(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワーユニット（２）と、前記パワーユニット（２）を駆動するための駆動ユニット（３）とを有するパワーモジュール（１）であって、
前記パワーユニット（２）が、ヒートシンク（４）と、前記ヒートシンク（４）上に配置された少なくとも１つのパワーデバイス（７）と、前記ヒートシンク（４）および前記少なくとも１つのパワーデバイス（７）を覆う絶縁層（１２）とを有し、前記パワーユニット（２）の下面（１７）が前記ヒートシンク（４）の下面によって形成され、前記パワーユニット（２）の上面（１４）が、前記少なくとも１つのパワーデバイス（７）に熱的および電気的の少なくとも一方で結合された少なくとも１つの接触面（１６）と、前記少なくとも１つの接触面（１６）を取り囲む前記絶縁層（１２）の上面（１５）とによって形成されており、
前記駆動ユニット（３）が、前記パワーユニット（２）の少なくとも１つの接触面（１６）に対応する少なくとも１つの接触要素（１８）を有し、前記少なくとも１つの接触要素（１８）が、前記パワーユニット（２）の上面（１４）へ位置された前記駆動ユニット（３）によって、前記少なくとも１つのパワーデバイス（７）の電気的な接触および熱的接触の少なくとも一方のために前記パワーユニット（２）の少なくとも１つの接触面（１６）に密着するように配置され、
前記少なくとも１つのパワーデバイス（７）が、前記ヒートシンク（４）の上面（８）に配置されていて、かつ前記絶縁層（１２）の上面（１５）および前記少なくとも１つの接触面（１６）の少なくとも一方へのばね締め又はねじ締め（１９）による加圧によって前記ヒートシンク（４）の上面（８）に加圧接続されており、
前記駆動ユニット（３）の少なくとも１つの接触要素（１８）が冷却要素および電気的な圧力接触要素の少なくとも一方として形成されており、前記少なくとも１つの接触要素（１８）が前記少なくとも１つの接触面（１６）上に配置されるとともに、前記加圧接続のための圧力が前記冷却要素および前記圧力接触要素の少なくとも一方によって前記少なくとも１つのパワーデバイス（７）の接触のために形成されており、
前記駆動ユニット（３）が、配線基板（２０）と、前記パワーユニット（２）の前記少なくとも１つのパワーデバイス（７）を駆動するための少なくとも１つの構成要素（２１，２３）とを含んでおり、
前記配線基板（２０）が少なくとも２つの層を有し、前記少なくとも１つの構成要素（
２１，２３）が、前記少なくとも２つの層の間に配置されており、
前記少なくとも２つの層のうちの第１の層が前記パワーユニット（２）の上面（１４）に直接被着されて前記パワーユニット（２）の上面（１４）に結合されており、前記少なくとも１つの構成要素（２１，２３）が前記第１の層の上に配置されており、前記少なくとも２つの層のうちの第２の層が前記第１の層の上に直接被着されており、前記第２の層が前記少なくとも１つの構成要素（２１，２３）を覆っている、
パワーモジュール（１）。
【請求項２】
前記少なくとも１つの接触面（１６）と前記絶縁層（１２）の上面（１５）とが、同一平面上に配置されており、前記絶縁層（１２）の上面（１５）と前記少なくとも１つの接触面（１６）とによって、前記パワーユニット（２）の平らな上面（１４）が形成されている、請求項１記載のパワーモジュール（１）。
【請求項３】
前記ヒートシンク（４）の上面（８）に少なくとも１つの電気導体路（１０）が形成されていて、前記少なくとも１つの導体路（１０）が電気接続要素（１３）を介して前記少なくとも１つのパワーデバイス（７）に電気的に接続されており、前記電気接続要素（１３）が前記絶縁層（１２）によって覆われている請求項１又は２記載のパワーモジュール（１）。
【請求項４】
前記少なくとも１つのパワーデバイス（７）が、前記パワーユニット（２）の内部において、前記ヒートシンク（４）の上面（８）にいわゆるフリップチップ技術により実装され、前記ヒートシンク（４）の上面（８）に電気接触用の導体路（１０）が形成されており、前記少なくとも１つのパワーデバイス（７）の電気的な接続部および熱的な接続部の少なくとも一方が前記導体路（１０）上に配置されている、請求項１から３のいずれか１項に記載のパワーモジュール（１）。
【請求項５】
前記少なくとも１つのパワーデバイス（７）と前記ヒートシンク（４）の上面（８）との間に、１つの接合層（９、１１）が配置され、前記１つの接合層（９、１１）を介して前記少なくとも１つのパワーデバイス（７）と前記ヒートシンク（４）の上面（８）とが結合されている、請求項２から４のいずれか１項に記載のパワーモジュール（１）。
【請求項６】
前記ヒートシンク（４）が電気絶縁性熱伝導材料（６）で被覆された冷却板（５）として構成されており、前記電気絶縁性熱伝導材料（６）の上面が前記ヒートシンク（４）の上面（８）を形成している、請求項１から５のいずれか１項に記載のパワーモジュール（１）。
【請求項７】
前記配線基板（２０）が、前記パワーモジュール（１）の物理的特性を検出するための少なくとも１つのセンサ要素（２２）を有する、請求項１から６のいずれか１項に記載のパワーモジュール（１）。
【請求項８】
前記少なくとも１つのセンサ要素（２２）が、前記少なくとも２つの層の間に配置されている、請求項７記載のパワーモジュール（１）。
【請求項９】
前記少なくとも１つのセンサ要素（２２）が前記第１の層の上に配置されており、
前記第２の層が前記少なくとも１つのセンサ要素（２２）を覆っている、請求項８記載のパワーモジュール（１）。
【請求項１０】
前記駆動ユニット（３）が前記駆動ユニット（３）の下面に前記少なくとも１つの接触要素（１８）を有し、前記パワーユニット（２）の上面（１４）へ配置された前記駆動ユ
ニット（３）によって、前記少なくとも１つの接触要素（１８）が、前記少なくとも１つのパワーデバイス（７）の電気的接触および熱的接触の少なくとも一方のために前記パワーユニット（２）の少なくとも１つの接触面（１６）に密着するように形成されている、請求項１から９のいずれか１項に記載のパワーモジュール（１）。
【請求項１１】
前記駆動ユニット（３）が前記接触面（１６）に対応する少なくとも１つの貫通孔部を有し、前記パワーユニット（２）の上面（１４）に前記駆動ユニット（３）が配置されるとともに、前記貫通孔部が前記少なくとも１つの接触面（１６）に対して面一になるように配置されており、
前記少なくとも１つのパワーデバイス（７）と接触する前記少なくとも１つの接触要素（１８）が、前記貫通孔部内に配置されている、請求項１から１０のいずれか１項に記載のパワーモジュール（１）。
【請求項１２】
パワーユニット（２）と、前記パワーユニット（２）を駆動するための駆動ユニット（３）とを有するパワーモジュール（１）の製造方法であって、
前記パワーユニット（２）のヒートシンク（４）上に少なくとも１つのパワーデバイス（７）が配置され、
前記ヒートシンク（４）および前記少なくとも１つのパワーデバイス（７）が絶縁層（１２）で覆われ、
前記パワーユニット（２）の下面（１７）が前記ヒートシンク（４）の下面によって形成され、
前記パワーユニット（２）の上面（１４）が、前記少なくとも１つのパワーデバイス（７）に熱的および電気的の少なくとも一方で結合された少なくとも１つの接触面（１６）と、前記少なくとも１つの接触面（１６）を取り囲む前記絶縁層（１２）の上面（１５）とによって形成され、
前記駆動ユニット（３）では、前記パワーユニット（２）の少なくとも１つの接触面（１６）に対応する少なくとも１つの接触要素（１８）が、前記パワーユニット（２）の上面（１４）へ配置された前記駆動ユニット（３）によって、前記少なくとも１つのパワーデバイス（７）の電気的接触および熱的接触の少なくとも一方のために前記パワーユニット（２）の少なくとも１つの接触面（１６）に密着するように配置され、
前記少なくとも１つのパワーデバイス（７）が、前記ヒートシンク（４）の上面（８）に直接配置されていて、かつ前記絶縁層（１２）の上面（１５）および前記少なくとも１つの接触面（１６）の少なくとも一方へのばね締め又はねじ締め（１９）による加圧によって前記ヒートシンク（４）の上面（８）に加圧接続されており、
前記駆動ユニット（３）の少なくとも１つの接触要素（１８）が冷却要素および電気的な圧力接触要素の少なくとも一方として形成されており、前記少なくとも１つの接触要素（１８）が前記少なくとも１つの接触面（１６）上に配置されるとともに、前記加圧接続のための圧力が前記冷却要素および前記圧力接触要素の少なくとも一方によって前記少なくとも１つのパワーデバイス（７）の接触のために形成されており、
前記駆動ユニット（３）が、配線基板（２０）と、前記パワーユニット（２）の前記少なくとも１つのパワーデバイス（７）を駆動するための少なくとも１つの構成要素（２１，２３）とを含んでおり、
前記配線基板（２０）が少なくとも２つの層を有し、前記少なくとも１つの構成要素（２１，２３）が、前記少なくとも２つの層の間に配置されており、
前記少なくとも２つの層のうちの第１の層が前記パワーユニット（２）の上面（１４）に直接被着されて前記パワーユニット（２）の上面（１４）に結合されており、前記少なくとも１つの構成要素（２１，２３）が前記第１の層の上に配置されており、前記少なくとも２つの層のうちの第２の層が前記第１の層の上に直接被着されており、前記第２の層が前記少なくとも１つの構成要素（２１，２３）を覆っている、
パワーモジュール（１）の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワーユニットとそのパワーユニットを駆動するための駆動ユニットに関する。さらに、本発明は、パワーモジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パワーモジュールもしくはパワー半導体モジュールは、既に従来技術から公知であり、電力変換器、例えばインバータ又は整流器として具現されている。このようなパワーモジュールは、チップを有し、従ってパワー半導体デバイスもしくはパワーデバイス、例えばＩＧＢＴ又はダイオードを有し、これらのチップは、通常セラミック基板上に配置され、これに、例えばろう接により結合されている。パワーデバイスを装着された基板は、通常ハウジング内に配置される。パワーデバイスの接触のために、通常ボンディング接続が使用され、このボンディング接続はチップの接触部から基板上の端子部へ案内されている。ボンディングワイヤにより電気的に相互に配線もしくは接続されている電気的構成要素からなるこのような構造の場合、一方でボンディング接続が特に衝撃又は熱機械的応力で簡単に断線することがあり、他方でこのようなパワーモジュールが非常に高いインダクタンスを有するという欠点がもたらされる。
【０００３】
パワーモジュールを具現する際におけるさらに別の大きな課題は、特に電気的構成要素が絶えず小形化されるという理由から、パワーデバイスが動作中に発生する熱の不可欠な放出である。そのために、従来技術においては、一般に高コストの熱管理を行うか、熱放出の限られた可能性に基づいてパワーモジュールの出力性能を制限するかのいずれかである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の課題は、排熱を格別に良好かつ効率的に放出することができる格別に信頼性の高いコンパクトなパワーモジュールを実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この課題は、独立請求項によるパワーモジュールおよび方法によって解決される。本発明の有利な実施形態は、従属請求項、明細書の説明および図面に開示されている。
【０００６】
本発明によるパワーモジュールは、パワーユニットおよび該パワーユニットを駆動するための駆動ユニットを含んでいる。前記パワーユニットが、ヒートシンクと、該ヒートシンク上に配置された少なくとも１つのパワーデバイスと、前記ヒートシンクおよび前記少なくとも１つのパワーデバイスを覆う絶縁層とを有する。前記パワーユニットの下面が、前記ヒートシンクの下面によって形成されており、前記パワーユニットの上面が、前記少なくとも１つのパワーデバイスに熱的および／又は電気的に結合された少なくとも１つの接触面と、該少なくとも１つの接触面を取り囲む前記絶縁層の上面とによって形成されている。前記駆動ユニットが、前記パワーユニットの少なくとも１つの接触面に対応する少なくとも１つの接触要素を有し、該少なくとも１つの接触要素が、前記パワーユニットの上面へ配置された前記駆動ユニットによって、前記少なくとも１つのパワーデバイスの電気的および／又は熱的な接触のために前記パワーユニットの少なくとも１つの接触面に密着するように配置されている。
【０００７】
パワーモジュールは、例えば電力変換器として具現化することができる。例えばパワーＭＯＳＦＥＴ又はＩＧＢＴとして具現化することができる少なくとも１つのパワーデバイは、ヒートシンク上に配置されており、動作中に少なくとも１つのパワーデバイスによって生成される排熱を放出するべく、そのヒートシンクに熱的に結合されている。特に、少なくとも１つのパワーデバイスはヒートシンクの上面に接続されている。
【０００８】
ヒートシンクの上面でパワーデバイスを取り囲んでいる領域とパワーデバイス自体は、絶縁層によって覆われ、特に完全に覆われている。その絶縁層は、例えばいわゆるモールド材のような封止材および／又は絶縁膜を含み得る。少なくとも１つのパワーデバイスの電気的および／又は熱的接触のために、少なくとも１つのパワーデバイスにおける端子部が電気的および／又は熱的伝導要素に結合されているとよい。その場合に、パワーユニットの上面では伝導要素の接触面だけが露出されるように、その電気的および／又は熱的伝導要素が絶縁層を貫通して絶縁層上面に案内されているとよい。その伝導要素は、例えば銅を有するとよい。換言するならば、パワーデバイスが絶縁層内に埋設され、パワーユニットの上面で見えるのは、絶縁層と、機能アイランドとも呼ばれる少なくとも１つの接触面のみである。従って、少なくとも１つのパワーデバイスは絶縁層とヒートシンクとによって完全にカプセル化されている。少なくとも１つの接触面は、特にパワーユニットの上面における規定位置にあり、特に絶縁層内に埋設されたパワーデバイスの真上にある。
【０００９】
少なくとも１つの接触面に対応して、特に少なくとも１の接触面の規定位置に対応して駆動ユニットが少なくとも１つの接触要素を有する。従って、駆動ユニットがパワーユニットの上面に規定どおりに配置されるとすぐに、少なくとも１つの接触要素がパワーユニットの接触面に接触し、それによって少なくとも１つのパワーデバイスへの熱的および／又は電気的接触を作り出す。
【００１０】
従って、本発明によるパワーモジュールの場合には、有利なやり方でパワーユニットと駆動ユニットとが、別個に構成されており、後の工程段階、例えば完全なパワーモジュールの準備段階ではじめて、パワーユニットの上面へ配置された駆動ユニットによって統合される。それによって、例えばパワーユニットは簡単に規格化することができ、これに対して駆動ユニットはその都度における適用例に適合させることができる。従って、パワーモジュールを格別に低コストで製造することができる。
【００１１】
少なくとも１つのパワーデバイスを絶縁層内に埋設し、駆動ユニットをパワーユニットの上面に配置することによって、パワーモジュールを特にハウジングなしで使用することができる。換言するならば、このことは、パワーユニットと駆動ユニットとを別個の具体的なハウジングの中に組み込む必要がないことを意味する。従って、非常に小さいボリュームと非常に僅かな重量を有するパワーモジュールを提供することができる。
【００１２】
格別に好ましいのは、少なくとも１つの接触面と絶縁層の上面とが同一平面上に配置されており、それにより絶縁層の上面と少なくとも１つの接触面とによってパワーユニットの平らな上面が形成されていることである。換言するならば、パワーユニットの上面が、絶縁層の上面と機能アイランドとからなる滑らかな平面として形成されている。その場合に滑らかな面もしくは平らな面とは、測定公差および製造公差の範囲内でそのようなものと称し得る面のことである。パワーユニットの平らな上面によって、パワーユニットを格別にコンパクトに形成することができる。
【００１３】
ヒートシンクの上面に少なくとも１つの電気導体路が形成されており、その少なくとも１つの導体路が電気接続要素を介して少なくとも１つのパワーデバイスに電気的に接続されて、その電気接続要素が前記絶縁層によって覆われていることが好ましい。その電気接続要素は、好ましくはプレーナ型の構造および接続プロセスにより製造されている導電面、例えば銅面である。このようなプレーナ型の構造および接続プロセスは、例えばシーメンス社によって開発されたＳｉＰＬＩＴ（Siemens Planar Interconnect Technology）という名称の技術であってよい。電気接続要素が同様に絶縁層によって覆われていること、もしくはカプセル化されていることによって、電気接続要素は、外部の影響、例えば衝撃又は環境影響から非常に良好に保護されている。従って、少なくとも１つの導体路へのパワーデバイスの信頼性の高い電気接続を保証することができる。さらに、電気接続要素を、例えばシャント抵抗として具現することにより、付加的に電流測定部をパワーモジュールに組み込むことができる。それにより、非常に信頼性の高いパワーモジュールを提供することができ、パワーモジュールの冷却を最適化することができる。
【００１４】
パワーユニット内の少なくとも１つのパワーデバイスは、いわゆるフリップチップ実装法によりヒートシンクの上面に形成されていてもよい。フリップチップ実装法は、少なくとも１つのパワーデバイスをいわゆる接触バンプにより接触させるための構造および接続技術による方法である。チップは、直接に、すなわち他の接続ワイヤもしくは電気接続要素なしに、活性接触面もしくは端子を下方に向けて、すなわちヒートシンクの方に向けて実装される。これは非常に小さい寸法もしくはサイズおよび短い導体長をもたらし、それによってパワーモジュールは非常に小さいモジュールインダクタンスを有する。
【００１５】
好ましい実施形態によれば、少なくとも１つのパワーデバイスとヒートシンクの上面との間には、少なくとも１つのパワーデバイスとヒートシンクの上面とを結合するための接合層のみが配置されている。このような接合層は、例えばろう層又は焼結層であるとよい。その場合に、少なくとも１つのパワーデバイスとヒートシンクの上面との間には、具体的な構成部材、特に配線基板又はセラミック基板は全く配置されていない。従って、少なくとも１つのパワーデバイスの動作中に発生する熱が非常に良好かつ効率的にヒートシンクにおいて放出される。
【００１６】
それに代えて、少なくとも１つのパワーデバイスを直接的にもしくは直にヒートシンクの上面に配置し、絶縁層の上面および／又は少なくとも１つの接触面に向けて圧力を常時加えることによって、その少なくとも１つのパワーデバイスをヒートシンクの上面に加圧接続させることもできる。従って、この実施例によれば、常時の加圧だけで、パワーデバイスがヒートシンクの上面に向けて押圧され、それによってろう層又は焼結層を省略することができる。換言するならば、このことはデバイスの接触がろう接および焼結なしに可能であることを意味する。この加圧接続技術は、特に動作条件下での震動時もしくは振動時に、ヒートシンクの上面からのパワーデバイスもしくはチップのはがれを回避させる。これは大電流用途の場合に有利である。少なくとも１つのパワーデバイスのフリップチップ技術による電気接触の場合には、少なくとも１つのパワーデバイスが直接にヒートシンク上の接触面、例えば導体路に配置されており、そこにおいて絶え間ない圧力のもとで押圧されている。
【００１７】
駆動ユニットの少なくとも１つの接触要素が冷却要素および／又は電気的圧力接触要素として構成されていると有利であることが判明した。冷却要素および／又は電気的圧力接触要素を少なくとも１つのパワーデバイスの接触のために少なくとも１つの接触面上に配置した際に、冷却要素および／又は圧力接触要素によって加圧接続のための圧力が形成される。このような冷却要素は、例えば、場合によっては熱を放出するための熱交換器、いわゆるヒートパイプと接続した冷却ピストンであってよい。従って、少なくとも１つのパワーデバイスを非常に高い信頼性で固定することができると共に、少なくとも１つのパワーデバイスの両面冷却、すなわちヒートシンクおよび冷却ピストンを介する冷却を実現することができる。さらに、冷却要素もしくは冷却構造により格別に良好に機械的圧力が少なくとも１つのパワーデバイスに及ぼされ得るように、絶縁層が弾力性を有するとよい。しかも、これによってパワーモジュールの信頼性を熱機械的な減結合により高めることができる。
【００１８】
圧力接触要素は、例えば駆動ユニットから突出した、又は駆動ユニット内に組み込まれた、予め成形された接触ブロック、例えば銅ブロックであってよい。その接触ブロックは、パワーユニット上へ配置された駆動ユニットによって、接触面に対して常時圧力を及ぼし、従って少なくとも１つのパワーデバイスを格別に良好に固定する。圧力接触要素は、ばね接触要素として具現してもよい。
【００１９】
本発明の発展形態では、ヒートシンクが電気絶縁性熱伝導材料でコーティングされた冷却板として形成されており、電気絶縁性熱伝導材料の上面はヒートシンクの上面を形成している。冷却板は、例えばアルミニウム板であってよく、このアルミニウム板は、例えば電気絶縁性熱伝導材料としての窒化アルミニウム又は窒化ケイ素でコーティングされている。窒化アルミニウムおよび窒化ケイ素は、格別に高い熱伝導率を有し、従ってパワーモジュールの冷却に非常に好適である。電気絶縁性熱伝導材料は、例えば板、薄膜として、又はヒートシンク上への吹き付けによって形成されているとよい。この電気絶縁性熱伝導材料の上に、例えば少なくとも１つの導体路および／又は少なくとも１つのパワーデバイスの接合層、つまり例えばろう材又は焼結ペーストが形成されている。
【００２０】
本発明の実施形態では、駆動ユニットは、１つの配線基板と、パワーユニットの少なくとも１つのパワーデバイスを駆動するための少なくとも１つの構成要素とを含んでいる。その少なくとも１つの構成要素は、例えばドライバチップおよび／又は論理回路および／又は制御装置であってよい。駆動ユニットの少なくとも１つの構成要素は、次のように接触要素に接続されているとよい。即ち、駆動ユニットがパワーユニット上に配置された際に、その少なくとも１つの構成要素が、例えば少なくとも１つのパワーデバイスの駆動のためにパワーユニットのパワーデバイスに電気的に接続されるように、接触要素に接続されているとよい。
【００２１】
他の実施形態では、配線基板が、パワーモジュールの物理的特性を検出するための少なくとも１つのセンサ要素を有する。少なくとも１つのセンサ要素は、例えばパワーモジュールの温度を測定するための温度センサであってよい。少なくとも１つのセンサ要素は、特に、検出された物理的特性、例えば検出された温度を、例えば上位の制御ユニットに伝送するように設計されている。
【００２２】
配線基板が少なくとも２つの層を有し、その少なくとも２つの層の間に少なくとも１つの構成要素および／又は少なくとも１つのセンサ要素が配置されているとよい。換言するならば、配線基板は、例えばいわゆる多層配線基板として構成されており、少なくとも１つの構成要素および／又は少なくとも１つのセンサ要素が、２つの層の間の孔部に配置されて、それにより両層によって完全に取り囲まれている。これは、少なくとも１つの構成要素および／又は少なくとも１つのセンサ要素が配線基板中に埋設されていることを意味する。この配線基板内部および／又は配線基板上には、例えば、パワーユニットの少なくとも１つのパワーデバイス用のドライバ端子および負荷端子が設けられているとよい。それにより、負荷端子を製作するための追加費用を必要とせず、負荷端子の製造工程に付随して発生する信頼性欠如を回避できるという利点がもたらされる。
【００２３】
本発明の有利な実施形態では、少なくとも２つの層のうちの第１の層がパワーユニットの上面に直接被着されてパワーユニットの上面に結合されていて、少なくとも１つの構成要素および／又は少なくとも１つのセンサ要素が第１の層の上に配置されており、少なくとも２つの層のうちの第２の層が第１の層の上に直接被着されて第２の層が少なくとも１つの構成要素および／又は少なくとも１つのセンサ要素を覆っている。換言するならば、駆動ユニットの少なくとも１つの構成要素および／又は少なくとも１つのセンサ要素が２つの層の間に埋設されており、駆動ユニット全体が第１の層とパワーユニットの上面との結合によってパワーユニットに結合されている。個々の層は、例えばいわゆるプリプレグ層として重ねて作製することができる。パワーユニットの上面への層の直接被着と、それに伴う駆動ユニットとパワーユニットとの結合とによって、有利なやり方で格別にコンパクトな高密度に集積された高信頼性のパワーモジュールが実現される。  
【００２４】
駆動ユニット、特に配線基板が、駆動ユニットの下面に少なくとも１つの接触要素を有し、その少なくとも１つの接触要素が、パワーユニットの上面への駆動ユニットの配置によって、少なくとも１つのパワーデバイスの電気的および／又は熱的接触のためにパワーユニットの少なくとも１つの接触面に密着して形成されているとよい。配線基板形式の駆動ユニットは、例えば予め作製された配線基板であるとよく、これは、例えばばね接触又はスナップ接続によりパワーユニットの上面に押圧されている。少なくとも１つの接触要素は、例えば銅ブロックであり、この銅ブロックは、配線基板内に組み込まれているか、駆動ユニットの厚さ全体にわたって配置されているかのいずれか一方又は両方であってよい。代替又は追加として、少なくとも１つの接触要素を少なくとも１つの対応する接触面にろう接し、従って駆動ユニットをパワーユニットに結合してもよい。
【００２５】
駆動ユニットが接触面に対応する貫通孔部を有し、駆動ユニットがパワーユニットの上面に配置された際に貫通孔部が少なくとも１つの接触面に対して面一に配置されており、少なくとも１つの接触要素が、貫通孔部内で少なくとも１つのパワーデバイスに接触するように配置されていてもよい。配線基板形式の駆動ユニットは、特に配線基板の厚みにわたって孔部を有する予め製作された配線基板であってよい。その予め製作された配線基板がパワーユニット上に配置された際に、その少なくとも１つの孔部は、その少なくとも１つの接触面の上に次のように配置されている、すなわちその接触面がその上にある孔部を介してアクセス可能であるように配置されている。しかし、配線基板が層内においてパワーユニットの絶縁層の上面に直接に被着されていてもよく、この場合に、その少なくとも１つの接触面は被着時に配線基板の層によって覆われない。換言するならば、その少なくとも１つの接触面の上方には、つまり少なくとも１つのパワーデバイスの上方には、空間が残ったままである。熱的および／又は電気的な接触を作り出すためには、少なくとも１つの接触要素をその孔部内に配置することによって配線基板を通して、つまり配線基板の孔部を通して貫通接触が行われるとよい。
【００２６】
以上のとおり、パワーユニットと駆動ユニットとからなる組合せによって、ヒートシンクの下面によって形成された下面と、駆動制御ユニットの上面によって形成された上面とを有する、非常にコンパクトな高度集積化されたインテリジェントパワーモジュールが構成される。パワーモジュールは、例えば直方体形の非常にコンパクトなブロックとして構成することができ、このブロックは、例えば駆動ユニットの上面にパワーユニットの接触のための電気的および／又は熱的な接触要素だけを有する。パワーモジュールの残りの上面は電気的に絶縁されており、それによってパワーモジュール全体がハウジングなしで、例えば電力変換器として使用可能である。
【００２７】
さらに、本発明は、パワーユニットと、該パワーユニットを駆動するための駆動ユニットとを有するパワーモジュールの製造方法に関する。この方法では、前記パワーユニットのヒートシンク上に１つのパワーデバイスが配置され、前記ヒートシンクおよび前記少なくとも１つのパワーデバイスが絶縁層で覆われる。前記パワーユニットの下面が前記ヒートシンクの下面によって形成され、前記パワーユニットの上面が、前記少なくとも１つのパワーデバイスに熱的および／又は電気的に結合された少なくとも１つの接触面と、該少なくとも１つの接触面を取り囲む前記絶縁層の上面とによって形成される。前記パワーユニットの少なくとも１つの接触面に対応する前記駆動ユニットの少なくとも１つの接触要素が、前記パワーユニットの上面への前記駆動ユニットの配置によって、前記少なくとも１つのパワーデバイスの電気的および／又は熱的接触のために前記パワーユニットの少なくとも１つの接触面に密着するように配置される。
【００２８】
本発明によるパワーモジュールに関して説明した実施形態およびそれらの利点は本発明による方法に対しても当てはまる。
【００２９】
以下において、好ましい実施例に基づいて添付図面を参照しながら本発明を更に詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１は本発明によるパワーモジュールの実施形態の概略図を示す。
【図２】図２は本発明によるパワーモジュールの実施形態のパワーユニットの概略図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
これらの図において、同じ要素又は機能的に同じ要素には同一の符号が付されている。
【００３２】
以下において説明する実施例は、本発明の好ましい実施形態である。この実施例において、その実施形態の記載されている構成要素は、それぞれ本発明の個々に互いに独立して考慮すべき特徴であり、それらの特徴は、それぞれ互いに独立にも本発明を発展させ、それとともに単独でも又は示されている組合せとは異なる組合せでも本発明の構成要素とみなすことができる。さらに、記載されている実施形態は既に説明した本発明の特徴以外のことによっても補足することができる。
【００３３】
図１は、パワーユニット２とそのパワーユニット２を駆動するための駆動ユニット３とを有するパワーモジュール１を示す。パワーモジュール１は、例えばＡＣ／ＤＣコンバータ又はＤＣ／ＤＣコンバータとして具現することができる。パワーユニット２はヒートシンク４を含み、このヒートシンク４は、冷却板５と、この冷却板５を覆う電気絶縁性熱伝導材料６とを有する。その電気絶縁性熱伝導材料６は、特に冷却板５自体が導電材料、例えばアルミニウムから製造されている場合にのみ設けられなければならない。電気絶縁性熱伝導材料６は、例えば窒化ケイ素、窒化アルミニウム又は熱伝導性電気絶縁有機材料であってよく、そして板又は薄膜として、又は冷却板５への吹き付けによって形成されているとよい。電気絶縁性熱伝導材料６はヒートシンク４の上面８を成している。
【００３４】
ヒートシンク４は、ここではパワーユニット２の複数のパワーデバイス７を冷却するために使用され、これらのパワーデバイス７は、例えばＩＧＢＴとして又はパワートランジスタとして具現されており、ヒートシンク４の上面８に配置されてヒートシンク４に結合されている。パワーデバイス７とヒートシンク４の上面８との結合のために、パターン化された金属箔９，１０がヒートシンク４の上面８に被着されるとよい。金属箔９上には、パワーデバイス７の結合のために、接合材１１、例えばろう材又は焼結ペーストが塗付されているとよい。金属箔９および接合材１１は接合層を形成しており、この接合層はヒートシンク４の上面８とパワーデバイス７との間に直接配置されている。従って、ヒートシンク４の上面８とパワーデバイス７との間には、単に接合層９，１１が設けられているだけである。パワーデバイス７とヒートシンク４の上面８との間には、他の具象的な構成要素、特に配線基板又はセラミック基板は全く配置されてない。
【００３５】
パワーデバイス７は、直接に、従って接合層９，１１の介在なしに、ヒートシンク４の上面８に配置されて、ヒートシンク４の上面８に持続的な圧力のもとに加圧接続により結合されていてもよい。それによって、ろう接もしくは焼結のないパワーユニット２を提供することができる。
【００３６】
金属箔１０は、例えば導体路として具現されており、例えばパワーデバイス７の相互接続のために、これらのパワーデバイス７は、それらの導体路に互いに電気的に接続される。パワーデバイス７は、例えば電気接続要素１３を介して導体路１０に電気的に接続されている。  
【００３７】
パワーデバイス７とヒートシンク４の上面８は絶縁層１２によって覆われている。絶縁層１２は、複数の層に分離することができ、例えばいわゆるモールド材、つまり注型材、および／又は絶縁被膜を含み得る。例えば、絶縁層１２の第１の部分層の形成後に、その部分層の上に金属層を形成することができる。その金属層は電気接続要素１３を成しており、従ってパワーデバイス７を導体路１０に電気的に接続する。パワーデバイス７の両面冷却を可能にするために、パワーデバイス７の上方の電気接続要素１３、つまりパワーデバイス７の上方の金属層が、ここに図示されていない熱伝導性であるが電気的には絶縁性である薄い層で覆われるとよい。
【００３８】
次いで絶縁層１２のさらに別の部分層が形成され、その別の部分層は電気接続要素１３およびパワーデバイス７を完全に覆う。パワーユニット２の上面１４は、絶縁層１２の上面１５と電気接続要素１３の接触面１６とによって形成されている。それに加えて、絶縁層１２および電気接続要素１３の材料を、特に１つの平面に達するまで注入することによって、パワーユニット２の上面１４を１つの平坦な面として形成することができる。パワーユニット２の下面１７はヒートシンク４の下面によって形成される。
【００３９】
パワーユニット２の上面１４を見た平面図が図２に示されている。パワーユニット２の上面１４が、接触面１６と絶縁層１２の上面１５とを有する１つの平らで滑らかな面として形成されていることは明らかである。
【００４０】
パワーユニット２の上面１４には、特にパワーユニット２のための電気的結合を具現する駆動ユニット３が配置される。駆動ユニット３は、パワーデバイス７の電気的および／又は熱的接触のために、接触面１６に対応する接触要素１８を有する。それらの接触要素１８は、例えば銅ブロックおよび／又は圧力接触要素および／又はばね接触部および／又は冷却ピストンとして形成することができる。接触要素１８は、接触面１６に接触して配置されており、そこに例えばろう接されるか、又はばね締め又はねじ締め１９により接触面１６に向けて押圧される。
【００４１】
駆動ユニット３は、例えば多層配線基板２０を有する。配線基板２０は、例えばねじ締め１９又はばね締めを介してパワーユニット２の上面１４に押圧されている別個の構成要素であってよい。しかし、配線基板２０は、パワーユニット２の上面１４に直接被着されていて、それによりパワーユニット２の上面１４に結合されていることも可能である。配線基板の個々の層は、例えばいわゆるプリプレグ層であってよい。
【００４２】
配線基板２０内には構成要素２１，２２，２３を集積もしくは埋設することができる。構成要素２１は、例えばドライバチップであり、このドライバチップは、さらに別の電気接続要素２４を介してパワーユニット２の電気接続要素１３に、従ってパワーデバイス７に電気的に接続することができる。構成要素２２は、例えばセンサ要素であり、例えばパワーモジュール１の温度を測定するための温度センサである。温度センサの形での構成要素２２は、検出した測定値が、すなわちこの場合には温度が無線で上位の制御ユニットに伝送される。構成要素２３は、例えば論理チップであり、この論理チップは、同様に電気接続要素２４を介してパワーユニット２の電気接続要素１３に接続されている。
【００４３】
パワーユニット２の内部においてパワーデバイス７を絶縁層１２に埋設して完全に封止し、さらに駆動ユニット３の接触要素１８を正確にパワーユニット２の上面１４に配置することによって、非常にコンパクトな高度集積化インテリジェントパワーモジュール１が構成される。このパワーモジュール１は、特にハウジングなしに要求どおりにかつ規定どおりに、例えば電力変換器として使用することができる。
【符号の説明】
【００４４】
１          パワーモジュール
２          パワーユニット
３          駆動ユニット
４          ヒートシンク
５          冷却板
６          電気絶縁性熱伝導材料
７          パワーデバイス
８          ヒートシンクの上面
９          金属箔
１０        金属箔
１１        接合材
１２        絶縁層
１３        電気接続要素
１４        パワーユニットの上面
１５        絶縁層の上面
１６        接触面
１７        パワーユニットの上面
１８        接触要素
１９        ねじ締め
２０        配線基板
２１        構成要素
２２        構成要素
２３        構成要素
２４        別の電気接続要素
【図１】
0006757742.tif 000002
【図２】
0006757742.tif 000003