(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極及び第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に設けられ、前記第１電極に対向する上面を有し、
前記第１電極及び前記第２電極の間に電圧が印加されたときに所定の振動モードで振動する、圧電膜と、
前記第１電極を介して前記圧電膜の前記上面と対向して設けられた、絶縁体からなる保護膜と、
前記保護膜を介して前記圧電膜の前記上面と対向して設けられた、導電膜と、
を備え、
前記導電膜は、前記第１電極及び前記第２電極のいずれか一方に電気的に接続される、
共振子。
【請求項２】
前記導電膜は、周波数調整膜である、
請求項１に記載の共振子。
【請求項３】
前記圧電膜の前記上面は、第１領域と当該第１領域よりも振動時の変位が大きい第２領域とを有し、
前記導電膜は、前記第２領域の少なくとも一部において前記保護膜を介して前記圧電膜の前記上面と対向して設けられた、
請求項１又は２に記載の共振子。
【請求項４】
前記保護膜は、
圧電体からなり、Ｃ軸方向に沿った厚さが、前記圧電膜の厚さの半分以下である、
請求項１乃至３の何れかに記載の共振子。
【請求項５】
前記保護膜は、
前記圧電膜と同じ方向に配向した圧電体である、
請求項１乃至４の何れか一項に記載の共振子。
【請求項６】
前記共振子は、
面外屈曲振動子である、
請求項１乃至５の何れか一項に記載の共振子。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の共振子と、
前記共振子を間に挟んで互いに対向して設けられた上蓋及び下蓋と、
外部電極と、
を備える共振装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共振子及び共振装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器において計時機能を実現するためのデバイスとして、圧電振動子等の共振子が用いられている。電子機器の小型化に伴い、共振子も小型化が要求されており、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術を用いて製造される共振子（以下、「ＭＥＭＳ振動子」ともいう。）が注目されている。【０００３】
ＭＥＭＳ振動子においては、製造ばらつきによって共振周波数にばらつきが生じることがある。そこで、ＭＥＭＳ振動子の製造中や製造後に、追加エッチング等によって周波数を調整することが行われる。【０００４】
例えば、特許文献１には、複数の振動腕を有する振動子において、振動腕の先端側に設けられた粗調用の質量部と、振動腕の基端側に設けられた微調用の質量部とをそれぞれ減少させることにより、共振周波数を調整する構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−０６５２９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の質量部は、絶縁体層と、当該絶縁体層上に形成された導電層とを有している。ＭＥＭＳ振動子において、このような質量部を形成して、イオンビームや焦電体等を用いて共振周波数を調整した場合、絶縁体層が帯電してしまう場合がある。ＭＥＭＳ振動子上の絶縁体層が帯電した状態で、ＭＥＭＳ振動子が振動すると、絶縁体層における電荷によってクーロン力が発生してしまい、共振周波数が変動してしまう。【０００７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、共振子上の絶縁体層又は、絶縁体層上の導電層に帯電した電荷が共振周波数に与える影響を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面に係る共振子は、第１電極及び第２電極と、第１電極と第２電極との間に設けられ、第１電極に対向する上面を有し、第１電極及び第２電極の間に電圧が印加されたときに所定の振動モードで振動する、圧電膜と、第１電極を介して圧電膜の上面と対向して設けられた、絶縁体からなる保護膜と、保護膜を介して圧電膜の前記上面と対向して設けられた、導電体からなる導電膜と、を備え、導電膜は、第１電極及び第２電極のいずれか一方に電気的に接続される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、共振子上の絶縁体層又は、絶縁体層上の導電層に帯電した電荷が共振周波数に与える影響を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る共振装置の外観を概略的に示す斜視図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る共振装置の構造を概略的に示す分解斜視図である。
【図３】上側基板を取り外した本発明の第１実施形態に係る共振子の平面図である。
【図４】図３のＡＡ´線に沿った断面図である。
【図５】図３のＢＢ´線に沿った断面図であり、配線を上部の金属層に接続させる態様を模式的に示す図である。
【図６】図３のＢＢ´線に沿った断面図であり、配線を下部の金属層に接続させる態様を模式的に示す図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る共振子の平面図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係る共振子の平面図である。
【図９】図８のＣＣ´線に沿った断面図であり、配線を上部の金属層に接続させる態様を模式的に示す図である。
【図１０】本発明の第４実施形態に係る共振子の平面図である。
【図１１】図１０のＤＤ´線に沿った断面図であり、配線を上部の金属層に接続させる態様を模式的に示す図である。
【図１２】図１０のＤＤ´線に沿った断面図であり、配線を下部の金属層に接続させる態様を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［第１実施形態］
以下、添付の図面を参照して本発明の第１実施形態について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る共振装置１の外観を概略的に示す斜視図である。また、図２は、本発明の第１実施形態に係る共振装置１の構造を概略的に示す分解斜視図である。
【００１２】
この共振装置１は、共振子１０と、共振子１０を挟んで互いに対向するように設けられた上蓋３０及び下蓋２０と、を備えている。すなわち、共振装置１は、下蓋２０と、共振子１０と、上蓋３０とがこの順で積層されて構成されている。
【００１３】
また、共振子１０と下蓋２０及び上蓋３０とが接合され、これにより、共振子１０が封止され、共振子１０の振動空間が形成される。共振子１０、下蓋２０及び上蓋３０は、それぞれＳｉ基板を用いて形成されている。そして、共振子１０、下蓋２０及び上蓋３０は、Ｓｉ基板同士が互いに接合されて、互いに接合される。共振子１０及び下蓋２０は、ＳＯＩ基板を用いて形成されてもよい。
【００１４】
共振子１０は、ＭＥＭＳ技術を用いて製造されるＭＥＭＳ共振子である。なお、本実施形態においては、共振子１０はシリコン基板を用いて形成されるものを例として説明する。以下、共振装置１の各構成について詳細に説明する。
【００１５】
（１．上蓋３０）
上蓋３０はＸＹ平面に沿って平板状に広がっており、その裏面に例えば平たい直方体形状の凹部３１が形成されている。凹部３１は、側壁３３に囲まれており、共振子１０が振動する空間である振動空間の一部を形成する。
【００１６】
（２．下蓋２０）
下蓋２０は、ＸＹ平面に沿って設けられる矩形平板状の底板２２と、底板２２の周縁部からＺ軸方向（すなわち、下蓋２０と共振子１０との積層方向）に延びる側壁２３とを有する。下蓋２０には、共振子１０と対向する面において、底板２２の表面と側壁２３の内面とによって形成される凹部２１が設けられる。凹部２１は、共振子１０の振動空間の一部を形成する。上述した上蓋３０と下蓋２０とによって、この振動空間は気密に封止され、真空状態が維持される。この振動空間には、例えば不活性ガス等の気体が充填されてもよい。
【００１７】
（３．共振子１０）
図３は、本実施形態に係る、共振子１０の構造を概略的に示す平面図である。図３を用いて本実施形態に係る共振子１０の、各構成について説明する。共振子１０は、振動部１２０と、保持部１４０と、保持腕１１１、１１２と、配線１９１、１９２、１９３、及びビアＶ１、Ｖ２、Ｖ３を備えている。
【００１８】
（ａ）振動部１２０
振動部１２０は、図３の直交座標系におけるＸＹ平面に沿って広がる矩形の輪郭を有している。振動部１２０は、保持部１４０の内側に設けられており、振動部１２０と保持部１４０との間には、所定の間隔で空間が形成されている。図３の例では、振動部１２０は、基部１３０と４本の振動腕１３５Ａ〜１３５Ｄ（まとめて「振動腕１３５」とも呼ぶ。）とを有している。なお、振動腕の数は、４本に限定されず、例えば１本以上の任意の数に設定される。本実施形態において、各振動腕１３５と、基部１３０とは、一体に形成されている。
【００１９】
基部１３０は、平面視において、Ｘ軸方向に長辺１３１ａ、１３１ｂ、Ｙ軸方向に短辺１３１ｃ、１３１ｄを有している。長辺１３１ａは、基部１３０の前端の面１３１Ａ（以下、「前端１３１Ａ」とも呼ぶ。）の一つの辺であり、長辺１３１ｂは基部１３０の後端の面１３１Ｂ（以下、「後端１３１Ｂ」とも呼ぶ。）の一つの辺である。基部１３０において、前端１３１Ａと後端１３１Ｂとは、互いに対向するように設けられている。
【００２０】
基部１３０は、前端１３１Ａにおいて、後述する振動腕１３５に接続され、後端１３１Ｂにおいて、後述する保持腕１１１、１１２に接続されている。なお、基部１３０は、図３の例では平面視において、略長方形の形状を有しているがこれに限定されず、長辺１３１ａの垂直二等分線に沿って規定される仮想平面Ｐに対して略面対称に形成されていればよい。基部１３０は、例えば、長辺１３１ｂが１３１ａより短い台形や、長辺１３１ａを直径とする半円の形状であってもよい。また、長辺１３１ａ、１３１ｂ、短辺１３１ｃ、１３１ｄは直線に限定されず、曲線であってもよい。
【００２１】
基部１３０において、前端１３１Ａから後端１３１Ｂに向かう方向における、前端１３１Ａと後端１３１Ｂとの最長距離である基部長（図３においては短辺１３１ｃ、１３１ｄの長さ）は４０μｍ程度である。また、基部長方向に直交する幅方向であって、基部１３０の側端同士の最長距離である基部幅（図３においては長辺１３１ａ、１３１ｂの長さ）は２８５μｍ程度である。
【００２２】
振動腕１３５は、Ｙ軸方向に延び、それぞれ同一のサイズを有している。振動腕１３５は、それぞれが基部１３０と保持部１４０との間にＹ軸方向に平行に設けられ、一端は、基部１３０の前端１３１Ａと接続されて固定端となっており、他端は開放端となっている。また、振動腕１３５は、それぞれ、Ｘ軸方向に所定の間隔で、並列して設けられている。なお、振動腕１３５は、例えばＸ軸方向の幅が５０μｍ程度、Ｙ軸方向の長さが４２０μｍ程度である。
【００２３】
振動腕１３５はそれぞれ開放端に、錘部Ｇを有している。錘部Ｇは、振動腕１３５の他の部位よりもＸ軸方向の幅が広い。錘部Ｇは、例えば、Ｘ軸方向の幅が７０μｍ程度である。錘部Ｇは、振動腕１３５と同一プロセスによって一体形成される。錘部Ｇが形成されることで、振動腕１３５は、単位長さ当たりの重さが、固定端側よりも開放端側の方が重くなっている。従って、振動腕１３５が開放端側にそれぞれ錘部Ｇを有することで、各振動腕における上下方向の振動の振幅を大きくすることができる。
【００２４】
本実施形態の振動部１２０では、Ｘ軸方向において、外側に２本の振動腕１３５Ａ、１３５Ｄが配置されており、内側に２本の振動腕１３５Ｂ、１３５Ｃが配置されている。Ｘ軸方向における、振動腕１３５Ｂと１３５Ｃとの間隔Ｗ１は、Ｘ軸方向における、外側の振動腕１３５Ａ（１３５Ｄ）と当該外側の振動腕１３５Ａ（１３５Ｄ）に隣接する内側の振動腕１３５Ｂ（１３５Ｃ）との間の間隔Ｗ２よりも大きく設定される。間隔Ｗ１は例えば３５μｍ程度、間隔Ｗ２は例えば２５μｍ程度である。間隔Ｗ２は間隔Ｗ１より小さく設定することにより、振動特性が改善される。また、共振装置１を小型化できるように、間隔Ｗ１を間隔Ｗ２よりも小さく設定してもよいし、等間隔にしても良い。
【００２５】
振動部１２０の表面（上蓋３０に対向する面）には、その全面を覆うように保護膜２３５が形成されている。さらに、振動腕１３５Ａ〜１３５Ｄにおける保護膜２３５の表面の一部には、それぞれ、周波数調整膜２３６Ａ〜２３６Ｄ（導電膜の一例である。以下、周波数調整膜２３６Ａ〜２３６Ｄをまとめて「周波数調整膜２３６」とも呼ぶ。）が形成されている。保護膜２３５及び周波数調整膜２３６によって、振動部１２０の共振周波数を調整することができる。尚、必ずしも保護膜２３５は振動部１２０の全面を覆う必要はないが、周波数調整における下地の電極膜（例えば図４の金属層Ｅ２）及び圧電膜（例えば図４の圧電薄膜Ｆ３）へのダメージを保護する上で、振動部１２０の全面の方が望ましい。
【００２６】
周波数調整膜２３６は、振動部１２０における、他の領域よりも振動による変位の比較的大きい領域の少なくとも一部において、その表面が露出するように、保護膜２３５上に形成されている。具体的には、周波数調整膜２３６は、振動腕１３５の先端、即ち錘部（第２領域の一例である。）Ｇに形成される。他方、保護膜２３５は、振動腕１３５におけるその他の領域（第１領域の一例である。）において、その表面が露出している。この実施例では、振動腕１３５の先端まで周波数調整膜２３６が形成され、先端部では保護膜２３５は全く露出していないが、保護膜２３５の一部が露出する様に、周波数調整膜２３６を振動腕１３５の先端部には形成されない構成も可能である。
【００２７】
（ｂ）保持部１４０
保持部１４０は、ＸＹ平面に沿って矩形の枠状に形成される。保持部１４０は、平面視において、ＸＹ平面に沿って振動部１２０の外側を囲むように設けられる。なお、保持部１４０は、振動部１２０の周囲の少なくとも一部に設けられていればよく、枠状の形状に限定されない。例えば、保持部１４０は、振動部１２０を保持し、また、上蓋３０及び下蓋２０と接合できる程度に、振動部１２０の周囲に設けられていればよい。
【００２８】
本実施形態においては、保持部１４０は一体形成される角柱形状の枠体１４０ａ〜１４０ｄからなる。枠体１４０ａは、図３に示すように、振動腕１３５の開放端に対向して、長手方向がＸ軸に平行に設けられる。枠体１４０ｂは、基部１３０の後端１３１Ｂに対向して、長手方向がＸ軸に平行に設けられる。枠体１４０ｃは、基部１３０の側端（短辺１３１ｃ）及び振動腕１３５Ａに対向して、長手方向がＹ軸に平行に設けられ、その両端で枠体１４０ａ、１４０ｂの一端にそれぞれ接続される。枠体１４０ｄは、基部１３０の側端（短辺１３１ｄ）及び振動腕１３５Ｄに対向して、長手方向がＹ軸に平行に設けられ、その両端で枠体１４０ａ、１４０ｂの他端にそれぞれ接続される。
【００２９】
本実施形態においては、保持部１４０は、保護膜２３５で覆われているとして説明するが、これに限定されず、保護膜２３５は、保持部１４０の表面には形成されていなくてもよい。
【００３０】
（ｃ）保持腕１１１、１１２
保持腕１１１及び保持腕１１２は、保持部１４０の内側に設けられ、基部１３０の後端１３１Ｂと枠体１４０ｃ、１４０ｄとを接続する。図３に示すように、保持腕１１１と保持腕１１２とは、基部１３０のＸ軸方向の中心線に沿ってＹＺ平面に平行に規定される仮想平面Ｐに対して略面対称に形成される。
【００３１】
保持腕１１１は、腕１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄを有している。保持腕１１１は、一端が基部１３０の後端１３１Ｂに接続しており、そこから枠体１４０ｂに向かって延びている。そして、保持腕１１１は、枠体１４０ｃに向かう方向（すなわち、Ｘ軸方向）に屈曲し、さらに枠体１４０ａに向かう方向（すなわち、Ｙ軸方向）に屈曲し、再度枠体１４０ｃに向かう方向（すなわち、Ｘ軸方向）に屈曲して、他端が枠体１４０ｃに接続している。
【００３２】
腕１１１ａは、基部１３０と枠体１４０ｂとの間に、枠体１４０ｃに対向して、長手方向がＹ軸に平行になるように設けられている。腕１１１ａは、一端が、後端１３１Ｂにおいて基部１３０と接続しており、そこから後端１３１Ｂに対して略垂直、すなわち、Ｙ軸方向に延びている。腕１１１ａのＸ軸方向の中心を通る軸は、振動腕１３５Ａの中心線よりも内側に設けられることが望ましく、図３の例では、腕１１１ａは、振動腕１３５Ａと１３５Ｂとの間に設けられている。また腕１１１ａの他端は、その側面において、腕１１１ｂの一端に接続されている。腕１１１ａは、Ｘ軸方向に規定される幅が２０μｍ程度であり、Ｙ軸方向に規定される長さが４０μｍである。
【００３３】
腕１１１ｂは、基部１３０と枠体１４０ｂとの間に、枠体１４０ｂに対向して、長手方向がＸ軸方向に平行になるように設けられている。腕１１１ｂは、一端が、腕１１１ａの他端であって枠体１４０ｃに対向する側の側面に接続し、そこから腕１１１ａに対して略垂直、すなわち、Ｘ軸方向に延びている。また、腕１１１ｂの他端は、腕１１１ｃの一端であって振動部１２０と対向する側の側面に接続している。腕１１１ｂは、例えばＹ軸方向に規定される幅が２０μｍ程度であり、Ｘ軸方向に規定される長さが７５μｍ程度である。
【００３４】
腕１１１ｃは、基部１３０と枠体１４０ｃとの間に、枠体１４０ｃに対向して、長手方向がＹ軸方向に平行になるように設けられている。腕１１１ｃの一端は、その側面において、腕１１１ｂの他端に接続されており、他端は、腕１１１ｄの一端であって、枠体１４０ｃ側の側面に接続されている。腕１１１ｃは、例えばＸ軸方向に規定される幅が２０μｍ程度、Ｙ軸方向に規定される長さが１４０μｍ程度である。
【００３５】
腕１１１ｄは、基部１３０と枠体１４０ｃとの間に、枠体１４０ａに対向して、長手方向がＸ軸方向に平行になるように設けられている。腕１１１ｄの一端は、腕１１１ｃの他端であって枠体１４０ｃと対向する側の側面に接続している。また、腕１１１ｄは、他端が、振動腕１３５Ａと基部１３０との接続箇所付近に対向する位置において、枠体１４０ｃと接続しており、そこから枠体１４０ｃに対して略垂直、すなわち、Ｘ軸方向に延びている。腕１１１ｄは、例えばＹ軸方向に規定される幅が２０μｍ程度、Ｘ軸方向に規定される長さが１０μｍ程度である。
【００３６】
このように、保持腕１１１は、腕１１１ａにおいて基部１３０と接続し、腕１１１ａと腕１１１ｂとの接続箇所、腕１１１ｂと１１１ｃとの接続箇所、及び腕１１１ｃと１１１ｄとの接続箇所で屈曲した後に、保持部１４０へと接続する構成となっている。
【００３７】
保持腕１１２は、腕１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄを有している。保持腕１１２は、一端が基部１３０の後端１３１Ｂに接続しており、そこから枠体１４０ｂに向かって延びている。そして、保持腕１１２は、枠体１４０ｄに向かう方向（すなわち、Ｘ軸方向）に屈曲し、さらに枠体１４０ａに向かう方向（すなわち、Ｙ軸方向）に屈曲して、再度枠体１４０ｄに向かう方向（すなわち、Ｘ軸方向）屈曲し、他端が枠体１４０ｄに接続している。
【００３８】
なお、腕１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄの構成は、それぞれ腕１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄと対称な構成であるため、詳細な説明については省略する。
【００３９】
（ｄ）配線１９１、１９２、１９３
配線１９１、１９２、１９３は、共振子１０の表面に露出した保護膜２３５上に形成される。配線１９１、１９２、１９３は、振動腕１３５の錘部Ｇに形成された周波数調整膜２３６を、後述する金属層Ｅ１、又はＥ２（図４参照）に接続させるための配線である。
【００４０】
配線１９１は、振動腕１３５Ａから基部１３０、保持腕１１１、枠体１４０ｃまで亘って形成されている。配線１９１は、周波数調整膜２３６Ａから引き出され、振動腕１３５Ａ上において、振動腕１３５Ａに沿って基部１３０まで延びている。配線１９１は、基部１３０において、枠体１４０ｄの方向へ屈曲し、後端１３１Ｂに沿って、保持腕１１１の腕１１１ａの延長上まで延び、そこから枠体１４０ｂの方向へ屈曲し、保持腕１１１へと延びる。さらに配線１９１は、保持腕１１１上において、保持腕１１１に沿って、枠体１４０ｃまで形成され、枠体１４０ｃにおいて、ビアＶ１に接続される。
【００４１】
配線１９２は、振動腕１３５Ｂ、及び１３５Ｃから基部１３０、保持腕１１２、及び枠体１４０ｄまで亘って形成されている。配線１９２は、振動部１２０上の一部の領域において、二股の形状で形成されている。配線１９２の二股の一方は、周波数調整膜２３６Ｂから引き出され、振動腕１３５Ｂ上において、振動腕１３５Ｂに沿って、基部１３０まで延び、基部１３０の中央付近において枠体１４０ｄの方向へ屈曲し、二股の他方の方へ延びている。また、配線１９２の二股の他方は、周波数調整膜２３６Ｃから引き出され、振動腕１３５Ｃ上において、振動腕１３５Ｃに沿って、基部１３０まで延び、基部１３０の中央付近において、枠体１４０ｃの方向へ屈曲し、二股の一方の方へ延びている。配線１９２の二股は、基部１３０において１本に合流した後、枠体１４０ｂの方向へ屈曲し、再度枠体１４０ｄの方向へ屈曲した後、後端１３１Ｂに沿って保持腕１１２の腕１１２ａの延長上まで延び、さらに枠体１４０ｂの方向へ屈曲して、保持腕１１２へと延びる。配線１９２は、保持腕１１２上において、保持腕１１２に沿って、枠体１４０ｄまで形成され、枠体１４０ｄにおいて、ビアＶ２に接続される。
【００４２】
配線１９３は、振動腕１３５Ｄから基部１３０、保持腕１１２、枠体１４０ｄまで亘って形成されている。配線１９３は、周波数調整膜２３６Ｄから引き出され、振動腕１３５Ｄ上において、振動腕１３５Ｄに沿って基部１３０まで延びている。配線１９３は、基部１３０において、枠体１４０ｄの方向へ屈曲し、後端１３１Ｂに沿って、保持腕１１２の腕１１２ａの延長上まで延び、そこから枠体１４０ｂの方向へ屈曲し、保持腕１１２へと延びる。さらに配線１９３は、保持腕１１２において、配線１９２に沿って、枠体１４０ｄまで形成され、枠体１４０ｄにおいて、ビアＶ３に接続される。
【００４３】
（ｅ）ビアＶ１、Ｖ２、Ｖ３
ビアＶ１、Ｖ２、Ｖ３は保持部１４０上に形成された金属が充填された孔であり、配線１９１、１９２、１９３を介して周波数調整膜２３６と、後述する金属層Ｅ１、又はＥ２（図４参照）とを電気的に接続させる。なお、図４では、一例として、周波数調整膜２３６と金属層Ｅ２が接続された例を示している。図４においては、二点鎖線が電気的な接続を示しており、特に、破線がビアＶ１、Ｖ２、Ｖ３による電気的な接続を示している。
【００４４】
より具体的には、ビアＶ１は、枠体１４０ｃにおいて、保持腕１１１との接続箇所近傍に形成され、配線１９１と後述する金属層Ｅ１、又はＥ２（図４参照）とを接続させる。また、ビアＶ２、Ｖ３は、枠体１４０ｄにおいて、保持腕１１２との接続箇所近傍に形成される。ビアＶ２、Ｖ３は、後述する金属層Ｅ１、又はＥ２（図４参照）と、それぞれ配線１９２、１９３とを接続させる。
【００４５】
（４．積層構造）
図４を用いて共振子１０の積層構造について説明する。図４は、図３のＡＡ´断面、及び共振子１０の電気的な接続態様を模式的に示す概略図である。
【００４６】
共振子１０では、保持部１４０、基部１３０、振動腕１３５、保持腕１１１，１１２は、同一プロセスで一体的に形成される。共振子１０では、まず、Ｓｉ（シリコン）基板Ｆ２の上に、金属層Ｅ１（第２電極の一例である。）が積層されている。そして、金属層Ｅ１の上には、金属層Ｅ１を覆うように、圧電薄膜Ｆ３（圧電膜の一例である。）が積層されており、さらに、圧電薄膜Ｆ３の表面（上面の一例である。）には、金属層Ｅ２（第１電極の一例である。）が積層されている。金属層Ｅ２の上には、金属層Ｅ２を覆うように、保護膜２３５が積層されている。振動部１２０上においては、さらに、保護膜２３５上に、周波数調整膜２３６が積層されている。尚、低抵抗となる縮退シリコン基板を用いる事で、Ｓｉ基板Ｆ２自体が金属層Ｅ１を兼ねる事で、金属層Ｅ１を省略する事も可能である。
【００４７】
Ｓｉ基板Ｆ２は、例えば、厚さ６μｍ程度の縮退したｎ型Ｓｉ半導体から形成されており、ｎ型ドーパントとしてＰ（リン）やＡｓ（ヒ素）、Ｓｂ（アンチモン）などを含むことができる。特に、振動腕１３５とｎ型Ｓｉ半導体から構成されたＳｉ基板Ｆ２の［１００］結晶軸またはこれと等価な結晶軸とのなす回転角は、０度より大きく１５度以下（又は０度以上１５度以下でもよい）、または７５度以上９０度以下の範囲内にあることが好ましい。なお、ここで回転角とは、Ｓｉ基板Ｆ２の［１００］結晶軸またはこれと等価な結晶軸に沿った線分に対して保持腕１１０が伸びる方向の角度をいう。
また、Ｓｉ基板Ｆ２に用いられる縮退Ｓｉの抵抗値は、例えば１．６ｍΩ・ｃｍ未満であり、より好ましくは１．２ｍΩ・ｃｍ以下である。さらにＳｉ基板Ｆ２の下面には酸化ケイ素（例えばＳｉＯ2）層（温度特性補正層）Ｆ２１が形成されている。これにより、温度特性を向上させることが可能になる。
【００４８】
本実施形態において、酸化ケイ素層（温度特性補正層）Ｆ２１とは、当該酸化ケイ素層Ｆ２１をＳｉ基板Ｆ２に形成しない場合と比べて、Ｓｉ基板Ｆ２に温度補正層を形成した時の振動部における周波数の温度係数（すなわち、温度当たりの変化率）を、少なくとも常温近傍において低減する機能を持つ層をいう。振動部１２０が酸化ケイ素層Ｆ２１を有することにより、例えば、Ｓｉ基板Ｆ２と金属層Ｅ１、Ｅ２と圧電薄膜Ｆ３及び酸化ケイ素層（温度補正層）Ｆ２１による積層構造体の共振周波数の、温度に伴う変化を低減することができる。
【００４９】
共振子１０においては、酸化ケイ素層Ｆ２１は、均一の厚みで形成されることが望ましい。なお、均一の厚みとは、酸化ケイ素層Ｆ２１の厚みのばらつきが、厚みの平均値から±２０％以内であることをいう。
【００５０】
なお、酸化ケイ素層Ｆ２１は、Ｓｉ基板Ｆ２の上面に形成されてもよいし、Ｓｉ基板Ｆ２の上面と下面の双方に形成されてもよい。また、保持部１４０においては、Ｓｉ基板Ｆ２の下面に酸化ケイ素層Ｆ２１が形成されなくてもよい。
【００５１】
金属層Ｅ２、Ｅ１は、例えば厚さ０．１〜０．２μｍ程度のＭｏ（モリブデン）やアルミニウム（Ａｌ）等を用いて形成される。金属層Ｅ２、Ｅ１は、エッチング等により、所望の形状に形成される。金属層Ｅ１は、例えば振動部１２０上においては、下部電極として機能するように形成される。また、金属層Ｅ１は、保持腕１１１，１１２や保持部１４０上においては、共振子１０の外部に設けられた交流電源に下部電極を接続するための配線として機能するように形成される。
【００５２】
他方で、金属層Ｅ２は、振動部１２０上においては、上部電極として機能するように形成される。また、金属層Ｅ２は、保持腕１１１、１１２や保持部１４０上においては、共振子１０の外部に設けられた回路に上部電極を接続するための配線として機能するように形成される。
【００５３】
なお、交流電源から下部配線または上部配線への接続にあたっては、上蓋３０の外面に電極（外部電極の一例である。）を形成して、当該電極が回路と下部配線または上部配線とを接続する構成や、上蓋３０内にビアを形成し、当該ビアの内部に導電性材料を充填して配線を設け、当該配線が交流電源と下部配線または上部配線とを接続する構成が用いられてもよい。
【００５４】
圧電薄膜Ｆ３は、印加された電圧を振動に変換する圧電体の薄膜であり、例えば、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）等の窒化物や酸化物を主成分とすることができる。具体的には、圧電薄膜Ｆ３は、ＳｃＡｌＮ（窒化スカンジウムアルミニウム）により形成することができる。ＳｃＡｌＮは、窒化アルミニウムにおけるアルミニウムの一部をスカンジウムに置換したものである。また、圧電薄膜Ｆ３は、例えば、１μｍの厚さを有するが、０．２μｍから２μｍ程度を用いることも可能である。
【００５５】
圧電薄膜Ｆ３は、金属層Ｅ２、Ｅ１によって圧電薄膜Ｆ３に印加される電界に応じて、ＸＹ平面の面内方向すなわちＹ軸方向に伸縮する。この圧電薄膜Ｆ３の伸縮によって、振動腕１３５は、下蓋２０及び上蓋３０の内面に向かってその開放端を変位させ、面外の屈曲振動モードで振動する。なお、本実施形態では、４本腕の面外屈曲振動モードにおいて、内腕２本と外腕２本とが互いに逆方向に屈曲振動する構成となっているが、これに限定されない。例えば、振動腕が１本の構成や、面内屈曲振動モードで振動する構成でもよい。
【００５６】
保護膜２３５は、絶縁体の層であり、エッチングによる質量低減の速度が周波数調整膜２３６より遅い材料により形成される。例えば、保護膜２３５は、ＡｌＮやＳｉＮ等の窒化膜やＴａ2Ｏ5（５酸化タンタル）やＳｉＯ2等の酸化膜により形成される。なお、質量低減速度は、エッチング速度（単位時間あたりに除去される厚み）と密度との積により表される。保護膜２３５の厚さは、圧電薄膜Ｆ３の厚さ（Ｃ軸方向）の半分以下で形成され、本実施形態では、例えば０．２μｍ程度である。なお、保護膜２３５のより好ましい厚さは、圧電薄膜Ｆ３の厚さの４分の１程度である。さらに、保護膜２３５がＡｌＮ等の圧電体によって形成される場合には、圧電薄膜Ｆ３と同じ配向を持った圧電体が用いられることが好ましい。
【００５７】
周波数調整膜２３６は、導電体の層であり、エッチングによる質量低減の速度が保護膜２３５より速い材料により形成される。周波数調整膜２３６は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）やタングステン（Ｗ）や金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）等の金属により形成される。
【００５８】
なお、保護膜２３５と周波数調整膜２３６とは、質量低減速度の関係が上述のとおりであれば、エッチング速度の大小関係は任意である。
【００５９】
周波数調整膜２３６は、振動部１２０の略全面に形成された後、エッチング等の加工により所定の領域のみに形成される。
【００６０】
保護膜２３５及び周波数調整膜２３６に対するエッチングは、例えば、保護膜２３５及び周波数調整膜２３６に同時にイオンビーム（例えば、アルゴン（Ａｒ）イオンビーム）を照射することによって行われる。イオンビームは共振子１０よりも広い範囲に照射することが可能である。なお、本実施形態では、イオンビームによりエッチングを行う例を示すが、エッチング方法は、イオンビームによるものに限られない。
【００６１】
（５．共振子の機能）
図４を参照して共振子１０の機能について説明する。本実施形態では、外側の振動腕１３５Ａ、１３５Ｄに印加される電界の位相と、内側の振動腕１３５Ｂ、１３５Ｃに印加される電界の位相とが互いに逆位相になるように設定される。これにより、外側の振動腕１３５Ａ、１３５Ｄと内側の振動腕１３５Ｂ、１３５Ｃとが互いに逆方向に変位する。例えば、外側の振動腕１３５Ａ、１３５Ｄが上蓋３０の内面に向かって開放端を変位すると、内側の振動腕１３５Ｂ、１３５Ｃは下蓋２０の内面に向かって開放端を変位する。
【００６２】
これによって、本実施形態に係る共振子１０では、逆位相の振動時、すなわち、図４に示す振動腕１３５Ａと振動腕１３５Ｂとの間でＹ軸に平行に延びる中心軸ｒ１回りに振動腕１３５Ａと振動腕１３５Ｂとが上下逆方向に振動する。また、振動腕１３５Ｃと振動腕１３５Ｄとの間でＹ軸に平行に延びる中心軸ｒ２回りに振動腕１３５Ｃと振動腕１３５Ｄとが上下逆方向に振動する。これによって、中心軸ｒ１とｒ２とで互いに逆方向の捩れモーメントが生じ、基部１３０で屈曲振動が発生する。
【００６３】
（６．周波数調整膜の機能）
次に周波数調整膜２３６の機能について説明する。本実施形態に係る共振装置１では、上述のような共振子１０が形成された後、周波数調整膜２３６の膜厚を調整するトリミング工程が行われる。
【００６４】
トリミング工程では、まず共振子１０の共振周波数を測定し、狙い周波数に対する偏差を算出する。次に、算出した周波数偏差に基づき、周波数調整膜２３６の膜厚を調整する。周波数調整膜２３６の膜厚の調整は、例えばアルゴン（Ａｒ）イオンビームを共振装置１の全面に対して照射して、周波数調整膜２３６をエッチングすることによって行うことができる。さらに、周波数調整膜２３６の膜厚が調整されると、共振子１０の洗浄を行い、飛び散った膜を除去することが望ましい。
【００６５】
このようにトリミング工程によって、周波数調整膜２３６の膜厚が調整されることによって、同一ウエハにおいて製造される複数の共振装置１の間で、周波数のばらつきを抑えることができる。
【００６６】
（７．接続態様）
図５、６を用いて本実施形態に係る共振子１０における、周波数調整膜２３６と金属層Ｅ２，Ｅ１との接続態様について、配線１９１と金属層Ｅ２，Ｅ１との接続態様を例に説明する。図５、６は、いずれも図３のＢＢ´断面を模式的に示す概略図である。図５は、配線１９１が金属層Ｅ２と接続される場合を、図６は、配線１９１が金属層Ｅ１と接続される場合を示している。
【００６７】
図５に示すように、配線１９１が金属層Ｅ２と接続される場合には、ビアＶ１は、金属層Ｅ２の表面が露出するように保護膜２３５の一部を除去した孔に、導電体が充填されて形成される。ビアＶ１に充填される導電体は、例えばＭｏ（モリブデン）やアルミニウム（Ａｌ）等である。
【００６８】
配線１９１は、保護膜２３５の表面において、保持腕１１１から枠体１４０ｃにおけるビアＶ１が形成されている位置まで亘って形成され、ビアＶ１を介して金属層Ｅ２に接続される。配線１９１は、例えばＭｏ（モリブデン）やアルミニウム（Ａｌ）等から形成される。
【００６９】
また、図６に示すように、配線１９１が金属層Ｅ１と接続される場合には、ビアＶ１は、金属層Ｅ１の表面が露出するように保護膜２３５、及び圧電薄膜Ｆ３の一部を除去した孔に導電体が充填されて形成される。配線１９１は、保護膜２３５の表面において、保持腕１１１から枠体１４０ｃにおけるビアＶ１が形成されている位置まで亘って形成され、ビアＶ１を介して金属層Ｅ１に接続される。
【００７０】
周波数調整膜２３６が金属層Ｅ１，Ｅ２に電気的に接続されることの効果について説明する。上述のトリミング工程において、イオンビームが共振子１０に照射された場合、保護膜２３５にもイオンビームが照射されてしまうことで、イオンビームの有する電荷によって保護膜２３５が帯電してしまう。また、保護膜２３５に焦電体を使用した場合には、熱の昇降温によって焦電効果が発生するため、保護膜２３５の界面に電荷が析出する。
【００７１】
本実施形態に係る共振子１０では、保護膜２３５上の一部に形成された、導電体から成る周波数調整膜２３６を、配線１９１、及びビアＶ１を介して金属層Ｅ２、Ｅ１へと接続させる。これによって、保護膜２３５に帯電された電荷を金属層Ｅ２、Ｅ１へと移動させることができる。金属層Ｅ２、Ｅ１へ移動させた電荷は、金属層Ｅ２、Ｅ１に接続された外部との接続端子を介して、共振装置１の外部へ逃がすことができる。このように本実施形態に係る共振子１０では、振動部１２０上に形成された保護膜２３５に電荷が帯電することを抑制できるため、振動部１２０に帯電した電荷による共振周波数の変動を防止することができる。
【００７２】
さらに、周波数調整膜２３６が、金属層Ｅ２と接続される場合には、保護膜２３５上に形成された導電層（周波数調整膜２３６）を保護膜２３５に近い層に接続させることができる。これによって、保護膜２３５に帯電した電荷が共振周波数に与える影響をより低減することができる。また、周波数調整膜２３６が、金属層Ｅ２と接続される場合において、保護膜２３５にＡｌＮ等の圧電体を用いる場合には、圧電薄膜Ｆ３と同じ配向のものを用いることが好ましい。これによって、振動腕１３５の振動を阻害することなく、周波数調整膜２３６を金属層Ｅ２に接続させることができる。
【００７３】
なお、ビアＶ２、Ｖ３、及び配線１９２、１９３の接続態様、及び材質、効果等は、ビアＶ１、及び配線１９１と同様であるため説明を省略する。
【００７４】
［第２の実施形態］
第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
【００７５】
図７は、本実施形態に係る、共振子１０の構造の一例を概略的に示す平面図である。以下に、本実施形態に係る共振子１０の詳細構成のうち、第１の実施形態との差異点を中心に説明する。本実施形態に係る共振子１０は、第１の実施形態で説明した配線１９１、１９２、１９３、ビアＶ１、Ｖ２、Ｖ３に代えて配線１９４、１９５、及びビアＶ４、Ｖ５を有している。また、本実施形態に係る保持腕１１１、１１２は、第１実施形態とは異なる構成を有している。
【００７６】
（１）保持腕１１１、１１２
本実施形態では、保持腕１１１は、腕１１１ａ、１１１ｂを有している。保持腕１１１は、一端が基部１３０の短辺１３１ｃ側の側面に接続されており、そこから枠体１４０ｃに向かって延びている。そして、保持腕１１１は、枠体１４０ａに向かう方向（Ｙ軸方向）に屈曲して、他端が枠体１４０ａに接続されている。
【００７７】
具体的には、本実施形態において腕１１１ａは、基部１３０と枠体１４０ｃとの間に、枠体１４０ａに対向して、長手方向がＸ軸方向に平行になるように設けられている。腕１１１ａは、一端がその端面において、基部１３０の短辺１３１ｃ側の側面に接続されている。また、腕１１１ａの他端は、その側面において腕１１１ｂに接続されている。腕１１１ａは、Ｙ軸方向に規定される幅が２０μｍ程度であり、Ｘ軸方向に規定される長さが４０μｍ程度である。
【００７８】
また、腕１１１ｂは、基部１３０と枠体１４０ｃとの間に、枠体１４０ｃに対向して、長手方向がＹ軸方向に平行になるように設けられている。腕１１１ｂは、一端が腕１１１ａの他端であって、枠体１４０ａに対向する側の側面に接続され、そこから腕１１１ａに対して略垂直、すなわちＹ軸方向に延びている。また、腕１１１ｂの他端は、枠体１４０ａに接続されている。腕１１１ｂは、例えばＸ軸方向に規定される幅が２０μｍ程度であり、Ｙ軸方向に規定される長さが６２０μｍ程度である。
【００７９】
本実施形態では、保持腕１１２は、腕１１２ａ、１１２ｂを有している。保持腕１１２は、一端が基部１３０の短辺１３１ｃ側の側端に接続されており、そこから枠体１４０ｄに向かって延びている。そして、保持腕１１２は、枠体１４０ａに向かう方向（Ｙ軸方向）に屈曲して、他端が枠体１４０ａに接続されている。
【００８０】
なお、腕１１２ａ、１１２ｂの構成は、それぞれ腕１１１ａ、１１１ｂと対称な構成であるため、詳細な説明については省略する。その他の保持腕１１１、１１２の構成は第１実施形態と同様である。
【００８１】
（２）配線１９４、１９５
配線１９４は、振動腕１３５Ｂ、及び１３５Ｃから基部１３０に亘って形成されている。配線１９４は、振動部１２０上の一部の領域において、二股の形状で形成されている。配線１９４の二股の一方は、周波数調整膜２３６Ｂから引き出され、振動腕１３５Ｂ上において、振動腕１３５Ｂに沿って、基部１３０まで延び、基部１３０の中央付近において枠体１４０ｄの方向へ屈曲し、二股の他方の方へ延びている。また、配線１９４の二股の他方は、周波数調整膜２３６Ｃから引き出され、振動腕１３５Ｃ上において、振動腕１３５Ｃに沿って、基部１３０まで延び、基部１３０の中央付近において、枠体１４０ｃの方向へ屈曲し、二股の一方の方へ延びている。配線１９４の二股は、基部１３０において１本に合流する。
【００８２】
配線１９５は、振動腕１３５Ａ、及び１３５Ｄから基部１３０に亘って形成されている。配線１９５は、振動部１２０上の一部の領域において、二股の形状で形成されている。配線１９５の二股の一方は、周波数調整膜２３６Ａから引き出され、振動腕１３５Ａ上において、振動腕１３５Ａに沿って、基部１３０まで延び、基部１３０の中央付近において枠体１４０ｄの方向へ屈曲し、二股の他方の方へ延びている。また、配線１９５の二股の他方は、周波数調整膜２３６Ｄから引き出され、振動腕１３５Ｄ上において、振動腕１３５Ｄに沿って、基部１３０まで延び、基部１３０の中央付近において、枠体１４０ｃの方向へ屈曲し、二股の一方の方へ延びている。配線１９５の二股は、基部１３０において１本に合流する。
【００８３】
（３）ビアＶ４、Ｖ５
ビアＶ４、Ｖ５は、本実施形態では、基部１３０上に形成され、周波数調整膜２３６を、配線１９４、１９５を介して、金属層Ｅ１、又はＥ２に電気的に接続させる。
【００８４】
より具体的には、ビアＶ４は、基部１３０における保持腕１１２との接続箇所近傍において、配線１９４の屈曲箇所に対応する位置に形成され、配線１９４と金属層Ｅ１、又はＥ２（図４参照）とを接続させる。また、ビアＶ５は、基部１３０における振動腕１３５Ｄとの接続箇所近傍において、配線１９４の屈曲箇所に対応する位置に形成され、配線１９５と金属層Ｅ１、又はＥ２とを接続させる。なお、本実施形態に係るビアＶ４、Ｖ５は基部１３０において、配線１９４、１９５と、金属層Ｅ１、又はＥ２とを接続させていればよく、基部１３０上の位置は、図７に示したものに限定されない。
その他の本実施形態に係る共振子１０の構成、効果は第１実施形態と同様である。
【００８５】
［第３実施形態］
図８は、本実施形態に係る、共振子１０の構造の一例を概略的に示す平面図である。以下に、本実施形態に係る共振子１０の詳細構成のうち、第１実施形態との差異点を中心に説明する。本実施形態に係る共振子１０は、第１実施形態で説明した構成のうち、配線１９１、１９２、１９３を有しておらず、また、ビアＶ１、Ｖ２、Ｖ３に代えてビアＶ６、Ｖ７、Ｖ８、Ｖ９を有している。
【００８６】
本実施形態では、ビアＶ６、Ｖ７、Ｖ８、Ｖ９は、それぞれ振動腕１３５Ａ、１３５Ｂ、１３５Ｃ、１３５Ｄの先端に形成され、周波数調整膜２３６Ａ、２３６Ｂ、２３６Ｃ、２３６Ｄと、金属層Ｅ２とを接続させる。
【００８７】
次に図９を用いて本実施形態に係る共振子１０における、周波数調整膜２３６と金属層Ｅ２との接続態様について、周波数調整膜２３６Ｄを例に説明する。図９は、図８のＣＣ´断面を模式的に示す概略図である。
【００８８】
図９に示すように、本実施形態に係るビアＶ９は、金属層Ｅ２が露出するように、振動腕１３５Ｄの先端において、保護膜２３５の一部を除去して形成された孔に導電体が充填されて形成されている。その他の接続態様は、第１実施形態と同様である。
【００８９】
本実施形態に係る共振子１０では、周波数調整膜２３６を金属層Ｅ２に接続させるため、配線を共振子１０上に形成するプロセスを省くことができる。その他の共振子１０の構成、効果は、第１実施形態と同様である。
【００９０】
［第４実施形態］
図１０は、本実施形態に係る、共振子１０の平面図の一例を示す図である。以下に、本実施形態に係る共振装置１の詳細構成のうち、第１の実施形態との差異点を中心に説明する。
【００９１】
本実施形態では、共振子１０は、ＸＹ平面面内において輪郭振動する面内振動子である。本実施形態において、共振子１０は、第１の実施形態で説明した配線１９１、１９２、１９３、ビアＶ１、Ｖ２、Ｖ３に代えて配線１９６、１９７、１９８，１９９及びビアＶ１０、Ｖ１１を有している。また、本実施形態に係る振動部１２０、保持腕１１１、１１２は、第１実施形態とは異なる構成を有している。
【００９２】
（１）振動部１２０
振動部１２０は、図１０の直交座標系におけるＸＹ平面に沿って平板状に広がる略直方体の輪郭を有している。また、振動部１２０は、Ｘ軸方向に短辺１２１ａ、１２１ｂを有し、Ｙ軸方向に長辺１２１ｃ、１２１ｄを有している。振動部１２０は、短辺１２１ａ、１２１ｂにおいて、保持腕１１１、１１２によって保持部１４０に接続され、保持されている。また、振動部１２０の全面を覆うように、保護膜２３５が形成されている。さらに、保護膜２３５の表面には、振動部１２０の四隅（第２領域の一例である。）に４つの周波数調整膜２３６Ａ〜２３６Ｄが積層されている。
その他の振動部１２０の構成は、第１実施形態と同様である。尚、周波数調整膜は4つに限定されず、例えば２３６Ａと２３６Ｂが連結し、２３６Ｃと２３６Ｄが連結した２つでも良い。但し、周波数調整膜は振動時の変位の大きな第２領域を含み、第２領域は第１の領域の面積以下となる事が望ましい。これにより、周波数調整を効率よく実施し、かつ、周波数調整に伴う周波数温度特性の変化を抑制する事ができる。
【００９３】
（２）保持腕１１１、１１２
本実施形態において、保持腕１１１，１１２は、Ｙ軸方向に長辺を、Ｘ軸方向に短辺を有する略矩形の形状を有している。
【００９４】
保持腕１１１は、一端が振動部１２０における短辺１２１ａの中心近傍と接続し、そこからＹ軸方向に沿って略垂直に延びている。また、保持腕１１１の他端は、保持部１４０における枠体１４０ａの中心近傍と接続している。
【００９５】
他方、保持腕１１２は、一端が振動部１２０における短辺１２１ｂの中心近傍と接続し、そこからＹ軸方向に沿って略垂直に延びている。また、保持腕１１２の他端は、保持部１４０における枠体１４０ｂの中心近傍と接続している。
その他の保持腕１１１、１１２の構成・機能は第１実施形態と同様である。
【００９６】
（３）配線１９６、１９７，１９８，１９９
本実施形態では、配線１９８、１９９は、周波数調整膜２３６Ａ，２３６ＤをビアＶ１０へと接続し、配線１９６、１９７は、周波数調整膜２３６Ｂ、２３６ＣをビアＶ１１へと接続する。
【００９７】
配線１９８は、振動部１２０における、枠体１４０ａ側の端部に形成され、周波数調整膜２３６Ａ，２３６Ｄの枠体１４０ａ側の端部同士を接続する。配線１９９は、配線１９８の中央付近に接続し、そこから保持腕１１１、枠体１４０ａに亘って形成され、ビアＶ１０へと接続する。
【００９８】
他方で、配線１９６は、振動部１２０における、枠体１４０ｂ側の端部に形成され、周波数調整膜２３６Ｂ，２３６Ｃの枠体１４０ｂ側の端部同士を接続する。配線１９７は、配線１９６の中央付近に接続し、そこから保持腕１１２、枠体１４０ｂに亘って形成され、ビアＶ１１へと接続する。
その他の配線１９６、１９７、１９８、１９９の構成は第１実施形態の配線１９１と同様である。
【００９９】
（４）ビアＶ１０、Ｖ１１
本実施形態では、ビアＶ１０、Ｖ１１は、それぞれ配線１９８、１９９、１９６、１９７を介して周波数調整膜２３６を金属層Ｅ１、又はＥ２に電気的に接続させる。その他のビアＶ１０、Ｖ１１の構成は、第１実施形態のビアＶ１と同様である。
【０１００】
（５．接続態様）
図１１、１２を用いて本実施形態に係る共振子１０における、周波数調整膜２３６と金属層との接続態様について、説明する。図１１、１２は、いずれも図１０のＤＤ´断面を模式的に示す概略図である。図１１は、配線１９７，１９９が金属層Ｅ２と接続される場合を例に示し、図１２は、配線１９９、１９７が金属層Ｅ１と接続される場合を例に示している。
【０１０１】
図１１に示すように、配線１９９、１９７は、保持部１４０上において、ビアＶ１０、Ｖ１１を介して金属層Ｅ２と接続されている。また、図１２に示すように、配線１９９、１９７は、保持部１４０上において、ビアＶ１０、Ｖ１１を介して金属層Ｅ１と接続される構成でもよい。なお、本実施形態では、共振装置１は、基本波モードで輪郭振動する面内振動子である共振子１０を有する構成であるが、これに限定されない。例えば共振装置１は、複数の共振子が一体となり高次モードで振動する構成でもよい。
その他の共振装置１の構成、機能は第１の実施形態と同様である。
【０１０２】
以上、本発明の例示的な実施形態について説明した。本発明の一実施形態に係る共振子１０は、金属層Ｅ２及び金属層Ｅ１と、金属層Ｅ２と金属層Ｅ１との間に設けられ、金属層Ｅ２に対向する上面を有し、金属層Ｅ２及び金属層Ｅ１の間に電圧が印加されたときに所定の振動モードで振動する、圧電薄膜Ｆ３と、金属層Ｅ２を介して圧電薄膜Ｆ３の上面と対向して設けられた、絶縁体からなる保護膜２３５と、保護膜２３５を介して圧電薄膜Ｆ３の上面と対向して設けられた、導電体からなる周波数調整膜２３６と、を備え、周波数調整膜２３６は、金属層Ｅ２及び金属層Ｅ１のいずれか一方に電気的に接続される。本実施形態に係る共振子１０では、振動部１２０上に形成された保護膜２３５に電荷が帯電することを抑制できるため、振動部１２０に帯電した電荷による共振周波数の変動を防止することができる。
【０１０３】
また、圧電薄膜Ｆ３の表面は、第１領域と当該第１領域よりも振動時の変位が大きい第２領域とを有し、周波数調整膜２３６は、第２領域の少なくとも一部において保護膜２３５を介して圧電薄膜Ｆ３の上面と対向して設けられることも好ましい。これによって、周波数調整膜２３６の膜厚が調整されることによって、同一ウエハにおいて製造される複数の共振装置１の間で、周波数のばらつきを抑えることができる。
【０１０４】
また、保護膜２３５は、圧電体からなり、Ｃ軸方向に沿った厚さが、圧電薄膜Ｆ３の厚さの半分以下であることも好ましい。この場合、保護膜２３５を挟む周波数調整膜２３６と金属層Ｅ２とが短絡されることにより、圧電体からなる保護膜２３５によって振動が阻害されることを抑制できる。
【０１０５】
また、保護膜２３５は、圧電薄膜Ｆ３と同じ方向に配向した圧電体であることが好ましい。これによって、周波数調整膜２３６が金属層Ｅ２に接続された場合においても、振動部１２０の振動が阻害されることを抑制できる。
【０１０６】
また、共振子１０は、面外屈曲振動子であることが好ましい。
【０１０７】
また、本実施形態に係る共振装置１は、上述の共振子１０と、共振子１０を間に挟んで互いに対向して設けられた上蓋３０及び下蓋２０と、外部電極とを備える。本実施形態に係る共振装置１は、振動部１２０上に形成された保護膜２３５に電荷が帯電することを抑制できるため、振動部１２０に帯電した電荷による共振周波数の変動を防止することができる。
【０１０８】
以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。例えば、既述の実施形態において、金属層Ｅ２と圧電薄膜Ｆ３とから成る積層体は単層である構成について説明したが、これに限定されない。共振子１０は、金属層Ｅ２と圧電薄膜Ｆ３とから成る積層体は多層であり、最上層（上蓋３０側）の表面に保護膜２３５が形成される構成でもよい。また、各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもなく、これらも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【０１０９】
１                        共振装置
１０                      共振子
３０                      上蓋
２０                      下蓋
１４０                    保持部
１４０ａ〜ｄ              枠体
１１１、１１２            保持腕
１２０                    振動部
１３０                    基部
１３５Ａ〜Ｄ              振動腕
Ｆ２                      Ｓｉ基板
Ｆ２１                    酸化ケイ素層（温度特性補正層）
１９１〜１９９            配線
Ｖ１〜Ｖ１１              ビア
２３５                    保護膜
２３６                    周波数調整膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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