼結温度以上に加熱して導体ペーストを焼成し、導体を含み、かつ多孔質構造を有する表面導体層を形成する導体焼成工程を含む前記両面配線基板の製造方法も含まれる。
【００２２】
さらに、本発明には、孔部を有する絶縁性基板の表面に、活性金属層を含む接合層を積層するとともに、前記孔部の壁面に、活性金属を含むビア接合層を積層する接合層形成工程、ビア接合層を形成した絶縁基板の孔部に、金属粒子及び有機ビヒクルを含む導電ビア部用導体ペーストを充填するビア充填工程、前記絶縁基板表面の接合層及び孔部に充填された導体ペーストの上に、金属粒子及び有機ビヒクルを含む表面導体層用導体ペーストを塗布する導体塗布工程、塗布した表面導体層用導体ペースト及び導電ビア部用導体ペーストに含まれる金属粒子の焼結温度以上に加熱して表面導体層用導体ペースト及び導電ビア部用導体ペーストを同時に焼成し、導体を含み、かつ多孔質構造を有する表面導体層及び導電ビア部を形成する導体焼成工程を含む前記両面配線基板の製造方法も含まれる。
【００２３】
前記製造方法において、導電ビア部用導体ペーストを焼成する前又は焼成した後に、絶縁性基板の表面を平滑化してもよい。前記接合層形成工程において、活性金属層を形成した後、活性金属層の上に、さらに非透過層及び／又は親和層を積層してもよい。前記接合層形成工程において、物理蒸着法で接合層を形成してもよい。前記導体塗布工程において、導体ペーストの塗布前に、不活性ガス雰囲気中で、４００℃以上であり、かつ接合層を構成する全ての金属種の中で最も低融点の金属の融点、及び接合層を構成する合金の融点のいずれか低い方の融点以下の温度で接合層を加熱してアニールしてもよい。本発明の製造方法は、導体焼成工程で得られた表面導体層の一部の領域にレジストパターンを形成した後、レジストパターンが形成されていない露出領域の表面導体層及び接合層を除去し、さらにレジストパターンを除去する第１のエッチング工程をさらに含んでいてもよい。さらに、本発明の製造方法は、導体塗布工程において、表面導体層用導体ペーストをパターン印刷するとともに、導体焼成工程の後工程として、表面導体層（パターン）から露出する接合層を除去する接合層除去工程をさらに含んでいてもよい。前記接合層形成工程では、前記絶縁性基板の表面において、活性金属層を含む接合層をパターン状（表面導体層における目的のパターン状）に形成してもよい。本発明の製造方法は、導体焼成工程で得られた表面導体層の表面にメッキ層を形成するメッキ工程をさらに含んでいてもよい。また、本発明の製造方法は、導体焼成工程で得られた表面導体層の一部の領域にレジストパターンを形成した後、レジストパターンが形成されていない露出領域の表面導体層の表面に貴金属を含むメッキ層を形成してレジストパターンを除去し、メッキ層が形成されてない露出領域の表面導体層及び接合層を除去する第２のエッチング工程をさらに含んでいてもよい。前記導電ビア部用導体ペーストにおける焼成前後の体積変化率は−１０％〜２０％であってもよい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明では、孔部を有する絶縁性基板と、前記孔部に存在し、かつ導体を含む導電ビア部と、前記絶縁性基板及び導電ビア部の表面の少なくとも一部の領域に積層され、かつ活性金属層を含む接合層と、この接合層に積層され、かつ多孔質構造を有する導体を含む表面導体層とを組み合わせているため、ビア充填基板に高い密着力で高性能の導体パターンを形成できる。また、接合層が特定の活性金属を含むと、耐熱性及び信頼性も高度に向上できる。さらに、表面導体層が多孔質体であるため、表面導体層と絶縁性基板間との熱膨張率の差によって生じる熱応力が緩和され、耐熱衝撃性も向上できる。特に、表面導体層で導電ビア部を被覆しているため、メッキなどの湿式工程に供しても、導電ビア部での膨れや剥離、変色などを抑制できる。さらに、エッチング適性に優れ、表面導電層をエッチングしてパターンを形成すると、微細なパターンを形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は、実施例１で得られた両面配線基板の製造工程を示す概略図である。
【図２】図２は、比較例１で得られた両面配線基板の製造工程を示す概略図である。
【図３】図３は、実施例２５で得られた両面配線基板の製造工程を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
［両面配線基板］
本発明の両面配線基板は、孔部を有する絶縁性基板と、前記孔部に存在し、かつ導体を含む導電ビア部と、前記絶縁性基板及び導電ビア部の表面の少なくとも一部の領域に積層され、かつ活性金属層を含む接合層と、この接合層に積層され、かつ多孔質構造を有する導体を含む表面導体層とを含む。
【００２７】
（絶縁性基板）
孔部を有する絶縁性基板を構成する材質は、焼成工程を経るため、耐熱性が要求され、エンジニアリングプラスチックなどの有機材料であってもよいが、通常、無機材料（無機素材）である。
【００２８】
無機材料としては、例えば、セラミックス｛金属酸化物（石英、アルミナ又は酸化アルミニウム、ジルコニア、サファイア、フェライト、チタニア又は酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ニオブ、ムライト、ベリリアなど）、酸化ケイ素（二酸化ケイ素など）、金属窒化物（窒化アルミニウム、窒化チタンなど）、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化炭素、金属炭化物（炭化チタン、炭化タングステンなど）、炭化ケイ素、炭化ホウ素、金属ホウ化物（ホウ化チタン、ホウ化ジルコニウムなど）、金属複合酸化物［チタン酸金属塩（チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸鉛、チタン酸ニオブ、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウムなど）、ジルコン酸金属塩（ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛など）など］など｝、ガラス類（ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、クラウンガラス、バリウム含有ガラス、ストロンチウム含有ガラス、ホウ素含有ガラス、低アルカリガラス、無アルカリガラス、結晶化透明ガラス、シリカガラス、石英ガラス、耐熱ガラスなど）、ケイ素類（半導体ケイ素など）などが挙げられる。無機材料は、これらの無機材料と金属との複合材料（例えば、ほうろうなど）であってもよい。
【００２９】
絶縁性基板は、例えば、セラミックス基板、ガラス基板、シリコン基板、ほうろう基板などの耐熱性基板であってもよい。これらの耐熱性基板のうち、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板、窒化ケイ素基板などのセラミックス基板が好ましい。
【００３０】
絶縁性基板の孔部壁面は、酸化処理［表面酸化処理、例えば、放電処理（コロナ放電処理、グロー放電など）、酸処理（クロム酸処理など）、紫外線照射処理、焔処理など］、表面凹凸処理（溶剤処理、サンドブラスト処理など）などの表面処理がされていてもよい。さらに、孔部壁面は、導電ビア部との密着性を向上させるために、後述する接合層と同一の組成で形成されたビア接合層を有していてもよい。ビア接合層の平均厚みも、後述する接合層の平均厚みの範囲から選択でき、通常、接合層と同一厚みである。
【００３１】
絶縁性基板の平均厚みは、用途に応じて適宜選択すればよく、例えば０．０１〜１０ｍｍ、好ましくは０．０５〜５ｍｍ、さらに好ましくは０．１〜１ｍｍ（特に０．２〜０．８ｍｍ）程度であってもよい。
【００３２】
絶縁性基板には、導電ビア部を形成するための孔部（通常、複数の孔部）が形成されており、この孔部は、両面配線基板を形成するための貫通孔を含んでいればよく、非貫通孔を含んでいてもよいが、通常、貫通孔のみである。孔部の基板面方向に平行な断面形状は、特に限定されず、多角形状（三角形状、四角形状や六角形状など）などであってもよいが、通常、円形状又は楕円形状であり、円形状が好ましい。
【００３３】
孔部の平均孔径は、例えば０．０５〜１０ｍｍ、好ましくは０．０８〜５ｍｍ、さらに好ましくは０．１〜１ｍｍ程度である。
【００３４】
孔部の形成方法は、特に限定するものではなく、レーザー法、ブラスト法、超音波法、ウォータージェット法、打ち抜き法、研削法、ドリル法などの公知な方法を適宜使用できる。
【００３５】
（導電ビア部）
導電ビア部は、前記絶縁性基板の孔部に形成（又は充填）されており、両面配線基板が両面電極を形成するための導体（特に焼結導体）を含んでいればよい。本発明の両面配線基板は、導電ビア部を備えることにより、基板の表裏両面を電気的に導通する貫通電極が形成され、表裏導通タイプの配線基板として機能する。
【００３６】
導電ビア部に含まれる導体は、導電性を有する限り特に限定されないが、通常、導電性金属又はこの導電性金属を含む合金である。導電性金属としては、例えば、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌなどが挙げられる。これらの金属は、単独で又は二種以上組み合わせて使用でき、二種以上を組み合わせた合金であってもよい。これらのうち、導電性、信頼性、経済性などの点から、Ｃｕ又はＡｇが好ましい。
【００３７】
導電ビア部は、両面配線基板を形成可能な導電性を有していれば、半導体や絶縁体などの非導体（例えば、焼成後に残存した有機ビヒクル、ガラス成分などの無機バインダー）を含んでいてもよい。導電ビア部中の導体の割合は５０質量％以上であってもよく、例えば８０質量％以上、好ましくは９０質量％以上、さらに好ましくは９５質量％以上であり、特に１００質量％（導体単独で形成）であってもよい。
【００３８】
導電ビア部は、前記絶縁性基板の孔部に形成されていればよく、中実体（非多孔質体）であってもよく、多孔質構造を有する多孔質体であってもよい。導電ビア部が多孔質体である場合、導電ビア部と絶縁性基板との熱膨張率の差によって生じる熱応力が緩和され、耐熱衝撃性が向上できる。特に、導体ペースト（金属ペースト又は導電性ペースト）を用いて得られた導電ビア部は、焼成によって生じた多孔質体であってもよい。多孔質体の平均孔径は、例えば０．０１〜１０μｍ、好ましくは０．０５〜５μｍ、さらに好ましくは０．１〜２μｍ程度である。多孔質体の空隙率（両面配線基板が複数の導電ビア部を有する場合、平均値）は、例えば５〜６０体積％、好ましくは１０〜５０体積％、さらに好ましくは１５〜４０体積％程度である。空隙率が大きすぎると、導電性が低下する虞があり、小さすぎると、耐熱衝撃性が低下する虞がある。多孔質体の多孔質構造は、特に限定されず、連通性気孔構造、独立性気孔構造、この両者の混合構造のいずれであってもよい。充填ビア部の気密性から、独立性気孔構造が好ましい。
【００３９】
なお、多孔質体の平均孔径は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）又は透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察に基づいて測定できる。また、多孔質体の空隙率は、導体ペースト中に含まれる有機成分体積率及び焼成収縮率に基づいて測定でき、詳しくは後述する実施例に記載の方法で測定できる。
【００４０】
（活性金属層）
接合層は、前記絶縁性基板及び導電ビア部の表面の少なくとも一部の領域に積層された薄膜であり、通常、表面導体層のパターン形状に対応した形状を有している。特に、接合層は、絶縁性基板と表面導体層との密着性を向上でき、前記導電ビア部を覆う領域のうち、導電ビア部を除く領域（絶縁性基板と表面導体層との間）に形成されていればよいが、通常、前記導電ビア部を覆う領域（導電ビア部を含む領域）に形成されており、接合層で導電ビア部を被覆することにより、前記導電ビア部を表面導電層で被覆している。さらに、接合層は、必須の層として活性金属層（絶縁性基板との反応層）を含むことにより、活性金属層が絶縁性基板の構成成分と反応したり化合物を形成し、前記絶縁性基材と表面導体層との密着力を向上させている。
【００４１】
活性金属層は、活性金属又はこの活性金属を含む合金を含む。前記活性金属としては、絶縁性基板の構成成分と反応する金属や前記構成成分と化合物を形成でき、かつ表面導体層や導電ビア部を構成する金属と異なる金属であればよく、例えば、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ａｌなどが挙げられる。これらの活性金属は、単独で又は二種以上組み合わせて使用でき、二種以上を組み合わせた合金であってもよい。
【００４２】
これらの活性金属のうち、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒを含む活性金属が好ましく、通常、これらの活性金属単体が汎用される。
【００４３】
さらに、活性金属は、簡便な膜構造であっても（特に、非透過層を形成することなく）、表面導体層の電気特性と、表面導体層と絶縁性基材との密着性とを両立できる点から、後述する非透過層を構成するバリア性金属（特に、Ｍｏ又はＷ）との合金であってもよい。活性金属とバリア性金属との合金において、バリア性金属の割合は、活性金属１００質量部に対して２００質量部以下であり、例えば１〜１５０質量部、好ましくは５〜１５０質量部、さらに好ましくは１０〜１００質量部程度である。バリア性金属の割合が多すぎると、絶縁性基板の孔部壁面と金属膜との密着性が低下する虞がある。
【００４４】
活性金属層は、活性金属を含んでいればよく、例えば、活性金属化合物であってもよいが、通常、活性金属単体、活性金属同士の合金、活性金属とバリア性金属との合金である。活性金属化合物としては、加熱により容易に活性金属が生成する化合物（例えば、ＴｉＨ２、ＺｒＨ２など）が好ましい。
【００４５】
活性金属層の平均厚みは０．００５μｍ以上であってもよく、例えば０．００５〜１．０μｍ、好ましくは０．０１〜０．５μｍ、さらに好ましくは０．０５〜０．３μｍ（特に０．０８〜０．２μｍ）程度である。活性金属層の厚みが薄過ぎると、表面導体層と絶縁性基板との密着力が低下する虞がある。一方、活性金属層の厚みが厚過ぎると、表面導体層の導電性が損なわれる虞があるとともに、コスト的に不利である。
【００４６】
（非透過層）
接合層は、活性金属層単独で形成されていてもよいが、表面導体層の電気特性と、表面導体層と絶縁性基材との密着性とを高度に向上できる点から、前記活性金属層と表面導体層との間にさらに非透過層を介在させてもよい。接合層が活性金属層単独で形成されている場合、従来のビア充填基板に対して、高い電気特性と密着性とを有しているが、活性金属層と表面導体層との間で起こる現象として、活性金属層が表面導体層の内部へ拡散すると表面導体層の電気特性が若干低下する虞がある。その一方で、表面導体層を構成する金属が活性金属層へ拡散し、さらに合金化すると絶縁性基板との密着性が若干低下する（拡散、合金化により活性金属膜が絶縁性基板から剥がれる）虞もある。そこで、本発明の効果を更に向上させるために、活性金属層と表面導体層との間に非透過層を介在させると、非透過層がバリアとなり、高温焼成時に活性金属層と表面導体層を構成する金属とが、相互に拡散するのを防止できる。さらに、活性金属層は、形成後、空気中に暴露すると活性金属が酸化され易く、接合層としての機能が低下する虞がある。これに対して、比較的酸化され難い金属を非透過層（バリア層）として被覆することで、活性金属の酸化を抑制できる。
【００４７】
非透過層は、バリア性金属又はこのバリア性金属を含む合金を含む。前記バリア性金属としては、前述のバリア性を有し、かつ表面導体層や導電ビア部を構成する金属と異なっていれば特に限定されず、例えば、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔなどが挙げられる。これらのバリア性金属は、単独で又は二種以上組み合わせて使用でき、二種以上を組み合わせた合金であってもよい。
【００４８】
これらのバリア性金属のうち、導電性、安定性、表面導体層との密着性、バリア性から、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉが好ましく、通常、これらのバリア性金属単体が汎用される。
【００４９】
非透過層は、バリア性金属を含んでいればよく、例えば、バリア性金属化合物であってもよいが、通常、バリア性金属単体、バリア性金属同士の合金である。
【００５０】
非透過層の平均厚みは０．０１μｍ以上であってもよく、例えば０．０１〜１．０μｍ、好ましくは０．０５〜０．５μｍ、さらに好ましくは０．１〜０．３μｍ程度である。非透過層の厚みが薄過ぎると、活性金属層の効果が低下したり、表面導体層と絶縁性基板との密着性が低下する虞がある。非透過層の厚みが厚すぎると、コスト的に不利になる。
【００５１】
（親和層）
接合層は、表面導体層と絶縁性基板との密着性をより向上させるために、表面導体層と接する最表面に親和層（表面導体層との親和性を高める層）を含んでいてもよい。親和層は、表面導体層と接触すればよく、活性金属層の上に積層してもよく、非透過層の上に形成してもよい。親和層を表面導体層と接触させることにより、表面導体層との親和性（濡れ性）が高まり、表面導体層と絶縁性基板（詳しくは、活性金属層又は非透過層）とを良好に接合できる。なお、非透過層の金属が接合層の性質をも有する金属である場合は、非透過層は接合層を兼ねることもできる。
【００５２】
親和層は、接合層と接触する層（非透過層又は活性金属層）を形成する金属と異なる金属であり、かつ表面導体層に含まれる金属と同一又は合金化可能な金属（親和用金属）を含む。親和用金属としては、例えば、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌなどが挙げられる。これらの親和用金属は、単独で又は二種以上組み合わせて使用でき、二種以上を組み合わせた合金であってもよい。
【００５３】
これらの親和用金属のうち、表面導体層に含まれる金属と同一の金属が好ましい。好ましい親和用金属は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌを含む金属であってもよく、通常、これらの金属単体が汎用される。これらの親和用金属は、導電ビア部及び表面導体層として通常使用される高導電性金属であり、特に、表面導体層に含まれる金属と同一である場合、濡れ性及び密着性を向上できるため、絶縁性基板とより強固に密着できる。
【００５４】
親和層は、親和用金属を含んでいればよく、例えば、親和用金属化合物であってもよいが、通常、親和用金属単体、親和用金属同士の合金である。
【００５５】
親和層の平均厚みは０．０１μｍ以上であってもよく、例えば０．０１〜０．５μｍ、好ましくは０．１〜０．３μｍ、さらに好ましくは０．１５〜０．２５μｍ程度である。親和層の厚みが薄過ぎると、親和層を形成する効果が低下する虞がある。
【００５６】
接合層の平均厚みは０．０５μｍ以上であってもよく、例えば０．１〜１μｍ、好ましくは０．２〜０．８μｍ、さらに好ましくは０．３〜０．５μｍ程度である。
【００５７】
（表面導体層）
表面導体層（又は表面導体膜）は、前記接合層に積層されており、導体（特に焼結導体）を含み、かつ多孔質構造を有することにより、表裏導通タイプの両面配線基板として高導電性を実現できる。表面導体層は、少なくとも一部の領域で接合層を介在して絶縁性基板に積層されていればよく、接合層を介さずに絶縁性基板に直接表面導体層が積層されている領域が存在してもよい。例えば、経済性を向上させるために、高度な密着力やパターン精度が要求される領域（通常は表面）には接合層を介在させ、高度に要求されない領域（通常は裏面）では接合層を介在させなくてもよい。両面配線基板の性能の点からは、全ての表面導電層が接合層を介在して絶縁性基板に積層されるのが好ましい。
【００５８】
表面導体層に含まれる導体は、好ましい態様も含め、前記導電ビア部に含まれる導体と同一である。導体は、焼結導体であってもよい。表面導体層は、本発明の効果を損なわない範囲であれば、半導体や絶縁体などの非導体（例えば、セラミックなどの充填材、焼成後に残存した有機ビヒクル、ガラス成分などの無機バインダーなど）を含んでいてもよい。表面導体層中の導体の割合は５０質量％以上であってもよく、例えば９０質量％、好ましくは９５質量％以上、さらに好ましくは９９質量％以上であり、特に１００質量％（導体単独で形成）であってもよい。表面導体層は、前述のように、接合層を介在させることにより、ガラス成分などの無機バインダーを含まなくても絶縁性基板との密着性を向上できる。そのため、表面導体層は、無機バインダー（特にガラス成分）を実質的に含まなくてもよく、ガラス成分を含まないのが好ましい。無機バインダー（特にガラス成分）の割合は、導体１００質量部に対して１質量部以下（特に０．１質量部以下）であり、ガラス成分の割合が多すぎると、密着性及び電気特性が低下する虞がある。
【００５９】
また、表面導体層は、多孔質構造を有する多孔質体であるため、表面導体層の弾性率が低く、表面導体層と絶縁性基板との熱膨張率の差によって生じる熱応力が緩和され、耐熱衝撃性を向上できる。多孔質体の多孔質構造は、特に限定されず、連通性気孔構造、独立性気孔構造、この両者の混合構造のいずれであってもよい。表面導体層の気密性や、メッキ液に対するバリア性から、独立性気孔構造が好ましい。特に、導体ペースト（金属ペースト又は導電性ペースト）を用いて得られた表面導体層は、焼成によって生じた多孔質体（焼結体）であってもよい。多孔質体の平均孔径は、例えば０．０１〜５μｍ、好ましくは０．０５〜３μｍ、さらに好ましくは０．１〜２μｍ程度である。多孔質体の空隙率は、例えば１〜４０体積％、好ましくは５〜３０体積％、さらに好ましくは１０〜２０体積％程度である。空隙率が大きすぎると、導電性が低下する虞があり、小さすぎると、耐熱衝撃性が低下する虞がある。
【００６０】
また、表面導体層は、導電ビア部を被覆することにより、高メッキ適性の両面導通配線基板も実現できる。すなわち、孔部（貫通孔）を金属焼結体で充填した導電ビア部を有する表裏導通タイプの両面配線基板では、直接的にメッキなどの湿式処理を行うと、薬液が導電ビア部内に侵入し、膨れや剥離、変色などを発生し易い。これに対して、導電ビア部を表面導体層で被覆することにより、前記膨れや剥離、変色などを抑制でき、耐メッキ性を向上できる。表面導体層は、通常、パターン形状に形成されているが、パターン形状は、導電ビア部を被覆しているのが好ましい。
【００６１】
さらに、表面導体層は、薄膜である接合層に比べて厚膜であり、表面導体層を形成するにあたり、薄膜法による接合層の形成と厚膜法による表面導体層の形成とを組み合わせて、表裏表面及び貫通孔を導通させ得る配線形成を実現できる。そのため、接合層により、表面導体層は、ガラス成分を用いなくても絶縁性基板との高い密着性を実現できる。本発明では、このような構成により、前記特徴に加えて、密着性、信頼性、導電性（大電流対応）、パターン精度、コストなどの全ての面において特徴を発揮できる。
【００６２】
表面導体層の膜厚は、必要な電流量に応じて設定すればよく、本発明では表面導体層が多孔質体であるため、従来の方法では形成が困難であった厚膜、例えば、２００μｍ以上でも高い信頼性を有する超厚膜の形成も可能である。表面導体層の平均厚みは０．５μｍ以上であってもよく、例えば１〜１０００μｍ、好ましくは２〜６００μｍ（例えば３〜５００μｍ）、さらに好ましくは４〜３００μｍ（特に５〜２００μｍ）程度である。表面導体層の厚みが薄過ぎると、電気特性や耐メッキ性が低下する虞がある。表面導体層の厚みが厚すぎると、コスト的に不利になる。
【００６３】
表面導体層は接合層に比べて厚肉であり、表面導体層の平均厚みは、接合層の平均厚みに対して３〜５０００倍程度の範囲から選択でき、例えば５〜３０００倍（例えば５〜１０００倍）、好ましくは８〜２０００倍（例えば１０〜１５００倍）、さらに好ましくは１０〜１０００倍（特に１５〜５００倍）程度である。表面導体層の厚み比が小さ過ぎると、電気特性が低下する虞があり、逆に厚過ぎると、コスト的に不利である。
【００６４】
（メッキ層）
本発明の両面配線基板は、前記表面導体層にさらにメッキ層が積層されていてもよい。メッキ層としては、金属種は特に限定されず、例えば、銅メッキ、ニッケルメッキ、銀メッキ、ニッケル金メッキ、ニッケルパラジウム金メッキ、錫メッキ、はんだメッキなどが挙げられる。これらのうち、金、銀、パラジウム、白金などの貴金属を含むメッキ層が好ましく、特に、第２のエッチング工程としてリフトオフ法でパターンを形成する場合に有効である。
【００６５】
メッキ層は、乾式メッキ層であってもよいが、本発明の効果が顕著に発現する点から、湿式メッキ層が好ましい。湿式メッキは、メッキ層の形成時に湿式工程が必要であり、メッキ層形成時にメッキ液がビア充填部に混入し、膨れや剥離が発生し易いためである。湿式メッキとしては、例えば、電気メッキ、無電解メッキなどが挙げられる。さらに、メッキ方法としては、メッキ金属種やメッキ膜厚を幅広く選択できる点から、電気メッキが特に好ましい。
【００６６】
メッキ層の平均厚み（複数のメッキ層を積層する場合、総厚み）は、例えば０．５〜３０μｍ、好ましくは１〜１０μｍ、さらに好ましくは１．５〜５μｍ（特に２〜４μｍ）程度である。
【００６７】
［両面配線基板の製造方法］
本発明の両面配線基板は、例えば、孔部を有する絶縁性基板の孔部に、金属粒子及び有機ビヒクルを含む導電ビア部用導体ペーストを充填するビア充填工程、前記導体ペーストに含まれる金属粒子の焼結温度以上に加熱して導体ペーストを焼成し、導電ビア部を形成するビア焼成工程、前記導電ビア部を備えた絶縁性基板の表面に、活性金属層を含む接合層を形成する接合層形成工程、接合層の上に、金属粒子及び有機ビヒクルを含む表面導体層用導体ペーストを塗布する導体塗布工程、塗布した前記導体ペーストに含まれる金属粒子の焼結温度以上に加熱して導体ペーストを焼成し、導体を含み、かつ多孔質構造を有する表面導体層を形成する導体焼成工程を経て得てもよい。
【００６８】
（ビア充填工程）
充填工程において、導電ビア部用導体ペースト（金属ペースト又は導電性ペースト）は、前記導電性金属で形成された金属粒子を含む。
【００６９】
金属粒子の平均粒径（中心粒径）は、１００μｍ以下（特に５０μｍ以下）程度であり、例えば０．００１〜５０μｍ、好ましくは０．０１〜２０μｍ、さらに好ましくは０．１〜１０μｍ程度である。平均粒径が大きすぎると、孔部への緊密な充填が困難となる虞がある。
【００７０】
金属粒子は、ペースト中の金属含有量を向上でき、導電ビア部の緻密性及び導電性を向上できる点から、粒径１μｍ未満（例えば１ｎｍ以上１μｍ未満）の金属小粒子と粒径１〜５０μｍの金属大粒子とを含むのが好ましい。
【００７１】
金属小粒子の平均粒径（中心粒径）は０．０１〜０．９μｍ（特に０．１〜０．８μｍ）程度の範囲から選択できる。特に、金属小粒子がＣｕ粒子である場合、金属小粒子の平均粒径は、例えば０．１〜０．９５μｍ、好ましくは０．３〜０．９μｍ、さらに好ましくは０．４〜０．８５μｍ程度である。金属小粒子がＡｇ粒子である場合、金属小粒子の平均粒径は、例えば０．１〜０．８μｍ、好ましくは０．１〜０．５μｍ、さらに好ましくは０．１〜０．３μｍ程度である。金属小粒子の平均粒径が小さすぎると、導体ペーストの粘度が上昇して取り扱い性が困難となる虞があり、大きすぎると、緻密性向上効果が低下する虞がある。
【００７２】
金属小粒子は、ペースト中の金属含有量を一層向上でき、より高い緻密性を有する導電ビア部を形成できる点から、粒径１００ｎｍ以下の金属ナノ粒子を含むのが好ましい。金属ナノ粒子の平均粒径（中心粒径）は、例えば５〜８０ｎｍ、好ましくは１０〜６０ｎｍ、さらに好ましくは１５〜４５ｎｍ（特に２０〜４０ｎｍ）程度である。金属ナノ粒子の平均粒径が小さすぎると、取り扱い性が困難となる虞があり、大きすぎると、導電ビア部の緻密性を向上する効果が小さくなる虞がある。
【００７３】
金属ナノ粒子は、保護コロイド（酢酸などのカルボン酸や高分子分散剤など）を含む金属コロイド粒子であってもよい。金属コロイド粒子としては、例えば、特開２０１０−２０２９４３号公報、特開２０１０−２２９５４４号公報、特開２０１１−７７１７７号公報、特開２０１１−９３２９７号公報、特開２０１１−９４２３３号公報などに記載の金属コロイド粒子などを利用できる。
【００７４】
金属ナノ粒子の割合は、金属小粒子全体に対して０〜９０質量％であってもよく、例えば５〜９０質量％、好ましくは１０〜８０質量％、さらに好ましくは２０〜７０質量％（特に３０〜６０質量％）程度である。金属ナノ粒子の割合が多すぎると、付帯的に含有する保護コロイドなどの有機物も多くなり、導体ペーストの焼結収縮が大きくなる虞がある。
【００７５】
金属大粒子の平均粒径（中心粒径）は１．５〜３０μｍ（特に２〜１０μｍ）程度の範囲から選択できる。特に、金属大粒子がＣｕ粒子である場合、金属大粒子の平均粒径は、例えば２〜３０μｍ、好ましくは３〜２０μｍ、さらに好ましくは５〜１０μｍ程度である。金属大粒子がＡｇ粒子である場合、金属大粒子の平均粒径は、例えば１．２〜２０μｍ、好ましくは１．５〜１０μｍ、さらに好ましくは２〜５μｍ程度である。金属大粒子の平均粒径が小さすぎると、導体ペーストの焼結収縮が大きくなる虞があり、大きすぎると、導電ビア部の充填性が低下する虞がある。
【００７６】
金属小粒子と金属大粒子との配合比は、体積比として、金属小粒子／金属大粒子＝１０／９０〜５０／５０程度の範囲から選択でき、例えば１５／８５〜４５／５５、好ましくは２０／８０〜４０／６０、さらに好ましくは２５／７５〜３５／６５程度である。金属小粒子が金属ナノ粒子を含む場合、両者の配合比は、体積比として、例えば、金属小粒子／金属大粒子＝２０／８０〜７０／３０、好ましくは３０／７０〜６０／４０、さらに好ましくは４０／６０〜６０／４０程度である。なお、導体ペーストに用いる金属粒子の材質が１種類の場合は、体積比は質量比と同じであるため、質量ベースで配合すればよいが、比重の異なる２種以上の金属粒子を使用する場合は、それぞれの配合体積を質量に換算して配合すればよい。
【００７７】
金属粒子の粒径の測定方法としては、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置や透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で測定でき、詳しくは後述する実施例に記載の方法で測定できる。
【００７８】
導体ペーストは、さらに有機ビヒクルを含む。有機ビヒクルには、有機バインダー、分散媒（有機溶媒）などが含まれる。なお、前述の金属コロイド粒子に含まれる保護コロイド（カルボン酸や高分子分散剤など）も有機ビヒクルに含まれる。有機ビヒクルは、有機バインダーと分散媒との組み合わせであってもよい。
【００７９】
有機バインダーとしては、例えば、熱可塑性樹脂（オレフィン系樹脂、ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、セルロース誘導体など）、熱硬化性樹脂（熱硬化性アクリル系樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂など）などが挙げられる。これらの有機バインダーは、単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。これらの有機バインダーのうち、アクリル系樹脂（ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレートなど）、セルロース誘導体（ニトロセルロース、エチルセルロース、ブチルセルロース、酢酸セルロースなど）、ポリエーテル類（ポリオキシメチレンなど）、ポリビニル類（ポリブタジエン、ポリイソプレンなど）などが汎用され、熱分解性などの点から、ポリ（メタ）アクリル酸メチルやポリ（メタ）アクリル酸ブチルなどのポリ（メタ）アクリル酸Ｃ１−１０アルキルエステルが好ましい。
【００８０】
分散媒としては、例えば、芳香族炭化水素（パラキシレンなど）、エステル類（乳酸エチルなど）、ケトン類（イソホロンなど）、アミド類（ジメチルホルムアミドなど）、脂肪族アルコール（オクタノール、デカノール、ジアセトンアルコールなど）、セロソルブ類（メチルセロソルブ、エチルセロソルブなど）、セロソルブアセテート類（エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテートなど）、カルビトール類（カルビトール、メチルカルビトール、エチルカルビトールなど）、カルビトールアセテート類（エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテートなど）、脂肪族多価アルコール類（エチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ブタンジオール、ペンタンジオール、トリエチレングリコール、グリセリンなど）、脂環族アルコール類［例えば、シクロヘキサノールなどのシクロアルカノール類；テルピネオール、ジヒドロテルピネオールなどのテルペンアルコール類（モノテルペンアルコールなど）など］、芳香族アルコール類（メタクレゾールなど）、芳香族カルボン酸エステル類（ジブチルフタレート、ジオクチルフタレートなど）、窒素含有複素環化合物（ジメチルイミダゾール、ジメチルイミダゾリジノンなど）などが挙げられる。これらの分散媒は、単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。これらの分散媒のうち、ペーストの流動性や充填性など点から、ペンタンジオールなどの脂肪族多価アルコール、テルピネオールなどの脂環族アルコールが好ましい。
【００８１】
有機バインダーと分散媒とを組み合わせる場合、有機バインダーの割合は、分散媒１００質量部に対して、例えば１〜２００質量部、好ましくは５〜１００質量部、さらに好ましくは１０〜５０質量部程度である。
【００８２】
有機ビヒクルの割合は、金属粒子１００質量部に対して３０質量部以下であってもよく、例えば１〜３０質量部、好ましくは３〜２０質量部、さらに好ましくは４〜１５質量部（特に５〜１０質量部）程度である。有機ビヒクルの体積割合が大きすぎると、充填後の乾燥や焼成による導体ペーストの収縮率が大きくなり、ボイドや隙間が発生する虞がある。
【００８３】
導体ペーストは、さらに無機バインダーを含んでいてもよい。無機バインダーとしては、例えば、ホウケイ酸系ガラス、ホウケイ酸亜鉛系ガラス、ビスマス系ガラス、鉛系ガラスなどの低融点ガラスなどが挙げられる。これらの無機バインダーは、単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。これらの無機バインダーのうち、メッキ処理に対する耐久性などの点から、ホウケイ酸系ガラス又はホウケイ酸亜鉛系ガラスが好ましい。
【００８４】
無機バインダーの質量割合は、ペースト全体に対して１０質量％以下であり、例えば０．１〜１０質量％、好ましくは０．２〜５質量％、さらに好ましくは０．３〜１質量％程度である。なお、孔部壁面に接合層と同一の層を積層した場合、導体ペーストは、無機バインダーを含んでいなくても、導電ビア部と絶縁性基板の孔部壁面との密着性を向上できるため、導電ビア部の導電性を向上できる点から、導体ペーストは、無機バインダー（特にガラス成分）を含まないのが好ましい。
【００８５】
導体ペーストは、焼成前後の体積変化率が小さく、且つ焼結後の導体は孔部壁面と隙間なく強固に接合する。そのため、このペーストを焼成して得られる導電ビア部全体が均一であり、気密性が高い。焼成前後の体積変化率は、例えば−１０％〜２０％、好ましくは−５％〜１５％、さらに好ましくは０％〜１０％程度である。体積変化率が負（マイナス）の方向に大きすぎると（マイナスであり、かつ絶対値が大きすぎると）、焼成時の収縮によりボイドや隙間が生じる虞がある。一方、体積変化率が正（プラス）の方向に大きすぎると、焼成後に大きなボイドが生じたり、充填ビア部の緻密性が低下し、バリア性が低下する虞がある。なお、汎用の導体ペーストでは大きな体積収縮（体積変化率がマイナス）が生じるのに対して、本発明における導体ペーストでは収縮しても１０％以下であり、むしろ膨張気味（体積変化率がプラス）に働く配合処方であるのが特徴である。体積変化率の測定方法としては、焼成前後のパターン膜厚みを触針式膜厚計で測定して算出でき、詳しくは後述する実施例に記載の方法で測定できる。
【００８６】
導体ペーストの孔部への充填方法は、例えば、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、凹版印刷法（例えば、グラビア印刷法など）、オフセット印刷法、凹版オフセット印刷法、フレキソ印刷法などの印刷方法や、ロール圧入法、スギージ圧入法、プレス圧入法などの直接圧入法などが挙げられる。これらの方法のうち、スクリーン印刷法などが好ましい。
【００８７】
充填後は、自然乾燥してもよいが、加熱して乾燥してもよい。加熱温度は、分散媒の種類に応じて選択でき、例えば８０〜３００℃、好ましくは１００〜２５０℃、さらに好ましくは１２０〜２００℃程度である。加熱時間は、例えば１〜６０分、好ましくは５〜４０分、さらに好ましくは１０〜３０分程度である。
【００８８】
（ビア焼成工程）
ビア焼成工程において、焼成温度は、導電ビア部用導電性ペースト中の金属粒子の焼結温度以上であればよい。焼成温度は、例えば、５００℃以上であってもよく、例えば５００〜１５００℃、好ましくは５５０〜１２００℃、さらに好ましくは６００〜１０００℃程度である。焼成時間は、例えば１０分〜３時間、好ましくは２０分〜３時間、さらに好ましくは３０分〜２時間程度である。
【００８９】
なお、焼成の雰囲気は、金属粒子の種類に応じて選択でき、Ａｇなどの貴金属粒子は、特に限定されず、空気中であってもよいが、Ｃｕなどの金属粒子は、通常、不活性ガス（例えば、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスなど）雰囲気中が好ましい。
【００９０】
ビア焼成工程において、導電ビア部用導体ペーストを焼成した後、絶縁性基板の表面を平滑化（平面化又は平坦化）するための整面処理を行ってもよい。焼成後の基板表面は、マスクの使用により、通常、導電ビア部が絶縁性基板表面において突出しており、整面処理では、導電ビア部の突出部分を削ることにより、絶縁性基板と導電ビア部との段差を低減できる。さらに、整面処理では、段差の低減に加えて、絶縁性基板自体の表面も平滑化してもよい。なお、整面処理は、焼成前の導電ペーストが充填された絶縁性基板に対して行ってもよい。その場合、充填された導電ペーストは焼成されてないため、より容易に突出部分を除去することができる。
【００９１】
整面処理（平滑化）の方法としては、例えば、基板表面を物理的又は化学的に研磨する方法であってもよい。物理的な研磨方法としては、例えば、バフ研磨、ラップ研磨、ポリッシング研磨（鏡面研磨）、円筒研磨、平面研磨、ＣＭＰ研磨、グラインダーによる研磨などが挙げられる。化学的な研磨方法（表面処理方法）としては、例えば、過硫酸ナトリウム水溶液などで最表面をソフトエッチングする方法などが挙げられる。これらの方法のうち、物理的な研磨が好ましく、精密な研磨ができる点から、ラップ研磨、鏡面研磨が特に好ましい。
【００９２】
整面処理後における基板表面（導電ビア部が形成された絶縁性基板の表面）の表面粗さＲａは、特に限定するものではないが、要求される配線寸法及び配線精度により当業者の一般的な技術常識に基づいて選定すればよい。表面粗さＲａは、例えば０．５μｍ以下（例えば０．０１〜０．５μｍ）、好ましくは０．０１５〜０．３μｍ、さらに好ましくは０．０２〜０．２μｍ程度である。なお、表面粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ０６５１−１９７６に準じて測定できる。
【００９３】
絶縁性基板の表面と導電ビア部の表面との段差は、例えば１５μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下、さらに好ましくは５μｍ以下である。
【００９４】
（接合層形成工程）
接合層形成工程では、前記導電ビア部を備えた絶縁性基板の表面に、活性金属層を含む接合層を積層すればよく、活性金属層を形成した後、活性金属層の上に、さらに非透過層及び／又は親和層を積層してもよい。
【００９５】
また、接合層は絶縁性基板の表面全面に形成してもよく、絶縁性基板の表面にパターン形状で形成してもよい。パターンを形成する方法としては、慣用の方法を利用でき、例えば、マスクを用いる方法、フォトレジストパターンを基板表面に形成した後、露出部に接合層を形成する方法、基板表面の全面に接合層を形成した後、フォトリソグラフィーとエッチングでパターンを形成する方法などが挙げられる。
【００９６】
接合層の形成方法としては、物理蒸着法（ＰＶＤ法）、化学蒸着法（ＣＶＤ法）などを利用できるが、容易に金属膜を形成できる点から、物理蒸着法が好ましい。物理蒸着法としては、例えば、真空蒸着法、フラッシュ蒸着法、電子ビーム蒸着法、イオンビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、分子線エピタキシー法、レーザーアブレーション法などが挙げられる。これらのうち、安定して大量に処理できる点から、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法が好ましい。また、物理的なエネルギーが高く、形成された金属膜と絶縁性基板との間の密着力を向上できる点から、スパッタリング法が特に好ましい。スパッタリング法は、慣用の条件で利用できる。
【００９７】
（導体塗布工程）
導体塗布工程では、接合層の上に、金属粒子及び有機ビヒクルを含む表面導体層用導体ペーストを塗布する。
【００９８】
導体ペーストは、前記導電性金属で形成された金属粒子を含む。金属粒子の平均粒径（中心粒径）は、１００μｍ以下（特に５０μｍ以下）程度であり、例えば０．００１〜５０μｍ、好ましくは０．０１〜２０μｍ、さらに好ましくは０．１〜１０μｍ程度である。特に、金属粒子がＣｕ粒子である場合、金属粒子の平均粒径は、例えば０．１〜３μｍ、好ましくは０．２〜２μｍ、さらに好ましくは０．３〜１μｍ程度である。金属粒子がＡｇ粒子である場合、金属粒子の平均粒径は、例えば０．１〜２μｍ、好ましくは０．１〜１．５μｍ、さらに好ましくは０．１〜１μｍ程度である。金属小粒子の平均粒径が小さすぎると、導体ペーストの粘度が上昇して取り扱い性が困難となる虞があり、大きすぎると、緻密性向上効果が低下する虞がある。
【００９９】
導体ペーストに含まれる有機ビヒクルは、好ましい態様も含め、前記導電ビア部用導体ペーストに含まれる有機ビヒクルと同一である。有機ビヒクルの割合は、金属粒子１００質量部に対して５０質量部以下であってもよく、例えば１〜５０質量部、好ましくは３〜４０質量部、さらに好ましくは５〜３０質量部（特に１０〜２０質量部）程度である。
【０１００】
導電性ペーストの塗布方法としては、例えば、スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、ディスペンサー塗布、ローラーコーター塗布、スピンコート塗布、スプレー塗布、浸漬塗布（ディップ）などを利用できる。印刷（塗布）形状は、全面塗布（ベタ印刷）であってもよく、直接パターン印刷であってもよい。直接パターン印刷ではパターン形状の精度が低下する虞があるが、工程が簡素であり、かつ低コストである。また、接合層をパターン形状に形成した場合は、接合層のパターンの上に、スクリーン印刷などにより、接合層のパターンと同一の形状を印刷してもよい。
【０１０１】
導体塗布工程において、導体ペーストの塗布前に、接合層を備えた絶縁性基板を不活性ガス雰囲気中で加熱してアニール処理してもよい。アニール処理は、必須ではないが、接合層の種類によっては、アニール処理することなく、焼成工程に供して前記絶縁性基板を高温で焼成すると、焼成時に導体ペーストの金属と接合層とが合金化し、接合層が表面導体層に取り込まれて消失することにより、表面導体層部と絶縁性基板との密着力が低下する虞がある。一方、アニール処理に供することにより、接合層の活性金属は導体ペーストの金属との合金化よりも、絶縁性基板の表面と優先的に反応し、表面に強固な接合層を形成して密着力が向上するとともに、接合層中の異なる金属の合金化も起こる。その結果、導体ペースト焼成時の接合層の金属成分と導体ペーストの金属との合金化を抑制でき、密着力を向上できる。
【０１０２】
アニール処理における加熱温度は、４００℃以上であり、かつ接合層を構成する全ての金属種の中で最も低融点の金属の融点、及び接合層を構成する合金の融点のいずれか低い方の融点以下の温度であればよく、金属種に応じて選択できる。具体的な加熱温度は、例えば４００〜１５００℃、好ましくは５００〜１２００℃、さらに好ましくは６００〜１１００℃（特に７００〜１０００℃）程度である。加熱温度が低すぎると、接合層と絶縁性基板との密着力を向上する効果が小さくなる虞があり、高すぎると、金属成分が溶融移動して接合層の均一性が低下したり、基板素地の一部が露出する虞がある。
【０１０３】
加熱時間は、例えば１分以上であってもよく、例えば１分〜１時間、好ましくは３〜３０分、さらに好ましくは５〜２０分程度である。加熱時間が短すぎると、接合層と基板との密着力を向上する効果が小さくなる虞がある。
【０１０４】
アニール処理は、空気中などの活性ガス雰囲気下で行ってもよいが、活性金属が酸化せず接合層を効率よく形成して基板との密着性を向上できる点から、真空中や不活性ガス（例えば、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスなど）雰囲気中で行うのが好ましい。
【０１０５】
（導体焼成工程）
導体焼成工程では、塗布した前記導体ペーストに含まれる金属粒子の焼結温度以上に加熱して導体ペーストを焼成し、表面導体層を形成する。焼成方法としては、好ましい態様も含め、ビア焼成工程における焼成方法と同一である。
【０１０６】
（エッチング工程）
接合層形成工程や導体塗布工程において、パターンを形成しない場合、通常、焼成して得られた表面導体層はエッチング工程に供される。エッチング工程では、レジストパターンを利用して表面導体層及び接合層にパターンが形成される。エッチング工程には、レジストパータンを表面導体層及び接合層のパターンとして形成する第１のエッチング工程や、レジストパターンを除く領域を表面導体層及び接合層のパターンとして形成する第２のエッチング工程（リフトオフ法）などが含まれる。
【０１０７】
詳しくは、第１のエッチング工程では、導体焼成工程で得られた表面導体層の一部の領域にレジストパターンを形成した後、レジストパターンが形成されていない露出領域の表面導体層及び接合層を除去し、さらにレジストパターンを除去する。一方、第２のエッチング工程（リフトオフ法）では、導体焼成工程で得られた表面導体層の一部の領域にレジストパターンを形成した後、レジストパターンが形成されていない露出領域の表面導体層の表面に貴金属を含むメッキ層を形成した後、レジスト膜を剥離し、メッキ層が形成されてない露出領域の表面導体層及び接合層を除去する。レジストパターンを形成してエッチング処理を行うことにより、直接印刷法で対応できない微細なパターンや高精度なパターンの形成が可能になる。
【０１０８】
レジストパターンの形成方法としては、特に限定されず、慣用の方法を利用でき、例えば、レジストの直接パターン印刷、又はリソグラフィー法などを利用できる。
【０１０９】
表面導体層及び接合層の除去方法としては、特に限定されず、慣用の方法を利用でき、例えば、湿式エッチング、ドライエッチング、ブラスト、レーザーなどが挙げられる。
【０１１０】
レジストパターンの除去方法としては、特に限定されず、慣用の方法を利用でき、例えば、剥離除去などが挙げられる。
【０１１１】
第２のエッチング工程において、貴金属を含むメッキ層の形成方法としては、後述するメッキ工程と同様の方法を利用できる。
【０１１２】
なお、表面導体層及び接合層が、全面塗布（ベタ印刷）ではなく、直接パターン印刷で形成される場合にはエッチング工程は不要である。
【０１１３】
（接合層除去工程）
導体塗布工程において、表面導体層用導体ペーストをパターン印刷した場合、接合層除去工程において、形成されたパターンにおいて隣り合う表面導体層と表面導体層との間に存在する接合層を除去してパターン間の絶縁性を実現する。
【０１１４】
接合層の除去方法としては、特に限定されず、慣用の方法を利用でき、例えば、湿式エッチング、ドライエッチング、ブラスト、レーザーなどが挙げられる。
【０１１５】
（メッキ工程）
得られた表面導体層は、リフトオフ法で表面導体層にメッキ層を形成した場合を除き、酸化防止や半田濡れ性向上などの要求に応じて、通常、メッキ処理される。メッキ方法としては、特に限定されず、慣用の方法を利用でき、例えば、電気メッキ法、無電解メッキ法などの化学メッキ法などを利用できる。電気メッキ法としては、特に限定されず、メッキ種に応じてメッキ薬品メーカの推奨条件で行えばよい。無電解メッキの方法としては、特に限定されず、メッキ種に応じて慣用の条件で行えばよい。
【０１１６】
（他の製造方法）
また、本発明の両面配線基板は、前記製造方法に限定されず、孔部を有する絶縁性基板の表面に、活性金属層を含む接合層を積層するとともに、前記孔部の壁面に、活性金属を含むビア接合層を積層する接合層形成工程、ビア接合層を形成した絶縁基板の孔部に、金属粒子及び有機ビヒクルを含む導電ビア部用導体ペーストを充填するビア充填工程、前記導体ペーストに含まれる金属粒子の焼結温度以上に加熱して導体ペーストを焼成し導電ビア部を形成するビア焼成工程、前記絶縁基板表面の接合層及び導電ビア部の上に、金属粒子及び有機ビヒクルを含む表面導体層用導体ペーストを塗布する導体塗布工程、塗布した前記導体ペーストに含まれる金属粒子の焼結温度以上に加熱して導体ペーストを焼成し、導体を含み、かつ多孔質構造を有する表面導体層を形成する導体焼成工程を経て得てもよい。この製造方法では、予め、接合層形成工程をビア充填工程の前工程とし、孔部の壁面にもビア接合層を形成する以外は前記製造方法と同一である。
【０１１７】
さらに、本発明の両面配線基板は、孔部を有する絶縁性基板の表面に、活性金属層を含む接合層を積層するとともに、前記孔部の壁面に、活性金属を含むビア接合層を積層する接合層形成工程、ビア接合層を形成した絶縁基板の孔部に、金属粒子及び有機ビヒクルを含む導電ビア部用導体ペーストを充填するビア充填工程、前記絶縁基板表面の接合層及び孔部に充填された導体ペーストの上に、金属粒子及び有機ビヒクルを含む表面導体層用導体ペーストを塗布する導体塗布工程、塗布した表面導体層用導体ペースト及び導電ビア部用導体ペーストに含まれる金属粒子の焼結温度以上に加熱して表面導体層用導体ペースト及び導電ビア部用導体ペーストを同時に焼成し、導体を含み、かつ多孔質構造を有する表面導体層及び導電ビア部を形成する導体焼成工程を経て得てもよい。この製造方法は、ビア接合層を形成した絶縁基板の孔部に導電ビア部用導体ペーストを充填した後、ビア焼成工程を経ることなく、導体塗布工程に供し、導体焼成工程において、導電ビア部用導体ペーストと表面導体層用導体ペーストとを同時に焼成する以外は前記製造方法と同一である。
【０１１８】
これら他の製造方法における前記接合層形成工程において、接合層とビア接合層とは、別個に形成してもよいが、通常、孔部を有する絶縁性基板に対する一括した処理で同時に形成される。
【０１１９】
また、これら他の製造方法においても、ビア焼成工程や導体焼成工程において、導電ビア部用導体ペーストを焼成する前又は焼成した後、絶縁性基板の表面を平滑化（平面化又は平坦化）するための整面処理を行ってもよい。
【実施例】
【０１２０】
以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。なお、実施例及び比較例で用いた導体ペーストの調製方法、実施例及び比較例で得られた両面基板の評価試験の測定方法を以下に示す。
【０１２１】
［導体ペーストの調製方法］
（原料）
中心粒径（Ｄ５０）７μｍのＣｕ粒子：三井金属鉱業（株）製
中心粒径（Ｄ５０）０．８μｍのＣｕ粒子：三井金属鉱業（株）製
中心粒径（Ｄ５０）２．５μｍのＡｇ粒子：三井金属鉱業（株）製
中心粒径（Ｄ５０）０．２５μｍのＡｇ粒子：三井金属鉱業（株）製
中心粒径（Ｄ５０）１００ｎｍ以下のＡｇナノ粒子：三ツ星ベルト（株）製「ＭＤｏｔ  ＣＦ１０７」
ガラス粒子：平均粒径３μｍのホウケイ酸亜鉛系ガラス粉末、軟化点５６５℃
有機ビヒクル：有機バインダーであるアクリル樹脂と、有機溶媒であるカルビトール及びテルピネオールの混合溶媒（質量比１：１）とを、有機バインダー：有機溶媒＝１：３の質量比で混合した混合物。
【０１２２】
（導体ペーストの調製例）
表１及び２に示す組成で各原料を秤量し、ミキサーにより混合した後、三本ロールで均一に混練することによって、ビア充填用Ｃｕペースト、表面導体層用Ｃｕペースト、ビア充填用Ａｇペースト、表面導体層用Ａｇペーストを調製した。
【０１２３】
［導体ペーストの体積変化率］
導体ペーストの焼成前後の体積変化率は、基板表面にスクリーン印刷した導体膜の焼成前後の厚みを触針式膜厚計（ビーコ社製「Ｄｅｋｔａｋ６ｍ」）で測定して算出した。詳しくは、９６％アルミナ基板（ニッコー（株）製）の表面に２５０メッシュのスクリーン版を用い、導体ペーストを５ｍｍ×５ｍｍのパターン形状にスクリーン印刷し、その印刷膜の膜厚を非接触式膜厚計で測定し、印刷後膜厚とした。さらに、１２０℃で２０分間加熱することによって、導体ペースト中の有機溶媒を除去し乾燥膜を得た。この乾燥膜の膜厚を触針式膜厚計で測定し、焼成前膜厚とした。次に、基板をそれぞれ表１及び２に示す焼成条件で焼成した後、焼成後のパターンの厚みを触針式膜厚計で測定し、下記式で焼成前後の膜厚値を比較して、体積変化率（％）を求めた。結果を表１及び２に示す。体積変化率（％）がマイナスの数値であると、体積は減少（収縮）し、逆に体積変化率（％）がプラスの数値であると、体積は増加していることを示す。
【０１２４】
体積変化率（％）＝［（焼成後膜厚−焼成前膜厚）／焼成前膜厚］×１００。
【０１２５】
［導体の空隙率］
導体ペースト中に含まれる有機成分の割合（体積率）及び焼成による収縮率に基づいて、下記式によって算出した。
【０１２６】
空隙率(ｖ／ｖ％)＝(導体ペースト中の有機成分体積率−焼成収縮率)／(１−焼成収縮率)×１００
（式中、焼成収縮率（ｖ／ｖ％）＝［（印刷後膜厚−焼成後膜厚）／印刷後膜厚］×１００である）。
【０１２７】
【表１】
0006774898.tif 000002
【０１２８】
【表２】
0006774898.tif 000003
【０１２９】
表１及び２の結果から明らかなように、ビア充填用Ｃｕペーストの焼成体積変化率は−３．２％（３．２％の体積収縮）であるが、ビア充填用Ａｇペーストの焼成体積変化率は＋３．１％（３．１％膨張）である。
【０１３０】
本発明において、表面導体層用ペーストは活性金属接合層上に形成するため、セラミックス基板と密着するためのガラス成分を配合する必要がない。一方、表面導体層用ＣｕペーストＢは、基板表面に活性金属接合層を形成しない比較例に使用するペーストとして、基板と密着するようにガラス成分を配合した。
【０１３１】
［金属粒子の平均粒径］
Ｃｕ粒子及びＡｇ粒子の平均粒径は、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置で測定し、Ａｇナノ粒子の平均粒径は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で測定した。
【０１３２】
［金属膜の厚み］
活性金属層及びバリア層について、蛍光Ｘ線膜厚計により、５点の平均厚みを測定した。
【０１３３】
［耐熱試験（耐熱性）］
評価用基板を、３５０℃のホットプレート上に１０分間加熱し、加熱後の基板を目視及び顕微鏡により観察し、膨れ、剥がれ、変色、異物の噴出しの有無を確認し、以下の基準で評価した。
【０１３４】
○（合格）：全ての項目に異常がなかった
×（不合格）：１以上の項目で問題があった。
【０１３５】
［密着力試験（密着性）］
基板表面に形成した２×２ｍｍ角の導体パターンに対して、先端部面積１ｍｍ２のスタッドピンをハンダ（６３Ｓｎ／３７Ｐｂ）により垂直に接合し、試験片とした。その試験片（焼成基板）を固定し、引張試験機のチャック部でスタッドピンを掴み、上昇速度３３ｍｍ／分で垂直上方へ引っ張り、導体膜（表面導体層）が絶縁性基板から剥離する時の破壊荷重を測定した。そして、得られた破壊荷重の測定値と、導体膜の破壊面積から、下記式を用いて密着強度を算出した。
【０１３６】
密着強度（ＭＰａ）＝破壊荷重（ｋｇｆ）／破壊面積（ｍｍ２）×９．８（Ｎ／ｋｇｆ）。
【０１３７】
なお、測定値は６点の平均とした。密着力は、算出した密着強度の平均値について、以下の基準で評価した。
【０１３８】
○：５０ＭＰａ以上
△：３０ＭＰａ以上５０ＭＰａ未満
×：３０ＭＰａ未満。
【０１３９】
［エッチング適性試験（エッチング性）］
エッチング後のパターンを６０倍の顕微鏡により観察し、パターン形状や導体の除去状況を確認し、以下の基準で評価した。
【０１４０】
○（合格）：パターン形状は矩形で、パターンの裾まで導体膜と接合層がきれいに除去されていた
×（不合格）：基板表面や裾部に導体膜又は接合層の残留物が存在した。
【０１４１】
以下、種々の条件を変えて効果を検証した結果を、実施例１〜３０及び比較例１〜５として説明する。また、得られた耐熱試験、密着力試験及びエッチング適性試験の結果を表３〜５に示す。
【０１４２】
実施例１
以下に示すように、各工程の概略断面図が記載された図１に示す方法で、貫通電極を有する両面配線基板を作製した。
【０１４３】
（ビア充填基板の作製工程）
孔径φ０．１ｍｍの貫通孔を多数有する２インチ×２インチ×０．６３５ｍｍ厚みのＡｌＮ基板（（株）ＭＡＲＵＷＡ製「１７０Ｗ」）に、表１に示すビア充填用Ｃｕ導体ペーストを用いてメタルマスクを通してスクリーン印刷により貫通孔を充填し、１２０℃の送風乾燥機で２０分間乾燥した）。充填した基板を９００℃の窒素雰囲気中で６０分間焼成し、Ｃｕ導体ビア充填基板１を作製した（図１（ａ））。作製したビア充填基板１は、マスクを使用しているため、充填部２は基板表面より少し突起した状態である。この焼成基板を、ラップ研磨により厚み０．５ｍｍ、表面粗さＲａ＜０．１μｍに調整した（図１（ｂ））。研磨により、充填部２ａの表面と絶縁基板表面との段差（凹凸量）が±３μｍ以下であった。
【０１４４】
（接合層の形成工程）
研磨後の基板の両面全面にスパッタリング法により活性金属層として厚み１００ｎｍのＴｉ膜３ａ、バリア層として厚み１５０ｎｍのＰｄ膜３ｂをこの順で積層し、接合層３を形成した（図３（ｃ））。スパッタリング条件は、導入ガス：アルゴン、スパッタ圧力：０．５Ｐａ、基板加熱温度：３００℃とした。
【０１４５】
（表面導体層（Ｃｕ）の形成工程）
接合層３を形成した基板の両面に、表１に示す表面導体層用ＣｕペーストＡ（Ｃｕ−Ａ）を、４００メッシュ、線径１８μｍのステンレス版を用いて全面に印刷した後、１２０℃、２０分間乾燥した。基板を窒素雰囲気中、ピーク温度７００℃、ピーク保持時間１０分間焼成し、両面に膜厚約８μｍの表面導体層（Ｃｕ膜）４を焼き付けたメタライズ基板を得た（図１（ｄ））。
【０１４６】
（エッチングレジストパターンの形成）
基板表面の不要な部分の導体膜を除去して所要のパターンを形成するために、基板両面のＣｕ膜４の表面に不要な部分が露出するようにエッチングレジストをパターン印刷し、１２０℃、３０分乾燥してエッチング用レジスト膜５を形成した。レジスト膜は、充填ビアが存在する部分や、基板表面の導電膜の密着力を評価するための２ｍｍ×２ｍｍのパターンなど必要な部分を隠すように形成している（図１（ｅ））。
【０１４７】
（エッチング）
前記エッチングレジスト膜を形成した基板の露出したＣｕ膜及びその下地接合層であるＴｉ／Ｐｄ膜を、Ｃｕ／Ｐｄ／Ｔｉを溶解できるエッチング液（和光純薬工業（株）製「ＴＣＬ−２シリーズ」）に浸漬し除去した（図１（ｆ））。その後、エッチングレジスト膜を剥離除去し、表面に所要な導体パターン６が残留した配線基板を得た（図１（ｇ））。
【０１４８】
図１（ｇ）の形態で貫通電極のある両面配線基板の形成は完了したが、Ｃｕ膜表面の酸化防止や、半田濡れ性、ワイヤボンディング性の向上などの目的に、導体パターンの最表面にメッキ膜を形成した。
【０１４９】
（Ｃｕ膜表面のＮｉ／Ａｕメッキ）
基板表面のＣｕ膜に電気メッキによりニッケルメッキ膜７、金メッキ膜８をこの順で形成した。ニッケルメッキ膜７はワット浴を用いて、電流密度２．０Ａ／ｄｍ２、６５℃の温度下で電気メッキを行い、２μｍ厚みのニッケル膜を形成した。金メッキ膜８は、純金浴を用い、電流密度０．５Ａ／ｄｍ２、７０℃の温度下で行い、１μｍの金膜を形成した。（図１（ｈ））。図１には電気メッキ用の配線引き回しが表示されてないが、全てのパターンに電気メッキ用の配線で繋がっている。
【０１５０】
（評価）
前記工程で得られた両面配線基板を、充填部への液体の浸入の有無を評価するための耐熱試験、表面導体と基板間の密着力を評価する密着力試験及びエッチングによりパターンを形成する際、導体膜が良好にエッチングされているかのエッチング性の評価を行った。その結果、全ての評価項目において良好な結果が得られた。
【０１５１】
実施例２〜３
表面導体層用Ｃｕ膜の印刷を、印刷版を変更して焼成Ｃｕ膜厚をそれぞれ５μｍ及び１２μｍに変更した以外は実施例１と同一の方法で両面配線基板を作製した。両方のＣｕ厚膜においても、耐熱性、密着力、エッチング性において有意差がなく、全て良好であった。従って、本発明では、要求に応じてＣｕ膜厚を安価且つ容易に調整できる。
【０１５２】
比較例１
図２に示すように、実施例１の接合層の形成工程において、スパッタリング法により接合層３を形成した後（図２（ａ））、Ｃｕペーストの印刷による表面導体層の形成工程を実施せず、そのままエッチングレジストパターン（エッチング用レジスト膜）５を形成した（図２（ｂ））。露出した接合層をエッチングにより除去した後（図２（ｃ））、エッチングレジストを剥離・除去し、接合層からなる導体パターンを得た（図２（ｄ））。この導体パターンに対して、電気メッキ（硫酸銅メッキ）により２μｍのＣｕ膜９を形成した後、実施例１と同一の方法でＮｉ／Ａｕのメッキ膜を形成した（図２（ｅ））。その結果、表面導体層の密着力、エッチング性には問題なかったが、加熱によりビア充填部の表面に膨れ（フクレ）、変色、異物の噴出が観察された。
【０１５３】
比較例２
電気メッキＣｕ膜の厚みを５μｍに厚くした以外は比較例１と同一の方法で両面配線基板を作製した。評価結果は比較例１と同じであった。
【０１５４】
比較例１及び２の結果は、電気メッキ時に、充填部が薄肉のＴｉ膜及びＰｄ膜で被覆されているだけでメッキ液にほぼ暴露しているため、メッキ液が充填部の微小なボイドや隙間（数μｍサイズ）に浸入し、メッキ後にメッキ膜により閉じこめられたためであると考えられる。閉じこめられた残留液は、加熱されると膨張し、メッキ皮膜を破ってフクレ、変色などの不具合を起こす。
【０１５５】
一方、実施例では、充填部の表面にＣｕペーストを印刷、焼成するため、Ｃｕペーストが充填部のボイド、隙間を埋めると共に、充填部の表面に数μｍの膜で被覆するため、その後のメッキ工程においても、液の浸入を防止できる。
【０１５６】
比較例３
接合層形成工程において、活性金属層（Ｔｉ膜）の形成を行わない以外は実施例１と同一の工法で両面配線基板を作製した。
【０１５７】
比較例４
接合層形成工程において、Ｔｉ膜とＰｄ膜の形成を全て行わない以外は実施例１と同一の工法で両面配線基板を作製した。
【０１５８】
比較例３は、基板との密着力に寄与する活性金属層が存在しないため、表面導体層の密着力が１２ＭＰａと非常に低く、エッチング中に一部の剥離が発生した。比較例４は、Ｔｉ膜とＰｄ膜ともに存在しないため、Ｃｕペースト膜が殆ど密着せず、容易に剥がれた。
【０１５９】
これらの結果から、表面導体層用ＣｕペーストＡは、基板と反応して結合できる活性金属層が存在しない比較例３及び４では、表面Ｃｕ膜の密着性が得られないことが判明した。
【０１６０】
比較例５
表面導体層用ＣｕペーストＡの代わりに表面導体層用ＣｕペーストＢを使用した以外は比較例４と同一の方法で両面配線基板を作製した。ＣｕペーストＢにはガラス成分が配合しているため、活性金属層が存在しなくても基板と密着できる。また、ＣｕペーストＢの密着力を向上させるために、焼成温度は９００℃にした。その結果、表面導体層が基板との密着力は、３８ＭＰａであり、活性金属接合層を有する実施例と比べると明らかに低かった。また、エッチング後に基板表面に銅膜の残留物が存在した。ＳＥＭ−ＥＤＳ分析により、エッチング残留物は主に銅ペースト中のガラス成分であり、Ｃｕ成分も残留物中に残存していることが分かった。これらの残留物は、基板の絶縁信頼性に悪影響を与える虞がある。
【０１６１】
実施例４及び５
基板の穴径をそれぞれ０．３ｍｍ、０．５ｍｍに変更した以外は実施例１と同一の方法で両面配線基板を作製した。実施例１とほぼ同じ良好な結果であった。
【０１６２】
実施例６及び７
活性金属種としてＴｉの代わりにＣｒ、Ｚｒを使用した以外は実施例１と同一の方法で両面配線基板を作製した。密着力は多少低めの傾向があるものの、十分良好であった。
【０１６３】
実施例８及び９
接合層形成工程において、バリア金属としてＰｄの代わりにＰｔ、Ｎｉを使用した以外は実施例１と同一の方法で両面配線基板を作製した。全ての項目に良好な結果を得た。
【０１６４】
実施例１０
接合層形成工程に、Ｔｉ、Ｐｄの順で膜を形成した後、引き続きスパッタリング法によりＰｄ膜の表面に親和層としてＣｕを０．２μｍ成膜した以外は実施例１と同一の方法で両面配線基板を作製した。その結果、耐熱性及びエッチング性は他の実施例と殆ど同じであるが、密着力は高くなった。密着力が向上した原因は、スパッタリング法によるＣｕ膜（表面層）と、表面導体層となるＣｕペーストとを焼成時に一体化したためであると推定できる。
【０１６５】
実施例１１
接合層を形成した後、表面導体層用Ｃｕペーストを印刷する前に、接合層を有する基板を窒素雰囲気中、ピーク温度７００℃、ピーク温度保持時間１０分間でアニール処理を行った以外は実施例１と同一の方法で両面配線基板を作製した。
【０１６６】
実施例１２
接合層を形成した後、表面導体層用Ｃｕペーストを印刷する前に、接合層を有する基板を窒素雰囲気中、ピーク温度７００℃、ピーク温度保持時間１０分間でアニール処理を行った以外は実施例１０と同一の方法で両面配線基板を作製した。
【０１６７】
その結果、接合層のアニール処理により、導体膜の密着力は、実施例１１及び１２において、それぞれ８２ＭＰａ、８５ＭＰａと一層向上した。密着力が向上した原因は、アニール処理により活性金属が優先的に基板と反応したためであると推定できる。一方、アニール処理せずに表面導体層用Ｃｕペーストを印刷して同時に焼成すると、活性金属を含む接合層の金属成分の一部がＣｕペースト層へ拡散、合金化し、基板と反応する活性金属が減少すると推定できる。
【０１６８】
実施例１３
ビア充填基板の作製工程において、ビア充填基板をラップ研磨し（図１（ｂ））、さらに鏡面研磨により基板の表面粗さＲａを０．０５μｍにした以外は実施例１と同一の方法で両面配線基板を作製した。鏡面研磨により基板表面はより平滑になったが、耐熱性、表面導体密着力、エッチング性とも実施例１と殆ど差異が見られなかった。
【０１６９】
実施例１４
ビア充填基板の作製工程において、ラップ研磨の代わりに、充填部の突起部をバフ研磨により平坦化した以外は実施例１と同一の方法で両面配線基板を作製した。バフ研磨後の充填部の基板表面に対する凹凸量は±１０μｍ程度であった。また、バフ研磨は研削力が低く基板部は殆ど研磨されてないため、基板の表面粗さは投入基板と同じＲａ約０．２μｍであった。本実施例では充填部の凹凸量、基板の表面粗さとも大きくなったが、耐熱性、表面導体密着力、エッチング性ともに良好であった。
【０１７０】
実施例１５及び１６
耐熱基板を、ＡｌＮ基板の代わりに、それぞれアルミナ基板（京セラ（株）製、純度９６％）、窒化珪素基板（東芝マテリアル（株）製）に変更した以外は実施例１と同一の方法で両面配線基板を作製した。２種の基板とも、全ての評価項目において良好であった。
【０１７１】
実施例１７
接合層を形成工程において、Ｐｄ金属膜（バリア層）を形成しない以外は実施例１と同一の方法で両面配線基板を作製した。その結果、実施例１と比較して導体膜密着力は５３ＭＰａと低下したが、耐熱性及びエッチング性は良好であった。密着性も通常のメタライズ膜として十分である。
【０１７２】
実施例１８
接合層形成工程において、Ｔｉ膜（活性金属層）を形成した後、Ｐｄ膜（バリア層）を形成せず、スパッタリング法によりＣｕ膜（表面層）を形成した以外は実施例１と同一の方法で両面配線基板を作製した。その結果、全ての評価項目は良好であったが、スパッタリング法によるＣｕ膜のない実施例１７と比較して、密着力が向上した。Ｔｉ膜上のスパッタリング法によるＣｕ薄膜は、接合層形成後に空気中に暴露する時のＴｉ膜の酸化を防止すると共に、Ｔｉ膜に対する表面導体層用Ｃｕペーストの濡れ性を向上させる効果があったため、密着力が向上したと推定できる。
【０１７３】
実施例１９〜２２
接合層形成工程において、Ｔｉ膜（活性金属層）の厚みを、それぞれ０．２μｍ、０．１５μｍ、０．０５μｍ及び０．０２μｍにした以外は実施例１と同一の方法で両面配線基板を作製した。その結果、膜厚０．１５μｍ及び０．２μｍは、実施例１の膜厚０．１μｍと殆ど違いはなかったが、膜厚が０．０５μｍ、０．０２μｍに薄くなるにつれて、密着力が低下する傾向が見られた。しかし、膜厚０．０２μｍの場合においても、活性金属膜がない比較例３と比べ、密着力は格段に高い。
【０１７４】
実施例２３
ビア充填基板の作製工程において、ビア充填用Ｃｕ導体ペーストの代わりに表２に示すビア充填用Ａｇペーストを用い、充填した基板の焼成を６００℃の大気中で６０分間焼成した以外は実施例１と同一の方法で両面配線基板を作製した。ビア充填部の金属種をＣｕからＡｇに変更しても、全ての特性において実施例１と変らなかった。
【０１７５】
実施例２４
表面導体層の形成工程において、表面導体層用ＣｕペーストＡの代わりに表２に示す表面導体層用Ａｇペーストを用い、６００℃の大気中で６０分間焼成した以外は実施例２３と同一の方法で両面配線基板を作製した。充填部及び表面導体層用ペーストを全てＣｕからＡｇへと変更しても、全ての特性において良好であった。
【０１７６】
実施例２５
図３に示すように、実施例１の接合層の形成工程において、スパッタリング法により接合層３を形成した後（図３（ａ））、表面導体層の形成工程では、接合層表面への表面導体層用ＣｕペーストＡの印刷は、基板両面に対して、全面印刷ではなく、スクリーン版を用いて直接指定形状のパターンを印刷した。その後、１２０℃、２０分間乾燥した。基板を窒素雰囲気中、ピーク温度７００℃、ピーク保持時間１０分間焼成し、両面に膜厚約９μｍの表面導体層（Ｃｕ膜）４ａを有するメタライズ基板を得た（図３（ｂ））。その後、基板をエッチング液に浸漬しＣｕパターン間に存在する接合層を溶解除去した（図３（ｃ））。エッチングレジストを塗布しなかったため、Ｃｕパターン膜も少し溶解されるが、Ｔｉ、Ｐｄに対するエッチングレートがＣｕより高いエッチング液を使用すると共に、接合層の膜厚が薄いため、Ｃｕ膜の変化は少なかった。
【０１７７】
その後のメッキ工程は、実施例１と同一の方法で行い、両面配線基板を得た（図３（ｄ））。この工法でも全ての特性において良好であった。なお、パターン形状はかまぼこ状であり、実施例２５のパターン形状よりも実施例１のパターン形状の方が優れていた。
【０１７８】
実施例２６
接合層の形成方法として、スパッタリング法の代わりに真空蒸着法を使用した以外は実施例１と同一の方法で両面配線基板を得た。真空蒸着は、真空度２×１０-３Ｐａ、基板加熱温度３００℃で行った。耐熱性、密着力、エッチング性ともスパッタ法と殆ど差がなく、全て良好であった。
【０１７９】
実施例２７
実施例１と同様にして、ビア充填基板の作製工程、接合層の形成工程、表面導体層（Ｃｕ）の形成工程を経て、両面に膜厚約８μｍの表面導体層（Ｃｕ膜）を焼き付けたメタライズ基板を得た。得られたメタライズ基板のＣｕ膜の表面にメッキ用レジストパターンを形成した。メッキ用レジストパターンは、エッチングレジストパターンとは逆に、配線として保留するＣｕ膜を露出し、除去すべき領域のＣｕ膜をレジストでカバーした。露出したＣｕ膜に対して、実施例１と同一の方法でＮｉ／Ａｕメッキを施した。Ｃｕ膜がメッキされた基板からレジスト膜を剥離し、エッチングによりメッキを施してない領域のＣｕ／Ｐｄ／Ｔｉ銅膜を除去した。すなわち、エッチングの際、表面のＮｉ／Ａｕ膜をレジストとして機能させた。得られた基板の性能評価結果は、実施例１と同じであった。
【０１８０】
実施例２８
図２に示すように、実施例１の接合層の形成工程において、スパッタリング法により接合層３を形成した後（図２（ａ））、Ｃｕペーストの印刷による表面導体層の形成工程を実施せず、そのままエッチングレジストパターン５を形成した（図２（ｂ））。露出した接合層をエッチングにより除去した後（図２（ｃ））、エッチングレジストを剥離・除去し、接合層からなる導体パターンを得た（図２（ｄ））。この導体パターンに積層するように、スクリーン版を用いて表面導体層用ＣｕペーストＡを接合層パターンと同じ形状のＣｕ膜を印刷した。接合層にＣｕ膜を印刷した基板を１２０℃、２０分間乾燥した後、窒素雰囲気中、ピーク温度７００℃、ピーク保持時間１０分間焼成し、膜厚約９μｍの表面導体（Ｃｕ膜）パターンを有するメタライズ基板を得た。得られたメタライズ基板を、実施例１と同一の方法でメッキ工程に供し、両面配線基板を得た。この工法でも全ての特性において良好であった。なお、パターン形状はかまぼこ状であった。
【０１８１】
実施例２９
ビア充填基板の製作工程の前に接合層を形成し、かつ研磨方法を変更した以外は、実施例１と同一の方法で両面配線基板を作製した。すなわち、まず、貫通孔を多数有する基板に対して基板両面及び貫通孔内壁面に対して接合層を形成した。接合層を形成した基板に対して、ビア充填用Ｃｕペーストを用いてメタルマスクを通してスクリーン印刷により貫通孔を充填し、１２０℃の送風乾燥機で２０分間乾燥した。Ｃｕペーストを充填した基板の充填ビア表面に突起したＣｕペーストに対して、バフ研磨により除去した。突起したＣｕペーストは、未焼成で柔らかいため、バフ研磨により容易に除去できるが、基板表面の接合層は、バフ研磨による影響は無かった。研磨した基板を９００℃の窒素雰囲気中で６０分間焼成し、Ｃｕ導体ビア充填基板を作製した。引き続き、ビア充填基板を表面導体層（Ｃｕ）形成工程に供し、実施例１と同一の方法で両面配線基板を作製した。得られた基板の評価結果は、実施例１と同様、全て良好であった。
【０１８２】
実施例３０
バフ研磨後のビア充填基板の焼成を省略し、未焼成のビア充填基板を表面導体層（Ｃｕ）形成工程に供した後、ビア充填用Ｃｕペーストと表面導体層用Ｃｕペーストとを同時に７００℃で焼成する以外は、実施例２９と同一の方法で両面配線基板を作製した。製作した基板の評価結果は、実施例１と同様、全て良好であった。
【０１８３】
【表３】
0006774898.tif 000004
【０１８４】
【表４】
0006774898.tif 000005
【０１８５】
【表５】
0006774898.tif 000006
【産業上の利用可能性】
【０１８６】
本発明の両面配線基板は、回路基板、電子部品、半導体パッケージの基板などとして利用できる。
【符号の説明】
【０１８７】
１…Ｃｕ導体ビア充填基板
２…充填部
３…接合層
４…表面導体層
５…エッチング用レジスト膜
６…導体パターン
７…ニッケルメッキ膜
８…金メッキ膜
【図１】
0006774898.tif 000007
【図２】
0006774898.tif 000008
【図３】
0006774898.tif 000009