(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
分布帰還型のレーザ部及び電界吸収型の変調器部が同一の半導体基板に形成されており、前記レーザ部から出射されるレーザ光が前記変調器部の出射端面から出射される半導体レーザ装置であって、
前記レーザ部は、前記レーザ光の光軸の方向に延伸して形成された第一回折格子を備え、
前記変調器部は、一部に前記レーザ光の光軸の方向に延伸して形成された第二回折格子を備え、
前記変調器部の前記第二回折格子と前記レーザ光が前記変調器部に出射される前記レーザ部の出射端との間に、回折格子が形成されていない非回折格子領域が介在している、半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記第一回折格子は、前記半導体基板に垂直な方向に延伸した複数の第一凸部と、前記第一凸部の前記半導体基板と反対側の面よりも前記半導体基板の側に窪んでいる複数の第一凹部と、を備え、
前記第二回折格子は、前記半導体基板に垂直な方向に延伸した複数の第二凸部と、前記第二凸部の前記半導体基板と反対側の面よりも前記半導体基板の側に窪んでいる複数の第二凹部と、を備え、
前記第二回折格子の前記第二凹部は、前記半導体基板に垂直な方向の深さが前記第一回折格子の前記第一凹部と同じである、請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
分布帰還型のレーザ部及び電界吸収型の変調器部が同一の半導体基板に形成されており、前記レーザ部から出射されるレーザ光が前記変調器部の出射端面から出射される半導体レーザ装置であって、
前記レーザ部は、前記レーザ光の光軸の方向に延伸して形成された第一回折格子を備え、
前記変調器部は、少なくとも一部に前記レーザ光の光軸の方向に延伸して形成された第二回折格子を備え、
前記変調器部の前記第二回折格子と前記レーザ光が前記変調器部に出射される前記レーザ部の出射端との間に、回折格子が形成されていない非回折格子領域が介在しており、
前記第一回折格子は、前記半導体基板に垂直な方向に延伸した複数の第一凸部と、前記第一凸部の前記半導体基板と反対側の面よりも前記半導体基板の側に窪んでいる複数の第一凹部と、を備え、
前記第二回折格子は、前記半導体基板に垂直な方向に延伸した複数の第二凸部と、前記第二凸部の前記半導体基板と反対側の面よりも前記半導体基板の側に窪んでいる複数の第二凹部と、を備え、
前記第二回折格子の前記第二凹部は、前記半導体基板に垂直な方向の深さが前記第一回折格子の前記第一凹部と同じであり、
前記第二回折格子は、隣接している一組の前記第二凸部及び前記第二凹部における前記レーザ光の光軸の方向の間隔が均一である、半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記第二回折格子は、隣接している一組の前記第二凸部及び前記第二凹部における前記レーザ光の光軸の方向の間隔が不均一である、請求項２記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記第二回折格子は、前記第二凸部における前記半導体基板に垂直な方向の厚さが不均一である、請求項２から４のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記第一回折格子は、前記半導体基板に垂直な方向に延伸した複数の第一凸部と、前記第一凸部の前記半導体基板と反対側の面よりも前記半導体基板の側に窪んでいる複数の第一凹部と、を備え、
前記第二回折格子は、前記半導体基板に垂直な方向に延伸した複数の第二凸部と、前記第二凸部の前記半導体基板と反対側の面よりも前記半導体基板の側に窪んでいる複数の第二凹部と、を備え、
前記第二回折格子は、前記第二凹部における前記半導体基板に垂直な方向の深さが不均一である、請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記第二回折格子は、隣接している一組の前記第二凸部及び前記第二凹部における前記レーザ光の光軸の方向の間隔が均一である、請求項６記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】
分布帰還型のレーザ部及び電界吸収型の変調器部が同一の半導体基板に形成されており、前記レーザ部から出射されるレーザ光が前記変調器部の出射端面から出射される半導体レーザ装置であって、
前記レーザ部は、前記レーザ光の光軸の方向に延伸して形成された第一回折格子を備え、
前記変調器部は、少なくとも一部に前記レーザ光の光軸の方向に延伸して形成された第二回折格子を備え、
前記変調器部の前記第二回折格子と前記レーザ光が前記変調器部に出射される前記レーザ部の出射端との間に、回折格子が形成されていない非回折格子領域が介在しており、
前記第一回折格子は、前記半導体基板に垂直な方向に延伸した複数の第一凸部と、前記第一凸部の前記半導体基板と反対側の面よりも前記半導体基板の側に窪んでいる複数の第一凹部と、を備え、
前記第二回折格子は、前記半導体基板に垂直な方向に延伸した複数の第二凸部と、前記第二凸部の前記半導体基板と反対側の面よりも前記半導体基板の側に窪んでいる複数の第二凹部と、を備え、
前記第二回折格子は、前記第二凹部における前記半導体基板に垂直な方向の深さが不均一であり、
前記第二回折格子は、隣接している一組の前記第二凸部及び前記第二凹部における前記レーザ光の光軸の方向の間隔が不均一である、半導体レーザ装置。
【請求項９】
前記第二回折格子は、前記第二凸部における前記半導体基板に垂直な方向の厚さが不均一である、請求項６から８のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１０】
前記第二回折格子は、前記第一回折格子と同一の回折格子材料層により形成されている請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１１】
前記変調器部における前記レーザ部の側に、前記非回折格子領域が設けられている、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１２】
前記半導体基板の裏面に形成されたカソード電極と、前記半導体基板の表面側に形成された前記変調器部のアノード電極及び前記レーザ部のアノード電極と、を備え、
前記変調器部と前記レーザ部の前記出射端との間に、前記変調器部のアノード電極と前記レーザ部のアノード電極とが分離された分離部が設けられている、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１３】
前記レーザ部は、活性層及び前記第一回折格子を含むと共に、前記レーザ光の光軸の方向に延伸して形成されたメサである第一メサストライプを備え、
前記変調器部は、吸収層及び前記第二回折格子を含むと共に、前記レーザ光の光軸の方向に延伸して形成されたメサである第二メサストライプを備え、
前記変調器部における前記レーザ部の側の端部と前記レーザ光が前記変調器部に出射される前記レーザ部の出射端との間に設けられた前記非回折格子領域は、前記変調器部の前記吸収層及び前記レーザ部の前記活性層に接続された吸収層を含むと共に、前記レーザ光の光軸の方向に延伸して形成されたメサである第三メサストライプを備え、
前記第一メサストライプ、前記第二メサストライプ、前記第三メサストライプは連続している、請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、半導体レーザ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電界吸収型（ＥＡ）変調器と分布帰還型レーザとが集積された半導体レーザ装置において、ＥＡ変調器に回折格子を形成する構造が報告されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１の半導体レーザ装置は、ＥＡ変調器領域の導波路の全体に回折格子が形成されており、更に変調器電極とレーザ電極とが分離されている分離領域、すなわち分布帰還型レーザ領域とＥＡ変調器領域との間の領域にも回折格子が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平４−１９８９１３号公報（図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の半導体レーザ装置は、分布帰還型レーザ領域のレーザ光が出射される出射端からＥＡ変調器領域の出射端に至るまで回折格子が形成されている。回折格子では光の反射が起こるので、特許文献１の半導体レーザ装置は、分布帰還型レーザ領域とＥＡ変調器領域との間の領域及びＥＡ変調器領域に形成された回折格子により、出射されるレーザ光の光出力が低下する問題があった。【０００５】
本願明細書に開示される技術は、回折格子が形成されたＥＡ変調器と分布帰還型レーザとが集積された半導体レーザ装置において、レーザ光の光出力を増加させることを目的にする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願明細書に開示される一例の半導体レーザ装置は、分布帰還型のレーザ部及び電界吸収型の変調器部が同一の半導体基板に形成されており、レーザ部から出射されるレーザ光が変調器部の出射端面から出射される半導体レーザ装置であって、レーザ部は、レーザ光の光軸の方向に延伸して形成された第一回折格子を備え、変調器部は、一部にレーザ光の光軸の方向に延伸して形成された第二回折格子を備え、変調器部の第二回折格子とレーザ光が変調器部に出射されるレーザ部の出射端との間に、回折格子が形成されていない非回折格子領域が介在している。
【発明の効果】
【０００７】
本願明細書に開示される一例の半導体レーザ装置は、変調器部の第二回折格子とレーザ光が変調器部に出射されるレーザ部の出射端との間に、回折格子が形成されていない非回折格子領域が介在しているので、レーザ光の光出力を増加させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施の形態１に係る半導体レーザ装置を示す斜視図である。
【図２】図１の半導体レーザ装置における第一例のメサストライプの断面図である。
【図３】図１の変調器部における回折格子を示す図である。
【図４】図１の半導体レーザ装置におけるレーザ部の断面図である。
【図５】図１の半導体レーザ装置における変調器部の断面図である。
【図６】図１の半導体レーザ装置における変調器部の断面図である。
【図７】図１の半導体レーザ装置における分離部の断面図である。
【図８】図１の半導体レーザ装置における第二例のメサストライプの断面図である。
【図９】図１の半導体レーザ装置における第三例のメサストライプの断面図である。
【図１０】図１の半導体レーザ装置における第四例のメサストライプの断面図である。
【図１１】実施の形態２に係る半導体レーザ装置を示す斜視図である。
【図１２】図１１の半導体レーザ装置におけるメサストライプの断面図である。
【図１３】図１１の変調器部における回折格子を示す図である。
【図１４】図１１の半導体レーザ装置における変調器部の断面図である。
【図１５】実施の形態３に係る半導体レーザ装置を示す斜視図である。
【図１６】図１５の変調器部における第一例の回折格子を示す図である。
【図１７】図１５の半導体レーザ装置における変調器部の断面図である。
【図１８】図１５の変調器部における第二例の回折格子を示す図である。
【図１９】図１５の変調器部における第三例の回折格子を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施の形態１．
実施の形態１の半導体レーザ装置５０について、図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。他の実施の形態においても、同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。図１は、実施の形態１に係る半導体レーザ装置を示す斜視図である。図２は図１の半導体レーザ装置における第一例のメサストライプの断面図であり、図３は図１の変調器部における回折格子を示す図である。図４は図１の半導体レーザ装置におけるレーザ部の断面図であり、図５、図６はそれぞれ図１の半導体レーザ装置における変調器部の断面図である。図７は、図１の半導体レーザ装置における分離部の断面図である。図８は図１の半導体レーザ装置における第二例のメサストライプの断面図であり、図９は図１の半導体レーザ装置における第三例のメサストライプの断面図であり、図１０は図１の半導体レーザ装置における第四例のメサストライプの断面図である。図１ではレーザ光の出射方向であり光軸方向であるｚ方向に平行な導波路断面３３も示している。図４〜図７は、ｚ方向に垂直な断面を示している。
【００１０】
実施の形態１の半導体レーザ装置５０は、レーザ部２１、変調器部２２、分離部２３を備えている。レーザ部２１は分布帰還型レーザが形成されている。変調器部２２はｎ−ＩｎＰの半導体基板１にモノシリックに形成された電界吸収型（ＥＡ）変調器であり、半導体レーザ装置５０は電界吸収型（ＥＡ）変調器集積半導体レーザである。レーザ部２１は破線３１ａから破線３１ｂの間の領域に形成されており、分離部２３は破線３１ｂから破線３１ｃの間の領域に形成されており、変調器部２２は破線３１ｃから破線３１ｄの間の領域に形成されている。実施の形態１の半導体レーザ装置５０は、分布帰還型のレーザ部２１及び電界吸収型の変調器部２２が同一の半導体基板１の形成されており、レーザ部２１から出射されるレーザ光が変調器部２２の出射端面３２から出射される半導体レーザ装置である。
【００１１】
レーザ部２１は、半導体基板１、ｎ−ＩｎＰの第一クラッド層２、回折格子１７が形成された回折格子材料層１６、ｎ−ＩｎＰの第二クラッド層３、活性層４、ｐ−ＩｎＰの第三クラッド層６、ＩｎＰ埋込層８、ｐ−ＩｎＧａＡｓのコンタクト層７、Ｓｉ０２の絶縁膜１２、半導体基板１の裏面に形成されたカソード電極１１、半導体基板１の表面側に形成されかつコンタクト層７に接続された第一アノード電極１３を備えている。変調器部２２は、半導体基板１、ｎ−ＩｎＰの第一クラッド層２、回折格子１８が一部に形成された回折格子材料層１６、ｎ−ＩｎＰの第二クラッド層３、吸収層５、ｐ−ＩｎＰの第三クラッド層６、ＩｎＰ埋込層８、ｐ−ＩｎＧａＡｓのコンタクト層７、Ｓｉ０２の絶縁膜１２、半導体基板１の裏面に形成されたカソード電極１１、半導体基板１の表面側に形成されかつコンタクト層７に接続された第二アノード電極１４を備えている。分離部２３は、レーザ部２１と変調器部２２とを分離する領域（分離領域、アイソレーション領域）の構造物である。分離部２３は、半導体基板１、ｎ−ＩｎＰの第一クラッド層２、回折格子が形成されていない回折格子材料層１６、ｎ−ＩｎＰの第二クラッド層３、吸収層５、ｐ−ＩｎＰの第三クラッド層６、ＩｎＰ埋込層８、Ｓｉ０２の絶縁膜１２、半導体基板１の裏面に形成されたカソード電極１１を備えている。図１において、ｚ方向はレーザ部２１が出射するレーザ光の光軸の方向であり、ｘ方向はｚ方向に垂直で半導体レーザ装置５０が備える各層が延伸している方向であり、ｙ方向はｘ方向及びｘ方向に垂直で半導体レーザ装置５０が備える各層が積層されている方向である。
【００１２】
活性層４は、ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸から構成されている。吸収層５は、ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸から構成されている。レーザ部２１では、活性層４の下層すなわち半導体基板１側の第一クラッド層２と第二クラッド層３との間に、ＩｎＧａＡｓＰの回折格子材料層１６に凹部２９が形成された回折格子１７が設けられている。変調器部２２では、レーザ部２１と同じＩｎＧａＡｓＰの回折格子材料層１６が形成されており、回折格子材料層１６の一部に凹部２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄが形成された回折格子１８が設けられている。なお、図１、図２では、レーザ部２１と反対側の出射端面３２の側のみに回折格子１８が設けられている例を示した。分離部２３にも、レーザ部２１と同じＩｎＧａＡｓＰの回折格子材料層１６が形成されているが、凹部２９が形成された回折格子は設けられていない。
【００１３】
レーザ部２１に、レーザ部２１が出射するレーザ光の光軸の方向（ｚ方向）に延伸したメサであるメサストライプ１５が形成されている。レーザ部２１のメサストライプ１５は、第一クラッド層２、回折格子１７が形成された回折格子材料層１６、第二クラッド層３、活性層４、第三クラッド層６の一部から構成されている。メサストライプ１５を構成する第三クラッド層６の一部は、埋込層８における半導体基板１と反対側の表面位置と活性層４との間の部分である。メサストライプ１５は、レーザ部２１、分離部２３、変調器部２２に連続的に形成されている。メサストライプ１５は連続的に形成されているが、レーザ部２１、分離部２３、変調器部２２におけるメサストライプ１５は、それぞれ第一メサストライプ、第三メサストライプ、第二メサストライプと区別して記載する場合もある。レーザ部２１は、レーザ光の光軸の方向に延伸して形成された第一回折格子である回折格子１７を備えている。
【００１４】
変調器部２２のメサストライプ１５は、第一クラッド層２、回折格子１８が形成された部分を含む回折格子材料層１６、第二クラッド層３、吸収層５、第三クラッド層６の一部から構成されている。分離部２３のメサストライプ１５は、第一クラッド層２、回折格子が形成されていない回折格子材料層１６、第二クラッド層３、吸収層５、第三クラッド層６の一部から構成されている。メサストライプ１５を構成する第三クラッド層６の一部は、埋込層８における半導体基板１と反対側の表面位置と吸収層５との間の部分である変調器部２２は、レーザ光の光軸の方向に延伸して形成された第二回折格子である回折格子１８を備えている。レーザ部２１、分離部２３、変調器部２２のメサストライプ１５におけるｘ方向の両側に、埋込層８、第三クラッド層６を貫通して半導体基板１に達する溝１９ａ、１９ｂが形成されている。なお、レーザ部２１、変調器部２２において、溝１９ａ、１９ｂはコンタクト層７も貫通している。レーザ部２１、変調器部２２において、絶縁膜１２は、コンタクト層７及び溝１９ａ、１９ｂの表面に形成されている。分離部２３において、絶縁膜１２は、第三クラッド層６及び溝１９ａ、１９ｂの表面に形成されている。レーザ部２１の第一アノード電極１３は、絶縁膜１２に形成された開口３５ａからコンタクト層７に接続されている。変調器部２２の第二アノード電極１４は、絶縁膜１２に形成された開口３５ｂからコンタクト層７に接続されている。
【００１５】
実施の形態１の半導体レーザ装置５０は、第一クラッド層２と第二クラッド層３との間の回折格子材料層１６の膜厚ｔａが、レーザ部２１、分離部２３、変調器部２２において同じである。図３の破線３４ａは回折格子材料層１６の裏面（半導体基板１側の表面）を示す破線であり、破線３４ｂは回折格子材料層１６の表面（半導体基板１と反対側の表面）を示す破線である。図２に示すように、変調器部２２は、メサストライプ１５において、回折格子１８が形成されている回折格子領域２４と、回折格子１８が形成されていない非回折格子領域２５と、を備えている。変調器部２２において、回折格子領域２４は破線３１ｆから破線３１ｄまで領域であり、非回折格子領域２５は破線３１ｃから破線３１ｆまでの領域である。前述したように、回折格子１８は出射端面３２の側に形成されており、変調器部２２におけるレーザ部２１の側に非回折格子領域２５が設けられている。図３に示すように、回折格子１８は、４つの凸部２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄと、４つの凹部２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄと、を備えている。変調器部２２の凸部２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄは半導体基板１に垂直な方向に延伸しており、変調器部２２の凹部２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄは変調器部２２の凸部２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄの半導体基板１と反対側の面よりも半導体基板１の側に窪んでいる。図２、図３では、凸部２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄの厚さが同一であり、回折格子材料層１６が削られて形成された凹部２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄの深さが、回折格子材料層１６の膜厚ｔａと同じである例を示した。なお、凸部の符号は総括的に２８を用い、区別する場合に２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄを用いる。凹部の符号は総括的に２９を用い、区別する場合に２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄを用いる。
【００１６】
図３において、破線３１ｆと凸部２８ａの出射端面３２側の端との間隔はｚａであり、凸部２８ａの出射端面３２側の端と凸部２８ｂの出射端面３２側の端との間隔はｚｂであり、凸部２８ｂの出射端面３２側の端と凸部２８ｃの出射端面３２側の端との間隔はｚｃであり、凸部２８ｃの出射端面３２側の端と凸部２８ｄの出射端面３２側の端との間隔はｚｄである。なお、凸部２８ｄの出射端面３２側の端と出射端面３２とは一致している。間隔ｚａ、間隔ｚｂ、間隔ｚｃ、間隔ｚｄは、隣接している一組の凸部２８及び凹部２９の間隔であり、それらは同じである。図３では、凸部２８のｚ方向の幅と凹部２９のｚ方向の幅とが同じ例を示した。実施の形態１の回折格子１８は、凸部２８及び凹部２９の周期が回折格子全体に亘って同じである。すなわち、実施の形態１の回折格子１８は、凸部２８及び凹部２９の周期が均一である。
【００１７】
レーザ部２１は、メサストライプ１５において、ｚ方向の全体に亘ってすなわち破線３１ａから破線３１ｂの間に、回折格子１７が形成されている。つまり、レーザ部２１は、メサストライプ１５において、回折格子が形成されていない非回折格子領域２５はなく、全て回折格子が形成された回折格子領域２４のみである。また、レーザ部２１の回折格子１７は、複数の凸部２８と複数の凹部２９を備えている。レーザ部２１の凸部２８は半導体基板１に垂直な方向に延伸しており、レーザ部２１の凹部２９はレーザ部２１の凸部２８の半導体基板１と反対側の面よりも半導体基板１の側に窪んでいる。図２では、回折格子材料層１６が削られて形成された凹部２９の深さが、回折格子材料層１６の膜厚ｔａと同じ例を示した。レーザ部２１の回折格子１７における隣接している一組の凸部２８及び凹部２９の間隔は、変調器部２２の回折格子１８における隣接している一組の凸部２８及び凹部２９の間隔と同じである。実施の形態１の回折格子１７は、凸部２８及び凹部２９の周期が回折格子全体に亘って同じである。すなわち、実施の形態１の回折格子１７は、凸部２８及び凹部２９の周期が均一である。
【００１８】
分離部２３は、ｚ方向の全体に亘ってすなわち破線３１ｂから破線３１ｃの間に、回折格子が形成されていない。つまり、分離部２３は、メサストライプ１５において、回折格子が形成された回折格子領域２４はなく、全て回折格子が形成されていない非回折格子領域２５のみである。図２に示した半導体レーザ装置５０は、変調器部２２の回折格子１８とレーザ光が変調器部２２に出射されるレーザ部２１の出射端（破線３１ｂで示す端部）との間に、回折格子が形成されていない非回折格子領域２５が介在している、半導体レーザ装置である。
【００１９】
半導体レーザ装置５０の製造方法を説明する。半導体基板１の表面に第一クラッド層２、回折格子材料層１６をＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で順次結晶成長し、回折格子材料層１６に凹部２９を形成して回折格子１７、１８を形成する。回折格子１７、１８を含む回折格子材料層１６の表面に、第二クラッド層３、活性層４及び吸収層５、第三クラッド層６の一部をＭＯＣＶＤ法で順次結晶成長し、ＳｉＯ２のマスクを用いてメサストライプ１５をドライエッチングで形成する。その後、メサストライプ１５の両側の露出した半導体基板１に埋込層８を結晶成長する。
【００２０】
ＳｉＯ２のマスクを除去し、埋込層８及びメサストライプ１５の表面に第三クラッド層６、コンタクト層７を順次結晶成長し、フォトレジストのマスクを用いたウェットエッチングにて、分離部２３の表面のコンタクト層７を除去する。フォトレジストのマスクの除去後、フォトレジストのマスクを用いたウェットエッチングにて、溝１９ａ、１９ｂを形成する。フォトレジストのマスクを除去し、分離部２３の第三クラッド層６、コンタクト層７及び溝１９ａ、１９ｂの表面に絶縁膜１２を形成する。フォトレジストのマスクを用いて絶縁膜１２の開口３５ａ、３５ｂを形成する。フォトレジストのマスクを除去し、半導体レーザ装置５０の表面及び裏面に金属層を成膜し、カソード電極１１、第一アノード電極１３、第二アノード電極１４を形成する。その後、第一アノード電極１３と第二アノード電極１４の間に絶縁膜１２を厚く形成する。
【００２１】
ＥＡ変調器と分布帰還型レーザとが集積され、かつＥＡ変調器の領域に回折格子が形成されていない半導体レーザ装置（比較例の半導体レーザ装置）では、レーザ光の出射端面（変調器部側の端面）からの反射光が分布帰還型レーザに入射することで、分布帰還型レーザの発振波長が変動する断熱チャープが発生する。また、この断熱チャープは、光信号が光ファイバ内を伝送した際の伝送特性に影響を与える。比較例の半導体レーザ装置は、ＥＡ変調器の領域に回折格子が形成されていないので、レーザ光の出射端面（変調器部側の端面）にて反射した戻り光である反射光の位相が出射端面の劈開位置により半導体レーザ装置毎に変化する。これに対して、実施の形態１の半導体レーザ装置５０は、変調器部２２に回折格子１８を設けている。このため、実施の形態１の半導体レーザ装置５０は、半導体レーザ装置５０の素子前方すなわち出射端面３２で発生するレーザ光の反射光の位相が変調器部の回折格子１８のレーザ部２１側の開始位置等の構造で決まるため、半導体レーザ装置毎に素子前方からの反射光の位相がばらついている半導体レーザ装置毎の位相ばらつきを大きく抑制可能である。その結果、実施の形態１の半導体レーザ装置５０は、半導体レーザ装置毎の断熱チャープ量のばらつきが抑制でき、伝送歩留の低下を避けることが可能である。
【００２２】
また、実施の形態１の半導体レーザ装置５０は、変調器部２２の前方すなわち出射端面３２の側に、回折格子を備えた導波路を付加する必要がない。このため、実施の形態１の半導体レーザ装置５０は、回折格子を備えた導波路を付加する構造の半導体レーザ装置に比べて、製造プロセスが容易であり、素子サイズも小さいため、コスト低減が可能となる。
【００２３】
特許文献１の半導体レーザ装置では、ＥＡ変調器領域の導波路の全体に回折格子が形成されており、更に変調器電極とレーザ電極とが分離されている分離領域にも回折格子が形成されている。回折格子では光の反射が生じるので、回折格子の領域が大きくなると、半導体レーザ装置からのレーザ光の光出力が低下する問題がある。これに対して、実施の形態１の半導体レーザ装置５０は、図２、図３のように変調器部２２のレーザ部２１の側及び分離部２３に回折格子が形成されておらず、すなわち少なくとも分離部２３に回折格子が形成されていないので、特許文献１の半導体レーザ装置に比べて、レーザ光の光出力を大きくすることが可能である。
【００２４】
今まで、変調器部２２の出射端面３２の側に回折格子１８が形成された半導体レーザ装置５０の例を説明したが、回折格子１８の配置例はこれに限定されない。回折格子１８はレーザ部２１のレーザ光が出射される端（出射端）すなわち破線３１ｂで示した端から変調器部２２に形成された回折格子１８までの間に非回折格子領域２５が介在されていればよい。この場合でも、レーザ部２１から出射端面３２までの間に回折格子１８が形成されていない非回折格子領域２５が存在するので、分布帰還型レーザ領域のレーザ光が出射される出射端からＥＡ変調器領域の出射端に至るまで回折格子が形成されている特許文献１の半導体レーザ装置に比べて、レーザ光の光出力を大きくすることができる。図８に示した第二例のメサストライプ１５を備えた半導体レーザ装置５０は、変調器部２２のメサストライプ１５において、レーザ部２１の側に回折格子１８が形成された例である。図８に示した第二例のメサストライプ１５の変調器部２２及び分離部２３では、破線３１ｃから破線３１ｆの間は回折格子１８が形成された回折格子領域２４であり、破線３１ｆから破線３１ｄの間及び破線３１ｂから破線３１ｃの間は回折格子１８が形成されていない非回折格子領域２５である。
【００２５】
図９に示した第三例のメサストライプ１５を備えた半導体レーザ装置５０は、変調器部２２のメサストライプ１５において、中央部に回折格子１８が形成された例である。図９に示した第三例のメサストライプ１５の変調器部２２及び分離部２３では、破線３１ｆから破線３１ｇの間は回折格子１８が形成された回折格子領域２４であり、破線３１ｂから破線３１ｆの間及び破線３１ｇから破線３１ｄの間は回折格子１８が形成されていない非回折格子領域２５である。図１０に示した第四例のメサストライプ１５を備えた半導体レーザ装置５０は、変調器部２２のメサストライプ１５における全体に回折格子１８が形成された例である。図１０に示した第四例のメサストライプ１５を備えた半導体レーザ装置５０でも、メサストライプ１５において、レーザ部２１の出射端から出射端面３２までの間に回折格子１８が形成されていない非回折格子領域２５が存在するので、分布帰還型レーザ領域のレーザ光が出射される出射端からＥＡ変調器領域の出射端に至るまで回折格子が形成されている特許文献１の半導体レーザ装置に比べて、レーザ光の光出力を大きくすることができる。
【００２６】
なお、レーザ部２１と変調器部２２との間に分離部２３が形成されている例で説明した。しかし、分離部２３が形成されていない半導体レーザ装置５０であっても、メサストライプ１５において、レーザ部２１の出射端から出射端面３２までの間に回折格子１８が形成されていない非回折格子領域２５が存在する構造であればよい。この場合でも、メサストライプ１５において、レーザ部２１の出射端から出射端面３２までの間に回折格子１８が形成されていない非回折格子領域２５が存在するので、分布帰還型レーザ領域のレーザ光が出射される出射端からＥＡ変調器領域の出射端に至るまで回折格子が形成されている特許文献１の半導体レーザ装置に比べて、レーザ光の光出力を大きくすることができる。レーザ部２１と変調器部２２との間に分離部２３が形成されていない半導体レーザ装置５０は、例えば、特許文献１の半導体レーザ装置と同様にコンタクト層７をレーザ部２１と変調器部２２とで分離しないようにした装置である（分離部なしの第一例）。また、レーザ部２１と変調器部２２との間に分離部２３が形成されていない半導体レーザ装置５０は、レーザ部２１と変調器部２２との間に段差を設けて、レーザ部２１のコンタクト層７及び第一アノード電極１３と変調器部２２のコンタクト層７及び第二アノード電極１４とを分離するようにした装置である（分離部なしの第二例）。なお、分離部なしの第一例、分離部なしの第二例の場合は、図１０に示した第四例のメサストライプ１５の構造は適用できない。
【００２７】
以上のように、実施の形態１の半導体レーザ装置５０は、分布帰還型のレーザ部２１及び電界吸収型の変調器部２２が同一の半導体基板１に形成されており、レーザ部２１から出射されるレーザ光が変調器部２２の出射端面３２から出射される半導体レーザ装置である。実施の形態１の半導体レーザ装置５０は、レーザ部２１が、レーザ光の光軸の方向に延伸して形成された第一回折格子（回折格子１７）を備え、変調器部２２が、少なくとも一部にレーザ光の光軸の方向に延伸して形成された第二回折格子（回折格子１８）を備えている。実施の形態１の半導体レーザ装置５０は、変調器部２２の第二回折格子（回折格子１８）とレーザ光が変調器部２２に出射されるレーザ部２１の出射端（破線３１ｂで示す端部）との間に、回折格子が形成されていない非回折格子領域２５が介在している。実施の形態１の半導体レーザ装置５０は、この構成により、変調器部２２の第二回折格子（回折格子１８）とレーザ光が変調器部２２に出射されるレーザ部２１の出射端（破線３１ｂで示す端部）との間に、回折格子が形成されていない非回折格子領域２５が介在しているので、レーザ光の光出力を増加させることができる。
【００２８】
実施の形態２．
図１１は実施の形態２に係る半導体レーザ装置を示す斜視図であり、図１２は図１１の半導体レーザ装置におけるメサストライプの断面図である。図１３は図１１の変調器部における回折格子を示す図であり、図１４は図１１の半導体レーザ装置における変調器部の断面図である。実施の形態２の半導体レーザ装置５０は、変調器部２２の回折格子領域２４に周期が不均一な回折格子２６が形成されている点で、実施の形態１の半導体レーザ装置５０と異なる。実施の形態１の半導体レーザ装置５０と異なる部分を主に説明する。
【００２９】
図１３に示すように、回折格子２６は、４つの凸部２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄと、４つの凹部２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄと、を備えている。図１２、図１３では、回折格子材料層１６が削られて形成された凹部２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄの深さが、回折格子材料層１６の膜厚ｔａと同じ例を示した。なお、凸部の符号は総括的に２８を用い、区別する場合に２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄを用いる。凹部の符号は総括的に２９を用い、区別する場合に２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄを用いる。
【００３０】
図１３において、破線３１ｆと凸部２８ａの出射端面３２側の端との間隔はｚａであり、凸部２８ａの出射端面３２側の端と凸部２８ｂの出射端面３２側の端との間隔はｚｂであり、凸部２８ｂの出射端面３２側の端と凸部２８ｃの出射端面３２側の端との間隔はｚｃであり、凸部２８ｃの出射端面３２側の端と凸部２８ｄの出射端面３２側の端との間隔はｚｄである。なお、凸部２８ｄの出射端面３２側の端と出射端面３２とは一致している。間隔ｚａ、間隔ｚｂ、間隔ｚｃ、間隔ｚｄは、隣接している一組の凸部２８及び凹部２９の間隔であり、それらは異なっている。図１３では、間隔zａ、ｚｂ、ｚｃ、ｚｄは、式（１）の関係になっており、凸部２８のｚ方向の幅と凹部２９のｚ方向の幅とが同じ例を示した。
ｚｄ＞ｚｃ＞ｚｂ＞ｚａ      ・・・（１）
【００３１】
実施の形態２の回折格子２６は、凸部２８及び凹部２９の間隔がレーザ光の出射方向であるｚ方向に対して不均一である。すなわち、実施の形態２の回折格子２６は、凸部２８及び凹部２９の周期が不均一である。
【００３２】
回折格子では、どの波長の光が反射するかは、回折格子の周期に依存する。従って、回折格子の周期を不均一とした実施の形態２の回折格子２６では、変調器部２２の回折格子２６で生じる光反射の波長帯域を、均一周期の回折格子である場合に比べ、拡大することができる。すなわち、変調器部２２において不均一周期の回折格子２６を備えた実施の形態２の半導体レーザ装置５０は、変調器部２２において均一周期の回折格子１８を備えた実施の形態１の半導体レーザ装置５０に比べ、回折格子で生じる光反射の波長帯域を拡大することができる。これにより、実施の形態２の半導体レーザ装置５０は、レーザ部２１又は及び変調器部２２の駆動条件が変化した場合、又は製造ばらつきにより半導体レーザ装置５０の素子サイズが変化した場合でも、レーザ部２１から発生する出力光を、変調器部２２の回折格子２６により確実にレーザ部２１側に反射させることが可能となる。すなわち、実施の形態２の半導体レーザ装置５０は、半導体レーザ装置毎の断熱チャープ量のばらつきが抑制でき、伝送歩留の低下を避けることが可能であるという実施の形態１の半導体レーザ装置５０の効果が、実施の形態１の半導体レーザ装置５０よりも駆動条件が変化した場合、製造ばらつきが生じた場合の一方又は両方の場合でも、得られるようになる。つまり、実施の形態２の半導体レーザ装置５０は、実施の形態１の半導体レーザ装置５０よりも駆動条件の変化及び製造ばらつきに対する耐性が強化されている。
【００３３】
実施の形態２の半導体レーザ装置５０は、変調器部２２の回折格子の周期以外の構造が実施の形態１の半導体レーザ装置５０と同じである。このため、実施の形態２の半導体レーザ装置５０は、実施の形態１の半導体レーザ装置５０と同様に、少なくとも分離部２３に回折格子２６が形成されていない構造又はレーザ部２１の出射端から出射端面３２までの間に回折格子２６が形成されていない非回折格子領域２５が存在する構造を有しているので、特許文献１の半導体レーザ装置に比べて、レーザ光の光出力を大きくすることが可能である。
【００３４】
実施の形態２の半導体レーザ装置５０は、変調器部２２のメサストライプ１５において不均一周期の回折格子２６を備えているので、半導体レーザ装置５０の素子前方すなわち出射端面３２で発生する反射光が、光反射の波長帯域が広がっている変調器部２２の回折格子２６により吸収層５及び活性層４から離れた位置へ向かうので、素子前方からの反射光がレーザ部２１の活性層４に伝搬することを抑制でき、半導体レーザ装置毎の断熱チャープ量のばらつきが抑制でき、伝送歩留の低下を避けることが可能である。
【００３５】
また、実施の形態２の半導体レーザ装置５０は、実施の形態１の半導体レーザ装置５０と同様に、変調器部２２の前方すなわち出射端面３２の側に、回折格子を備えた導波路を付加する必要がない。このため、実施の形態２の半導体レーザ装置５０は、回折格子を備えた導波路を付加する構造の半導体レーザ装置に比べて、製造プロセスが容易であり、素子サイズも小さいため、コスト低減が可能となる。
【００３６】
実施の形態３．
図１５は実施の形態３に係る半導体レーザ装置を示す斜視図であり、図１６は図１５の変調器部における第一例の回折格子を示す図であり、図１７は図１５の半導体レーザ装置における変調器部の断面図である。図１８は図１５の変調器部における第二例の回折格子を示す図であり、図１９は図１５の変調器部における第三例の回折格子を示す図である。実施の形態３の半導体レーザ装置５０は、変調器部２２の回折格子領域２４に凹部２９の深さ又は及び凸部２８の厚さが不均一な回折格子２７が形成されている点で、実施の形態１の半導体レーザ装置５０と異なる。実施の形態１の半導体レーザ装置５０と異なる部分を主に説明する。
【００３７】
図１６に示すように、回折格子２７は、６つの凸部２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄ、２８ｅ、２８ｆと、６つの凹部２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄ、２９ｅ、２９ｆと、を備えている。なお、凸部の符号は総括的に２８を用い、区別する場合に２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄ、２８ｅ、２８ｆを用いる。凹部の符号は総括的に２９を用い、区別する場合に２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄ、２９ｅ、２９ｆを用いる。図１６では、凸部２８が回折格子材料層１６の膜厚ｔａと同じあり、回折格子材料層１６が削られて形成された凹部２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄ、２９ｅ、２９ｆの深さが、同一でない例を示した。すなわち、図１６に示した変調器部２２における第一例の回折格子２７は、凸部２８の厚さが均一であり、回折格子材料層１６が削られて形成された凹部２９の深さが不均一である例である。
【００３８】
図１６において、破線３１ｆと凸部２８ａの出射端面３２側の端との間隔は、凸部２８ｅの出射端面３２側の端と凸部２８ｆの出射端面３２側の端との間隔と同じく、ｚｐである。なお、凸部２８ｆの出射端面３２側の端と出射端面３２とは一致している。また、凸部２８ａの出射端面３２側の端と凸部２８ｂの出射端面３２側の端との間隔、凸部２８ｂの出射端面３２側の端と凸部２８ｃの出射端面３２側の端との間隔、凸部２８ｃの出射端面３２側の端と凸部２８ｄの出射端面３２側の端との間隔、凸部２８ｄの出射端面３２側の端と凸部２８ｅの出射端面３２側の端との間隔は、それぞれｚｐである。間隔ｚｐは、隣接している一組の凸部２８及び凹部２９の間隔であり、それらは同じである。図１６では、凸部２８のｚ方向の幅と凹部２９のｚ方向の幅とが同じ例を示した。実施の形態３の回折格子２７は、凸部２８及び凹部２９の周期が回折格子全体に亘って同じである。すなわち、実施の形態３の回折格子２７は、凸部２８及び凹部２９の周期が均一である。しかし、実施の形態３の回折格子２７は、前述したように変調器部２２の回折格子領域２４に凹部２９の深さ又は及び凸部２８の厚さが不均一である。
【００３９】
回折格子の溝すなわち凹部２９の深さ又は及び、溝未形成部すなわち凸部２８の厚さを変化させると、回折格子の等価屈折率が変化する。等価屈折率がｚ方向に対して不均一な回折格子は、均一の等価屈折率の回折格子に比べ、回折格子の光反射の波長帯域が拡大する。すなわち、変調器部２２において等価屈折率がｚ方向に対して不均一な回折格子２７を備えた実施の形態３の半導体レーザ装置５０は、変調器部２２において等価屈折率がｚ方向に対して均一な回折格子１８を備えた実施の形態１の半導体レーザ装置５０に比べ、回折格子で生じる光反射の波長帯域を拡大することができる。これにより、実施の形態３の半導体レーザ装置５０は、レーザ部２１又は及び変調器部２２の駆動条件が変化した場合、又は製造ばらつきにより半導体レーザ装置５０の素子サイズが変化した場合でも、レーザ部２１から発生する出力光を、変調器部２２の回折格子２７により確実にレーザ部２１側に反射させることが可能となる。すなわち、実施の形態３の半導体レーザ装置５０は、半導体レーザ装置毎の断熱チャープ量のばらつきが抑制でき、伝送歩留の低下を避けることが可能であるという実施の形態１の半導体レーザ装置５０の効果が、実施の形態１の半導体レーザ装置５０よりも駆動条件が変化した場合、製造ばらつきが生じた場合の一方又は両方の場合でも、得られるようになる。つまり、実施の形態３の半導体レーザ装置５０は、実施の形態１の半導体レーザ装置５０よりも駆動条件の変化及び製造ばらつきに対する耐性が強化されている。
【００４０】
実施の形態３の半導体レーザ装置５０は、変調器部２２の回折格子以外の構造が実施の形態１の半導体レーザ装置５０と同じである。このため、実施の形態３の半導体レーザ装置５０は、実施の形態１の半導体レーザ装置５０と同様に、少なくとも分離部２３に回折格子２７が形成されていない構造又はレーザ部２１の出射端から出射端面３２までの間に回折格子２７が形成されていない非回折格子領域２５が存在する構造を有しているので、特許文献１の半導体レーザ装置に比べて、レーザ光の光出力を大きくすることが可能である。
【００４１】
実施の形態３の半導体レーザ装置５０は、変調器部２２のメサストライプ１５において等価屈折率がｚ方向に対して不均一な回折格子２７を備えているので、半導体レーザ装置５０の素子前方すなわち出射端面３２で発生する反射光が、光反射の波長帯域が広がっている変調器部２２の回折格子２７により吸収層５及び活性層４から離れた位置へ向かうので、素子前方からの反射光がレーザ部２１の活性層４に伝搬することを抑制でき、半導体レーザ装置毎の断熱チャープ量のばらつきが抑制でき、伝送歩留の低下を避けることが可能である。
【００４２】
また、実施の形態３の半導体レーザ装置５０は、実施の形態１の半導体レーザ装置５０と同様に、変調器部２２の前方すなわち出射端面３２の側に、回折格子を備えた導波路を付加する必要がない。このため、実施の形態３の半導体レーザ装置５０は、回折格子を備えた導波路を付加する構造の半導体レーザ装置に比べて、製造プロセスが容易であり、素子サイズも小さいため、コスト低減が可能となる。
【００４３】
等価屈折率がｚ方向に対して不均一な回折格子２７は、図１６の構造に限定されない。図１８に示した変調器部２２における第二例の回折格子２７のように、凸部２８の厚さが不均一であり、回折格子材料層１６が削られて形成された凹部２９の深さが均一であってもよい。また、図１９に示した変調器部２２における第三例の回折格子２７のように、凸部２８の厚さが不均一であり、かつ回折格子材料層１６が削られて形成された凹部２９の深さが不均一であってもよい。図１８では、ｚ方向の正方向に向かって、凸部２８の厚さが増加しており、凹部２９の深さが均一である例を示した。図１９では、２つの凸部２８の組の厚さがｚ方向の正側に向かって増加しており、２つの凹部２９の組が深い凹部と浅い凹部を有している例を示した。
【００４４】
凸部２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄ、２８ｅ、２８ｆの厚さをそれぞれ、ｈａ、ｈｂ、ｈｃ、ｈｄ、ｈｅ、ｈｆとし、凹部２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄ、２９ｅ、２９ｆの深さをそれぞれ、ｄａ、ｄｂ、ｄｃ、ｄｄ、ｄｅ、ｄｆとする。凸部２８の厚さは、破線３４ａに対するｙ方向の正側（図１８、図１９において上側）の厚さである。凹部２９の深さは、破線３４ｂに対するｙ方向の負側（図１８、図１９において下側）の深さである。図１８に示した変調器部２２における第二例の回折格子２７は、式（２）及び式（３）が成立しており、図１９に示した変調器部２２における第三例の回折格子２７は、式（４）及び式（５）が成立している。
【００４５】
ｈｆ＞ｈｅ＞ｈｄ＞ｈｃ＞ｈｂ＞ｈａ      ・・・（２）
ｄｆ＝ｄｅ＝ｄｄ＝ｄｃ＝ｄｂ＝ｄａ      ・・・（３）
（ｈｆ＝ｈｅ）＞（ｈｄ＝ｈｃ）＞（ｈｂ＝ｈａ）      ・・・（４）
（ｄｆ＝ｄｄ＝ｄｂ）＜（ｄｅ＝ｄｃ＝ｄａ）      ・・・（５）
なお、式（４）、式（５）において、等しい厚さ又は深さを（）で括り、（）毎の大小関係を明確にした。
【００４６】
図１８、図１９において、図１６と同様に、破線３１ｆと凸部２８ａの出射端面３２側の端との間隔は、凸部２８ｅの出射端面３２側の端と凸部２８ｆの出射端面３２側の端との間隔と同じく、ｚｐである。なお、凸部２８ｆの出射端面３２側の端と出射端面３２とは一致している。また、凸部２８ａの出射端面３２側の端と凸部２８ｂの出射端面３２側の端との間隔、凸部２８ｂの出射端面３２側の端と凸部２８ｃの出射端面３２側の端との間隔、凸部２８ｃの出射端面３２側の端と凸部２８ｄの出射端面３２側の端との間隔、凸部２８ｄの出射端面３２側の端と凸部２８ｅの出射端面３２側の端との間隔は、それぞれｚｐである。間隔ｚｐは、隣接している一組の凸部２８及び凹部２９の間隔であり、それらは同じである。図１８、図１９では、凸部２８のｚ方向の幅と凹部２９のｚ方向の幅とが同じ例を示した。
【００４７】
なお、本願は、様々な例示的な実施の形態及び実施例が記載されているが、１つ、または複数の実施の形態に記載された様々な特徴、態様、及び機能は特定の実施の形態の適用に限られるのではなく、単独で、または様々な組み合わせで実施の形態に適用可能である。従って、例示されていない無数の変形例が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも１つの構成要素を抽出し、他の実施の形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。
【符号の説明】
【００４８】
１…半導体基板、４…活性層、５…吸収層、１１…カソード電極、１３…第一アノード電極、１４…第二アノード電極、１５…メサストライプ、１６…回折格子材料層、１７…回折格子、１８…回折格子、２１…レーザ部、２２…変調器部、２３…分離部、２５…非回折格子領域、２６…回折格子、２７…回折格子、２８、２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄ、２８ｅ、２８ｆ…凸部、２９、２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄ、２９ｅ、２９ｆ…凹部、３２…出射端面、５０…半導体レーザ装置、ｚａ、ｚｂ、ｚｃ、ｚｄ…間隔
【要約】
半導体レーザ装置（５０）は、分布帰還型のレーザ部（２１）及び電界吸収型の変調器部（２２）が同一の半導体基板（１）に形成されており、レーザ部（２１）から出射されるレーザ光が変調器部（２２）の出射端面（３２）から出射される半導体レーザ装置である。レーザ部（２１）は、レーザ光の光軸の方向に延伸して形成された第一回折格子（１７）を備え、変調器部（２２）は、少なくとも一部にレーザ光の光軸の方向に延伸して形成された第二回折格子（１８）を備えている。変調器部（２２）の第二回折格子（１８）とレーザ光が変調器部（２２）に出射されるレーザ部（２１）の出射端との間に、回折格子が形成されていない非回折格子領域（２５）が介在している。【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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