(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状の被処理物を保持する被処理物保持部材と、
前記被処理物保持部材を収納し、内部が真空引きされる真空槽と、
前記被処理物保持部材で保持された前記被処理物に向けてプロセスガスを送る複数の吹き出し孔を有し、負の電極となる板状の吹き出しパネルと、
前記吹き出しパネル及び前記被処理物保持部材の間に配置され、複数の棒状電極が並べられている正の電極パネルとを備え、
前記負の電極となる前記吹き出しパネルの表面と、前記正の電極パネルと、前記被処理物保持部材に保持される前記被処理物とは互いに平行に配され、
前記被処理物から一側にプロセスガス導入孔に向けて順次に前記電極パネルと前記吹き出しパネルが配され、前記吹き出しパネルと前記電極パネルとの距離は、前記電極パネルと前記被処理物との距離よりも大きいプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記吹き出し孔は前記電極パネルの複数の棒状電極の間に向けて開口し、且つマトリクスに配されている請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記吹き出しパネルは、複数の整風孔を有する整風板を内部に有する請求項２記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記真空槽は、第１槽及び第２槽に分離される分離状態と、前記第１槽及び前記第２槽が結合されて真空引きが可能となる結合状態との間で変位し、前記分離状態で前記被処理物保持部材への前記被処理物の搬入及び搬出が行われる請求項３記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記第１槽は、前記被処理物保持部材と前記プロセスガスの排出孔を有し、
前記第２槽は、前記吹き出しパネルと前記電極パネルとを有し、
前記第１槽及び前記第２槽の少なくとも一方には大気開放孔を有する請求項４記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記被処理物保持部材は前記被処理物の両面を露呈した状態で前記被処理物を保持し、
前記吹き出しパネルと前記電極パネルとは前記被処理物を挟んで前記被処理物の両面に設けられ、前記被処理物の両面をプラズマ処理する請求項１から４いずれか１項記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記第１槽及び前記第２槽は、前記吹き出しパネルと前記電極パネルとを有し、
前記第１槽又は前記第２槽は、前記被処理物保持部材と、前記プロセスガスの排出孔と、大気開放孔とを有する請求項４を引用する請求項６記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記吹き出しパネルと前記電極パネルと前記被処理物保持部材とは熱媒体が循環される通路を有する請求項１から７いずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
真空槽内で板状の被処理物を被処理物保持部材により保持するステップと、
前記被処理物に平行に配される正の電極パネルと、前記正の電極パネルに対して前記被処理物の配置側とは反対側であるプロセスガス導入孔側で前記正の電極パネルと離して前記正の電極パネルと並行に配される負の電極パネルとの間に、高周波電圧を印加し、且つ負の電極パネルに配される複数の吹き出し孔からプロセスガスを前記被処理物に向けて吹き出して、前記被処理物をプラズマ処理するステップと
を有し、
前記負の電極パネルと前記正の電極パネルとの距離は、前記正の電極パネルと前記被処理物との距離よりも大きいプラズマ処理方法。
【請求項１０】
真空槽内で板状の被処理物の両面を露呈した状態で前記被処理物を被処理物保持部材により保持するステップと、
前記被処理物の前記両面に平行に配される正の電極パネルと、前記正の電極パネルに対して前記被処理物の配置側とは反対側であるプロセスガス導入孔側で前記正の電極パネルと離して前記正の電極パネルと並行に配される負の電極パネルとの間に、高周波電圧を印加し、且つ負の電極パネルに配される複数の吹き出し孔からプロセスガスを前記被処理物の前記両面に向けて吹き出して、前記被処理物の前記両面をプラズマ処理するステップと
を有し、
前記被処理物の両側において、前記負の電極パネルと前記正の電極パネルとの距離は、前記正の電極パネルと前記被処理物との距離よりも大きいプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空の処理室内で被処理物にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
真空にされた処理室内で被処理物として、例えば基板に対してプラズマを用いて各種処理を行うプラズマ処理装置が知られている。プラズマ処理としては、例えば基板表面の汚れを除去するクリーニングや、エッチング、基板にスルーホールに形成した際にそのスルーホールの壁面に付着する樹脂残渣（スミア）を除去するデスミア、基板表面のレジスト（有機物）の残渣（スカム）を除去するデスカムなどがある。プラズマ処理では、処理室内を真空にして一対の電極間に高周波電源から高周波電圧を印加した状態でプロセスガスを導入する。これにより、プロセスガスをプラズマ化する。そして、発生したプラズマ中のラジカルやイオンが被処理物の表面に接触ないし衝突することによって、例えば表面の汚れを除去してクリーニングする。【０００３】
例えば、特開平８−３７１７８号公報に記載のアッシング装置では、処理室内の一対の平板電極の間に被処理物としての基板を配置し、プラズマによりレジストを灰化（Ashing）し除去するアッシング処理を行っている。一対の平板電極の一方に高周波電圧が印加され、他方が接地される。そして、接地される電極に基板を載置した状態でプロセスガスを導入し、プラズマを発生させ処理を行っている。【０００４】
また、特開２００８−１８６９９４号公報に記載のプラズマ洗浄装置では、被処理物としての基板を挟むように一対の電極を配し、且つ一方の電極側から他方の電極に向けてプロセスガスを導入して、基板をプラズマ洗浄している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記特許文献で示されるようなプラズマ処理装置では、一対の電極間に被処理物としての基板を配置する構成を採用しており、プラズマ中に基板が置かれる。このため、基板表面におけるプラズマの量が大きくなり過ぎて基板にダメージを与えやすい。また、基板表面におけるプラズマの量や分布の調整が容易でなく、基板表面を均一に処理することが困難である。【０００６】
本発明は、プラズマ処理を被処理物に対して行う際に、被処理物に対して十分なプラズマを供給し、またプラズマの供給量が調整しやすいプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のプラズマ処理装置は、被処理物保持部材と、真空槽と、吹き出しパネルと、正の電極パネルとを備える。被処理物保持部材は、被処理物を保持する。真空槽は、被処理物保持部材を収納し、内部が真空引きされる。吹き出しパネルは、被処理物保持部材で保持された被処理物に向けてプロセスガスを送る複数の吹き出し孔を有し、負の電極となり、板状に形成されている。正の電極パネルは複数の棒状電極が並べて構成され、吹き出しパネル及び被処理物保持部材の間に配置される。【０００８】
なお、被処理物は板状であり、負の電極となる吹き出しパネルの表面と、正の電極パネルと、被処理物保持部材に保持される被処理物とは互いに平行に配されることが好ましい。被処理物から一側にプロセスガス導入孔に向けて順次に電極パネルと吹き出しパネルが配され、吹き出しパネルと電極パネルとの距離は、電極パネルと被処理物との距離よりも大きいことが好ましい。吹き出し孔は電極パネルの複数の棒状電極の間に向けて開口し、且つマトリクスに配されていることが好ましい。吹き出しパネルは、複数の整風孔を有する整風板を内部に有することが好ましい。なお、平行とは一方が他方に対して±１５°傾斜する略平行も含まれる。
【０００９】
真空槽は、第１槽及び第２槽に分離される分離状態と、第１槽及び第２槽が結合されて真空引きが可能となる結合状態との間で変位し、分離状態で被処理物保持部材への被処理物の搬入及び搬出が行われることが好ましい。【００１０】
第１槽は、被処理物保持部材とプロセスガスの排出孔を有し、第２槽は、吹き出しパネルと電極パネルとを有し、第１槽及び第２槽の少なくとも一方には大気開放孔を有することが好ましい。【００１１】
被処理物保持部材は被処理物の両面を露呈した状態で被処理物を保持し、吹き出しパネルと電極パネルとは被処理物を挟んで被処理物の両面に設けられ、被処理物の両面をプラズマ処理することが好ましい。【００１２】
第１槽及び第２槽は、吹き出しパネルと電極パネルとを有し、第１槽又は第２槽は、被処理物保持部材と、プロセスガスの排出孔と、大気開放孔とを有することが好ましい。また、吹き出しパネルと電極パネルと被処理物保持部材とは熱媒体が循環される通路を有することが好ましい。【００１３】
本発明のプラズマ処理方法は、被処理物保持ステップと、被処理物をプラズマ処理するステップとを有する。被処理物保持ステップでは、真空槽内で板状の被処理物を被処理物保持部材により保持する。被処理物をプラズマ処理するステップでは、被処理物に平行に配される正の電極パネルと、正の電極パネルに対して被処理物の配置側とは反対側であるプロセスガス導入孔側で正の電極パネルと離して正の電極パネルと並行に配される負の電極パネルとの間に、高周波電圧を印加する。且つ負の電極パネルに配される複数の吹き出し孔からプロセスガスを被処理物に向けて吹き出す。負の電極パネルと正の電極パネルとの距離は、正の電極パネルと被処理物との距離よりも大きい。
【００１４】
本発明のプラズマ処理方法は、被処理物保持ステップと、被処理物をプラズマ処理するステップとを有する。被処理物保持ステップでは、真空槽内で板状の被処理物の両面を露呈した状態で被処理物を被処理物保持部材により保持する。被処理物をプラズマ処理するステップでは、被処理物の両面に平行に配される正の電極パネルと、正の電極パネルに対して被処理物の配置側とは反対側であるプロセスガス導入孔側で正の電極パネルと離して正の電極パネルと並行に配される負の電極パネルとの間に、高周波電圧を印加する。且つ負の電極パネルに配される複数の吹き出し孔からプロセスガスを被処理物の両面に向けて吹き出す。被処理物の両側において、負の電極パネルと正の電極パネルとの距離は、正の電極パネルと被処理物との距離よりも大きい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、被処理物に対してプラズマを均一かつ十分に供給することができ、処理を均一にかつ短時間で行える。また、被処理物に対して供給されるプラズマの量を容易に調整することができる。さらには、短時間でプラズマ処理を完了させることができ、熱による被処理物のダメージの発生を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明のプラズマ処理装置の外観を示す斜視図である。
【図２】処理室を構成する真空槽を示す縦断面図である。
【図３】真空槽を分解して示す斜視図である。
【図４】基板ホルダを分解して示す斜視図である。
【図５】吹き出しパネルを分解して示す斜視図である。
【図６】電極パネルの斜視図である。
【図７】図２におけるVII−VII線の断面図である。
【図８】基板の両面をプラズマ処理する第２実施形態の真空槽を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
［第１実施形態］
図１に示すように、本発明のプラズマ処理装置１０は、被処理物に対して、プラズマ処理を行う。この例では被処理物として、板状の被処理物である基板１１（図３参照）の表面を被処理面としてプラズマ処理する。
【００１８】
プラズマ処理装置１０は、処理ユニット１２と制御ユニット１３とを有する。処理ユニット１２は、内部に処理室１４（図２参照）を形成する真空槽１５と、真空ポンプ１６と、ガス供給装置１７と、高周波電源１８と、温調装置１９とを有する。制御ユニット１３は、処理ユニット１２を制御する回路（図示省略）と操作パネル１３ａを有する。
【００１９】
真空ポンプ１６は、処理室１４の排気を行う。このため、図３に示すように、真空槽本体１５ａの底には、図示省略の真空引き孔が設けられている。真空引き孔には図示しないパイプを介して真空ポンプ１６が接続されている。真空ポンプ１６の作動により、処理室１４を例えば１０〜３０Ｐａの真空度にする。また、真空ポンプ１６は、プラズマ処理中においても、処理室１４からの排気を継続して行い、所定の真空度を維持する。
【００２０】
図２に示すように、真空槽１５は、例えばステンレス製の箱状であり、第１槽としての真空槽本体１５ａと、その上面に設けた蓋（第２槽）１５ｂとを有する。蓋１５ｂは、図１に示すように、実線で示す結合状態の閉鎖位置と、二点鎖線で示す分離状態の開放位置との間で移動（変位）する。図２に示すように、閉鎖位置では気密な処理室１４が形成され、真空引きが可能となって、プラズマ処理が行われる。開放位置では、図１に示すように、真空槽本体１５ａから蓋１５ｂが上方に移動した後に、例えば奥側に水平移動して、真空槽本体１５ａの上方が開放される。この開放位置では、基板１１の処理室１４への搬入や搬出が行われる他に、正の電極パネル３２（図２参照）の位置調整やメンテナンスが可能になる。
【００２１】
蓋１５ｂの上面中央には、プロセスガス導入孔２１が設けられている。このプロセスガス導入孔２１に接続具２６及びチューブ２７を介してガス供給装置１７が接続されており、真空槽１５内にプロセスガスが導入される。図２や後に説明する図７、図８における矢線ＡＲはプロセスガスの流れを示している。
【００２２】
ガス供給装置１７は、処理室１４に導入するプロセスガス、例えば四フッ化炭素（ＣＦ４）と酸素（Ｏ２）の混合ガスを供給する。なお、プロセスガスとしては、プラズマ処理の内容や処理対象によって適宜に選択することができ、窒素ガス、酸素ガス，水素ガス、アルゴンガス等の単体又は混合ガスが好ましく用いられる。
【００２３】
図３に示すように、真空槽本体１５ａの底面には、図示省略の真空引き孔の他に、大  気開放孔を兼ねるプラズマガスの排出孔２４やチューブ挿通孔２５が形成されている。  プラズマガスの排出孔２４には図示省略の大気開放弁が設けられており、蓋１５ｂを開  放する前に大気開放弁が開放される。これにより大気開放され、プラズマガスの排出孔  ２４からはプラズマガスが排出される。なお、プラズマガスの排出孔２４は蓋１５ｂに  設けてもよい。チューブ挿通孔２５には、後述するチューブ３７が挿通される。
【００２４】
図２に示すように、処理室１４内には、下から上に向けて順に、被処理物保持部材としての基板ホルダ３１と、正の電極パネル３２と、負の電極を兼ねる吹き出しパネル３３とが収納されている。基板ホルダ３１は図示を省略したブラケットやステー等を用いて、真空槽本体１５ａに水平に取り付けられる。
【００２５】
図３に示すように、基板ホルダ３１には、被処理物としての基板１１が図示省略のロボットハンドや他の移送装置により載せられる。図２に示すように、基板ホルダ３１の基板載置面３１ｃは、真空槽本体１５ａの開口面よりも上側に位置している。これにより、真空槽本体１５ａが基板１１の搬入、搬出の邪魔になることがなくなる。従って、基板１１の通過経路を複雑にすることなく、基板１１の搬入や搬出が容易になる。なお、基板載置面３１ｃは、真空槽本体１５ａの開口面よりも下側であってもよい。
【００２６】
図４に示すように、基板ホルダ３１は、板状のホルダ本体３１ａとガイド枠３１ｂとを有する。ガイド枠３１ｂはＬ型に形成されており、ホルダ本体３１ａの４隅の外周縁部の上面に取り付けられる。ガイド枠３１ｂは基板１１（図２参照）の４隅を保持して、ホルダ本体３１ａからの脱落を阻止する。なお、ガイド枠３１ｂに代えて又は加えてクランプ装置を設けてもよい。クランプ装置は基板の外周縁部を挟持する。
【００２７】
ホルダ本体３１ａの基板載置面３１ｃには、溝３４が例えば十文字に形成されている。溝３４は、基板１１のホルダ本体３１ａへの搬入や搬出に際して、基板１１と基板載置面３１ｃとの間のガス抜きとして機能する。このガス抜きにより、基板１１のセットや取り出しを確実に且つ安定して行うことができる。
【００２８】
基板ホルダ３１の内部には、基板載置面３１ｃの略全面に亘って冷却通路３５が形成されている。冷却通路３５は、Ｕ型通路３５ａ同士を連結して構成されている。図２に示すように、冷却通路３５には、接続具３６を介してチューブ３７が接続されている。チューブ３７は温調装置１９（図１参照）に接続されている。温調装置１９から、チューブ３７を介して熱媒体である冷却水が真空槽１５の外部から冷却通路３５に送られる。これにより、基板ホルダ３１は冷却され、基板ホルダ３１の冷却によって基板１１も冷却される。
【００２９】
図２に示すように、蓋１５ｂの内部には、正の電極パネル３２及び吹き出しパネル３３が取り付けられている。吹き出しパネル３３は蓋１５ｂの内部の上面に配されている。吹き出しパネル３３は、内部パネル４１と、この内部パネル４１を覆う外部パネル４２との二重構造になっている。
【００３０】
図５に示すように、内部パネル４１は矩形の薄型箱状に形成されている。内部パネル４１は、矩形の枠体４１ａとこの枠体４１ａを覆う整風板４１ｂとを有する。整風板４１ｂには複数の整風孔４３が配されている。
【００３１】
外部パネル４２も、内部パネル４１と同様に、矩形の薄型箱状に形成されている。外部パネル４２は、矩形の枠体４２ａとこの枠体４２ａを覆うノズル板４２ｂとを有する。ノズル板４２ｂには複数の吹き出し孔４４が配されている。
【００３２】
吹き出し孔４４は、吹き出し孔列４５を吹き出し孔列４５に直行する方向に離間して並べて配されている。吹き出し孔列４５には、吹き出し孔４４が例えば５０ｍｍのピッチで配されている。隣り合う吹き出し孔列４５同士は、吹き出し孔４４の形成位置が例えばピッチの半分である２５ｍｍずらして配されている。これにより、一方の吹き出し孔列４５の吹き出し孔４４は、他方の吹き出し孔列の吹き出し孔４４の中間に位置する。整風孔４３も、吹き出し孔４４と同様な整風孔列４９を有する。
【００３３】
整風孔４３及び吹き出し孔４４は、例えば直径が１ｍｍの円孔であり、各孔４３，４４のピッチは５０ｍｍである。これら孔４３，４４の直径やピッチは、処理する基板１１のサイズや処理室１４の容量等に合わせて適宜変更することが好ましい。なお、整風孔４３及び吹き出し孔４４は、ノズル板４２ｂを４５°回転した状態で見た場合にはマトリクスに配されている。
【００３４】
外部パネル４２の内側には、ノズル板４２ｂに密着させて、冷却パイプ４６が配されている。冷却パイプ４６も、冷却通路３５と同様に、Ｕ型パイプ４６ａを例えば４個連結して平面状に配列して構成されている。冷却パイプ４６は、吹き出し孔４４を塞ぐことがないように、各吹き出し孔４４の間に配されている。
【００３５】
冷却パイプ４６の両端には、接続具４７を介してチューブ４８が接続されている。チューブ４８は温調装置１９に接続されている。温調装置１９から、チューブ４８を介して熱媒体である冷却水が真空槽１５の外部から冷却パイプ４６に送られる。これにより、吹き出しパネル３３は冷却される。
【００３６】
図２に示すように、正の電極パネル３２は、吹き出しパネル３３の吹き出し面３３ａから離して、吹き出し面３３ａに平行に配される。従って、負の電極となる吹き出しパネル３３の表面である吹き出し面３３ａと、正の電極パネル３２と、基板ホルダ３１に保持される基板１１とは互いに平行に配される。言い換えれば、正の電極パネル３２に対して基板配置側とは反対側で、正の電極パネル３２と離して吹き出しパネル３３が配される。
【００３７】
図６に示すように、正の電極パネル３２は、例えば複数のアルミ製パイプからなる棒状電極３２ａを平面状に並べて構成されている。吹き出し面３３ａと、電極パネル３２の棒状電極３２ａの中心線との距離は、例えば５０ｍｍである。また、電極パネル３２の棒状電極３２ａの中心線と基板１１との距離は、例えば吹き出し面３３ａと棒状電極の中心線との距離の半分である２５ｍｍである。
【００３８】
棒状電極３２ａの一端は隣の棒状電極３２ａの一端に連結具３２ｂを介し連結され、棒状電極３２ａの他端は隣の棒状電極３２ａの他端に連結される。そして、これら連結により、複数の棒状電極３２ａは直列に接続される。従って、冷却パイプ４６と同じように、隣り合う棒状電極３２ａがＵ型に並べられ、このＵ型電極が複数個並べられて、面状に構成されている。各棒状電極３２ａの配列ピッチは、ノズル板４２ｂの各吹き出し孔４４のピッチと同じ５０ｍｍとなっている。そして、吹き出し孔４４の中心線方向から見た場合に、各吹き出し孔４４の中間位置に各棒状電極３２ａが配される。
【００３９】
正の電極パネル３２の両端には、接続具５１を介してチューブ５２が接続されている。チューブ５２は温調装置１９に接続されている。温調装置１９から、チューブ５２を介して熱媒体である冷却水が真空槽１５の外部から電極パネル３２に送られる。これにより、正の電極パネル３２は冷却される。
【００４０】
図７に示すように、電極パネル３２は図示しないブラケットにより、蓋１５ｂ内に保持されている。電極パネル３２と、ブラケット及びチューブとの間には図示省略の絶縁部材が配されている。絶縁部材は、ブラケット及び蓋部と電極パネルとの間を絶縁する。図２に示すように、図示しない電源線を介して、正の電極パネル３２には高周波電源１８の＋極が接続されている。また、真空槽１５には高周波電源１８の−極が接続されている。
【００４１】
高周波電源１８は、プラズマを発生させるためのプラズマ発生用電圧として高周波電圧を出力する。高周波電源１８が出力する高周波電圧の周波数は、例えば４０ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度である。なお、高周波電圧の周波数は、上記周波数に限らず、プラズマ処理の内容等に応じて適宜に設定することができ、例えば上記範囲より高い周波数や低い周波数であってもよい。
【００４２】
次に上記構成の作用について説明する。プラズマ処理は、制御ユニット１３の制御下で各部が作動されて実施される。まず、図１に二点鎖線で示すように、蓋１５ｂを開放位置に移動する。次に処理すべき基板１１を基板ホルダ３１に挿入した後に、蓋１５ｂを閉鎖位置に戻す。なお、処理室１４の開閉や基板１１の搬出・搬入は、他の移送装置やロボットハンドにより自動で行われるが、手動により行ってもよい。これにより、基板１１を基板ホルダ３１に保持するステップが行われる。
【００４３】
次に、真空ポンプ１６が作動して処理室１４内が所定の真空度となるまで排気される。所定の真空度に達すると、ガス供給装置１７からのプロセスガスが供給され、且つ高周波電源１８により正の電極パネル３２に対し高周波電圧が印加される。プロセスガスは、導入孔２１から吹き出しパネル３３に導入される。先ず、内部パネル４１の整風板４１ｂによって、外側パネルの吹き出し孔４４に均一にプロセスガスが送られる。そして、吹き出し孔４４からプロセスガスが均一に吹き出す。
【００４４】
正の電極パネル３２に対する高周波電圧の印加により、正の電極パネル３２と、接地電極となる吹き出しパネル３３の吹き出し面３３ａと間に電界が生じる。この電界中でプロセスガスは励起されてプラズマ化される。そして、発生したプラズマ中のラジカルやイオンが基板１１に供給され、基板１１の表面に付着している汚染物質が除去される。このようにして、プラズマ処理ステップである基板１１のクリーニングが行われる。クリーニング後のプロセスガスは、正の電極パネル３２と基板１１との間から流出し、基板ホルダ３１の下面にある排出孔２４から排出される。
【００４５】
吹き出しパネル３３の吹き出し面３３ａと、正の電極パネル３２と、基板ホルダ３１に保持される基板１１とは互いに平行に配されるため、プロセスガスが負の電極である吹き出しパネル３３と正の電極パネル３２との間で効率的にプラズマ化される。しかもプラズマ化されたプラズマ領域は、吹き出しパネル３３と正の電極パネル３２との間で、全面にわたり均一となる。従って、プラズマ領域からプラズマ（ラジカルやイオン）が基板１１の上面の各部に均一かつ十分に供給される。このため、基板１１の上面は、プラズマによって均一にクリーニングされる。また、十分なプラズマでクリーニングされるから、短時間でプラズマ処理が完了する。短時間で処理が済むので、電極パネル３２に生じる熱の影響も受けにくい。しかも、正の電極パネルを通過したプラズマが基板１１に接触するため、プラズマ領域中に基板１１を配置する場合と異なり、放電による基板１１の損傷も抑えられる。
【００４６】
一定時間が経過して基板１１へのプラズマ処理が完了すると、プロセスガスの供給、排気、及び高周波電圧の印加が停止される。この後、処理室１４内を大気圧に戻してから蓋１５ｂを開放位置に移動して、処理室１４を開放する。そして、処理室１４からプラズマ洗浄した基板１１を取り出す。以下、同様の処理が繰り返されることにより、基板１１を次々とクリーニングすることができる。
【００４７】
なお、上記実施形態では、基板１１を被処理物として説明したが、被処理物は、基板１１に限らず、リードフレーム、表面に凹凸があるものや半導体チップを実装したもののように板状といえる被処理物や、立体的な形状の被処理物であってもよい。また、基板１１のプラズマ洗浄（クリーニング）について説明したが、プラズマ処理は、基板等の表面に実装された半導体チップの電極のクリーニング、レジストのエッチングやデスカム、デスミア、表面改質などでもよい。
【００４８】
［第２実施形態］
上記第１実施形態では、１枚の基板１１の片面（表面）をプラズマ処理しているが、図８に示す第２実施形態では、１枚の基板１１の両面（表面及び裏面）をプラズマ処理している。第２実施形態では、基板ホルダ６０は、基板載置面６０ａが基板１１の外周縁部のみになっている。そして、基板１１の表面及び裏面が露呈した状態で、基板１１が基板載置面６０ａに水平に保持される。なお、基板１１の外周縁部が載置される基板載置面６０ａに代えて、又は加えて基板１１の外周縁部の一部を挟持するクランプ装置を設けてもよい。
【００４９】
真空槽６１は、真空槽本体６１ａと蓋６１ｂとを有する。蓋６１ｂには第１実施形態と同じ構成の吹き出しパネル３３及び電極パネル３２が設けられる。また、真空槽本体６１ａには、第１実施形態の蓋１５ｂと同じ構成の吹き出しパネル３３と電極パネル３２とが設けられる。また、蓋６１ｂの両側部には、大気開放孔を兼ねる排出孔２４及び真空引き孔（図示省略）が形成されている。なお、蓋６１ｂの両側部に排出孔２４及び真空引き孔を形成する代わりに、真空槽本体６１ａに排出孔２４や真空引き孔を形成してもよい。
【００５０】
真空槽本体６１ａ及び蓋６１ｂの吹き出しパネル３３及び電極パネル３２により、基板ホルダ６０で保持された基板１１の両面に対し、第１実施形態と同様にしてプラズマによるクリーニングが行われる（両面プラズマ処理ステップ）。なお、第１実施形態と同一構成部材には同一符号を付して、重複した説明を省略している。
【００５１】
上記各実施形態では、真空槽１５は、上下に２分割される薄い箱形状としたが、左右又は前後に２分割される構成であってもよい。また、蓋は真空槽本体に対して開閉可能であれば良く、ヒンジによる開閉であってもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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