(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素の各々は、互いに異なるピーク波長の光を発光する第１副画素、第２副画素及び第３副画素を含み、
上記各々の副画素は、陽極と、陰極と、上記陽極と上記陰極との間に形成された発光層とを備えている有機ＥＬ表示装置であって、
上記陽極及び上記陰極中、一方は、反射電極であるか、または反射層を備えており、他方は、上記互いに異なるピーク波長の光を透過させる透過電極または半透過電極であり、
上記発光層は、赤色光の発光層である第１蛍光発光層と、青色光の発光層である第２蛍光発光層と、緑色光の発光層である第３蛍光発光層と、を備えた積層膜であり、
上記第１蛍光発光層、上記第２蛍光発光層及び上記第３蛍光発光層の各々は、上記複数の画素において、単一の共通層として形成され、かつ、上記第１蛍光発光層は、上記第２蛍光発光層及び上記第３蛍光発光層より上層または下層に配置され、
上記第１副画素においては、上記第２蛍光発光層と、上記第３蛍光発光層との間に、発光材料を含まない第１セパレート層が設けられるとともに、上記第２蛍光発光層と上記第３蛍光発光層との間の距離はフェルスター半径より大きく、上記第２蛍光発光層で発光し、
上記第２副画素においては、上記第１蛍光発光層と、上記第１蛍光発光層と隣接する蛍光発光層との間に、発光材料を含まない第２セパレート層が設けられるとともに、上記第１蛍光発光層と上記第１蛍光発光層と隣接する蛍光発光層との間の距離はフェルスター半径より大きく、上記第２蛍光発光層からのフェルスター遷移により上記第３蛍光発光層で発光し、
上記第３副画素においては、上記第１蛍光発光層、上記第２蛍光発光層及び上記第３蛍光発光層の層膜厚がフェルスター半径以内であって、上記第２蛍光発光層からのフェルスター遷移により上記第１蛍光発光層で発光することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
上記第１蛍光発光層と、上記第１蛍光発光層と隣接する蛍光発光層との間には、発光材料を含まない第１ブロック層が、上記複数の画素において、単一の共通層として形成されており、
上記第２副画素においては、上記第２セパレート層と上記第１ブロック層とを合わせた膜厚が１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
上記第２蛍光発光層と、上記第３蛍光発光層との間には、発光材料を含まない第２ブロック層が、上記複数の画素において、単一の共通層として形成されており、
上記第１副画素においては、上記第１セパレート層と上記第２ブロック層とを合わせた膜厚が１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
上記陽極と上記陰極との間においては、上記第１蛍光発光層、上記第２蛍光発光層及び上記第３蛍光発光層中、上記第１蛍光発光層が上記陰極と最も隣接して配置され、かつ、上記第２蛍光発光層が上記陽極と最も隣接して配置されており、
上記第２蛍光発光層より上層であって、上記第２蛍光発光層と上記陰極との間に形成される各層に含まれる混合比５０％以上の材料の電子移動度は、正孔移動度よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
上記陽極と上記陰極との間においては、上記第１蛍光発光層、上記第２蛍光発光層及び上記第３蛍光発光層中、上記第１蛍光発光層が上記陽極と最も隣接して配置され、かつ、上記第２蛍光発光層が上記陰極と最も隣接して配置されており、
上記第２蛍光発光層より下層であって、上記第２蛍光発光層と上記陽極との間に形成される各層に含まれる混合比５０％以上の材料の正孔移動度は、電子移動度よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
上記陽極と上記陰極との間においては、上記第１蛍光発光層、上記第２蛍光発光層及び上記第３蛍光発光層中、上記第１蛍光発光層が上記陰極と最も隣接して配置され、かつ、上記第３蛍光発光層が上記陽極と最も隣接して配置されており、
上記第２蛍光発光層より上層であって、上記第２蛍光発光層と上記陰極との間に形成される各層に含まれる混合比５０％以上の材料の電子移動度は、正孔移動度よりも高く、
上記第２蛍光発光層より下層であって、上記第２蛍光発光層と上記陽極との間に形成される各層に含まれる混合比５０％以上の材料の正孔移動度は、電子移動度よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
上記陽極と上記陰極との間においては、上記第１蛍光発光層、上記第２蛍光発光層及び上記第３蛍光発光層中、上記第１蛍光発光層が上記陽極と最も隣接して配置され、かつ、上記第３蛍光発光層が上記陰極と最も隣接して配置されており、
上記第２蛍光発光層より上層であって、上記第２蛍光発光層と上記陰極との間に形成される各層に含まれる混合比５０％以上の材料の電子移動度は、正孔移動度よりも高く、
上記第２蛍光発光層より下層であって、上記第２蛍光発光層と上記陽極との間に形成される各層に含まれる混合比５０％以上の材料の正孔移動度は、電子移動度よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
上記第２蛍光発光層中に含まれる第２蛍光発光材料及び上記第３蛍光発光層中に含まれる第３蛍光発光材料の少なくとも一方は、最低励起一重項準位と最低励起三重項準位とのエネルギー差が０．３ｅＶ未満である熱活性化遅延蛍光材料を含むことを特徴とする請求項１から７の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
上記第１セパレート層及び上記第２セパレート層の少なくとも一方は、複数の層の積層膜であることを特徴とする請求項１から８の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
上記第１セパレート層は、１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の膜厚を有することを特徴とする請求項１から９の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
上記第２セパレート層は、１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の膜厚を有することを特徴とする請求項１から１０の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
上記第２蛍光発光層中に含まれる第２蛍光発光材料及び上記第３蛍光発光層中に含まれる第３蛍光発光材料の少なくとも一方は、最低励起一重項準位と最低励起三重項準位とのエネルギー差が０．３ｅＶ未満である熱活性化遅延蛍光材料を含み、
上記第１蛍光発光層と、上記第１蛍光発光層と隣接する蛍光発光層との間には、発光材料を含まない第１ブロック層が、上記複数の画素において、単一の共通層として形成されており、
上記第２副画素においては、上記第２セパレート層と上記第１ブロック層とを合わせた膜厚が１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項３から７の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１３】
上記第２蛍光発光層中に含まれる第２蛍光発光材料及び上記第３蛍光発光層中に含まれる第３蛍光発光材料の少なくとも一方は、最低励起一重項準位と最低励起三重項準位とのエネルギー差が０．３ｅＶ未満である熱活性化遅延蛍光材料を含み、
上記第２蛍光発光層と、上記第３蛍光発光層との間には、発光材料を含まない第２ブロック層が、上記複数の画素において、単一の共通層として形成されており、
上記第１副画素においては、上記第１セパレート層と上記第２ブロック層とを合わせた膜厚が１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項４から７の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１４】
上記第１セパレート層の吸収スペクトルの波長領域は、上記第２蛍光発光層中に含まれる第２蛍光発光材料の発光スペクトルの波長領域と、重なりを有さないことを特徴とする請求項１から１３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１５】
上記第２セパレート層の吸収スペクトルの波長領域は、上記第３蛍光発光層中に含まれる第３蛍光発光材料の発光スペクトルの波長領域と、重なりを有さないことを特徴とする請求項１から１４の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１６】
上記発光層の各層の積層により、上記発光層の膜厚が増加する方向に上記互いに異なるピーク波長の光を発光することを特徴とする請求項１から１５の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１７】
上記発光層の各層の積層により、上記発光層の膜厚が増加する方向と反対方向に上記互いに異なるピーク波長の光を発光することを特徴とする請求項１から１５の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置と、有機ＥＬ表示装置の製造方法とに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、さまざまなフラットパネルディスプレイが開発されており、特に、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置は、低消費電力化、薄型化及び高画質化などを実現できる点から、優れたフラットパネルディスプレイとして高い注目を浴びているとともに、次世代ディスプレイ技術の候補として開発がすすめられている。【０００３】
有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子の構造によって、以下の３種類に大別される。【０００４】
先ず、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層の３回の塗り分け蒸着により、各色の副画素に該当する色の光を発光する有機ＥＬ素子を形成した有機ＥＬ表示装置がある。なお、塗り分け蒸着とは、蒸着膜を各色の副画素に対応した形状で、複数回に分けて形成する蒸着をいう。【０００５】
次に、特許文献１に記載されているような、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層の各々を、全面蒸着し、全ての副画素において、陰極と陽極との間に、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層を積層し、白色発光を行うとともに、各副画素上に赤色、緑色及び青色のカラーフィルタを備えることで、フルカラー表示を実現する有機ＥＬ表示装置がある。【０００６】
最後に、特許文献２に記載されているような、全ての副画素に青色発光層を共通層として形成し、緑色副画素には青色光を緑色に色変換する緑色変換層を、赤色副画素には青色光を赤色に色変換する赤色変換層を、それぞれ形成し、該当する色の副画素上に該当色のカラーフィルタを備えることで、各色の副画素に該当する色の光を発光する有機ＥＬ素子を形成した有機ＥＬ表示装置がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】日本国特許公報「特許第４９１５３５６号」（２０１２年４月１１日発行）
【特許文献２】日本国特許公報「特許第４４４１８８３号」（２０１０年３月３１日発行）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
図２０は、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層の３回の塗り分け蒸着により、各色の副画素に該当する色の光を発光する有機ＥＬ素子を形成した有機ＥＬ表示装置の問題点を説明するための図である。【０００９】
図２０の（ａ）は、塗り分け蒸着により、基板上の隣接する副画素に異なる色の発光層を形成する工程を示す図であり、図２０の（ｂ）は、赤色発光層を形成する発光ドーパントの微量が、緑色発光層に混じった場合の混色の程度を示す図である。【００１０】
図２０の（ａ）に図示されているように、基板１００に緑色発光層１０３Ｇを蒸着した後に、蒸着源１０２から射出された赤色発光層１０３Ｒを形成する蒸着粒子を、蒸着マスク１０１を介して、緑色発光層１０３Ｇが形成された緑色副画素に隣接する赤色副画素に蒸着する際には、蒸着源１０２から射出された赤色発光層１０３Ｒを形成する蒸着粒子が拡がり、隣接する副画素である緑色副画素に形成された緑色発光層１０３Ｇに侵入してしまう場合がある。【００１１】
このようにして、緑色副画素において、緑色発光層１０３Ｇと赤色発光層１０３Ｒとが積層されてしまった場合、発光色の制御が困難になる。【００１２】
また、隣接する副画素である緑色副画素へ侵入した蒸着物が発光ドーパントであった場合、たとえそれが微量であっても、エレクトロルミネッセンス発光スペクトル（以後、ＥＬ発光スペクトルと称する）に大きな影響を与えてしまう。【００１３】
図２０の（ｂ）に図示されているように、赤色発光層１０３Ｒを形成する発光ドーパントの微量が、緑色発光層１０３Ｇに混じった場合、赤色の波長領域に大きなピークが現れ、緑色と赤色の混色が生じてしまう。【００１４】
このように、各副画素に備えられた有機ＥＬ素子から混色光が発光されると、有機ＥＬ表示装置の表示品位も低下してしまう。【００１５】
したがって、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層の３回の塗り分け蒸着を行う場合、蒸着マージンを十分に確保する必要があるので、高精細な有機ＥＬ表示装置を実現するのが困難であるという問題がある。【００１６】
また、上述した理由から、隣接する副画素への蒸着物の侵入は絶対避けなければならないので、３回の塗り分け蒸着工程においては、例えば、蒸着角度を蒸着方向に対して鋭角に制限する必要に迫られ、蒸着マスク１０１と、蒸着源１０２との間の距離を大きくせざるを得ず、結果的に真空チャンバーの巨大化や蒸着材料の利用効率の低下を招いてしまうという問題もある。【００１７】
さらに、塗り分け蒸着に用いられる蒸着マスクの開口精度や平面度の限界からも、高精細化や大型化が困難である。【００１８】
図２１の（ａ）は、特許文献１に記載されている、カラーフィルタを組み合わせることにより、フルカラーの有機ＥＬ表示装置を実現できる白色発光有機ＥＬ素子の概略構成を示す図である。【００１９】
図２１の（ａ）に図示されているように、白色発光有機ＥＬ素子１１１は、基板１１２上に形成された陽極１１３と陰極１２３との間に積層膜１２４を備え、その上から封止部材１２５で封止されている構成である。【００２０】
なお、積層膜１２４は、陽極１１３側から、正孔注入層１１４と正孔輸送層１１５と赤色発光層１１６と第１の中間層１１７と青色発光層１１８と第２の中間層１１９と緑色発光層１２０と電子輸送層１２１と電子注入層１２２とがこの順に積層されてなるものである。【００２１】
しかしながら、白色発光有機ＥＬ素子１１１は、駆動時の消費電力が高いという問題があるとともに、層数が多い、カラーフィルタを組み合わせる必要があるなど製造コストの面からもデメリットがある。【００２２】
図２１の（ｂ）は、特許文献２に記載されている、色変換層２０３Ｇ・２０３Ｒを備えた有機ＥＬ表示装置２００の概略構成を示す図である。【００２３】
図２１の（ｂ）に図示されているように、基板２０４上の各々の副画素（Ｒ副画素・Ｇ副画素・Ｂ副画素）には、対向電極層２０５と、青色の発光層を含む機能層２０６と、光透過性電極層２０７とが、副画素毎にこの順に積層されている。【００２４】
一方、基板２０４と対向する基板２０１においては、Ｂ副画素に該当する位置には、青色カラーフィルタ２０２Ｂが設けられており、Ｇ副画素に該当する位置には、緑色カラーフィルタ２０２Ｇと青色光を緑色に色変換する緑色変換層２０３Ｇとがこの順に積層されており、Ｒ副画素に該当する位置には、赤色カラーフィルタ２０２Ｒと青色光を赤色に色変換する赤色変換層２０３Ｒとがこの順に積層されている。【００２５】
そして、対向電極層２０５は、反射電極層と透明電極層との積層構造となっており、基板２０４側が反射電極層となっている。【００２６】
図２１の（ｂ）は、有機ＥＬ表示装置２００の概略構成を示す図であるため、対向電極層２０５は、全副画素に、同一の膜厚で形成されているように、図示しているが、実際は、Ｇ副画素及びＲ副画素の透明電極層の膜厚のみが同一の膜厚で形成されており、このＧ副画素及びＲ副画素の透明電極層の膜厚は、Ｂ副画素の透明電極層の膜厚より厚く形成されている。【００２７】
すなわち、Ｂ副画素においては、対向電極層２０５の反射電極層と機能層２０６中の発光層との間の光学的距離は、青色の発光光が干渉する距離に設定されており、一方、緑色変換層２０２Ｇが備えられているＧ副画素及び赤色変換層２０２Ｒが備えられているＲ副画素においては、当該緑色変換層２０２Ｇ及び赤色変換層２０２Ｒで変換された所定波長の光が最も高い強度で取り出される共通の距離に設定されている。【００２８】
以上のように、有機ＥＬ表示装置２００は、機能層２０６中の青色の発光層からの青色光の光学干渉による最適化された光を、青色カラーフィルタ２０２Ｂを介してそのまま取り出すか、緑色変換層２０２Ｇ及び緑色カラーフィルタ２０２Ｇまたは、赤色変換層２０２Ｒ及び赤色カラーフィルタ２０２Ｒを介して色変換して取り出す構造である。【００２９】
しかしながら、このような構成の場合、積層膜の膜厚バラツキにより光の取り出し効率が大きく変化してしまうという問題があるとともに、斜め出射される青色光による混色や色ズレの問題から高精細化が困難であるという問題がある。【００３０】
さらに、そもそも青色光を、赤色変換層２０２Ｒに吸収させるためには、かなり長波長側にシフトさせる必要があるため、その際に生じる発光強度の低下が顕著になるという問題もある。【００３１】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、駆動時の消費電力及び製造コストを抑制しつつ、高精細化しても、隣接する副画素間において混色や色ズレが生じない有機ＥＬ表示装置と、駆動時の消費電力及び製造コストを抑制しつつ、高精細化に際しても、製造装置の巨大化や蒸着材料の利用効率の低下を招かず、隣接する副画素間において混色や色ズレが生じない有機ＥＬ表示装置を製造できる有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３２】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、上記の課題を解決するために、複数の画素の各々は、互いに異なるピーク波長の光を発光する第１副画素、第２副画素及び第３副画素を含み、上記各々の副画素は、陽極と、陰極と、上記陽極と上記陰極との間に形成された発光層とを備えている有機ＥＬ表示装置であって、上記陽極及び上記陰極中、一方は、反射電極であるか、または反射層を備えており、他方は、上記互いに異なるピーク波長の光を透過させる透過電極または半透過電極であり、上記発光層は、最も長いピーク波長の光を発光する第１蛍光発光層と、最も短いピーク波長の光を発光する第２蛍光発光層と、上記第１蛍光発光層と上記第２蛍光発光層との間のピーク波長の光を発光する第３蛍光発光層と、を備えた積層膜であり、上記第１蛍光発光層、上記第２蛍光発光層及び上記第３蛍光発光層の各々は、上記複数の画素において、単一の共通層として形成され、かつ、上記第１蛍光発光層は、上記第２蛍光発光層及び上記第３蛍光発光層より上層または下層に配置され、上記第１副画素においては、上記第２蛍光発光層と、上記第３蛍光発光層との間に、発光材料を含まない第１セパレート層が設けられ、上記第２副画素においては、上記第１蛍光発光層と、上記第１蛍光発光層と隣接する蛍光発光層との間に、発光材料を含まない第２セパレート層が設けられていることを特徴としている。【００３３】
上記構成によれば、駆動時の消費電力及び製造コストを抑制しつつ、高精細化しても、隣接する副画素間において混色や色ズレが生じない有機ＥＬ表示装置を実現できる。【００３４】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、陽極を形成する工程と、陰極を形成する工程と、発光層を形成する工程とを含み、かつ、複数の画素の各々が、互いに異なるピーク波長の光を発光する第１副画素、第２副画素及び第３副画素を含む有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、上記発光層を形成する工程においては、最も長いピーク波長の光を発光する第１蛍光発光層、最も短いピーク波長の光を発光する第２蛍光発光層及び上記第１蛍光発光層と上記第２蛍光発光層との間のピーク波長の光を発光する第３蛍光発光層の各々を、上記第１蛍光発光層が、上記第２蛍光発光層及び上記第３蛍光発光層より上層または下層となるように、上記複数の画素の全体に蒸着し、上記第２蛍光発光層と、上記第３蛍光発光層との間であって、上記第１副画素に、発光材料を含まない第１セパレート層を塗り分け蒸着し、上記第１蛍光発光層と、上記第１蛍光発光層と隣接する蛍光発光層との間であって、上記第２副画素に、発光材料を含まない第２セパレート層を塗り分け蒸着することを特徴としている。【００３５】
上記方法によれば、駆動時の消費電力及び製造コストを抑制しつつ、高精細化に際しても、製造装置の巨大化や蒸着材料の利用効率の低下を招かず、隣接する副画素間において混色や色ズレが生じない有機ＥＬ表示装置を製造できる。
【発明の効果】
【００３６】
本発明の一態様によれば、駆動時の消費電力及び製造コストを抑制しつつ、高精細化しても、隣接する副画素間において混色や色ズレが生じない有機ＥＬ表示装置と、駆動時の消費電力及び製造コストを抑制しつつ、高精細化に際しても、製造装置の巨大化や蒸着材料の利用効率の低下を招かず、隣接する副画素間において混色や色ズレが生じない有機ＥＬ表示装置を製造できる有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置に備えられた陽極と陰極との間に形成された発光層のＢ副画素、Ｇ副画素及びＲ副画素における概略構成を示す図である。
【図２】本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す図である。
【図３】共通緑色発光層に含まれる緑色蛍光発光材料（緑色蛍光ドーパント）の吸収スペクトルと共通青色発光層に含まれる青色蛍光発光材料（青色蛍光ドーパント）のフォトルミネセンス発光スペクトルとの重なり程度を示す図である。
【図４】共通緑色発光層に含まれる緑色蛍光発光材料（緑色蛍光ドーパント）のフォトルミネセンス発光スペクトルと共通赤色発光層に含まれる赤色蛍光発光材料（赤色蛍光ドーパント）の吸収スペクトルとの重なり程度を示す図である。
【図５】共通赤色発光層に含まれる赤色蛍光発光材料（赤色蛍光ドーパント）のフォトルミネセンス発光スペクトルを示す図である。
【図６】本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置のフェルスター遷移を用いた発光機構を説明するための図である。
【図７】第１セパレート層中の材料の吸収スペクトルと共通青色発光層に含まれる青色蛍光発光材料（青色蛍光ドーパント）のフォトルミネセンス発光スペクトルとの重なり程度を示す図である。
【図８】第２セパレート層中の材料の吸収スペクトルと共通緑色発光層に含まれる緑色蛍光発光材料（緑色蛍光ドーパント）のフォトルミネセンス発光スペクトルとの重なり程度を示す図である。
【図９】本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の変形例を示す図である。
【図１０】共通赤色発光層が共通青色発光層と共通緑色発光層との間に配置された場合において、フェルスター遷移を用いて、Ｇ副画素において、Ｇ発光を実現できない理由を説明するための図である。
【図１１】本発明の実施形態２に係るボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す図である。
【図１２】本発明の実施形態３に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す図である。
【図１３】蛍光発光材料（蛍光ドーパント）としてＴＡＤＦ材料（熱活性化遅延蛍光材料）を用いた場合に発光効率が向上する理由を説明するための図である。
【図１４】本発明の実施形態４に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す図である。
【図１５】本発明の実施形態５に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す図である。
【図１６】本発明の実施形態５に係る他の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す図である。
【図１７】本発明の実施形態６に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す図である。
【図１８】本発明の実施形態７に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す図である。
【図１９】本発明の実施形態８に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す図である。
【図２０】赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層の３回の塗り分け蒸着により、各色の副画素に該当する色の光を発光する有機ＥＬ素子を形成した従来の有機ＥＬ表示装置の問題点を説明するための図である。
【図２１】特許文献１及び特許文献２に開示されている従来の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
本発明の実施の形態について図１から図１９に基づいて説明すれば、次の通りである。以下、説明の便宜上、特定の実施形態にて説明した構成と同一の機能を有する構成については、同一の符号を付記し、その説明を省略する場合がある。
【００３９】
〔実施形態１〕
図１から図９に基づき、本発明の実施形態１について説明する。
【００４０】
図１は、図２に図示されている有機ＥＬ表示装置１に備えられた陽極と陰極との間に形成された発光層のＢ副画素、Ｇ副画素及びＲ副画素における概略構成を示す図である。
【００４１】
図示されているように、有機ＥＬ表示装置１に備えられた上記発光層は、共通青色発光層（第２蛍光発光層）７と、共通緑色発光層（第３蛍光発光層）９と、共通赤色発光層（第１蛍光発光層）１１と、第１セパレート層８と、第２セパレート層１０と、を含む。
【００４２】
１画素を構成するＢ副画素、Ｇ副画素及びＲ副画素の各々においては、以下のような積層構造となる。
【００４３】
Ｂ副画素においては、共通青色発光層７と第１セパレート層８と共通緑色発光層９と共通赤色発光層１１とが下から順に積層されており、共通青色発光層７と共通緑色発光層９との間に第１セパレート層８が存在する。
【００４４】
Ｇ副画素においては、共通青色発光層７と共通緑色発光層９と第２セパレート層１０と共通赤色発光層１１とが下から順に積層されており、共通緑色発光層９と共通赤色発光層１１との間に第２セパレート層１０が存在する。
【００４５】
Ｒ副画素においては、共通青色発光層７と共通緑色発光層９と共通赤色発光層１１とが下から順に積層されており、上述したＢ副画素及びＧ副画素のように、第１セパレート層８や第２セパレート層１０は存在しない。
【００４６】
図２は、有機ＥＬ表示装置１の概略構成を示す図である。
【００４７】
本実施形態においては、基板２としてＴＦＴ素子（図示せず）が形成されたガラス基板（ＴＦＴ基板ともいう）を用いるとともに、基板２上の各副画素に、以下の各層を該当する膜厚で、その順に積層した。
【００４８】
Ｂ副画素においては、反射電極３：Ａｇ（１００ｎｍ）と、陽極４Ｂ：ＩＴＯ（１００ｎｍ）と、正孔注入層５：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）と、正孔輸送層６：ＴＡＰＣ（２０ｎｍ）と、共通青色発光層７：ＡＤＮ／ＴＢＰｅ（１０％）（１０ｎｍ）と、第１セパレート層８：ＢＣＰ（３０ｎｍ）と、共通緑色発光層９：ＢＣＰ／Ｃｏｕｍａｒｉｎ６（１０％）（１０ｎｍ）と、共通赤色発光層１１：ＢＣＰ／ＤＣＭ（１０％）（１０ｎｍ）と、電子輸送層１２：ＢＣＰ（３０ｎｍ）と、電子注入層１３：ＬｉＦ（１ｎｍ）と、陰極１４：Ａｇ／Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９：０．１）（２０ｎｍ）と、保護層１５：ＩＴＯ（８０ｎｍ）とが積層された青色発光有機ＥＬ素子が備えられている。
【００４９】
Ｇ副画素においては、反射電極３：Ａｇ（１００ｎｍ）と、陽極４Ｇ：ＩＴＯ（１４０ｎｍ）と、正孔注入層５：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）と、正孔輸送層６：ＴＡＰＣ（２０ｎｍ）と、共通青色発光層７：ＡＤＮ／ＴＢＰｅ（１０％）（１０ｎｍ）と、共通緑色発光層９：ＢＣＰ／Ｃｏｕｍａｒｉｎ６（１０％）（１０ｎｍ）と、第２セパレート層１０：ＢＣＰ（３０ｎｍ）と、共通赤色発光層１１：ＢＣＰ／ＤＣＭ（１０％）（１０ｎｍ）と、電子輸送層１２：ＢＣＰ（３０ｎｍ）と、電子注入層１３：ＬｉＦ（１ｎｍ）と、陰極１４：Ａｇ／Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９：０．１）（２０ｎｍ）と、保護層１５：ＩＴＯ（８０ｎｍ）とが積層された緑色発光有機ＥＬ素子が備えられている。
【００５０】
Ｒ副画素においては、反射電極３：Ａｇ（１００ｎｍ）と、陽極４Ｒ：ＩＴＯ（４０ｎｍ）と、正孔注入層５：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）と、正孔輸送層６：ＴＡＰＣ（２０ｎｍ）と、共通青色発光層７：ＡＤＮ／ＴＢＰｅ（１０％）（１０ｎｍ）と、共通緑色発光層９：ＢＣＰ／Ｃｏｕｍａｒｉｎ６（１０％）（１０ｎｍ）と、共通赤色発光層１１：ＢＣＰ／ＤＣＭ（１０％）（１０ｎｍ）と、電子輸送層１２：ＢＣＰ（３０ｎｍ）と、電子注入層１３：ＬｉＦ（１ｎｍ）と、陰極１４：Ａｇ／Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９：０．１）（２０ｎｍ）と、保護層１５：ＩＴＯ（８０ｎｍ）とが積層された赤色発光有機ＥＬ素子が備えられている。
【００５１】
なお、正孔注入層５、正孔輸送層６、共通青色発光層７、共通緑色発光層９、共通赤色発光層１１、電子輸送層１２、電子注入層１３、陰極１４及び保護層１５の各々は、複数の画素において、単一の共通層として形成されているので、１画素を構成するＢ副画素、Ｇ副画素及びＲ副画素の全体に跨って形成されている。
【００５２】
反射電極３は、基板２において、副画素毎に備えられたＴＦＴ素子のドレイン電極と接続されるように、副画素毎に同じ膜厚で独立して形成されており、Ｂ副画素の反射電極３上には膜厚１００ｎｍの陽極４Ｂが、Ｇ副画素の反射電極３上には膜厚１４０ｎｍの陽極４Ｇが、Ｒ副画素の反射電極３上には膜厚４０ｎｍの陽極４Ｒが、それぞれ形成されている。なお、副画素毎に陽極の膜厚が異なる理由は、Ｂ副画素においては、反射電極３と共通青色発光層７との間の光学的距離は、青色光が最も高い強度で取り出される距離に設定されており、Ｇ副画素においては、反射電極３と共通緑色発光層９との間の光学的距離は、緑色光が最も高い強度で取り出される距離に設定されており、Ｒ副画素においては、反射電極３と共通赤色発光層１１との間の光学的距離は、赤色光が最も高い強度で取り出される距離に設定されており、上記光学的距離の各々は、陽極の膜厚で調整されるからである。
【００５３】
本実施形態においては、有機ＥＬ素子が大気中の水分や酸素にて劣化しないように、保護層１５を設けるとともに、接着剤などを用いて、基板１６を基板２と貼り合わせることで、有機ＥＬ素子の封止を行ったが、これに限定されることはない。
【００５４】
有機ＥＬ表示装置１においては、駆動回路（図示せず）から、副画素毎に備えられたＴＦＴ素子を介して、各副画素の有機ＥＬ素子に電流を流し発光させることで、所望の表示を行うことができる。
【００５５】
有機ＥＬ表示装置１は、陽極４Ｂ・４Ｇ・４Ｒの各々が、下層に反射層として反射電極３を備えており、陰極１４は半透過電極であるので、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である。
【００５６】
なお、反射電極３と、陽極４Ｂ・４Ｇ・４Ｒとは、所定形状にパターンニングされており、このパターンニング形状によって、発光領域が決定される。そして、反射電極３及び陽極４Ｂと反射電極３及び陽極４Ｇとの間の空間部、反射電極３及び陽極４Ｇと反射電極３及び陽極４Ｒとの間の空間部などには、この空間部を埋めるとともに、突出するように、樹脂層１７が形成されている。
【００５７】
有機ＥＬ表示装置１においては、共通青色発光層７に含まれる青色蛍光発光材料のフォトルミネセンス発光スペクトルと共通緑色発光層９に含まれる緑色蛍光発光材料の吸収スペクトルとの重なり程度によって決定される共通青色発光層７と共通緑色発光層９との間のフェルスター半径と、共通緑色発光層９に含まれる緑色蛍光発光材料のフォトルミネセンス発光スペクトルと共通赤色発光層１１に含まれる赤色蛍光発光材料の吸収スペクトルとの重なり程度によって決定される共通緑色発光層９と共通赤色発光層１１との間のフェルスター半径とを、考慮して、各副画素の有機ＥＬ素子を形成している。
【００５８】
フェルスター半径とは、フェルスター遷移が起こり得る隣接する発光層間の距離（具体的には、隣接する発光層における互いに最隣接する面間の距離）を意味し、例えば、共通青色発光層７に含まれる青色蛍光発光材料のフォトルミネセンス発光スペクトルと共通緑色発光層９に含まれる緑色蛍光発光材料の吸収スペクトルとの重なり程度が大きければ、フェルスター半径は大きくなり、重なり程度が小さければ、フェルスター半径も小さくなる。一般的に、フェルスター半径は１〜１０ｎｍ程度と言われている。
【００５９】
なお、フェルスター遷移とは、隣接する発光層間における、高いエネルギー準位を有する一重項励起子から低いエネルギー準位を有する一重項基底状態の分子を励起するエネルギー移動を意味する。
【００６０】
このフェルスター遷移は、隣接する発光層がフェルスター半径内に存在すれば、起こるので、隣接する発光層が直接接している必要は必ずしもない。また、３層以上の隣接する発光層が全てフェルスター半径内に存在すれば、３層以上の隣接する発光層間において、高いエネルギー準位を有する一重項励起子から低いエネルギー準位を有する一重項基底状態の分子を励起するように、段階的に複数のフェルスター遷移が起きる。
【００６１】
上述したように、一般的に、フェルスター半径は１〜１０ｎｍ程度と言われているので、隣接する発光層間の距離を１０ｎｍより大きく離せば、フェルスター遷移は起きないが、隣接する発光層間の距離は、隣接する発光層のフォトルミネセンス発光スペクトルと吸収スペクトルとが完全に重なる場合においても隣接する発光層間においてフェルスター遷移が起こらない距離である１５ｎｍ以上を離すことが好ましい。
【００６２】
共通青色発光層７は、ホスト材料としてのＡＤＮ（９０％）と青色蛍光発光材料（青色蛍光ドーパント）としてのＴＢＰｅ（１０％）とで構成され、共通緑色発光層９は、ホスト材料としてのＢＣＰ（９０％）と緑色蛍光発光材料（緑色蛍光ドーパント）としてのＣｏｕｍａｒｉｎ６（１０％）とで構成され、共通赤色発光層１１は、ホスト材料としてのＢＣＰ（９０％）と赤色蛍光発光材料（赤色蛍光ドーパント）としてのＤＣＭ（１０％）とで構成される。
【００６３】
図３は、共通緑色発光層９に含まれる緑色蛍光発光材料（緑色蛍光ドーパント）であるＣｏｕｍａｒｉｎ６の吸収スペクトルと共通青色発光層７に含まれる青色蛍光発光材料（青色蛍光ドーパント）であるＴＢＰｅのフォトルミネセンス発光スペクトルとの重なり程度を示す概念図である。
【００６４】
図４は、共通緑色発光層９に含まれる緑色蛍光発光材料（緑色蛍光ドーパント）であるＣｏｕｍａｒｉｎ６のフォトルミネセンス発光スペクトルと共通赤色発光層１１に含まれる赤色蛍光発光材料（赤色蛍光ドーパント）であるＤＣＭの吸収スペクトルとの重なり程度を示す概念図である。
【００６５】
図５は、共通赤色発光層１１に含まれる赤色蛍光発光材料（赤色蛍光ドーパント）であるＤＣＭのフォトルミネセンス発光スペクトルを示す概念図である。
【００６６】
なお、図３に図示されているように、共通青色発光層７に含まれる青色蛍光発光材料（青色蛍光ドーパント）のピーク波長は、略４８０ｎｍであり、図４に図示されているように、共通緑色発光層９に含まれる緑色蛍光発光材料（緑色蛍光ドーパント）のピーク波長は、略５３０ｎｍであり、図５に図示されているように、共通赤色発光層１１に含まれる赤色蛍光発光材料（赤色蛍光ドーパント）のピーク波長は、略５８０ｎｍである。
【００６７】
図３及び図４に図示されているように、何れの場合においても、重なり程度は比較的に大きいので、共通青色発光層７と共通緑色発光層９とがフェルスター半径内に配置されれば、フェルスター遷移は起き、フェルスター半径より離して配置されれば、フェルスター遷移は起きない。同様に、共通緑色発光層９と共通赤色発光層１１とがフェルスター半径内に配置されれば、フェルスター遷移は起き、フェルスター半径より離して配置されれば、フェルスター遷移は起きない。
【００６８】
そこで、本実施形態においては、隣接する発光層間の距離をフェルスター半径より離す必要がある場合には、隣接する発光層のフォトルミネセンス発光スペクトルと吸収スペクトルとが完全に重なる場合においても隣接する発光層間においてフェルスター遷移が起こらない距離が１５ｎｍ以上であることから、隣接する発光層間の距離を１５ｎｍ以上離した。
【００６９】
具体的に、共通青色発光層７と共通緑色発光層９との間の距離を決定する第１セパレート層８は３０ｎｍの膜厚で形成し、共通緑色発光層９と共通赤色発光層１１との間の距離を決定する第２セパレート層１０は３０ｎｍの膜厚で形成した。
【００７０】
本実施形態においては、第１セパレート層８及び第２セパレート層１０を３０ｎｍの膜厚で形成しているが、これに限定されることはなく、第１セパレート層８及び第２セパレート層１０は、１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の膜厚で形成することが好ましく、１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の膜厚で形成することがより好ましい。
【００７１】
図６は、有機ＥＬ表示装置１のフェルスター遷移を用いた発光機構を説明するための図である。
【００７２】
図６の（ａ）に図示されているように、有機ＥＬ表示装置１においては、共通青色発光層７を励起子生成層として設計しているので、共通青色発光層７で一重項励起子が生成される。
【００７３】
Ｂ副画素においては、共通青色発光層７と共通緑色発光層９との間に第１セパレート層８を３０ｎｍの膜厚で形成しているので、共通青色発光層７と共通緑色発光層９との間の距離は、フェルスター半径より大きい。
【００７４】
したがって、Ｂ副画素においては、共通青色発光層７と共通緑色発光層９との間でフェルスター遷移は起きず、共通青色発光層７で生成された一重項励起子が基底状態となる際に、Ｂ発光（青色波長領域の発光）が発生するので、Ｂ副画素においては、Ｂ発光のみが実現される。
【００７５】
Ｇ副画素においては、共通緑色発光層９と共通赤色発光層１１との間に第２セパレート層１０を３０ｎｍの膜厚で形成しているので、共通青色発光層７と共通緑色発光層９との間の距離は、フェルスター半径より小さく、共通緑色発光層９と共通赤色発光層１１との間の距離は、フェルスター半径より大きい。
【００７６】
したがって、Ｇ副画素においては、共通青色発光層７と共通緑色発光層９との間でフェルスター遷移は起き、共通緑色発光層９と共通赤色発光層１１との間ではフェルスター遷移は起きない。よって、共通青色発光層７で生成された一重項励起子は、共通緑色発光層９の一重項励起子へエネルギー移動され、共通緑色発光層９の一重項励起子が基底状態となる際に、Ｇ発光（緑色波長領域の発光）が発生するので、Ｇ副画素においては、Ｇ発光のみが実現される。
【００７７】
Ｒ副画素においては、第１セパレート層８及び第２セパレート層１０が設けられず、共通青色発光層７と共通緑色発光層９と共通赤色発光層１１とが互いに接して設けられている。
【００７８】
したがって、Ｒ副画素においては、共通青色発光層７と共通緑色発光層９との間及び共通緑色発光層９と共通赤色発光層１１との間の何れにおいてもフェルスター遷移は起きる。
【００７９】
よって、共通青色発光層７で生成された一重項励起子は、エネルギー移動により共通緑色発光層９の一重項基底状態から励起子を生成し、共通緑色発光層９の一重項励起子は、エネルギー移動により共通赤色発光層１１の一重項基底状態から励起子が生成される。そして、共通赤色発光層１１の一重項励起子が基底状態となる際に、Ｒ発光（赤色波長領域の発光）が発生するので、Ｒ副画素においては、Ｒ発光のみが実現される。
【００８０】
なお、本実施形態においては、互いに接するように形成された発光層間で、より効率よくフェルスター遷移が起きるように、すなわち、発光層全体をフェルスター半径内に配置するため、共通青色発光層７、共通緑色発光層９及び共通赤色発光層１１の何れも、１０ｎｍの膜厚で形成しているが、隣接する発光層間においてフェルスター遷移が起きる程度であれば、これに限定されることはない。
【００８１】
また、本実施形態においては、共通青色発光層７を励起子生成層として設計しているので、反射電極３及び陽極４Ｂ・４Ｇ・４Ｒ側から注入された正孔（ｈ＋）と陰極１４側から注入された電子（ｅ−）とが、共通青色発光層７で出会うようにする必要がある。
【００８２】
有機ＥＬ表示装置１においては、共通青色発光層７は陰極１４より反射電極３及び陽極４Ｂ・４Ｇ・４Ｒの近くに配置されているので、共通青色発光層７上に形成される、第１セパレート層８と、共通緑色発光層９と、第２セパレート層１０と、共通赤色発光層１１との各層で混合比が５０％を超える材料（ホスト材料）の電子移動度が正孔移動度より大きいことが望ましい。
【００８３】
そこで、第１セパレート層８として、電子輸送層１２と同じＢＣＰを用いており、共通緑色発光層９のホスト材料としてもＢＣＰを用いており、第２セパレート層１０としてもＢＣＰを用いており、共通赤色発光層１１のホスト材料としてもＢＣＰを用いている。
【００８４】
以上から、有機ＥＬ表示装置１においては、共通青色発光層７を励起子生成層とすることができる。
【００８５】
図示されているように、共通青色発光層７、共通緑色発光層９及び共通赤色発光層１１の各々は、複数の画素（各画素はＢ副画素、Ｇ副画素及びＲ副画素からなる）において、単一の共通層として形成されるので、塗り分け蒸着ではなく、例えば、オープンマスクなどを用いて全面蒸着される。
【００８６】
そして、第１セパレート層８はＢ副画素にのみ形成する必要があり、第２セパレート層１０はＧ副画素にのみ形成する必要があるので、第１セパレート層８及び第２セパレート層１０は、塗り分け蒸着で形成される。
【００８７】
以上のように、有機ＥＬ表示装置１においては、第１セパレート層８及び第２セパレート層１０の２回の塗り分け蒸着を伴うのみで、フルカラー表示を実現できるので、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層の３回の塗り分け蒸着を行う必要があった従来構造と比較すると、塗り分け蒸着の回数を減らすことができ、プロセスの簡略化による、コスト低減を実現できる。
【００８８】
また、有機ＥＬ表示装置１においては、上述したように、第１セパレート層８及び第２セパレート層１０は、発光材料（蛍光乃至りん光ドーパント）を含まないので、隣接する副画素への蒸着物の侵入による隣接する副画素間においての混色の問題は生じない。
【００８９】
図６の（ｂ）は、有機ＥＬ表示装置１において、隣接する副画素への蒸着物の侵入による隣接する副画素間においての混色の問題が生じない理由を説明するための図である。
【００９０】
図示されているように、塗り分け蒸着する際に、第１セパレート層８がＢ副画素のみでなく、Ｇ副画素に侵入した場合でも、Ｇ副画素に形成される第１セパレート層８はフェルスター半径以下の膜厚の薄い層である。Ｇ副画素において、このような膜厚の薄い層が存在しても、共通青色発光層７と共通緑色発光層９との間でフェルスター遷移は起きる。何故なら、共通青色発光層７と共通緑色発光層９とが直接接触していなくても、共通青色発光層７と共通緑色発光層９とがフェルスター半径内にあれば、フェルスター遷移は起きるからである。
【００９１】
したがって、塗り分け蒸着する際に、発光材料（蛍光乃至りん光ドーパント）を含まない第１セパレート層８や第２セパレート層１０が隣接する副画素に侵入した場合でも、その量が微量であれば、有機ＥＬ表示装置１の表示特性に影響を及ぼさないので、プロセスマージンも大きい。
【００９２】
図７は、第１セパレート層８中の材料、すなわち、ＢＣＰの吸収スペクトルと共通青色発光層７に含まれる青色蛍光発光材料（青色蛍光ドーパント）であるＴＢＰｅのフォトルミネセンス発光スペクトルとの重なり程度を示す概念図である。
【００９３】
Ｂ副画素においては、共通青色発光層７上に第１セパレート層８が配置されるので、青色光の発光効率の観点から、共通青色発光層７に含まれる青色蛍光発光材料（青色蛍光ドーパント）であるＴＢＰｅのフォトルミネセンス発光スペクトルは、第１セパレート層８中の材料、すなわち、ＢＣＰの吸収スペクトルと重なりを有さないことが好ましい。
【００９４】
図示されているように、第１セパレート層８中の材料、すなわち、ＢＣＰは、可視領域に発光スペクトルをもたないため、吸収スペクトルはかなり短波長側の紫外領域にあり、共通青色発光層７に含まれる青色蛍光発光材料（青色蛍光ドーパント）であるＴＢＰｅのフォトルミネセンス発光スペクトルとは重なりを有さない。
【００９５】
図８は、第２セパレート層１０中の材料、すなわち、ＢＣＰの吸収スペクトルと共通緑色発光層９に含まれる緑色蛍光発光材料（緑色蛍光ドーパント）であるＣｏｕｍａｒｉｎ６のフォトルミネセンス発光スペクトルとの重なり程度を示す概念図である。
【００９６】
Ｇ副画素においては、共通緑色発光層９上に第２セパレート層１０が配置されるので、緑色光の発光効率の観点から、共通緑色発光層９に含まれる緑色蛍光発光材料（緑色蛍光ドーパント）であるＣｏｕｍａｒｉｎ６のフォトルミネセンス発光スペクトルは、第２セパレート層１０中の材料、すなわち、ＢＣＰの吸収スペクトルと重なりを有さないことが好ましい。
【００９７】
図示されているように、第２セパレート層８中の材料、すなわち、ＢＣＰは、可視領域に発光スペクトルをもたないため、吸収スペクトルはかなり短波長側の紫外領域にあり、共通緑色発光層９に含まれる緑色蛍光発光材料（緑色蛍光ドーパント）であるＣｏｕｍａｒｉｎ６のフォトルミネセンス発光スペクトルとは重なりを有さない。
【００９８】
また、有機ＥＬ表示装置１は、フェルスター遷移を用いて、Ｂ副画素、Ｇ副画素及びＲ副画素の各々において、Ｂ発光、Ｇ発光及びＲ発光を実現するので、共通青色発光層７、共通緑色発光層９及び共通赤色発光層１１の全体を同時に発光させる必要はないので、駆動時の消費電力を抑制できる。
【００９９】
また、有機ＥＬ表示装置１は、フェルスター遷移を用いて、Ｂ副画素、Ｇ副画素及びＲ副画素の各々において、Ｂ発光、Ｇ発光及びＲ発光を実現するので、別途のカラーフィルタを設ける必要がないので、製造コストを抑制できる。
【０１００】
以上のように、上記構成によれば、駆動時の消費電力及び製造コストを抑制しつつ、高精細化しても、隣接する副画素間において混色や色ズレが生じない有機ＥＬ表示装置１を実現できる。
【０１０１】
なお、本実施形態においては、Ｂ副画素、Ｇ副画素及びＲ副画素の各々において、Ｂ発光、Ｇ発光及びＲ発光を実現する場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、有機ＥＬ表示装置の複数の画素の各々における第１副画素、第２副画素及び第３副画素において、互いに異なるピーク波長の光を発光すればよい。
【０１０２】
有機ＥＬ表示装置１によれば、共通青色発光層７、共通緑色発光層９及び共通赤色発光層１１の各々は、複数の画素において、単一の共通層として形成されるので、共通青色発光層７、共通緑色発光層９及び共通赤色発光層１１は、塗り分け蒸着で形成されない。
【０１０３】
なお、塗り分け蒸着とは、蒸着膜を副画素に対応した形状で、複数回に分けて形成する蒸着をいう。
【０１０４】
また、Ｂ副画素に設けられる第１セパレート層８及びＧ副画素に設けられる第２セパレート層１０は、発光材料を含まないので、隣接する副画素への蒸着物の侵入が生じても隣接する副画素間においての混色の問題は生じない。
【０１０５】
したがって、上記構成においては、発光層を塗り分け蒸着で形成した場合に生じ得る、隣接する副画素への蒸着物の侵入による隣接する副画素間においての混色の問題は生じない。
【０１０６】
有機ＥＬ表示装置１によれば、フェルスター半径内に存在する隣接する蛍光発光層間における一重項準位間のエネルギー移動であるフェルスター遷移を用いて、Ｂ副画素、Ｇ副画素及びＲ副画素において、互いに異なるピーク波長の光を発光するので、共通青色発光層７、共通緑色発光層９及び共通赤色発光層１１の全体を同時に発光させる必要はないので、駆動時の消費電力を抑制できる。
【０１０７】
また、有機ＥＬ表示装置１によれば、フェルスター遷移を用いて、Ｂ副画素、Ｇ副画素及びＲ副画素において、互いに異なるピーク波長の光を発光するので、別途のカラーフィルタを設ける必要がないので、製造コストを抑制できる。
【０１０８】
また、有機ＥＬ表示装置１によれば、フェルスター遷移を用いて、Ｂ副画素、Ｇ副画素及びＲ副画素において、互いに異なるピーク波長の光を発光するので、上記第１セパレート層８がＢ副画素に隣接する副画素に、上記第２セパレート層１０がＧ副画素に隣接する副画素に、膜薄で形成されたとしても、Ｂ副画素、Ｇ副画素及びＲ副画素において、互いに異なるピーク波長の光を発光させることができる。何故なら、フェルスター遷移は、共通青色発光層７、共通緑色発光層９及び共通赤色発光層１１同士が直接接触していなくても、フェルスター半径内であれば、生じるからである。
【０１０９】
また、有機ＥＬ表示装置１によれば、フェルスター遷移を用いて、Ｂ副画素、Ｇ副画素及びＲ副画素において、互いに異なるピーク波長の光を発光するので、斜め出射光による隣接する副画素間における混色や色ズレが生じない。
【０１１０】
以上のように、上記構成によれば、駆動時の消費電力及び製造コストを抑制しつつ、高精細化しても、隣接する副画素間において混色や色ズレが生じない有機ＥＬ表示装置１を実現できる。
【０１１１】
（変形例）
図９は、有機ＥＬ表示装置１の変形例を示す図である。
【０１１２】
上述した有機ＥＬ表示装置１に備えられた第１セパレート層８及び第２セパレート層１０の各々は、図１に図示されているように、そのテーパー形状が緩やかであり、第１セパレート層８及び共通青色発光層７上に形成される共通緑色発光層９と、第２セパレート層１０及び共通緑色発光層９上に形成される共通赤色発光層１１とは、連続的に成膜される。
【０１１３】
一方、図９に図示する有機ＥＬ表示装置１の変形例においては、第１セパレート層８ｅ及び第２セパレート層１０ｅの各々は、そのテーパー形状が急峻であり、第１セパレート層８ｅ及び共通青色発光層７上に形成される共通緑色発光層９と、第２セパレート層１０ｅ及び共通緑色発光層９上に形成される共通赤色発光層１１とは、連続的ではなく、切れて成膜される。
【０１１４】
図９に図示する有機ＥＬ表示装置１の変形例のように、共通緑色発光層９や共通赤色発光層１１が切れて成膜されても有機ＥＬ表示装置の表示特性には、影響を及ぼさない。何故なら、図２に図示されているように、反射電極３と、陽極４Ｂ・４Ｇ・４Ｒとは、所定形状にパターンニングされており、このパターンニング形状によって、発光領域が決定されるからである。
【０１１５】
なお、上述した実施形態１においては、共通青色発光層７と共通緑色発光層９と共通赤色発光層１１とが、反射電極３及び陽極４Ｂ・４Ｇ・４Ｒ側から、この順に配置されている場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、共通赤色発光層１１が、共通青色発光層７及び共通緑色発光層９より上層または下層に配置されていれば、フェルスター遷移を用いて、Ｂ副画素、Ｇ副画素及びＲ副画素の各々において、Ｂ発光、Ｇ発光及びＲ発光を実現できる。
【０１１６】
共通赤色発光層１１が、共通青色発光層７及び共通緑色発光層９より下層に配置され、共通青色発光層７が共通緑色発光層９より上層である場合については、実施形態６で説明し、共通赤色発光層１１が、共通青色発光層７及び共通緑色発光層９より上層に配置され、共通青色発光層７が共通緑色発光層９より上層である場合については、実施形態７で説明し、共通赤色発光層１１が、共通青色発光層７及び共通緑色発光層９より下層に配置され、共通緑色発光層９が共通青色発光層７より上層である場合については、実施形態８で説明する。
【０１１７】
一方、共通赤色発光層１１が共通青色発光層７と共通緑色発光層９との間に配置されている場合には、フェルスター遷移を用いて、Ｇ副画素において、Ｇ発光を実現できない。
【０１１８】
図１０は、共通赤色発光層１１が共通青色発光層７と共通緑色発光層９との間に配置された場合において、フェルスター遷移を用いて、Ｇ副画素において、Ｇ発光を実現できない理由を説明するための図である。
【０１１９】
図１０の（ａ）に図示されているように、共通赤色発光層１１が共通青色発光層７と共通緑色発光層９との間に配置され、かつ、共通青色発光層７よりは共通緑色発光層９が上層である場合には、Ｇ副画素において、第２セパレート層をどこに設けても、または設けなくても、Ｇ副画素でＧ発光を実現することはできない。
【０１２０】
第２セパレート層を共通青色発光層７と共通赤色発光層１１との間に設けた場合は、Ｂ発光となり、第２セパレート層を共通赤色発光層１１と共通緑色発光層９との間に設けた場合もＢ発光となり（共通青色発光層７のフォトルミネセンス発光スペクトルと共通赤色発光層１１の吸収スペクトルとは重なりを殆ど有さない）、第２セパレート層をどこにも設けない場合には、Ｒ副画素と同様に、Ｒ発光となるからである。
【０１２１】
図１０の（ｂ）に図示されているように、共通赤色発光層１１が共通青色発光層７と共通緑色発光層９との間に配置され、かつ、共通緑色発光層９よりは共通青色発光層７が上層である場合には、Ｇ副画素において、第２セパレート層をどこに設けても、または設けなくても、Ｇ副画素でＧ発光を実現することはできない。
【０１２２】
第２セパレート層を共通緑色発光層９と共通赤色発光層１１との間に設けた場合は、Ｂ発光となり（共通青色発光層７のフォトルミネセンス発光スペクトルと共通赤色発光層１１の吸収スペクトルとは重なりを殆ど有さない）、第２セパレート層を共通赤色発光層１１と共通青色発光層７との間に設けた場合も、Ｂ発光となり、第２セパレート層をどこにも設けない場合には、Ｒ副画素と同様に、Ｒ発光となるからである。
【０１２３】
〔実施形態２〕
次に、図１１に基づいて、本発明の実施形態２について説明する。本実施形態においては、有機ＥＬ表示装置２１がボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置である点において、実施形態１とは異なり、その他については実施形態１において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
【０１２４】
図１１は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置２１の概略構成を示す図である。
【０１２５】
図示されているように、有機ＥＬ表示装置２１においては、陰極１４ａがＡｌ（１００ｎｍ）で形成されており、陰極１４ａが反射電極となっており、陽極４は、Ｂ副画素、Ｇ副画素及びＲ副画素の全てにおいて、ＩＴＯ（１００ｎｍ）で形成されているので、Ｂ副画素、Ｇ副画素及びＲ副画素において、発光光は、基板２側から出射される。
【０１２６】
上記構成によれば、駆動時の消費電力及び製造コストを抑制しつつ、高精細化しても、隣接する副画素間において混色や色ズレが生じないボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置２１を実現できる。
【０１２７】
〔実施形態３〕
次に、図１２および図１３に基づいて、本発明の実施形態３について説明する。本実施形態においては、有機ＥＬ表示装置３１に備えられた共通青色発光層７ａに含まれる青色蛍光発光材料（青色蛍光ドーパント）がＴＡＤＦ材料（熱活性化遅延蛍光材料）であるとともに、共通緑色発光層９ａに含まれる緑色蛍光発光材料（緑色蛍光ドーパント）がＴＡＤＦ材料（熱活性化遅延蛍光材料）である点において、実施形態１とは異なり、その他については実施形態１において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
【０１２８】
図１２は、有機ＥＬ表示装置３１の概略構成を示す図である。
【０１２９】
図示されているように、図２に図示した有機ＥＬ表示装置１における、共通青色発光層７の代わりに、青色蛍光発光材料（青色蛍光ドーパント）としてのＴＡＤＦ材料（熱活性化遅延蛍光材料）を含む共通青色発光層７ａを用いており、図２に図示した有機ＥＬ表示装置１における、共通緑色発光層９の代わりに、緑色蛍光発光材料（緑色蛍光ドーパント）としてのＴＡＤＦ材料（熱活性化遅延蛍光材料）を含む共通緑色発光層９ａを用いている。
【０１３０】
共通青色発光層７ａは、ホスト材料としてのＤＰＥＰＯ（９０％）と、青色蛍光発光材料（青色蛍光ドーパント）としてのＴＡＤＦ材料（熱活性化遅延蛍光材料）として、ＤＭＡＣ−ＤＰＳ（１０％）とで構成され、その膜厚は１０ｎｍである。
【０１３１】
共通緑色発光層９ａは、ホスト材料としてのＤＰＥＰＯ（９０％）と、緑色蛍光発光材料（緑色蛍光ドーパント）としてのＴＡＤＦ材料（熱活性化遅延蛍光材料）として、４ＣｚＩＰＮ（１０％）とで構成され、その膜厚は１０ｎｍである。
【０１３２】
なお、本実施形態において、共通青色発光層７ａのみでなく、共通緑色発光層９ａにもＴＡＤＦ材料（熱活性化遅延蛍光材料）を用いている理由は、基本的には共通青色発光層７ａを励起子生成層として設計しているが、他の層における正孔移動度及び電子移動度の関係から、Ｇ副画素及びＲ副画素において、共通青色発光層７ａに隣接して配置される共通緑色発光層９ａにおいても励起子が生成される可能性があるためである。一方、Ｂ副画素においては、第１セパレート層８が共通青色発光層７ａと共通緑色発光層９ａとの間に存在するため、共通緑色発光層９ａにおいて励起子が生成される可能性はない。したがって、Ｂ副画素においては、Ｇ発光は生じず、Ｂ発光のみが実現される。
【０１３３】
なお、蛍光発光材料（蛍光ドーパント）としてＴＡＤＦ材料（熱活性化遅延蛍光材料）を用いる理由は、以下の通りである。
【０１３４】
共通青色発光層７や共通緑色発光層９において、三重項準位として生成された７５％の励起子は、非発光で熱失活してしまう点を考慮したためである。
【０１３５】
図１３は、蛍光発光材料（蛍光ドーパント）としてＴＡＤＦ材料（熱活性化遅延蛍光材料）を用いた場合に発光効率が向上する理由を説明するための図である。
【０１３６】
図１３の（ａ）は、青色蛍光発光材料（青色蛍光ドーパント）としてのＴＡＤＦ材料（熱活性化遅延蛍光材料）として、ＤＭＡＣ−ＤＰＳを用いた場合の発光機構を図示しており、図１３の（ｂ）は、緑色蛍光発光材料（緑色蛍光ドーパント）としてのＴＡＤＦ材料（熱活性化遅延蛍光材料）として、４ＣｚＩＰＮを用いた場合の発光機構を図示している。
【０１３７】
図１３の（ａ）に図示されているように、ＤＭＡＣ−ＤＰＳは、最低励起一重項準位と最低励起三重項準位のエネルギー差（ΔＥＳＴ）が０．３ｅＶ未満であるＴＡＤＦ材料（熱活性化遅延蛍光材料）であるので、共通青色発光層７ａにおいて生成された２５％の一重項励起子（Ｓ１エネルギー準位の励起子）は、基底状態（Ｓ０）となる際に、青色蛍光を発し、共通青色発光層７ａにおいて生成された７５％の三重項励起子（Ｔ１エネルギー準位の励起子）は、逆項間交差により、Ｓ１エネルギー準位の励起子となり、この励起子が基底状態（Ｓ０）となる際に、青色遅延蛍光を発することとなるので、発光効率を大きく向上させることができる。
【０１３８】
図１３の（ｂ）に図示されているように、４ＣｚＩＰＮは、最低励起一重項準位と最低励起三重項準位のエネルギー差（ΔＥＳＴ）が０．３ｅＶ未満であるＴＡＤＦ材料（熱活性化遅延蛍光材料）であるので、共通緑色発光層９ａにおいて生成された２５％の一重項励起子（Ｓ１エネルギー準位の励起子）は、基底状態（Ｓ０）となる際に、緑色蛍光を発し、共通緑色発光層９ａにおいて生成された７５％の三重項励起子（Ｔ１エネルギー準位の励起子）は、逆項間交差により、Ｓ１エネルギー準位の励起子となり、この励起子が基底状態（Ｓ０）となる際に、緑色遅延蛍光を発することとなるので、発光効率を大きく向上させることができる。
【０１３９】
なお、図１３の（ｂ）に図示してないが、Ｇ副画素及びＲ副画素における、共通緑色発光層９ａの一重項励起子には、共通青色発光層７ａからフェルスター遷移されたものが含まれる。また、上述したように、共通緑色発光層９ａにおいて、励起子が生成される可能性があるのは、Ｇ副画素及びＲ副画素の共通緑色発光層９ａに限られる。
【０１４０】
本実施形態においては、青色蛍光発光材料（青色蛍光ドーパント）及び緑色蛍光発光材料（緑色蛍光ドーパント）の両方に、ＴＡＤＦ材料（熱活性化遅延蛍光材料）を用いた場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、青色蛍光発光材料（青色蛍光ドーパント）及び緑色蛍光発光材料（緑色蛍光ドーパント）の何れか一方に、ＴＡＤＦ材料（熱活性化遅延蛍光材料）を用いても発光効率を向上させることができる。
【０１４１】
〔実施形態４〕
次に、図１４に基づいて、本発明の実施形態４について説明する。本実施形態の有機ＥＬ表示装置４１においては、Ｂ副画素に形成された第１セパレート層が第１層３７と第２層３８との２層構造となっている点において、実施形態３とは異なり、その他については実施形態３において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態３の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
【０１４２】
図１４は、有機ＥＬ表示装置４１の概略構成を示す図である。
【０１４３】
図示されているように、図１２に図示した有機ＥＬ表示装置３１における第１セパレート層８の代わりに、第１セパレート層として、第１層３７と第２層３８との２層構造を用いている。
【０１４４】
第１層３７は、ＢＣＰを１０ｎｍの膜厚で形成しており、第２層３８は、ＤＰＥＰＯを１０ｎｍの膜厚で形成している。
【０１４５】
以上のように、Ｂ副画素に形成される第１セパレート層は、第１層３７と第２層３８との２層構造を有しており、この２層の合計膜厚が１５ｎｍ以上となっている。
【０１４６】
本実施形態においては、Ｂ副画素に形成される第１セパレート層が、２層構造である場合を一例に挙げたが、これに限定されることはなく、合計膜厚が１５ｎｍ以上となるのであれば、３層以上の構造であってもよい。
【０１４７】
また、第１セパレート層は、混合材料によって形成されていてもよい。
【０１４８】
第１セパレート層を、２層以上で形成した場合や混合材料によって形成した場合には、キャリア（電子や正孔）の移動度の調整が比較的容易になり、キャリアバランスを最適化することで、励起子生成位置の制御精度を高め、結果として発光効率を向上させることが可能となる。
【０１４９】
ここまでは、Ｂ副画素に形成される第１セパレート層を一例に挙げて説明したが、Ｇ副画素に形成される第２セパレート層についても、同様に、２層以上で形成したり、混合材料によって形成することができるのは勿論である。
【０１５０】
〔実施形態５〕
次に、図１５及び図１６に基づいて、本発明の実施形態５について説明する。隣接する２つの共通発光層同士が直接接触する界面付近では、三重項準位に生成された７５％の励起子の隣接する発光層の三重項準位へのエネルギー移動であるデクスター遷移が起きた場合、この励起子はそのまま非発光で熱失活してしまう。本実施形態の有機ＥＬ表示装置５１・５２・５３においては、三重項準位間のエネルギー移動であるデクスター遷移を阻止するためのブロック層４５・４７を備えている点において、実施形態３とは異なり、説明の便宜上、実施形態３の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
【０１５１】
図１５は、有機ＥＬ表示装置５１の概略構成を示す図である。
【０１５２】
図示されているように、有機ＥＬ表示装置５１においては、Ｂ副画素、Ｇ副画素及びＲ副画素の全体の単一の共通層として、三重項準位間のエネルギー移動であるデクスター遷移を阻止するためのブロック層４５が、共通緑色発光層９ａと共通赤色発光層１１との間であって、Ｇ副画素においては、第２セパレート層１０ａと共通緑色発光層９ａとの間に設けられている。
【０１５３】
ブロック層４５は、デクスター遷移は阻止するが、フェルスター遷移は阻止してはならないので、フェルスター半径以下の膜厚で形成される必要があるので、有機ＥＬ表示装置５１においては、ＤＰＥＰＯを５ｎｍの膜厚で形成したが、これに限定されることはなく、必要なキャリア（電子または正孔）移動度を有する材料をフェルスター半径以下の膜厚で形成すればよい。
【０１５４】
ブロック層４５は、その膜厚の上限は１５ｎｍ以下であり、１０ｎｍ以下の膜厚で形成することが好ましく、５ｎｍ以下の膜厚で形成することがより好ましい。また、その膜厚の下限は、１ｎｍ以上の膜厚で形成することが好ましく、２ｎｍ以上の膜厚で形成することがより好ましい。
【０１５５】
なお、有機ＥＬ表示装置５１のＧ副画素においては、第２セパレート層１０ａは、ＢＣＰをフェルスター半径以下の膜厚である１０ｎｍで形成しているが、ブロック層４５とブロック層４５の直上に設けられた第２セパレート層１０ａとの合計膜厚が、フェルスター半径より大きい１５ｎｍとなるので、Ｇ副画素においては、共通緑色発光層９ａと共通赤色発光層１１との間でフェルスター遷移は阻止され、Ｇ発光が実現される。
【０１５６】
そして、Ｂ副画素の陽極４４Ｂは、ＩＴＯを９０ｎｍ膜厚で形成しており、Ｇ副画素の陽極４４Ｇは、ＩＴＯを１５０ｎｍ膜厚で形成しており、Ｒ副画素の陽極４４Ｒは、ＩＴＯを３５ｎｍ膜厚で形成している。
【０１５７】
有機ＥＬ表示装置５１においては、共通緑色発光層９ａが緑色蛍光発光材料（緑色蛍光ドーパント）としてのＴＡＤＦ材料（熱活性化遅延蛍光材料）を含むため、Ｒ副画素においては、ブロック層４５によって、共通緑色発光層９ａの三重項励起子が共通赤色発光層１１へのデクスター遷移により三重項励起子を生成するのを阻止し、共通緑色発光層９ａにおける逆項間交差により共通緑色発光層９ａの一重項励起子を増加させた状態で、共通緑色発光層９ａから共通赤色発光層１１へのフェルスター遷移が起きるので、発光効率を向上することが可能となる。
【０１５８】
なお、ブロック層４５の吸収スペクトルは、共通青色発光層７ａに含まれる青色蛍光発光材料（青色蛍光ドーパント）及び共通緑色発光層９ａに含まれる緑色蛍光発光材料（緑色蛍光ドーパント）のフォトルミネセンス発光スペクトルと重なりを有さないことが好ましい。
【０１５９】
図１６の（ａ）は、有機ＥＬ表示装置５２の概略構成を示す図である。
【０１６０】
図示されているように、有機ＥＬ表示装置５２においては、Ｂ副画素、Ｇ副画素及びＲ副画素の全体の単一の共通層として、三重項準位間のエネルギー移動であるデクスター遷移を阻止するためのブロック層４５が、共通青色発光層７ａと共通緑色発光層９ａとの間であって、Ｂ副画素においては、共通青色発光層７ａと第１セパレート層８ａとの間に設けられている。
【０１６１】
ブロック層４５は、デクスター遷移は阻止するが、フェルスター遷移は阻止してはならないので、フェルスター半径以下の膜厚で形成される必要があるので、有機ＥＬ表示装置５２においては、ＤＰＥＰＯを５ｎｍの膜厚で形成したが、これに限定されることはなく、必要なキャリア（電子または正孔）移動度を有する材料をフェルスター半径以下の膜厚で形成すればよい。
【０１６２】
なお、有機ＥＬ表示装置５２のＢ副画素においては、第１セパレート層８ａは、ＢＣＰをフェルスター半径以下の膜厚である１０ｎｍで形成しているが、ブロック層４５とブロック層４５の直上に設けられた第１セパレート層８ａとの合計膜厚が、フェルスター半径より大きい１５ｎｍとなるので、Ｂ副画素においては、共通青色発光層７ａと共通緑色発光層９ａとの間でフェルスター遷移は阻止され、Ｂ発光が実現される。
【０１６３】
なお、本実施形態においては、ブロック層４５とブロック層４５の直上に設けられた第１セパレート層８ａとの合計膜厚を、１５ｎｍで形成しているが、これに限定されることはなく、その合計膜厚は、１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましく、１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることがより好ましい。
【０１６４】
有機ＥＬ表示装置５２においては、共通青色発光層７ａが青色蛍光発光材料（青色蛍光ドーパント）としてのＴＡＤＦ材料（熱活性化遅延蛍光材料）を含むため、Ｇ副画素及びＲ副画素においては、ブロック層４５によって、共通青色発光層７ａの三重項励起子が共通緑色発光層９ａへのデクスター遷移により三重項励起子を生成するのを阻止し、共通青色発光層７ａにおける逆項間交差により共通青色発光層７ａの一重項励起子を増加させた状態で、共通青色発光層７ａから共通緑色発光層９ａへのフェルスター遷移が起きるので、発光効率を向上することが可能となる。
【０１６５】
なお、ブロック層４５の吸収スペクトルは、共通青色発光層７ａに含まれる青色蛍光発光材料（青色蛍光ドーパント）のフォトルミネセンス発光スペクトルと重なりを有さないことが好ましい。
【０１６６】
図１６の（ｂ）は、有機ＥＬ表示装置５３の概略構成を示す図である。
【０１６７】
図示されているように、有機ＥＬ表示装置５３においては、Ｂ副画素、Ｇ副画素及びＲ副画素の全体の単一の共通層として、三重項準位間のエネルギー移動であるデクスター遷移を阻止するためのブロック層４５が、共通青色発光層７ａと共通緑色発光層９ａとの間であって、Ｂ副画素においては、共通青色発光層７ａと第１セパレート層８ａとの間に設けられているとともに、Ｂ副画素、Ｇ副画素及びＲ副画素の全体の単一の共通層として、三重項準位間のエネルギー移動であるデクスター遷移を阻止するためのブロック層４７が、共通緑色発光層９ａと共通赤色発光層１１との間であって、Ｇ副画素においては、共通緑色発光層９ａと第２セパレート層１０ａとの間に設けられている。
【０１６８】
ブロック層４５及びブロック層４７は、デクスター遷移は阻止するが、フェルスター遷移は阻止してはならないので、フェルスター半径以下の膜厚で形成される必要があるので、有機ＥＬ表示装置５３においては、ＤＰＥＰＯを５ｎｍの膜厚で形成したが、これに限定されることはなく、必要なキャリア（電子または正孔）移動度を有する材料をフェルスター半径以下の膜厚で形成すればよい。
【０１６９】
なお、有機ＥＬ表示装置５３のＢ副画素においては、第１セパレート層８ａは、ＢＣＰをフェルスター半径以下の膜厚である１０ｎｍで形成しているが、ブロック層４５とブロック層４５の直上に設けられた第１セパレート層８ａとの合計膜厚が、フェルスター半径より大きい１５ｎｍとなるので、Ｂ副画素においては、共通青色発光層７ａと共通緑色発光層９ａとの間でフェルスター遷移は阻止され、Ｂ発光が実現される。
【０１７０】
そして、有機ＥＬ表示装置５３のＧ副画素においては、第２セパレート層１０ａは、ＢＣＰをフェルスター半径以下の膜厚である１０ｎｍで形成しているが、ブロック層４７とブロック層４７の直上に設けられた第２セパレート層１０ａとの合計膜厚が、フェルスター半径より大きい１５ｎｍとなるので、Ｇ副画素においては、共通緑色発光層９ａと共通赤色発光層１１との間でフェルスター遷移は阻止され、Ｇ発光が実現される。
【０１７１】
なお、本実施形態においては、ブロック層４７とブロック層４７の直上に設けられた第２セパレート層１０ａとの合計膜厚を、１５ｎｍで形成しているが、これに限定されることはなく、その合計膜厚は、１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましく、１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることがより好ましい。
【０１７２】
有機ＥＬ表示装置５３においては、共通青色発光層７ａ及び共通緑色発光層９ａが蛍光発光材料（蛍光ドーパント）としてのＴＡＤＦ材料（熱活性化遅延蛍光材料）を含む。
【０１７３】
したがって、Ｇ副画素及びＲ副画素においては、ブロック層４５によって、共通青色発光層７ａの三重項励起子が共通緑色発光層９ａへのデクスター遷移により三重項励起子を生成するのを阻止し、共通青色発光層７ａにおける逆項間交差により共通青色発光層７ａの一重項励起子を増加させた状態で、共通青色発光層７ａから共通緑色発光層９ａへのフェルスター遷移が起きるので、発光効率を向上することが可能となる。また、Ｒ副画素においては、ブロック層４７によって、共通緑色発光層９ａの三重項励起子が共通赤色発光層１１へのデクスター遷移により三重項励起子を生成するのを阻止し、共通緑色発光層９ａにおける逆項間交差により共通緑色発光層９ａの一重項励起子を増加させた状態で、共通緑色発光層９ａから共通赤色発光層１１へのフェルスター遷移が起きるので、発光効率を向上することが可能となる。
【０１７４】
なお、ブロック層４５の吸収スペクトルは、共通青色発光層７ａに含まれる青色蛍光発光材料（青色蛍光ドーパント）のフォトルミネセンス発光スペクトルと重なりを有さないことが好ましく、ブロック層４７の吸収スペクトルは、共通青色発光層７ａに含まれる青色蛍光発光材料（青色蛍光ドーパント）及び共通緑色発光層９ａに含まれる緑色蛍光発光材料（緑色蛍光ドーパント）のフォトルミネセンス発光スペクトルと重なりを有さないことが好ましい。
【０１７５】
〔実施形態６〕
次に、図１７に基づいて、本発明の実施形態６について説明する。本実施形態の有機ＥＬ表示装置７１においては、共通赤色発光層１１ｂが、共通青色発光層７ｂ及び共通緑色発光層９ｂより下層に配置され、共通青色発光層７ｂが共通緑色発光層９ｂより上層である点において、実施形態３とは異なり、説明の便宜上、実施形態３の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
【０１７６】
図１７は、有機ＥＬ表示装置７１の概略構成を示す図である。
【０１７７】
本実施形態においては、基板２上の各副画素に、以下の各層を該当する膜厚で、その順に積層した。
【０１７８】
図示されているように、Ｂ副画素においては、反射電極３：Ａｇ（１００ｎｍ）と、陽極６４Ｂ：ＩＴＯ（９０ｎｍ）と、正孔注入層５：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）と、正孔輸送層５６：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）と、共通赤色発光層１１ｂ：ｍＣＰ／ＤＣＭ（１０％）（１０ｎｍ）と、共通緑色発光層９ｂ：ｍＣＰ／４ＣｚＩＰＮ（１０％）（１０ｎｍ）と、第１セパレート層８ｂ：ｍＣＰ（３０ｎｍ）と、共通青色発光層７ｂ：ＤＰＥＰＯ／ＤＭＡＣ−ＤＰＳ（１０％）（１０ｎｍ）と、電子輸送層６２：ＤＰＥＰＯ（３０ｎｍ）と、電子注入層１３：ＬｉＦ（１ｎｍ）と、陰極１４：Ａｇ／Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９：０．１）（２０ｎｍ）と、保護層１５：ＩＴＯ（８０ｎｍ）とが積層された青色発光有機ＥＬ素子が備えられている。
【０１７９】
Ｇ副画素においては、反射電極３：Ａｇ（１００ｎｍ）と、陽極６４Ｇ：ＩＴＯ（１３０ｎｍ）と、正孔注入層５：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）と、正孔輸送層５６：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）と、共通赤色発光層１１ｂ：ｍＣＰ／ＤＣＭ（１０％）（１０ｎｍ）と、第２セパレート層１０ｂ：ｍＣＰ（３０ｎｍ）と、共通緑色発光層９ｂ：ｍＣＰ／４ＣｚＩＰＮ（１０％）（１０ｎｍ）と、共通青色発光層７ｂ：ＤＰＥＰＯ／ＤＭＡＣ−ＤＰＳ（１０％）（１０ｎｍ）と、電子輸送層６２：ＤＰＥＰＯ（３０ｎｍ）と、電子注入層１３：ＬｉＦ（１ｎｍ）と、陰極１４：Ａｇ／Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９：０．１）（２０ｎｍ）と、保護層１５：ＩＴＯ（８０ｎｍ）とが積層された緑色発光有機ＥＬ素子が備えられている。
【０１８０】
Ｒ副画素においては、反射電極３：Ａｇ（１００ｎｍ）と、陽極６４Ｒ：ＩＴＯ（４０ｎｍ）と、正孔注入層５：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）と、正孔輸送層５６：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）と、共通赤色発光層１１ｂ：ｍＣＰ／ＤＣＭ（１０％）（１０ｎｍ）と、共通緑色発光層９ｂ：ｍＣＰ／４ＣｚＩＰＮ（１０％）（１０ｎｍ）と、共通青色発光層７ｂ：ＤＰＥＰＯ／ＤＭＡＣ−ＤＰＳ（１０％）（１０ｎｍ）と、電子輸送層６２：ＤＰＥＰＯ（３０ｎｍ）と、電子注入層１３：ＬｉＦ（１ｎｍ）と、陰極１４：Ａｇ／Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９：０．１）（２０ｎｍ）と、保護層１５：ＩＴＯ（８０ｎｍ）とが積層された赤色発光有機ＥＬ素子が備えられている。
【０１８１】
以上のように、正孔輸送層５６、電子輸送層６２、第１セパレート層８ｂ、第２セパレート層１０ｂ、共通青色発光層７ｂのホスト材料、共通緑色発光層９ｂのホスト材料及び共通赤色発光層１１ｂのホスト材料を選択して、組み合わせることにより、キャリアバランスを調整し、共通青色発光層７ｂを励起子生成層とすることができる。
【０１８２】
有機ＥＬ表示装置７１においては、全体として正孔輸送性が強い構成であるため、共通青色発光層７ｂ、共通緑色発光層９ｂ及び共通赤色発光層１１ｂの積層順を上述した実施形態１から５とは逆にし、共通青色発光層７ｂを陰極１４寄りにすることで、励起子生成位置を共通青色発光層７ｂに制御することが可能になる。
【０１８３】
このように、青色発光層、共通緑色発光層及び共通赤色発光層の積層順を変えることでも、励起子生成位置を制御できるので、正孔輸送層、電子輸送層、第１セパレート層、第２セパレート層、共通青色発光層のホスト材料、共通緑色発光層のホスト材料及び共通赤色発光層のホスト材料を選択する際に、正孔移動度や電子移動度よりも、一重項エネルギー準位（Ｓ１）や三重項エネルギー準位（Ｔ１）が高いことを優先的に考えることができるため、周辺材料へのエネルギー移動による効率損失を抑制し、発光効率を向上することができる。
【０１８４】
〔実施形態７〕
次に、図１８に基づいて、本発明の実施形態７について説明する。本実施形態の有機ＥＬ表示装置８１においては、共通赤色発光層１１が、共通青色発光層７ｂ及び共通緑色発光層９ｂより上層に配置され、共通青色発光層７ｂが共通緑色発光層９ｂより上層である点において、実施形態３及び６とは異なり、説明の便宜上、実施形態３及び６の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
【０１８５】
図１８は、有機ＥＬ表示装置８１の概略構成を示す図である。
【０１８６】
本実施形態においては、基板２上の各副画素に、以下の各層を該当する膜厚で、その順に積層した。
【０１８７】
図示されているように、Ｂ副画素においては、反射電極３：Ａｇ（１００ｎｍ）と、陽極７４Ｂ：ＩＴＯ（９０ｎｍ）と、正孔注入層５：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）と、正孔輸送層５６：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）と、共通緑色発光層９ｂ：ｍＣＰ／４ＣｚＩＰＮ（１０％）（１０ｎｍ）と、第１セパレート層８ｂ：ｍＣＰ（３０ｎｍ）と、共通青色発光層７ｂ：ＤＰＥＰＯ／ＤＭＡＣ−ＤＰＳ（１０％）（５ｎｍ）と、共通赤色発光層１１：ＢＣＰ／ＤＣＭ（１０％）（１０ｎｍ）と、電子輸送層１２：ＢＣＰ（３０ｎｍ）と、電子注入層１３：ＬｉＦ（１ｎｍ）と、陰極１４：Ａｇ／Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９：０．１）（２０ｎｍ）と、保護層１５：ＩＴＯ（８０ｎｍ）とが積層された青色発光有機ＥＬ素子が備えられている。
【０１８８】
Ｇ副画素においては、反射電極３：Ａｇ（１００ｎｍ）と、陽極７４Ｇ：ＩＴＯ（１４０ｎｍ）と、正孔注入層５：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）と、正孔輸送層５６：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）と、共通緑色発光層９ｂ：ｍＣＰ／４ＣｚＩＰＮ（１０％）（１０ｎｍ）と、共通青色発光層７ｂ：ＤＰＥＰＯ／ＤＭＡＣ−ＤＰＳ（１０％）（５ｎｍ）と、第２セパレート層１０：ＢＣＰ（３０ｎｍ）と、共通赤色発光層１１：ＢＣＰ／ＤＣＭ（１０％）（１０ｎｍ）と、電子輸送層１２：ＢＣＰ（３０ｎｍ）と、電子注入層１３：ＬｉＦ（１ｎｍ）と、陰極１４：Ａｇ／Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９：０．１）（２０ｎｍ）と、保護層１５：ＩＴＯ（８０ｎｍ）とが積層された緑色発光有機ＥＬ素子が備えられている。
【０１８９】
Ｒ副画素においては、反射電極３：Ａｇ（１００ｎｍ）と、陽極７４Ｒ：ＩＴＯ（４５ｎｍ）と、正孔注入層５：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）と、正孔輸送層５６：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）と、共通緑色発光層９ｂ：ｍＣＰ／４ＣｚＩＰＮ（１０％）（１０ｎｍ）と、共通青色発光層７ｂ：ＤＰＥＰＯ／ＤＭＡＣ−ＤＰＳ（１０％）（５ｎｍ）と、共通赤色発光層１１：ＢＣＰ／ＤＣＭ（１０％）（１０ｎｍ）と、電子輸送層１２：ＢＣＰ（３０ｎｍ）と、電子注入層１３：ＬｉＦ（１ｎｍ）と、陰極１４：Ａｇ／Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９：０．１）（２０ｎｍ）と、保護層１５：ＩＴＯ（８０ｎｍ）とが積層された赤色発光有機ＥＬ素子が備えられている。
【０１９０】
以上のように、正孔輸送層５６、電子輸送層１２、第１セパレート層８ｂ、第２セパレート層１０、共通青色発光層７ｂのホスト材料、共通緑色発光層９ｂのホスト材料及び共通赤色発光層１１のホスト材料を選択して、組み合わせることにより、キャリアバランスを調整し、共通青色発光層７ｂを励起子生成層とすることができる。
【０１９１】
有機ＥＬ表示装置８１においては、全体として正孔輸送性と電子輸送性が同等の構成であるため、共通青色発光層７ｂを、共通緑色発光層９ｂと共通赤色発光層１１との間に配置することで、励起子生成位置を共通青色発光層７ｂに制御することが可能になる。
【０１９２】
このように、青色発光層、共通緑色発光層及び共通赤色発光層の積層順を変えることでも、励起子生成位置を制御できるので、正孔輸送層、電子輸送層、第１セパレート層、第２セパレート層、共通青色発光層のホスト材料、共通緑色発光層のホスト材料及び共通赤色発光層のホスト材料を選択する際に、正孔移動度や電子移動度よりも、一重項エネルギー準位（Ｓ１）や三重項エネルギー準位（Ｔ１）が高いことを優先的に考えることができるため、周辺材料へのエネルギー移動による効率損失を抑制し、発光効率を向上することができる。
【０１９３】
〔実施形態８〕
次に、図１９に基づいて、本発明の実施形態８について説明する。本実施形態の有機ＥＬ表示装置９１においては、共通赤色発光層１１ｂが、共通青色発光層７ｂ及び共通緑色発光層９ｃより下層に配置され、共通緑色発光層９ｃが共通青色発光層７ｂより上層である点において、実施形態３、６及び７とは異なり、説明の便宜上、実施形態３、６及び７の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
【０１９４】
図１９は、有機ＥＬ表示装置９１の概略構成を示す図である。
【０１９５】
本実施形態においては、基板２上の各副画素に、以下の各層を該当する膜厚で、その順に積層した。
【０１９６】
図示されているように、Ｂ副画素においては、反射電極３：Ａｇ（１００ｎｍ）と、陽極８４Ｂ：ＩＴＯ（９５ｎｍ）と、正孔注入層５：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）と、正孔輸送層５６：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）と、共通赤色発光層１１ｂ：ｍＣＰ／ＤＣＭ（１０％）（１０ｎｍ）と、共通青色発光層７ｂ：ＤＰＥＰＯ／ＤＭＡＣ−ＤＰＳ（１０％）（５ｎｍ）と、第１セパレート層８：ＢＣＰ（３０ｎｍ）と、共通緑色発光層９ｃ：ＢＣＰ／４ＣｚＩＰＮ（１０％）（１０ｎｍ）と、電子輸送層１２：ＢＣＰ（３０ｎｍ）と、電子注入層１３：ＬｉＦ（１ｎｍ）と、陰極１４：Ａｇ／Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９：０．１）（２０ｎｍ）と、保護層１５：ＩＴＯ（８０ｎｍ）とが積層された青色発光有機ＥＬ素子が備えられている。
【０１９７】
Ｇ副画素においては、反射電極３：Ａｇ（１００ｎｍ）と、陽極８４Ｇ：ＩＴＯ（１４０ｎｍ）と、正孔注入層５：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）と、正孔輸送層５６：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）と、共通赤色発光層１１ｂ：ｍＣＰ／ＤＣＭ（１０％）（１０ｎｍ）と、第２セパレート層１０ｂ：ｍＣＰ（３０ｎｍ）と、共通青色発光層７ｂ：ＤＰＥＰＯ／ＤＭＡＣ−ＤＰＳ（１０％）（５ｎｍ）と、共通緑色発光層９ｃ：ＢＣＰ／４ＣｚＩＰＮ（１０％）（１０ｎｍ）と、電子輸送層１２：ＢＣＰ（３０ｎｍ）と、電子注入層１３：ＬｉＦ（１ｎｍ）と、陰極１４：Ａｇ／Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９：０．１）（２０ｎｍ）と、保護層１５：ＩＴＯ（８０ｎｍ）とが積層された緑色発光有機ＥＬ素子が備えられている。
【０１９８】
Ｒ副画素においては、反射電極３：Ａｇ（１００ｎｍ）と、陽極８４Ｒ：ＩＴＯ（４５ｎｍ）と、正孔注入層５：ＨＡＴ−ＣＮ（１０ｎｍ）と、正孔輸送層５６：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）と、共通赤色発光層１１ｂ：ｍＣＰ／ＤＣＭ（１０％）（１０ｎｍ）と、共通青色発光層７ｂ：ＤＰＥＰＯ／ＤＭＡＣ−ＤＰＳ（１０％）（５ｎｍ）と、共通緑色発光層９ｃ：ＢＣＰ／４ＣｚＩＰＮ（１０％）（１０ｎｍ）と、電子輸送層１２：ＢＣＰ（３０ｎｍ）と、電子注入層１３：ＬｉＦ（１ｎｍ）と、陰極１４：Ａｇ／Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９：０．１）（２０ｎｍ）と、保護層１５：ＩＴＯ（８０ｎｍ）とが積層された赤色発光有機ＥＬ素子が備えられている。
【０１９９】
以上のように、正孔輸送層５６、電子輸送層１２、第１セパレート層８、第２セパレート層１０ｂ、共通青色発光層７ｂのホスト材料、共通緑色発光層９ｃのホスト材料及び共通赤色発光層１１ｂのホスト材料を選択して、組み合わせることにより、キャリアバランスを調整し、共通青色発光層７ｂを励起子生成層とすることができる。
【０２００】
有機ＥＬ表示装置９１においては、全体として正孔輸送性と電子輸送性が同等の構成であるため、共通青色発光層７ｂを、共通緑色発光層９ｃと共通赤色発光層１１ｂとの間に配置することで、励起子生成位置を共通青色発光層７ｂに制御することが可能になる。
【０２０１】
このように、青色発光層、共通緑色発光層及び共通赤色発光層の積層順を変えることでも、励起子生成位置を制御できるので、正孔輸送層、電子輸送層、第１セパレート層、第２セパレート層、共通青色発光層のホスト材料、共通緑色発光層のホスト材料及び共通赤色発光層のホスト材料を選択する際に、正孔移動度や電子移動度よりも、一重項エネルギー準位（Ｓ１）や三重項エネルギー準位（Ｔ１）が高いことを優先的に考えることができるため、周辺材料へのエネルギー移動による効率損失を抑制し、発光効率を向上することができる。
【０２０２】
〔まとめ〕
本発明の態様１に係る有機ＥＬ表示装置は、複数の画素の各々は、互いに異なるピーク波長の光を発光する第１副画素、第２副画素及び第３副画素を含み、上記各々の副画素は、陽極と、陰極と、上記陽極と上記陰極との間に形成された発光層とを備えている有機ＥＬ表示装置であって、上記陽極及び上記陰極中、一方は、反射電極であるか、または反射層を備えており、他方は、上記互いに異なるピーク波長の光を透過させる透過電極または半透過電極であり、上記発光層は、最も長いピーク波長の光を発光する第１蛍光発光層と、最も短いピーク波長の光を発光する第２蛍光発光層と、上記第１蛍光発光層と上記第２蛍光発光層との間のピーク波長の光を発光する第３蛍光発光層と、を備えた積層膜であり、上記第１蛍光発光層、上記第２蛍光発光層及び上記第３蛍光発光層の各々は、上記複数の画素において、単一の共通層として形成され、かつ、上記第１蛍光発光層は、上記第２蛍光発光層及び上記第３蛍光発光層より上層または下層に配置され、上記第１副画素においては、上記第２蛍光発光層と、上記第３蛍光発光層との間に、発光材料を含まない第１セパレート層が設けられ、上記第２副画素においては、上記第１蛍光発光層と、上記第１蛍光発光層と隣接する蛍光発光層との間に、発光材料を含まない第２セパレート層が設けられていることを特徴としている。
【０２０３】
上記構成によれば、上記第１蛍光発光層、上記第２蛍光発光層及び上記第３蛍光発光層の各々は、上記複数の画素において、単一の共通層として形成されるので、上記第１蛍光発光層、上記第２蛍光発光層及び上記第３蛍光発光層は、塗り分け蒸着で形成されない。
【０２０４】
なお、塗り分け蒸着とは、蒸着膜を副画素に対応した形状で、複数回に分けて形成する蒸着をいう。
【０２０５】
また、上記第１副画素に設けられる第１セパレート層及び上記第２副画素に設けられる第２セパレート層は、発光材料を含まないので、隣接する副画素への蒸着物の侵入が生じても隣接する副画素間においての混色の問題は生じない。
【０２０６】
したがって、上記構成においては、発光層を塗り分け蒸着で形成した場合に生じ得る、隣接する副画素への蒸着物の侵入による隣接する副画素間においての混色の問題は生じない。
【０２０７】
上記構成によれば、フェルスター半径内に存在する隣接する蛍光発光層間における一重項準位間のエネルギー移動であるフェルスター遷移を用いて、上記第１副画素、上記第２副画素及び上記第３副画素において、互いに異なるピーク波長の光を発光するので、上記第１蛍光発光層、上記第２蛍光発光層及び上記第３蛍光発光層の全体を同時に発光させる必要はないので、駆動時の消費電力を抑制できる。
【０２０８】
また、上記構成によれば、フェルスター遷移を用いて、上記第１副画素、上記第２副画素及び上記第３副画素において、互いに異なるピーク波長の光を発光するので、別途のカラーフィルタを設ける必要がないので、製造コストを抑制できる。
【０２０９】
また、上記構成によれば、フェルスター遷移を用いて、上記第１副画素、上記第２副画素及び上記第３副画素において、互いに異なるピーク波長の光を発光するので、上記第１セパレート層が上記第１副画素に隣接する副画素に、上記第２セパレート層が上記第２副画素に隣接する副画素に、膜薄で形成されたとしても、上記第１副画素、上記第２副画素及び上記第３副画素において、互いに異なるピーク波長の光を発光させることができる。何故なら、フェルスター遷移は、上記蛍光発光層同士が直接接触していなくても、フェルスター半径内であれば、生じるからである。
【０２１０】
また、上記構成によれば、フェルスター遷移を用いて、上記第１副画素、上記第２副画素及び上記第３副画素において、互いに異なるピーク波長の光を発光するので、斜め出射光による隣接する副画素間における混色や色ズレが生じない。
【０２１１】
以上のように、上記構成によれば、駆動時の消費電力及び製造コストを抑制しつつ、高精細化しても、隣接する副画素間において混色や色ズレが生じない有機ＥＬ表示装置を実現できる。
【０２１２】
本発明の態様２に係る有機ＥＬ表示装置は、上記態様１において、上記第１蛍光発光層は赤色光の発光層であり、上記第２蛍光発光層は青色光の発光層であり、上記第３蛍光発光層は緑色光の発光層であってもよい。
【０２１３】
上記構成によれば、上記第１副画素において青色光を、上記第２副画素において緑色光を、上記第３副画素において赤色光を出射する有機ＥＬ表示装置を実現できる。
【０２１４】
本発明の態様３に係る有機ＥＬ表示装置は、上記態様１または２において、上記第１セパレート層及び上記第２セパレート層の少なくとも一方は、複数の層の積層膜であってもよい。
【０２１５】
上記構成によれば、上記第１セパレート層及び上記第２セパレート層の少なくとも一方が、複数の層で形成されているため、材料選択の幅が広くなる。
【０２１６】
本発明の態様４に係る有機ＥＬ表示装置は、上記態様１から３の何れかにおいて、上記第１セパレート層は、１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の膜厚を有することが好ましい。
【０２１７】
上記構成によれば、上記第１副画素の上記第２蛍光発光層と、上記第３蛍光発光層との間において、フェルスター遷移が起こるのを確実に阻止できる。
【０２１８】
本発明の態様５に係る有機ＥＬ表示装置は、上記態様１から４の何れかにおいて、上記第２セパレート層は、１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の膜厚を有することが好ましい。
【０２１９】
上記構成によれば、上記第２副画素の上記第１蛍光発光層と、上記第１蛍光発光層と隣接する蛍光発光層との間において、フェルスター遷移が起こるのを確実に阻止できる。
【０２２０】
本発明の態様６に係る有機ＥＬ表示装置は、上記態様１から５の何れかにおいて、上記第２蛍光発光層中に含まれる第２蛍光発光材料は、最低励起一重項準位と最低励起三重項準位とのエネルギー差が０．３ｅＶ未満である熱活性化遅延蛍光材料を含むことが好ましい。
【０２２１】
上記構成によれば、発光効率の高い有機ＥＬ表示装置を実現できる。
【０２２２】
本発明の態様７に係る有機ＥＬ表示装置は、上記態様１から６の何れかにおいて、上記第３蛍光発光層中に含まれる第３蛍光発光材料は、最低励起一重項準位と最低励起三重項準位とのエネルギー差が０．３ｅＶ未満である熱活性化遅延蛍光材料を含むことが好ましい。
【０２２３】
上記構成によれば、発光効率の高い有機ＥＬ表示装置を実現できる。
【０２２４】
本発明の態様８に係る有機ＥＬ表示装置は、上記態様６または７において、上記第１蛍光発光層と、上記第１蛍光発光層と隣接する蛍光発光層との間には、発光材料を含まない第１ブロック層が、上記複数の画素において、単一の共通層として形成されており、
上記第２副画素においては、上記第２セパレート層と上記第１ブロック層とを合わせた膜厚が１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。
【０２２５】
上記構成によれば、さらに発光効率の高い有機ＥＬ表示装置を実現できる。
【０２２６】
本発明の態様９に係る有機ＥＬ表示装置は、上記態様６から８の何れかにおいて、上記第２蛍光発光層と、上記第３蛍光発光層との間には、発光材料を含まない第２ブロック層が、上記複数の画素において、単一の共通層として形成されており、上記第１副画素においては、上記第１セパレート層と上記第２ブロック層とを合わせた膜厚が１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。
【０２２７】
上記構成によれば、さらに発光効率の高い有機ＥＬ表示装置を実現できる。
【０２２８】
本発明の態様１０に係る有機ＥＬ表示装置は、上記態様１から９の何れかにおいて、上記第２蛍光発光層中に含まれる第２蛍光発光材料の発光スペクトルの波長領域と、上記第３蛍光発光層中に含まれる第３蛍光発光材料の吸収スペクトルの波長領域とは、所定波長領域で重なりを有する。
【０２２９】
上記構成によれば、駆動時の消費電力及び製造コストを抑制しつつ、高精細化しても、隣接する副画素間において混色や色ズレが生じない有機ＥＬ表示装置を実現できる。
【０２３０】
本発明の態様１１に係る有機ＥＬ表示装置は、上記態様１から１０の何れかにおいて、上記第３蛍光発光層中に含まれる第３蛍光発光材料の発光スペクトルの波長領域と、上記第１蛍光発光層中に含まれる第１蛍光発光材料の吸収スペクトルの波長領域とは、所定波長領域で重なりを有する。
【０２３１】
上記構成によれば、駆動時の消費電力及び製造コストを抑制しつつ、高精細化しても、隣接する副画素間において混色や色ズレが生じない有機ＥＬ表示装置を実現できる。
【０２３２】
本発明の態様１２に係る有機ＥＬ表示装置は、上記態様１から１１の何れかにおいて、上記第１セパレート層の吸収スペクトルの波長領域は、上記第２蛍光発光層中に含まれる第２蛍光発光材料の発光スペクトルの波長領域と、重なりを有さないことが好ましい。
【０２３３】
上記構成によれば、さらに発光効率の高い有機ＥＬ表示装置を実現できる。
【０２３４】
本発明の態様１３に係る有機ＥＬ表示装置は、上記態様１から１２の何れかにおいて、上記第２セパレート層の吸収スペクトルの波長領域は、上記第３蛍光発光層中に含まれる第３蛍光発光材料の発光スペクトルの波長領域と、重なりを有さないことが好ましい。
【０２３５】
本発明の態様１４に係る有機ＥＬ表示装置は、上記態様１から１３の何れかにおいて、上記陽極と上記陰極との間においては、上記第１蛍光発光層、上記第２蛍光発光層及び上記第３蛍光発光層中、上記第１蛍光発光層が上記陰極と最も隣接して配置され、かつ、上記第２蛍光発光層が上記陽極と最も隣接して配置されており、上記第２蛍光発光層より上層であって、上記第２蛍光発光層と上記陰極との間に形成される各層に含まれる混合比５０％以上の材料の電子移動度は、正孔移動度よりも高いことが好ましい。
【０２３６】
上記構成によれば、発光効率の高い有機ＥＬ表示装置を実現できる。
【０２３７】
本発明の態様１５に係る有機ＥＬ表示装置は、上記態様１から１３の何れかにおいて、上記陽極と上記陰極との間においては、上記第１蛍光発光層、上記第２蛍光発光層及び上記第３蛍光発光層中、上記第１蛍光発光層が上記陽極と最も隣接して配置され、かつ、上記第２蛍光発光層が上記陰極と最も隣接して配置されており、上記第２蛍光発光層より下層であって、上記第２蛍光発光層と上記陽極との間に形成される各層に含まれる混合比５０％以上の材料の正孔移動度は、電子移動度よりも高いことが好ましい。
【０２３８】
上記構成によれば、発光効率の高い有機ＥＬ表示装置を実現できる。
【０２３９】
本発明の態様１６に係る有機ＥＬ表示装置は、上記態様１から１３の何れかにおいて、上記陽極と上記陰極との間においては、上記第１蛍光発光層、上記第２蛍光発光層及び上記第３蛍光発光層中、上記第１蛍光発光層が上記陰極と最も隣接して配置され、かつ、上記第３蛍光発光層が上記陽極と最も隣接して配置されており、上記第２蛍光発光層より上層であって、上記第２蛍光発光層と上記陰極との間に形成される各層に含まれる混合比５０％以上の材料の電子移動度は、正孔移動度よりも高く、上記第２蛍光発光層より下層であって、上記第２蛍光発光層と上記陽極との間に形成される各層に含まれる混合比５０％以上の材料の正孔移動度は、電子移動度よりも高いことが好ましい。
【０２４０】
上記構成によれば、発光効率の高い有機ＥＬ表示装置を実現できる。
【０２４１】
本発明の態様１７に係る有機ＥＬ表示装置は、上記態様１から１３の何れかにおいて、上記陽極と上記陰極との間においては、上記第１蛍光発光層、上記第２蛍光発光層及び上記第３蛍光発光層中、上記第１蛍光発光層が上記陽極と最も隣接して配置され、かつ、上記第３蛍光発光層が上記陰極と最も隣接して配置されており、上記第２蛍光発光層より上層であって、上記第２蛍光発光層と上記陰極との間に形成される各層に含まれる混合比５０％以上の材料の電子移動度は、正孔移動度よりも高く、上記第２蛍光発光層より下層であって、上記第２蛍光発光層と上記陽極との間に形成される各層に含まれる混合比５０％以上の材料の正孔移動度は、電子移動度よりも高いことが好ましい。
【０２４２】
上記構成によれば、発光効率の高い有機ＥＬ表示装置を実現できる。
【０２４３】
本発明の態様１８に係る有機ＥＬ表示装置は、上記態様１から１７の何れかにおいて、上記発光層の各層の積層により、上記発光層の膜厚が増加する方向に上記互いに異なるピーク波長の光を発光する構成であってもよい。
【０２４４】
上記構成によれば、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を実現できる。
【０２４５】
本発明の態様１９に係る有機ＥＬ表示装置は、上記態様１から１７の何れかにおいて、上記発光層の各層の積層により、上記発光層の膜厚が増加する方向と反対方向に上記互いに異なるピーク波長の光を発光すること構成であってもよい。
【０２４６】
上記構成によれば、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置を実現できる。
【０２４７】
本発明の態様２０に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、陽極を形成する工程と、陰極を形成する工程と、発光層を形成する工程とを含み、かつ、複数の画素の各々が、互いに異なるピーク波長の光を発光する第１副画素、第２副画素及び第３副画素を含む有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、上記発光層を形成する工程においては、最も長いピーク波長の光を発光する第１蛍光発光層、最も短いピーク波長の光を発光する第２蛍光発光層及び上記第１蛍光発光層と上記第２蛍光発光層との間のピーク波長の光を発光する第３蛍光発光層の各々を、上記第１蛍光発光層が、上記第２蛍光発光層及び上記第３蛍光発光層より上層または下層となるように、上記複数の画素の全体に蒸着し、上記第２蛍光発光層と、上記第３蛍光発光層との間であって、上記第１副画素に、発光材料を含まない第１セパレート層を塗り分け蒸着し、上記第１蛍光発光層と、上記第１蛍光発光層と隣接する蛍光発光層との間であって、上記第２副画素に、発光材料を含まない第２セパレート層を塗り分け蒸着することを特徴としている。
【０２４８】
上記方法によれば、上記第１蛍光発光層、上記第２蛍光発光層及び上記第３蛍光発光層の各々を、上記複数の画素の全体に蒸着するので、上記第１蛍光発光層、上記第２蛍光発光層及び上記第３蛍光発光層は、塗り分け蒸着で形成されない。
【０２４９】
また、上記第１副画素に設けられる第１セパレート層及び上記第２副画素に設けられる第２セパレート層は、発光材料を含まないので、隣接する副画素への蒸着物の侵入が生じても隣接する副画素間においての混色の問題は生じない。
【０２５０】
したがって、上記方法によれば、発光層を塗り分け蒸着で形成した場合に生じ得る、隣接する副画素への蒸着物の侵入による隣接する副画素間においての混色の問題は生じない。
【０２５１】
上記方法によれば、フェルスター半径内に存在する隣接する蛍光発光層間における一重項準位間のエネルギー移動であるフェルスター遷移を用いて、上記第１副画素、上記第２副画素及び上記第３副画素において、互いに異なるピーク波長の光を発光する有機ＥＬ表示装置を製造できるので、上記第１蛍光発光層、上記第２蛍光発光層及び上記第３蛍光発光層の全体を同時に発光させる必要はないので、駆動時の消費電力を抑制できる。
【０２５２】
また、上記方法によれば、フェルスター遷移を用いて、上記第１副画素、上記第２副画素及び上記第３副画素において、互いに異なるピーク波長の光を発光する有機ＥＬ表示装置を製造できるので、別途のカラーフィルタを設ける必要がないので、製造コストを抑制できる。
【０２５３】
また、上記方法によれば、フェルスター遷移を用いて、上記第１副画素、上記第２副画素及び上記第３副画素において、互いに異なるピーク波長の光を発光する有機ＥＬ表示装置を製造できるので、塗り分け蒸着される上記第１セパレート層が上記第１副画素に隣接する副画素に、塗り分け蒸着される上記第２セパレート層が上記第２副画素に隣接する副画素に、膜薄で形成されたとしても、上記第１副画素、上記第２副画素及び上記第３副画素において、互いに異なるピーク波長の光を発光させることができる。何故なら、フェルスター遷移は、上記蛍光発光層同士が直接接触していなくても、フェルスター半径内であれば、生じるからである。
【０２５４】
したがって、上記第１セパレート層及び上記第２セパレート層の形成する塗り分け蒸着においては、プロセスマージンが大きい。
【０２５５】
また、上記方法によれば、フェルスター遷移を用いて、上記第１副画素、上記第２副画素及び上記第３副画素において、互いに異なるピーク波長の光を発光する有機ＥＬ表示装置を製造できるので、斜め出射光による隣接する副画素間における混色や色ズレが生じない。
【０２５６】
また、上述したように、上記方法によれば、上記第１蛍光発光層、上記第２蛍光発光層及び上記第３蛍光発光層の各々を、上記複数の画素の全体に蒸着するので、上記第１蛍光発光層、上記第２蛍光発光層及び上記第３蛍光発光層は、塗り分け蒸着で形成されないとともに、上記第１セパレート層及び上記第２セパレート層の形成においては、プロセスマージンが大きいので、製造装置の巨大化や蒸着材料の利用効率の低下を招かない。
【０２５７】
以上のように、上記方法によれば、駆動時の消費電力及び製造コストを抑制しつつ、高精細化に際しても、製造装置の巨大化や蒸着材料の利用効率の低下を招かず、隣接する副画素間において混色や色ズレが生じない有機ＥＬ表示装置を製造できる。
【０２５８】
〔付記事項〕
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【０２５９】
本発明は、有機ＥＬ表示装置と、有機ＥＬ表示装置の製造方法とに利用することができる。
【符号の説明】
【０２６０】
１            有機ＥＬ表示装置
２            基板
５            正孔注入層
６            正孔輸送層
７            共通青色発光層（第２蛍光発光層）
７ａ          共通青色発光層（第２蛍光発光層）
７ｂ          共通青色発光層（第２蛍光発光層）
８            第１セパレート層
８ａ          第１セパレート層
８ｂ          第１セパレート層
８ｅ          第１セパレート層
９            共通緑色発光層（第３蛍光発光層）
９ａ          共通緑色発光層（第３蛍光発光層）
９ｂ          共通緑色発光層（第３蛍光発光層）
９ｃ          共通緑色発光層（第３蛍光発光層）
１０          第２セパレート層
１０ａ        第２セパレート層
１０ｂ        第２セパレート層
１０ｅ        第２セパレート層
１１          共通赤色発光層（第１蛍光発光層）
１１ｂ        共通赤色発光層（第１蛍光発光層）
１２          電子輸送層
１３          電子注入層
２１          有機ＥＬ表示装置
３１          有機ＥＬ表示装置
３７          第１層（第１セパレート層）
３８          第２層（第１セパレート層）
４１          有機ＥＬ表示装置
４５          ブロック層（第１ブロック層または第２ブロック層）
４７          ブロック層（第１ブロック層または第２ブロック層）
５１          有機ＥＬ表示装置
５２          有機ＥＬ表示装置
５３          有機ＥＬ表示装置
５６          正孔輸送層
６２          電子輸送層
７１          有機ＥＬ表示装置
８１          有機ＥＬ表示装置
９１          有機ＥＬ表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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