(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハを支持するように構成された表面を含む半導体ウエハハンドリング物品であって、前記ウエハ支持表面が、（ｉ）マトリックス構成部分および（ｉｉ）前記マトリックス構成部分全体に分配されたダイヤモンド粒子を含んでなる強化材構成部分を特徴として有する複合体材料を含んでなり、（ｉｉｉ）前記マトリックス構成部分が、全てのウエハ接触が前記ダイヤモンド粒子とであるように、窪んだまたは浮き上がった表面を有し、前記ダイヤモンド粒子が立って盛り上がった状態にさせることを特徴とする半導体ウエハハンドリング物品。
【請求項２】
請求項１に記載の物品において、真空ウエハチャック、静電チャック、真空ウエハテーブル、ウエハアーム、エンドエフェクターおよびサセプターからなる群から選択されることを特徴とする物品。
【請求項３】
請求項１に記載の物品において、前記マトリックス構成部分が元素ケイ素および炭化ケイ素を含んでなることを特徴とする物品。
【請求項４】
請求項１に記載の物品において、前記マトリックス構成部分が反応結合炭化ケイ素を含んでなることを特徴とする物品。
【請求項５】
請求項１に記載の物品において、前記物品のウエハ接触面がウエハ接触域を最小化するために複数のピンを含んでなることを特徴とする物品。
【請求項６】
請求項１に記載の物品において、マトリックス相のレリーフがウエハ接触域を最小化するためにダイヤモンドのミクロピンを形成することを特徴とする物品。
【請求項７】
請求項１に記載の物品において、前記ダイヤモンド粒子が少なくとも２２ミクロンのサイズを有することを特徴とする物品。
【請求項８】
請求項１に記載の物品において、前記ダイヤモンド粒子が前記複合体材料の少なくとも約２０体積％を構成することを特徴とする物品。
【請求項９】
請求項３に記載の物品において、前記物品が放電機械加工可能であるようにするために十分な導電率を有することを特徴とする物品。
【請求項１０】
請求項１に記載の物品において、前記強化材構成部分がダイヤモンド以外の少なくとも１つの相をさらに含んでなることを特徴とする物品。
【請求項１１】
請求項１０に記載の物品において、前記ダイヤモンド以外の少なくとも１つの相がＳｉＣ粒子を含んでなることを特徴とする物品。
【請求項１２】
請求項１０に記載の物品において、前記ダイヤモンド以外の少なくとも１つの相が前記ダイヤモンド粒子と混合されることを特徴とする物品。
【請求項１３】
マトリックス全体に分配されたダイヤモンド粒子を含んでなる複合体材料を含んでなる組成物において、前記マトリックスが、前記複合体材料の表面において窪んでいるかまたは浮き上がっており、前記ダイヤモンド粒子の頂上が、窪んでいるかまたは浮き上がっている前記マトリックスに対して少なくとも１０ミクロン高くなり、それにより、前記組成物と接触する外部物体が前記ダイヤモンド粒子のみと接触することを特徴とする組成物。
【請求項１４】
請求項１３に記載の組成物において、ラッピングおよび研削のためのベアリング、シール、ガンバレル、レールガン、人工関節および装備品からなる群から選択される物品に含まれることを特徴とする組成物。
【請求項１５】
請求項１３に記載の組成物において、前記マトリックスが炭化ケイ素および少なくとも３０体積％の元素ケイ素を含んでなることを特徴とする組成物。
【請求項１６】
請求項１５に記載の組成物において、前記マトリックスが少なくとも４０体積％の前記元素ケイ素を含んでなることを特徴とする組成物。
【請求項１７】
請求項１５に記載の組成物において、前記マトリックスが１０体積％以下の前記炭化ケイ素を含んでなることを特徴とする組成物。
【請求項１８】
請求項１５に記載の組成物において、前記ダイヤモンド粒子が２２ミクロン〜１００ミクロンの範囲のサイズを有することを特徴とする組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本特許文献は、発明者Ｄａｎｉｅｌ  Ｍａｓｔｒｏｂａｔｔｉｓｔｏらの名義で２０１５年４月６日に出願された「Ａｒｔｉｃｌｅｓ  ｈａｖｉｎｇ  ｄｉａｍｏｎｄ−ｏｎｌｙ  ｃｏｎｔａｃｔ  ｓｕｒｆａｃｅｓ」という名称の米国仮特許出願第６２／１４３，７４８号明細書の利益を主張する。認められる場合、上記仮特許出願の全内容は参照により本明細書に組み込まれる。
【０００２】
連邦政府資金による研究に関する記載
なし。
【０００３】
本発明は、本発明の物品と接触する他の物体が本物品のダイヤモンド構成要素のみと接触するように設計されたダイヤモンドを含有する物品、構造またはデバイスに関する。一実施形態において、本物品は、真空または静電チャックなどの半導体ウエハをハンドリングするための装置の形態であってもよい。
【背景技術】
【０００４】
そのようなウエハがチャックの支持表面に対して平坦に存在することが重要である。さもなければ、ウエハに投影される回路図形像は、焦点が合わなくなり得る。さらに、ウエハリソグラフィは、暴露間のウエハの再位置設定を伴う多重暴露を伴い得る。したがって、その後の暴露がウエハ上で正確な位置で生じるように、その最初の位置設定に関連して、チャック上でウエハを正確に再整列させる方法が存在することが重要である。
【０００５】
ムーアの法則により、半導体特徴サイズはより小さいことが奨励されるため、より高精度なウエハハンドリング構成部分に対する要求は増大する。必要とされる精度を達成することにおける困難も増大する。例えば、その上にマイクロプロセッサチップが製造されるシリコンウエハは、加工機械において正確に配置されなければならない。ウエハは、典型的に、真空ハンドリング装置によってハンドリングされる。ウエハは、それ自体の重量下で非常にわずかに湾曲する。ウエハチャックまで低下したとき、湾曲したウエハは平坦になることを「求める」が、ウエハとチャックとの間の摩擦によって平坦になることは妨害され得る。これは、「粘着性」の問題と呼ばれることがある。金属酸化物は、この点に関して顕著であり、および二酸化ケイ素は例外ではない。解決または少なくとも改善するための努力の中で、この問題は、ウエハとチャックとの間の接触面積を最小化することであった。このような特に工学的な解決策は、ウエハ内に典型的に規則的間隔で配置された均一な高さの複数の「平坦域」を設計する形態を取り得る。これらの平坦域は、「バール（ｂｕｒｌ）」と呼ばれる。バールは、バール上に配置されるときに平坦になるため、ウエハがバールを横切って水平に移動することができるように摩擦を減少させることにおいて役立つ。しかしながら、水平移動は、別の問題である摩耗を引き起こす可能性がある。互いに対して移動する２つの表面の摩耗により、少なくとも材料がバールまたはウエハから除去され得るため、バールまたはウエハ材料の粒子が作成される可能性が生じる。集積回路になるウエハの領域に落下する粒子は、おそらく欠陥を生じるであろう。
【０００６】
これを念頭に置いて、ウエハハンドリング構成部分のための重要な望ましい特性は、高い機械安定性（高い剛性および低い密度）、高い熱安定性（高い熱伝導率および低い熱膨張係数）、低い金属汚染性、高い耐性までの機械加工性、低摩耗性（精度を維持するため）、低摩擦性（ウエハが定着するのを防ぐため）および４５０ｍｍまでのサイズに製造する性能である。
【０００７】
モノリシックダイヤモンドは、本出願に関して、ほぼ完璧な特性：機械安定性、熱安定性、耐摩耗性、低摩擦性およびゼロの金属汚染性を有する。しかしながら、４５０ｍｍのサイズまでの複合体サイズのモノリシックダイヤモンドを製造および機械加工するための費用は非常に高い。
【０００８】
本発明は、これらの問題に対処し、かつ解決策を提供する。
【０００９】
炭化ケイ素（ＳｉＣ）は、ウエハチャックとしての使用のために望ましい特性：３つ例を挙げると、低密度、低熱膨脹率および高熱伝導率を有する。
【００１０】
炭化ケイ素ベースの物体は、何十年もの間にわたって実行されてきた反応浸透技術により、ほぼ正味の形状に製造することができる。一般に、そのような反応浸透プロセスは、真空または不活性雰囲気環境において、溶融元素ケイ素（Ｓｉ）と、炭化ケイ素および炭素を含有する多孔性物質とが接触することを必要とする。浸潤条件が生じて、その結果、溶融ケイ素が毛管作用によって物質中に引き抜かれ、およびそこで炭素と反応し、さらなる炭化ケイ素が形成される。このようなその場の炭化ケイ素は、典型的に相互に結合している。高密度の物体が通常望ましく、したがって、このプロセスは、過剰量のケイ素の存在下で典型的に実行される。したがって、結果として生じる複合体は、主に炭化ケイ素を含有するが、（同様に相互結合する）いくつかの未反応ケイ素も含有し、および略語Ｓｉ／ＳｉＣと記載されてもよい。そのような複合体を製造するために使用されるプロセスは、「反応形成」、「反応結合」、「反応浸透」または「自己結合」と交換可能に記載される。この材料の１つの変型、Ａｐｐｌｉｃａｎｔ’ｓ  Ｇｒａｄｅ  ＳＳＣ−７０２反応結合ＳｉＣセラミックに関するいくつかの物理的特性は、以下の表１で提供される。２１〜１００Ｃの温度範囲で測定された熱伝導率は例外として、全ての特性は２１Ｃで測定された。
表１：Ｇｒａｄｅ  ＳＳＣ−７０２  ＲＢＳＣセラミックの選択された物理特性
公称ＳｉＣ含有量（体積％）      ７０
公称Ｓｉ含有量                  ３０
かさ密度（ｇ／ｃｍ３）          ２．９５
ヤング率（Ｇｐａ）              ３５０
ポアソン比                      ０．１８
曲げ強さ（Ｍｐａ）              ２７０
破砕強靭度（ＭＰａ−ｍ１／２）  ４
熱膨張係数（ｐｐｍ／Ｋ）        ２．９
熱伝導率（Ｗ／ｍ−Ｋ）          １７０
電気抵抗率（オーム−ｃｍ）      ０．２
【００１１】
より最近の技術において、さらなる可撓性のため、ＳｉＣ以外の１種以上の材料が多孔性物質中のＳｉＣのいくつかまたは全てと置き換えられ得る。例えば、ダイヤモンド粒子によるこのようなＳｉＣのいくつかの置き換えにより、ダイヤモンド／ＳｉＣ複合体をもたらすことができる。
【発明の概要】
【００１２】
本出願人は、マトリックス相が反応結合ＳｉＣ（Ｓｉ／ＳｉＣまたはＲＢＳＣとしても知られる）である、そのようなダイヤモンド粒子強化複合体を製造する。この複合体は、非常に高い機械および熱安定性を有し、４５０ｍｍ以上のサイズで製造することが可能であり、かつ「スパーク放電機械加工」と呼ばれることもある放電機械加工（ＥＤＭ）によって機械加工可能である。さらに、本出願人は、マトリックス相を浮き上がらせるかまたは選択的に浸食して、ダイヤモンド粒子が立って盛り上がった状態にさせる方法でこの材料をラッピングする性能を実証した。ラッピングプロセスは、当業者に既知である、進行的により微細なグレードの研磨材を使用する研削／研磨と同様である。したがって、ラッピングされた表面が半導体ウエハハンドリングのために使用される場合、ウエハは、盛り上がったダイヤモンド粒子のみと接触するであろう。露出したダイヤモンド粒子は、高い平坦度を維持するため、ゼロの金属汚染、高い耐摩耗性、低摩擦、熱発散のための高い熱伝導率および高い剛性を提供するであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、ダイヤモンド粒子強化材が存在する場合および存在しない場合のＲＢＳＣの摩耗率を比較し、焼結Ａ１２Ｏ３およびＷＣ−１４％Ｃｏと比較する棒グラフである。
【図２Ａ】図２Ａは、２０体積％の２２ミクロンダイヤモンド粒子が存在しない場合のＲＢＳＣの破断面である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、２０体積％の２２ミクロンダイヤモンド粒子が存在する場合のＲＢＳＣの破断面である。
【図３】図３は、ダイヤモンド粒子強化材を特徴とするＲＢＳＣの実施形態の光学顕微鏡写真である。
【図４Ａ】図４Ａは、ＲＡＭによって製造されたＲＢＳＣ物品を示す。
【図４Ｂ】図４Ｂは、ワイヤーＥＤＭによって製造されたＲＢＳＣ物品を示す。
【図４Ｃ】図４Ｃは、ワイヤーＥＤＭによって製造された熱管理製品を示す。
【図５Ａ】図５Ａは、ラッピングされたダイヤモンド強化ＲＢＳＣ複合体材料のためにプロフィールメーターディスプレイ（トレース）を示す。
【図５Ｂ】図５Ｂは、ダイヤモンドが立って盛り上がっている、ラッピングされたダイヤモンド強化ＲＢＳＣ複合体のグレースケールの走査型電子顕微鏡写真である。
【図６Ａ】図６Ａは、ピン留め表面を特徴とするダイヤモンド含有ＲＢＳＣ複合体ウエハチャックの種々の倍率における写真である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、ピン留め表面を特徴とするダイヤモンド含有ＲＢＳＣ複合体ウエハチャックの種々の倍率における写真である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、ピン留め表面を特徴とするダイヤモンド含有ＲＢＳＣ複合体ウエハチャックの種々の倍率における写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
表２は、ダイヤモンドが実際に低摩擦材料であることを示す。ダイヤモンドおよびいくつかの一般的な材料の摩擦係数を比較のために記載する。
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【００１５】
ここで、図１を参照すると、標準摩耗試験における様々な材料の摩耗率を示す棒グラフが記載されている。このグラフは、特に、反応結合ＳｉＣ材料への２０％の２２ミクロンサイズダイヤモンド粒子の添加により、超硬合金（ＷＣ／Ｃｏ）の切断器組成に相当する点まで摩耗率が劇的に減少することを示す。
【００１６】
ダイヤモンドは、滑動に非常に低い抵抗（すなわち、非常に低い摩擦係数）を提供する。また、ダイヤモンドは、その酸化物が気体であるため、「粘着性」の酸化物層を形成することができない。
【００１７】
ダイヤモンド含有ＲＢＳｉＣのＥＤＭ可能な変型の開発
それらがどのようなものから製造されるかにかかわらず、精度の高い構成部分は、多くの場合、それらに正確な形状または平坦度、平滑度などを付与するためにいくつかの種類の仕上作業を必要とする。ダイヤモンド物体またはダイヤモンド強化ＲＢＳＣなどのダイヤモンド含有複合体さえも、従来法によって機械加工することが非常に難しい。そのように機械加工される物体が十分な導電率を有する限り、多くの場合、「放電機械加工」（ＥＤＭ）とも呼ばれるスパーク放電機械加工が候補選択肢である。ＲＢＳＣのベースであるＳｉＣおよびＳｉは、低導電率材料である。ダイヤモンド強化材を添加することにより、典型的になおさらに導電率が減少する。それにもかかわらず、本出願人は、受容できるＥＤＭ性能を示すダイヤモンド強化ＲＢＳＣ組成物を設計した。ＴＨＥＲＭＡＤＩＴＥ（商標）１００−６０（Ｍ  Ｃｕｂｅｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｉｎｃ．の商標）として知られているこの材料の１つの変型に関するいくつかの物理特性を以下の表３に提供する。２０〜１００Ｃの温度範囲で測定された熱伝導率を除き、全ての特性は２０Ｃで測定した。このＴＨＥＲＭＡＤＩＴＥ  １００−６０複合体材料の代表的な微細構造は、図３の研磨された光学顕微鏡写真に示される。
【００１８】
この材料は、ダイヤモンド粒子強化材の平均粒径である約１００ミクロンの特徴サイズまでＥＤＭ可能である。この材料の他の有意な特徴のいくつかを記載する：その極めて高い剛性、ＳｉＣの半分である熱膨脹係数、銅より高い熱伝導率、ＳｉＣに類似の密度および比較的大きい形状で製造可能であること（少なくとも直径約４５０ｍｍまで）。当業者は、ダイヤモンド強化ＲＢＳＣの多くの変型が妥当であることを理解するであろう。中でも、変動可能なパラメーターは、ダイヤモンド含有量、ダイヤモンド粒径およびダイヤモンド粒子形状である。
表３：ＴＨＥＲＭＡＤＩＴＥ１００−６０ダイヤモンド強化ＲＢＳＣの選択された物理特性
公称ダイヤモンド含有量（体積％）      ６０
公称ダイヤモンド粒径（ミクロン）      １００
かさ密度（ｇ／ｃｍ３）                ３．２０
ヤング率（Ｇｐａ）                    ６５０
ポアソン比                            ０．１４
熱膨張係数（ｐｐｍ／Ｋ）              １．５
比熱（Ｊ／ｋｇ−Ｋ）                  ７２０
熱伝導率（Ｗ／ｍ−Ｋ）                ５４０
【００１９】
より具体的にかつ本記載および以下の実施例において、ダイヤモンド含有量は、約１体積パーセント（体積％）〜約７０体積％の範囲になるように設計することができる。ダイヤモンド強化材は、粒子の形態であることが可能であり、複合体は、それぞれ２２、３５および１００ミクロンの公称粒径を有するダイヤモンド粒子を使用して問題なく製造することができる。上記の通り、マトリックス構成部分はその場で製造されたＳｉＣおよび典型的にいくらかの未反応元素ケイ素を特徴とする。複合体材料中に存在する元素Ｓｉの量は、当業者に知られるように、高度に設計可能であり；例えば、体積による材料の主要部分（５０体積％より高い）を構成することができるか、または１体積％未満まで減少させることができる。しかしながら、ＥＤＭによって機械加工を可能にするには、Ｓｉ構成部分は、適切な導電率のために相互に結合する必要があり得、これは少なくとも約５〜１０体積％の量を示唆する。しかしながら、上記されたＴＨＥＲＭＡＤＩＴＥ１００−６０の複合体材料は、約３０〜４０体積％のＳｉを含有することに留意されたい。これは、この複合体材料中においてその場で形成されたＳｉＣが低いことを示唆する（例えば、約１０体積％以下）。
【００２０】
少なくとも２つの放電機械加工の種類：ワイヤーおよびＲＡＭがある。ＥＤＭの背後の基本原理は、ＥＤＭデバイスの電極とワークピース（機械加工される物体）との間のかなりの量の電気エネルギーの流動である。電気エネルギーは、スパークまたはアークの形態である。ワイヤーＥＤＭは、帯のこぎりがラインカットを作成するのと同様に、ワークピースのラインカットをするために有用である。しかしながら、ここで、アークは、カットを作成するためにワークピース材料を融解または蒸発させ、特に、ＴＨＥＲＭＡＤＩＴＥ  １００−６０ダイヤモンド強化ＲＢＳＣの場合、アークは、相互結合したＳｉマトリックス構成部分を融解または蒸発させる。ＲＡＭ  ＥＤＭもアーク放電原理に基づいて機能するが、ここで、アークは、形成された電極とワークピースとの間にある。例えば、形成された電極は、その中に穴部を有するグラファイトディスクであることが可能である。グラファイトディスクがワークピースの平面表面に近くなると、アークは、グラファイトディスク中の穴部がある箇所以外のいずれにでも衝突する。このプロセスを実行することにより、グラファイト中の穴部よりも直径がわずかに小さいピンを特徴とするワークピース上の表面が作成されるであろう。このピンは、位置において、グラファイトディスクにおける穴部の位置に対応する。
【００２１】
図４Ａおよび４Ｂは、それぞれＲＡＭおよびワイヤーＥＤＭによって製造されたＲＢＳＣ物品を示す。図４Ｃは、ワイヤーＥＤＭによって製造された熱管理製品を示す。
【００２２】
ラッピング
ウエハチャックである特定の構成部分に適用されるように、ピンおよび他の必要とされる特徴がＥＤＭによって物体中に「粗く機械加工」されたら、構成部分をラッピングするが、ラッピングにはいくつかの目標、目的または結果がある。すなわち、それにより、いくらかのＳｉＣおよびＳｉ材料が取り除かれ、ラッピングされた表面の残りの部分上でダイヤモンド強化材粒子が「立って盛り上がった状態」になり；（ｉｉ）それにより、ダイヤモンド粒子のピークが研削または研磨されて「メサ」または平坦域が残り；および（ｉｉｉ）それにより、非常に平坦な表面が提供され；すなわち、ピンの頂上は非常に正確な隆起にある。ラッピング研摩材はダイヤモンドであり、次のグリットサイズが順番に使用される：１００、４５、２２、１２および最終的に６ミクロンサイズの粒子。後者は、柔らかいポリウレタン布上で適用されるが、他方では、他のグリットはセラミックプレートを使用して適用される。
【００２３】
図５Ａは、ラッピングされたダイヤモンド強化ＲＢＳＣ物体のプロフィールメータートレースを示す。図５Ｂは、同じラッピングされた物体のグレースケールＳＥＭ像である。両図とも、ＳｉＣおよびＳｉマトリックス材料がダイヤモンド強化材粒子間で「えぐり取られ」、ダイヤモンド粒子が平坦な頂上を有し（「トッピングされた」）、およびダイヤモンド粒子の縁端が円弧状にされるか、または円形状にされることを示す。この表面がウエハチャック上のピンの頂上である場合、それは、接触面がもはやピンの上面全体ではないが、その代わりに「ミクロピン」と考えることができる複数のより小さい平坦表面であろうことを意味する。
【００２４】
この結果は有意である。ダイヤモンド強化材粒子は、立って盛り上がった状態であり、したがって、全てのウエハ接触は、低汚染、低摩擦および高硬度ダイヤモンドである。さらに、ダイヤモンド粒子の縁端の円形化は、シリコンウエハの引掻きを防ぐのに役立つ。加えて、露出した個別のダイヤモンド粒子はミクロピンとして機能し、これは、ウエハ接触領域を最小化し、したがって汚染の可能性を最小化するために有益である。
【００２５】
ダイヤモンド強化ＲＢＳＣ複合体材料のダイヤモンド含有量を変更してよいことが以前に記載された。そのための１つの技術は、ダイヤモンド粒子をダイヤモンド以外の１種以上の他の強化材材料と混合することである。この点に関する１つの明白な選択は、炭化ケイ素、ＳｉＣである。ＳｉＣは、非常に硬質の物質であるが、ダイヤモンドほど硬質ではない。そのようなものとして、ＳｉＣの強化材粒子は、マトリックスＳｉＣが摩耗するようにラッピングプロセス中に摩耗し、「レリーフ」が生じるであろう。すなわち、ダイヤモンド粒子の頂上は、ラッピングされた物品の非ダイヤモンド表面と比較して高くなる。
【００２６】
３００ｍｍまでの拡大
本出願人は、ＥＤＭ機械加工と、それに続くラッピングとを使用して、３００ｍｍのピン留め構成部分（すなわち、少なくとも１つ寸法において３００ｍｍである）を問題なく製造した。３００ｍｍの構成部分を製造するために使用されるプロセスは、４５０ｍｍなどのより大きいサイズの製造にも適切である。図６Ａ〜６Ｃは、ピン、それらの配置および構成部分の全体的なサイズを示すために様々な倍率で撮影された直径３００ｍｍのウエハチャックの写真である。
【００２７】
要約および結論
ダイヤモンド強化反応結合炭化ケイ素（ダイヤモンド−ＲＢＳＣ）などのダイヤモンド含有複合体材料は、次世代の半導体ウエハハンドリング構成部分のための必要条件を満たすことができる。この複合体材料の本出願人の変型の重要な態様は：以下の通りである。
・大きいサイズおよび形状性能（＞４５０ｍｍ）
・ＥＤＭによって機械加工可能（例えば、ピン留め表面の作成のため）
・内部チャネル性能
・ラッピングに適応される
・非常に高い機械安定性
・非常に高い熱安定性
・極限の耐摩耗性
・低摩擦
【００２８】
ウエハハンドリング構成部分および特にピン留め表面は、進行的により微細なグレードの研磨材を使用してラッピングされ得る。ラッピングされた表面（例えば、ラッピングされたピン）は、高度に設計可能である量でＳｉ／ＳｉＣマトリックス構成部分を浮き上がらせるかまたは窪ませ、レリーフは、わずか１ミクロンもしくは数ミクロン、または１０ミクロンもしくは数十ミクロンであり得る。ラッピングプロセスにより、ダイヤモンド粒子の「頂上」で均一な高さの平坦域またはメサも形成される。結果として、半導体ウエハがそのようなラッピングされた表面と接触すると、ウエハは、立って盛り上がった状態にあるダイヤモンド粒子のみと接触する。ダイヤモンドは、低摩耗、低摩擦および低金属汚染のため、理想的な接触面である。
【００２９】
上記の記載の多くは、半導体ウエハをチャッキングするための物品およびデバイスに焦点を合わせられたが、当業者は、例えば、真空ウエハテーブル、ウエハアーム、エンドエフェクターおよびサセプターなどの半導体ウエハハンドリングの他の態様において、低摩擦および低い汚染脅威のダイヤモンドの特性が有用である他の関連適用を認識するであろう。
【００３０】
当業者は、低摩耗、低摩擦および／または低汚染が望ましい半導体ウエハハンドリングの分野を越えて、他の適用について考えてもよい。これらの適用分野としては、限定されないが、ベアリングシール、シリンダスリーブ、ガンバレル、レールガン用リフィル、ラッピング／研削基材および人工関節（腰、ひざなど）が含まれる。
【００３１】
当業者は、添付の特許請求の範囲に定義される本発明の範囲または趣旨から逸脱することなく、本明細書に記載される本発明に対する様々な修正形態がなされ得ることを認識するであろう。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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