(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
バーナにガラス原料および火炎形成ガスを投入してガラス微粒子を合成し、種棒の軸方向にガラス微粒子多孔質体を堆積させて引き上げる光ファイバ用母材の製造方法であって、
コア用バーナで前記ガラス微粒子を合成して前記ガラス微粒子多孔質体のコア層を形成する工程と、
クラッド用バーナで前記ガラス微粒子を合成して前記コア層の外周に堆積されるクラッド層を形成する工程と、
前記ガラス微粒子多孔質体の引き上げ長が、所定の長さに到達してから、あらかじめ設定した最終の長さまでの間で、前記クラッド層の堆積面の温度を上げるように前記クラッド用バーナのガス流量を変化させ、前記コア層の先端部を前記クラッド層が覆うように堆積させる工程と、
を含み、
前記ガス流量を変化し始める位置は、前記最終の長さよりも５０ｍｍから１００ｍｍ手前の位置であり、
前記ガス流量の変化を、前記バーナに供給する水素流量を増加させるか、および前記バーナに供給する酸素流量を減少させるかのいずれか、または両方により行い、
前記水素流量の増加量は、前記水素流量を変化させる前の前記ガス流量の０．０２倍から０．０５倍であり、
前記酸素流量の減少量は、前記酸素流量を変化させる前の前記ガス流量の０．０２倍から０．０５倍である、光ファイバ用母材の製造方法。
【請求項２】
前記ガス流量を、前記ガラス微粒子多孔質体の引き上げ長が前記所定の長さに到達してから前記最終の長さの間で、直線的に変化させる、請求項１に記載の光ファイバ用母材の製造方法。
【請求項３】
前記ガス流量を変化させる工程は、前記ガラス微粒子多孔質体の引き上げ長が前記所定の長さに到達した後で前記ガス流量を瞬間的に変化させる工程と、変化後のガス流量を維持する工程とを、含む、請求項１に記載の光ファイバ用母材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ファイバ用母材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、光ファイバ母材の製造方法に関する発明であって、複数のガラス合成用バーナを用い、合成するガラス微粒子体を複数のガラス合成用バーナに対して移動させつつ、ガラス微粒子体をＶＡＤ法によって成長させる方法が開示されている。
また、特許文献２は、ガラス母材の製造方法に関する発明であって、ガラス微粒子の堆積開始時は出発基材に嵩密度の大きいガラス微粒子を堆積させる必要があるとの記載がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２６１３６０号公報
【特許文献２】特開２０１４−２４６９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の方法においては、中心コア層の成長を終えた後も外周層の成長を継続し、外周層が中心コア層の先端部近傍まで成長された時点で、外周用バーナを停止して外周層の成長を終了することとしている。そのため、ガラス微粒子の堆積終了時には外側のガラス合成用バーナでガラス微粒子体の終了端における径方向中心付近まで堆積させることになるため、この終了端の中心近傍の嵩密度が低くなりやすく、ガラス微粒子体の割れの起点となりやすかった。
また、特許文献２には、ガラス微粒子堆積体の堆積開始端側で嵩密度を大きくすることは記載されているが、ガラス微粒子堆積体の堆積終了端側については何ら記載がない。仮に、終了端を有効部と同程度の固さ（嵩密度）とすると、終了端が割れの起点となることが考えられる。
【０００５】
本発明は、割れ等の製品不良の発生を防止可能な光ファイバ用母材の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の光ファイバ用母材の製造方法は、
バーナにガラス原料および火炎形成ガスを投入してガラス微粒子を合成し、種棒の軸方向にガラス微粒子多孔質体を堆積させて引き上げる光ファイバ用母材の製造方法であって、
前記ガラス微粒子多孔質体の引き上げ長が、所定の長さに到達してから、あらかじめ設定した最終の長さまでの間で、前記ガラス微粒子多孔質体の堆積面の温度を上げるように前記バーナのガス流量を変化させる。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、割れ等の製品不良の発生を防止可能な光ファイバ用母材の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の光ファイバ用母材の製造方法の一例を示す概略構成図である。
【図２】光ファイバ用母材の脱水焼結を行うための炉心管を用いた脱水焼結炉の概略構成図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は、比較例１〜５に係る流量変化の各条件を示すグラフである。
【図４】（ａ）〜（ｆ）は、実施例１〜６に係る流量変化の各条件を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜本発明の実施形態の概要＞
最初に本発明の実施形態の概要を説明する。
本実施形態にかかる光ファイバ用母材の製造方法は、
（１）バーナにガラス原料および火炎形成ガスを投入してガラス微粒子を合成し、種棒の軸方向にガラス微粒子多孔質体を堆積させて引き上げる光ファイバ用母材の製造方法であって、
前記ガラス微粒子多孔質体の引き上げ長が、所定の長さに到達してから、あらかじめ設定した最終の長さまでの間で、前記ガラス微粒子多孔質体の堆積面の温度を上げるように前記バーナのガス流量を変化させる。
この構成によれば、ガラス微粒子多孔質体を堆積させる際のバーナのガス流量を制御することで、スス割れ等の製品不良の発生を防止することができる。
【００１０】
（２）前記ガス流量の変化を、前記バーナに供給する水素流量を増加させるか、および前記バーナに供給する酸素流量を減少させるかのいずれか、または両方により行うことが好ましい。
この構成によれば、ガス流量を適切に変化させることができる。
【００１１】
（３）前記水素流量の増加量は、前記水素流量を変化させる前の前記ガス流量の０．０２倍から０．１０倍であることが好ましい。
水素流量の増加量を上記範囲とすることで、ガラス微粒子多孔質体の終了端を適切な固さにすることができる。
【００１２】
（４）前記酸素流量の減少量は、前記酸素流量を変化させる前の前記ガス流量の０．０２倍から０．１０倍であることが好ましい。
酸素流量の減少量を上記範囲とすることで、ガラス微粒子多孔質体の終了端を適切な固さにすることができる。
【００１３】
（５）前記ガス流量を、前記ガラス微粒子多孔質体の引き上げ長が前記所定の長さに到達してから前記最終の長さの間で、直線的に変化させることが好ましい。
この構成によれば、嵩密度をなだらかに変化させることができるため、嵩密度の急激な変化による内部気泡の残留を防止することができる。
【００１４】
（６）前記ガス流量を変化させる工程は、前記ガラス微粒子多孔質体の引き上げ長が前記所定の長さに到達した後で前記ガス流量を瞬間的に変化させる工程と、変化後のガス流量を維持する工程とを、含むことが好ましい。
この構成によれば、ガラス微粒子多孔質体の終了端において有効部よりも嵩密度が高く固い部分を多く確保することができる。
【００１５】
（７）前記ガス流量を変化し始める位置は、前記最終の長さよりも５０ｍｍから１５０ｍｍ手前の位置であることが好ましい。
ガラス微粒子多孔質体におけるガス流量の変化の開始位置を上記範囲とすることで、ガラス微粒子多孔質体の有効部の特性に影響を与えることなく終了端を適切な固さにすることができる。
【００１６】
（８）前記ガス流量を変化させる工程は、
コア用バーナで前記ガラス微粒子を合成して前記ガラス微粒子多孔質体のコア層を形成する工程と、
クラッド用バーナで前記ガラス微粒子を合成して前記コア層の外周に堆積されるクラッド層を形成する工程と、
前記引き上げ長が所定の長さに到達してから、あらかじめ設定した最終の長さまでの間で、前記クラッド層の堆積面の温度を上げるように前記クラッド用バーナのガス流量を変化させる工程と、を含む。
この構成によれば、クラッド層を形成するためにクラッド用バーナのガス流量を制御して、クラッド層の終了端付近のみを固くするようにしているため、有効部におけるコア層とクラッド層との嵩密度の差を極力少なくできる。これによりコア層での内部気泡の残留防止と、クラッド層の終了端付近のクラックの発生防止を両立させることができる。
【００１７】
＜本発明の実施形態の詳細＞
以下、本発明に係る光ファイバ用母材の製造方法の実施の形態の例を、図面を参照して説明する。
【００１８】
図１（ａ）〜（ｃ）は、光ファイバ用母材の製造方法の一実施形態について概略的に示す側面図である。この製造方法においては、複数のガラス合成用バーナを用いたＶＡＤ法によるスス付けによって、複数の層を有するガラス微粒子多孔質体（スス体）が合成される。なお、図１（ａ）〜（ｃ）においては、説明のため、ガラス微粒子多孔質体をその中心軸を含む垂直断面構造によって図示している。
【００１９】
図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、本実施形態では、コア用バーナ１およびクラッド用バーナ２の２本のガラス合成用バーナが設置されている。コア用バーナ１およびクラッド用バーナ２には、それぞれ所定のガラス原料ガス、および火炎を形成するための燃料ガスおよび助燃性ガスが供給される。コア用バーナ１およびクラッド用バーナ２は、それぞれ燃焼性ガスと助燃性ガスにより火炎を形成し、火炎中でガラス原料ガスを火炎加水分解反応させてガラス微粒子を生成する。上記のガラス原料ガスとしては、例えばＳｉＣｌ４を用いる。また、燃焼性ガスとしては、例えば水素ガス（Ｈ２）を用いる。また、助燃性ガスとしては、例えば酸素ガス（Ｏ２）を用いる。
【００２０】
コア用バーナ１およびクラッド用バーナ２から供給された火炎内で生成されたガラス微粒子（スス）が、回転されつつ所定の引き上げ速度で引き上げられている種棒１０の下方に堆積される。そして、種棒１０に伴って回転しつつ、所定の引き上げ速度で成長しながら引き上げられるガラス微粒子多孔質体２０の下方に継続的にススがさらに堆積されることによって、コア用バーナ１に対応するコア層２１、およびクラッド用バーナ２に対応しコア層２１の外周に堆積されるクラッド層２２が長手方向に成長される。
【００２１】
以上の構成において、コア用バーナ１からの火炎によって、ガラス微粒子多孔質体２０の中心軸となる種棒１０の回転軸を含むコア層２１が成長される。そして、コア層２１の外周上に、クラッド用バーナ２からの火炎によってクラッド層２２が成長されて、ガラス微粒子多孔質体２０の全体が合成される。
【００２２】
コア層２１およびクラッド層２２の成長が進み、成長開始位置（種棒１０の下端）から成長の先端部までのコア層２１の長さがあらかじめ設定された目標長Ｌ１に到達したら、図１（ａ）に示すように、コア用バーナ１へのガスの供給を停止してコア層２１の成長を終了する。そして、図１（ｂ）に示すように、クラッド用バーナ２は停止させず、ガラス微粒子多孔質体２０を引き上げつつ、クラッド層２２の長手方向への成長をさらに継続する。そして、図１（ｃ）に示すように、クラッド層２２をコア層２１の先端部を覆うように堆積させ、成長開始位置からの引き上げ長が最終の目標長Ｌ２に到達したときに、クラッド用バーナ２へのガスの供給を停止する。
【００２３】
ガラス微粒子の堆積工程においては、燃焼性ガスである水素ガスと助燃性ガスである酸素ガスとの流量バランスにより、ガラス微粒子多孔質体２０の嵩密度が変化することが知られている。水素ガスの流量を多くする、あるいは酸素ガスの流量を少なくすると火炎の温度が上がるため嵩密度は高くなる。一方、水素ガスの流量を少なくする、あるいは酸素ガスの流量を多くすると火炎の温度が下がるため嵩密度は低くなる。このことを利用して、水素ガスおよび／または酸素ガスの流量を制御することにより、形成されるガラス微粒子多孔質体２０の嵩密度を調整することができる。
【００２４】
本実施形態においては、上記のガラス微粒子多孔質体２０の製造工程において、ガラス微粒子多孔質体２０の引き上げ長がコア層の終了端である所定の長さ（図１の長さＬ１）に到達してから、あらかじめ設定した最終の引き上げ長（図１の長さＬ２）までの間で、クラッド層２２の堆積面の温度を上げるようにクラッド用バーナ２のガス流量を変化させる。具体的には、ガラス微粒子多孔質体２０の最終の引き上げ長から手前側の一定の範囲（長さＬ１と長さＬ２の間）において、クラッド用バーナ２に供給する水素流量を増加させる。あるいは、最終の引き上げ長から手前側の一定の範囲（長さＬ１と長さＬ２の間）において、クラッド用バーナ２に供給する酸素流量を減少させる。なお、クラッド用バーナ２に供給する水素流量を増加させるとともに、酸素流量を減少させても良い。このように、ガラス微粒子多孔質体２０のクラッド層２２を堆積させる際のクラッド用バーナ２のガス流量を終了端２２Ａ付近で変化させることで、終了端２２Ａ付近の嵩密度をそれ以外の部分の嵩密度よりも高くする、すなわちガラス微粒子多孔質体２０の有効部よりも終了端２２Ａ付近を固くすることができる。
【００２５】
最終の引き上げ長から手前側の一定の範囲における水素流量の増加量は、水素流量を変化させる前のガス流量の０．０２倍から０．１０倍とすることが好ましい。水素流量の増加量が変化前のガス流量の０．０２倍よりも少ないと、終了端２２Ａ付近のクラッド層２２を十分に固くすることができない。一方、水素流量の増加量が変化前のガス流量の０．１０倍よりも多いと、終了端２２Ａ付近のクラッド層２２が固くなりすぎて、後工程である脱水焼結工程においてガラス微粒子多孔質体２０の内部に発生する気泡が外部へ放出されにくくなり、終了端２２Ａ付近の内部に気泡が残留してしまう可能性が高くなる。ガラス微粒子多孔質体２０の先端に気泡が残留すると、後工程で当該先端部にダミー棒を接続することが難しくなってしまう。
【００２６】
また、最終の引き上げ長から手前側の一定の範囲における酸素流量の減少量は、酸素流量を変化させる前のガス流量の０．０２倍から０．１０倍とすることが好ましい。酸素流量の減少量が変化前のガス流量の０．０２倍よりも少ないと、終了端２２Ａ付近のクラッド層２２を十分に固くすることができない。一方、酸素流量の減少量が変化前のガス流量の０．１０倍よりも多いと、終了端２２Ａ付近のクラッド層２２が固くなりすぎて、脱水焼結工程においてガラス微粒子多孔質体２０の終了端２２Ａ付近に気泡が残留する可能性が高くなる。
【００２７】
なお、ガス流量を変化させる際には、所定の引き上げ長Ｌ１に到達してから最終の引き上げ長Ｌ２の間で、ガス流量を直線的に変化させるか、あるいは、長さＬ１から長さＬ２の間の所定位置においてガス流量を一気に変化させ、その後は変化後のガス流量を維持するようにしてもよい。
ガス流量を直線的に変化させると、クラッド層２２の嵩密度がなだらかに変化するため、嵩密度の急激な変化を防止することができる。一方、終了端２２Ａ付近の所定位置においてガス流量を一気に変化させる方法だと、クラッド層２２のススを固くする部分を多く確保することができる。
【００２８】
また、ガス流量を変化させ始める位置は、最終の引き上げ長Ｌ２よりも５０ｍｍから１５０ｍｍ手前の位置であることが好ましい。変化させる位置が最終の引き上げ長Ｌ２から１５０ｍｍ手前よりさらに手前の位置であると、ガラス微粒子多孔質体２０の有効部の特性に影響が出てしまう。一方、変化させる位置が最終の引き上げ長Ｌ２から５０ｍｍ手前の位置よりも最終の引き上げ長Ｌ２に近い位置であると、クラッド層２２の固くなる部分が短すぎてスス割れ対策の効果が期待できない。
【００２９】
以上のようにして得られたガラス微粒子多孔質体２０に対して、次に図２に示す脱水焼結工程が実施される。
図２に示すように、ガラス微粒子多孔質体２０を加熱炉１００内に挿入する。そして、ガラス微粒子多孔質体２０を挿入した加熱炉１００内にＨｅなどの不活性ガスに加えてＳｉＣｌ４、Ｃｌ２などの腐食性ガスを含む導入ガスをガス導入路１１０から導入して、ヒータ１２０を加熱させて脱水処理をする。その後、ヒータ１２０をさらに加熱させて焼結温度に上昇させて、ガラス微粒子多孔質体２０を焼結させることにより透明ガラス化して、透明ガラス体を得る。
【００３０】
上記の脱水焼結工程においては、ヒータ１２０の間を通るように上から下に向かってガラス微粒子多孔質体２０が移動されながら、脱水焼結が行われる。このとき、ヒータ１２０によるヒートショック等により、ガラス微粒子多孔質体２０の終了端２２Ａ付近を起点としてクラックが入り、スス割れが生じてしまう場合がある。このスス割れを防止するための対策としては、ガラス微粒子多孔質体２０の外周層であるクラッド層２２を固くするために、スス付け時にクラッド層２２の嵩密度を上げることが考えられる。しかし、スス付け時にガラス微粒子多孔質体２０の全域にわたってクラッド層２２の嵩密度を上げると、コア層２１とクラッド層２２との嵩密度の差が大きくなる。脱水焼結工程においては、ガラス微粒子多孔質体２０の内部のガスが外部に放出されることでガラス微粒子多孔質体２０の透明ガラス化が進むが、コア層２１とクラッド層２２との嵩密度の差が大きいと、嵩密度の高いクラッド層２２が嵩密度の低いコア層２１よりも早く透明ガラス化されることとなり、コア層２１の内部に発生したガス（気泡）がクラッド層２２から外部に放出されず、内部気泡の残留を招いてしまうおそれがある。
【００３１】
これに対して、本実施形態においては、図１（ａ）〜（ｃ）に示すガラス微粒子堆積工程において、ガラス微粒子多孔質体２０の引き上げ長が所定の長さＬ１に到達してから、あらかじめ設定した最終の引き上げ長Ｌ２までの間で、クラッド層２２の堆積面の温度を上げるようにクラッド用バーナ２のガス流量を変化させる。このように、クラッド層２２を形成するためにガラス微粒子を堆積させる際のクラッド用バーナ２のガス流量をクラッド層２２の終了端２２Ａで変化させて、終了端２２Ａ付近のみ嵩密度を高くするようにしている。これにより、コア層２１とクラッド層２２との嵩密度の差を極力小さくして内部気泡の残留を防止できるとともに、クラッド層２２の終了端２２Ａ付近を固くすることによりスス割れ（クラック発生）を防ぐことができる。
【００３２】
本実施形態において、クラッド層２２の終了端２２Ａ付近におけるガス流量の変化は、クラッド用バーナ２に供給する水素流量を増加させるか、クラッド用バーナ２に供給する酸素流量を減少させるかのいずれか、または両方により行う。この構成によれば、クラッド用バーナ２のガス流量を適切に変化させることができる。
【００３３】
また、本実施形態においては、水素流量の増加量が最大で水素流量を変化させる前のガス流量の０．０２倍から０．１０倍となるように、ガス流量を調整している。水素流量の増加量を上記範囲とすることで、クラッド層２２の終了端２２Ａ付近を適切な固さにすることができる。
【００３４】
また、本実施形態においては、酸素流量の減少量が最大で酸素流量を変化させる前のガス流量の０．０２倍から０．１０倍となるように、ガス流量を調整している。酸素流量の減少量を上記範囲とすることで、クラッド層２２の終了端２２Ａ付近を適切な固さにすることができる。
【００３５】
また、本実施形態においては、ガラス微粒子多孔質体２０の引き上げ長が所定の長さＬ１に到達してから最終の引き上げ長Ｌ２になるまでの間に、ガス流量を直線的に変化させる方法か、引き上げ長が所定の長さＬ１に到達した後でガス流量を一気（瞬間的）に変化させ、その後は変化後のガス流量を維持する方法のいずれかを採用することができる。ガス流量を直線的に変化させる方法では、嵩密度の急激な変化による内部気泡の残留等を防止することができる。一方、ガス流量を一気に変化させる方法では、クラッド層２２の終了端２２Ａ付近において有効部よりも固い部分を多くすることができる。
【００３６】
また、本実施形態においては、ガス流量を変化し始める位置は、最終の引き上げ長Ｌ２よりも５０ｍｍから１５０ｍｍ手前の位置であることが好ましい。クラッド層２２におけるガス流量の変化の開始位置を上記範囲とすることで、ガラス微粒子多孔質体２０の有効部の特性に影響を与えることなく、終了端２２Ａ付近のクラッド層２２を適切な固さにすることができる。
【００３７】
（実施例）
以下の条件で、それぞれ５０本ずつガラス微粒子堆積体の作製（いわゆる、スス付け）を行い、スス割れ発生率の比較を実施した。流量変化の条件およびスス割れ発生率、気泡残留の有無を以下の表１に示す。
【００３８】
【表１】
0006784016.tif 000002
【００３９】
（例１（比較例１））
図３（ａ）に示すように、水素および酸素の流量を変化させずにスス付けを行った。
その結果、スス割れ発生率は６％であった。
（例２（比較例２））
図３（ｂ）に示すように、水素流量を、最終の引き上げ長（スス付け終了位置）よりも１００ｍｍ手前で、水素流量を変化させる前の０．０１倍、一気（瞬間的）に増加させて、スス付けを行った。
その結果、スス割れ発生率は４％であった。
（例３（比較例３））
図３（ｃ）に示すように、水素流量を、最終の引き上げ長よりも１００ｍｍ手前で、水素流量を変化させる前の０．３０倍、一気（瞬間的）に増加させて、スス付けを行った。
その結果、スス割れ発生率は０％であったが、作製されたガラス微粒子多孔質体の先端に気泡が残留してしまった。
（例４（比較例４））
図３（ｄ）に示すように、水素流量を、最終の引き上げ長よりも２００ｍｍ手前で、水素流量を変化させる前の０．０５倍、一気（瞬間的）に増加させて、スス付けを行った。
その結果、スス割れ発生率は０％であったが、コア層の内部に気泡が残留してしまった。
（例５（比較例５））
図３（ｅ）に示すように、水素流量を、最終の引き上げ長より２０ｍｍ手前で、水素流量を変化させる前の０．０５倍、一気（瞬間的）に増加させて、スス付けを行った。
その結果、スス割れ発生率は４％であった。
【００４０】
（例６（実施例１））
図４（ａ）に示すように、水素流量を、最終の引き上げ長より１００ｍｍ手前で、水素流量を変化させる前の０．０５倍、一気（瞬間的）に増加させて、スス付けを行った。
その結果、スス割れ発生率は０％で、気泡残留もなかった。
（例７（実施例２））
図４（ｂ）に示すように、水素流量を、最終の引き上げ長より１００ｍｍ手前から増加させ始め、最終の引き上げ長より５０ｍｍ手前で水素流量を変化させる前の０．０５倍増加した流量となるように直線的に変化させて、スス付けを行った。
その結果、スス割れ発生率は０％で、気泡残留もなかった。
（例８（実施例３））
図４（ｃ）に示すように、酸素流量を、最終の引き上げ長より１００ｍｍ手前で、酸素流量を変化させる前の０．０５倍、一気（瞬間的）に減少させて、スス付けを行った。
その結果、スス割れ発生率は０％で、気泡残留もなかった。
（例９（実施例４））
図４（ｄ）に示すように、酸素流量を、最終の引き上げ長より１００ｍｍ手前から減少させ始め、最終の引き上げ長より５０ｍｍ手前で酸素流量を変化させる前の０．０５倍減少した流量となるように直線的に変化させて、スス付けを行った。
その結果、スス割れ発生率は０％で、気泡残留もなかった。
（例１０（実施例５））
図４（ｅ）に示すように、最終の引き上げ長より１００ｍｍ手前で、水素流量を変化させる前の０．０２５倍、一気（瞬間的）に増加させるとともに、酸素流量を変化させる前の０．０２５倍、一気（瞬間的）に減少させて、スス付けを行った。
その結果、スス割れ発生率は０％で、気泡残留もなかった。
（例１１（実施例６））
図４（ｆ）に示すように、最終の引き上げ長より１００ｍｍ手前から、水素流量を、最終の引き上げ長より５０ｍｍ手前で水素流量を変化させる前の０．０２５倍、一気（瞬間的）に増加させるとともに、酸素流量を、最終の引き上げ長より５０ｍｍ手前で酸素流量を変化させる前の０．０２５倍、一気（瞬間的）に減少させて、スス付けを行った。
その結果、スス割れ発生率は０％で、気泡残留もなかった。
【００４１】
以上の結果より、比較例１〜５の条件ではスス割れ発生率が４％〜６％であるか、またはガラス微粒子多孔質体を焼結したときの焼結体の先端やコア層内部に気泡が残留してしまうのに対し、実施例１〜６の条件ではスス割れや気泡等の製品不良が発生することがなく各条件が有効であることを確認できた。
【００４２】
以上、本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。また、上記説明した構成部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定されず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等に変更することができる。
【００４３】
上記の実施形態においては、コア用バーナ１へのガスの供給を停止した後もクラッド用バーナ２からの火炎の供給を継続し、クラッド層２２をコア層２１の先端部を覆うように堆積させて、クラッド層２２の成長された先端部がコア層２１を完全に覆ってから、クラッド用バーナ２を停止する構成としているが、この例に限られない。例えば、ガラス微粒子多孔質体を作製する際に、コア層の先端（終了端）をクラッド層で覆わずに、図１（ａ）に示すように、コア層の終了端がクラッド層から露出した状態でコア用バーナおよびクラッド用バーナを停止する構成としても良い。この場合、クラッド層の終了端だけではなく、コア層の終了端を固くするために、コア用バーナの水素流量の増加量および／酸素流量の減少量を上記の実施形態のクラッド用バーナと同様に調整することが望ましい。これにより、クラッド層から露出されているコア層の終了端におけるクラックの発生を防ぐことができる。
【符号の説明】
【００４４】
１：コア用バーナ
２：クラッド用バーナ
１０：種棒
２０：ガラス微粒子多孔質体（光ファイバ用母材の一例）
２１：コア層
２２：クラッド層
１００：加熱炉
１１０：ガス導入路
１２０：ヒータ
【図１】
0006784016.tif 000003
【図２】
0006784016.tif 000004
【図３】
0006784016.tif 000005
【図４】
0006784016.tif 000006