(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の開口が形成されるアパーチャの精度を評価するための評価方法であって、
前記アパーチャを電子線が通過することにより生成される複数の電子線を用いて、評価データに基づく第１評価パターンを描画する工程と、
前記アパーチャを複数の前記開口を含む複数の領域に分割して、複数の分割領域を規定する工程と、
複数の前記分割領域のうちのいずれかの第１分割領域を通過する電子線を用いて、前記評価データに基づく、前記第１評価パターンとは別の第２評価パターンを描画する工程と、
前記第１評価パターンと前記第２評価パターンとを比較する工程と、
前記第１評価パターンと前記第２評価パターンの比較結果に基づいて、前記アパーチャの精度を評価する工程と、
を含む評価方法。
【請求項２】
前記第２評価パターンを描画する工程では、前記分割領域ごとに前記第２評価パターンを描画する請求項１に記載の評価方法。
【請求項３】
前記評価パターンは、前記電子線それぞれによって描画される単位マークを含み、
前記第１評価パターンと前記第２評価パターンとを比較する工程では、
前記第１評価パターンのマークの大きさと、前記第１評価パターンのマークに対応する前記第２評価パターンのマークの大きさとを比較する請求項１又は２に記載の評価方法。
【請求項４】
複数の開口が形成されたアパーチャを通過する複数の電子線それぞれのドーズ量を補正するための補正方法であって、
前記アパーチャを複数の前記開口を含む複数の領域に分割して、複数の分割領域を規定する工程と、
評価データに基づいて、第１分割領域を通過することにより生成される複数の電子線を用いて、各電子線に対応するマークを含む第１評価パターンを描画する工程と、
予め設定された基準パターンに対する、前記第１評価パターンに含まれる前記マークそれぞれの大きさの差に基づいた第１補正値を求める工程と、
前記評価データに基づいて、前記第１分割領域とは異なる第２分割領域を通過することにより生成された複数の電子線を用いて、各電子線に対応するマークを含む第２評価パターンを描画する工程と、
前記第１評価パターンと前記第２評価パターンとを比較して、前記第１評価パターンのマークに対する、前記第１評価パターンのマークに対応する前記第２評価パターンのマークの大きさの差に基づく第２補正値を求める工程と、
前記第１補正値に基づいて、前記第１分割領域を通過した電子線のドーズ量を補正し、前記第１補正値と前記第２補正値の和に基づいて、前記第２分割領域を通過した電子線のドーズ量を補正する工程と、
を含む補正方法。
【請求項５】
複数の開口が形成されたアパーチャを通過する複数の電子線それぞれのドーズ量を補正するための補正方法であって、
請求項３に記載の評価方法を実施する工程と、
予め設定された基準パターンのマークに対する、前記第２評価パターンに含まれる前記マークそれぞれの大きさの差に基づいた第１補正値を求める工程と、
前記評価方法の評価結果に基づいて、前記第２評価パターンに含まれる前記マークの大きさと、前記第１評価パターンのマーク大きさとの差に基づく第２補正値を求める工程と、
前記第１補正値に基づいて、前記第１分割領域を通過した電子線のドーズ量を補正し、前記第１補正値と前記第２補正値の和に基づいて、前記第１分割領域以外の前記分割領域を通過した電子線のドーズ量を補正する工程と、
を含む補正方法。
【請求項６】
評価データに基づいて、電子線を、第１の回数ショットして形成される第１パターンと、前記評価データに基づいて、前記電子線を、前記第１の回数とは異なる第２の回数ショットして形成される第２パターンとを比較する比較工程と、
前記第１パターンと前記第２パターンとの比較結果に基づいて、電子線のドーズ量を補正する補正工程と、
を含む補正方法。
【請求項７】
前記比較工程では、前記第１パターンを示す第１画像と、前記第２パターンを示す第２画像との差分画像を生成し、
前記補正工程では、前記差分画像の前記第１パターンと前記第２パターン同士の差分を示す領域の面積に基づいて、電子線のドーズ量を補正する請求項６に記載の補正方法。
【請求項８】
前記第１の回数は１回である請求項６又は７に記載の補正方法。
【請求項９】
複数の開口が形成されるアパーチャを有する電子線描画装置の制御装置に、
前記アパーチャを電子線が通過することにより生成される複数の電子線を用いて、評価データに基づく第１評価パターンを描画させる手順、
前記アパーチャを複数の前記開口を含む複数の領域に分割して、複数の分割領域を規定する手順、
複数の前記分割領域のうちのいずれかの第１分割領域を通過する電子線を用いて、前記評価データに基づく、前記第１評価パターンとは別の第２評価パターンを描画する手順、
前記第１評価パターンと前記第２評価パターンとを比較する手順、
前記第１評価パターンと前記第２評価パターンの比較結果に基づいて、前記アパーチャの精度を評価する手順、
を実行させるためのプログラム。
【請求項１０】
複数の開口が形成されるアパーチャを有し、試料にパターンを描画する電子線描画装置であって、
前記アパーチャを電子線が通過することにより生成される複数の電子線を用いて、評価データに基づく第１評価パターンを描画させる手順、
前記アパーチャを複数の前記開口を含む複数の領域に分割して、複数の分割領域を規定する手順、
複数の前記分割領域のうちのいずれかの第１分割領域を通過する電子線を用いて、前記評価データに基づく、前記第１評価パターンとは別の第２評価パターンを描画する手順、
前記第１評価パターンと前記第２評価パターンとを比較する手順、
前記第１評価パターンと前記第２評価パターンの比較結果に基づいて、前記アパーチャの精度を評価する手順、
を行うプログラムを記憶する記憶装置と、
前記記憶装置に記憶される前記プログラムを実行する制御装置と、
を有する電子線描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、評価方法、補正方法、プログラム、及び電子線描画装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラッシュメモリなどの記録媒体や、ＣＰＵ（Central Processing Unit）を構成する半導体素子のリソグラフィ工程では、マスクに形成された原画パターンが、半導体素子の基板となるウエハに転写される。マスクに対する原画パターンの描画は、例えば電子線描画装置などによって行われている。
【０００３】
近年、スループットの向上を図る観点から、複数の電子線を用いてパターンを描画することが可能なマルチビーム方式の電子線描画装置が登場するに至っている。この種の電子線描画装置では、１つの電子源から射出された電子線が、複数の開口が形成されたアパーチャを通過することで、電子線がマルチ化される。そのため、電子線それぞれのスポット形状やドーズ量には、アパーチャの加工精度に応じたばらつきが生じる。
【０００４】
そこで、電子線のドーズ量等を制御するための技術が種々提案されている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２００５４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
電子線のドーズ量は、露光時間の調整などによってある程度制御することができる。しかしながら、今後、描画に用いられる電子線の数が増加していくこと考えると、電子線のドーズ量を制御するだけでは、精度よくパターンを描画することが困難になることが予想される。したがって、パターンを精度よく描画するためには、開口形状のばらつきの少ないアパーチャを選択的に使用して、まずは電子線を精度よくマルチ化する必要がある。
【０００７】
本発明は、上述の事情の下になされたもので、電子線を精度よくマルチ化し、ひいては精度よくパターンを描画することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本実施形態に係る評価方法は、複数の開口が形成されるアパーチャの精度を評価するための評価方法であって、アパーチャを電子線が通過することにより生成される複数の電子線を用いて、評価データに基づく第１評価パターンを描画する工程と、アパーチャを複数の開口を含む複数の領域に分割して、複数の分割領域を規定する工程と、複数の分割領域のうちのいずれかの第１分割領域を通過する電子線を用いて、評価データに基づく、第１評価パターンとは別の第２評価パターンを描画する工程と、第１評価パターンと第２評価パターンとを比較する工程と、第１評価パターンと第２評価パターンの比較結果に基づいて、アパーチャの精度を評価する工程と、を含む。
【０００９】
本実施形態に係る第１の補正方法は、複数の開口が形成されたアパーチャを通過する複数の電子線それぞれのドーズ量を補正するための補正方法であって、アパーチャを複数の開口を含む複数の領域に分割して、複数の分割領域を規定する工程と、評価データに基づいて、第１分割領域を通過することにより生成される複数の電子線を用いて、各電子線に対応するマークを含む第１評価パターンを描画する工程と、予め設定された基準パターンに対する、第１評価パターンに含まれるマークそれぞれの大きさの差に基づいた第１補正値を求める工程と、評価データに基づいて、第１分割領域とは異なる第２分割領域を通過することにより生成された複数の電子線を用いて、各電子線に対応するマークを含む第２評価パターンを描画する工程と、第１評価パターンと第２評価パターンとを比較して、第１評価パターンのマークに対する、第１評価パターンのマークに対応する第２評価パターンのマークの大きさの差に基づく第２補正値を求める工程と、第１補正値に基づいて、第１分割領域を通過した電子線のドーズ量を補正し、第１補正値と第２補正値の和に基づいて、第２分割領域を通過した電子線のドーズ量を補正する工程と、を含む。
【００１０】
また、本実施形態に係る第２の補正方法は、複数の開口が形成されたアパーチャを通過する複数の電子線それぞれのドーズ量を補正するための補正方法であって、本実施形態に係る評価方法を実施する工程と、予め設定された基準パターンのマークに対する、第２評価パターンに含まれるマークそれぞれの大きさの差に基づいた第１補正値を求める工程と、評価方法の評価結果に基づいて、第２評価パターンに含まれるマークの大きさと、第１評価パターンのマーク大きさとの差に基づく第２補正値を求める工程と、第１補正値に基づいて、第１分割領域を通過した電子線のドーズ量を補正し、第１補正値と第２補正値の和に基づいて、第１分割領域以外の分割領域を通過した電子線のドーズ量を補正する工程と、を含む。
【００１１】
本実施形態に係る第３の補正方法は、評価データに基づいて、電子線を、第１の回数ショットして形成される第１パターンと、前記評価データに基づいて、前記電子線を、前記第１の回数とは異なる第２の回数ショットして形成される第２パターンとを比較する比較工程と、前記第１パターンと前記第２パターンとの比較結果に基づいて、電子線のドーズ量を補正する補正工程と、を含む。
【００１２】
本実施形態に係るプログラムは、複数の開口が形成されるアパーチャを有する電子線描画装置の制御装置に、アパーチャを電子線が通過することにより生成される複数の電子線を用いて、評価データに基づく第１評価パターンを描画させる手順、アパーチャを複数の開口を含む複数の領域に分割して、複数の分割領域を規定する手順、複数の分割領域のうちのいずれかの第１分割領域を通過する電子線を用いて、評価データに基づく、第１評価パターンとは別の第２評価パターンを描画する手順、第１評価パターンと第２評価パターンとを比較する手順、第１評価パターンと第２評価パターンの比較結果に基づいて、アパーチャの精度を評価する手順、を実行させる。
【００１３】
本実施形態に係る電子線描画装置は、試料にパターンを描画する電子線描画装置であって、本実施形態に係るプログラムを記憶する記憶装置と、記憶装置に記憶されたプログラムを実行する処理装置と、を有する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、アパーチャの精度を評価することができるので、加工精度の高いアパーチャを用いて、電子線をマルチ化することができる。したがって、精度よくパターンを描画することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施形態に係る電子線描画装置の概略構成を示す図である。
【図２】アパーチャの平面図である。
【図３】電子銃、レンズ、アパーチャ、ブランキングユニットの斜視図である。
【図４】ブランキングユニットの平面図である。
【図５】ブランカを拡大して示す斜視図である。
【図６】制御装置のブロック図である。
【図７】評価パターン描画処理のフローチャートである。
【図８】評価パターンのＳＥＭ画像を示す図である。
【図９】アパーチャの開口形状を説明するための図である。
【図１０】評価パターンのＳＥＭ画像を示す図である。
【図１１】アパーチャに規定された領域を示す図である。
【図１２】評価パターンの描画手順を説明するための図である。
【図１３】評価パターンの描画手順を説明するための図である。
【図１４】評価パターンの描画手順を説明するための図である。
【図１５】評価パターンの描画手順を説明するための図である。
【図１６】評価パターンのＳＥＭ画像を示す図である。
【図１７】評価パターンのＳＥＭ画像を示す図である。
【図１８】評価パターンのＳＥＭ画像を示す図である。
【図１９】評価パターンのＳＥＭ画像を示す図である。
【図２０】評価処理のフローチャートである。
【図２１】差分画像を示す図である。
【図２２】差分画像に規定される領域を示す図である。
【図２３】差分画像を用いた評価を概念的に示す図である。
【図２４】補正処理のフローチャートである。
【図２５】アパーチャの平面図である。
【図２６】アパーチャに規定された領域を示す図である。
【図２７】試料に描画されたマークを示す図である
【図２８】ドーズ量補正処理を示すフローチャートである。
【図２９】評価パターンのＳＥＭ画像を示す図である。
【図３０】評価パターンのＳＥＭ画像を示す図である。
【図３１】評価パターンのＳＥＭ画像を示す図である。
【図３２】評価パターンのＳＥＭ画像を示す図である。
【図３３】差分画像を示す図である。
【図３４】差分画像を示す図である。
【図３５】差分画像を示す図である。
【図３６】差分画像を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
≪第１の実施形態≫
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。実施形態の説明にあたっては、相互に直交するＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸からなる直交座標系を適宜用いる。
【００１７】
図１は、本実施形態に係る電子線描画装置１０の概略構成を示す図である。電子線描画装置１０は、真空環境下において、レジスト材がコーティングされたマスクやレチクルなどの試料１２０に、パターンを描画する装置である。
【００１８】
図１に示されるように、電子線描画装置１０は、電子線ＥＢを試料１２０に照射する照射装置２０、試料１２０が載置されるステージ７０、照射装置２０及びステージ７０を収容する真空チャンバ８０、照射装置２０及びステージ７０を制御する制御系１００を備えている。
【００１９】
真空チャンバ８０は、ステージ７０を収容するライティングチャンバ８０ａと、照射装置２０を収容する鏡筒８０ｂと、から構成されている。
【００２０】
ライティングチャンバ８０ａは、直方体状の中空部材であり上面には円形の開口が形成されている。鏡筒８０ｂは長手方向をＺ軸方向とする円筒形状のケーシングである。鏡筒８０ｂは、例えばステンレスからなり、接地されている。鏡筒８０ｂは、ライティングチャンバ８０ａの上面に形成された開口から、ライティングチャンバ８０ａの内部に引き込まれている。ライティングチャンバ８０ａ及び鏡筒８０ｂの内部は、例えば真空度が１０−７Ｐａ程度に維持される。
【００２１】
照射装置２０は、鏡筒８０ｂの内部に配置される電子銃３０、３つのレンズ４１，４２，４３、２つのアパーチャ５１，５２、ブランキングユニット６１、偏向器６２を有している。
【００２２】
電子銃３０は、鏡筒８０ｂの内部上方に配置されている。電子銃３０は、例えば熱陰極型の電子銃である。電子銃３０は、陰極と、陰極を包囲するように設けられるウェネルト電極と、陰極の下方に配置される陽極などから構成されている。電子銃３０は、高電圧が印加されると下方へ電子線ＥＢを射出する。
【００２３】
レンズ４１は、環状の電磁レンズであり、電子銃３０の下方に配置されている。レンズ４１は、下方に向かって広がりながら進行する電子線ＥＢを、鉛直方向に平行になるように整形する。
【００２４】
アパーチャ５１は、入射する電子線ＥＢを複数の電子線ＥＢｍｎに分岐するための部材である。図２は、アパーチャ５１の平面図である。図２に示されるように、アパーチャ５１は、正方形板状の部材である。アパーチャ５１は、例えばシリコン等をベース素材とし、表面には、例えばクロムなどのめっき膜やスパッタ膜が形成されている。アパーチャ５１には、行方向をＸ軸方向とし、列方向をＹ軸方向とする８行８列のマトリクス状に、６４の開口Ｈが形成されている。開口Ｈは、各辺がＹ軸又はＸ軸に平行な正方形であり、Ｙ軸方向の寸法及びＸ軸方向の寸法は、開口Ｈ相互間でほぼ等しい。
【００２５】
本実施形態では、１乃至８の整数ｍ，ｎを用いて、６４の開口ＨをＨｍｎと表示する。最も＋Ｙ側の１行目に位置する開口をＨ１ｎと表示する。そして、２行目乃至８行目に位置する開口をＨ２ｎ乃至Ｈ８ｎと表示する。また、最も−Ｘ側の１列目に位置する開口をＨｍ１と表示する。そして、２列目乃至８列目に位置する開口をＨｍ２乃至Ｈｍ８と表示する。
【００２６】
図３は、電子銃３０、レンズ４１、アパーチャ５１、ブランキングユニット６１の斜視図である。図３に示されるように、電子銃３０から射出した電子線ＥＢは、レンズ４１によって鉛直軸に平行になるように整形される。平行に整形された電子線ＥＢは、仮想線で示される円形の領域Ｃ１に入射する。領域Ｃ１に入射した電子線ＥＢのうちの一部の電子線はアパーチャ５１によって遮蔽され、残りの電子線はアパーチャ５１の開口Ｈｍｎを通過する。これにより、電子線ＥＢが、鉛直下方へ進行する６４の電子線に分割（マルチ化）される。
【００２７】
本実施形態では、アパーチャ５１の開口Ｈｍｎを通過した電子線を電子線ＥＢｍｎと表示する。なお、図３では、開口Ｈ１１，Ｈ１８，Ｈ８１，Ｈ８８を通過した電子線ＥＢ１１，ＥＢ１８，ＥＢ８１，ＥＢ８８のみが代表的に示されている。
【００２８】
ブランキングユニット６１は、電子線ＥＢｍｎそれぞれを個別にブランキングさせるためのユニットである。図４は、ブランキングユニット６１の平面図である。図４に示されるように、ブランキングユニット６１は、基板６１０と、基板６１０の上面（＋Ｚ側の面）に設けられた６４のブランカＢＫを有している。
【００２９】
基板６１０は、例えばシリコンを素材とする正方形の基板である。基板６１０には、８行８列のマトリクス状に、６４の開口ＨＨが形成されている。６４の開口ＨＨそれぞれは、アパーチャ５１に形成された開口Ｈの下方に位置するように、それぞれ位置決めされている。本実施形態では、開口Ｈｍｎの直下に位置する開口ＨＨを、開口ＨＨｍｎと表示する。
【００３０】
開口ＨＨｍｎは、開口Ｈｍｎよりもやや大きく、開口Ｈｍｎを通過した電子線ＥＢｍｎは、基板６１０と干渉することなく、開口ＨＨｍｎを通過することが可能になっている。
【００３１】
図５は、ブランカＢＫを拡大して示す斜視図である。ブランカＢＫは、例えば銅などの金属からなる一対の電極６１１，６１２から構成されている。電極６１１は、例えばＸＹ断面がＵ字状の部材である。電極６１１は、基板６１０に設けられた開口ＨＨｍｎの＋Ｘ側及び−Ｘ側の外縁と、＋Ｙ側の外縁に沿って配置される。また、電極６１２は、板状の電極であり、開口ＨＨｍｎの−Ｙ側の外縁に沿って配置される。したがって、図５を参照するとわかるように、アパーチャ５１を通過した電子線ＥＢｍｎは、ブランカＢＫを構成する電極６１１，６１２の間を通って、基板６１０の開口ＨＨｍｎへ入射する。
【００３２】
図３及び図４に示されるように、ブランカＢＫは、各開口ＨＨｍｎに設けられている。本実施形態では、開口ＨＨｍｎに設けられるブランカＢＫを、ブランカＢＫｍｎと表示する。
【００３３】
電極６１１は、基板６１０に設けられた不図示の回路を介して接地されている。そして、電極６１２は、基板６１０に設けられた不図示の回路を介して、制御系１００を構成するブランキングアンプ１０４に接続されている。ブランキングアンプ１０４によって、電極６１２に電圧が印加されると、基板６１０の開口ＨＨｍｎへ入射する電子線ＥＢｍｎは、図５の矢印に示される方向へ偏向する。これにより、図１に示されるように、電子線ＥＢｍｎはアパーチャ５２によって遮蔽され、電子線ＥＢｍｎがブランキングされた状態になる。
【００３４】
レンズ４２は、環状の電磁レンズであり、ブランキングユニット６１の下方に配置されている。レンズ４２は、ブランキングユニット６１を通過してから、相互に平行になって下方へ進む６４の電子線ＥＢｍｎを、アパーチャ５２の近傍へ集束させる。
【００３５】
アパーチャ５２は、中央に電子線ＥＢｍｎが通過する開口が設けられた板状の部材である。アパーチャ５２は、レンズ４２を通過した電子線ＥＢｍｎの集束点（クロスオーバポイント）近傍に配置されている。電子線ＥＢｍｎそれぞれがアパーチャ５２の開口を通過することで、電子線ＥＢｍｎそれぞれのショット形状が整形される。また、電子線ＥＢｍｎがブランキングユニット６１のブランカＢＫによって偏向されたときには、電子線ＥＢｍｎは、アパーチャ５１によってブランキングされる。
【００３６】
偏向器６２は、アパーチャ５２の下方に配置されている。偏向器６２は、対向して配置される複数対の電極を有している。偏向器６２は、電極に印加される電圧に応じて、アパーチャ５２を通過した電子線ＥＢｍｎを偏向する。本実施形態では、説明の便宜上、Ｘ軸方向に所定距離隔てて配置された１対の電極のみが図面に示されている。偏向器６２は、電子線ＥＢｍｎをＸ軸方向及びＹ軸方向へ偏向することができる。
【００３７】
レンズ４３は、偏向器６２を包囲するように配置された環状の電磁レンズである。レンズ４３は、偏向器６２と協働することにより、ステージ７０に載置された試料１２０の所望の位置に電子線ＥＢｍｎをフォーカスする。
【００３８】
ステージ７０は、ライティングチャンバ８０ａの内部に配置されている。ステージ７０は、パターンが描画される試料１２０をほぼ水平に保持した状態で、少なくとも水平面内を移動することが可能なステージである。ステージ７０の上面には、Ｙ軸方向を長手方向とするミラーＭｘと、Ｘ軸方向を長手方向とするミラーＭｙが設けられている。ステージ７０の水平面内の位置は、ミラーＭｘ，Ｍｙを基準に検出される。
【００３９】
制御系１００は、照射装置２０及びステージ７０を制御するためのシステムである。制御系１００は、制御装置１０１、電源装置１０２、レンズ駆動装置１０３、ブランキングアンプ１０４、偏向アンプ１０５、及びステージ駆動装置１０６を有している。
【００４０】
図６は、制御装置１０１のブロック図である。図６に示されるように、制御装置１０１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１０１ａ、主記憶部１０１ｂ、補助記憶部１０１ｃ、入力部１０１ｄ、表示部１０１ｅ、インタフェース部１０１ｆ、及び上記各部を接続するシステムバス１０１ｇを有するコンピュータである。
【００４１】
ＣＰＵ１０１ａは、補助記憶部１０１ｃに記憶されたプログラムを読み出して実行する。そして、プログラムに応じて、制御系１００を構成する機器を統括的に制御する。
【００４２】
主記憶部１０１ｂは、ＲＡＭ（Random Access Memory）等の揮発性メモリを有している。主記憶部１０１ｂは、ＣＰＵ１０１ａの作業領域として用いられる。
【００４３】
補助記憶部１０１ｃは、ＲＯＭ（Read Only Memory）、磁気ディスク、半導体メモリなどの不揮発性メモリを有している。補助記憶部１０１ｃには、ＣＰＵ１０１ａが実行するプログラム、及び各種パラメータが記憶されている。また、アパーチャ５１の加工精度を判定するための評価データが記憶されている。この評価データは、試料１２０に描画される評価パターンを規定するデータである。評価パターンについては後述する。
【００４４】
入力部１０１ｄは、キーボードや、マウスなどのポインティングデバイスを有している。ユーザの指示は、入力部１０１ｄを介して入力され、システムバス１０１ｇを経由してＣＰＵ１０１ａに通知される。
【００４５】
表示部１０１ｅは、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）などの表示ユニットを有している。表示部１０１ｅは、例えば、電子線描画装置１０のステータスや、描画パターンなどに関する情報を表示する。
【００４６】
インタフェース部１０１ｆは、ＬＡＮインタフェース、シリアルインタフェース、パラレルインタフェース、アナログインタフェースなどを備えている。電源装置１０２、レンズ駆動装置１０３、ブランキングアンプ１０４、偏向アンプ１０５、及びステージ駆動装置１０６は、インタフェース部１０１ｆを介して、制御装置１０１に接続される。
【００４７】
上述のように構成される制御装置１０１は、電源装置１０２、レンズ駆動装置１０３、ブランキングアンプ１０４、偏向アンプ１０５、及びステージ駆動装置１０６を統括的に制御する。
【００４８】
図１に戻り、電源装置１０２は、制御装置１０１の指示に基づいて、電子銃３０に電圧を印加する。これにより、電子銃３０から、下方に向かって電子線ＥＢが射出される。
【００４９】
レンズ駆動装置１０３は、制御装置１０１の指示に基づいて、電子線ＥＢに対するレンズ４１のパワー（屈折力）を制御して、下方へ広がりながら進む電子線ＥＢを、鉛直軸に対して平行に進む電子線に整形する。また、レンズ駆動装置１０３は、レンズ４２のパワーを制御して、電子線ＥＢｍｎをアパーチャ５２の中心に向けて集束させるとともに、レンズ４３のパワーを制御して、電子線ＥＢｍｎを試料１２０の上面にフォーカスさせる。
【００５０】
ブランキングアンプ１０４は、制御装置１０１の指示に基づいて、ブランキングユニット６１を構成する６４のブランカＢＫごとにブランキング信号を生成する。そして、生成したブランキング信号を各ブランカＢＫの電極６１２へ出力する。例えば、ブランキング信号は、ハイレベルとローレベルの２値の信号である。ブランカＢＫの電極６１２へ出力されるブランキング信号がハイレベルのときに、電子線ＥＢｍｎがブランキングされる。したがって、描画パターンに基づいて変調したブランキング信号を、各ブランカＢＫに出力することで、試料１２０に所望のパターンを描画することができる。また、ハイレベルに維持された電圧信号を、所望のブランカＢＫに出力することで、所望の電子線ＥＢｍｎをブランキングされた状態にすることができる。
【００５１】
偏向アンプ１０５は、制御装置１０１の指示に基づいて電圧信号を生成し、偏向器６２を構成する電極へ出力する。これにより、偏向器６２の電極の間には電位差が生じる。偏向器６２を通過する電子線ＥＢｍｎは、電位差に応じた量だけ偏向する。
【００５２】
ステージ駆動装置１０６は、不図示のレーザセンサなどを用いて、ステージ７０のミラーＭｘ，Ｍｙの位置を測定し、測定した結果に基づいてステージ７０の位置を検出する。そして、ステージ駆動装置１０６は、制御装置１０１の指示に基づいて、ステージ７０を駆動し、試料１２０の移動や位置決めなどを行う。
【００５３】
上述した電子線描画装置１０では、制御装置１０１によって、電源装置１０２、レンズ駆動装置１０３、ブランキングアンプ１０４、偏向アンプ１０５、及びステージ駆動装置１０６が統括的に制御される。例えば、電子線描画装置１０を用いて、試料１２０にパターンを描画するときには、制御装置１０１のＣＰＵ１０１ａは、試料１２０が載置されたステージ７０を駆動して、試料１２０を照射装置２０の下方に位置決めする。
【００５４】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、電源装置１０２を駆動して、電子銃３０に電圧を印加する。これにより、電子銃３０から電子線ＥＢが射出される。
【００５５】
電子銃３０から電子線ＥＢが射出されると、ＣＰＵ１０１ａは、レンズ駆動装置１０３を介してレンズ４１を制御し、下方に向かって広がる電子線ＥＢを、鉛直軸に平行になるように整形する。
【００５６】
レンズ４１によって整形された電子線ＥＢは、下方に進行してアパーチャ５１を通過する。これにより、電子線ＥＢが分岐され、複数（６４）の電子線ＥＢｍｎが生成される。これらの電子線ＥＢｍｎは、ブランキングユニット６１のブランカＢＫｍｎを経て、ブランキングユニット６１を構成する基板６１０の開口ＨＨｍｎを通り抜ける。
【００５７】
ＣＰＵ１０１ａは、レンズ駆動装置１０３を介してレンズ４２を制御し、ブランキングユニット６１を通過した電子線ＥＢｍｎそれぞれを、アパーチャ５２の開口近傍に集束させる。
【００５８】
電子線ＥＢｍｎそれぞれは、アパーチャ５２の開口を通過することで、ショットの外径及び形状が整形される。そして、アパーチャ５２を通過した電子線ＥＢｍｎは、レンズ４３に入射する。
【００５９】
ＣＰＵ１０１ａは、レンズ駆動装置１０３を介してレンズ４３を制御し、レンズ４３に入射した電子線ＥＢｍｎをステージ７０に保持された試料１２０の表面にフォーカスさせる。また、ＣＰＵ１０１ａは、偏向アンプ１０５を介して、電子線ＥＢｍｎをＸ軸方向或いはＹ軸方向に偏向して、試料１２０に対する電子線ＥＢｍｎの入射位置を制御する。
【００６０】
上記動作と並行して、ＣＰＵ１０１ａは、ブランキングアンプ１０４を介して、描画するパターンに基づいて変調されたブランキング信号を、各ブランカＢＫｍｎに入力する。これにより、電子線ＥＢｍｎが所定のタイミングで偏向され、電子線ＥＢｍｎに対するブランキングが間欠的に実行される。
【００６１】
電子線描画装置１０では、上述のようにブランキングアンプ１０４と偏向アンプ１０５が協働することによって、描画パターンによって変調された電子線ＥＢｍｎにより試料１２０が露光され、当該試料１２０にパターンが描画される。
【００６２】
《評価パターン描画処理》
次に、電子線描画装置１０に用いられるアパーチャ５１の精度を評価するための評価パターン描画処理について説明する。この評価パターンは、アパーチャの加工精度を評価するためのパターンである。
【００６３】
図７のフローチャートは、補助記憶部１０１ｃに記憶されたプログラムに従って、ＣＰＵ１０１ａが実行する一連の処理を示す。評価パターン描画処理は、図７に示されるフローチャートに従って行われる。以下、評価パターン描画処理について、図７のフローチャートを参照して説明する。
【００６４】
まず、ＣＰＵ１０１ａは、補助記憶部１０１ｃに記憶された評価データを読み込む（ステップＳ１０１）。図８は、評価データに基づいて描画された評価パターンＰ０のＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）画像Ｐｈ０を示す図である。評価データは、例えば図８に示されるように、８行８列のマトリクス状に配置される正方形のマークＭｍｎからなる評価パターンＰ０を描画するためのデータである。各マークＭｍｎは、図２に示されるアパーチャ５１の開口Ｈｍｎに対応している。
【００６５】
電子線描画装置１０では、図１に示されるように電子銃３０から試料１２０までの間に、電子線ＥＢｍｎのクロスオーバポイントが１つ存在する。このため、図２に示されるアパーチャ５１の開口Ｈｍｎの配列に対して、評価パターンＰ０のマークＭｍｎの配列は、Ｘ軸及びＹ軸対称となる。すなわち、図２に示されるように、最も＋Ｙ側に位置し、＋Ｘ方向へ順番に配列された開口Ｈ１１〜Ｈ１８を経由した電子線ＥＢ１１〜ＥＢ１８によって形成されるマークＭ１１〜Ｍ１８は、図８に示されるように、最も−Ｙ側に位置し、−Ｘ方向へ配列される。なお、図８では、説明の便宜上ＸＹ座標系を１８０度回転させ、マークＭｍｎの配列が図２の開口Ｈｍｎの配列に見かけ上一致するように表示している。そして、開口Ｈ２１〜Ｈ２８を経由した電子線ＥＢ２１〜ＥＢ２８によって形成されるマークＭ２１〜Ｍ２８は、マークＭ１１〜Ｍ１８の＋Ｙ側に配置される。同様に、マークＭ３１〜Ｍ３８、マークＭ４１〜Ｍ４８、マークＭ５１〜Ｍ５８、マークＭ６１〜Ｍ６８、マークＭ７１〜Ｍ７８、マークＭ８１〜Ｍ８８も、＋Ｙ方向へ順次配置される。
【００６６】
このため、本実施形態では、最も−Ｙ側の１行目に位置するマークをＭ１ｎと表示する。そして、２行目乃至８行目に位置するマークをＭ２ｎ乃至Ｍ８ｎと表示する。また、最も＋Ｘ側の１列目に位置するマークをＭｍ１と表示する。そして、２列目乃至８列目に位置するマークをＭｍ２乃至Ｍｍ８と表示する。
【００６７】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、電子線ＥＢｍｎの電子線をブランキングすることなく、アパーチャ５１を通過したすべての電子線ＥＢｍｎを用いて、評価パターンＰ０を描画する（ステップＳ１０２）。この場合、１つの電子線ＥＢｍｎで、１つのマークＭｍｎが描画される。また、マークＭｍｎを描画する際に試料１２０へ入射する各電子線ＥＢｍｎの照射時間は、一定の値Ｔｄ０である。
【００６８】
パターンの描画時に、描画誤差などが発生しないと仮定した場合や、アパーチャ５１の開口Ｈｍｎの形状や寸法が設計値通りであるような場合には、評価パターンＰ０の各マークＭｍｎは、図８に示されるように、相互に同等の大きさになり、所定の間隔で配列された状態になる。その理由は、アパーチャ５１の開口Ｈｍｎの形状等にばらつきがない場合は、各電子線ＥＢｍｎのドーズ量はｆ（Ｔｄ０）ｍｃ／ｃｍ２と一定になるためである。しかしながら、例えばアパーチャ５１の開口の面積にばらつきがあるような場合には、マークＭｍｎの大きさや形状にもばらつきが生じる。
【００６９】
例えば、図９に示されるように、設計通りに完成した開口Ｈｍｎは矩形である。しかしながら、アパーチャ５１表面のめっき膜の厚みにムラができたり、アパーチャ５１のベース素材の加工誤差によっては、一例として示される開口Ｅ１〜Ｅ４のように、開口の形状が楕円形状になったり、大きさが設計上の開口と異なるものになることがある。アパーチャ５１に開口Ｅ１〜Ｅ４のような開口が形成されると、各電子線ＥＢｍｎのドーズ量にバラつきが生じ、例えば、図１０のＳＥＭ画像Ｐｈ０に示される評価パターンＰ０のように、面積が他のマークよりも大きいマークＭ３７，Ｍ７６，Ｍ７８が形成されたり、面積が他のマークよりも小さいマークＭ８８が形成されることになる。
【００７０】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、図１１に示されるように、アパーチャ５１を複数の領域に分割する（ステップＳ１０３）。アパーチャ５１には、６４の開口Ｈｍｎが設けられている。そこで、各領域に１６の開口Ｈｍｎが含まれるように、アパーチャ５１を４つの領域Ａ１〜Ａ４に分割する。
【００７１】
図１１に示されるように、領域Ａ１には、開口Ｈ１１〜Ｈ１４，Ｈ２１〜Ｈ２４，Ｈ３１〜Ｈ３４，Ｈ４１〜Ｈ４４が含まれる。領域Ａ２には、開口Ｈ５１〜Ｈ５４，Ｈ６１〜Ｈ６４，Ｈ７１〜Ｈ７４，Ｈ８１〜Ｈ８４が含まれる。領域Ａ３には、開口Ｈ１５〜Ｈ１８，Ｈ２５〜Ｈ２８，Ｈ３５〜Ｈ３８，Ｈ４５〜Ｈ４８が含まれる。領域Ａ４には、開口Ｈ５５〜Ｈ５８，Ｈ６５〜Ｈ６８，Ｈ７５〜Ｈ７８，Ｈ８５〜Ｈ８８が含まれる。
【００７２】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、アパーチャ５１の領域Ａ１を用いた評価パターンの描画を行う（ステップＳ１０４）。領域Ａ１を用いて評価パターンを描画するには、例えば、開口Ｈ１１〜Ｈ１４，Ｈ２１〜Ｈ２４，Ｈ３１〜Ｈ３４，Ｈ４１〜Ｈ４４を通過する電子線ＥＢｍｎ以外の電子線ＥＢｍｎをブランキングさせる。そして、１６の電子線ＥＢ１１〜ＥＢ１４，ＥＢ２１〜ＥＢ２４，ＥＢ３１〜ＥＢ３４，ＥＢ４１〜ＥＢ４４を用いて、評価データに基づく評価パターンＰ１を描画する。評価パターンＰ１は、評価パターンＰ０を規定する評価データに基づくパターンである。このため、理想的には、評価パターンＰ１を構成するマークは、評価パターンＰ０のマークと同等の大きさとなり、同等のピッチで配列される。
【００７３】
評価パターンＰ１を描画するには、図１２に示されるように、まず、４行４列のマトリクス状に配置される１６のマークからなるマーク群ＭＧ１を描画する。ここでは、１６の電子線ＥＢ１１〜ＥＢ１４，ＥＢ２１〜ＥＢ２４，ＥＢ３１〜ＥＢ３４，ＥＢ４１〜ＥＢ４４を用いて、各マークを同時に描画する。
【００７４】
同様の要領で、図１３に示されるように、マーク群ＭＧ１の＋Ｙ側にマーク群ＭＧ２を描画し、図１４に示されるように、マーク群ＭＧ１の−Ｘ側にマーク群ＭＧ３を描画する。そして、図１５に示されるように、マーク群ＭＧ２の−Ｘ側にマーク群ＭＧ４を描画する。
【００７５】
図１６は、評価パターンＰ１のＳＥＭ画像Ｐｈ１を示す図である。図１６に示されるように、上述のようにマーク群ＭＧ１〜ＭＧ４を描画することで、マーク群ＭＧ１〜ＭＧ４からなる評価パターンＰ１が描画される。評価パターンＰ１では、各マーク群ＭＧ１〜ＭＧ４それぞれは、電子線ＥＢ１１〜ＥＢ１４，ＥＢ２１〜ＥＢ２４，ＥＢ３１〜ＥＢ３４，ＥＢ４１〜ＥＢ４４で描画された１６のマークＭ１１〜Ｍ１４，Ｍ２１〜Ｍ２４，Ｍ３１〜Ｍ３４，Ｍ４１〜Ｍ４４からなる。
【００７６】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、アパーチャ５１の領域Ａ２を用いた評価パターンの描画を行う（ステップＳ１０５）。領域Ａ２を用いて評価パターンを描画するには、例えば、開口Ｈ５１〜Ｈ５４，Ｈ６１〜Ｈ６４，Ｈ７１〜Ｈ７４，Ｈ８１〜Ｈ８４を通過する電子線ＥＢｍｎ以外の電子線ＥＢｍｎをブランキングさせる。そして、評価パターンＰ１の描画と同様に、１６の電子線ＥＢ５１〜ＥＢ５４，ＥＢ６１〜ＥＢ６４，ＥＢ７１〜ＥＢ７４，ＥＢ８１〜ＥＢ８４を用いて、評価データに基づく評価パターンＰ２を描画する。
【００７７】
図１７は、評価パターンＰ２のＳＥＭ画像Ｐｈ２を示す図である。図１７に示されるように、上述の要領でマーク群ＭＧ１〜ＭＧ４を描画することで、マーク群ＭＧ１〜ＭＧ４からなる評価パターンＰ２が描画される。評価パターンＰ２では、各マーク群ＭＧ１〜ＭＧ４それぞれは、電子線ＥＢ５１〜ＥＢ５４，ＥＢ６１〜ＥＢ６４，ＥＢ７１〜ＥＢ７４，ＥＢ８１〜ＥＢ８４で描画された１６のマークＭ５１〜Ｍ５４，Ｍ６１〜Ｍ６４，Ｍ７１〜Ｍ７４，Ｍ８１〜Ｍ８４からなる。
【００７８】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、アパーチャ５１の領域Ａ３を用いた評価パターンの描画を行う（ステップＳ１０６）。領域Ａ３を用いて評価パターンを描画するには、例えば、開口Ｈ１５〜Ｈ１８，Ｈ２５〜Ｈ２８，Ｈ３５〜Ｈ３８，Ｈ４５〜Ｈ４８を通過する電子線ＥＢｍｎ以外の電子線ＥＢｍｎをブランキングさせる。そして、評価パターンＰ１、Ｐ２の描画と同様に、１６の電子線ＥＢ１５〜ＥＢ１８，ＥＢ２５〜ＥＢ２８，ＥＢ３５〜ＥＢ３８，ＥＢ４５〜ＥＢ４８を用いて、評価データに基づく評価パターンＰ３を描画する。
【００７９】
図１８は、評価パターンＰ３のＳＥＭ画像Ｐｈ３を示す図である。図１８に示されるように、上述の要領でマーク群ＭＧ１〜ＭＧ４を描画することで、マーク群ＭＧ１〜ＭＧ４からなる評価パターンＰ３が描画される。評価パターンＰ３では、各マーク群ＭＧ１〜ＭＧ４それぞれは、電子線ＥＢ１５〜ＥＢ１８，ＥＢ２５〜ＥＢ２８，ＥＢ３５〜ＥＢ３８，ＥＢ４５〜ＥＢ４８で描画された１６のマークＭ１５〜Ｍ１８，Ｍ２５〜Ｍ２８，Ｍ３５〜Ｍ３８，Ｍ４５〜Ｍ４８からなる。
【００８０】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、アパーチャ５１の領域Ａ４を用いた評価パターンの描画を行う（ステップＳ１０７）。領域Ａ４を用いて評価パターンを描画するには、例えば、開口Ｈ５５〜Ｈ５８，Ｈ６５〜Ｈ６８，Ｈ７５〜Ｈ７８，Ｈ８５〜Ｈ８８を通過する電子線ＥＢｍｎ以外の電子線ＥＢｍｎをブランキングさせる。そして、評価パターンＰ１〜Ｐ３の描画と同様に、１６の電子線ＥＢ５５〜ＥＢ５８，ＥＢ６５〜ＥＢ６８，ＥＢ７５〜ＥＢ７８，ＥＢ８５〜ＥＢ８８を用いて、評価データに基づく評価パターンＰ４を描画する。
【００８１】
図１９は、評価パターンＰ４のＳＥＭ画像Ｐｈ４を示す図である。図１９に示されるように、上述の要領でマーク群ＭＧ１〜ＭＧ４を描画することで、マーク群ＭＧ１〜ＭＧ４からなる評価パターンＰ４が描画される。評価パターンＰ４では、各マーク群ＭＧ１〜ＭＧ４それぞれは、電子線ＥＢ５５〜ＥＢ５８，ＥＢ６５〜ＥＢ６８，ＥＢ７５〜ＥＢ７８，ＥＢ８５〜ＥＢ８８で描画された１６のマークＭ５５〜Ｍ５８，Ｍ６５〜Ｍ６８，Ｍ７５〜Ｍ７８，Ｍ８５〜Ｍ８８からなる。
【００８２】
ＣＰＵ１０１ａは、評価パターンＰ０〜Ｐ４の描画を終了すると、評価パターン描画処理を終了する。評価パターン描画処理が終了すると、試料１２０には、評価パターンＰ０〜Ｐ４が描画された状態になっている。
【００８３】
《評価処理》
次に、試料１２０に描画された評価パターンＰ０〜Ｐ４を用いて、アパーチャ５１の精度を評価するための評価処理について説明する。評価処理は、評価パターンＰ０〜Ｐ４のＳＥＭ画像に基づいて、アパーチャ５１の精度を評価するための処理である。この評価処理は、例えば、制御装置１０１のＣＰＵ１０１ａによって実行される。
【００８４】
なお、評価処理に用いられる評価パターンＰ０〜Ｐ４のＳＥＭ画像Ｐｈ０〜Ｐｈ４は、試料１２０に描画された評価パターンＰ０〜Ｐ４を、ＳＥＭ等の装置によって撮影することにより生成される。これらのＳＥＭ画像Ｐｈ０〜Ｐｈ４は、制御装置１０１の補助記憶部１０１ｃに予め記憶される。
【００８５】
図２０のフローチャートは、補助記憶部１０１ｃに記憶されたプログラムに従って、ＣＰＵ１０１ａが実行する一連の処理を示す。評価処理は、図２０に示されるフローチャートに従って行われる。以下、評価処理について、図２０のフローチャートを参照して説明する。
【００８６】
まず、ＣＰＵ１０１ａは、補助記憶部１０１ｃに記憶されたＳＥＭ画像Ｐｈ０，Ｐｈ１を読み出す。そして、ＳＥＭ画像Ｐｈ０とＳＥＭ画像Ｐｈ１とを比較して、差分画像Ｄｆ１を生成する（ステップＳ２０１）。
【００８７】
ＳＥＭ画像どうしの比較では、ＣＰＵ１０１ａは、まず、ＳＥＭ画像Ｐｈ０と、ＳＥＭ画像Ｐｈ１とをマッチングさせる。ＳＥＭ画像のマッチングは、ＳＥＭ画像Ｐｈ０に対してＳＥＭ画像Ｐｈ１を相対移動しながら、ＳＥＭ画像Ｐｈ１の正規化相互相関を演算する。そして、演算結果に基づいて、ＳＥＭ画像Ｐｈ０とＳＥＭ画像Ｐｈ１と重ね合わせる。この状態のときには、ＳＥＭ画像Ｐｈ０の６４のマークと、ＳＥＭ画像Ｐｈ１の６４のマークが精度よく重なった状態になる。次に、ＣＰＵ１０１ａは、ＳＥＭ画像Ｐｈ０とＳＥＭ画像Ｐｈ１の差分画像Ｄｆ１を生成する。なお、ＳＥＭ画像は白黒の画像であるが、必要に応じて差分画像Ｄｆ１を二値化してもよい。
【００８８】
図２１は、差分画像Ｄｆ１を示す図である。ＳＥＭ画像Ｐｈ０のマークの画像の大きさと、ＳＥＭ画像Ｐｈ１のマークの画像の大きさとが異なっているような場合には、差分画像Ｄｆ１は、例えばマークＭＭ３７，ＭＭ７６，ＭＭ７８，ＭＭ８８などが現れた画像となる。これらのマークＭＭ３７，ＭＭ７６，ＭＭ７８，ＭＭ８８の面積は、相互に対応するＳＥＭ画像Ｐｈ０のマークとＳＥＭ画像Ｐｈ１のマークの面積の差を示すものである。
【００８９】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、差分画像Ｄｆ１に基づいて、アパーチャ５１の評価を行う（ステップＳ２０２）。
【００９０】
アパーチャ５１の評価では、図２２に示されるように、ＣＰＵ１０１ａは、差分画像Ｄｆ１を、差分画像Ｄｆ１の中心を通りＹ軸及びＸ軸に平行な直線で４等分し、４つの領域ＡＡ１〜ＡＡ４を規定する。領域ＡＡ１〜ＡＡ４それぞれの位置は、図１１に示されるアパーチャ５１の領域Ａ１〜Ａ４に対応している。次に、ＣＰＵ１０１ａは、各領域ＡＡ１〜ＡＡ４について、マークの面積の合計値ＡＴ１〜ＡＴ４を演算する。
【００９１】
例えば、図２２に示される例では、マークが存在しない領域ＡＡ１，ＡＡ２の合計値ＡＴ１，ＡＴ２は、ほぼ零になるが、マークが存在する領域ＡＡ３，ＡＡ４の合計値ＡＴ３，ＡＴ４は、零以上になる。そこで、ＣＰＵ１０１ａは、合計値ＡＴ１〜ＡＴ４と予め設定された閾値Ｔｈとを比較する。そして、合計値ＡＴ１〜ＡＴ４が閾値以上である領域を、不良領域として特定する。例えば、合計値ＡＴ３，ＡＴ４が閾値Ｔｈ１以上である場合には、領域ＡＡ３，ＡＡ４が不良領域として特定される。なお、上記閾値Ｔｈは、電子線描画装置１０の仕様や目的に応じて適宜決定することができる。
【００９２】
なお、差分画像Ｄｆ１の元になるＳＥＭ画像Ｐｈ０に示される評価パターンＰ０は、６４の電子線ＥＢｍｎで描画されたものであり、ＳＥＭ画像Ｐｈ１に示される評価パターンＰ１は、６４の電子線ＥＢｍｎのうちの１６の電子線ＥＢ１１〜ＥＢ１４，ＥＢ２１〜ＥＢ２４，ＥＢ３１〜ＥＢ３４，ＥＢ４１〜ＥＢ４４で描画されたものである。したがって、差分画像Ｄｆ１については、領域ＡＡ１にマークＭが現れることは通常起こりえない。
【００９３】
このため、差分画像Ｄｆ１を用いた評価では、アパーチャ５１の領域Ａ１を通過した電子線ＥＢｍｎのスポット形状と、アパーチャ５１の領域Ａ２〜Ａ４を通過した電子線ＥＢｍｎのスポット形状が比較されることになる。したがって、差分画像Ｄｆ１を用いた評価では、アパーチャ５１の領域Ａ１に形成された開口Ｈｍｎと、領域Ａ２，Ａ３，Ａ４に形成された開口Ｈｍｎの偏差に基づいたアパーチャ５１の評価が行われる。
【００９４】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、補助記憶部１０１ｃに記憶されたＳＥＭ画像Ｐｈ０，Ｐｈ２を読み出す。そして、ＣＰＵ１０１ａは、同様に、ＳＥＭ画像Ｐｈ０とＳＥＭ画像Ｐｈ２とを比較して、差分画像Ｄｆ２を生成する（ステップＳ２０３）。
【００９５】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、差分画像Ｄｆ２に基づいて、アパーチャ５１の評価を行う（ステップＳ２０４）。これによって、アパーチャ５１の領域Ａ２に形成された開口Ｈｍｎと、領域Ａ１，Ａ３，Ａ４に形成された開口Ｈｍｎの偏差に基づいたアパーチャ５１の評価が行われる。
【００９６】
同様に、ＣＰＵ１０１ａは、ＳＥＭ画像Ｐｈ０とＳＥＭ画像Ｐｈ３とを比較して、差分画像Ｄｆ３を生成する（ステップＳ２０５）、そして、差分画像Ｄｆ３に基づいて、アパーチャ５１の評価を行う（ステップＳ２０６）。これによって、アパーチャ５１の領域Ａ３に形成された開口Ｈｍｎと、領域Ａ１，Ａ２，Ａ４に形成された開口Ｈｍｎの偏差に基づいたアパーチャ５１の評価が行われる。
【００９７】
続いて、ＣＰＵ１０１ａは、ＳＥＭ画像Ｐｈ０とＳＥＭ画像Ｐｈ４とを比較して、差分画像Ｄｆ４を生成する（ステップＳ２０７）、そして、差分画像Ｄｆ４に基づいて、アパーチャ５１の評価を行う（ステップＳ２０８）。これによって、アパーチャ５１の領域Ａ４に形成された開口Ｈｍｎと、領域Ａ１，Ａ２，Ａ３に形成された開口Ｈｍｎの偏差に基づいたアパーチャ５１の評価が行われる。
【００９８】
図２３は、差分画像Ｄｆ１〜Ｄｆ４を用いた評価を概念的に示す図である。図２３に示されるように、上記ステップＳ２０１〜Ｓ２０８までの処理によって、差分画像Ｄｆ１〜Ｄｆ４の領域ＡＡ１〜ＡＡ４に対応した、アパーチャ５１の領域Ａ１〜Ａ４についての評価結果が得られる。
【００９９】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、アパーチャ５１の領域Ａ１〜Ａ４についての評価結果に基づいて、アパーチャ５１の使用の可否についての判断を行う（ステップＳ２０９）。
【０１００】
アパーチャ５１を４つの領域Ａ１〜Ａ４に分割した場合には、各領域は３回の評価が行われる。例えば、領域Ａ１については、領域Ａ２〜Ａ４と比較され３回の評価が行われる。ＣＰＵ１０１ａは、３回の評価のすべてにおいて使用不可と判断された領域が過半数に達するアパーチャ５１を、使用不可能である、と判断する。図２３に示される例では、領域Ａ３，Ａ４は、３回の評価すべてで使用不可と判断されている。このため、ＣＰＵ１０１ａは、例えば４つの領域Ａ１〜Ａ４のうちの２つの領域Ａ３，Ａ４について使用不可と判断し、結果的に、当該アパーチャ５１は使用が不可能である、と判断することができる。
【０１０１】
ＣＰＵ１０１ａは、アパーチャ５１についての使用の可否を判断すると、判断結果を表示部１０１ｅに表示する（ステップＳ２１０）。ＣＰＵ１０１ａは、ステップＳ２１０の処理が完了すると、評価処理を終了する。
【０１０２】
ユーザは、アパーチャ５１の評価結果に基づいて、アパーチャ５１の交換やメンテナンスをすることができる。しかしながら、評価結果によっては、電子線のドーズ量を補正することで、使用不可能と判断されたアパーチャ５１を、引き続き使用することができるような場合がある。以下、電子線のドーズ量の補正処理について説明する。
【０１０３】
《補正処理》
図２４のフローチャートは、補助記憶部１０１ｃに記憶されたプログラムに従って、ＣＰＵ１０１ａが実行する一連の処理を示す。補正処理は、図２４に示されるフローチャートに従って行われる。以下、補正処理について、図２４のフローチャートを参照して説明する。
【０１０４】
まず、ＣＰＵ１０１ａは、アパーチャ５１の開口Ｈｍｎの設計上の開口の面積ＳＤと、ＳＥＭ画像Ｐｈ１のマークＭ１１〜Ｍ１４，Ｍ２１〜Ｍ２４，Ｍ３１〜Ｍ３４，Ｍ４１〜Ｍ４４の面積Ｓ１（１）〜Ｓ１（１６）との差Ｄ１（１）〜Ｄ１（１６）を演算する（ステップＳ３０１）。
【０１０５】
具体的には、まず、ＣＰＵ１０１ａは、補助記憶部１０１ｃから、ＳＥＭ画像Ｐｈ１を読み出す。そして、ＳＥＭ画像Ｐｈ１のマークＭ１１〜Ｍ１４，Ｍ２１〜Ｍ２４，Ｍ３１〜Ｍ３４，Ｍ４１〜Ｍ４４の面積Ｓ１（１）〜Ｓ１（１６）を計測する。そして、設計上の面積ＳＤから面積Ｓ１（ｉ）を減算する。なお、ｉは１乃至１６の整数であり、差Ｄ１（１）〜Ｄ１（１６）は次式（１）で示される。
【０１０６】
Ｄ１（ｉ）＝ＳＤ−Ｓ１（ｉ）  …（１）
【０１０７】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、差Ｄ１（１）〜Ｄ１（１６）を用いて、電子線ＥＢ１１〜ＥＢ１４，ＥＢ２１〜ＥＢ２４，ＥＢ３１〜ＥＢ３４，ＥＢ４１〜ＥＢ４４の照射時間の補正値ＣＶ１（１）〜ＣＶ１（１６）を演算する（ステップＳ３０２）。
【０１０８】
アパーチャ５１に設けられた開口Ｈｍｎの設計上の面積がＳＤである場合に、電子線ＥＢｍｎを時間Ｔｄ０照射すると、ドーズ量Ｖは開口の面積ＳＤと時間Ｔｄ０の積（ＳＤ・Ｔｄ０）に比例した値となる。したがって、目標照射時間をＴｄ０とすると補正値ＣＶ１（ｉ）は次式（２）で求めることができる。
【０１０９】
ＣＶ１（ｉ）＝Ｔｄ０・（ＳＤ−Ｓ１（ｉ））／Ｓ１（ｉ）
＝Ｔｄ０・Ｄ１（ｉ）／Ｓ１（ｉ）  …（２）
【０１１０】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、補正値を加味して、電子線ＥＢ１１〜ＥＢ１４，ＥＢ２１〜ＥＢ２４，ＥＢ３１〜ＥＢ３４，ＥＢ４１〜ＥＢ４４それぞれの照射時間Ｔｄ１（ｉ）を演算する（ステップＳ３０３）。照射時間Ｔｄ１（ｉ）は、次式（３）で求めることができる。
【０１１１】
Ｔｄ１（ｉ）＝Ｔｄ０＋ＣＶ１（ｉ）  …（３）
【０１１２】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、補助記憶部１０１ｃから、ＳＥＭ画像Ｐｈ１，Ｐｈ２を読み出す。そして、ＳＥＭ画像Ｐｈ１，Ｐｈ２を比較して、ＳＥＭ画像Ｐｈ１のマークＭ１１〜Ｍ１４，Ｍ２１〜Ｍ２４，Ｍ３１〜Ｍ３４，Ｍ４１〜Ｍ４４の面積Ｓ１（ｉ）と、ＳＥＭ画像Ｐｈ２のマークＭ５１〜Ｍ５４，Ｍ６１〜Ｍ６４，Ｍ７１〜Ｍ７４，Ｍ８１〜Ｍ８４の面積Ｓ２（ｉ）の差Ｄ２（ｉ）を演算する（ステップＳ３０４）。差Ｄ２（ｉ）は次式（４）で示される
【０１１３】
Ｄ２（ｉ）＝Ｓ１（ｉ）−Ｓ２（ｉ）  …（４）
【０１１４】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、差Ｄ２（ｉ）を用いて、電子線ＥＢ５１〜ＥＢ５４，ＥＢ６１〜ＥＢ６４，ＥＢ７１〜ＥＢ７４，ＥＢ８１〜ＥＢ８４の照射時間の補正値ＣＶ２（ｉ）を演算する（ステップＳ３０５）。補正値ＣＶ２（ｉ）は次式（５）で求めることができる。
【０１１５】
ＣＶ２（ｉ）＝Ｔｄ１（ｉ）・Ｄ２（ｉ）／Ｓ２（ｉ）  …（５）
【０１１６】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、補正値を加味して、電子線ＥＢ１５〜ＥＢ１８，ＥＢ２５〜ＥＢ２８，ＥＢ３５〜ＥＢ３８，ＥＢ４５〜ＥＢ４８それぞれの照射時間Ｔｄ３（ｉ）を演算する（ステップＳ３０６）。照射時間Ｔｄ２（ｉ）は、次式（６）で求めることができる。
【０１１７】
Ｔｄ２（ｉ）＝Ｔｄ１（ｉ）＋ＣＶ２（ｉ）  …（６）
【０１１８】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、補助記憶部１０１ｃから、ＳＥＭ画像Ｐｈ１，Ｐｈ３を読み出す。そして、ＳＥＭ画像Ｐｈ１，Ｐｈ３を比較して、ＳＥＭ画像Ｐｈ１のマークＭ１１〜Ｍ１４，Ｍ２１〜Ｍ２４，Ｍ３１〜Ｍ３４，Ｍ４１〜Ｍ４４の面積Ｓ１（ｉ）と、ＳＥＭ画像Ｐｈ３のマークＭ１５〜Ｍ１８，Ｍ２５〜Ｍ２８，Ｍ３５〜Ｍ３８，Ｍ４５〜Ｍ４８の面積Ｓ３（ｉ）の差Ｄ３（ｉ）を演算する（ステップＳ３０７）。差Ｄ３（ｉ）は次式（７）で示される。
【０１１９】
Ｄ３（ｉ）＝Ｓ１（ｉ）−Ｓ３（ｉ）  …（７）
【０１２０】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、差Ｄ３（ｉ）を用いて、電子線ＥＢ１５〜ＥＢ１８，ＥＢ２５〜ＥＢ２８，ＥＢ３５〜ＥＢ３８，ＥＢ４５〜ＥＢ４８の照射時間の補正値ＣＶ３（ｉ）を演算する（ステップＳ３０８）。補正値ＣＶ３（ｉ）は次式（８）で求めることができる。
【０１２１】
ＣＶ３（ｉ）＝Ｔｄ１（ｉ）・Ｄ３（ｉ）／Ｓ３（ｉ）  …（８）
【０１２２】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、補正値を加味して、電子線ＥＢ１５〜ＥＢ１８，ＥＢ２５〜ＥＢ２８，ＥＢ３５〜ＥＢ３８，ＥＢ４５〜ＥＢ４８それぞれの照射時間Ｔｄ４（ｉ）を演算する（ステップＳ３０９）。照射時間Ｔｄ３（ｉ）は、次式（９）で求めることができる。
【０１２３】
Ｔｄ３（ｉ）＝Ｔｄ１（ｉ）＋ＣＶ３（ｉ）  …（９）
【０１２４】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、補助記憶部１０１ｃから、ＳＥＭ画像Ｐｈ１，Ｐｈ４を読み出す。そして、ＳＥＭ画像Ｐｈ１，Ｐｈ４を比較して、ＳＥＭ画像Ｐｈ１のマークＭ１１〜Ｍ１４，Ｍ２１〜Ｍ２４，Ｍ３１〜Ｍ３４，Ｍ４１〜Ｍ４４の面積Ｓ１（ｉ）と、ＳＥＭ画像Ｐｈ４のマークＭ５５〜Ｍ５８，Ｍ６５〜Ｍ６８，Ｍ７５〜Ｍ７８，Ｍ８５〜Ｍ８８の面積Ｓ４（ｉ）の差Ｄ４（ｉ）を演算する（ステップＳ３１０）。差Ｄ４（ｉ）は次式（１０）で示される。
【０１２５】
Ｄ４（ｉ）＝Ｓ１（ｉ）−Ｓ４（ｉ）  …（１０）
【０１２６】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、差Ｄ４（ｉ）を用いて、電子線ＥＢ５５〜ＥＢ５８，ＥＢ６５〜ＥＢ６８，ＥＢ７５〜ＥＢ７８，ＥＢ８５〜ＥＢ８８の照射時間の補正値ＣＶ４（ｉ）を演算する（ステップＳ３１１）。補正値ＣＶ４（ｉ）は次式（１１）で求めることができる。
【０１２７】
ＣＶ４（ｉ）＝Ｔｄ１（ｉ）・Ｄ４（ｉ）／Ｓ４（ｉ）  …（１１）
【０１２８】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、補正値を加味して、電子線ＥＢ５５〜ＥＢ５８，ＥＢ６５〜ＥＢ６８，ＥＢ７５〜ＥＢ７８，ＥＢ８５〜ＥＢ８８それぞれの照射時間Ｔｄ４（ｉ）を演算する（ステップＳ３１２）。照射時間Ｔｄ４（ｉ）は、次式（１２）で求めることができる。
【０１２９】
Ｔｄ４（ｉ）＝Ｔｄ１（ｉ）＋ＣＶ４（ｉ）  …（１２）
【０１３０】
上記のステップＳ３０１〜Ｓ３１２の処理によって求められる照射時間Ｔｄ１（ｉ）〜Ｔｄ４（ｉ）は、以下のようになる。つまり、アパーチャ５１の領域Ａ１の照射時間は、設計値から規定される設計照射時間Ｔｄ０に、開口Ｈｍｎの設計値と領域Ａ１の開口Ｈｍｎの実測値から求められた補正値ＣＶ１（ｉ）を加えたものとなる。領域Ａ２，Ａ３，Ａ４の照射時間は、設計照射時間Ｔｄ０に、補正値ＣＶ１（ｉ）を加え、さらに、領域Ａ１の開口Ｈｍｎに対する、領域Ａ２，Ａ３，Ａ４の開口Ｈｍｎの補正値ＣＶ２（ｉ），ＣＶ３（ｉ），ＣＶ４（ｉ）を加えたものとなる。
【０１３１】
Ｔｄ１（ｉ）＝Ｔｄ０＋ＣＶ１（ｉ）
Ｔｄ２（ｉ）＝Ｔｄ１（ｉ）＋ＣＶ２（ｉ）
＝Ｔｄ０＋ＣＶ１（ｉ）＋ＣＶ２（ｉ）
Ｔｄ３（ｉ）＝Ｔｄ１（ｉ）＋ＣＶ３（ｉ）
＝Ｔｄ０＋ＣＶ１（ｉ）＋ＣＶ３（ｉ）
Ｔｄ４（ｉ）＝Ｔｄ１（ｉ）＋ＣＶ４（ｉ）
＝Ｔｄ０＋ＣＶ１（ｉ）＋ＣＶ４（ｉ）
【０１３２】
ＣＰＵ１０１ａは、６４の電子線ＥＢｍｎそれぞれについて、描画データによって規定される目標照射時間Ｔｄ０に対する、補正後の照射時間Ｔｄ１（ｉ）〜Ｔｄ４（ｉ）を算出すると、当該照射時間Ｔｄ１（ｉ）〜Ｔｄ４（ｉ）を補助記憶部へ保存して、補正処理を終了する。
【０１３３】
電子線描画装置１０では、パターンを描画する際に、描画データによって規定される電子線の目標照射時間Ｔｄ０から、アパーチャ５１の開口Ｈｍｎの面積に応じた当該照射時間Ｔｄ１（ｉ）〜Ｔｄ４（ｉ）が算出される。そして、算出された照射時間Ｔｄ１（ｉ）〜Ｔｄ４（ｉ）に基づいて、電子線ＥＢｍｎが照射される。これにより、アパーチャ５１の開口Ｈｍｎの大きさにバラつきがあったとしても、電子線ＥＢｍｎを設計値に基づいたドーズ量になるように試料１２０へ入射させることができる。
【０１３４】
以上説明したように、本実施形態では、アパーチャ５１が複数の領域Ａ１〜Ａ４に分割される（ステップＳ１０３）。そして、アパーチャ５１の領域Ａ１〜Ａ４をそれぞれ用いて描画した評価パターンＰ１〜Ｐ４のＳＥＭ画像Ｐｈ１〜Ｐｈ０を比較し（ステップＳ２０１，Ｓ２０３，Ｓ２０５，Ｓ２０７）、比較した結果に基づいて、アパーチャ５１の使用可否の判断が行われる。
【０１３５】
したがって、例えばアパーチャ５１の開口Ｈｍｎについて、１つ１つ個別に面積や寸法等を計測し、計測した結果に基づいて、アパーチャの使用可否の判断を行う場合に比較して、極めて短時間に精度よくアパーチャの使用可否判断を行うことができる。
【０１３６】
また、アパーチャの使用可否の判断に応じて、使用不可と判断されたアパーチャの使用を回避することが可能となる。したがって、加工精度の高いアパーチャを用いて、精度よく電子線をマルチ化することができ、ひいては精度よくパターンを描画することが可能となる。
【０１３７】
また、本実施形態では、図２３を参照するとわかるように、アパーチャ５１の領域Ａ１〜Ａ４について、加工誤差がある領域と加工誤差のない領域とが判別される。そのため、アパーチャ５１の不良率を把握することができる。なお、不良率は、例えば領域の総数ＴＭ１と、加工誤差がある領域の総数ＴＭ２の比（＝ＴＭ２／ＴＭ１）で示される。
【０１３８】
本実施形態では、試料１２０に描画された評価パターンＰ０〜Ｐ４のＳＥＭ画像Ｐｈ０〜Ｐｈ４に基づいてアパーチャ５１の評価が行われる。このため、アパーチャ５１の評価を、電子線描画装置１０を停止させることなく行うことができる。
【０１３９】
本実施形態では、例えば、試料１２０に原画パターンとともに、評価パターンＰ０〜Ｐ４を描画することで、原画パターンの描画ごとに、コンタミネーションなどの影響によるアパーチャ５１の経年劣化等の評価が可能となる。
【０１４０】
本実施形態では、補正処理（ステップＳ３０１〜Ｓ３１２）によって、アパーチャ５１に設けられた開口Ｈｍｎの面積のバラつきに起因するドーズ量のバラつきが調整される。したがって、試料１２０へ精度よくパターンを描画することが可能となる。
【０１４１】
本実施形態では、例えば図２５に示されるように、アパーチャ５１に、著しく面積の大きい開口や、著しく面積が小さい開口などの加工精度の低い不良開口が存在したとしても、領域Ａ１〜Ａ４で、これらの不良開口の分布が等しい場合などには、当該アパーチャ５１は、すべての領域Ａ１〜Ａ４が使用可能であると判断され、結果的にアパーチャ５１が使用可能であると判断されてしまう。
【０１４２】
しかしながら、本実施形態では、アパーチャ５１の補正処理が行われるので、このような場合であっても、精度よくパターンを描画することが可能となる。また、補正処理において、設計上の照射時間と補正後の照射時間とが著しく異なるような場合には、アパーチャ５１を使用不可と判断することも可能となる。これにより、加工精度の低いアパーチャ５１でパターンの描画が行われることを回避することができる。
【０１４３】
本実施形態では、アパーチャ５１に８行８列のマトリクス状に開口が形成されている場合について説明した。アパーチャ５１の開口の配列はこれに限られるものではない。また、アパーチャ５１の開口が、奇数行或いは奇数列のマトリクス状に配置されている場合には、図２６に示されるように、アパーチャ５１に、一部ラップするような領域を規定してもよい。
【０１４４】
≪第２の実施携帯≫
次に第２の実施形態について説明する。第２の実施形態に係る電子線描画装置１０は、電子線のショットに起因するドーズ量の補正を行う点で、第１の実施形態に係る電子線描画装置１０と相違する。以下、第２の実施形態に係る電子線描画装置１０について、図面を参照して説明する。なお、第１の実施形態と同一又は同等の構成については、同等の符号を用いるとともに、その説明を省略又は簡略する。
【０１４５】
電子線ＥＢｍｎによるドーズ量は、電子線ＥＢｍｎごとに異なることがある。そのため、電子線ＥＢｍｎ相互間でドーズ量の誤差が生じる。そこで、電子線ＥＢｍｎ相互間での誤差を補正するための処理が必要になる。
【０１４６】
電子線のドーズ量は、電子線の照射時間に比例するため、ドーズ量の誤差は、ブランカＢＫｍｎの応答速度などに依存して増減する。例えば、ブランキングアンプ１０４からブランカＢＫｍｎに出力されるブランキング信号の立ち上がり時間や立下り時間は、ブランキングアンプ１０４までの配線経路や配線長、或いは配線ルートなどの影響を受ける。そのため、ブランキングアンプ１０４が、目標ドーズ量に基づいて各ブランカＢＫｍｎにブランキング信号を出力したとしても、実際のドーズ量と目標ドーズ量との間に差が生じる。この差はブランカＢＫｍｎごとに異なるため、ブランカＢＫｍｎを通過する電子線ＥＢｍｎ相互間でドーズ量の誤差が生じる。
【０１４７】
ドーズ量の誤差は、電子ビームで描画したマークの大きさの差になって現れる。例えば、試料１２０にマークを描画するときには、ドーズ量が目標量Ｔｘとなるように電子線ＥＢｍｎを試料１２０に照射する。このとき、ブランカＢＫｍｎへ出力されるブランキング信号の立上がり時間が長い場合には、電子線ＥＢｍｎがブランキングされるまでの時間が長くなる。したがって、電子線ＥＢｍｎを複数回にわたって試料１２０へショットしてマークを描画すると、ドーズ量が目標量Ｔｘよりも大きくなり、描画されるマークが大きくなる。
【０１４８】
一方、ブランカＢＫｍｎへ出力されるブランキング信号の立下がり時間が長い場合には、試料１２０に対して電子線ＥＢｍｎの照射が開始されるまでの時間が長くなる。したがって、電子線ＥＢｍｎを複数回にわたって試料１２０へショットしてマークを描画すると、ドーズ量が目標量Ｔｘよりも小さくなり、描画されるマークが小さくなる。
【０１４９】
以上のように、電子線ＥＢｍｎについての照射開始時の遅延時間Ｔｓや、照射終了時の遅延時間Ｔｅが大きいと、１ショットあたりのドーズ量が増減する。その結果、描画されるマークの大きさも変動する。
【０１５０】
図２７は、試料１２０に描画されたマークＭを示す図である。実線で示されるマークＭは、電子線ＥＢｍｎの１回のショットで描画されたマークを示す。１回のショットで描画されたマークＭについては、照射時間に対する遅延時間Ｔｓ，Ｔｅの割合が小さいため、マークＭについてのドーズ量は目標量Ｔｘに近くなる。
【０１５１】
一方、複数回のショットで描画されたマークでは、照射時間に対する遅延時間Ｔｓ，Ｔｅの割合が大きくなる。例えば、遅延時間Ｔｅよりも遅延時間Ｔｓの方が長く支配的な場合には、図２７の破線で示されるマークＭｓのように、マークＭよりも面積が小さいマークが描画される。また、遅延時間Ｔｓよりも遅延時間Ｔｅの方が長く支配的な場合には、図２７の一点鎖線で示されるマークＭｅのように、マークＭよりも面積が大きいマークが描画される。
【０１５２】
ドーズ量によるマークの大きさの差異は、マークの大きさや形状にかかわらず現れる。また、特定の電子線ＢＥｍｎによって描画されるマークは、ショット数に起因して大きさが変化するが、その中心位置はショット数にかからず一定の位置になる。そこで、電子線描画装置１０は、異なるショット数で描画されたマーク同士を比較し、その結果を用いて、ドーズ量の補正を行う。以下、ドーズ量補正処理について説明する。
【０１５３】
図２８のフローチャートは、補助記憶部１０１ｃに記憶されたプログラムに従って、ＣＰＵ１０１ａが実行する一連の処理を示す。ドーズ量補正処理は、図２８に示されるフローチャートに従って行われる。
【０１５４】
まず、ＣＰＵ１０１ａは、補助記憶部１０１ｃに記憶された評価データを読み込む（ステップＳ４０１）。この評価データは、図８に示されるＳＥＭ画像Ｐｈ０に示される評価パターンＰ０を規定するデータである。
【０１５５】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、アパーチャ５１の領域Ａ１を用いた評価パターンの描画を行う（ステップＳ４０２）。領域Ａ１を用いて評価パターンを描画するには、例えば、開口Ｈ１１〜Ｈ１４，Ｈ２１〜Ｈ２４，Ｈ３１〜Ｈ３４，Ｈ４１〜Ｈ４４を通過する電子線ＥＢｍｎ以外の電子線ＥＢｍｎをブランキングさせる。そして、１６の電子線ＥＢ１１〜ＥＢ１４，ＥＢ２１〜ＥＢ２４，ＥＢ３１〜ＥＢ３４，ＥＢ４１〜ＥＢ４４を用いて、評価データに基づく評価パターンＰ１を描画する。
【０１５６】
評価パターンＰ１を描画するには、図１２に示されるように、まず、４行４列のマトリクス状に配置される１６のマークからなるマーク群ＭＧ１を描画する。ここでは、１６の電子線ＥＢ１１〜ＥＢ１４，ＥＢ２１〜ＥＢ２４，ＥＢ３１〜ＥＢ３４，ＥＢ４１〜ＥＢ４４を用いて、各マークを同時に描画する。また、マークを描画する際には、電子線ＥＢ１１〜ＥＢ１４，ＥＢ２１〜ＥＢ２４，ＥＢ３１〜ＥＢ３４，ＥＢ４１〜ＥＢ４４を間欠的に試料１２０に入射させることにより、複数回のショットを行って、各マークを描画する。ここでは、例えば４回のショットでマークを描画することが考えられる。
【０１５７】
上述したように、マークＭｍｎを描画する際に試料１２０へ入射する各電子線ＥＢｍｎの照射時間は、一定の値Ｔｄ０であるものとした。そのため、電子線ＥＢｍｎによるＮ回のショットでマークを描画した場合には、ショット１回での照射時間は、Ｔｄ０／Ｎとなる。具体的には、４回のショットでマークを描画したときには、１ショットあたりの照射時間はＴｄ０／４となる。
【０１５８】
同様の要領で、図１３に示されるように、マーク群ＭＧ１の＋Ｙ側にマーク群ＭＧ２を描画し、図１４に示されるように、マーク群ＭＧ１の−Ｘ側にマーク群ＭＧ３を描画する。そして、図１５に示されるように、マーク群ＭＧ２の−Ｘ側にマーク群ＭＧ４を描画する。
【０１５９】
図２９は、評価パターンＰ１のＳＥＭ画像Ｐｈｄ１を示す図である。図２９に示されるように、上述のようにマーク群ＭＧ１〜ＭＧ４を描画することで、マーク群ＭＧ１〜ＭＧ４からなる評価パターンＰ１が描画される。評価パターンＰ１では、各マーク群ＭＧ１〜ＭＧ４それぞれは、電子線ＥＢ１１〜ＥＢ１４，ＥＢ２１〜ＥＢ２４，ＥＢ３１〜ＥＢ３４，ＥＢ４１〜ＥＢ４４で描画された１６のマークＭ１１〜Ｍ１４，Ｍ２１〜Ｍ２４，Ｍ３１〜Ｍ３４，Ｍ４１〜Ｍ４４からなる。
【０１６０】
図２９に示される例では、ドーズ量の誤差により、電子線ＥＢ２１，ＥＢ２４によって描画されたマークＭ２１，Ｍ２４の大きさが、本来の大きさと異なるものとなっている。具体的には、電子線ＥＢ２１については照射時間がＴｄ０を超えることによって、マークの大きさが本来より大きくなっている。そして、電子線ＥＢ２４については照射時間がＴｄ０を下回ることによって、マークの大きさが本来より小さくなっている。
【０１６１】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、アパーチャ５１の領域Ａ２を用いた評価パターンの描画を行う（ステップＳ４０３）。領域Ａ２を用いて評価パターンを描画するには、例えば、開口Ｈ５１〜Ｈ５４，Ｈ６１〜Ｈ６４，Ｈ７１〜Ｈ７４，Ｈ８１〜Ｈ８４を通過する電子線ＥＢｍｎ以外の電子線ＥＢｍｎをブランキングさせる。そして、評価パターンＰ１の描画と同様に、１６の電子線ＥＢ５１〜ＥＢ５４，ＥＢ６１〜ＥＢ６４，ＥＢ７１〜ＥＢ７４，ＥＢ８１〜ＥＢ８４を用いて、評価データに基づく評価パターンＰ２を描画する。また、評価パターンＰ２を描画する際には、電子線ＥＢ５１〜ＥＢ５４，ＥＢ６１〜ＥＢ６４，ＥＢ７１〜ＥＢ７４，ＥＢ８１〜ＥＢ８４を間欠的に試料１２０に入射させることにより、複数回のショットを行って、評価パターンＰ２を描画する。
【０１６２】
図３０は、評価パターンＰ２のＳＥＭ画像Ｐｈｄ２を示す図である。図３０に示されるように、上述の要領でマーク群ＭＧ１〜ＭＧ４を描画することで、マーク群ＭＧ１〜ＭＧ４からなる評価パターンＰ２が描画される。評価パターンＰ２では、各マーク群ＭＧ１〜ＭＧ４それぞれは、電子線ＥＢ５１〜ＥＢ５４，ＥＢ６１〜ＥＢ６４，ＥＢ７１〜ＥＢ７４，ＥＢ８１〜ＥＢ８４で描画された１６のマークＭ５１〜Ｍ５４，Ｍ６１〜Ｍ６４，Ｍ７１〜Ｍ７４，Ｍ８１〜Ｍ８４からなる。
【０１６３】
図３０に示される例では、ドーズ量の誤差により、電子線ＥＢ６２，ＥＢ７４，ＥＢ８３によって描画されたマークＭ６２，Ｍ７４，Ｍ８３の大きさが、本来の大きさと異なるものとなっている。具体的には、電子線ＥＢ６２，ＥＢ８３については照射時間がＴｄ０を超えることによって、マークの大きさが本来より大きくなっている。そして、電子線ＥＢ７４については照射時間がＴｄ０を下回ることによって、マークの大きさが本来より小さくなっている。
【０１６４】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、アパーチャ５１の領域Ａ３を用いた評価パターンの描画を行う（ステップＳ４０４）。領域Ａ３を用いて評価パターンを描画するには、例えば、開口Ｈ１５〜Ｈ１８，Ｈ２５〜Ｈ２８，Ｈ３５〜Ｈ３８，Ｈ４５〜Ｈ４８を通過する電子線ＥＢｍｎ以外の電子線ＥＢｍｎをブランキングさせる。そして、評価パターンＰ１、Ｐ２の描画と同様に、１６の電子線ＥＢ１５〜ＥＢ１８，ＥＢ２５〜ＥＢ２８，ＥＢ３５〜ＥＢ３８，ＥＢ４５〜ＥＢ４８を用いて、評価データに基づく評価パターンＰ３を描画する。また、評価パターンＰ３を描画する際には、電子線ＥＢ１５〜ＥＢ１８，ＥＢ２５〜ＥＢ２８，ＥＢ３５〜ＥＢ３８，ＥＢ４５〜ＥＢ４８を間欠的に試料１２０に入射させることにより、複数回のショットを行って、評価パターンＰ３を描画する。
【０１６５】
図３１は、評価パターンＰ３のＳＥＭ画像Ｐｈｄ３を示す図である。図３０に示されるように、上述の要領でマーク群ＭＧ１〜ＭＧ４を描画することで、マーク群ＭＧ１〜ＭＧ４からなる評価パターンＰ３が描画される。評価パターンＰ３では、各マーク群ＭＧ１〜ＭＧ４それぞれは、電子線ＥＢ１５〜ＥＢ１８，ＥＢ２５〜ＥＢ２８，ＥＢ３５〜ＥＢ３８，ＥＢ４５〜ＥＢ４８で描画された１６のマークＭ１５〜Ｍ１８，Ｍ２５〜Ｍ２８，Ｍ３５〜Ｍ３８，Ｍ４５〜Ｍ４８からなる。
【０１６６】
図３１に示される例では、ドーズ量の誤差により、電子線ＥＢ３６，ＥＢ３８によって描画されたマークＭ３６，Ｍ３８の大きさが、本来の大きさと異なるものとなっている。具体的には、電子線ＥＢ３６については照射時間がＴｄ０を超えることによって、マークの大きさが本来より大きくなっている。そして、電子線ＥＢ３８については照射時間がＴｄ０を下回ることによって、マークの大きさが本来より小さくなっている。
【０１６７】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、アパーチャ５１の領域Ａ４を用いた評価パターンの描画を行う（ステップＳ４０５）。領域Ａ４を用いて評価パターンを描画するには、例えば、開口Ｈ５５〜Ｈ５８，Ｈ６５〜Ｈ６８，Ｈ７５〜Ｈ７８，Ｈ８５〜Ｈ８８を通過する電子線ＥＢｍｎ以外の電子線ＥＢｍｎをブランキングさせる。そして、評価パターンＰ１〜Ｐ３の描画と同様に、１６の電子線ＥＢ５５〜ＥＢ５８，ＥＢ６５〜ＥＢ６８，ＥＢ７５〜ＥＢ７８，ＥＢ８５〜ＥＢ８８を用いて、評価データに基づく評価パターンＰ４を描画する。また、評価パターンＰ４を描画する際には、電子線ＥＢ５５〜ＥＢ５８，ＥＢ６５〜ＥＢ６８，ＥＢ７５〜ＥＢ７８，ＥＢ８５〜ＥＢ８８を間欠的に試料１２０に入射させることにより、複数回のショットを行って、評価パターンＰ４を描画する。
【０１６８】
図３２は、評価パターンＰ４のＳＥＭ画像Ｐｈｄ４を示す図である。図３２に示されるように、上述の要領でマーク群ＭＧ１〜ＭＧ４を描画することで、マーク群ＭＧ１〜ＭＧ４からなる評価パターンＰ４が描画される。評価パターンＰ４では、各マーク群ＭＧ１〜ＭＧ４それぞれは、電子線ＥＢ５５〜ＥＢ５８，ＥＢ６５〜ＥＢ６８，ＥＢ７５〜ＥＢ７８，ＥＢ８５〜ＥＢ８８で描画された１６のマークＭ５５〜Ｍ５８，Ｍ６５〜Ｍ６８，Ｍ７５〜Ｍ７８，Ｍ８５〜Ｍ８８からなる。
【０１６９】
図３２に示される例では、ドーズ量の誤差により、本来の大きさと異なるものとなったマークが存在していない。
【０１７０】
上記ステップＳ４０２〜Ｓ４０５の処理が実行されると、電子線ＥＢｍｎの複数回のショットによって、試料１２０に評価パターンＰ１〜Ｐ４が描画される。試料１２０に描画された評価パターンＰ１〜Ｐ４は、ＳＥＭ等の装置を用いて画像化され、ＳＥＭ画像Ｐｈｄ１〜Ｐｈｄ４として、制御装置１０１の補助記憶部１０１ｃに記憶される。
【０１７１】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、補助記憶部１０１ｃに記憶された図１６のＳＥＭ画像Ｐｈ１と図２９のＳＥＭ画像Ｐｈｄ１を読み出す。そして、ＳＥＭ画像Ｐｈ１とＳＥＭ画像Ｐｈｄ１とを比較して、差分画像Ｄｆｄ１を生成する（ステップＳ４０６）。
【０１７２】
ＳＥＭ画像どうしの比較では、ＣＰＵ１０１ａは、まず、ＳＥＭ画像Ｐｈ１と、ＳＥＭ画像Ｐｈｄ１とをマッチングさせる。ＳＥＭ画像のマッチングは、ＳＥＭ画像Ｐｈ１に対してＳＥＭ画像Ｐｈｄ１を相対移動しながら、ＳＥＭ画像Ｐｈｄ１の正規化相互相関を演算する。そして、演算結果に基づいて、ＳＥＭ画像Ｐｈ１とＳＥＭ画像Ｐｈｄ１と重ね合わせる。この状態のときには、ＳＥＭ画像Ｐｈ１の６４のマークと、ＳＥＭ画像Ｐｈｄ１の６４のマークが精度よく重なった状態になる。次に、ＣＰＵ１０１ａは、ＳＥＭ画像Ｐｈ１とＳＥＭ画像Ｐｈｄ１の差分画像Ｄｆｄ１を生成する。なお、ＳＥＭ画像は白黒の画像であるが、必要に応じて差分画像Ｄｆｄ１を二値化してもよい。
【０１７３】
図３３は、差分画像Ｄｆｄ１を示す図である。上述したように、ＳＥＭ画像Ｐｈｄ１のマークＭ２１，Ｍ２４の大きさは、ドーズ誤差により、電子線ＥＢ２１，ＥＢ２４の１ショットで描画したマークＭ２１，Ｍ２４の大きさと異なっている。このように、ＳＥＭ画像Ｐｈ１のマークＭｍｎの画像の大きさと、ＳＥＭ画像Ｐｈｄ１のマークＭｍｎの画像の大きさとが異なっているような場合には、差分画像Ｄｆｄ１は、マークＭｍｎ相互間の差を示すマークＭＭが現れた画像となる。ここでは、差分画像Ｄｆｄ１に、マークＭ２１についてのマークＭＭ２１と、マークＭ２４についてのマークＭＭ２４とが現れる。
【０１７４】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、補助記憶部１０１ｃに記憶された図１７のＳＥＭ画像Ｐｈ２と、図３０のＰｈｄ２を読み出す。そして、ＳＥＭ画像Ｐｈ２とＳＥＭ画像Ｐｈｄ２とを比較して、差分画像Ｄｆｄ２を生成する（ステップＳ４０７）。
【０１７５】
図３４は、差分画像Ｄｆｄ２を示す図である。上述したように、ＳＥＭ画像Ｐｈｄ２のマークＭ６２，Ｍ７４，Ｍ８３の大きさは、ドーズ誤差により、電子線ＥＢ６２，ＥＢ７４，ＥＢ８３の１ショットで描画したマークＭ６２，Ｍ７４，Ｍ８３の大きさと異なっている。この場合には、差分画像Ｄｆｄ２に、マークＭ６２についてマークＭＭ６２と、マークＭ７４についてのマークＭＭ７４と、マークＭ８３についてのマークＭＭ８３とが現れる。
【０１７６】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、補助記憶部１０１ｃに記憶された図１８のＳＥＭ画像Ｐｈ３と、図３１のＳＥＭ画像Ｐｈｄ３を読み出す。そして、ＳＥＭ画像Ｐｈ３とＳＥＭ画像Ｐｈｄ３とを比較して、差分画像Ｄｆｄ３を生成する（ステップＳ４０８）。
【０１７７】
図３５は、差分画像Ｄｆｄ３を示す図である。上述したように、ＳＥＭ画像Ｐｈｄ３のマークＭ３６，Ｍ３８の大きさは、ドーズ誤差により、電子線ＥＢ３６，ＥＢ３８の１ショットで描画したマークＭ３６，Ｍ３８の大きさと異なっている。この場合には、差分画像Ｄｆｄ３に、マークＭ３６についてマークＭＭ３６と、マークＭ３８についてのマークＭＭ３８とが現れる。
【０１７８】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、補助記憶部１０１ｃに記憶された図１９のＳＥＭ画像Ｐｈ４と、図３２のＳＥＭ画像Ｐｈｄ４を読み出す。そして、ＳＥＭ画像Ｐｈ４とＳＥＭ画像Ｐｈｄ４とを比較して、差分画像Ｄｆｄ４を生成する（ステップＳ４０９）。
【０１７９】
図３６は、差分画像Ｄｆｄ４を示す図である。上述したように、ＳＥＭ画像Ｐｈｄ４の各マークの大きさは、１ショットで描画したマークの大きさと等しい。この場合には、差分画像Ｄｆｄ４には、マークＭＭが現れない。
【０１８０】
次に、ＣＰＵ１０１ａは、差分画像Ｄｆｄ１〜Ｄｆｄ４に基づいて、電子線ＥＢｍｎのドーズ量の補正を行う（ステップＳ４１０）。
【０１８１】
ドーズ量の補正は、差分画像Ｄｆｄ１〜Ｄｆｄ４に現れるマークＭＭの面積に基づいて行う。ここでは、差分画像Ｄｆｄ１〜Ｄｆｄ４のマークＭＭｍｎの面積をＳｄｍｎとする。面積Ｓｄｍｎは、ＳＥＭ画像Ｐｈ１〜Ｐｈ４のマークを基準とするＳＥＭ画像Ｐｈｄ１〜Ｐｈｄ４のマークの面積を示す。このため、ＳＥＭ画像Ｐｈ１〜Ｐｈ４のマークよりも、ＳＥＭ画像Ｐｈｄ１〜Ｐｈｄ４のマークの方が大きい場合には、面積Ｓｄは正の値となる。反対に、ＳＥＭ画像Ｐｈ１〜Ｐｈ４のマークよりも、ＳＥＭ画像Ｐｈｄ１〜Ｐｈｄ４のマークの方が小さい場合には、面積Ｓｄは負の値となる。
【０１８２】
電子線ＥＢｍｎの１ショットあたりの照射時間の誤差Ｄｓｍｎは、面積Ｓｄｍｎを変数とする関数Ｇ（Ｓｄｍｎ）として示すことができる。そこで、ＣＰＵ１０１ａは、次式（１）に基づいて、各電子線ＥＢｍｎについての誤差Ｄｓｍｎを算出する。
【０１８３】
Ｄｓｍｎ＝Ｇ（Ｓｄｍｎ）…（１）
【０１８４】
ＣＰＵ１０１ａは、誤差Ｄｓｍｎを算出すると、電子線ＥＢｍｎの照射時間Ｔｂｍｎを、次式（２）に基づいて補正し、新たな照射時間Ｔａｍｎを算出する。
【０１８５】
Ｔａｍｎ＝Ｔｂｍｎ＋Ｄｓｍｎ…（２）
【０１８６】
例えば第１の実施形態で説明したように、照射時間Ｔｄ１（ｉ）〜Ｔｄ４（ｉ）が演算された場合には、照射時間Ｔｄ１（ｉ）〜Ｔｄ４（ｉ）は、以下の式によって補正され、新たな照射時間ＴＡｄ１（ｉ）〜ＴＡｄ４（ｉ）が算出される。
【０１８７】
ＴＡｄ１（ｉ）＝Ｔｄ（ｉ）＋Ｄｓｍｎ
ＴＡｄ２（ｉ）＝Ｔｄ（ｉ）＋Ｄｓｍｎ
ＴＡｄ３（ｉ）＝Ｔｄ（ｉ）＋Ｄｓｍｎ
ＴＡｄ４（ｉ）＝Ｔｄ（ｉ）＋Ｄｓｍｎ
【０１８８】
ＣＰＵ１０１ａは、６４の電子線ＥＢｍｎそれぞれについて、補正後の照射時間ＴＡｄ１（ｉ）〜ＴＡｄ４（ｉ）を算出すると、当該照射時間ＴＡｄ１（ｉ）〜ＴＡｄ４（ｉ）を補助記憶部へ保存して、補正処理を終了する。
【０１８９】
電子線描画装置１０では、パターンを描画する際に、算出された照射時間ＴＡｄ１（ｉ）〜ＴＡｄ４（ｉ）に基づいて、電子線ＥＢｍｎが照射される。これにより、電子線ＥＢｍｎごとに、１ショットあたりのドーズ量の誤差が補正され、電子線ＥＢｍｎを設計値に基づいたドーズ量になるように試料１２０へ入射させることができる。
【０１９０】
以上説明したように、本実施形態では、各電子線ＥＢｍｎについて、１ショットあたりのドーズ量の誤差が補正される（ステップＳ４１０）。したがって、各電子線ＥＢｍｎ相互間の１ショットあたりのドーズ量に差がなくなり、結果的に複数の電子線ＥＢｍｎを用いて精度よく試料にパターンを描画することが可能となる。
【０１９１】
本実施形態では、補正処理（ステップＳ３０１〜Ｓ３１２）によって、アパーチャ５１に設けられた開口Ｈｍｎの面積のバラつきに起因するドーズ量のバラつきが調整される。そして、電子線ＥＢｍｎのショット動作に起因するドーズ量の誤差が補正される。そのため、目標とするドーズ量で試料にパターンを描画することが可能となる。
【０１９２】
マルチビーム方式の電子線描画装置においては、一般に１０００本以上の電子線を用いてパターンの描画が行われる。そのため、電子銃３０からの電子線をマルチ化するアパーチャ５１には、実際には多数の開口が設けられる。そのため、従来はアパーチャ５１の開口の面積ばらつきを評価するのが困難であった。また、各電子線のドーズ量については、ブランキング信号の立ち上がりや立下りの遅延に起因して、目標量に対する誤差が生じていた。ブランキング信号等に起因するドーズ量の誤差と、開口の面積のばらつきによるドーズ量の誤差とを分離することは比較的困難である。しかしながら、本実施形態に係るドーズ量補正処理を行うことで、ブランキング信号等に起因するドーズ量の誤差を精度よく補正することが可能となる。
【０１９３】
また、本実施形態では、ブランキング信号等に起因するドーズ量の誤差を、差分画像に現れるマークＭＭの面積に基づいて定量的に求めることができる。そのため、ドーズ量の誤差だけでなく、アパーチャ５１の開口の面積のばらつきを正しく評価することが可能となる。
【０１９４】
なお、本実施形態では、評価パターンＰ１〜Ｐ４を構成するマークＭを、一例として４回のショットで描画することとした。これに限らず、マークＭを、例えば電子線の２回あるいは３回のショットで描画してもよいし、電子線の５回以上のショットで描画することとしてもよい。
【０１９５】
本実施形態に係るドーズ量補正処理では、相互に異なるショット数で描画した評価パターンＰ１〜Ｐ４を表すＳＥＭ画像同士を比較して得られる差分画像から、ドーズ量の誤差を算出すことができる。本実施形態では、１回のショットで描画されたマークＭを有するＳＥＭ画像Ｐｈ１〜Ｐｈ４と、Ｎ回のショットで描画されたマークＭを有するＳＥＭ画像Ｐｈｄ１〜Ｐｈｄ４から求められる差分画像Ｄｆｄ１〜Ｄｆｄ４を用いて、ドーズ量の評価を行った。これに限らず、回数の異なる例えばＭ回のショットで描画されたマークＭを有するＳＥＭ画像Ｐｈ１〜Ｐｈ４と、Ｎ回のショットで描画されたマークＭを有するＳＥＭ画像Ｐｈｄ１〜Ｐｈｄ４から求められる差分画像Ｄｆｄ１〜Ｄｆｄ４を用いて、ドーズ量の評価を行ってもよい。ただし、Ｍ≠Ｎである。
【０１９６】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態によって限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、ＳＥＭ画像Ｐｈ１〜Ｐｈ４に基づいて生成された差分画像を用いて、アパーチャ５１の各領域Ａ１〜Ａ４を評価することとした。ＳＥＭ画像Ｐｈ１〜Ｐｈ４どうしの比較はこれに限られるものではない。例えば、ＳＥＭ画像の各領域の輝度平均などを比較することで、アパーチャ５１の各領域Ａ１〜Ａ４を評価することとしてもよい。
【０１９７】
上記実施形態では、図１１に示されるように、アパーチャ５１を４つの領域Ａ１〜Ａ４に分割する場合について説明した。これに限らず、アパーチャ５１を、５つ以上の領域に分割することとしてもよい。
【０１９８】
上記実施形態では、すべての電子線ＥＢｍｎによって描画された評価パターンＰ０を用いて、アパーチャ５１の評価を行う場合について説明した。これに限らず、例えば、すべての電子線ＥＢｍｎによって描画された評価パターンＰ０を、一部の電子線を用いて描画することとしてもよい。この場合には、例えば評価パターンＰ０を、電子線ＥＢ１ｍ、ＥＢ３ｍ、ＥＢ５ｍ、ＥＢ７ｍを用いて描画したり、電子線ＥＢｎ１、ＥＢｎ３、ＥＢｎ５、ＥＢｎ７を用いて描画することなどが考えられる。
【０１９９】
上記実施形態では、アパーチャ５１に６４の開口Ｈｍｎが形成されている場合について説明した。これに限らず、アパーチャ５１には、６３以下の開口が形成されていてもよいし、６５以上の開口が形成されていてもよい。
【０２００】
上記実施形態では、評価処理及び補正処理を、電子線描画装置１０の制御装置１０１が実行するものとした。これに限らず、電子線描画装置１０とは別の検査装置や、コンピュータで、評価処理又は補正処理を実行することとしてもよい。
【０２０１】
上記実施形態では、評価パターンのＳＥＭ画像Ｐｈ０〜Ｐｈ４を用いて、評価処理等を行う場合について説明した。これに限らず、検査装置や電子線描画装置１０が、評価パターンを観察するための機能を有している場合には、ＳＥＭ画像に代えて、上記装置等によって撮像された画像を用いて、評価処理等を行うこととしてもよい。
【０２０２】
上記各実施形態に係る制御装置１０１の機能は、専用のハードウエアによっても、また、通常のコンピュータシステムによっても実現することができる。制御装置１０１の補助記憶部１０１ｃに記憶されるプログラムは、フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disk Read-Only Memory）、ＤＶＤ（Digital Versatile Disk）などのコンピュータで読み取り可能な記録媒体に格納された状態で配布されたものであってもよい。また、インターネットを介して、上記プログラムをコンピュータにインストールすることにより、プログラムを補助記憶部１０１ｃへ記憶させることとしてもよい。
【０２０３】
上記プログラムの全部又は一部が例えばサーバ上で実行され、その実行結果に関する情報を、通信ネットワークを介して受信した制御装置１０１が、上述の処理（ステップＳ１０１〜Ｓ４１０）を実行することとしてもよい。
【０２０４】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施しうるものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０２０５】
１０  電子線描画装置
２０  照射装置
３０  電子銃
４１〜４３  レンズ
５１，５２  アパーチャ
６１  ブランキングユニット
６２  偏向器
７０  ステージ
８０  真空チャンバ
８０ａ  ライティングチャンバ
８０ｂ  鏡筒
１００  制御系
１０１  制御装置
１０１ａ  ＣＰＵ
１０１ｂ  主記憶部
１０１ｃ  補助記憶部
１０１ｄ  入力部
１０１ｅ  表示部
１０１ｆ  インタフェース部
１０１ｇ  システムバス
１０２  電源装置
１０３  レンズ駆動装置
１０４  ブランキングアンプ
１０５  偏向アンプ
１０６  ステージ駆動装置
１２０  試料
６１０  基板
６１１，  ６１２  電極
Ａ１〜Ａ４，ＡＡ１〜ＡＡ４  領域
ＢＫｍｎ  ブランカ
Ｄｆ１〜Ｄｆ４，Ｄｆｄ１〜Ｄｆｄ４  差分画像
ＥＢｍｎ  電子線
Ｈｍｎ  開口
ＨＨｍｎ  開口
Ｍｍｎ  マーク
Ｍｘ，Ｍｙ  ミラー
ＭＧ１〜ＭＧ４  マーク群
Ｐ０〜Ｐ４  評価パターン
Ｐｈ０〜Ｐｈ４，Ｐｈｄ１〜Ｐｈｄ４  ＳＥＭ画像
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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