(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物が搭載される第１の主面と該第１の主面の反対側の第２の主面とを有するとともに電気絶縁性を有する絶縁基板と、該絶縁基板の内部に配置されて通電により発熱する発熱部と、前記絶縁基板の前記第２の主面に設けられた端子部と、を備えるとともに、
前記発熱部として、前記絶縁基板の内部に配置された第１発熱部と、該第１発熱部よりも第２の主面側に配置された第２発熱部とを備えた加熱部材において、
前記第２発熱部が配置された前記第１の主面に沿った仮想平面のうち該第２発熱部のない領域には、前記仮想平面の方向に沿って中間導電層が配置されるとともに、該中間導電層を介して前記第１発熱部と前記端子部とが電気的に接続されており、
前記中間導電層は、前記絶縁基板を厚み方向に見た平面視で、前記絶縁基板の径方向に沿った長さよりも前記絶縁基板の周方向に沿った長さが長い形状を有することを特徴とする加熱部材。
【請求項２】
少なくとも前記第１発熱部は、独立して温度調節が可能な複数の発熱体からなるとともに、前記端子部は、前記複数の発熱体にそれぞれ電気的に接続された複数の端子パッドを備えており、
前記第２発熱部のない領域には、前記仮想平面の方向に沿って複数の前記中間導電層を備え、
前記第１発熱部の前記複数の発熱体と前記複数の端子パッドとは、前記複数の中間導電層のいずれかを介してそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の加熱部材。
【請求項３】
前記平面視で、前記中間導電層が、前記周方向に沿って複数配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の加熱部材。
【請求項４】
前記中間導電層には、前記厚み方向の少なくとも一方の側に複数のビアが接続されるとともに、前記平面視で、前記複数のビアは前記周方向に沿って配置されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の加熱部材。
【請求項５】
前記第１発熱部と前記中間導電層との間に、さらに、前記第１発熱部と前記中間導電層とにそれぞれビアを介して電気的に接続された内部配線層を備えたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の加熱部材。
【請求項６】
前記第２発熱部は、前記周方向に延びるラインを複数有するとともに、前記平面視で、一対の前記ラインの間に、前記中間導電層が配置されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の加熱部材。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の加熱部材を備えるとともに、前記絶縁基板に静電電極を備えたことを特徴とする静電チャック。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウェハ等の被加工物を加熱できるセラミックヒータ等の加熱部材と、その加熱部材を備えた静電チャックに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体製造装置では、半導体ウェハ（例えばシリコンウェハ）に対して、ドライエッチング（例えばプラズマエッチング）等の処理が行われている。このドライエッチングの精度を高めるためには、半導体ウェハを確実に固定しておく必要があるので、半導体ウェハを固定する固定手段として、静電引力によって半導体ウェハを固定する静電チャックが用いられている。
【０００３】
具体的には、静電チャックでは、例えば、セラミック基板内に吸着用電極を備えており、この吸着用電極に電圧を印加させた際に生じる静電引力を用いて、半導体ウェハをセラミック基板の上面（吸着面）に吸着させる。なお、静電チャックでは、例えば、セラミック基板の下面（接合面）に金属ベースが接合されている。
【０００４】
また、静電チャックには、吸着面に吸着された半導体ウェハの温度を調節（加熱または冷却）する機能を有するものがある。例えば、セラミック基板内に発熱体を配置し、この発熱体によってセラミック基板を加熱することにより、吸着面上の半導体ウェハを加熱する技術がある。
【０００５】
さらに、静電チャックの加熱を精密に行うために、セラミック基板を複数の加熱ゾーン（加熱領域）に区分したセラミックヒータも開発されている。具体的には、各加熱ゾーンに各加熱ゾーンを独立して加熱することができる発熱体を配置して、セラミック基板の温度調節機能を向上させた多ゾーンヒータ付きセラミックヒータも提案されている（特許文献１参照）。
【０００６】
また、近年では、この多ゾーンヒータ付きセラミックヒータについて、より精度良く温度調節を行う等の目的で、セラミック基板の内部に、多数の発熱体を厚み方向に２層に分けて配置したセラミックヒータが開発されている。
【０００７】
つまり、セラミック基板の吸着面（第１の主面）に近い側（即ち第１平面）に多数の第１発熱体を配置するとともに、吸着面の反対側の面（第２の主面）に近い側（即ち第２平面）に多数の第２発熱体を配置したセラミックヒータが開発されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−１６６３５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述した従来技術のように、多数の発熱体を２層に配置した場合には、各発熱体に外部より電力を供給するために、セラミック基板の第２の主面に多数の端子部を設け、各発熱体と各端子部とを電気的に接続する必要がある。
【００１０】
しかしながら、第１の主面に近い第１発熱体と第２の主面上の端子部とを、ビアや内部配線層のような導電部（即ちセラミック基板の厚み方向に延びる導電部）によって接続する場合には、導電部は第２の主面に近い第２発熱体の間を通って配置する必要があるので、その配置が容易ではないという問題があった。つまり、第２発熱体は多数設けられているので、多くの第２発熱体の間を通って導電部を配置することは容易ではない。
【００１１】
このように、多数の発熱体を２層に配置した場合には、端子部から遠い側の発熱体に給電するための導電部を配置することが容易ではないという問題があった。
本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、絶縁基板に発熱体を複数層に分けて配置した場合でも、発熱体に給電するための導電部を容易に配置することができる加熱部材及び静電チャックを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
（１）本発明の第１局面は、被加工物が搭載される第１の主面と第１の主面の反対側の第２の主面とを有するとともに電気絶縁性を有する絶縁基板と、絶縁基板の内部に配置されて通電により発熱する発熱部と、絶縁基板の第２の主面に設けられた端子部と、を備えるとともに、発熱部として、絶縁基板の内部に配置された第１発熱部と、第１発熱部よりも第２の主面側に配置された第２発熱部とを備えた加熱部材に関するものである。
【００１３】
この加熱部材では、第２発熱部が配置された第１の主面に沿った仮想平面のうち第２発熱部のない領域には、仮想平面の方向に沿って中間導電層が配置されるとともに、中間導電層を介して第１発熱部と端子部とが電気的に接続されている。しかも、中間導電層は、絶縁基板を厚み方向に見た平面視で、絶縁基板の径方向に沿った長さよりも絶縁基板の周方向に沿った長さが長い形状を有する。
【００１４】
このように、本第１局面では、（第１発熱部と端子部とを接続する導電部の一部を構成する）中間導電層は、平面視で、絶縁基板の径方向に沿った長さよりも絶縁基板の周方向に沿った長さが長い形状を有するので、仮想平面において第２発熱部のない領域（即ち隙間領域）の径方向が狭い場合でも、その隙間領域に容易に中間導電層を配置することができる。
【００１５】
（２）本発明の第２局面では、少なくとも第１発熱部は、独立して温度調節が可能な複数の発熱体からなるとともに、端子部は、複数の発熱体にそれぞれ電気的に接続された複数の端子パッドを備えており、第２発熱部のない領域には、仮想平面の方向に沿って複数の中間導電層を備え、第１発熱部の複数の発熱体と複数の端子パッドとは、複数の中間導電層のいずれかを介してそれぞれ電気的に接続されている。
【００１６】
本第２局面では、第１発熱部が複数の発熱体から構成され、各発熱体に対応してそれぞれ中間導電層を設ける必要がある場合でも、径方向が狭い隙間領域に複数の中間導電層を容易に配置することができる。
【００１７】
（３）本発明の第３局面では、平面視で、中間導電層が、周方向に沿って複数配置されている。
本第３局面では、（周方向に長い）中間導電層を周方向に沿って複数配置することにより、隙間空間の径方向における長さが短い場合（即ち間隔が狭い場合）でも、多くの中間導電層を容易に配置することができる。
【００１８】
（４）本発明の第４局面では、中間導電層には、厚み方向の少なくとも一方の側に複数のビアが接続されるとともに、平面視で、複数のビアは周方向に沿って配置されている。
本第４局面では、ビアを周方向（従って中間導電層の長手方向）に沿って配置する構成により、複数のビアを中間導電層に接続するように容易に配置できる。
【００１９】
（５）本発明の第５局面では、第１発熱部と中間導電層との間に、さらに、第１発熱部と中間導電層とにそれぞれビアを介して電気的に接続された内部配線層を備えている。
本第５局面では、内部配線層によって、第１発熱部と中間導電層とを電気的に接続することができる。
【００２０】
（６）本発明の第６局面では、第２発熱部は、周方向に延びるラインを複数有するとともに、平面視で、一対のラインの間に、中間導電層が配置されている。
本第６局面では、第２発熱部が、周方向に延びるラインを複数有している場合でも、一対のラインの間に（周方向に長い）中間導電層を容易に配置できる。
【００２１】
（７）本発明の第７局面は、第１〜第６局面のいずれかの加熱部材を備えるとともに、絶縁基板に静電電極を備えた静電チャックである。
この静電チャックにより、被加工物を吸着して加熱することができる。
【００２２】
なお、本発明としては、更に下記（ａ）、（ｂ）の構成を採用することもできる。
（ａ）前記第２発熱部は、前記平面視で、前記周方向に延びるラインを有する加熱部材。
【００２３】
（ｂ）前記第１発熱部及び前記第２発熱部のうち少なくとも第１発熱部の構成として、前記平面視で、前記周方向に前記複数の発熱体が配置された構成を有する加熱部材。
＜以下に、本発明の各構成について説明する＞
・周方向とは、平面視で、絶縁基板の中心の回りを回る方向である。ここで、絶縁基板の中心とは重心を意味し、絶縁基板が円形の場合には、円の中心を意味する。つまり、絶縁基板が円形の場合には、周方向は円周方向を意味する。
【００２４】
・径方向とは、平面視で、絶縁基板の中心から外周に向かう方向である。ここで、絶縁基板の中心とは重心を意味し、絶縁基板が円形の場合には、円の中心を意味する。つまり、絶縁基板が円形の場合には、径方向は半径方向を意味する。
【００２５】
・絶縁基板の材料としては、セラミックスや樹脂等を採用できる。
セラミックスとしては、酸化アルミニウム（アルミナ）、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム（ジルコニア）、炭化ケイ素等を主成分（セラミックス中で５０質量％以上）とする材料が挙げられる。なお、前記主成分以外に、例えば希土類化合物を添加することもできる。
【００２６】
樹脂としては、ポリイミド、フッ素系樹脂等を採用できる。絶縁基板としては、例えば、セラミック製のセラミック基板や樹脂製の樹脂基板が挙げられる。
・主面とは、板材（基板）の厚み方向における端部をなす表面のことである。
【００２７】
・中間導電層、内部配線層、ビア、端子パッドは、例えばタングステン、モリブデン等からなる導電性を有する部分である。
なお、ビアとは、絶縁基板の厚み方向に延びて導電性を有する部分同士を接続する部材である。また、（導電性を有する）端子部としては、例えば端子パッドに端子ピンを接合した構成等を採用できる。
【００２８】
・発熱部は、通電によって発熱する抵抗発熱体であり、この発熱体の材料としては、タングステン、タングステンカーバイド、モリブデン、モリブデンカーバイド、タンタル、白金等が挙げられる。
【００２９】
・静電電極の材料としては、タングステン、モリブデン等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】実施形態の静電チャックを一部破断して示す斜視図である。
【図２】実施形態の静電チャックを厚み方向に破断しその一部を示す断面図である。
【図３】セラミックヒータの第１発熱部の第１発熱体及び加熱領域を示す平面図である。
【図４】セラミックヒータの第２発熱部の第２発熱体及び加熱領域を示す平面図である。
【図５】セラミックヒータを厚み方向に破断し第１配線部及びその周囲の構成を示す断面図である。
【図６】セラミックヒータの第２平面における中間導電層及び第２発熱部のラインの配置を示す平面図である。
【図７】図６のＸ−Ｘ断面における中間導電層及びビアの構成を示す断面図である。
【図８】その他の実施形態の変形例を模式的に示し、（ａ）は変形例１の静電チャックを厚み方向に破断して示す断面図、（ｂ）は変形例２の静電チャックを厚み方向に破断して示す断面図、（ｃ）は変形例３の静電チャックを厚み方向に破断して示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
［１．実施形態］
ここでは、実施形態として、例えば半導体ウェハを吸着保持できる静電チャックを例に挙げる。
［１−１．全体構成］
まず、本実施形態の静電チャックの構造について説明する。
【００３２】
図１に示す様に、本実施形態の静電チャック１は、図１の上側にて被加工物である半導体ウェハ３を吸着する装置であり、セラミックヒータ（加熱部材）５と金属ベース７とが積層されて接着剤層９により接合されたものである。
【００３３】
なお、セラミックヒータ５の図１の上方の面（上面：吸着面）が第１の主面Ａであり、下面が第２の主面Ｂである。また、金属ベース７の上面が第３の主面Ｃであり、下面が第４の主面Ｄである。
【００３４】
このうち、セラミックヒータ５は、円盤形状であり、吸着用電極（静電電極）１１、第１発熱部１３、第２発熱部１５等を備えたセラミック基板（絶縁基板）１７から構成されている。なお、吸着用電極１１、第１発熱部１３、第２発熱部１５は、セラミック基板１７に埋設されている。
【００３５】
金属ベース７は、セラミックヒータ５より大径の円盤形状であり、セラミックヒータ５と同軸に接合されている。この金属ベース７には、セラミック基板１７（従って半導体ウェハ３）を冷却するために、冷却用流体（冷媒）が流される流路（冷却路）１９が設けられている。なお、冷却用流体としては、例えばフッ化液又は純水等の冷却用液体などを用いることができる。
【００３６】
また、静電チャック１には、リフトピン（図示せず）が挿入されるリフトピン孔２１等が、静電チャック１を厚み方向に貫くように、複数箇所に設けられている。このリフトピン孔２１は、半導体ウェハ３を冷却するために第１の主面Ａ側に供給される冷却用ガスの流路（冷却用ガス孔）としても用いられる。
【００３７】
なお、リフトピン孔２１とは別に、冷却用ガス孔（図示せず）を設けてもよい。冷却用ガスとしては、例えばヘリウムガスや窒素ガス等の不活性ガスなどを用いることができる。
【００３８】
次に、静電チャック１の各構成について、図２に基づいて詳細に説明する。
＜セラミックヒータ＞
図２に模式的に示すように、セラミックヒータ５（従ってセラミック基板１７）は、その第２の主面Ｂ側が、例えばインジウムからなる接着剤層９により、金属ベース７の第３の主面Ｃ側に接合されている。
【００３９】
このセラミック基板１７は、複数のセラミック層２２（図５参照）が積層されたものであり、アルミナを主成分とするアルミナ質焼結体である。なお、アルミナ質焼結体は、絶縁体（誘電体）である。
【００４０】
セラミック基板１７の内部には、図２の上方より、後に詳述するように、吸着用電極１１、第１発熱部１３を構成する複数の第１発熱体２３、第２発熱部１５を構成する複数の第２発熱体２５等が配置されている。
【００４１】
このうち、吸着用電極１１は、電圧を印加する周知の電極用端子（図示せず）に電気的に接続されている。
また、複数の第１発熱体２３は、複数の第１給電用端子２９に対して、それぞれ電気的に接続され、複数の第２発熱体２５は、複数の第２給電用端子３１に対して、それぞれ電気的に接続されている。
【００４２】
詳しくは、各第１発熱体２３は、独自に温度制御が可能なように、それぞれ第１配線部３３及び第１端子部３５を介して、対応する各第１給電用端子２９に接続されている。なお、第１端子部３５は、端子パッド３７を備えており、その端子パッド３７に第１給電用端子２９が接合されている。
【００４３】
一方、各第２発熱体２５は、独自に温度制御が可能なように、それぞれ第２配線部３９及び第２端子部４１を介して、対応する各第２給電用端子３１に接続されている。なお、第２端子部４１は、端子パッド４３を備えており、その端子パッド４３に第２給電用端子３１が接合されている。
【００４４】
なお、第１、第２配線部３３、３９、端子パッド３７、４３は、例えばタングステンからなる。
また、第１発熱体２３は、その両端が一対の第１給電用端子２９に接続されるが、図２では、一つの第１発熱体２３に接続される一方の第１給電用端子２９のみを示している。同様に、第２発熱体２５は、その両端が一対の第２給電用端子３１に接続されるが、図２では、一つの第２発熱体２５に接続される一方の第２給電用端子３１のみを示している。
【００４５】
＜金属ベース＞
金属ベース７は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属製である。金属ベース７には、前記冷却路１９やリフトピン孔２１以外に、前記電極用端子、各給電用端子２９、３１が配置される貫通孔４５がそれぞれ形成されている。
【００４６】
なお、静電チャック１の第４の主面Ｄ側には、各給電用端子２９、３１等を収容するために、第４の主面Ｄからセラミックヒータ５の内部に到るような内部孔４７が複数設けられており、金属ベース７の貫通孔４５は、この内部孔４７の一部を構成している。
【００４７】
また、各給電用端子２９、３１等を収容する内部孔４７には、各給電用端子２９、３１等の外周を囲むように、電気絶縁性を有する絶縁筒４９が配置されている。
＜吸着用電極＞
吸着用電極１１は、例えば平面形状が円形の電極から構成されている。この吸着用電極１１とは、静電チャック１を使用する場合には、直流高電圧が印加され、これにより、半導体ウェハ３を吸着する静電引力（吸着力）を発生させ、この吸着力を用いて半導体ウェハ３を吸着して固定するものである。なお、吸着用電極１１については、これ以外に、周知の各種の構成（単極性や双極性の電極など）を採用できる。なお、吸着用電極１１は、例えばタングステン等の導電材料からなる。
【００４８】
＜第１発熱部及び第２発熱部＞
次に、第１発熱部１３及び第２発熱部１５について説明する。
第２発熱部１５は、第１発熱部１３より発熱量の大きなメインヒータであり、第１発熱部１３はサブヒータである。なお、第１、第２発熱体２３、２５は、電圧が印加されて電流が流れると発熱する金属材料（タングステン等）からなる抵抗発熱体である。
【００４９】
図２に示すように、第１発熱部１３の各第１発熱体２３は、吸着用電極１１より第２の主面Ｂ側（図２の下方）にて、同一平面（仮想平面である第１平面Ｈ１：図３参照）上に配置されている。
【００５０】
一方、第２発熱部１５の各第２発熱体２５は、第１発熱部１３と第２の主面Ｂとの間にて、同一平面（仮想平面である第２平面Ｈ２：図４参照）上に配置されている。
従って、第１発熱部１３と第２発熱部１５とは、セラミック基板１７（従って静電チャック１）の厚み方向から見た平面視で、重ね合されるように配置されている。
【００５１】
なお、第１発熱部１３の第１発熱体２３と第２発熱部１５の第２発熱体２５とでは、各発熱体２３、２５の数や形状が異なっている。
以下、各発熱部１３、１５について詳しく説明する。
【００５２】
まず、図３に基づいて、第１平面Ｈ１上における第１発熱部１３の複数の第１発熱体２３の配置を説明する。
セラミック基板１７には、第１平面Ｈ１における各領域をそれぞれ加熱（従って温度調節）できるように、平面視で、同心状に複数の加熱ゾーン５１が設けられている。
【００５３】
各加熱ゾーン５１には、それぞれ１又は複数の加熱領域５３が設定されている。各加熱領域５３には、各加熱領域５３の形状に対応して、それぞれ（略円形や略Ｕ字形状の）第１発熱体２３が配置されている。なお、図３では、一部の第１発熱体２３のみを示している。
【００５４】
次に、図４に基づいて、第２平面Ｈ２上における第２発熱部１５の複数の第２発熱体２５の配置を説明する。
セラミック基板１７には、第２平面Ｈ２における各領域をそれぞれ加熱（従って温度調節）できるように、平面視で、同心状に複数の加熱ゾーン６１が設けられている。
【００５５】
各加熱ゾーン６１には、それぞれ１又は複数の加熱領域６３が設定されている。各加熱領域６３には、各加熱領域６３の形状に対応して、それぞれ（略円形や略Ｕ字形状の）第２発熱体２５が配置されている。
［１−２．第１配線部の構成］
次に、本実施形態の要部である第１配線部３３の構成について説明する。
【００５６】
図５に示すように、第１配線部３３は、各第１発熱体２３と各端子部３５（従って端子パッド３７）とを、それぞれ電気的に接続する導電部である。
第１配線部３３は、図５の上方より、ビア６５ａ、内部配線層６７ａ、ビア６５ｂ、中間導電層６９、ビア６５ｃ、内部配線層６７ｂ、ビア６５ｄから構成されている。なお、ビア６５ａ〜６５ｄをビア６５と総称し、内部配線層６７ａ、６７ｂを内部配線層６７と総称する。
【００５７】
このうち、ビア６５ａは、第１平面Ｈ１に配置された第１発熱体２３と第１平面Ｈ１と平行に配置された内部配線層６７ａとを接続し、ビア６５ｂは、内部配線層６７ａと第２平面Ｈ２に配置された中間導電層６９とを接続している。また、ビア６５ｃは中間導電層６９と第２平面Ｈ２と平行に配置された内部配線層６７ｂとを接続し、ビア６５ｄは、内部配線層６７ｂと端子パッド３７とを接続している。
【００５８】
なお、ビア６５、内部配線層６７、中間導電層６９は、例えばタングステンからなる。
ここで、中間導電層６９について詳細に説明する。
中間導電層６９は、第２平面Ｈ２において、第２発熱体２５に接触しないように、第２発熱体２５が配置されていない領域（間隙領域Ｋ）に配置されている。
【００５９】
詳しくは、図６に示すように、中間導電層６９は、平面視で、第２発熱体２５と同様に、第２平面Ｈ２に沿って多数配置されている。つまり、中間導電層６９は、セラミック基板１７の周方向（円周方向：矢印Ｓ方向）に沿って、一列となるように多数配置されている。
【００６０】
この中間導電層６９は、平面視で、セラミック基板１７の径方向（半径方向）に沿った長さ（図６の上下方向の長さ）より、径方向と垂直の周方向に沿った長さ（図６の左右方向の長さ）の方が長い形状（長円形状）を有する。なお、周方向の長さは例えば２ｍｍ、径方向の長さは例えば１ｍｍである。
【００６１】
従って、中間導電層６９は、第２発熱体２５の周方向に延びる複数の線状部分（ライン２５ａ）の間の間隙領域Ｋにて、自身の（寸法の長い）長手方向が、第２発熱体２５のライン２５ａに沿うように（即ち平行に）、周方向に並んで配置されている。
【００６２】
なお、図６では、多数の中間導電層６９のうちの一部の中間導電層６９を示している。
また、図７に示すように、中間導電層６９には、複数のビア６５が接続されている。具体的には、中間導電層６９の第１の主面Ａ側（図７の上方）には、長手方向（図７の左右方向）に沿って、２個のビア６５ｂが接続されている。同様に、中間導電層６９の第２の主面Ｂ側（図７の下方）には、長手方向に沿って、２個のビア６５ｃが接続されている。
［１−３．製造方法］
次に、本実施形態の静電チャック１の製造方法について、簡単に説明する。
【００６３】
(1)セラミック基板１７の原料として、主成分であるＡｌ２Ｏ３：９２重量％、ＭｇＯ：１重量％、ＣａＯ：１重量％、ＳｉＯ２：６重量％の各粉末を混合して、ボールミルで、５０〜８０時間湿式粉砕した後、脱水乾燥する。
【００６４】
(2)次に、この粉末に溶剤等を加え、ボールミルで混合して、スラリーとする。
(3)次に、このスラリーを、減圧脱泡後平板状に流し出して徐冷し、溶剤を発散させて、（各セラミック層２２に対応する）各アルミナグリーンシートを形成する。
【００６５】
そして、各アルミナグリーンシートに対して、リフトピン孔２１等となる空間、更にはビア６５となるスルーホールを、必要箇所に開ける。
(4)また、前記アルミナグリーンシート用の原料粉末中にタングステン粉末を混ぜて、スラリー状にして、メタライズインクとする。
【００６６】
(5)そして、吸着用電極１１、第１、第２発熱体２３、２５、端子パッド３７、内部配線層６７、中間導電層６９等を形成するために、前記メタライズインクを用いて、吸着用電極１１、第１、第２発熱体２３、２５、端子パッド３７、内部配線層６７、中間導電層６９等の形成箇所に対応したアルミナグリーンシート上に、通常のスクリーン印刷法により、各パターンを印刷する。なお、ビア６５を形成するために、スルーホールに対して、メタライズインクを充填する。
【００６７】
(6)次に、各アルミナグリーンシートを、リフトピン孔２１等の必要な空間が形成されるように位置合わせして、熱圧着し、積層シートを形成する。
(7)次に、熱圧着した各積層シートを、それぞれ所定の形状（即ち円板形状）にカットする。
【００６８】
(8)次に、カットした各積層シートを、還元雰囲気にて、１４００〜１６００℃の範囲（例えば、１５５０℃）にて５時間焼成（本焼成）し、各アルミナ質焼結体を作製する。
(9)そして、焼成後に、各アルミナ焼結体に対して、例えば第１の主面Ａ側の加工など必要な加工を行って、セラミック基板１７を作製する。
【００６９】
(10)これとは別に、金属ベース７を製造する。具体的には、金属板に対して切削加工等を行うことにより、貫通孔４５等を備えた金属ベース７を形成する。
(11)次に、金属ベース７とセラミック基板１７とを接合して一体化する。
【００７０】
(12)その後、給電のための部材等を取り付けて、静電チャック１を完成する。
［１−４．効果］
次に、本実施形態の効果について説明する。
【００７１】
・本実施形態では、中間導電層６９は、平面視で、セラミック基板１７の径方向に沿った長さよりもセラミック基板１７の周方向に沿った長さが長い形状を有するので、仮想平面（第２平面Ｈ２）において、第２発熱部１５（従って第２発熱体２５）のない隙間領域Ｋが径方向に狭い（寸法が短い）場合でも、その隙間領域Ｋに容易に中間導電層６９を配置することができる。
【００７２】
・また、本実施形態では、多数の第１発熱体２３が設けられており、そのため、多数の第１発熱体２３に対して給電するための構成を多く設ける必要があるが、上述した構成（即ち形状や配置）の中間導電層６９を用いることにより、径方向が狭い隙間領域Ｋに多数の中間導電層６９を容易に配置することができる。
【００７３】
つまり、第２発熱体２５の複数のライン２５ａの間において（詳しくはライン２５ａ間が狭い場合）、各中間導電層６９の長手方向をライン２５ａに沿った向きに配置して、多数の中間導電層６９をライン２５ａに沿って配置することができる。
【００７４】
・さらに、本実施形態では、ビア６５を周方向（即ち中間導電層６９の長手方向）に沿って配置する構成により、複数のビア６５を中間導電層６９に容易に接続することができる。
［２．他の実施形態］
本発明は前記実施形態になんら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
【００７５】
（１）例えば、中間導電層は前記実施形態の形状に限定されず、本発明の範囲の各種の形状を採用できる。
（２）また、内部配線層の数や形状等も前記実施形態に限定されず、例えば内部配線層を省略することも可能である。
【００７６】
（３）前記実施形態では、端子パッドに給電用端子を接合したが、端子パッドに他の導電部材（例えばリード線等）を接合してもよい。
或いは、端子パッドに端子ピンを接合し、この端子ピンと（端子ピンが挿入される挿入孔を有する）コネクタとを接続するようにしてもよい。
【００７７】
（４）また、例えば、図８（ａ）に変形例１を示すように、例えば第２発熱部１５を、厚み方向に配置した複数層（例えば第１の主面Ａ側の上層１５ａと第２の主面Ｂ側の下層１５ｂの２層）によって構成してもよい。また、第１発熱部１３を複数層で構成してもよい。
【００７８】
（５）さらに、図８（ｂ）に変形例２を示すように、本発明は、金属ベース７を備えない静電チャック１にも適用できる。つまり、本発明は、セラミックヒータ５に、吸着用電極１１、第１発熱部１３、第２発熱部１５を備えた静電チャック１にも適用できる。
【００７９】
（６）しかも、本発明は、静電チャックではないセラミックヒータにも適用できる。
例えば、図８（ｃ）に変形例３を示すように、セラミック基板１７内に、前記実施形態と同様な第１発熱部１３及び第２発熱部１５を備えたセラミックヒータ５に適用できる。
【００８０】
（７）絶縁基板としては、セラミック基板や樹脂基板など各種の絶縁基板を採用できる。  
（８）各本実施形態の構成を適宜組み合わせることができる。
【符号の説明】
【００８１】
１…静電チャック
５…セラミックヒータ
１１…吸着用電極（静電電極）
１３…第１発熱部
１５…第２発熱部
１７…セラミック基板
２３…第１発熱体
２５…第２発熱体
３５、４１…端子部
３７、４３…端子パッド
６５、６５ａ、６５ｂ、６５ｃ、６５ｄ…ビア
６７、６７ａ、６７ｂ…内部配線層
６９…中間導電層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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