(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
面のうち少なくとも一つの上にコーティングを備えた、ガラス製、ガラスセラミック製、又は高分子有機材料製である基材（１）を得る方法であり、
前記コーティングを、前記基材（１）の上に被着し、次いで、前記コーティングを、走行する前記基材（１）の向かい側にある少なくとも一つの加熱手段（２ａ）を用いて熱処理する方法であって、
前記熱処理の前に、前記コーティングの少なくとも一つの特性の少なくとも一つの測定を、走行している前記基材（１）について行い、かつ前記熱処理の条件を、前もって得た測定値に応じて適合させるようにする、
コーティングを備えた基材（１）を得る方法。
【請求項２】
前記コーティングをそれぞれ独立に制御可能でありかつ走行する前記基材（１）の向かい側にある少なくとも二つの加熱手段（２ａ，２ｂ）を用いて熱処理し、各加熱手段（２ａ，２ｂ）は前記コーティングの異なる領域を処理し、さらに、前記熱処理の前に各前記領域に対して、前記コーティングの少なくとも一つの特性の少なくとも一つの測定を走行している前記基材（１）について行い、かつ前もって得た測定値に応じて各領域の前記熱処理の条件を当該領域に対して適合させるようにする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記加熱手段（２ａ，２ｂ）を、レーザー、プラズマトーチ、マイクロ波源、バーナー、及びインダクターから選択する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記レーザー（２ａ，２ｂ）が線状に並んでいる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記熱処理の前に測定する前記コーティングの少なくとも一つの特性を、光学的、電気的、又は寸法的な特性から選択する、請求項１〜４のうちの一つに記載の方法。
【請求項６】
前記光学的な特性を、吸収率、反射率、透過率、及び色から選択する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記電気的な特性を、抵抗率、導電率、及びシート抵抗から選択する、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記熱処理の条件の適合を自動的に行う、請求項１〜７のうちの一つに記載の方法。
【請求項９】
前記熱処理の条件を、前記加熱手段（２ａ）から供給されるパワーを変更することによって適合させる、請求項１〜８のうちの一つに記載の方法。
【請求項１０】
前記コーティングが、金属、酸化物、窒化物、炭化物、酸窒化物、又はそれらのいずれかの混合物の少なくとも一つの薄層を含む、請求項１〜９のうちの一つに記載の方法。
【請求項１１】
前記コーティングが銀ベースの層を少なくとも一つ含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記熱処理工程がコーティングの溶融を、さらには部分的溶融さえも伴わない、請求項１〜１１のうちの一つに記載の方法。
【請求項１３】
基材（１）の上に被着したコーティングの熱処理用装置であって、
走行している前記基材の上に被着している前記コーティングの熱処理を行うための、少なくとも一つの加熱手段（２ａ）と、
前記加熱手段（２ａ）の上流に配置され、走行している前記基材の上に被着している前記コーティングの少なくとも一つの特性を測定するための、少なくとも一つの測定手段（３ａ）と、
前もって前記測定手段で得た測定値に応じて前記加熱手段による熱処理条件を適合させるための手段とを含み、かつ
前記基材（１）が、ガラス製、ガラスセラミック製、又は高分子有機材料製であり、かつ前記加熱手段（２ａ）に向き合って走行し得る、
コーティングの熱処理用装置。
【請求項１４】
それぞれ独立に制御可能でありかつそれに向き合って前記基材（１）が走行し得る少なくとも二つの加熱手段（２ａ，２ｂ）であって、おのおのが前記コーティングの異なる領域を処理することのできる加熱手段（２ａ，２ｂ）と、前記加熱手段（２ａ，２ｂ）の上流に配置され領域のそれぞれにおける前記コーティングの少なくとも一つの特性を局所的に測定するための手段（３ａ，３ｂ）と、前もって得た測定値に応じて各領域の熱処理条件を当該領域に対して適合させるための手段とを含む、請求項１３に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コーティングを備えた基材の熱処理に関する。
【背景技術】
【０００２】
種々の加熱手段、例えば、バーナー、プラズマトーチ、あるいはレーザー等を用いた、コーティングの急速熱処理の方法は、国際公開第２００８／０９６０８９号から知られている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、このタイプの方法をより順応性あるものにし、かつ産業状況により良く適応させることによって、それを改善することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
この目的のために、本発明の一主題は、面のうち少なくとも一つの上にコーティングを備えた基材を得る方法であり、前記コーティングを前記基材の上に被着し、次いで、前記コーティングを走行する基材の向かい側にある少なくとも一つの加熱手段を用いて熱処理する方法であって、この方法では、前記熱処理の前に、前記コーティングの少なくとも一つの特性の少なくとも一つの測定を走行している基材について行い、かつ熱処理の条件を前もって得た測定値に応じて適合させるようにする。
【０００５】
好ましくは、コーティングをそれぞれ独立に制御可能でありかつ走行する基材の向かい側にある少なくとも二つの加熱手段を用いて熱処理し、各加熱手段は前記コーティングの異なる領域を処理し、この方法ではさらに、熱処理の前に前記領域に対して、前記コーティングの少なくとも一つの特性の少なくとも一つの測定を走行している基材について行い、かつ前もって得た測定値に応じて各領域の前記熱処理の条件を当該領域に対して適合させるようにする。
【０００６】
本発明の別の主題は、基材がそれに向き合って走行し得る少なくとも一つの加熱手段と、加熱手段の上流に配置され前記コーティングの少なくとも一つの特性を測定するための少なくとも一つの手段と、前もって得た測定値に応じて熱処理条件を適合させるための手段とを含む、基材の上に被着させたコーティングの熱処理用装置である。
【０００７】
好ましくは、装置は、互いに独立に制御可能でありかつそれに向き合って基材が走行し得る少なくとも二つの加熱手段であって、おのおのが前記コーティングの異なる領域を処理することのできる加熱手段と、加熱手段の上流に配置され前記領域のそれぞれにおける前記コーティングの少なくとも一つの特性を局所的に測定するための手段と、前もって得た測定値に応じて各領域の熱処理条件を当該領域に対して適合させるための手段とを含む。
【０００８】
走行する基材に行う測定及び熱処理工程は、本発明の装置の範囲内で直列に、すなわち同一の工業ラインで行うことが有利である。
【０００９】
層の特徴に応じた熱処理の制御が可能になることは、方法をより順応性のあるものにすること、及び／又は処理後のコーティングの均一性を高めることを可能にする。
【００１０】
さらに、コーティングの部分をそれぞれが処理するいくつかの加熱手段を使用すること、及び処理するコーティングの部分の局所的な特性に応じて個別にそれらの制御が可能になることは、多くの利点を有する。
【００１１】
特に、大型の基材用、例えば６×３．３ｍ２のガラスパネル用などに、ただ一つよりむしろいくつかの加熱手段を使用することは、加熱手段及び関連する装置（下記でより詳細に記載するが、加熱手段がレーザーやマイクロ波源である場合には例えば合焦装置など）の設計、製造、調節、及び保守を容易にすることを可能にする。互いに独立であるいくつかの手段を使用することは、異なるサイズの基材、又は異なるサイズの処理する領域に対して、例えば後者の場合においてオリジナルの基材のある部分のみを利用せねばならずその後で切断するときに、処理を適合させることも可能にする。
【００１２】
層の局所的な特性に応じて熱処理条件を適合させるために、独立の手段を選択してそれらの制御を可能にすることは、とりわけ大型の基材、例えばガラス産業で使用する６×３ｍ２の基材などの場合に、よくある均一性が完璧でないコーティングに適応することを可能にする。かかる広い表面上に完璧に均一なコーティングを得ることは、実際には困難である。例えばマグネトロンスパッタリング法によってコーティングを被着する場合には、カソードが不均一に摩耗することがある。被着の不均一性は、特にその結果吸収の不均一性を生じる場合には、熱処理によって、特にレーザーによって増幅されることがある。
【００１３】
加熱手段は、レーザー、プラズマトーチ、マイクロ波源、バーナー、及びインダクタから選択するのが有利である。
【００１４】
レーザーは一般的に、一又は複数のレーザー源を含むとともに、整列させ方向を変更させる光学素子も含むモジュールからなる。レーザーは、下記で「レーザーライン」としても言及される、線状に並んでいるのが好ましい。
【００１５】
レーザー源は、典型的には半導体レーザー、又はファイバー若しくはディスクレーザーである。半導体レーザーは、小さな空間的要件に対して、電力供給の割には高いパワー密度を効率よく達成することができる。コストがより高くなるが、ファイバーレーザーの空間的要件をさらにいっそう小さくして、かつ得られる線形パワー密度をさらにいっそう高くしてもよい。
【００１６】
レーザー源から生じる放射は、連続又はパルスでよく、好ましくは連続でよい。放射がパルスである場合には、繰り返し周波数は、用いる速い走行速度に対応するために、１０ｋＨｚ以上、特に１５ｋＨｚ以上、さらに２０ｋＨｚ以上であるのが有利である。
【００１７】
レーザーラインの放射の波長は、８００〜１１００ｎｍ、特に８００〜１０００ｎｍの範囲内であるのが好ましい。８０８ｎｍ、８８０ｎｍ、９１５ｎｍ、９４０ｎｍ、又は９８０ｎｍから選択される波長で放射する高出力の半導体レーザーが、特に好適であることが判明している。
【００１８】
整列させ方向を変更させる光学素子は、好ましくはレンズ及びミラーを含み、放射の位置合わせ、均一化、及び焦点合わせの手段として使用される。
【００１９】
位置合わせ手段の目的は、必要に応じてレーザー源より放出された放射線をラインに沿って整えることである。それらはミラーを含むのが好ましい。均一化手段の目的は、ラインの全体に沿って均等な線形パワー密度を得るために、レーザー源の空間プロファイルを重ね合わせることである。均一化手段は、入射光線を二次光線に分離し、前記二次光線を均一にラインに再度組み合わせることを可能にするレンズを含むのが好ましい。放射線の合焦手段は、処理するコーティングに対して、所望の長さ及び幅のラインの形の放射線を集中することを可能にする。合焦手段は、収束レンズを含むのが好ましい。
【００２０】
ラインは、長さ及び幅を有する。ラインについての用語「長さ」は、コーティングの表面で測定される、ラインの最も大きな寸法を意味すると理解される。ラインについての用語「幅」は、最も大きな寸法の方向に対して横の方向の寸法を意味すると理解される。レーザーの分野の慣習として、ラインの幅ｗは、光線の軸（放射の強度が最大となるところ）と放射の強度が最大強度の１／ｅ２倍に等しくなるポイントの間の（この横方向に沿った）距離に対応する。レーザーラインの縦軸をｘとして見なすと、この軸に沿ってｗ（ｘ）として見なされる幅分布を決定することが可能になる。
【００２１】
各レーザーラインの平均幅は、３５μｍ以上、特に４０〜１００μｍ又は４０〜７０μｍの範囲内であるのが好ましい。本明細書をとおして、用語「平均」は、算術平均を意味すると理解される。ラインの全長にわたって、幅分布は、処理のあらゆる不均一さを避けるために狭い。したがって、最も大きい幅と最も小さい幅の間の差は、平均幅の値の１０％以下であるのが好ましい。この値は、５％以下、さらには３％以下であるのが好ましい。
【００２２】
レーザーラインの長さは、１０ｃｍ以上又は２０ｃｍ以上、特に３０〜１００ｃｍ、格別に３０〜７５ｃｍ、あるいは３０〜６０ｃｍの範囲内であるのが好ましい。例えば、幅３．３ｍの基材に対して、３０ｃｍの長さを有する１１のラインを使用することができる。
【００２３】
整列させかつ方向を変更させる光学素子、特に位置合わせ手段は、手動で、又はそれらの位置合わせを遠隔で調節することを可能にするアクチュエーターの補助で調節することができる。これらのアクチュエーター（典型的には圧電モーター又はブロック）を、手動で制御し、かつ／又は自動で調節することができる。後者の場合には、アクチュエーターを検出器に接続し、さらにフィードバックループにも接続するのが好ましいであろう。
【００２４】
レーザーモジュールのうち少なくとも一部あるいはそれらの全部は、それらの熱的安定性を確保するために冷却されるのが有利であり、特に換気される、漏れを防止するボックス内に配置するのが好ましい。
【００２５】
レーザーモジュールは、金属の構成要素に基づく「ブリッジ」、典型的にはアルミニウム製の「ブリッジ」としても言及される剛性構造体に取り付けるのが好ましい。この構造体は、大理石の板を含まないのが好ましい。ブリッジは、レーザーラインの焦点面が処理する基材の表面に対して平行なままであるように、搬送手段に対して平行に配置するのが好ましい。ブリッジは、あらゆる環境で平行に配置することを確実にするために、高さを個々に調節することができる四つ以上の脚を含むのが好ましい。調節は、距離センサーに接続され各脚に設置したモーターによって、手動又は自動のいずれでも、行うことができる。ブリッジの高さは、処理する基材の厚さを考慮し、これによって基材の面がレーザーラインの焦点面と一致することを確実にするために、（手動又は自動で）合わせることができる。
【００２６】
レーザー源のデューティサイクルの平方根によって除した線形パワー密度は、３００Ｗ／ｃｍ以上、有利には３５０Ｗ／ｃｍ以上若しくは４００Ｗ／ｃｍ以上、特に４５０Ｗ／ｃｍ以上、５００Ｗ／ｃｍ以上、さらには５５０Ｗ／ｃｍ以上であるのが好ましい。デューティサイクルの平方根によって除した線形パワー密度は、６００Ｗ／ｃｍ以上、特に８００Ｗ／ｃｍ以上、さらには１０００Ｗ／ｃｍ以上であるのがさらに有利である。レーザー放射が連続である場合には、デューティサイクルは１に等しく、したがってこの数値は線形パワー密度に相当する。線形パワー密度は、レーザーラインをコーティング対して焦点合わせした箇所で測定される。それを、パワー検出器、例えば熱量パワーメーター、例えば特にＣｏｈｅｒｅｎｔ社製のビームファインダーパワーメーターなどをラインに沿って配置することによって、測定してもよい。パワーを、ラインの全長にわたって均一に分散させるのが有利である。最大パワーと最小パワーの間の差を、平均パワーの１０％未満に等しくするのが好ましい。
【００２７】
デューティサイクルの平方根によって除した、コーティングに対して与えられるエネルギー密度は、２０Ｊ／ｃｍ２以上、あるいは３０Ｊ／ｃｍ２以上であるのが好ましい。ここでも、デューティサイクルは、レーザー放射が連続である場合には１に等しい。
【００２８】
処理の有効性を向上させるために、基材を透過し、かつ／又はコーティングによって反射された（主）レーザー放射線の少なくとも一部分の向きを、主レーザー放射線と同じ位置で基材に、有利には同じ焦点深度及び同じプロファイルで影響を及ぼすのが好ましい、少なくとも一つの二次レーザー放射線を形成するために、前記基材の方向に変えさせるのが好ましい。二次レーザー放射線の形成は、ミラー、プリズム、及びレンズから選択される光学要素のみを含む光学アセンブリ、特に二つのミラー及びレンズ、又はプリズム及びレンズからなる光学アセンブリを用いるのが有利である。主放射線の損失の少なくとも一部分を回復することによって、かつ基材の方へその方向を変更することによって、熱処理がかなり改善される。基材を透過した主放射線の一部分（透過型）若しくはコーティングによって反射した主放射線の一部分（反射型）の使用、又は任意選択的な両方の使用の選択は、コーティングの特性及びレーザー放射の波長によって決まる。
【００２９】
各加熱手段がレーザーである場合には、レーザーの波長に対するコーティングの吸収率は、５％以上、特に１０％以上であるのが好ましい。それは、９０％以下、特に８０％以下、７０％以下、６０％以下、５０％以下、あるいは４０％以下、さらには３０％以下であるのが有利である。
【００３０】
また、加熱手段はバーナーでもよい。バーナーは、燃料及び酸化剤の混合をバーナーの先端又は後者の延長上で行うという意味で外燃式バーナーでもよい。この場合には、基材は火炎の作用を受ける。また、バーナーは、燃料及び酸化剤をバーナーの内部で混合するという意味で内燃式バーナーでもよい。この場合、基材は高温ガスの作用を受ける。もちろん、燃焼の一部のみをバーナーの内部で行って残りの部分を外部で行うという意味で、あらゆる中間の状態が可能である。特定のバーナー、特に空気式バーナー、すなわち酸化剤として空気を用いるバーナーは、燃焼の全部又は一部が行われる予混合チャンバーを有している。この場合には、基材は火炎及び／又は高温ガスの作用を受けることができる。酸素燃料燃焼バーナー、すなわち純正の酸素を用いたバーナーは、一般的には予混合チャンバーを含まない。火炎処理で用いるガスは、酸化剤ガス、特に空気、酸素、又はそれらの混合物から選択される酸化剤ガスと、燃料ガス、特に天然ガス、プロパン、ブタン、あるいはアセチレン若しくは水素、又はそれらの混合物から選択される燃料ガスとの混合物でよい。一方では、より高い温度を達成し、これによって処理を短縮して基材が加熱されることを抑制することが可能となるため、他方では、窒素酸化物ＮＯｘの生成を抑制するため、酸化剤ガスとして酸素が好ましく、これを特に天然ガス（メタン）又はプロパンと組み合わせるのが好ましい。薄層で所望の温度を達成するために、コーティングされた基材を、一般的には可視炎内、特に火炎の最も熱い領域に配置する。これによって可視炎の一部分が処理される領域の周りに広がる。
【００３１】
また、加熱手段はプラズマトーチでもよい。プラズマは、「プラズマガス」と呼ばれるものを励起させることによって、例えば高いＤＣ又はＡＣ電界（例えば電気アーク）などを受けさせることによって一般的に得られるイオン化されたガスである。この励起の作用の下で、電子をガスの原子から引き離し、これによって生成した電荷が逆の電荷の電極に移動する。したがって、これらの電荷は、衝突によってガスの他の原子を励起し、アヴァランシェ効果によって均一すなわち細い筋状の放電あるいはアークが作り出される。プラズマは、「高温」プラズマ（この場合には、ガスが全体的にイオン化し、プラズマ温度が１０６℃程度である）、又は「熱」プラズマ（例えば電気アークの場合には、ガスがほとんど全体的にイオン化し、プラズマ温度が１０４℃程度である）でもよい。プラズマは、物質と相互作用することができる多くの活性種、すなわちイオン、電子、又はフリーラジカルを始めとする種を含有する。プラズマトーチの場合には、ガスを電気アークに注入し、形成された熱プラズマを処理する基材に吹き付ける。プラズマトーチは、粉状の前駆体をプラズマに添加することによって種々の基材の上に薄い膜を被着するのに一般的に採用される。注入するガスは、体積含有率で水素を５％と５０％の間、特に１５％と３０％の間で有利に含む窒素、空気、又はアルゴンであるのが好ましい。
【００３２】
また、加熱手段はマイクロ波源でもよい。マイクロ波は、その波長が１ｍｍと１ｍの間であって誘電体コーティングの熱処理に好適である電磁波である。マイクロ波源（マグネトロン）を、放射導波管又は空洞共振器（単一モード若しくは複数モード）と組み合わせるのが好ましい。例として、基材を、トンネル内に配置された放射導波管の下で走行させてもよい。水冷式吸収性フィルターによって形成されたウェーブトラップを、外部への波のあらゆる損失を防止するためにマイクロ波源の上流及び下流に配置するのが好ましい。
【００３３】
コーティングが導電性層を含む場合（例えば銀の場合）には、熱処理を誘導によって行ってもよい。この場合には、加熱手段はインダクタである。
【００３４】
金属部品の誘導加熱は、導電性固体部品内で急速かつ制御式に高温を達成するための周知の方法である（鋼の強化、シリコンのゾーンメルティングなど）。主な用途は、農業食品分野（容器の加熱、金属ベルト上での平らな製品の調理、押出加工調理）、及び金属製造の分野（溶融、成形前の再加熱、バルクの熱処理、表面の熱処理、コーティングの処理、溶接、ろう付け）に関する。
【００３５】
コイル（ソレノイド又はターンとも呼ばれる）を流れるＡＣ電流は、その内部に、同じ周波数で周期的に振動する磁界を生じる。導電性部品がコイル（すなわちソレノイド）内に置かれている場合には、磁界によって誘起される電流がその中に生じ、ジュール効果によって部品を加熱する。
【００３６】
電流は、加熱される部品の表面上に出現する。一次近似で電流層の厚さを与え、表皮厚さとして知られている特有の厚さを定義することができる。電流の表皮厚さは、加熱される金属の性質に左右され、電流の周波数が増加すると減少する。
【００３７】
導電層で被覆された絶縁性基材を加熱する場合には、金属の表面部分にインダクタの作用を集中させるために高周波の分極を用いることが好ましい。周波数は、５００ｋＨｚと５ＭＨｚの間、特に１ＭＨｚと３ＭＨｚの間であるのが好ましい。特に平坦な表面の処理で採用されるインダクタを使用するのが好ましい。
【００３８】
熱処理の際にコーティングが受ける温度は、３００℃以上、特に３５０℃以上、あるいは４００℃以上であるのが好ましい。
【００３９】
コーティングした面とは反対の面の基材の温度は、熱処理の際には、１００℃以下、特に５０℃以下、あるいは３０℃以下であるのが好ましい。
【００４０】
本発明によれば、いくつかの加熱手段（特にレーザーライン）を使用するのが好ましい。加熱手段（特にレーザーライン）の数は、処理される基材の幅に応じて３以上、４以上、５以上、６以上、７以上、８以上、９以上、１０以上、又は１１以上であるのが好ましい。加熱手段の数は、３と１１の間（境界値を含む）、特に５と１０の間（境界値を含む）であるのが好ましい。
【００４１】
加熱手段は、多層積層体の表面全体を処理できるように配置するのが好ましい。いくつかの配置を、加熱手段のサイズ及び形状に応じて想定することができる。好ましい一実施形態によれば、加熱手段は線形配列であり、それらは、例えば線形バーナーライン、インダクタライン、あるいはレーザーラインでよい。
【００４２】
加熱手段がかかる線形配列である場合、特にそれらがレーザーラインである場合には、各手段を基材が走行する方向に対して垂直に配置し、又は斜めに配置するのが好ましい。加熱手段は、一般的には互いに平行である。種々の手段で同時に、又は遅延式で基材を処理してもよい。例として、加熱手段（特にレーザーライン）を、Ｖ形状、互い違いの列、あるいは任意の角度で配置することができる。
【００４３】
加熱手段を、基材が走行する方向に対して垂直な列で配置してもよい。列の数は、例えば２以上あるいは３以上である。列の数は、熱処理領域の床面積の範囲内に収めるために３以下であるのが有利である。
【００４４】
基材全体に処理による作用を及ぼすことを確実なものとするために、重複部分があるように、すなわち所定の領域（小さなサイズ、典型的には１０ｃｍ未満、又は１ｃｍ未満）が少なくとも２回処理されるように、加熱手段を配置するのが好ましい。
【００４５】
基材が走行する方向において、隣り合う領域を処理する二つの加熱手段の間の距離は、コーティングにダメージを与えることを回避するために、重複領域が周囲温度に近い温度に戻る時間を有しているような距離であるのが好ましい。典型的には、加熱手段がレーザーラインである場合には、隣り合う領域を処理する二つの加熱手段の間の距離は、層のうちの一点がレーザーラインの下を移動する距離の３倍以上であるのが有利である。
【００４６】
代わりに、加熱手段を全く同一の線上に配置してもよい（換言すれば、列の数は１である）。この場合、及び加熱手段がレーザーラインである場合には、コーティングのところで連続かつ均一なラインを得ることを可能にするプロファイルを選択するのが好ましい。
【００４７】
熱処理の前に測定されるコーティングの少なくとも一つの特性は、光学的、電気的、又は寸法的特性から選択するのが好ましい。
【００４８】
光学的特性は、吸収率、反射率、透過率、及び色から選択するのが有利である。これらの特性を、例えば、少なくとも一つのコヒーレント又は非コヒーレント光源と、任意選択的なフィルター、プリズム、又はアレイとに連結されている少なくとも一つのＣＣＤカメラ又はフォトダイオードを用いて測定してもよい。これらの特性を、分光光度計を用いて測定してもよい。
【００４９】
電気的特性は、抵抗率、導電率、及びシート抵抗から選択するのが有利である。例えば、これらの特性を、少なくとも一つの非接触式誘導又は容量センサーの手段、例えばＮａｇｙ  Ｍｅｓｓｓｙｓｔｅｍｅ社から販売されているシート抵抗を測定する手段によって測定してもよい。
【００５０】
寸法的特性は、位置及び厚さから選択するのが有利である。
【００５１】
これらの特性を、好ましくは基材及び／又はコーティングに接触することなく、走行している基材について測定する。したがって、基材は、最初に特性を局所的に（必要に応じてコーティングの種々の領域で）測定する測定手段に向かい合って、次に加熱手段に向かい合って、全く同一の線に沿って連続して走行する。
【００５２】
測定手段は、それらの空間的要件に応じて、一又は複数のライン（好ましくは一つのライン）にわたって分布させるのが有利である。ラインは、典型的には、基材が走行する方向に対して垂直に又は任意選択的に斜めに配置する。
【００５３】
各領域に対して、一又は複数の測定、例えば、二つ、三つ、あるいは四つの測定を行うことができる。
【００５４】
熱処理（必要に応じて各領域の）の条件の調節は、自動的に行うのが好ましい。例えば、測定した値を、適用される補正値を算出するアルゴリズムによって処理することができる。走行速度、及び測定手段と対応する加熱手段とを隔てる距離に応じて算出される、適切な時間差を、測定と補正との間に適用する。例として、上記のアルゴリズムを、電子回路、コンピュータープログラム、あるいはエキスパートシステムによって実行してもよい。
【００５５】
また、調節を手動で行ってもよい。自動及び手動の両方で処理の条件を調節できることが有益なこともある。例えば、作動したままの熱源に対して自動的な調節を継続することを除き、オペレーターが、より幅の狭い基材に対する処理を調節するために加熱手段を手動で停止してもよい。
【００５６】
熱処理の条件の調節は、種々の方法で行うことができる。
【００５７】
熱処理の条件は、加熱手段により供給されるパワーを変更することによって調節するのが有利である。各領域の熱処理の条件を、前記領域を処理する加熱手段により供給されるパワーを変更することによって合わせるのが好ましい。例えば、一又は複数のレーザー源のうち一つのパワー（強度）を、上流で測定される特性について得られた測定値に応じて、変更してもよい。バーナーの場合には、バーナーのパワーを、ガスの流量を増加することによって増大してもよい。
【００５８】
熱処理の条件について他の調節が可能である。例えば、合焦手段（レーザーライン、マイクロ波源など）と組み合わせた加熱手段の場合には、調節は、焦点面の変位を可能にする合焦手段の変位からなってもよい。また、調節は、コーティングのところでの強度を変更するためにレーザーラインの少なくとも一つの寸法を変更すること、又はレーザーの波長を変更（調節可能なレーザーである場合）することを含んでもよい。また、熱処理の調節は、基材の走行速度を変更すること、又はパルス状のレーザー源である場合にはデューティサイクルを変更することを含んでもよい。
【００５９】
熱処理の条件の調節は、加熱手段のうちの一つ、あるいは全ての加熱手段の停止を含んでもよい。例えば、測定手段が所定の領域におけるコーティングの欠陥（特に基材のサイズの差異によるもの）を検出した場合には、コーティングの欠陥がある領域の向かい側の加熱手段（例えばレーザーライン）を停止してもよい。コーティングを被着する間に問題が生じた場合（例えばカソードの逆転が、少なくとも局所的に被着されている非常に高い反射率のコーティングを生じる場合）には、そのダメージを回避するために関与する一又は複数のレーザー源を停止（自動又は手動で）してもよい。
【００６０】
もちろん、測定される特性（又は測定手段）と加熱手段とのあらゆる可能な組み合わせが、簡潔さを理由としてそれらの全てを本明細書で詳細に全て開示しているわけではないが、可能である。
【００６１】
特に好ましい一実施形態によれば、コーティングの光学的特性（特に吸収率）を、光学センサーを用いて局所的に測定し、かつレーザーラインのパワーを、得られた測定値（吸収率）に応じて調節する。この実施形態は、レーザーラインによって処理される吸収層の場合に特に好適であり、本発明の処理は、レーザー源のパワーに作用することによって層の組成、厚さ、又は化学量論の不均一性を補償することを可能にする。吸収率が所定の領域で局所的により高い場合には、この領域を処理するレーザー源のパワーを減じ、この逆もまた然りである。他方で、基材の全幅を処理する単一のレーザーラインの使用、又は同様にいくつかのラインの使用は、コーティングの不均一性を増大させる可能性がある。この実施形態では、吸収率をセンサーで直接的に測定することが必ずしも必要なのではなく、例えば透過率又は反射率の測定を用いて算出してもよいことが明確に理解される。
【００６２】
基材を、任意の機械式の搬送手段を用いて、例えば並進的に移動するベルト、ローラー、又はトレイを用いて移動させてもよい。当該搬送装置は、走行速度を制御しかつ統制することを可能にする。搬送手段は、剛性のシャーシ及び複数のローラーを含むのが好ましい。ローラーのピッチは、５０〜３００ｍｍの範囲内であるのが有利である。ローラーは、プラスチック包装で被着された金属リング、典型的には鋼製の金属リングを含むのが好ましい。ローラーは、典型的にはベアリング一つあたりローラー三つの割合で、クリアランスを低減するベアリングに取り付けるのが好ましい。搬送する面の完璧な平坦性を確保するために、それぞれのローラーの配置を調節できるのが有利である。ローラーを、少なくとも一つのモーターで駆動するピニオン又はチェーン、好ましくはタンジェンシャルチェーンを用いて動かすのが好ましい。
【００６３】
基材が柔軟な高分子有機材料から作られている場合には、それを、ひと続きのローラーの形態のフィルム巻き上げ機構を用いて移動させてもよい。この場合には、基材の厚さ（ひいてはその柔軟性）と見込まれるたるみの発生に熱処理が与える影響とを考慮して、ローラー間の距離を適切に選択することによって平坦性を確保してもよい。
【００６４】
基材の走行速度は、４ｍ／ｍｉｎ以上、特に５ｍ／ｍｉｎ以上、６ｍ／ｍｉｎ以上、７ｍ／ｍｉｎ以上、あるいは８ｍ／ｍｉｎ以上、９ｍ／ｍｉｎ以上、又は１０ｍ／ｍｉｎ以上であるのが有利である。一部の実施形態によれば、基材の走行速度は、１２ｍ／ｍｉｎ以上、１５ｍ／ｍｉｎ以上、特に２０ｍ／ｍｉｎ以上、さらには２５ｍ／ｍｉｎ以上、又は３０ｍ／ｍｉｎ以上である。可能な限り均一な処理を確保するために、基材の走行速度は、処理の間に、その公称値に対して相対的にみれば１０％以下、特に２％以下、あるいは１％以下で変化する。
【００６５】
もちろん、基材の表面に好適に放射線を当てることができるという条件で、基材及び加熱手段のあらゆる相対的な配置が可能である。より一般的には、基材を水平に又は実質的に水平に配置するが、垂直に、又はあらゆる可能な傾斜で配置してもよい。基材を水平に配置する場合には、加熱手段を、一般的には基材の上面を処理するように配置する。また、加熱手段で基材の底面を処理してもよい。この場合には、基材搬送装置には処理される領域に熱が届くのを可能にすることが必要とされる。これは、例えば搬送ローラーを用いる場合である。ローラーは、隔てられた物体であるため、連続する二つのローラーの間に位置する領域に加熱手段を配置することが可能である。
【００６６】
基材の両面を処理する場合には、基材の両面に位置する多数の加熱手段を採用することが可能であり、後者は、水平配置か、垂直配置か、又は任意の傾斜配置かのいずれかである。これらの加熱手段は、同一ないし異なっていてもよく、特に複数のレーザーの場合にはそれらの波長を異ならせてもよく、とりわけ処理されるそれぞれのコーティングに合わせてもよい。例として、基材の第一の面に位置する第一のコーティング（例えば低放射率コーティング）を、例えば可視又は近赤外で放出する第一のレーザー放射によって処理してもよく、さらに前記基材の第二の面に位置する第二のコーティング（例えば光触媒コーティング）を、例えば赤外で放射する第二のレーザー放射によって処理してもよい。
【００６７】
本発明の熱処理装置は、層被着ライン、例えばマグネトロンスパッタリング被着ライン（マグネトロン工程）又は化学気相成長（ＣＶＤ）ライン、特に、真空下でのプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）ライン又は大気圧下でのプラズマ化学気相成長ライン（ＡＰ−ＰＥＣＶＤ）に組み込んでもよい。一般的に、ラインは、基材処理装置、被着ユニット、光学制御装置、及びスタッキング装置を含む。例えば、基材は、各装置又は各ユニットを相次いで通過するコンベヤーローラー上を走行する。
【００６８】
本発明の熱処理装置は、コーティング被着ユニットの直後に、例えば被着ユニットの出口に位置するのが好ましい。したがって、コーティングを被着した後でコーティングされた基材を、被着ユニットの出口で、かつ光学制御装置の前のラインで、又は光学制御装置の後かつ基材スタッキング装置の前のラインで処理するのがよい。
【００６９】
また、熱処理装置を、所定の場合において、被着ユニットに組み込んでもよい。例えば、レーザー源を、スパッタリング被着ユニットのチャンバーのうち一つに、特に大気が希薄な、とりわけ１０−６ｍｂａｒと１０−２ｍｂａｒの間の圧力のチャンバーに導入してもよい。また、熱処理装置を被着ユニットの外部に配置してもよいが、前記ユニットの内部に位置する基材を処理するようにする。例えば、レーザーを使用する場合には、この目的のために、用いる放射線の波長を透過する窓であって、レーザー放射線が通過して層を処理する窓を設けることができる。この場合には、層（例えば銀の層）を処理してから、続いて同一ユニットにおいて別の層を被着することができる。
【００７０】
熱処理装置が、被着ユニットの外部にあろうと、その内部に組み込まれていようと、これらの「インライン」工程は、被着段階と熱処理の合間にガラス基材を積層することが必要なオフライン作業を伴う方法にとって好ましい。
【００７１】
しかしながら、オフライン作業を伴う方法は、本発明の熱処理を被着を行う場所とは異なる場所、例えばガラスの転化を行う場所で実行する場合に、有利であろう。したがって、熱処理装置を、層被着ライン以外のラインに組み込んでもよい。例えば、これを、多重グレージング（特に二重又は三重グレージング）の製造ラインに、又は積層グレージングの製造ライン、湾曲及び／若しくは強化グレージングの製造ラインに組み込んでもよい。積層、湾曲、又は強化グレージングは、建造物のグレージングや自動車のグレージングの両方として用いることができる。これらの種々の場合において、本発明の熱処理は、多重グレージング又は積層グレージングを製造する前に行うのが好ましい。しかしながら、熱処理を、二重グレージング又は積層グレージングを製造した後に行ってもよい。
【００７２】
加熱手段がレーザー源である場合には、熱処理装置は、レーザー放射線に対するあらゆる接触を防止することによって人を保護し、かつあらゆる汚染、特に基材、光学素子、又は処理領域の汚染を防止することを可能にする密閉チャンバーに配置するのが好ましい。
【００７３】
コーティングは、任意のタイプの方法、特に大部分が非晶質又はナノ結晶質である層を生成する方法、例えばスパッタリング法、とりわけマグネトロンスパッタリング法、プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法、真空蒸着法、又はゾル―ゲル法によって、基材に被着してもよい。
【００７４】
コーティングは、スパッタリング、とりわけマグネトロンスパッタリング（マグネトロン法）によって被着するのが好ましい。
【００７５】
より簡素化するためには、コーティングの熱処理を空気中で及び／又は大気圧下で行うのが好ましい。しかしながら、多層積層体の熱処理を実際の真空被着チャンバー内で、例えばその後で被着を行う以前に、行うことが可能である。
【００７６】
基材は、ガラス製、ガラスセラミック製、又は高分子有機材料製であるのが好ましい。これは、透明、無着色（この場合にはクリア、又は超クリアガラスである）、又は着色、例えば青色、灰色、緑色、若しくは青銅色の着色であるのが好ましい。ガラスはソーダ−石灰−シリカタイプのが好ましいが、また、ホウケイ酸塩又はアルミノホウケイ酸塩タイプのガラスでもよい。好ましい高分子有機材料は、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、あるいはフルオロポリマー類、例えばエチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）などである。基材は、１ｍ超かこれに等しく、２ｍ超かこれに等しく、又は３ｍ超かこれに等しい少なくとも一つの寸法を有するのが有利である。基材の厚さは、一般的には０．５ｍｍと１９ｍｍの間、好ましくは０．７ｍｍと９ｍｍの間、特に２ｍｍと８ｍｍの間、又は４ｍｍと６ｍｍの間で様々である。基材は、平坦であるか、湾曲し、あるいは柔軟であってよい。
【００７７】
ガラス基材は、フロートガラスタイプ、すなわち溶融ガラスを溶融スズの浴（「フロート」浴）に注ぐものである方法によって得ることができるフロートガラスタイプであるのが好ましい。この場合には、処理されるコーティングは、基材の「スズ」側と同様に「大気」側にも被着することができる。「大気」側及び「スズ」側という用語は、それぞれフロート浴を覆う大気と接触する基材の側、及び溶融スズと接触する基材の側を意味すると理解される。スズ側は、ガラスの構造中に拡散したスズをその表面付近に少量含有している。また、ガラス基材を、二つのロールの間での圧延、特にガラスの表面にパターンを刻み込むことを可能にする技術である圧延によって得てもよい。
【００７８】
熱処理は、特に結晶のサイズ及び／又は結晶相の量の増大によって、コーティングの結晶化を向上することを意図するものが好ましい。また、熱処理は、任意選択的に特定の結晶相の成長を促進することによって、金属の層、又は酸素が不足当量である金属酸化物の層を酸化することを意図するものでもよい。
【００７９】
熱処理工程は、コーティングの溶融、さらには部分的な溶融を行うものでないのが好ましい。処理がコーティングの結晶化を向上することを意図するものである場合には、熱処理は、固相を維持したまま、コーティング中に既に存在している核の周囲での結晶成長の物理化学的な機構によってコーティングの結晶化を促進するのに十分なエネルギーを提供することを可能にする。一方で非常に高い温度が要求されるため、かつ他方で例えばコーティングの光学的外観を変更することによって、その厚さ又は屈折率を変更し、ひいてはその特性を変更しかねないため、この処理は、溶融材料から出発する冷却による結晶化の機構を用いない。
【００８０】
コーティングは、金属、酸化物、窒化物、炭化物、酸窒化物、又はそれらのいずれかの混合物の少なくとも一つの薄層を含むのが好ましい。それは、金属層（特に銀若しくはモリブデン金属層をベースとする、又は銀若しくはモリブデンからなる金属層）、酸化チタン層、及び透明導電性層から選択される薄層を含むのが好ましい。
【００８１】
透明導電性層は、典型的には混合インジウムスズ酸化物（「ＩＴＯ」と称される）をベースとし、混合インジウムスズ酸化物（「ＩＺＯ」と称される）をベースとし、ガリウムドープ型若しくはアルミニウムドープ型酸化亜鉛をベースとし、ニオブドープ型酸化チタンをベースとし、スズ酸カドミウム若しくはスズ酸亜鉛をベースとし、又はフッ素及び／若しくはアンチモンがドープされた酸化スズをベースとする。これらの種々の層は、透明にもかかわらず導電性又は半導電性であり、かつこれらの二つの特性が必要な多くのシステム、液晶ディスプレー（ＬＣＤ）、ソーラー若しくは光起電性コレクター、エレクトロクロミック若しくはエレクトロルミネセント装置（特にＬＥＤ、ＯＬＥＤ）などで用いられる層になる顕著な特徴を有している。一般的には所望のシート抵抗によって決定されるこれらの厚さは、典型的には境界値を含めて５０ｎｍと１０００ｎｍの間である。
【００８２】
薄い金属層、例えば金属銀に基づくのみならず金属モリブデン又は金属ニオブにも基づく薄い金属層は、電気伝導の特性及び赤外放射線の反射の特性を有し、ひいては太陽光制御グレージング、特にソーラープロテクショングレージング（入ってくる太陽エネルギーの量を減じるため）、又は低放射率グレージング（建造物又は自動車の外部に消散されるエネルギーの量を減じるため）で用いられる。それらの物理的厚さは、典型的には４ｎｍと２０ｎｍの間である（境界値を含む）。低放射性多層積層体は、多くの場合いくつかの銀層、典型的には、二つ又は三つの銀層を含むことがある。銀層は、一般的には摩耗からそれを保護し、かつコーティングの反射性の発現を調節することを可能にする誘電体層によって囲まれている。モリブデンは、ＣｕＩｎｘＧａ１−ｘＳｅ２（この式中のｘは０〜１である）をベースとする光電池用の電極材料として用いられることがよくある。本発明の処理は、その抵抗率を低減することを可能にする。他の材料、例えばチタン、特にそれを酸化して光触媒酸化チタン層を得るためのチタンなどを、本発明にしたがって処理してもよい。
【００８３】
処理されるコーティングが低放射率多層積層体である場合には、それは、基材から始めて、少なくとも第一の誘電体層、少なくとも銀層、任意選択的にオーバーブロッカー層を含む第一のコーティングと、少なくとも第二の誘電体層を含む第二のコーティングとを含むのが好ましい。
【００８４】
銀層の物理的厚さは、６ｎｍと２０ｎｍの間であるのが好ましい。
【００８５】
オーバーブロッカー層は、後続の層を被着（例えば後者を酸化雰囲気又は窒化雰囲気で被着する場合）している間、及び強化型又は湾曲型の任意選択的な熱処理の際に、銀層を保護することを意図している。
【００８６】
また、銀層を、アンダーブロッカー層の上にそれと接触させて被着してもよい。したがって、多層積層体は、銀層に隣接しているオーバーブロッカー層及び／又はアンダーブロッカー層を含んでもよい。
【００８７】
ブロッカー（アンダーブロッカー及び／又はオーバーブロッカー）層は、一般的にはニッケル、クロム、チタン、ニオブ、又はそれら種々の金属の合金から選択される金属をベースとする。特にニッケル−チタン合金（とりわけ各金属を重量で約５０％ずつ含有しているもの）で製造されたもの、及びニッケル−クロム合金（とりわけニッケルを重量で８０％、及びクロムを重量で２０％含有しているもの）で製造されたものを挙げることができる。また、オーバーロッカー層は、いくつか重ね合わせた層、例えば基材から遠ざかるにつれて、チタン層、及びその次のニッケル合金（とりわけニッケル−クロム合金）層から構成されていてもよく、又はこの逆もまた然りである。また、前述の種々の金属又は合金を、部分的に酸化してもよく、かつとりわけ酸素について不足当量（例えばＴｉＯｘ又はＮｉＣｒＯｘ）にしてもよい。
【００８８】
これらのブロッカー（アンダーブロッカー及び／又はオーバーブロッカー）層は、非常に薄く、通常、多層積層体の光の透過率に影響を及ぼさないようにするために１ｎｍ未満の厚さを有し、かつ本発明の熱処理の際に部分的に酸化されていてもよい。一般的には、ブロッカー層は、大気又は基材から来る酸素を捕捉することができ、したがって銀層が酸化されることを防止することができる犠牲層である。
【００８９】
第一及び／又は第二の誘電体層（特に第二誘電体層の場合には、基材から一番遠いもの）は、典型的には酸化物（とりわけスズ酸化物）、あるいは好ましくは窒化物、とりわけ窒化ケイ素である。一般的に窒化ケイ素には、スパッタリング技術によってそれを被着することをより容易にするために、例えばアルミニウム又はホウ素がドープされていてもよい。ドープの程度（ケイ素の量に対する原子％相当）は、一般的には２％以下である。これらの誘電体層の機能は、化学的又は機械的攻撃から銀層を保護することであり、また、これらは、干渉現象を介して多層積層体の光学的特性、とりわけ反射率に影響を及ぼす。
【００９０】
第一のコーティングは、一つの誘電体層又は多数の、典型的には二つ〜四つの誘電体層を含んでもよい。第二のコーティングは、一つの誘電体層又は多数の、典型的には二つ〜三つの誘電体層を含んでもよい。これらの誘電体層は、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化スズ、及び酸化亜鉛、又はそれらのいずれかの混合物若しくは固溶体、例えば酸化スズ亜鉛、又は酸化チタン亜鉛から選択される材料で製造されているのが好ましい。第一のコーティングであれ第二のコーティングであれ、誘電体層の物理的厚さ、又は全ての誘電体層の合計物理的厚さは、１５ｎｍと６０ｎｍの間、とりわけ２０ｎｍと５０ｎｍの間であるのが好ましい。
【００９１】
第一のコーティングは、銀層の直下又は任意選択的なアンダーブロッカー層の直下に、湿潤層を含むのが好ましい。この湿潤層の機能は、銀層の湿潤性及び結合性を増大することである。酸化亜鉛は、とりわけアルミニウムをドープした場合には、この点について特に有利になることが判明している。
【００９２】
また、第一のコーティングは、湿潤層の直下に平滑層を含んでもよい。この平滑層は、部分的又は完璧に非晶質混合酸化物であり（ひいては非常に小さい粗さを有するものである）、この平滑層の機能は、湿潤層の優先結晶方位の成長を促進し、それによりエピタキシャル現象による銀の結晶化を促進することである。平滑層は、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｇａ，及びＳｂから選択される少なくとも二種の金属の混合酸化物からなるのが好ましい。好ましい酸化物は、アンチモンドープ型のインジウムスズ酸化物である。
【００９３】
第一のコーティングにおいて、湿潤層又は任意選択的な平滑層は、第一の誘電体層上に直接被着するのが好ましい。第一の誘電体層は、基材上に直接被着するのが好ましい。多層積層体の光学的特性（とりわけ反射性の発現）を最も有利に適合させるために、第一の誘電体層を、代案として、別の酸化物層又は窒化物層、例えば酸化チタン層の上に被着してもよい。
【００９４】
第二のコーティング内において、第二の誘電体層を、多層積層体の光学的特性を適合させることを意図して、銀層上に、好ましくはオーバーブロッカー上に、あるいは他の酸化物層若しくは窒化物層上に直接被着してもよい。例えば、酸化亜鉛層、とりわけアルミニウムがドープされたもの、又は酸化スズ層を、オーバーブロッカーと好ましくは窒化ケイ素製の第二の誘電体層の間に配置してもよい。酸化亜鉛、とりわけアルミニウムドープ型酸化亜鉛は、銀層とその上方の層の間の密着性を向上させるのを可能にする。
【００９５】
したがって、本発明にしたがって処理される多層積層体は、少なくとも一つのＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯの連続体を含むのが好ましい。酸化亜鉛には、アルミニウムがドープされていてもよい。アンダーブロッカー層が、銀層とその下方の層の間に配置されていてもよい。代替案として又は併合的に、オーバーブロッカー層を銀層とその上方の層の間に配置してもよい。
【００９６】
最後に、第二のコーティングの上には、当該技術分野においてオーバーコートと称されることもある上層が配置されていてもよい。多層積層体のこの最終層、したがって周囲空気と接触するこの最終層は、あらゆる機械的な攻撃（引っかき傷など）又は化学的な攻撃から多層積層体を保護することを意図している。このオーバーコートは、多層積層体の反射性の発現を妨げることのないように一般的には非常に薄い（その厚さは典型的には１ｎｍと５ｎｍの間である）。それは、不足当量の形で被着されている、酸化チタン又は混合スズ亜鉛酸化物、とりわけアンチモンがドープされているものに基づくのが好ましい。
【００９７】
多層積層体は、一又は複数の銀層、とりわけ二つ又は三つの銀層を含んでもよい。いくつかの銀層が存在する場合には、上述の一般的な構造を繰り返してもよい。この場合には、所定の銀層に対する第二のコーティング（したがって銀層の上に位置する）は、一般的には次の銀層に対する第一のコーティングと同一である。
【００９８】
酸化チタンをベースとする薄層は、紫外放射線の作用の下で有機化合物の分解を促進し、かつ水の流れの作用の下で無機質の汚染（ほこり）の除去を促進することによって、自浄性であるという顕著な特徴を有している。これらの物理的厚さは、境界値を含めて２ｎｍと５０ｎｍの間、特に５ｎｍと２０ｎｍの間であるのが好ましい。
【００９９】
上述した種々の層は、それらが少なくとも部分的に結晶化された状態にある場合に向上したそれらいくつかの特性から分かる、共通した顕著な特徴を有している。一般的に、これらの層の結晶化の度合（重量による、又は体積による結晶化した材料の割合）、及び結晶粒のサイズ（又はＸ線回折法によって測定されるコヒーレント回折ドメインのサイズ）を最大化し、あるいは、所定の場合において特定の結晶学的形態に有利に働くようにすることが求められている。
【０１００】
酸化チタンの場合には、アナターゼ型で結晶化した酸化チタンは、非晶質酸化チタン又はルチル型若しくはブルカイト型で結晶化した酸化チタンより、有機化合物の分解に関してはるかに効率的であることが知られている。
【０１０１】
また、結晶化の度合が高く、結果として非晶質銀の残留含有量が低い銀層は、大部分が非晶質である銀層より、より低い放射率とより低い抵抗率を有することも知られている。したがって、これらの層の電気伝導性及び低放射率の特性は向上する。
【０１０２】
同様に、前記透明導電性層、とりわけドープ型酸化亜鉛、フッ素ドープ型酸化スズ若しくはスズドープ型酸化インジウムをベースとするものは、その結晶化の度合が高い場合には、よりいっそう高い電気伝導性を有する。
【０１０３】
コーティングが導電性である場合には、そのシート抵抗を、熱処理によって１０％以上、１５％以上、あるいは２０％以上低減するのが好ましい。ここでは、これは処理前のシート抵抗の値に関する相対的減少について言及している。
【０１０４】
他のコーティングを本発明にしたがって処理してもよい。とりわけ、制限されることなく、ＣｄＴｅ又は黄銅鉱、例えばＣｕＩｎｘＧａ１−ｘＳｅ２タイプの黄銅鉱（この式のｘは０〜１である）をベースとする（又はそれで構成されている）コーティングを挙げることができる。また、エナメルタイプ（例えばスクリーン印刷により被着）、又は塗料若しくはラッカータイプ（典型的には有機樹脂及び顔料を含む）のコーティングを挙げることもできる。
【０１０５】
本発明にしたがって得られるコーティングされた基材は、単一、多重、又は積層グレージング、ミラー、及びガラス壁装材で用いることができる。コーティングが低放射率多層積層体であり、かつガスが充填されたキャビティによって分離されている少なくとも二つのガラスシートを含む多重グレージングの場合には、多層積層体を、前記ガスが充填されたキャビティに接する面の上、とりわけ外部に対する面２の上（すなわち、建築物の外側に接する基材の外部に向けられる面に対して反対側の面の上）、又は面３の上（すなわち、建築物の外側から出発して二番目の基材の外部に向けられる面の上）に配置するのが好ましい。コーティングが光触媒層である場合、面１の上、したがって建築物の外側に接する面の上に配置するのが好ましい。
【０１０６】
また、本発明にしたがって得られるコーティングされた基材を、光電池、グレージング、ソーラーパネルで用いてもよく、本発明にしたがって処理されるコーティングは、例えば黄銅鉱（特にＣＩＧＳ−ＣｕＩｎｘＧａ１−ｘＳｅ２タイプの黄銅鉱（式中のｘは０〜１である））をベースとし、又は非晶質及び／若しくは多結晶シリコンをベースとし、又はＣｄＴｅをベースとする多層積層体におけるＺｎＯ：Ａｌ又はＺｎＯ：Ｇａをベースとする電極にしてもよい。
【０１０７】
また、本発明にしたがって得られるコーティングされた基材を、ＬＣＤ（液晶ディスプレー）タイプ、ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）タイプ、又はＦＥＤ（電界放出ディスプレー）タイプのディスプレースクリーンで用いてもよく、本発明にしたがって処理されるコーティングを、例えばＩＴＯの電気伝導性層にしてもよい。また、それらをエレクトロクロミックグレージングで用いてもよく、本発明にしたがって処理される薄層を、例えばフランス国特許出願公開等２８３３１０７号明細書で教示されているような透明導電性層にしてもよい。
【０１０８】
以下の非限定的な図及び代表的な実施形態を用いて本発明を例示する。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】本発明の第一の実施形態の概略上面図である。
【図２】本発明の第二の実施形態の概略上面図である。
【発明を実施するための形態】
【０１１０】
コーティング（図示しない）を備えた基材１は、熱処理装置の中を矢印で示す方向に走行している。この装置は、基材１が走行する方向に対して垂直なラインに沿って配置され、局所的に特性を測定するための手段３ａ〜３ｇと、線形配列を有し、ここでは数が７つの加熱手段２ａ〜２ｇ、典型的にはレーザーラインである加熱手段２ａ〜２ｇとを含んでいる。図１の場合、加熱手段２ａ〜２ｇは、基材１が走行する方向に対して垂直な二つの列に沿って互い違いの列で配置されている。図２の場合には、加熱手段２ａ〜２ｇは、単一のラインを形成するように一列で配置されている。
【０１１１】
また、装置は、熱処理を調節する手段、例えばレーザーライン２ａ〜２ｇのパワーを調節することを可能にする手段を含む。測定手段３ａ〜３ｇは、例えば、コーティングの局所的な吸収率を測定することを可能にする光学センサーである。
【０１１２】
基材の各点が、最初に、１つの領域あたり一つの測定を可能にする局所的な測定手段３ａ〜３ｇに向かい合って走行し、ここでは７つの測定がなされる。これらの領域のそれぞれが対応する加熱手段２ａ〜２ｇに向かい合うときに、加熱処理を当該領域で行った測定に応じて調節する。例えばセンサー３ｃが所定の領域における吸収率の低下を観測するのを可能にする場合、当該領域がレーザー２ｃの向かい側に到着したときにこのレーザーのパワーを増加させる。
【０１１３】
本発明の一例において、６×３．２ｍ２の寸法及び４ｍｍの厚さを有し、多層積層体のスパッタリング法によってコーティングした、製品名ＳＧＧ  Ｐｌａｎｉｌｕｘとしてサン−ゴバン・グラス・フランス社から販売されているソーダ石灰シリカフロートガラスの基材を処理した。この多層積層体は銀の薄層を含む低放射率タイプのものであり、熱処理の目的は、層をより良く結晶化して、多層積層体の放射率を低減することであった。コーティングの平均吸収率（熱処理前）は、用いたレーザーの波長で８％であった。
【０１１４】
この吸収率は、特にカソードの摩耗の差が原因となり、基材の全幅にわたって同一ではなかった。したがって、この代表的な実施形態で処理した基材の事例では、吸収率は、一端で９％であり、その反対の端から始まって幅の三分の一のところでは７．５％であった。
【０１１５】
熱処理装置は、各３０ｃｍの長さを有する１１のレーザーラインを使用したことを除き、図１と同じタイプのものであった。レーザーラインの二つの列の間の距離（基材が走行する方向で測定）は、１ｍｍであった。これらのレーザーラインは非常にわずかに重複し、したがってコーティングの特定の箇所は、二つの隣接するラインによって連続的に処理された。しかしながら、レーザーラインの列の間の距離を考慮して、重複する領域は、第二の列のレーザーによって処理を受ける前に周囲温度に冷却される時間があった。
【０１１６】
レーザーラインの幅は４０μｍであり、その線形パワー密度は４５０Ｗ／ｃｍであった。レーザー源は、９８０ｎｍの波長で連続放射するＩｎＧａＡｓ半導体レーザーであった。これらの条件の下で、１０ｍ／分の走行速度に対して、コーティングの温度の上昇は４５０℃であった。
【０１１７】
コーティングの局所的な吸収率を測定することを可能にする１１のセンサーを、レーザーラインから約５０ｃｍ上流にあるラインに沿って配置した。Ｏｐｔｏｐｌｅｘ社から販売されているこれらのセンサーは、ランプ及びフォトダイオードを含んでいた。図１の場合のように、それぞれのセンサーがレーザーラインにより後で処理される領域の吸収率を測定するのを可能にする。
【０１１８】
ここでは、処理の調節は、上流で測定した吸収率に応じてレーザーのパワーを補正するものであった。補正は比例式であり、半導体レーザーに送る電流によってレーザーのパワーを吸収率の増加に比例して減少させ、この逆もまた然りであった。測定と補正の間には遅延があって、この遅延の時間は、センサーとレーザーラインの間の距離を移動するのに必要な時間に相当した。
【０１１９】
吸収率の１％の低下をレーザーのパワーの１％の増加によって補償したという意味で、補正は線形であった。したがって、複数のセンサーのうちの一つによって局所的に測定された吸収率がたったの７％である場合には、対応するレーザーラインの線形パワー密度を約５００Ｗ／ｃｍに増加させる。逆に言えば、吸収率が９％である端部では、線形パワー密度を、４００Ｗ／ｃｍに低減させる。
本発明の態様は、以下のとおりである：
〈態様１〉
面のうち少なくとも一つの上にコーティングを備えた基材（１）を得る方法であり、前記コーティングを前記基材（１）の上に被着し、次いで、前記コーティングを走行する前記基材（１）の向かい側にある少なくとも一つの加熱手段（２ａ）を用いて熱処理する方法であって、前記熱処理の前に、前記コーティングの少なくとも一つの特性の少なくとも一つの測定を走行している前記基材（１）について行い、かつ前記熱処理の条件を前もって得た測定値に応じて適合させるようにする、コーティングを備えた基材（１）を得る方法。
〈態様２〉
前記コーティングをそれぞれ独立に制御可能でありかつ走行する前記基材（１）の向かい側にある少なくとも二つの加熱手段（２ａ，２ｂ）を用いて熱処理し、各加熱手段（２ａ，２ｂ）は前記コーティングの異なる領域を処理し、さらに、前記熱処理の前に各前記領域に対して、前記コーティングの少なくとも一つの特性の少なくとも一つの測定を走行している前記基材（１）について行い、かつ前もって得た測定値に応じて各領域の前記熱処理の条件を当該領域に対して適合させるようにする、請求項１に記載の方法。
〈態様３〉
前記加熱手段（２ａ，２ｂ）を、レーザー、プラズマトーチ、マイクロ波源、バーナー、及びインダクターから選択する、請求項１又は２に記載の方法。
〈態様４〉
前記レーザー（２ａ，２ｂ）が線状に並んでいる、請求項３に記載の方法。
〈態様５〉
前記熱処理の前に測定する前記コーティングの少なくとも一つの特性を、光学的、電気的、又は寸法的な特性から選択する、請求項１〜４のうちの一つに記載の方法。
〈態様６〉
前記光学的な特性を、吸収率、反射率、透過率、及び色から選択する、請求項５に記載の方法。
〈態様７〉
前記電気的な特性を、抵抗率、導電率、及びシート抵抗から選択する、請求項５に記載の方法。
〈態様８〉
前記熱処理の条件の適合を自動的に行う、請求項１〜７のうちの一つに記載の方法。
〈態様９〉
前記熱処理の条件を、前記加熱手段（２ａ）から供給されるパワーを変更することによって適合させる、請求項１〜８のうちの一つに記載の方法。
〈態様１０〉
前記基材（１）が、ガラス製、ガラスセラミック製、又は高分子有機材料製である、請求項１〜９のうちの一つに記載の方法。
〈態様１１〉
前記コーティングが、金属、酸化物、窒化物、炭化物、酸窒化物、又はそれらのいずれかの混合物の少なくとも一つの薄層を含む、請求項１〜１０のうちの一つに記載の方法。
〈態様１２〉
前記コーティングが銀ベースの層を少なくとも一つ含む、請求項１１に記載の方法。
〈態様１３〉
前記熱処理工程がコーティングの溶融を、さらには部分的溶融さえも伴わない、請求項１〜１２のうちの一つに記載の方法。
〈態様１４〉
基材（１）の上に被着したコーティングの熱処理用装置であって、前記基材（１）がそれに向き合って走行し得る少なくとも一つの加熱手段（２ａ）と、前記加熱手段（２ａ）の上流に配置され前記コーティングの少なくとも一つの特性を測定するための少なくとも一つの測定手段（３ａ）と、前もって得た測定値に応じて熱処理条件を適合させるための手段とを含む、コーティングの熱処理用装置。
〈態様１５〉
それぞれ独立に制御可能でありかつそれに向き合って前記基材（１）が走行し得る少なくとも二つの加熱手段（２ａ，２ｂ）であって、おのおのが前記コーティングの異なる領域を処理することのできる加熱手段（２ａ，２ｂ）と、前記加熱手段（２ａ，２ｂ）の上流に配置され領域のそれぞれにおける前記コーティングの少なくとも一つの特性を局所的に測定するための手段（３ａ，３ｂ）と、前もって得た測定値に応じて各領域の熱処理条件を当該領域に対して適合させるための手段とを含む、請求項１４に記載の装置。
【図１】
0006640561.tif 000002
【図２】
0006640561.tif 000003