(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（Ａ）で表される化合物。
【化１】
0006748335.tif 000071
（式中、
Ａｒは置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のビフェニリル基、置換もしくは無置換のナフチル基、又は置換もしくは無置換のフェナントリル基であり；
Ｒ１〜Ｒ７は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、又は環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基であり；
Ｒ１１〜Ｒ１４は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、又は環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基であり；
Ｒ２１〜Ｒ２４は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、又は環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基であり；
Ｒ３１〜Ｒ３４は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、又は環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基であり；
Ｒ４１〜Ｒ４８は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、又は環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基である、ただし、Ｒ４７とＲ４８の一方は＊１に結合する単結合である；
前記フェニル基、前記ビフェニリル基、前記ナフチル基、及び前記フェナントリル基の任意の置換基は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、又は環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基であり；
Ｒ１〜Ｒ７、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ３１〜Ｒ３４、及び＊１に結合する単結合ではないＲ４１〜Ｒ４８から選ばれる隣接する２つが互いに結合して環構造を形成することはなく；
前記フェニル基、前記ビフェニリル基、前記ナフチル基、及び前記フェナントリル基が隣接する２つの任意の置換基を有する場合、該隣接する２つの任意の置換基が互いに結合して環を形成することはない。）
【請求項２】
Ａｒの任意の置換基が表す前記ハロゲン原子、及びＲ１〜Ｒ７、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ３１〜Ｒ３４、及び＊１に結合する単結合ではないＲ４１〜Ｒ４８が表す前記ハロゲン原子がヨード原子、臭素原子、塩素原子及びフッ素原子から選ばれる請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ａｒの任意の置換基が表す前記炭素数１〜１０のアルキル基、及びＲ１〜Ｒ７、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ３１〜Ｒ３４、及び＊１に結合する単結合ではないＲ４１〜Ｒ４８が表す前記炭素数１〜１０のアルキル基が、それぞれ独立して、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｓｅｃ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、及びｔ−ブチル基から選ばれる請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
Ａｒの任意の置換基が表す前記環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基、及びＲ１〜Ｒ７、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ３１〜Ｒ３４、及び＊１に結合する単結合ではないＲ４１〜Ｒ４８が表す前記環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基が、それぞれ独立して、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基から選ばれる請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
下記式（１）又は（１１）で表される請求項１〜４のいずれか１項に記載の化合物。
【化２】
0006748335.tif 000072
【化３】
0006748335.tif 000073
（式中、Ｒ１〜Ｒ７、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ３１〜Ｒ３４、及びＲ４１〜Ｒ４８は式（Ａ）において定義したとおりである。）
【請求項６】
下記式（２）又は（１２）で表される請求項１〜５のいずれか１項に記載の化合物。
【化４】
0006748335.tif 000074
【化５】
0006748335.tif 000075
（式中、
Ｒ１〜Ｒ７、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ３１〜Ｒ３４、及びＲ４１〜Ｒ４８は式（Ａ）において定義したとおりであり；
Ｒ５１〜Ｒ５５は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、又は環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基である。）
【請求項７】
下記式（３）又は（１３）で表される請求項１〜５のいずれか１項に記載の化合物。
【化６】
0006748335.tif 000076
【化７】
0006748335.tif 000077
（式中、
Ｒ１〜Ｒ７、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ３１〜Ｒ３４、及びＲ４１〜Ｒ４８は式（Ａ）において定義したとおりであり；
Ｒ６１〜Ｒ６５から選ばれる１つは＊ａに結合する単結合であり、他のＲ６１〜Ｒ６５及びＲ６６〜Ｒ７０は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、又は環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基である。）
【請求項８】
前記式（３）が下記式（３ａ）〜（３ｃ）のいずれかで表される請求項７に記載の化合物。
【化８】
0006748335.tif 000078
【化９】
0006748335.tif 000079
【化１０】
0006748335.tif 000080
（式中、
Ｒ１〜Ｒ７、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ３１〜Ｒ３４、及びＲ４１〜Ｒ４７は式（Ａ）において定義したとおりであり；
Ｒ６１〜Ｒ６５及びＲ６６〜Ｒ７０は式（３）において定義したとおりである。）
【請求項９】
前記式（１３）が下記式（１３ａ）〜（１３ｃ）のいずれかで表される請求項７に記載の化合物。
【化１１】
0006748335.tif 000081
【化１２】
0006748335.tif 000082
【化１３】
0006748335.tif 000083
（式中、
Ｒ１〜Ｒ７、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ３１〜Ｒ３４、Ｒ４１〜Ｒ４６、及びＲ４８は式（Ａ）において定義したとおりであり；
Ｒ６１〜Ｒ６５及びＲ６６〜Ｒ７０は式（１３）において定義したとおりである。）
【請求項１０】
下記式（４）又は（１４）で表される請求項１〜５のいずれか１項に記載の化合物。
【化１４】
0006748335.tif 000084
【化１５】
0006748335.tif 000085
（式中、
Ｒ１〜Ｒ７、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ３１〜Ｒ３４、及びＲ４１〜Ｒ４８は式（Ａ）において定義したとおりであり；
Ｒ７１とＲ７２から選ばれる１つは＊ｂに結合する単結合であり、他方及びＲ７３〜Ｒ７８は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、又は環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基である。）
【請求項１１】
前記式（４）が下記式（４ａ）又は（４ｂ）で表される請求項１０に記載の化合物。
【化１６】
0006748335.tif 000086
【化１７】
0006748335.tif 000087
（式中、
Ｒ１〜Ｒ７、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ３１〜Ｒ３４、及びＲ４１〜Ｒ４７は式（Ａ）において定義したとおりであり；
Ｒ７１〜Ｒ７２及びＲ７３〜Ｒ７８は式（４）において定義したとおりである。）
【請求項１２】
前記式（１４）が下記式（１４ａ）又は（１４ｂ）で表される請求項１０に記載の化合物。
【化１８】
0006748335.tif 000088
【化１９】
0006748335.tif 000089
（式中、
Ｒ１〜Ｒ７、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ３１〜Ｒ３４、Ｒ４１〜Ｒ４６、及びＲ４８は式（Ａ）において定義したとおりであり；
Ｒ７１〜Ｒ７２及びＲ７３〜Ｒ７８は式（１４）において定義したとおりである。）
【請求項１３】
下記式（５）又は（１５）で表される請求項１〜５のいずれか１項に記載の化合物。
【化２０】
0006748335.tif 000090
【化２１】
0006748335.tif 000091
（式中、
Ｒ１〜Ｒ７、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ３１〜Ｒ３４、及びＲ４１〜Ｒ４８は式（Ａ）において定義したとおりであり；
Ｒ８１〜Ｒ９０から選ばれる一つは＊ｃに結合する単結合であり、他のＲ８１〜Ｒ９０は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、又は環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基である。）
【請求項１４】
前記式（５）が下記式（５ａ）〜（５ｅ）のいずれかで表される請求項１３に記載の化合物。
【化２２】
0006748335.tif 000092
【化２３】
0006748335.tif 000093
【化２４】
0006748335.tif 000094
【化２５】
0006748335.tif 000095
【化２６】
0006748335.tif 000096
（式中、
Ｒ１〜Ｒ７、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ３１〜Ｒ３４、及びＲ４１〜Ｒ４７は式（Ａ）において定義したとおりであり；
Ｒ８１〜Ｒ９０は式（５）において定義したとおりである。）
【請求項１５】
前記式（１５）が下記式（１５ａ）〜（１５ｅ）のいずれかで表される請求項１３に記載の化合物。
【化２７】
0006748335.tif 000097
【化２８】
0006748335.tif 000098
【化２９】
0006748335.tif 000099
【化３０】
0006748335.tif 000100
【化３１】
0006748335.tif 000101
（式中、
Ｒ１〜Ｒ７、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ３１〜Ｒ３４、Ｒ４１〜Ｒ４６、及びＲ４８は式（Ａ）において定義したとおりであり；
Ｒ８１〜Ｒ９０は式（１５）において定義したとおりである。）
【請求項１６】
Ｒ１〜Ｒ７、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ３１〜Ｒ３４、＊１に結合する単結合ではないＲ４１〜Ｒ４８、Ｒ５１〜Ｒ５５、＊ａに結合する単結合ではないＲ６１〜Ｒ６５、Ｒ６６〜Ｒ７０、＊ｂに結合する単結合ではないＲ７１又はＲ７２、Ｒ７３〜Ｒ７８、及び＊ｃに結合する単結合ではないＲ８１〜Ｒ９０が水素原子である請求項１〜１５のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項１７】
下記式のいずれかで表される請求項１〜１６のいずれか１項に記載の化合物。
【化３２】
0006748335.tif 000102
【化３３】
0006748335.tif 000103
【化３４】
0006748335.tif 000104
【化３５】
0006748335.tif 000105
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれか1項に記載の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【請求項１９】
陰極、陽極、及び該陰極と該陽極の間に有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該有機層が発光層を含み、該有機層の少なくとも１層が請求項１〜１７のいずれか１項に記載の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２０】
前記有機層が前記陽極と前記発光層の間に正孔輸送帯域を含み、該正孔輸送帯域が前記化合物を含む請求項１９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２１】
前記正孔輸送帯域が陽極側の第１正孔輸送層と陰極側の第２正孔輸送層を含み、該第１正孔輸送層、該第２正孔輸送層、又は双方が前記化合物を含む請求項２０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２２】
前記第１正孔輸送層が前記化合物を含む請求項２１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２３】
前記第２正孔輸送層が前記化合物を含む請求項２１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２４】
前記第２正孔輸送層が前記発光層に隣接している請求項２１〜２３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２５】
前記発光層が蛍光ドーパント材料を含む請求項１９〜２４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２６】
前記発光層が燐光ドーパント材料を含む請求項１９〜２４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２７】
請求項１９〜２６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子及び該有機エレクトロルミネッセンス素子を含む電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、“有機ＥＬ素子”と記載することもある）は陽極、陰極、及び陽極と陰極に挟まれた有機層から構成されている。両電極間に電圧が印加されると、陰極側から電子、陽極側から正孔が発光領域に注入され、注入された電子と正孔は発光領域において再結合して励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際に光を放出する。従って、電子又は正孔を発光領域に輸送し、電子と正孔との再結合を容易にする材料の開発は高性能有機ＥＬ素子を得る上で重要である。【０００３】
特許文献１は、窒素原子上にジベンゾフラン構造を含む基、ターフェニル構造を含む基、及びアリール基を有する芳香族アミン誘導体を記載している。該芳香族アミン誘導体は実施例において正孔輸送層に用いられている。【０００４】
特許文献２は、ジベンゾフラン構造を含む基を少なくとも１つ及びアリール基を窒素原子上に有する芳香族アミン誘導体を記載している。該芳香族アミン誘導体は実施例において正孔輸送層に用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】ＷＯ２００９／１４５０１６
【特許文献２】ＷＯ２００７／１２５７１４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来、多くの有機ＥＬ素子用の化合物が報告されているが、有機ＥＬ素子の性能を更に向上させる化合物が依然として求められている。【０００７】
本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、有機ＥＬ素子の性能をより改善する化合物、素子性能がより改善された有機ＥＬ素子、そのような有機ＥＬ素子を含む電子機器を提供すること目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、特許文献１及び２に記載の化合物を含む有機ＥＬ素子について鋭意研究を重ねた結果、下記実施例１〜５と比較例１〜４の比較から明らかなように、中心窒素原子上の３つ置換基の組み合わせが、特許文献１及び２には記載されていない特定の組み合わせであるモノアミン化合物が、高効率を示す有機ＥＬ素子を実現することを見出した。【０００９】
一態様において、本発明は下記式（Ａ）で表される化合物（以下、“発明化合物”と記載することもある）を提供する。
【化１】
0006748335.tif 000002
（式中、
Ａｒは置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のビフェニリル基、置換もしくは無置換のナフチル基、又は置換もしくは無置換のフェナントリル基であり；
Ｒ１〜Ｒ７は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、又は環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基であり；
Ｒ１１〜Ｒ１４は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、又は環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基であり；
Ｒ２１〜Ｒ２４は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、又は環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基であり；
Ｒ３１〜Ｒ３４は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、又は環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基であり；
Ｒ４１〜Ｒ４８は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、又は環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基である、ただし、Ｒ４７とＲ４８の一方は＊１に結合する単結合である；
前記フェニル基、前記ビフェニリル基、前記ナフチル基、及び前記フェナントリル基の任意の置換基は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、又は環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基であり；
Ｒ１〜Ｒ７、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ３１〜Ｒ３４、及び＊１に結合する単結合ではないＲ４１〜Ｒ４８から選ばれる隣接する２つが互いに結合して環構造を形成することはなく；
前記フェニル基、前記ビフェニリル基、前記ナフチル基、及び前記フェナントリル基が隣接する２つの任意の置換基を有する場合、該隣接する２つの任意の置換基が互いに結合して環構造を形成することはない。）【００１０】
他の態様において、本発明は発明化合物を含む有機ＥＬ素子用材料を提供する。【００１１】
他の態様において、本発明は、
陽極、陰極、及び該陽極と陰極の間に配置された有機層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記有機層が発光層を含み、
前記有機層の少なくとも１層が発明化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。【００１２】
他の態様において、本発明は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を含む電子機器を提供する。
【発明の効果】
【００１３】
発明化合物を含む有機ＥＬ素子は、長寿命でありながら高効率を示す。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の層構成の一例を示す概略図である。
【図２】本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の層構成の他の例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本明細書において、水素原子は、中性子数が異なる同位体、即ち、軽水素（protium）、重水素（deuterium）、及び三重水素（tritium）を包含する。
【００１６】
本明細書において、環形成炭素数とは、原子が環状に結合した構造の化合物（環状化合物、例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、及び複素環化合物）及び複数の前記環状化合物が直接連結している化合物（環集合化合物）の当該環自体を構成する炭素原子（環形成炭素又は環形成炭素原子という）の数を表す。当該環が置換基によって置換されている場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素数には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、特筆しない限り同様とする。
例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が６であり、ナフタレン環は環形成炭素数が１０であり、ピリジン環は環形成炭素数５であり、フラン環は環形成炭素数４である。また、例えば、９，９−ジフェニルフルオレニル基の環形成炭素数は１３であり、９，９’−スピロビフルオレニル基の環形成炭素数は２５である。
また、ベンゼン環に置換基として、例えば、アルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、ベンゼン環の環形成炭素数に含めない。そのため、アルキル基が置換しているベンゼン環の環形成炭素数は６である。また、ナフタレン環に置換基として、例えば、アルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、ナフタレン環の環形成炭素数に含めない。そのため、アルキル基が置換しているナフタレン環の環形成炭素数は１０である。
【００１７】
本明細書において、環形成原子数とは、前記環状化合物及び前記環集合化合物の当該環自体を構成する原子（環形成原子）の数を表す。環形成原子に結合する水素原子及び環形成原子に結合する置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、特筆しない限り同様とする。
例えば、ピリジン環の環形成原子数は６であり、キナゾリン環の環形成原子数は１０であり、フラン環の環形成原子数は５である。例えば、ピリジン環に結合している水素原子、又は置換基を構成する原子の数は、ピリジン環形成原子数の数に含めない。そのため、水素原子、又は置換基が結合している置換ピリジン環の環形成原子数は６である。また、例えば、キナゾリン環の炭素原子に結合している水素原子、又は置換基を構成する原子については、キナゾリン環の環形成原子数の数に含めない。そのため、水素原子、又は置換基が結合しているキナゾリン環の環形成原子数は１０である。
【００１８】
本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「炭素数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の炭素数を表し、置換されている場合の置換基の炭素数を含めない。
【００１９】
本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「原子数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の原子数を表し、置換されている場合の置換基の原子数を含めない。
【００２０】
本明細書において、「置換もしくは無置換のＺＺ基」という場合における「無置換」とは、ＺＺ基における水素原子が置換されていないことを意味する。
また、本明細書において、「置換もしくは無置換のＺＺ基」という場合における「置換」とは、ＺＺ基における１つ以上の水素原子が置換されていることを意味する。「ＡＡ基で置換されたＢＢ基」という場合における「置換」も同様に、ＢＢ基における１つ以上の水素原子が、ＡＡ基で置換されていることを意味する。
【００２１】
以下、本発明の化合物を説明する。
【００２２】
発明化合物は式（Ａ）で表される。
【化２】
0006748335.tif 000003
【００２３】
発明化合物は式（１）又は（１１）、好ましくは式（１）で表される化合物を含む。
【化３】
0006748335.tif 000004
【化４】
0006748335.tif 000005
【００２４】
発明化合物は、好ましくは下記式（２）〜（５）のいずれか、より好ましくは式（２）〜（４）のいずれかで表される。
【化５】
0006748335.tif 000006
【化６】
0006748335.tif 000007
【化７】
0006748335.tif 000008
【化８】
0006748335.tif 000009
【００２５】
一態様において、発明化合物は、好ましくは下記式（１２）〜（１５）のいずれか、より好ましくは式（１２）〜（１４）のいずれかで表される。
【化９】
0006748335.tif 000010
【化１０】
0006748335.tif 000011
【化１１】
0006748335.tif 000012
【化１２】
0006748335.tif 000013
【００２６】
前記式（３）は下記式（３ａ）〜（３ｃ）のいずれか、好ましくは式（３ａ）又は（３ｃ）で表される。
【化１３】
0006748335.tif 000014
【化１４】
0006748335.tif 000015
【化１５】
0006748335.tif 000016
【００２７】
前記式（１３）は下記式（１３ａ）〜（１３ｃ）のいずれか、好ましくは式（１３ａ）又は（１３ｃ）で表される。
【化１６】
0006748335.tif 000017
【化１７】
0006748335.tif 000018
【化１８】
0006748335.tif 000019
【００２８】
前記式（４）は下記式（４ａ）又は（４ｂ）、好ましくは式（４ａ）で表される。
【化１９】
0006748335.tif 000020
【化２０】
0006748335.tif 000021
【００２９】
前記式（１４）は下記式（１４ａ）又は（１４ｂ）、好ましくは式（１４ａ）で表される。
【化２１】
0006748335.tif 000022
【化２２】
0006748335.tif 000023
【００３０】
前記式（５）は下記式（５ａ）〜（５ｅ）のいずれか、好ましくは式（５ｂ）又は（５ｅ）で表される。
【化２３】
0006748335.tif 000024
【化２４】
0006748335.tif 000025
【化２５】
0006748335.tif 000026
【化２６】
0006748335.tif 000027
【化２７】
0006748335.tif 000028
【００３１】
前記式（１５）は下記式（１５ａ）〜（１５ｅ）のいずれか、好ましくは式（１５ｂ）又は（１５ｅ）で表される。
【化２８】
0006748335.tif 000029
【化２９】
0006748335.tif 000030
【化３０】
0006748335.tif 000031
【化３１】
0006748335.tif 000032
【化３２】
0006748335.tif 000033
【００３２】
以下、前記各式の記号を説明する。特に断らない限り、同じ記号は同じ意味を有する。
本明細書に記載のハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、及び環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基は、特に断らない限り、以下の意味を有する。
ハロゲン原子は、好ましくはヨード原子、臭素原子、塩素原子又はフッ素原子、より好ましくは塩素原子又はフッ素原子である。
炭素数１〜１０のアルキル基は、好ましくは炭素数１〜６、より好ましくは１〜４のアルキル基である。該炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｓｅｃ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、及びｔ−ブチル基が挙げられ、好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基、イソブチル基、及びｔ−ブチル基、より好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基、及びｔ−ブチル基、さらに好ましくはメチル基及びｔ−ブチル基である。
環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基は、好ましくは５又は６のシクロアルキル基である。該環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基が挙げられ、好ましくはシクロペンチル基及びシクロヘキシル基である。
【００３３】
Ａｒは置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のビフェニリル基、置換もしくは無置換のナフチル基、又は置換もしくは無置換のフェナントリル基である。
前記ビフェニリル基はｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、及びｐ−ビフェニリル基を含み；前記ナフチル基は１−ナフチル基及び２−ナフチル基を含み；前記フェナントリル基は１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、及び９−フェナントリル基を含む。
前記ビフェニリル基はｏ−ビフェニリル基又はｐ−ビフェニリル基であることが好ましく、前記ナフチルは１−ナフチル基であることが好ましく、前記フェナントリル基は２−フェナントリル基又は９−フェナントリル基であることが好ましい。
本発明の一態様において、Ａｒは無置換のフェニル基、無置換のビフェニリル基、無置換のナフチル基、又は無置換のフェナントリル基であることが好ましい。
【００３４】
前記フェニル基、前記ビフェニリル基、前記ナフチル基、及び前記フェナントリル基の任意の置換基は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、又は環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基から選ばれる。ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、及び環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基の詳細は上記したとおりである。
【００３５】
前記フェニル基、前記ビフェニリル基、前記ナフチル基、又は前記フェナントリル基が隣接する２つの任意の置換基を有する場合、該隣接する２つの任意の置換基は、互いに結合して環構造を形成しない。
【００３６】
Ｒ１〜Ｒ７は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、又は環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基である。ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、及び環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基の詳細は、上記したとおりである。
本発明の一態様において、Ｒ１〜Ｒ７はすべて水素原子であることが好ましい。
【００３７】
Ｒ１１〜Ｒ１４は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、又は環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基である。ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、及び環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基の詳細は上記したとおりである。
本発明の一態様において、Ｒ１１〜Ｒ１４はすべて水素原子であることが好ましい。
【００３８】
Ｒ２１〜Ｒ２４は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、又は環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基である。ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、及び環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基の詳細は上記したとおりである。
本発明の一態様において、Ｒ２１〜Ｒ２４はすべて水素原子であることが好ましい。
【００３９】
Ｒ３１〜Ｒ３４は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、又は環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基である。ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、及び環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基の詳細は上記したとおりである。
本発明の一態様において、Ｒ３１〜Ｒ３４はすべて水素原子であることが好ましい。
【００４０】
Ｒ４１〜Ｒ４８は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、又は環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基である。ただし、Ｒ４７とＲ４８の一方は＊１に結合する単結合である。ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、及び環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基の詳細は上記したとおりである。
本発明の一態様において、＊１に結合する単結合ではないＲ４１〜Ｒ４８はすべて水素原子であることが好ましい。
【００４１】
式（Ａ）において、Ｒ１〜Ｒ７、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ３１〜Ｒ３４、及び＊１に結合する単結合ではないＲ４１〜Ｒ４８から選ばれる隣接する２つが互いに結合して環構造を形成することはない。
【００４２】
式（２）及び（１２）において、Ｒ５１〜Ｒ５５は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、又は環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基である。ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、及び環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基の詳細は上記したとおりである。
式（２）及び（１２）において、Ｒ１〜Ｒ７、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ３１〜Ｒ３４、及びＲ４１〜Ｒ４８は式（Ａ）で定義した通りであり、Ｒ５１〜Ｒ５５から選ばれる隣接する２つが互いに結合して環構造を形成することはない。
本発明の一態様において、Ｒ５１〜Ｒ５５はすべて水素原子であることが好ましい。
【００４３】
式（３）及び（１３）において、Ｒ６１〜Ｒ６５から選ばれる１つは＊ａに結合する単結合である。
＊ａに結合する単結合ではないＲ６１〜Ｒ６５、及びＲ６６〜Ｒ７０は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、又は環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基である。ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、及び環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基の詳細は上記したとおりである。
式（３）及び（１３）において、Ｒ１〜Ｒ７、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ３１〜Ｒ３４、及びＲ４１〜Ｒ４８は式（Ａ）で定義した通りであり、＊ａに結合する単結合ではないＲ６１〜Ｒ６５及びＲ６６〜Ｒ７０から選ばれる隣接する２つが互いに結合して環構造を形成することはない。
本発明の一態様において、＊ａに結合する単結合ではないＲ６１〜Ｒ６５、及びＲ６６〜Ｒ７０はすべて水素原子であることが好ましい。
【００４４】
式（４）及び（１４）において、Ｒ７１とＲ７２から選ばれる１つは＊ｂに結合する単結合である。
＊ｂに結合する単結合ではないＲ７１又はＲ７２、及びＲ７３〜Ｒ７８は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、又は環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基である。ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、及び環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基の詳細は上記したとおりである。
式（４）及び（１４）において、Ｒ１〜Ｒ７、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ３１〜Ｒ３４、及びＲ４１〜Ｒ４８は式（Ａ）で定義した通りであり、＊ｂに結合する単結合ではないＲ７１又はＲ７２及びＲ７３〜Ｒ７８から選ばれる隣接する２つは互いに結合して環構造を形成しない。
本発明の一態様において、＊ｂに結合する単結合ではないＲ７１又はＲ７２、及びＲ７３〜Ｒ７８はすべて水素原子であることが好ましい。
【００４５】
式（５）及び（１５）において、Ｒ８１〜Ｒ９０から選ばれる１つは＊ｃに結合する単結合である。
＊ｃに結合する単結合ではないＲ８１〜Ｒ９０は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、又は環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基である。ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、及び環形成炭素数３〜６のシクロアルキル基の詳細は上記したとおりである。
式（５）及び（１５）において、Ｒ１〜Ｒ７、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ３１〜Ｒ３４、及びＲ４１〜Ｒ４８は式（Ａ）で定義した通りであり、＊ｃに結合する単結合ではないＲ８１〜Ｒ９０から選ばれる隣接する２つは互いに結合して環構造を形成しない。
本発明の一態様において、＊ｃに結合する単結合ではないＲ８１〜Ｒ９０はすべて水素原子であることが好ましい。
【００４６】
本発明の一態様において、発明化合物は、好ましくは下記式のいずれかで表される。
【化３３】
0006748335.tif 000034
【化３４】
0006748335.tif 000035
【００４７】
本発明の一態様において、発明化合物は、好ましくは下記式のいずれかで表される。
【化３５】
0006748335.tif 000036
【化３６】
0006748335.tif 000037
【００４８】
上記したように、本明細書において使用する「水素原子」は軽水素原子、重水素原子、及び三重水素原子を包含する。従って、発明化合物は天然由来の重水素原子を含んでいてもよい。
又、原料化合物の一部又は全てに重水素化した化合物を使用することにより、発明化合物に重水素原子を意図的に導入してもよい。従って、本発明の一態様において、発明化合物は少なくとも１個の重水素原子を含む。すなわち、発明化合物は、式（Ａ）又はその好ましい態様の式で表される化合物であって、該化合物に含まれる水素原子の少なくとも一つが重水素原子である化合物であってもよい。
【００４９】
すなわち、式（Ａ）において、
Ａｒが表すフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、又はフェナントリル基が有する水素原子；Ｒ１〜Ｒ７のいずれかが表す水素原子；Ｒ１１〜Ｒ１４のいずれかが表す水素原子；Ｒ２１〜Ｒ２４のいずれかが表す水素原子；Ｒ３１〜Ｒ３４のいずれかが表す水素原子；及び＊１に結合する単結合ではないＲ４１〜Ｒ４８のいずれかが表す水素原子から選ばれる少なくとも一つの水素原子が重水素原子であってもよい。
【００５０】
前記重水素化された化合物の重水素化率（発明化合物中の全水素原子数に対する重水素原子数の割合）は使用する原料化合物の重水素化率に依存する。使用する全ての原料化合物の重水素化率を１００％にすることは通常困難であるので、発明化合物の重水素化率は１００％未満である。
前記重水素化された化合物の重水素化率は、１％以上、好ましくは３％以上、より好ましくは５％以上、さらに好ましくは１０％以上である。
【００５１】
発明化合物は、重水素化された化合物と重水素化されていない化合物を含む混合物、異なる重水素化率を有する２以上の化合物の混合物であってもよい。このような混合物の重水素化率（混合物に含まれる発明化合物中の全水素原子数に対する重水素原子数の割合）は、１％以上、好ましくは３％以上、より好ましくは５％以上、さらに好ましくは１０％以上、かつ、１００％未満である。
【００５２】
発明化合物において、Ａｒが表すフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、又はフェナントリル基が有する水素原子から選ばれる少なくとも一つの水素原子が重水素原子であってもよい。重水素化率（Ａｒが有する全水素原子数に対する重水素原子数の割合）は、１％以上、好ましくは３％以上、より好ましくは５％以上、さらに好ましくは１０％以上、かつ、１００％未満である。
【００５３】
発明化合物において、Ｒ１〜Ｒ７のいずれかが表す水素原子から選ばれる少なくとも一つの水素原子が重水素原子であってもよい。重水素化率（Ｒ１〜Ｒ７が表す全水素原子数に対する重水素原子数の割合）は、１％以上、好ましくは３％以上、より好ましくは５％以上、さらに好ましくは１０％以上、かつ、１００％未満である。
【００５４】
発明化合物において、Ｒ１１〜Ｒ１４のいずれかが表す水素原子から選ばれる少なくとも一つの水素原子が重水素原子であってもよい。重水素化率（Ｒ１１〜Ｒ１４が表す全水素原子数に対する重水素原子数の割合）は、１％以上、好ましくは３％以上、より好ましくは５％以上、さらに好ましくは１０％以上、かつ、１００％未満である。
【００５５】
発明化合物において、Ｒ２１〜Ｒ２４のいずれかが表す水素原子から選ばれる少なくとも一つの水素原子が重水素原子であってもよい。重水素化率（Ｒ２１〜Ｒ２４が表す全水素原子数に対する重水素原子数の割合）は、１％以上、好ましくは３％以上、より好ましくは５％以上、さらに好ましくは１０％以上、かつ、１００％未満である。
【００５６】
発明化合物において、Ｒ３１〜Ｒ３４のいずれかが表す水素原子から選ばれる少なくとも一つの水素原子が重水素原子であってもよい。重水素化率（Ｒ３１〜Ｒ３４が表す全水素原子数に対する重水素原子数の割合）は、１％以上、好ましくは３％以上、より好ましくは５％以上、さらに好ましくは１０％以上、かつ、１００％未満である。
【００５７】
発明化合物において、＊１に結合する単結合ではないＲ４１〜Ｒ４８のいずれかが表す水素原子から選ばれる少なくとも一つの水素原子が重水素原子であってもよい。重水素化率（＊１に結合する単結合ではないＲ４１〜Ｒ４８が表す全水素原子数に対する重水素原子数の割合）は、１％以上、好ましくは３％以上、より好ましくは５％以上、さらに好ましくは１０％以上、かつ、１００％未満である。
【００５８】
発明化合物は、当業者であれば、下記合成例及び公知の合成方法を参考にして容易に製造することができる。
【００５９】
以下に発明化合物の具体例を示すが、以下の例示化合物に限定されるものではない。例示化合物に記載のＤは重水素原子を表す。
【００６０】
【化３７】
0006748335.tif 000038
【００６１】
【化３８】
0006748335.tif 000039
【００６２】
【化３９】
0006748335.tif 000040
【００６３】
【化４０】
0006748335.tif 000041
【００６４】
【化４１】
0006748335.tif 000042
【００６５】
【化４２】
0006748335.tif 000043
【００６６】
【化４３】
0006748335.tif 000044
【００６７】
【化４４】
0006748335.tif 000045
【００６８】
有機ＥＬ素子用材料
本発明の有機ＥＬ素子用材料は発明化合物を含む。本発明の有機ＥＬ素子用材料における発明化合物の含有量は、例えば、１質量％以上（１００％を含む）であり、１０質量％以上（１００％を含む）であることが好ましく、５０質量％以上（１００％を含む）であることがより好ましく、８０質量％以上（１００％を含む）であることがさらに好ましく、９０質量％以上（１００％を含む）であることが特に好ましい。本発明の有機ＥＬ素子用材料は、有機ＥＬ素子の製造に有用である。
【００６９】
有機ＥＬ素子
本発明の有機ＥＬ素子は陽極、陰極、及び該陽極と陰極の間に配置された有機層を含む。該有機層は発光層を含み、該有機層の少なくとも一層が発明化合物を含む。
発明化合物が含まれる有機層の例としては、陽極と発光層との間に設けられる正孔輸送帯域（正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、励起子阻止層等）、発光層、スペース層、陰極と発光層との間に設けられる電子輸送帯域（電子注入層、電子輸送層、正孔阻止層等）等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。発明化合物は好ましくは蛍光又は燐光ＥＬ素子の正孔輸送帯域又は発光層の材料、より好ましくは正孔輸送帯域の材料、更に好ましくは正孔輸送層、電子阻止層、又は励起子阻止層の材料、特に好ましくは電子阻止層又は励起子阻止層の材料として用いられる。
【００７０】
本発明の有機ＥＬ素子は、蛍光又は燐光発光型の単色発光素子であっても、蛍光／燐光ハイブリッド型の白色発光素子であってもよいし、単独の発光ユニットを有するシンプル型であっても、複数の発光ユニットを有するタンデム型であってもよく、中でも、蛍光発光型の素子であることが好ましい。ここで、「発光ユニット」とは、有機層を含み、そのうちの少なくとも一層が発光層であり、注入された正孔と電子が再結合することにより発光する最小単位をいう。
【００７１】
例えば、シンプル型有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。
（１）陽極／発光ユニット／陰極
また、上記発光ユニットは、燐光発光層や蛍光発光層を複数有する積層型であってもよく、その場合、各発光層の間に、燐光発光層で生成された励起子が蛍光発光層に拡散することを防ぐ目的で、スペース層を有していてもよい。シンプル型発光ユニットの代表的な層構成を以下に示す。括弧内の層は任意である。
（ａ）（正孔注入層／）正孔輸送層／蛍光発光層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｂ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層電子輸送層（／電子注入層）
（ｃ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第１蛍光発光層／第２蛍光発光層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｄ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第１燐光発光層／第２燐光発光層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｅ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／スペース層／蛍光発光層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｆ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第１燐光発光層／第２燐光発光層／スペース層／蛍光発光層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｇ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第１燐光発光層／スペース層／第２燐光発光層／スペース層／蛍光発光層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｈ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／スペース層／第１蛍光発光層／第２蛍光発光層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｉ）（正孔注入層／）正孔輸送層／電子阻止層／蛍光発光層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｊ）（正孔注入層／）正孔輸送層／電子阻止層／燐光発光層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｋ）（正孔注入層／）正孔輸送層／励起子阻止層／蛍光発光層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｌ）（正孔注入層／）正孔輸送層／励起子阻止層／燐光発光層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｍ）（正孔注入層／）第１正孔輸送層／第２正孔輸送層／蛍光発光層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｎ）（正孔注入層／）第１正孔輸送層／第２正孔輸送層／燐光発光層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｏ）（正孔注入層／）第１正孔輸送層／第２正孔輸送層／蛍光発光層／第１電子輸送層／第２電子輸送層（／電子注入層）
（ｐ）（正孔注入層／）第１正孔輸送層／第２正孔輸送層／燐光発光層／第１電子輸送層／第２電子輸送層（／電子注入層）
（ｑ）（正孔注入層／）正孔輸送層／蛍光発光層／正孔阻止層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｒ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／正孔阻止層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｓ）（正孔注入層／）正孔輸送層／蛍光発光層／励起子阻止層／電子輸送層（／電子注入層）
（ｔ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／励起子阻止層／電子輸送層（／電子注入層）
【００７２】
上記各燐光又は蛍光発光層は、それぞれ互いに異なる発光色を示すものとすることができる。具体的には、上記積層発光ユニット（ｆ）において、（正孔注入層／）正孔輸送層／第１燐光発光層（赤色発光）／第２燐光発光層（緑色発光）／スペース層／蛍光発光層（青色発光）／電子輸送層といった層構成等が挙げられる。
なお、各発光層と正孔輸送層あるいはスペース層との間には、適宜、電子阻止層を設けてもよい。また、各発光層と電子輸送層との間には、適宜、正孔阻止層を設けてもよい。電子阻止層や正孔阻止層を設けることで、電子又は正孔を発光層内に閉じ込めて、発光層における電荷の再結合確率を高め、発光効率を向上させることができる。
【００７３】
タンデム型有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。
（２）陽極／第１発光ユニット／中間層／第２発光ユニット／陰極
ここで、上記第１発光ユニット及び第２発光ユニットとしては、例えば、それぞれ独立に上述の発光ユニットから選択することができる。
上記中間層は、一般的に、中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層とも呼ばれ、第１発光ユニットに電子を、第２発光ユニットに正孔を供給する、公知の材料構成を用いることができる。
【００７４】
図１は本発明の有機ＥＬ素子の構成の一例を示す概略図である。有機ＥＬ素子１は、基板２、陽極３、陰極４、及び該陽極３と陰極４との間に配置された発光ユニット１０とを有する。発光ユニット１０は、発光層５を有する。発光層５と陽極３との間に正孔輸送帯域６（正孔注入層、正孔輸送層等）、発光層５と陰極４との間に電子輸送帯域７（電子注入層、電子輸送層等）を有する。また、発光層５の陽極３側に電子阻止層（図示せず）を、発光層５の陰極４側に正孔阻止層（図示せず）を、それぞれ設けてもよい。これにより、電子や正孔を発光層５に閉じ込めて、発光層５における励起子の生成効率をさらに高めることができる。
【００７５】
図２は、本発明の有機ＥＬ素子の他の構成を示す概略図である。有機ＥＬ素子１１は、基板２、陽極３、陰極４、及び該陽極３と陰極４との間に配置された発光ユニット２０とを有する。発光ユニット２０は、発光層５を有する。陽極３と発光層５の間に配置された正孔輸送帯域は、第１正孔輸送層６ａ及び第２正孔輸送層６ｂから形成されている。また、発光層５と陰極４の間に配置された電子輸送帯域は、第１電子輸送層７ａ及び第２電子輸送層７ｂから形成されている。
【００７６】
なお、本発明において、蛍光ドーパント（蛍光発光材料）と組み合わされたホストを蛍光ホストと称し、燐光ドーパントと組み合わされたホストを燐光ホストと称する。蛍光ホストと燐光ホストは分子構造のみにより区分されるものではない。すなわち、燐光ホストとは、燐光ドーパントを含有する燐光発光層を形成する材料を意味し、蛍光発光層を形成する材料として利用できないことを意味しているわけではない。蛍光ホストについても同様である。
【００７７】
基板
基板は、有機ＥＬ素子の支持体として用いられる。基板としては、例えば、ガラス、石英、プラスチックなどの板を用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板としては、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニルからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、無機蒸着フィルムを用いることもできる。
【００７８】
陽極
基板上に形成される陽極には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステンおよび酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または前記金属の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
【００７９】
これらの材料は、通常、スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１〜１０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを、酸化タングステンおよび酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。その他、真空蒸着法、塗布法、インクジェット法、スピンコート法などにより作製してもよい。
【００８０】
陽極に接して形成される正孔注入層は、陽極の仕事関数に関係なく正孔注入が容易である材料を用いて形成されるため、電極材料として一般的に使用される材料（例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物、元素周期表の第１族または第２族に属する元素）を用いることができる。
仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびこれらを含む合金を用いて陽極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。さらに、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
【００８１】
正孔注入層
正孔注入層は、正孔注入性の高い材料（正孔注入性材料）を含む層であり、陽極と発光層の間、又は、存在する場合には、陽極と正孔輸送層の間に形成される。
【００８２】
正孔注入性材料としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。
【００８３】
低分子の有機化合物である４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等も正孔注入層材料として挙げられる。
【００８４】
高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることもできる。
【００８５】
さらに、下記式（Ｋ）で表されるヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）化合物などのアクセプター材料を用いることも好ましい。
【化４５】
0006748335.tif 000046
【００８６】
（上記式中、Ｒ２１〜Ｒ２６は、それぞれ独立にシアノ基、−ＣＯＮＨ２、カルボキシル基、又は−ＣＯＯＲ２７（Ｒ２７は炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数３〜２０のシクロアルキル基を表す）を表す。また、Ｒ２１及びＲ２２、Ｒ２３及びＲ２４、及びＲ２５及びＲ２６から選ばれる隣接する２つが互いに結合して−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−で示される基を形成してもよい。）
Ｒ２７としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
【００８７】
正孔輸送層
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い材料（正孔輸送性材料）を含む層であり、陽極と発光層の間、又は、存在する場合には、正孔注入層と発光層の間に形成される。発明化合物を単独で又は下記の化合物と組み合わせて正孔輸送層に用いることが好ましい。
【００８８】
正孔輸送層は、単層構造でもよく、２以上の層を含む多層構造でもよい。例えば、正孔輸送層は第１正孔輸送層（陽極側）と第２正孔輸送層（陰極側）を含む２層構造であってもよい。本発明の一態様において、前記単層構造の正孔輸送層は発光層に隣接していることが好ましく、又、前記多層構造中の最も陰極に近い正孔輸送層、例えば、上記２層構造の第２正孔輸送層、は発光層に隣接していることが好ましい。本発明の他の態様において、前記単層構造の正孔輸送層と発光層の間に、又は、前記多層構造中の最も発光層に近い正孔輸送層と発光層の間に、後述する電子阻止層などを介在させてもよい。
前記２層構造の正孔輸送層において、発明化合物は第１正孔輸送層と第２正孔輸送層の一方に含まれていてもよいし、双方に含まれていてもよい。
本発明の一態様においては、発明化合物が第１正孔輸送層のみに含まれるのが好ましく、他の態様においては、発明化合物が第２正孔輸送層のみに含まれるのが好ましく、さらに他の態様においては、発明化合物が第１正孔輸送層と第２正孔輸送層に含まれるのが好ましい。
【００８９】
本発明の一態様において、前記第１正孔輸送層と前記第２正孔輸送層の一方又は双方に含まれる発明化合物は、製造コストの観点から、軽水素体であることが好ましい。
前記軽水素体とは、発明化合物中の全ての水素原子が軽水素原子である発明化合物のことである。
従って、本発明は、前記第１正孔輸送層と前記第２正孔輸送層の一方又は双方が実質的に軽水素体のみからなる発明化合物を含む有機ＥＬ素子を含む。「実質的に軽水素体のみからなる発明化合物」とは、発明化合物の総量に対する軽水素体の含有割合が、９０モル％以上、好ましくは９５モル％以上、より好ましくは９９モル％以上（それぞれ１００％を含む）であることを意味する。
【００９０】
発明化合物以外の正孔輸送層材料としては、例えば、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用する事ができる。
芳香族アミン化合物としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＡＦＬＰ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、及び、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）が挙げられる。上記化合物は、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する。
【００９１】
カルバゾール誘導体としては、例えば、４，４’−ジ（９−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、９−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）、及び、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）が挙げられる。
アントラセン誘導体としては、例えば、２−ｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、及び、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）が挙げられる。
ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。
但し、電子輸送性よりも正孔輸送性の方が高い化合物であれば、上記以外の化合物を用いてもよい。
【００９２】
発光層のドーパント材料
発光層は、発光性の高い材料（ドーパント材料）を含む層であり、種々の材料を用いることができる。例えば、蛍光発光材料や燐光発光材料をドーパント材料として用いることができる。蛍光発光材料は一重項励起状態から発光する化合物であり、燐光発光材料は三重項励起状態から発光する化合物である。
【００９３】
発光層に用いることができる青色系の蛍光発光材料として、ピレン誘導体、スチリルアミン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、フルオレン誘導体、ジアミン誘導体、トリアリールアミン誘導体等が使用できる。具体的には、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）などが挙げられる。
【００９４】
発光層に用いることができる緑色系の蛍光発光材料として、芳香族アミン誘導体等を使用できる。具体的には、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）］−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。
【００９５】
発光層に用いることができる赤色系の蛍光発光材料として、テトラセン誘導体、ジアミン誘導体等が使用できる。具体的には、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。
【００９６】
発光層に用いることができる青色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体等の金属錯体が使用される。具体的には、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）などが挙げられる。
【００９７】
発光層に用いることができる緑色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体等が使用される。トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。
【００９８】
発光層に用いることができる赤色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体、白金錯体、テルビウム錯体、ユーロピウム錯体等の金属錯体が使用される。具体的には、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナート）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。
【００９９】
また、トリス（アセチルアセトナート）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）であるため、燐光発光材料として用いることができる。
【０１００】
発光層のホスト材料
発光層は、上述したドーパント材料を他の材料（ホスト材料）に分散させた構成としてもよい。ドーパント材料よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）が高く、最高占有軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い材料を用いることが好ましい。
【０１０１】
ホスト材料としては、例えば
（１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、又は亜鉛錯体等の金属錯体、
（２）オキサジアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、又はフェナントロリン誘導体等の複素環化合物、
（３）カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、又はクリセン誘導体等の縮合芳香族化合物、
（４）トリアリールアミン誘導体又は縮合多環芳香族アミン誘導体等の芳香族アミン化合物が使用される。
【０１０２】
例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体；
２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などの複素環化合物；
９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセンなどの縮合芳香族化合物；及び
Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物を用いることができる。ホスト材料は複数種用いてもよい。
【０１０３】
特に、青色蛍光素子の場合には、下記のアントラセン化合物をホスト材料として用いることが好ましい。
【０１０４】
【化４６】
0006748335.tif 000047
【０１０５】
【化４７】
0006748335.tif 000048
【０１０６】
【化４８】
0006748335.tif 000049
【０１０７】
電子輸送層
電子輸送層は電子輸送性の高い材料（電子輸送性材料）を含む層であり、発光層と陰極の間、又は、存在する場合は、発光層と電子注入層の間に形成される。
電子輸送層は、単層構造でもよく、２以上の層を含む多層構造でもよい。例えば、電子輸送層は第１電子輸送層（陽極側）と第２電子輸送層（陰極側）を含む２層構造であってもよい。本発明の一態様において、前記単層構造の電子輸送層は発光層に隣接していることが好ましく、又、前記多層構造中の最も陽極に近い電子輸送層、例えば、上記２層構造の第１電子輸送層、は発光層に隣接していることが好ましい。本発明の他の態様において、前記単層構造の電子輸送層と発光層の間に、又は、前記多層構造中の最も発光層に近い電子輸送層と発光層の間に、後述する正孔阻止層などを介在させてもよい。
【０１０８】
電子輸送層には、例えば、
（１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、
（２）イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、
（３）高分子化合物を使用することができる。
【０１０９】
金属錯体としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ2）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）が挙げられる。
【０１１０】
複素芳香族化合物としては、例えば、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）が挙げられる。
【０１１１】
高分子化合物としては、例えば、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）が挙げられる。
【０１１２】
上記材料は、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する材料である。なお、正孔輸送性よりも電子輸送性の高い材料であれば、上記以外の材料を電子輸送層に用いてもよい。
【０１１３】
電子注入層
電子注入層は、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入層には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属、及びこれらの金属を含む化合物を用いることができる。そのような化合物としては、例えば、アルカリ金属酸化物、アルカリ金属ハロゲン化物、アルカリ金属含有有機錯体、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ土類金属ハロゲン化物、アルカリ土類金属含有有機錯体、希土類金属酸化物、希土類金属ハロゲン化物、及び希土類金属含有有機錯体が挙げられる。また、これらの化合物を複数混合して用いることもできる。
その他、電子輸送性を有する材料にアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を含有させたもの、具体的にはＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いてもよい。なお、この場合には、陰極からの電子注入をより効率良く行うことができる。
あるいは、電子注入層に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、有機化合物が電子供与体から電子を受け取るため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、受け取った電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層を構成する材料（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す材料であればよい。具体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
【０１１４】
陰極
陰極には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。
なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金を用いて陰極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
なお、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、グラフェン、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を用いて陰極を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。
【０１１５】
絶縁層
有機ＥＬ素子は、超薄膜に電界を印加するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層からなる絶縁層を挿入してもよい。
絶縁層に用いられる材料としては、例えば、酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。なお、これらの混合物や積層物を用いてもよい。
【０１１６】
スペース層
上記スペース層とは、例えば、蛍光発光層と燐光発光層とを積層する場合に、燐光発光層で生成する励起子を蛍光発光層に拡散させない、あるいは、キャリアバランスを調整する目的で、蛍光発光層と燐光発光層との間に設けられる層である。また、スペース層は、複数の燐光発光層の間に設けることもできる。
スペース層は発光層間に設けられるため、電子輸送性と正孔輸送性を兼ね備える材料であることが好ましい。また、隣接する燐光発光層内の三重項エネルギーの拡散を防ぐため、三重項エネルギーが２．６ｅＶ以上であることが好ましい。スペース層に用いられる材料としては、上述の正孔輸送層に用いられるものと同様のものが挙げられる。
【０１１７】
阻止層
電子阻止層、正孔阻止層、励起子阻止層などの阻止層を発光層に隣接して設けてもいい。電子阻止層とは発光層から正孔輸送層へ電子が漏れることを防ぐ層であり、正孔阻止層とは発光層から電子輸送層へ正孔が漏れることを防ぐ層である。励起子阻止層は発光層で生成した励起子が周辺の層へ拡散することを防止し、励起子を発光層内に閉じ込める機能を有する。
【０１１８】
前記有機ＥＬ素子の各層は従来公知の蒸着法、塗布法等により形成することができる。例えば、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）などの蒸着法、あるいは、層を形成する化合物の溶液を用いた、ディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。
【０１１９】
各層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い駆動電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常５ｎｍ〜１０μｍであり、１０ｎｍ〜０．２μｍがより好ましい。
【０１２０】
前記有機ＥＬ素子は、有機ＥＬパネルモジュール等の表示部品、テレビ、携帯電話、パーソナルコンピュータ等の表示装置、及び、照明、車両用灯具の発光装置等の電子機器に使用できる。
【実施例】
【０１２１】
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。【０１２２】
下記実施例１〜６の有機ＥＬ素子の製造に用いた発明化合物
【化４９】
0006748335.tif 000050
【０１２３】
下記比較例１〜４の有機ＥＬ素子の製造に用いた比較化合物
【化５０】
0006748335.tif 000051
比較化合物Ref-1は特許文献２に記載の化合物、比較化合物Ref-2、Ref-3及びRef-4は特許文献１に記載の化合物である。【０１２４】
下記実施例１〜６及び下記比較例１〜４の有機ＥＬ素子の製造に用いた他の化合物
【化５１】
0006748335.tif 000052
【化５２】
0006748335.tif 000053
【０１２５】
各有機ＥＬ素子を以下のように作製し、各素子のＥＬ素子性能を評価した。【０１２６】
有機ＥＬ素子の作製
実施例１
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）を、イソプロピルアルコール中で５分間超音波洗浄した後、３０分間ＵＶオゾン洗浄した。ＩＴＯの膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付き前記ガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物ＨＩ−１を蒸着し、膜厚５ｎｍの正孔注入層を形成した。
次に、正孔注入層上に化合物ＨＴ−１を蒸着し、膜厚８０ｎｍの第１正孔輸送層を形成した。
次に、この第１正孔輸送層上に化合物Inv-1を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第２正孔輸送層を形成した。
次に、この第２正孔輸送層上に、化合物ＢＨ−１（ホスト材料）と化合物ＢＤ−１（ドーパント材料）を共蒸着し、膜厚２５ｎｍの発光層を形成した。化合物ＢＤ−１の発光層中の濃度は４．０質量％であった。
次に、この発光層の上に、化合物ＥＴ−１を蒸着して膜厚１０ｎｍの第１電子輸送層を形成した。
次に、この第１電子輸送層の上に、化合物ＥＴ−２を蒸着して膜厚１５ｎｍの第２電子輸送層を形成した。
次に、この第２電子輸送層上に、ＬｉＦを蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入性電極（陰極）を形成した。
そして、この電子注入性電極上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの金属陰極を形成した。
このようにして得られた実施例１の有機ＥＬ素子の層構成は概略以下のとおりである。
ITO（130）/HI（5）/HT-1（80）/化合物Inv-1（10）/BH-1:BD-1=96:4（25）/ET-1（10）/ET-2（15）/LiF（1）/Al（80）
上記層構成において、括弧内の数字は膜厚（ｎｍ）であり、ＢＨ−１とＢＤ−１の割合は質量比である。【０１２７】
実施例２〜６
実施例２〜６の有機ＥＬ素子は、実施例１における第２正孔輸送層化合物（化合物Inv-1）を表１に記載の化合物に置き換えたこと以外は実施例１と同様にして作製した【０１２８】
比較例１〜４
比較例１〜４の有機ＥＬ素子は、実施例１における第２正孔輸送層化合物（化合物Inv-1）を表１に記載の比較化合物に置き換えたこと以外は実施例１と同様にして作製した。【０１２９】
有機ＥＬ素子の評価
作製した各有機ＥＬ素子について、外部量子効率と素子寿命を評価した。評価結果を表１に示す。【０１３０】
外部量子効率（ＥＱＥ）の測定
得られた有機ＥＬ素子を室温下、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２で直流定電流駆動し、輝度計（ミノルタ社製分光輝度放射計ＣＳ−１０００）を用いて輝度を測定した。測定結果から外部量子効率（％）を求めた。【０１３１】
【表１】
0006748335.tif 000054
【０１３２】
表１の結果から明らかなように、本発明の式（１）の化合物Inv-1〜5及び12のいずれかを含む有機ＥＬ素子は、高効率（高外部量子効率）を示す。
一方、特許文献２に記載の化合物Ref-1、特許文献１に記載の化合物Ref-2、Ref-3又はRef-4のいずれかを含む有機ＥＬ素子は、効率（外部量子効率）が不十分である。
実施例１、５と比較例１、２、４の比較から、中心窒素原子上にｐ−ビフェニリレンリンカーを介して結合した１−ナフチル基が存在すると高効率が得られることが分かる。
又、実施例１〜６と比較例３の比較から、中心窒素原子上に本発明の式（１）で定義するＡｒが存在すると高効率が得られることが分かる。【０１３３】
合成例で合成した化合物
【化５３】
0006748335.tif 000055
【化５４】
0006748335.tif 000056
【化５５】
0006748335.tif 000057
【０１３４】
合成例１：化合物Inv-1の合成
中間体１の合成
【化５６】
0006748335.tif 000058
アルゴン雰囲気下、アミン１（２０ｍｍｏｌ，５．２g)、クロロ体１（２０ｍｍｏｌ，６．３ｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．４ｍｍｏｌ，３６６ｍｇ）、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（０．４ｍｍｏｌ，２４９ｍｇ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２８ｍｍｏｌ，２．７ｇ）、トルエン：１００ｍＬをフラスコに仕込み、８０℃で５時間加熱攪拌した。
室温（２５℃）まで冷却後、反応溶液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、白色固体８．２８ｇ（収率７７％）を得た。ＬＣ−ＭＳ分析により、当該白色個体を中間体１と同定した。【０１３５】
化合物Inv-1の合成
【化５７】
0006748335.tif 000059
アルゴン雰囲気下、中間体１（７ｍｍｏｌ，３．８g)、４−ブロモビフェニル（７ｍｍｏｌ，１．６ｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．１４ｍｍｏｌ，１２８ｍｇ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボラート（０．５６ｍｍｏｌ，１６２ｍｇ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（９．８ｍｍｏｌ，９４２ｍｇ）、キシレン（３５ｍＬ）をフラスコに仕込み、４時間加熱還流攪拌した。
室温（２５℃）まで冷却後、反応溶液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、白色固体４．０ｇ（収率８３％）を得た。ＬＣ−ＭＳ分析により、当該白色個体を化合物Inv-1と同定した。【０１３６】
合成例２：化合物Inv-2の合成
【化５８】
0006748335.tif 000060
合成例１において、４−ブロモビフェニルの代わりに２−ブロモビフェニルを用いた以外は同様にして、白色固体３．８ｇ（収率７８％）を得た。ＬＣ−ＭＳ分析により、当該白色個体を化合物Inv-2と同定した。【０１３７】
合成例３：化合物Inv-3の合成
【化５９】
0006748335.tif 000061
合成例１において、４−ブロモビフェニルの代わりにブロモベンゼンを用いた以外は同様にして、白色固体３．０ｇ（収率６９％）を得た。ＬＣ−ＭＳ分析により、当該白色個体を化合物Inv-3と同定した。【０１３８】
合成例４：化合物Inv-4の合成
【化６０】
0006748335.tif 000062
合成例１において、４−ブロモビフェニルの代わりに１−ヨードナフタレンを用いた以外は同様にして、白色固体２．７ｇ（収率５８％）を得た。ＬＣ−ＭＳ分析により、当該白色個体を化合物Inv-4と同定した。【０１３９】
合成例５：化合物Inv-5の合成
【化６１】
0006748335.tif 000063
合成例１において、４−ブロモビフェニルの代わりに９−ブロモフェナントレンを用いた以外は同様にして、白色固体２．９ｇ（収率５８％）を得た。ＬＣ−ＭＳ分析により、当該白色個体を化合物Inv-5と同定した。【０１４０】
合成例６：化合物Inv-6の合成
【化６２】
0006748335.tif 000064
合成例１において、４−ブロモビフェニルの代わりに３−ブロモビフェニルを用いた以外は同様にして、白色固体４．１ｇ（収率８５％）を得た。ＬＣ−ＭＳ分析により、当該白色個体を化合物Inv-6と同定した。【０１４１】
合成例７：化合物Inv-7の合成
【化６３】
0006748335.tif 000065
合成例１において、４−ブロモビフェニルの代わりに２−ブロモナフタレンを用いた以外は同様にして、白色固体３．３ｇ（収率７２％）を得た。ＬＣ−ＭＳ分析により、当該白色個体を化合物Inv-7と同定した。【０１４２】
合成例８：化合物Inv-8の合成
【化６４】
0006748335.tif 000066
合成例１において、４−ブロモビフェニルの代わりに１−ブロモフェナントレンを用いた以外は同様にして、白色固体２．５ｇ（収率５０％）を得た。ＬＣ−ＭＳ分析により、当該白色個体を化合物Inv-8と同定した。【０１４３】
合成例９：化合物Inv-9の合成
【化６５】
0006748335.tif 000067
合成例１において、４−ブロモビフェニルの代わりに２−ブロモフェナントレンを用いた以外は同様にして、白色固体４．４ｇ（収率８８％）を得た。ＬＣ−ＭＳ分析により、当該白色個体を化合物Inv-9と同定した。【０１４４】
合成例１０：化合物Inv-10の合成
【化６６】
0006748335.tif 000068
合成例１において、４−ブロモビフェニルの代わりに３−ブロモフェナントレンを用いた以外は同様にして、白色固体３．５ｇ（収率７１％）を得た。ＬＣ−ＭＳ分析により、当該白色個体を化合物Inv-10と同定した。【０１４５】
合成例１１：化合物Inv-11の合成
【化６７】
0006748335.tif 000069
合成例１において、４−ブロモビフェニルの代わりに４−ブロモフェナントレンを用いた以外は同様にして、白色固体２．１ｇ（収率４３％）を得た。ＬＣ−ＭＳ分析により、当該白色個体を化合物Inv-11と同定した。【０１４６】
合成例１２：化合物Inv-12の合成
【化６８】
0006748335.tif 000070
【０１４７】
合成例３において、ブロモベンゼンの代わりにブロモベンゼン−ｄ５を用いた以外は同様にして、白色固体３．１ｇ（収率７２％）を得た。ＬＣ−ＭＳ分析により、当該白色個体を化合物Inv-12と同定した。
【符号の説明】
【０１４８】
１、１１  有機ＥＬ素子
２  基板
３  陽極
４  陰極
５  発光層
６  正孔輸送帯域（正孔輸送層）
６ａ  第１正孔輸送層
６ｂ  第２正孔輸送層
７  電子輸送帯域（電子輸送層）
７ａ  第１電子輸送層
７ｂ  第２電子輸送層
１０、２０  発光ユニット
【要約】
下記式（Ａ）：
0006748335.tif 000106
（式中、Ａｒ、Ｒ１〜Ｒ７、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１〜Ｒ２４、Ｒ３１〜Ｒ３４、＊１、及びＲ４１〜Ｒ４８は明細書において定義したとおり）で表される化合物は、素子性能がより改善された有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。【図１】
0006748335.tif 000107
【図２】
0006748335.tif 000108