(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の角錐が２次元状に配列されたテクスチャ構造を第１主面に有するシリコン基板と、
前記シリコン基板の前記第１主面上に形成され、前記テクスチャ構造を反映した凹凸形状を有する第１非晶質シリコン層とを備え、
前記第１非晶質シリコン層は前記凹凸形状の谷部において、
前記シリコン基板上にエピタキシャル成長した結晶領域を含む第１エピタキシャル層と、
前記第１エピタキシャル層上に形成された非晶質シリコン層である第１アモルファス層と、
前記第１アモルファス層上に形成された非晶質シリコン層である第２アモルファス層とをこの順に有し、
前記第１アモルファス層の密度は、前記第２アモルファス層の密度より低く、
前記第１アモルファス層は、前記第１エピタキシャル層、又は、前記第２アモルファス層と同じ材料を用いて形成された層である
太陽電池セル。
【請求項２】
前記第１アモルファス層の厚みは、前記第２アモルファス層の厚みより薄い
請求項１に記載の太陽電池セル。
【請求項３】
前記第１アモルファス層の厚みは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である
請求項２に記載の太陽電池セル。
【請求項４】
前記第１エピタキシャル層は、さらに、非晶質領域を有する
請求項１〜３のいずれか１項に記載の太陽電池セル。
【請求項５】
前記第１エピタキシャル層の密度は、前記第１アモルファス層の密度より高い
請求項１〜４のいずれか１項記載の太陽電池セル。
【請求項６】
前記第１非晶質シリコン層は、前記谷部を含む前記凹凸形状の全域において、前記第１エピタキシャル層、前記第１アモルファス層、前記第２アモルファス層をこの順に有する
請求項１〜５のいずれか１項に記載の太陽電池セル。
【請求項７】
前記第１エピタキシャル層、前記第１アモルファス層、及び前記第２アモルファス層の少なくとも１つの一部は、前記シリコン基板の導電型と同じ導電型である
請求項１〜６のいずれか１項に記載の太陽電池セル。
【請求項８】
前記シリコン基板は、さらに、複数の角錐が２次元状に配列されたテクスチャ構造を、前記第１主面と背向する第２主面に有し、
前記太陽電池セルは、さらに、
前記シリコン基板の前記第２主面上に形成され、前記テクスチャ構造を反映した凹凸形状を有する第２非晶質シリコン層を備え、
前記第２非晶質シリコン層は前記凹凸形状の谷部において、
前記シリコン基板上にエピタキシャル成長した結晶領域を含む第２エピタキシャル層と、
前記第２エピタキシャル層上に形成された非晶質シリコン層である第３アモルファス層と、
前記第３アモルファス層上に形成された非晶質シリコン層である第４アモルファス層とをこの順に有し、
前記第３アモルファス層の密度は、前記第４アモルファス層の密度より低い
請求項１〜７のいずれか１項に記載の太陽電池セル。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の太陽電池セルを複数備える
太陽電池モジュール。
【請求項１０】
テクスチャ構造を有するシリコン基板の第１主面上に、シリコンを含む原材料ガスを用いた気相成長法により前記テクスチャ構造を反映した凹凸形状を有する第１非晶質シリコン層を形成する非晶質層形成工程を含み、
前記非晶質層形成工程は、
前記シリコン基板上に形成されエピタキシャル成長した結晶領域を含む第１エピタキシャル層を形成する第１エピタキシャル層形成工程と、
前記第１エピタキシャル層上に形成された非晶質シリコン層である第１アモルファス層を形成する第１アモルファス層形成工程と、
前記第１アモルファス層上に形成された非晶質シリコン層である第２アモルファス層を形成する第２アモルファス層形成工程とを含み、
前記第１アモルファス層形成工程における成膜速度は、前記第２アモルファス層形成工程における成膜速度より高く、
前記第１アモルファス形成工程では、前記第１エピタキシャル層形成工程、又は、前記第２アモルファス層形成工程と同じ材料を用いて、前記第１アモルファス層を形成する
太陽電池セルの製造方法。
【請求項１１】
テクスチャ構造を有するシリコン基板の第１主面上に、シリコンを含む原材料ガスを用いた気相成長法により前記テクスチャ構造を反映した凹凸形状を有する第１非晶質シリコン層を形成する非晶質層形成工程を含み、
前記非晶質層形成工程は、
前記シリコン基板上に形成されエピタキシャル成長した結晶領域を含む第１エピタキシャル層を形成する第１エピタキシャル層形成工程と、
前記第１エピタキシャル層上に形成された非晶質シリコン層である第１アモルファス層を形成する第１アモルファス層形成工程と、
前記第１アモルファス層上に形成された非晶質シリコン層である第２アモルファス層を形成する第２アモルファス層形成工程とを含み、
前記第１アモルファス層形成工程における成膜速度は、前記第２アモルファス層形成工程における成膜速度より高く、
前記第１アモルファス形成工程では、前記第１エピタキシャル層形成工程、又は、前記第２アモルファス層形成工程で用いられた原料ガスと同じ原料ガスを用いて前記第１アモルファス層を形成する
太陽電池セルの製造方法。
【請求項１２】
前記第１アモルファス層形成工程における成膜時間は、前記第２アモルファス層形成工程における成膜時間より短い
請求項１０又は１１に記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項１３】
前記第１エピタキシャル層形成工程における成膜速度は、前記第２アモルファス層形成工程における成膜速度より高く、かつ前記第１アモルファス層形成工程における成膜速度より低い
請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の太陽電池セルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池セル、太陽電池セルを備える太陽電池モジュール、及び太陽電池セルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換装置として、太陽電池セル及び太陽電池セルを備える太陽電池モジュールの開発が進められている。太陽電池セル及び太陽電池セルを備える太陽電池モジュールは、無尽蔵の太陽光を直接電気に変換できることから、また、化石燃料による発電と比べて環境負荷が小さくクリーンであることから、新しいエネルギー源として期待されている。【０００３】
太陽電池セルの受光面には角錐が２次元状に配置されたテクスチャ構造と呼ばれる凹凸が形成されることにより、太陽電池セルの受光面で反射した反射光が当該太陽電池セルを備える太陽電池モジュールの外部に出射されることを低減している。これにより、太陽電池セル内部への入射光が増加するので、太陽電池セルの発電効率が向上することが知られている。【０００４】
例えば、特許文献１では、太陽電池セルの受光面においてテクスチャ構造が形成されたシリコン基板と、当該シリコン基板の表面上に設けられた非晶質シリコン層とを備え、断面視における非晶質シリコン層の谷部のエピタキシャル成長領域（結晶領域）が傾斜部のエピタキシャル成長領域よりも厚い太陽電池セルが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２０１４／１５５８３３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、エピタキシャル成長領域の厚みを制御することは難しく、テクスチャ構造を微細化（小径化）する場合、非晶質シリコン層におけるエピタキシャル成長領域の占有率が高くなる。これにより、太陽電池セルの曲線因子（ＦＦ）は向上するが、開放電圧（Ｖｏｃ）が低下してしまう。【０００７】
そこで、本発明は、太陽電池セルに形成されるテクスチャ構造を微細化する場合においても、曲線因子及び開放電圧を高く維持できる太陽電池セル等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る太陽電池セルは、複数の角錐が２次元状に配列されたテクスチャ構造を第１主面に有するシリコン基板と、前記シリコン基板の前記第１主面上に形成され、前記テクスチャ構造を反映した凹凸形状を有する第１非晶質シリコン層とを備え、前記第１非晶質シリコン層は前記凹凸形状の谷部において、前記シリコン基板上にエピタキシャル成長した結晶領域を含む第１エピタキシャル層と、前記第１エピタキシャル層上に形成された非晶質シリコン層である第１アモルファス層と、前記第１アモルファス層上に形成された非晶質シリコン層である第２アモルファス層とをこの順に有し、前記第１アモルファス層の密度は、前記第２アモルファス層の密度より低い。【０００９】
また、本発明の一態様に係る太陽電池モジュールは、上記の太陽電池セルを複数備える。【００１０】
また、本発明の一態様に係る太陽電池セルの製造方法は、テクスチャ構造を有するシリコン基板の第１主面上に、シリコンを含む原材料ガスを用いた気相成長法により前記テクスチャ構造を反映した凹凸形状を有する第１非晶質シリコン層を形成する非晶質層形成工程を含み、前記非晶質層形成工程は、前記シリコン基板上に形成されエピタキシャル成長した結晶領域を含む第１エピタキシャル層を形成する第１エピタキシャル層形成工程と、前記第１エピタキシャル層上に形成された非晶質シリコン層である第１アモルファス層を形成する第１アモルファス層形成工程と、前記第１アモルファス層上に形成された非晶質シリコン層である第２アモルファス層を形成する第２アモルファス層形成工程とを含み、前記第１アモルファス層形成工程における成膜速度は、前記第２アモルファス層形成工程における成膜速度より高い。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る太陽電池セル等によれば、テクスチャ構造を微細化する場合においても、曲線因子及び開放電圧を高く維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、実施の形態１に係る太陽電池モジュールの平面図である。
【図２】図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線における太陽電池モジュールの断面図である。
【図３】図３は、実施の形態１に係る太陽電池セルの一例を示す平面図である。
【図４】図４は、実施の形態１に係る太陽電池セルの一例を示す断面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、実施の形態１に係るシリコン基板に形成されるテクスチャ構造の拡大平面を示す模式図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図５ＡのＶｂ−Ｖｂ線におけるシリコン基板の断面図である。
【図６Ａ】図６Ａは、図４の破線領域における拡大断面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図６Ａの破線領域における拡大断面図である。
【図７】図７は、実施の形態１に係る第１非晶質シリコン層の谷部のアール形状を表す曲率半径を説明する図である。
【図８Ａ】図８Ａは、実施の形態１に係る太陽電池セルの製造方法を示すフローチャートである。
【図８Ｂ】図８Ｂは、実施の形態１に係る非晶質シリコン層の製造方法を示すフローチャートである。
【図９】図９は、実施の形態１に係る非晶質シリコン層を形成する成膜条件を示す図である。
【図１０】図１０は、実施の形態２に係る太陽電池セルの拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（発明に至った経緯）
上記でも説明したように、太陽電池セルのシリコン基板にはテクスチャ構造と呼ばれる凹凸が形成され、その上に非晶質シリコン層が形成されている。非晶質シリコン層は、非晶質シリコン層の主たる構成要素である非晶質領域（アモルファス領域）とエピタキシャル成長領域（結晶領域）とから構成される。凹凸形状の谷部において、非晶質シリコン層は、エピタキシャル成長領域（結晶領域）が傾斜部のエピタキシャル成長領域よりも厚く形成される。
【００１４】
エピタキシャル成長領域は、非晶質領域に比べて導電性に優れている。したがって、非晶質シリコン層においてエピタキシャル成長領域の占有率が高いほど抵抗損失が低減され、曲線因子（ＦＦ）を向上させることができる。しかしながら、非晶質シリコン層におけるエピタキシャル成長領域の占有率が高くなると、開放電圧（Ｖｏｃ）が低下するという問題がある。また、非晶質領域の占有率が高くなると開放電圧は上昇するが、抵抗損失が増加し曲線因子が低下する。
【００１５】
一方、シリコン基板に形成される凹凸は、発電効率の観点から微細化（小径化）されることが好ましい。しかし、非晶質シリコン層内におけるエピタキシャル成長領域の厚みを制御することは困難であり、テクスチャ構造を微細化すると、非晶質シリコン層におけるエピタキシャル成長領域の占有率が高くなる。これにより、非晶質シリコン層のパッシベーション性が低下するので、太陽電池セルの開放電圧が低下してしまう。つまり、発電効率が低下してしまう。
【００１６】
一般的に、成膜速度を低くすると、形成される膜質が向上する（緻密になる）ので、非晶質シリコン層のパッシベーション性が向上する。しかし、高いパッシベーション性を有する非晶質シリコン層を成膜するために成膜速度を低くすると、成膜時にシリコン基板の結晶方位の影響を受けやすくなり、エピタキシャル成長を促進してしまう。つまり、成膜速度を低くすると、非晶質シリコン層のパッシベーション性が低下してしまう。また、成膜速度を高くすると、エピタキシャル成長領域が形成されなくなってしまう。つまり、非晶質シリコン層において、高いパッシベーション性を有し、かつエピタキシャル成長領域の厚みを精度よく制御することは困難であった。
【００１７】
そこで、本願発明者らは、エピタキシャル成長領域を含むエピタキシャル層と高いパッシベーション性を有するアモルファス層（第１パッシベーション層）とを分けて、かつ層状に形成することで上記問題を解決できないか考察を行った。エピタキシャル層の上に直接第１パッシベーション層を形成すると、第１パッシベーション層はエピタキシャル層の結晶領域の影響を受け、エピタキシャル成長してしまう。つまり、第１パッシベーション層は、高いパッシベーション性を有することができない。
【００１８】
そこで、エピタキシャル層と第１パッシベーション層との間に、エピタキシャル成長領域を有さないアモルファス層（第１中間層）を設けることで、高いパッシベーション性を有する第１パッシベーション層を形成できることを見出した。つまり、第１中間層は、第１パッシベーション層がエピタキシャル層の結晶領域の影響を受けないようにするために設けられる下地層であり、エピタキシャル成長を抑制するための層（エピタキシャル成長抑制層）である。
【００１９】
これにより、エピタキシャル成長領域を含むエピタキシャル層の厚みを制御することにより、曲線因子を調整できる。エピタキシャル層の厚みの調整は、例えば成膜する時間の管理などで実現できる。よって、成膜する時間といった簡単な管理で、エピタキシャル層の厚み、つまり曲線因子を制御できる。
【００２０】
また、エピタキシャル層と第１パッシベーション層との間に、エピタキシャル成長を抑制する第１中間層を設けることで、第１中間層の上に形成される第１パッシベーション層をエピタキシャル層の影響を受けずに成膜することができる。また、エピタキシャル層の影響を受けずに成膜することができるので、第１パッシベーション層を成膜する成膜速度を低くできる。これにより、第１パッシベーション層の膜質が向上する。つまり、高いパッシベーション性を有する第１パッシベーション層が形成できる。よって、開放電圧を向上させることができる。これらにより、テクスチャ構造の凹凸形状が微細化した場合でも、曲線因子及び開放電圧を高く維持できる。
【００２１】
以下、本発明の一態様に係る太陽電池セル、太陽電池セルを備える太陽電池モジュール、及び太陽電池セルの製造方法について説明する。
【００２２】
以下では、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置、接続形態及び工程等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
【００２３】
なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化される場合がある。例えば、以下の実施の形態においては、当該実施の形態よりも前に説明が行われた実施の形態との相違点を中心に説明が行われる。また、「略＊＊」との記載は実質的に＊＊と認められるものを含む意図であり、例えば「略平行」を例に挙げて説明すると、完全に平行はもとより、実質的に平行と認められるものを含む意図である。
【００２４】
また、各図において、Ｚ軸方向は、例えば、鉛直方向であり、太陽電池モジュールの主面、及び、太陽電池セルの主面（表面）に垂直な方向である。Ｘ軸方向及びＹ軸方向は互いに直交し、かつ、いずれもＺ軸方向に直交する方向である。例えば、以下の実施の形態において、「平面視」とは、Ｚ軸方向から見ていることを意味する。
【００２５】
（実施の形態１）
以下、図１〜図９を用いて、実施の形態１を説明する。
【００２６】
［１−１．太陽電池モジュールの構成］
まず、本実施の形態に係る太陽電池モジュールの概略構成について、図１及び図２を用いて説明する。
【００２７】
図１は、本実施の形態に係る太陽電池モジュール１の平面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線における太陽電池モジュール１の断面図である。
【００２８】
図１及び図２に示すように、太陽電池モジュール１は、複数の太陽電池セル１０と、配線部材２０と、表面保護部材３０と、裏面保護部材４０と、充填部材５０と、フレーム６０とを備える。太陽電池モジュール１は、表面保護部材３０と裏面保護部材４０との間に、複数の太陽電池セル１０が充填部材５０で封止された構造となっている。
【００２９】
図１に示すように、太陽電池モジュール１の平面視形状は、例えば、略長方形状である。
【００３０】
以下、太陽電池モジュール１の各構成部材について、図１及び図２を参照しながら、図３及び図４を用いてさらに詳細に説明する。
【００３１】
［１−１−１．太陽電池セル］
太陽電池セル１０は、太陽光等の光を電力に変換する光電変換素子（光起電力素子）である。図１に示すように、太陽電池セル１０は、同一平面において行列状（マトリクス状）に複数枚配列されている。なお、太陽電池セル１０は、同一平面において１行又は１列のみ配列されていてもよい。
【００３２】
直線状に配列された複数の太陽電池セル１０は、隣り合う２つの太陽電池セル１０同士が配線部材２０によって連結されてストリング（セルストリング）を構成している。１つのストリング１０Ｓ内の複数の太陽電池セル１０は、配線部材２０によって電気的に接続され、直列接続されている。
【００３３】
図１に示すように、本実施の形態では、行方向（Ｘ軸方向）に沿って等間隔に配列された１２枚の太陽電池セル１０が配線部材２０で接続されることで１つのストリング１０Ｓを構成している。ストリング１０Ｓは、複数形成されている。複数のストリング１０Ｓ（ストリングス）は、列方向（Ｙ軸方向）に沿って並べられている。本実施の形態では、図１に示すように、６つのストリング１０Ｓが互いに平行となるように列方向に沿って等間隔で並べられている。
【００３４】
なお、各ストリング１０Ｓは、配線部材２０を介して他の配線部材（不図示）に接続されている。これにより、複数のストリング１０Ｓが直列接続又は並列接続されてセルアレイが構成される。本実施の形態では、隣り合う２つのストリング１０Ｓが直列接続されて１つの直列接続体（２４枚の太陽電池セル１０が直列接続されたもの）が構成されており、この直列接続体が３つ直列接続されて、７２枚の太陽電池セルが直列接続されたものが構成されている。
【００３５】
図１に示すように、複数の太陽電池セル１０は、行方向及び列方向に隣り合う太陽電池セル１０との間に隙間をあけて配置されている。この隙間には、例えば、光反射部材（不図示）が配置されていてもよい。光反射部材が配置されていると、太陽電池セル１０間の隙間領域に入射した光は、光反射部材の表面で反射する。この反射光は、表面保護部材３０と太陽電池モジュール１の外部空間との界面で再び反射され、太陽電池セル１０上に照射される。よって、太陽電池モジュール１全体の光電変換効率を向上させることが可能となる。
【００３６】
図３は、本実施の形態に係る太陽電池セル１０の一例を示す平面図である。図３に示すように、本実施の形態において、太陽電池セル１０の平面視形状は、略矩形状である。例えば、太陽電池セル１０は、１２５ｍｍ角の正方形の角が欠けた形状である。つまり、１つのストリング１０Ｓは、隣り合う２つの太陽電池セル１０の一辺同士が対向するように構成されている。なお、太陽電池セル１０の形状は、略矩形状に限定されない。
【００３７】
図４は、本実施の形態に係る太陽電池セル１０の一例を示す断面図である。具体的には、図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線における太陽電池セル１０の断面図である。図４に示すように、太陽電池セル１０は、半導体ｐｎ接合を基本構造としており、一例として、ｎ型の半導体基板であるｎ型単結晶シリコン基板１０ｄと、ｎ型単結晶シリコン基板１０ｄの一方の主面側に順次形成された、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂ及びｎ側電極１０ａと、ｎ型単結晶シリコン基板１０ｄの他方の主面側に順次形成された、ｐ型非晶質シリコン層１０ｆ及びｐ側電極１０ｇとによって構成されている。ｎ側電極１０ａ及びｐ側電極１０ｇは、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明電極である。また、ｎ型単結晶シリコン基板１０ｄとｎ型非晶質シリコン層１０ｂとの間にはパッシベーション層であるｉ型非晶質シリコン層１０ｃが設けられ、ｎ型単結晶シリコン基板１０ｄとｐ型非晶質シリコン層１０ｆとの間にはパッシベーション層であるｉ型非晶質シリコン層１０ｅが設けられている。つまり、太陽電池セル１０は、例えば、ヘテロ接合型の太陽電池セルである。これにより、ｎ型単結晶シリコン基板１０ｄとｎ型非晶質シリコン層１０ｂとの界面、及び、ｎ型単結晶シリコン基板１０ｄとｐ型非晶質シリコン層１０ｆとの界面（ヘテロ接合界面）での欠陥が低減する。よって、太陽電池モジュール１の光電変換効率を向上させることができる。
【００３８】
なお、パッシベーション層は、ｉ型非晶質シリコン層１０ｃ、１０ｅに限定されず、酸化シリコン層又は窒化シリコン層等でもよいし、設けられなくてもよい。また、太陽電池セル１０を構成する結晶系シリコン基板は単結晶シリコン基板（ｎ型単結晶シリコン基板、又は、ｐ型単結晶シリコン基板）に限定されず、多結晶シリコン基板等の結晶系シリコン基板（以降、シリコン基板）であればよい。以降の説明において、結晶系シリコン基板が、ｎ型単結晶シリコン基板である場合について説明する。また、結晶系シリコン基板を単にシリコン基板１０ｄと表記する。
【００３９】
また、本実施の形態において、シリコン基板１０ｄの一方の主面とは、太陽電池モジュール１の主受光面側のシリコン基板１０ｄの面（Ｚ軸プラス側の面）である。シリコン基板１０ｄの他方の主面とは、一方の主面と背向するシリコン基板１０ｄの面（Ｚ軸マイナス側の面）である。
【００４０】
図４に示すように、シリコン基板１０ｄの一方の主面（表面）及び他方の主面（裏面）には、テクスチャ構造と呼ばれる凹凸形状が形成されている。テクスチャ構造が形成された一方の主面を第１主面、他方の主面を第２主面とする。そして、シリコン基板１０ｄの第１主面及び第２主面に形成される非晶質シリコン層９０、９１及び電極１０ａ、１０ｇも、テクスチャ構造を反映した凹凸形状を有している。本実施の形態では、シリコン基板１０ｄの第１主面及び第２主面がテクスチャ構造を有する例について説明するが、これに限定されない。例えば、第１主面のみが上記のテクスチャ構造を有していてもよい。シリコン基板１０ｄと非晶質シリコン層との界面については、後述する。
【００４１】
なお、上記ではヘテロ接合型の太陽電池セルについて説明したが、太陽電池セル１０はヘテロ接合型に限定されない。例えば、太陽電池セル１０は単結晶シリコン型又は多結晶シリコン型等の結晶シリコン型の太陽電池セルでもよい。また、例えば、シリコン基板１０ｄの厚みは１５０μｍ以下である。
【００４２】
本実施の形態において、太陽電池セル１０は、ｎ側電極１０ａが太陽電池モジュール１の主受光面側（表面保護部材３０側）となるように配置されているが、これに限定されない。例えば、ｐ側電極１０ｇが太陽電池モジュール１の主受光面側となるように配置されていてもよい。また、太陽電池モジュール１が片面受光方式である場合には、裏面側に位置する電極（本実施の形態ではｐ側電極１０ｇ）は透明である必要はなく、例えば反射性を有する金属電極であってもよい。
【００４３】
各太陽電池セル１０において、表面は表面保護部材３０側の面であり、裏面は裏面保護部材４０側の面である。図２に示すように、太陽電池セル１０には、表面集電極１１と裏面集電極１２とが形成されている。表面集電極１１は、太陽電池セル１０の表面側電極（例えばｎ側電極１０ａ）に電気的に接続される。裏面集電極１２は、太陽電池セル１０の裏面側電極（例えばｐ側電極１０ｇ）に電気的に接続される。
【００４４】
表面集電極１１及び裏面集電極１２の各々は、例えば、配線部材２０の延設方向と直交するように直線状に形成された複数本のフィンガー電極７０と、これらのフィンガー電極７０に接続されるとともにフィンガー電極７０に直交する方向（配線部材２０の延設方向）に沿って直線状に形成された複数本のバスバー電極８０とによって構成されている。バスバー電極８０の本数は、例えば、配線部材２０と同数であり、本実施の形態では、３本である。なお、表面集電極１１及び裏面集電極１２は、互いに同じ形状となっているが、これに限定されない。また、図３に示すように、表面集電極１１を構成するとバスバー電極８０それぞれの上には、配線部材２０が接合される。配線部材２０の詳細は、後述する。
【００４５】
表面集電極１１及び裏面集電極１２は、銀（Ａｇ）等の低抵抗導電材料からなる。例えば、表面集電極１１及び裏面集電極１２は、バインダ樹脂中に銀等の導電性フィラーが分散した導電性ペースト（銀ペースト等）を所定のパターンでスクリーン印刷することで形成することができる。
【００４６】
このように構成される太陽電池セル１０は、表面及び裏面の両方が受光面となる。太陽電池セル１０に光が入射すると太陽電池セル１０の光電変換部でキャリアが発生する。発生したキャリアは、表面集電極１１及び裏面集電極１２で収集されて配線部材２０に流れ込む。このように、表面集電極１１及び裏面集電極１２を設けることで、太陽電池セル１０で発生したキャリアを外部回路に効率的に取り出すことができる。
【００４７】
［１−１−２．配線部材（インターコネクタ）］
図１及び図２に示すように、配線部材２０（インターコネクタ）は、ストリング１０Ｓにおいて、隣り合う２つの太陽電池セル１０同士を電気的に接続するタブ配線である。図１に示すように、本実施の形態では、隣り合う２つの太陽電池セル１０は、互いに略平行に配置された３本の配線部材２０によって接続されている。各配線部材２０は、接続する２つの太陽電池セル１０の並び方向に沿って延設されている。図２に示すように、各配線部材２０については、配線部材２０の一端部が、隣り合う２つの太陽電池セル１０のうちの一方の太陽電池セル１０の表面に配置され、配線部材２０の他端部が、隣り合う２つの太陽電池セル１０のうちの他方の太陽電池セル１０の裏面に配置されている。各配線部材２０は、隣り合う２つの太陽電池セル１０において、一方の太陽電池セル１０の表面集電極１１と、他方の太陽電池セル１０の裏面集電極１２とを電気的に接続している。例えば、配線部材２０と、太陽電池セル１０の表面集電極１１及び裏面集電極１２のバスバー電極８０とは、ハンダ材等の導電性を有する接着剤や、樹脂接着材で接合されている。配線部材２０と太陽電池セル１０の表面集電極１１及び裏面集電極１２のバスバー電極８０とを樹脂接着材で接合する場合、樹脂接着材は導電性粒子を含んでもよい。
【００４８】
配線部材２０は、長尺状の導電性配線であって、例えば、リボン状の金属箔である。配線部材２０は、例えば、銅箔や銀箔等の金属箔の表面全体を半田や銀等で被覆したものを所定の長さに短冊状に切断することによって作製することができる。
【００４９】
［１−１−３．表面保護部材、裏面保護部材］
表面保護部材３０は、太陽電池モジュール１の表側の面を保護する部材であり、太陽電池モジュール１の内部（太陽電池セル１０等）を、風雨や外部衝撃等の外部環境から保護する。図２に示すように、表面保護部材３０は、太陽電池セル１０の表面側に配設されており、太陽電池セル１０の表面側の受光面を保護している。
【００５０】
表面保護部材３０は、太陽電池セル１０において光電変換に利用される波長帯域の光を透過する透光性部材によって構成されている。表面保護部材３０は、例えば、透明ガラス材料からなるガラス基板（透明ガラス基板）、又は、フィルム状や板状の透光性及び遮水性を有する硬質の樹脂材料からなる樹脂基板である。
【００５１】
一方、裏面保護部材４０は、太陽電池モジュール１の裏側の面を保護する部材であり、太陽電池モジュール１の内部を外部環境から保護する。図２に示すように、裏面保護部材４０は、太陽電池セル１０の裏面側に配設されており、太陽電池セル１０の裏面側の受光面を保護している。
【００５２】
裏面保護部材４０は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）又はポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等の樹脂材料からなるフィルム状や板状の樹脂シートである。
【００５３】
太陽電池モジュール１が片面受光方式である場合には、裏面保護部材４０は、不透光の板体又はフィルムとしてもよい。なお、裏面保護部材４０は、不透光部材に限るものではなく、ガラス材料からなるガラスシート又はガラス基板等の透光性部材であってもよい。
【００５４】
［１−１−４．充填部材］
表面保護部材３０及び裏面保護部材４０の間には充填部材５０が充填されている。表面保護部材３０及び裏面保護部材４０と太陽電池セル１０とは、この充填部材５０によって接着されて固定されている。本実施の形態において、充填部材５０は、表面保護部材３０と裏面保護部材４０との間を埋めるように充填されている。
【００５５】
図２に示すように、充填部材５０は、表面充填部材５１と裏面充填部材５２とによって構成されている。表面充填部材５１及び裏面充填部材５２の各々は、マトリクス状に配置された複数の太陽電池セル１０を覆っている。
【００５６】
複数の太陽電池セル１０は、例えばシート状の表面充填部材５１と裏面充填部材５２とで挟み込まれた状態でラミネート処理（ラミネート加工）を行うことで充填部材５０によって全体が覆われる。
【００５７】
具体的には、複数の太陽電池セル１０を配線部材２０で連結してストリング１０Ｓを形成した後、複数本のストリング１０Ｓを表面充填部材５１と裏面充填部材５２とで挟み込み、さらに、その上下に表面保護部材３０と裏面保護部材４０とを配置して、例えば１００℃以上の温度で真空中で熱圧着を行う。この熱圧着によって、表面充填部材５１及び裏面充填部材５２が加熱されて溶融し、太陽電池セル１０を封止する充填部材５０となる。
【００５８】
ラミネート処理前の表面充填部材５１は、例えば、エチレンビニールアセテート（ＥＶＡ）又はポリオレフィン等の樹脂材料によって構成された樹脂シートであり、複数の太陽電池セル１０と表面保護部材３０との間に配置される。表面充填部材５１は、ラミネート処理によって主に太陽電池セル１０と表面保護部材３０との間の隙間を埋めるように充填される。
【００５９】
表面充填部材５１は、透光性材料によって構成されている。本実施の形態では、ラミネート処理前の表面充填部材５１として、ＥＶＡからなる透明樹脂シートを用いている。
【００６０】
ラミネート処理前の裏面充填部材５２は、例えばＥＶＡ又はポリオレフィン等の樹脂材料によって構成された樹脂シートであり、複数の太陽電池セル１０と裏面保護部材４０との間に配置される。裏面充填部材５２は、ラミネート処理によって主に太陽電池セル１０と裏面保護部材４０との間の隙間を埋めるように充填される。
【００６１】
なお、本実施の形態における太陽電池モジュール１は片面受光方式であってもよく、片面受光方式である場合には、裏面充填部材５２は、透光性材料に限るものではなく、黒色材料又は白色材料等の着色材料によって構成されていてもよい。
【００６２】
［１−１−５．フレーム］
フレーム６０は、太陽電池モジュール１の周縁端部を覆う外枠である。フレーム６０は、例えば、アルミ製のアルミフレーム（アルミ枠）である。図１に示すように、フレーム６０は、４本用いられており、それぞれ太陽電池モジュール１の４辺の各々に装着されている。フレーム６０は、例えば、接着剤によって太陽電池モジュール１の各辺に固着されている。
【００６３】
［１−２．太陽電池セルの詳細］
続いて、本実施の形態に係る太陽電池セル１０の詳細構成について、図５Ａ〜図６Ｂを用いて説明する。
【００６４】
［１−２−１．シリコン基板の表面構造］
まずは、図５Ａ及び図５Ｂを用いて、本実施の形態に係るシリコン基板１０ｄの表面構造について説明する。
【００６５】
図５Ａは、本実施の形態に係るシリコン基板１０ｄに形成されるテクスチャ構造の拡大平面を示す模式図である。図５Ｂは、図５ＡのＶｂ−Ｖｂ線におけるシリコン基板１０ｄの断面図である。なお、図５Ａは、第１主面におけるテクスチャ構造の模式図である。
【００６６】
図５Ａに示すように、シリコン基板１０ｄの第１主面は、複数の角錐が２次元状に配置されたテクスチャ構造（凹凸）を有している。図５Ｂに示すように、テクスチャ構造は、四角錐の基板頂部１０１及び隣接する基板頂部１０１で挟まれた基板谷部１０２を有している。本実施の形態では、基板頂部１０１と基板谷部１０２との間の角錐面はシリコン結晶の（１１１）面となっている。なお、第２主面も、第１主面と同様、テクスチャ構造を有していてもよい。
【００６７】
また、基板谷部１０２から基板頂部１０１までの高さは、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下であり、隣接する基板頂部１０１の間隔は、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下である。なお、本実施の形態に係るシリコン基板１０ｄのテクスチャ構造では、基板頂部１０１及び基板谷部１０２の高さ及びピッチはランダムであってもよいし、規則的であってもよい。
【００６８】
また、シリコン基板１０ｄの第１主面及び第２主面が有するテクスチャ構造の例について説明したが、第１主面及び第２主面が有するテクスチャ構造の形状は同じでもよいし、異なっていてもよい。例えば、第１主面及び第２主面に入射する光の角度は異なるので、それぞれの主面に入射する光の角度に合わせてテクスチャ構造の形状が決定されてもよい。
【００６９】
［１−２−２．非晶質シリコン層の構造］
次に、図６Ａ及び図６Ｂを用いて、シリコン基板１０ｄの主面上に形成される非晶質シリコン層について説明する。なお、第１主面及び第２主面における非晶質シリコン層の構造は実質的には同じであり、第１主面についてのみ説明する。
【００７０】
図６Ａは、図４の破線領域ＶＩａにおける拡大断面図である。具体的には、図６Ａは、シリコン基板１０ｄ、第１非晶質シリコン層９０及びｎ側電極１０ａの谷部付近の積層構造を拡大した断面図である。図６Ａの断面図は、第１非晶質シリコン層９０の頂部（図示しない）及び谷部１０３（図７参照）を結ぶ傾斜部１０４（図７参照）と、隣接する２つの傾斜部１０４に挟まれた谷部１０３とを示している。図６Ｂは、図６Ａの破線領域ＶＩｂにおける拡大断面図である。
【００７１】
図６Ａに示すように、第１非晶質シリコン層９０は、ｉ型非晶質シリコン層１０ｃ及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂにより構成される。本実施の形態では、ｉ型非晶質シリコン層１０ｃは３層構造を有している。本実施の形態では、ｉ型非晶質シリコン層１０ｃにおいて、第１エピタキシャル層１２０、第１中間層１２１及び第１パッシベーション層１２２が形成される。図６Ｂに示すように、第１エピタキシャル層１２０は、エピタキシャル成長した結晶領域１２０ａと非晶質領域１２０ｂとを有する。また、第１中間層１２１及び第１パッシベーション層１２２は、非晶質（アモルファス）領域のみで構成されており、密度（膜密度）などが異なる。より詳しくは、第１中間層１２１の密度は、第１パッシベーション層１２２の密度より低い。なお、密度（膜密度）とは、各層の単位体積（例えば、１立方センチメートル）あたりの質量を意味する。また、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂは、本実施の形態では、非晶質領域のみで構成されているパッシベーション層である。第１中間層１２１及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂは、密度（膜密度）などが異なる。より詳しくは、第１中間層１２１の密度は、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂの密度より低い。
【００７２】
第１非晶質シリコン層９０は、谷部１０３において、シリコン基板１０ｄ上にエピタキシャル成長した結晶領域１２０ａを含む第１エピタキシャル層１２０と、第１エピタキシャル層１２０上に形成された非晶質シリコン層である第１中間層１２１と、第１中間層１２１上に形成された非晶質シリコン層である第１パッシベーション層１２２と、第１パッシベーション層１２２上に形成された非晶質シリコン層であるｎ型非晶質シリコン層１０ｂとが、シリコン基板１０ｄの第１主面から略垂直方向（Ｚ軸プラス側方向）に向けて積層されている。
【００７３】
また、図６Ａに示すように、第１非晶質シリコン層９０は、シリコン基板１０ｄの第１主面のテクスチャ構造を反映した凹凸形状を有している。また、ｎ側電極１０ａも当該テクスチャ構造を反映した凹凸形状を有している。
【００７４】
図６Ｂに示すように、本実施の形態では、ｉ型非晶質シリコン層１０ｃの第１エピタキシャル層１２０は、谷部１０３において結晶領域１２０ａと非晶質（アモルファス）領域１２０ｂとを含んでいる。結晶領域１２０ａは、シリコン基板１０ｄの結晶方位を反映したエピタキシャル成長領域や微細な結晶領域を含んでいてもよい。また、非晶質領域１２０ｂは、シリコン基板１０ｄの結晶方位を反映しない、非晶質（アモルファス）で占有された領域である。なお、例えば、第１エピタキシャル層１２０の導電率は、暗導電率が１．０×１０−７Ｓ／ｃｍ以上１．０×１０−５Ｓ／ｃｍ以下であり、光導電率が１．０×１０−４Ｓ／ｃｍ以上１．０×１０−３Ｓ／ｃｍ以下である。
【００７５】
第１エピタキシャル層１２０が結晶領域１２０ａを含むことで、曲線因子の低下を抑制することができる。また、曲線因子の調整は、第１エピタキシャル層１２０の厚みを調整することで実現できる。第１エピタキシャル層１２０の厚みは、成膜する時間により調整することができる。よって、テクスチャ構造が微細化した場合でも、第１エピタキシャル層１２０の成膜時間を調整するといった簡単な制御で、曲線因子の低下を抑制することができる。つまり、テクスチャ構造が微細化した場合でも、曲線因子を高い状態に維持することができる。
【００７６】
なお、第１エピタキシャル層１２０における結晶領域１２０ａ及び非晶質領域１２０ｂの占有率は、特に限定されない。例えば、第１エピタキシャル層１２０は、結晶領域１２０ａのみから構成されてもよい。例えば、少なくとも谷部１０３において、第１エピタキシャル層１２０は結晶領域１２０ａのみから構成されてもよい。結晶領域１２０ａは、第１エピタキシャル層１２０の主たる構成要素である非晶質領域１２０ｂに比べて導電性に優れている。従って、第１エピタキシャル層１２０において、結晶領域１２０ａの占有率が高いほど、抵抗損失が低減され、曲線因子を向上させることができる。また、占有率とは、太陽電池セル１０を断面視した（Ｙ軸方向から見た）場合の第１エピタキシャル層１２０の谷部１０３の面積に対する結晶領域１２０ａ又は非晶質領域１２０ｂの面積の割合である。
【００７７】
また、図６Ｂでは、第１エピタキシャル層１２０上に形成される第１中間層１２１にわたって結晶領域１２０ａが貫通している例を示しているが、これに限定されない。結晶領域１２０ａは、第１中間層１２１にわたって貫通していなくてもよい。
【００７８】
続いて、第１エピタキシャル層１２０の上に積層される第１中間層１２１について説明する。第１エピタキシャル層１２０は結晶領域１２０ａを含んでいる。第１中間層１２１は、成膜される際、第１エピタキシャル層１２０の結晶領域１２０ａの影響を受けないように形成される。具体的には、第１中間層１２１を成膜する成膜速度（成膜レート）を、第１エピタキシャル層１２０を成膜する成膜速度より大きくする。例えば、第１中間層１２１を成膜する成膜速度は、第１エピタキシャル層１２０を成膜する成膜速度の３倍などである。これにより、形成される第１中間層１２１は、第１エピタキシャル層１２０の結晶領域１２０ａの影響を受けずに成膜される。つまり、第１中間層１２１は、エピタキシャル成長領域を含まない非晶質領域のみで形成される。また、第１中間層１２１の成膜速度が大きいので、第１中間層１２１の密度は、第１エピタキシャル層１２０の密度より低くなる。なお、第１中間層１２１は、第１アモルファス層の一例である。
【００７９】
続いて、第１中間層１２１の上に形成される第１パッシベーション層１２２について説明する。第１中間層１２１は非晶質領域のみで形成されている。そのため、第１パッシベーション層１２２を成膜する際、第１エピタキシャル層１２０の結晶領域１２０ａの影響を受けずに第１パッシベーション層１２２が形成される。これにより、第１パッシベーション層１２２は、非晶質領域のみで形成される。
【００８０】
一般的に、成膜速度を低くすると膜質の良い膜が形成される。つまり、成膜速度を低くすると、高いパッシベーション性を有する膜が形成される。そのため、第１パッシベーション層１２２は、成膜速度を低くして形成されることが好ましい。例えば、第１パッシベーション層１２２を成膜する成膜速度は、第１エピタキシャル層１２０を成膜する成膜速度より低い。これにより、第１パッシベーション層１２２の密度は、第１エピタキシャル層１２０の密度より高くなる。
【００８１】
また、第１パッシベーション層１２２を成膜する成膜速度を低くすることで、第１パッシベーション層１２２の導電率は高くなる。例えば、第１パッシベーション層１２２を成膜する成膜速度を、第１中間層１２１を成膜する成膜速度より低くすることで、第１パッシベーション層１２２の導電率は、第１中間層１２１の導電率より高くなる。例えば、第１中間層１２１の導電率は、暗導電率が１．０×１０−１４Ｓ／ｃｍ以上１．０×１０−１０Ｓ／ｃｍ以下であり、光導電率が１．０×１０−７Ｓ／ｃｍ以上１．０×１０−４Ｓ／ｃｍ以下である。また、例えば、第１パッシベーション層１２２の導電率は、暗導電率が１．０×１０−９Ｓ／ｃｍ以上１．０×１０−７Ｓ／ｃｍ以下であり、光導電率が１．０×１０−７Ｓ／ｃｍ以上１．０×１０−４Ｓ／ｃｍ以下である。つまり、第１パッシベーション層１２２を形成することで、高いパッシベーション性を維持でき、かつ曲線因子が低下することを抑制することができる。よって、テクスチャ構造が微細化した場合でも、曲線因子の低下を抑制し、かつ、開放電圧を高い状態に維持することができる。
【００８２】
なお、第１中間層１２１は、例えば、第１エピタキシャル層１２０及び第１パッシベーション層１２２より導電率が低い。つまり、第１中間層１２１による抵抗損失が大きい。そのため、第１中間層１２１が厚いと太陽電池セル１０の曲線因子が低下するので、第１中間層１２１は薄く成膜される方が好ましい。第１中間層１２１は、第１パッシベーション層１２２が第１エピタキシャル層１２０の影響を受けずに成膜できる厚みの中で、極力薄く成膜される方が好ましい。例えば、第１中間層１２１の厚みは、第１パッシベーション層１２２の厚みより薄い。例えば、第１中間層１２１の厚みは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である。なお、厚みの調整は、第１エピタキシャル層１２０と同様、成膜する時間で調整できる。
【００８３】
続いて、第１パッシベーション層１２２の上に形成されるｎ型非晶質シリコン層１０ｂについて説明する。第１パッシベーション層１２２は非晶質領域のみで形成されている。そのため、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂを成膜する際、第１エピタキシャル層１２０の結晶領域１２０ａの影響を受けずにｎ型非晶質シリコン層１０ｂが形成される。これにより、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂは、非晶質領域のみで形成される。また、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂは、第１パッシベーション層１２２と同様、成膜速度を低くして形成されることが好ましい。
【００８４】
なお、第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂは、第２アモルファス層の一例である。第２アモルファス層とは、第１中間層の上に形成される非晶質シリコン層である。なお、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂは、第２アモルファス層に含まれなくてもよい。
【００８５】
また、第１非晶質シリコン層９０は、谷部１０３を除く部分において実質的にアモルファス状態である。つまり、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂ及びｉ型非晶質シリコン層１０ｃ（第１エピタキシャル層１２０、第１中間層１２１及び第１パッシベーション層１２２）は、谷部１０３以外では、実質的にアモルファス状態である。
【００８６】
次に、第１非晶質シリコン層９０における谷部１０３の範囲について説明する。
【００８７】
図７は、本実施の形態に係る第１非晶質シリコン層９０の谷部１０３のアール形状を表す曲率半径を説明する図である。谷部１０３は、太陽電池セル１０を断面視した場合、シリコン基板１０ｄの基板谷部１０２の形状を反映したアール形状を有している。谷部１０３は、略直線状の傾斜部１０４に挟まれた領域である。ここで、谷部１０３の範囲は、図７に示すように、傾斜部１０４の傾面の傾きが変化する点Ｘ１〜Ｘ４で挟まれた領域と定義される。例えば、谷部１０３の曲率半径Ｒは、１ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。なお、谷部１０３の曲率半径Ｒとは、２つの点Ｘ１及びＸ２で挟まれた谷部１０３の曲面とを含む円Ｃの半径と定義される。
【００８８】
［１−３．製造方法］
続いて、本実施の形態に係る太陽電池セル１０の製造方法について、図８Ａ〜図９を用いて説明する。なお、製造方法では、第１主面及び第２主面の両面に非晶質シリコン層９０、９１を成膜する場合について説明する。
【００８９】
図８Ａは、本実施の形態に係る太陽電池セル１０の製造方法を示すフローチャートである。
【００９０】
まず、シリコン基板１０ｄの（１００）面を異方性エッチングする（Ｓ１０）。これにより、複数の角錐が２次元状に配列されたテクスチャ構造をシリコン基板１０ｄの表面及び裏面に形成する。つまり、第１主面および第２主面を形成する。
【００９１】
具体的には、（１００）面を有するシリコン基板１０ｄをエッチング液に浸漬する。エッチング液は、アルカリ水溶液を含む。アルカリ水溶液は、例えば、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、水酸化カリウム（ＫＯＨ）、及び水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）の少なくとも１つを含む。シリコン基板１０ｄの（１００）面を上記アルカリ水溶液に浸漬することにより、シリコン基板１０ｄの表面及び裏面が、（１１１）面に沿って異方性エッチングされる。この結果、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、シリコン基板１０ｄの表面及び裏面に、基板頂部１０１及び基板谷部１０２を有する四角錐が２次元状に配列されたテクスチャ構造が形成される。四角錐の角錐面は、（１１１）面である。なお、エッチング液に含まれるアルカリ水溶液の濃度は、例えば、０．１重量％以上１０重量％以下である。なお、テクスチャ構造の凹凸のうち、シリコン基板１０ｄの内側へへこんでいる凹部を谷部とする。
【００９２】
次に、上記テクスチャ構造が形成されたシリコン基板１０ｄを、等方性エッチングする（Ｓ２０）。これにより、基板谷部１０２がアール形状に加工される（図６Ａ及び図６Ｂ参照）。本工程は、具体的には、フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ３）との混合溶液、又はフッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ３）と酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）との混合溶液を用いたウェットエッチング、あるいは、四フッ化メタン（ＣＦ４）と酸素（Ｏ２）との混合ガスを用いたドライエッチングを適用することができる。上記材料の混合比及び処理時間などを制御することにより、基板谷部１０２の曲率半径を調整できる。また、本工程により、基板頂部１０１やテクスチャ構造の稜線部分を丸くしてもよい。
【００９３】
次に、上記等方性エッチング工程を経たシリコン基板１０ｄを、フッ酸（ＨＦ）及び過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）を含有する混合溶液に浸漬する（Ｓ３０）。本工程において、フッ酸及び過酸化水素の混合溶液を用いることで、アール形状となった基板谷部１０２の表面が選択的に改質される。なお、上記混合溶液に含まれるフッ酸の濃度は、０．１重量％以上５重量％以下であり、過酸化水素の濃度は、０．１重量％以上５重量％以下であることが好ましい。さらに好ましくは、上記混合溶液に含まれるフッ酸の濃度は、０．５重量％以上３重量％以下であり、過酸化水素の濃度は、２重量％以上４重量％以下である。
【００９４】
シリコン基板１０ｄの基板谷部１０２の表面を改質することで、シリコン基板１０ｄの基板谷部１０２の結晶性が乱される。これにより、シリコン基板１０ｄの谷部１０３のほぼ全領域に結晶領域１２０ａのみが形成されることを抑制している。図６Ｂに示すように、結晶領域１２０ａは、第１主面から略垂直方向に向けて成長し、かつ谷部１０３のうちシリコン基板１０ｄと接する下端部と反対側の上端部において、第１主面と略平行な面に離散的に存在するようになる。これにより、谷部１０３の全領域が結晶領域１２０ａとなり、開放電圧が低下することを抑制できる。なお、谷部１０３の第１エピタキシャル層１２０の全領域を結晶領域１２０ａとする場合、ステップＳ３０は省略されてもよい。
【００９５】
次に、表面処理されたシリコン基板１０ｄの第１主面及び第２主面に第１非晶質シリコン層９０及び第２非晶質シリコン層９１を形成する非晶質層形成工程（Ｓ４０）が行われる。なお、非晶質シリコン層９０のみに上記で説明した谷部１０３における膜構造を有する非晶質シリコン層が形成される場合、第１主面にのみ、以下の工程が行われる。その場合、非晶質層形成工程では、複数の角錐が２次元状に配列されたテクスチャ構造を有するシリコン基板１０ｄの第１主面上に、シリコンを含む原材料ガスを用いた気相成長法により、テクスチャ構造を反映した凹凸形状を有する第１非晶質シリコン層９０が形成される。
【００９６】
本工程では、ｉ型非晶質シリコン層１０ｃ（第１エピタキシャル層１２０、第１中間層１２１及び第１パッシベーション層１２２）、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂ、ｉ型非晶質シリコン層１０ｅ、及びｐ型非晶質シリコン層１０ｆをこの順で形成する。なお、形成順序はこれに限定されない。例えば、ｉ型非晶質シリコン層１０ｃ及びｉ型非晶質シリコン層１０ｅを同時形成した後、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂ及びｐ型非晶質シリコン層１０ｆをこの順で形成してもよい。
【００９７】
図８Ｂを用いて、より詳細にステップＳ４０について説明する。図８Ｂは、本実施の形態に係る非晶質シリコン層９０、９１の製造方法を示すフローチャートである。
【００９８】
まず、シリコン基板１０ｄの第１主面に、第１エピタキシャル層１２０を形成する第１エピタキシャル層形成工程（Ｓ４１）を行う。例えば、第１エピタキシャル層１２０は、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）、Ｃａｔ−ＣＶＤ（Ｃａｔａｌｙｔｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、及びスパッタリング法などにより形成される。ＰＥＣＶＤは、ＲＦプラズマＣＶＤ法、周波数の高いＶＨＦプラズマＣＶＤ法、及びマイクロ波プラズマＣＶＤ法など、いずれの手法を用いてもよい。本実施の形態では、例えば、ＲＦプラズマＣＶＤ法を用いて第１エピタキシャル層１２０を形成する。具体的には、シラン（ＳｉＨ４）などのケイ素含有ガスを水素で希釈したガスを製膜室に供給し、当該製膜室に配置された平行平板電極にＲＦ周波数電力を印加して当該ガスをプラズマ化する。このプラズマ化されたガスを、１５０℃以上２５０以下に加熱されたシリコン基板１０ｄの第１主面に供給することにより、第１エピタキシャル層１２０が形成される。
【００９９】
第１エピタキシャル層１２０を形成する成膜速度により、第１エピタキシャル層１２０がエピタキシャル成長領域を含む結晶領域１２０ａを有するか否かを制御することができる。第１エピタキシャル層１２０を成膜する成膜速度（ガスを供給する速度）を高くすると、エピタキシャル成長領域が形成されない。また、成膜速度を低くすると、シリコン基板１０ｄの結晶方位の影響を大きく受け結晶領域１２０ａのみが形成され、非晶質領域１２０ｂが形成されない。そこで、結晶領域１２０ａ及び非晶質領域１２０ｂの両方が形成される成膜速度で、第１エピタキシャル層１２０は形成される。例えば、第１エピタキシャル層１２０を形成する成膜速度は、０．１Å／秒以上３Å／秒以下である。また、例えば、その成膜速度で形成された第１エピタキシャル層１２０の密度（膜密度）は、２．２ｇ／ｃｍ３以上２．４ｇ／ｃｍ３以下である。また、例えば、水素濃度は、１×１０２１／ｃｍ３以上５×１０２２／ｃｍ３以下である。
【０１００】
なお、成膜速度の調整は、例えば、供給するガスの流量により調整する。例えば、流量を多くすると成膜速度を大きくすることができる。なお、成膜速度の調整方法は、これに限定されない。例えば、シリコン基板１０ｄの温度、製膜室内の圧力及びＲＦ電力などによって調整してもよい。例えば、シリコン基板１０ｄの温度、製膜室内の圧力及びＲＦ電力を高くすると、成膜速度を大きくすることができる。
【０１０１】
また、第１エピタキシャル層１２０の厚みは、成膜時間により制御される。成膜時間を長くすることで、第１エピタキシャル層１２０の厚みを厚くすることができる。第１エピタキシャル層１２０の成膜時間は、第１エピタキシャル層１２０を成膜する成膜速度と第１エピタキシャル層１２０の狙い厚みとに応じて、適宜決定される。なお、狙い厚みとは、例えば、所望の曲線因子を得るための第１エピタキシャル層１２０の厚みの狙い値である。また、第１エピタキシャル層１２０の厚みは、例えば、１ｎｍ以上２５ｎｍ以下である。なお、第１エピタキシャル層１２０の厚みとは、谷部１０３での第１エピタキシャル層１２０のＺ軸方向の厚みであり、図６Ａに示す厚みＴ１に相当する。
【０１０２】
次に、第１エピタキシャル層１２０の上に第１中間層１２１を形成する第１中間層形成工程（Ｓ４２）、及び、ステップＳ４２の後に、第１中間層１２１の上に第１パッシベーション層１２２を形成する第１パッシベーション層形成工程（Ｓ４３）を行う。本実施の形態では、第１エピタキシャル層１２０、第１中間層１２１及び第１パッシベーション層１２２は、ｉ型非晶質シリコン層１０ｃにおいて形成される。そのため、第１中間層１２１を形成する第１中間層形成工程、及び、第１パッシベーション層１２２を形成する第１パッシベーション層形成工程において、成膜方法や使用される材料は第１エピタキシャル層形成工程と同じである。第１エピタキシャル層形成工程と異なるのは、成膜条件である。
【０１０３】
まず、第１中間層１２１を形成する第１中間層形成工程（Ｓ４２）について説明する。第１中間層１２１を成膜する成膜速度を高くすると、第１中間層１２１には非晶質領域のみが形成される。また、成膜速度を低くすると、第１中間層１２１には第１エピタキシャル層１２０の結晶領域１２０ａの影響を受けエピタキシャル成長領域を含む結晶領域が形成される。そこで、非晶質領域のみが形成される成膜速度で、第１中間層１２１が形成される。例えば、第１中間層１２１を形成する成膜速度は、３Å／秒以上５Å／秒以下である。また、例えば、その成膜速度で形成された第１中間層１２１の密度（膜密度）は、２．０ｇ／ｃｍ３以上２．２ｇ／ｃｍ３以下である。また、水素濃度は、１×１０２１／ｃｍ３以上５×１０２２／ｃｍ３以下である。
【０１０４】
また、第１中間層１２１の厚みは、成膜時間により制御される。成膜時間を長くすることで、第１中間層１２１の厚みを厚くすることができる。なお、第１中間層１２１の厚み（狙い厚み）は、第１中間層１２１の上に形成される第１パッシベーション層１２２が第１エピタキシャル層１２０の結晶領域１２０ａの影響を受けなくなる厚みの中で、極力薄く形成されることが好ましい。これは、第１中間層１２１による曲線因子の低下を低減するためである。第１中間層１２１を成膜する成膜時間は、第１中間層１２１を成膜する成膜速度と第１中間層１２１の狙い厚みとに応じて、適宜決定される。また、第１中間層１２１の厚みは、例えば、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である。なお、第１中間層１２１の厚みとは、谷部１０３での第１中間層１２１のＺ軸方向の厚みであり、図６Ａに示す厚みＴ２に相当する。
【０１０５】
なお、本実施の形態では、第１中間層形成工程は第１アモルファス層形成工程の一例である。
【０１０６】
なお、成膜速度の調整は、ステップＳ４１と同様であるので、説明を省略する。
【０１０７】
次に、第１パッシベーション層１２２を形成する第１パッシベーション層形成工程（Ｓ４３）について説明する。第１パッシベーション層１２２は、成膜速度に関わらず非晶質領域のみが形成される。これは、第１パッシベーション層１２２が、非晶質領域のみで形成される第１中間層１２１の上に形成されるためである。つまり、第１中間層１２１が形成されていることで、第１パッシベーション層１２２は第１エピタキシャル層１２０の結晶領域１２０ａの影響を受けずに成膜される。なお、成膜速度は低い方が膜質のよい膜が形成されるため、第１パッシベーション層１２２の成膜速度は低い方が好ましい。これにより、高いパッシベーション性を有する第１パッシベーション層１２２が形成される。例えば、第１パッシベーション層１２２を形成する成膜速度は、０．１Å／秒以上５Å／秒以下である。また、例えば、その成膜速度で形成された第１パッシベーション層１２２の密度（膜密度）は、２．２ｇ／ｃｍ３以上２．４ｇ／ｃｍ３以下である。また、水素濃度は、１×１０２１／ｃｍ３以上５×１０２２／ｃｍ３以下である。
【０１０８】
また、第１パッシベーション層１２２の厚みは、成膜時間により制御される。成膜時間を長くすることで、第１パッシベーション層１２２の厚みを厚くすることができる。なお、第１パッシベーション層１２２の厚みは、特に限定されない。例えば、第１中間層１２１より厚く形成される。例えば、第１パッシベーション層１２２を成膜する成膜時間は、第１パッシベーション層１２２を成膜する成膜速度と第１パッシベーション層１２２の狙い厚みとに応じて、適宜決定される。なお、狙い厚みとは、例えば、所望の開放電圧を得るための第１パッシベーション層１２２の厚みの狙い値である。また、第１パッシベーション層１２２の厚みは、例えば、１ｎｍ以上２５ｎｍ以下である。なお、第１パッシベーション層１２２の厚みとは、谷部１０３での第１パッシベーション層１２２のＺ軸方向の厚みであり、図６Ａに示す厚みＴ３に相当する。
【０１０９】
また、上記では、第１中間層１２１の厚みは第１パッシベーション層１２２の厚みより薄い例について説明したが、これに限定されない。例えば、第１パッシベーション層１２２の厚みは、所望の開放電圧を得ることができれば、第１中間層１２１の厚みと同じまたは薄くてもよい。つまり、第１中間層１２１の厚みは第１パッシベーション層１２２の厚みより厚くてもよい。
【０１１０】
次に、第１パッシベーション層１２２の上に、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂを形成するｎ型非晶質シリコン層形成工程（Ｓ４４）を行う。例えば、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂは、ＰＥＣＶＤ、Ｃａｔ−ＣＶＤ、及びスパッタリング法などにより形成される。ＰＥＣＶＤは、ＲＦプラズマＣＶＤ法が適用される。具体的には、シラン（ＳｉＨ４）などのケイ素含有ガス及びホスフィン（ＰＨ３）などのｎ型ドーパンド含有ガスを水素で希釈した混合ガスを製膜室に供給し、当該製膜室に配置された平行平板電極にＲＦ高周波電力を印加して当該混合ガスをプラズマ化する。なお、プラズマ化されたガスを１５０℃以上２５０℃以下に加熱されたシリコン基板１０ｄの第１主面に供給することにより、第１パッシベーション層１２２の上に、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂが形成される。
【０１１１】
ｎ型非晶質シリコン層１０ｂは、成膜速度に関わらず非晶質領域のみが形成される。これは、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂが、非晶質領域のみで形成される第１パッシベーション層１２２の上に形成されるためである。なお、成膜速度は低い方が膜質のよい膜が形成されるため、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂの成膜速度は低い方が好ましい。これにより、高いパッシベーション性を有するｎ型非晶質シリコン層１０ｂが形成される。例えば、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂを形成する成膜速度は、０．１Å／秒以上５Å／秒以下である。また、例えば、その成膜速度で形成されたｎ型非晶質シリコン層１０ｂの密度（膜密度）は、２．２ｇ／ｃｍ３以上２．４ｇ／ｃｍ３以下である。また、水素濃度は、１×１０２１／ｃｍ３以上５×１０２２／ｃｍ３以下である。
【０１１２】
また、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂの厚みは、成膜時間により制御される。成膜時間を長くすることで、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂの厚みを厚くすることができる。なお、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂの厚みは、特に限定されない。例えば、第１パッシベーション層１２２と同程度の厚みで形成される。例えば、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂを成膜する成膜時間は、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂを成膜する成膜速度とｎ型非晶質シリコン層１０ｂの狙い厚みとに応じて、適宜決定される。なお、狙い厚みとは、例えば、所望の開放電圧を得るためのｎ型非晶質シリコン層１０ｂの厚みの狙い値である。また、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂの厚みは、例えば、１ｎｍ以上２５ｎｍ以下である。なお、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂの厚みとは、谷部１０３でのｎ型非晶質シリコン層１０ｂのＺ軸方向の厚みであり、図６Ａに示す厚みＴ４に相当する。
【０１１３】
また、本実施の形態では、第１パッシベーション層形成工程及びｎ型非晶質シリコン層形成工程は、第２アモルファス層形成工程の一例である。なお、ｎ型非晶質シリコン層形成工程は、第２アモルファス層形成工程に含まれなくてもよい。
【０１１４】
ここで、図９を用いて、非晶質層形成工程における成膜速度及び成膜時間について説明する。
【０１１５】
図９は、本実施の形態に係る非晶質シリコン層９０を形成する成膜条件を示す図である。具体的には、各工程における成膜条件の相対比較及びそれによる膜性能の相対比較の一例を示す図である。なお、膜性能はカッコ内に記載している。
【０１１６】
図９に示すように、第１中間層形成工程における成膜速度は、第１エピタキシャル層形成工程における成膜速度より高い。例えば、第１中間層形成工程における成膜速度は、第１エピタキシャル層形成工程における成膜速度の３倍などである。これにより、第１中間層１２１は、第１エピタキシャル層１２０の影響を受けずに非晶質領域のみで形成される。
【０１１７】
また、第１パッシベーション層形成工程及びｎ型非晶質シリコン層形成工程における成膜速度は、第１中間層形成工程における成膜速度より低い。これにより、第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂは、第１中間層１２１に比べ密度が高く膜質の良い膜が形成される。つまり、第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂは、高いパッシベーション性及び高い導電性を有する。よって、第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂにより、第１非晶質シリコン層９０における曲線因子の低下を抑制し、かつ開放電圧を高い状態に維持することができる。
【０１１８】
また、上記より、第１エピタキシャル層形成工程における成膜速度は、例えば、第１パッシベーション層形成工程における成膜速度より高く、第１中間層形成工程における成膜速度より低い。つまり、第１エピタキシャル層１２０の密度は、第１中間層１２１の密度より高く、かつ第１パッシベーション層１２２の密度より低い。これにより、第１エピタキシャル層１２０はエピタキシャル成長領域を含む結晶領域１２０ａ及び非晶質領域１２０ｂの両方が形成される。つまり、結晶領域１２０ａによる開放電圧の低下を非晶質領域１２０ｂにより抑制することができる。
【０１１９】
なお、図９では、第１エピタキシャル層１２０の密度は、第１中間層１２１の密度より高く、第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂの密度より低い例について示しているが、これに限定されない。第１エピタキシャル層１２０の密度は、第１中間層１２１の密度より高ければ、特に限定されない。例えば、第１エピタキシャル層１２０の密度は、第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂの少なくとも一方の密度より高くてもよい。第１エピタキシャル層１２０の密度が第１中間層１２１の密度より高い、つまり第１エピタキシャル層形成工程における成膜速度が第１中間層形成工程における成膜速度より低いことで、第１エピタキシャル層１２０には結晶領域１２０ａが形成されやすくなる。よって、第１エピタキシャル層１２０に形成された結晶領域１２０ａにより、第１非晶質シリコン層９０の曲線因子を高い状態に維持させることができる。なお、第１エピタキシャル層形成工程における成膜速度は、第１パッシベーション層形成工程における成膜速度より低くてもよい。また、第１エピタキシャル層形成工程における成膜速度は、ｎ型非晶質シリコン形成工程における成膜速度より低くてもよい。
【０１２０】
また、第１中間層形成工程における成膜時間は、第１パッシベーション層形成工程における成膜時間より短い。これにより、第１中間層１２１の厚みは、第１パッシベーション層１２２の厚みより薄く形成される。第１中間層１２１では抵抗損失が大きいので、第１中間層１２１が薄く形成されることで、第１中間層１２１を成膜することによる曲線因子の低下を抑制することができる。
【０１２１】
なお、図９では、第１エピタキシャル層形成工程における成膜時間は、第１中間層形成工程における成膜時間より長く、第１パッシベーション層形成工程及びｎ型非晶質シリコン層形成工程における成膜時間より短い例について示しているが、これに限定されない。第１エピタキシャル層形成工程における成膜時間は、第１中間層形成工程における成膜時間より短くてもよいし、第１パッシベーション層形成工程及びｎ型非晶質シリコン層形成工程における成膜時間より長くてもよい。第１エピタキシャル層形成工程における成膜時間は、第１エピタキシャル層形成工程における成膜速度と第１エピタキシャル層１２０の狙い厚みとに応じて、適宜決定される。
【０１２２】
次に、シリコン基板１０ｄの第２主面に第２非晶質シリコン層９１を形成する工程について説明する。なお、第２主面には、ステップＳ１０において複数の角錐が２次元状に配列されたテクスチャ構造が形成される。また、第２主面に形成される第２エピタキシャル層、第２中間層及び第２パッシベーション層については、図示を省略している。本実施の形態では、第２エピタキシャル層、第２中間層及び第２パッシベーション層は、ｉ型非晶質シリコン層１０ｅにより形成される。
【０１２３】
また、シリコン基板１０ｄの第２主面に形成される第２非晶質シリコン層９１は、シリコン基板１０ｄの第２主面からｐ側電極１０ｇ側（Ｚ軸マイナス方向）に向け積層されるが、ステップＳ４５〜Ｓ４８において、Ｚ軸マイナス方向に積層することを層の上に形成すると表現している。例えば、第２エピタキシャル層の上に第２中間層を形成するとは、第２エピタキシャル層に対しＺ軸マイナス方向に第２中間層を形成する（積層する）意味である。
【０１２４】
まず、シリコン基板１０ｄの第２主面に、エピタキシャル成長領域を含む第２エピタキシャル層を形成する第２エピタキシャル層形成工程（Ｓ４５）を行う。
【０１２５】
第２エピタキシャル層の成膜方法は、第１エピタキシャル層１２０の成膜方法（ステップＳ４１）と同様であり、説明を省略する。なお、例えば、第２エピタキシャル層の密度及び厚みを第１エピタキシャル層１２０の密度及び厚みから変更してもよい。変更する場合は、成膜速度及び成膜時間で調整を行う。また、例えば、第２エピタキシャル層は、第１エピタキシャル層１２０と同じ材料で成膜される。
【０１２６】
次に、第２エピタキシャル層の上に第２中間層を形成する第２中間層形成工程（Ｓ４６）、及びステップＳ４６の後に、第２中間層の上に第２パッシベーション層を形成する第２パッシベーション層形成工程（Ｓ４７）を行う。本実施の形態では、第２エピタキシャル層、第２中間層及び第２パッシベーション層は、ｉ型非晶質シリコン層１０ｅにおいて形成される。そのため、第２中間層を形成する第２中間層形成工程及び第２パッシベーション層を形成する第２パッシベーション層形成工程において、成膜方法や使用される材料は第２エピタキシャル層形成工程と同じである。
【０１２７】
第２中間層の成膜方法は、第１中間層１２１の成膜方法（ステップＳ４２）と同様であり、説明を省略する。第２中間層は、非晶質領域のみから形成される。なお、例えば、第２中間層の密度及び厚みを第１中間層１２１の密度及び厚みから変更してもよい。変更する場合は、成膜速度及び成膜時間で調整を行う。また、例えば、第２中間層は、第１中間層１２１と同じ材料で成膜される。なお、第２中間層は、第３アモルファス層の一例である。
【０１２８】
第２パッシベーション層の成膜方法は、第１パッシベーション層１２２の成膜方法（ステップＳ４３）と同様であり、説明を省略する。第２パッシベーション層は、非晶質領域のみから形成される。なお、例えば、第２パッシベーション層の密度及び厚みを第１パッシベーション層１２２の密度及び厚みから変更してもよい。変更する場合は、成膜速度及び成膜時間で調整を行う。また、例えば、第２パッシベーション層は、第１パッシベーション層１２２と同じ材料で成膜される。
【０１２９】
次に、第２パッシベーション層の上に、ｐ型非晶質シリコン層１０ｆを形成するｐ型非晶質シリコン層形成工程（Ｓ４８）を行う。ｐ型非晶質シリコン層１０ｆは、ＰＥＣＶＤ、Ｃａｔ−ＣＶＤ及びスパッタリング法などにより形成される。ＰＥＣＶＤは、ＲＦプラズマＣＶＤ法が適用される。具体的には、シラン（ＳｉＨ４）などのケイ素含有ガス及びジボラン（Ｂ２Ｈ６）などのｐ型ドーパンド含有ガスを水素で希釈した混合ガスを製膜室に供給し、当該製膜室に配置された平行平板電極にＲＦ高周波電力を印加して当該混合ガスをプラズマ化する。なお、混合ガスにおけるジボラン（Ｂ２Ｈ６）の濃度は、例えば１％である。このプラズマ化されたガスを、１５０℃以上２５０以下に加熱されたシリコン基板１０ｄの第２主面に供給することにより、第２パッシベーション層上にｐ型非晶質シリコン層１０ｆが形成される。
【０１３０】
ｐ型非晶質シリコン層１０ｆは、成膜速度に関わらず非晶質領域のみが形成される。これは、ｐ型非晶質シリコン層１０ｆが、非晶質領域のみで形成される第２パッシベーション層の上に形成されるためである。なお、成膜速度は低い方が膜質のよい膜が形成されるため、ｐ型非晶質シリコン層１０ｆの成膜速度は低い方が好ましい。これにより、高いパッシベーション性を有するｐ型非晶質シリコン層１０ｆが形成される。
【０１３１】
なお、第２パッシベーション層及びｐ型非晶質シリコン層１０ｆは、第４アモルファス層の一例である。
【０１３２】
第２非晶質シリコン層９１は凹凸形状の谷部において、シリコン基板１０ｄ上にエピタキシャル成長した結晶領域を含む第２エピタキシャル層と、第２エピタキシャル層上に形成された非晶質シリコン層である第２中間層と、第２中間層上に形成された非晶質シリコン層である第２パッシベーション層と、第２パッシベーション層上に形成された非晶質シリコン層であるｐ型非晶質シリコン層１０ｆとが、シリコン基板１０ｄの第２主面から略垂直方向（Ｚ軸マイナス側方向）に向けて積層されている。また、第２中間層の密度は、第２パッシベーション層及びｐ型非晶質シリコン層１０ｆの密度より低い。
【０１３３】
以上の工程（Ｓ４１〜Ｓ４８）により、シリコン基板１０ｄの第１主面及び第２主面に、非晶質シリコン層９０及び９１が形成される。
【０１３４】
図８Ａを再び参照して、最後に、非晶質シリコン層９０及び９１の上に、透明電極であるｎ側電極１０ａ及びｐ側電極１０ｇ、並びに、電属電極である表面集電極１１及び裏面集電極１２が形成される（Ｓ５０）。まず、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂの上にｎ側電極１０ａを形成し、ｐ型非晶質シリコン層１０ｆの上に、ｐ側電極１０ｇを形成する。具体的には、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂ及びｐ型非晶質シリコン層１０ｆの上に、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの透明導電性酸化物を、蒸着法及びスパッタリング法などにより成膜する。続いて、ｎ側電極１０ａの上にフィンガー電極７０を含む表面集電極１１（金属電極）を形成し、ｐ側電極１０ｇの上にフィンガー電極７０を含む裏面集電極１２（金属電極）を形成する。表面集電極１１及び裏面集電極１２は、例えば、樹脂材料をバインダとし、銀粒子などの導電性粒子をフィラーとした熱硬化型である樹脂型導電性ペーストを用いて、スクリーン印刷などの印刷法により形成することができる。
【０１３５】
以上の工程（Ｓ１０〜Ｓ５０）により、本実施の形態に係る太陽電池セル１０が形成される。
【０１３６】
なお、ｉ型非晶質シリコン層１０ｃにおいて第１エピタキシャル層１２０、第１中間層１２１及び第１パッシベーション層１２２が形成され、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂにおいてパッシベーション層が形成されている例について説明したが、これに限定されない。例えば、ｉ型非晶質シリコン層１０ｃにおいて第１エピタキシャル層１２０及び第１中間層１２１が形成され、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂにおいてパッシベーション層が形成されてもよい。また、ｉ型非晶質シリコン層１０ｃにおいて第１エピタキシャル層１２０が形成され、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂにおいて第１中間層１２１及びパッシベーション層が形成されてもよい。曲線因子（ＦＦ）及び開放電圧（Ｖｏｃ）を考慮し、第１エピタキシャル層１２０、第１中間層１２１及び第１パッシベーション層１２２（パッシベーション層）が形成される層（ｉ型非晶質シリコン層１０ｃ及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂ）を適宜決定すればよい。なお、上記の場合、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂに形成されるパッシベーション層が第２アモルファス層の一例である。
【０１３７】
また、本実施の形態に係る太陽電池セル１０の場合、第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂにおいて第２アモルファス層が形成されている。これにより、第２アモルファス層の一部は、シリコン基板１０ｄ（ｎ型単結晶シリコン基板）の導電型と同じ導電型である。あるいは、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂにおいてのみパッシベーション層が形成されている場合、第２アモルファスはシリコン基板１０ｄの導電型と同じ導電型である。つまり、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂに第１エピタキシャル層１２０、第１中間層１２１及びパッシベーション層（第２アモルファス層）のいずれの層を形成するかで、シリコン基板１０ｄの導電型と同じ導電型である層が変化する。言い換えると、第１エピタキシャル層１２０、第１中間層１２１（第１アモルファス層）及びパッシベーション層（第２アモルファス層）の少なくとも１つの一部が、シリコン基板１０ｄの導電型と同じ導電型である。
【０１３８】
一方、シリコン基板１０ｄの導電型と異なる導電型である第２非晶質シリコン層９１の場合、界面であるｐｎ接合部でキャリアが効果的に分離される。よって、ｐｎ接合部での抵抗損失を考慮する重要度は低い。従って、シリコン基板１０ｄの導電型と異なる導電型である第２非晶質シリコン層９１は、第２エピタキシャル層が第１エピタキシャル層１２０より薄く形成されていることが好ましい。また、第２非晶質シリコン層９１は、第２エピタキシャル層を有していなくてもよい。つまり、ｉ型非晶質シリコン層１０ｅは、非晶質領域のみで形成されてもよい。
【０１３９】
これにより、シリコン基板１０ｄの導電型と同じ導電型である第１非晶質シリコン層９０により、抵抗損失が低減することで曲線因子を向上させ、かつ開放電圧を向上させる。そして、シリコン基板１０ｄの導電型と異なる導電型である第２非晶質シリコン層９１により、開放電圧を効果的に向上させることが可能となる。
【０１４０】
なお、第２非晶質シリコン層９１の導電型がシリコン基板１０ｄの導電型と異なる場合でも、上記で説明したように第２非晶質シリコン層９１は第２エピタキシャル層、第２中間層、パッシベーション層（第２パッシベーション層及びｐ型非晶質シリコン層１０ｆ）で構成されてもよい。
【０１４１】
［１−４．効果］
本実施の形態に係る太陽電池セル１０は、複数の角錐が２次元状に配列されたテクスチャ構造を第１主面に有するシリコン基板１０ｄと、シリコン基板１０ｄの第１主面上に形成され、テクスチャ構造を反映した凹凸形状を有する第１非晶質シリコン層９０とを備える。第１非晶質シリコン層９０は、凹凸形状の谷部１０３において、シリコン基板１０ｄ上にエピタキシャル成長した結晶領域１２０ａを含む第１エピタキシャル層１２０と、第１エピタキシャル層１２０上に形成された非晶質シリコン層である第１アモルファス層（第１中間層１２１）と、第１アモルファス層上に形成された非晶質シリコン層である第２アモルファス層（第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂ）とを、この順に有する。そして、第１アモルファス層の密度は、第２アモルファス層の密度より低い。
【０１４２】
本発明の太陽電池セル１０は、第１主面における凹凸形状の谷部１０３において、エピタキシャル成長した結晶領域１２０ａを含む第１エピタキシャル層１２０と、非晶質シリコン層である第１アモルファス層（第１中間層１２１）及び第２アモルファス層（第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂ）とが、この順に形成される。
【０１４３】
第１エピタキシャル層１２０が形成されることで、第１非晶質シリコン層９０における抵抗損失が低減され、太陽電池セル１０の曲線因子（ＦＦ）を向上させることができる。
【０１４４】
第１中間層１２１は、第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂより密度が低くなるように形成されることで、第１エピタキシャル層１２０の結晶領域１２０ａの影響を受けずに形成される。つまり、第１中間層１２１は、非晶質領域のみを有する。
【０１４５】
第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂは、非晶質領域のみを有する第１中間層１２１の上に形成されることで、第１エピタキシャル層１２０の結晶領域１２０ａの影響を受けずに形成される。つまり、第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂは、非晶質領域のみを有する。これにより、第１非晶質シリコン層９０における開放電圧（Ｖｏｃ）を向上させることができる。さらに、第１中間層１２１の密度は、第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂの密度より低い。つまり、第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂの密度は高いので、第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂは高いパッシベーション性及び高い導電性を有する。これにより、第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂによる曲線因子の低下を抑制し、かつさらに第１非晶質シリコン層９０における開放電圧を向上させることができる。
【０１４６】
よって、本実施の形態に係る太陽電池セル１０によれば、太陽電池セルに形成されるテクスチャ構造を微細化した場合においても、曲線因子及び開放電圧を高く維持できる。
【０１４７】
また、第１中間層１２１の厚みは、第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂの厚みより薄い。
【０１４８】
第１中間層１２１は、第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂに比べ導電性が低く、抵抗損失が大きい。第１中間層１２１の厚みを第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂの厚みより薄くすることで、第１中間層１２１による抵抗損失を抑制することができる。つまり、第１中間層１２１による曲線因子の低下を抑制することができる。
【０１４９】
また、第１中間層１２１の厚みは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である。
【０１５０】
第１中間層１２１の厚みが１ｎｍ以上あれば、第１中間層１２１の上に形成される第１パッシベーション層１２２は第１エピタキシャル層１２０の結晶領域１２０ａの影響を受けずに形成される。また、第１中間層１２１の厚みを３ｎｍ以下とすることで、第１中間層１２１による抵抗損失を抑制することができる。よって、第１中間層１２１の厚みは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下とすることで、第１中間層１２１による曲線因子の低下を抑制し、かつ非晶質領域のみで形成される第１パッシベーション層１２２を形成することができる。
【０１５１】
また、第１エピタキシャル層１２０は、さらに、非晶質領域１２０ｂを有する。
【０１５２】
第１エピタキシャル層１２０が非晶質領域１２０ｂを有することで、第１エピタキシャル層１２０における開放電圧を向上させることができる。これにより、結晶領域１２０ａによる開放電圧の低下を抑制することができる。
【０１５３】
また、第１エピタキシャル層１２０の密度は、第１中間層１２１の密度より高い。
【０１５４】
これにより、第１エピタキシャル層１２０は、エピタキシャル成長領域を含む結晶領域１２０ａが形成されやすくなる。よって、本実施の形態に係る太陽電池セル１０は、曲線因子を高い状態に維持することができる。
【０１５５】
また、第１エピタキシャル層１２０、第１アモルファス層（第１中間層１２１）及び第２アモルファス層（第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂ）の少なくとも１つの一部は、シリコン基板１０ｄの導電型と同じ導電型である。
【０１５６】
これにより、シリコン基板１０ｄの導電型と同じ導電型である第１非晶質シリコン層９０において、より抵抗損失が低減され、曲線因子を向上させることができる。
【０１５７】
また、シリコン基板１０ｄは、さらに、複数の角錐が２次元状に配列されたテクスチャ構造を、第１主面と背向する第２主面に有する。そして、太陽電池セル１０は、さらに、シリコン基板１０ｄの第２主面上に形成され、テクスチャ構造を反映した凹凸形状を有する第２非晶質シリコン層９１を備える。第２非晶質シリコン層９１は凹凸形状の谷部において、シリコン基板１０ｄ上にエピタキシャル成長した結晶領域１２０ａを含む第２エピタキシャル層と、第２エピタキシャル層上に形成された非晶質シリコン層である第３アモルファス層（第２中間層）と、第３アモルファス層上に形成された非晶質シリコン層である第４アモルファス層（第２パッシベーション層及びｐ型非晶質シリコン層１０ｆ）とを、この順に有する。そして、第３アモルファス層の密度は、第４アモルファス層の密度より低い。
【０１５８】
これにより、第１非晶質シリコン層９０及び第２非晶質シリコン層９１において、開放電圧の低下を抑制しながら、曲線因子を向上させることが可能となる。
【０１５９】
また、本実施の形態に係る太陽電池モジュール１は、上記に記載の太陽電池セルを複数備える。
【０１６０】
これにより、太陽電池モジュール１は、太陽電池セルに形成されるテクスチャ構造を微細化する場合においても、曲線因子及び開放電圧を高く維持できる太陽電池セル１０を備えることができるので、太陽電池モジュール１の発電効率を向上させることができる。
【０１６１】
また、本実施の形態に係る太陽電池セルの製造方法は、テクスチャ構造を有するシリコン基板１０ｄの第１主面上に、シリコンを含む原材料ガスを用いた気相成長法によりテクスチャ構造を反映した凹凸形状を有する第１非晶質シリコン層９０を形成する非晶質層形成工程（Ｓ４０）を含む。そして、非晶質層形成工程は、第１エピタキシャル層形成工程（Ｓ４１）と、第１中間層形成工程（Ｓ４２）と、第１パッシベーション層形成工程（Ｓ４３）と、ｎ型非晶質シリコン層形成工程（Ｓ４４）とを含む。エピタキシャル層形成工程（Ｓ４１）では、シリコン基板１０ｄ上に形成されエピタキシャル成長した結晶領域１２０ａを含む第１エピタキシャル層１２０を形成する。第１中間層形成工程（Ｓ４２）では、第１エピタキシャル層１２０上に形成された非晶質シリコン層である第１中間層１２１を形成する。第１パッシベーション層形成工程（Ｓ４３）では、第１中間層１２１上に形成された非晶質シリコン層である第１パッシベーション層１２２を形成する。ｎ型非晶質シリコン層形成工程（Ｓ４４）では、第１パッシベーション層１２２の上に形成された非晶質シリコン層であるｎ型非晶質シリコン層１０ｂを形成する。そして、第１中間層形成工程における成膜速度は、第１パッシベーション層形成工程及びｎ型非晶質シリコン層形成工程における成膜速度より高い。
【０１６２】
本発明の太陽電池セルの製造方法では、第１主面における凹凸形状の谷部１０３において、エピタキシャル成長した結晶領域１２０ａを含む第１エピタキシャル層１２０と、非晶質シリコン層である第１中間層１２１、第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂとが、この順に形成される。
【０１６３】
第１エピタキシャル層１２０が形成されることで、第１非晶質シリコン層９０における抵抗損失が低減され、太陽電池セルの曲線因子（ＦＦ）を向上させることができる。
【０１６４】
第１中間層形成工程における成膜速度が第１パッシベーション層形成工程及びｎ型非晶質シリコン層形成工程における成膜速度より高いことで、第１中間層１２１は第１エピタキシャル層１２０の結晶領域１２０ａの影響を受けずに形成される。つまり、第１中間層１２１は、非晶質領域のみを有する。
【０１６５】
第１パッシベーション層１２２は、非晶質領域のみを有する第１中間層１２１の上に形成されることで、第１エピタキシャル層１２０の結晶領域１２０ａの影響を受けずに形成される。つまり、第１パッシベーション層１２２は、非晶質領域のみを有する。
【０１６６】
ｎ型非晶質シリコン層１０ｂは、非晶質領域のみを有する第１パッシベーション層１２２の上に形成されることで、非晶質領域のみを有する。
【０１６７】
これらにより、第１非晶質シリコン層９０における開放電圧（Ｖｏｃ）を向上させることができる。
【０１６８】
また、第１中間層形成工程における成膜速度が、第１パッシベーション層形成工程及びｎ型非晶質シリコン層形成工程における成膜速度より高いことで、第１中間層１２１は、第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂより密度が低く形成される。つまり、第１パッシベーション層１２２は、高いパッシベーション性及び高い導電性を有する。これにより、第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂによる曲線因子の低下を抑制し、かつさらに第１非晶質シリコン層９０における開放電圧を向上させることができる。
【０１６９】
よって、本実施の形態に係る太陽電池セルの製造方法によれば、太陽電池セルに形成されるテクスチャ構造を微細化した場合においても、曲線因子及び開放電圧を高く維持できる。
【０１７０】
また、第１中間層形成工程（Ｓ４２）における成膜時間は、第１パッシベーション層形成工程（Ｓ４３）及びｎ型非晶質シリコン層形成工程（Ｓ４４）における成膜時間より短い。
【０１７１】
これにより、第１中間層１２１は、第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂより薄く形成される。よって、第１中間層１２１による抵抗損失を抑制することができる。つまり、第１中間層１２１による曲線因子の低下を抑制することができる。
【０１７２】
また、第１エピタキシャル層形成工程（Ｓ４１）における成膜速度は、第１パッシベーション層形成工程（Ｓ４３）及びｎ型非晶質シリコン層形成工程（Ｓ４４）における成膜速度より高く、かつ第１中間層形成工程（Ｓ４２）における成膜速度より低い。
【０１７３】
これにより、エピタキシャル層形成工程において、第１エピタキシャル層１２０はエピタキシャル成長領域を含む結晶領域１２０ａ及び非晶質領域１２０ｂの両方が形成される。つまり、結晶領域１２０ａによる開放電圧の低下を非晶質領域１２０ｂにより抑制することができる。よって、本実施の形態に係る太陽電池セルの製造方法によれば、開放電圧に低下を抑制し、かつ曲線因子を高い状態に維持することができる。
【０１７４】
（実施の形態２）
以下、図１０を用いて、実施の形態２を説明する。
【０１７５】
［２−１．非晶質シリコン層の構造］
図１０は、本実施の形態に係る太陽電池セル２１０の拡大断面図である。実施の形態１では、谷部１０３において第１エピタキシャル層１２０、第１中間層１２１、第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂが形成されている例について説明した。本実施の形態に係る太陽電池セル２１０では、シリコン基板１０ｄに形成されたテクスチャ構造を反映した凹凸形状を有する第１非晶質シリコン層９０の全域において、シリコン基板１０ｄの第１主面から略垂直方向に向けて、第１エピタキシャル層１２０、第１中間層１２１、第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂがこの順に形成されている。なお、第１非晶質シリコン層９０の全域には、谷部１０３も含まれる。つまり、凹凸形状を有する第１非晶質シリコン層９０の頂部１０５、谷部１０３、頂部１０５及び谷部１０３を結ぶ傾斜部１０４のすべてにおいて、第１エピタキシャル層１２０、第１中間層１２１、第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂがこの順で形成されている。
【０１７６】
本実施の形態では、ｉ型非晶質シリコン層１０ｃにおいて第１エピタキシャル層１２０、第１中間層１２１及び第１パッシベーション層１２２を形成する。また、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂにおいてパッシベーション層を形成する。なお、第１中間層１２１は第１アモルファス層の一例であり、第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂは第２アモルファス層の一例である。
【０１７７】
実施の形態１に係る太陽電池セル１０は、谷部１０３において曲線因子（ＦＦ）を調整していたが、本実施の形態に係る太陽電池セル２１０では、第１非晶質シリコン層９０の全域において曲線因子を調整することができる。つまり、実施の形態１に係る太陽電池セル１０より、抵抗損失を低減することができる。よって、本実施の形態に係る太陽電池セル２１０は、より曲線因子を高く調整することが可能である。
【０１７８】
また、図１０では、第１エピタキシャル層１２０、第１中間層１２１、第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂはテクスチャ構造全域でほぼ一定の厚みで形成されている例について説明しているが、これに限定されない。例えば、谷部１０３において第１エピタキシャル層１２０の厚みを厚くしてもよい。
【０１７９】
また、図１０ではシリコン基板１０ｄの第１主面の全域に形成された各層について説明したが、シリコン基板１０ｄの第２主面の全域においても第２エピタキシャル層、第２中間層、第２パッシベーション層及びｐ型非晶質シリコン層１０ｆが形成されていてもよい。なお、第２エピタキシャル層は形成されなくてもよい。
【０１８０】
［２−２．効果］
本実施の形態に係る太陽電池セル２１０における第１非晶質シリコン層９０は、谷部１０３を含む凹凸形状の全域において、第１エピタキシャル層１２０、第１アモルファス層（第１中間層１２１）、第２アモルファス層（第１パッシベーション層１２２及びｎ型非晶質シリコン層１０ｂ）をこの順に有する。
【０１８１】
これにより、第１主面の全域において曲線因子を調整できるので、曲線因子を高く調整することが可能となる。
【０１８２】
（その他の変形例など）
以上、本発明に係る太陽電池セル等について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されない。
【０１８３】
例えば、第１非晶質シリコン層９０は、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂ及びｉ型非晶質シリコン層１０ｃで構成される例について説明したが、これに限定されない。例えば、第１非晶質シリコン層９０は、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂのみで構成されてもよい。この場合、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂにおいて、第１エピタキシャル層１２０、第１中間層１２１及び第１パッシベーション層１２２が形成される。具体的には、成膜に使用する材料は同じで、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂを成膜する成膜速度を変更することにより、第１エピタキシャル層１２０、第１中間層１２１及び第１パッシベーション層１２２が形成される。
【０１８４】
また、第１主面及び第２主面に形成される非晶質シリコン層９０及び９１の層構造は同じである例について説明したが、これに限定されない。第１主面及び第２主面に形成される非晶質シリコン層９０及び９１の層構造は異なっていてもよい。例えば、第１主面では、ｉ型非晶質シリコン層１０ｃにおいて第１エピタキシャル層１２０、第１中間層１２１及び第１パッシベーション層１２２が形成され、ｎ型非晶質シリコン層１０ｂにおいてパッシベーション層が形成される。一方、第２主面では、ｉ型非晶質シリコン層１０ｅにおいて第２エピタキシャル層及び第２中間層が形成され、ｐ型非晶質シリコン層１０ｆにおいてパッシベーション層が形成されてもよい。また、その他の層構造でもよい。
【０１８５】
また、上記実施の形態に係る太陽電池モジュール１では、複数の太陽電池セルが面上に行列状に配置された構成を示したが、これに限定されない。例えば、太陽電池セルは円環状配置や１次元の直線状又は曲線状に配置された構成であってもよい。
【０１８６】
なお、上記ではテクスチャ構造が微細化した場合について説明したが、これに限定されない。上記で示した太陽電池セルは、テクスチャ構造を有する太陽電池セルであればテクスチャ構造のサイズに関わらず、使用することができる。
【０１８７】
その他、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
【符号の説明】
【０１８８】
１    太陽電池モジュール
１０、２１０    太陽電池セル
１０ｂ    ｎ型非晶質シリコン層（第２アモルファス層）
１０ｄ    ｎ型単結晶シリコン基板（シリコン基板）
８０    バスバー電極
９０    非晶質シリコン層（第１非晶質シリコン層）
９１    非晶質シリコン層（第２非晶質シリコン層）
１０３    谷部
１２０    第１エピタキシャル層
１２０ａ    エピタキシャル成長領域（結晶領域）
１２０ｂ    非晶質領域
１２１    第１中間層（第１アモルファス層）
１２２    第１パッシベーション層（第２アモルファス層）
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４    厚み
【図１】
0006745491.tif 000002
【図２】
0006745491.tif 000003
【図３】
0006745491.tif 000004
【図４】
0006745491.tif 000005
【図５Ａ】
0006745491.tif 000006
【図５Ｂ】
0006745491.tif 000007
【図６Ａ】
0006745491.tif 000008
【図６Ｂ】
0006745491.tif 000009
【図７】
0006745491.tif 000010
【図８Ａ】
0006745491.tif 000011
【図８Ｂ】
0006745491.tif 000012
【図９】
0006745491.tif 000013
【図１０】
0006745491.tif 000014