(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、画像を表示する表示領域に配置されたセンサ駆動電極と、前記表示領域において前記センサ駆動電極と対向する検出電極と、を備えた表示パネルと、
前記センサ駆動電極にセンサ駆動信号を供給すると共に、当該センサ駆動電極からのセンサ駆動信号を前記検出電極で検出信号として検出させ、当該検出信号の変化を読み出す駆動部と、を備え、
前記検出電極は、細線状に形成された第１層と、前記表示領域を平面視した状態で前記第１層よりも上層に位置すると共に前記第１層よりも低い反射率を有する第２層と、を備え、
前記第１層は、第１下面と、前記第１下面よりも上層に位置する第１上面と、第１側面と、を備え、前記第１下面と前記第１側面との間の角度が９０度以下であり、
前記第２層は、前記第１上面に接する第２下面と、前記第２下面よりも上層に位置する第２上面と、を備え、
前記第２下面は、前記基板の主面及び前記第１上面と実質的に平行であり、かつ前記第１上面よりも大きく、
前記第２層は、前記第２上面よりも前記第２下面が大きい順テーパ状、又は前記第２下面よりも前記第２上面が大きい逆テーパ状であり、
前記第２層の最外周端は、前記第１層の最外周端よりも外側に位置し、
前記第１層は、前記基板と前記第２層との間に位置し、
前記第２層の最外周端は、前記基板から離間している、センサ付き表示装置。
【請求項２】
基板と、画像を表示する表示領域に配置されたセンサ駆動電極と、前記表示領域において前記センサ駆動電極と対向する検出電極と、を備えた表示パネルと、
前記センサ駆動電極にセンサ駆動信号を供給すると共に、当該センサ駆動電極からのセンサ駆動信号を前記検出電極で検出信号として検出させ、当該検出信号の変化を読み出す駆動部と、を備え、
前記検出電極は、細線状に形成された第１層と、前記表示領域を平面視した状態で前記第１層よりも上層に位置すると共に前記第１層よりも低い反射率を有する第２層と、を備え、
前記第１層は、第１下面と、前記第１下面よりも上層に位置する第１上面と、第１側面と、を備え、前記第１下面と前記第１側面との間の角度が９０度より大きい鈍角であり、
前記第２層は、前記第１上面に接する第２下面と、前記第２下面よりも上層に位置する第２上面と、を備え、
前記第２下面の外周端は、前記第１上面の外周端とずれた位置にあり、
前記第２下面は、前記基板の主面及び前記第１上面と実質的に平行であり、かつ前記第１上面よりも大きく、
前記第２層は、前記第２上面よりも前記第２下面が大きい順テーパ状、又は前記第２下面よりも前記第２上面が大きい逆テーパ状であり、
前記第２層の最外周端は、前記第１層の最外周端よりも外側に位置し、
前記第１層は、前記基板と前記第２層との間に位置し、
前記第２層の最外周端は、前記基板から離間している、センサ付き表示装置。
【請求項３】
基板と、画像を表示する表示領域に配置されたセンサ駆動電極と、前記表示領域において前記センサ駆動電極と対向する検出電極と、を備えた表示パネルと、
前記センサ駆動電極にセンサ駆動信号を供給すると共に、当該センサ駆動電極からのセンサ駆動信号を前記検出電極で検出信号として検出させ、当該検出信号の変化を読み出す駆動部と、を備え、
前記検出電極は、細線状に形成された第１層と、前記表示領域を平面視した状態で前記第１層よりも上層に位置すると共に前記第１層よりも低い反射率を有する第２層と、を備え、
前記第１層は、第１下面と、前記第１下面よりも上層に位置する第１上面と、第１側面と、を備え、前記第１下面と前記第１側面との間の第１角度が９０度より大きい鈍角であり、
前記第２層は、前記第１上面に接する第２下面と、前記第２下面よりも上層に位置する第２上面と、第２側面と、を備え、前記第２下面と前記第２側面との間の第２角度が９０度より大きい鈍角であり、
前記第１角度は、前記第２角度とは異なり、
前記第２下面の外周端は、前記第１上面の外周端と重なり、
前記第２下面は、前記基板の主面及び前記第１上面と実質的に平行であり、
前記第２層は、前記第２下面よりも前記第２上面が大きい逆テーパ状であり、
前記第２層の最外周端は、前記第１層の最外周端よりも外側に位置し、
前記第１層は、前記基板と前記第２層との間に位置し、
前記第２層の最外周端は、前記基板から離間している、センサ付き表示装置。
【請求項４】
前記第１層及び前記第２層は、導電層である、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のセンサ付き表示装置。
【請求項５】
前記第１層の電気抵抗は、前記第２層の電気抵抗よりも低い、請求項４に記載のセンサ付き表示装置。
【請求項６】
前記第１層は、少なくとも第１薄膜及び第２薄膜を積層した多層膜であり、前記第１薄膜及び前記第２薄膜の少なくとも一方は金属膜である、請求項１乃至５のいずれか１項に記載のセンサ付き表示装置。
【請求項７】
前記第１薄膜は金属膜であり、前記第２薄膜は透明導電膜である、請求項６に記載のセンサ付き表示装置。
【請求項８】
前記第２層は、前記第１上面での反射を抑制する反射抑制層である、請求項１乃至７のいずれか１項に記載のセンサ付き表示装置。
【請求項９】
前記第２層は、屈折率の異なる少なくとも２層の薄膜を積層した多層膜である、請求項８に記載のセンサ付き表示装置。
【請求項１０】
前記第２層は、着色された樹脂膜である、請求項８に記載のセンサ付き表示装置。
【請求項１１】
前記第１下面は、前記表示パネルに接触している、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のセンサ付き表示装置。
【請求項１２】
さらに、前記検出電極を覆う絶縁膜を備え、
前記第２上面は、前記絶縁膜に接触している、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のセンサ付き表示装置。
【請求項１３】
さらに、前記検出電極を覆う絶縁膜を備え、
前記第１側面は、前記絶縁膜に接触している、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のセンサ付き表示装置。
【請求項１４】
さらに、前記第２層よりも上層に位置する偏光板を備えている、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載のセンサ付き表示装置。
【請求項１５】
基板と、前記基板に設けられた検出電極と、を備えたセンサ装置であって、
前記検出電極は、細線状に形成された第１層と、前記センサ装置を平面視した状態で前記第１層よりも上層に位置すると共に前記第１層よりも低い反射率を有する第２層と、を備え、
前記第１層は、第１下面と、前記第１下面よりも上層に位置する第１上面と、第１側面と、を備え、前記第１下面と前記第１側面との間の角度が９０度以下であり、
前記第２層は、前記第１上面に接する第２下面と、前記第２下面よりも上層に位置する第２上面と、を備え、
前記第２下面は、前記基板の主面及び前記第１上面と実質的に平行であり、かつ前記第１上面よりも大きく、
前記第２層は、前記第２上面よりも前記第２下面が大きい順テーパ状、又は前記第２下面よりも前記第２上面が大きい逆テーパ状であり、
前記第２層の最外周端は、前記第１層の最外周端よりも外側に位置し、
前記第１層は、前記基板と前記第２層との間に位置し、
前記第２層の最外周端は、前記基板から離間している、センサ装置。
【請求項１６】
基板と、前記基板に設けられた検出電極と、を備えたセンサ装置であって、
前記検出電極は、細線状に形成された第１層と、前記センサ装置を平面視した状態で前記第１層よりも上層に位置すると共に前記第１層よりも低い反射率を有する第２層と、を備え、
前記第１層は、第１下面と、前記第１下面よりも上層に位置する第１上面と、第１側面と、を備え、前記第１下面と前記第１側面との間の角度が９０度より大きい鈍角であり、
前記第２層は、前記第１上面に接する第２下面と、前記第２下面よりも上層に位置する第２上面と、を備え、
前記第２下面の外周端は、前記第１上面の外周端とずれた位置にあり、
前記第２下面は、前記基板の主面及び前記第１上面と実質的に平行でありり、かつ前記第１上面よりも大きく、
前記第２層は、前記第２上面よりも前記第２下面が大きい順テーパ状、又は前記第２下面よりも前記第２上面が大きい逆テーパ状であり、
前記第２層の最外周端は、前記第１層の最外周端よりも外側に位置し、
前記第１層は、前記基板と前記第２層との間に位置し、
前記第２層の最外周端は、前記基板から離間している、センサ装置。
【請求項１７】
基板と、前記基板に設けられた検出電極と、を備えたセンサ装置であって、
前記検出電極は、細線状に形成された第１層と、前記センサ装置を平面視した状態で前記第１層よりも上層に位置すると共に前記第１層よりも低い反射率を有する第２層と、を備え、
前記第１層は、第１下面と、前記第１下面よりも上層に位置する第１上面と、第１側面と、を備え、前記第１下面と前記第１側面との間の第１角度が９０度より大きい鈍角であり、
前記第２層は、前記第１上面に接する第２下面と、前記第２下面よりも上層に位置する第２上面と、第２側面と、を備え、前記第２下面と前記第２側面との間の第２角度が９０度より大きい鈍角であり、
前記第１角度は、前記第２角度とは異なり、
前記第２下面の外周端は、前記第１上面の外周端と重なり、
前記第２下面は、前記基板の主面及び前記第１上面と実質的に平行であり、
前記第２層は、前記第２下面よりも前記第２上面が大きい逆テーパ状であり、
前記第２層の最外周端は、前記第１層の最外周端よりも外側に位置し、
前記第１層は、前記基板と前記第２層との間に位置し、
前記第２層の最外周端は、前記基板から離間している、センサ装置。
【請求項１８】
前記基板は、第１主面と、前記第１主面よりも上層に位置する第２主面と、を備え、
前記第１下面は、前記第２主面に接触し、
前記第２層は、前記第２主面から離間している、請求項１５乃至１７のいずれか１項に記載のセンサ装置。
【請求項１９】
さらに、前記検出電極と同一層に位置するセンサ駆動電極を備え、
前記センサ駆動電極は、前記第１層と同一層に位置する第３層と、前記第３層よりも上層に位置する第４層と、を備え、
前記第３層は前記第１層と同一材料によって形成され、前記第４層は前記第２層と同一材料によって形成されている、請求項１５乃至１８のいずれか１項に記載のセンサ装置。
【請求項２０】
さらに、前記検出電極を覆う絶縁膜を備え、
前記第１側面は、前記絶縁膜に接触している、請求項１５乃至１９のいずれか１項に記載のセンサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、センサ付き表示装置及びセンサ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、物体の接触あるいは接近を検出するセンサ（あるいは、タッチパネルと称される場合もある）を備えたセンサ付き表示装置が実用化されている。センサの一例として、位置検出に用いられる検出電極が導電性メッシュの細導線からなり、金属層と、その上に設けられた黒化層とを有する技術が開示されている。
【０００３】
検出電極が金属層を含む場合、その側面で光が反射されることで検出電極のエッジが光ってしまう。このため、このようなセンサと表示装置とを組み合わせた構成においては、表示装置に表示された画像の表示品位の劣化を招くおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１６９４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本実施形態の目的は、表示画像の視認性の低下を抑制することが可能なセンサ付き表示装置及びセンサ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本実施形態によれば、
画像を表示する表示領域に配置されたセンサ駆動電極と、前記表示領域において前記センサ駆動電極と対向する検出電極と、を備えた表示パネルと、前記センサ駆動電極にセンサ駆動信号を供給すると共に、当該センサ駆動電極からのセンサ駆動信号を前記検出電極で検出信号として検出させ、当該検出信号の変化を読み出す駆動部と、を備え、前記検出電極は、細線状に形成された第１層と、前記表示領域を平面視した状態で前記第１層よりも上層に位置すると共に前記第１層よりも低い反射率を有する第２層と、を備え、前記第１層は、第１下面と、前記第１下面よりも上層に位置する第１上面と、第１側面と、を備え、前記第１下面と前記第１側面との間の角度が９０度以下であり、前記第２層は、前記第１上面に接する第２下面と、前記第２下面よりも上層に位置する第２上面と、を備え、前記第２層の最外周端は、前記第１層の最外周端よりも外側に位置している、センサ付き表示装置が提供される。
【０００７】
本実施形態によれば、
画像を表示する表示領域に配置されたセンサ駆動電極と、前記表示領域において前記センサ駆動電極と対向する検出電極と、を備えた表示パネルと、前記センサ駆動電極にセンサ駆動信号を供給すると共に、当該センサ駆動電極からのセンサ駆動信号を前記検出電極で検出信号として検出させ、当該検出信号の変化を読み出す駆動部と、を備え、前記検出電極は、細線状に形成された第１層と、前記表示領域を平面視した状態で前記第１層よりも上層に位置すると共に前記第１層よりも低い反射率を有する第２層と、を備え、前記第１層は、第１下面と、前記第１下面よりも上層に位置する第１上面と、第１側面と、を備え、前記第１下面と前記第１側面との間の角度が９０度より大きい鈍角であり、前記第２層は、前記第１上面に接する第２下面と、前記第２下面よりも上層に位置する第２上面と、を備え、前記第２下面の外周端は、前記第１上面の外周端とずれた位置にあり、前記第２層の最外周端は、前記第１層の最外周端よりも外側に位置している、センサ付き表示装置が提供される。
【０００８】
本実施形態によれば、
画像を表示する表示領域に配置されたセンサ駆動電極と、前記表示領域において前記センサ駆動電極と対向する検出電極と、を備えた表示パネルと、前記センサ駆動電極にセンサ駆動信号を供給すると共に、当該センサ駆動電極からのセンサ駆動信号を前記検出電極で検出信号として検出させ、当該検出信号の変化を読み出す駆動部と、を備え、前記検出電極は、細線状に形成された第１層と、前記表示領域を平面視した状態で前記第１層よりも上層に位置すると共に前記第１層よりも低い反射率を有する第２層と、を備え、前記第１層は、第１下面と、前記第１下面よりも上層に位置する第１上面と、第１側面と、を備え、前記第１下面と前記第１側面との間の第１角度が９０度より大きい鈍角であり、前記第２層は、前記第１上面に接する第２下面と、前記第２下面よりも上層に位置する第２上面と、第２側面と、を備え、前記第２下面と前記第２側面との間の第２角度が９０度より大きい鈍角であり、前記第１角度は、前記第２角度とは異なり、前記第２下面の外周端は、前記第１上面の外周端と重なり、前記第２層の最外周端は、前記第１層の最外周端よりも外側に位置している、センサ付き表示装置が提供される。
【０００９】
本実施形態によれば、
画像を表示する表示領域に配置されたセンサ駆動電極と、前記表示領域において前記センサ駆動電極と対向する検出電極と、を備えた表示パネルと、前記センサ駆動電極にセンサ駆動信号を供給すると共に、当該センサ駆動電極からのセンサ駆動信号を前記検出電極で検出信号として検出させ、当該検出信号の変化を読み出す駆動部と、を備え、前記検出電極は、第１層と、第２層と、を備え、前記第１層は、第１下面と、前記表示領域を平面視した状態で前記第１下面よりも上層に位置する第１上面と、第１側面と、を備え、前記第２層は、前記第１上面及び前記第１側面を被覆する、センサ付き表示装置が提供される。
【００１０】
本実施形態によれば、
基板と、前記基板に設けられた検出電極と、を備えたセンサ装置であって、前記検出電極は、細線状に形成された第１層と、前記センサ装置を平面視した状態で前記第１層よりも上層に位置すると共に前記第１層よりも低い反射率を有する第２層と、を備え、前記第１層は、第１下面と、前記第１下面よりも上層に位置する第１上面と、第１側面と、を備え、前記第１下面と前記第１側面との間の角度が９０度以下であり、前記第２層は、前記第１上面に接する第２下面と、前記第２下面よりも上層に位置する第２上面と、を備え、前記第２層の最外周端は、前記第１層の最外周端よりも外側に位置している、センサ装置が提供される。
【００１１】
本実施形態によれば、
基板と、前記基板に設けられた検出電極と、を備えたセンサ装置であって、前記検出電極は、細線状に形成された第１層と、前記センサ装置を平面視した状態で前記第１層よりも上層に位置すると共に前記第１層よりも低い反射率を有する第２層と、を備え、前記第１層は、第１下面と、前記第１下面よりも上層に位置する第１上面と、第１側面と、を備え、前記第１下面と前記第１側面との間の角度が９０度より大きい鈍角であり、前記第２層は、前記第１上面に接する第２下面と、前記第２下面よりも上層に位置する第２上面と、を備え、前記第２下面の外周端は、前記第１上面の外周端とずれた位置にあり、前記第２層の最外周端は、前記第１層の最外周端よりも外側に位置している、センサ装置が提供される。
【００１２】
本実施形態によれば、
基板と、前記基板に設けられた検出電極と、を備えたセンサ装置であって、前記検出電極は、細線状に形成された第１層と、前記センサ装置を平面視した状態で前記第１層よりも上層に位置すると共に前記第１層よりも低い反射率を有する第２層と、を備え、前記第１層は、第１下面と、前記第１下面よりも上層に位置する第１上面と、第１側面と、を備え、前記第１下面と前記第１側面との間の第１角度が９０度より大きい鈍角であり、前記第２層は、前記第１上面に接する第２下面と、前記第２下面よりも上層に位置する第２上面と、第２側面と、を備え、前記第２下面と前記第２側面との間の第２角度が９０度より大きい鈍角であり、前記第１角度は、前記第２角度とは異なり、前記第２下面の外周端は、前記第１上面の外周端と重なり、前記第２層の最外周端は、前記第１層の最外周端よりも外側に位置している、センサ装置が提供される。
【００１３】
本実施形態によれば、
基板と、前記基板に設けられた検出電極と、を備えたセンサ装置であって、前記検出電極は、第１層と、第２層と、を備え、前記第１層は、第１下面と、前記センサ装置を平面視した状態で前記第１下面よりも上層に位置する第１上面と、第１側面と、を備え、前記第２層は、前記第１上面及び前記第１側面を被覆する、センサ装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本実施形態に係るセンサ付き表示装置の構成例を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示したセンサＳＥの構成例を示す平面図である。
【図３】図３は、図２に示した検出電極Ｒｘの構成例を示す平面図である。
【図４】図４は、図３に示した検出電極ＲｘをＡ−Ｂ線で切断した一構成例を示す断面図である。
【図５】図５は、図３に示した検出電極ＲｘをＡ−Ｂ線で切断した他の構成例を示す断面図である。
【図６】図６は、図３に示した検出電極ＲｘをＡ−Ｂ線で切断した他の構成例を示す断面図である。
【図７】図７は、図３に示した検出電極ＲｘをＡ−Ｂ線で切断した他の構成例を示す断面図である。
【図８】図８は、図３に示した検出電極ＲｘをＡ−Ｂ線で切断した他の構成例を示す断面図である。
【図９Ａ】図９Ａは、図３に示した検出電極Ｒｘの断面の構成例を示す断面図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、第１層Ｌ１および第２層Ｌ２が多層膜で構成されている場合の、検出電極Ｒｘの断面の一例を示す図である。
【図９Ｃ】図９Ｃは、第１層Ｌ１および第２層Ｌ２が多層膜で構成されている場合の、検出電極Ｒｘの断面の一例を示す図である。
【図１０】図１０は、図３に示した検出電極Ｒｘを備えたセンサＳＥの断面の構成例を示す断面図である。
【図１１】図１１は、センサＳＥを備えた表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】図１２は、図１１で図示した工程を経て形成された検出電極の断面の写真である。
【図１３】図１３は、図１に示した表示装置ＤＳＰの基本構成及び等価回路を示す図である。
【図１４】図１４は、表示装置ＤＳＰの一部の構造を示す断面図である。
【図１５】図１５は、検出電極Ｒｘの位置が異なる表示パネルＰＮＬの断面の変形例である。
【図１６】図１６は、本実施形態に係るセンサ装置ＥＱの構成を示す図である。
【図１７】図１７は、図１６で図示したセンサ装置ＥＱを組み込んだ表示装置ＤＳＰの断面図である。
【図１８】図１８は、図１６で図示したセンサ装置ＥＱを組み込んだ表示装置ＤＳＰの変形例の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１６】
図１は、本実施形態に係るセンサ付き表示装置の構成例を示す斜視図である。図中の第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに交差している。本実施例では、第１方向と第２方向とは直交しているが、直交以外の状態で交差している構成も採用可能である。第３方向Ｚは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙのそれぞれと互いに直交している。本明細書において、第３方向Ｚを示す矢印の先端に向かう方向を上方（あるいは、単に上）と称し、矢印の先端から逆に向かう方向を下方（あるいは、単に下）と称する。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置ＤＳＰを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ−Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。
【００１７】
本実施形態においては、センサ付き表示装置の一例として、液晶表示装置を開示する。表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、表示パネルＰＮＬを駆動する駆動ＩＣチップＩＣ１、静電容量型のセンサＳＥ、センサＳＥを駆動する駆動ＩＣチップＩＣ２、表示パネルＰＮＬを照明するバックライトユニットＢＬ、制御モジュールＣＭ、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１、ＦＰＣ２、ＦＰＣ３などを備えている。
【００１８】
表示パネルＰＮＬは、平板状の第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向配置された平板状の第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に保持された液晶層（後述する液晶層ＬＣ）と、を備えている。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡを備えている。図示した例では、表示パネルＰＮＬは、バックライトユニットＢＬからの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型である。なお、表示パネルＰＮＬは、第２基板ＳＵＢ２側から入射した外光や補助光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型であっても良い。また、表示パネルＰＮＬは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型であっても良い。
【００１９】
バックライトユニットＢＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側に配置されている。  
センサＳＥは、複数の検出電極Ｒｘを備えている。これらの検出電極Ｒｘは、例えば表示パネルＰＮＬの表示面上つまり第２基板ＳＵＢ２の外面に設けられている。ここでは、検出電極Ｒｘは、概略的に図示されている。図示した例では、各検出電極Ｒｘは、概ね第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに並んでいる。なお、各検出電極Ｒｘは、第２方向Ｙに延出し第１方向Ｘに並んでいても良いし、島状に形成され第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置されていても良い。
【００２０】
駆動ＩＣチップＩＣ１は、表示パネルＰＮＬの第１基板ＳＵＢ１上に搭載されている。フレキシブル配線基板ＦＰＣ１は、表示パネルＰＮＬと制御モジュールＣＭとを接続している。フレキシブル配線基板ＦＰＣ２は、センサＳＥの検出電極Ｒｘと制御モジュールＣＭとを接続している。駆動ＩＣチップＩＣ２は、フレキシブル配線基板ＦＰＣ２上に搭載されている。なお、駆動ＩＣチップＩＣ２は、第１基板ＳＵＢ１上に搭載されても良いし、制御モジュールＣＭに搭載されても良い。フレキシブル配線基板ＦＰＣ３は、バックライトユニットＢＬと制御モジュールＣＭとを接続している。
【００２１】
駆動ＩＣチップＩＣ１及び駆動ＩＣチップＩＣ２は、いずれか一方の駆動ＩＣチップでセンサＳＥの駆動時期を知らせるタイミング信号、あるいは、後述する共通電極ＣＥの駆動時期を知らせるタイミング信号を生成し、このタイミング信号を他方の駆動ＩＣチップに与えることができる。または、制御モジュールＣＭは、駆動ＩＣチップＩＣ１及びＩＣ２にタイミング信号を与えることができる。上記タイミング信号により、駆動ＩＣチップＩＣ１の駆動と、駆動ＩＣチップＩＣ２の駆動との同期化を図ることができる。
【００２２】
図２は、図１に示したセンサＳＥの構成例を示す平面図である。本実施形態のセンサＳＥは、センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘを備えている。一例では、第１基板ＳＵＢ１はセンサ駆動電極Ｔｘを備え、第２基板ＳＵＢ２は検出電極Ｒｘを備えている。センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、各種誘電体を挟んで対向している。
【００２３】
センサ駆動電極Ｔｘは、表示領域ＤＡに配置されている。図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘの各々は、第２方向Ｙに延出した帯状に形成され、表示領域ＤＡにおいて、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。  
センサ駆動電極Ｔｘの各々は、非表示領域ＮＤＡにおいて第１駆動回路Ｄｒ１と電気的に接続されている。一例では、第１駆動回路Ｄｒ１は、駆動ＩＣチップＩＣ１に内蔵されているが、この例に限らず、駆動ＩＣチップＩＣ１の外部に設けられても良い。第１駆動回路Ｄｒ１は、センシングを行うセンシング駆動時にセンサ駆動信号を供給する駆動部として機能する。
【００２４】
検出電極Ｒｘは、拡幅部ＲＳＬ及び本体部ＲＲを備えている。拡幅部ＲＳＬは、非表示領域ＮＤＡに配置され、第２方向Ｙに並んでいる。本体部ＲＲは、表示領域ＤＡに配置され、第２方向Ｙに並んでいる。本体部ＲＲの各々は、第１方向Ｘに延出している。つまり、本体部ＲＲは、センサ駆動電極Ｔｘと交差する方向に延出している。なお、本体部ＲＲは、巨視的に見ると、図示したような帯状を呈しているが、厳密には後述するように微細な金属線の集合体などによって構成されている。また、拡幅部ＲＳＬについても、巨視的には図示したような四角形状を呈しているが、厳密には後述するような微細な金属線の集合体などによって構成されている。  
検出電極Ｒｘと一対一で電気的に接続されたリード線Ｌは、検出電極Ｒｘと同一面に位置し、例えば、第２基板ＳＵＢ２において、非表示領域ＮＤＡに位置している。リード線Ｌの各々は、検出電極Ｒｘからのセンサ出力値を出力する。  
検出電極Ｒｘの各々は、非表示領域ＮＤＡにおいて、リード線Ｌを介して第２駆動回路Ｄｒ２と電気的に接続されている。一例では、第２駆動回路Ｄｒ２は、駆動ＩＣチップＩＣ２に内蔵されていが、この例に限らず、駆動ＩＣチップＩＣ２の外部に設けられても良い。図示した例では、フレキシブル配線基板ＦＰＣ２は、非表示領域ＮＤＡにおいて、第２基板ＳＵＢ２に接続され、リード線Ｌの各々と電気的に接続されている。第２駆動回路Ｄｒ２を内蔵した駆動ＩＣチップＩＣ２は、フレキシブル配線基板ＦＰＣ２に実装されている。リード線Ｌの各々は、フレキシブル配線基板ＦＰＣ２の配線を介して第２駆動回路Ｄｒ２と電気的に接続される。第２駆動回路Ｄｒ２は、センシング駆動時において、センサ駆動電極Ｔｘからのセンサ駆動信号を検出電極Ｒｘで検出信号として検出させ、リード線Ｌを介して検出信号の変化をセンサ出力値として読み出す駆動部として機能する。このような機能を有する第２駆動回路Ｄｒ２は、検出電極Ｒｘからのセンサ出力値に基づいて、表示装置ＤＳＰへの被検出物の接触あるいは接近を検出する。さらに、第２駆動回路Ｄｒ２は、被検出物が接触あるいは接近した箇所の位置情報を検出することも可能である。  
なお、センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘの各々について、個数やサイズ、形状は、図示した例に限定されるものではなく、種々変更可能である。
【００２５】
図３は、図２に示した検出電極Ｒｘの構成例を示す平面図である。  
リード線Ｌは、その一端部が検出電極Ｒｘと接続され、その他端部が端子ＴＥと接続されている。端子ＴＥは、図２に示したフレキシブル配線基板ＦＰＣ２と電気的に接続される。
【００２６】
検出電極Ｒｘは、その少なくとも主要部が金属製であり、細線状に形成されている。図示した例では、検出電極Ｒｘの拡幅部ＲＳＬ及び本体部ＲＲは、メッシュ状に形成されているが、直線波型形状（あるいは三角波形状）、サイン波等の円形波型形状などの他の形状であっても良いし、これらを組み合わせた形状であっても良い。  
隣り合う本体部ＲＲの間には、ダミー電極ＤＲが配置されている。図示した例では、ダミー電極ＤＲは、本体部ＲＲと同様に、金属細線によってメッシュ状に形成されている。ダミー電極ＤＲの金属細線は、不連続に形成されている。例えば、細線部同士が交差する交差部ＣＸと交差部ＣＸとの間に、細線部が途切れている断線部ＢＲを有している。なお、断線部ＢＲの位置は、図示した例に限定されるものではなく、交差部ＣＸに位置しても良い。ダミー電極ＤＲは、検出電極Ｒｘ及びリード線Ｌなどの配線には接続されず、電気的にフローティング状態にある。隣り合う細線部間のピッチとしては、５０μｍ〜２００μｍが好ましく、より好ましくは１００μｍ程度である。
【００２７】
検出電極Ｒｘは、図中に拡大したように、少なくとも２層の積層体である。すなわち、検出電極Ｒｘは、平面視した状態で、下層に位置する第１層Ｌ１、及び、第１層Ｌ１よりも上層に位置する第２層Ｌ２を備えている。後に詳述するが、第２層Ｌ２は第１層Ｌ１よりも幅広であり、第２層Ｌ２の最外周端Ｅ２は第１層Ｌ１の最外周端Ｅ１よりも外側に位置している。  
図中のダミー電極ＤＲ、リード線Ｌ、及び、端子ＴＥは、検出電極Ｒｘと同様の積層体として構成されている。
【００２８】
図４は、図３に示した検出電極ＲｘをＡ−Ｂ線で切断した一構成例を示す断面図である。ここに示した構成例は、第１層Ｌ１の第１下面ＬＳ１と第１側面ＳＳ１との間の角度θ１が９０度である場合に相当する。
【００２９】
図４中の（ａ）に示すように、第１層Ｌ１は、第１下面ＬＳ１、第１下面ＬＳ１よりも上層に位置する第１上面ＵＳ１、及び、第１側面ＳＳ１を備えている。図示した第１層Ｌ１の断面は、長方形状であるが、正方形状であっても良い。このような第１層Ｌ１を平面視した状態では、第１下面ＬＳ１の外周端は、第１上面ＵＳ１の外周端と一致する。つまり、第１層Ｌ１における最外周端Ｅ１は、第１下面ＬＳ１または第１上面ＵＳ１の外周端に相当する。
【００３０】
第２層Ｌ２は、第１上面ＵＳ１に接する第２下面ＬＳ２、第２下面ＬＳ２よりも上層に位置する第２上面ＵＳ２、及び、第２側面ＳＳ２を備えている。ここでは、第２層Ｌ２における最外周端Ｅ２の位置について言及しないが、第２下面ＬＳ２、第２上面ＵＳ２、あるいは、第２下面ＬＳ２と第２上面ＵＳ２との間に位置する。いずれにしても、長方形状の断面を有する第１層Ｌ１と、第２層Ｌ２との積層体によって構成される検出電極においては、第２層Ｌ２の最外周端Ｅ２は、第１層Ｌ１の最外周端Ｅ１よりも外側に位置している。
【００３１】
第１層Ｌ１は、低抵抗の導電層であり、検出電極Ｒｘの主要部を構成するものである。第２層Ｌ２は、第１層Ｌ１での反射を抑制する反射抑制層であり、第１層Ｌ１よりも著しく低い反射率を有し、実質的には第２層Ｌ２の表面の色は黒として視認される。一例では、第１層Ｌ１の反射率は概ね５０％以上であり、第２層Ｌ２の反射率は概ね１０％以下である。反射抑制層としての機能的な観点から、第２層Ｌ２の反射率は、０％に近いことが望ましい。
【００３２】
一例では、第１層Ｌ１及び第２層Ｌ２は、いずれも導電層である。第１層Ｌ１の電気抵抗は、第２層Ｌ２の電気抵抗よりも低い。第２層Ｌ２は、異なる屈折率の積層金属膜であっても良いし、着色された樹脂膜であっても良い。
【００３３】
図４中の（ｂ）乃至（ｄ）は、（ａ）に示した第２層Ｌ２の具体的な断面形状を示す図である。  
図４中の（ｂ）は、第２層Ｌ２が長方形状の断面を有する場合に相当する。すなわち、第２層Ｌ２は、第２下面ＬＳ２、第２上面ＵＳ２、及び、第２側面ＳＳ２を備えている。第２下面ＬＳ２は、第１上面ＵＳ１に接するとともに、第１上面ＵＳ１よりも外側に延出している。第２下面ＬＳ２と第２側面ＳＳ２との間の角度θ２は９０度である。このような第２層Ｌ２を平面視した状態では、第２下面ＬＳ２の外周端は、第２上面ＵＳ２の外周端と一致する。つまり、図示した例の第２層Ｌ２における最外周端Ｅ２は、第２下面ＬＳ２または第２上面ＵＳ２の外周端に相当する。
【００３４】
図４中の（ｃ）は、第２層Ｌ２が第２下面ＬＳ２から第２上面ＵＳ２に向かうにしたがって広がる逆テーパ状の断面を有する場合に相当する。第２下面ＬＳ２と第２側面ＳＳ２との間の角度θ２は９０度より大きい鈍角である。このような第２層Ｌ２を平面視した状態では、第２上面ＵＳ２の外周端は、第２下面ＬＳ２の外周端よりも外側に位置する。つまり、図示した例の第２層Ｌ２における最外周端Ｅ２は、第２上面ＵＳ２の外周端に相当する。なお、図示した例では、第２下面ＬＳ２の外周端Ｅ２１は、第１上面ＵＳ１の外周端Ｅ１２よりも外側に位置しているが、外周端Ｅ１２よりも内側に位置していても良いし、外周端Ｅ１２と重なっていても良い。
【００３５】
図４中の（ｄ）は、第２層Ｌ２が第２下面ＬＳ２から第２上面ＵＳ２に向かうにしたがって狭まる順テーパ状の断面を有する場合に相当する。第２下面ＬＳ２と第２側面ＳＳ２との間の角度θ２は９０度より小さい鋭角である。このような第２層Ｌ２を平面視した状態では、第２下面ＬＳ２の外周端は、第２上面ＵＳ２の外周端よりも外側に位置する。つまり、図示した例の第２層Ｌ２における最外周端Ｅ２は、第２下面ＬＳ２の外周端に相当する。なお、図示した例では、第２上面ＵＳ２の外周端Ｅ２２は、第１上面ＵＳ１の外周端Ｅ１２よりも外側に位置しているが、外周端Ｅ１２よりも内側に位置していても良いし、外周端Ｅ１２と重なっていても良い。
【００３６】
図５は、図３に示した検出電極ＲｘをＡ−Ｂ線で切断した他の構成例を示す断面図である。ここに示した構成例は、第１層Ｌ１の第１下面ＬＳ１と第１側面ＳＳ１との間の角度θ１が９０度より小さい鋭角である場合に相当する。
【００３７】
図５中の（ａ）に示すように、図示した第１層Ｌ１は、第１下面ＬＳ１から第１上面ＵＳ１に向かうにしたがって狭まる順テーパ状の断面を有する。このような第１層Ｌ１を平面視した状態では、第１下面ＬＳ１の外周端は、第１上面ＵＳ１の外周端より外側に位置する。つまり、第１層Ｌ１における最外周端Ｅ１は、第１下面ＬＳ１の外周端に相当する。
【００３８】
第２層Ｌ２における最外周端Ｅ２は、第２下面ＬＳ２、第２上面ＵＳ２、あるいは、第２下面ＬＳ２と第２上面ＵＳ２との間に位置する。いずれにしても、順テーパ状の断面を有する第１層Ｌ１と、第２層Ｌ２との積層体によって構成される検出電極においては、第２層Ｌ２の最外周端Ｅ２は、第１層Ｌ１の最外周端Ｅ１よりも外側に位置している。
【００３９】
図５中の（ｂ）乃至（ｄ）は、（ａ）に示した第２層Ｌ２の具体的な断面形状を示す図である。  
図５中の（ｂ）は、図４の（ｂ）と同様に、第２層Ｌ２が長方形状の断面を有する場合に相当する。このような第２層Ｌ２における最外周端Ｅ２は、第２下面ＬＳ２または第２上面ＵＳ２の外周端に相当する。
【００４０】
図５中の（ｃ）は、図４の（ｃ）と同様に、第２層Ｌ２が逆テーパ状の断面を有する場合に相当する。このような第２層Ｌ２における最外周端Ｅ２は、第２上面ＵＳ２の外周端に相当する。なお、図示した例では、第２下面ＬＳ２の外周端Ｅ２１は、第１上面ＵＳ１の外周端Ｅ１２よりも外側に位置しているが、外周端Ｅ１２よりも内側に位置していても良いし、外周端Ｅ１２と重なっていても良い。また、外周端Ｅ２１は、第１下面ＬＳ１の外周端Ｅ１１（最外周端Ｅ１）よりも外側に位置しているが、外周端Ｅ１１よりも内側に位置していても良いし、外周端Ｅ１１と重なっていても良い。
【００４１】
図５中の（ｄ）は、図４の（ｄ）と同様に、第２層Ｌ２が順テーパ状の断面を有する場合に相当する。このような第２層Ｌ２における最外周端Ｅ２は、第２下面ＬＳ２の外周端に相当する。なお、図示した例では、第２上面ＵＳ２の外周端Ｅ２２は、第１上面ＵＳ１の外周端Ｅ１２よりも外側に位置しているが、外周端Ｅ１２よりも内側に位置していても良いし、外周端Ｅ１２と重なっていても良い。また、外周端Ｅ２２は、第１下面ＬＳ１の外周端Ｅ１１（最外周端Ｅ１）よりも外側に位置しているが、外周端Ｅ１１よりも内側に位置していても良いし、外周端Ｅ１１と重なっていても良い。
【００４２】
図６は、図３に示した検出電極ＲｘをＡ−Ｂ線で切断した他の構成例を示す断面図である。ここに示した構成例は、第１層Ｌ１の第１下面ＬＳ１と第１側面ＳＳ１との間の角度θ１が９０度より大きい鈍角である場合に相当する。
【００４３】
図６中の（ａ）に示すように、図示した第１層Ｌ１は、第１下面ＬＳ１から第１上面ＵＳ１に向かうにしたがって広がる逆テーパ状の断面を有する。このような第１層Ｌ１を平面視した状態では、第１上面ＵＳ１の外周端は、第１下面ＬＳ１の外周端より外側に位置する。つまり、第１層Ｌ１における最外周端Ｅ１は、第１上面ＵＳ１の外周端に相当する。
【００４４】
第２層Ｌ２における最外周端Ｅ２は、第２下面ＬＳ２、第２上面ＵＳ２、あるいは、第２下面ＬＳ２と第２上面ＵＳ２との間に位置する。いずれにしても、逆テーパ状の断面を有する第１層Ｌ１と、第２層Ｌ２との積層体によって構成される検出電極においては、第２層Ｌ２の最外周端Ｅ２は、第１層Ｌ１の最外周端Ｅ１よりも外側に位置している。
【００４５】
図６中の（ｂ）乃至（ｄ）は、（ａ）に示した第２層Ｌ２の具体的な断面形状を示す図である。  
図６中の（ｂ）は、図４の（ｂ）と同様に、第２層Ｌ２が長方形状の断面を有する場合に相当する。このような第２層Ｌ２における最外周端Ｅ２は、第２下面ＬＳ２または第２上面ＵＳ２の外周端に相当する。
【００４６】
図６中の（ｃ）は、図４の（ｃ）と同様に、第２層Ｌ２が逆テーパ状の断面を有する場合に相当する。このような第２層Ｌ２における最外周端Ｅ２は、第２上面ＵＳ２の外周端に相当する。なお、図示した例では、第２下面ＬＳ２の外周端Ｅ２１は、第１上面ＵＳ１の外周端Ｅ１２（最外周端Ｅ１）よりも外側に位置しているが、外周端Ｅ１２よりも内側に位置していても良いし、外周端Ｅ１２と重なっていても良い。
【００４７】
図６中の（ｄ）は、図４の（ｄ）と同様に、第２層Ｌ２が順テーパ状の断面を有する場合に相当する。このような第２層Ｌ２における最外周端Ｅ２は、第２下面ＬＳ２の外周端に相当する。なお、図示した例では、第２上面ＵＳ２の外周端Ｅ２２は、第１上面ＵＳ１の外周端Ｅ１２（最外周端Ｅ１）よりも外側に位置しているが、外周端Ｅ１２よりも内側に位置していても良いし、外周端Ｅ１２と重なっていても良い。また、外周端Ｅ２２は、第１下面ＬＳ１の外周端Ｅ１１よりも外側に位置しているが、外周端Ｅ１１よりも内側に位置していても良いし、外周端Ｅ１１と重なっていても良い。
【００４８】
図７は、図３に示した検出電極ＲｘをＡ−Ｂ線で切断した他の構成例を示す断面図である。
【００４９】
図７に示した構成例は、図６の（ｂ）に示した例において、第２下面ＬＳ２の外周端Ｅ２１が第１上面ＵＳ１の外周端Ｅ１２と重なる場合に相当する。すなわち、第２下面ＬＳ２は第１上面ＵＳ１よりも外側にはみ出さず、また、第１上面ＵＳ１は第２下面ＬＳ２よりも外側にはみ出さない。第１層Ｌ１において、第１下面ＬＳ１と第１側面ＳＳ１との間の角度θ１が９０度より大きい鈍角であり、第２層Ｌ２において、第２下面ＬＳ２と第２側面ＳＳ２との間の角度θ２が９０度より大きい鈍角であるが、角度θ１は、角度θ２とは異なる。図示した例では、角度θ２が角度θ１より大きいが、角度θ２が角度θ１より小さい場合もあり得る。
【００５０】
このような構成例において、第１層Ｌ１の最外周端Ｅ１は第１上面ＵＳ１の外周端に相当し、第２層Ｌ２の最外周端Ｅ２は第２上面ＵＳ２の外周端に相当し、第２層Ｌ２の最外周端Ｅ２は、第１層Ｌ１の最外周端Ｅ１よりも外側に位置している。
【００５１】
図８は、図３に示した検出電極ＲｘをＡ−Ｂ線で切断した他の構成例を示す断面図である。ここに示した構成例は、第２層Ｌ２が第１層Ｌ１を被覆している場合に相当する。
【００５２】
第１層Ｌ１の第１側面ＳＳ１及び第１上面ＵＳ１は、第２層Ｌ２と接触している。第２層Ｌ２の第２下面ＬＳ２は、例えば、第１下面ＬＳ１から連続しており、第１下面ＬＳ１の外側へ延出している。  
なお、第１層Ｌ１および第２層Ｌ２の断面形状は、長方形状、正方形状、順テーパ状、逆テーパ状のいずれであっても良い。
【００５３】
図９Ａは、図３に示した検出電極Ｒｘの断面の構成例を示す断面図である。
第１層Ｌ１及び第２層Ｌ２の少なくとも一方は、複数の薄膜を積層した多層膜によって構成することができる。図示した例では、第１層Ｌ１は、薄膜Ｆ１１及び薄膜Ｆ１２を積層した多層膜である。薄膜Ｆ１１は、第１下面ＬＳ１側に位置し、薄膜Ｆ１２は、第１上面ＵＳ１側に位置している。薄膜Ｆ１１及び薄膜Ｆ１２は、例えば、Ａｌ，Ｔｉ，Ａｇ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｃｒなどの金属材料又はこれらの金属材料を組み合わせた合金によって形成された金属膜である。また、薄膜Ｆ１１及び薄膜Ｆ１２は、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料を用いて形成された透明導電膜であっても良い。薄膜Ｆ１１及び薄膜Ｆ１１の一方が金属膜であり他方が透明導電膜である場合、金属膜と透明導電膜との積層順は、限定されるものではなく、例えば、薄膜Ｆ１１が金属膜であり薄膜Ｆ１２が透明導電膜であっても良いし、薄膜Ｆ１１が透明導電膜であり薄膜Ｆ１２が金属膜であっても良い。また、薄膜Ｆ１１及び薄膜Ｆ１２は、両方金属膜であっても良い。また、薄膜Ｆ１１，Ｆ１２は、金属膜及び透明導電膜に限定されるものではなく、例えば絶縁膜であっても良い。  
なお、第１層Ｌ１は、２層構造に限定されるものではなく、３層以上の多層構造であっても良く、１層の単層構造であっても良い。
【００５４】
図示した例では、第２層Ｌ２は、薄膜Ｆ２１及び薄膜Ｆ２２を積層した多層膜である。薄膜Ｆ２１は、第２下面ＬＳ２側に位置し、薄膜Ｆ２２は、第２上面ＵＳ２側に位置している。薄膜Ｆ２１は、薄膜Ｆ１２と接している。例えば、薄膜Ｆ２１と薄膜Ｆ２２とは、互いに屈折率の異なる導電膜または誘電体膜である。誘電体膜は、例えば、金属酸化物などの無機膜である。このとき、高屈折率の導電膜または誘電体膜は、例えば、屈折率が２．０〜３．５程度のものを使用することができる。低屈折率の導電膜または誘電体膜は、例えば、屈折率が１．３〜２．０程度のものを使用することができる。例えば、高屈折率の誘電体膜は、ＴｉＯ２，Ｎｂ２Ｏ５，またはＴａ２Ｏ５からなり、低屈折率の誘電体膜は、ＳｉＯ２，またはＭｇＦ２からなる。なお、誘電体膜は、熱又は光硬化性樹脂などの有機膜であっても良い。導電膜としてはＭｏ，Ｗ，Ｔｉなどの金属材料又はこれらの金属材料を組み合わせた合金によって形成された金属膜である。なお、第２層Ｌ２は、２層構造に限定されるものではなく、３層以上の多層構造であっても良く、１層の単層構造であっても良い。
【００５５】
薄膜Ｆ２１，Ｆ２２のいずれか一方は、例えば、光吸収膜であっても良い。光吸収膜は、例えば、可視光域において屈折率１以上かつ光吸収係数０．５以上の材料により５〜２０ｎｍの膜厚に形成された薄膜である。光吸収膜は、例えば、Ｎｂ，Ｃ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｇｅ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｔｉ，ＴｉＮｘＷｙ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｍｏ，ＰｂＴｅ等の金属材料、又はこれらの金属材料を組み合わせた合金によって形成される。なお、光吸収膜は、黒色樹脂などの有機膜であっても良い。
【００５６】
なお、薄膜Ｆ２１，Ｆ２２は、誘電体膜及び光吸収膜に限定されるものではなく、例えば、光を反射する光反射膜や、第２層Ｌ２の損傷や金属材料の腐食を抑制する保護膜、等であっても良い。また、第２層Ｌ２は、２層構造に限定されるものではなく、３層以上の多層構造であっても良く、１層の単層構造であっても良い。
【００５７】
図９Ｂおよび図９Ｃは、第１層Ｌ１および第２層Ｌ２が多層膜で構成されている場合の、検出電極Ｒｘの断面の一例を示す図である。
【００５８】
上述の様に、第１層Ｌ１および第２層Ｌ２を物性の異なる複数の材料を用いて多層膜として形成する場合、それぞれの層を形成する材料のエッチング液に対するエッチングレートの違いにより、第１層Ｌ１および第２層Ｌ２が様々な断面形状を呈することが考えられる。図９Ｂおよび図９Ｃに図示した例では、第２層Ｌ２の第２側面ＳＳ２は、階段状の凹凸形状を有しており、第２層Ｌ２の第２上面ＵＳ２は、凹凸形状を有している。また、第１層Ｌ１は、くびれ形状を有している。このような場合でも、第２層Ｌ２の最外周端Ｅ２は、第１層Ｌ１の最外周端Ｅ１の外側に位置している。
【００５９】
例えば図９Ｂに示す如く、第１下面ＬＳ１を著しく幅広とした変則な形状を呈する場合であっても、最外周端Ｅ１は第１下面ＬＳ１の外周端Ｅ１１となる。他方、図９Ｃに示す如く、第１層Ｌ１が第１上面ＵＳ１および第１下面ＬＳ１を著しく幅広とした変則な形状を呈する場合では、たとえ第１上面ＵＳ１が第１下面ＬＳ１よりも外側へ突出していたとしても、第１下面ＬＳ１の外周端Ｅ１１を最外周端Ｅ１として規定する。これは、第１上面ＵＳ１が第２層Ｌ２の第２下面ＬＳ２に沿って延在しているために、第１上面ＵＳ１が実質的に視認され得る領域に突出するものではないからである。
【００６０】
なお、図９Ｂに示す如く、細線の検出電極Ｒｘとしての、第１層Ｌ１の最外周端Ｅ１における幅Ｗ１は、数μｍ〜十数μｍが好ましく、より好ましくは１μｍ〜５μｍである。また、第２層Ｌ２の最外周端Ｅ２における幅Ｗ２は、少なくとも幅Ｗ１よりも大きく、且つ、数μｍ〜十数μｍが好ましく、より好ましくは２μｍ〜６μｍである。また、検出電極Ｒｘの幅方向に互いに隣り合う最外周端Ｅ２と最外周端Ｅ１との間の距離ｓは、好ましくは数百ｎｍ程度、より好ましくは２００ｎｍ以下、さらに好ましくは１５０ｎｍ以下である。
【００６１】
かかる点に鑑みると、第１層Ｌ１の第１下面ＬＳ１に対する第２層Ｌ２の最外周端Ｅ２の高さｈと、距離ｓとの関係は、  
ｈ／ｓ＜２  
とすることが好ましい。  
この場合、平面視で当該検出電極Ｒｘを視認した場合でも、第１層Ｌ１を視認することができず、また、平面視よりもやや斜めから検出電極Ｒｘを視認した場合でも、距離ｓだけ第２層Ｌ２が張り出していることにより、第１層Ｌ１は視認されづらいものとなる。さらに斜めから検出電極Ｒｘを視認する場合には、第１層Ｌ１が視認されることが考えられるが、当該斜めから入射する光は、その多くの成分が第１層Ｌ１で反射されて第２下面ＬＳ２や第１層Ｌ１よりも下層の基板等に等に入射することとなり、きわめてわずかな光が反射するのみとなり、視認性は著しく低下するものとなる。かかる点に鑑みると、第１層Ｌ１は、順テーパであることが好ましく、第２層Ｌ２は、順テーパ或いは逆テーパであることが好ましい。
【００６２】
また、細線の検出電極Ｒｘとしての、第１層Ｌ１の第１下面ＬＳ１と第１上面ＵＳ１との間の厚さＴ１は、２００ｎｍ〜４００ｎｍであることが好ましい。また、第２層Ｌ２の第２下面ＬＳ２と第２上面ＵＳ２との間の厚さＴ２は、５０ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましい。
【００６３】
図１０は、図３に示した検出電極Ｒｘを備えたセンサＳＥの断面の構成例を示す断面図である。  
図１０中の（ａ）に示した構成例は、第１層Ｌ１が支持体に接触している場合に相当する。
【００６４】
支持体ＳＰＴは、第１主面ＳＦ１と、第１主面ＳＦ１よりも上層に位置する第２主面ＳＦ２と備えている。センサＳＥが表示パネルＰＮＬに内蔵される場合、支持体ＳＰＴは、例えば第２基板ＳＵＢ２に相当する。また、センサＳＥが表示パネルＰＮＬに外付け可能なセンサ装置である場合、支持体ＳＰＴは、例えば基板に相当する。図示した例では、検出電極Ｒｘは、支持体ＳＰＴの第２主面ＳＦ２に配置されている。支持体ＳＰＴ及び検出電極Ｒｘは、絶縁膜ＩＬ１によって覆われている。第１層Ｌ１は、支持体ＳＰＴの上に配置され、第１層Ｌ１の第１下面ＬＳ１は、支持体ＳＰＴの第２主面ＳＦ２と接触している。第２層Ｌ２は、第１層Ｌ１の上に配置され、第２層Ｌ２の第２上面ＵＳ２は、絶縁膜ＩＬ１と接触している。絶縁膜ＩＬ１は、第１側面ＳＳ１及び第２側面ＳＳ２にも接触している。
【００６５】
図１０中の（ｂ）に示した構成例は、第２層Ｌ２が支持体に接触している場合に相当する。  
図示した例では、検出電極Ｒｘは、支持体ＳＰＴの第１主面ＳＦ１に配置されている。支持体ＳＰＴ及び検出電極Ｒｘは、絶縁膜ＩＬ１によって覆われている。第２層Ｌ２は、支持体ＳＰＴの下に配置され、第２層Ｌ２の第２上面ＵＳ２は、支持体ＳＰＴの第１主面ＳＦ１と接触している。第１層Ｌ１は、第２層Ｌ２の上に配置され、第１層Ｌ１の第１下面ＬＳ１は、絶縁膜ＩＬ１と接触している。絶縁膜ＩＬ１は、第１側面ＳＳ１及び第２側面ＳＳ２にも接触している。
【００６６】
なお、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）において、絶縁膜ＩＬ１は、検出電極Ｒｘの損傷や腐食を抑制する保護層として機能している。また、絶縁膜ＩＬ１は、支持体ＳＰＴと別の部材とを接着する接着層、等の別の機能層を有していても良い。
【００６７】
次に、表示パネルを支持体とした場合の構成における、センサＳＥの製造方法の一例を説明する。
【００６８】
図１１は、センサＳＥを備えた表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【００６９】
図１１中の（ａ）は、第１層Ｌ１及び第２層Ｌ２を成膜する工程を示した図である。  
最初に、表示パネルＰＮＬの第２基板ＳＵＢ２の上に、全面に亘って第１層Ｌ１を形成する。次に、第１層Ｌ１の上に、全面に亘って第２層Ｌ２を形成する。すなわち、第１層Ｌ１の第１下面ＬＳ１は、表示パネルＰＮＬに接触しており、第１層Ｌ１の第１上面ＵＳ１は、第２層Ｌ２の第２下面ＬＳ２に接触している。第２層Ｌ２の第２上面ＵＳ２は、露出している。
【００７０】
図１１中の（ｂ）は、検出電極Ｒｘをパターニングする工程を示した図である。  
本工程において、まず、第２層Ｌ２の上に、所望の形状にパターニングされたフォトレジストを形成する。その後、このフォトレジストをマスクとして、例えばリン酸を主成分とするエッチング液を用いて、第１層Ｌ１及び第２層Ｌ２を一括でエッチングし、検出電極Ｒｘが形成される。このとき、第１層Ｌ１のエッチングレートは、第２層Ｌ２のエッチングレートより高くなる様に設定される。さらに、第１層Ｌ１及び第２層Ｌ２の断面形状が所望の形状となるように、エッチング条件が設定される。この工程において、図３に図示したダミー電極ＤＲ、リード線Ｌ、及び、端子ＴＥも、検出電極Ｒｘとともに一括でパターニングする。その後、フォトレジストを除去する。第１層Ｌ１及び第２層Ｌ２がともに導電層である場合には、本工程は終了するが、第２層Ｌ２が絶縁性である場合には、別途エッチング等によって端子ＴＥの第２層Ｌ２のみを除去する。なお、図１４で後述するが、表示装置ＤＳＰは、検出電極Ｒｘの下側にカラーフィルタや遮光層、加飾印刷などの光吸収層を備えている。このため、第１層Ｌ１の第１側面ＳＳ１での外光反射や、第１層Ｌ１と表示パネルＰＮＬの各層との間での多重反射による表示画像の視認性の劣化を抑制することができる。
【００７１】
図１１中の（ｃ）は、絶縁膜ＩＬ２を成膜する工程を示した図である。  
本工程において、表示パネルＰＮＬ及び検出電極Ｒｘの上に、保護層として機能する絶縁膜ＩＬ１を形成する。絶縁膜ＩＬ１は、検出電極Ｒｘを覆っている。絶縁膜ＩＬ１は、光透過性を有し、且つ、電気絶縁性を有する材料で形成されていれば特に限定されるものではなく、無機絶縁膜であっても良く、有機絶縁膜であっても良い。なお、絶縁膜ＩＬ１のヘイズ値は、１以下であることが望ましい。この場合、絶縁膜ＩＬ１で散乱された外光の第１側面ＳＳ１への入射を抑制することが可能であり、表示画像の視認性の劣化を抑制することができる。
【００７２】
図１１中の（ｄ）は、偏光板ＰＬを配置する工程を示した図である。  
本工程において、偏光板ＰＬを絶縁膜ＩＬ１の上に接着する。この偏光板ＰＬは、検出電極Ｒｘの第２層Ｌ２よりも上層に位置している。
【００７３】
図１１中の（ｅ）は、カバー部材ＣＶを配置する工程を示した図である。  
本工程において、カバー部材ＣＶを偏光板ＰＬの上に接着する。絶縁膜ＩＬ２は、接着層として機能し、表示パネルＰＮＬとカバー部材ＣＶとを接着している。図示した例では、絶縁膜ＩＬ２は、絶縁膜ＩＬ１及び偏光板ＰＬを覆っている。カバー部材ＣＶは、ガラス基材や樹脂基材等の透明基材で形成されている。
【００７４】
図１２は、図１１で図示した工程を経て形成された検出電極の断面の写真である。
【００７５】
図１２は、反射型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察された検出電極Ｒｘの断面の二次電子像である。支持体ＳＰＴの上に、第１層Ｌ１が形成され、第１層Ｌ１の上に第２層Ｌ２が形成されている。図示した第１層Ｌ１の断面は、順テーパ状であり、第２層Ｌ２の断面も、順テーパ状である。第２層Ｌ２の下面の外周端Ｅ２１（最外周端Ｅ２）は、第１層Ｌ１の下面の外周端Ｅ１１（最外周端Ｅ１）の外側に位置している。また、第１層Ｌ１及び第２層Ｌ２は、絶縁膜ＩＬ１に覆われている。
【００７６】
図１３は、図１に示した表示装置ＤＳＰの基本構成及び等価回路を示す図である。
【００７７】
表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬなどに加えて、表示領域ＤＡの外側の非表示領域ＮＤＡにおいて、上記の第１駆動回路Ｄｒ１などの他に、信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤなどを備えている。  
表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に設けられ、ｍ×ｎ個配置されている（但し、ｍ及びｎは正の整数である）。また、表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、ｎ本の走査線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、ｍ本の信号線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）などを備えている。
【００７８】
走査線Ｇは、第１方向Ｘに延出し、表示領域ＤＡの外側に引き出され、走査線駆動回路ＧＤに接続されている。また、走査線Ｇは、第２方向Ｙに間隔を置いて配列されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに延出し、表示領域ＤＡの外側に引き出され、信号線駆動回路ＳＤに接続されている。また、信号線Ｓは、第１方向Ｘに間隔を置いて配列され、走査線Ｇと交差している。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。センサ駆動電極Ｔｘは、複数の画素ＰＸで共用される共通電極ＣＥとして機能し、表示領域ＤＡの外側に引き出され、第１駆動回路Ｄｒ１に接続されている。
【００７９】
各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＰＳＷは、例えば薄膜トランジスタによって構成されている。スイッチング素子ＰＳＷは、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷに電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向している。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される。
【００８０】
図１４は、表示装置ＤＳＰの一部の構造を示す断面図である。
本実施形態において、表示パネルＰＮＬは、基板主面の法線に沿った縦電界を利用する表示モード、あるいは、基板主面の法線に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、あるいは、基板主面に沿った横電界を利用する表示モードのいずれに対応した構成を有していても良い。また、表示パネルＰＮＬは、上記の縦電界、横電界、及び、傾斜電界を適宜組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していても良い。なお、基板主面とは、互いに直交する第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ−Ｙ平面と平行な面である。縦電界あるいは傾斜電界を利用する表示モードでは、例えば、画素電極ＰＥが第１基板ＳＵＢ１に備えられる一方で、共通電極ＣＥが第２基板ＳＵＢ２に備えられる。横電界を利用する表示モードでは、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が第１基板ＳＵＢ１に備えられている。
【００８１】
図示した例では、表示パネルＰＮＬは、横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。表示パネルＰＮＬにおいて、第１基板ＳＵＢ１は、所定の間隙を有した状態で第２基板ＳＵＢ２と対向している。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間隙に位置している。
【００８２】
第１基板ＳＵＢ１は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第１絶縁基板１０を備えている。第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０の上方、つまり第２基板ＳＵＢ２と対向する側に、走査線、スイッチング素子、信号線Ｓ、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。ここでは、走査線及びスイッチング素子の図示を省略している。
【００８３】
第１絶縁膜１１は第１絶縁基板１０の上に位置し、第２絶縁膜１２は第１絶縁膜１１の上に位置し、第３絶縁膜１３は第２絶縁膜１２の上に位置している。信号線Ｓは、第１絶縁膜１１と第２絶縁膜１２との間に位置している。共通電極ＣＥは、第２絶縁膜１２と第３絶縁膜１３との間に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３の上に位置している。各画素電極ＰＥは、隣り合う信号線Ｓの間にそれぞれ位置し、共通電極ＣＥと対向している。また、各画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向する位置にスリットＳＬを有している。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。なお、図示した例では、金属層ＭＬは、共通電極ＣＥの上に位置し、共通電極ＣＥを低抵抗化しているが、金属層ＭＬは省略しても良い。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び第３絶縁膜１３の上に位置している。
【００８４】
第２基板ＳＵＢ２は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第２絶縁基板２０を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０の下方、つまり第１基板ＳＵＢ１と対向する側に、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。
【００８５】
遮光層ＢＭは、第２絶縁基板２０の内面に位置し、各画素を区画している。カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢは、それぞれ第２絶縁基板２０の内面に位置し、それらの一部が遮光層ＢＭに重なっている。カラーフィルタＣＦＲは、赤色画素に配置された赤色カラーフィルタであり、赤色の樹脂材料によって形成されている。カラーフィルタＣＦＧは、緑色画素に配置された緑色カラーフィルタであり、緑色の樹脂材料によって形成されている。カラーフィルタＣＦＢは、青色画素に配置された青色カラーフィルタであり、青色の樹脂材料によって形成されている。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、透明な樹脂材料によって形成されている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。
【００８６】
検出電極Ｒｘは、第２絶縁基板２０の外面ＥＳ側に位置している。図示した例では、検出電極Ｒｘは、第２絶縁基板２０の外面ＥＳに接しているが、外面ＥＳとの間に絶縁部材が介在していても良い。検出電極Ｒｘの詳細な構造については上記の通りである。各検出電極Ｒｘは、第３絶縁膜１３、第１配向膜ＡＬ１、液晶層ＬＣ、第２配向膜ＡＬ２、オーバーコート層ＯＣ、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢ、第２絶縁基板２０といった誘電体を介して共通電極ＣＥと対向している。
【００８７】
第１偏光板ＰＬ１は、第１絶縁基板１０とバックライトユニットＢＬとの間に位置している。第２偏光板ＰＬ２は、検出電極Ｒｘの上方に位置している。第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬ２は、必要に応じて位相差板を含んでいても良い。第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬは、例えば、それぞれの吸収軸が直交するクロスニコルの位置関係となるように配置される。
【００８８】
本実施形態によれば、センサＳＥを構成する検出電極Ｒｘは、第１層Ｌ１と、第１層Ｌ１の上層に位置すると共に第１層Ｌ１よいも低い反射率を有する第２層Ｌ２と、を備えている。第２層Ｌ２の最外周端Ｅ２は、第１層Ｌ１の最外周端Ｅ１よりも外側に位置しているため、第１側面ＳＳ１への外光の入射を抑制することができる。また、外光が第１側面ＳＳ１へ入射した場合であっても、第１側面ＳＳ１で反射された外光は、主に第２下面ＬＳ２に入射する。したがって、平面視よりも斜めから観察した場合における、第１層Ｌ１の視認性を低下させることができる。このため、このようなセンサと表示装置とを組み合わせた構成においては、センサを金属で形成するといえども、当該金属製センサによるぎらつきが著しく低減され、表示装置に表示された画像の視認性の低下を抑制することが可能である。
【００８９】
また、第２層Ｌ２は著しく低反射率であり、実質的には黒として認識される。したがって、かかる第２層Ｌ２を観察位置から見て最表面に設ける細線部をメッシュ状に設けてなる検出電極Ｒｘは、巨視的にはきわめて視認性の低いものとなり、表示パネルＰＮＬに画像が表示されると、観察者からは略或いは全く視認されないものとなる。他方、表示パネルＰＮＬに画像の表示がない黒表示の状態（表示領域ＤＡ全体に亘ってＲ＝０、Ｇ＝０、Ｂ＝０）では、当該黒表示と一体となり、黒表示の黒感を阻害するものとならず、寧ろ当該黒表示と協働して表示パネルＰＮＬとしての黒の視認性を高めるものとなり、結果として表示パネルＰＮＬのコントラストを向上させるものとなる。
【００９０】
検出電極Ｒｘが図４乃至図８に示した断面形状を有する場合、いずれも上記の効果が得られる。特に、図４（ｃ）、図５（ｃ）、図６（ｃ）、図７に示したように、第２層が逆テーパの断面形状を有する場合、第３方向Ｚの矢印先端側の観察位置から検出電極Ｒｘを観察した際、比較的平坦な第２上面ＵＳ２のみが観察位置に面することになり、観察位置側から検出電極Ｒｘに入射した外光のほとんどの反射を抑制することができる。特に、図４（ｄ）、図５（ｄ）、図６（ｄ）に示したように、第２層が順テーパの断面形状を有する場合、第３方向Ｚに対して大きく傾斜した斜め方向の観察位置から検出電極Ｒｘを観察した際に、第１層Ｌ１の第１側面ＳＳ１の露出を防止することができ、第１側面ＳＳ１での外光反射を抑制することができる。また、図８に示したように、第１層Ｌ１の第１上面ＵＳ１のみならず第１側面ＳＳ１も第２層Ｌ２が被覆されている場合、第１層Ｌ１の第１上面ＵＳ１及び第１側面ＳＳ１での外光反射を抑制することができる。
【００９１】
また、検出電極Ｒｘ及びリード線Ｌは、第２絶縁基板２０の外面に配置されるため、これらは同一材料を用いて同一工程で形成することが可能である。しかも、検出電極Ｒｘ及びリード線Ｌは、透明導電材料と比べて、電気抵抗値の非常に低い金属製であるため、線幅を細くすることができ、しかも、細い線幅を維持しつつ長い距離を引き回すことが可能となる。
【００９２】
また、検出電極Ｒｘを構成する第１層Ｌ１及び第２層Ｌ２のうち、支持体ＳＰＴ（第２絶縁基板２０）から離れる側に位置する第２層Ｌ２も導電層である場合には、検出電極Ｒｘと端子ＴＥとを一括でエッチングした後に端子ＴＥの第２層Ｌ２を除去しなくても、端子ＴＥを介して検出電極Ｒｘと第２駆動回路Ｄｒ２とを電気的に接続させることができる。すなわち、工程数の増加による製造コストの増加を抑制することができる。
【００９３】
第１層Ｌ１は、例えば、金属膜の薄膜Ｆ１１と、透明導電膜の薄膜Ｆ１２と、を積層した多層膜である。薄膜Ｆ１１が良好な導電性を有し、薄膜Ｆ１２が薄膜Ｆ１１の腐食を抑制するため、センサＳＥの検出性能を向上させ、且つ性能劣化を抑制することができる。
【００９４】
なお、表示装置ＤＳＰは、第２層Ｌ２よりも上方に位置する第２偏光板ＰＬ２を備えている。表示装置ＤＳＰへ入射する外光は、第２偏光板ＰＬ２と第２層Ｌ２とによって充分に強度が低下するため、第１層Ｌ１での反射による表示画像の視認性の劣化は更に抑制される。ただし、検出電極Ｒｘが第２偏光板ＰＬ２よりも上層に位置していたとしても、上記と同様の効果を得ることはできる。このような変形例を、図１５に図示して説明する。
【００９５】
図１５は、検出電極Ｒｘの位置が異なる表示パネルＰＮＬの断面の変形例である。  
図示した変形例は、検出電極Ｒｘがカバー部材ＣＶ側に配置されている点で、図１４に図示した構成例と相違している。
【００９６】
表示装置ＤＳＰは、第２基板ＳＵＢ２の上に第２偏光板ＰＬ２を備えている。表示パネルＰＮＬの上方には、カバー部材ＣＶが配置されている。カバー部材ＣＶの端部の下面には、表示領域ＤＡの周辺を遮光する周辺遮光層ＰＲＰが配置されている。カバー部材ＣＶの下面には、絶縁膜ＩＬ２が配置されている。絶縁膜ＩＬ２は、周辺遮光層ＰＲＰを覆っている。絶縁膜ＩＬ２は、例えば、ヘイズ値が１以下の絶縁材料で形成されたオーバーコート層である。支持体ＳＰＴは、カバー部材ＣＶ及び絶縁膜ＩＬ２に相当し、検出電極Ｒｘ及びリード線Ｌは、絶縁膜ＩＬ２の下面に形成されている。検出電極Ｒｘと第２偏光板ＰＬ２との間には、絶縁膜ＩＬ１が配置されている。絶縁膜ＩＬ１は、表示パネルＰＮＬとカバー部材ＣＶとを接着している。第２層Ｌ２の第２上面ＵＳ２は、絶縁膜ＩＬ２に接触しており、第１層Ｌ１の第１下面ＬＳ１は、絶縁膜ＩＬ１に接触している。図示を省略しているが、センサ駆動電極Ｔｘは、その位置を特に限定されず、第１基板ＳＵＢ１や第２基板ＳＵＢ２に内蔵されていても良く、第２基板ＳＵＢ２と第２偏光板ＰＬ２との間に位置していても良い。
【００９７】
上記の実施形態では、表示パネルＰＮＬに内蔵された共通電極ＣＥがセンサ駆動電極Ｔｘとして機能し、さらにセンサ駆動電極Ｔｘと対向する検出電極Ｒｘ及びこの検出電極Ｒｘと電気的に接続されたリード線Ｌを備えたセンサ付き表示装置について説明したが、センサ駆動電極や検出電極などのセンサ要素を備えていない表示パネルに貼り付けるなどして組み合わせられるセンサ装置についても、本実施形態を適用可能である。このようなセンサ装置においても、上記の実施形態と同様の効果が得られる。以下、センサ装置を備えた構成例について説明する。
【００９８】
図１６は、本実施形態に係るセンサ装置ＥＱの構成を示す図である。
センサ装置ＥＱは、支持体ＳＰＴの上に、第１電極ＤＸ、第２電極ＤＹ、リード線Ｌ、及び端子ＴＥを備えている。第１電極ＤＸ及び第２電極ＤＹは、表示領域ＤＡに位置し、リード線Ｌ及び端子ＴＥは、非表示領域ＮＤＡに位置している。平面視の状態で、第１電極ＤＸ及び第２電極ＤＹは、菱型形状をしている。第１電極ＤＸ及び第２電極ＤＹは、それぞれ第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに並んでいる。第２電極ＤＹは、第１電極ＤＸの各辺に隣接しており、第１電極ＤＸは、第２電極ＤＹの各辺に隣接している。
【００９９】
第１方向Ｘに並んだ第１電極ＤＸは、ブリッジ部ＤＢで互いに電気的に接続され、リード線Ｌの１つに電気的に接続されている。リード線Ｌは、端子ＴＥと第１電極ＤＸとを電気的に接続している。第２方向Ｙに並んだ第１電極ＤＸは、互いに電気的に独立しており、それぞれ異なるリード線Ｌに電気的に接続されている。リード線Ｌは、端子ＴＥと第１電極ＤＸとを電気的に接続している。
【０１００】
また、第２方向Ｙに並んだ第２電極ＤＹ２は、ブリッジ部ＤＢの下層において、互いの対向する角同士が連続に形成されており、互いに電気的に接続されている。第２方向Ｙに並んだ第２電極ＤＹ２は、リード線Ｌの１つに電気的に接続されている。リード線Ｌは、端子ＴＥと第２電極ＤＹとを電気的に接続している。第１方向Ｘに並んだ第２電極ＤＹは、互いに電気的に独立しており、それぞれ異なるリード線Ｌに電気的に接続されている。リード線Ｌは、端子ＴＥと第２電極ＤＹとを電気的に接続している。
【０１０１】
第１電極ＤＸ及び第２電極ＤＹは、説明を簡単にするために平板状に図示されているが、実際には図３で説明したようなメッシュ状に形成されている。また、第１電極ＤＸ及び第２電極ＤＹは、細線によって形成されていれば、その形状は限定されるものではなく、直線波型形状（あるいは三角波形状）、サイン波等の円形波型形状などの他の形状であっても良いし、これらを組み合わせた形状であっても良い。
【０１０２】
なお、センサ装置ＥＱは、相互容量方式であっても良く、自己容量方式であっても良い。センサ装置ＥＱが相互容量方式のタッチパネルである場合、例えば、第１電極ＤＸは、検出電極Ｒｘに相当し、第２電極ＤＹは、センサ駆動電極Ｔｘに相当する。また、センサ装置ＥＱが自己容量方式のタッチパネルである場合、第１電極ＤＸ及び第２電極ＤＹの両方は、検出電極Ｒｘに相当する。
【０１０３】
図１７は、図１６で図示したセンサ装置ＥＱを組み込んだ表示装置ＤＳＰの断面図である。図示したセンサ装置ＥＱは、相互容量方式のタッチパネルである。なお、図１７は、ブリッジ部ＤＢを含む領域を第１方向Ｘ沿って切断した断面図である。
【０１０４】
支持体ＳＰＴは、カバー部材ＣＶ、周辺遮光層ＰＲＰ、及び絶縁膜ＩＬ３を備えている。周辺遮光層ＰＲＰは、カバー部材ＣＶの下面に配置されている。絶縁膜ＩＬ３は、カバー部材ＣＶの下面に配置され、周辺遮光層ＰＲＰを覆っている。
【０１０５】
第１電極ＤＸ（検出電極）は、第１層Ｌ１と第２層Ｌ２とを備えている。第２電極ＤＹ（センサ駆動電極）は、第３層Ｌ３と第４層Ｌ４とを備えている。図示した第１電極ＤＸと第２電極ＤＹとは、支持体ＳＰＴの同一面上に配置されている。第３層Ｌ３は、第１層Ｌ１と同一層に位置し、第４層Ｌ４は、第２層Ｌ２と同一層に位置している。第３層Ｌ３は、第１層Ｌ１と同一材料によって形成されても良く、第４層Ｌ４は、第２層Ｌ２と同一材料によって形成されても良い。このような場合、リード線Ｌは、第１電極ＤＸ及び第２電極ＤＹと同一面上に位置し、同一の多層膜で構成されていても良い。第２層Ｌ２は、絶縁膜ＩＬ３の下に配置され、第１層Ｌ１は、第２層Ｌ２の下に配置されている。第２層Ｌ２の第２上面ＵＳ２は、絶縁膜ＩＬ３（支持体ＳＰＴ）に接触している。第２電極ＤＹは、絶縁膜ＩＬ４で覆われている。絶縁膜ＩＬ４、及び第２電極ＤＹに隣り合う第１電極ＤＸは、ブリッジ部ＤＢによって覆われている。ブリッジ部ＤＢは、第１電極ＤＸ同士を電気的に接続しており、第２電極ＤＹから電気的に絶縁されている。
【０１０６】
表示パネルＰＮＬは、第２基板ＳＵＢ２の上に第２偏光板ＰＬ２を備えている。第２偏光板ＰＬ２とセンサ装置ＥＱとの間には、絶縁膜ＩＬ１を備えている。絶縁膜ＩＬ１は、第１電極ＤＸ、ブリッジ部ＤＢ、及びリード線Ｌを覆っている。ブリッジ部ＤＢに覆われていない第１電極ＤＸにおいて、第１層Ｌ１の第１下面ＬＳ１は、絶縁膜ＩＬ１に接触している。
【０１０７】
なお、図１６及び図１７で説明したセンサ装置ＥＱは、表示パネルＰＮＬに組み込まれていても良い。具体的には、第２基板ＳＵＢ２を支持体ＳＰＴとして、第２基板ＳＵＢ２の上に、第１電極ＤＸ、第２電極ＤＹ、絶縁膜ＩＬ４、ブリッジ部ＤＢ、及びリード線Ｌを備えた構成であっても良い。
【０１０８】
図１８は、図１６で図示したセンサ装置ＥＱを表示パネルＰＮＬに組み込んだ表示装置ＤＳＰの断面図である。
【０１０９】
図示した例では、第２基板ＳＵＢ２、第１電極ＤＸ、絶縁膜ＩＬ４、ブリッジ部ＤＢ、及びリード線Ｌは、絶縁膜ＩＬ１によって覆われている。絶縁膜ＩＬ１の上には、第２偏光板ＰＬ２が配置されている。第１層Ｌ１の第１下面ＬＳ１は、第２基板ＳＵＢ２に接触している。カバー部材ＣＶの下面には絶縁膜ＩＬ３が配置され、絶縁膜ＩＬ３は、周辺遮光層ＰＲＰを覆っている。第２偏光板ＰＬ２と絶縁膜ＩＬ３との間には、絶縁膜ＩＬ２が配置されている。ブリッジ部ＤＢに覆われていない第１電極ＤＸにおいて、第２層Ｌ２の第２上面ＵＳ１は、絶縁膜ＩＬ１に接触している。この様な変形例においても、上記と同様の効果を得ることができる。
【０１１０】
以上説明したように、本実施形態によれば、表示画像の視認性の劣化を抑制することが可能なセンサ付き表示装置及びセンサ装置を提供することができる。
【０１１１】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１１２】
ＤＳＰ…液晶表示装置
ＳＥ…センサ  Ｒｘ…検出電極  ＲＲ…本体部  ＲＳＬ…拡幅部  
Ｌ…リード線  
ＰＮＬ…表示パネル  ＤＡ…表示領域  ＮＤＡ…非表示領域  Ｂ…境界  
ＣＥ…共通電極（センサ駆動電極）  ＰＥ…画素電極  
Ｌ１…第１層  ＬＳ１…第１下面  ＵＳ１…第１上面  ＳＳ１…第１側面  
Ｌ２…第２層  ＬＳ２…第２下面  ＵＳ２…第２上面  ＳＳ２…第２側面  
θ１…第１角度  θ２…第２角度
【図１】
0006692631.tif 000002
【図２】
0006692631.tif 000003
【図３】
0006692631.tif 000004
【図４】
0006692631.tif 000005
【図５】
0006692631.tif 000006
【図６】
0006692631.tif 000007
【図７】
0006692631.tif 000008
【図８】
0006692631.tif 000009
【図９Ａ】
0006692631.tif 000010
【図９Ｂ】
0006692631.tif 000011
【図９Ｃ】
0006692631.tif 000012
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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