(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）：Ｒ１−ＣＦ２−Ｏ−Ａｇ
（式中、Ｒ１は、ＦＳＯ２−（ＣＦ２）ｍ−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）ｎ１−（ＯＣＦ（ＣＦ３））ｎ２−（式中、ｍは１〜１０の整数、ｎ１は０〜４の整数、ｎ２は０又は１、但しｎ１が１〜４の整数である場合はｎ２は１））で表される化合物（１）と、
一般式（２）：ＣＦ２＝ＣＸ１Ｘ２
（式中、Ｘ１及びＸ２は独立にＦ又はＣｌ）で表される化合物（２）とを、溶媒中で反応させることにより、
一般式（３）：Ｒ１−ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ２ＣＸ１Ｘ２Ｈ
（式中、Ｒ１は、ＦＳＯ２−（ＣＦ２）ｍ−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）ｎ１−（ＯＣＦ（ＣＦ３））ｎ２−（式中、ｍは１〜１０の整数、ｎ１は０〜４の整数、ｎ２は０又は１、但しｎ１が１〜４の整数である場合はｎ２は１）、Ｘ１及びＸ２は独立にＦ又はＣｌ）で表される含フッ素エーテル（３）を得る工程を含むことを特徴とする含フッ素エーテルの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の製造方法により含フッ素エーテル（３）を得た後、脱ハロゲン化水素反応により、
一般式（５）：Ｒ１−ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ＝ＣＸ１Ｘ２
（式中、Ｒ１は、ＦＳＯ２−（ＣＦ２）ｍ−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）ｎ１−（ＯＣＦ（ＣＦ３））ｎ２−（式中、ｍは１〜１０の整数、ｎ１は０〜４の整数、ｎ２は０又は１、但しｎ１が１〜４の整数である場合はｎ２は１）、Ｘ１及びＸ２は独立にＦ又はＣｌ）で表される含フッ素アルキルビニルエーテル（５）を得る工程を含むことを特徴とする含フッ素アルキルビニルエーテルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、含フッ素エーテルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
化学式：ＣＦ２＝ＣＦＯ（ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ）ａ（ＣＦ２）ｂＳＯ２Ｆ（式中、ａは０〜５の整数、ｂは１〜１０の整数である）で表される含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルは、イオン交換膜材料などの工業原料として有用な化合物である。
【０００３】
特許文献１には、上記含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルを、一般式：ＣＨＦ２ＣＸＦＯ（ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ）ａ（ＣＦ２）ｂＳＯ２Ｆ
（式中、Ｘはハロゲン原子であり、ａは０〜５の整数、ｂは１〜１０の整数である）で表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルを原料として用い、脱ハロゲン化水素反応を行うことにより製造することが記載されている。
【０００４】
更に、特許文献１には、次の反応：
ＣＦ２＝ＣＦ２  ＋  サルトン  ＋  Ｉ２  →  ＩＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＳＯ２Ｆ
によって、化学式：ＩＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＳＯ２Ｆで表されるヨウ化物を得たのち、上記ヨウ化物に対して当モル〜２倍モル程度の還元剤を使用して、還元反応を行うことによって、ＨＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＳＯ２Ｆで表される含フッ素フルオロスルホニルエーテルを製造する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１２７３１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記ヨウ化物を得る反応を進行させると、ヨウ素原子を含む多量の副生成物が発生するので、その廃棄が必要になる。また、上記還元反応は多量の還元剤を必要とするので、その廃棄も必要になる。更に、得られた含フッ素フルオロスルホニルエーテルを蒸留精製しようとすると、ヨウ素（Ｉ２）が発生し、蒸留設備を腐食させる問題も生じていた。
【０００７】
以上のことから、含フッ素フルオロスルホニルエーテル等の含フッ素エーテルを簡便に製造できる方法が望まれている。
【０００８】
本発明は、上記現状に鑑み、含フッ素エーテルの新規製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記課題を解決するための手段を鋭意検討した結果、銀フルオロアルコキシドを出発原料とすることにより、簡便に含フッ素エーテルが製造できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明は、一般式（１）：Ｒ１−ＣＦ２−Ｏ−Ａｇ（式中、Ｒ１は、Ｎ、Ｓ又はＯを含んでいてもよい１価の炭化水素基）で表される化合物（１）と、一般式（２）：ＣＦ２＝ＣＸ１Ｘ２（式中、Ｘ１及びＸ２は独立にＦ又はＣｌ）で表される化合物（２）とを溶媒中で反応させることにより、一般式（３）：Ｒ１−ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ２ＣＸ１Ｘ２Ｈ（式中、Ｒ１は、Ｎ、Ｓ又はＯを含んでいてもよい１価の炭化水素基、Ｘ１及びＸ２は独立にＦ又はＣｌ）で表される含フッ素エーテル（３）を得る工程を含むことを特徴とする含フッ素エーテルの製造方法である。
【００１１】
上記製造方法は、更に、一般式（４）：
【化１】
0006629529.tif 000002
（式中、Ｒ２は、Ｎ、Ｓ又はＯを含んでいてもよい２価の炭化水素基）で表される化合物（４）とフッ化銀とを反応させることにより、化合物（１）を得る工程を含むことが好ましい。
【００１２】
本発明は、上述の製造方法により含フッ素エーテル（３）を得た後、脱ハロゲン化水素反応により、一般式（５）：Ｒ１−ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ＝ＣＸ１Ｘ２（式中、Ｒ１は、Ｎ、Ｓ又はＯを含んでいてもよい１価の炭化水素基、Ｘ１及びＸ２は独立にＦ又はＣｌ）で表される含フッ素アルキルビニルエーテル（５）を得る工程を含むことを特徴とする含フッ素アルキルビニルエーテルの製造方法でもある。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の製造方法は、上記構成を有することから、簡便に含フッ素エーテルを製造することができる。特に、本発明の製造方法では、ヨウ化物を製造する工程が不要であり、還元剤を使用する必要もないので、多量の副生成物や還元剤の廃棄が不要である。また、得られた含フッ素エーテルを精製することも容易である。得られた含フッ素エーテルは、脱ハロゲン化水素反応によって、含フッ素アルキルビニルエーテルに変換することができる。従って、Ｒ１をＦＳＯ２−を含む炭化水素基とすれば、イオン交換膜材料として有用な含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルを製造することもできる。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を具体的に説明する。
【００１５】
本発明の製造方法は、
一般式（３）：Ｒ１−ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ２ＣＸ１Ｘ２Ｈ
（式中、Ｒ１は、Ｎ、Ｓ又はＯを含んでいてもよい１価の炭化水素基、Ｘ１及びＸ２は独立にＦ又はＣｌ）で表される含フッ素エーテル（３）を得る工程を含む。
【００１６】
本発明の製造方法は、上記工程において、
一般式（１）：Ｒ１−ＣＦ２−Ｏ−Ａｇ
（式中、Ｒ１は、Ｎ、Ｓ又はＯを含んでいてもよい１価の炭化水素基）で表される化合物（１）と、
一般式（２）：ＣＦ２＝ＣＸ１Ｘ２
（式中、Ｘ１及びＸ２は独立にＦ又はＣｌ）で表される化合物（２）とを反応させることに特徴がある。
【００１７】
一般式（３）におけるＲ１は、一般式（１）におけるＲ１と同一である。また、一般式（３）におけるＸ１及びＸ２は、一般式（２）におけるＸ１及びＸ２と同一である。
【００１８】
Ｒ１としては、Ｎ、Ｓ又はＯを含んでいてもよいアルキル基又はフルオロアルキル基が好ましく、Ｎ、Ｓ又はＯを含んでいてもよいフルオロアルキル基がより好ましく、Ｓ及びＯを含むフルオロアルキル基が更に好ましい。
【００１９】
Ｒ１としては、ＦＳＯ２−Ｒ２−（式中、Ｒ２はＮ、Ｓ又はＯを含んでいてもよい２価の炭化水素基）が挙げられる。Ｒ２は後述する一般式（４）におけるＲ２と同一である。
Ｒ１としては、イオン交換膜材料として有用な含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルを製造するために有用な中間体を製造できる点から、
ＦＳＯ２−（ＣＦ２）ｍ−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）ｎ１−（ＯＣＦ（ＣＦ３））ｎ２−
（式中、ｍは１〜１０の整数、ｎ１は０〜４の整数、ｎ２は０又は１、但しｎ１が１〜５の整数である場合はｎ２は１）が好ましく、ＦＳＯ２−（ＣＦ２）ｍ−（式中、ｍは１〜１０の整数）がより好ましく、ＦＳＯ２−ＣＦ２−が更に好ましい。
【００２０】
化合物（２）の使用量は、化合物（１）１００質量部に対して１００〜５００質量部であることが好ましい。
【００２１】
化合物（１）と化合物（２）との反応は、溶媒中で行う。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、極性有機溶媒がより好ましい。上記溶媒としては、スルホラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、酢酸エチル、モノグライム、ジグライム、トリグライム、テトラグライム、アジポニトリル、アセトニトリル、プロピオニトリル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等が挙げられる。
【００２２】
化合物（１）と化合物（２）との反応は、反応収率が向上することから、触媒の存在下で行うことが好ましい。上記触媒としては、酸触媒が好ましく、無機酸及び有機酸からなる群より選択される少なくとも１種がより好ましく、塩酸、硫酸及び硝酸からなる群より選択される少なくとも１種が更に好ましい。上記触媒によって反応収率が向上する理由は、化合物（２）を活性化することで化合物（２）のＬＵＭＯのエネルギー準位が低下するためだと推測される。上記触媒の添加量は化合物（１）１００質量部に対して１〜５質量部であることが好ましい。
【００２３】
化合物（１）と化合物（２）との反応は、−７８〜１７０℃で行うことができる。また、化合物（１）と化合物（２）との反応は、０．１〜３．０ＭＰａで行うことができる。化合物（１）と化合物（２）との反応は、通常０．５〜２４０時間で完了する。
【００２４】
本発明の製造方法は、更に、一般式（４）：
【００２５】
【化２】
0006629529.tif 000003
【００２６】
（式中、Ｒ２は、Ｎ、Ｓ又はＯを含んでいてもよい２価の炭化水素基）で表される化合物（４）とフッ化銀とを反応させることにより、化合物（１）を得る工程を含むものであってもよい。
【００２７】
Ｒ２としては、Ｎ、Ｓ又はＯを含んでいてもよいアルキレン基又はフルオロアルキレン基が好ましく、Ｎ、Ｓ又はＯを含んでいてもよいフルオロアルキレン基がより好ましく、Ｎ、Ｓ及びＯを含まないフルオロアルキレン基が更に好ましい。
【００２８】
Ｒ２としては、イオン交換膜材料として有用な含フッ素フルオロスルホニルアルキルビニルエーテルを製造するために有用な中間体を製造できる点から、
−（ＣＦ２）ｍ−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）ｎ１−（ＯＣＦ（ＣＦ３））ｎ２−
（式中、ｍは１〜１０の整数、ｎ１は０〜４の整数、ｎ２は０又は１、但しｎ１が１〜５の整数である場合はｎ２は１）が好ましく、−（ＣＦ２）ｍ−（式中、ｍは１〜１０の整数）がより好ましく、−ＣＦ２−が更に好ましい。
【００２９】
フッ化銀の使用量は、化合物（４）１００質量部に対して１００〜２００質量部であることが好ましい。
【００３０】
化合物（４）とフッ化銀との反応は、溶媒中で行うことが好ましい。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、極性有機溶媒がより好ましい。上記溶媒としては、スルホラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、酢酸エチル、モノグライム、ジグライム、トリグライム、テトラグライム、アジポニトリル、ヘキサメチルホスホロアミド、アセトニトリル、プロピオニトリル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等が挙げられる。
【００３１】
化合物（４）とフッ化銀との反応は、−７８〜１７０℃で行うことができる。また、化合物（４）とフッ化銀との反応は、０．０１〜０．１ＭＰａで行うことができる。化合物（４）とフッ化銀との反応は、通常０．１〜１時間で完了する。
【００３２】
上述の製造方法により得られた含フッ素エーテル（３）からは、脱ハロゲン化水素反応を利用して、含フッ素アルキルビニルエーテル（５）を得ることができる。
【００３３】
上述の製造方法により含フッ素エーテル（３）を得た後、脱ハロゲン化水素反応により、含フッ素エーテル（３）から、
一般式（５）：Ｒ１−ＣＦ２−Ｏ−ＣＦ＝ＣＸ１Ｘ２
（式中、Ｒ１は、Ｎ、Ｓ又はＯを含んでいてもよい１価の炭化水素基、Ｘ１及びＸ２は独立にＦ又はＣｌ）で表される含フッ素アルキルビニルエーテル（５）を得る工程を含むことを特徴とする含フッ素アルキルビニルエーテルの製造方法も本発明の一つである。
【００３４】
上記脱ハロゲン化水素反応は、含フッ素エーテル（３）と塩基性化合物とを接触させることにより行うことができる。上記塩基性化合物としては、強塩基性化合物が好ましく、水酸基を含まない強塩基性化合物がより好ましい。上記塩基性化合物としては、三級アミン、ブチルリリウム等を挙げられる。上記三級アミンとしては、トリエチルアミン、ピリジン等が挙げられる。
【００３５】
上記塩基性化合物の使用量は、１モルの含フッ素エーテル（３）に対して、１〜３モルとすることができる。
【００３６】
上記塩基性化合物を使用する場合、上記脱ハロゲン化水素反応は、通常、−１０〜１００℃で行うことができる。圧力は特に限定されないが、０．０１〜０．１ＭＰａであってよい。
【００３７】
上記脱ハロゲン化水素反応は、含フッ素エーテル（３）と触媒とを接触させることにより行うこともできる。上記触媒としては、脱ハロゲン化水素用の触媒が好ましく、ゼオライト、アルミナ、酸化クロム等が挙げられる。上記接触は、反応容器に上記触媒を充填した後、含フッ素エーテル（３）を反応容器に添加することにより行うことができる。
【００３８】
上記触媒の使用量は、含フッ素エーテル（３）１００質量部に対して１〜１００質量部であることが好ましい。
【００３９】
上記触媒を使用する場合、上記脱ハロゲン化水素反応は、通常、１００〜４００℃で行うことができる。圧力は特に限定されないが、０．０５〜０．５ＭＰａであってよい。
【００４０】
上記脱ハロゲン化水素反応は、溶媒中で行うことが好ましい。上記溶媒としては、テトラヒドロフラン、ジグライム、アセトニトリル、ジエチルエーテル等が挙げられる。
【００４１】
上記脱ハロゲン化水素反応により、通常、含フッ素アルキルビニルエーテル（５）及び上記溶媒を含む組成物が得られる。
【００４２】
上記組成物を精製することにより、高純度の含フッ素アルキルビニルエーテル（５）を回収することができる。上記精製は、蒸留、カラムクロマトグラフィー等の公知の方法で行うことができる。上記精製は、また、上記組成物に水を添加して撹拌した後、静置することにより２相に分離させて、下相を回収することにより行うこともできる。上記組成物からはヨウ素（Ｉ２）が発生しないことから、蒸留により精製を行ったとしても、設備が腐食しにくい。
【００４３】
含フッ素アルキルビニルエーテル（５）のうち、Ｒ１がＦＳＯ２−を含む炭化水素基であるものは、燃料電池電解質ポリマー用のモノマー成分等として有用な物質である。例えばＦＳＯ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ＝ＣＦ２は、電解質膜又はイオン交換膜を構成するポリマーの原料モノマーとして有用な化合物である。
【００４４】
電解質膜又はイオン交換膜は、例えば固体高分子電解質型燃料電池の電解質用膜、リチウ
ム電池用膜、食塩電解用膜、水電解用膜、ハロゲン化水素酸電解用膜、酸素濃縮器用膜、
湿度センサー用膜、ガスセンサー用膜等として使用できる。
【実施例】
【００４５】
つぎに本発明を実施例をあげて説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定されるものではない。
【００４６】
実施例の各数値は以下の方法により測定した。
【００４７】
１９Ｆ−ＮＭＲ分析の方法
装置：核磁気共鳴装置（日本電子社製）、型番：ＪＥＯＬ  ＪＮＭ−ＥＸ２７０
測定条件（溶媒：ＣＤＣｌ３、内部標準物質：ヘキサフルオロベンゼン）
【００４８】
実施例１
（ＦＳＯ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＡｇの製造例）
予め氷浴につけて十分系内を冷却しておいた１００ｍＬオートクレーブにテトラグライム１０ｍＬ、テトラフルオロエタンβ−サルトン（１．０５ｇ、５．８ｍｍｏｌ）、フッ化銀（Ｉ）（１．４ｇ、１１．７ｍｍｏｌ）を加えて、３０分間撹拌させた。得られた溶液を１９Ｆ−ＮＭＲ分析した結果、式：ＦＳＯ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＡｇで示されるアルコキシドが定量的に得られた。
【００４９】
実施例２
（ＦＳＯ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈの製造例）
予め氷浴につけて十分系内を冷却しておいた１００ｍＬオートクレーブにテトラグライム１０ｍＬ、テトラフルオロエタンβ−サルトン（１．０５ｇ、５．８ｍｍｏｌ）、フッ化銀（Ｉ）（１．４ｇ、１１．７ｍｍｏｌ）を加えて、３０分間撹拌させた。更にテトラフルオロエチレン（３．５ａｔｍ、＞１２ｍｏｌ）を入れて、１００℃で２時間反応させた。オートクレーブを放冷した後、得られた溶液を１９Ｆ−ＮＭＲ分析した結果、式：ＦＳＯ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈで示される含フッ素フルオロスルホニルエーテルが収率３７％（０．６４４ｇ、２．１５ｍｍｏｌ）で得られた。
【００５０】
実施例３
予め氷浴につけて十分系内を冷却しておいた１００ｍＬオートクレーブにジメチルスルホキシド１０ｍＬ、テトラフルオロエタンβ−サルトン（１．０５ｇ、５．８ｍｍｏｌ）、フッ化銀（Ｉ）（１．４ｇ、１１．７ｍｍｏｌ）を加えて、３０分間撹拌させた。更にテトラフルオロエチレン（３．５ａｔｍ、＞１２ｍｏｌ）を入れて、１００℃で２時間反応させた。オートクレーブを放冷した後、得られた溶液を１９Ｆ−ＮＭＲ分析した結果、式：ＦＳＯ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈで示される含フッ素フルオロスルホニルエーテルが収率３７％（０．６４４ｇ、２．１５ｍｍｏｌ）で得られた。
【００５１】
実施例４
予め氷浴につけて十分系内を冷却しておいた１００ｍＬオートクレーブにＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０ｍＬ、テトラフルオロエタンβ−サルトン（１．０５ｇ、５．８ｍｍｏｌ）、フッ化銀（Ｉ）（１．４ｇ、１１．７ｍｍｏｌ）を加えて、３０分間撹拌させた。更にテトラフルオロエチレン（３．５ａｔｍ、＞１２ｍｏｌ）を入れて、１００℃で２時間反応させた。オートクレーブを放冷した後、得られた溶液を１９Ｆ−ＮＭＲ分析した結果、式：ＦＳＯ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈで示される含フッ素フルオロスルホニルエーテルが収率３７％（０．６４４ｇ、２．１５ｍｍｏｌ）で得られた。
【００５２】
実施例５
予め氷浴につけて十分系内を冷却しておいた１００ｍＬオートクレーブに酢酸エチル１０ｍＬ、テトラフルオロエタンβ−サルトン（１．０５ｇ、５．８ｍｍｏｌ）、フッ化銀（Ｉ）（１．４ｇ、１１．７ｍｍｏｌ）を加えて、３０分間撹拌させた。更にテトラフルオロエチレン（３．５ａｔｍ、＞１２ｍｏｌ）を入れて、１００℃で２時間反応させた。オートクレーブを放冷した後、得られた溶液を１９Ｆ−ＮＭＲ分析した結果、式：ＦＳＯ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈで示される含フッ素フルオロスルホニルエーテルが収率３７％（０．６４４ｇ、２．１５ｍｍｏｌ）で得られた。
【００５３】
実施例６
予め氷浴につけて十分系内を冷却しておいた１００ｍＬオートクレーブにアセトニトリル１０ｍＬ、テトラフルオロエタンβ−サルトン（１．０５ｇ、５．８ｍｍｏｌ）、フッ化銀（Ｉ）（１．４ｇ、１１．７ｍｍｏｌ）を加えて、３０分間撹拌させた。更にテトラフルオロエチレン（３．５ａｔｍ、＞１２ｍｏｌ）を入れて、１００℃で２時間反応させた。オートクレーブを放冷した後、得られた溶液を１９Ｆ−ＮＭＲ分析した結果、式：ＦＳＯ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈで示される含フッ素フルオロスルホニルエーテルが収率３７％（０．６４４ｇ、２．１５ｍｍｏｌ）で得られた。
【００５４】
実施例７
予め氷浴につけて十分系内を冷却しておいた１００ｍＬオートクレーブにテトラヒドロフラン１０ｍＬ、テトラフルオロエタンβ−サルトン（１．０５ｇ、５．８ｍｍｏｌ）、フッ化銀（Ｉ）（１．４ｇ、１１．７ｍｍｏｌ）を加えて、３０分間撹拌させた。更にテトラフルオロエチレン（３．５ａｔｍ、＞１２ｍｏｌ）を入れて、１００℃で２時間反応させた。オートクレーブを放冷した後、得られた溶液を１９Ｆ−ＮＭＲ分析した結果、式：ＦＳＯ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈで示される含フッ素フルオロスルホニルエーテルが収率３７％（０．６４４ｇ、２．１５ｍｍｏｌ）で得られた。
【００５５】
実施例８
予め氷浴につけて十分系内を冷却しておいた１００ｍＬオートクレーブにメチルエチルケトン１０ｍＬ、テトラフルオロエタンβ−サルトン（１．０５ｇ、５．８ｍｍｏｌ）、フッ化銀（Ｉ）（１．４ｇ、１１．７ｍｍｏｌ）を加えて、３０分間撹拌させた。更にテトラフルオロエチレン（３．５ａｔｍ、＞１２ｍｏｌ）を入れて、１００℃で２時間反応させた。オートクレーブを放冷した後、得られた溶液を１９Ｆ−ＮＭＲ分析した結果、式：ＦＳＯ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈで示される含フッ素フルオロスルホニルエーテルが収率３７％（０．６４４ｇ、２．１５ｍｍｏｌ）で得られた。
【００５６】
実施例９
予め氷浴につけて十分系内を冷却しておいた１００ｍＬオートクレーブに、フッ化銀（Ｉ）（２．８２ｇ、２２．２ｍｍｏｌ、２．００ｅｑ．）、脱水ジグライム２０ｍＬを添加した。撹拌しながらテトラフルオロエタンβ−サルトン２．００ｇ（１１．１ｍｍｏｌ、１．００  ｅｑ．）を１分かけて滴下した。その後、硫酸０．２９ｍＬ（５．５ｍｍｏｌ、０．５０  ｅｑ．）を添加した。氷冷して、真空にした後、ＴＦＥを０．４０ＭＰａＧ（１．８ｇ、１８ｍｍｏｌ、１．６  ｅｑ．）まで圧入した。室温での反応開始から５６５時間経過したところで、撹拌を停止した。
得られた溶液を１９Ｆ−ＮＭＲ分析した結果、式：ＦＳＯ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈで示される含フッ素フルオロスルホニルエーテルが収率５５％（１．８３ｇ、６．１１ｍｍｏｌ）で得られた。