(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子を搭載するとともに、前記半導体素子の厚さ方向のうち一方を向くパッド裏面を有するダイパッドと、
前記ダイパッドから離間して配置されるとともに、前記パッド裏面と同方向を向く端子裏面を有する端子と、
前記半導体素子を覆うとともに、前記パッド裏面と同方向を向く樹脂裏面を有する封止樹脂と、を備える半導体装置であって、
前記パッド裏面および前記端子裏面は、ともに前記樹脂裏面と面一となるように前記封止樹脂から露出し、
前記端子は、前記厚さ方向に対して直交する第１方向を向く端子第１側面と、前記厚さ方向および前記第１方向の双方に対して直交する第２方向を向く端子第２側面と、を有し、
前記封止樹脂は、前記第１方向を向く樹脂第１側面と、前記第２方向を向き、かつ前記厚さ方向において前記端子第２側面に対して前記樹脂裏面とは反対側に位置する樹脂第２側面と、前記第２方向を向き、かつ前記樹脂第２側面から外側に突出する樹脂外側面と、前記厚さ方向において前記樹脂第２側面と前記樹脂外側面との間に位置する樹脂中間面と、を有し、
前記端子第１側面は、前記樹脂第１側面と面一となるように前記封止樹脂から露出し、
前記端子第２側面は、前記樹脂第２側面と面一となるように前記封止樹脂から露出し、
前記端子には、前記端子裏面および前記端子第２側面を覆う端子導電層が形成されており、
前記樹脂中間面は、前記厚さ方向において前記封止樹脂の内方に向けた凹状をなしていることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
前記端子は、Ｃｕを主成分とする合金からなる、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記端子導電層は、Ｓｎを含有する合金層を含む、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記端子導電層は、前記端子裏面および前記端子第２側面の各々に積層されたＮｉ層と、前記Ｎｉ層に積層されたＳｎを含有する合金層と、から構成される、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記端子導電層は、Ａｕ層を含む、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記端子導電層は、Ｐｄ層と、前記Ｐｄ層に積層された前記Ａｕ層と、を含む、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記端子導電層は、前記端子裏面および前記端子第２側面の各々に積層されたＮｉ層と、前記Ｎｉ層に積層された前記Ｐｄ層と、前記Ｐｄ層に積層された前記Ａｕ層と、から構成される、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記ダイパッドは、前記厚さ方向において前記パッド裏面とは反対側を向き、かつ前記半導体素子を搭載するパッド表面を有するとともに、前記端子と同一の材料からなる、請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記ダイパッドには、前記パッド裏面を覆うパッド導電層が形成されている、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記パッド導電層の構成は、前記端子導電層の構成と同一である、請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体素子と前記パッド表面との間に介在する接合層をさらに備える、請求項８ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記半導体素子と前記端子とを接続するボンディングワイヤを備える、請求項８ないし１１のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記端子は、前記端子裏面とは反対側を向く端子表面を有し、
前記端子表面に前記ボンディングワイヤが接続されている、請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記厚さ方向において、前記パッド表面は、前記端子表面と前記端子裏面との間に位置する、請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記パッド表面および前記端子表面を覆う内装めっき層を備える、請求項１３または１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記内装めっき層は、Ａｇ層である、請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記封止樹脂は、ガラスフリットが含有されたエポキシ樹脂である、請求項１ないし１６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記半導体素子は、ホール素子である、請求項１ないし１７のいずれかに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ホール素子が搭載されるとともに、表面実装型の樹脂パッケージ形式である半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子がホール素子である半導体装置は、携帯電話など様々な電子機器に適用されている。たとえば、携帯電話のディスプレイの光源を制御する場合に、当該半導体装置を適用すれば携帯電話の本体を開閉することによって、光源を点灯または消灯するといった制御を行うことができる。当該半導体装置は、より一層の小型化および低背化が要求されている。
【０００３】
特許文献１には、小型化および低背化を図った、半導体素子がホール素子である半導体装置が掲載されている。当該半導体装置は、半導体素子と、半導体素子から厚さ方向に起立する複数の電極と、各々の電極の先端に配置されたはんだボールと、半導体素子および電極を覆う封止樹脂とを備えた構成となっている。当該半導体装置においては、リードフレームなどに半導体素子が搭載されず、半導体素子の基板が外部に露出した構成となっているため、半導体装置の小型化および低背化を図ることが可能となる。
【０００４】
ただし、特許文献１に掲載されている半導体装置は、はんだボールを適用しているため、装置の一層の小型化および低背化を図る場合、はんだボールの相互干渉の回避や、各々のはんだボールの核の保持が制約条件となるため、半導体装置の小型化および低背化に限界がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２７７０３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記事情に鑑み、小型化および低背化を図った半導体装置およびその製造方法を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の側面によって提供される半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子を搭載し、かつ前記半導体素子の厚さ方向のうち一方を向くパッド裏面を有するダイパッドと、前記ダイパッドから離間して配置され、かつ前記パッド裏面と同方向を向く端子裏面を有する端子と、前記半導体素子を覆い、かつ前記パッド裏面と同方向を向く樹脂裏面を有する封止樹脂と、を備える半導体装置であって、前記パッド裏面および前記端子裏面は、ともに前記樹脂裏面と面一となるように前記封止樹脂から露出し、前記端子には、前記端子裏面を覆う端子導電層が形成されていることを特徴としている。
【０００８】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記端子は、Ｃｕを主成分とする合金からなる。
【０００９】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記端子導電層は、Ｓｎを含有する合金層を含む。
【００１０】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記端子導電層は、互いに積層されたＮｉ層およびＳｎを含有する合金層から構成される。
【００１１】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記端子導電層は、Ａｕ層を含む。
【００１２】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記端子導電層は、互いに積層されたＰｄ層およびＡｕ層を含む。
【００１３】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記端子導電層は、互いに積層されたＮｉ層、Ｐｄ層およびＡｕ層から構成される。
【００１４】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記端子は、前記半導体素子の厚さ方向に対して直角である第１方向を向く端子第１側面と、前記半導体素子の厚さ方向および前記第１方向に対していずれも直角である第２方向を向く端子第２側面と、を有し、前記封止樹脂は、前記第１方向を向く樹脂第１側面と、前記第２方向を向く樹脂第２側面と、を有し、前記端子第１側面は、前記樹脂第１側面と面一となるように前記封止樹脂から露出し、前記端子第２側面は、前記樹脂第２側面と面一となるように前記封止樹脂から露出している。
【００１５】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記端子導電層は、前記端子第２側面を覆っている。
【００１６】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記封止樹脂は、前記第２方向を向き、かつ前記樹脂第２側面から外側に突出する樹脂外側面を有する。
【００１７】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記ダイパッドは、前記パッド裏面とは反対側を向き、かつ前記半導体素子を搭載するパッド表面を有するとともに、前記端子と同一の材料からなる。
【００１８】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記ダイパッドには、前記パッド裏面を覆うパッド導電層が形成されている。
【００１９】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記パッド導電層の構成は、前記端子導電層の構成と同一である。
【００２０】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記半導体素子と前記パッド表面との間に介在する接合層を備える。
【００２１】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記半導体素子と前記端子とを接続するボンディングワイヤを備える。
【００２２】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記端子は、前記端子裏面とは反対側を向く端子表面を有し、前記端子表面に前記ボンディングワイヤが接続されている。
【００２３】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記半導体素子の厚さ方向において、前記パッド表面は、前記端子表面と前記端子裏面との間に位置している。
【００２４】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記パッド表面および前記端子表面を覆う内装めっき層を備える。
【００２５】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記内装めっき層は、Ａｇ層である。
【００２６】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記封止樹脂は、ガラスフリットが含有されたエポキシ樹脂である。
【００２７】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記半導体素子は、ホール素子である。
【００２８】
本発明の第２の側面によって提供される半導体装置の製造方法は、厚さ方向のうち一方を向く裏面の一部および前記裏面とは反対側を向くパッド表面を有するパッド部と、前記裏面の一部および前記厚さ方向視において前記パッド表面から離間して配置され、かつ前記裏面とは反対側を向く端子表面を有する端子部と、前記パッド部および前記端子部を相互につなぎ、かつ前記裏面の一部を有するとともに、前記厚さ方向において前記パッド表面および前記端子表面よりも前記裏面寄りに位置する連結部と、を含む導電性基材を形成する工程と、前記パッド部の前記パッド表面に半導体素子を搭載する工程と、前記導電性基材の前記パッド表面および前記端子表面とともに、前記半導体素子を覆う封止樹脂を形成する工程と、前記導電性基材の前記裏面から前記連結部を除去する工程と、前記封止樹脂から露出した前記端子部を覆う導電層を形成する工程と、を備えることを特徴としている。
【００２９】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記連結部を除去する工程では、機械研磨により前記連結部が除去される。
【００３０】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記導電層を形成する工程では、電解めっきにより前記導電層が形成される。
【００３１】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記導電性基材を形成する工程では、ウェットエッチングにより前記導電性基材が形成される。
【００３２】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記連結部は、前記裏面とは反対側を向く連結部表面を有し、前記導電性基材を形成する工程では、前記導電性基材の厚さ方向において、前記パッド部の前記パッド表面が、前記端子部の前記端子表面と前記連結部の前記連結部表面との間に位置するように前記導電性基材が形成される。
【００３３】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記導電層を形成する工程の前に、前記導電性基材の前記裏面から窪み、かつ前記導電性基材の厚さ方向に対して直角である第１方向に延出する溝を前記端子部に形成する工程を備える。
【００３４】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記導電性基材の厚さ方向において、前記溝は、前記裏面から前記端子表面に至って前記端子部を貫通するように形成される。
【００３５】
本発明の実施の形態において好ましくは、前記半導体素子を搭載する工程と前記封止樹脂を形成する工程との間に、前記半導体素子と前記端子部とを接続するボンディングワイヤをワイヤボンディングにより形成する工程を備える。
【発明の効果】
【００３６】
本発明にかかる半導体装置によれば、ダイパッドのパッド裏面および端子の端子裏面は、ともに封止樹脂の樹脂裏面と面一となるように封止樹脂から露出している。このような構成をとることによって、当該半導体装置の小型化および低背化を図ることが可能となる。
【００３７】
また、本発明にかかる半導体装置の製造方法によれば、封止樹脂から露出した導電性基材の端子部を覆う導電層を形成する工程の前に、導電性基材の裏面から連結部を除去する工程を備える。連結部を除去することによって、導電性基材のパッド部および端子部の厚さを極力薄くすることができるため、当該半導体装置の製造が可能となる。
【００３８】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の平面図（封止樹脂を省略）である。
【図２】図１に示す半導体装置の底面図である。
【図３】図１に示す半導体装置の右側面図である。
【図４】図１に示す半導体装置の正面図である。
【図５】図１のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。
【図６】図１に示す半導体装置を適用した回路のブロック図である。
【図７】図１に示す半導体装置の製造方法を説明する平面図である。
【図８】図１に示す半導体装置の製造方法を説明する底面図である。
【図９】図７のＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図である。
【図１０】図１に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１１】図１に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１２】図１に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１３】図１に示す半導体装置の製造方法を説明する底面図である。
【図１４】図１に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１５】図１に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１６】図１に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１７】本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の平面図（封止樹脂を省略）である。
【図１８】図１７に示す半導体装置の底面図である。
【図１９】図１７に示す半導体装置の右側面図である。
【図２０】図１７に示す半導体装置の正面図である。
【図２１】図１７のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿う断面図である。
【図２２】図２１の部分拡大図である。
【図２３】図１７に示す半導体装置の製造方法を説明する底面図である。
【図２４】図２０に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図２５】図２０に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図２６】図２０に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【００４０】
本発明を実施するための形態（以下「実施形態」という。）について、添付図面に基づいて説明する。
【００４１】
〔第１実施形態〕
図１〜図５に基づき、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０について説明する。半導体装置Ａ１０は、半導体素子１１、接合層１２、ダイパッド２、端子３、封止樹脂４、内装めっき層５およびボンディングワイヤ６を備える。
【００４２】
図１は、半導体装置Ａ１０の平面図であり、理解の便宜上、封止樹脂４を省略している。図２は、半導体装置Ａ１０の底面図である。図３は、半導体装置Ａ１０の右側面図である。図４は、半導体装置Ａ１０の正面図である。図５は、図１のＶ−Ｖ線（図１に示す一点鎖線）に沿う断面図である。なお、図１において省略した封止樹脂４は、想像線（二点鎖線）で示している。
【００４３】
これらの図に示す半導体装置Ａ１０は、携帯電話など様々な電子機器の回路基板に表面実装される形式のものである。ここで、説明の便宜上、半導体素子１１の厚さ方向Ｚに対して直角である平面図の左右方向を第１方向Ｘと、半導体素子１１の厚さ方向Ｚおよび第１方向Ｘに対していずれも直角である平面図の上下方向を第２方向Ｙと、それぞれ定義する。本実施形態では、半導体装置Ａ１０の半導体素子１１の厚さ方向Ｚ視である平面視（以下、単に「平面視」という。）の形状は、矩形状である。
【００４４】
半導体素子１１は、半導体装置Ａ１０の機能の中枢となる部分である。図１に示すように、半導体素子１１の平面視の形状は矩形状である。本実施形態にかかる半導体素子１１はホール素子である。このため、半導体装置Ａ１０は磁気センサである。また、本実施形態においては、当該ホール素子はＧａＡｓ型ホール素子である。ＧａＡｓ型ホール素子は、磁束密度の変化に対するホール電圧の直線性に優れるとともに、温度変化の影響を受けにくいという利点を有する。図５に示すように、半導体素子１１は、半導体素子１１の厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く素子表面１１１および素子裏面１１２を有する。素子表面１１１は、封止樹脂４に接する面である。本実施形態では、素子表面１１１において、たとえばＡｌからなる電極パッド１１１ａ（図示略）が複数形成されている。各々の電極パッド１１１ａにボンディングワイヤ６が接続されている。また、素子裏面１１２は、接合層１２に接する面である。素子裏面１１２は、半導体素子１１をダイパッド２に搭載する際に利用される。
【００４５】
接合層１２は、図１および図５に示すように、半導体素子１１と後述するダイパッド２のパッド表面２１との間に介在する部分である。接合層１２は、半導体素子１１の素子裏面１１２と、パッド表面２１を覆う内装めっき層５との双方に接している。本実施形態にかかる接合層１２の材料は、導電性または電気絶縁性を有する材料のどちらでもよい。導電性を有する材料の場合は、たとえばＳｎを含有する鉛フリーはんだペーストや、Ａｇを含むエポキシ樹脂を主剤とした合成樹脂（いわゆるＡｇペースト）が当該材料として挙げられる。また、電気絶縁性を有する材料の場合は、たとえばエポキシ樹脂やポリイミドが当該材料として挙げられる。接合層１２によって、半導体素子１１はダイパッド２に固着（ダイボンディング）により搭載される。
【００４６】
ダイパッド２は、図１および図５に示すように、半導体素子１１を搭載する部分である。ダイパッド２は、端子３と同じく、後述する半導体装置Ａ１０の製造方法の一例にて示す導電性基材８１からなる。このため、ダイパッド２は、端子３と同一の材料からなり、具体的にはＣｕを主成分とする合金からなる。よって、ダイパッド２は、導電性を有する。ただし、半導体素子１１の素子裏面１１２において、電極パッド１１１ａが形成されていないため、接合層１２が仮に導電性を有する場合であっても、半導体素子１１とダイパッド２は相互に導通しない。図１〜図３および図５に示すように、ダイパッド２は、パッド表面２１、パッド裏面２２およびパッド側面２３を有する。
【００４７】
図１〜図３および図５に示すように、パッド表面２１およびパッド裏面２２は、半導体素子１１の厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く面である。パッド表面２１およびパッド裏面２２は、ともに形状が矩形状である。パッド表面２１は、半導体素子１１の素子裏面１１２に対向する面である。パッド表面２１は、内装めっき層５に覆われている。パッド表面２１を覆う内装めっき層５において、半導体素子１１を搭載するための接合層１２に覆われていない部分は、封止樹脂４に覆われている。本実施形態においては、半導体素子１１の厚さ方向Ｚにおいて、パッド表面２１は、後述する端子表面３１と端子裏面３２との間に位置している。パッド裏面２２は、パッド表面２１とは反対側を向く面である。本実施形態にかかるパッド裏面２２は、封止樹脂４から露出している。パッド側面２３は、パッド表面２１およびパッド裏面２２の双方に交差し、かつ第１方向Ｘまたは第２方向Ｙを向く４つの面である。本実施形態においては、パッド側面２３のうち、第１方向Ｘを向く一対の面が封止樹脂４から露出している。
【００４８】
図２、図３および図５に示すように、ダイパッド２には、パッド裏面２２を覆うパッド導電層２９が形成されている。本実施形態にかかるパッド導電層２９の構成は、端子導電層３９の構成と同一である。
【００４９】
端子３は、図１〜図５に示すように、導電性を有し、かつ半導体素子１１と半導体装置Ａ１０が実装される回路基板との導電経路を構成する部分である。本実施形態にかかる端子３は４つからなり、４つの端子３は、半導体装置Ａ１０において相互にかつダイパッド２から離間して配置されている。先述したとおり、端子３は、ダイパッド２と同じく導電性基材８１からなる。このため、本実施形態にかかる端子３は、Ｃｕを主成分とする合金からなる。図１〜図５に示すように、端子３は、端子表面３１、端子裏面３２、端子第１側面３３１および端子第２側面３３２を有する。また、図２〜図５に示すように、本実施形態にかかる端子３には、封止樹脂４から露出する端子裏面３２を覆う端子導電層３９が形成されている。本実施形態にかかる端子導電層３９は、Ｓｎを含有する合金層からなる。当該合金層は、たとえばＳｎ−Ｓｂ系合金またはＳｎ−Ａｇ系合金などの鉛フリーはんだ合金である。ここで、端子導電層３９は、互いに積層されたＮｉ層およびＳｎを含有する合金層から構成されていてもよい。また、端子導電層３９は、互いに積層されたＮｉ層、Ｐｄ層およびＡｕ層から構成されていてもよい。さらに、端子導電層３９は、互いに積層されたＰｄ層およびＡｕ層を含む構成や、Ａｕ層を含む構成であってもよい。これらの端子導電層３９の構成では、いずれもＳｎを含有する合金層またはＡｕ層が外部に露出する状態となる。
【００５０】
図１〜図３および図５に示すように、端子表面３１および端子裏面３２は、半導体素子１１の厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く面である。端子表面３１および端子裏面３２は、ともに形状が矩形状である。端子表面３１は、半導体素子１１の素子表面１１１と同方向を向く面である。端子表面３１にボンディングワイヤ６が接続されている。端子表面３１は、内装めっき層５に覆われ、さらに内装めっき層５を覆う封止樹脂４に覆われている。端子裏面３２は、端子表面３１とは反対側を向き、かつダイパッド２のパッド裏面２２と同方向を向く面である。端子裏面３２は、半導体装置Ａ１０を回路基板に実装する際に利用される面である。本実施形態にかかる端子裏面３２は、封止樹脂４から露出し、かつ端子導電層３９に覆われているとともに、ダイパッド２のパッド裏面２２と面一である。
【００５１】
図１〜図４に示すように、端子第１側面３３１は、端子表面３１および端子裏面３２の双方に交差し、かつ第１方向Ｘを向く面である。本実施形態にかかる端子第１側面３３１は、封止樹脂４から露出している。また、図１〜図４に示すように、端子第２側面３３２は、端子表面３１および端子裏面３２の双方に交差し、かつ第２方向Ｙを向く面である。本実施形態にかかる端子第２側面３３２は、封止樹脂４から露出している。
【００５２】
封止樹脂４は、図２〜図５に示すように、半導体素子１１と、ダイパッド２および端子３のそれぞれ一部とを覆う部分である。封止樹脂４は、電気絶縁性を有する熱硬化性の合成樹脂であり、本実施形態にかかる当該合成樹脂は、黒色のエポキシ樹脂である。また、本実施形態にかかる当該エポキシ樹脂には、ガラスフリットが含有されている。図２〜図５に示すように、封止樹脂４は、樹脂表面４１、樹脂裏面４２、樹脂第１側面４３１および樹脂第２側面４３２を有する。
【００５３】
図２〜図５に示すように、樹脂表面４１および樹脂裏面４２は、半導体素子１１の厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く面である。樹脂表面４１は、半導体素子１１の素子表面１１１と同方向を向く面である。樹脂裏面４２は、樹脂表面４１とは反対側を向き、かつダイパッド２のパッド裏面２２と同方向を向く面である。図２に示すように、本実施形態においては、ダイパッド２のパッド裏面２２および端子３の端子裏面３２は、ともに樹脂裏面４２と面一となるように封止樹脂４から露出している。
【００５４】
図２〜図４に示すように、樹脂第１側面４３１は、樹脂表面４１および樹脂裏面４２の双方に交差し、かつ第１方向Ｘを向くとともに、第１方向Ｘにおいて互いに離間する一対の面である。本実施形態においては、各々の樹脂第１側面４３１から、端子３の端子第１側面３３１が露出している。また、図２〜図４に示すように、樹脂第２側面４３２は、樹脂表面４１および樹脂裏面４２の双方に交差し、かつ第２方向Ｙを向くとともに、第２方向Ｙにおいて互いに離間する一対の面である。本実施形態においては、各々の樹脂第２側面４３２から、端子３の端子第２側面３３２が露出している。
【００５５】
内装めっき層５は、図１および図５に示すように、ダイパッド２のパッド表面２１および端子３の端子表面３１を覆う部分である。本実施形態にかかる内装めっき層５は、Ａｇ層である。
【００５６】
ボンディングワイヤ６は、図１および図５に示すように、導電性を有し、かつ半導体素子１１と端子３とを接続する部分である。本実施形態にかかるボンディングワイヤ６は４本からなり、各々のボンディングワイヤ６が半導体素子１１と一つの端子３とを接続している。本実施形態にかかるボンディングワイヤ６は、Ａｕからなる。
【００５７】
次に、図６に基づき、半導体素子１１がホール素子である半導体装置Ａ１０を適用した回路の一例について説明する。図６は、半導体装置Ａ１０を適用した回路のブロック図である。
【００５８】
図６に示すように、当該回路は、半導体装置Ａ１０、集積回路７１および制御対象７２によって構成されている。制御対象７２は、たとえば携帯電話のディスプレイの光源や、ＤＣモータなどが挙げられる。集積回路７１は、装置駆動領域７１１、電圧検出領域７１２および制御領域７１３を備える。装置駆動領域７１１は、半導体装置Ａ１０の半導体素子１１にホール電流を流す領域である。電圧検出領域７１２は、ホール効果により半導体素子１１に現れた起電力（ホール電圧）を検出する領域である。制御領域７１３は、制御対象７２の動作を制御する領域である。いま、半導体装置Ａ１０に磁石７３を近づけたとき、磁束密度が変化するためホール効果により半導体素子１１に起電力が現れる。当該起電力は、電圧検出領域７１２により検出される。電圧検出領域７１２は、この検出結果を制御領域７１３に伝達する。制御領域７１３は、伝達された当該検出結果に基づき、制御対象７２の動作を制御（起動や停止など）する。
【００５９】
次に、図７〜図１６に基づき、半導体装置Ａ１０の製造方法の一例について説明する。図７は、半導体装置Ａ１０の製造方法を説明する平面図である。図８および図１３は、半導体装置Ａ１０の製造方法を説明する底面図である。図９は、図７のＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図である。図１０〜図１２および図１４〜図１６は、半導体装置Ａ１０の製造方法を説明する断面図であり、その断面位置が図９と同一である。なお、図７〜図１６において示される導電性基材８１の厚さ方向Ｚ、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙの定義は、図１〜図５において示される半導体素子１１の厚さ方向Ｚ、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙの定義に対応している。
【００６０】
最初に、図７〜図９に示すように、パッド部８１１、端子部８１２および連結部８１３を含む導電性基材８１を形成する。導電性基材８１は、導電性基材８１の厚さ方向Ｚにおいて一方を向き、かつ一様な平坦面である裏面８１０を有する合金板から形成される。本実施形態にかかる当該合金板は、Ｃｕを主成分とする合金からなり、その厚さは１００〜２００μｍである。このため、当該合金板は、導電性を有する。
【００６１】
図７に示すように、パッド部８１１は、第２方向Ｙにおける両端が連結部８１３につながり、かつ平面視の形状が矩形状の部分である。パッド部８１１が、半導体装置Ａ１０のダイパッド２に相当する。図９に示すように、パッド部８１１は、裏面８１０の一部およびパッド表面８１１ａを有する。パッド表面８１１ａは、裏面８１０とは反対側を向く面である。
【００６２】
図７に示すように、端子部８１２は、その四隅が連結部８１３につながり、かつ平面視の形状が矩形状の部分である。端子部８１２が、半導体装置Ａ１０の端子３の基となる。図７において斜線で示される部分が端子部８１２に該当する。図９に示すように、端子部８１２は、裏面８１０の一部および端子表面８１２ａを有する。端子表面８１２ａは、裏面８１０とは反対側を向く面であり、かつ導電性基材８１の厚さ方向Ｚ視（平面視）において、パッド表面８１１ａから離間して配置されている。
【００６３】
図７に示すように、連結部８１３は、パッド部８１１および端子部８１２を相互につなぎ、かつ平面視の形状がＴ字状の部分である。図９に示すように、連結部８１３は、裏面８１０の一部および連結部表面８１３ａを有する。連結部表面８１３ａは、裏面８１０とは反対側を向く面である。導電性基材８１の厚さ方向Ｚにおいて、連結部８１３は、パッド表面８１１ａおよび端子表面８１２ａよりも裏面８１０寄りに位置している。このため、連結部表面８１３ａは、パッド表面８１１ａおよび端子表面８１２ａよりも裏面８１０寄りに位置している。また、図７に示すように、連結部８１３は、第１方向Ｘに延出する第１連結部８１３ｂと、第２方向Ｙに延出する第２連結部８１３ｃとを含む。第２方向Ｙにおけるパッド部８１１の両端は、ともに第１連結部８１３ｂにつながっている。なお、図７において想像線で示される領域８９は、半導体装置Ａ１０となる部分に該当する。このため、導電性基材８１においては、パッド部８１１と、パッド部８１１の周囲に配置された４つの端子部８１２のそれぞれの隅とが、一つの半導体装置Ａ１０の製造単位となる。
【００６４】
導電性基材８１は、先述した合金板のうち裏面８１０とは反対側を向く面において、フォトリソグラフィによりマスクを形成した後、ウェットエッチングで当該合金板の不要部分を除去することにより形成される。当該ウェットエッチングに用いられる溶液として、たとえば硫酸（Ｈ2ＳＯ4）および過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）との混合溶液が挙げられる。このとき、図９に示すように、導電性基材８１の厚さ方向Ｚにおいて、パッド部８１１のパッド表面８１１ａが、端子部８１２の端子表面８１２ａと連結部８１３の連結部表面８１３ａとの間に位置するように導電性基材８１が形成される。また、図８および図９に示すように、パッド部８１１、端子部８１２および連結部８１３は、いずれも導電性基材８１の裏面８１０を共有した構成となる。
【００６５】
図９に示すように、導電性基材８１には、パッド部８１１のパッド表面８１１ａおよび端子部８１２の端子表面８１２ａを覆い、かつＡｇ層である内装めっき層８１４が形成されている。内装めっき層８１４が、半導体装置Ａ１０の内装めっき層５に相当する。内装めっき層８１４は、導電性基材８１を形成する過程において、たとえば以下の手順により形成することができる。まず、先述した合金板のうち裏面８１０とは反対側を向く面において、フォトリソグラフィおよびウェットエッチングによりパッド表面８１１ａを形成する。次いで、当該合金板の裏面８１０とは反対側を向く面の全体に、電解めっきによりＡｇ層を形成する。最後に、フォトリソグラフィおよびウェットエッチングにより連結部表面８１３ａを形成することによって、パッド部８１１、端子部８１２および連結部８１３を含む導電性基材８１とあわせて、内装めっき層８１４が形成される。
【００６６】
次いで、図１０に示すように、パッド部８１１のパッド表面８１１ａに半導体素子８２１を搭載する。半導体素子８２１が、半導体装置Ａ１０の半導体素子１１に相当する。半導体素子８２１の搭載にあたっては、まず、パッド部８１１のパッド表面８１１ａ上に形成された内装めっき層８１４に、接合材８２２を塗布する。本実施形態にかかる接合材８２２は、Ａｇを含むエポキシ樹脂を主剤とした合成樹脂（いわゆるＡｇペースト）であり、導電性を有する。接合材８２２は、他にもＳｎを含有する鉛フリーはんだペーストなどの導電性を有するものや、エポキシ樹脂やポリイミドなどの電気絶縁性を有するものであってもよい。次いで、コレットなどで吸着した半導体素子８２１をパッド部８１１上へ移送して、接合材８２２に接着する。最後に、接合材８２２をキュア炉などで熱硬化させる。このとき、熱硬化した接合材８２２が、半導体装置Ａ１０の接合層１２に相当する。
【００６７】
次いで、図１１に示すように、半導体素子８２１と端子部８１２とを接続するボンディングワイヤ８３を形成する。ボンディングワイヤ８３が、半導体装置Ａ１０のボンディングワイヤ６に相当する。ボンディングワイヤ８３は、ワイヤボンディングにより形成される。本実施形態にかかるボンディングワイヤ８３の材料は、たとえばＡｕである。
【００６８】
次いで、図１２に示すように、導電性基材８１のパッド表面８１１ａおよび端子表面８１２ａとともに、半導体素子８２１を覆う封止樹脂８４を形成する。封止樹脂８４が、半導体装置Ａ１０の封止樹脂４に相当する。本実施形態にかかる封止樹脂８４は、電気絶縁性および流動性を有し、かつガラスフリットが含有された黒色のエポキシ樹脂を、トランスファモールド成形によって熱硬化させることにより形成される。このとき、導電性基材８１の連結部表面８１３ａと、導電性基材８１に形成された内装めっき層８１４とが封止樹脂８４に覆われた状態となる。
【００６９】
次いで、導電性基材８１の裏面８１０から連結部８１３を除去する。本実施形態においては、機械研磨により裏面８１０から導電性基材８１を一様に研削することによって連結部８１３が除去される。図１３および図１４は、連結部８１３が除去された導電性基材８１の状態を示している。導電性基材８１の裏面８１０において、連結部８１３が除去された部分から封止樹脂８４が視認される。
【００７０】
次いで、図１５に示すように、封止樹脂８４から露出した端子部８１２を覆う導電層８５を形成する。端子部８１２を覆う導電層８５が、半導体装置Ａ１０の端子導電層３９に相当する。本実施形態においては、端子部８１２の裏面８１０が封止樹脂８４から露出するため、この面を覆うように導電層８５が形成される。本実施形態では、導電層８５は、電解めっきにより形成される。また、本実施形態にかかる導電層８５は、Ｓｎを含有する合金層を析出させたものであるが、Ｎｉ層、Ｓｎを含有する合金層の順に析出させたものでもよい。また、導電層８５は、Ｎｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層の順に析出させたものでもよく、さらにはＰｄ層、Ａｕ層の順に析出させたものや、Ａｕ層を析出させたものでもよい。これらの場合においては、導電層８５の最外層がＳｎを含有する合金層またはＡｕ層となる。このとき、図１５に示すように、パッド部８１１の裏面８１０も封止樹脂８４から露出するため、この面を覆う導電層８５があわせて形成される。パッド部８１１を覆う導電層８５が、半導体装置Ａ１０のパッド導電層２９に相当する。このため、パッド導電層２９の構成は、端子導電層３９の構成と同一となる。
【００７１】
次いで、導電性基材８１および封止樹脂８４を第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに沿って切断することによって、個片に分割する。切断にあたっては、たとえばダイシングソーを用いて導電性基材８１の裏面８１０から切断する。本実施形態において導電性基材８１および封止樹脂８４を第１方向Ｘに沿って切断するときは、図１６において想像線で示す切断線ＣＬで囲まれた部分を除去する。当該工程において分割された個片が半導体装置Ａ１０となる。以上の工程を経ることによって、半導体装置Ａ１０が製造される。
【００７２】
次に、半導体装置Ａ１０およびその製造方法の作用効果について説明する。
【００７３】
半導体装置Ａ１０は、半導体素子１１を搭載し、かつ半導体素子１１の厚さ方向Ｚのうち一方を向くパッド裏面２２を有するダイパッド２と、パッド裏面２２と同方向を向く端子裏面３２を有する端子３と、パッド裏面２２と同方向を向く樹脂裏面４２を有する封止樹脂４を備える。パッド裏面２２および端子裏面３２は、ともに樹脂裏面４２と面一となるように封止樹脂４から露出し、端子３には、端子裏面３２を覆う端子導電層３９が形成されている。このような構成をとることによって、装置の小型化および低背化を図ることが可能となる。
【００７４】
本実施形態にかかる端子導電層３９は、Ｓｎを含有する合金層である。この場合において、リフロー方式により回路基板に半導体装置Ａ１０を実装するとき、端子導電層３９が溶融してクリームはんだと一体となるため、回路基板に対する半導体装置Ａ１０の実装強度を確保することができる。また、端子導電層３９の構成を、互いに積層されたＮｉ層およびＳｎを含有する合金層とすることによって、半導体装置Ａ１０の実装において、熱衝撃から端子３を保護することができる。さらに、端子導電層３９の構成を、互いに積層されたＮｉ層、Ｐｄ層およびＡｕ層とすることによって、半導体装置Ａ１０の実装において、熱衝撃から端子３を保護しつつ、端子３に対するクリームはんだの濡れ性を改善することができる。
【００７５】
本実施形態にかかる端子３は、第１方向Ｘを向く端子第１側面３３１と、第２方向Ｙを向く端子第２側面３３２を有する。また、本実施形態にかかる封止樹脂４は、第１方向Ｘを向く樹脂第１側面４３１と、第２方向Ｙを向く樹脂第２側面４３２を有する。端子第１側面３３１は、樹脂第１側面４３１と面一となるように封止樹脂４から露出し、端子第２側面３３２は、樹脂第２側面４３２と面一となるように封止樹脂４から露出している。このような構成をとることによって、平面視における半導体装置Ａ１０の寸法が縮小されることから、装置の小型化を図ることが可能となる。
【００７６】
本実施形態にかかるダイパッド２のパッド表面２１は、半導体素子１１の厚さ方向Ｚにおいて、端子３の端子表面３１と端子裏面３２との間に位置している。このような構成をとることによって、半導体素子１１の厚さ方向Ｚにおいて、半導体素子１１の素子表面１１１の位置がより端子表面３１に近づくことから、装置の低背化を図ることが可能となる。
【００７７】
半導体装置Ａ１０は、端子３の端子表面３１およびダイパッド２のパッド表面２１を覆う内装めっき層５を備える。内装めっき層５を備えることによって、端子３にボンディングワイヤ６を接続するときや、ダイパッド２に半導体素子１１を搭載するときに発生する熱衝撃から端子３およびダイパッド２を保護することができる。
【００７８】
本実施形態にかかる封止樹脂４は、ガラスフリットが含有されたエポキシ樹脂である。このような封止樹脂４を適用することによって、封止樹脂４の強度増加を図り、かつ封止樹脂４への亀裂発生を抑止することができる。
【００７９】
また、本実施形態にかかる半導体装置Ａ１０の製造方法によれば、導電層８５を形成する工程の前に、導電性基材８１の裏面８１０から連結部８１３を除去する工程を備える。連結部８１３は、機械研磨により除去される。連結部８１３を除去することによって、パッド部８１１および端子部８１２の厚さを極力薄くすることができるため、半導体装置Ａ１０の製造が可能となる。また、パッド部８１１および端子部８１２の厚さは、自在に調整可能である。
【００８０】
導電性基材８１から連結部８１３を除去した場合であっても、導電性基材８１は、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙの双方向において導通が確保された状態となる。このため、電解めっきにより導電層８５を形成することができる。
【００８１】
本実施形態にかかる導電性基材８１を形成する工程では、裏面８１０が全て残存された状態となるようにパッド部８１１、端子部８１２および連結部８１３をウェットエッチングにより形成する。また、封止樹脂８４を形成する工程では、導電性基材８１のパッド表面８１１ａおよび端子表面８１２ａとともに、半導体素子８２１を覆う封止樹脂８４を形成する。このような工程を経ることによって、導電性基材８１の曲げ引張強度が確保された状態で封止樹脂８４が形成されるため、封止樹脂８４の硬化収縮により導電性基材８１に発生する反り上がりを抑制することができる。
【００８２】
〔第２実施形態〕
図１７〜図２２に基づき、本発明の第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略することとする。
【００８３】
図１７は、半導体装置Ａ２０の平面図であり、理解の便宜上、封止樹脂４を省略している。図１８は、半導体装置Ａ２０の底面図である。図１９は、半導体装置Ａ２０の右側面図である。図２０は、半導体装置Ａ２０の正面図である。図２１は、図１７のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿う断面図である。図２２は、図２１の部分拡大図である。なお、図１７において省略した封止樹脂４は、想像線で示している。
【００８４】
本実施形態にかかる半導体装置Ａ２０は、端子３および封止樹脂４の構成が、先述した半導体装置Ａ１０と異なる。なお、本実施形態にかかる半導体装置Ａ２０の平面視の形状は、矩形状である。
【００８５】
図１７〜図２２に示すように、本実施形態にかかる端子３に形成されている端子導電層３９は、端子裏面３２および端子第２側面３３２を覆っている。
【００８６】
図１８〜図２２に示すように、本実施形態にかかる封止樹脂４は、樹脂表面４１、樹脂裏面４２、樹脂第１側面４３１および樹脂第２側面４３２に加えて、樹脂外側面４４１および樹脂中間面４４２を有する。樹脂外側面４４１は、第２方向Ｙを向き、かつ樹脂第２側面４３２から半導体装置Ａ２０の外側に突出するとともに、第２方向Ｙにおいて互いに離間する一対の面である。半導体素子１１の厚さ方向Ｚにおいて、各々の樹脂外側面４４１の一端は、樹脂表面４１につながっている。また、第１方向Ｘにおいて、各々の樹脂外側面４４１の両端は、一対の樹脂第１側面４３１につながっている。また、樹脂中間面４４２は、樹脂裏面４２と同方向を向き、かつ樹脂第２側面４３２と樹脂外側面４４１とをつなぐ面である。本実施形態にかかる樹脂中間面４４２は、曲面である。第１方向Ｘにおいて、樹脂中間面４４２の両端は、一対の樹脂第１側面４３１につながっている。
【００８７】
次に、図２３〜図２６に基づき、半導体装置Ａ２０の製造方法の一例について説明する。図２３は、半導体装置Ａ２０の製造方法を説明する平面図である。図２４〜図２６は、半導体装置Ａ２０の製造方法を説明する断面図であり、その断面位置が図９と同一である。
【００８８】
最初に、裏面８１０を有し、かつパッド部８１１、端子部８１２および連結部８１３を含む導電性基材８１を形成する。当該工程は、図７〜図９に示す半導体装置Ａ１０の製造にかかる工程と同一であるため、ここでの説明は省略する。このため、パッド部８１１、端子部８１２および連結部８１３の諸元は、いずれも半導体装置Ａ１０の製造にかかる導電性基材８１に対応する各部分に等しい。
【００８９】
次いで、パッド部８１１のパッド表面８１１ａに半導体素子８２１を搭載する。当該工程は、図１０に示す半導体装置Ａ１０の製造にかかる工程と同様であるため、ここでの説明は省略する。
【００９０】
次いで、半導体素子８２１と端子部８１２とを接続するボンディングワイヤ８３を形成する。当該工程は、図１１に示す半導体装置Ａ１０の製造にかかる工程と同様であるため、ここでの説明は省略する。
【００９１】
次いで、導電性基材８１のパッド表面８１１ａおよび端子表面８１２ａ側に、半導体素子８２１を覆う封止樹脂８４を形成する。当該工程は、図１２に示す半導体装置Ａ１０の製造にかかる工程と同様であるため、ここでの説明は省略する。
【００９２】
次いで、導電性基材８１の裏面８１０から連結部８１３を除去する。当該工程は、図１３および図１４に示す半導体装置Ａ１０の製造にかかる工程と同様であるため、ここでの説明は省略する。
【００９３】
次いで、図２３および図２４に示すように、導電性基材８１の裏面８１０から窪み、かつ第１方向Ｘに延出する溝８６を端子部８１２に形成する。溝８６の形成にあたっては、たとえばダイシングソーを用いる。図２３において想像線で示された範囲が溝８６の形成範囲である。図２４に示すように、導電性基材８１の厚さ方向Ｚにおいて、溝８６は、裏面８１０から端子表面８１２ａに至って端子部８１２を貫通し、さらには封止樹脂８４の一部が除去されるように形成される。また、溝８６は、図２４に示す幅Ｗ１（第２方向Ｙにおける長さ）となるように形成される。
【００９４】
次いで、図２５に示すように、封止樹脂８４から露出した端子部８１２を覆う導電層８５を形成する。本実施形態においては、端子部８１２の裏面８１０に加え、溝８６の形成によって導電性基材８１の厚さ方向Ｚに沿った端子部８１２の面が封止樹脂８４から露出するため、これらの面を覆うように導電層８５が形成される。本実施形態にかかる導電層８５の構成および形成方法は、半導体装置Ａ１０の製造にかかる導電層８５の構成および形成方法と同一である。このとき、図２５に示すように、パッド部８１１の裏面８１０も封止樹脂８４から露出するため、この面を覆う導電層８５があわせて形成される。
【００９５】
次いで、導電性基材８１および封止樹脂８４を第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに沿って切断することによって、個片に分割する。切断にあたっては、たとえばダイシングソーを用いて導電性基材８１の裏面８１０から切断する。本実施形態において導電性基材８１および封止樹脂８４を第１方向Ｘに沿って切断するときは、図２６において想像線で示す切断線ＣＬで囲まれた部分を除去する。このとき、切断線ＣＬの幅Ｗ２（第２方向Ｙにおける長さ）は、溝８６の幅Ｗ１よりも短くなるように設定する。当該工程において分割された個片が半導体装置Ａ２０となる。以上の工程を経ることによって、半導体装置Ａ２０が製造される。
【００９６】
次に、半導体装置Ａ２０の作用効果について説明する。
【００９７】
半導体装置Ａ２０は、先述した半導体装置Ａ１０と同様に、半導体素子１１を搭載し、かつ半導体素子１１の厚さ方向Ｚのうち一方を向くパッド裏面２２を有するダイパッド２と、パッド裏面２２と同方向を向く端子裏面３２を有する端子３と、パッド裏面２２と同方向を向く樹脂裏面４２を有する封止樹脂４を備える。パッド裏面２２および端子裏面３２は、ともに樹脂裏面４２と面一となるように封止樹脂４から露出し、端子３には、端子裏面３２を覆う端子導電層３９が形成されている。したがって、半導体装置Ａ２０によっても、装置の小型化および低背化を図ることが可能となる。
【００９８】
本実施形態においては、端子導電層３９は、端子裏面３２および端子第２側面３３２を覆っている。このような構成をとることによって、リフロー方式により回路基板に半導体装置Ａ２０を実装したとき、端子第２側面３３２にはんだフィレットを形成することができる。したがって、回路基板に対する半導体装置Ａ２０の実装強度を、半導体装置Ａ１０よりも向上させることができる。
【００９９】
本実施形態にかかる封止樹脂４は、第２方向Ｙを向き、かつ樹脂第２側面４３２から半導体装置Ａ２０の外側に突出する樹脂外側面４４１を有する。樹脂外側面４４１は、半導体装置Ａ２０の製造において、導電性基材８１を個片に分割する際、端子部８１２に形成された導電層８５の切削を防ぐために形成されたものである。
【０１００】
また、本実施形態にかかる半導体装置Ａ２０の製造方法によっても、導電層８５を形成する工程の前に、導電性基材８１の裏面８１０から連結部８１３を除去する工程を備える。連結部８１３を除去することによって、パッド部８１１および端子部８１２の厚さを極力薄くすることができるため、半導体装置Ａ２０の製造が可能となる。
【０１０１】
本実施形態においては、導電層８５を形成する工程の前に、導電性基材８１の裏面８１０から窪み、かつ第１方向Ｘに延出する溝８６を端子部８１２に形成する工程を備える。このような工程を備えることによって、導電層８５を形成する工程において、半導体装置Ａ２０の端子第２側面３３２を覆う端子導電層３９を形成することができる。
【０１０２】
本実施形態にかかる溝８６は、裏面８１０から端子表面８１２ａに至って端子部８１２を貫通するように形成される。このような溝８６とすることによって、連結部８１３を除去する工程において、パッド部８１１および端子部８１２の厚さを極力薄くした場合であっても、端子第２側面３３２を覆う端子導電層３９を形成することができる。
【０１０３】
なお、溝８６を形成した場合であっても、導電性基材８１は、第１方向Ｘにおいて導通が確保された状態となる。このため、電解めっきにより導電層８５を形成することができる。
【０１０４】
本発明は、先述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【符号の説明】
【０１０５】
Ａ１０，Ａ２０：半導体装置
１１：半導体素子（ホール素子）
１１１：素子表面
１１１ａ：電極パッド
１１２：素子裏面
１２：接合層
２：ダイパッド
２１：パッド表面
２２：パッド裏面
２３：パッド側面
２９：パッド導電層
３：端子
３１：端子表面
３２：端子裏面
３３１：端子第１側面
３３２：端子第２側面
３９：端子導電層
４：封止樹脂
４１：樹脂表面
４２：樹脂裏面
４３１：樹脂第１側面
４３２：樹脂第２側面
４４１：樹脂外側面
４４２：樹脂中間面
５：内装めっき層
６：ボンディングワイヤ
７１：集積回路
７１１：装置駆動領域
７１２：電圧検出領域
７１３：制御領域
７２：制御対象
７３：磁石
８１：導電性基材
８１０：裏面
８１１：パッド部
８１１ａ：パッド表面
８１２：端子部
８１２ａ：端子表面
８１３：連結部
８１３ａ：連結部表面
８１３ｂ：第１連結部
８１３ｃ：第２連結部
８１４：内装めっき層
８２１：半導体素子
８２２：接合材
８３：ボンディングワイヤ
８４：封止樹脂
８５：導電層
８６：溝
８９：領域
Ｚ：厚さ方向
Ｘ：第１方向
Ｙ：第２方向
ＣＬ：切断線
Ｗ１，Ｗ２：幅
【図１】
0006718754.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
0006718754.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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