(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と複数のデータ線にそれぞれ接続された複数のピクセルを含む表示パネルと、
複数のスキャン信号を順次に前記複数の走査線に印加するスキャン駆動部と、
映像信号を受信し、複数のデータ出力信号を出力するデータ駆動部と、
アナログセンス信号を受信し、デジタルセンス信号を出力する電圧ＡＤＣと、
スイッチング信号に応答して複数のデータ線を前記データ駆動部に接続したり複数のデータ線を前記電圧ＡＤＣに接続したりするデータスイッチング部と、
原映像データ及び前記デジタルセンス信号を受信し、前記デジタルセンス信号に基づいて原映像データを映像信号に加工して前記データ駆動部に提供し、前記データスイッチング部にスイッチング信号を提供する制御部と、を含み、
ａ）第１初期化区間において、前記データスイッチング部は前記複数のデータ線を前記データ駆動部に接続し、前記データ駆動部は接続されたデータ線に初期化電圧を印加し、
ｂ）第１センシング区間において、前記複数の走査線のうちｉ番目の走査線に接続された少なくとも一つのピクセルは前記複数のデータ線のうち少なくとも一つのデータ線に接続され、かつ、前記複数のデータ線のうち少なくとも一つのデータ線に第１電圧を充電させ、前記データスイッチング部は前記電圧ＡＤＣを前記複数のデータ線に接続し、前記電圧ＡＤＣは接続されたデータ線からアナログセンス信号として第１電圧を受信し、第１電圧に相応するアナログセンス信号をデジタルセンス信号に変換して前記制御部に出力し、
ｃ）第２初期化区間において、前記データスイッチング部は前記複数のデータ線を前記データ駆動部に接続し、前記データ駆動部は接続されたデータ線に初期化電圧を印加し、
ｄ）第２センシング区間において、前記ｉ番目の走査線に接続された前記少なくとも一つのピクセルは前記少なくとも一つのデータ線から遮断され、前記データ線に印加される電圧は初期化電圧から第２電圧に変動し、前記データスイッチング部は前記複数のデータ線を前記データ駆動部から遮断し、かつ、前記電圧ＡＤＣを前記複数のデータ線に接続し、前記電圧ＡＤＣは接続されたデータ線から第２電圧を受信し、第２電圧に相応するアナログセンス信号をデジタルセンス信号に変換して前記制御部に出力し、
前記制御部は前記第１電圧に相応するデジタルセンス信号と前記第２電圧に相応するデジタルセンス信号に基づいて第１電圧から第２電圧を引いた電圧に前記初期化電圧を加えた所定の電圧を判別する、
有機発光表示装置。
【請求項２】
前記第１初期化区間、前記第１センシング区間、前記第２初期化区間及び前記第２センシング区間は一つのフレームの映像が表示される期間内に位置する請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第１センシング区間及び前記第２センシング区間の区間長さは同じである請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記複数のピクセルのうち少なくとも一つのピクセルは、第１ないし第５トランジスタを含み、前記第１ないし第５トランジスタはＰＭＯＳトランジスタであり、
第１トランジスタのソース端子に接続されたノードは第４トランジスタのドレイン端子に接続され、第１トランジスタのソース端子は第４トランジスタを介して第１電源電圧源に接続され、第１トランジスタのドレイン端子に接続されたノードは有機発光素子の陽極に接続され、有機発光素子の陰極は第２電源電圧源に接続され、
第２トランジスタのドレイン端子は第１トランジスタのゲート端子に接続されたノードに接続され、第２トランジスタのソース端子は少なくとも一つのデータ線に接続され、第２トランジスタのゲート端子は一つの走査線に接続され、
第３トランジスタのソース端子は第１トランジスタのドレイン端子に接続されたノードに接続され、第３トランジスタのドレイン端子は少なくとも一つのデータ線に接続され、第３トランジスタのゲート端子にはセンシング電圧が接続され、
第４トランジスタのドレイン端子は第１トランジスタのソース端子に接続されたノードに接続され、第４トランジスタのソース端子は第１電源電圧源に接続され、第４トランジスタのゲート端子はエミッション電圧に接続され、
第５トランジスタのソース端子は維持電圧に接続され、第５トランジスタのドレイン端子は第１トランジスタのソース端子に接続されたノードに接続され、第５トランジスタのゲート端子は前記一つの走査線に接続される請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記複数のピクセルのうち少なくとも一つのピクセルは、第６トランジスタをさらに含み、
前記第６トランジスタのソース端子は第１トランジスタのソース端子に接続されたノードに接続され、第６トランジスタのドレイン端子は第１トランジスタのゲート端子に接続されたノードに接続され、第６トランジスタのゲート端子はバイアス電圧に接続される請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記複数のピクセルのうち少なくとも一つのピクセルは、第１トランジスタのソース端子に接続されたノードと第１トランジスタのゲート端子に接続されたノードとの間に両端が接続されるストレージキャパシタをさらに含む請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
ｅ）第３初期化区間において、前記データスイッチング部は、前記複数のデータ線を前記データ駆動部に接続し、前記データ駆動部は接続されたデータ線に初期化電圧を印加し、
ｆ）第３センシング区間において、少なくとも一つのピクセルは少なくとも一つのデータ線に第３電圧を充電させ、前記データスイッチング部は前記電圧ＡＤＣを前記複数のデータ線に接続し、前記電圧ＡＤＣは接続されたデータ線からアナログセンス信号として第３電圧を受信し、第３電圧に相応するアナログセンス信号をデジタルセンス信号に変換して前記制御部に出力し、
ｇ）第４初期化区間において、前記データスイッチング部は前記複数のデータ線を前記データ駆動部に接続し、前記複数のデータ線を前記電圧ＡＤＣから遮断し、前記データ駆動部は接続されたデータ線に初期化電圧を印加し、前記接続されたデータ線は前記少なくとも一つのピクセルとの接続が遮断され、
ｈ）第４センシング区間において、前記接続されたデータ線は前記少なくとも一つのピクセルとの接続が遮断されたままであり、前記第４初期化区間で前記データ線に充電された前記初期化電圧は、前記データ線に接続された前記少なくとも一つのピクセルに漏洩され、前記データ線に印加される電圧は初期化電圧から第４電圧に変動し、前記データスイッチング部は前記複数のデータ線を前記データ駆動部から遮断し、かつ、前記電圧ＡＤＣを前記複数のデータ線に接続し、前記電圧ＡＤＣは接続されたデータ線から第４電圧を受信し、第４電圧に相応するアナログセンス信号をデジタルセンス信号に変換して前記制御部に出力し、
（ｉ）前記第３初期化区間に先立つ参照電圧書き込み区間において、前記制御部は前記複数のデータ線の各々に対応した前記所定の電圧から参照電圧を引いた電圧信号を生成し、かつ、前記複数のデータ線の各々に対応した前記所定の電圧から参照電圧を引いた電圧信号をデータ出力信号として出力し、前記複数のデータ線の各々に対応した前記データ出力信号に相応するデータ信号を前記複数のデータ線の各々、及び、前記複数のデータ線の各々に接続されたピクセルの第１トランジスタのゲート端子に印加し、前記第１トランジスタのソース端子に維持電圧を印加し、
前記参照電圧書き込み区間、前記第３初期化区間、前記第３センシング区間、前記第４初期化区間、及び前記第４センシング区間によって、前記制御部は、前記第３電圧に相応するデジタルセンス信号、前記第４電圧に相応するデジタルセンス信号、及び、前記データ出力信号に相応するデータ信号に基づいて、補正参照値を生成する請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記第１初期化区間、前記第１センシング区間、前記第２初期化区間、前記第２センシング区間、前記参照電圧書き込み区間、前記第３初期化区間、前記第３センシング区間、前記第４初期化区間及び前記第４センシング区間は一つのフレームの映像が表示される期間内に位置する請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記第１センシング区間及び前記第２センシング区間の区間長さは同じであり、前記第３センシング区間及び前記第４センシング区間の長さは同じである請求項７に記載の有機発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置に関し、より詳細には表示品質が向上した有機発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、モニター、テレビ、携帯用表示装置などの軽量化及び薄型化が要求されている。このような要求に応じて、既存の陰極線管表示装置は、液晶表示装置または有機発光ダイオード表示装置のようなフラットパネル表示装置に代替されている。このようなフラットパネル表示装置のうち有機発光表示装置は、高速の応答速度を有し、消費電力が低く、かつ広視野角の特性を有するため、次世代フラットパネル表示装置として注目されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
有機発光表示装置は、有機発光素子に提供される電流の大きさを調節し、一つのピクセルの明るさまたは階調を調節するものとして知られている。この際、有機発光素子に提供される電流の大きさは、駆動トランジスタのゲートとソース間の電圧差、及び駆動トランジスタの電流駆動特性の係数によって決定され得る。理想的には、有機発光表示装置のすべてのピクセルの駆動トランジスタの特性が同じであり、同じデータ電圧に対して、ピクセルは同じ階調を表現しなければならないが、実際のピクセルの駆動トランジスタは、工程偏差、劣化の程度の差などによって互いに異なる特性係数を有し得、これは有機発光表示装置の位置による階調不均衡を引き起こす。
【０００４】
このため、本発明が解決しようとする課題は、表示品質が向上した有機発光表示装置を提供することにある。
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及されていないまた他の課題は、次の記載から本発明の技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解できるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記のような課題を解決するために、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置は、複数の走査線と複数のデータ線にそれぞれ接続された複数のピクセルを含む表示パネルと、複数のスキャン信号を順次に前記複数の走査線に印加するスキャン駆動部と、映像信号を受信し、複数のデータ出力信号を出力するデータ駆動部と、アナログセンス信号を受信し、デジタルセンス信号を出力する電圧ＡＤＣと、スイッチング信号に応答して複数のデータ線を前記データ駆動部に接続したり複数のデータ線を前記電圧ＡＤＣに接続したりするデータスイッチング部と、原映像データ及び前記デジタルセンス信号を受信し、前記デジタルセンス信号に基づいて原映像データを映像信号に加工し、前記データ駆動部に提供し、前記データスイッチング部にスイッチング信号を提供する制御部と、を含み、ａ）第１初期化区間において、前記データスイッチング部は前記複数のデータ線を前記データ駆動部に接続し、前記データ駆動部は接続されたデータ線に初期化電圧を印加し、ｂ）第１センシング区間において、少なくとも一つのピクセルは少なくとも一つのデータ線に第１電圧を充電させ、前記データスイッチング部は前記電圧ＡＤＣを前記複数のデータ線に接続し、前記電圧ＡＤＣは接続されたデータ線からアナログセンス信号として第１電圧を受信し、第１電圧に相応するアナログセンス信号をデジタルセンス信号に変換して前記制御部に出力し、ｃ）第２初期化区間において、前記データスイッチング部は前記複数のデータ線を前記データ駆動部に接続し、前記データ駆動部は接続されたデータ線に初期化電圧を印加し、ｄ）第２センシング区間において、前記データ線に印加される電圧は初期化電圧から第２電圧に変動し、前記データスイッチング部は前記電圧ＡＤＣを前記複数のデータ線に接続し、前記電圧ＡＤＣは接続されたデータ線から第２電圧を受信し、第２電圧に相応するアナログセンス信号をデジタルセンス信号に変換して前記制御部に出力する。
【０００７】
一方、前記第１初期化区間、第１センシング区間、第２初期化区間及び第２センシング区間は一つのフレームの映像が表示される期間内に位置する。
【０００８】
一方、前記第１センシング区間及び第２センシング区間の区間長さは同じである。
【０００９】
一方、前記制御部は第１電圧に相応するデジタルセンス信号と第２電圧に相応するデジタルセンス信号に基づいて第１電圧から第２電圧を引いた電圧を判別する。
【００１０】
一方、前記複数のピクセルのうち少なくとも一つのピクセルは、第１ないし第５トランジスタを含み、前記第１ないし第５トランジスタはＰＭＯＳトランジスタであり、第１トランジスタのソース端子に接続されたノードは第４トランジスタのドレイン端子に接続され、第１トランジスタのソース端子は第４トランジスタを介して第１電源電圧源に接続され、第１トランジスタのドレイン端子に接続されたノードは有機発光素子の陽極に接続され、有機発光素子の陰極は第２電源電圧源に接続され、第２トランジスタのドレイン端子は第１トランジスタのゲート端子に接続されたノードに接続され、第２トランジスタのソース端子は少なくとも一つのデータ線に接続され、第２トランジスタのゲート端子は少なくとも一つの走査線に接続され、第３トランジスタのソース端子は第１トランジスタのドレイン端子に接続されたノードに接続され、第３トランジスタのドレイン端子は少なくとも一つのデータ線に接続され、第３トランジスタのゲート端子にはセンシング電圧が接続され、第４トランジスタのドレイン端子は第１トランジスタのソース端子に接続されたノードに接続され、第４トランジスタのソース端子は第１電源電圧源に接続され、第４トランジスタのゲート端子はエミッション電圧に接続され、第５トランジスタのソース端子は維持電圧に接続され、第５トランジスタのドレイン端子は第１トランジスタのソース端子に接続されたノードに接続され、第５トランジスタのゲート端子は少なくとも一つの走査線に接続される。
【００１１】
一方、前記複数のピクセルのうち少なくとも一つのピクセルは、第６トランジスタをさらに含み、前記第６トランジスタのソース端子は第１トランジスタのソース端子に接続されたノードに接続され、第６トランジスタのドレイン端子は第１トランジスタのゲート端子に接続されたノードに接続され、第６トランジスタのゲート端子はバイアス電圧に接続される。
【００１２】
一方、前記複数のピクセルのうち少なくとも一つのピクセルは、第１トランジスタのソース端子に接続されたノードと第１トランジスタのゲート端子に接続されたノードとの間に両端が接続される維持電極をさらに含む有機発光表示装置。
【００１３】
一方、ｅ）第３初期化区間において、前記データスイッチング部は、前記複数のデータ線を前記データ駆動部に接続し、前記データ駆動部は接続されたデータ線に初期化電圧を印加し、ｆ）第３センシング区間において、少なくとも一つのピクセルは少なくとも一つのデータ線に第３電圧を充電させ、前記データスイッチング部は前記電圧ＡＤＣを前記複数のデータ線に接続し、前記電圧ＡＤＣは接続されたデータ線からアナログセンス信号として第３電圧を受信し、第３電圧に相応するアナログセンス信号をデジタルセンス信号に変換して前記制御部に出力し、ｇ）第４初期化区間において、前記データスイッチング部は前記複数のデータ線を前記データ駆動部に接続し、前記データ駆動部は接続されたデータ線に初期化電圧を印加し、ｈ）第４センシング区間において、前記データ線に印加される電圧は初期化電圧から第４電圧に変動し、前記データスイッチング部は前記電圧ＡＤＣを前記複数のデータ線に接続し、前記電圧ＡＤＣは接続されたデータ線から第４電圧を受信し、第４電圧に相応するアナログセンス信号をデジタルセンス信号に変換して前記制御部に出力する。
【００１４】
一方、前記第１初期化区間、第１センシング区間、第２初期化区間、第２センシング区間、第３初期化区間、第３センシング区間、第４初期化区間及び第４センシング区間は一つのフレームの映像が表示される期間内に位置する。
【００１５】
一方、前記第１センシング区間及び第２センシング区間の区間長さは同じであり、第３センシング区間及び第４センシング区間の長さは同じである。
【００１６】
本発明のその他の具体的な事項は詳細な説明及び図面に含まれている。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の実施形態によれば、少なくとも次のような効果がある。
【００１８】
それぞれのピクセル、特に、ピクセルの駆動トランジスタの特性偏差を外部の駆動ＩＣで補償して表示品質を向上させることができる。
【００１９】
また、駆動ＩＣが外部補償を行うことにおいて、漏洩電流による誤検知を除去できる。
【００２０】
本発明による効果は以上で例示した内容によって制限されず、より多様な効果が本明細書内に含まれている。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施例に係る有機発光表示装置の構成を概略的に示すブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の表示パネルの一部及び表示パネルに接続される他の構成要素を簡略に示すブロック図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置のデータ電圧のセンシング動作を示すタイミング図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の表示パネルの一ピクセル及びこれに接続されたデータ線、走査線及びデータスイッチ部を共に示す回路図である。
【図５】図４に示す回路図が低階調駆動領域でのデータ電圧のセンシング動作を示すタイミング図である。
【図６】図４に示す回路図が高階調駆動領域でのデータ電圧のセンシング動作を示すタイミング図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置のディスプレイ動作を示すタイミング図である。
【図８】本発明の他の実施形態に係る有機発光表示パネルの一ピクセル及びこれに接続されたデータ線、走査線及びデータスイッチング部を共に示す回路図である。
【図９】本発明の他の実施形態に係る有機発光表示装置のディスプレイ動作を示すタイミング図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明の利点及び特徴、これらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後述する実施形態において明確になるであろう。しかし、本発明は、以下に開示する実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現されるものであり、本実施形態は、単に本発明の開示を完全にし、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、特許請求の範囲によってのみ定義される。本明細書において、同じ識別符号は実質的に同じ構成を指す。
【００２３】
第１、第２などが多様な素子、構成要素を叙述するために使用されるが、これら素子、構成要素はこれらの用語によって制限されないことはいうまでもない。これらの用語は、単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。したがって、以下で言及される第１構成要素は本発明の技術的思想内で第２構成要素であり得ることは勿論である。
【００２４】
以下、添付する図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００２５】
図１は本発明の実施例に係る有機発光表示装置の構成を概略的に示すブロック図である。
【００２６】
図１を参照すると、有機発光表示装置は、表示パネル１００、制御部２００、スキャン駆動部３００、データ駆動部４００、電圧ＡＤＣ５００（Ａｎａｌｏｇ  ｔｏ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）、電源供給部６００、階調電圧生成部７００及びデータスイッチング部８００を含み得る。
【００２７】
図１において、それぞれの構成要素は互いに異なるブロックで示した。しかし、図１に示すそれぞれの構成要素はその機能を基準に、互いに異なる機能を行う構成要素を分離して示すものであり、それぞれの構成要素は物理的に一つの構成要素、例えば、一つのＩＣチップで実現されるアルゴリズムの複合体であり得る。
【００２８】
表示パネル１００は、第１方向Ｘ１に延長する複数の走査線（ＳＬ１〜ＳＬｎ）及び第２方向Ｘ２に延長する複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）、及び複数の走査線（ＳＬ１〜ＳＬｎ）と複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）にそれぞれ接続された複数のピクセルを含み得る。複数のピクセルのそれぞれの構成及び動作については、図５から図６を参照して詳細に説明する。
【００２９】
制御部２００は、外部から提供される原映像データ及びデジタルセンス信号を受信し、デジタルセンス信号に基づいて原映像データを映像信号ＲＧＢに加工してデータ駆動部４００に提供する。特に、本発明の一実施形態において、制御部２００は、データスイッチング部８００にスイッチング信号ＳＳを提供し、データスイッチング部８００はスイッチング信号ＳＳに応答して複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）をデータ駆動部４００に接続したり複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）を電圧ＡＤＣ５００に接続したりする。
【００３０】
上記のような機能を行うために、本発明の一実施形態に係る制御部２００は、映像データ補正部２２０、タイミング制御部２１０及びメモリ２３０を含み得る。
【００３１】
タイミング制御部２１０は、映像データ補正部２２０から補正された映像データＩＭＡＧＥ’を受信し、補正された映像データＩＭＡＧＥ’を映像信号ＲＧＢに加工してデータ駆動部４００に伝達する。また、タイミング制御部２１０は、映像信号ＲＧＢに同期され、データ駆動部４００及びスキャン駆動部３００を駆動するためのデータ制御信号ＤＣＳ及びスキャン制御信号ＳＣＳを出力する。映像信号ＲＧＢは、表示パネル１００のそれぞれのピクセルの階調値または階調電圧に対応するように補正された映像データＩＭＡＧＥ’を加工した信号であり得る。また、タイミング制御部２１０は、ユーザの好みまたは有機発光表示装置の固有の機器特性に応じて、補正された映像信号を追加的に変調または補償して映像信号ＲＧＢに加工する。
【００３２】
また、タイミング制御部２１０は、表示パネル１００の複数のピクセルの駆動を制御するためのピクセル制御信号ＰＣＳを表示パネル１００の複数のピクセルに提供する。
【００３３】
また、タイミング制御部２１０はスイッチング信号ＳＳをデータスイッチング部８００に提供し、データスイッチング部８００はスイッチング信号ＳＳに応答して複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）をデータ駆動部４００に接続したり複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）を電圧ＡＤＣ５００に接続したりする。
【００３４】
映像データ補正部２２０は、メモリ２３０から補正参照値を読み出し、外部の映像ソース、例えば、外部のグラフィック処理ユニットなどから原映像データＩＭＡＧＥを受信できる。映像データ補正部２２０は、補正参照値に基づいて原映像データＩＭＡＧＥを補正し、補正された映像データＩＭＡＧＥ’を生成する。
【００３５】
この際、補正参照値はそれぞれのピクセル別の駆動特性の差を示すオフセット値であり得、このオフセット値は電圧ＡＤＣ５００を介してメモリ２３０に記録されるデジタルセンス信号を累積的に更新した値であり得る。
【００３６】
また、映像データ補正部２２０は、受信された映像データまたは補正された映像データＩＭＡＧＥ’をメモリ２３０に格納する。
【００３７】
メモリ２３０は、少なくとも表示装置の電源がオフされた状態において、表示装置の固有情報、例えば、規格、特性、ガンマ曲線に関するルックアップテーブルなどに関する情報を格納できる不揮発性メモリ２３０であり得、例えば、フラッシュメモリ２３０、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｅｒａｓａｂｌｅ  Ｐｒｏｇｒｍｍａｂｌ  Ｒｅａｄ−Ｏｎｌｙ  ＭＥＭｏｒｙ）などを含み得る。また、メモリ２３０は、表示装置の電源が印加された状態において、累積的に更新されるオフセット値と同じ補正参照値に関する情報を格納できる揮発性メモリ２３０、例えば、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭなどを含み得る。
【００３８】
図１において、タイミング制御部２１０及び映像データ補正部２２０は、別途の機能的ブロックで示されているが、本発明はこれに限定されない。映像データ補正部２２０はタイミング制御部２１０の映像処理アルゴリズムの一部として、本発明の一実施形態に係る映像補正機能を行うアルゴリズムであり得、タイミング制御部２１０と映像データ補正部２２０は単一ＩＣチップに内蔵された単一モジュールであり得る。
【００３９】
スキャン駆動部３００は、タイミング制御部２１０からスキャン制御信号ＳＣＳを受信し、受信されたスキャン制御信号ＳＣＳに応答して複数の走査線（ＳＬ１〜ＳＬｎ）を順次に駆動する。
【００４０】
データ駆動部４００は、タイミング制御部２１０から映像信号ＲＧＢ及びデータ制御信号ＤＣＳを受信し、受信された映像信号ＲＧＢ及びデータ制御信号ＤＣＳに応答して複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）を駆動するための複数のデータ出力信号（ＤＯ１〜ＤＯｍ）を出力する。例えば、データ出力信号（ＤＯ１〜ＤＯｍ）はデータスイッチング部８００を経由して複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）に提供される。
【００４１】
より詳細には、データ駆動部４００は、階調電圧生成部７００から複数の階調電圧（Ｖ０〜Ｖ２５５）を受信し、受信された複数の階調電圧（Ｖ０〜Ｖ２５５）のうち一つ以上を選択し、選択された階調電圧をデータ出力信号（ＤＯ１〜ＤＯｍ）としてデータスイッチング部８００に伝達できる。また、データ駆動部４００は、データ制御信号ＤＣＳに応答して出力されるデータ出力信号を変動させ得、例えば、受信された映像信号ＲＧＢではない他の電圧信号、例えば、初期化信号をデータ出力信号（ＤＯ１〜ＤＯｍ）として出力する。
【００４２】
データスイッチング部８００は、タイミング制御部２１０から提供されるスイッチング信号ＳＳに応答して選択的に複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）をデータ駆動部４００に接続したり、複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）を電圧ＡＤＣ５００に接続したりする。すなわち、データ駆動部４００から出力される複数のデータ電圧を複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）に伝達するとき、データスイッチング部８００は複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）をデータ駆動部４００に接続し、データ線の電圧を電圧ＡＤＣ５００でセンシングしようとするとき、データスイッチング部８００は複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）を電圧ＡＤＣ５００に接続し得る。具体的には、データスイッチング部８００は電圧ＡＤＣ５００とはセンス線（Ｓｅｎｓｅ＿Ｌ）を介して接続され、データ駆動部４００とはデータ伝達線（ＤＡＴＡ＿Ｌ）を介して接続され、表示パネル１００とはデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）を介して接続される。
【００４３】
本明細書において、複数のデータ信号はそれぞれのデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）に印加された電圧レベルを指し、データ駆動部４００から出力されるデータ出力信号とは区別される。例えば、データスイッチング部８００がデータ駆動部４００に接続されるデータ伝達線（ＤＡＴＡ＿Ｌ）をデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）に接続するとき、データ出力信号（ＤＯ１〜ＤＯｍ）はデータ信号と同じであり得るが、データスイッチング部８００が電圧ＡＤＣ５００に接続されるセンス線（Ｓｅｎｓｅ＿Ｌ）をデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）に接続するとき、データ出力信号（ＤＯ１〜ＤＯｍ）はデータ信号と異なる場合もある。
【００４４】
電圧ＡＤＣ５００は、データスイッチング部８００を介して表示パネル１００の複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）に接続される。例えば、データ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）に印加された電圧レベルに相応するデータ信号をセンシングしようとするとき、データスイッチング部８００は電圧ＡＤＣ５００に接続されたセンス線（Ｓｅｎｓｅ＿Ｌ）をデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）に接続し、電圧ＡＤＣ５００はデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）の電圧レベルに相応するデータ信号をアナログ信号として受信し、これをデジタル信号にコンバートしたデジタルセンス信号を出力する。出力されたデジタルセンス信号は制御部２００のメモリ２３０に書き込まれる。
【００４５】
図１において、データスイッチング部８００、電圧ＡＤＣ５００及びデータ駆動部４００は、別途の機能的なブロックで示されたが、本発明はこれに限定されない。データスイッチング部８００とデータ駆動部４００及び電圧ＡＤＣ５００は、同じＩＣチップに一体で形成されて表示パネル１００の少なくとも一部と接続し、さらに、データスイッチング部８００、データ駆動部４００及び電圧ＡＤＣ５００は、制御部２００またはスキャン駆動部３００と共に一つの駆動ＩＣとして一体に形成され、または表示パネル１００の少なくとも一部領域に形成された集積回路であり得る。
【００４６】
電源供給部６００は、表示パネル１００内の各構成要素に適正電圧を伝達する電圧ソースである。特に、本発明の一実施形態において、電源供給部６００は、表示パネル１００の複数のピクセルに第１電源電圧源ＥＬＶＤＤ及び第２電源電圧源ＥＬＶＳＳを提供し、階調電圧生成部７００に第１基準電源ＲＥＦ１及び第２基準電源ＲＥＦ２を提供する。
【００４７】
階調電圧生成部７００は、電源供給部６００から少なくとも第１基準電源ＲＥＦ１及び第２基準電源ＲＥＦ２を受信し、第１基準電源ＲＥＦ１及び第２基準電源ＲＥＦ２を電圧分配し、複数の階調電圧（Ｖ０〜Ｖ２５５）を生成する。
【００４８】
図１において、階調電圧生成部７００は、２５６個の階調電圧（Ｖ０〜Ｖ２５５）を生成する場合を示しているが、本発明はこれに限定されない。階調電圧生成部７００が生成する階調電圧の種類は、表示パネル１００に要求される表示品質、パネル大きさ、表示パネル１００及びデータ駆動部４００の駆動方式により増減され得る。また、図面に示していないが、階調電圧生成部７００は、タイミング制御部２１０から階調電圧選択信号（図示せず）を受信し、受信された階調電圧選択信号に応じて出力する複数の階調電圧（Ｖ０〜Ｖ２５５）の電圧レベルを調節できる。
【００４９】
以下では、図２及び図３を参照して本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置のデータ信号のセンシング及びそれによる映像データの補正過程について詳細に説明する。
【００５０】
図２は本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の表示パネル１００の一部及び表示パネル１００に接続される他の構成要素を簡略に示すブロック図である。
【００５１】
図３は本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置のデータ電圧のセンシング動作を示すタイミング図である。
【００５２】
図２及び図３において、一つの走査線ＳＬｉと複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）に接続されるピクセル（Ｐｉ１〜Ｐｉｍ）が例示される。
【００５３】
図２及び図３を参照すると、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置において、複数のピクセルはそれぞれ走査線（ＳＬ１〜ＳＬｎ）及びデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）に接続され、走査線（ＳＬ１〜ＳＬｎ）から印加されるスキャン信号に応答してデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）から印加されるデータ信号がそれぞれのピクセルに提供される。データ信号が提供されたそれぞれのピクセルはデータ信号の電圧レベルに相応する大きさの駆動電流を有機発光素子に提供し、有機発光素子は提供された駆動電流の大きさに相応する明るさで発光する。
【００５４】
それぞれのピクセルに流れる駆動電流の大きさは、駆動トランジスタのゲートに印加されるデータ信号の電圧レベルを調整して制御する。
【００５５】
飽和状態で、駆動トランジスタに流れる電流は、一般的に次のような「方程式１」によって近似される。
【００５６】
【数１】
0006748407.tif 000002
【００５７】
ここで、μ、Ｃｏｘ、Ｗ、Ｌはそれぞれ駆動トランジスタの電荷移動度、単位面積当たりのゲートキャパシタンス、チャネル幅及びチャネル長さであって、トランジスタ別の固有の特性係数であり、Ｖｔｈは駆動トランジスタがターンオンされるための最小限のソース−ゲート電圧差を意味する臨界電圧であり、これもトランジスタ別の固有の特性係数である。
【００５８】
理想的には、有機発光表示装置において、複数のピクセルに含まれる駆動トランジスタはすべて同じ特性係数を有するが、実際の有機発光表示装置の複数のピクセルは、例えば、工程条件の差異及びパネルの持続的な使用によるピクセル別の劣化の差異などによって微細な特性係数の差異が示され得る。このようなピクセル別の特性係数の差異は同じ映像データ、すなわち、同じデータ信号に対してピクセル別に他の階調の光を発光させ得、これは有機発光表示装置の表示品質を阻害する要因となる。
【００５９】
本発明の一実施形態において、電圧ＡＤＣ５００は駆動トランジスタの駆動閾値電圧及び駆動基準電圧に対する駆動電流に関する値をデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）からセンシングし、制御部２００に伝達し、制御部２００の映像データ補正部２２０は各ピクセル別にセンシングした複数のピクセルの特性係数に関連した値に基づいて原映像データを補正した、補正された映像データを生成する。
【００６０】
具体的には、データスイッチング部８００はスイッチング信号ＳＳに応答して選択的にデータ駆動部４００を複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）と接続したり電圧ＡＤＣ５００を複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）と接続したりする。データ駆動部４００が複数のデータと接続するとき、データ出力信号をデータ線にデータ信号として提供し、複数のピクセルは印加されたデータ信号に相応する映像を表示する。
【００６１】
一つのフレームの映像が表示パネル１００上で表示される間または一つのフレームの映像を表示し、次のフレームの映像を表示するための待機時間の間、本発明の一実施形態に係るデータ信号のセンシング動作が行われる。
【００６２】
先ず、第１初期化区間の間、データスイッチ（ＳＷ＿Ｄ）はターンオンされ、センシングスイッチ（ＳＷ＿Ｓ）はターンオフされる。すなわち、第１初期化区間において、データスイッチング部８００は複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）をデータ駆動部４００に接続し、複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）を電圧ＡＤＣ５００から遮断する。
【００６３】
第１初期化区間の間、データ駆動部４００はタイミング制御部２１０からのデータ制御信号ＤＣＳに応答して初期化電圧信号Ｖｉｎｔをデータ出力信号として出力し、すべてのデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）には初期化電圧信号に相応するデータ信号が印加される。
【００６４】
次いで、第１電圧センシング区間の間、データスイッチ（ＳＷ＿Ｄ）はターンオフされ、センシングスイッチ（ＳＷ＿Ｓ）はターンオンされる。すなわち、第１電圧センシング区間において、データスイッチング部８００は複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）をデータ駆動部４００から遮断し、複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）を電圧ＡＤＣ５００に接続する。
【００６５】
第１電圧センシング区間の間、ｉ番目の走査線に接続されたピクセル（Ｐｉ１〜Ｐｉｍ）はピクセル制御信号ＰＣＳに応答して接続されたデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）に第１電圧（Ｖ１＿Ｄ１〜Ｖ１＿Ｄｍ）を充電させる。データ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）に第１電圧（Ｖ１＿Ｄ１〜Ｖ１＿Ｄｍ）を充電することは、第１電圧センシング区間の間持続され、電圧ＡＤＣ５００はデータ線の電圧レベル、すなわち、データ信号をアナログセンス信号として受信し、デジタルセンス信号に変換し、デジタルセンス信号を制御部２００のメモリ２３０に伝達する。
【００６６】
第１電圧センシング区間の間、データ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）に充電される第１電圧（Ｖ１＿Ｄ１〜Ｖ１＿Ｄｍ）はそれぞれのデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）に接続されるピクセル（Ｐｉ１〜Ｐｉｍ）の駆動電流に関する特性係数と関連した値であり得、制御部２００は第１電圧（Ｖ１＿Ｄ１〜Ｖ１＿Ｄｍ）をセンシングすることによって、それぞれのピクセル（Ｐｉ１〜Ｐｉｍ）を、特性係数偏差を補償するための補正参照値を更新する。
【００６７】
ただし、図２に示すように、ｉ番目の走査線に接続されたピクセル（Ｐｉ１〜Ｐｉｍ）の第１電圧センシングを行う間、センシングを行わない他のピクセルのトランジスタを介して漏洩電流（Ｉ＿ｌ）が発生し得、これはデータ線に充電される第１電圧（Ｖ１＿Ｄ１〜Ｖ１＿Ｄｍ）に影響を及ぼす。
【００６８】
センシングを行わない他のピクセルをデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）とスイッチング可能に接続するスイッチングトランジスタはターンオフ状態を維持するが、非理想的なトランジスタの場合、ターンオフ状態で微細に電流が流れ得、ｉ番目の走査線に接続されたピクセル（Ｐｉ１〜Ｐｉｍ）を除いたセンシングを行わない走査線及びこれに接続されたピクセルの数がセンシングを行うｉ番目の走査線及びこれに接続されたピクセル（Ｐｉ１〜Ｐｉｍ）に比べてはるかに多いため、このような漏洩電流（Ｉ＿ｌ）はセンシングされるデータ信号に大きい影響を及ぼす。
【００６９】
特に、センシングされる第１電圧（Ｖ１＿Ｄ１〜Ｖ１＿Ｄｍ）が小さいほどこのような影響はさらに深化される。
【００７０】
次いで、第２初期化区間の間、データスイッチ（ＳＷ＿Ｄ）はターンオンされ、センシングスイッチ（ＳＷ＿Ｓ）はターンオフされる。すなわち、第２初期化区間において、データスイッチング部８００は複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）をデータ駆動部４００に接続し、複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）を電圧ＡＤＣ５００から遮断する。
【００７１】
第２初期化区間の間、データ駆動部４００はタイミング制御部２１０からのデータ制御信号ＤＣＳに応答し、初期化電圧信号Ｖｉｎｔをデータ出力信号として出力し、すべてのデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）には初期化電圧信号に相応するデータ信号が印加される。
【００７２】
次いで、第２電圧センシング区間の間、データスイッチ（ＳＷ＿Ｄ）はターンオフされ、センシングスイッチ（ＳＷ＿Ｓ）はターンオンされる。すなわち、第２電圧センシング区間において、データスイッチング部８００は複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）をデータ駆動部４００から遮断し、複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）を電圧ＡＤＣ５００に接続する。
【００７３】
第２電圧センシング区間の間、ｉ番目の走査線に接続されたピクセル（Ｐｉ１〜Ｐｉｍ）のスイッチングトランジスタはターンオフ状態が維持され得、ｉ番目の走査線に接続されたピクセル（Ｐｉ１〜Ｐｉｍ）はデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）から接続が遮断され得る。
【００７４】
第２電圧センシング区間の間、複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）とこれに接続された複数のピクセルとの間には漏洩電流（Ｉ＿ｌ）が発生し得、これは複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）の電圧を初期化電圧Ｖｉｎｔから第２電圧（Ｖ２＿Ｄ１〜Ｖ２＿Ｄｍ）に変動させ得る。
【００７５】
第２電圧センシング区間の間、電圧ＡＤＣ５００はデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）の電圧レベル、すなわち、データ信号をアナログセンス信号として受信し、デジタルセンス信号に変換し得、デジタルセンス信号を制御部２００のメモリ２３０に伝達し得る。
【００７６】
次いで、データ再書き込み区間において、データスイッチ（ＳＷ＿Ｄ）はターンオンされ、センシングスイッチ（ＳＷ＿Ｓ）はターンオフされる。すなわち、データ再書き込み区間において、データスイッチング部８００は複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）をデータ駆動部４００に接続し、複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）を電圧ＡＤＣ５００から遮断する。
【００７７】
データ駆動部４００は、センシング動作が行われる前にｉ番目の走査線に接続されたピクセル（Ｐｉ１〜Ｐｉｍ）に印加されたデータ出力信号を再び出力し得、ピクセル（Ｐｉ１〜Ｐｉｍ）は本来のデータ信号に相応する光を発光する。ただし、いくつかの実施形態において、センシング動作が一つのフレームの末尾から次のフレームに移る待機時間の間に行われた場合、このようなデータ再書き込み区間は省略できる。
【００７８】
このような少なくとも一つの走査線ＳＬｉに接続されたピクセル（Ｐｉ１〜Ｐｉｍ）に対する一連のセンシング動作は一つのフレーム内で行われる。なぜなら、センシングされない他のピクセルに漏洩される電流の量はセンシングされない他のピクセルに予め印加されたデータ電圧のレベル及びこれに応じて流れる駆動電流の量により変わるため、互いに異なるフレームに対して第１センシング区間及び第２センシング区間が位置する場合、第１センシング区間及び第２センシング区間で漏洩される電流の量及び漏洩電流によるデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）の電圧変動が異なる場合があるからである。
【００７９】
また、第１センシング区間及び第２センシング区間の区間長さまたは時間は同じであり得る。第１センシング区間及び第２センシング区間で漏洩される電流及び漏洩電流によるデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）の電圧変動は漏洩する時間の間持続され、これに、第１センシング区間及び第２センシング区間の長さまたは時間が同じであれば、第１センシング区間及び第２センシング区間で漏洩する電流及びそれによるデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）の電圧変動は同じであり得る。
【００８０】
映像データ補正部２２０はメモリ２３０から第１センシング区間の間に受信された第１電圧（Ｖ１＿Ｄ１〜Ｖ１＿Ｄｍ）に相応するデジタルセンス信号と第２センシング区間の間に受信された第２電圧（Ｖ２＿Ｄ１〜Ｖ２＿Ｄｍ）に相応するデジタルセンス信号を読み出し、第２電圧（Ｖ２＿Ｄ１〜Ｖ２＿Ｄｍ）に相応するデジタルセンス信号に基づいて第１電圧（Ｖ１＿Ｄ１〜Ｖ１＿Ｄｍ）で漏洩電流による電圧変動が除去された電圧を判別する。
【００８１】
例えば、初期化電圧Ｖｉｎｔは予め定められた電圧であり、ｉ番目の走査線に接続されるそれぞれのピクセル（Ｐｉ１〜Ｐｉｍ）に同一に印加され、初期化電圧Ｖｉｎｔとセンシングされた第２電圧（Ｖ２＿Ｄ１〜Ｖ２＿Ｄｍ）との差異はそれぞれのデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）で漏洩された電流による漏洩電圧（ΔＶｌｅａｋａｇｅ＿Ｄ１〜ΔＶｌｅａｋａｇｅ＿Ｄｍ）に対応する。したがって、それぞれのデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）からセンシングされた第１電圧（Ｖ１＿Ｄ１〜Ｖ１＿Ｄｍ）から第２電圧（Ｖ２＿Ｄ１〜Ｖ２＿Ｄｍ）を引いて、これに予め定められた初期化電圧Ｖｉｎｔを加えると、それぞれのデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）でセンシングされた第１電圧（Ｖ１＿Ｄ１〜Ｖ１＿Ｄｍ）で漏洩電流による漏洩電圧（ΔＶｌｅａｋａｇｅ＿Ｄ１〜ΔＶｌｅａｋａｇｅ＿Ｄｍ）成分が除去された電圧を判別する。
【００８２】
複数のパネルがデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）に提供する第１電圧（Ｖ１＿Ｄ１〜Ｖ１＿Ｄｍ）はそれぞれのピクセルの特性偏差が反映された電圧信号であり得る。制御部２００はセンシングされた第１電圧（Ｖ１＿Ｄ１〜Ｖ１＿Ｄｍ）及び第２電圧（Ｖ２＿Ｄ１〜Ｖ２＿Ｄｍ）から第１電圧（Ｖ１＿Ｄ１〜Ｖ１＿Ｄｍ）で漏洩電圧成分が除去された電圧を判別し、判別された電圧からそれぞれのピクセル別の特性偏差を映像データＩＭＡＧＥに補償した、補正された映像データＩＭＡＧＥ’を出力する。
【００８３】
例えば、第１センシング区間において、ｉ番目の走査線に接続されたピクセル（Ｐｉ１〜Ｐｉｍ）はそれぞれのデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）に駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈ成分を含む電圧を印加し、データ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）の電圧レベル、すなわち、データ信号は第１電圧（Ｖ１＿Ｄ１〜Ｖ１＿Ｄｍ）で充電される。ピクセルが低階調領域で動作するとき、すなわち、駆動トランジスタに印加されるデータ信号の電圧レベルが低いとき、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈがそれぞれのピクセルの階調または特性に及ぼす影響が相対的に大きいだろう。
【００８４】
また、第１センシング区間において、ｉ番目の走査線に接続されたピクセル（Ｐｉ１〜Ｐｉｍ）は特定階調、例えば、有機発光素子が最大階調で発光するときの階調に相応するデータ信号による電流をデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）に提供し、これにより、データ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）は第１電圧（Ｖ１＿Ｄ１〜Ｖ１＿Ｄｍ）で充電される。ピクセルが高階調領域で動作するとき、すなわち、駆動トランジスタに印加されるデータ信号の電圧レベルが高いとき、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈがそれぞれのピクセルの階調または特性に及ぼす影響が相対的に小さく、駆動トランジスタの他の特性、例えば、電荷移動度、ゲートキャパシタンス、チャネル幅及びチャネル長さなどの係数がそれぞれのピクセルの階調または特性に及ぼす影響が相対的に大きいだろう。
【００８５】
本発明のいくつかの実施形態において、制御部２００は低階調領域での複数のピクセルの特性偏差及び高階調領域での複数のピクセルの特性偏差をすべて判別し、両者を組み合わせて補正参照値を生成する。
【００８６】
すなわち、低階調領域でのピクセルの特性偏差を判別するために、先立って説明したような第１初期化区間、第１電圧センシング区間、第２初期化区間及び第２電圧センシング区間が一つのフレーム内で行われた後に、高階調領域でのピクセルの特性偏差を判別するための第３初期化区間、第３電圧センシング区間、第４初期化区間及び第４電圧センシング区間が行われる。
【００８７】
以下では、上記言及したピクセルの実現例とデータ電圧センシング方式を図４から図６を参照して詳細に説明する。
【００８８】
図４は、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の表示パネル１００の一ピクセル及びこれに接続されたデータ線、走査線及びデータスイッチング部８００を共に示す回路図である。
【００８９】
図５は図４に示す回路図が低階調駆動領域でのデータ電圧のセンシング動作をするときを示すタイミング図である。
【００９０】
図６は図４に示す回路図が高階調駆動領域でのデータ電圧のセンシング動作をするときを示すタイミング図である。
【００９１】
先に、図４を参照すると、図４は表示パネル１００の複数のピクセルのうちの一ピクセルＰｉｊ、これに接続された走査線ＳＬｉ及びデータ線ＤＬｊと他の信号線を示す。
【００９２】
図４において、本発明の一実施形態に係る表示パネル１００の一ピクセルＰｉｊは第１ないし第６トランジスタＴ６を含み得、第１ないし第６トランジスタＴ６はＰＭＯＳトランジスタを使用した回路が示された。
【００９３】
第１トランジスタＴ１は有機発光素子に供給される電流の量を調節するトランジスタであり、先立って図１から図３を参照して説明した駆動トランジスタに対応する。第１トランジスタＴ１のソース端子に接続されたノードＳは第４トランジスタＴ４のドレイン端子に接続され、第１トランジスタＴ１のソース端子は第４トランジスタＴ４を介して第１電源電圧源ＥＬＶＤＤに接続される。第１トランジスタＴ１のドレイン端子に接続されたノードＤは有機発光素子の陽極に接続され、第１トランジスタＴ１のドレイン端子は有機発光素子を経由して第２電源電圧源ＥＬＶＳＳに接続される。
【００９４】
有機発光素子が発光するとき、第２電源電圧源ＥＬＶＳＳは第１電源電圧源ＥＬＶＤＤより低い電圧レベルを有し得、第１電源電圧源ＥＬＶＤＤ及び第２電源電圧源ＥＬＶＳＳの電圧差によって第１トランジスタＴ１に流れる駆動電流が生成され、第１トランジスタＴ１を飽和領域で動作するようにする。
【００９５】
第２トランジスタＴ２は、第１トランジスタＴ１のゲート端子に接続されたノードＧと一つのデータ線ＤＬｊとの接続可否を制御するためにスイッチングするトランジスタであり、先立って図１ないし図３を参照して説明したスイッチングトランジスタに対応する。第２トランジスタＴ２のドレイン端子は第１トランジスタＴ１のゲート端子に接続されたノードＧに接続され、第２トランジスタＴ２のソース端子は一つのデータ線ＤＬｊに接続される。第２トランジスタＴ２のゲート端子は一つの走査線ＳＬｉに接続され、走査線ＳＬｉからスキャン信号ＳＣＡＮを印加される。
【００９６】
第３トランジスタＴ３は、第１トランジスタＴ１のドレイン端子及び有機発光素子の陽極に接続されたノードＤと一つのデータ線ＤＬｊとの接続可否を制御するためにスイッチングするトランジスタである。第３トランジスタＴ３のソース端子は第１トランジスタＴ１のドレイン端子に接続されたノードＤに接続され、第３トランジスタＴ３のドレイン端子は一つのデータ線ＤＬｊに接続される。第３トランジスタＴ３のゲート端子にはセンシング電圧ＳＥＮＳＥが印加され、第３トランジスタＴ３はセンシング電圧ＳＥＮＳＥに応答して第１トランジスタＴ１のドレイン端子に接続されたノードＤと一つのデータ線ＤＬｊとの接続可否を制御するためにスイッチングする。
【００９７】
第４トランジスタＴ４は、第１トランジスタＴ１のソース端子に接続されたノードＳと第１電源電圧源ＥＬＶＤＤとの接続可否を制御するためにスイッチングするトランジスタである。すなわち、第４トランジスタＴ４は第１トランジスタＴ１に供給される電圧または電流を開放または遮断させる役割を果たし、有機発光素子のターンオンまたはターンオフを速く切替えるスイッチの役割を果たす。
【００９８】
第４トランジスタＴ４のドレイン端子は第１トランジスタＴ１のソース端子に接続されたノードＳに接続され、第４トランジスタＴ４のソース端子は第１電源電圧源ＥＬＶＤＤに接続される。第４トランジスタＴ４のゲート端子はエミッション電圧ＥＭに接続され、第４トランジスタＴ４はエミッション電圧ＥＭに応答して第１電源電圧源ＥＬＶＤＤと第１トランジスタＴ１のソース端子に接続されたノードＳとの接続可否を制御するためにスイッチングする。
【００９９】
第５トランジスタＴ５は、第１トランジスタＴ１のソース端子に接続されたノードＳに維持電圧Ｖｓｕｓの印加可否を制御するトランジスタである。第５トランジスタＴ５のソース端子には維持電圧Ｖｓｕｓが印加され、第５トランジスタＴ５のドレイン端子は第１トランジスタＴ１のソース端子に接続されたノードＳに接続される。第５トランジスタＴ５のゲート端子は一走査線ＳＬｉに接続され、走査線ＳＬｉからスキャン信号ＳＣＡＮを印加され、第５トランジスタＴ５のターンオンまたはターンオフを制御するためにスイッチングする。
【０１００】
第６トランジスタＴ６は、第１トランジスタＴ１のゲート端子に接続されたノードＧと第１トランジスタＴ１のソース端子に接続されたノードＳとの接続可否を制御するためにスイッチングするトランジスタである。第６トランジスタＴ６のソース端子は第１トランジスタＴ１のソース端子に接続されたノードＳに接続され、第６トランジスタＴ６のドレイン端子は第１トランジスタＴ１のゲート端子に接続されたノードＧに接続される。第６トランジスタＴ６のゲート端子にはバイアス電圧ＢＩＡＳが印加され、第６トランジスタＴ６はバイアス電圧ＢＩＡＳに応答して第１トランジスタＴ１のソース端子に接続されたノードＳと第１トランジスタＴ１のゲート端子に接続されたノードＧとを接続または遮断する。
【０１０１】
維持電極ＣＳＴＧは第６トランジスタＴ６と並列であり、両端が第１トランジスタＴ１のソース端子に接続されたノードＳと第１トランジスタＴ１のゲート端子に接続されたノードＧに接続される。
【０１０２】
次いで、図５を参照してピクセルＰｉｊが低階調領域で動作するとき、すなわち、第１トランジスタＴ１のゲート端子に印加されるデータ信号Ｄｊの電圧レベルが低いとき、第１トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈに関連した電圧をセンシングする低階調センシング動作を説明する。
【０１０３】
図５を参照すると、低階調センシング動作は、第１初期化区間、Ｖｔｈセンシング区間、第２初期化区間、漏洩電流センシング区間及びデータ再書き込み区間からなる。いくつかの実施形態においてデータ再書き込み区間は省略できる。
【０１０４】
先ず、低階調センシング動作の全区間で第２電源電圧源ＥＬＶＳＳ及びバイアス電圧ＢＩＡＳは高電圧（ターンオフ電圧）を維持し得るため、低階調センシング動作の全区間で、有機発光素子に流れる電流を遮断し、第６トランジスタＴ６をターンオフし得る。
【０１０５】
第１初期化区間の間、データスイッチ（ＳＷ＿Ｄ）はターンオンされ、センシングスイッチ（ＳＷ＿Ｓ）はターンオフされる。すなわち、第１初期化区間において、データスイッチング部８００は複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）をデータ駆動部４００に接続し、複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）を電圧ＡＤＣ５００から遮断する。
【０１０６】
第１初期化区間の間、データ駆動部４００はタイミング制御部２１０からのデータ制御信号ＤＣＳに応答して初期化電圧信号Ｖｉｎｔをデータ出力信号として出力し、すべてのデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）には初期化電圧信号に相応するデータ信号が印加される。
【０１０７】
第１初期化区間の間、スキャン電圧ＳＣＡＮは低電圧（ターンオン電圧）、エミッション電圧ＥＭは高電圧（ターンオフ電圧）、センシング電圧ＳＥＮＳＥは高電圧（ターンオフ電圧）を維持する。
【０１０８】
これにより、第２トランジスタＴ２及び第５トランジスタＴ５はターンオンされ、第４トランジスタＴ４はターンオフされ、第３トランジスタＴ３はターンオフされる。
【０１０９】
したがって、第１初期化区間の間、データ線ＤＬｊと第１トランジスタＴ１のゲート端子に接続されたノードＧには初期化電圧が印加され、第１トランジスタＴ１のソース端子に接続されたノードＳには維持電圧Ｖｓｕｓが印加される。
【０１１０】
次いで、Ｖｔｈ電圧センシング区間の間、データスイッチ（ＳＷ＿Ｄ）はターンオフされ、センシングスイッチ（ＳＷ＿Ｓ）はターンオンされる。すなわち、Ｖｔｈ電圧センシング区間において、データスイッチング部８００は複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）をデータ駆動部４００から遮断し、複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）を電圧ＡＤＣ５００に接続する。
【０１１１】
Ｖｔｈ電圧センシング区間の間、スキャン電圧ＳＣＡＮは低電圧（ターンオン電圧）、エミッション電圧ＥＭは高電圧（ターンオフ電圧）、センシング電圧ＳＥＮＳＥは低電圧（ターンオン電圧）を維持する。
【０１１２】
これにより、第２トランジスタＴ２及び第５トランジスタＴ５はターンオンされ、第４トランジスタＴ４はターンオフされ、第３トランジスタＴ３はターンオンされる。
【０１１３】
すなわち、第１トランジスタＴ１のゲート端子に接続されたノードＧ及び第１トランジスタＴ１のドレイン端子に接続されたノードＤは第３トランジスタＴ３、データ線ＤＬｊ及び第２トランジスタＴ２を経由して導通し得るため、第１トランジスタＴ１には第１トランジスタＴ１のドレイン端子とゲート端子が接続されたダイオード接続が形成される。第１トランジスタＴ１がダイオード接続を形成し、第１トランジスタＴ１のソース端子には維持電圧Ｖｓｕｓが印加されるため、第１トランジスタＴ１のゲート端子またはドレイン端子に印加される電圧はＶｓｕｓ−｜Ｖｔｈ｜に相応する。したがって、データ線ＤＬｊの電圧レベルはＶｓｕｓ−｜Ｖｔｈ｜に上昇する。ここで、｜Ｖｔｈ｜は第１トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈの絶対値を意味し、Ｖｓｕｓは第５トランジスタＴ５から提供される維持電圧Ｖｓｕｓを意味する。
【０１１４】
維持電圧Ｖｓｕｓは予め定められた値として、複数のピクセルに同一に提供される。電圧ＡＤＣ５００はＶｔｈ電圧センシング区間においてデータ線ＤＬｊに充電された電圧レベル（Ｖｓｕｓ−｜Ｖｔｈ｜）をセンシングし、第１トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈを判断する。しかし、先立って図１から図３を参照して説明したように、データ線ＤＬｊに接続されてセンシングが行われない他のピクセル（Ｐ１ｊ〜Ｐｎｊ）に漏洩される電流によって、データ線ＤＬｊに充電された電圧レベルは漏洩電流による誤差に相応する漏洩電圧差（ΔＶｌｅａｃｋａｇｅ＿Ｄｊ）成分が考慮されるべきであり、これに、電圧ＡＤＣ５００にセンシングされるデータ線ＤＬｊの電圧レベルはＶｓｕｓ−｜Ｖｔｈ｜＋ΔＶｌｅａｃｋａｇｅ＿Ｄｊであり得る。
【０１１５】
電圧ＡＤＣ５００はデータ線ＤＬｊの電圧レベル（Ｖｓｕｓ−｜Ｖｔｈ｜＋ΔＶｌｅａｃｋａｇｅ＿Ｄｊ）をアナログ信号として受信し、デジタルセンス信号に変換し得、変換されたデジタルセンス信号を制御部２００のメモリ２３０に伝達し得る。
【０１１６】
次いで、第２初期化区間の間、データスイッチ（ＳＷ＿Ｄ）はターンオンされ、センシングスイッチ（ＳＷ＿Ｓ）はターンオフされる。すなわち、第２初期化区間において、データスイッチング部８００は複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）をデータ駆動部４００に接続し、複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）を電圧ＡＤＣ５００から遮断する。
【０１１７】
第２初期化区間の間、データ駆動部４００はタイミング制御部２１０からのデータ制御信号ＤＣＳに応答し、初期化電圧信号Ｖｉｎｔをデータ出力信号として出力し、すべてのデータ線には初期化電圧信号に相応するデータ信号が印加される。
【０１１８】
第２初期化区間の間、スキャン電圧ＳＣＡＮは高電圧（ターンオフ電圧）、エミッション電圧ＥＭは低電圧（ターンオン電圧）、センシング電圧ＳＥＮＳＥは高電圧（ターンオフ電圧）を維持する。
【０１１９】
これにより、第２トランジスタＴ２、第３トランジスタＴ３及び第５トランジスタＴ５はターンオフされ、第４トランジスタＴ４はターンオンされる。
【０１２０】
したがって、第２初期化区間の間、データ線ＤＬｊには初期化電圧が印加されてデータ線ＤＬｊはピクセルＰｉｊとの接続が遮断される。
【０１２１】
次いで、漏洩電流センシング区間の間、データスイッチ（ＳＷ＿Ｄ）はターンオフされ、センシングスイッチ（ＳＷ＿Ｓ）はターンオンされる。すなわち、漏洩電流センシング区間において、データスイッチング部８００は複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）をデータ駆動部４００から遮断し、複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）を電圧ＡＤＣ５００に接続する。
【０１２２】
漏洩電流センシング区間の間、スキャン電圧ＳＣＡＮは高電圧（ターンオフ電圧）、エミッション電圧ＥＭは低電圧（ターンオン電圧）、センシング電圧ＳＥＮＳＥは高電圧（ターンオフ電圧）を維持する。
【０１２３】
これにより、第２トランジスタＴ２、第３トランジスタＴ３及び第５トランジスタＴ５はターンオフされ、第４トランジスタＴ４はターンオンされる。
【０１２４】
すなわち、データラインＤＬｊとピクセルＰｉｊとの接続は遮断され、第２初期化区間の間、データ線ＤＬｊに充電された初期化電圧は漏洩電流センシング区間の間にデータ線ＤＬｊに接続されたピクセル（Ｐ１ｊ〜Ｐｎｊ）に漏洩され、これによりデータ線ＤＬｊに充電された電圧レベルは初期化電圧Ｖｉｎｔで漏洩電流による漏洩電圧差（ΔＶｌｅａｃｋａｇｅ＿Ｄｊ）を引いたＶｉｎｔ−ΔＶｌｅａｃｋａｇｅ＿Ｄｊであり得る。
【０１２５】
電圧ＡＤＣ５００は漏洩電流センシング区間において、データ線ＤＬｊの電圧レベル（Ｖｉｎｔ−ΔＶｌｅａｃｋａｇｅ＿Ｄｊ）をアナログセンシングし、デジタルセンス信号に変換し得、変換されたデジタルセンス信号電圧ＡＤＣ５００はデータ線ＤＬｊの電圧レベル（Ｖｉｎｔ−ΔＶｌｅａｃｋａｇｅ＿Ｄｊ）をアナログ信号として受信し、デジタルセンス信号に変換し得、変換されたデジタルセンス信号を制御部２００のメモリ２３０に伝達し得る。
【０１２６】
初期化電圧Ｖｉｎｔは予め定められた値として、複数のピクセルに同一に提供される。これに、制御部２００は漏洩電流センシング区間において、センシングされたデータ線ＤＬｊの電圧レベル（Ｖｉｎｔ−ΔＶｌｅａｃｋａｇｅ＿Ｄｊ）から漏洩電流による漏洩電圧差（ΔＶｌｅａｃｋａｇｅ＿Ｄｊ）を正確にセンシングし得る。
【０１２７】
具体的には、制御部２００はＶｔｈセンシング区間の間、センシングされたデータ線ＤＬｊの電圧レベル（Ｖｓｕｓ−｜Ｖｔｈ｜＋ΔＶｌｅａｃｋａｇｅ＿Ｄｊ）から漏洩電流センシング区間の間にセンシングされたデータ線ＤＬｊの電圧レベルを引いた値（（Ｖｓｕｓ−｜Ｖｔｈ｜＋ΔＶｌｅａｃｋａｇｅ＿Ｄｊ）−Ｖｉｎｔ−ΔＶｌｅａｃｋａｇｅ＿Ｄｊ）に予め定められたＶｉｎｔ値を加えることにより、第１トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈ成分を含む電圧を判別し得る。
【０１２８】
すなわち、制御部２００は、（Ｖｓｕｓ−｜Ｖｔｈ｜＋ΔＶｌｅａｃｋａｇｅ＿Ｄｊ）−Ｖｉｎｔ−ΔＶｌｅａｃｋａｇｅ＿Ｄｊ＋Ｖｉｎｔ＝（Ｖｓｕｓ−｜Ｖｔｈ｜）の式を導き出す。維持電圧Ｖｓｕｓも予め定められた値であるため、制御部２００は漏洩電流が考慮された第１トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈを判別し得る。
【０１２９】
制御部２００はそれぞれのピクセルに相応する（Ｖｓｕｓ−｜Ｖｔｈ｜）値を判別し、制御部２００は判別された（Ｖｓｕｓ−｜Ｖｔｈ｜）値をメモリ２３０に格納する。以下では、メモリ２３０に格納されたそれぞれのピクセル別の（Ｖｓｕｓ−｜Ｖｔｈ｜）値を記憶された電圧ＶＭＥＭと呼ぶ。
【０１３０】
上述したように、少なくとも一つのピクセルＰｉｊに対する一連の低階調領域のセンシング動作は一つのフレーム内で行われる。なぜなら、センシングされない他のピクセルに漏洩する電流の量はセンシングされない他のピクセルに予め印加されたデータ電圧のレベル、これに応じて流れる駆動電流の量によって変わるため、互いに異なるフレームに対してＶｔｈセンシング区間及び漏洩電流センシング区間が位置する場合、Ｖｔｈセンシング区間及び漏洩電流センシング区間において漏洩する電流の量及び漏洩電流によるデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）の電圧変動が異なり得るからである。
【０１３１】
また、Ｖｔｈセンシング区間及び漏洩電流センシング区間の区間長さまたは時間は同じであり得る。Ｖｔｈセンシング区間及び漏洩電流センシング区間において、漏洩する電流及び漏洩電流によるデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）の電圧変動は、漏洩される時間の間持続されるため、Ｖｔｈセンシング区間及び漏洩電流センシング区間の長さまたは時間が同じであれば、Ｖｔｈセンシング区間及び漏洩電流センシング区間において漏洩される電流及びそれによるデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）の電圧変動は同じであり得る。
【０１３２】
次いで、データ再書き込み区間において、データスイッチ（ＳＷ＿Ｄ）はターンオンされ、センシングスイッチ（ＳＷ＿Ｓ）はターンオフされる。すなわち、データ再書き込み区間において、データスイッチング部８００は複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）をデータ駆動部４００に接続し、複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）を電圧ＡＤＣ５００から遮断する。
【０１３３】
データ駆動部４００はセンシング動作が行われる前にｉ番目の走査線に接続されたピクセル（Ｐｉ１〜Ｐｉｍ）に印加されたデータ出力信号を再び出力し得、ピクセル（Ｐｉ１〜Ｐｉｍ）は本来のデータ信号に相応する光を発光し得る。ただし、いくつかの実施形態において、センシング動作が一つのフレームの末尾から次のフレームに移る待機時間の間に行われた場合、このようなデータ再書き込み区間は省略できる。
【０１３４】
次に、図６を参照してピクセルＰｉｊが高階調領域で動作するとき、すなわち、第１トランジスタＴ１を介して流れる電流が相対的に大きいとき、第１トランジスタＴ１の特性偏差を判断するための高階調センシング動作を説明する。
【０１３５】
図６を参照すると、高階調センシング動作は、Ｖｒｅｆ書き込み区間、第１初期化区間、ΔＶＩｒｅｆ電圧センシング区間、第２初期化区間、漏洩電流センシング区間及びデータ再書き込み区間からなる。いくつかの実施形態でデータ再書き込み区間は省略できる。
【０１３６】
先ず、高階調センシング動作の全区間において第２電源電圧源ＥＬＶＳＳ及びバイアス電圧ＢＩＡＳは高電圧（ターンオフ電圧）を維持し得、これに、高階調センシング動作の全区間において有機発光素子に流れる電流を遮断し、第６トランジスタＴ６をターンオフし得る。
【０１３７】
Ｖｒｅｆ書き込み区間の間、データスイッチ（ＳＷ＿Ｄ）はターンオンされ、センシングスイッチ（ＳＷ＿Ｓ）はターンオフされる。すなわち、Ｖｒｅｆ書き込み区間において、データスイッチング部８００は複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）をデータ駆動部４００に接続し、複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）を電圧ＡＤＣ５００から遮断する。
【０１３８】
Ｖｒｅｆ書き込み区間の間、データ駆動部４００はタイミング制御部２１０からのデータ制御信号ＤＣＳに応答して先立って低階調センシング動作でメモリ２３０に記録された記憶された電圧ＶＭＥＭから参照電圧Ｖｒｅｆを引いた電圧信号をデータ出力信号として出力し、それぞれのデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）別に記憶された電圧ＶＭＥＭから参照電圧Ｖｒｅｆを引いた電圧に相応するデータ信号が印加される。
【０１３９】
Ｖｒｅｆ書き込み区間のあいだ、スキャン電圧ＳＣＡＮは低電圧（ターンオン電圧）、エミッション電圧ＥＭは高電圧（ターンオフ電圧）、センシング電圧ＳＥＮＳＥは高電圧（ターンオフ電圧）を維持する。
【０１４０】
これにより、第２トランジスタＴ２及び第５トランジスタＴ５はターンオンされ、第４トランジスタＴ４はターンオフされ、第３トランジスタＴ３はターンオフされる。
【０１４１】
したがって、Ｖｒｅｆ書き込み区間の間、データ線ＤＬｊと第１トランジスタＴ１のゲート端子に接続されたノードＧには記憶された電圧ＶＭＥＭ電圧から参照電圧Ｖｒｅｆを引いた電圧、すなわち、（ＶＭＥＭ−Ｖｒｅｆ）が印加され、第１トランジスタＴ１のソース端子に接続されたノードＳには維持電圧Ｖｓｕｓが印加される。
【０１４２】
次いで、第１初期化区間の間、データスイッチ（ＳＷ＿Ｄ）はターンオンされ、センシングスイッチ（ＳＷ＿Ｓ）はターンオフされる。すなわち、第１初期化区間において、データスイッチング部８００は複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）をデータ駆動部４００に接続し、複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）を電圧ＡＤＣ５００から遮断する。
【０１４３】
第１初期化区間の間、データ駆動部４００はタイミング制御部２１０からのデータ制御信号ＤＣＳに応答し、初期化電圧信号Ｖｉｎｔをデータ出力信号として出力し、すべてのデータ線には初期化電圧信号に相応するデータ信号が印加される。
【０１４４】
第１初期化区間の間、スキャン電圧ＳＣＡＮは高電圧（ターンオフ電圧）、エミッション電圧ＥＭは低電圧（ターンオン電圧）、センシング電圧ＳＥＮＳＥは高電圧（ターンオフ電圧）を維持する。
【０１４５】
これにより、第２トランジスタＴ２、第３トランジスタＴ３及び第５トランジスタＴ５はターンオンされ、第４トランジスタＴ４はターンオフされる。
【０１４６】
したがって、第１初期化区間の間、データ線ＤＬｊはターンオフされた第２トランジスタＴ２及び第３トランジスタＴ３によってピクセルＰｉｊと電気的な接続が遮断され、データ線ＤＬｊは初期化電圧Ｖｉｎｔレベルを維持する。また、第１トランジスタＴ１のソース端子に接続されたノードＳは第４トランジスタＴ４を介して第１電源電圧源ＥＬＶＤＤに接続され、第１トランジスタＴ１のソース端子に接続されたノードＳの電圧レベルは第１電源電圧源ＥＬＶＤＤの電圧レベルと同じであり得る。また、Ｖｒｅｆ書き込み区間において、維持電極ＣＳＴＧの両端は（ＶＭＥＭ−Ｖｒｅｆ）−Ｖｓｕｓの電圧差で充電されるため、第１初期化区間において第１トランジスタＴ１のソース端子に接続されたノードＳは（ＶＭＥＭ−Ｖｒｅｆ）−Ｖｓｕｓ＋ＥＬＶＤＤ＝（Ｖｓｕｓ−｜Ｖｔｈ｜−Ｖｒｅｆ）−Ｖｓｕｓ＋ＥＬＶＤＤ＝ＥＬＶＤＤ−Ｖｒｅｆ−｜Ｖｔｈ｜の電圧レベルを有し得る。
【０１４７】
次いで、ΔＶＩｒｅｆ電圧センシング区間の間、データスイッチ（ＳＷ＿Ｄ）はターンオフされ、センシングスイッチ（ＳＷ＿Ｓ）はターンオンされる。すなわち、ΔＶＩｒｅｆ電圧センシング区間において、データスイッチング部８００は複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）をデータ駆動部４００から遮断し、複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）を電圧ＡＤＣ５００に接続する。
【０１４８】
ΔＶＩｒｅｆ電圧センシング区間の間、スキャン電圧ＳＣＡＮは高電圧（ターンオフ電圧）、エミッション電圧ＥＭは低電圧（ターンオン電圧）、センシング電圧ＳＥＮＳＥは低電圧（ターンオン電圧）を維持する。
【０１４９】
これにより、第２トランジスタＴ２及び第５トランジスタＴ５はターンオフされ、第３トランジスタＴ３及び第４トランジスタＴ４はターンオンされる。
【０１５０】
すなわち、第１トランジスタＴ１のドレイン端子に接続されたノードＤ及びデータ線ＤＬｊは第３トランジスタＴ３を介して導通され、第１トランジスタＴ１を流れる駆動電流（ＩＴ１）はデータ線ＤＬｊを充電させ、ΔＶＩｒｅｆ電圧センシング区間の間、データ線ＤＬｊの電圧レベルが変動する程度は参照充電電圧差（ΔＶＩｒｅｆ）により示し得る。
【０１５１】
このとき、参照充電電圧差（ΔＶＩｒｅｆ）の値は下記の「方程式２」に示し得る。
【０１５２】
【数２】
0006748407.tif 000003
【０１５３】
ここで、ｔｓはΔＶＩｒｅｆ電圧センシング区間の時間であり、ＣＤＡＴＡはデータ線ＤＬｊのキャパシタンスである。本発明の一実施形態において、電圧センシング区間の時間または長さと、漏洩電流センシング区間の時間または長さは同じであり得、ｔｓは漏洩電流センシング区間の時間であり得る。初期化電圧Ｖｉｎｔは予め定められた値として、複数のピクセルに同一に提供される値である。電圧ＡＤＣ５００はΔＶＩｒｅｆ電圧センシング区間においてデータ線ＤＬｊに充電された電圧レベル（Ｖｉｎｔ＋ΔＶＩｒｅｆ）をセンシングして参照充電電圧差（ΔＶＩｒｅｆ）を判断する。しかし、上記図１から図３を参照して説明した通り、データ線ＤＬｊに接続されセンシングが行われない他のピクセル（Ｐ１ｊ〜Ｐｎｊ）に漏洩する電流によって、データ線ＤＬｊに充電された電圧レベルは漏洩電流による誤差に相応する漏洩電圧差（ΔＶｌｅａｃｋａｇｅ＿Ｄｊ）の成分が考慮されるべきであり、これに、電圧ＡＤＣ５００にセンシングされるデータ線ＤＬｊの電圧レベルはＶｉｎｔ＋ΔＶＩｒｅｆ−ΔＶｌｅａｃｋａｇｅ＿Ｄｊであり得る。
【０１５４】
電圧ＡＤＣ５００はデータ線ＤＬｊの電圧レベル（Ｖｉｎｔ＋ΔＶＩｒｅｆ−ΔＶｌｅａｃｋａｇｅ＿Ｄｊ）をアナログ信号として受信し、デジタルセンス信号に変換し、変換されたデジタルセンス信号を制御部２００のメモリ２３０に伝達する。
【０１５５】
次いで、第２初期化区間の間、データスイッチ（ＳＷ＿Ｄ）はターンオンされ、センシングスイッチ（ＳＷ＿Ｓ）はターンオフされる。すなわち、第２初期化区間において、データスイッチング部８００は複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）をデータ駆動部４００に接続し、複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）を電圧ＡＤＣ５００から遮断する。
【０１５６】
第２初期化区間の間、データ駆動部４００はタイミング制御部２１０からのデータ制御信号ＤＣＳに応答し、初期化電圧信号Ｖｉｎｔをデータ出力信号として出力し、すべてのデータ線ＤＬｊには初期化電圧信号に相応するデータ信号が印加される。
【０１５７】
第２初期化区間の間、スキャン電圧ＳＣＡＮは高電圧（ターンオフ電圧）、エミッション電圧ＥＭは低電圧（ターンオン電圧）、センシング電圧ＳＥＮＳＥは高電圧（ターンオフ電圧）を維持する。
【０１５８】
これにより、第２トランジスタＴ２、第３トランジスタＴ３及び第５トランジスタＴ５はターンオフを維持し、第４トランジスタＴ４ははたいた−オンを維持する。
【０１５９】
したがって、第２初期化区間の間、データ線ＤＬｊには初期化電圧Ｖｉｎｔが印加され、データ線ＤＬｊはピクセルＰｉｊと接続が遮断される。
【０１６０】
次いで、漏洩電流センシング区間の間、データスイッチ（ＳＷ＿Ｄ）はターンオフされ、センシングスイッチ（ＳＷ＿Ｓ）はターンオンされる。すなわち、漏洩電流センシング区間において、データスイッチング部８００は複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）をデータ駆動部４００から遮断し、複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）を電圧ＡＤＣ５００に接続する。
【０１６１】
漏洩電流センシング区間の間、スキャン電圧ＳＣＡＮは高電圧（ターンオフ電圧）、エミッション電圧ＥＭは低電圧（ターンオン電圧）、センシング電圧ＳＥＮＳＥは高電圧（ターンオフ電圧）を維持する。
【０１６２】
これにより、第２トランジスタＴ２、第３トランジスタＴ３及び第５トランジスタＴ５はターンオフを維持し、第４トランジスタＴ４ははたいた−オンを維持する。
【０１６３】
すなわち、データラインＤＬｊとピクセルＰｉｊの接続は遮断され、第２初期化区間の間、データ線ＤＬｊに充電された初期化電圧は漏洩電流センシング区間の間にデータ線ＤＬｊに接続されたピクセル（Ｐ１ｊ〜Ｐｎｊ）に漏洩され、これによりデータ線ＤＬｊに充電された電圧レベルは初期化電圧Ｖｉｎｔから漏洩電流による漏洩電圧差（ΔＶｌｅａｃｋａｇｅ＿Ｄｊ）を引いた、Ｖｉｎｔ−ΔＶｌｅａｃｋａｇｅ＿Ｄｊであり得る。
【０１６４】
電圧ＡＤＣ５００は漏洩電流センシング区間において、データ線ＤＬｊの電圧レベル（Ｖｉｎｔ−ΔＶｌｅａｃｋａｇｅ＿Ｄｊ）をアナログセンシングし、デジタルセンス信号に変換し、変換されたデジタルセンス信号電圧ＡＤＣ５００はデータ線ＤＬｊの電圧レベル（Ｖｉｎｔ−ΔＶｌｅａｃｋａｇｅ＿Ｄｊ）をアナログ信号として受信し、デジタルセンス信号に変換し、変換されたデジタルセンス信号を制御部２００のメモリ２３０に伝達する。
【０１６５】
初期化電圧Ｖｉｎｔは予め定められた値として、複数のピクセルに同一に提供される。これに、制御部２００は漏洩電流センシング区間において、センシングされたデータ線ＤＬｊの電圧レベル（Ｖｉｎｔ−ΔＶｌｅａｃｋａｇｅ＿Ｄｊ）から漏洩電流による漏洩電圧差（ΔＶｌｅａｃｋａｇｅ＿Ｄｊ）を正確にセンシングする。
【０１６６】
具体的には、制御部２００はΔＶＩｒｅｆ電圧センシング区間の間にセンシングされたデータ線ＤＬｊの電圧レベル（Ｖｉｎｔ  ＋ΔＶＩｒｅｆ−ΔＶｌｅａｃｋａｇｅ＿Ｄｊ）から漏洩電流センシング区間の間にセンシングされたデータ線ＤＬｊの電圧レベル（Ｖｉｎｔ−ΔＶｌｅａｃｋａｇｅ＿Ｄｊ）を引くことによって、漏洩電流成分が除去された参照充電電圧差（ΔＶＩｒｅｆ）を判別する。
【０１６７】
制御部２００はそれぞれのピクセル別の参照充電電圧差（ΔＶＩｒｅｆ）を判別し、制御部２００は判別されたそれぞれのピクセル別の参照充電電圧差（ΔＶＩｒｅｆ）をメモリ２３０に格納する。
【０１６８】
ただし、本発明の一実施形態では、それぞれのピクセル別の参照充電電圧差（ΔＶＩｒｅｆ）をメモリ２３０に記録するのではなく、センシングされた参照充電電圧差（ΔＶＩｒｅｆ）を目標充電電圧差（ΔＶＩ＿ｔａｒｇｅｔ）と比較し、比較結果に応じてそれぞれのピクセル別の参照電圧Ｖｒｅｆを増加または減少させ、増加または減少したピクセル別の参照電圧Ｖｒｅｆをメモリ２３０に格納する。また、本発明の他の実施形態において、ピクセル別の参照電圧Ｖｒｅｆは固定された値であり得、メモリ２３０にはセンシングされた参照充電電圧差（ΔＶＩｒｅｆ）と目標充電電圧差（ΔＶＩ＿ｔａｒｇｅｔ）の比較結果に応じて、参照電圧Ｖｒｅｆに対するオフセット値が格納され得る。
【０１６９】
具体的には、目標充電電圧差（ΔＶＩ＿ｔａｒｇｅｔ）は以下の「方程式３」に示し得る。
【０１７０】
【数３】
0006748407.tif 000004
【０１７１】
ここで、ｔｓはΔＶＩｒｅｆ電圧センシング区間の時間及び漏洩電流センシング区間の時間に対応し、ＣＤＡＴＡはデータ線ＤＬｊのキャパシタンスである。Ｉｒｅｆは基準電流値として表示パネル１００の複数のピクセルが特性偏差のない理想的な動作をするときの基準データ信号に対する電流値であり得、例えば、最大階調値に相応するデータ信号に対する駆動電流値であり得る。
【０１７２】
制御部２００はセンシングされた参照充電電圧差（ΔＶＩｒｅｆ）と目標充電電圧差（ΔＶＩ＿ｔａｒｇｅｔ）を比較し、ピクセル別の参照充電電圧差（ΔＶＩｒｅｆ）のうち目標充電電圧差（ΔＶＩ＿ｔａｒｇｅｔ）より小さい参照充電電圧差（ΔＶＩｒｅｆ）を持つピクセルに対し、その参照電圧Ｖｒｅｆ値を減少させて該当ピクセルに流れる駆動電流（ＩＴ１）を減少させ、ピクセル別の参照充電電圧差（ΔＶＩｒｅｆ）のうち目標充電電圧差（ΔＶＩ＿ｔａｒｇｅｔ）より大きい参照充電電圧差（ΔＶＩｒｅｆ）を有するピクセルに対し、その参照電圧Ｖｒｅｆ値を増加させて該当ピクセルの第１トランジスタＴ１に流れる駆動電流（ＩＴ１）を増加させる。増加または減少したピクセル別の参照電圧Ｖｒｅｆはメモリ２３０に記録及び更新される。
【０１７３】
このような高階調センシングは繰り返し行われ、ピクセル別の参照電圧Ｖｒｅｆは累積的に更新され、ピクセル別の参照充電電圧差（ΔＶＩｒｅｆ）は繰り返し更新されることによって目標充電電圧差（ΔＶＩ＿ｔａｒｇｅｔ）に徐々に近接して一致する。
【０１７４】
すなわち、ピクセル別の参照電圧Ｖｒｅｆの繰り返し更新によって、基準電流Ｉｒｅｆとセンシングされた第１トランジスタＴ１に流れる駆動電流（ＩＴ１）は同一になる。
【０１７５】
これに、ピクセルＰｉｊの第１トランジスタＴ１に流れる電流は以下の「方程式４」に示し得る。
【０１７６】
【数４】
0006748407.tif 000005
【０１７７】
ここで、μ、Ｃｏｘ、Ｗ、Ｌはそれぞれ第１トランジスタＴ１の電荷移動度、単位面積当たりのゲートキャパシタンス、チャネル幅及びチャネル長さであって、トランジスタ別の固有の特性係数である。上記式は、先立って説明したピクセルの駆動トランジスタの駆動電流を表現する「方程式１」に比べて、閾値電圧Ｖｔｈ成分が除去されたことを確認できる。
【０１７８】
仮に、それぞれのピクセルの第１トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈに偏差がないかまたは偏差が大きくないと仮定すると、高階調センシング動作ですべてのピクセルの第１トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈは特定電圧、例えば、０．３Ｖを有するものと仮定され、高階調センシング動作で上記「方程式４」に示した参照電流Ｉｒｅｆを判別する。
【０１７９】
または、それぞれのピクセルの第１トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈの偏差を考慮すると、先立って説明したことのような低階調センシング動作によりそれぞれのピクセル別の第１駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈをセンシングし、高階調センシング動作で判別された参照電流で閾値電圧Ｖｔｈ成分を除去する。
【０１８０】
ピクセル別の参照電圧Ｖｒｅｆの反復更新によってセンシングされた第１トランジスタＴ１に流れる駆動電流ＩＴ１と参照駆動電流Ｉｒｅｆが同じになるとき、更新された参照電圧Ｖｒｅｆの値は、「方程式４」から、以下のような「方程式５」に示し得る。
【０１８１】
【数５】
0006748407.tif 000006
【０１８２】
最終的にメモリ２３０に格納される値はそれぞれのピクセル別に記憶された電圧（ＶＭＥＭ＝Ｖｓｕｓ−｜Ｖｔｈ｜）と参照電圧Ｖｒｅｆであり、この値は持続的に更新され、ピクセルの第１駆動トランジスタの時間による特性偏差の変化を補償する。
【０１８３】
以下では、図７を参照して低階調センシング動作と高階調センシング動作を行う有機発光表示装置のディスプレイ動作方式について説明する。
【０１８４】
図７は本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置のディスプレイ動作を示すタイミング図である。図７では、例示としてｉ番目の走査線ＳＬｉに接続されたピクセル（Ｐｉ１〜Ｐｉｍ）に対するディスプレイ動作を示す。
【０１８５】
図４及び図７を参照すると、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置のディスプレイ動作の間、データスイッチ（ＳＷ＿Ｄ）はターンオンされ、センシングスイッチ（ＳＷ＿Ｓ）はターンオフされ、センシング電圧ＳＥＮＳＥには高電圧（ターンオフ電圧）が印加され、第３トランジスタＴ３はターンオフされ、第２電源電圧源ＥＬＶＳＳの電圧は第１電源電圧源ＥＬＶＤＤの電圧に対して十分に低い電圧が印加される。
【０１８６】
図７に示すように、ｉ番目の走査線ＳＬｉのディスプレイ動作はオフバイアス区間、データ書き込み区間及び発光区間を含む。
【０１８７】
オフバイアス区間の間、バイアス電圧はターンオン電圧を維持し、ｉ番目のスキャンラインのスキャン電圧ＳＣＡＮはターンオフ電圧を維持し、エミッション電圧ＥＭはターンオン電圧を維持する。
【０１８８】
すなわち、オフバイアス区間の間、第６トランジスタＴ６及び第４トランジスタＴ４はターンオンされ、第２トランジスタＴ２及び第５トランジスタＴ５はターンオフされる。
【０１８９】
センシング電圧ＳＥＮＳＥは全ディスプレイ動作にかけて高電圧（ターンオフ電圧）状態を維持し、第３トランジスタＴ３は全ディスプレイ動作にかけてターンオフ状態を維持する。
【０１９０】
オフバイアス区間において、第６トランジスタＴ６がターンオンされるため、第１トランジスタＴ１はオフバイアス状態、すなわち、第１トランジスタＴ１のソース端子に接続されたノードＳと第１トランジスタＴ１のゲート端子に接続されたノードＧとの電圧は同じであり得、第１トランジスタＴ１のソース−ゲート電圧Ｖｇｓは０であるため、第１トランジスタＴ１はターンオフ状態を維持し得る。また、オフバイアス区間において、第４トランジスタＴ４はターンオンされるため、第１トランジスタＴ１のソース端子に接続されたノードＳと第１トランジスタＴ１のゲート端子に接続されたノードＧとの電圧はすべて第１電源電圧源ＥＬＶＤＤの電圧と同じレベルであり得る。
【０１９１】
次いで、データ書き込み区間の間、バイアス電圧ＢＩＡＳは高電圧（ターンオフ電圧）であり、ｉ番目のスキャンラインＳＬｉのスキャン電圧ＳＣＡＮは低電圧（ターンオン電圧）であり、エミッション電圧ＥＭは高電圧（ターンオフ電圧）であり得る。
【０１９２】
すなわち、データ書き込み区間の間、第２トランジスタＴ２及び第５トランジスタＴ５はターンオンされ、第６トランジスタＴ６及び第４トランジスタＴ４はターンオフされる。第３トランジスタＴ３は先立って説明したように、全ディスプレイ動作にかけてターンオフ状態を維持し得る。
【０１９３】
データ書き込み区間の間、データ駆動部４００は複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）にｉ番目の走査線ＳＬｉに接続されたピクセル（Ｐｉ１〜Ｐｉｍ）のデータ信号に相応するデータ出力信号（ＤＯ１〜ＤＯｍ）を出力し、ｉ番目の走査線ＳＬｉに接続されたピクセル（Ｐｉ１〜Ｐｉｍ）の第１トランジスタＴ１のゲート端子に接続されたノードＧにはデータ電圧ＶＤＡＴＡが印加される。
【０１９４】
また、データ書き込み区間の間、第５トランジスタＴ５がターンオンされるため、第１トランジスタＴ１のソース端子に接続されたノードＳには維持電圧Ｖｓｕｓが印加される。
【０１９５】
また、第６トランジスタＴ６はターンオフ状態を維持するため、ストレージキャパシタＣＳＴＧの両端にはデータ電圧ＶＤＡＴＡと維持電圧Ｖｓｕｓとの差異だけの電圧が充電される。
【０１９６】
このとき、それぞれのピクセル（Ｐｉ１〜Ｐｉｍ）に印加されるデータ電圧ＶＤＡＴＡはメモリ２３０に格納されたそれぞれの記憶された電圧ＶＭＥＭと参照電圧Ｖｒｅｆを利用して決定され、データ電圧ＶＤＡＴＡは以下の「方程式６」に示し得る。
【０１９７】
【数６】
0006748407.tif 000007
【０１９８】
ここで、ｎはピクセルが表現可能な階調の段階数を決定するビット（ｂｉｔ）数であり、Ｄ＿ｄａｔａは映像データでそれぞれのピクセルが表現する階調のレベルであり、ガンマ（γ）はガンマ校正定数であって、例えば、２．２であり得る。また、ピクセルが２５６個の階調段階数を有するとき、ｎ＝８  （８−ｂｉｔ）であり、Ｄ＿ｄａｔａは該当ピクセルが表現する階調によって０〜２５５の間の値を有し得る。
【０１９９】
次いで、発光区間の間、バイアス電圧ＢＩＡＳは高電圧（ターンオフ電圧）であり、ｉ番目のスキャンラインＳＬｉのスキャン電圧ＳＣＡＮは高電圧（ターンオフ電圧）であり、エミッション電圧ＥＭは低電圧（ターンオン電圧）であり得る。
【０２００】
すなわち、データ書き込み区間の間、第２トランジスタＴ２及び第２トランジスタＴ２、第６トランジスタＴ６及び第５トランジスタＴ５がターンオフされ、第４トランジスタＴ４はターンオンされる。第３トランジスタＴ３は先立って説明したように、全ディスプレイ動作にかけてターンオフ状態を維持する。第１トランジスタＴ１は印加されるデータ電圧Ｖｄａｔａレベルによってターンオンされ、駆動電流を有機発光素子に提供する。
【０２０１】
データ書き込み区間の間、第４トランジスタＴ４がターンオンされるため、第１トランジスタＴ１のソース端子に接続されたノードＳは第１電源電圧源ＥＬＶＤＤに接続され、第１トランジスタＴ１のソース端子に接続されたノードＳの電圧は第１電源電圧源ＥＬＶＤＤの電圧と同じであり得る。また、第１トランジスタＴ１のゲート端子に接続されたノードＧは、データ書き込み区間においてストレージキャパシタＣＳＴＧの両端に充電された電圧（ＶＤＡＴＡ−Ｖｓｕｓ）に、第１トランジスタＴ１のソース端子に接続されたノードＳに印加された電圧ＥＬＶＤＤが加えられた電圧レベルを有し得る。
【０２０２】
すなわち、第１トランジスタＴ１のゲート端子に接続されたノードＧの電圧は以下の「方程式７」に示し得る。
【０２０３】
【数７】
0006748407.tif 000008
【０２０４】
発光区間において、第１トランジスタＴ１に流れる駆動電流によって有機発光素子は発光し、発光時の第１トランジスタＴ１に流れる駆動電流は以下の「方程式８」に示す。
【０２０５】
【数８】
0006748407.tif 000009
【０２０６】
このとき、基準電流Ｉｒｅｆは先立って説明したように、それぞれがピクセルの第１トランジスタＴ１が特性偏差のない理想的な動作をするとき、最大階調発光時の駆動電流に対応されるため、発光時の第１トランジスタＴ１の駆動電流Ｉｅｍｉｓｓｉｏｎは、閾値電圧Ｖｔｈと電荷移動度などの他の特性係数と関係ない電流を生成することを確認できる。これにより、有機発光表示パネルはパネルの複数のピクセルの輝度の均一度を向上させる。
【０２０７】
以下では、図８から図９を参照して本発明の他の実施形態に係る有機発光表示装置について説明する。
【０２０８】
図８は本発明の他の実施形態に係る有機発光表示パネル１００の一ピクセル及びこれに接続されたデータ線、走査線及びデータスイッチング部８００を共に示す回路図である。
【０２０９】
図９は本発明の他の実施形態に係る有機発光表示装置のディスプレイ動作を示すタイミング図である。
【０２１０】
図８を参照すると、本発明の他の実施形態に係る有機発光表示パネル１００の一ピクセルＰｉｊの回路図は、図４に示す本発明の一実施形態に係る有機発光表示パネル１００の一ピクセルにおいて第６トランジスタＴ６及びこれに接続されたバイアス電圧ＢＩＡＳを提供する端子が除去されたこと以外は図４の回路図と同様である。
【０２１１】
図４から図６に示す本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置において、低階調センシング動作と高階調センシング動作の全区間において、バイアス電圧ＢＩＡＳはハイレベル（ターンオフ電圧）を維持して第６トランジスタＴ６はターンオフ状態を維持した。したがって、図８に示す本発明の他の実施形態に係る有機発光表示装置の低階調センシング動作と高階調センシング動作は図４から図６に示す低階調センシング動作と高階調センシング動作と同じであるため、重複する図面及び説明は省略する。
【０２１２】
ただし、本発明の他の実施形態に係る有機発光表示装置の表示パネル１００はバイアス電圧ＢＩＡＳによりスイッチングされる第６トランジスタＴ６を含まないため、有機発光表示装置のディスプレイ動作方式が図７に示す本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置のディスプレイ動作方式と異なる場合もある。
【０２１３】
図９を参照すると、本発明の他の実施形態に係る有機発光表示装置のディスプレイ動作の間、データスイッチ（ＳＷ＿Ｄ）はターンオンされ、センシングスイッチ（ＳＷ＿Ｓ）はターンオフされ、センシング電圧ＳＥＮＳＥは高電圧（ターンオフ電圧）が印加され、第３トランジスタＴ３はターンオフされ、第２電源電圧源ＥＬＶＳＳの電圧は第１電源電圧源ＥＬＶＤＤの電圧に対して十分に低い電圧が印加される。
【０２１４】
図９に例示されたｉ番目の走査線ＳＬｉのディスプレイ動作はオフバイアス区間、データ書き込み区間及び発光区間を含む。
【０２１５】
オフバイアス区間の間、ｉ番目の走査線ＳＬｉのスキャン電圧ＳＣＡＮはターンオン電圧を維持し、エミッション電圧ＥＭはターンオフ電圧を維持する。また、データ駆動部４００は第１トランジスタＴ１をターンオフさせ得るオフ電圧Ｖｏｆｆをデータ出力信号（ＤＯ１〜ＤＯｍ）に出力する。
【０２１６】
すなわち、オフバイアス区間の間、第２トランジスタＴ２及び第５トランジスタＴ５はターンオンされ、第４トランジスタＴ４はターンオフされ、第１トランジスタＴ１はターンオフされる。
【０２１７】
また、第１トランジスタＴ１のソース端子に接続されたノードＳには維持電圧Ｖｓｕｓが印加される。
【０２１８】
次いで、データ書き込み区間の間、ｉ番目のスキャンラインＳＬｉのスキャン電圧ＳＣＡＮは低電圧（ターンオン電圧）であり、エミッション電圧ＥＭは高電圧（ターンオフ電圧）であり得る。
【０２１９】
すなわち、データ書き込み区間の間、第２トランジスタＴ２及び第５トランジスタＴ５はターンオンされ、第４トランジスタＴ４はターンオフされる。第３トランジスタＴ３は先立って説明したように、全ディスプレイ動作にかけてターンオフ状態を維持する。
【０２２０】
データ書き込み区間の間、データ駆動部４００は複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）にｉ番目の走査線ＳＬｉに接続されたピクセル（Ｐｉ１〜Ｐｉｍ）のデータ信号に相応するデータ出力信号（ＤＯ１〜ＤＯｍ）を出力し、ｉ番目の走査線ＳＬｉに接続されたピクセル（Ｐｉ１〜Ｐｉｍ）の第１トランジスタＴ１のゲート端子に接続されたノードＧにはデータ電圧ＶＤＡＴＡが印加される。
【０２２１】
また、データ書き込み区間の間、第５トランジスタＴ５がターンオンされ第４トランジスタＴ４がターンオフされるため、第１トランジスタＴ１のソース端子に接続されたノードＳには維持電圧Ｖｓｕｓが印加される。
【０２２２】
また、ストレージキャパシタＣＳＴＧの両端にはデータ電圧ＶＤＡＴＡと維持電圧Ｖｓｕｓとの差異だけの電圧が充電される。
【０２２３】
このとき、それぞれのピクセル（Ｐｉ１〜Ｐｉｍ）に印加されるデータ電圧ＶＤＡＴＡはメモリ２３０に格納されたそれぞれの記憶された電圧ＶＭＥＭと参照電圧Ｖｒｅｆを利用して決定され、データ電圧ＶＤＡＴＡは以下に先立って記述した「方程式６」に示し得る。
【０２２４】
【数９】
0006748407.tif 000010
【０２２５】
このとき、ｎはピクセルが表現可能な階調の段階数を決定するビット（ｂｉｔ）数であり、Ｄ＿ｄａｔａは映像データでそれぞれのピクセルが表現する階調のレベルであり、ガンマ（γ）はガンマ校正定数であって、例えば、２．２であり得る。また、ピクセルが２５６個の階調段階数を有するとき、ｎ＝８  （８−ｂｉｔ）であり、Ｄ＿ｄａｔａは該当ピクセルが表現する階調によって０〜２５５の間の値を有し得る。
【０２２６】
次いで、発光区間の間、ｉ番目のスキャンラインＳＬｉのスキャン電圧ＳＣＡＮは高電圧（ターンオフ電圧）であり、エミッション電圧ＥＭは低電圧（ターンオン電圧）であり得る。
【０２２７】
すなわち、データ書き込み区間の間、第２トランジスタＴ２及び第２トランジスタＴ２、第６トランジスタＴ６及び第５トランジスタＴ５はターンオフされ、第４トランジスタＴ４はターンオンされる。第３トランジスタＴ３は先立って説明したように、全ディスプレイ動作にかけてターンオフ状態を維持する。第１トランジスタＴ１は印加されるデータ電圧Ｖｄａｔａレベルによってターンオンされ、駆動電流を有機発光素子に提供する。
【０２２８】
データ書き込み区間の間、第４トランジスタＴ４がターンオンされるため、第１トランジスタＴ１のソース端子に接続されたノードＳは第１電源電圧源ＥＬＶＤＤに接続され、第１トランジスタＴ１のソース端子に接続されたノードＳの電圧は第１電源電圧源ＥＬＶＤＤの電圧と同じであり得る。また、第１トランジスタＴ１のゲート端子に接続されたノードＧはデータ書き込み区間においてストレージキャパシタＣＳＴＧの両端に充電された電圧（ＶＤＡＴＡ−Ｖｓｕｓ）に第１トランジスタＴ１のソース端子に接続されたノードＳに印加された電圧ＥＬＶＤＤを加えた電圧レベルを有し得る。
【０２２９】
すなわち、第１トランジスタＴ１のゲート端子に接続されたノードＧの電圧は先立って記述した「方程式７」に示し得る。
【０２３０】
【数１０】
0006748407.tif 000011
【０２３１】
発光区間において、第１トランジスタＴ１に流れる駆動電流によって有機発光素子は発光し、発光時の第１トランジスタＴ１に流れる駆動電流は先立って記述した「方程式８」に示し得る。
【０２３２】
【数１１】
0006748407.tif 000012
【０２３３】
このとき、基準電流Ｉｒｅｆは先立って説明したように、それぞれがピクセルの第１トランジスタＴ１が特性偏差のない理想的な動作をするとき、最大階調発光時の駆動電流に対応するため、発光時の第１トランジスタＴ１の駆動電流Ｉｅｍｉｓｓｉｏｎは閾値電圧Ｖｔｈと電荷移動度などの他の特性係数と関係ない電流を生成することを確認できる。これにより、有機発光表示パネル１００はパネルの複数のピクセルの輝度均一度を向上させることができる。
【符号の説明】
【０２３４】
１００  表示パネル、
２００  制御部、
３００  スキャン駆動部、
４００  データ駆動部、
５００  電圧ＡＤＣ、
６００  電源供給部、
７００  階調電圧生成部、
８００  データスイッチ部。
【図１】
0006748407.tif 000013
【図２】
0006748407.tif 000014
【図３】
0006748407.tif 000015
【図４】
0006748407.tif 000016
【図５】
0006748407.tif 000017
【図６】
0006748407.tif 000018
【図７】
0006748407.tif 000019
【図８】
0006748407.tif 000020
【図９】
0006748407.tif 000021