(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属磁性体粉末を含む磁性体本体と、
前記磁性体本体の内部に埋設された内部コイル部と、
前記磁性体本体の上面及び下面のうち少なくとも１つに配置されためっき滲み防止層と、を含み、
前記めっき滲み防止層は粒径が０．１μｍ〜１０μｍの金属磁性体粉末を含み、
前記めっき滲み防止層に含まれた金属磁性体粉末は、平均粒度分布（Ｄ５０）値が、前記磁性体本体に含まれた金属磁性体粉末の平均粒度分布（Ｄ５０）値より小さいもののみで構成される、チップ電子部品。
【請求項２】
前記磁性体本体の厚さをｔ１、前記めっき滲み防止層の厚さをｔ２とすると、ｔ２／ｔ１が０．２５以下である、請求項１に記載のチップ電子部品。
【請求項３】
前記めっき滲み防止層の厚さは５μｍ〜２０μｍである、請求項１または２に記載のチップ電子部品。
【請求項４】
前記めっき滲み防止層の絶縁抵抗は７００ＭΩ以上である、請求項１から３のいずれか１項に記載のチップ電子部品。
【請求項５】
前記めっき滲み防止層は熱硬化性樹脂をさらに含み、
前記めっき滲み防止層は前記熱硬化性樹脂を１５ｗｔ％〜３０ｗｔ％含む、請求項１から４のいずれか１項に記載のチップ電子部品。
【請求項６】
前記めっき滲み防止層の透磁率は１５Ｈ／ｍ〜３０Ｈ／ｍである、請求項１から５のいずれか１項に記載のチップ電子部品。
【請求項７】
前記めっき滲み防止層の表面粗さは０．５μｍ未満である、請求項１から６のいずれか１項に記載のチップ電子部品。
【請求項８】
前記磁性体本体は、第１金属磁性体粉末及び前記第１金属磁性体粉末より平均粒径の小さい第２金属磁性体粉末を含み、
前記第１金属磁性体粉末は粒径が１０μｍ〜５０μｍであり、前記第２金属磁性体粉末は粒径が０．５μｍ〜６μｍである、請求項１から７のいずれか１項に記載のチップ電子部品。
【請求項９】
前記第１金属磁性体粉末及び前記第２金属磁性体粉末は８：２〜５：５の重量比で混合される、請求項８に記載のチップ電子部品。
【請求項１０】
前記磁性体本体の透磁率は３１Ｈ／ｍ〜５０Ｈ／ｍである、請求項１から９のいずれか１項に記載のチップ電子部品。
【請求項１１】
前記内部コイル部の端部と連結されるように前記磁性体本体の外側に配置された外部電極をさらに含み、
前記外部電極は、電極層及び前記電極層上に形成されためっき層を含む、請求項１から１０のいずれか１項に記載のチップ電子部品。
【請求項１２】
前記めっき層は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）及びスズ（Ｓｎ）からなる群より選択される何れか１つを含む、請求項１１に記載のチップ電子部品。
【請求項１３】
金属磁性体粉末を含む磁性体本体と、
前記磁性体本体の内部に埋設された内部コイル部と、
前記磁性体本体の上面及び下面のうち少なくとも１つに配置された高絶縁抵抗層と、を含み、
前記高絶縁抵抗層は絶縁抵抗が７００ＭΩ以上であり、
前記高絶縁抵抗層に含まれた金属磁性体粉末は、平均粒度分布（Ｄ５０）値が、前記磁性体本体に含まれた金属磁性体粉末の平均粒度分布（Ｄ５０）値より小さいもののみで構成される、チップ電子部品。
【請求項１４】
前記高絶縁抵抗層は粒径が０．１μｍ〜１０μｍの金属磁性体粉末を含む、請求項１３に記載のチップ電子部品。
【請求項１５】
前記磁性体本体の厚さをｔ１、前記高絶縁抵抗層の厚さをｔ２とすると、ｔ２／ｔ１が０．２５以下である、請求項１３または１４に記載のチップ電子部品。
【請求項１６】
内部コイル部を形成する段階と、
前記内部コイル部の上部及び下部に金属磁性体粉末を含む第１磁性体シートを積層して磁性体本体を形成する段階と、
前記磁性体本体の上面及び下面のうち少なくとも１つに金属磁性体粉末を含む第２磁性体シートを積層してめっき滲み防止層を形成する段階と、を含み、
前記第２磁性体シートは粒径が０．１μｍ〜１０μｍの金属磁性体粉末を含み、
前記めっき滲み防止層に含まれた金属磁性体粉末は、平均粒度分布（Ｄ５０）値が、前記磁性体本体に含まれた金属磁性体粉末の平均粒度分布（Ｄ５０）値より小さいもののみで構成される、チップ電子部品の製造方法。
【請求項１７】
前記第２磁性体シートは前記第１磁性体シートより高い絶縁抵抗を有する、請求項１６に記載のチップ電子部品の製造方法。
【請求項１８】
前記第１磁性体シートは、第１金属磁性体粉末及び前記第１金属磁性体粉末より平均粒径の小さい第２金属磁性体粉末を含み、
前記第１金属磁性体粉末は粒径が１０μｍ〜５０μｍであり、前記第２金属磁性体粉末は粒径が０．５μｍ〜６μｍである、請求項１６または１７に記載のチップ電子部品の製造方法。
【請求項１９】
前記めっき滲み防止層が形成された前記磁性体本体の外側に前記内部コイル部の端部と連結されるように外部電極を形成する段階をさらに含み、
前記外部電極を形成する段階は、
前記磁性体本体の表面に電極層を形成し、前記電極層上にめっき層を形成する、請求項１６から１８のいずれか１項に記載のチップ電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
チップ電子部品の一つであるインダクタ（ｉｎｄｕｃｔｏｒ）は、抵抗、キャパシタとともに電子回路をなしてノイズ（Ｎｏｉｓｅ）を除去する代表的な受動素子である。
【０００３】
薄膜型インダクタは、めっきにより内部コイル部を形成した後、磁性体粉末及び樹脂を混合した磁性体粉末−樹脂複合体を硬化して磁性体本体を製造し、磁性体本体の外側に外部電極を形成することで製造する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１６６４５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、外部電極を形成する際にチップ電子部品の表面に発生するめっき滲みを改善したチップ電子部品及びその製造方法に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態は、金属磁性体粉末を含む磁性体本体と、上記磁性体本体の内部に埋設された内部コイル部と、上記磁性体本体の上面及び下面のうち少なくとも１つに配置されためっき滲み防止層と、を含み、上記めっき滲み防止層は、粒径が０．１μｍ〜１０μｍである金属磁性体粉末を含むチップ電子部品を提供する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によると、外部電極を形成する際にチップ電子部品の表面に発生するめっき滲みを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態によるチップ電子部品の内部コイル部が示された概略斜視図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ'線による断面図である。
【図３】図１のＩＩ−ＩＩ'線による断面図である。
【図４】図２の「Ａ」部分の一実施形態を拡大して示した概略図である。
【図５】図２の「Ａ」部分の他の実施形態を拡大して示した概略図である。
【図６】本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造工程を示す工程図である。
【図７ａ】本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造工程を順に説明するものである。
【図７ｂ】本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造工程を順に説明するものである。
【図７ｃ】本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造工程を順に説明するものである。
【図７ｄ】本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造工程を順に説明するものである。
【図７ｅ】本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造工程を順に説明するものである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下では、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【００１０】
チップ電子部品
以下では、本発明の一実施形態によるチップ電子部品を、特に薄膜型インダクタをもって説明するが、必ずしもこれに限定されない。
【００１１】
図１は、本発明の一実施形態のチップ電子部品による内部コイル部が示された概略斜視図である。
【００１２】
図１を参照すると、チップ電子部品の一例として、電源供給回路の電源ラインに用いられる薄膜型インダクタが開示されている。
【００１３】
本発明の一実施形態によるチップ電子部品１００は、磁性体本体５０と、磁性体本体５０の内部に埋設された内部コイル部４２、４４と、磁性体本体５０の上面及び下面に配置されためっき滲み防止層６０と、磁性体本体５０の外側に配置されて内部コイル部４２、４４と電気的に連結された外部電極８０と、を含む。
【００１４】
本発明の一実施形態によるチップ電子部品１００は、図１を参照して、「長さ」方向は「Ｌ」方向、「幅」方向は「Ｗ」方向、「厚さ」方向は「Ｔ」方向と定義する。
【００１５】
磁性体本体５０は、金属磁性体粉末を含む。
【００１６】
上記金属磁性体粉末は、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ及びＮｉからなる群より選択される何れか１つ以上を含む合金であってもよく、例えば、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｒ系非晶質金属粒子を含んでもよいが、必ずしもこれに限定されない。
【００１７】
上記金属磁性体粉末は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂またはポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）樹脂などの熱硬化性樹脂に分散された形態で含まれてもよい。
【００１８】
磁性体本体５０に含まれる金属磁性体粉末の充填率を向上させるために粒度の異なる２種以上の金属磁性体粉末を一定の比率で混合して製造することができる。
【００１９】
定められた単位体積で高いインダクタンスを得るために高透磁率の粒度の大きい金属磁性体粉末を使用し、当該粒度の大きい金属磁性体粉末に粒度の小さい金属磁性体粉末を混合し充填率を向上させて、高透磁率を確保することができ、高周波数及び高電流での磁性損失（Ｃｏｒｅ  Ｌｏｓｓ）による効率の低下を防止することができる。
【００２０】
しかし、このように粒度の大きい金属磁性体粉末と粒度の小さい金属磁性体粉末を混合すると、磁性体本体の表面粗さが大きくなる。特に、個別のチップサイズに切断した磁性体本体を研磨する過程で、磁性体本体の表面に粒度の大きい金属磁性体粉末が突出し、突出した部位の絶縁コーティング層が剥離される。
【００２１】
これにより、後に、外部電極のめっき層を形成する際、絶縁コーティング層が剥離された金属磁性体粉末上にもめっき層が形成されるめっき滲み不良が発生するという問題がある。
【００２２】
そこで、本発明の一実施形態は、磁性体本体５０の上面及び下面のうち少なくとも１つに粒度の小さい微粉からなるめっき滲み防止層６０を形成することで、上述した問題を解決することができる。
【００２３】
本発明の一実施形態によるめっき滲み防止層６０に対する具体的な説明は、後述する。
【００２４】
磁性体本体５０の内部に配置された絶縁基板２０の一面にコイル状のパターンを有する内部コイル部４２が形成され、絶縁基板２０の反対面にもコイル状のパターンを有する内部コイル部４４が形成される。
【００２５】
絶縁基板２０は、例えば、ポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）基板、フェライト基板または金属系軟磁性基板などで形成される。
【００２６】
絶縁基板２０の中央部を貫通して孔を形成し、当該孔を金属磁性体粉末で充填してコア部５５を形成する。金属磁性体粉末で充填されたコア部５５を形成することで、インダクタンスを向上させることができる。
【００２７】
内部コイル部４２、４４はスパイラル（ｓｐｉｒａｌ）状にコイルパターンが形成されてもよく、絶縁基板２０の一面と反対面とに形成される内部コイル部４２、４４は絶縁基板２０に形成されるビア電極を介して電気的に接続される。
【００２８】
内部コイル部４２、４４及びビア電極は、電気伝導性に優れた金属を含んで形成することができ、例えば、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）またはこれらの合金などで形成されてもよい。
【００２９】
絶縁基板２０の一面に形成される内部コイル部４２の一端部は、磁性体本体５０の長さ方向の一端面に露出することができ、絶縁基板２０の反対面に形成される内部コイル部４４の一端部は、磁性体本体５０の長さ方向の他端面に露出することができる。
【００３０】
磁性体本体５０の長さ方向の両端面に露出する内部コイル部４２、４４と接続するように、長さ方向の両端面には外部電極８０が形成される。
【００３１】
外部電極８０は、電気伝導性に優れた導電性金属を含んで形成することができ、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）または銀（Ａｇ）などの単独で、またはこれらの合金等で形成してもよい。
【００３２】
図２は図１のＩ−Ｉ'線による断面図であり、図３は図１のＩＩ−ＩＩ'線による断面図である。
【００３３】
図２及び図３を参照すると、本発明の一実施形態による磁性体本体５０には、第１金属磁性体粉末５１と、第１金属磁性体粉末５１よりＤ５０の小さい第２金属磁性体粉末５２が混在している。
【００３４】
Ｄ５０の大きい第１金属磁性体粉末５１は高透磁率を実現し、Ｄ５０の大きい第１金属磁性体粉末５１とＤ５０の小さい第２金属磁性体粉末５２を混合して充填率を上げて透磁率をさらに向上させ、Ｑ特性を向上させることができる。
【００３５】
第１金属磁性体粉末５１は、Ｄ５０が１８μｍ〜２２μｍであることができ、第２金属磁性体粉末５２は、Ｄ５０が２μｍ〜４μｍであることができる。
【００３６】
上記Ｄ５０は、レーザー回折散乱法を用いた測定装置で粒子径、粒度分布を測定する。
【００３７】
第１金属磁性体粉末５１の粒径は１０μｍ〜５０μｍであることができ、第２金属磁性体粉末５２の粒径は０．５μｍ〜６μｍであることができる。
【００３８】
磁性体本体５０には、平均粒径の大きい第１金属磁性体粉末５１と、第１金属磁性体粉末５１より平均粒径の小さい第２金属磁性体粉末５２とが混在している。
【００３９】
第１金属磁性体粉末５１及び第２金属磁性体粉末５２は、８：２〜５：５の重量比で混合されてもよい。
【００４０】
第１金属磁性体粉末５１及び第２金属磁性体粉末５２が上記範囲内の重量比で混合されることにより充填率が向上して透磁率が増加し、インダクタンスが向上することができる。
【００４１】
磁性体本体５０の透磁率は３１Ｈ／ｍ〜５０Ｈ／ｍであってもよい。
【００４２】
磁性体本体５０の外側には、内部コイル部４２、４４の端部と接続する外部電極８０が形成される。
【００４３】
外部電極８０は、導電性ペーストを用いて形成した電極層８１と、電極層８１上にめっき工程により形成しためっき層８２と、を含んでもよい。
【００４４】
電極層８１は、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）及び銀（Ａｇ）からなる群より選択される何れか１つ以上の導電性金属と熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂層であってもよい。
【００４５】
めっき層８２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）及びスズ（Ｓｎ）からなる群より選択される何れか１つ以上を含んでもよく、例えば、ニッケル（Ｎｉ）層とすず（Ｓｎ）層が順に形成されることができる。
【００４６】
めっき層８２を形成するめっき工程の際、磁性体本体５０の表面に露出した粗粉の金属磁性体粉末上にめっき層が形成されるめっき滲み不良が発生する恐れがある。
【００４７】
しかし、本発明の一実施形態によると、磁性体本体５０の上面及び下面に、微粉の金属磁性体粉末からなって高絶縁抵抗を示す高絶縁抵抗層６０を形成するが、これがめっき滲み防止層の役割をすることができる。
【００４８】
上記高絶縁抵抗層とめっき滲み防止層は同一の構成要素であり、以下ではめっき滲み防止層に統一して説明する。
【００４９】
高透磁率を具現するために粗粉の金属磁性体粉末を使用すると、磁性体本体５０の表面に粗粉の金属磁性体粉末が露出し、外部電極のめっき層８２を形成するめっき工程時に上記粗粉の金属磁性体粉末の露出部位にめっき層が形成されるという不良が発生する。
【００５０】
しかし、本発明の一実施形態は、磁性体本体５０の上面及び下面に微粉の金属磁性体粉末からなるめっき滲み防止層６０を形成して磁性体本体５０の表面の粗さを改善し、粗粉によるめっき滲み現象を改善することができる。
【００５１】
めっき滲み防止層６０は金属磁性体粉末６１を含むため、めっき滲み防止層の形成に伴う磁性体本体の厚さ減少によって生じるインダクタンスの低下を防止することができる。
【００５２】
即ち、めっき滲み防止層６０は、微粉の金属磁性体粉末６１を含むことにより、めっき滲み現象を改善するだけでなく、インダクタンスの形成にも寄与する。
【００５３】
磁性体本体５０の厚さをｔ１、めっき滲み防止層６０の厚さをｔ２とすると、ｔ２／ｔ１は０．２５以下であることができる。
【００５４】
ｔ２／ｔ１が０．２５を超えると、磁性体本体の厚さが大きく減少するため、インダクタンスが大きく低下する恐れがある。
【００５５】
めっき滲み防止層６０の厚さは５μｍ〜２０μｍであることができる。
【００５６】
めっき滲み防止層６０の厚さが５μｍ未満では磁性体本体の表面粗さが十分に改善されず、めっき滲みが発生する恐れがあり、２０μｍを超えると、磁性体本体の厚さが大きく減少するため、インダクタンスが大きく低下する恐れがある。
【００５７】
めっき滲み防止層６０の絶縁抵抗は７００ＭΩ以上であることができる。
【００５８】
めっき滲み防止層６０は微粉の金属磁性体粉末６１からなり、７００ＭΩ以上の高い絶縁抵抗を示すことができる。
【００５９】
めっき滲み防止層６０の絶縁抵抗が７００ＭΩ未満ではめっき滲みの抑制効果が不十分で、外部電極のめっき層８２を形成するめっき工程時に粗粉の金属磁性体粉末の露出部位にめっき層が形成される恐れがある。
【００６０】
図４は図２の「Ａ」部分の一実施形態を拡大して示した概略図である。
【００６１】
図４を参照すると、めっき滲み防止層６０は、粒径が０．１μｍ〜１０μｍの微粉の金属磁性体粉末６１を含む。
【００６２】
めっき滲み防止層６０に含まれた金属磁性体粉末６１の粒径が０．１μｍ未満では充填率及び透磁率が減少してインダクタンスが低下することがあり、粒径が１０μｍを超えると、磁性体本体の表面粗さが十分に改善されずめっき滲みが発生する恐れがある。
【００６３】
めっき滲み防止層６０は熱硬化性樹脂をさらに含み、金属磁性体粉末６１は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂またはポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）樹脂などの熱硬化性樹脂に分散された状態で含まれてもよい。
【００６４】
めっき滲み防止層６０は、上記熱硬化性樹脂を１５ｗｔ％〜３０ｗｔ％含むことができる。
【００６５】
図５は、図２の「Ａ」部分の他の実施形態を拡大して示した概略図である。
【００６６】
図５を参照すると、めっき滲み防止層６０には平均粒径の異なる微粉の金属磁性体粉末６１、６１'が混在している。
【００６７】
例えば、Ｄ５０が１．５μｍ〜３．５μｍの金属磁性体粉末６１と、これより平均粒径の小さいＤ５０が０．３μｍ〜１．５μｍの金属磁性体粉末６１'と、を含んでもよい。
【００６８】
このように、Ｄ５０が異なる微粉の金属磁性体粉末６１、６１'を混合することにより充填率を向上させることができる。めっき滲み防止層６０に含まれる磁性体粉末の充填率を向上させることで、めっき滲み防止層６０の形成によるインダクタンスの低下及びＤＣ−Ｂｉａｓ特性の低下を減少させることができ、表面粗さを改善し、めっき滲み現象を改善することができる。
【００６９】
本発明の一実施形態によるめっき滲み防止層６０は、透磁率が１５Ｈ／ｍ〜３０Ｈ／ｍであることができる。
【００７０】
また、本発明の一実施形態によるめっき滲み防止層６０は、表面粗さが０．５μｍ未満に具現されることができる。これにより、外部電極のめっき層８２の形成時に発生し得るめっき滲み現象を改善することができる。
【００７１】
チップ電子部品の製造方法
図６は本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造工程を示す工程図であり、図７ａ〜図７ｅは本発明の一実施形態によるチップ電子部品の製造工程を順に説明するものである。
【００７２】
図６及び図７ａを参照すると、まず、絶縁基板２０の一面及び反対面に内部コイル部４２、４４を形成する。
【００７３】
内部コイル部４２、４４の形成方法としては、電気めっき法が挙げられるが、これに限定されず、内部コイル部４２、４４は、電気伝導性に優れた金属を含んで形成することができ、例えば、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）またはこれらの合金などを使用することができる。
【００７４】
図６及び図７ｂを参照すると、内部コイル部４２、４４の上部及び下部に複数の第１磁性体シート５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄ、５０ｅ、５０ｆを積層して磁性体本体５０を形成する。
【００７５】
第１磁性体シート５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄ、５０ｅ、５０ｆは磁性体粉末、例えば、金属磁性体粉末、バインダー及び溶剤などの有機物を混合してスラリーにし、当該スラリーをドクターブレード法でキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ  ｆｉｌｍ）上に数十μｍの厚さに塗布した後、乾燥してシート（ｓｈｅｅｔ）状に作製することができる。
【００７６】
第１磁性体シート５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄ、５０ｅ、５０ｆは、第１金属磁性体粉末５１と、第１金属磁性体粉末５１よりＤ５０の小さい第２金属磁性体粉末５２とを混合して形成することができる。
【００７７】
第１金属磁性体粉末５１は、Ｄ５０が１８μｍ〜２２μｍであることができ、第２金属磁性体粉末５２は、Ｄ５０が２μｍ〜４μｍであることができる。
【００７８】
第１金属磁性体粉末５１の粒径は１０μｍ〜５０μｍであることができ、第２金属磁性体粉末５２の粒径は０．５μｍ〜６μｍであることができる。
【００７９】
複数の第１磁性体シート５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄ、５０ｅ、５０ｆを積層した後、ラミネート法や静水圧プレス法で圧着し、硬化して磁性体本体５０を形成することができる。
【００８０】
このとき、個別のチップサイズに切断した磁性体本体を研磨する過程で、磁性体本体の表面に粗粉である第１金属磁性体粉末５１が突出し、突出した部位の絶縁コーティング層が剥離される。
【００８１】
これにより、外部電極のめっき層を形成する際、絶縁コーティング層が剥離された金属磁性体粉末上にめっき層が形成されるめっき滲み不良が発生する。
【００８２】
図６及び図７ｃを参照すると、磁性体本体５０の上面及び下面のうち少なくとも１つに第２磁性体シート６０ａ、６０ｂを積層してめっき滲み防止層６０を形成する。
【００８３】
第２磁性体シート６０ａ、６０ｂは、微粉の金属磁性体粉末、バインダー、及び溶剤などの有機物を混合してスラリーにし、当該スラリーをドクターブレード法でキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ  ｆｉｌｍ）上に数十μｍの厚さに塗布した後、乾燥してシート（ｓｈｅｅｔ）状に作製することができる。
【００８４】
第２磁性体シート６０ａ、６０ｂは、粒径が０．１μｍ〜１０μｍの金属磁性体粉末６１を含んでもよい。
【００８５】
第２磁性体シート６０ａ、６０ｂは微粉の金属磁性体粉末６１からなるため、第１磁性体シート５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄ、５０ｅ、５０ｆより高い絶縁抵抗を示す。
【００８６】
第２磁性体シート６０ａ、６０ｂを積層し、ラミネート法や静水圧プレス法により圧着してめっき滲み防止層６０を形成してもよい。
【００８７】
このように、磁性体本体５０の上面及び下面に微粉の金属磁性体粉末からなるめっき滲み防止層６０を形成することで、磁性体本体５０の表面粗さを改善し、粗粉によるめっき滲み現象を改善することができる。
【００８８】
図７ｃには、第２磁性体シート６０ａ、６０ｂが微粉である金属磁性体粉末６１を含む実施形態のみを示したが、これに制限されるものではなく、平均粒径が異なる微粉の金属磁性体粉末６１、６１'が混在する他の実施形態であることもできる。
【００８９】
図７ｄを参照すると、磁性体本体５０の厚さをｔ１、めっき滲み防止層６０の厚さをｔ２とすると、ｔ２／ｔ１が０．２５以下を満たすように磁性体本体５０とめっき滲み防止層６０を形成することができる。
【００９０】
ｔ２／ｔ１が０．２５を超えると、磁性体本体の厚さが大きく減少するため、インダクタンスが大きく低下する恐れがある。
【００９１】
図７ｅを参照すると、磁性体本体５０の長さ方向の両端面に露出する内部コイル部４２、４４と接続するように、長さ方向の両端面には外部電極８０を形成する。
【００９２】
まず、磁性体本体５０の長さ方向の両端面に電極層８１を形成し、電極層８１上にめっき層８２を形成してもよい。
【００９３】
電極層８１は、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）及び銀（Ａｇ）からなる群より選択される何れか１つ以上の導電性金属と熱硬化性樹脂を含むペーストを用いて導電性樹脂層を形成することができ、例えば、ディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）法などで形成することができる。
【００９４】
めっき層８２は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）層とスズ（Ｓｎ）層を順にに形成することができる。
【００９５】
本発明の一実施形態は、磁性体本体５０の上面及び下面のうち少なくとも１つにめっき滲み防止層６０を形成して、上記外部電極のめっき層８２を形成するめっき工程時に磁性体本体５０の表面に露出した金属磁性体粉末上にめっき層が形成されるめっき滲み現象を改善することができる。
【００９６】
その他、上述した本発明の一実施形態によるチップ電子部品の特徴と同じ部分に対する説明は省略する。
【００９７】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
【符号の説明】
【００９８】
１００  チップ電子部品
２０  絶縁基板
４２、４４  内部コイル部
５０  磁性体本体
５１  第１金属磁性体粉末
５２  第２金属磁性体粉末
５５  コア部
６０  めっき滲み防止層
６１、６１'  金属磁性体粉末
８０  外部電極
８１  電極層
８２  めっき層
【図１】
0006784366.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
0006784366.tif 000006
【図６】
0006784366.tif 000007
【図７ａ】
0006784366.tif 000008
【図７ｂ】
0006784366.tif 000009
【図７ｃ】
0006784366.tif 000010
【図７ｄ】
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【図７ｅ】
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