(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エンコーダのためのセンサであって、
検知された特性に関連した出力信号を発生させるように動作可能なセンシング回路モジュールと、
第１物理メモリ位置に格納された第１磁極幅設定値を含むアクティブ設定モジュールであって、前記第１磁極幅設定値は、前記エンコーダの第１磁極幅に関連し、前記第１磁極幅設定値は、前記エンコーダの第１磁極幅を検出するために前記センシング回路モジュールを設定するために用いることができ、前記第１磁極幅設定値は、前記センシング回路モジュールによって前記第１物理メモリ位置からアクセス可能である、アクティブ設定モジュールと、
第２物理メモリ位置に格納された第２磁極幅設定値を含む非アクティブ設定モジュールであって、前記第２磁極幅設定値は、前記エンコーダの第２磁極幅を検出するために前記センシング回路モジュールを設定するために用いることができ、前記第２磁極幅設定値は、前記エンコーダの第２磁極幅に関連し、前記第２磁極幅設定値は、前記センシング回路モジュールによって前記第２物理メモリ位置からアクセス可能でない、非アクティブ設定モジュールと、
前記非アクティブ設定モジュール内の前記第２物理メモリ位置から前記第２磁極幅設定値を取り出し、前記第２磁極幅設定値を前記アクティブ設定モジュール内の前記第１物理メモリ位置へ書き込むように動作可能なセンサインターフェイスと、
を備えるセンサにおいて、
前記第１磁極幅設定値と前記第２磁極幅設定値は異なる、
ことを特徴とするセンサ。
【請求項２】
前記センサは、ホール効果センサを含む、請求項１に記載のセンサ。
【請求項３】
前記センサインターフェイスは、二線式インターフェイス（「ＴＷＩ」）である、請求項１に記載のセンサ。
【請求項４】
前記センサは、特定用途向け集積回路（「ＡＳＩＣ」）に含まれる、請求項１に記載のセンサ。
【請求項５】
前記非アクティブ設定モジュールは、前記第１磁極幅設定値と前記第２磁極幅設定値を含む、請求項１に記載のセンサ。
【請求項６】
前記エンコーダは、ロータリーエンコーダである、請求項５に記載のセンサ。
【請求項７】
前記エンコーダは、リニアエンコーダである、請求項５に記載のセンサ。
【請求項８】
エンコーダのためのセンサをプログラムする方法であって、
第１磁極幅設定値をアクティブ設定モジュールの第１物理メモリ位置に格納するステップであって、前記第１磁極幅設定値は、前記エンコーダの第１磁極幅に関連し、前記第１磁極幅設定値は、前記エンコーダの第１磁極幅を検出するためにセンシング回路モジュールを設定するために用いることができ、前記第１磁極幅設定値は、前記センシング回路モジュールによって前記第１物理メモリ位置からアクセス可能である、ステップと、
第２磁極幅設定値を非アクティブ設定モジュールの第２物理メモリ位置に格納するステップであって、前記第２磁極幅設定値は、前記エンコーダの第２磁極幅に関連し、前記第２磁極幅設定値は、前記エンコーダの第２磁極幅を検出するために前記センシング回路モジュールを設定するために用いることができ、前記第２磁極幅設定値は、前記センシング回路モジュールによって前記第２物理メモリ位置からアクセス可能でない、ステップと、
前記センシング回路モジュールによって、前記アクティブ設定モジュールの前記第１物理メモリ位置から前記第１磁極幅設定値を取り出すステップと、
センサインターフェイスによって、前記非アクティブ設定モジュールの前記第２物理メモリ位置から前記第２磁極幅設定値を取り出すステップと、
前記センサインターフェイスによって、前記第２磁極幅設定値を前記アクティブ設定モジュールの前記第１物理メモリ位置へ書き込むステップと、
前記センシング回路モジュールによって、前記アクティブ設定モジュールの前記第１物理メモリ位置から前記第２磁極幅設定値を取り出すステップと、
を含む方法において、
前記第１磁極幅設定値と前記第２磁極幅設定値は異なる、
ことを特徴とする方法。
【請求項９】
前記センサは、ホール効果センサを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２磁極幅設定値は、二線式インターフェイス（「ＴＷＩ」）を用いて前記非アクティブ設定モジュールから取り出される、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記センサは、特定用途向け集積回路（「ＡＳＩＣ」）に含まれる、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１磁極幅設定値を前記非アクティブ設定モジュールに格納するステップを更に含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記エンコーダは、ロータリーエンコーダである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記エンコーダは、リニアエンコーダである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
エンコーダのためのセンサであって、
検知された特性に関連した出力信号を発生させるように構成されたセンシング回路モジュールと、
第１磁極幅データを含むアクティブデータモジュールであって、前記第１磁極幅データは、前記エンコーダの第１磁極幅に関連し、前記第１磁極幅設定値は、前記エンコーダの第１磁極幅を検出するために前記センシング回路モジュールを設定するために用いることができ、前記第１磁極幅データは、前記センシング回路モジュールによってアクセス可能である、アクティブデータモジュールと、
第２磁極幅データを含む非アクティブデータモジュールであって、前記第２磁極幅データは、前記エンコーダの第２磁極幅に関連し、前記第２磁極幅設定値は、前記エンコーダの第２磁極幅を検出するために前記センシング回路モジュールを設定するために用いることができ、前記第２磁極幅データは、前記センシング回路モジュールによってアクセス可能でない、非アクティブデータモジュールと、
前記非アクティブデータモジュールから前記第２磁極幅データを取り出し、前記第２磁極幅データを前記アクティブデータモジュールへ書き込むように構成されたセンサインターフェイスと、
を備えるセンサにおいて、
前記第１磁極幅設定値と前記第２磁極幅設定値は異なる、
ことを特徴とするセンサ。
【請求項１６】
前記センサは、ホール効果センサを含む、請求項１５に記載のセンサ。
【請求項１７】
前記センサインターフェイスは、二線式インターフェイス（「ＴＷＩ」）である、請求項１５に記載のセンサ。
【請求項１８】
前記センサは、特定用途向け集積回路（「ＡＳＩＣ」）に含まれる、請求項１５に記載のセンサ。
【請求項１９】
前記非アクティブデータモジュールは、前記第１磁極幅データと前記第２磁極幅データを含む、請求項１５に記載のセンサ。
【請求項２０】
前記エンコーダは、ロータリーエンコーダとリニアエンコーダからなる群から選択される、請求項１９に記載のセンサ。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
＜関連出願＞
[0001]  この出願は、２０１４年１２月２９日に提出された米国仮特許出願第６２／０９７，３１４の利益を主張し、その全内容は、これによって参照として組み込まれる。
【０００２】
＜背景＞
[0002]  この発明は、プログラム可能なセンサに関する。
【発明の概要】
【０００３】
＜概要＞
[0003]  エンコーダ技術（例えば磁気エンコーダ技術）は、例えばモータ制御、ベクトル制御、レゾルバの代替、電動パワーステアリング、風力エネルギー、舞台照明、ロボット工学、ウェブ処理、印刷等のモーションコントロール応用に対して、信頼性のある高分解能の性能を提供する。特に、磁気エンコーダは、高温、衝撃、及び振動を経験する環境にとって望ましい。エンコーダは、例えば、可動部材と、当該可動部材の位置又は速度を検出するのに用いられることが可能な１又は複数のセンサのアレイを含むことができる。センサからの出力信号に基づいて、エンコーダの精密な位置又は速度情報が決定されることが可能である。
【０００４】
[0004]  しかしながら、ある可動部材に対して正確な位置又は速度データを生成するセンサのアレイは、別の可動部材に対して正確な位置又は速度データを生成しない場合がある。センサがある可動部材に対しては正確で信頼性のあるデータを生成し、別の可動部材に対しては信頼性のない不正確なデータを生成し得るのには、様々な理由がある。例えば、各回転部材は周期的パターンを用いてコードされ、センサアレイにおける１又は複数のセンシング素子（例えばホール効果センシング素子）がそのパターンの長さにわたって用いられて、位置及び／又は速度に関連する出力信号を生じさせる。ロータリーインクリメンタルエンコーダ（例えば、速度及び位置検出のための回転部材を含むロータリーエンコーダ）を特に参照すると、ある回転部材は別の回転部材よりも大きい場合があり、当該ある回転部材は当該別の回転部材とは異なる分解能又は磁極幅（例えば、同じ極性の磁極間の距離）を有する場合がある。
【０００５】
[0005]  回転部材の位置若しくは速度を検出するように設計されたセンサ又はセンサチップは、例えば、特定の磁極幅を検出するためのセンサチップにおけるオフセット値を最適化する外部測定機器を用いて、設定の際に調整される。調整に関連付けられたオフセット値又は磁極幅データは、チップ内において、ワンタイム若しくは再プログラム可能な不揮発性メモリに保存される。オフセットを「ゼロにする」ためのそのような作業は、多数のセンサチップ信号へのアクセスを必要とし、センサがサービスに供される前に完了される。
【０００６】
[0006]  本明細書において説明される発明は、プログラム可能なセンサ又はセンサチップ（例えば、リニア若しくはロータリーエンコーダ向けの磁気位置センサ）、及びセンサ若しくはセンサチップをプログラム又は再プログラムするための処理に関する。センサは、構成情報を格納するために、集積回路（例えば、特定用途向け集積回路（「ＡＳＩＣ」）内の通常は未使用の、即ち非アクティブなプログラム可能メモリを利用する。構成情報は、センサが、異なる分解能又は磁極幅を有する数多くの異なる磁気ターゲットと共に動作するように迅速に構成又は再プログラムされることを可能にするために、取り出されることができる。センサを構成し又は再プログラムすることは、特別なハードウェア又はソフトウェアを使用することなく、達成されることが可能である。
【０００７】
[0007]  一実施態様において、本発明は、エンコーダのためのセンサを提供する。センサは、センシング回路、アクティブ設定モジュール、非アクティブ設定モジュール、及びセンサインターフェイスを含む。センシング回路モジュールは、検知された特性に関連した出力信号を発生させるように動作可能である。アクティブ設定モジュールは、第１物理メモリ位置に格納された第１磁極幅設定値を含む。第１磁極幅設定値は、エンコーダの第１磁極幅に関連する。第１磁極幅設定値は、センシング回路モジュールによって第１物理メモリ位置からアクセス可能である。非アクティブ設定モジュールは、第２物理メモリ位置に格納された第２磁極幅設定値を含む。第２磁極幅設定値は、エンコーダの第２磁極幅に関連する。第２磁極幅設定値は、センシング回路モジュールによって第２物理メモリ位置からアクセス可能でない。センサインターフェイスは、非アクティブ設定モジュール内の第２物理メモリ位置から第２磁極幅設定値を取り出し、第２磁極幅設定値をアクティブ設定モジュール内の第１物理メモリ位置へ書き込むように動作可能である。
【０００８】
[0008]  別の実施態様において、本発明は、エンコーダのためのセンサをプログラムする方法を提供する。本方法は、第１磁極幅設定値をアクティブ設定モジュールの第１物理メモリ位置に格納するステップを含む。第１磁極幅設定値は、エンコーダの第１磁極幅に関連し、第１磁極幅設定値は、センシング回路モジュールによって第１物理メモリ位置からアクセス可能である。本方法はまた、第２磁極幅設定値を非アクティブ設定モジュールの第２物理メモリ位置に格納するステップを含む。第２磁極幅設定値は、エンコーダの第２磁極幅に関連し、第２磁極幅設定値は、センシング回路モジュールによって第２物理メモリ位置からアクセス可能でない。本方法はまた、センシング回路モジュールによって、アクティブ設定モジュールの第１物理メモリ位置から第１磁極幅設定値を取り出すステップと、非アクティブ設定モジュールの第２物理メモリ位置から第２磁極幅設定値を取り出すステップと、第２磁極幅設定値をアクティブ設定モジュールの第１物理メモリ位置へ書き込むステップと、センシング回路モジュールによって、アクティブ設定モジュールの第１物理メモリ位置から第２磁極幅設定値を取り出すステップとを含む。
【０００９】
[0009]  別の実施態様において、本発明は、エンコーダのためのセンサを提供する。センサは、センシング回路、アクティブデータモジュール、非アクティブデータモジュール、及びセンサインターフェイスを含む。センシング回路モジュールは、検知された特性に関連した出力信号を発生させるように構成される。アクティブデータモジュールは、第１磁極幅データを含む。第１磁極幅データは、エンコーダの第１磁極幅に関連する。第１磁極幅データは、センシング回路モジュールによってアクセス可能である。非アクティブデータモジュールは、第２磁極幅データを含む。第２磁極幅データは、エンコーダの第２磁極幅に関連する。第２磁極幅データは、センシング回路モジュールによってアクセス可能でない。エンドユーザによって使用されるセンサインターフェイスは、非アクティブデータモジュールから第２磁極幅データを取り出し、第２磁極幅データをアクティブデータモジュールへ書き込むように構成される。
【００１０】
[0010]  本発明の他の態様は、詳細な説明と添付図面の検討によって明らかになるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】[0011]  図１は、センサシステムの一部分を示す。
【図２Ａ】[0012]  図２Ａは、交互の磁極を含んだ回転可能部材に隣接して配置されたセンサアレイを含むセンサシステムを示す。
【図２Ｂ】[0013]  図２Ｂは、交互の磁極を含み図２Ａのセンサシステムにおいて用いられることが可能な直線的移動可能部材を示す。
【図３】[0014]  図３は、本発明の一実施態様によるセンサシステムのブロック図である。
【図４】[0015]  図４は、本発明の一実施態様によるプログラム可能なセンサのブロック図である。
【図５】[0016]  図５は、本発明の一実施態様による、センサを動作させ構成又は再プログラムするための処理である。
【００１２】
[0017]  本発明の実施態様が詳しく説明される前に、本発明はその適用性において、以下の記載に述べられ又は以下の図に描かれた構成の細部及び要素の配列には限定されない、ということが理解されなければならない。本発明は、他の実施態様が可能であり、また様々な方法で実践されあるいは実行されることが可能である。そしてまた、本明細書において用いられる語法及び用語は説明の目的のためのものであり、限定的とみなされるべきではない、ということが理解されなければならない。本明細書における「含む（including）」、「含む（comprising）」、又は「有する（having）」及びそれらの変化形の使用は、そこに列挙された項目及びそれらの均等物だけでなく、付加的な項目も包含するように意図されている。「搭載される（mounted）」、「接続される（connected）」、及び「結合される（coupled）」という用語は広義に用いられ、直接的並びに間接的な搭載、接続、及び結合の両方を包含する。更に、「接続される」及び「結合される」は、物理的又は機械的な接続若しくは結合に制限されず、直接的であるか間接的であるかを問わず、電気的な接続又は結合を含むことが可能である。そしてまた、電子通信及び通知は、直接的な接続、無線接続等を含む任意の既知の手段を用いて行われることができる。
【００１３】
[0018]  複数の様々な構造的要素に加えて、複数のハードウェア及びソフトウェアベースのデバイスが、本発明を具現化するのに利用されることができる、ということが留意されるべきである。更にまた、以下の段落において説明されるように、図に描かれた特定の構成は、本発明の実施態様を例示するように意図されており、他の代替的な構成があり得る。「プロセッサ」、「中央処理装置」、及び「ＣＰＵ」という用語は、特に明記されない限り交換可能である。「プロセッサ」、「中央処理装置」、又は「ＣＰＵ」という用語が特定の機能を実施する装置を特定するものとして用いられる場合は、特に明記されない限り、それらの機能は、デジタル論理、状態機械、単一のプロセッサ、又は、並列プロセッサ、シリアルプロセッサ、タンデムプロセッサ、若しくはクラウド処理／クラウドコンピューティング構成を含む任意の形態に配置された複数のプロセッサによって実行されることが可能である、ということが理解されるべきである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
[0019]  本明細書において説明される発明は、様々なエンコーダ又はエンコード部材（例えばロータリーエンコード部材）の位置及び速度を正確に検出するためにプログラム又は再プログラムされることが可能なセンサに関する。例えば、ロータリーインクリメンタルエンコーダは、回転部材と、回転部材の位置及び速度を決定するための（例えば、１又は複数のセンサを含む）センサアレイとを含む。回転部材は、例えば交互の北磁極と南磁極を含むパターン長を有するパターンを含んでいる。磁極は、個々の磁極の幅、又は同一の極性を有する磁極間の幅に対応する磁極幅（例えば、１乃至５ｍｍの磁極幅）を有し、ただ１つの磁極幅設定値、即ち調整設定値が、そのセンサに対して有効であることができる。しかしながら、センサはまた、製造時に、多数の異なる構成即ち磁極幅を得るために調整される。センサをこれらの付加的な構成即ち磁極幅を得るために最適化するのに必要なデータ又は設定値は、センサの非アクティブなメモリ位置に保存される。非アクティブなメモリは、通常の動作中にはセンサによってアクセスされず、及び／又はアクセスされることが不可能である。ユーザは、次いで、記憶された設定値を呼び戻し、それらを用いて、特殊な測定若しくはプログラミング装置を必要とすることなくセンサを再構成又は再プログラムすることが可能である。記憶された設定値は、非アクティブなメモリ位置から取り出され、センサが新たな又は異なる磁極幅設定値に対して構成されるように、センサ内のアクティブなメモリ位置に書き込まれる（即ち、アクティブ及び非アクティブなメモリ位置は、センサ内の物理的なメモリ位置に対応する）。
【００１５】
[0020]  本発明は主として磁極及びホール効果センサを用いたロータリーインクリメンタルエンコーダに関して説明されるが、本発明は、様々なタイプのセンサ、アブソリュートエンコーダ、リニアエンコーダ、及びホール効果センサ以外のセンサを用いたエンコーダにも適用されることが可能である。具体的に、図１は、センサアレイ１０５を含んだセンサシステム１００の一部分を示す。いくつかの構成において、センサシステム１００のセンサ要素は、単一の集積回路１１５上に収容される。センサアレイ内のセンサは、アナログ又はデジタルの出力信号を発生させる。
【００１６】
[0021]  図１のセンサシステム１００の一部分は、図２Ａに示されるように、回転可能部材１３０（例えば、ロータリーエンコーダのホイール又はシャフト）などの可動部材と共に用いられることが可能である。図１のセンサシステム１００の一部分は、回路基板１２５上に実装された集積回路１１５として図２Ａに示されている。高分解能のセンサアレイ１０５は、複数の交互の磁極１４５が埋め込まれた磁気領域１４０を外縁に有した円板１３５に隣接して配置される。円板１３５は、回転可能部材１３０に取り付けられるか、又は回転可能部材１３０の一体部分であってよい。センサシステム１００は、図２Ｂに示されるリニアエンコーダ１５０のようなリニアエンコーダと共に実現され、又は用いられることも可能である。
【００１７】
[0022]  図３は、コントローラ２０５を含んだセンサシステム２００を示す。コントローラ２０５は、システム２００の様々なモジュール若しくは構成要素に電気的に及び／又は通信可能に接続される。例えば、図示されたコントローラ２０５は、１又は複数の駆動デバイス（例えばモータ）及びドライブ２１０、電力供給モジュール２１５、出力デバイス２２０、及び（対応するフロントエンド回路２３０Ａ乃至２３０Ｎを介して）複数のセンサ２２５Ａ乃至２２５Ｎに接続され、ここでＮは、システム２００に含まれているある有限な数のセンサを示す。コントローラ２０５は、特に、システム２００の動作を監視及び／又は制御し、駆動デバイス２１０の動きを制御し、ホール効果センサ２２５の出力を監視する等のことを行うように動作可能なハードウェアとソフトウェアの組み合わせを含む。
【００１８】
[0023]  いくつかの実施態様において、コントローラ２０５は、システム２００に電力、監視、及び制御を提供する複数の電気電子部品を含む。例えば、コントローラ２０５は、特に、処理装置２３５（例えばマイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、又は別の適切なプログラム可能デバイス）、物理メモリ２４０、入力装置２４５、及び出力装置２５０を含む。処理装置２３５は、特に、制御装置２５５、演算論理装置（「ＡＬＵ」）２６０、及び（図３において一群のレジスタとして示された）複数のレジスタ２６５を含み、既知のコンピュータアーキテクチャ、例えば修正ハーバードアーキテクチャ、フォンノイマンアーキテクチャ等を用いて実現される。コントローラ２０５に接続されている様々なモジュールと同様、処理装置２３５、メモリ２４０、入力装置２４５、及び出力装置２５０は、１又は複数の制御及び／又はデータバス（例えば共通バス２７０）によって接続される。制御及び／又はデータバスは、例証の目的のために図３に概略的に示されている。様々なモジュール及び構成要素の間における相互接続並びに通信のために１又は複数の制御及び／又はデータバスを使用することは、本明細書において説明される発明を検討した当業者には既知であろう。いくつかの実施態様において、システム２００は、部分的又は全体的に半導体チップ（例えば、特定用途向け集積回路（「ＡＳＩＣ」）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（「ＦＰＧＡ」）半導体等）上に実装される。
【００１９】
[0024]  物理メモリ２４０は、例えば、プログラム記憶領域とデータ記憶領域を含む。プログラム記憶領域及びデータ記憶領域は、リードオンリーメモリ（「ＲＯＭ」）、ランダムアクセスメモリ（「ＲＡＭ」）（例えばダイナミックＲＡＭ（「ＤＲＡＭ」）、シンクロナスＤＲＡＭ（「ＳＤＲＡＭ」）等）、電気的消去可能プログラマブルリードオンリーメモリ（「ＥＥＰＲＯＭ」）、フラッシュメモリ、ハードディスク、ＳＤカード、又は他の適切な磁気的、光学的、物理的、若しくは電子的メモリデバイスなどの、様々なタイプのメモリの組み合わせを含むことが可能である。処理装置２３５は、メモリ２４０に接続され、メモリ２４０のＲＡＭ（例えば実行中に）、メモリ２４０のＲＯＭ（例えば通常は永続的に）、又は別のメモリ若しくはディスクなどの別の非一時的コンピュータ可読媒体に格納される能力を有したソフトウェア命令を実行する。システム２００の実装に含まれるソフトウェアは、コントローラ２０５のメモリ２４０に格納されることが可能である。ソフトウェアは、例えば、ファームウェア、１又は複数のアプリケーション、プログラムデータ、フィルタ、規則、１又は複数のプログラムモジュール、及び他の実行可能命令を含む。コントローラ２０５は、特に、本明細書において説明される制御プロセス及び方法に関連した命令をメモリから取り出して実行するように構成される。他の構成において、コントローラ２０５は、付加的な、より少ない、又は異なる構成要素を含む。
【００２０】
[0025]  電力供給モジュール２１５は、コントローラ２０５又はシステム２００の他の構成要素若しくはモジュールに公称ＡＣ又はＤＣ電圧を供給する。電力供給モジュール２１５は、例えば、１００Ｖと２４０Ｖ  ＡＣの間の公称線間電圧及びおよそ５０−６０Ｈｚの周波数を有する電源によって電力供給される。電力供給モジュール２１５はまた、コントローラ２０５内部の回路及び部品を動作させるためにより低い電圧を供給するようにも構成される。他の構成において、コントローラ２０５又はシステム２００内の他の構成要素及びモジュールは、１又は複数のバッテリ若しくはバッテリパック、又は送電網から独立した別の電源（例えば、発電機、太陽電池パネル等）によって電力供給される。
【００２１】
[0026]  図４は、センシング回路モジュール３０５を含んだセンサ又はセンサ集積回路（「ＩＣ」）３００の簡略化されたブロック図を示す。センシング回路モジュール３０５は、プロセッサ又は処理装置を含むことが可能である。いくつかの実施態様において、センサ３００は、図３に関して上述されたシステム２００と同様の回路及び機能（例えば、処理装置、物理メモリ、複数のセンサ等）を含む。センシング回路モジュール３０５は、センシング回路の分解能若しくは磁極幅のオフセットを「ゼロにする」ための調整設定値又は磁極幅設定値（例えば磁極幅オフセット設定値）を用いる。センサ３００はまた、アクティブ調整設定モジュール３１０、非アクティブ／格納調整設定モジュール３１５、第１インターフェイス３２０、及び第２インターフェイス３２５も含む。アクティブ調整設定モジュール３１０及び非アクティブ／格納調整設定モジュール３１５の各々は、上述されたメモリ２４０などのメモリを含む。いくつかの実施態様において、第１インターフェイス３２０は、測定及びセンシングデータを受け取るように構成されたデバイスへの外部接続を可能にする。第１インターフェイス３２０は、例えば、当該デバイスと通信するための４つの電信線を含むことが可能である。第２インターフェイス３２５は、アクティブ調整設定モジュール３１０内にある調整設定値をプログラム又は再プログラムするための外部インターフェイスを提供する。いくつかの実施態様において、第２インターフェイス３２５は、二線式インターフェイス（「ＴＷＩ」）を提供する２つの電信線を含む。他の実施態様では、第２インターフェイス３２５は、３つの電信線を含むことが可能である。
【００２２】
[0027]  アクティブ調整設定モジュール３１０内の調整設定の値は、センシング回路モジュール３０５によって用いられる調整設定値であり、使用されているエンコード部材の分解能又は磁極幅に対応するべきである。センサ３００は、アクティブ調整設定モジュール３１０内の調整設定のための異なるアクティブ値を用いるようにプログラム又は再プログラムされることが可能である。例えば、調整設定値は、非アクティブ／格納調整設定モジュール３１５内の第２の物理メモリ位置から取り出されて、インターフェイス３２５を用いてアクティブ調整設定モジュール３１０内の第１の物理メモリ位置に書き込まれることが可能である。いくつかの実施態様において、この再プログラム機能の始動は、アクティブ調整設定モジュール３１０内の調整設定の値を意図せず変更することを回避するように制御又は制限される。アクティブ調整設定値の望まれない再プログラムを防止するために、アクティブ調整設定値のプログラム又は再プログラムは、外部イネーブルピンに加えてＴＷＩを用いて達成されることが可能である。いくつかの実施態様において、ＴＷＩは、センサ３００のためのセンサケーブルと一緒に含まれている。イネーブル機能は、例えば、センサＰＣＢ上のリードスイッチ若しくはホール効果スイッチによって、又はセンサ出力ピンを特定の検出可能な閾値電圧に逆駆動することによって、始動されることが可能である。センサ３００の再プログラムが有効にされた後、Ｉ２Ｃ（「アイ・スクエアド・シー」）などのＴＷＩプロトコルが、センサ３００を再プログラムするために用いられることが可能である。
【００２３】
[0028]  センサ３００を使用しプログラム又は再プログラムするための処理４００が図５に示されている。処理４００は、１又は複数のエンコーダに関連した調整設定値又は磁極幅設定値を決定すること（ステップ４０５）から開始する。調整設定値は、オプションとして、センサ３００のアクティブなメモリ位置（例えば、アクティブ調整設定モジュール３１０）に格納されることが可能である（ステップ４１０）。加えて、調整設定値又は磁極幅設定値は、センサ３００の非アクティブなメモリ位置（例えば、非アクティブ／格納調整設定モジュール３１５）にも格納される（ステップ４１５）。センサ３００のアクティブなメモリ位置に格納された調整設定値又は磁極幅設定値は、特性を検知又は検出する時に（例えば速度及び／又は位置検出中に）、例えばセンシング回路モジュール３０５によって取り出されて使用される。センサ３００の非アクティブなメモリ位置に格納された調整設定値又は磁極幅設定値は、アクセス可能ではなく、及び／又はセンシング回路モジュール３０５によって使用されない。プログラム又は再プログラム処理が開始されると、インターフェイスがセンサ３００に接続される（ステップ４２０）。次いで、調整設定値又は磁極幅設定値が、センサ３００の非アクティブなメモリ位置から取り出される（ステップ４２５）。非アクティブなメモリ位置から取り出された調整設定値又は磁極幅設定値は、センサのアクティブなメモリ位置へ書き込まれる（ステップ４３０）。取り出された調整設定値又は磁極幅設定値をアクティブなメモリ位置へ書き込むことによって、アクティブなメモリ位置に格納された以前の調整設定値又は磁極幅設定値が、上書き又は置換される。次いで、センサ３００のアクティブなメモリ位置に格納された新たな調整設定値又は磁極幅設定値が、特性を検知又は検出する時に（例えば速度及び／又は位置検出中に）、センシング回路モジュール３０５によって取り出されて（ステップ４３５）使用される。
【００２４】
[0029]  こうして、本発明は、特に、異なる分解能又は磁極幅を有する様々な磁気ターゲットに対してプログラム又は再プログラムされることが可能なセンサを提供する。本発明の様々な特徴及び利点は、以下のクレームに記載される。
【図１】
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【図２】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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