(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂基材上に、スパッタリング法により、チタン層を形成するステップと、
前記チタン層上に、スパッタリング法により、ＺｎＳ−ＳｉＯ2膜、ＳｉＯX膜またはＳｉＮX膜を含んで構成されるバッファ層を形成するステップと、
前記バッファ層上に、絶縁層としてシリコン酸化膜（ＳｉＯX）またはシリコン窒化膜（ＳｉＮX）の層を形成するステップと、
前記シリコン酸化膜（ＳｉＯX）またはシリコン窒化膜（ＳｉＮX）の層上に、スパッタリング法により、アモルファスシリコン層を形成するステップと、
前記アモルファスシリコン層の表面温度が１６００Ｋ以上であって２０００Ｋを超えない範囲で前記アモルファスシリコン層にレーザーアニール処理を施すステップと、
を有し、
前記レーザーアニール処理は、エキシマレーザーを、波長１９０〜４００ｎｍ、パルス幅１５〜５０ｎｓ、周波数５００〜６ｋＨｚ、１０〜２００パルス、単位面積当たりのエネルギー量５０〜２００ｍＪ／ｃｍ2にて、フレキシブル基板上に製膜させた前記アモルファスシリコン層上に照射する、
ことで、この過程で樹脂基材の表面温度が一度も５００Ｋ（約２２７℃）を超えないことを特徴とする
フレキシブル基板の製造方法。
【請求項２】
樹脂基材上に、スパッタリング法により、チタン層を形成するステップと、
前記チタン層上に、スパッタリング法により、ＺｎＳ−ＳｉＯ2膜、ＳｉＯX膜またはＳｉＮX膜を含んで構成されるバッファ層を形成するステップと、
前記バッファ層上に、絶縁層としてシリコン酸化膜（ＳｉＯX）またはシリコン窒化膜（ＳｉＮX）の層を形成するステップと、
前記シリコン酸化膜（ＳｉＯX）またはシリコン窒化膜（ＳｉＮX）の層上に、スパッタリング法により、アモルファスシリコン層を形成するステップと、
前記アモルファスシリコン層の表面温度が１６００Ｋ以上であって２０００Ｋを超えない範囲で前記アモルファスシリコン層にレーザーアニール処理を施すステップと、
を有し、
前記レーザーアニール処理は、エキシマレーザーを、波長１９０〜４００ｎｍ、パルス幅１５〜５０ｎｓ、周波数１〜２ｋＨｚ、１０〜２００パルス、単位面積当たりのエネルギー量５０〜２００ｍＪ／ｃｍ2にて、フレキシブル基板上に製膜させた前記アモルファスシリコン層上に照射する、
ことで、この過程で樹脂基材の表面温度が一度も５００Ｋ（約２２７℃）を超えないことを特徴とする
フレキシブル基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレキシブル基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）は、薄膜電界効果トランジスタ（ＴＦＴ）が用いられている。薄膜電界効果トランジスタは、基材上に形成されたシリコン層を用いて形成されている。
近年、液晶ディスプレイにおいても可撓性の構造が求められていることから、基材の材料として、ガラスだけでなく、フレキシブルな樹脂（プラスチック）を用いることが注目されている（特開２０１３−１６４６０３公報）。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、樹脂基材は、半導体層の形成時やその半導体層を用いてトランジスタを形成する際の熱に弱いという問題がある。たとえば、基材上に形成したシリコン層を結晶化する際には、エキシマレーザーによりアニール処理を施す。この際、シリコン層には、たとえば、２０００Ｋという高温のエネルギーが入力される。通常の樹脂基材を含む樹脂基板では、当該高熱に堪えられない。
上記事情に鑑みて、本発明は、トランジスタ形成に利用しやすい耐熱性のフレキシブル基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
樹脂基材上に、スパッタリング法により、金属層を形成するステップと、
前記金属層上に、スパッタリング法により、ＺｎＳ−ＳｉＯ2膜、ＳｉＯX膜またはＳｉＮX膜を含んで構成されるバッファ層を形成するステップと、
前記バッファ層上に、スパッタリング法により、アモルファスシリコン層を形成するステップと、
前記アモルファスシリコン層の表面温が１６００Ｋ以上であって２０００Ｋを超えない範囲で前記アモルファスシリコン層にレーザーアニール処理を施すステップと、
を有し、
前記レーザーアニール処理は、エキシマレーザーを、波長１９０〜４００ｎｍ、パルス幅１５〜５０ｎｓ、周波数５００〜６ｋＨｚにて、フレキシブル基板上に製膜させた前記アモルファスシリコン層上に照射する、フレキシブル基板の製造方法。
【発明の効果】
【０００５】
フレキシブル基板に金属層および耐熱性のバッファ層が含まれる。これにより、シリコン層の結晶化の際にエキシマレーザーを照射しても、その熱が金属層およびバッファ層により拡散され、樹脂基材が耐熱温度以上に加熱されない。その結果、樹脂基材の炭化等の破損を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１実施形態に係る耐熱性のフレキシブル基板の概略構成を示す概略断面図である。
【図２】半導体装置の例を示す概略断面図である。
【図３】フレキシブル基板の製造プロセスの流れを示すフローチャートである。
【図４】エキシマレーザー照射時のシリコン層の表面温を示す図である。
【図５】エキシマレーザー照射時の基材の表面温を示す図である。
【図６】半導体装置の製造プロセスの各工程を示す図である。
【図７】図６に続く、半導体装置の製造プロセスの各工程を示す図である。
【図８】図７に続く、半導体装置の製造プロセスの各工程を示す図である。
【図９】図８に続く、半導体装置の製造プロセスの各工程を示す図である。
【図１０】チタンの仕事関数とシリコンの電子親和力を説明する説明図である。
【図１１】チタンとシリコンの接触時におけるエネルギーバンドの予想図である。
【図１２】第２実施形態に係る耐熱性のフレキシブル基板の概略構成を示す概略断面図である。
【図１３】エキシマレーザー照射時のシリコン層の表面温を示す図である。
【図１４】エキシマレーザー照射時の基材の表面温を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、添付した図面を参照し、本発明の望ましい実施形態について詳細に説明する。以下の説明及び図面において、同一な参照符号は、同一な構成要素を指し、図面上において、各構成要素の大きさは、説明の明瞭性及び便宜性のために誇張されている。また以下で説明する実施形態は、例示的なものに過ぎず、このような実施形態から多様な変形が可能である。
また、「上」や「上部」と記載されたものは、接触して真上にあるものだけではなく、非接触で上にあるもの、他の層を介して上にあるものも含んでいてもよい。
【０００８】
（第１実施形態）
【０００９】
（基板の概略構成）
図１は、第１実施形態に係る耐熱性のフレキシブル基板の概略構成を示す概略断面図である。
図１に示すように、フレキシブル基板１０は、基材２０、金属層３０、バッファ層４０、絶縁層５０およびシリコン層６０がこの順で積層される。
基材２０は、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）などのフレキシブルな樹脂から形成されている。これらの樹脂は、その融点（ガラス転移点）または熱分解温が２００〜６００℃程である（これらを総称して耐熱温度とする）。
基材２０の材料については、これらに限定されない。基材２０としては、１００〜５００℃程の耐熱性を有する材料で作製されたものであれば様々なものを採用可能である。また、基材２０は、上記耐熱性を満たせば、フレキシブルな樹脂ではなく、ガラスであってもよい。
金属層３０は、基材２０上に積層されている。金属層３０は、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）などの金属、これらの合金などにより形成される。
以下、第１実施形態では、金属層３０は、チタン層３０として説明する。ただし、金属層は、実施例として示した金属に限定されるものではなく、熱遮断または熱逃がし（熱分散、放熱）の特性があれば、いかなる金属を用いてもよい。
バッファ層４０は、チタン層３０上に積層されている。バッファ層４０は、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2膜、ＳｉＯX膜、またはＳｉＮX膜を含んで形成される。ＺｎＳ−ＳｉＯ2膜、ＳｉＯX膜、またはＳｉＮX膜は、熱伝導性が低いため、これらにより形成したバッファ層は、耐熱バッファ層となる。
絶縁層５０は、バッファ層４０上に積層されている。絶縁層５０は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯX（主にＳｉＯ2））やシリコン窒化膜（ＳｉＮX）から形成されている。絶縁層５０は、バッファ層４０やチタン層３０に対する絶縁性を高めるために形成されている。絶縁層５０は省略可能である。
シリコン層６０は、絶縁層５０上に積層されている。シリコン層６０は、真性シリコン（ｉ−Ｓｉ）のポリシリコンで形成されている。シリコン層６０のポリシリコンは、絶縁層５０上に積層されたアモルファスシリコンをレーザーアニール処理によって結晶化して形成されたものである。
上記の構成を含んでなるフレキシブル基板１０は、シリコン層６０（半導体層）が形成されていることによって、ＴＦＴ等の半導体装置となる。
【００１０】
（半導体装置の構成）
図２は、半導体装置の例を示す概略断面図である。
図２に示す半導体装置７０は、フレキシブル基板１０上に形成される。半導体装置７０は、フレキシブル基板１０上のシリコン層６０を用いて形成されている。
シリコン層６０には、ソース電極７４、ドレイン電極７５が形成されている。ソース電極７４およびドレイン電極７５の間に、絶縁層８０を介してゲート電極７２が形成されている。ソース電極７４およびドレイン電極７５上には、それぞれソース配線７８およびドレイン配線７９が形成されている。
ゲート電極７２、ソース電極７４およびドレイン電極７５は、金属または合金（シリサイドなど）が用いられている。ゲート電極７２、ソース電極７４およびドレイン電極７５は、同じ材料で形成してもよく、異なる材料でもよい。これらは、たとえば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）などの金属を使用することが好ましい。これら金属を使用することで、スパッタリング法や物理気相成長法（ＰＶＤ）のような低温プロセスだけで各電極の形成が可能となる。また、ゲート電極７２と、ソース配線７８およびドレイン配線７９を同じ材料で形成することが可能である。
絶縁層８０は、ゲート電極７２下はゲート絶縁層となり、他の部分は層間絶縁層となるもので、いずれも同一工程によりスパッタリング法によって形成できる（半導体装置の製造プロセスについては後述する）。
【００１１】
（フレキシブル基板の製造プロセス）
次に、第１実施形態に係るフレキシブル基板の製造方法のプロセスを説明する。
図３は、フレキシブル基板の製造プロセスの流れを示すフローチャートである。
まず、基材２０を用意する（ステップＳ１０１）。続けて、スパッタリング法により基材２０上にチタン層３０を堆積する（ステップＳ１０２）。連続して、スパッタリング法により、チタン層３０上にバッファ層４０を堆積し（ステップＳ１０３）、バッファ層４０上に絶縁層５０を堆積する（ステップＳ１０４）。さらに、Ｘｅスパッタリングにより、絶縁層５０上にアモルファスシリコン層を堆積する（ステップＳ１０５）。
次に、アモルファスシリコン層に、エキシマレーザー（たとえばＡｒＦ、ＫｒＦ、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ）を、たとえば、波長１９０〜４００ｎｍ、パルス幅１５〜５０ｎｓ、周波数５００〜６ｋＨｚ（好ましくは１ｋＨｚ）、フルーエンス（単位面積当たりのエネルギー量）５０ｍＪ／ｃｍ2〜２００ｍＪ／ｃｍ2で、フレキシブル基板上に製膜させたアモルファスシリコン層上に１０〜２００パルスを照射する。
これにより、アモルファスシリコン層を、結晶化して、ポリシリコンからなるシリコン層６０とする（ステップＳ１０６）。
以上の工程により図１に示すようなフレキシブル基板１０が形成される。ステップＳ１０６において、エキシマレーザーの照射を行っているが、チタン層３０およびバッファ層４０により熱が拡散されるため、基材２０に変形等の影響はない。この点について、以下に詳細を説明する。
また、エキシマレーザーは、少なくともフッ素（Ｆ）を含むことが好ましいため、以下の説明では、フッ素を含むエキシマレーザー（たとえばＡｒＦ、ＫｒＦ、ＸｅＦ）による実施態様を説明する。
【００１２】
（チタン層およびバッファ層の温的効果）
第１実施形態による、チタン層３０およびバッファ層４０を形成したフレキシブル基板１０による温的効果について説明する。
図４はエキシマレーザー照射時のシリコン層の表面温度を示す図、図５はエキシマレーザー照射時の基材の表面温度を示す図である。
図１に示すフレキシブル基板１０と、図１のフレキシブル基板１０からチタン層３０およびバッファ層４０を除いた従来の基板を用意した。そして、シリコン層の表面温（Ｋ）が１６００Ｋ以上であって最高で２０００Ｋとなるように（２０００Ｋを超えない範囲で）、エキシマレーザーの照射エネルギーを制御した。エキシマレーザーの発振周波数は１ｋＨｚであり、パルス幅は２０〜３０ｎｓの条件とした。
そして、エキシマレーザー照射後に、シリコン層と基材の表面温を数値計算した。
図４および図５において、実線は、第１実施形態のフレキシブル基板１０における耐熱結果を示し、破線は従来のチタン層等がない基板における耐熱結果を示す。
図４に示すように、実線で示す第１実施形態のフレキシブル基板１０と、破線で示す基板とでは、シリコン層の表面温の推移にほとんど違いがないことが分かった。
また、図５に示すように、実線で示す第１実施形態のフレキシブル基板１０は、基材の表面温は５００Ｋ（約２２７℃）を超えなかったのに対し、破線で示す従来の基板は、基材の表面温が５００Ｋ以上まで上昇した。
これらの結果は、バッファ層４０にチタン層３０を入れたことで、チタン層３０がシリコン層６０の熱を奪い、拡散させているからだと考えられる。
フレキシブルな樹脂の基材２０を用いる場合、材料によって耐熱温度がおよそ１００〜５００℃となる。第１実施形態のフレキシブル基板１０を用いれば、耐熱温度が２２７℃程の基材２０を耐熱温度以下にしたままでシリコン層６０の結晶化が実現できることが分かった。つまり、第１実施形態のフレキシブル基板１０によれば、バッファ層と共にチタン層３０を入れたことで、結晶化の際に基材２０が保護される。耐熱温度が２２７℃程の樹脂でも基材に使えるため、基材の選択の幅が大きく広がったと言える。また、エキシマレーザーの照射エネルギーの調整により、耐熱温度が１００℃程の樹脂でも、基板への適用が見込める。
【００１３】
（半導体装置の製造プロセス）
次に、半導体装置の製造プロセスについて説明する。
第１実施形態に係る半導体装置の構成は、既に説明したとおり、シリコン層６０が形成されたフレキシブル基板１０上に、ゲート電極７２、ソース電極７４、ドレイン電極７５、ソース配線７８、ドレイン配線７９および絶縁層８０を形成したものである。これらは、主に、スパッタリング法や物理気相成長法（ＰＶＤ）による製膜、レーザーアニール処理による結晶化・活性化、フォトリソグラフィーによるパターニング等の低温プロセスのみで形成可能である。したがって、以下に詳しく説明する一連の処理において、プロセス温度は、３５０℃以下である。プロセス温度を高くしないために、第１実施形態では、化学気相成長法（ＣＶＤ）は用いない。
図６〜図９は、半導体装置の製造プロセスの各工程を示す図である。
図６（Ａ）に示すように、上述のシリコン層６０が形成されたフレキシブル基板１０が用意される。
図６（Ｂ）に示すように、フレキシブル基板１０上には、レジスト層が形成され、所望のパターン（ここではＴＦＴ）となるようにフォトリソグラフィーによりパターニングされてレジストパターン９０が形成される。レジストパターン９０形成時のプリベークおよびポストベークは低温処理の観点から１００〜１２０℃程とすることが好ましい。
図６（Ｃ）に示すように、レジストパターン９０を用いたシリコン層６０のエッチングが行われて、所望するパターンのシリコン層６０が得られる。エッチングはウェットエッチング法、ドライエッチング法のいずれでもよい。
図６（Ｄ）に示すように、レジストパターン９０が除去される。
図７（Ｅ）に示すように、スパッタリング法により、シリコン層６０上にチタン層７３が形成される。
図７（Ｆ）に示すように、チタン層７３上に、レジスト層が形成され、所望のパターン（ここではソースおよびドレイン）となるようにフォトリソグラフィーによりパターニングされてレジストパターン９２が形成される。プリベークおよびポストベークは１００〜１２０℃程とする。
図７（Ｇ）に示すように、レジストパターン９２を用いたチタン層７３のエッチングが行われて、ソース電極７４およびドレイン電極７５が得られる。エッチングはウェットエッチング法、ドライエッチング法のいずれでもよい。
図７（Ｈ）に示すように、レジストパターン９２が除去される。これによりできあがったソース電極７４およびドレイン電極７５は、ソース・ドレイン領域としてショットキー接触型のチタン電極となる。
図８（Ｉ）に示すように、スパッタリング法により絶縁層８０（ここではＳｉＯ2である）が形成される。この絶縁層８０は、室温により、酸素添加アルゴンスパッタリングにより行う。
図８（Ｊ）に示すように、絶縁層８０上に形成されたレジスト層がフォトリソグラフィーによりパターニングされてレジストパターン９４を形成する。プリベークおよびポストベークは１００〜１２０℃程とする。
図８（Ｋ）に示すように、レジストパターン９４を用いて絶縁層８０のエッチングが行われて、コンタクトホールが形成される。エッチングはウェットエッチング法、ドライエッチング法のいずれでもよい。
図９（Ｌ）に示すように、レジストパターン９４が除去される。これにより、ソース電極７４およびドレイン電極７５の上部が露出される。エッチングはウェットエッチング法、ドライエッチング法のいずれでもよい。
図９（Ｍ）に示すように、スパッタリング法によりアルミニウム層７７が形成される。
図９（Ｎ）に示すように、アルミニウム層７７上に形成されたレジスト層がフォトリソグラフィーによりパターニングされてレジストパターン９６を形成する。プリベークおよびポストベークは１００〜１２０℃程とする。
その後、レジストパターン９６を用いてアルミニウム層７７のエッチングが行われて、ゲート電極７２と、ソース配線７８およびドレイン配線７９が形成される。エッチングはウェットエッチング法、ドライエッチング法のいずれでもよい。その後、レジストパターン９６が除去される。２００℃で水素アニールを行うことで、ＴＦＴ特性が得られる。これにより、図２に示した半導体装置７０が完成する。
以上のように、第１実施形態では、半導体装置の形成の全工程において、２００℃以下のプロセス温度を達成した。
【００１４】
（チタンとシリコンの接触によるオーミック・ショットキー接触）
半導体装置におけるチタンとシリコンの接触によるオーミック・ショットキー接触について説明する。
図１０はチタンの仕事関数とシリコンの電子親和力を説明する説明図である。図１１は、チタンとシリコンの接触時におけるエネルギーバンドの予想図である。
チタンの仕事関数は図１０に示すように４．３３［ｅＶ］である。また、シリコンの電子親和力は４．０５［ｅＶ］である。チタンとシリコンを接触させると、図１１に示すように、接触部で電子障壁が低くなり、チタンからシリコンへ電荷の注入が起こる。その結果、ソース・ドレイン領域にチタンを用いることで、チタンからシリコンへ電子の移動が容易となり、ｎ型動作のＴＦＴが得られる。
このように、シリコン上にソース・ドレイン電極として金属（ここではチタン）を形成することで、イオン注入法を使用せずに、真空蒸着法でソース・ドレイン領域を形成できる。したがって、第１実施形態は、シリコンＴＦＴ作製のプロセスとして、低コスト化、プロセスの簡略化に有効である。
【００１５】
（効果）
次に第１実施形態の効果について、説明する。
以上のように、第１実施形態においては、フレキシブル基板１０にチタン層３０およびバッファ層４０が含まれる。したがって、シリコン層６０の結晶化の際にエキシマレーザーを照射しても、その熱がチタン層３０およびバッファ層４０により拡散され、樹脂の基材２０が耐熱温度以上に加熱されない。したがって、基材２０の炭化等の破損を防止できる。特に、第１実施形態では、バッファ層４０に加えてチタン層３０も形成されているため、より高い熱拡散の効果が得られる。
また、半導体装置の形成プロセスでは、フォトリソグラフィー技術およびスパッタリング法が用いられる。ＣＶＤが用いられず、その後の高温のアニール工程もない。したがって、全プロセスを、例えば５００℃以下、もしくは３００℃以下、さらには２００℃以下でも達成できることになる。したがって、基材２０が５００℃以上の高温にさらされることがなく、基材２０の破損を防止できる。耐熱温度が５００℃程の樹脂でも基材２０として適用でき、樹脂の選択の幅が大きく広がる。
【００１６】
（第２実施形態）
【００１７】
（基板の概略構成）
図１２は、第２実施形態に係る耐熱性のフレキシブル基板の概略構成を示す概略断面図である。
図１２に示すように、フレキシブル基板１０’は、基材２０、バッファ層４０、金属層３０、絶縁層５０、およびシリコン層６０が、この順で積層される。つまり、第１実施形態とは、金属層３０の挿入位置が異なる。第２実施形態においても、金属層３０は、例えば、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）などの金属、これらの合金などが利用できる。
以下、第２実施形態では、金属層３０は、チタン層３０として説明する。ただし、金属層は、実施例として示した金属に限定されるものではなく、熱遮断または熱逃がし（熱分散、放熱）の特性があれば、いかなる金属を用いてもよい。
その他の構成及び条件は、第１実施形態と同様である。
【００１８】
（チタン層およびバッファ層の温的効果）
第２実施形態による、チタン層３０を形成したフレキシブル基板１０’による温的効果について説明する。
図１３はエキシマレーザー照射時のシリコン層の表面温を示す図、図１４はエキシマレーザー照射時の基材の表面温を示す図である。
図１２に示すフレキシブル基板１０’と、図１に示すフレキシブル基板１０と、図１２のフレキシブル基板１０からチタン層３０を除いた従来の基板を用意した。そして、シリコン層の表面温（Ｋ）が１６００Ｋ以上であって最高で２０００Ｋとなるように（２０００Ｋを超えない範囲で）、エキシマレーザーの照射エネルギーを制御した。エキシマレーザーの発振周波数は１ｋＨｚであり、パルス幅は２０〜３０ｎｓの条件とした。
そして、エキシマレーザー照射後に、シリコン層と基材の表面温を数値計算した。
図１３および図１４において、実線は、第１実施形態のフレキシブル基板１０における耐熱結果を示し、破線は従来のチタン層等がない基板における耐熱結果を示し、一点鎖線は、第２実施形態のフレキシブル基板１０’における耐熱結果を示す。
図１３に示すように、時間の経過に伴い、一点鎖線で示す第２実施形態のフレキシブル基板１０の方が、シリコン層の表面温が減少しやすいことが分かった。これは、熱伝導率が高いチタン層３０がバッファ層４０よりもシリコン層６０に近く、シリコン層６０の熱を素早く奪い、拡散させているからだと考えられる。
また、図１４の一点鎖線に示すように、基材の表面温については、第２実施形態のフレキシブル基板１０は、基材の表面温は５００Ｋ（約２２７℃）を超えなかったのに対し、破線で示す従来の基板は、基材の表面温が５００Ｋ以上まで上昇した。
これらの結果は、バッファ層４０にチタン層３０を入れたことで、チタン層３０がシリコン層６０の熱を奪い、拡散させているからだと考えられる。
フレキシブルな樹脂の基材２０を用いる場合、材料によっては耐熱温度がおよそ１００〜５００℃しかないものもなる。第２実施形態のフレキシブル基板１０’を用いれば、基材２０を耐熱温度以下にしたままでシリコン層６０の結晶化が実現できる。つまり、第２実施形態のフレキシブル基板１０’によれば、バッファ層と共にチタン層３０を入れたことで、結晶化の際に基材２０が保護される。
したがって、第２実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【符号の説明】
【００１９】
１０  フレキシブル基板
２０  基材
３０  金属層
４０  バッファ層
５０  絶縁層
６０  シリコン層
７０  半導体装置
７２  ゲート電極
７３  チタン層
７４  ソース電極
７５  ドレイン電極
７７  アルミニウム層
７８  ソース配線
７９  ドレイン配線
８０  絶縁層
９０、９２、９４、９６  レジストパターン
【図１】
0006718638.tif 000002
【図２】
0006718638.tif 000003
【図３】
0006718638.tif 000004
【図４】
0006718638.tif 000005
【図５】
0006718638.tif 000006
【図６】
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【図７】
0006718638.tif 000008
【図８】
0006718638.tif 000009
【図９】
0006718638.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
0006718638.tif 000013
【図１３】
0006718638.tif 000014
【図１４】
0006718638.tif 000015