(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
窒化物半導体からなり、前記基板上に設けられるバッファ層と、
窒化物半導体からなり、前記バッファ層上に設けられるチャネル層と
を備え、
前記バッファ層は、
前記基板側に設けられ、ボロン濃度がアクセプタ元素濃度よりも高い第１の領域と、
前記第１の領域上に設けられ、前記第１の領域よりボロン濃度が低く、前記第１の領域よりアクセプタ元素濃度が高い第２の領域と
を含み、
前記バッファ層が、ボロン濃度が前記基板側から前記チャネル層側に向かって減少する減少領域を含み、
前記バッファ層が、前記減少領域のボロン濃度減少開始位置よりも前記チャネル層側に、アクセプタ元素が前記基板側から前記チャネル層側に向かって増加する増加領域を含み、
前記減少領域は、前記増加領域と一部重なっており、
前記第１の領域のボロン濃度が１×１０１７ｃｍ−３〜１×１０２１ｃｍ−３であり、前記第１の領域のアクセプタ元素濃度が１×１０１５ｃｍ−３〜５×１０１７ｃｍ−３であり、前記第２の領域のボロン濃度が１×１０１３ｃｍ−３〜１×１０１５ｃｍ−３であり、前記第２の領域のアクセプタ元素濃度が５×１０１７ｃｍ−３〜１×１０２０ｃｍ−３であることを特徴とする半導体基体。
【請求項２】
前記バッファ層が前記基板側にＡｌＮからなる初期層を含み、
前記初期層はアクセプタ元素を含まないことを特徴とする請求項１に記載の半導体基体。
【請求項３】
前記バッファ層が前記基板側にＡｌＮからなる初期層を含み、
前記初期層のアクセプタ元素濃度は、前記初期層のボロン濃度よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の半導体基体。
【請求項４】
前記アクセプタ元素が、遷移金属、炭素、マグネシウムのいずれかであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体基体。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体基体と、
前記チャネル層上に設けられた電極と
を備えることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基体、半導体装置、半導体基体の製造方法、並びに、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化物半導体層は安価なシリコン基板上やサファイア基板上に形成されるのが一般的である。しかし、これらの基板の格子定数と窒化物半導体層の格子定数は大きく異なり、また、熱膨張係数も異なる。このため、基板上にエピタキシャル成長によって形成された窒化物半導体層に、大きな歪みエネルギーが発生する。その結果、窒化物半導体層にクラックの発生や結晶品質の低下が生じやすい。
【０００３】
上記問題を解決するために、基板と窒化物半導体からなる機能層との間に組成の異なる窒化物半導体層を積層したバッファ層を配置することが従来行われていた。
【０００４】
また、窒化物半導体層の特性を改善するために、バッファ層について様々な提案がなされている。例えば、特許文献１には、ピット密度（すなわち、欠陥密度）を低減させるために、バッファ層にボロンを含有させることが開示されている。
【０００５】
一方、バッファ層に鉄をドープすることにより、縦方向耐圧を向上させることが知られている。例えば、特許文献２に開示されている半導体基体では、鉄をドープすることによりバッファ層の縦方向耐圧を高めている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−２３６０５０号公報
【特許文献２】特開２０１０−１２３７２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、発明者らは、上記従来技術には、以下の問題点があることを見出した。
すなわち、ピット密度を低減させるために、バッファ層にボロンを含有させた場合であっても、デバイスの縦方向耐圧を向上させるためにバッファ層に遷移金属等のアクセプタ元素をドーピングすると、ボロンによるピット抑制効果が低下してしまい、デバイスの特性劣化を生じさせてしまう。
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、高い縦方向耐圧を維持しつつ、高いピット抑制効果を得ることができる半導体基体及びこれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明は、基板と、窒化物半導体からなり、前記基板上に設けられるバッファ層と、窒化物半導体からなり、前記バッファ層上に設けられるチャネル層とを備え、前記バッファ層は、前記基板側に設けられ、ボロン濃度がアクセプタ元素濃度よりも高い第１の領域と、前記第１の領域上に設けられ、前記第１の領域よりボロン濃度が低く、前記第１の領域よりアクセプタ元素濃度が高い第２の領域とを含むことを特徴とする半導体基体を提供する。
【００１０】
このように、バッファ層が、基板側に設けられボロン濃度がアクセプタ元素濃度よりも高い第１の領域を有し、第１の領域上に設けられ第１の領域よりボロン濃度が低く第１の領域よりアクセプタ元素濃度が高い第２の領域を有することで、高いピット抑制効果を得ながら、高い縦方向耐圧を維持することができる。
【００１１】
このとき、前記バッファ層が、ボロン濃度が前記基板側から前記チャネル層側に向かって減少する減少領域を含み、前記バッファ層が、前記減少領域のボロン濃度減少開始位置よりも前記チャネル層側に、アクセプタ元素が前記基板側から前記チャネル層側に向かって増加する増加領域を含むことが好ましい。
【００１２】
このような構成にすることで、より効果的に高いピット抑制効果を得ることができる。
【００１３】
このとき、前記バッファ層が前記基板側にＡｌＮからなる初期層を含み、前記初期層はアクセプタ元素を含まないようにすることができる。
【００１４】
バッファ層内にこのような初期層を設けることで、より効果的に高いピット抑制効果を得ることができるとともに、バッファ層中の元素と基板が反応することを防止することができる。
【００１５】
このとき、前記バッファ層が前記基板側にＡｌＮからなる初期層を含み、前記初期層のアクセプタ元素濃度は、前記初期層のボロン濃度よりも低くすることができる。
【００１６】
バッファ層内にこのような初期層を設けることで、高いピット抑制効果を得ることができるとともに、バッファ層中の元素と基板が反応することを防止することができる。
【００１７】
このとき、前記アクセプタ元素が、遷移金属、炭素、マグネシウムのいずれかであることが好ましい。
【００１８】
バッファ層に導入するアクセプタ元素として、このような元素を好適に用いることができる。
【００１９】
また、本発明は、上記の半導体基体と、前記チャネル層上に設けられた電極とを備えることを特徴とする半導体装置を提供する。
【００２０】
このような半導体装置であれば、高い縦方向耐圧を維持しつつ、高いピット抑制効果を得ることができる半導体装置とすることができる。
【００２１】
さらに、本発明は、基板上に窒化物半導体からなるバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に窒化物半導体からなるチャネル層を形成する工程とを有する半導体基体の製造方法であって、前記バッファ層は、前記基板側にＡｌＮからなる初期層を含み、前記バッファ層を形成する工程は、前記バッファ層のボロン濃度が前記基板側から前記チャネル層側に向かって徐々に減少するように、前記バッファ層にボロンを導入する段階を含み、前記バッファ層を形成する工程において、前記初期層が形成された後にアクセプタ元素のドーピングを開始することを特徴とする半導体基体の製造方法を提供する。
【００２２】
このように、バッファ層を形成する工程において初期層が形成された後にアクセプタ元素のドーピングを開始することで、高い縦方向耐圧を維持しつつ、高いピット抑制効果を得ることができる。
【００２３】
ここで、前記基板として、ボロンがドープされた基板を用い、前記バッファ層にボロンを導入する段階は、熱拡散によってボロンがドープされた前記基板から前記バッファ層にボロンを拡散させる段階を含むことができる。
【００２４】
このように、熱拡散によってボロンがドープされた基板からバッファ層にボロンを拡散させてバッファ層にボロンを導入することで、より効率よくバッファ層のボロン濃度を、基板側からチャネル層側に向かって徐々に減少させることができる。
【００２５】
また、前記バッファ層にボロンを導入する段階は、前記バッファ層を気相成長によって形成する際に、ボロン含有のドーパントガスを導入することによって気相からボロンをドーピングする段階を含むことができる。
【００２６】
このように、気相成長中にボロン含有のドーパントガスを導入することによって気相からボロンをドーピングしてバッファ層にボロンを導入することで、ピット抑制効果を得るのに十分なボロンをバッファ層に含有させることができる。
【００２７】
このとき、前記アクセプタ元素として、遷移金属、炭素、マグネシウムのいずれかを用いることが好ましい。
【００２８】
バッファ層に導入するアクセプタ元素として、このような元素を好適に用いることができる。
【００２９】
また、本発明は、上記の半導体基体の製造方法によって製造された半導体基体を準備する工程と、前記チャネル層上に電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【００３０】
このような半導体装置の製造方法であれば、高い縦方向耐圧を維持しつつ、高いピット抑制効果を得ることができる半導体装置を製造することができる。
【発明の効果】
【００３１】
以上のように、本発明の半導体基体であれば、高い縦方向耐圧を維持しつつ、高いピット抑制効果を得ることができる半導体基体とすることができる。また、本発明の半導体装置であれば、高い縦方向耐圧を維持しつつ、ピットの発生が抑制された半導体装置とすることができる。さらに、本発明の半導体基体の製造方法であれば、高い縦方向耐圧を維持しつつ、高いピット抑制効果を得ることができる半導体基体を製造することができる。また、本発明の半導体装置の製造方法であれば、高い縦方向耐圧を維持しつつ、ピットの発生が抑制された半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】半導体基体の実施態様の概略断面図である。
【図２】半導体基体の実施形態の一例を示す概略断面図である。
【図３】半導体装置の実施形態の一例を示す概略断面図である。
【図４】半導体基体の製造方法の実施形態の一例を示す工程断面図である。
【図５】半導体装置の製造方法の実施形態の一例を示す工程断面図である。
【図６】実施例１〜３、比較例１〜３における半導体基体の不純物プロファイルを示す図である。
【図７】実施例１、比較例１〜３の半導体基体の顕微鏡暗視野画像解析によるピット密度評価結果を示す図である。
【図８】実施例１、比較例２〜３の半導体装置のデバイス耐圧（縦方向耐圧）測定結果を示す図である。
【図９】デバイス耐圧（縦方向耐圧）の測定方法を示す図である。
【図１０】実施例１の半導体基体のボロン濃度プロファイルを示す図である。
【図１１】バッファ層の積層体中のＡｌＮ層とＧａＮ層で鉄濃度を変えた場合の半導体基体の不純物プロファイルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
前述のように、ピット密度を低減させるために、バッファ層にボロンドープを行う必要があるが、バッファ層にボロンドープを行った場合であっても、デバイスの縦方向耐圧を向上させるためにバッファ層に遷移金属等のアクセプタ元素をドーピングすると、ボロンによるピット抑制効果が低下してしまい、デバイスの特性劣化を生じさせてしまうという問題点があった。
【００３４】
そこで、本発明者らは、高い縦方向耐圧を維持しつつ、高いピット抑制効果を得ることができる半導体基体について鋭意検討を重ねた。
その結果、バッファ層中に、基板側に設けられボロン濃度がアクセプタ元素濃度よりも高い第１の領域と、第１の領域上に設けられ第１の領域よりボロン濃度が低く前記第１の領域よりアクセプタ元素濃度が高い第２の領域とを設けることで、第１の領域によって高いピット抑制効果を得ることができるとともに、第２の領域によって高い縦方向耐圧を維持することができることを見出し、本発明をなすに至った。
【００３５】
以下、本発明について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３６】
まず、図１、２を参照しながら、本実施態様の半導体基体について説明する。
【００３７】
本実施態様の半導体基体１０の概略断面図である図１に示すように、半導体基体１０は、基板１２と、基板１２上に設けられ窒化物半導体からなるバッファ層２５と、バッファ層２５上に設けられ窒化物半導体からなるチャネル層２６を備えている。基板１２は、例えば、シリコン基板又はＳｉＣ基板等のシリコン系基板とすることができ、チャネル層２６は、例えば、ＧａＮ層とすることができる。
バッファ層２５は、基板１２上に設けられボロン濃度がアクセプタ元素濃度より高い第１の領域２３と、基板１２と反対側の第１の領域２３上に設けられ第１の領域２３よりボロン濃度が低く第１の領域２３よりアクセプタ元素濃度が高い第２の領域２４を含んでいる。ここで、第１の領域２３内のボロン濃度は、１×１０１７〜１×１０２１／ｃｍ３であることが好ましく、第１の領域２３内のアクセプタ元素濃度は、１×１０１５〜５×１０１７／ｃｍ３であることが好ましい。また、第２の領域２４内のボロン濃度は１×１０１３〜１×１０１５／ｃｍ３であることが望ましく、第２の領域２４内のアクセプタ濃度は５×１０１７〜１×１０２０／ｃｍ３であることが望ましい。
なお、半導体基体１０は、さらに、チャネル層２６上にバリア層２７を含むことができ、チャネル層２６とバリア層２７とで、動作層２９を形成することができる。このバリア層２７は、例えば、ＡｌＧａＮ層とすることができる。
【００３８】
バッファ層２５が、基板１２側に設けられボロン濃度がアクセプタ元素濃度よりも高い第１の領域２３を有することで、高いピット抑制効果を得られ、第１の領域２３上の窒化物半導体層のピットを良好に抑制することができる。また、第１の領域２３上に設けられ、第１の領域２３よりボロン濃度を低くして、第１の領域２３よりアクセプタ元素濃度を高くした第２の領域２４をバッファ層２５が有することで、高い縦方向耐圧を維持することができる。
【００３９】
半導体基体１０において、バッファ層２５のボロン濃度が基板１２側からチャネル層２６側に向かって減少する減少領域を含み、バッファ層２５が減少領域のボロン濃度減少開始位置よりもチャネル層２６側にアクセプタ元素が基板１２側からチャネル層２６側に向かって増加する増加領域を含むことが好ましい。このような構成にすることで、バッファ層２５の基板１２側のアクセプタ元素濃度をより確実に低くできるので、減少領域及びその上の窒化物半導体層に対してより効果的に高いピット抑制効果を得ることができる。ここで、バッファ層における増加領域のアクセプタ元素濃度の増加割合は、増加領域よりも上方のチャネル層上部でアクセプタ元素濃度を低くするための減少領域の減少割合よりも大きい（すなわち、傾きが急である）ことが好ましい。
【００４０】
また、バッファ層２５は、本発明の半導体基体の実施形態の一例を示す概略断面図である図２に示すように、基板１２側に設けられＡｌＮからなる初期層１３と、初期層１３上に設けられた積層体１４とを含む構成とすることができる。積層体１４は、窒化物半導体からなる第１の層１５と、第１の層１５と組成の異なる第２の層１６とが繰り返し積層された積層体とすることができる。第１の層１５は、例えば、ＡｌｙＧａ１−ｙＮからなり、第２の層１６は、例えば、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦ｙ≦１）からなる。
具体的には、第１の層１５はＡｌＮ層とすることができ、第２の層１６はＧａＮ層とすることができる。
【００４１】
図２の半導体基体１０’において、初期層１３はアクセプタ元素を含まないようにすることができる。バッファ層２５内にこのような初期層を設けることで、初期層上の窒化物半導体層に対してより効果的に高いピット抑制効果を得ることができるとともに、バッファ層２５中の元素と基板１２が反応することを防止することができる。
【００４２】
図２の半導体基体１０’において、初期層１３のアクセプタ元素濃度を、初期層１３のボロン濃度よりも低くすることもできる。バッファ層２５内にこのような初期層を設けることで、高いピット抑制効果を得ることができるとともに、バッファ層２５中の元素と基板１２が反応することを防止することができる。
【００４３】
バッファ層２５に導入するアクセプタ元素が、遷移金属、炭素、マグネシウムのいずれかであることが好ましい。アクセプタ元素として、このような元素を好適に用いることができるが、特に鉄を用いるのが好ましい。
【００４４】
次に、図３を参照しながら、本発明の実施形態の半導体装置の一例について説明する。
【００４５】
図３は、本発明の半導体装置の実施形態の一例を示す概略断面図である。
図３に示す半導体装置１１は、図１の半導体基体１０のチャネル層２６上に、例えば、バリア層２７を介して電極（例えば、第１電極３０、第２電極３１、制御電極３２）が設けられたものである。なお、チャネル層の上部はキャリアをトラップさせる準位が形成されると不純物散乱による移動度の低下や電流コラプス現象が生じる要因となるため、チャネル層２６の上部のアクセプタ元素濃度をバッファ層２５のチャネル層２６側濃度より低くすることが望ましい。
【００４６】
半導体装置１１において、例えば、第１電極３０、第２電極３１は、第１電極３０からチャネル層２６内に形成された２次元電子ガス２８を介して、第２電極３１に電流が流れるように配置することができる。
第１電極３０と第２電極３１との間に流れる電流は、制御電極３２に印加される電位によってコントロールすることができる。
【００４７】
このような半導体装置であれば、高い縦方向耐圧を維持しつつ、ピットの発生が抑制された高品質の半導体装置とすることができる。
【００４８】
次に、図４を参照しながら、本発明の実施形態の半導体基体の一例の製造方法について説明する。
【００４９】
まず、基板１２を準備する（図４（ａ）参照）。基板１２は、例えば、シリコン基板、又はＳｉＣ基板とすることができる。
【００５０】
次に基板１２上に、バッファ層２５の基板１２側に設けられるＡｌＮからなる初期層１３を形成する（図４（ｂ）参照）。具体的には、例えば、ＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長）法によって、初期層１３を例えば、８００℃〜１２００℃の温度で１０〜３００ｎｍ成長させることができる。
【００５１】
次に、初期層１３上に、バッファ層２５のチャネル層２６側に設けられる窒化物半導体からなる積層体１４を形成する（図４（ｃ）参照）。具体的には、例えば、ＭＯＶＰＥ法によって、ＡｌＮからなる第１の層１５（図２参照）と、ＧａＮからなる第２の層１６（図２参照）とを例えば、８００℃〜１２００℃の温度で交互に成長させることができる。第１の層１５の膜厚は例えば、３〜３０ｎｍであり、第２の層１６の膜厚は例えば、２〜７ｎｍである。
【００５２】
半導体基体の製造方法においては、バッファ層２５を形成する工程は、バッファ層２５のボロン濃度が基板１２側からチャネル層２６側に向かって徐々に減少するように、バッファ層にボロンを導入する段階を含んでいる。
【００５３】
バッファ層２５にボロンを導入する段階は、例えば、基板１２としてボロンが１×１０１８／ｃｍ３〜１×１０２１／ｃｍ３、好ましくは５×１０１８／ｃｍ３〜５×１０１９／ｃｍ３の濃度でドープされた基板を用い、熱拡散によってボロンがドープされた基板１２からバッファ層２５にボロンを拡散させる段階とすることができる。
このように、熱拡散によってボロンがドープされた基板からバッファ層２５にボロンを拡散させて、バッファ層２５にボロンを導入することで、より効率よくバッファ層２５のボロン濃度を、基板１２側からチャネル層２６側に向かって徐々に減少させることができる。
【００５４】
また、バッファ層２５にボロンを導入する段階は、バッファ層２５を気相成長によって形成する際に、ボロン含有のドーパントガスを導入することによって気相からボロンをドーピングする段階とすることもできる。
このように、気相成長中にボロン含有のドーパントガスを導入することによって気相からボロンをドーピングして、バッファ層２５にボロンを導入することで、ピット抑制効果が得られるのに十分なボロンをバッファ層２５に含有させることができる。
【００５５】
半導体基体の製造方法においては、バッファ層２５を形成する工程において、初期層１３が形成された後にアクセプタ元素の最大値が５×１０１７〜５×１０２０／ｃｍ３となるようにアクセプタ元素のドーピングを開始する。具体的には、積層体１４のＭＯＣＶＤ法による形成を開始する際に、Ｃｐ２Ｆｅ（ビスシクロペンタジエニル鉄）等のアクセプタ元素のドーピングガスの添加を開始することができる。
このように、バッファ層２５を形成する工程において初期層が形成された後にアクセプタ元素のドーピングを開始することで、高い縦方向耐圧を維持しつつ、高いピット抑制効果を得ることができる。
【００５６】
次に、バッファ層２５上に窒化物半導体からなるチャネル層２６を形成する（図４（ｄ）参照）。具体的には、バッファ層２５上に、ＭＯＶＰＥ法によって、ＧａＮからなるチャネル層２６を、例えば、８００℃〜１２００℃の温度で５００〜４０００ｎｍ形成することができる。
また、チャネル層２６上に窒化物半導体からなるバリア層２７を形成することができる（図４（ｅ）参照）。具体的には、チャネル層２６上に、ＭＯＶＰＥ法によって、ＡｌＧａＮからなるバリア層２７を、例えば、８００℃〜１２００℃の温度で１０〜５０ｎｍ形成することができる。ここで、チャネル層２６とバリア層２７は、動作層２９を形成することができる。
【００５７】
バッファ層２５に導入するアクセプタ元素として、遷移金属、炭素、マグネシウムのいずれかを用いることが好ましい。アクセプタ元素として、このような元素を好適に用いることができ、特に鉄が好ましい。
【００５８】
以上のようにして、半導体基体１０を製造することができる。上記で説明した半導体基体の製造方法であれば、高い縦方向耐圧を維持しつつ、確実に高いピット抑制効果を得ることができる半導体基体を製造することができる。
【００５９】
次に、図５を参照しながら、半導体装置の製造方法について説明する。
【００６０】
まず、上記で図４を参照しながら説明した製造方法を用いて製造した半導体基体１０を準備する（図５（ａ）を参照）。
【００６１】
次に、チャネル層２６上にバリア層２７を介して電極（例えば、第１電極３０、第２電極３１、制御電極３２）を形成する（図５（ｂ）参照）。ここで、第１電極３０及び第２電極３１は例えば、Ｔｉ／Ａｌの積層膜で形成することができ、制御電極３２は例えば、ＳｉＯ、ＳｉＮ等の金属酸化物や金属窒化物からなる下層膜と、Ｎｉ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｐｔ等の金属からなる上層膜の積層膜で形成することができる。
【００６２】
以上のようにして、半導体装置１１を製造することができる。前述の半導体装置の製造方法であれば、高い縦方向耐圧を維持しつつ、ピットの発生が抑制された高品質の半導体装置を製造することができる。
【実施例】
【００６３】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００６４】
（実施例１）
図６（ｂ）に示す鉄濃度プロファイル、及びボロン濃度プロファイルを有するバッファ層を備えた図１に示すような半導体基体１０を作製した。すなわち、シリコンからなる基板１２上にＡｌＮからなる初期層と、ＧａＮ層とＡｌＮ層が交互に積層された積層体とからなるバッファ層を備える実施例１のバッファ層においては、基板１２上に、ボロン濃度が基板１２側からチャネル層２６側に向かって３×１０１９／ｃｍ３から徐々に減少する減少領域と、減少領域上に設けられた鉄濃度が基板１２側からチャネル層２６側に向かって５×１０１９／ｃｍ３へと増加する増加領域があり、ボロン濃度が十分減少した後に鉄濃度が５×１０１９／ｃｍ３へと一気に増加している。ここで、バッファ層における増加領域のアクセプタ元素濃度の増加割合は、増加領域よりも上方のチャネル層上部で低くするためのアクセプタ元素濃度の減少領域の減少割合よりも大きい（すなわち、傾きが急である）。
作製した半導体基体１０について、顕微鏡暗視野画像解析により光点密度評価（すなわち、ピット密度評価）を行った。評価結果を図７（ｄ）に示す。
また、作製した半導体基体１０について、基板エッジからのクラックの長さを確認した。確認されたクラック長を表１に示す。
【００６５】
作製した半導体基体１０のチャネル層２６上にバリア層２７を介して電極を形成し、図３に示すような半導体装置１１を作製した。
作製した半導体装置１１について、図９に示すような測定方法を用いて、半導体装置１１がオフの時のデバイス耐圧（縦方向耐圧）を測定した。測定結果を図８（ａ）に示す。
【００６６】
（実施例２）
図６（ｃ）に示す鉄濃度プロファイル、及びボロン濃度プロファイルを有するバッファ層を備えた図１に示すような半導体基体１０を作製した。すなわち、シリコンからなる基板１２上にＡｌＮからなる初期層と、ＧａＮ層とＡｌＮ層が交互に積層された積層体とからなるバッファ層を備える実施例２のバッファ層においては、基板１２上に、ボロン濃度が基板１２側からチャネル層２６側に向かって３×１０１９／ｃｍ３から徐々に減少する減少領域と、ボロン濃度減少開始位置よりチャネル層２６側に設けられた鉄濃度が基板１２側からチャネル層２６側に向かって５×１０１９／ｃｍ３へと増加する増加領域があり、ボロン濃度減少領域は、鉄濃度増加領域と一部重なっており、ボロン濃度が減少するとともに、鉄濃度が徐々に増加している。ここで、バッファ層における増加領域のアクセプタ元素濃度の増加割合は、増加領域よりも上方のチャネル層上部でアクセプタ元素濃度を低くするための減少領域の減少割合よりも大きい（すなわち、傾きが急である）。
作製した半導体基体１０について、実施例１と同様にして、光点密度評価（すなわち、ピット密度評価）を行った。評価結果は実施例１とほぼ同様な結果となった。
また、作製した半導体基体１０について、基板エッジからのクラックの長さを確認した。確認されたクラック長を表１に示す。
【００６７】
作製した半導体基体１０のチャネル層２６上にバリア層２７を介して電極を形成し、図３に示すような半導体装置１１を作製した。
作製した半導体装置１１について、実施例１と同様にして、デバイス耐圧（縦方向耐圧）を測定すると、バッファ層における鉄原子の総数が実施例１より多いので、測定結果は実施例１よりも良好な結果となった。
【００６８】
（実施例３）
図６（ｆ）に示す鉄濃度プロファイル、及びボロン濃度プロファイルを有するバッファ層を備えた図１に示すような半導体基体１０を作製した。すなわち、シリコンからなる基板１２上にＡｌＮからなる初期層と、ＧａＮ層とＡｌＮ層が交互に積層された積層体とからなるバッファ層を備える実施例３のバッファ層においては、基板１２上に、ボロン濃度が基板１２側からチャネル層２６側に向かって３×１０１９／ｃｍ３から徐々に減少する減少領域と、ボロン濃度減少開始位置よりチャネル層２６側に設けられた鉄濃度が基板１２側からチャネル層２６側に向かって５×１０１９／ｃｍ３へと増加する増加領域があり、ボロン濃度減少領域は、鉄濃度増加領域とは重なっていない（すなわち、ボロン濃度が減少した後に、鉄濃度が増加している）。ここで、バッファ層における増加領域のアクセプタ元素濃度の増加割合は、増加領域よりも上方のチャネル層上部でアクセプタ元素濃度を低くするための減少領域の減少割合よりも大きい（すなわち、傾きが急である）。
作製した半導体基体１０について、実施例１と同様にして、光点密度評価（すなわち、ピット密度評価）を行った。評価結果は実施例１より良好な結果となった。
また、作製した半導体基体１０について、基板エッジからのクラックの長さを確認した。確認されたクラック長を表１に示す。
【００６９】
作製した半導体基体１０のチャネル層２６上にバリア層２７を介して電極を形成し、図３に示すような半導体装置１１を作製した。
作製した半導体装置１１について、実施例１と同様にして、デバイス耐圧（縦方向耐圧）を測定すると、バッファ層における鉄原子の総数が実施例１より少ないので、測定結果は実施例１よりも若干劣る結果となった。
【００７０】
（比較例１）
図６（ｅ）に示す鉄濃度プロファイル、及びボロン濃度プロファイルを有するバッファ層を備えた半導体基体を作製した。すなわち、比較例１のバッファ層においては、鉄ドープ及びボロンドープを行わなかった。
作製した半導体基体について、実施例１と同様にして、光点密度評価（すなわち、ピット密度評価）を行った。評価結果を図７（ａ）に示す。
また、作製した半導体基体について、基板エッジからのクラックの長さを確認した。確認されたクラック長を表１に示す。
なお、比較例１の半導体基体については、非常に多くのピットが発生したために、半導体装置の作製、及びデバイス耐圧（縦方向耐圧）の測定は行えなかった。
【００７１】
（比較例２）
図６（ｄ）に示す鉄濃度プロファイル、及びボロン濃度プロファイルを有するバッファ層を備えた半導体基体を作製した。すなわち、比較例２のバッファ層においては、実施例１と同様にボロンドープを行なったが、鉄ドープは行わなかった。
作製した半導体基体について、実施例１と同様にして、光点密度評価（すなわち、ピット密度評価）を行った。評価結果を図７（ｂ）に示す。
また、作製した半導体基体について、基板エッジからのクラックの長さを確認した。確認されたクラック長を表１に示す。
【００７２】
作製した半導体基体のチャネル層上にバリア層を介して電極を形成し、半導体装置を作製した。
作製した半導体装置について、実施例１と同様にして、デバイス耐圧（縦方向耐圧）を測定した。測定結果を図８（ｂ）に示す。
【００７３】
（比較例３）
図６（ａ）に示す鉄濃度プロファイル、及びボロン濃度プロファイルを有するバッファ層を備えた半導体基体を作製した。すなわち、比較例３のバッファ層においては、実施例１と同様にボロンドープを行なったが、鉄ドープはバッファ層全体に対して行った（すなわち、バッファ層の初期層から行った）。
作製した半導体基体について、実施例１と同様にして、光点密度評価（すなわち、ピット密度評価）を行った。評価結果を図７（ｃ）に示す。
また、作製した半導体基体について、基板エッジからのクラックの長さを確認した。確認されたクラック長を表１に示す。
【００７４】
作製した半導体基体のチャネル層上にバリア層を介して電極を形成し、半導体装置を作製した。
作製した半導体装置のピットが観察されない領域において、実施例１と同様にして、デバイス耐圧（縦方向耐圧）を測定した。測定結果を図８（ｃ）に示す。
【００７５】
【表１】
0006735078.tif 000002
【００７６】
図７からわかるように、比較例３のようにバッファ層の初期層から鉄ドープを行うとボロンドープによるピット抑制効果が低下する（すなわち、ピット密度の観点から、効果が消失する）。これは、ピット抑制効果のあるサイトにボロンでなく鉄が入り込む影響と推測される。また、積層体から鉄ドープを行った実施例１では、鉄ドープの影響はなく、鉄ドープを行わなかった比較例２と同等のピット抑制効果が得られた。なお、バッファ層の基板側においてボロン濃度が減少するとともに、鉄濃度が増加している実施例２においても、実施例１と同等のピット抑制効果が得られた。また、バッファ層の基板側においてボロン濃度が減少した後に、鉄濃度が増加している実施例３においては、実施例１より良好なピット抑制効果が得られた。
【００７７】
また、表１からわかるように、ＡｌＮ初期層から鉄ドープを行う（すなわち、バッファ層の全層で鉄ドープを行う）比較例３ではクラックがより長く伸長する一方で、ボロンがドープされたＡｌＮ初期層では鉄ドープを行わずに、ボロン濃度が減少した積層体から鉄ドープを行った実施例１では、鉄ドープを行わなかった比較例２と同等のクラック長さとなった。これは、ボロンドープされている層に鉄ドープしないことによる効果と考えられる。なお、バッファ層の基板側においてボロン濃度が減少するとともに、鉄濃度が増加している実施例２においても、実施例１と同等のクラック長さとなった。また、バッファ層の基板側においてボロン濃度が減少した後に、鉄濃度が増加している実施例３においても、実施例１と同等のクラック長さとなった。
【００７８】
さらに、図８からわかるように、鉄ドープを行わなかった比較例２に対して、バッファ層の初期層から鉄ドープを行う比較例３では、鉄ドープすることにより縦方向の耐圧が向上している。しかしながら、比較例３では上述したようにピット抑制効果は低下している（図７（ｃ）参照）。また、積層体から鉄ドープを行った実施例１も比較例２に対し、鉄ドープの効果（すなわち、縦方向耐圧の向上）が得られている。実施例１において、比較例３と同等の縦方向耐圧が得られたのは、バッファ層の積層体においてボロンがドープされている層（すなわち、鉄がドープされていない層）が、図１０に示すように２００ｎｍ程度と薄いためである。なお、バッファ層の基板側においてボロン濃度が減少するとともに、鉄濃度が増加している実施例２においても、実施例１よりも良好な縦方向耐圧が得られた。また、バッファ層の基板側においてボロン濃度が減少した後に、鉄濃度が増加している実施例３においては、実施例１より若干劣るが比較例２より良好な縦方向耐圧が得られた。
【００７９】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
例えば、図２の半導体基体１０’において、積層体１４の第１の層１５（例えば、ＡｌＮ層）のみアクセプタ元素を含み、第２の層１６（例えば、ＧａＮ層）にアクセプタ元素を含まない、又は少なくするようにしてもよい。この場合、実施例１における不純物プロファイルは、図１１（ａ）に示すように、積層体のＡｌＮ層の箇所で鉄濃度が増加し、積層体のＧａＮ層の箇所で鉄濃度が減少するようなものとなる。また、実施例２における不純物プロファイルは、図１１（ｂ）に示すように、初期層、及び積層体のＡｌＮ層の箇所で鉄濃度が増加し、積層体のＧａＮ層の箇所で鉄濃度が減少するようなものとなる。上記のような場合においても、同様の効果が得られる。
また、「上」という表現は、間に異なる層がある場合も含まれるものとする。
【符号の説明】
【００８０】
１０、１０’…半導体基体、  １１…半導体装置、  １２…基板、  １３…初期層、
１４…積層体、  １５…第１の層、  １６…第２の層、  ２３…第１の領域、
２４…第２の領域、  ２５…バッファ層、  ２６…チャネル層、  ２７…バリア層、
２８…２次元電子ガス、  ２９…動作層、  ３０…第１電極、  ３１…第２電極、
３２…制御電極。
【図１】
0006735078.tif 000003
【図２】
0006735078.tif 000004
【図３】
0006735078.tif 000005
【図４】
0006735078.tif 000006
【図５】
0006735078.tif 000007
【図６】
0006735078.tif 000008
【図７】
0006735078.tif 000009
【図８】
0006735078.tif 000010
【図９】
0006735078.tif 000011
【図１０】
0006735078.tif 000012
【図１１】
0006735078.tif 000013