(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性支持板を上下方向に移動させる第１移送部、前記第１移送部に隣接配置されて光遮断物質を上下方向に移送する第２移送部、光源、前記光源から伝達された光線を前記光透過性支持板上の遮光膜に照射するスキャナー、及び前記第２移送部の上部に位置する前記光遮断物質を前記第１移送部側に移動するローラ又はドクターブレードを含む製造装置のマスクの製造方法であって、
前記光透過性支持板を設ける段階と、
前記ローラ又はドクターブレードを利用して前記光透過性支持板上に未硬化の前記光遮断物質を粉末状態で薄く塗布して前記遮光膜を形成する段階と、
前記光源を用いて露光マスクの光を遮断する領域にレーザ又は電子ビームを照射して前記遮光膜の予め定められた領域を硬化する段階と、
前記遮光膜を形成する段階と前記遮光膜を硬化する段階とを交互に繰り返して行う段階と、
前記予め定められた領域を除く前記レーザ又は電子ビームが照射されない残りの領域の前記遮光膜を除去する段階と、を有することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項２】
前記遮光膜を形成する段階の前に、前記支持板上に保護膜を形成する段階を更に含み、
前記保護膜は、前記遮光膜の硬化時に発生する熱が前記支持板に伝達されることを遮断することを特徴とする請求項１に記載のマスクの製造方法。
【請求項３】
前記保護膜は、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、及び酸窒化シリコン膜のうちのいずれか一つであることを特徴とする請求項２に記載のマスクの製造方法。
【請求項４】
前記光遮断物質は、クロム又はクロム酸化物からなることを特徴とする請求項１に記載のマスクの製造方法。
【請求項５】
前記遮光膜を除去する段階は、エアーを噴射して前記遮光膜の残りの領域を前記遮光膜の予め定められた領域から分離することを特徴とする請求項１に記載のマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在知られている表示装置には、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ−ｃｒｙｓｔａｌ−ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）、プラズマ表示装置（ｐｌａｓｍａ  ｄｉｓｐｌａｙ−ｐａｎｅｌ：ＰＤＰ）、有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ  ｄｅｖｉｃｅ：ＯＬＥＤ  ｄｅｖｉｃｅ）、電界効果表示装置（ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ  ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）、電気泳動表示装置（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ）等がある。
【０００３】
特に、有機発光表示装置は、二つの電極とその間に位置する有機発光層を含み、一つの電極から注入された電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と、他の電極から注入された正孔（ｈｏｌｅ）が有機発光層で結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成し、励起子がエネルギーを放出しながら発光する。
【０００４】
有機発光表示装置は、自発光（ｓｅｌｆ−ｌｕｍｉｎａｎｃｅ）特性を有し、液晶表示装置とは違って別途の光源を必要としないため、厚さと重量を減らすことができる。また、有機発光表示装置は、低い消費電力、高い輝度、速い応答速度などの高品位特性を表すことから、次世代の表示装置として注目を浴びつつある。
【０００５】
有機発光表示装置は、様々な配線を含む。配線は、基板上に金属層を形成した後、金属層上にマスクパターンを形成してエッチング工程を通じて所望の金属配線のパターンを形成する。
【０００６】
マスクパターンは、金属層上にフォトレジスト（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）を薄く塗って形成され、フォトレジスト上に所望の露光マスクを載せ、マスクを通してフォトレジストに光を加える。
【０００７】
露光マスクは、図１に示す工程で形成される。石英基板１の上に遮光膜３及び感光膜（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）５を順次に積層する（図１（Ａ）参照）。次に、感光膜５に光源７を利用して光を照射し、現像及びエッチング工程を経て図１（Ａ）に示したパターンを形成する。その後、感光膜５を除去することにより、所望のパターンの遮光膜３パターンが形成された露光マスクが製造される。
【０００８】
しかし、上記の工程を通じて製作された露光マスクは、製作費用及び製作時間が多くかかるという問題点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、従来の露光マスクの製造コスト及び製造時間を減少させることができるマスクの製造方法を提供することにある。
また、本発明の目的は、金属配線の形成に適用されるエッチングマスクの製造で発生するコスト及び時間を減らすことができる表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様によるマスクの製造方法は、支持板を設ける段階と、前記支持板上に未硬化の光遮断物質からなる遮光膜を形成する段階と、前記遮光膜の予め定められた領域を硬化する段階と、前記予め定められた領域を除く残りの領域の前記遮光膜を除去する段階と、を有する。
【００１１】
前記遮光膜を形成する段階と前記遮光膜を硬化する段階とは、交互に繰り返して行われ得る。
前記遮光膜を形成する段階の前に、前記支持板上に保護膜を形成する段階を更に含み、前記保護膜は、前記遮光膜の硬化時に発生する熱が前記支持板に伝達されることを遮断し得る。
前記保護膜は、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、及び酸窒化シリコン膜のうちのいずれか一つであり得る。
前記遮光膜を形成する段階は、前記支持板上に光遮断物質を塗布して遮光膜を形成し得る。
前記光遮断物質は、クロム又はクロム酸化物からなり得る。
前記遮光膜を硬化する段階は、前記遮光膜の予め定められた領域にレーザを照射して硬化し得る。
前記遮光膜を除去する段階は、エアーを噴射して前記遮光膜の残りの領域を前記遮光膜の予め定められた領域から分離し得る。
前記支持板は、光透過性であり得る。
【００１２】
上記目的を達成するためになされた本発明の他の態様によるマスクの製造方法は、支持板を設ける段階と、前記支持板上に予め定められたパターンで未硬化の光遮断物質を塗布する段階と、前記光遮断物質を硬化する段階と、を有する。
【００１３】
前記光遮断物質を塗布する段階と前記光遮断物質を硬化する段階とは、交互に繰り返して行われ得る。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のマスクの製造方法によると、遮光膜を薄く形成し、一定のパターンで硬化する工程を繰り返し行ってマスクを製造することにより、従来のフォトリソグラフィによる露光マスクの製造工程に比べて製作コストが顕著に減少し、製作時間及び工程を簡素化することができる。
また、本発明によると、マスクの製造方法と同様に遮光膜を形成し、一定のパターンで硬化する工程を通じてエッチングマスクを製造して配線を形成することにより、同様に金属配線を形成するのに所要されるコスト及び時間を減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】従来のマスクの製造工程を概略的に示した図である。
【図２】本発明の一実施形態によるマスクの製造装置を概略的に示した図である。
【図３】本発明の一実施形態によるマスクの製造方法を順に示した図である。
【図４】本発明の一実施形態によるマスクの製造方法を順に示した図である。
【図５】本発明の一実施形態によるマスクの製造方法を順に示した図である。
【図６】本発明の一実施形態によるマスクの製造方法を順に示した図である。
【図７】本発明の一実施形態によるマスクの製造方法を順に示した図である。
【図８】本発明の一実施形態によるマスクの製造方法を順に示した図である。
【図９】本発明の一実施形態によるマスクの製造方法を順に示した図である。
【図１０】本発明の一実施形態によるマスクの製造方法を順に示した図である。
【図１１】本発明の一実施形態によるマスクの製造方法を順に示した図である。
【図１２】本発明の一実施形態によるマスクの製造方法を順に示した図である。
【図１３】本発明の他の実施形態によるマスクの製造方法を概略的に示した図である。
【図１４】有機発光表示装置の一つの画素の等価回路図である。
【図１５】有機発光表示装置の断面図である。
【図１６】本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を順に示した図である。
【図１７】本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を順に示した図である。
【図１８】本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を順に示した図である。
【図１９】本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を順に示した図である。
【図２０】本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を順に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。しかし、本発明は、ここで説明する実施形態に限定されず他の形態に具現化され得る。むしろ、ここで紹介する実施形態は、開示された内容が徹底的且つ完全になるように、そして当業者に本発明の思想が十分に伝えられるようにするために提供する。
【００１７】
図面において、層及び領域の厚さは、明確性を期するために誇張した。また、層が他の層又は基板「上」にあるという場合に、それは他の層又は基板上に直接形成されるか、又はそれらの間に第３の層が介在することもある。明細書全体に亘って同一の参照符号で示した部分は、同一の構成要素を意味する。
【００１８】
図３〜図１２を参照すると、本発明の一実施形態によるマスクの製造方法は、光透過性支持板上に遮光膜を形成する工程及び形成された遮光膜を一定のパターンで硬化する工程を交互に繰り返した後、硬化されたパターンを除く残りの遮光膜を除去してマスクを形成する。
【００１９】
先ず、図２を参照して、上述したマスクの製造方法でマスクを製造するためのマスクの製造装置について簡略に説明する。
【００２０】
図２は、本発明の一実施形態によるマスクの製造装置を概略的に示した図である。
【００２１】
図２を参照すると、マスクの製造装置は、第１及び第２移送部５０、７０、光源１０、スキャナー３０、ローラ９０を含む。
【００２２】
第１移送部５０は、光透過性支持板４０を上下方向に移動させる。第１移送部５０は、光透過性支持板４０上に遮光膜８０が形成され、スキャナー３０によって遮光膜８０が硬化すると、光透過性支持板４０を上部に移動する。
【００２３】
一方、第２移送部７０は、第１移送部５０に隣接配置される。第２移送部７０は、遮光膜８０を形成するために使用される光遮断物質６０を上下方向に移送する。
【００２４】
ローラ９０は、第２移送部７０の上部に位置する光遮断物質６０を第１移送部５０側に移動する。ここで、ローラ９０の代わりにドクターブレードが使用され得る。
【００２５】
その後、第２移送部７０は、光遮断物質６０を上部に移送する。
【００２６】
スキャナー３０は、光源１０から伝達された光線、例えばレーザを光透過性支持板４０上の遮光膜に照射する。スキャナー３０は、遮光膜８０の予め定められた領域にレーザを照射する。これにより、遮光膜８０の予め定められた領域がマスクパターンとして形成される。
【００２７】
以下、図３〜図１２を参照して、本発明の一実施形態によるマスクの製造方法について説明する。
【００２８】
図３〜図１２は、本発明の一実施形態によるマスクの製造方法を順に示した図である。
【００２９】
図３を参照すると、先ず支持板３１０を設ける。支持板３１０は、マスクパターンを支持し、マスクパターンを選択的に通過した光を透過させる。
【００３０】
従って、支持板３１０は光透過性を有する。例えば、支持板３１０は、石英などからなる。しかし、支持板３１０を形成する物質は、これに限定されず、露光マスクの光透過性支持板を構成する公知の多様な物質からなる。
【００３１】
次に、支持板３１０上に遮光膜３３０を形成する。遮光膜３３０は、光遮断物質を粉末状態で薄く塗布して形成される。
【００３２】
図３に示すように、ローラ又はドクターブレード（図示せず）を利用して支持板３１０上に薄く光遮断物質を塗布する。
【００３３】
光遮断物質は、クロム、クロム酸化物、又はカーボンなどが含まれる有機膜からなる。しかし、光遮断物質は、これに限定されず、露光マスクの光遮断物質として使用される公知の多様な物質が使用される。
【００３４】
次に、図４に示すように、光源５００を利用して遮光膜３３０の予め定められた領域を硬化する。遮光膜３３０を硬化する工程は、遮光膜３３０の予め定められた領域に光線を照射して硬化する。
【００３５】
光源５００は、レーザ又は電子ビームなどが使用される。しかし、光源５００は、これに限定されず、光遮断物質を硬化する公知の多様な光源が使用される。以下では、レーザを照射して光遮断物質を硬化する例で説明する。
【００３６】
一方、光源５００の温度は、遮光膜をなす光遮断物質の融点によって変わる。例えば、光遮断物質がクロムの場合、光源５００の温度はクロムの融点である約１９００℃に該当する。
【００３７】
そして、遮光膜３３０の予め定められた領域は、マスク製造工程が完了した時にマスクパターンに該当する領域である。即ち、予め定められた領域は、露光マスクの光を遮断する領域に該当する。
【００３８】
より詳しくは、図５を参照すると、光遮断物質としてクロム（Ｃｒ）を使用する場合、レーザが照射された予め定められた領域３３０（ａ）はクロムが溶けて硬化する。反面、レーザが照射されない遮光膜３３０の残りの領域３３０（ｂ）は硬化されない。即ち、レーザが照射されない遮光膜３３０の残りの領域３３０（ｂ）は、粉末状態でそのまま残る。
【００３９】
本実施形態によると、遮光膜を形成する段階と遮光膜を硬化する段階とは、交互に繰り返して行われる。例えば、遮光膜を形成し、予め定められた領域を硬化して、その後、再び遮光膜を形成して予め定められた領域を硬化する工程が繰り返して行われる。
【００４０】
即ち、図６を参照すると、遮光膜３３０上に遮光膜３５０を形成する。上述したように、追加的に遮光膜３３０上に光遮断物質を薄く塗布する。
【００４１】
その後、図７に示すように、光源５００を利用して遮光膜３５０の予め定められた領域を硬化する。
【００４２】
図８を参照すると、レーザが照射された予め定められた領域３５０（ａ）は硬化し、レーザが照射されない残りの領域３５０（ｂ）は硬化されない。
【００４３】
繰り返して、図９に示すように、遮光膜３５０上に遮光膜３７０を形成する。上述したように、追加的に遮光膜３５０上に光遮断物質を薄く塗布する。
【００４４】
その後、図１０に示すように、光源５００を利用して遮光膜３７０の予め定められた領域を硬化する。
【００４５】
図１１を参照すると、レーザが照射された予め定められた領域３７０（ａ）は硬化し、レーザが照射されない残りの領域３７０（ｂ）は硬化されない。
【００４６】
次に、遮光膜３３０、３５０、３７０を硬化する工程が完了すると、図１２に示すように、遮光膜の残りの領域３３０（ｂ）、３５０（ｂ）、３７０（ｂ）を除去する。
【００４７】
図１２を参照すると、遮光膜の残りの領域３３０（ｂ）、３５０（ｂ）、３７０（ｂ）を除去すると、支持板３１０上には遮光膜の予め定められた領域３３０（ａ）、３５０（ａ）、３７０（ａ）のみが残る。
【００４８】
残された遮光膜の予め定められた領域３３０（ａ）、３５０（ａ）、３７０（ａ）は、露光マスクのマスクパターンに該当する。
【００４９】
遮光膜を除去する工程は、粉末状態の光遮断物質を除去する工程で行われる。例えば、支持板３１０上にエアーを噴射して粉末状態の光遮断物質を除去する。或いは、支持板３１０を裏返して、遮光膜の残りの領域３３０（ｂ）、３５０（ｂ）、３７０（ｂ）にエアーを噴射して除去する。その後、予め定められた領域３３０（ａ）、３５０（ａ）、３７０（ａ）を洗浄又は乾燥をする。
【００５０】
分離された粉末状態の光遮断物質を回収して、再び遮光膜を形成する光遮断物質として使用することもできる。
【００５１】
一方、本実施形態によると、遮光膜３３０を形成する前に、支持板３１０上に保護膜（図示せず）を形成することができる。
【００５２】
保護膜は、遮光膜３３０、３５０、３７０の硬化時に発生した熱によって支持板３１０が損傷することを防止する。より詳しくは、保護膜は、遮光膜３３０、３５０、３７０の硬化時に発生した熱が支持板３１０に伝達されることを遮断する。保護膜は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜、及び酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）膜のいずれか一つからなる。
【００５３】
一方、上記工程によって支持板３１０上にマスクパターン３３０（ａ）、３５０（ａ）、３７０（ａ）が形成された後は、マスクパターンを検査するか、マスクパターンを覆う蓋膜を被せる工程が追加される。
【００５４】
下記では、本発明の他の実施形態によるマスクの製造方法について説明する。本発明の他の実施形態によるマスクの製造方法を説明するにあたって、本発明の一実施形態によるマスクの製造方法の工程と同一又は類似した工程に対する詳細な説明は省略する。
【００５５】
図１３は、本発明の他の実施形態によるマスクの製造方法を概略的に示した図である。
【００５６】
図１３を参照すると、先ず支持板４１０を設ける。支持板４１０は、マスクパターンを支持し、マスクパターンを選択的に通過した光を透過させる。
【００５７】
従って、支持板４１０は光透過性を有する。例えば、支持板３１０は、石英などからなる。しかし、支持板４１０を形成する物質は、これに限定されず、露光マスクの光透過性支持板を構成する公知の多様な物質からなる。
【００５８】
次に、支持板４１０上に予め定められたパターンで光遮断物質４３０を塗布する。図１３に示すように、光遮断物質は、供給部４５０から供給されて支持板４１０に薄く積層される。
【００５９】
光遮断物質４３０は、クロム、クロム酸化物、又はカーボンなどが含まれる有機膜からなる。しかし、光遮断物質４３０は、これに限定されず、露光マスクの光遮断物質として使用される公知の多様な物質が使用される。
【００６０】
次に、光源（図示せず）を利用して光遮断物質４３０を硬化する。ここで、光源は、レーザ又は電子ビームなどが使用される。しかし、光源は、これに限定されず、光遮断物質を硬化する公知の多様な光源が使用される。
【００６１】
本実施形態によると、光遮断物質を塗布する段階と光遮断物質を硬化する段階とは、交互に繰り返して行われる。例えば、光遮断物質を予め定められたパターンで塗布し、これを硬化して、その後、再び光遮断物質を予め定められたパターンで塗布及び硬化する工程が繰り返して行われる。
【００６２】
上述した実施形態とは異なり、本実施形態では、予め定められたパターンで光遮断物質を塗布する。即ち、上述した実施形態では、支持板３１０上の全体に光遮断物質を塗布することに対し、本実施形態では、予め定められたパターン、即ち露光マスクのマスクパターンで光遮断物質が塗布される。
【００６３】
本実施形態によるマスクの製造方法によると、上述した実施形態とは異なり、光遮断物質を除去する段階が省略される。即ち、上述した実施形態では、硬化されない光遮断物質を除去する工程が必要であるが、本実施形態では、硬化されない光遮断物質を除去する工程を省略することができる。
【００６４】
図１４は、有機発光表示装置の一つの画素の等価回路図であり、図１５は、有機発光表示装置の断面図である。そして、図１６〜図２０は、本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を順に示した図である。
【００６５】
下記では、図１６〜図２０を参照して、本発明の一実施形態による表示装置の製造方法について説明する。
【００６６】
先ず、図１４及び図１５を参照して、本発明の一実施形態による製造方法によって製造される表示装置について説明する。
【００６７】
図１４及び１５を参照して説明する表示装置は、有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ‐Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ  Ｄｅｖｉｃｅ：ＯＬＥＤ）に関する。
【００６８】
しかし、本実施形態による表示装置は、これに限定されず、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）、プラズマ表示装置（Ｐｌａｓｍａ‐Ｄｉｓｐｌａｙ‐Ｐａｎｅｌ：ＰＤＰ）、電界効果表示装置（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）、電気泳動表示装置（Ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ）等が適用される。
【００６９】
図１４を参照すると、有機発光表示装置は、複数の信号線（１２１、１７１、１７２）と、これらに連結された画素（ｐｉｘｅｌ）（ＰＸ）を含む。画素（ＰＸ）は、赤色画素（Ｒ）、緑色画素（Ｇ）、及び青色画素（Ｂ）のいずれか一つである。
【００７０】
信号線は、ゲート信号（又は走査信号）を伝達する走査信号線（ｓｃａｎｎｉｎｇ  ｓｉｇｎａｌ  ｌｉｎｅ）１２１、データ信号を伝達するデータ線（ｄａｔａ  ｌｉｎｅ）１７１、駆動電圧を伝達する駆動電圧線（ｄｒｉｖｉｎｇ  ｖｏｌｔａｇｅ  ｌｉｎｅ）１７２等を含む。走査信号線１２１は、略行方向に伸び、互いに略平行であり、データ線１７１は、略列方向に伸び、互いに略平行である。駆動電圧線１７２は、略列方向に伸びるとして示したが、行方向又は列方向に伸びるか又は網状で形成される。
【００７１】
ここで、一画素（ＰＸ）は、スイッチングトランジスター（ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）（Ｔ１）及び駆動トランジスター（ｄｒｉｖｉｎｇ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）（Ｔ２）を含む薄膜トランジスター、ストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）（Ｃｓｔ）、並びに有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｅｌｅｍｅｎｔ）（ＬＤ）を含む。図示していないが、一つの画素（ＰＸ）は、有機発光素子に提供される電流を補償するために、付加的に薄膜トランジスター及びキャパシタを更に含む。
【００７２】
スイッチングトランジスター（Ｔ１）は、制御端子（ｃｏｎｔｒｏｌ  ｔｅｒｍｉｎａｌ）（Ｎ１）、入力端子（ｉｎｐｕｔ  ｔｅｒｍｉｎａｌ）（Ｎ２）、及び出力端子（ｏｕｔｐｕｔ  ｔｅｒｍｉｎａｌ）（Ｎ３）を有し、制御端子（Ｎ１）は走査信号線１２１に連結され、入力端子（Ｎ２）はデータ線１７１に連結され、出力端子（Ｎ３）は駆動トランジスター（Ｔ２）に連結される。スイッチングトランジスター（Ｔ１）は、走査信号線１２１から受けた走査信号に応答して、データ線１７１から受けたデータ信号を駆動トランジスター（Ｔ２）に伝達する。
【００７３】
そして、駆動トランジスター（Ｔ２）も、制御端子（Ｎ３）、入力端子（Ｎ４）、及び出力端子（Ｎ５）を有し、制御端子（Ｎ３）はスイッチングトランジスター（Ｔ１）に連結され、入力端子（Ｎ４）は駆動電圧線１７２に連結され、出力端子（Ｎ５）は有機発光素子（ＬＤ）に連結される。駆動トランジスター（Ｔ２）は、制御端子（Ｎ３）と出力端子（Ｎ５）の間にかかる電圧によってその大きさが変わる出力電流（Ｉｄ）を流す。
【００７４】
キャパシタ（Ｃｓｔ）は、駆動トランジスター（Ｔ２）の制御端子（Ｎ３）と入力端子（Ｎ４）との間に連結される。キャパシタ（Ｃｓｔ）は、駆動トランジスター（Ｔ２）の制御端子（Ｎ３）に印加されるデータ信号を充電し、スイッチングトランジスター（Ｔ１）がターンオフ（ｔｕｒｎ−ｏｆｆ）された後もこれを維持する。
【００７５】
一方、有機発光素子（ＬＤ）は、例えば有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ：ＯＬＥＤ）であり、駆動トランジスター（Ｔ２）の出力端子（Ｎ５）に連結されたアノード（ａｎｏｄｅ）と共通電圧（Ｖｓｓ）に連結されたカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）を有する。有機発光素子（ＬＤ）は、駆動トランジスター（Ｔ２）の出力電流（Ｉｄ）によって強さを異ならせて発光することで映像を表示する。
【００７６】
有機発光素子（ＬＤ）は、赤色、緑色、青色の三原色などの基本色（ｐｒｉｍａｒｙ  ｃｏｌｏｒ）のうちのいずれか一つ又は一つ以上の光を固有に出す有機物質を含み、有機発光装置は、これらの色の空間的な合成により所望の映像を表示する。
【００７７】
スイッチングトランジスター（Ｔ１）及び駆動トランジスター（Ｔ２）は、ｎ−チャンネル電界効果トランジスター（ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＦＥＴ）であるが、これらのうちの少なくとも一つは、ｐ−チャンネル電界効果トランジスターであり得る。また、トランジスター（Ｔ１、Ｔ２）、キャパシタ（Ｃｓｔ）、及び有機発光素子（ＬＤ）の連結関係が変わることがある。
【００７８】
下記では、有機発光表示装置を図１５に示した断面図を参照して説明する。
【００７９】
図１５を参照すると、基板１２３は、ガラス、石英、セラミック、プラスチックなどからなる絶縁性基板で形成される。より詳しくは、基板１２３は、可撓性を有する材料からなる。基板１２３は、図１６の基板７１０に対応する。
【００８０】
そして、基板１２３上には基板バッファー層１２６が形成される。基板バッファー層１２６は、不純元素の浸透を防止し、表面を平坦化する役割をする。
【００８１】
基板バッファー層１２６は、上記機能を行う多様な物質で形成される。例えば、基板バッファー層１２６は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）膜のうちのいずれか一つが使用される。しかし、基板バッファー層１２６は、必ずしも必要な構成ではなく、基板１２３の種類及び工程条件によって省略され得る。
【００８２】
基板バッファー層１２６上には、駆動半導体層１３７が形成される。駆動半導体層１３７は、多結晶シリコン膜で形成される。また、駆動半導体層１３７は、不純物がドーピングされないチャンネル領域１３５、チャンネル領域１３５の両側でドーピングされて形成されたソース領域１３４及びドレイン領域１３６を含む。ドーピングされるイオン物質は、ホウ素（Ｂ）のようなＰ型不純物であり、主にＢ２Ｈ６が使用される。このような不純物は、薄膜トランジスターの種類によって変わる。
【００８３】
駆動半導体層１３７上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）又は酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などで形成されたゲート絶縁膜１２７が形成される。ゲート絶縁膜１２７上には、駆動ゲート電極１３３を含むゲート配線が形成される。そして、駆動ゲート電極１３３は、駆動半導体層１３７の少なくとも一部、特にチャンネル領域１３５に重なるように形成される。
【００８４】
一方、ゲート絶縁膜１２７上には、駆動ゲート電極１３３を覆う層間絶縁膜１２８が形成される。ゲート絶縁膜１２７及び層間絶縁膜１２８には、駆動半導体層１３７のソース領域１３４とドレイン領域１３６とをそれぞれ露出するコンタクトホール１２８ａが形成される。層間絶縁膜１２８は、ゲート絶縁膜１２７と同様に、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）又は酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等のセラミック（ｃｅｒａｍｉｃ）系列の素材を使用して作られる。
【００８５】
そして、層間絶縁膜１２８上には、駆動ソース電極１３１及び駆動ドレイン電極１３２を含むデータ配線が形成される。また、駆動ソース電極１３１及び駆動ドレイン電極１３２は、それぞれ層間絶縁膜１２８及びゲート絶縁膜１２７に形成されたコンタクトホール１２８ａを通じて駆動半導体層１３７のソース領域１３４及びドレイン領域１３６に連結される。
【００８６】
このように、駆動半導体層１３７、駆動ゲート電極１３３、駆動ソース電極１３１、及び駆動ドレイン電極１３２を含む駆動薄膜トランジスター１３０が形成される。駆動薄膜トランジスター１３０の構成は、上述した実施形態に限定されず、当該技術分野の専門家が容易に実施できる公知された構成で多様に変更可能である。
【００８７】
そして、層間絶縁膜１２８上には、データ配線を覆う平坦化膜１２４が形成される。平坦化膜１２４は、その上に形成される有機発光素子の発光効率を高めるために段差をなくして平坦化させる役割をする。また、平坦化膜１２４は、ドレイン電極１３２の一部を露出させる電極ビアホール１２２ａを有する。
【００８８】
平坦化膜１２４は、アクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ  ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレン系樹脂（ｐｏｌｙ  ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンスルフィド系樹脂（ｐｏｌｙ  ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、及びベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ、ＢＣＢ）のうちのいずれか一つ以上の物質で作られる。
【００８９】
本実施形態は、上述した構造に限定されるものではなく、場合によって、平坦化膜１２４と層間絶縁膜１２８のいずれか一つは省略され得る。
【００９０】
平坦化膜１２４上には、有機発光素子の第１電極、即ち画素電極１６０が形成される。即ち、有機発光表示装置は、複数の画素毎にそれぞれ配置された複数の画素電極１６０を含む。この時、複数の画素電極１６０は、互いに離隔配置される。画素電極１６０は、平坦化膜１２４の電極ビアホール１２２ａを通じてドレイン電極１３２に連結される。
【００９１】
また、平坦化膜１２４上には、画素電極１６０を露出する開口部を有する画素定義膜１２５が形成される。即ち、画素定義膜１２５は、画素毎に形成された複数の開口部を有する。ここで、画素定義膜１２５によって形成された開口部毎に有機発光層１７０が形成される。これにより、画素定義膜１２５によってそれぞれの有機発光層が形成される画素領域が定義される。
【００９２】
画素電極１６０は、画素定義膜１２５の開口部に対応するように配置される。しかし、画素電極１６０は、必ずしも画素定義膜１２５の開口部のみに配置されるものではなく、画素電極１６０の一部が画素定義膜１２５と重なるように画素定義膜１２５下に配置され得る。
【００９３】
画素定義膜１２５は、ポリアクリール系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ  ｒｅｓｉｎ）及びポリイミド系（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ）等の樹脂又はシリカ系の無機物などから作られる。
【００９４】
一方、画素電極１６０上には、有機発光層１７０が形成される。
【００９５】
そして、有機発光層１７０上には、第２電極、即ち共通電極１８０が形成される。このように、画素電極１６０、有機発光層１７０、及び共通電極１８０を含む有機発光素子（ＬＤ）が形成される。
【００９６】
画素電極１６０及び共通電極１８０は、それぞれ透明な導電性物質で形成されるか、又は半透過型若しくは反射型導電性物質で形成される。画素電極１６０及び共通電極１８０を形成する物質の種類によって、有機発光表示装置は、前面発光型、背面発光型、又は両面発光型からなる。
【００９７】
一方、共通電極１８０上には、共通電極１８０を覆って保護する蓋膜１９０が有機膜で形成される。
【００９８】
そして、蓋膜１９０上には、薄膜封止層１４１が形成される。薄膜封止層１４１は、基板１２３に形成された有機発光素子（ＬＤ）及び駆動回路部を外部から密封して保護する。
【００９９】
薄膜封止層１４１は、互いに一つずつ交互に積層された封止有機膜１４１ａ、１４１ｃと封止無機膜１４１ｂ、１４１ｄを含む。図１５では、一例として、２個の封止有機膜１４１ａ、１４１ｃと２個の封止無機膜１４１ｂ、１４１ｄが一つずつ交互に積層されて薄膜封止層１４１を構成するものを示したが、これに限定されない。
【０１００】
一方、薄膜封止層１４１上には、下部の有機発光素子などを保護するためのウィンドウ（図示せず）が配置される。
【０１０１】
下記では、図１６〜２０を参照して本発明の一実施形態による表示装置の製造方法について説明する。より詳しくは、上記製造方法によって表示装置の配線を形成する方法について具体的に説明する。
【０１０２】
上述したように、表示装置には、絶縁膜上にゲート配線又はデータ配線が形成される。ゲート配線はゲート絶縁膜上に形成され、データ配線は層間絶縁膜上に形成される。
【０１０３】
ゲート配線はゲート電極を含み、データ配線はソース及びドレイン電極を含む。ゲート電極、ソース及びドレイン電極は、一定のパターンで絶縁膜上に形成される。
【０１０４】
下記では、このようなゲート配線又はデータ配線を一定のパターンで形成する方法について具体的に説明する。
【０１０５】
先ず、図１６を参照すると、基板７１０を設ける。基板７１０は、図１５の基板１２３に対応する。次に、基板７１０上に絶縁層７３０を形成する。
【０１０６】
絶縁層７３０は、図１５のゲート絶縁膜１２７又は層間絶縁膜１２８である。しかし、絶縁層７３０は、ゲート絶縁膜１２７及び層間絶縁膜１２８に限定されず、金属配線の下部に位置する多様な絶縁膜に該当する。
【０１０７】
次に、絶縁層７３０上に金属層７５０を形成する。金属層７５０は、上述したゲート配線又はデータ配線をなす物質からなる。即ち、金属層７５０は、ゲート又はデータ配線を形成するために使用される公知の物質が使用される。
【０１０８】
次に、金属層７５０上にマスクパターンを形成する工程が行われる。
【０１０９】
より詳しくは、金属層７５０上に遮光膜７７０を形成する。遮光膜７７０は、エッチング抵抗物質を薄く塗布して形成される。ここで、エッチング抵抗物質は、エッチング液によってエッチングされない物質を意味する。
【０１１０】
このような遮光膜７７０を形成する工程は、上述したマスクの製造方法で説明した工程と類似する。
【０１１１】
ローラ又はドクターブレード（図示せず）を利用して金属層７５０上にエッチング抵抗物質を薄く塗布する。
【０１１２】
次に、光源（図示せず）を利用して遮光膜７７０の予め定められた領域７７０（ａ）を硬化する。ここで、光源５００は、レーザ又は電子ビームなどが使用される。
【０１１３】
一方、光源の温度は、遮光膜をなすエッチング抵抗物質の融点によって変わる。
【０１１４】
硬化した遮光膜の予め定められた領域７７０（ａ）は、マスクパターンに該当する領域である。即ち、金属層７５０をエッチングする工程において、予め定められた領域７７０（ａ）は、金属層のエッチングを阻止する領域に該当する。
【０１１５】
本実施形態によると、遮光膜を形成する段階と遮光膜を硬化する段階とは、交互に繰り返して行われる。例えば、遮光膜を形成し、予め定められた領域を硬化して、その後、更に遮光膜を形成して予め定められた領域を硬化する工程が繰り返して行われる。
【０１１６】
このような工程を繰り返して実施すると、図１７に示すように、遮光膜が硬化した領域７７０（ａ）と硬化されない領域７７０（ｂ）が形成される。
【０１１７】
次に、図１８に示すように、遮光膜の残りの領域７７０（ｂ）を除去する。即ち、遮光膜で硬化されない領域７７０（ｂ）を除去する。
【０１１８】
遮光膜の残りの領域７７０（ｂ）を除去すると、金属層７５０上には遮光膜の予め定められた領域７７０（ａ）のみが残る。
【０１１９】
残された遮光膜の予め定められた領域７７０（ａ）は、エッチングマスクのマスクパターンに該当する。
【０１２０】
遮光膜を除去する工程は、粉末状態のエッチング抵抗物質を除去する工程で行われる。例えば、エッチング抵抗物質にエアーを噴射して粉末状態のエッチング抵抗物質を除去する。
【０１２１】
分離された粉末状態の光遮断物質を回収して、再び遮光膜を形成するエッチング抵抗物質として使用することもできる。
【０１２２】
上述したように、金属層７５０上に遮光膜の予め定められた領域７７０（ａ）、即ちマスクパターンが完成した後、絶縁層７３０が露出するように金属層７５０をエッチングする。
【０１２３】
図１９に示すように、予め定められた領域７７０（ａ）をマスクパターンとしてエッチング工程を行うと、マスクパターンに対応する形状で金属層７５０（ａ）がエッチングされる。
【０１２４】
金属層７５０をエッチングする工程は、湿式エッチングで行われる。湿式エッチングに使用されるエッチング液は、遮光膜をエッチングせずに金属層のみを選択的にエッチングするエッチング液が使用される。
【０１２５】
次に、金属層７５０のエッチング工程が完了した後、遮光膜７７０（ａ）を除去する。
【０１２６】
遮光膜７７０（ａ）を除去する工程は、例えば湿式エッチングによって行われる。湿式エッチングに使用されるエッチング液は、金属層７５０をエッチングせずに遮光膜７７０（ａ）のみを選択的にエッチングするエッチング液が使用される。
【０１２７】
このような工程により、配線が形成された後、配線上に層間絶縁膜又は平坦化膜などが形成される。
【０１２８】
一方、本実施形態によると、遮光膜７７０を形成する前に、金属層７５０上に保護膜（図示せず）を形成することができる。
【０１２９】
保護膜は、遮光膜７７０の硬化時に発生した熱によって金属層７５０が損傷することを防止する。より詳しくは、保護膜は、遮光膜７７０の硬化時に発生した熱が金属層７５０に伝達されることを遮断する。保護膜は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）膜からなる。
【０１３０】
本発明によるマスクの製造方法は、遮光膜を薄く形成し、一定のパターンで硬化する工程を繰り返して行ってマスクを製造することで、従来のフォトリソグラフィによる露光マスクの製造工程に比べて製作コストが顕著に減少し、製作時間及び工程を簡素化することができる。
【０１３１】
また、本発明による表示装置の製造方法は、マスクの製造方法と同様に遮光膜を形成し、一定のパターンで硬化する工程を通じてエッチングマスクを製造して配線を形成することにより、同様に金属配線を形成するために所要される費用及び時間を減少させることができる。
【０１３２】
以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【０１３３】
１    石英基板
３、８０、３３０、３５０、３７０、７７０    遮光膜
５    感光膜
１０、５００    光源
３０    スキャナー
４０    光透過性支持板
５０    第１移送部
６０、４３０    光遮断物質
７０    第２移送部
９０    ローラ
１２１    走査信号線
１２２ａ    電極ビアホール
１２３、７１０    基板
１２４    平坦化膜
１２５    画素定義膜
１２６    基板バッファー層
１２７    ゲート絶縁膜
１２８    層間絶縁膜
１２８ａ    コンタクトホール
１３０    駆動薄膜トランジスター
１３１    駆動ソース電極
１３２    ドレイン電極
１３３    駆動ゲート電極
１３４    ソース領域
１３５    チャンネル領域
１３６    ドレイン領域
１３７    駆動半導体層
１４１    薄膜封止層
１４１ａ、１４１ｃ    封止有機膜
１４１ｂ、１４１ｄ    封止無機膜
１６０    画素電極
１７０    有機発光層
１７１    データ線
１７２    駆動電圧線
１８０    共通電極
１９０    蓋膜
３１０、４１０    支持板
４５０    供給部
７３０    絶縁層
７５０    金属層
【図１】
0006715675.tif 000002
【図２】
0006715675.tif 000003
【図３】
0006715675.tif 000004
【図４】
0006715675.tif 000005
【図５】
0006715675.tif 000006
【図６】
0006715675.tif 000007
【図７】
0006715675.tif 000008
【図８】
0006715675.tif 000009
【図９】
0006715675.tif 000010
【図１０】
0006715675.tif 000011
【図１１】
0006715675.tif 000012
【図１２】
0006715675.tif 000013
【図１３】
0006715675.tif 000014
【図１４】
0006715675.tif 000015
【図１５】
0006715675.tif 000016
【図１６】
0006715675.tif 000017
【図１７】
0006715675.tif 000018
【図１８】
0006715675.tif 000019
【図１９】
0006715675.tif 000020
【図２０】
0006715675.tif 000021