(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理装置内に配置されるコイルアンテナアセンブリに電気的に接続されるように構成された電極アセンブリであって、
コイルアアセンブリの最上部の巻線に電気的に接続するように構成されたＲＦ伝導性コネクタと、
ＲＦ伝導性コネクタに電気的に接続された第１端部と半導体処理装置の蓋内に伸びるのに十分な長さを有する第２端部とを有する伝導性部材を含み、伝導性部材はＲＦ伝導性コネクタに対向し、ＲＦ伝導性コネクタからコイルアアセンブリの最下部の巻線に向かう方向に垂直に伸び、第２端部は下方を向いている電極アセンブリ。
【請求項２】
伝導性部材は、コイルアンテナアセンブリの最上部の巻線から最下部の巻線までコイルアンテナの各々の巻線に電気的に接続するように構成されている請求項１記載の電極アセンブリ。
【請求項３】
伝導性部材はロッキング機構によりコイルアンテナアセンブリに電気的に接続されており、ロッキング機構はセットスクリュー、ワイヤ、金属インサート、スプリング、保持リングからなる群から選択される請求項１記載の電極アセンブリ。
【請求項４】
ＲＦ伝導性コネクタ又は伝導性部材は、ステンレス鋼、銅、アルミニウム、ニッケル、及びこれらの合金からなる群である請求項１記載の電極アセンブリ。
【請求項５】
プラズマ処理チャンバであって、
チャンバ本体と、
チャンバ本体の内部容積を囲む蓋と、
内部容積内に配置された基板支持部と、
チャンバ本体にＲＦ電力を結合するため、蓋に近接して配置されたコイルアンテナアセンブリと、
コイルアンテナアセンブリに電気的に接続された電極アセンブリを含み、電極アセンブリは、
コイルアアセンブリの最上部の巻線に電気的に接続するように構成されたＲＦ伝導性コネクタと、
ＲＦ伝導性コネクタに電気的に接続された第１端部とプラズマ処理チャンバの蓋内に伸びるのに十分な長さを有する第２端部とを有する伝導性部材を含み、伝導性部材はＲＦ伝導性コネクタに対向し、ＲＦ伝導性コネクタからコイルアアセンブリの最下部の巻線に向かう方向に垂直に伸び、第２端部は下方を向いている、プラズマ処理チャンバ。
【請求項６】
伝導性部材は、金属箔、金属伝導性シート、金属プレート、又は、金属ロッドである請求項５記載のチャンバ。
【請求項７】
電極アセンブリは、コイルアンテナアセンブリの各々の巻線に電気的に接続されるように構成される請求項５記載のチャンバ。
【請求項８】
第２端部は、プラズマ処理チャンバの蓋の上面と接触することができるだけの十分な長さを有する請求項５記載のチャンバ。
【請求項９】
プラズマ処理チャンバであって、
チャンバ本体と、
チャンバ本体の内部容積を囲む蓋と、
内部容積内に配置された基板支持部と、
チャンバ本体にＲＦ電力を結合するため、蓋に近接して配置した複数の巻線を有するコイルアンテナアセンブリと、
コイルアンテナアセンブリ内に配置された各々の巻線に電気的に接続された電極アセンブリを含み、電極アセンブリは、
コイルアアセンブリの最上部の巻線に電気的に接続するように構成されたＲＦ伝導性コネクタと、
ＲＦ伝導性コネクタに電気的に接続された第１端部とプラズマ処理チャンバの蓋内に伸びるのに十分な長さを有する第２端部とを有する伝導性部材を含み、伝導性部材はＲＦ伝導性コネクタに対向し、ＲＦ伝導性コネクタからコイルアアセンブリの最下部の巻線に向かう方向に垂直に伸び、第２端部は下方を向いている、プラズマ処理チャンバ。
【請求項１０】
伝導性部材は電圧を電気的に伝導することが可能な剛性又は柔軟性の金属構造である請求項１記載の電極アセンブリ。
【請求項１１】
伝導性部材は電圧を電気的に伝導することが可能な剛性又は柔軟性の金属構造である請求項５記載のチャンバ。
【請求項１２】
伝導性部材は電圧を電気的に伝導することが可能な剛性又は柔軟性の金属構造である請求項９記載のチャンバ。
【請求項１３】
伝導性部材は、金属箔、金属伝導性シート、金属プレート、又は、金属ロッドである請求項１記載の電極アセンブリ。
【請求項１４】
第２端部は、半導体処理装置の蓋の上面と接触することができるだけの十分な長さを有する請求項１記載の電極アセンブリ。
【請求項１５】
第２端部は、プラズマ処理チャンバの蓋の上面と接触することができるだけの十分な長さを有する請求項９記載のチャンバ。
【発明の詳細な説明】
【背景】
【０００１】
（分野）
実施形態は、一般に、半導体基板処理システムの装置に関する。より具体的には、実施形態は、プラズマ処理システム用の強化されたプラズマ生成アセンブリに関する。
【０００２】
（背景）
集積回路の製造においては、基板内で一貫した結果を達成すると同時に、基板間でも再現性のある結果を達成するために、様々な処理パラメータの正確な制御が必要である。半導体デバイスを製造するための構造の形状寸法限界が技術限界に迫るにつれて、製造を成功させるためには、厳しい許容範囲と精密なプロセス制御が必要不可欠である。しかしながら、形状寸法が縮小するにつれて、正確な臨界形状寸法及びエッチングプロセスの制御は、ますます困難なものとなっている。
【０００３】
多くの半導体デバイスは、プラズマ存在下で処理される。プラズマは、プラズマを形成するガスにエネルギーを与える容量結合電力を用いた処理チャンバ内で容易に点火することができる。しかしながら、他のタイプの処理チャンバ内でのプラズマ点火はそれほど容易ではなく、多くの場合、チャンバ内でガスを点火するためのパワースパイクが必要であるかもしれない。残念ながら、そのようなパワースパイクは、多くの場合、アーキングやチャンバ部品のスパッタリングという結果を生じ、チャンバ部品の寿命を減少させ、好ましくないことに処理チャンバ内でパーティクルを発生させ、好ましくないことに欠陥率に寄与する。
【０００４】
従って、処理チャンバ内で、プラズマ点火を向上させる装置及び方法が必要となる。
【概要】
【０００５】
実施形態は、一般に、処理チャンバ内で強化されたプラズマ点火を提供することができる改良されたコイルアンテナアセンブリを提供する。改良されたコイルアンテナアセンブリは、実質的に電力増加又はチャンバ要素のスパッタリングなしに、プラズマ点火を強化し、チャンバ要素のスパッタリングが低減されたプラズマ生成が好ましい他の応用の中で、とりわけ、エッチング、堆積、注入、及び熱処理システムで利用されることができる。
【０００６】
一実施形態において、コイルアンテナアセンブリは、コイルアンテナアセンブリが配置される蓋を有する処理チャンバ内でプラズマ点火を強化するために提供される。コイルアンテナアセンブリはコイルを含み、コイルは、コイルの第１端部の近傍で電気的に接続された電極アセンブリを有する。電極アセンブリは、コイルの第１端部からコイルの第２端部に向かって伸びている。操作において、電極アセンブリはコイルの第１端部の電圧を受け取り、処理チャンバの蓋の近傍により高い電圧を提供する。
【０００７】
一実施形態において、半導体処理装置で用いるように構成された電極アセンブリは、ＲＦ伝導性コネクタと、ＲＦ伝導性コネクタと電気的に接続された第１端部を有する伝導性部材を含み、伝導性部材はＲＦ伝導性コネクタから外側且つ垂直に伸びている。
【０００８】
他の実施形態において、プラズマ処理チャンバは、チャンバ本体と、チャンバ本体の内部容積を囲む蓋と、内部容積内に配置された基板支持部と、チャンバ本体にＲＦ電力を結合するため、蓋に近接して配置されたコイルアンテナアセンブリと、コイルアンテナアセンブリと電気的に接続された電極アセンブリを含む。
【０００９】
更に他の実施形態において、プラズマ処理チャンバは、チャンバ本体と、チャンバ本体の内部容積を囲む蓋と、内部容積内に配置された基板支持部と、チャンバ本体にＲＦ電力を結合するため、蓋に近接して配置した複数の巻線を有するコイルアンテナアセンブリと、コイルアンテナアセンブリ内に配置された各々の巻線に電気的に接続された電極アセンブリを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
上述した実施形態の上述した構成が詳細に理解されるように、上記で簡単に要約した本実施形態のより具体的な説明を実施形態を参照して行う。実施形態の一部は添付図面に示されている。しかしながら、添付図面は本明細書に記載された典型的な実施形態しか図示しておらず、他の同等に効果的な実施形態も含み得るから、その範囲を限定すると解釈されないことに留意すべきである。
【図１】一実施形態に係る改良されたコイルアンテナアセンブリを備えた例示的な半導体基板処理装置の概略図である。
【図２】図１の改良されたコイルアンテナアセンブリの一実施形態の上面図である。
【図３】図２の改良されたコイルアンテナアセンブリの内側コイルの上面図である。
【図４】図１の半導体基板処理装置の蓋まで伸びたコイルアンテナアセンブリの一部の部分断面図である。
【００１１】
理解を容易にするため、可能なかぎり、図面に共通する同一の要素は同一の参照番号を用いている。一実施形態の要素及び構成は、特に言及することなく、他の実施形態で有利に利用可能であると理解される。
【詳細な説明】
【００１２】
実施形態は、一般に、処理チャンバ内で強化されたプラズマ分布を提供することができる改良されたコイルアンテナアセンブリを提供する。改良されたコイルアンテナアセンブリは、プラズマ処理チャンバ内でのプラズマの位置の位置制御を高め、プラズマ位置制御が望ましい他の応用の中で、とりわけ、エッチング、堆積、注入、及び熱処理システムで利用されることができる。
【００１３】
図１は、改良されたコイルアンテナアセンブリ１０４を有する例示的な半導体基板処理装置１００の概略図である。一実施形態において、図１の半導体基板処理装置１００は、半導体基板処理装置１００内に配置されたコイルアンテナアセンブリ１０４によって生成されたＲＦ誘導結合プラズマを使用した反応性イオンエッチングを遂行するように構成することができる。改良されたコイルアンテナアセンブリ１０４は、他のタイプのプラズマ処理チャンバで有効に利用可能であると理解され、これらのプラズマ処理チャンバは、とりわけ、化学気相堆積チャンバ、物理気相堆積チャンバ、注入チャンバ、窒化チャンバ、プラズマアニールチャンバ、プラズマ処理チャンバ、及びアッシングチャンバを含む。したがって、図１の例示的な半導体基板処理装置１００の実施形態を説明のために提示するが、これを実施形態の範囲を限定するために用いることはできない。
【００１４】
半導体基板処理装置１００は、処理チャンバ１６を画成する蓋１２及び円筒状側壁１４を含むチャンバ本体１０を含む。蓋１２はＲＦ電力を透過させ、蓋１２の上に配置された誘導結合プラズマ源パワーアプリケ―タ７１によって提供されるＲＦ電力を処理チャンバ１６内の処理ガスに結合することを可能にする。蓋１２は任意の適正材料で製作してもよく、図１で示される実施形態では、蓋１２は石英のような誘電材料で形成される。
【００１５】
蓋ヒータ６２は、処理チャンバ１６の外側の蓋１２上に設置されている。図１では、蓋ヒータ６２の一部のみが示されているが、蓋ヒータ６２は、実質的には蓋１２全体を横断するように伸びて、実質的に蓋１２全体を覆っている。蓋ヒータ６２は蓋１２の温度を制御し、それにより蓋１２への副生成物の堆積及び付着を制御し、パーティクルの制御を高める。蓋ヒータ６２は、抵抗性ヒータであってもよく、または他のタイプのヒータであってもよい。図１に示される実施形態では、蓋ヒータ６２は、ヒータ電源６６に接続された抵抗加熱素子６４を有している。
【００１６】
処理チャンバ１６の内部には、バイアス電極２０を含む基板支持部１８がある。プラズマバイアス電源２２は、ＲＦバイアスインピーダンス整合装置２４を介してバイアス電極２０に電気的に接続されている。処理ガス供給装置５１は、処理ガスを、処理ガス分散装置５２を介して処理チャンバ１６に供給する。処理ガス分散装置５２は、例えば、側壁１４（図示）又は蓋１２に配置しても良い。真空ポンプ５３は、排気ポート５４を介して、処理チャンバ１６を排気する。
【００１７】
金属で形成されたコイルアンテナエンクロージャ３０は蓋１２上に提供され、ショルダーリング４０を支持する上端部３５ａを有する金属接地ベース円筒状側壁部３５と、ショルダーリング４０から伸び、重なっている伝導性カバー５０を支持する伝導性上部円筒状側壁部４５を含む。伝導性カバー５０と上部円筒状側壁部４５は一体的に形成されてもよく、接地されてもよい。フローティング支持プレート５５はショルダーリング４０の上に又はわずかに上方に配置されており、以下に説明される方法で支持される。
【００１８】
誘導結合プラズマ源パワーアプリケータ７１は、誘導結合プラズマを生成するように構成された半導体基板処理装置１００内に配置される。誘導結合プラズマ源パワーアプリケータ７１は、改良されたコイルアンテナアセンブリ１０４を含む。コイルアンテナアセンブリ１０４は、支持プレート５５から下方に伸びる２セットのブラケット６０、６５により支持プレートの下方に支持される。コイルアンテナアセンブリ１０４は少なくとも１個のコイルアンテナを含み、図１に示される実施形態においては、コイルアンテナアセンブリ１０４は１個又はそれ以上の内側コイルアンテナ７０と１個又はそれ以上の外側コイルアンテナ７５を含む。外側コイルアンテナ７５は内側コイルアンテナ７０と同心的であってもよい。ブラケット６０は内側コイルアンテナ７０を支持する一方、ブラケット６５はチャンバ蓋１２上方で外側コイルアンテナ７５を支持する。コイルアンテナ７０、７５はらせん構造を有することができる。各々のコイルアンテナ７５、７０の第１端部１９０、１９２は、ＲＦインピーダンス整合ボックス７６を介して１個又はそれ以上のＲＦ電力ジェネレータ７７、７８に結合されている一方、各々のコイルアンテナ７５、７０の第２端部１９４、１９６は接地されている。これがコイルアンテナ７５、７０間での電圧降下を生じさせ、これによって、第１端部１９０、１９２はコイルアンテナ７５、７０の第２端部１９４、１９６に対しより高い電位を有する。
【００１９】
コイルアンテナアセンブリ１０４は、更に、蓋１２まで伸びるコイルアンテナアセンブリ１０４（例えば、支持プレートのより近傍）の高電圧領域（即ち、図１に示される外側コイルアンテナ７５の第１端部１９０）に印加される電圧を配置する電極アセンブリ２０２を含み、蓋１２はコイルアンテナアセンブリ１０４の低電圧領域（即ち、外側コイルアンテナ７５の第２端部１９４）に近接している。チャンバ蓋１２に近接して又は接触するように伸びるコイルアンテナアセンブリ１０４の第１端部と同じ電位である電極アセンブリ２０２を配置することにより、（コイルアンテナアセンブリ１０４の第２端部１９４に対して）高電圧がチャンバ本体１０の内部容積内で処理ガスに近接して配置され、これによって、より低いコイルアンテナアセンブリ電圧でのより効率的なプラズマ点火が可能になる。より低いプラズマ点火電圧を使用する能力は、チャンバコンポーネントのスパッタリングを低減し、これによって、デバイスの生産効率の向上に貢献する。
【００２０】
一実施形態において、電極アセンブリ２０２はＲＦ伝導性コネクタ２０４とこれに結合された延伸伝導性部材２０６を含む。伝導性部材２０６は、ＲＦ伝導性コネクタ２０４と電気的に接続された第１端部２０３と、チャンバ蓋１２の近傍まで伸びた又は接触している第２端部２０８を有することができる。電極アセンブリ２０２の詳細は、図２〜４を参照して以下に説明される。
【００２１】
ＲＦインピーダンス整合ボックス７６は支持プレート５５上に配置される。第１ＲＦ電力ジェネレータ７７は、インピーダンス整合ボックス７６内のインピーダンス整合要素（図示せず）を介して、内側コイルアンテナ７０に接続されている。第２ＲＦ電力ジェネレータ７８は、インピーダンス整合ボックス７６内の他のインピーダンス整合要素（図示せず）を介して、外側コイルアンテナ７５に接続されている。
【００２２】
プラズマ処理の間、コイルアンテナアセンブリ１０４は電力ジェネレータ７７、７８により提供されるＲＦ電力によりエネルギー供給され、チャンバ本体１０の内部容積内で処理ガスから形成されたプラズマを維持する。
【００２３】
フレキシブルＲＦガスケット５７は、ショルダーリング４０とフローティング支持プレート５５の間でＲＦシールドと電気的連続性を提供する。ＲＦガスケット５７は環状銅メッシュでもよく、以下に説明する支持サーボを収容するため破断されていてもよい。支持プレート５５は、ショルダーリング４０上で等しい間隔（１２０度）で配置される３個の支持サーボ８０、８５、９０によって支持される。一実施形態において、支持サーボ８０、８５、９０は同一である。
【００２４】
制御信号ケーブル１７０は、図１の半導体基板処理装置１００の中央コントローラ１７５から電気的な制御信号と電力を提供する。中央コントローラ１７５は３個の支持サーボ８０、８５、９０の各々を制御する。ショルダーリング４０の周りに３個の支持サーボ８０、８５、９０を等間隔で配置することにより、コントローラ１７５が、処理チャンバ１６の対称軸に対していかなる方位角０に沿って配向されたいかなる傾斜軸の周りでもフローティング支持プレート５５を回転させることが可能になる。
【００２５】
図２は半導体基板処理装置１００内に配置されることができるコイルアンテナアセンブリ１０４の一実施形態の概略底面図である。上述のように、コイルアンテナアセンブリ１０４は、内側コイルアンテナ７０と外側コイルアンテナ７５を含む。２セットのブラケット６０、６５が、各々、内側コイルアンテナ７０と外側コイルアンテナ７５を支持する。外側コイルアンテナ７５は、１又はそれ以上のコイル巻線２４０を含むことができる。また、内側コイルアンテナ７０も、１又はそれ以上のコイル巻線２４２を含むことができる。図２に示される実施形態の例では、外側コイルアンテナ７５は４個のコイル巻線を備える一方、内側コイルアンテナ７０は４個のコイル巻線２４２を備える。各々の巻線２４０は、外側コイルアンテナ７５の第１端部１９０と第２端部１９４において並行に結合される。同様に、各々の巻線２４２は、内側コイルアンテナ７０の第１端部１９２と第２端部１９６において並行に結合される。
【００２６】
図３を参照すると、図３は、説明を容易にするため、図２に示される構成に対し上下逆さに示した内側コイルアンテナ７０の概略図を示す。ＲＦフィードレシーバ３０２は内側コイルアンテナ７０内に配置されており、ＲＦインピーダンス整合ボックス７６（図１に図示）に接続するように用いられる。４個のレッグコイル３０４がＲＦフィードレシーバ３０２に結合される。レッグコイル３０４は、内側コイルアンテナ７０内に形成される複数の巻線２４２にまで伸び、接続されることができる。コイル巻線２４２は、異なるプラズマ生成条件ために必要とされるいかなる数であってもよいことに留意すべきである。上述のように、巻線２４２の最上部の巻線３０８（例えば、第１端部）はＲＦフィードレシーバ３０２に最も近接して配置されており、ここはＲＦ電力が巻線２４２に供給される点である。巻線２４２間における電圧降下により、巻線２４２の最上部の巻線３０８は、巻線２４２の最下部の巻線３１０（例えば、第２端部）と比較してより高い電位を有する。チャンバ本体１０に最も近い最下部の巻線３１０に印加される不十分な電圧は、不都合なことに、エッチングプロセスの際の不十分なプラズマ解離という結果を生じ、エッチング欠陥又は形を損なったエッチングプロファイルという結果を生じさせる。従って、内側コイルアンテナ７０の各々の巻線２４２に印加される電圧の均一な分布を強化するため、電極アセンブリ２０２が内側コイルアンテナ７０内に配置されて用いられる。電極アセンブリ２０２は、ＲＦ伝導性コネクタ２０４と、ＲＦ伝導性コネクタ２０４に電気的に接続される伝導性部材２０６を含む。一実施形態において、伝導性部材２０６は電気的に電圧を伝導可能な剛性の又は柔軟性のある金属構造であってもよい。一実施形態において、伝導性部材２０６は、金属箔、金属伝導性シート、金属プレート、金属ロッド、又は、ＲＦ伝導性コネクタ２０４から外側且つ垂直に伸びることができるいかなる適切な伝導性構造であってもよい。伝導性部材２０６は、蓋１２に近接して、例えば、蓋１２の上面の上方又は下方にまで伸びる第２端部２０８を有することができる。電極アセンブリ２０２は、内側コイルアンテナ７０の上部（例えば、最上部の巻線３０８）から下方（例えば、最下部の巻線３１０）までコイルアンテナアセンブリ１０４に印加される電圧を通過させるのに役立つことができる。いくつかの実施形態においては、伝導性部材２０６の第２端部２０８は、コイルアンテナアセンブリ１０４の最下部の巻線３１０の下方に伸びていてもよい。
【００２７】
一実施形態において、電極アセンブリ２０２は、内側コイルアンテナ７０の最上部の巻線３０８上でクリップしているＲＦ伝導性コネクタ２０４を有することができる。そして、ＲＦ伝導性コネクタ２０４に結合された伝導性部材２０６は最下部の巻線３１０まで垂直下方に伸びることができる。伝導性部材２０６は内側コイルアンテナ７０内に形成された各々の巻線２４２に接触することができ、これによって、最上部の巻線３０８から最下部の巻線３１０まで印加された電圧を電気的に下方に通過させることができる。伝導性部材２０６は内側コイルアンテナ７０内に形成された各々の巻線２４２に結合され、又は、接触することができる。選択的に、伝導性部材２０６は、所定のロッキング機構（例えば、セットスクリュー、ワイヤ、金属インサート、スプリング、保持リング、又は、他の適したロッキング機構）により、各々の巻線２４２に電気的に接続されることができる。このような構成により、伝導性部材２０６は、これに印加される電圧がより短い距離で最下部の巻線３１０に到達するショートカットを提供し、最上部の巻線３０８から最下部の巻線３１０までの各々の巻線２４２での長い移動を低減することができる。電極アセンブリ２０２は、内側コイルアンテナ７０の最上部の巻線３０８から印加される電圧がより速い時間で下方の底部に到達するための他の（又はより短い）経路を提供する。選択的に、伝導性部材２０６は、内側コイルアンテナ７０の各々の巻線２４２から距離を配するように構成することができる。巻線２４２と伝導性部材２０６の間に距離を保持することにより、最上部の巻線３０８に供給される電圧は、ＲＦ伝導性コネクタ２０４から処理装置１００の蓋１２内に伸びるように構成されることができる伝導性部材２０６の第２端部２０８まで直接的に伝達されることがでる。一実施形態において、電極アセンブリ２０２は、内側コイルアンテナ７０の上部から底部までに印加される電圧を伝導することができる伝導性材料で製造されることができる。一実施形態において、電極アセンブリ２０２のＲＦ伝導性コネクタ２０４及び伝導性部材２０６は、ステンレス鋼、銅、アルミニウム、ニッケル、及びこれらの合金からなる群から製造されることができる。
【００２８】
いくつかの実施形態において、電極アセンブリ２０２は異なる位置で内側コイルアンテナ７０に結合されることができ、異なる位置で外側コイルアンテナ７５に結合されることができる。一例では、１個の電極アセンブリ２０２が内側コイルアンテナ７０内に配置されることができる。更に、必要な場合、図２に示されるように、追加の電極アセンブリ２０５が外側コイルアンテナ７５内に配置されることができる。
【００２９】
図４は、図１の半導体基板処理装置１００の蓋ヒータ６２及び蓋１２まで伸びるコイルアンテナアセンブリ１０４の一部の部分断面図である。上述のように、電極アセンブリ２０２の伝導性部材２０６は、半導体基板処理装置１００の蓋１２内に配置される蓋ヒータ６２まで伸びる第２端部２０８を有することができる。いくつかの実施形態において、必要な場合、電極アセンブリ２０２の第２端部２０８は更に下方に伸び、処理チャンバの蓋１２の上面４３０と接触することができる。蓋ヒータ６２は、一般に、その内部に形成された少なくとも１個の孔部４２２を含み、電極アセンブリ２０２の第２端部２０８を受領する。図４に示されるように、ＲＦ伝導性コネクタ２０４は、第１クランプ４０２を介して内側コイルアンテナ７０の第１端部１９０に結合される。第２クランプ４０６は、伝導性部材２０６をＲＦ伝導性コネクタ２０４に結合するのに用いられる。第１クランプ４０２及び第２クランプ４０６は、１セットのボルト又はナット４０４により接合及び結合されることができる。図４に示される実施形態は、内側コイルアンテナ７０の下部巻線から距離を配している伝導性部材２０６を有しているが、伝導性部材２０６は内側コイルアンテナ７０内の巻線の各々又は一部と接触していてもよいことに留意すべきである。
【００３０】
従って、電極アセンブリ２０２を用いることにより、不十分なプラズマ電力又はプラズマの不均一性はともかくも補足又は修正され、残りの不均一性（即ち、半径方向の不均一性）は、コイルアンテナアセンブリ１０４の異なる位置に伝達されるＲＦ電力レベルの局所的な制御により低減されることができる。その結果は、基板表面にわたるプラズマ電力及びエッチング速度分布の均一性の強化である。
【００３１】
従って、処理チャンバ内でのプラズマのポジショニングを強化する電極アセンブリが提供される。プラズマは十分な電力密度でより望ましい位置にポジショニングされるので、より均一で予測可能な処理要求を実現することができる。
【００３２】
上記は本明細書に記載された実施形態を対象としているが、他の及び更なる実施形態は基本的な範囲から逸脱することなく創作することができ、その範囲は以下の特許請求の範囲に基づいて定められる。
【図１】
0006702640.tif 000002
【図２】
0006702640.tif 000003
【図３】
0006702640.tif 000004
【図４】
0006702640.tif 000005