(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基材と、
第２の基材と、
光を射出することができる機能を有する第１の表示素子と、
前記光の透過率を制御することができる機能を有する第２の表示素子と、
絶縁層と、
前記第１の表示素子が配置される第１の表示領域と、
前記第２の表示素子が配置される第２の表示領域と、を有し、
前記第２の基材は、前記第１の基材と重なる領域を有し、
前記第１の表示素子は、第１の電極、共通電極およびＥＬ層を有し、
前記ＥＬ層は、発光性の有機化合物を有し、
前記共通電極は、前記第１の電極と重なる領域を有し、且つ、導電性および透光性を有する材料を含み、
前記ＥＬ層は、前記第１の電極と前記共通電極の間に設けられ、
前記第２の表示素子は、第２の電極およびＬＣ層を有し、
前記ＬＣ層は、液晶を含み、
前記第２の電極は、前記共通電極と重なる領域を有し、
前記ＬＣ層は、前記共通電極と前記第２の電極の間に設けられ、
前記絶縁層は、前記共通電極と前記ＬＣ層の間に設けられ、接着層として機能し、
前記絶縁層と前記ＬＣ層の界面は平坦であり、
前記第２の表示領域は、前記第１の表示領域と重なる領域を有する、表示パネル。
【請求項２】
前記ＬＣ層は、高分子を有し、
前記液晶は、前記高分子に分散されている、請求項１に記載の表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、表示パネル、情報処理装置またはプログラムに関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】
静止画を表示部に表示する際に、リフレッシュレートを小さくすることにより、消費電力を低減する技術が知られている（特許文献１）。
【０００４】
発光素子と、発光素子に重なる液晶素子と、を有する表示装置が知られている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１８６４４９号公報
【特許文献２】特開２００７−３０４５７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規なプログラムを提供することを課題の一とする。または、新規な表示パネル、新規な情報処理装置、新規なプログラムまたは新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【０００７】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、第１の基材と、第１の基材と重なる領域を備える第２の基材と、第１の電極、第１の電極に重なる領域を備える共通電極および第１の電極と共通電極の間に発光性の有機化合物を含む層（ＥＬ層ともいう）を備える第１の表示素子と、共通電極と重なる領域を備える第２の電極および共通電極と第２の電極の間に液晶を含む層（ＬＣ層ともいう）を備える第２の表示素子と、共通電極と液晶を含む層の間に絶縁層と、第１の表示素子が複数配置される第１の表示領域と、第２の表示素子が複数配置され且つ第１の表示領域と少なくとも一部が重なる第２の表示領域と、を有する表示パネルである。
【０００９】
そして、第１の表示素子は、光を射出することができる機能を備え、第２の表示素子は、光の透過率を制御することができる機能を備える。
【００１０】
また、本発明の一態様は、第１の基材が可撓性を備え、第２の基材が可撓性を備える、上記の表示パネルである。
【００１１】
また、本発明の一態様は、液晶を含む層が、高分子と高分子に分散された液晶を含む上記の表示パネルである。
【００１２】
また、本発明の一態様は、第１の表示領域は、第２の表示領域が配置される側に表示する機能を備え、第２の表示領域は、第１の表示領域が配置される側とは逆側から入射する光の透過率を制御して、表示する機能を備える、上記の表示パネルである。
【００１３】
また、本発明の一態様は、着色層を有する表示パネルである。そして、第２の電極を着色層と液晶を含む層の間に備える、上記の表示パネルである。
【００１４】
本発明の一態様の表示パネルは、第１の電極、第１の電極と重なる共通電極および第１の電極と共通電極の間に発光性の有機化合物を含む層を具備し且つ光を射出することができる機能を備える第１の表示素子と、共通電極、共通電極と重なる第２の電極および共通電極と第２の電極の間に液晶を含む層を具備し且つ光の透過率を制御することができる機能を備える第２の表示素子と、共通電極と液晶を含む層の間に絶縁層と、複数の第１の表示素子が配置される第１の表示領域と、複数の第２の表示素子が配置され且つ少なくとも一部が第１の表示領域と重なる第２の表示領域と、を含んで構成される。
【００１５】
これにより、第１の表示領域を用いることなく外光および第２の表示素子を用いて表示することができ且つ光を透過する状態にした第２の表示領域および第１の表示素子を用いて表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。また、外光下で使用する際に消費する電力が低減された新規な表示パネルを提供することができる。
【００１６】
また、本発明の一態様は、検知情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える入出力装置と、検知情報を供給される機能および画像情報を供給する機能を備える演算装置と、を有する情報処理装置である。
【００１７】
そして、入出力装置は、表示装置および表示装置が使用される環境の照度を検知して、照度の情報を含む検知情報を供給することができる機能を有する検知部を備え、表示装置は、上記の表示パネルを備える。
【００１８】
また、演算装置は、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部を備え、プログラムは、検知情報が所定の照度未満の情報を含む場合に、第１の表示領域に画像情報を表示することができ且つ第２の表示領域の透過率を高い状態にするステップと、検知情報が所定の照度以上の情報を含む場合に、第２の表示領域に画像情報を表示するステップと、を含む。
【００１９】
上記本発明の一態様の情報処理装置は、上記の表示パネルを具備し且つ画像情報が供給される表示装置と、表示装置が使用される環境の照度を検知して検知情報を供給する検知部と、検知情報が所定の照度未満の情報を含む場合に第１の表示領域に画像情報を表示することができ且つ第２の表示領域に透過率を高い状態にし、検知情報が所定の照度以上の情報を含む場合に第２の表示領域に画像情報を表示する演算装置と、を含んで構成される。これにより、表示装置が使用される環境の照度に基づいて、画像情報を第１の表示領域または第２の表示領域に表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
【００２０】
また、本発明の一態様は、初期化する第１のステップと、割り込み処理を許可する第２のステップと、画像情報を生成する第３のステップと、検知情報を取得する第４のステップと、検知情報が所定の照度未満である情報を含む場合は第６のステップに進み、所定の照度以上である情報を含む場合は第１０のステップに進む、第５のステップと、第２の表示領域の透過率を高い状態にする第６のステップと、第１の表示領域に画像情報を表示する第７のステップと、終了命令が供給された場合は第９のステップに進み、供給されない場合は第３のステップに戻る第８のステップ、処理を終了する第９のステップと、第２の表示領域に画像情報を表示し、第８のステップに進む第１０のステップと、を有する上記の情報処理装置の演算部に実行させるプログラムである。
【００２１】
上記本発明の一態様の情報処理装置は、上記のプログラムは、検知情報が所定の照度未満である情報を含む場合は、第２の表示領域の透過率を高い状態にして且つ第１の表示領域に画像情報を表示するステップを含み、検知情報が所定の照度以上である情報を含む場合は、第２の表示領域に画像情報を表示するステップを含んで構成される。これにより、表示装置が使用される環境の照度に基づいて、画像情報を第１の表示領域または第２の表示領域に表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規なプログラムを提供することができる。
【００２２】
上記のいずれか一に記載の表示パネルと、アンテナ、バッテリー、釦または筐体と、を有する情報処理装置である。
【００２３】
なお、本明細書において、表示パネルにコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子が形成された基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも、表示パネルに含まれるものとする。
【００２４】
本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。
【００２５】
本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。
【００２６】
本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。
【００２７】
本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。
【００２８】
本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。
【００２９】
本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【００３０】
また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。
【発明の効果】
【００３１】
本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供できる。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供できる。または、利便性または信頼性に優れた新規なプログラムを提供できる。または、新規な表示パネル、新規な情報処理装置または、新規なプログラムまたは、新規な半導体装置を提供できる。
【００３２】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図。
【図２】実施の形態に係る表示パネルの構成および駆動方法を説明する図。
【図３】実施の形態に係る情報処理装置を説明するブロック図。
【図４】実施の形態に係るプログラムを説明するフロー図。
【図５】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図。
【図６】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する投影図。
【図７】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する投影図。
【図８】ＣＡＡＣ−ＯＳの断面におけるＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像、およびＣＡＡＣ−ＯＳの断面模式図。
【図９】ＣＡＡＣ−ＯＳの平面におけるＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像。
【図１０】ＣＡＡＣ−ＯＳおよび単結晶酸化物半導体のＸＲＤによる構造解析を説明する図。
【図１１】ＣＡＡＣ−ＯＳの電子回折パターンを示す図。
【図１２】Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物の電子照射による結晶部の変化を示す図。
【図１３】ＣＡＡＣ−ＯＳおよびｎｃ−ＯＳの成膜モデルを説明する模式図。
【図１４】ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶、およびペレットを説明する図。
【図１５】ＣＡＡＣ−ＯＳの成膜モデルを説明する模式図。
【図１６】実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図。
【図１７】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する投影図。
【図１８】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する投影図。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
本発明の一態様の表示パネルは、第１の基材と、第１の基材と重なる領域を備える第２の基材と、第１の電極、第１の電極と重なる共通電極および第１の電極と共通電極の間に発光性の有機化合物を含む層を具備し且つ光を射出することができる機能を備える第１の表示素子と、共通電極、共通電極と重なる第２の電極および共通電極と第２の電極の間に液晶を含む層を具備し且つ光の透過率を制御することができる機能を備える第２の表示素子と、共通電極と液晶を含む層の間に絶縁層と、複数の第１の表示素子が配置される第１の表示領域と、複数の第２の表示素子が配置され且つ少なくとも一部が第１の表示領域と重なる第２の表示領域と、を含んで構成される。
【００３５】
これにより、第１の表示領域を用いることなく外光および第２の表示素子を用いて表示することができ且つ光を透過する状態にした第２の表示領域および第１の表示素子を用いて表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。また、外光下で使用する際に消費する電力が低減された新規な表示パネルを提供することができる。
【００３６】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００３７】
なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。
【００３８】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの構成について、図１を参照しながら説明する。
【００３９】
図１は本発明の一態様の表示パネル１００の構成を説明する図である。図１（Ａ）は本発明の一態様の表示パネル１００の上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２における表示パネル１００の断面図である。図１（Ｃ−１）は、表示パネル１００に用いることができる画素回路１０２Ｃの構成を説明する回路図であり、図１（Ｃ−２）は、表示パネル１００に用いることができる画素回路２０２Ｃの構成を説明する回路図である。
【００４０】
図２（Ａ）は図１に示す表示パネル１００の一部の構成および駆動方法を説明する断面図であり、図２（Ｂ）および図２（Ｃ）は図１に示す表示パネル１００の変形例の一部の構成および駆動方法を説明する断面図である。
【００４１】
＜表示パネルの構成例１．＞
本実施の形態で説明する表示パネル１００は、第１の基材１１０と、第１の基材１１０と重なる領域を備える第２の基材１７０と、第１の表示素子１５０と、第２の表示素子２５０と、絶縁層２２８と、第１の表示領域１０１と、第２の表示領域２０１と、を有する（図１（Ａ）および図１（Ｂ）参照）。
【００４２】
第１の表示素子１５０は、第１の電極１５１、第１の電極１５１に重なる領域を備える共通電極１５２および第１の電極１５１と共通電極１５２の間に発光性の有機化合物を含む層１５３（ＥＬ層ともいう）を備える（図１（Ｂ）参照）。
【００４３】
第２の表示素子２５０は、共通電極１５２と重なる領域を備える第２の電極２５１および共通電極１５２と第２の電極２５１の間に液晶を含む層２５３（ＬＣ層ともいう）を備える。
【００４４】
絶縁層２２８は、共通電極１５２と液晶を含む層２５３の間に設けられる。
【００４５】
第１の表示領域１０１は、第１の表示素子１５０が複数配置される。
【００４６】
第２の表示領域２０１は、第２の表示素子２５０が複数配置され且つ第１の表示領域１０１と少なくとも一部が重なる。
【００４７】
そして、第１の表示素子１５０は、光を射出することができる機能を備える。また、第２の表示素子２５０は、光の透過率を制御することができる機能を備える。
【００４８】
また、第１の基材１１０が可撓性を備え、第２の基材１７０が可撓性を備える。
【００４９】
また、液晶を含む層２５３は、高分子と高分子に分散された液晶を含む。
【００５０】
また、第１の表示領域１０１は、第２の表示領域２０１が配置される側に向けて表示する機能を備える。第２の表示領域２０１は、第１の表示領域１０１が配置される側とは逆側から入射する光の透過率を制御して、表示する機能を備える。
【００５１】
また、着色層ＣＦを有し、着色層ＣＦと液晶を含む層２５３の間に第２の電極２５１を備える。
【００５２】
本実施の形態で例示する表示パネルは、第１の基材１１０と、第１の基材１１０と重なる領域を備える第２の基材１７０と、第１の電極１５１、第１の電極１５１と重なる共通電極１５２および第１の電極１５１と共通電極１５２の間に発光性の有機化合物を含む層１５３を具備し且つ光を射出することができる機能を備える第１の表示素子１５０と、共通電極１５２、共通電極１５２と重なる第２の電極２５１および共通電極１５２と第２の電極２５１の間に液晶を含む層２５３を具備し且つ光の透過率を制御することができる機能を備える第２の表示素子２５０と、共通電極１５２と液晶を含む層２５３の間に絶縁層２２８と、複数の第１の表示素子１５０が配置される第１の表示領域１０１と、複数の第２の表示素子２５０が配置され且つ少なくとも一部が第１の表示領域１０１と重なる第２の表示領域２０１と、を含んで構成される。
【００５３】
これにより、第１の表示領域を用いることなく外光および第２の表示素子を用いて表示することができ且つ光を透過する状態にした第２の表示領域および第１の表示素子を用いて表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。また、外光下で使用する際に消費する電力が低減された新規な表示パネルを提供することができる。
【００５４】
また、表示パネル１００は、第１の表示素子１５０を駆動する画素回路１０２Ｃを備え、画素回路１０２Ｃと電気的に接続される配線１１１を備える。また、表示パネル１００は、第２の表示素子２５０を駆動する画素回路２０２Ｃを備え、画素回路２０２Ｃと電気的に接続される配線２１１を備える。なお、図１（Ｂ）には、画素回路１０２Ｃおよび画素回路２０２Ｃが模式的に図示されている。
【００５５】
また、表示パネル１００は、端子部１１９および端子部２１９を備える。端子部１１９は配線１１１と電気的に接続する端子を含み、端子部２１９は配線２１１と電気的に接続する端子を含む。端子部１１９はフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１０９と電気的に接続され、端子部２１９はフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２０９と電気的に接続される。
【００５６】
また、表示パネル１００は、画素１０２を備える。
【００５７】
画素１０２は一対の第１の表示素子１５０と画素回路１０２Ｃおよび一対の第２の表示素子２５０と画素回路２０２Ｃを少なくとも備える。なお、画素１０２が、一対の第１の表示素子１５０と画素回路１０２Ｃおよび複数の対になる第２の表示素子２５０と画素回路２０２Ｃを備えてもよいし、画素１０２が、複数の対になる第１の表示素子１５０と画素回路１０２Ｃおよび一対の第２の表示素子２５０と画素回路２０２Ｃを備えてもよい。
【００５８】
また、表示パネル１００は、開口部を備える遮光層ＢＭを有し、開口部は第２の電極２５１と少なくとも一部が重なる。
【００５９】
また、表示パネル１００は、開口部を備える隔壁１２８を有し、開口部は第１の電極１５１と少なくとも一部が重なる。隔壁１２８は絶縁性を備え、第１の電極１５１の端部を覆う。
【００６０】
また、表示パネル１００は、スペーサＫＢを備える。スペーサＫＢは、共通電極１５２と第２の電極２５１の間に所定の間隔を形成する大きさを備える。これにより、共通電極１５２と第２の電極２５１の間に所定の厚さを備える液晶を含む層２５３を配設することができる。
【００６１】
具体的には、スペーサＫＢは共通電極１５２と第２の電極２５１の間に３μｍ以上１０μｍ以下好ましくは３．５μｍ以上６μｍ以下の間隔を形成する大きさを備える。間隔が３μｍ未満であると、第２の表示領域２０１を用いて明暗のコントラストに優れた鮮明な表示をすることが困難になる。また、間隔が１０μｍより大きいと、第１の表示領域１０１を用いて視野角の広い表示をすることが困難になる。また、第２の表示素子２５０が消費する電力が大きくなる。
【００６２】
また、表示パネル１００は、絶縁層２２８を共通電極１５２と第２の電極２５１の間に有する。絶縁層２２８はスペーサＫＢに重なる位置に形成された共通電極が第２の電極２５１と短絡してしまう不具合の発生を防止する機能を備える。
【００６３】
また、表示パネル１００は第１の基材１１０と第２の基材１７０を備える。第１の表示領域１０１と第２の表示領域２０１は、第１の基材１１０と第２の基材１７０の間にある。第１の基材１１０は、絶縁層１１０ａおよび支持体１１０ｂを備え、第２の基材１７０は、絶縁層１７０ａおよび支持体１７０ｂを備える。
【００６４】
以下に、表示パネル１００を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。
【００６５】
例えば、発光性の有機化合物を含む層１５３と液晶を含む層２５３の間にある共通電極１５２は、第１の表示素子１５０を構成する要素であるとともに、第２の表示素子２５０を構成する要素でもある。
【００６６】
《全体の構成》
表示パネル１００は、第１の表示素子１５０、第２の表示素子２５０、第１の表示領域１０１または第２の表示領域２０１を有する。
【００６７】
また、表示パネル１００は、着色層ＣＦまたは遮光層ＢＭを備える。
【００６８】
また、表示パネル１００は、画素回路１０２Ｃ、画素回路２０２Ｃ、配線１１１、配線２１１または端子部１１９を備える。
【００６９】
《第１の基材１１０》
第１の基材１１０は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さならびに大きさを備える。
【００７０】
例えば、有機材料、無機材料を第１の基材１１０に用いることができる。
【００７１】
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を第１の基材１１０に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等を含む薄膜または板を用いることができる。具体的には、これらの材料を支持体１１０ｂに用いることができる。
【００７２】
例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を第１の基材１１０に用いることができる。具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラスまたはクリスタルガラス等を含む板を用いることができる。具体的には、ＳＵＳ、アルミニウムまたはマグネシウム等を含む金属箔または金属板を用いることができる。具体的には、これらの材料を支持体１１０ｂに用いることができる。
【００７３】
例えば、無機酸化物、無機窒化物または無機酸窒化物等を第１の基材１１０に用いることができる。具体的には、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ等を含む薄膜を用いることができる。具体的には、これらの材料を絶縁層１１０ａに用いることができる。
【００７４】
例えば、一の材料または複数の材料の複合材料を第１の基材１１０に用いることができる。具体的には、複数の材料が積層された複合材料または繊維状または粒子状の材料が他の材料に分散された複合材料を用いることができる。
【００７５】
例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁層が積層された材料を、第１の基材１１０に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化珪素、窒化珪素または酸化窒化珪素等から選ばれた一または複数の材料が積層された材料を用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化珪素、窒化珪素または酸化窒化珪素等から選ばれた一または複数の材料が積層された材料を用いることができる。
【００７６】
例えば、金属板、薄板状のガラスまたは無機材料等の膜と樹脂フィルム等を貼り合わせた複合材料を第１の基材１１０に用いることができる。
【００７７】
例えば、１０μｍ以下の厚さの無機材料の膜と十数μｍから数百μｍの厚さの樹脂フィルムを貼り合せた複合材料を用いると、５ｍｍ以下、好ましくは４ｍｍ以下、より好ましくは３ｍｍ以下、特に好ましくは１ｍｍ以下の曲率半径で折り曲げられる材料を用いることができる。
【００７８】
《第２の基材１７０》
第１の基材１１０に用いることができる材料を第２の基材１７０に用いることができる。なお、第２の基材１７０に第１の基材と同一の材料を用いると、カール等を抑制することができる。
【００７９】
例えば、１０μｍ以下の厚さの無機材料の膜と十数μｍから数百μｍの厚さの樹脂フィルムを貼り合せた複合材料を用いると、５ｍｍ以下、好ましくは４ｍｍ以下、より好ましくは３ｍｍ以下、特に好ましくは１ｍｍ以下の曲率半径で折り曲げられる材料を用いることができる。
【００８０】
《第１の表示素子１５０》
第１の表示素子１５０は、第１の電極１５１、共通電極１５２および発光性の有機化合物を含む層１５３を備え、共通電極１５２から光を射出する（図１（Ｂ）参照）。
【００８１】
例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子などを第１の表示素子１５０に用いることができる。
【００８２】
例えば、厚さが１００ｎｍ以上２μｍ以下の第１の表示素子１５０を用いることができる。これにより、可撓性を有する第１の基材１１０および第２の基材１７０の変形に追従させて、第１の表示素子１５０を折り曲げることができる。その結果、可撓性を有する表示パネルを提供することができる。
【００８３】
《第１の電極１５１》
導電性を有する材料を第１の電極１５１に用いることができる。特に、発光性の有機化合物を含む層１５３から射出する光を効率よく反射する材料が好ましい。
【００８４】
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを用いることができる。なお、材料を単一の層でまたは積層された複数の層で用いることができる。
【００８５】
具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を含む合金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いることができる。
【００８６】
特に、銀、アルミニウムまたはこれらを含む合金は、可視光について高い反射率を備えるため好ましい。
【００８７】
または、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。
【００８８】
または、グラフェンまたはグラファイトを用いることができる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
【００８９】
または、導電性高分子を用いることができる。
【００９０】
《共通電極１５２》
導電性および透光性を有する材料を共通電極１５２に用いることができる。
【００９１】
例えば、第１の電極１５１に用いることができる材料を、透光性を有する程度に薄くして共通電極１５２に用いることができる。具体的には、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の厚さの金属薄膜を用いることができる。
【００９２】
なお、材料を単一の層でまたは積層された複数の層で用いることができる。具体的には、インジウムとスズを含む金属酸化物層と厚さ５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の銀を積層して用いることができる。
【００９３】
《発光性の有機化合物を含む層１５３》
発光性の有機化合物を含む層１５３は、蛍光または燐光を発する有機化合物を含む。また、発光性の有機化合物を含む層１５３は、ＥＬ層ともいう。
【００９４】
単一の層または複数の層が積層された構造を、発光性の有機化合物を含む層１５３に用いることができる。
【００９５】
例えば、電子に比べて正孔の移動度が優れる材料を含む層、正孔に比べて電子の移動度が優れる材料を含む層などを用いることができる。
【００９６】
構成が異なる複数の発光性の有機化合物を含む層１５３を、一の発光パネルに用いることができる。例えば、赤色の光を発する発光性の有機化合物を含む層１５３と、緑色の光を発する発光性の有機化合物を含む層１５３と、青色の光を発する発光性の有機化合物を含む層１５３と、を表示パネル１００に用いることができる。
【００９７】
《第２の表示素子２５０》
第２の表示素子２５０は、第２の電極２５１、共通電極１５２および液晶を含む層２５３を備え、共通電極１５２から入射する光または第２の電極２５１から入射する光を透過する程度を制御することができる機能を備える。例えば、光を透過する程度または散乱する程度を制御することができる機能を備える（図１（Ｂ）参照）。例えば、高分子分散型液晶素子を表示素子２５０に用いることができる。
【００９８】
例えば、第２の表示素子２５０は、第１の表示素子１５０が射出する光を透過する程度を制御することができる機能を備える。具体的には、共通電極１５２から入射された光を透過して、第２の電極２５１から射出する。
【００９９】
または、第２の表示素子２５０は、第２の電極２５１から入射された光を、透過または散乱することができる機能を備える。具体的には、第２の電極から入射された光を透過して、共通電極１５２または第１の表示素子１５０の第１の電極１５１まで到達させる。入射された光は共通電極１５２または第１の電極１５１に反射され、再び第２の表示素子２５０を透過して、第２の電極２５１から射出される。
【０１００】
例えば、３μｍ以上３０μｍ以下の厚さを備える第２の表示素子２５０を用いることができる。これにより、可撓性を有する第１の基材１１０および第２の基材１７０の変形に第２の表示素子２５０を追従させて折り曲げることができる。その結果、可撓性を有する表示パネル１００を提供することができる。
【０１０１】
《液晶を含む層２５３》
液晶を含む層２５３は、網目状の構造を備える高分子と網目状の構造を有する高分子から相分離した液晶を含む。例えば、網目状の構造の大きさが５５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下であると、入射する可視光を効率よく散乱できるため好ましい。
【０１０２】
例えば、屈折率の異方性Δｎが０．１５以上、好ましくは０．２以上の液晶材料を用いることができる。また、配向した状態の液晶材料とおよそ等しい屈折率を備える高分子を用いることができる。
【０１０３】
液晶材料の屈折率の異方性が大きいと、光を散乱する効果が高められ、液晶を含む層２５３を薄くすることができる。これにより、駆動電圧を低減することができる。
【０１０４】
また、材料の比誘電率Δεが大きいと、駆動電圧を低減することができる。
【０１０５】
例えば、液晶材料を含むモノマーを重合して、液晶を含む層２５３を形成することができる。具体的には、液晶材料と、重量百分率でおよそ２０％以上３０％未満のモノマーと、を含む組成物に紫外線を照射する。紫外線が照射されたモノマーは、液晶材料と相分離しながら重合し、液晶を含む層２５３を形成することができる。例えば、アクリル系の材料をモノマーに用いることができる。
【０１０６】
《第２の電極２５１》
第２の電極２５１は、導電性および透光性を備える。導電性および透光性を備える材料を第２の電極２５１に用いることができる。例えば、共通電極１５２と同様の材料を用いることができる。
【０１０７】
《第１の表示領域１０１》
第１の表示領域１０１は、複数の第１の表示素子１５０を備える。例えば、マトリクス状に配置された複数の第１の表示素子１５０を備える。
【０１０８】
《第２の表示領域２０１》
第２の表示領域２０１は、少なくとも一部が第１の表示領域１０１と重なる。また、第２の表示領域２０１は、複数の第２の表示素子２５０を備える。
【０１０９】
例えば、第２の表示領域２０１は、マトリクス状に配置された複数の第２の表示素子２５０を備え、第１の表示素子１５０毎に重なるように第２の表示素子２５０を配置することができる（図１（Ｂ）参照）。
【０１１０】
《着色層》
着色層ＣＦは、所定の色の光を透過する機能を有する。
【０１１１】
例えば、赤色の光を透過する層、緑色の光を透過する層もしくは青色の光を透過する層を着色層ＣＦに用いることができる。または、黄色の光を透過する層、シアンの光を透過する層もしくはマゼンタの光を透過する層を着色層ＣＦに用いることができる。
【０１１２】
例えば、顔料または染料を含む層を着色層ＣＦに用いることができる。具体的には、顔料または染料を含む高分子を、着色層ＣＦに用いることができる。
【０１１３】
また、透過する光の色が異なる複数の着色層ＣＦを用いることができる。
【０１１４】
例えば、透過する光の色が異なる着色層ＣＦを、縞状に配置して用いることができる。または、市松模様になるように配置して用いることができる。
【０１１５】
具体的には、赤色の光を透過する着色層ＣＦと緑色の光を透過する着色層ＣＦと青色の光を透過する着色層ＣＦを縞状に配置して用いることができる。または、上記の３種類の着色層ＣＦと黄色の光を透過する着色層ＣＦを２行２列の行列状に配置して用いることができる。
【０１１６】
《遮光層ＢＭ》
遮光層ＢＭは、可視光の透過を抑制する機能を有する。例えば、帯状または格子状の形状を備える。
【０１１７】
例えば、遮光性を有する材料を遮光層ＢＭに用いることができる。顔料を分散した樹脂、染料を含む樹脂の他、黒色クロム膜等の無機膜を遮光層ＢＭに用いることができる。具体的には、カーボンブラック、無機酸化物、複数の無機酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を用いることができる。
【０１１８】
《隔壁１２８》
隔壁１２８は、開口部および絶縁性を有する。例えば、縞状または行列状に配置された開口部を備える。また、さまざまな形状の開口部を用いることができる。
【０１１９】
例えば、絶縁性の有機材料または絶縁性の無機材料を隔壁１２８に用いることができる。
【０１２０】
例えば、一の材料または複数の材料の複合材料を隔壁１２８に用いることができる。具体的には、複数の材料が積層された複合材料または繊維状または粒子状の材料が他の材料に分散された複合材料を用いることができる。
【０１２１】
例えば、樹脂等の有機材料を隔壁１２８に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、アクリル樹脂または感光性高分子から形成された材料等を含む薄膜を用いることができる。
【０１２２】
例えば、無機酸化物、無機窒化物または無機酸窒化物等を隔壁１２８に用いることができる。具体的には、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ等を含む薄膜を用いることができる。
【０１２３】
具体的には、厚さ０．８μｍのポリイミドを隔壁１２８に用いることができる。
【０１２４】
《スペーサＫＢ》
スペーサＫＢは、共通電極１５２と第２の電極２５１の間隔を所定の長さにする大きさを有する。なお、スペーサＫＢ、遮光層ＢＭおよび隔壁１２８が重なる領域がある。
【０１２５】
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料をスペーサＫＢに用いることができる。
【０１２６】
具体的には、樹脂、プラスチック等の有機材料をスペーサＫＢに用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂、感光性高分子から形成された材料等を、スペーサＫＢに用いることができる。
【０１２７】
具体的には、無機酸化物、無機窒化物または無機酸窒化物等を、スペーサＫＢに用いることができる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ等を、スペーサＫＢに用いることができる。
【０１２８】
《絶縁層２２８》
絶縁層２２８は、共通電極１５２と第２の電極２５１の間に設けられ、絶縁性を備える。具体的には、共通電極１５２と液晶を含む層２５３の間に設けられる。
【０１２９】
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を絶縁層２２８に用いることができる。
【０１３０】
具体的には、樹脂、プラスチック等の有機材料を絶縁層２２８に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂、感光性高分子から形成された材料等を、絶縁層２２８に用いることができる。
【０１３１】
例えば、第１の表示領域１０１が形成された加工部材と、第２の電極および液晶を含む層２５３が形成された加工部材と、を貼り合わせる接着剤を絶縁層２２８に用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を用いることができる。
【０１３２】
《画素回路１０２Ｃ》
画素回路１０２Ｃは、第１の表示素子１５０に電力を供給し、第１の表示素子１５０を駆動する機能を備える。
【０１３３】
例えば、画素回路１０２Ｃは、駆動用トランジスタＭ１０、スイッチング素子Ｍ１１および容量Ｃ１１を備え、選択信号を供給することができる配線Ｇ１１、画像信号を供給することができる配線Ｓ１１、高電源電位を供給することができる配線ＶＰおよび低電源電位を供給することができる配線ＣＯＭと、電気的に接続される（図１（Ｃ−１）参照）。なお、配線Ｇ１１は走査線ということができ、配線Ｓ１１は信号線ということができる。
【０１３４】
なお、配線ＣＯＭは共通電極１５２と電気的に接続され、例えば配線Ｇ１１は配線１１１と電気的に接続される。
【０１３５】
《画素回路２０２Ｃ》
画素回路２０２Ｃは、第２の表示素子２５０に電力を供給し、第２の表示素子２５０を駆動する機能を備える。
【０１３６】
例えば、スイッチング素子Ｍ２１および容量Ｃを備え、選択信号を供給することができる配線Ｇ２１、画像信号を供給することができる配線Ｓ２１および低電源電位を供給することができる配線ＣＯＭと、電気的に接続される（図１（Ｃ−２）参照）。
【０１３７】
なお、配線ＣＯＭは共通電極１５２と電気的に接続され、例えば配線Ｇ２１は配線２１１と電気的に接続される。
【０１３８】
《配線１１１、配線２１１、端子部１１９および端子部２１９》
配線１１１、配線２１１、端子部１１９および端子部２１９は導電性を有する材料を含む。
【０１３９】
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを用いることができる。
【０１４０】
具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を含む合金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いることができる。
【０１４１】
または、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。
【０１４２】
または、グラフェンまたはグラファイトを用いることができる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
【０１４３】
または、導電性高分子を用いることができる。
【０１４４】
＜表示パネルの駆動方法例１．＞
本発明の一態様の表示パネルの構成例１において説明された表示パネルの駆動方法について、図２（Ａ）を参照しながら説明する。
【０１４５】
図２（Ａ）は、図１（Ｂ）から抜き出された表示パネル１００の一部の構成を図示する断面図である。
【０１４６】
具体的には、図１（Ｂ）の符号Ａが付された部分および着色層ＣＦが、図２（Ａ）に図示されている。
【０１４７】
３つの画素のうち、画素１０２Ｒは、赤色の表示をすることができる機能を有し、赤色の光を含む光を射出する第１の表示素子１５０および赤色の光を透過する着色層ＣＦを備える。また、画素１０２Ｇは、緑色の表示をすることができる機能を有し、緑色の光を含む光を射出する第１の表示素子１５０および緑色の光を透過する着色層ＣＦを備える。また、画素１０２Ｂは、青色の表示をすることができる機能を有し、青色の光を含む光を射出する第１の表示素子１５０および青色の光を透過する着色層ＣＦを備える。
【０１４８】
具体的には、画素１０２Ｒの第１の表示素子１５０は、赤色の光を生成する発光性の有機化合物を含む層１５３を備える。また、画素１０２Ｇの第１の表示素子１５０は、緑色の光を生成する発光性の有機化合物を含む層１５３を備える。また、画素１０２Ｂの第１の表示素子１５０は、青色の光を生成する発光性の有機化合物を含む層１５３を備える。
【０１４９】
また、図２（Ａ）に図示する画素１０２Ｒは暗い階調を表示し、画素１０２Ｇは外光を用いて明るい階調を表示し、画素１０２Ｂは表示素子１５０が射出する光を用いて明るい階調を表示している。
【０１５０】
《暗い階調を表示する方法》
例えば、画素１０２Ｒの第２の表示素子２５０を、光を散乱する状態にする。具体的には、液晶を含む層２５３に与える電界を、図示されていない第２の電極と共通電極１５２に加える電圧を用いて制御して、光を散乱する状態にする。
【０１５１】
これにより、表示パネル１００の使用者がいる側から表示パネル１００に入射する外光が、画素１０２Ｒの着色層ＣＦを透過する際に弱められ、さらに液晶を含む層２５３においてさまざまな方向に散乱される。その結果、使用者に向かう光が減少し、暗い階調が表示される。
【０１５２】
《外光を用いて明るい階調を表示する方法》
例えば、画素１０２Ｇの第２の表示素子２５０を、光を透過する状態にする。具体的には、液晶を含む層２５３に与える電界を、図示されていない第２の電極と共通電極１５２に加える電圧を用いて制御して、光を透過する状態にする。
【０１５３】
これにより、外光が、画素１０２Ｇの着色層ＣＦを透過して、第１の電極１５１で反射され、再び着色層ＣＦを透過して、表示パネル１００の外部に射出される。その結果、使用者は、着色層ＣＦを２回透過した光を視認することができる。例えば、着色層ＣＦが緑色の光を透過する場合は、緑色の光を視認することができる。
【０１５４】
《表示素子１５０を用いて明るい階調を表示する方法》
例えば、画素１０２Ｂの第２の表示素子２５０を、光を透過する状態にする。具体的には、液晶を含む層２５３に与える電界を、図示されていない第２の電極および共通電極１５２に加える電圧を用いて制御して、光を透過する状態にする。また、第１の表示素子１５０を、光を射出する状態にする。具体的には、第１の電極１５１および共通電極１５２を用いて発光性の有機化合物を含む層１５３に電流を流す。
【０１５５】
これにより、第１の表示素子１５０が射出する光が、第２の表示素子および着色層ＣＦを透過して、表示パネル１００の外部に射出される。その結果、使用者は、着色層ＣＦを透過した光を視認することができる。例えば、第１の表示素子１５０が青色の光を射出し、着色層ＣＦが青色の光を透過する場合は、青色の光を視認することができる。
【０１５６】
＜表示パネルの構成例２．＞
本発明の一態様の表示パネルの別の構成について、図１６を参照しながら説明する。
【０１５７】
図１６は図１に示す表示パネル１００の一部を置き換えることができる構成を説明する断面図である。
【０１５８】
具体的には、図１６に図示する構成で図１（Ｂ）に図示する第１の基材１１０および第２の基材１７０を置き換えることができる。
【０１５９】
《第１の基材１１０》
第１の基材１１０は可撓性を備える。具体的には、１０μｍ以下の厚さの無機材料の絶縁層１１０ａと、絶縁層１１０ａと重なる領域を有し可撓性を備える支持体１１０ｂと、絶縁層１１０ａおよび支持体１１０ｂを貼り合わせる機能を有する樹脂層１１０ｃを第１の基材１１０に用いることができる。
【０１６０】
《第２の基材１７０》
第２の基材１７０は可撓性を備える。具体的には、１０μｍ以下の厚さの無機材料の絶縁層１７０ａと、絶縁層１７０ａと重なる領域を有し可撓性を備える支持体１７０ｂと、絶縁層１７０ａおよび支持体１７０ｂを貼り合わせる機能を有する樹脂層１７０ｃを第２の基材１７０に用いることができる。
【０１６１】
＜表示パネルの構成例３．＞
本発明の一態様の表示パネルの別の構成について、図２（Ｂ）を参照しながら説明する。
【０１６２】
図２（Ｂ）は図１に示す表示パネル１００の一部を置き換えることができる構成およびその駆動方法を説明する断面図である。
【０１６３】
具体的には、図１（Ｂ）の符号Ａが付された部分および着色層ＣＦを、図２（Ｂ）に図示する構成で置き換えることができる。
【０１６４】
３つの画素１０２のうち、画素１０２Ｒは、赤色の表示をすることができる機能を有し、赤色の光を透過する着色層ＣＦを備える。また、画素１０２Ｇは、緑色の表示をすることができる機能を有し、緑色の光を透過する着色層ＣＦを備える。また、画素１０２Ｂは、青色の表示をすることができる機能を有し、青色の光を透過する着色層ＣＦを備える。そして、画素１０２Ｒ、画素１０２Ｇおよび画素１０２Ｂは、いずれも赤色、緑色および青色の光を含む白色の光を射出することができる機能を有する第１の表示素子１５０Ｗを備える。
【０１６５】
なお、表示パネルの構成例３において説明する表示パネルは、表示パネルの構成例１において説明する表示パネル１００と同様の方法で駆動することができる。
【０１６６】
画素１０２Ｒ、画素１０２Ｇおよび画素１０２Ｂが、いずれも赤色、緑色および青色の光を含む白色の光を射出することができる機能を有する第１の表示素子１５０Ｗを有する点が、図１（Ｂ）を参照しながら説明する構成とは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。
【０１６７】
《第１の表示素子１５０Ｗ》
第１の表示素子１５０Ｗは、第１の電極１５１、共通電極１５２および発光性の有機化合物を含む層１５３Ｗ（ＥＬ層ともいう）を備え、共通電極１５２から赤色、緑色および青色の光を含む白色の光を射出する。
【０１６８】
なお、第１の表示素子１５０の第１の電極１５１に用いることができる材料と同様の材料を、表示素子１５０Ｗの第１の電極１５１に用いることができ、第１の表示素子１５０の共通電極１５２に用いることができる材料と同様の材料を、表示素子１５０Ｗの共通電極１５２に用いることができる。
【０１６９】
《発光性の有機化合物を含む層１５３Ｗ》
発光性の有機化合物を含む層１５３Ｗは、蛍光または燐光を発する有機化合物を含み、赤色、緑色および青色の光を含む白色の光を生成する。また、発光性の有機化合物を含む層１５３Ｗは、ＥＬ層ともいう。
【０１７０】
例えば、青色の光を生成する層、緑色の光を生成する層および赤色の光を生成する層が積層された構成を、発光性の有機化合物を含む層１５３Ｗに用いることができる。または、青色の光を生成する層および黄色の光を生成する層が積層された構成を、発光性の有機化合物を含む層１５３Ｗに用いることができる。または、青色の蛍光を生成する層および黄色の燐光を生成する層が積層された構成を、発光性の有機化合物を含む層１５３Ｗに用いることができる。
【０１７１】
＜表示パネルの構成例４．＞
本発明の一態様の表示パネルの別の構成について、図２（Ｃ）を参照しながら説明する。
【０１７２】
図２（Ｃ）は図１に示す表示パネル１００の一部を置き換えることができる構成およびその駆動方法を説明する断面図である。
【０１７３】
具体的には、図１（Ｂ）の符号Ａが付された部分および着色層ＣＦを、図２（Ｃ）に図示する構成で置き換えることができる。
【０１７４】
３つの画素１０２のうち、画素１０２Ｒは、赤色の表示をすることができる機能を有し、赤色の光を含む光を効率よく射出する第１の表示素子１５０ＷＲおよび赤色の光を透過する着色層ＣＦを備える。また、画素１０２Ｇは、緑色の表示をすることができる機能を有し、緑色の光を含む光を効率よく射出する第１の表示素子１５０ＷＧおよび緑色の光を透過する着色層ＣＦを備える。また、画素１０２Ｂは、青色の表示をすることができる機能を有し、青色の光を含む光を効率よく射出する第１の表示素子１５０ＷＢおよび青色の光を透過する着色層ＣＦを備える。
【０１７５】
また、図２（Ｃ）に図示する画素１０２Ｒは外光を用いて明るい階調を表示し、画素１０２Ｇは暗い階調を表示し、画素１０２Ｂは表示素子１５０ＷＢが射出する光を用いて明るい階調を表示している。
【０１７６】
図２（Ｃ）に示す構成は、画素１０２Ｒ、画素１０２Ｇおよび画素１０２Ｂが、いずれも赤色、緑色および青色の光を含む白色の光を生成する機能を有する発光性の有機化合物を含む層１５３Ｗを有する点、共通電極１５２Ｍが、発光性の有機化合物を含む層１５３Ｗが生成する光の一部を透過し且つ一部を反射する機能を有する点および所定の色の光が効率よく射出されるように、共通電極１５２Ｍと第１の電極の間に異なる間隔が設けられている点が、図１（Ｂ）を参照しながら説明する構成とは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。
【０１７７】
《第１の表示素子１５０ＷＢ》
例えば、青色の光を射出する第１の表示素子１５０ＷＢは、第１の電極１５１Ｂ、共通電極１５２Ｍおよび発光性の有機化合物を含む層１５３Ｗを備え、共通電極１５２Ｍから青色の光の成分を多く含む白色の光を射出する。なお、緑色の光を射出する第１の表示素子１５０ＷＧは、第１の電極１５１Ｇを備え、赤色の光を射出する第１の表示素子１５０ＷＲは、第１の電極１５１Ｒを備える。
【０１７８】
発光性の有機化合物を含む層１５３Ｗは、蛍光または燐光を発する有機化合物を含み、赤色、緑色および青色の光を含む白色の光を生成する。表示パネルの構成例３で説明する材料を、発光性の有機化合物を含む層１５３Ｗに用いることができる。
【０１７９】
共通電極１５２Ｍは、発光性の有機化合物を含む層１５３Ｗが生成する光の一部を反射し、一部を透過する。例えば、表示パネルの構成例１で説明する材料を、透光性を有する程度に薄くして共通電極１５２Ｍに用いることができる。具体的には、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の厚さの金属薄膜を用いることができる。
【０１８０】
第１の電極１５１Ｂは、発光性の有機化合物を含む層１５３Ｗが生成する光を反射する機能を有する。また、光学距離を調整する機能を有することができる。
【０１８１】
例えば、表示パネルの構成例１で説明する材料を、第１の電極１５１Ｂに用いることができる。特に、可視光に対し９０％以上の反射率を備える金属等が好ましい。
【０１８２】
また、可視光を反射する材料に透光性を備える導電性の材料を積層した材料を、第１の電極１５１に用いることができる。例えば、青色の光を射出する第１の表示素子１５０ＷＢは、青色の光が効率よく取り出されるように、共通電極１５２Ｍと第１の電極１５１Ｂの間の光学距離を調整する。具体的には、共通電極１５２と第１の電極１５１とで、微小共振器が構成されるように、共通電極１５２と第１の電極１５１の間に間隔を設ける。
【０１８３】
光学距離は、透光性を備える導電性の材料の厚さおよび屈折率を用いて調整することができる。これにより、所定の色の光を効率よく射出することができる。
【０１８４】
また、微小共振器が構成されるように配置された共通電極１５２と第１の電極１５１Ｂとを備える第１の表示素子１５０は、外光を反射しにくくなる。これにより、暗い階調を表示することができる。
【０１８５】
＜表示パネルの駆動方法例２．＞
本発明の一態様の表示パネルの構成例３において説明する表示パネルの駆動方法について、図２（Ｃ）を参照しながら説明する。
【０１８６】
《外光を用いて明るい階調を表示する方法》
例えば、画素１０２Ｒの第２の表示素子を、光を散乱する状態にする。具体的には、液晶を含む層２５３に与える電界を、図示されていない第２の電極と共通電極１５２に加える電圧を用いて制御して、光を散乱する状態にする。
【０１８７】
これにより、表示パネルの使用者がいる側から表示パネルに入射する外光が着色層ＣＦを透過し、さらに液晶を含む層２５３においてさまざまな方向に散乱される。そして、再び着色層ＣＦを透過して、表示パネルの外部に射出される。その結果、使用者は、着色層ＣＦを２回透過した光を視認することができる。例えば、着色層ＣＦが赤色の光を透過する場合は、赤色の光を視認することができる。
【０１８８】
《暗い階調を表示する方法》
例えば、画素１０２Ｇの第２の表示素子２５０を、光を透過する状態にする。具体的には、液晶を含む層２５３に与える電界を、図示されていない第２の電極と共通電極１５２に加える電圧を用いて制御して、光を透過する状態にする。
【０１８９】
着色層ＣＦを透過した光は、緑色の光が効率よく射出されるように調整された第１の表示素子１５０ＷＧに到達する。共通電極１５２Ｍと第１の電極１５１Ｂとで微小共振器が構成された第１の表示素子１５０ＷＧにおいて、外光の反射が抑制される。その結果、表示パネル１００の使用者に向かう光が減少し、暗い階調が表示される。
【０１９０】
《表示素子１５０を用いて明るい階調を表示する方法》
例えば、画素１０２Ｂの第２の表示素子２５０を、光を透過する状態にする。具体的には、液晶を含む層２５３に与える電界を、図示されていない第２の電極および共通電極１５２に加える電圧を用いて制御して、光を透過する状態にする。また、第１の表示素子１５０ＷＢを、光を射出する状態にする。具体的には、第１の電極１５１Ｂおよび共通電極１５２Ｍを用いて発光性の有機化合物を含む層１５３Ｗに電流を流す。
【０１９１】
これにより、第１の表示素子１５０ＷＢが射出する光が、第２の表示素子および着色層ＣＦを透過して、表示パネルの外部に射出される。その結果、使用者は、着色層ＣＦを透過した光を視認することができる。例えば、第１の表示素子１５０ＷＢが青色の光を射出し、着色層ＣＦが青色の光を透過する場合は、青色の光を視認することができる。
【０１９２】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１９３】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図３を参照しながら説明する。
【０１９４】
図３は本発明の一態様の情報処理装置３００の構成を説明するブロック図である。
【０１９５】
＜情報処理装置の構成例＞
本実施の形態で説明する情報処理装置３００は、入出力装置２０と、演算装置１０と、を有する。
【０１９６】
入出力装置２０は、検知情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える。
【０１９７】
演算装置１０は、検知情報を供給される機能および画像情報を供給する機能を備える。
【０１９８】
入出力装置２０は、表示装置３０および表示装置３０が使用される環境の照度を検知して、照度の情報を含む検知情報を供給することができる機能を有する検知部５０を備える。
【０１９９】
表示装置３０は、例えば実施の形態１に記載の表示パネル１００を備える。
【０２００】
演算装置１０は、演算部１１および演算部１１に実行させるプログラムを記憶する記憶部１２を備える。
【０２０１】
プログラムは、検知情報が所定の照度未満の情報を含む場合に、第１の表示領域１０１に画像情報を表示することができ且つ第２の表示領域２０１の透過率を高い状態にするステップと、検知情報が所定の照度以上の情報を含む場合に、第２の表示領域２０１に画像情報を表示するステップと、を含む。
【０２０２】
本実施の形態で例示する情報処理装置３００は、実施の形態１で説明する表示パネル１００を具備し且つ画像情報が供給される表示装置３０と、表示装置３０が使用される環境の照度を検知して検知情報を供給する検知部５０と、検知情報が所定の照度未満の情報を含む場合に第１の表示領域１０１に画像情報を表示することができ且つ第２の表示領域２０１に透過率を高い状態にし、検知情報が所定の照度以上の情報を含む場合に第２の表示領域２０１に画像情報を表示する演算装置１０と、を含んで構成される。これにより、表示装置が使用される環境の照度に基づいて、画像情報を第１の表示領域または第２の表示領域に表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。また、外光下で使用する際に消費する電力が低減された新規な表示パネルを提供することができる。
【０２０３】
また、入出力装置２０は、操作命令を供給する操作部２２、様々な入出力情報を供給し供給される入出力部４５およびさまざまな通信情報を供給し供給される通信部６０を備える。
【０２０４】
また、表示装置３０は、１次制御信号および１次画像情報を供給され、２次制御信号および２次画像情報を供給する制御部３１を備える。
【０２０５】
また、表示パネル１００は、２次制御信号を供給され選択信号を供給する駆動回路１０３Ｇ、２次画像情報を供給され行ごとに画像信号を供給する駆動回路１０３Ｓ、２次制御信号を供給され選択信号を供給する駆動回路２０３Ｇ、および２次画像情報を供給され行ごとに画像信号を供給する駆動回路２０３Ｓを備える。
【０２０６】
また、表示パネル１００は、複数の画素１０２Ｐを備える第１の表示領域１０１および複数の画素２０２Ｐを備える第２の表示領域２０１を備える。なお、画素２０２Ｐの少なくとも一部は、画素１０２Ｐに重なる領域を備える。
【０２０７】
また、画素１０２Ｐは、第１の表示素子１５０および第１の表示素子１５０を駆動するための画素回路１０２Ｃを備える。
【０２０８】
画素２０２Ｐは、第２の表示素子２５０および第２の表示素子２５０を駆動するための画素回路２０２Ｃを備える。
【０２０９】
また、演算装置１０は、情報を供給し供給される伝送路１４および入出力インターフェース１５を備える。
【０２１０】
以下に、情報処理装置３００を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。
【０２１１】
《全体の構成》
情報処理装置３００は、入出力装置２０または演算装置１０を備える。
【０２１２】
《入出力装置２０》
入出力装置２０は、表示装置３０、検知部５０、操作部２２、入出力部４５または通信部６０を備える。
【０２１３】
《表示装置３０》
表示装置３０は、制御部３１または表示パネル１００を備える。
【０２１４】
《制御部３１》
制御部３１は１次制御信号および１次画像情報を供給され、２次制御信号および２次画像情報を生成し供給する機能を備える。
【０２１５】
例えば、クロック信号またはタイミング信号を１次制御信号に用いることができる。
【０２１６】
２次制御信号は、例えば、駆動回路１０３Ｇ、駆動回路１０３Ｓ、駆動回路２０３Ｇまたは駆動回路２０３Ｓの動作を制御するための信号を含む。具体的には、スタートパルス信号、ラッチ信号、パルス幅制御信号またはクロック信号などを含む。
【０２１７】
例えば、動画像情報または静止画像情報を１次画像情報に用いることができる。
【０２１８】
例えば、１次画像情報から基準電位を差し引いた値を振幅とし、且つ極性がフレーム毎に反転する信号を、２次画像情報に用いることができる。
【０２１９】
具体的には、極性がフレーム毎に反転する信号を第２の表示領域２０１に供給し、極性を反転させない信号を第１の表示領域１０１に供給する。
【０２２０】
さまざまな半導体素子、電子素子を、制御部３１に用いることができる。
【０２２１】
《表示パネル１００》
表示パネル１００は、第１の表示領域１０１、第２の表示領域２０１、駆動回路１０３Ｇ、駆動回路２０３Ｇ、駆動回路１０３Ｓまたは駆動回路２０３Ｓを備える。
【０２２２】
《第１の表示領域１０１》
第１の表示領域１０１は、行方向に延在する複数の走査線と、列方向に延在する複数の信号線と、一の走査線および一の信号線と電気的に接続される画素１０２Ｐを備える。
【０２２３】
画素１０２Ｐは、第１の表示素子１５０と第１の表示素子１５０を駆動する画素回路１０２Ｃを備える。
【０２２４】
画素回路１０２Ｃは、一の走査線から選択信号を供給され、一の信号線から画像信号を供給される。
【０２２５】
《第２の表示領域２０１》
第２の表示領域２０１は、行方向に延在する複数の走査線と、列方向に延在する複数の信号線と、一の走査線および一の信号線と電気的に接続される画素２０２Ｐを備える。
【０２２６】
画素２０２Ｐは、第２の表示素子２５０と第２の表示素子２５０を駆動する画素回路２０２Ｃを備える。
【０２２７】
画素回路２０２Ｃは、一の走査線から選択信号を供給され、一の信号線から画像信号を供給される。
【０２２８】
《駆動回路１０３Ｇ、駆動回路２０３Ｇ》
駆動回路１０３Ｇは、複数の走査線から一の走査線を順番に選択し、選択した走査線に選択信号を供給する。
【０２２９】
駆動回路２０３Ｇは、複数の走査線から一の走査線を順番に選択し、選択した走査線に選択信号を供給する。
【０２３０】
駆動回路１０３Ｇは、一の走査線を選択し且つ選択信号を供給する頻度を切り替えて動作することができる。例えば、駆動回路１０３Ｇは、選択信号を所定の頻度で供給する第１のモードと、第１のモードより低い頻度で供給する第２のモードとで動作することができる機能を備える。
【０２３１】
駆動回路２０３Ｇは、一の走査線を選択し且つ選択信号を供給する頻度を切り替えて動作することができる。例えば、駆動回路２０３Ｇは、選択信号を所定の頻度で供給する第１のモードと、第１のモードより低い頻度で供給する第２のモードとで動作することができる機能を備える。
【０２３２】
具体的には、３０Ｈｚ（１秒間に３０回）以上、好ましくは６０Ｈｚ（１秒間に６０回）以上９６０Ｈｚ（１秒間に９６０回）未満の頻度で一の走査線を選択し選択信号を供給することができる第１のモードを備える。また、１１．６μＨｚ（１日に１回）以上０．１Ｈｚ（１秒間に０．１回）未満の頻度、好ましくは０．２８ｍＨｚ（１時間に１回）以上１Ｈｚ（１秒間に１回）未満の頻度で一の走査線を選択し選択信号を供給することができる第２のモードを備える。
【０２３３】
例えば、制御部３１が供給する２次制御信号に含まれるモード切り替え信号に基づいて第１のモードと第２のモードとを切り替えて動作することができる機能を備える。
【０２３４】
または、制御部３１が異なる頻度で供給するスタートパルスに基づいて第１のモードで動作または第２のモードで動作することができる機能を備える。
【０２３５】
なお、選択信号を供給することができる駆動回路を複数用いることができる。例えば、第１の表示領域１０１を複数の部分に分割し、一の部分を一の駆動回路を用いて駆動してもよい。また、それぞれの部分を異なるモードで駆動してもよい。
【０２３６】
例えば、第１のモードで動作する一の駆動回路を用いて、一の部分に動画像を表示して、第２のモードで動作する他の駆動回路を用いて他の部分に静止画像を表示してもよい。または、一の駆動回路を動作して、他の駆動回路を停止してもよい。これにより、消費電力を低減することができる。
【０２３７】
なお、駆動回路１０３Ｇおよび駆動回路２０３Ｇは、例えばシフトレジスタ等の様々な順序回路等を用いて構成することができる。
【０２３８】
なお、画素回路１０２Ｃが備えるトランジスタ等と同一の工程で形成される電子素子を駆動回路１０３Ｇに用いることができる。また、画素回路２０２Ｃが備えるトランジスタ等と同一の工程で形成される電子素子を駆動回路２０３Ｇに用いることができる。
【０２３９】
《駆動回路１０３Ｓ、駆動回路２０３Ｓ》
駆動回路１０３Ｓは、２次画像情報が供給され、選択信号が供給された走査線に電気的に接続される複数の画素に画像信号を供給する。
【０２４０】
なお、駆動回路１０３Ｓおよび駆動回路２０３Ｓは、例えばシフトレジスタ等の様々な順序回路等を用いて構成することができる。
【０２４１】
なお、画素回路１０２Ｃが備えるトランジスタ等と同一の工程で形成される電子素子を駆動回路１０３Ｓに用いることができる。また、画素回路２０２Ｃが備えるトランジスタ等と同一の工程で形成される電子素子を駆動回路２０３Ｓに用いることができる。
【０２４２】
また、画素回路が備えるトランジスタとは異なる工程で形成されるトランジスタを駆動回路１０３Ｓに用いることができる。また、画素回路２０２Ｃが備えるトランジスタとは異なる工程で形成されるトランジスタを駆動回路２０３Ｓに用いることができる。
【０２４３】
《トランジスタ》
さまざまなトランジスタを画素回路１０２Ｃ、画素回路２０２Ｃ、駆動回路１０３Ｇ、駆動回路２０３Ｇ、駆動回路１０３Ｓまたは駆動回路２０３Ｓに用いることができる。
【０２４４】
例えば、半導体層に１４族の元素、化合物半導体または酸化物半導体などを用いるトランジスタを適用できる。具体的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体またはインジウムを含む酸化物半導体などを半導体層に用いたトランジスタを適用することができる。
【０２４５】
例えば、単結晶シリコン、ポリシリコンまたはアモルファスシリコンなどを半導体層に用いたトランジスタを適用できる。
【０２４６】
例えば、ボトムゲート型のトランジスタ、トップゲート型のトランジスタ等を適用できる。
【０２４７】
特に、画素回路１０２Ｃまたは画素回路２０２Ｃに、オフ状態においてリークする電流が極めて小さいトランジスタを用いると、画素回路１０２Ｃまたは画素回路２０２Ｃが画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。これにより、第２のモードにおける選択信号を供給する頻度を低減することができる。その結果、消費電力を削減された情報処理装置を提供できる。
【０２４８】
例えば、酸化物半導体を半導体層に用いたトランジスタを画素回路１０２Ｃまたは画素回路２０２Ｃに用いることができる。具体的には、少なくともインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物で表記される材料を含む酸化物半導体を、好適に半導体層に用いることができる。または、ＩｎとＺｎの双方を含むことが好ましい。
【０２４９】
酸化物半導体層を構成する酸化物半導体として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系
酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物を用いることができる。
【０２５０】
なお、ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。
【０２５１】
例えば、実施の形態３で詳細に説明する構造を備える酸化物半導体を、本発明の一態様の表示パネルに用いることができる。
【０２５２】
《検知部５０》
検知部５０は、表示装置３０が使用される環境の照度を検知して、照度の情報を含む検知情報を供給することができる機能を備える。
【０２５３】
例えば、光電変換素子と光電変換素子が供給する信号に基づいて、環境の照度の情報を供給する検知回路を検知部５０に用いることができる。
【０２５４】
具体的には、フォトダイオード、ＣＣＤまたはＣＭＯＳイメージセンサなどを検知部５０に用いることができる。
【０２５５】
《操作部２２》
操作部は２２、使用者がするさまざまな操作を受けつけて、操作命令を供給する。例えば、キーボード、タッチセンサまたはポインティングデバイス等を操作部２２に用いることができる。
【０２５６】
具体的には、使用者はタッチセンサに近接させた指や掌を用いて、位置情報を演算装置１０に供給する。演算装置１０は供給された位置情報に基づいて、関連付けられた操作命令を供給することができる。例えば、プログラムを終了する命令を含む操作命令を供給することができる。
【０２５７】
《入出力部４５》
入出力部４５は、さまざまな情報を供給され供給できる。
【０２５８】
例えばカメラ、マイク、読み取り専用の外部記憶部、外部記憶部、スキャナー、スピーカ、プリンタ等を入出力部４５に用いることができる。
【０２５９】
具体的には、デジタルカメラおよびデジタルビデオカメラ等を入出力部４５に用いることができる。
【０２６０】
また、ハードディスクまたはリムーバブルメモリなどの外部記憶部を入出力部４５に用いることができる。また、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤＲＯＭ等の読み取り専用の外部記憶部を入出力部に用いることができる。なお、外部記憶部は電子書籍等の情報を格納することができる。
【０２６１】
《通信部６０》
通信部６０は、演算装置１０が供給する情報を情報処理装置３００の外部の機器または通信網に供給することができる機能を備える。また、情報を外部の機器または通信網から取得して演算装置１０に供給することができる機能を備える。例えば、情報をインターネットに供給してもよいし、インターネットが供給する情報を取得してもよい。
【０２６２】
なお、音声情報、画像情報、さまざまな操作命令などを情報に用いることができる。
【０２６３】
例えば、外部の機器または通信網に接続するための通信手段を用いることができる。具体的には、ハブ、ルータまたはモデム等を通信部６０に適用できる。なお、外部の機器または通信網に接続する方法は、有線による方法または無線による方法を用いることができる。具体的には、電波または赤外線等を用いることができる。
【０２６４】
《演算装置１０》
演算装置１０は、演算部１１、記憶部１２、伝送路１４または入出力インターフェース１５を備える。
【０２６５】
例えば、演算装置１０は情報処理装置３００の操作の用に供する画像を含む情報を供給することができる機能を備える。
【０２６６】
《演算部》
演算部１１は、記憶部１２が記憶するプログラムを実行する。例えば、操作の用に供する画像が表示された領域に含まれる位置情報が供給された場合、演算部１１は当該画像にあらかじめ関連付けられた操作命令を供給することができる機能を備える。
【０２６７】
《記憶部》
記憶部１２は、演算部１１に実行させるプログラムを記憶することができる機能を備える。
【０２６８】
《入出力インターフェース・伝送路》
入出力インターフェース１５は、情報を供給し供給されることができる機能を備える。例えば、入出力インターフェース１５は、伝送路１４または入出力装置２０が供給する情報を供給される。また、伝送路１４または入出力装置２０は、入出力インターフェース１５が供給する情報を供給される。
【０２６９】
伝送路１４は、情報を供給し供給されることができる機能を備える。例えば、伝送路１４は、演算部１１、記憶部１２および入出力インターフェース１５が供給する情報を供給される。また、演算部１１、記憶部１２および入出力インターフェース１５は、伝送路１４が供給する情報を供給される。
【０２７０】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２７１】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルに用いることができる酸化物半導体の構造について、図８乃至図１５を参照しながら説明する。
【０２７２】
図８は、ＣＡＡＣ−ＯＳの断面におけるＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像、およびＣＡＡＣ−ＯＳの断面模式図である。
【０２７３】
図９は、ＣＡＡＣ−ＯＳの平面におけるＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像である。
【０２７４】
図１０は、ＣＡＡＣ−ＯＳおよび単結晶酸化物半導体のＸＲＤによる構造解析を説明する図である。
【０２７５】
図１１は、ＣＡＡＣ−ＯＳの電子回折パターンを示す図である。
【０２７６】
図１２は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物の電子照射による結晶部の変化を示す図である。
【０２７７】
図１３は、ＣＡＡＣ−ＯＳおよびｎｃ−ＯＳの成膜モデルを説明する模式図である。
【０２７８】
図１４は、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶、およびペレットを説明する図である。
【０２７９】
図１５は、ＣＡＡＣ−ＯＳの成膜モデルを説明する模式図である。
【０２８０】
なお、本明細書において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「略平行」とは、二つの直線が−３０°以上３０°以下の角度で配置されている状態をいう。また、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。また、「略垂直」とは、二つの直線が６０°以上１２０°以下の角度で配置されている状態をいう。
【０２８１】
また、本明細書において、結晶が三方晶または菱面体晶である場合、六方晶系として表す。
【０２８２】
＜酸化物半導体の構造について＞
以下では、酸化物半導体の構造について説明する。
【０２８３】
酸化物半導体は、例えば、非単結晶酸化物半導体と単結晶酸化物半導体とに分けられる。または、酸化物半導体は、例えば、結晶性酸化物半導体と非晶質酸化物半導体とに分けられる。
【０２８４】
なお、非単結晶酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ  Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、微結晶酸化物半導体、非晶質酸化物半導体などがある。また、結晶性酸化物半導体としては、単結晶酸化物半導体、ＣＡＡＣ−ＯＳ、多結晶酸化物半導体、微結晶酸化物半導体などがある。
【０２８５】
まずは、ＣＡＡＣ−ＯＳについて説明する。
【０２８６】
ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向した複数の結晶部（ペレットともいう。）を有する酸化物半導体の一つである。
【０２８７】
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）によって、ＣＡＡＣ−ＯＳの明視野像および回折パターンの複合解析像（高分解能ＴＥＭ像ともいう。）を観察することで複数のペレットを確認することができる。一方、高分解能ＴＥＭ像によっても明確なペレット同士の境界、即ち結晶粒界（グレインバウンダリーともいう。）を確認することができない。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳは、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
【０２８８】
例えば、図８（Ａ）に示すように、試料面と略平行な方向から、ＣＡＡＣ−ＯＳの断面の高分解能ＴＥＭ像を観察する。ここでは、球面収差補正（Ｓｐｈｅｒｉｃａｌ  Ａｂｅｒｒａｔｉｏｎ  Ｃｏｒｒｅｃｔｏｒ）機能を用いてＴＥＭ像を観察する。なお、球面収差補正機能を用いた高分解能ＴＥＭ像を、以下では、特にＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像と呼ぶ。なお、Ｃｓ補正高分解能ＴＥＭ像の取得は、例えば、日本電子株式会社製原子分解能分析電子顕微鏡ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆなどによって行うことができる。
【０２８９】
図８（Ａ）の領域（１）を拡大したＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像を図８（Ｂ）に示す。図８（Ｂ）より、ペレットにおいて、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原子の各層は、ＣＡＡＣ−ＯＳの膜を形成する面（被形成面ともいう。）または上面の凹凸を反映した形状であり、ＣＡＡＣ−ＯＳの被形成面または上面と平行に配列する。
【０２９０】
図８（Ｂ）において、ＣＡＡＣ−ＯＳは特徴的な原子配列を有する。図８（Ｃ）は、特徴的な原子配列を、補助線で示したものである。図８（Ｂ）および図８（Ｃ）より、ペレット一つの大きさは１ｎｍ以上３ｎｍ以下程度であり、ペレットとペレットとの傾きにより生じる隙間の大きさは０．８ｎｍ程度であることがわかる。したがって、ペレットを、ナノ結晶（ｎｃ：ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌ）と呼ぶこともできる。
【０２９１】
ここで、Ｃｓ補正高分解能ＴＥＭ像から、基板５１２０上のＣＡＡＣ−ＯＳのペレット５１００の配置を模式的に示すと、レンガまたはブロックが積み重なったような構造となる（図８（Ｄ）参照。）。図８（Ｃ）で観察されたペレットとペレットとの間で傾きが生じている箇所は、図８（Ｄ）に示す領域５１６１に相当する。
【０２９２】
また、例えば、図９（Ａ）に示すように、試料面と略垂直な方向から、ＣＡＡＣ−ＯＳの平面のＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像を観察する。図９（Ａ）の領域（１）、領域（２）および領域（３）を拡大したＣｓ補正高分解能ＴＥＭ像を、それぞれ図９（Ｂ）、図９（Ｃ）および図９（Ｄ）に示す。図９（Ｂ）、図９（Ｃ）および図９（Ｄ）より、ペレットは、金属原子が三角形状、四角形状または六角形状に配列していることを確認できる。しかしながら、異なるペレット間で、金属原子の配列に規則性は見られない。
【０２９３】
例えば、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳに対し、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）装置を用いてｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による構造解析を行うと、図１０（Ａ）に示すように回折角（２θ）が３１°近傍にピークが現れる場合がある。このピークは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（００９）面に帰属されることから、ＣＡＡＣ−ＯＳの結晶がｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成面または上面に略垂直な方向を向いていることが確認できる。
【０２９４】
なお、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳのｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による構造解析では、２θが３１°近傍のピークの他に、２θが３６°近傍にもピークが現れる場合がある。２θが３６°近傍のピークは、ＣＡＡＣ−ＯＳ中の一部に、ｃ軸配向性を有さない結晶が含まれることを示している。ＣＡＡＣ−ＯＳは、２θが３１°近傍にピークを示し、２θが３６°近傍にピークを示さないことが好ましい。
【０２９５】
一方、ＣＡＡＣ−ＯＳに対し、ｃ軸に略垂直な方向からＸ線を入射させるｉｎ−ｐｌａｎｅ法による構造解析を行うと、２θが５６°近傍にピークが現れる。このピークは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（１１０）面に帰属される。ＣＡＡＣ−ＯＳの場合は、２θを５６°近傍に固定し、試料面の法線ベクトルを軸（φ軸）として試料を回転させながら分析（φスキャン）を行っても、図１０（Ｂ）に示すように明瞭なピークは現れない。これに対し、ＩｎＧａＺｎＯ４の単結晶酸化物半導体であれば、２θを５６°近傍に固定してφスキャンした場合、図１０（Ｃ）に示すように（１１０）面と等価な結晶面に帰属されるピークが６本観察される。したがって、ＸＲＤを用いた構造解析から、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ａ軸およびｂ軸の配向が不規則であることが確認できる。
【０２９６】
次に、ＣＡＡＣ−ＯＳであるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物に対し、試料面に平行な方向からプローブ径が３００ｎｍの電子線を入射させたときの回折パターン（制限視野透過電子回折パターンともいう。）を図１１（Ａ）に示す。図１１（Ａ）より、例えば、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（００９）面に起因するスポットが確認される。したがって、電子回折によっても、ＣＡＡＣ−ＯＳに含まれるペレットがｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成面または上面に略垂直な方向を向いていることがわかる。一方、同じ試料に対し、試料面に垂直な方向からプローブ径が３００ｎｍの電子線を入射させたときの回折パターンを図１１（Ｂ）に示す。図１１（Ｂ）より、リング状の回折パターンが確認される。したがって、電子回折によっても、ＣＡＡＣ−ＯＳに含まれるペレットのａ軸およびｂ軸は配向性を有さないことがわかる。なお、図１１（Ｂ）における第１リングは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（０１０）面および（１００）面などに起因すると考えられる。また、図１１（Ｂ）における第２リングは（１１０）面などに起因すると考えられる。
【０２９７】
このように、それぞれのペレット（ナノ結晶）のｃ軸が、被形成面または上面に略垂直な方向を向いていることから、ＣＡＡＣ−ＯＳをＣＡＮＣ（Ｃ−Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ）を有する酸化物半導体と呼ぶこともできる。
【０２９８】
ＣＡＡＣ−ＯＳは、不純物濃度の低い酸化物半導体である。不純物は、水素、炭素、シリコン、遷移金属元素などの酸化物半導体の主成分以外の元素である。特に、シリコンなどの、酸化物半導体を構成する金属元素よりも酸素との結合力の強い元素は、酸化物半導体から酸素を奪うことで酸化物半導体の原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半径（または分子半径）が大きいため、酸化物半導体内部に含まれると、酸化物半導体の原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。なお、酸化物半導体に含まれる不純物は、キャリアトラップやキャリア発生源となる場合がある。
【０２９９】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、欠陥準位密度の低い酸化物半導体である。例えば、酸化物半導体中の酸素欠損は、キャリアトラップとなることや、水素を捕獲することによってキャリア発生源となることがある。
【０３００】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳを用いたトランジスタは、可視光や紫外光の照射による電気特性の変動が小さい。
【０３０１】
次に、微結晶酸化物半導体について説明する。
【０３０２】
微結晶酸化物半導体は、高分解能ＴＥＭ像において、結晶部を確認することのできる領域と、明確な結晶部を確認することのできない領域と、を有する。微結晶酸化物半導体に含まれる結晶部は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、または１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の大きさであることが多い。特に、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、または１ｎｍ以上３ｎｍ以下の微結晶であるナノ結晶を有する酸化物半導体を、ｎｃ−ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）と呼ぶ。また、ｎｃ−ＯＳは、例えば、高分解能ＴＥＭ像では、結晶粒界を明確に確認できない場合がある。なお、ナノ結晶は、ＣＡＡＣ−ＯＳにおけるペレットと同じ起源を有する可能性がある。そのため、以下ではｎｃ−ＯＳの結晶部をペレットと呼ぶ場合がある。
【０３０３】
ｎｃ−ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ−ＯＳは、異なるペレット間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。したがって、ｎｃ−ＯＳは、分析方法によっては、非晶質酸化物半導体と区別が付かない場合がある。例えば、ｎｃ−ＯＳに対し、ペレットよりも大きい径のＸ線を用いるＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、結晶面を示すピークが検出されない。また、ｎｃ−ＯＳに対し、ペレットよりも大きいプローブ径（例えば５０ｎｍ以上）の電子線を用いる電子回折（制限視野電子回折ともいう。）を行うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、ｎｃ−ＯＳに対し、ペレットの大きさと近いかペレットより小さいプローブ径の電子線を用いるナノビーム電子回折を行うと、スポットが観測される。また、ｎｃ−ＯＳに対しナノビーム電子回折を行うと、円を描くように（リング状に）輝度の高い領域が観測される場合がある。また、ｎｃ−ＯＳに対しナノビーム電子回折を行うと、リング状の領域内に複数のスポットが観測される場合がある。
【０３０４】
このように、それぞれのペレット（ナノ結晶）の結晶方位が規則性を有さないことから、ｎｃ−ＯＳをＮＡＮＣ（Ｎｏｎ−Ａｌｉｇｎｅｄ  ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ）を有する酸化物半導体と呼ぶこともできる。
【０３０５】
ｎｃ−ＯＳは、非晶質酸化物半導体よりも規則性の高い酸化物半導体である。そのため、ｎｃ−ＯＳは、非晶質酸化物半導体よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし、ｎｃ−ＯＳは、異なるペレット間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、ｎｃ−ＯＳは、ＣＡＡＣ−ＯＳと比べて欠陥準位密度が高くなる。
【０３０６】
次に、非晶質酸化物半導体について説明する。
【０３０７】
非晶質酸化物半導体は、膜中における原子配列が不規則であり、結晶部を有さない酸化物半導体である。石英のような無定形状態を有する酸化物半導体が一例である。
【０３０８】
非晶質酸化物半導体は、高分解能ＴＥＭ像において結晶部を確認することができない。
【０３０９】
非晶質酸化物半導体に対し、ＸＲＤ装置を用いた構造解析を行うと、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、結晶面を示すピークが検出されない。また、非晶質酸化物半導体に対し、電子回折を行うと、ハローパターンが観測される。また、非晶質酸化物半導体に対し、ナノビーム電子回折を行うと、スポットが観測されず、ハローパターンが観測される。
【０３１０】
非晶質構造については、様々な見解が示されている。例えば、原子配列に全く秩序性を有さない構造を完全な非晶質構造（ｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）と呼ぶ場合がある。また、最近接原子間距離または第２近接原子間距離まで秩序性を有し、かつ長距離秩序性を有さない構造を非晶質構造と呼ぶ場合もある。したがって、最も厳格な定義によれば、僅かでも原子配列に秩序性を有する酸化物半導体を非晶質酸化物半導体と呼ぶことはできない。また、少なくとも、長距離秩序性を有する酸化物半導体を非晶質酸化物半導体と呼ぶことはできない。よって、結晶部を有することから、例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳおよびｎｃ−ＯＳを、非晶質酸化物半導体または完全な非晶質酸化物半導体と呼ぶことはできない。
【０３１１】
なお、酸化物半導体は、ｎｃ−ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の物性を示す構造を有する場合がある。そのような構造を有する酸化物半導体を、特に非晶質ライク酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）と呼ぶ。
【０３１２】
ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、高分解能ＴＥＭ像において鬆（ボイドともいう。）が観察される場合がある。また、高分解能ＴＥＭ像において、明確に結晶部を確認することのできる領域と、結晶部を確認することのできない領域と、を有する。
【０３１３】
以下では、酸化物半導体の構造による電子照射の影響の違いについて説明する。
【０３１４】
ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳを準備する。いずれの試料もＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物である。
【０３１５】
まず、各試料の高分解能断面ＴＥＭ像を取得する。高分解能断面ＴＥＭ像により、各試料は、いずれも結晶部を有することがわかる。
【０３１６】
さらに、各試料の結晶部の大きさを計測する。図１２は、各試料の結晶部（２２箇所から４５箇所）の平均の大きさの変化を調査した例である。図１２より、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、電子の累積照射量に応じて結晶部が大きくなっていくことがわかる。具体的には、図１２中に（１）で示すように、ＴＥＭによる観察初期においては１．２ｎｍ程度の大きさだった結晶部（初期核ともいう。）が、累積照射量が４．２×１０８ｅ−／ｎｍ２においては２．６ｎｍ程度の大きさまで成長していることがわかる。一方、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳは、電子照射開始時から電子の累積照射量が４．２×１０８ｅ−／ｎｍ２になるまでの範囲で、電子の累積照射量によらず結晶部の大きさに変化が見られないことがわかる。具体的には、図１２中の（２）で示すように、ＴＥＭによる観察の経過によらず、結晶部の大きさは１．４ｎｍ程度であることがわかる。また、図１２中の（３）で示すように、ＴＥＭによる観察の経過によらず、結晶部の大きさは２．１ｎｍ程度であることがわかる。
【０３１７】
このように、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、ＴＥＭによる観察程度の微量な電子照射によって、結晶化が起こり、結晶部の成長が見られる場合がある。一方、良質なｎｃ−ＯＳ、およびＣＡＡＣ−ＯＳであれば、ＴＥＭによる観察程度の微量な電子照射による結晶化はほとんど見られないことがわかる。
【０３１８】
なお、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳおよびｎｃ−ＯＳの結晶部の大きさの計測は、高分解能ＴＥＭ像を用いて行うことができる。例えば、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶は層状構造を有し、Ｉｎ−Ｏ層の間に、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層を２層有する。ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の単位格子は、Ｉｎ−Ｏ層を３層有し、またＧａ−Ｚｎ−Ｏ層を６層有する、計９層がｃ軸方向に層状に重なった構造を有する。よって、これらの近接する層同士の間隔は、（００９）面の格子面間隔（ｄ値ともいう。）と同程度であり、結晶構造解析からその値は０．２９ｎｍと求められている。そのため、高分解能ＴＥＭ像における格子縞に着目し、格子縞の間隔が０．２８ｎｍ以上０．３０ｎｍ以下である箇所においては、それぞれの格子縞がＩｎＧａＺｎＯ４の結晶のａ−ｂ面に対応する。
【０３１９】
また、酸化物半導体は、構造ごとに密度が異なる場合がある。例えば、ある酸化物半導体の組成がわかれば、該組成と同じ組成における単結晶の密度と比較することにより、その酸化物半導体の構造を推定することができる。例えば、単結晶の密度に対し、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳの密度は７８．６％以上９２．３％未満となる。また、例えば、単結晶の密度に対し、ｎｃ−ＯＳの密度およびＣＡＡＣ−ＯＳの密度は９２．３％以上１００％未満となる。なお、単結晶の密度に対し密度が７８％未満となる酸化物半導体は、成膜すること自体が困難である。
【０３２０】
上記について、具体例を用いて説明する。例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体において、菱面体晶構造を有する単結晶ＩｎＧａＺｎＯ４の密度は６．３５７ｇ／ｃｍ３となる。よって、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体において、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳの密度は５．０ｇ／ｃｍ３以上５．９ｇ／ｃｍ３未満となる。また、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］を満たす酸化物半導体において、ｎｃ−ＯＳの密度およびＣＡＡＣ−ＯＳの密度は５．９ｇ／ｃｍ３以上６．３ｇ／ｃｍ３未満となる。
【０３２１】
なお、同じ組成の単結晶が存在しない場合がある。その場合、任意の割合で組成の異なる単結晶を組み合わせることにより、所望の組成の単結晶に相当する密度を算出することができる。所望の組成の単結晶の密度は、組成の異なる単結晶を組み合わせる割合に対して、加重平均を用いて算出すればよい。ただし、密度は、可能な限り少ない種類の単結晶を組み合わせて算出することが好ましい。
【０３２２】
なお、酸化物半導体は、例えば、非晶質酸化物半導体、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ、微結晶酸化物半導体、ＣＡＡＣ−ＯＳのうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。
【０３２３】
不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低い（酸素欠損が少ない）酸化物半導体は、キャリア密度を低くすることができる。したがって、そのような酸化物半導体を、高純度真性または実質的に高純度真性な酸化物半導体と呼ぶ。ＣＡＡＣ−ＯＳおよびｎｃ−ＯＳは、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳおよび非晶質酸化物半導体よりも不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低い。即ち、高純度真性または実質的に高純度真性な酸化物半導体となりやすい。したがって、ＣＡＡＣ−ＯＳまたはｎｃ−ＯＳを用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性（ノーマリーオンともいう。）になることが少ない。また、高純度真性または実質的に高純度真性な酸化物半導体は、キャリアトラップが少ない。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳまたはｎｃ−ＯＳを用いたトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる。なお、酸化物半導体のキャリアトラップに捕獲された電荷は、放出するまでに要する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、不純物濃度が高く、欠陥準位密度が高い酸化物半導体を用いたトランジスタは、電気特性が不安定となる場合がある。
【０３２４】
＜成膜モデル＞
以下では、ＣＡＡＣ−ＯＳおよびｎｃ−ＯＳの成膜モデルの一例について説明する。
【０３２５】
図１３（Ａ）は、スパッタリング法によりＣＡＡＣ−ＯＳが成膜される様子を示した成膜室内の模式図である。
【０３２６】
ターゲット５１３０は、バッキングプレートに接着されている。バッキングプレートを介してターゲット５１３０と向かい合う位置には、複数のマグネットが配置される。該複数のマグネットによって磁場が生じている。マグネットの磁場を利用して成膜速度を高めるスパッタリング法は、マグネトロンスパッタリング法と呼ばれる。
【０３２７】
ターゲット５１３０は、多結晶構造を有し、いずれかの結晶粒には劈開面が含まれる。
【０３２８】
一例として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を有するターゲット５１３０の劈開面について説明する。図１４（Ａ）に、ターゲット５１３０に含まれるＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の構造を示す。なお、図１４（Ａ）は、ｃ軸を上向きとし、ｂ軸に平行な方向からＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を観察した場合の構造である。
【０３２９】
図１４（Ａ）より、近接する二つのＧａ−Ｚｎ−Ｏ層において、それぞれの層における酸素原子同士が近距離に配置されていることがわかる。そして、酸素原子が負の電荷を有することにより、近接する二つのＧａ−Ｚｎ−Ｏ層は互いに反発する。その結果、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶は、近接する二つのＧａ−Ｚｎ−Ｏ層の間に劈開面を有する。
【０３３０】
基板５１２０は、ターゲット５１３０と向かい合うように配置しており、その距離ｄ（ターゲット−基板間距離（Ｔ−Ｓ間距離）ともいう。）は０．０１ｍ以上１ｍ以下、好ましくは０．０２ｍ以上０．５ｍ以下とする。成膜室内は、ほとんどが成膜ガス（例えば、酸素、アルゴン、または酸素を５体積％以上の割合で含む混合ガス）で満たされ、０．０１Ｐａ以上１００Ｐａ以下、好ましくは０．１Ｐａ以上１０Ｐａ以下に制御される。ここで、ターゲット５１３０に一定以上の電圧を印加することで、放電が始まり、プラズマが確認される。なお、ターゲット５１３０の近傍には磁場によって、高密度プラズマ領域が形成される。高密度プラズマ領域では、成膜ガスがイオン化することで、イオン５１０１が生じる。イオン５１０１は、例えば、酸素の陽イオン（Ｏ＋）やアルゴンの陽イオン（Ａｒ＋）などである。
【０３３１】
イオン５１０１は、電界によってターゲット５１３０側に加速され、やがてターゲット５１３０と衝突する。このとき、劈開面から平板状またはペレット状のスパッタ粒子であるペレット５１００ａおよびペレット５１００ｂが剥離し、叩き出される。なお、ペレット５１００ａおよびペレット５１００ｂは、イオン５１０１の衝突の衝撃によって、構造に歪みが生じる場合がある。
【０３３２】
ペレット５１００ａは、三角形、例えば正三角形の平面を有する平板状またはペレット状のスパッタ粒子である。また、ペレット５１００ｂは、六角形、例えば正六角形の平面を有する平板状またはペレット状のスパッタ粒子である。なお、ペレット５１００ａおよびペレット５１００ｂなどの平板状またはペレット状のスパッタ粒子を総称してペレット５１００と呼ぶ。ペレット５１００の平面の形状は、三角形、六角形に限定されない、例えば、三角形が複数個合わさった形状となる場合がある。例えば、三角形（例えば、正三角形）が２個合わさった四角形（例えば、ひし形）となる場合もある。
【０３３３】
ペレット５１００は、成膜ガスの種類などに応じて厚さが決定する。理由は後述するが、ペレット５１００の厚さは、均一にすることが好ましい。また、スパッタ粒子は厚みのないペレット状である方が、厚みのあるサイコロ状であるよりも好ましい。例えば、ペレット５１００は、厚さを０．４ｎｍ以上１ｎｍ以下、好ましくは０．６ｎｍ以上０．８ｎｍ以下とする。また、例えば、ペレット５１００は、幅を１ｎｍ以上３ｎｍ以下、好ましくは１．２ｎｍ以上２．５ｎｍ以下とする。ペレット５１００は、上述の図１２中の（１）で説明した初期核に相当する。例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を有するターゲット５１３０にイオン５１０１を衝突させる場合、図１４（Ｂ）に示すように、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層、Ｉｎ−Ｏ層およびＧａ−Ｚｎ−Ｏ層の３層を有するペレット５１００が飛び出してくる。なお、図１４（Ｃ）は、ペレット５１００をｃ軸に平行な方向から観察した場合の構造である。したがって、ペレット５１００は、二つのＧａ−Ｚｎ−Ｏ層（パン）と、Ｉｎ−Ｏ層（具）と、を有するナノサイズのサンドイッチ構造と呼ぶこともできる。
【０３３４】
ペレット５１００は、プラズマを通過する際に電荷を受け取ることで、側面が負または正に帯電する場合がある。ペレット５１００は、側面に酸素原子を有し、当該酸素原子が負に帯電する可能性がある。このように、側面が同じ極性の電荷を帯びることにより、電荷同士の反発が起こり、平板状の形状を維持することが可能となる。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳが、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物である場合、インジウム原子と結合した酸素原子が負に帯電する可能性がある。または、インジウム原子、ガリウム原子または亜鉛原子と結合した酸素原子が負に帯電する可能性がある。また、ペレット５１００は、プラズマを通過する際にインジウム原子、ガリウム原子、亜鉛原子および酸素原子などと結合することで成長する場合がある。上述の図１２中の（２）と（１）の大きさの違いが、プラズマ中での成長分に相当する。ここで、基板５１２０が室温程度である場合、ペレット５１００がこれ以上成長しないためｎｃ−ＯＳとなる（図１３（Ｂ）参照。）。成膜可能な温度が室温程度であることから、基板５１２０が大面積である場合でもｎｃ−ＯＳの成膜は可能である。なお、ペレット５１００をプラズマ中で成長させるためには、スパッタリング法における成膜電力を高くすることが有効である。成膜電力を高くすることで、ペレット５１００の構造を安定にすることができる。
【０３３５】
図１３（Ａ）および図１３（Ｂ）に示すように、例えば、ペレット５１００は、プラズマ中を凧のように飛翔し、ひらひらと基板５１２０上まで舞い上がっていく。ペレット５１００は電荷を帯びているため、ほかのペレット５１００が既に堆積している領域が近づくと、斥力が生じる。ここで、基板５１２０の上面では、基板５１２０の上面に平行な向きの磁場（水平磁場ともいう。）が生じている。また、基板５１２０およびターゲット５１３０間には、電位差が与えられているため、基板５１２０からターゲット５１３０に向けて電流が流れている。したがって、ペレット５１００は、基板５１２０の上面において、磁場および電流の作用によって、力（ローレンツ力）を受ける。このことは、フレミングの左手の法則によって理解できる。
【０３３６】
ペレット５１００は、原子一つと比べると質量が大きい。そのため、基板５１２０の上面を移動するためには何らかの力を外部から印加することが重要となる。その力の一つが磁場および電流の作用で生じる力である可能性がある。なお、ペレット５１００に与える力を大きくするためには、基板５１２０の上面において、基板５１２０の上面に平行な向きの磁場が１０Ｇ以上、好ましくは２０Ｇ以上、さらに好ましくは３０Ｇ以上、より好ましくは５０Ｇ以上となる領域を設けるとよい。または、基板５１２０の上面において、基板５１２０の上面に平行な向きの磁場が、基板５１２０の上面に垂直な向きの磁場の１．５倍以上、好ましくは２倍以上、さらに好ましくは３倍以上、より好ましくは５倍以上となる領域を設けるとよい。
【０３３７】
このとき、マグネットと基板５１２０とが相対的に移動すること、または回転することによって、基板５１２０の上面における水平磁場の向きは変化し続ける。したがって、基板５１２０の上面において、ペレット５１００は、様々な方向への力を受け、様々な方向へ移動することができる。
【０３３８】
また、図１３（Ａ）に示すように基板５１２０が加熱されている場合、ペレット５１００と基板５１２０との間で摩擦などによる抵抗が小さい状態となっている。その結果、ペレット５１００は、基板５１２０の上面を滑空するように移動する。ペレット５１００の移動は、平板面を基板５１２０に向けた状態で起こる。その後、既に堆積しているほかのペレット５１００の側面まで到達すると、側面同士が結合する。このとき、ペレット５１００の側面にある酸素原子が脱離する。脱離した酸素原子によって、ＣＡＡＣ−ＯＳ中の酸素欠損が埋まる場合があるため、欠陥準位密度の低いＣＡＡＣ−ＯＳとなる。なお、基板５１２０の上面の温度は、例えば、１００℃以上５００℃未満、１５０℃以上４５０℃未満、または１７０℃以上４００℃未満とすればよい。即ち、基板５１２０が大面積である場合でもＣＡＡＣ−ＯＳの成膜は可能である。
【０３３９】
また、ペレット５１００が基板５１２０上で加熱されることにより、原子が再配列し、イオン５１０１の衝突で生じた構造の歪みが緩和される。歪みの緩和されたペレット５１００は、ほぼ単結晶となる。ペレット５１００がほぼ単結晶となることにより、ペレット５１００同士が結合した後に加熱されたとしても、ペレット５１００自体の伸縮はほとんど起こり得ない。したがって、ペレット５１００間の隙間が広がることで結晶粒界などの欠陥を形成し、クレバス化することがない。
【０３４０】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、単結晶酸化物半導体が一枚板のようになっているのではなく、ペレット５１００（ナノ結晶）の集合体がレンガまたはブロックが積み重なったような配列をしている。また、その間には結晶粒界を有さない。そのため、成膜時の加熱、成膜後の加熱または曲げなどで、ＣＡＡＣ−ＯＳに縮みなどの変形が生じた場合でも、局部応力を緩和する、または歪みを逃がすことが可能である。したがって、可とう性を有する半導体装置に適した構造である。なお、ｎｃ−ＯＳは、ペレット５１００（ナノ結晶）が無秩序に積み重なったような配列となる。
【０３４１】
ターゲットをイオンでスパッタした際に、ペレットだけでなく、酸化亜鉛などが飛び出す場合がある。酸化亜鉛はペレットよりも軽量であるため、先に基板５１２０の上面に到達する。そして、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、０．２ｎｍ以上５ｎｍ以下、または０．５ｎｍ以上２ｎｍ以下の酸化亜鉛層５１０２を形成する。図１５に断面模式図を示す。
【０３４２】
図１５（Ａ）に示すように、酸化亜鉛層５１０２上にはペレット５１０５ａと、ペレット５１０５ｂと、が堆積する。ここで、ペレット５１０５ａとペレット５１０５ｂとは、互いに側面が接するように配置している。また、ペレット５１０５ｃは、ペレット５１０５ｂ上に堆積した後、ペレット５１０５ｂ上を滑るように移動する。また、ペレット５１０５ａの別の側面において、酸化亜鉛とともにターゲットから飛び出した複数の粒子５１０３が基板５１２０の加熱により結晶化し、領域５１０５ａ１を形成する。なお、複数の粒子５１０３は、酸素、亜鉛、インジウムおよびガリウムなどを含む可能性がある。
【０３４３】
そして、図１５（Ｂ）に示すように、領域５１０５ａ１は、ペレット５１０５ａと同化し、ペレット５１０５ａ２となる。また、ペレット５１０５ｃは、その側面がペレット５１０５ｂの別の側面と接するように配置する。
【０３４４】
次に、図１５（Ｃ）に示すように、さらにペレット５１０５ｄがペレット５１０５ａ２上およびペレット５１０５ｂ上に堆積した後、ペレット５１０５ａ２上およびペレット５１０５ｂ上を滑るように移動する。また、ペレット５１０５ｃの別の側面に向けて、さらにペレット５１０５ｅが酸化亜鉛層５１０２上を滑るように移動する。
【０３４５】
そして、図１５（Ｄ）に示すように、ペレット５１０５ｄは、その側面がペレット５１０５ａ２の側面と接するように配置する。また、ペレット５１０５ｅは、その側面がペレット５１０５ｃの別の側面と接するように配置する。また、ペレット５１０５ｄの別の側面において、酸化亜鉛とともにターゲットから飛び出した複数の粒子５１０３が基板５１２０の加熱により結晶化し、領域５１０５ｄ１を形成する。
【０３４６】
以上のように、堆積したペレット同士が接するように配置し、ペレットの側面において成長が起こることで、基板５１２０上にＣＡＡＣ−ＯＳが形成される。したがって、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｎｃ−ＯＳよりも一つ一つのペレットが大きくなる。上述の図１２中の（３）と（２）の大きさの違いが、堆積後の成長分に相当する。
【０３４７】
また、ペレット５１００の隙間が極めて小さくなることで、一つの大きなペレットが形成される場合がある。大きなペレットは、単結晶構造を有する。例えば、大きなペレットの大きさが、上面から見て１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、１５ｎｍ以上１００ｎｍ以下、または２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下となる場合がある。したがって、トランジスタのチャネル形成領域が、大きなペレットよりも小さい場合、チャネル形成領域として単結晶構造を有する領域を用いることができる。また、ペレットが大きくなることで、トランジスタのチャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域として単結晶構造を有する領域を用いることができる場合がある。
【０３４８】
このように、トランジスタのチャネル形成領域などが、単結晶構造を有する領域に形成されることによって、トランジスタの周波数特性を高くすることができる場合がある。
【０３４９】
以上のようなモデルにより、ペレット５１００が基板５１２０上に堆積していくと考えられる。したがって、エピタキシャル成長とは異なり、被形成面が結晶構造を有さない場合においても、ＣＡＡＣ−ＯＳの成膜が可能であることがわかる。例えば、基板５１２０の上面（被形成面）の構造が非晶質構造（例えば非晶質酸化シリコン）であっても、ＣＡＡＣ−ＯＳを成膜することは可能である。
【０３５０】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、被形成面である基板５１２０の上面に凹凸がある場合でも、その形状に沿ってペレット５１００が配列することがわかる。例えば、基板５１２０の上面が原子レベルで平坦な場合、ペレット５１００はａｂ面と平行な平面である平板面を下に向けて並置する。ペレット５１００の厚さが均一である場合、厚さが均一で平坦、かつ高い結晶性を有する層が形成される。そして、当該層がｎ段（ｎは自然数。）積み重なることで、ＣＡＡＣ−ＯＳを得ることができる。
【０３５１】
一方、基板５１２０の上面が凹凸を有する場合でも、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ペレット５１００が凹凸に沿って並置した層がｎ段（ｎは自然数。）積み重なった構造となる。基板５１２０が凹凸を有するため、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ペレット５１００間に隙間が生じやすい場合がある。ただし、ペレット５１００間で分子間力が働き、凹凸があってもペレット間の隙間はなるべく小さくなるように配列する。したがって、凹凸があっても高い結晶性を有するＣＡＡＣ−ＯＳとすることができる。
【０３５２】
したがって、ＣＡＡＣ−ＯＳは、レーザ結晶化が不要であり、大面積のガラス基板などであっても均一な成膜が可能である。
【０３５３】
このようなモデルによってＣＡＡＣ−ＯＳが成膜されるため、スパッタ粒子が厚みのないペレット状である方が好ましい。なお、スパッタ粒子が厚みのあるサイコロ状である場合、基板５１２０上に向ける面が一定とならず、厚さや結晶の配向を均一にできない場合がある。
【０３５４】
以上に示した成膜モデルにより、非晶質構造を有する被形成面上であっても、高い結晶性を有するＣＡＡＣ−ＯＳを得ることができる。
【０３５５】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０３５６】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様のプログラムの構成について、図４を参照しながら説明する。
【０３５７】
図４は本発明の一態様のプログラムの構成を説明するフロー図である。
【０３５８】
＜プログラムの構成例＞
本実施の形態で説明するプログラムは、以下の１０個のステップを備える。
【０３５９】
《第１のステップ》
第１のステップにおいて、演算装置１０を初期化する。例えば、プログラムの初期状態を再現することができるパラメータの値を取得して、記憶部１２に格納する（図４（Ｓ１）参照）。
【０３６０】
《第２のステップ》
第２のステップにおいて、割り込み処理を許可する（図４（Ｓ２）参照）。
【０３６１】
なお、割り込み処理が許可された演算部１１は、割り込み処理についての実行命令を受けつけることができる。そして、割り込み処理についての実行命令を受けつけた演算部１１は、主の処理を中断し、割り込み処理を実行する。例えば、割り込み処理についての実行命令に関連付けられたイベントを供給された演算部１１は、割り込み処理を実行し、実行結果を記憶部１２に格納する。その後、割り込み処理から主の処理に復帰した演算部１１は、主の処理を、割り込み処理の実行結果に基づいて再開することができる。
【０３６２】
具体的には、割り込み処理において終了命令を受けつけることができ、割り込み処理から主の処理に復帰した演算部１１は、割り込み処理において供給された終了命令に基づいてプログラムを終了できる。
【０３６３】
《第３のステップ》
第３のステップにおいて、表示装置３０に表示する画像情報を生成する（図４（Ｓ３）参照）。
【０３６４】
《第４のステップ》
第４のステップにおいて、表示装置３０が使用される環境の検知情報を取得する（図４（Ｓ４）参照）。
【０３６５】
《第５のステップ》
第５のステップにおいて、検知情報が所定の照度未満である情報を含む場合は第６のステップに進み、所定の照度以上である情報を含む場合は第１０のステップに進む（図４（Ｓ５）参照）。
【０３６６】
《第６のステップ》
第６のステップにおいて、第２の表示領域２０１の透過率を高い状態にする（図４（Ｓ６）参照）。
【０３６７】
《第７のステップ》
第７のステップにおいて、第１の表示領域１０１に画像情報を表示する（図４（Ｓ７）参照）。
【０３６８】
《第８のステップ》
第８のステップにおいて、割り込み処理において終了命令が供給されている場合は第９のステップに進み、供給されていない場合は第３のステップに戻る（図４（Ｓ８）参照）。
【０３６９】
《第９のステップ》
第９のステップにおいて、演算処理を終了する（図４（Ｓ９）参照）。
【０３７０】
《第１０のステップ》
第１０のステップにおいて、第２の表示領域２０１に画像情報を表示し、第８のステップに進む（図４（Ｓ１０）参照）。
【０３７１】
本実施の形態で例示する情報処理装置３００に用いることができるプログラムは、検知情報が所定の照度未満である情報を含む場合は、第２の表示領域２０１の透過率を高い状態にして且つ第１の表示領域１０１に画像情報を表示するステップを含み、検知情報が所定の照度以上である情報を含む場合は、第２の表示領域に画像情報を表示するステップを含んで構成される。これにより、表示装置が使用される環境の照度に基づいて、画像情報を第１の表示領域または第２の表示領域に表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規なプログラムを提供することができる。
【０３７２】
なお、プログラムの変形例として、第１０のステップを以下のステップに置き換えることができる。
【０３７３】
《第１０のステップの変形例》
所定の命令を割り込み処理において供給された場合の第１０のステップにおいて、第２の表示領域２０１だけでなく、第１の表示領域１０１に画像を表示し、第８のステップに進む。
【０３７４】
これにより、使用者は、使用者の好みの表示領域を、所定の命令を用いて選択することができる。。
【０３７５】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０３７６】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの構成について、図５を参照しながら説明する。
【０３７７】
図５は本発明の一態様の表示パネル５００Ｐの構成を説明する図である。図５（Ａ）は本発明の一態様の表示パネル５００Ｐの上面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）の切断線Ｚ１−Ｚ２および切断線Ｚ３−Ｚ４−Ｚ５−Ｚ６における断面図である。
【０３７８】
＜表示パネルの構成例＞
本実施の形態で説明する表示パネル５００Ｐは、第１の基材５１０と、第１の基材と重なる領域を備える第２の基材６１０と、第１の表示素子５５０と、第２の表示素子６５０と、絶縁層６２８と、第１の表示領域５０１と、第２の表示領域６０１と、を有する（図５（Ａ）および図５（Ｂ）参照）。
【０３７９】
第１の表示素子５５０は、第１の電極５５１、第１の電極５５１に重なる領域を備える共通電極５５２および第１の電極５５１と共通電極５５２の間に発光性の有機化合物を含む層５５３（ＥＬ層ともいう）を備える。
【０３８０】
第２の表示素子６５０は、共通電極５５２と重なる領域を備える第２の電極６５１および共通電極５５２と第２の電極６５１の間に液晶を含む層６５３（ＬＣ層ともいう）を備える。
【０３８１】
絶縁層６２８は、共通電極５５２と液晶を含む層６５３の間に設けられる。
【０３８２】
第１の表示領域５０１は、第１の表示素子５５０が複数配置される。
【０３８３】
第２の表示領域６０１は、第２の表示素子６５０が複数配置され且つ第１の表示領域５０１と少なくとも一部が重なる。
【０３８４】
そして、第１の表示素子５５０は、光を射出することができる機能を備える。また、第２の表示素子６５０は、光の透過率を制御することができる機能を備える。
【０３８５】
また、液晶を含む層６５３は、高分子と高分子に分散された液晶を含む。
【０３８６】
また、第１の表示領域５０１は、第２の表示領域６０１が配置される側に向けて表示する機能を備える。第２の表示領域６０１は、第１の表示領域５０１が配置される側とは逆側から入射する光の透過率を制御して、表示する機能を備える。
【０３８７】
また、着色層ＣＦを有し、着色層ＣＦと液晶を含む層６５３の間に第２の電極６５１を備える。
【０３８８】
本実施の形態で例示する表示パネル５００Ｐは、第１の基材５１０と、第１の基材５１０と重なる領域を備える第２の基材６１０と、第１の電極５５１、第１の電極５５１と重なる共通電極５５２および第１の電極５５１と共通電極５５２の間に発光性の有機化合物を含む層５５３を具備し且つ光を射出することができる機能を備える第１の表示素子５５０と、共通電極５５２、共通電極５５２と重なる第２の電極６５１および共通電極５５２と第２の電極６５１の間に液晶を含む層６５３を具備し且つ光の透過率を制御することができる機能を備える第２の表示素子６５０と、共通電極５５２と液晶を含む層６５３の間に絶縁層６２８と、複数の第１の表示素子５５０が配置される第１の表示領域５０１と、複数の第２の表示素子６５０が配置され且つ少なくとも一部が第１の表示領域５０１と重なる第２の表示領域６０１と、を含んで構成される。
【０３８９】
これにより、第１の表示領域を用いることなく外光および第２の表示素子を用いて表示することができ且つ光を透過する状態にした第２の表示領域および第１の表示素子を用いて表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。また、外光下で使用する際に消費する電力が低減された新規な表示パネルを提供することができる。
【０３９０】
また、表示パネル５００Ｐは、第１の表示素子５５０を駆動する画素回路を備え、画素回路と電気的に接続される配線５１１を備える。また、表示パネル５００Ｐは、第２の表示素子６５０を駆動する画素回路を備え、画素回路と電気的に接続される配線を備える。
【０３９１】
また、表示パネル５００Ｐは、画素回路に含まれるトランジスタ５０２ｔを覆う絶縁層５２１を備える。
【０３９２】
また、表示パネル５００Ｐは、端子部５１９および端子部６１９を備える。端子部５１９は配線５１１と電気的に接続する端子を含み、端子部６１９は配線と電気的に接続する端子を含む。端子部５１９はフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１と電気的に接続され、端子部６１９はフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２と電気的に接続される。
【０３９３】
また、表示パネル５００Ｐは、画素５０２を備える。
【０３９４】
画素５０２は対になる第１の表示素子５５０と画素回路および対になる第２の表示素子６５０と画素回路を少なくとも備える。なお、画素５０２が、対になる第１の表示素子５５０と画素回路および複数の対になる第２の表示素子６５０と画素回路を備えてもよいし、画素５０２が、複数の対になる第１の表示素子５５０と画素回路および対になる第２の表示素子６５０と画素回路を備えてもよい。
【０３９５】
また、表示パネル５００Ｐは、開口部６６７を備える遮光層ＢＭを有し、開口部６６７は第２の電極６５１と少なくとも一部が重なる。
【０３９６】
また、表示パネル５００Ｐは、開口部を備える隔壁５２８を有し、開口部は第１の電極５５１と少なくとも一部が重なる。隔壁５２８は絶縁性を備え、第１の電極５５１の端部を覆う。
【０３９７】
また、表示パネル５００Ｐは、スペーサＫＢを備える。スペーサＫＢは、共通電極５５２と第２の電極６５１の間に所定の間隔を形成する大きさを備える。
【０３９８】
具体的には、スペーサＫＢは共通電極５５２と第２の電極６５１の間に３μｍ以上１０μｍ以下好ましくは３．５μｍ以上６μｍ以下の間隔を形成する大きさを備える。間隔が３μｍ未満であると、第２の表示領域６０１を用いて明暗のコントラストに優れた鮮明な表示をすることが困難になる。また、間隔が１０μｍより大きいと、第１の表示領域５０１を用いて視野角の広い表示をすることが困難になる。また、第２の表示素子６５０が消費する電力が大きくなる。
【０３９９】
また、表示パネル５００Ｐは第１の基材５１０と第２の基材６１０を備える。第１の表示領域５０１と第２の表示領域６０１は、第１の基材５１０と第２の基材６１０の間にある。
【０４００】
第１の基材５１０は絶縁層５１０ａおよび支持体５１０ｂを備える。なお、絶縁層５１０ａと、絶縁層５１０ａと重なる領域を備える可撓性の支持体と、絶縁層５１０ａおよび可撓性の支持体を貼り合わせる機能を備える樹脂層と、が積層された複合材料を第１の基材５１０に用いることができる。
【０４０１】
第２の基材６１０は絶縁層６１０ａおよび支持体６１０ｂを備える。なお、絶縁層６１０ａと、絶縁層６１０ａと重なる領域を備える可撓性の支持体と、絶縁層６１０ａおよび可撓性の支持体を貼り合わせる機能を備える樹脂層と、が積層された複合材料を第２の基材６１０に用いることができる。
【０４０２】
また、表示パネル５００Ｐは第１の表示領域５０１または第２の表示領域６０１と重なる領域に、保護層６７０を備える。
【０４０３】
また、表示パネル５００Ｐは、駆動回路５０３Ｇまたは駆動回路６０３Ｇを備える。駆動回路５０３Ｇは、第１の表示領域５０１に配設される画素を駆動し、駆動回路６０３Ｇは、第２の表示領域６０１に配設される画素を駆動する。
【０４０４】
以下に、表示パネル５００Ｐを構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。
【０４０５】
例えば、発光性の有機化合物を含む層５５３と液晶を含む層６５３の間にある共通電極５５２は、第１の表示素子５５０を構成する要素であるとともに、第２の表示素子６５０を構成する要素でもある。
【０４０６】
《画素５０２》
トランジスタ５０２ｔなどの電子素子を、第１の表示素子５５０を駆動する画素回路に用いることができる。
【０４０７】
なお、トランジスタなどの能動素子を用いないようにしてもよい。例えば、アクティブマトリクス型ではなく、パッシブマトリクス型にしてもよい。
【０４０８】
《画素６０２》
トランジスタＭ１２などの電子素子を、第２の表示素子６５０を駆動する画素回路に用いることができる。
【０４０９】
なお、トランジスタなどの能動素子を用いないようにしてもよい。例えば、アクティブマトリクス型ではなく、パッシブマトリクス型にしてもよい。
【０４１０】
《絶縁層５２１》
絶縁層５２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を絶縁層５２１に適用することができる。これにより、トランジスタ５０２ｔ等の信頼性が不純物の拡散により低下してしまう不具合の発生を抑制できる。
【０４１１】
《隔壁５２８》
隔壁５２８は、絶縁性を備える。例えば、絶縁性の有機材料または絶縁性の無機材料を隔壁５２８に用いることができる。
【０４１２】
例えば、一の材料または複数の材料の複合材料を隔壁５２８に用いることができる。具体的には、複数の材料が積層された複合材料または繊維状または粒子状の材料が他の材料に分散された複合材料を用いることができる。
【０４１３】
例えば、樹脂等の有機材料を隔壁５２８に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、アクリル樹脂または感光性高分子から形成された材料等を含む薄膜を用いることができる。
【０４１４】
例えば、無機酸化物、無機窒化物または無機酸窒化物等を隔壁５２８に用いることができる。具体的には、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ等を含む薄膜を用いることができる。
【０４１５】
具体的には、厚さ０．８μｍのポリイミドを隔壁５２８に用いることができる。
【０４１６】
《駆動回路》
駆動回路５０３Ｇは、例えば選択信号を第１の表示素子５５０を駆動する画素回路に供給する。例えば、トランジスタ５０３ｔまたは容量５０３ｃなどを駆動回路５０３Ｇに用いることができる。
【０４１７】
駆動回路６０３Ｇは、例えば選択信号を第２の表示素子６５０を駆動する画素回路に供給する。トランジスタＭ４などを駆動回路６０３Ｇに用いることができる。
【０４１８】
《配線、端子》
配線５１１、端子部５１９および端子部６１９は導電性を有する材料を含む。
【０４１９】
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを用いることができる。
【０４２０】
具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を含む合金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いることができる。
【０４２１】
または、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。
【０４２２】
または、グラフェンまたはグラファイトを用いることができる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
【０４２３】
または、導電性高分子を用いることができる。
【０４２４】
《基材》
例えば、不純物の拡散を防ぐ絶縁層５１０ａおよび支持体５１０ｂが積層された積層体を、基材５１０に好適に用いることができる。
【０４２５】
例えば、不純物の拡散を防ぐ絶縁層６１０ａおよび支持体６１０ｂが積層された積層体を、基材６１０に好適に用いることができる。
【０４２６】
具体的には、２０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２５μｍ以上１００μｍ以下の厚さを備えるガラスを、絶縁層５１０ａまたは／および絶縁層６１０ａに用いることができる。このような厚さのガラスは、水や酸素に対する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。
【０４２７】
また、１０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下の厚さを備える樹脂を、支持体５１０ｂまたは／および支持体６１０ｂに用いることができる。このような樹脂層をガラスよりも外側に備える積層材料を用いることにより、ガラスの割れやクラックを抑制し、機械的強度を向上させることができる。または、このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料を基板に適用することにより、極めて信頼性が高い可撓性の発光パネルとすることができる。
【０４２８】
また、例えば、１０μｍ以下の厚さの無機材料の膜と、十数μｍ以上の厚さの樹脂フィルムと、を貼り合せた複合材料を用いることができる。これにより、５ｍｍ以下、好ましくは４ｍｍ以下、より好ましくは３ｍｍ以下、特に好ましくは１ｍｍ以下の曲率半径で折り曲げることができる。
【０４２９】
《保護層６７０》
例えば、反射防止層を保護層６７０に用いることができる。具体的には円偏光板を用いることができる。
【０４３０】
例えば、セラミックコート層またはハードコート層を保護層６７０に用いることができる。具体的には、酸化アルミニウムを含む層または紫外線硬化もしくは電子線硬化された樹脂を保護層６７０に用いることができる。これにより、傷が入出力装置５００ＴＰの表示領域５０１および表示領域６０１に発生してしまう不具合を防ぐことができる。
【０４３１】
《スペーサ》
スペーサＫＢは、共通電極５５２と第２の電極６５１の間隔を所定の長さにする大きさを有する。なお、スペーサＫＢ、遮光層ＢＭおよび隔壁５２８が重なる領域がある。
【０４３２】
《絶縁層６２８》
絶縁層６２８は、共通電極５５２と第２の電極６５１の間に設けられ、絶縁性を備える。具体的には、共通電極５５２と液晶を含む層６５３の間に設けられる。これにより、共通電極５５２と第２の電極６５１が短絡してしまう不具合の発生を防止できる。
【０４３３】
例えば、第１の表示領域５０１が形成された加工部材と、第２の電極および液晶を含む層６５３が形成された加工部材と、を貼り合わせる接着剤を絶縁層６２８に用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を用いることができる。
【０４３４】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０４３５】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルを備える入出力装置の構成について、図６を参照しながら説明する。
【０４３６】
図６（Ａ）は本発明の一態様の入出力装置５００ＴＰを説明する投影図である。なお、説明の便宜のために検知パネル７００の一部を拡大して図示している。また、図６（Ｂ）は検知パネル７００の一部の構成を説明する上面図であり、図６（Ｃ）は図６（Ｂ）に示す切断線Ｗ３−Ｗ４における断面図である。
【０４３７】
＜入出力装置構成例＞
本実施の形態で説明する入出力装置５００ＴＰは、表示パネル５００Ｐおよび表示パネル５００Ｐに重なる領域を備える検知パネル７００を有する（図６（Ａ）参照）。
【０４３８】
検知パネル７００は、制御信号を供給され検知信号を供給することができる機能を有する。
【０４３９】
検知パネル７００は、制御信号を供給され行方向（図中にＲで示す矢印の方向）に延在する複数の制御線ＣＬ（ｉ）を備える。また、列方向（図中にＣで示す矢印の方向）に延在し、検知信号を供給する複数の信号線ＭＬ（ｊ）を備える。また、制御線ＣＬ（ｉ）および信号線ＭＬ（ｊ）を支持する基材７１０を備える。
【０４４０】
検知パネル７００は、制御線ＣＬ（ｉ）と電気的に接続される第１の電極Ｃ１（ｉ）と、第１の電極Ｃ１（ｉ）と重ならない部分を備え且つ信号線ＭＬ（ｊ）と電気的に接続される第２の電極Ｃ２（ｊ）を備える。
【０４４１】
基材７１０は、第１の電極Ｃ１（ｉ）および第２の電極Ｃ２（ｊ）を支持する。
【０４４２】
表示パネル５００Ｐは、画素５０２を備える。
【０４４３】
第１の電極Ｃ１（ｉ）または第２の電極Ｃ２（ｊ）は、画素５０２と重なる領域に透光性を備える領域を具備する導電膜を含む。または、第１の電極Ｃ１（ｉ）または第２の電極Ｃ２（ｊ）は、領域を画素５０２と重なる領域に開口部７６７を具備する網目状の導電膜を含む。
【０４４４】
本実施の形態で説明する入出力装置５００ＴＰは、検知パネル７００と、検知パネル７００と重なる領域を備える表示パネル５００Ｐと、を有し、第１の電極Ｃ１（ｉ）または第２の電極Ｃ２（ｊ）が表示パネル５００Ｐの画素と重なる位置に透光性を備える領域または開口部７６７を具備する導電膜を含む。これにより、第１の電極または第２の電極に近づくものを検知することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
【０４４５】
例えば、入出力装置５００ＴＰの検知パネル７００は検知した検知情報を位置情報と共に供給することができる。具体的には、入出力装置５００ＴＰの使用者は、検知パネル７００に近接または接触させた指等をポインタに用いて様々なジェスチャー（タップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）をすることができる。
【０４４６】
検知パネル７００は、検知パネル７００に近接または接触する指等を検知して、検知した位置または軌跡等を含む検知情報を供給することができる。
【０４４７】
演算装置は供給された情報が所定の条件を満たすか否かをプログラム等に基づいて判断し、所定のジェスチャーに関連付けられた命令を実行する。
【０４４８】
これにより、検知パネル７００の使用者は、所定のジェスチャーを供給し、所定のジェスチャーに関連付けられた命令を演算装置に実行させることができる。
【０４４９】
また、入出力装置５００ＴＰの表示パネル５００Ｐは、例えば演算装置等が供給する表示情報Ｖを表示できる。
【０４５０】
入出力装置５００ＴＰの検知パネル７００は、フレキシブルプリント基板ＦＰＣ３と電気的に接続される。
【０４５１】
保護層７７０を検知パネル７００の使用者側に備える。
【０４５２】
例えば、セラミックコート層またはハードコート層を保護層７７０に用いることができる。具体的には、酸化アルミニウムを含む層またはＵＶ硬化された樹脂層を用いることができる。
【０４５３】
例えば、検知パネル７００が反射する外光の強度を弱める反射防止層を保護層７７０に用いることができる。具体的には、円偏光板等を用いることができる。
【０４５４】
以下に、入出力装置５００ＴＰを構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。
【０４５５】
例えば、検知パネル７００が表示パネル５００Ｐに重ねられた入出力装置５００ＴＰは、検知パネル７００であるとともに表示パネル５００Ｐでもある。なお、表示パネル５００Ｐに検知パネル７００が重ねられた入出力装置５００ＴＰをタッチパネルともいう。
【０４５６】
《全体の構成》
本実施の形態で説明する入出力装置５００ＴＰは、表示パネル５００Ｐまたは検知パネル７００を有する（図６（Ａ）参照）。
【０４５７】
《表示パネル》
表示パネル５００Ｐは、画素５０２、走査線、信号線または基材５１０を備える。例えば、実施の形態４に記載された表示パネル５００Ｐを用いることができる。
【０４５８】
《検知パネル》
検知パネル７００は近接または接触するものを検知して検知信号を供給する。例えば静電容量、照度、磁力、電波または圧力等を検知して、検知した物理量に基づく情報を供給する。具体的には、容量素子、光電変換素子、磁気検知素子、圧電素子または共振器等を検知素子に用いることができる。
【０４５９】
検知パネル７００は、例えば、近接または接触するものとの間の静電容量の変化を検知する。
【０４６０】
なお、大気中において、大気より大きな誘電率を備える指などが導電膜に近接すると、指と導電膜の間の静電容量が変化する。この静電容量の変化を検知して検知情報を供給することができる。具体的には、導電膜および当該導電膜に一方の電極が接続された容量素子を用いることができる。
【０４６１】
例えば、静電容量の変化に伴い容量素子との間で電荷の分配が引き起こされ、容量素子の一対の電極間の電圧が変化する。この電圧の変化を検知信号に用いることができる。
【０４６２】
検知パネル７００は、制御線ＣＬ（ｉ）、信号線ＭＬ（ｊ）、第１の電極Ｃ１（ｉ）、第２の電極Ｃ２（ｊ）または基材７１０を備える（図６（Ａ）および図６（Ｂ）参照）。
【０４６３】
なお、制御線ＣＬ（ｉ）は、配線ＢＲ（ｉ，ｊ）を信号線ＭＬ（ｊ）と交差する部分に備える。そして、短絡を防ぐ機能を有する絶縁膜７１１が、配線ＢＲ（ｉ，ｊ）と信号線ＭＬ（ｊ）の間に設けられている（図６（Ｃ）参照）。
【０４６４】
例えば、信号線ＭＬ（ｊ）は、第１の電極Ｃ１（ｉ）と第２の電極Ｃ２（ｊ）を備える容量を介して制御線ＣＬ（ｉ）に供給された制御信号を検知して、検知信号として供給できる。
【０４６５】
例えば、遮光層ＢＭを、制御線ＣＬ（ｉ）と基材７１０の間および信号線ＭＬ（ｊ）と基材７１０の間に備える。これにより、制御線ＣＬ（ｉ）または信号線ＭＬ（ｊ）に到達する外光を弱め、制御線ＣＬ（ｉ）または信号線ＭＬ（ｊ）が反射する外光の強度を抑制することができる。
【０４６６】
なお、基材７１０に検知パネル７００を形成するための膜を成膜し、当該膜を加工する方法を用いて、検知パネル７００を作製してもよい。
【０４６７】
または、検知パネル７００の一部を他の基材に作成し、当該一部を基材６１０に転置する方法を用いて、検知パネル７００を作製してもよい。
【０４６８】
《配線》
検知パネル７００は配線を備える。配線は制御線ＣＬ（ｉ）、信号線ＭＬ（ｊ）などを含む。
【０４６９】
導電性を有する材料を、配線などに用いることができる。
【０４７０】
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを、配線に用いることができる。
【０４７１】
具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、イットリウム、ジルコニウム、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を含む合金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを配線等に用いることができる。特に、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンの中から選択される一以上の元素を含むと好ましい。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。
【０４７２】
具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を用いることができる。
【０４７３】
具体的には、アルミニウム膜上にチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素の膜、またはアルミニウム膜上にチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた複数を組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を積層する積層構造を用いることができる。
【０４７４】
または、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。
【０４７５】
または、グラフェンまたはグラファイトを用いることができる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
【０４７６】
または、導電性高分子を用いることができる。
【０４７７】
《基材》
基材７１０は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。特に、可撓性を有する材料を基材７１０に用いると、検知パネル７００を折り畳んだ状態または展開された状態にすることができる。なお、表示パネル５００Ｐが表示をする側に検知パネル７００を配置する場合は、透光性を備える材料を基材７１０に用いる。
【０４７８】
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基材７１０に用いることができる。
【０４７９】
例えば、ガラス、セラミックスまたは金属等の無機材料を基材７１０に用いることができる。
【０４８０】
具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラスまたはクリスタルガラス等を、基材７１０に用いることができる。
【０４８１】
具体的には、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等を、基材７１０に用いることができる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、基材７１０に用いることができる。
【０４８２】
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基材７１０に用いることができる。
【０４８３】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基材７１０に用いることができる。
【０４８４】
例えば、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基材７１０に用いることができる。
【０４８５】
例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基材７１０に用いることができる。
【０４８６】
例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を基材７１０に用いることができる。
【０４８７】
また、単層の材料または複数の層が積層された積層材料を、基材７１０に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁層等が積層された積層材料を、基材７１０に用いることができる。
【０４８８】
具体的には、ガラスと、ガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜等から選ばれた一または複数の膜とが、積層された積層材料を、基材７１０に適用できる。
【０４８９】
または、樹脂と、樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜等と、が積層された積層材料を、基材７１０に適用できる。
【０４９０】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０４９１】
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図１７を参照しながら説明する。
【０４９２】
図１７は本発明の一態様の情報処理装置を説明する図である。
【０４９３】
図１７（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置Ｋ１００の入出力装置Ｋ２０が展開された状態を説明する投影図であり、図１７（Ｂ）は図１７（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２における情報処理装置Ｋ１００の断面図である。図１７（Ｃ）は入出力装置Ｋ２０が折り畳まれた状態を説明する投影図である。
【０４９４】
＜情報処理装置の構成例＞
本実施の形態で説明する情報処理装置Ｋ１００は、入出力装置Ｋ２０、演算装置Ｋ１０または筐体Ｋ０１（１）乃至筐体Ｋ０１（３）を有する（図１７参照）。
【０４９５】
《入出力装置》
入出力装置Ｋ２０は、表示装置Ｋ３０および入力装置Ｋ４０を備える。入出力装置Ｋ２０は、画像情報Ｖを供給され且つ検知情報Ｓを供給する（図１７（Ｂ）参照）。
【０４９６】
表示装置Ｋ３０は画像情報Ｖを供給され、入力装置Ｋ４０は検知情報Ｓを供給する。
【０４９７】
入力装置Ｋ４０と表示装置Ｋ３０が一体に重ねられた入出力装置Ｋ２０は、表示装置Ｋ３０であるとともに、入力装置Ｋ４０でもある。
【０４９８】
なお、入力装置Ｋ４０にタッチセンサを用い、表示装置Ｋ３０に表示パネルを用いた入出力装置Ｋ２０は、タッチパネルである。
【０４９９】
《表示装置》
表示装置Ｋ３０は、第１の領域Ｋ３１（１１）、第１の屈曲できる領域Ｋ３１（２１）、第２の領域Ｋ３１（１２）、第２の屈曲できる領域Ｋ３１（２２）および第３の領域Ｋ３１（１３）がこの順で縞状に配置された領域Ｋ３１を有する（図１７（Ａ）参照）。
【０５００】
表示装置Ｋ３０は、第１の屈曲できる領域Ｋ３１（２１）に形成される第１の畳み目および第２の屈曲できる領域Ｋ３１（２２）に形成される第２の畳み目で折り畳まれた状態および展開された状態にすることができる（図１７（Ａ）および図１７（Ｃ）参照）。
【０５０１】
例えば、実施の形態１または実施の形態４記載の表示パネルを用いることができる。
【０５０２】
《演算装置》
演算装置Ｋ１０は、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部を備える。また、画像情報Ｖを供給し且つ検知情報Ｓを供給される。
【０５０３】
《筐体》
筐体は、筐体Ｋ０１（１）、ヒンジＫ０２（１）、筐体Ｋ０１（２）、ヒンジＫ０２（２）または筐体Ｋ０１（３）を含み、この記載の順に配置される。
【０５０４】
筐体Ｋ０１（３）は、演算装置Ｋ１０を収納する。また、筐体Ｋ０１（１）乃至筐体Ｋ０１（３）は、入出力装置Ｋ２０を保持し、入出力装置Ｋ２０を折り畳まれた状態または展開された状態にすることができる（図１７（Ｂ）参照）。
【０５０５】
本実施の形態では、２つのヒンジを用いて接続される３つの筐体を備える情報処理装置を例示する。この情報処理装置の入出力装置Ｋ２０は、２つのヒンジがある場所で折り畳むことができる。
【０５０６】
なお、ｎ（ｎは２以上の自然数）個の筐体を（ｎ−１）個のヒンジを用いて接続してもよい。この構成を備える情報処理装置は、入出力装置Ｋ２０を（ｎ−１）箇所で折って折り畳むことができる。
【０５０７】
筐体Ｋ０１（１）は、第１の領域Ｋ３１（１１）と重なり、釦Ｋ４５（１）を備える。
【０５０８】
筐体Ｋ０１（２）は、第２の領域Ｋ３１（１２）と重なる。
【０５０９】
筐体Ｋ０１（３）は、第３の領域Ｋ３１（１３）と重なり、演算装置Ｋ１０、アンテナＫ１０ＡおよびバッテリーＫ１０Ｂを収納する。
【０５１０】
ヒンジＫ０２（１）は、第１の屈曲できる領域Ｋ３１（２１）と重なり、筐体Ｋ０１（１）を筐体Ｋ０１（２）に対して回動可能に接続する。
【０５１１】
ヒンジＫ０２（２）は、第２の屈曲できる領域Ｋ３１（２２）と重なり、筐体Ｋ０１（２）を筐体Ｋ０１（３）に対して回動可能に接続する。
【０５１２】
アンテナＫ１０Ａは、演算装置Ｋ１０と電気的に接続され、信号を供給または供給される。
【０５１３】
また、アンテナＫ１０Ａは、外部装置から無線で電力を供給され、電力をバッテリーＫ１０Ｂに供給する。
【０５１４】
バッテリーＫ１０Ｂは、演算装置Ｋ１０と電気的に接続され、電力を供給または供給される。
【０５１５】
《折り畳みセンサ》
折り畳みセンサＫ４１は、筐体が折り畳まれた状態かまたは展開された状態かを検知し、筐体の状態を示す情報を供給する。
【０５１６】
演算装置Ｋ１０は、筐体の状態を示す情報を供給される。
【０５１７】
筐体Ｋ０１の状態を示す情報が折り畳まれた状態を示す情報である場合、演算装置Ｋ１０は第１の領域Ｋ３１（１１）に第１の画像を含む画像情報Ｖを供給する（図１７（Ｃ）参照）。
【０５１８】
また、筐体Ｋ０１の状態を示す情報が展開された状態を示す情報である場合、演算装置Ｋ１０は表示装置Ｋ３０の領域Ｋ３１に画像情報Ｖを供給する（図１７（Ａ））。
【０５１９】
《検知部》
検知部Ｋ５０は、表示装置Ｋ３０が使用される環境の照度を検知して、照度の情報を含む検知情報を供給することができる。
【０５２０】
例えば、光電変換素子と光電変換素子が供給する信号に基づいて、環境の照度の情報を供給する検知回路を検知部Ｋ５０に用いることができる。
【０５２１】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０５２２】
（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図７および図１８を参照しながら説明する。
【０５２３】
図７は本発明の一態様の情報処理装置を説明する図である。図７（Ａ）は、本発明の一態様の情報処理装置の投影図である。図７（Ｂ）は、本発明の一態様の情報処理装置の投影図である。図７（Ｃ−１）および図７（Ｃ−２）は、本発明の一態様の情報処理装置の上面図および底面図ある。
【０５２４】
図１８は本発明の一態様の情報処理装置を説明する図である。図１８（Ａ−１）乃至図１８（Ａ−３）は、本発明の一態様の情報処理装置の投影図である。図１８（Ｂ−１）および図１８（Ｂ−２）は、本発明の一態様の情報処理装置の投影図である。図１８（Ｃ−１）および図１８（Ｃ−２）は、本発明の一態様の情報処理装置の上面図および底面図ある。
【０５２５】
《情報処理装置Ａ》
情報処理装置３０００Ａは、入出力部３１２０および入出力部３１２０を支持する筐体３１０１を有する（図７（Ａ）参照）。
【０５２６】
また、情報処理装置３０００Ａは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
【０５２７】
なお、筐体３１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。
【０５２８】
情報処理装置３０００Ａは、側面または／および上面に画像情報を表示することができる。
【０５２９】
情報処理装置３０００Ａの使用者は、側面または／および上面に接する指を用いて操作命令を供給することができる。
【０５３０】
《情報処理装置Ｂ》
情報処理装置３０００Ｂは筐体３１０１およびヒンジで筐体３１０１に接続された筐体３１０１ｂを有する（図７（Ｂ）参照）。
【０５３１】
筐体３１０１は、入出力部３１２０を支持する。
【０５３２】
筐体３１０１ｂは、入出力部３１２０ｂを支持する。
【０５３３】
また、情報処理装置３０００Ｂは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
【０５３４】
筐体３１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。
【０５３５】
情報処理装置３０００Ｂは、入出力部３１２０または入出力部３１２０ｂに画像情報を表示することができる。
【０５３６】
情報処理装置３０００Ｂの使用者は、入出力部３１２０または入出力部３１２０ｂに接する指を用いて操作命令を供給することができる。
【０５３７】
《情報処理装置Ｃ》
情報処理装置３０００Ｃは、入出力部３１２０ならびに入出力部３１２０を支持する筐体３１０１ｂを有する（図７（Ｃ−１）および図７（Ｃ−２）参照）。
【０５３８】
また、情報処理装置３０００Ｃは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
【０５３９】
なお、筐体３１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。
【０５４０】
《情報処理装置Ｄ》
情報処理装置３０００Ｄは、入出力部３１２０および入出力部３１２０を支持する筐体３１０１を有する（図１８（Ａ−１）乃至図１８（Ａ−３）参照）。
【０５４１】
また、情報処理装置３０００Ｄは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
【０５４２】
なお、筐体３１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。
【０５４３】
情報処理装置３０００Ｄは、側面または／および上面に画像情報を表示することができる。
【０５４４】
情報処理装置３０００Ｄの使用者は、側面または／および上面に接する指を用いて操作命令を供給することができる。
【０５４５】
《情報処理装置Ｅ》
情報処理装置３０００Ｅは、入出力部３１２０および入出力部３１２０ｂを有する（図１８（Ｂ−１）および図１８（Ｂ−２）参照）。
【０５４６】
また、情報処理装置３０００Ｅは入出力部３１２０を支持する筐体３１０１および可撓性を有するベルト状の筐体３１０１ｂを有する。
【０５４７】
また、情報処理装置３０００Ｅは入出力部３１２０ｂを支持する筐体３１０１を有する。
【０５４８】
また、情報処理装置３０００Ｅは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
【０５４９】
なお、筐体３１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。
【０５５０】
情報処理装置３０００Ｅは、可撓性を有するベルト状の筐体３１０１ｂに支持される入出力部３１２０に画像情報を表示することができる。
【０５５１】
情報処理装置３０００Ｅの使用者は、入出力部３１２０に接する指を用いて操作命令を供給することができる。
【０５５２】
《情報処理装置Ｆ》
情報処理装置３０００Ｆは、入出力部３１２０ならびに入出力部３１２０を支持する筐体３１０１および筐体３１０１ｂを有する（図１８（Ｃ−１）および図１８（Ｃ−２）参照）。
【０５５３】
入出力部３１２０および筐体３１０１ｂは可撓性を有する。
【０５５４】
また、情報処理装置３０００Ｆは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
【０５５５】
なお、筐体３１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。
【０５５６】
情報処理装置３０００Ｆは、筐体３１０１ｂの部分で二つに折り畳むことができる。
【０５５７】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０５５８】
例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとする。
【０５５９】
ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【０５６０】
ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。
【０５６１】
ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
【０５６２】
ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
【０５６３】
なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
【０５６４】
なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。
【０５６５】
例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
【０５６６】
または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
【０５６７】
なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【０５６８】
なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【符号の説明】
【０５６９】
ＢＭ    遮光層
ＢＲ    配線
Ｃ      容量
Ｃ１    第１の電極
Ｃ２    第２の電極
ＣＯＭ    配線
ＶＰ    配線
ＣＦ    着色層
Ｃ１１    容量
ＣＬ    制御線
Ｇ１１    配線
Ｇ２１    配線
Ｋ０１    筐体
Ｋ０２    ヒンジ
Ｋ１０    演算装置
Ｋ１０Ａ    アンテナ
Ｋ１０Ｂ    バッテリー
Ｋ２０    入出力装置
Ｋ３０    表示装置
Ｋ３１    領域
Ｋ４０    入力装置
Ｋ４１    センサ
Ｋ４５    釦
Ｋ５０    検知部
Ｋ１００    情報処理装置
Ｍ４    トランジスタ
Ｍ１０    駆動用トランジスタ
Ｍ１１    スイッチング素子
Ｍ１２    トランジスタ
Ｍ２１    スイッチング素子
ＭＬ    信号線
Ｓ１１    配線
Ｓ２１    配線
ＦＰＣ１    フレキシブルプリント基板
ＦＰＣ２    フレキシブルプリント基板
ＦＰＣ３    フレキシブルプリント基板
ＦＰＣ１０９    フレキシブルプリント基板
ＦＰＣ２０９    フレキシブルプリント基板
１０    演算装置
１１    演算部
１２    記憶部
１４    伝送路
１５    入出力インターフェース
２０    入出力装置
２２    操作部
３０    表示装置
３１    制御部
４５    入出力部
５０    検知部
６０    通信部
１００    表示パネル
１０１    表示領域
１０２    画素
１０２Ｂ    画素
１０２Ｃ    画素回路
１０２Ｇ    画素
１０２Ｐ    画素
１０２Ｒ    画素
１０３Ｇ    駆動回路
１０３Ｓ    駆動回路
１１０    基材
１１０ａ    絶縁層
１１０ｂ    支持体
１１１    配線
１１９    端子部
１２８    隔壁
１５０    表示素子
１５０Ｗ    表示素子
１５０ＷＢ    表示素子
１５０ＷＧ    表示素子
１５０ＷＲ    表示素子
１５１    第１の電極
１５１Ｒ    第１の電極
１５１Ｇ    第１の電極
１５１Ｂ    第１の電極
１５２    共通電極
１５２Ｍ    共通電極
１５３    発光性の有機化合物を含む層
１５３Ｗ    発光性の有機化合物を含む層
１７０    基材
１７０ａ    絶縁層
１７０ｂ    支持体
２０１    表示領域
２０２Ｃ    画素回路
２０２Ｐ    画素
２０３Ｃ    画素回路
２０３Ｇ    駆動回路
２０３Ｓ    駆動回路
２１１    配線
２１９    端子部
２２８    絶縁層
２５０    表示素子
２５１    第２の電極
２５３    液晶を含む層
３００    情報処理装置
５００    表示パネル
５００Ｐ    表示パネル
５００ＴＰ    入出力装置
５０１    表示領域
５０２    画素
５０２ｔ    トランジスタ
５０３ｃ    容量
５０３Ｇ    駆動回路
５０３ｔ    トランジスタ
５１０    基材
５１０ａ    絶縁層
５１０ｂ    支持体
５１１    配線
５１９    端子部
５２１    絶縁層
５２８    隔壁
５５０    表示素子
５５１    第１の電極
５５２    共通電極
５５３    発光性の有機化合物を含む層
６０１    表示領域
６０２    画素
６０３Ｇ    駆動回路
６１０    基材
６１０ａ    絶縁層
６１０ｂ    支持体
６１９    端子部
６２８    絶縁層
６５０    表示素子
６５１    第２の電極
６５３    液晶を含む層
６６７    開口部
６７０    保護層
７００    検知パネル
７１０    基材
７１１    絶縁膜
７６７    開口部
７７０    保護層
３０００Ａ    情報処理装置
３０００Ｂ    情報処理装置
３０００Ｃ    情報処理装置
３０００Ｄ    情報処理装置
３０００Ｅ    情報処理装置
３０００Ｆ    情報処理装置
３１０１    筐体
３１０１ｂ    筐体
３１２０    入出力部
３１２０ｂ    入出力部
５１００    ペレット
５１００ａ    ペレット
５１００ｂ    ペレット
５１０１    イオン
５１０２    酸化亜鉛層
５１０３    粒子
５１０５ａ    ペレット
５１０５ａ１    領域
５１０５ａ２    ペレット
５１０５ｂ    ペレット
５１０５ｃ    ペレット
５１０５ｄ    ペレット
５１０５ｄ１    領域
５１０５ｅ    ペレット
５１２０    基板
５１３０    ターゲット
５１６１    領域
【図１】
0006754555.tif 000002
【図２】
0006754555.tif 000003
【図３】
0006754555.tif 000004
【図４】
0006754555.tif 000005
【図５】
0006754555.tif 000006
【図６】
0006754555.tif 000007
【図７】
0006754555.tif 000008
【図８】
0006754555.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
0006754555.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
0006754555.tif 000016
【図１６】
0006754555.tif 000017
【図１７】
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【図１８】
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