(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性膜、光電変換膜、および、透明導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、
前記光電変換膜が、式（２）で表される化合物を含む、光電変換素子。
【化１】
0006684908.tif 000012
式（２）中、Ｒ１およびＲ５は、それぞれ独立に、アリール基またはヘテロアリール基を表す。Ｒ２〜Ｒ４およびＲ６〜Ｒ８は、水素原子を表す。Ｂ3およびＢ4は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。Ａ3およびＡ4は、それぞれ独立に、アリール基またはヘテロアリール基を表す。ただし、Ａ3およびＡ4は、それぞれ、フェニル基、ｐ−トリル基、または、２−チオフェニル基であることはない。
【請求項２】
前記式（２）で表される化合物の分子量が、４７０〜９００である、請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項３】
前記光電変換膜が、さらにｎ型有機半導体を含む、請求項１又は２に記載の光電変換素子。
【請求項４】
前記光電変換膜が、さらにｐ型有機半導体を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項５】
さらに、電子ブロッキング膜を有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項６】
さらに、正孔ブロッキング膜を有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の光電変換素子を含む光センサ。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の光電変換素子を含む撮像素子。
【請求項９】
式（２）で表される化合物。
【化２】
0006684908.tif 000013
式（２）中、Ｒ１およびＲ５は、それぞれ独立に、アリール基またはヘテロアリール基を表す。Ｒ２〜Ｒ４およびＲ６〜Ｒ８は、水素原子を表す。Ｂ3およびＢ4は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。Ａ3およびＡ4は、それぞれ独立に、アリール基またはヘテロアリール基を表す。ただし、Ａ3およびＡ4は、それぞれ、フェニル基、ｐ−トリル基、または、２−チオフェニル基であることはない。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換素子、撮像素子、光センサ、および、化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、固体撮像素子としては、フォトダイオード（ＰＤ）を２次元的に配列し、各ＰＤで発生した信号電荷を回路で読み出す平面型固体撮像素子が広く用いられている。
カラー固体撮像素子を実現するには、平面型固体撮像素子の光入射面側に、特定の波長の光を透過するカラーフィルタを配した構造が一般的である。現在、２次元的に配列した各ＰＤ上に、青色（Ｂ）光、緑色（Ｇ）光、および、赤色（Ｒ）光を透過するカラーフィルタを規則的に配した単板式固体撮像素子がよく知られている。しかし、この単板式固体撮像素子においては、カラーフィルタを透過しなかった光が利用されず光利用効率が悪い。
これらの欠点を解決するため、近年、有機光電変換膜を信号読み出し用基板上に配置した構造を有する光電変換素子の開発が進んでいる。このような有機光電変換膜を使用した光電変換素子として、例えば、特許文献１では、以下のような化合物を含む光電変換膜を有する光電変換素子が開示されている。【０００３】
【化１】
0006684908.tif 000002
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１４／００９７４１６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、撮像素子および光センサ等の性能向上の要求に伴い、これらに使用される光電変換素子に求められる諸特性に関してもさらなる向上が求められている。
例えば、応答性のより一層の向上が求められている。
本発明者は、特許文献１で具体的に開示されている化合物（例えば、上述した化合物）を用いて光電変換素子を作製し、得られた光電変換素子の応答性について検討したところ、その特性は必ずしも昨今求められるレベルに達しておらず、さらなる向上が必要であることを見出した。【０００６】
本発明は、上記実情に鑑みて、優れた応答性を示す光電変換素子を提供することを目的とする。
また、本発明は、光電変換素子を含む撮像素子および光センサを提供することも目的とする。さらに、本発明は、上記光電変換素子に適用される化合物を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記課題について鋭意検討した結果、所定の構造を有する化合物（キナクリドン）を含む光電変換膜を使用することにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、以下に示す手段により上記課題を解決し得る。【０００８】
（１）  導電性膜、光電変換膜、および、透明導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、
光電変換膜が、後述する式（１）で表される化合物を含む、光電変換素子。
（２）  式（１）中、Ｂ1およびＢ2が、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、および、ヘテロアリール基のいずれかを表す、（１）に記載の光電変換素子。
（３）  式（１）中、Ａ1およびＡ2の両方が、アリール基またはヘテロアリール基を表す、（１）または（２）に記載の光電変換素子。
（４）  式（１）中、Ｒ1およびＲ5の少なくとも一方が、アリール基またはヘテロアリール基を表す、（１）〜（３）のいずれかに記載の光電変換素子。
（５）  式（１）中、Ｒ1およびＲ5の両方が、アリール基またはヘテロアリール基を表す、（１）〜（４）のいずれかに記載の光電変換素子。
（６）  式（１）で表される化合物の分子量が、４７０〜９００である、（１）〜（５）のいずれかに記載の光電変換素子。
（７）  光電変換膜が、さらにｎ型有機半導体を含む、（１）〜（６）のいずれかに記載の光電変換素子。
（８）  光電変換膜が、さらにｐ型有機半導体を含む、（１）〜（６）のいずれかに記載の光電変換素子。
（９）  さらに、電子ブロッキング膜を有する、（１）〜（８）のいずれかに記載の光電変換素子。
（１０）  さらに、正孔ブロッキング膜を有する、（１）〜（９）のいずれかに記載の光電変換素子。
（１１）  （１）〜（１０）のいずれかに記載の光電変換素子を含む光センサ。
（１２）  （１）〜（１０）のいずれかに記載の光電変換素子を含む撮像素子。
（１３）  後述する式（２）で表される化合物。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、優れた応答性を示す光電変換素子を提供することができる。
また、本発明によれば、光電変換素子を含む撮像素子および光センサを提供することもできる。さらに、本発明によれば、上記光電変換素子に適用される化合物を提供することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１Ａ】光電変換素子の一構成例を示す断面模式図である。
【図１Ｂ】光電変換素子の一構成例を示す断面模式図である。
【図２】ハイブリッド型光電変換素子の１画素分の断面模式図である。
【図３】撮像素子の１画素分の断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本発明の光電変換素子の好適実施形態について説明する。
なお、本明細書において置換または無置換を明記していない置換基等については、目的とする効果を損なわない範囲で、その基にさらに置換基（好ましくは、後述する置換基Ｗ）が置換していてもよい。例えば、「アルキル基」という表記は、置換基（好ましくは、置換基Ｗ）が置換していてもよいアルキル基に該当する。
また、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
【００１２】
本発明の従来技術と比較した特徴点としては、所定の構造を有する化合物（以後、単に「特定キナクリドン化合物」とも称する）を使用している点が挙げられる。この特定キナクリドン化合物においては、特定の位置に特定の官能基が導入されており、その結果、この特定キナクリドン化合物を含む光電変換膜を有する光電変換素子の特性（応答性）が向上している。
【００１３】
以下に、本発明の光電変換素子の好適実施形態について図面を参照して説明する。図１に、本発明の光電変換素子の一実施形態の断面模式図を示す。
図１Ａに示す光電変換素子１０ａは、下部電極として機能する導電性膜（以下、下部電極とも記す）１１と、電子ブロッキング膜１６Ａと、後述する式（１）で表される化合物を含む光電変換膜１２と、上部電極として機能する透明導電性膜（以下、上部電極とも記す）１５とがこの順に積層された構成を有する。
図１Ｂに別の光電変換素子の構成例を示す。図１Ｂに示す光電変換素子１０ｂは、下部電極１１上に、電子ブロッキング膜１６Ａと、光電変換膜１２と、正孔ブロッキング膜１６Ｂと、上部電極１５とがこの順に積層された構成を有する。なお、図１Ａおよび図１Ｂ中の電子ブロッキング膜１６Ａ、光電変換膜１２、および、正孔ブロッキング膜１６Ｂの積層順は、用途および特性に応じて、適宜変更してもよい。
【００１４】
光電変換素子１０ａ（または、１０ｂ）の構成では、上部電極１５を介して光電変換膜１２に光が入射されることが好ましい。
また、光電変換素子１０ａ（または、１０ｂ）を使用する場合には、電圧を印加することができる。この場合、下部電極１１と上部電極１５とが一対の電極をなし、この一対の電極間に、１×１０-5〜１×１０7Ｖ／ｃｍの電圧を印加することが好ましい。性能および消費電力の観点から、１×１０-4〜１×１０7Ｖ／ｃｍの電圧がより好ましく、１×１０-3〜５×１０6Ｖ／ｃｍの電圧がさらに好ましい。
なお、電圧印加方法については、図１Ａおよび図１Ｂにおいて、電子ブロッキング膜１６Ａ側が陰極となり、光電変換膜１２側が陽極となるように印加することが好ましい。光電変換素子１０ａ（または、１０ｂ）を光センサとして使用した場合、また、撮像素子に組み込んだ場合も、同様の方法により電圧を印加できる。
後段で、詳述するように、光電変換素子１０ａ（または、１０ｂ）は撮像素子用途、および、光センサ用途に好適に適用できる。
【００１５】
また、図２に、本発明の光電変換素子の別の実施形態の断面模式図を示す。
図２に示される光電変換素子２００は、有機光電変換膜２０９と無機光電変換膜２０１とを備えるハイブリッド型の光電変換素子である。なお、有機光電変換膜２０９には、後述する式（１）で表される化合物が含まれる。
無機光電変換膜２０１は，ｐ型シリコン基板２０５上に、ｎ型ウェル２０２、ｐ型ウェル２０３、および、ｎ型ウェル２０４を有する。
ｐ型ウェル２０３とｎ型ウェル２０４との間に形成されるｐｎ接合にて青色光が光電変換され（Ｂ画素）、ｐ型ウェル２０３とｎ型ウェル２０２との間に形成されるｐｎ接合にて赤色光が光電変換される（Ｒ画素）。なお、ｎ型ウェル２０２、ｐ型ウェル２０３、およびｎ型ウェル２０４の導電型は、これらに限るものではない。
【００１６】
さらに、無機光電変換膜２０１の上には透明な絶縁層２０７が配置されている。
絶縁層２０７の上には、画素毎に区分けした透明な画素電極２０８が配置され、その上に、緑色光を吸収して光電変換する有機光電変換膜２０９が各画素共通に一枚構成で配置され、その上に、電子ブロッキング膜２１２が各画素共通に一枚構成で配置され、その上に、一枚構成の透明な共通電極２１０が配置され、最上層に、透明な保護膜２１１が配置されている。電子ブロッキング膜２１２と有機光電変換膜２０９との積層順は図２とは逆であってもよく、共通電極２１０は、画素毎に区分けして配置されてもよい。
有機光電変換膜２０９は、緑色光を検出するＧ画素を構成する。
【００１７】
画素電極２０８は、図１Ａに示した光電変換素子１０ａの下部電極１１と同じである。共通電極２１０は、図１Ａに示した光電変換素子１０ａの上部電極１５と同じである。
【００１８】
この光電変換素子２００に被写体からの光が入射すると、入射光の内の緑色光が有機光電変換膜２０９に吸収されて光電荷が発生し、この光電荷は、画素電極２０８から図示しない緑色信号電荷蓄積領域に流れ蓄積される。
【００１９】
有機光電変換膜２０９を透過した青色光と赤色光との混合光が無機光電変換膜２０１内に侵入する。波長の短い青色光は主として半導体基板（無機光電変換膜）２０１の浅部（ｐ型ウェル２０３とｎ型ウェル２０４との間に形成されるｐｎ接合付近）にて光電変換されて光電荷が発生し、信号が外部に出力される。波長の長い赤色光は主として半導体基板（無機光電変換膜）２０１の深部（ｐ型ウェル２０３とｎ型ウェル２０２との間に形成されるｐｎ接合付近）で光電変換されて光電荷が発生し、信号が外部に出力される。
【００２０】
なお、光電変換素子２００を撮像素子に使用する場合、ｐ型シリコン基板２０５の表面部には、信号読出回路（ＣＣＤ（Charge Coupled Device）型であれば電荷転送路、ＣＭ
ＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）型であればＭＯＳ（Metal-Oxide-Semiconductor）トランジスタ回路）または緑色信号電荷蓄積領域が形成される。また、画素電極２０８は、縦配線により対応の緑色信号電荷蓄積領域に接続される。
【００２１】
以下に、本発明の光電変換素子を構成する各層の形態について詳述する。
【００２２】
［光電変換膜］
（式（１）で表される化合物）
光電変換膜１２（または、有機光電変換膜２０９）は、光電変換材料として式（１）で表される化合物を含む膜である。この化合物を使用することにより、優れた応答性を示す光電変換素子が得られる。
以下、式（１）で表される化合物について詳述する。
【００２３】
【化２】
0006684908.tif 000003
【００２４】
式（１）中、Ｒ1〜Ｒ8は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。上記置換基の定義は、後述する置換基Ｗと同義である。なかでも、光電変換素子の応答性がより優れる点（以後、単に「本発明の効果がより優れる点」とも称する）で、Ｒ2〜Ｒ4、および、Ｒ6〜Ｒ8は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、または、ハロゲン原子であることが好ましく、水素原子であることがより好ましい。
また、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ1およびＲ5の少なくとも一方が、アリール基またはヘテロアリール基であることが好ましく、Ｒ1およびＲ5の両方が、アリール基またはヘテロアリール基であることがより好ましい。
なお、Ｒ1〜Ｒ３、Ｒ５〜Ｒ７、Ａ1およびＡ2のうち隣り合う基は、連結して環を形成してもよい。Ｂ１と、Ｒ４およびＲ３とは連結して環を形成してもよく、Ｂ２と、Ｒ７およびＲ８とは連結して環を形成してもよい。形成される環の種類は特に制限されず、芳香環であっても、非芳香環であってもよく、芳香環であることが好ましい。また、環は、単環であっても、２つ以上の環からなる縮環であってもよい。また、芳香環は、芳香族炭化水素環であっても、芳香族複素環であってもよい。
【００２５】
Ｂ1およびＢ2は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。上記置換基の定義は、後述する置換基Ｗと同義である。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、Ｂ1およびＢ2は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基であることが好ましく、Ｂ1およびＢ2の両方が、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基であることがより好ましく、Ｂ1およびＢ2の両方が、アルキル基であることがさらに好ましい。
また、本発明の効果がより優れる点で、Ｂ1およびＢ2が、同じ基であることが好ましい。例えば、Ｂ1およびＢ2が共に、メチル基を示す場合が挙げられる。
【００２６】
アルキル基中の炭素数は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１〜１０が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜３がさらに好ましく、１が特に好ましい。アルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、および、環状のいずれであってもよい。
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ―ブチル基、ｎ−ヘキシル基、および、シクロへキシル基等が挙げられる。
【００２７】
アリール基中の炭素数は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、６〜３０が好ましく、６〜１８がより好ましい。アリール基は、単環構造であっても、２つ以上の環が縮環した縮環構造（縮合環構造）であってもよい。また、アリール基には、置換基（好ましくは、後述する置換基Ｗ）が置換していてもよい。
アリール基としては、例えば、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、フェナントレニル基、メチルフェニル基、ジメチルフェニル基、ビフェニル基、および、フルオレニル基等が挙げられ、フェニル基、ナフチル基、または、アントリル基が好ましい。
【００２８】
ヘテロアリール基（１価の芳香族複素環基）中の炭素数は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、３〜３０が好ましく、３〜１８がより好ましい。ヘテロアリール基には、置換基（好ましくは、後述する置換基Ｗ）が置換していてもよい。
ヘテロアリール基には、炭素原子および水素原子以外にヘテロ原子が含まれる。ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、リン原子、ケイ素原子、および、ホウ素原子が挙げられ、窒素原子、硫黄原子、または、酸素原子が好ましい。
ヘテロアリール基に含まれるヘテロ原子の数は特に制限されず、通常、１〜１０個程度であり、１〜４個が好ましく、１〜２個がより好ましい。
ヘテロアリール基の環員数は特に制限されないが、３〜８員環が好ましく、５〜７員環がより好ましく、５〜６員環がさらに好ましい。なお、ヘテロアリール基は、単環構造であっても、２つ以上の環が縮環した縮環構造であってもよい。縮環構造の場合、ヘテロ原子を含まない芳香族炭化水素環（例えば、ベンゼン環）が含まれていてもよい。
ヘテロアリール基としては、例えば、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、プテリジニル基、ピラジニル基、キノキサリニル基、ピリミジニル基、キナゾリル基、ピリダジニル基、シンノリニル基、フタラジニル基、トリアジニル基、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、インダゾリル基、イソオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、フリル基、ベンゾフリル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基、ジベンゾチエニル基、ピロリル基、インドリル基、イミダゾピリジニル基、および、カルバゾリル基等が挙げられる。
【００２９】
Ａ1およびＡ2は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、Ａ1およびＡ2の少なくとも一方は、アリール基またはヘテロアリール基を表す。
Ａ1およびＡ2で表されるアリール基またはヘテロアリール基の定義および好適形態は、Ｂ1およびＢ2で表されるアリール基およびヘテロアリール基の定義および好適形態と同じである。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、Ａ1およびＡ2の両方が、アリール基またはヘテロアリール基であることが好ましい。
また、本発明の効果がより優れる点で、Ａ1およびＡ2が、同じ基を表すことが好ましい。例えば、Ａ1およびＡ2の両方が、フェニル基を表す場合が挙げられる。
【００３０】
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、式（１）で表される化合物の好適形態として、式（２）で表される化合物が挙げられる。
【００３１】
【化３】
0006684908.tif 000004
【００３２】
式（２）中、Ｒ1〜Ｒ8は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｂ3およびＢ4は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、および、ヘテロアリール基のいずれかを表す。Ａ3およびＡ4は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、Ａ3およびＡ4の少なくとも一方は、アリール基またはヘテロアリール基を表す。ただし、Ａ3およびＡ4は、それぞれ、フェニル基、ｐ−トリル基、または、２−チオフェニル基であることはない。
式（２）中のＲ1〜Ｒ8の定義および好適形態は、式（１）中のＲ1〜Ｒ8の定義および好適形態と同じである。
Ａ3〜Ａ4で表されるアリール基またはヘテロアリール基の定義および好適形態は、式（１）中のＡ1〜Ａ2の定義および好適形態と同じである。ただし、上記のように、Ａ3およびＡ4は、それぞれ、フェニル基、ｐ−トリル基、または、２−チオフェニル基であることはない。
Ｂ3およびＢ4で表されるアルキル基、アリール基、および、ヘテロアリール基の定義および好適形態は、上述したＢ1およびＢ2で説明した各基の定義および好適形態と同じである。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、Ｂ3およびＢ4は両方がアルキル基であることが好ましくメチル基であることがより好ましい。
また、本発明の効果がより優れる点で、Ｂ3およびＢ4が、同じ基であることが好ましい。例えば、Ｂ3およびＢ4が共に、メチル基を示す場合が挙げられる。
Ｒ1〜Ｒ３、Ｒ５〜Ｒ７、Ａ３およびＡ４のうち隣り合う基は、連結して環を形成してもよい。これらの隣り合う基同士が連結して形成される環としては、式（１）中で説明した形態が挙げられる。また、Ｂ３と、Ｒ４およびＲ３とは連結して環を形成してもよく、Ｂ４と、Ｒ７およびＲ８とは連結して環を形成してもよい。
【００３３】
本明細書における置換基Ｗについて記載する。
置換基Ｗとしては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、および、トリシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、および、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基（ヘテロ環基といってもよい）、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む）、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルまたはアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルまたはアリールスルフィニル基、アルキルまたはアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールまたはヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基（−Ｂ(ＯＨ)2）、ホスファト基（−ＯＰＯ(ＯＨ)2）、スルファト基（−ＯＳＯ3Ｈ）、および、その他の公知の置換基が挙げられる。
また、置換基Ｗは、さらに置換基Ｗで置換されていてもよい。例えば、アルキル基にハロゲン原子が置換していてもよい。
なお、置換基Ｗの詳細については、特開２００７-２３４６５１号公報の段落［００２３］に記載される。
【００３４】
以下に、式（１）で表される化合物を例示する。
【００３５】
【化４】
0006684908.tif 000005
【００３６】
【化５】
0006684908.tif 000006
【００３７】
式（１）で表される化合物の分子量は特に制限されないが、４７０〜９００が好ましい。分子量が９００以下であれば、蒸着温度が高くならず、化合物の分解が起こりにくい。分子量が４７０以上であれば、蒸着膜のガラス転移点が低くならず、光電変換素子の耐熱性が向上する。
【００３８】
式（１）で表れる化合物は、ｐ型有機半導体として使用する際の安定性とｎ型有機半導体とのエネルギー準位のマッチングの点で、単独膜でのイオン化ポテンシャルが−５．０〜−６．０ｅＶである化合物であることが好ましい。
【００３９】
式（１）で表される化合物は、撮像素子、光センサ、または光電池に用いる光電変換膜の材料として特に有用である。なお、通常、式（１）で表される化合物は、光電変換膜内でｐ型有機化合物（ｐ型有機半導体）として機能する場合が多い。また、式（１）で表される化合物は、着色材料、液晶材料、有機半導体材料、有機発光素子材料、電荷輸送材料、医薬材料、および、蛍光診断薬材料としても用いることもできる。
【００４０】
（その他の材料）
光電変換膜には、上述した式（１）で表される化合物以外の他の成分が含まれていてもよい。例えば、光電変換膜には、ｎ型有機半導体またはｐ型有機半導体が含まれていてもよい。
ｎ型有機半導体とは、アクセプタ性有機半導体材料（化合物）であり、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは、ｎ型有機半導体とは、２つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。
ｎ型有機半導体としては、例えば、縮合芳香族炭素環化合物（例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、および、フルオランテン誘導体）、窒素原子、酸素原子、および、硫黄原子の少なくとも１つを含有する５〜７員のヘテロ環化合物（例えば、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、キノキサリン、キナゾリン、フタラジン、シンノリン、イソキノリン、プテリジン、アクリジン、フェナジン、フェナントロリン、テトラゾール、ピラゾール、イミダゾール、および、チアゾール等）、ポリアリーレン化合物、フルオレン化合物、シクロペンタジエン化合物、シリル化合物、ならびに、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体等が挙げられる。
【００４１】
ｐ型有機半導体とは、ドナー性有機半導体材料（化合物）であり、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは、ｐ型有機半導体とは、２つの有機化合物を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。
ｐ型有機半導体としては、例えば、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物、ピラゾリン化合物、スチリルアミン化合物、ヒドラゾン化合物、カルバゾール化合物、ポリシラン化合物、チオフェン化合物、シアニン化合物、オキソノール化合物、ポリアミン化合物、インドール化合物、ピロール化合物、ピラゾール化合物、ポリアリーレン化合物、縮合芳香族炭素環化合物、および、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体等が挙げられる。
【００４２】
なお、ｎ型有機半導体、または、ｐ型有機半導体としては、いかなる有機色素を用いてもよい。例えば、シアニン色素、スチリル色素、ヘミシアニン色素、メロシアニン色素（ゼロメチンメロシアニン（シンプルメロシアニン）を含む）、ロダシアニン色素、アロポーラー色素、オキソノール色素、ヘミオキソノール色素、スクアリリウム色素、クロコニウム色素、アザメチン色素、クマリン色素、アリーリデン色素、アントラキノン色素、トリフェニルメタン色素、アゾ色素、アゾメチン色素、メタロセン色素、フルオレノン色素、フルギド色素、ペリレン色素、フェナジン色素、フェノチアジン色素、キノン色素、ジフェニルメタン色素、ポリエン色素、アクリジン色素、アクリジノン色素、ジフェニルアミン色素、キノフタロン色素、フェノキサジン色素、フタロペリレン色素、ジオキサン色素、ポルフィリン色素、クロロフィル色素、フタロシアニン色素、および、金属錯体色素等が挙げられる。
【００４３】
一方で、図２に示したような形態の場合にはｎ型有機半導体およびｐ型有機半導体は無色、または、式（１）で表される化合物に近い極大吸収波長および／または吸収波形を持つことが望ましく、具体的な数値としては極大吸収波長が４００ｎｍ以下、または、５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下であることが望ましい。
【００４４】
光電変換膜は、上記式（１）で表される化合物と、ｎ型有機半導体またはｐ型有機半導体とが混合された状態で形成されるバルクヘテロ構造を有することが好ましい。バルクヘテロ構造は、光電変換膜内でｎ型有機半導体とｐ型有機半導体とが混合、分散している層である。バルクヘテロ構造を有する光電変換膜は、湿式法および乾式法のいずれでも形成できる。なお、バルクへテロ構造については、特開２００５−３０３２６６号公報の＜００１３＞〜＜００１４＞等において詳細に説明されている。
【００４５】
光電変換素子の応答性の観点から、式（１）で表される化合物とｎ型有機半導体またはｐ型有機半導体との合計の含有量に対する式（１）で表される化合物の含有量（＝式（１）で表される化合物の単層換算での膜厚／（式（１）で表される化合物の単層換算での膜厚＋ｎ型有機半導体またはｐ型有機半導体の単層換算での膜厚）×１００）は、２０〜８０体積％であることが好ましく、３０〜７０体積％であることがより好ましく、４０〜６０体積％であることがさらに好ましい。
【００４６】
式（１）で表される化合物が含まれる光電変換膜は非発光性膜であり、有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）とは異なる特徴を有する。非発光性膜とは発光量子効率が１％以下の膜を意図し、発光量子効率は０．５％以下が好ましく、０．１％以下がより好ましい。
【００４７】
（成膜方法）
光電変換膜は、主に、乾式成膜法により成膜できる。乾式成膜法の具体例としては、蒸着法（特に、真空蒸着法）、スパッタリング法、イオンプレーティング法、および、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法等の物理気相成長法、または、プラズマ重合等のＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法が挙げられる。なかでも、真空蒸着法が好ましい。真空蒸着法により光電変換膜を成膜する場合、真空度および蒸着温度等の製造条件は常法に従って設定することができる。
【００４８】
光電変換膜の厚みは、１０〜１０００ｎｍが好ましく、５０〜８００ｎｍがより好ましく、１００〜５００ｎｍがさらに好ましい。
【００４９】
［電極］
電極（上部電極（透明導電性膜）１５と下部電極（導電性膜）１１）は、導電性材料から構成される。導電性材料としては、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、および、これらの混合物等が挙げられる。
上部電極１５から光が入射されるため、上部電極１５は検知したい光に対し透明であることが好ましい。上部電極１５を構成する材料としては、例えば、アンチモンまたはフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、および、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、および、ニッケル等の金属薄膜、これらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ならびに、ポリアニリン、ポリチオフェン、および、ポリピロール等の有機導電性材料等が挙げられる。なかでも、高導電性および透明性等の点から、導電性金属酸化物が好ましい。
【００５０】
通常、導電性膜をある範囲より薄くすると、急激な抵抗値の増加をもたらすが、本実施形態にかかる光電変換素子を組み込んだ固体撮像素子では、シート抵抗は、好ましくは１００〜１００００Ω／□でよく、薄膜化できる膜厚の範囲の自由度は大きい。また、上部電極（透明導電性膜）１５は厚みが薄いほど吸収する光の量は少なくなり、一般に光透過率が増す。光透過率の増加は、光電変換膜での光吸収を増大させ、光電変換能を増大させるため、好ましい。薄膜化に伴う、リーク電流の抑制、薄膜の抵抗値の増大、および、透過率の増加を考慮すると、上部電極１５の膜厚は、５〜１００ｎｍが好ましく、５〜２０ｎｍがより好ましい。
【００５１】
下部電極１１は、用途に応じて、透明性を持たせる場合と、逆に透明を持たせず光を反射させる場合とがある。下部電極１１を構成する材料としては、例えば、アンチモンまたはフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、および、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル、チタン、タングステン、および、アルミ等の金属、これらの金属の酸化物または窒化物等の導電性化合物（一例として窒化チタン（ＴｉＮ）を挙げる）、これらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ならびに、ポリアニリン、ポリチオフェン、および、ポリピロール等の有機導電性材料等が挙げられる。
【００５２】
電極を形成する方法は特に制限されず、電極材料に応じて適宜選択することができる。具体的には、印刷方式およびコーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、および、イオンプレーティング法等の物理的方式、ならびに、ＣＶＤおよびプラズマＣＶＤ法等の化学的方式等が挙げられる。
電極の材料がＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾル−ゲル法等）、および、酸化インジウムスズの分散物の塗布等の方法が挙げられる。
【００５３】
［電荷ブロッキング膜：電子ブロッキング膜、正孔ブロッキング膜］
本発明の光電変換素子は、電荷ブロッキング膜を有していてもよい。この膜を有することにより、得られる光電変換素子の特性（光電変換効率および応答速度等）がより優れる。電荷ブロッキング膜としては、電子ブロッキング膜と正孔ブロッキング膜とが挙げられる。以下に、それぞれの膜について詳述する。
【００５４】
（電子ブロッキング膜）
電子ブロッキング膜には、電子供与性化合物が含まれる。具体的には、低分子材料では、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、および、４，４’−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）等の芳香族ジアミン化合物、ポルフィリン、テトラフェニルポルフィリン銅、フタロシアニン、銅フタロシアニン、および、チタニウムフタロシアニンオキサイド等のポルフィリン化合物、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、ポリアリールアルカン、ブタジエン、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、トリアゾール誘導体、オキサジザゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、ならびに、シラザン誘導体等が挙げられ、高分子材料では、フェニレンビニレン、フルオレン、カルバゾール、インドール、ピレン、ピロール、ピコリン、チオフェン、アセチレン、および、ジアセチレン等の重合体、または、その誘導体が挙げられる。
【００５５】
なお、電子ブロッキング膜は、複数膜で構成してもよい。
電子ブロッキング膜は、無機材料で構成されていてもよい。一般的に、無機材料は有機材料よりも誘電率が大きいため、無機材料を電子ブロッキング膜に用いた場合に、光電変換膜に電圧が多くかかるようになり、光電変換効率が高くなる。電子ブロッキング膜となりうる無機材料としては、例えば、酸化カルシウム、酸化クロム、酸化クロム銅、酸化マンガン、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化銅、酸化ガリウム銅、酸化ストロンチウム銅、酸化ニオブ、酸化モリブデン、酸化インジウム銅、酸化インジウム銀、および、酸化イリジウム等が挙げられる。
【００５６】
（正孔ブロッキング膜）
正孔ブロッキング膜には、電子受容性化合物が含まれる。
電子受容性化合物としては、１，３−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジアゾリル）フェニレン（ＯＸＤ−７）等のオキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、バソクプロイン、バソフェナントロリン、およびこれらの誘導体、トリアゾール化合物、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム錯体、ビス（４−メチル−８−キノリナート）アルミニウム錯体、ジスチリルアリーレン誘導体、ならびに、シロール化合物等が挙げられる。
【００５７】
電荷ブロッキング膜の製造方法は特に制限されず、乾式成膜法および湿式成膜法が挙げられる。乾式成膜法としては、蒸着法およびスパッタ法が挙げられる。蒸着は、物理蒸着（ＰＶＤ）および化学蒸着（ＣＶＤ）のいずれでもよいが、真空蒸着等の物理蒸着が好ましい。湿式成膜法としては、インクジェット法、スプレー法、ノズルプリント法、スピンコート法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、および、グラビアコート法等が挙げられ、高精度パターニングの観点からは、インクジェット法が好ましい。
【００５８】
電荷ブロッキング膜（電子ブロッキング膜および正孔ブロッキング膜）の厚みは、それぞれ、１０〜２００ｎｍが好ましく、３０〜１５０ｎｍがより好ましく、５０〜１００ｎｍがさらに好ましい。
【００５９】
［基板］
光電変換素子は、さらに基板を含んでいてもよい。使用される基板の種類は特に制限されず、半導体基板、ガラス基板、および、プラスチック基板が挙げられる。
なお、基板の位置は特に制限されないが、通常、基板上に導電性膜、光電変換膜、および透明導電性膜をこの順で積層する。
【００６０】
［封止層］
光電変換素子は、さらに封止層を含んでいてもよい。光電変換材料は水分子等の劣化因子の存在で顕著にその性能が劣化してしまうことがある。そこで、水分子を浸透させない緻密な金属酸化物、金属窒化物、および、金属窒化酸化物等のセラミクス、または、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）等の封止層で光電変換膜全体を被覆して封止することで、上記劣化を防止できる。
なお、封止層としては、特開２０１１−０８２５０８号公報の段落＜０２１０＞〜＜０２１５＞に記載に従って、材料の選択および製造を行ってもよい。
【００６１】
［光センサ］
光電変換素子の用途として、例えば、光電池および光センサが挙げられるが、本発明の光電変換素子は光センサとして用いることが好ましい。光センサとしては、上記光電変換素子単独で用いてもよいし、上記光電変換素子を直線状に配したラインセンサ、または、平面上に配した２次元センサとして用いてもよい。本発明の光電変換素子は、ラインセンサでは、スキャナー等の様に光学系および駆動部を用いて光画像情報を電気信号に変換し、２次元センサでは、撮像モジュールのように光画像情報を光学系でセンサ上に結像させ電気信号に変換することで撮像素子として機能する。
【００６２】
［撮像素子］
次に、光電変換素子１０ａを備えた撮像素子の構成例を説明する。
なお、以下に説明する構成例において、すでに説明した部材等と同等な構成または作用を有する部材等については、図中に同一符号または相当符号を付すことにより、説明を簡略化または省略する。
撮像素子とは画像の光情報を電気信号に変換する素子であり、複数の光電変換素子が同一平面状でマトリクス上に配置されており、各々の光電変換素子（画素）において光信号を電気信号に変換し、その電気信号を画素ごとに逐次撮像素子外に出力できるものをいう。そのために、画素ひとつあたり、一つの光電変換素子、一つ以上のトランジスタから構成される。
図３は、本発明の一実施形態を説明するための撮像素子の概略構成を示す断面模式図である。この撮像素子は、デジタルカメラおよびデジタルビデオカメラ等の撮像装置、ならびに、電子内視鏡および携帯電話機等の撮像モジュール等に搭載される。
この撮像素子は、図１Ａに示したような構成の複数の光電変換素子と、各光電変換素子の光電変換膜で発生した電荷に応じた信号を読み出す読み出し回路が形成された回路基板とを有し、回路基板上方の同一面上に、複数の光電変換素子が一次元状または二次元状に配列された構成となっている。
【００６３】
図３に示す撮像素子１００は、基板１０１と、絶縁層１０２と、接続電極１０３と、画素電極（下部電極）１０４と、接続部１０５と、接続部１０６と、光電変換膜１０７と、対向電極（上部電極）１０８と、緩衝層１０９と、封止層１１０と、カラーフィルタ（ＣＦ）１１１と、隔壁１１２と、遮光層１１３と、保護層１１４と、対向電極電圧供給部１１５と、読み出し回路１１６とを備える。
【００６４】
画素電極１０４は、図１Ａに示した光電変換素子１０ａの下部電極１１と同じ機能を有する。対向電極１０８は、図１Ａに示した光電変換素子１０ａの上部電極１５と同じ機能を有する。光電変換膜１０７は、図１Ａに示した光電変換素子１０ａの下部電極１１および上部電極１５間に設けられる層と同じ構成である。
【００６５】
基板１０１は、ガラス基板またはＳｉ等の半導体基板である。基板１０１上には絶縁層１０２が形成されている。絶縁層１０２の表面には複数の画素電極１０４と複数の接続電極１０３が形成されている。
【００６６】
光電変換膜１０７は、複数の画素電極１０４の上にこれらを覆って設けられた全ての光電変換素子で共通の層である。
【００６７】
対向電極１０８は、光電変換膜１０７上に設けられた、全ての光電変換素子で共通の１つの電極である。対向電極１０８は、光電変換膜１０７よりも外側に配置された接続電極１０３の上にまで形成されており、接続電極１０３と電気的に接続されている。
【００６８】
接続部１０６は、絶縁層１０２に埋設されており、接続電極１０３と対向電極電圧供給部１１５とを電気的に接続するためのプラグである。対向電極電圧供給部１１５は、基板１０１に形成され、接続部１０６および接続電極１０３を介して対向電極１０８に所定の電圧を印加する。対向電極１０８に印加すべき電圧が撮像素子の電源電圧よりも高い場合は、チャージポンプ等の昇圧回路によって電源電圧を昇圧して上記所定の電圧を供給する。
【００６９】
読み出し回路１１６は、複数の画素電極１０４の各々に対応して基板１０１に設けられており、対応する画素電極１０４で捕集された電荷に応じた信号を読出すものである。読み出し回路１１６は、例えば、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ回路、またはＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路等で構成されており、絶縁層１０２内に配置された図示しない遮光層によって遮光されている。読み出し回路１１６は、それに対応する画素電極１０４と接続部１０５を介して電気的に接続されている。
【００７０】
緩衝層１０９は、対向電極１０８上に、対向電極１０８を覆って形成されている。封止層１１０は、緩衝層１０９上に、緩衝層１０９を覆って形成されている。カラーフィルタ１１１は、封止層１１０上の各画素電極１０４と対向する位置に形成されている。隔壁１１２は、カラーフィルタ１１１同士の間に設けられており、カラーフィルタ１１１の光透過効率を向上させるためのものである。
【００７１】
遮光層１１３は、封止層１１０上のカラーフィルタ１１１および隔壁１１２を設けた領域以外に形成されており、有効画素領域以外に形成された光電変換膜１０７に光が入射することを防止する。保護層１１４は、カラーフィルタ１１１、隔壁１１２、および遮光層１１３上に形成されており、撮像素子１００全体を保護する。
【００７２】
このように構成された撮像素子１００では、光が入射すると、この光が光電変換膜１０７に入射し、ここで電荷が発生する。発生した電荷のうちの正孔は、画素電極１０４で捕集され、その量に応じた電圧信号が読み出し回路１１６によって撮像素子１００外部に出力される。
【００７３】
撮像素子１００の製造方法は、次の通りである。
対向電極電圧供給部１１５と読み出し回路１１６が形成された回路基板上に、接続部１０５および１０６、複数の接続電極１０３、複数の画素電極１０４、ならびに、絶縁層１０２を形成する。複数の画素電極１０４は、絶縁層１０２の表面に例えば正方格子状に配置する。
【００７４】
次に、複数の画素電極１０４上に、光電変換膜１０７を例えば真空蒸着法によって形成する。次に、光電変換膜１０７上に例えばスパッタ法により対向電極１０８を真空下で形成する。次に、対向電極１０８上に緩衝層１０９、封止層１１０を順次、例えば真空蒸着法によって形成する。次に、カラーフィルタ１１１、隔壁１１２、および、遮光層１１３を形成後、保護層１１４を形成して、撮像素子１００を完成する。
【実施例】
【００７５】
以下に実施例を示すが、本発明はこれらに制限されるものではない。【００７６】
（化合物（Ｄ−２）の合成）
化合物（Ｄ−２）は、以下のスキームに従って、合成した。【００７７】
【化６】
0006684908.tif 000007
【００７８】
化合物（Ａ−１）は特開２０１１−２６３１７号公報に記載の方法に従って合成した。【００７９】
化合物（Ａ−２）は上記スキームの条件で合成し、化合物（Ａ−３）は特開２０１１−２６３１７号公報に記載の方法と同様の方法で合成した。化合物（Ｄ−２）は上記スキームの条件で合成し、得られた化合物（Ｄ−２）はＭＳ（Mass Spectrometry）により同定した。ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：７０１．３（[Ｍ＋Ｈ]＋）【００８０】
以下、化合物（Ｄ−１）および（Ｄ−３）〜（Ｄ−５）、化合物（Ｒ−２）〜（Ｒ−３）も化合物（Ｄ−２）の合成と同様の反応を用いて合成した。
なお、比較化合物に該当する化合物（Ｒ−１）は、Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社より購入した。【００８１】
【化７】
0006684908.tif 000008
【００８２】
【化８】
0006684908.tif 000009
【００８３】
＜光電変換素子の作製＞
得られた各化合物を用いて図１Ａの形態の光電変換素子を作製した。以下では、化合物（Ｄ−１）を用いた場合について詳述する。
具体的には、ガラス基板上に、アモルファス性ＩＴＯをスパッタ法により成膜して、下部電極１１（厚み：３０ｎｍ）を形成し、さらに下部電極１１上に酸化モリブデン（ＭｏＯＸ）を真空蒸着法により成膜して、電子ブロッキング膜１６Ａとして酸化モリブデン層（厚み：６０ｎｍ）を形成した。
さらに、基板の温度を２５℃に制御した状態で、酸化モリブデン層上に化合物（Ｄ−１）と下記化合物（Ｎ−１）とをそれぞれ単層換算で５０ｎｍ、５０ｎｍとなるように共蒸着して成膜し、１００ｎｍのバルクヘテロ構造を有する光電変換膜１２を形成した。
さらに、光電変換膜１２上に、アモルファス性ＩＴＯをスパッタ法により成膜して、上部電極１５（透明導電性膜）（厚み：１０ｎｍ）を形成した。上部電極１５上に、加熱蒸着により封止層としてＳｉＯ膜を形成した後、その上にＡＬＣＶＤ（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition）法により酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）層を形成し、光電変換素子を作製した。【００８４】
【化９】
0006684908.tif 000010
【００８５】
上記の光電変換素子の作製において、用いた化合物（Ｄ−１）を、化合物（Ｄ−２）〜（Ｄ−５）および化合物（Ｒ−１）〜（Ｒ−３）のそれぞれに変更した以外は同様の手順に従って、各光電変換素子を作製した。【００８６】
＜評価＞
（応答性の評価）
得られた各光電変換素子を用いて、以下のとおり、応答性を評価した。
具体的には、光電変換素子に１．０×１０5Ｖ／ｃｍの強度となるように電圧を印加し、ＬＥＤ（light emitting diode）を瞬間的に点灯させて上部電極（透明導電性膜）側から光を照射した。光の照射により生じた電流をオシロスコープで測定して、信号強度が０から９７％になるまでの経過時間を計測した。各光電変換素子の応答性は、比較例６の経過時間を１０としたときの相対値を算出することにより評価した。結果を表１に示す。
なお、経過時間の相対値が、３未満の場合を「Ａ」、３以上５未満の場合を「Ｂ」、５以上１０未満の場合を「Ｃ」、１０以上の場合を「Ｄ」とした。実用上、「Ａ」または「Ｂ」であることが好ましく、「Ａ」であることがより好ましい。【００８７】
【表１】
0006684908.tif 000011
【００８８】
上記表１に示すよう、本発明の光電変換素子は優れた性能（応答性および耐熱性）を示すことが確認された。
なかでも、実施例５と実施例１〜４との比較より、式（１）中のＢ1およびＢ2がともにアルキル基の場合、より効果が優れることが確認された。
なお、所定の化合物を用いていない比較例６〜８では、所望の効果は得られなかった。なお、比較例８で用いられた化合物は、特許文献１で具体的に開示されている化合物に該当する。【００８９】
＜撮像素子の作製＞
図３に示す形態と同様の撮像素子を作製した。ＣＭＯＳ基板上に、アモルファス性ＴｉＮ  ３０ｎｍをスパッタ法により成膜後、フォトリソグラフィーによりＣＭＯＳ基板上のフォトダイオード（ＰＤ）の上にそれぞれ１つずつ画素が存在するようにパターニングして下部電極を形成した。次いで、実施例１〜５の、電子ブロッキング膜の形成以降の光電変換素子の作製方法と同様にして、実施例１〜５の撮像素子を作製した。得られた各撮像素子の応答性を、光電変換素子と同様に評価した。各撮像素子の応答性は、表１に示される各光電変換素子の応答性と同様な結果を示し、撮像素子においても優れた性能を示すことが分かった。
【符号の説明】
【００９０】
１０ａ、１０ｂ    光電変換素子
１１    下部電極（導電性膜）
１２    光電変換膜
１５    上部電極（透明導電性膜）
１６Ａ    電子ブロッキング膜
１６Ｂ    正孔ブロッキング膜
１００    画素分離型撮像素子
１０１    基板
１０２    絶縁層
１０３    接続電極
１０４    画素電極（下部電極）
１０５    接続部
１０６    接続部
１０７    光電変換膜
１０８    対向電極（上部電極）
１０９    緩衝層
１１０    封止層
１１１    カラーフィルタ（ＣＦ）
１１２    隔壁
１１３    遮光層
１１４    保護層
１１５    対向電極電圧供給部
１１６    読み出し回路
２００    光電変換素子（ハイブリッド型の光電変換素子）
２０１    無機光電変換膜
２０２    ｎ型ウェル
２０３    ｐ型ウェル
２０４    ｎ型ウェル
２０５    ｐ型シリコン基板
２０７    絶縁層
２０８    画素電極
２０９    有機光電変換膜
２１０    共通電極
２１１    保護膜
２１２    電子ブロッキング膜
【図１Ａ】
0006684908.tif 000014
【図１Ｂ】
0006684908.tif 000015
【図２】
0006684908.tif 000016
【図３】
0006684908.tif 000017