(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２次元マトリクス状の位置関係にある複数のマークが付与された基準プレートを用いて移動ステージの移動精度の較正情報を作成する較正部を備える露光装置において、
前記移動ステージの第１計測領域に載置した前記基準プレートを用いて第１較正情報を作成し、前記第１計測領域との重複領域を有する少なくとも１つの第２計測領域に載置した前記基準プレートを用いて第２較正情報を作成する前記較正部を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記較正部が、前記第２計測領域に載置された前記基準プレートの前記重複領域に位置する前記マークの位置に基づいて、前記第２計測領域に載置された前記基準プレートの位置誤差を補正して前記第２較正情報を作成することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記較正部が、前記第１較正情報と前記第２較正情報とに基づいて、前記移動ステージの前記第１計測領域と前記第２計測領域とを合わせた領域に対応する前記較正情報を作成することを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記較正部が、前記移動ステージの載置面を複数に分割した複数の前記第２計測領域に基づいて前記第２較正情報を作成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記移動ステージに載置した前記基準プレートの前記複数のマークの位置を、前記移動ステージの移動に従って検知する検知部を備え、
前記較正部が、検知した前記マーク位置と、その際の前記移動ステージ位置と、の関係から、前記移動ステージの移動精度を補正する補正マップを作成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項６】
２次元マトリクス状の位置関係にある複数のマークが付与された基準プレートを用いて移動ステージを較正するステージ較正システムにおいて、
前記移動ステージの第１計測領域に載置した前記基準プレートを用いて第１較正情報を作成し、前記第１計測領域との重複領域を有する少なくとも１つの第２計測領域に載置した前記基準プレートを用いて第２較正情報を作成する較正部を備えることを特徴とするステージ較正システム。
【請求項７】
移動ステージの第１計測領域に基準プレートを載置するステップと、
検知手段が前記基準プレートの複数のマークの位置を、前記移動ステージの移動に従って検知するステップと、
較正手段が前記複数のマークの位置から前記第１計測領域に対応する第１較正情報を作成するステップと、
前記第１計測領域と部分的に重複する重複領域を有する少なくとも１つの第２計測領域に前記基準プレートを載置するステップと、
前記検知手段が前記複数のマークの位置を、前記移動ステージの移動に従って検知するステップと、
前記較正手段が前記複数のマークの位置から前記第２計測領域に対応する第２較正情報を作成するステップと、
前記較正手段が第１較正情報と第２較正情報とに基づいて前記移動ステージの移動精度を補正する較正情報を作成するステップと
を備えることを特徴とするステージ較正方法。
【請求項８】
前記移動ステージは複数の前記第２計測領域を有し、
前記第２計測領域に前記基準プレートを載置するステップでは、複数の前記基準プレートを前記移動ステージに載置することを特徴とする請求項７に記載のステージ較正方法。
【請求項９】
前記検知手段が、前記複数の第２計測領域の重複領域に位置する前記マークの位置を検知するステップと、
前記較正部が前記マークの位置に基づいて前記第２計測領域に載置した各基準プレートのマーク位置誤差を求めるステップと、
を更に備えることを特徴とする請求項８に記載のステージ較正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、ステージ較正システムおよびステージ較正方法に関し、更に詳しくは基準プレートを用いて移動ステージの較正情報を作成し、移動ステージの駆動精度を補正する露光装置、ステージ較正システム、ステージ較正方法、および較正の際に使用する較正治具に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体パッケージ基板等を製造するリソグラフィ工程では、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置などが、主として用いられている。
【０００３】
これらの露光装置では、既に基板上に形成されている回路パターンと、その上に重ねて露光される回路パターンとの位置合わせ、すなわち重ね合わせに高い精度が要求される。
【０００４】
これまでの露光装置では、レーザ干渉計を用いて被露光基板を保持する基板ステージの位置を計測することで、高精度な重ね合わせを実現してきたが、レーザ干渉計のビーム光路上の雰囲気の温度揺らぎ（空気揺らぎ）に起因する計測値の短期的な変動を無視することができなくなってきた。
【０００５】
そこで、干渉計に比べて空気揺らぎの影響を受け難いエンコーダを用いてウエハステージの位置計測を行い、既知の位置関係にある複数のマークが付与された基準ウエハを用いて、基板ステージを位置決めしながら複数のマークのそれぞれを検出し、検出した位置決め位置と目標位置とから基板ステージの駆動精度を補正する較正情報を作成する露光装置が開発されている（例えば、特許文献１）。
【０００６】
従来の半導体パッケージ基板はウエハを用いていたが、近年では、ウエハより大型の矩形状基板を用いることが試みられている。更に詳しくは、従来は、いわゆるFAN-IN WLPといわれる、半導体ウエハ上に再配線、絶縁膜、ポストを形成した後に個片化するパッケージ技術が用いられてきたが、近年では、いわゆるFAN-OUT WLPといわれる、個片化したチップを基板上へ再構成し、再配線、絶縁膜、ポストを形成するパッケージ技術が用いられ、この場合、再構成する為の基板はウエハだけでなく、より大型の矩形形状基板を用いることが試みられている。
【０００７】
基板が大型化することにより、露光装置の基板ステージが大型化し、露光時の基板ステージ駆動領域も大きくなってきている。そのため、基板ステージの較正に用いられる基準プレート（基準ウエハ同様、既知の位置関係にある複数のマークが付与されたプレート）の大型化が求められている。また、レチクルステージについても同様であり、露光エリアの拡大や縮小投影光学系の高倍率化に伴ってレチクルステージが大型化しているため、較正のための基準プレートの大型化が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−１６４３０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
基準プレートに複数のマークを形成する際にフォトリソグラフィ工程を用いるが、大型の板状部材は熱膨張等の影響で歪みが生じやすい。また、フォトリソグラフィ装置も大型のステージを使用するので、基準プレート上に描画されたマークの位置誤差が大きくなりやすい。そのため、大型の基準プレートは小型の基準プレートと比べて、基準マークの配列誤差が生じやすい。
【００１０】
よって、較正対象の移動ステージ（ステージ）駆動領域よりも小さい基準プレートを用いて、移動ステージの駆動領域全体の駆動精度を補正することが望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の露光装置は、２次元マトリクス状の位置関係にある複数のマークが付与された基準プレートを用いて移動ステージの移動精（駆動精度）の較正情報を作成する較正部を備える露光装置であって、移動ステージの第１計測領域に載置した基準プレートを用いて第１較正情報を作成し、第１計測領域との重複領域を有する少なくとも１つの第２計測領域に載置した基準プレートを用いて第２較正情報を作成する較正部を備える。望ましくは、移動ステージの載置面（基準プレート、基板、レチクル等を載置する面）を複数に分割（例えば四分割）した複数の第２計測領域を有する。また、本発明の露光装置は、移動ステージに載置した基準プレートの複数のマークの位置を、移動ステージの移動に従って検知する検知部を備え、較正部が、検知したマーク位置と、その際の移動ステージ位置と、の関係から、移動ステージの移動精度を補正する補正マップを作成する。更に、較正部が、第１較正情報と第２較正情報とに基づいて、移動ステージの第１計測領域と第２計測領域とを合わせた領域に対応する較正情報を作成する。
【００１２】
このような露光装置とすることにより、基準プレートが移動ステージの板状体を載置する面（すなわち移動ステージの駆動範囲）に対して小さい場合であっても移動ステージの移動精度を較正することができる。
【００１３】
また、本発明の露光装置は、較正部が、第２計測領域に載置された基準プレートの重複領域に位置するマークの位置に基づいて、第２計測領域に載置された基準プレートの位置誤差を補正して第２較正情報を作成する。このような露光装置とすることにより、異なる計測領域に基準プレートを載置することによる誤差を補正し、第１計測領域を基準として他の計測領域に対応する較正情報を作成する事ができる。
【００１４】
本発明のステージ較正システムは、２次元マトリクス状の位置関係にある複数のマークが付与された基準プレートを用いて移動ステージを較正するステージ較正システムであって、移動ステージの第１計測領域に載置した基準プレートを用いて第１較正情報を作成し、第１計測領域との重複領域を有する少なくとも１つの第２計測領域に載置した基準プレートを用いて第２較正情報を作成する較正部を備える。このようなステージ較正システムとすることにより、基準プレートが移動ステージに対して小さい場合であっても移動ステージの移動精度を較正することができる。
【００１５】
また、本発明のステージ較正方法は、移動ステージの第１計測領域に基準プレートを載置するステップと、検知手段が基準プレートの複数のマークの位置を、移動ステージの移動に従って検知するステップと、較正手段が複数のマークの位置から第１計測領域に対応する第１較正情報を作成するステップと、第１計測領域と部分的に重複する重複領域を有する少なくとも１つの第２計測領域に基準プレートを載置するステップと、検知手段が複数のマークの位置を、移動ステージの移動に従って検知するステップと、較正手段が複数のマークの位置から第２計測領域に対応する第２較正情報を作成するステップと、較正手段が第１較正情報と第２較正情報とに基づいて移動ステージの移動精度を補正する較正情報を作成するステップと、を備える。
【００１６】
このような較正方法とすることにより、基準プレートの大きさよりも広い領域に対応した較正情報を作成することができる。
【００１７】
また、第２計測領域に基準プレートを載置するステップでは、複数の基準プレートを前記載置部に載置するようにすると、更に作業効率を向上させることができる。
【００１８】
また、本発明の較正方法は、検知手段が、複数の第２計測領域の重複領域に位置するマークの位置を検知するステップと、較正部が重複領域の複数のマークの位置に基づいて第２計測領域に載置した各基準プレートのマーク位置誤差を求めるステップとを備える。これにより、各基準プレートのマーク位置誤差（基準プレートの設置誤差を含む）を補正し、第１計測領域を基準として他の計測領域に対応する較正情報を作成する事ができる。
【００１９】
また、第２計測領域に複数の基準プレートを載置する代わりに、板状の基材と、複数の基準プレートを備え、基材を載置部に載置した際に複数の計測領域（第２計測領域）に応じた位置に基準プレートがそれぞれ位置するように、基材に基準プレートが固定された較正治具を使用しても良い。このような治具を用いることで、更に作業性を向上することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、移動ステージの駆動領域よりも小さい基準プレートを用いて、移動ステージの駆動精度を補正するための較正情報を精度よく作成し、基板ステージの駆動精度を補正することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の露光装置の概略ブロック図である。
【図２】第１実施形態の、基準プレートＳＰと、基準プレートＳＰに配列された基準マークＭijを示した図である。
【図３】第１実施形態の、基板ステージ４０と、計測領域ＡＳ１〜ＡＳ５を示す図である。
【図４】第１実施形態の、基板ステージ４０の計測領域ＡＳ１に基準プレートＳＰが載置された状態を示す図である。
【図５】第１実施形態の、計測領域ＡＳ１の補正マップＣＭ１の一部のデータを示した表である。
【図６】第１実施形態の、基板ステージ４０の計測領域ＡＳ２に基準プレートＳＰが載置された状態を示す図である。
【図７】第１実施形態の、基板ステージ４０の駆動精度の較正方法を示したフローチャートである。
【図８】第２実施形態の、基板ステージ４０に基準プレートＳｐａ〜ＳＰｄを配置した状態を示す図である。
【図９】第２実施形態の、基板ステージ４０の駆動精度の較正方法を示したフローチャートである。
【図１０】第３実施形態の、第２基準プレートＳＰ２を示す図である。
【図１１】第３実施形態の、基板ステージ４０の駆動精度の較正方法を示したフローチャートである。
【図１２】基板ステージ４０の全体領域ＡＳを、多数の計測領域に分割した例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下では、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
【００２３】
＜露光装置１０の概要＞
図１は、本実施形態である露光装置１０のブロック図である。
【００２４】
露光装置１０は、フォトマスクとしてのレチクルＲに形成されたマスクパターンを、ステップ＆リピート方式に従って基板（ワーク基板）Ｗに転写する投影露光装置であり、放電ランプなどの光源２０と、投影光学系３４とを備えている。レチクルＲは石英材などから構成されており、遮光領域をもつマスクパターンが形成されている。基板Ｗは、ここではシリコン、セラミックス、ガラスあるいは樹脂製の基板などが適用される。
【００２５】
光源２０から放射された照明光は、ミラー２２を介してインテグレータ２４に入射し、照明光量が均一になる。均一となった照明光は、ミラー２６を介してコリメータレンズ２８に入射する。これにより、平行光がレチクルＲに入射する。光源２０は、ランプ駆動部２１によって駆動制御される。
【００２６】
レチクルＲを搭載したレチクルステージ３０、基板Ｗを搭載した基板ステージ４０には、互いに直交するＸ−Ｙ―Ｚの３軸座標系が規定されている。レチクルステージ３０は、レチクルＲを焦点面に沿って移動させるようにＸ−Ｙ方向に移動可能であり、駆動部３２によって駆動される。またレチクルステージ３０は、Ｘ−Ｙ座標平面において回転も可能である。レチクルステージ３０の位置座標は、ここではレーザ干渉計（図示せず）もしくはリニアエンコーダ（図示せず）によって測定される。
【００２７】
レチクルＲを透過した光は、投影光学系３４によって基板Ｗにパターン光として投影される。基板Ｗは、その露光面が投影光学系３４の像側焦点位置と一致するように、基板ステージ４０に搭載されている。
【００２８】
基板ステージ４０（移動ステージ）は、基板Ｗを焦点面に沿って移動させるようにＸ−Ｙ方向に移動可能であり、ステージ駆動部４２（駆動部）によって駆動される。また、基板ステージ４０は、焦点面（Ｘ−Ｙ方向）に垂直なＺ軸方向（投影光学系３４の光軸方向）へ移動可能であり、さらに、Ｘ−Ｙ座標平面において回転も可能である。基板ステージ４０の位置座標は、レーザ干渉計もしくはリニアエンコーダによる計測部４３によって測定される。
【００２９】
制御部５０は、ステージ駆動部４２を制御してレチクルＲ、基板Ｗを位置決めするとともに、ランプ駆動部２１を制御する。そして、ステップ＆リピート方式に基づく露光動作を実行する。このとき基板ステージ４０の移動に伴い計測部４３がその移動量を計測し、制御部５０に出力する。制御部５０に設けられた記憶部５１には、レチクルＲのマスクパターン位置座標、基板Ｗに形成されたショット領域の設計上の位置座標、ステップ移動量などが記憶されている。また、制御部５０には後述する較正情報を算出する較正手段（較正部）５２が設けられている。
【００３０】
撮像部３６は、基板Ｗに形成されたアライメントマークを撮像するカメラあるいは光学センサであり、ショット露光前にアライメントマークを撮像する。また、撮像部３７はレチクルＲに形成されたアライメントマークを撮像するカメラあるいは光学センサであり、図示しない移動機構にて図１のＸ方向に移動可能に取り付けられている。画像処理部３８は、撮像部３６または撮像部３７から送られてくる画像信号に基づいて、アライメントマークの位置座標を算出する。なお、撮像部３６と撮像部３７および画像処理部３８とを合わせてマーク位置検知手段と称する。
【００３１】
露光装置１０は、ステップ＆リピート方式に従い、基板Ｗに形成された各ショット領域にレチクルＲのマスクパターンを順次転写していく。すなわち、制御部５０はステージ駆動部４２を介して、ショット領域間隔に従って基板ステージ４０を間欠的に移動させ、マスクパターンの投影位置に露光対象となるショット領域が位置決めされると、光源２０を駆動してパターン光をショット領域に投影させる。
【００３２】
アライメント計測の際には、計測部４３は、基板ステージ４０のＸＹ平面内での位置（Ｘ，Ｙ，θｚ）を算出する。
【００３３】
次に、基板ステージ４０の駆動精度を補正するための較正情報を作成する方法について説明する。該方法の説明に先立って、該方法に用いられる基準プレートについて説明する。
【００３４】
図２には、基準プレートＳＰの一例が示されている。基準プレートＳＰは基板ステージ４０よりも小さい板状部材である。基準プレートＳＰの部材としては、ガラス、シリコン、セラミック等が用いられる。図２では矩形の例を示すが、円形や多角形であってもよい。
【００３５】
基準プレートＳＰには、図２に示されるように、ｍ×ｎ個の基準マークＭijが付与されている）。これらの基準マークは、Ｘ方向にｍ個が並ぶ基準マークの列と、Ｙ方向にｎ個が並ぶ基準マークの列とが互いに直交する２次元マトリクス状の位置関係にある。
【００３６】
基準マークＭijは、基準プレートＳＰの表面に、撮像部３６で撮像した際にコントラストの異なる（基準プレートＳＰの表面と異なる光反射率を有する）パターンとして形成されている。基準マークＭijは、画像処理部３８でマークとして認識可能なパターン形状である（例えば円形、矩形、十字形等）。また、基準マークＭijの大きさは、撮像部３６の撮像視野の大きさに基づいて適宜設定される。
【００３７】
基準マーク配列のピッチＰｘ、Ｐｙは、基板ステージ４０の設計仕様や露光する基板等によって適宜設定される。例えば、パッケージ基板の製造であれば、チップの配列ピッチと同じピッチで基準マークＭijを設けてもよい。その際に、基準マークＭijの中心はチップの中心に近い位置に設けられてもよく、あるいは、露光するパッケージに設けられるアライメントマークに応じた位置に設けても良い。または、露光する基板によらず一律に、例えば１０ｍｍピッチで基準マークを設けるようにしても良い。
【００３８】
＜第１実施形態＞
次に、基板ステージ４０の駆動精度を較正するための較正情報を作成する第１の実施形態について、図３〜図６の概略図および図７のフローチャートを用いて説明する。
【００３９】
以下に第１の実施形態の構成を説明する。
【００４０】
図３は基板ステージ４０の計測領域を表した図である。基板ステージ４０の中央部に計測領域ＡＳ１が設けられ、また基板ステージ４０の全体領域ＡＳを四分割し且つ計測領域ＡＳ１と重複する領域を有するように計測領域ＡＳ２〜ＡＳ５が設けられている。なお、計測領域とはマーク位置を計測する範囲を示す領域であるが、同時に、マーク位置を計測するために移動ステージを駆動する際の駆動領域を示す領域でもある。
【００４１】
以下に、第１の実施形態による較正方法の手順を説明する（図７参照）。
【００４２】
ステップ１０１．最初に、図４のように基準プレートＳＰを基板ステージ４０上の中央部の計測領域ＡＳ１に設置する。この際、基準マーク配列のＸ方向の列とＹ方向の列とがＸ軸およびＹ軸とそれぞれ平行になるように、基準プレートＳＰの向き（回転）をおおよそ合わせた状態で、基板ステージ４０上に設置する。この際に、後述の手法により基準プレートＳＰの２点の基準マークの位置を求め、基準プレートＳＰのＸＹθを補整するようにしても良い。なお、基準プレートＳＰは搬送装置（図示せず）を介して基板ステージ４０上に移動してもよく、または、作業者が直接基板ステージ４０上に設置してもよい。
【００４３】
ステップ１０２．次に、ステージ駆動部４２により、撮像部３６が所定の基準マーク（例えば基準マークＭ11）を撮像する位置に基板ステージ４０を移動させる。次に、撮像部３６が基準プレートＳＰを撮像し、画像処理部３８が基準マークＭijの位置を算出する。制御部５０は、画像処理部３８から送られてきた基準マークＭijの位置情報を、記憶部５１に格納する。次に、制御部５０が計測部４３の計測する基板ステージ４０の現在位置を参照しながらステージ駆動部４２を制御し、基板ステージ４０を基準プレートＳＰの基準マークＭijの配列に沿って所定距離（基準マーク配列の設計ピッチＰｘまたはＰｙ）移動させる。前回同様にして、撮像部３６が基準プレートＳＰを撮像し、画像処理部３８が基準マークＭijの位置を算出し、記憶部５１に格納する。このようにして基板ステージ４０のステップ移動を繰り返して基準プレートＳＰの全ての基準マークの位置を測定し、位置情報を記憶部５１に格納する。
【００４４】
なお、計測領域ＡＳ１は、他の計測領域を測定する際の基準となる計測領域であるため、特に精度よく測定を行う必要がある。そこで、このステップＳ１０２を複数回（例えば３回）繰り返し、基準マークＭij毎に測定値の平均を取って、それを基準マーク配列の位置情報としても良い。
【００４５】
ステップ１０３．次に、制御部５０に接続された較正手段５２が、記憶部５１に予め記憶された基準マーク配列の設計座標データと、ステップＳ１０２で計測された基準マークＭijの実際のステップ移動後の位置座標データとの差分を求める。この差分がすなわち基準マークＭijの位置でのステージ移動誤差Ｄij（ΔＸij，ΔＹij）となる。次に、較正手段５２はこのステージ移動誤差Ｄijの符号を反転した値である補正値Ｒij（−ΔＸij，−ΔＹij）を算出する。このＲijを各基準マークＭijについてそれぞれ算出し、次に基準マーク配列に応じて補正値Ｒijを配列して計測領域ＡＳ１の補正マップＣＭ１を作成し、記憶部５１に記憶する。
【００４６】
図５は補正マップＣＭ１の一例を表として示したものである。この表では補正マップＣＭ１の内、基準マーク配列Ｍ11〜Ｍ35の範囲の補正値（ΔＸ、−ΔＹ）を例として示している。例えば、基準マークＭ11における補正値Ｒ11（−ΔＸ11，−ΔＹ11）は、表によれば（０．２４，−０．１２）［μｍ］である。また、Ｍ11の基板ステージ４０上での位置はステージ座標（Ｘ，Ｙ）で表され、（１８７．０，１１２．０）［ｍｍ］である。
【００４７】
ステップ１０４．次に、図６のように、基準プレートＳＰを基板ステージ４０上の計測領域ＡＳ２に設置する。
【００４８】
ステップ１０５．次に、ステージ駆動部４２が、撮像部３６が所定の基準マーク（例えば基準マークＭ11）を撮像する位置へ基板ステージ４０を移動させる。次に、記憶部５１に予め記憶された基準マーク配列の設計座標に従って、制御部５０がステージ駆動部４２を介して基板ステージ４０を駆動し、撮像部３６が計測領域ＡＳ１と計測領域ＡＳ２との重複領域ＡＳ２ａ上に存在する少なくとも２点（十字マーク等の姿勢角度が明らかなマークの場合は、少なくとも１点）の基準マークを撮像し、画像処理部３８がその位置を測定する。この際に、Ｘ方向またはＹ方向に対となる複数の基準マークの位置を計測すると測定精度を高めることができ好適である。例えば図５において、Ｍ11とＭ41、Ｍ12とＭ42の2組がＸ方向に対となる基準マークに相当する。また、Ｍ11とＭ12、Ｍ21とＭ22、Ｍ31とＭ32、Ｍ41とＭ42の４組がＹ方向に対となる基準マークに相当する。
【００４９】
ステップ１０５の計測に際して、補正マップＣＭ１に基づき既知の補間処理（例えば線形補間）を行って基板ステージ４０の現在位置に応じた補正値を算出し、その補正値を用いて基板ステージ４０の駆動精度を較正する。ここで、駆動精度の較正とは、計測部４３の計測結果を制御部５０にて補正すること（すなわち計測量の補正）、または制御部５０がステージ駆動部４２に基板ステージ４０の移動を指令する際に目標値を補正すること（すなわち駆動量の補正）を意味する。どちらの補正方法を用いても構わないが、ここでは駆動量の補正を行うことを前提として説明する。
【００５０】
ステップ１０６．次に、制御部５０が、複数の基準マークを結ぶ線分の角度を算出する。次に、このＸ方向およびＹ方向の線分から、基板ステージ４０のＸ軸およびＹ軸に対する基準プレートＳＰの設置角度および設置位置を算出する。次に、制御部５０が、記憶部５２に格納されている基準マーク配列の設計座標データと、基準プレートの設置角度および位置とに基づいて、次のステップ１０７で使用する基板ステージ４０の移動目標座標データ（すなわち基準マーク配列の設計座標データ）の補正を行う。
【００５１】
ステップ１０７．次に、ステップ１０２で説明したようにして、基準プレートＳＰの全ての基準マークの位置を測定し、位置情報を記憶部５１に記憶する。
【００５２】
ステップ１０８．次に、ステップ１０３で説明したように、制御部５０に接続された較正手段５２が計測領域ＡＳ２の補正マップＣＭ２を作成し、記憶部５１に記憶する。
【００５３】
ステップ１０９、１１０．計測領域ＡＳ３〜ＡＳ５についても同様の処理を行う。つまり、全ての計測領域の補正マップの作成が終了したか判定し（ステップ１０９）、終わっていない場合は、残りの計測領域に対して順番に、ステップ１０５〜ステップ１０８と同様に基準プレートＳＰの計測を行い、補正マップＣＭ３〜ＣＭ５を作成し、記憶部５１に記憶する（ステップ１１０）。
【００５４】
ステップ１１１．制御部５０は、補正マップＣＭ１〜ＣＭ５に基づいて、基板ステージ４０全体領域ＡＳの補正マップを作成する。計測領域の重複部については補正マップＣＭ１を用いる。このとき、補正マップの境界部分については、隣接する２つの補正マップの非線形補正を行う。
【００５５】
上述のようにして、基板ステージ４０の補正マップが記憶部５１内に格納される。そして、例えば、ウエハの露光時などに、その補正マップを用いて基板ステージ４０の駆動精度が較正される。
【００５６】
なお、上記の実施形態では補正マップＣＭ１〜ＣＭ５の５つの補正マップに基づいて、基板ステージ４０全体領域ＡＳの補正マップを作成したが、これを補正マップＣＭ２〜ＣＭ５の４つの補正マップによって基板ステージ４０全体領域ＡＳの補正マップを作成することにしてもよい。
【００５７】
＜第２実施形態＞
第１実施形態では、基板ステージ４０上で１枚の基準プレートＳＰの載置位置を変更することで計測領域ＡＳ１〜ＡＳ５のステージ移動誤差を順に計測した。第２実施形態では、図８のように複数の基準プレートＳＰａ（基準プレートＳＰａは基準プレートＳＰを使用してもよい）、ＳＰｂ、ＳＰｃ、ＳＰｄを用いることで計測領域ＡＳ２〜ＡＳ５のステージ移動誤差の計測を連続的に実施する。
【００５８】
この場合、基準プレートＳＰａ〜ＳＰｄは、基準マークの配列において基準プレートＳＰと同一特性とみなせるものであることが好ましい。また、基板ステージ４０上に載置した際に撮像する基準マークの配列に個体差が出ないように、同一材質、同一板厚で、平面度が良好であることが望ましい。
【００５９】
第２実施形態に係る基板ステージ４０の駆動精度を較正するための較正情報を作成する方法を、図９に従って説明する。ステップ２０１〜２０３は、第１実施形態のステップ１０１〜ステップ１０３と同じ手順である。次に、計測領域ＡＳ２〜ＡＳ５に基準プレートＳＰａ〜ＳＰｄをそれぞれ載置する（ステップ２０４）。
【００６０】
次に、第１実施形態のステップ１０５〜ステップ１１０と同様にして各計測領域の補正マップを作成し、ステップ１１１と同様にして基板ステージ４０全体領域ＡＳの補正マップを作成する（ステップ２０５〜２０９）。
【００６１】
第２実施形態によれば、基板ステージ４０への基準プレートの載置を一工程で行い、連続してマーク位置の計測ができるので、作業性が向上する。また、較正に要する時間を短縮できる。
【００６２】
＜第３実施形態＞
第２実施形態では、計測領域ＡＳ２〜ＡＳ５のステージ移動誤差の計測を、複数の基準プレートＳＰａ〜ＳＰｄを用いることで連続的に実施するが、第３実施形態では、この複数の基準プレートを１枚の基材の上に固定し、１つの基準プレートとして扱う。
【００６３】
図１０は第２基準プレートＳＰ２の一例である。第２基準プレートＳＰ２は基板ステージ４０の基板載置面と同程度の大きさの基材ＰＢと、その基材ＰＢに貼り合せて固定されている４つの基準プレート部材ＰＳＰ１〜ＰＳＰ４によって構成される。
【００６４】
第２基準プレートＳＰ２の基材ＰＢは、基準プレート部材ＰＳＰ１〜ＰＳＰ４と近似した熱膨張係数の材料を使用すると良く、例えばセラミックが使用される。
【００６５】
第２基準プレートＳＰ２の基準プレート部材ＰＳＰ１〜ＰＳＰ４は、それぞれ基準プレートＳＰと同じピッチで同じ形状の基準マークＭ２ijが２次元マトリクス状に形成されている。  第２基準プレートＳＰ２の基準プレート部材ＰＳＰ１〜ＰＳＰ４は、基準プレートＳＰと同じ材料、同じ製法で製造するのが好ましい。
【００６６】
図１０に示す様に基準プレート部材ＰＳＰ１〜ＰＳＰ４には、接着等の工程に起因して、それぞれ異なる取り付け誤差が生じる可能性がある。このため、第２基準プレートＳＰ２を１枚の連続した基準プレートと見なして使用することができない。そこで、第２実施形態と同様に、基準プレート部材ＰＳＰ１〜ＰＳＰ４について、基板ステージ４０への載置誤差をそれぞれ求め、各載置誤差に従って基準プレート部材ＰＳＰ１〜ＰＳＰ４毎にステージ移動誤差を計測することで、基板ステージ４０の補正マップを作成する。
【００６７】
第３実施形態に係る基板ステージ４０の駆動精度を較正するための較正情報を作成する方法を、図１１に従って説明する。ステップ３０１〜３０３は、第２実施形態のステップ２０１〜ステップ２０３と同じ手順である。次に、全体領域ＡＳに第２基準プレートＳＰ２をそれぞれ載置する（ステップ３０４）。次に、第２実施形態のステップ２０５〜ステップ２１１と同様にして各計測領域の補正マップを作成し、基板ステージ４０全体領域ＡＳの補正マップを作成する（ステップ３０５〜３０９）。
【００６８】
第３実施形態によれば、基板ステージ４０への基準プレートの載置を一度に行う事ができるので、更に作業性が向上する。また、較正に要する時間を短縮できる。
【００６９】
以上のように、本発明によれば、ステージ駆動領域よりも小さい基準プレートを用いても、移動ステージの駆動精度を補正するための較正情報を作成することが可能になる。
【００７０】
なお、移動ステージが基板ステージ４０である場合を例に説明したが、レチクルステージ３０であっても同様にして駆動精度を較正することが可能である。その場合は、撮像部３７を用いて、レチクルステージ上に載置した基準プレートのマークを検知する。
【００７１】
また、基板ステージ４０を四分割した領域が第２計測領域である場合を例に説明したが、分割の数や配置はこれに限るものではない。例えば図１２の様に、基板ステージ４０を中央部の第１計測領域ＡＳ１と、第１計測領域と部分的に重複する第２計測領域ＡＳ２〜ＡＳ５と、第２計測領域のいずれかと部分的に重複する第３計測領域ＡＳ６〜ＡＳ１３とを設けても良い。この場合、較正部５２は計測領域ＡＳ１〜ＡＳ２に対応する補正マップＣＭ１〜ＣＭ１３に基づいて、駆動部の駆動精度を補正する較正情報を作成する。
【００７２】
また、露光装置の用途としては半導体パッケージ製造用の露光装置に限定されることなく、液晶表示パネル用の露光装置、プリント基板用の露光装置等にも広く適用できる。
【００７３】
また、露光装置１０は実施形態の投影露光装置に限定するものではなく、例えばレチクルが無いマスクレス露光装置であっても本発明を実施することが可能である。また、本発明は、露光装置以外の装置のステージ較正システムとして用いることも可能である。
【符号の説明】
【００７４】
１０  投影露光装置
３８  画像処理部
４０  ステージ
４２  ステージ駆動部
４３  計測部
５０  制御部
５１  記憶部
５２  較正手段（較正部）
ＳＰ  基準プレート
ＳＰ２  第２基準プレート
Ｍij  基準マーク
ＰＳＰ１〜ＰＳＰ４  基準プレート部材
Ｒ  レチクル
ＡＳ１〜ＡＳ１３  計測領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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