(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
交差する複数の分割予定ラインで区画された表面側の各領域にデバイスがそれぞれ形成されたデバイス領域に対応する部分を裏面側から薄化して形成される薄化部と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域に対応して形成され該薄化部よりも厚い環状の補強部と、を有し、該薄化部の裏面側に金属層が形成されたウェーハの加工方法であって、
該ウェーハの表面側に第１保護部材を設ける第１保護部材配設ステップと、
該第１保護部材を介して該ウェーハの表面側を保護膜被覆装置の保持テーブルで保持し、該金属層を覆う水溶性の保護膜を形成する保護膜形成ステップと、
該保護膜形成ステップを実施した後、該第１保護部材を介して該ウェーハの表面側を分断装置の保持テーブルで保持し、該薄化部と該補強部との境界で該ウェーハを分断するウェーハ分断ステップと、
該ウェーハ分断ステップを実施した後、該薄化部から分離された該補強部を除去する補強部除去ステップと、
該補強部除去ステップを実施した後、該第１保護部材を介して該薄化部の表面側を洗浄装置の保持テーブルで保持し、該薄化部の裏面側を洗浄して該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、
該保護膜除去ステップを実施した後、該洗浄装置の該保持テーブルで該薄化部を保持したまま、該洗浄装置の該保持テーブルに保持された該薄化部の裏面側に第２保護部材を設ける第２保護部材配設ステップと、
該第２保護部材配設ステップを実施した後、薄化部の表面側に残る該第１保護部材を除去する第１保護部材除去ステップと、
該第１保護部材除去ステップを実施した後、該第２保護部材を介して該薄化部の裏面側を分割装置の保持テーブルで保持し、該薄化部を該分割予定ラインに沿って複数のチップに分割する分割ステップと、を備えることを特徴とするウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、裏面側に金属層が形成されたウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、小型軽量なデバイスチップを実現するために、シリコン等の材料でなるウェーハを薄く加工することが求められている。ウェーハは、例えば、表面の分割予定ライン（ストリート）で区画される各領域にＩＣ等のデバイスが形成された後、所望の厚みとなるように裏面側を研削される。
【０００３】
ところで、研削等によりウェーハを薄くすると、ウェーハの剛性は大幅に低下して後工程での取り扱いが難しくなる。そのため、デバイスが形成されたウェーハの中央部分のみを研削して外周部分の厚みを維持することで、研削後のウェーハにある程度の剛性を残す加工方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
この加工方法では、例えば、ウェーハより径の小さい研削ホイールを用いてウェーハの裏面側を研削し、中央部分を薄くする。ウェーハの剛性は、厚みが維持された外周部分によって保たれる。なお、この外周部分は、後に、中央部分との境界にレーザービームを照射する方法等を用いて分離される（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１９４６１号公報
【特許文献２】特開２００８−５３３４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述のような方法でウェーハを薄くした後には、電極等として機能する金属層をウェーハの裏面側に形成することがある。金属層が形成されたウェーハを分割予定ラインに沿って複数のチップへと分割する際には、金属層を傷付けたり、金属層に異物を付着させたりすることなくウェーハを加工することが求められる。
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、金属層を傷付けたり、金属層に異物を付着させたりすることなくウェーハを加工できるウェーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、交差する複数の分割予定ラインで区画された表面側の各領域にデバイスがそれぞれ形成されたデバイス領域に対応する部分を裏面側から薄化して形成される薄化部と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域に対応して形成され該薄化部よりも厚い環状の補強部と、を有し、該薄化部の裏面側に金属層が形成されたウェーハの加工方法であって、該ウェーハの表面側に第１保護部材を設ける第１保護部材配設ステップと、該第１保護部材を介して該ウェーハの表面側を保護膜被覆装置の保持テーブルで保持し、該金属層を覆う水溶性の保護膜を形成する保護膜形成ステップと、該保護膜形成ステップを実施した後、該第１保護部材を介して該ウェーハの表面側を分断装置の保持テーブルで保持し、該薄化部と該補強部との境界で該ウェーハを分断するウェーハ分断ステップと、該ウェーハ分断ステップを実施した後、該薄化部から分離された該補強部を除去する補強部除去ステップと、該補強部除去ステップを実施した後、該第１保護部材を介して該薄化部の表面側を洗浄装置の保持テーブルで保持し、該薄化部の裏面側を洗浄して該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、該保護膜除去ステップを実施した後、該洗浄装置の該保持テーブルで該薄化部を保持したまま、該洗浄装置の該保持テーブルに保持された該薄化部の裏面側に第２保護部材を設ける第２保護部材配設ステップと、該第２保護部材配設ステップを実施した後、薄化部の表面側に残る該第１保護部材を除去する第１保護部材除去ステップと、該第１保護部材除去ステップを実施した後、該第２保護部材を介して該薄化部の裏面側を分割装置の保持テーブルで保持し、該薄化部を該分割予定ラインに沿って複数のチップに分割する分割ステップと、を備えるウェーハの加工方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一態様に係る被加工物の加工方法では、薄化部と補強部との境界でウェーハを分断する前に、薄化部の裏面側の金属層を覆う保護膜を形成するので、ウェーハの分断時に発生するデブリや加工屑等の異物は金属層に付着しない。また、薄化部を保持テーブルで保持して裏面側の保護膜を除去した後に、この保持テーブルで薄化部を保持したまま裏面側に保護部材（第２保護部材）を設けるので、薄化部の搬送等によって金属層が傷付くこともない。
【００１０】
このように、本発明に係るウェーハの加工方法によれば、金属層を傷付けたり、金属層に異物を付着させたりすることなくウェーハを加工できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１（Ａ）は、ウェーハの外観を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、ウェーハの構造を模式的に示す断面図である。
【図２】図２（Ａ）は、第１保護部材配設ステップを模式的に示す断面図であり、図２（Ｂ）は、保護膜形成ステップを模式的に示す一部断面側面図である。
【図３】図３（Ａ）は、ウェーハ分断ステップを模式的に示す一部断面側面図であり、図３（Ｂ）は、補強部除去ステップを模式的に示す断面図である。
【図４】図４（Ａ）は、保護膜除去ステップを模式的に示す一部断面側面図であり、図４（Ｂ）は、第２保護部材配設ステップを模式的に示す一部断面側面図である。
【図５】図５（Ａ）は、第１保護部材除去ステップを模式的に示す断面図であり、図５（Ｂ）は、分割ステップを模式的に示す一部断面側面図である。
【図６】変形例に係るウェーハ分断ステップを模式的に示す一部断面側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態に係るウェーハの加工方法は、第１保護部材配設ステップ（図２（Ａ）参照）、保護膜形成ステップ（図２（Ｂ）参照）、ウェーハ分断ステップ（図３（Ａ）参照）、補強部除去ステップ（図３（Ｂ）参照）、保護膜除去ステップ（図４（Ａ）参照）、第２保護部材配設ステップ（図４（Ｂ）参照）、第１保護部材除去ステップ（図５（Ａ）参照）、及び分割ステップ（図５（Ｂ）参照）を含む。
【００１３】
第１保護部材配設ステップでは、表面側のデバイス領域に対応する薄化部（薄肉部）と、デバイス領域を囲む外周余剰領域に対応する環状の補強部（厚肉部）と、を有し、薄化部の裏面側に金属層が形成されたウェーハの表面側に第１保護部材を設ける。保護膜形成ステップでは、第１保護部材を介してウェーハの表面側を保護膜被覆装置の保持テーブルで保持し、金属層を覆う水溶性の保護膜を形成する。
【００１４】
ウェーハ分断ステップでは、第１保護部材を介してウェーハの表面側をレーザー加工装置（分断装置）の保持テーブルで保持し、薄化部と補強部との境界でウェーハを分断する。補強部除去ステップでは、薄化部から分離された補強部を除去する。保護膜除去ステップでは、第１保護部材を介して薄化部の表面側を洗浄装置の保持テーブルで保持し、薄化部の裏面側を洗浄して保護膜を除去する。
【００１５】
第２保護部材配設ステップでは、洗浄装置の保持テーブルに保持された薄化部の裏面側に第２保護部材を設ける。第１保護部材除去ステップでは、薄化部の表面側に残る第１保護部材を除去する。分割ステップでは、第２保護部材を介して薄化部の裏面側を切削装置（分割装置）の保持テーブルで保持し、薄化部を分割予定ラインに沿って複数のチップに分割する。以下、本実施形態に係るウェーハの加工方法について詳述する。
【００１６】
図１（Ａ）は、本実施形態で加工されるウェーハの外観を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、ウェーハの構造を模式的に示す断面図である。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、ウェーハ１１は、例えば、シリコン、サファイア等の材料を用いて円盤状に形成されており、その表面１１ａは、中央のデバイス領域１３と、デバイス領域１３を囲む外周余剰領域１５とに分けられる。
【００１７】
デバイス領域１３は、格子状に配列された分割予定ライン（ストリート）１７でさらに複数の領域に区画されており、各領域には、ＩＣ、ＬＥＤ等のデバイス１９が形成されている。このウェーハ１１のデバイス領域１３に対応する部分は、研削等の方法で裏面１１ｂ側から薄化されている。一方で、外周余剰領域１５に対応する部分は、薄化されていない。
【００１８】
つまり、ウェーハ１１は、デバイス領域１３に対応する円形の薄化部（薄肉部）２１と、外周余剰領域１５に対応し薄化部２１よりも厚い環状の補強部（厚肉部）２３と、を含んでいる。薄化部２１の裏面１１ｂ側には、電極等として機能する金属層２５が形成されている。また、ウェーハ１１の剛性は、補強部２３によってある程度の高さに維持されている。
【００１９】
本実施形態に係るウェーハの加工方法では、まず、上述したウェーハ１１の表面１１ａ側に第１保護部材を設ける第１保護部材配設ステップを実施する。図２（Ａ）は、第１保護部材配設ステップを模式的に示す断面図である。図２（Ａ）に示すように、第１保護部材配設ステップでは、ウェーハ１１よりも直径の大きい円形のフィルム状に形成され、樹脂等の材料でなる第１保護部材３１の中央部分を、ウェーハ１１の表面１１ａ側に貼付する。
【００２０】
また、この第１保護部材３１の外周部分を、フレーム３３に貼付する。フレーム３３は、ステンレスやアルミニウム等の材料を用いて環状に形成されており、ウェーハ１１を収容するための開口を中央部分に備えている。よって、このフレーム３３に第１保護部材３１の外周部分を貼付、固定することで、図２（Ａ）等に示すように、第１保護部材３１を介してウェーハ１１をフレーム３３によって支持できるようになる。
【００２１】
第１保護部材配設ステップの後には、金属層２５を覆う水溶性の保護膜を形成する保護膜形成ステップを実施する。図２（Ｂ）は、保護膜形成ステップを模式的に示す一部断面側面図である。保護膜形成ステップは、例えば、図２（Ｂ）に示す保護膜被覆装置２を用いて実施される。
【００２２】
保護膜被覆装置２は、ウェーハ１１を吸引、保持するための保持テーブル４を備えている。保持テーブル４は、モータ等を含む回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。保持テーブル４の周囲には、フレーム３３を固定するための複数のクランプ６が設けられている。
【００２３】
保持テーブル４の上面は、ウェーハ１１に貼付された第１保護部材３１（ウェーハ１１の表面１１ａ側）を吸引、保持するための保持面４ａになっている。保持面４ａは、保持テーブル４の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。保持テーブル４の上方には、水溶性の保護膜となる液状の材料４１を滴下するためのノズル８が配置されている。
【００２４】
保護膜形成ステップでは、まず、ウェーハ１１に貼付された第１保護部材３１を保持テーブル４の保持面４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。併せて、クランプ６でフレーム３３を固定する。これにより、ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態で保持テーブル４（及びクランプ６）に保持される。
【００２５】
次に、上方のノズル８から薄化部２１の裏面１１ｂ側に向けて液状の材料４１を滴下させる。併せて、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに保持テーブル４を回転させる。これにより、液状の材料４１が金属層２５の全面に塗布される。その後、金属層２５に塗布された液状の材料４１を乾燥、硬化等させることで、金属層２５を覆う水溶性の保護膜４３を形成できる。
【００２６】
保護膜形成ステップの後には、薄化部２１と補強部２３との境界でウェーハ１１を分断するウェーハ分断ステップを実施する。図３（Ａ）は、ウェーハ分断ステップを模式的に示す一部断面側面図である。ウェーハ分断ステップは、例えば、図３（Ａ）に示すレーザー加工装置（分断装置）１２を用いて実施される。
【００２７】
レーザー加工装置１２は、ウェーハ１１を吸引、保持するための保持テーブル１４を備えている。保持テーブル１４は、モータ等を含む回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、保持テーブル１４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、保持テーブル１４は、この移動機構によって水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）に移動する。
【００２８】
保持テーブル１４の周囲には、フレーム３３を固定するための複数のクランプ１６が設けられている。保持テーブル１４の上面は、ウェーハ１１に貼付された第１保護部材３１（ウェーハ１１の表面１１ａ側）を吸引、保持するための保持面１４ａになっている。保持面１４ａは、保持テーブル１４の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。
【００２９】
保持テーブル１４の上方には、レーザー加工ユニット１８が配置されている。レーザー加工ユニット１８は、レーザー発振器（不図示）でパルス発振されたレーザービームＬを保持テーブル１４に保持されたウェーハ１１に集光する。このレーザー発振器は、例えば、ウェーハ１１に吸収され易い波長（吸収性を有する波長）のレーザービームＬを発振できるように構成されている。
【００３０】
ウェーハ分断ステップでは、まず、ウェーハ１１に貼付された第１保護部材３１を保持テーブル１４の保持面１４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。併せて、クランプ１６でフレーム３３を固定する。これにより、ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態で保持テーブル１４（及びクランプ１６）に保持される。
【００３１】
次に、保持テーブル１４を移動させて、レーザー加工ユニット１８の位置を薄化部２１と補強部２３との境界（すなわち、デバイス領域１３と外周余剰領域１５との境界）の上方に合わせる。そして、保持テーブル１４を回転させながら、レーザー加工ユニット１８からウェーハ１１の裏面１１ｂに向けてレーザービームＬを照射させる。
【００３２】
本実施形態では、ウェーハ１１とともに第１保護部材３１を分断できるようにレーザービームＬの照射条件を調整する。これにより、ウェーハ１１及び第１保護部材３１をレーザービームＬでアブレーション加工（レーザーアブレーション）して、ウェーハ１１及び第１保護部材３１を薄化部２１と補強部２３との境界に相当する位置で分断できる。
【００３３】
なお、本実施形態では、レーザービームＬを用いるレーザーアブレーション等と呼ばれる方法でウェーハ１１及び第１保護部材３１を分断しているが、薄化部２１と補強部２３との境界に切削ブレードを切り込ませる方法等でウェーハ１１及び第１保護部材３１を分断しても良い。
【００３４】
ウェーハ分断ステップの後には、薄化部２１から分離された補強部２３を除去する補強部除去ステップを実施する。図３（Ｂ）は、補強部除去ステップを模式的に示す断面図である。上述のように、ウェーハ分断ステップでは、ウェーハ１１及び第１保護部材３１が薄化部２１と補強部２３との境界に相当する位置で分断される。
【００３５】
よって、図３（Ｂ）に示すように、薄化部２１から分離された補強部２３を簡単に除去できる。本実施形態では、薄化部２１と補強部２３との境界に相当する位置で第１保護部材３１も分断されるので、薄化部２１には、第１保護部材３１の一部である第１保護部材３１ａが残存し、残りの第１保護部材３１ｂは補強部２３等とともに除去される。
【００３６】
補強部除去ステップの後には、薄化部２１の裏面１１ｂ側を洗浄して保護膜４３を除去する保護膜除去ステップを実施する。図４（Ａ）は、保護膜除去ステップを模式的に示す一部断面側面図である。保護膜除去ステップは、例えば、図４（Ａ）に示す洗浄装置２２を用いて実施される。
【００３７】
洗浄装置２２は、薄化部２１を吸引、保持するための保持テーブル２４を備えている。保持テーブル２４は、モータ等を含む回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。保持テーブル２４の周囲には、フレームを固定するための複数のクランプ２６が設けられている。
【００３８】
保持テーブル２４の上面は、薄化部２１に貼付されている第１保護部材３１ａ（薄化部２１の表面１１ａ側）を吸引、保持するための保持面２４ａになっている。保持面２４ａは、保持テーブル２４の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。保持テーブル２４の上方には、保護膜４３を除去するための純水等の洗浄液４５を噴射するノズル２８が配置されている。
【００３９】
保護膜除去ステップでは、まず、薄化部２１に貼付された第１保護部材３１ａを保持テーブル２４の保持面２４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、薄化部２１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態で保持テーブル２４に保持される。なお、この状態では、保護膜４３により金属層２５が覆われているので、搬送機構等が薄化部２１に接触しても金属層２５が傷付くことはない。
【００４０】
次に、上方のノズル２８から薄化部２１の裏面１１ｂ側に向けて洗浄液４５を噴射させる。併せて、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに保持テーブル２４を回転させる。これにより、水溶性の保護膜４３の全面に洗浄液４５を供給して、保護膜４３を溶解、除去できる。
【００４１】
保護膜除去ステップの後には、薄化部２１の裏面１１ｂ側に第２保護部材を設ける第２保護部材配設ステップを実施する。図４（Ｂ）は、第２保護部材配設ステップを模式的に示す一部断面側面図である。図４（Ｂ）に示すように、第２保護部材配設ステップは、洗浄装置２２の保持テーブル２４で薄化部２１を保持しながら行われる。
【００４２】
具体的には、薄化部２１よりも直径の大きい円形のフィルム状に形成され、樹脂等の材料でなる第２保護部材３５の中央部分を、薄化部２１の裏面１１ｂ側（金属層２５側）に貼付する。また、この第２保護部材３５の外周部分を、フレーム３７に貼付する。なお、本実施形態では、第２保護部材３５の中央部分を薄化部２１に貼付する前に、第２保護部材３５の外周部分をフレーム３７に貼付しておく。
【００４３】
フレーム３７は、ステンレスやアルミニウム等の材料を用いて環状に形成されており、薄化部２１を収容するための開口を中央部分に備えている。よって、このフレーム３７に第２保護部材３５の外周部分を貼付、固定することで、第２保護部材３５を介して薄化部２１をフレーム３７によって支持できるようになる。
【００４４】
また、本実施形態では、洗浄装置２２の保持テーブル２４で薄化部２１を保持し、裏面１１ｂ側の保護膜４３を除去した後に、この保持テーブル２４で薄化部２１を保持したまま、裏面１１ｂ側に第２保護部材３５を設けている。よって、裏面１１ｂ側に金属層２５が露出した状態で薄化部２１を搬送等する必要はなく、金属層２５が傷付くこともない。
【００４５】
第２保護部材配設ステップの後には、薄化部２１の表面１１ａ側に残る第１保護部材３１ａを除去する第１保護部材除去ステップを実施する。図５（Ａ）は、第１保護部材除去ステップを模式的に示す断面図である。図５（Ａ）に示すように、薄化部２１の表面１１ａ側に残る第１保護部材３１ａを剥離、除去することで、薄化部２１の表面１１ａが露出する。
【００４６】
第１保護部材除去ステップの後には、薄化部２１を分割予定ライン１７に沿って複数のチップに分割する分割ステップを実施する。図５（Ｂ）は、分割ステップを模式的に示す一部断面側面図である。分割ステップは、例えば、図５（Ｂ）に示す切削装置（分割装置）３２を用いて実施される。
【００４７】
切削装置３２は、薄化部２１を吸引、保持するための保持テーブル３４を備えている。保持テーブル３４は、モータ等を含む回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、保持テーブル３４の下方には、加工送り機構（不図示）が設けられており、保持テーブル３４は、この加工送り機構によって加工送り方向（Ｘ軸方向）に移動する。
【００４８】
保持テーブル３４の周囲には、フレーム３７を固定するための複数のクランプ３６が設けられている。保持テーブル３４の上面は、薄化部２１に貼付された第２保護部材３５（薄化部２１の裏面１１ｂ側）を吸引、保持するための保持面３４ａになっている。保持面３４ａは、保持テーブル３４の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。
【００４９】
保持テーブル３４の上方には、薄化部２１を切削するための切削ユニット３８が配置されている。切削ユニット３８は、移動機構（不図示）に支持されたスピンドルハウジング（不図示）を備えている。このスピンドルハウジングは、移動機構によって加工送り方向に垂直な割り出し送り方向（Ｙ軸方向）に移動し、また、加工送り方向及び割り出し送り方向に垂直な鉛直方向（Ｚ軸方向）に移動する。
【００５０】
スピンドルハウジングの内部には、モータ等を含む回転駆動源（不図示）に連結されたスピンドル（不図示）が収容されている。スピンドルは、回転駆動源から伝達される回転力によって割り出し送り方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。スピンドルハウジングの外部に露出するスピンドルの一端部には、分割ステップに適した円環状の切削ブレード４０が装着されている。
【００５１】
分割ステップでは、まず、薄化部２１に貼付された第２保護部材３５を保持テーブル３４の保持面３４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。併せて、クランプ３６でフレーム３７を固定する。これにより、薄化部２１は、表面１１ａ側が上方に露出した状態で保持テーブル３４（及びクランプ３６）に保持される。
【００５２】
次に、保持テーブル３４及び切削ユニット３８を相対的に移動、回転させて、対象となる分割予定ライン１７を切削装置３２の加工送り方向に合わせる。そして、図５（Ｂ）に示すように、第２保護部材３５に接触する高さまで切削ブレード４０を下降させるとともに、切削ブレード４０を回転させながら対象の分割予定ライン１７に対して平行な加工送り方向に保持テーブル３４を移動させる。
【００５３】
これにより、対象の分割予定ライン１７に沿って切削ブレード４０を切り込ませ、薄化部２１を分割できる。この手順を繰り返し、全ての分割予定ライン１７に沿って薄化部２１が複数のチップに分割されると、分割ステップは終了する。なお、本実施形態では、切削ブレード４０を切り込ませる方法で薄化部２１を複数のチップに分割しているが、レーザービームを用いる方法（レーザーアブレーション、多光子吸収による改質等）で薄化部２１を複数のチップに分割しても良い。
【００５４】
以上のように、本実施形態に係る被加工物の加工方法では、薄化部２１と補強部２３との境界でウェーハ１１を分断する前に、薄化部２１の裏面１１ｂ側の金属層２５を覆う保護膜４３を形成するので、ウェーハ１１の分断時に発生するデブリや加工屑等の異物は金属層２５に付着しない。
【００５５】
また、薄化部２１を洗浄装置２２の保持テーブル２４で保持して裏面１１ｂ側の保護膜４３を除去した後に、この保持テーブル２４で薄化部２１を保持したまま裏面１１ｂ側に第２保護部材３５を設けるので、薄化部２１の搬送等によって金属層２５が傷付くこともない。つまり、金属層２５を傷付けたり、金属層２５に異物を付着させたりすることなくウェーハ１１を加工できる。
【００５６】
なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態のウェーハ分断ステップでは、レーザー加工装置１２を用いているが、切削装置を用いてウェーハ分断ステップを実施することもできる。図６は、変形例に係るウェーハ分断ステップを模式的に示す一部断面側面図である。
【００５７】
この変形例に係るウェーハ分断ステップで使用される切削装置（分断装置）５２の基本的な構造は、分割ステップで使用される切削装置（分割装置）３２と同じである。よって、共通する構造には同じ符号を付して詳細な説明を省略する。図６に示すように、この切削装置５２が備えるスピンドル５４の一端部には、ウェーハ分断ステップに適した円環状の切削ブレード５６が装着されている。
【００５８】
変形例に係るウェーハ分断ステップでは、まず、ウェーハ１１に貼付された第１保護部材３１を保持テーブル３４の保持面３４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。併せて、クランプ３６でフレーム３３を固定する。これにより、ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態で保持テーブル３４（及びクランプ３６）に保持される。
【００５９】
次に、保持テーブル３４及び切削ユニット３８を相対的に移動させて、切削ブレード５６の位置を薄化部２１と補強部２３との境界（すなわち、デバイス領域１３と外周余剰領域１５との境界）の上方に合わせる。そして、切削ブレード５６を回転させながらウェーハ１１の裏面１１ｂ側に切り込ませるとともに、保持テーブル３４を回転させる。
【００６０】
ここでは、ウェーハ１１とともに第１保護部材３１を分断できるように、切削ブレード５６の切り込み深さを調整する。これにより、ウェーハ１１及び第１保護部材３１を切削ブレード５６で切削して、薄化部２１と補強部２３との境界に相当する位置で分断できる。
【００６１】
また、上記実施形態に係る保護膜形成ステップと保護膜除去ステップとでは、それぞれ別の装置（保護膜被覆装置２と洗浄装置２２）を使用しているが、例えば、液状の材料を滴下するノズルと、純水等の洗浄液を噴射するノズルと、を併せ持つ１台の装置を用いても良い。
【００６２】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００６３】
１１  ウェーハ
１１ａ  表面
１１ｂ  裏面
１３  デバイス領域
１５  外周余剰領域
１７  分割予定ライン（ストリート）
１９  デバイス
２１  薄化部
２３  補強部
２５  金属層
３１  第１保護部材
３３  フレーム
３５  第２保護部材
３７  フレーム
４１  材料
４３  保護膜
４５  洗浄液
Ｌ  レーザービーム
２  保護膜被覆装置
４  保持テーブル
４ａ  保持面
６  クランプ
８  ノズル
１２  レーザー加工装置（分断装置）
１４  保持テーブル
１４ａ  保持面
１６  クランプ
１８  レーザー加工ユニット
２２  洗浄装置
２４  保持テーブル
２４ａ  保持面
２６  クランプ
２８  ノズル
３２  切削装置（分割装置）
３４  保持テーブル
３４ａ  保持面
３６  クランプ
３８  切削ユニット
４０  切削ブレード
５２  切削装置（分断装置）
５４  スピンドル
５６  切削ブレード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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