(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に被覆されフィラーを含有する樹脂を平坦化する積層基板の加工方法であって、
該樹脂を露出させた状態で積層基板をチャックテーブルの保持面で保持する保持ステップと、
該保持ステップを実施した後、該保持面と平行な回転軸のスピンドルに装着された平面研削用の砥石工具で、該チャックテーブルに保持された該積層基板の該樹脂の表面を研削して除去する予備加工ステップと、
該予備加工ステップで研削された該積層基板の樹脂面を、該保持面と平行な面内で回転するバイト工具で更に切削し、該樹脂面を平坦に形成する仕上げ加工ステップと、を備え、
該平面研削用の砥石工具は、基台に砥粒が電着された砥石工具であることを特徴とする積層基板の加工方法。
【請求項２】
該積層基板は、基板に形成されたデバイスの電極から突出する金属ポストがフィラー入り樹脂で封止されたパッケージ基板であり、
該予備加工ステップでは、該金属ポストが露出しない程度まで該樹脂が除去され、
該仕上げ加工ステップでは、該金属ポスト及び該樹脂が切削され、該金属ポストが露出することを特徴とする請求項１に記載の積層基板の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層基板の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、樹脂パッケージ基板やＷＬ−ＣＳＰ（wafer-level  chip-scale  package）基板と呼ばれる半導体パッケージ基板を含むパッケージ基板は、デバイスの電極と電極から突出する金属ポストとを含む金属層が樹脂で封止されている。このようなパッケージ基板については、樹脂で封止された被加工物から樹脂を除去して、金属の凸部を露出するパッケージ形成方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−００８８９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載のパッケージ形成方法で使用されるバイト切削工具は、金属やフィラーを含有しない樹脂を含む延性材料の加工に適している。このため、バイト切削工具は、フィラーを含有しない樹脂で封止された被加工物から樹脂を除去する加工に適している。ところが、このバイト切削工具は、フィラーを含有する樹脂で封止された被加工物から樹脂を除去する加工に使用すると、バイトが摩耗しやすく、バイトの寿命が短くなるおそれがある。
【０００５】
そこで、樹脂で封止された被加工物から樹脂を除去する際に、バイト切削工具でバイト研削する前に、研削ホイールで樹脂を除去する技術が知られている。しかし、この技術では、研削ホイールに含まれるダイヤモンド等の砥粒が研削ホイールから脱落し、研削後の樹脂表面に残留するおそれがある。砥粒が研削後の樹脂表面に残留すると、研削ホイールでの研削後に樹脂表面を切削するバイト切削工具のバイトに欠けを生じさせ、バイトの寿命が短くなる。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、その目的は、研削後の樹脂表面への砥粒の残留を抑制した積層基板の加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の積層基板の加工方法は、基板の表面に被覆されフィラーを含有する樹脂を平坦化する積層基板の加工方法であって、該樹脂を露出させた状態で積層基板をチャックテーブルの保持面で保持する保持ステップと、該保持ステップを実施した後、該保持面と平行な回転軸のスピンドルに装着された平面研削用の砥石工具で、該チャックテーブルに保持された該積層基板の該樹脂の表面を研削して除去する予備加工ステップと、該予備加工ステップで研削された該積層基板の樹脂面を、該保持面と平行な面内で回転するバイト工具で更に切削し、該樹脂面を平坦に形成する仕上げ加工ステップと、を備え、該平面研削用の砥石工具は、基台に砥粒が電着された砥石工具であることを特徴とする。
【０００８】
また、上記積層基板の加工方法において、該積層基板は、基板に形成されたデバイスの電極から突出する金属ポストがフィラー入り樹脂で封止されたパッケージ基板であり、該予備加工ステップでは、該金属ポストが露出しない程度まで該樹脂が除去され、該仕上げ加工ステップでは、該金属ポスト及び該樹脂が切削され、該金属ポストが露出することを特徴とする、ことが好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本願発明の積層基板の加工方法によれば、予備加工ステップで、チャックテーブルの保持面と平行な回転軸のスピンドルに装着された平面研削用の砥石工具で、チャックテーブルに保持された積層基板の樹脂の表面を研削して除去する。そして、予備加工ステップの後に仕上げ加工ステップで、予備加工ステップで研削された積層基板の樹脂面を、チャックテーブルの保持面と平行な面内で回転するバイト工具で更に切削し、樹脂面を平坦に形成する。このように、積層基板の加工方法は、予備加工ステップで、平面研削用の砥石工具を使用することで、研削後の樹脂表面への砥粒の残留を抑制することができる。しかも、研削後の樹脂表面への砥粒の残留を抑制することで、積層基板の加工方法は、バイト工具を長寿命化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本実施形態に係る積層基板を分解して示す分解斜視図である。
【図２】図２は、本実施形態に係る積層基板を示す斜視図である。
【図３】図３は、本実施形態に係る積層基板を示す断面図である。
【図４】図４は、本実施形態に係る積層基板の加工方法を示すフローチャートである。
【図５】図５は、本実施形態に係る積層基板の平面研削装置を示す機能ブロック図である。
【図６】図６は、本実施形態に係る積層基板の加工方法の予備加工ステップにおける積層基板を示す断面図である。
【図７】図７は、本実施形態に係る積層基板の加工方法の仕上げ加工ステップにおける積層基板を示す断面図である。
【図８】図８は、本実施形態に係る積層基板をデバイスに分割した状態を示す断面図である。
【図９】図９は、本実施形態に係る積層基板の他の例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明に係る実施形態につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。
【００１２】
以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の一端向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向をＺ軸方向とする。Ｘ軸及びＹ軸を含むＸ，Ｙ平面は、水平面と平行である。Ｘ，Ｙ平面と直交するＺ軸方向は、鉛直方向である。
【００１３】
図１は、本実施形態に係る積層基板を分解して示す分解斜視図である。図２は、本実施形態に係る積層基板を示す斜視図である。図３は、本実施形態に係る積層基板を示す断面図である。図１ないし図３に示すように、積層基板１０は、基板２０と、樹脂層（樹脂）３０とを有する。積層基板１０は、円板状の部材であり、表面１０Ａと、表面１０Ａの逆方向を向く裏面１０Ｂとを有する。表面１０Ａと裏面１０Ｂとは、平行である。本実施形態において、積層基板１０の直径は８インチ（２０３．２［ｍｍ］）である。なお、積層基板１０の直径は１２インチ（３０４．８［ｍｍ］）でもよい。
【００１４】
基板２０は、シリコン基板、サファイア基板、タンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板、樹脂基板及びセラミックス基板の少なくとも一つを含む。基板２０は、表面２０Ａと、表面２０Ａの逆方向を向く裏面２０Ｂとを有する。基板２０は、機能層２１を有する。機能層２１は、デバイスを形成する層であり、ＳｉＯＦ又はＢＳＧ（ＳｉＯＢ）のような無機物系の膜とポリイミド系又はパリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜とからなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）を含む。機能層２１は、基板２０の表面２０Ａに積層される。積層基板１０の表面１０Ａは、樹脂層３０の表面（樹脂面）３０Ａを含む。積層基板１０の裏面１０Ｂは、基板２０の裏面２０Ｂを含む。
【００１５】
機能層２１は、格子状に形成された分割予定ライン２２によって区画されている。分割予定ライン２２によって区画された領域に電極を有する複数のデバイス２３が形成される。デバイス２３は、分割予定ライン２２によって区画される。デバイス２３は、積層基板１０にマトリクス状に配置される。
【００１６】
基板２０の表面２０Ａは、複数のデバイス２３が形成されたデバイス領域ＤＡと、デバイス領域ＤＡを囲繞する外周余剰領域ＳＡとを備える。外周余剰領域ＳＡにデバイス２３は形成されない。基板２０と樹脂層３０とを有する積層基板１０が分割予定ライン２２に沿って分割されることにより、デバイス２３が樹脂で被覆（モールド）されたＩＣ（integrated  circuit）又はＬＳＩ（large  scale  integration）のようなデバイスチップが製造される。
【００１７】
樹脂層３０を研削した後のデバイス２３には、デバイス２３の電極２４に電極ポスト２５を介して接続するバンプ２６（図８参照）が配置される。バンプ２６は、複数のデバイス２３のそれぞれに設けられる。バンプ２６は、積層基板１０の表面１０Ａから突出するように設けられる。バンプ２６は、例えば銅（Ｃｕ）や金（Ａｕ）もしくは白金（Ｐｔ）などの貴金属、またはＳｎ−Ｃｕ等の合金により形成されている。
【００１８】
樹脂層３０は、基板２０の表面２０Ａを被覆して封止している。樹脂層３０は、例えばＳｉＣやシリカを含むフィラーを含有するエポキシ樹脂等の樹脂である。樹脂層３０の表面３０Ａは、基板２０の表面２０Ａと平行な平面状である。樹脂層３０は、基板２０の電極ポスト２５の位置においてはｔ１の厚みである。
【００１９】
次に、本実施形態に係る積層基板１０の加工方法について説明する。図４は、本実施形態に係る積層基板の加工方法を示すフローチャートである。図４に示すように、積層基板１０の加工方法は、保持ステップＳ１と、予備加工ステップＳ２と、仕上げ加工ステップＳ３とを含む。
【００２０】
まず、保持ステップＳ１を実行する。保持ステップＳ１は、樹脂層３０の表面３０Ａを露出させた状態で積層基板１０を平面研削装置５０のチャックテーブル５０Ｔ（図６参照）の保持面５０Ｔａで保持するステップである。
【００２１】
まず、図５を用いて、平面研削装置５０について説明する。図５は、本実施形態に係る積層基板の平面研削装置を示す機能ブロック図である。図５に示すように、平面研削装置５０は、制御装置１００と、テーブル回転駆動装置１１１と、テーブル駆動装置１１２と、テーブル位置検出装置１１３と、研削用ブレード回転駆動装置１２１と、研削用ブレード駆動装置１２２と、研削用ブレード位置検出装置１２３とを備える。
【００２２】
制御装置１００は、図５に示すように、ＣＰＵ（central  processing  unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置１０１と、ＲＯＭ（read  only  memory）又はＲＡＭ（random  access  memory）のようなメモリを含む記憶装置１０２と、入出力インターフェース装置１０３とを有する。演算処理装置１０１は、記憶装置１０２に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、入出力インターフェース装置１０３を介して、平面研削装置５０を制御するための制御信号を出力する。
【００２３】
平面研削装置５０のチャックテーブル５０Ｔは、積層基板１０を着脱可能に保持する。チャックテーブル５０Ｔは、積層基板１０の表面１０ＡがＸＹ平面と平行となるように保持する。チャックテーブル５０Ｔは、真空ポンプを含む真空吸引源と流路を介して接続された吸引口が保持面５０Ｔａに複数設けられる。チャックテーブル５０Ｔの保持面５０Ｔａに積層基板１０が載せられた状態で真空吸引源が作動することにより、チャックテーブル５０Ｔは、積層基板１０を吸引保持する。真空吸引源の作動が停止されることにより、チャックテーブル５０Ｔは、積層基板１０の吸引を解除して解放する。
【００２４】
チャックテーブル５０Ｔは、制御装置１００で制御される。より詳しくは、チャックテーブル５０Ｔは、アクチュエータを含むテーブル回転駆動装置１１１によって、Ｚ軸方向と平行な中心軸を中心に回転可能である。チャックテーブル５０Ｔは、その中心軸と積層基板１０の表面１０Ａの中心軸とが一致するように、積層基板１０を保持する。チャックテーブル５０Ｔは、アクチュエータを含むテーブル駆動装置１１２によって、Ｘ軸方向に移動可能である。チャックテーブル５０ＴのＸ軸方向の位置は、テーブル位置検出装置１１３によって検出される。
【００２５】
保持ステップＳ１を実行した後、予備加工ステップＳ２を実行する。予備加工ステップＳ２は、保持ステップＳ１を実施した後、図６に示すように、チャックテーブル５０Ｔの保持面５０Ｔａと平行な中心軸ＡＹ５０のスピンドル５１に装着された平面研削用の研削手段５２で、チャックテーブル５０Ｔに保持された積層基板１０の樹脂層３０の表面３０Ａを研削して除去するステップである。図６は、本実施形態に係る積層基板の加工方法の予備加工ステップにおける積層基板を示す断面図である。
【００２６】
平面研削装置５０は、研削手段５２を有する。研削手段５２は、スピンドルハウジング５３と、スピンドルハウジング５３に回転可能に支持されるスピンドル５１と、スピンドル５１の先端部に設けられた固定フランジ５４と、固定フランジ５４に着脱可能に固定される着脱フランジ５５と、着脱フランジ５５を固定フランジ５４に固定するための固定部材５６と、固定フランジ５４と着脱フランジ５５とに挟まれて固定される、平面研削用の砥石工具である研削用ブレード５７と、研削液Ｒを研削用ブレード５７に向けて噴射するノズル５８とを有する。
【００２７】
研削用ブレード５７は、Ｙ軸方向の幅が数［ｍｍ］の中心に貫通孔を有する円板状またはドラム状の基台の外周面に、砥粒が電着固定されている砥石工具である。言い換えると、研削用ブレード５７は、基台に砥粒が電着された砥石工具である。研削用ブレード５７は、アクチュエータを含む研削用ブレード回転駆動装置１２１によりスピンドル５１が回転することによって、研削手段５２の中心軸ＡＹ５０を中心に矢印Ｒ５０で示す方向に回転可能である。回転する研削用ブレード５７が樹脂層３０の表面３０Ａに接触することにより、研削用ブレード５７は、樹脂層３０の表面３０Ａを研削する。中心軸ＡＹ５０は、Ｙ軸方向と平行である。研削用ブレード５７は、アクチュエータを含む研削用ブレード駆動装置１２２によって、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に移動可能である。研削用ブレード５７のＹ軸方向及びＺ軸方向の位置は、研削用ブレード位置検出装置１２３によって検出される。 
【００２８】
制御装置１００は、研削用ブレード回転駆動装置１２１を駆動して研削用ブレード５７を矢印Ｒ５０で示す方向に回転しつつ樹脂層３０に切り込むＺ軸方向の位置に位置付けた後、テーブル駆動装置１１２を駆動してチャックテーブル５０ＴをＸ軸方向に加工送りして、積層基板１０の一端から他端までＸ軸方向に研削溝を形成する。その後、研削用ブレード駆動装置１２２を駆動して研削用ブレード５７をＹ軸方向に割り出し送りする。制御装置１００は、チャックテーブル５０Ｔに保持された樹脂層３０の表面３０Ａに研削用ブレード５７が接触するように、テーブル位置検出装置１１３の検出値及び研削用ブレード位置検出装置１２３の検出値に基づいてテーブル駆動装置１１２及び研削用ブレード駆動装置１２２を駆動して、樹脂層３０の表面３０Ａと研削用ブレード５７との相対位置を調整する。本実施形態において、制御装置１００は、樹脂層３０の表面３０Ａが、電極ポスト２５の表面２５Ａから厚さｔ３残して除去されるように、テーブル位置検出装置１１３の検出値及び研削用ブレード位置検出装置１２３の検出値に基づいてテーブル駆動装置１１２及び研削用ブレード駆動装置１２２を駆動して、研削用ブレード５７を樹脂層３０の表面３０Ａに切り込ませる。本実施形態において、ｔ３は、２［μｍ］以上５０［μｍ］以下、望ましくは５［μｍ］以上２０［μｍ］以下である。
【００２９】
より詳しくは、制御装置１００は、樹脂層３０の研削量（樹脂層３０が研削されるＺ軸方向の寸法）が樹脂層３０に対して１００［μｍ］以下、望ましくは３０［μｍ］以下となるように、研削用ブレード５７を切り込ませる。制御装置１００は、チャックテーブル５０Ｔに保持された樹脂層３０の表面３０Ａに研削用ブレード５７を切り込ませた状態で、チャックテーブル５０Ｔを加工送りする。
【００３０】
このようにして、樹脂層３０の表面３０Ａの全面が研削され、樹脂層３０の表面３０Ａが、電極ポスト２５の表面２５Ａから厚さｔ３残して厚さｔ２が除去される。
【００３１】
予備加工ステップＳ２においては、研削用ブレード５７が中心軸ＡＹ５０を中心に矢印Ｒ５０で示す方向に回転するとともに、樹脂層３０の表面３０Ａを保持したチャックテーブル５０ＴがＸ軸方向に加工送りされる。例えば特開２０１５−０９３３３８号公報に開示されるようなチャックテーブル５０Ｔの保持面５０Ｔａと直交する回転軸を備える研削装置で樹脂層３０を研削する場合に比べ、研削用ブレード５７の樹脂層３０の表面３０Ａとの接触時間は、短い。これにより、研削用ブレード５７が樹脂層３０の表面３０Ａを研削する際に、砥粒が樹脂層３０に残留しにくい。
【００３２】
予備加工ステップＳ２を実行した後、仕上げ加工ステップＳ３を実行する。仕上げ加工ステップＳ３は、図７に示すように、予備加工ステップＳ２で研削された積層基板１０の樹脂層３０を、バイト切削装置６０のチャックテーブル６０Ｔの保持面６０Ｔａと平行な面内で回転するバイト工具６１で更に切削し、樹脂層３０の表面３０Ａを平坦に形成するステップである。図７は、本実施形態に係る積層基板の加工方法の仕上げ加工ステップにおける積層基板を示す断面図である。
【００３３】
バイト切削装置６０は、制御装置と、テーブル駆動装置と、テーブル位置検出装置と、バイト回転駆動装置と、バイト駆動装置と、バイト位置検出装置とを備える。
【００３４】
バイト切削装置６０は、チャックテーブル６０Ｔに保持された積層基板１０の樹脂層３０の表面３０Ａを切削して平坦化する。バイト切削装置６０は、バイト工具６１を有する。バイト工具６１は、スピンドルハウジング６２と、スピンドルハウジング６２に回転可能に支持されるスピンドル６３と、スピンドル６３の先端部に設けられたバイトホイール６４とを備える。
【００３５】
バイト工具６１は、アクチュエータを含むバイト回転駆動装置によりスピンドル６３が回転することによって、バイト工具６１の中心軸ＡＺ６０を中心に矢印Ｒ６０で示す方向に回転可能である。中心軸ＡＺ６０は、Ｚ軸方向と平行である。また、バイト工具６１は、アクチュエータを含むバイト駆動装置によって、Ｚ軸方向に移動可能である。バイト工具６１のＺ軸方向の位置は、バイト位置検出装置によって検出される。回転するバイト工具６１が樹脂層３０の表面３０Ａに接触することにより、バイト工具６１は、樹脂層３０の表面３０Ａを切削する。
【００３６】
制御装置は、テーブル駆動装置を駆動してチャックテーブル６０ＴをＸ軸方向に切削送りしつつ、バイト回転駆動装置を駆動してバイト工具６１を矢印Ｒ６０で示す方向に回転する。制御装置は、チャックテーブル６０Ｔに保持された樹脂層３０の表面３０Ａにバイト工具６１が接触するように、テーブル位置検出装置の検出値及びバイト位置検出装置の検出値に基づいてテーブル駆動装置及びバイト駆動装置を駆動して、樹脂層３０の表面３０Ａとバイト工具６１との相対位置を調整する。
【００３７】
本実施形態において、制御装置は、樹脂層３０の表面３０Ａが、積層基板１０を厚さｔ３以上切削して、機能層２１に配置された電極ポスト２５の表面２５Ａが露出するように、テーブル位置検出装置の検出値及びバイト位置検出装置の検出値に基づいてテーブル駆動装置及びバイト駆動装置を駆動して、バイト工具６１を樹脂層３０の表面３０Ａに切り込ませる。
【００３８】
より詳しくは、制御装置は、樹脂層３０の切削量（樹脂層３０が切削されるＺ軸方向の寸法）が樹脂層３０に対して２０［μｍ］以下、望ましくは１０［μｍ］以下となるように、バイト工具６１を切り込ませる。制御装置は、チャックテーブル６０Ｔに保持された樹脂層３０の表面３０Ａに回転するバイト工具６１を所定量切り込ませた状態で、チャックテーブル６０ＴをＸ軸方向に切削送りする。１回の切削によって、樹脂層３０の表面３０Ａから電極ポスト２５の表面２５Ａが露出しない場合、制御装置は、バイト工具６１をＺ軸方向に移動し、樹脂層３０にバイト工具６１を更に切り込ませて切削する。制御装置は、樹脂層３０の表面３０Ａから電極ポスト２５の表面２５Ａが露出するまでこのような動作を繰り返す。
【００３９】
このようにして、樹脂層３０の表面３０Ａの全面が切削され、樹脂層３０の表面３０Ａが電極ポスト２５の表面２５Ａが露出する高さまで除去されて平坦化される。
【００４０】
仕上げ加工ステップＳ３を実行した後、樹脂層３０の表面３０Ａに露出した電極ポスト２５の表面２５Ａに例えばハンダなどでバンプ２６が形成される。そして、図８に示すように、積層基板１０が分割予定ライン２２に沿って分割されて、デバイス２３が製造される。図８は、本実施形態に係る積層基板をデバイスに分割した状態を示す断面図である。
【００４１】
以上のように、本実施形態に係る積層基板の加工方法は、予備加工ステップＳ２で、平面研削装置５０のチャックテーブル５０Ｔの保持面５０Ｔａと平行な中心軸ＡＹ５０のスピンドル５１に装着された平面研削用の研削手段５２で、チャックテーブル５０Ｔに保持された積層基板１０の樹脂層３０の表面３０Ａを研削して除去する。そして、予備加工ステップＳ２の後に仕上げ加工ステップＳ３で、予備加工ステップＳ２で研削された樹脂層３０の表面３０Ａを、バイト切削装置６０のチャックテーブル６０Ｔの保持面６０Ｔａと平行な面内で回転するバイト工具６１で更に切削し、積層基板１０の表面１０Ａを平坦に形成する。このように、積層基板の加工方法は、予備加工ステップＳ２で、平面研削用の研削手段５２を使用することで、樹脂層３０に含まれるフィラーをバイト工具６１で切削する量を削減し、研削後の樹脂層３０の表面３０Ａへの砥粒の残留を抑制し、バイト工具６１の砥粒による欠けを抑制することができる。
【００４２】
より詳しくは、積層基板の加工方法においては、研削用ブレード５７が矢印Ｒ５０で示す方向に回転するとともに、チャックテーブル５０ＴがＸ軸方向に加工送りされる。このため、チャックテーブル５０Ｔの保持面５０Ｔａと直交する回転軸を備える研削装置で樹脂層３０を研削する場合に比べ、研削用ブレード５７の樹脂層３０の表面３０Ａとの接触時間を短くすることができる。これにより、研削用ブレード５７が樹脂層３０の表面３０Ａを研削する際に発生した砥粒を樹脂層３０に残留しにくくすることができる。
【００４３】
上記のように、積層基板の加工方法によれば、研削後の樹脂層３０の表面３０Ａへの砥粒の残留を抑制することができる。これにより、積層基板の加工方法は、バイト切削装置６０のバイト工具６１に砥粒が接触して、バイト工具６１が損傷することを抑制することができる。このため、積層基板の加工方法は、バイト切削装置６０のバイト工具６１を長寿命化することができる。
【００４４】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【００４５】
上記実施形態では、積層基板１０は、基板２０上にマトリクス状に配置されたデバイス２３を一つの樹脂層３０で封止するものとして説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図９に示すように、積層基板２１０は、基板２２０に形成されたデバイスを、それぞれ樹脂層２３０で封止するものであってもよい。図９は、本実施形態に係る積層基板の他の例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０    積層基板
２０    基板
２０Ａ  表面
２１    機能層
２２    分割予定ライン
２３    デバイス
３０    樹脂層（樹脂）
３０Ａ  表面（樹脂面）
５０    平面研削装置
５０Ｔ    チャックテーブル
５０Ｔａ    保持面
５１    スピンドル
５２    平面研削用の研削手段
５７    研削用ブレード（平面研削用の砥石工具）
６０    バイト切削装置
６０Ｔ    チャックテーブル
６０Ｔａ    保持面
６１    バイト工具
ＡＹ５０    中心軸
ＡＺ６０    中心軸
【図１】
0006671167.tif 000002
【図２】
0006671167.tif 000003
【図３】
0006671167.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0006671167.tif 000008
【図８】
0006671167.tif 000009
【図９】
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