(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の検知素子を含む赤外線検知部と、
温度調節機能をもたない基準赤外線放射板と、
前記基準赤外線放射板から放射される赤外線を前記赤外線検知部によって検知することにより生成される第１の赤外線データを記憶する第１記憶部と、
前記基準赤外線放射板から放射される赤外線を前記赤外線検知部によって検知することにより前記第１の赤外線データよりも後に生成される第２の赤外線データと、前記第１の赤外線データとに基づいて、前記複数の検知素子の欠陥を判定する判定部と、
前記複数の検知素子のうちの欠陥素子を示す欠陥情報を記憶する第２記憶部と、
を備え、
前記判定部は、前記欠陥があると判定した場合に、前記第１記憶部に記憶された前記第１の赤外線データを、前記第２の赤外線データによって更新し、前記基準赤外線放射板から放射される赤外線を前記赤外線検知部によって検知することにより前記第２の赤外線データよりも後に生成される第３の赤外線データと、前記第２の赤外線データとに基づいて、前記複数の検知素子の欠陥を判定する赤外線装置。
【請求項２】
前記判定部は、前記第１の赤外線データと前期第２の赤外線データとの差分データを算出し、当該差分データと所定の閾値とに基づいて前記複数の検知素子の欠陥を判定する、請求項１に記載の赤外線装置。
【請求項３】
前記判定部は、前記差分データに含まれる差分値の平均値を算出し、前記差分データのうちの、前記平均値から前記所定の閾値以上離れている差分値を特定し、特定された当該差分値に対応する検知素子に欠陥があると判定する、請求項２に記載の赤外線装置。
【請求項４】
赤外線を前記赤外線検知部によって検知することにより生成される赤外線データのうちの、前記欠陥素子に対応する欠陥値を補正する補正部、をさらに備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載の赤外線装置。
【請求項５】
前記補正部は、前記赤外線データのうちの、前記欠陥素子の周辺の検知素子に対応する周辺値を用いて、前記欠陥値を補正する、請求項４に記載の赤外線装置。
【請求項６】
前記補正部は、前記欠陥値を前記周辺値に置き換えることにより前記欠陥値を補正する、請求項５に記載の赤外線装置。
【請求項７】
前記第１の赤外線データは、予め記憶されているデータである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の赤外線装置。
【請求項８】
前記第１の赤外線データは、前記赤外線装置の工場出荷時から記憶されているデータである、請求項７に記載の赤外線装置。
【請求項９】
前記基準赤外線放射板は、前記赤外線装置のシャッタである、請求項１〜８のいずれか１項に記載の赤外線装置。
【請求項１０】
前記赤外線装置は、赤外線撮像装置であり、
前記第１の赤外線データ及び前記第２の赤外線データの各々は、赤外線画像データである、
請求項１〜９のいずれか１項に記載の赤外線装置。
【請求項１１】
赤外線装置が備える基準赤外線放射板であって、温度調節機能をもたない前記基準赤外線放射板から放射される赤外線を複数の検知素子を含む赤外線検知器によって検知することにより生成され、記憶される第１の赤外線データを取得することと、
前記基準赤外線放射板から放射される赤外線を前記赤外線検知器によって検知することにより前記第１の赤外線データよりも後に生成される第２の赤外線データを取得することと、
前記第１の赤外線データと前記第２の赤外線データとに基づいて、前記複数の検知素子の欠陥を判定することと、
前記欠陥があると判定された場合に、前記複数の検知素子のうちの欠陥素子を示す欠陥情報を記憶し、前記第１の赤外線データを前記第２の赤外線データによって更新することと、
前記基準赤外線放射板から放射される赤外線を前記赤外線検知器によって検知することにより前記第２の赤外線データよりも後に生成され、記憶される第３の赤外線データと、前記第２の赤外線データとに基づいて、前記複数の検知素子の欠陥を判定することと、
を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、赤外線装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
赤外線撮像装置は、複数の赤外線検知素子を含む赤外線検知器を有する。赤外線検知器の製造プロセスにおいて当該赤外線検知器の検知面が不均一になり得るので、当該赤外線検知器には、周辺の検知素子と大きく異なる特性をもつ欠陥素子が存在し得る。この欠陥素子による画質の劣化を改善するために、赤外線撮像装置では、例えば、周辺の検知素子に対応する周辺画素値を用いて、欠陥素子に対応する欠陥画素値が補正される。
【０００３】
工場出荷前では、欠陥素子の特定、及び欠陥画素の補正の設定は、工場において手動で行われ得る。一方、赤外線撮像装置の工場出荷後に、経年劣化などによって欠陥素子が増加した場合には、赤外線撮像装置は、欠陥素子を自ら特定し、当該欠陥素子に対応する欠陥画素を補正することが望ましい。
【０００４】
例えば、特許文献１には、赤外線撮像装置において、欠陥素子を判定し、当該欠陥素子に対応する欠陥画素を補正する技術が、開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３４１８８１２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１に開示されている技術では、欠陥素子を判定するために、例えば、赤外線撮像装置は、温度調節機能をもつ２つの基準温度板を備え、当該２つの基準温度板の温度が一定温度以上になるように調節される。仮に、赤外線撮像装置が、１つの基準温度板を備え、当該１つの基準温度板の温度を高温と低温とに調節する場合であっても、当該１つの基準温度板は、温度調節機能をもつことになる。このように、２つの温度基準板及び／又は温度調節機能に起因して、赤外線撮像装置が大型化し得る。
【０００７】
本発明の目的は、赤外線装置のサイズを抑えつつ、当該赤外線装置が経時的に（例えば工場出荷後）増加する欠陥素子（欠陥がある赤外線検知素子）に自律的に対応することを可能にすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の赤外線装置は、複数の検知素子を含む赤外線検知部と、温度調節機能をもたない基準赤外線放射板から放射される赤外線を上記赤外線検知部によって検知することにより生成される第１の赤外線データを記憶する第１記憶部と、上記基準赤外線放射板から放射される赤外線を上記赤外線検知部によって検知することにより上記第１の赤外線データよりも後に生成される第２の赤外線データと、上記第１の赤外線データとに基づいて、上記複数の検知素子の欠陥を判定する判定部と、を備える。
【０００９】
本発明の方法は、温度調節機能をもたない基準赤外線放射板から放射される赤外線を複数の検知素子を含む赤外線検知器によって検知することにより生成され、記憶される第１の赤外線データを取得することと、上記基準赤外線放射板から放射される赤外線を上記赤外線検知器によって検知することにより上記第１の赤外線データよりも後に生成される第２の赤外線データを取得することと、上記第１の赤外線データと上記第２の赤外線データとに基づいて、上記複数の検知素子の欠陥を判定することと、を含む。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、赤外線装置のサイズを抑えつつ、当該赤外線装置が経時的に（例えば工場出荷後）増加する欠陥素子（欠陥がある赤外線検知素子）に自律的に対応することが可能になる。なお、本発明により、当該効果の代わりに、又は当該効果とともに、他の効果が奏されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】関連技術に係る赤外線撮像装置の概略的な構成の例を示すブロック図である。
【図２】欠陥置換メモリに記憶される欠陥画素置換情報と欠陥置換補正回路の動作とを説明するための説明図である。
【図３】第１の実施形態に係る赤外線撮像装置の概略的な構成の例を示すブロック図である。
【図４】欠陥判定器の動作の例を説明するための説明図である。
【図５】差分データの算出の例を説明するための説明図である。
【図６】差分データ及び欠陥判定閾値に基づく欠陥の判定の例を説明するための説明図である。
【図７】ＦＰＮの分布の例を説明するための説明図である。
【図８】第１の実施形態に係る欠陥判定処理の概略的な流れの例を説明するためのフローチャートである。
【図９】第１の実施形態に係る補正処理の概略的な流れの例を説明するためのフローチャートである。
【図１０】第１の実施形態の第１の変形例に係る赤外線撮像装置の概略的な構成の例を示すブロック図である。
【図１１】第１の変形例における欠陥判定器の動作の例を説明するための説明図である。
【図１２】第１の実施形態の第１の変形例に係る欠陥判定処理の概略的な流れの例を説明するためのフローチャートである。
【図１３】、第２の実施形態に係る赤外線装置の概略的な構成の例を示すブロック図である。
【図１４】第２の実施形態に係る欠陥判定処理の概略的な流れの例を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付の図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、同様に説明されることが可能な要素については、同一の符号を付することにより重複説明が省略され得る。
【００１３】
説明は、以下の順序で行われる。
１．関連技術
２．本発明の実施形態の概要
３．第１の実施形態
３．１．赤外線撮像装置の構成
３．２．技術的特徴
３．３．第１の変形例
３．４．第２の変形例
４．第２の実施形態
４．１．赤外線装置の構成
４．２．技術的特徴
４．３．変形例
【００１４】
＜＜１．関連技術＞＞
図１及び図２を参照して、本発明の実施形態に関連する関連技術を説明する。
【００１５】
図１は、関連技術に係る赤外線撮像装置９００の概略的な構成の例を示すブロック図である。図１を参照すると、赤外線撮像装置９００は、レンズ９０１、チョッパーミラー９０３、温度調節器（高温）９０５、基準温度板（高温）９０７、温度調節器（低温）９０９、基準温度板（低温）９１１、赤外線検知器９１３、増幅回路９１５、ＡＤ変換回路９１７、フレームメモリ９１９、欠陥置換補正回路９２１、高温データメモリ９２３、低温データメモリ９２５、欠陥判定器９２７及び欠陥置換メモリ９２９を備える。
【００１６】
−欠陥画素値の補正
赤外線撮像装置９００は、赤外線撮像装置９００の外側にある被写体からの赤外線をレンズに９０１より赤外線検知器９１３にフォーカスする。当該赤外線は、赤外線検知器９１３において電気信号に変換され、当該電気信号は、増幅回路９１５及びＡＤ変換回路９１７を介して赤外線画像データに変換される。当該赤外線画像データは、フレームメモリ９１９に一時的に記憶され、その後、欠陥置換補正回路９２１に入力される。欠陥置換補正回路９２１は、欠陥置換メモリ９２９に記憶される情報に基づいて、欠陥画素値（即ち、欠陥素子に対応する欠陥画素の画素値）を補正する。例えば、欠陥置換補正回路９２１は、欠陥画素値を、欠陥画素の周辺画素（即ち、欠陥素子の周辺の検知素子に対応する画素）の画素値と置き換えることにより、上記欠陥画素値を補正する。
【００１７】
欠陥置換メモリ９２９は、欠陥画素置換情報を記憶する。当該欠陥画素置換情報は、各画素について、画素値の置換に関する置換情報を含む。例えば、当該置換情報は、置換なしを示す情報、又は、どの画素の画素値を用いて置換を行うかを示す情報である。例えば、置換情報が０であれば、当該置換情報は「置換なし」を示す。また、置換情報が１であれば、当該置換情報は「右側を用いて置換」を示し、置換情報が２であれば、当該置換情報は「左側を用いて置換」を示し、置換情報が３であれば、当該置換情報は「上側を用いて置換」を示し、置換情報が４であれば、当該置換情報は「下側を用いて置換」を示す。さらに、置換情報が５であれば、当該置換情報は「右上側を用いて置換」を示し、置換情報が６であれば、当該置換情報は「左上側を用いて置換」を示し、置換情報が７であれば、当該置換情報は「右下側を用いて置換」を示し、置換情報が８であれば、当該置換情報は「左下側を用いて置換」を示す。このような置換情報は、欠陥コードと呼ばれ得る。上記欠陥画素置換情報は、全画素についての置換情報（欠陥コード）を含む。
【００１８】
図２は、欠陥置換メモリ９２９に記憶される欠陥画素置換情報と欠陥置換補正回路９２１の動作とを説明するための説明図である。図２を参照すると、フレームメモリ９１９に一時的に記憶されるフレームメモリデータと、欠陥置換メモリ９２９に記憶される欠陥画素置換情報と、欠陥置換補正回路から出力される出力データとが示されている。欠陥画素置換情報は、Ｂ２画素についての欠陥コードとして１を含み、他の画素についての欠陥コードとして０を含む。そのため、欠陥置換補正回路９２１は、フレームメモリデータを取得し、当該フレームメモリデータのうちのＢ２画素の画素値「２０」を、右側にあるＣ２画素の画素値「１０２」と置き換える。その結果、出力データでは、Ｂ２画素の画素値は「１０２」となる。
【００１９】
−欠陥画素置換情報の更新
経年により欠陥素子が増加した場合には、欠陥置換メモリ９２９に記憶される欠陥画素置換情報を更新する必要がある。この更新のために、赤外線撮像装置９００は、レンズ９０１と赤外線検知器９１３との間に、チョッパーミラー９０３、基準温度板（高温）９０７及び基準温度板（低温）９１１を備える。赤外線撮像装置９００は、通常時には、赤外線撮像装置９００の外側に位置する被写体を撮像するが、欠陥置換メモリ９２９内の欠陥画素置換情報の更新時には、チョッパーミラー９０３を動作させ、基準温度板（高温）９０７及び基準温度板（低温）９１１をそれぞれ撮像する。基準温度板（高温）９０７及び基準温度板（低温）９１１の目的は、赤外線検知器９１３の全検知素子に対して均一の赤外線を入射させることである。なお、レンズ９０１の外側の被写体は、通常、輪郭を有するので、当該被写体によって全検知素子に対して均一の赤外線を入射させるのは困難である。
【００２０】
基準温度板（高温）９０７の撮像により生成される赤外線画像データ（以下、「高温データ」と呼ぶ）は、高温データメモリ９２３に記憶され、基準温度板（低温）９１１の撮像により生成される赤外線画像データ（以下、「低温データ」と呼ぶ）は、低温データメモリ９２５に記憶される。欠陥判定器９２７は、上記高温データ及び上記低温データを取得し、上記高温データと上記低温データとの差分データを算出する。当該差分データは、被写体の温度変化に対する画素値の変動量を表すので、ゲインデータを呼ぶ。欠陥判定器９２７は、当該ゲインデータに含まれる全画素値の平均を算出し、当該平均値から所定の閾値以上離れた画素値に欠陥があると判定する。換言すると、欠陥判定器９２７は、当該画素値に対応する画素及び検知素子に欠陥があると判定する。
【００２１】
この手法では、赤外線検知器９１３の被写体の温度変化に対する感度の特性（ゲイン）に基づいて、欠陥の判定が行われる。そのため、基準温度板（高温）９０７と基準温度板（低温）９１１との間には温度差が必要であり、赤外線撮像装置９００は、温度調節器（高温）９０５及び温度調節器（低温）９０９により、基準温度板（高温）９０７及び基準温度板（低温）９１１の温度を調節する。温度調節器（高温）９０５及び温度調節器（低温）９０９は、例えば、ペルチェ素子などである。温度調節器（高温）９０５及び温度調節器（低温）９０９は、それぞれ、基準温度板（高温）９０７及び基準温度板（低温）９１１に含まれていてもよい。
【００２２】
＜＜２．本発明の実施形態の概要＞＞
まず、本発明の実施形態の概要を説明する。
【００２３】
（１）技術的課題
例えば上述したような関連技術では、欠陥素子を判定するために、例えば、赤外線撮像装置は、温度調節機能をもつ２つの基準温度板を備え、当該２つの基準温度板の温度が一定温度以上になるように調節される。仮に、赤外線撮像装置が、１つの基準温度板を備え、当該１つの基準温度板の温度を高温と低温とに調節する場合であっても、当該１つの基準温度板は、温度調節機能をもつことになる。このように、２つの温度基準板及び／又は温度調節機能に起因して、赤外線撮像装置が大型化し得る。
【００２４】
そこで、本発明の実施形態は、例えば、赤外線装置のサイズを抑えつつ、当該赤外線装置が経時的に（例えば工場出荷後）増加する欠陥素子（欠陥がある赤外線検知素子）に自律的に対応することを可能にする。
【００２５】
（２）技術的特徴
本発明の実施形態では、例えば、温度調節機能をもたない基準赤外線放射板から放射される赤外線を赤外線検知器によって検知することにより生成される第１の赤外線データが、記憶される。そして、上記基準赤外線放射板から放射される赤外線を上記赤外線検知器によって検知することにより、第２の赤外線データが上記第１の赤外線データよりも後に生成される。そして、上記第１の赤外線データ及び上記第２の赤外線データに基づいて、上記赤外線検知器に含まれる複数の検知素子の欠陥が判定される。
【００２６】
これにより、例えば、赤外線撮像装置が経時的に（例えば工場出荷後）増加する欠陥素子（欠陥がある赤外線検知素子）に自律的に対応することが可能になる。また、温度調節機能が不要なため、赤外線撮像装置のサイズが抑えられ得る。
【００２７】
なお、上述した技術的特徴は本発明の実施形態の具体的な一例であり、当然ながら、本発明の実施形態は上述した技術的特徴に限定されない。
【００２８】
＜＜３．第１の実施形態＞＞
続いて、図３〜図１２を参照して、本発明の第１の実施形態を説明する。
【００２９】
＜３．１．赤外線撮像装置の構成＞
まず、図３を参照して、第１の実施形態に係る赤外線撮像装置１００の構成の例を説明する。図３は、第１の実施形態に係る赤外線撮像装置１００の概略的な構成の例を示すブロック図である。図３を参照すると、赤外線撮像装置１００は、レンズ１０１、基準赤外線放射板１０３、赤外線検知器１０５、増幅回路１０７、ＡＤ変換回路１０９、フレームメモリ１１１、欠陥置換補正回路１１３、ＦＰＮ（Fixed  Pattern  Noise）メモリ１１５、欠陥判定器１１７及び欠陥置換メモリ１１９を備える。
【００３０】
基準赤外線放射板１０３は、温度調節機能（例えば、ペルチェ素子など）をもたない。例えば、基準赤外線放射板１０３は、レンズ１０１と赤外線検知器１０５との間に位置し、開閉可能である。具体的には、例えば、基準赤外線放射板１０３は、赤外線撮像装置１００のシャッタである。これにより、ミラーが不要になり、赤外線撮像装置１００のサイズがさらに抑えられ得る。赤外線検知器１０５は、基準赤外線放射板１０３が閉じている間は、基準赤外線放射板１０３から放射される赤外線を検知し、基準赤外線放射板１０３が開いている間は、赤外線検知器１０５の外部からレンズ１０１を介して入射する赤外線を検知する。基準赤外線放射板１０３は、基準となる板であり、赤外線検知器１０５に赤外線を放射する。例えば、基準赤外線放射板１０３は、赤外線検知器１０５の検知素子に赤外線を一様に放射する。
【００３１】
赤外線検知器１０５は、複数の検知素子を含む。例えば、赤外線検知器１０５は、赤外線イメージセンサである。上記複数の検知素子は、ボロメータ型検知素子であってもよく、量子型検知素子であってもよく、あるいは他の種類の検知素子であってもよい。赤外線検知器１０５による赤外線の検知により、赤外線画像データが生成される。より具体的には、例えば、赤外線は、赤外線検知器１０５による検知によって電気信号に変換され、当該電気信号は、増幅回路１０７及びＡＤ変換回路１０９を介して赤外線画像データに変換される。上記複数の検知素子の各々は、上記赤外線画像データの画素に対応する。
【００３２】
ＦＰＮメモリ１１５は、基準赤外線放射板１０３から放射される赤外線を赤外線検知器１０５によって検知することにより生成される赤外線画像データを記憶する。例えば、当該赤外線画像データは、予め記憶されているデータである。より具体的には、例えば、当該赤外線画像データは、赤外線撮像装置１００の工場出荷時から記憶されているデータである。ＦＰＮメモリ１１５は、経年で増加した欠陥の判定のために使用される。
【００３３】
赤外線撮像装置１００の各構成要素についての他の詳細は、第１の実施形態の技術的特徴として後述する。
【００３４】
＜３．２．技術的特徴＞
次に、図４〜図９を参照して、第１の実施形態の技術的特徴（欠陥判定、及び、赤外線画像データの補正）を説明する。
【００３５】
（１）欠陥判定
第１の実施形態では、ＦＰＮメモリ１１５は、基準赤外線放射板１０３から放射される赤外線を赤外線検知器１０５によって検知することにより生成される第１の赤外線画像データを記憶する。また、当該第１の赤外線画像データよりも後に、第２の赤外線画像データが、基準赤外線放射板１０３から放射される赤外線を赤外線検知器１０５によって検知することにより生成される。例えば、当該第２の赤外線画像データは、フレームメモリ１１１に一時的に記憶される。そして、欠陥判定器１１７は、上記第１の赤外線画像データと上記第２の赤外線画像データとに基づいて、赤外線検知器１０５に含まれる複数の検知素子の欠陥を判定する。換言すると、欠陥判定器１１７は、上記第１の赤外線画像データと上記第２の赤外線画像データとに基づいて、赤外線検知器１０５を用いて生成される赤外線画像データの画素の欠陥を判定する。
【００３６】
上述したように上記第１の赤外線画像データはＦＰＮメモリ１１５に記憶されているので、以下では、上記第１の赤外線画像データは「ＦＰＮメモリデータ」とも呼ばれる。また、上述したように上記第２の赤外線画像データはフレームメモリ１１１に記憶されているので、以下では、上記第２の赤外線画像データは「フレームメモリデータ」とも呼ばれる。
【００３７】
（１−１）判定の手法
例えば、欠陥判定器１１７は、上記フレームメモリデータと上記ＦＰＮメモリデータとの差分データを算出し、当該差分データと所定の閾値（以下、「欠陥判定閾値」と呼ぶ）とに基づいて上記複数の検知素子の欠陥を判定する。
【００３８】
より具体的に、例えば、欠陥判定器１１７は、上記差分データに含まれる差分値の平均値を算出し、上記差分データのうちの、上記平均値から上記欠陥判定閾値以上離れている差分値を特定し、特定された当該差分値に対応する検知素子に欠陥があると判定する。換言すると、欠陥判定器１１７は、特定された当該差分値に対応する画素に欠陥があると判定する。
【００３９】
なお、例えば、欠陥置換メモリ１１９は、上記複数の検知素子のうちの欠陥素子を示す欠陥情報を記憶する。換言すると、当該欠陥情報は、赤外線検知器１０５を用いて生成される赤外線画像データの欠陥画素を示す。
【００４０】
（ａ）判定の例
以下、図４〜図６を参照して、欠陥の判定の例を説明する。図４は、欠陥判定器１１７の動作の例を説明するための説明図である。図５は、上記差分データの算出の例を説明するための説明図である。図６は、上記差分データ及び上記欠陥判定閾値に基づく欠陥の判定の例を説明するための説明図である。
【００４１】
図４を参照すると、フレームメモリ１１１、ＦＰＮメモリ１１５、欠陥判定器１１７及び欠陥置換メモリ１１９が示されている。ＦＰＮメモリ１１５には、第１の赤外線画像データ（ＦＰＮメモリデータ）が予め（例えば赤外線撮像装置１００の工場出荷時から）記憶されている。欠陥判定のために、まず、赤外線撮像装置１００は、基準赤外線放射板１０３（例えばシャッタ）を閉じた状態で撮像を行うことにより第２の赤外線画像データを生成し、フレームメモリ１１１に一時的に記憶する。欠陥判定器１１７は、ＦＰＮメモリデータ（上記第１の赤外線画像データ）及びフレームメモリデータ（上記第２の赤外線画像データ）を取得し、これらのデータの差分データを算出する。そして、欠陥判定器１１７は、当該差分データに基づいて欠陥判定を行う。その結果、欠陥素子（欠陥画素）があれば、欠陥置換メモリ１１９に記憶される欠陥情報が更新される。一例として、当該欠陥情報は、図２に示されるような欠陥画素置換情報であり、画素ごとの欠陥コードを含む。例えば、欠陥素子（欠陥画素）があれば、当該欠陥素子（欠陥画素）に対応する欠陥コードが更新される。
【００４２】
図５を参照すると、フレームメモリデータ、ＦＰＮメモリデータ及び差分データの例が示されている。例えば、ＦＰＮメモリデータ内のＡ１画素の画素値（２００）とフレームメモリデータ内のＡ１画素の画素値（１００）との差分（１００）が、差分データ内のＡ１画素の差分値として算出される。例えば、ＦＰＮメモリデータ内のＡ２画素の画素値（２５０）とフレームメモリデータ内のＡ１画素の画素値（１５０）との差分（１００）が、差分データ内のＡ３画素の差分値として算出される。このような差分値は、検知素子に欠陥がなかったとしても生じる。その理由は、ＦＰＮメモリ１１５にＦＰＮメモリデータが記憶された時点（例えば工場出荷時）と、欠陥判定の時点とで、基準赤外線放射板１０３の温度が異なり、その結果、基準赤外線放射板１０３から放射される赤外線の量が異なるためである。
【００４３】
図６を参照すると、画素ごとの差分値が示されている。図６に示されている差分値は、図５に示される差分データに含まれる差分値である。欠陥判定器１１７は、差分データに含まれる差分値の平均値（９７．１）を算出する。そして、欠陥判定器１１７は、この平均値（９７．１）から欠陥判定閾値ＴｈｒＦＰＮ（８）以上離れている差分値を特定する。この例では、Ａ３画素の差分値（７０）が特定される。即ち、この例では、差分値の正常範囲が８９．１〜１０５.１であり、Ａ３画素の差分値は、当該正常範囲外にあり、異常値として特定される。そのため、欠陥判定器１１７は、Ａ３画素に対応する検知素子（又はＡ３画素）に欠陥があると判定する。
【００４４】
（ｂ）欠陥の判定が可能である理由
図７を参照して、上述したような差分値から欠陥の判定が可能である理由を説明する。
【００４５】
図７は、ＦＰＮの分布の例を説明するための説明図である。図７を参照すると、赤外線検知器１０５を用いて生成される赤外線画像データに含まれる画素値の分布が示されている。ここでは、当該分布は、ＦＰＮの分布と呼ばれ得る。分布１１は、ＦＰＮメモリに記憶されている上記第２の赤外線画像データ（ＦＰＮメモリデータ）の分布であり、基準赤外線放射板１０３がある温度である際の分布である。一方、分布１３は、基準赤外線放射板１０３が別の温度である際の分布である。
【００４６】
この例では、例えば赤外線検知器１０５の検知素子に欠陥が発生していないが、図７に示されるように、分布１１及び分布１３の形状は、ほぼ直線状にはなっておらず、凹凸を含む。なぜならば、赤外線検知器１０５の全検知素子に一様に赤外線が入射すると理論上出力は均一となるが、実際には検知素子間の特性の差異に起因してＦＰＮ（Fixed  Pattern  Noise）と呼ばれる出力誤差が生じるからである。
【００４７】
さらに、図７に示されるように、分布１３は、分布１１よりも下に位置するが、分布１３の形状は、分布１１の形状とほぼ同じである。なぜならば、ＦＰＮの分布は、撮像時の被写体の温度（及び検知器自体の温度）に応じて上下にシフトするが、ＦＰＮの分布の形状は、当該温度に応じてほとんど変化しないからである。なぜならば、ＦＰＮの分布の形状に大きな影響を与えるのは、検知素子の特性（ボロメータ型検知素子の場合には電気抵抗値、量子型検知素子の場合には暗電流）であり、当該特性の変化がなければ、ＦＰＮの分布の形状はあまり変化しないからである。
【００４８】
逆に言えば、検知素子の特性がある程度変化すれば、ＦＰＮの分布の形状もある程度変化し、また、当該検知素子の欠陥が発生する。よって、ＦＰＮの分布の形状がある程度変化するならば、検知素子の特性（例えば、電気抵抗値又は暗電流など）がある程度変化しており、当該検知素子に欠陥があると判定することができる。
【００４９】
ＦＰＮの分布の形状がある程度変化したか（即ち、検知素子に欠陥があるか）は、ＦＰＮの分布の差分（即ち、差分データ）に基づいて判定することができる。なぜならば、ＦＰＮの分布の差分が直線に近ければ（即ち、差分値が平均値付近の値であれば）、ＦＰＮの分布の形状がほとんど変化していないことが分かり、ＦＰＮの分布の差分に離散点があれば（即ち、平均値から離れた差分値があれば）、ＦＰＮの分布の形状がある程度変化したことが分かるからである。
【００５０】
例えば以上のように、差分値から欠陥の判定が可能である。
【００５１】
なお、本実施形態では、温度が異なる２つの被写体間での変化量ではなく、（温度に依存しない）ＦＰＮの分布の形状の変化（即ち、経年による検知素子の特性の変化）に着目しているので、２つの基準温度板は不要であり、また、温度調節自体も不要である。仮に、フレームメモリデータの生成時の基準赤外線放射板１０３の温度と、ＦＰＮメモリデータの生成時の基準赤外線放射板１０３の温度とがほとんど同じ（又は完全に同じ）であったとしても、差分データに含まれる差分値の平均値が０付近になるにすぎず、欠陥判定には影響しない。
【００５２】
（ｃ）欠陥判定閾値
上記欠陥判定閾値（図６のＴｈｒＦＰＮ）の設定手法の例を説明する。
【００５３】
例えば、赤外線検知器１０５に含まれる検知素子は、ボロメータ型検知素子である。ボロメータ型検知素子は、抵抗体である。ボロメータ型検知素子に入射する赤外線の量に応じて、当該ボロメータ型検知素子の抵抗値がわずかに変化し、電流が変化する。この電流の変化が電気信号として出力される。室温付近の被写体の温度が１℃変化すると、ボロメータの抵抗値は、０．０１％程度変化する。例えば、被写体の温度の変化による抵抗値の変化（０．０１％程度の変化）とくらべて十分大きな変化（例えば０．１％以上の変化）があった場合に、検知素子（画素）に欠陥があると判定される。
【００５４】
例えば、以下のように、図６のＴｈｒＦＰＮが設定される。
【００５５】
【数１】
0006763172.tif 000002
【００５６】
[AD_R]：ＡＤ変換回路１０９の全階調数（ＬＳＢ）
[FPNp-p]：全階調数に対するＦＰＮメモリデータのピークピーク値（最大値と最小値との差）の割合（％）
[ΔR]：検知素子間での抵抗値のばらつき（％）
[R_Thr]：欠陥とみなされる抵抗値の変化量（％）
【００５７】
一例として、[AD_R]は１０００ＬＳＢであり、[FPNp-p]は８０％であり（即ち、１０００ＬＳＢの８０％に画素値がばらついており）、[ΔR]は、１０％であり（即ち、検知素子間での抵抗値のばらつきは、全検知素子の抵抗値の平均値の１０％の範囲でばらついており）、[R_Thr]は０．１％である（即ち、０．１％の変化で欠陥とみなされる）。この場合に、ＴｈｒＦＰＮは、以下のように算出される。
【００５８】
【数２】
0006763172.tif 000003
【００５９】
（１−２）処理の流れ
図８を参照して、第１の実施形態に係る欠陥判定処理の例を説明する。図８は、第１の実施形態に係る欠陥判定処理の概略的な流れの例を説明するためのフローチャートである。
【００６０】
欠陥判定器１１７は、フレームメモリ１１１からフレームメモリデータを取得する（Ｓ２０１）。
【００６１】
欠陥判定器１１７は、ＦＰＮメモリ１１５からＦＰＮメモリデータを取得する（Ｓ２０３）。
【００６２】
そして、欠陥判定器１１７は、上記フレームメモリデータと上記ＦＰＮメモリデータとの差分データを算出する（Ｓ２０５）。
【００６３】
その後、欠陥判定器１１７は、上記差分データと欠陥判定閾値とに基づいて、赤外線検知器１０５に含まれる複数の検知素子の欠陥を判定する（Ｓ２０７）。
【００６４】
検知素子の欠陥があると判定されれば（Ｓ２０７：ＹＥＳ）、欠陥置換メモリ１１９に記憶される欠陥情報が更新される（Ｓ２０９）。そして、処理は終了する。
【００６５】
検知素子の欠陥がなしと判定されれば（Ｓ２０７：ＮＯ）、欠陥情報の更新なしに処理は終了する。
【００６６】
（２）赤外線画像データの補正
例えば、欠陥置換補正回路１１３は、赤外線を赤外線検知器１０５によって検知することにより生成される赤外線画像データのうちの、欠陥素子に対応する欠陥画素値を補正する。換言すると、欠陥置換補正回路１１３は、欠陥画素の画素値（欠陥画素値）を補正する。
【００６７】
（２−１）補正の手法
例えば、欠陥置換補正回路１１３は、上記赤外線画像データのうちの、上記欠陥素子の周辺の検知素子に対応する周辺画素値を用いて、上記欠陥画素値を補正する。即ち、欠陥置換補正回路１１３は、欠陥画素の周辺画素の画素値（周辺画素値）を用いて、上記欠陥画素値を補正する。
【００６８】
より具体的には、例えば、欠陥置換補正回路１１３は、上記欠陥画素値を上記周辺画素値に置き換えることにより上記欠陥画素値を補正する。
【００６９】
例えば、赤外線撮像装置１００は、基準赤外線放射板１０３を開き、赤外線撮像装置１００の外側にある被写体からの赤外線をレンズに１０１より赤外線検知器１０５にフォーカスする。当該赤外線は、赤外線検知器１０５において電気信号に変換され、当該電気信号は、増幅回路１０７及びＡＤ変換回路１０９を介して赤外線画像データに変換される。当該赤外線画像データは、フレームメモリ１１１に一時的に記憶され、その後、欠陥置換補正回路１１３に入力される。欠陥置換補正回路１１３は、欠陥置換メモリ１１９に記憶される欠陥情報（例えば、欠陥画素置換情報）に基づいて、欠陥画素値（即ち、欠陥素子に対応する欠陥画素の画素値）を補正する。例えば、欠陥置換補正回路１１３は、欠陥画素値を、欠陥画素の周辺画素（即ち、欠陥素子の周辺の検知素子に対応する画素）の画素値と置き換えることにより、上記欠陥画素値を補正する。
【００７０】
（２−２）処理の流れ
図９を参照して、第１の実施形態に係る補正処理の例を説明する。図９は、第１の実施形態に係る補正処理の概略的な流れの例を説明するためのフローチャートである。
【００７１】
欠陥置換補正回路１１３は、フレームメモリ１１１からフレームメモリデータを取得する（Ｓ２２１）。
【００７２】
欠陥置換補正回路１１３は、欠陥置換メモリ１１９に記憶されている欠陥情報（例えば、欠陥画素置換情報）に基づいて、欠陥（欠陥素子又は欠陥画素）があるか（即ち、補正が必要であるか）を確認する（Ｓ２２３）。
【００７３】
欠陥があれば（Ｓ２２３：ＹＥＳ）、欠陥置換補正回路１１３は欠陥画素値を補正し（Ｓ２２５）、処理は終了する。
欠陥がなければ（Ｓ２２３：ＮＯ）、補正なしに処理は終了する。
【００７４】
以上、第１の実施形態（変形例を除く）を説明した。第１の実施形態によれば、赤外線撮像装置１００が経時的に（例えば工場出荷後）増加する欠陥素子（欠陥がある赤外線検知素子）に自律的に対応することが可能になる。また、温度調節機能が不要なため、赤外線撮像装置１００のサイズが抑えられ得る。
【００７５】
＜３．３．第１の変形例＞
次に、図１０〜図１２を参照して、第１の実施形態の第１の変形例を説明する。
【００７６】
とりわけ第１の変形例では、ＦＰＮメモリ１１５に記憶される赤外線画像データ（ＦＰＮメモリデータ）が更新される。即ち、ＦＰＮメモリ１１５は、検知素子に欠陥があると判定される場合に、上記第１の赤外線画像データの代わりに、上記第２の赤外線画像データを新たに記憶する。
【００７７】
なお、その後、欠陥判定器１１７は、基準赤外線放射板１０３から放射される赤外線を赤外線検知器１０５によって検知することにより上記第２の赤外線データ（新たなＦＰＮメモリデータ）よりも後に生成される第３の赤外線データと、上記第２の赤外線データとに基づいて、上記複数の検知素子の欠陥を判定し得る。
【００７８】
（１）具体的な構成及び動作
以下、図１０及び図１１を参照して、第１の変形例に係る具体的な構成及び動作の例を説明する。
【００７９】
図１０は、第１の実施形態の第１の変形例に係る赤外線撮像装置１００の概略的な構成の例を示すブロック図である。図１０を参照すると、図３に示される構成と比べて、欠陥判定器１１７からＦＰＮメモリ１１５へのルートが増えている。当該ルートは、ＦＰＮメモリデータを更新するためのものである。
【００８０】
図１１は、第１の変形例における欠陥判定器１１７の動作の例を説明するための説明図である。図４の例と同様に、欠陥判定器１１７は、ＦＰＮメモリデータとフレームメモリデータとの差分データを算出し、当該差分データに基づいて欠陥判定を行う。その結果、欠陥素子（欠陥画素）があれば、欠陥置換メモリ１１９に記憶される欠陥情報が更新される。一例として、当該欠陥情報は、図２に示されるような欠陥画素置換情報であり、画素ごとの欠陥コードを含む。例えば、欠陥素子（欠陥画素）があれば、当該欠陥素子（欠陥画素）に対応する欠陥コードが更新される。さらに、とりわけ第１の変形例では、欠陥素子（欠陥画素）があれば、欠陥判定器１１７は、フレームメモリデータをＦＰＮメモリ１１５に入力し、ＦＰＮメモリデータを更新する。
【００８１】
このようなＦＰＮメモリデータの更新により、例えば、欠陥置換メモリ１１９に記憶される欠陥情報の更新の頻度が低くなり得る。具体的には、例えば、ＦＰＮメモリデータが更新されない場合には、欠陥素子が増加していなくても、１つ以上の欠陥素子があれば、欠陥判定の都度、欠陥素子があると判定され、欠陥置換メモリ１１９内の欠陥情報が更新される。そのため、欠陥情報の更新の頻度が高くなり得る。一方、第１の変形例のようにＦＰＮメモリデータが更新される場合には、欠陥素子が新たに発生しない限り（即ち、特性変化が新たに発生しない限り）、欠陥素子があるとは判定されず、欠陥置換メモリ１１９内の欠陥情報が更新されない。換言すると、欠陥素子が新たに発生した場合に限り、欠陥置換メモリ１１９内の欠陥情報が更新される。よって、第１の変形例によれば、欠陥情報が更新の頻度が低くなり得る。ここで、工場出荷時に記憶させる欠陥置換メモリ１１９は、頻繁に更新しないため、不揮発性メモリが使用される。不揮発性メモリデータの更新は、揮発性メモリデータの更新と比べて処理により多くの時間を要するので、このように欠陥情報の更新の頻度が低くなることが望ましい。
【００８２】
（２）処理の流れ
図１２を参照して、第１の実施形態に係る欠陥判定処理の例を説明する。図１２は、第１の実施形態の第１の変形例に係る欠陥判定処理の概略的な流れの例を説明するためのフローチャートである。
【００８３】
ステップＳ２４１〜Ｓ２４７についての説明は、例えば、図８のステップＳ２０１〜Ｓ２０７についての説明と同じである。よって、ここでは重複する説明を省略し、ステップＳ２４９及びＳ２５１のみを説明する。
【００８４】
検知素子の欠陥があると判定されれば（Ｓ２４７：ＹＥＳ）、欠陥置換メモリ１１９に記憶される欠陥情報が更新される（Ｓ２４９）。さらに、フレームメモリデータが、ＦＰＮメモリ１１５に新たに記憶される。即ち、ＦＰＮメモリデータが更新され、上記フレームメモリデータが新たなＦＰＮメモリデータとなる。そして、処理は終了する。
【００８５】
＜３．４．第２の変形例＞
次に、第１の実施形態の第２の変形例を説明する。
【００８６】
第１の実施形態の上述した例では、赤外線撮像装置への適用例であったが、第１の実施形態はこの例に限定されない。第２の変形例では、上述した技術的特徴は、赤外線撮像装置ではなく、他の種類の撮像装置に適用されてもよい。
【００８７】
第２の変形例に係る撮像装置は、複数の検知素子を含む検知器を備えてもよい。例えば、当該検知器は、いずれかのイメージセンサであってもよい。さらに、上記撮像装置は、（例えば温度調節機能をもたない）基準放射板から放射される電磁波を上記検知器によって検知することにより生成される第１の画像データを記憶するＦＰＮメモリを備えてもよい。上記電磁波は、赤外線以外の電磁波（例えば、可視光又は電波など）であってもよい。また、上記撮像装置は、上記基準放射板から放射される電磁波を上記検知器によって検知することにより上記第１の画像データよりも後に生成される第２の画像データと、上記第１の画像データとに基づいて、上記複数の検知素子の欠陥を判定する欠陥判定器、を備えてもよい。
【００８８】
例えば、第１の実施形態の上述した例は、「赤外線」、「赤外線検知器」、「基準赤外線放射板」及び「赤外線画像データ」をそれぞれ「電磁波」、「検知器」、「基準放射板」及び「画像データ」と読み替えることにより、第２の変形例に適用されてもよい。
【００８９】
一例として、上記電磁波は、可視光であってもよい。この場合に、上記検知器は、ＣＣＤ（Charge  Coupled  Device）イメージセンサ又はＣＭＯＳ（Complementary  MOS）イメージセンサであってもよい。
【００９０】
以上、第２の変形例を説明した。第２の変形例によれば、撮像装置が経時的に（例えば工場出荷後）増加する欠陥素子（欠陥がある赤外線検知素子）に自律的に対応することが可能になる。また、温度調節機能が不要なため、撮像装置のサイズが抑えられ得る。
【００９１】
＜＜４．第２の実施形態＞＞
続いて、図１３及び図１４を参照して、本発明の第２の実施形態を説明する。上述した第１の実施形態は、具体的な実施形態であるが、第２の実施形態は、より一般化された実施形態である。
【００９２】
＜４．１．赤外線装置の構成＞
まず、図１３を参照して、第２の実施形態に係る赤外線装置３００の構成の例を説明する。図１３は、第２の実施形態に係る赤外線装置３００の概略的な構成の例を示すブロック図である。図１３を参照すると、赤外線装置３００は、赤外線検知部３１０、第１記憶部３２０及び判定部３３０を備える。
【００９３】
赤外線検知部３１０は、複数の検知素子を含む。赤外線検知部３１０による赤外線の検知により、赤外線データが生成される。より具体的には、例えば、赤外線は、赤外線検知部３１０による検知によって電気信号に変換され、当該電気信号は、赤外線データに変換される。
【００９４】
例えば、赤外線装置３００は、赤外線撮像装置であり、赤外線検知部３１０は、赤外線イメージセンサであり、上記赤外線データは、赤外線画像データである。例えば、上記複数の検知素子の各々は、上記赤外線画像データの画素に対応する。上記複数の検知素子は、ボロメータ型検知素子であってもよく、量子型検知素子であってもよく、あるいは他の種類の検知素子であってもよい。
【００９５】
第１記憶部３２０は、温度調節機能をもたない基準赤外線放射板から放射される赤外線を赤外線検知部３１０によって検知することにより生成される赤外線データを記憶する。
【００９６】
赤外線装置３００は、上記基準赤外線放射板をさらに備えてもよい。上記基準赤外線放射板は、赤外線装置３００のシャッタであってもよい。上記基準赤外線放射板は、基準となる板であり、赤外線検知部３１０に赤外線を放射する。例えば、上記基準赤外線放射板は、赤外線検知部３１０の検知素子に赤外線を一様に放射する。
【００９７】
一例として、赤外線装置３００は、第１の実施形態に係る赤外線撮像装置１００と同様の構成を有し、同様に動作してもよい。赤外線検知部３１０は、第１の実施形態に係る赤外線検知器１０５と同様に動作してもよく、第１記憶部３２０は、第１の実施形態に係るＦＰＮメモリ１１５と同様にデータを記憶してもよく、判定部３３０は、欠陥判定器１１７と同様に動作してもよく、上記基準赤外線放射板は、基準赤外線放射板１０３と同様であってもよい。赤外線装置３００は、赤外線撮像装置１００の他の構成要素（例えば、レンズ１０１、増幅回路１０７、ＡＤ変換回路１０９、フレームメモリ１１１、欠陥置換補正回路１１３及び／又は欠陥置換メモリ１１９）と同様の構成要素をさらに含んでもよい。そのため、第１の実施形態における説明は、第２の実施形態における説明として適用されてもよい。一例として、赤外線装置３００は、上記複数の検知素子のうちの欠陥素子を示す欠陥情報を記憶する第２記憶部をさらに備えてもよく、当該第２記憶部は、欠陥置換メモリ１１９と同様に情報を記憶してもよい。別の例として、赤外線装置３００は、赤外線を赤外線検知部３１０によって検知することにより生成される赤外線データのうちの、欠陥素子に対応する欠陥値を補正する補正部、をさらに備えてもよく、当該補正部は、欠陥置換補正回路１１３と同様に動作してもよい。当然ながら、第２の実施形態は、この例に限定されない。
【００９８】
赤外線装置３００の各構成要素についての他の詳細は、第２の実施形態の技術的特徴として後述する。
【００９９】
＜４．２．技術的特徴＞
次に、図１４を参照して、第２の実施形態の技術的特徴（欠陥判定）を説明する。
【０１００】
第２の実施形態では、第１記憶部３２０は、温度調節機能をもたない基準赤外線放射板から放射される赤外線を赤外線検知部３１０によって検知することにより生成される赤外線データを記憶する。また、当該第１の赤外線データよりも後に、第２の赤外線データが、上記基準赤外線放射板から放射される赤外線を赤外線検知部３１０によって検知することにより生成される。そして、判定部３３０は、上記第１の赤外線データと上記第２の赤外線データとに基づいて、赤外線検知部３１０に含まれる複数の検知素子の欠陥を判定する。
【０１０１】
例えば、上記第１の赤外線データ及び上記第２の赤外線データの各々は、赤外線画像データである。
【０１０２】
（１）判定の手法
一例として、第２の実施形態における欠陥の判定は、第１の実施形態における欠陥の判定と同様に行われる。そのため、第１の実施形態における説明は、第２の実施形態における説明として適用されてもよい。当然ながら、第２の実施形態は、この例に限定されない。
【０１０３】
（２）処理の流れ
図１４を参照して、第２の実施形態に係る欠陥判定処理の例を説明する。図１４は、第２の実施形態に係る欠陥判定処理の概略的な流れの例を説明するためのフローチャートである。
【０１０４】
判定部３３０は、温度調節機能をもたない基準赤外線放射板から放射される赤外線を複数の検知素子を含む赤外線検知部３１０によって検知することにより生成され、記憶される第１の赤外線データを取得する（Ｓ４０１）。
【０１０５】
判定部３３０は、上記基準赤外線放射板から放射される赤外線を赤外線検知部３１０によって検知することにより上記第１の赤外線データよりも後に生成される第２の赤外線データを取得する（Ｓ４０３）。
【０１０６】
判定部３３０は、上記第１の赤外線データと上記第２の赤外線データとに基づいて、上複数の検知素子の欠陥を判定する（Ｓ４０５）。
【０１０７】
なお、当然ながら、上記欠陥判定処理は、他のステップ（例えば、欠陥情報の更新など）をさらに含んでもよい。
【０１０８】
以上、第２の実施形態（変形例を除く）を説明した。第２の実施形態によれば、赤外線装置３００が経時的に（例えば工場出荷後）増加する欠陥素子に自律的に対応することが可能になる。また、温度調節機能が不要なため、赤外線装置３００のサイズが抑えられ得る。
【０１０９】
＜４．３．変形例＞
次に、第２の実施形態の変形例を説明する。
【０１１０】
第２の実施形態の上述した例では、赤外線装置への適用例であったが、第２の実施形態はこの例に限定されない。変形例では、上述した技術的特徴は、赤外線装置ではなく、他の種類の装置に適用されてもよい。
【０１１１】
変形例に係る装置は、複数の検知素子を含む検知部を備えてもよい。さらに、当該装置は、（例えば温度調節機能をもたない）基準放射板から放射される電磁波を上記検知部によって検知することにより生成される第１のデータを記憶する第１の記憶部を備えてもよい。上記電磁波は、赤外線以外の電磁波（例えば、可視光又は電波など）であってもよい。また、上記装置は、上記基準放射板から放射される電磁波を上記検知部によって検知することにより上記第１のデータよりも後に生成される第２のデータと、上記第１のデータとに基づいて、上記複数の検知素子の欠陥を判定する判定部、を備えてもよい。
【０１１２】
例えば、第２の実施形態の上述した例は、「赤外線」、「赤外線検知部」、「基準赤外線放射板」及び「赤外線データ」をそれぞれ「電磁波」、「検知部」、「基準放射板」及び「データ」と読み替えることにより、変形例に適用されてもよい。
【０１１３】
変形例に係る上記装置は、撮像装置であってもよく、上記第１のデータ及び上記第２のデータの各々は、画像データであってもよい。
【０１１４】
一例として、上記電磁波は、可視光であってもよい。この場合に、上記検知器は、ＣＣＤ（Charge  Coupled  Device）イメージセンサ又はＣＭＯＳ（Complementary  MOS）イメージセンサであってもよい。
【０１１５】
以上、変形例を説明した。変形例によれば、装置が経時的に（例えば工場出荷後）増加する欠陥素子（欠陥がある赤外線検知素子）に自律的に対応することが可能になる。また、温度調節機能が不要なため、装置のサイズが抑えられ得る。
【０１１６】
以上、本発明の実施形態を説明した。本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々に変形して実施をすることが可能である。上述した実施形態は例示であり、実施形態の組合せやそれらの各構成要素や各処理プロセスの組合せに様々な変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは、当業者に理解されるところである。
【０１１７】
例えば、本明細書に記載されている処理におけるステップは、必ずしもフローチャートに記載された順序に沿って時系列に実行されなくてよい。例えば、処理におけるステップは、フローチャートとして記載した順序と異なる順序で実行されても、並列的に実行されてもよい。
【０１１８】
また、本明細書において説明した各装置の構成要素を備えるモジュールが提供されてもよい。また、当該構成要素の処理を含む方法が提供されてもよく、当該構成要素の処理をプロセッサに実行させるためのプログラムが提供されてもよい。また、当該プログラムを記録した記録媒体が提供されてもよい。当然ながら、このようなモジュール、方法、プログラム及び記録媒体も本発明に含まれる。
【０１１９】
上記実施形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載され得るが、以下には限られない。
【０１２０】
（付記１）
複数の検知素子を含む赤外線検知部と、
温度調節機能をもたない基準赤外線放射板から放射される赤外線を前記赤外線検知部によって検知することにより生成される第１の赤外線データを記憶する第１記憶部と、
前記基準赤外線放射板から放射される赤外線を前記赤外線検知部によって検知することにより前記第１の赤外線データよりも後に生成される第２の赤外線データと、前記第１の赤外線データとに基づいて、前記複数の検知素子の欠陥を判定する判定部と、
を備える赤外線装置。
【０１２１】
（付記２）
前記判定部は、前記第１の赤外線データと前期第２の赤外線データとの差分データを算出し、当該差分データと所定の閾値とに基づいて前記複数の検知素子の欠陥を判定する、付記１に記載の赤外線装置。
【０１２２】
（付記３）
前記判定部は、前記差分データに含まれる差分値の平均値を算出し、前記差分データのうちの、前記平均値から前記所定の閾値以上離れている差分値を特定し、特定された当該差分値に対応する検知素子に欠陥があると判定する、付記２に記載の赤外線装置。
【０１２３】
（付記４）
前記複数の検知素子のうちの欠陥素子を示す欠陥情報を記憶する第２記憶部をさらに備える、付記１〜３のいずれか１項に記載の赤外線装置。
【０１２４】
（付記５）
赤外線を前記赤外線検知部によって検知することにより生成される赤外線データのうちの、前記欠陥素子に対応する欠陥値を補正する補正部、をさらに備える、付記４に記載の赤外線装置。
【０１２５】
（付記６）
前記補正部は、前記赤外線データのうちの、前記欠陥素子の周辺の検知素子に対応する周辺値を用いて、前記欠陥値を補正する、付記５に記載の赤外線装置。
【０１２６】
（付記７）
前記補正部は、前記欠陥値を前記周辺値に置き換えることにより前記欠陥値を補正する、付記６に記載の赤外線装置。
【０１２７】
（付記８）
前記第１の赤外線データは、予め記憶されているデータである、付記１〜７のいずれか１項に記載の赤外線装置。
【０１２８】
（付記９）
前記第１の赤外線データは、前記赤外線装置の工場出荷時から記憶されているデータである、付記８に記載の赤外線装置。
【０１２９】
（付記１０）
前記第１記憶部は、検知素子に欠陥があると判定される場合に、前記第１の赤外線データの代わりに、前記第２の赤外線データを新たに記憶し、
前記判定部は、前記基準赤外線放射板から放射される赤外線を前記赤外線検知部によって検知することにより前記第２の赤外線データよりも後に生成される第３の赤外線データと、前記第２の赤外線データとに基づいて、前記複数の検知素子の欠陥を判定する、
付記１〜９のいずれか１項に記載の赤外線装置。
【０１３０】
（付記１１）
前記赤外線装置は、前記基準赤外線放射板をさらに備える、付記１〜１０のいずれか１項に記載の赤外線装置。
【０１３１】
（付記１２）
前記基準赤外線放射板は、前記赤外線装置のシャッタである、付記１１に記載の赤外線装置。
【０１３２】
（付記１３）
前記赤外線装置は、赤外線撮像装置であり、
前記第１の赤外線データ及び前記第２の赤外線データの各々は、赤外線画像データである、
付記１〜１２のいずれか１項に記載の赤外線装置。
【０１３３】
（付記１４）
温度調節機能をもたない基準赤外線放射板から放射される赤外線を複数の検知素子を含む赤外線検知器によって検知することにより生成され、記憶される第１の赤外線データを取得することと、
前記基準赤外線放射板から放射される赤外線を前記赤外線検知器によって検知することにより前記第１の赤外線データよりも後に生成される第２の赤外線データを取得することと、
前記第１の赤外線データと前記第２の赤外線データとに基づいて、前記複数の検知素子の欠陥を判定することと、
を含む方法。
【０１３４】
（付記１５）
複数の検知素子を含む検知部と、
温度調節機能をもたない基準放射板から放射される電磁波を前記検知部によって検知することにより生成される第１のデータを記憶する第１記憶部と、
前記基準放射板から放射される電磁波を前記検知部によって検知することにより前記第１のデータよりも後に生成される第２のデータと、前記第１のデータとに基づいて、前記複数の検知素子の欠陥を判定する判定部と、
を備える装置。
【０１３５】
（付記１６）
前記電磁波は可視光である、付記１５に記載の装置。
【０１３６】
（付記１７）
前記装置は、撮像装置であり、
前記第１のデータ及び前記第２のデータの各々は、画像データである、付記１５又は１６に記載の装置。
【０１３７】
（付記１８）
温度調節機能をもたない基準放射板から放射される電磁波を複数の検知素子を含む検知器によって検知することにより生成され、記憶される第１のデータを取得することと、
前記基準放射板から放射される電磁波を前記検知器によって検知することにより前記第１のデータよりも後に生成される第２のデータを取得することと、
前記第１のデータと前記第２のデータとに基づいて、前記複数の検知素子の欠陥を判定することと、
を含む方法。
【符号の説明】
【０１３８】
１００    赤外線撮像装置
１０３    基準赤外線放射板
１０５    赤外線検知器
１１３    欠陥置換補正回路
１１５    ＦＰＮ（Fixed  Pattern  Noise）メモリ
１１７    欠陥判定器
１１９    欠陥置換メモリ
３００    赤外線装置
３１０    赤外線検知部
３２０    第１記憶部
３３０    判定部
【図１】
0006763172.tif 000004
【図２】
0006763172.tif 000005
【図３】
0006763172.tif 000006
【図４】
0006763172.tif 000007
【図５】
0006763172.tif 000008
【図６】
0006763172.tif 000009
【図７】
0006763172.tif 000010
【図８】
0006763172.tif 000011
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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