(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に設けられた複数の走査線と、
前記複数の走査線と交差して設けられた複数の映像信号線と、
前記複数の走査線と前記複数の映像信号線との交点に設けられ、発光素子と、前記発光素子に供給される電流を制御するトランジスタを有する複数の画素と、を有する表示領域と、
前記表示領域上に設けられ、互いに静電容量を形成する、駆動電極と検出電極とを有するタッチセンサと、
を備えた表示装置であって、
前記表示領域において、前記複数の走査線の一行の選択が開始される時点と、次行の選択が開始される時点との間に、前記タッチセンサにおいて、前記駆動電極に立ち上がり又は立ち下がりを有する駆動信号が入力されるとともに、サンプルホールド信号の入力に基づいて前記検出電極の電位変動取得を行うタッチ検出期間を有し、
前記駆動信号の立ち上がり又は立ち下がりから、前記サンプルホールド信号が入力されるまでの間は、前記複数の走査線の電位は一定であり、
前記複数の映像信号線の電位は初期化電位である、ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記駆動信号の立ち上がりから立ち下がりまでの期間、又は立ち下がりから立ち上がりまでの期間は、前記表示領域の複数の水平走査期間に跨っていることを特徴とする、請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記駆動信号の立ち上がり及び立ち下がりが、一のタッチ検出期間に含まれることを特徴とする、請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記駆動信号の立ち上がり又は立ち下がりから、前記サンプルホールド信号が入力されるまでの間は、前記複数の映像信号線の電位はそれぞれ等しいことを特徴とする、請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
前記駆動信号の立ち上がり又は立ち下がりは、前記トランジスタのしきい値の取得を行う期間に行われることを特徴とする、請求項１記載の表示装置。
【請求項６】
絶縁表面上に設けられた複数の走査線と、
前記複数の走査線と交差して設けられた複数の映像信号線と、
前記複数の走査線と前記複数の映像信号線との交点に設けられ、発光素子と、前記発光素子に供給される電流を制御するトランジスタを有する複数の画素と、を有する表示領域と、
前記表示領域上に設けられ、互いに静電容量を形成する、駆動電極と検出電極とを有するタッチセンサと、
を備えた表示装置の駆動方法であって、
前記トランジスタのゲート又はソースの電位をそれぞれ初期化電位とする初期化期間と、
初期化電位とされた前記トランジスタのゲートの電位を基準として、前記トランジスタのゲートとソースとの間に、しきい値に相当する電位差を生じさせるオフセットキャンセル期間と、
前記映像信号線から、前記トランジスタのゲートに映像信号を入力する映像信号書込期間と、
前記映像信号書込期間で決定されたゲート・ソース間電圧に基づき、前記発光素子に前記電流を供給する発光期間と、
によって前記表示領域において映像の表示が行われ、
前記駆動電極に立ち上がり又は立ち下がりを有する駆動信号が入力されると共に、前記検出電極の電位変動取得を行うタッチ検出期間によって、前記タッチセンサにおいてタッチ検出が行われ、
前記タッチセンサのある一行における前記タッチ検出期間は、前記表示領域のある一行における前記オフセットキャンセル期間に含まれることを特徴とする、表示装置の駆動方法。
【請求項７】
絶縁表面上に設けられた複数の走査線と、
前記複数の走査線と交差して設けられた複数の映像信号線と、
前記複数の走査線と前記複数の映像信号線との交点に設けられ、発光素子と、前記発光素子に供給される電流を制御するトランジスタを有する複数の画素と、を有する表示領域と、
前記表示領域上に設けられ、互いに静電容量を形成する、駆動電極と検出電極とを有するタッチセンサと、
を備えた表示装置の駆動方法であって、
前記トランジスタのゲート又はソースの電位をそれぞれ初期化電位とする初期化期間と、
初期化電位とされた前記トランジスタのゲートの電位を基準として、前記トランジスタのゲートとソースとの間に、しきい値に相当する電位差を生じさせるオフセットキャンセル期間と、
前記映像信号線から、前記トランジスタのゲートに映像信号を入力する映像信号書込期間と、
前記映像信号書込期間で決定されたゲート・ソース間電圧に基づき、前記発光素子に前記電流を供給する発光期間と、
によって前記表示領域において映像の表示が行われ、
前記駆動電極に立ち上がり又は立ち下がりを有する駆動信号が入力されるとともに、サンプルホールド信号の入力に基づいて、前記タッチセンサにおいてタッチ検出が行われ、
前記タッチセンサのある一行における前記駆動信号の立ち上がり又は立ち下がりから、前記サンプルホールド信号が入力されるまでの間は、前記複数の映像信号線の電位は初期化電位であることを特徴とする、表示装置の駆動方法。
【請求項８】
前記表示領域の次の一行における前記オフセットキャンセル期間において、前記タッチセンサのある一行における前記タッチ検出を複数回行うことを特徴とする、請求項６記載の表示装置の駆動方法。
【請求項９】
前記表示領域の次の一行における前記オフセットキャンセル期間において、前記タッチセンサのある一行における前記駆動信号の立ち上がり又は立ち下がりが複数回含まれることを特徴とする、請求項６記載の表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に関する。特に有機ＥＬ素子を形成した表示領域上にタッチセンサを搭載した表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
モバイル機器用の表示装置は、薄型化、軽量化が要求されており、この観点で液晶表示装置と有機ＥＬ表示装置とを比較すると、バックライトを必要としない点において、有機ＥＬ表示装置が有利だと考えられる。また、近年ではフレキシブル基板上に画素駆動回路及び有機ＥＬ素子を形成する技術の開発が進んでおり、従来のガラス基板を用いたものに比べ、より薄く、軽いディスプレイが実現されている。このような流れにおいて、表示デバイス以外の部材、例えばタッチセンサ、偏光板等についても薄型化が望まれており、特にタッチセンサを別部材として表示装置上に貼り付け実装すると、厚さが増大してしまうために、表示装置への内蔵化が求められている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置にタッチセンサを内蔵させる方式に関しては、例えば、特許文献1に開示されている。この発明では、有機ＥＬ素子を形成する電極の一方を帯状にし、タッチセンサの電極として使用することが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５７７８９６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
有機ＥＬ表示装置にタッチセンサを内蔵させることにより、新たな課題が発生する。その１つとして、タッチセンサの電極と有機ＥＬ素子との間の距離が接近することにより、有機ＥＬ素子を駆動する画素駆動回路への信号入力および回路動作に起因したノイズが大きくなることがある。これによりタッチセンサのＳ／Ｎ比が低下し、センシングの性能が悪化してしまう。
【０００６】
この対策として、垂直走査期間内で映像信号書込みを行う期間とタッチ検出を行う期間とを分離することが考えられる。各動作を時分割とすることで、画素駆動回路への信号入力および回路動作によるノイズを避けることができ、Ｓ／Ｎ比の向上が可能になる。しかしながら、画像表示装置の高精細化が進むと、画素への映像信号の書込みに要する時間が増え、さらに有機ＥＬ表示装置では駆動トランジスタのしきい値ばらつきを補正する等、特別な動作を別途必要とする場合があるので、前述のように映像信号書込みを行う期間と、タッチ検出を行う期間とを分離して、それぞれを完了することは困難になる。
【０００７】
本発明は、前述の課題を鑑みてなされたものであり、高精細な表示装置にタッチセンサを内蔵した場合であっても、十分なＳ／Ｎ比を確保して正常な画像表示とタッチ検出を実現できる表示装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る表示装置の一態様は、絶縁表面上に設けられた複数の走査線と、前記複数の走査線と交差して設けられた複数の映像信号線と、前記複数の走査線と前記複数の映像信号線との交点に設けられ、発光素子と、前記発光素子に供給される電流を制御するトランジスタを有する複数の画素と、を有する表示領域と、前記表示領域上に設けられ、互いに静電容量を形成する、駆動電極と検出電極とを有するタッチセンサと、を備えた表示装置であって、前記表示領域において、前記複数の走査線の一行が選択されている期間と、次行が選択されている期間との間に、前記タッチセンサにおいて、前記駆動電極に立ち上がり又は立ち下がりを有する駆動信号が入力されるとともに、前記検出電極の電位変動取得を行うタッチ検出期間を有し、前記タッチ検出期間の間は、前記複数の走査線及び前記複数の映像信号線の電位は一定であることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る表示装置の駆動方法の一態様は、絶縁表面上に設けられた複数の走査線と、前記複数の走査線と交差して設けられた複数の映像信号線と、前記複数の走査線と前記複数の映像信号線との交点に設けられ、発光素子と、前記発光素子に供給される電流を制御するトランジスタを有する複数の画素と、を有する表示領域と、前記表示領域上に設けられ、互いに静電容量を形成する、駆動電極と検出電極とを有するタッチセンサと、を備えた表示装置の駆動方法であって、前記表示領域は、前記トランジスタのゲート又はソースの電位を一定電位とする初期化期間と、前記トランジスタのゲートとソースとの間に、しきい値に相当する電位差を生じさせるオフセットキャンセル期間と、前記映像信号線から、前記トランジスタのゲートに映像信号を入力する映像信号書込期間と、前記映像信号書込期間で決定さえたゲート・ソース間電圧に基づき、前記発光素子に前記電流を供給する発光期間と、を有し、前記タッチセンサは、前記駆動電極に立ち上がり又は立ち下がりを有する駆動信号が入力されると共に、前記検出電極の電位変動取得を行うタッチ検出期間を有し、前記タッチセンサのある一行における前記タッチ検出期間は、前記表示領域のある一行における前記オフセットキャンセル期間に含まれることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明により、映像信号書込み動作とタッチ検出とを並行して行いながら、画素駆動回路への信号入力および回路動作によるノイズを避けることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の表示装置の概略を示す図である。
【図２】本発明の表示装置に内蔵されたタッチ電極の概略を示す図である。
【図３】本発明の表示装置の断面構造を示す図である。
【図４】表示装置の駆動方法を示す図である。
【図５】表示装置の駆動方法を示す図である。
【図６】有機ＥＬ表示装置の画素回路の例を示す図である。
【図７】表示動作とタッチ検出を並行して行うタイミングの一例を示す図である。
【図８】有機ＥＬ表示装置の画素回路の例を示す図である。
【図９】本発明の、示動作とタッチ検出を並行して行うタイミングの一例を示す図である。
【図１０】タッチセンサ及び検出回路の構成と、タッチ検出動作のタイミングの一例を示す図である。
【図１１】本発明の、示動作とタッチ検出を並行して行うタイミングの異なる一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１３】
また、本発明において、ある構造体の「上に」他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに他の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００１４】
図１は本発明の表示装置の構成例である。表示装置１００は、基板１０１上に、表示領域１０２、及び走査線駆動回路１０３、１０４がそれぞれ形成されており、ドライバＩＣ１０５、表示用ＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）１０６、及びタッチ用ＦＰＣ１０７が接続されている。ドライバＩＣ１０５は、図１においては基板１０１上に実装されているが、表示用ＦＰＣ１０６上に実装されていてもよい。また、表示領域１０２を覆うように、対向基板１０８が設けられていてもよい。表示領域１０２には、行方向（図１中、水平方向）に走る走査線、列方向（図１中、垂直方向）に走る映像信号線がそれぞれ複数本配置されている。走査線と映像信号線の交点には、副画素１０９ａが配置されている。副画素１０９ａは、それぞれ異なる色に発光する発光素子を有し、複数が集まって１画素１０９（図１中、点線枠で表示）を形成することでフルカラー表示を行う。この例では、走査線１１０は画素１行当たり3本（ｇ１、ｇ２、ｇ３）配置され、映像信号線１２０は画素１列あたり３本（Ｒ、Ｇ、Ｂ）配置されている。また図示されていないが、表示領域１０２内には発光素子に一定電圧を供給するための電源線等の配線も存在する。各副画素１０９ａには、ドライバＩＣ１０５から映像信号線１２０を介して供給される信号に応じた輝度で発光するように、発光素子の輝度制御を行う画素回路が配置される。
【００１５】
表示装置１００は、表示機能に加えてタッチセンサを備える。図１においては、特に表示機能に関する説明を行うためタッチセンサは省略されていたが、図２（Ａ）に示すように、発光素子の上層、つまり発光素子よりも表示面側に配置される。タッチセンサは、例えば２種類の電極より形成され、一方が行方向に走る駆動電極２０１、他方が列方向に走る検出電極２０２である。
【００１６】
図２（Ｂ）に、図２（Ａ）における点線枠２１０の拡大図を示す。駆動電極２０１及び検出電極２０２は、表示装置１００の表示領域上に設けられるため、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電膜により形成される。透明導電膜を形成する他の材料としては、Ａｇナノワイヤ等が考えられる。Ａｇナノワイヤは、溶媒中に微細な繊維状のＡｇを分散させた材料で、塗布形成が可能なものである。さらに、一方の電極間は、他方を乗り越える構成になるため、ブリッジ配線２０３等を用いて接続される。図２（Ｂ）では、矩形状の電極形状となっているが、駆動電極２０１又は検出電極２０２を金属層を用いて線幅を細く形成し、発光素子の光が通過する領域を確保してもよい。このタッチセンサは、所定の位置をタッチすることによりその位置での駆動電極と検出電極との間の容量が変化し、その容量変化を検出することでタッチされた位置の検出を行う。それぞれの電極はタッチ用ＦＰＣ１０７により外部の検出回路と接続される。
【００１７】
タッチセンサを搭載した表示装置の断面構造の例を図３に示す。図３では、下から基板１０１、ＴＦＴアレイ３０１、発光素子層３０２、封止層３０３、タッチセンサ３０４、円偏光板３０５、カバーガラス３０６、が配置される。なお、貼り合せ形成する場合に必要となる接着層は記載していない。カバーガラス３０６は、表示領域のみならず、ドライバＩＣ１０５、及び表示用ＦＰＣ１０６が実装されている領域の上にも延在する。
【００１８】
この構造では、ＴＦＴアレイ３０１、発光素子層３０２の上に、封止層３０３を介してタッチセンサ３０４が配置されている。タッチセンサ３０４を形成する基板を薄型化した場合や、タッチセンサの駆動電極と検出電極とを封止層３０３上に直接形成した場合、タッチセンサ３０４と、ＴＦＴアレイ３０１や発光素子層３０２に含まれる電極とが非常に近接して配置される。結果、両者の間は電気的に強い容量カップリングが形成される。表示動作に伴って、ＴＦＴアレイ３０１には様々な信号が入力されて内部回路が動作するが、これらの信号や回路動作時の電位の変化がノイズとなり、タッチセンサ３０４のＳ／Ｎ比を低下させる。
【００１９】
この対策として、従来、例えば図４に示すように、１垂直走査期間を、映像信号書込期間とタッチセンサ駆動期間とに分け、タッチセンサ駆動期間の間はＴＦＴアレイの信号を止めることによりノイズの発生を抑える方法がある。図４においては、１垂直走査期間４０１は、映像信号書込期間４０２、４０４と、タッチセンサ駆動期間４０３、４０５とに分かれている。映像信号書込期間４０２では、１行目から途中の行（例えば全体の半分）までの映像信号書込を行い、続くタッチセンサ駆動期間４０３で面内のタッチ検出を行う。その後の映像信号書込期間４０４で残りの行での映像信号書込を行い、最後のタッチセンサ駆動期間４０５で、再び面内のタッチ検出を行う。つまり、１垂直走査期間内に２回のタッチ検出を行う例を示している。
【００２０】
図４に示した方法によると、映像信号書込期間とタッチセンサ駆動期間が時間的に完全に分離しているため、一方の回路動作時の電位の変化が他方にノイズとして影響することが無い。しかしながら、１垂直期間内にタッチセンサ駆動期間を確保するために、映像信号書込期間を短い時間で完了する必要がある。特に有機ＥＬ表示装置においては、映像信号書込期間において、映像信号の書込だけでなく、各副画素におけるトランジスタの特性ばらつきの補正を行う場合があり、表示領域の高精細化とも合わさって、映像信号書き込み期間の短縮は非常に困難である。
【００２１】
映像信号書込期間とタッチセンサ駆動期間とは、別の回路によって制御されるものであるから、図５に示すように互いに同じ期間内でそれぞれの動作が実行されることが好ましい。ただしこの方法では、冒頭にて述べた通りタッチ検出時にノイズの影響が大きくなってしまう。本発明においては、図５に示した駆動タイミングによって表示とタッチ検出を行うと共に、ＴＦＴアレイからのノイズを低減できるような駆動方法を考案した。映像信号書込期間５０２は、１垂直走査期間５０１の全体を通じて実行されるのに並行して、タッチ検出が、５０３、５０４で示すように２回実行される。ある瞬間ｔにおいて、丸印５１１で示される通り、表示装置のある行で映像信号書込動作が行われている一方、丸印５１２で示される通り、タッチセンサのある行でタッチ検出が行われている。以下に詳細を説明する。
【００２２】
図６（Ａ）は、有機ＥＬ表示装置の画素回路の一例を示している。この構成によると、１つの副画素は、４つのトランジスタ（Ｍ１〜Ｍ４）、２つの容量（Ｃ１、Ｃ２）、３本の走査線（Ｓｅｌｅｃｔ、ＡＺ、ＡＺＢ）、１本の映像信号線（Ｄａｔａ）から形成される。Ｍ１、Ｍ３、Ｍ４はスイッチング動作ができればよく、トランジスタには限定しない。発光素子（ＯＬＥＤ）を駆動するための電源（ＰＶＤＤ、ＰＶＳＳ）が各副画素に供給される。
【００２３】
図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示した画素回路の駆動タイミングを示している。ここでは、ｋ行目およびｋ＋１行目の動作のみ示している。
【００２４】
期間ａにおいては、走査線（Ｓｅｌｅｃｔ）がＬレベルとなってＭ１を導通し、Ｃ１を介してＭ２のゲート電位を引き上げる。続いて走査線（ＡＺ）がＬレベルとなってＭ３を導通し、Ｍ２のゲート・ドレイン間を短絡する。さらに走査線（ＡＺＢ）がＨレベルとなってＭ４を非導通とし、ＯＬＥＤへの電流供給を遮断する。これらの動作によって、Ｍ２のゲートが初期化されると共に、Ｍ２のしきい値に相当する電位差がゲート・ソース間に生じる。
【００２５】
期間ｂにおいては、映像信号線（Ｄａｔａ）が、当行の映像信号電位に変化し、Ｃ１のカップリングを介してＭ２のゲート電位を変化させる。このとき、Ｍ２のゲート電位の変化量は、Ｃ１およびＣ２の合成容量によって決定される。前段階で、Ｍ２のしきい値に相当する電位差がＭ２のゲート・ソース間に生じており、さらに映像信号電位に相当する変化量をＭ２のゲートに与えることで、各副画素においてしきい値のばらつきをキャンセルしている。
【００２６】
映像信号の書込が完了した後、期間ｃにおいて、走査線（ＡＺＢ）がＬレベルとなり、Ｍ２のゲート・ソース間電圧に応じた電流をＯＬＥＤに供給することで発光する。この発光は、次に走査線（ＡＺＢ）がＨレベルになるまで継続する。
【００２７】
次にタッチセンサにおけるタッチ検出動作について説明する。図１０（Ａ）はタッチセンサ及び検出系の回路構成例を示しており、点線に対して１００１側が表示領域上に設けられたタッチ電極、１００２側が検出回路を示している。タッチ電極は、図２に示した通り、検出電極（Ｒｘ）と駆動電極（Ｔｘ）とでカップリングを形成しており、駆動電極（Ｔｘ）側から駆動パルスが入力されると検出電極（Ｒｘ）の電位が変動するが、タッチの有無によってこの変動量が異なる。検出回路では、検出電極（Ｒｘ）の変動をオペアンプ（ＯＰＡＭＰ）を用いた積分器で受け、その出力をサンプルホールド回路で取り込み、保持（Ｃｏｕｔ）する。図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）に示した検出回路の駆動タイミングを示している。検出回路において、リセット信号（ＲＳＴ）が入力されると積分器の出力が初期化される。続いて、駆動電極（Ｔｘ）側の駆動信号に立ち上がり又は立ち下がりが生ずると、それに応じて検出電極（Ｒｘ）の電位がカップリングにより変動する。ある程度時間を置いてサンプルホールド信号（Ｓ／Ｈ）が入力され、積分器の出力がホールドされる。図１０（Ｂ）中、１０１０で示される期間が、駆動電極（Ｔｘ）１行分のタッチ検出動作を示している。本発明においては、上記動作のうち、駆動電極（Ｔｘ）の立ち上がり／立ち下がりから、出力ホールドまでの動作、すなわち図１０（Ｂ）中、１０２０で示されるタッチ検出期間を、表示動作の特定のタイミングに組み込むことにより、タッチ検出時のノイズの影響を抑える。
【００２８】
図７は、図６にて説明した画素回路の駆動タイミングに、図１０にて説明したタッチ検出動作を組み込んだ例を示している。期間ａの終期、それぞれ７０１、７０２、７０３で示される期間においては、各走査線、および信号線の電位は一定となっている。この期間を利用して、駆動電極（Ｔｘ）への駆動信号（ＤＲＶ）の入力から出力ホールドまでを行う。
【００２９】
図８（Ａ）は、有機ＥＬ表示装置の、図６とは異なる構成を有する画素回路の一例を示している。この構成によると、１つの副画素は、４つのトランジスタ（Ｍ１１〜Ｍ１４）、１つの容量（Ｃ１１）、３本の走査線（ＢＧ、ＲＧ、ＳＧ）、１本の映像信号線（Ｄａｔａ／Ｖｉｎｉ）から形成される。Ｍ１１、Ｍ１３、Ｍ１４はスイッチング動作ができればよく、トランジスタには限定しない。発光素子（ＯＬＥＤ）を駆動するための電源（ＰＶＤＤ、ＰＶＳＳ）および初期化電位（Ｖｒｓｔ）が各副画素に供給される。
【００３０】
図８（Ｂ）は、図８（Ａ）に示した画素回路の駆動タイミングを示している。ここでは、ｋ行目およびｋ＋１行目の動作のみ示している。
【００３１】
図８（Ｂ）中、８１０で示される期間が１水平期間であり、この期間の前半において、映像信号線には初期化信号（Ｖｉｎｉ）が入力され、後半において、それぞれの行の映像信号（Ｄａｔａ）が入力される。
【００３２】
図８（Ｂ）中、期間８０１において、走査線（ＢＧ）がＬレベルとなってＭ１３を非導通とし、走査線（ＲＧ）がＨレベルとなり、Ｍ１４を導通することによってＯＬＥＤへの電流供給を遮断すると共に、Ｍ１２のソース・ドレインを初期化電位（Ｖｒｓｔ）とする。
【００３３】
期間８０２において、走査線（ＳＧ）がＨレベルとなり、Ｍ１１を導通する。このとき、映像信号線（Ｄａｔａ）には初期化信号（Ｖｉｎｉ）が入力されているので、Ｍ１１を通じてＭ１２のゲートに初期化信号が入力される。
【００３４】
期間８０３において、Ｍ１２のゲートに初期化信号が入力された状態で走査線（ＢＧ）がＨレベル、走査線（ＲＧ）がＬレベルとなり、Ｍ１２のソース電位が上昇する。これらの動作によって、Ｍ１２のゲートが初期化されると共に、Ｍ１２のしきい値に相当する電位差がゲート・ソース間に生じる。
【００３５】
期間８０４において、Ｍ１１を通じてＭ１２のゲートに映像信号（Ｖｓｉｇ）が入力される。これにより、一旦上昇を停止したＭ１２のソースの電位は、期間８０４の間で再び上昇する。ソースの電位上昇の速度は、Ｍ１２の移動度によって異なるため、期間８０４の間のソースの電位上昇値は移動度によって異なる。従って、この動作によってＭ１２の移動度のばらつきがキャンセルされる。
【００３６】
期間８０４が終了すると、直ちに期間８０５に移行し、各副画素は期間８０４で決定されたＭ１２のゲート・ソース間電圧に基づいてＯＬＥＤに電流が供給されて発光する。この発光は、次に走査線（ＢＧ）がＬレベルになるまで継続する。
【００３７】
図９は、図８にて説明した画素回路の駆動タイミングに、図１０にて説明したタッチ検出動作を組み込んだ例を示している。１水平期間８１０の一部、映像信号線に初期化信号（Ｖｉｎｉ）が入力されている期間は、ｋ行目においてＭ１２のしきい値の取得動作が行われており、ｋ＋１行目においてＭ１２のゲートに初期化信号が入力されている。この期間中、９０３で示される期間は、各走査線の電位変動が無い期間となっている。この期間を利用して、駆動電極（Ｔｘ）への駆動信号（ＤＲＶ）の入力から出力ホールドまでを行う。このような動作が可能な期間は、図９においては９０３の他、９０１、９０２、９０４、９０５がある。
【００３８】
表示装置側の行数、すなわち走査線の本数に比べ、一般的にはタッチセンサ側の行数、すなわち駆動電極（Ｔｘ）の本数は少ない。例えば表示装置側の行数が１９２０行に対し、タッチセンサ側の行数が３２行あるいは６４行といった割合となる。従って、１垂直走査期間において、表示装置側で１９２０行の走査を行う間、３２行のタッチセンサ側で２回の走査を行うと仮定すると、表示装置側で３０行の走査に対し、タッチセンサ側で１行の走査を行う割合で、上記のタッチ検出動作を組み込めばよい。あるいは、タッチ検出の精度を向上するため、１行あたり複数回のタッチ検出動作を行ってもよい。つまり、表示装置側で３０行の走査期間において、タッチセンサ側の同一行で３０回のタッチ検出動作を行い、それらの平均を取る処理を行ってもよい。図７、図９においては、表示装置側の１行走査ごとにタッチ検出動作を１回行うタイミングを示している。
【００３９】
図１１は、図７に示した例と異なるタイミングで、表示期間にタッチ検出動作を組み込んだ例を示している。図７に示した例では、各期間７０１〜７０３のそれぞれにおいて、駆動電極は立ち上がり又は立ち下がりのいずれか一方の動作を行い、それに応じて１回のタッチ検出動作を行っていたが、駆動電極（Ｔｘ）、検出電極（Ｒｘ）の時定数が十分に小さく、かつ積分器の動作が十分に高速であれば、各期間７０１〜７０３のそれぞれにおいて、駆動電極に立ち上がり／立ち下がりを両方起こして、２回のタッチ検出を行ってもよい。
【００４０】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４１】
１００：表示装置、１０１：基板、１０２：表示領域、１０３，１０４：走査線駆動回路、１０５：ドライバＩＣ、１０６：表示用ＦＰＣ、１０７：タッチ用ＦＰＣ、１０８：対向基板、１０９：画素、１０９ａ：副画素、１１０：走査線、１２０：映像信号線、２０１：駆動電極、２０２：検出電極、２０３：ブリッジ配線、３０１：ＴＦＴアレイ、３０２：発光素子層、３０３：封止層、３０４：タッチセンサ、３０５：円偏光板、３０６：カバーガラス
【図１】
0006663753.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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