(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
機械遮断部、半導体遮断部および転流装置を備える直流遮断器であって、
前記機械遮断部は、
固定接触子および可動接触子を有し、大地から電気的に絶縁された機械接点部と、
前記機械接点部および絶縁性ガスを封入し、大地から電気的に絶縁された密閉容器と、
前記可動接触子に連結され、前記密閉容器の内部から外部に延出した操作ロッドと、
前記操作ロッドに連結され、前記可動接触子を前記固定接触子に対して接離させるとともに、前記可動接触子と同電位に設けられた操作機構と、
を含む少なくとも１つの単体遮断部を有する、少なくとも１つの機械遮断ユニットと、
前記少なくとも１つの機械遮断ユニットを支持する絶縁支柱と、
を備え、
前記半導体遮断部は、
複数の自励式半導体素子を直列接続した半導体スタックを含む半導体モジュールと、
前記半導体モジュールに対して並列接続されたアレスタと、
を備え、
前記転流装置は、
一対の自励式半導体素子を直列接続した一対のレグとコンデンサとを並列接続して構成された転流回路と、
前記転流回路に対して直列接続された転流調整リアクトルと、
を備え、
前記機械遮断部は、電流遮断接点、および前記電流遮断接点と比較して耐電圧性能が高いまたは同等の高耐電圧接点を備え、
前記少なくとも１つの機械遮断ユニットは、前記少なくとも１つの単体遮断部が配置されるとともに前記絶縁支柱に支持された機械遮断部支持板をさらに備え、
前記少なくとも１つの単体遮断部は、第１単体遮断部および第２単体遮断部を含み、
前記第１単体遮断部は、前記電流遮断接点および前記高耐電圧接点のうちいずれか一方を構成し、
前記第２単体遮断部は、前記電流遮断接点および前記高耐電圧接点のうちいずれか一方を構成し、
前記第１単体遮断部および前記第２単体遮断部は、それぞれの前記操作ロッドが前記操作機構により同一直線上で動作し、かつ前記操作機構による前記操作ロッドの動作方向が互いに逆方向となるように配置され、かつそれぞれの前記操作機構が互いに対向するように配置され、
前記第１単体遮断部の前記密閉容器の少なくとも一部は、水平方向で前記機械遮断部支持板の外側に配置され、
前記第２単体遮断部の前記密閉容器の少なくとも一部は、水平方向で前記機械遮断部支持板の外側に配置され、
前記電流遮断接点および前記高耐電圧接点は、直列接続されて機械接点モジュールを形成し、
前記機械接点モジュールの両端は、直流送電系統に接続され、
前記転流回路および前記転流調整リアクトルは、前記電流遮断接点に対して並列接続され、
前記転流回路は、前記転流調整リアクトルよりも前記高耐電圧接点側に接続され、
前記半導体モジュールは、前記高耐電圧接点および前記転流回路に対して並列接続されている、
直流遮断器。
【請求項２】
前記少なくとも１つの機械遮断ユニットは、前記絶縁支柱に対して鉛直方向に複数段に積み重ねられた複数の機械遮断ユニットを含み、
前記複数の機械遮断ユニットのそれぞれにおける前記第１単体遮断部の前記密閉容器および前記第２単体遮断部の前記密閉容器は、互いにユニット内ブスバーにより直列接続され、
前記複数の機械遮断ユニットは、鉛直方向で隣り合う第１機械遮断ユニットおよび第２機械遮断ユニットを含み、
前記第１機械遮断ユニットの前記第１単体遮断部の前記密閉容器における水平方向で前記機械遮断部支持板の外側に配置された部分、および前記第２機械遮断ユニットの前記第２単体遮断部の前記密閉容器における水平方向で前記機械遮断部支持板の外側に配置された部分は、互いにユニット間ブスバーにより直列接続されている、
請求項１に記載の直流遮断器。
【請求項３】
前記少なくとも１つの機械遮断ユニットが備える前記機械遮断部支持板は、金属材料により形成され、前記操作機構と同電位に設けられている、
請求項１または請求項２に記載の直流遮断器。
【請求項４】
前記第１単体遮断部の前記操作機構、および前記第２単体遮断部の前記操作機構は、互いに接触している、
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の直流遮断器。
【請求項５】
前記第１単体遮断部および前記第２単体遮断部の両方は、前記高耐電圧接点および前記電流遮断接点のうちいずれか一方を構成している、
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の直流遮断器。
【請求項６】
前記単体遮断部は、前記操作機構による前記操作ロッドの動作方向が前記絶縁支柱の延在方向に沿うように配置されている、
請求項１に記載の直流遮断器。
【請求項７】
前記絶縁支柱は、振動を吸収するダンパ部材を備える、
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の直流遮断器。
【請求項８】
前記機械遮断部は、建屋内に設置され、
前記絶縁支柱は、前記建屋の天井から吊り下げられている、
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の直流遮断器。
【請求項９】
前記半導体遮断部は、前記半導体モジュールおよび前記アレスタのうち少なくともいずれか一方が配置された半導体遮断部支持板を備え、
前記転流装置は、前記転流回路および前記転流調整リアクトルのうち少なくともいずれか一方が配置された転流装置支持板を備え、
前記機械遮断部支持板は、前記半導体遮断部支持板および前記転流装置支持板のうち少なくともいずれか一方と一体化している、
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の直流遮断器。
【請求項１０】
固定接触子および可動接触子を有し、大地から電気的に絶縁された機械接点部と、
前記機械接点部および絶縁性ガスを封入し、大地から電気的に絶縁された密閉容器と、
前記可動接触子に連結され、前記密閉容器の内部から外部に延出した操作ロッドと、
前記操作ロッドに連結され、前記可動接触子を前記固定接触子に対して接離させるとともに、前記可動接触子と同電位に設けられた操作機構と、
を含む少なくとも１つの単体遮断部を有する、少なくとも１つの機械遮断ユニットと、
前記少なくとも１つの機械遮断ユニットを支持する絶縁支柱と、
電流遮断接点、および前記電流遮断接点と比較して耐電圧性能が高いまたは同等の高耐電圧接点と、
を備え、
前記少なくとも１つの機械遮断ユニットは、前記少なくとも１つの単体遮断部が配置されるとともに前記絶縁支柱に支持された機械遮断部支持板をさらに備え、
前記少なくとも１つの単体遮断部は、第１単体遮断部および第２単体遮断部を含み、
前記第１単体遮断部は、前記電流遮断接点および前記高耐電圧接点のうちいずれか一方を構成し、
前記第２単体遮断部は、前記電流遮断接点および前記高耐電圧接点のうちいずれか一方を構成し、
前記第１単体遮断部および前記第２単体遮断部は、それぞれの前記操作ロッドが前記操作機構により同一直線上で動作し、かつ前記操作機構による前記操作ロッドの動作方向が互いに逆方向となるように配置され、かつそれぞれの前記操作機構が互いに対向するように配置され、
前記第１単体遮断部の前記密閉容器の少なくとも一部は、水平方向で前記機械遮断部支持板の外側に配置され、
前記第２単体遮断部の前記密閉容器の少なくとも一部は、水平方向で前記機械遮断部支持板の外側に配置され、
前記電流遮断接点および前記高耐電圧接点は、直列接続されて機械接点モジュールを形成し、
前記機械接点モジュールの両端は、直流送電系統に接続されている、
直流遮断器用の機械遮断装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、直流遮断器、直流遮断器用の機械遮断装置、および直流遮断器用の半導体遮断装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
直流送電は、交流送電に比べて送電効率が高い。対して設備の導入コストは直流送電の方が高コストとなる。しかし長距離送電や海中送電等では、直流送電の送電効率が圧倒的に高いため、設備コストに運用コストを加えて評価すると、直流送電の方が総合的に低コストとなる。このため、直流送電は、例えば海を挟んだ２箇所の拠点間での送電に利用されている。近年、発電電力のうち再生可能エネルギーを用いた発電電力の比率を向上させ、より大きな電力を再生可能エネルギーで賄うために、洋上風力発電や砂漠地帯での太陽光発電等を用いて、主要な電力消費地である都市部から遠く離れた場所で大規模な発電を行い、長距離送電する方法が検討されている。それに伴い、複数の電力の供給地点と需要地点とを接続した直流送電網の構築が計画されている。【０００３】
３箇所以上の拠点間を接続した送電網を構築する際には、送電網で事故が発生した場合に、事故点を健全な系統から迅速に遮断可能な装置が必要となる。一般的に、交流電流系統においては機械接点式遮断器が用いられている。機械接点式遮断器は、交流電流によって発生する電流ゼロ点において接点を開極し、絶縁性媒体を接点間のアーク電流に吹き付けることで事故電流を遮断するものである。これに対して直流送電系統においては、事故電流には電流ゼロ点が発生しないため、従来の機械接点式遮断器では事故電流を迅速に遮断するのは難しいとされている。【０００４】
そこで、単独で直流電流を遮断可能な半導体遮断器として、ＩＧＢＴ（ＩｎｓｕｌａｔｅｄＧａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の、自己消弧能力をもつ複数の自励式半導体素子を用いた半導体遮断器が提案されている。しかし、送電する電力の全てが複数の自励式半導体素子を常時通過するため大きな導通損失が発生し、通常運転時の送電効率の低下を招いてしまう。【０００５】
この問題を解決するために、機械接点式断路器と補助半導体遮断器とを直列に接続した回路に、もう１つの半導体遮断器を並列に接続するハイブリッド遮断器が提案されている。このハイブリッド遮断器において、定常送電時は機械接点式断路器と補助半導体遮断器とが導通状態になっており、上記のもう１つの半導体遮断器が遮断状態になっている。よって送電電流は機械接点式断路器と補助半導体遮断器とを流れる。【０００６】
また、事故発生時においては、補助半導体遮断器を遮断状態にするのと同時に機械接点式断路器には開極指令が与えられる。このように補助半導体遮断器が遮断状態となることで、機械接点式断路器と補助半導体遮断器との経路に流れる事故電流が、上記のもう１つの半導体遮断器へと転流される。そして機械接点式断路器の開極動作が完了し、定常通電経路の耐電圧性能を確保した後に、上記のもう１つの半導体遮断器を遮断することで、事故電流の遮断が完了する。【０００７】
このようなハイブリッド遮断器は、定常通電時における導通損失が補助半導体遮断器の導通損失だけであるため、定常通電経路を、上記のように単独で直流電流を遮断可能な半導体遮断器のみとした構成に比べて導通損失を低減することが出来る。しかしながら補助半導体遮断器の通電損失は未だ発生してしまうため、従来のような、定常通電経路が機械接点のみで構成される機械接点式遮断器に比べると、ハイブリッド遮断器は、導通損失が大きい。【０００８】
そこで、半導体遮断器と、ハーフブリッジ回路で構成される転流回路とを直列に接続した回路に、機械接点式遮断器を並列に接続する直流遮断器が提案されている。この直流遮断器において、定常送電時は機械接点式断路器が導通状態になっており、半導体遮断器および転流回路が遮断状態になっている。よって、定常送電時における送電電流は機械接点式断路器のみを流れる。【０００９】
また、事故発生時においては、機械接点式遮断器に開極指令が与えられ、半導体遮断器が導通状態とされ、転流回路に転流指令が与えられる。すると、転流回路は、機械接点式遮断器に流れる事故電流とは逆の方向に電流を流して機械接点式遮断器の電流にゼロ点を生成し、この機械接点式遮断器が開極することで、事故電流が機械接点式遮断器から半導体遮断器および転流回路へと転流する。事故電流転流後、半導体遮断器が遮断されることで事故電流の遮断が完了する。
このような直流遮断器は、定常通電経路が機械接点式遮断器のみで構成されるため、導通損失を大幅に低減することが可能となる。【００１０】
一般的な機械接点式遮断器は、接離可能に設けられた固定接点および可動接点と、固定接点および可動接点を内部に封入する金属タンクと、可動接点を固定接点に対して接離させるように駆動する操作機構と、を備えている。金属タンクの内部には、絶縁性媒体が充填されている。金属タンクは、接地され、固定接点および可動接点に対して電気的に絶縁されている。操作機構は、接地され、金属タンクの外側に配置されるとともに、金属タンクを貫通するシールロッド、および金属タンク内でシールロッドと連結する絶縁操作ロッドを介して金属タンク内の可動接点に連結されている。【００１１】
ところで、直流送電系統の高電圧化に伴って、機械接点式遮断器は各部における耐電圧性能を向上させる必要がある。つまり、上記の機械接点式遮断器においては、高電圧化に伴って、高電圧部の固定接点および可動接点と、接地された金属タンクとの距離を広げ、電気的に絶縁する必要がある。また、高電圧化に伴い、１つの機械接点式遮断器で所望の遮断性能が得られない場合、複数の機械接点式遮断器を直列に接続して遮断性能を向上させる場合がある。この場合も、直列接続した全ての機械接点式遮断器において、高電圧部の固定接点および可動接点と、接地された金属タンクとの距離を広げ、電気的に絶縁する必要がある。その結果、機械接点式遮断器が大型化してしまう。直流遮断器は洋上に建造したプラットフォーム上での運用が想定されており、機械接点式遮断器の大型化によりプラットフォームの建造コストが増加する場合がある。さらに、高電圧化に伴って、高電圧部の可動接点と、接地された操作機構とを連結する絶縁ロッドも長尺化する。その結果、操作機構の可動部の質量が増加するので、固定接点と可動接点との開極速度が低下し、遮断動作の応答性が低下する場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】日本国特開２０１６−１８７２７５号公報
【特許文献２】国際公開２０１１／０５７６７５号パンフレット
【特許文献３】国際公開２０１３／１３１５８２号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明が解決しようとする課題は、高電圧化が容易で、大型化を抑制し、かつ遮断動作の応答性を確保できる直流遮断器、直流遮断器用の機械遮断装置、および直流遮断器用の半導体遮断装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
実施形態の直流遮断器は、機械遮断部、半導体遮断部および転流装置を持つ。機械遮断部は、少なくとも１つの機械遮断ユニットと、少なくとも１つの機械遮断ユニットを支持する絶縁支柱と、を持つ。機械遮断ユニットは、少なくとも１つの単体遮断部を持つ。単体遮断部は、機械接点部と、密閉容器と、操作ロッドと、操作機構と、を持つ。機械接点部は、固定接触子および可動接触子を持つ。機械接点部は、大地から電気的に絶縁されている。密閉容器は、機械接点部および絶縁性ガスを封入する。密閉容器は、大地から電気的に絶縁されている。操作ロッドは、可動接触子に連結されている。操作ロッドは、密閉容器の内部から外部に延出している。操作機構は、操作ロッドに連結されている。操作機構は、可動接触子を固定接触子に対して接離させる。操作機構は、可動接触子と同電位に設けられている。半導体遮断部は、半導体モジュールと、アレスタと、を持つ。半導体モジュールは、複数の自励式半導体素子を直列接続した半導体スタックを持つ。アレスタは、半導体モジュールに対して並列接続されている。転流装置は、転流回路と、転流調整リアクトルと、を持つ。転流回路は、一対の自励式半導体素子を直列接続した一対のレグとコンデンサとを並列接続して構成されている。転流調整リアクトルは、転流回路に対して直列接続されている。機械遮断部は、電流遮断接点および高耐電圧接点を持つ。高耐電圧接点は、電流遮断接点と比較して耐電圧性能が高いまたは同等である。少なくとも１つの機械遮断ユニットは、機械遮断部支持板をさらに持つ。機械遮断部支持板には、少なくとも１つの単体遮断部が配置される。機械遮断部支持板は、絶縁支柱に支持される。機械遮断部支持板は、操作機構と同電位に設けられている。少なくとも１つの単体遮断部は、第１単体遮断部および第２単体遮断部を持つ。第１単体遮断部は、電流遮断接点および高耐電圧接点のうちいずれか一方を形成する。第２単体遮断部は、電流遮断接点および高耐電圧接点のうちいずれか一方を形成する。第１単体遮断部および第２単体遮断部は、それぞれの操作ロッドが操作機構により同一直線上で動作するように配置されている。第１単体遮断部および第２単体遮断部は、操作機構による操作ロッドの動作方向が互いに逆方向となるように配置されている。第１単体遮断部および第２単体遮断部は、それぞれの操作機構が互いに対向するように配置されている。第１単体遮断部の密閉容器の少なくとも一部は、水平方向で機械遮断部支持板の外側に配置されている。第２単体遮断部の密閉容器の少なくとも一部は、水平方向で機械遮断部支持板の外側に配置されている。電流遮断接点および高耐電圧接点は、直列接続されて機械接点モジュールを形成する。機械接点モジュールの両端は、直流送電系統に接続される。転流回路および転流調整リアクトルは、電流遮断接点に対して並列接続されている。転流回路は転流調整リアクトルよりも高耐電圧接点側に接続されている。半導体モジュールは、高耐電圧接点および転流回路に対して並列接続されている。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１の実施形態の直流遮断器を示す斜視図。
【図２】第１の実施形態の直流遮断器を模式的に示す斜視図。
【図３】第１の実施形態の機械遮断部を示す斜視図。
【図４】高耐電圧接点を示す断面図。
【図５】電流遮断接点を示す断面図。
【図６】第１の実施形態の機械遮断部を模式的に示す斜視図。
【図７】第１の実施形態の半導体遮断部を示す斜視図。
【図８】第１の実施形態の半導体遮断部を模式的に示す斜視図。
【図９】第１の実施形態の転流装置を示す斜視図。
【図１０】転流回路を示す回路図。
【図１１】第１の実施形態の転流装置を模式的に示す斜視図。
【図１２】第１の実施形態の直流遮断器を模式的に示す回路図。
【図１３】高耐電圧接点の変形例を示す断面図。
【図１４】第２の実施形態の機械遮断部を模式的に示す正面図。
【図１５】第３の実施形態の機械遮断部を模式的に示す正面図。
【図１６】第４の実施形態の機械遮断部を模式的に示す正面図。
【図１７】第５の実施形態の機械遮断部を模式的に示す正面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、実施形態の直流遮断器、直流遮断器用の機械遮断装置、および直流遮断器用の半導体遮断装置を、図面を参照して説明する。なお以下の説明では、同一または類似の機能を有する構成に同一の符号を付す。そして、それら構成の重複する説明は省略する場合がある。
【００１７】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態の直流遮断器を示す斜視図である。図２は、第１の実施形態の直流遮断器を模式的に示す斜視図である。
図１および図２に示すように、直流遮断器１は、機械遮断部２（機械遮断装置）と、半導体遮断部３（半導体遮断装置）と、転流装置４と、を備えている。
【００１８】
図３は、第１の実施形態の機械遮断部を示す斜視図である。
図１および図３に示すように、機械遮断部２は、複数（図示の例では４個）の機械遮断ユニット１０と、機械遮断ユニット１０を支持する複数（図示の例では４本）の絶縁支柱１２と、を備えている。複数の機械遮断ユニット１０は、絶縁支柱１２に対して鉛直方向に複数段に積み重ねられている。
【００１９】
機械遮断ユニット１０は、一対の単体遮断部１４と、電源部３０と、制御部３１と、一対の単体遮断部１４（第１単体遮断部および第２単体遮断部）、電源部３０および制御部３１が固定配置された機械遮断部支持板３３と、を備えている。単体遮断部１４は、高耐電圧接点１４Ａまたは電流遮断接点１４Ｂを構成している。本実施形態では、機械遮断ユニット１０は、高耐電圧接点１４Ａのみ、または電流遮断接点１４Ｂのみを備えている。具体的に、最上段の機械遮断ユニット１０は、一対の電流遮断接点１４Ｂを備えている。また、その他の機械遮断ユニット１０は、一対の高耐電圧接点１４Ａを備えている。高耐電圧接点１４Ａは、電流遮断接点１４Ｂと比較して耐電圧性能が高いまたは同等の断路器であることが好適である。電流遮断接点１４Ｂは、高耐電圧接点１４Ａと比較して電流遮断性能の高い遮断器であることが好適である。耐電圧性能が高い断路器とは、例えば、ガス接点を有するガス断路器である。電流遮断性能が高い遮断器とは、例えば、真空バルブを有する真空遮断器である。
【００２０】
図４は、高耐電圧接点を示す断面図である。
図４に示すように、高耐電圧接点１４Ａを構成する単体遮断部１４の機械接点部１６は、ガス接点である。高耐電圧接点１４Ａを構成する単体遮断部１４は、固定接触子１７および可動接触子１８を有する機械接点部１６と、機械接点部１６および絶縁性ガスを封入する密閉容器２０と、固定接触子１７に連結された固定ロッド２５と、可動接触子１８に連結された操作ロッド２６と、操作ロッド２６に連結された操作機構２７と、機械接点部１６に対して並列接続されたコンデンサ２９（図１および図３参照）と、を備えている。
【００２１】
機械接点部１６は、耐電圧性能の高い接点である。固定接触子１７および可動接触子１８は、互いに接離可能に設けられている。機械接点部１６は、固定接触子１７および可動接触子１８を開離させることで開極する。機械接点部１６を通る通電路は、固定接触子１７および可動接触子１８を開離させることで開路する。以下の高耐電圧接点１４Ａに関する説明では、固定接触子１７および可動接触子１８が接離する方向を第１方向と称する。本実施形態では、第１方向は、水平の一方向である。
【００２２】
密閉容器２０は、絶縁性ガスとして、例えば六フッ化硫黄（ＳＦ６）ガス等を封入している。密閉容器２０は、円筒状の絶縁筒２１と、絶縁筒２１の両端開口を閉塞する第１フランジ２２および第２フランジ２３と、を備えている。絶縁筒２１は、第１方向に沿って延びている。絶縁筒２１は、例えば絶縁材料により形成された碍管である。第１フランジ２２および第２フランジ２３は、それぞれ金属材料により形成されている。
【００２３】
固定ロッド２５は、金属材料により形成されている。固定ロッド２５は、第１方向に沿って延在している。固定ロッド２５は、密閉容器２０内で第１フランジ２２と固定接触子１７とを連結している。固定ロッド２５は、固定接触子１７と一体的に形成されていてもよい。固定ロッド２５は、固定接触子１７と第１フランジ２２とを電気的に導通している。
【００２４】
操作ロッド２６は、例えば全体が金属材料により形成されている。操作ロッド２６は、第１方向に沿って延在している。操作ロッド２６は、密閉容器２０内で可動接触子１８に連結され、第２フランジ２３に設けられた貫通孔２３ａを通って密閉容器２０の外側に延出している。操作ロッド２６は、可動接触子１８と一体的に形成されていてもよい。操作ロッド２６は、密閉容器２０の内部の気密を保ちつつ、第２フランジ２３に対して摺動可能に設けられている。操作ロッド２６は、可動接触子１８と第２フランジ２３とを電気的に導通している。
【００２５】
操作機構２７は、動力源を電力とした応答性の高い電磁アクチュエータである。電磁アクチュエータは、例えば電磁反発操作機構である。電磁反発操作機構は、操作ロッド２６と連結した良導体の金属板と、金属板と対向するように設置したコイルと、を有する。駆動時はコイルに電流を印加し、金属板に逆方向の誘導電流を発生させ、金属板にコイルと逆方向の反発力を与えて操作ロッド２６を動作させる。操作機構２７は、密閉容器２０の外側において、第１方向で第２フランジ２３と並んで配置されている。操作機構２７は、支持部２８を介して第２フランジ２３に固定されている。支持部２８は、例えば全体が金属材料により形成されている。操作機構２７は、操作ロッド２６を第１方向に往復動作させる。これにより、操作機構２７は、操作ロッド２６に連結された可動接触子１８を変位させ、可動接触子１８を固定接触子１７に対して接離させる。
【００２６】
図１および図３に示すように、コンデンサ２９は、密閉容器２０の外側に配置されている。コンデンサ２９は、第１フランジ２２および第２フランジ２３に接続されている。コンデンサ２９は、高抵抗の円筒に誘電体を封入し、両端に電極を備えており、静電容量と抵抗を持つ。コンデンサ２９は、電流遮断時および開極状態の機械接点部１６（図４参照）にかかる電圧を調整する。
【００２７】
図５は、電流遮断接点を示す断面図である。
図５に示すように、電流遮断接点１４Ｂを構成する単体遮断部１４の機械接点部３６は、真空バルブである。電流遮断接点１４Ｂを構成する単体遮断部１４は、固定接触子３７および可動接触子３８を有する真空バルブ４４である機械接点部３６と、機械接点部３６を封入する密閉容器４０と、固定接触子３７に連結された固定ロッド４５と、可動接触子３８に連結された操作ロッド４６と、操作ロッド４６に連結された操作機構４７と、機械接点部３６に対して並列接続されたコンデンサ４９（図１および図３参照）と、を備えている。
【００２８】
機械接点部３６は、電流ゼロ点において電流を機械的に遮断可能な接点である。固定接触子３７および可動接触子３８は、互いに接離可能に設けられている。機械接点部３６は、固定接触子３７および可動接触子３８を開離させることで開極する。機械接点部３６を通る通電路は、固定接触子３７および可動接触子３８を開離させることで開路する。以下の電流遮断接点１４Ｂに関する説明では、固定接触子３７および可動接触子３８が接離する方向を第２方向と称する。本実施形態では、第２方向は、水平の一方向である。
【００２９】
真空バルブ４４は、内部を真空に保っている。真空バルブ４４は、固定接触子３７と、可動接触子３８と、円筒状の絶縁筒４４ａと、絶縁筒４４ａの両端開口を閉塞する第１フランジ４４ｂおよび第２フランジ４４ｃと、絶縁筒４４ａの内側に設けられたベローズ４４ｄと、を備えている。絶縁筒４４ａは、第２方向に沿って延びている。絶縁筒４４ａは、例えば絶縁材料により形成された碍管である。第１フランジ４４ｂおよび第２フランジ４４ｃは、それぞれ金属材料により形成されている。
【００３０】
固定接触子３７は、真空バルブ４４内で第１フランジ４４ｂと連結されている。固定接触子３７は、第１フランジ４４ｂと電気的に導通している。可動接触子３８は、第２フランジ４４ｃに設けられた貫通孔４４ｅを通って真空バルブ４４の外側に延出している。可動接触子３８は、第２フランジ４４ｃに対して摺動可能に設けられている。可動接触子３８は、第２フランジ４４ｃと電気的に導通している。
【００３１】
ベローズ４４ｄは、絶縁筒４４ａの内部において、可動接触子３８を囲うように配置されている。ベローズ４４ｄの一端部は、第２フランジ４４ｃに固定されている。ベローズ４４ｄの他端部は、可動接触子３８の周面に固定されている。ベローズ４４ｄは、可動接触子３８を絶縁筒４４ａに対して第２方向に変位可能としつつ、真空バルブ４４内の真空を外部と遮断している。
【００３２】
密閉容器４０は、絶縁性ガスとして、例えば六フッ化硫黄（ＳＦ６）ガス等を封入している。密閉容器４０は、円筒状の絶縁筒４１と、絶縁筒４１の両端開口を閉塞する第１フランジ４２および第２フランジ４３と、を備えている。絶縁筒４１は、第２方向に沿って延びている。絶縁筒４１は、例えば絶縁材料により形成された碍管である。第１フランジ４２および第２フランジ４３は、それぞれ金属材料により形成されている。
【００３３】
固定ロッド４５は、金属材料により形成されている。固定ロッド４５は、第２方向に沿って延在している。固定ロッド４５は、密閉容器４０内で第１フランジ４２と第１フランジ４４ｂとを連結している。固定ロッド４５は、第１フランジ４４ｂと一体的に形成されていてもよい。固定ロッド４５は、固定接触子３７と、第１フランジ４４ｂと、第１フランジ４２とを電気的に導通している。
【００３４】
操作ロッド４６は、例えば全体が金属材料により形成されている。操作ロッド４６は、第２方向に沿って延在している。操作ロッド４６は、密閉容器４０内で可動接触子３８に連結され、第２フランジ４３に設けられた貫通孔４３ａを通って密閉容器４０の外側に延出している。操作ロッド４６は、可動接触子３８と一体的に形成されていてもよい。操作ロッド４６は、第２フランジ４３に対して摺動可能に設けられている。操作ロッド４６は、可動接触子３８と第２フランジ４３とを電気的に導通している。
【００３５】
操作機構４７は、動力源を電力とした応答性の高い電磁アクチュエータである。電磁アクチュエータは、例えば電磁反発操作機構である。電磁反発操作機構は、操作ロッド４６と連結した良導体の金属板と、金属板と対向するように設置したコイルと、を有する。駆動時はコイルに電流を印加し、金属板に逆方向の誘導電流を発生させ、金属板にコイルと逆方向の反発力を与えて操作ロッド４６を動作させる。操作機構４７は、密閉容器４０の外側において、第２方向で第２フランジ４３と並んで配置されている。操作機構４７は、支持部４８を介して第２フランジ４３に固定されている。支持部４８は、例えば全体が金属材料により形成されている。操作機構４７は、操作ロッド４６を第２方向に往復動作させる。これにより、操作機構４７は、操作ロッド４６に連結された可動接触子３８を変位させ、可動接触子３８を固定接触子３７に対して接離させる。
【００３６】
図１および図３に示すように、コンデンサ４９は、密閉容器４０の外側に配置されている。コンデンサ４９は、第１フランジ４２および第２フランジ４３に接続されている。コンデンサ４９は、高抵抗の円筒に誘電体を封入し、両端に電極を備えており、静電容量と抵抗を持つ。コンデンサ４９は、電流遮断時および開極状態の機械接点部３６（図５参照）にかかる電圧を調整する。
【００３７】
図１、図３、図４および図５に示すように、各機械遮断ユニット１０において、機械遮断部支持板３３に配置された一対の単体遮断部１４は、それぞれの操作ロッド２６，４６が操作機構２７，４７による機械接点部１６，３６の開極動作時に同一直線上で動作するように配置されている。具体的に、各機械遮断ユニット１０において、各単体遮断部１４の操作ロッド２６，４６は、同一直線上に延在している。さらに、各機械遮断ユニット１０において、機械遮断部支持板３３に配置された一対の単体遮断部１４は、操作機構２７，４７による機械接点部１６，３６の開極動作時の操作ロッド２６，４６の動作方向が互いに逆方向になるように配置されている。具体的に、機械遮断部支持板３３に配置された一対の単体遮断部１４は、それぞれの操作機構２７，４７が互いに対向して接触するように配置されている。また、一の機械遮断ユニット１０の単体遮断部１４、および他の機械遮断ユニット１０の単体遮断部１４は、鉛直方向から見て同一直線上で動作するように配置されている。
【００３８】
さらに、各機械遮断ユニット１０において、機械遮断部支持板３３に配置された一対の単体遮断部１４の密閉容器２０，４０は、水平方向で機械遮断部支持板３３の外側に配置されている。なお、図示の例では、密閉容器２０，４０の全体が水平方向で機械遮断部支持板３３の外側に配置されているが、密閉容器２０，４０の一部のみが水平方向で機械遮断部支持板３３の外側に配置されていてもよい。具体的に、密閉容器２０，４０における固定接触子１７，３７と同電位の箇所（例えば第１フランジ２２，４２）が水平方向で機械遮断部支持板３３の外側に配置されていればよい。
ここで、水平方向で機械遮断部支持板３３の外側に配置されていることにつき図１を参照して、別の表現で説明する。
例えば、上述した第一方向を投射線と見立てると、機械遮断部支持板３３を構成する４つの辺のうち投射線とねじれの位置関係にある２つの辺を含む２つの垂直投影面を定義することができる。この２つの垂直投影面によって区切られた空間（操作機構２７、４７が存在する側の空間）から密閉容器２０，４０の少なくとも一部が突出して配置されていればよい。
【００３９】
各単体遮断部１４において、機械接点部１６，３６は、大地から電気的に絶縁されている。また、各単体遮断部１４において、操作機構２７，４７は、機械接点部１６，３６の可動接触子１８，３８、および機械遮断部支持板３３と同電位に設けられている。具体的に、操作機構２７，４７は、基準電位が機械接点部１６，３６の可動接触子１８，３８、および機械遮断部支持板３３と同電位となるように設けられている。
【００４０】
各単体遮断部１４において、密閉容器２０，４０は、大地から電気的に絶縁されている。また、密閉容器２０，４０は、機械接点部１６，３６の開極時に、固定接触子１７，３７と可動接触子１８，３８とを電気的に絶縁する。
【００４１】
図１および図３に示すように、電源部３０は、同じ機械遮断部支持板３３に配置された一対の単体遮断部１４の操作機構２７，４７に電力を供給する。電源部３０は、基準電位が操作機構２７，４７と同電位になるように設けられている。電源部３０は、例えば、機械接点部１６，３６（図４および図５参照）の開極動作時に操作機構２７，４７に電力を供給するコンデンサと、機械接点部１６，３６の閉極動作時に操作機構２７，４７に電力を供給するコンデンサと、それぞれのコンデンサの充電装置と、それぞれのコンデンサを充電状態に保持し、電力供給時には放電するスイッチング素子と、を備えている（いずれも不図示）。地上から充電装置への電源供給には、例えば、絶縁トランスや、レーザー給電装置、電磁誘導式ワイヤレス給電装置など、地上と電源部３０とを電気的に絶縁しつつ電力供給が可能な給電装置を用いる（いずれも不図示）。
【００４２】
制御部３１は、同じ機械遮断部支持板３３に配置された電源部３０および操作機構２７，４７の状態監視を行う。また、制御部３１は、同じ機械遮断部支持板３３に配置された電源部３０から操作機構２７，４７への電力供給を制御する。
【００４３】
図１および図３に示すように、例えば、機械遮断部支持板３３は、アルミニウム合金等の金属材料により形成されている。機械遮断部支持板３３は、平面視矩形状に形成されている。機械遮断部支持板３３は、絶縁支柱１２に対して鉛直方向に複数段積層されている。機械遮断部支持板３３は、単体遮断部１４が遮断動作する方向（第一方向）に対して平行に設置されている。
【００４４】
絶縁支柱１２は、例えば碍子や、ポリマー、繊維強化プラスチック等により形成されている。絶縁支柱１２は、基礎５に立設されている。絶縁支柱１２は、鉛直方向に沿って延びている。各絶縁支柱１２は、複数段に積層された各機械遮断部支持板３３の角部を支持している。絶縁支柱１２は、複数の機械遮断ユニット１０を互いに電気的に絶縁するとともに、各機械遮断ユニット１０を基礎５に対して電気的に絶縁しつつ機械的に接続している。
【００４５】
絶縁支柱１２の長さは、電流遮断時において鉛直方向で隣り合う機械遮断ユニット１０同士を絶縁でき、かつ通電時において機械遮断ユニット１０の全体を大地から電気的に絶縁できるように設定されている。つまり、絶縁支柱１２のうち鉛直方向で隣り合う一対の機械遮断ユニット１０間に設けられた部分の長さは、電流遮断時において機械遮断ユニット１０同士を電気的に絶縁できるように設定されている。また、絶縁支柱１２のうち最も下方に位置する機械遮断ユニット１０と基礎５との間に設けられた部分の長さは、通電時において複数の機械遮断ユニット１０の全体を大地から電気的に絶縁できるように設定されている。
【００４６】
本実施形態では、絶縁支柱１２のうち最も下方に位置する機械遮断ユニット１０と基礎５との間に設けられた部分の長さは、鉛直方向で隣り合う一対の機械遮断ユニット１０間に設けられた部分の長さよりも長い。また、絶縁支柱１２のうち最も下方に位置する機械遮断ユニット１０と基礎５との間に設けられた部分の長さは、鉛直方向で隣り合う一対の機械遮断ユニット１０間に設けられた部分の長さの総和よりも短い。なお、各絶縁支柱１２は、下端から上端に亘って連続して延びていてもよいし、各機械遮断部支持板３３を挟むように複数に分割されていてもよい。
【００４７】
図６は、第１の実施形態の機械遮断部を模式的に示す斜視図である。なお、図６では、機械遮断部支持板３３に配置された一対の単体遮断部１４を１つの単体遮断部１４とみなして図示している。また、図６では、各機械遮断ユニット１０の電源部３０および制御部３１の図示を省略している。
図１、図３および図６に示すように、各機械遮断ユニット１０における一対の単体遮断部１４は、第２フランジ２３，４３同士を接続するユニット内ブスバー５１により直列接続されている。鉛直方向で隣り合う任意の一対の機械遮断ユニット１０において、第１機械遮断ユニット１０の第１単体遮断部１４の第１フランジ２２，４２、および第２機械遮断ユニット１０の第２単体遮断部１４の第１フランジ２２，４２は、互いにユニット間ブスバー５２により直列接続されている。すなわち、各機械遮断ユニット１０における一対の単体遮断部１４を１つの単体遮断部１４とみなした場合、各単体遮断部１４は、鉛直方向で隣り合う機械遮断ユニット１０の単体遮断部１４に対し、第１フランジ２２同士、および第１フランジ２２，４２を接続するユニット間ブスバー５２により直列接続されている。これにより、複数の高耐電圧接点１４Ａ、および複数の電流遮断接点１４Ｂは、ユニット内ブスバー５１およびユニット間ブスバー５２により直列接続されて機械接点モジュール３４を形成している。この構成において、全ての高耐電圧接点１４Ａは、互いに直列接続されている。また、全ての電流遮断接点１４Ｂは、互いに直列接続されている。
【００４８】
図６に示すように、機械接点モジュール３４には、第１接続点Ａ１と、第２接続点Ａ２と、第３接続点Ａ３と、が形成されている。第１接続点Ａ１は、機械接点モジュール３４の両端部のうち、電流遮断接点１４Ｂが設けられた端部に形成されている。第２接続点Ａ２は、機械接点モジュール３４の両端部のうち、第１接続点Ａ１とは反対側の端部に形成されている。第３接続点Ａ３は、高耐電圧接点１４Ａと電流遮断接点１４Ｂとの電気的な接続点である。第１接続点Ａ１および第２接続点Ａ２は、直流送電系統に接続される。
【００４９】
図７は、第１の実施形態の半導体遮断部を示す斜視図である。
図１および図７に示すように、半導体遮断部３は、基礎５上において、機械遮断部２に並んで設けられている。半導体遮断部３は、複数（図示の例では３個）の半導体遮断ユニット６０と、半導体遮断ユニット６０を支持する複数（図示の例では４本）の絶縁支柱６２と、を備えている。複数の半導体遮断ユニット６０は、絶縁支柱６２に対して鉛直方向に複数段に積み重ねられている。
【００５０】
半導体遮断ユニット６０は、一対の半導体モジュール６４と、アレスタ６８と、一対の半導体モジュール６４およびアレスタ６８が固定配置された半導体遮断部支持板７０と、を備えている。
【００５１】
半導体モジュール６４は、複数の自励式半導体素子６５ａを直列接続した半導体スタック６５と、半導体スタック６５に並列接続されたダイオード６６と、半導体スタック６５に接続された付属回路６７と、を含んでいる。自励式半導体素子６５ａは、例えばＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やＩＥＧＴ（ＩｎｊｅｃｔｉｏｎＥｎｈａｎｃｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等である。半導体スタック６５とダイオード６６とは、通電する順方向が互いに逆になるように並列接続されている。付属回路６７は、半導体スタック６５の複数の自励式半導体素子６５ａの電圧分布を均一化するスナバ回路と、自励式半導体素子６５ａへのスイッチング指令を出力するゲートユニットと、を備えている。各半導体遮断ユニット６０において、一対の半導体モジュール６４は、それぞれの半導体スタック６５の順方向が互いに逆方向となるように直列接続されている。
【００５２】
図８は、第１の実施形態の半導体遮断部を模式的に示す斜視図である。
図１、図７および図８に示すように、アレスタ６８は、同じ半導体遮断部支持板７０に配置された一対の半導体モジュール６４に対して並列接続されている。アレスタ６８には、一対の半導体モジュール６４が電流不通となった状態で、電流が一時的に流れる。アレスタ６８は、電流を熱エネルギーに変換する。
【００５３】
図１および図７に示すように、例えば、半導体遮断部支持板７０は、繊維強化プラスチック等の絶縁材料や、アルミニウム合金等の金属材料等により形成されている。半導体遮断部支持板７０は、半導体モジュール６４の両端を絶縁するとともにアレスタ６８の両端を絶縁し、かつ半導体モジュール６４およびアレスタ６８を絶縁支柱６２に支持可能に形成されている。半導体遮断部支持板７０は、絶縁支柱６２に対して鉛直方向に複数段積層されている。
【００５４】
絶縁支柱６２は、例えば碍子や、ポリマー、繊維強化プラスチック等により形成されている。絶縁支柱６２は、基礎５に立設されている。絶縁支柱６２は、鉛直方向に沿って延びている。各絶縁支柱６２は、複数段に積層された各半導体遮断部支持板７０の角部を支持している。絶縁支柱６２は、複数の半導体遮断ユニット６０を互いに電気的に絶縁するとともに、各半導体遮断ユニット６０を基礎５に対して電気的に絶縁しつつ機械的に接続している。
【００５５】
絶縁支柱６２の長さは、電流遮断時において鉛直方向で隣り合う半導体遮断ユニット６０同士を絶縁でき、かつ通電時において半導体遮断ユニット６０の全体を大地から電気的に絶縁できるように設定されている。つまり、絶縁支柱６２のうち鉛直方向で隣り合う一対の半導体遮断ユニット６０間に設けられた部分の長さは、電流遮断時において半導体遮断ユニット６０同士を電気的に絶縁できるように設定されている。また、絶縁支柱６２のうち最も下方に位置する半導体遮断ユニット６０と基礎５との間に設けられた部分の長さは、通電時において複数の半導体遮断ユニット６０の全体を大地から電気的に絶縁できるように設定されている。
【００５６】
本実施形態では、絶縁支柱６２のうち最も下方に位置する半導体遮断ユニット６０と基礎５との間に設けられた部分の長さは、鉛直方向で隣り合う一対の半導体遮断ユニット６０間に設けられた部分の長さよりも長い。また、絶縁支柱６２のうち最も下方に位置する半導体遮断ユニット６０と基礎５との間に設けられた部分の長さは、鉛直方向で隣り合う一対の半導体遮断ユニット６０間に設けられた部分の長さの総和よりも短い。なお、各絶縁支柱６２は、下端から上端に亘って連続して延びていてもよいし、各半導体遮断部支持板７０を挟むように複数に分割されていてもよい。
【００５７】
図１、図７および図８に示すように、各半導体遮断ユニット６０の一対の半導体モジュール６４を１つの半導体モジュール６４とみなした場合、複数の半導体モジュール６４は、複数のブスバー７２により直列接続されている。具体的に、半導体モジュール６４は、鉛直方向で隣り合う半導体遮断ユニット６０における半導体モジュール６４に対し、ブスバー７２により直列接続されている。ここで、直列接続された全ての半導体モジュール６４を半導体モジュール群と称する。図８に示すように、半導体遮断部モジュール群には、第１接続点Ｂ１と、第２接続点Ｂ２と、が形成されている。第１接続点Ｂ１は、半導体遮断部モジュール群の一端部に形成されている。第２接続点Ｂ２は、半導体遮断部モジュール群の他端部に形成されている。
【００５８】
図９は、第１の実施形態の転流装置を示す斜視図である。
図１および図９に示すように、転流装置４は、転流回路８０と、転流調整リアクトル８６と、転流回路８０および転流調整リアクトル８６が固定配置された転流装置支持板８８と、転流装置支持板８８を支持する絶縁支柱９０と、を備えている。
【００５９】
図１０は、転流回路を示す回路図である。
図１、図９および図１０に示すように、転流回路８０は、一対の自励式半導体素子８２ａを直列接続した一対のレグ８２とコンデンサ８４とを並列接続して構成されたハーフブリッジ回路である。自励式半導体素子８２ａは、例えばＩＧＢＴやＩＥＧＴ等である。各自励式半導体素子８２ａには、通電する順方向が互いに逆になるようにダイオード８２ｂが並列接続されている。一対のレグ８２には、自励式半導体素子８２ａの電圧分布を均一化するスナバ回路と、自励式半導体素子８２ａへのスイッチング指令を出力するゲートユニットと、を備える図示しない付属回路が接続されている。転流回路８０は、１つ設けられていてもよいし、複数設けられて互いに直列接続されていてもよい。図１に示す例では、転流回路８０は、１つ設けられている。
【００６０】
図１１は、第１の実施形態の転流装置を模式的に示す斜視図である。
図１、図９および図１１に示すように、転流調整リアクトル８６は、転流回路８０に対してブスバー９２を介して直列接続されている。転流調整リアクトル８６は、転流回路８０のコンデンサ８４の放電時間を調整する。
【００６１】
図１１に示すように、転流回路８０および転流調整リアクトル８６により形成された一連の回路には、第１接続点Ｃ１と、第２接続点Ｃ２と、第３接続点Ｃ３と、が形成されている。第１接続点Ｃ１は、転流回路８０と転流調整リアクトル８６との電気的な接続点である。第２接続点Ｃ２は、転流調整リアクトル８６の両端部のうち、第１接続点Ｃ１とは反対側の端部に形成されている。第３接続点Ｃ３は、転流回路８０の両端部のうち、第１接続点Ｃ１とは反対側の端部に形成されている。
【００６２】
図１および図９に示すように、例えば、転流装置支持板８８は、繊維強化プラスチック等の絶縁材料や、アルミニウム合金等の金属材料等により形成されている。転流装置支持板８８は、転流回路８０の両端を絶縁するとともに転流回路８０と転流調整リアクトル８６との間をブスバー９２以外で絶縁し、かつ転流回路８０および転流調整リアクトル８６を絶縁支柱９０に支持可能に形成されている。
絶縁支柱９０は、例えば碍子やポリマー、繊維強化プラスチック等により形成されている。絶縁支柱９０は、基礎５に立設されている。絶縁支柱９０は、鉛直方向に沿って延びている。各絶縁支柱９０は、転流装置支持板８８の角部を支持している。絶縁支柱９０は、転流装置支持板８８を基礎５に対して電気的に絶縁しつつ機械的に接続している。絶縁支柱９０の長さは、通電時において転流回路８０および転流調整リアクトル８６を大地から電気的に絶縁できるように設定されている。
【００６３】
転流装置支持板８８は、半導体遮断部３の上方に配置されている。また、転流装置４の絶縁支柱９０は、半導体遮断部３の絶縁支柱６２と共用している。これにより、転流装置４は、半導体遮断部３の上部に積み重ねられている。この場合、絶縁支柱９０は、転流回路８０および転流調整リアクトル８６を半導体遮断ユニット６０に対して電気的に絶縁している。絶縁支柱９０のうち、転流装置支持板８８と転流装置支持板８８の直下に配置された半導体遮断ユニット６０との間に設けられた部分の長さは、電流遮断時において転流回路８０および転流調整リアクトル８６と半導体遮断ユニット６０とを電気的に絶縁できるように設定されている。
【００６４】
図１２は、第１の実施形態の直流遮断器を模式的に示す回路図である。なお、図１２では、互いに直列接続された複数の高耐電圧接点１４Ａを１つの高耐電圧接点１４Ａとみなして図示している。また、図１２では、互いに直列接続された一対の電流遮断接点１４Ｂを１つの電流遮断接点１４Ｂとみなして図示している。また、図１２では、互いに直列接続された複数の半導体モジュール６４のうち、互いに直列接続された一対の半導体モジュール６４のみを図示している。
図２および図１２に示すように、転流回路８０および転流調整リアクトル８６により形成された一連の回路は、電流遮断接点１４Ｂに対して並列接続されている。転流回路８０は、転流調整リアクトル８６よりも高耐電圧接点１４Ａ側に接続されている。具体的に、転流装置４の第２接続点Ｃ２、および機械接点モジュール３４の第１接続点Ａ１は、ブスバー９４により電気的に接続されている。また、転流装置４の第３接続点Ｃ３、および機械接点モジュール３４の第３接続点Ａ３は、ブスバー９５により電気的に接続されている。
【００６５】
半導体モジュール６４は、高耐電圧接点１４Ａおよび転流回路８０により形成された一連の回路に対して並列接続されている。具体的に、半導体遮断部３の第１接続点Ｂ１、および機械接点モジュール３４の第２接続点Ａ２は、ブスバー９６により電気的に接続されている。また、半導体遮断部３の第２接続点Ｂ２、および転流装置４の第１接続点Ｃ１は、ブスバー９７により電気的に接続されている。
【００６６】
続いて、直流遮断器１の動作について図１から図１２を参照しながら説明する。
直流送電系統の定常送電時は、送電電流が機械接点モジュール３４に流れる。この状態では、半導体モジュール６４、転流回路８０、および転流調整リアクトル８６には電流は流れていない。また、転流回路８０のコンデンサ８４には、地上と転流回路８０とを電気的に絶縁しつつ電力供給が可能な図示しない給電装置により、予め充電されている。
【００６７】
直流送電系統に事故電流が発生した際には、図示しない制御装置により事故電流を検出し、直流遮断器１に事故遮断指令を与え、機械接点モジュール３４の高耐電圧接点１４Ａおよび電流遮断接点１４Ｂそれぞれの機械接点部１６，３６を開極する。具体的に、図示しない制御装置により、制御部３１に開極動作指令を与え、電源部３０から電力を供給し、各単体遮断部１４の操作機構２７，４７を駆動して、各単体遮断部１４を開極させる。この際、各機械遮断ユニット１０において、一対の操作ロッド２６，４６は、同一直線上で互いに逆方向に動作するので、操作機構２７，４７に生じる衝撃力および反動が相殺される。
【００６８】
また、各単体遮断部１４を開極する際には、転流回路８０の自励式半導体素子８２ａをオン（通電状態）にして、コンデンサ８４の電荷を放電する。コンデンサ８４の電荷が放電されると、転流回路８０に対して並列接続された電流遮断接点１４Ｂの電流が低下し、電流遮断接点１４Ｂに電流ゼロ点が生成される。これにより、電流遮断接点１４Ｂにおいてアークが消弧し、転流が完了する。この状態では、事故電流は、高耐電圧接点１４Ａ、転流回路８０および転流調整リアクトル８６を流れる。
【００６９】
次に、半導体モジュール６４の自励式半導体素子６５ａをオンにするとともに、転流回路８０の自励式半導体素子８２ａをオフに切り替える。これにより、転流回路８０に対して並列接続された半導体モジュール６４に事故電流が転流する。この状態では、事故電流は、半導体モジュール６４および転流調整リアクトル８６を流れる。
【００７０】
次に、高耐電圧接点１４Ａの絶縁回復を待機した後、半導体モジュール６４の自励式半導体素子６５ａをオフに切り替える。半導体モジュール６４の自励式半導体素子６５ａをオフに切り替えると、自励式半導体素子６５ａに並列接続されたアレスタ６８に事故電流が転流する。これにより、アレスタ６８において事故電流が吸収され、直流送電系統の事故電流の遮断が完了する。
【００７１】
本実施形態では、機械遮断部２が、固定接触子１７，３７および可動接触子１８，３８を有する、大地から電気的に絶縁された機械接点部１６，３６と、機械接点部１６，３６および絶縁性ガスを封入し、大地から電気的に絶縁された密閉容器２０，４０と、可動接触子１８，３８に連結された操作ロッド２６，４６と、操作ロッド２６，４６に連結され、機械接点部１６，３６の可動接触子１８，３８と同電位に設けられた操作機構２７，４７と、を含む単体遮断部１４を備える構成を採用した。
この構成によれば、密閉容器２０，４０が大地に接地されていないため、密閉容器２０，４０と機械接点部１６，３６との絶縁を省略できる。よって密閉容器が大地に接地される等により機械接点部に対して電気的に絶縁された場合と比較して、密閉容器２０，４０を小型化し、単体遮断部１４の大型化を抑制できる。また、高電圧化に伴い、複数の単体遮断部１４を直列に接続して遮断性能を向上させる場合においても、直列接続した全ての単体遮断部１４の大型化を抑制できる。したがって、高電圧化が容易で、大型化を抑制可能な直流遮断器１を提供できる。
さらに、上記構成によれば、密閉容器２０，４０および操作機構２７，４７が大地に接地されていないため、機械接点部１６，３６と操作機構２７，４７との間に介在する操作ロッド２６，４６の絶縁化を省略でき、操作機構が大地に接地される等により機械接点部に対して電気的に絶縁された場合と比較して、操作ロッド２６，４６の長尺化を抑制できる。これにより、操作機構２７，４７の可動部の質量の増加が抑制され、機械接点部１６，３６の開極速度の低下を抑制できる。したがって、遮断動作の応答性を確保できる直流遮断器１を提供できる。
【００７２】
また、各機械遮断ユニット１０における一対の単体遮断部１４は、それぞれの操作ロッド２６，４６が操作機構２７，４７により同一直線上で動作し、かつ操作機構２７，４７による操作ロッド２６，４６の動作方向が逆方向となるように配置されている。
この構成によれば、各機械遮断ユニット１０の機械遮断部支持板３３上で、操作ロッド２６，４６を動作させる際に操作機構２７，４７に生じる衝撃力および反動を相殺することができる。これにより、操作機構２７，４７の動作時に、機械遮断ユニット１０を支持する絶縁支柱１２に曲げモーメントが発生することを抑制できる。したがって、機械遮断部２の振動を抑制でき、絶縁支柱１２の過剰な大型化や支持構造物の増加、またそれらに伴う重量の増加を抑制できる。
【００７３】
また、機械遮断部支持板３３に配置された一対の単体遮断部１４は、それぞれの操作機構２７，４７が互いに対向して接触するように配置されている。
この構成によれば、それぞれの密閉容器２０が互いに対向して接触する構成と比較して、操作ロッド２６，４６を動作させる際に操作機構２７，４７に生じる衝撃力および反動を相殺する状況において、衝撃力および反動を、比較的に強度が低い碍管で構成された密閉容器２０を介して相殺せず、比較的に強度が高い金属材料で構成された操作機構２７，４７間で直接相殺することができる。よって密閉容器２０に大きな力が加わることを防止できる。これにより、単体遮断部１４の破損を抑制でき、機械遮断ユニット１０の信頼性を向上させることができる。
【００７４】
また、機械遮断部支持板３３に配置された一対の単体遮断部１４の密閉容器２０，４０の少なくとも一部は、水平方向で機械遮断部支持板３３の外側に配置されている。機械遮断部支持板３３は、金属材料により形成されている。機械接点部１６，３６の可動接触子１８，３８と、操作機構２７，４７と、機械遮断部支持板３３とは、同電位に設けられている。
この構成によれば、操作機構２７，４７を機械遮断部支持板３３に近付けつつ、密閉容器２０，４０における固定接触子１７，３７と同電位の箇所（第１フランジ２２，４２）を機械遮断部支持板３３から遠ざけることができる。このため、密閉容器２０，４０の全体が水平方向で機械遮断部支持板３３に重なる位置に配置された場合と比較して、密閉容器２０，４０における固定接触子１７，３７と同電位の箇所と機械遮断部支持板３３とを絶縁しつつ、単体遮断部１４と機械遮断部支持板３３とを鉛直方向に近付けることができる。したがって、機械遮断部２の鉛直方向への大型化を抑制でき、かつ機械遮断ユニット１０を支持する絶縁支柱１２に発生する曲げモーメントを抑制できる。
【００７５】
また、複数の機械遮断ユニット１０は、絶縁支柱１２に対して複数段に積み重ねられているので、機械遮断ユニットが並んで配置される場合と比較して、直流遮断器１の設置面積を削減できる。なお、複数の半導体遮断ユニット６０が絶縁支柱６２に対して複数段に積み重ねられている点についても、同様の作用効果を奏する。また、転流装置４が半導体遮断部３の上部に積み重ねられている点についても、同様の作用効果を奏する。
【００７６】
また、複数の機械遮断ユニット１０のそれぞれにおいて、一対の単体遮断部１４それぞれの密閉容器２０，４０の少なくとも一部は、水平方向で機械遮断部支持板３３の外側に配置されている。
この構成によれば、機械遮断部２は、機械遮断ユニット１０を鉛直方向に複数段に積み重ね、鉛直方向で隣り合う密閉容器２０，４０の第１フランジ２２，４２をユニット間ブスバー５２で接続するだけで、全ての単体遮断部１４が互いに直列接続されるため、容易に高電圧化が可能となる。
また、本実施形態の構成によれば、ブスバー５２も機械遮断部支持板３３から十分な絶縁距離をとって設置することも可能となる。
【００７７】
また、機械遮断部支持板３３に配置された一対の単体遮断部１４の操作機構２７，４７は、互いに対向して接触するように配置されている。このため、操作ロッド２６，４６を動作させる際に操作機構２７，４７に生じる衝撃力および反動をより効果的に相殺することができる。
【００７８】
また、機械遮断部支持板３３に配置された一対の単体遮断部１４の両方は、高耐電圧接点１４Ａおよび電流遮断接点１４Ｂのうちいずれか一方のみを構成している。このため、一対の単体遮断部１４において操作ロッド２６，４６を動作させる際に操作機構２７，４７に生じる衝撃力および反動を互いに同等とすることができる。これにより、衝撃力および反動をより効果的に相殺することができる。
【００７９】
また、操作機構２７，４７は、密閉容器２０，４０の外側に配置されている。このため、操作機構が密閉容器の内側に配置された場合と比較して、操作機構２７，４７のメンテナンス性を向上させることができる。
【００８０】
なお、上記第１の実施形態において、高耐電圧接点１４Ａを構成する単体遮断部１４の機械接点部１６は、ガス接点であるが、これに限定されない。例えば、図１３に示すように、高耐電圧接点１４Ａを構成する単体遮断部１４の機械接点部３６は、第１の実施形態における機械接点部１６と同等程度の耐電圧性能を有する真空バルブであってもよい。
【００８１】
また、上記第１の実施形態においては、機械遮断部２に電流遮断接点１４Ｂが一対設けられているが、これに限定されない。電流遮断接点１４Ｂは、機械遮断部２に少なくとも１つ設けられていればよい。電流遮断接点１４Ｂが機械遮断部に１つ設けられている構成の一例として、最上段の機械遮断ユニット１０は、高耐電圧接点１４Ａおよび電流遮断接点１４Ｂの両方を備えていてもよい。この場合であっても、一対の単体遮断部１４は、それぞれの操作ロッド２６，４６が操作機構２７，４７により同一直線上で動作し、かつ操作機構２７，４７による操作ロッド２６，４６の動作方向が逆方向となるように配置されていることが望ましい。これにより、上述したように機械遮断部の振動を抑制でき、絶縁支柱１２の過剰な大型化や支持構造物の増加、またそれらに伴う重量の増加を抑制できる。
【００８２】
また、上記第１の実施形態においては、機械遮断部２に高耐電圧接点１４Ａが６つ設けられているが、これに限定されない。高耐電圧接点１４Ａは、機械遮断部２に少なくとも１つ設けられていればよい。
【００８３】
（第２の実施形態）
図１４は、第２の実施形態の機械遮断部を模式的に示す正面図である。なお、図１４では、各機械遮断ユニット１０の電源部３０および制御部３１（いずれも図１および図３参照）の図示を省略している。
図１４に示す第２実施形態では、電流遮断接点１４Ｂが、操作機構４７による操作ロッド４６の動作方向が絶縁支柱１２の延在方向（すなわち鉛直方向）に沿うように配置されている点で、第１の実施形態と異なっている。
【００８４】
図１４に示すように、最上段の機械遮断ユニット１０は、１つの電流遮断接点１４Ｂと、図示しない電源部および制御部と、電流遮断接点１４Ｂ（単体遮断部１４）、電源部および制御部が固定配置された機械遮断部支持板３３と、を備えている。電流遮断接点１４Ｂは、縦置きされている。すなわち、電流遮断接点１４Ｂは、上述した第２方向が鉛直方向に沿うように配置されている。操作ロッド４６は、鉛直方向に沿って延在するように配置されている。操作機構４７は、密閉容器４０と機械遮断部支持板３３との間に位置し、機械遮断部支持板３３に固定されている。
【００８５】
この構成によれば、操作ロッド４６の動作方向が絶縁支柱１２の延在方向に沿っているので、電流遮断接点１４Ｂの開極動作時に、操作機構４７に生じる衝撃力および反動により絶縁支柱１２に曲げモーメントが発生することを抑制できる。したがって、機械遮断部２の振動を抑制でき、絶縁支柱１２の過剰な大型化や支持構造物の増加、またそれらに伴う重量の増加を抑制できる。
【００８６】
なお、図１４に示す第２の実施形態では、機械遮断ユニット１０は、２段に積み重ねられているが、これに限定されるものではなく、３段以上に積み重ねられていてもよい。
また、上記第２の実施形態では、電流遮断接点１４Ｂが縦置きされた構成について説明したが、これに限定されず、高耐電圧接点１４Ａが縦置きされていてもよい。
【００８７】
（第３の実施形態）
図１５は、第３の実施形態の機械遮断部を模式的に示す正面図である。なお、図１５では、機械遮断ユニット１１０の電源部３０および制御部３１（いずれも図１および図３参照）の図示を省略している。
図１５に示すように、第３の実施形態では、一対の単体遮断部１４がそれぞれ絶縁支柱１２に直接支持されている点で、上記各実施形態と異なっている。
【００８８】
図１５に示すように、機械遮断ユニット１１０は、一対の単体遮断部１４と、図示しない電源部および制御部と、高耐電圧接点１４Ａと電流遮断接点１４Ｂとを連結する連結部材５３と、を備えている。第１の単体遮断部１４は、高耐電圧接点１４Ａを構成している。第２の単体遮断部１４は、電流遮断接点１４Ｂを構成している。高耐電圧接点１４Ａおよび電流遮断接点１４Ｂは、それぞれ絶縁支柱１２上に縦置きされている。高耐電圧接点１４Ａは、上述した第１方向が鉛直方向に沿うように、絶縁支柱１２上に固定配置されている。操作ロッド２６は、鉛直方向に沿って延在するように配置されている。操作機構２７は、密閉容器２０と絶縁支柱１２の上端部との間に位置し、絶縁支柱１２に固定されている。また、電流遮断接点１４Ｂは、上述した第２方向が鉛直方向に沿うように、絶縁支柱１２上に固定配置されている。操作ロッド４６は、鉛直方向に沿って延在するように配置されている。操作機構４７は、密閉容器４０と絶縁支柱１２の上端部との間に位置し、絶縁支柱１２に固定されている。
【００８９】
連結部材５３は、導電性を有する金属材料等により形成されている。連結部材５３は、高耐電圧接点１４Ａと電流遮断接点１４Ｂとの間に配置されている。連結部材５３は、高耐電圧接点１４Ａを構成する単体遮断部１４の第２フランジ２３と、電流遮断接点１４Ｂを構成する単体遮断部１４の第２フランジ４３と、を機械的かつ電気的に接続している。これにより、一対の単体遮断部１４は、互いに電気的に直列接続されているとともに、互いに機械的に固定されている。
【００９０】
この構成によれば、単体遮断部１４が絶縁支柱１２に直接支持されているので、機械遮断ユニット１１０を有する機械遮断部の構成を簡略化することができる。
しかも、単体遮断部１４において、操作ロッド４６の動作方向が絶縁支柱１２の延在方向に沿っているので、上述した第２の実施形態と同様に、単体遮断部１４の開極動作時に、操作機構２７，４７に生じる衝撃力および反動により絶縁支柱１２に曲げモーメントが発生することを抑制できる。したがって、機械遮断ユニット１１０を有する機械遮断部の振動を抑制でき、絶縁支柱１２の過剰な大型化や支持構造物の増加、またそれらに伴う重量の増加を抑制できる。
さらに、一対の単体遮断部１４は、連結部材５３により互いに機械的に固定されているので、機械遮断ユニット１１０を有する機械遮断部の振動をより確実に抑制できる。
【００９１】
なお、上記第３の実施形態では、絶縁支柱１２に直接支持された一対の単体遮断部１４が、高耐電圧接点１４Ａおよび電流遮断接点１４Ｂを構成している場合を例に挙げて説明したが、これに限定されない。絶縁支柱１２に直接支持された一対の単体遮断部１４の両方が高耐電圧接点１４Ａを構成していてもよいし、一対の単体遮断部１４の両方が電流遮断接点１４Ｂを構成していてもよい。
【００９２】
（第４の実施形態）
図１６は、第４の実施形態の機械遮断部を模式的に示す正面図である。なお、図１６では、機械遮断ユニット１０の電源部３０および制御部３１（いずれも図１および図３参照）の図示を省略している。
図１６に示す第４の実施形態では、絶縁支柱１２は、振動を吸収するダンパ部材５４を備える点で、上記各実施形態と異なっている。
【００９３】
図１６に示すように、ダンパ部材５４は、絶縁支柱１２における、鉛直方向で隣り合う機械遮断ユニット１０の機械遮断部支持板３３同士の間、および最下段の機械遮断ユニット１０の機械遮断部支持板３３と基礎５との間のそれぞれに設けられている。具体的に、ダンパ部材５４は、絶縁支柱１２における基礎５との接続部、および各機械遮断部支持板３３の上面との接続部にそれぞれ配置されている。ダンパ部材５４は、絶縁支柱１２を伝わる振動を吸収する。ダンパ部材５４は、例えば空気を内包したベローズ状のゴム部材を金属板で挟んだエアダンパ（空気ばね）や、防振ゴム等である。
【００９４】
この構成によれば、機械遮断ユニット１０で発生した振動がダンパ部材５４において吸収される。このため、機械遮断ユニット１０で発生した振動が絶縁支柱１２を伝って他の機械遮断ユニット１０に伝達することを抑制できる。また、ダンパ部材５４において絶縁支柱１２の撓み方向の力を吸収できるので、絶縁支柱１２に曲げモーメントが発生することを抑制できる。したがって、機械遮断部２の振動を抑制でき、絶縁支柱１２の過剰な大型化や支持構造物の増加、またそれらに伴う重量の増加を抑制できる。
【００９５】
なお、図１６に示す例では、ダンパ部材５４は、絶縁支柱１２における基礎５との接続部、および各機械遮断部支持板３３の上面との接続部にそれぞれ配置されているが、これに限定されない。例えばダンパ部材は、絶縁支柱１２における各機械遮断部支持板３３の下面との接続部にそれぞれ配置されていてもよい。
【００９６】
（第５の実施形態）
図１７は、第５の実施形態の機械遮断部を模式的に示す正面図である。なお、図１７では、機械遮断ユニット１０の電源部３０および制御部３１（いずれも図１および図３参照）の図示を省略している。
図１７に示す第５の実施形態では、絶縁支柱１２が建屋６の天井に吊り下げられている点で、上記各実施形態と異なっている。
【００９７】
図１７に示すように、直流遮断器１は、保守性や汚損による影響等を考慮して、建屋６内に設置されている。建屋６を構成する各壁部は、直流遮断器１の高電圧部分に対して絶縁距離を保持する位置に設けられている。
【００９８】
絶縁支柱１２は、建屋６の天井に吊り下げられている。絶縁支柱１２は、ジョイント５６を有し、機械遮断ユニット１０を建屋６に対して揺動可能に支持している。ジョイント５６は、絶縁支柱１２のうち、建屋６の天井との接続部、および各機械遮断部支持板３３の上面および下面との接続部にそれぞれ設けられている。
【００９９】
絶縁支柱１２の長さは、電流遮断時において鉛直方向で隣り合う機械遮断ユニット１０同士を絶縁でき、かつ通電時において機械遮断ユニット１０の全体を大地および建屋６から電気的に絶縁できるように設定されている。つまり、絶縁支柱１２のうち最も上方に位置する機械遮断ユニット１０と建屋６の天井との間に設けられた部分の長さは、通電時において機械遮断ユニット１０の全体を建屋６から電気的に絶縁できるように設定されている。また、絶縁支柱１２全体の長さは、通電時において機械遮断ユニット１０の全体を基礎５から電気的に絶縁できるように設定されている。
【０１００】
この構成によれば、絶縁支柱１２が各機械遮断ユニット１０を上方から支持するので、絶縁支柱１２に対して機械遮断ユニット１０から絶縁支柱１２の撓み方向の力が作用しても、機械遮断ユニット１０の重力により撓み方向の力を相殺できる。よって、各機械遮断ユニット１０を下方から支持する構成と比較して、絶縁支柱１２に曲げモーメントが発生することをより確実に抑制できる。したがって、機械遮断部２の振動を抑制でき、絶縁支柱１２の過剰な大型化や支持構造物の増加、またそれらに伴う重量の増加を抑制できる。
【０１０１】
しかも、絶縁支柱１２は、機械遮断ユニット１０を建屋６に対して揺動可能に支持しているので、地震等により建屋６が振動しても、建屋６に対して機械遮断ユニット１０を揺動させることで、機械遮断ユニット１０への建屋６の振動の伝達を低減できる。したがって、機械遮断部２の振動を抑制でき、絶縁支柱１２の過剰な大型化や支持構造物の増加、またそれらに伴う重量の増加を抑制できる。
【０１０２】
なお、上記第５の実施形態では、機械遮断部２の絶縁支柱１２が建屋６の天井に吊り下げられている構成を説明したが、さらに半導体遮断部３の絶縁支柱６２や転流装置４の絶縁支柱９０が建屋６の天井に吊り下げられていてもよい。これにより、機械遮断部２の絶縁支柱１２を建屋６の天井に吊り下げた場合と同様の作用効果を奏することができる。
【０１０３】
なお、上記各実施形態では、全ての機械遮断ユニット１０が鉛直方向に積み重ねられているが、これに限定されない。例えば、複数の機械遮断ユニット１０は、絶縁支柱１２に支持された状態で、水平方向に並設されていてもよい。
【０１０４】
また、上記各実施形態では、機械遮断部支持板３３と、半導体遮断部支持板７０と、転流装置支持板８８と、が互いに別体で形成されているが、これに限定されず、互いに共用する構成であってもよい。つまり、機械遮断部支持板３３は、半導体遮断部支持板７０および転流装置支持板８８のうち少なくともいずれか一方と一体化していてもよい。なお、この場合には、上述したように機械遮断部２の振動が抑制されるので、半導体遮断部３および転流装置４が機械遮断部２の開極動作により振動することが抑制される。
【０１０５】
また、上記各実施形態では、機械遮断部２が、半導体遮断部３および転流装置４に対して並設されているが、これに限定されない。例えば、機械遮断部２の絶縁支柱１２と半導体遮断部３の絶縁支柱６２とを共用して、機械遮断ユニット１０を半導体遮断ユニット６０に対して積み重ねてもよい。これにより、直流遮断器の接地面積を削減できる。なお、この場合には、上述したように機械遮断部２の振動が抑制されるので、半導体遮断部３および転流装置４が機械遮断部２の開極動作により振動することが抑制される。
【０１０６】
また、上記各実施形態では、操作ロッド２６，４６および支持部２８，４８の全体が金属材料により形成されているが、これに限定されない。
例えば、操作ロッドおよび支持部を通じた可動接触子１８，３８から操作機構２７，４７への通電を低減するために、操作ロッドおよび支持部の一部を絶縁材料または高抵抗材料により形成してもよい。この場合であっても、操作機構が大地に接地される等により機械接点部に対して電気的に絶縁された場合と比較して、可動接触子１８，３８と操作機構２７，４７との電位差が小さいので絶縁部を小さくでき、操作ロッドの長尺化を抑制することができる。
【０１０７】
さらに、同じ機械遮断部支持板３３に配置された操作機構２７，４７の間、および操作機構２７，４７と他の部材との間を、絶縁材料を介して電気的に絶縁しても良い。この場合、操作機構２７，４７から、可動接触子１８，３８以外の他の部材への通電経路が無くなるため、可動接触子１８，３８から操作機構２７，４７への通電を抑制することができる。
【０１０８】
さらに、上記各実施形態の機械遮断部２、半導体遮断部３および、転流装置４に対して、電界集中を緩和するシールドを適宜設置してもよい。例えば、電界集中を起こしやすい、単体遮断部１４の端部や、機械遮断部支持板３３、半導体遮断部支持板７０、および転流装置支持板８８の端部に対してシールドを設置してもよい。これにより、機械遮断部２、半導体遮断部３および、転流装置４の各部の絶縁に必要な距離を短縮でき、直流遮断器１の大型化を抑制できる。したがって、高電圧化が容易で、大型化を抑制可能な直流遮断器を提供できる。
【０１０９】
また、上記実施形態では、機械遮断部支持板３３が金属材料により形成されているが、これに限定されない。機械遮断部支持板は、繊維強化プラスチック等の絶縁材料により形成されていてもよい。
【０１１０】
以上説明した少なくともひとつの実施形態によれば、機械遮断部が、固定接触子および可動接触子を有する、大地から電気的に絶縁された機械接点部と、機械接点部および絶縁性ガスを封入し、大地から電気的に絶縁された密閉容器と、可動接触子に連結された操作ロッドと、操作ロッドに連結され、機械接点部の可動接触子と同電位に設けられた操作機構と、を含む一対の単体遮断部を有する機械遮断ユニットと、機械遮断ユニットを支持する絶縁支柱と、を備える。機械遮断ユニットは、一対の単体遮断部が配置されるとともに絶縁支柱に支持された機械遮断部支持板をさらに備える。一対の単体遮断部は、それぞれの操作ロッドが操作機構により同一直線上で動作し、かつ操作機構による操作ロッドの動作方向が逆方向となるように配置され、かつそれぞれの操作機構が互いに対向するように配置されている。この構成により、高電圧化が容易で、大型化を抑制し、かつ遮断動作の応答性を確保できる直流遮断器を提供できる。
【０１１１】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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