(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子の厚さ方向に対して直交する第１方向を向く端子側面を有するとともに、前記半導体素子から離れて配置された端子と、
前記第１方向を向く樹脂側面を有するとともに、前記半導体素子を覆う封止樹脂と、を備え、
前記端子側面は、前記樹脂側面で前記封止樹脂から露出し、
前記端子は、前記第１方向を向き、かつ前記第１方向において前記端子側面よりも前記半導体素子から離れて位置する端子外側面と、前記厚さ方向において前記端子側面と前記端子外側面とにつながる端子中間面と、を有し、
前記端子中間面は、前記厚さ方向および前記第１方向の双方に対して傾斜した領域を含み、
前記端子には、前記端子側面および前記端子中間面を覆う端子導電層が形成されていることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
前記封止樹脂は、前記第１方向を向き、かつ前記第１方向において前記樹脂側面よりも前記半導体素子から離れて位置する樹脂外側面を有し、
前記樹脂外側面は、前記端子外側面と面一である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体素子と、
前記半導体素子の厚さ方向と、前記厚さ方向に対して直交する第１方向と、の双方に対して直交する第２方向を向く端子側面を有するとともに、前記半導体素子から離れて配置された端子と、
前記第２方向を向く樹脂側面を有するとともに、前記半導体素子を覆う封止樹脂と、を備え、
前記端子側面は、前記樹脂側面で前記封止樹脂から露出するとともに、前記樹脂側面と面一であり、
前記封止樹脂は、前記第２方向を向き、かつ前記第２方向において前記樹脂側面よりも前記半導体素子に寄って位置する樹脂内側面を有し、
前記端子には、前記端子側面を覆う端子導電層が形成されていることを特徴とする、半導体装置。
【請求項４】
前記端子は、Ｃｕを主成分とする合金からなる、請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記端子導電層は、Ｓｎを含有する合金層を含む、請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記端子導電層は、Ｎｉ層と、前記Ｎｉ層に積層されたＳｎを含有する合金層と、から構成される、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記端子導電層は、Ａｕ層を含む、請求項１ないし４のいずれかに記載された半導体装置。
【請求項８】
前記端子導電層は、Ｐｄ層と、前記Ｐｄ層に積層された前記Ａｕ層と、を含む、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記端子導電層は、Ｎｉ層と、前記Ｎｉ層に積層された前記Ｐｄ層と、前記Ｐｄ層に積層された前記Ａｕ層と、から構成される、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記端子は、前記厚さ方向を向く端子裏面を有し、
前記端子裏面が前記封止樹脂から露出している、請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記端子導電層は、前記端子裏面を覆っている、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記厚さ方向において互いに反対側を向くパッド表面およびパッド裏面を有するとともに、前記端子と同一の材料からなるダイパッドをさらに備え、
前記パッド表面に前記半導体素子が搭載されている、請求項１０または１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記パッド裏面は、前記封止樹脂から露出し、かつ前記端子裏面と面一である、請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記ダイパッドには、前記パッド裏面を覆うパッド導電層が形成されている、請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記パッド導電層の構成は、前記端子導電層の構成と同一である、請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記半導体素子と前記パッド表面との間に介在する接合層をさらに備える、請求項１２ないし１５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記半導体素子と前記端子とを接続するボンディングワイヤをさらに備える、請求項１２ないし１６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記端子は、前記端子裏面とは反対側を向く端子表面を有し、
前記端子表面に前記ボンディングワイヤが接続されている、請求項１７に記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記厚さ方向において、前記パッド表面は、前記端子表面と前記端子裏面との間に位置する、請求項１８に記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記パッド表面および前記端子表面を覆う内装めっき層をさらに備える、請求項１８または１９に記載の半導体装置。
【請求項２１】
前記内装めっき層は、Ａｇ層である、請求項２０に記載の半導体装置。
【請求項２２】
前記封止樹脂は、ガラスフリットが含有されたエポキシ樹脂である、請求項１ないし２１のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項２３】
前記半導体素子は、ホール素子である、請求項１ないし２２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項２４】
厚さ方向の一方を向く裏面を有するとともに、互いに離れて位置する端子部およびパッド部を含む導電性基材を準備する工程と、
前記パッド部に半導体素子を搭載する工程と、
前記裏面が露出するように、前記導電性基材および前記半導体素子を覆う封止樹脂を形成する工程と、
前記厚さ方向、および前記厚さ方向に対して直交する第１方向の双方に対して直交する第２方向に沿って前記導電性基材の一部を前記裏面から切断することにより、前記封止樹脂から露出する基材一次切断面を前記端子部に形成する一次切断を行う工程と、
前記基材一次切断面を覆う導電層を形成する工程と、
前記第１方向および前記第２方向の双方に沿って前記導電性基材を個片に分割する二次切断を行う工程と、を備え、
前記基材一次切断面は、前記端子部の前記裏面につながり、かつ前記第１方向を向く端子側面と、前記厚さ方向において前記端子側面に対して前記端子部の前記裏面とは反対側に位置し、かつ前記端子側面につながる端子中間面と、を含み、
前記端子中間面は、前記厚さ方向および前記第１方向の双方に対して傾斜した領域を含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子がホール素子であり、かつ表面実装型の樹脂パッケージ形式による半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子がホール素子である半導体装置は、携帯電話など様々な電子機器に適用されている。たとえば、携帯電話のディスプレイの光源を制御する場合に、当該半導体装置を適用すれば携帯電話の本体を開閉することによって、光源を点灯または消灯するといった制御を行うことができる。当該半導体装置は、より一層の小型化が要求されている。
【０００３】
特許文献１には、小型化を図った半導体素子がホール素子である半導体装置が掲載されている。当該半導体装置は、半導体素子と、半導体素子から厚さ方向に起立する複数の電極と、各々の電極の先端に配置されたはんだボールと、半導体素子および電極を覆う封止樹脂とを備えた構成となっている。当該半導体装置においては、リードフレームなどに半導体素子が搭載されず、電極とはんだボールのみで半導体素子の導電経路が形成され、かつ半導体素子の基板が外部に露出している。このため、当該半導体装置は、小型化が図られたものとなっている。
【０００４】
ただし、特許文献１に掲載されている半導体装置は、はんだボールを適用しているため、装置の一層の小型化を図る場合、相互のはんだボールが干渉するため半導体装置の小型化に限界がある。この場合において、はんだボールを廃止すれば半導体装置の小型化を図ることが可能となるが、回路基板に半導体装置を表面実装するとき、当該半導体装置にはんだフィレットを形成することが困難となるため、十分な実装強度が得られず実装性が低下するという課題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２７７０３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記事情に鑑み、小型化および実装性の向上を図った半導体装置およびその製造方法を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の側面によって提供される半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子から離間して配置されるとともに、前記半導体素子の厚さ方向に対して直角である方向を向く端子側面を有する端子と、前記半導体素子を覆い、かつ前記半導体素子の厚さ方向に対して直角である方向を向く樹脂側面を有する封止樹脂と、を備える半導体装置であって、前記端子側面は、前記樹脂側面から露出し、前記端子には、前記端子側面を覆う端子導電層が形成されていることを特徴としている。
【０００８】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記端子は、Ｃｕを主成分とする合金からなる。
【０００９】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記端子導電層は、Ｓｎを含有する合金層を含む。
【００１０】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記端子導電層は、互いに積層されたＮｉ層およびＳｎを含有する合金層から構成される。
【００１１】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記端子導電層は、Ａｕ層を含む。
【００１２】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記端子導電層は、互いに積層されたＰｄ層およびＡｕ層を含む。
【００１３】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記端子導電層は、互いに積層されたＮｉ層、Ｐｄ層およびＡｕ層から構成される。
【００１４】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記端子は、複数の前記端子側面を有し、前記端子側面は、前記半導体素子の厚さ方向に対して直角である第１方向を向く端子第１側面と、前記半導体素子の厚さ方向および前記第１方向に対していずれも直角である第２方向を向く端子第２側面と、を含み、前記樹脂側面は、前記第１方向を向く樹脂第１側面と、前記第２方向を向く樹脂第２側面と、を含み、前記端子導電層は、前記端子第１側面または前記端子第２側面のいずれかを覆っている。
【００１５】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記端子導電層は、前記端子第１側面を覆い、前記端子第１側面は、前記樹脂第１側面と面一である。
【００１６】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記端子は、前記第１方向を向き、かつ前記端子第１側面から外側に突出する端子外側面を有し、前記端子導電層は、前記端子外側面を覆っていない。
【００１７】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記封止樹脂は、前記第１方向を向き、かつ前記樹脂第１側面から外側に突出する樹脂第１外側面を有し、前記樹脂第１外側面は、前記端子外側面と面一である。
【００１８】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記端子導電層は、前記端子第２側面を覆い、前記端子第２側面は、前記樹脂第２側面と面一である。
【００１９】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記封止樹脂は、前記第２方向を向き、かつ前記樹脂第２側面から外側に突出する樹脂第２外側面を有する。
【００２０】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記封止樹脂は、前記第２方向を向き、かつ前記樹脂第２側面よりも前記半導体素子に寄って位置する樹脂内側面を有する。
【００２１】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記端子は、前記半導体素子の厚さ方向を向く端子裏面を有し、前記端子裏面が前記封止樹脂から露出している。
【００２２】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記端子導電層は、前記端子裏面を覆っている。
【００２３】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記半導体素子の厚さ方向において互いに反対側を向くパッド表面およびパッド裏面を有し、かつ前記端子と同一の材料からなるダイパッドを備え、前記パッド表面に前記半導体素子が搭載されている。
【００２４】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記パッド裏面は、前記封止樹脂から露出し、かつ前記端子裏面と面一である。
【００２５】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記ダイパッドには、前記パッド裏面を覆うパッド導電層が形成されている。
【００２６】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記パッド導電層の構成は、前記端子導電層の構成と同一である。
【００２７】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記半導体素子と前記パッド表面との間に介在する接合層を備える。
【００２８】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記半導体素子と前記端子とを接続するボンディングワイヤを備える。
【００２９】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記端子は、前記端子裏面とは反対側を向く端子表面を有し、前記端子表面に前記ボンディングワイヤが接続されている。
【００３０】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記半導体素子の厚さ方向において、前記パッド表面は、前記端子表面と前記端子裏面との間に位置している。
【００３１】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記端子表面および前記パッド表面を覆う内装めっき層を備える。
【００３２】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記内装めっき層は、Ａｇ層である。
【００３３】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記封止樹脂は、ガラスフリットが含有されたエポキシ樹脂である。
【００３４】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記半導体素子は、ホール素子である。
【００３５】
本発明の第２の側面によって提供される半導体装置の製造方法は、厚さ方向の一方を向く裏面を有し、かつ互いに離間した端子部およびパッド部を含む導電性基材を準備する工程と、前記パッド部に半導体素子を搭載する工程と、前記導電性基材の前記裏面が露出するように、前記導電性基材および前記半導体素子を覆う封止樹脂を形成する工程と、前記導電性基材の厚さ方向に対して直角である第１方向、または前記導電性基材の厚さ方向および前記第１方向に対していずれも直角である第２方向のいずれかに沿って前記導電性基材の少なくとも一部を切断する一次切断を行う工程と、前記封止樹脂から露出した前記端子部を覆う導電層を形成する工程と、前記第１方向と、前記導電性基材の厚さ方向および前記第１方向に対していずれも直角である第２方向と、に沿って前記導電性基材を個片に分割する二次切断を行う工程と、を備えることを特徴としている。
【００３６】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記一次切断および前記二次切断は、ともにダイシングソーを用いて行う。
【００３７】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記導電層を形成する工程では、電解めっきにより前記導電層が形成される。
【００３８】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記一次切断を行う工程では、前記導電性基材の厚さ方向において、前記導電性基材の一部を切断する。
【００３９】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記導電性基材を準備する工程では、前記導電性基材の前記裏面から前記導電性基材の一部を除去する工程を含む。
【００４０】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記一次切断を行う工程では、前記導電性基材の厚さ方向において、前記導電性基材の全部を切断する。
【００４１】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記封止樹脂を形成する工程の前に、前記導電性基材の前記裏面に絶縁性基材を貼り付ける工程と、前記封止樹脂を形成する工程と前記一次切断を行う工程との間に、前記導電性基材から前記絶縁性基材を剥離する工程と、を備える。
【００４２】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記半導体素子を搭載する工程と前記封止樹脂を形成する工程との間に、前記半導体素子と前記端子部とを接続するボンディングワイヤをワイヤボンディングにより形成する工程を備える。
【発明の効果】
【００４３】
本発明にかかる半導体装置によれば、封止樹脂の樹脂側面から露出する端子側面を有する端子を備え、端子には、端子側面を覆う端子導電層が形成されている。このような構成をとることによって、当該半導体装置の実装において端子側面にはんだフィレットが形成されるため、当該半導体装置の小型化および実装性の向上を図ることが可能となる。
【００４４】
また、本発明にかかる半導体装置の製造方法によれば、封止樹脂から露出した導電性基材の端子部を覆う導電層を形成する工程の前に、導電性基材の厚さ方向に対して直角である第１方向または第２方向のいずれかに沿って導電性基材の少なくとも一部を切断する一次切断を行う工程を備える。一次切断を行うことによって、電解めっきにより当該端子部の側面に導電層を形成することができるため、当該半導体装置の製造が可能となる。
【００４５】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の平面図（封止樹脂を省略）である。
【図２】図１に示す半導体装置の底面図である。
【図３】図１に示す半導体装置の右側面図である。
【図４】図１に示す半導体装置の正面図である。
【図５】図１のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。
【図６】図１のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。
【図７】図６の部分拡大図である。
【図８】図１に示す半導体装置の変形例の部分断面拡大図である。
【図９】図１のＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図である。
【図１０】図１に示す半導体装置を適用した回路のブロック図である。
【図１１】図１に示す半導体装置の製造方法を説明する平面図である。
【図１２】図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う断面図である。
【図１３】図１に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１４】図１に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１５】図１に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１６】図１に示す半導体装置の製造方法を説明する底面図である。
【図１７】図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。
【図１８】図８に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１９】図１に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図２０】図１に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図２１】図８に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図２２】図１に示す半導体装置の製造方法を説明する底面図である。
【図２３】本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の平面図（封止樹脂を省略）である。
【図２４】図２３に示す半導体装置の底面図である。
【図２５】図２３に示す半導体装置の右側面図である。
【図２６】図２３に示す半導体装置の正面図である。
【図２７】図２３のＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ線に沿う断面図である。
【図２８】図２７の部分拡大図である。
【図２９】図２３に示す半導体装置の第１変形例の部分拡大図である。
【図３０】図２３に示す半導体装置の第２変形例の部分拡大図である。
【図３１】図２３に示す半導体装置の製造方法を説明する平面図である。
【図３２】図３１のＸＸＸＩＩ−ＸＸＸＩＩ線に沿う断面図である。
【図３３】図２３に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図３４】図２３に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図３５】図２３に示す半導体装置の製造方法を説明する底面図である。
【図３６】図３５のＸＸＸＶＩ−ＸＸＸＶＩ線に沿う断面図である。
【図３７】図２９に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図３８】図２３に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図３９】図２３に示す半導体装置の製造方法を説明する底面図である。
【図４０】図３０に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４７】
本発明を実施するための形態（以下「実施形態」という。）について、添付図面に基づいて説明する。
【００４８】
〔第１実施形態〕
図１〜図９に基づき、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０について説明する。半導体装置Ａ１０は、半導体素子１１、接合層１２、端子２、ダイパッド３、封止樹脂４、内装めっき層５およびボンディングワイヤ６を備える。
【００４９】
図１は、半導体装置Ａ１０の平面図であり、理解の便宜上、封止樹脂４を省略している。図２は、半導体装置Ａ１０の底面図である。図３は、半導体装置Ａ１０の右側面図である。図４は、半導体装置Ａ１０の正面図である。図５は、図１のＶ−Ｖ線（図１に示す一点鎖線）に沿う断面図である。図６は、図１のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。図７は、図６の部分拡大図である。図８は、半導体装置Ａ１０の変形例である半導体装置Ａ１１の部分拡大断面図であり、その断面位置が図７と同一である。図９は、図１のＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図である。なお、図１において省略した封止樹脂４を想像線（二点鎖線）で示している。
【００５０】
これらの図に示す半導体装置Ａ１０は、携帯電話など様々な電子機器の回路基板に表面実装される形式のものである。ここで、説明の便宜上、半導体素子１１の厚さ方向Ｚに対して直角である平面図の左右方向を第１方向Ｘと、半導体素子１１の厚さ方向Ｚおよび第１方向Ｘに対していずれも直角である平面図の上下方向を第２方向Ｙと、それぞれ定義する。本実施形態では、半導体装置Ａ１０の半導体素子１１の厚さ方向Ｚ視である平面視（以下、単に「平面視」という。）の形状は、矩形状である。
【００５１】
半導体素子１１は、半導体装置Ａ１０の機能の中枢となる部分である。図１に示すように、半導体素子１１の平面視の形状は矩形状である。本実施形態にかかる半導体素子１１はホール素子である。このため、半導体装置Ａ１０は磁気センサである。また、本実施形態においては、当該ホール素子はＧａＡｓ型ホール素子である。ＧａＡｓ型ホール素子は、磁束密度の変化に対するホール電圧の直線性に優れるとともに、温度変化の影響を受けにくいという利点を有する。図５および図９に示すように、半導体素子１１は、半導体素子１１の厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く素子表面１１１および素子裏面１１２を有する。素子表面１１１は、封止樹脂４に接する面である。本実施形態では、素子表面１１１において、たとえばＡｌからなる電極パッド１１１ａが複数形成されている。各々の電極パッド１１１ａにボンディングワイヤ６が接続されている。また、素子裏面１１２は、接合層１２に接する面である。素子裏面１１２は、半導体素子１１をダイパッド３に搭載する際に利用される。
【００５２】
接合層１２は、図１、図５および図９に示すように、半導体素子１１と後述するダイパッド３のパッド表面３１との間に介在する部分である。接合層１２は、半導体素子１１の素子裏面１１２と、パッド表面３１を覆う内装めっき層５との双方に接している。本実施形態にかかる接合層１２の材料は、導電性または電気絶縁性を有する材料のどちらでもよい。導電性を有する材料の場合は、たとえばＡｇを含むエポキシ樹脂を主剤とした合成樹脂（いわゆるＡｇペースト）が当該材料として挙げられる。また、電気絶縁性を有する材料の場合は、たとえばエポキシ樹脂やポリイミドが当該材料として挙げられる。接合層１２によって、半導体素子１１はダイパッド３に固着（ダイボンディング）により搭載される。
【００５３】
端子２は、図１〜図６に示すように、導電性を有し、かつ半導体素子１１と半導体装置Ａ１０が実装される回路基板との導電経路を構成する部分である。本実施形態にかかる端子２は４つからなり、４つの端子２は、半導体装置Ａ１０において相互にかつダイパッド３から離間して配置されている。また、端子２は、後述する半導体装置Ａ１０の製造方法の一例にて示す、一体成形された導電性基材８１からなる。このため、端子２は、Ｃｕを主成分とする合金からなる。図１〜図４、図６および図７に示すように、端子２は、端子表面２１、端子裏面２２、端子側面２３、端子外側面２４１および端子中間面２４２を有する。これらのうち端子側面２３は、端子第１側面２３１および端子第２側面２３２を含む。また、図６および図７に示すように、本実施形態にかかる端子２には、封止樹脂４から露出する端子裏面２２、端子第１側面２３１および端子中間面２４２を覆う端子導電層２８が形成されている。本実施形態にかかる端子導電層２８は、Ｓｎを含有する合金層である。当該合金層は、たとえばＳｎ−Ｓｂ系合金またはＳｎ−Ａｇ系合金などの鉛フリーはんだ合金である。ここで、端子導電層２８は、互いに積層されたＮｉ層およびＳｎを含有する合金層から構成されていてもよい。また、端子導電層２８は、互いに積層されたＮｉ層、Ｐｄ層およびＡｕ層から構成されていてもよい。さらに、端子導電層２８は、互いに積層されたＰｄ層およびＡｕ層を含む構成や、Ａｕ層を含む構成であってもよい。これらの端子導電層２８の構成では、いずれもＳｎを含有する合金層またはＡｕ層が外部に露出する状態となる。
【００５４】
図５および図６に示すように、端子表面２１および端子裏面２２は、半導体素子１１の厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く面である。端子表面２１および端子裏面２２は、ともに形状が矩形状である。端子表面２１は、半導体素子１１の素子表面１１１と同方向を向く面である。端子表面２１にボンディングワイヤ６が接続されている。端子表面２１は、内装めっき層５に覆われ、さらに内装めっき層５を覆う封止樹脂４に覆われている。端子裏面２２は、端子表面２１とは反対側を向く面である。端子裏面２２は、半導体装置Ａ１０を回路基板に実装する際に利用される面である。本実施形態にかかる端子裏面２２は、封止樹脂４から露出し、かつ端子導電層２８に覆われている。
【００５５】
図１〜図４に示すように、端子側面２３は、端子表面２１と端子裏面２２との間に配置された面である。端子２は、複数の端子側面２３を有し、先述のとおり端子側面２３は、端子第１側面２３１および端子第２側面２３２を含む。
【００５６】
図１〜図４に示すように、端子第１側面２３１は、第１方向Ｘを向く面である。半導体素子１１の厚さ方向Ｚにおいて、端子第１側面２３１の一端は端子裏面２２につながっている。本実施形態にかかる端子第１側面２３１は、封止樹脂４から露出し、かつ端子導電層２８に覆われている。また、図１〜図４に示すように、端子第２側面２３２は、第２方向Ｙを向く面である。半導体素子１１の厚さ方向Ｚにおいて、端子第２側面２３２の一端は端子表面２１につながり、他端は端子裏面２２につながっている。本実施形態にかかる端子第２側面２３２は、封止樹脂４に覆われている。
【００５７】
図１、図３、図６および図７に示すように、端子外側面２４１は、第１方向Ｘを向き、かつ端子第１側面２３１から半導体装置Ａ１０の外側に突出する面である。半導体素子１１の厚さ方向Ｚにおいて、端子外側面２４１の一端は端子表面２１につながっている。本実施形態にかかる端子外側面２４１は、封止樹脂４から露出しているものの、端子導電層２８に覆われていない。また、図６および図７に示すように、端子中間面２４２は、端子裏面２２側を向き、かつ端子第１側面２３１と端子外側面２４１とをつなぐ面である。本実施形態にかかる端子中間面２４２は、曲面である。第２方向Ｙにおいて、端子中間面２４２の一端は端子第２側面２３２につながっている。本実施形態にかかる端子中間面２４２は、封止樹脂４から露出し、かつ端子導電層２８に覆われている。
【００５８】
ここで、図８に示すように、半導体装置Ａ１０の変形例である半導体装置Ａ１１のように、端子中間面２４２が端子裏面２２側を向く平坦面であってもよい。
【００５９】
図１〜図５に示すように、本実施形態にかかる端子２には、端子第２側面２３２から第２方向Ｙに延出する端子連結部２９が形成されている。本実施形態にかかる端子連結部２９の形状は、直方体状である。端子連結部２９は、連結部表面２９１、連結部裏面２９２および連結部端面２９３を有する。連結部表面２９１および連結部裏面２９２は、半導体素子１１の厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向き、かつ平坦である面である。連結部表面２９１は、端子表面２１と面一であり、端子表面２１と同様に内装めっき層５に覆われている。連結部裏面２９２は、封止樹脂４に覆われている。このため、半導体素子１１の厚さ方向Ｚにおいて、連結部表面２９１から連結部裏面２９２までの長さは、端子表面２１から端子裏面２２までの長さよりも短い。また、連結部端面２９３は、連結部表面２９１および連結部裏面２９２の双方に交差し、かつ第２方向Ｙを向く面である。本実施形態にかかる連結部端面２９３は、封止樹脂４から露出しているものの、端子導電層２８に覆われていない。
【００６０】
ダイパッド３は、図１〜図３、図５および図９に示すように、半導体素子１１を搭載する部分である。ダイパッド３は、端子２と同一の導電性基材８１からなる。よって、本実施形態にかかるダイパッド３は、端子２と同一の材料であるＣｕを主成分とする合金からなる。このため、ダイパッド３は、導電性を有する。ただし、半導体素子１１の素子裏面１１２において、電極パッド１１１ａが形成されていないため、接合層１２が仮に導電性を有する場合であっても、半導体素子１１とダイパッド３は相互に導通しない。図５および図９に示すように、ダイパッド３は、パッド表面３１およびパッド裏面３２を有する。
【００６１】
図５および図９に示すように、パッド表面３１およびパッド裏面３２は、半導体素子１１の厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く面である。パッド表面３１およびパッド裏面３２は、ともに形状が矩形状である。パッド表面３１は、半導体素子１１の素子裏面１１２に対向する面である。パッド表面３１は、内装めっき層５に覆われている。パッド表面３１を覆う内装めっき層５において、半導体素子１１を搭載するための接合層１２に覆われていない部分は、封止樹脂４に覆われている。本実施形態においては、半導体素子１１の厚さ方向Ｚにおいて、パッド表面３１は、端子表面２１と端子裏面２２との間に位置している。パッド裏面３２は、パッド表面３１とは反対側を向く面である。本実施形態にかかるパッド裏面３２は、封止樹脂４から露出し、かつ端子２の端子裏面２２と面一である。
【００６２】
図２、図５および図９に示すように、ダイパッド３には、パッド裏面３２を覆うパッド導電層３８が形成されている。本実施形態にかかるパッド導電層３８の構成は、端子導電層２８の構成と同一である。また、図１、図２および図９に示すように、本実施形態にかかるダイパッド３には、パッド表面３１およびパッド裏面３２の双方に交差し、かつ第１方向Ｘを向くダイパッド３の面から第１方向Ｘに延出する一対のパッド連結部３９が形成されている。本実施形態にかかるパッド連結部３９の形状は、直方体状である。パッド連結部３９は、連結部表面３９１、連結部裏面３９２および連結部端面３９３を有する。連結部表面３９１および連結部裏面３９２は、半導体素子１１の厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向き、かつ平坦である面である。連結部表面３９１は、パッド表面３１と面一であり、パッド表面３１と同様に内装めっき層５に覆われている。連結部裏面３９２は、封止樹脂４およびパッド導電層３８に覆われている。半導体素子１１の厚さ方向Ｚにおいて、連結部表面３９１から連結部裏面３９２までの長さは、パッド表面３１からパッド裏面３２までの長さよりも短い。また、連結部端面３９３は、連結部表面３９１および連結部裏面３９２の双方に交差し、かつ第１方向Ｘを向く一対の面である。本実施形態にかかる一対の連結部端面３９３は、ともに封止樹脂４から露出しているものの、パッド導電層３８に覆われていない。また、図１、図６および図９に示すように、各々の連結部端面３９３は、端子外側面２４１と面一である。
【００６３】
封止樹脂４は、図２〜図６および図９に示すように、半導体素子１１と、端子２およびダイパッド３のそれぞれ一部とを覆う部分である。封止樹脂４は、電気絶縁性を有する熱硬化性の合成樹脂であり、本実施形態にかかる当該合成樹脂は、黒色のエポキシ樹脂である。また、本実施形態にかかる当該エポキシ樹脂には、ガラスフリットが含有されている。図２〜図６および図９に示すように、封止樹脂４は、樹脂表面４１、樹脂裏面４２、樹脂側面４３、樹脂第１外側面４４１および樹脂中間面４４２を有する。
【００６４】
図２〜図４に示すように、樹脂表面４１および樹脂裏面４２は、半導体素子１１の厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く面である。樹脂表面４１は、半導体素子１１の素子表面１１１と同方向を向く面である。樹脂裏面４２は、樹脂表面４１とは反対側を向く面である。図２に示すように、本実施形態においては、樹脂裏面４２から、端子２の端子裏面２２およびダイパッド３のパッド裏面３２が露出している。樹脂裏面４２は、端子裏面２２およびパッド裏面３２と面一である。
【００６５】
図２〜図４に示すように、樹脂側面４３は、樹脂表面４１と樹脂裏面４２との間に配置された面である。樹脂側面４３は、第１方向Ｘを向く樹脂第１側面４３１と、第２方向Ｙを向く樹脂第２側面４３２とを含む。
【００６６】
図２〜図４に示すように、樹脂第１側面４３１は、第１方向Ｘに離間し、かつ第１方向Ｘにおいて互いに反対側を向く一対の面である。本実施形態においては、各々の樹脂第１側面４３１の一端は樹脂裏面４２につながっている。また、本実施形態においては、各々の樹脂第１側面４３１から、端子２の端子第１側面２３１が露出している。
【００６７】
図２〜図４に示すように、樹脂第２側面４３２は、第２方向Ｙに離間し、かつ第２方向Ｙにおいて互いに反対側を向く一対の面である。本実施形態においては、各々の樹脂第２側面４３２の一端は樹脂表面４１につながり、他端は樹脂裏面４２につながっている。また、本実施形態においては、各々の樹脂第２側面４３２から、端子２の連結部端面２９３が露出している。各々の樹脂第２側面４３２は、連結部端面２９３と面一である。
【００６８】
図２〜図４、図６および図９に示すように、樹脂第１外側面４４１は、第１方向Ｘを向き、かつ樹脂第１側面４３１から半導体装置Ａ１０の外側に突出する面である。本実施形態にかかる樹脂第１外側面４４１は、第１方向Ｘに離間し、かつ第１方向Ｘにおいて互いに反対側を向く一対の面である。半導体素子１１の厚さ方向Ｚにおいて、各々の樹脂第１外側面４４１の一端は樹脂表面４１につながっている。また、第２方向Ｙにおいて、各々の樹脂第１外側面４４１の両端は、一対の樹脂第２側面４３２につながっている。本実施形態においては、各々の樹脂第１外側面４４１から、端子２の端子外側面２４１およびダイパッド３の連結部端面３９３が露出している。各々の樹脂第１外側面４４１は、端子外側面２４１および連結部端面３９３と面一である。
【００６９】
図４および図９に示すように、樹脂中間面４４２は、樹脂裏面４２側を向き、かつ樹脂第１側面４３１と樹脂第１外側面４４１とをつなぐ面である。本実施形態にかかる樹脂中間面４４２は、曲面である。第２方向Ｙにおいて、樹脂中間面４４２の両端は一対の樹脂第２側面４３２につながっている。
【００７０】
内装めっき層５は、図１、図５、図６および図９に示すように、端子２の端子表面２１およびダイパッド３のパッド表面３１を覆う部分である。本実施形態においては、内装めっき層５は、端子連結部２９の連結部表面２９１およびパッド連結部３９の連結部表面２９１も覆っている。本実施形態にかかる内装めっき層５は、Ａｇ層である。
【００７１】
ボンディングワイヤ６は、図１および図５に示すように、導電性を有し、かつ半導体素子１１と端子２とを接続する部分である。本実施形態にかかるボンディングワイヤ６は４本からなり、各々のボンディングワイヤ６が半導体素子１１と一つの端子２とを接続している。本実施形態にかかるボンディングワイヤ６は、Ａｕからなる。
【００７２】
次に、図１０に基づき、半導体素子１１がホール素子である半導体装置Ａ１０を適用した回路の一例について説明する。図１０は、半導体装置Ａ１０を適用した回路のブロック図である。
【００７３】
図１０に示すように、当該回路は、半導体装置Ａ１０、集積回路７１および制御対象７２によって構成されている。制御対象７２は、たとえば携帯電話のディスプレイの光源や、ＤＣモータなどが挙げられる。集積回路７１は、装置駆動領域７１１、電圧検出領域７１２および制御領域７１３を備える。装置駆動領域７１１は、半導体装置Ａ１０の半導体素子１１にホール電流を流す領域である。電圧検出領域７１２は、ホール効果により半導体素子１１に現れた起電力（ホール電圧）を検出する領域である。制御領域７１３は、制御対象７２の動作を制御する領域である。いま、半導体装置Ａ１０に磁石７３を近づけたとき、磁束密度が変化するためホール効果により半導体素子１１に起電力が現れる。当該起電力は、電圧検出領域７１２により検出される。電圧検出領域７１２は、この検出結果を制御領域７１３に伝達する。制御領域７１３は、伝達された当該検出結果に基づき、制御対象７２の動作を制御（起動や停止など）する。
【００７４】
次に、図１１〜図２２に基づき、半導体装置Ａ１０の製造方法の一例について説明する。
【００７５】
図１１は、半導体装置Ａ１０の製造方法を説明する平面図である。図１２は、図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う断面図である。図１３〜図１５および図１９は、半導体装置Ａ１０の製造方法を説明する断面図であり、その断面位置が図１２と同一である。図１６および図２２は、半導体装置Ａ１０の製造方法を説明する底面図である。図１７は、図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。図２０は、半導体装置Ａ１０の製造方法を説明する断面図であり、その断面位置が図１７と同一である。図１８および図２１は、半導体装置Ａ１０の変形例である半導体装置Ａ１１の製造方法を説明する断面図であり、その断面位置が図１７と同一である。なお、図１１〜図２２において示される導電性基材８１の厚さ方向Ｚ、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙの定義は、図１〜図９において示される半導体素子１１の厚さ方向Ｚ、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙの定義に対応している。
【００７６】
最初に、図１１および図１２に示すように、導電性基材８１を準備する。導電性基材８１は、導電性基材８１の厚さ方向Ｚにおいて一方を向く裏面８１０ｂと、他方を向く表面８１０ａを有する。また、導電性基材８１は、端子部８１１、端子第１連結部８１１ａ、端子第２連結部８１１ｂ、パッド部８１２、パッド連結部８１２ａ、第１タイバー８１３および第２タイバー８１４を含む。先述のとおり本実施形態にかかる導電性基材８１は、Ｃｕを主成分とする合金からなる。導電性基材８１において、裏面８１０ｂから端子部８１１の表面８１０ａまでに至る厚さは、１００〜２００μｍである。
【００７７】
端子部８１１およびパッド部８１２は、図１１において斜線で示される部分である。端子部８１１は、第１方向Ｘを長辺とする平面視の形状が矩形状であり、かつ半導体装置Ａ１０の端子２の基となる部分である。パッド部８１２は、平面視の形状が略正方形状であり、かつ半導体装置Ａ１０のダイパッド３の基となる部分である。導電性基材８１において、端子部８１１およびパッド部８１２は、互いに離間して配置されている。図１１において想像線で示される領域８９は、半導体装置Ａ１０となる部分に該当する。このため、導電性基材８１においては、パッド部８１２と、パッド部８１２の周囲に配置された４つの端子部８１１とが、一つの半導体装置Ａ１０の製造単位となる。この一つの半導体装置Ａ１０の製造単位は、第２方向Ｙに並行して配置された第１タイバー８１３と、第１方向Ｘに並行して配置された第２タイバー８１４とによって区画されている。端子部８１１は、第１方向Ｘに延出した端子第１連結部８１１ａによって、第１タイバー８１３に連結されている。また、端子部８１１は、第２方向Ｙに延出した端子第２連結部８１１ｂによって、第２タイバー８１４に連結されている。パッド部８１２は、第１方向Ｘに延出した一対のパッド連結部８１２ａによって、第１タイバー８１３に連結されている。本実施形態においては、端子第２連結部８１１ｂが半導体装置Ａ１０の端子連結部２９の基となる部分である。また、パッド連結部８１２ａが半導体装置Ａ１０のパッド連結部３９の基となる部分である。
【００７８】
表面８１０ａは、図１２に示す導電性基材８１の上方を向く面である。本実施形態においては、パッド部８１２の表面８１０ａは、導電性基材８１の厚さ方向Ｚにおいて端子部８１１の表面８１０ａよりも裏面８１０ｂに寄って位置する。表面８１０ａは、Ａｇ層である内装めっき層８１５に覆われている。内装めっき層８１５が半導体装置Ａ１０の内装めっき層５に対応する。内装めっき層８１５は、電解めっきにより形成される。裏面８１０ｂは、端子部８１１およびパッド部８１２において、表面８１０ａとは反対側を向く面である。また、図１２に示すように、端子部８１１につながる端子第２連結部８１１ｂにおいては、裏面８１０ｂは現れず、代わりに表面８１０ａとは反対側を向く内面８１０ｃを有する。本実施形態においては、端子第２連結部８１１ｂに加え、端子第１連結部８１１ａ、パッド連結部８１２ａ、第１タイバー８１３および第２タイバー８１４においても、裏面８１０ｂは現れず、代わりに内面８１０ｃを有する。内面８１０ｃは、導電性基材８１の厚さ方向Ｚにおいて裏面８１０ｂと端子部８１１の表面８１０ａとの間に位置している。内面８１０ｃは、導電性基材８１の裏面８１０ｂから導電性基材８１の一部を、たとえばウェットエッチングにより除去することによって現れる面である。このため、導電性基材８１を準備する工程では、導電性基材８１の裏面８１０ｂから導電性基材８１の一部を除去する工程を含む。また、当該ウェットエッチングに用いられる溶液として、たとえば硫酸（Ｈ2ＳＯ4）および過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）との混合溶液が挙げられる。
【００７９】
次いで、図１３に示すように、パッド部８１２に半導体素子８２１を搭載する。半導体素子８２１が半導体装置Ａ１０の半導体素子１１に対応する。半導体素子８２１の搭載にあたっては、まず、パッド部８１２の表面８１０ａ上に形成された内装めっき層８１５に、接合材８２２を塗布する。本実施形態にかかる接合材８２２は、Ａｇを含むエポキシ樹脂を主剤とした合成樹脂（いわゆるＡｇペースト）であり、導電性を有する。接合材８２２は、たとえばエポキシ樹脂やポリイミドなどの電気絶縁性を有するものであってもよい。次いで、コレットなどで吸着した半導体素子８２１をパッド部８１２上へ移送して、接合材８２２に接着する。最後に、接合材８２２をキュア炉などで熱硬化させる。このとき、熱硬化した接合材８２２が半導体装置Ａ１０の接合層１２に対応する。
【００８０】
次いで、図１４に示すように、半導体素子８２１と端子部８１１とを接続するボンディングワイヤ８３を形成する。ボンディングワイヤ８３が半導体装置Ａ１０のボンディングワイヤ６に対応する。ボンディングワイヤ８３は、ワイヤボンディングにより形成される。本実施形態にかかるボンディングワイヤ８３の材料は、たとえばＡｕである。
【００８１】
次いで、図１５に示すように、導電性基材８１および半導体素子８２１を覆う封止樹脂８４を形成する。封止樹脂８４が半導体装置Ａ１０の封止樹脂４に対応する。本実施形態にかかる封止樹脂８４は、電気絶縁性および流動性を有し、かつガラスフリットが含有された黒色のエポキシ樹脂を、トランスファモールド成形によって熱硬化させることにより形成される。また、本実施形態においては、導電性基材８１の裏面８１０ｂが露出するように封止樹脂８４を形成する。このとき、導電性基材８１の内面８１０ｃは、封止樹脂８４に覆われた状態となる。
【００８２】
次いで、第１方向Ｘまたは第２方向Ｙのいずれかの方向に沿って、導電性基材８１の少なくとも一部を切断する一次切断を行う。本実施形態においては、図１６および図１７に示すように、第２方向Ｙに沿って導電性基材８１の端子部８１１および封止樹脂８４のそれぞれ一部ずつを切断する。このとき、第２タイバー８１４は、一次切断により切断されない。一次切断にあたっては、導電性基材８１の裏面８１０ｂからダイシングソーを用いて行う。一次切断の対象となる部分は、図１６において想像線で示される一次切断領域８５である。図１７は、一次切断を行ったときの導電性基材８１の状態を示している。本実施形態にかかるダイシングソーのブレード８５９は、その先端面が曲面であるものを適用する。一次切断によりブレード８５９により除去された端子部８１１の一部から、基材一次切断面８５１が現れる。本実施形態にかかる基材一次切断面８５１は、第１方向Ｘを向く一対の面と、当該一対の面の相互をつなぎ、かつ裏面８１０ｂ側を向く曲面とから構成される。基材一次切断面８５１は、ブレード８５９の先端面に沿った形状となる。
【００８３】
また、半導体装置Ａ１０の変形例である半導体装置Ａ１１の製造においては、図１８に示すように、先端面がくさび状であるブレード８５９を適用したダイシングソーを用いて一次切断を行う。このとき、一次切断により端子部８１１に現れる基材一次切断面８５１は、第１方向Ｘを向く一対の面と、当該一対の面を相互につなぎ、かつ裏面８１０ｂ側を向くＶ字状の面とから構成される。
【００８４】
次いで、図１９および図２０に示すように、封止樹脂８４から露出した端子部８１１を覆う導電層８６を形成する。端子部８１１を覆う導電層８６が半導体装置Ａ１０の端子導電層２８に対応する。本実施形態においては、端子部８１１の裏面８１０ｂおよび基材一次切断面８５１が封止樹脂８４から露出するため、これらの面を覆うように導電層８６が形成される。本実施形態にかかる導電層８６は、電解めっきにより形成される。本実施形態にかかる導電層８６は、Ｓｎを含有する合金層を析出させたものであるが、Ｎｉ層、Ｓｎを含有する合金層の順に析出させたものでもよい。また、導電層８６は、Ｎｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層の順に析出させたものでもよく、さらにはＰｄ層、Ａｕ層の順に析出させたものや、Ａｕ層を析出させたものでもよい。これらの場合においては、導電層８６の最外層がＳｎを含有する合金層またはＡｕ層となる。このとき、図１９に示すように、パッド部８１２の裏面８１０ｂも封止樹脂８４から露出するため、この裏面８１０ｂを覆う導電層８６があわせて形成される。パッド部８１２を覆う導電層８６が半導体装置Ａ１０のパッド導電層３８に対応する。このため、パッド導電層３８の構成は、端子導電層２８の構成と同一となる。
【００８５】
なお、半導体装置Ａ１０の変形例である半導体装置Ａ１１の製造においても、図２１に示すように、基材一次切断面８５１に沿った導電層８６が形成される。
【００８６】
次いで、図２２に示すように、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに沿って、導電性基材８１を個片に分割する二次切断を行う。二次切断にあたっては、先述した一次切断と同様に、ダイシングソーを用いて導電性基材８１の裏面８１０ｂから切断する。二次切断の対象となる部分は、図２２において斜線で示される二次切断領域８７である。当該工程において分割された個片が半導体装置Ａ１０となる。また、図１８に示すような一次切断を行った場合は、図８に示す端子中間面２４２が平坦面である半導体装置Ａ１１となる。以上の工程を経ることによって、半導体装置Ａ１０が製造される。
【００８７】
次に、半導体装置Ａ１０およびその製造方法の作用効果について説明する。
【００８８】
半導体装置Ａ１０は、半導体素子１１と、半導体素子１１の厚さ方向Ｚに対して直角である方向（第１方向Ｘおよび第２方向Ｙ）を向く端子側面２３を有する端子２と、半導体素子１１を覆い、かつ第１方向Ｘおよび第２方向Ｙを向く樹脂側面４３を有する封止樹脂４とを備える。端子側面２３（本実施形態においては端子第１側面２３１）は、樹脂側面４３（本実施形態においては樹脂第１側面４３１）から露出し、端子２には、端子側面２３を覆う端子導電層２８が形成されている。このような構成をとることによって、リフロー方式によって回路基板に半導体装置Ａ１０を実装するとき、端子導電層２８が溶融してクリームはんだと一体となり、端子側面２３にはんだフィレットを形成することができる。このため、当該回路基板に対する半導体装置Ａ１０の実装強度が向上し、はんだ接合部に亀裂などといった不具合の発生を抑制することができる。したがって、半導体装置Ａ１０によれば、装置の小型化および実装性の向上を図ることが可能となる。
【００８９】
本実施形態にかかる端子導電層２８は、Ｓｎを含有する合金層である。この場合において、リフロー方式により回路基板に半導体装置Ａ１０を実装するとき、端子導電層２８が溶融してクリームはんだと一体となるため、端子第１側面２３１にはんだフィレットを形成することができる。また、端子導電層２８の構成を、互いに積層されたＮｉ層およびＳｎを含有する合金層とすることによって、半導体装置Ａ１０の実装において、熱衝撃から端子２を保護することができる。さらに、端子導電層２８の構成を、互いに積層されたＮｉ層、Ｐｄ層およびＡｕ層とすることによって、半導体装置Ａ１０の実装において、熱衝撃から端子２を保護しつつ、端子２に対するクリームはんだの濡れ性を改善することができる。
【００９０】
本実施形態にかかる端子２は、第１方向Ｘを向き、かつ端子第１側面２３１から外側に突出するとともに、端子導電層２８に覆われない端子外側面２４１を有し、端子外側面２４１は樹脂側面４３の樹脂第１側面４３１と面一である。このような構成をとることによって、半導体装置Ａ１０の製造において、導電性基材８１の二次切断によって導電層８６が切削されるといった不具合の発生を防止することができる。
【００９１】
本実施形態にかかるダイパッド３のパッド表面３１は、半導体素子１１の厚さ方向Ｚにおいて、端子２の端子表面２１と端子裏面２２との間に位置している。このような構成をとることによって、半導体素子１１の厚さ方向Ｚにおいて、半導体素子１１の素子表面１１１の位置がより端子表面２１に近づくことから、装置の低背化を図ることが可能となる。
【００９２】
半導体装置Ａ１０は、端子２の端子表面２１およびダイパッド３のパッド表面３１を覆う内装めっき層５を備える。内装めっき層５を備えることによって、端子２にボンディングワイヤ６を接続するときや、ダイパッド３に半導体素子１１を搭載するときに発生する熱衝撃から端子２およびダイパッド３を保護することができる。
【００９３】
本実施形態にかかる封止樹脂４は、ガラスフリットが含有されたエポキシ樹脂である。このような封止樹脂４を適用することによって、封止樹脂４の強度増加を図り、かつ封止樹脂４への亀裂発生を抑止することができる。
【００９４】
また、本実施形態にかかる半導体装置Ａ１０の製造方法によれば、封止樹脂８４から露出した導電性基材８１の端子部８１１を覆う導電層８６を形成する工程の前に、第１方向Ｘまたは第２方向Ｙのいずれかに沿って導電性基材８１の少なくとも一部を切断する一次切断を行う工程を備える。一次切断を行うことによって、電解めっきにより端子部８１１の側面に導電層８６を形成することができるため、半導体装置Ａ１０の製造が可能となる。
【００９５】
本実施形態にかかる一次切断を行う工程では、導電性基材８１の厚さ方向Ｚにおいて、導電性基材８１の端子部８１１の一部を第２方向Ｙに沿って一次切断する。このため、導電性基材８１は、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙの双方向において導通が確保された状態となり、電解めっきにより導電層８６を形成することが可能となる。
【００９６】
本実施形態にかかる導電性基材８１を準備する工程では、導電性基材８１の厚さ方向Ｚに沿った断面の一部を、たとえばウェットエッチングにより除去する工程を含む。このような処理を行うことによって、封止樹脂８４を形成するとき、モールド内において溶融した合成樹脂が導電性基材８１の厚さ方向Ｚを隈無く行きわたる。このため、半導体装置Ａ１０の品質を確保することができる。
【００９７】
〔第２実施形態〕
図２３〜図３０に基づき、本発明の第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略することとする。
【００９８】
図２３は、半導体装置Ａ２０の平面図であり、理解の便宜上、封止樹脂４を省略している。図２４は、半導体装置Ａ２０の底面図である。図２５は、半導体装置Ａ２０の右側面図である。図２６は、半導体装置Ａ２０の正面図である。図２７は、図２３のＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ線（図２３に示す一点鎖線）に沿う断面図である。図２８は、図２７の部分拡大図である。図２９は、半導体装置Ａ２０の変形例である半導体装置Ａ２１の部分拡大断面図である。図３０は、半導体装置Ａ２０の変形例である半導体装置Ａ２２の部分拡大断面図である。図２９および図３０は、その断面位置が図２８と同一である。なお、図２３において省略した封止樹脂４を想像線で示している。
【００９９】
本実施形態にかかる半導体装置Ａ２０は、端子２、ダイパッド３および封止樹脂４の構成が、先述した半導体装置Ａ１０と異なる。なお、本実施形態にかかる半導体装置Ａ２０の平面視の形状は、矩形状である。
【０１００】
図２３〜図２７に示すように、本実施形態にかかる端子２には、端子外側面２４１および端子中間面２４２が現れていなく、かつ端子連結部２９が形成されていない。本実施形態にかかる端子２は、端子表面２１、端子裏面２２および端子側面２３を有する。また、端子側面２３は、半導体装置Ａ１０と同様に端子第１側面２３１および端子第２側面２３２を含む。
【０１０１】
図２４〜図２６に示すように、端子第１側面２３１は、樹脂側面４３の樹脂第１側面４３１から露出し、かつ樹脂第１側面４３１と面一である。本実施形態においては、端子第１側面２３１は、端子導電層２８に覆われていない。また、図２４〜図２７に示すように、端子第２側面２３２は、樹脂側面４３の樹脂第２側面４３２から露出し、かつ樹脂第２側面４３２と面一である。本実施形態においては、端子第２側面２３２は、端子導電層２８に覆われている。
【０１０２】
図２３〜図２５に示すように、本実施形態にかかるダイパッド３においては、パッド連結部３９の連結部裏面３９２は、パッド裏面３２と面一である。このため、半導体素子１１の厚さ方向Ｚにおいて、連結部表面３９１から連結部裏面３９２までの長さは、パッド表面３１からパッド裏面３２までの長さに等しい。
【０１０３】
図２４〜図２７に示すように、本実施形態にかかる封止樹脂４は、樹脂表面４１、樹脂裏面４２および樹脂側面４３に加えて、樹脂第２外側面４４３および樹脂中間面４４２を有する。図２４、図２５、図２７および図２８に示すように、樹脂第２外側面４４３は、第２方向Ｙを向き、かつ樹脂側面４３の樹脂第２側面４３２から半導体装置Ａ２０の外側に突出する面である。本実施形態にかかる樹脂第２外側面４４３は、第２方向Ｙに離間し、かつ第２方向Ｙにおいて互いに反対側を向く一対の面である。半導体素子１１の厚さ方向Ｚにおいて、各々の樹脂第２外側面４４３の一端は樹脂表面４１につながっている。また、第１方向Ｘにおいて、各々の樹脂第２外側面４４３の両端は一対の樹脂第１側面４３１につながっている。また、図２４、図２５、図２７および図２８に示すように、樹脂中間面４４２は、樹脂裏面４２側を向き、かつ樹脂第２側面４３２と樹脂第２外側面４４３とをつなぐ面である。本実施形態にかかる樹脂中間面４４２は、曲面である。第１方向Ｘにおいて、樹脂中間面４４２の両端は一対の樹脂第１側面４３１につながっている。
【０１０４】
ここで、図２９に示すように、半導体装置Ａ２０の変形例である半導体装置Ａ２１のように、樹脂中間面４４２が樹脂裏面４２側を向く平坦面であってもよい。
【０１０５】
さらに、図３０に示すように、半導体装置Ａ２０の変形例である半導体装置Ａ２２のように、封止樹脂４は、樹脂第２外側面４４３に代えて樹脂内側面４４４を有する構成であってもよい。樹脂内側面４４４は、第２方向Ｙを向き、かつ樹脂第２側面４３２よりも半導体素子１１に寄って位置する面である。この場合において、樹脂中間面４４２は、樹脂表面４１側を向き、かつ樹脂第２側面４３２と樹脂内側面４４４とをつなぐ面となる。
【０１０６】
次に、図３１〜図４０に基づき、半導体装置Ａ２０の製造方法の一例について説明する。
【０１０７】
図３１は、半導体装置Ａ２０の製造方法を説明する平面図である。図３２は、図３１のＸＸＸＩＩ−ＸＸＸＩＩ線に沿う断面図である。図３３および図３４は、半導体装置Ａ２０の製造方法を説明する断面図であり、その断面位置が図３２と同一である。図３５および図３９は、半導体装置Ａ２０の製造方法を説明する底面図である。図３６は、図３５のＸＸＸＶＩ−ＸＸＸＶＩ線に沿う断面図である。図３７は、半導体装置Ａ２０の変形例である半導体装置Ａ２１の製造方法を説明する断面図である。図３８は、半導体装置Ａ２０の製造方法を説明する断面図である。図４０は、半導体装置Ａ２０の変形例である半導体装置Ａ２２の製造方法を説明する断面図である。図３７、図３８および図４０は、その断面位置が図３６と同一である。
【０１０８】
最初に、図３１および図３２に示すように、導電性基材８１を準備する。図３１において斜線で示される部分は、端子部８１１およびパッド部８１２である。また、図３１において想像線で示される領域８９は、半導体装置Ａ２０となる部分に該当する。本実施形態にかかる導電性基材８１は、端子部８１１の大きさが半導体装置Ａ１０の製造にかかる導電性基材８１の端子部８１１よりも大きく、かつ端子第２連結部８１１ｂが省略されている。端子部８１１は直接、第２タイバー８１４につながっている。また、図３２に示すように、本実施形態にかかる導電性基材８１には、内面８１０ｃが現れない。すなわち、本実施形態にかかる導電性基材８１を準備する工程では、導電性基材８１の裏面８１０ｂから導電性基材８１の一部を除去する工程を含まない。
【０１０９】
次いで、図３３に示すように、導電性基材８１の裏面８１０ｂに絶縁性基材８８を貼り付ける。絶縁性基材８８は、たとえば電気絶縁性を有したテープである。絶縁性基材８８は、平坦であることが好ましい。このとき、導電性基材８１の裏面８１０ｂは、絶縁性基材８８によって覆われた状態となる。
【０１１０】
次いで、パッド部８１２に半導体素子８２１を搭載する。当該工程は、図１３に示す半導体装置Ａ１０の製造にかかる工程と同様であるため、ここでの説明は省略する。
【０１１１】
次いで、半導体素子８２１と端子部８１１とを接続するボンディングワイヤ８３を形成する。当該工程は、図１４に示す半導体装置Ａ１０の製造にかかる工程と同様であるため、ここでの説明は省略する。
【０１１２】
次いで、導電性基材８１および半導体素子８２１を覆う封止樹脂８４を形成する。当該工程は、図１５に示す半導体装置Ａ１０の製造にかかる工程と同様であるため、ここでの説明は省略する。
【０１１３】
次いで、図３４に示すように、導電性基材８１から絶縁性基材８８を剥離する。このとき、封止樹脂８４から導電性基材８１の裏面８１０ｂが露出する。
【０１１４】
次いで、第１方向Ｘまたは第２方向Ｙのいずれかの方向に沿って、導電性基材８１の少なくとも一部を切断する一次切断を行う。本実施形態においては、図３５および図３６に示すように、第１方向Ｘに沿って導電性基材８１の端子部８１１および第１タイバー８１３の全部と、封止樹脂８４の一部とを切断する。一次切断にあたっては、導電性基材８１の裏面８１０ｂからダイシングソーを用いて行う。一次切断の対象となる部分は、図３５において想像線で示される一次切断領域８５である。図３６は、一次切断を行ったときの導電性基材８１の状態を示している。本実施形態にかかるダイシングソーのブレード８５９は、その先端面が曲面であるものを適用する。一次切断によりブレード８５９により除去された端子部８１１および封止樹脂８４の一部から、基材一次切断面８５１および樹脂一次切断面８５２が現れる。本実施形態にかかる基材一次切断面８５１は、端子部８１１に現れる第２方向Ｙを向く一対の面である。また、樹脂一次切断面８５２は、封止樹脂８４に現れる第２方向Ｙを向く一対の面と、裏面８１０ｂ側を向く曲面とから構成され、一対の基材一次切断面８５１を相互につないでいる。
【０１１５】
また、半導体装置Ａ２０の変形例である半導体装置Ａ２１の製造においては、図３７に示すように、先端面がくさび状であるブレード８５９を適用したダイシングソーを用いて一次切断を行う。このとき、一次切断により封止樹脂８４に現れる樹脂一次切断面８５２は、第２方向Ｙを向く一対の面と、当該一対の面を相互につなぎ、かつ裏面８１０ｂ側を向くＶ字状の面とから構成される。
【０１１６】
次いで、図３８に示すように、封止樹脂８４から露出した端子部８１１を覆う導電層８６を形成する。本実施形態においては、端子部８１１の裏面８１０ｂおよび基材一次切断面８５１が封止樹脂８４から露出するため、これらの面を覆うように導電層８６が形成される。本実施形態にかかる導電層８６の構成および形成方法は、半導体装置Ａ１０の製造にかかる導電層８６の構成および形成方法と同一である。このとき、パッド部８１２の裏面８１０ｂも封止樹脂８４から露出するため、この裏面８１０ｂを覆う導電層８６があわせて形成される。
【０１１７】
次いで、図３９に示すように、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに沿って、導電性基材８１を個片に分割する二次切断を行う。二次切断にあたっては、先述した一次切断と同様に、ダイシングソーを用いて切断する。二次切断の対象となる部分は、図３９において斜線で示される二次切断領域８７である。本実施形態においては、導電性基材８１の裏面８１０ｂから二次切断を行う。このような二次切断を行うことによって分割された個片が、図２８に示す樹脂第２外側面４４３が封止樹脂４に形成された半導体装置Ａ２０となる。また、図３７に示すような一次切断を行った場合は、図２９に示す樹脂中間面４４２が平坦面である半導体装置Ａ２１となる。さらに、図３６に示すような一次切断を行った上で、図４０に示す切断線ＣＬに沿って、導電性基材８１の表面８１０ａから二次切断を行った場合は、図３０に示す樹脂内側面４４４が封止樹脂４に形成された半導体装置Ａ２２となる。以上の工程を経ることによって、半導体装置Ａ２０が製造される。
【０１１８】
次に、半導体装置Ａ２０の作用効果について説明する。
【０１１９】
半導体装置Ａ２０は、先述した半導体装置Ａ１０と同様に、半導体素子１１と、半導体素子１１の厚さ方向Ｚに対して直角である方向（第１方向Ｘおよび第２方向Ｙ）を向く端子側面２３を有する端子２と、半導体素子１１を覆い、かつ第１方向Ｘおよび第２方向Ｙを向く樹脂側面４３を有する封止樹脂４とを備える。端子側面２３（本実施形態においては端子第２側面２３２）は、樹脂側面４３（本実施形態においては樹脂第２側面４３２）から露出し、端子２には、端子側面２３を覆う端子導電層２８が形成されている。したがって、半導体装置Ａ２０によっても、装置の小型化および実装性の向上を図ることが可能となる。
【０１２０】
半導体装置Ａ２０の製造にかかる導電性基材８１の厚さを、半導体装置Ａ１０の製造にかかる導電性基材８１の厚さと同一とした場合、端子導電層２８に覆われる端子第２側面２３２の面積は、半導体装置Ａ１０において端子導電層２８に覆われる端子第１側面２３１の面積よりも大である。このため、半導体装置Ａ２０において、端子第２側面２３２に形成されるはんだフィレットの大きさが、半導体装置Ａ１０に形成されるはんだフィレットの大きさよりも大となり、実装性をさらに向上させることができる。
【０１２１】
また、本実施形態にかかる半導体装置Ａ２０の製造方法によっても、封止樹脂８４から露出した導電性基材８１の端子部８１１を覆う導電層８６を形成する工程の前に、第１方向Ｘまたは第２方向Ｙのいずれかに沿って導電性基材８１の少なくとも一部を切断する一次切断を行う工程を備える。一次切断を行うことによって、電解めっきにより端子部８１１の側面に導電層８６を形成することができるため、半導体装置Ａ２０の製造が可能となる。
【０１２２】
本実施形態にかかる一次切断を行う工程では、導電性基材８１の厚さ方向Ｚにおいて、導電性基材８１の端子部８１１の全部を第１方向Ｘに沿って一次切断する。この場合において、導電性基材８１は、第１方向Ｘにおいて導通が確保された状態となり、電解めっきにより導電層８６を形成することが可能となる。
【０１２３】
本実施形態にかかる半導体装置Ａ２０の製造方法においては、封止樹脂８４を形成する工程の前に、導電性基材８１の裏面８１０ｂに絶縁性基材８８を貼り付ける工程と、封止樹脂８４を形成する工程と一次切断を行う工程との間に、導電性基材８１から絶縁性基材８８を剥離する工程とを備える。このような処理を行うことによって、封止樹脂８４を形成するとき、モールド内において溶融した合成樹脂が導電性基材８１の厚さ方向Ｚを隈無く行きわたる。このため、半導体装置Ａ２０の品質を確保することができる。
【０１２４】
本発明は、先述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【符号の説明】
【０１２５】
Ａ１０，Ａ１１，Ａ２０，Ａ２１，Ａ２２：半導体装置
１１：半導体素子（ホール素子）
１１１：素子表面
１１１ａ：電極パッド
１１２：素子裏面
１２：接合層
２：端子
２１：端子表面
２２：端子裏面
２３：端子側面
２３１：端子第１側面
２３２：端子第２側面
２４１：端子外側面
２４２：端子中間面
２８：端子導電層
２９：端子連結部
２９１：連結部表面
２９２：連結部裏面
２９３：連結部端面
３：ダイパッド
３１：パッド表面
３２：パッド裏面
３８：パッド導電層
３９：パッド連結部
３９１：連結部表面
３９２：連結部裏面
３９３：連結部端面
４：封止樹脂
４１：樹脂表面
４２：樹脂裏面
４３：樹脂側面
４３１：樹脂第１側面
４３２：樹脂第２側面
４４１：樹脂第１外側面
４４２：樹脂中間面
４４３：樹脂第２外側面
４４４：樹脂内側面
５：内装めっき層
６：ボンディングワイヤ
７１：集積回路
７１１：装置駆動領域
７１２：電圧検出領域
７１３：制御領域
７２：制御対象
７３：磁石
８１：導電性基材
８１０ａ：表面
８１０ｂ：裏面
８１０ｃ：内面
８１１：端子部
８１１ａ：端子第１連結部
８１１ｂ：端子第２連結部
８１２：パッド部
８１２ａ：       パッド連結部
８１３：第１タイバー
８１４：第２タイバー
８１５：内装めっき層
８２１：半導体素子
８２２：接合材
８３：ボンディングワイヤ
８４：封止樹脂
８５：一次切断領域
８５１：基材一次切断面
８５２：樹脂一次切断面
８５９：ブレード
８６：導電層
８７：二次切断領域
８８：絶縁性基材
８９：領域
Ｚ：厚さ方向
Ｘ：第１方向
Ｙ：第２方向
ＣＬ：切断線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0006744149.tif 000008
【図８】
0006744149.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0006744149.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
0006744149.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
0006744149.tif 000017
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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