(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状の被加工材の端面を研削する面取り装置において、
研削ユニットのスピンドルに嵌合して固定された振動フランジと、
前記振動フランジに内蔵されＺ方向に超音波振動する圧電素子と、
外周の下面に砥石が設けられ、前記振動フランジに嵌合された砥石ホイールと、
を備え、
前記砥石ホイールは前記振動フランジへテーパ嵌合され、
前記砥石に前記圧電素子による超音波振動を与えながらＺ方向に切り込んで前記被加工材の端面にテラスを形成することを特徴とする面取り装置。
【請求項２】
前記砥石は外周部に上側が大きく下側が小さくなったテーパ部が形成されたことを特徴とする請求項１に記載の面取り装置。
【請求項３】
前記テーパ部は水平平面から９０°以上１５０°以内のテーパとされたことを特徴とする請求項２に記載の面取り装置。
【請求項４】
前記砥石は前記砥石ホイールの円周方向に複数に分割されて配置され、分割された個々の間に排出孔が設けられたことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の面取り装置。
【請求項５】
前記圧電素子は前記スピンドルに設けられたスリップリングを介して駆動する電源が供給されることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の面取り装置。
【請求項６】
前記圧電素子は円環形状とされ、前記振動フランジに内蔵されたことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の面取り装置。
【請求項７】
板状の被加工材の端面にテラス形状を形成する面取り方法であって、
研削ユニットのスピンドルに嵌合して固定された振動フランジと、
前記振動フランジに内蔵されＺ方向に超音波振動する圧電素子と、
外周の下面に砥石が設けられ、前記振動フランジに嵌合された砥石ホイールと、
を備え、
前記砥石ホイールは前記振動フランジへテーパ嵌合された面取り装置を用い、
外周部に上側が大きく下側が小さくなったテーパ部が形成された前記砥石にＺ方向に超音波振動を与えながらＺ方向に切り込んで前記被加工材の端面にテラスを形成することを特徴とする面取り方法。
【請求項８】
支持基板の上層が活性層とされたウェーハの前記活性層側にテラス形状を形成する面取り方法であって、
研削ユニットのスピンドルに嵌合して固定された振動フランジと、
前記振動フランジに内蔵されＺ方向に超音波振動する圧電素子と、
外周の下面に砥石が設けられ、前記振動フランジに嵌合された砥石ホイールと、
を備え、
前記砥石ホイールは前記振動フランジへテーパ嵌合された面取り装置を用い、
外周部に上側が大きく下側が小さくなったテーパ部が形成された前記砥石にＺ方向に超音波振動を与えながらＺ方向に切り込んで前記テラス形状を形成することを特徴とする面取り方法。
【請求項９】
前記活性層を除去して前記支持基板を再利用することを特徴とする請求項８に記載の面取り方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板として、貼り合わせウェーハや成膜層付ウェーハの上面層側の外周部に不可避に残存する未接着部を除去する処理、すなわちテラス形状を形成する加工を行うのに好適な面取り装置及び面取り方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
素子の高速化や低消費電力等の利点を有するＳＯＩウェーハとしては、貼り合わせウェーハとして、酸化膜（絶縁膜）が形成された一枚のシリコンウェーハに、もう一枚のシリコンウェーハを貼り合わせ、この貼り合わせたシリコンウェーハの一方を研削・研磨してＳＯＩ層を形成したもの、シリコンウェーハの内部に酸素イオンを打ち込んだのち、高温アニールを行うことによって、シリコンウェーハの内部に埋め込み酸化膜を形成し、該酸化膜の上部をＳＯＩ層としたもの、ＳＯＩ層側となるシリコンウェーハ（活性層側ウェーハ）の表層部に、水素イオン等を打ち込んでイオン注入層を形成したのち、支持基板用のシリコンウェーハと貼り合わせたもの、などが知られている。
【０００３】
また、ウェーハ上に回路の素材となる酸化シリコンやアルミニウムなどの薄膜を形成する方法としては、イオンをアルミニウムなどの金属にぶつけて分子や原子をはがし、ウェーハ上に堆積させるスパッタ法、銅配線を成膜する電気メッキ法、ウェーハの表面に特殊なガスを供給して化学反応を起こし、そこで生成された分子の層を膜とするＣＶＤ法、ウェーハを加熱することで表面に酸化シリコンの膜を形成する熱酸化、などが知られている。
【０００４】
貼り合わせウェーハや成膜層付ウェーハを製造する場合、剥離・離脱によるパーティクルの発生を防ぐため、貼り合わせウェーハの外周部に不可避に残存する未接着部を除去する処理、すなわちテラス部形成処理が必要とされている。つまり、２種以上の異なる材料特性を有する一体物ウェーハ（物理的に貼り合わせや結晶成長品）のエッジ近辺の結晶不安定領域、または形状ダレ等デバイス特性を低下させる要因となる部分を面取り機にて除去加工が行われている。
【０００５】
そこで、面取り部におけるキズの発生や面取り形状の崩れなしに、活性層側ウェーハのテラス部品質を改善した貼り合わせウェーハを安価に得るため、貼り合わせ強化熱処理後、平面研磨またはエッチングにより活性層側ウェーハを薄膜化したのち、支持基板ウェーハに対し、鏡面面取り加工とテラス加工を行うことが知られ、例えば、特許文献１に記載されている。
【０００６】
また、半導体装置や電子部品等の素材となるウェーハや、様々な形状の脆性材料の板状体、例えば、サファイヤ、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＬＴ（タンタル酸リチウム）、ＬＮ（ニオブ酸リチウム）等の化合物半導体、酸化物の板状体でのウェーハは、スライシング装置でスライスされた後、その周縁の割れや欠け等を防止するために外周部に面取り加工が行われる。
【０００７】
さらに、脆性材料の板状体（ワーク）に対しても、割れや欠けを生じさせることなく、高精度の面取り加工を可能にし、高精度の仕上げ加工を可能にするため、板状体に超音波振動を与えて面取り加工を行うことが知られ、例えば、特許文献２に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１０−１３５６６２号公報
【特許文献２】特開２０１５−１７４１８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記従来技術において、特許文献１に記載のものでは、活性層側ウェーハを薄膜化した支持基板ウェーハには良いが、２種以上の異なる材料特性を有する一体物ウェーハ（物理的に貼り合わせや結晶成長品）のエッジ近辺の結晶不安定領域、または形状ダレ等でデバイス特性を低下させる要因となる部分には適用が困難である。
【００１０】
そこで、ウェーハに超音波振動を与えて加工を行うことが良いが、単に、特許文献２に記載のように行っただけでは、十分ではない。
【００１１】
特に、ウェーハの厚さ方向、いわゆるＺ切り込み（スラスト方向送り）では、ワークを砥石回転状態でインフィードさせると上層部が薄膜化したとき割れやすい。さらに、この切り込み方向では、接触面積も多いため砥石が目詰まりしやすい。さらに、ウェーハにスラスト荷重がかかるので圧縮応力が発生し、フィルム加工に近い状態となり、劈開することが多い。さらに、クーラントが研削面全体に回らず潤滑不良になり、スラッジ排出性が低下する。
【００１２】
本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決し、特に、Ｚ切り込みによるテラス形状の形成、上面層側にテラス形状を形成する加工においても、基板表層部の割れや酸化被膜層及び接合バッファー層の剥離等を無くし、劈開性のあるワーク（被加工材）に対しても低ダメージ加工とすることにある。また、低ダメージ加工によって砥石切れ味を要因とする研削性能維持、あるいは砥石形状の精度維持を図ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明は、板状の被加工材の端面を研削する面取り装置において、研削ユニットのスピンドルに嵌合して固定された振動フランジと、前記振動フランジに内蔵されＺ方向に超音波振動する圧電素子と、外周の下面に砥石が設けられ、前記振動フランジに嵌合された砥石ホイールと、を備え、前記砥石に前記圧電素子による超音波振動を与えながらＺ方向に切り込んで前記被加工材の端面にテラスを形成するものである。
【００１４】
さらに、上記において、前記砥石は外周部に上側が大きく下側が小さくなったテーパ部が形成されたことが望ましい。
【００１５】
さらに、上記において、前記テーパ部は水平平面から９０°以上１５０°以内のテーパとされたことが望ましい。
【００１６】
さらに、上記において、前記砥石は前記砥石ホイールの円周方向に複数に分割されて配置され、分割された個々の間に排出孔が設けられたことが望ましい。
【００１７】
さらに、上記において、前記砥石ホイールは前記振動フランジへテーパ嵌合されたことことが望ましい。
【００１８】
さらに、上記において、前記圧電素子は前記スピンドルに設けられたスリップリングを介して駆動する電源が供給されたことが望ましい。
【００１９】
さらに、上記のものにおいて、前記圧電素子は円環形状とされ、前記振動フランジに内蔵されたことが望ましい。
【００２０】
また、本発明は、板状の被加工材の端面にテラス形状を形成する面取り方法であって、外周部に上側が大きく下側が小さくなったテーパ部が形成された砥石にＺ方向に超音波振動を与えながらＺ方向に切り込んで前記被加工材の端面にテラスを形成するものである。
【００２１】
また、本発明は、支持基板の上層が活性層とされたウェーハの前記活性層側にテラス形状を形成する面取り方法であって、外周部に上側が大きく下側が小さくなったテーパ部が形成された砥石にＺ方向に超音波振動を与えながらＺ方向に切り込んで前記テラス形状を形成するものである。
【００２２】
さらに、上記の方法において、前記活性層を除去して前記支持基板を再利用することが望ましい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、研削ユニットのスピンドルに振動フランジを固定し、圧電素子で砥石にＺ方向（厚さ方向）に超音波振動を与えながら、Ｚ方向に切り込んで被加工材の端面にテラスを形成するように研削するので、超音波振動方向と切り込み方向が一致し、上面層側からテラス形状を形成する加工において、切り込み方向に対して平行面となる側にキャビテーションを起こし、切り込み方向に対して垂直な加工面の低ダメージ加工を実現できる。
【００２４】
したがって、垂直面となる表層部の割れや酸化被膜層及び接合バッファー層の剥離等を無くすことができると共に、研削面の洗浄、研削屑の排出を促進し、研削性能維持、あるいは砥石形状の精度維持を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の一実施形態に係る主要部を示す正面図
【図２】図１における要部の拡大図
【図３】本発明の一実施形態に係る主要部を示す平面図
【図４】本発明の一実施形態に係る砥石ホイールの表面に垂直な断面図及び平行な断面図
【図５】本発明の一実施形態に係るＺ切り込みの手順を示す説明図
【図６】Ｚ方向切り込みで超音波振動を与えない場合の除去量及びスピンドル電流の時間変化を示すグラフ
【図７】本発明の一実施形態に係るＺ方向切り込みで超音波振動を与えた場合の除去量及びスピンドル電流の時間変化を示すグラフ
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下に、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の一実施形態に係る面取り装置の主要部を示す正面図、図３は平面図であり、図２は、図１における要部の拡大図、図４は、砥石ホイール１０８の表面に垂直な断面図及び平行な断面図である。
【００２７】
面取り装置５０は、超音波振動を利用して、ウェーハや様々な形状の脆性材料の板状体（ワーク）、例えば、サファイヤ、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＬＴ（タンタル酸リチウム）等の化合物半導体、酸化物のワークの外周部の面取り加工を行う装置である。ただし、必ずしも脆性材料の板状体に限らず、任意材料の板状体の外周部の面取り加工を行うことも可能である。以下において、面取り加工を行うワークをウェーハであるものとして説明する。
【００２８】
図に示すように面取り装置５０は、ウェーハ送りユニット５０Ａと研削ユニット５０Ｂとから構成される。ウェーハ送りユニット５０Ａの水平に配設されたベースプレート５１上には、一対のＹ軸ガイドレール５２、５２が所定の間隔をもって敷設される。この一対のＹ軸ガイドレール５２、５２上にはＹ軸リニアガイド５４、５４、…を介してＹ軸テーブル５６がスライド自在に支持される。
【００２９】
Ｙ軸テーブル５６の下面にはナット部材５８が固着されており、ナット部材５８にはＹ軸ボールネジ６０が螺合される。Ｙ軸ボールネジ６０は、一対のＹ軸ガイドレール５２、５２の間において、その両端部がベースプレート５１上に配設された軸受部材６２、６２に回動自在に支持されており、その一端にＹ軸モータ６４が連結される。
【００３０】
Ｙ軸モータ６４を駆動することによりＹ軸ボールネジ６０が回動し、ナット部材５８を介してＹ軸テーブル５６がＹ軸ガイドレール５２、５２に沿って水平方向（Ｙ軸方向）にスライド移動する。
【００３１】
Ｙ軸テーブル５６上には、一対のＹ軸ガイドレール５２、５２と直交するように一対のＸ軸ガイドレール６６、６６が敷設される。この一対のＸ軸ガイドレール６６、６６上にはＸ軸リニアガイド６８、６８、…を介してＸ軸テーブル７０がスライド自在に支持される。
【００３２】
Ｘ軸テーブル７０の下面にはナット部材７２が固着されており、ナット部材７２にＸ軸ボールネジ７４が螺合される。Ｘ軸ボールネジ７４は、一対のＸ軸ガイドレール６６、６６の間において、その両端部がＸ軸テーブル７０上に配設された軸受部材７６、７６に回動自在に支持されており、その一方端に不図示のＸ軸モータの出力軸が連結される。したがって、Ｘ軸モータを駆動することによりＸ軸ボールネジ７４が回動し、ナット部材７２を介してＸ軸テーブル７０がＸ軸ガイドレール６６、６６に沿って水平方向（Ｘ軸方向）にスライド移動する。
【００３３】
Ｘ軸テーブル７０上には、垂直にＺ軸ベース８０が立設されており、Ｚ軸ベース８０に
は一対のＺ軸ガイドレール８２、８２が所定の間隔をもって敷設される。この一対のＺ軸
ガイドレール８２、８２にはＺ軸リニアガイド８４、８４を介してＺ軸テーブル８６がス
ライド自在に支持される。
【００３４】
Ｚ軸テーブル８６の側面にはナット部材８８が固着されており、ナット部材８８にＺ軸
ボールネジ９０が螺合される。Ｚ軸ボールネジ９０は、一対のＺ軸ガイドレール８２、８２の間において、その両端部がＺ軸ベース８０に配設された軸受部材９２、９２に回動自在に支持されており、その下端部にＺ軸モータ９４の出力軸が連結される。
【００３５】
Ｚ軸モータ９４を駆動することによりＺ軸ボールネジ９０が回動し、ナット部材８８を介してＺ軸テーブル８６がＺ軸ガイドレール８２、８２に沿って鉛直方向（Ｚ軸方向）にスライド移動する。Ｚ軸テーブル８６上にはθ軸モータ９６が設置される。
【００３６】
θ軸モータ９６の出力軸にはＺ軸に平行なθ軸（回転軸θ）を軸心とするθ軸シャフト９８が連結されており、このθ軸シャフト９８の上端部に吸着テーブル（保持台）１０が水平に連結される。テラス面取りされるウェーハＷは、吸着テーブル１０上に載置されて、真空吸着によって保持される。
【００３７】
ウェーハ送りユニット５０Ａにおいて、吸着テーブル１０は、Ｙ軸モータ６４を駆動することにより図中Ｙ軸方向に水平移動し、Ｘ軸モータを駆動することにより図中Ｘ軸方向に水平移動する。そして、Ｚ軸モータ９４を駆動することにより図中Ｚ軸方向に垂直移動し、θ軸モータ９６を駆動することによりθ軸回りに回転する。
【００３８】
研削ユニット５０Ｂのベースプレート５１上には架台１０２が設置される。架台１０２上には外周モータ１０４が設置されており、この外周モータ１０４の出力軸にはＺ軸に平行な回転軸ＣＨを軸心とするスピンドル１０６が連結される。ウェーハＷの外周部を面取り加工する砥石ホイール１０８は、スピンドル１０６に着脱可能に装着され、外周モータ１０４に駆動されることにより回転する。砥石ホイール１０８にウェーハＷが接触する加工点に向けてクーラント（研削液）を吐出するノズル１２１（図３）が設けられる。
【００３９】
以上のごとく構成された面取り装置５０において、ウェーハＷは次のように面取り加工される。面取り加工の実施前の準備工程として、面取り加工するウェーハＷを吸着テーブル１０上に載置して吸着保持する。そして、外周モータ１０４とθ軸モータ９６とを駆動して、砥石ホイール１０８と吸着テーブル１０とを共に同方向に高速回転させる。例えば、砥石ホイール１０８の回転速度を３０００ｒｐｍとし、吸着テーブル１０の回転速度を、ウェーハＷの外周速度が５ｍｍ／ｓｅｃとなる速さとする。
【００４０】
また、Ｚ軸モータ９４を駆動して吸着テーブル１０の高さを調整してウェーハＷの高さを砥石ホイール１０８の研削溝の高さに対応させる。更に、Ｘ軸モータを駆動して、ウェーハＷの回転軸となるθ軸（回転軸θ）と、砥石ホイール１０８の回転軸ＣＨとのＸ軸方向の位置を一致させる。
【００４１】
次に、面取り加工の実施工程として、Ｙ軸モータ６４を駆動して、ウェーハＷを砥石ホイール１０８に向けて送る。そして、ウェーハＷの外周部が砥石ホイール１０８に当接する直前で減速し、その後、低速でウェーハＷを砥石ホイール１０８に向けて送る。これにより、ウェーハＷの外周部が砥石ホイール１０８に摺接し、次に説明するように、微小量ずつ研削されて面取り加工される。また、ノズル１２１から加工点に向けてクーラントを吐出し、加工点の冷却と共に、研削屑や砥石の磨耗粉（破砕・脱落した砥粒）の排出が行われる。
【００４２】
そして、ウェーハＷの外周部が研削溝の最深部に到達して所定時間が経過すると面取り加工を終了し、ウェーハＷを砥石ホイール１０８から離間する方向に移動させてウェーハＷを回収する位置に移動させる。
【００４３】
図２は、図１における要部の拡大図であり、２２は振動フランジであり、円環形状でリング型の圧電素子２１を内蔵し、スピンドル１０６に嵌合して固定される。砥石ホイール１０８は、振動フランジ２２へ振動ロスが生じないようにテーパ嵌合されている。
【００４４】
また、リング型の圧電素子２１の大きさは、その最外周が砥石２４の最内周に近づくような大きさとされている。さらに、リング型の圧電素子２１は、スピンドル１０６に設けられた高回転に耐えるスリップリング２３を介して駆動する電源が供給され、図で上下方向、つまりＺ方向に超音波振動する。
【００４５】
なお、超音波とは、例えば、２０ｋＨｚ以上の周波数の音波であり、リング型圧電素子２１は、２０ｋＨｚの周波数の超音波によりＺ方向に振動する。ただし、２０ｋＨｚ以上の周波数の超音波で振動させてもよい。また、加工条件等によっては２０ｋＨｚよりも低い周波数の音波であってもよい。
【００４６】
図４の上図は砥石ホイール１０８の表面に垂直な断面図であり、下図は砥石ホイール１０８の表面に平行な断面図である。図４は、砥石ホイール１０８を示し、その外周の下面に砥石２４が設けられている。砥石２４は、その外周部に上側が大きく下側が小さくなった水平平面から９０°以上１５０°以内のテーパとされたテーパ部２６が形成されている。また、砥石２４は、砥石ホイール１０８の円周方向にセグメント化、つまり複数に分割されており、分割された個々の間には研削屑等を排出する排出孔２５が設けられている。
【００４７】
図５は、Ｚ切り込み（スラスト方向送り）の手順を示す説明図であり、貼り合わせウェーハの上層である活性層３０あるいは接着層３１までを除去し、支持基板３２は加工を実施しない場合を示し、次のような場合に適している。活性層３０と支持基板３２との中間層は、熱硬化性やＵＶ接着剤で接合して接着層３１とされ、機械的な接合強度が高い。活性層３０は比較的に材料強度が高い材質（Ｓｉ）や活性層側の仕上げ厚みが厚い。成膜で活性層３０を形成する場合もあるが、膜厚が厚く材料強度的にも強固になっている。
【００４８】
最終的に貼り合わせを剥離して活性層３０のみを使用し、支持基板３２は製造工程中の総合材料強度の確保や、成膜母材としてのみに寄与させ、リサイクルして再利用する。支持基板３２はガラスやアルミナ系焼結体等コストや成形性、耐摩耗性が高い等であり、デバイス特性に寄与しない。
【００４９】
まず、（ｂ）に示すように、成膜による厚み誤差が大きい場合は活性層３０の上平面を平滑化する。次に（ｃ）のように面取り装置により、超音波振動をＺ方向に与えながらＺ方向に切り込みを開始する。つまり、自転する被研削物（ワーク）に対し回転した砥石２４を上から下降させ、指定した厚みになるまで研削するインフィードを行う。
【００５０】
砥石２４は、メッシュサイズが＃４００〜#８００程度のメタルボンドであり、砥石２４の寿命や加工品質を考慮して調整する。砥石側のスピンドル回転数は、１０００〜４０００ｒｐｍ、ワーク側の回転数は、５０〜２００ｒｐｍ、切り込み速度は、０.１〜５ｍｍ／ｓｅｃが望ましいが、材料により適切に選択する。
【００５１】
次に（ｄ）において砥石２４のテーパ部は、水平平面から９０°以上１５０°以内とし、材料強度が高い活性層３０に対して加工性をよくするキャビテーション効果を促進できる。そして、活性層３０のテラスが形成され、接着層３１まで除去する。次に（ｅ）のように支持基板３２及び接着層３１を剥離するか、剥離前あるいは後にダイシングしてチップ化する。
【００５２】
以上のように、加工砥石に超音波振動を伝搬させることにより、キャビテーション効果によって、クーラントが入りにくい、スラッジが排出され難い、ことによる加工点への目詰まりを防止できる。特に、Ｚ方向への切り込みにおいて、超音波振動をＺ方向に与えることと、Ｚ方向に先細りとなったテーパ部とを有することにより、テーパ部ではキャビテーションを効果的に与えることができる。したがって、切り込み方向に対して垂直面となる図５で水平な加工面に至るまで研削面の洗浄、研削屑の排出を促進し、研削砥粒の突出し量を安定的に確保されて加工品質が向上する。
【００５３】
また、送り方向（除去方向）であるＺ方向への砥粒を振動させるので、元々の切削能力と砥粒の振動加速運動が追加され、研削性能が向上する。そして、テーパ部を設けたことにより、研削抵抗がＺ切り込みの方向に対して横方向となる水平方向に分力となることで、加工時の押し込み力を抑制し、被研削物（ワーク）に対する曲げ荷重を小さくすることができる。
【００５４】
これにより、Ｚ方向への低ダメージ加工とすることができ、劈開性のあるワークに対しても割れない加工を実現することができる。特に、２種以上の異なる材料特性を有する一体物ウェーハ（物理的に貼り合わせや結晶成長品）の上面層側に、Ｚ方向からテラス形状を形成する加工においても、基板表層部の割れや酸化被膜層及び接合バッファー層の剥離等を無くすことができる。
【００５５】
また、切り込み方向と超音波振動方向を合わせることで、超音波振動方向及び切り込み方向に対して平行面となる側にキャビテーションを起こし、垂直面となる表面の脆性面側にはキャビテーションによるダメージが発生しない。そして、切り込み方向に対して垂直な方向を振動方向にすれば研削性能を優先することができ、キャビテーションと切込みの方向を、粗加工、精加工などの用途別に使い分けすることができる。これにより、砥粒への潤滑不良と加工負荷が分散される事により、砥石の形状維持性能が向上し、ワーク品質の安定化、砥石ライフの向上を図ることができる。
【００５６】
さらに、砥粒の運動性が高まることにより加工能率向上し、通常加工速度よりもより速い加工スピードが実現する。また目詰まり防止と加工性能が向上する事で、接触面積の広い砥石が採用できるので、形状精度と砥石ライフを向上できる。
【００５７】
図６は、従来技術のように、Ｚ方向切り込みで超音波振動を与えない場合の除去量及びスピンドル電流の時間変化を示すグラフであり、加工時間の経過と共にスピンドル電流が増加し、目詰まりが進行していることが分かる。なお、この例では加工送り速度が０.１μｍ／ｓ程度で除去量が２０μｍ程度で行っており、これ以上に加工送り速度、除去量を大きくすることは加工品質等から困難であった。
【００５８】
図７は、Ｚ方向切り込みで超音波振動を与えた場合の除去量及びスピンドル電流の時間変化を示すグラフである。加工条件は、砥石２４がメッシュサイズ＃６００のメタルボンド、超音波振動２０ｋＨｚ振幅２μｍ、スピンドル回転数１０００ｒｐｍ、ワーク側の回転数１００ｒｐｍ、として行った。
【００５９】
加工時間の経過と共にスピンドル電流が増加することは認められず安定し、除去も良好に進行している。また、この例では加工送り速度が０.８μｍ／ｓ程度で除去量が４５μｍ程度で行っており、図６のものと比べて加工時間も短縮でき、加工品質も向上し、基板表層部の割れや酸化被膜層及び接合バッファー層の剥離等も生じていない。
【符号の説明】
【００６０】
Ｗ    ウェーハ（被加工材）
１０    吸着テーブル
２１    圧電素子
２２    振動フランジ
２３    スリップリング
２４    砥石
２５    排出孔
２６    テーパ部
３０    活性層
３１    接着層
３２    支持基板
５０    面取り装置
５０Ａ    ウェーハ送りユニット
５０Ｂ    研削ユニット
１０６  スピンドル
１０８  砥石ホイール
【図１】
0006742772.tif 000002
【図２】
0006742772.tif 000003
【図３】
0006742772.tif 000004
【図４】
0006742772.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
0006742772.tif 000008