(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化学式１で表される化合物；および下記化学式１０で表される陰イオン基を含むイオン性化合物を含むコーティング組成物：
【化１】
0006742652.tif 000075
前記化学式１において、
ＬおよびＬ１〜Ｌ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のアリーレン基であり、
Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
Ｒ１〜Ｒ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
Ｙ１〜Ｙ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、−（Ｒ２０１）ｓ；または−Ｘ−Ａであり、Ｙ１〜Ｙ４のうちの２以上は、−Ｘ−Ａであり、
Ｒ２０１は、水素；重水素；ハロゲン基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のアリールオキシ基であり、
ｓは、０〜５の整数であり、ｓが２以上の場合、２以上のＲ２０１は、互いに同一または異なり、
Ｘは、ＯまたはＳであり、
Ａは、熱または光によって架橋可能な官能基であり、
ｎ１およびｎ４は、それぞれ０〜４の整数であり、
ｎ２およびｎ３は、それぞれ０〜３の整数であり、
ｎ１〜ｎ４がそれぞれ２以上の場合、括弧内の置換基は、互いに同一または異なり、
【化２】
0006742652.tif 000076
前記化学式１０において、
Ｒｃ１〜Ｒｃ２０のうちの少なくとも１つは、Ｆ、シアノ基、または置換もしくは非置換のフルオロアルキル基であり、
残りのＲｃ１〜Ｒｃ２０のうちの少なくとも１つは、熱または光によって架橋可能な官能基であり、
残りのＲｃ１〜Ｒｃ２０は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；ニトロ基；−Ｃ（Ｏ）Ｒ１００；−ＯＲ１０１；−ＳＲ１０２；−ＳＯ３Ｒ１０３；−ＣＯＯＲ１０４；−ＯＣ（Ｏ）Ｒ１０５；−Ｃ（Ｏ）ＮＲ１０６Ｒ１０７；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のフルオロアルキル基；置換もしくは非置換のアルケニル基；置換もしくは非置換のアルキニル基；置換もしくは非置換のアミン基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロ環基であり、
Ｒ１００〜Ｒ１０７は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；または置換もしくは非置換のアルキル基である。
【請求項２】
前記コーティング組成物は、有機発光素子の有機物層コーティング用である、請求項１に記載のコーティング組成物。
【請求項３】
前記熱または光によって架橋可能な官能基は、下記の構造のうちのいずれか１つである、請求項１に記載のコーティング組成物：
【化３】
0006742652.tif 000077
前記構造において、
Ｔ１は、水素；または置換もしくは非置換の炭素数１〜６のアルキル基であり、
Ｔ２〜Ｔ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数１〜６のアルキル基である。
【請求項４】
前記化学式１は、下記化学式２〜５のうちのいずれか１つで表されるものである、請求項１に記載のコーティング組成物：
【化４】
0006742652.tif 000078
【化５】
0006742652.tif 000079
前記化学式２〜５において、
Ｒ１〜Ｒ４、ｎ１〜ｎ４、Ａｒ１、Ａｒ２およびＬは、化学式１で定義した通りであり、
Ｘ１〜Ｘ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、ＯまたはＳであり、
Ａ１〜Ａ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、熱または光によって架橋可能な官能基であり、
Ｒ２１〜Ｒ２６は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；ハロゲン基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリールオキシ基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
ｐ１およびｐ２は、それぞれ０〜５の整数であり、
ｐ３およびｐ４は、それぞれ０〜４の整数であり、
ｐ５およびｐ６は、それぞれ０〜７の整数であり、
ｐ１〜ｐ６がそれぞれ２以上の場合、括弧内の置換基は、互いに同一または異なる。
【請求項５】
前記Ｌは、下記化学式１−Ａまたは１−Ｂである、請求項１に記載のコーティング組成物：
【化６】
0006742652.tif 000080
前記化学式１−Ａおよび１−Ｂにおいて、
Ｒ１１〜Ｒ１３は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
ｍ１〜ｍ３は、それぞれ０〜４の整数であり、
ｍ１〜ｍ３が２以上の場合、括弧内の置換基は、互いに同一または異なる。
【請求項６】
前記化学式１で表される化合物が、下記の化合物１〜１４０のうちのいずれか１つである、請求項１に記載のコーティング組成物：
【化７】
0006742652.tif 000081
【化８】
0006742652.tif 000082
【化９】
0006742652.tif 000083
【化１０】
0006742652.tif 000084
【化１１】
0006742652.tif 000085
【化１２】
0006742652.tif 000086
【化１３】
0006742652.tif 000087
【化１４】
0006742652.tif 000088
【化１５】
0006742652.tif 000089
【化１６】
0006742652.tif 000090
【化１７】
0006742652.tif 000091
【化１８】
0006742652.tif 000092
【化１９】
0006742652.tif 000093
【化２０】
0006742652.tif 000094
【化２１】
0006742652.tif 000095
【化２２】
0006742652.tif 000096
【化２３】
0006742652.tif 000097
【化２４】
0006742652.tif 000098
【請求項７】
前記化学式１０で表される陰イオン基の、熱または光によって架橋可能な官能基の個数は、１個〜４個である、請求項１〜６のいずれか一項に記載のコーティング組成物。
【請求項８】
前記陰イオン基内におけるＦの含有量は、陰イオン基１００重量部に対して、１０重量部〜５０重量部である、請求項１〜７のいずれか一項に記載のコーティング組成物。
【請求項９】
前記化学式１０において、Ｒｃ１〜Ｒｃ５が結合したベンゼン環、Ｒｃ５〜Ｒｃ１０が結合したベンゼン環、Ｒｃ１１〜Ｒｃ１５が結合したベンゼン環、およびＲｃ１６〜Ｒｃ２０が結合したベンゼン環のうちの少なくとも１つのベンゼン環は、下記構造式の中から選択されるものである、請求項１〜８のいずれか一項に記載のコーティング組成物：
【化２５】
0006742652.tif 000099
【請求項１０】
前記化学式１０で表される陰イオン基は、下記構造式の中から選択されるものである、請求項１〜７のいずれか一項に記載のコーティング組成物：
【化２６】
0006742652.tif 000100
【化２７】
0006742652.tif 000101
【化２８】
0006742652.tif 000102
前記構造式において、ｎは、１〜３の整数であり、ｍは、１〜３の整数であり、ｍ＋ｎ＝４であり、
ｑは、０〜３の整数であり、ｒは、１〜４の整数であり、ｑ＋ｒ＝４であり、
Ｚは、重水素；ハロゲン基；ニトロ基；シアノ基；アミノ基；−Ｃ（Ｏ）Ｒ１００；−ＯＲ１０１；−ＳＲ１０２；−ＳＯ３Ｒ１０３；−ＣＯＯＲ１０４；−ＯＣ（Ｏ）Ｒ１０５；−Ｃ（Ｏ）ＮＲ１０６Ｒ１０７；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアルケニル基；置換もしくは非置換のアルキニル基；置換もしくは非置換のアミン基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロ環基であり、
ｌは、１〜４の整数であり、ｌが２以上の場合、Ｚは、互いに同一または異なり、
Ｒ１００〜Ｒ１０７は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；または置換もしくは非置換のアルキル基である。
【請求項１１】
前記イオン性化合物は、陽イオン基をさらに含み、前記陽イオン基は、１価の陽イオン基、オニウム化合物、または下記構造式の中から選択される、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のコーティング組成物：
【化２９】
0006742652.tif 000103
前記構造式において、Ｘ１〜Ｘ８７およびＸ１００〜Ｘ１１２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；シアノ基；ニトロ基；ヒドロキシ基；ハロゲン基；−ＣＯＯＲ１０４；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリールオキシ基；置換もしくは非置換のシクロアルキル基；置換もしくは非置換のフルオロアルキル基；置換もしくは非置換のアリール基；または熱または光によって架橋可能な官能基であり、
Ｒ１０４は、水素；重水素；または置換もしくは非置換のアルキル基であり、
ｐは、０〜１０の整数であり、
ａは、１または２であり、ｂは、０または１であり、ａ＋ｂ＝２である。
【請求項１２】
前記陽イオン基は、下記構造式の中から選択されるいずれか１つである、請求項１１に記載のコーティング組成物：
【化３０】
0006742652.tif 000104
【化３１】
0006742652.tif 000105
0006742652.tif 000106
【化３２】
0006742652.tif 000107
【化３３】
0006742652.tif 000108
【化３４】
0006742652.tif 000109
【化３５】
0006742652.tif 000110
【化３６】
0006742652.tif 000111
【化３７】
0006742652.tif 000112
【請求項１３】
前記イオン性化合物は、下記構造式の中から選択されるものである、請求項１〜６のいずれか一項に記載のコーティング組成物：
【化３８】
0006742652.tif 000113
【化３９】
0006742652.tif 000114
【化４０】
0006742652.tif 000115
【化４１】
0006742652.tif 000116
【化４２】
0006742652.tif 000117
【化４３】
0006742652.tif 000118
【化４４】
0006742652.tif 000119
【請求項１４】
第１電極と、
第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に備えられる１層以上の有機物層とを含み、
前記有機物層のうちの１層以上は、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のコーティング組成物またはその硬化物を含むものである有機発光素子。
【請求項１５】
前記コーティング組成物の硬化物を含む有機物層は、正孔輸送層または正孔注入層である、請求項１４に記載の有機発光素子。
【請求項１６】
前記コーティング組成物の硬化物は、前記コーティング組成物を熱処理または光処理によって硬化した状態である、請求項１４又は１５に記載の有機発光素子。
【請求項１７】
基板を用意するステップと、
前記基板上に第１電極を形成するステップと、
前記第１電極上に１層以上の有機物層を形成するステップと、
前記有機物層上に第２電極を形成するステップとを含み、
前記有機物層を形成するステップは、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のコーティング組成物を用いて１層以上の有機物層を形成するステップを含むものである有機発光素子の製造方法。
【請求項１８】
前記コーティング組成物を用いて１層以上の有機物層を形成するステップは、スピンコーティング方法を利用するものである、請求項１７に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項１９】
前記コーティング組成物を用いて１層以上の有機物層を形成するステップは、
前記第１電極上に前記コーティング組成物をコーティングするステップと、
前記コーティングされたコーティング組成物を熱処理または光処理するステップとを含むものである、請求項１７又は１８に記載の有機発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２０１７年９月２６日付で韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０−２０１７−０１２４４７２号および２０１８年９月１３日付で韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０−２０１８−０１０９３８１号の出願日の利益を主張し、その内容はすべて本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本明細書は、コーティング組成物、前記コーティング組成物を用いて形成された有機発光素子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
有機発光現象は、特定の有機分子の内部プロセスによって電流が可視光に変換される例の一つである。有機発光現象の原理は次の通りである。アノードとカソードとの間に有機物層を位置させた時、２つの電極の間に電流をかけると、カソードとアノードからそれぞれ電子と正孔が有機物層に注入される。有機物層に注入された電子と正孔は、再結合してエキシトン（ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成し、このエキシトンが再び基底状態に落ちながら光を発する。このような原理を利用する有機発光素子は、一般的に、カソードとアノード、およびその間に位置した有機物層、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を含む有機物層から構成される。
【０００４】
従来は、有機発光素子を製造するために蒸着工程を主に利用してきた。しかし、蒸着工程で有機発光素子を製造する時、材料の損失が多く発生する問題点があり、これを解決するために、材料の損失が少なくて生産効率を増大させられる溶液工程により素子を製造する技術が開発されており、溶液工程時に使用可能な物質の開発が求められている。
【０００５】
溶液工程用有機発光素子で使用される物質は、次の性質を有しなければならない。
第一、保存可能な均質な溶液を形成できなければならない。商用化された蒸着工程用物質の場合、結晶性が良くて溶液によく溶けなかったり、溶液を形成しても結晶が生じやすいことから、保存期間によって溶液の濃度勾配が変化したり不良素子を形成する可能性が大きい。
第二、溶液工程に使用される物質は、薄膜の形成時、孔やかたまり現象が発生せず均一な厚さの薄膜を形成できるようにコーティング性に優れていなければならない。
第三、溶液工程が行われる層は、他の層を形成する工程で使用される溶媒および物質に対する耐性がなければならず、有機発光素子の製造時、電流効率に優れ、寿命特性に優れていることが求められる。
【０００６】
したがって、当技術分野では新たな組成物の開発が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】韓国特許公開公報第２０１３−１０６２５５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本明細書は、溶液工程用有機発光素子において使用可能なコーティング組成物、これを含む有機発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本明細書は、下記化学式１で表される化合物；および下記化学式１０で表される陰イオン基を含むイオン性化合物を含むコーティング組成物を提供する。
【００１０】
【化１】
0006742652.tif 000002
前記化学式１において、
ＬおよびＬ１〜Ｌ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のアリーレン基であり、
Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
Ｒ１〜Ｒ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
Ｙ１〜Ｙ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、−（Ｒ２０１）ｓ；または−Ｘ−Ａであり、Ｙ１〜Ｙ４のうちの２以上は、−Ｘ−Ａであり、
Ｒ２０１は、水素；重水素；ハロゲン基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のアリールオキシ基であり、
ｓは、０〜５の整数であり、ｓが２以上の場合、２以上のＲ２０１は、互いに同一または異なり、
Ｘは、ＯまたはＳであり、
Ａは、熱または光によって架橋可能な官能基であり、
ｎ１およびｎ４は、それぞれ０〜４の整数であり、
ｎ２およびｎ３は、それぞれ０〜３の整数であり、
ｎ１〜ｎ４がそれぞれ２以上の場合、括弧内の置換基は、互いに同一または異なり、
【化２】
0006742652.tif 000003
前記化学式１０において、
Ｒｃ１〜Ｒｃ２０のうちの少なくとも１つは、Ｆ、シアノ基、または置換もしくは非置換のフルオロアルキル基であり、
残りのＲｃ１〜Ｒｃ２０のうちの少なくとも１つは、熱または光によって架橋可能な官能基であり、
残りのＲｃ１〜Ｒｃ２０は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；ニトロ基；−Ｃ（Ｏ）Ｒ１００；−ＯＲ１０１；−ＳＲ１０２；−ＳＯ３Ｒ１０３；−ＣＯＯＲ１０４；−ＯＣ（Ｏ）Ｒ１０５；−Ｃ（Ｏ）ＮＲ１０６Ｒ１０７；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のフルオロアルキル基；置換もしくは非置換のアルケニル基；置換もしくは非置換のアルキニル基；置換もしくは非置換のアミン基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロ環基であり、
Ｒ１００〜Ｒ１０７は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；または置換もしくは非置換のアルキル基である。
【００１１】
本明細書はまた、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に備えられる１層以上の有機物層とを含み、前記有機物層のうちの１層以上は、前記コーティング組成物；またはその硬化物を含むものである有機発光素子を提供する。
【００１２】
最後に、本明細書は、基板を用意するステップと、前記基板上に第１電極を形成するステップと、前記第１電極上に１層以上の有機物層を形成するステップと、前記有機物層上に第２電極を形成するステップとを含み、前記有機物層を形成するステップは、前記コーティング組成物を用いて１層以上の有機物層を形成するステップを含むものである有機発光素子の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一実施態様に係るコーティング組成物を用いて溶液工程が可能で、素子の大面積化が可能であり、有機発光素子の有機物層の材料に使用可能であり、低い駆動電圧、高い発光効率および高い寿命特性を提供することができる。
【００１４】
また、本発明の一実施態様に係る化合物は、２２０℃未満の熱処理またはＵＶ処理から完全に硬化した薄膜を形成することにより、次の溶液工程から損傷しない安定した薄膜を形成する。
【００１５】
それだけでなく、前記本発明の化合物を使用することにより、溶解度が増加するので、溶液工程のコーティング組成物の製造時、溶媒の選択肢が広くなるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施態様に係る有機発光素子の例を示すものである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１８】
本発明の一実施態様は、下記化学式１で表される化合物；および下記化学式１０で表される陰イオン基を含むイオン性化合物を含むコーティング組成物を提供する。
【００１９】
【化３】
0006742652.tif 000004
前記化学式１において、
ＬおよびＬ１〜Ｌ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のアリーレン基であり、
Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
Ｒ１〜Ｒ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
Ｙ１〜Ｙ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、−（Ｒ２０１）ｓ；または−Ｘ−Ａであり、Ｙ１〜Ｙ４のうちの２以上は、−Ｘ−Ａであり、
Ｒ２０１は、水素；重水素；ハロゲン基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のアリールオキシ基であり、
ｓは、０〜５の整数であり、ｓが２以上の場合、２以上のＲ２０１は、互いに同一または異なり、
Ｘは、ＯまたはＳであり、
Ａは、熱または光によって架橋可能な官能基であり、
ｎ１およびｎ４は、それぞれ０〜４の整数であり、
ｎ２およびｎ３は、それぞれ０〜３の整数であり、
ｎ１〜ｎ４がそれぞれ２以上の場合、括弧内の置換基は、互いに同一または異なり、
【化４】
0006742652.tif 000005
前記化学式１０において、
Ｒｃ１〜Ｒｃ２０のうちの少なくとも１つは、Ｆ、シアノ基、または置換もしくは非置換のフルオロアルキル基であり、
残りのＲｃ１〜Ｒｃ２０のうちの少なくとも１つは、熱または光によって架橋可能な官能基であり、
残りのＲｃ１〜Ｒｃ２０は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；ニトロ基；−Ｃ（Ｏ）Ｒ１００；−ＯＲ１０１；−ＳＲ１０２；−ＳＯ３Ｒ１０３；−ＣＯＯＲ１０４；−ＯＣ（Ｏ）Ｒ１０５；−Ｃ（Ｏ）ＮＲ１０６Ｒ１０７；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のフルオロアルキル基；置換もしくは非置換のアルケニル基；置換もしくは非置換のアルキニル基；置換もしくは非置換のアミン基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロ環基であり、
Ｒ１００〜Ｒ１０７は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；または置換もしくは非置換のアルキル基である。
【００２０】
本発明の一実施形態に係る前記化学式１で表される化合物は、化合物内に酸素（Ｏ）または硫黄（Ｓ）原子を含むことにより、熱処理またはＵＶ処理から完全に硬化した安定した薄膜を形成する。具体的には、前述した本発明の一実施形態に係る前記化学式１で表される化合物は、化合物内にアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基を含むことにより、炭化水素系および／またはエーテル（ｅｔｈｅｒ）系の溶媒との親和性が高くて溶媒選択性（ｏｒｔｈｏｇｏｎａｌｉｔｙ）を有し、前記化合物を含む有機物層のほか、他の層を溶液工程で形成する時に使用する溶媒に対して耐性を有し、他の層への移動を防止することができる。
【００２１】
また、優れたコーティング性、低い駆動電圧、高い発光効率および高い寿命特性を提供することができる。
【００２２】
本明細書において、ある部材が他の部材の「上に」位置しているとする時、これは、ある部材が他の部材に接している場合のみならず、２つの部材の間にさらに他の部材が存在する場合も含む。
【００２３】
本明細書において、ある部分がある構成要素を「含む」とする時、これは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに包含できることを意味する。
【００２４】
本発明の一実施態様に係る前記化学式１で表される化合物は、適当な有機溶媒に対して溶解性を有する化合物が好ましい。
【００２５】
また、本発明の一実施態様に係る前記化学式１で表される化合物の場合、溶液塗布法によって有機発光素子を製造できて、素子の大面積化が可能である。
【００２６】
本明細書において、「熱または光によって架橋可能な官能基」とは、熱およびまたは光に露出させることにより、化合物の間に架橋をさせる反応性置換基を意味することができる。架橋は、熱処理または光照射によって、炭素−炭素多重結合、環状構造の分解とともに生成されたラジカルが連結されながら生成される。
【００２７】
以下、本発明の置換基を詳細に説明する。
【００２８】
本明細書において、
【化５】
0006742652.tif 000006
は、他の置換基または結合部に結合する部位を意味する。
【００２９】
本明細書において、前記「置換」という用語は、化合物の炭素原子に結合した水素原子が他の置換基に変わることを意味し、置換される位置は、水素原子が置換される位置すなわち、置換基が置換可能な位置であれば限定せず、２以上置換される場合、２以上の置換基は、互いに同一または異なっていてもよい。
【００３０】
本明細書において、「置換もしくは非置換の」という用語は、重水素；ハロゲン基；シアノ基；ニトロ基；ヒドロキシ基；シリル基；ホウ素基；アルキル基；シクロアルキル基；アルコキシ基；アリールオキシ基；アリール基；およびヘテロ環基からなる群より選択された１個以上の置換基で置換もしくは非置換であるか、前記例示された置換基のうちの２以上の置換基が連結された置換もしくは非置換であることを意味する。例えば、「２以上の置換基が連結された置換基」は、ビフェニル基であってもよい。すなわち、ビフェニル基は、アリール基であってもよく、２個のフェニル基が連結された置換基と解釈されてもよい。
【００３１】
本明細書において、ハロゲン基は、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、またはヨウ素（Ｉ）である。
【００３２】
本明細書において、シリル基は、−ＳｉＲａＲｂＲｃの化学式で表されてもよく、前記Ｒａ、ＲｂおよびＲｃは、それぞれ水素；置換もしくは非置換のアルキル基；または置換もしくは非置換のアリール基であってもよい。前記シリル基は、具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、ジフェニルシリル基、フェニルシリル基などがあるが、これらに限定されない。
【００３３】
本明細書において、ホウ素基は、−ＢＲｄＲｅの化学式で表されてもよく、前記ＲｄおよびＲｅは、それぞれ水素；置換もしくは非置換のアルキル基；または置換もしくは非置換のアリール基であってもよい。前記ホウ素基は、具体的には、トリメチルホウ素基、トリエチルホウ素基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルホウ素基、トリフェニルホウ素基、フェニルホウ素基などがあるが、これらに限定されない。
【００３４】
本明細書において、前記アルキル基は、直鎖もしくは分枝鎖であってもよく、炭素数は特に限定されないが、１〜６０であってもよく、一実施態様によれば、前記アルキル基の炭素数は１〜３０であってもよい。もう一つの実施態様によれば、前記アルキル基の炭素数は１〜１０である。前記アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基などがあるが、これらに限定されない。
【００３５】
本明細書において、シクロアルキル基は特に限定されないが、炭素数３〜６０であってもよく、一実施態様によれば、前記シクロアルキル基の炭素数は３〜４０である。もう一つの実施態様によれば、前記シクロアルキル基の炭素数は３〜２０である。前記シクロアルキル基の具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などがあるが、これらに限定されるものではない。
【００３６】
本明細書において、前記アルコキシ基は、直鎖、分枝鎖もしくは環鎖であってもよい。前記アルコキシ基の炭素数は特に限定されないが、炭素数１〜２０であってもよい。前記アルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基などになってもよいが、これらに限定されるものではない。
【００３７】
本明細書において、前記アリールオキシ基の炭素数は特に限定されないが、炭素数６〜６０であってもよい。前記アリールオキシ基のアリール基は、後述するアリール基に関する説明が適用される。
【００３８】
本明細書において、前記アリール基は特に限定されないが、炭素数６〜６０であってもよいし、単環式アリール基または多環式アリール基であってもよい。一実施態様によれば、前記アリール基の炭素数は６〜３０である。一実施態様によれば、前記アリール基の炭素数は６〜２０である。前記アリール基が、単環式アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基などになってもよいが、これらに限定されるものではない。前記多環式アリール基としては、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、ピレニル基、ペリレニル基、トリフェニル基、クリセニル基、フルオレニル基などになってもよいが、これらに限定されるものではない。
【００３９】
本明細書において、フルオレニル基は置換されていてもよく、置換基２個が互いに結合してスピロ構造を形成してもよい。
【００４０】
前記フルオレニル基が置換される場合、
【化６】
0006742652.tif 000007
などのスピロフルオレニル基、
【化７】
0006742652.tif 000008
（９，９−ジメチルフルオレニル基）、および
【化８】
0006742652.tif 000009
（９，９−ジフェニルフルオレニル基）などの置換されたフルオレニル基になってもよい。ただし、これに限定されるものではない。
【００４１】
本明細書において、ヘテロ環基は、異種原子としてＮ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｓｉ、およびＳｅのうちの１個以上を含むヘテロ環基であって、炭素数は特に限定されないが、炭素数２〜６０であってもよい。一実施態様によれば、前記ヘテロ環基の炭素数は２〜３０である。もう一つの実施態様によれば、前記ヘテロ環基の炭素数は２〜２０である。ヘテロ環基の例としては、ピリジル基、ピロール基、ピリミジル基、ピリダジニル基、フラニル基、チオフェン基、ベンゾチオフェン基、ベンゾフラン基、ジベンゾチオフェン基、ジベンゾフラン基などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
【００４２】
本明細書において、ヘテロアリール基は、芳香族であることを除けば、前述したヘテロ環基に関する説明が適用可能である。
【００４３】
本明細書において、前記アリーレン基は、２価の基であることを除けば、前述したアリール基に関する説明が適用される。
【００４４】
本明細書において、前記アリールオキシ基において、アリール基は、前述したアリール基に関する説明が適用される。
【００４５】
本発明の一実施態様によれば、前記Ｌは、置換もしくは非置換の炭素数６〜６０のアリーレン基である。
【００４６】
もう一つの実施態様において、前記Ｌは、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリーレン基である。
【００４７】
もう一つの実施態様によれば、前記Ｌは、置換もしくは非置換のフェニレン基；または置換もしくは非置換のビフェニリレン基である。前記Ｌが置換もしくは非置換のフェニレン基；または置換もしくは非置換のビフェニリレン基の場合、フェニレン基またはビフェニリレン基が有する共役構造は、正孔の移動を円滑にすることで、正孔注入および正孔輸送に適したエネルギー準位を有するようにし、製造された有機発光素子が低い駆動電圧、高い発光効率および優れた寿命特性を有する効果がある。
【００４８】
本発明の一実施態様によれば、前記Ｌは、下記化学式１−Ａまたは１−Ｂで表されてもよい。
【化９】
0006742652.tif 000010
前記化学式１−Ａおよび１−Ｂにおいて、
Ｒ１１〜Ｒ１３は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
ｍ１〜ｍ３は、それぞれ０〜４の整数であり、
ｍ１〜ｍ３が２以上の場合、括弧内の置換基は、互いに同一または異なる。
【００４９】
本発明の一実施態様において、前記Ｒ１１〜Ｒ１３は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；置換もしくは非置換の炭素数１〜６０のアルキル基；置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基；置換もしくは非置換の炭素数６〜６０のアリール基；または置換もしくは非置換の炭素数２〜６０のヘテロアリール基である。
【００５０】
もう一つの実施態様によれば、前記Ｒ１１〜Ｒ１３は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；置換もしくは非置換の炭素数１〜３０のアルキル基；置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基；置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリール基；または置換もしくは非置換の炭素数２〜３０のヘテロアリール基である。
【００５１】
もう一つの実施態様によれば、前記Ｒ１１〜Ｒ１３は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；置換もしくは非置換の炭素数１〜３０のアルキル基；置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリール基；または置換もしくは非置換の炭素数２〜３０のヘテロアリール基である。
【００５２】
もう一つの実施態様において、前記Ｒ１１〜Ｒ１３は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；置換もしくは非置換のメチル基；置換もしくは非置換のエチル基；置換もしくは非置換のｎ−プロピル基；置換もしくは非置換のｎ−ブチル基；置換もしくは非置換のｔｅｒｔ−ブチル基；置換もしくは非置換のフェニル基；置換もしくは非置換のビフェニル基；または置換もしくは非置換のジベンゾフラン基である。
【００５３】
もう一つの実施態様によれば、前記Ｒ１１〜Ｒ１３は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；メチル基；エチル基；ｎ−プロピル基；ｎ−ブチル基；ｔｅｒｔ−ブチル基；フェニル基；ビフェニル基；またはジベンゾフラン基である。
【００５４】
もう一つの実施態様において、前記Ｒ１１〜Ｒ１３は、水素である。
【００５５】
本発明の一実施態様によれば、前記ｍ１〜ｍ３は、それぞれ０または１である。
【００５６】
本発明の一実施態様において、前記Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数６〜６０のアリール基；または置換もしくは非置換の炭素数２〜６０のヘテロアリール基である。
【００５７】
もう一つの実施態様によれば、前記Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリール基；または置換もしくは非置換の炭素数２〜３０のヘテロアリール基である。
【００５８】
本発明の一実施態様において、前記Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリール基である。
【００５９】
もう一つの実施態様によれば、前記Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のフェニル基；置換もしくは非置換のビフェニル基；置換もしくは非置換のターフェニル基；または置換もしくは非置換のナフチル基である。
【００６０】
もう一つの実施態様において、前記Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、フェニル基；ビフェニル基；ターフェニル基；またはナフチル基である。
【００６１】
本発明の一実施態様において、前記Ｒ１〜Ｒ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；置換もしくは非置換の炭素数１〜６０のアルキル基；置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基；置換もしくは非置換の炭素数６〜６０のアリール基；または置換もしくは非置換の炭素数２〜６０のヘテロアリール基である。
【００６２】
もう一つの実施態様によれば、前記Ｒ１〜Ｒ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；置換もしくは非置換の炭素数１〜３０のアルキル基；置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリール基；または置換もしくは非置換の炭素数２〜３０のヘテロアリール基である。
【００６３】
もう一つの実施態様において、前記Ｒ１〜Ｒ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；置換もしくは非置換のメチル基；置換もしくは非置換のエチル基；置換もしくは非置換のフェニル基；置換もしくは非置換のビフェニル基；置換もしくは非置換のジベンゾチオフェン基；または置換もしくは非置換のジベンゾフラン基である。
【００６４】
もう一つの実施態様によれば、前記Ｒ１〜Ｒ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；メチル基；エチル基；フェニル基；ビフェニル基；ジベンゾチオフェン基；またはジベンゾフラン基である。
【００６５】
もう一つの実施態様において、前記Ｒ２およびＲ３は、水素であり、Ｒ１およびＲ４は、フェニル基である。
【００６６】
もう一つの実施態様において、前記Ｒ１〜Ｒ４は、水素である。
【００６７】
本発明の一実施態様によれば、前記ｎ１〜ｎ４は、それぞれ０または１である。
【００６８】
本発明の一実施態様によれば、前記Ｙ１〜Ｙ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、−（Ｒ２０１）ｓ；または−Ｘ−Ａであり、Ｙ１〜Ｙ４のうちの２以上は、−Ｘ−Ａである。
【００６９】
もう一つの実施態様において、前記Ｙ１〜Ｙ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、−（Ｒ２０１）ｓ；または−Ｘ−Ａであり、Ｙ１〜Ｙ４のうちの２つは、−Ｘ−Ａである。
【００７０】
もう一つの実施態様によれば、前記Ｙ１およびＹ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、−Ｘ−Ａであり、Ｙ２およびＹ３は、−（Ｒ２０１）ｓである。
【００７１】
もう一つの実施態様において、前記Ｙ１およびＹ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、−Ｘ−Ａであり、Ｙ３およびＹ４は、−（Ｒ２０１）ｓである。
【００７２】
もう一つの実施態様によれば、前記Ｙ１、Ｙ２およびＹ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、−Ｘ−Ａであり、Ｙ３は、−（Ｒ２０１）ｓである。
【００７３】
もう一つの実施態様において、前記Ｙ１〜Ｙ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、−Ｘ−Ａである。
【００７４】
本発明の一実施態様において、前記Ｘは、ＯまたはＳである。
【００７５】
本発明の一実施態様によれば、前記Ａは、熱または光によって架橋可能な官能基である。
【００７６】
前記熱または光によって架橋可能な官能基は、下記の構造のうちのいずれか１つであってもよい。
【化１０】
0006742652.tif 000011
前記構造において、
Ｔ１は、水素；または置換もしくは非置換の炭素数１〜６のアルキル基であり、
Ｔ２〜Ｔ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数１〜６のアルキル基である。
【００７７】
本発明の一実施態様において、前記Ｔ１は、水素；または置換もしくは非置換のメチル基；置換もしくは非置換のエチル基；置換もしくは非置換のｎ−プロピル基；置換もしくは非置換のｎ−ブチル基；または置換もしくは非置換のｔｅｒｔ−ブチル基である。
【００７８】
もう一つの実施態様において、前記Ｔ１は、水素；またはメチル基；エチル基；ｎ−プロピル基；ｎ−ブチル基；またはｔｅｒｔ−ブチル基である。
【００７９】
本発明の一実施態様によれば、前記Ｔ２〜Ｔ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のメチル基；置換もしくは非置換のエチル基；置換もしくは非置換のｎ−プロピル基；置換もしくは非置換のｎ−ブチル基；または置換もしくは非置換のｔｅｒｔ−ブチル基である。
【００８０】
もう一つの実施態様において、前記Ｔ２〜Ｔ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、メチル基；エチル基；ｎ−プロピル基；ｎ−ブチル基；またはｔｅｒｔ−ブチル基である。
【００８１】
本発明の一実施態様によれば、前記ｓは、０〜２の整数であり、ｓが２の場合、２個のＲ２０１は、互いに同一または異なる。
【００８２】
本発明の一実施態様において、前記Ｒ２０１は、水素；重水素；ハロゲン基；置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルキル基；置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基；置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリール基；または置換もしくは非置換の炭素数４〜３０のアリールオキシ基である。
【００８３】
本発明の一実施態様において、前記Ｒ２０１は、水素；重水素；ハロゲン基；炭素数１〜２０のアルキル基；炭素数１〜２０のアルコキシ基で置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基；炭素数６〜３０のまたは炭素数６〜３０のアリールオキシ基である。
【００８４】
もう一つの実施態様によれば、前記Ｒ２０１は、水素；重水素；フッ素（−Ｆ）；置換もしくは非置換のメチル基；置換もしくは非置換のブチル基；置換もしくは非置換のメトキシ基；置換もしくは非置換のエトキシ基；置換もしくは非置換のエチルヘキシルオキシ基；または置換もしくは非置換のフェニルオキシ基である。
【００８５】
もう一つの実施態様において、前記Ｒ２０１は、水素；重水素；フッ素（−Ｆ）；メチル基；ブチル基；メトキシ基；炭素数１〜２０のアルコキシ基で置換もしくは非置換のエトキシ基；エチルヘキシルオキシ基；またはフェニルオキシ基である。
【００８６】
もう一つの実施態様によれば、前記Ｒ２０１は、水素；重水素；フッ素（−Ｆ）；メチル基；ｔｅｒｔ−ブチル基；メトキシ基；エトキシ基で置換もしくは非置換のエトキシ基；２−エチルヘキシルオキシ基；またはフェニルオキシ基である。
【００８７】
本発明の一実施態様によれば、前記Ｌ１〜Ｌ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数６〜６０のアリーレン基である。
【００８８】
もう一つの実施態様によれば、前記Ｌ１〜Ｌ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリーレン基である。
【００８９】
もう一つの実施態様において、前記Ｌ１〜Ｌ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、ハロゲン基、置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、および置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリールオキシ基からなる群より１以上の置換基で置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリーレン基である。
【００９０】
もう一つの実施態様において、前記Ｌ１〜Ｌ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、ハロゲン基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基で置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、および炭素数６〜３０のアリールオキシ基からなる群より１以上の置換基で置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリーレン基である。
【００９１】
もう一つの実施態様によれば、前記Ｌ１〜Ｌ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、ハロゲン基、置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、および置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリールオキシ基からなる群より１以上の置換基で置換もしくは非置換のフェニレン基；またはハロゲン基、置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、および置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリールオキシ基からなる群より１以上の置換基で置換もしくは非置換のナフチレン基である。
【００９２】
もう一つの実施態様において、前記Ｌ１〜Ｌ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、フッ素（−Ｆ）、置換もしくは非置換のメチル基、置換もしくは非置換のｔｅｒｔ−ブチル基、置換もしくは非置換のメトキシ基、置換もしくは非置換のエトキシ基、置換もしくは非置換の２−エチルヘキシルオキシ基、および置換もしくは非置換のフェニルオキシ基からなる群より１以上の置換基で置換もしくは非置換のフェニレン基；またはフッ素（−Ｆ）、置換もしくは非置換のメチル基、置換もしくは非置換のｔｅｒｔ−ブチル基、置換もしくは非置換のメトキシ基、置換もしくは非置換のエトキシ基、置換もしくは非置換の２−エチルヘキシルオキシ基、および置換もしくは非置換のフェニルオキシ基からなる群より１以上の置換基で置換もしくは非置換のナフチレン基である。
【００９３】
もう一つの実施態様によれば、前記Ｌ１〜Ｌ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、フェニレン基；ナフチレン基；フルオロフェニレン基；メチルフェニレン基；ジメチルフェニレン基；ｔｅｒｔ−ブチルフェニレン基；メトキシフェニレン基；エトキシエトキシフェニレン基；フェニルオキシフェニレン基；または２−エチルヘキシルオキシフェニレン基である。
【００９４】
本発明の一実施態様によれば、前記化学式１は、下記化学式２〜５のうちのいずれか１つで表してもよい。
【００９５】
【化１１】
0006742652.tif 000012
【化１２】
0006742652.tif 000013
【００９６】
前記化学式２〜５において、
Ｒ１〜Ｒ４、ｎ１〜ｎ４、Ａｒ１、Ａｒ２およびＬは、化学式１で定義した通りであり、
Ｘ１〜Ｘ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、ＯまたはＳであり、
Ａ１〜Ａ４は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、熱または光によって架橋可能な官能基であり、
Ｒ２１〜Ｒ２６は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；ハロゲン基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリールオキシ基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
ｐ１およびｐ２は、それぞれ０〜５の整数であり、
ｐ３およびｐ４は、それぞれ０〜４の整数であり、
ｐ５およびｐ６は、それぞれ０〜７の整数であり、
ｐ１〜ｐ６がそれぞれ２以上の場合、括弧内の置換基は、互いに同一または異なる。
【００９７】
本発明の一実施態様によれば、前記Ｒ２１〜Ｒ２６は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルキル基；置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基；置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリールオキシ基；置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリール基；または置換もしくは非置換の炭素数２〜３０のヘテロアリール基である。
【００９８】
もう一つの実施態様によれば、前記Ｒ２１〜Ｒ２６は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；フッ素（−Ｆ）；置換もしくは非置換のメチル基；置換もしくは非置換のｔｅｒｔ−ブチル基；置換もしくは非置換のメトキシ基；置換もしくは非置換のエトキシ基；置換もしくは非置換のヘキシルオキシ基；または置換もしくは非置換のフェニルオキシ基である。
【００９９】
もう一つの実施態様において、前記Ｒ２１〜Ｒ２６は、水素；フッ素（−Ｆ）；メチル基；ｔｅｒｔ−ブチル基；メトキシ基；エトキシエトキシ基；２−エチルヘキシルオキシ基；またはフェニルオキシ基である。
【０１００】
もう一つの実施態様によれば、ｐ１〜ｐ６は、それぞれ０または１である。
【０１０１】
本発明の一実施態様において、前記化学式１は、下記の化合物１〜１４０のうちのいずれか１つで表されてもよい。
【０１０２】
【化１３】
0006742652.tif 000014
【０１０３】
【化１４】
0006742652.tif 000015
【０１０４】
【化１５】
0006742652.tif 000016
【０１０５】
【化１６】
0006742652.tif 000017
【０１０６】
【化１７】
0006742652.tif 000018
【０１０７】
【化１８】
0006742652.tif 000019
【０１０８】
【化１９】
0006742652.tif 000020
【０１０９】
【化２０】
0006742652.tif 000021
【０１１０】
【化２１】
0006742652.tif 000022
【０１１１】
【化２２】
0006742652.tif 000023
【０１１２】
【化２３】
0006742652.tif 000024
【０１１３】
【化２４】
0006742652.tif 000025
【０１１４】
【化２５】
0006742652.tif 000026
【０１１５】
【化２６】
0006742652.tif 000027
【０１１６】
【化２７】
0006742652.tif 000028
【０１１７】
【化２８】
0006742652.tif 000029
【０１１８】
【化２９】
0006742652.tif 000030
【０１１９】
【化３０】
0006742652.tif 000031
【０１２０】
本発明の一実施態様に係る前記化学式１で表される化合物は、後述する製造方法で製造される。
【０１２１】
例えば、前記化学式１で表される化合物は、下記反応式１のようにコア構造が製造される。置換基は、当技術分野で知られている方法によって結合してもよいし、置換基の種類、位置または個数は、当技術分野で知られている技術によって変更可能である。
【化３１】
0006742652.tif 000032
【０１２２】
前記反応式１において、置換基は、化学式１における置換基の定義と同じである。
【０１２３】
本発明の一実施態様によれば、前記化学式１０で表される陰イオン基の、熱または光によって架橋可能な官能基の個数は、１個〜４個である。前記化学式１０で表される陰イオン基が硬化基を含まない場合、硬化が行われないので、本明細書の陽イオン基および陰イオン基の電極層間の移動によって素子の特性が減少する。また、硬化基の個数が増加すると、コーティング組成物の硬化率が高くなり、膜保持率が向上する。
【０１２４】
本発明の一実施態様によれば、前記化学式１０で表される陰イオン基のＦ、シアノ基、または置換もしくは非置換のフルオロアルキル基の個数は、８個〜３６個である。
【０１２５】
本発明の一実施態様において、前記化学式１０で表される陰イオン基内におけるＦの含有量は、陰イオン基１００重量部に対して、１０重量部〜５０重量部である。好ましくは１０重量部〜４５重量部である。
【０１２６】
本発明の一実施態様において、前記化学式１０で表される陰イオン基を含むイオン性化合物は、有機発光素子の正孔注入層に使用され、正孔注入層に使用される場合、ドーパントとして使用される。この時、前記化学式１０で表される陰イオン基のＦの含有量が増加すると、他の化合物（ホスト化合物）から電子を引き寄せる力が増加し、ホスト化合物には正孔がより良く生成されて、正孔注入層での性能が向上する。
【０１２７】
本発明の一実施態様によれば、前記化学式１０で表される陰イオン基におけるＦの含有量は、ＣＯＳＡ  ＡＱＦ−１００  ｃｏｍｂｕｓｔｉｏｎ  ｆｕｒｎａｃｅ  ｃｏｕｐｌｅｄ  ｔｏ  ａ  Ｄｉｏｎｅｘ  ＩＣＳ２０００  ｉｏｎ−ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈを用いて分析するか、一般的にＦ分析に使用される方法である１９Ｆ  ＮＭＲにより確認することができる。
【０１２８】
本発明の一実施態様によれば、前記化学式１０において、Ｒｃ１〜Ｒｃ５が結合したベンゼン環、Ｒｃ５〜Ｒｃ１０が結合したベンゼン環、Ｒｃ１１〜Ｒｃ１５が結合したベンゼン環、およびＲｃ１６〜Ｒｃ２０が結合したベンゼン環のうちの少なくとも１つのベンゼン環は、下記構造式の中から選択される。
【０１２９】
【化３２】
0006742652.tif 000033
【０１３０】
本発明の一実施態様において、前記化学式１０で表される陰イオン基は、下記構造式の中から選択される。
【０１３１】
【化３３】
0006742652.tif 000034
【０１３２】
【化３４】
0006742652.tif 000035
【０１３３】
【化３５】
0006742652.tif 000036
【０１３４】
前記構造式において、ｎは、１〜３の整数であり、ｍは、１〜３の整数であり、ｍ＋ｎ＝４であり、
ｑは、０〜３の整数であり、ｒは、１〜４の整数であり、ｑ＋ｒ＝４であり、
Ｚは、重水素；ハロゲン基；ニトロ基；シアノ基；アミノ基；−Ｃ（Ｏ）Ｒ１００；−ＯＲ１０１；−ＳＲ１０２；−ＳＯ３Ｒ１０３；−ＣＯＯＲ１０４；−ＯＣ（Ｏ）Ｒ１０５；−Ｃ（Ｏ）ＮＲ１０６Ｒ１０７；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアルケニル基；置換もしくは非置換のアルキニル基；置換もしくは非置換のアミン基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロ環基であり、
ｌは、１〜４の整数であり、ｌが２以上の場合、Ｚは、互いに同一または異なり、
Ｒ１００〜Ｒ１０７は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；または置換もしくは非置換のアルキル基である。
【０１３５】
本発明において、前記イオン性化合物は、陽イオン基をさらに含み、前記陽イオン基は、１価の陽イオン基、オニウム化合物、または下記構造式の中から選択される。
【０１３６】
【化３６】
0006742652.tif 000037
【０１３７】
前記構造式において、Ｘ１〜Ｘ８７およびＸ１００〜Ｘ１１２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；シアノ基；ニトロ基；ヒドロキシ基；ハロゲン基；−ＣＯＯＲ１０４；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリールオキシ基；置換もしくは非置換のシクロアルキル基；置換もしくは非置換のフルオロアルキル基；置換もしくは非置換のアリール基；または熱または光によって架橋可能な官能基であり、
Ｒ１０４は、水素；重水素；または置換もしくは非置換のアルキル基であり、
ｐは、０〜１０の整数であり、
ａは、１または２であり、ｂは、０または１であり、ａ＋ｂ＝２である。
【０１３８】
本発明の一実施態様において、前記Ｘ１〜Ｘ８７およびＸ１００〜Ｘ１１２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；シアノ基；ニトロ基；ヒドロキシ基；ハロゲン基；−ＣＯＯＲ１０４；炭素数６〜３０のアリール基で置換された炭素数１〜２０のアルキル基で置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルキル基；炭素数６〜３０のアリール基または炭素数１〜２０のアルコキシ基で置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基；炭素数６〜３０のアリールオキシ基；炭素数３〜３０のシクロアルキル基；炭素数６〜３０のアリール基；または熱または光によって架橋可能な官能基である。
本明細書の一実施態様において、前記Ｘ１〜Ｘ８７およびＸ１００〜Ｘ１１２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；シアノ基；Ｆ；Ｃｌ；−ＣＯＯＲ１０４；ニトロ基；ヒドロキシ基；メチル基；エチル基；プロピル基；ブチル基；ペンチル基；ヘキシル基；メトキシ基；フェニルメトキシ基；シクロプロピル基；エトキシエトキシ基；フェノキシ基；フェニルメトキシメチル基；フェニル基；ナフチル基；または熱または光によって架橋可能な官能基であり、前記Ｒ１０４は、メチル基である。
【０１３９】
本明細書の一実施態様によれば、前記１価の陽イオン基は、Ｎａ＋、Ｌｉ＋、Ｋ＋などがあるが、これに限定されない。
【０１４０】
本明細書の一実施態様において、前記陽イオン基は、下記構造式の中から選択される。
【０１４１】
【化３７】
0006742652.tif 000038
【０１４２】
【化３８】
0006742652.tif 000039
【０１４３】
【化３９】
0006742652.tif 000040
【０１４４】
【化４０】
0006742652.tif 000041
【０１４５】
【化４１】
0006742652.tif 000042
【０１４６】
【化４２】
0006742652.tif 000043
【０１４７】
本明細書の一実施態様において、前記イオン性化合物は、下記構造式の中から選択される。
【０１４８】
【化４３】
0006742652.tif 000044
【０１４９】
【化４４】
0006742652.tif 000045
【０１５０】
【化４５】
0006742652.tif 000046
【０１５１】
【化４６】
0006742652.tif 000047
【０１５２】
【化４７】
0006742652.tif 000048
【０１５３】
【化４８】
0006742652.tif 000049
【０１５４】
【化４９】
0006742652.tif 000050
【０１５５】
本発明の一実施態様によれば、前記化学式１０で表される陰イオン基を含むイオン性化合物において、前記化学式１０で表される陰イオン基と陽イオン基との含有量比（陰イオン基：陽イオン基）は、１：５〜５：１の当量比で含まれる。
【０１５６】
もう一つの実施態様によれば、前記化学式１０で表される陰イオン基を含むイオン性化合物において、前記化学式１０で表される陰イオン基と陽イオン基との含有量比（陰イオン基：陽イオン基）は、１：１の当量比で含まれる。
【０１５７】
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物は、前記化学式１で表される化合物、前記化学式１０で表される陰イオン基を含むイオン性化合物および溶媒を含む。
【０１５８】
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物は、液状であってもよい。前記「液状」は、常温および常圧で液体状態であることを意味する。
【０１５９】
本明細書の一実施態様において、前記溶媒は、例えば、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼンなどの塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、メシチレンなどの芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカンなどの脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン（Ｉｓｏｐｈｏｒｏｎｅ）、テトラロン（Ｔｅｔｒａｌｏｎｅ）、デカロン（Ｄｅｃａｌｏｎｅ）、アセチルアセトン（Ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎｅ）などのケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセロソルブアセテートなどのエステル系溶媒；エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオールなどの多価アルコールおよびその誘導体；メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノールなどのアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶媒；およびＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどのアミド系溶媒；テトラリンなどの溶媒が例示されが、本願発明の一実施態様に係る化学式１の化合物を溶解または分散させられる溶媒であれば十分であり、これらを限定しない。
【０１６０】
もう一つの実施態様において、前記溶媒は、１種単独で使用するか、または２種以上の溶媒を混合して使用することができる。
【０１６１】
本発明において、前記イオン性化合物は、ｐ半導体特性をもたせる物質であれば十分であり、１種または２種以上を使用することができ、その種類を限定しない。
【０１６２】
本発明の一実施態様において、前記イオン性化合物の含有量は、前記化学式１で表される化合物を基準として１重量％〜５０重量％、好ましくは５重量％〜３０重量％、さらに好ましくは８重量％〜２０重量％であるが、これに限定されない。前記イオン性化合物が前記含有量範囲を満足する場合、素子の性能を低下させることなく化合物の硬化がよく行われるように補助し、前記イオン性化合物に含まれるフッ素（Ｆ）がホスト物質（前記化学式１の化合物）の正孔形成を補助することで、素子の性能を向上させるという利点がある。
【０１６３】
また、前記イオン性化合物の含有量が前記範囲を超えると、層間拡散（ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）が行われ、前記イオン性化合物が絶縁体（ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）としての役割を果たすことで、素子の性能を低下させる問題点がある。
【０１６４】
他の実施態様において、前記コーティング組成物は、熱または光によって架橋可能な官能基を含む単分子；または熱によるポリマー形成が可能な末端基を含む単分子をさらに含んでもよい。前記のように熱または光によって架橋可能な官能基を含む単分子；または熱によるポリマー形成が可能な末端基を含む単分子の分子量は、３，０００ｇ／ｍｏｌ以下の化合物であってもよい。
【０１６５】
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物は、分子量は２，０００ｇ／ｍｏｌ以下であり、熱または光によって架橋可能な官能基を含む単分子；または熱によるポリマー形成が可能な末端基を含む単分子をさらに含む。
【０１６６】
前記熱または光によって架橋可能な官能基を含む単分子；または熱によるポリマー形成が可能な末端基を含む単分子は、フェニル、ビフェニル、フルオレン、ナフタレンなどのアリール；アリールアミン；またはフルオレンに熱または光によって架橋可能な官能基または熱によるポリマー形成が可能な末端基が置換された単分子を意味することができる。
【０１６７】
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物は、熱重合開始剤および光重合開始剤からなる群より選択される１種または２種以上の添加剤をさらに含んでもよい。
【０１６８】
前記熱重合開始剤としては、メチルエチルケトンパーオキサイド、メチルイソブチルケトンパーオキサイド、アセチルアセトンパーオキサイド、メチルシクロヘキサノンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド、イソブチリルパーオキサイド、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、ビス−３，５，５−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、ラウリルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ｐ−クロルベンゾイルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−（ｔ−ブチルオキシ）−ヘキサン、１，３−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ−イソプロピル）ベンゼン、ｔ−ブチルクミル（ｃｕｍｙｌ）パーオキサイド、ジ−ｔブチルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−（ジｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン−３、トリス−（ｔ−ブチルパーオキシ）トリアジン、１，１−ジｔ−ブチルパーオキシ−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ジｔ−ブチルパーオキシシクロヘキサン、２，２−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタン、４，４−ジ−ｔ−ブチルパーオキシバレリックアッシドｎ−ブチルエステル、２，２−ビス（４，４−ｔ−ブチルパーオキシシクロヘキシル）プロパン、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ジｔ−ブチルパーオキシヘキサヒドロテレフタレート、ｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサエート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ジｔ−ブチルパーオキシトリメチルアジペートなどの過酸化物、あるいはアゾビスイソブチルニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、アゾビスシクロヘキシルニトリルなどのアゾ系があるが、これらに限定されない。
【０１６９】
前記光重合開始剤としては、ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル−（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）ブタノン−１，２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、２−メチル−２−モルホリノ（４−メチルチオフェニル）プロパン−１−オン、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどのアセトフェノン系またはケタール系光重合開始剤、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテルなどのベンゾインエーテル系光重合開始剤、ベンゾフェノン、４−ヒドロキシベンゾフェノン、２−ベンゾイルナフタレン、４−ベンゾイルビフェニル、４−ベンゾイルフェニルエーテル、アクリル化ベンゾフェノン、１，４−ベンゾイルベンゼンなどのベンゾフェノン系光重合開始剤、２−イソプロピルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジクロロチオキサントンなどのチオキサントン系光重合開始剤、その他の光重合開始剤としては、エチルアントラキノン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、２，４，６−トリメチルベンゾイルフェニルエトキシホスフィンオキシド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド、ビス（２，４−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルホスフィンオキシド、メチルフェニルグリオキシエステル、９，１０−フェナントレン、アクリジン系化合物、トリアジン系化合物、イミダゾール系化合物が挙げられる。また、光重合促進効果を有するものを単独または前記光重合開始剤と併用して用いてもよい。例えば、トリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、４−ジメチルアミノ安息香酸エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、安息香酸（２−ジメチルアミノ）エチル、４，４’−ジメチルアミノベンゾフェノンなどがあるが、これらに限定されない。
【０１７０】
もう一つの実施態様において、前記コーティング組成物の粘度は、２ｃＰ〜１５ｃＰである。前記粘度を満足する場合、素子の製造に容易である。
【０１７１】
前記コーティング組成物の濃度は、好ましくは０．１〜３０ｗｔ／ｖ％、さらに好ましくは０．３〜１５ｗｔ／ｖ％であるが、これらに限定されない。
【０１７２】
本発明はまた、前記コーティング組成物を用いて形成された有機発光素子を提供する。
【０１７３】
本発明の一実施態様において、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に備えられる１層以上の有機物層とを含み、前記有機物層のうちの１層以上は、前記コーティング組成物またはその硬化物を含み、前記コーティング組成物の硬化物は、前記コーティング組成物が熱処理または光処理によって硬化した状態である。
【０１７４】
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物またはその硬化物を含む有機物層は、正孔輸送層または正孔注入層である。
【０１７５】
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物またはその硬化物を含む有機物層は、電子輸送層または電子注入層である。
【０１７６】
さらに他の実施態様において、前記コーティング組成物またはその硬化物を含む有機物層は、発光層である。
【０１７７】
もう一つの実施態様において、前記コーティング組成物またはその硬化物を含む有機物層は、発光層であり、前記発光層は、前記化学式１の化合物を発光層のホストとして含む。
【０１７８】
もう一つの実施態様において、前記コーティング組成物またはその硬化物を含む有機物層は、発光層であり、前記発光層は、前記化学式１の化合物を発光層のドーパントとして含む。
【０１７９】
本発明の一実施態様において、前記有機発光素子は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電子阻止層、および正孔阻止層からなる群より選択される１層または２層以上をさらに含む。
【０１８０】
本発明の一実施態様において、前記第１電極は、アノードであり、第２電極は、カソードである。
【０１８１】
もう一つの実施態様によれば、前記第１電極は、カソードであり、第２電極は、アノードである。
【０１８２】
もう一つの実施態様において、有機発光素子は、基板上に、アノード、１層以上の有機物層、およびカソードが順次に積層された構造（ｎｏｒｍａｌ  ｔｙｐｅ）の有機発光素子であってもよい。
【０１８３】
もう一つの実施態様において、有機発光素子は、基板上に、カソード、１層以上の有機物層、およびアノードが順次に積層された逆方向構造（ｉｎｖｅｒｔｅｄ  ｔｙｐｅ）の有機発光素子であってもよい。
【０１８４】
本発明の有機発光素子の有機物層は、単層構造からなってもよいが、２層以上の有機物層が積層された多層構造からなってもよい。例えば、本発明の有機発光素子は、有機物層として、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などを含む構造を有することができる。しかし、有機発光素子の構造はこれに限定されず、より少数の有機層を含んでもよい。
【０１８５】
例えば、本発明の一実施態様に係る有機発光素子の構造は、図１に例示されている。
【０１８６】
図１には、基板１０１上に、アノード２０１、正孔注入層３０１、正孔輸送層４０１、発光層５０１、電子輸送層６０１、およびカソード７０１が順次に積層された有機発光素子の構造が例示されている。
【０１８７】
前記図１は、有機発光素子を例示したものであり、これに限定されない。
【０１８８】
前記有機発光素子が複数の有機物層を含む場合、前記有機物層は、同一の物質または異なる物質で形成される。
【０１８９】
本発明の有機発光素子は、有機物層のうちの１層以上が前記化学式１の化合物を含むコーティング組成物を用いて形成することを除けば、当技術分野で知られている材料および方法で製造される。
【０１９０】
例えば、本発明の有機発光素子は、基板上に、アノード、有機物層、およびカソードを順次に積層させることにより製造することができる。この時、スパッタリング法（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）や電子ビーム蒸発法（ｅ−ｂｅａｍ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）のようなＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法を利用して、基板上に金属または導電性を有する金属酸化物またはこれらの合金を蒸着させてアノードを形成し、その上に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、および電子輸送層を含む有機物層を溶液工程、蒸着工程などにより形成した後、その上にカソードとして使用可能な物質を蒸着させることにより製造される。このような方法以外にも、基板上に、カソード物質から有機物層、アノード物質を順に蒸着させて有機発光素子を作ることができる。
【０１９１】
本発明はまた、前記コーティング組成物を用いて形成された有機発光素子の製造方法を提供する。
【０１９２】
具体的には、本発明の一実施態様において、基板を用意するステップと、前記基板上に第１電極を形成するステップと、前記第１電極上に１層以上の有機物層を形成するステップと、前記有機物層上に第２電極を形成するステップとを含み、前記有機物層を形成するステップは、前記コーティング組成物を用いて１層以上の有機物層を形成するステップを含む。
【０１９３】
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物を用いて１層以上の有機物層を形成するステップは、スピンコーティング方法を利用する。
【０１９４】
他の実施態様において、前記コーティング組成物を用いて１層以上の有機物層を形成するステップは、印刷法を利用する。
【０１９５】
本発明の態様において、前記印刷法は、例えば、インクジェットプリンティング、ノズルプリンティング、オフセットプリンティング、転写プリンティング、またはスクリーンプリンティングなどがあるが、これらを限定しない。
【０１９６】
本発明の一実施態様に係るコーティング組成物は、構造的な特性から溶液工程が適合し、印刷法によって形成されるので、素子の製造時に時間および費用的に経済的な効果がある。
【０１９７】
本発明の一実施態様において、前記コーティング組成物を用いて１層以上の有機物層を形成するステップは、前記第１電極上にコーティング組成物をコーティングするステップと、前記コーティングされたコーティング組成物を熱処理または光処理するステップとを含む。
【０１９８】
本発明の一実施態様において、前記熱処理するステップは、熱処理により行われ、熱処理するステップにおける熱処理温度は、８５℃〜２５０℃であり、一実施態様によれば、１００℃〜２５０℃であってもよいし、もう一つの実施態様において、１５０℃〜２５０℃であってもよい。
【０１９９】
もう一つの実施態様において、前記熱処理するステップにおける熱処理時間は、１分〜２時間であり、一実施態様によれば、１分〜１時間であってもよいし、もう一つの実施態様において、３０分〜１時間であってもよい。
【０２００】
前記コーティング組成物を用いて形成された有機物層を形成するステップで前記熱処理または光処理ステップを含む場合には、コーティング組成物に含まれた複数の前記化合物が架橋を形成して薄膜化された構造が含まれた有機物層を提供することができる。この場合、前記コーティング組成物を用いて形成された有機物層の表面上に他の層を積層する時、溶媒によって溶解したり、形態学的に影響を受けたり分解されるのを防止することができる。
【０２０１】
したがって、前記コーティング組成物を用いて形成された有機物層が熱処理または光処理ステップを含んで形成された場合には、溶媒に対する抵抗性が増加して、溶液蒸着および架橋方法を繰り返し行って多層を形成することができ、安定性が増加して素子の寿命特性を増加させることができる。
【０２０２】
前記アノード物質としては、通常、有機物層への正孔注入が円滑となるように仕事関数の大きい物質が好ましい。本発明で使用可能なアノード物質の具体例としては、バナジウム、クロム、銅、亜鉛、金のような金属、またはこれらの合金；亜鉛酸化物、インジウム酸化物、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような金属酸化物；ＺｎＯ：ＡｌまたはＳｎＯ２：Ｓｂのような金属と酸化物との組み合わせ；ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ［３，４−（エチレン−１，２−ジオキシ）チオフェン］（ＰＥＤＯＴ）、ポリピロールおよびポリアニリンのような導電性高分子などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
【０２０３】
前記カソード物質としては、通常、有機物層への電子注入が容易となるように仕事関数の小さい物質であることが好ましい。カソード物質の具体例としては、バリウム、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタン、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、スズおよび鉛のような金属、またはこれらの合金；ＬｉＦ／ＡｌまたはＬｉＯ２／Ａｌのような多層構造の物質などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
【０２０４】
前記正孔注入層は、電極から正孔を注入する層で、正孔注入物質としては、正孔を輸送する能力を有し、アノードからの正孔注入効果、発光層または発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成された励起子の電子注入層または電子注入材料への移動を防止し、また、薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。正孔注入物質のＨＯＭＯ（ｈｉｇｈｅｓｔ  ｏｃｃｕｐｉｅｄ  ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｏｒｂｉｔａｌ）がアノード物質の仕事関数と周辺の有機物層のＨＯＭＯとの間であることが好ましい。正孔注入物質の具体例としては、金属ポルフィリン（ｐｏｒｐｈｙｒｉｎ）、オリゴチオフェン、アリールアミン系の有機物、ヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン系の有機物、キナクリドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）系の有機物、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）系の有機物、アントラキノンおよびポリアニリンとポリチオフェン系の導電性高分子などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
【０２０５】
前記正孔輸送層は、正孔注入層から正孔を受け取って発光層まで正孔を輸送する層で、正孔輸送物質としては、アノードや正孔注入層から正孔輸送を受けて発光層に移し得る物質で正孔に対する移動性の大きい物質が好適である。具体例としては、アリールアミン系の有機物、導電性高分子、および共役部分と非共役部分が共にあるブロック共重合体などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
【０２０６】
前記発光物質としては、正孔輸送層と電子輸送層から正孔と電子の輸送をそれぞれ受けて結合させることにより可視光線領域の光を発し得る物質であって、蛍光や燐光に対する量子効率の良い物質が好ましい。具体例としては、８−ヒドロキシ−キノリンアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）；カルバゾール系化合物；二量体化スチリル（ｄｉｍｅｒｉｚｅｄ  ｓｔｙｒｙｌ）化合物；ＢＡｌｑ；１０−ヒドロキシベンゾキノリン−金属化合物；ベンゾキサゾール、ベンズチアゾールおよびベンズイミダゾール系の化合物；ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）系の高分子；スピロ（ｓｐｉｒｏ）化合物；ポリフルオレン、ルブレンなどがあるが、これらにのみ限定されるものではない。
【０２０７】
前記発光層は、ホスト材料およびドーパント材料を含むことができる。ホスト材料は、縮合芳香族環誘導体またはヘテロ環含有化合物などがある。具体的には、縮合芳香族環誘導体としては、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、ナフタレン誘導体、ペンタセン誘導体、フェナントレン化合物、フルオランテン化合物などがあり、ヘテロ環含有化合物としては、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ラダー型フラン化合物、ピリミジン誘導体などがあるが、これらに限定されない。
【０２０８】
ドーパント材料としては、芳香族アミン誘導体、スチリルアミン化合物、ホウ素錯体、フルオランテン化合物、金属錯体などがある。具体的には、芳香族アミン誘導体としては、置換もしくは非置換のアリールアミノ基を有する縮合芳香族環誘導体であって、アリールアミノ基を有するピレン、アントラセン、クリセン、ペリフランテンなどがあり、スチリルアミン化合物としては、置換もしくは非置換のアリールアミンに少なくとも１個のアリールビニル基が置換されている化合物で、アリール基、シリル基、アルキル基、シクロアルキル基、およびアリールアミノ基からなる群より１または２以上選択される置換基が置換もしくは非置換である。具体的には、スチリルアミン、スチリルジアミン、スチリルトリアミン、スチリルテトラアミンなどがあるが、これらに限定されない。また、金属錯体としては、イリジウム錯体、白金錯体などがあるが、これらに限定されない。
【０２０９】
前記電子輸送層は、電子注入層から電子を受け取って発光層まで電子を輸送する層で、電子輸送物質としては、カソードから電子注入をきちんと受けて発光層に移し得る物質であって、電子に対する移動性の大きい物質が好適である。具体例としては、８−ヒドロキシキノリンのＡｌ錯体；Ａｌｑ３を含む錯体；有機ラジカル化合物；ヒドロキシフラボン−金属錯体などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。電子輸送層は、従来技術により使用されているような、任意の所望するカソード物質と共に使用可能である。特に、適切なカソード物質の例は、低い仕事関数を有し、アルミニウム層またはシルバー層が後に続く通常の物質である。具体的には、セシウム、バリウム、カルシウム、イッテルビウム、およびサマリウムであり、各場合、アルミニウム層またはシルバー層が後に続く。
【０２１０】
前記電子注入層は、電極から電子を注入する層で、電子注入物質としては、電子を輸送する能力を有し、カソードからの電子注入効果、発光層または発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成された励起子の正孔注入層への移動を防止し、また、薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントロンなどとそれらの誘導体、金属錯体化合物および含窒素５員環誘導体などがあるが、これらに限定されない。
【０２１１】
前記金属錯体化合物としては、８−ヒドロキシキノリナトリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナト）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリナト）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナト）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナト）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナト）（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナト）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナト）（２−ナフトラート）ガリウムなどがあるが、これらに限定されない。
【０２１２】
前記正孔阻止層は、正孔のカソード到達を阻止する層で、一般的に、正孔注入層と同一の条件で形成される。具体的には、オキサジアゾール誘導体やトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ＢＣＰ、アルミニウム錯体（ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｃｏｍｐｌｅｘ）などがあるが、これらに限定されない。
【０２１３】
本発明に係る有機発光素子は、使用される材料によって、前面発光型、後面発光型、または両面発光型であってもよい。
【実施例】
【０２１４】
以下、本発明を具体的に説明するために実施例を挙げて詳細に説明する。しかし、本発明に係る実施例は種々の異なる形態に変形可能であり、本発明の範囲が以下に述べる実施例に限定されると解釈されない。本発明の実施例は、当業界における平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。
【０２１５】
＜製造例＞
製造例１．化合物１の製造
１）中間体１−１の製造
【化５０】
0006742652.tif 000051
【０２１６】
５００ｍｌの丸底フラスコ［ＲＢＦ］に、２−ブロモ−９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−オール［２−ｂｒｏｍｏ−９−ｐｈｅｎｙｌ−９Ｈ−ｆｌｕｏｒｅｎ−９−ｏｌ］５０ｇ（１４８．３ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）とフェノール［Ｐｈｅｎｏｌ］４１．８ｇ（４４４．９ｍｍｏｌ、３．０ｅｑ）を入れて、メタンスルホン酸［Ｍｅｔｈａｎｅｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ］２００ｍｌ（０．７４Ｍ）に溶かした。ディーンスターク装置［Ｄｅａｎ−ｓｔａｒｋ  ａｐｐａｒａｔｕｓ］を取り付けて、還流［ｒｅｆｌｕｘ］下で一晩撹拌させた。この後、飽和ＮａＨＣＯ３水溶液で反応を中止させ、エチルアセテート［ＥＡ］で有機層を抽出した。硫酸マグネシウム［Ｍａｇｎｅｓｉｕｍ  ｓｕｌｆａｔｅ］で有機層を乾燥させた後、溶媒を除去して、カラムクロマトグラフィー［ｃｏｌｕｍｎ  ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ］で精製して、中間体化合物１−１を得た。
【０２１７】
２）中間体１−２の製造
【化５１】
0006742652.tif 000052
【０２１８】
５００ｍｌの丸底フラスコに、中間体１−１  ３０ｇ（６３．９ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）と炭酸セシウム［Ｃｅｓｉｕｍ  ｃａｒｂｏｎａｔｅ］４１．６ｇ（１２７．８ｍｍｏｌ、２．０ｅｑ）をＤＭＦ１２０ｍｌ（０．５Ｍ）に溶かした後、温度５０℃に昇温して撹拌させた。この後、４−ビニルベンジルクロライド［４−ｖｉｎｙｌｂｅｎｚｙｌｃｈｌｏｒｉｄｅ］９．１５ｍｌ（９．７５ｇ、１．０ｅｑ）を入れて、６０℃で撹拌した。常温［ＲＴ］まで冷やした後、水を入れて反応を中断させた後、エチルアセテート［ＥＡ］を用いて有機層を抽出する。有機層を分離して硫酸マグネシウム［ｍａｇｎｅｓｓｉｕｍ  ｓｕｌｆａｔｅ］で乾燥させた後、溶媒を除去して、カラムクロマトグラフィー［ｃｏｌｕｍｎ  ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ］で精製して、中間体化合物１−２を得た。
【０２１９】
３）化合物１の製造
【化５２】
0006742652.tif 000053
【０２２０】
２５０ｍｌの丸底フラスコに、中間体１−２  １２．０ｇ（２０．４９ｍｍｏｌ、２．０５ｅｑ）、Ｎ４，Ｎ４’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（Ｎ４，Ｎ４’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−［１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ）３．３６ｇ（１０．０ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）、ＮａＯｔＢｕ  ３．３６ｇ（３４．９９ｍｍｏｌ、３．５ｅｑ）、Ｐｄ（ＰｔＢｕ３）２  ２５５ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ、０．０５ｅｑｕｉｖ）をトルエン［Ｔｏｌｕｅｎｅ］１００ｍｌに溶かした後、撹拌して、Ｎ２雰囲気下で撹拌して反応させた。この後、反応が終結すると、Ｈ２Ｏとエチルアセテート［ＥＡ］で後処理（ワークアップ）し、有機層を分離して乾燥させた後、ろ過した。この後、溶媒を回転減圧蒸発器で除去した。得られた未精製物質はカラムクロマトグラフィー（ｃｏｌｕｍｎ  ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）で精製して、溶媒除去後、白色固体化合物１を得ており、化合物１のＮＭＲデータは下記の通りである。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ）：δ＝８．００−７．８２（ｍ，４Ｈ），７．７０−７．６８（ｄ，４Ｈ），７．６２−７．５５（ｍ，６Ｈ），７．３５−７．１５（ｍ，３８Ｈ），７．０５−７．０３（ｔ，２Ｈ），６．９２−９．８５（ｄ，４Ｈ），６．７３−６．７０（ｍ，２Ｈ），５．７６−５．７３（ｄ，２Ｈ），５．３９−５．３７（ｄ，２Ｈ），５．１７（ｓ，４Ｈ）
【０２２１】
製造例２．化合物１５の製造
１）中間体１５−１の製造
【化５３】
0006742652.tif 000054
【０２２２】
５００ｍｌの丸底フラスコに、４−（２−ブロモ−９−（４−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェノール［４−（２−ｂｒｏｍｏ−９−（４−（ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）−９Ｈ−ｆｌｕｏｒｅｎ−９−ｙｌ）ｐｈｅｎｏｌ］５０ｇ（１０６．５０ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）、４−ブロモベンズアルデヒド［４−ｂｒｏｍｏｂｅｎｚａｌｄｅｈｙｄｅ］２３．６ｇ（１２７．８ｍｍｏｌ、１．２ｅｑ）、炭酸カリウム［Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ  ｃａｒｂｏｎａｔｅ］４４．２ｇ（３１９．５０ｍｍｏｌ、３．０ｅｑ）を入れて、ドライピリジン［ｄｒｙ  ｐｙｒｉｄｉｎｅ］２００ｍｌ（０．５Ｍ）に溶かした。この後、酸化銅（ＩＩ）［Ｃｏｐｐｅｒ（ＩＩ）ｏｘｉｄｅ］１７．０ｇ（２１３．０ｍｍｏｌ、２ｅｑ）をゆっくり添加し、１２０℃に昇温して、還流［ｒｅｆｌｕｘ］下で反応を進行させた。反応が終了したら、飽和ＮａＨＣＯ３水溶液で反応を中止させ、エチルアセテート［ＥＡ］で有機層を抽出した。硫酸マグネシウム［Ｍａｇｎｅｓｓｉｕｍ  ｓｕｌｆａｔｅ］で有機層を乾燥させた後、溶媒を除去して得られた未精製生成物をジクロロメタン［ｄｉｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈａｎｅ］に溶かしてエタノール［Ｅｔｈａｎｏｌ］に沈殿させることにより、固体の中間体化合物１５−１を得た。
【０２２３】
２）中間体１５−２の製造
【化５４】
0006742652.tif 000055
【０２２４】
メチルトリフェニルホスホニウムブロミド［Ｍｅｔｈｙｌｔｒｉｐｈｅｎｙｌｐｈｏｓｐｈｏｎｉｕｍ  ｂｒｏｍｉｄｅ］１２．４６ｇ（３４．８７ｍｍｏｌ、２．０ｅｑ）の入った丸底フラスコに、無水テトラヒドロフラン［ａｎｈｙｄｒｏｕｓ  ＴＨＦ］５０ｍｌ（０．２Ｍ）を入れて、氷浴［ｉｃｅ  ｂａｔｈ］に丸底フラスコを浸した。カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド［Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ  ｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｉｄｅ］３．９ｇ（３４．８７ｍｍｏｌ、２．０ｅｑ）を一度に入れて、氷浴［ｉｃｅ  ｂａｔｈ］で２０分間撹拌させる。中間体化合物１５−１  １０．０ｇ（１７．４４ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）を３０ｍｌのテトラヒドロフラン［ＴＨＦ］に溶かした後、滴下漏斗［ｄｒｏｐｐｉｎｇ  ｆｕｎｎｅｌ］を用いて次第に混合物［ｍｉｘｔｕｒｅ］に添加した。この後、テトラヒドロフラン［ＴＨＦ］１０ｍｌで丸底フラスコと漏斗［ｆｕｎｎｅｌ］を洗い、すべて入れた。水５０ｍｌを入れて反応を終了させ、エチルアセテート［ＥＡ］で有機層を抽出した。硫酸マグネシウム［Ｍａｇｎｅｓｓｉｕｍ  ｓｕｌｆａｔｅ］で有機層を乾燥させた後、溶媒を除去して、カラムクロマトグラフィー［ｃｏｌｕｍｎ  ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ］で精製した。中間体化合物１５−２を得る。
【０２２５】
３）化合物１５の製造
【化５５】
0006742652.tif 000056
【０２２６】
２５０ｍｌの丸底フラスコに、中間体化合物１５−２  １０．０ｇ（１７．５０ｍｍｏｌ、２．０５ｅｑ）、Ｎ４，Ｎ４’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（Ｎ４，Ｎ４’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−［１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ）２．８７ｇ（８．５３ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）、ＮａＯｔＢｕ  ２．８７ｇ（２９．８６ｍｍｏｌ、３．５ｅｑ）、Ｐｄ（ＰｔＢｕ３）２  ２１８．０ｍｇ（０．４３ｍｍｏｌ、０．０５ｅｑ）をトルエン［Ｔｏｌｕｅｎｅ］９０ｍｌに溶かした後、撹拌して、窒素雰囲気［Ｎ２  ｃｈａｒｇｅ］下で撹拌して反応させた。この後、反応が終結したら、水［Ｈ２Ｏ］とエチルアセテート［ＥＡ］で後処理し、有機層を分離して乾燥させた後、ろ過する。この後、溶媒を回転減圧蒸発器で除去した。得られた未精製物質はカラムクロマトグラフィー［ｃｏｌｕｍｎ  ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ］で精製して、溶媒除去後、白色固体化合物１５を得ており、化合物１５のＮＭＲデータは下記の通りである。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ）：δ＝７．９５−７．８３（ｍ，４Ｈ），７．６５−７．５８（ｍ，１０Ｈ），７．５４−７．２６（ｍ，２２Ｈ），７．２４−７．０５（ｍ，１２Ｈ），６．９５−６．９３（ｄ，４Ｈ），６．８６−６．８４（ｄ，４Ｈ），６．８０−６．７６（ｍ，２Ｈ），５．６５−５．６１（ｄ，２Ｈ），５．１６−５．１３（ｄ，２Ｈ），１．３５（ｓ，１８Ｈ）
【０２２７】
製造例３．化合物２８の製造
１）中間体２８−１の製造
【化５６】
0006742652.tif 000057
【０２２８】
２５０ｍｌの丸底フラスコに、４−（２−ブロモ−９−（ｐ−トリル）−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェノール［４−（２−ｂｒｏｍｏ−９−（ｐ−ｔｏｌｙｌ）−９Ｈ−ｆｌｕｏｒｅｎ−９−ｙｌ）ｐｈｅｎｏｌ］１５ｇ（３５．１ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）、炭酸カリウム［Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ  ｃａｒｂｏｎａｔｅ］１４．６ｇ（１０５．３ｍｍｏｌ、３ｅｑ）、ヨウ化銅（Ｉ）［Ｃｏｐｐｅｒ（Ｉ）ｉｏｄｉｄｅ］３３４．３ｍｇ（１．７６ｍｍｏｌ、０．０５ｅｑ）、１−ブチルイミダゾール［１−ｂｕｔｙｌｉｍｉｄａｚｏｌｅ］４．４ｇ（３５．１ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）を入れて、トルエン［Ｔｏｌｕｅｎｅ］１７５ｍｌに溶かした。還流［Ｒｅｆｌｕｘ］装置を取り付けた後、１２０℃に加熱して撹拌して反応を進行させた。反応が終結したら、次に、飽和ＮａＨＣＯ３水溶液で反応を中止させ、水［Ｈ２Ｏ］とエチルアセテート［ＥＡ］で後処理した。有機層を分離してＭｇＳＯ４を通して乾燥させた後、ろ過する。この後、溶媒を回転減圧蒸発器で除去する。得られた未精製物質はカラムクロマトグラフィー［ｃｏｌｕｍｎ  ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ］で精製して、中間体化合物２８−１を得る。
【０２２９】
２）化合物２８の製造
【化５７】
0006742652.tif 000058
【０２３０】
２５０ｍｌの丸底フラスコに、中間体化合物２８−１  １０．０ｇ（１８．８９ｍｍｏｌ、２．０５ｅｑ）、Ｎ４，Ｎ４’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン［Ｎ４，Ｎ４’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−［１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ］３．１０ｇ（９．２１ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）、ＮａＯｔＢｕ  ３．１０ｇ（３２．２４Ｍｍｏｌ、３．５ｅｑ）、Ｐｄ（ＰｔＢｕ３）２  ２３５．１ｍｇ（０．４６ｍｍｏｌ、０．０５ｅｑ）をトルエン［Ｔｏｌｕｅｎｅ］１２０ｍｌに溶かした後、撹拌して、窒素雰囲気［Ｎ２  ｃｈａｒｇｅ］下で撹拌して反応させた。この後、反応が終結したら、水［Ｈ２Ｏ］とエチルアセテート［ＥＡ］で後処理し、有機層を分離して乾燥させた後、ろ過した。この後、溶媒を回転減圧蒸発器で除去した。得られたクルード（ｃｒｕｄｅ）物質（未精製物質）はカラムクロマトグラフィー［ｃｏｌｕｍｎ  ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ］で精製して、溶媒除去後、白色固体化合物２８を得ており、化合物２８のＮＭＲデータは下記の通りである。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ）：δ＝７．９０−７．８７（ｍ，４Ｈ），７．５６−７．５３（ｍ，６Ｈ），７．４８−７．３０（ｍ，１６Ｈ），７．２７（ｓ，２Ｈ），７．２５−７．２２（ｄ，４Ｈ），７．２０−７．１５（ｍ，１８Ｈ），７．１４−７．１２（ｄ，４Ｈ），２．８８（ｓ，８Ｈ），２．１９（ｓ，６Ｈ）
【０２３１】
製造例４．化合物３６の製造
１）中間体３６−１の製造
【化５８】
0006742652.tif 000059
【０２３２】
２５０ｍｌの丸底フラスコに、中間体４，４’−（２−ブロモ−９Ｈ−フルオレン−９，９−ジイル）ジフェノール［４，４’−（２−ｂｒｏｍｏ−９Ｈ−ｆｌｕｏｒｅｎｅ−９，９−ｄｉｙｌ）ｄｉｐｈｅｎｏｌ］１０ｇ（２３．３ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）、炭酸カリウム［Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ  ｃａｒｂｏｎａｔｅ］９．７ｇ（６９．９ｍｍｏｌ、３ｅｑ）、ヨウ化銅（Ｉ）［Ｃｏｐｐｅｒ（Ｉ）ｉｏｄｉｄｅ］２２０．４ｍｇ（１．１７ｍｍｏｌ、０．０５ｅｑ）、１−ブチルイミダゾール［１−ｂｕｔｙｌｉｍｉｄａｚｏｌｅ］２．９ｇ（２３．３ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）を入れて、トルエン［Ｔｏｌｕｅｎｅ］１００ｍｌに溶かした。３−ブロモベンゼン［３−ｂｒｏｍｏｂｅｎｚｅｎｅ］３．６６ｇ（２３．３ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）を添加した後、還流［Ｒｅｆｌｕｘ］装置を取り付けて、１２０℃に加熱して撹拌して反応を進行させた。反応が終結したら、次に、飽和ＮａＨＣＯ３水溶液で反応を中止させ、水［Ｈ２Ｏ］とエチルアセテート［ＥＡ］で後処理した。有機層を分離してＭｇＳＯ４を通して乾燥させた後、ろ過した。この後、溶媒を回転減圧蒸発器で除去した。得られた未精製（クルード）物質はカラムクロマトグラフィー［ｃｏｌｕｍｎ  ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈ］で精製して、中間体化合物３６−１を得た。
【０２３３】
２）中間体３６−２の製造
【化５９】
0006742652.tif 000060
【０２３４】
２５０ｍｌの丸底フラスコに、中間体３６−１  １０ｇ（１９．７８ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）、炭酸カリウム［Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ  ｃａｒｂｏｎａｔｅ］８．２０ｇ（５９．３６ｍｍｏｌ、３ｅｑ）、ヨウ化銅（Ｉ）［Ｃｏｐｐｅｒ（Ｉ）ｉｏｄｉｄｅ］１８７．１ｍｇ（０．９９ｍｍｏｌ、０．０５ｅｑ）、１−ブチルイミダゾール［１−ｂｕｔｙｌｉｍｉｄａｚｏｌｅ］２．４２ｇ（１９．７８ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）を入れて、トルエン［Ｔｏｌｕｅｎｅ］１００ｍｌに溶かした。３−ブロモビシクロ［４．２．０］オクタ−１（６），２，４−トリエン［３−ｂｒｏｍｏｂｉｃｙｃｌｏ［４．２．０］ｏｃｔａ−１（６），２，４−ｔｒｉｅｎｅ］  ３．９８ｇ（２１．７５ｍｍｏｌ、１．１ｅｑ）を添加した後、還流［Ｒｅｆｌｕｘ］装置を取り付けて、１２０℃に加熱して撹拌して反応を進行させた。反応が終結したら、次に、飽和ＮａＨＣＯ３水溶液で反応を中止させ、水［Ｈ２Ｏ］とエチルアセテート［ＥＡ］で後処理した。有機層を分離してＭｇＳＯ４を通して乾燥させた後、フィルタした。この後、溶媒を回転減圧蒸発器で除去した。得られた未精製物質はカラムクロマトグラフィー［ｃｏｌｕｍｎ  ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ］で精製して、中間体化合物３６−２を得た。
【０２３５】
３）化合物３６の製造
【化６０】
0006742652.tif 000061
【０２３６】
２５０ｍｌの丸底フラスコに、中間体化合物３６−２  １０．０ｇ（１６．４６ｍｍｏｌ、２．０５ｅｑ）、Ｎ４，Ｎ４’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（Ｎ４，Ｎ４’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−［１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ）２．７０ｇ（８．０３ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）、ＮａＯｔＢｕ  ２．７０ｇ（２８．１０ｍｍｏｌ、３．５ｅｑ）、Ｐｄ（ＰｔＢｕ３）２  ２０５．２ｍｇ（０．４０ｍｍｏｌ、０．０５ｅｑ）をトルエン［Ｔｏｌｕｅｎｅ］９０ｍｌに溶かした後、撹拌して、窒素雰囲気［Ｎ２  ｃｈａｒｇｅ］下で撹拌して反応させた。この後、反応が終結したら、水［Ｈ２Ｏ］とエチルアセテート［ＥＡ］で後処理し、有機層を分離して乾燥させた後、ろ過した。この後、溶媒を回転減圧蒸発器で除去した。得られた未精製物質はカラムクロマトグラフィー［ｃｏｌｕｍｎ  ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ］で精製して、溶媒除去後、白色固体化合物３６を得ており、化合物３６のＮＭＲデータは下記の通りである。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ）：δ＝７．８８−７．８５（ｍ，４Ｈ），７．５７−７．５５（ｍ，６Ｈ），７．５２−７．３０（ｍ，２０Ｈ），７．２７−７．１５（ｍ，１８Ｈ），７．０７−６．９０（ｍ，１６Ｈ），２．８５（ｓ，８Ｈ）
【０２３７】
製造例５．化合物５１の製造
１）中間体５１−１の製造
【化６１】
0006742652.tif 000062
【０２３８】
２５０ｍｌの丸底フラスコに、２−ブロモ−９Ｈ−フルオレン−９−オン［２−ｂｒｏｍｏ−９Ｈ−ｆｌｕｏｒｅｎ−９−ｏｎｅ］１５ｇ（５７．９ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）とフェノール［Ｐｈｅｎｏｌ］５４．５ｇ（５７９ｍｍｏｌ、１０．０ｅｑ）を入れて、メタンスルホン酸［Ｍｅｔｈａｎｅｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ］７０ｍｌ（０．８Ｍ）に溶かす。６０℃下で一晩撹拌させた。この後、水を注いで反応を終了させ、次に、生じる沈殿物を水で洗い濾過する。得られた濾過物質をエチルアセテート［Ｅｔｈｙｌ  ａｃｅｔａｔｅ］少量に溶かし、ヘキサン［Ｈｅｘａｎｅ］に滴下して沈殿過程を進行させた。濾過して、白色固体の中間体化合物５１−１を得た。
【０２３９】
２）中間体５１−２の製造
【化６２】
0006742652.tif 000063
【０２４０】
２５０ｍｌの丸底フラスコに、中間体５１−１  １０ｇ（２３．２９ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）、炭酸セシウム［Ｃｅｓｉｕｍ  ｃａｒｂｏｎａｔｅ］９．１ｇ（２７．９５ｍｍｏｌ、１．２ｅｑ）をジメチルホルムアミド［ＤＭＦ］５０ｍｌ（０．４７Ｍ）に溶かした後、温度１００℃に昇温して撹拌させた。この後、４−エチルヘキシルブロミド［ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌｂｒｏｍｉｄｅ］３．７１ｍｌ（２０．９６ｍｍｏｌ、０．９ｅｑ）をゆっくり入れて撹拌した。反応が終了したら、常温［ＲＴ］まで冷やした後、水を入れて反応を中断させた後、ＥＡを用いて有機層を抽出する。有機層を分離して硫酸マグネシウム［ｍａｇｎｅｓｉｕｍ  ｓｕｌｆａｔｅ］で乾燥させた後、溶媒を除去して、カラムクロマトグラフィー［ｃｏｌｕｍｎ  ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ］で精製して、中間体化合物５１−２を得た。
【０２４１】
３）中間体５１−３の製造
【化６３】
0006742652.tif 000064
【０２４２】
２５０ｍｌの丸底フラスコに、中間体５１−２  １０ｇ（１５．５ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）、炭酸カリウム［Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ  ｃａｒｂｏｎａｔｅ］６．４ｇ（４６．６ｍｍｏｌ、３ｅｑ）、ヨウ化銅（Ｉ）［Ｃｏｐｐｅｒ（Ｉ）ｉｏｄｉｄｅ］１４７．６ｍｇ（０．７８ｍｍｏｌ、０．０５ｅｑ）、１−ブチルイミダゾール［１−ｂｕｔｙｌｉｍｉｄａｚｏｌｅ］１．９ｇ（１５．５ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）を入れて、トルエン［Ｔｏｌｕｅｎｅ］７７ｍｌに溶かした。還流［Ｒｅｆｌｕｘ］装置を取り付けた後、１２０℃に加熱して撹拌して反応を進行させた。反応が終結したら、次に、飽和ＮａＨＣＯ３水溶液で反応を中止させ、水［Ｈ２Ｏ］とエチルアセテート［ＥＡ］で後処理した。有機層を分離してＭｇＳＯ４を通して乾燥させた後、ろ過した。この後、溶媒を回転減圧蒸発器で除去した。得られた未精製物質はカラムクロマトグラフィー［ｃｏｌｕｍｎ  ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ］で精製して、中間体化合物５１−３を得る。
【０２４３】
４）化合物５１の製造
【化６４】
0006742652.tif 000065
【０２４４】
２５０ｍｌの丸底フラスコに、中間体化合物５１−３  １０．０ｇ（１５．５４ｍｍｏｌ、２．０５ｅｑ）、Ｎ４，Ｎ４’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（Ｎ４，Ｎ４’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−［１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ）２．５５ｇ（７．５８ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）、ＮａＯｔＢｕ  ２．５５ｇ（２６．５３ｍｍｏｌ、３．５ｅｑ）、Ｐｄ（ＰｔＢｕ３）２  １９４ｍｇ（０．３８ｍｍｏｌ、０．０５ｅｑ）をトルエン［Ｔｏｌｕｅｎｅ］９０ｍｌに溶かした後、撹拌して、窒素雰囲気（Ｎ２  ｃｈａｒｇｅ）下で撹拌して反応させた。この後、反応が終結したら、水［Ｈ２Ｏ］とエチルアセテート［ＥＡ］で後処理し、有機層を分離して乾燥させた後、ろ過した。この後、溶媒を回転減圧蒸発器で除去した。得られた未精製物質はカラムクロマトグラフィー［ｃｏｌｕｍｎ  ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ］で精製して、溶媒除去後、白色固体化合物５１を得ており、化合物５１のＮＭＲデータは下記の通りである。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ）：δ＝７．９０−７．８５（ｍ，４Ｈ），７．５５−７．５２（ｍ，６Ｈ），７．４８−７．２６（ｍ，２２Ｈ），７．２４−７．０５（ｍ，１０Ｈ），６．９５−６．９３（ｄ，４Ｈ），６．８６−６．８４（ｄ，４Ｈ），３．９８−３．９７（ｍ，２Ｈ），３．７３−３．７０（ｍ，２Ｈ），２．９０（ｓ，８Ｈ），１．７０−１．６７（ｍ，２Ｈ），１．５５−１．５２（ｍ，４Ｈ），１．３２−１．２５（ｍ，１２Ｈ），０．９５−０．９２（ｔ，６Ｈ），０．９０−０．８８（ｔ，６Ｈ）
【０２４５】
製造例６．化合物６５の製造
１）中間体６５−１の製造
【化６５】
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【０２４６】
２５０ｍｌの丸底フラスコに、４−（２−ブロモ−９−（４−（（２−エチルヘキシル）オキシ）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェノール［４−（２−ｂｒｏｍｏ−９−（４−（（２−ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ）ｏｘｙ）ｐｈｅｎｙｌ）−９Ｈ−ｆｌｕｏｒｅｎ−９−ｙｌ）ｐｈｅｎｏｌ］１５ｇ（２７．７ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）、炭酸カリウム［Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ  ｃａｒｂｏｎａｔｅ］１１．５ｇ（８３．１ｍｍｏｌ、３ｅｑ）を入れて、ＤＭＦ１５０ｍｌに溶かした。３−（ブロモメチル）−３−エチルオキセタン５．５ｇ（３０．５ｍｍｏｌ、１．１ｅｑ）を添加した後、７０℃で加熱撹拌して反応を進行させた。反応が終結したら、Ｈ２ＯとＥＡで後処理する。有機層を分離してＭｇＳＯ４を通して乾燥させた後、ろ過した。この後、溶媒を回転減圧蒸発器で除去した。得られた未精製物質はカラムクロマトグラフィー［ｃｏｌｕｍｎ  ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ］で精製して、中間体化合物６５−１を得た。
【０２４７】
２）化合物６５の製造
【化６６】
0006742652.tif 000067
【０２４８】
２５０ｍｌの丸底フラスコに、中間体化合物６５−１  １０．０ｇ（１５．６３ｍｍｏｌ、２．０５ｅｑ）、Ｎ４，Ｎ４’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン２．５６ｇ（７．６２ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）、ＮａＯｔＢｕ  ２．５６ｇ（２６．６７ｍｍｏｌ、３．５ｅｑ）、Ｐｄ（ＰｔＢｕ３）２  １９４．７ｍｇ（０．３８ｍｍｏｌ、０．０５ｅｑ）をトルエン［Ｔｏｌｕｅｎｅ］１００ｍｌに溶かした後、撹拌して窒素雰囲気（Ｎ２  ｃｈａｒｇｅ）下で撹拌して反応させた。この後、反応が終結すると、Ｈ２ＯとＥＡで後処理し、有機層を分離して乾燥させた後、ろ過した。この後、溶媒を回転減圧蒸発器で除去した。得られた未精製（クルード））物質はカラムクロマトグラフィー［ｃｏｌｕｍｎ  ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ］で精製して、溶媒除去後、白色固体化合物６５を得ており、化合物６５のＮＭＲデータは下記の通りである。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ）：δ＝７．９１−７．９５（ｍ，４Ｈ），７．５６−７．５３（ｍ，６Ｈ），７．４５−７．２０（ｍ，３０Ｈ），６．８７−６．８３（ｍ，８Ｈ），４．３７−４．３５（ｄ，４Ｈ），４．１３−４．１０（ｄ，４Ｈ），３．９４−３．９０（ｍ，２Ｈ），３．８０（ｓ，２Ｈ），３．７５−３．７１（ｍ，２Ｈ），１．８０−１．７８（ｍ，２Ｈ），１．７０−１．６８（ｑ，４Ｈ），１．５５−１．５３（ｍ，４Ｈ），１．３０−１．１８（ｍ，１２Ｈ），０．９９−０．９６（ｔ，６Ｈ），０．８８−０．８４（ｍ，１２Ｈ）
【０２４９】
＜実施例＞
実施例１．
ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）が１５００Åの厚さに薄膜蒸着されたガラス基板を、洗剤を溶かした蒸留水に入れて超音波洗浄した。ＩＴＯを３０分間洗浄した後、蒸留水で２回繰り返し超音波洗浄を１０分間進行させた。蒸留水洗浄が終わった後、イソプロピルアルコール、アセトンの溶剤で超音波洗浄をそれぞれ３０分ずつし乾燥させた後、前記基板をグローブボックスに輸送させた。
【０２５０】
このように用意されたＩＴＯ透明電極上に、下記の化合物１（２０ｍｇ）、化学式Ｄ（１ｍｇ）、およびトルエン（１ｍｇ）を混合したコーティング組成物をスピンコーティングして３００Åの厚さの正孔注入層を形成し、空気中にてホットプレートで１時間コーティング組成物を硬化させた。この後、真空蒸着機に搬送した後、前記正孔注入層上に、下記のａ−ＮＰＤを真空蒸着して正孔輸送層を形成した。
【０２５１】
ａ−ＮＰＤを４０ｎｍの厚さに蒸着した後、前記正孔輸送層上に、下記のＡｌｑ３を５０ｎｍに真空蒸着して発光層を形成した。前記電子輸送層上に、０．５ｎｍの厚さにＬｉＦと１００ｎｍの厚さにアルミニウムを蒸着してカソードを形成した。
【０２５２】
前記過程で、有機物の蒸着速度は０．４〜０．７Å／ｓｅｃを維持し、カソードのＬｉＦは０．３Å／ｓｅｃ、アルミニウムは２Å／ｓｅｃの蒸着速度を維持し、蒸着時の真空度は２×１０−７〜３×１０−５ｔｏｒｒを維持した。
【０２５３】
【化６７】
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【０２５４】
【化６８】
0006742652.tif 000069
【０２５５】
実施例２．
前記実施例１において、化合物１の代わりに化合物１５を用いたことを除けば、前記実施例１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
【化６９】
0006742652.tif 000070
【０２５６】
実施例３．
前記実施例１において、化合物１の代わりに化合物２８を用いたことを除けば、前記実施例１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
【化７０】
0006742652.tif 000071
【０２５７】
実施例４．
前記実施例１において、化学式Ｄの化合物の代わりに化学式Ｆの化合物を用いたことを除けば、前記実施例１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２５８】
実施例５．
前記実施例１において、化合物１の代わりに化合物１５、化学式Ｄの化合物の代わりに化学式Ｆの化合物を用いたことを除けば、前記実施例１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２５９】
実施例６．
前記実施例１において、化合物１の代わりに化合物２８、化学式Ｄの化合物の代わりに化学式Ｆの化合物を用いたことを除けば、前記実施例１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２６０】
実施例７．
前記実施例１において、化合物１の代わりに化合物３６、化学式Ｄの化合物の代わりに化学式Ｇの化合物を用いたことを除けば、前記実施例１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２６１】
実施例８．
前記実施例１において、化合物１の代わりに化合物５１、化学式Ｄの化合物の代わりに化学式Ｇの化合物を用いたことを除けば、前記実施例１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２６２】
実施例９．
前記実施例１において、化合物１の代わりに化合物６５、化学式Ｄの化合物の代わりに化学式Ｇの化合物を用いたことを除けば、前記実施例１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２６３】
実施例１０．
前記実施例１において、化学式Ｄの化合物の代わりに化学式Ｈの化合物を用いたことを除けば、前記実施例１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２６４】
実施例１１．
前記実施例１において、化合物１の代わりに化合物１５、化学式Ｄの化合物の代わりに化学式Ｈの化合物を用いたことを除けば、前記実施例１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２６５】
実施例１２．
前記実施例１において、化合物１の代わりに化合物２８、化学式Ｄの化合物の代わりに化学式Ｈの化合物を用いたことを除けば、前記実施例１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２６６】
実施例１３．
前記実施例１において、化合物１の代わりに化合物３６、化学式Ｄの化合物の代わりに化学式Ｈの化合物を用いたことを除けば、前記実施例１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２６７】
実施例１４．
前記実施例１において、化合物１の代わりに化合物５１、化学式Ｄの化合物の代わりに化学式Ｈの化合物を用いたことを除けば、前記実施例１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２６８】
実施例１５．
前記実施例１において、化合物１の代わりに化合物６５、化学式Ｄの化合物の代わりに化学式Ｈの化合物を用いたことを除けば、前記実施例１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２６９】
比較例１．
前記実施例１において、化合物１の代わりに下記の化合物Ｖ−１、化学式Ｄの化合物の代わりに化学式Ｃの化合物を用いたことを除けば、前記実施例１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
【化７１】
0006742652.tif 000072
【０２７０】
比較例２．
前記実施例１において、化合物１の代わりに下記の化合物Ｖ−２を用いたことを除けば、前記実施例１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
【化７２】
0006742652.tif 000073
【０２７１】
比較例３．
前記実施例１において、化学式Ｄの化合物の代わりに化学式Ｃの化合物を用いたことを除けば、前記実施例１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２７２】
比較例４．
前記実施例１において、化合物１の代わりに化合物２８、化学式Ｄの化合物の代わりに化学式Ｃの化合物を用いたことを除けば、前記実施例１と同様の方法で有機発光素子を製造した。
【０２７３】
前記実施例１〜１５および比較例１〜４で製造した有機発光素子を、１０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で駆動電圧、電流効率、量子効率（ＱＥ）および輝度値を測定し、１０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で初期輝度対比９０％になる時間（Ｔ９０）を測定した。その結果を下記表１に示した。
【０２７４】
【表１】
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【０２７５】
前記表１の結果から、本願の化合物を用いて有機発光素子を製造した実施例１〜１５が、比較例１〜４で製造された有機発光素子より、駆動電圧が低く、電流効率および量子効率に優れ、寿命特性にも優れていることを確認することができる。
【符号の説明】
【０２７６】
１０１：基板
２０１：アノード
３０１：正孔注入層
４０１：正孔輸送層
５０１：発光層
６０１：電子輸送層
７０１：カソード
【図１】
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