(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の不均一な画像パターンを補正するための方法であって、
（ａ）前記基板の第１部分を電磁放射の第１パルスセットに曝露することであって、前記第１パルスセットが第１パルス照射及び第２パルス照射を含み、前記第１パルス照射と前記第２パルス照射とが第１時間間隔によって時間的に分離されている、第１パルスセットに曝露することと、
（ｂ）前記基板の第２部分を電磁放射の第２パルスセットに曝露することであって、前記第２パルスセットが第３パルス照射及び第４パルス照射を含み、前記第３パルス照射と前記第４パルス照射とが、前記第１時間間隔の約＋３０％〜約−３０％の時間間隔によって時間的に分離され、電磁放射の前記第１パルスセットと電磁放射の前記第２パルスセットとが、前記第１時間間隔とは異なる第２時間間隔によって時間的に分離されている、第２パルスセットに曝露することとを含み、
各曝露がデータセットを生成し、各データセットがメモリに記憶され、各データセットは、組み合わされて前記画像パターンを形成する、方法。
【請求項２】
前記曝露することが、フォトレジストを露光させるための前記基板上のパターンを形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１パルスセットが、前記第２パルス照射の後に第５パルス照射を更に含み、前記第２パルス照射と前記第５パルス照射とが第３時間間隔によって時間的に分離されている、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第３時間間隔が、前記第１時間間隔の約プラス３０％から約マイナス３０％である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第３時間間隔が前記第１時間間隔とは異なる、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記第１時間間隔及び前記第２時間間隔がランダムに生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
（ｃ）前記基板の第３部分を電磁放射の第３パルスセットに曝露することであって、前記第３パルスセットが第５パルス照射及び第６パルス照射を含み、前記第５パルス照射と前記第６パルス照射とが、前記第１時間間隔の約＋３０％〜約−３０％の時間間隔によって時間的に分離され、電磁放射の前記第１パルスセットと、電磁放射の前記第２パルスセットと、電磁放射の前記第３パルスセットとが、前記第２時間間隔によって時間的に分離されている、第３パルスセットに曝露することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記曝露することが、少なくとも１つの画像投影システムによって実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
基板上の不均一な画像パターンを補正するためのコンピュータシステムであって、
プロセッサと、
指令を記憶するメモリとを備え、前記指令が、前記プロセッサによって実行される時に、
（ａ）前記基板の第１部分を電磁放射の第１パルスセットに曝露することであって、前記第１パルスセットが第１パルス照射及び第２パルス照射を含み、前記第１パルス照射と前記第２パルス照射とが第１時間間隔によって時間的に分離されている、第１パルスセットに曝露することと、
（ｂ）前記基板の第２部分を電磁放射の第２パルスセットに曝露することであって、前記第２パルスセットが第３パルス照射及び第４パルス照射を含み、前記第３パルス照射と前記第４パルス照射とが、前記第１時間間隔の約＋３０％〜約−３０％の時間間隔によって時間的に分離され、電磁放射の前記第１パルスセットと電磁放射の前記第２パルスセットとが、前記第１時間間隔とは異なる第２時間間隔によって時間的に分離されている、第２パルスセットに曝露することとを、前記コンピュータシステムに実行させ、
各曝露がデータセットを生成し、各データセットがメモリに記憶され、各データセットは、組み合わされて前記画像パターンを形成する、コンピュータシステム。
【請求項１０】
前記曝露することが、少なくとも１つの画像投影システムによって実施され、前記曝露することが、フォトレジストを露光させるための前記基板上のパターンを形成する、請求項９に記載のコンピュータシステム。
【請求項１１】
前記第１パルスセットが、前記第２パルス照射の後に第５パルス照射を更に含み、前記第２パルス照射と前記第５パルス照射とが第３時間間隔によって時間的に分離されている、請求項９に記載のコンピュータシステム。
【請求項１２】
前記第１時間間隔及び前記第２時間間隔がランダムに生成される、請求項９に記載のコンピュータシステム。
【請求項１３】
指令を記憶する非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記指令が、プロセッサによって実行される時に、
（ａ）基板の第１部分を電磁放射の第１パルスセットに曝露するステップであって、前記第１パルスセットが第１パルス照射及び第２パルス照射を含み、前記第１パルス照射と前記第２パルス照射とが第１時間間隔によって時間的に分離されている、第１パルスセットに曝露するステップと、
（ｂ）前記基板の第２部分を電磁放射の第２パルスセットに曝露するステップであって、前記第２パルスセットが第３パルス照射及び第４パルス照射を含み、前記第３パルス照射と前記第４パルス照射とが、前記第１時間間隔の約＋３０％〜約−３０％の時間間隔によって時間的に分離され、電磁放射の前記第１パルスセットと電磁放射の前記第２パルスセットとが、前記第１時間間隔とは異なる第２時間間隔によって時間的に分離されている、第２パルスセットに曝露するステップとを実施することによって、コンピュータシステムに、前記基板上の不均一な画像パターンを補正することを実行させ、各曝露がデータセットを生成し、各データセットがメモリに記憶され、各データセットは、組み合わされて前記画像パターンを形成する、非一時的コンピュータ可読媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［０００１］本開示の実施形態は概して、マスクレスリソグラフィの分野に関する。より具体的には、本書に提示されている実施形態は、マスクレスデジタルリソグラフィ製造プロセスを実施するためのシステム及び方法に関する。
【０００２】
関連技術の説明
［０００２］フォトリソグラフィは、半導体デバイス及び液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）などのディスプレイデバイスの製造において、広範に使用される。ＬＣＤの製造では、大面積基板が利用されることが多い。ＬＣＤ又はフラットパネルは、一般的に、コンピュータ、タッチパネルデバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、携帯電話、テレビのモニタなどといった、アクティブマトリクスディスプレイに使用される。通常、フラットパネルは、２枚のプレートの間に挟まれた、ピクセルを形成する液晶材料の層を含みうる。電源からの電力が液晶材料全体に印加されると、液晶材料を通過する光の量がピクセル位置において制御され、画像の生成が可能になりうる。
【０００３】
［０００３］ピクセルを形成する液晶材料層の一部として組み込まれた電気的フィーチャを作り出すために、通常、マイクロリソグラフィ技法が用いられる。この技法により、典型的には、基板の少なくとも１つの表面に感光性フォトレジストが付けられる。次いで、パターン生成装置が、パターンの一部として選択された感光性フォトレジストの領域に光を照射して、選択領域内のフォトレジストに化学変化を引き起こし、これらの選択領域に、電気的フィーチャを作り出す後続の材料除去及び／又は材料追加のプロセスのための準備を行う。
【０００４】
［０００４］ディスプレイデバイス及びその他のデバイスを、消費者が求める価格で、消費者に継続的に提供するために、大面積基板などの基板に正確に、かつ良好なコストパフォーマンスでパターンを作り出す、新たな装置、アプローチ、及びシステムが必要とされている。
【０００５】
［０００５］上記で示しているように、デジタルリソグラフィにおいて、タイムシフト型の曝露を使用して不均一パターンを補正するための、改良型の技法が必要とされている。より具体的には、当該技術分野において必要とされているのは、曝露を捕捉する周波数を変えるためにデュアル周波数パルシングを使用する応用である。
【発明の概要】
【０００６】
［０００６］本開示は概して、製造プロセスにおいてタイムシフト型の基板の曝露を使用して不均一な画像パターンを補正する能力を保持する、ソフトウェアアプリケーションプラットフォームに関する。このアプリケーションにより、干渉パターンを補正し、かつ曝露均一性を向上させるために、時間遅延を使用して、可変かつ交互のパルス周波数の電磁放射に、基板の後続部分が曝露される。
【０００７】
［０００７］一実施形態では、基板上の不均一な画像パターンを補正するための方法が開示される。この方法は、基板の第１部分を電磁放射の第１パルスセットに曝露することを含みうる。第１パルスセットは、第１パルス照射及び第２パルス照射を含みうる。第１パルス照射と第２パルス照射とは、第１時間間隔によって時間的に分離されうる。方法は、基板の第２部分を電磁放射の第２パルスセットに曝露することを更に含みうる。第２パルスセットは、第３パルス照射及び第４パルス照射を含みうる。第３パルス照射と第４パルス照射とは、第１時間間隔の約＋３０％〜約−３０％の時間間隔によって、時間的に分離されうる。電磁放射の第１パルスセットと電磁放射の第２パルスセットとは、第２時間間隔によって時間的に分離されうる。
【０００８】
［０００８］別の実施形態では、基板上の不均一な画像パターンを補正するためのコンピュータシステムが開示される。このコンピュータシステムは、プロセッサと、指令を記憶するメモリとを含んでよく、この指令は、プロセッサによって実行される時に、基板の第１部分を電磁放射の第１パルスセットに曝露することと、基板の第２部分を電磁放射の第２パルスセットに曝露することとを、コンピュータシステムに実行させる。第１パルスセットは、第１パルス照射及び第２パルス照射を含みうる。第１パルス照射と第２パルス照射とは、第１時間間隔によって時間的に分離されうる。第２パルスセットは、第３パルス照射及び第４パルス照射を含みうる。第３パルス照射と第４パルス照射とは、第１時間間隔の約＋３０％〜約−３０％の時間間隔によって、時間的に分離されうる。電磁放射の第１パルスセットと電磁放射の第２パルスセットとは、第２時間間隔によって時間的に分離されうる。
【０００９】
［０００９］更に別の実施形態では、指令を記憶する非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、この指令が、プロセッサによって実行される時に、基板上の不均一な画像パターンを補正することをコンピュータシステムに実行させる、非一時的コンピュータ可読記憶媒体が開示される。プロセッサは、基板の第１部分を電磁放射の第１パルスセットに曝露するステップと、基板の第２部分を電磁放射の第２パルスセットに曝露するステップとを、実施しうる。第１パルスセットは、第１パルス照射及び第２パルス照射を含みうる。第１パルス照射と第２パルス照射とは、第１時間間隔によって時間的に分離されうる。第２パルスセットは、第３パルス照射及び第４パルス照射を含みうる。第３パルス照射と第４パルス照射とは、第１時間間隔の約＋３０％〜約−３０％の時間間隔によって、時間的に分離されうる。電磁放射の第１パルスセットと電磁放射の第２パルスセットとは、第２時間間隔によって時間的に分離されうる。
【００１０】
［００１０］上述の本開示の特徴を詳細に理解しうるように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明が、実施形態を参照することによって得られ、一部の実施形態は、付随する図面に例示されている。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態にも適用されうることから、付随する図面はこの開示の例示的な実施形態しか示しておらず、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではないことに、留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】［００１１］本書で開示されている実施形態から恩恵を受けうるシステムの斜視図である。
【図２】［００１２］一実施形態による図１のシステムの側断面図である。
【図３】［００１３］一実施形態による複数の画像投影システムの概略斜視図である。
【図４】［００１４］一実施形態による、図３の複数の画像投影システムのうちの１つの画像投影システムの概略斜視図である。
【図５】［００１５］一実施形態による、ＤＭＤの２つの鏡に反射するビームを概略的に示す。
【図６】［００１６］一実施形態による、不均一な画像パターンの補正を提供するためのコンピュータシステムを示す。
【図７】［００１７］一実施形態による図６のサーバのより詳細な図を示す。
【図８】［００１８］一実施形態による、不均一パターン補正アプリケーションにアクセスするために使用される、コントローラ演算システムを示す。
【図９】［００１９］図９Ａは、一実施形態による、基板の単一曝露の上面図を示し、図９Ｂは、一実施形態による、基板の多重単一曝露の不均一な組み合わせの上面図を示し、図９Ｃは、一実施形態による、不均一パターン補正アプリケーションが適用された、図９Ｂの多重単一曝露の均一な組み合わせの上面図を示す。
【図１０】［００２２］一実施形態による、基板上の不均一な画像パターンを補正するための方法の工程を概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［００２３］理解を容易にするために、可能な場合には、図に共通する同一要素を指し示すのに同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素及び特徴は、さらなる記述がなくとも、他の実施形態に有益に組み込まれうると想定される。
【００１３】
［００２４］本書に記載の実施形態は概して、製造プロセスにおいてタイムシフト型の基板の曝露を使用して不均一な画像パターンを補正する能力を保持する、ソフトウェアアプリケーションプラットフォームに関する。このアプリケーションにより、干渉パターンを補正し、かつ曝露均一性を向上させるために、時間遅延を使用して、可変かつ交互のパルス周波数の電磁放射に、基板の後続部分が曝露される。
【００１４】
［００２５］本書で使用される「ユーザ（ｕｓｅｒ）」という用語は、例えば、演算デバイス又は無線デバイスを所有する人又は主体、演算デバイス又は無線デバイスを操作又は利用する人又は主体、さもなければ、演算デバイス又は無線デバイスに関連付けられる人又は主体を含む。「ユーザ」という用語は、限定を意図するものではなく、記載されているものを超えて様々な例を含みうると想定される。
【００１５】
［００２６］図１は、本書で開示されている実施形態から恩恵を受けうるシステム１００の斜視図である。システム１００は、ベースフレーム１１０、板状体（ｓｌａｂ）１２０、２つ以上のステージ１３０、及び処理装置１６０を含む。ベースフレーム１１０は、製造施設のフロアに置かれてよく、かつ、板状体１２０を支持しうる。受動空気アイソレータ１１２が、ベースフレーム１１０と板状体１２０との間に位置付けられうる。板状体１２０は花崗岩の一枚板であってよく、２つ以上のステージ１３０は、板状体１２０の上に配置されうる。基板１４０は、２つ以上のステージ１３０の各々によって支持されうる。複数の孔（図示せず）がステージ１３０に形成されてよく、それにより、複数のリフトピン（図示せず）がそれらの孔を通って延在することが可能になる。リフトピンは、例えば移送ロボット（図示せず）から基板１４０を受容するために、伸長位置に上昇しうる。移送ロボットが基板１４０をリフトピン上に位置付けてよく、リフトピンはその後、基板１４０をステージ１３０上へと徐々に下降させうる。
【００１６】
［００２７］基板１４０は、例えばガラスで作製され、フラットパネルディスプレイの一部として使用されうる。他の実施形態では、基板１４０は、石英などの他の材料で作製されうる。更に、他の実施形態では、基板１４０はポリマー基板でありうる。一部の実施形態では、基板１４０の上にフォトレジスト層が形成されうる。フォトレジストは、放射に感応し、かつ、ポジ型フォトレジスト又はネガ型フォトレジストでありうる。つまり、放射に露光されるフォトレジストの部分は、それぞれ、パターンがフォトレジストに書き込まれた後にフォトレジストに塗布されるフォトレジストデベロッパに、可溶性になるか、又は不溶性になる。フォトレジストの化学組成により、そのフォトレジストがポジ型フォトレジストになるか、又はネガ型フォトレジストになるかが決まる。例えば、フォトレジストは、ジアゾナフトキノン、フェノールホルムアルデヒド樹脂、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリ（メチルグルタルイミド）、及びＳＵ−８のうちの少なくとも１つを含みうる。電子回路を形成するために、この様態で、パターンが基板１４０の表面上に作り出されうる。
【００１７】
［００２８］システム１００は、支持体１２２の対と、軌道１２４の対４とを更に含みうる。支持体１２２の対は板状体１２０上に配置されてよく、板状体１２０と支持体１２２の対は一体成型材でありうる。軌道１２４の対は支持体１２２の対によって支持されてよく、２つ以上のステージ１３０は、軌道１２４に沿ってＸ方向に動きうる。一実施形態では、軌道１２４の対は磁気チャネルの平行な対である。図示しているように、軌道１２４の対の各軌道１２４は線形である。他の実施形態では、軌道１２４は非線形の形状を有しうる。コントローラ７０２に位置情報を提供するために、エンコーダ１２６が各ステージ１３０に連結されうる（図８参照）。
【００１８】
［００２９］処理装置１６０は、支持体１６２及び処理ユニット１６４を含みうる。支持体１６２は、板状体１２０の上に配置されてよく、２つ以上のステージ１３０が処理ユニット１６４の下を通るための開口１６６を含みうる。処理ユニット１６４は、支持体１６２によって支持されうる。一実施形態では、処理ユニット１６４は、フォトリソグラフィ処理においてフォトレジストを露光させるよう構成された、パターン生成装置である。一部の実施形態では、パターン生成装置は、マスクレスリソグラフィ処理を実施するよう構成されうる。処理ユニット１６４は、筐体１６５内に配置された、複数の画像投影システム（図３に示す）を含みうる。処理装置１６０は、マスクレス直接パターニングを実施するために利用されうる。動作中、２つ以上のステージ１３０のうちの１つは、図１に示しているローディング位置から処理位置へと、Ｘ方向に動く。処理位置とは、ステージ１３０が処理ユニット１６４の下を通る際の、ステージ１３０の一又は複数の位置のことでありうる。動作中、２つ以上のステージ１３０は、複数の空気軸受２０２（図２に示す）によって上昇し、ローディング位置から処理位置に、軌道１２４の対に沿って動きうる。ステージ１３０の動きを安定させるために、複数の垂直ガイド空気軸受（図示せず）が、各ステージ１３０に連結され、かつ、各支持体１２２の内壁１２８に隣接して位置付けられうる。２つ以上のステージ１３０の各々は、基板１４０の処理及び／又は割り出し（ｉｎｄｅｘ）のために、軌道１５０に沿って動くことによってＹ方向にも動きうる。
【００１９】
［００３０］図２は、一実施形態による図１のシステム１００の側断面図である。図示しているように、各ステージ１３０は、ステージを上昇させるための複数の空気軸受２０２を含む。各ステージ１３０は、軌道１２４に沿ってステージ１３０を動かすための、モータコイル（図示せず）も含みうる。温度及び圧力の制御を行うために、２つ以上のステージ１３０及び処理装置１６０は、囲い（図示せず）によって囲まれうる。
【００２０】
［００３１］図３は、一実施形態による、複数の画像投影システム３０１の概略斜視図である。図３に示しているように、各画像投影システム３０１は、基板１４０の表面３０４に向けて複数の書き込みビーム３０２を発する。基板１４０がＸ方向及びＹ方向に動くにつれて、ビーム３０２によって表面３０４の全体が、書き込みビーム３０２によってパターニングされうる。画像投影システム３０１の数は、基板１４０のサイズ及び／又はステージ１３０のスピードに基づいて変動しうる。一実施形態では、処理装置１６０内に２２の画像投影システムが存在する。
【００２１】
［００３２］図４は、一実施形態による、図３の複数の画像投影システム３０１のうちの１つの画像投影システム３０１の概略斜視図である。画像投影システム３０１は、光源４０２、開孔４０４、レンズ４０６、鏡４０８、ＤＭＤ４１０、光ダンプ４１２、カメラ４１４、及び投影レンズ４１６を含みうる。光源４０２は、発光ダイオード（ＬＥＤ）又はレーザーであってよく、かつ、所定の波長を有する光を発することが可能でありうる。一実施形態では、所定の波長とは、約４５０ｎｍ未満などの、青色範囲又は近紫外（ＵＶ）範囲内のものである。鏡４０８は球面鏡でありうる。投影レンズ４１６は、１０倍の対物レンズでありうる。ＤＭＤ４１０は複数の鏡を含んでよく、鏡の数は、投影される画像の解像度に対応しうる。一実施形態では、ＤＭＤ４１０は１９２０×１０８０の鏡を含み、この数は、ハイビジョンテレビ又はその他のフラットパネルディスプレイのピクセルの数を表す。
【００２２】
［００３３］動作中、光源４０２によって、青色範囲内の波長などの所定の波長を有するビーム４０３が発される。ビーム４０３は、鏡４０８に反射して、ＤＭＤ４１０に至る。ＤＭＤ４１０は個別に制御されうる複数の鏡を含み、ＤＭＤ４１０の複数の鏡の各鏡は、コントローラ（図示せず）によりＤＭＤ４１０に提供されるマスクデータに基づいて、「オン（ｏｎ）」位置又は「オフ（ｏｆｆ）」位置になりうる。ビーム４０３がＤＭＤ４１０の鏡に到達すると、投影レンズ４１６に向けて、「オン」位置の鏡がビーム４０３を反射させ、すなわち、複数の書き込みビーム３０２が形成される。投影レンズ４１６は次いで、基板１４０の表面３０４に書き込みビーム３０２を投射する。「オフ」位置の鏡は、基板１４０の表面３０４ではなく光ダンプ４１２に向けて、ビーム４０３を反射させる。
【００２３】
［００３４］図５は、一実施形態による、ＤＭＤ４１０の２つの鏡５０２、５０４を示している。図示しているように、ＤＭＤ４１０の各鏡５０２、５０４はチルト機構５０６に接して配置され、チルト機構５０６はメモリセル５０８に接して配置される。メモリセル５０８は、ＣＭＯＳ  ＳＲＡＭでありうる。動作中、メモリセルにマスクデータを読み込むことによって、各鏡５０２、５０４が制御される。マスクデータは、鏡５０２、５０４のチルトを二進法で静電制御する。鏡５０２、５０４がリセットモードであるか、又は給電されていない時、鏡５０２、５０４は、どの二進数にも対応しない平坦位置に設定されうる。二進法におけるゼロは、「オフ」位置に対応しうる。つまり、鏡が、−１０度、−１２度、又は、他の任意の実現可能な負のチルト度数にチルトされる。二進法における１は、「オン」位置に対応しうる。つまり、鏡が、＋１０度、＋１２度、又は、他の任意の実現可能な正のチルト度数にチルトされる。一部の実施形態では、「オン」位置と「オフ」位置とが逆でありうる。例えば、負のチルト度数にチルトされた鏡が「オン」位置に対応してよく、かつ／又は、正のチルト度数にチルトされた鏡が「オフ」位置に対応しうる。図５に示しているように、鏡５０２は「オフ」位置にあり、鏡５０４は「オン」位置にある。
【００２４】
［００３５］一実施形態により、ビーム４０３は、ＤＭＤ４１０の２つの鏡５０２、５０４に反射しうる。図示しているように、「オフ」位置にある鏡５０２は、光源４０２から発生したビーム４０３を、光ダンプ４１２に向かって反射させる。「オン」位置にある鏡５０４は、ビーム４０３を投影レンズ４１６に向かって反射させることにより、書き込みビーム３０２を形成する。
【００２５】
［００３６］図６は、基板上の不均一な画像パターンを補正するように設定された演算システム７００を示しており、かかる演算システムにおいて、本開示の実施形態が実践されうる。図示しているように、演算システム７００は、複数のサーバ７０８、不均一パターン補正アプリケーションサーバ７１２、及び、複数のコントローラ（すなわち、コンピュータ、パソコン、携帯／無線デバイス）７０２（分かりやすくするために、そのうちの２つだけを図示している）を含んでよく、これらは各々、通信ネットワーク７０６（インターネットなど）に接続される。サーバ７０８は、ローカル接続（ストレージエリアネットワーク（ＳＡＮ）、又はネットワーク接続ストレージ（ＮＡＳ）など）を介して、又はインターネットを通じて、データベース７１４と通信しうる。サーバ７０８は、データベース７１４に含まれるデータに直接アクセスすること、又は、データベース７１４内に含まれるデータを管理するよう設定されているデータベースマネージャとインターフェース接続することのいずれかを実行するよう、設定される。
【００２６】
［００３７］各コントローラ７０２は、プロセッサ、システムメモリ、ハードディスクドライブ、バッテリー、マウスやキーボードなどの入力デバイス、及び／又は、モニタ又はグラフィカルユーザインターフェースなどの出力デバイス、並びに／又は、入力を受信するだけでなく出力も表示するタッチスクリーンなどの結合型入出力デバイスといった、演算デバイスの従来型の構成要素を含みうる。各サーバ７０８及び不均一パターン補正アプリケーションサーバ７１２は、プロセッサ及びシステムメモリ（図示せず）を含んでよく、かつ、関係データベースソフトウェア及び／又はファイルシステムなどを使用して、データベース７１４に記憶されたコンテンツを管理するよう設定されうる。複数のサーバ７０８は、例えばＴＣＰ／ＩＰプロトコルなどのネットワークプロトコルを使用して、互いに、コントローラ７０２と、かつ不均一パターン補正アプリケーションサーバ７１２と、通信するようプログラムされうる。不均一パターン補正アプリケーションサーバ７１２は、通信ネットワーク７０６を通じて、コントローラ７０２と直接通信しうる。コントローラ７０２は、プログラム及び／又はその他のソフトウェアアプリケーションなどのソフトウェア７０４を実行するようプログラムされ、かつ、サーバ７０８によって管理されているアプリケーションにアクセスする。
【００２７】
［００３８］下記で説明する実施形態では、ユーザは、通信ネットワーク７０６を通じて、サーバ７０８に接続されうるコントローラ７０２をそれぞれ操作しうる。ページ、画像、データ、文書などが、コントローラ７０２を介してユーザに表示されうる。コントローラ７０２と通信可能なディスプレイデバイス及び／又はグラフィカルユーザインターフェースを通じて、情報及び画像が表示されうる。
【００２８】
［００３９］コントローラ７０２が、パソコン、ラップトップ型携帯演算デバイス、スマートフォン、ビデオゲームの操作器、家庭用デジタルメディアプレイヤー、ネットワーク接続型テレビ、セットトップボックス、並びに／又は、通信ネットワーク７０６との通信に適した構成要素、及び／又は必要なアプリケーション又はソフトウェアを有するその他の演算デバイスでありうることに、留意されたい。コントローラ７０２は、データパスアプリケーション７１２からコンテンツ及び情報を受信するよう設定された、他のソフトウェアアプリケーションも実行しうる。
【００２９】
［００４０］図７は、図６の不均一パターン補正アプリケーションサーバ７１２のより詳細な図を示している。不均一パターン補正アプリケーションサーバ７１２は、中央処理装置（ＣＰＵ）８０２、ネットワークインターフェース８０４、メモリ８２０、及び、相互接続８０６を介して通信を行うストレージ８３０を含むが、含まれるものがそれらに限定されるわけではない。不均一パターン補正アプリケーションサーバ７１２は、Ｉ／Ｏデバイス８１０（例えばキーボード、ビデオ、マウス、オーディオ、タッチスクリーンなど）に接続するＩ／Ｏデバイスインターフェース８０８も含みうる。不均一パターン補正アプリケーションサーバ７１２は、通信ネットワーク７０６を介してデータを伝送するよう設定された、ネットワークインターフェース８０４を更に含みうる。
【００３０】
［００４１］ＣＰＵ８０２は、メモリ８２０に記憶されたプログラミング指令を読み出して実行し、かつ、通常は、他のシステム構成要素の動作を制御し、コーディネートする。同様に、ＣＰＵ８０２は、メモリ８２０にアプリケーションデータを記憶し、メモリ８２０の中にあるアプリケーションデータを読み出す。代表的には、単一ＣＰＵ、マルチＣＰＵ、マルチプロセシングコアを有する単一ＣＰＵなどである、ＣＰＵ８０２が含まれる。相互接続８０６は、ＣＰＵ８０２と、Ｉ／Ｏデバイスインターフェース８０８と、ストレージ８３０と、ネットワークインターフェース８０４と、メモリ８２０との間でプログラミング指令及びアプリケーションデータを伝送するために、使用される。
【００３１】
［００４２］代表的にはランダムアクセスメモリである、メモリ８２０が通常含まれ、メモリ８２０は、動作中に、ＣＰＵ８０２によって使用されるソフトウェアアプリケーション及びデータを記憶する。ストレージ８３０は、単一ユニットとして図示しているが、不揮発性のデータを記憶するよう設定された、固定ディスクドライブ、フロッピーディスクドライブ、ハードディスクドライブ、フラッシュメモリストレージドライブ、テープドライブ、取り外し可能なメモリカード、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、Ｂｌｕ−Ｒａｙ、ＨＤ−ＤＶＤ、光ストレージ、ネットワーク接続ストレージ（ＮＡＳ）、クラウドストレージ、又はストレージエリアネットワーク（ＳＡＮ）などの、固定ストレージデバイス及び／又は取り外し可能なストレージデバイスの組み合わせでもありうる。
【００３２】
［００４３］メモリ８２０は、アプリケーションプラットフォーム８２６を実行するための指令及び論理を記憶可能であり、アプリケーションプラットフォーム８２６は、不均一パターン補正アプリケーションソフトウェア８２８を含みうる。ストレージ８３０は、データ８３４及び関連するアプリケーションプラットフォームコンテンツ８３６を記憶するよう設定されたデータベース８３２を含みうる。データベース８３２は、任意の種類のストレージデバイスでありうる。
【００３３】
［００４４］ネットワークコンピュータは、本書に提示している開示内容と併用されうる、別の種類のコンピュータシステムである。ネットワークコンピュータは、一般的には、ハードディスク又はその他の大容量ストレージを含まず、実行可能プログラムは、ＣＰＵ８０２によって実行されるよう、ネットワーク接続からメモリ８２０に読み込まれる。典型的なコンピュータシステムは、一般的に、少なくとも、プロセッサ、メモリ、及び、メモリをプロセッサに連結する相互接続を含むことになる。
【００３４】
［００４５］図８は、不均一パターン補正アプリケーション７１２にアクセスし、かつ、アプリケーションプラットフォーム８２６に関連するデータを読み出すか、又は表示するために使用される、コントローラ７０２を示している。コントローラ７０２は、中央処理装置（ＣＰＵ）９０２、ネットワークインターフェース９０４、相互接続９０６、メモリ９２０、ストレージ９３０、及びサポート回路９４０を含みうるが、含まれるものがそれらに限定されるわけではない。コントローラ７０２は、Ｉ／Ｏデバイス９１０（キーボード、ディスプレイ、タッチスクリーン、及びマウスなどのデバイス）をコントローラ７０２に接続する、Ｉ／Ｏデバイスインターフェース９０８も含みうる。
【００３５】
［００４６］ＣＰＵ８０２と同様に、代表的には、単一ＣＰＵ、マルチＣＰＵ、マルチプロセシングコアを有する単一ＣＰＵなどである、ＣＰＵ９０２が含まれ、代表的にはランダムアクセスメモリである、メモリ９２０が通常含まれる。相互接続９０６は、ＣＰＵ９０２と、Ｉ／Ｏデバイスインターフェース９０８と、ストレージ９３０と、ネットワークインターフェース９０４と、メモリ９２０との間でプログラミング指令及びアプリケーションデータを伝送するために、使用されうる。ネットワークインターフェース９０４は、通信ネットワーク８０６を介してデータを伝送するよう、例えば、不均一パターン補正アプリケーションサーバ７１２からコンテンツを伝送するよう、設定されうる。ハードディスクドライブ又は固体ストレージドライブ（ＳＳＤ）などのストレージ９３０は、不揮発性データを記憶しうる。ストレージ９３０は、データベース９３１を包含しうる。データベース９３１は、データ９３２及びその他のコンテンツ９３４を包含しうる。例示的には、メモリ９２０はアプリケーションインターフェース９２２を含んでよく、アプリケーションインターフェース９２２自体が、ソフトウェア指令９２４を表示し、かつ／又は、データ９２６を記憶し、若しくは表示しうる。アプリケーションインターフェース９２２は、コントローラがデータパスアプリケーションサーバ７１２によってホスティングされているデータ及びその他のコンテンツにアクセスすることを可能にする、一又は複数のソフトウェアアプリケーションを提供しうる。
【００３６】
［００４７］図８に示しているように、システム１００はコントローラ７０２を含む。コントローラ７０２は、通常、本書に記載の処理技法の制御及び自動化を容易にするよう設計される。コントローラ７０２は、一又は複数の処理装置１６０、ステージ１３０、及びエンコーダ１２６に連結されうるか、又はそれらと通信可能でありうる。処理装置１６０及びステージ１３０は、基板処理及び基板の位置合わせに関して、コントローラ７０２に情報を提供しうる。例えば、処理装置１６０は、コントローラに基板処理が完了したことを警告するために、コントローラ７０２に情報を提供しうる。エンコーダ１２６はコントローラ７０２に位置情報を提供可能であり、この位置情報は次いで、ステージ１３０及び処理装置１６０を制御するために使用される。
【００３７】
［００４８］コントローラ７０２は、中央処理装置（ＣＰＵ）９０２、メモリ９２０、及びサポート回路９４０（又はＩ／Ｏ９０８）を含みうる。ＣＰＵ９０２は、様々な処理を制御するために産業用設定で使用される任意の形態のコンピュータプロセッサとハードウェア（パターン生成装置、モータ、及びその他のハードウェアなど）のうちの一方であってよく、プロセス（処理時間や基板位置など）をモニタしうる。メモリ９２０は、図８に示しているように、ＣＰＵ９０２に接続されており、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、又はその他の任意の形態のローカル若しくは遠隔のデジタルストレージといった、容易に利用可能なメモリのうちの一又は複数でありうる。ＣＰＵに指令を出すために、ソフトウェア指令及びデータが、コード化され、メモリ内に記憶されうる。サポート回路９４０も、従来型の様態でプロセッサをサポートするように、ＣＰＵ９０２に接続される。サポート回路９４０は、従来型のキャッシュ９４２、電源９４４、クロック回路９４６、入出力回路９４８、サブシステム９５０などを含みうる。コントローラ７０２によって可読なプログラム（又はコンピュータ指令）が、どのタスクが基板に実施可能であるかを決定する。このプログラムは、コントローラ７０２によって可読なソフトウェアであってよく、例えば処理時間及び基板位置をモニタし、制御するためのコードを含みうる。
【００３８】
［００４９］しかし、これらの用語及び類似の用語は全て、適切な物量に関連付けられるものであり、これらの物量に適用される便宜上の標識にすぎないことに、留意しておくべきである。下記の説明から明らかであるように、別途特段の記載がない限り、本明細書全体を通じて、「処理する（ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）」「演算する（ｃｏｍｐｕｔｉｎｇ）」「算出する（ｃａｌｃｕｌａｔｉｎｇ）」「決定する（ｄｅｔｅｒｍｉｎｉｎｇ）」、又は「表示する（ｄｉｓｐｌａｙｉｎｇ）」等といった用語を利用した記述は、コンピュータシステムのレジスタ及びメモリ内の物量（例：電気量）として表されるデータを操作し、コンピュータシステムのメモリ若しくはレジスタ、又はかかる情報のその他のストレージデバイス、伝送デバイス、又はディスプレイデバイス内の物量として同様に表される他のデータに変換する、コンピュータシステム又は同様の電子演算デバイスの作動及びプロセスを表すと、認識される。
【００３９】
［００５０］本開示の例は、本書に記載の動作を実施するための装置にも関する。この装置は、求められる目的のために特別に構築されうるか、又は、コンピュータに記憶されているコンピュータプログラムによって選択的に作動するか若しくは再構成される、汎用コンピュータを備えうる。かかるコンピュータプログラムは、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、磁気カード若しくは光カード、フロッピーディスクと、光ディスクと、ＣＤ−ＲＯＭと、磁気−光ディスクとを含む任意の種類のディスク、又は、電子指令を記憶するのに適した任意の種類の媒体などであり（ただしそれらに限定されない）、その各々がコンピュータシステムの相互接続に連結される、コンピュータ可読記憶媒体に記憶されうる。
【００４０】
本書に提示されているアルゴリズム及びディスプレイは、本質的には、いかなる特定のコンピュータ又はその他の装置にも関連していない。様々な汎用システムが、本書の教示内容に従ってプログラムと共に使用されてよく、又は、求められる方法工程を実施するために、より特殊化した装置を構築することが便宜にかなうと分かることもある。これらの多種多様なシステムの構造は、本明細書の上記の記載から明白になろう。加えて、本開示の例は、何らかの特定のプログラミング言語に関連して説明されているのではなく、ゆえに、様々な例が多種多様なプログラミング言語を使用して実装されうる。
【００４１】
［００５２］本開示の実施形態は、それらにおいて詳細に説明されているように、製造プロセスにおいてタイムシフト型の基板の曝露を使用して不均一な画像パターンを補正する能力を保持する、ソフトウェアアプリケーションプラットフォームを提供する。このアプリケーションにより、干渉パターンを補正し、かつ曝露均一性を向上させるために、時間遅延を使用して、可変かつ交互のパルス周波数の電磁放射に、基板の後続部分が曝露される。
【００４２】
［００５３］各データセットを処理することで、曝露又はパターンにおける不完全性の補正が可能になりうる。図９Ａは、個々のＤＭＤ４１０が基板１４０を光に曝露する、その曝露のいずれかの単一の列による複数の曝露の、上面図を示している。図９Ａに示しているように、ＤＭＤ４１０の単一列が、基板１４０の対応する区域を光に曝露したことで、図９Ａの画像が形成される。続いて、基板１４０は、ステージ１３０の端から端まで、継続的に動きうる。基板１４０が継続的に動くにつれて、各ＤＭＤ４１０は、基板１４０の近接領域の曝露を継続し、ゆえに、曝露が蓄積しうる。図９Ｂは、標準的な単一周波数パルスを利用して９Ａの曝露を蓄積させたものを示している。図９Ｂに示しているように、蓄積曝露は、組み合わされると、個々のＤＭＤ４１０の曝露を再現するデータセット点の斜めのスワスを形成しうる。データセット点のこの斜めのスワスは、図９Ｂに示しているような、不均一なスカロップ形状又はロープ状の画像を作り出しうる。図９Ｃに示しているように、不均一パターン補正アプリケーション７１２の時間遅延を使用して曝露を移動させること、及び、デュアル周波数曝露を適用することにより、個々の曝露データセット点の再配置及び／又は再位置付けが可能になる。不均一パターン補正アプリケーション７１２を適用することで、基板１４０のより均一な曝露がもたらされうる。基板１４０をより均一に曝露することは、線縁の粗さの低減及び／又は最小化につながりうる。比較すると、図９Ｃの曝露は、図９Ｂの曝露よりも線縁粗さが低減されている。
【００４３】
［００５４］一実施形態では、基板上の不均一な画像パターンを補正するための方法が開示される。この方法は、図８に示すコントローラ７０２によって実施されうる。
【００４４】
［００５５］上記で図３に関連して説明しているように、各画像投影システム３０１は、基板１４０の表面３０４に向けて複数の書き込みビーム３０２を発し、基板１４０がＸ方向及びＹ方向に動くにつれて、表面３０４の全体が書き込みビーム３０２によってパターニングされうる。パターニング中に、コントローラは、一又は複数の画像投影システム３０１を方向付けて、基板１４０の表面３０４の一又は複数のグラフィカルオブジェクトの一部分をスキャンしうる。スキャンは、光ユニット又は画像投影システム３０１によって完遂されうる。各スキャンにより、基板１４０が曝露されうる。加えて、画像投影システム３０１によってスキャンされた情報の処理が行われうる。パターニング中に、基板１４０の第１部分が電磁放射の第１パルスセットに曝露されうる。基板を曝露することで、基板のフォトレジストを露光させるための基板上のパターンが形成されうる。一実施形態では、画像投影システム３０１は電磁放射を発しうる。電磁放射は、画像投影システム３０１から放出され、ＤＭＤ４１０に反射する、青色レーザー光などの可視光でありうる。一実施形態では、画像投影システム３０１は、基板を曝露し、基板１４０の表面に光を運びうる。各曝露は、おおよそ、約４５マイクロ秒〜約８５マイクロ秒の間、例えば約５５マイクロ秒〜約７５マイクロ秒の間、継続しうる。
【００４５】
［００５６］電磁放射の第１パルスセットは、第１パルス照射及び第２パルス照射を含みうる。各照射により、基板１４０上にパターニングされたグラフィカルオブジェクトに関連するデータセットが生成される。各データセットは、コントローラのメモリ９２０に記憶されうる。各データセットは、組み合わされて、基板１４０上に画像パターンを形成しうる。各照射により、基板１４０の一部分の空間像が形成されうる。第１パルス照射と第２パルス照射とは、第１時間間隔によって時間的に分離されうる。パターニング中に、基板１４０の第２部分が、電磁放射の第２パルスセットに曝露されうる。電磁放射の第２パルスセットは、第３パルス照射及び第４パルス照射を含みうる。第３パルス照射と第４パルス照射とは、第１時間間隔の約＋３０％〜約−３０％の時間間隔によって、時間的に分離されうる。一部の実施形態では、第３パルス照射と第４パルス照射との間の時間範囲は、第１時間間隔の約−３０％から第１時間間隔の約＋３０％までの間で、ランダムに選択され、かつ／又は決定されうる。電磁放射の第１パルスセットと電磁放射の第２パルスセットとは、第２時間間隔によって時間的に分離されうる。第２時間間隔は、第１時間間隔とは異なってよく、ゆえに、デュアルパルス型の照射が生じうる。
【００４６】
［００５７］しかし、一部の実施形態では、シンコペーション型の投射リズムのための乱数（又は仮乱数）生成が、そのシンコペーション周期にかかわらず、提供されうる。そのため、第１時間間隔及び／又は第２時間間隔は、ランダムに生成され、かつ／又は、非周期的でありうる。
【００４７】
［００５８］加えて、一部の実施形態では、第１パルスセットは、第２パルス照射の後に第５パルス照射も含みうる。第２パルス照射と第５パルス照射とは、第３時間間隔によって時間的に分離されうる。一部の実施形態では、第３時間間隔は、第１時間間隔と同じであり、かつ／又は、第１時間間隔の約＋３０％〜約−３０％でありうる。他の実施形態では、第３時間間隔は第１時間間隔とは異なりうる。また、一部の実施形態では、第１時間間隔及び／又は第２時間間隔は、上述のようにランダムに生成されうる。他の実施形態では、第１時間間隔、第２時間間隔、及び／又は第３時間間隔が、上述のようにランダムに生成されうる。
【００４８】
［００５９］別の実施形態では、基板上の不均一な画像パターンを補正するためのコンピュータシステムが開示される。このコンピュータシステムは、プロセッサ及びメモリを備えうる。メモリは、指令を記憶してよく、この指令は、プロセッサによって実行される時に、基板１４０の第１部分を電磁放射の第１パルスセットに曝露することと、基板の第２部分を電磁放射の第２パルスセットに曝露することとを、コンピュータシステムに実行させる。第１パルスセットは、第１パルス照射及び第２パルス照射を含みうる。第１パルス照射と第２パルス照射とは、第１時間間隔によって時間的に分離されうる。第２パルスセットは、第３パルス照射及び第４パルス照射を含みうる。第３パルス照射と第４パルス照射とは、第１時間間隔の約＋３０％〜約−３０％の時間間隔によって、時間的に分離されうる。一部の実施形態では、第３パルス照射と第４パルス照射との間の時間範囲は、第１時間間隔の約−３０％から第１時間間隔の約＋３０％までの間で、ランダムに選択され、かつ／又は決定されうる。電磁放射の第１パルスセットと電磁放射の第２パルスセットとは、第２時間間隔によって時間的に分離されうる。第２時間間隔は第１時間間隔とは異なりうる。しかし、一部の実施形態では、シンコペーション型の投射リズムのための乱数（又は仮乱数）生成が、そのシンコペーション周期にかかわらず、提供されうる。そのため、第１時間間隔及び／又は第２時間間隔は、ランダムに生成され、かつ／又は、非周期的でありうる。
【００４９】
［００６０］加えて、一部の実施形態では、第１パルスセットは、第２パルス照射の後に第５パルス照射も含みうる。第２パルス照射と第５パルス照射とは、第３時間間隔によって時間的に分離されうる。一部の実施形態では、第３時間間隔は、第１時間間隔と同じであり、かつ／又は、第１時間間隔の約＋３０％〜約−３０％でありうる。他の実施形態では、第３時間間隔は第１時間間隔とは異なりうる。また、一部の実施形態では、第１時間間隔及び／又は第２時間間隔は、上述のようにランダムに生成されうる。他の実施形態では、第１時間間隔、第２時間間隔、及び／又は第３時間間隔が、上述のようにランダムに生成されうる。
【００５０】
［００６１］更に別の実施形態では、指令を記憶する非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、この指令が、プロセッサによって実行される時に、基板上の不均一な画像パターンを補正することをコンピュータシステムに実行させる、非一時的コンピュータ可読記憶媒体が開示される。プロセッサは、基板の第１部分を電磁放射の第１パルスセットに曝露するステップと、基板の第２部分を電磁放射の第２パルスセットに曝露するステップとを、実施しうる。第１パルスセットは、第１パルス照射及び第２パルス照射を含みうる。第１パルス照射と第２パルス照射とは、第１時間間隔によって時間的に分離されうる。第２パルスセットは、第３パルス照射及び第４パルス照射を含みうる。第３パルス照射と第４パルス照射とは、第１時間間隔の約＋３０％〜約−３０％の時間間隔によって、時間的に分離されうる。一部の実施形態では、第３パルス照射と第４パルス照射との間の時間範囲は、第１時間間隔の約−３０％から第１時間間隔の約＋３０％までの間で、ランダムに選択され、かつ／又は決定されうる。電磁放射の第１パルスセットと電磁放射の第２パルスセットとは、第１時間間隔とは異なる第２時間間隔によって、時間的に分離されうる。しかし、一部の実施形態では、シンコペーション型の投射リズムのための乱数（又は仮乱数）生成が、そのシンコペーション周期にかかわらず、提供されうる。そのため、第１時間間隔及び／又は第２時間間隔は、ランダムに生成され、かつ／又は、非周期的でありうる。
【００５１】
［００６２］加えて、一部の実施形態では、第１パルスセットは、第２パルス照射の後に第５パルス照射も含みうる。第２パルス照射と第５パルス照射とは、第３時間間隔によって時間的に分離されうる。一部の実施形態では、第３時間間隔は、第１時間間隔と同じであり、かつ／又は、第１時間間隔の約＋３０％〜約−３０％でありうる。他の実施形態では、第３時間間隔は第１時間間隔とは異なりうる。また、一部の実施形態では、第１時間間隔及び／又は第２時間間隔は、上述のようにランダムに生成されうる。他の実施形態では、第１時間間隔、第２時間間隔、及び／又は第３時間間隔が、上述のようにランダムに生成されうる。
【００５２】
［００６３］第１時間間隔及び第２時間間隔は、デュアル周波数レートを作り出すことが可能であり、基板２４０はこのデュアル周波数レートで曝露される。単なる例であって限定を意図するものではないが、このデュアル周波数は、１９．５７μｍごとに発生するシングルステップリズムではなく１９．８８μｍと１９．２６μｍで発生するツーステップリズムなどの交互周波数で、基板１４０を曝露するパルシングを変化させうる。交互周波数のツーステップリズムの平均値は、単一周波数のシングルステップリズムの平均値と等しくなりうる。
【００５３】
［００６４］一実施形態では、基板１４０は、処理中に、ステージ１３０上で軌道１２４に沿って動いている。第２時間間隔が第１時間間隔よりも長い場合、基板は、第２時間間隔の間に、軌道１２４に沿って、第１時間間隔よりもより長い距離動きうる。しかし、ある種の実施形態では、第１時間間隔が第２時間間隔よりも長くなりうる。この実施形態では、基板は、第１時間間隔の間に、軌道１２４に沿って、第２時間間隔よりも長い距離動きうる。
【００５４】
［００６５］ある種の実施形態では、基板１４０の第３部分が、電磁放射の第３パルスに曝露されうる。第３パルスセットは、第５パルス照射及び第６パルス照射を含みうる。第５パルス照射と第６パルス照射とは、第１時間間隔の約＋３０％〜約−３０％の時間間隔によって、時間的に分離されうる。一部の実施形態では、第３パルス照射と第４パルス照射との間の時間範囲は、第１時間間隔の約−３０％から第１時間間隔の約＋３０％までの間で、ランダムに選択され、かつ／又は決定されうる。電磁放射の第１パルスセットと、電磁放射の第２パルスセットと、電磁放射の第３パルスセットとは、第２時間間隔によって時間的に分離されうる。第２時間間隔は第１時間間隔とは異なりうる。少なくとも２を上回る任意の数の電磁放射のパルス照射が、基板を曝露し、かつ／又はパターニングするのに適しうることに、留意すべきである。そのため、交互周波数のスリーステップリズムの平均値は、単一周波数のシングルステップリズムの平均値と等しくなりうる。
【００５５】
［００６６］一画像投影システム３０１は、上述のように、基板を曝露し、基板１４０の表面に光を運びうる。各曝露は、おおよそ、約３０マイクロ秒〜約９５マイクロ秒の間、例えば約４５マイクロ秒〜約７５マイクロ秒（約６５マイクロ秒など）の間、継続しうる。画像処理ユニット９３６により生成された画像データは、更に、画像処理ユニット９３６に、又は別の好適なストレージ設備に、記憶されうる。完全画像が一撮像時間の間に生成されうる。画像処理ユニット９３６は、タイムシフト型の曝露を使用して基板上の不均一な画像パターンを補正するよう設定された、データ９３８及び／又は制御論理９３９を包含しうる。画像処理ユニット９３６のこの制御論理９３９は、干渉パターンを補正し、かつ曝露均一性を向上させるために、時間遅延を使用して、可変かつ交互のパルス周波数の電磁放射に、基板の後続部分を曝露するよう、設定されうる。画像投影システム３０１は、上述のように、基板を曝露し、基板１４０の表面に光を運びうる。
【００５６】
［００６７］基板１４０の各後続部分の曝露は、基板１４０がシステム１００を通って完全に曝露され、処理されるまで、反復されうる。
【００５７】
［００６８］更に、単なる例としてであるが、投射パターンの追加的な変形例が三拍子を有しうることも想定される。そのため、一部の実施形態では、投射、パルス照射、及び／又はパルスセットが、経時的に均等に分散しうる。しかし、他の実施形態では、投射、パルス照射、及び／又はパルスセットが、経時的に均等に分散しないことがある。
【００５８】
［００６９］図１０は、本書に記載の一実施形態による、基板上の不均一な画像パターンを補正するための方法１０００の工程を概略的に示している。方法１０００は、通常、干渉パターンを補正し、かつ曝露均一性を向上させるために、時間遅延を使用して、可変かつ交互のパルス周波数の電磁放射に、基板の後続部分を曝露することに関する。工程１０１０において、基板の第１部分が、電磁放射の第１パルスセットに曝露される。第１パルスセットは、第１パルス照射及び第２パルス照射を含みうる。第１パルス照射と第２パルス照射とは、第１時間間隔によって時間的に分離されうる。工程１０２０において、基板の第２部分が、電磁放射の第２パルスセットに曝露されうる。第２パルスセットは、第３パルス照射及び第４パルス照射を含みうる。第３パルス照射と第４パルス照射とは、第１時間間隔の約＋３０％〜−３０％の時間間隔によって、時間的に分離されうる。一部の実施形態では、第３パルス照射と第４パルス照射との間の時間範囲は、第１時間間隔の約−３０％から第１時間間隔の約＋３０％までの間で、ランダムに選択され、かつ／又は決定されうる。電磁放射の第１パルスセットと電磁放射の第２パルスセットとは、第２時間間隔によって時間的に分離されうる。第２時間間隔は第１時間間隔とは異なりうる。
【００５９】
［００７０］試験は完了しており、デュアル周波数パルシングを利用した場合に、標準的な単一周波数パルシングの利用と比較して、線縁粗さが６６％改善されたという結果が出ている。単一周波数パルシングとデュアル周波数パルシングとを比較する試験において、標準的な単一周波数パルシングを利用している時には６．８％の線縁粗さが測定されたが、デュアル周波数パルシングを利用している時には、２．６％の線縁粗さが測定された。
【００６０】
［００７１］本書で開示されている実施形態の利点は、ソフトウェア設定を使用することによる、線縁粗さ（ＬＥＲ）の曝露不具合の補正を含みうる。ステージ上での基板の位置ずれによって、又は、基板がステージ上で処理されている間のステージの振動によって、望ましくない線縁粗さが作り出されうる。加えて、多重周波数パルシングにより、低い曝露倍数で基板を均一に処理することが可能になり、ゆえに、スループットが増大すると共に、ハーフトーン性能が改善されうる。加えて、ＤＭＤ４１０は、機能不全となって曝露不具合を引き起こすことがあるが、不均一パターン補正アプリケーションを利用することで、ソフトウェア設定を介して、機能不全が即座に修正されうる。
【００６１】
［００７２］本書に記載のこのアプリケーションは、製造プロセスにおいてタイムシフト型の基板の曝露を使用して不均一な画像パターンを補正する能力を保持する。このアプリケーションにより、干渉パターンを補正し、かつ曝露均一性を向上させるために、時間遅延を使用して、可変かつ交互のパルス周波数の電磁放射に、基板の後続部分が曝露される。
【００６２】
［００７３］上記は本書に記載の実施形態を対象としているが、これらの実施形態の基本的な範囲から逸脱することなく、他の実施形態及び更なる実施形態が考案されうる。例えば、本開示の態様は、ハードウェア若しくはソフトウェアにおいて、又は、ハードウェアとソフトウェアとの組み合わせにおいて、実装されうる。本書に記載の一実施形態は、コンピュータシステムと共に使用されるプログラム製品として、実装されうる。プログラム製品のプログラム（複数可）は、実施形態（本書に記載の方法を含む）の機能を規定し、かつ、多種多様なコンピュータ可読記憶媒体に包含されうる。例示的なコンピュータ可読記憶媒体は、（ｉ）情報を恒久的に記憶する、書き込み不能記憶媒体（例えば、ＣＤ−ＲＯＭドライブによって読み出し可能なＣＤ−ＲＯＭディスク、フラッシュメモリ、ＲＯＭチップ、又は、任意の種類の固体不揮発性半導体メモリなどの、コンピュータ内の読み出し専用メモリデバイス）、及び、（ｉｉ）変更可能な情報を記憶する、書き込み可能記憶媒体（例えば、ディスケットドライブ若しくはハードディスクドライブの中のフロッピーディスク、又は、任意の種類の固体ランダムアクセス半導体メモリ）を含むが、それらに限定されるわけではない。かかるコンピュータ可読記憶媒体は、開示されている実施形態の働きを命じるコンピュータ可読指令を実行すれば、本開示の実施形態となる。
【００６３】
［００７４］前述の例は、例示的なものであって限定的なものではないことが、当業者には認識されよう。本明細書を読み、図面を精査することで当業者に明らかになる、これらの例の変更例、強化例、均等物、及び改良例は全て、本開示の本質及び範囲に含まれることが意図されている。したがって、以下の付随する特許請求の範囲も、上記の教示の本質及び範囲に内包されるものとして、かかる修正例、変更例、及び均等物の全てを含むことが意図されている。
また、本願は以下に記載する態様を含む。
（態様１）
基板上の不均一な画像パターンを補正するための方法であって、
（ａ）前記基板の第１部分を電磁放射の第１パルスセットに曝露することであって、前記第１パルスセットが第１パルス照射及び第２パルス照射を含み、前記第１パルス照射と前記第２パルス照射とが第１時間間隔によって時間的に分離されている、第１パルスセットに曝露することと、
（ｂ）前記基板の第２部分を電磁放射の第２パルスセットに曝露することであって、前記第２パルスセットが第３パルス照射及び第４パルス照射を含み、前記第３パルス照射と前記第４パルス照射とが、前記第１時間間隔の約＋３０％〜約−３０％の時間間隔によって時間的に分離され、電磁放射の前記第１パルスセットと電磁放射の前記第２パルスセットとが、前記第１時間間隔とは異なる第２時間間隔によって時間的に分離されている、第２パルスセットに曝露することとを含む、方法。
（態様２）
基板上の不均一な画像パターンを補正するためのコンピュータシステムであって、
プロセッサと、
指令を記憶するメモリとを備え、前記指令が、前記プロセッサによって実行される時に、
（ａ）前記基板の第１部分を電磁放射の第１パルスセットに曝露することであって、前記第１パルスセットが第１パルス照射及び第２パルス照射を含み、前記第１パルス照射と前記第２パルス照射とが第１時間間隔によって時間的に分離されている、第１パルスセットに曝露することと、
（ｂ）前記基板の第２部分を電磁放射の第２パルスセットに曝露することであって、前記第２パルスセットが第３パルス照射及び第４パルス照射を含み、前記第３パルス照射と前記第４パルス照射とが、前記第１時間間隔の約＋３０％〜約−３０％の時間間隔によって時間的に分離され、電磁放射の前記第１パルスセットと電磁放射の前記第２パルスセットとが、前記第１時間間隔とは異なる第２時間間隔によって時間的に分離されている、第２パルスセットに曝露することとを、前記コンピュータシステムに実行させる、コンピュータシステム。
（態様３）  指令を記憶する非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記指令が、プロセッサによって実行される時に、
（ａ）基板の第１部分を電磁放射の第１パルスセットに曝露するステップであって、前記第１パルスセットが第１パルス照射及び第２パルス照射を含み、前記第１パルス照射と前記第２パルス照射とが第１時間間隔によって時間的に分離されている、第１パルスセットに曝露するステップと、
（ｂ）前記基板の第２部分を電磁放射の第２パルスセットに曝露するステップであって、前記第２パルスセットが第３パルス照射及び第４パルス照射を含み、前記第３パルス照射と前記第４パルス照射とが、前記第１時間間隔の約＋３０％〜約−３０％の時間間隔によって時間的に分離され、電磁放射の前記第１パルスセットと電磁放射の前記第２パルスセットとが、前記第１時間間隔とは異なる第２時間間隔によって時間的に分離されている、第２パルスセットに曝露するステップとを実施することによって、コンピュータシステムに、前記基板上の不均一な画像パターンを補正することを実行させる、非一時的コンピュータ可読媒体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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