(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えたウェーハを加工するウェーハの加工方法であって、
ウェーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、
該保護部材を介してウェーハをチャックテーブルの保持面で保持する保持ステップと、
該保持ステップの後、該デバイス領域に対応するウェーハの裏面を第１の研削砥石で研削し、ウェーハの裏面に円形凹部を形成するとともに該円形凹部を囲繞する環状凸部を形成する第１研削ステップと、
第１研削ステップを実施した後、該第１の研削砥石よりも小さい砥粒径の第２の研削砥石を、該保持面に向かって研削送りしつつ該環状凸部の頂点からウェーハの中心に向かって斜めに移動させ該環状凸部の内周エッジ部を除去し、更に該第２の研削砥石を空切り状態で研削送りさせた後、該円形凹部の底面を該第２の研削砥石で研削する第２研削ステップと、を備え、
該第２研削ステップでは、該内周エッジ部を研削して、該第１研削ステップで発生した該内周エッジ部の欠けを除去することを特徴とするウェーハの加工方法。
【請求項２】
該第２研削ステップで、該内周エッジ部を研削する時、又は該円形凹部の底面を研削する時より、該内周エッジ部を研削後に該第２の研削砥石が空切り状態で移動する時の方が研削送り速度を速く設定する請求項１に記載のウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＳｉＰ（System  in  Package）等の普及に伴い、ウェーハを歩留まり良く薄化できる研削技術が要望されている。ウェーハを薄化する研削技術の一つとして、ＴＡＩＫＯ研削技術が知られている。ＴＡＩＫＯ研削技術は、複数のデバイスが形成されたデバイス領域を表面に備えるウェーハの裏面を研削するとき、ウェーハの裏面の外周エッジ部分を残し、外周エッジ部分の内側のデバイス領域に対応するウェーハの裏面の内側部分のみを研削して薄化する技術である（特許文献１参照）。ＴＡＩＫＯ研削技術により、ウェーハの外周エッジ部分に補強部として機能する環状凸部が形成される。環状凸部が形成されることにより、ウェーハの内側部分が薄化された後においても、例えば、ウェーハの反り、及び搬送時におけるウェーハの割れ等が抑制される。
【０００３】
一般的な研削技術と同様、ＴＡＩＫＯ研削技術において、ウェーハは、第１の研削砥石で粗研削された後、第１の研削砥石よりも小さい砥粒径の第２研削砥石で仕上げ研削される。第１の研削砥石による粗研削において、環状凸部の内周エッジ部に欠けが発生する可能性がある。環状凸部の内周エッジ部に発生した欠けを放置しておくと、ウェーハに割れが発生する可能性がある。そこで、ＴＡＩＫＯ研削技術において、ウェーハの外周エッジ部分の内側を第１の研削砥石で粗研削して環状凸部を形成した後、第２の研削砥石で環状凸部の内周エッジ部を研削して、欠けを除去する研削技術が案出されている（特許文献２参照）。欠けが除去されることにより、ウェーハの抗折強度の向上が図られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５３９０７４０号公報
【特許文献２】特開２００８−０４２０８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般に、研削砥石と研削対象物との接触時間又は接触圧力が大きいほど、研削砥石の消耗量は増大する。また、砥粒径が小さい第２の研削砥石は、第１の研削砥石に比べて、消耗し易い。そのため、第１の研削砥石による粗研削が実施された後、第１の研削砥石における研削送りの移動軌跡と同一の移動軌跡で第２の研削砥石を研削送りしてウェーハを仕上げ研削すると、第２の研削砥石は、第２の研削砥石の端部が丸みを帯びるように大きく消耗する。第２の研削砥石の端部が丸みを帯びると、仕上げ研削において、環状凸部の内周面と環状凸部の内側のデバイス領域に対応する内側部分の底面との境界が十分に研削されず、丸みを帯びてしまう。その結果、薄化されるデバイス領域が狭くなり、デバイスチップの取り個数を十分に確保できなくなってしまう。一方、第２の研削砥石の消耗を抑制するために、研削送り速度を低下させると、研削時間の長期化及び加工効率の低下がもたらされ、製造コストが増大する。
【０００６】
本発明は、第２の研削砥石の消耗を抑制し、加工効率の低下を抑制しつつ、粗研削でウェーハに発生した欠けを除去することができるウェーハの加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えたウェーハを加工するウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、該保護部材を介してウェーハをチャックテーブルの保持面で保持する保持ステップと、該保持ステップの後、該デバイス領域に対応するウェーハの裏面を第１の研削砥石で研削し、ウェーハの裏面に円形凹部を形成するとともに該円形凹部を囲繞する環状凸部を形成する第１研削ステップと、第１研削ステップを実施した後、該第１の研削砥石よりも小さい砥粒径の第２の研削砥石を、該保持面に向かって研削送りしつつ該環状凸部の頂点からウェーハの中心に向かって斜めに移動させ該環状凸部の内周エッジ部を除去し、更に該第２の研削砥石を空切り状態で研削送りさせた後、該円形凹部の底面を該第２の研削砥石で研削する第２研削ステップと、を備え、該第２研削ステップでは、該内周エッジ部を研削して、該第１研削ステップで発生した該内周エッジ部の欠けを除去することを特徴とするウェーハの加工方法を提供する。
【０００８】
本発明に係るウェーハの加工方法において、該第２研削ステップで、該内周エッジ部を研削する時、又は該円形凹部の底面を研削する時より、該内周エッジ部を研削後に該第２の研削砥石が空切り状態で移動する時の方が研削送り速度を速く設定することが好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、第２の研削砥石の消耗を抑制し、加工効率の低下を抑制しつつ、粗研削でウェーハに発生した欠けを除去することができるウェーハの加工方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本実施形態に係るウェーハの一例を示す斜視図である。
【図２】図２は、本実施形態に係るウェーハの加工方法の一例を示すフローチャートである。
【図３】図３は、本実施形態に係る保護部材貼着ステップの一例を示す図である。
【図４】図４は、本実施形態に係る研削装置の一例を示す側面図である。
【図５】図５は、本実施形態に係る研削装置の一例を示す機能ブロック図である。
【図６】図６は、本実施形態に係る第１研削ステップの一例を示す斜視図である。
【図７】図７は、本実施形態に係る第１研削ステップの一例を示す側面図である。
【図８】図８は、本実施形態に係る第２研削ステップの一例を示す側面図である。
【図９】図９は、本実施形態に係る第２研削ステップの一例を示す側面図である。
【図１０】図１０は、本実施形態に係る第２研削ステップが終了した後のウェーハの一部を示す断面図である。
【図１１】図１１は、本実施形態に係る第２研削ステップにおける第２研削砥石の研削送り方向における移動速度プロファイルの一例を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明に係る実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下で説明する実施形態の構成要素は適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。
【００１２】
以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の一方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向をＺ軸方向とする。Ｘ軸及びＹ軸を含むＸＹ平面は、水平面と平行である。ＸＹ平面と直交するＺ軸方向は、鉛直方向である。
【００１３】
図１は、本実施形態に係るウェーハ２の一例を示す斜視図である。図１に示すように、ウェーハ２は、実質的に円板状の部材であり、表面２Ａと、表面２Ａの逆方向を向く裏面２Ｂとを有する。表面２Ａと裏面２Ｂとは実質的に平行である。ウェーハ２は、基板と、基板の表面に設けられた機能層とを有する。ウェーハ２の表面２Ａは、機能層の表面を含む。ウェーハ２の裏面２Ｂは、基板の裏面を含む。機能層は、デバイスが形成される層である。基板は、シリコン基板、サファイア基板、タンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板、及びセラミックス基板の少なくとも一つを含む。
【００１４】
また、ウェーハ２は、ノッチ２１を有する。なお、ウェーハ２にオリエンテーションフラットが設けられてもよい。
【００１５】
ウェーハ２の表面２Ａは、複数のデバイス２２が形成されたデバイス領域ＤＡと、デバイス領域ＤＡを囲繞する外周余剰領域ＳＡとを有する。デバイス領域ＤＡは、ウェーハ２の表面２Ａの中心を含む円形状の領域である。外周余剰領域ＳＡは、デイバス領域ＳＡの周囲に規定される輪帯状（円環状）の領域である。デバイス２２は、互いに交差する分割予定ライン２３に区画された複数の領域のそれぞれに形成される。
【００１６】
デバイス２２は、ウェーハ２の表面２Ａにマトリクス状に配置される。分割予定ライン２３は、格子状に設けられる。デバイス２２は、分割予定ライン２３によって区画される。デバイス２２は、ウェーハ２のデバイス領域ＤＡに形成される。外周余剰領域ＳＡにデバイス２２は形成されない。ウェーハ２が分割予定ライン２３に沿って分割されることにより、ＩＣ（Integrated  Circuit）又はＬＳＩ（Large  Scale  Integration）のようなデバイスチップが製造される。
【００１７】
次に、本実施形態に係るウェーハ２の加工方法について説明する。図２は、本実施形態に係るウェーハ２の加工方法の一例を示すフローチャートである。図２に示すように、ウェーハ２の加工方法は、ウェーハ２の表面２Ａに保護部材を貼着する保護部材貼着ステップ（ＳＰ１）と、保護部材を介してウェーハ２をチャックテーブルの保持面で保持する保持ステップ（ＳＰ２）と、保持ステップの後、デバイス領域ＤＡに対応するウェーハ２の裏面２Ｂを第１研削砥石で研削し、ウェーハ２の裏面２Ｂに円形凹部を形成するとともに円形凹部を囲繞する環状凸部を形成する第１研削ステップ（ＳＰ３）と、第１研削ステップを実施した後、第１研削砥石よりも小さい砥粒径の第２研削砥石を、保持面に向かって研削送りしつつ環状凸部の頂点からウェーハ２の中心に向かって斜めに移動させ環状凸部の内周エッジ部を除去し、更に第２研削砥石を空切り状態で研削送りさせた後、円形凹部の底面を第２の研削砥石で研削する第２研削ステップ（ＳＰ４）と、を備える。
【００１８】
保護部材貼着ステップ（ＳＰ１）について説明する。図３は、本実施形態に係る保護部材貼着ステップの一例を示す図である。保護部材貼着ステップは、ウェーハ２の表面２Ａに保護部材３を貼着するステップである。図３に示すように、デバイス２２を保護するための保護部材３がウェーハ２の表面２Ａに貼着される。保護部材３は、シート状の部材である。ＸＹ平面内において、ウェーハ２の表面２Ａの外形及び寸法と、保護部材３の外形及び寸法とは、実質的に等しい。保護部材３は、例えばポリオレフィンを含む基材フィルムと、基材フィルムの片面に塗布された粘着材とを有する。保護部材３は、粘着材を介して、ウェーハ２の表面２Ａに貼着される。
【００１９】
次に、保持ステップ（ＳＰ２）について説明する。図４は、本実施形態に係る研削装置４の一例を示す側面図である。図５は、本実施形態に係る研削装置４の一例を示す機能ブロック図である。保持ステップは、保護部材３を介してウェーハ２を研削装置４のチャックテーブル５の保持面６で保持するステップである。保持ステップは、保護部材貼着ステップの後に実施される。
【００２０】
図４に示すように、研削装置４は、ウェーハ２を保持する保持面６を有するチャックテーブル５と、チャックテーブル５に保持されたウェーハ２を研削する研削ユニット７とを有する。
【００２１】
チャックテーブル５は、保護部材３を介して、ウェーハ２を保持する。チャックテーブル５は、チャックテーブル５の保持面６とウェーハ２の裏面２Ｂに貼着された保護部材３とが対向し、ウェーハ２の裏面２Ｂが上方を向くように、保護部材３を介してウェーハ２を保持する。
【００２２】
チャックテーブル５の保持面６は、ＸＹ平面と実質的に平行である。チャックテーブル５は、ウェーハ２の裏面２ＢとＸＹ平面とが平行となるように、ウェーハ２を保持する。また、チャックテーブル５は、ＸＹ平面内における保持面６の中心とウェーハ２の裏面２Ｂの中心とが一致するように、ウェーハ２を保持する。
【００２３】
チャックテーブル５は、ウェーハ２を着脱可能に保持する。チャックテーブル５は、真空チャック機構を含む。チャックテーブル５の保持面６には真空吸引源と接続される吸引口が複数設けられる。チャックテーブル５の保持面６に保護部材３を介してウェーハ２が載置された状態で真空吸引源が作動することにより、ウェーハ２はチャックテーブル５に吸着保持される。真空吸引源の作動が停止されることにより、ウェーハ２及び保護部材３はチャックテーブル５から解放される。
【００２４】
チャックテーブル５は、テーブル駆動装置の作動により、Ｚ軸と平行なテーブル回転軸ＡＸ１を中心に回転可能である。
【００２５】
研削ユニット７は、チャックテーブル５に保持されているウェーハ２を研削する。研削ユニット７は、ウェーハ２の裏面２Ｂを研削してウェーハ２を薄化する。研削ユニット７は、支持機構（不図示）に移動可能に支持される。研削ユニット７は、研削ユニット駆動装置の作動により、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向に移動可能である。
【００２６】
研削ユニット７は、スピンドル９と、ホイールマウント１０を介してスピンドル９の下端部に接続される研削ホイール１１と、研削ホイール１１の下面に設けられる研削砥石８とを有する。
【００２７】
研削砥石８は、チャックテーブル５に保持されているウェーハ２の裏面２Ｂと対向可能である。ＸＹ平面内において、研削砥石８は円環状に設けられる。
【００２８】
研削ホイール１１は、研削ユニット駆動装置の作動により、Ｚ軸と平行な研削回転軸ＡＸ２を中心に回転可能である。
【００２９】
研削砥石８の回転直径は、デバイス領域ＤＡよりも小さい。本実施形態において、研削砥石８の回転直径は、ウェーハ２の直径の約半分である。
【００３０】
研削ユニット７は、粗研削用の第１研削ユニット７１と、仕上げ研削用の第２研削ユニット７２とを含む。すなわち、本実施形態において、研削装置４は、第１研削ユニット７１及び第２研削ユニット７２の２つの研削ユニット７を有する。
【００３１】
研削砥石８は、第１研削砥石８１と、第１研削砥石８１よりも小さい砥粒径の第２研削砥石８２とを含む。本実施形態において、第１研削砥石８１は、第１研削ユニット７１に設けられる。第２研削砥石８２は、第２研削ユニット７２に設けられる。
【００３２】
第１研削砥石８１は、砥粒径＃３２０以上６００以下のレジン又はビトリファイドボンドで構成された粗研削用の研削砥石である。第２研削砥石８２は、砥粒径＃２０００以上のレジン又はビトリファイドボンドで構成された仕上げ研削用の研削砥石である。
【００３３】
研削回転軸ＡＸ２を含む断面において、研削砥石８は、矩形状である。研削砥石８は、研削回転軸ＡＸ２に対する放射方向において外側を向く外面８Ａと、下面８Ｂとを有する。下面８Ｂは、ＸＹ平面と実質的に平行である。研削回転軸ＡＸ２を含む断面において、外面８Ａと下面８Ｂとにより角部８Ｋが形成される。研削砥石８が消耗していない新品時においては、研削回転軸ＡＸ２を含む断面において、外面８Ａと下面８Ｂとは実質的に直交し、角部８Ｋは尖っている。
【００３４】
図５に示すように、研削装置４は、チャックテーブル５を駆動するテーブル駆動装置１２と、研削ユニット７を駆動する研削ユニット駆動装置１３と、研削装置４を制御する制御手段１４とを備える。
【００３５】
テーブル駆動装置１２は、テーブル回転軸ＡＸ１を中心にチャックテーブル５を回転させるための動力を発生する回転アクチュエータを有する。また、テーブル駆動装置１２は、チャックテーブル５をＸ軸方向に移動させるための動力を発生するＸ軸アクチュエータと、チャックテーブル５をＹ軸方向に移動させるための動力を発生するＹ軸アクチュエータとを有する。テーブル駆動装置１２は、制御手段１４により制御される。チャックテーブル５は、テーブル駆動装置１２の作動により、テーブル回転軸ＡＸ１を中心に回転可能である。また、チャックテーブル５は、テーブル駆動装置１２の作動により、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に移動可能である。
【００３６】
研削ユニット駆動装置１３は、研削回転軸ＡＸ２を中心に研削ホイール１１を回転させるための動力を発生する回転アクチュエータを有する。また、研削ユニット駆動装置１３は、研削ユニット７をＸ軸方向に移動させるための動力を発生するＸ軸アクチュエータと、研削ユニット７をＹ軸方向に移動させるための動力を発生するＹ軸アクチュエータと、研削ユニット７をＺ軸方向に移動させるためのＺ軸アクチュエータとを有する。研削ユニット駆動装置１３は、制御手段１４により制御される。研削ユニット７の研削ホイール１１は、研削ユニット駆動装置１３の作動により、研削回転軸ＡＸ２を中心に回転可能である。また、研削ユニット７は、研削ユニット駆動装置１３の作動により、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向に移動可能である。
【００３７】
制御手段１４は、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置１５と、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）又はストレージのような不揮発性メモリ及びＲＡＭ（Random  Access  Memory）のような揮発メモリを含む記憶装置１６と、入出力インターフェース装置１７とを有する。演算処理装置１５は、記憶装置１６に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、入出力インターフェース装置１７を介して、研削装置４を制御するための制御信号を出力する。  
【００３８】
次に、第１研削ステップ（ＳＰ３）について説明する。図６は、本実施形態に係る第１研削ステップの一例を示す斜視図である。図７は、本実施形態に係る第１研削ステップの一例を示す側面図である。第１研削ステップは、デバイス領域ＤＡに対応するウェーハ２の裏面２Ｂを第１研削ユニット７１の第１研削砥石８１で研削し、ウェーハ２の裏面２Ｂに円形凹部２４を形成するとともに、円形凹部２４を囲繞する環状凸部２５を形成するステップである。第１研削ステップは、保持ステップの後に実施される。
【００３９】
図６及び図７に示すように、ウェーハ２が保護部材３を介してチャックテーブル５に保持された後、チャックテーブル５がテーブル回転軸ＡＸ１を中心に矢印Ｒ１で示すように回転されつつ、第１研削ユニット７１の研削ホイール１１が研削回転軸ＡＸ２を中心に矢印Ｒ２で示すように回転される。チャックテーブル５及び第１研削ユニット７１の研削ホイール１１が回転している状態で、第１研削ユニット７１が−Ｚ方向に下降（研削送り）されることにより、第１研削砥石８１とウェーハ２の裏面２Ｂとが接触される。これにより、ウェーハ２の裏面２Ｂが研削され、ウェーハ２が薄化される。
【００４０】
第１研削ステップにおいては、第１研削ユニット７１の第１研削砥石８１によって、保護部材３を介してチャックテーブル５に保持されているウェーハ２の裏面２Ｂの一部が研削される。
【００４１】
第１研削ステップにおいては、ウェーハ２の裏面２Ｂのうち、表面２Ａに規定されたデバイス領域ＤＡに対応する対応デバイス領域ＥＡが第１研削ユニット７１の第１研削砥石８１によって研削される。
【００４２】
すなわち、本実施形態においては、ウェーハ２の表面２Ａにおいて、複数のデバイス２２が形成されたデバイス領域ＤＡと、デバイス領域ＳＡを囲繞する外周余剰領域ＳＡとが規定される。ウェーハ２の裏面２Ｂにおいて、デバイス領域ＤＡに対応する対応デバイス領域ＥＡと、対応デバイス領域ＥＡを囲繞する対応外周余剰領域ＴＡとが規定される。
【００４３】
対応デバイス領域ＥＡは、ウェーハ２の裏面２Ｂの中心を含む円形状の領域である。ＸＹ平面内において、デバイス領域ＤＡの外形及び寸法と、対応デバイス領域ＥＡの外形及び寸法とは、実質的に同一である。また、ＸＹ平面内において、デバイス領域ＤＡの位置と、対応デバイス領域ＥＡの位置とは、実質的に同一である。
【００４４】
対応外周余剰領域ＴＡは、対応デイバス領域ＥＡの周囲に規定される輪帯状（円環状）の領域である。ＸＹ平面内において、外周余剰領域ＳＡの外形及び寸法と、対応外周余剰領域ＴＡの外形及び寸法とは、実質的に同一である。また、ＸＹ平面内において、外周余剰領域ＳＡの位置と、対応外周余剰領域ＴＡの位置とは、実質的に同一である。
【００４５】
図６及び図７に示すように、第１研削ステップにおいては、ウェーハ２の裏面２Ｂの対応デバイス領域ＥＡが第１研削ユニット７１の第１研削砥石８１によって研削され、ウェーハ２の裏面２Ｂの対応外周余剰領域ＴＡは研削されない。これにより、図６及び図７に示すように、ウェーハ２の裏面２Ｂに、ＸＹ平面において円形の円形凹部２４が形成される。また、円形凹部２４の周囲に、円形凹部２４を囲繞する環状凸部２５が形成される。
【００４６】
円形凹部２４は、底面２６と、底面２６の外縁と接続される内周面２７とを有する。ＸＹ平面内において、底面２６は、円形である。底面２６は、ＸＹ平面と実質的に平行である。内周面２７は、底面２６と直交するように形成される。
【００４７】
環状凸部２５は、端面２８を有する。端面２８は、裏面２Ｂのうち研削されていない面であり、ＸＹ平面と実質的に平行である。ＸＹ平面において、端面２８は、輪帯状（円環状）である。環状凸部２５の端面２８の内縁は、内周面２７と接続される。端面２８と内周面２７とは直交する。端面２８と内周面２７とにより角部２９が形成される。
【００４８】
以下の説明においては、少なくとも角部２９を含む環状凸部２５の一部分を適宜、環状凸部２５の内周エッジ部３０、と称する。内周エッジ部３０は、角部２９と結ばれる内周面２７の一部及び角部２９と結ばれる端面２８の一部を含む概念でもよい。
【００４９】
本実施形態においては、デバイス領域ＤＡにおけるウェーハ２の厚みが、第１厚みＴ１になるまで、ウェーハ２の裏面２Ｂの対応デバイス領域ＥＡが第１研削砥石８１で研削される。なお、研削されていない環状凸部２５の厚みは、第１厚みＴ１よりも厚い厚みＴｒである。
【００５０】
次に、第２研削ステップ（ＳＰ４）について説明する。図８及び図９は、本実施形態に係る第２研削ステップの一例を示す側面図である。図１０は、本実施形態に係る第２研削ステップが終了した後のウェーハ２の一部を示す断面図である。
【００５１】
第２研削ステップは、第１研削砥石８１よりも小さい砥粒径の第２研削砥石８２を、チャックテーブル５の保持面６に向かって研削送りしつつ環状凸部２５の頂点（角部２９）からウェーハ２の中心に向かって斜めに移動させ環状凸部２５の内周エッジ部３０を除去し、更に第２研削砥石８２を空切り状態で研削送りさせた後、円形凹部２４の底面２６を第２研削砥石８２で研削するステップである。第２研削ステップは、第１研削ステップの後に実施される。
【００５２】
第１研削ステップによって、ウェーハ２に円形凹部２４及び環状凸部２５が形成された後、円形凹部２４及び環状凸部２５が形成されたウェーハ２が保護部材３を介してチャックテーブル５に保持された状態で、チャックテーブル５がテーブル回転軸ＡＸ１を中心に矢印Ｒ１で示すように回転される。また、第２研削砥石８２を有する第２研削ユニット７２の研削ホイール１１が研削回転軸ＡＸ２を中心に矢印Ｒ２で示すように回転される。第２研削ユニット７２の第２研削砥石８２とウェーハ２とが接触する前においては、ウェーハ２の中心に対する放射方向において研削回転軸ＡＸ２よりも外側に配置される第２研削砥石８２の下面８Ｂの一部と環状凸部２５の端面２８とが間隙を介して対向するように、ウェーハ２を保持したチャックテーブル５と第２研削砥石８２とが位置合わせされる。
【００５３】
以下の説明においては、図８の実線で示すような、ウェーハ２の中心に対する放射方向において研削回転軸ＡＸ２よりも外側に配置される第２研削砥石８２の下面８Ｂの一部と環状凸部２５の端面２８とが間隙を介して対向する状態を適宜、第１状態、と称する。
【００５４】
制御手段１４は、チャックテーブル５及び第２研削ユニット７２の研削ホイール１１が回転している状態で、第１状態から、第２研削ユニット７２をチャックテーブル５の保持面６に向かって−Ｚ方向に下降（研削送り）するとともに、環状凸部２５の頂点（角部２９）からウェーハ２の中心に向かって斜めに移動させる。
【００５５】
以下の説明においては、図８の矢印Ｃ１で示すように、第１状態の第２研削ユニット７２を、チャックテーブル５の保持面６に向かって−Ｚ方向に研削送りしつつ、環状凸部２５の頂点（角部２９）からウェーハ２の中心に向かって斜めに移動させることを適宜、斜め加工送り、と称する。
【００５６】
また、本実施形態において、研削送り方向と直交するＸＹ平面と、矢印Ｃ１で示す第２研削砥石８２の移動方向と平行な移動軸とがなす角度θを適宜、第２研削砥石８２のスロープ角度θ、と称する。本実施形態において、スロープ角度θは、０［°］＜θ＜９０［°］、の条件を満足する。好ましくは、スロープ角度θは、６０［°］≦θ≦８５［°］の条件を満足する。
【００５７】
第２研削ユニット７２が矢印Ｃ１で示すように移動され、斜め加工送りが実施されることにより、第２研削砥石８２と、環状凸部２５の内周エッジ部３０とが接触する。これにより、角部２９を含む環状凸部２５の内周エッジ部３０が第２研削砥石８２によって除去される。内周エッジ部３０が除去されることにより、図９に示すように、内周面２７と端面２８との間に傾斜面３１が形成される。傾斜面３１は、ウェーハ２の中心に対する放射方向において外側に向かって保持面６から離れるように形成される。
【００５８】
第１研削ステップにおいて形成された環状凸部２５の内周エッジ部３０に欠けが発生する可能性がある。本実施形態においては、第２研削ステップにおいて、内周エッジ部３０が第２研削砥石８２で研削される。第２研削ステップにおいて、第２研削砥石８２で内周エッジ部３０が研削されることにより、第１研削ステップで発生した内周エッジ部３０の欠けが除去される。
【００５９】
本実施形態において、制御手段１４は、内周面２７の一部及び端面２８の一部が残るように、第２研削ユニット７２を斜め加工送りする。第１状態から斜め加工送りされ、傾斜面３１を形成した第２研削砥石８２は、ウェーハ２と接触しない第２状態に遷移する。
【００６０】
制御手段１４は、第１状態の第２研削ユニット７２を斜め加工送りさせて第２状態に遷移させた後、第２研削砥石８２を、環状凸部２５と接触させない空切り状態で、矢印Ｃ２で示すように−Ｚ方向に研削送りする。
【００６１】
第２研削ユニット７２が−Ｚ方向に研削送りされることにより、やがて、円形凹部２４の底面２６と第２研削砥石８２とが接触する。制御手段１４は、円形凹部２４の底面２６と第２研削砥石８２とが接触した状態で、テーブル回転軸ＡＸ１を中心にチャックテーブル５を回転させ、研削回転軸ＡＸ２を中心に研削ホイール１１を回転させて、円形凹部２４の底面２６を第２研削砥石８２で研削する。
【００６２】
本実施形態においては、デバイス領域ＤＡにおけるウェーハ２の厚みが、第１厚みＴ１よりも薄い第２厚みＴ２になるまで、円形凹部２４の底面２６が第２研削砥石８２で研削される。すなわち、第２研削砥石８２と第１厚みＴ１の円形凹部２４の底面２６とが接触された後、第２研削砥石８２が更に−Ｚ方向に研削送りされる。
【００６３】
本実施形態においては、第２研削砥石８２で円形凹部２４の底面２６を研削するとき、第２研削砥石８２と内周面２７とが接触しないように、第２研削ステップが実施される。
【００６４】
本実施形態においては、第２研削ステップで、内周エッジ部３０を第２研削砥石８２で研削する時、又は円形凹部２４の底面２６を第２研削砥石８２で研削する時より、内周エッジ部３０を研削後に第２研削砥石８２が空切り状態で移動する時の方が研削送り速度を速く設定する。
【００６５】
図１１は、本実施形態に係る第２研削ステップにおける第２研削砥石８２の研削送り方向であるＺ軸方向における移動速度プロファイルの一例を模式的に示す図である。図１１において、縦軸は、Ｚ軸方向における第２研削砥石８２の移動速度（研削送り速度）を示し、横軸は、第２研削ステップが開始されてからの経過時間を示す。
【００６６】
時点ｔ１は、図８を参照して説明したような、第２研削砥石８２の下面８Ｂと環状凸部２５の端面２８とが間隙を介して対向する第１状態の時点である。時点ｔ１から斜め加工送りが実施され、時点ｔ２において第２研削砥石８２と内周エッジ部３０とが接触する。斜め加工送りが継続され、内周エッジ部３０が除去され、傾斜面３１が形成される。時点ｔ３において斜め加工送りされている第２研削砥石８２と環状凸部２５とが離れる。時点ｔ３は、斜め加工送りされた第２研削砥石８２と環状凸部２５とが離れる第２状態の時点である。第２切削砥石８２を使って内周エッジ部３０を研削するときの第２研削砥石８２の研削送り速度は、速度Ｖ１である。
【００６７】
第２状態になった後、第２研削砥石８２は、環状凸部２５に対して非接触状態で、すなわち空切り状態で、保持面６に向かって−Ｚ方向に研削送りされる。内周エッジ部３０を研削後に第２研削砥石８２が空切り状態で移動するときの第２研削砥石８２の研削送り速度は、速度Ｖ２である。
【００６８】
空切り状態で研削送りされる第２研削砥石８２は、時点ｔ４において円形凹部２４の底面２６と接触する。円形凹部２４の底面２６を第２研削砥石８２で研削するために、第２研削砥石８２は、円形凹部２４の底面２６に接触した状態で、−Ｚ方向に研削送りされる。第２切削砥石８２を使って円形凹部２４の底面２６を研削するときの第２研削砥石８２の研削送り速度は、速度Ｖ３である。
【００６９】
本実施形態においては、内周エッジ部３０を研削後に第２研削砥石８２が空切り状態で移動するときの第２研削砥石８２の研削送り速度Ｖ２は、内周エッジ部３０を研削するときの第２研削砥石８２の研削送り速度Ｖ１、及び円形凹部２４の底面２６を研削するときの第２研削砥石８２の研削送り速度Ｖ３よりも、速い速度に設定される。
【００７０】
以上説明したように、本実施形態によれば、ＴＡＩＫＯ研削技術において、第２研削砥石８２を使って仕上げ研削するとき、斜め加工送りされる第２研削砥石８２により、環状凸部２５の内周エッジ部３０が除去される。第１研削砥石８１を使って粗研削したとき、環状凸部２５の内周エッジ部３０に欠けが発生する可能性が高い。一方、例えば、内周面２７と底面２６との境界、又は端面２８においては、欠けが発生する可能性は低い。本実施形態においては、仕上げ研削において、第２研削砥石８２を斜め加工送りすることにより、欠けが発生する可能性が高い内周エッジ部３０のみを除去することができる。第２研削砥石８２と環状凸部２５との接触時間又は接触圧力を最小限に抑制しつつ内周エッジ部３０が除去されるため、第２研削砥石８２の消耗が抑制された状態で、欠けを除去することができる。第２研削砥石８２の消耗が抑制されるため、第２研削砥石８２の角部８Ｋが尖っている状態が長期間維持される。第２研削砥石８２の角部８Ｋが丸みを帯びずに尖っている状態が長期間維持されるため、内周エッジ部３０を第２研削砥石８２で除去した後、第２研削砥石８２をウェーハ２と接触させないように空切り状態で移動させ、その後、第２研削砥石８２で円形凹部２４の底面２６を研削するとき、底面２６は、第２研削砥石８２によって、内周面２７との境界付近まで十分に研削される。これにより、第２厚みＴ２に薄化されるデバイス領域ＤＡが狭くなることが抑制される。第２研削砥石８２の角部８Ｋが丸みを帯びると、図１０に示したような、第２研削砥石８２によって第２厚みＴ２に薄化されない部分ＤＬが大きくなってしまう。本実施形態においては、第２研削砥石８２の消耗が抑制され、角部８Ｋが尖っている状態が長期間維持されるため、部分ＤＬを小さくすることができる。部分ＤＬを小さくすることができ、第２厚みＴ２に薄化されるデバイス領域ＤＡを大きくすることができるため、デバイスチップの取り個数は十分に確保される。
【００７１】
また、本実施形態においては、空切り状態で移動するときの第２研削砥石８２の研削送り速度Ｖ２は、内周エッジ部３０を研削するときの第２研削砥石８２の研削送り速度Ｖ１、及び円形凹部２４の底面２６を研削するときの第２研削砥石８２の研削送り速度Ｖ３よりも速い速度に設定される。内周エッジ部３０及び底面２６を研削するときには、第２研削砥石８２の研削送り速度を低速化することにより、ウェーハ２の偏摩耗が抑制され、研削を高品質で実施することができる。ウェーハ２と接触せずに第２研削砥石８２を移動させるときには、第２研削砥石８２の加工送り速度を高速化することにより、研削時間の長期化及び加工効率の低下を抑制することができる。
【００７２】
また、本実施形態においては、ＴＡＩＫＯ研削技術により、補強部として機能する環状凸部２５がウェーハ２に形成される。環状凸部２５が形成されることにより、ウェーハ２のデバイス領域ＤＡが薄化された後においても、ウェーハ２の反り、及び搬送時におけるウェーハ２の割れ等が抑制される。したがって、研削処理後のウェーハ２についてスパッタ処理のような後処理を実施する場合、その後処理は精度良く実施される。
【００７３】
また、ウェーハ２の後処理において、スピンコータでウェーハ２を回転させつつウェーハ２にエッチング液を供給するエッチング処理が実施される場合がある。斜め加工送りされる第２研削砥石８２で内周エッジ部３０が研削され、内周面２７と端面２８との間に傾斜面３１が形成されることにより、スピンコータにおいて円形凹部２４を供給されたエッチング液は、傾斜面３１に沿って円形凹部２４の外側に円滑に排出される。
【００７４】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００７５】
２  ウェーハ
２Ａ  表面
２Ｂ  裏面
３  保護部材
４  研削装置
５  チャックテーブル
６  保持面
７  研削ユニット
８  研削砥石
８Ａ  外面
８Ｂ  下面
８Ｋ  角部
９  スピンドル
１０  ホイールマウント
１１  研削ホイール
１２  テーブル駆動装置
１３  研削ユニット駆動装置
１４  制御手段
１５  演算処理装置
１６  記憶装置
１７  入出力インターフェース装置
２１  ノッチ
２２  デバイス
２３  分割予定ライン
２４  円形凹部
２５  環状凸部
２６  底面
２７  内周面
２８  端面
２９  角部
３０  内周エッジ部
３１  傾斜面
７１  第１研削ユニット
７２  第２研削ユニット
８１  第１研削砥石
８２  第２研削砥石
ＡＸ１  テーブル回転軸
ＡＸ２  研削回転軸
ＤＡ  デバイス領域
ＥＡ  対応デバイス領域
ＳＡ  外周余剰領域
ＴＡ  対応外周余剰領域
Ｔ１  第１厚み
Ｔ２  第２厚み
Ｔｒ  厚み
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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