(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面と、前記主面に位置する載置部と、を有する基板と、
切欠き部を有するとともに、前記載置部を囲む枠体と、
入出力端子と、を備え、
前記切欠き部は、
前記枠体の一部を、前記基板とは反対の側から切欠いたものであり、
前記入出力端子は、
前記主面の正面視で前記枠体の外側に位置する第１辺と、前記主面の正面視で前記第
１辺に対向し前記枠体の内側に位置する第２辺と、を含む第１面を有する矩形形状の
第１絶縁体部と、
前記第１面と対向し、かつ、前記主面の正面視で前記第１辺よりも前記枠体に近接し
て位置する第２面を有するとともに、前記主面の正面視で前記枠体の外側から前記枠
体の内側にかけて位置している矩形形状の第２絶縁体部と、
前記第１面に位置するとともに前記第１辺から前記第２辺にかけて延びる複数の接地
導体と、
前記第１面に位置し、かつ、前記主面の正面視で前記枠体の外側から前記枠体の内側
にかけて延びるとともに前記主面の正面視で前記複数の接地導体のうちの隣接する２
つの前記接地導体の間に位置する信号線路と、を有するとともに、
前記切欠き部を塞いで位置し、
前記第１絶縁体部は、
前記主面の正面視で前記第1辺と該第１辺に隣り合う辺とを含む角部に位置する角部
切欠きと、
前記主面の正面視で前記第１辺に隣り合う辺に位置する側面切欠きと、
前記角部切欠きの表面のうち少なくとも前記第１面と交差する面、および前記側面切
欠きの表面のうち少なくとも前記第１面と交差する面に位置する接地導体層と、
前記第１絶縁体の内部に位置する内層接地導体層と、を有し、
前記角部切欠きの表面に位置する前記接地導体層、および前記側面切欠きの表面に位置
する前記接地導体層は、それぞれ前記接地導体と前記内層接地導体層と、を接続するこ
とを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
前記角部切欠きは、
前記第１絶縁体部の前記第１面の面方向に平行な断面の形状が、直線状であることを特
徴とする請求項１に記載の半導体素子収納用パッケージ。
【請求項３】
前記側面切欠きは、
前記第１絶縁体部の前記第１面の前記面方向に平行な断面の形状が矩形状であることを
特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体素子収納用パッケージ。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置されるとともに前記入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、前記枠体に取り付けられた蓋体と、含むことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号で作動する半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、マイクロ波帯やミリ波帯等の高周波信号を用いる半導体素子を収納するための半導体素子収納用パッケージには、半導体素子と外部電気回路基板とを電気的に接続するための入出力端子が設けられている（例えば、下記の特許文献１参照）。
【０００３】
しかしながら、信号の周波数が増大するにつれて、入出力端子内に生じる不要な共振が伝送特性を悪化させるという問題があり、高周波における伝送特性を向上させることが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１８４８８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の入出力端子では、線路導体を伝送する高周波信号の周波数が増大するにつれて、入出力端子内に生じる不要な共振が伝送特性を悪化させるという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態に係る半導体素子収容用パッケージは、主面と、主面に位置する載置部と、を有する基板と、切欠き部を有するとともに、載置部を囲む枠体と、入出力端子と、を備える。切欠き部は、枠体の一部を、基板とは反対の側から切欠いたものである。入出力端子は、主面の正面視で枠体の外側に位置する第１辺と、主面の正面視で第１辺に対向し枠体の内側に位置する第２辺と、を含む第１面を有する矩形形状の第１絶縁体部と、第１面と対向し、かつ、主面の正面視で第１辺よりも枠体に近接して位置する第２面を有するとともに、主面の正面視で枠体の外側から枠体の内側にかけて位置している矩形形状の第２絶縁体部と、第１面に位置するとともに第１辺から第２辺にかけて延びる複数の接地導体と、第１面に位置し、かつ、主面の正面視で枠体の外側から枠体の内側にかけて延びるとともに主面の正面視で複数の接地導体のうちの隣接する２つの接地導体の間に位置する信号線路と、を有するとともに、切欠き部を塞いで位置する。第１絶縁体部は、主面の正面視で第1辺と第１辺に隣り合う辺とを含む角部に位置する角部切欠きと、主面の正
面視で第１辺に隣り合う辺に位置する側面切欠きと、角部切欠きの表面のうち少なくとも第１面と交差する面、および側面切欠きの表面のうち少なくとも第１面と交差する面に位置する接地導体層と、第１絶縁体の内部に位置する内層接地導体層と、を有している。角部切欠きの表面に位置する接地導体層、および側面切欠きの表面に位置する接地導体層は、それぞれ接地導体と内層接地導体層と、を接続する。
【０００７】
また、本発明の実施形態に係る半導体装置は、上記の半導体素子収納用パッケージと、
前記載置部に載置されるともに前記入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、前記枠体に取り付けられた蓋体と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上記の入出力端子を備えることにより、不要な共振の発生を抑制して高周波信号の伝送特性を向上させることができる。
【０００９】
また、本発明の半導体装置は、上記の半導体素子収納用パッケージを備えることにより、高周波信号の伝送特性が向上されたものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態の半導体素子収納用パッケージを枠体側から視た斜視図である。
【図２】本発明の実施形態の半導体素子収納用パッケージを入出力端子側から視た斜視図である。
【図３】本発明の実施形態の半導体素子収納用パッケージを基板側から視た斜視図である。
【図４】本発明の実施形態の半導体素子収納用パッケージの分解斜視図である。
【図５】本発明の実施形態の半導体素子収納用パッケージが備える入出力端子の分解斜視図である。
【図６】（ａ）は、本発明の実施形態の半導体素子収納用パッケージを示す上面図であり、（ｂ）は、本発明の実施形態の半導体素子収納用パッケージを示す底面図である。
【図７】（ａ）は、本発明の実施形態の半導体素子収納用パッケージを示す側面図であり、（ｂ）は、図６（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。
【図８】本発明の半導体装置を示す断面図である。
【図９】実施例および比較例における高周波信号の反射損失のシミュレーション結果を示す図である。
【図１０】実施例および比較例における高周波信号の挿入損失のシミュレーション結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の実施形態に係る半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置について以下に詳細に説明する。
【００１２】
図１〜図７を参照して、本発明の実施形態に係る半導体素子収納用パッケージ１００について説明する。
【００１３】
半導体素子収納用パッケージ１００は、基板１、枠体２、および入出力端子３を含む。
【００１４】
基板１は、主面１ａにＩＣ，ＬＳＩ，半導体レーザ、フォトダイオード等の半導体素子を載置するための載置部１ｂを有している。載置部１ｂは、基板１の主面１ａに形成された凹部であってもよい。
【００１５】
基板１は、半導体素子を支持するための支持部材、および半導体素子で発生した熱を放散するための放熱板として機能するものであり、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金，Ｃｕ−Ｗ合金等の金属、またはＡｌ２Ｏ３質セラミックス，ＡｌＮ質セラミックス，３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２質セラミックス等の誘電体から成る。
【００１６】
基板１が金属から成る場合、そのインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すことによって所定形状に製作される。一方、基板１がセラミックスから
成る場合、その原料粉末に適当な有機バインダや溶剤等を添加混合しペースト状と成し、このペーストをドクターブレード法やカレンダーロール法等によってセラミックグリーンシートと成し、しかる後、セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施し、これを複数枚積層し約１６００℃の高温で焼成することによって作製される。
【００１７】
基板１が金属からなる場合、その表面に耐蝕性に優れ、かつろう材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層と厚さ０．５〜５μｍの金（Ａｕ）層とを順次メッキ法により被着させておくのがよい。これにより、基板１が酸化腐蝕するのを有効に防止できるとともに、基板１の主面１ａの載置部１ｂに半導体素子を強固に接着固定させることができる。一方、基板１がセラミックスから成る場合、載置部１ｂに、Ｗ，Ｍｏ等のメタライズ層を下地層として形成し、この表面に耐蝕性に優れ、かつろう材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層と厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層とを順次メッキ法により被着させておくのがよい。これにより、載置部１ｂに半導体素子を強固に接着固定することができる。
【００１８】
枠体２は、基板１の載置部１ｂを囲繞するように、基板１の主面１ａに接合される。枠体２の形状は、特に限定されず、平面視で、矩形枠状であってもよく、正方形枠状であってもよく、その他の形状であってもよい。本実施形態では、図６（ａ）に示すように、枠体２は、矩形枠状の形状を有している。
【００１９】
枠体２は、基板１側とは反対の側から切り欠かれた切欠き部２ａを有する。枠体２が、平面視で、矩形枠状の形状を有する場合、切欠き部２ａは、枠体２の４つの側壁のうちの１つの側壁に形成されてもよく、３つの側壁に連続して形成されてもよい。
【００２０】
また、枠体２の側壁には、貫通孔２ｂが設けられる。貫通孔２ｂには、光ファイバ等が取り付けられた金属ホルダ（図示せず）を固定する固定部材（図示せず）が接合されてもよい。
【００２１】
枠体２は、Ａｇろう、Ａｇ−Ｃｕろう材等の高融点金属ろう材によって基板１の主面１ａに接合される。枠体２は、誘電体から成ってもよく、金属から成ってもよいが、基板１との接合を強固にするとともに、外部に対する電磁遮蔽を行なうために、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属から成るのが望ましい。
【００２２】
入出力端子３は、載置部１ｂに載置される半導体素子と外部配線とを電気的に接続するものであり、枠体２の切欠き部２ａに挿入固定される。
【００２３】
入出力端子３は、第１絶縁体部３０、第２絶縁体部３１、複数の信号線路３３、および複数の接地導体３２を含む。
【００２４】
第１絶縁体部３０および第２絶縁体部３１は、Ａｌ２Ｏ３質セラミックス、ＡｌＮ質セラミックス、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２質セラミックス等からなる誘電体層が複数積層されて成る矩形形状のものである。また、図示しないが、第１絶縁体部の内部には、１つまたは複数の内層接地導体層が設けられる。
【００２５】
第１絶縁体部３０および第２絶縁体部３１は、枠体２の内側から枠体２の外側に延びているとともに、第１絶縁体部３０の一方主面３０ａと第２絶縁体部３１の一方主面３１ａとが対向するように設けられる。
【００２６】
第１絶縁体部３０は、平面視で、第１絶縁体部３０の一端部３０ｂが第２絶縁体部３１よりも枠体２の外方に張出するように設けられる。その結果、第１絶縁体部３０の一方主
面３０ａのうち枠体２の外方に遠ざかった箇所が第２絶縁体部３１から露出する。
【００２７】
第２絶縁体部３１は、図１に示すように、第２絶縁体部の一端部３１ｂが第１絶縁体部３０よりも枠体２の内方に張出するように設けられることが望ましい。その結果、第２絶縁体部３１の一方主面３１ａのうち枠体２の内方に遠ざかった箇所が第１絶縁体部３０から露出するので、この露出した箇所に信号線路３３を配設することにより、信号線路３３と半導体素子とを電気的に接続する接続加工が容易になる。
【００２８】
複数の接地導体３２および複数の信号線路３３は、Ｗ，Ｍｏ等のメタライズ層から成る。
【００２９】
接地導体３２は、信号線路３３に対する接地を強化するものであり、第１絶縁体部３０の一方主面３０ａのうち枠体２の外側に位置する一辺から対向する他辺に向かって形成され、枠体２の外側から枠体２の内側まで延びている。
【００３０】
信号線路３３は、半導体素子収納用パッケージ１００に収納された半導体素子と外部配線基板とを電気的に接続するものである。信号線路３３は、接地導体３２に沿って形成され、枠体２の外側から枠体２の内側まで延びている。
【００３１】
複数の信号線路３３は、各々、複数の接地導体３２のうちの隣接する２つの接地導体３２の間に配設される。すなわち、接地導体３２および信号線路３３が延びる方向に交差し、かつ第１絶縁体部３０の一方主面３０ａの面方向に平行な方向において、接地導体３２と信号線路３３とが交互に配設されるとともに、最外方には接地導体３２が配設される。
【００３２】
第２絶縁体部３１の一方主面３１ａのうち枠体２から内方に遠ざかった箇所が第１絶縁体部３０から露出している場合には、この露出した箇所まで信号線路３３が延びていることが望ましい。その結果、信号線路３３と半導体素子とを電気的に接続する接続加工が容易になる。接地導体３２も、信号線路３３と同様に、第２絶縁体部３１の一方主面３１ａが露出した箇所まで延びていることが望ましい。その結果、信号線路３３に対する接地を強化し、高周波信号をより効率よく伝送させることができる。
【００３３】
本実施形態の半導体素子収納用パッケージ１００は、第１絶縁体部３０の端面３０ｃと端面３０ｃに隣り合う２つの側面３０ｄとの角部の少なくとも一方に、第１絶縁体部３０の一方主面３０ａ側から第１絶縁体部３０の厚み方向に一部分が切り欠かれた角部切欠き３０ｅを有する。端面３０ｃは、図６に示すように、枠体２の外側であって接地導体３２の端部が配されている一方主面３０ａの一辺を含む面である。また、角部切欠き３０ｅの表面には、接地導体層３０ｇが設けられる。接地導体層３０ｇは、接地導体３２および信号線路３３が延びる方向に交差し、かつ第１絶縁体部３０の一方主面３０ａの面方向に平行な方向において、最外方に配設される２つの接地導体３２のうち角部切欠き３０ｅが形成された側面３０ｄ側に位置する接地導体３２に接続されてもよい。接地導体層３０ｇは、第１絶縁体部３０の内部に設けられる内層接地導体層に接続されてもよい。また、例えば図３に示すように、最外方に配設される接地導体３２が一方主面３０ａの辺に沿って形成される場合には、平面視で、最外方に配設される接地導体３２の形状は、角部切欠き３０ｅの一方主面３０ａにおける開口形状に応じた形状とされてもよい。
【００３４】
このように、第１絶縁体部３０に角部切欠き３０ｅを設けることで、高周波信号が信号線路３３を伝送する際に、高周波信号の伝送方向に対して垂直方向かつ側面３０ｄの方向に分布する一部の電界を、角部切欠き３０ｅの表面に設けられた接地導体層３０ｇに結合させることができる。それによって、高周波信号の伝送方向に対して垂直方向かつ側面３０ｄの方向に分布する一部の電界が、入出力端子３の外部に漏れ出して、周囲の誘電体または導体に結合し、不要な共振を発生させることを抑制することができ、その結果、高周波信号を効率よく伝送させることができる。
【００３５】
角部切欠き３０ｅの形状は、特に限定されず、第１絶縁体部３０の一方主面３０ａの面方向に平行な断面が、半円状であってもよく、長円上であってもよく、凹状であってもよく、その他の形状であってもよい。
【００３６】
本実施形態では、図６（ｂ）に示すように、角部切欠き３０ｅは、第１絶縁体部３０の一方主面３０ａの面方向に平行な断面の形状が直線状とされている。これにより、応力が角部切欠き３０ｅに集中することを抑制して、角部切欠き３０ｅにクラック等の破損が生じることを防止することができる。さらに、角部切欠き３０ｅに設けられる接地導体層３０ｇの面積を小さくできることから、信号線路３３と外部配線基板との接続部と、角部切欠き３０ｅとの間に生じる容量成分を低減することができ、特性インピーダンスが所望の値より小さくなることを抑制できる。また、平面視で、角部切欠き３０ｅの表面と端面３０ｃとがなす角度は、特に限定されず、例えば３０度〜６０度の角度であってもよいが、４５度であることが望ましい。これにより、角部切欠き３０ｅにおけるクラック等の破損の発生をより効果的に抑制することができる。角部切欠き３０ｅは、第１絶縁体部３０の厚さ方向の高さを０．１ｍｍ〜１ｍｍとすることが望ましい。これにより、信号線路３３と角部切欠き３０ｅとの結合を良好に保つことができる。
【００３７】
本実施形態の半導体素子収納用パッケージ１００は、角部切欠き３０ｅが形成された側面３０ｄに、一方主面３０ａ側から第１絶縁体部３０の厚み方向に一部分が切り欠かれた側面切欠き３０ｆをさらに有してもよい。側面切欠き３０ｆの表面には、接地導体層３０ｇが設けられる。接地導体層３０ｇは、信号線路３３および接地導体３２が延びる方向に交差し、かつ第１絶縁体部３０の一方主面３０ａの面方向に平行な方向において、最外方に配設される２つの接地導体３２のうちの一方に接続されてもよい。接地導体層３０ｇは、第１絶縁体部３０の内部に設けられる内層接地導体層に接続されてもよい。また、例えば図３に示すように、最外方に配設される接地導体３２が一方主面３０ａの辺に沿って形成される場合には、平面視で、最外方に配設される接地導体３２の形状は、側面切欠き３０ｆの一方主面３０ａにおける開口形状に応じた形状とされてもよい。
【００３８】
このように、第１絶縁体部３０に角部切欠き３０ｅおよび側面切欠き３０ｆを設けることで、高周波信号が信号線路３３を伝送する際に、高周波信号の伝送方向に対して垂直方向かつ側面３０ｄの方向に分布する一部の電界を、角部切欠き３０ｅの表面に設けられた接地導体層３０ｇに結合させることができるとともに、入出力端子３の端面３０ｃから枠体２の内側に向かって伝送される高周波信号の伝送方向に対して垂直方向かつ側面３０ｄの方向に分布する一部の電界を、側面切欠き３０ｆの表面に設けられた接地導体層３０ｇに結合させることができる。それによって、高周波信号の伝送方向に対して垂直方向かつ側面３０ｄの方向に分布する一部の電界が、入出力端子３の外部に漏れ出して、周囲の誘電体または導体に結合することによって生じる、不要な共振を発生させることを一層効果的に抑制することができ、その結果、高周波信号を一層効率よく伝送させることができる。
【００３９】
側面切欠き３０ｆの形状は、特に限定されず、第１絶縁体部３０の一方主面３０ａの面方向に平行な断面が、半円状であってもよく、長円上であってもよく、その他の形状であってもよい。本実施形態では、図６（ｂ）に示すように、側面切欠き３０ｆは、第１絶縁体部３０の一方主面３０ａの面方向に平行な断面の形状が凹状とされている。また、側面切欠き３０ｆは、信号線路３３が配列される方向の幅を０．１ｍｍ〜１ｍｍ、高周波信号の伝送方向の長さを０．１ｍｍ〜１ｍｍ、第１絶縁体部３０の厚さ方向の高さを０．１ｍｍ〜１ｍｍとすることが望ましい。これにより、信号線路３３と側面切欠き３０ｆとの結合を良好に保つことができる。
【００４０】
入出力端子３は、第１絶縁体部３０および第２絶縁体部３１の周囲領域に設けられる立壁部３４を有してもよい。立壁部３４は、Ａｌ２Ｏ３質セラミックス、ＡｌＮ質セラミックス、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２質セラミックス等の誘電体から成る。立壁部３４は、枠体２の切欠き部２ａを塞ぐものであり、その形状は、枠体２の切欠き部２ａの形状に応じて選択すればよい。また、図示しないが、立壁部３４は、信号線路３３に対する接地を強化するための導体層を有してもよい。立壁部３４に導体層を設けることにより、高周波信号の伝送効率を向上させることができる。
【００４１】
本実施形態の半導体素子収納用パッケージ１００が備える入出力端子３は、以下のようにして作製される。
【００４２】
入出力端子３が、例えば、Ａｌ２Ｏ３質セラミックスから成る場合、先ず酸化アルミニウム、酸化珪素（ＳｉＯ２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）および酸化カルシウム（ＣａＯ）等の原料粉末に適当な有機バインダ、可塑剤、溶剤等を添加混合して泥漿状と成す。これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等のテープ成形技術により複数のセラミックグリーンシートを得る。
【００４３】
次に、このセラミックグリーンシートに、Ｗ，Ｍｏ等の高融点金属粉末に適当な有機バインダ、可塑剤、溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを、スクリーン印刷法等の厚膜形成技術により印刷塗布して、接地導体３２、信号線路３３、および第１絶縁体部３０の内層接地導体層となるメタライズ層を所定パターンに形成する。また、第１絶縁体部３０となるセラミックグリーンシートに金型等によって打ち抜き加工を施すことによって、所望の位置に所望の形状の角部切欠き３０ｅおよび側面切欠き３０ｆを形成し、この角部切欠き３０ｅおよび側面切欠き３０ｆの内面に接地導体層３０ｇとなるＷ、Ｍｏ等の高融点金属粉末に適当な有機バインダ、可塑剤、溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを塗布する。
【００４４】
その後、セラミックグリーンシートを複数枚積層し、これを還元雰囲気中、約１６００℃の温度で焼成することにより作製される。角部切欠き３０ｅおよび側面切欠き３０ｆは、第１絶縁体部３０となるセラミックグリーンシートに形成されてもよいが、焼成後の第１絶縁体部３０に切削加工を施すことにより形成されてもよい。
【００４５】
また、立壁部３４は、金型等によって打ち抜き加工を施すことによって、枠体２の切欠き部２ａに応じた形状に加工したセラミックグリーンシートを複数枚積層し、これを還元雰囲気中、約１６００℃の温度で焼成することにより作製される。
【００４６】
次に、本発明の半導体装置２００について図８に基づいて説明する。図８は、本発明の実施形態に係る半導体装置２００を示す断面図である。
【００４７】
半導体装置２００は、上記構成の半導体素子収納用パッケージ１００と、半導体素子５と、蓋体９とを含む。
【００４８】
半導体素子５は、例えばＩＣ，ＬＳＩ，半導体レーザ、フォトダイオード等である。半導体素子５は、基板１の載置部１ｂにろう材を介して接合されてもよいが、本実施形態では、半導体素子が基台６を介して基板１の載置部１ｂに載置される構成としている。
【００４９】
基台６は、半導体素子５から基板１へ熱を伝えるための伝熱媒体として機能し、放熱性および加工性に優れるシリコン（Ｓｉ）、または基板１の熱膨張係数に近似するアルミナ
セラミックスや窒化アルミニウムセラミックス等の誘電体から成ることが好ましい。基台６は、Ａｕ−Ｓｎ合金等の低融点ろう材を介して基板１の載置部１ｂに接合される。
【００５０】
また、基台６の上面には、高周波信号が伝送される配線導体７が形成されるとともに、半導体素子５を搭載するための導体層（図示せず）が形成される。配線導体７は、ボンディングワイヤ８を介して、半導体素子５の電極に電気的に接続されるとともに、入出力端子３の信号線路３３に電気的に接続される。
【００５１】
次に、必要に応じて枠体２の上面にシールリング４を鉛（Ｐｂ）−錫（Ｓｎ）半田やＡｕ−Ｓｎ半田等の低融点金属ろう材やＡｇ−Ｃｕろう材等の高融点金属ろう材等により取り付け、シールリング４の上面に蓋体９を半田付けやシームウエルド法等の溶接により取り付けることにより、半導体素子５が半導体素子収納用パッケージ１００の内部に収納された製品としての半導体装置２００となる。蓋体９は、シールリング４を介することなく、Ａｕ−Ｓｎ合金半田等の低融点ロウ材を介して枠体２の上面に取り付けられてもよく、ＹＡＧレーザ溶接等の溶接法により取り付けられてもよい。
【００５２】
シールリング４は、例えばＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成り、蓋体９は、例えばＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属またはアルミナセラミックス等のセラミックスから成る。
【００５３】
このような本発明の半導体装置２００は、本発明の実施形態に係る半導体素子収納用パッケージ１００を備えていることから、不要な共振の発生を抑制し、高周波信号の伝送特性を向上させることができる。
【実施例】
【００５４】
次に、本発明の半導体素子収納用パッケージ１００の実施例について説明する。
【００５５】
実施例１として、側面切欠きが設けられていないこと以外は図１〜図７と同様の構成の半導体素子収納用パッケージに外部配線基板を接続するとともに、外部配線基板に高周波信号を伝送させたときの高周波信号の伝送特性を、シミュレーションにより算出した。外部配線基板は、信号配線および接地配線を有するフレキシブル配線基板であり、第１絶縁体部３０の一方主面３０ａに配設された信号線路に接続した。なお、シミュレーションは、ＣＹＢＥＲＮＥＴ社製のＡＮＳＹＳ  ＨＦＳＳを使用し、信号線路３３はその幅を０．２５ｍｍ、厚さを０．０１ｍｍとし、接地導体３２はその幅を０．３５ｍｍ、厚さを０．０１ｍｍとし、信号線路３３と接地導体３２との間隔を０．３ｍｍ、信号線路３３から側面３０ｄまでの間隔を０．７２５ｍｍ、角部切欠き３０ｅはその表面と端面３０ｃとがなす角度を４５度、第１絶縁体部３０の厚さ方向の高さを０．４ｍｍとし、側面切欠き３０ｆはその信号線路３３が配列される方向の幅を０．２ｍｍ、高周波信号の伝送方向の長さを０．４５ｍｍ、第１絶縁体部３０の厚さ方向の高さを０．４ｍｍとし、第１絶縁体部３０の内層の全面に設けられる、一方主面３０ａの面方向に平行な内層接地導体層と信号線路３３との間隔を０．４ｍｍ、信号線路３３および接地導体３２の導電率を１０×１０−８Ωｍ、第１絶縁体部３０および第２絶縁体部３１の誘電率を１０とし、それぞれの反射損失および挿入損失を電磁界シミュレーションによって評価した。
【００５６】
実施例２として、角部切欠きおよび側面切欠きを有する図１〜図７と同様の構成の半導体素子収納用パッケージ１００に外部配線基板を接続するとともに、外部配線基板に高周波信号を伝送させたときの高周波信号の伝送特性を、実施例１と同様に、シミュレーションにより算出した。
【００５７】
比較例として、角部切欠き３０ｅおよび側面切欠き３０ｆが設けられていないこと以外は図１〜図７と同様の構成の半導体素子収納用パッケージに外部配線基板を接続するとと
もに、外部配線基板に高周波信号を伝送させたときの高周波信号の伝送特性を、実施例１と同様に、シミュレーションにより算出した。
【００５８】
実施例１、実施例２、および比較例における反射損失の周波数依存性を図９に示す。
【００５９】
図９より、実施例１では、比較例に比べて、１７〜２８ＧＨｚの周波数帯域で反射損失が改善され、かつ共振による影響が高周波側にシフトされていることがわかる。実施例２では、比較例に比べて、１７〜３２ＧＨｚの周波数帯域で反射損失が改善されており、共振による影響が高周波側にシフトされている。また、実施例２は、実施例１と比べて、２１〜３６ＧＨｚの周波数帯域で反射損失が改善されており、共振による影響が高周波側にシフトされている。
【００６０】
次に、実施例１、実施例２、および比較例における挿入損失の周波数依存性を図１０に示す。
【００６１】
図１０より、実施例１および実施例２では、比較例に比べて、共振によって生じる挿入損失の谷が高周波側にシフトされていることがわかる。特に、実施例２では、実施例１および比較例に比べて、共振によって生じる挿入損失の谷が高周波側にシフトされていることがわかる。
【００６２】
図９および図１０の結果は以下に示す理由によると考えられる。
【００６３】
比較例１では、高周波信号の伝送方向および第１絶縁体部３０の一方主面３０ａに対して垂直方向の電界は、第１絶縁体部３０の内層接地導体層およびフレキシブル配線基板の接地配線に結合されるが、高周波信号の伝送方向に対して垂直方向かつ側面３０ｄの方向に分布する一部の電界は、第１絶縁体部３０の内層接地導体層およびフレキシブル配線基板の接地配線には結合されず、入出力端子３の外部に漏れ出し、周囲の誘電体または導体に結合することにより、不要な共振を発生させる。
【００６４】
実施例１では、高周波信号の伝送方向に対して垂直方向かつ側面３０ｄの方向に分布する一部の電界が、角部切欠き３０ｅの表面の接地導体層３０ｇに結合されるので、高周波信号の伝送方向に対して垂直方向かつ側面３０ｄの方向に分布する一部の電界が、入出力端子３の外部に漏れ出すことを抑制することができる。それによって、信号線路３３とフレキシブル配線基板の接地配線との間に擬似的な同軸線路が形成されやすくなり、高周波信号の伝送特性が向上すると考えられる。
【００６５】
また、実施例２では、高周波信号の伝送方向に対して垂直方向かつ側面３０ｄの方向に分布する一部の電界が、角部切欠き３０ｅの表面の接地導体層３０ｇに結合され、かつ入出力端子３の端面３０ｃから枠体２の内側に向かって伝送される高周波信号の垂直方向かつ側面３０ｄの方向に分布する一部の電界が、側面切欠き３０ｆの表面に設けられた接地導体層３０ｇに結合されるので、高周波信号の伝送方向に対して垂直方向かつ側面３０ｄの方向に分布する一部の電界が、入出力端子３の外部に漏れ出すことを一層効果的に抑制することができる。それによって、信号線路３３とフレキシブル配線基板の接地配線との間に擬似的な同軸線路がさらに形成されやすくなり、高周波信号の伝送特性が一層向上すると考えられる。
【００６６】
以上の結果から、本実施形態の半導体素子収納用パッケージ１００では、高周波における伝送特性が向上されていることがわかった。
【符号の説明】
【００６７】
１      基板
１ａ    主面
１ｂ    載置部
２      枠体
２ａ    切欠き部
２ｂ    貫通孔
３      入出力端子
４      シールリング
５      半導体素子
６      基台
７      配線導体
８      ボンディングワイヤ
９      蓋体
３０    第１絶縁体部
３０ａ  一方主面
３０ｂ  一端部
３０ｃ  端面
３０ｄ  側面
３０ｇ  接地導体層
３１    第２絶縁体部
３１ａ  一方主面
３１ｂ  一端部
３２    接地導体
３３    信号線路
３４    立壁部
１００  半導体素子収納用パッケージ
２００  半導体装置
【図１】
0006744103.tif 000002
【図２】
0006744103.tif 000003
【図３】
0006744103.tif 000004
【図４】
0006744103.tif 000005
【図５】
0006744103.tif 000006
【図６】
0006744103.tif 000007
【図７】
0006744103.tif 000008
【図８】
0006744103.tif 000009
【図９】
0006744103.tif 000010
【図１０】
0006744103.tif 000011