(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
復号されたデータに基づいてビット誤り率を計算するために前記復号されたデータがデコーダから入手できるまで、複数の読取閾値電圧についてのシンドローム重みに基づいてメモリの１つ以上のページの読取閾値電圧を調整するように構成されたコントローラを備える、装置。
【請求項２】
前記コントローラは、
読取値を取得するために現在の読取閾値電圧において前記メモリを読取ることと、
硬判定デコーダを前記読取値に適用することと、
前記入手できる復号されたデータを提供するために前記硬判定デコーダが前記読取値を収束語に収束させるか否かを判断することと、
前記収束語に対応する１つ以上のビットを参照ビットとして記憶することと、
１つ以上のビット誤り率に基づいて前記読取閾値電圧を選択することと、
によって前記読取閾値電圧を調整する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記入手できる復号されたデータを提供するために前記硬判定デコーダが前記読取値を収束させる場合、前記コントローラは以下のステップを実行し、前記以下のステップは、
前記参照ビットに基づいて前記現在の読取閾値電圧についてのビット誤り率を計算するステップと、
現在の読取基準電圧を新たな読取閾値電圧に調整するステップと、
新たな読取値を取得するために前記新たな読取閾値電圧において前記メモリを読取るステップと、
試行されるいくつかの読取閾値電圧について閾値が満たされるまで、前記計算するステップ、調整するステップおよび読取るステップを繰返すステップと、
前記閾値が満たされると、各々の繰返されたステップについて計算された前記ビット誤り率に基づいて前記読取閾値電圧を選択するステップとを含む、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記コントローラは、前記硬判定デコーダが前記現在の読取閾値電圧を収束させない場合、前記シンドローム重みから前記ビット誤り率を推定し、前記現在の読取基準電圧を前記新たな読取閾値電圧に調整する、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記コントローラは、いくつかの読取られた語およびいくつかの符号化されたページのうちの１つ以上において検出されるいくつかの誤りに基づいてカウントプロファイルを決定する、請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記コントローラは、前記複数の読取閾値電圧についての前記入手できる復号されたデータに関連付けられた前記ビット誤り率に基づく第１のビット誤り率プロファイルおよび前記複数の読取閾値電圧についての前記シンドローム重みからのビット誤り率に基づく第２のビット誤り率プロファイルのうちの１つ以上に基づいて前記新たな読取閾値電圧を選択する、請求項３に記載の装置。
【請求項７】
前記新たな読取閾値電圧の選択は、いくつかの読取られた語およびいくつかの符号化されたページのうちの１つ以上において検出されるいくつかの誤りに基づくカウントプロファイルにさらに基づく、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記コントローラは、前記複数の読取閾値電圧についての前記ビット誤り率に基づくビット誤りプロファイルの数列、前記複数の読取閾値電圧についてのシンドローム重みプロファイルの数列、所与の読取閾値電圧において読取られたいくつかの語、および所与の読取閾値電圧において処理されたいくつかの語のうちの１つ以上に基づいて、次の反復のための新たな読取閾値電圧を選択する、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記コントローラは、
読取値を取得するために現在の読取閾値電圧において前記メモリを読取ることと、
前記シンドローム重みから前記ビット誤り率を推定することと、によって前記読取閾値電圧を調整し、前記シンドローム重みは、指定の回数の反復についてシンドローム重み計算機および硬判定デコーダのうちの１つ以上から取得され、前記コントローラはさらに、
前記複数の読取閾値電圧についての前記シンドローム重みからの前記ビット誤り率に基づく第２のビット誤り率プロファイルに基づいて新たな読取閾値電圧を選択すること、によって前記読取閾値電圧を調整する、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
有形のマシン読取可能な記録可能な記憶媒体であって、１つ以上のソフトウェアプログラムは、１つ以上の処理装置によって実行されたときに、
復号されたデータに基づいてビット誤り率を計算するために前記復号されたデータがデコーダから入手できるまで、複数の読取閾値電圧についてのシンドローム重みに基づいて、メモリの１つ以上のページの読取閾値電圧を調整するステップを実行する、記憶媒体。
【請求項１１】
前記読取閾値電圧は、
読取値を取得するために現在の読取閾値電圧において前記メモリを読取るステップと、
硬判定デコーダを前記読取値に適用するステップと、
前記入手できる復号されたデータを提供するために前記硬判定デコーダが前記読取値を収束語に収束させるか否かを判断するステップと、
前記収束語に対応する１つ以上のビットを参照ビットとして記憶して、前記入手できる復号されたデータを提供するために前記硬判定デコーダが前記読取値を収束させる場合に以下のステップを実行するステップと、
を実行することによって調整され、
前記以下のステップは、
前記参照ビットに基づいて前記現在の読取閾値電圧についてのビット誤り率を計算するステップと、
前記現在の読取基準電圧を新たな読取閾値電圧に調整するステップと、
新たな読取値を取得するために前記新たな読取閾値電圧において前記メモリを読取るステップと、
試行されるいくつかの読取閾値電圧について閾値が満たされるまで、前記計算するステップ、調整するステップおよび読取るステップを繰返すステップと、
前記閾値が満たされると、各々の繰返されたステップについて計算された前記ビット誤り率に基づいて前記読取閾値電圧を選択するステップとを含む、請求項１０に記載の記憶媒体。
【請求項１２】
前記複数の読取閾値電圧についての前記入手できる復号されたデータに関連付けられた前記ビット誤り率に基づく第１のビット誤り率プロファイルおよび前記複数の読取閾値電圧についての前記シンドローム重みからのビット誤り率に基づく第２のビット誤り率プロファイルのうちの１つ以上に基づいて前記新たな読取閾値電圧を選択するステップをさらに備える、請求項１１に記載の記憶媒体。
【請求項１３】
方法であって、
復号されたデータに基づいてビット誤り率を計算するために前記復号されたデータがデコーダから入手できるまで、複数の読取閾値電圧についてのシンドローム重みに基づいてビット誤り率を取得するステップと、
前記ビット誤り率に基づいて、メモリの読取閾値電圧を調整するステップとを備える、方法。
【請求項１４】
前記読取閾値電圧は、
読取値を取得するために現在の読取閾値電圧において前記メモリを読取るステップと、
硬判定デコーダを前記読取値に適用するステップと、
前記入手できる復号されたデータを提供するために前記硬判定デコーダが前記読取値を収束語に収束させるか否かを判断するステップと、
前記収束語に対応する１つ以上のビットを参照ビットとして記憶するステップと、
１つ以上のビット誤り率に基づいて前記読取閾値電圧を選択するステップと、
を実行することによって調整される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記入手できる復号されたデータを提供するために前記硬判定デコーダが前記読取値を収束させる場合、以下のステップをさらに備え、前記以下のステップは、
前記参照ビットに基づいて前記現在の読取閾値電圧についてのビット誤り率を計算するステップと、
前記現在の読取基準電圧を新たな読取閾値電圧に調整するステップと、
新たな読取値を取得するために前記新たな読取閾値電圧において前記メモリを読取るステップと、
試行されるいくつかの読取閾値電圧について閾値が満たされるまで、前記計算するステップ、調整するステップおよび読取るステップを繰返すステップと、
前記閾値が満たされると、各々の繰返されたステップについて計算された前記ビット誤り率に基づいて前記読取閾値電圧を選択するステップとを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記硬判定デコーダが前記現在の読取閾値電圧を収束させない場合、前記シンドローム重みから前記ビット誤り率を推定し、前記現在の読取基準電圧を前記新たな読取閾値電圧に調整するステップをさらに備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
いくつかの読取られた語およびいくつかの符号化されたページのうちの１つ以上において検出されるいくつかの誤りに基づいてカウントプロファイルを決定するステップをさらに備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記複数の読取閾値電圧についての前記入手できる復号されたデータに関連付けられた前記ビット誤り率に基づく第１のビット誤り率プロファイルおよび前記複数の読取閾値電圧についての前記シンドローム重みからのビット誤り率に基づく第２のビット誤り率プロファイルのうちの１つ以上に基づいて前記新たな読取閾値電圧を選択するステップをさらに備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記新たな読取閾値電圧の選択は、いくつかの読取られた語およびいくつかの符号化されたページのうちの１つ以上において検出されるいくつかの誤りに基づくカウントプロファイルにさらに基づく、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記複数の読取閾値電圧についての前記ビット誤り率に基づくビット誤りプロファイルの数列、前記複数の読取閾値電圧についてのシンドローム重みプロファイルの数列、所与の読取閾値電圧において読取られたいくつかの語、および所与の読取閾値電圧において処理されたいくつかの語のうちの１つ以上に基づいて、次の反復のための新たな読取閾値電圧を選択するステップをさらに備える、請求項１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
分野
本分野は、一般にソリッドステート記憶装置に関し、より特定的にはこのようなソリッドステート記憶装置において読取閾値電圧を調整するための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
背景
フラッシュメモリ装置などのソリッドステート記憶装置は、一般に、記憶セルの読取電圧レベルに基づいて、記憶セルに記憶された異なる２進値を区別する。ソリッドステート記憶装置は、一般に、記憶セルに記憶され得るデータを判断するために、読取電圧レベルを読取閾値電圧と比較する。
【０００３】
しかし、読取電圧レベルなどの記憶セルの特性は、経時的に変化する可能性がある。例えば、プログラム消去サイクル、保持力、読取妨害および他の物理的なアーチファクトが、記憶セルの読取電圧レベルを変化させる可能性がある。記憶セルの読取電圧レベルが対応する読取電圧閾値を超えてシフトすると、記憶されたデータは、適切に読取られない。なぜなら、記憶セルから読取られるデータの値が、記憶セルに元々書込まれていたデータの値とは異なるからである。
【０００４】
したがって、読取電圧レベルのこのようなシフトを考慮に入れるように読取閾値電圧を調整するための技術の改善が必要である。したがって、復号されたデータに基づいて取得されるビット誤り率に基づいて読取閾値電圧を調整するための技術の改善がさらに必要である。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
概要
本発明の例示的な実施例は、ソリッドステート記憶装置において読取閾値電圧を調整するための方法および装置を提供する。一実施例では、例示的な方法は、複数の読取閾値電圧についての復号されたデータに基づくビット誤り率に基づいてメモリの読取閾値電圧を調整するステップを備える。読取閾値電圧は、読取値を取得するために現在の読取閾値電圧においてメモリを読取ることと、硬判定（hard decision）デコーダを読取値に適用することと、硬判定デコーダが読取値を収束語に収束させるか否かを判断することと、収束語に対応する１つ以上のビットを参照ビットとして記憶することと、硬判定デコーダが読取値を収束させると以下のステップを実行することと、によって調整されてもよく、当該以下のステップは、参照ビットに基づいて現在の読取閾値電圧についてのビット誤り率を計算するステップと、現在の読取基準電圧を新たな読取閾値電圧に調整するステップと、新たな読取値を取得するために新たな読取閾値電圧においてメモリを読取るステップと、試行されるいくつかの読取閾値電圧について閾値が満たされるまで、計算するステップ、調整するステップおよび読取るステップを繰返すステップと、閾値が満たされると、各々の繰返されたステップについて計算されたビット誤り率に基づいて読取閾値電圧を選択するステップとを含む。
【０００６】
少なくとも１つの例示的な実施例において、ビット誤り率は、硬判定デコーダが現在の読取閾値電圧を収束させなければシンドローム重みから推定され、現在の読取基準電圧を新たな読取閾値電圧に調整する。本発明の１つ以上の実施例では、次の反復のための新たな読取閾値電圧は、複数の読取閾値電圧についてのビット誤り率に基づく第１のビット誤り率プロファイルおよび複数の読取閾値電圧についてのシンドローム重みからのビット誤り率に基づく第２のビット誤り率プロファイルのうちの１つ以上に基づいて選択されてもよい。少なくとも１つの実施例では、新たな読取閾値電圧は、次の反復のために、複数の読取閾値電圧についてのビット誤り率に基づくビット誤りプロファイルの数列および複数の読取閾値電圧についてのシンドローム重みプロファイルの数列のうちの１つ以上に基づいて選択される。
【０００７】
本発明のより完全な理解ならびに本発明のさらなる特徴および利点は、以下の詳細な説明および図面を参照することによって得られるであろう。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明が実現され得るソリッドステート記憶システムの概略ブロック図である。
【図２Ａ】図１の例示的なソリッドステート記憶媒体のための例示的な読取閾値電圧分布を示す。
【図２Ｂ】図１の例示的なソリッドステート記憶媒体のための例示的な読取閾値電圧分布を示す。
【図２Ｃ】図１の例示的なソリッドステート記憶媒体のための例示的な読取閾値電圧分布を示す。
【図２Ｄ】図１の例示的なソリッドステート記憶媒体のための例示的な読取閾値電圧分布を示す。
【図３】本発明の局面を組み入れる例示的な読取閾値電圧調整プロセスを示すフローチャートである。
【図４】例示的な下位ページのための図３の例示的な読取閾値電圧調整プロセスの実行を示す。
【図５】例示的な下位ページのための図３の例示的な読取閾値電圧調整プロセスの実行を示す。
【図６】例示的な下位ページのための図３の例示的な読取閾値電圧調整プロセスの実行を示す。
【図７】例示的な下位ページのための図３の例示的な読取閾値電圧調整プロセスの実行を示す。
【図８】例示的な上位ページのための図３の例示的な読取閾値電圧調整プロセスの実行を示す。
【図９】例示的な上位ページのための図３の例示的な読取閾値電圧調整プロセスの実行を示す。
【図１０】例示的な上位ページのための図３の例示的な読取閾値電圧調整プロセスの実行を示す。
【図１１】本発明の一実施例に係るスマートスキャンプロセスの例示的な実現例を示すフローチャートである。
【図１２】本発明の１つ以上の実施例のうちの少なくとも一部を実現するために使用され得る例示的な処理プラットフォームを示す。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
詳細な説明
例示的なソリッドステート記憶システムおよび他の処理装置を参照して、本発明の例示的な実施例について本明細書で説明する。しかし、本発明は、示されている特定の例示的なシステムおよび装置構成とともに使用することに限定されるものではないということが理解されるべきである。
【００１０】
本発明のさまざまな局面は、シングルレベルセル（single-level cell：ＳＬＣ）またはマルチレベルセル（multi-level cell：ＭＬＣ）ＮＡＮＤ（Ｎｏｔ  Ａｎｄ）フラッシュメモリ装置などのソリッドステートメモリ装置のための閾値電圧調整技術に向けられる。本明細書で使用されるマルチレベルセルフラッシュメモリは、各メモリセルが２つ以上のビットを記憶するメモリを備える。本発明は、アナログ値を電圧として記憶するメモリセルを用いて本明細書に示されているが、本発明は、当業者に明らかであるように、記憶されたデータを表わすために電圧または電流を使用するなど、メモリ装置のための任意の記憶機構とともに利用されてもよい。
【００１１】
本発明の局面は、ソリッドステート記憶媒体の進化および／または劣化に伴う読取閾値電圧の変化に対処するために、復号されたデータに基づくビット誤り率を用いて、メモリの読取閾値電圧を調整する。１つの例示的な実施例では、コントローラは、複数の読取閾値電圧についての復号されたデータに少なくとも一部は基づいて取得されるビット誤り率を用いて、メモリの読取閾値電圧を調整する。少なくとも１つの実施例では、ビット誤り率および対応する調整された読取閾値電圧を判断するために、特定のページのシンドローム重みが使用される。
【００１２】
本発明のさらなる局面によれば、ビット誤りプロファイルまたはシンドローム重みプロファイルまたはこれら２つの組み合わせの数列に基づいて次の反復のための適切な読取電圧閾値を選択するために、スマートスキャン機能が任意に利用される。一般に、例示的なスマートスキャン機能は、総トラッキング時間を減少させようとして読取閾値電圧を動的に調整する。
【００１３】
図１は、ソリッドステート記憶システム１００の概略ブロック図である。図１に示されているように、例示的なソリッドステートメモリシステム１００は、ソリッドステート記憶制御システム１１０と、ソリッドステート記憶媒体１５０とを備える。例示的なソリッドステート記憶制御システム１１０は、コントローラ１２０と、エンコーダ／デコーダブロック１３０とを備える。代替的な実施例では、エンコーダ／デコーダブロック１３０は、コントローラ１２０内で実現されてもよい。
【００１４】
図１に示されているように、コントローラ１２０は、他の周知の機能に加えて、復号されたデータに基づくビット誤り率を用いて読取閾値電圧を調整するために、図３に関連して以下でさらに説明する読取閾値電圧調整プロセス３００を備える。エンコーダ／デコーダブロック１３０は、例えば周知の市販の技術および／または製品を用いて実現されてもよい。エンコーダ／デコーダブロック１３０内のエンコーダは、例えば低密度パリティチェック（low-density parity-check：ＬＤＰＣ）符号化などの誤り訂正符号化を実現してもよい。エンコーダ／デコーダブロック１３０内のデコーダは、例えば硬判定低密度パリティチェック（hard decision low-density parity-check：ＨＬＤＰＣ）デコーダなどの硬判定デコーダとして具体化されてもよい。
【００１５】
ソリッドステート記憶媒体１５０は、シングルレベルもしくはマルチレベルセルフラッシュメモリ、ＮＡＮＤフラッシュメモリ、相変化メモリ（phase-change memory：ＰＣＭ）、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（magneto-resistive random access memory：ＭＲＡＭ）、ナノＲＡＭ（nano RAM：ＮＲＡＭ）、ＮＯＲフラッシュメモリ、ダイナミックＲＡＭ（dynamic RAM：ＤＲＡＭ）、または別の不揮発性メモリ（non-volatile memory：ＮＶＭ）などのメモリアレイを備える。本発明は、主にマルチレベルセルＮＡＮＤフラッシュメモリの文脈において示されているが、本発明は、当業者に明らかであるように、シングルレベルセルフラッシュメモリおよび他の不揮発性メモリにも適用可能である。
【００１６】
例えばマルチレベルセルＮＡＮＤフラッシュメモリでは、特定のセルに関連付けられる電圧値を予め規定されたメモリ状態に変換するために、閾値検出器が一般に利用される。図２Ａ〜図２Ｄは、装置閾値電圧分布を示す。一般に、図２Ａ〜図２Ｄにおける各ピークは、図１のソリッドステート記憶媒体１５０などの不揮発性メモリの読取ユニットサイズ部分のそれぞれの状態についての装置閾値電圧確率分布を表わす独立したガウス様曲線の抽象的概念である。装置閾値電圧軸は、正の電圧の増加とともに右側に描かれる。絶対尺度は意図的に設けられておらず、基準点は特定されず、そのため、プロットはより一般的に不揮発性メモリのより大きな集団に当てはまる。図２Ａおよび図２ＢはＳＬＣメモリに当てはまるのに対して、図２Ｃおよび図２ＤはＭＬＣメモリに当てはまる。
【００１７】
初期時（例えば、対応するデータが書込まれるとき）を表わす図２Ａでは、最も左側の分布２２０は論理１を表わし、最も右側の分布２３０は論理０を表わす。技術によっては、最も左側の分布が（少なくとも大部分が）負の電圧に属していてもよい。読取閾値２１０は、理想的には２つの分布の間に位置する。
【００１８】
本明細書における実施例によって関連付けられる場合を除き、これらの装置閾値電圧分布から独立して、いくつかの実施例では、０および１の統計的分布が記憶されているという特定の知識がＮＶＭに書込まれる。より特定的には、いくつかの実施例では、０および１の統計的分布が５０−５０％（０が５０％および１が５０％）になるようにさまざまな暗号化および／またはスクランブリング技術が使用される。図２Ａの場合に理想的に位置する名目上の読取閾値を用いてＳＬＣが読取られる場合、観察される０および１の読取データ統計的分布は、同様に５０−５０％である。統計的分布が５０−５０％であるということは、データのいずれか１つのサンプルが０ビットおよび１ビットの厳密に均一なバランスを有するであろうということを意味するのではなく、むしろ多くのサンプルの平均が５０−５０％で収束する０ビットと１ビットとの比率を生成し、サンプルの数が増加するにつれて確率的限界がますます厳しくなることを意味する。
【００１９】
図２Ａよりも後のときを表わす図２Ｂでは、名目上の読取閾値２１０は図２Ａと同様であり、２つの装置閾値電圧分布２２５および２３５は、図２Ａにおけるそれらの以前のそれぞれの分布２２０および２３０に対してシフトされている。例示の目的で、２つの分布は、両方が左側に（より負の電圧の方に）均一にシフトしたものとして示されている。より一般的には、２つの分布は、互いに独立して正の方向または負の方向に移動可能であるということが理解されるべきである。
【００２０】
図２Ｂに鑑みて、やはり名目上の読取閾値２１０を用いてＳＬＣが読取られた場合、（例えば任意の誤り訂正の前に）不揮発性メモリから直接読取られる観察される０および１の統計的分布は５０−５０％にならないということが予測可能である。より特定的には、記載されている概念的な例では、読取閾値が、０のうちのいくつかが偽って１として読取られるようなものであるので、１の誤った過剰が予期される。
【００２１】
実際には、推測の方向が逆にされる。すなわち、実際には、一般に、装置閾値電圧分布のこのようなシフトは、知られていないか、または直接知ることはできない。従来技術では、装置閾値電圧分布のシフトの存在を推測するために、（公知の０および１の記憶された分布に対して）不揮発性メモリから読取られる０および１の不均衡を観察することが使用される。さらに、読取閾値は、０／１バランスが回復されるまで必要に応じて、少なくとも一部は観察された不均衡に基づいて読取閾値２１５に調整される。読取閾値電圧に対する不均衡ベースの調整のより詳細な説明については、例えば２０１２年６月２６日に出願された、「フラッシュチャネルのための高速トラッキング（Fast Tracking for Flash Channels）」と題される、本願の譲受人に譲渡された、引用によって本明細書に援用される米国公開特許出願番号第２０１３／０３４３１３１号を参照されたい。
【００２２】
以下に記載されるように、本発明の局面は、ＳＬＣソリッドステート記憶媒体１５０の進化および／または劣化に伴う読取閾値電圧の変化に対処するために、デコーダ１３０からの復号されたデータに基づくビット誤り率を用いて、現在の読取閾値電圧２１０を新たな読取閾値電圧２１５に調整する。
【００２３】
同様に、図２Ｃは、ＭＬＣ装置のための初期装置閾値電圧分布を有する初期時（対応するデータが書込まれるときなど）を表わし、図２Ｄは、対応するその後の装置閾値電圧分布を有するその後のときを表わす。図２Ｃおよび図２Ｄに示される例示的な実施例では、各記憶要素は、各メモリセルに２ビットのデータを記憶するために４つの考えられるデータ状態を利用する。
【００２４】
より具体的には、１１状態、０１状態、００状態および１０状態をそれぞれ表わす選択された例示的なグレーコードマッピングでは、（図２Ｄの）装置閾値電圧分布２５１，２６１，２７１および２８１は、（図２Ｃの）それらの以前のそれぞれの装置閾値電圧分布２５０，２６０，２７０および２８０に対してシフトされる。ＶＲＥＡＤ１２４０、ＶＲＥＡＤ２２４２およびＶＲＥＡＤ３２４４の３つの名目上の（当初の）読取閾値も示されている。やはり例示の目的で、図２Ｄには、４つの分布が、全て左側に（より負の電圧の方に）均一にシフトしたものとして示されている。より一般的には、４つの分布は、互いに独立して正の方向または負の方向に移動可能であるということが理解されるべきである。
【００２５】
従来技術でもやはり、４つの状態の統計的分布が２５−２５−２５−２５％（各状態において２５％）になるようにさまざまなスクランブリング技術が使用される。図２Ｃの場合に理想的に位置する名目上の読取閾値電圧を用いてＭＬＣが読取られる場合、いくつかの実施例では、４つの状態の統計的分布は、同様に２５−２５−２５−２５％であるように構成可能である。図２Ａおよび図２Ｂに関連して上記したＳＬＣ技術と同様に、装置閾値電圧分布のシフトの存在を推測するために、（公知の記憶された状態分布に対して）ＮＶＭから読取られる不均衡（例えば予期される２５−２５−２５−２５％からの逸脱）を観察することが使用される。次いで、読取閾値は、図２Ｄに示されるように調整されて、ＶＲＥＡＤ１２６５、ＶＲＥＡＤ２２７５およびＶＲＥＡＤ３２８５になる。読取閾値調整は、多くの場合、下位ページ読取り（ＶＲＥＡＤ２２７５の調整）および上位ページ読取り（ＶＲＥＡＤ１２６５および／またはＶＲＥＡＤ３２８５の調整）に対して別々に実行される。
【００２６】
以下に記載されるように、本発明の局面は、ＭＬＣソリッドステート記憶媒体１５０の進化および／または劣化に伴う読取閾値電圧の変化に対処するために、デコーダ１３０からの復号されたデータに基づくビット誤り率またはシンドローム重みに基づくビット誤り率推定値を用いて、ＭＬＣのための現在の読取閾値電圧２４０，２４２，２４４を新たな読取閾値電圧２６５，２７５，２８５にそれぞれ調整する。
【００２７】
図３は、本発明の局面を組み入れる例示的な読取閾値電圧調整プロセス３００を示すフローチャートである。図３に示されているように、例示的な読取閾値電圧調整プロセス３００が起動されると、カウンタｉおよびｊがゼロに初期化される。ステップ３１０において、現在の読取閾値電圧Ｖｉにおいて所与のページＰｊを読取って、読取値を取得する。
【００２８】
ステップ３１５において、硬判定低密度パリティチェックデコーダなどの硬判定デコーダが読取値に適用される。
【００２９】
ステップ３２０において、硬判定デコーダが読取値を収束語に収束させるか否かを判断するためにテストを実行する。ステップ３２０において硬判定デコーダが読取値を収束語に収束させると判断されると、ステップ３２５において、収束語（例えば復号されたデータ）をジーニー（genie）ビット（例えば参照ビット）として記憶する。また、ステップ３３０において、ステップ３２５において記憶された参照ビットに基づいて、現在の読取閾値電圧Ｖｉについてのビット誤り率を計算する。ビット誤り率は、ビット単位でジーニービットに対して読取値を比較することによって計算され、結果として生じる不一致の数が、ビット誤りの数である。ビット誤り率は、ジーニービットの数の割合として表わされるビット誤りの数である。
【００３０】
ステップ３３５において、読取閾値電圧カウンタ（ｉ）をインクリメントし、ステップ３４０において、読取閾値電圧カウンタ（ｉ）が閾値限界Ｎ（例えば試行される読取閾値電圧の数に対する限界）未満のままであるか否かを判断するためにさらなるテストを実行する。ステップ３４０において読取閾値電圧カウンタ（ｉ）が閾値限界未満のままであると判断されると、ステップ３４５において、新たな読取閾値電圧Ｖｉのために所与のページＰｊを読取って、新たな読取値を取得する。
【００３１】
ステップ３４０において読取閾値電圧カウンタ（ｉ）が閾値限界以上であると判断されると、プログラム制御は、以下に記載されるステップ３７０に進む。
【００３２】
ステップ３２０において許可された回数の読取閾値電圧の試行について硬判定デコーダが読取値を収束語に収束させていないと判断されると、プログラム制御は任意にステップ３５０に進み、所与のページＰｊのシンドローム重みから現在の読取閾値電圧Ｖｉについてのビット誤り率（ＢＥＲＳ（Ｖｉ））を推定する。一般に、シンドロームは、公知の態様の誤ったビットの数の推定値である。シンドローム重みは、例えば指定の回数の反復についてシンドローム重み計算機または硬判定デコーダから取得されることができる。さらなる変形例では、シンドローム重みは、ステップ３２０における収束を最初に確認することなく計算されてもよく、または、誤りカウントのシンドローム重みベースの推定は、完全に省略されてもよい。したがって、さまざまな実現例では、ステップ３５０における誤りカウントのシンドローム重みベースの推定およびステップ３３０における現在の読取閾値電圧Ｖｉについてのビット誤り率の計算は、独立して実行されてもよく、または、図３の例示的な実施例のために示されている態様で組み合わせられてもよい。
【００３３】
ビット誤り率は、以下のようにシンドローム重みから計算されることができる。
シンドローム＝Ｈｘ′
式中、ｘは読取値であり、ＨはバイナリＬＤＰＣコードのパリティチェック行列であり、′は転置オペレーションを示す。シンドロームは、１および０のベクトルであり、シンドローム重みは、シンドロームベクトルにおける１の個数である。シンドローム重みをビット誤り率に変換するための技術は多数存在する。例えば、シンドローム重みは、以下のようにビット誤り率に変換されることができる。
【００３４】
ビット誤り率推定値＝シンドローム重み／Ｈ行列の平均行重み
ステップ３５５において、読取閾値電圧カウンタ（ｉ）をインクリメントし、ステップ３６０において、読取閾値電圧カウンタ（ｉ）が閾値限界Ｎ未満のままであるか否かを判断するためにさらなるテストを実行する。ステップ３６０において読取閾値電圧カウンタ（ｉ）が閾値限界未満のままであると判断されると、ステップ３１０において、新たな読取閾値電圧Ｖｉのために所与のページＰｊを再度読取って、新たな読取値を取得する。ステップ３１５において、硬判定デコーダが現在の読取値に再度適用され、ステップ３２０において、上記の態様で収束テストを再度実行する。
【００３５】
ステップ３４０または３６０において読取閾値電圧カウンタ（ｉ）が閾値限界以上であると判断されると、プログラム制御はステップ３７０に進む。ステップ３７０において、ページカウンタ（ｊ）をインクリメントし、ステップ３７０において、ページカウンタ（ｊ）の新たな値がページ限界Ｍ未満のままであるか否かを判断するためにさらなるテストを実行する。ステップ３７０においてページカウンタ（ｊ）の新たな値がページ限界未満のままであると判断されると、プログラム制御はステップ３１０に進み、上記の態様で次のページを処理し続ける。しかし、ステップ３７０においてページカウンタ（ｊ）の新たな値がページ限界以上であると判断されると、ステップ３７５において、ステップ３３０および／または３５０のさまざまな反復において計算されたビット誤り率に基づいて読取閾値電圧が選択される。少なくとも１つの実施例では、ステップ３７５において、全てのｉの値についてＢＥＲ（Ｖｉ）および／またはＢＥＲＳ（Ｖｉ）を最小化する読取閾値電圧が選択される。例示的な読取閾値電圧調整プロセス３００は、ステップ３７５において１つ以上のビット誤り率計量を最小化し、実質的に最適な読取閾値電圧を取得する。一実施例では、ステップ３７５において、ステップ３５０において計算されたシンドローム重みに基づくビット誤り率のみを用いて、読取閾値電圧が最適化される。
【００３６】
図４〜図７は、図１のＭＬＣソリッドステート記憶媒体の例示的な下位ページのための図３の例示的な読取閾値電圧調整プロセス３００の実行を示す。図４に示されているように、特定の読取閾値電圧のために特定の下位ページを読取って、読取値を取得する（図３のステップ３１０に対応）。図４の例では、デフォルト読取閾値電圧Ｒ００を中心として−５０〜＋５０の範囲内で１０１個の基準インクリメントを用いて、読取閾値電圧を調整することができる。図４の例では、基準インクリメントＶｒｅｆはゼロに等しい。
【００３７】
ステップ４１０において、ＨＬＤＰＣデコーダなどの硬判定デコーダを読取値に適用する（図３のステップ３１５に対応）。ステップ４２０において、硬判定デコーダが読取値を収束語に収束させるか否かを判断するためにテストを実行する（図３のステップ３２０に対応）。図４の例では、ＨＬＤＰＣデコーダは収束しない。例示的な読取閾値電圧調整プロセス３００において、硬判定デコーダが収束しない場合、プログラム制御は任意にステップ３５０に進んで、所与のページＰｊのシンドローム重みから現在の読取閾値電圧Ｖｉ（ＢＥＲＳ（Ｖｉ））についてのビット誤り率を推定する。ステップ３５５において、読取閾値電圧カウンタ（ｉ）をインクリメントし、新たな読取閾値電圧のためにページを再度読取って、新たな読取値を取得する。この一連のステップは、図５に示されるようにＨＬＤＰＣデコーダが収束するまで継続する。
【００３８】
図５の例では、基準インクリメントＶｒｅｆは１０に等しい。ステップ５１０において、ＨＬＤＰＣデコーダを読取値に適用する（図３のステップ３１５に対応）。ステップ５２０において、硬判定デコーダが読取値を収束語に収束させるか否かを判断するためにテストを実行する（図３のステップ３２０に対応）。図５の例では、ＨＬＤＰＣデコーダは収束し、ステップ５３０において収束語（例えば復号されたデータ）をジーニービット（例えば参照ビット）として記憶する（図３のステップ３２５に対応）。
【００３９】
図６の例では、基準インクリメントＶｒｅｆは、最初は依然として１０に等しい（図５において検出された収束を追従する）。図６に示されているように、（図３のステップ３３０に対応する）ステップ６３０において、ジーニーデータ６２０に基づいてロービット誤り率（raw bit error rate：ＲＢＥＲ）を計算する。図３のステップ３３５において読取閾値電圧カウンタ（ｉ）がインクリメントされるので、図６に示されているプロセスは、複数の読取閾値電圧（例えば８および１２に等しいＶｒｅｆ）について取得される。このようにして、複数の読取閾値電圧についてページが再読取され、読取値は、デコーダから取得された公知のジーニービットと比較されることができる。
【００４０】
図７は、複数の読取閾値電圧について図６に示されるステップを実行することによって取得される例示的なロービット誤り率プロファイル７００を示す。図７に示されているように、１２に等しい例示的な基準インクリメントＶｒｅｆについて、実質的に最小のＲＢＥＲが観察される。この選択は、図３のステップ３７５においてなされる。したがって、１２に等しい基準インクリメントＶｒｅｆに対応する読取閾値電圧は、下位ページについての新たな読取閾値電圧になるだろう。
【００４１】
図８〜図１０は、図１のＭＬＣソリッドステート記憶媒体１５０の例示的な上位ページのための図３の例示的な読取閾値電圧調整プロセス３００の実行を示す。図８に示されているように、２つの独立した読取閾値電圧を有する特定の上位ページを読取って、２つの対応する読取値を取得する（図３のステップ３１０に対応）。図８の例では、上位ページについての２つの読取閾値電圧は、各々、デフォルト読取閾値電圧Ｒ０１およびＲ１０を中心として−５０〜＋５０の範囲内で１０１個の基準インクリメントを用いて独立して調整可能である。なお、（上位ページは単一の符号語を形成するので）上位ページについては単一のＲＢＥＲプロファイルが取得される。
【００４２】
上位ページについての２つの独立した読取閾値電圧は、ＨＬＤＰＣデコーダが収束するまでインクリメントされる（図３のステップ３２０に対応）。
【００４３】
図８の例では、読取閾値電圧Ｒ０１についての基準インクリメントＶｒｅｆは５に等しく、読取閾値電圧Ｒ１０についての基準インクリメントＶｒｅｆは−５に等しい。ステップ８１０において、ＨＬＤＰＣデコーダを読取値に適用する（図３のステップ３１５に対応）。ステップ８２０において、硬判定デコーダが読取値を収束語に収束させるか否かを判断するためにテストを実行する（図３のステップ３２０に対応）。図８の例では、ＨＬＤＰＣデコーダは収束している。ステップ８３０において、現在の基準インクリメントＶｒｅｆについてジーニービットを記憶する。
【００４４】
図９の例では、読取閾値電圧Ｒ０１についての基準インクリメントＶｒｅｆは５に等しく、読取閾値電圧Ｒ０１についての基準インクリメントＶｒｅｆは１０に等しい。ステップ９１０において、現在の基準インクリメントＶｒｅｆについてページを読取り、ステップ９２０において、ジーニービットを用いて現在の基準インクリメントＶｒｅｆについてＲＢＥＲを計算する。図９に示されているステップは、複数の基準インクリメントＶｒｅｆについて繰返される。
【００４５】
図１０は、複数の読取閾値電圧について図９に示されるステップを実行することによって取得される例示的なロービット誤り率プロファイル１０００を示す。図１０に示されているように、５に等しい読取閾値電圧Ｒ０１についての例示的な基準インクリメントＶｒｅｆおよび−５に等しい読取閾値電圧Ｒ１０についての例示的な基準インクリメントＶｒｅｆについて、実質的に最小のＲＢＥＲが観察される。この選択は、図３のステップ３７５においてなされる。したがって、５に等しい読取閾値電圧Ｒ０１についての基準インクリメントＶｒｅｆおよび−５に等しい読取閾値電圧Ｒ１０についての基準インクリメントＶｒｅｆに対応する読取閾値電圧が、上位ページについての新たな読取閾値電圧になるだろう。
【００４６】
１つ以上の実施例によれば、本明細書に記載されている読取閾値電圧調整方法およびプロセスは、ソフトウェア、ハードウェア、またはこれら２つの任意の組み合わせとしてコントローラにおいて実現され得る。
【００４７】
例えば、本明細書に記載されている方法およびプロセスは、記憶装置のファームウェアの一部としてメモリに記憶されてもよく、本明細書に記載されている方法およびプロセスを実行するためのプロセッサによって実行されてもよい。代替的にまたはさらに、本明細書に記載されている方法およびプロセスは、コントローラによってアクセス可能な他のコンピュータ読取可能な媒体に記憶されてもよい。さらなる実施例では、本明細書に記載されている方法およびプロセスは、例えばインターフェイスを介して記憶装置に接続されたホストデバイスのドライバモジュールなど、記憶装置の外部であって記憶装置に作動的に接続されたコンピューティングシステムにおいて実現されてもよい。さらに、本明細書に記載されている方法およびプロセスは、コンピューティングシステムによってアクセス可能なメモリまたは他のコンピュータ読取可能な媒体に記憶されて、コンピューティングシステムのプロセッサによって実行されてもよい。
【００４８】
１つの変形例では、図３の読取閾値電圧調整プロセス３００は、ビット誤りプロファイルまたはシンドローム重みプロファイルまたはこれら２つの組み合わせの数列に基づいて次の反復のための適切な読取電圧閾値を選択するために、図１１に関連して以下でさらに説明するスマートスキャン機能を任意に利用する。一般に、スマートスキャン機能は、総トラッキング時間を減少させようとして読取閾値電圧を動的に調整する。例えば、読取閾値電圧を特定の方向に移動させているときにビット誤りカウントが減少することを読取閾値電圧調整プロセス３００が観察すると、当該方向に沿って基準電圧において後続の読取りがさらになされることができる。保持力が深い場合には、スマートスキャン機能は、読取閾値電圧調整プロセス３００によって実行される読取りの総回数を大幅に減少させる。さらなる例では、ビット誤りプロファイルまたはシンドローム重みプロファイルの特性に基づいて、読取ステップサイズを増減させることができる。例えば、プロファイルの谷の近くの読取閾値電圧（例えば実質的に最適な読取閾値電圧）が処理されていることを読取閾値電圧調整プロセス３００が検出すると、ステップサイズを減少させることができる。また、ＨＬＤＰＣデコーダがさらなる粒度のために収束すると、減少したステップサイズを利用することができる。
【００４９】
さらなる変形例では、スマートスキャン機能は、所与の電圧において読取られたまたは処理されたいくつかの語をトラッキングし、この量を用いて最適な読取閾値電圧推定値の信頼性を向上させることができる。
【００５０】
図１１は、本発明の一実施例に係るスマートスキャンプロセス１１００の例示的な実現例を示すフローチャートである。図１１に示されているように、スマートスキャンプロセス１１００は、最初に、ステップ１１１０において一組の読取閾値電圧Ｖｉを割当てる。その後、ステップ１１２０において、現在の読取閾値電圧Ｖｉにおいて１つ以上のページＰｊを読取って、読取値を取得する。
【００５１】
ステップ１１３０において、予め規定された回数の反復（２または３回の反復など）で例示的なＨＬＤＰＣデコーダを実行する。ステップ１１４０において、任意に非収束語についてはシンドローム重みによって、収束語についてはビット誤りカウントによって、デコーダ出力を取得する。
【００５２】
トラッキングユニット１１５０は、最大数のページについてプロファイルストレージ１１６０内のプロファイル値を更新する。図１１に示されているように、ステップ１１７０において、収束語についてロービット誤りプロファイルを更新し、ステップ１１８０において、読取閾値電圧Ｖｉにおいて符号語の数をカウントし、ステップ１１９０において、全ての語についてシンドロームプロファイルを更新する（収束語についてはシンドローム重みは０）。一組の読取閾値電圧Ｖｉは、ステップ１１２０における１つ以上のページの次の読取りのために、フィードバックの態様でプロファイルストレージからステップ１１１０に適用される。このようにして、ビット誤りプロファイルおよびシンドローム重みプロファイルが読取オペレーションの間に進展するので、これらのプロファイル１１６０に基づいて次の一組の読取電圧が生成される。
【００５３】
プロファイル１１６０の集合体は、読取符号化語（またはｅページ）を処理し始めるまで遅延される。それまでは、スキャンの方向は、（例えば予め設定された読取閾値電圧セットを用いて）フラッシュ特性に基づいて予め定められていてもよい。
【００５４】
予め規定された最大数のページが処理された後、ステップ１１９５において、読取閾値電圧Ｖａ，ＶｂおよびＶｃを出力する。
【００５５】
なお、複数のダイに読取オペレーションを行き渡らせることによって読取時間を減少させるように読取オペレーションは並行して実行されることができる。なお、さらに、ダイ全体にわたる読取りは、さまざまな読取閾値電圧において実行されてもよい（すなわち、同一の閾値電圧においてダイ全体にわたる全てのページを読取る必要はない）。また、スマートスキャン機能は、プロファイル１１６０の特性に基づいて読取ステップサイズを調整することができる。
【００５６】
結論
上記の用途および関連の実施例は、単に例示的なものであると考えられるべきであり、本明細書に開示されている読取閾値電圧調整技術を用いて多数の他の実施例が構成されてもよい。例えば、図３の読取閾値電圧調整プロセス３００は、単にシンドローム重みを用いて（すなわち、図３の左側を用いて）実行されてもよい。さらなる変形例では、図３の読取閾値電圧調整プロセス３００は、単にビット誤り率計量を用いて（すなわち、図３の右側を用いて）実行されてもよい。
【００５７】
他の利点の中で、開示されている読取閾値電圧調整技術は、ソリッドステート記憶装置の耐久性を向上させ（しばしば寿命延長と称される）、待ち時間および性能計量を減少させる。
【００５８】
本明細書に記載されている読取閾値電圧調整技術は、少なくとも一部は、メモリに記憶されてコンピュータなどの処理装置のプロセッサによって実行される１つ以上のソフトウェアプログラムの形態で実現されてもよいということも理解されるべきである。上記のように、本明細書において具体化されるこのようなプログラムコードを有するメモリまたは他の記憶装置は、本明細書においてより一般的に「コンピュータプログラム製品」と称されるものの一例である。
【００５９】
例示的な読取閾値電圧調整プロセス３００は、１つ以上の処理プラットフォームを用いて実現されてもよい。したがって、処理モジュールまたは他のコンポーネントのうちの１つ以上は、各々がコンピュータ、記憶装置または他の処理プラットフォーム要素で実行されてもよい。記載されているこのような要素は、本明細書においてより一般的に「処理装置」と称されるものの一例であると見なすことができる。
【００６０】
ここで図１２を参照して、本発明の１つ以上の実施例の少なくとも一部を実現するために使用され得る１つの考えられる処理プラットフォームが示されている。この実施例における処理プラットフォーム１２００は、記載されているシステムの少なくとも一部を備え、１２０２−１，１２０２−２，１２０２−３，．．．１２０２−Ｄで示される少なくとも１つの処理装置を含み、当該少なくとも１つの処理装置は、ネットワーク１２０４を介して互いに通信する。ネットワーク１２０４は、無線エリアネットワーク（wireless area network：ＷＡＮ）、ローカルエリアネットワーク（local area network：ＬＡＮ）、衛星ネットワーク、電話もしくはケーブルネットワーク、セルラーネットワーク、ＷｉＦｉもしくはＷｉＭＡＸなどの無線ネットワーク、または、これらのおよび他のタイプのネットワークのさまざまな部分もしくは組み合わせなどの任意のタイプのネットワークを備え得る。
【００６１】
処理プラットフォーム１２００における処理装置１２０２−１は、メモリ１２１２に結合されたプロセッサ１２１０を備える。プロセッサ１２１０は、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、特定用途向け集積回路（application specific integrated circuit：ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（field programmable gate array：ＦＰＧＡ）もしくは他のタイプの処理回路、およびこのような回路要素の一部もしくは組み合わせを備え得て、実行可能なコンピュータプログラムコードを具体化させる「コンピュータプログラム製品」の一例と見なすことができるメモリ１２１２は、ランダムアクセスメモリ（random access memory：ＲＡＭ）、リードオンリメモリ（read only memory：ＲＯＭ）または他のタイプのメモリを任意の組み合わせで備え得る。
【００６２】
ネットワークインターフェイス回路１２１４も処理装置１２０２−１に含まれており、当該ネットワークインターフェイス回路１２１４は、処理装置をネットワーク１２０４および他のシステムコンポーネントと結び付けるために使用され、従来の送受信機を備え得る。
【００６３】
処理プラットフォーム１２００の他の処理装置１２０２は、もしあれば、図中の処理装置１２０２−１のために示されているのと同様の態様で構成されるものと想定される。
【００６４】
やはり、図に示されている特定の処理プラットフォーム１２００は、単に一例として提示されており、記載されているシステムは、さらなるまたは代替的な処理プラットフォームおよび多数の個別の処理プラットフォームを任意の組み合わせで含んでもよく、各々のこのようなプラットフォームは、１つ以上のコンピュータ、記憶装置または他の処理装置を備える。
【００６５】
システムの多数の要素は、図１２に示されるタイプの共通の処理プラットフォーム上で集合的に実現されてもよく、または、各々のこのような要素が別々の処理プラットフォーム上で実現されてもよい。
【００６６】
当該技術分野において公知であるように、本明細書に記載されている方法および装置は、製造品であって、それ自体がコンピュータ読取可能なコード手段を具体化させるコンピュータ読取可能な媒体を備える製造品として配布されてもよい。コンピュータ読取可能なプログラムコード手段は、本明細書に記載されている方法を実行するためのステップまたは本明細書に記載されている装置を作製するためのステップのうちの全てまたはいくつかを実行するように、コンピュータシステムとともに動作可能である。コンピュータ読取可能な媒体は、有形の記録可能な媒体（例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードドライブ、コンパクトディスク、メモリカード、半導体装置、チップ、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ））であってもよく、または伝送媒体（例えば、光ファイバ、ワールド・ワイド・ウェブ、ケーブル、または時分割多重アクセス、符号分割多重アクセスを用いた無線チャネル、または他の無線周波数チャネルを備えるネットワーク）であってもよい。コンピュータシステムでの使用に好適な情報を記憶することができる公知のまたは開発された任意の媒体が使用されてもよい。コンピュータ読取可能なコード手段は、磁気媒体上の磁気的変化またはコンパクトディスクの表面上の高さの変化などの命令およびデータをコンピュータが読取ることを可能にするための任意の機構である。
【００６７】
本発明の上記の実施例が単に例示の目的で提示されていることがやはり強調されるべきである。多くの変形例および他の代替的な実施例が使用されてもよい。例えば、当該技術は、本明細書に開示されている読取閾値電圧調整プロセスから恩恵を受けることができるさまざまな他のタイプのソリッドステート記憶媒体に対して適用可能である。また、本明細書に示されている処理装置要素の特定の構成および関連の読取閾値電圧調整技術は、他の実施例では変更されてもよい。さらに、例示的な実施例を説明する過程で上記でなされたさまざまな仮定の単純化も、本発明の要件または限定ではなく例示であると見なされるべきである。添付の特許請求の範囲の範囲内の多数の他の代替的な実施例が当業者に容易に明らかになるであろう。
【符号の説明】
【００６８】
１１０  ソリッドステート記憶制御システム、１２０  コントローラ、１３０  エンコーダ／デコーダ、１５０  ソリッドステート記憶媒体、３００  読取閾値電圧調整プロセス。
【図１】
0006713909.tif 000002
【図２Ａ】
0006713909.tif 000003
【図２Ｂ】
0006713909.tif 000004
【図２Ｃ】
0006713909.tif 000005
【図２Ｄ】
0006713909.tif 000006
【図３】
0006713909.tif 000007
【図４】
0006713909.tif 000008
【図５】
0006713909.tif 000009
【図６】
0006713909.tif 000010
【図７】
0006713909.tif 000011
【図８】
0006713909.tif 000012
【図９】
0006713909.tif 000013
【図１０】
0006713909.tif 000014
【図１１】
0006713909.tif 000015
【図１２】
0006713909.tif 000016