(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電池であって、
内部に電解質として機能する液体が導入される空間を有するとともに、外部と前記空間とを連通する通路を有する本体と、
前記空間に接し、前記電解質が導入されることで電力が生成される一対の電極と、
前記電解質のｐＨに応じて前記通路を遮断する弁と、
を備える、電池。
【請求項２】
請求項１に記載の電池であって、
前記弁は、
弁座と、
前記電解質のｐＨに応じて溶解する支持体と、
前記弁座へ付勢されるとともに、前記弁座から離れた位置にて前記支持体により支持され、且つ、前記支持体の溶解に伴って前記弁座に接することにより前記通路を遮断する弁体と、
を含む、電池。
【請求項３】
請求項１に記載の電池であって、
前記弁は、
弁座と、
前記電解質のｐＨに応じて体積が変化する体積変化体と、
前記体積変化体に接した状態にて前記本体により支持されるとともに、前記体積変化体の体積の変化に伴って前記弁座に接することにより前記通路を遮断する弁体と、
を含む、電池。
【請求項４】
請求項１に記載の電池であって、
前記弁は、前記通路に位置するとともに、前記電解質のｐＨに応じて体積が増加することにより前記通路を遮断する体積変化体を含む、電池。
【請求項５】
請求項４に記載の電池であって、
前記本体の少なくとも一部は、当該本体の少なくとも一部を介して前記体積変化体に光が照射されるように光を透過する材料からなる、電池。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電池であって、
前記弁は、前記空間の外部におけるｐＨが前記電解質のｐＨよりも高い場合に前記通路を遮断する、電池。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電池であって、
前記弁は、前記空間の外部におけるｐＨが前記電解質のｐＨよりも低い場合に、前記通路を介して前記空間に液体が導入された後に前記通路を遮断する、電池。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の電池であって、
前記本体の少なくとも一部を被覆するとともに、前記電解質のｐＨに応じて溶解する膜を備える、電池。
【請求項９】
電力を生成する電池と、前記生成された電力を用いて動作する回路と、を備える電子機器であって、
前記電池は、
内部に電解質として機能する液体が導入される空間を有するとともに、外部と前記空間とを連通する通路を有する本体と、
前記空間に接し、前記電解質が導入されることで電力が生成される一対の電極と、
前記電解質のｐＨに応じて前記通路を遮断する弁と、
を備える、電子機器。
【請求項１０】
請求項９に記載の電子機器であって、
前記電池は、第１の層に位置し、
前記回路は、前記第１の層と異なる第２の層に位置する、電子機器。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電子機器であって、
第１の電池としての前記電池と異なる第２の電池を備え、
前記第２の電池は、前記第２の層に対して前記第１の層と反対側にて、前記第１の層及び前記第２の層と異なる第３の層に位置する、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電池、及び、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
生体の消化管に導入され、消化管内の液体が電解質として機能することにより、電力を生成する電池が知られている。例えば、特許文献１に記載の電池は、液体が導入される空間と、当該空間と電池の外部とを連通する通路と、を有する。また、電解質として機能する液体として胃液が用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１０−５０８２９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、消化管における胃よりも下流側においては、胃液と異なる物質（例えば、胃液よりも高いｐＨを有する液体（例えば、膵液、胆汁、又は、腸液等）、又は、固体（例えば、食物、又は、便等））が存在する。
【０００５】
このため、消化管における胃よりも下流側において、胃液と異なる物質が電池の内部の空間に導入されることがある。例えば、胃液よりも高いｐＨを有する液体が、電池の内部の空間に導入されることにより、当該空間における液体のｐＨが胃液よりも高くなることがある。また、例えば、固体が電池の内部の空間に導入されることにより、当該固体が電極に付着することがある。この結果、消化管における胃よりも下流側において、電池が生成する電力の量（換言すると、発電量）が低下しやすい、という課題があった。
なお、この課題は、電解質として機能する液体が胃液と異なる液体である場合も同様に生じることがある。
【０００６】
本発明の目的の一つは、発電量の低下を抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一つの側面では、電池は、
内部に電解質として機能する液体が導入される空間を有するとともに、外部と上記空間とを連通する通路を有する本体と、
上記空間に接し、前記電解質が導入されることで電力が生成される一対の電極と、
前記電解質のｐＨに応じて上記通路を遮断する弁と、
を備える。
【０００８】
他の一つの側面では、電子機器は、電力を生成する電池と、上記生成された電力を用いて動作する回路と、を備える。
更に、上記電池は、
内部に電解質として機能する液体が導入される空間を有するとともに、外部と上記空間とを連通する通路を有する本体と、
上記空間に接し、前記電解質が導入されることで電力が生成される一対の電極と、
前記電解質のｐＨに応じて上記通路を遮断する弁と、
を備える。
【発明の効果】
【０００９】
発電量の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態の電子機器の斜視図である。
【図２】第１実施形態の電子機器の断面図である。
【図３】第１実施形態の弁体が拡大された電子機器の部分断面図である。
【図４】第１実施形態の本体の頂面図である。
【図５】第１実施形態の弁体が拡大された電子機器の、支持体が溶解した場合における部分断面図である。
【図６】第１実施形態の第１変形例の電子機器の断面図である。
【図７】第２実施形態の弁体が拡大された電子機器の部分断面図である。
【図８】第２実施形態の弁体が拡大された本体の部分頂面図である。
【図９】第２実施形態の弁体が拡大された電子機器の、支持体が溶解した場合における部分断面図である。
【図１０】第３実施形態の弁体が拡大された電子機器の部分断面図である。
【図１１】第３実施形態の弁体が拡大された本体の部分頂面図である。
【図１２】第３実施形態の弁体が拡大された電子機器の、支持体が溶解した場合における部分断面図である。
【図１３】第４実施形態の弁体が拡大された電子機器の部分断面図である。
【図１４】第４実施形態の弁体が拡大された本体の部分頂面図である。
【図１５】第４実施形態の弁体が拡大された電子機器の、体積変化体が収縮した場合における部分断面図である。
【図１６】第５実施形態の電子機器の断面図である。
【図１７】第５実施形態の電子機器の断面図である。
【図１８】第５実施形態の第２の構成体の頂面図である。
【図１９】第５実施形態の電子機器の、支持体が溶解した場合における断面図である。
【図２０】第６実施形態の電子機器の断面図である。
【図２１】第６実施形態の第２の構成体の頂面図である。
【図２２】第６実施形態の電子機器の、体積変化体が膨張した場合における断面図である。
【図２３】第７実施形態の電子機器の断面図である。
【図２４】第７実施形態の第２の構成体の頂面図である。
【図２５】第７実施形態の電子機器の、体積変化体が膨張した場合における断面図である。
【図２６】第８実施形態の体積変化体が拡大された電子機器の部分断面図である。
【図２７】第８実施形態の体積変化体が拡大された本体の部分頂面図である。
【図２８】第８実施形態の体積変化体が拡大された電子機器の、体積変化体が膨張した場合における部分断面図である。
【図２９】第９実施形態の本体の頂面図である。
【図３０】第９実施形態の電子機器の断面図である。
【図３１】第９実施形態の電極が拡大された電子機器の部分断面図である。
【図３２】第９実施形態の体積変化体が拡大された電子機器の部分断面図である。
【図３３】第９実施形態の貫通孔部が拡大された電子機器の部分断面図である。
【図３４】第９実施形態の第１変形例の本体の頂面図である。
【図３５】第９実施形態の第１変形例の電子機器の断面図である。
【図３６】第９実施形態の第１変形例の電子機器の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の、電池、及び、電子機器、に関する各実施形態について図１乃至図３６を参照しながら説明する。
【００１２】
＜第１実施形態＞
（構成）
図１に表されるように、第１実施形態の電子機器１は、円柱形状を有する。なお、電子機器１は、円柱形状と異なる形状（例えば、球形、円盤形、レンズ形、又は、底面が円形と異なる形状（例えば、楕円形、又は、多角形等）の柱体形等の形状）を有していてもよい。また、電子機器１は、角丸形状を有してよい。
【００１３】
本例では、電子機器１は、飲み込み型のセンサである。なお、電子機器１は、カプセル剤又は錠剤等の製剤に取り付けられてもよい。また、電子機器１は、カプセル剤又は錠剤等の製剤の少なくとも一部を構成してもよい。
【００１４】
例えば、電子機器１の、中心軸に沿った方向における長さ（換言すると、電子機器１の高さ）は、１ｍｍ乃至２０ｍｍの長さである。また、例えば、電子機器１の底面の直径は、１ｍｍ乃至２０ｍｍの長さである。
【００１５】
図１乃至図５に表されるように、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸を有する右手系の直交座標系を用いて電子機器１について説明を加える。なお、後述する図６乃至図３６においても、図１乃至図５と同一の直交座標系が用いられる。
Ｚ軸は、電子機器１の高さ方向（換言すると、電子機器１の中心軸）に沿って延びる。Ｘ軸及びＹ軸のそれぞれは、電子機器１の底面に平行な方向に沿って延びる。
【００１６】
図２は、図１におけるＩＩ−ＩＩ線により表される、電子機器１の中心軸を通り且つＹ軸に直交する平面による電子機器１の断面を表す。Ｙ軸に直交する平面は、ＺＸ平面と表されてもよい。図２に表されるように、電子機器１は、本体２と、膜３と、を備える。
【００１７】
本例では、本体２は、シリコン（Ｓｉ）からなる。なお、本体２の少なくとも一部は、ガラスからなっていてもよい。
本例では、本体２は、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する。本例では、本体２の底面は、正方形状を有する。なお、本体２の底面は、正方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、長方形、又は、多角形等）を有してもよい。
【００１８】
膜３は、本体２を被覆する。膜３は、電子機器１の表面を構成する。膜３は、ｐＨに応じて溶解する材料からなる。本例では、膜３は、ｐＨが所定の閾値（例えば、５）よりも低い液体に接することにより溶解する材料からなる。例えば、膜３は、胃液に接することにより溶解する材料（換言すると、胃溶性材料）からなる。なお、膜３の少なくとも一部は、糖衣を構成してもよい。この場合、糖衣は、ショ糖、ゼラチン、ヒドロキシプロピルセルロース、又は、ヒドロキシプロピルメチルセルロースフタレートが主成分であってよい。
【００１９】
例えば、胃溶性材料は、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、リン酸カルシウム、水酸化マグネシウム、リン酸マグネシウム、ポリビニルアセタールジエチルアミノアセテート等の胃溶性ポリビニル誘導体、メタクリル酸メチル−メタクリル酸ブチル−メタクリル酸ジメチルアミノエチル共重合体、及び、メタクリル酸メチル−メタクリル酸ジエチルアミノエチル共重合体等の少なくとも１つが主成分である。
【００２０】
なお、電子機器１は、Ｚ軸に直交する平面（換言すると、ＸＹ平面）における、本体２と膜３との間に、図示されないパディング部材を備えていてもよい。この場合、パディング部材は、樹脂からなっていてよい。
【００２１】
図２に表されるように、本体２は、本体２の内部にて第１の空間ＳＰ１を形成する第１の空間形成部２１と、本体２の内部にて第２の空間ＳＰ２を形成する第２の空間形成部２２と、を有する。本例では、本体２のうちの第１の空間形成部２１が位置する部分は、第１の層を構成する。また、本例では、本体２のうちの第２の空間形成部２２が位置する部分は、第１の層と異なる第２の層を構成する。
【００２２】
第１の空間ＳＰ１及び第２の空間ＳＰ２のそれぞれは、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する。本例では、第１の空間ＳＰ１及び第２の空間ＳＰ２のそれぞれの底面は、正方形状を有する。なお、第１の空間ＳＰ１及び第２の空間ＳＰ２のそれぞれの底面は、正方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、長方形、又は、多角形等）を有してもよい。本例では、第１の空間ＳＰ１の底面は、第２の空間ＳＰ２の底面と同じ形状を有する。なお、第１の空間ＳＰ１の底面は、第２の空間ＳＰ２の底面と異なる形状を有していてもよい。
【００２３】
本例では、第１の空間ＳＰ１の中心軸は、第２の空間ＳＰ２の中心軸と一致する。更に、第１の空間ＳＰ１は、第２の空間ＳＰ２よりもＺ軸の正方向側に位置する。
【００２４】
なお、電子機器１は、第１の空間ＳＰ１に多孔質材料からなる保持部材を備えていてもよい。この場合、多孔質材料は、親水性を有することが好適である。
【００２５】
更に、図２乃至図４に表されるように、本体２は、通路形成部２１１と、複数（本例では、８個）の貫通孔部２１２と、を有する。更に、電子機器１は、第１の電極２１３と、第２の電極２１４と、弁座２１５と、複数（本例では、２個）の支持体２１６と、弁体２１７と、を有する。本例では、電子機器１のうちの、本体２、膜３、第１の電極２１３、第２の電極２１４、弁座２１５、複数の支持体２１６、及び、弁体２１７は、電池に対応する。本例では、第１の電極２１３及び第２の電極２１４は、一対の電極と表されてもよい。
【００２６】
図３は、図２における弁体２１７が拡大された、図４におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線により表される平面による電子機器１の部分断面図である。図４は、Ｚ軸の負方向へ向かって本体２を見た図（換言すると、本体２の頂面を見た図）である。
【００２７】
通路形成部２１１は、本体２のうちの、第１の空間形成部２１のＺ軸の正方向側の端面を形成する壁をＺ軸方向にて貫通するとともに、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する孔を形成する。換言すると、通路形成部２１１により形成される孔は、第１の空間ＳＰ１と、本体２の外部と、を連通する。本例では、通路形成部２１１により形成される孔は、通路に対応する。
【００２８】
本例では、通路形成部２１１により形成される孔の底面は、長方形状を有する。なお、通路形成部２１１により形成される孔の底面は、長方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、正方形、又は、多角形等）を有してもよい。なお、通路形成部２１１により形成される孔は、錐体の一部を構成する形状を有してもよい。
【００２９】
例えば、通路形成部２１１により形成される孔の底面の長辺の長さは、２００μｍ乃至２０ｍｍの長さである。例えば、通路形成部２１１により形成される孔の底面の短辺の長さは、１００μｍ乃至１０ｍｍの長さである。
【００３０】
本例では、通路形成部２１１は、第１の空間形成部２１のうちのＸ軸の負方向側の端部に位置する。通路形成部２１１により形成される孔の底面における長辺及び短辺は、Ｙ軸及びＸ軸に沿ってそれぞれ延びる。
【００３１】
本例では、通路形成部２１１及び第１の空間形成部２１は、親水性を有する膜により被覆される。例えば、親水性を有する膜は、二酸化ケイ素からなる。
【００３２】
各貫通孔部２１２は、本体２のうちの、第１の空間形成部２１のＺ軸の正方向側の端面を形成する壁をＺ軸方向にて貫通するとともに、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する孔を形成する。換言すると、各貫通孔部２１２により形成される孔は、第１の空間ＳＰ１と、本体２の外部と、を連通する。
【００３３】
本例では、各貫通孔部２１２により形成される孔の底面は、円形状を有する。なお、各貫通孔部２１２により形成される孔の底面は、円形状と異なる形状（例えば、楕円形、正方形、長方形、又は、多角形等）を有してもよい。なお、各貫通孔部２１２により形成される孔は、錐体の一部を構成する形状を有してもよい。
【００３４】
本例では、各貫通孔部２１２により形成される孔の底面の面積は、通路形成部２１１により形成される孔の底面の面積よりも小さい。例えば、各貫通孔部２１２により形成される孔の底面の直径は、２μｍ乃至２００μｍの長さである。
【００３５】
本例では、各貫通孔部２１２は、第１の空間形成部２１のうちのＸ軸の正方向側の端部に位置する。複数の貫通孔部２１２は、Ｙ軸に沿って等間隔にて位置する。なお、貫通孔部２１２の数は、８個と異なる数でもよい。
【００３６】
本例では、各貫通孔部２１２は、撥水性を有する膜により被覆される。例えば、撥水性を有する膜は、フッ化炭素樹脂（例えば、ポリテトラフルオロエチレンが主成分である樹脂）からなる。
【００３７】
本例では、第１の電極２１３は、マグネシウムからなる。なお、第１の電極２１３は、マグネシウムと異なる材料（例えば、亜鉛、又は、合金等）からなっていてもよい。また、第１の電極２１３は、複数の互いに異なる材料によりそれぞれ構成された複数の層が積み重ねられた積層膜であってもよい。
【００３８】
第１の電極２１３は、ＸＹ平面に平行な平板状である。例えば、第１の電極２１３の厚さは、１００ｎｍ乃至２ｍｍの厚さである。本例では、第１の電極２１３は、長方形状を有する。なお、第１の電極２１３は、長方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、正方形、又は、多角形等）を有してもよい。
第１の電極２１３は、第１の空間形成部２１のうちのＺ軸の負方向側の端面に接する。
【００３９】
本例では、第１の電極２１３の面積は、第１の空間形成部２１のうちのＺ軸の負方向側の端面の面積の半分よりも僅かに小さい。本例では、第１の電極２１３の長辺及び短辺は、Ｙ軸及びＸ軸に沿ってそれぞれ延びる。
【００４０】
本例では、第２の電極２１４は、プラチナからなる。なお、第２の電極２１４は、プラチナと異なる材料（例えば、塩化銅（ＣｕＣｌ）、塩化銀（ＡｇＣｌ）、又は、合金等）からなっていてもよい。また、第２の電極２１４は、複数の互いに異なる材料によりそれぞれ構成された複数の層が積み重ねられた積層膜であってもよい。
【００４１】
第２の電極２１４は、ＸＹ平面に平行な平板状である。例えば、第２の電極２１４の厚さは、１０ｎｍ乃至２ｍｍの厚さである。本例では、第２の電極２１４は、長方形状を有する。なお、第２の電極２１４は、長方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、正方形、又は、多角形等）を有してもよい。
第２の電極２１４は、第１の空間形成部２１のうちのＺ軸の負方向側の端面に接する。
【００４２】
本例では、第２の電極２１４の面積は、第１の空間形成部２１のうちのＺ軸の負方向側の端面の面積の半分よりも僅かに小さい。本例では、第２の電極２１４の長辺及び短辺は、Ｙ軸及びＸ軸に沿ってそれぞれ延びる。
【００４３】
本例では、第１の電極２１３は、第１の空間形成部２１のＺ軸の負方向側の端面のうちの、Ｘ軸方向における中央よりもＸ軸の負方向側に位置する。また、本例では、第２の電極２１４は、第１の空間形成部２１のＺ軸の負方向側の端面のうちの、Ｘ軸方向における中央よりもＸ軸の正方向側に位置する。換言すると、第１の電極２１３と第２の電極２１４とは、互いに離れている。
【００４４】
本例では、第１の電極２１３及び第２の電極２１４の材料は、第１の空間ＳＰ１に胃液が導入された場合に、胃液が電解質として機能することにより電力が生成されるように設定される。
【００４５】
本例では、弁座２１５は、金属からなる。なお、弁座２１５は、金属と異なる材料（例えば、ポリイミドが主成分である樹脂等）からなっていてもよい。
弁座２１５は、ＸＹ平面に平行な平板状である。例えば、弁座２１５の厚さは、１０ｎｍ乃至１０μｍの厚さである。弁座２１５は、本体２の表面のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面に接する。
【００４６】
弁座２１５は、所定の幅を有するとともに、通路形成部２１１のうちの、Ｚ軸の正方向側の端辺に沿って延びる。なお、通路形成部２１１のうちの、Ｚ軸の正方向側の端辺は、通路形成部２１１により形成される孔のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面の外縁と表されてもよい。また、通路形成部２１１のうちの、Ｚ軸の正方向側の端辺は、本体２の表面のうちのＺ軸の正方向側の端面における、通路形成部２１１により形成される孔の開口の外縁と表されてもよい。
換言すると、弁座２１５は、ＸＹ平面における形状が、通路形成部２１１により形成される孔のＸＹ平面における形状と一致し、且つ、Ｚ軸方向にて貫通する孔を有する。
【００４７】
各支持体２１６は、ｐＨに応じて溶解する材料からなる。本例では、各支持体２１６は、ｐＨが所定の閾値（例えば、５）よりも低い液体に接することにより溶解する材料からなる。例えば、各支持体２１６は、胃液に接することにより溶解する材料（換言すると、胃溶性材料）からなる。
【００４８】
各支持体２１６は、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する。本例では、各支持体２１６の底面は、長方形状を有する。なお、各支持体２１６の底面は、長方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、正方形、又は、多角形等）を有してもよい。
【００４９】
例えば、各支持体２１６のＺ軸方向における長さ（換言すると、支持体２１６の高さ）は、１０μｍ乃至１ｍｍの長さである。本例では、各支持体２１６の高さは、弁座２１５の厚さよりも大きい。
各支持体２１６は、本体２の表面のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面に接する。本例では、各支持体２１６の長辺及び短辺は、Ｘ軸及びＹ軸に沿ってそれぞれ延びる。
【００５０】
各支持体２１６は、通路形成部２１１よりも、Ｘ軸の正方向側に位置する。２個の支持体２１６は、通路形成部２１１よりもＹ軸の正方向側、及び、通路形成部２１１よりもＹ軸の負方向側、にそれぞれ位置する。換言すると、２個の支持体２１６は、互いに離れている。
【００５１】
なお、各支持体２１６の位置及び大きさは、図４に表される位置及び大きさとそれぞれ異なっていてもよい。例えば、各支持体２１６は、弁座２１５の外周の所定の領域に位置していてよい。
なお、支持体２１６の数は、２個と異なる数でもよい。
【００５２】
本例では、各支持体２１６は、第１の空間ＳＰ１の外部におけるｐＨが上記閾値よりも低い場合に、通路形成部２１１により形成される孔を介して第１の空間ＳＰ１に液体が導入された後に、各支持体２１６の溶解が完了するように構成される。
【００５３】
弁体２１７は、シリコン（Ｓｉ）からなる。なお、弁体２１７は、シリコンと異なる材料（例えば、金属、又は、樹脂等）からなっていてもよい。
弁体２１７は、弾性変形されていない状態において、ＸＹ平面に平行な平板状である。例えば、弁体２１７の厚さは、１００ｎｍ乃至２００μｍの厚さである。
【００５４】
本例では、弁体２１７は、弾性変形されていない状態において、長方形状を有する。なお、弁体２１７は、弾性変形されていない状態において、長方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、正方形、又は、多角形等）を有してもよい。本例では、弁体２１７の長辺及び短辺は、弁体２１７が弾性変形されていない状態において、Ｙ軸及びＸ軸に沿ってそれぞれ延びる。
【００５５】
Ｘ軸方向において、弁体２１７は、弁座２１５よりもＸ軸の負方向側から、弁座２１５よりもＸ軸の正方向側（本例では、支持体２１６よりもＸ軸の正方向側）まで延びている。
【００５６】
Ｙ軸方向において、弁体２１７は、弁座２１５よりもＹ軸の負方向側から、弁座２１５よりもＹ軸の正方向側まで延びている。本例では、Ｙ軸方向において、弁体２１７は、２個の支持体２１６のうちのＹ軸の負方向側の支持体２１６よりもＹ軸の負方向側から、２個の支持体２１６のうちのＹ軸の正方向側の支持体２１６よりもＹ軸の正方向側まで延びている。
【００５７】
換言すると、Ｚ軸の負方向へ向かって本体２を見た場合において、弁体２１７は、通路形成部２１１により形成される孔、弁座２１５、及び、支持体２１６を被覆する。
【００５８】
弁体２１７のうちの弁座２１５よりもＸ軸の負方向側の部分は、本体２の表面のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面に接する。本例では、弁体２１７のうちの弁座２１５よりもＸ軸の負方向側の部分は、本体２の表面のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面に固定される。
【００５９】
図２及び図３に表されるように、弁体２１７は、弁体２１７のうちの、Ｘ軸方向における、ある位置の部分が、弁体２１７のうちのＸ軸の正方向側の端に近づくほど、Ｚ軸の正方向側に位置するように、弾性変形されることによって湾曲された状態にて、支持体２１６に支持される。
【００６０】
換言すると、図３に表されるように、弁体２１７には、弾性変形に伴って生じた復元力Ｆ１が働いている。本例では、復元力Ｆ１は、弁体２１７を、湾曲されていない状態（換言すると、ＸＹ平面に平行な状態）に復元する力である、と捉えられてよい。また、本例では、復元力Ｆ１は、弁体２１７のうちのＸ軸の正方向側の端を、Ｚ軸の負方向へ変位させる力である、と捉えられてよい。
【００６１】
このようにして、弁体２１７は、弁座２１５へ付勢されるとともに、弁座２１５から離れた位置にて支持体２１６により支持される。
【００６２】
図５に表されるように、支持体２１６が溶解した場合、弁体２１７は、復元力Ｆ１によって、ＸＹ平面に平行な状態に復元される。これにより、弁体２１７は、弁座２１５に接する。本例では、弁体２１７は、弁座２１５に押圧される。この結果、弁体２１７は、第１の空間ＳＰ１と本体２の外部とを連通する通路を遮断する。通路の遮断は、通路の閉鎖と表されてもよい。
【００６３】
本例では、弁座２１５、支持体２１６、及び、弁体２１７は、第１の空間ＳＰ１と本体２の外部とを連通する通路を、ｐＨに応じて遮断する弁に対応する。本例では、弁は、第１の空間ＳＰ１の外部におけるｐＨが上記閾値よりも低い場合に、通路形成部２１１により形成される孔を介して第１の空間ＳＰ１に液体が導入された後に、第１の空間ＳＰ１と本体２の外部とを連通する通路を遮断する。
【００６４】
加えて、図２に表されるように、電子機器１は、第１の貫通孔部２２１と、第２の貫通孔部２２２と、第１の端子２２３と、第２の端子２２４と、第１の導体２２５と、第２の導体２２６と、回路２２７と、を有する。
【００６５】
第１の貫通孔部２２１は、本体２のうちの、第１の空間形成部２１のＺ軸の負方向側の端面を形成するとともに第２の空間形成部２２のＺ軸の正方向側の端面を形成する壁をＺ軸方向にて貫通するとともに、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する孔を形成する。
【００６６】
本例では、第１の貫通孔部２２１により形成される孔の底面は、円形状を有する。なお、第１の貫通孔部２２１により形成される孔の底面は、円形状と異なる形状（例えば、楕円形、正方形、長方形、又は、多角形等）を有してもよい。なお、第１の貫通孔部２２１により形成される孔は、錐体の一部を構成する形状を有してもよい。
【００６７】
ＸＹ平面における第１の貫通孔部２２１の外縁は、ＸＹ平面における第１の電極２１３の外縁の内側に位置する。本例では、第１の貫通孔部２２１は、ＸＹ平面における第１の電極２１３の中央部に位置する。
【００６８】
第２の貫通孔部２２２は、本体２のうちの、第１の空間形成部２１のＺ軸の負方向側の端面を形成するとともに第２の空間形成部２２のＺ軸の正方向側の端面を形成する壁をＺ軸方向にて貫通するとともに、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する孔を形成する。
【００６９】
本例では、第２の貫通孔部２２２により形成される孔の底面は、円形状を有する。なお、第２の貫通孔部２２２により形成される孔の底面は、円形状と異なる形状（例えば、楕円形、正方形、長方形、又は、多角形等）を有してもよい。なお、第２の貫通孔部２２２により形成される孔は、錐体の一部を構成する形状を有してもよい。
【００７０】
ＸＹ平面における第２の貫通孔部２２２の外縁は、ＸＹ平面における第２の電極２１４の外縁の内側に位置する。本例では、第２の貫通孔部２２２は、ＸＹ平面における第２の電極２１４の中央部に位置する。
【００７１】
本例では、第１の端子２２３は、金属からなる。第１の端子２２３は、ＸＹ平面に平行な平板状である。第１の端子２２３は、第２の空間形成部２２のうちのＺ軸の正方向側の端面に接する。
【００７２】
ＸＹ平面における第１の端子２２３の外縁は、ＸＹ平面における第１の貫通孔部２２１の外縁の外側に位置する。本例では、第１の端子２２３は、第１の貫通孔部２２１が、ＸＹ平面における第１の端子２２３の中央部に位置するように位置する。
【００７３】
本例では、第２の端子２２４は、金属からなる。第２の端子２２４は、ＸＹ平面に平行な平板状である。第２の端子２２４は、第２の空間形成部２２のうちのＺ軸の正方向側の端面に接する。
【００７４】
ＸＹ平面における第２の端子２２４の外縁は、ＸＹ平面における第２の貫通孔部２２２の外縁の外側に位置する。本例では、第２の端子２２４は、第２の貫通孔部２２２が、ＸＹ平面における第２の端子２２４の中央部に位置するように位置する。
【００７５】
本例では、第１の導体２２５は、金属からなる。第１の導体２２５は、第１の貫通孔部２２１により形成される孔に充填されることにより、第１の電極２１３と第１の端子２２３とを接続する。
【００７６】
本例では、第２の導体２２６は、金属からなる。第２の導体２２６は、第２の貫通孔部２２２により形成される孔に充填されることにより、第２の電極２１４と第２の端子２２４とを接続する。
【００７７】
回路２２７は、第１の端子２２３及び第２の端子２２４に接続される。回路２２７は、第１の空間ＳＰ１に電解質として機能する液体が導入された場合に、第１の電極２１３と第２の電極２１４との間に生じる電位の差を用いて動作する。本例では、第１の電極２１３と第２の電極２１４との間に電位の差が生じることは、電力が生成されることに対応する。
【００７８】
例えば、回路２２７は、検出回路、及び、通信回路の少なくとも１つを含む。
検出回路は、物理量を検出する。例えば、物理量は、温度、ｐＨ、又は、対象物の濃度等である。例えば、対象物は、消化液（例えば、胃液、腸液、又は、膵液等）、血液、常在菌、又は、感染性物質（例えば、細菌、又は、ウイルス等）である。対象物の濃度が所定の閾値以上であることは、対象物が存在していることに対応すると捉えられてよい。
【００７９】
通信回路は、電子機器１の外部の装置と無線により通信する。例えば、回路２２７が、検出回路及び通信回路を含む場合、通信回路は、検出回路により検出された物理量を表す信号を送信する。
【００８０】
（動作）
次に、電子機器１の動作について説明する。
先ず、電子機器１は、生体（例えば、人体）の口に導入される。そして、電子機器１は、生体によって飲み込まれることにより、食道に到達する。唾液によって膜３が溶解しないので、口及び食道において、液体は、第１の空間ＳＰ１に導入されない。
【００８１】
その後、電子機器１は、胃に到達する。これにより、電子機器１の外部におけるｐＨは、上記閾値よりも低くなる。従って、膜３は溶解する。これにより、胃液は、通路形成部２１１により形成される孔を介して第１の空間ＳＰ１に導入される。第１の空間ＳＰ１に存在していた気体は、貫通孔部２１２を介して排出される。
【００８２】
この結果、第１の空間ＳＰ１に導入された胃液が電解質として機能することにより、電子機器１の電池は、電力を生成する。回路２２７は、生成された電力を用いて動作する。
【００８３】
第１の空間ＳＰ１に胃液が導入された後に、各支持体２１６は、溶解を完了する。
これにより、弁体２１７は、復元力によって、ＸＹ平面に平行な状態に復元される。この結果、弁体２１７は、弁座２１５に押圧される。従って、弁体２１７は、第１の空間ＳＰ１と本体２の外部とを連通する通路を遮断する。
【００８４】
これにより、胃液と異なる物質（例えば、胃液と異なるｐＨを有する液体、又は、固体等）が、第１の空間ＳＰ１に導入されることを抑制できる。この結果、発電量が低下することを抑制できる。
【００８５】
その後、電子機器１は、腸に到達する。第１の空間ＳＰ１と本体２の外部とを連通する通路が遮断されているので、消化管における胃よりも下流側において、胃液と異なる物質が、第１の空間ＳＰ１に導入されることを抑制できる。この結果、消化管における胃よりも下流側において、発電量が低下することを抑制できる。
その後、電子機器１は、生体から排出される。
【００８６】
以上、説明したように、第１実施形態の電子機器１は、内部に第１の空間ＳＰ１を有するとともに、外部と第１の空間ＳＰ１とを連通する通路を有する本体２と、第１の空間ＳＰ１に接する一対の電極２１３，２１４と、ｐＨに応じて当該通路を遮断する弁と、を備える。
【００８７】
これによれば、電子機器１が生体の消化管に導入された場合、消化管内の液体が、通路を介して、第１の空間ＳＰ１に導入される。第１の空間ＳＰ１に導入された液体が電解質として機能することにより、電子機器１の電池は、電力を生成する。弁は、ｐＨに応じて当該通路を遮断する。従って、電解質として機能する液体と異なる物質（例えば、電解質として機能する液体と異なるｐＨを有する液体、又は、固体等）が、第１の空間ＳＰ１に導入されることを抑制できる。この結果、発電量が低下することを抑制できる。
【００８８】
更に、第１実施形態の電子機器１において、弁は、弁座２１５と、ｐＨに応じて溶解する支持体２１６と、弁座２１５へ付勢されるとともに、弁座２１５から離れた位置にて支持体２１６により支持され、且つ、支持体２１６の溶解に伴って弁座２１５に接することにより上記通路を遮断する弁体２１７と、を含む。
【００８９】
これによれば、ｐＨの変化に伴って支持体２１６が溶解する。これにより、弁体２１７が弁座２１５に接する。この結果、通路を遮断できる。
【００９０】
更に、第１実施形態の電子機器１において、弁は、第１の空間ＳＰ１の外部におけるｐＨが所定の閾値よりも低い場合に、通路を介して第１の空間ＳＰ１に液体が導入された後に当該通路を遮断する。
【００９１】
ところで、電子機器１が胃に導入されたとき、第１の空間ＳＰ１の外部におけるｐＨは、上記閾値よりも低くなる。この場合、胃液が、通路を介して、第１の空間ＳＰ１に導入される。第１の空間ＳＰ１に導入された胃液が電解質として機能することにより、電子機器１の電池は、電力を生成する。その後、弁は、通路を遮断する。従って、消化管における胃よりも下流側において、胃液と異なる物質が、第１の空間ＳＰ１に導入されることを抑制できる。この結果、消化管における胃よりも下流側において、発電量が低下することを抑制できる。
【００９２】
更に、第１実施形態の電子機器１は、本体２を被覆するとともに、ｐＨに応じて溶解する膜３を備える。
【００９３】
これによれば、電解質として用いられる液体と異なるｐＨを有する液体（例えば、電子機器１とともに消化管に導入される水等の液体、又は、唾液等）が、電解質として用いられる液体（本例では、胃液）よりも先に、第１の空間ＳＰ１に導入されることを抑制できる。これにより、電解質として用いられる液体を第１の空間ＳＰ１に確実に導入できる。この結果、電池は、確実に電力を生成できる。
【００９４】
更に、第１実施形態の電子機器１において、電池は、第１の層に位置し、回路２２７は、第１の層と異なる第２の層に位置する。
【００９５】
これによれば、電池と回路２２７とが同一の層に位置する場合よりも、電極２１３，２１４の面積を大きくすることができる。これにより、発電量を増加できる。
【００９６】
なお、膜３は、本体２の一部のみを被覆してもよい。この場合、膜３は、弁体２１７と本体２との間の隙間を塞ぐように本体２の一部を被覆してよい。また、この場合、膜３は、貫通孔部２１２を塞ぐように本体２の一部を被覆してよい。
【００９７】
また、電子機器１は、膜３を備えなくてもよい。この場合、電子機器１は、電子機器１とともに消化管に導入される液体（例えば、電子機器１とともに飲まれた液体）を電解質として用いてよい。この場合、各支持体２１６は、第１の空間ＳＰ１の外部におけるｐＨが上記閾値よりも低い場合に、各支持体２１６の溶解が迅速に完了するように構成されてよい。
【００９８】
なお、各支持体２１６は、ｐＨが所定の閾値（例えば、４）よりも高い液体に接することにより溶解する材料からなっていてもよい。この場合、例えば、各支持体２１６は、膵液に接することにより溶解する材料からなっていてもよい。また、この場合、例えば、各支持体２１６は、腸液に接することにより溶解する材料（換言すると、腸溶性材料）からなっていてもよい。
【００９９】
例えば、腸溶性材料は、ヒドロキシプロピルメチルセルロースフタレート、セルロースアセテートフタレート、ポリ酢酸ビニルフタレート、スチレン−無水マレイン酸共重合体、メタクリル酸−メタクリル酸メチル共重合体、及び、カルボキシメチルエチルセルロース等の少なくとも１つが主成分である。
【０１００】
例えば、電子機器１が、十二指腸又は小腸に到達した場合、電子機器１の外部におけるｐＨは、上記閾値よりも高くなる。従って、この場合、電子機器１が十二指腸又は小腸に到達した場合、各支持体２１６は、溶解を完了する。これにより、弁体２１７は、第１の空間ＳＰ１と本体２の外部とを連通する通路を遮断する。
【０１０１】
＜第１実施形態の第１変形例＞
次に、第１実施形態の第１変形例の電子機器について説明する。第１実施形態の第１変形例の電子機器は、第１実施形態の電子機器に対して、複数の電池を備える点において相違している。以下、相違点を中心として説明する。なお、第１実施形態の第１変形例の説明において、第１実施形態にて使用した符号と同じ符号を付したものは、同一又はほぼ同様のものである。
【０１０２】
図６に表されるように、第１実施形態の第１変形例の電子機器１Ａは、第１実施形態の本体２に代えて、本体２Ａを備える。
【０１０３】
本体２Ａは、第１の空間形成部２１及び第２の空間形成部２２に加えて、本体２Ａの内部にて第３の空間ＳＰ３を形成する第３の空間形成部２１Ａを有する。本例では、本体２Ａのうちの第３の空間形成部２１Ａが位置する部分は、第３の層を構成する。換言すると、第３の層は、第２の層に対して第１の層と反対側に位置するとともに、第１の層及び第２の層と異なる層である。
【０１０４】
第３の空間ＳＰ３は、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する。本例では、第３の空間ＳＰ３の底面は、正方形状を有する。なお、第３の空間ＳＰ３の底面は、正方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、長方形、又は、多角形等）を有してもよい。本例では、第３の空間ＳＰ３の底面は、第１の空間ＳＰ１の底面と同じ形状を有する。なお、第３の空間ＳＰ３の底面は、第１の空間ＳＰ１の底面と異なる形状を有していてもよい。
【０１０５】
本例では、第３の空間ＳＰ３の中心軸は、第１の空間ＳＰ１の中心軸、及び、第２の空間ＳＰ２の中心軸と一致する。更に、第３の空間ＳＰ３は、第２の空間ＳＰ２よりもＺ軸の負方向側に位置する。
【０１０６】
なお、電子機器１Ａは、第３の空間ＳＰ３に多孔質材料からなる保持部材を備えていてもよい。この場合、多孔質材料は、親水性を有することが好適である。
【０１０７】
本体２Ａは、本体２が備える構成に加えて、通路形成部２１１Ａと、複数（本例では、８個）の貫通孔部２１２Ａと、を有する。更に、電子機器１Ａは、電子機器１が備える構成に加えて、第３の電極２１３Ａと、第４の電極２１４Ａと、弁座２１５Ａと、複数（本例では、２個）の支持体２１６Ａと、弁体２１７Ａと、第３の貫通孔部２２１Ａと、第４の貫通孔部２２２Ａと、第３の端子２２３Ａと、第４の端子２２４Ａと、第３の導体２２５Ａと、第４の導体２２６Ａと、を有する。
【０１０８】
本例では、電子機器１Ａのうちの、本体２Ａ、膜３、第１の電極２１３、第２の電極２１４、弁座２１５、複数の支持体２１６、及び、弁体２１７は、第１の電池に対応する。本例では、電子機器１Ａのうちの、本体２Ａ、膜３、第３の電極２１３Ａ、第４の電極２１４Ａ、弁座２１５Ａ、複数の支持体２１６Ａ、及び、弁体２１７Ａは、第２の電池に対応する。本例では、第３の電極２１３Ａ及び第４の電極２１４Ａは、一対の電極と表されてもよい。
【０１０９】
第２の電池は、本体２ＡのＺ軸方向における中央を通るＸＹ平面（換言すると、基準面）に対して、面対称に位置する点を除いて、第１の電池と同様に構成される。
更に、第３の貫通孔部２２１Ａ、第４の貫通孔部２２２Ａ、第３の端子２２３Ａ、第４の端子２２４Ａ、第３の導体２２５Ａ、及び、第４の導体２２６Ａは、基準面に対して、面対称に位置する点を除いて、第１の貫通孔部２２１、第２の貫通孔部２２２、第１の端子２２３、第２の端子２２４、第１の導体２２５、及び、第２の導体２２６とそれぞれ同様に構成される。
【０１１０】
本例では、回路２２７は、第１の端子２２３及び第２の端子２２４に接続されるとともに、第３の端子２２３Ａ及び第４の端子２２４Ａに接続される。回路２２７は、第１の空間ＳＰ１に電解質として機能する液体が導入された場合に、第１の電極２１３と第２の電極２１４との間に生じる電位の差と、第３の空間ＳＰ３に電解質として機能する液体が導入された場合に、第３の電極２１３Ａと第４の電極２１４Ａとの間に生じる電位の差と、の両方を用いて動作する。本例では、回路２２７には、第１の端子２２３及び第２の端子２２４と、第３の端子２２３Ａ及び第４の端子２２４Ａと、が直列に接続される。
【０１１１】
以上、説明したように、第１実施形態の第１変形例の電子機器１Ａによれば、第１実施形態の電子機器１と同様の作用及び効果が奏される。
更に、第１実施形態の第１変形例の電子機器１Ａは、第１の電池と、第２の電池と、を備える。加えて、第２の電池は、第２の層に対して第１の層と反対側にて、第１の層及び第２の層と異なる第３の層に位置する。
【０１１２】
これによれば、第２の電池が、第１の電池又は回路２２７と同一の層に位置する場合よりも、電極２１３，２１４，２１３Ａ，２１４Ａの面積を大きくすることができる。これにより、発電量を増加できる。
【０１１３】
更に、電子機器１Ａによれば、第１の電池及び第２の電池は、互いに異なる空間にて電解質を有する。従って、第１の電池及び第２の電池を直列に接続することができる。この結果、回路２２７に供給される電圧を増加できる。
【０１１４】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態の電子機器について説明する。第２実施形態の電子機器は、第１実施形態の電子機器に対して、弁体及び支持体が相違している。以下、相違点を中心として説明する。なお、第２実施形態の説明において、第１実施形態にて使用した符号と同じ符号を付したものは、同一又はほぼ同様のものである。
【０１１５】
図７乃至図９に表されるように、第２実施形態の電子機器１は、第１実施形態の複数の支持体２１６及び弁体２１７に代えて、複数（本例では、２個）の支持体２１６Ｂ及び弁体２１７Ｂを備える。
【０１１６】
図７は、弁体２１７Ｂが拡大された、図８におけるＶＩＩ−ＶＩＩ線により表される平面による電子機器１の部分断面図である。図８は、Ｚ軸の負方向へ向かって本体２を見るとともに、弁体２１７Ｂの近傍の領域が拡大された図である。図９は、支持体２１６Ｂが溶解した場合の、弁体２１７Ｂが拡大された、図８におけるＶＩＩ−ＶＩＩ線により表される平面による電子機器１の部分断面図である。
【０１１７】
弁体２１７Ｂは、弾性変形されていない状態において、ＸＹ平面に平行な平板状である。例えば、弁体２１７Ｂの厚さは、１００ｎｍ乃至２００μｍの厚さである。
【０１１８】
本例では、弁体２１７Ｂは、弾性変形されていない状態において、長方形状を有する。なお、弁体２１７Ｂは、弾性変形されていない状態において、長方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、正方形、又は、多角形等）を有してもよい。本例では、弁体２１７Ｂの長辺及び短辺は、弁体２１７Ｂが弾性変形されていない状態において、Ｙ軸及びＸ軸に沿ってそれぞれ延びる。
【０１１９】
図８に表されるように、Ｘ軸方向において、弁体２１７Ｂは、弁座２１５よりもＸ軸の負方向側から、弁座２１５よりもＸ軸の正方向側まで延びている。Ｙ軸方向において、弁体２１７Ｂは、弁座２１５よりもＹ軸の負方向側から、弁座２１５よりもＹ軸の正方向側まで延びている。
換言すると、Ｚ軸の負方向へ向かって本体２を見た場合において、弁体２１７Ｂは、通路形成部２１１により形成される孔、及び、弁座２１５を被覆する。
【０１２０】
弁体２１７ＢのうちのＸ軸方向における両端部は、本体２の表面のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面に接する。本例では、弁体２１７ＢのうちのＸ軸方向における両端部は、本体２の表面のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面に固定される。
【０１２１】
各支持体２１６Ｂは、ｐＨに応じて溶解する材料からなる。本例では、各支持体２１６Ｂは、ｐＨが所定の閾値（例えば、５）よりも低い液体に接することにより溶解する材料からなる。例えば、各支持体２１６Ｂは、胃溶性材料からなる。なお、各支持体２１６Ｂは、ｐＨが所定の閾値（例えば、４）よりも高い液体に接することにより溶解する材料からなっていてもよい。この場合、例えば、各支持体２１６Ｂは、腸溶性材料からなっていてもよい。
【０１２２】
各支持体２１６Ｂは、板状である。例えば、各支持体２１６Ｂの厚さは、１０ｎｍ乃至２００μｍの厚さである。
図８に表されるように、Ｘ軸方向において、各支持体２１６Ｂは、弁体２１７Ｂのうちの本体２の表面に固定されている部分から、弁体２１７ＢのうちのＸ軸方向における中央部（本例では、通路形成部２１１の近傍）まで延びている。Ｙ軸方向において、各支持体２１６Ｂは、弁体２１７ＢのうちのＹ軸の負方向側の端辺から、弁体２１７ＢのうちのＹ軸の正方向側の端辺まで延びている。
【０１２３】
各支持体２１６Ｂは、当該支持体２１６Ｂの表面のうちの、Ｚ軸の負方向側の端面の全体が、弁体２１７Ｂの表面のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面に接した状態にて、弁体２１７Ｂに固定される。
【０１２４】
図７に表されるように、２個の支持体２１６ＢのうちのＸ軸の負方向側の支持体２１６Ｂは、支持体２１６Ｂのうちの、Ｘ軸方向における、ある位置の部分が、支持体２１６ＢのうちのＸ軸の正方向側の端に近づくほど、Ｚ軸の正方向側に位置するように、湾曲された形状を有する。２個の支持体２１６ＢのうちのＸ軸の正方向側の支持体２１６Ｂは、支持体２１６Ｂのうちの、Ｘ軸方向における、ある位置の部分が、支持体２１６ＢのうちのＸ軸の負方向側の端に近づくほど、Ｚ軸の正方向側に位置するように、湾曲された形状を有する。
【０１２５】
換言すると、各支持体２１６Ｂは、Ｘ軸方向における、ある位置の部分が、弁体２１７ＢのうちのＸ軸方向における中央部に近づくほど、Ｚ軸の正方向側に位置するように、湾曲された形状を有する。
【０１２６】
これにより、弁体２１７Ｂは、弁体２１７Ｂのうちの、Ｘ軸方向における、ある位置の部分が、弁体２１７ＢのうちのＸ軸方向における中央部に近づくほど、Ｚ軸の正方向側に位置するように、弾性変形されることによって湾曲された状態にて、各支持体２１６Ｂに支持される。
【０１２７】
換言すると、図７に表されるように、弁体２１７Ｂには、弾性変形に伴って生じた復元力Ｆ２が働いている。本例では、復元力Ｆ２は、弁体２１７Ｂを、湾曲されていない状態（換言すると、ＸＹ平面に平行な状態）に復元する力である、と捉えられてよい。また、本例では、復元力Ｆ２は、弁体２１７Ｂのうちの中央部を、Ｚ軸の負方向へ変位させる力である、と捉えられてよい。
【０１２８】
このようにして、弁体２１７Ｂは、弁座２１５へ付勢されるとともに、弁座２１５から離れた位置にて支持体２１６Ｂにより支持される。
【０１２９】
図９に表されるように、支持体２１６Ｂが溶解した場合、弁体２１７Ｂは、復元力Ｆ２によって、ＸＹ平面に平行な状態に復元される。これにより、弁体２１７Ｂは、弁座２１５に接する。本例では、弁体２１７Ｂは、弁座２１５に押圧される。この結果、弁体２１７Ｂは、第１の空間ＳＰ１と本体２の外部とを連通する通路を遮断する。
【０１３０】
なお、各支持体２１６Ｂの位置及び大きさは、図８に表される位置及び大きさとそれぞれ異なっていてもよい。また、支持体２１６Ｂの数は、２個と異なる数でもよい。
【０１３１】
本例では、各支持体２１６Ｂは、第１の空間ＳＰ１の外部におけるｐＨが上記閾値よりも低い場合に、通路形成部２１１により形成される孔を介して第１の空間ＳＰ１に液体が導入された後に、各支持体２１６Ｂの溶解が完了するように構成される。
【０１３２】
第２実施形態の電子機器１は、第１実施形態の電子機器１と同様に動作する。従って、第２実施形態の電子機器１によっても、第１実施形態の電子機器１と同様の作用及び効果が奏される。
【０１３３】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態の電子機器について説明する。第３実施形態の電子機器は、第１実施形態の電子機器に対して、弁体及び支持体が相違している。以下、相違点を中心として説明する。なお、第３実施形態の説明において、第１実施形態にて使用した符号と同じ符号を付したものは、同一又はほぼ同様のものである。
【０１３４】
図１０乃至図１２に表されるように、第３実施形態の電子機器１は、第１実施形態の複数の支持体２１６及び弁体２１７に代えて、複数（本例では、４個）の支持体２１６Ｃ及び弁体２１７Ｃを備える。
【０１３５】
図１０は、弁体２１７Ｃが拡大された、図１１におけるＸＩＩ−ＸＩＩ線により表される平面による電子機器１の部分断面図である。図１１は、Ｚ軸の負方向へ向かって本体２を見るとともに、弁体２１７Ｃの近傍の領域が拡大された図である。図１２は、支持体２１６Ｃが溶解した場合の、弁体２１７Ｃが拡大された、図１１におけるＸＩＩ−ＸＩＩ線により表される平面による電子機器１の部分断面図である。
【０１３６】
弁体２１７Ｃは、基部２１７Ｃ１と、複数（本例では、４個）の脚部２１７Ｃ２と、を備える。
基部２１７Ｃ１は、ＸＹ平面に平行な平板状である。例えば、基部２１７Ｃ１の厚さは、２μｍ乃至２００μｍの厚さである。
【０１３７】
本例では、基部２１７Ｃ１は、長方形状を有する。なお、基部２１７Ｃ１は、長方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、正方形、又は、多角形等）を有してもよい。本例では、基部２１７Ｃ１の長辺及び短辺は、Ｙ軸及びＸ軸に沿ってそれぞれ延びる。
【０１３８】
図１１に表されるように、Ｘ軸方向において、基部２１７Ｃ１は、弁座２１５よりもＸ軸の負方向側から、弁座２１５よりもＸ軸の正方向側まで延びている。Ｙ軸方向において、基部２１７Ｃ１は、弁座２１５よりもＹ軸の負方向側から、弁座２１５よりもＹ軸の正方向側まで延びている。
換言すると、Ｚ軸の負方向へ向かって本体２を見た場合において、基部２１７Ｃ１は、通路形成部２１１により形成される孔、及び、弁座２１５を被覆する。
【０１３９】
各脚部２１７Ｃ２は、板状である。本例では、各脚部２１７Ｃ２の厚さは、基部２１７Ｃ１の厚さと同じである。なお、各脚部２１７Ｃ２の厚さは、基部２１７Ｃ１の厚さと異なっていてもよい。
【０１４０】
４個の脚部２１７Ｃ２は、基部２１７Ｃ１の４個の端辺からそれぞれ延びている。本例では、各脚部２１７Ｃ２の幅は、基部２１７Ｃ１の４個の端辺のうちの、当該脚部２１７Ｃ２の基端が接する端辺の長さよりも短い。本例では、各脚部２１７Ｃ２の基端は、基部２１７Ｃ１の４個の端辺のうちの、当該基端が接する端辺の中央部に位置する。
【０１４１】
各脚部２１７Ｃ２は、屈曲している。各脚部２１７Ｃ２の先端は、本体２の表面のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面に接する。本例では、各脚部２１７Ｃ２の先端は、本体２の表面のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面に固定される。
このようにして、複数の脚部２１７Ｃ２は、基部２１７Ｃ１を支持する。
【０１４２】
各脚部２１７Ｃ２のうちの、当該脚部２１７Ｃ２が屈曲している部分と、当該脚部２１７Ｃ２の基端と、の間の部分は、当該脚部２１７Ｃ２が弾性変形されていない状態において、当該基端に近づくほど、Ｚ軸の負方向側に位置するように、湾曲している。本例では、各脚部２１７Ｃ２は、弾性変形されていない状態において、基端のＺ軸方向における位置が、弁座２１５と略同じ位置（例えば、弁座２１５よりも僅かにＺ軸の負方向側の位置）に位置する。
【０１４３】
各支持体２１６Ｃは、ｐＨに応じて溶解する材料からなる。本例では、各支持体２１６Ｃは、ｐＨが所定の閾値（例えば、５）よりも低い液体に接することにより溶解する材料からなる。例えば、各支持体２１６Ｃは、胃溶性材料からなる。なお、各支持体２１６Ｃは、ｐＨが所定の閾値（例えば、４）よりも高い液体に接することにより溶解する材料からなっていてもよい。この場合、例えば、各支持体２１６Ｃは、腸溶性材料からなっていてもよい。
【０１４４】
各支持体２１６Ｃは、ＸＹ平面に平行な平板状である。例えば、各支持体２１６Ｃの厚さは、１０ｎｍ乃至２００μｍの厚さである。
図１１に表されるように、各支持体２１６Ｃは、脚部２１７Ｃ２と同じ幅を有する。各支持体２１６Ｃは、脚部２１７Ｃ２のうちの当該脚部２１７Ｃ２が屈曲している部分と、当該脚部２１７Ｃ２の基端と、の間に位置する。
【０１４５】
各支持体２１６Ｃは、当該支持体２１６Ｃの表面のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面の全体が、脚部２１７Ｃ２の表面のうちの、Ｚ軸の負方向側の端面に接した状態にて、脚部２１７Ｃ２に固定される。
【０１４６】
このようにして、各脚部２１７Ｃ２の基端は、Ｚ軸方向において、当該脚部２１７Ｃ２が屈曲している部分と略同じ位置に位置する。従って、各脚部２１７Ｃ２のうちの、当該脚部２１７Ｃ２が屈曲している部分と、当該脚部２１７Ｃ２の基端と、の間の部分が、弾性変形されることによって湾曲されていない状態にて、弁体２１７Ｃの基部２１７Ｃ１は、各支持体２１６Ｃに支持される。
【０１４７】
換言すると、図１０に表されるように、各脚部２１７Ｃ２のうちの、当該脚部２１７Ｃ２が屈曲している部分と、当該脚部２１７Ｃ２の基端と、の間の部分には、弾性変形に伴って生じた復元力Ｆ３が働いている。本例では、復元力Ｆ３は、各脚部２１７Ｃ２のうちの、当該脚部２１７Ｃ２が屈曲している部分と、当該脚部２１７Ｃ２の基端と、の間の部分を、湾曲された状態（換言すると、基端のＺ軸方向における位置が、弁座２１５と略同じ位置である状態）に復元する力である、と捉えられてよい。また、本例では、復元力Ｆ３は、基部２１７Ｃ１を、Ｚ軸の負方向へ変位させる力である、と捉えられてよい。
【０１４８】
このようにして、弁体２１７Ｃの基部２１７Ｃ１は、弁座２１５へ付勢されるとともに、弁座２１５から離れた位置にて支持体２１６Ｃにより支持される。
【０１４９】
図１２に表されるように、支持体２１６Ｃが溶解した場合、各脚部２１７Ｃ２のうちの、当該脚部２１７Ｃ２が屈曲している部分と、当該脚部２１７Ｃ２の基端と、の間の部分は、復元力Ｆ３によって、湾曲された状態（換言すると、基端のＺ軸方向における位置が、弁座２１５と略同じ位置である状態）に復元される。これにより、弁体２１７Ｃの基部２１７Ｃ１は、弁座２１５に接する。本例では、弁体２１７Ｃの基部２１７Ｃ１は、弁座２１５に押圧される。この結果、弁体２１７Ｃは、第１の空間ＳＰ１と本体２の外部とを連通する通路を遮断する。
【０１５０】
なお、各支持体２１６Ｃの位置及び大きさは、図１１に表される位置及び大きさとそれぞれ異なっていてもよい。また、支持体２１６Ｃの数は、４個と異なる数でもよい。
【０１５１】
本例では、各支持体２１６Ｃは、第１の空間ＳＰ１の外部におけるｐＨが上記閾値よりも低い場合に、通路形成部２１１により形成される孔を介して第１の空間ＳＰ１に液体が導入された後に、各支持体２１６Ｃの溶解が完了するように構成される。
【０１５２】
第３実施形態の電子機器１は、第１実施形態の電子機器１と同様に動作する。従って、第３実施形態の電子機器１によっても、第１実施形態の電子機器１と同様の作用及び効果が奏される。
【０１５３】
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態の電子機器について説明する。第４実施形態の電子機器は、第１実施形態の電子機器に対して、ｐＨに応じて溶解する支持体に代えて、ｐＨに応じて体積が変化する体積変化体を用いる点において相違している。以下、相違点を中心として説明する。なお、第４実施形態の説明において、第１実施形態にて使用した符号と同じ符号を付したものは、同一又はほぼ同様のものである。
【０１５４】
図１３乃至図１５に表されるように、第４実施形態の電子機器１は、第１実施形態の複数の支持体２１６及び弁体２１７に代えて、弁体２１７Ｄ及び複数（本例では、４個）の体積変化体２１８Ｄを備える。
【０１５５】
図１３は、弁体２１７Ｄが拡大された、図１４におけるＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線により表される平面による電子機器１の部分断面図である。図１４は、Ｚ軸の負方向へ向かって本体２を見るとともに、弁体２１７Ｄの近傍の領域が拡大された図である。図１５は、体積変化体２１８Ｄが収縮した場合の、弁体２１７Ｄが拡大された、図１４におけるＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線により表される平面による電子機器１の部分断面図である。
【０１５６】
弁体２１７Ｄは、ＸＹ平面に平行な平板状である。例えば、弁体２１７Ｄの厚さは、２μｍ乃至２００μｍの厚さである。
本例では、弁体２１７Ｄは、長方形状を有する。なお、弁体２１７Ｄは、長方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、正方形、又は、多角形等）を有してもよい。本例では、弁体２１７Ｄの長辺及び短辺は、Ｙ軸及びＸ軸に沿ってそれぞれ延びる。
【０１５７】
図１４に表されるように、Ｘ軸方向において、弁体２１７Ｄは、弁座２１５よりもＸ軸の負方向側から、弁座２１５よりもＸ軸の正方向側まで延びている。Ｙ軸方向において、弁体２１７Ｄは、弁座２１５よりもＹ軸の負方向側から、弁座２１５よりもＹ軸の正方向側まで延びている。
換言すると、Ｚ軸の負方向へ向かって本体２を見た場合において、弁体２１７Ｄは、通路形成部２１１により形成される孔、及び、弁座２１５を被覆する。
【０１５８】
各体積変化体２１８Ｄは、ｐＨに応じて体積が変化する材料からなる。本例では、各体積変化体２１８Ｄは、ｐＨが所定の閾値（例えば、５）よりも低い液体に接することにより体積が減少する（換言すると、収縮する）材料からなる。なお、各体積変化体２１８Ｄは、ｐＨが所定の閾値（例えば、４）よりも高い液体に接することにより収縮する材料からなっていてもよい。本例では、各体積変化体２１８Ｄは、ｐＨ応答性ゲルからなる。
【０１５９】
例えば、ｐＨ応答性ゲルは、高分子鎖中にカルボキシル基等の酸性官能基を有するアニオンゲル、高分子鎖中に塩基性官能基を有するカチオンゲル、又は、高分子鎖中に酸性官能基及び塩基性官能基の両方を有する両性ゲルの少なくとも１つが主成分である。例えば、ｐＨ応答性ゲルは、アクリルアミド−アクリル酸共重合体である。
【０１６０】
各体積変化体２１８Ｄは、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する。本例では、各体積変化体２１８Ｄの底面は、長方形状を有する。なお、各体積変化体２１８Ｄの底面は、長方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、正方形、又は、多角形等）を有してもよい。
【０１６１】
例えば、各体積変化体２１８ＤのＺ軸方向における長さ（換言すると、体積変化体２１８Ｄの高さ）は、１０μｍ乃至１ｍｍの長さである。本例では、各体積変化体２１８Ｄの高さは、弁座２１５の厚さよりも大きい。
本例では、各体積変化体２１８ＤのＺ軸方向における長さは、収縮が完了した状態において、弁座２１５の厚さ以下である。
【０１６２】
各体積変化体２１８Ｄの、Ｚ軸の負方向側の端面は、本体２の表面のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面に固定される。更に、各体積変化体２１８Ｄの、Ｚ軸の正方向側の端面は、弁体２１７Ｄの表面のうちの、Ｚ軸の負方向側の端面に固定される。
【０１６３】
図１４に表されるように、各体積変化体２１８Ｄは、ＸＹ平面において、弁座２１５の外縁と、弁体２１７Ｄの外縁と、の間に位置する。本例では、４個の体積変化体２１８Ｄは、弁座２１５の外周のうちの、弁体２１７Ｄの４個の隅部にそれぞれ位置する。換言すると、４個の体積変化体２１８Ｄは、互いに離れている。
【０１６４】
このようにして、弁体２１７Ｄは、体積変化体２１８Ｄに接した状態にて本体２により支持される。
【０１６５】
図１５に表されるように、体積変化体２１８Ｄが収縮した場合、弁体２１７Ｄは、体積変化体２１８Ｄが弁体２１７ＤをＺ軸の負方向へ引っ張ることにより弁座２１５に接する。本例では、弁体２１７Ｄは、弁座２１５に押圧される。この結果、弁体２１７Ｄは、第１の空間ＳＰ１と本体２の外部とを連通する通路を遮断する。
【０１６６】
本例では、各体積変化体２１８Ｄは、第１の空間ＳＰ１の外部におけるｐＨが上記閾値よりも低い場合に、通路形成部２１１により形成される孔を介して第１の空間ＳＰ１に液体が導入された後に、各体積変化体２１８Ｄの収縮が完了するように構成される。
【０１６７】
本例では、弁座２１５、弁体２１７Ｄ、及び、体積変化体２１８Ｄは、第１の空間ＳＰ１と本体２の外部とを連通する通路を、ｐＨに応じて遮断する弁に対応する。
【０１６８】
なお、各体積変化体２１８Ｄの位置及び大きさは、図１４に表される位置及び大きさとそれぞれ異なっていてもよい。例えば、各体積変化体２１８Ｄは、弁座２１５の外周の所定の領域に位置していてよい。
なお、体積変化体２１８Ｄの数は、４個と異なる数でもよい。
【０１６９】
第４実施形態の電子機器１において、各体積変化体２１８Ｄは、第１の空間ＳＰ１に胃液が導入された後に、収縮を完了する。これにより、弁体２１７Ｄは、体積変化体２１８Ｄが弁体２１７ＤをＺ軸の負方向へ引っ張ることにより弁座２１５に押圧される。従って、弁体２１７Ｄは、第１の空間ＳＰ１と本体２の外部とを連通する通路を遮断する。
【０１７０】
これにより、胃液と異なる物質（例えば、胃液と異なるｐＨを有する液体、又は、固体等）が、第１の空間ＳＰ１に導入されることを抑制できる。この結果、発電量が低下することを抑制できる。
【０１７１】
以上説明したように、第４実施形態の電子機器１は、弁の機構が相違する点を除いて、第１実施形態の電子機器１と同様に動作する。従って、第４実施形態の電子機器１によっても、第１実施形態の電子機器１と同様の作用及び効果が奏される。
【０１７２】
更に、第４実施形態の電子機器１において、弁は、弁座２１５と、ｐＨに応じて体積が変化する体積変化体２１８Ｄと、体積変化体２１８Ｄに接した状態にて本体２により支持されるとともに、体積変化体２１８Ｄの体積の変化に伴って弁座２１５に接することにより通路を遮断する弁体２１７Ｄと、を含む。
【０１７３】
これによれば、ｐＨの変化に伴って体積変化体２１８Ｄの体積が変化する。これにより、弁体２１７Ｄが弁座２１５に接する。この結果、第１の空間ＳＰ１と本体２の外部とを連通する通路を遮断できる。
【０１７４】
なお、本体２の少なくとも一部は、当該本体２の少なくとも一部を介して体積変化体２１８Ｄに光が照射されるように光を透過する材料からなっていてもよい。例えば、光を透過する材料は、ガラスである。この場合、ガラスからなる部材とシリコン（Ｓｉ）からなる部材とは、陽極接合により接合されてよい。
【０１７５】
これによれば、本体２のうちの、光を透過する材料からなる部分を介して光を照射することにより、体積変化体２１８Ｄを形成することができる。この結果、体積変化体２１８Ｄが内部に位置する電子機器１を容易に製造できる。
【０１７６】
＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態の電子機器について説明する。第５実施形態の電子機器は、第１実施形態の電子機器に対して、本体及び弁体が相違している。以下、相違点を中心として説明する。なお、第５実施形態の説明において、第１実施形態にて使用した符号と同じ符号を付したものは、同一又はほぼ同様のものである。
【０１７７】
図１６に表されるように、第５実施形態の電子機器１Ｅは、第１実施形態の本体２に代えて、本体２Ｅを備える。なお、図１６、及び、後述する図１７乃至図１９において、膜３は、図示が省略されている。
本例では、本体２Ｅは、シリコン（Ｓｉ）からなる。なお、本体２Ｅの少なくとも一部は、ガラスからなっていてもよい。本例では、本体２Ｅは、第１の構成体２Ｅ１と、第２の構成体２Ｅ２と、第３の構成体２Ｅ３と、第４の構成体２Ｅ４と、を備える。
【０１７８】
各構成体２Ｅ１〜２Ｅ４は、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する。本例では、各構成体２Ｅ１〜２Ｅ４の底面は、正方形状を有する。なお、各構成体２Ｅ１〜２Ｅ４の底面は、正方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、長方形、又は、多角形等）を有してもよい。
【０１７９】
第２の構成体２Ｅ２、第３の構成体２Ｅ３、及び、第４の構成体２Ｅ４の底面は、同一の形状を有する。第１の構成体２Ｅ１の底面の外縁は、第２の構成体２Ｅ２の底面の外縁の内側に位置する。４個の構成体２Ｅ１〜２Ｅ４の中心軸は、互いに一致する。
【０１８０】
第１の構成体２Ｅ１、第２の構成体２Ｅ２、第３の構成体２Ｅ３、及び、第４の構成体２Ｅ４は、積み重ねられている。第１の構成体２Ｅ１のＺ軸の負方向側の端面は、第２の構成体２Ｅ２のＺ軸の正方向側の端面に接する。第２の構成体２Ｅ２のＺ軸の負方向側の端面は、第３の構成体２Ｅ３のＺ軸の正方向側の端面に接する。第３の構成体２Ｅ３のＺ軸の負方向側の端面は、第４の構成体２Ｅ４のＺ軸の正方向側の端面に接する。
【０１８１】
第１の構成体２Ｅ１は、凹部２１Ｅ１を有する。凹部２１Ｅ１は、第１の構成体２Ｅ１のＺ軸の負方向側の端面にて第２の構成体２Ｅ２と接する空間を形成する。換言すると、凹部２１Ｅ１は、第１の構成体２Ｅ１のＺ軸の負方向側の端面にて開口する。
【０１８２】
凹部２１Ｅ１により形成される空間は、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する。本例では、凹部２１Ｅ１により形成される空間の底面は、正方形状を有する。なお、凹部２１Ｅ１により形成される空間の底面は、正方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、長方形、又は、多角形等）を有してもよい。
【０１８３】
第２の構成体２Ｅ２は、貫通孔部２１Ｅ２を有する。貫通孔部２１Ｅ２は、Ｚ軸方向にて第２の構成体２Ｅ２を貫通する孔を形成する。
【０１８４】
貫通孔部２１Ｅ２により形成される孔は、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する。本例では、貫通孔部２１Ｅ２により形成される孔の底面は、正方形状を有する。なお、貫通孔部２１Ｅ２により形成される孔の底面は、正方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、長方形、又は、多角形等）を有してもよい。
【０１８５】
本例では、貫通孔部２１Ｅ２により形成される孔の底面は、凹部２１Ｅ１により形成される空間の底面と同じ形状を有する。本例では、貫通孔部２１Ｅ２により形成される孔の中心軸は、凹部２１Ｅ１により形成される空間の中心軸と一致する。
【０１８６】
第３の構成体２Ｅ３は、凹部２１Ｅ３を有する。凹部２１Ｅ３は、第３の構成体２Ｅ３のＺ軸の正方向側の端面にて第２の構成体２Ｅ２と接する空間を形成する。換言すると、凹部２１Ｅ３は、第３の構成体２Ｅ３のＺ軸の正方向側の端面にて開口する。凹部２１Ｅ３は、第３の構成体２Ｅ３のうちのＸＹ平面における端部（換言すると、第３の構成体２Ｅ３のうちのＸＹ平面における中央部以外の部分）に位置する。
【０１８７】
凹部２１Ｅ３により形成される空間は、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する。本例では、凹部２１Ｅ３により形成される空間の底面は、中央部にて長方形状が取り除かれた正方形状を有する。なお、凹部２１Ｅ３により形成される空間の底面は、正方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、長方形、又は、多角形等）を有してもよい。
本例では、凹部２１Ｅ３により形成される空間の中心軸は、貫通孔部２１Ｅ２により形成される孔の中心軸と一致する。
【０１８８】
貫通孔部２１Ｅ２により形成される孔は、凹部２１Ｅ１により形成される空間、及び、凹部２１Ｅ３により形成される空間のそれぞれと連接する。本例では、凹部２１Ｅ１により形成される空間、貫通孔部２１Ｅ２により形成される孔、及び、凹部２１Ｅ３により形成される空間は、本体２Ｅの内部に形成される第１の空間ＳＰ１を構成する。
【０１８９】
第４の構成体２Ｅ４は、凹部２２Ｅを有する。凹部２２Ｅは、第４の構成体２Ｅ４のＺ軸の正方向側の端面にて第３の構成体２Ｅ３と接する空間を形成する。換言すると、凹部２２Ｅは、第４の構成体２Ｅ４のＺ軸の正方向側の端面にて開口する。凹部２２Ｅは、第４の構成体２Ｅ４のうちのＸＹ平面における端部（換言すると、第４の構成体２Ｅ４のうちのＸＹ平面における中央部以外の部分）に位置する。
【０１９０】
凹部２２Ｅにより形成される空間は、第３の構成体２Ｅ３のＺ軸の負方向側の端面と接する。本例では、第３の構成体２Ｅ３のＺ軸の負方向側の端面、及び、凹部２２Ｅにより形成される空間は、本体２Ｅの内部に形成される第２の空間ＳＰ２を構成する。
【０１９１】
本例では、第１の構成体２Ｅ１、第２の構成体２Ｅ２、及び、第３の構成体２Ｅ３は、第１の層を構成する。また、本例では、第４の構成体２Ｅ４は、第１の層と異なる第２の層を構成する。
【０１９２】
なお、電子機器１Ｅは、第１の空間ＳＰ１に多孔質材料からなる保持部材を備えていてもよい。この場合、多孔質材料は、親水性を有することが好適である。
【０１９３】
図１６及び図１７に表されるように、第３の構成体２Ｅ３は、第１の通路形成部２１１Ｅ１を有する。図１７は、図１６におけるＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線により表される平面による電子機器１Ｅの断面を表す。第４の構成体２Ｅ４は、第２の通路形成部２１１Ｅ２を有する。第２の構成体２Ｅ２は、複数（本例では、１６個）の貫通孔部２１２Ｅを有する。
【０１９４】
第１の通路形成部２１１Ｅ１は、第３の構成体２Ｅ３のうちのＸＹ平面における中央部を、Ｚ軸方向にて貫通するとともに、Ｚ軸に沿って延びる錐体の一部を構成する形状を有する孔を形成する。
【０１９５】
本例では、第１の通路形成部２１１Ｅ１により形成される孔の底面は、長方形状を有する。なお、第１の通路形成部２１１Ｅ１により形成される孔の底面は、長方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、正方形、又は、多角形等）を有してもよい。なお、第１の通路形成部２１１Ｅ１により形成される孔は、柱体形状を有してもよい。
【０１９６】
例えば、第１の通路形成部２１１Ｅ１により形成される孔の底面の長辺の長さは、２００μｍ乃至２０ｍｍの長さである。例えば、第１の通路形成部２１１Ｅ１により形成される孔の底面の短辺の長さは、１００μｍ乃至１０ｍｍの長さである。
第１の通路形成部２１１Ｅ１により形成される孔の底面における長辺及び短辺は、Ｙ軸及びＸ軸に沿ってそれぞれ延びる。
【０１９７】
第２の通路形成部２１１Ｅ２は、第４の構成体２Ｅ４のうちのＸＹ平面における中央部を、Ｚ軸方向にて貫通するとともに、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する孔を形成する。
【０１９８】
本例では、第２の通路形成部２１１Ｅ２により形成される孔の底面は、長方形状を有する。なお、第２の通路形成部２１１Ｅ２により形成される孔の底面は、長方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、正方形、又は、多角形等）を有してもよい。なお、第２の通路形成部２１１Ｅ２により形成される孔は、錐体の一部を構成する形状を有してもよい。
【０１９９】
本例では、第２の通路形成部２１１Ｅ２により形成される孔の底面は、第１の通路形成部２１１Ｅ１により形成される孔のＺ軸の負方向側の底面と同じ形状を有する。第２の通路形成部２１１Ｅ２により形成される孔の中心軸は、第１の通路形成部２１１Ｅ１により形成される孔の中心軸と一致する。
【０２００】
本例では、第１の通路形成部２１１Ｅ１により形成される孔、及び、第２の通路形成部２１１Ｅ２により形成される孔は、第１の空間ＳＰ１と、本体２Ｅの外部と、を連通する。本例では、第１の通路形成部２１１Ｅ１により形成される孔、及び、第２の通路形成部２１１Ｅ２により形成される孔は、通路に対応する。
【０２０１】
本例では、第１の通路形成部２１１Ｅ１、第２の通路形成部２１１Ｅ２、凹部２１Ｅ１、貫通孔部２１Ｅ２、及び、凹部２１Ｅ３は、親水性を有する膜により被覆される。例えば、親水性を有する膜は、二酸化ケイ素からなる。
【０２０２】
図１６及び図１８に表されるように、各貫通孔部２１２Ｅは、第２の構成体２Ｅ２をＺ軸方向にて貫通するとともに、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する孔を形成する。図１８は、Ｚ軸の負方向に向かって第２の構成体２Ｅ２を見た図である。
【０２０３】
本例では、各貫通孔部２１２Ｅにより形成される孔の底面は、円形状を有する。なお、各貫通孔部２１２Ｅにより形成される孔の底面は、円形状と異なる形状（例えば、楕円形、正方形、長方形、又は、多角形等）を有してもよい。なお、各貫通孔部２１２Ｅにより形成される孔は、錐体の一部を構成する形状を有してもよい。
【０２０４】
本例では、各貫通孔部２１２Ｅにより形成される孔の底面の面積は、第１の通路形成部２１１Ｅ１により形成される孔の底面の面積よりも小さい。例えば、各貫通孔部２１２Ｅにより形成される孔の底面の直径は、２μｍ乃至２００μｍの長さである。
【０２０５】
図１６に表されるように、各貫通孔部２１２Ｅは、第１の構成体２Ｅ１のＸＹ平面における外縁よりも外側に位置する。本例では、図１８に表されるように、各貫通孔部２１２Ｅは、第２の構成体２Ｅ２のうちのＸ軸方向における両端部に位置する。複数の貫通孔部２１２Ｅは、Ｙ軸に沿って等間隔にて位置する。
【０２０６】
このようにして、各貫通孔部２１２Ｅにより形成される孔は、第１の空間ＳＰ１と、本体２Ｅの外部と、を連通する。
なお、貫通孔部２１２Ｅの数は、８個と異なる数でもよい。
【０２０７】
本例では、各貫通孔部２１２Ｅは、撥水性を有する膜により被覆される。例えば、撥水性を有する膜は、フッ化炭素樹脂（例えば、ポリテトラフルオロエチレンが主成分である樹脂）からなる。
【０２０８】
更に、電子機器１Ｅは、第１実施形態の、第１の電極２１３、第２の電極２１４、弁座２１５、複数の支持体２１６、及び、弁体２１７に代えて、第１の電極２１３Ｅ、第２の電極２１４Ｅ、弁座２１５Ｅ、複数（本例では、２個）の支持体２１６Ｅ、及び、弁体２１７Ｅ、を有する。
【０２０９】
本例では、電子機器１Ｅのうちの、本体２Ｅ、膜３、第１の電極２１３Ｅ、第２の電極２１４Ｅ、弁座２１５Ｅ、複数の支持体２１６Ｅ、及び、弁体２１７Ｅは、電池に対応する。本例では、第１の電極２１３Ｅ及び第２の電極２１４Ｅは、一対の電極と表されてもよい。
【０２１０】
本例では、第１の電極２１３Ｅは、マグネシウムからなる。なお、第１の電極２１３Ｅは、マグネシウムと異なる材料（例えば、亜鉛、又は、合金等）からなっていてもよい。また、第１の電極２１３Ｅは、複数の互いに異なる材料によりそれぞれ構成された複数の層が積み重ねられた積層膜であってもよい。
【０２１１】
第１の電極２１３Ｅは、ＸＹ平面に平行な平板状である。例えば、第１の電極２１３Ｅの厚さは、１００ｎｍ乃至２ｍｍの厚さである。本例では、第１の電極２１３Ｅは、長辺及び短辺がＹ軸及びＸ軸に沿ってそれぞれ延びる長方形状を有する。第１の電極２１３Ｅは、Ｘ軸の正方向側の長辺にて凹部を有する。なお、第１の電極２１３Ｅは、長方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、正方形、又は、多角形等）を有してもよい。
第１の電極２１３Ｅは、凹部２１Ｅ３のうちのＺ軸の負方向側の端面に接する。
【０２１２】
本例では、第１の電極２１３Ｅの面積は、凹部２１Ｅ３のうちのＺ軸の負方向側の端面の面積の半分よりも僅かに小さい。
【０２１３】
本例では、第２の電極２１４Ｅは、プラチナからなる。なお、第２の電極２１４Ｅは、プラチナと異なる材料（例えば、塩化銅（ＣｕＣｌ）、塩化銀（ＡｇＣｌ）、又は、合金等）からなっていてもよい。また、第２の電極２１４Ｅは、複数の互いに異なる材料によりそれぞれ構成された複数の層が積み重ねられた積層膜であってもよい。
【０２１４】
第２の電極２１４Ｅは、ＸＹ平面に平行な平板状である。例えば、第２の電極２１４Ｅの厚さは、１０ｎｍ乃至２ｍｍの厚さである。本例では、第２の電極２１４Ｅは、長辺及び短辺がＹ軸及びＸ軸に沿ってそれぞれ延びる長方形状を有する。第２の電極２１４Ｅは、Ｘ軸の負方向側の長辺にて凹部を有する。なお、第２の電極２１４Ｅは、長方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、正方形、又は、多角形等）を有してもよい。
第２の電極２１４Ｅは、凹部２１Ｅ３のうちのＺ軸の負方向側の端面に接する。
【０２１５】
本例では、第２の電極２１４Ｅの面積は、凹部２１Ｅ３のうちのＺ軸の負方向側の端面の面積の半分よりも僅かに小さい。
【０２１６】
本例では、第１の電極２１３Ｅは、凹部２１Ｅ３のうちのＺ軸の負方向側の端面のうちの、Ｘ軸方向における中央よりもＸ軸の負方向側に位置する。また、本例では、第２の電極２１４Ｅは、凹部２１Ｅ３のうちのＺ軸の負方向側の端面のうちの、Ｘ軸方向における中央よりもＸ軸の正方向側に位置する。換言すると、第１の電極２１３Ｅと第２の電極２１４Ｅとは、互いに離れている。
【０２１７】
本例では、第１の電極２１３Ｅ及び第２の電極２１４Ｅの材料は、第１の空間ＳＰ１に胃液が導入された場合に、胃液が電解質として機能することにより電力が生成されるように設定される。
【０２１８】
本例では、弁座２１５Ｅは、金属からなる。なお、弁座２１５Ｅは、金属と異なる材料（例えば、ポリイミドが主成分である樹脂等）からなっていてもよい。
弁座２１５Ｅは、ＸＹ平面に平行な平板状である。例えば、弁座２１５Ｅの厚さは、１０ｎｍ乃至１０μｍの厚さである。弁座２１５Ｅは、第３の構成体２Ｅ３の表面のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面に接する。
【０２１９】
弁座２１５Ｅは、所定の幅を有するとともに、第１の通路形成部２１１Ｅ１のうちの、Ｚ軸の正方向側の端辺に沿って延びる。なお、第１の通路形成部２１１Ｅ１のうちの、Ｚ軸の正方向側の端辺は、第１の通路形成部２１１Ｅ１により形成される孔のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面の外縁と表されてもよい。また、第１の通路形成部２１１Ｅ１のうちの、Ｚ軸の正方向側の端辺は、第３の構成体２Ｅ３の表面のうちのＺ軸の正方向側の端面における、第１の通路形成部２１１Ｅ１により形成される孔の開口の外縁と表されてもよい。
【０２２０】
換言すると、弁座２１５Ｅは、ＸＹ平面における形状が、第１の通路形成部２１１Ｅ１により形成される孔のＺ軸の正方向側の端面の形状と一致し、且つ、Ｚ軸方向にて貫通する孔を有する。
【０２２１】
図１８に表されるように、弁体２１７Ｅは、貫通孔部２１Ｅ２のうちのＸ軸の負方向側の端面から、貫通孔部２１Ｅ２のうちのＸ軸の正方向側の端面まで延びている。弁体２１７ＥのＹ軸方向における長さは、貫通孔部２１Ｅ２のＸ軸方向における端面の、Ｙ軸方向における長さよりも短く、且つ、第１の通路形成部２１１Ｅ１により形成される孔のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面の、Ｙ軸方向における長さよりも長い。
【０２２２】
図１６、図１８及び図１９に表されるように、弁体２１７Ｅは、基部２１７Ｅ１と、複数（本例では、２個）の腕部２１７Ｅ２と、を備える。図１９は、支持体２１６Ｅが溶解した場合の、図１８におけるＸＶＩ−ＸＶＩ線により表される平面による電子機器１Ｅの断面図である。
【０２２３】
基部２１７Ｅ１は、弁体２１７ＥのうちのＸ軸方向における中央部を構成する。基部２１７Ｅ１のＺ軸方向における長さ（換言すると、基部２１７Ｅ１の厚さ）は、第２の構成体２Ｅ２のＺ軸方向における長さ（換言すると、第２の構成体２Ｅ２の厚さ）と等しい。基部２１７Ｅ１のＸ軸方向における長さは、第１の通路形成部２１１Ｅ１により形成される孔のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面の、Ｘ軸方向における長さよりも僅かに長い。
【０２２４】
換言すると、Ｚ軸の負方向へ向かって第２の構成体２Ｅ２を見た場合において、弁体２１７Ｅの基部２１７Ｅ１は、第１の通路形成部２１１Ｅ１により形成される孔のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面を被覆するとともに、弁座２１５Ｅの少なくとも一部を被覆する。
【０２２５】
２個の腕部２１７Ｅ２は、弁体２１７ＥのうちのＸ軸方向における両端部（換言すると、弁体２１７Ｅのうちの基部２１７Ｅ１以外の部分）をそれぞれ構成する。換言すると、２個の腕部２１７Ｅ２は、基部２１７Ｅ１を支持する。
【０２２６】
各腕部２１７Ｅ２のＺ軸方向における長さ（換言すると、腕部２１７Ｅ２の厚さ）は、第２の構成体２Ｅ２の厚さよりも短い。各腕部２１７Ｅ２は、第２の構成体２Ｅ２のＺ軸の正方向側の端面の一部を構成する。
【０２２７】
図１９に表されるように、各腕部２１７Ｅ２は、弾性変形されていない状態において、ＸＹ平面に平行な平板状である。
【０２２８】
各支持体２１６Ｅは、ｐＨに応じて溶解する材料からなる。本例では、各支持体２１６Ｅは、ｐＨが所定の閾値（例えば、５）よりも低い液体に接することにより溶解する材料からなる。例えば、各支持体２１６Ｅは、胃溶性材料からなる。なお、各支持体２１６Ｅは、ｐＨが所定の閾値（例えば、４）よりも高い液体に接することにより溶解する材料からなっていてもよい。この場合、例えば、各支持体２１６Ｅは、腸溶性材料からなっていてもよい。
【０２２９】
各支持体２１６Ｅは、板状である。例えば、各支持体２１６Ｅの厚さは、１０ｎｍ乃至２００μｍの厚さである。
【０２３０】
図１６及び図１８に表されるように、各支持体２１６Ｅは、当該支持体２１６Ｅの表面のうちの、Ｚ軸の負方向側の端面の全体が、弁体２１７Ｅの表面のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面に接した状態にて、弁体２１７Ｅに固定される。本例では、２個の支持体２１６Ｅは、２個の腕部２１７Ｅ２にそれぞれ固定される。
【０２３１】
Ｘ軸方向において、各支持体２１６Ｅは、腕部２１７Ｅ２のうちのＸ軸の負方向側の端辺の近傍から、腕部２１７Ｅ２のうちのＸ軸の正方向側の端辺の近傍まで延びている。Ｙ軸方向において、各支持体２１６Ｅは、弁体２１７ＥのうちのＹ軸の負方向側の端辺から、弁体２１７ＥのうちのＹ軸の正方向側の端辺まで延びている。
【０２３２】
図１６に表されるように、２個の支持体２１６ＥのうちのＸ軸の負方向側の支持体２１６Ｅは、支持体２１６Ｅのうちの、Ｘ軸方向における、ある位置の部分が、支持体２１６ＥのうちのＸ軸の正方向側の端に近づくほど、Ｚ軸の正方向側に位置するように、湾曲された形状を有する。２個の支持体２１６ＥのうちのＸ軸の正方向側の支持体２１６Ｅは、支持体２１６Ｅのうちの、Ｘ軸方向における、ある位置の部分が、支持体２１６ＥのうちのＸ軸の負方向側の端に近づくほど、Ｚ軸の正方向側に位置するように、湾曲された形状を有する。
【０２３３】
換言すると、各支持体２１６Ｅは、Ｘ軸方向における、ある位置の部分が、弁体２１７ＥのうちのＸ軸方向における中央部（換言すると、基部２１７Ｅ１）に近づくほど、Ｚ軸の正方向側に位置するように、湾曲された形状を有する。
【０２３４】
これにより、弁体２１７Ｅは、弁体２１７Ｅのうちの、Ｘ軸方向における、ある位置の部分が、弁体２１７ＥのうちのＸ軸方向における中央部に近づくほど、Ｚ軸の正方向側に位置するように、弾性変形されることによって湾曲された状態にて、各支持体２１６Ｅに支持される。
【０２３５】
換言すると、図１６に表されるように、腕部２１７Ｅ２には、弾性変形に伴って生じた復元力Ｆ４が働いている。本例では、復元力Ｆ４は、腕部２１７Ｅ２を、湾曲されていない状態（換言すると、ＸＹ平面に平行な状態）に復元する力である、と捉えられてよい。また、本例では、復元力Ｆ４は、弁体２１７Ｅのうちの中央部（換言すると、基部２１７Ｅ１）を、Ｚ軸の負方向へ変位させる力である、と捉えられてよい。
【０２３６】
このようにして、弁体２１７Ｅの基部２１７Ｅ１は、弁座２１５Ｅへ付勢されるとともに、弁座２１５Ｅから離れた位置にて支持体２１６Ｅにより支持される。
【０２３７】
図１９に表されるように、支持体２１６Ｅが溶解した場合、腕部２１７Ｅ２は、復元力Ｆ４によって、ＸＹ平面に平行な状態に復元される。これにより、弁体２１７Ｅの基部２１７Ｅ１は、弁座２１５Ｅに接する。本例では、弁体２１７Ｅの基部２１７Ｅ１は、弁座２１５Ｅに押圧される。この結果、弁体２１７Ｅは、第１の空間ＳＰ１と本体２Ｅの外部とを連通する通路を遮断する。
【０２３８】
なお、各支持体２１６Ｅの位置及び大きさは、図１８に表される位置及び大きさとそれぞれ異なっていてもよい。また、支持体２１６Ｅの数は、２個と異なる数でもよい。
【０２３９】
本例では、各支持体２１６Ｅは、第１の空間ＳＰ１の外部におけるｐＨが上記閾値よりも低い場合に、第１の通路形成部２１１Ｅ１により形成される孔、及び、第２の通路形成部２１１Ｅ２により形成される孔を介して第１の空間ＳＰ１に液体が導入された後に、各支持体２１６Ｅの溶解が完了するように構成される。
【０２４０】
更に、電子機器１Ｅは、第１実施形態の、第１の貫通孔部２２１、第２の貫通孔部２２２、第１の端子２２３、第２の端子２２４、第１の導体２２５、第２の導体２２６、及び、回路２２７とそれぞれ同様に構成される、第１の貫通孔部２２１Ｅ、第２の貫通孔部２２２Ｅ、第１の端子２２３Ｅ、第２の端子２２４Ｅ、第１の導体２２５Ｅ、第２の導体２２６Ｅ、及び、回路２２７Ｅを有する。
【０２４１】
第５実施形態の電子機器１Ｅは、第１実施形態の電子機器１と同様に動作する。従って、第５実施形態の電子機器１Ｅによっても、第１実施形態の電子機器１と同様の作用及び効果が奏される。
【０２４２】
＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態の電子機器について説明する。第６実施形態の電子機器は、第５実施形態の電子機器に対して、ｐＨに応じて溶解する支持体に代えて、ｐＨに応じて体積が変化する体積変化体を用いる点において相違している。以下、相違点を中心として説明する。なお、第６実施形態の説明において、第５実施形態にて使用した符号と同じ符号を付したものは、同一又はほぼ同様のものである。
【０２４３】
図２０乃至図２２に表されるように、第６実施形態の電子機器１Ｅは、第５実施形態の複数の支持体２１６Ｅ及び弁体２１７Ｅに代えて、弁体２１７Ｆ及び体積変化体２１８Ｆを備える。
【０２４４】
図２０は、図２１におけるＸＸ−ＸＸ線により表される平面による電子機器１Ｅの断面図である。図２１は、Ｚ軸の負方向に向かって第２の構成体２Ｅ２を見た図である。図２２は、体積変化体２１８Ｆが膨張した場合の、図２１におけるＸＸ−ＸＸ線により表される平面による電子機器１Ｅの断面図である。
【０２４５】
本例では、弁座２１５Ｅは、第３の構成体２Ｅ３のＺ軸の正方向側の端面（換言すると、第２の構成体２Ｅ２のＺ軸の負方向側の端面）よりも、Ｚ軸の負方向側に位置する。従って、本例では、第１の通路形成部２１１Ｅ１により形成される孔のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面も、第３の構成体２Ｅ３のＺ軸の正方向側の端面よりも、Ｚ軸の負方向側に位置する。
【０２４６】
図２１に表されるように、弁体２１７Ｆは、貫通孔部２１Ｅ２のうちのＸ軸の負方向側の端面から、貫通孔部２１Ｅ２のうちのＸ軸の正方向側の端面まで延びている。弁体２１７ＦのＹ軸方向における長さは、貫通孔部２１Ｅ２のＸ軸方向における端面の、Ｙ軸方向における長さよりも短く、且つ、第１の通路形成部２１１Ｅ１により形成される孔のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面の、Ｙ軸方向における長さよりも長い。
【０２４７】
図２０及び図２１に表されるように、弁体２１７Ｆは、基部２１７Ｆ１と、複数（本例では、２個）の腕部２１７Ｆ２と、を備える。
【０２４８】
基部２１７Ｆ１は、弁体２１７ＦのうちのＸ軸方向における中央部を構成する。基部２１７Ｆ１のＺ軸方向における長さ（換言すると、基部２１７Ｆ１の厚さ）は、第２の構成体２Ｅ２のＺ軸方向における長さ（換言すると、第２の構成体２Ｅ２の厚さ）と等しい。基部２１７Ｆ１のＸ軸方向における長さは、第１の通路形成部２１１Ｅ１により形成される孔のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面の、Ｘ軸方向における長さよりも僅かに長い。
【０２４９】
換言すると、Ｚ軸の負方向へ向かって第２の構成体２Ｅ２を見た場合において、弁体２１７Ｆの基部２１７Ｆ１は、第１の通路形成部２１１Ｅ１により形成される孔のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面を被覆するとともに、弁座２１５Ｅの少なくとも一部を被覆する。
【０２５０】
２個の腕部２１７Ｆ２は、弁体２１７ＦのうちのＸ軸方向における両端部（換言すると、弁体２１７Ｆのうちの基部２１７Ｆ１以外の部分）をそれぞれ構成する。換言すると、２個の腕部２１７Ｆ２は、基部２１７Ｆ１を支持する。
【０２５１】
図２０に表されるように、各腕部２１７Ｆ２のＺ軸方向における長さ（換言すると、腕部２１７Ｆ２の厚さ）は、第２の構成体２Ｅ２の厚さよりも短い。各腕部２１７Ｆ２のＺ軸方向における位置は、第２の構成体２Ｅ２のＺ軸方向における中央部である。
各腕部２１７Ｆ２は、体積変化体２１８Ｆが膨張していない状態において、ＸＹ平面に平行な平板状である。
【０２５２】
体積変化体２１８Ｆは、ｐＨに応じて体積が変化する材料からなる。本例では、体積変化体２１８Ｆは、ｐＨが所定の閾値（例えば、５）よりも低い液体に接することにより体積が増加する（換言すると、膨張する）材料からなる。なお、体積変化体２１８Ｆは、ｐＨが所定の閾値（例えば、４）よりも高い液体に接することにより膨張する材料からなっていてもよい。本例では、体積変化体２１８Ｆは、ｐＨ応答性ゲルからなる。本例では、膨張は、膨潤と表されてもよい。
【０２５３】
例えば、ｐＨ応答性ゲルは、高分子鎖中にカルボキシル基等の酸性官能基を有するアニオンゲル、高分子鎖中に塩基性官能基を有するカチオンゲル、又は、高分子鎖中に酸性官能基及び塩基性官能基の両方を有する両性ゲルの少なくとも１つが主成分である。例えば、ｐＨ応答性ゲルは、アクリルアミド−アクリル酸共重合体である。
【０２５４】
体積変化体２１８Ｆは、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する。本例では、体積変化体２１８Ｆの底面は、長方形状を有する。なお、体積変化体２１８Ｆの底面は、長方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、正方形、又は、多角形等）を有してもよい。
【０２５５】
本例では、体積変化体２１８ＦのＺ軸方向における長さ（換言すると、体積変化体２１８Ｆの高さ）は、凹部２１Ｅ１のＺ軸の正方向側の端面と、第２の構成体２Ｅ２のＺ軸の正方向側の端面と、の間の距離（換言すると、第１の距離）に等しい。
【０２５６】
本例では、体積変化体２１８ＦのＺ軸方向における長さは、体積変化体２１８Ｆの膨張が完了した状態において、第１の距離と第２の距離との和以上である。第２の距離は、第２の構成体２Ｅ２のＺ軸の負方向側の端面と、弁座２１５ＥのＺ軸の正方向側の端面と、の間の距離である。
【０２５７】
体積変化体２１８Ｆの、Ｚ軸の負方向側の端面は、基部２１７Ｆ１の表面のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面に固定される。更に、体積変化体２１８Ｆの、Ｚ軸の正方向側の端面は、凹部２１Ｅ１のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面に固定される。
【０２５８】
図２１に表されるように、体積変化体２１８Ｆは、ＸＹ平面において、基部２１７Ｆ１の外縁の内側に位置する。
このようにして、弁体２１７Ｆは、体積変化体２１８Ｆに接した状態にて本体２Ｅにより支持される。
【０２５９】
図２２に表されるように、体積変化体２１８Ｆが膨張した場合、弁体２１７Ｆの基部２１７Ｆ１は、体積変化体２１８Ｆが基部２１７Ｆ１をＺ軸の負方向へ押すことにより弁座２１５Ｅに接する。本例では、弁体２１７Ｆの基部２１７Ｆ１は、弁座２１５Ｅに押圧される。この結果、弁体２１７Ｆは、第１の空間ＳＰ１と本体２Ｅの外部とを連通する通路を遮断する。
【０２６０】
本例では、体積変化体２１８Ｆは、第１の空間ＳＰ１の外部におけるｐＨが上記閾値よりも低い場合に、第１の通路形成部２１１Ｅ１により形成される孔、及び、第２の通路形成部２１１Ｅ２により形成される孔を介して第１の空間ＳＰ１に液体が導入された後に、体積変化体２１８Ｆの膨張が完了するように構成される。
【０２６１】
本例では、弁座２１５Ｅ、弁体２１７Ｆ、及び、体積変化体２１８Ｆは、第１の空間ＳＰ１と本体２Ｅの外部とを連通する通路を、ｐＨに応じて遮断する弁に対応する。
【０２６２】
なお、体積変化体２１８Ｆの位置及び大きさは、図２１に表される位置及び大きさとそれぞれ異なっていてもよい。また、体積変化体２１８Ｆの数は、２個以上でもよい。
【０２６３】
第６実施形態の電子機器１Ｅにおいて、体積変化体２１８Ｆは、第１の空間ＳＰ１に胃液が導入された後に、膨張を完了する。これにより、弁体２１７Ｆの基部２１７Ｆ１は、体積変化体２１８Ｆが基部２１７Ｆ１をＺ軸の負方向へ押すことにより弁座２１５Ｅに押圧される。従って、弁体２１７Ｆは、第１の空間ＳＰ１と本体２Ｅの外部とを連通する通路を遮断する。
【０２６４】
これにより、胃液と異なる物質（例えば、胃液と異なるｐＨを有する液体、又は、固体等）が、第１の空間ＳＰ１に導入されることを抑制できる。この結果、発電量が低下することを抑制できる。
【０２６５】
以上説明したように、第６実施形態の電子機器１Ｅは、弁の機構が相違する点を除いて、第５実施形態の電子機器１Ｅと同様に動作する。従って、第６実施形態の電子機器１Ｅによっても、第５実施形態の電子機器１Ｅと同様の作用及び効果が奏される。
【０２６６】
更に、第６実施形態の電子機器１Ｅにおいて、弁は、弁座２１５Ｅと、ｐＨに応じて体積が変化する体積変化体２１８Ｆと、体積変化体２１８Ｆに接した状態にて本体２Ｅにより支持されるとともに、体積変化体２１８Ｆの体積の変化に伴って弁座２１５Ｅに接することにより通路を遮断する弁体２１７Ｆと、を含む。
【０２６７】
これによれば、ｐＨの変化に伴って体積変化体２１８Ｆの体積が変化する。これにより、弁体２１７Ｆが弁座２１５Ｅに接する。この結果、第１の空間ＳＰ１と本体２Ｅの外部とを連通する通路を遮断できる。
【０２６８】
なお、本体２Ｅの少なくとも一部は、当該本体２Ｅの少なくとも一部を介して体積変化体２１８Ｆに光が照射されるように光を透過する材料からなっていてもよい。例えば、第１の構成体２Ｅ１は、光を透過する材料からなっていてよい。例えば、光を透過する材料は、ガラスである。この場合、ガラスからなる部材とシリコン（Ｓｉ）からなる部材とは、陽極接合により接合されてよい。
【０２６９】
これによれば、本体２Ｅのうちの、光を透過する材料からなる部分を介して光を照射することにより、体積変化体２１８Ｆを形成することができる。この結果、体積変化体２１８Ｆが内部に位置する電子機器１Ｅを容易に製造できる。
【０２７０】
＜第７実施形態＞
次に、第７実施形態の電子機器について説明する。第７実施形態の電子機器は、第５実施形態の電子機器に対して、ｐＨに応じて溶解する支持体に代えて、ｐＨに応じて体積が変化する体積変化体を用いる点において相違している。以下、相違点を中心として説明する。なお、第７実施形態の説明において、第５実施形態にて使用した符号と同じ符号を付したものは、同一又はほぼ同様のものである。
【０２７１】
図２３乃至図２５に表されるように、第７実施形態の電子機器１Ｅは、第５実施形態の複数の支持体２１６Ｅ及び弁体２１７Ｅに代えて、弁体２１７Ｇ及び複数（本例では、２個）の体積変化体２１８Ｇを備える。
【０２７２】
図２３は、図２４におけるＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線により表される平面による電子機器１Ｅの断面図である。図２４は、Ｚ軸の負方向に向かって第２の構成体２Ｅ２を見た図である。図２５は、体積変化体２１８Ｇが膨張した場合の、図２４におけるＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線により表される平面による電子機器１Ｅの断面図である。
【０２７３】
図２４に表されるように、弁体２１７Ｇは、貫通孔部２１Ｅ２のうちのＸ軸の負方向側の端面から、貫通孔部２１Ｅ２のうちのＸ軸の正方向側の端面まで延びている。弁体２１７ＧのＹ軸方向における長さは、貫通孔部２１Ｅ２のＸ軸方向における端面の、Ｙ軸方向における長さよりも短く、且つ、第１の通路形成部２１１Ｅ１により形成される孔のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面の、Ｙ軸方向における長さよりも長い。
【０２７４】
図２３及び図２４に表されるように、弁体２１７Ｇは、基部２１７Ｇ１と、複数（本例では、２個）の腕部２１７Ｇ２と、を備える。
【０２７５】
基部２１７Ｇ１は、弁体２１７ＧのうちのＸ軸方向における中央部を構成する。基部２１７Ｇ１のＺ軸方向における長さ（換言すると、基部２１７Ｇ１の厚さ）は、第２の構成体２Ｅ２のＺ軸方向における長さ（換言すると、第２の構成体２Ｅ２の厚さ）よりも短い。本例では、基部２１７Ｇ１の厚さは、第２の構成体２Ｅ２の厚さの略半分である。
【０２７６】
基部２１７Ｇ１のＸ軸方向における長さは、第１の通路形成部２１１Ｅ１により形成される孔のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面の、Ｘ軸方向における長さよりも僅かに長い。
換言すると、Ｚ軸の負方向へ向かって第２の構成体２Ｅ２を見た場合において、弁体２１７Ｇの基部２１７Ｇ１は、第１の通路形成部２１１Ｅ１により形成される孔のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面を被覆するとともに、弁座２１５Ｅの少なくとも一部を被覆する。
基部２１７Ｇ１は、第２の構成体２Ｅ２のＺ軸の正方向側の端面の一部を構成する。
【０２７７】
２個の腕部２１７Ｇ２は、弁体２１７ＧのうちのＸ軸方向における両端部（換言すると、弁体２１７Ｇのうちの基部２１７Ｇ１以外の部分）をそれぞれ構成する。換言すると、２個の腕部２１７Ｇ２は、基部２１７Ｇ１を支持する。
【０２７８】
図２３に表されるように、各腕部２１７Ｇ２のＺ軸方向における長さ（換言すると、腕部２１７Ｇ２の厚さ）は、基部２１７Ｇ１のＺ軸方向における長さ（換言すると、基部２１７Ｇ１の厚さ）よりも短い。各腕部２１７Ｇ２は、第２の構成体２Ｅ２のＺ軸の正方向側の端面の一部を構成する。
【０２７９】
各腕部２１７Ｇ２は、体積変化体２１８Ｇが膨張していない状態において、ＸＹ平面に平行な平板状である。従って、基部２１７Ｇ１のＺ軸の負方向側の端面は、体積変化体２１８Ｇが膨張していない状態において、弁座２１５Ｅと離れている。
【０２８０】
各体積変化体２１８Ｇは、ｐＨに応じて体積が変化する材料からなる。本例では、各体積変化体２１８Ｇは、ｐＨが所定の閾値（例えば、５）よりも低い液体に接することにより体積が増加する（換言すると、膨張する）材料からなる。なお、各体積変化体２１８Ｇは、ｐＨが所定の閾値（例えば、４）よりも高い液体に接することにより膨張する材料からなっていてもよい。本例では、各体積変化体２１８Ｇは、ｐＨ応答性ゲルからなる。本例では、膨張は、膨潤と表されてもよい。
【０２８１】
例えば、ｐＨ応答性ゲルは、高分子鎖中にカルボキシル基等の酸性官能基を有するアニオンゲル、高分子鎖中に塩基性官能基を有するカチオンゲル、又は、高分子鎖中に酸性官能基及び塩基性官能基の両方を有する両性ゲルの少なくとも１つが主成分である。例えば、ｐＨ応答性ゲルは、アクリルアミド−アクリル酸共重合体である。
【０２８２】
図２３及び図２４に表されるように、各体積変化体２１８Ｇは、ＸＹ平面に平行な平板状である。各体積変化体２１８Ｇは、当該体積変化体２１８Ｇの表面のうちの、Ｚ軸の負方向側の端面の全体が、弁体２１７Ｇの表面のうちの、Ｚ軸の正方向側の端面に接した状態にて、弁体２１７Ｇに固定される。本例では、２個の体積変化体２１８Ｇは、２個の腕部２１７Ｇ２にそれぞれ固定される。
【０２８３】
Ｘ軸方向において、各体積変化体２１８Ｇは、腕部２１７Ｇ２のうちのＸ軸の負方向側の端辺の近傍から、腕部２１７Ｇ２のうちのＸ軸の正方向側の端辺の近傍まで延びている。Ｙ軸方向において、各体積変化体２１８Ｇは、弁体２１７ＧのうちのＹ軸の負方向側の端辺から、弁体２１７ＧのうちのＹ軸の正方向側の端辺まで延びている。
このようにして、弁体２１７Ｇは、体積変化体２１８Ｇに接した状態にて本体２Ｅにより支持される。
【０２８４】
図２５に表されるように、体積変化体２１８Ｇが膨張した場合、各体積変化体２１８Ｇが腕部２１７Ｇ２をＸ軸方向にて引き伸ばすことにより、各腕部２１７Ｇ２は、腕部２１７Ｇ２のうちの、Ｘ軸方向における、ある位置の部分が、基部２１７Ｇ１に近づくほど、Ｚ軸の負方向側に位置するように、湾曲する。これにより、弁体２１７Ｇの基部２１７Ｇ１は、弁座２１５Ｅに接する。本例では、弁体２１７Ｇの基部２１７Ｇ１は、弁座２１５Ｅに押圧される。この結果、弁体２１７Ｇは、第１の空間ＳＰ１と本体２Ｅの外部とを連通する通路を遮断する。
【０２８５】
本例では、体積変化体２１８Ｇは、第１の空間ＳＰ１の外部におけるｐＨが上記閾値よりも低い場合に、第１の通路形成部２１１Ｅ１により形成される孔、及び、第２の通路形成部２１１Ｅ２により形成される孔を介して第１の空間ＳＰ１に液体が導入された後に、体積変化体２１８Ｇの膨張が完了するように構成される。
【０２８６】
本例では、弁座２１５Ｅ、弁体２１７Ｇ、及び、体積変化体２１８Ｇは、第１の空間ＳＰ１と本体２Ｅの外部とを連通する通路を、ｐＨに応じて遮断する弁に対応する。
【０２８７】
なお、体積変化体２１８Ｇの位置及び大きさは、図２４に表される位置及び大きさとそれぞれ異なっていてもよい。また、体積変化体２１８Ｇの数は、２個以上でもよい。
【０２８８】
第７実施形態の電子機器１Ｅにおいて、体積変化体２１８Ｇは、第１の空間ＳＰ１に胃液が導入された後に、膨張を完了する。これにより、腕部２１７Ｇ２は、湾曲する。この結果、弁体２１７Ｇの基部２１７Ｇ１は、弁座２１５Ｅに押圧される。従って、弁体２１７Ｇは、第１の空間ＳＰ１と本体２Ｅの外部とを連通する通路を遮断する。
【０２８９】
これにより、胃液と異なる物質（例えば、胃液と異なるｐＨを有する液体、又は、固体等）が、第１の空間ＳＰ１に導入されることを抑制できる。この結果、発電量が低下することを抑制できる。
【０２９０】
以上説明したように、第７実施形態の電子機器１Ｅは、弁の機構が相違する点を除いて、第５実施形態の電子機器１Ｅと同様に動作する。従って、第７実施形態の電子機器１Ｅによっても、第５実施形態の電子機器１Ｅと同様の作用及び効果が奏される。
【０２９１】
更に、第７実施形態の電子機器１Ｅにおいて、弁は、弁座２１５Ｅと、ｐＨに応じて体積が変化する体積変化体２１８Ｇと、体積変化体２１８Ｇに接した状態にて本体２Ｅにより支持されるとともに、体積変化体２１８Ｇの体積の変化に伴って弁座２１５Ｅに接することにより通路を遮断する弁体２１７Ｇと、を含む。
【０２９２】
これによれば、ｐＨの変化に伴って体積変化体２１８Ｇの体積が変化する。これにより、弁体２１７Ｇが弁座２１５Ｅに接する。この結果、第１の空間ＳＰ１と本体２Ｅの外部とを連通する通路を遮断できる。
【０２９３】
なお、本体２Ｅの少なくとも一部は、当該本体２Ｅの少なくとも一部を介して体積変化体２１８Ｇに光が照射されるように光を透過する材料からなっていてもよい。例えば、第１の構成体２Ｅ１は、光を透過する材料からなっていてよい。例えば、光を透過する材料は、ガラスである。この場合、ガラスからなる部材とシリコン（Ｓｉ）からなる部材とは、陽極接合により接合されてよい。
【０２９４】
これによれば、本体２Ｅのうちの、光を透過する材料からなる部分を介して光を照射することにより、体積変化体２１８Ｇを形成することができる。この結果、体積変化体２１８Ｇが内部に位置する電子機器１Ｅを容易に製造できる。
【０２９５】
＜第８実施形態＞
次に、第８実施形態の電子機器について説明する。第８実施形態の電子機器は、第１実施形態の電子機器に対して、弁が相違している。以下、相違点を中心として説明する。なお、第８実施形態の説明において、第１実施形態にて使用した符号と同じ符号を付したものは、同一又はほぼ同様のものである。
【０２９６】
図２６乃至図２８に表されるように、第８実施形態の電子機器１は、第１実施形態の弁座２１５、複数の支持体２１６及び弁体２１７に代えて、体積変化体２１９Ｈを備える。
【０２９７】
図２６は、体積変化体２１９Ｈが拡大された、図２７におけるＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ線により表される平面による電子機器１の部分断面図である。図２７は、Ｚ軸の負方向へ向かって本体２を見るとともに、体積変化体２１９Ｈの近傍の領域が拡大された図である。図２８は、体積変化体２１９Ｈが膨張した場合の、体積変化体２１９Ｈが拡大された、図２７におけるＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ線により表される平面による電子機器１の部分断面図である。
【０２９８】
体積変化体２１９Ｈは、ｐＨに応じて体積が変化する材料からなる。本例では、体積変化体２１９Ｈは、ｐＨが所定の閾値（例えば、５）よりも低い液体に接することにより体積が増加する（換言すると、膨張する）材料からなる。なお、体積変化体２１９Ｈは、ｐＨが所定の閾値（例えば、４）よりも高い液体に接することにより膨張する材料からなっていてもよい。本例では、体積変化体２１９Ｈは、ｐＨ応答性ゲルからなる。本例では、膨張は、膨潤と表されてもよい。
【０２９９】
例えば、ｐＨ応答性ゲルは、高分子鎖中にカルボキシル基等の酸性官能基を有するアニオンゲル、高分子鎖中に塩基性官能基を有するカチオンゲル、又は、高分子鎖中に酸性官能基及び塩基性官能基の両方を有する両性ゲルの少なくとも１つが主成分である。例えば、ｐＨ応答性ゲルは、アクリルアミド−アクリル酸共重合体である。
【０３００】
体積変化体２１９Ｈは、通路形成部２１１により形成される孔と同じ形状を有する。体積変化体２１９Ｈは、通路形成部２１１に接する。本例では、体積変化体２１９Ｈは、通路形成部２１１に固定される。従って、本例では、体積変化体２１９Ｈは、第１の空間ＳＰ１と本体２の外部とを連通する通路に位置する。
【０３０１】
体積変化体２１９Ｈは、貫通孔部２１９Ｈ１を有する。貫通孔部２１９Ｈ１は、体積変化体２１９ＨをＺ軸方向にて貫通するとともに、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する孔を形成する。換言すると、貫通孔部２１９Ｈ１により形成される孔は、第１の空間ＳＰ１と、本体２の外部と、を連通する。
【０３０２】
本例では、貫通孔部２１９Ｈ１により形成される孔の底面は、長方形状を有する。なお、貫通孔部２１９Ｈ１により形成される孔の底面は、長方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、正方形、又は、多角形等）を有してもよい。
また、体積変化体２１９Ｈは、貫通孔部２１９Ｈ１を複数有していてもよい。
【０３０３】
図２８に表されるように、体積変化体２１９Ｈが膨張した場合、貫通孔部２１９Ｈ１により形成される孔は閉塞される。従って、体積変化体２１９Ｈは、第１の空間ＳＰ１と本体２の外部とを連通する通路を遮断する。
【０３０４】
本例では、体積変化体２１９Ｈは、第１の空間ＳＰ１の外部におけるｐＨが上記閾値よりも低い場合に、通路形成部２１１により形成される孔を介して第１の空間ＳＰ１に液体が導入された後に、体積変化体２１９Ｈの膨張が完了するように構成される。
【０３０５】
本例では、体積変化体２１９Ｈは、第１の空間ＳＰ１と本体２の外部とを連通する通路を、ｐＨに応じて遮断する弁に対応する。
【０３０６】
第８実施形態の電子機器１において、体積変化体２１９Ｈは、第１の空間ＳＰ１に胃液が導入された後に、膨張を完了する。これにより、貫通孔部２１９Ｈ１により形成される孔は閉塞される。従って、体積変化体２１９Ｈは、第１の空間ＳＰ１と本体２の外部とを連通する通路を遮断する。
【０３０７】
これにより、胃液と異なる物質（例えば、胃液と異なるｐＨを有する液体、又は、固体等）が、第１の空間ＳＰ１に導入されることを抑制できる。この結果、発電量が低下することを抑制できる。
【０３０８】
以上説明したように、第８実施形態の電子機器１は、弁の機構が相違する点を除いて、第１実施形態の電子機器１と同様に動作する。従って、第８実施形態の電子機器１によっても、第１実施形態の電子機器１と同様の作用及び効果が奏される。
【０３０９】
更に、第８実施形態の電子機器１において、弁は、第１の空間ＳＰ１と本体２の外部とを連通する通路に位置するとともに、ｐＨに応じて体積が増加することにより当該通路を遮断する体積変化体２１９Ｈを含む。
【０３１０】
これによれば、通路におけるｐＨの変化に伴って体積変化体２１９Ｈの体積が変化する。これにより、体積変化体２１９Ｈが通路を閉塞する。この結果、第１の空間ＳＰ１と本体２の外部とを連通する通路を遮断できる。
【０３１１】
なお、体積変化体２１９Ｈは、ｐＨが所定の閾値（例えば、５）よりも低い液体に接することにより体積が減少する（換言すると、収縮する）材料からなっていてもよい。この場合、体積変化体２１９Ｈは、体積変化体２１９Ｈが収縮していない状態において、通路を閉塞し、体積変化体２１９Ｈが収縮した状態において、第１の空間ＳＰ１と本体２の外部とを連通させることが好適である。
【０３１２】
なお、本体２の少なくとも一部は、当該本体２の少なくとも一部を介して体積変化体２１９Ｈに光が照射されるように光を透過する材料からなっていてもよい。例えば、光を透過する材料は、ガラスである。この場合、ガラスからなる部材とシリコン（Ｓｉ）からなる部材とは、陽極接合により接合されてよい。
【０３１３】
これによれば、本体２のうちの、光を透過する材料からなる部分を介して光を照射することにより、体積変化体２１９Ｈを形成することができる。この結果、体積変化体２１９Ｈが内部に位置する電子機器１を容易に製造できる。
【０３１４】
＜第９実施形態＞
次に、第９実施形態の電子機器について説明する。第９実施形態の電子機器は、第１実施形態の電子機器に対して、本体及び弁が相違している。以下、相違点を中心として説明する。なお、第９実施形態の説明において、第１実施形態にて使用した符号と同じ符号を付したものは、同一又はほぼ同様のものである。
【０３１５】
図２９乃至図３３に表されるように、第９実施形態の電子機器１Ｊは、第１実施形態の本体２に代えて、本体２Ｊを備える。なお、図２９乃至図３３において、膜３は、図示が省略されている。
【０３１６】
図３０は、図２９におけるＸＸＸ−ＸＸＸ線により表される平面による電子機器１Ｊの断面図である。図３１は、図２９におけるＸＸＸＩ−ＸＸＸＩ線により表される平面による電子機器１Ｊの部分断面図である。図３２は、図２９におけるＸＸＸＩＩ−ＸＸＸＩＩ線により表される平面による電子機器１Ｊの部分断面図である。図３３は、図２９におけるＸＸＸＩＩＩ−ＸＸＸＩＩＩ線により表される平面による電子機器１Ｊの部分断面図である。
【０３１７】
本例では、本体２Ｊは、シリコン（Ｓｉ）からなる。なお、本体２Ｊの少なくとも一部は、ガラスからなっていてもよい。本例では、図３０に表されるように、本体２Ｊは、第１の構成体２Ｊ１と、第２の構成体２Ｊ２と、第３の構成体２Ｊ３と、を備える。
【０３１８】
各構成体２Ｊ１〜２Ｊ３は、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する。本例では、各構成体２Ｊ１〜２Ｊ３の底面は、正方形状を有する。なお、各構成体２Ｊ１〜２Ｊ３の底面は、正方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、長方形、又は、多角形等）を有してもよい。
第１の構成体２Ｊ１、第２の構成体２Ｊ２、及び、第３の構成体２Ｊ３の底面は、同一の形状を有する。３個の構成体２Ｊ１〜２Ｊ３の中心軸は、互いに一致する。
【０３１９】
第１の構成体２Ｊ１、第２の構成体２Ｊ２、及び、第３の構成体２Ｊ３は、積み重ねられている。第１の構成体２Ｊ１のＺ軸の負方向側の端面は、第２の構成体２Ｊ２のＺ軸の正方向側の端面に接する。第２の構成体２Ｊ２のＺ軸の負方向側の端面は、第３の構成体２Ｊ３のＺ軸の正方向側の端面に接する。
【０３２０】
第１の構成体２Ｊ１は、第１の凹部２１Ｊと、第２の凹部２１１Ｊ１と、第３の凹部２１１Ｊ２と、貫通孔部２１１Ｊ３と、を有する。
【０３２１】
第１の凹部２１Ｊ、第２の凹部２１１Ｊ１、及び、第３の凹部２１１Ｊ２のそれぞれは、第１の構成体２Ｊ１のＺ軸の負方向側の端面にて第２の構成体２Ｊ２と接する空間を形成する。換言すると、第１の凹部２１Ｊ、第２の凹部２１１Ｊ１、及び、第３の凹部２１１Ｊ２のそれぞれは、第１の構成体２Ｊ１のＺ軸の負方向側の端面にて開口する。
第１の凹部２１Ｊ、第２の凹部２１１Ｊ１、及び、第３の凹部２１１Ｊ２のそれぞれにより形成される空間は、第２の構成体２Ｊ２のＺ軸の正方向側の端面と接する。
【０３２２】
第１の凹部２１Ｊにより形成される空間は、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する。本例では、第１の凹部２１Ｊにより形成される空間の底面は、長辺及び短辺がＹ軸及びＸ軸に沿ってそれぞれ延びる長方形状を有する。なお、第１の凹部２１Ｊにより形成される空間の底面は、長方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、正方形、又は、多角形等）を有してもよい。
【０３２３】
本例では、第１の凹部２１Ｊにより形成される空間は、Ｘ軸方向において、第１の構成体２Ｊ１のＸ軸の負方向側の端部から、第１の構成体２Ｊ１のＸ軸方向における中央部まで延びている。本例では、第１の凹部２１Ｊにより形成される空間は、Ｙ軸方向において、第１の構成体２Ｊ１のＹ軸の負方向側の端部から、第１の構成体２Ｊ１のＹ軸の正方向側の端部まで延びている。
【０３２４】
第２の凹部２１１Ｊ１により形成される空間は、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する。本例では、第２の凹部２１１Ｊ１により形成される空間の底面は、長辺及び短辺がＸ軸及びＹ軸に沿ってそれぞれ延びる長方形状を有する。なお、第２の凹部２１１Ｊ１により形成される空間の底面は、長方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、正方形、又は、多角形等）を有してもよい。
【０３２５】
第２の凹部２１１Ｊ１により形成される空間の底面の短辺は、第１の凹部２１Ｊにより形成される空間の底面の長辺よりも短い。本例では、第２の凹部２１１Ｊ１は、第１の構成体２Ｊ１のＹ軸方向における中央部に位置する。
【０３２６】
第２の凹部２１１Ｊ１のＸ軸の負方向側の端は、第１の凹部２１ＪのＸ軸の正方向側の端面に接続される。換言すると、第２の凹部２１１Ｊ１により形成される空間は、第１の凹部２１Ｊにより形成される空間と連接する。
【０３２７】
第３の凹部２１１Ｊ２により形成される空間は、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する。本例では、第３の凹部２１１Ｊ２により形成される空間の底面は、長辺及び短辺がＹ軸及びＸ軸に沿ってそれぞれ延びる長方形状を有する。なお、第３の凹部２１１Ｊ２により形成される空間の底面は、長方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、正方形、又は、多角形等）を有してもよい。
【０３２８】
第３の凹部２１１Ｊ２により形成される空間の底面の長辺は、第２の凹部２１１Ｊ１により形成される空間の底面の短辺よりも長い。本例では、第３の凹部２１１Ｊ２により形成される空間の底面の長辺は、第１の凹部２１Ｊにより形成される空間の底面の長辺よりも短い。本例では、第３の凹部２１１Ｊ２は、第１の構成体２Ｊ１のＹ軸方向における中央部であり、且つ、第１の構成体２Ｊ１のＸ軸の正方向側の端部である領域に位置する。
【０３２９】
第２の凹部２１１Ｊ１のＸ軸の正方向側の端は、第３の凹部２１１Ｊ２のＸ軸の負方向側の端面に接続される。換言すると、第２の凹部２１１Ｊ１により形成される空間は、第３の凹部２１１Ｊ２により形成される空間と連接する。
【０３３０】
図２９及び図３３に表されるように、貫通孔部２１１Ｊ３は、第１の構成体２Ｊ１のうちの、第３の凹部２１１Ｊ２のＺ軸の正方向側の端面を形成する壁をＺ軸方向にて貫通するとともに、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する孔を形成する。
【０３３１】
本例では、貫通孔部２１１Ｊ３により形成される孔の底面は、長方形状を有する。なお、貫通孔部２１１Ｊ３により形成される孔の底面は、長方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、正方形、又は、多角形等）を有してもよい。なお、貫通孔部２１１Ｊ３により形成される孔は、錐体の一部を構成する形状を有してもよい。
本例では、貫通孔部２１１Ｊ３により形成される孔のＸＹ平面における外縁は、第３の凹部２１１Ｊ２により形成される空間のＸＹ平面における外縁の内側に位置する。
【０３３２】
本例では、第２の構成体２Ｊ２のＺ軸の正方向側の端面、及び、第１の凹部２１Ｊにより形成される空間は、本体２Ｊの内部に形成される第１の空間ＳＰ１を構成する。
本例では、第２の構成体２Ｊ２のＺ軸の正方向側の端面、第２の凹部２１１Ｊ１、第３の凹部２１１Ｊ２、及び、貫通孔部２１１Ｊ３により形成される空間及び孔は、第１の空間ＳＰ１と、本体２Ｊの外部と、を連通する通路を構成する。
【０３３３】
第３の構成体２Ｊ３は、凹部２２Ｊを有する。凹部２２Ｊは、第３の構成体２Ｊ３のＺ軸の正方向側の端面にて第２の構成体２Ｊ２と接する空間を形成する。換言すると、凹部２２Ｊは、第３の構成体２Ｊ３のＺ軸の正方向側の端面にて開口する。
【０３３４】
凹部２２Ｊにより形成される空間は、第２の構成体２Ｊ２のＺ軸の負方向側の端面と接する。本例では、第２の構成体２Ｊ２のＺ軸の負方向側の端面、及び、凹部２２Ｊにより形成される空間は、本体２Ｊの内部に形成される第２の空間ＳＰ２を構成する。
【０３３５】
本例では、第１の構成体２Ｊ１は、第１の層を構成する。また、本例では、第３の構成体２Ｊ３は、第１の層と異なる第２の層を構成する。
【０３３６】
なお、電子機器１Ｊは、第１の空間ＳＰ１に多孔質材料からなる保持部材を備えていてもよい。この場合、多孔質材料は、親水性を有することが好適である。
【０３３７】
本例では、第１の凹部２１Ｊ、第２の凹部２１１Ｊ１、第３の凹部２１１Ｊ２、及び、貫通孔部２１１Ｊ３は、親水性を有する膜により被覆される。例えば、親水性を有する膜は、二酸化ケイ素からなる。
【０３３８】
図２９及び図３１に表されるように、第１の構成体２Ｊ１は、複数（本例では、８個）の貫通孔部２１２Ｊを有する。
各貫通孔部２１２Ｊは、第１の構成体２Ｊ１のうちの、第１の凹部２１ＪのＺ軸の正方向側の端面を形成する壁をＺ軸方向にて貫通するとともに、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する孔を形成する。
【０３３９】
本例では、各貫通孔部２１２Ｊにより形成される孔の底面は、円形状を有する。なお、各貫通孔部２１２Ｊにより形成される孔の底面は、円形状と異なる形状（例えば、楕円形、正方形、長方形、又は、多角形等）を有してもよい。なお、各貫通孔部２１２Ｊにより形成される孔は、錐体の一部を構成する形状を有してもよい。
【０３４０】
本例では、各貫通孔部２１２Ｊにより形成される孔の底面の面積は、貫通孔部２１１Ｊ３により形成される孔の底面の面積よりも小さい。例えば、各貫通孔部２１２Ｊにより形成される孔の底面の直径は、２μｍ乃至２００μｍの長さである。
【０３４１】
図２９に表されるように、各貫通孔部２１２Ｊは、第１の構成体２Ｊ１のうちのＸ軸の負方向側の端部に位置する。複数の貫通孔部２１２Ｊは、Ｙ軸に沿って等間隔にて位置する。
【０３４２】
このようにして、各貫通孔部２１２Ｊにより形成される孔は、第１の空間ＳＰ１と、本体２Ｊの外部と、を連通する。なお、貫通孔部２１２Ｊの数は、８個と異なる数でもよい。
【０３４３】
本例では、各貫通孔部２１２Ｊは、撥水性を有する膜により被覆される。例えば、撥水性を有する膜は、フッ化炭素樹脂（例えば、ポリテトラフルオロエチレンが主成分である樹脂）からなる。
【０３４４】
更に、電子機器１Ｊは、第１実施形態の、第１の電極２１３、第２の電極２１４、弁座２１５、複数の支持体２１６、及び、弁体２１７に代えて、第１の電極２１３Ｊ、第２の電極２１４Ｊ、及び、複数（本例では、２個）の体積変化体２１９Ｊ、を有する。
【０３４５】
本例では、電子機器１Ｊのうちの、本体２Ｊ、膜３、第１の電極２１３Ｊ、第２の電極２１４Ｊ、及び、体積変化体２１９Ｊは、電池に対応する。本例では、第１の電極２１３Ｊ及び第２の電極２１４Ｊは、一対の電極と表されてもよい。
【０３４６】
本例では、第１の電極２１３Ｊは、マグネシウムからなる。なお、第１の電極２１３Ｊは、マグネシウムと異なる材料（例えば、亜鉛、又は、合金等）からなっていてもよい。また、第１の電極２１３Ｊは、複数の互いに異なる材料によりそれぞれ構成された複数の層が積み重ねられた積層膜であってもよい。
【０３４７】
第１の電極２１３Ｊは、ＸＹ平面に平行な平板状である。例えば、第１の電極２１３Ｊの厚さは、１００ｎｍ乃至２ｍｍの厚さである。本例では、第１の電極２１３Ｊは、正方形状を有する。なお、第１の電極２１３Ｊは、正方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、長方形、又は、多角形等）を有してもよい。
【０３４８】
第１の電極２１３Ｊは、第２の構成体２Ｊ２のうちのＺ軸の正方向側の端面に接する。
本例では、第１の電極２１３Ｊの面積は、第１の凹部２１ＪのうちのＺ軸の正方向側の端面の面積の半分よりも僅かに小さい。
【０３４９】
本例では、第２の電極２１４Ｊは、プラチナからなる。なお、第２の電極２１４Ｊは、プラチナと異なる材料（例えば、塩化銅（ＣｕＣｌ）、塩化銀（ＡｇＣｌ）、又は、合金等）からなっていてもよい。また、第２の電極２１４Ｊは、複数の互いに異なる材料によりそれぞれ構成された複数の層が積み重ねられた積層膜であってもよい。
【０３５０】
第２の電極２１４Ｊは、ＸＹ平面に平行な平板状である。例えば、第２の電極２１４Ｊの厚さは、１０ｎｍ乃至２ｍｍの厚さである。本例では、第２の電極２１４Ｊは、正方形状を有する。なお、第２の電極２１４Ｊは、正方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、長方形、又は、多角形等）を有してもよい。
【０３５１】
第２の電極２１４Ｊは、第２の構成体２Ｊ２のうちのＺ軸の正方向側の端面に接する。
本例では、第２の電極２１４Ｊの面積は、第１の凹部２１ＪのうちのＺ軸の正方向側の端面の面積の半分よりも僅かに小さい。
【０３５２】
本例では、第１の電極２１３Ｊは、第１の構成体２Ｊ１のＹ軸方向における中央よりもＹ軸の正方向側に位置する。また、本例では、第２の電極２１４Ｊは、第１の構成体２Ｊ１のＹ軸方向における中央よりもＹ軸の負方向側に位置する。換言すると、第１の電極２１３Ｊと第２の電極２１４Ｊとは、互いに離れている。
【０３５３】
本例では、第１の電極２１３Ｊ及び第２の電極２１４Ｊの材料は、第１の空間ＳＰ１に胃液が導入された場合に、胃液が電解質として機能することにより電力が生成されるように設定される。
【０３５４】
各体積変化体２１９Ｊは、ｐＨに応じて体積が変化する材料からなる。本例では、各体積変化体２１９Ｊは、ｐＨが所定の閾値（例えば、５）よりも低い液体に接することにより体積が増加する（換言すると、膨張する）材料からなる。なお、各体積変化体２１９Ｊは、ｐＨが所定の閾値（例えば、４）よりも高い液体に接することにより膨張する材料からなっていてもよい。本例では、各体積変化体２１９Ｊは、ｐＨ応答性ゲルからなる。本例では、膨張は、膨潤と表されてもよい。
【０３５５】
例えば、ｐＨ応答性ゲルは、高分子鎖中にカルボキシル基等の酸性官能基を有するアニオンゲル、高分子鎖中に塩基性官能基を有するカチオンゲル、又は、高分子鎖中に酸性官能基及び塩基性官能基の両方を有する両性ゲルの少なくとも１つが主成分である。例えば、ｐＨ応答性ゲルは、アクリルアミド−アクリル酸共重合体である。
【０３５６】
図２９及び図３２に表されるように、各体積変化体２１９Ｊは、ＺＸ平面に平行な平板状である。本例では、各体積変化体２１９Ｊは、長方形状を有する。なお、各体積変化体２１９Ｊは、長方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、正方形、又は、多角形等）を有してもよい。
【０３５７】
本例では、各体積変化体２１９Ｊの短辺の長さは、第２の凹部２１１Ｊ１のうちのＹ軸方向における端面のＺ軸方向における長さと等しい。本例では、各体積変化体２１９Ｊの長辺の長さは、第２の凹部２１１Ｊ１のうちのＹ軸方向における端面のＸ軸方向における長さよりも僅かに短い。各体積変化体２１９Ｊの厚さは、第２の凹部２１１Ｊ１のうちのＹ軸方向における端面間の距離の半分よりも短い。
【０３５８】
２個の体積変化体２１９Ｊは、第２の凹部２１１Ｊ１のうちのＹ軸方向における両端面にそれぞれ接する。本例では、２個の体積変化体２１９Ｊは、第２の凹部２１１Ｊ１のうちのＹ軸方向における両端面にそれぞれ固定される。従って、本例では、体積変化体２１９Ｊは、第１の空間ＳＰ１と本体２Ｊの外部とを連通する通路に位置する。
【０３５９】
このようにして、本例では、２個の体積変化体２１９Ｊは、互いに離れている。換言すると、２個の体積変化体２１９Ｊの間の空間は、第１の空間ＳＰ１と、本体２Ｊの外部と、を連通する。
【０３６０】
各体積変化体２１９Ｊが膨張した場合、２個の体積変化体２１９Ｊが互いに接することにより、２個の体積変化体２１９Ｊの間の空間は閉塞される。従って、２個の体積変化体２１９Ｊは、第１の空間ＳＰ１と本体２Ｊの外部とを連通する通路を遮断する。
【０３６１】
本例では、各体積変化体２１９Ｊは、第１の空間ＳＰ１の外部におけるｐＨが上記閾値よりも低い場合に、第２の凹部２１１Ｊ１、第３の凹部２１１Ｊ２、及び、貫通孔部２１１Ｊ３により形成される通路を介して第１の空間ＳＰ１に液体が導入された後に、各体積変化体２１９Ｊの膨張が完了するように構成される。
【０３６２】
本例では、体積変化体２１９Ｊは、第１の空間ＳＰ１と本体２Ｊの外部とを連通する通路を、ｐＨに応じて遮断する弁に対応する。
【０３６３】
なお、各体積変化体２１９Ｊの位置及び大きさは、図２９に表される位置及び大きさとそれぞれ異なっていてもよい。また、体積変化体２１９Ｊの数は、２個と異なる数でもよい。
【０３６４】
更に、電子機器１Ｊは、第１実施形態の、第１の貫通孔部２２１、第２の貫通孔部２２２、第１の端子２２３、第２の端子２２４、第１の導体２２５、第２の導体２２６、及び、回路２２７とそれぞれ同様に構成される、第１の貫通孔部２２１Ｊ、第２の貫通孔部２２２Ｊ、第１の端子２２３Ｊ、第２の端子２２４Ｊ、第１の導体２２５Ｊ、第２の導体２２６Ｊ、及び、回路２２７Ｊを有する。
【０３６５】
第９実施形態の電子機器１Ｊにおいて、各体積変化体２１９Ｊは、第１の空間ＳＰ１に胃液が導入された後に、膨張を完了する。これにより、２個の体積変化体２１９Ｊの間の空間は閉塞される。従って、体積変化体２１９Ｊは、第１の空間ＳＰ１と本体２Ｊの外部とを連通する通路を遮断する。
【０３６６】
これにより、胃液と異なる物質（例えば、胃液と異なるｐＨを有する液体、又は、固体等）が、第１の空間ＳＰ１に導入されることを抑制できる。この結果、発電量が低下することを抑制できる。
【０３６７】
以上説明したように、第９実施形態の電子機器１Ｊは、弁の機構が相違する点を除いて、第１実施形態の電子機器１と同様に動作する。従って、第９実施形態の電子機器１Ｊによっても、第１実施形態の電子機器１と同様の作用及び効果が奏される。
【０３６８】
更に、第９実施形態の電子機器１Ｊにおいて、弁は、第１の空間ＳＰ１と本体２Ｊの外部とを連通する通路に位置するとともに、ｐＨに応じて体積が増加することにより当該通路を遮断する体積変化体２１９Ｊを含む。
【０３６９】
これによれば、通路におけるｐＨの変化に伴って体積変化体２１９Ｊの体積が変化する。これにより、体積変化体２１９Ｊが通路を閉塞する。この結果、第１の空間ＳＰ１と本体２Ｊの外部とを連通する通路を遮断できる。
【０３７０】
なお、体積変化体２１９Ｊは、ｐＨが所定の閾値（例えば、５）よりも低い液体に接することにより体積が減少する（換言すると、収縮する）材料からなっていてもよい。この場合、体積変化体２１９Ｊは、体積変化体２１９Ｊが収縮していない状態において、通路を閉塞し、体積変化体２１９Ｊが収縮した状態において、第１の空間ＳＰ１と本体２Ｊの外部とを連通させることが好適である。
【０３７１】
なお、本体２Ｊの少なくとも一部は、当該本体２Ｊの少なくとも一部を介して体積変化体２１９Ｊに光が照射されるように光を透過する材料からなっていてもよい。例えば、第２の構成体２Ｊ２は、光を透過する材料からなっていてよい。例えば、光を透過する材料は、ガラスである。この場合、ガラスからなる部材とシリコン（Ｓｉ）からなる部材とは、陽極接合により接合されてよい。
【０３７２】
これによれば、本体２Ｊのうちの、光を透過する材料からなる部分を介して光を照射することにより、体積変化体２１９Ｊを形成することができる。この結果、体積変化体２１９Ｊが内部に位置する電子機器１Ｊを容易に製造できる。
【０３７３】
＜第９実施形態の第１変形例＞
次に、第９実施形態の第１変形例の電子機器について説明する。第９実施形態の第１変形例の電子機器は、第９実施形態の電子機器に対して、本体及び弁の数が相違している。以下、相違点を中心として説明する。なお、第９実施形態の第１変形例の説明において、第９実施形態にて使用した符号と同じ符号を付したものは、同一又はほぼ同様のものである。
【０３７４】
図３４乃至図３６に表されるように、第９実施形態の第１変形例の電子機器１Ｋは、第９実施形態の本体２Ｊに代えて、本体２Ｋを備える。なお、図３４乃至図３６において、膜３は、図示が省略されている。
【０３７５】
図３５は、図３４におけるＸＸＸＶ−ＸＸＸＶ線により表される平面による電子機器１Ｋの断面図である。図３６は、図３４におけるＸＸＸＶＩ−ＸＸＸＶＩ線により表される平面による電子機器１Ｋの部分断面図である。
【０３７６】
本例では、本体２Ｋは、シリコン（Ｓｉ）からなる。なお、本体２Ｋの少なくとも一部は、ガラスからなっていてもよい。本例では、図３５及び図３６に表されるように、本体２Ｋは、第１の構成体２Ｋ１と、第２の構成体２Ｋ２と、を備える。
【０３７７】
各構成体２Ｋ１〜２Ｋ２は、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する。本例では、各構成体２Ｋ１〜２Ｋ２の底面は、正方形状を有する。なお、各構成体２Ｋ１〜２Ｋ２の底面は、正方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、長方形、又は、多角形等）を有してもよい。
第１の構成体２Ｋ１、及び、第２の構成体２Ｋ２の底面は、同一の形状を有する。２個の構成体２Ｋ１〜２Ｋ２の中心軸は、互いに一致する。
【０３７８】
第１の構成体２Ｋ１、及び、第２の構成体２Ｋ２は、積み重ねられている。第１の構成体２Ｋ１のＺ軸の負方向側の端面は、第２の構成体２Ｋ２のＺ軸の正方向側の端面に接する。
【０３７９】
第１の構成体２Ｋ１は、第１の凹部２１Ｋと、第２の凹部２１１Ｋ１と、第３の凹部２１１Ｋ２と、第１の貫通孔部２１１Ｋ３と、第４の凹部２１１Ｋ４と、第５の凹部２１１Ｋ５と、第６の凹部２２８Ｋ１と、第７の凹部２２８Ｋ２と、第２の貫通孔部２２８Ｋ３と、第３の貫通孔部２２８Ｋ４と、を有する。
【０３８０】
各凹部２１Ｋ，２１１Ｋ１，２１１Ｋ２，２１１Ｋ４，２１１Ｋ５，２２８Ｋ１，２２８Ｋ２は、第１の構成体２Ｋ１のＺ軸の負方向側の端面にて第２の構成体２Ｋ２と接する空間を形成する。換言すると、各凹部２１Ｋ，２１１Ｋ１，２１１Ｋ２，２１１Ｋ４，２１１Ｋ５，２２８Ｋ１，２２８Ｋ２は、第１の構成体２Ｋ１のＺ軸の負方向側の端面にて開口する。
各凹部２１Ｋ，２１１Ｋ１，２１１Ｋ２，２１１Ｋ４，２１１Ｋ５，２２８Ｋ１，２２８Ｋ２により形成される空間は、第２の構成体２Ｋ２のＺ軸の正方向側の端面と接する。
【０３８１】
第１の凹部２１Ｋにより形成される空間は、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する。本例では、第１の凹部２１Ｋにより形成される空間の底面は、長辺及び短辺がＹ軸及びＸ軸に沿ってそれぞれ延びる長方形状を有する。なお、第１の凹部２１Ｋにより形成される空間の底面は、長方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、正方形、又は、多角形等）を有してもよい。
【０３８２】
本例では、第１の凹部２１Ｋにより形成される空間のＸＹ平面における位置は、第１の構成体２Ｋ１のＸＹ平面における中央部である。
【０３８３】
第２の凹部２１１Ｋ１及び第４の凹部２１１Ｋ４のそれぞれにより形成される空間は、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する。本例では、第２の凹部２１１Ｋ１及び第４の凹部２１１Ｋ４のそれぞれにより形成される空間の底面は、長辺及び短辺がＸ軸及びＹ軸に沿ってそれぞれ延びる長方形状を有する。なお、第２の凹部２１１Ｋ１及び第４の凹部２１１Ｋ４のそれぞれにより形成される空間の底面は、長方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、正方形、又は、多角形等）を有してもよい。
【０３８４】
第２の凹部２１１Ｋ１及び第４の凹部２１１Ｋ４のそれぞれにより形成される空間の底面の短辺は、第１の凹部２１Ｋにより形成される空間の底面の長辺よりも短い。本例では、第２の凹部２１１Ｋ１及び第４の凹部２１１Ｋ４のそれぞれは、第１の構成体２Ｋ１のＹ軸方向における中央部に位置する。
【０３８５】
第２の凹部２１１Ｋ１のＸ軸の負方向側の端は、第１の凹部２１ＫのＸ軸の正方向側の端面に接続される。換言すると、第２の凹部２１１Ｋ１により形成される空間は、第１の凹部２１Ｋにより形成される空間と連接する。
第４の凹部２１１Ｋ４のＸ軸の正方向側の端は、第１の凹部２１ＫのＸ軸の負方向側の端面に接続される。換言すると、第４の凹部２１１Ｋ４により形成される空間は、第１の凹部２１Ｋにより形成される空間と連接する。
【０３８６】
第３の凹部２１１Ｋ２及び第５の凹部２１１Ｋ５のそれぞれにより形成される空間は、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する。本例では、第３の凹部２１１Ｋ２及び第５の凹部２１１Ｋ５のそれぞれにより形成される空間の底面は、長辺及び短辺がＹ軸及びＸ軸に沿ってそれぞれ延びる長方形状を有する。なお、第３の凹部２１１Ｋ２及び第５の凹部２１１Ｋ５のそれぞれにより形成される空間の底面は、長方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、正方形、又は、多角形等）を有してもよい。
【０３８７】
第３の凹部２１１Ｋ２及び第５の凹部２１１Ｋ５のそれぞれにより形成される空間の底面の長辺は、第２の凹部２１１Ｋ１又は第４の凹部２１１Ｋ４により形成される空間の底面の短辺よりも長い。本例では、第３の凹部２１１Ｋ２及び第５の凹部２１１Ｋ５のそれぞれにより形成される空間の底面の長辺は、第１の凹部２１Ｋにより形成される空間の底面の長辺よりも短い。本例では、第３の凹部２１１Ｋ２及び第５の凹部２１１Ｋ５のそれぞれは、第１の構成体２Ｋ１のＹ軸方向における中央部であり、且つ、第１の構成体２Ｋ１のＸ軸方向における端部である領域に位置する
【０３８８】
第２の凹部２１１Ｋ１のＸ軸の正方向側の端は、第３の凹部２１１Ｋ２のＸ軸の負方向側の端面に接続される。換言すると、第２の凹部２１１Ｋ１により形成される空間は、第３の凹部２１１Ｋ２により形成される空間と連接する。
第４の凹部２１１Ｋ４のＸ軸の負方向側の端は、第５の凹部２１１Ｋ５のＸ軸の正方向側の端面に接続される。換言すると、第４の凹部２１１Ｋ４により形成される空間は、第５の凹部２１１Ｋ５により形成される空間と連接する。
【０３８９】
第６の凹部２２８Ｋ１及び第７の凹部２２８Ｋ２のそれぞれにより形成される空間は、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する。本例では、第６の凹部２２８Ｋ１及び第７の凹部２２８Ｋ２のそれぞれにより形成される空間の底面は、長辺及び短辺がＸ軸及びＹ軸に沿ってそれぞれ延びる長方形状を有する。なお、第６の凹部２２８Ｋ１及び第７の凹部２２８Ｋ２のそれぞれにより形成される空間の底面は、長方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、正方形、又は、多角形等）を有してもよい。
【０３９０】
第６の凹部２２８Ｋ１及び第７の凹部２２８Ｋ２のそれぞれにより形成される空間の底面の長辺は、第１の凹部２１Ｋにより形成される空間の底面の短辺よりも僅かに短い。本例では、第６の凹部２２８Ｋ１及び第７の凹部２２８Ｋ２のそれぞれは、第１の構成体２Ｋ１のＸ軸方向における中央部であり、且つ、第１の構成体２Ｋ１のＹ軸方向における端部である領域に位置する。
【０３９１】
図３４及び図３５に表されるように、第１の貫通孔部２１１Ｋ３は、第１の構成体２Ｋ１のうちの、第３の凹部２１１Ｋ２のＺ軸の正方向側の端面を形成する壁をＺ軸方向にて貫通するとともに、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する孔を形成する。
【０３９２】
本例では、第１の貫通孔部２１１Ｋ３により形成される孔の底面は、長方形状を有する。なお、第１の貫通孔部２１１Ｋ３により形成される孔の底面は、長方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、正方形、又は、多角形等）を有してもよい。なお、第１の貫通孔部２１１Ｋ３により形成される孔は、錐体の一部を構成する形状を有してもよい。
本例では、第１の貫通孔部２１１Ｋ３により形成される孔のＸＹ平面における外縁は、第３の凹部２１１Ｋ２により形成される空間のＸＹ平面における外縁の内側に位置する。
【０３９３】
図３４及び図３６に表されるように、第２の貫通孔部２２８Ｋ３は、第１の構成体２Ｋ１のうちの、第６の凹部２２８Ｋ１のＺ軸の正方向側の端面を形成する壁をＺ軸方向にて貫通するとともに、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する孔を形成する。また、第３の貫通孔部２２８Ｋ４は、第１の構成体２Ｋ１のうちの、第７の凹部２２８Ｋ２のＺ軸の正方向側の端面を形成する壁をＺ軸方向にて貫通するとともに、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する孔を形成する。
【０３９４】
本例では、第２の貫通孔部２２８Ｋ３及び第３の貫通孔部２２８Ｋ４のそれぞれにより形成される孔の底面は、長方形状を有する。なお、第２の貫通孔部２２８Ｋ３及び第３の貫通孔部２２８Ｋ４のそれぞれにより形成される孔の底面は、長方形状と異なる形状（例えば、円形、楕円形、正方形、又は、多角形等）を有してもよい。なお、第２の貫通孔部２２８Ｋ３及び第３の貫通孔部２２８Ｋ４のそれぞれにより形成される孔は、錐体の一部を構成する形状を有してもよい。
【０３９５】
本例では、第２の貫通孔部２２８Ｋ３により形成される孔のＸＹ平面における外縁は、第６の凹部２２８Ｋ１により形成される空間のＸＹ平面における外縁の内側に位置する。
また、本例では、第３の貫通孔部２２８Ｋ４により形成される孔のＸＹ平面における外縁は、第７の凹部２２８Ｋ２により形成される空間のＸＹ平面における外縁の内側に位置する。
【０３９６】
本例では、第２の構成体２Ｋ２のＺ軸の正方向側の端面、及び、第１の凹部２１Ｋにより形成される空間は、本体２Ｋの内部に形成される第１の空間ＳＰ１を構成する。
本例では、第２の構成体２Ｋ２のＺ軸の正方向側の端面、第２の凹部２１１Ｋ１、第３の凹部２１１Ｋ２、及び、第１の貫通孔部２１１Ｋ３により形成される空間及び孔は、第１の空間ＳＰ１と、本体２Ｋの外部と、を連通する通路を構成する。
【０３９７】
なお、電子機器１Ｋは、第１の空間ＳＰ１に多孔質材料からなる保持部材を備えていてもよい。この場合、多孔質材料は、親水性を有することが好適である。
【０３９８】
本例では、第１の凹部２１Ｋ、第２の凹部２１１Ｋ１、第３の凹部２１１Ｋ２、及び、第１の貫通孔部２１１Ｋ３は、親水性を有する膜により被覆される。例えば、親水性を有する膜は、二酸化ケイ素からなる。
【０３９９】
図３４及び図３５に表されるように、第１の構成体２Ｋ１は、複数（本例では、３個）の貫通孔部２１２Ｋを有する。
各貫通孔部２１２Ｋは、第１の構成体２Ｋ１のうちの、第５の凹部２１１Ｋ５のＺ軸の正方向側の端面を形成する壁をＺ軸方向にて貫通するとともに、Ｚ軸に沿って延びる柱体形状を有する孔を形成する。
【０４００】
本例では、各貫通孔部２１２Ｋにより形成される孔の底面は、円形状を有する。なお、各貫通孔部２１２Ｋにより形成される孔の底面は、円形状と異なる形状（例えば、楕円形、正方形、長方形、又は、多角形等）を有してもよい。なお、各貫通孔部２１２Ｋにより形成される孔は、錐体の一部を構成する形状を有してもよい。
【０４０１】
本例では、各貫通孔部２１２Ｋにより形成される孔の底面の面積は、第１の貫通孔部２１１Ｋ３により形成される孔の底面の面積よりも小さい。例えば、各貫通孔部２１２Ｋにより形成される孔の底面の直径は、２μｍ乃至２００μｍの長さである。
図３４に表されるように、複数の貫通孔部２１２Ｋは、Ｙ軸に沿って等間隔にて位置する。
【０４０２】
このようにして、各貫通孔部２１２Ｋにより形成される孔は、第１の空間ＳＰ１と、本体２Ｋの外部と、を連通する。なお、貫通孔部２１２Ｋの数は、３個と異なる数でもよい。
【０４０３】
本例では、各貫通孔部２１２Ｋは、撥水性を有する膜により被覆される。例えば、撥水性を有する膜は、フッ化炭素樹脂（例えば、ポリテトラフルオロエチレンが主成分である樹脂）からなる。
【０４０４】
更に、電子機器１Ｋは、第９実施形態の、第１の電極２１３Ｊ、第２の電極２１４Ｊ、及び、複数の体積変化体２１９Ｊに代えて、第１の電極２１３Ｋ、第２の電極２１４Ｋ、及び、複数（本例では、４個）の体積変化体２１９Ｋ１，２１９Ｋ２、を有する。
第１の電極２１３Ｋ、及び、第２の電極２１４Ｋは、第１の電極２１３Ｊ、及び、第２の電極２１４Ｊとそれぞれ同様に構成される。
【０４０５】
体積変化体２１９Ｋ１，２１９Ｋ２は、第４の凹部２１１Ｋ４にも設けられる点を除いて、体積変化体２１９Ｊと同様に構成される。
２個の体積変化体２１９Ｋ１は、体積変化体２１９Ｊと同様に、第２の凹部２１１Ｋ１に設けられる。更に、２個の体積変化体２１９Ｋ２は、第４の凹部２１１Ｋ４に設けられる。
【０４０６】
これにより、本例では、第１の貫通孔部２１１Ｋ３により形成される孔を介して第１の空間ＳＰ１と本体２Ｋの外部とを連通する通路に加えて、貫通孔部２１２Ｋにより形成される孔を介して第１の空間ＳＰ１と本体２Ｋの外部とを連通する通路もｐＨに応じて遮断される。従って、胃液と異なる物質（例えば、胃液と異なるｐＨを有する液体、又は、固体等）が、第１の空間ＳＰ１に導入されることを防止できる確率を高めることができる。
【０４０７】
本例では、体積変化体２１９Ｋ１，２１９Ｋ２は、第１の空間ＳＰ１と本体２Ｋの外部とを連通する通路を、ｐＨに応じて遮断する弁に対応する。
【０４０８】
更に、電子機器１Ｋは、第９実施形態の、第１の貫通孔部２２１Ｊ、第２の貫通孔部２２２Ｊ、第１の端子２２３Ｊ、第２の端子２２４Ｊ、第１の導体２２５Ｊ、第２の導体２２６Ｊ、及び、回路２２７Ｊに代えて、第１の端子２２３Ｋ、第２の端子２２４Ｋ、第１の導体２２５Ｋ、及び、第２の導体２２６Ｋを有する。
【０４０９】
図３４及び図３６に表されるように、第１の端子２２３Ｋは、第６の凹部２２８Ｋ１により形成される空間にて、第２の構成体２Ｋ２のＺ軸の正方向側の端面に接する。第１の端子２２３ＫのＸＹ平面における外縁は、第２の貫通孔部２２８Ｋ３のＸＹ平面における外縁と一致する。第１の導体２２５Ｋは、第１の電極２１３Ｋと第１の端子２２３Ｋとを接続する。
【０４１０】
第２の端子２２４Ｋは、第７の凹部２２８Ｋ２により形成される空間にて、第２の構成体２Ｋ２のＺ軸の正方向側の端面に接する。第２の端子２２４ＫのＸＹ平面における外縁は、第３の貫通孔部２２８Ｋ４のＸＹ平面における外縁と一致する。第２の導体２２６Ｋは、第２の電極２１４Ｋと第２の端子２２４Ｋとを接続する。
【０４１１】
更に、電子機器１Ｋは、図示されない回路を備え、当該回路が、第２の貫通孔部２２８Ｋ３を介して第１の端子２２３Ｋに接続されるとともに、第３の貫通孔部２２８Ｋ４を介して第２の端子２２４Ｋに接続される。
【０４１２】
以上説明したように、第９実施形態の第１変形例の電子機器１Ｋは、第９実施形態の電子機器１Ｊと同様に動作する。従って、第９実施形態の第１変形例の電子機器１Ｋによっても、第９実施形態の電子機器１Ｊと同様の作用及び効果が奏される。
【０４１３】
更に、第９実施形態の第１変形例の電子機器１Ｋによれば、第１の貫通孔部２１１Ｋ３により形成される孔を介して第１の空間ＳＰ１と本体２Ｋの外部とを連通する通路に加えて、貫通孔部２１２Ｋにより形成される孔を介して第１の空間ＳＰ１と本体２Ｋの外部とを連通する通路も、ｐＨに応じて遮断される。従って、胃液と異なる物質（例えば、胃液と異なるｐＨを有する液体、又は、固体等）が、第１の空間ＳＰ１に導入されることを防止できる確率を高めることができる。
【０４１４】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されない。例えば、上述した実施形態に、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において当業者が理解し得る様々な変更が加えられてよい。例えば、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、上述した実施形態の他の変形例として、上述した実施形態及び変形例の任意の組み合わせが採用されてもよい。
【符号の説明】
【０４１５】
１，１Ａ，１Ｅ，１Ｊ，１Ｋ  電子機器
２，２Ａ，２Ｅ，２Ｊ，２Ｋ  本体
２Ｅ１，２Ｊ１，２Ｋ１  第１の構成体
２Ｅ２，２Ｊ２，２Ｋ２  第２の構成体
２Ｅ３，２Ｊ３  第３の構成体
２Ｅ４  第４の構成体
２１    第１の空間形成部
２１Ａ  第３の空間形成部
２１Ｅ１，２１Ｅ３  凹部
２１Ｅ２  貫通孔部
２１Ｊ，２１Ｋ  第１の凹部
２１１，２１１Ａ  通路形成部
２１１Ｅ１  第１の通路形成部
２１１Ｅ２  第２の通路形成部
２１１Ｊ１  第２の凹部
２１１Ｊ２  第３の凹部
２１１Ｊ３  貫通孔部
２１１Ｋ１  第２の凹部
２１１Ｋ２  第３の凹部
２１１Ｋ３  第１の貫通孔部
２１１Ｋ４  第４の凹部
２１１Ｋ５  第５の凹部
２１２，２１２Ａ，２１２Ｅ，２１２Ｊ，２１２Ｋ  貫通孔部
２１３，２１３Ｅ，２１３Ｊ，２１３Ｋ  第１の電極
２１４，２１４Ｅ，２１４Ｊ，２１４Ｋ  第２の電極
２１３Ａ  第３の電極
２１４Ａ  第４の電極
２１５，２１５Ａ，２１５Ｅ  弁座
２１６，２１６Ａ〜２１６Ｃ，２１６Ｅ  支持体
２１７，２１７Ａ〜２１７Ｇ  弁体
２１７Ｃ１，２１７Ｅ１〜２１７Ｇ１  基部
２１７Ｃ２，２１７Ｅ２〜２１７Ｇ２  腕部
２１８Ｄ，２１８Ｆ，２１８Ｇ，２１９Ｈ，２１９Ｊ，２１９Ｋ１，２１９Ｋ２  体積変化体
２１９Ｈ１  貫通孔部
２２    第２の空間形成部
２２Ｅ，２２Ｊ  凹部
２２１，２２１Ｅ，２２１Ｊ  第１の貫通孔部
２２１Ａ  第３の貫通孔部
２２２，２２２Ｅ，２２２Ｊ  第２の貫通孔部
２２２Ａ  第４の貫通孔部
２２３，２２３Ｅ，２２３Ｊ，２２３Ｋ  第１の端子
２２３Ａ  第３の端子
２２４，２２４Ｅ，２２４Ｊ，２２４Ｋ  第２の端子
２２４Ａ  第４の端子
２２５，２２５Ｅ，２２５Ｊ，２２５Ｋ  第１の導体
２２５Ａ  第３の導体
２２６，２２６Ｅ，２２６Ｊ，２２６Ｋ  第２の導体
２２６Ａ  第４の導体
２２７，２２７Ｅ，２２７Ｊ  回路
２２８Ｋ１  第６の凹部
２２８Ｋ２  第７の凹部
２２８Ｋ３  第２の貫通孔部
２２８Ｋ４  第３の貫通孔部
３      膜
Ｆ１〜Ｆ４  復元力
ＳＰ１  第１の空間
ＳＰ２  第２の空間
ＳＰ３  第３の空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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